그리고 , 반도체 소자 의 제조 에 있 어서 , 본 발명 의 레지스 트 친수 화 처리 제 를 사용 하 여 기판 위 의 레지스 트 도막 의 표면 을 친수 화 하 고 나 서 현상 하 거나 , 또는 본 발명 의 레지스 트 친수 화 처리 제 를 포함 하 는 현상액 을 사용 하 여 현상 하 면 , 현상 얼룩 의 발생 을 억제 할 수 있 고 , 현상 후 의 수세 · 건조 시 에 는 계면 장력 에 의해 레지스 트 패턴 이 도괴 되 는 것 을 방지 할 수 있 다 . 또한 , 레지스 트 도막 을 구비 한 기판 의 주연 부 의 거칠 음 을 , 상기 레지스 트 도막 을 본 발명 의 레지스 트 친수 화 처리 제 를 사용 하 여 친수 화 한 후 , 레지스 트 도막 에 물 을 공급 하 면서 연마 하 면 , 연마 부스러기 가 레지스 트 도막 에 부착 되 는 것 을 억제 할 수 있 다 . 그 로 인하 여 , 종래 , 상기 연마 부스러기 의 부착 에 의해 야기 되 었 던 배선 의 단락 이나 전기 저항 의 상승 을 방지 할 수 있 어 , 수율 의 저하 를 방지 하 고 , 고정 밀도 의 반도체 소자 를 효율 적 으로 제조 할 수 있 다 .