이때 , 포토레지스트 패턴 에 의해 노출 된 데이터 금속 층 을 에칭 한 후 잔류 하 는 포토레지스트 패턴 을 애 싱 함 으로써 , 본 발명 에 따른 데이터 라인 ( 108 ) , 데이터 라인 ( 108 ) 에 접속 되 는 소스 전극 ( 110 ) 및 채널 을 사이 에 두 고 소스 전극 ( 110 ) 과 대향 하 는 드레 인 전극 ( 112 ) 으로 구성 된 제 2 도전 성 패턴 을 형성 한다 .