지금 까지 설명 한 바 와 같이 , 본 발명 에 따른 반도체 소자 의 트랜 치 소자 분리 막 형성 방법 에 따르 면 , 매립 절 연막 에 대한 평탄 화 를 수행 한 후 산소 건식 산화 공정 을 수행 함 으로써 , 트랜 치 소자 분리 막 의 모트 부분 에 인접 하 여 노출 되 는 반도체 기판 의 상부 모서리 가 둥근 프로 파일 을 갖 도록 할 수 있 으며 , 이 에 따라 전계 집중 현상 을 완화 하 여 소자 의 특성 열화 를 억제 할 수 있 다는 이점 이 제공 된다 .