본 발명 의 에칭 제 중 에서 도 ( A ) 과산화수소 , ( B ) 히드록실기 를 가지 는 포스폰산 계 킬레이트제 , ( C ) 염기 성 화합물 및 ( D - 2 ) 히드록실기 를 가지 는 포스폰산 계 킬레이트제 이외 의 산화력 을 갖 지 않 는 2 종 이상 의 음 이온 종 0 . 01 중량 %~ 3 중량 % 를 포함 하 는 용액 으로 이루어지 는 반도체 기판 용 에칭 제 를 사용 하 여 , 예 를 들 면 , 금 , 은 , 팔라듐 , 주석 또는 이 들 합금 등 의 텅스텐 보다 도 이온 화 경향 이 낮 은 금속 ( 저 이온 화 경향 금속 ) 범프 또는 배선 을 입힌 반도체 기판 상 의 W 계 금속 막 을 에칭 함 으로써 , W 계 금속 과 상기 텅스텐 보다 도 이온 화 경향 이 낮 은 금속 에 의한 이종 금속 접촉 부식 ( Galvanic 부식 ) 을 억제 하 고 , 더 나아가 서 는 상기 부식 에 의한 사이드 에칭 을 억제 할 수 있 게 되 는 등 의 효과 를 나타낸다 .