또 , 복수 의 CNT ( 11 a ) 의 배열 을 나타내 는 X 선 산란 에 의한 ( 10 ) 피크 에 있 어서 의 피크 톱 의 q 치가 2 . 0 ㎚- 1 이상 이 고 , 또한 반치 전폭 ( Δ q ) 이 2 . 0 ㎚- 1 이하 이 므로 , CNT 집합체 ( 11 ) 내 에서 복수 의 CNT ( 11 a ) 가 규칙 적 으로 배열 되 고 , 고밀도 로 존재 하 고 있 기 때문 에 , CNT ( 11 a ) - CNT ( 11 a ) 간 의 접촉 저항 을 작 게 할 수 있 어 , CNT 집합체 ( 11 ) 의 저 저항률 을 실현 할 수 있 고 , 이 로써 CNT 선재 ( 1 ) 의 도전 성 을 더욱 향상 시킬 수 있 다 .