본 발명 은 한 번 빛 에 반응 한 포토 레지스 트 는 추가 반응 을 하 지 않 는다는 점 을 이용 하 여 스토리지 노드 ( SN ) 마스크 를 풀 필드 ( Full Field ) 로 하 여 웨이퍼 전면 을 노광 한다 . 이후 에 , 네 가티 브 포토 레지스 트 ( Negative Photo Resist ) 를 도포 한 후 웨이퍼 에지 의 비 ( 非 ) 넷 - 다이 ( Net - Die ) 영역 ( B ) 을 노광 하 고 현상 ( Develop ) 한다 . 이 에 따라 , 넷 - 다 이 영역 ( A ) 은 오픈 ( Open ) 하 고 , 비 넷 - 다 이 영역 ( B ) 을 비 노출 ( Close ) 시킨다 .