제 1 반도체 층 ( 350 ) 은 문턱 전압 조절 층 ( 340 ) 상 에 배치 될 수 있 다 . 제 1 반도체 층 ( 350 ) 의 하 면은 절연 층 ( 330 ) 의 상면 과 접촉 될 수 있 다 . 제 1 반도체 층 ( 350 ) 의 하 면은 문턱 전압 조절 층 ( 340 ) 의 상면 과 접촉 될 수 있 다 . 제 2 반도체 층 ( 360 ) 은 제 1 반도체 층 ( 350 ) 상 에 배치 될 수 있 다 . 제 1 반도체 층 ( 350 ) 은 P 형 반도체 층 을 포함 할 수 있 다 . 제 2 반도체 층 ( 360 ) 은 N 형 반도체 층 을 포함 할 수 있 다 .