본 발명 은 엘 디 모스 채널 형성 방법 에 관한 것 으로서 , 반도체 층 의 필드 절연 영역 상 에 제 1 도 전형 을 형성 하 기 위한 마스크 역할 의 옥사이드 막 을 형성 하 는 단계 와 , 옥사이드 막 상 에 확산 공정 으로 제 1 도 전형 을 형성 하 는 단계 와 , 제 1 도전 형 에 이온 주입 하 여 제 2 도 전형 을 형성 하 는 단계 와 , 옥사이드 막 의 제거 와 같이 어 널 링 공정 을 통하 여 게이트 에 좌 , 우 대칭 인 채널 을 형성 하 는 단계 를 포함 한다 . 따라서 본 발명 은 , 제 1 도 전형 을 형성 하 기 위한 마스크 를 포토레지스트 대신 에 옥사이드 로 형성 하 고 , 이 옥사이드 에 BCl 3 ( 삼 염소 화 붕소 ) 의 확산 공정 을 통하 여 형성 함 으로써 , 제 2 도전 형 형성 시 발생 하 는 포토레지스트 의 기울기 변화 로 문턱 전압 이 비대칭 되 는 것 을 방지 하 고 채널 의 대칭 으로 이어져서 정상 적 인 엘 디 모스 의 동작 이 가능 한 효과 를 가진다 .