도 1 f 를 참조 하 면 , 노출 된 게이트 ( 122 ) 측벽 에 제 2 스 페이서 ( 124 ) 를 형성 한다 . 이때 , 제 2 스 페이서 ( 124 ) 는 산화물 을 이용 하 여 30 Å 내지 200 Å 의 두께 로 형성 한다 . 제 2 스 페이서 ( 124 ) 는 제 1 도 전막 ( 104 ) 과 후속 공정 에서 형성 되 는 콘 택 플러그 물질 과 의 절연 을 위해 형성 한다 . 또한 , 제 2 스 페이서 ( 124 ) 사이 의 공간 이 콘 택 홀 ( 125 ) 이 된다 .