MOIOS 메모리 소자 는 전하 를 저장 하 는 수단 으로서 플로팅 게이트 대신 에 실리콘 질화 막 ( Si 3 N 4 ) 과 같 은 전하 트랩 층 ( charge trap layer ) 을 사용 한다 . 즉 , MOIOS 메모리 소자 는 플래시 반도체 메모리 장치 의 메모리 셀 의 구성 에서 기판 과 컨트롤 게이트 사이 의 적층 물 ( 플로팅 게이트 와 그 상하 에 적층 된 절연 층 들 로 구성 된 적층 물 ) 을 산화 막 ( Oxide ) , 질화 막 ( Nitride ) 및 산화 막 ( Oxide ) 이 순차 적 으로 적층 된 적층 물 ( ONO ) 로 대체 한 것 으로 , 상기 질화 막 에 전하 가 트랩 됨 에 따라 문턱 전압 ( threshold voltage ) 이 이동 ( shift ) 되 는 특성 을 이용 하 는 메모리 소자 이 다 .