계속 해서 , 제 1 산화물 반도체 층 을 성막 하 고 , 제 1 열처리 에 의해 적어도 제 1 산화물 반도체 층 의 표면 을 포함 하 는 영역 을 결정 화 시켜 제 1 산화물 반도체 층 ( 403 ) 을 형성 한다 . 또한 , 게이트 절연 층 ( 402 ) 및 제 1 산화물 반도체 층 은 , 대기 에 접촉 시키 지 않 고 연속 하 여 성막 하 는 것 이 바람직 하 다 .