계속 해서 , 도 9 e 에 나타낸 바 와 같이 실리콘 산질 화 막 ( 115 ) 위 에 TEOS 를 이용 하 여 NSG 막 ( 116 ) 을 형성 하 고 , 그 탈수 처리 ( dehydration treatment ) 를 행한다 . 다음 , NSG 막 ( 116 ) 위 에 알루미늄 산화 막 ( 117 ) 을 형성 하 고 , 열처리 ( RTA ) 를 행한다 .