트랜지스터 ( 160 ) 상 에 , 절연 층 ( 128 ) 이 마련 되 어 있 다 . 또한 , 고집 적 화 를 실현 하 기 위해서 는 , 도 5 에 나타내 는 바 와 같이 , 트랜지스터 ( 160 ) 가 사이드 월 절연 층 을 가지 지 않 는 구성 으로 하 는 것 이 바람직 하 다 . 한편 , 트랜지스터 ( 160 ) 의 특성 을 중시 하 는 경우 에 는 , 게이트 전극 ( 110 ) 의 측면 으로 사이드 월 절연 층 을 마련 하 고 , 불순물 농도 가 서로 다른 복수 의 영역 을 포함 하 는 불순물 영역 ( 120 ) 을 마련 하 여도 좋 다 . 절연 층 ( 128 ) 은 , 평탄 성 이 양호 한 표면 을 가지 고 있 는 것 이 바람직 하 고 , 예 를 들 면 , 절연 층 ( 128 ) 의 표면 은 , 제곱 평균 평방근 ( RMS ) 거칠 기 를 1 nm 이하 로 하 는 것 이 바람직 하 다 . 이 와 같이 , 제곱 평균 평방근 ( RMS ) 거칠 기 가 1 nm 이 하 라고 하 는 극히 평탄 한 영역 에 트랜지스터 ( 162 ) 의 채널 형성 영역 ( 산화물 반도체 층 ( 144 ) ) 을 마련 함 에 의해 , 트랜지스터 ( 162 ) 가 미세 화 되 는 상황 에서 도 , 단 채널 효과 등 의 불편 을 방지 하 고 , 양호 한 특성 을 갖 는 트랜지스터 ( 162 ) 를 제공 하 는 것 이 가능 하 다 .