이 실시 예 에서 , 제 1 또는 제 2 마스크 패턴 들 ( 42 , 72 ) 의 피치 는 , 서로 인접 하 는 제 1 마스크 패턴 들 ( 42 ) 과 제 2 마스크 패턴 들 ( 72 ) 사이 의 최대 간격 보다 클 수 있 다 . 이 에 따라 , 제 1 또는 제 2 마스크 패턴 들 ( 42 , 72 ) 을 형성 하 는 포토 리소그래피 공정 시 공정 마진 이 향상 될 수 있 다 .