또 , 다 결정 실리콘 을 제조 할 때 에 , 실시 형태 1 에 개시 되 는 바 와 같 은 촉매 ( 니켈 등 ) 를 사용 함 으로써 , 결정 성 을 더욱 향상 시켜 , 전기 특성 이 좋 은 트랜지스터 를 제조 하 는 것 이 가능 해진다 . 그 결과 , 고속 으로 동작 시키 는 것 이 필요 하 게 되 는 회로 를 기판 위 에 일체 로 형성 할 수 있 다 . 또 , 미결정 실리콘 을 제조 할 때 에 , 촉매 ( 니켈 등 ) 를 사용 함 으로써 , 결정 성 을 더욱 향상 시켜 , 전기 특성 이 좋 은 트랜지스터 를 제조 하 는 것 이 가능 해진다 . 이때 , 레이저 를 조사 하 지 않 고 , 열 처리 를 가하 는 것 만 으로 , 결정 성 을 향상 시킬 수 있 다 . 결정화 를 위해서 레이저 를 사용 하 지 않 는 경우 는 실리콘 의 결정 성 의 격차 를 억제 할 수 있 다 . 이 때문 에 , 트랜지스터 간 의 특성 의 격차 를 저감 할 수 있 다 . 또 , 촉매 ( 니켈 등 ) 를 사용 하 지 않 고 , 다 결정 실리콘 이나 미결정 실리콘 을 제조 하 는 것 은 가능 하 다 .