본 발명 의 광학 적층 체 에 포함 되 는 도전 층 은 , 예컨대 도전 성 의 투명 금속 산화물 층 이라도 좋 고 , 금속 배선 층 이라도 좋 다 . 이러 한 도전 층 은 , 예컨대 알루미늄 , 구리 , 은 , 철 , 주석 , 아연 , 백금 , 니켈 , 몰리브덴 , 크롬 , 텅스텐 , 납 , 티탄 , 팔라듐 , 인듐 및 이 들 의 2 종 이상 의 금속 을 함유 하 는 합금 에서 선택 되 는 적어도 1 종 의 금속 원소 를 포함 하 는 층 이라도 좋 다 . 이 들 중 , 도전 층 은 , 도전 성 의 관점 에서 , 바람직 하 게 는 알루미늄 , 구리 , 은 및 금 에서 선택 되 는 적어도 1 종 의 금속 원소 를 포함 하 는 층 이라도 좋 고 , 도전 성 및 비용 의 관점 에서 , 보다 바람직 하 게 는 알루미늄 원소 를 포함 하 는 층 이라도 좋 다 . 또한 , 구리 를 포함 하 는 층 인 경우 , 광 의 반사 를 방지 한다는 관점 에서 , 흑화 처리 를 실시 하 여도 좋 다 . 흑화 처리 란 , 도전 층 의 표면 을 산화 시켜 Cu 2 O 또는 CuO 를 석출 시키 는 것 이 다 . 또한 도전 층 은 , 예컨대 금속 은 , ITO ( 주석 도핑 산화 인듐 ) , 그래핀 , 산화아연 , AZO ( 알루미늄 도핑 산화아연 ) 을 포함 하 는 층 이라도 좋 다 .