제 1 내지 제 7 액티브 패턴 ( ACT 1 내지 ACT 7 ) 상 의 게이트 절 연막 ( GI ) 상 에 는 제 k - 1 스캔 라인 ( Sk - 1 ) , 제 k 스캔 라인 ( Sk ) , 제 k + 1 스캔 라인 ( Sk + 1 ) , 제 k 발광 제어 라인 ( Ek ) , 제 k + 1 발광 제어 라인 ( Ek + 1 ) , 및 제 1 게이트 전극 ( GE 1 ) 내지 제 7 게이트 전극 ( GE 7 ) 이 제공 될 수 있 다 . 제 k - 1 스캔 라인 ( Sk - 1 ) , 제 k 스캔 라인 ( Sk ) , 제 k + 1 스캔 라인 ( Sk + 1 ) , 제 k 발광 제어 라인 ( Ek ) , 제 k + 1 발광 제어 라인 ( Ek + 1 ) , 및 제 1 게이트 전극 ( GE 1 ) 내지 제 7 게이트 전극 ( GE 7 ) 은 동일 한 물질 을 포함 하 고 , 동일 한 공정 을 통해 형성 될 수 있 다 .