또 , 본 실시 형태 에서 는 에칭 공정 에 있 어서 , 웨이퍼 ( W ) 의 상면 에 , 표면장력 으로 에칭 액 을 모으 고 있 다 . 즉 , 웨이퍼 지지 부재 ( 3 ) 에 지지 된 웨이퍼 ( W ) 의 상면 에 , 소 정량 의 에칭 액 을 적하 하 고 , 표면장력 으로 에칭 액 층 을 형성 하 고 있 다 . 이 로써 , 에칭 에 사용 하 는 에칭 액 의 양 을 줄일 수 있 다 .