본 발명 에 의하 면 , III - V 족 반도체 로 구성 되 는 다중 층 구조 의 화합물 반도체 층 을 비교 적 깊 게 식각 할 때 Cl 2 , Ar , CH 4 및 H 2 로 이루어지 는 혼합 가스 의 플 라즈 마 에 노출 시켜 식각 함 으로써 매우 깨끗 하 고 원활 한 식각 면 을 얻 을 수 있 다 . 따라서 , 표면 방출 레이저 의 양산 성 을 향상 시킬 수 있 으며 , 제조 단가 를 낮출 수 있 고 표면 방출 레이저 의 열 적 특성 을 개선 하 여 신뢰 성 높 은 소자 를 구현 할 수 있 다 .