b'\n_START_ARTICLE_\nIntegrinis grandynas\n_START_PARAGRAPH_\nIntegrinis grandynas (IG)\xc2\xa0\xe2\x80\x93 vientisu technologiniu procesu pagamintas u\xc5\xbebaigtas funkcinis \xc4\xaftaisas, susidedantis bent i\xc5\xa1 keleto nei\xc5\xa1ardomai sujungt\xc5\xb3 element\xc5\xb3 ir hermetizuotas viename korpuse.\n_START_SECTION_\nBendros \xc5\xbeinios\n_START_PARAGRAPH_\nElektroniniuose \xc4\xafrenginiuose IG yra pagrindinis vientisas nedalomas elementas toks, koks \xc4\xafprastin\xc4\x97je technikoje rezistorius, kondensatorius arba tranzistorius. IG susideda i\xc5\xa1 element\xc5\xb3 ir komponent\xc5\xb3._NEWLINE_IG elementu vadinama grandyno dalis, kuri atlieka puslaidininkio elemento (diodo, tranzistoriaus), kondensatoriaus ir t. t. funkcij\xc4\x85 ir konstruktyviai neatskiriama nuo IG._NEWLINE_IG komponentu vadinama ta grandyno dalis, kuri atlieka elektroninio elemento funkcij\xc4\x85, bet iki montavimo yra savaranki\xc5\xa1kas gaminys.\n_START_SECTION_\nIG gamybos pagrindiniai technologiniai procesai\n_START_PARAGRAPH_\n\xc5\xa0iuolaikini\xc5\xb3 IG gamybos technologijoje yra daug operacij\xc5\xb3.\n_START_SECTION_\nOksidavimas\n_START_PARAGRAPH_\nSilicio plok\xc5\xa1tel\xc4\x97s oksidavimas vyksta (800\xe2\x80\x931200\xc2\xa0\xc2\xb0C) temperat\xc5\xabroje deguonies arba deguonies ir vandens gar\xc5\xb3 mi\xc5\xa1inio aplinkoje. Ant plok\xc5\xa1tel\xc4\x97s pavir\xc5\xa1iaus susidaro silicio dioksido SiO\xe2\x82\x82. Ploni (0,03-0,1 \xce\xbcm storio)silicio dioksido sluoksniai naudojami kaip izoliacija po MOP tranzistori\xc5\xb3 u\xc5\xbet\xc5\xabromis. Storesni (0,3-0,8 \xce\xbcm) naudojami plok\xc5\xa1tel\xc4\x97s pavir\xc5\xa1iui apsaugoti nuo priemai\xc5\xa1\xc5\xb3 difuzijos ar joninio legiravimo procese \xc4\xaf pavir\xc5\xa1i\xc5\xb3 i\xc5\xa1einan\xc4\x8dioms pn sand\xc5\xabroms izoliuoti, suformuotos mikroschemos pavir\xc5\xa1iui apsaugoti nuo aplinkos poveikio ir t. t.\n_START_SECTION_\n\xc4\x96sdinimas\n_START_PARAGRAPH_\nTai med\xc5\xbeiagos sluoksni\xc5\xb3 pa\xc5\xa1alinimas nuo kristalo pavir\xc5\xa1iaus cheminiu, elektrocheminiu, joniniu bei plazmocheminiu \xc4\x97sdinimu. Cheminis \xc4\x97sdinimas\xc2\xa0\xe2\x80\x93 tai plok\xc5\xa1tel\xc4\x97s pavir\xc5\xa1iaus ardymas skystu tirpikliu. Nu\xc4\x97sdinamo sluoksnio storis priklauso nuo \xc4\x97sdiklio koncentracijos, \xc4\x97sdinimo temperat\xc5\xabros bei trukm\xc4\x97s. Elektrocheminis \xc4\x97sdinimas vyksta tik tirpikliu tekant srovei. Pa\xc5\xa1alinamo sluoksnio storis reguliuojamas tekan\xc4\x8dios tirpikliu srov\xc4\x97s stiprumu ir trukme. Joninis \xc4\x97sdinimas\xc2\xa0\xe2\x80\x93 tai plok\xc5\xa1tel\xc4\x97s pavir\xc5\xa1iaus bombardavimas greitaisiais jonais vakuume. Plazmocheminiu \xc4\x97sdinimu vadinamas procesas, kai pavir\xc5\xa1i\xc5\xb3 bombarduojantys jonai ne tik j\xc4\xaf ardo, bet ir s\xc4\x85veikauja su \xc4\x97sdinama med\xc5\xbeiaga.\n_START_SECTION_\nFotolitografija\n_START_PARAGRAPH_\nJi pagr\xc4\xafsta \xc5\xa1viesai jautri\xc5\xb3 med\xc5\xbeiag\xc5\xb3 savybe keisti atsparum\xc4\x85 tirpikliams, paveikus \xc5\xa1viesa. Fotolitografijos procese puslaidinink\xc4\x97 plok\xc5\xa1tel\xc4\x97 po oksidavimo padengiama fotorezistu (fotojautriu sluoksniu), ant jo u\xc5\xbededamas foto\xc5\xa1ablonas (stiklo plok\xc5\xa1tel\xc4\x97, i\xc5\xa1 apa\xc4\x8dios padengta metalo sluoksniu, kuriame reikiamose vietose i\xc5\xa1\xc4\x97sdintos angos). Taip paruo\xc5\xa1ta plok\xc5\xa1tel\xc4\x97 i\xc5\xa1 vir\xc5\xa1aus ap\xc5\xa1vie\xc4\x8diama ultravioletiniais spinduliais(eksponuojama). Ap\xc5\xa1viestas fotorezistas tampa atsparus \xc4\x97sdinantiems tirpikliams, o neap\xc5\xa1viestas yra pa\xc5\xa1alinamas ry\xc5\xa1kinimo metu, ir tose vietose matyti dioksido pl\xc4\x97vel\xc4\x97. Po to pl\xc4\x97vel\xc4\x97 veikiama tirpikliu, \xc4\x97sdinan\xc4\x8diu SiO\xe2\x82\x82, bet neveikian\xc4\x8diu ap\xc5\xa1viesto fotorezisto. Nepadengtose fotorezisto vietose oksido pl\xc4\x97vel\xc4\x97 nu\xc4\x97sdinama, ir okside gaunami \xe2\x80\x9elangai\xe2\x80\x9c. Kitu tirpikliu pa\xc5\xa1alinamas fotorezistas, ir plok\xc5\xa1tel\xc4\x97s pavir\xc5\xa1iuje lieka silicio oksido pl\xc4\x97vel\xc4\x97, labai tiksliai pakartojanti foto\xc5\xa1ablono pie\xc5\xa1in\xc4\xaf. Fotolitografijos b\xc5\xabdu galima gauti pie\xc5\xa1in\xc4\xaf, sudaryt\xc4\x85 i\xc5\xa1 2 \xce\xbcm dyd\xc5\xbeio element\xc5\xb3. Norint suma\xc5\xbeinti element\xc5\xb3 matmenis ir padidinti monta\xc5\xbeo tank\xc4\xaf, taikoma elektronolitografija, kurioje vietoj \xc5\xa1viesos leid\xc5\xbeiamas elektron\xc5\xb3 srautas.\n_START_SECTION_\nDifuzija\n_START_PARAGRAPH_\nPriemai\xc5\xa1\xc5\xb3 difuzija vyksta legiruojan\xc4\x8di\xc5\xb3j\xc5\xb3 priemai\xc5\xa1\xc5\xb3 aplinkoje 800\xe2\x80\x931250\xc2\xa0\xc2\xb0C temperat\xc5\xabroje. \xc4\xae fotolitografijos b\xc5\xabdu paruo\xc5\xa1tos neapsaugotus SiO\xe2\x82\x82 silicio plok\xc5\xa1tel\xc4\x97s \xe2\x80\x9elangus\xe2\x80\x9c \xc4\xafterpiamos donorin\xc4\x97s ar akceptorin\xc4\x97s priemai\xc5\xa1os ir puslaidininkio plok\xc5\xa1tel\xc4\x97s\n_START_SECTION_\nJoninis legiravimas\n_START_PARAGRAPH_\nTai priemai\xc5\xa1\xc5\xb3 \xc4\xafterpimas joniniu b\xc5\xabdu. Specialiuose greitintuvuose priemai\xc5\xa1\xc5\xb3 jonai \xc4\xafgreitinami\xc2\xa0\xe2\x80\x93 j\xc5\xb3 energija siekia 80-300 keV, ir tokiais greitaisiais jonais bombarduojama puslaidininkio plok\xc5\xa1tel\xc4\x97. Legiruotojo sluoksnio storis b\xc5\xabna 0,1-0,4 \xce\xbcm. Joninis legiravimas taikomas labai ploniems sluoksniams sudaryti.\n_START_SECTION_\nEpitaksija\n_START_PARAGRAPH_\nTai monokristalo sluoksnio auginimas kito monokristalo pavir\xc5\xa1iuje, kontroliuojant elektron\xc5\xb3 laidum\xc4\x85. Epitaksinis sluoksnis auginamas vir\xc5\xa1 \xc4\xafkaitintos iki 1250\xc2\xa0\xc2\xb0C plok\xc5\xa1tel\xc4\x97s, leid\xc5\xbeiant duj\xc5\xb3 ir silicio tetrochlorido mi\xc5\xa1in\xc4\xaf, i\xc5\xa1 kurio plok\xc5\xa1tel\xc4\x97s pavir\xc5\xa1iuje nus\xc4\x97da puslaidininkis (Si). Epitaksinis auginimas pla\xc4\x8diai taikomas mikroschem\xc5\xb3 gamyboje, kai reikia daryti daugiau sluoksni\xc5\xb3 negu \xc4\xafmanoma difuzijos arba joninio legiravimo b\xc5\xabdais. Priemai\xc5\xa1\xc5\xb3 pasiskirstymas epitaksiniame sluoksnyje tolygus, kas mikroschem\xc5\xb3 gamyboje labai svarbu.\n_START_SECTION_\nMetalizavimas\n_START_PARAGRAPH_\nMetalizavimas\xc2\xa0\xe2\x80\x93 metalini\xc5\xb3 sluoksni\xc5\xb3 sudarymas plok\xc5\xa1tel\xc4\x97s pavir\xc5\xa1iuje. Metalizuojant vakuuminio garinimo b\xc5\xabdu formuojami jungimo takeliai, kontakt\xc5\xb3 aik\xc5\xa1tel\xc4\x97s bei kondensatori\xc5\xb3 plok\xc5\xa1tel\xc4\x97s. Metalas po gaubtu vakuume kaitinamas iki garavimo. Garai nus\xc4\x97da ant plok\xc5\xa1tel\xc4\x97s, esan\xc4\x8dios po tuo pa\xc4\x8diu gaubtu. \xc5\xa0is b\xc5\xabdas taikomas puslaidininkiniuose, sluoksniniuose ir hibridiniuose grandynuose. Hibridiniuose ir sluoksniniuose grandynuose pagrindiniai elementai formuojami garinimo b\xc5\xabdu.'