클리닝 과정 은 웨이퍼 의 오염원 을 제거 하 는 케미 칼 ( chemical ) bath , 케미 칼 ( chemical ) 을 제거 하 는 린스 ( Rinse bath ) , 그리고 세정 이 완료 된 웨이퍼 를 건조 하 기 위한 건 조 ( Dry ) bath 로 구성 된다 . 탈 이 온수 세정 및 HOT DIW bath 는 동일 한 공정 이 되 , HOT DIW cleaning 공정 은 약 80 ℃ 의 고온 에서 진행 되 는 건 조 공정 으로 웨이퍼 의 건조 를 완벽 하 게 하 는 공정 이 다 .