반도체 층 ( ACT ) 은 다 결정 실리콘 을 포함 할 수 있 다 . 다 결정 실리콘 은 비정질 실리콘 을 결정 화 하 여 형성 될 수 있 다 . 상기 결정 화 방법 의 예 로 는 RTA ( rapid thermal annealing ) 법 , SPC ( solid phase crystallzation ) 법 , ELA ( excimer laser annealing ) 법 , MIC ( metal induced crystallzation ) 법 , MILC ( metal induced lateral crystallzation ) 법 , SLS ( sequential lateral solidification ) 법 등 을 들 수 있 으나 , 이 에 제한 되 는 것 은 아니 다 . 다른 예 로 , 반도체 층 ( ACT ) 은 단결정 실리콘 , 저 온 다결정 실리콘 , 비정질 실리콘 등 을 포함 할 수 도 있 다 .