또한 , 화소 전극 과 인접 한 화소 전극 사이 에 는 기생 커패시턴스 ( parasitic capacitance ) 가 발생 하 게 되 는데 , 첫 번 째 라인 화소 의 경우 에 는 인접 한 화소 전극 이 다른 라인 의 화소 와 다른 형태 를 띠 므로 첫 번 째 라인 화소 의 기생 커패시턴스 또한 다른 라인 화소 의 커패시턴스 와 는 다른 값 을 가진다 .