본 발명 의 포토레지스트 막 형성 방법 은 , 하 부막 위 에 제 1 포토레지스트 막 을 코팅 하 는 단계 와 , 제 1 포토레지스트 막 패턴 에 대한 불순물 이온 주입 으로 제 1 포토레지스트 막 패턴 의 점도 를 변화 시키 는 단계 와 , 점도 가 변화 된 제 1 포토레지스트 막 위 에 제 2 포토레지스트 막 을 코팅 하 는 단계 와 , 그리고 제 1 포토레지스트 막 을 하부 반사 방지 막 으로 제 2 포토레지스트 막 에 대한 노광 및 현상 을 수행 하 여 제 2 포토레지스트 막 패턴 을 형성 하 는 단계 를 포함 한다 .