본 발명 의 조성물 은 반도체 의 제조 에서 후속 작업 에 요구 될 수 있 는 것 들 과 같 은 기판 상 에서 수행 되 는 다양 한 세정 작업 에 유용 하 다 . 본 명세서 에 사용 되 는 바 와 같이 , 기판 의 세정 "" 은 에칭 ", 잔류물 및 / 또는 미립자 의 제거 , 기판 의 패 시베이 션 처리 ( passivating ) ( 예 를 들 어 , 주위 조건 에 노 출시 산화 를 방지 하 기 위한 수소 - 종결 규소 ( hydrogen - terminating silicon ) ) , 헹굼 및 건조 중 임의 의 것 을 말 한다 . 본 명세서 에 사용 되 는 바 와 같이 , " "" 기판 "" 은 규소 ", 다결정 규소 , 게르마늄 , GaAs , InP , 및 기타 III - V 족 및 II - VII 족 화합물 반도체 를 비롯 한 , 반도체 제조 에서 이용 되 는 웨이퍼 및 칩 을 말 한다 . 본 조성물 은 산화 규소 및 기타 무기 산화물 과 같 은 무기 입자 , 및 오 일 및 그리스 ( grease ) 와 같 은 유기 잔류물 둘 모두 를 실리콘 웨이퍼 표면 으로부터 효과 적 으로 제거 하 여 , 소수성 규소 표면 을 노출 시키 고 추가 로 친수성 산화 규소 를 소수성 수소 화 규소 로 전환 시킬 수 있 다 . 그 결과 , 이 들 세정 단계 중 다수 ( 예 를 들 어 , 에칭 , 헹굼 및 건조 ) 가 단일 단계 로 조합 될 수 있 다 . 추가 로 본 발명 의 조성물 은 유전체 , " 포토레지스트 또는 금속 의 플 라즈 마 애 싱 또는 에칭 으로부터 남겨진 "" 에칭 후 잔류물 "" 의 제거 에 유용 하 다 . "