메모리 장치 의 집적도 가 높 아 짐 에 따라 , 기존 의 평면 트랜지스터 구조 를 갖 는 메모리 장치 대신 수직 트랜지스터 구조 를 갖 는 메모리 장치 가 제안 되 고 있 다 . 수직 트랜지스터 구조 의 메모리 장치 는 기판 상 에서 수직 방향 으로 연장 되 는 채널 구조물 을 포함 한다 . 그러나 메모리 장치 의 집적도 가 높 아 짐 에 따라 수직 방향 으로 적층 되 는 게이트 전극 층 의 개수 가 증가 되 고 , 이 에 따라 제조 공정 의 난이도 가 높 아 지 는 문제 가 있 다 .