본 발명 의 제 9 면 에서 , 기판 위 에 형성 된 제 1 메모리 레벨 를 포함 하 는 모노 리식 3 차원 메모리 어레이 가 제공 된다 . 제 1 메모리 레벨 은 복수 의 메모리 셀 들 을 포함 하 며 , 각각 은 ( 1 ) 스티어링 소자 ; 및 ( 2 ) 상기 스티어링 소자 에 결합 되 고 선택 적 으로 제조 된 탄소 나노 튜브 ( CNT ) 물질 을 포함 하 는 가역 저항 전환 소자 를 포함 한다 . 각각 의 가역 저항 전환 소자 의 상기 CNT 물질 은 상기 CNT 물질 에서 의 측면 전도 를 감소 시키 기 위해서 실질 적 으로 수직 으로 정렬 된 CNT 를 포함 한다 . 적어도 제 2 메모리 레벨 이 모노 리식 으로 상기 제 1 메모리 레벨 위 에 형성 된다 . 발명 의 이 들 및 다른 실시 예 에 따라 수많 은 다른 면 들 이 제공 된다 .