본 발명 은 소오 스 / 드레 인 영역 의 항복 전압 을 증가 시키 면서 드리프트 영역 파괴 를 방지 하 고 고전압 소자 의 동작 특성 을 유지 하 면서 On - 채널 특성 을 개선 시킬 수 있 는 고전압 반도체 소자 를 제공 하 고 , 이러 한 특성 을 만족 하 면서 공정 의 난이도 를 감소 시킬 수 있 는 고전압 반도체 소자 제조 방법 을 제공 하 기 위한 것 으로서 , 이 를 위해 본 발명 은 기판 내 에 형성 된 웰 과 , 상기 웰 내 에 서로 일정 거리 이격 되 어 형성 된 드리프트 영역 과 , 상기 드리프트 영역 과 상기 웰 간 의 경 계면 으로부터 일정 거리 이격 되 어 상기 드리프트 영역 내 에 각각 형성 된 소오 스 / 드레 인 영역 과 , 일부분 이 상기 드리프트 영역 과 각각 중첩 되 도록 웰 상부 에 형성 된 게이트 전극 과 , 상기 게이트 전극 과 상기 드리프트 영역 간 의 중첩 영역 에서 의 두께 가 상기 드리프트 영역 사이 영역 에서 의 두께 보다 두껍 도록 상기 소오 스 / 드레 인 영역 사이 의 상기 웰 표면 상 에 형성 된 게이트 절 연막 을 포함 하 는 고전압 반도체 소자 를 제공 한다 .