本記事は広告およびアフィリエイトプログラムによる収益を得ています。hynixは、高性能・大容量SSDを実現する238層「4D」NANDメモリデバイスの量産を開始した事を発表した。x4インターフェースを備え、12GB/s以上のシーケンシャルリード/ライト速度を提供する高速モデルに採用されることが見込まれる。ICの主な利点は、2,400MT/sというインターフェース速度だ。x4インターフェイスを満たす転送速度を実現できないため、12GB/s以上のシーケンシャルリード/ライト速度を持つSSDを構築するために必要なものである。NANDノードで製造された同等のデバイスよりも製造効率が34%高いとのことだ。ICの歩留まりが高いと仮定した場合、ビットコストを最大34%削減できるため、デバイスのコスト競争力を高めることが出来る。小型化に加え、読み出し時の消費電力を21%削減できるため、スマートフォンだけでなく、モバイルPCにもメリットがあるとしている。Cell)レイアウトを採用している。HynixのNANDのさらなるコスト削減を可能にする。hynixは、この新しい238層メモリをまずスマートフォンに使用し、その後、他の製品のポートフォリオに使用を拡大する予定だ。hynixは、238層NAND技術を採用したスマートフォンおよびPC用ストレージデバイスであるクライアントSSD向けのソリューション製品を開発し、5月に量産を開始しました。おいて世界トップクラスの競争力を確保したことから、これらの製品が下期の収益改善を牽引すると期待しています」と、同社なプレスリリースで述べている。12:29スポンサーリンクこの記事を書いた人masapocoTEXAL管理人。中学生の時にWindows95を使っていたくらいの年齢。大学では物理を専攻していたこともあり、物理・宇宙関係の話題が得意だが、テクノロジー関係の話題も大好き。最近は半導体関連に特に興味あり。アニメ・ゲーム・文学も好き。コメントをキャンセルメールアドレスが公開されることはありません。※サイト次回のコメントで使用するためブラウザーに自分の名前、メールアドレス、サイトを保存する。reservedCloseテクノロジーサイエンスモバイルエンターテインメントレビューお問い合わせテクノロジーサイエンスモバイルエンターテインメントレビュ。