그 후 에 , 도 15 a 및 도 15 b 에 도시 된 바 와 같이 , 제 2 ILD 층 ( 60 ) 이 제 1 ILD 층 ( 50 ) 위 에 형성 되 고 , 소스 / 드레 인 접촉 개구부 ( 65 ) 는 하나 이상 의 리소그래피 및 에칭 작업 을 사용 하 여 형성 된다 . 이 작업 에 의해 , 지지 층 ( 20 ) 이 제거 되 고 따라서 CNT ( 100 ) 의 소스 / 드레 인 영역 이 소스 / 드레 인 접촉 개구부 ( 65 ) 에서 노출 된다 . 일부 실시 예 에서 , 도 15 b 에 도시 된 바 와 같이 , 지지 층 ( 20 ) 의 일부 는 측벽 스 페이서 ( 44 ) 아래 에 남 아 있 다 . 지지 층 ( 20 ) 이 유전체 재료 로 제조 될 때 , 잔여 지지 층 ( 20 ) 은 게이트 전극 층 ( 106 ) 을 분리 하 는 이너 ( inner ) 스 페이서 로서 기능 을 하 고 그 후 에 소스 / 드레 인 접촉 부 ( 70 , 72 ) 을 형성 한다 .