상기 전하 발생 층 을 전술 한 캐스팅 방법 에 따라 형성 하 는 경우 , 상기 전술 한 무기 또는 유기 전하 발생 화합물 은 , 필요 한 경우 결합제 수지 와 함께 용매 , 예컨대 테트라 히 드로 푸란 , 디옥산 , 디 옥 솔란 , 톨루엔 , 디 클로로메탄 , 모노 클로로벤젠 , 디 클로로에탄 , 시클로헥산 , 시클 펜 타 논 , 아니솔 , 크실렌 , 메틸에틸케톤 , 아세톤 , 아세트산에틸 , 아세트산 부틸 등 에 볼밀 , 아트 리터 ( attritor ) , 샌드밀 , 비 드밀 등 에 의해 분산 시키 고 , 이어서 분산 액 을 적절 하 게 희석 하 고 코팅 하 여 이 로써 전자 발생 층 을 형성 한다 . 필요 한 경우 , 평활 제 , 예컨대 디 메틸 실리콘 오 일 , 메틸 페닐 실리콘 오일 등 을 이 에 첨가 할 수 있 다 . 상기 코팅 은 딥 코팅 방법 , 분무 코팅 방법 , 비드 코팅 방법 , 링 코팅 방법 등 에 따라 실시 한다 .