폴리 실리콘 결정 화 방법 은 , 우선 도 1 a 에서 와 같이 유리 기판 ( 10 ) 전면 에 PECVD 또는 LPCVD 방법 을 수행 하 여 실리콘 산화 막 ( SiO 2 ) 또는 실리콘 질화 막 ( SiNx ) 을 증착 하 여 버퍼 층 ( buffer layer ) ( 12 ) 을 형성 하 고 , 상기 버퍼 층 ( 12 ) 상 에 PECVD , LPCVD 또는 스퍼터링 ( Sputtering ) 등 의 방법 을 이용 하 여 비정질 실리콘 을 증착 하 여 비정질 실리콘 막 ( 14 ) 을 형성 한다 .