대표 적 으로 는 , 반도체 층 ( 108 a ) 에 금속 원소 의 원자 수비 가 In : Ga : Zn = 1 : 1 : 1 또는 그 근방 인 금속 산화 물막 을 사용 하 고 , 반도체 층 ( 108 b ) 에 금속 원소 의 원자 수비 가 In : Ga : Zn = 4 : 2 : 3 , In : Ga : Zn = 5 : 1 : 6 , 또는 이 들 의 근방 인 금속 산화 물막 을 사용 하 는 것 이 바람직 하 다 .