전자 공 여성 도 펀트 재료 를 층상 으로 형성 하 는 경우 는 , 계면 의 유기 층 인 발광 재료 나 전자 주입 재료 를 층상 으로 형성 한 후 에 , 환원 도 펀트 재료 를 단독 으로 저항 가열 증착 법 에 의해 증착 하 여 , 바람직 하 게 는 층 의 두께 0 . 1 nm ∼ 15 nm 로 형성 한다 . 전자 공 여성 도 펀트 재료 를 섬 상 으로 형성 하 는 경우 는 , 계면 의 유기 층 인 발광 재료 나 전자 주입 재료 를 섬 상 으로 형성 한 후 에 , 전자 공 여성 도 펀트 재료 를 단독 으로 저항 가열 증착 법 에 의해 증착 하 여 , 섬 의 두께 0 . 05 nm ∼ 1 nm 로 형성 한다 .