또한 , 본 발명 의 실시 예 에 따른 반도체 공정 진단 센서 장치 제조 방법 은 , 제 1 및 제 2 금속 층 ( 150 , 350 ) 을 안테나 기판 ( 210 ) 이 배치 되 는 영역 에 배치 하 지 않 음 으로써 , 금속 재질 로 이루어진 제 1 및 제 2 금속 층 ( 150 , 350 ) 에 의해 발생 되 는 통신 교란 또는 충전 방해 를 방지 할 수 있 다 .