이렇게 최근 에 개발 되 는 반도체 메모리 장치 도 입력 되 는 시스템 클럭 을 이용 하 여 데이터 를 출력 시키 기 때문 에 , 내부 적 으로 클럭 신호 를 입력 받 아 처리 하 는 다양 한 회 로 블럭 을 구비 하 고 있 다 . 대표 적 으로 데이터 출력 회로 부 는 시스템 클럭 의 천이 에 응답 하 여 데이터 를 출력 시키 고 있 다 . 반도체 메모리 장치 가 적용 되 는 시스템 에 따라서 입력 되 는 시스템 의 클럭 의 주파수 는 달라지 게 된다 . 최근 에 제조 되 는 반도체 메모리 장치 는 입력 받 을 수 있 는 시스템 클럭 의 주파수 의 범위 가 더 넓 어 지 도록 요구 받 고 있 다 . 그러나 , 반도체 메모리 장치 의 내부 회로 를 고주 파수 와 저 주파수 에 모두 신뢰 성 있 게 동작 시키 도록 개발 하 는 것 을 매우 어렵 다 . 따라서 2 개 의 회로 블럭 을 병렬 로 구비 하 고 , 입력 되 는 시스템 클럭 이 고주파 수인 경우 와 저 주파수 인 경우 에 따라 회로 블럭 을 선택 한 다음 , 선택 된 회로 블럭 으로 데이터 를 억세 스 시키 고 있 다 . 이 를 위해서 는 반도체 메모리 장치 에 입력 되 는 시스템 클럭 의 주파수 를 정확 하 게 감지 하 는 회로 가 필요 하 게 된다 .