b'\n_START_ARTICLE_\nIGCT\n_START_PARAGRAPH_\nO tiristor comut\xc3\xa1vel por porta integrada (IGCT) \xc3\xa9 um semicondutor de pot\xc3\xaancia, utilizado para comuta\xc3\xa7\xc3\xa3o de corrente el\xc3\xa9trica em equipamentos industriais. Ele est\xc3\xa1 relacionado com o tiristor GTO.\xc2\xa0Foi\xc2\xa0desenvolvido em conjunto pela Mitsubishi e a ABB. Como o tiristor GTO, o IGCT \xc3\xa9 uma chave de comuta\xc3\xa7\xc3\xa3o for\xc3\xa7ada, o que significa que ele pode ser ativado e desativado pelo seu terminal de controle ( gate). Os dispositivos necess\xc3\xa1rios para o "drive" da porta (gate) ja se encontram presentes no componente.\n_START_SECTION_\nDescri\xc3\xa7\xc3\xa3o\xc2\xa0\n_START_PARAGRAPH_\nUm IGCT \xc3\xa9 um tipo especial de tiristor semelhante a um GTO. Eles pode ser ligado e desligado por um sinal na porta, t\xc3\xaam baixas perdas de condu\xc3\xa7\xc3\xa3o\xc2\xa0comparado aos GTOs, e toleram grandes valores de opera\xc3\xa7\xc3\xa3o para o par\xc3\xa2metro (dv/dt), de modo que circuitos do tipo snubber\xc2\xa0n\xc3\xa3o s\xc3\xa3o necess\xc3\xa1rios para a maioria das aplica\xc3\xa7\xc3\xb5es._NEWLINE_A estrutura de um IGCT \xc3\xa9 muito semelhante a um tiristor GTO. Em um IGCT, a corrente de comuta\xc3\xa7\xc3\xa3o for\xc3\xa7ada na porta \xc3\xa9 maior do que a corrente de \xc3\xa2nodo. Isso resulta em uma elimina\xc3\xa7\xc3\xa3o completa dos portadores minorit\xc3\xa1rios injetados na jun\xc3\xa7\xc3\xa3o PN inferior aumentando os tempos de desligamento. As principais diferen\xc3\xa7as s\xc3\xa3o a redu\xc3\xa7\xc3\xa3o no tamanho da c\xc3\xa9lula com menores valores de indut\xc3\xa2ncia na porta da unidade de circuito e de circuito da unidade de drive. Devido aos altos valores de corrente na porta e para altos valores de dI/dt na subida representa que conex\xc3\xb5es a fio n\xc3\xa3o podem ser usadas para interligar o circuito de drive \xc2\xa0a porta da unidade IGCT. Logo a PCB do circuito \xc3\xa9 integrada ao pacote do dispositivo.\xc2\xa0_NEWLINE_O IGCT opera de forma muito mais r\xc3\xa1pida que o GTO permitindo que o mesmo opere em freq\xc3\xbc\xc3\xaancias mais altas\xe2\x80\x94acima de kHz para per\xc3\xadodos de tempo muito curtos. No entanto, devido a elevadas perdas de comuta\xc3\xa7\xc3\xa3o, tipicamente os componentes s\xc3\xa3o limitados a operar em 500 Hz.\n_START_SECTION_\nPolariza\xc3\xa7\xc3\xa3o reversa\n_START_PARAGRAPH_\nIGCT est\xc3\xa3o dispon\xc3\xadveis com ou sem a capacidade de bloqueio reverso. A capacidade de operar reversamente bloqueados adiciona uma \xc2\xa0queda de tens\xc3\xa3o direta devido \xc3\xa0 necessidade de se ter uma longa e baixa regi\xc3\xa3o dopada P1._NEWLINE_Os IGCTs \xc2\xa0que s\xc3\xa3o capazes de de bloquear \xc2\xa0tens\xc3\xa3o reversa s\xc3\xa3o conhecidos como \xc2\xa0IGCT sim\xc3\xa9trico, abreviado como\xc2\xa0S-IGCT. Normalmente, a tens\xc3\xa3o de bloqueio reversa e a tens\xc3\xa3o de bloqueio direta s\xc3\xa3o as mesmas. A aplica\xc3\xa7\xc3\xa3o t\xc3\xadpica para esse componente \xc3\xa9 em inversores de fontes de corrente._NEWLINE_J\xc3\xa1 os IGCTs incapazes de produzir o bloqueio reverso s\xc3\xa3o conhecidos como IGCT assim\xc3\xa9trico, abreviado A-IGCT. Possuem normalmente t\xc3\xaam uma ruptura reversa da ordem de dezenas de volts..\n_START_SECTION_\nAplica\xc3\xa7\xc3\xb5es\n_START_PARAGRAPH_\nAs principais aplica\xc3\xa7\xc3\xb5es s\xc3\xa3o em inversores de frequ\xc3\xaancia\xc2\xa0vari\xc3\xa1vel, drives e acionadores eletr\xc3\xb4nicos empregados para dispositivos de\xc2\xa0tra\xc3\xa7\xc3\xa3o.'