도 4 에 도시 한 단계 130 에서 , 제 1 도 펀트 가 ( 화살표 210 으로 나타낸 바 와 같이 ) 기판 ( 200 ) 의 상면 ( 202 ) 을 통과 하 여 소망 하 는 주입 깊이 와 농도 로 주입 된다 . 기판 ( 200 ) 에 는 반도체 미세 구조 내 에 소망 하 는 도 펀트 ( 예컨대 , 탄소 도 펀트 ) 를 포함 하 는 구역 또는 영역 ( 220 ) 이 형성 된다 . 예 시 적 인 실시 예 에 따르 면 , 제 1 도 펀트 는 생성 할 극 저 접합 깊이 보다 깊 은 깊이 로 주입 된다 . 다른 예시 적 인 실시 예 에 따르 면 , 제 1 도 펀트 는 생성 할 극 저 접합 의 깊이 이하 의 깊이 로 주입 될 수 있 다 .