메모리 의 집적화 가 한계 에 도달 함 에 따라 저항 변화 메모리 소자 인 플래시 메모리 기술 을 대체 하 기 위해서 , 단순 한 구조 로 셀 형성 이 가능 한 저항 변화 메모리 ( ReRAM , Resistance Random Access Memory ) , 상 변화 메모리 ( PcRAM , Phase - change Random Access Memory ) ) 및 스핀 - 토크 변화 메모리 ( STTRAM , Spin Transfer Torque Magnetic Random Access Memory ) 같 은 차세대 메모리 기술 이 개발 되 고 있 다 . 이 들 중 저항 변화 메모리 ( ReRAM ) 는 간단 한 금속 - 절연체 - 금속 ( metal - insulator - metal : MIM ) 구조 와 우수 한 동작 특성 을 갖 는 차세대 비휘발성 메모리 로서 , 가장 주목 을 받 고 활발히 연구 가 진행 되 고 있 다 .