상세히 설명 하 면 , 제 1 희생 패턴 ( 32 ) 은 제 1 및 제 2 마스크 패턴 들 ( 42 , 72 ) 을 이용 하 여 제 1 희생 막 ( 30 ) 을 이방성 식각 함 으로써 형성 될 수 있 다 . 일 실시 예 에 따르 면 , 제 1 희생 패턴 ( 32 ) 은 제 2 희생 패턴 들 ( 64 ) 을 형성 하 는 식각 공정 을 하 부막 ( 20 ) 이 노출 될 때 까지 연속 적 으로 수행 하 여 형성 될 수 있 다 . 이 에 따라 , 제 2 희생 패턴 ( 64 ) 에 의해 정의 된 개구부 ( O ) 아래 에 하 부막 ( 20 ) 을 노출 시키 는 상부 개구부 ( UH ) 가 형성 될 수 있 다 .