다음 에 , 일 도 전형 을 부여 하 는 불순물 이 첨가 된 반도체 막 위 에 레지스 트 마스크 를 형성 한다 . 레지스 트 마스크 는 , 포토 리소그래피 기술 또는 잉크젯 법 에 의해 형성 한다 . 여기 에서 는 , 제 2 포토 마스크 를 사용 하 여 , 일 도 전형 을 부여 하 는 불순물 이 첨가 된 반도체 막 위 에 도포 된 레지스 트 를 노광 현상 하 여 , 레지스 트 마스크 를 형성 한다 .