상기 종래 기술 에 따른 문제점 을 해결 하 기 위한 본 발명 의 목적 은 , 단일 폴 리 이이 피롬 ( EEPROM ) 의 플로팅 게이트 는 MOSFET 으로 구성 하 고 MOSFET 의 상부 에 MIM ( metal insulator metal ) 캐 패 시터 형태 로 컨트롤 게이트 를 적층 함 으로써 셀 면적 을 감소 시키 고 , 주변 소자 들 에 의해 기인 한 외부 노이즈 에 의한 간섭 을 방지 할 수 있 도록 하 는 단일 폴리 이이 피롬 및 그 제조 방법 을 제공 함 에 있 다 .