상기 실리사이드 막 은 다음 과 같이 형성 할 수 있 다 . 상기 폴리 실리콘 패턴 , 상기 과잉 질소 영역 을 갖 는 상기 게이트 스 페이서 및 소스 / 드레 인 영역 들 을 구비 하 는 상기 반도체 기판 상 에 금속 막 을 형성 한다 . 이어서 상기 반도체 기판 을 열처리 하 여 상기 금속 막 을 상기 폴리 실리콘 패턴 및 상기 소스 / 드레 인 영역 들 과 반응 시킨다 . 상기 반응 의 결과 상기 폴리 실리콘 패턴 및 상기 소스 / 드레 인 영역 들 상 에 실리사이드 막 이 형성 된다 .