일반 적 인 센스 앰프 의 경우 비트 라인 쌍 BLT , BLB 간 의 로딩 이 같 아야 오프셋 열화 가 발생 하 지 않 는다 . 하지만 , 본 발명 의 실시 예 에서 는 도 1 에 도시 된 바 와 같이 셀 영역 의 비트 라인 쌍 BLT , BLB 과 센스 앰프 MCSA 영역 의 센싱 비트 라인 쌍 SA _ BLT , SA _ BLB 이 서로 분리 되 는 형태 를 가지 므로 센싱 비트 라인 과 레퍼런스 비트 라인 간 의 로딩 차이 를 고려 하 지 않 아도 된다 . 본 발명 의 실시 예 에 따른 센스 앰프 MCSA 는 프리 센싱 구간 T 2 에서 비트 라인 쌍 BLT , BLB 과 센싱 비트 라인 쌍 SA _ BLT , SA _ BLB 의 동작 이 구분 되 어 있 다 .