科学技術の情報インフラ。デラウェア大学が、コンピューターチップに使用されているシリコンの代替が期待される二次元材料の遷移金属ジカルコゲニド(TMD)について、その原子構造に発生する欠陥の原因と材料への影響を解明。電子機器には三次元材料であるシリコンのチップが使用されているが、多くの企業が二次元材料製チップの開発に関心を寄せている。二次元材料は実際には三次元的な存在ではあるが、非常に薄い原子層で構成されることから二次元材料と呼ばれている。個分の薄さの遷移金属層となる。これらの原子が正確で安定した結晶構造に配置されることが理想的だが、実際には原子が別の場所へ移動することで欠陥が発生する。この欠陥の中には、例えば半導体の導電性を向上するといった有益な影響を及ぼすものもあるが、その良し悪しに関わらず必要に応じて利用・除去できるよう欠陥の発生する理由や材料への影響を理解することが重要。個分以上の薄さ)の製造時に発生する余剰電子の原因が水素にあることを確認。存在することが知られていたカルコゲン空孔の欠陥と、チップ製造のプロセス時に存在する水素の欠陥に注目し、最小エネルギ―量で形成される欠陥を特定した。型として知られる負に帯電した半導体材料を生成することを発見。型材料を組み合わせて作られている。二硫化モリブデン片への光の照射で予想外に放射される光の周波数が、カルコゲン空孔に関係した電子の挙動で説明できることがわかった。欠陥を分析し、材料が放射する光の周波数を確認。内の原子の電子配置とカルコゲン欠陥の存在を特定する。本研究の結果は、将来の実験でカルコゲン空孔を調査するためのガイドラインを提供するもの。本研究は、米国エネルギー省(DOE)と米国立科学財団(NSF)が支援した。Aのオンボード光モジュールで、400Gbit/sの伝送速度を世界で初めて実現した。PETRAが開発したシリコンフォトニクス技術を用いた世界最小5mm角の超小型光トランシーバー「光I/Oコア」を適用。私の糸を鳴らしてください。NIMSは、光と電圧の二つの入力値で複数の値を記録できる多値メモリ素子を開発しました。e-テキスタイルの、費用対効果が高くスケーラブルな高速製造法を開発。リアルタイムに再生可能エネルギーを貯蔵する可能性が期待。シリコンウェハに試作された両面ゲートIGBTチップ。後ろの鏡には、裏面のパターンが確認できる。デバイス内部の300nm幅配線の撮像に世界で初めて成功した。コメント目次へトップサイドバータイトルとURLをコピーしました。