상기 와 같이 , 도전 층 ( 118 a ) 이 형성 된 제 1 기판 ( 120 ) 상부 에 포토레지스트 층 ( 194 ) 을 형성 한 후 , 격벽 ( 180 ) 의 형성 시 사용 되 었 던 제 3 포토 마스크 ( 201 ) 를 상기 포토레지스트 층 ( 194 ) 위 에 위치 시킨 후 , 자외선 과 같 은 광 을 상기 포토레지스트 층 ( 194 ) 에 조사 하 여 상기 포토레지스트 층 ( 194 ) 을 현상 하 고 , 이어서 현상 된 포토레지스트 층 ( 194 ) 을 상기 도전 층 ( 118 a ) 을 블로킹 한 상태 에서 식각 액 ( etchant ) 등 에 의해 상기 도전 층 ( 118 a ) 을 식각 하 여 도 4 g 에 도시 된 바 와 같이 제 1 기판 ( 120 ) 의 화상 표시 부 에 컨 택 홀 ( 117 ) 을 통해 박막 트랜지스터 의 드레 인 전극 ( 116 ) 과 전기 적 으로 접속 되 는 화소 전극 ( 118 ) 을 형성 한다 .