Im Lauf vo dè Gschicht vo dè Mikroelegtronik sin èn Huufè vo Transischtòrbauformè entwicklet worrè, diè sich vo allem i dè Hèrschtellig vo pn-Übbergäng un dè Aaorning vo dè dotyrtè Berych unterscheidè duèn. Dè èrschti praktisch realisyrte Transischtòr isch 1947 dè Spitzètransischtòr gsi. Dõdruff hy sin zaalrychi Vosuèch gfolgt, d Hèrschtellig eifacher un somit au günschtiger z machè. Wichtigi Bauformè vo bipolarè Transischtòrè sin: dè Transischtòrè mit gwachsenèm pn-Übbergang (ängl. ), dè Legyrigstransischtòr, dè Drifttransischtòr, dè Diffusionstransischtòr, dè diffundyrt-legyrti Mesatransischtòr, dè Epitaxialtransischtòr un dè Overlay-Transischtòr. Diè wool wichtigschte Bauform isch abber dè 1960 vom Jean Hoerni entwicklete Planartransischtòr, dè sowoll è baralleli Massèfèrtigung uff eim Subschtràt als au wûrksamè Schutz vor sensiblè pn-Übbergang wôrend un nõch dè Fèrtigung erlaubt hèt.