SB2PacLineWLPサービス無電解メッキはんだ/ワイヤーボンディングの接合性改善や製品の信頼性向上のために、パッド上に金属スタックをマスクレスで形成します。電解メッキウェハー/基板上にRDLなどの金属配線(複層可)を形成します。CuピラーオプションでNi拡散バリアやSnAgキャップを形成することが可能です。低コスト、ファインピッチ対応。再配線層(RDL)チップのパッド上に金属配線と絶縁層を形成し、パッドを他の場所に再配置することで実装性を向上させます。はんだバンピングWLCSPやフリップチップの接続用のはんだバンプを形成します。レーザーアシストボンディングレーザーを用いて低熱ストレスでの部品/チップ実装を実現します。ウェーハレベルの部品実装ウェーハ上にダイやチップ、コンデンサなどの各種部品実装を行います。機械研磨とケミカルストレスリリーフにより、ウェーハ裏面の研削を行います。バックサイドメタルウェーハ裏面への蒸着・スパッタリングによる各種金属膜の形成を行います。ダイシングウェハー状態からシリコンチップ(ダイ)を機械的に切り出します。マイクロエレクトロニクスパッケージの小型化、薄型化の要求により、普及が進んでいます。WLCSPは、従来のワイヤーボンドやインターポーザ・パッケージング技術に比べ、より小さなフォームファクタ、電気性能の向上、比較的シンプルな構造を可能にします。パックテックは、RDLや銅柱めっきなど、最先端のウェハバンピングとWLCSPのソリューションを提供しています。開始その目的は、絶縁層上に配置された接続を再分配することである。このプロセスは、絶縁層の上にパッシベーション層を形成することから始まります。通常、スパッタリングや蒸着で作られるシード層がオブジェクトの上に置かれ、新しい接続の可能性を生み出します。フォトレジストシード層上に感光性有機材料であるフォトレジストを配置する。次工程のフォトリソグラフィーでマスキングを可能にする。光は、フォトレジストをマスクし、接続用の新しいパターンを生成するために使用されます。光の極性によって、材料が弱くなったり、強くなったりと、さまざまな影響を受けます。電気メッキマスクされた領域には、電気めっきプロセスにより、シード層上に銅などの導体薄膜を析出させる。レジスト剥離フォトリソグラフィーで作成したマスクは、次の工程で種膜を作り直すために、対象物から剥がされる。エッチング不要なもの(この場合はシード層)をオブジェクトから取り除き、シード層と銅層がまったく同じサイズになるようにします。不動態化パッシベーション層の成膜。これにより、次工程のフォトリソグラフィーでマスキングした後、新たに配置された電子的な接続部を分離する。フォトリソグラフィーこのプロセス例の2回目のマスキング。特定の位置でパッシベーション層を除去し、バンプ下メタライゼーションのための新たな空間を作り出す。無電解UBMパッシベーション層とパッシベーション層の間のマスクされた空間に金属層を積層し、さまざまな用途の集積回路を完成させる。はんだボールUBM層上にハンダバンプや銅柱を配置し、フリップチップのような後続のアプリケーションに使用することができます。ウエハーレベルパッケージングサービス電気メッキサービス電気めっき、または電気化学的析出は、任意の基板上の金属(複数可)の層で対象物をコーティングするために電解を使用するプロセスである。RDLや銅はこのプロセスの一部である。電気メッキサービスへ無電解メッキサービスワイヤーボンディングやはんだボールなど実装方法ごとに適しためっきをパッド上に形成します。ウェーハプロセスかつマスクレスのため低コストでの成膜が可能です。無電解めっきサービスへレーザーアシストボンディングレーザーアシストボンディングは、レーザーエネルギーによって2つの材料の表面を結合させる接合方法である。フリップチップなど)上にはんだバンプを形成します。ハンダバンピングサービスへ部品実装ウェーハの表面にダイや受動部品などコンポーネントを実装します。コンポーネント組立サービスへバックグラインドダイの薄型化のためウェーハ裏面を研削します。ウェーハ薄片化サービスのページへバックサイドメタルウェーハ裏面にバックサイドメタルを形成します。ウェハメタルコーティングサービスへダイシングウェーハからダイを切り出し、個片化します。ダイシングブレードを使用します。