도 14 및 도 15 를 참조 하 면 , 각각 라인 ( 2 c , 2 d ) 을 따라 확인 되 는 바 와 같이 , EPI 층 ( 25 ) 이 성장 되 고 평탄 화 처리 되 며 병합 된다 ( 예 를 들 어 , 도면 의 우측 부 에서 도시 되 는 순서 로 ) . 당 업자 에게 이해 되 는 바 와 같이 , EPI 층 의 성장 은 제조 프로세스 중 이 단계 의 일례 에 불과 하 다 . 회로 제조 시 흔히 사용 되 는 다른 타입 의 반도체 물질 이 또한 사용 될 수 있 고 , 여기 서 도시 되 는 바 와 같이 측방 으로 과 성장 된 다른 실리콘 - 계 물질 과 , 갈륨 아시나 이드 ( GaAs ) , 다이아몬드 - 계 또는 카본 나노 튜브 필름 ( 가령 , 증착 이용 ) 을 포함 할 수 있 다 .