제 2 박막 트랜지스터 ( 320 ) 의 제 2 소스 전극 ( 322 ) 은 제 2 소스 하부 전극 ( 322 a ) 및 제 2 소스 상부 전극 ( 322 b ) 으로 이루어질 수 있 다 . 그리고 , 제 2 드레 인 전극 ( 323 ) 은 제 2 드레 인 하부 전극 ( 323 a ) 및 제 2 드레 인 상부 전극 ( 323 b ) 으로 이루어질 수 있 다 . 제 2 소스 하부 전극 ( 322 a ) 및 제 2 드레 인 하부 전극 ( 323 a ) 은 스토리지 커패시터 ( 140 ) 의 제 2 커패시터 전극 ( 142 ) 과 동일 한 물질 로 형성 될 수 있 다 . 그리고 , 제 2 소스 상부 전극 ( 322 b ) 및 제 2 드레 인 상부 전극 ( 323 b ) 은 제 1 박막 트랜지스터 ( 410 ) 의 제 1 소스 전극 ( 412 ) 및 제 1 드레 인 전극 ( 413 ) 과 동일 한 물질 로 이루 질 수 있 다 . 또한 , 제 2 소스 상부 전극 ( 322 b ) 및 제 2 드레 인 상부 전극 ( 323 b ) 은 제 3 박막 트랜지스터 ( 330 ) 의 제 3 소스 전극 ( 332 ) 및 제 3 드레 인 전극 ( 333 ) 과 도 동일 한 물질 로 이루어질 수 있 다 .