도 10 은 도 8 에 도시 된 쓰 기 및 지우기 내구 성 테스트 수행 후 만들 어 진 상변화 메모리 소자 의 기록 불능 상태 에서 , 초기 상태 의 리셋 전류 보다 약 10 ％ 정도 큰 리셋 전류 를 사용 하 여 리셋 저항 을 초기 상태 의 그것 과 비슷 하 게 만든 후 에 , 다시 원래 의 조건 을 이용 하 여 쓰 기 및 지우기 내구 성 테스트 를 수행 한 결과 이 다 . 도 10 에서 , 상측 은 상변화 메모리 소자 의 쓰 기 내구 성 테스트 결과 이 며 , 하측 은 상변화 메모리 소자 의 지우기 내구 성 테스트 결과 이 다 . 도 10 과 관련 하 여 수행 한 테스트 는 정상 적 인 리셋 전류 보다 약간 큰 리셋 전류 를 상변화 메모리 소자 에 제공 함 으로써 리셋 저항 이 다시 초기 상태 로 복구 되 었 을 때 내구 성 특성 도 처음 상태 로 복구 되 는지 를 알아보 기 위해 수행 한 것 이 다 .