종래 의 플 라즈 마 화학 기상 증착 설비 및 그 를 이용 한 화학 기상 증착 방법 은 , 반응 챔버 ( 10 ) 내 에 반응 가스 로서 이소프렌 가스 단독 으로 공급 하 고 , 고주파 파워 로 플 라즈 마 상태 의 상기 이소프렌 가스 를 이용 하 여 약 1 . 3 정도 의 높 은 굴절 율 을 갖 고 약 0 . 3 정도 의 낮 은 흡수율 을 갖 는 비정질 탄소막 을 형성 토록 할 수 있 으나 , 후 속 에서 상기 비정질 탄소막 상 에 형성 되 는 포토레지스트 의 노광 시 에 요구 되 는 약 1 . 1 정도 의 낮 은 굴절 율 을 갖 고 약 0 . 4 정도 의 높 은 흡수율 을 갖 는 비정질 탄소막 을 형성 할 수 없 어 노광 공정 의 불량 을 야기 시킬 수 있 기 때문 에 생산 수율 이 떨어지 는 단점 이 있 었 다 .