도 6 내지 도 20 을 참조 로 설명 한 반도체 장치 ( 100 A ) 의 제조 방법 에서 는 제 1 희생 게이트 ( 222 ) 및 제 2 희생 게이트 ( 226 ) 을 포함 하 는 T - 형상 의 희생 게이트 스택 ( 220 ) 을 형성 하 였 다 . 그러나 , 추가 적 인 실시 예 들 에 따르 면 제 2 희생 게이트 ( 226 ) 의 상부 를 제거 하 는 리세 스 공정 과 상기 제거 된 부분 에 제 3 희생 게이트 ( 도시 생략 ) 을 더 형성 하 는 공정 이 선택 적 으로 수행 될 수 있 다 . 이 에 따라 희생 게이트 스택 ( 220 ) 은 제 1 희생 게이트 ( 222 ) , 제 2 희생 게이트 ( 226 ) 및 상기 제 3 희생 게이트 를 포함 하 는 다중 층 구조 로 형성 될 수 도 있 다 .