상기 주 포토 마스크 ( 50 ) 는 노광 패턴 을 구비 한다 . 예 를 들 면 , 상기 주 포토 마스크 ( 50 ) 는 투명 기판 ( 52 ) 및 상기 투명 기판 ( 52 ) 상 에 배치 되 는 고밀 도 차광 패턴 영역 ( 54 a ) 및 저밀 도 차광 패턴 영역 ( 54 b ) 을 구비 한다 . 상기 투명 기판 ( 52 ) 은 투명 한 석영 일 수 있 다 . 상기 고밀도 및 저밀 도 차광 패턴 영역 들 ( 54 a , 54 b ) 내 에 는 상기 투명 기판 ( 52 ) 상 에 증착 되 는 노광 패턴 들 ( 53 ) , 예 를 들 면 크롬 층 패턴 들 이 배치 될 수 있 다 . 상기 크롬 층 패턴 의 폭 이 동일 한 경우 에 , 상기 고밀도 차광 패턴 영역 ( 54 a ) 내 의 크롬 층 패턴 들 사이 의 간격 은 상기 저밀 도 차광 패턴 영역 ( 54 b ) 내 의 크롬 층 패턴 들 사이 의 간격 에 비해 상대 적 으로 작 다 . 즉 , 노광 패턴 의 임계 치수 ( critical dimension ; CD ) 의 변화 가 발생 할 수 있 다 . 이 에 따라 , 상기 주 포토 마스크 ( 50 ) 로 광이 입사 되 는 경우 에 , 상기 고밀도 차광 패턴 영역 ( 54 a ) 을 통과 한 광 의 투과 량 은 상기 저밀 도 차광 패턴 영역 ( 54 b ) 을 통과 한 광 의 투과 량 에 비해 상대 적 으로 적 을 수 있 다 .