이 와 는 달리 , 상기 식각 대상 막 ( 110 ) 은 상술 한 바 와 같이 하드 마스크 막 으로 형성 되 는 경우 에 , 상기 제 1 및 제 2 리얼 반도체 패턴 들 ( 110 a , 110 b ) 은 활성 영역 을 정의 하 는 하드 마스크 패턴 들 로 형성 될 수 있 다 . 상기 제 1 및 제 2 리얼 반도체 패턴 들 ( 110 a , 110 b ) 이 하드 마스크 패턴 들 로 형성 되 는 경우 를 도 1 j 를 참조 하 여 좀 더 설명 한다 .