b'\n_START_ARTICLE_\nTranzistorius\n_START_PARAGRAPH_\nTranzistorius \xe2\x80\x93 puslaidininkinis \xc4\xaftaisas, paprastai naudojamas elektroniniams signalams sustiprinti ar nukreipti. Tranzistorius yra fundamentali kompiuteri\xc5\xb3 ir kit\xc5\xb3 moderni\xc5\xb3 elektronini\xc5\xb3 prietais\xc5\xb3 detal\xc4\x97. I\xc5\xa1rastas 1948\xc2\xa0m._NEWLINE_U\xc5\xbe tranzistoriaus i\xc5\xa1radim\xc4\x85 JAV fizikai D\xc5\xbeonas Bardynas, Volteris Bratenas ir Viljamas Soklis 1956\xc2\xa0m. apdovanoti Nobelio fizikos premija.\n_START_SECTION_\nDvipolis tranzistorius\n_START_PARAGRAPH_\nTranzistorius susideda i\xc5\xa1 puslaidininkio, kuriame yra trys skirtingo pralaidumo sritys. Pralaidumo sritys gali b\xc5\xabti n (neigiamo) arba p (teigiamo) tipo. N tipo laidumo puslaidininkiai turi laisv\xc5\xb3j\xc5\xb3 elektron\xc5\xb3, kurie gali laisvai jud\xc4\x97ti, tuo tarpu p tipo turi vadinam\xc4\x85sias skyles, t. y. vietas, kurios tur\xc4\x97t\xc5\xb3 b\xc5\xabti i\xc5\xa1pildytos elektronais, ta\xc4\x8diau n\xc4\x97ra. Verta pa\xc5\xbeym\xc4\x97ti, jog patys puslaidininkiai, nepriklausomai nuo tipo, yra neutral\xc5\xabs. Tranzistorius gali b\xc5\xabti sudarytas i\xc5\xa1 dviej\xc5\xb3 n ir vieno p tipo (npn) arba i\xc5\xa1 dviej\xc5\xb3 p ir vieno n (pnp), ta\xc4\x8diau abiej\xc5\xb3 tip\xc5\xb3 tranzistoriuose visada bus dvi np sand\xc5\xabros. Puslaidininkio galuose yra kolektorius ir emiteris, o viduryje esanti puslaidininkio dalis yra prijungta prie baz\xc4\x97s, kuri nulemia ar srov\xc4\x97 tarp kolektoriaus ir emiterio tek\xc4\x97s.\n_START_SECTION_\nVeikimas\n_START_PARAGRAPH_\nTies np sand\xc5\xabromis pertekliniai elektronai u\xc5\xbepildo vadinam\xc4\x85sias skyles taip sukurdami  teigiam\xc4\x85 ir neigiam\xc4\x85 sritis. Sritis aplink np sand\xc5\xabra su u\xc5\xbepildytomis sritimis yra \xc4\xafelektrinta neigiamai, o sritis netekusi elektron\xc5\xb3 - teigiamai. D\xc4\x97l \xc5\xa1io \xc4\xafelektrinimo elektronai nebegali toliau keliauti ir u\xc5\xbepildyti likusi\xc5\xb3 skyli\xc5\xb3. Nat\xc5\xabralioje b\xc5\xabsenoje, d\xc4\x97l esan\xc4\x8dio barjero, tranzistorius nepraleid\xc5\xbeia ar praleid\xc5\xbeia tik dal\xc4\xaf elektros srov\xc4\x97s. Ta\xc4\x8diau jeigu prijungsime NPN tipo tranzistoriaus baz\xc4\x99 prie ma\xc5\xbeo galingumo \xc5\xa1altinio teigiamo kontakto, pertekliniai elektronai bus paj\xc4\x97g\xc5\xabs \xc4\xafveikti barjer\xc4\x85 ne tik d\xc4\x97l to, kad pats barjeras susitrauks ir d\xc4\x97l papildomos traukos (teigiamas kr\xc5\xabvis pagreitins elektronus).'