이어서 , 상기 노출 된 기판 ( 100 ) 상 에 게이트 절 연막 ( 124 ) 을 형성 한다 . 즉 , 게이트 절 연막 ( 124 ) 은 게이트 리 세스 ( 120 ) 의 측벽 , 저면 및 액티브 영역 의 기판 ( 100 ) 상 에 형성 된다 . 상기 게이트 절 연막 ( 124 ) 은 실리콘 산화물 과 같 은 산화물 이나 고유 전 율 ( high - k ) 을 갖 는 금속 산화물 을 사용 하 여 형성 된다 . 상기 게이트 절 연막 ( 124 ) 은 게이트 리 세스 ( 120 ) 표면 에 노출 되 어 있 는 기판 ( 100 ) 을 열 산화 시켜 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 상기 게이트 절 연막 ( 124 ) 을 열 산화 공정 에 의해 형성 하 는 경우 , 상기 게이트 리 세스 ( 120 ) 에 의해 노출 되 어 있 는 기판 ( 100 ) 부위 에 만 선택 적 으로 게이트 절 연막 ( 124 ) 이 형성 된다 .