원사 들 은 UV 램프 ( 15 ) 를 지나 면서 표면 그 래프팅 에 의한 개질 반응 이 진행 되 게 된다 . 이 때 생산 속도 향상 을 위해 UV 램프 는 2 m 의 폭 을 가지 며 , 총 4 열 또는 효율 성 향상 을 위해 그 이상 의 열 로 배치 될 수 있 다 . 한편 UV 램프 에서 발생 된 열 ( 적외선 ) 이 원사 에 도달 하 게 되 면 원사 의 열화 및 단량체 의 파괴 가 일어날 수 있 으므로 석영관 ( 16 ) 을 통해 적외선 은 반사 시키 고 자외선 은 내부 로 통과 시키 며 , 냉각수 순환 장치 ( 17 ) 를 통해 반응 챔버 ( 12 ) 의 열 이 발산 된다 . 이 경우 상기 원사 들 은 상기 석영관 ( 16 ) 의 내부 를 통과 하 면서 그 래프팅 반응 을 수행 하 게 된다 .