불휘발성 반도체 기억 장치 는 전기 적 으로 재 기입 가능 한 복수 의 메모리 셀 이 직렬 로 접속 된 복수 의 메모리 스트링 을 갖 는다 . 각각 의 메모리 스트링 은 , 기판 에 대하 여 수직 방향 으로 연장 되 는 한 쌍 의 기둥 형 상부 및 상기 한 쌍 의 기둥 형 상부 의 하단 부 를 연결 시키 도록 형성 된 연결부 를 갖 는 제 1 반도체 층 과 , 상기 기둥 형 상부 의 측면 을 둘러싸 도록 형성 된 전하 축적 층 과 , 상기 기둥 형 상부 의 측면 및 상기 전하 축적 층 을 둘러싸 도록 형성 된 제 1 도전 층 을 포함 한다 . 제 1 도전 층 은 상기 메모리 셀 의 제어 전극 으로 기능 한다 .