강유 전 성 재료 는 자발 적 인 전기 편극 ( spontaneous electric polarization ) 을 특징 으로 하 며 , 즉 전기장 의 부재 시 0 이 아닌 전기 편극 ( non - zero electric polarization ) 을 유지 한다 . 강유 전 성 재료 의 예 는 티탄산 바륨 ( BaTiO 3 ) , 티 탄산납 ( PbTiO 3 ) , 티탄산 지르코늄 ( PZT ) , 및 스트론튬 비스무트 탄탈 레이트 ( SBT ) 를 포함 한다 . 본 명세서 에 설명 된 강유 전 성 커패시터 는 이 들 또는 다른 강유 전 성 재료 를 포함 할 수 있 다 . 강유 전 성 커패시터 내 의 전기 편극 은 강유 전 성 재료 의 표면 에서 순 전하 를 초래 하 고 커패시터 단자 를 통해 반대 전하 를 유인 한다 . 따라서 , 전 하 는 강유 전 성 재료 와 커패시터 단자 의 인터페이스 에 저장 된다 . 전기 편극 이 비교 적 장시간 동안 외부 에서 인가 된 전계 가 없 는 상태 로 유지 될 수 있 기 때문 에 , 무한대 라도 , 예 를 들 어 DRAM 어레이 에 사용 되 는 커패시터 에 비해 전하 누설 이 현저히 감소 할 수 있 다 . 이것 은 리 프레시 동작 을 수행 할 필요 성 을 감소 시킬 수 있 다 .