>SiCデバイスを垂直統合で手掛けるSTマイクロ、GaNデバイスの準備も着々:オートモーティブワールド2024STマイクロエレクトロニクスは、「オートモーティブワールド2024」において、SiCデバイスの原材料からウエハー、モジュール、冷却系までを含めたシステムに至るまで垂直統合で手掛ける同社のソリューションを一堂に披露した。公開[朴尚洙,MONOist]STマイクロエレクトロニクス(以下、STマイクロ)は、「オートモーティブワールド2024」(2024年1月24〜26日、東京ビッグサイト)の「第16回[国際]カーエレクトロニクス技術展」において、SiC(シリコンカーバイド)デバイスの原材料からウエハー、モジュール、冷却系までを含めたシステムに至るまで垂直統合で手掛ける同社のソリューションを一堂に披露した。STマイクロのSiCソリューションの展示。ケース内には左から、SiCの粉末材料、8インチウエハー、ディスクリートモジュール、パワーモジュールが並んでいる[クリックで拡大]次世代パワー半導体であるSiCデバイスは、EV(電気自動車)の市場拡大に合わせて、インバーターや車載充電器などの小型化と省電力化、ひいては走行距離の延長に貢献することから需要が急速に立ち上がりつつある。STマイクロのSiCデバイスは世界シェアトップであり、ヒュンダイをはじめ現在量産されているEVに広く採用されていることで知られている。優位なポジションを築く中で、SiCデバイスに関わる生産体制の整備も急ピッチで進めている。それはSiCデバイス本体にとどまらず、SiCウエハーや、ウエハーを切り出す前のインゴッドの製造にも広がる一方で、ディスクリートのSiCデバイスで構成するパワーモジュールや、冷却系を含めたインバーターシステムの提案まで広がっている。「今回の展示は、当社がSiCソリューションを垂直統合で提供できることを示す狙いがある」(STマイクロの説明員)という。展示では、SiCインゴッドの原料となる粉末材料から始まり、最新の8インチSiCウエハーについてバルクの状態とデバイス形成後の両方を展示し、その横にはベアダイやディスクリートパッケージ、「ACEPACK」のブランド名で展開する各種パワーモジュールを並べて披露した。2023年にイタリアのカターニャに立ち上げたSiCデバイスの製造拠点では、SiCのインゴッド、8インチウエハー、前工程でのウエハーへのデバイス形成、後工程でのパッケージ/モジュール化までが行えるようになっている。シンガポールのアン・モ・キョにもSiCデバイスの製造拠点がある他、後工程と試験の工場がモロッコのブスクラと中国の深センにある。2024年にはSiCウエハーの40%を内製化することを目指している。SiC粉末材料と8インチSiCウエハー(左)、ベアダイやディスクリートパッケージ、「ACEPACK」ブランドの各種パワーモジュール(右)[クリックで拡大]今回の展示では、同社のSiCデバイスをはじめとするさまざまな技術の応用例としてEV向けのトラクションインバーターも展示した。SiCパワーモジュールと、フライバックコントローラー付き絶縁ゲートドライバ、制御用マイコン、パワーマネジメントICなどから構成されるとともに、両面放熱パッケージによる冷却系の採用により、350kW/l(リットル)に迫る電力密度を実現できる。「従来の構成だと200kW/lあたりが限界だったが、SiCに関連する技術を垂直統合で有し、アプリケーションエンジニアのレベルも高い当社だからこそ可能になったものだ」(同説明員)という。STマイクロが展示したトラクションインバーター。350kW/lに迫る電力密度を実現できるという[クリックで拡大]なお、STマイクロはSiCデバイスだけでなく、同じく次世代パワー半導体として期待されているGaNデバイスの開発にも注力しており、フランスのトゥールに生産拠点もある。「GaNデバイスはSiCデバイスと特性が異なることもあり、車載向けでより適した提案ができるように開発を進めている。2025年以降には、興味深い事例をお見せできると思う」としている。三菱電機がEVやPHEVなどxEVのモーター駆動に用いるパワー半導体モジュールの新製品「J3シリーズ」について説明。同社の車載パワー半導体モジュールの量産品として初めてSiC-MOSFETを搭載しており、従来品と比べてモジュールサイズを60%削減するなどモーターを駆動するインバーターの小型化に大きく貢献できる。イノベーションを促進へSTMicroelectronics(STマイクロ)は、現在の3つの製品グループを2つに再編する新たな組織体制を発表した。再編により、製品開発のイノベーション促進、開発期間の短縮、エンドマーケットごとの顧客サポート強化を図る。日立パワーデバイスを買収するミネベアミツミ、半導体売上高2000億円を早期実現へミネベアミツミと日立は、ミネベアミツミが日立のパワー半導体子会社である日立パワーデバイスの全株式と日立グループのパワーデバイス事業に関する海外販売事業を譲受する契約を締結したと発表した。日本TIは、EVをはじめ車載向けに展開している高電圧半導体製品の事業展開について説明した。デンソーと三菱電機が米国材料企業に総額1500億円出資、SiC基板の安定調達に向け米国コヒレントとデンソー、三菱電機は、同年4月にコヒレントが設立したSiCウエハーの製造などを手掛ける事業会社に対して、デンソーが5億米ドル、三菱電機が5億米ドル、総額10億米ドル(約1500億円)を出資することで合意したと発表した。エレクトロニクスは、高崎工場に次世代パワー半導体として知られるSiCデバイスの生産ラインを導入し2025年から稼働を始める計画だ。SNSFacebookXITmediaはアイティメディア株式会社の登録商標です。