보다 구체 적 으로 , 상기 도전 막 ( 252 ) 이 형성 된 반도체 기판 ( 210 ) 을 전기 가 잘 통하 는 물 ( H 2 O ) 에 침지 시켜 반도체 기판 ( 100 ) 전면 에 전류 제 공막 ( 240 ) 을 형성 한다 . 그 다음 , 전류 제 공막 ( 240 ) 으로 둘러쌓인 반도체 기판 ( 210 ) 으로 전기 가 도통 되 도록 바이어스 제 공부 ( 142 ) 를 구동 시켜 ( +), ( -) 바이어스 를 인가 한다 . 이때 , 바이어스 들 은 반도체 기판 ( 100 ) 전면 에 쌓인 이온 들 을 디스 차지 ( discharge ) 시킴 으로써 , 이온 들 이 외부 에서 인가 되 는 전기장 에 의해 칩 에 손상 을 입히 는 것 을 방지 할 수 있 다 .