본 발명 은 암전 류 가 감소 된 포토 다이오드 및 이 의 제조 방법 에 관한 것 으로서 , 보다 구체 적 으로 반도체 층 , 반도체 층 의 제 1 영역 에 배치 되 며 중간층 과 하나 이상 의 금속 층 을 포함 하 는 제 1 컨 택부 , 반도체 의 제 2 영역 에 배치 되 며 하나 이상 의 금속 층 을 포함 하 는 제 2 컨 택부 , 제 1 컨 택부 및 제 2 컨 택부 사이 에 배치 되 는 액티브 영역 을 포함 하 며 , 상기 제 1 컨 택부 및 상기 제 2 컨 택부 는 비대칭 인 포토 다이오드 및 이 를 제조 하 는 방법 에 관한 것 이 다 .