이어서 , 희생 막 ( 208 ) 을 포함 한 전체 구조 상 에 절연 층 과 도전 층 을 교대 로 형성 하 여 다수 의 절연 층 들 ( 210 a ~ 210 e ) 과 다수 의 도전 층 들 ( 212 a ~ 212 d ) 을 형성 한다 . 여기 서 , 도전 층 보다 절 연막 이 먼저 형성 되 며 , 절연 층 들 ( 210 a ~ 210 e ) 은 실리콘 산화 막 으로 형성 하 고 , 도전 층 들 ( 212 a ~ 212 d ) 은 폴리 실리콘 막 으로 형성 할 수 있 다 .