이러 한 HEMT 소자 의 제조 공정 중 게이트 리 세스 에칭 공정 ( gate recess etching process ) 은 에칭 깊이 가 HEMT 소자 의 문턱 전압 및 상호 컨덕턴스 에 중요 한 영향 을 미치 기 때문 에 핵심 공정 중 의 하나 이 며 , 종래 에 는 주로 고밀 도 플 라즈 마 식각 장치 나 반응 성 이온 식각 ( reactive ion ething , RIE ) 장치 를 사용 하 였 다 .