도 3 f 는 접착 에 의해 반도체 칩 들 ( ( 100 a , 100 b , 100 c ) 간 에 스택 이 형성 된 스택 패키지 의 단면 을 보여준다 . 도 3 f 를 참조 하 면 , 제 1 도전 성 배선 ( 200 a ) 은 제 1 및 제 2 반도체 칩 ( 100 a , 100 b ) 일 측면 으로 형성 되 고 제 2 도전 성 배선 ( 200 b ) 은 제 1 도전 성 배선 ( 200 a ) 에 대향 하 여 제 2 및 제 3 반도체 칩 ( 100 b , 100 c ) 타 측면 으로 형성 된다 . 제 1 및 제 2 도전 성 배선 ( 200 a , 200 b ) 은 도 3 c 에서 형성 되 었 던 캡슐 화 물질 ( 300 ) 에 의해 캡슐 화 되 어 있 다 . 한편 , 본딩 패드 ( 110 a , 110 b , 110 c ) 는 반도체 칩 들 을 지그재그 로 접 음 에 따라 다른 방향 으로 위치 하 게 된다 . 즉 , 제 1 및 제 2 본딩 패드 ( 110 a , 110 b ) 는 서로 반대 방향 을 향하 도록 배치 되 고 제 2 및 제 3 본딩 패드 ( 110 b , 110 c ) 는 서로 마주 보 도록 배치 된다 .