도 3 을 참조 하 면 , 메모리 셀 어레이 ( 210 ) 는 복수 개 의 메모리 블록 들 ( BLK 1 ~ BLKz ) 을 포함 한다 . 각 메모리 블록 ( BLK ) 은 3 차원 구조 ( 또는 수직 구조 ) 를 갖 는다 . 예 를 들 면 , 각 메모리 블록 ( BLK ) 은 제 1 내지 제 3 방향 들 을 따라 연장 된 구조물 들 을 포함 한다 . 예 를 들 면 , 각 메모리 블록 ( BLK ) 은 제 2 방향 을 따라 연장 된 복수 개 의 셀 스트링 들 ( CSs ) 을 포함 한다 . 예 를 들 면 , 제 1 및 제 3 방향 들 을 따라 복수 개 의 셀 스트링 들 ( CSs ) 이 제공 될 것 이 다 .