제 1 박막 트랜지스터 ( 410 ) 의 제 1 소스 전극 ( 412 ) 및 제 1 드레 인 전극 ( 413 ) , 제 2 박막 트랜지스터 ( 320 ) 의 제 2 소스 전극 ( 322 ) 및 제 2 드레 인 전극 ( 323 ) , 그리고 제 3 박막 트랜지스터 ( 330 ) 의 제 3 소스 전극 ( 332 ) 및 제 3 드레 인 전극 ( 333 ) 은 동일 한 공정 에 의해 형성 될 수 있 다 . 그리고 , 제 1 박막 트랜지스터 ( 410 ) 의 제 1 소스 전극 ( 412 ) 및 제 2 드레 인 전극 ( 413 ) , 제 2 박막 트랜지스터 ( 320 ) 의 제 2 소스 전극 ( 322 ) 및 제 2 드레 인 전극 ( 323 ) , 그리고 제 3 박막 트랜지스터 ( 330 ) 의 제 3 소스 전극 ( 332 ) 및 제 3 드레 인 전극 ( 333 ) 은 동일 한 물질 로 형성 될 수 있 다 .