실시 예 에서 , 메모리 장치 ( 100 ) 는 하나 의 메모리 셀 에 하나 의 데이터 비트 를 저장 하 는 싱글 레벨 셀 ( Single Level Cell ; SLC ) 방식 으로 동작 할 수 있 다 . 또는 메모리 장치 ( 100 ) 는 하나 의 메모리 셀 에 적어도 두 개 의 데이터 비트 들 을 저장 하 는 방식 으로 동작 할 수 도 있 다 . 예 를 들 면 , 메모리 장치 ( 100 ) 는 하나 의 메모리 셀 에 두 개 의 데이터 비트 들 을 저장 하 는 멀티 레벨 셀 ( Multi Level Cell ; MLC ) , 세 개 의 데이터 비트 들 을 저장 하 는 트리플 레벨 셀 ( Triple Level Cell ; TLC ) 또는 네 개 의 데이터 비트 들 을 저장 할 수 있 는 쿼드 러플 레벨 셀 ( Quadruple Level Cell ; QLC ) 방식 으로 동작 할 수 있 다 .