도 1 내지 도 5 를 참조 하 면 , 본 발명 의 제 1 실시 예 에 따른 바 이 셀 을 포함 하 는 전극 조립 체 ( 100 ) 는 , 양극 ( 111 ) / 분리 막 ( 102 ) / 음극 ( 121 ) / 분리 막 ( 101 ) / 양극 ( 111 ) 의 순서 로 형성 된 제 1 A 형 바이 셀 ( BC 1 ) 을 적어도 하나 를 포함 할 수 있 다 . 도 1 을 참조 하 면 , 제 1 실시 예 에 따른 바 이 셀 ( BC 1 ) 을 포함 하 는 전극 조립 체 ( 100 ) 는 , 2 개 의 제 1 A 형 바이 셀 ( BC 1 ) , 제 1 A 형 바이 셀 ( BC 1 ) 사이 에 위치 하 는 양면 음극 의 제 2 음극 ( 141 ) , 최 상단 및 최 하단 에 각각 위치 하 는 단면 음극 의 제 3 음극 ( 161 ) 을 포함 할 수 있 다 . 즉 , 본 발명 의 제 1 실시 예 에 따른 바 이 셀 을 포함 하 는 전극 조립 체 ( 100 ) 는 , 최 하단 에서부터 차례 대로 단면 음극 의 제 3 음극 ( 161 ) , 제 1 A 형 바이 셀 ( BC 1 ) , 양면 음극 의 제 2 음극 ( 141 ) , 제 1 A 형 바이 셀 ( BC 1 ) , 단면 음극 의 제 3 음극 ( 161 ) 을 적층 함 으로써 형성 될 수 있 다 . 다시 말 하 면 , 5 개 의 전 극체 ( BC 1 , 141 , 161 ) 를 적층 하 면 양극 과 음극 이 8 번 서로 마주 보 는 전극 조립 체 ( 100 ) 를 얻 을 수 있 다 . 종래 의 경우 에 는 양극 과 음극 이 8 번 서로 마주 보 는 전극 조립 체 를 얻 기 위해서 는 전 극체 를 9 개 적층 해야 하 는데 , 종래 와 비교 할 때 본 발명 의 제 1 실시 예 에 따른 전극 조립 체 ( 100 ) 는 적층 횟수 를 줄이 고 적층 속도 를 높일 수 있 다 .