여기 서 , 상기 광소자 가 발광소 자일 경우 , 상기 단계 ( a ) 에서 용액 을 도포 하 기 전 또는 상기 단계 ( c ) 이후 에 , 상기 p 형 도핑 층 의 발광 부 를 제외 한 상면 에 p 형 상부 전극 을 적층 하 고 , 상기 n 형 도핑 층 의 하면 에 n 형 하부 전극 을 적층 하 는 단계 를 더 포함 하 며 , 상기 광소자 가 수 광소자 일 경우 , 상기 단계 ( a ') 에서 용액 을 도포 하 기 전 또는 상기 단계 ( c ') 이후 에 , 상기 n 형 도핑 층 의 수 광부 를 제외 한 상면 에 n 형 상부 전극 을 적층 하 고 , 상기 p 형 도핑 층 의 하면 에 p 형 하부 전극 을 적층 하 는 단계 를 더 포함 함 이 바람직 하 다 .