상기 설명 한 본 발명 의 제 2 실시 예 에 따른 고밀도 중성 빔 ( 201 ) 은 그리드 어셈블리 ( 220 ) 와 반사체 ( 230 ) 를 제외 한 나머지 구성 및 제 어 방법 이 제 1 실시 예 와 중복 되 므로 여기 에서 는 상세 한 설명 을 생략 한다 . 다만 , 제 2 실시 예 에서 는 제 어부 가 기판 ( 미 도시 ) 에 조사 되 는 중성 빔 의 방향 성 을 개선 하 기 위해 접 지 전극 으로서 기능 하 는 제 1 그리드 ( 220 a ) 상부 면 에 형성 되 는 쉬 스 의 프로 파일 을 제어 하 는 점 에서 차이 가 있 다 .