다음 으로 , 보호 절 연막 ( 62 ) 에 대해서 패 터닝 이 행해진다 . 여기 서 는 , 화소 부 ( 14 ) 에서 는 평탄 화 막 ( 64 ) 이 제거 된 개소 의 보호 절 연막 ( 62 ) 이 제거 되 고 , 단자 부 ( 20 ) 에서 , COG 기술 혹은 OLB 기술 에서 의 접속 부 에 대응 하 는 단자 용 접속 배선 ( 124 ) 과 단자 용 IZO 막 의 적층 배 선부 의 부분 의 보호 절 연막 ( 62 ) 이 제거 된다 . 보호 절 연막 ( 62 ) 의 패 터닝 에 는 SF 6 혹은 CF 4 + O 2 등 의 에칭 가스 를 이용한 드라이 에칭 혹은 버퍼 드 불 산 ( BHF ) 을 이용 한 웨트 에칭 이 이용 되 는 것 도 마찬가지 이 다 . 이 보호 절 연막 ( 62 ) 의 패 터닝 시 , 그 개구부 에서 는 접속 배선 층 의 최상층 인 티탄 위 에 IZO 막 이 있 으므로 , 보호 절 연막 ( 62 ) 의 패 터닝 에서 의 생 성 부착물 의 티탄 에 의 영향 을 회피 할 수 있 다 .