아울러 , 상기 플 라즈 마 식각 장치 ( 100 ) 는 상기 스테이지 ( 12 ) 와 마주 보 는 위치 에 설치 되 는 절연체 ( 20 ) 를 포함 한다 . 그러므로 , 상기 플 라즈 마 식각 장치 를 사용 한 식각 공정 에서 는 상기 절연체 ( 20 ) 와 반도체 기판 ( W ) 이 서로 마주 보 는 구성 을 갖 는다 . 아울러 , 상기 절연체 ( 20 ) 를 설치 하 는 것 은 상기 식각 공정 에서 플 라즈 마 를 형성 할 때 상기 플 라즈 마가 형성 되 는 영역 을 한정 하 기 위함 이 다 . 또한 , 상기 스테이지 ( 12 ) 와 마주 보 는 위치 에 설치 되 는 절연체 ( 20 ) 는 그 구분 을 위하 여 제 1 절연체 로 표현 하 기 도 한다 .