다음 으로 , 상기 제 2 포토레지스트 패턴 ( PR 2 ) 을 식각 마스크 로 이용 한 식각 공정 으로 상기 전극 패턴 부 ( EP ) 의 상기 차광 물질 층 ( SL ) 에 제 1 , 제 2 , 제 3 , 제 4 및 제 5 개 구 패턴 ( O 1 , O 2 , O 3 , O 4 , O 5 ) 을 형성 한다 . 구체 적 으로 상기 제 1 개 구 패턴 ( O 1 ) 은 상기 전극 패턴 부 ( EP ) 상 에서 제 1 방향 ( X ) 으로 연장 된다 . 상기 제 2 개 구 패턴 ( O 2 ) 는 상기 제 1 개 구 패턴 ( O 1 ) 로부터 상기 제 2 방향 ( Y ) 에 반대 되 는 제 3 방향 으로 절곡 되 어 연장 된다 . 상기 제 3 개 구 패턴 는 ( O 3 ) 상기 제 2 개 구 패턴 ( O 2 ) 로부터 상기 제 1 방향 ( X ) 으로 절곡 되 어 연장 된다 . 상기 제 4 개 구 패턴 ( O 4 ) 는 상기 제 3 개 구 패턴 ( 03 ) 로부터 상기 제 2 방향 ( Y ) 으로 절곡 되 어 연장 된다 . 상기 제 5 개 구 패턴 ( O 5 ) 는 상기 제 4 개 구 패턴 ( O 4 ) 로부터 상기 제 1 방향 ( X ) 으로 절곡 되 어 연장 된다 .