종래 의 SOS 구조 는 사파이어 ( Sapphire A 12 O 3 ) 기판 상 에 에피택시 ( Epitaxy ) 방법 으로 단결정 실리콘 층 을 형성 하 였 는데 , 이 와 같이 제조 된 종래 의 SOS 구조 는 사파이어 와 실리콘 간 의 격자 간 매개변수 ( Lattice parameter ) 가 다르 기 때문 에 상기 사파이어 기판 과 그 상부 의 단결정 실리콘 층 과 의 계면 으로부터 상기 단결정 실리콘 층 두께 의 절반 정도 는 결정 성 이 없 어 지 게 되 며 , 그 박막 내 에 전위 ( dislocation ) , 축척 결함 ( stacking faults ) , 쌍정 ( microtwins ) 과 같 은 결정 결함 이 상당 량 이 함유 되 어 있 다 . 이러 한 결함 은 소자 의 전송 자 이동도 를 감소 시키 고 누설 전류 가 증가 되 는 문제점 이 있 었 다 .