도 8 을 참조 하 면 , 습식 식각 으로 제 2 마스크 패턴 ( 701 ) 을 제거 한 다음 , 노출 된 소오 스 / 드레 인 전도체 층 ( 901 ) 및 제 2 게이트 패턴 ( 601 ) 에 샐리 사이드 ( salicide ) 를 진행 하 여 , 제 2 게이트 패턴 ( 601 ) 상 의 제 1 샐리 사이드 막 ( 307 ) 및 소오 스 / 드레 인 전도체 ( 901 ) 상 에 제 2 샐리 사이드 막 ( 907 ) 을 형성 한다 .