半透明STO/TNS/ITO光アノードの(a)断面SEM像,(b)光学写真,及び(c)透過スペクトル。透過スペクトルには全透過率と正透過率を示した。ITO)の断面の走査型電子顕微鏡(SEM)像を図3(a)に示す。nm程度のTNS層上に結着している構造が観察できた。単粒子層の光触媒粉末が基板上に堆積している構造は,PT法によって作製した光電極に類似しており,光触媒粉末間の粒界抵抗の低減,及び光透過性の向上に寄与すると期待できる。ITOは,光触媒粉末越しでも基板の裏側の文字が視認できる程度の半透明性を有していた(図3(b))。nmよりも短波長域ではSTOのバンドギャップ励起に起因する光吸収を示したが,可視域の全透過率(正透過率と拡散透過率の和)は60%程度と比較的高い値を示した(図3(c))。~20%程度と低いことから,数百nmオーダーのSTO微粒子による光の散乱が強いものと思われる。従って,今後光透過性の更なる向上には,光触媒粉末の粒径の減少による正透過率の改善がひとつのアプローチになる。タンデムセル構築時のトップセル(半透明光アノード)とボトムセル(光カソード)間の距離の制御など,デバイス構造のデザインによっても入射光の利用効率の向上を図ることは可能ではないかと考えられる。(a)各種STO粉末光アノードの電流-電位曲線。(b)半透明STO/TNS/ITO光アノードのIPCEスペクトルとSTO粉末の拡散反射スペクトル。