상술 한 구조 를 갖 는 상변화 메모리 셀 은 제 1 온도 에서 생성 된 제 1 캡 핑 막 과 제 2 온도 에서 형성 된 제 2 캡 핑 막 을 포함 하 고 있 기 때문 에 캡 핑 막 이후 공정 온도 에서 상기 상부 전극 및 상변화 물질 막 패턴 에 가해 지 는 열 적 스트레스 를 완화 시킬 수 있 다 . 따라서 , 상변화 메모리 장치 의 정보 저장 속도 및 정보 소거 능력 의 저하 를 방지 할 수 있 다 .