세계 첫 ' 3 세대 10 나노 급 D 램 '… 삼성전자 , 메모리 최강 재확인 
 삼성전자 는 세계 최초 로 ' 3 세대 10 나노 급 ( 1 z ) 8 기 가 비트 ( Gb ) 더블 데이터 레이트 ( DDR ) 4 D 램 ' 개발 에 성공 했 다고 21 일 밝혔 다 . 
 지난 2017 년 11 월 2 세대 10 나노 급 ( 1 y ) D 램 양산 에 돌입 한 지 약 16 개월 만 에 3 세대 를 개발 함 으로써 경쟁사 들 과 의 기술 격차 를 벌리 며 ' 글로벌 메모리 최 강자 ' 의 지위 를 재 확인 했 다는 평가 다 . 
 해당 제품 은 초 고가 의 극자외선 ( EUV ) 노광 장비 를 사용 하 지 않 고 도 기존 10 나노 급 D 램 보다 생산 성 을 20 % 높일 수 있 고 , 속도 증가 로 전력 효율 도 개선 됐 다고 삼성전자 측 은 설명 했 다 . 
 특히 3 세대 10 나노 급 ( 1 z ) D 램 기반 의 PC 용 DDR 4 모듈 로 글로벌 CPU 업체 의 모든 평가 항목 에서 승인 을 완료 함 으로써 글로벌 IT 고객 의 수요 를 본격 확대 해 나갈 수 있 게 됐 다고 강조 했 다 . 
 삼성전자 는 올 하반기 에 이 제품 을 본격 양산 하 고 , 내년 에 는 성능 과 용량 을 동시 에 높인 DDR 5 , LPDDR 5 등 차세대 D 램 을 본격 적 으로 공급 한다는 계획 이 다 . 
 삼성전자 관계자 는 " 미세 공정 의 한계 를 또 다시 극복 했 다는 의미 가 있 다 " 면서 " 글로벌 주요 고객 들 과 시스템 개발 단계 부터 적극 적 으로 협력 해 차세대 라인업 으로 시장 을 전환 할 것 " 이라고 말 했 다 . 
 한편 삼성전자 는 고객 사 들 의 공급 요구 수준 을 반영 해 평택 의 최신 D 램 생산 라인 에서 주력 제품 의 생산 비중 을 확대 하 고 있 다 . 특히 내년 에 는 차세대 프리미엄 D 램 의 수요 확대 를 반영 해 평택 생산 라인 에 안정 적 인 양산 체제 를 구축 할 예정 이 다 .