도 2 c 및 도 3 c 를 참조 하 면 , 식각 공정 으로 제 1 도 전막 ( 202 ) 및 반도체 기판 ( 200 ) 의 일부 를 식각 하 여 소자 분리 용 트렌치 를 형성 한 후 트렌치 가 채워 지 도록 트렌치 를 포함 한 반도체 기판 ( 200 ) 상부 에 제 1 절 연막 을 형성 한다 . 이때 , 제 1 절 연막 은 높 은 종횡비 에서 의 매립 특성 을 향상 시키 기 위해 PSZ ( polysilazane ) 물질 과 고밀 도 플 라즈 마 ( High Density Plasma ; HDP ) 산화 막 을 적층 구조 로 하 여 형성 한다 .