절연성 베리 어막 ( 520 ) 은 도전 층 들 ( 512 a ~ 512 d ) 이나 도전 층 들 ( 512 a ~ 512 d ) 을 격리 하 는 절연 층 들 ( 510 a ~ 510 e ) 을 식각 하 기 위한 식각 제 에 의해 도전 층 이나 절 연막 보다 덜 식각 되 는 물질 ( 바람직 하 게 는 , 식각 되 지 않 는 물질 ) 로 형성 한다 . 예 를 들 어 , 절연성 베리 어막 ( 520 ) 은 질화 막 으로 형성 할 수 있 다 . 한편 , 절연성 베리 어막 ( 520 ) 은 후속 공정 에서 형성 되 는 다층막 의 유전 상수 값 보다 더 큰 유전 상수 값 을 갖 는 절 연막 으로 형성 되 는 것 이 바람직 하 다 . 예 로써 , 절연성 베리 어막 ( 520 ) 은 Al 2 O 3 막 또는 HfO 2 막 으로 형성 할 수 있 다 .