채널 층 ( 530 a , 530 b , 530 c ) 은 폴리 실리콘 층 으로 형성 할 수 있 다 . 이 로써 , 제 1 채널 홀 ( 514 a ) 내부 의 폴리 실리콘 층 에 의해 제 1 수직 채널 층 ( 530 a ) 이 형성 되 고 , 제 2 채널 홀 ( 514 b ) 내부 의 폴리 실리콘 층 에 의해 제 2 수직 채널 층 ( 530 b ) 이 형성 되 고 , 파이프 게이트 도전 층 ( 504 ) 의 트렌치 ( 506 ) 내부 의 폴리 실리콘 층 에 의해 파이프 채널 층 ( 530 c ) 이 형성 된다 .