제 3 액티브 층 ( 331 ) 은 산화물 반도체 로 이루어질 수 있 다 . 산화물 반도체 물질 은 실리콘 물질 과 비교 하 여 밴드 갭 이 더 큰 물질 이 므로 오프 ( Off ) 상태 에서 전자 가 밴드 갭 을 넘어가 지 못하 며 , 이 에 따라 오프 - 전류 ( Off - Current ) 가 낮 다 . 따라서 , 산화물 반도체 로 이루어진 액티브 층 을 포함 하 는 박막 트랜지스터 는 온 ( On ) 시간 이 짧 고 오프 ( Off ) 시간 을 길 게 유지 하 는 스위칭 박막 트랜지스터 에 적합 할 수 있 으며 , 이 에 한정 되 지 는 않 는다 . 예 를 들 면 , 구동 박막 트랜지스터 로 적용 될 수 도 있 다 . 그리고 , 오프 - 전류 가 작 아 보조 용량 의 크기 가 감소 될 수 있 으므로 , 고해상도 표시 소자 에 적합 하 다 . 도 1 을 참조 하 면 , 제 3 박막 트랜지스터 ( 330 ) 는 표시 장치 ( 100 ) 의 스위칭 박막 트랜지스터 로 사용 된다 . 제 3 액티브 층 ( 331 ) 은 금속 산화물 로 이루어지 고 , 예 를 들 어 , IGZO ( indium - gallium - zinc - oxide ) 등 과 같 은 다양 한 금속 산화물 로 이루어질 수 있 다 . 제 3 박막 트랜지스터 ( 330 ) 의 제 3 액티브 층 ( 331 ) 은 다양 한 금속 산화물 중 IGZO 로 이루어지 는 것 을 가정 하 여 IGZO 층 을 기초 로 형성 되 는 것 으로 설명 하 였으나 , 이 에 제한 되 지 않 는다 . 예 를 들 면 , IGZO 가 아닌 IZO ( indium - zinc - oxide ) , IGTO ( indium - gallium - tin - oxide ) , 또는 IGO ( indium - gallium - oxide ) 등 과 같 은 다른 금속 산화물 로 형성 될 수 도 있 다 .