이 에 본 실시 형태 에 따른 에칭 처리 방법 에서 는 , 플 루 오로 카본 가스 와 희가스 를 적어도 포함 하 는 처리 가스 를 공급 한다 . 이 때 , 희가스 는 Ar 가스 보다 이온 화 에너지 가 크 며 이온 화 된 입자 하나 가 갖 는 운동량 이 이온 화 된 Ar 가스 입자 하나 의 운동량 보다 적 은 제 1 가스 를 포함 한다 . 그리고 , 제 1 가스 가 공급 된 처리 용기 내 에 플 라즈 마 를 발생 시켜 적층 막 을 에칭 한다 .