셋째 , 도 9 c 에 도시 한 바 와 같이 , 저항성 접촉 패턴 ( 164 a ) 의 노출 부분 을 식각 하 기 전 에 제 1 감광 패턴 ( 41 a ) 을 마스크 로 하 여 레이저 를 조사 한다 . 이 경우 저항성 접촉 패턴 ( 164 a ) 의 노출 부분 과 그 하부 의 회로 반도체 ( 154 a ) 가 함께 결정 화 될 수 있 다 . 레이저 조사 후 , 저항성 접촉 패턴 ( 164 a ) 의 노출 부분 을 건식 식각 한다 .