이 후 , 제 1 고전압 콘 택 ( 103 ) 상 에 형성 된 식각 정지 막 ( 104 ) 을 식각 하 여 제 1 고전압 콘 택 ( 103 ) 을 노출 시킨다 . 이때 식각 되 는 영역 은 제 1 고전압 콘 택 ( 103 ) 의 상부 보다 같 거나 큰 것 이 바람직 하 다 . 이때 제 1 고전압 콘 택 ( 103 ) 의 노출 공정 은 메탈 패드 마스크 를 이용 한 노광 및 현상 , 식각 공정 을 이용 하 는 것 이 바람직 하 다 . 상기 식각 공정 은 CF 4 , CHF 3 , CH 2 F 2 , CH 3 F , Ar , O 2 를 단일 가스 를 사용 하 거나 또는 이 를 혼합 한 혼합 가스 를 사용 하 여 실시 하 는 것 이 바람직 하 다 . 상기 식각 공정 은 CCP 타입 장비 에서 20 mT 내지 70 mT 의 압력 , 500 W 내지 1500 W 의 소오 스 파워 , 50 W 내지 700 W 의 바이어스 파워 를 이용 하 는 것 이 바람직 하 다 .