디바이스 ( 54 ) 는 반도체 기판 ( 52 ) 의 전면 측 에 형성 될 수 있 다 . 디바이스 ( 54 ) 는 능동 디바이스 ( 예컨대 , 트랜지스터 , 다이오드 등 ) , 커패시터 , 레지스터 등 일 수 있 다 . 층간 유전체 ( ILD ) ( 56 ) 가 반도체 기판 ( 52 ) 의 전면 측 위 에 있 다 . ILD ( 56 ) 은 디바이스 ( 54 ) 를 둘러싸 서 덮 을 수 있 다 . ILD ( 56 ) 은 인 - 실리케이트 유리 ( Phospho - Silicate Glass , PSG ) , 붕소 - 실리케이트 유리 ( Boro - Silicate Glass , BSG ) , 붕소 도핑 된 인 - 실리케이트 ( Boron - Doped Phospho - Silicate Glass , BPSG ) , 도핑 되 지 않 은 실리케이트 유리 ( USG ) 등 의 재료 로 형성 된 하나 이상 의 유전체 층 을 포함 할 수 있 다 .