( 3 ) 다음 으로 , 도 5 에 도시 한 바 와 같이 , 고 굴절 율 영역 ( 106 ) 및 저 굴절 율 층 ( 105 a ) 의 표면 에 , 조성 을 변조 시키 면서 에피 택 셜 성장 시킴 으로써 , 저 굴절 율 층 ( 107 a ) 과 , 고 굴절 율 층 ( 108 a ) 과 , 저 굴절 율 층 ( 109 a ) 이 형성 된다 . 고 굴절 율 층 ( 108 a ) 과 저 굴절 율 층 ( 109 a ) 은 , 교대 로 적층 된다 . 저 굴절 율 층 ( 107 a ) 및 저 굴절 율 층 ( 109 a ) 은 , 예 를 들 면 p 형 Al 0 . 9 Ga 0 . 1 As 층 으로 이루어질 수 있 다 . 고 굴절 율 층 ( 108 a ) 은 , p 형 Al 0 . 1 Ga 0 . 9 As 층 으로 이루어질 수 있 다 . 이렇게 해서 , 2 미러 ( 104 a ) 가 형성 된다 .