질화 막 ( 12 ) 상 의 잔여 산화 막 ( 15 b ) 이 플 라즈 마 질화 공정 에 의하 여 도 4 f 에 도시 된 같이 , 질화 된 산화 막 ( 15 c ) 을 형성 하 게 되 며 , 질화 막 ( 12 ) 과 함께 질화 된 산화 막 ( 15 c ) 이 스트립 에 의해 제거 됨 으로써 도 4 g 에 도시 된 바 와 같이 , 실리콘 기판 ( 11 ) 상 에 소자 분리 막 ( 15 a ) 만 이 존재 한다 .