본 발명 은 X 선 검출기 의 제조 방법 과 X 선 검출기 에 관한 것 으로서 , 광전 변환 기판 ( 2 ) 의 광전 변환 소자 ( 8 ) 를 설치 한 표면 에 제 1 보호 층 ( 31 ) 을 형성 하 고 나 서 신 틸레 이터 층 ( 32 ) 을 형성 하 고 , 신 틸레 이터 층 ( 32 ) 과 의 접촉 에 의한 광전 변환 소자 ( 8 ) 의 열화 를 방지 한다 . 신 틸레 이터 층 ( 32 ) 의 표면 을 덮 는 제 2 보호 층 ( 33 ) 을 형성 하 고 , 제 1 보호 층 ( 31 ) 의 주변 부 ( 31 a ) 와 제 2 보호 층 ( 33 ) 의 주변 부 ( 33 a ) 에 밀착 시키 고 , 제 1 보호 층 ( 31 ) 과 제 2 보호 층 ( 33 ) 과 의 사이 에 신 틸레 이터 층 ( 32 ) 을 밀폐 하 고 , 대기 중 의 수분 에 의한 신 틸레 이터 층 ( 32 ) 의 열화 를 방지 한다 . 제 1 보호 층 ( 31 ) 과 제 2 보호 층 ( 33 ) 을 동일 한 물질 로 형성 하 고 , 제 1 보호 층 ( 31 ) 과 제 2 보호 층 ( 33 ) 과 의 접합면 의 계면 에서 의 결합 강도 의 열화 나 열팽창 계수 차 에 의한 응력 을 저감 하 고 , 신 틸레 이터 층 ( 32 ) 의 밀폐 상태 를 유지 하 는 것 을 특징 으로 한다 .