스 페이서 ( 172 ) 가 , 경계 측벽 스 페이서 ( 185 A ) 와 반 대인 , 더미 게이트 전극 층 ( 181 ) 의 측 부 의 아이 솔 레 이 션 구조물 ( 106 ) 상 에 형성 될 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 스 페이서 ( 172 ) 는 더미 게이트 스택 ( 166 A ) 의 측벽 과 직접 접촉 하 고 그리고 / 또는 더미 게이트 유전체 층 ( 183 ) 의 최 하부 에지 로부터 더미 게이트 스택 ( 166 ) 의 최 상부 에지 로 더미 게이트 스택 ( 166 A ) 을 따라 연속 으로 연장 한다 . 스 페이서 ( 172 ) 는 산화물 , 질화물 , 실리콘 산질 화물 , 폴리 실리콘 , 또 다른 적합 한 스 페이서 재료 ( 들 ) , 전술 한 바 의 임의 의 조합 등 일 수 있 거나 달리 이 를 포함 할 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 스 페이서 ( 172 ) 는 전하 트랩 유전체 구조물 을 포함 한다 . 일부 실시 예 에서 , 스 페이서 ( 172 ) 는 , 외측 산화물 층 ( 172 o ) , 중간 질화물 층 ( 172 m ) , 및 내측 산화물 층 ( 172 i ) 을 갖 는 , 산화물 - 질화물 - 산화물 구조물 을 포함 한다 . 산화물 ( 예컨대 , SiO 2 ) , 질화물 ( 예컨대 , Si 3 N 4 ) , 또 다른 적합 한 유전체 재료 ( 들 ) , 전술 한 바 의 임의 의 조합 등 일 수 있 는 외측 더미 게이트 스 페이서 ( 172 p ) 는 , 더미 선택 게이트 전극 ( 162 A ) 으로부터 산화물 - 질화물 - 산화물 구조물 을 분리 할 수 있 다 .