일 실시 예 에 따르 면 , 제 1 활성 층 ( 350 ) 은 제 2 활성 층 ( 450 ) 보다 산소 ( O ) 의 함량 이 더 클 수 있 다 . 또한 , 제 1 활성 층 ( 350 ) 은 제 2 활성 층 ( 450 ) 보다 수소 ( H ) 의 함량 이 더 작 을 수 있 다 . 제 1 활성 층 ( 350 ) 은 그 상부 에 제 1 산화물 층 ( 370 ) 이 배치 됨 에 따라 제조 공정 중 산소 가 주입 되 고 수소 는 배출 될 수 있 다 . 반면 에 제 2 활성 층 ( 450 ) 은 그 상부 에 제 1 산화물 층 ( 370 ) 이 배치 되 지 않 기 때문 에 , 산소 와 수소 의 주입 과 배출 이 거의 없 을 수 있 다 . 제 1 활성 층 ( 350 ) 과 제 2 활성 층 ( 450 ) 은 동일 한 공정 에서 동일 한 재료 를 포함 하 여 형성 되 나 , 이후 의 공정 에서 배치 되 는 제 1 산화물 층 ( 370 ) 에 따라 서로 다른 조성 을 갖 게 될 수 있 다 . 일 실시 예 에 따른 구동 트랜지스터 ( DRT ) 는 높 은 함량 의 산소 ( O ) 를 갖 는 제 1 활성 층 ( 350 ) 을 포함 하 여 넓 은 범위 의 구동 전압 을 확보 할 수 있 다 . 제 1 스위칭 트랜지스터 ( SCT ) 는 높 은 함량 의 수소 ( H ) 를 갖 는 제 2 활성 층 ( 450 ) 의 포함 하 여 높 은 전자 이동도 를 가질 수 있 다 . 다만 , 이 에 제한 되 는 것 은 아니 다 .