이 와 같이 배선 선폭 이 90 nm 이하 의 반도체 소자 에서 는 노광 시 사용 하 여 레이저 에 대응 하 여 ArF 포토레지스트 물질 을 사용 하 게 되 는데 , 이러 한 ArF 포토레지스트 물질 의 두께 는 다른 포토레지스트 패턴 보다 얇 다 . 그렇 기 때문 에 식각 을 하 는 과정 에서 마스크 에 가려진 산화 막 ( 10 ) 의 상부 도 식각 이 되 는 현상 이 발생 한다 . 즉 , 포토레지스트 패턴 의 가장자리 부근 에 식각 이 집중 되 면 도 2 의 A 부분 처럼 산화 막 ( 10 ) 의 모서리 가 식각 된다 .