본원 발명 은 반도체 제조 공정 중 종횡비 가 큰 미세 실리콘 패턴 을 구현 하 기 위한 공정 을 제공 하 기 위한 목적 을 갖 는 것 으로서 , 미세 실리콘 패턴 을 형성 하 기 위하 여 패턴 하부 에 남 아 있 는 유기 탄소막 불순물 및 흄 에 의한 불순물 을 제거 하 기 위하 여 세정 공정 을 진행 함 으로서 리프팅 없이 원 하 는 패턴 을 형성 하 는 신규 의 세정 방법 에 관한 것 으로 , 미세 패턴 형성 방법 을 제공 하 는 효과 를 나타내 는 것 이 다 .