또한 , 본 발명 은 , 아날로그 와 디지털 및 메모리 블록 으로 구획 된 반도체 기판 ; 상기 아날로그 블록 에 형성 되 며 , 반도체 기판 내 의 소자 분리 막 을 포함 하 는 반도체 기판 과 제 1 비아 및 제 1 금속 배선 으로 구성 된 쇼트 키 다이오드 ; 상기 쇼트 키 다이오드 상 에 형성 된 제 2 비아 ; 상기 제 2 비아 와 콘 택 되 는 제 2 금속 배선 ; 상기 제 2 금속 배선 상 에 형성 된 제 3 비아 ; 상기 제 3 비아 와 콘 택 되 는 제 3 금속 배선 ; 상기 제 3 금속 배선 상 에 형성 된 하부 전극 콘 택 ; 및 상기 하부 전극 콘 택 상 에 형성 된 강유 전 성 캐 패 시터 ; 로 구성 된 다단계 전압 증폭기 를 포함 하 는 임베디드 강유 전 성 램 소자 를 제공 한 다 .