다음 에 , 실리콘 기판 ( 101 ) 을 스퍼터링 장치 내 에 반송 했 다 . 스퍼터링 장치 의 타 겟 으로서 는 , Hf 및 Si 를 이용 했 다 . 실리콘 기판 을 스퍼터링 장치 내 에 반송 한 후 , 스퍼터링 장치 내 의 배기 를 실시 해서 2 × 10 - 6 Pa 까지 감압 했 다 . 실리콘 기판 ( 101 ) 을 가열 유닛 에 의해 가열 해서 , 300 ℃ 으로 유지 했 다 . 이 들 에 의해 , 막 퇴적 중 에 Hf 및 Si 를 산화 시킬 우려 가 있 는 산소 나 수분 등 을 스퍼터링 장치 외부 로 배기 했 다 . 다음 에 , 스퍼터링 장치 내 에 Ar 가스 를 유량 5 sccm 로 도입 하 고 , N 2 가스 를 0 . 5 sccm 의 유량 으로 도입 해서 , 스퍼터링 장치 내 를 0 . 2 Pa 로 유지 했 다 . 다음 에 , 각각 의 타 겟 에 고주파 전압 을 인가 해서 플 라즈 마 를 생성 하 고 , 타 겟 을 구성 하 는 Hf 및 Si 의 원자 를 스퍼터링 했 다 . 각각 의 타 겟 에서 스퍼터링 된 Hf 및 Si 의 원자 는 , 플 라즈 마 중 의 질소 원자 와 반응 해서 질화물 이 되 어 , 실리콘 기판 ( 101 ) 위 에 퇴적 되 었 다 . 이 리 엑 티 브 스퍼터링 처리 에 의해 , 막 두께 1 . 5 nm 의 질화 된 Hf 및 Si 로 이루어진 막 , 즉 N , Hf 및 Si 로 이루어진 막 ( 103 ) 이 형성 되 었 다 . 이때 , 퇴적 한 막 중 에 포함 되 는 Hf 에 대한 Si 의 조성 비 , 즉 Hf 원자 와 Si 원자 와 의 합계 에 대한 Si 원자 의 비율 은 30 % 였 다 . 막 ( 103 ) 에 있 어서 의 질소 원자 의 농도 ( 함유율 ) 는 28 원자 % 였 다 .