" 이러 한 "" 위치 의존 성 연마 비율 "" 은 많 은 수평 적 길 이 스케일 에 대한 가변 의 표면 토포 그래피 를 만드 는 것 으로 알려져 있 다 . 예 를 들 어 ", 집적 된 웨이퍼 의 에지 에 가까이 위치 한 칩 은 중심 에 가깝 게 위치 한 것 보다 더 빨리 연마 되 며 , 에지 부근 보다 더 얇 은 구리 영역 을 형성 하 고 , " 중심 보다 더 두꺼운 구리 영역 을 형성 하 는 것 을 의미 할 수 있 다 . 이것 은 웨이퍼 직경 에 비교 가능 한 길 이 스케일 에서 발생 하 는 "" 웨이퍼 스케일 "" 프로세스 비 균일 성 의 예 이 다 . 또한 ", 높 은 밀도 의 구리 트렌치 가 낮 은 구리 라인 밀도 를 가진 주변 의 영역 보다 더 높 은 비율 로 연마 되 는 것 이 알려져 있 다 . 이것 은 , " 높 은 구리 밀도 영역 에서 "" CMP 유도 침식 "" 으로 알려진 현상 이 생기 도록 한다 . 이것 은 단일 칩 의 선형 치수 에 필적 할 만 한 ( 때때로 이 보다 훨씬 작 은 ) 길 이 스케일 에서 발생 하 는 "" 칩 스케일 프로세스 비 균일성 "" 의 예 이 다 . "" 디싱 ""( dishing ) 으로 알려진 다른 타입 의 칩 스케일 비 균일 성 은 단일 의 구리 로 채워진 트렌치 영역 ( 주위 의 유전체 물질 보다 더 높 은 비율 로 연마 되 는 경향 이 있 음 ) 내 에서 생긴다 . 폭 이 몇 미크론 을 넘 는 트렌치 의 경우 ", 디싱 은 영향 을 받 은 라인 이 나중 에 칩 의 불량 을 일으키 는 과도 한 전기 적 저항 을 나타내 는 것 과 같 은 심각 한 것 이 될 수 있 다 .