다음 으로 유기 막 잔여 패턴 ( PR 11 b ) 을 마스크 로 하 여 제 3 도전 물질 층 ( 43 c ) 의 돌출 패턴 ( 43 ct ) , 제 3 도전 물질 층 ( 43 c ) 중 유기 막 잔여 패턴 ( PR 11 b ) 에 의해 가려 지 지 않 고 노출 된 부분 및 제 1 도전 물질 층 ( 43 a ) 중 제 2 도전 물질 층 ( 43 b ) 에 의해 가려 지 지 않 고 노출 된 부분 을 일괄 에칭 하 여 제거 한다 . 돌출 패턴 ( 43 ct ) 은 도 15 및 도 16 에 도시 된 바 와 같이 드라이 에칭 공정 을 통해 제거 될 수 있 다 . 또한 드라이 에칭 공정 중 에 제 3 도전 물질 층 ( 43 c ) 중 유기 막 잔여 패턴 ( PR 11 b ) 에 의해 가려 지 지 않 은 부분 도 제거 될 수 있 으며 , 또한 제 1 도전 물질 층 ( 43 a ) 도 패 터닝 될 수 있 다 .