또한 , 상기 저유 전막 은 산화 막 에 비해 상대 적 으로 기계 적 특성 이 취약 하 다는 단점 이 있 기 때문 에 , 다공성 이 아닌 저유 전막 의 경우 에 도 막 의 경도 가 약해 후속 공정 및 팹 - 아웃 공정 후 에 실시 되 는 신뢰 성 평가 과정 동안 진행 성 으로 크랙 이 발생 하 는데 , 이러 한 경우 에 도 시간 이 지남 에 따라 반도체 소자 의 페일 을 야기 하 므로 소자 특성 및 신뢰 성 이 저하 되 고 반도체 소자 의 제조 수율 이 저하 된다 .