예컨대 , 물 을 포함 하 는 약액 에 의해 금속 상 의 불소 를 제거 하 는 것 은 가능 하 지만 , 디바이스 를 구성 하 는 재료 ( 예컨대 절연 층 ( 11 B , 21 ) 등 ) 가 물 에 의해 대미지 를 받 을 염려 가 있 어 , 디바이스 의 전체 를 비추 어 보 면 바람직 한 방법 이 아니 다 . 특히 최근 의 고속도 로 동작 하 는 반도체 장치 에서 는 , 층간 절연 층 의 재료 로서 는 , SiO 2 등 의 종래 의 재료 를 대신 해 , 비 유전 률 이 SiO 2 보다 작 은 Low - k 재료 ( 저 유전율 재료 ) 가 이용 될 수 있 게 되 고 있 다 . 이러 한 Low - k 재료 는 , 특히 물 등 의 웨트 처리 에 의해 대미지 를 받 기 쉬운 염려 가 있 었 다 .