다음 으로 , 도 41 에 도시 하 는 바 와 같이 , 제 9 레지스 트 패턴 ( P 9 ) 을 마스크 로 해서 , 건식 에칭 ( dry etching ) 에 의해 , 반사 방지 막 ( 31 ) 및 산화 막 ( 30 ) 을 제거 한다 . 이렇게 해서 , 산화 막 ( 7 ) 의 표면 을 노출 시킨다 . 그리고 , 제 9 레지스 트 패턴 ( P 9 ) 및 반사 방지 막 ( 31 ) 을 제거 한다 . 또 , 본 실시 형태 에서 는 , 산화 막 ( 7 ) 의 표면 을 노출 시키 기 위하 여 , 건식 에칭 을 사용 하 고 있 으나 , 본 발명 은 이것 에 한정 되 는 것 은 아니 다 . 예컨대 , 건식 에칭 과 습식 에칭 을 조합 해도 좋 다 . 즉 , 도 42 에 도시 하 는 바 와 같이 , 건식 에칭 에 의해 , 막 두께 가 10 ㎚∼ 30 ㎚ 정도 가 될 때 까지 , 산화 막 ( 7 ) 상 에 존재 하 는 산화 막 ( 30 ) 을 제거 한 후 , 도 43 에 도시 하 는 바 와 같이 , 불화 수소산 등 의 약액 을 공급 하 여 , 습식 에칭 에 의해 , 산화 막 ( 7 ) 의 표면 에 잔류 하 고 있 는 산화 막 ( 30 ) 을 제거 해도 좋 다 .