한편 , 상기 2 차 레이저 절단 공정 은 제 1 선폭 의 절단 자국 내 에 스며들 은 봉지 수지 ( 112 ) 를 절단 함 과 동시 에 웨이퍼 ( 104 ) 의 재질 인 실리콘 도 일부 절단 하 게 된다 . 즉 , 상술 한 도 2 내지 도 5 에서 반도체 칩 ( 104 ) 이 웨이퍼 ( 102 ) 에 붙 어 있 도록 절단 되 지 않 은 부분 이 이때 함께 절단 된다 . 따라서 본 발명 에 의한 깨 짐 을 억제 하 는 몰딩 부 를 갖 는 웨이퍼 레벨 패키지 에서 , 상기 반도체 칩 측면 에 존재 하 는 몰딩 부 ( 112 ) 의 두께 는 , 웨이퍼 에 형성 된 스 크라이 브 레인 ( scribe lane ) 폭 의 1 / 2 을 초과 할 수 없 다 .