예시 적 인 구조물 은 메모리 요소 들 의 3 차원 어레이 가 후속 적 으로 형성 될 적어도 하나 의 메모리 어레이 영역 ( 100 ) , 교번 하 는 스택 ( 32 , 42 ) 의 단차 형 표면 들 이 후속 적 으로 형성 될 적어도 하나 의 계단 영역 ( 300 ) , 및 교번 하 는 스택 ( 32 , 42 ) 의 레벨 들 을 통해 연장 되 는 상호 연결 비아 구조물 들 이 후속 적 으로 형성 될 상호 연결 영역 ( 200 ) 을 포함 할 수 있 다 .