제 3 전극 ( 103 ) 은 유전체 층 ( 160 ) 을 기준 으로 , P 형 반도체 층 ( 120 ) 의 반대 측 에 배치 될 수 있 다 . 예 를 들 면 , 제 3 전극 ( 103 ) 은 유전체 층 ( 160 ) 의 하부 에 배치 될 수 있 다 . 제 3 전극 ( 103 ) 은 유전체 층 ( 160 ) 과 이격 되 도록 배치 될 수 있 으며 , 제 3 전극 ( 103 ) 의 움직임 에 따라 유전체 층 ( 160 ) 과 단속 적 으로 접촉 할 수 있 다 . 예 를 들 면 제 3 전극 ( 103 ) 은 외력 이 가해 지 지 않 은 상태 에서 는 유전체 층 ( 160 ) 과 이격 되 도록 형성 될 수 있 다 . 일 실시 예 에 따르 면 , 유전체 층 ( 160 ) 과 제 3 전극 ( 103 ) 의 단속 적 인 접촉 을 위하 여 , 유전체 층 ( 160 ) 과 제 3 전극 ( 103 ) 중 적어도 하나 는 플렉시블 ( flexible ) 한 재질 로 형성 될 수 있 다 .