하부 질화 막 ( 165 ) 및 제 2 예비 산화 막 ( 160 ) 을 형성 하 기 위한 상기 열 질화 공정 에 있 어서 , 상기 제 2 반응 가스 에 포함 된 질소 원자 들 이 화살표 로 도시 한 바 와 같이 제 1 예비 산화 막 ( 155 ) 의 하부 에 축적 됨 으로써 , 하부 질화 막 ( 165 ) 이 대 상체 ( 150 ) 와 제 1 예비 산화 막 ( 150 ) 사이 에 형성 된다 . 제 1 예비 산화 막 ( 155 ) 이 실리콘 산화물 로 구성 될 경우 , 하부 질화 막 ( 165 ) 은 실리콘 질화물 로 이루어진다 . 제 1 예비 산화 막 ( 155 ) 의 하부 에 상기 제 2 반응 가스 에 포함 된 질소 원자 들 이 축적 됨 에 따라 제 1 예비 산화 막 ( 155 ) 의 하부 가 실리콘 질화물 을 포함 하 는 하부 질화 막 ( 165 ) 으로 변화 된다 . 하부 질화 막 ( 165 ) 은 제 1 예비 산화 막 ( 155 ) 의 하부 가 변화 되 어 형성 되 기 때문 에 하부 질화 막 ( 165 ) 의 상면 은 대 상체 ( 150 ) 의 최초 의 표면 ( S 2 ) 아래 에 위치 한 다 . 상기 제 1 질화 공정 에 의하 여 제 1 예비 산화 막 ( 155 ) 의 하부 가 하부 질화 막 ( 165 ) 으로 변화 됨 에 따라 제 1 예비 산화 막 ( 155 ) 도 제 2 예비 산화 막 ( 160 ) 으로 변화 된다 . 제 2 예비 산화 막 ( 160 ) 의 두께 는 제 1 예비 산화 막 ( 155 ) 의 두께 에 비하 여 하부 질화 막 ( 165 ) 의 두께 만큼 감소 된다 .