반도체 기판 ( 100 ) 내 에 활성 영역 들 ( ACT ) 을 정의 하 는 소자 분리 막 ( 102 ) 이 형성 된다 . 활성 영역 의 반도체 기판 ( 100 ) 에 는 리세 스 영역 들 이 형성 될 수 있 다 . 리세 스 영역 들 은 반도체 기판 ( 100 ) 의 표면 으로부터 소정 깊이 리세 스 되 고 , 활성 영역 ( ACT ) 을 가로지르 도록 배치 될 수 있 다 . 리세 스 영역 내 에 는 게이트 절 연막 을 개재 하 여 워드 라인 들 ( WL ) 이 형성 된다 . 워드 라인 들 ( WL ) 은 리세 스 영역 내 에 매립 될 수 있 다 . 즉 , 워드 라인 들 ( WL ) 의 상면 이 반도체 기판 ( 100 ) 상면 보다 낮 은 레벨 에 위치 할 수 있 다 . 그리고 , 워드 라인 이 형성 된 리세 스 영역 에 는 절연 물질 이 채워질 수 있 다 .