상기 와 같이 구성 된 종래 의 나노 구 조체 제조 장치 를 이용 하 여 나노 구조 체의 하나 인 나노 막대 를 제조 하 는 방법 은 , 먼저 기판 홀더 상부 에 사파이어 로 형성 된 기판 을 설치 한 후 , 상기 용기 에 Ⅲ - 족 원소 인 Ga 을 담 는다 . 다음 에 전기로 를 작동 시켜 기판 의 온도 를 300 ~ 700 ℃ 로 유지 하 고 , 상기 용기 를 통과 하 는 제 1 가스 주 입관 을 통해 할리드 가스 를 주입 하 여 용기 속 의 Ga 과 혼합 되 면서 기판 상부 로 투입 되 도록 한다 . 다음 에 300 ~ 700 ℃ 온도 로 모기 판 이 유지 되 는 상태 에서 제 2 가스 주 입관 ( 120 ) 를 통해 NH 3 가스 를 주입 한다 . 상기 와 같이 제 1 가스 주 입관 을 통해 기판 상부 로 투입 된 Ga 은 제 2 가스 주 입관 을 통해 주입 된 NH 3 가스 와 반응 하 여 기판 상부 에 질화 갈륨 나노 막대 를 성장 시킨다 .