전술 한 실시 형태 와 비교 할 때 가장 명백 한 차이 는 서로 일체 화 되 어 있 는 지지 표면 및 리세 스 의 형성 이 다 . 도 6 및 도 7 에서 가장 명확히 볼 수 있 는 것 처럼 , 4 개 의 지지 표면 ( STY 101 , STY 102 , STY 103 , STY 104 ) 은 측면 ( S 101 ∼ S 104 ) 에서 대체로 비스듬히 연장 되 고 , 지지 표면 ( STY 101 ∼ STY 104 ) 은 각 절삭 날 영역 ( SEO 101 ∼ SEO 108 ) 에 속하 는 리 세스 ( U 101 , U 102 , U 103 , U 104 , U 105 , U 106 , U 107 , U 108 ) 의 일부 를 형성 한다 . 지지 표면 및 리세 스 가 서로 일체 화 되 어 있 음 으로써 , 절삭 인서 트 ( 101 ) 가 전술 한 실시 형태 의 절삭 인서 트 ( 1 ) 보다 축선 방향 ( C 1 ) 에서 더 작 은 연장 부 를 갖 게 된다 . 또한 , 여기 서 절삭 날 이 칩 표면 및 클리어런스 표면 에 연결 되 고 , 절삭 날 영역 ( 예컨대 , SE 01 O 1 ) 의 클리어런스 표면 이 인접 한 절삭 날 영역 ( SE 01 O 6 ) 의 클리어런스 표면 에 본질 적 으로 횡 방향 으로 제공 되 어 있 음 을 볼 수 있 다 .