상술 한 바 와 같이 , 본 발명 에 따르 면 , 절연 층 위 에 형성 된 소자 반도체 층 의 금속 원소 들 을 포획 하 여 고정 시키 는 게터 링 영역 을 포함 한다 . 이 에 따라 , 상기 소자 반도체 층 에 형성 되 는 집적회로 의 금속 오염 을 최소 시킬 수 있 다 . 그 결과 , 우수 한 특성 을 가지 면서 고도 로 집적 화 된 반도체 소자 를 구현 할 수 있 다 .