빔 위치 이탈 량 은 , 레지스 트 가 도포 된 평가 기판 에 멀티 빔 을 조사 하 고 , 평가 기판 을 현상 함 으로써 생성 되 는 레지스 트 패턴 의 위치 를 위치 측정기 로 측정 함 으로써 측정 해도 된다 . 각 빔 의 샷 사이즈 에서 는 , 위치 측정기 를 이용 하 여 레지스 트 패턴 을 측정 하 는 것 이 곤란 해 지 는 경우 에 는 , 각 빔 또는 근접 하 는 복수 의 빔 으로 , 위치 측정기 로 측정 가능 한 사이즈 의 도형 패턴 ( 예 를 들 면 직사각 형 패턴 ) 을 묘화 한다 . 묘화 한 도형 패턴 ( 레지스 트 패턴 ) 의 양측 의 엣지 위치 를 측정 하 여 , 양 엣지 간 의 중간 위치 와 설계 상 의 도형 패턴 의 중간 위치 와 의 차분 으로부터 , 대상 빔 의 위치 이탈 량 을 측정 한다 .