본 발명 은 비정질 실리콘 층 의 결정 화 방법 에 관한 것 으로 , 보다 상세 하 게 는 , 비정질 실리콘 층 을 형성 하 고 , 비정질 실리콘 층 의 국부 적 인 영역 에 열 , 빛 , 가스 , 플 라즈 마 등 을 통해 에너지 를 주입 함 으로써 폴리 실리콘 으로 결정 화 함 으로써 기판 이 온도 에 의한 변형 을 받 지 않 도록 하 면서 결정화 를 하 는 기술 에 관한 것 이 다 .