본 발명 의 제 5 특징 에 따른 방법 은 기판 에 의해 지지 되 는 다중 서브 회로 ( multiple sub - circuits ) 를 형성 하 는 단계 ; n - 형 멀티 게이트 전계 효과 트랜지스터 ( MuGFET ) 에 의해 적어도 하나 의 서브 회로 를 제 1 전압 레벨 에 결합 시키 는 단계 ; 및 p - 형 MuGFET 에 의해 적어도 하나 의 서브 회로 를 제 2 전압 레벨 에 결합 시키 는 단계 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .