한편 , 상기 하부 반도체 층 의 첫 번 째 층 및 마지막 층 은 제 1 재료 층 일 수 있 으며 , 여기 서 , 제 1 재료 층 은 SiO 2 층 일 수 있 다 . 나아가 , 상기 하부 반도체 층 의 첫 번 째 층 이 나머지 층 들 에 비해 상대 적 으로 더 두 꺼 울 수 있 다 . 이 에 따라 , 상기 하부 반도체 층 의 접착력 을 향상 시킬 수 있 다 .