根據這段文字，請提供一個製備積體電路(ICs)半導體材料的流程列表。
有一系列的工藝流程用於製備半導體材料用於積體電路。其中一個工藝稱為熱氧化，它在矽表面形成二氧化矽。這被用作柵絕緣體和場氧化物。其他工藝稱為光掩膜和光刻。這個過程是在積體電路中建立電路圖案的過程。紫外線光與光刻膠層一起使用，以建立化學變化，產生電路的圖案。

接下來需要的是蝕刻過程。上一個步驟中未被光刻膠層覆蓋的矽部分現在可以被蝕刻。目前通常使用的主要過程稱為等離子體蝕刻。等離子體蝕刻通常涉及在低壓室中泵入蝕刻氣體以建立等離子體。常見的蝕刻氣體是氯氟烴，或更常見的是氟利昂。陰極和陽極之間的高射頻電壓是在室內建立等離子體的原因。矽晶片位於陰極上，這使得它被從等離子體中釋放的帶正電荷的離子擊中。結果是矽被異向蝕刻。

最後一個過程稱為擴散。這是賦予半導體材料所需半導體特性的過程。它也被稱為摻雜。該過程向系統引入雜質原子，從而建立p-n結。為了將雜質原子嵌入矽晶片中，首先將晶片放入一個1100攝氏度的室內。原子被注入並最終與矽擴散。完成過程並且矽達到室溫後，摻雜過程完成，半導體材料已準備好用於積體電路。
-熱氧化
-光掩模/光刻
-蝕刻（主要是等離子蝕刻）
-擴散/摻雜