또한 가 열처리 를 행하 기 전 또는 가 열처리 와 동시 에 가압 처리 를 행하 는 것 이 바람직 하 다 . 가압 처리 는 , 접합면 에 수직 방향 으로 압력 이 가해 지 도록 행한다 . 가압 처리 를 행함 으로써 , 지지 기판 ( 400 ) 의 표면 이나 절 연막 ( 405 ) 의 표면 에 요철 이 있 는 경우 라도 치밀 성 이 낮 은 절 연막 ( 405 ) 에 의해 이 요철 이 흡수 되 어 , 단결정 반도체 기판 ( 401 ) 과 지지 기판 ( 400 ) 과 의 접합 불량 을 효과 적 으로 저감 하 는 것 이 가능 하 게 된다 . 또한 , 가 열처리 의 온도 는 , 지지 기판 ( 400 ) 의 내열 온도 이하 에서 행하 면 되 고 , 예 를 들 면 200 내지 600 ℃ 로 행하 면 된다 .