더욱 구체 적 으로 설명 하 면 , 상기 관통 홀 은 제 2 배리어 층 ( 311 _ 2 ) 의 내부 에 까지 더 관통 되 어 형성 될 수 있 다 . 제 2 배리어 층 ( 311 _ 2 ) 의 하 면 ( 311 a _ 2 ) 의 제 2 부분 ( 311 a 2 _ 1 ) 은 제 1 부분 ( 311 a 1 ) 보다 상부 의 박막 트랜지스터 층 ( 320 ) 에 더 가깝 게 위치 할 수 있 다 . 즉 , 상부 방향 으로 더 만입 될 수 있 다 .