제 2 실시 예 인 무선 IC 디바이스 는 기본 적 으로 는 상기 제 1 실시 예 와 동일 한 구성 을 구비 하 며 , 도 5 에 나타내 는 바 와 같이 , 급 전회 로 기판 ( 20 ) 의 최 하층 에 형성 한 시트 ( 41 i ) 의 이면 에 , 급 전회 로 기판 ( 20 ) 을 평면 투시 했 을 때 에 , 인덕턴스 소자 ( L 1 , L 2 ) 의 외형 과 같 거나 또는 작 은 평면 전극 ( 49 a , 49 b ) 을 형성 한 점 이 제 1 실시 예 와 다르 다 .