상기 게이트 전극 의 양 측 으로 불순물 이 도핑 된 소스 / 드레 인 영역 이 형성 되 어 있 다 . 상기 소스 / 드레 인 영역 은 상기 게이트 전극 의 신호 에 의해 도통 이 되 거나 차단 이 된다 . 이러 한 경우 , 상기 게이트 전극 의 하면 에 위치 된 상기 소스 영역 과 드레 인 영역 간 에 는 이러 한 게이트 전극 의 제어 에 의해 도통 또는 차단 되 는 채널 층 이 구비 된다 . 본 발명 의 채널 층 은 단순히 실리콘 웨이퍼 ( 11 ) 로서 , 상기 게이트 전극 의 제어 에 의해 상기 채널 층 이 도통 되 거나 차단 되 게 된다 .