이 와 같이 기판 상 에 Ⅲ 족 및 Ⅵ 족 원소 를 포함 하 는 단일 전구체 와 , I 족 금속 을 포함 하 는 전구체 , Ⅵ 족 원소 를 포함 하 는 전구체 또는 Ⅵ 족 원소 를 함유 하 는 가스 를 사용 하 여 단일 유기 금속 화학 기상 증착 공정 으로 I - Ⅲ - Ⅵ2 화합물 박막 을 성장 시키 는 과정 에서 Ⅲ ′ 족 원소 를 포함 하 는 전구체 및 Ⅵ ′ 족 원소 를 포함 하 는 전구체 또는 Ⅵ ′ 족 원소 를 함유 하 는 가스 를 함께 공급 하 면서 증착 시키 게 되 면 I - Ⅲ - Ⅵ2 화합물 박막 에서 Ⅲ 족 및 Ⅵ 족 원소 의 일부 가 다른 Ⅲ ′ 및 Ⅵ ′ 족 원소 로 치환 되게 되 어 I - Ⅲ1 - x Ⅲ ′ x -( Ⅵ1 - y Ⅵ ′ y ) 2 화합물 박막 이 형성 되 게 된다 . 여기 서 x 와 y 는 0 ≤( x , y ) ≤ 1 이 다 .