도 13 및 도 14 를 함께 참조 하 면 , 방법 ( 1400 ) 은 워드 라인 들 이 비트 라인 들 이 되 고 상보 회로 가 사용 되 는 단계 ( 1402 ) 와 유사 하 게 , 단계 ( 1410 ) 에서 비트 라인 들 을 음 의 전압 ( 예 를 들 면 , 약 - 2 . 5 V ) 까지 프리 차지 하 고 도 13 에 도시 된 전압 들 을 여러 비트 라인 리드 들 에 인가 함 으로써 워드 라인 측 블 리더 다이오드 들 ( 600 ) 의 더미 저장 소자 들 ( 602 ) 을 이 들 의 저 저항 상태 로 변환 하 기 를 계속 할 수 있 다 . 단계 ( 1412 ) 에서 , 워드 라인 또는 일 그룹 의 워드 라인 들 은 도 13 에 도시 된 바 와 같이 , 워드 라인 디코더 ( 110 ) 로부터 접 지 전위 를 워드 라인 단일 장치 드라이버 트랜지스터 ( 663 a ) 의 게이트 들 에 그리고 대응 하 는 워드 라인 블 리더 다이오드 제어 트랜지스터 ( 614 a ) 에 인가 하 여 둘 다 를 턴 온 시키 고 , 워 드라인 바이어스 발생기 ( 614 a ) 의 출력 ( SELX ) 으로부터 음 의 워드 라인 선택 전압 ( 예 를 들 면 , - 3 V ) 을 트랜지스터 들 ( 663 a , 663 b ) 의 소스 들 또는 드레 인 들 에 인가 함 으로써 선택 될 수 있 다 . 비 선택 된 워드 라인 들 에서 워드 라인 디코더 는 블 리더 다이오드 제어 트랜지스터 ( 614 b ) 가 오프 가 되게 트랜지스터 들 ( 614 b ) 의 게이트 들 에 약 3 볼트 를 공급 한다 . 단계 ( 1414 ) 에서 , 도 13 에 도시 된 바 와 같이 , 약 3 V 의 양 의 전압 펄스 를 각각 트랜지스터 들 ( 614 a ) 의 소스 들 또는 드레 인 들 에 인가 함 으로써 선택 된 워드 라인 들 상 에 블 리더 다이오드 들 의 더미 저장 소자 들 ( 602 ) 은 이 들 의 저 저항 상태 로 변환 될 수 있 다 . 워 드라인 바이어스 발생기 ( 604 a ) 로부터 복수 의 출력 들 ( SELX ) 은 복수 드라이버 장치 들 ( 614 a ) 에 연결 된 복수 라인 버스 형태 일 수 있 다 . 각각 의 블 리더 다이오드 ( 들 ) 을 설정 하 기 위해 하나 또는 하나 이상 의 워드 라인 바이어스 발생기 회로 출력 ( SELX ) 은 - 3 볼트 에 바이어스 될 수 있 고 , 다른 출력 들 ( SELX ) 은 다른 블 리더 다이오드 들 을 위한 설정 전류 를 억제 하 기 위해 접 지 전압 에 바이어스 된다 . 판정 단계 ( 1416 ) 에서 , 제 어 장치 는 또 다른 워드 라인 또는 일 그룹 의 워드 라인 들 상 에 더미 저장 소자 가 변환 된 상태 에 머물러 있 는지 를 판정 하 고 , 그러 하 다면 단계 ( 1412 ) 로 되돌아감 으로써 다음 워드 라인 또는 일 그룹 의 워드 라인 들 이 선택 된다 . 워드 라인 들 또는 그룹 들 의 워드 라인 들 을 선택 하 고 단계 들 ( 1412 , 1414 ) 의 설정 전압 펄스 를 인가 하 는 프로세스 는 모든 워드 라인 들 이 선택 되 고 더미 저장 소자 블 리더 다이오드 들 이 비가역 설정 동작 에서 변환 될 때 까지 ( 즉 , " 판정 단계 ( 1416 ) = "" 아니 오 "") 계속 된다 . 일단 모든 워드 라인 더미 저장 소자 들 이 변환 되 었 으면 포워드 형성 프로세스 는 단계 ( 1418 ) 에서 종료 할 수 있 다 . "