17:12楽天、自動配送ロボットサービスを東京で本格稼働。13:09Steamのゲーム画面録画機能が正式公開。【特集】LANケーブルなんて自分で作ればいいじゃない。Proで試してみた要注意。Hynixによる基調講演のタイトルスライド。Summit(FMS)は、あまり良いイベントとは言えなかった。同社は昨年のFMSでは基調講演がなく、存在感をアピールする機会は併設の展示会だけだった。Summitの展示会は開催中止に、来場者に戸惑いが広がる)。NANDフラッシュに関する情報をまったく発信できなかった。Hynixは、基調講演を2年振りに実施するとともに、展示会場では昨年と同様にブースをかまえた。今年は無事に講演会と展示会が開催されたので、同社は基調講演と展示会の両方で存在感をアピールすることができた。Hynixは登壇した。2年のブランクがあったせいか、基調講演の内容はかなり充実していた。NANDフラッシュ技術(「V4」技術と呼称)の現状である。昨年の下半期からV4技術によるシリコンダイの量産を開始した。いずれもTLC(3bit/セル)である。今年は、NANDフラッシュメモリの生産の半分以上を、V4技術世代のチップが占める見込みだとする。NANDフラッシュ技術(「V4」)を駆使したNANDフラッシュメモリの生産状況。NAND技術(「V5」と呼称)を開発したことを明らかにした。最初の製品はTLC方式による512Gbitのシリコンダイで、今年の第4四半期にサンプル出荷をはじめる。次に同じTLC方式で記憶容量を1Tbitに拡大したシリコンダイを製品化する。こちらは来年(2019年)の上半期にサンプル出荷をはじめる予定である。NANDフラッシュ技術(「V5」)で開発した、シリコンダイ当たりの記憶容量が512Gbitのフラッシュメモリの概要。Hynixブースでは、V5技術による512Gbitのシリコンダイを16枚収容したパッケージと、シリコンダイを作り込んだウェハを展示していた。ウェハは小さな窓を通してのみ、閲覧できるようにしてある。NANDフラッシュ技術(「V5」)で開発した、シリコンダイ当たりの記憶容量が1Tbitのフラッシュメモリの概要。NAND」と呼んでいた。その理由は、周辺回路(ペリフェラル)とセルアレイを積層することでシリコンダイ面積を削減する技術を採用したことにある。Cell)」と呼んでいた。NAND」へ名称を変えたと説明していた。Array)」と基本的には同じである。Hynixによる基調講演のスライドを撮影したものワード線の積層数を96層に増やすとともに、周辺回路とセルアレイを積層したことで、「V5」技術ではシリコンダイ面積を縮小するとともに、動作性能を向上できる。現行世代である「V4」技術に比べ、書き込み性能は30%増、読み出し性能は25%増となり、スループットは2.5倍に高まるとする。シリコン面積は30%縮小し、生産性は20%向上するという。「V4」技術から「V5」技術への移行による性能の向上。Hynixによる基調講演のスライドを撮影したもの「V4」技術から「V5」技術への移行によるシリコンダイ面積と生産性の変化。Hynixによる基調講演のスライドを撮影したものまた講演では、「V5」技術とQLC(4bit/セル)方式を組み合わせたシリコンダイを開発中であると述べていた。シリコンダイ当たりの記憶容量は1Tbitである。来年下半期のサンプル出荷を目指す。「V5」技術とQLC(4bit/セル)方式を組み合わせたシリコンダイの概要。NANDフラッシュ技術としてワード線の積層数を128層に増やした「V6」技術を開発中であるとし、128層のメモリセルアレイを試作した断面の電子顕微鏡観察像を示した。製品化の予定時期は不明である。NAND技術のロードマップ。