상기 하부 절 연막 ( 23 ) 및 상기 하부 도전 성 패턴 ( 25 ) 상 에 식각 저 지막 ( 27 ) 이 제공 된다 . 상기 식각 저 지막 ( 27 ) 은 SiON 막 또는 SiN 막 을 포함 할 수 있 다 . 상기 식각 저 지막 ( 27 ) 상 에 상부 절 연막 ( 29 ) 이 제공 된다 . 상기 상부 절 연막 ( 29 ) 및 상기 하부 절 연막 ( 23 ) 은 동일 한 물질 막 , 예 를 들 면 , TEOS 막 일 수 있 다 .