이후 , 상기 제 1 스 페이서 를 식각 마스크 로 사용 하 여 상기 제 2 희생 막 및 상기 전하 저장 구조물 막 을 식각 함 으로써 , 각 채널 홀 구조물 들 ( 170 ) 의 측벽 및 제 1 불순물 영역 ( 102 ) 상 에 각각 저면 중앙부 가 뚫린 컵 형상 을 갖 는 제 2 희생 패턴 ( 도시 하 지 않 음 ) 및 전하 저장 구조물 ( 210 ) 을 형성 할 수 있 다 . 이때 , 상기 노출 된 제 1 불순물 영역 ( 102 ) 의 상부 도 부분 적 으로 제거 될 수 있 다 . 예 시 적 인 실시 예 들 에 있 어서 , 전하 저장 구조물 ( 210 ) 은 순차 적 으로 적층 된 제 1 블로킹 패턴 ( 180 ) , 전하 저장 패턴 ( 190 ) , 및 터널 절연 패턴 ( 200 ) 을 포함 할 수 있 다 .