도 2 를 참조 하 면 , 기판 ( 51 ) 상 에 N 형 화합물 반도체 층 ( 57 ) 이 위치 한다 . 또한 , 기판 ( 51 ) 과 N 형 화합물 반도체 층 ( 57 ) 사이 에 버퍼 층 이 개재 될 수 있 으며 , 상기 버퍼 층 은 저온 버퍼 층 ( 53 ) 및 고 온 버퍼 층 ( 55 ) 을 포함 할 수 있 다 . 상기 기판 ( 51 ) 은 특별히 한정 되 지 않 으며 , 예컨대 사파이어 , 스피넬 , 탄화 실리콘 기판 등 일 수 있 다 . 한편 , 저 온 버퍼 층 ( 53 ) 은 일반 적 으로 AlxGa 1 - xN ( 0 ≤ x ≤ 1 ) 로 형성 될 수 있 고 , 상기 고온 버퍼 층 ( 55 ) 은 예컨대 언 도프 트 GaN 또는 n 형 불순물 이 도핑 된 n 형 GaN 일 수 있 다 .