한편 , 비휘발성 기억 장치 는 FLOTOX 구조 의 적층 게이트 구조 를 가지 는 플래시 기억 장치 와 , MOS 트랜지스터 와 유사 한 구조 에 다층 의 게이트 절 연막 이 구비 된 소노 스 소자 로 구분 될 수 있 다 . 소노 스 소자 의 게이트 절연 막 은 다층 의 전하 저장 용 절연 층 으로서 , 전하 가 깊 은 준위 의 트랩 ( deep level trap ) 에 저장 되 기 때문 에 플래시 메모리 소자 에 비하 여 신뢰 성 측면 에서 우수 하 며 낮 은 전압 하 에서 기입 및 소거 동작 이 가능 하 다 .