제 3 트랜지스터 ( Tr 333 ) 의 게이트 절 연막 ( 423 , 433 ) 은 제 3 채널 층 ( 19 ) 하부 에 형성 된 하부 게이트 절 연막 ( 423 ) 및 제 3 채널 층 ( 19 ) 상부 에 형성 된 상부 게이트 절 연막 ( 433 ) 을 포함 할 수 있 다 . 하부 게이트 절 연막 ( 423 ) 및 상부 게이트 절 연막 ( 433 ) 은 도 1 의 제 3 게이트 절 연막 ( 403 ) 과 동일 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 하부 게이트 절 연막 ( 423 ) 및 상부 게이트 절 연막 ( 433 ) 은 강유 전 성 물질 을 포함 할 수 있 다 . 하부 게이트 절 연막 ( 423 ) 이 포함 하 는 강유 전 성 물질 과 상부 게이트 절 연막 ( 433 ) 이 포함 하 는 강유 전 성 물질 은 서로 다를 수 있 다 . 나아가 , 하부 게이트 절 연막 ( 423 ) 은 제 1 분극 상태 를 포함 할 수 있 고 , 상부 게이트 절 연막 ( 433 ) 은 제 1 분극 상태 와 다른 제 2 분극 상태 를 포함 할 수 있 다 .