또한 , 본 발명 에 따른 표면 소수 화 막 은 , 막 으로서 유황 원자 , 인 원자 및 질소 원자 로 이루어지 는 군 에서 선택 된 하나 이상 의 원자 를 포함 하 는 것 에 의해 , 표면 소수 화 막 이 없 는 경우 에 절 연막 과 배선 이 직접 접촉 하 는 경우 에 비해 , 배선 과 의 밀착 성 이 우수 하 고 , 따라서 EM 내성 이 높 은 LSI 배선 층 을 얻 을 수 있 으며 , 이것 에 의해 , 신뢰 성 이 높 은 반도체 장치 를 제조 할 수 있 게 되 는 것 이 판명 되 었 다 . 이것 은 아마도 , 유황 원자 , 인 원자 및 질소 원자 가 극성기 또한 극성 을 갖 는 결합 을 만드 는 것 에 의한 것 일 것 이 다 .