또한 , 레이 저광 의 조사 에 의한 단결정 반도체 막 의 용융 은 , 부분 용융 으로 하 는 것 이 바람직 하 다 . 완전 용융 시켰 을 경우 에 는 , 액상 으로 된 후 의 무 질서 한 핵 발생 에 의해 미결정 화 하 여 , 결정 성 이 저하 될 가능 성 이 높 기 때문 이 다 . 한편 , 부분 용융 시킴 으로써 , 용융 되 지 않 은 고상 ( 固相 ) 부분 부터 결정 성장 이 진행 한다 . 이 에 따라 반도체 막 안 의 결함 을 감소 시킬 수 있 다 . 여기 에서 , 완전 용융 이 라 함 은 , 단결정 반도체 막 이 하부 계면 부근 까지 용융 되 어 , 액체 상태 가 되 는 것 을 말 한다 . 한편 , 부분 용융 이 라 함 은 , 이 경우 , 단결정 반도체 막 의 상부 는 용융 하 여 액상 이 되 지만 , 하부 는 용융 하 지 않 고 고상 상태 인 것 을 말 한다 .