다층 커패시터 ( C 1 ) 에서 , 복수 의 갭 ( 13 ) 각각 의 최대 길이 는 제 2 전극 층 ( E 2 ) 의 두께 방향 을 따른 단면 에서 1 내지 20 μ m 의 범위 내 에 있 다 . 복수 의 갭 ( 13 ) 각각 의 최대 길이 가 제 2 전극 층 ( E 2 ) 의 두께 방향 을 따른 단면 에서 1 μ m 보다 짧 은 경우 , 수분 으로부터 생성 된 기체 는 갭 ( 13 ) 내부 로 이동 하 지 않 는 경향 이 있 을 수 있 다 . 복수 의 갭 ( 13 ) 각각 의 최대 길이 가 제 2 전극 층 ( E 2 ) 의 두께 방향 을 따른 단면 에서 20 μ m 보다 큰 경우 , 제 2 전극 층 ( E 2 ) 에 수분 이 잔류 하 는 경향 이 있 을 수 있 고 기체 생성량 이 증가 할 수 있 다 . 따라서 , 다층 커패시터 ( C 1 ) 는 기체 생성량 의 증가 를 신뢰 성 있 게 제어 하 고 제 2 전극 층 ( E 2 ) 에서 의 기체 이동의 억제 를 신뢰 성 있 게 감소 시킨다 .