도 26 a 와 도 26 b 는 일 실시 형태 에 있 어서 상이 한 단면 에 따른 제조 단계 에서 의 FinFET 디바이스 ( 100 B ) 의 단면도 를 도시 한다 . 도 26 a 와 도 26 b 의 실시 형태 는 도 25 a 와 도 25 b 의 실시 형태 와 유사 하 다 . 그러나 , P 타입 일함수 층 ( 83 및 84 ) 는 핀 ( 64 B ) 의 상부 면 위 에서 서로 연결 되 지 않 으며 , P 타입 일함수 층 ( 83 및 84 ) 사이 에 갭 이 있 다 . 결과 적 으로 , N 타입 일함수 층 ( 85 ) 의 일부 가 갭 을 충전 하 며 , 게이트 유전체 층 ( 82 ) 및 P 타입 일함수 층 ( 83 / 84 ) 의 각 측벽 과 물리 적 으로 접촉 한다 .