도 4 의 예 에서 , A 는 Zn 을 포함 하 고 , M 은 Mn 을 포함 하 고 , X 는 O 를 포함 한다 . 기록 층 ( 12 ) 에서 , 작 은 백색 원 은 확산 이온 ( Zn ) 을 나타내 고 , 큰 백색 원 은 음 이온 ( O ) 을 나타내 고 , 작 은 흑색 원 은 전이 원소 이온 ( Mn ) 을 나타낸다 . 기록 층 ( 12 ) 의 초기 상태 는 고 저항 상태 이 다 . 전극 층 ( 11 ) 이 고정 전위 로 유지 되 고 음 의 전압 이 전극 층 ( 13 ) 에 인가 되 면 , 기록 층 ( 12 ) 에서 확산 이온 들 중 일부 는 전극 층 ( 13 ) 을 향하 여 이동 하 여 양 이온 들 에 비해 기록 층 ( 12 ) 의 확산 이온 들 이 저감 된다 . 전극 층 ( 13 ) 에 도달 한 확산 이온 들 은 전극 층 ( 13 ) 으로부터 의 전자 들 을 수용 하 고 금속 으로서 석출 되 어 , 금속 층 ( 14 ) 이 형성 된다 . 기록 층 ( 12 ) 내 에서 , 음 이온 들 이 과잉 되 어 결국 기록 층 ( 12 ) 의 전이 원소 이온 의 원자가 를 증가 시킨다 . 그 결과 , 캐리어 주입 에 의해 기록 층 ( 12 ) 이 전자 전도 성 으로 되 어 이 에 따라 세트 동작 이 완료 된다 . 재 생시 , 기록 층 ( 12 ) 을 구성 하 는 물질 이 저항 변화 를 일으키 지 않 을 정도 의 미소 값 의 전류 가 흐를 수 있 다 . 프로그래밍 상태 ( 저 저항 상태 ) 는 충분 한 시간 동안 큰 전류 를 기록 층 ( 12 ) 에 흘려 주울 열 을 발생 시킴 에 의해 기록 층 ( 12 ) 에서 의 산화 환원 반응 을 촉진 시킴 으로써 초기 상태 ( 고 저항 상태 ) 로 리세트 될 수 있 다 . 세트 시 의 방향 과 반대 되 는 방향 으로 전계 를 인가 함 으로써 리세트 동작 이 가능 하 다 .