상기 의 일본 특개평 05 - 193939 에 질산 인듐 수용액 을 암모니아수 중화제 로 반응 하 여 수산화 인듐 을 제조 하 고 세정 건조 하소 하 여 산화 인듐 을 수득 하 는 과정 을 포함 하 고 있 으나 , 제조 된 산화 인듐 분말 을 산화 주석 과 혼합 하 여 ITO 소 결체 를 제조 할 경우 7 . 0 g / ㎤( 98 %) 이상 의 밀도 를 달성 할 수 없 는 한계 를 지니 고 있 어 ITO 스퍼터링 박막 형성 시 급격 한 노즐 발생 이 문제 가 된다 . 미국 특허 US 6 , 533 , 966 은 인듐 과 주석 화합물 을 액상 에서 침전 반응 을 이용 하 여 ITO 분말 을 제조 하 는 방법 이 며 , 국내 특허 10 - 2002 - 0006460 은 인듐 과 주석 의 유기 금속 화합물 을 저온 에서 200 ℃ 에서 열분해 하 여 생성 된 졸 상태 의 화합물 을 다시 열처리 를 통해 ITO 분말 을 제조 하 는 방법 이 다 . 또한 , 국내 특허 10 - 2002 - 0018864 는 인듐 황화물 과 주석 염화물 을 증류수 에 용해 한 후 분무 시켜 300 ℃ 에서 건조 시킨 후 , 다시 700 ∼ 900 ℃ 에서 열처리 하 여 비 표면 적 17 ㎡/ g 입자 크기 50 ㎚ 의 ITO 초 미립 분말 을 제조 하 는 방법 이 며 , 국내 특허 10 - 2002 - 7016070 은 질산 인듐 과 주석 염화물 을 증류수 에 용해 한 후 분무 시켜 700 ∼ 900 ℃ 에서 열분해 하 여 입자 크기 가 수 미크론 의 미분체 를 제조 하 는 방법 이 다 . 이상 의 방법 은 산화 인듐 과 ITO 분말 의 제조 에 관한 것 이 나 , 제조 공정 이 복잡 하 고 고가 의 장치 가 요구 되 어 대량 생산 시 문제점 이 대두 되 고 있 고 , 양산 화 적용 및 고밀 도 타 겟 재의 생산 을 위한 원료 분말 제조 방법 에 적용 되 지 못하 고 있 는 실정 이 다 .