일부 예시 에서 , 워드 라인 ( 610 ) 을 선택 하 는 것 이 워드 라인 ( 610 ) 에 전압 을 인가 하 여 , 메모리 셀 에 대한 선택 구성 요소 가 t 2 후 일부 시간 에서 전도성 이 되 는 것 을 포함 할 수 있 다 . 일부 예시 에서 , 워드 라인 ( 610 ) 에 인가 되 는 전압 이 선택 구성 요소 가 t 3 에서 또는 그 주위 에서 전도성 이 되 는 것 을 도출 할 수 있 다 . 일부 예시 에서 , 선택 구성 요소 는 선택 된 워드 라인 ( 610 ) 과 연결 된 트랜지스터 ( 가령 , TFT ( thin - film transistor ) ) 를 포함 할 수 있 고 , 선택 된 디 지트 라인 ( 605 ) 은 선택 구성 요소 가 전도성 이 될 때 메모리 셀 내 강유 전 성 커패시터 와 연결 될 수 있 다 .