제 2 기판 은 상기 제 1 기판 의 제조 와 별도 의 공정 을 통하 여 형성 하 는데 , 먼저 도 5 a 에 도시 된 바 와 같이 , 유리 기판 ( 501 ) 위 에 R . F . 마그네트론 스퍼터링 에 의해 ITO 층 ( 502 ) 을 형성 한다 . 이 때 의 ITO 층 의 두께 는 대략 340 nm 이 바람직 하 며 , 대략 10 ohm / □ 의 면저항 을 가지 게 된다 . ITO 전극 ( 505 ) 을 형성 하 기 위해서 는 , 도 5 b 및 도 5 c 에 도시 된 바 와 같이 , 상기 ITO 층 ( 502 ) 에 , 예 를 들 어 AZ 1512 와 같 은 포토레지스트 ( 503 ) 를 도포 하 여 제 2 기판 상 에 형성 될 전극 에 대응 하 는 패 터닝 공 정 을 수행 하 고 , FeCl 3 / HCl 혼합 용액 을 이용 한 식각 공정 을 거쳐 최종 적 인 전극 패턴 ( 505 ) 을 형성 한다 . 최종 적 인 전극 패턴 ( 505 ) 중 기준 전극 및 카운터 전극 은 각각 대략 100 ㎛ 및 200 ㎛ 의 폭 을 가지 도록 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 .