이렇게 준비 된 ITO 투명 전극 위 에 정공 주입 층 으로 하 기 HI - 1 화합물 을 1150 Å 의 두께 로 형성 하 되 하 기 A - 1 화합물 을 1 . 5 % 농도 로 p - doping 하 였 다 . 상기 정공 주입 층 위 에 하 기 HT - 1 화합물 을 진공 증착 하 여 막 두께 800 Å 의 정공 수송 층 을 형성 하 였 다 . 이어서 , 상기 정공 수송 층 위 에 막 두께 150 Å 으로 하 기 EB - 1 화합물 을 진공 증착 하 여 전자 억제 층 을 형성 하 였 다 .