이어서 , 제 1 포토레지스트 패턴 ( PR 1 ) 을 마스크 로 게이트 텅스텐 막 ( 24 ) 의 일부 를 식각 하 여 표면 에 요철 을 형성 한다 . 즉 , 식각 된 부분 은 홈 ( 24 A ) 이 되 고 식각 되 지 않 은 부분 은 홈 ( 24 A ) 보다 높 은 표면 을 가지 므로 결국 요철 이 된다 . 이때 , 홈 ( 24 A ) 은 게이트 텅스텐 막 ( 24 ) 을 관통 하 는 것 이 아니 라 홈 ( 24 A ) 아래 에서 게이트 텅스텐 막 ( 24 ) 이 일부 남 도록 식각 하 여 형성 하 는데 , 홈 ( 24 A ) 형성 후 에 잔류 하 는 게이트 텅스텐 막 ( 24 ) 의 두께 는 500 ∼ 1000 Å 의 두께 가 되 며 , 이러 한 두께 는 시트 저항 감소 를 위해 사용 되 는 게이트 텅스텐 막 ( 24 ) 이 가져야 하 는 두께 를 만족 한다 .