도 1 C 는 전자 회로 ( 108 ) 가 플라스틱 막 ( 106 ) 의 표면 상 에서 처리 된 후 에 기판 ( 100 ) 으로부터 플라스틱 막 ( 106 ) 을 제거 하 는 프로세스 동안 의 도 1 B 의 기판 ( 100 ) 의 일부 의 사시도 를 도시 한다 . 플라스틱 막 ( 106 ) 은 각종 프로세스 들 중 어느 것 을 이용 하 여 기판 ( 100 ) 으로부터 제거 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 한 가지 방법 은 대략 1 시간 동안 물 에 플라스틱 - 적층 된 기판 ( 100 ) 을 담근 후 기판 ( 100 ) 으로부터 플라스 픽 막 ( 106 ) 을 부드럽 게 벗겨 내 는 것 을 포함 한다 . 그러나 , 기계 적 또는 수동 의 제거 기술 들 을 포함 하 여 , 임의 의 적절 한 담금 또는 다른 제거 기술 이 사용 될 수 있 다 . 특별히 잘 부착 된 플라스틱 막 들 ( 106 ) 에 대해 , 담금 은 플라스틱 막 ( 106 ) 을 기판 ( 100 ) 으로부터 분리 하 는 것 을 돕 기 위해 대안 적 으로 또는 부가 적 으로 예 를 들 어 아세톤 과 같 은 용매 를 포함 할 수 있 다 . 플라스틱 막 ( 106 ) 을 기판 ( 100 ) 으로부터 분리 한 후 , 용매 세정 ( solvent clean ) 은 플라스틱 막 ( 106 ) 으로부터 임의 의 잔류 드라이 포토레지스트 막 ( 102 ) 을 제거 할 수 있 다 . 에 어 드라 잉 ( air drying ) 은 후속 적 으로 용매 세정 을 없앤다 ( dissipate ) . 이것 은 예시 적 인 실시 예의 처리 를 완료 한다 .