또한 , 도 1 ( B ) 에서 는 , 메모리 셀 ( 100 ) 이 스위칭 소자 로서 기능 하 는 트랜지스터 ( 101 ) 를 하나 만 갖 는 구성 을 도시 하고 있 는데 , 본 발명 은 이 구성 에 한정 되 지 않 음 을 주목 하 라 . 본 발명 의 일 형태 에서 는 , 스위칭 소자 로서 기능 하 는 트랜지스터 가 각 메모리 셀 에 최저 한 1 개 형성 되 어 있 으면 좋 고 , 상기 트랜지스터 의 수 는 복수 여도 좋 다 . 메모리 셀 ( 100 ) 이 스위칭 소자 로서 기능 하 는 트랜지스터 를 복수 가지 고 있 는 경우 , 상기 복수 의 트랜지스터 는 병렬 로 접속 되 어 있 어도 좋 고 , 직렬 로 접속 되 어 있 어도 좋 고 , 직렬 과 병렬 이 조합 되 어 접속 되 어 있 어도 좋 다 .