종래 의 EEPROM 과 플래시 메모리 양쪽 모두 는 플로팅 게이트 ( floating gate ) 를 사용 하 는 바 , 여기 서 플로팅 게이트 는 반도체 기판 내 의 채널 영역 위 에 위치 하 며 채널 영역 으로부터 절연 되 어 있 다 . 플로팅 게이트 는 소스 영역 과 드레 인 영역 사이 에 위치 한다 . 제 어 게이트 는 플로팅 게이트 위 에 위치 하 며 플로팅 게이트 로부터 절연 되 어 있 다 . 따라서 , 형성 되 는 트랜지스터 의 임계 전압 ( Vth ) 은 플로팅 게이트 에 보유 된 전하 의 양 에 의해 제어 된다 . 즉 , 트랜지스터 가 턴 온 되 어 소스 와 드레 인 간 의 전도 가 일어나 기 전 에 제어 게이트 에 가해져야 만 하 는 전압 의 최소량 은 , 플 뢰 팅 게이트 의 전하 레벨 에 의해 제어 된다 .