이상 에 의해 , 지 지체 형성 막 ( 27 ) 으로부터 지 지체 ( 26 ) 가 형성 되 고 , 지 지체 ( 26 ) 의 제 1 측면 ( 26 a ) 및 제 2 측면 ( 26 b ) ( 도 7 의 ( a ) 참조 ) 이 노출 된다 . 또한 , 지 지체 ( 26 ) 에서 의 제 3 측면 ( 26 c ) 및 제 4 측면 ( 26 d ) 은 단결정 에피 택 셜 막 ( 17 ) 과 밀착 된 상태 로 되 어 있 다 . 또한 , 지 지체 ( 26 ) 의 제 1 측면 ( 26 a ) 및 제 2 측면 ( 26 b ) 의 하측 에 있 는 단결정 에피 택 셜 막 ( 17 ) 의 측면 은 제 1 실리콘 층 ( 16 a ) , 실리콘 게르마늄 층 ( 15 ) 및 실리콘 버퍼 층 ( 18 ) 이 노출 된 노출면 으로 되 어 있 다 .