또한 , 본 발명 의 또 다른 의 관점 에 의하 면 , 제 1 자기 저항 효과 소자 와 , 상기 제 1 자기 저항 효과 소자 의 한쪽 의 단부 에 한쪽 의 단부 가 접속 된 제 2 자기 저항 효과 소자 와 , 상기 제 1 자기 저항 효과 소자 와 상기 제 2 자기 저항 효과 소자 의 접속 노드 에 접속 된 선택 용 트랜지스터 를 갖 는 메모리 셀 과 , 제 1 방향 으로 연장 되 고 , 상기 제 1 자기 저항 효과 소자 의 다른 쪽 의 단부 에 접속 된 제 1 신호선 과 , 상기 제 1 방향 으로 연장 되 고 , 상기 제 2 자기 저항 효과 소자 의 다른 쪽 의 단부 에 접속 된 제 2 신호선 과 , 상기 제 1 방향 과 교차 되 는 제 2 방향 으로 연장 되 고 , 상기 제 1 자기 저항 효과 소자 가 형성 된 영역 에서 상기 제 1 신호선 과 교차 되 고 , 상기 제 2 자기 저항 효과 소자 가 형성 된 영역 에서 상기 제 2 신호선 과 교차 되 는 제 3 신호선 과 , 상기 제 1 방향 으로 연장 되 고 , 상기 메모리 셀 의 상기 접속 노드 에 상기 선택 용 트랜지스터 를 통하 여 접속 된 판독 용 의 제 4 신호선 과 , 상기 제 1 방향 에 인접 하 여 형성 된 다른 메모리 셀 을 갖 고 , 상기 메모리 셀 및 상기 다른 메모리 셀 의 상기 선택 용 트랜지스터 는 1 개 의 소자 영역 상 ( 上 ) 에 형성 되 어 있 고 , 상기 메모리 셀 및 상기 다른 메모리 셀 의 상기 선택 용 트랜지스터 와 상기 제 4 신호선 을 접속 하 는 콘택트 가 공용 되 고 있 는 것 을 특징 으로 하 는 자기 메모리 장치 가 제공 된다 .