웨이퍼 ( 1 ) 의 표면 ( 1 a ) 은 격자 형 으로 배열 된 복수 의 분할 예정 라인 ( 3 ) 으로 구획 된다 . 또한 , 웨이퍼 ( 1 ) 의 표면 ( 1 a ) 의 분할 예정 라인 ( 3 ) 으로 구획 된 각 영역 에 는 IC 나 LSI , LED 등 의 디바이스 ( 5 ) 가 형성 된다 . 본 실시 형태 에 따른 웨이퍼 ( 1 ) 의 가공 방법 에서 는 , 분할 예정 라인 ( 3 ) 을 따른 개질 층 을 웨이퍼 ( 1 ) 의 내부 에 형성 하 고 , 상기 개질 층 을 기점 으로 웨이퍼 ( 1 ) 를 분할 하 여 , 개개 의 디바이스 칩 을 형성 한다 .