먼저 , 도 1 a 에 도시 한 바 와 같이 같이 칩 영역 및 더미 영역 이 정의 된 기판 ( 10 ) 에 절 연막 ( 20 ) 을 증착 한다 . 기판 ( 10 ) 은 실리콘 기판 , 화합물 반도체 기판 및 이 의 등가물 을 사용 할 수 있 는데 , 여기 에 한정 되 는 것 은 아니 다 . 절 연막 ( 20 ) 은 반도체 기판 ( 10 ) 을 약 900 ℃ 정도 의 수증기 분위기 에서 실리콘 과 산소 를 반응 시켜 반도체 기판 ( 10 ) 의 표면 에 실리콘 산화 막 을 성장 시켜 형성 한다 . 또한 , 도시 하 지 는 않 았 지만 기상 성 장법 등 을 통하 여 실란 ( SiH 4 ) 과 암모니아 ( NH 3 ) 가스 를 고온 에서 반응 시켜 절 연막 상 에 실리콘 질화 막 을 더욱 형성 할 수 있 다 .