상기 채널 영역 의 높이 가 다른 포 토리 지스 트 패턴 을 이용 한 습식 식각 공정 을 통하 여 소스 전극 ( 111 ) 및 드레 인 전극 ( 112 ) 을 형성 한다 . 이어서 , 동일 한 포 토리 지스 트 패턴 을 이용 한 건식 식각 공정 으로 활성 층 및 오 믹 컨 택 층 ( 109 , 110 ) 을 동시 에 패 터닝 하 여 형성 하 고 , 부분 애 싱 ( partial ashing ) 공정 으로 채널 영역 에서 상대 적 으로 낮 은 높이 를 갖 는 포 토리 지스 트 패턴 을 제거 한 후 건식 식각 공정 으로 채널 영역 위 의 소스 및 드레 인 전극 층 과 오 믹 컨 택 층 ( 110 ) 을 식각 한다 . 이어서 , 스트립 공정 으로 남 아 있 던 포 토리 지스 트 패턴 을 제거 한다 .