SiN 층 ( 178 ) 을 증착 한 후 , 실리콘 다 이 옥사이드 와 같 은 실리콘 - 함유 층 ( 180 ) 이 MRAM 스택 들 ( 158 ) 사이 의 갭 충 진 연장 된 영역 들 에 증착 된다 . SiN 층 과 SiO 2 갭 충 진 의 조합 이 본 명세서 에 기술 되 지만 , SiN 은 또한 SiO 2 대신 갭 충 진 을 위해 사용 될 수 있 다 . 실리콘 - 함유 층 ( 180 ) 을 증착 한 후 , 오버 버든 이 제거 될 수 있 다 . 일부 예 들 에서 , 오버 버든 은 CMP ( chemical mechanical polishing ) 또는 에칭 을 사용 하 여 제거 된다 .