반도체 웨이퍼 등 의 기판 상 에 사이즈 가 큰 배선 패턴 을 노광 하 는 리소그래피 노광 의 경우 에 도 , 애 블레 이 션 가공 의 경우 와 마찬가지 로 , 위치 를 고정 한 조사 빔 에 대하 여 마스크 와 기판 을 동시 에 주사 시켜 , 기판 이 있 는 영역 을 종 방향 으로 띠 형상 노광 한 후 , 기판 을 횡 방향 으로 이동 시켜 새로운 영역 을 노광 하 는 것 을 반복 하 여 , 기판 전체 를 노광 한다 . 이 때 , 조사 빔 의 단면 형상 을 육각형 으로 하 고 , 노광 영역 의 이음 매부 를 상보 적 으로 노광 함 으로써 , 이음매 가 눈 에 띄 지 않 도록 한 기술 이 있 다 ( 특허 문헌 1 ) . 이 기술 에 의하 면 , 이음매 의 부분 에서 의 노광량 을 다른 부 분 의 노광량 에 거의 맞출 수 있 었 다 .