일반 적 으로 반도체 웨이퍼 , 유리 기판 등 의 기판 에 본 딩 용 범프 를 전기 도금 할 경우 전체 면적 에 전류 가 도통 될 수 있 는 경로 를 제공 함 과 동시 에 범퍼 형성 후 범프 이외 의 다른 부분 에 있 는 전류 전송 경로 의 제거 가 용이 하 게 하 기 위하 여 기판 상 에 약 1 , 000 Å 정도 의 얇 은 씨드 ( seed ) 층 을 형성 한다 . 하지만 , 전술 한 구조 에서 전기 도금 법 으로 범프 를 형성 할 경우 얇 은 씨드 층 의 높 은 전기 저항 으로 인하 여 도금 되 는 기판 에서 도금 전극 ( 11 , 12 , 13 , 14 ) 으로부터 의 위치 에 따라 도금 범프 의 두께 차이 가 발생 한다 .