상기 한 목적 을 달성 하 기 위한 일 측면 에 따른 본 발명 은 , 제 1 및 제 2 선택 트랜지스터 와 , 상기 제 1 및 제 2 선택 트랜지스터 사이 에 직렬 연결 된 복수 의 메모리 셀 이 단위 스트링 을 구성 하 는 비휘발성 메모리 소자 의 제조 방법 에 있 어서 , 기판 상 에 상기 제 1 및 제 2 선택 트랜지스터 와 상기 복수 의 메모리 셀 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 복수 의 메모리 셀 사이 가 각각 매립 되 고 , 상기 제 1 및 제 2 선택 트랜지스터 의 각 게이트 의 양측 벽 에 형성 되 도록 상기 기판 상 에 스 페이서 를 형성 하 는 단계 와 , 상기 기판 의 단차 면 을 따라 제 1 식각 정지 막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 제 1 및 제 2 선택 트랜지스터 의 게이트 사이 가 매립 되 도록 상기 제 1 식각 정지 막 상 에 제 1 층간 절 연막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 제 1 식각 정지 막 을 연마 정지 막 으로 상기 제 1 층간 절 연막 을 평탄 화 하 는 단계 와 , 상기 제 1 층간 절 연막 상 에 제 2 식각 정지 막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 제 2 식각 정지 막 상 에 제 2 층간 절 연막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 제 2 층간 절 연막 , 상기 제 2 식각 정지 막 , 상기 제 1 층간 절 연막 , 상기 제 1 식각 정지 막 을 식각 하 여 상기 제 1 선택 트랜지스터 의 접합 영역 이 노출 되 는 콘 택 홀 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 콘 택 홀 이 매립 되 도록 콘 택 플러그 를 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 비휘발성 메모리 소자 의 제조 방법 을 제공 한다 .