일부 실시 예 들 에서 , 돌출 하 는 피처 들 의 수평 표면 들 로부터 주석 옥사이드 의 에칭 및 제거 단계 는 주석 하이드라이드 의 형성 을 발생 시키 는 수소 - 기반 에칭 화학 물질 을 사용 하 여 주석 옥사이드 을 에칭 하 는 단계 를 포함 한다 . 예 를 들 어 , 이러 한 에칭 은 반도체 기판 을 H 2 , HBr , NH 3 , H 2 O , 탄화수소 , 및 이 들 의 조합 으로 구성 된 그룹 으로부터 선택 된 플 라즈 마 - 활성 화 된 수소 - 함유 반응 물질 과 콘택트 시키 는 단계 를 포함 할 수 도 있 다 .