본 발명 은 이 붕화 마그네슘 ( MgB 2 ) 초전 도 선 의 인시 츄 ( in - situ ) 접합체 제조 방법 을 제공 한다 . 본 발명 의 인시 츄 ( in - situ ) 접합체 제조 방법 은 열처리 되 지 않 아 초전도 성 특성 을 가지 지 않 은 시작 재료 에 대하 여 필요 한 가공 을 모두 수행 한 후 열처리 를 수행 하 여 초전도 성 을 가지 도록 하 는 제조 방법 으로 , 열처리 가 수행 되 어 초전도 성 특성 을 가지 고 있 는 시작 재료 를 가공 하 여 제조 하 는 방법 과 다른 방법 이 다 .