그리고 , 상기 과제 를 해결 하 기 위한 수단 ( 제 1 수단 ) 으로서 는 , 복수 의 수지 절연 층 및 복수 의 도체 층 을 교호 로 적층 하 여 다층 화 한 적층 구 조체 를 가지 며 , 상기 적층 구조 체의 제 1 주면 ( 主 面 ) 측 에 는 접속 대상 이 IC 칩 인 복수 의 IC 칩 접속 단자 가 배치 되 고 , 상기 적층 구조 체의 제 2 주면 측 에 는 접속 대상 이 마더 보드 인 복수 의 마더 보드 접속 단자 가 배치 되 고 , 상기 복수 의 도체 층 은 상기 복수 의 수지 절연 층 에 형성 되 고 , 상기 제 1 주면 측 또는 상기 제 2 주면 측 으로 향함 에 따라서 지름 이 확대 된 비아 도체 에 의해서 접속 되 어 있 는 다층 배선 기판 으로서 , 상기 복수 의 수지 절연 층 은 수지 절연 재료 를 주체 로 한 빌드 업 재 ( build - up material ) 에 의해서 형성 된 제 1 수지 절연 층 과 , 상기 제 1 수지 절연 층 보다 도 다량 의 무기 재료 를 함유 하 고 또한 상기 제 1 수지 절연 층 보다 도 열팽창 계수 가 작 은 빌드 업 재 에 의해서 형성 된 제 2 수지 절연 층 을 포함 하 고 , 상기 적층 구 조체 를 두께 방향 으로 절단 한 절단면 에 있 어서 , 상기 제 1 주면 과 의 거리 및 상기 제 2 주면 과 의 거리 가 서로 같 게 되 는 개소 에 설정 된 가상 선 과 상기 제 2 주면 에 속하 는 선분 과 의 사이 의 영역 을 차지 하 는 상기 제 2 수지 절연 층 의 두께 의 비율 이 상기 가 상선 과 상기 제 1 주면 에 속하 는 선분 과 의 사이 의 영역 을 차지 하 는 상기 제 2 수지 절연 층 의 두께 의 비율 보다 도 크 게 되 어 있 고 , 상기 적층 구 조체 에 는 상기 제 2 주면 측 이 볼록 하 게 되 는 휨 이 발생 하 는 것 을 특징 으로 하 는 다층 배선 기판 이 있 다 .