제 1 불순물 영역 ( 124 ) 및 제 2 불순물 영역 ( 126 ) 은 제 1 반도체 패턴 ( 120 ) 에 불순물 이 도핑 된 영역 들 일 수 있 다 . 예 를 들 어 , 제 1 불순물 영역 ( 124 ) 및 제 2 불순물 영역 ( 126 ) 은 n 형 불순물 또는 p 형 불순물 을 포함 할 수 있 다 . 이 에 따라 , 제 1 불순물 영역 ( 124 ) 및 제 2 불순물 영역 ( 126 ) 은 도 1 에서 상술 한 하나 의 셀 트랜지스터 ( CT ) 의 소오 스 및 드레 인 에 대응 될 수 있 다 .