Siliziumdioxyd eignet sich für d Obberflächèpassivyrung vom Halbleiter, wodurrè d Umgebig (Voschmutzigè, Obberflächèladungè usw.) diè elegtrischè Eigèschaftè vo dè Bauelemènt dütlich wenniger beyflusst hèt un somit reproduzyrbarer worrè isch.