이어서 , 상기 기판 ( 100 ) 전면 상 에 상기 제 1 및 제 2 개 구부 들 ( 160 a , 160 b ) 을 채우 는 금속 막 ( 170 ) 을 형성 할 수 있 다 . 상기 금속 막 ( 170 ) 은 상기 제 1 트랜지스터 영역 ( 50 ) 내 의 식각 배리 어 도전 막 ( 162 ) 상 및 상기 제 2 트랜지스터 영역 ( 50 ) 내 의 확산 배리 어 도전 막 ( 164 ) 상 에 형성 될 수 있 다 . 상기 금속 막 ( 170 ) 은 상기 제 1 및 제 2 금속 함유 패턴 들 ( 115 a , 115 b ) 에 비하 여 낮 은 비저항 을 갖 는 금속 원소 를 포함 할 수 있 다 . 또한 , 상기 금속 막 ( 170 ) 은 상기 제 1 금속 함유 패턴 ( 115 a ) 내 로 확산 되 어 상기 제 1 금속 함유 패턴 ( 115 a ) 의 일함수 를 변경 시킬 수 있 는 금속 원소 를 포함 할 수 있 다 . 예컨대 , 상기 금속 막 ( 170 ) 은 알루미늄 을 포함 할 수 있 다 . 이 에 더 하 여 , 상기 금속 막 ( 170 ) 은 알루미늄 막 아래 에 형성 되 는 점착 층 ( ex , 티타늄 등 ) 을 더 포함 할 수 있 다 .