예시 적 인 실시 예 들 에 따르 면 , 제 1 및 제 2 도 전막 들 ( 192 , 196 ) 은 코발트 , 니켈 등 의 금속 을 사용 하 여 물리 기상 증착 ( PVD ) 공정 에 의해 형성 될 수 있 다 . 이때 , 제 1 및 제 2 도 전막 들 ( 192 , 196 ) 은 상기 노출 된 예비 컨트롤 게이트 들 ( 142 , 144 , 146 , 148 ) 부분 상 에 형성 되 며 , 기판 ( 100 ) 상부 의 제 1 및 제 2 절 연막 패턴 들 ( 172 , 174 ) 상 에 는 제 3 도 전막 ( 194 ) 이 더 형성 될 수 도 있 다 . 구체 적 으로 , 제 1 도 전막 ( 192 ) 은 제 1 내지 제 3 예비 컨트롤 게이트 들 ( 142 , 144 , 146 ) 의 상면 및 측벽 일부 에 형성 될 수 있 으며 , 제 2 도 전막 ( 196 ) 은 제 4 예비 게이트 컨트롤 게이트 ( 148 ) 의 상면 일부 에 형성 될 수 있 다 .