제 1 도전 형 반도체 층 ( 22 ) 은 - Ⅴ 족 , - Ⅵ 족 등 의 화합물 반도체 로 구현 될 수 있 으며 , 제 1 도전 형 도 펀트 가 도핑 될 수 있 다 . 제 1 도전 형 반도체 층 ( 22 ) 은 AlxInyGa ( 1 - x - y ) N ( 0 ≤ x ≤ 1 , 0 ≤ y ≤ 1 , 0 ≤ x + y ≤ 1 ) 의 조성식 을 갖 는 반도체 물질 , AlGaN , GaN , InAlGaN , AlGaAs , GaP , GaAs , GaAsP , AlGaInP 중 어느 하나 이상 으로 형성 될 수 있 다 .