본 발명 에 따른 임프 린트 기구 ( 100 ) 로 , 포스트 베 이크 는 임프 린트 기계 ( 100 ) 안 에서 수행 될 수 있 고 , 이 는 임프 린트 기구 으로부터 개별 오븐 으로 기판 을 가져올 필요 가 없 는 것 을 의미 한다 . 이 는 한 공정 단계 를 생략 하 고 , 임프 린트 공정 에서 시간 및 돈 모두 의 절감 을 가능 하 게 한다 . 폴리머 스탬프 ( 10 ) 가 계속 일정 한 온도 Tp 및 잠재 적 으로 또한 기판 ( 10 ) 을 향한 선택 된 압력 에서 유지 되 는 동안 , 포스트 베 이크 단계 를 수행 함 에 의해 , 층 ( 14 ) 에서 의 결과 적 인 구조 패턴 의 높 은 정확 성 이 또한 얻 어 지 고 , 이 는 미세 한 구조 를 만드 는 것 을 가능 하 게 한다 . 압축 , 노광 및 포스트 베 이크 이후 , 구멍 ( 115 ) 에서 압력 은 줄어들 고 , 두 주요부 ( 101 및 102 ) 는 서로 분리 된다 . 이 후 , 기판 은 폴리머 스탬프 로부터 분리 되 고 , 임프 린트 리소그래피 에서 이미 알려진 내용 에 따른 추가 적 처리 가 뒤따른다 . 발명 의 제 1 모드 는 , 1 마이크로미터 의 두께 를 갖 는 NIP - K 17 의 층 ( 14 ) 에 의해 덮인 실리콘 기판 ( 12 ) 을 포함 한다 . 약 30 초 동안 5 내지 100 bar 의 압력 으로 멤 브레인 ( 113 ) 에 의한 압축 후 , 복사 소스 ( 110 ) 는 작동 된다 . 복사 소스 ( 110 ) 는 , 적어도 400 나노미터 아래 의 자외선 영역 에서 방출 되 도록 일반 적 으로 고안 된다 . 바람직 한 실시 예 에서 , 200 내지 1000 나노미터 의 범위 의 방출 스펙트럼 을 갖 는 공 냉 제논 램프 가 복사 소스 ( 110 ) 로서 선택 된다 . 바람직 한 제논 형태 복사 소스 ( 110 ) 는 1 내지 10 W / cm 2 의 복사 를 제공 하 고 , 초 당 1 내지 5 펄스 의 펄스 율 로 , 1 내지 5 μ s 펄스 로 빛나 도록 고안 된다 . 석영 으로 된 윈도우 ( 112 ) 는 복사 를 통과 시키 기 위한 표면 ( 104 ) 에 형성 된다 . 액체 층 ( 14 ) 을 고체 층 ( 14 ') 으로 중합 시키 기 위한 , 노광 시간 은 바람직 하 게 는 1 내지 30 초 이나 , 최대 2 분 이 될 수 있 다 .