보다 구체 적 으로 , 열 및 압력 에 의하 여 전도성 접착 층 ( 130 ) 의 내부 로 반도체 발광 소자 ( 150 ) 가 압입 되 며 , 이 를 통하 여 반도체 발광 소자 ( 150 ) 의 p 형 전극 ( 156 ) 과 보조 전극 ( 170 ) 사이 의 부분 과 , 반도체 발광 소자 ( 150 ) 의 n 형 전극 ( 152 ) 과 제 2 전극 ( 140 ) 사이 의 부분 에서 만 전도 성 을 가지 게 되 고 , 나머지 부분 에서 는 반도체 발광 소자 의 압입 이 없 어 전도 성 을 가지 지 않 게 된다 . 이 와 같이 , 전도성 접착 층 ( 130 ) 은 반도체 발광 소자 ( 150 ) 와 보조 전극 ( 170 ) 사이 및 반도체 발광 소자 ( 150 ) 와 제 2 전극 ( 140 ) 사이 를 상호 결합 시켜 줄 뿐 만 아니 라 전기 적 연결 까지 형성 시킨다 .