도체 들 ( 408 ) 위 에 놓이 는 실리콘 필라 들 을 형성 하 기 위해 ( 도시 된 바 와 같이 ) n + 실리콘 층 ( 416 ) 및 진성 실리콘 층 ( 418 ) 의 형성 에 이어 , n + 실리콘 층 ( 416 ) , 진성 실리콘 층 ( 418 ) , 및 장벽층 ( 414 ) 이 패 터닝 되 고 에칭 된다 . 실리콘 필라 ( 420 ) 을 형성 하 기 위해 소프트 또는 하드 마스크 를 사용 한 통상 의 리소그래피 기술 들 , 및 습식 또는 건식 에칭 가공 이 사용 될 수 있 다 .