또한 , 제 1 실시 형태 에 관한 불휘발성 반도체 기억 장치 ( 100 ) 에 는 U 자 형상 반도체 층 ( 63 ) 은 중 공부 를 갖 도록 형성 된다 . 이 구성 에 의해 , 백 게이트 홀 ( 24 ) 의 직경 , 제 1 메모리 홀 ( 35 a ) 의 직경 및 제 2 메모리 홀 ( 35 b ) 의 직경 에 의존 하 지 않 고 소정 의 두께 를 갖 는 U 자 형상 반도체 층 ( 63 ) 을 형성 하 는 것 이 가능 하 다 . 상세히 기술 하 자면 , 제 1 실시 형태 에 관한 불휘발성 반도체 장치 ( 100 ) 는 제 조시 의 개구부 직경 의 편차 에 관계없이 메모리 트랜지스터 MTrmn 의 특성 을 유지 하 는 것 이 가능 하 다 .