다른 바람직 한 실시 형태 에 있 어서 , 본 발명 의 레진 형 오르 가노 폴리 실록 산 은 분자 구조 중 의 SiO 4 / 2 로 표시 되 는 실록 산 단위 ( Q 단위 ) 의 비율 이 0 . 2 이 하 고 , 바람직 하 게 는 0 . 1 이하 이 고 , 보다 바람직 하 게 는 Q 단위 를 포함 하 지 않 는다 . 한편 , 상기 T 단위 및 Q 단위 의 비율 은 레진 형 오르 가노 폴리 실록 산 의 일반식 : R 3 SiO 1 / 2 로 표시 되 는 실록 산 단위 ( M 단위 ) , 일반식 : R 2 SiO 2 / 2 로 표시 되 는 실록 산 단위 ( D 단위 ) , 일반식 : RSiO 3 / 2 로 표시 되 는 실록 산 단위 ( T 단위 ) , 및 식 : SiO 4 / 2 로 표시 되 는 실록 산 단위 ( Q 단위 ) 의 양 에 의거 하 여 계산 할 수 있 다 .