상술 한 바 와 같이 본 발명 에 따르 면 , 비 아홀 내부 에 비결정 실리콘 으로 절 연막 을 형성 함 으로써 고객 이 원 하 는 부분 에 프로그램 으로 원 하 는 전압 을 인가 하 는 경우 전류 가 흐르 게 되 므로 , 고객 이 필요 로 하 는 동작 전압 별로 반도체 소자 를 구현 하 거나 , FAB 을 증설 할 필요 도 없이 고객 이 원 하 는 반도체 소자 를 제공 할 수 있 다는 효과 가 있 다 .