상기 유리 기판 상부 에 우선 정공 주입 층 으로서 공지 의 물질 인 IDE 406 을 진공 증착 하 였 다 . G 화소 영역 에 는 50 Å , R 화소 영역 에 는 하부 전극 상 에 보조 정공 주입 층 을 200 Å 으로 형성 하 고 정공 주입 층 을 50 Å 으로 하 여 총 250 Å 의 두께 로 형성 하 였으며 , 또한 B 화소 영역 에 는 50 Å 의 두께 로 정공 주입 층 을 형성 하 였 다 . 이어서 , 정공 수송 층 을 형성 하 는 물질 로 IDE 320 을 사용 하 여 상기 R , G , B 화소 영역 상 에 150 Å 두께 로 진공 증착 하 여 정공 수송 층 을 형성 하 였 다 . 정공 수송 층 을 형성 한 후 , 상기 정공 수송 층 상부 에 G 화소 영역 에 는 공지 의 녹색 호스 트인 TMM 004 300 Å 과 도 펀트 인 CD 33 을 13 % 로 하 여 G 화소 의 발광 층 을 형성 하 였 고 , R 화소 영역 에 는 TMM 004 300 Å 과 도 펀트 인 TER 004 를 20 % 로 하 여 형성 하 였 다 . 이어서 , 상기 R , G 화소 의 발광 층 을 포함 한 상부 에 공지 의 청색 형광 호스 트인 BH 215 100 Å 과 BD 052 를 2 % 로 하 여 R , G , B 화소 의 발광 층 을 형성 하 였 다 . 이어서 , 상기 R , G , B 화소 의 발광 층 상 에 전자 수송 층 을 형성 한다 . 상기 전자 수송 층 은 공지 의 물질 인 Alq 3 를 사용 하 여 200 Å 의 두께 로 형성 하 였 다 . 다음 , 상기 전자 수송 층 상부 에 전자 주입 층 으로 할로겐화 알칼리 금속 인 LiF 를 5 Å 의 두께 로 증착 한다 .