상기 한 본 발명 의 목적 을 달성 하 기 위해서 , 본 발명 의 RF 밸런스 드 정합 회로 구조 는 , 제 1 세라믹 시트 에 형성 되 고 제 1 면적 을 갖 는 제 1 용량 패턴 ; 상기 제 1 세라믹 시트 에 형성 되 고 상기 제 1 용량 패턴 으로부터 소정 간격 이격 되 어 , 제 2 면적 을 갖 는 제 2 용량 패턴 ; 상기 제 1 세라믹 시트 에 적층 된 제 2 세라믹 시트 중 상기 제 1 용량 패턴 에 수직 방향 으로 중첩 되 는 영역 에 형성 되 고 , 제 3 면적 을 갖 으며 , 상기 제 1 용량 패턴 과 함께 제 1 커패시턴스 를 형성 하 는 제 3 용량 패턴 ; 상기 제 2 세라믹 시트 중 상기 제 2 용량 패턴 에 수직 방향 으로 중첩 되 는 영역 에 형성 되 고 , 제 4 면적 을 갖 으며 , 상기 제 2 용량 패턴 과 함께 제 2 커패시턴스 를 형성 하 는 제 4 용량 패턴 ; 상기 제 3 용량 패턴 에 연결 되 어 상기 제 2 세라믹 시트 에 형성 된 제 1 인덕턴스 패턴 과 , 상기 제 4 용량 패턴 에 연결 되 어 상기 제 2 세라믹 시트 에 형성 된 제 2 인덕턴스 패턴 , 및 상기 제 2 세라믹 시트 에 인접 하 는 다른 세라믹 시트 에 형성 되 어 상기 제 1 패턴 및 제 2 패턴 을 비 아홀 을 통해 연결 하 는 제 3 인덕턴스 패턴 으로 이루어진 인덕턴스 패턴 ; 및 상기 제 1 및 제 2 세라믹 시트 로 이루어진 적층 구조 의 상부 세라믹 시트 및 하부 세라믹 시트 에 형성 된 접지 패턴 을 포함 하 며 , 상기 제 1 커패시턴스 는 상기 제 2 커패시턴스 와 동일 하 게 형성 되 는 것 을 특징 으로 하 는 RF 밸런스 드 정합 소자 를 제공 한다 .