상기 유기 막 형성 용 조성물 ( UDL - 1 ∼ 23 , 비교 UDL - 6 , 7 , 13 , 14 ) 을 표 10 에 나타내 는 Bare - Si 기판 , 헥사 메틸 디 실라 잔 ( HMDS ) 처리 를 실시 한 기판 , SiON 처리 를 실시 한 기판 상 에 각각 도포 하 고 , 산소 농도 가 0 . 2 % 이하 로 관리 된 질소 기류 하 , 400 ℃ 에서 60 초 소성 하 여 막 두께 200 nm 의 유기 막 을 형성 했 다 . 형성 후 의 유기 막 을 광학 현미경 ( Nikon 사 제조 ECLIPSE L 200 ) 을 이용 하 여 도포 이상 이 없 는지 관찰 했 다 . 확인 결과 를 표 10 에 나타낸다 .