즉 , 기입 워드 선 ( WWL 1 , WWL 2 ) 에 흐르 는 기입 전류 에 의해 생기 는 자계 와 디 짓 선 ( DL ) 에 흐르 는 기입 전류 에 의해 생기 는 자계 의 합성 자계 를 , 하나 의 메모리 셀 에 포함 되 는 2 개 의 MTJ 소자 에 각각 인가 함 으로써 , 메모리 셀 에 소정 의 데이터 를 기입 한다 . 한쪽 의 MTJ 소자 ( MTJ 1 ) 에 접속 된 기입 워드 선 ( WWL 1 ) 과 , 다른 쪽 의 MTJ 소자 ( MTJ 2 ) 에 접속 된 기입 워드 선 ( WWL 2 ) 에 는 , 서로 반대 방향 의 기입 전류 를 흐르 게 한다 . 이 에 따라 , MTJ 소자 ( MTJ 1 , MTJ 2 ) 에 는 , 서로 상보 적 인 저항 상태 를 기입 할 수 있 다 . 또한 , 기입 하 는 데이터 는 기입 워드 선 ( WWL 1 , WWL 2 ) 에 흐르 는 기입 전류 의 방향 을 전환 함 으로써 설정 된다 .