도 5 를 참조 하 면 , 마스크 막 패턴 ( 206 ) 을 스트립 ( strip ) 공정 을 진행 하 여 제거 한다 . 다음 에 마스크 막 패턴 ( 206 ) 이 제거 된 반도체 기판 ( 200 ) 에 플래시 어 닐 ( Flash anneal ) 공정 을 수행 하 여 반도체 기판 ( 200 ) 의 활성 영역 ( 204 ) 내 에 SSR 웰 영역 ( 212 ) 을 형성 한다 .