도 14 를 참조 하 면 , 메모리 컨트롤러 ( 120 ) 를 구동 하 기 위한 전압 은 고전압 과 저전압 이 사용 될 수 있 다 . 실시 예 에서 고전압 은 2 . 5 V 또는 3 . 3 V 일 수 있 다 . 저전압 은 1 . 8 V 일 수 있 다 . 메모리 컨트롤러 가 사용 하 는 고전압 및 저전압 은 메모리 유닛 에 도 공급 될 수 있 다 . 구체 적 으로 메모리 유닛 은 고전압 을 입력 받 기 위한 VCCE 노드 와 저전압 을 입력 받 기 위한 VCCQ 노드 를 구비 할 수 있 다 .