그러나 , 이 종래 의 방법 에서 는 레지스 트 패턴 ( 193 ) 을 제거 한 후 에 , 도 10 a 에 나타낸 바 와 같이 컨 택트 홀 ( 127 t , 127 b ) 내 에 레지스 트 패턴 ( 193 ) 으로부터 변질 된 물질 ( 194 ) 이 잔존 하 기 쉽 다 . 이러 한 현상 은 , 특히 강유전체 커패시터 의 상측 에 수소 배리 어막 으로서 기능 하 는 알루미늄 산화 막 ( 125 ) 이 형성 된 경우 에 현저 하 다 . 이 때문 에 , 도 10 b 에 나타낸 바 와 같이 컨 택트 플러그 ( 129 t , 129 b ) 와 상부 전극 및 하부 전극 사이 에 물질 ( 194 ) 이 개재 되 어 이 부분 의 컨 택트 저항 이 높 아 지 기 쉽 다 . 레지스 트 패턴 ( 193 ) 을 제거 하 기 위한 애 싱 시간 ( ashing time ) 및 파워 ( power ) 를 증가 시키 면 물질 ( 194 ) 을 잔존 하 기 어렵 게 하 는 것 은 가능 하 지만 , 강유전체 커패시터 ( C ) 에 악영향 을 미치 게 된다 .