도 8 a 를 참조 하 면 , 도 7 a 내지 도 7 h 를 참조 하 여 설명 한 방법 에 따라 기판 ( 10 ) 의 제 1 영역 ( R 1 ) 상 에 제 1 채널 ( 111 ) , 한 쌍 의 제 1 소스 / 드레 인 ( 112 ) , 제 1 게이트 스 페이서 ( 130 ) , 및 제 1 게이트 트렌치 ( GT 1 ) 가 형성 되 고 기판 ( 10 ) 의 제 2 영역 ( R 2 ) 에 제 2 채널 ( 211 ) , 한 쌍 의 제 2 소스 / 드레 인 ( 212 ) , 제 2 게이트 스 페이서 ( 230 ) , 및 제 2 게이트 트렌치 ( GT 2 ) 가 형성 되 고 , 기판 ( 10 ) 의 제 1 영역 ( R 1 ) 및 제 2 영역 ( R 2 ) 상 에 소자 분리 층 ( 13 ) 및 층간 절연 층 ( 40 ) 이 형성 될 수 있 다 .