b'\n_START_ARTICLE_\nPolypii\n_START_PARAGRAPH_\nPolypii eli monikiteinen pii on materiaali, jossa pii on kiteisess\xc3\xa4 muodossa. Sit\xc3\xa4 k\xc3\xa4ytet\xc3\xa4\xc3\xa4n ohutkalvoissa ja johtavana transistorikanavana MOSFET- ja CMOS-piirien valmistuksessa. N\xc3\xa4it\xc3\xa4 mikropiirej\xc3\xa4 varten monikiteinen pii kasvatetaan kaasufaasissa korkeassa l\xc3\xa4mp\xc3\xb6tilassa ja sit\xc3\xa4 doupataan runsaasti n- tai p-tyypin puolijohteeksi. Kvarsihiekasta puhdistettu monikiteist\xc3\xa4 piit\xc3\xa4 sulatettuna k\xc3\xa4ytet\xc3\xa4\xc3\xa4n vedett\xc3\xa4ess\xc3\xa4 yksikiteisi\xc3\xa4 piitankoja, joista saadaan sahaamalla piikiekkoja. Helpommin valmistettava on sulasta piist\xc3\xa4 valettava monikiteinen aihio, josta sahataan ohuita polypiilevyj\xc3\xa4 aurinkokennojen valmistukseen. N\xc3\xa4iss\xc3\xa4 monikiteisiss\xc3\xa4 aurinkokennoissa kiteet ovat yli 1 millimetrin kokoisia ja silminn\xc3\xa4ht\xc3\xa4viss\xc3\xa4. _NEWLINE_Monikiteist\xc3\xa4 piit\xc3\xa4 voidaan kasvattaa suurille pinnoille aktiivisena tai doupattuna kalvona ohutkalvotransistoriksi (TFT) nestekiden\xc3\xa4ytt\xc3\xb6ihin. Polypiit\xc3\xa4 voidaan kasvattaa alhaisen paineen kaasufaasikasvatustekniikalla (LPCVD), plasma-avusteisella CVD:ll\xc3\xa4 tai amorfisena kasvatetun piin kiteytettyn\xc3\xa4 muotona, mutta n\xc3\xa4m\xc3\xa4 prosessit vaativat suhteellisen korkean l\xc3\xa4mp\xc3\xb6tilan (v\xc3\xa4hint\xc3\xa4\xc3\xa4n 300\xc2\xa0\xc2\xb0C). T\xc3\xa4ss\xc3\xa4 l\xc3\xa4mp\xc3\xb6tilassa monikiteist\xc3\xa4 piit\xc3\xa4 voidaan kasvattaa lasille, mutta ei muovimateriaalille. Muovimateriaalien k\xc3\xa4ytt\xc3\xb6 substraattina mahdollistaisi taipuisat n\xc3\xa4yt\xc3\xb6t. Laserkiteytyksell\xc3\xa4 amorfinen pii voidaan kiteytt\xc3\xa4\xc3\xa4 muoville tuhoamatta tai sulattamatta muovia. Laserilla piikalvoon tuodaan nopeasti juuri sen verran energiaa, ett\xc3\xa4 kalvo sulaa ja kiteytyy uudelleen, mutta energia ei riit\xc3\xa4 muovin sulattamiseen. Raekoko voidaan saada mikrometreiksi tai jopa nanometreiksi._NEWLINE_Polypiin etu amorfiseen piihin verrattuna on se, ett\xc3\xa4 varausten siirt\xc3\xa4jien liikkuvuus voi olla useita kertoja parempi ja monikiteinen pii on pysyv\xc3\xa4mp\xc3\xa4\xc3\xa4 s\xc3\xa4hk\xc3\xb6kent\xc3\xa4ss\xc3\xa4. T\xc3\xa4m\xc3\xa4 mahdollistaa monipuolisten ja nopeiden piirien tekemisen niin lasille kuin amorfiselle piille, mit\xc3\xa4 yh\xc3\xa4 tarvitaan niiden pienen vuotovirran vuoksi. T\xc3\xa4ydellist\xc3\xa4 polypiist\xc3\xa4 tehty\xc3\xa4 aktiivista kalvoa tarvitaan my\xc3\xb6s kun halutaan esimerkiksi nestekidetekniikkaa k\xc3\xa4ytt\xc3\xa4v\xc3\xa4\xc3\xa4n  videoprojektoriin pieni pikselikoko._NEWLINE_Monikiteinen pii on avainkomponentti integroiduissa piireiss\xc3\xa4, mikroprosessoreissa ja aurinkokennorakenteissa. Noin 30\xc2\xa0% polypiimateriaalista k\xc3\xa4ytet\xc3\xa4\xc3\xa4n aurinkopaneeleihin. On ennustettu, ett\xc3\xa4 pula monikiteisest\xc3\xa4 piist\xc3\xa4 haittaa l\xc3\xa4hivuosina aurinkokennojen tuotantoa._NEWLINE_Suurimmat polypiin tuottajat ovat Hemlock Semiconductor, Wacker Chemie, REC, Tokuyama, MEMC, Mitsubishi (Japanissa ja Yhdysvalloissa) ja Sumitomo-Titanium. Lis\xc3\xa4ksi Kiinassa on useita pieni\xc3\xa4 monikiteist\xc3\xa4 piit\xc3\xa4 tuottavia laitoksia. Mainitut valmistajat tuottavat yli 7\xc2\xa05% maailman polypiist\xc3\xa4 (2006).'