일 실시 예 에 따르 면 , 제 2 희생 막 ( 62 ) 의 상면 은 제 1 마스크 패턴 들 ( 42 ) 의 상면 과 실질 적 으로 동일 한 레벨 에 위치 할 수 있 다 . 이 에 따라 , 제 2 희생 막 들 ( 62 ) 을 형성 한 후 하 부막 ( 20 ) 상 에 형성 된 마스크 구조물 의 높이 가 균일 할 수 있 다 . 다른 실시 예 에 따르 면 , 제 2 희생 막 ( 62 ) 을 식각 하 는 동안 제 1 마스크 패턴 ( 42 ) 의 상면 이 리세 스 될 수 도 있 다 . 이러 한 경우 , 제 1 마스크 패턴 들 ( 42 ) 의 상면 들 이 2 희생 막 ( 62 ) 의 상면 아래 에 위치 할 수 도 있 다 . 여기 서 , 제 2 희생 막 ( 62 ) 의 상면 은 제 1 마스크 패턴 ( 42 ) 의 상면 과 제 1 희생 막 ( 30 ) 의 상면 사이 에 위치 할 수 있 다 .