바람직 하 게 는 , 상기 박막 이 실리콘 막 이 며 , 상기 제 4 공정 에서 는 , 상기 질화 막 상 에 형성 한 박막 및 상기 질화 막 속 에 포함 되 는 Si － N , Si － Cl , Si － H 결합 중 적어도 어느 하나 의 결합 을 여기 하 여 이 결합 을 분리 하 고 , N , Cl , H 를 막 속 으로부터 제거 함 과 함께 , 결합수 가 남 은 Si 에 O 를 결합 시킴 으로써 , 상기 질화 막 상 에 형성 한 박막 및 상기 질화 막 을 상기 산질 화 막 으로 개질 한다 .