또한 , 본 실시 형태 에서 는 , 스핀코팅 에 의해 반사 방지 막 ( 10 ) 을 도포 하 고 있 기 때문 에 , 제 1 영역 ( R 1 ) 과 제 2 영역 ( R 2 ) 사이 에 발생 하 는 , 산화 막 ( 5 ) 의 높이 의 편차 에 의해 , 폴리 실리콘 막 ( 9 ) 의 표면 에 요철 이 형성 되 면 , 반사 방지 막 ( 10 ) 의 막 두께 가 불 균일 해진다 . 이 때문 에 , 레지스 트 패턴 ( 11 a ) 의 패턴 폭 에 편차 가 발생 하 고 , 결과 로서 , 게이트 전극 ( 13 ) 의 선 폭 에 도 편차 가 발생 한다 . 그러나 , 본 실시 형태 에 따르 면 , 제 1 영역 ( R 1 ) 과 제 2 영역 ( R 2 ) 에서 , 산화 막 ( 5 ) 의 높이 의 편차 를 억제 하 는 것 이 가능 하 기 때문 에 , 폴리 실리콘 막 ( 9 ) 의 표면 을 전체 에 걸쳐 평탄 하 게 할 수 있 다 . 이 에 따라 , 폴리 실리콘 막 ( 9 ) 상 에 도포 되 는 반사 방지 막 ( 10 ) 의 막 두께 를 균일 하 게 할 수 있 으며 , 게이트 전극 ( 13 ) 의 선 폭 을 균일 하 게 하 는 것 이 가능 해진다 .