반도체 메모리 소자 ( 6 ) 는 , 도 16 에 보인 반도체 메모리 소자 ( 2 ) 의 복수 의 절연 펜스 ( 180 ) 대신 에 복수 의 절연 펜스 ( 180 b ) 를 가질 수 있 다 . 따라서 반도체 메모리 소자 ( 6 ) 는 복수 의 절연 펜스 ( 180 b ) 각각 의 상측 부분 의 제 2 수평 방향 ( Y 방향 ) 으로 의 제 2 폭 ( W 2 ) 이 하측 부분 의 제 2 수평 방향 ( Y 방향 ) 으로 의 제 1 폭 ( W 1 ) 보다 작 값 을 가지 므로 , 복수 의 절연 펜스 ( 180 a ) 각각 의 상측 부분 의 사이 에 배치 되 는 복수 의 랜딩 패드 ( 190 ) 는 상대 적 으로 큰 제 2 수평 방향 ( Y 방향 ) 으로 의 수평 폭 을 가질 수 있 다 . 따라서 복수 의 랜딩 패드 ( 190 ) 의 비저항 이 상대 적 으로 작 은 값 을 가질 수 있 고 , 복수 의 베리드 콘 택 ( 170 ) 과 복수 의 커패시터 구 조체 ( 200 ) 사이 의 전기 적 연결 의 신뢰 성 이 향상 될 수 있 다 .