상기 전하 저장 막 은 질화 막 으로 형성 될 수 있 다 . 상기 제 1 게이트 층 은 n 형 폴리 실리콘 또는 p 형 폴리 실리콘 으로 형성 될 수 있 다 . 상기 제 1 게이트 층 은 WSi , TiN , TaN , Ti , WN 중 어느 하나 를 이용 하 여 형성 할 수 있 다 . 상기 제 2 게이트 층 은 p 형 폴리 실리콘 으로 형성 될 수 있 다 . 상기 제 1 절 연막 과 상기 제 2 절연 막 은 산화 막 으로 형성 될 수 있 다 . 상기 제 2 절연 막 은 Al 2 O 3 , HfO 2 , ZrO 3 , Al 2 O 3 - HfO 2 혼합체 , SrTiO 3 , LaO 3 , ( Ba , Sr ) TiO 3 중 어느 하나 를 포함 하 는 고유 전 율 물질 로 형성 될 수 있 다 .