또한 본 실시 예의 발광 장치 ( 1 ) 에서 는 LED 칩 ( 10 ) 으로서 청색광 을 방사 하 는 GaN 계 청색 LED 칩 을 이용 하 고 있 다 . 또한 , 색 변환 층 ( 70 ) 의 형광체 로서 LED 칩 ( 10 ) 으로부터 방사 된 청색광 에 의해 여기 되 어서 황 색광 을 방사 하 는 입자 형상 의 황색 형광체 를 이용 하 고 있 다 . 그러므로 , 본 실시 예의 발광 장치 ( 1 ) 에 따르 면 , LED 칩 ( 10 ) 으로부터 방사 되 어 투광 성 밀봉 부 ( 50 ) , 광학 부재 ( 40 ) , 공기층 ( 80 ) , 커버 부재 ( 60 ) 및 색 변환 층 ( 70 ) 을 통과 한 청색광 과 , 색 변환 층 ( 70 ) 의 황색 형광체 로부터 방사 된 황 색광 의 혼색 광 으로 이루어지 는 백색광 을 얻 을 수 있 다 .