이후 , 상기 게이트 도전 막 및 상기 게이트 배리 어막 을 부분 적 으로 제거 하 여 , 상기 갭 내부 에 각각 게이트 도전 패턴 및 게이트 배리어 패턴 을 형성 할 수 있 으며 , 이 들 은 함께 셀 게이트 전극 을 형성 할 수 있 다 . 예 시 적 인 실시 예 들 에 따르 면 , 상기 게이트 도전 막 및 상기 게이트 배리 어 막 은 습식 식각 공정 을 통해 부분 적 으로 제거 될 수 있 다 .