본 발명 의 일 실시 예 에 따르 면 , 상기 제 2 산화 공정 은 클린 산화 공정 을 포함 할 수 있 다 . 상기 클린 산화 공정 에 있 어서 , 산소 가스 및 염화수소 가스 를 포함 하 는 제 3 반응 가스 를 약 800 ∼ 1 , 000 ℃ 정도 의 상대 적 으로 높 은 제 2 온도 및 약 0 . 1 ∼ 0 . 5 Torr 정도 의 상대 적 으로 낮 은 제 2 압력 을 갖 는 상기 공정 챔버 내 로 도입 할 수 있 다 . 상기 산소 가스 와 상기 염화수소 가스 사이 의 유량 비 는 약 9 . 9 : 0 . 1 정도 가 될 수 있 다 . 상기 제 3 반응 가스 가 약 4 . 0 중량 % 이상 의 염화수소 가스 를 포함 할 경우 , 대 상체 ( 200 ) , 예비 산화 막 ( 205 ) 및 / 또는 상기 공정 챔버 내부 를 부식 시킬 수 있 기 때문 에 제 3 반응 가스 에 포함 되 는 염화수소 가스 의 함량 을 약 1 . 0 ∼ 3 . 0 중량 % 정도 로 조절 하 는 것 이 유리 하 다 . 상기 제 3 반응 가스 에 포함 된 산소 가스 및 염화수소 가스 가 서로 반응 하 여 클린 산소 가 형성 되 며 , 이 와 같 은 클린 산소 와 예비 산화 막 ( 205 ) 에 포함 된 실리콘 사이 의 반응 에 따라 예비 산화 막 ( 205 ) 상 에 상부 산화 막 ( 215 ) 이 형성 된다 . 상부 산화 막 ( 215 ) 은 예비 산화 막 ( 205 ) 의 표면 상 에 형성 되 는 한편 예비 산화 막 ( 205 ) 의 표면 아래 까지 형성 된다 . 이 에 따라 . 예비 산화 막 ( 205 ) 은 약간 감소 된 두께 를 갖 는 하부 산화 막 ( 208 ) 으로 변화 된다 . 상부 산화 막 ( 215 ) 은 산화물 로 이루어진 예비 산화 막 ( 205 ) 으로부터 형성 되 기 때문 에 상부 산화 막 ( 215 ) 은 하부 산화 막 ( 208 ) 의 두께 에 비하 여 약간 얇 은 두께 로 형성 된다 . 상부 산화 막 ( 215 ) 을 형성 하 는 동안 , 예비 질화 막 ( 210 ) 에 포함 된 질소 원자 들 이 대 상체 ( 200 ) 내 로 확산 되 어 대 상체 ( 200 ) 상 에 예비 질화 막 ( 210 ) 보다 약간 두꺼운 두께 를 갖 는 질화 막 ( 220 ) 이 형성 된다 .