제 1 트랜지스터 는 , 산화물 반도체 이외 의 반도체 재료 를 포함 하 는 기판 에 마련 된 채널 형성 영역 과 채널 형성 영역 을 사이 에 두 도록 마련 된 한 쌍 의 불순물 영역 과 채널 형성 영역 상 의 제 1 게이트 절연 층 과 , 채널 형성 영역 과 중첩 하 여 제 1 게이트 절연 층상 에 마련 된 제 1 게이트 를 갖 는 구성 으로 할 수 가 있 다 .