상술 한 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 은 , 실리콘 기판 상 에 식각 종료 층 과 하드 마스크 를 차례 로 형성 한 후 실리콘 기판 을 식각 하 여 트렌치 를 형성 하 는 단계 와 , 트렌치 의 내부 로 라운드 에칭 을 실시 하 는 단계 와 , 라운드 에칭 이 실시 된 트렌치 의 내부 에 게이트 산화 막 을 형성 하 고 폴리 실리콘 막 을 증착 하 여 트렌치 를 채우 는 단계 와 , 폴리 실리콘 막 과 하드 마스크 를 식각 종료 층 까지 식각 하 는 단계 와 , 식각 종료 층 을 제거 하 여 트렌치 로부터 폴리 스틱 업 부분 이 돌출 형성 되 는 단계 를 포함 하 는 반도체 소자 의 트렌치 형 소자 분리 막 형성 방법 을 제공 한다 .