도 5 a 를 참조 하 면 , 제 1 실리콘 층 ( 501 ) , 절연 층 ( 502 ) , 및 제 2 실리콘 층 ( 503 ) 이 순차 적 으로 적층 된 SOI 기판 ( 500 ) 을 마련 한다 . 제 1 실리콘 층 ( 501 ) 및 제 2 실리콘 층 ( 503 ) 은 각각 500 ㎛ 두께 의 실리콘 층 이 며 , 상기 절연 층 ( 502 ) 은 2 ㎛ 두께 의 실리 콘 산화물 층 일 수 있 다 .