상술 한 바 와 같 은 종래 결정 화 공정 은 양질 의 다결정 실리콘 층 ( 30 b ) 을 형성 시킬 수 있 고 , 그레인 내 에 결함 이 없 기 때문 에 전기 적 특성 이 우수 한 박막 을 형성 시킬 수 있 다 . 그러나 , 대 면적 의 플렉서블 ( flexible ) 한 기판 ( 10 ) 에 상기 와 같 은 결정 화 공정 을 진행할 경우 , 레이저 빔 ( 30 c ) 이 정확히 비정질 실리콘 층 ( 30 a ) 에 조사 되 거나 , 기판 ( 10 ) 전체 에 균일 하 게 조사 되 기 어렵 다 . 이 에 따라 기판 ( 10 ) 전체 에 걸쳐 균일 한 그레인 크기 를 가지 는 다결정 실리콘 층 ( 30 b ) 을 형성 시키 기 어렵 다는 큰 문제점 을 갖 는다 . 즉 , 그레인 크기 와 전계 효과 이동도 가 비례 하 기 때문 에 기존 의 이러 한 결정 화 기술 을 보완 하 기 위해서 많 은 연구 가 이루어지 고 있 으나 , 아직 도 많 은 문제점 을 안 고 있 다 .