레이저 오프 신호 인가 시점 ( t 14 ) 보다 대략 250 ㎲ 초과 하 여 앞선 시점 에 갈바 노 스캐너 ( 31 ) 에 제 2 이동신 호 를 인가 하 게 되 면 , 제 1 목표 위치 에서 비 아홀 의 가공 이 완료 되 기 전 에 미러 ( 32 , 33 ) 가 제 2 위치 로 이동 하 기 시작 하 여 제 1 목표 위치 에서 가공 이 불량 처리 된다 . 한편 , 레이저 오프 신호 인가 시점 ( t 14 ) 보다 대략 100 ㎲ 미만 앞선 시점 에 갈바 노 스캐너 ( 31 ) 에 제 2 이동신 호 를 인가 하 게 되 면 , 단위 기판 당 가공 시간 을 단축 하 고자 하 는 본 발명 의 목적 을 충분히 달성 할 수 없 게 된다 .