한편 , 화합물 반도체 층 들 은 제 1 화합물 반도체 층 ( 55 ) , 활성 층 ( 57 ) , 제 2 화합물 반도체 층 ( 59 ) 을 포함 한다 . 화합물 반도체 층 들 은 III - N 계열 의 화합물 반도체 층 들 로 , 금속 유기 화 학기 상 증착 법 ( MOCVD ) 또는 분자선 증착 법 ( molecular beam epitaxy ; MBE ) 등 의 공정 에 의해 성장 될 수 있 다 .