従来のSiやGaAsの物性限界を凌駕する次世代パワー半導体(III族窒化物、SiC、Ga2O3、ダイヤモンド)はグリーンエネルギー分野において注目されている。これらの新規半導体が有する優れた物性を具現化するには、電気的に活性な欠陥準位を極力低減する必要がある。Spectroscopy)を用いて高感度に精密計測し、バンド構造解析を通して結晶成長やプロセス技術へフィードバックするバンド構造エンジニアリングを積極的に行っている。我々の研究室では、従来にはない様々な機能や特性をもたらすナノ・マイクロ材料のためのコア技術としてプラズマに着目し、それに必要となるプラズマ装置やその周辺技術、さらには実際の応用を目指して、研究に取り組んでいます。開発し、超LSIデバイスでの金属配線工程などへの応用を目指している。