다음 으로 , 예 를 들 면 , 열 인산 용액 을 이용 한 웨트 에칭 에 의해 , SBSI 영역 및 벌크 영역 위 로부터 산화 방지 용 의 SiN 막 을 제거 한다 . 그리고 , 포토 리소그래피 기술 에 의해 , 벌크 영역 의 Si 기판 ( 1 ) 위 를 포토레지스트 ( 도시 하 지 않 음 ) 로 덮 고 , 이 상태 에서 SBSI 영역 의 SiO 2 막 ( 3 ) 을 에칭 하 여 제거 하 고 , 또한 , 그 아래 의 Si 기판 ( 1 ) 표면 을 에칭 하 여 오 목부 ( 9 ) 를 형성 한다 . SiO 2 막 ( 3 ) 의 에칭 은 예 를 들 면 BHF ( 버퍼 드 불 산 ) 등 을 이용 한 웨트 에칭 , 또는 드라이 에칭 으로 행하 고 , Si 기판 ( 1 ) 의 에칭 은 예 를 들 면 드라이 에칭 으로 행한다 . 이 오 목부 ( 9 ) 를 형성 하 기 위한 드라이 에칭 공정 에서 는 , 오 목부 ( 9 ) 의 Si 기판 ( 1 ) 표면 으로부터 의 깊이 d 가 , 다음 공정 에서 형성 되 는 SiGe 층 및 Si 층 의 막 두께 의 합계 값 과 동일 한 크기 로 되 도록 , 드라이 에칭 의 시간 을 조정 한다 .