レビューコメントをお待ちしています。発売当時の価格であり、現在の価格とは異なります。詳細はメーカへお問合せください。オプション構成によっても異なります。販売・サポートは登録時のものであり、現在の状況と異なる場合がございます。実際の状況はメーカーにお問合せください。レンタル品は在庫が無く、ご希望に添えない場合がございます。中古品は既に在庫が無く、ご希望に添えない場合がございます。画像は同一シリーズのものを掲載している場合があります。計測器のご質問はこちら商品説明1GHz帯域幅で、CMRRの性能が良い光絶縁プローブ。オシロスコープでSiCやGaNの波形評価に最適。モデルは、帯域別に100MHz(MOIP100P)から1GHz(MOIP1000P)まで5種類。アッテネータ・チップを1本、標準添付。アッテネータ・チップは数種類から選択可能(別料金)OP10-2~OP1000-1G。Signal100MHzで128dB、1GHzで100dBを超える非常に高いコモンモード除去比(CMRR)を持ち信号を忠実に測定可能です。■第3世代半導体に最適なプローブSiCやGaNのようなデバイスは、非常に高エネルギーの高周波高調波を含む高電圧を数ナノ秒で切り替えることができます。SigOFITは最大帯域幅においても100dB以上のCMRRを有し、高周波コモンモードノイズによる発振を抑制します。■安全性能テストリードは短く、同軸ケーブル伝送のため、入力キャパシタンスは2.5pF未満で、GaNをテストするのに非常に安全です。デバイスがすでに臨界状態にある場合、安全性は保証されません。従来の差動プローブは高電圧信号しか測定できませんでしたが、異なるアッテネーター・チップを使用することで、±0.1Vから±6250までの差動モード信号を測定することができ、最適なレンジで非常に高いS/N比を実現します。■使いやすくフレキシブル従来のディファレンシャルプローブより小型で、より正確なプローブチップにより電源投入後すぐにテストが可能です。オートゼロは1秒未満、リアルタイムで正確な信号出力を実現します。0.45mVrms【立ち上がり時間】≤438ps関連資料ダウンロードプレミアム会員(無料)とメルマガ購読の登録が必要です。関連資料をダウンロードいただくにはプレミアム会員(無料)とメルマガ購読の登録が必要です。ログイン後、プロフィール編集画面よりメルマガ購読欄を「購読する」に変更をお願いします。ログイン後、プレミアム会員への移行&メルマガ購読の手続きをお願いします。プレミアム会員への登録&メルマガ購読の手続きをお願いします。ログイン会員登録レビューこの商品のレビューを投稿するこの商品には現在レビューがありません。レビュー投稿へのご協力をよろしくお願いいたします。必要ですレビューの投稿は会員限定です。レビューを投稿いただくには会員登録が必要です。メルマガ購読でTechEyesOnline掲載記事のPDFダウンロードサービスが受けられます。