도 18 ( c ) 에 나타내 는 바 와 같이 , 전술 한 레지스 트 패턴 ( 57 ) 및 게이트 ( 5 ) , 게이트 측벽 절 연막 ( 6 ) 및 제 3 및 제 4 게이트 측벽 절 연막 ( 7 - 1 , 7 - 2 ) 을 마스크 로서 재차 사용 하 고 , 기판 면 에 대하 여 수직 방향 으로부터 , N 형 이온 종 으로서 As ( 비소 ) 를 선택 적 으로 P 형 웰 ( 4 ) 에 이온 주입 한다 . 그 이온 주입 은 , 구 체적 으로 는 , 기판 면 에 대하 여 수직 방향 으로부터 , 가속 에너지 5 KeV , 도즈 량 1 E 15 [ 1 / ㎠] 의 조건 하 에 실시 할 수 있 다 . 그 결과 , P 형 웰 ( 4 ) 에 , 저부 의 깊이 가 50 ㎚, 또한 불순물 농도 가 2 E 20 [ 1 / ㎤] 인 제 1 및 제 2 익스텐션 ( 9 - 1 , 9 - 2 ) 을 선택 적 으로 형성 한다 . 제 1 및 제 2 익스텐션 ( 9 - 1 , 9 - 2 ) 은 , 제 1 및 제 2 포켓 영역 ( 8 - 1 , 8 - 2 ) 상 , 또한 게이트 산화 막 ( 3 ) 아래 로 연장 된다 . 제 1 및 제 2 익스텐션 ( 9 - 1 , 9 - 2 ) 은 이온 의 수직 방향 에서 의 주입 에 의해 형성 되 기 때문 에 , 제 1 및 제 2 익스텐션 ( 9 - 1 , 9 - 2 ) 의 내측 단부 는 게이트 ( 5 ) 에 대략 자기 정합 한다 . 구체 적 으로 는 , 제 1 및 제 2 익스텐션 ( 9 - 1 , 9 - 2 ) 의 내측 단부 는 게이트 ( 5 ) 에 ± 10 ㎚ 의 오 차 로 정합 한다 . 바꾸 어 말 하 면 , 제 1 및 제 2 익스텐션 ( 9 - 1 , 9 - 2 ) 의 내측 단부 는 게이트 ( 5 ) 에 자기 정합 하 거나 , 또는 10 ㎚ 이내 의 양 만큼 오버랩 되 거나 , 또는 10 ㎚ 이내 의 양 만큼 오프셋 된다 . 이 단계 에서 는 , 이온 주입 된 불순물 의 활성 화 를 위한 열처리 는 실시 하 지 않 는다 . 그 후 , 레지스 트 패턴 ( 57 ) 을 기지 의 방법 으로 제거 한다 .