( e ) 스텝 B 에서 는 , 하 지 ( 200 b ) 상 및 보호막 ( 200 e ) 상 에 선택 적 으로 ( 우선 적 으로 ) 흡착 시키 는 Si 의 양 을 , 하 지 ( 200 b ) 및 보호막 ( 200 e ) 각각 의 표면 전역 에 걸쳐 대략 균일 한 양 으로 하 는 것 이 가능 하 게 된다 . 이 에 의해 , 스텝 C 에서 는 , 하 지 ( 200 b ) 및 보호막 ( 200 e ) 각각 의 표면 전역 을 대략 균일 하 게 개질 시키 는 것 이 가능 하 게 된다 . 결과 로서 , 스텝 D 에서 는 , 하 지 ( 200 b ) 상 및 보호막 ( 200 e ) 상 에 의 SiN 막 의 형성 을 , 그것 들 의 표면 전역 에 걸쳐 대략 균일 하 면서 또한 확실 하 게 저해 하 는 것 이 가능 하 게 된다 . 즉 , 선택 성장 에서 의 선택 성 을 높이 는 것 이 가능 하 게 된다 .