b'\n_START_ARTICLE_\nIGBT\n_START_PARAGRAPH_\nIGBT eller Insulated-gate bipolar transistor ("bipol\xc3\xa4r transistor med isolerat styre") \xc3\xa4r en typ av transistor som \xc3\xa4r en vanlig komponent i modern kraftelektronik. Den kombinerar egenskaperna hos en MOSFET-f\xc3\xa4lteffekttransistor och en bipol\xc3\xa4r transistor och utvecklades omkring 1980 av Jayant Baliga vid General Electric._NEWLINE_IGBT-transistorer f\xc3\xb6rekommer bland annat i kraftelektroniken i moderna lok. En annan, mer vardaglig, applikation av IGBT-transistorer \xc3\xa4r i vissa typer av dimrar. F\xc3\xb6r varvtalsstyrning av asynkronmotorer anv\xc3\xa4nds idag IGBT mycket ofta - b\xc3\xa5de som diskreta komponenter och som f\xc3\xa4rdiga IGBT moduler i form av hel- eller halvbryggor.'