그러나 , 도 1 과 같 은 종래 기술 은 소스 / 드레 인 영역 이 형성 될 표면 을 식각 공정 으로 리세 스 시킨 후 에피 탁 셜 박막 을 성장 시킬 때 리세 스 드 표면 에 잔류 하 는 불순물 들 에 의해 에피 탁 셜 박막 을 무 결점 을 갖 고 성장 시키 는 것 이 어렵 다 . 또한 불순물 들 에 의해 접착성 ( adhesion ) 이 불량 하 여 실리콘 기판 위 에서 에피 탁 셜 박막 이 제대로 성장 되 지 않 는 경향 이 있 다 .