최근 반도체 소자 가 고집 적 화 됨 에 따라 셀 면적 축소 에 유리 하 고 , 고속 동작 및 비휘발성 을 갖 는 차세대 반도체 메모리 장치 로서 자기 저항 메모리 장치 ( Magnetic Random Access Memory , MRAM ) 이 주목 받 고 있 다 . 자기 저항 메모리 장치 는 스윗 칭 동작 을 수행 하 는 트랜지스터 와 정보 를 저장 하 는 자기 터널 접합 소자 ( Magnetic Tunnel Junction cell , MTJ ) 로 구성 된다 .