바람직 한 실시 예 에서 , 본 발명 은 내부 에 배열 된 성장 기판 을 포함 하 는 에피 택 셜 성장 챔버 ; 및 복수 의 개스 를 상기 성장 기판 의 면 에 분배 하 도록 배열 된 , 제 1 항 내지 제 14 항 중 의 어느 한 항 의 인 젝 터 장치 를 포함 하 는 , 에피 택 셜 성장 장치 를 제공 한다 . 이 와 같 은 성장 챔버 들 은 상기 성장 챔버 내 의 물질 을 가열 하 는 방사 소자 를 더 포함 하 며 , 상기 성장 챔버 는 상기 방사 소자 로부터 방출 되 는 방사 ( radiation ) 에 대해 적어도 일부 투명 하 며 ( transparent ) ; 상기 인 젝 터 장치 는 상기 방출 된 방사 를 적어도 일부 흡수 하 는 물질 을 포함 한다 . 상기 흡수 물질 은 상기 인 젝 터 장치 의 통합 ( integral ) 부분 이 거나 , 상기 인 젝 터 장치 의 개스 운반부 와 접촉 하 거나 이 에 인접 한 평면 물질 로 구성 된다 .