이제 도 1 을 참조 하 면 , 방법 ( 100 ) 은 밀봉 링 영역 및 회로 영역 을 가지 는 반도체 기판 이 제공 되 는 블록 102 로 시작 한다 . 실시 예 에 있 어서 , 밀봉 링 영역 은 회로 영역 주위 에 형성 되 고 , 밀봉 링 영역 은 그 위 에 밀봉 링 구조 를 형성 하 기 위한 것 이 고 회로 영역 은 그 안 에 적어도 트랜지스터 디바이스 를 형성 하 기 위한 것 이 다 . 상기 방법 ( 100 ) 은 집 적 회로 가 회로 영역 위 에 형성 되 고 밀봉 링 구조 가 밀봉 링 영역 위 에 형성 되 는 블록 104 로 계속 된다 . 상기 방법 ( 100 ) 은 제 1 의 전면 패 시베이 션 층 이 밀봉 링 영역 의 밀봉 링 구조 위 에 형성 되 는 블록 106 으로 계속 되 고 , 전면 개구 가 밀봉 링 구조 의 외측 부분 에 인접 한 제 1 의 전면 패 시 베이 션 층 에서 에칭 되 는 블록 108 로 계속 된다 . 상기 방법 은 전면 금속 패드 가 제 1 의 전면 패 시베이 션 층 의 전면 개구 에 형성 되 어 제 1 금속 패드 를 밀봉 링 구조 의 외측 부분 에 결합 하 는 블록 110 으로 계속 된다 . 블록 112 에서 , 제 2 의 전면 패 시베이 션 층 은 전면 금속 패드 위 에 형성 되 고 , 블록 114 에서 , 캐리어 웨이퍼 로 의 제 1 의 전면 패 시베이 션 층 의 웨이퍼 접합 및 기판 의 시닝 ( thinning ) 을 위한 기판 에칭 을 포함 하 는 백사이드 공정 이 수행 된다 .