또한 , 제 2 실시 형태 에 관한 불휘발성 반도체 장치 는 제 1 실시 형태 와 비교 하 여 그 제조 공정 에서 칼럼 방향 으로 서로 인접 하 는 U 자 형상 반도체 층 ( 63 ) 사이 에 메모리 분리 홈 ( 94 ) 을 형성 하 지 않 는다 . 따라서 , 제 1 실시 형태 의 도 27 및 도 28 에 나타내 는 공정 ( 실리사이드 공정 ) 을 행할 때 , 금속 막 을 형성 하 는 부분 의 종횡비 를 저하 시킬 수 있 으므로 , 그 실리사이드 공정 에서 의 공정 안정 성 을 향상 시킬 수 있 다 .