하지만 , 메모리 셀 을 구성 하 는 트랜지스터 ( 예 를 들 면 , 트랜지스터 ( 160 ) ) 의 임계 값 전압 에 변동 이 있 으면 , 상기 트랜지스터 의 임계 값 전압 의 변동 에 기인 하 여 , 복수 의 메모리 셀 각각 을 동작 시키 기 위해서 필요 한 전위 ( 메모리 셀 의 임계 값 전압 이 라고 도 한다 ) 에 도 변동 이 생긴다 . 예 를 들 면 , 트랜지스터 ( 160 ) 의 임계 값 전압 에 변동 이 있 으면 , 정보 를 판독 할 때 의 메모리 셀 의 임계 값 전압 에 도 변동 이 생긴다 . 이 로 인해 복수 의 메모리 셀 각각 의 동작 전압 은 , 메모리 셀 의 임계 값 전압 의 변동 을 고려 하 여 폭 을 갖 게 하 여 설정 된다 . 이 로 인해 메모리 셀 의 동작 전압 의 저감 에 는 한계 가 있 었 다 .