메모리 장치 ( 1100 ) 는 컨트롤러 ( 1200 ) 로부터 수신 되 는 내부 커맨드 ( CMD ) 와 어드레스 ( ADD ) 에 응답 하 여 선택 된 메모리 블록 ( 예 를 들 어 BLK 1 ) 에 대한 프로그램 동작 을 수행 한다 ( S 610 ) . 예 를 들 어 , 제 어 회로 ( 120 ) 는 프로그램 동작 에 대응 하 는 커맨드 ( CMD ) 및 선택 된 메모리 블록 에 대응 하 는 어드레스 ( ADD ) 에 응답 하 여 프로그램 동작 을 수행 하 도록 전압 공급 회로 ( 130 ) , 페이지 버퍼 그룹 ( 140 ) , 컬럼 디코더 ( 150 ) 및 입출력 회로 ( 160 ) 를 제어 한다 . 본 발명 의 실시 예 에서 는 선택 된 메모리 블록 을 제 1 메모리 블록 으로 칭하 고 제 1 메모리 블록 과 워드 라인 들 ( WLs ) 을 공유 하 는 적어도 하나 이상 의 공유 메모리 블록 들 을 제 2 메모리 블록 들 로 칭하 도록 한다 .