본 개시 내용 은 반도체 웨이퍼 상 에 형성 된 피처 의 평탄 화 를 관리 하 기 위한 기술 을 설명 하 고 있 다 . 개시 된 기술 은 웨이퍼 표면 상 의 다양 한 영역 내 에 형성 된 마이크 로 범프 의 패턴 밀도 를 조정 함 으로써 웨이퍼 표면 상 에 형성 된 마이크 로 범프 구조물 의 상대 적 평탄 화 를 달성 한다 . 주어진 웨이퍼 표면 영역 내 에 형성 된 마이크 로 범프 의 표면 적 크기 는 확대 되 거나 축소 되 어 패턴 밀도 를 변경 할 수 있 다 . 더미 마이크 로 범프 가 주어진 웨이퍼 표면 영역 에 삽입 되 어 패턴 밀도 를 증가 시킬 수 있 다 .