예 를 들 어 , 제 1 셀 스트링 ( CS 1 ) 을 구성 하 는 제 1 및 제 2 스트링 선택 트랜지스터 들 ( SST 1 , SST 2 ) 은 적어도 하나 의 증가 형 ( enhancement mode ) 전계 효과 트랜지스터 및 적어도 하나 의 공핍 형 ( depletion mode ) 전계 효과 트랜지스터 를 포함 할 수 있 다 . 즉 , 제 1 스트링 선택 트랜지스터 ( SST 1 ) 는 공핍 형 트랜지스터 일 수 있 으며 , 제 2 스트링 선택 트랜지스터 ( SST 2 ) 는 증가 형 트랜지스터 일 수 있 다 .