製造に関する契約を締結しました。これにより、インフィニオンは8インチのGaN-on-Siウエハー製造能力と、優れた性能と信頼性を兼ね備えたGaNパワー半導体の需要拡大に戦略的に対応していきます。アプリケーションをターゲットに、使いやすさとコストパフォーマンスの向上を実現します。シリコンよりも根本的に優れています。シリコンMOSFETと比較して、優れた固有のダイナミックOn抵抗とより小さな内部キャパシタンスにより、高速スイッチングに適しています。コストの削減、高い周波数での動作、電力密度の向上、システム全体の効率化などの理由から、GaNは設計エンジニアにとって非常に魅力的な選択肢となっています。ウエハー製造に移行したことでコスト面でも大幅に改善されます。トランジスタ構造を採用しています。構造の比類のない堅牢性と相まって、これらの製品を、市場で最も長期的に信頼できるソリューションの一つとして、選択される製品にしています」と述べています。「当社は、インフィニオンとのGaN製品に関するパートナーシップと協力関係を拡大できることを嬉しく思います。インフィニオンとの共同アプローチにより、最新のイノベーション開発に基づいた高品質な第1世代および第2世代のデバイスを提供することが可能となります」と述べています。Gen2デバイスの発売は、2023年前半を予定しています。