OTFT 의 경우 에 , 전자 기판 의 회로 소자 는 소스 및 드레 인 전극 을 포함 하 고 , 그 위 에 소스 및 드레 인 전극 사이 에 정의 된 채널 영역 을 갖 는 더블 뱅크 구조 가 배치 된다 . 바닥 - 게이트 OTFT 에 있 어서 , 전극 기판 은 또한 그 위 에 배치 되 는 게이트 유전체 를 갖 는 게이트 전극 을 포함 하 며 , 소스 및 드레 인 전극 은 게이트 유전체 위 에 배치 된다 . 뱅크 구조 에 의해 정의 되 는 우물 내 에서 노출 되 는 채널 영역 내 의 게이트 유전체 가 플루오르 기반 플라스마 처리 와 같 은 다른 처리 방법 에 특히 민감 한 것 으로 본 출원인 에 의해서 밝혀졌 기 때문 에 , 본 발명 은 바닥 게이트 OTFT 에서 특히 유용 한 것 으로 밝혀졌 다 .