도 5 를 참조 하 면 , 본 발명 의 실시 예 1 에 따른 낸드 플래시 메모리 소자 는 워드 라인 ( WL 0 ) 과 워드 라인 ( WL 1 ) 사이 에 매립 된 절 연막 - 게이트 전극 간 의 절연 을 위해 사용 되 는 막 으로서 , 보통 스 페이서 ( spacer ) 로 명명 하 기 로 함 - 과 , 다른 워드 라인 ( WL 1 ~ WL 31 ) 사이 에 매립 된 절 연막 을 서로 다른 유전율 을 갖 는 물질 로 형성 한다 . 바람직 하 게 는 , 워드 라인 ( WL 0 ) 과 워드 라인 ( WL 1 ) 사이 에 매립 되 는 절연 막 은 다른 워드 라인 ( WL 1 ~ WL 31 ) 사이 에 매립 된 절 연막 보다 낮 은 유전율 을 갖 는 물질 로 형성 한다 .