도 4 e 에 도시 된 바 와 같이 , 하드 마스크 층 ( 43 ) 패턴 을 식각 베리어 로 필드 산화 막 ( 42 ) 을 소정 깊이 식각 하 여 셀 영역 의 제 2 요 홈 부 ( G 2 ) 및 주변 회로 영역 의 제 3 요 홈 부 ( G 3 ) 를 형성 한다 . 이때 , 필드 산화 막 ( 42 ) 의 식각 은 공지 의 산화 막 건식 식각 방식 으로 수행 되 고 그 에 따라 활성 영역 ( 41 a ) 은 식각 되 지 않 는다 . 제 2 요 홈 부 ( G 2 ) 및 제 3 요 홈 부 ( G 3 ) 의 깊이 ( D 2 , D 3 ) 는 1500 ~ 3000 Å 정도 가 됨 이 바람직 하 다 . 제 3 요 홈 부 ( G 3 ) 의 형성 결과 주변 회로 영역 에 는 필드 산화 막 ( 42 ) 의 표면 위 로 형성 되 는 활성 영역 ( 41 a ) 부분 인 핀 이 형성 되 고 , 이 핀 의 높이 ( H 2 ) 는 제 3 요 홈 부 ( G 3 ) 의 깊이 ( D 3 ) 와 같 기 때문 에 1500 ~ 3000 Å 의 높이 가 됨 이 바람직 하 다 .