이 와 같이 , 소자 분리 막 이 식각 된 상태 에서 , 도 1 a 에 도시 된 바 와 같이 , 실리콘 기판 ( 100 ) 의 활성 영역 에 형성 된 벌브 형상 의 홈 ( H ) 상 에 는 메인 게이트 ( main gate , 130 ) 가 배치 되 고 , 상기 소자 분리 막 ( 110 ) 상 에 는 패 싱 게이트 ( passing gate , 140 ) 가 배치 되 는 리세 스 게이트 를 형성 하 게 되 는 경우 , 상기 소자 분리 막 ( 110 ) 이 식각 된 높이 만큼 상기 패 싱 게이트 ( 140 ) 와 메인 게이트 ( 130 ) 간 의 거리 ( A ) 가 가까워 지 게 된다 .