이 게이트 어레이 에서 는 , 노드 n 2 의 세로 방향 의 배선 에 게이트 배선 을 이용 하 고 , 이 게이트 배선 에 접속 되 는 PMOSpb 와 NMOSnb 의 소스 와 드레 인 을 , 각각 전 원전 위 VDD 와 접지 전위 GND 에 접속 하 고 있 다 . 따라서 , 노드 n 2 와 전원 전위 VDD 및 접지 전위 GND 사이 에 , 각각 역방향 의 다이오드 를 접속 한 상태 가 되 고 , 이 노드 n 2 에 는 일정 한 용량 이 부가 되 지만 , 이것 에 의한 배선 용량 의 증가 는 무시 할 수 있 는 정도 이 며 , 시뮬레이션 에 의해 실용 상 의 문제 가 없 는 것 이 확인 되 고 있 다 .