우선 , 상기 실시 형태 2 의 도 4 c 까지 마찬가지 로 형성 한 후 , 포토 리소그래피 법 을 사용 하 여 레지 스트로 이루어지 는 마스크 를 형성 하 고 , 도전 막 ( 122 ) , 도전 막 ( 123 ) 을 선택 적 으로 에칭 함 으로써 제 1 도 전막 ( 108 ) 을 형성 한다 . 이어서 , 상기 제 1 도 전막 ( 108 ) 을 마스크 로 하 여 반도체 막 ( 106 ) 에 제 1 불순물 원소 를 도입 하 여 채널 형성 영역 ( 106 a ) 과 불순물 영역 ( 128 ) 을 형성 한다 ( 도 8 a 참조 ) . 제 1 불순물 원소 로서 는 , n 형 의 불순물 원소 또는 p 형 의 불순물 원소 를 사용 한다 . n 형 의 불순물 원소 로서 는 , 인 ( P ) 이나 비소 ( As ) 등 을 사용 할 수 있 다 . p 형 의 불순물 원소 로서 는 , 붕소 ( B ) 나 알루미늄 ( Al ) 이나 갈륨 ( Ga ) 등 을 사용 할 수 있 다 . 여기 에서 는 , 불순물 원소 로서 , 인 ( P ) 을 사용 하 고 , n 형 의 박막 트랜지스터 를 형성 하 는 경우 에 관해서 도시 한다 .