상기 공작물 의 상부 에 위치 하 는 전자석 ( 15 ) 는 헤드 부 ( 11 ) 에 설치 되 는 가공 날 ( 12 ) 로 인하 여 발생 하 는 진동 을 억제 를 좀 더 효율 적 으로 하 기 위하 여 헤드 부 ( 11 ) 의 측면 에 설치 되 며 전도체 가공물 ( 14 ) 의 상 하로 위치 하 며 양면 으로 자기장 을 형성 시켜 주 며 상기 전자석 은 전도체 가공물 에 대해 자기 적 인 척력 으로 진동 의 감쇠 를 강제 할 수 있 도록 극성 발현 부위 가 상호 근접 하 여 대칭 적 으로 형성 되 어 위치 하 도록 설치 되 어 있 다 .