트렌치 형성 이후 여러 층 에서 의 변형 의 분포 는 균일 하 지 않 으며 최종 변형 분포 는 층상 구조 체의 기하학 에 크 게 의존 한다 . 완성 된 소자 내 변형 을 결정 하 는 또 다른 고려 사항 은 에칭 된 트렌치 를 채우 기 위하 여 사용 되 는 물질 및 에칭 및 트렌치 충 진 을 위한 공정 이 다 . 대부분 의 종래 트렌치 분리 CMOS 공정 에서 , 트렌치 는 먼저 열 산화물 ( 산화 환경 의 고온 에서 성장 된 실리콘 산화물 ) 로 안감 을 대 고 그 후 충 진 물질 ( 전형 적 으로 이산화 실리콘 ) 을 증착 하 고 , 일부 경우 어닐링 시킨다 . 이러 한 충 진 기술 은 일반 적 으로 활성 층 내 로 전달 될 수 있 는 시스템 내 추가 적 인 압축 변형 을 야기 한다 . 선형 중첩 의 원리 가 응력 에 적용 되 며 , 따라서 종래 트렌치 분리 충 진 기술 이 사용 되 는 경우 , 실리콘 층 내 에서 인장 변형 의 상단 에 추가 적 인 압축 성분 을 부과 하 는 것 과 유사 할 수 있 다 . 전반 적 으로 , 활성 실리콘 층 내 알짜 변형 은 더욱 인장 성 일 것 이 다 . 더욱이 , 해당 분야 에 공지 된 바 와 같이 , 라이너 ( liner ) 유전체 충 진 및 치밀 화 어닐링 ( densification anneal ) ( 이러 한 어닐링 이 사용 되 는 경우 ) 에 대한 공정 조건 을 변형 시킴 으로써 트렌치 분리 구조 체 충 진 공정 에 의해 유발 되 는 압축 응력 을 최소 화 할 수 있 다 .