제 1 공정 에서 는 , 구체 적 으로 는 상기 제 1 혼합 가스 를 CVD 장치 ( 1 ) 의 도입 구 ( 6 ) 로부터 도입 관 ( 8 ) 에 도입 하 고 , 제 2 혼합 가스 를 도입 구 ( 7 ) 로부터 도입 관 ( 8 ) 에 도입 했 다 . 이어서 도입 관 ( 8 ) 을 회전 시켜 도입 관 ( 8 ) 의 관통 구멍 으로부터 제 1 혼합 가스 및 제 2 혼합 가스 를 분출 시켰 다 . 이 에 따라 , 제 1 혼합 가스 와 제 2 혼합 가스 가 균일 화 된 혼합 가스 를 얻 고 , 이 혼합 가스 를 기재 의 표면 측 에 적층 함 으로써 라멜라 층 을 형성 했 다 .