이러 한 소오 스 / 드레 인 이온 주입 공정 ( 13 ) 시 에 는 게이트 전극 ( 9 ) 과 후속 형성 될 소오 스 / 드레 인 영역 사이 의 웰 ( 2 ) 내 에 는 고농도 의 불순물 이온 이 주입 되 지 않 아야 하 므로 , 게이트 전극 ( 9 ) 과 소오 스 / 드레 인 영역 사이 영역 에 는 포토레지스트 패턴 ( 12 ) 이 형성 되 어 있 어야 한다 . 또한 , 공정 의 안정 성 을 위해서 는 포토레지스트 패턴 ( 12 ) 이 게이트 전극 ( 9 ) 과 최소한 의 중첩 영역 을 갖 고 형성 되 어야 한다 .