다음 으로 , 세라믹 적층 체 를 1 개 의 커패시터 에 대응 하 는 영역 마다 절단 하 여 칩 화 할 수 있 다 . 이때 , 내부 전극 패턴 의 일단 이 측면 을 통하 여 교대 로 노출 되 도록 절단 할 수 있 다 . 이 후 , 칩 화 한 적층 체 를 소성 하 여 세라믹 소체 를 제조 할 수 있 다 . 상술 한 바 와 같이 상기 소성 공정 은 환원 분위기 에서 수행 될 수 있 다 . 또한 , 승 온 속도 를 조절 하 여 상기 소성 공정 을 수행 할 수 있 다 . 이 에 제한 되 는 것 은 아니 나 , 상기 승 온 속도 는 30 ℃/ 60 s 내지 50 ℃/ 60 s 일 수 있 다 .