도 3 h 에 도시 된 바 와 같이 , 희생 막 패턴 ( 24 A ) 제거 후 에 노출 되 는 폴리 실리콘 막 ( 23 ) 을 건식 식각 ( Dry Etch ) 한다 . 이때 , 게이트 하드 마스크 막 ( 29 ) 을 식각 배리어 로 하 여 폴리 실리콘 막 ( 23 ) 을 건식 식각 한다 . 특히 , Cl 2 / O 2 혼합 가스 를 적용 하 면 게이트 하드 마스크 막 ( 29 ) 이 손실 되 지 않 으면서 폴리 실리콘 막 ( 23 ) 만 선택 적 으로 식각 할 수 있 다 .