종래 의 반도체 소자 중 비휘발성 메모리 소자 는 , 도 1 에 도시 된 바 와 같이 , 데이터 를 저장 하 기 위한 플로팅 게이트 ( 104 ) 와 소 오스 정 션 ( 110 ) 과 드레 인 정 션 ( 112 ) 사이 의 전류 흐름 을 조절 하 는 제어 게이트 ( 108 ) 가 구비 된다 . 플로팅 게이트 ( 104 ) 는 ONO ( Oxide Nitride Oxide ) 구조 를 갖 는 절 연막 ( 106 ) 에 의해 제어 게이트 ( 108 ) 와 격리 되 어 있 고 , 반도체 기판 ( 100 ) 과 는 터널 산화 막 ( 102 ) 에 의해 분리 되 어 있 어 외부 전극 으로부터 완전히 격리 되 어 있 다 .