ールが、結晶中でグラファイトの層間距離より破格に短い距離で積層することを見いだしている。2つのπ電子系がさらに近接し高密度積層する状態を構築できれば、2分子間で分子軌道が重なり合い、分子間電子共役(=高密度共役)が達成されるはずである。このような物質群について、A02・A03・A04班との連携により高密度共役電子系の本質を解明し、π共役を超える新しい共役概念(“X”-conjugation)を提唱する。Achievementsノルコロールニッケル錯体の積層距離を低減するため、ノルコロールのπ電子密度を低下させることを目論んだ。そこで、ノルコロールの周辺置換基として電子求引基であるペンタフルオロフェニル基を導入したところ、2つのノルコロールの会合定数が格段に向上することを見いだした。結晶中ではπ平面どうしが完全に対面した積層二量体構造を形成することを見いだした。一般的に、π電子間には斥力が働くために対面積層構造をとることはまれである。この対面積層二量体の芳香族性を評価するため固体NMRを測定したところ、芳香族領域にシグナルが観測された。理論計算からもこの対面積層二量体が明確な芳香族性を示すことが支持された。骨格精査を検討し、周辺に長鎖アルコキシ鎖を有するノルコロールNi(II)錯体を合成し、特定の鎖長においてカラムナー構造に基づく液晶中間相の形成を明らかにした。Waals相互作用によって保持されることから、ノルコロール間の近接積層を基盤とした従来にはない集合化形態を有するソフトマテリアルの形成を実現した。One-shotホウ素化とOne-potホウ素化を組み合わせた,逐次的多重ホウ素化反応の開発に成功し,含ホウ素π共役化合物の新たな化学空間へのアクセスを可能とした。planned.Reason結晶中で反芳香族分子の完全な対面近接積層を実現し、この状態で明確な芳香族性が発現することを実測や理論計算から明らかにすることができた。分子間で電子共役が実現していることを示す結果であると考えられる。基づく特異な配列形態を構築することを実験的・理論的に明らかにした。ホウ素導入と環化反応を同時に行うπ拡張ボラフェナレンの合成法を開発した。ボラフェナレンは環状12π電子系を有しており,新たな含ヘテロ反芳香族化合物として期待できる。Activity電子求引基であるペンタフルオロフェニル基を反芳香族分子であるノルコロールニッケル錯体に導入すると、結晶中では2分子のノルコロールがほぼ完全に対面して近接積層することを前年度の研究から明らかにしている。本年度はこの化合物の溶液および固体物性についてさらに詳細に調査し、三次元芳香族性の発現のメカニズムを明らかにする。放射光を用いた精密電子密度解析を行い、2つのノルコロールの間の分子空隙における電子の存在を捉えることを目標に研究をすすめる。密度汎関数法により計算による分子空隙における電子密度解析も行う。前年度に合成に成功した拡張π共役ボラフェナレンの高密度集積化と半導体特性の評価を行う。ラジカルアニオンの一次元積層による有機導電体としての応用を進める。継続して設計・合成し、相反する電荷間での静電力を利用した高密度共役イオンペアの形成を検討し、近接積層に起因した物性の発現をめざす。