변형 예 에서 는 노드 ( N 2 ) 와 그라운드 단자 ( B 3 ) 사이 에 접속 된 인덕 터 ( L 2 ) 를 이용 하 여 감쇠 극 을 저주파 측 으로 시프트 시키 므로 , 실시 예 와 비교 하 여 , 공진 자 군 ( 17 , 18 ) 의 그라운드 에 발생 하 는 기생 인덕턴스 성분 이 커진다 . 그 때문 에 , 송신 대역 중역 ( 831 . 5 ㎒) 부근 에서 의 아이 솔 레이 션 이 실시 예 와 비교 하 여 악화 된다 .