그리고 , 중요 하 게 핀 드 포토다이오드 ( PPD ) 는 , 에피 택 셜 층 ( 302 ) 내 에서 서로 다른 깊이 로 형성 된 저 농도 의 n 형 도핑 영역 ( 309 , 310 ) 과 , 에피 택 셜 층 ( 302 ) 내 에서 n 형 도핑 영역 ( 309 , 310 ) 들 사이 에 형성 되 며 포토다이오드 의 공핍 을 위한 바이어스 인 가시 에 도 완전 공핍 됨 없이 복수 의 접합 캐 패시 터 를 형성 하 는 고농도 의 p 형 도핑 영역 ( 307 ) , 및 에피 택 셜 층 의 표면 하 에 얕 게 형성 된 고농도 의 p 형 도핑 영역 ( 306 ) ( 피닝 층 ) 을 포함 한다 .