이때 , 상기 제 1 불순물 은 상기 금속 막 패턴 을 형성 하 는 식각 및 애 싱 공정 후 에 잔존 하 는 포토레지스트 등 의 폴리머 로 이루어져 있 다 . 상기 유기 또는 무기 스트립 용액 의 예 로 는 염산 ( HCl ) , 초산 ( CH 3 COOH ) , 암모니아수 ( NH 4 OH ) , 수산화 암모늄 ( ammonium hydroxide ) 및 과산화수소수 ( H 2 O 2 ) 중 적어도 하나 의 용액 과 탈 이온 수와 의 혼합액 을 들 수 있 다 . 즉 , 초산 및 암모니아 의 화학 적 반응 에 의해 상기 반도체 기판 ( 200 ) 상 에 존재 하 는 폴리머 및 불순물 입자 들 이 반도체 기판 ( 200 ) 으로부터 제거 될 수 있 으므로 , 암모니아수 , 초산 및 탈 이 온수 를 혼합 한 혼합액 을 스트립 용액 으로서 사용 하 는 것 이 바람직 하 다 . 상기 유기 또는 무기 스트립 용액 의 구체 적 인 예 로 는 EKC 용액 , NE 용액 등 을 들 수 있 다 .