각 반응 실은 형성 하 는 박막 의 종류 에 따라서 구별 하 여 사용 하 는 것 이 가능 하 다 . 각각 의 박막 은 최적 의 성막 온도 가 있 기 때문 에 , 반응 실 을 개별 로 나누 어 둠 으로써 성막 온도 를 관리 하 는 것 이 용이 해진다 . 또 , 같 은 막 종 을 반복 하 여 성막 할 수 있 기 때문 에 , 성막 이력 에 관계 되 는 잔류 불순물 의 영향 을 배제 할 수 있 다 . 특히 , 도너 가 되 는 불순물 원소 를 포함 하 는 미결정 반도체 막 의 경우 , 상기 도너 가 되 는 불순물 원소 를 버퍼 층 에 혼입 시키 는 것 을 회피 할 수 있 다 . 이 결과 , 버퍼 층 의 불순물 원소 의 농도 를 저감 하 는 것 이 가능 하 고 , 박막 트랜지스터 의 오프 전류 를 저감 하 는 것 이 가능 하 다 .