본 발명 에 의하 면 , 반도체 기판 을 식각 하 여 게이트 리세 스 를 형성 한 후 수소 및 염소 또는 실리콘 을 포함 하 는 혼합 가스 분위기 하 에서 열처리 함 으로서 , 상기 게이트 리세 스 및 소자 분리 트렌치 사이 에 실리콘 펜스 가 형성 되 는 것 을 최소 화 할 수 있 다 . 따라서 , 상기 실리콘 펜스 에 기생 채널 이 형성 되 어 발생 하 는 채널 누설 현상 을 억제 할 수 있 다 .