먼저 , 도 7 을 참조 하 면 , 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 반도체 디바이스 는 서브 스트레이트 ( 110 ) 와 절연 부재 ( 11 ) 로 구성 된 리드 프레임 스트립 은 금속 가장자리 의 내측 이 고정 부재 ( 40 ) 에 의해 감싸 지 도록 형성 될 수 있 다 . 그리고 상기 고정 부재 ( 40 ) 는 상기 리드 프레임 스트립 의 구조 에서 리드 프레임 영역 보다 외곽 으로 더 돌출 되 도록 형성 될 수 있 다 . 여기 서 , 상기 고정 부재 ( 40 ) 는 에폭시 몰드 컴 파운드 ( EMC ) 로 형성 될 수 있 다 .