본 발명 은 공통 소스 라인 과 활성 영역 ( 접합 영역 ) 간 의 접촉 면적 을 증대 시켜 이 부위 에서 의 접촉 저항 을 감소 시킬 수 있 는 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법 을 제공 하 기 위한 것 으로 , 이 를 위해 본 발명 은 제 1 및 제 2 선택 트랜지스터 사이 에 직렬 접속 된 복수 개 의 메모리 셀 로 이루어진 복수 개 의 스트링 을 포함 하 고 , 상기 복수 개 의 스트링 내 에 각각 포함 된 상기 제 2 선택 트랜지스터 의 접합 영역 을 서로 연결 하 는 공통 소스 라인 을 포함 하 는 비휘발성 메모리 소자 에 있 어서 , 상기 제 2 선택 트랜지스터 의 접합 영역 은 상기 공통 소스 라인 이 신장 된 방향 으로 이웃 하 는 것 끼리 서로 연결 되 어 상기 공통 소스 라인 과 접속 된 비휘발성 메모리 소자 를 제공 한다 .