본 발명 에 있 어서 는 음극 과 유기 층 사이 에 절연체 나 반도체 로 구성 되 는 전자 주입 층 을 추가 로 설치 하 더라도 좋 다 . 이 때 , 전류 의 누출 ( leak ) 을 유효 하 게 방지 하 여 , 전자 주입 성 을 향상 시킬 수 있 다 . 이러 한 절연체 로서 는 , 알칼리 금속 칼 코 게나 이드 , 알칼리 토금속 칼 코 게나 이드 , 알칼리 금속 의 할로젠화물 및 알칼리 토금속 의 할로젠화물 로 이루어지 는 군 으로부터 선택 되 는 적어도 하나 의 금속 화합물 을 사용 하 는 것 이 바람직 하 다 . 전자 주입 층 이 이 들 알칼리 금속 칼 코 게나 이드 등 으로 구성 되 어 있 으면 , 전자 주입 성 을 더욱 향상 시킬 수 있 는 점 에서 바람직 하 다 . 구체 적 으로 , 바람직 한 알칼리 금속 칼 코 게나 이드 로서 는 , 예컨대 , Li 2 O , K 2 O , Na 2 S , Na 2 Se 및 Na 2 O 를 들 수 있 고 , 바람직 한 알칼리 토금속 칼 코 게나 이드 로서 는 , 예컨대 , CaO , BaO , SrO , BeO , BaS , 및 CaSe 를 들 수 있 다 . 또한 , 바람직 한 알칼리 금속 의 할로젠화물 로서 는 , 예컨대 , LiF , NaF , KF , CsF , LiCl , KCl 및 NaCl 등 을 들 수 있 다 . 또한 , 바람직 한 알칼리 토금속 의 할로젠화물 로서 는 , 예컨대 , CaF 2 , BaF 2 , SrF 2 , MgF 2 및 BeF 2 라는 불화물 이나 , 불화물 이외 의 할로젠화물 을 들 수 있 다 .