본 발명 을 더 잘 이해 하 기 위해 , 도 2 가 참조 되 며 , 이 는 , 본 발명 의 일 구체 예 에 따른 산화물 에칭 에 대한 높 은 저항 성 및 높 은 밀도 를 가지 는 실리콘 질화물 필름 을 형성 하 는 데 관련 된 단계 들 을 보여 주 는 흐름 차트 이 다 . 이 단계 들 은 이후 에 더욱 자세히 논의 될 것 이 지만 , 일반 적 논의 는 여기 에 포함 될 것 이 다 . 도 2 에 도시 된 바 와 같이 , 기판 은 프로세스 챔버 로 전달 된다 ( 단계 204 ) , 이 는 진공 펌프 로 비워진다 . 가스 흐름 의 개시 ( 단계 212 , 216 ) 전 , 후 또는 중 에 , 플라스마 공급원 에 파워 를 가한다 ( 단계 208 ) 그리고 흐름 의 종결 ( 단계 226 , 230 ) 의 전 , 후 또는 중 까지 유지 될 수 있 다 . 단계 212 중 , 일 흐름 이 전구체 가스 및 유동 성 가스 ( 도 2 에 표시 되 지 않 음 ) 는 반응 영역 에 전달 되 어 공정 가스 혼합물 을 만든 다 . 이 공정 가스 혼합물 은 , 기판 ( 220 ) 상 의 실리콘 질화물 필름 을 형성 하 는 , 질소 및 실리콘 의 공급원 을 제공 한다 . 전 구체 가스 들 은 실리콘 함유 가스 예컨대 실란 ( SiH 4 ) , 및 질소 ( N ) 함유 가스 예컨대 분자 질소 ( N 2 ) 를 포함 할 수 있 다 . 다른 가스 들 은 사용 될 수 있 다 . 실리콘 및 질소 둘 모두 를 포함 하 는 분자 는 이용 될 수 있 고 전구체 의 일 또는 그 초과 로서 사용 될 수 있 다 .