따라서 , 본 발명 의 제 1 실시 예 와 같이 , 박막 트랜지스터 의 채널 및 그 주변 의 소오 스 / 드레 인 전극 을 돌기 구조 로 이용 할 수 도 있 고 , 본 발명 의 제 2 실시 예 와 같 은 형상 으로 , 돌기 ( 110 ) 를 상기 게이트 라인 ( 101 ) 의 소정 부위 에 형성 하 고 , 상기 돌기 ( 110 ) 를 포함 한 돌기 ( 110 ) 주변 부 에 대응 하 여 제 1 칼럼 스 페이서 ( 210 ) 를 형성 할 수 있 다 .