スピントロニクス11.02(Intermag2005(講演番号BA-01))タイトル:MTJ素子のスピン注入磁化反転電流がかなり下がってきた。概要:GrandisのHuaiらは低抵抗TMR素子を用いたスピン注入磁化反転を報告した。A/cm2まで小さくなることを報告した。MRAMの書込み電力低減化技術として期待される。10から30Ωμm2)を用いたスピン注入磁化反転について、反転電流(Ic)の分布の向上と、2重スピンフィルター構造によるIcの低減について報告した。CoFeBをフリー層に用いたMTJ膜(bottom-lead/Ta5/PtMn20/CoFe2/Ru0.8/CoFeB3/AlOx/CoFeB3/Ta50)(単位はnm)を、エッチバック法により220×170nmの接合に加工し、Icの再現性を調べたところ、Ic約1mAでのばらつき(σ/Ic_ave)は3%であった。Icでデータを読み出しても、十分低いエラーレート(10-12以下)が得られること、また室温でデータを10年以上保持できることに対応する。Ru0.7/CoFeB2/AlOx/CoFeB2.5/Ta3)と、フリー層の上部にスピンフィルタを加えたDSF(2重スピンフィルター)構造にした膜(bottom-lead/Ta5/PtMn20/CoFe2/Ru0.8/CoFeB3/AlOx/CoFeB2.5/spacer/CoFe2/PtMn15/Ta5)を同様の形状に加工し、Icの比較を行った。DSF膜のスペーサー層には5nmのCuとその上にアルミナのナノオキサイド層をつけたものが用いられた。nmである以外は異なる可能性がある。