여기 서 , 상기 HDP - CVD 산화 막 ( 240 ) 은 그 매립 특성 이 개선 되 도록 증착 및 식각 과정 을 포함 한 제 1 증착 단계 와 , 증착 을 멈춘 상태 에서 식각 과정 만 진행 하 는 식각 단계 및 증착 및 식각 과정 을 포함 한 제 2 증착 단계 를 순차 진행 하 는 방식 으로 형성 함 이 바람직 하 다 . 이때 , 상기 식각 단계 는 공정 의 용이성 을 위해 HDP - CVD 공정 을 수행 하 는 챔버 내 에서 인 - 시튜 ( in - situ ) 로 수행 함 이 바람직 하 고 , 경우 에 따라서 는 , 습식 식각 공정 또는 별도 의 에치 - 백 ( etch - back ) 공정 으로 수행 할 수 도 있 다 .