수지 접착 층 ( 2 ) 은 관통 구멍 웨이퍼 ( 1 ) 상 의 소정 장소 에 통상 의 포토 리소그래피 기술 에 의해 형성 되 고 , 수지 접착 층 ( 2 ) 상 에 글래스 판 ( 3 ) 이 접착 된다 . 이것 에 제한 되 지 않 고 , 수지 접착 층 ( 2 ) 은 포토 리소그래피 기술 이외 에 스크린 인쇄 수법 또는 디 스펜스 수법 을 이용 해서 형성 될 수 있 다 . 이 수지 접착 층 ( 2 ) 은 , 도 3 및 도 4 에 나타낸 바 와 같이 , 글래스 판 ( 3 ) 이 고정 되 는 측 의 표면 의 일부 에 형성 된 얕 은 홈 ( 21 ) 을 갖 는다 . 상기 홈 ( 21 ) 은 수지 접착 층 ( 2 ) 을 형성 할 때 동시 에 포토 리소그래피 기술 에 의해 형성 될 수 있 다 . 수지 의 두께 는 30 ㎛~ 300 ㎛ 정도 의 범위 이 고 , 홈 ( 21 ) 의 깊이 는 3 ㎛~ 20 ㎛ 정도 의 범위 이 다 . 이 홈 ( 21 ) 은 반도체 표면 이 글래스 판 ( 3 ) 에 의해 커버 될 경우 에 관통 구멍 웨이퍼 ( 1 ) 상 의 전자 소자 로서 의 촬상 소자 ( 11 ) 가 설치 된 센서 영역 의 내부 공간 ( 22 ) 이 밀폐 되 어 내부 공간 ( 22 ) 에 결로 의 형성 을 방지 하 기 위해 사용 된다 . 또한 , 홈 ( 21 ) 은 센서 웨이퍼 모듈 이 각 모듈 로 다 이싱 될 때 절 삭수 , 슬러리 등 이 센서 영역 의 내부 공간 ( 22 ) 내 에 침입 되 어 센서 의 표면 상 에 부착 되 는 것 이 어려워 지 도록 홈 의 중앙 에 축 적 공간 영역 ( 23 ) ( 저장 공간 영역 ) 의 구조 를 갖 는다 . 공간 영역 ( 22 및 23 ) 을 반 밀폐 상태 로 형성 하 기 위한 홈 ( 21 ) ( 에어 패스 ) 은 직선 라인 , S 자 형상 또는 미로 형상 ( 여기 서 는 홈 이 경사 직선 라인 임 ) 으로 형성 되 거나 이것 의 조합 으로 형성 되 어 어느 정도 의 거리 를 제공 한다 .