특히 골 내 에 배열 되 는 광 확산 성 입자 의 굴절 율 과 입체 적 패턴 형성 에 사용 되 는 프리즘 조액 과 의 굴절 율 의 차이 를 두 는 경우 정면 휘도 를 더 향상 시키 거나 확 산 의 효과 를 배가 시킬 수 있 는데 , 일예 로 프리즘 조액 에 비하 여 고 굴절 의 광 확산 성 입자 를 사용 하 면 정면 휘도 가 더욱 향상 될 수 있 고 프리즘 조액 과 동등 하 거나 저 굴절 의 광 확산 성 입자 를 사용 하 면 은폐 성 을 더 향상 시킬 수 있 을 것 이 다 . 본 발명 에서 는 은폐 성 향상 측면 에서 좋 기 로 는 골 내 에 위치 되 는 광 확산 성 입자 의 굴절 율 이 프리즘 조액 에 비하 여 2 내지 15 % 낮 은 무기계 또는 유기계 입자 인 것 이 다 .