전면 입사 형 광 검출기 의 이 와 같 은 문제점 을 해결 하 기 위해서 1 . 미국 등록 특허 공보 5 , 179 , 430 호 ( Torikai , 1993 . 01 . 12 . ) , 2 . 미국 등록 특허 공보 6 , 831 , 265 호 ( Yoneda et al , , 2002 . 11 . 15 . ) , 3 . 미국 등록 특허 공보 6 , 693 , 337 ( Yoneda et al . , 2004 . 02 . 17 . ) , 4 . 미국 등록 특허 공보 7 , 557 , 387 ( Ishibashi et al . , 2009 . 07 . 07 . ) 의 문헌 들 과 같이 후면 입사 형 광 검출기 가 개발 되 었 다 . 후면 입사 형 광 검출기 는 광 흡수 층 이 형성 된 기판 의 후면 으로부터 입력 광이 입사 되 고 소자 의 상부 , 보다 구체 적 으로 는 광 흡수 층 의 상층부 에 반사 수단 이 구비 된다 . 반사 수단 은 유전체 박막 을 이용 할 수 도 있 지만 일반 적 으로 는 광 흡수 층 상부 에 형성 되 는 저항성 접촉 금속 층 을 내부 전반사 거울 로 활용 함 으로써 제조 공정 을 간단히 하 고 접촉 저항 의 상승 을 방지 하 고 있 다 . 이 와 같 은 후면 입사 형 광 검출기 는 25 GBd 이상 의 고속 동작 용 으로 주로 사용 되 고 있 다 .