여기 서 , 양성 포토레지스트 물질 로 는 노광 되 었 을 때 노광 된 부위 내 의 폴리머 의 결합 사슬 이 끊 어 지 는 물질 로서 특별히 제한 되 지 않 으며 , 바람직 하 게 는 폴리 메틸 메타크릴 레이트 ( poly methyl methacrylate ; PMMA ) 또는 디아조 퀴논 노볼락 ( diazoquinone novolak matrix resin ; DQN resist ) 이 바람직 하 게 사용 된다 . 이러 한 , 양성 포토레지스트 물질 은 팽창 특성 이 낮 아 , 포 토리 소그라 피 공정 에서 높 은 해상도 를 달성 할 수 있 게 한다 .