본 발명 은 박막 트랜지스터 ( thin film transistor ) 에 관한 것 으로서 , 특히 , 저 비용 으로 제조 하 고 , 유해 환경 문제 를 해결 하 며 , 성능 을 향상 시킬 수 있 을 뿐 만 아니 라 특정 유형 의 전자 기기 에 널리 적용 될 수 있 도록 하 는 산화 티타늄 을 활성 층 으로 갖 는 박막 트랜지스터 제조 방법 및 그 구조 에 대한 것 이 다 .