잘 알려진 바 와 같이 , 플래시 메모리 는 소거 , 프로그램 , 읽 기 동작 들 을 수행 하 기 위해서 전원 전압 보다 높 은 고전압 들 을 필요 로 한다 . 그러 한 고전압 들 은 플래시 메모리 내부 에 구비 된 펌프 회로 를 이용 하 여 생성 된다 . 왜냐하면 , 고전압 을 외부 로부터 직접 인가 하 게 되 면 칩 내부 에 형성 되 는 전계 때문 에 스트레스 ( stress ) 가 증가 하 여 트랜지스터 등 의 소자 가 동작 불량 을 일으키 거나 파괴 될 수 있 기 때문 이 다 . 따라서 , 플래시 메모리 는 문턱 전압 ( threshold voltage ) 과 항복 ( 降 伏 ) 전압 ( breakdown voltage ) 등 과 같 은 트랜지스터 의 소자 특성 ( 즉 , 디자인 룰 ( design rule ) ) 을 고려 하 여 칩 내부 에서 고전압 을 발생 한다 . 낮 은 레벨 의 전압 으로부터 높 은 레벨 의 전압 을 생성 하 는 승압 회로 로써 많이 사용 되 는 것 이 챠 지 펌프 ( charge pump ) 이 다 .