구리 MIM 캐 퍼 시터 의 하부 전극 을 이루 는 구리 층 을 도금 으로 형성 하 는 단계 가 , 황산구리 등 구리 염이 용해 되 어 구리 이온 을 가지 는 황산 ( H 2 SO 4 ) 과 염산 ( HCl 0 용액 에 설 포프 로 필 설파이드 ( Sulphopropyl sulphide , 이하 SPS 라 한다 ) , 멜 캡 토프 로 패인 설 포 닉 ( Mercaptopropane sulphonic , 이하 MPS 라 한다 ) , 폴리프로필렌 글리 콘 ( Polypropylene glycol ) 가운데 적어도 하나 를 주된 구성 성분 으로 하 는 제 1 유기 첨가제 를 넣 어 형성 한 제 1 도금액 내 에서 도금 을 진행 하 는 갭 필 도금 단계 와 , 구리 이온 을 가지 는 구리 황산 ( H 2 SO 4 ) 과 염산 ( HCl 0 용액 에 폴리 이미드 ( Polyimide ) 및 폴리아민 ( polyamine ) 가운데 적어도 하나 를 주된 구성 성분 으로 하 는 제 2 유기 첨가제 를 넣 어 조성 한 제 2 도금액 내 에서 도금 을 진행 하 는 평탄 화 도금 단계 를 구비 하 여 이루어지 는 반도체 장치 형성 방법 이 개시 된다 .