공통 소스 라인 ( 180 ) 아래 의 기판 ( 110 ) 내부 에 는 복수 의 공통 소스 영역 ( 112 ) 이 제 1 방향 ( X 방향 ) 을 따라 배치 될 수 있 다 . 복수 의 공통 소스 영역 ( 112 ) 은 n 형 불순물 이 고농도 로 도핑 된 불순물 영역 일 수 있 다 . 복수 의 공통 소스 영역 ( 112 ) 은 메모리 셀 들 로 전류 를 공급 하 는 소스 영역 으로 기능 할 수 있 다 . 복수 의 공통 소스 영역 ( 112 ) 은 복수 의 워드 라인 컷 영역 ( WLC ) 과 오버랩 되 는 위치 에 배치 될 수 있 다 .