다른 실시 예 에 있 어서 , 기판 을 프로세싱 하 기 위한 방법 이 제공 된다 . 상기 방법 은 챔버 의 프로세싱 체적 을 둘러싸 는 본체 의 하나 또는 둘 이상 의 표면 들 에 코팅 을 적용 하 는 단계 , 챔버 의 프로세싱 체적 에 하나 또는 둘 이상 의 기판 들 의 제 1 배치 를 전송 하 는 단계 , 설정 점 ( set - point ) 온도 로 하나 또는 둘 이상 의 기판 들 의 제 1 배치 를 가열 하 고 하나 또는 둘 이상 의 기판 들 상 에 제 1 증착 프로세스 를 수행 하 기 위해 챔버 의 프로세싱 체적 에 입력 에너지 를 제공 하 는 단계 , 프로세싱 체적 으로부터 하나 또는 둘 이상 의 기판 들 을 전송 하 는 단계 , 챔버 의 프로세싱 체적 으로 하나 또는 둘 이상 의 기판 들 의 제 2 배치 를 전송 하 는 단계 , 및 하나 또는 둘 이상 의 기판 들 상 에 제 2 증착 프로세스 를 수행 하 기 위해 설정 점 온도 로 하나 또는 둘 이상 의 기판 들 의 제 2 배치 를 가열 하 는 단계 를 포함 하 며 , 상기 설정 점 온도 는 약 0 . 12 % 미만 까지 입력 에너지 를 변화 시킴 으로써 유지 된다 .