다음 으로 , 절연 층 ( 150 ) 및 절연 층 ( 154 ) 에 , 전극 ( 504 ) 에 이르 는 개구부 ( 501 ) 를 형성 한다 . 그 후 , 배선 ( 158 ) 을 형성 한다 ( 도 12 ( D ) 참조 ) . 배선 ( 158 ) 은 , 스퍼터 법 을 비롯 한 PVD 법 이나 , 플라 즈 마 CVD 법 등 의 CVD 법 을 이용 하 여 도전 층 을 형성 한 후 , 해당 도전 층 을 패 터닝 함 으로써 형성 된다 . 또한 , 도전 층 의 재료 로서 는 , 알루미늄 , 크롬 , 동 , 탄 탈륨 , 티타늄 , 몰리브덴 , 텅스텐 으로부터 선택 된 원소 나 , 상술 한 원소 를 성분 으로 하 는 합금 등 을 이용 할 수 가 있 다 . 망간 , 마그네슘 , 지르코늄 , 베릴륨 , 네오디뮴 , 스칸듐 중 의 어느 것 , 또는 이 들 을 복수 조합 한 재료 를 이용 하 여도 좋 다 . 자세 한 것 은 , 전극 ( 142 a ) , 전극 ( 142 b ) 등 과 같 다 . 또한 , 개구부 ( 501 ) 에서 전극 을 형성 하 고 , 해당 전극 과 접하 도록 배선 ( 158 ) 을 형성 하 여도 좋 다 .