본 실시 형태 에서 는 , 판독 기간 에서 , " K 비트 카운터 ( 206 ) 가 "" 0 "" 부터 "" 2 K - 1 "" 까지 카운트 하 는 구성 으로 했 지만 "," 본 발명 의 실시 형태 는 이 구성 에 한하 지 않 는다는 점 에 유의 한다 . K 비트 카운터 ( 206 ) 가 "" 2 K - 1 "" 부터 "" 0 "" 까지 카운트 할 수 있 다 . 또한 ", 본 실시 형태 에서 는 , 선택 행의 용량 소자 선 CL 에 는 높 은 아날로그 전위 로부터 낮 은 아날로그 전위 까지 순서 대로 부여 되 지만 , 본 발명 의 실시 형태 는 이 구성 에 한하 지 않 는다 . 선택 행의 용량 소자 선 CL 에 는 낮 은 아날로그 전위 로부터 높 은 아날로그 전위 까지 순서 대로 부여 될 수 있 다 . 또한 , 본 실시 형태 에서 는 , " 데이터 "" j "" 를 저장 하 는 메모리 셀 의 임계 값 전압 Vth ( j ) 을 데이터 "" j + 1 "" 을 저장 하 는 메모리 셀 의 임계 값 전압 Vth ( j + 1 ) 보다 큰 구성 으로 했 지만 "," 본 발명 의 실시 형태 는 이 구성 에 한하 지 않 는다 . 데이터 "" j "" 를 저장 하 는 메모리 셀 의 임계 값 전압 Vth ( j ) 을 데이터 "" j + 1 "" 을 저장 하 는 메모리 셀 의 임계 값 전압 Vth ( j + 1 ) 보다 작 은 구성 으로 할 수 있 다 . "