이 방법 에 의하 면 , 실리콘 게르마늄 층 대신 에 매립 절연 층 을 매립 한 후 , 반도체 기재 위 에 실리콘 게르마늄 이 남 는 것 을 억제 하 기 때문 에 , 연속 되 는 처리 공정 에서 , 오염 의 원인 인 실리콘 게르마늄 이 반도체 기재 위 에 부착 됨 으로써 반도체 기판 에 악영향 을 미치 는 것 을 억제 할 수 있 다 . 또한 , 실리콘 이 실리콘 게르마늄 보다 에칭 의 선택 비 가 작 기 때문 에 , 실리콘 층 을 남겨 실리콘 게르마늄 층 을 선택 적 으로 에칭 하 여 제거 하 는 것 이 가능 해진다 . 이것 에 의해 , 실리콘 층 의 하측 에 매립 절연 층 을 메우 도록 공동 부 를 형성 할 수 있 다 .