전술 된 베이스 구조물 ( 100 ) 상 에 여기 광원 ( 200 ) 을 배치 한다 . 전술 된 여기 광원 ( 200 ) 은 본 발명 에 따른 하이브리드 파장 변환 체 ( 400 ) 의 파장 변환 입자 ( 금속 할 라이드 페로 브 스 카이트 나노 결정 입자 , 비 페로 브 스카이 트 계 양자 점 또는 비 페로 브 스카이 트 계 형광체 ) 의 발광 파장 보다 짧 은 파장 을 갖 는 광 을 발광 하 는 것 이 바람직 하 다 . 전술 된 여기 광원 ( 200 ) 은 발광 다이오드 및 레이저 다이오드 중 어느 하나 일 수 있 다 . 또한 , 베이스 구조물 ( 100 ) 이 발광 다이오드 웨이퍼 인 경우 , 여기 광원 을 배치 하 는 단계 는 생략 될 수 있 다 . 예 를 들 면 , 여기 광원 ( 200 ) 은 청색 LED 를 사용 할 수 있 는데 , 청색 LED 로 는 420 nm 내지 480 nm 의 청색광 을 발하 는 갈륨 질화물 계 LED 를 사용 할 수 있 다 .