도 1 의 ( A ) 에 도시 한 바 와 같이 , 횡 형 PNP 트랜지스터 ( 1 ) 는 , 주로 , P 형 의 단결정 실리콘 기판 ( 2 ) 과 , N 형 의 매립 확산 층 ( 3 ) 과 , N 형 의 에피 택 셜 층 ( 4 ) 과 , 베이스 인출 영역 으로서 이용 되 는 N 형 의 확산 층 ( 5 ) 과 , 에 미터 영역 으로서 이용 되 는 P 형 의 확산 층 ( 6 , 7 ) 과 , 콜렉터 영역 으로서 이용 되 는 P 형 의 확산 층 ( 8 , 9 ) 으로 구성 되 어 있 다 .