다음 에 , 제 3 레지스 트 마스크 , 및 제 4 레지스 트 마스크 를 마스크 로서 사용 하 여 , 건식 에칭 에 의해 제 3 도전 층 ( 115 ) 의 에칭 을 행한다 . 또한 , ICP 에칭 장치 와 비교 하 여 넓 은 면적 에 걸쳐 일정 한 방전 이 얻 어 지 기 쉬운 건식 에칭 장치 를 사용 한다 . 그러 한 건식 에칭 장치 로서 는 , 상부 전극 을 접지 시키 고 , 하부 전극 에 13 . 56 MHz 의 고주파 전원 을 접속 하 고 , 또한 , 하부 전극 에 3 . 2 MHz 의 저주파 전원 을 접속 한 ECCP ( Enhanced Capacitively Coupled Plasma ) 모드 의 에칭 장치 가 최적 이 다 . 이 에칭 장치 라면 , 예 를 들 면 , 기판 ( 101 ) 으로서 , 제 10 세대 의 3 m 를 넘 는 사이즈 의 기판 을 사용 하 는 경우 에 도 대응 할 수 있 다 .