그러나 저온 에서 는 메모리 장치 에 구비 되 는 트랜지스터 의 문턱 전압 ( Vt ) 이 상승 하 고 , 이 로 인해 메모리 장치 의 tWR ( Write Recovery Time ) 특성 이 나빠 지 게 된다거나 하 는 등 , 메모리 장치 의 여러 가지 특성 이 온도 에 따라 변하 기 때문 에 오버 드라이빙 펄스 의 폭 을 온도 에 비례 하 게 또는 반비례 하 게 조절 할 필요 성 이 있 다 .