본 발명 에서 적용 하 는 폴리에스테르 수지 층 은 2 - 메틸 - 1 , 3 - 프로 판디 올 및 / 또는 2 - 에틸 - 2 - 메틸 - 1 , 3 - 프로 판디 올 을 포함 하 며 , 이 들 은 각각 네오 펜틸 글리콜 과 유사 한 분자 크기 를 갖 으면서 메틸 또는 에틸기 를 측쇄 로 가져 네오 펜틸 글리콜 잔기 를 적용 한 폴리에스테르 수지 층 과 비교 해 측쇄 의 길이 와 배치 에 제한 적 이 지만 불규칙성 이 높 아 지 는 것 으로 생각 된다 . 이 는 폴리에스테르 수지 층 에 포함 되 는 고분자 쇄 가 벌키 ( bulky ) 하 지 않 으면서 도 쇄 와 쇄 사이 에 비교 적 일정 한 공간 을 형성 할 수 있 도록 하 며 , 이러 한 공간 과 측쇄 의 구조 가 우수 한 인쇄 성 이나 열 합지 특성 을 가져오 는 원인 중 하나 인 것 으로 생각 된다 . 그리고 위 에서 설명 한 상기 폴리에스테르 수지 층 에 유도 되 는 제한 적 인 불규칙성 은 보다 뛰어난 열합 지성 , 인쇄 성 을 가져오 는 원인 중 하나라 생각 된다 .