도 7 및 도 8 을 참조 하 면 , 상기 상부 절 연막 ( 29 ) 및 상기 식각 저 지막 ( 27 ) 을 식각 하 여 상기 하부 도전 성 패턴 ( 25 ) 을 노출 시키 는 콘 택 홀 ( 31 ) 을 형성 한다 . 상기 식각 저 지막 ( 27 ) 은 상술 한 바 와 같이 상기 상 / 하부 절 연막 들 ( 29 , 23 a ) 에 대하 여 식각 선택 비 를 갖 는 절 연막 으로 형성 한다 . 또한 , 상기 콘 택 홀 ( 31 ) 을 형성 하 기 위한 식각 공정 은 공정 의 단순 화 를 위하 여 상기 상 / 하부 절 연막 들 ( 29 , 23 a ) 의 식각 률 이 상기 식각 저 지막 ( 27 ) 의 식각 률 보다 높 은 특성 을 보이 는 단일 식각 레서피 를 사용 하 여 진행 할 수 있 다 . 이 경우 에 , 상기 콘 택 홀 ( 31 ) 이 상기 하부 도전 성 패턴 ( 25 ) 에 대하 여 오 정렬 되 면 , 상기 하부 도전 성 패턴 ( 25 ) 의 측벽 을 노출 시키 는 과도 식각 영역 ( P ′) 이 형성 될 수 있 다 . 그럼에도 불구 하 고 , 상기 과도 식각 영역 ( P ′) 은 종래 기술 의 과도 식각 영역 ( 도 2 의 P ) 에 비하 여 현저히 얕 은 깊이 를 가질 수 있 다 . 이 는 상술 한 바 와 같이 상기 식각 저 지막 ( 27 ) 이 상기 하부 도전 성 패턴 ( 25 ) 의 돌출부 의 측벽 을 덮 도록 형성 되 기 때문 이 다 .