일반 적 으로 반도체 메모리 장치 는 수많 은 메모리 셀 들 로 이루어지 며 , 이러 한 메모리 셀 중 어느 하나 에 라도 결함 이 발생 하 면 해당 반도체 메모리 장치 가 오동작 하 게 되 어 불량품 으로 처리 된다 . 따라서 메모리 셀 에 결함 이 발생 한 경우 이 를 미리 인지 하 고 있 다가 해당 메모리 셀 에 대한 접근 요청 이 있 는 경우 결함 이 발생 한 메모리 셀 대신 리 던 던 시 ( Redundancy ) 회로 에 포함 된 메모리 셀 로 접속 을 전환 하 기 위한 리 페어 ( Repair ) 회로 가 이용 되 고 있 다 . 여기 에서 리 던 던 시 회로 란 메모리 셀 내 에 별도 로 구비 해 둔 여분 의 메모리 셀 집합 으로서 , 결함 이 발생 한 메모리 셀 의 대체 메모리 셀 로 사용 된다 .