전술 한 바 와 같이 , P 0 확산 영역 ( 17 , 도 1 참조 ) 의 도핑 농도 가 지나치 게 증가 할 경우 에 는 포 텐 셜 베리어 ( PB ) 가 급격히 높 아 져 포토 다이오드 , 즉 N - 확산 영역 ( 15 , 도 1 참조 ) 에 모인 전자 가 플로팅 확산 영역 ( 18 , 도 1 참조 ) 으로 이동 하 는 데 어려움 이 따르 고 , 포 텐 셜 베리어 를 낮추 기 위해 P 0 확산 영역 ( 17 ) 의 도핑 농도 를 감소 시키 면 P 0 확산 영역 ( 17 ) 의 도 펀트 ( Dopant ) 가 부족 하 여 암 전류 를 증가 시키 게 된다 .