한편 , 도 3 에 도시 된 얼라인먼트 키 ( 210 ) 와 더미 키 ( 211 ) 의 위치 와 개수 는 일례 를 든 것 으로 그 위치 , 형상 및 개수 에 제한 이 있 는 것 은 아니 며 , 소자 영역 에 형성 된 얼라인먼트 키 의 밀도 와 엇비슷 하 여 후속 CMP 공정 진행시 발생 할 수 있 는 불 균일성 ( non - uniformity ) 의 문제점 을 방지 하 기 위한 것 이 다 .