프로그램 동작 이 수행 된 비 선택 된 메모리 셀 들 은 문턱 전압 이 높 아 진 상태 이 므로 , 선택 된 메모리 셀 들 의 프로그램 동작 시 채널 의 높 은 전압 으로 인해 오버 프로그램 이 방지 될 수 있 다 . 만약 , 이퀄 라이즈 구간 ( T 45 ~ T 49 ) 에서 워드 라인 들 이 디스 차지 될 때 커플링 으로 인해 채널 의 전압 이 낮 아 질 수 있 는데 , 이때 , 프로그램 동작 이 수행 되 지 않 은 비 선택 된 메모리 셀 들 은 문턱 전압 이 낮 기 때문 에 영향 을 적 게 받 을 수 있 다 . 하지만 , 프로그램 동작 이 수행 된 비 선택 된 메모리 셀 들 은 문턱 전압 이 높 기 때문 에 채널 전압 이 낮 아 지 면 프로그램 디 스터브 ( disturb ) 가 열화 되 어 문턱 전압 이 가변 될 수 있 다 .