게이트 절 연막 ( 144 d 2 ) 은 앞 에서 설명 한 실시 예의 구동 트랜지스터 ( Td ) 의 게이트 절 연막 ( 144 d ) 과 동일 또는 유사 하 거나 화소 트랜지스터 ( Ta ) 의 게이트 절 연막 ( 144 a ) 과 동일 또는 유사 할 수 있 다 . 즉 , 게이트 절 연막 ( 144 d 2 ) 이 제 3 방향 ( DR 3 ) 으로 게이트 전극 ( 154 d ) 과 중첩 하 지 않 는 외곽 부 ( 14 d 2 ) 의 폭 은 , 앞 에서 설명 한 실시 예 에 따른 구동 트랜지스터 ( Td ) 의 게이트 절 연막 ( 144 d ) 의 외곽 부 ( 14 d ) 의 폭 과 동일 또는 유사 할 수 도 있 고 화소 트랜지스터 ( Ta ) 의 게이트 절 연막 ( 144 a ) 의 외곽 부 ( 14 a ) 의 폭 과 유사 하 거나 동일 할 수 도 있 다 . 특히 , 본 실시 예 에서 는 구동 트랜지스터 ( Td 2 ) 의 온 - 전류 및 이동도 저하 를 막 기 위해 외곽 부 ( 14 d 2 ) 의 폭 은 앞 에서 설명 한 구동 트랜지스터 ( Td ) 의 게이트 절 연막 ( 144 d ) 의 외곽 부 ( 14 d ) 의 폭 보다 작 을 수 있 다 .