제 1 및 제 2 도 전막 들 ( 192 , 196 ) 이 코발트 를 포함 하 는 경우 , 코발트 실리사이드 막 이 반응 방지 막 역할 을 수행 하 는 제 1 절 연막 패턴 ( 172 ) 의 상면 과 실질 적 으로 동일 한 하면 을 갖 도록 형성 되 거나 , 혹은 코발트 실리사이드 막 이 반응 방지 막 역할 을 수행 하 는 제 2 절 연막 패턴 ( 174 ) 및 제 4 게이트 마스크 패턴 ( 159 ) 의 측벽 사이 의 공간 과 실질 적 으로 동일 한 폭 을 갖 도록 형성 될 수 있 다 . 즉 , 제 1 및 제 2 절 연막 패턴 들 ( 172 , 174 ) 에 의해 커버 되 지 않 은 예비 컨트롤 게이트 들 ( 142 , 144 , 146 , 148 ) 부분 이 제 1 및 제 2 도 전막 들 ( 192 , 196 ) 과 반응 하 여 상부 도전 패턴 들 ( 202 a , 204 a , 206 a , 208 a ) 이 형성 될 수 있 다 .