상기 폴리 실리콘 게이트 전극 ( 63 A ) 위 에 는 실리사이드 층 ( 64 A ) 이 , 또한 폴리 실리콘 게이트 전극 ( 63 B ) 위 에 는 실리사이드 층 ( 64 B ) 이 각각 형성 되 어 있 고 , 또한 상기 폴리 실리콘 게이트 전극 ( 63 A ) 의 양측 벽면 및 상기 폴리 실리콘 게이트 전극 ( 63 B ) 의 양측 벽면 위 에 는 각각 의 측벽 절 연막 이 형성 되 어 있 다 .