도 3 b 를 참조 하 면 , 복수 의 제 1 및 제 2 전극 들 ( 21 , 22 ) 이 형성 된 기판 ( 10 ) 상 에 제 1 절연 층 ( 30 ) 을 형성 한 후 , 제 2 마스크 를 이용 한 포토 리소그래피 공정 및 식각 공정 으로 라우팅 배 선부 와 패드 부 의 제 1 절연 층 을 제거 하 고 , 전극 형 성부 의 제 1 절연 층 ( 30 ) 을 관통 하 는 제 1 및 제 2 콘 택 홀 들 ( 30 a , 30 b ) 을 형성 한다 . 제 1 및 제 2 콘 택 홀 들 ( 30 a , 30 b ) 은 이웃 하 는 제 1 전극 들 ( 21 ) 의 일부 를 노출 시킨다 . 제 1 절연 층 ( 30 ) 으로서 는 실리콘 질화물 , 실리콘 산화물 , 또는 유기 수지 등 이 사용 될 수 있 다 .