본 발명 에 따른 반도체 소자 의 제조 방법 은 , 비트 라인 물질 로서 텅스텐 을 적용 하 고 , 비트 라인 하드 마스크 물질 로서 질화 막 과 텅스텐 막 의 적층 막 을 적용 하 는 반도체 소자 의 제조 방법 으로서 , 상기 하드 마스크 용 텅스텐 막 은 PVD ( physical vapor seposition ) 공정 에 따라 챔버 의 타 겟 에 가해 지 는 DC 파워 를 800 ∼ 1200 W 로 하 여 형성 한다 .