본 발명 에 실시 예 에 따르 면 , 상기 제 1 스 페이서 는 상기 제 2 스 페이서 에 대하 여 식각 선택 성 을 갖 는 물질 을 포함 할 수 있 다 . 상기 제 1 스 페이서 는 실리콘 산 화 막 으로 형성 된 것 일 수 있 고 , 상기 제 2 스 페이서 는 실리콘 질화 막 으로 형성 된 것 일 수 있 다 . 상기 게이트 전극 의 상부 는 금속 화 된 것 일 수 있 다 . 상기 스트레스 라이너 막 은 실리콘 질화 막 일 수 있 다 .