따라서 , 상기 등방 성 의 드라이 에칭 ( dry etching ) 을 마친 상태 의 최종 적 으로 는 상기 스위칭 영역 ( TrA ) 과 게이트 패드 부 ( GPA ) 에 있 어서 는 상기 제 2 포토레지스트 패턴 ( 181 a ) 하부 로 상기 제 2 포토레지스트 패턴 ( 181 a ) 끝단 보다 그 내측 으로 소정 폭 줄어든 형태 즉 , 상기 제 2 포토레지스트 패턴 ( 181 a ) 에 대해 언더 컷 ( under cut ) 형태 로서 보호 층 ( 140 ) 이 식각 되 며 , 이때 , 상기 스위칭 영역 ( TrA ) 에 있 어서 는 상기 제 2 포토레지스트 패턴 ( 181 a ) 외부 로 노출 된 보호 층 ( 140 ) 이 제거 됨 으로써 그 하부 의 드레 인 전극 ( 136 ) 끝 단부 의 상면 및 측면 과 게이트 절 연막 ( 120 ) 을 노출 시키 게 된다 .