도 29 a 내지 29 C 는 본 발명 의 실시 예 에 따른 CNT 를 사용 한 GAA FET 의 순차 적 제조 프로세스 의 다양 한 단계 중 하나 를 도시 한다 . 도 18 a 및 도 18 b 와 유사 하 게 , 소스 / 드레 인 접촉 개구부 ( 65 ) 는 도 29 a 내지 도 29 c 에 도시 된 바 와 같이 전도성 재료 의 하나 이상 의 층 으로 충 진 되 어 , 하부 접촉 층 ( 70 ) 및 상부 접촉 층 ( 72 ) 을 형성 한다 . 일부 실시 예 에서 , 하부 접촉 층 ( 70 ) 및 상부 접촉 층 은 집합 적 으로 소스 / 드레 인 접촉 층 ( 70 ) 이 라 지칭 된다 . 도 29 c 에 도시 된 바 와 같이 , 하부 접촉 층 ( 70 ) 은 CNT ( 100 ) 와 접촉 하 고 CNT ( 100 ) 의 바닥 은 유전체 층 ( 40 ) 에 의해 커버 되 고 따라서 접촉 층 ( 70 ) 으로부터 분리 된다 .