여기 서 , 산화물 반도체 층 에 채널 이 형성 되 는 트랜지스터 는 오프 전류 가 극히 작 다 . 그 때문 에 , 해당 트랜지스터 를 트랜지스터 ( 162 ) 로 하 여 각 메모리 셀 에 이용 함 에 의해 , 용량 소자 에 보관 유지 된 전하 가 리크 에 의해 변화 하 는 것 을 저감 할 수 가 있 다 . 그 결과 , 반도체 장치 는 극히 장기 에 걸쳐 기억 내용 을 보관 유지 하 는 것 이 가능 하 다 . 즉 , 반도체 장치 의 리프 레 쉬 동작 이 불 필요 해 지 던지 , 또는 리 프레쉬 동작 의 빈도 를 극히 낮 게 하 는 것 이 가능 해진다 . 그러므로 , 반도체 장치 의 소비 전력 을 충분히 저감 할 수 가 있 다 .