이 레이저 처리 시 , 적어도 레이저 빔 의 조사 영역 은 250 ℃ 로부터 600 ℃ 의 온도 로 가열 되 어 있 는 것 이 바람직 하 다 . 조사 영역 을 가열 해 둠 으로써 , 레이저 빔 의 조사 에 의한 용융 시간 을 길 게 할 수 있 고 , 결함 의 수복 을 보다 효과 적 으로 할 수 있 다 . 레이저 빔 ( 125 ) 은 단결정 반도체 층 ( 106 ) 의 표면 측 을 용융 시키 지만 , 지지 기판 ( 101 ) 은 거의 가열 되 지 않 기 때문 에 , 유리 기판 과 같 은 내열성 이 낮 은 지지 기판 을 사용 하 는 것 이 가능 해진다 . 또한 , 제 1 전극 ( 103 ) 은 내열성 금속 으로 형성 되 어 있 기 때문 에 , 상기 온도 로 가열 되 더라도 단결정 반도체 층 ( 106 ) 에 악영향 을 미치 는 일 이 없 다 . 상기 금속 과 제 1 불순물 반도체 층 ( 107 ) 의 계면 에서 는 실리사이드 가 형성 되 어 , 보다 전류 가 흐르 기 쉬워진다 . 이 레이저 처리 는 제 2 불순물 반도체 층 ( 108 ) 의 활성 화 를 겸하 고 있 다 .