도 9 에 도시 한 것 처럼 , 금속 규화물 ( 48 ) 및 금속 산화물 층 ( 46 ) 은 별도 의 단계 동안 형성 될 수 도 있 다 . 처음 에 , 금속 - 함유 층 ( 44 ) 이 도 9 의 좌측 에 도시 한 것 처럼 실리콘 - 함유 층 ( 40 ) 상 에 형성 될 수 도 있 다 . 급속 열 어 닐 ( RTA ) 프로세스 ( 또는 다른 열처리 ) 동안 , 금속 - 함유 층 ( 44 ) 의 금속 은 실리콘 - 함유 층 ( 40 ) 의 실리콘 과 반응 하 여 도 9 의 중간 에 도시 한 것 처럼 금속 규화물 층 ( 48 ) 을 형성 한다 . 통상 의 급속 열 어 닐 프로세스 로 , 그 층 은 아르곤 , 질소 , 수소 , 또는 형성 가스 , 또는 이러 한 비 산소 - 함유 ( 및 / 또는 환원 ) 가스 의 조합 을 함유 하 는 분위기 에서 1 ~ 10 분 동안 350 ~ 750 ℃ 의 열 에 영향 을 받 기 쉽 다 .