본 발명 에 의한 패턴 형성 방법 은 ( a ) 화학 증폭 형 레지스 트 조성물 로 막 을 형성 하 는 공정 , ( b ) 상기 막 을 광 에 노광 하 는 공정 , ( c ) 상기 노광 된 막 을 유기 용제 를 포함 하 는 현상액 을 사용 해서 현상 하 는 공정 , 및 ( d ) 상기 현상 된 막 을 유기 용제 를 포함 하 는 린스 액 을 사용 해서 린 싱하 는 공정 을 포함 한다 . 상기 방법 은 현상액 의 비중 보다 큰 비중 을 갖 는 린스 액 을 사용 해서 린스 공정 을 행한다는 점 에서 특징지 어 진다 .