도전 층 ( 113 ) 은 재 배선 층 ( Redistribution layer : RDL ) , 배선 패턴 또는 회로 패턴 으로 지칭 될 수 있 다 . 일부 예 에서 , 재 배선 층 ( 113 ) 은 , 예 를 들 면 , 임의 의 다양 한 도전 성 재료 ( 예 를 들 면 , 구리 , 금 , 은 또는 그 등가물 ) 로 형성 될 수 있 다 . 재 배선 층 ( 113 ) 은 임의 의 다양 한 방식 들 ( 예 를 들 면 , 스퍼터링 , 무전 해 도금 , 전해 도금 , PVD , CVD , MODVD , ALD , LPCVD , PECVD 또는 그 등 가 방법 ) 로 형성 될 수 있 다 . 재 배선 층 ( 113 ) 은 UBM ( 111 ) 의 베이스 ( 111 d ) 과 패 시베이 션 층 ( 112 ) 의 노출 된 면 을 덮 도록 일정 두께 로 형성 된 후 , 마스크 패턴 을 통해 패 터닝 하 여 다수 의 패턴 을 가질 수 있 다 . 재 배선 층 ( 113 ) 은 UBM ( 111 ) 의 베이스 ( 111 d ) 를 모두 덮 는 풀 비아 ( 113 a ) 와 , 풀 비아 ( 113 a ) 에서 패 시베이 션 층 ( 112 ) 의 상면 까지 연장 된 트레이스 ( 113 b ) 를 포함 할 수 있 다 . 또한 재 배선 층 ( 113 ) 은 트레이스 ( 113 b ) 의 끝단 에 형성 된 패드 ( 113 c ) 를 더 포함 할 수 있 다 . 패드 ( 113 c ) 는 패 시베이 션 층 ( 112 ) 의 상면 에 위치 할 수 있 다 . 트레이스 ( 113 b ) 는 풀 비아 ( 113 a ) 와 패드 ( 113 c ) 사이 를 전기 적 으로 연결 할 수 있 다 . 풀 비아 ( 113 a ) 와 패드 ( 113 c ) 는 평면 형상 이 원형 , 사각형 또는 다각형 으로 형성 될 수 있 다 . 풀 비아 ( 113 a ) 및 패드 ( 113 c ) 는 대략 15 ㎛ 내지 대략 550 ㎛ 범위 의 크기 를 가질 수 있 다 . 재 배선 층 ( 113 ) 의 두께 는 대략 3 um 부터 20 um 까지 의 범위 일 수 있 다 .