또한 , 도전 층 들 의 에칭 ( 단계 120 ) 및 유전체 층 들 의 에칭 ( 단계 130 ) 은 상이 한 프로세싱 챔버 들 에서 통상 적 으로 수행 된다 . 예컨대 , 유전체 층 은 유전체 에칭 챔버 에서 통상 적 으로 에칭 되 고 , 금속 - 함유 도전 층 은 금속 에칭 챔버 에서 통상 적 으로 에칭 되 며 , 실리콘 - 함유 도전 층 은 실리콘 에칭 챔버 에서 통상 적 으로 에칭 된다 . 다수 의 경우 들 에서 , 웨이퍼 상 에 다수 의 도전 및 / 또는 유전체 층 들 이 있 을 수 도 있 고 , 이 경우 에 , 모든 층 들 을 통해 에칭 하 기 위해 다수 의 상이 한 챔버 들 사이 에서 웨이퍼 를 이송 할 필요 가 있 을 수 도 있 다 . 또한 , 전용 챔버 들 은 상이 한 물리 적 인 위치 들 에서 설치 될 수 도 있 다 . 따라서 , 개별 적 인 전용 에칭 챔버 들 에서 의 상이 한 층 들 의 에칭 은 상당 한 부가 적 인 프로세싱 비용 및 복잡도 를 결과 로 발생 시킬 수 도 있 다 . 역 으로 , 단일 플 라즈 마 프로세싱 챔버 에서 층 의 각각 의 타입 을 에칭 하 는 것 은 유리 하 게 프로세싱 비용 및 복잡도 를 감소 시킬 수 도 있 다 .