도 7 ( a ) 에 나타내 는 바 와 같이 , 기지 의 리소그래피 기술 에 의해 필드 산화 막 ( 2 ) 상 에 선택 적 으로 레지스 트 패턴 ( 58 ) 을 형성 한다 . 그 후 , 그 레지스 트 패턴 ( 58 ) , 게이트 ( 5 ) , 게이트 측벽 절 연막 ( 6 ) , 제 3 및 제 4 게이트 측벽 절 연막 ( 7 - 1 , 7 - 2 ) , 제 1 및 제 2 게이트 측벽 도전 막 ( 10 - 1 , 10 - 2 ) 을 마스크 로서 사용 하 고 , N 형 이온 종 으로서 P ( 인 ) 을 , 게이트 ( 5 ) 및 제 1 및 제 2 게이트 측벽 도전 막 ( 10 - 1 , 10 - 2 ) , 그리고 제 1 및 제 2 익스텐션 ( 9 - 1 , 9 - 2 ) 및 제 1 및 제 2 포켓 영역 ( 8 - 1 , 8 - 2 ) 에 선택 적 으로 이온 주입 한다 . 그 이온 주입 은 , 구체 적 으로 는 기판 면 에 대하 여 수직 방향 으로부터 , 가속 에너지 20 KeV , 도즈 량 5 E 15 [ 1 / ㎠] 의 조건 하 에 실시 할 수 있 다 . 그 결과 , 불순물 이 도입 된 폴리 실리콘 으로 이루어지 는 게이트 ( 5 ) 와 , 불순물 이 도입 된 폴리 실리콘 으로 이루어지 는 제 1 및 제 2 게이트 측벽 도전 막 ( 10 - 1 , 10 - 2 ) 을 형성 함 과 함께 , P 형 웰 ( 4 ) 중 에 는 드레 인 ( 11 - 1 ) 및 소스 ( 11 - 2 ) 를 선택 적 으로 형성 한다 .