도 9 에 도시 된 피 - 에 피 - 피 웰 - 공핍 형 트랜지스터 는 도 8 에 도시 된 피 - 에 피 - 피 웰 형 트랜지스터 에서 도 7 에 도시 된 N 타입 으로 도핑 된 N - 타입 채널 영역 ( 27 ) 을 갖 는 경우 이 다 . 도 9 에 도시 된 피 - 에 피 - 피 웰 - 공핍 형 트랜지스터 는 N 타입 으로 도핑 된 N - 타입 채널 영역 ( 27 ) 을 갖 으므로 , 음 의 문턱 전압 을 갖 는다 . 따라서 , 앞서 설명 한 바 와 같이 , 도 9 에 도시 된 피 - 에 피 - 피 웰 - 공핍 형 트랜지스터 는 암 전류 를 줄일 수 있 다 .