본 실시 형태 에서 는 반도체 소자 가 형성 된 기판 의 분단 방법 을 , 도 1 a 내지 도 1 d , 도 2 a 내지 도 2 c , 도 3 a 내지 도 3 b , 도 4 a 내지 도 4 b , 도 5 a 내지 도 5 d , 및 도 6 a 내지 도 6 c 를 참조 하 여 설명 한다 . 여기 에서 는 상기 반도체 소자 로서 광전 변환 회로 의 제작 된 기판 을 예 로 든다 .