예 를 들 어 , 트랜지스터 의 소스 또는 드레 인 으로서 의 기능 을 갖 는 도전 층 으로서 알루미늄 및 구리 등 의 금속 재료 의 층 과 , 티타늄 , 몰리브덴 , 및 텅스텐 등 의 고 융점 금속 재료 층 을 적층 시켜 사용 한다 . 또는 복수 의 고 융점 금속 의 층 사이 에 알루미늄 및 구리 등 의 금속 의 층 을 형성 하 여 사용 한다 . 또한 , 상기 도전 층 으로서 힐 록 ( hillock ) 이나 위스 커 ( whisker ) 의 발생 을 방지 하 는 원소 ( 실리콘 , 네오디뮴 ( Nd ) , 스칸듐 ( Sc ) 등 ) 가 첨가 된 알루미늄 층 을 사용 하 면 , 트랜지스터 의 내열 성 을 향상 시킬 수 있 다 .