近年ではUSB充電器のスイッチングデバイスに窒化ガリウム(GaN)が採用されることが増えている。GaNパワー半導体はSi半導体と比べスイッチングロスが少なく、効率や発熱の面で有利とされている。デバイスサイズに関してもGaNのほうが小型化できることが知られている。本レポートでは、GaNパワー半導体を使用したUSB充電器と、従来のSiパワー半導体を使用したもので、効率や筐体温度、EMIなど測定を行った。項目ごとの部分販売も承ります。分解調査レポート計測システム評価ボードWTI社員と社長ブログ、テクノシェルパのブログです。お役立ち情報満載です。カテゴリー別に掲載しています若手技術者のインタビュー記事です当社が誇る技術者教育の取り組みをご紹介します当社のインターンシップに参加してみませんか?新卒採用情報はこちらへどうぞ中途採用情報はこちらへどうぞ技術は、「強化」から「協創」へわかりやすい技術解説です。