도 9 a 및 도 9 b 는 , 도 5 의 회로도 에 도시 한 반도체 장치 의 메모리 셀 ( 190 ) 의 구성 의 일례 이 다 . 도 9 a 에 는 , 반도체 장치 의 단면 을 , 도 9 b 에 는 , 반도체 장치 의 평면 을 , 각각 나타낸다 . 또한 , 도 9 b 의 평면도 에 있 어서 는 , 절연 층 ( 154 ) , 절연 층 ( 172 ) , 배선 ( 171 ) 및 배선 ( 158 ) 은 생략 하 고 있 어 , 도면 을 간략 화 하 고 있 다 . 여기 서 도 9 a 는 도 9 b 의 A 1 - A 2 에 평행 한 방향 이 도 5 의 회로도 에 있 어서 의 열 방향 이 며 , A 1 - A 2 에 수직 인 방향 이 도 5 의 회로도 에 있 어서 의 행 방향 이 다 . 도 9 a 및 도 9 b 에 나타내 어 지 는 반도체 장치 는 , 하부 에 제 1 반도체 재료 를 사용 한 트랜지스터 ( 160 ) 를 갖 고 , 상부 에 제 2 반도체 재료 를 사용 한 트랜지스터 ( 162 ) 를 갖 는 것 이 다 . 또한 , 도 9 a 및 도 9 b 에서 는 , 제 1 행 째 의 트랜지스터 ( 160 ) 및 트랜지스터 ( 162 ) 를 표시 하 고 있 지만 , 도 5 의 회로도 에 도시 한 바 와 같이 , 제 1 행 째 부터 제 m 행 째 까지 트랜지스터 ( 160 ) 와 트랜지스터 ( 162 ) 는 , 소스 전극 ( 소스 영역 ) 과 드레 인 전극 ( 드레 인 영역 ) 이 직렬 로 접속 되 어 있 다 .