이상 에서 와 같이 , 본 발명 은 소자 분리 막 형성 을 위한 트렌치 내 에 형성 하 는 라이너 질화 막 을 NMOS 형성 영역 에 만 형성 하 고 , PMOS 형성 영역 에 는 형성 하 지 않 음 으로 인해서 , PMOS 형성 영역 에 형성 된 라이너 질화 막 으로 인한 발생 하 는 문제점 들 을 해결 할 수 있 으며 , 또한 , NMOS 형성 영역 에서 의 라이너 질화 막 의 특성 을 그대로 살릴 수 있 어 리프 레 쉬 특성 을 향상 시킬 수 있 다 .