한편 , 종래 TFT 기판 의 활성 층 ( 38 ) 및 오 믹 접촉 층 ( 40 ) 은 비정질 실리콘 ( Amorphous Silicon ) 을 이용 하 여 도 2 에 도시 된 구조 와 같 은 구조 로 형성 하 거나 또는 결정질 실리콘 ( Crystaline Silicon ) 을 이용 하 여 형성 하 였으나 , 최근 에 는 ZnO 를 이용 하 여 활성 층 ( 38 ) 및 오 믹 접촉 층 ( 40 ) 을 형성 하 고자 하 는 연구 가 활발히 진행 되 고 있 다 .