또한 발광 디바이스 8 - 0 에서 의 전자 주입 층 ( 115 ) 에 는 BPhen 과 LiF 를 체적 비 가 0 . 25 : 0 . 75 ( = BPhen : LiF ) 가 되 도록 혼합 한 공 증착 막 을 사용 하 지만 , 상기 공 증착 막 은 LiF 가 많이 포함 되 기 때문 에 굴절 률 이 매우 작 다 . 즉 , 발광 디바이스 8 - 0 은 양극 측 과 음극 측 의 양쪽 에 굴절 률 이 낮 은 층 을 갖 는 EL 층 ( 103 ) 을 포함 하 는 발광 디바이스 이 라고 할 수 있 다 .