이어서 , 언 - 도프 트 폴리 실리콘 막 ( 102 ) 상 에 하드 마스크 ( 103 ) 를 형성 한다 . 이때 , 하드 마스크 ( 103 ) 는 후속 트렌치 ( trench ) 를 형성 하 기 위한 식각 공정 시 언 - 도프 트 폴리 실리콘 막 ( 102 ) 을 보호 하 는 기능 을 수행 하 는 한편 , 후속 소자 분리 막 평탄 화 공정 , 예컨대 CMP ( Chemical Mechanical Polishing ) 공정 시 연마 정지 막 으로 도 기능 한다 . 이러 한 하드 마스크 ( 103 ) 는 언 - 도프 트 폴리 실리콘 막 ( 102 ) 과 높 은 식각 선택 비 를 갖 는 물질 , 예컨대 질화 막 , 바람직 하 게 는 실리콘 질화 막 ( Si 3 N 4 ) 으로 형성 한다 .