도 4 c 를 참조 하 면 , 제 2 마스크 ( M 2 ) 를 제거 한다 . 이어서 , 제 1 마스크 ( M 1 ) 로 노출 된 제 1 실리콘 층 ( 401 ) 을 식각 하 여 절연 층 ( 402 ) 을 노출 시키 며 , 고정 콤 전극 ( 430 ) 과 프레임 의 일부분 ( 441 ) 을 형성 한다 . 이때 , 구동 전극 이 형성 되 는 위치 의 제 1 실리콘 층 부분 ( 422 ) 이 절연 층 ( 402 ) 상 에 소정 높이 로 남 도록 식각 한다 . 제 1 마스크 ( M 1 ) 및 제 2 마스크 ( M 2 ) 를 사용 하 는 것 은 이 부분 ( 422 ) 를 형성 하 기 위한 것 이 며 , 이 부분 ( 422 ) 는 구동 콤 전극 형성 부분 의 절연 층 ( 402 ) 을 식각 으로부터 보호 하 기 위한 것 이 다 .