상기 UDL - 1 ∼ 17 , 비교 UDL - 1 ∼ 4 를 실리콘 기판 상 에 도포 하 고 , 대기 중 , 350 ℃ 에서 60 초간 베 이크 하 여 , 막 두께 200 nm 가 되 도록 유기 막 을 형성 한 후 , 하 기 조건 으로 CF 4 / CHF 3 계 가스 에 의한 에칭 시험 을 행하 였 다 . 이 경우 , 도쿄 일렉트론 주식회사 제조 드라이 에칭 장치 TE - 8500 을 이용 하 여 , 에칭 전후 의 폴리머 막 의 막 두께 차 를 구하 였 다 . 결과 를 표 6 에 나타낸다 .