바람직 하 게 , 물 ( H 2 O ) , 질산 ( HNO 3 ) , 플루오르화 수소 ( HF ) 를 이용 하 여 실리콘 을 식각 하 는 경우 , 물 의 양 을 늘려 식각 속도 를 늦출 수 있 고 , 높 은 비열 을 갖 는 물 의 특성 을 이용 하 여 화학 반응 중 발생 하 는 열 에 의해 용액 의 온도 가 증가 하 여 달라지 는 식각 의 변화 를 줄일 수 있 다 .