그리고 , 상기 제 어부 ( 24 ) 를 조정 하 여 상기 스테이지 ( 12 ) 에 고주파 에너지 를 인가 시키 고 , 상기 제 1 전극 ( 14 ) 을 접지 시킨다 . 동시 에 상기 제 어부 ( 24 ) 를 조정 하 여 상기 하부 - 제 2 전극 ( 16 ) 과 상부 - 제 2 전극 ( 18 ) 은 전기 적 으로 단락 시킨다 . 즉 , 도 2 에 도시 된 바 와 같 은 구성 을 갖 도록 전기 적 으로 연결 시킨다 . 아울러 , 상기 제 2 반 응 가스 제 공부 ( 28 ) 를 통하 여 상기 스테이지 ( 12 ) 와 제 1 전극 ( 14 ) 사이 의 공간 ( 55 ) 으로 반응 가스 를 제공 한다 . 그러면 , 상기 반응 가스 는 상기 공간 ( 55 ) 을 통하 여 상기 반도체 기판 ( W ) 의 이면 으로 제공 된다 . 또한 , 상기 하부 - 제 2 전극 ( 16 ) 을 조정 하 여 상기 반도체 기판 ( W ) 을 상부 로 리프팅 시킨다 .