첨부 된 실시 예 에 나타낸 바 와 같이 , 본 발명자 들 은 Fc γ RIIb 발현 의 수준 이 세포 표면 으로부터 mAb 의 증가 된 모듈레이션 과 상관 이 있 음 을 알아내 었 다 . Fc γ RIIb 발현 수준 이 훨씬 더 높 을수록 , 훨씬 더 높 은 모듈레이션 을 제공 한다 . 즉 , 도 2 d 및 3 a 에 나타낸 바 와 같이 발현 및 모듈레이션 의 상승도 사이 에 상관 성 이 존재 한다 . 도 2 d 에 , 관찰 된 모듈레이션 수준 에 대해 Fc γ RIIb 의 발현 수준 을 나타내 었 다 . 그 상관 성 은 가장 높 은 수준 의 Fc γ RIIb ( 예 , > 400 ) 는 가장 낮 은 수준 의 표면 CD 20 ( < 20 %) 을 일으키 는 것 으로 , 즉 , 세포 표면 의 mAb 를 모듈레이션 하 는데 가장 큰 영향 을 미치 는 것 이 었 다 . 도 3 a 에서 , 저 ( 18 ) , 중 ( 70 ) 및 고 ( 124 ) 수준 의 Fc γ RIIb 가 Fc γ RIIb - 네 가티 브 세포주 ( Ramos ) 에 도입 되 었 고 , 이 는 Fc γ RIIb 의 발현 에 비례 하 여 세포 표면 CD 20 의 수준 을 감소 시키 는 것 과 직접 적 으로 상관 이 있 었 다 ( 저 , 중 및 고 수준 의 Fc γ RIIb 에 대해 60 , 40 및 30 %). Fc γ RIIb 발현 수준 은 아이 소타 입 대 조구 에 대한 Fc γ RIIb 의 기하학 적 평균 형광 강도 ( Geo MFI ) 의 비 로 주어진다 .