도 2 f 에 도시 된 바 와 같이 , 게이트 패턴 ( 22 ) 사이 의 분리 막 ( 26 ) 을 식각 하 여 콘 택 홀 ( 27 ) 을 형성 한다 . 이 를 위해 , 분리 막 ( 26 ) 상 에 감광막 을 코팅 ( Coating ) 하 고 노광 및 현상 으로 랜딩 플러그 콘 택 홀 영역 이 오픈 되 도록 패 터닝 한 후 분리 막 ( 26 ) 을 건식 식각 하 는데 , 자기 정렬 콘 택식 각 ( Self Aligned Contact Etch ) 을 실시 할 수 있 다 . 분리 막 ( 26 ) 을 형성 하 기 전 에 셀 스 페이서 를 형성 한 경우 자기 정렬 콘 택식 각시 셀 스 페이서 도 함께 식각 하 여 금속 실리사이드 층 ( 25 ) 을 오픈 시킬 수 있 다 .