반도체 장치 가 점점 고속화 . 고집 적 화 되 면서 반도체 장치 내 에 형성 되 는 금속 배선 의 미세 화 및 다 층화 가 이루어지 고 있 다 . 이러 한 금속 배선 의 폭 이 좁 아 져 서 금속 배선 의 저항 및 정전 용량 으로 인한 신호 지연 이 발생 한다 . 따라서 이러 한 신호 지연 을 감소 시키 기 위하 여 저 저항 금속 인 구리 를 이용 하 고 있 다 .