제 1 성막 조건 에서 의 성막 속도 보다 제 2 성막 조건 의 성막 속도 가 빠르 면 특별히 한정 되 는 것 은 아니 다 . 따라서 , 주파수 가 수십 MHz ∼ 수백 MHz 의 고주파 플 라즈 마 CVD 법 , 또는 주파수 가 1 GHz 이상 의 마이크로파 플 라즈 마 CVD 장치 에 의해 형성 하 고 , 대표 적 으로 는 , SiH 4 , Si 2 H 6 등 의 수소 화 규소 를 수소 로 희석 하 여 플 라즈 마 생성 함 으로써 성막 할 수 있 다 . 또한 , 수소 화 규소 및 수소 에 더 하 여 , 헬륨 , 아르곤 , 크립톤 , 네온 으로부터 선택 된 일종 또는 복수 종 의 희가스 원소 로 희석 하 여 미결정 반도체 막 을 형성 할 수 있 다 . 이 때 의 수소 화 규소 에 대하 여 수소 의 유량 비 를 12 배 이상 1000 배 이하 , 바람직 하 게 는 50 배 이상 200 배 이하 , 더욱 바람직 하 게 는 100 배 로 한다 . 또한 , 수소 화 규소 대신 에 , SiH 2 Cl 2 , SiHCl 3 , SiCl 4 , SiF 4 등 을 사용 할 수 있 다 .