일반 적 으로 정공 주입 장벽 을 줄이 기 위해 사용 되 는 물질 들 은 순수 유기 베이스 의 물질 로 사용 되 며 , 이 경우 전극 과 유기 물질 간 의 에너지 갭 을 최대한 줄이 는 목적 으로 설계 되 어 진다 . 하지만 , 본 발명 에서 의 제 1 화합물 을 전극 계면 에 사용 하 게 되 면 , Mo , Li , Na , K , Rb , Cs , Be , Mg , Ca , Sr , Ba 및 B 로 이루어진 군 으로부터 선택 된 원소 의 금속 특성 을 이용 할 수 있 으며 , 그 경우 접촉 저항 을 낮추 어 반도체 화합물 에서 사용 되 는 전극 계면 의 특성 인 옴 접촉 ( Ohmic contact ) 을 얻 을 수 있 다