실시 예 에 따라 , 마스크 ( 200 ) 는 , 반도체 패턴 ( SCP ) 의 결정 화 공정 이 완료 된 이후 제거 될 수 있 다 . 일 예 로 , 마스크 ( 200 ) 는 후속 될 제 1 절 연막 ( 130 ) 의 형성 공정 이전 또는 그 이후 에 제거 될 수 있 다 . 실시 예 에 따라 , 마스크 ( 200 ) 가 제 1 절 연막 ( 130 ) 의 형성 이후 에 제거 될 경우 , 스위칭 트랜지스터 ( Ts ) 를 제조 하 는 일부 공정 단계 ( 일 예 로 , 제 1 절 연막 ( 130 ) 의 성막 공정 및 / 또는 각각 의 전도성 영역 을 형성 하 기 위한 도핑 공정 ) 에서 반도체 패턴 ( SCP ) 의 제 1 및 제 2 영역 들 상 에서 제 1 절 연막 ( 130 ) 이 상부 방향 으로 돌출 되 어 있 을 수 도 있 다 .