이어서 , 열처리 를 실시 하 여 , 상기 금속 층 ( 122 ) 과 반도체 재료 를 반응 시킨다 . 이 에 의해 , 불순물 영역 ( 120 ) ( 불순물 영역 ( 120 a ) , 불순물 영역 ( 120 b ) ) 에 접하 는 금속 화합물 영역 ( 124 ) ( 금속 화합물 영역 ( 124 a ) , 금속 화합물 영역 ( 124 b ) ) 이 형성 된다 ( 도 11 a 참조 ) . 또한 , 게이트 전극 ( 110 ) 으로서 다 결정 실리콘 등 을 사용 하 는 경우 에 는 , 게이트 전극 ( 110 ) 의 금속 층 ( 122 ) 과 접촉 하 는 부분 에 도 , 금속 화합물 영역 이 형성 되 게 된다 .