サービスの内容、発売日、お問い合わせ先、URL等)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更され、検索日と情報が異なる可能性もありますので、あらかじめご了承ください。最新のお問い合わせ先は、お問い合わせ一覧をご覧下さい。敏昭/以下、日立)は、高温および放射線耐性に優れた炭化ケイ素(SiC)を用いたCMOS*1(SiC-CMOS)集積回路技術を開発しました。始め、原子力発電や航空宇宙といった産業において、過酷環境下におけるセンシングデータの高精度な信号処理が可能となります。今後、日立は本技術とセンサーを組合せ、あらゆる環境で安定的に動作する高信頼なエッジコンピューティングの実現に貢献します。IoT*2社会では、さまざまな環境でセンシングしたデータを高精度に処理し、各システムと連携することが求められます。原子力発電や航空宇宙産業においては、IoTによるさらなる機器のメンテナンス品質の向上や安全性向上が期待されています。現在、センシングデータの信号処理には、主にシリコンを用いたCMOS集積回路が使われていますが、高温・放射線の影響を受けやすく、高温や強い放射線にさらされる過酷環境下での安定動作が課題でした。そのため、集積回路を過酷環境から離して設置したり、高温・放射線を遮蔽する仕組みを追加するなどの対策が必要となり、長距離転送に伴うデータの劣化や設置環境の制限といった問題がありました。そこで日立は、高温および放射線耐性に優れたSiCを用いて、過酷環境下での安定的な信号処理を可能とするSiC-CMOS集積回路技術を開発しました。集積回路の基本要素であるCMOSはn型MOS*3とp型MOS*4から構成されますが、SiCを用いたp型MOSについては、n型MOSと比較してデータ処理性能が低いなどの理由から開発が進められていませんでした。放射線への耐性を向上させるため、集積回路を電気的に保護する絶縁膜の中に、放射線の影響を緩和する保護電極を挿入したデバイス構造を採用し、高温・放射線の影響を受ける過酷環境下におけるSiC-CMOS集積回路の安定動作を実現しました。本技術を用いて、センサーからの信号を増幅処理するオペアンプ*5をSiC-CMOSで試作したところ、要求される信号処理性能を維持しつつ30kGy(キログレイ)*6まで正常動作する放射線耐性を確認しました。これは、従来使用されているシリコン製オペアンプの100倍にあたる性能に相当し、原子力発電や航空宇宙産業での利用が期待できます。今後、日立は高温や高放射線場などの過酷環境に対応したエッジコンピューティングシステムを構築し、社会インフラシステムの高信頼化に貢献していきます。Materials)にて発表する予定です。微弱な信号を増幅することができる集積回路。放射線によって物体に与えられたエネルギーを表す単位。Reader®が必要です。