도 4 e 를 참조 하 면 , CNT 물질 영역 의 맨 위 의 표면 의 평탄 화 및 노출 후 에 , 각 메모리 셀 의 다이오드 구조 가 형성 된다 . 일부 실시 예 에서 , ( 예 를 들 어 , 폴리 실리콘 영역 내 로 금속 원자 의 이주 를 방지 및 / 또는 감소 시키 기 위해서 ) 다이오드 형성 에 앞서 CNT 물질 영역 ( 409 ) 상 에 질화 티탄 , 질화 탄탈 , 질화 텅스텐 등 과 같 은 장벽층 ( 414 ) 이 형성 될 수 있 다 . 장벽층 ( 414 ) 은 약 20 내지 약 500 옹스트롬 , 바람직 하 게 약 100 옹스트롬 의 질화 티탄 , 또는 질화 탄탈 , 질화 텅스텐 과 같 은 또 다른 적합 한 장벽층 , 하나 이상 의 장벽층 의 조합 , 티탄 / 질화 티탄 , 탄탈 / 질화 탄탈 또는 텅스텐 / 질화 텅스텐 적층 들 등 과 같 은 다른 층 과 조합 한 장벽층 들 일 수 있 다 . 이외 의 장벽층 물질 및 / 또는 두께 가 사용 될 수 있 다 .