또 다른 실시 예 에서 , CNT 시드 를 위해 금속 촉매 층 ( 332 ) 만 이 사용 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 도 3 c 는 도 2 a 의 메모리 셀 ( 200 ) 의 제 3 실시 예의 단면도 이 다 . 도 3 c 의 메모리 셀 ( 200 ) 은 도 3 b 의 메모리 셀 ( 200 ) 과 유사 하나 , 요철 표면 CNT 시드 층 ( 210 ) 을 포함 하 지 않 는다 . 도시 된 실시 예 에서 , 피 라 구조 ( 320 ) 의 형성 에 앞서 도전 층 ( 318 ) 상 엔 어떠 한 CNT 시드 층 ( 210 ) 도 증착 되 지 않 는다 . 필라 구조 ( 320 ) 가 형성 된 후 에 , 유전 물질 ( 322 ) 이 필라 구조 ( 320 ) 위 에 그리고 주위 에 증착 되 고 도전 층 ( 318 ) 위 를 노출 시키 기 위해 평탄 화 된다 . 이를테면 니켈 , 코발트 , 철 등 과 같 은 금속 촉매 층 ( 3220 ) 이 이어서 노출 된 도전 층 ( 318 ) 상 에 선택 적 으로 증착 되 고 , CNT 물질 ( 324 ) 이 금속 촉매 층 ( 332 ) 상 에 형성 될 수 있 다 . 일반 적 으로 , 이러 한 실시 예 는 금속 하드 마스크 층 들 ( 316 , 318 ) 을 사용 하 여 또는 없이 사용 될 수 있 다 .