도 2 b 를 참조 하 면 , 상기 셀 지역 및 주변 회로 지역 의 소자 분리 영역 과 상기 주변 회로 지역 의 일부 활성 영역 상 에 형성 된 산화 막 ( 210 ) 부분 을 선택 적 으로 제거 한다 . 이때 , 상기 산화 막 ( 210 ) 부분 은 식각 공정 을 통해 제거 하 며 , 도시 하 지 는 않 았 지만 , 상기 식각 공정 의 수행 시 실리콘 기판 ( 200 ) 부분 이 10 ∼ 200 Å 정도 의 두께 만큼 함께 식각 된다 .