반도체 기판 ( 201 ) 에서 는 , 500 ℃ 이하 의 온도 에서 형성 된 GaAs 층 ( 202 ) 을 형성 하 였 다 . 저온 성장 된 GaAs 층 ( 202 ) 이 라도 , 소자 형성 층 ( 124 ) 의 결정 성 은 어느 정도 향상 되 었 다 . 따라서 , 반도체 기판 ( 201 ) 을 저렴 하 게 제공 할 수 있 고 , 소자 형성 층 ( 124 ) 에 형성 되 는 전자 소자 를 고성능 화 할 수 있 다고 하 는 반도체 기판 ( 101 ) 의 경우 와 동일 한 효과 를 얻 을 수 있 었 다 .