이러 한 활성 영역 ( ACTIVE ) 은 비활성 영역 ( FIELD ) 에 형성 되 는 소자 분리 막 에 의해 정의 된다 . 소자 분리 막 은 STI ( Shallow Trench Isolation ) 공정 을 통해 형성 되 며 , STI 공정 시 별도 의 공정 추가 없이 마스크 를 도 5 에 도시 된 패턴 ( pattern ) 형태 로 변경 하 는 단순 한 작업 만 으로 도 쉽 게 구현 할 수 있 다 . 또한 , 공통 소스 라인 ( CSL ) 과 접속 되 는 제 1 라인 패턴 또한 메모리 셀 ( MC 0 ~ MC 5 ) , 드레 인 선택 트랜지스터 및 소스 선택 트랜지스터 ( SST ) 의 접합 영역 ( 소스 및 드레 인 영역 ) 으로 기능 하 는 활성 영역 ( ACTIVE ) 과 마찬가지 로 게이트 전극 형성 후 실시 되 는 불순물 이온 주입 공정 을 통해 불순물 이온 이 도핑 되 어 n 형 또는 p 형 도전 형 과 같 은 전도 성 을 갖 는 접합 영역 이 된다 .