다 이 아래 의 캐비 티 ( 예 를 들 면 , 에 어 간극 ) 의 인시 튜 생성 은 다 이 및 / 또는 기판 상 의 도전 성 ( 예 를 들 면 , 구리 ) 및 유전체 ( 예 를 들 면 , 솔 더 마스크 및 폴리머 ) 물질 의 선택 적 인 패 터닝 및 제어 된 오버 몰딩 공정 의 이용 을 통하 여 성취 될 수 있 다 . 이하 논의 되 는 바 와 같이 , 적어도 일 실시 형태 에 의하 면 유전체 의 벽 은 기판 에 다 이 가 접합 될 때 지정 된 위치 주위 에 배리어 를 형성 하 기 위해 다 이 또는 기판 상 에 제공 될 수 있 다 . 실질 적 으로 , 벽 과 다이 / 기판 사이 에 간극 이 없 도록 하 여 벽 이 오버 몰딩 공정 동안 지정 된 위치 로 의 몰딩 화합물 의 흐름 을 방지 한다 . 본 발명 의 실시 형태 는 종래 의 캐비 티 형성 기술 에 의해 요구 되 는 리드 부착 , 캡 웨이퍼 접합 등 의 추가 적 인 공정 단계 를 감소 시키 거나 없애 는 이점 을 제공 한다 . 그러므로 , 본 발명 의 실시 형태 는 BAW 또는 SAW 필터 등 의 RFIC , 또는 다른 MEMS 소자 의 간이 한 조립 공정 흐름 및 저가 의 패 키 징 을 용이 하 게 할 수 있 다 . 게다가 , 이하 논의 되 는 바 와 같이 , 서모 소닉 다이 접합 공정 은 저가 의 금 스터 드 또는 구리 기둥 범 핑 기술 과 함께 사용 되 어 오염 을 최소 화 하 기 위한 무 플럭스 접합 뿐 만 아니 라 저가 의 패 키 징 을 더 용이 하 게 할 수 있 다 .