상기 이온 빔 주입 단계 ( S 100 ) 는 일반 적 인 이온 빔 주입 법 을 이용 한 대 전방지 처리 방법 과 동일 하 다 . 상기 제 1 기체 로부터 이온 을 생성 한 후 , 상기 이온 을 가속 시켜 상기 대상물 에 조사 하 는 방법 으로 상기 대상물 의 표면 저항 을 낮출 수 있 다 . 바람직 하 게 는 상기 이온 빔 주입 단계 ( S 100 ) 에서 는 상기 대상물 의 표면 저항 을 109 　 Ω / □ 이하 가 되 도록 상기 이온 빔 을 조사 한다 .