따라서 , 본 발명 에서 는 배선 영역 ( 150 ) 의 배선 ( 151 ) 들 의 단차 면 에 가해 지 는 충격 을 완화 하 여 배선 ( 151 ) 들 을 보호 하 기 위하 여 , 제 2 절연 층 ( 114 ) 을 배선 영역 ( 150 ) 의 도전 성 배선 ( 151 ) 들 상 에 도 연장 하 여 동시 에 형성 한다 . 제 2 절연 층 ( 114 ) 은 상술 한 대로 박막 트랜지스터 ( 130 ) 와 유기 발광 소자 ( 140 ) 사이 에 형성 되 어 박 막 트랜지스터 ( 130 ) 를 포함 한 면 을 평탄 화 시키 는 역할 을 하 는 것 으로 충분 한 두께 로 형성 되 기 때문 에 , 배선 영역 ( 150 ) 의 제 1 절연 층 ( 113 ) 상 에 형성 될 경우 , 제 1 절연 층 ( 113 ) 의 스텝 커버리지 가 양호 하 지 않 은 경우 에 도 배선 ( 151 ) 들 에 가해 지 는 외부 의 충격 을 완화 하 여 배선 ( 151 ) 들 의 쇼트 를 방지 할 수 있 다 . 또한 , 화소 영역 ( 120 ) 의 평탄 화 공정 시 사용 되 는 제 2 절연 층 ( 114 ) 과 동일 한 물질 로 오픈 마스크 로 배선 영역 ( 150 ) 에 도 동시 에 형성 할 수 있 기 때문 에 복잡 한 추가 공정 을 요하 지 않 고 용이 하 게 형성 할 수 있 다 .