개시 된 본 발명 은 반도체 메모리 장치 의 메인 엠 프 인 에 이 블 신 호생 성 회로 로서 , 컬럼 어드레스 인 에 이 블 신호 에 응답 하 여 펄스 를 생성 하 는 펄스 생 성부 , 및 테스트 신호 에 응답 하 여 지연 시간 이 결정 되 고 , 상기 펄스 를 상기 결정 된 지연 시간 만큼 지연 시켜 메인 엠 프 인 에 이 블 신호 로서 출력 하 는 타이밍 조 절부 를 포함 한다 .