도 12 d 를 참조 하 면 , 도 5 n 내지 도 5 p 와 유사 한 공정 을 수행 하 여 , 블로킹 유전 막 ( 125 ) 및 전하 저 장막 ( 130 f ) 상 에 터널 링 유전 막 ( 140 ) , 채널 막 ( 150 ) , 및 매립 절 연막 ( 156 ) 을 순차 적 으로 형성 한다 . 이 후 , 복수 의 희생 막 ( 도 12 c 의 PL ) 을 제거 한 공간 을 채우 는 복수 의 워드 라인 구조물 ( WS ) 를 형성 하 여 , 집적회로 소자 ( 100 g ) 를 형성 할 수 있 다 .