이어서 , 도 1 d 에 도시 된 바 와 같이 , 열처리 공정 ( 106 ) 을 실시 하 여 불순물 층 ( 105 ) 에 함유 된 도 펀트 를 언 - 도프 트 폴리 실리콘 막 ( 102 A ) 으로 확산 시켜 일부분 ( 102 B ) 을 도핑 시킨다 . 이때 , 도핑 되 는 부분 ( 102 B ) 의 도핑 농도 는 도프 트 폴리 실리콘 막 ( 107 , 도 1 e 참조 ) 의 도핑 농도 보다 낮 은 농도 를 갖 도록 한다 . 바람직 하 게 는 언 - 도프 트 폴리 시리 콘 막 ( 102 A ) 과 도프 트 폴리 실리콘 막 ( 107 ) 의 중간 정도 의 도핑 농도 를 갖 도록 한다 . 또한 , 도핑 되 는 부분 ( 102 B ) 의 두께 는 30 ~ 100 Å , 바람직 하 게 는 50 Å 정도 로 형성 한다 . 한편 , 열처리 공정 ( 106 ) 은 600 ~ 1000 ℃ 의 온도 에서 실시 하 며 , RTP ( Rapid Thermal Process ) 공정 또는 퍼니스 어 닐 ( furnace anneal ) 공정 으로 실시 한다 .