도 3 c 를 참조 하 면 , 격리 층 ( 110 ) 을 형성 하 도록 , 격리 층 ( 110 ') 이 패 터닝 된다 . 일부 실시 예 에서 , 격리 층 ( 110 ) 은 포토 리소그래피 및 에칭 공정 을 수행 함 으로써 형성 된다 . 일부 실시 예 에서 , 격리 층 ( 110 ) 은 적어도 다음 단계 들 에 의해 형성 된다 . 먼저 , 포토레지스트 층 ( 미 도시 ) 이 격리 층 ( 110 ') 위 에 형성 된다 . 일부 실시 예 에서 , 포토레지스트 층 은 스핀 - 코팅 또는 다른 적합 한 방법 을 통해 형성 될 수 있 다 . 다음 으로 , 패 터닝 된 포토레지스트 층 을 형성 하 도록 포토레지스트 층 이 패 터닝 되 고 , 격리 층 ( 110 ) 을 형성 하 도록 패 터닝 된 포토레지스트 층 을 마스크 로 사용 하 여 격리 층 ( 110 ') 이 에칭 된다 . 패 터닝 된 포토레지스트 층 은 제거 되 거나 스 트리핑 된다 . 일부 실시 예 에서 , 격리 층 ( 110 ') 은 건식 에칭 공정 , 습식 에칭 공정 또는 이 들 의 조합 에 의해 에칭 된다 . 일부 실시 예 에서 , 패 터닝 된 포토레지스트 층 은 예 를 들 어 에칭 , 애 싱 ( ashing ) , 또는 다른 적절 한 제거 공정 을 통해 제거 되 거나 스 트리핑 될 수 있 다 .