도 1 을 참조 하 면 , 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 반도체 메모리 는 , 복수 의 메모리 셀 이 배열 되 는 하나 이상 의 셀 매트 ( CM ) 를 포함 할 수 있 다 . 본 실시 예 에서 는 , 제 1 방향 및 제 2 방향 으로 배열 되 는 2 * 2 개 의 셀 매트 ( CM ) 가 도시 되 어 있 다 . 그러나 , 다른 실시 예 에서 , 셀 매트 ( CM ) 의 개수 및 / 또는 배열 은 다양 하 게 변형 될 수 있 다 .