상술 한 스텝 D 1 , D 2 를 비 동시 에 , 즉 , 동기 시키 지 않 고 행하 는 사이클 을 소정 횟수 ( n 회 , n 은 1 이상 의 정수 ) 행함 으로써 , 도 5 의 ( f ) 에 도시 하 는 바 와 같이 , 웨이퍼 ( 200 ) 의 표면 에 노출 된 하지 ( 200 a , 200 b ) 및 보호막 ( 200 e ) 중 하 지 ( 200 a ) 의 표면 상 에 SiN 막 을 선택 적 으로 형성 할 수 있 다 . 상술 한 사이클 은 , 복수 회 반복 하 는 것 이 바람직 하 다 . 즉 , 1 사이클 당 형성 되 는 SiN 층 의 두께 를 원하 는 막 두께 보다 도 얇 게 하 여 , SiN 층 을 적층 함 으로써 형성 되 는 막 의 막 두께 가 원 하 는 막 두께 로 될 때 까지 , 상술 한 사이클 을 복수 회 반복 하 는 것 이 바람직 하 다 .