처음 에 , 정보 의 기입 및 유지 에 대해서 설명 한다 . 우선 , 게이트 선 GL 의 전위 를 , 트랜지스터 ( 162 ) 가 온 상태 로 되 는 전위 로 하 여 , 트랜지스터 ( 162 ) 를 온 상태 로 한다 . 이것 에 의해 , 비트 선 BL 의 전위 가 , 트랜지스터 ( 162 ) 의 드레 인 전극 ( 또는 소스 전극 ) 과 , 트랜지스터 ( 160 ) 의 게이트 전극 과 , 용량 소자 ( 164 ) 의 한쪽 전극 이 전기 적 으로 접속 된 노드 ( 플로팅 게이트 부 FG 라고 도 표기 함 ) 에 공급 된다 . 즉 , 플로팅 게이트 부 FG 에 는 소정 의 전하 가 공급 된다 ( 기입 ) . 여기 에서 는 , 서로 다른 2 가지 전위 를 공급 하 는 전하 ( 이하 , 저 전위 를 공급 하 는 전하 를 전하 QL , 고전 위 를 공급 하 는 전하 를 전하 QH 라고 함 ) 중 어느 하나 가 공급 되 는 것 으로 한다 . 또한 , 서로 다른 3 개 또는 그 이상 의 전위 를 공급 하 는 전하 를 적용 하 여 , 기억 용량 을 향상 시켜도 된다 . 그 후 , 게이트 선 GL 의 전위 를 트랜지스터 ( 162 ) 가 오프 상태 로 되 는 전위 로 하 여 , 트랜지스터 ( 162 ) 를 오프 상태 로 함 으로써 플로팅 게이트 부 FG 에 공급 된 전하 가 유지 된다 ( 유지 ) .