제 1 아이 솔 레 이 션 절연 층 ( 104 ) 이 형성 된 후 에 , 도 2 a 및 도 2 b 에 도시 된 바 와 같이 , 더미 게이트 구조물 ( 105 ) 이 형성 된다 . 더미 게이트 구조물 ( 105 ) 은 더미 게이트 유전체 층 및 더미 게이트 전극 층 을 포함 한다 . 더미 게이트 유전체 층 은 실리콘 산화물 기반 의 재료 와 같 은 절연 재료 의 하나 이상 의 층 을 포함 한다 . 하나 의 실시 예 에서 , CVD 에 의해 형성 된 실리콘 산화물 이 사용 된다 . 더미 게이트 유전체 층 의 두께 는 일부 실시 예 에서 약 1 nm 내지 약 5 nm 범위 내 에 있 다 . 다른 실시 예 에서 , 더미 게이트 유전체 층 이 형성 되 지 않 으며 , 이러 한 경우 에 하드 마스크 층 ( 103 ) 이 더미 게이트 유전체 층 으로서 기능 할 수 있 다 .