앞선 실시 예 에 와 마찬가지 로 , 본 실시 예 에 따른 P 형 반도체 층 ( 260 ) 또한 전류 차단 층 ( 262 ) 을 포함 한다 . 이 전류 차단 층 ( 262 ) 은 전술 한 P 형 접점 패드 ( 402 ') 와 접하 는 P 형 반도체 층 ( 260 ) 의 제한 된 영역 에 형성 된다 . 상기 전류 차단 층 ( 262 ) 은 앞선 실시 예 에서 설명 한 바 와 같이 접점 홈 ( 292 ) 형성 을 위한 건 식식 각 중 에 P 형 반도체 층 ( 260 ) 일부 의 전기 적 특성 이 변화 됨 으로써 형성 된다 .