이상 , 본 발명 의 바람직 한 실시 예 에 관해 상세히 설명 했 지만 , 본 발명 은 전술 한 실시 예 에 제한 되 지 않 고 , 본 발명 의 범위 를 일탈 하 는 일 없이 , 전술 한 실시 예 에 여러 가지 변형 및 치환 을 가할 수 있 다 . 예컨대 본 실시 형태 에서 는 , 열처리 장치 ( 200 ) 를 일례 로서 설명 했 지만 , CVD ( 화학 적 기상 성장 ) 법 , 열 산화 법 , ALD ( 원자 층 퇴적 ) 법 등 의 배치 성막 장치 에 대한 적용 도 가능 하 다 .