여기 서 , 급 전회 로 기판 ( 20 ) 의 구성 에 대하 여 도 4 를 참조 하 여 설명 한다 . 급 전회 로 기판 ( 20 ) 은 유전체 혹은 자성체 로 이루어지 는 세라믹 시트 ( 41 a ∼ 41 h ) 를 적층 , 압착 , 소성 한 것 이 다 . 최상층 의 시트 ( 41 a ) 에 는 급전 단자 전극 ( 42 a , 42 b ) , 실장 전극 ( 43 a , 43 b ) , 비어 홀 ( via - hole ) 도체 ( 44 a , 44 b , 45 a , 45 b ) 가 형성 되 어 있 다 . 2 층 째 ∼ 8 층 째 의 시트 ( 41 b ∼ 41 h ) 에 는 각각 , 인덕턴스 소자 ( L 1 , L 2 ) 를 구성 하 는 배선 전극 ( 46 a , 46 b ) 이 형성 되 고 , 필요 에 따라서 비 어 홀 도체 ( 47 a , 47 b , 48 a , 48 b ) 가 형성 되 어 있 다 .