저항 소자 ( 201 _ 1 ) 내지 저항 소자 ( 201 _ n + 1 ) 이 직렬 로 설치 된 전원 선 ( 240 ) 과 , 게이트 단자 가 전기 적 으로 접속 하 는 산화물 반도체 층 을 포함 하 고 , 또한 게이트 단자 와 소스 단자 가 전기 적 으로 접속 된 트랜지스터 ( 232 _ 1 ) 내지 트랜지스터 ( 232 _ n ) 와 , 전원 선 ( 240 ) 과 트랜지스터 ( 232 _ 1 ) 내지 트랜지스터 ( 232 _ n ) 를 통해 각각 전기 적 으로 접속 하 는 트랜지스터 ( 233 _ 1 ) 내지 트랜지스터 ( 233 _ n ) 가 설치 된 전위 분할 회로 를 갖 고 , 저항 소자 ( 201 _ 1 ) 내지 저항 소자 ( 201 _ n + 1 ) 와 트랜지스터 ( 232 _ 1 ) 내지 트랜지스터 ( 232 _ n ) 의 소스 단자 가 전기 적 으로 접속 하 고 , 트랜지스터 ( 232 _ 1 ) 내지 트랜지스터 ( 232 _ n ) 의 드레 인 단자 와 트랜지스터 ( 233 _ 1 ) 내지 트랜지스터 ( 233 _ n ) 의 게이트 단자 가 전기 적 으로 접속 하 는 반도체 장치 이 다 . 또한 , 트랜지스터 ( 233 _ 1 ) 내지 트랜지스터 ( 233 _ n ) 은 전원 선 ( 245 ) 과 전기 적 으로 접속 되 어 있 다 .