상기 그래핀 은 다양 한 형태 로 상기 활성 층 과 P 형 질화물 반도체 층 사이 또는 P 형 질화물 반도체 층 에 포함 될 수 있 으며 , 상기 활성 층 과 P 형 질화물 반도체 층 사이 에 형성 되 는 방법 은 예 를 들 어 , 활성 층 상 에 화학 기상 증착 ( CVD , chemical vapor deposition ) 에 의해 그래핀 층 을 형성 한 후 , 그 위 에 P 형 질화물 반도체 층 을 형성 하 는 방법 으로 형성 할 수 있 다 .