또한 도 1 의 ( B ) 에 도시 된 발광 디바이스 와 같이 , 2 개 의 EL 층 ( 103 a , 103 b ) 사이 에 전하 발생 층 ( 104 ) 을 제공 함 으로써 복수 의 EL 층 이 한 쌍 의 전극 사이 에 적층 된 구조 ( 탠덤 구조 라고 도 함 ) 로 할 수 도 있 다 . 또한 본 실시 형태 에서 , 도 1 의 ( A ) 에서 설명 하 는 정공 주입 층 ( 111 ) , 정공 수송 층 ( 112 ) , 발광 층 ( 113 ) , 전자 수송 층 ( 114 ) , 전자 주입 층 ( 115 ) 은 각각 , 도 1 의 ( B ) 에서 설명 하 는 정공 주입 층 ( 111 a , 111 b ) , 정공 수송 층 ( 112 a , 112 b ) , 발광 층 ( 113 a , 113 b ) , 전자 수송 층 ( 114 a , 114 b ) , 전자 주입 층 ( 115 a , 115 b ) 과 기능 이나 사용 되 는 재료 가 공통 된다 .