게이트 전극 층 ( 204 ) 은 CVD , ALD , 전해 도금 또는 다른 적합 한 방법 에 의해 형성 될 수 있 다 . 게이트 유전체 층 및 전극 층 은 또한 ILD 층 ( 190 ) 의 상부 표면 위 에 도 퇴적 된다 . 도 10 b 에 도시 된 바 와 같이 , ILD 층 ( 190 ) 위 에 형성 된 게이트 유전체 층 및 게이트 전극 층 은 그 다음 , ILD 층 ( 190 ) 의 상부 표면 이 드러날 때 까지 , 예 를 들 어 CMP 를 사용 함 으로써 평탄 화 된다 .