제 1 액티브 층 ( 30 ) 은 버퍼 막 ( 21 ) 을 사이 에 두 고 하부 기판 ( 20 ) 위 에 형성 된다 . 게이트 라인 ( 121 ) 에 연결 된 게이트 전극 ( 32 ) 은 제 1 액티브 층 ( 30 ) 의 채널 영역 ( 30 C ) 과 게이트 절 연막 ( 22 ) 을 사이 에 두 고 중첩 되 게 형성 된다 . 소스 전극 ( 36 ) 및 드레 인 전극 ( 37 ) 은 게이트 전극 ( 32 ) 과 층간 절 연막 ( 23 ) 을 사이 에 두 고 절연 되게 형성 된다 . 그리고 , 소스 전극 ( 36 ) 과 드레 인 전극 ( 37 ) 은 층간 절 연막 ( 23 ) 및 게이트 절 연막 ( 22 ) 을 관통 하 는 제 3 접촉 홀 ( 35 S ) 및 제 4 접촉 홀 ( 35 D ) 각각 을 통해 n + 불순물 이 주입 된 제 1 액티브 층 ( 30 ) 의 소스 영역 ( 30 S ) 및 드레 인 영역 ( 30 D ) 각각 과 접속 된다 . 또한 , 제 1 액티브 층 ( 30 ) 은 오프 전류 를 감소 시키 기 위하 여 채널 영역 ( 30 C ) 과 소스 및 드레 인 영역 ( 30 S , 30 D ) 사이 에 n - 불순물 이 주입 된 엘 디디 ( Lightly Doped Drain ; LDD ) 영역 을 더 구비 하 기 도 한다 .