본 발명 은 반도체 제조 방법 에 관한 것 으로서 , EUV 용 마스크 를 제작 하 는데 있 어서 흡 수체 층 을 패 터닝 하 면서 발생 할 수 있 는 패턴 의 결함 부분 을 검출 하 고 , 원자 힘 현미경 을 이용 하 여 결함 부분 만 용이 하 게 제거 함 으로써 , 반도체 제조 공정 의 수율 을 향상 시킬 수 있 도록 하 는 발명 에 관한 것 이 다 .