(ソフトウェア)R-Carコンソーシアムa4e810d8-c96f-4669-add4-cd2a3f129710コンテンツ&トレーニングブログドキュメント&ダウンロード半導体セミナートレーニングビデオウェビナー35b76d3d-de79-4ff8-8fe7-80f7fbb8c712e01478a2-3fb1-4b55-8b25-a0f96fb7f076サポートサポートメニューを閉じるサポートフォーラムルネサスの技術スタッフやコミュニティからサポートを受けることができます。アプリケーション説明スマートゲートドライバICは、3相センサレスブラシレスDC(BLDC)モータアプリケーション向けに設計されています。このデバイスは、4.5Vから最大60Vまでの電圧のNチャネルMOSFETブリッジに電力を供給できる3つのハーフブリッジスマートゲートドライバを統合しており、1Aの駆動電流と2Aのシンク電流能力を備えています。MOSFETの制御が可能になります。このICは、MCUに電力を供給するための昇降圧コンバータを内蔵し、高精度のグランド側シャント電流検出用の調整可能なゲインを備えた3つの差動アンプを内蔵し、データをMCUのADC入力に供給します。FDおよびI3Cプロトコルによるデータ通信を強化し、モータ制御専用のADCを搭載し、計算集約型のアルゴリズムをサポートして、よりスムーズなモータチューニングを実現します。GaN高電圧MOSFETを使用すると、かさばるヒートシンクなしで大電流スイッチングが可能になり、システムをコンパクトで高効率のアプリケーション向けに最適化できます。このシステムのメリット:特殊な通信およびモータ制御要件を維持しながら、最小限のPCB設計アプローチを容易にします。MOSFETは、強制冷却なしでコンパクトなヒートシンク設計と動作を可能にします。5Vから60Vまでの幅広いモータ仕様に対応し、ヒートシンクなしの20Aモータ(最大1200W)、ピーク起動電流は46Aに達します。2023年11月16日expand_less最新情報のお知らせについて製品やソリューションの最新情報をメールでお届けします。匿名加工情報アクセシビリティサイトマップこのページへのご。