일 실시 예 에 따르 면 , 화합물 반도체 층 은 단결정 화합물 반도체 를 포함 할 수 있 다 . 다 결정 구조 에 비해 단결정 화합물 반도체 는 특히 우수 한 전기 적 특성 을 가지 고 있 다 . 따라서 , 기존 의 실리콘 기반 방법 에서 는 단결정 실리콘 을 사용 하 는 것 이 바람직 하 다 . 그러나 , 위 에서 언급 했 듯이 사용 가능 한 공정 으로 인해 다결정 실리콘 은 금속 화 층 에 직접 퇴적 되 어 복구 불 가능 한 손상 이 발생 하 지 않 는다 . 본 명세서 에 기술 된 본 발명 은 금속화 층 상 에 직접 단결정 화합물 반도체 재료 의 퇴적 을 가능 하 게 한다 . 다소 복잡 한 화합물 의 단결정 도 단결정 화합물 반도체 재료 의 일부 이 다 .