CMPで平坦化した酸化膜CMP装置によって約8000Åまでに研磨したPTEOS膜の膜厚分布。Polishing)は、膜厚の制御とともに、欠陥や膜密度などの膜質の管理が求められています。プロセスで、結果の評価のためには、統計的解析が行えるほどの大量のデータが必要です。図は150�oφシリコンウエハー上に形成した膜厚約1.5μmのPTEOS膜をCMP装置によって約8000Åまでに研磨した2枚のサンプルの膜厚(127,000点)を画像として表示したものです。全体図(上図)からウエハー面内で研磨条件が不均一であることによっておこった膜厚の不均一性が観測されます。拡大図(下図)からウエハー上に残存しているパーティクルの存在とその分布を知ることができます。