본 실시 예 에서 는 , 실시 예 1 과 마찬가지 로 가열 공정 의 순서 가 상이 한 시료 7 내지 시료 9 를 제작 하 였 다 . 시료 7 은 산화물 절 연막 위 에 산화물 반도체 막 을 형성 한 후 , 가열 을 행한다 . 시료 8 은 산화물 절 연막 을 형성 한 후 , 가열 을 행한다 . 시료 9 는 산화물 절 연막 위 에 산화물 반도체 막 을 형성 하 고 , 산화물 반도체 막 의 일부 를 에칭 하 여 섬 형상 의 산화물 반도체 막 을 형성 한 후 가열 을 행한다 .