도 5 및 도 7 a 에 도시 된 바 와 같이 , 게이트 패드 부 , 박막 트랜지스터 부 , 화소 부 및 데이터 패드 부 가 각각 정의 된 제 1 기판 ( 1 ) 을 제공 한다 . 이 어 , 상기 제 1 기판 ( 1 ) 상 에 게이트 배선용 금속 막 을 형성 하 고 나 서 , 상기 게이트 배선용 금속 막 을 패 터닝 하 여 게이트 배선 ( 102 ) 을 형성 한다 . 이때 , 상기 게이트 배선 ( 102 ) 은 게이트 패드 부 에 형성 된 게이트 패드 하부 전극 ( 152 ) 및 박막 트랜지스터 부 에 형성 된 게이트 전극 ( 106 ) 을 포함 한다 .