도 6 a 는 본 발명 의 실시 예 에 따른 실리콘 박막 을 실리콘 이 포함 되 는 절 연막 으로 형성 하 는 단계 를 나타내 는 단면도 이 다 . 도 6 a 를 참조 하 면 , 실리콘 박막 ( 110 ) 이 형성 된 기판 ( 100 ) 상 에 플 라즈 마 를 가한다 . 즉 , 기판 ( 100 ) 이 로딩 된 챔버 ( 11 ) 내부 를 플 라즈 마 분위기 로 형성 한다 . 플 라즈 마 분위기 를 형성 하 기 위하 여 , ICP ( Inductively Coupled Plasma ) , CCP ( Capacitively Coupled Plasma ) 또는 MW ( Microwave ) Plasma 방식 이 사용 될 수 있 다 . 이때 플 라즈 마 분위기 를 형성 하 기 위하 여 , 100 W 내지 3 kW 의 전력 이 인가 될 수 있 다 .