메모리 셀 ( 500 ) 은 자유 층 ( 110 ) 의 하부 상 의 스핀 축적 토크 와 자유 층 ( 110 ) 의 상부 표면 상 의 스핀 전달 토크 를 조합 한다 . RL ( 106 ) 과 편광 층 ( 506 ) 의 자화 방향 들 이 역 평행 이 라면 , 2 개 의 토크 들 은 그 들 의 효과 에 있 어서 가산 적 이 고 ( additive ) , 함께 작용 하 여 종래 기술 의 ( 단일 의 ) STT 에 비해 더 낮 은 기록 전류 ( 504 ) ( MTJ ( 101 ) 를 통해 T 1 로부터 T 2 로 ) . 이 는 터널 장벽 ( 108 ) 에 대한 손상 을 감소 시킨다 . 그러나 , 본 명세서 에 기술 된 종래 의 스핀 축적 ( 단일 의 ) MRAM 셀 실시 예 들 과 는 달리 , 도 8 의 실시 예 는 터널 장벽 을 통한 기록 전류 를 완전히 제거 하 지 못한다 .