다이오드 ( 100 ) 가 제공 되 는 제 1 콘택트 홀 ( 185 ) 은 제 3 절 연막 ( 180 ) 을 패 터닝 하 는 것 에 의해 형성 될 수 있 다 . 다이오드 ( 100 ) 는 제 1 콘택트 홀 ( 185 ) 내 에 게르마늄 , 실리콘 , 또는 실리콘 - 게르마늄 등 의 반도체 층 을 형성 한 후 불순물 을 주입 하 는 것 에 의해 형성 될 수 있 다 . 제 1 콘택트 홀 ( 185 ) 내 의 반도체 층 은 선택 적 에피 탁 시 성장 기술 ( SEG ) 혹은 고상 에피 탁 시 기술 등 에 의해 형성 될 수 있 다 . 선택 적 에피 탁 시 성장 기술 은 제 1 콘택트 홀 ( 185 ) 에 의해 노출 된 워드 라인 을 씨드 층 ( seed layer ) 으로 사용 하 여 에피 탁 시층 을 성장 하 는 방법 이 다 . 이 와 다르 게 , 고상 에피 탁 시 기술 은 제 1 콘택트 홀 ( 185 ) 내 에 비정질 반도체 층 또는 다결정 반도체 층 을 형성 한 후 결정 화 시키 는 방법 이 다 .