한편 , 배리스터 층 에서 의 인덕 터 층 과 의 계면 측 의 확산 층 에서 는 인덕 터부 와 배리스 터부 를 일체 소결 할 때 에 Co 및 Al 이 감소 하 기 때문 에 , 유전율 ( 다시 말 하 면 , 정전 용량 ) 이 저하 되 어 , 배리스터 기능 을 실질 적 으로 발현 할 수 없 다 . 이 적층 형 필터 에 의하 면 , 배리스터 도체 부를 계면 으로부터 40 ㎛ 이상 떨어뜨리 고 있 기 때문 에 , 배리스터 층 에서 의 확산 층 을 피하 여 배리스터 도체 부 를 배치 할 수 있 다 . 따라서 , 배리스 터부 의 배리스터 특성 의 저하 를 억제 할 수 있 고 , 적층 형 필터 의 고주파 특성 의 저하 를 억제 할 수 있 다 .