상술 한 바 와 같이 본 발명 에 따른 리 텐션 플립플롭 감소 방법 을 이용 하 여 MTCMOS 회로 내 의 리 텐션 플립플롭 을 선택 적 으로 사용 하 면 종래 의 MTCMOS 회로 보다 리 텐션 플립플롭 의 사용 개수 를 줄일 수 가 있 다 . 본 발명 의 효과 는 시스템 내 의 스탠바이 모드 에서 데이터 를 보존 하 지 않 아도 되 는 기억 소자 가 많 을 경우 일수록 극대 화 된다 . 일반 적 으로 MTCMOS 로 구현 된 시스템 내 에서 리 텐션 플립플롭 이 약 30 ~ 40 % 차지 한다고 했 을 때 , 만약 50 % 의 리 텐션 플립플롭 을 일반 플립플롭 으로 바꿀 수 있 다면 기억 소자 부분 의 면적 을 25 ~ 27 %, 전체 시스템 의 면적 을 7 ~ 10 % 가량 줄일 수 가 있 다 .