이어서 , 레지스 트 막 을 UV , 원 - UV , EB , 파장 3 ∼ 15 nm 의 EUV , X 선 , 연 X 선 , 엑 시머 레이저 광 , γ 선 또는 싱크로트론 방사선 과 같 은 고 에너지 선 을 이용 하 여 원 하 는 패턴 으로 노광 한다 . 고 에너지 선 으로서 자외선 , 원자외선 , EUV , X 선 , 연 X 선 , 엑 시머 레이저 , γ 선 또는 싱크로트론 방사선 을 이용 하 는 경우 는 , 목적 으로 하 는 패턴 을 형성 하 기 위한 마스크 를 이용 하 여 , 바람직 하 게 는 약 1 ∼ 200 mJ / ㎠, 더 바람직 하 게 는 약 10 ∼ 100 mJ / ㎠ 의 노광량 으로 조사 한다 . 고 에너지 선 으로서 EB 를 이용 하 는 경우 는 , 바람직 하 게 는 약 0 . 1 ∼ 100 μ C / ㎠, 더 바람직 하 게 는 약 0 . 5 ∼ 50 μ C / ㎠ 의 노광량 으로 직접 또는 목적 으로 하 는 패턴 을 형성 하 기 위한 마스크 를 이용 하 여 묘화 한다 . 또 , 본 발명 의 레지스 트 재료 는 , 특히 고 에너지 선 중 에서 도 KrF 엑 시머 레이저 , ArF 엑 시머 레이저 , EB , EUV , X 선 , 연 X 선 , γ 선 또는 싱크로트론 방사선 에 의한 미세 패 터닝 에 적합 하 며 , 특히 EB 또는 EUV 에 의한 미세 패 터닝 에 적합 하 다 .