상기 한 방법 에 의하 여 기판 에 코팅 된 포토레지스트 조성물 을 20 ℃ 내지 100 ℃ 의 온도 로 가열 하 여 , 소프트 베 이크 공정 을 수행 한다 . 이러 한 처리 는 포토레지스트 조성물 중 고체 성분 을 열분해 시키 지 않 으면서 , 용매 를 증발 시키 기 위하 여 행한다 . 일반 적 으로 소프트 베 이크 공정 을 통하 여 용매 의 농도 를 최소 화 하 는 것 이 바람직 하 며 , 따라서 이러 한 처리 는 대부분 의 용매 가 증발 되 어 포토레지스트 조성물 의 얇 은 피 복막 이 기판 에 남 을 때 까지 수행 한다 .