Deunyddiau Anweddu Alwminiwm Alwminiwm Customized China Cynhyrchwyr a Chyflenwyr - Deunyddiau Anweddu Alwminiwm Alwminiwm Prisiau Ffatri - Ewyllys Da
Cartref > Cynnyrch > Deunyddiau Anweddiad > Deunyddiau Anwedd Cyfansawdd
Mae Metal Tech Ewyllys Da yn cynhyrchu deunyddiau anweddu alwminiwm Alwminiwm. Mae ein cynnyrch yn gyson dda mewn ansawdd a purdeb. Rydym hefyd yn gwneud targedau wedi'i dorri trwy gais cwsmeriaid.
Deunyddiau anweddu alwminiwm alwminiwm
Nitrid Alwminiwm (AlN)
Targedau Sputtering Nitride Alwminiwm
Purdeb --- 99%, 99.9%
Siâp --- Disgiau, Plât, Cam (Dia ≤480mm, Thickness ≥1mm)
Rectangle, Taflen, Cam (Hyd ≤400mm, Lled ≤200mm, Thickness ≥1mm)
Tiwb (Diamedr <300mm, thickness=""> 2mm)
Cais - synwyryddion tonnau acwstig arwyneb (SAWs), hidlydd RF, adnewyddydd acwstig swmp swmp ...
Substrate Alwminiwm Nitrid Ceramig (AlN Ceramic)
Purdeb - 99.9%
Siâp - Disgiau, Rectangle, Cam, Platiau, Taflenni, Rhodlau, Gwneud Custom
Dimensiwn - Diamedr (≤480mm), Hyd (≤400mm), Lled (≤300mm), Thickness (≥1mm), Custom-Made
Powdwr Nitrid Alwminiwm - AlN
Siâp - powdwr
Dimensiwn - sylfaen maint ar eich anghenion
Cais - deunydd crai ..
Powdwr Nanomedr Nitrid Alwminiwm
Purender --- 99% Cynnwys ocsigen --- <0.8wt% siâp="" dadissociatig%="">
Lliw --- cam Crystallographic offwhite --- Hecsagonol
Maint gronynnau cyfartalog (D50) --- <>
Ardal arwyneb penodol ---> 78m2 / g
Dwysedd debyg --- 0.12g / cm3
Dull cynhyrchu --- anwedd arc Plasma
Cais --- Nano alwminiwm nitride sylfaenol a ddefnyddir i integreiddio tynnu cylched, dyfeisiau electronig, dyfeisiau optegol, dyfeisiau allyriad thermol, crogfachau a ddefnyddir ar dymheredd uchel, paratoi cyfansoddion matrics metel a matrics polymer, yn arbennig, yn y rhwymwyr sêl tymheredd uchel ac yn electronig deunyddiau casglu, bydd Nano-ALN yn cael ei ddefnyddio'n sylweddol yn y dyfodol.
Storfa --- Dylai fod yn storio'r ystafelloedd oer a sych heb oleuni solar. Ni all y cynnyrch fod mewn cywasgu mawr. Yn y broses o ddefnyddio powdrau Nano-ALN, er mwyn osgoi'r cydgrynhoi powdwr a achosir trwy amsugno lleithder ac felly'n effeithio ar effeithiau'r cais, ni all y powdr Nano-ALN fod yn agored i'r aer.
Dewis Niwtrid Alwminiwm
Mae gan ddyfeisiadau nitride alwminiwm caledwch uchel, modiwleidd uchel, eiddo dielectrig uchel iawn, eiddo ocsidresiaidd da ac ehangu isel-thermol yn effeithlon, sy'n fras i Silicon. Pan ddefnyddir pwerau AlN i wneud cyfansoddion, mae ei gydwedd rhyngwyneb yn dda. Gall wella eiddo mecanyddol, ymddygiad seirmiol a nodweddion dielectrig cyfansoddion.
Nitride alwminiwm (AlN) yw nitride o alwminiwm. Mae ei gyfnod wurtzite (w-AlN) yn bwlch band eang (6.01-6.05 eV ar dymheredd ystafell) deunydd lled-ddargludyddion, gan roi iddo gais potensial ar gyfer optoelectroneg uwchfioled dwfn.
Cafodd AlN ei syntheseiddio yn gyntaf ym 1877, ond nid oedd hyd at ganol y 1980au wedi sylweddoli bod ei botensial ar gyfer cymhwyso mewn microelectroneg oherwydd ei gynhyrchedd thermol cymharol uchel ar gyfer cerameg inswleiddio trydanol (70-210 W · m-1 · K- 1 ar gyfer deunydd polycrystalline, ac mor uchel â 285 W · m-1 · K-1 ar gyfer crisialau sengl).
Mae Nitride Alwminiwm (AlN) yn ddeunydd ceramig unigryw sy'n cyfuno cynhyrchedd thermol uchel gyda gwrthsefyll trydan uchel. Dim ond ychydig o serameg sydd â chynhwysedd thermol uchel: Beryllium Oxide (BeO) a Boron Nitride ciwbig (c-BN) yw'r unig enghreifftiau eraill sydd bron. Fodd bynnag, mae'r defnydd o BeO wedi'i gyfyngu oherwydd ei wenwyndra, ac mae c-BN yn anodd iawn ei gynhyrchu.
"Cynhwysedd thermol" yw gallu deunydd i gludo gwres pan gaiff graddiant tymheredd ei ddarostwng. Mewn dielectrics fel AlN, mae gwres yn cael ei drosglwyddo trwy ddibyniaethau dellt (a elwir hefyd yn "ffonau"). Yn gyffredinol, mae deunyddiau gyda strwythur syml, bondio cofalent a màs atomig isel yn meddu ar gynhyrchedd thermol uchel.
Mae ffactorau sy'n rhwystro lluosogi ffonau yn effeithio ar gynhwysedd thermol gwirioneddol deunydd. Mae tymheredd, anniddigrwydd, maint a dosbarthiad porw, maint grawn, homogeneity a chyfeiriadedd cyfansoddiadol oll yn effeithio ar y dirgryniadau dailt, ac felly'n gynhyrchedd thermol.
Mae cynhwysedd thermol damcaniaethol AlN tua 280 Wm-1K-1. Mae'r gwir gynhwysedd thermol yn dibynnu ar amodau prosesu a phurdeb deunydd crai. Mae presenoldeb amhureddau ocsigen yn y dellt yn niweidiol mawr; gan fod ocsigen yn disodli nitrogen yn y dellt, mae'n creu swyddi gwag sy'n torri ymyrraeth ffonau a gwasgaru'r ffonau, gan leihau cynhyrchedd thermol.
Adeiladau sefydlogrwydd a chemegol
Mae nitride alwminiwm yn sefydlog ar dymheredd uchel mewn atmosfferiau anadweithiol ac yn toddi ar 2800 ° C. Mewn gwactod, mae AlN yn dadelfennu yn ~ 1800 ° C. Yn yr awyr, mae ocsidiad arwyneb yn digwydd uwchlaw 700 ° C, ac hyd yn oed ar dymheredd yr ystafell, mae haenau ocsid arwynebol o 5-10 nm wedi'u canfod. Mae'r haen ocsid hwn yn amddiffyn y deunydd hyd at 1370 ° C. Yn uwch na'r tymheredd hwn mae ocsidiad swmp yn digwydd. Mae nitride alwminiwm yn sefydlog mewn atmosfferau hydrogen a charbon deuocsid hyd at 980 ° C.
Mae'r deunydd yn diddymu'n araf mewn asidau mwynol trwy ymosodiad ffiniau grawn, ac mewn alkalïau cryf trwy ymosod ar y grawn nitride alwminiwm. Mae'r deunydd yn hydrolyso'n araf mewn dŵr. Mae nitride alwminiwm yn gwrthsefyll ymosodiad gan y rhan fwyaf o halwynau tawdd, gan gynnwys cloridau a chriwsit.
Caiff AlN ei syntheseiddio gan y gostyngiad carbothermol o alwminiwm ocsid ym mhresenoldeb nitrogen nwyon neu amonia neu drwy nitridation alwminiwm uniongyrchol. Mae angen defnyddio cymhorthion sintering, megis Y2O3 neu CaO, a phwysau poeth i gynhyrchu deunydd gradd technegol trwchus.
Defnyddir nitrydd alwminiwm crisialog ffilm tenau a gynhyrchir yn epitaxial ar gyfer synwyryddion tonnau acwstig wyneb (SAWs) a adneuwyd ar wafrau silicon oherwydd eiddo piezoelectric AlN. Mae un cais yn hidlydd RF sy'n cael ei ddefnyddio'n helaeth mewn ffonau symudol, a elwir yn adnewyddydd acwstig swmp ffilm denau (FBAR). Mae hwn yn ddyfais MEMS sy'n defnyddio nitride alwminiwm wedi'i gyfuno rhwng dwy haen metel.
Defnyddir nitride alwminiwm hefyd i adeiladu trawsgludyddion uwchsain micromachined piczoelectrig, sy'n allyrru ac yn derbyn uwchsain ac y gellir ei ddefnyddio ar gyfer gwasgaru ystod o fewn pellteroedd o hyd at fetr.
Mae dulliau metallization ar gael i ganiatáu i AlN gael ei ddefnyddio mewn ceisiadau electroneg sy'n debyg i rai alwmina a beryllium ocsid. Awgrymwyd bod nanotubau AlNN yn nanotubau cwas-un-dimensiwn anorganig, sy'n isoelectronig â nanotubau carbon, yn synwyryddion cemegol ar gyfer nwyon gwenwynig.
Ar hyn o bryd, mae llawer o ymchwil i ddatblygu diodydd sy'n allyrru golau i weithredu yn yr uwchfioled gan ddefnyddio lled-ddargludyddion yn seiliedig ar gali nitrid ac, gan ddefnyddio alwminiwm niwmid alwminiwm aloi, mae tonfeddi mor fyr â 250 nm wedi'u cyflawni. Ym mis Mai 2006, adroddwyd am allyriad AlN LED aneffeithlon ar 210 nm.
Mae yna lawer o ymdrechion ymchwil ym maes diwydiant ac academia i ddefnyddio nitride alwminiwm mewn ceisiadau MEMS piezoelectric. Mae'r rhain yn cynnwys ailsefydlu, gyroscopau a meicroffonau.
Ymhlith y ceisiadau o AlN mae optoelectroneg, haenau dielectrig mewn cyfryngau storio optegol, is-orsafoedd electronig, cludwyr sglodion lle mae cynhwysedd thermol uchel yn hanfodol, cymwysiadau milwrol, fel croeslyd i dyfu crisialau arsenid gallium, gweithgynhyrchu dur a lled-ddargludyddion.
Enwau: nitride alwminiwm
Fformiwla gemegol: AlN
Rhif CAS: 24304-00-5
CHEBI CHEBI: 50884
ChemSpider: 81668
Rhif y GE: 246-140-8
PubChem: 90455
Rhif RTECS: BD1055000
Màs molar: 40.9882 g / môl
Ymddangosiad: solet gwyn i melyn pale
Dwysedd: 3.260 g / cm3
Pwynt doddi: 2,200 ° C (3,990 ° F; 2,470 K)
Man berwi: 2,517 ° C (4,563 ° F; 2,790 K)
Hysbysrwydd mewn dŵr: adweithyddion (powdwr), anhydawdd (monocrystallin)
Diddymoldeb: yn ymateb yn ethanol
Bwlch band: 6.015 eV (uniongyrchol)
Symudedd electroneg ~ 300 cm2 / (V · s)
Cynhwysedd thermol: 285 W / (m · K)
Mynegai adferol (nD): 1.9-2.2
Strwythur Crystal: Wurtzite
Grŵp gofod: C6v4-P63mc
Geometreg cydlynu: Tetrahedral
Capasiti gwres penodol (C): 30.1 J / mol K
Entropi molar Std (So298): 20.2 J / mol K
Enthalpi Std o ffurfio (ΔfHo298): 318 kJ / mol
Gibbs ynni am ddim (ΔfG˚): 287.4 kJ / mol
Hot Tags: deunyddiau anweddu nitride alwminiwm, Tsieina, gwneuthurwyr, cyflenwyr, ffatri, addasu, pris