게이트 절 연막 ( 140 ) 위 에 는 수소 화 비정질 규소 ( hydrogenated amorphous silicon ) ( 비정질 규소 는 약칭 a - Si 로 씀 ) 또는 다결정 규소 ( polysilicon ) 등 으로 만들 어 진 복수 의 제 1 및 제 2 반도체 ( 154 a , 154 b ) 가 형성 되 어 있 다 . 제 1 및 제 2 반도체 ( 154 a , 154 b ) 는 각각 제 1 및 제 2 제어 전극 ( 124 a , 124 b ) 위 에 위치 한다 .