본 발명 은 DRAM 의 소자 분리 막 을 SOD 막 으로 형성 하 고 , 이때 , SOD 막 형성 공정 에서 SOD 막 을 코팅 ( Coating ) 한 후 , 낮 은 온도 에서 큐어 링 ( Curing ) 공정 을 진행 하 고 , CMP 하 여 평탄 화 한 후 고온 어닐링 ( Annealing ) 공정 을 실시 하 여 SOD 막 의 양 을 감소 시키 는 방법 으로 SOD 막 내 의 응력 을 조절 하 여 안정 된 물 성 을 가지 는 소자 분리 막 을 제조 한다 .