도 61 - 65 를 참조 하 면 , 대안 의 실시 예 에 따른 FinFET ( 131 ) 는 벌크 소스 및 드레 인 영역 과 EPI 병합 영역 ( 133 ) , STI ( 134 ) , 게이트 전극 ( 135 ) , 에피 택 셜 핀 ( 136 ) , EPI 병 합부 ( 137 ) , P - 타입 소스 및 드레 인 영역 ( 138 ) , 스 페이서 ( 139 ) , 로컬 인터 커넥트 ( 140 ) , P - 타입 벌크 기판 ( 141 ) , P - 웰 ( 142 ) , N - 웰 ( 143 ) , 고 - k 필름 ( 144 ) , N - 타입 소스 및 드레 인 영역 ( 145 ) , 실리사이드 ( 146 ) , 게이트 하드 마스크 ( 147 ) , TEOS 옥사이드 ( 148 ) , 초 박 박스 ( 149 ) , 및 에티 팩 셜 실리콘 핀 ( 150 ) 을 실질 적 으로 도시 되 는 바 와 같이 포함 한다 . 핀 용 으로 사용 되 는 에피 택 셜 물질 ( 137 ) 의 큰 부피 는 소자 채널 내 에 증가 된 응력 변형 을 유리 하 게 이용 할 수 있 게 한다 .