다음 , 도 2 를 참조 하 면 , 상기 제 1 포토레지스트 패턴 ( 100 ) 을 마스크 로 상기 제 1 절 연막 ( 30 ) 과 반도체 기판 ( 10 ) 을 식각 하 여 게이트 가 형성 될 트렌치 ( 50 ) 를 형성 한 후 상기 제 1 포토레지스트 패턴 ( 100 ) 을 제거 한다 . 상기 트렌치 는 100 내지 1000 Å 의 깊이 로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 또한 상기 식각 은 건식 식각 을 이용 한다 . 이후 상기 반도체 기판 ( 10 ) 에 트랜지스터 의 문턱 전압 을 조절 하 기 위한 이온 주입 을 실시 한다 . 또한 상기 제 1 절연 막 은 이온 주입 시 기판 을 보호 하 기 위한 완충 막 의 역할 을 수행 한다 .