또한 , 상기 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 반도체 소자 의 비트 라인 형성 방법 은 , 기판 상 에 비트 라인 베리 어 메탈 , 비트 라인 전극 용 도전 막 및 비트 라인 하드 마스크 용 절 연막 을 순차 적 으로 형성 하 는 단계 ; 상기 비트 라인 하드 마스크 용 절 연막 상 에 비트 라인 예정 영역 사이 의 공간 을 교대 로 덮 는 라인 형 포토레지스트 패턴 을 형성 하 는 단계 ; 상기 포토레지스트 패턴 의 양측 벽 에 상기 비트 라인 예정 영역 을 덮 는 폴리머 층 을 형성 하 는 단계 ; 상기 포토레지스트 패턴 을 제거 하 는 단계 ; 및 상기 폴리머 층 을 식각 베리어 로 상기 비트 라인 하드 마스크 용 절 연막 , 상기 비트 라인 전극 용 도전 막 및 상기 비트 라인 베리 어 메탈 을 순차 적 으로 식각 하 여 비트 라인 을 형성 하 는 단계 를 포함 한다 .