현재 의 반도체 제조 에서 사용 되 는 통상 적 인 프로세스 툴 은 수천 개 의 프로세스 변수 들 의 세트 에 의해 설명 될 수 있 다 . 이 변수 들 은 일반 적 으로 제조 프로세스 에서 사용 되 는 툴 및 / 또는 제조 프로세스 의 물리 적 파라미터 들 에 관한 것 이 다 . 일부 경우 에 는 , 이러 한 수천 개 의 변수 들 중 에서 , 수백 개 의 변수 들 이 동적 일 것 이 다 ( 예 를 들 어 , 제조 프로세스 동안 또는 제조 프로세스 들 사이 에 시변 됨 ) . 동적 변수 들 , 예 를 들 어 , 가스 흐름 , 가스 압력 , 전달 전력 , 전류 , 전압 및 온도 는 , 예 를 들 어 , 특정 처리 법 , 처리 단계 들 의 전체 시퀀스 에서 의 특정 단계 나 일련 의 단계 들 , 제조 프로세스 동안 발생 하 는 에러 와 장애 , 또는 특정 툴 이나 챔버 의 사용 에 기초 하 는 파라미터 값 의 변화 에 기초 하 여 변화 한다 .