본 발명 은 희생 기판 의 상부 에 서로 이격 된 둘 이상 의 오 목부 를 형성 하 는 단계 와 , 상기 희생 기판 의 각 오 목부 에 제 1 화합물 반도체 층 , 활성 층 , 제 2 화합물 반도체 층 을 포함 하 는 화합물 반도체 층 들 을 채워 형성 하 는 단계 와 , 상기 화합물 반도체 층상 에 금속 반사 층 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 금속 반사 층 상 에 도전 성 기판 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 화합물 반도체 들 로부터 상기 희생 기판 을 분리 하 는 단계 와 , 상기 도전 성 기판 및 금속 반사 층 을 절단 하 여 개별 수직 형 발광 다이오드 로 분리 하 는 단계 를 포함 하 는 수직 형 발광 다이오드 제조 방법 을 제공 한다 .