유기 반사 방지 막 의 손상 없이 포토레지스트 패턴 을 제거 할 수 있 는 반도체 기판 의 리 워크 방법 및 반도체 소자 의 패턴 형성 방법 에 있 어서 , 먼저 비정질 탄소 패턴 이 형성 된 기판 상 에 유기 반사 방지 막 을 형성 한다 . 이후 , 상기 유기 반사 방지 막 이 형성 된 기판 상 에 포토레지스트 패턴 을 형성 한다 . 상기 포토레지스트 패턴 에 결함 이 발생 될 경우 상기 포토레지스트 패턴 이 형성 된 기판 을 전면 노광 한 후 상기 전면 노광 된 포토레지스트 패턴 을 현상 처리 하 여 제거 한다 . 그 결과 상기 유기 반사 방지 막 및 비정질 탄소 로 이루어진 얼라 인 키 의 손상 이 발생 되 지 않 는 기판 을 마련 할 수 있 다 .