반도체 트랜지스터 의 게이트 길이 가 0 . 1 마이크 론 이하 를 딥 - 서브 - 마이크 론 ( Deep Sub - Micron : DSM ) 시대 라고 한다 . DSM 시대 에서 는 서브 문턱 누설 전류 에 의한 전력 소모 가 매우 커진다 . 트랜지스터 의 게이트 길이 가 짧 아 지 고 문턱 전압 이 낮 아 지 면서 서브 문턱 누설 전류 는 드레 인 - 소스 간 전압 에 지수 함수 로 비례 하 여 증가 한다 . 그래서 DSM 시대 에서 는 서브 문턱 누설 전류 에 의한 전력 및 / 또는 데이터 손실 을 방지 할 수 있 는 새로운 시 퀀셜 회로 ( sequential circuit ) 구조 가 반드시 필요 하 다 .