이상 의 시트 ( 231 a ∼ 231 g ) 를 적층 함 으로써 , 배선 전극 ( 204 a ) 이 비어 홀 도체 ( 205 a ) 로 나선 형상 으로 접속 된 인덕턴스 소자 ( L 1 ) 가 형성 되 고 , 배선 전극 ( 204 b ) 이 비어 홀 도체 ( 205 b ) 로 나선 형상 으로 접속 된 인덕턴스 소자 ( L 2 ) 가 형성 된다 . 또한 , 인덕턴스 소자 ( L 1 , L 2 ) ( 배선 전극 ( 204 a , 204 b ) ) 의 한쪽 단부 끼리 는 시트 ( 231 c ) 상 에서 도통 접속 되 고 , 다른 쪽 단부 는 접속 용 전극 ( 203 a , 203 b ) 이나 비어 홀 도체 ( 206 a , 206 b ) 를 통해 급전 단자 전극 ( 201 a , 201 b ) 에 접속 된다 .