그러므로 , 종래 의 메탈 게이트 ( metal gate ) 적용 시 발생 하 는 문제점 들 을 효과 적 으로 극복 하 고 , 소오 스 / 드레 인 영역 ( 19 a ) 의 저항 을 낮춤 으로써 하이 스피드 ( high speed ) 를 요구 하 는 고 성능 반도체 소자 에 적합 하 게 적용 될 수 있 으며 , 기 존 의 반도체 소자 보다 높 은 성능 을 가질 수 있 다 .