연속 하 여 , i - 1 번 째 스캔 라인 ( Si - 1 ) , i 번 째 스캔 라인 ( Si ) , i + 1 번 째 스캔 라인 ( Si + 1 ) , 발광 제어 라인 ( Ei ) , 제 어 신호 라인 ( CSi ) , 제 1 및 제 2 하부 전극 ( LE 1 , LE 2 ) 을 마스크 로 활용 하 여 반도체 패턴 ( SMP ) 에 불순물 을 도핑 한다 . 이 로 인해 , 불순물 이 도핑 된 반도체 패턴 ( SMP ) 은 각 트랜지스터 의 소스 및 드레 인 전극 과 각 스위치 의 제 1 및 제 2 단자 가 형성 될 수 있 다 .