또한 , 상기 의 목적 을 달성 하 기 위하 여 본 발명 은 , 상기 포토레지스트 ( 5 ) 패턴 을 식각 마스크 로 하 여 식각 하 고 하드 마스크 막 ( 4 ) 패턴 형성 후 잔류 하 는 포토레지스트 ( 5 ) 를 제거 한 다음 패턴 검사 를 실시 하 여 하드 마스크 막 ( 4 ) 패턴 의 결함 을 FIB ( Focused Ion Beam ) 및 GAE ( Gas Assist Etching ) 등 의 방법 에 의하 여 결함 을 수정 한 후 결함 이 수정 된 하드 마스크 막 ( 4 ) 패턴 을 식각 마스크 로 하 여 그 하부 의 반사 방지 막 ( 3 ) 및 차광막 ( 2 ) 을 식각 하 는 것 이 바람직 하 다 .