제 2 단차 형 표면 들 ( 220 ) 은 , 제 1 수평 방향 ( hd 1 ) 을 따라 측 방향 으로 연장 되 는 수직 단차 부들 과 수평 표면 들 의 다수 의 연속 세트 들 을 포함 할 수 있 다 . 다수 의 연속 세트 들 은 제 2 교번 시퀀스 ( 232 , 242 ) 내 의 반복 단위 의 높이 의 정수 배 , 즉 제 2 절연 층 ( 232 ) 과 제 2 희생 재료 층 ( 242 ) 의 두께 의 합 만큼 수직 으로 오프셋 될 수 있 다 . 수평 표면 들 과 수직 단차 부 들 의 각각 의 연속 세트 는 본 명세서 에서 제 2 계단 행 ( 222 ) 으로 지칭 된다 . 제 2 계단 행 들 ( 222 ) 은 제 2 수평 방향 ( hd 2 ) 을 따라 측 방향 으로 배열 될 수 있 다 . 제 2 단차 형 표면 들 ( 220 ) 의 물리 적 으로 노출 된 수평 표면 들 의 높이 는 , 메모리 블록 내 의 제 2 계단 행 들 ( 222 ) 의 세트 가 제 2 교번 시퀀스 ( 232 , 242 ) 내 의 각각 의 제 2 희생 재료 층 ( 242 ) 에 대한 또는 제 2 교번 시퀀스 ( 232 , 242 ) 내 의 각각 의 제 2 절연 층 ( 232 ) 에 대한 수평 표면 들 을 제공 하 도록 선택 될 수 있 다 . 일 실시 예 에서 , 제 2 희생 재료 층 들 ( 242 ) 의 상단 표면 들 은 제 2 단차 형 표면 들 ( 220 ) 에서 물리 적 으로 노출 될 수 있 다 . 제 2 단차 형 표면 들 ( 220 ) 위 에 놓인 공동 은 본 명세서 에서 제 2 단차 형 공동 으로 지칭 된다 .