도 13 을 참조 하 면 , 제 1 재배 선 구 조체 ( 110 ) 상 에 외부 연결 부재 ( 170 ) 가 형성 될 수 있 다 . 외부 연결 부재 ( 170 ) 는 제 1 재배 선 구 조체 ( 110 ) 에 실장 된 제 1 반도체 칩 ( 130 ) 이 위치 하 는 면 과 반대 되 는 면 에 배치 될 수 있 다 . 외부 연결 부재 ( 170 ) 는 비아 ( 174 ) 및 언더 범프 메탈 ( 176 ) 에 의해 제 1 재배 선 구 조체 ( 110 ) 의 배선 패턴 ( 114 ) 과 연결 될 수 있 다 . 층간 절연 층 ( 172 ) 은 제 1 재배 선 구 조체 ( 110 ) 의 배선 패턴 ( 114 ) 상 에 배치 될 수 있 으며 , 배선 패턴 ( 114 ) 및 비아 ( 174 ) 를 덮 을 수 있 다 . 언더 범프 메탈 ( 176 ) 은 상기 층간 절연 층 ( 172 ) 상 에 배치 될 수 있 다 .