상기 한 실시 예 3 에서 는 , 증착 원 개구 ( 61 ) 로부터 방출 된 증착 입자 는 , 당해 증착 원 개구 ( 61 ) 의 바로 위 의 제어판 ( 80 ) 의 양측 의 2 개 의 제 어 공간 ( 81 ) 만 을 통과 했 지만 , 본 발명 은 이것 에 한정 되 지 않 고 , 더욱 많 은 제어 공간 ( 81 ) 을 통과 해도 된다 . 그 경우 , 상기 부등식 ( 3 - 1 ) 의 우변 을 적절히 변경 할 필요 가 있 다 . 예 를 들 어 , 증착 원 개구 ( 61 ) 로부터 방출 된 증착 입자 가 , 당해 증착 원 개구 ( 61 ) 의 바로 위 에 위치 하 는 제어판 ( 80 ) 의 양측 의 2 개 의 제 어 공간 ( 81 ) 외 에 , 다시 그 양 외측 의 2 개 의 제 어 공간 ( 81 ) 도 통과 하 는 ( 즉 , 연속 하 는 4 개 의 제 어 공간 ( 81 ) 을 통과 하 는 ) 경우 에 는 , 상기 부등식 ( 3 - 1 ) 의 「 2 P 」 는 「 4 P 」 로 치환 된다 . 일반 적 으로 , 증착 원 개구 ( 61 ) 로부터 방출 된 증착 입자 가 , 당해 증착 원 개구 ( 61 ) 의 바로 위 에 위치 하 는 제어판 ( 80 ) 의 양측 에 각각 순서 대로 인접 하 는 n 개 ( 「 n 」 은 자연수 ) 의 제 어 공간 ( 81 ) ( 합계 2 n 개 의 제 어 공간 ( 81 ) ) 을 통과 하 는 경우 에 는 , 부등식 ( 3 - 1 ) 의 「 2 P 」 는 「 2 n×P 」 로 치환 된다 . 또한 , 식 ( 3 - 3 ) 의 「 2 P 」 는 「 2 n×P 」 로 치환 된다 .