이러 한 과정 에 따라 제조 되 는 반도체 소자 에 있 어서 는 , 커패시터 의 하부 전극 으로 이용 되 는 제 1 도 전막 ( 102 ) 상부 에 도 금속 실리사이드 막 ( 109 ') 이 형성 되 기 때문 에 , 제 1 도 전막 ( 102 ) 에 형성 되 는 금속 실리사이드 막 ( 109 ') 과 제 2 도 전막 ( 104 ) 상부 와 측면 에 형성 되 는 금속 실리사이드 막 ( 109 ) 사이 에 단락 현상 이 일어나 고 , 이 에 따라 스텐 바이 전류 ( ISB ; Standby Current ) 페일 ( fail ) 현상 이 발생 한다 .