이어서 , 패턴 이 전사 된 규소 함유 레지스 트 중간막 을 마스크 로 하 여 유기 막 에 에칭 으로 패턴 을 전사 한다 . 규소 함유 레지스 트 중간막 은 , 산소 가스 또는 수소 가스 에 대하 여 유기물 과 비교 하 여 높 은 에칭 내성 을 보이 기 때문 에 , 규소 함유 레지스 트 중간막 패턴 을 마스크 로 하 여 행하 는 유기 막 의 에칭 은 , 산소 가스 또는 수소 가스 를 주체 로 하 는 에칭 가스 를 이용 하 여 행하 는 것 이 바람직 하 다 . 이 로써 , 유기 막 패턴 을 형성 할 수 있 다 .