반도체 장치 의 제조 공정 의 일 공정 으로서 , 기판 에 대하 여 아미노 실란 과 산화제 를 공급 하 여 , 기판 상 에 실리콘 ( Si ) , 산소 ( O ) , 탄소 ( C ) 및 질소 ( N ) 를 포함 하 는 실리콘 산탄 질화 막 ( SiOCN 막 ) 을 형성 하 는 처리 가 행하 여 지 는 경우 가 있 다 ( 예 를 들 어 특허 문헌 1 참조 ) .