이후 , 포토레지스트 패턴 에 의해 노출 된 게이트 금속 층 을 에칭 한 후 잔류 하 는 포토레지스트 패턴 에 대한 애 싱 공정 을 수행 함 으로써 , 기판 ( 101 ) 상 에 제 1 도전 성 패턴 을 구성 하 는 게이트 라인 ( 102 ) 및 상기 게이트 라인 ( 102 ) 에 접속 된 게이트 전극 ( 104 ) 을 구성 하 는 제 1 도전 성 패턴 을 최종 적 으로 형성 한다 .