비스 ( 3 - 메틸 디 메 톡 시 실릴 - 프로필 ) - N - 메틸아민 의 흐름 은 , 캐리어 가스 로서 대략 3000 sccm 의 건조 질소 에 의해 화학 증기 공급 시스템 ( 220 C ) 으로부터 프로세스 챔버 ( 200 ) 로 도입 된다 . 압력 은 진공 펌프 ( 240 ) 의 동시 동작 에 의해 400 Torr 까지 유지 된다 . 반도체 기판 ( 100 ) 은 약 150 ℃ 에서 약 180 초 동안 비스 ( 3 - 메틸 디 메 톡 시 실릴 - 프로필 ) - N - 메틸아민 의 흐름 과 접촉 하 여 위치 된다 .