실시 예 에 따른 이미지 센서 의 제조 방법 은 , 회로 를 포함 하 는 반도체 기판 을 형성 하 는 단계 ; 상기 반도체 기판 상 에 금속 배선 을 포함 하 는 층간 절 연막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 금속 배선 과 연결 되 도록 상기 층간 절 연막 상 에 포토다이오드 를 형성 하 는 단계 ; 상기 포토다이오드 상 에 하드 마스크 패턴 을 형성 하 여 소자 분리 트랜 치 를 가지 는 포토다이오드 패턴 을 형성 하 는 단계 ; 상기 소자 분리 트랜 치 내벽 에 배리 어 막 을 형성 하 는 단계 ; 및 상기 포토다이오드 패턴 및 소자 분리 트랜 치 를 포함 하 는 층간 절 연막 상 에 소자 분리 절연 층 을 형성 하 는 단계 를 포함 한다 .