본 발명 의 수지 도장 금속판 은 상기 한 바 와 같이 도전 성 입자 를 함유 하 는 수지 피막 이 금속판 상 에 하 지 처리 를 통하 여 또는 통하 지 않 고 적층 된 것 으로 , 예컨대 전자 기기 의 케이스 로서 사용 하 는 경우 에 는 , 이 수지 피막 이 케이스 내측 이 되 도록 사용 한다 . 필요 에 따라서 , 내 찰상 성 이나 내지 문성 등 을 높이 기 위하 여 , 상기 수지 피막 의 표면 에 , 다른 수지 피막 ( 덧칠 층 ) 을 더 입힐 수 도 있 다 . 단 , 덧칠 층 은 도전 성 입자 의 노출 을 방해 하 여 도전 성 을 저하 시키 지 않 는 박막 인 것 이 중요 하 며 , 구체 적 으로 는 0 . 2 내지 1 . 5 ㎛, 보다 바람직 하 게 는 0 . 4 내지 1 . 2 ㎛ 정도 로 한다 .