상기 목적 을 달성 하 기 위하 여 본 발명 은 , 마스크 노광 을 통해 반도체 소자 의 패턴 을 형성 하 는 방법 으로서 , 디자인 룰 에 따른 마스크 의 패턴 간 최소 선폭 을 측정 하 는 단계 와 , 상기 마스크 제작 후 에 상기 최소 선폭 이 측정 된 영역 에 대한 광 강도 분포 를 측정 하 는 단계 와 , 상기 측정 된 광 강도 분포 에 따라 패턴 컬 랩스 및 패턴 브리지 가 발생 하 는 각각 의 노광 조건 을 측정 하 는 단계 와 , 상기 측정 된 각각 의 노광 조건 에 대한 그 사이 값 으로 특정 노광 조건 을 설정 한 후 에 , 상기 광 강도 분포 를 재 측정 하 는 단계 와 , 상기 재 측정 된 광 강도 분포 에 따라 광학 근접 보상 을 수행 하 여 상기 마스크 노광 을 수행 하 는 단계 를 포함 하 는 반도체 소자 의 패턴 형성 방법 을 제공 한다 .