전술 한 바 와 같이 , 종래 의 STI 공정 을 이용 한 소자 분리 막 형성 방법 에서 캐 패 시 터 에 축전 되 는 전하 의 유지 시간 ( data charge retention time ) 을 증가 시키 기 위해 라이너 질화 막 을 형성 한다 . 이렇게 , 소자 분리 막 용 트렌치 내 에 라이너 질화 막 을 형 성함 으로써 데 이타 전하 ( data charge ) 가 축전 되 는 캐 패 시터 와 연결 된 접합 ( storage node junction ) 의 누설 전류 가 감소 되 면서 캐 패 시 터 에 저장 된 전하 의 자연 적 인 방전 시간 이 증가 하 게 된다 .