트랜지스터 는 제 1 전류 취급 단자 ( 또는 전류 수송 단자 ) 와 제 2 전류 취급 단자 간 에 전류 흐름 을 제어 하 는 제어 단자 를 갖 는 것 으로서 개념 화 될 수 있 다 . 제 어 단자 상 에 적합 한 상태 는 전류 가 제 1 전류 취급 단자 로부터 / 에 및 제 2 전류 취급 단자 에 / 로부터 흐르 게 한다 ( 제 1 및 제 2 전류 취급 단자 들 의 전형 적 인 동작 전압 들 에 있 어서 ) . 바이 폴라 트랜지스터 에서 , 제 1 전류 취급 단자 는 에 미터 로 간주 되 고 제어 단자 는 베이스 로 간주 되 고 제 2 전류 취급 단자 는 콜렉터 로 간주 된다 . 마찬가지 로 MOS 트랜지스터 는 제 1 전류 취급 단자 와 제 2 전류 취급 단자 간 에 전류 흐름 을 제어 하 는 제어 단자 를 갖 는 것 으로서 개념 화 될 수 도 있 다 . MOS 트랜지스터 들 이 드레 인 , 게이트 , 및 소스 를 구비 하 는 것 으로서 흔히 논의 될지라도 , 대부분 의 이러 한 장치 들 에서 드레 인과 소스 를 서로 바꾸 어 사용 할 수 있 다 . 이것 은 트랜지스터 의 레이아웃 및 반도체 가공 이 대칭 적 이 기 때문 이 다 ( 통상 적 으로 바이 폴라 트랜지스터 들 에선 그렇 지 않 다 ) . N - 채널 MOS 트랜지스터 에 있 어서 , 일반 적 으로 더 높 은 전압 에 있 는 전류 취급 단자 를 관습 적 으로 드레 인 이 라고 한다 . 일반 적 으로 더 낮 은 전압 에 있 는 전류 취급 단자 를 관습 적 으로 소스 라고 한다 . 따라서 , 게이트 상 에 충분히 높 은 전압 ( 소스 전압 에 비해 ) 은 전류 가 드레 인 에서 소스 로 흐르 게 한다 ( 드레 인 및 소스 의 각각 의 전압 이 다르 다면 ) . 인 핸 스먼 트 모드 N - 채널 장치 에 있 어서 , 임계 전압 ( 바디 효과 를 포함 한 ) 보다 큰 양 의 게이트 - 소스 전압 은 충분 하 다 . N - 채널 MOS 장치 식 들 에서 언급 되 는 소스 전압 은 임의 의 시점 에서 전류 취급 단자 중 어느 하나 가 낮 은 전압 을 갖 는 것 을 단지 지칭 한다 . 예 를 들 어 , " 양방향 CMOS 전송 게이트 의 N - 채널 장치 의 "" 소스 "" 는 트랜지스터 게이트 의 어느 측 이 낮 은 전압 에 있 는가 에 따른다 . 대부분 의 N - 채널 MOS 트랜지스터 들 의 이러 한 대칭 성 을 반영 하 기 위해서 ", 제어 단자 는 게이트 로 간주 될 수 있 고 , " 제 1 전류 취급 단자 는 "" 드레 인 / 소스 "" 용어 가 사용 될 수 있 고 "," 제 2 전류 취급 단자 는 "" 소스 / 드레 인 "" 용어 가 사용 될 수 있 다 . 이러 한 설명 은 드레 인과 소스 전압 사이 에 극성 ", 드레 인과 소스 사이 에 전류 흐름 방향 을 이러 한 용어 로 기술 하 지 않 기 때문 에 , P - 채널 MOS 트랜지스터 에 도 마찬가지 로 유효 하 다 . 대안 적 으로 , 드레 인 및 소스 는 구별 되 지 않 지만 서로 바꾸 어 사용 할 수 없 다는 암묵 적 이해 를 갖 고 , " 한 전류 취급 단자 는 임의로 "" 드레 인 "" 으로 간주 하 고 다른 것 을 "" 소스 "" 라 간주 할 수 있 다 . "