상기 제 1 영역 ( 441 ) 의 제 1 광 추출 구조 ( F 1 ) 는 프리즘 형상 의 패턴 또는 오목 한 반구형 형상 의 패턴 이 하나 또는 복수 로 배치 될 수 있 다 . 상기 패턴 들 은 상기 제 2 영역 ( 442 ) 로부터 반사 된 광 또는 상기 기판 방향 으로부터 전달 된 광 들 을 확산 시켜 추출 할 수 있 다 . 상기 제 1 영역 ( 441 ) 의 제 1 광 추출 구조 ( F 1 ) 는 상기 발광 소자 ( 100 ) 의 상부 및 후방 영역 으로 진행 하 는 광 을 추출 하 여 암부 발생 을 억제 할 수 있 다 . 다른 예 로서 , 상기 제 1 영역 ( 441 ) 은 상기 제 1 측면 ( S 11 ) 에 인접 할수록 점차 낮 은 높이 또는 작 은 두께 를 갖 고 배치 될 수 있 다 . 이 는 발광 소자 ( 100 ) 의 후 방향 으로 가 는 광 의 손실 을 줄이 고 암부 발생 을 억제 할 수 있 다 .