본 발명 의 일 실시 형태 에서 , 상기 양자 점 은 코어 및 코어 를 덮 은 쉘 을 포함 하 는 코어 - 쉘 구조 를 가지 고 , 상기 코어 는 GaN , GaP , GaAs , GaSb , AlN , AlP , AlAs , AlSb , InN , InP , InAs , InSb , GaNP , GaNAs , GaNSb , GaPAs , GaPSb , AlNP , AlNAs , AlNSb , AlPAs , AlPSb , InNP , InNAs , InNSb , InPAs , InPSb , GaAlNP , GaAlNAs , GaAlNSb , GaAlPAs , GaAlPSb , GaInNP , GaInNAs , GaInNSb , GaInPAs , GaInPSb , InAlNP , InAlNAs , InAlNSb , InAlPAs , 및 InAlPSb 로 구성 된 군 으로부터 선택 되 는 하나 이상 을 포함 하 며 , 상기 쉘 은 ZnSe , ZnS 및 ZnTe 로 구성 된 군 으로부터 선택 되 는 하나 이상 을 포함 할 수 있 다 .