FinFET 디바이스 제조 시 에어 갭 들 을 형성 하 기 위한 상세 한 프로세싱 스킴 은 본 명세서 에 제공 된 SnO 2 스 페이서 들 과 함께 사용 될 수 있 는 에어 갭 형성 방법 을 제공 할 목적 을 위해 , 전체 가 본 명세서 에 참조 로서 인용 된 , 2016 년 12 월 6 일 허여 된 , " 명칭 이 "" Air Gap Spacer Integration For Improved Fin Device Performance "" 인 Besser 등 의 공동 으로 소유 된 미국 특허 제 9 ", 515 , 156 호 에 기술 된다 . 일부 실시 예 들 에 따른 FinFET 디바이스 제조 의 맥락 에서 에어 갭 들 을 형성 하 기 위한 방법 들 은 , FinFET 디바이스 제조 의 다양 한 스테이지 들 동안 반도체 기판 의 사시도 들 을 도시 하 는 , 도 4 a 내지 도 4 t 를 참조 하 여 기술 된다 .