b'\n_START_ARTICLE_\nPuslaidininkinis \xc4\xaftaisas\n_START_PARAGRAPH_\nPuslaidininkis \xc4\xaftaisas - \xc4\xaftaisas, kurio veikimas pagr\xc4\xafstas puslaidininki\xc5\xb3 savyb\xc4\x97mis.\n_START_SECTION_\nKlasifikacija\n_START_PARAGRAPH_\nRezistoriuose ir galvanometriniuose prietaisuose naudojama izotropin\xc4\x97 med\xc5\xbeiaga (vieno tipo puslaidininkis be sand\xc5\xabr\xc5\xb3). \xc5\xa0iuose prietaisuose fizikiniai rei\xc5\xa1kiniai, lemiantys prietais\xc5\xb3 elektrines savybes, vyksta visame t\xc5\xabryje. Galvanomagnetiniuose prietaisuose naudojamas Holo efektas._NEWLINE_Dioduose naudojami skirtingo tipo puslaidininkiai, sudarantys elektronin\xc4\x99-skylin\xc4\x99 sand\xc5\xabr\xc4\x85, tod\xc4\x97l diodo elektrin\xc4\x97s charakteristikos yra apib\xc5\xabdinamos sand\xc5\xabros elektrin\xc4\x97mis savyb\xc4\x97mis._NEWLINE_Dvipoliuose tranzistoriuose panaudotos dvi pn sand\xc5\xabros. \xc5\xa0i\xc5\xb3 tranzistori\xc5\xb3 elektrines savybes lemia dviej\xc5\xb3 pn sand\xc5\xabr\xc5\xb3 tarpusavio veikimas._NEWLINE_Lauko tranzistoriuose naudojami skirtingo tipo puslaidininkiai, kurie sudaro pn sand\xc5\xabras. Nuo diod\xc5\xb3 lauko tranzistoriai skiriasi tuo, kad j\xc5\xb3 elektrin\xc4\x97s charakteristikos priklauso nuo pn sand\xc5\xabros ir izotropinio puslaidininkio kanalo tarpusavio veikimo._NEWLINE_Tiristoriuose yra trys ir daugiau pn sand\xc5\xabr\xc5\xb3. Tiristori\xc5\xb3 pagrindines elektrines savybes lemia sand\xc5\xabr\xc5\xb3 tarpusavio veikimas._NEWLINE_Fotoelektriniuose prietaisuose panaudoti vidinis ir ventilinis fotoefektai._NEWLINE_Kombinuotiems prietaisams priskiriami prietaisai, kuri\xc5\xb3 viename korpuse sujungta keletas skirting\xc5\xb3 puslaidininki\xc5\xb3 prietais\xc5\xb3._NEWLINE_Integrini\xc5\xb3 mikroschem\xc5\xb3 visi elementai ir tarpelementiniai junginiai i\xc5\xa1d\xc4\x97styti kristalo (puslaidininkio) pavir\xc5\xa1iuje arba t\xc5\xabryje.'