상기 4 개 의 　 NMOS 　 트랜지스터 ( 120 , 130 , 140 , 150 ) 는 포토다이오드 ( PD ) ( 110 ) 에서 　 모아진 　 광전 하 를 　 제 1 플로팅 확산 영역 ( FD ) ( 125 ) 으로 　 운송 하 기 　 위한 　 제 1 트랜스퍼 게이트 ( Tx ) ( 120 ) 와 , 　 원 하 는 　 값 으로 　 제 1 플로팅 확산 영역 의 　 전위 를 　 세팅 하 고 　 전하 를 　 배출 하 여 , 　 제 1 플로팅 확산 영역 ( FD ) ( 125 ) 을 　 리셋 시키 기 　 위한 　 제 1 리셋 게이트 　( Rx ) ( 130 ) 와 , 　 소스 　 팔 로워 　 버퍼 　 증폭기 ( Source 　 Follower 　 Buffer 　 Amplifier ) 　 역할 을 　 하 는 　 제 1 드라이브 게이트 ( Dx ) ( 140 ) 　 및 　 스위칭 ( Switching ) 　 역할 로 　 어 드레싱 ( Addressing ) 을 　 할 　 수 　 있 도록 　 하 는 　 제 1 실렉 게이트 ( Sx ) ( 150 ) 를 포함 할 수 있 다 .