グランプリを受賞しました。半導体・オブ・ザ・イヤーは、最先端のIT機器・産業を支える半導体製品・技術を表彰するものです。3部門でグランプリ、優秀賞が選出されました。FGANは、一般的な結晶成長技術である気相成長法ではなく、当社独自の液相結晶成長法によりウエハー全面にわたる低欠陥密度を実現したGaNウエハーです。2017年8月発効の「水銀に関する水俣条約」の規制を背景に今後、超高圧水銀ランプの代替としてGaNウエハーを用いた高出力・高効率な半導体レーザーの需要が高まる見通しで、2018年4月に事業化しました。プロジェクターやスタジアム照明、自動車のヘッドライトなどの光源向けに現在、直径2インチの量産体制を構築しており、2024年度には売上高100億円を目指します。5G」を支える無線基地局や衛星通信用増幅器などの高周波デバイスや、低炭素社会実現のキーデバイスとなる電気自動車(EV)やプラグインハイブリッド車(PHV)用インバーター、太陽光発電用パワーコンディショナーなどのパワーデバイスへの適用を見据え、2021年に高周波デバイス用4インチ製品、2023年にパワーデバイス用6インチ製品の量産化を目指しています。FGANは独自の技術による製品化という新規性と量産体制の構築、将来の社会を支えるデバイスへの適用といった将来性が評価され、今回の受賞に至りました。当社は今後も、デバイスの高性能化を実現するGaN基板のさらなる普及を図るため、高品質なFGANの開発、生産を加速していきます。SDGsスペシャルコンテンツいい未来が、見えてきた。未来を支えるクロコくんおっ!と驚くセラミックス。