본 발명 에 의한 바 이 폴라 트랜지스터 는 기판 에 형성 되 는 컬렉터 영역 ; 상기 컬렉터 영역 을 포함 한 기판 상 에 형성 되 는 에피 텍 셜 층 ; 상기 에피 텍 셜 층 에 형성 되 는 베이스 영역 ; 상기 베이스 영역 에 형성 되 는 이미터 영역 ; 상기 이 미터 영역 과 베이스 영역 을 관통 하 여 상기 컬렉터 영역 까지 형성 된 트랜 치 의 측벽 에 형성 된 산화 막 ; 및 상기 트랜 치 내부 에 형성 되 는 폴리 실리콘 층 을 포함 한다 .