전기 전도 성 층 에 적합 한 물질 로 는 , 특히 도핑 된 금속 옥사이드 이 며 , 전기 전도성 층 은 이 들 중 하나 이상 을 포함 한다 . 금속 옥사이드 는 , 바람직 하 게 는 주석 옥사이드 , 아연 옥사이드 , 인듐 옥사이드 및 / 또는 티탄 옥사이드 , 바람직 하 게 는 주석 옥사이드 , 인듐 옥사이드 및 / 또는 아연 옥사이드 이 다 . 상기 금속 옥사이드 는 상기 전 도성 층 에서 도핑 된 형태 로 존재 하 며 , 이때 도핑 은 갈륨 , 알루미늄 , 인듐 , 탈륨 , 게르마늄 , 주석 , 인 , 비소 , 안티몬 , 세 레늄 , 텔루르 , 몰리브덴 , 텅스텐 및 / 또는 불소 에 의해 이루어질 수 있 다 . 상기 전 도성 층 에 는 , 전술 한 것 중 개별 적 인 도판 트 나 이 들 의 혼합물 이 존재 할 수 있 다 . 알루미늄 , 인듐 , 텔루르 , 불소 , 텅스텐 , 주석 및 / 또는 안티몬 이 금속 옥사이드 를 도핑 하 기 위해 바람직 하 게 사용 된다 . 상기 전도성 층 중 도판 트 의 함량 은 0 . 1 내지 30 중량 %, 바람직 하 게 는 2 내지 15 중량 % 일 수 있 다 . 특히 바람직 한 실시 양태 에서 , 사용 된 전도성 층 은 안티몬 도핑 된 주석 옥사이드 , 안티몬 - 및 텔루르 - 도핑 된 주석 옥사이드 , 텅스텐 - 도핑 된 주석 옥사이드 , 주석 도핑 된 인듐 옥사이드 , 알루미늄 - 도핑 된 아연 옥사이드 또는 불소 - 도핑 된 주석 옥사이드 이 며 , 여기 서 안티몬 - 도핑 된 주석 옥사이드 가 특히 바람직 하 다 . 이러 한 바람직 한 조합 에서 주석 : 안티몬 의 비 는 4 : 1 내지 100 : 1 , 바람직 하 게 는 8 : 1 내지 50 : 1 일 수 있 다 . 낮 은 안티몬 함량 은 전도도 에 부정 적 인 영향 을 미치 는 반면 , 높 은 안티몬 함량 은 가시 광 파장 영역 에서 의 안료 에 의한 흡광도 를 증가 시키 고 본 발명 에 따른 안료 의 전기 전도성 코어 의 투명도 를 감소 시킨다 .