본 발명 에 따른 메모리 소자 의 프로그램 방법 은 , 먼저 프로그램 하 고자 하 는 블록 ( block ) 전체 , 즉 전체 워드 라인 ( WL 0 내지 WL 31 ) 과 드레 인 선택 라인 ( DSL ) 을 소거 한다 ( S 11 ) . 이때 워드 라인 ( WL 0 내지 WL 31 ) 뿐 만 아니 라 드레 인 선택 라인 ( DSL ) 에 도 0 V 를 인가 하 고 벌크 ( bulk ) 에 소거 바이어스 ( erase bias ) 를 인가 하 여 소거 동작 을 실시 한다 . 이 로써 , 드레 인 선택 라인 ( DSL ) 에 연결 된 메모리 셀 도 소거 되 어 문턱 전압 이 낮 아 진다 . 이때 소스 선택 라인 ( SSL ) 은 플로팅 상태 로 설정 한다 .