누설 전 류량 이 적 고 , EM ( 일렉트로 마이 그레이 션 ) 내성 , TDDB ( 시간 의존 성 절연 파괴 ) 내성 이 높 은 배선 층 을 얻 을 수 있 으며 , 이것 에 의해 소비 전력 이 작 고 , 신뢰 성 이 높 은 반도체 장치 를 제조 할 수 있 는 기술 을 제공 한다 . 본 발명 에 따른 표면 소수 화 막 은 절 연막 과 접촉 된 표면 소수 화 막 으로서 , 접촉 시 의 절 연막 보다 소수성 이 크 고 , 그 반대 측 의 면 에서 배선 과 도 접촉 하 며 , 유황 원자 , 인 원자 및 질소 원자 로 이루어지 는 군 에서 선택 된 하나 이상 의 원자 를 포함 한다 .