도 5 내지 도 6 을 참조 로 하 면 , 본 발명 의 제 2 실시 예 에 따른 반도체 디바이스 용 소켓 은 각각 의 프로브 핀 ( 23 ) 을 수용 하 는 다수 의 핀 홀 ( 211 ) 을 소켓 몸 체부 ( 21 ) 의 내부 영역 에 고밀도 로 배열 한다 . 참고 로 , 도 5 내지 도 6 에 도시 된 프로브 핀 의 위치 는 예시 적 인 것 일 뿐 여기 에 한정 되 지 않 는다 .