본 실시 예 에 따른 P 형 접점 패드 ( 402 ') 와 ITO 층 ( 290 ) 의 연결 구조 는 이하 설명 되 는 바 와 같이 ITO 층 ( 290 ) 의 발광 면적 축소 를 최소 화 하 면서 도 ITO 층 ( 290 ) 과 P 형 접점 패드 ( 402 ') 사이 의 접촉면 적 을 확장 시키 고 , 특히 , P 형 접점 패드 ( 402 ') 로부터 ITO 층 ( 290 ) 으로 의 전류 확산 효율 을 높일 수 있 도록 되 어 있 다 . 이 를 위해 , ITO 층 ( 290 ) 의 상면 , 특히 , P 형 접점 패드 ( 402 ') 가 형성 될 자리 에 는 접점 홈 ( 292 ) 이 형성 된다 .