각 화소 영역 ( 42 ) 의 치수 는 대략 14 ㎛ × 대략 4 ㎛ 이 다 . 그리고 서로 이웃 하 는 화소 영역 ( 42 ) 간 을 분리 시키 는 차광 영역 ( 43 ) 의 폭 은 대략 1 ㎛ 이 다 . 따라서 , 화소 영역 ( 42 ) 은 , 중심 간 치수 로 대략 15 ㎛ × 대략 5 ㎛ 가 되 도록 형성 되 어 있 다 . 전술 한 바 와 같이 본 실시 형태 의 유기 EL 장치 ( 1 ) 에 있 어서 는 , 개개 의 유기 EL 소자 ( 50 ) 를 구동 하 는 구동 용 TFT ( 112 ) 등 을 구성 하 는 반도체 층 ( 71 ) ( 도 4 참조 ) 이 고 온 폴리 실리콘 프로세스 로 형성 되 어 있 다 . 따라서 , 구동 용 TFT ( 112 ) 등 의 소자 가 소형 화 그리고 소면 적 화 되 고 있 다 . 그 때문 에 , 전술 한 대략 14 ㎛ × 대략 4 ㎛ 라는 소면 적 의 화소 영역 ( 42 ) 내 에 , 1 개 의 화소 ( 46 ) 를 구성 하 는 스위칭 용 TFT ( 108 ) 와 보지 용량 ( 110 ) 과 구동 용 TFT ( 112 ) 를 형성 하 는 것 이 가능 해 지 고 있 다 .