일부 경우 에 , 올리 고 뉴클레오티드 는 광 불 안정 성 보호기 로 합성 되 며 , 여기 서 표면 상 에서 생성 되 는 히드록실기 는 광 불 안정 성 보호기 에 의해 블록 킹 된다 . 표면 이 예컨대 포토 리소그래피 마스크 를 통해서 UV 광 에 노출 될 때 , 표면 상 에 유리 히드록실기 의 패턴 이 생성 될 수 있 다 . 이 들 히드록실기 는 포스 포르 아미 다 이트 화학 에 따라 광보 호된 뉴클레오시드 포스 포르 아미 다 이 트 와 반응 할 수 있 다 . 제 2 포토 리소그래피 마스크 를 적용 하 고 표면 을 UV 광 에 노출 시켜 히드록실기 의 제 2 패턴 을 생성 시킨 후 , 5 '- 광보 호된 뉴클레오시드 포스 포르 아미 다 이 트 와 커플링 할 수 있 다 . 마찬가지 로 , 패턴 이 생성 될 수 있 고 , 올리고머 쇄 가 연장 될 수 있 다 . 이론 에 구애 됨 이 없이 , 광 절단 가능 한 기 의 불 안정 성 은 사용 되 는 용매 의 파장 및 극성 에 따라 달라지 며 , 광 절단 속도 는 노출 지속 시간 및 광 강도 에 의해 영향 을 받 을 수 있 다 . 이 방법 은 다수 의 인자 , 예컨대 마스크 정렬 의 정확도 , 광 보호기 의 제거 효율 및 포스 포르 아미 다 이트 커플링 단계 의 수율 과 같 은 다수 의 인자 를 활용 할 수 있 다 . 또한 , 이웃 부위 로 의 의도 하 지 않 은 광 의 누출 을 최소 화 할 수 있 다 . 스팟 당 합성 되 는 올리고머 의 밀도 는 합성 표면 상 의 리더 뉴클레오시드 의 로딩 을 조절 함 으로써 모니터링 될 수 있 다 .