이 어 , 소정 의 마스크 를 이용 하 여 상기 소자 격리 영역 사이 에 액티브 영역 의 소정 부위 에 제 2 형 이온 , 예 를 들 어 , n + 형 의 이온 을 주입 하 여 접합 영역 ( 12 ) 을 형성 한다 . 이 때 , 이온 주입 에 이용 된 마스크 는 제거 하 고 , 기판 ( 10 ) 을 열처리 하 여 접합 영역 ( 12 ) 에 주입 된 이온 이 활성 화 하 도록 한다 .