특정 일 실시 예 에 따르 면 , 금속 성 나노 와 이 어 층 ( 140 A ) 이 나 노 은 층 이 며 전도성 층 ( 120 A ) 이 구리 층 인 동안 동일 한 프로세스 에서 은 및 구리 의 재료 들 을 제거 하 기 위하 여 , H 3 PO 4 ( 비율 은 5 % 내지 15 % 사이 임 ) 및 HNO 3 ( 비율 은 55 % 내지 70 % 사이 임 ) 와 같 은 에칭 제 가 구리 및 은 을 에칭 하 기 위하 여 사용 될 수 있 다 . 다른 특정 실시 예 에 있 어서 , 구리 및 은 을 에칭 하 는 레이트 ( rate ) 를 조정 하 기 위하 여 , 에칭 선택 비율 에 대한 조절 제 와 같 은 첨가제 들 이 에칭 제 의 주요 성분 들 에 첨가 될 수 있 다 ; 예 를 들 어 , 5 % 내지 10 % 벤조 트리아졸 ( Benzotriazole ; BTA ) 이 , 구리 과도 - 에칭 의 문제 를 해결 하 기 위하 여 , H 3 PO 4 ( 비율 은 5 % 내지 15 % 사이 임 ) 및 HNO 3 ( 비율 은 55 % 내지 70 % 사이 임 ) 인 주요 성분 에 첨가 될 수 있 다 .