따라서 , 반도체 메모리 장치 의 리드 ( Read ) 와 라이트 ( Write ) 시에 로우 투 컬럼 지연 시간 ( tRCD : Low to Column Delay ) 및 TWR ( Time to Write and Read ) 을 감소 시켜 리 프레쉬 ( refresh ) 특성 저하 와 같 은 소자 열화 ( degradation ) 현상 을 방지 하 여 반도체 소자 의 신뢰 성 을 향상 시킬 수 있 다 .