도 21 를 참조 하 면 , 기판 ( 110 ) 의 주면 ( 110 M ) 상 에 복수 의 제 1 절연 층 ( 120 ) 및 복수 의 희생 층 ( 310 ) 을 교대 로 형성 할 수 있 다 . 예 시 적 인 실시 예 들 에서 , 복수 의 제 1 절연 층 ( 120 ) 은 실리콘 산화물 , 실리콘 산질 화물 등 의 절연 물질 을 포함 할 수 있 고 , 복수 의 희생 층 ( 310 ) 은 실리콘 질화물 , 실리콘 산질 화물 , 또는 불순물 이 도핑 된 폴리 실리콘 등 을 포함 할 수 도 있 다 .