도 18 c 및 19 c 를 참조 하 면 , 상기 셀 영역 에 는 도 1 에 도시 된 패턴 구조물 ( 114 a , 114 b , 114 c ) 이 형성 된다 . 또한 , 상기 페리 영역 에 는 상기 제 2 마스크 패턴 ( 110 b ) 들 사이 의 갭 부위 에 페리 용 라인 ( 114 d ) 또는 패드 ( 114 d ) 가 형성 된다 . 상기 페리 용 라인 ( 114 d ) 은 상기 셀 영역 에 형성 되 는 라인 패턴 들 ( 114 a , 114 b , 114 c ) 보다 넓 은 선폭 을 갖 는다 .