6 인치 질화 막 이 형성 된 실리콘 웨이퍼 ( 쿄 도 인터내셔널 사 제조 ) 상 에 , 감광성 수지 조성물 을 스핀 도포 하 여 , 도포 막 을 감광성 수지 층 으로서 형성 하 였 다 . 이 도포 막 에 테스트 패턴 이 형성 된 레티 클 을 사용 하 여 i 선 스 테퍼 ( NSR 2005 i 8 A , 니콘 사 제조 ) 에 의해 , 300 mJ / ㎠ 로 에너지 를 조사 하 여 노광 하 였 다 . 이어서 , 웨이퍼 상 에 형성 한 도포 막 을 , 2 . 38 질량 ％ 수산화 테트라메틸 암모늄 수용액 을 사용 하 여 현상기 ( D - SPIN 636 형 , 일본 , 다 이 닛폰 스크린 제조사 제조 ) 로 스프레이 현상 하 고 , 순수 로 린스 하 여 노광 부를 현상 제거 하 여 , 수지 의 릴리프 패턴 을 얻 었 다 . 릴리프 패턴 을 형성 한 웨이퍼 를 승 온 프로그램 식 큐어 로 ( VF - 2000 형 , 일본 , 코요 린드버그 사 제조 ) 를 사용 하 여 , 질소 분위기 하 , 계속 해서 320 ℃ 에서 1 시간 가열 처리 함 으로써 , 10 ㎛ 두께 의 수지 의 경화 릴리프 패턴 을 질화 막 이 형성 된 실리콘 웨이퍼 상 에 얻 었 다 .