실시 예 에서 , 입사 입자 는 2 차 입자 또는 상이 한 에너지 의 동일 한 입자 를 야기 할 수 있 다 . 이 차 입자 방출 세기 의 변화 는 레벨 을 검출 하 는 데 사용 될 수 있 다 . 예 시 적 인 실시 예 에서 , 제 1 에너지 의 X - 선 은 상이 한 수직 위치 에서 저 장소 에 입사 되 고 , 제 2 에너지 의 X - 선 은 검출기 에 의해 검출 된다 . 레벨 이 빔 들 사이 또는 빔 들 사이 에서 교차 될 때 제 2 에너지 또는 형광 성 X - 선 의 X - 선 세기 의 변화 는 레벨 을 나타낸다 . 검출기 는 예 를 들 어 0 ° 또는 180 ° 또는 90 ° 에서 의 입사 빔 과 동일 한 축 을 따르 는 것 과 같 은 형광 X - 선 신호 를 최대 화 하 는 위치 에 있 을 수 있 다 . 실시 예 에서 , 입사 빔 이 저 장소 를 레벨 아래 대 레벨 위 에서 입사 시킬 때 은의 형광 X - 선 이 증가 한다 . 레벨 센서 는 당업 계 에 알려진 X - 선 형광 ( XRF ) 또는 에너지 분산 형 X - 선 형광 ( EDXRF ) 시스템 을 포함 할 수 있 다 . X - 선 소스 는 방사성 동위 원소 또는 X - 선 발생기 를 포함 할 수 있 다 . EDXRF 시스템 은 전자 또는 양성자 와 같 은 고 에너지 입자 의 소스 를 포함 할 수 있 다 . 검출기 는 실리콘 드리프트 검출기 또는 당업자 에게 공지 된 다른 것 들 을 포함 할 수 있 다 .