다시 도 8 을 참조 하 면 , 도전 막 ( 203 ) 인 금속 막 을 증착 하 기 위해 스퍼터링 ( sputtering ) 이나 전자 빔 기화 법 ( e - beam evaporation ) 으로 , 먼저 절 연막 ( 202 ) 과 의 접착성 과 결정 배향 성 을 촉진 하 고 , 도전 막 구성 성분 이 주변 부 로 확산 되 는 것 을 저지 하 는 역할 을 하 는 하부 기 저층 으로 얇 은 두께 의 Ti 막 또는 TiW 막 , Cr 막 을 증착 한 후 , 0 . 1 ㎛ ~ 5 ㎛ 두께 의 Pt 박막 이나 Au 박막 을 그 위 에 증착 하 여 Ti / Pt 막 , TiW / Pt 막 , Cr / Pt 막 , Ti / Au 막 , TiW / Au 막 , Cr / Au 막 의 적층 금속 막 을 형성 한다 .