본 발명 은 3 차원 반도체 메모리 장치 의 제조 방법 에 관한 것 으로 , 보다 상세 하 게 는 , 기판 상 에 교대 로 그리고 반복 적 으로 적층 된 절 연막 들 및 희생 막 들 을 포함 하 는 적층 구 조체 를 형성 하 는 것 ; 상기 적층 구조 체 상 에 , 제 1 하 부막 및 제 1 포토레지스트 패턴 을 형성 하 는 것 ; 상기 제 1 포토레지스트 패턴 을 마스크 로 상기 제 1 하 부막 을 식각 하 여 , 제 1 하부 패턴 을 형성 하 는 것 ; 및 상기 제 1 하부 패턴 을 마스크 로 상기 적층 구조 체의 일단 을 식각 하 여 , 상기 일단 을 계단 형태 로 형성 하 는 것 을 포함 한다 . 상기 제 1 하 부막 은 노볼락 ( novolac ) 기반 의 유기 고분자 를 포함 하 며 , 상기 제 1 포토레지스트 패턴 은 실리콘 을 함유 하 는 고분자 를 포함 한다 .