도 2 는 본 발명 의 바람직 한 실시 예 에 따라 생성 되 는 메모리 셀 의 투시도 를 예시 하 는 것 이 다 . 바닥 도체 ( 101 ) 는 전도성 재료 , 예 를 들 어 텅스텐 으로 생성 되 고 , 제 1 방향 으로 연장 한다 . 장벽 및 TiN 층 과 같 은 접착 층 이 바닥 도체 ( 101 ) 에 포함 될 수 있 다 . 반도체 다이오드 ( 110 ) 는 , 도 4 a 내지 4 d 에 도시 된 바 와 같이 다이오드 의 배향 이 역전 될 수 있 지만 , 바닥 고 - 도핑 된 n - 형 부분 ( 112 ) ; 의도 적 으로 도핑 되 지 않 는 고유 부분 ( 114 ) , 및 상부 고 - 도핑 된 p - 형 부분 ( 116 ) 을 갖 는다 . 이러 한 다이오드 는 이 의 배향 과 무관 하 게 , p - i - n 다이오드 또는 단순히 다이오드 로서 언급 될 것 이 다 . 금속 산화물 층 ( 118 ) 은 예 를 들 어 도 3 ( a ) 와 3 ( b ) 에 도시 된 바 와 같이 다이오드 상 에 , 다이오드 ( 110 ) 의 p - 형 부분 ( 116 ) 위 또는 n - 부분 ( 112 ) 아래 에 배치 된다 . 상부 도체 ( 100 ) 는 바닥 도체 ( 101 ) 와 상부 도체 ( 100 ) 사이 에 수직 으로 배치 된다 . 다이오드 는 규소 , 게르마늄 또는 규소 - 게르마늄 합금 과 같 은 단결정 , 다 결정 또는 비정질 반도체 재료 를 포함 할 수 있 다 .