도 2 b 에 도시 된 바 와 같이 , 도전 층 ( 114 ) 상부 에 하드 마스크 층 ( 116 ) 을 형성 한 후 , 하드 마스크 층 ( 116 ) 상부 에 게이트 를 정의 하 는 감광막 패턴 ( 미 도시 ) 을 형성 하 고 감광막 패턴 을 마스크 로 캡 핑 절 연막 ( 106 ) 및 소자 분리 막 ( 102 ) 이 노출 되 도록 하드 마스크 층 ( 116 ) , 도전 층 ( 114 ) , 배리어 금속 층 ( 112 ) 및 층간 절 연막 ( 108 ) 을 식각 한다 .