또한 , 본 발명 의 실시 예의 메모리 는 휘발 성 기억 장치 또는 비 휘발 성 기억 장치 일 수 있 고 , 또는 휘발 성 기억 장치 및 비 휘발 성 기억 장치 의 양자 를 포함 할 수 있 는 것 을 이해 할 수 있 다 . 여기 서 , 비 휘발 성 기억 장치 는 읽 기 전용 기억 장치 ( ROM : Read - Only Memory ) , 프로그래머 블 읽 기 전용 기억 장치 ( PROM : Programmable ROM ) , 소거 가능 프로그래머 블 읽 기 전용 기억 장치 ( EPROM : Erasable PROM ) , 전기 적 소거 프로그래머 블 읽 기 전용 기억 장치 ( EEPROM : Electrically EPROM ) 또는 플래시 메모리 일 수 도 있 다 . 휘발 성 기억 장치 는 외부 캐시 메모리 로서 기능 하 는 랜덤 액세스 메모리 ( RAM : Random Access Memory ) 일 수 있 다 . 제한 적 이 아니 라 예시 적 인 설명 을 통해 각종 양태 의 RAM 을 사용 할 수 있 으며 , 예 를 들 어 정적 랜덤 액세스 메모리 ( SRAM : Static RAM ) , 동적 랜덤 액세스 메모리 ( DRAM : Dynamic RAM ) , 동기 화 동적 랜덤 액세스 메모리 ( SDRAM : Synchronous DRAM ) , 이중 데이터 율 동기식 동적 랜덤 액세스 메모리 ( DDRSDRAM : Double Data Rate SDRAM ) , 강화 형 동기 동적 랜덤 액세스 메모리 ( ESDRAM : Enhanced SDRAM ) , 동기식 링크 동적 랜덤 액세스 메모리 ( SLDRAM : Synchlink DRAM ) , 및 다이렉트 램버스 랜덤 액세스 메모리 ( DR RAM : Direct Rambus RAM ) 이 다 . 주의 할 점 으로 , 본 명세서 에 기재 된 시스템 및 방법 의 메모리 는 이러 한 및 임의 의 기타 적당 한 유형 의 메모리 를 포함 하 는 것 을 의도 하 고 있 지만 , 이 에 한정 되 지 않 는다 .