본 발명자 는 상기 과제 를 해결 하 기 위하 여 예의 검토 한 결과 , 하 기 성분 을 포함 하 는 조성물 은 레지스 트 도막 의 열화 를 억제 하 면서 , 레지스 트 도막 의 표면 을 빠르 게 또 한 안정 적 으로 친수 화 할 수 있 는 것 , 반도체 기판 의 연마 시 에 , 레지스 트 도막 표면 에 당해 조성물 을 적용 하 고 , 물 을 공급 하 면서 반도체 기판 을 연마 하 면 , 레지스 트 도막 을 열화 시키 지 않 고 , 연마 부스러기 가 레지스 트 도막 에 부착 되 는 것 을 억제 할 수 있 는 것 , 현상 시 에 당해 조성물 을 레지스 트 도막 표면 에 적용 하 면 , 현상액 의 레지스 트 도막 에 대한 습윤성 이 향상 되 어 , 현상 얼룩 의 발생 을 억제 할 수 있 고 , 또한 현상 후 의 수세 · 건조 시 에 레지스 트 패턴 이 도괴 되 는 것 을 억제 할 수 있 는 것 을 찾아냈 다 . 본 발명 은 이 들 지견 에 기초 하 여 완성 시킨 것 이 다 .