이상 에서 설명 한 바 와 같이 , 본 발명 에 따른 반도체 소자 및 그 의 형성 방법 은 P 형 불순물 이온 이 주입 된 폴리 실리콘 층 을 포함 하 는 게이트 에 있 어서 , 채널 이 형성 되 는 부분 의 활성 영역 이 돌출 되 도록 형성 하 고 , 상기 돌출부 를 이용 하 여 소스 / 드레 인 영역 과 게이트 가 중첩 되 는 부분 의 게이트 산화 막 두께 를 증가 시킴 으로써 , 게이트 문턱 전압 을 높이 면서 게이트 누설 전류 를 감소 시켜 리프 레 쉬 특성 을 향상 시킬 수 있 다 . 또한 , 후속 공정 에서 핀 셀 형성 용 트렌치 를 형성 하 는 공정 마진 을 증가 시킬 수 있 으며 , 핀 셀 형성 으로 인하 여 게이트 채널 면적 을 증가 시킬 수 있 으므로 , 게이트 전류 구동 능력 을 향상 시킬 수 있 다 . 따라서 고집 적 반도체 소자 의 게이트 채널 길이 를 효율 적 으로 향상 시켜 게이트 전압 을 용이 하 게 높일 수 있 고 리프 레 쉬 특성 을 향상 시킬 수 있 다 .