도 1 에서 참조 번호 11 은 반도체 기판 을 , 참조 번호 12 는 필드 산화 막 을 , 참조 번호 13 은 게이트 전극 을 각각 나타내 고 , 참조 부호 S 및 D 는 소스 와 드레 인 영역 을 나타낸다 . 이러 한 핀 트랜지스터 구조 의 특징 은 , 채널 이 형성 될 부분 의 반도체 기판 을 수직 방향 으로 돌출 시켜 활성 영역 ( 11 a ) 을 형성 하 고 , 그 위 에 반도체 기판 ( 11 ) 의 활성 영역 을 가로지르 는 게이트 전극 ( 13 ) 을 형성 함 으로써 , 게이트 전극 ( 13 ) 이 둘러싼 반도체 기판 ( 11 ) 의 3 면 을 트랜지스터 의 채널 로 이용 할 수 있 게 한 것 이 다 . 여기 서 , 특히 필드 산화 막 ( 12 ) 의 표면 위 의 돌출 된 활성 영역 ( 11 a ) 부분 을 핀 이 라 한 다 .