도 4 f 를 참조 하 면 , p - i - n 다이오드 ( 428 ) 의 완성 후 에 , 실리사이드 형성 금속 층 ( 430 ) 이 기판 ( 400 ) 상 에 증착 된다 . 바람직 한 실리사이드 - 형성 금속 은 스퍼터 또는 아니면 증착 된 티탄 또는 코발트 를 포함 한다 . 일부 실시 예 에서 , 실리사이드 형성 금속 층 ( 430 ) 은 약 10 내지 약 200 옹스트롬 , 바람직 하 게 는 약 20 내지 약 50 옹스트롬 , 더 바람직 하 게 는 약 20 옹스트롬 의 두께 를 갖 는다 . 이외 실리사이드 형성 금속 층 물질 들 및 / 또는 두께 가 사용 될 수 있 다 . 이하 더 기술 되 는 바 와 같이 , 구조물 의 어닐링 은 실리사이드 형성 금속 층 ( 430 ) 으로부터 금속 및 p + 실리콘 영역 들 ( 426 ) 로부터 실리콘 이 반응 하 여 각각 의 p + 실리콘 영역 ( 426 ) 에 이웃 한 실리사이드 영역 ( 432 ) 을 형성 하 게 한다 .