상기 제 1 층 도전 막 패턴 ( 224 ) 의 상부 면 및 스 페이서 ( 220 ) 의 측벽 에 는 제 1 절 연막 패턴 ( 226 ) 이 구비 된다 . 상기 제 1 절 연막 패턴 ( 226 ) 은 상기 스 페이서 ( 220 ) 와 서로 다른 선택 비 를 갖 는 물질 로 이루어질 수 있 다 . 구체 적 으로 , 상기 제 1 절 연막 패턴 ( 226 ) 은 실리콘 산 질화물 또는 실리콘 산화물 로 이루어질 수 있 다 .