본 발명 의 실시 예 에 따른 메모리 장치 의 동작 방법 은 , 워드 라인 들 중 비 선택 된 워드 라인 들 과 셀렉 트 라인 들 에 패스 전압 들 을 인가 하 는 단계 ; 상기 워드 라인 들 중 선택 된 워드 라인 에 검증 전압 을 인가 하 여 , 상기 선택 된 워드 라인 에 연결 된 메모리 셀 들 을 검증 하 는 단계 ; 상기 비 선택 된 워드 라인 들 및 셀렉 트 라인 들 에 상기 패스 전압 들 이 인가 되 는 상태 에서 , 상기 선택 된 워드 라인 에 턴 온 전압 을 인가 하 는 단계 ; 및 상기 선택 된 워드 라인 및 상기 비 선택 된 워드 라인 들 을 디스 차지 한 후 , 상기 셀렉 트 라인 들 중 적어도 하나 의 라인 을 디스 차지 하 는 단계 를 포함 한다 .