제 1 게이트 전극 ( 310 ) 과 제 1 산화물 층 ( 370 ) 은 서로 다른 식각 선택 비 를 갖 기 때문 에 , 이 들 이 동일 한 공정 에서 식각 되 면 제 1 산화물 층 ( 370 ) 이 더 많이 식각 될 수 있 다 . 이 에 따라 제 1 산화물 층 ( 370 ) 은 측면 이 제 1 게이트 전극 ( 310 ) 의 측면 보다 함몰 될 수 있 다 . 제 1 산화물 층 ( 370 ) 의 측면 이 함몰 되 는 경우 , 후속 공정 에서 형성 되 는 제 1 층간 절 연막 ( 160 ) 의 절연 물질 이 제 1 산화물 층 ( 370 ) 의 측면 에 는 증착 되 지 않 아 결함 ( crack ) 이 발생 할 수 있 다 . 이 는 구동 트랜지스터 ( DRT ) 의 소자 특성 및 신뢰 성 을 저해 하 는 요인 이 될 수 있 다 .