선택 된 디 지트 라인 ( 605 ) 의 전압 이 제 1 전압 ( 가령 , vbias ) 과 동일 하 면 , 워드 라인 ( 610 ) 이 선택 될 수 있 다 . 일부 예시 에서 , t 2 에서 워드 라인 ( 610 ) 이 선택 될 수 있 다 . 선택 된 워드 라인 ( 610 ) 이 활성 화 될 때 , 선택 된 디 지트 라인 ( 605 ) 과 메모리 셀 내 강유 전 성 커패시터 간 전하 공유 의 결과 로서 선택 된 디 지트 라인 ( 605 ) 의 전압 이 임시 감소 될 수 있 다 . 일부 예시 에서 , 그러나 , 선택 된 디 지트 라인 ( 605 ) 의 전압 이 제 1 전압 ( 가령 , vbias ) 로 다시 증가 할 수 있 고 , 따라서 선택 된 디 지트 라인 ( 605 ) 과 메모리 셀 내 강유 전 성 커패시터 간 에 전하 공유 가 t 1 전 에 메모리 셀 에 의해 저장 된 논리 상태 의 결정 에 영향 을 최소 로 미치 거나 전혀 미치 지 않 을 수 있 다 .