미결정 실리콘 막 을 형성 하 는 방법 의 일례 는 실란 가스 및 수소 , 또는 실란 가스 및 수소 및 희가스 를 혼합 하 여 글 로 방전 플 라즈 마 에 의해 성막 하 는 방법 을 들 수 있 다 . 실란 은 수소 , 또는 수소 및 희가스 로 10 배 부터 2000 배 로 희석 된다 . 이 때문 에 다량 의 수소 , 또는 수소 및 희가스 가 필요 하 게 된다 . 기판 의 가열 온도 는 100 ℃ 내지 300 ℃, 바람직 하 게 는 120 ℃ 내지 220 ℃ 에서 행한다 . 미결정 실리콘 막 의 성장 표면 을 수소 로 불활성 화 하 여 , 미결정 실리콘 의 성장 을 촉진 하 기 위해서 는 120 ℃ 내지 220 ℃ 에서 성막 을 행하 는 것 이 바람직 하 다 . 성막 처리 중 , 활성 종인 SiH 라디칼 , SiH 2 라디칼 , SiH 3 라디칼 은 결정핵 을 기초 로 결정 성장 한다 . 또한 , 실란 등 의 가스 중 에 GeH 4 , GeF 4 등 의 수소 화 게르마늄 , 플루오르화 게르마늄 을 혼합 하 거나 , 또는 실리콘 에 탄소 또는 게르마늄 을 첨가 하 여 , 에너지 밴드 폭 을 조절 하 여도 좋 다 . 실리콘 에 탄소 를 가한 경우 , 에너지 밴 드폭 은 넓 어 지 고 , 또한 , 실리콘 에 게르마늄 을 첨가 한 경우 , 에너지 밴 드폭 은 좁 아 진다 .