Safariにてご利用ください。品番は3文字以上指定して下さい。クロスリファレンス検索で表示される情報についてクロスリファレンスでは参考品名が表示されますので、製品に関する最新の情報をデータシート等でご確認の上、単独およびシステム全体で十分に評価し、お客様の責任において適用可否を判断してください。参考にしている情報は、取得した時点の各メーカーの公式情報に基づいた当社の推定によるものです。当社は、情報の正確性、完全性に関して一切の保証をいたしません。情報は予告なく変更されることがあります。品番は3文字以上指定して下さい。オンラインディストリビューターが保有する東芝製品の在庫照会および購入が行えるサービスです。使用している部分があります。お使いのブラウザーがこれらの機能をサポートしていない場合、もしくは設定が「有効」となっていない場合は正常に動作しないことがあります。下記より必要な情報をお探しください。pnpトランジスターの動作は?npnトランジスター動作イメージバイポーラートランジスタ(BJT)は非常に薄いベース層を挟んで、コレクターとベース、ベースとエミッターがPN接合される形で配置されています。高い電流増幅率を得るため、エミッターはベースに対し桁違いに高い濃度となっています。エミッターとベース間に順方向電圧VBEを印加する(順方向にベース電流を流す)ことでベース・エミッター間のPN接合がオンします。エミッターからベースに流れ込むキャリア(エミッター電流)は、ベース電流によって決まるBE間の電圧でBE間のエネルギー障壁が上下しコントロールされます。エミッターの不純物濃度は高く流れ込むキャリアは多量です。ベース厚が薄いことからほとんど再結合することなくコレクターに流れ込みます。このためBJTはベース電流を増幅する素子として動作します。V程度高い電圧が印加されている状態を考えます。ベースとエミッターは順方向にバイアスされており、ベースとコレクターは逆バイアスの状態になっています。ベース・エミッター間に電圧を印加することでベースに小さな電流が流れ、P型のベース層にホールが注入されます。このことによりベース・エミッター間のエネルギー障壁が下がり、エミッターの自由電子の一部がベースに拡散します。不純物濃度の違いからベースにあるホールは拡散してきた電子に対し少数です。ベースは非常に薄くなっています。電子の数量が多量であること、ベースに存在している時間が短いことから、拡散してきた電子のほとんどは再結合することなくベース・コレクター接合面に到達しコレクターに流入します。これがコレクター電流となります。hFEは主にベース・エミッター間の不純物濃度差とベースの厚みによって決まります。BJTはコレクター電流をベース電流によってコントロールできるデバイスです。pnpの場合も同様に考えます。V程度低い電位が印加されている状態を考えます。n型のベースに電子が注入され、エネルギー障壁が下がりエミッターエミッターからホールが拡散します。このホールの一部はベースに注入された電子と再結合しますが、残りはベースを突き抜けコレクターに到達します。関連リンク以下の資料にも関連する説明がありますので、ご参照ください。