구체 적 으로 , 상기 방법 은 상기 제 1 및 제 2 가이드 패턴 들 을 제거 하 기 전 에 , 상기 제 1 및 제 2 가이드 패턴 들 중 에서 선택 된 가이드 패턴 을 제거 하 여 갭 영역 을 형성 하 는 단계 ; 및 상기 갭 영역 을 채우 는 충전 마스크 패턴 을 형성 하 는 단계 를 더 포함 할 수 있 다 . 상기 충전 마스크 패턴 은 상기 제 1 및 제 2 가이드 패턴 들 에 대하 여 식각 선택 비 를 갖 는 물질 로 형성 된다 . 이 경우 에 , 상기 마스크 패턴 은 상기 이방성 식각 된 벽부 로 구성 된 제 2 마스크 패턴 , 및 상기 충전 마스크 패턴 과 상기 충전 마스크 패턴 의 양측 벽 에 접촉 된 한 쌍 의 상기 이방성 식각 된 벽부 들 을 포함 하 는 제 2 마스크 패턴 을 포함 할 수 있 다 .