도 10 의 단면 은 제 2 콘택트 ( 5 ) 의 위치 에서 의 기판 ( S ) 과 ITO 등 과 같 은 도전 성 의 투명 산화물 로 된 바닥 층 ( 21 ) 을 나타낸다 . 바닥 층 ( 21 ) 의 상부 에 는 도전 성 층 구조 체가 형성 된다 . 본 실시 예 에서 , 도전 성 층 구조 체 는 MoCr 층 ( 22 ) , Al 층 ( 23 ) , 및 MoCr 층 ( 24 ) 을 포함 하 여 이루어진다 . Al 은 MoCr 에 비해 에칭 속도 가 빠르 기 때문 에 , 층 ( 23 ) 은 언더컷 사이드 에지 를 가질 수 있 다 . 단면 X - X 에 는 , 인 캡슐 레 이 션 구조 의 제 1 무기 층 ( 20 ) 이 있 다 . 이 제 1 무기 층 ( 20 ) 의 상부 에 는 , 도 10 에 는 도시 하 지 않 은 다양 한 다른 인 캡슐 레 이 션 막 이 제공 될 수 있 다 . 따라서 , 후속 하 는 무기 층 과 유기 층 의 스택 이 인 캡슐 레 이 션 막 을 형성 하 도록 제공 될 수 있 다 .