상기 제 1 내지 제 3 희생 마스크 패턴 ( 104 a '~ 104 c ') 측벽 에 스 페이서 패턴 ( 106 ) 을 형성 한다 . 상기 식각 대상 막 , 상기 스 페이서 패턴 ( 106 ) 들 및 희생 마스크 패턴 들 ( 104 a '~ 104 c ') 상 에 마스크 패턴 ( 110 ') 을 형성 한다 . 상기 마스크 패턴 ( 110 ') 은 2 F 의 폭 을 가질 수 있 으며 , 상기 제 2 희생 마스크 패턴 ( 104 b ') 과 제 1 희생 마스크 패턴 ( 104 a ') 사이 에 생성 되 는 제 1 갭 ( 108 a ) 까지 연장 되 는 형상 을 가질 수 있 다 . 또한 , 상기 마스크 패턴 ( 110 ') 이 정 얼라인 되 어 있 는 경우 , 상기 마스크 패턴 ( 110 ') 의 우측 벽 으로부터 상기 제 1 희생 마스크 패턴 ( 104 a ') 까지 1 . 5 F 만큼 이격 되 어 있 다 .