또한 , 트랜지스터 ( 12 ) 는 기판 ( 703 ) 위 에 제공 되 는 도전 층 ( 728 d ) , 도전 층 ( 728 e ) 과 , 기판 ( 703 ) , 도전 층 ( 728 d ) 의 한쪽 단부 , 및 도전 층 ( 728 e ) 의 한쪽 단부 위 에 제공 되 는 산화물 반도체 층 ( 730 c ) 과 , 도전 층 ( 728 d ) , 도전 층 ( 728 e ) , 및 산화물 반도체 층 ( 730 c ) 위 에 제공 되 는 절연 층 ( 729 ) 과 , 절연 층 ( 729 ) 을 사이 에 두 고 산화물 반도체 층 ( 730 c ) 위 에 제공 되 는 도전 층 ( 731 c ) 을 포함 한다 . 또한 , 트랜지스터 ( 12 ) 에서 도전 층 ( 731 c ) 은 게이트 로서 기능 하 고 , 절연 층 ( 729 ) 은 게이트 절 연막 으로서 기능 하 고 , 도전 층 ( 728 d ) 및 도전 층 ( 728 e ) 각각 은 소스 또는 드레 인 으로서 기능 한다 .