おいて、Rashbaスピン軌道相互作用と反磁性秩序の相互作用により、従来のEdelstein効果とは異なる非線形な異常Edelstein効果が生じ、面内電場と磁場の組み合わせ、あるいは面内電場のみへの応答として、面直方向の磁化が生じる。要約この論文は、反磁性体界面におけるスピン電荷変換プロセスに関する研究論文である。反磁性体は、全体的な磁化は対称性によってゼロに保たれるが、電子のクラマース縮退が解ける磁性材料である。反強磁性体とは異なり、反磁性体では時間反転対称性に加えて回転または鏡映操作が必要となる。この対称操作により、スピン軌道相互作用がない場合でもバンド構造がスピン偏極する。従来のEdelstein効果は、Rashbaスピン軌道相互作用によって生じる面内スピン運動量ロッキングにより、面内電場によって面内磁化が生じる現象である。反磁性体では、反磁性秩序がこの線形な面内Rashba-Edelstein応答を抑制することが示されている。本論文では、反磁性秩序とRashbaスピン軌道相互作用の相互作用により、従来のEdelstein効果とは異なる非線形な異常Edelstein効果が生じることが示されている。具体的には、面内電場と磁場の組み合わせ、あるいは面内電場のみへの応答として、面直方向の磁化が生じることが示されている。基づく反磁性体の連続体モデルを用いて解析されている。その結果、面内磁場と電場の組み合わせによる応答では、面直方向の磁化が面内Edelstein効果を上回ることが示された。電場のみによる二次応答では、面直方向の磁化のみが許容され、Rashbaスピン軌道相互作用による電子バンドの交差付近で増強されることが示された。これらの結果は、反磁性界面におけるスピン電荷変換の理解を深め、新規な電子デバイスやスピントロニクスデバイスへの応用につながる可能性を示唆している。