이때 , 상기 폴리 실리콘 게이트 가 형성 된 기판 을 350 ∼ 450 ℃ 정도 의 온도 로 가열 하 는 이유 는 , 후속 1 차 상전 이 열처리 시 질소 분위기 하 에서 는 상기 금속 막 이 얇 게 형성 되 므로 고밀도 막 을 형성 하 려면 400 ℃ 정도 의 온도 이하 로 기판 을 가열 하 여 실리사이드 방지 와 함께 암모니아 원격 플 라즈 마 처리 를 하 면 금속 막 이 상부 에 만 더욱 두껍 게 형성 되 어 그 에 따른 실리사이드 반응 을 더욱 억제 하 고자 하 기 위함 이 다 .