3 차원 메모리 장치 를 위한 메모리 핑거 구조 및 아키텍처 와 그 제조 방법 의 실시 예 가 개시 된다 . 메모리 장치 는 제 1 기판 상 에 배치 된 교번 층 스택 을 포함 하 는데 , 교번 층 스택 은 복수 의 전도체 / 유전체 층 쌍 을 포함 한다 . 메모리 장치 는 교번 층 스택 을 통해 연장 되 는 수직 메모리 스트링 의 제 1 열 과 , 제 1 방향 을 따라 변위 되 고 제 2 방향 을 따라 연장 되 는 제 1 복수 의 비트 라인 을 더 포함 한다 . 수직 메모리 스트링 의 제 1 열 은 제 2 방향 에 대해 제 1 각도 로 배치 된다 . 제 1 복수 의 비트 라인 의 각각 은 제 1 열 내 의 개별 수직 메모리 스트링 에 접속 된다 .