도 4 c 를 참조 하 면 , 도 4 b 의 제 1 개 구부 들 ( 105 ) 의 내벽 들 및 하 부면 을 균일 하 게 덮 는 반도체 영역 ( 130 ) 을 형성 할 수 있 다 . 상기 반도체 영역 ( 130 ) 은 원자 층 증착 ( Atomic Layer Deposition , ALD ) 또는 화학 기상 증착 ( Chemical Vapor Deposition , CVD ) 을 사용 하 여 형성 될 수 있 다 . 상기 반도체 영역 ( 130 ) 은 일정 한 두께 , 예컨대 , 제 1 개 구부 ( 105 ) 의 폭 의 1 / 50 내지 1 / 5 의 범위 의 두께 로 형성 될 수 있 으며 , 그 에 따라 내부 에 내부 개구부 ( 미 도시 ) 가 형성 될 수 있 다 .