제 2 수광 소자 ( 20 ) 는 , 제 2 반도체 기판 으로서 예컨대 인화 인듐 기판 ( 이하 , InP 기판 으로 약칭 함 ) ( 21 ) 의 주면 측 에 제 2 수광 영역 ( 22 ) 을 가지 며 , 제 1 수광 소자 ( 10 ) 의 제 1 수광 영역 ( 12 ) 을 투과 한 적 외광 영역 의 입사광 을 수 광 하 는 포토다이오드 이 다 . 이 제 2 수광 소자 ( 20 ) 는 , 그 세로 및 가로 의 폭 이 제 1 수광 소자 ( 10 ) 의 오 목부 ( 16 ) 의 세로 및 가로 의 폭 보다 작 고 , 또한 그 두께 가 오 목부 ( 16 ) 의 깊이 보다 작 게 형성 되 어 , 오 목부 ( 16 ) 에 제 2 수광 소자 ( 20 ) 가 수용 된다 . 예컨대 제 2 수광 소자 ( 20 ) 는 한 변이 1 mm 정도 인 직사각 형 으로 형성 되 고 , 박 화 되 어 두께 가 150 μ m 정도 로 형성 되 어 있 다 .