도 3 및 도 4 d 를 함께 참조 하 면 , 집적회로 소자 ( 100 ) 는 블로킹 유전 막 ( 125 ) 과 터널 링 유전 막 ( 140 ) 사이 에 배치 되 는 전하 저 장막 ( 130 Rb ) 을 포함 할 수 있 다 . 전하 저 장막 ( 130 Rb ) 은 도 4 b 에 보인 전하 저 장막 ( 130 ) 과 잔류 층 ( 130 R ) 이 분리 되 지 않 고 일체 를 이루 도록 , 블로킹 유전 막 ( 125 ) 과 터널 링 유전 막 ( 140 ) 사이 를 따라서 연장 될 수 있 다 . 전하 저 장막 ( 130 Rb ) 중 복수 의 워드 라인 구조물 ( WS ) 에 각각 대면 하 는 부분 의 제 1 방향 ( X 방향 ) 으로 의 두께 는 , 복수 의 절 연막 ( 110 ) 에 각각 대면 하 는 부분 의 제 1 방향 ( X 방향 ) 으로 의 두께 보다 큰 값 을 가질 수 있 다 . 도 3 및 도 4 e 를 함께 참조 하 면 , 블로킹 유전 막 ( 125 ) 의 두께 ( t 1 a ) 는 , 복수 의 워드 라인 구조물 ( WS ) 의 측벽 ( WSS ) 과 복수 의 절 연막 ( 110 ) 의 리세 스 된 측벽 ( 110 R ) 사이 의 제 1 방향 ( X 방향 ) 으로 폭 ( W 1 ) 보다 작 은 값 을 가질 수 있 다 . 블로킹 유전 막 ( 125 ) 은 , 워드 라인 구조물 ( WS ) 의 저면 및 상면 과 , 절 연막 ( 110 ) 의 리세 스 된 측벽 ( 110 R ) 이 한정 하 는 인 덴트 공간 ( 110 SP ) 을 모두 채우 지 않 아 , 제 1 홈 ( GR 1 ) 이 인 덴트 공간 ( 110 SP ) 내 로 연장 될 수 있 다 .