본 발명 은 , 고밀도 플라스마 CVD 기술 을 이용 하 여 증착 된 고품질 실리콘 질화물 필름 을 형성 하 는 방법 에 관한 것 이 다 . 고품질 필름 은 , 실리콘 옥사이드 에 비해 , 두 물질 이 동일 한 에칭 제 에 노출 되 는 경우 , 낮 은 WER 을 보인다 . 상기 낮 은 WER 은 수소 함량 의 감소 에 의해 달성 된다 . 실리콘 질화물 필름 의 수소 함량 은 10 % 미만 일 수 있 거나 상이 한 구체 예 에서 7 % 미만 일 수 있 다 . 본 발명 의 기술 에 따라 증착 된 실리콘 질화물 필름 의 낮 은 수소 함량 은 , 증착 중 상대 적 으로 낮 은 온도 ( < 600 ℃) 에서 유지 되 는 동안 달성 될 수 있 다 .