발명자 는 재료 를 성형 하 기 위한 일부 예 와 본 문서 에 명시 된 임의 의 방법 을 구현 할 때 에 도 매우 특별 한 성형 기술 은 직접 광 처리 ( DLP ) 임 을 발견 했 다 . 첫째 , " AM 공정 의 광경 화 제품군 에서 평면 동시 경화 로 평면 을 달성 하 기 위해 광 패턴 을 평평 하 게 투영 하 여 속도 를 쉽 게 얻 을 수 있 다 . 따라서 모든 단계 에서 빛 의 전체 패턴 ( 또는 선택 된 수지 에 대한 다른 관련 파장 ) 이 그 순간 성형 될 표면 에 적용 되 어 가공 되 는 층 에 의도 된 전체 형상 동시 에 경화 한다 . 이 는 그 시점 에서 제조 된 층 의 의도 된 "" 픽셀 "" 에 적절 한 파장 을 비추 는 DLP ( Direct Light Processing ", 광경 화 방식 ) 프로젝터 와 유사 한 시스템 의 사용 으로 얻 을 수 있 다 . 또한 , 보완 된 기술 을 통해 얻 을 수 있 는 기하학 적 복잡 성 을 유연 하 게 할 수 있 다 . 하나 의 예 로 경화 반응 이 적절 한 파장 에 노출 되 는 경우 어떤 수단 , 즉 산소 에 의해 방해 가능 한 광 중합체 의 용도 일 수 있 다 . 이러 한 예 에서 , " 매우 복잡 한 형상 을 매우 빠른 방법 으로 달성 할 수 있 다 . 금속 성분 은 종종 수지 함 침조 에서 현 탁 상태 에 있 다 . 전체 영역 이 한 번 에 경화 되 는 "" 프로젝터 타입 "" 시스템 의 경우 ", 본 발명자 들 은 일부 경우 에 많 은 픽셀 을 갖 는 시스템 을 사용 하 는 것 이 유리 함 을 발견 했으며 , 이러 한 경우 다른 실시 예 에서 0 . 9 M ( M 은 백만 화소 를 의미 ) , 2 M , 8 M 이상 및 심지어 10 M 이상 이 바람직 하 다 . 발명자 는 일부 대형 부품 의 경우 해상도 가 너무 높 을 필요 가 없 으므로 경화 가 발생 하 는 표면 에서 상당히 큰 픽셀 크기 가 허용 된다는 점 을 주목 했 다 . 다른 예 에서 이러 한 경우 에 , 픽셀 크기 가 12 , 55 , 120 제곱 마이크로미터 이상 및 510 제곱 마이크로미터 이상 이 다 . 한편 , 일부 구성 요소 는 더 높 은 해상도 를 요구 하 므로 195 , 95 , 45 마이크로미터 이하 및 8 마이크로미터 이하 의 픽셀 크기 를 목표 로 한다 . 발명자 는 매우 높 은 해상도 가 필요 한 대형 구성 요소 또는 구성 요소 의 경우 더 큰 영역 을 커버 할 수 있 도록 이러 한 투영 시스템 의 매트릭스 또는 매트릭스 의 다른 포인트 에 연속 적 으로 이동 하 는 단일 프로젝터 를 갖 는 것 이 유리 하 다 . 연속 인쇄 가 가능 하 거나 경화 표면 의 여러 지점 에서 동시 에 경화 를 할 수 있 는 한 , 빛 의 소스 ( 가시 적 이 든 아니 든 , 선택 된 파장 , 즉 선택 된 파장 ) 는 DLP 프로젝터 이외 의 것 일 수 도 있 습니다 . 발명자 들 은 속도 를 위해서 수지 표면 에 도달 하 는 고밀도 의 적절 한 광자 를 갖 는 것 이 일부 용도 에 유리 함 을 발견 했 다 . 이런 의미 에서 일부 응용 분야 에서 는 루멘 이 높 은 광원 을 사용 하 는 것 이 좋 다 . 다른 실시 예 에서 , 사용 된 물질 을 경화 시키 는 스펙트럼 에서 1100 , 2200 , 4200 개 이상 및 심지어 11000 개 이상 이 바람직 하 다 . 비용 최적화 를 위해 , 사용 된 재료 를 경화 시킬 수 있 는 파장 에서 방출 된 광원 을 권장 할 수 있 으며 , 일부 적용 의 경우 27 %, 52 %, 78 % 이상 , 심지어 96 % 이상 이 바람직 하 다 . 발명가 는 또한 일부 응용 예 에서 3000 , 8400 , 12000 , 23000 이상 및 110000 이상 의 다른 구체 예 에서 전체 광자 증가 가 가능 하 며 광자 증강 제 의 사용 도 발견 했 다 . 발명가 는 이러 한 경우 에 12 %, 22 %, 32 %, 43 % 이상 및 52 % 이상 의 양자 효율 을 갖 는 다른 구체 적 인 예 에서 광 음극 을 사용 하 는 것 이 종종 흥미 롭 다 ( 효율 성 은 사용 된 물질 을 효율 적 으로 경화 시킬 수 있 는 파장 범위 내 의 최대 효율 이 다 ) . 일부 응용 의 경우 , GaA 및 심지어 GaAsP 에 기반 한 광 음극 이 특히 유리 하 다 . 발명가 는 다른 구현 에서 의 이러 한 적용 에 대해 고속 경화 물질 이 사용 될 수 있 음 을 발견 했으며 , 0 . 8 초 , 0 . 4 초 , 0 . 08 초 이하 심지어 0 . 008 초 이하 의 경화 시간 이 바람직 하 다 . 이러 한 광자 밀도 및 / 또는 빠른 경화 재료 를 사용 할 때 , 32 fps , 64 fps , 102 fps , 및 220 fps 이상 높 은 프레임 프로젝터 또는 일반 적 인 패턴 선택기 가 종종 적절 하 다 . 본 발명가 는 이 단락 에 설명 된 접근 방식 이 금속 단계 를 포함 하 지 않 고 유기 물질 이나 여러 가지 에 사용 될 때 나 특정 온도 에 대한 노출 을 포함 한 후처리 가 있 거나 없 을 경우 에 도 매우 특별 한 결과 를 발견 했 다 . 특히 , 높 은 경화 속도 가 사용 되 는 경우 , 일반 적 으로 이 방법 을 여러 번 적용 할 때 , 제조 되 는 재료 층 의 유동 을 돕 는 것 은 때때로 유리 하 다 . 이 는 고점 도 유체 ( 예 를 들 어 , 금속 성 미립자 첨가물 을 갖 는 광경 화성 수지 를 포함 하 는 물질 ) 를 사용 하 는 경우 에 도 특히 그러 하 다 . 층 이 완성 되 고 성형 된 재료 가 이동 하 며 제조 되 는 물질 이 개방 된 공극 을 채우 기 위해 유동 해야 할 때 와 같이 재료 를 원하 는 곳 으로 유동 시키 기 위해 몇 가지 방법 을 사용 할 수 있 다 . 이러 한 경우 , 본 발명가 는 바닥 또는 함침 조 흡입 또는 가압 에 기반 한 기술 이 매우 유리 함 을 발견 했 다 . 가압 은 가스 , 또는 중량 이 없 거나 액 츄 에 이터 가 있 는 플레이트 를 사용 하 여 수행 할 수 있 다 . 특히 진공 시스템 및 선택 적 막 으로 구현 가능 하 다 . 재료 가 경화 될 수 있 도록 하 기 위해 , 일반 적 으로 재료 에 포함 된 단량체 ( 다른 단량체 및 심지어 과 대체 의 혼합물 일 수 있 음 ) 는 적용 된 파장 내 에서 중합 가능 해야 한다 . 일반 적 으로 , 본 출원 에서 사용 되 는 성형 기술 이 DLP 인 경우 , 경화 는 다른 파장 범위 에서 이루어진다 . 520 - 2760 nm , 580 - 2340 nm , 630 - 2120 nm , 710 - 1930 , 및 심지어 940 - 1210 nm 범위 의 다른 예 에서 , 위 에 명시 된 파장 범위 에서 경화 되 는 물질 은 본 출원 의 일부 구현 에서 사용 된다 .