한편 , " 광추 출 효율 을 개선 시키 기 위해 패 터닝 된 사파이어 기판 을 채택 하 는 기술 이 "" InGaN - Based Near - Ultravilolet and Blue - Light - Emitting Diodes with High External Quantum Efficiency Using a Patterned Sapphire Substrate and a Mesh Electrode "" 라는 제목 으로 어 플 라이드 피직스 일본 저널 ( Japanese Journal of Applied Physics ", Vol . 41 , 2002 , pp . L 1431 - L 143 ) 에 2002 년 12 월 15 일자 로 공개 된 바 있 다 .