컨 택 홀 들 ( H ) 은 플 라즈 마 식각 공정 , 예컨대 RIE 공정 ( Reactive Ion Etching porcess ) 을 통해서 생성 될 수 있 다 . 컨 택 홀 들 ( H ) 형성 공정 단계 에 프로세스 챔버 에 도입 되 는 식각 가스 가 고주파 전원 에 의해 플 라즈 마 화 되 고 , 플 라즈 마 화 된 식각 가스 의 포지티브 ( +) 전하 가 피식 각물 과 충돌 하 여 피식 각물 이 에칭 ( etching ) 될 수 있 다 . 플 라즈 마 식각 공정 이 진행 되 는 동안 에 포지티브 전하 가 하드 마스크 패턴 ( HM ) 에 충전 ( charge ) 될 수 있 다 . 하드 마스크 패턴 ( HM ) 에 충전 된 포지티브 전 하 는 후속 플 라즈 마 식각 공정 에서 식각 가스 의 흐름 을 방해 하 여 식각 불량 을 유발 할 수 있 다 .