본 특허 문헌 은 일반 적 으로 스핀토크 전가 자기 랜덤 액세스 메모리 ( spin - transfer torque magnetic random access memory ) 에 관한 것 으로 , 보다 구체 적 으로 는 , 면 심 입방 재료 ( face centered cubic material ) 들 을 갖 는 재료 들 의 사용 을 통해 높 은 평면 내 이방성 을 갖 는 세차 운동 스핀 전류 구조물 의 사용 을 통해 자기 터널 접합 구조물 ( magnetic tunnel junction structure ) 에서 자유 층 의 성능 을 개선 한 자기 터널 접합 스택 에 관한 것 이 다 .