따라서 , 본 발명 에서 는 상기 장벽층 ( 110 ) 을 산화 저항성 이 우수 한 물질 , 예 를 들 어 이리듐 실리콘 나이트 라이드 ( IrSiN ) 로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 상기 이리듐 실리콘 나이트 라이드 ( IrSiN ) 는 물리 기상 증착 ( PVD ) 방법 으로 형성 할 수 도 있 으나 , 스텝 커버리지 개선 을 위하 여 화학 기상 증착 ( CVD ) , 플라 즈 마 인 핸 스 드 화학 기상 증착 ( PECVD ) , 원자 층 증착 ( ALD ) 또는 플 라즈 마 인 핸 스 드 원자 층 증착 ( Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition ; PEALD ) 방식 중 의 어느 한 가지 방법 으로 증착 할 수 있 다 . 상기 이리듐 실리콘 나이트 라이드 ( IrSiN ) 박막 내 의 이리듐 ( Ir ) 의 조성 비 는 내산 화성 을 향상 시키 기 위해 10 ∼ 50 중량 ％ 를 유지 하 는 것 이 바람직 하 다 .