다음 으로 , 상기 구형 의 실리콘 결정 의 일부분 을 잘라서 평탄면 ( 34 ) 을 마련 하 고 , 상기 평탄면 ( 34 ) 과 그 외주 근 방부 의 표면 에 확산 마스크 로서 의 SiO 2 막 을 형성 한다 . 그 후 , 상기 SiO 2 막 으로 마스크 한 부분 을 제외 하 고 p 형 실리콘 결정 의 표층 부 로부터 n 형 불순물 을 확산 시켜 , 약 0 . 5 ㎛ 내지 1 . 0 ㎛ 정도 의 깊이 까지 n 형 확산 층 ( 35 ) 으로 전환 함 으로써 , 구면 형상 의 pn 접합 ( 36 ) 을 형성 한다 .