본 발명 의 경화 성 조성물 을 사용 한 경우 에 는 , 막 형성 후 , 광 또는 열 에 의해 가 교 반응 을 진행 시켜 높 은 절연 성 을 발현 시킬 수 도 있 다 . 막 형성 후 의 가열 온도 는 특히 특별히 한정 되 는 것 은 아니 지만 , 트랜지스터 주변 의 내열성 이 낮 은 전자 부재 에 대한 영향 이 작 다는 관점 에서 250 ℃ 이하 인 것 이 바람직 하 고 , 또한 PEN 이나 PES 등 으로 대표 되 는 투명 수지 기판 상 에 트랜지스터 형성 시키 기 위해서 는 200 ℃ 이상 이 바람직 하 고 , 수지 기판 의 치수 안정 성 , 내열성 등 을 고려 하 면 150 ℃ 이하 인 것 이 바람직 하 고 , 더욱 바람직 하 게 는 100 ℃ 이하 의 가열 에 의해 절연성 발현 하 는 것 이 바람직 하 다 .