참고 로 , 앞서 도 3 a 에 언급 한 바 와 같이 , 자 유막 ( 25 A ) 이 공정 상 의 오류 로 인 하 여 산화 혹은 부식 될 경우 , 자기 터널 접합 셀 의 자기 저항 값 ( Rms ) 이 저하 되 어 자기 터널 접합 셀 을 이용 하 는 자기 저항 메모리 장치 가 오동작 할 우려 가 있 는데 , 1 차 후처리 를 실시 함 으로써 , 이 를 방지 할 수 있 다 .