도 8 b 를 참조 하 면 , 기판 ( 10 ) 의 제 1 영역 ( R 1 ) 상 에 제 1 문턱 전압 제어 층 ( 125 ) 을 형성 하 고 기판 ( 10 ) 의 제 2 영역 ( R 2 ) 상 에 제 2 문턱 전압 제어 층 ( 225 ) 을 형성 한다 . 다음 으로 , 기판 ( 10 ) 의 제 1 영역 ( R 1 ) 및 제 2 영역 ( R 2 ) 상 에 상단 배리 어 층 ( 26 ) 이 형성 되 고 , 이후 기판 ( 10 ) 의 제 1 영역 ( R 1 ) 및 제 2 영역 ( R 2 ) 상 에 게이트 충 진 층 ( 27 ) 을 형성 할 수 있 다 .