Cymhwyso Ni - Targed Sputtering Alloy Pt mewn Gweithgynhyrchu Semiconductor - Newyddion - Haohai Metal Materials Co, Ltd (Haohai Titaniwm)
Cymhwyso Ni - Targed Sputtering Alloy Pt mewn Gweithgynhyrchu Semiconductor
Haohai Deunyddiau Metal Co, Ltd (Haohai Titaniwm) | Updated: Oct 19, 2017
Ar hyn o bryd, y prif ddull o baratoi ffilm silicid nicel-platinwm yw ffurfio haen mewnblaniad ïon yn gyntaf yn rhanbarth silicon yr is-haen lled-ddargludol, ac yna baratoi haen o haen epitaxial silicon arno, a'i ddilyn gan ysgubo ar wyneb y silicon epitaxial haen gan magnetron sputtering Haen o ffilm NiPt, ac yn olaf trwy'r broses ail-lenwi i ffurfio ffilm silicid nicel platinwm.
Ffilmiau Silicid Nickel Platinum mewn Ceisiadau Gweithgynhyrchu Semiconductor:
1. Cais yn Gweithgynhyrchu Diwyd Schottky: Targed Sputtering Alloy Mae detholiad Schottky yn nodweddiadol o ffilmiau silicid nicel-platinwm mewn dyfeisiau lled-ddargludyddion. Gyda datblygiad technoleg diwydon Schottky, silicid metel - mae cysylltiad silicon wedi disodli'r cysylltiad metel traddodiadol - silicon, er mwyn osgoi'r diffygion wyneb a'r halogiad, gan leihau effaith y cyflwr wyneb, gwella nodweddion cadarnhaol y ddyfais, I'r pwysau, effaith ynni gwrthdro, gallu tymheredd uchel, gwrth-sefydlog, gwrth-losgi. Mae silicid Nickel-platinwm yn ddeunydd cyswllt rhwystr Schottky delfrydol, ar yr un llaw aloi nicel-platinwm fel metel rhwystr, gyda sefydlogrwydd tymheredd uchel da; Ar y llaw arall, mae Targed Sputtering Alloy trwy'r gymhareb cyfansoddi aloi yn newid i sicrhau Addasiad uchder rhwystr. Mae'r dull yn cael ei baratoi trwy ysbwriel yr haen aloi nicel-platinwm ar yr is-haen lled-ddargludyddion silicon N-n gyda sgwterio magnetron, a gwneir y gwaith gwag yn yr ystod o 460 ~ 480 ℃ am 30 munud i ffurfio haen rwystro NiPtSi-Si. Fel arfer mae angen i ni sbwter NiV, TiW a rhwystr trylediad arall, gan rwystro'r rhyngddeliad rhwng metel, gwella perfformiad gwrth-blinder y ddyfais.
2. Ceisiadau mewn cylchedau integredig lled-ddargludyddion: Mae silicidau nicel-platinwm hefyd yn cael eu defnyddio'n helaeth yn y dyfeisiau micro-electroneg VLSI yn y cyswllt ffynhonnell, draenio, giât a metel. Ar hyn o bryd, mae Ni-5% Pt (ffracsiwn moeth) wedi'i gymhwyso'n llwyddiannus i dechnoleg 65nm, Ni-10% Pt (ffracsiwn moeth) a gymhwyswyd i dechnoleg 45m. Gyda'r lleihad pellach o linell y dyfais lled-ddargludyddion, mae'n bosibl gwella'r cynnwys Pt ymhellach yn yr aloi nicel-platinwm i baratoi ffilm cyswllt NiPtSi. Targed Sputtering Alloy Y prif reswm yw y gall cynnydd y cynnwys Pt yn yr aloi wella sefydlogrwydd tymheredd uchel y ffilm a gwella'r Apêl Rhyngwyneb, lleihau'r ymosodiad o ddiffygion. Dim ond tua 10 nm yw trwch yr haen ffilm aloi nicel-platinwm ar wyneb y ddyfais silicon cyfatebol, ac mae'r dull a ddefnyddir i ffurfio silicid nicel-platinwm yn un neu ragor o gamau. Mae'r tymheredd yn yr ystod o 400 i 600 ° C am 30 i 60 s Y
Yn ystod y blynyddoedd diwethaf, mae'r ymchwilwyr er mwyn lleihau ymwrthedd cyffredinol silicid nicel-platinwm, ffilm tenau NiPtSi gweithgynhyrchu patent dau-gam IBM: cam cyntaf dyddodiad cynnwys Pt uchel o ffilm aloi nicel-platinwm, Targed Sputtering Alloy y cynnwys Pt dyddiad ail gam Nid yw'r ffilm aloi nicel-platinwm isaf hyd yn oed yn cynnwys ffilm nicel pur Pt. Mae ffurfio ffilm silicid nicel-platinwm ar wyneb y cynnwys Pt isel, yn helpu i ostwng gwrthwynebiad cyffredinol silicid nicel-platinwm, felly yn y nôd technoleg newydd, mae'n bosibl defnyddio cynnwys Pt gwahanol o ysbwriel aloi nicel-platinwm targed Paratowyd y ffilm cyswllt silicid platinwm nicel gyda strwythur graddiant.
Pâr o: Targedau Sputtering Chromiwm Uchel Purdeb
Nesaf: Mae Targedau Sputtering Metel yn cael eu defnyddio fwyaf mewn Diwydiannau Electronig a Gwybodaeth