여기 서 , 상기 제 1 반도체 층 ( 151 ) 의 러프 니스 ( 152 ) 는 원뿔 형상 으로 형성 되 며 , 상대 적 으로 조밀 한 간격 으로 형성 될 수 있 다 . 상기 원뿔 형상 의 러프 니스 ( 152 ) 의 높이 ( H ) 는 0 . 5 ~ 1 . 2 um 로 형성 되 고 , 각 러프 니스 ( 152 ) 의 직경 ( d ) 은 0 . 3 ~ 1 . 0 um 로 형성 될 수 있 다 .