포토 리소그래피 ( photolithograpgy ) 공정 은 반도체 소자 에 형성 하 고자 하 는 패턴 을 구현 하 기 위한 방법 으로 이용 되 고 있 다 . 포토 리소그래피 공정 을 수행 하 기 이전 에 , 반도체 소자 를 구현 하 는 회로 및 설계 패턴 들 이 그려진 포토 마스크 를 제작 하 는 과정 이 먼저 수행 되 고 있 다 . 예 를 들 어 , 바이너리 포토 마스크 제작 과정 을 설명 하 면 , 투명 기판 상 에 광차 단막 및 레지스 트 막 을 형성 한 후 , 노광 및 현상 공정 을 수행 하 여 구현 하 고자 하 는 회로 패턴 과 동일 한 레지스 트 패턴 을 형성 한다 . 레지스 트 패턴 을 식각 마스크 로 사용 하 여 광차 단막 을 식각 한 후 , 레지스 트 패턴 을 제거 하 는 단계 로 이루어진다 .