전술 한 바 와 같이 , 제 2 가변 저항 소자 ( VR 2 ) 는 제 1 가변 저항 소자 ( VR 1 ) 에 비하 여 비트 라인 스위칭 소자 ( BL _ SW ) 및 워 드라인 스위칭 소자 ( WL _ SW ) 에 인접 하 므로 , 제 2 경로 에 제 1 및 제 2 저항 성분 ( R 1 , R 2 ) 이 존재 하 지 않 는 경우 에 는 제 1 경로 의 저항 이 제 2 경로 의 저항 보다 더 클 수 있 다 . 그러나 , 본 실시 예 와 같이 , 제 1 및 제 2 저항 성분 ( R 1 , R 2 ) 이 제 2 경로 에 추가 되 는 경우 , 제 2 경로 의 저항 이 증가 하 므로 , 제 1 경로 의 저항 과 동일 및 / 또는 유사 해질 수 있 다 .