종래 기술 에서 , 저 주파 RF 전원 ( LF ) 은 1 MHz ~ 2 MHz 의 RF 주파수 를 갖 는다 . 상기 주파수 범위 내 에서 , 저 주파 RF 전원 의 출력 파워 를 조절 하 는 것 만 을 통해 기판 표면 에 입사 된 이온 에너지 를 조절 한다 . 하지만 , 높 은 종횡비 의 식각 을 실행 할 때 , 파워 만 을 통해 종래 기술 의 저주파 RF 전원 을 제어 하 기 때문 에 , 저 주파 RF 전원 의 출력 파워 가 20 KW 이상 으로 증가 할 수 있 다 . 이런 높 은 출력 파워 는 높 은 비용 을 요구 할 뿐 만 아니 라 대량 의 과도 한 열량 도 발생 시키 기 때문 에 큰 파워 를 갖 는 방열 기구 를 플 라즈 마 식각 반응기 에 배치 할 필요 가 있 다 . 또한 , 매우 높 은 전압 ( 104 V 이상 ) 은 플 라즈 마 반응기 에서 여러 가지 가스 의 방전 과 플 라즈 마 의 불 안정 을 야기 하 며 , 또한 반응기 내부 의 부품 이 쉽 게 손상 될 수 있 다 .