도 2 a 내지 도 2 c 는 본 발명 의 추가 의 실시 양태 에 따른 화합물 반도체 장치 구조물 및 제조 방법 을 예시 한다 . 도 2 a 에 나타낸 바 와 같이 , 인쇄 가능 한 화합물 반도체 장치 구조물 ( 200 ) 은 웨이퍼 또는 기판 ( 201 ) , 기판 ( 201 ) 위 의 박리 층 ( 205 ) , 박리 층 ( 205 ) 위 의 지지층 ( 210 ) , 및 지지층 ( 210 ) 위 의 1 개 이상 의 인쇄 가능 한 또는 전사 가능 한 장치 층 ( 215 ) 를 포함 한다 . 일부 실시 양태 에서 , 박리 층 ( 205 ) 는 InAlP - 기재 의 층 이 고 , 지지층 ( 210 ) 은 박리 층 ( 205 ) 에 인접 한 III 족 비소화물 - 기재 의 횡 방향 전도 층 으로서 비교 적 낮 은 시트 내성 ( 예 를 들 어 , 약 50 미만 의 표면 저항 ) 을 제공 한다 . 예 를 들 어 , 지지층 ( 210 ) 은 일부 실시 양태 에서 GaAs , InGaAs , InGaNAsSb 또는 InGaNAs 로 형성 될 수 있 다 . 앞서 유사 하 게 언급 한 바 와 같이 , 기판 ( 201 ) 은 III 족 비소화물 물질 ( 예 를 들 어 , 갈륨 비소화물 ( GaAs ) 및 인듐 갈륨 비소화물 ( InGaAs ) ) 및 / 또는 III 족 - V 족 비소화물 물질 ( 예 를 들 어 , 인듐 갈륨 질화 비소화물 ( InGaNAs ) 및 인듐 갈륨 질화 비소 화 안티몬 화물 ( InGaNAsSb ) ) 을 포함 할 수 있 다 .