차이 [ ( Wm 1 - Wt 1 ) 및 ( Wm 2 - Wt 2 ) ] 와 같 은 측정 결과 에 기초 하 여 , 도 14 의 프로세스 ( 308 ) 로서 도시 되 어 있 는 바 와 같이 , 반도체 핀 ( 126 ', 226 ') 을 시닝 하 기 위한 에칭 레시피 가 생성 된다 . 에칭 레시피 는 에칭 기간 , 에칭 화학 물 의 유형 , 에칭 화학 물 및 웨이퍼 ( 10 ) 의 온도 , 에칭 화학 물 의 농도 ( 습식 에칭 이 사용 될 때 ) , 에칭 가스 의 유량 및 압력 ( 건식 에칭 이 사용 될 때 ) 등 을 포함 하 고 , 이 들 에 한정 되 는 것 은 아니 다 . 예 를 들 어 , 차이 ( Wm 1 - Wt 1 ) 가 크 면 , 더 높 은 온도 , 더 높 은 농도 , 더 긴 에칭 기간 , 및 / 또는 기타 등등 이 채택 될 수 도 있 다 . 반대 로 , 차이 ( Wm 1 - Wt 1 ) 가 작 으면 , 더 낮 은 온도 , 더 낮 은 농도 , 더 짧 은 에칭 기간 , 및 / 또는 기타 등등 이 채택 될 수 도 있 다 .