이 때 , 블록 ( 12 ) 의 패턴 조 밀도 에 따라 CMP 시 단차 를 유발 시킬 수 있 는 패턴 조 밀도 의 범위 를 다 단계 로 설정 할 수 있 는데 , 바람직 하 게 는 블록 ( A 1 ) 에서 패턴 이 차지 하 는 면적 의 비율 이 0 . 30 ∼ 0 . 39 이 면 이러 한 블록 ( A 1 ) 에 해당 하 는 구역 ( A 2 ) 내 의 비아 패턴 ( 22 ) 의 테두리 를 외측 으로 25 ∼ 34 nm 이동 시켜서 비아 패턴 ( 22 ) 을 확대 시킴 으로써 보상 된 사이즈 를 가지 는 비아 패턴 ( 23 ) 을 형성 시키 고 , 블록 ( B 1 ) 에서 패턴 이 차지 하 는 면적 의 비율 이 0 . 40 ∼ 0 . 49 이 면 이러 한 블록 ( B 1 ) 에 해당 하 는 구역 ( B 2 ) 내 의 비아 패턴 의 테두리 를 외측 으로 35 ∼ 44 nm 이동 시켜서 비아 패턴 을 확대 시키 며 , 블록 ( C 1 ) 에서 패턴 이 차지 하 는 면적 의 비율 이 0 . 50 ∼ 0 . 60 이 면 이러 한 블록 ( C 1 ) 에 해당 하 는 구역 ( C 2 ) 내 의 비아 패턴 의 테두리 를 외측 으로 45 ∼ 55 mm 이동 시켜서 비아 패턴 을 확대 시키 게 된다 . 따라서 , 블록 ( 12 ) 의 패턴 조 밀도 에 따라 CMP 시 단차 를 서로 다르 게 유발 하 더라도 비아 패턴 을 적정 하 게 각각 보상 함 으로써 원래 의 비아 사이즈 를 가지 도록 한다 .