구체 적 으로 , 게이트 산화 막 ( 29 ) 이 게이트 전극 ( 30 ) 과 드리프트 영역 ( 27 ) 간 의 중첩 영역 에서 드리프트 영역 ( 27 ) 사이 영역 , 즉 채널 영역 에서 보다 두껍 게 형성 됨 에 따라 , 게이트 전극 ( 30 ) 과 드리프트 영역 ( 27 ) 간 의 중첩 영역 에서 게이트 전극 ( 30 ) 과 드리프트 영역 ( 27 ) 간 의 전계 ( Electri field ) 가 약화 된다 . 따라서 , 드리프트 영역 ( 27 ) 의 항복 전압 을 충분히 높혀 드리프트 영역 ( 27 ) 파괴 를 방지 할 수 있 다 .