제 1 절 연막 을 형성 하 는 단계 는 , 트렌치 의 일부 가 채워 지 도록 트렌치 를 포함 한 반도체 기판 상 에 HTO 막 을 형성 하 는 단계 , 트렌치 가 채워 지 도록 HTO 막 상 에 PSZ 막 을 형성 하 는 단계 , 트렌치 영역 에 만 HTO 막 및 PSZ 막 이 잔류 되 도록 평탄 화 식각 공정 을 실시 하 는 단계 및 PSZ 막 의 높이 를 낮추 는 식각 공정 을 실시 하 는 단계 를 포함 한다 .