층간 절연 층 으로 기존 에 는 USG ( Un - doped Silicate Glass ) 가 사용 되 었 다 . 그러나 고전압 을 사용 하 는 반도체 소자 에서 는 전기 누설 을 방지 하 기 위하 여 도핑 된 규산염 유리질 ( doped silicate glass ) 의 산화 막 의 사용 이 요구 된다 . 이러 한 도핑 된 규산염 유리질 의 경우 평탄 화 및 보이드 의 제거 를 위하 여 일반 적 으로 리플 로우 ( reflow ) 공정 이 사용 된다 . 리플 로우 공정 의 경우 800 ∼ 900 ℃ 이상 의 고온 에서 이루어진다 . 그러나 리플 로우 공정 을 진행 하 는 온도 에서 는 하부 에 존재 하 는 실리사이드 의 분해 로 인한 끊김 현상 이 발생 할 수 있 다 .