상기 게이트 절 연막 ( 124 ) 상부 에 는 금속 과 같 은 도전 성 물질 로 이루어진 게이트 전극 ( 130 ) 이 반도체 층 의 중앙 에 대응 하 여 형성 된다 . 도 1 에서 게이트 절 연막 ( 124 ) 이 기판 ( 110 ) 전면 에 형성 되 어 있 으나 게이트 절 연막 ( 124 ) 은 게이트 전극 ( 130 ) 과 동일 한 모양 으로 패 터닝 될 수 도 있 다 .