상기 제 2 반도체 층 ( 155 ) 은 상기 제 1 반도체 층 ( 151 ) 위 에 오 믹 접촉 을 위해 소정 두께 예컨대 , 1000 ~ 2000 Å 두께 로 형성 된다 . 이때 제 2 반도체 층 ( 155 ) 은 제 1 반도체 층 ( 151 ) 의 러프 니스 ( 152 ) 형상 과 동일 한 원뿔형 형상 의 러프 니스 ( 156 ) 로 형성 될 수 있 다 . 이러 한 원뿔 형태 의 러프 니스 구조 를 갖 는 제 2 도전 성 반도체 층 ( 150 ) 에 의해 외부 양자 효율 을 개선 시켜 줄 수 있 다 . 즉 , 원뿔 형태 의 러프 니스 는 활성 층 ( 140 ) 으로부터 방출 되 는 광 의 입사각 차이 를 다른 형상 들 보다 크 게 변화 시켜 줄 수 있 다 .