본 발명 의 다른 개념 에 따른 , 3 차원 반도체 메모리 장치 는 , 셀 어레이 영역 및 연결 영역 을 포함 하 는 기판 ; 상기 기판 상 에 수직 적 으로 번갈 아 적층 된 제 1 및 제 2 전극 들 을 포함 하 며 , 상기 연결 영역 에서 계단식 구조 를 갖 는 적층 구 조체 ; 및 상기 셀 어레이 영역 상 의 상기 적층 구 조체 를 관통 하 는 수직 구 조체 들 을 포함 할 수 있 다 . 상기 수직 구 조체 들 각각 은 , 그 의 직경 이 불 연속 적 으로 변화 하 는 부분 을 갖 고 , 상기 제 1 및 제 2 전극 들 각각 은 : 상기 셀 어레이 영역 상 에서 제 1 방향 으로 연장 되 며 , 상기 제 1 방향 에 교차 하 는 제 2 방향 으로 서로 이격 된 전극 부들 ; 및 상기 연결 영역 상 에서 상기 전극 부들 로부터 상기 제 1 방향 으로 돌출 되 며 , 상기 제 2 방향 으로 서로 이격 되 는 돌출부 들 을 포함 하 고 , 상기 제 1 전극 들 각각 의 상기 돌출부 들 중 어느 하나 는 , 상기 제 1 전극 위 에 위치 하 는 제 2 전극 에 의해 노출 되 는 제 1 패드 영역 을 가지 며 , 상기 제 2 전극 들 각각 의 상기 돌출부 들 중 어느 하나 는 , 상기 제 2 전극 위 에 위치 하 는 제 1 전극 에 의해 노출 되 는 제 2 패드 영역 을 가지 고 , 평면 적 관점 에서 , 상기 제 1 패드 영역 은 상기 제 2 패드 영역 과 상기 제 2 방향 으로 인접 할 수 있 다 .