상기 과제 를 해결 하 기 위해서 본 발명 이 제공 하 는 것 은 , 이하 의 웨이퍼 생성 방법 이 다 . 즉 , c 축 과 c 축 에 직교 하 는 c 면 을 갖 는 단결정 SiC 잉곳 으로부터 웨이퍼 를 생성 하 는 웨이퍼 생성 방법 으로서 , 단결정 SiC 에 대해 투과성 을 갖 는 파장 의 레이저 광선 의 집 광점 을 단결정 SiC 잉곳 의 단면 ( 端 面 ) 으로부터 생성 해야 할 웨이퍼 의 두께 에 상당 하 는 깊이 에 위치 시키 고 단결정 SiC 잉곳 에 레이저 광선 을 조사 하 여 SiC 가 Si 와 C 로 분리 된 개질 부 와 개질 부 로부터 c 면 에 등방 적 으로 형성 되 는 크랙 으로 이루어지 는 박리 층 을 형성 하 는 박리 층 형성 공정 과 , 박리 층 이 형성 되 는 외주 영역 의 전부 또는 일부 에 추가 로 레이저 광선 을 조사 하 고 크랙 을 성장 시켜 박리 의 계기 를 형성 하 는 박리 계기 형성 공정 과 , 단결정 SiC 잉곳 을 액체 중 에 침지 하 고 단결정 SiC 잉곳 의 고유 진동수 와 근사 한 주파수 이상 의 주파수 를 갖 는 초음파 를 액체 를 통하 여 단결정 SiC 잉곳 에 부여 함 으로써 , 박리 층 을 계면 으로 하 여 단결정 SiC 잉곳 의 일부 를 박리 하 고 웨이퍼 를 생성 하 는 웨이퍼 생성 공정 으로 적어도 구성 되 는 웨이퍼 생성 방법 이 다 .