따라서 , 식각 가스 에 의해 상기 포토레지스트 층 ( 294 ) 의 일부 를 식각 함 에 따라 ( 즉 , 포토레지스트 층 ( 294 ) 을 일정 두께 로 식각 함 에 따라 ) 격벽 ( 280 ) 의 측벽 에 적층 되 는 포토레지스트 층 ( 294 ) 은 모두 제거 되 는 반면 에 , 보호 층 ( 224 ) 및 격벽 ( 280 ) 상부 의 포토레지스트 패턴 ( 294 a ) 은 일부 가 남 아 있 게 된다 . 또한 , 상기 포토레지스트 층 ( 294 ) 은 에 이싱 ( ashing ) 됨 으로써 일정 두께 가 제거 되 어 포토레지스트 패턴 ( 294 a ) 가 형성 될 수 있 다 .