도 1 에서 는 1 행의 NAND 셀 만 을 도시 하고 있 다 . 그러나 메모리 셀 어레이 ( 2 ) 내 에 는 복수 행의 NAND 셀 이 배치 되 고 , 동일 열 에 있 는 NAND 셀 은 동일 한 비트 선 ( BL ) 에 접속 된다 . 동일 한 워드 선 ( WL ) 에 접속 된 메모리 셀 트랜지스터 MT 에 는 일괄 적 으로 데이터 가 기입 되 며 , 이 단위 는 1 페이지 라고 불린다 . 복수 의 NAND 셀 은 일괄 적 으로 데이터 가 소거 되 며 , 이 단위 는 블록 이 라고 불린다 .