그럼 다음 , 도 4 d 에 도시 한 바 와 같이 , 상기 하드 마스크 ( 204 ) 를 습식 식각 하 여 제거 한다 . 여기 서 , 습식 식각 공정 은 , 플루오르 ( fluorine ) 를 포함 한 화학 용제 등 을 이용 하 여 진행 하 는 것 이 바람직 하 다 . 또한 , 상기 감광막 패턴 ( 205 ) 의 하부 에 존재 하 는 하드 마스크 ( 204 ) 가 실리콘 카바이드 계열 의 물질 로 이루어질 경우 , 상기 실 리 콘 카바이드 계열 의 하드 마스크 ( 204 ) 는 O 2 플 라즈 마 가스 에 의하 여 탈 탄소 화 되 어 , 쉽 게 제거 될 수 있 다 .