절연 층 ( 120 ) 이 형성 된 후 , 도 7 c 에 도시 된 바 와 같이 제 2 마스크 를 이용 한 포토 리소그래피 공정 을 이용 하 여 , 절연 층 ( 120 ) 이 존재 해야 하 는 부분 에 포토레지스트 패턴 ( 1100 ) 을 형성 한다 . 그리고 , 포토레지스트 패턴 ( 1100 ) 을 절연 층 ( 120 ) 상 에 위치 시킨 후 , 이 를 마스크 로 이용 하 여 절연 층 ( 120 ) 을 노광 및 현상 하 고 , 건식 식각 을 하 면 절연 층 ( 120 ) 이 패 터닝 되 어 , 도 7 d 에 도시 된 바 와 같이 제 1 절연 패턴 ( 120 a ) 및 제 2 절연 패턴 ( 120 b ) 이 각각 형성 된다 . 즉 , 전극 형성 부 ( A ) 에서 는 도 7 d 에 도시 된 바 와 같이 , 제 1 연결 패턴 ( 110 ) 의 제 1 부분 ( 110 a ) 및 제 2 부분 ( 110 b ) 이 노출 되 도록 제 1 연결 패턴 ( 110 ) 의 중앙부 ( 110 c ) 상 에 제 1 절연 패턴 ( 120 a ) 이 형성 되 고 , 라우팅 부 ( B ) 에서 는 제 1 라우팅 배선 ( 112 ) 및 제 2 라우팅 배선 ( 114 ) 의 일부 가 노출 되 도록 제 1 및 제 2 라우팅 배선 ( 112 , 114 ) 상 에 제 2 절연 패턴 ( 120 b ) 이 형성 되 며 , 패드 부 ( C ) 에서 는 제 1 및 제 2 패드 의 하부 층 들 ( 116 a , 118 a ) 이 노출 되 도록 제 2 절연 패턴 ( 120 b ) 이 형성 된다 .