도 5 , 도 6 , 및 도 7 을 참조 하 면 , 제 어 게이트 전극 측벽 상 에 플로린 - 도핑 된 실리콘 산화 막 을 5 nm 의 폭 을 갖 도록 형성 한 후 제어 게이트 전극 들 사이 의 나머지 영역 을 SiO 2 로 채웠 을 때 , 제 어 게이트 전극 측벽 에 인접 하 는 영역 에서 전계 집중 의 정도 가 다른 경우 들 에 비해 크 고 ( 도 5 ) , 프로그램 상태 의 문턱 전압 이 다른 경우 들 에 비해 큰 반면 소거 상태 의 문턱 전압 은 다른 경우 들 과 차이 가 없 어 프로그램 / 소거 문턱 전압 마진 이 크 고 ( 도 6 ) , 전하 포획 층 내 에 포획 된 전하량 또한 다른 경우 들 에 비해 높 아 108 초 가 경과 한 경우 에 도 월등히 높 은 잔존 전하량 을 나타내 는 것 을 알 수 있 다 ( 도 7 ) .