전술 한 바 와 같이 본 발명 은 고 종횡비 의 트렌치 ( t ) 형성 시 식각 률 이 크 고 식각 과 식각 보호막 형성 이 동시 에 수행 되 는 원스텝 공정 이 가능 하 고 챔버 의 오염 이 방지 되 면서 우수 한 식각 프로 파일 을 확보 하 는 것 을 그 목적 으로 한다 . 이러 한 목적 을 만족 시키 기 위하 여 트렌치 ( t ) 형성 을 위한 반도체 기판 ( 10 ) 의 식각 은 SF 6 가스 및 O 2 가스 를 이용한 플라 즈 마 식각 으로 ICP 타입 의 식각 장비 에서 수행 되 며 , 이 에 대하 여 는 이하 의 도면 들 을 통하 여 좀 더 상세히 설명 하 기 로 한다 .