도 2 에서 , D - SIMS 장치 ( 100 ) 은 웨이퍼 ( wafer ) 가 배치 되 는 챔버 ( 200 ) 와 , 상기 웨이퍼 의 표면 을 스퍼터링 ( sputtering ) 하 기 위한 1 차 이온 을 방출 하 는 1 차 이온 소오 스 ( 300 ) 와 , 상기 1 차 이온 소오 스 ( 300 ) 로부터 방출 된 1 차 이온 을 수렴 시키 는 1 차 이온 건 기둥 ( gun column , 400 ) 과 , 상기 웨이퍼 ( wafer ) 로부터 방출 되 는 2 차 이온 을 인출 하 는 2 차 이온 렌즈 ( 500 ) 과 , 상기 2 차 이온 렌즈 ( 500 ) 로부터 전달 되 는 2 차 이온 을 분석 하 는 질량 분석기 ( 600 ) 와 , 질량 분리 된 2 차 이온 을 검출 하 는 검출기 ( 700 ) 와 , 상기 장치 들 의 진공 상태 를 유지 하 는 진공 펌프 ( 800 ) 와 , 웨이퍼 ( wafer ) 를 싣 고 이동 및 회전 하 여 상기 웨이퍼 ( wafer ) 에 조사 되 는 1 차 이온 의 각도 위치 등 을 조절 하 는 기판 ( 900 ) 을 포함 하 고 , 상기 1 차 이온 건 기둥 ( 400 ) 에 는 1 차 이온 을 주사 하 기 위한 전극 ( 1000 ) 들 이 구비 될 수 있 다 .