상기 위상 반 전막 패턴 및 광차 단막 패턴 을 형성 하 는 단계 이후 에 , 상기 위상 반 전막 패턴 및 광차 단막 패턴 이 형성 된 투명 기판 상 에 레지스 트 막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 위상 반 전막 패턴 및 광차 단막 패턴 이 형성 된 투명 기판 상 에 위상 반 전막 패턴 및 광차 단막 패턴 일부 를 노출 시키 는 레지스 트 패턴 을 형성 하 는 단계 ; 상기 레지스 트 패턴 에 의해 노출 된 광차 단막 패턴 을 식각 하 는 단계 ; 및 상기 레지스 트 패턴 을 제거 하 는 단계 를 더 포함 할 수 있 다 .