도 2 는 일부 실시 형태 에 따른 메모리 셀 의 구조 를 도시 하고 있 다 . 메모리 어레이 ( 110 ) 의 메모리 셀 은 여러 개 의 층 을 적층 함 으로써 형성 될 수 있 다 . 일부 실시 형태 에서 , 메모리 셀 의 층 스택 은 금속 패드 층 ( L _ metal ) , 메모리 엘리먼트 층 ( L _ mem ) 및 셀 렉터 엘리먼트 층 ( L _ sel ) 을 포함 한다 . 금속 패드 층 ( L _ metal ) , 메모리 엘리먼트 층 ( L _ mem ) 및 셀 렉터 엘리먼트 층 ( L _ sel ) 의 위치 는 설계 요구 에 따라 변할 수 있 다 . 일부 실시 형태 에서 , 셀 렉터 엘리먼트 층 ( L _ sel ) 은 금속 패드 층 ( L _ metal ) 상부 에 적층 되 고 , 금속 패드 층 ( L _ metal ) 은 메모리 엘리먼트 층 ( L _ mem ) 상부 에 적층 된다 . 일부 대안 적 실시 형태 에서 , 셀 렉터 엘리먼트 층 ( L _ sel ) 은 금속 패드 층 ( L _ metal ) 상부 에 적층 되 고 , 금속 패드 층 ( L _ metal ) 은 셀 렉터 엘리먼트 층 ( L _ sel ) 상부 에 적층 된다 .