이러 한 기술 적 과제 를 달성 하 기 위한 본 발명 의 일 측면 에 의하 면 , a 평면 ( 11 - 20 ) 사파이어 기판 을 준비 하 는 단계 와 , 상기 a 평면 ( 11 - 20 ) 사파이어 기판 위 에 절연 층 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 절연 층 을 부분 적 으로 식각 하 여 상기 a 평면 ( 11 - 20 ) 사파이어 기판 의 일부분 들 을 노출 시키 는 절연 층 패턴 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 절연 층 패턴 이 형성 된 상기 a 평면 ( 11 - 20 ) 사파이어 기판 위 에 제 1 도전 형 반도체 층 , 활성 층 , 제 2 도전 형 반도체 층 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 발광 다이오드 제조 방법 을 제공 한다 .