회로 기판 ( 280 ) 에 는 제 1 결 속공 ( 282 ) 이 구비 되 고 , 후크 고 정체 ( 290 ) 에 는 제 2 결 속공 ( 292 ) 이 형성 된다 . 한 쌍 의 제 2 결 속공 ( 292 ) 이 한 쌍 의 제 1 결 속공 ( 282 ) 과 대응 하 는 위치 에 형성 될 수 있 다 . 후크 ( 272 ) 가 제 1 결 속공 ( 282 ) 과 제 2 결 속공 ( 292 ) 을 차례 로 통과 하 여 후크 고 정체 ( 290 ) 의 저면 에 걸리 수 있 다 . 특히 , 후크 ( 272 ) 가 후크 고 정체 ( 290 ) 의 저면 에 걸린 상태 에서 , 후크 고 정체 ( 290 ) 의 상면 은 회로 기판 ( 280 ) 의 저면 과 밀착 ( 실링 ) 될 수 있 다 .