본 개시 의 실시 예 들 에 따른 반도체 패키지 는 제 1 재배 선 구 조체 ; 상기 제 1 재배 선 구조 체 상 에 배치 되 는 제 1 반도체 칩 ; 상기 제 1 재배 선 구조 체 상 에서 상기 제 1 반도체 칩 에 인접 하 게 배치 되 는 복수 의 전도성 필라 ; 상기 제 1 재배 선 구조 체의 상면 , 상기 제 1 반도체 칩 및 상기 복수 의 전도성 필라 의 측면 을 덮 으며 , 상기 복수 의 전도성 필라 의 상면 을 노출 시키 는 트렌치 를 포함 하 는 봉 지재 ; 및 상기 봉지 재 상 에 배치 되 어 상기 복수 의 전도성 필라 와 연결 되 는 제 2 재배 선 구 조체 를 포함 할 수 있 다 . 상기 제 2 재배 선 구조 체 는 상기 트렌치 를 채우 며 , 배선 패턴 및 상기 배선 패턴 과 상기 복수 의 전도성 필라 를 연결 하 는 연결 비아 를 포함 할 수 있 다 . 상기 트렌치 의 내 측면 은 상기 전도성 필라 의 측면 과 동일 한 평면 을 이룰 수 있 다 . 상기 연결 비아 의 하면 의 폭 은 상기 복수 의 전도성 필라 의 폭 보다 작 을 수 있 다 .