통상 적 으로 , 반도체 기판 ( 102 ) 에 대해 습식 처리 를 진행할 때 반도체 기판 ( 102 ) 을 수직 으로 배스 ( 110 ) 에 담그 게 된다 . 그러면 최초 로 담궈 진 반도체 기판 ( 102 ) 의 일부분 과 최후 로 담궈 진 반도체 기판 ( 102 ) 의 일부분 이 케미컬 에 반응 하 는 시간 은 반도체 기판 ( 102 ) 의 직경 에 따라 차이 가 나 게 된다 . 그러면 반도체 기판 ( 102 ) 의 전체 표면 에 대해 고르 게 습식 처리 가 진행 되 지 않 고 불 균일 하 게 습식 처리 가 진행 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 습식 처리 가 습식 식각 일 경우 반도체 기판 ( 102 ) 의 위치 에 따라 식각 되 는 양 이 차이 가 나 기 때문 에 , 반도체 기판 ( 102 ) 상 에 불 균일 한 두께 의 막 이 형성 될 수 있 다 . 특히 , 이러 한 경향 은 반도체 소자 의 생산 수율 을 향상 시키 기 위하 여 반도체 기판 의 직경 을 보다 크 게 형성 하 려는 기술 발전 방향 을 고려 하 면 , 앞 으로 더욱 중요 한 이슈 가 될 것 이 다 .