도 3 에 도시 된 바 와 같이 제 2 영역 ( 220 ) 의 제 2 , 3 피막 층 ( 221 , 222 ) 이 각각 서로 다른 방법 에 의한 아노 다 이징 ( 또는 양극 산화 피막 ) 으로 순차 적 으로 적층 형성 될 수 있 다 . 제 2 피막 층 ( 221 ) 은 혼산 법 에 의한 아노 다 이징 에 의해 제 2 영역 ( 220 ) 에 성층 되 고 , 제 3 피막 층 ( 222 ) 은 수산 법 에 의해 제 2 피막 층 ( 221 ) 의 상부 면 에 적층 형성 된다 . 혼산 법 에 의해 형성 된 제 2 피막 층 ( 221 ) 의 두께 가 수산 법 에 의해 형성 된 제 3 피막 층 ( 222 ) 의 두께 보다 상대 적 으로 두껍 게 형성 되 는 것 이 바람직 하 다 . 또한 , 수산 법 에 의한 아노 다 이징 피막 층 이 혼산 법 에 의한 아노 다 이징 피막 층 보다 내식성 이 띄 어 나 기 때문 에 모재 의 표면 피막 층 을 수산 법 에 의한 아노 다 이징 피막 층 으로 성층 시키 는 것 이 바람직 하 다 .