본 개시 의 다른 양상 은 3 D 메모리 장치 를 위한 메모리 핑거 를 형성 하 기 위한 방법 을 제공 한다 . 일부 실시 예 에서 , 방법 은 제 1 기판 상 에 교번 층 스택 을 형성 하 는 단계 를 포함 한다 . 방법 은 교번 층 스택 을 적어도 하나 의 메모리 핑거 로 분할 하 기 위해 , 교번 층 스택 을 통해 수직 으로 그리고 워드 라인 방향 을 따라 측 방향 으로 각각 연장 되 는 복수 의 슬릿 구조 를 형성 하 는 단계 를 더 포함 한다 . 방법 은 교번 층 스택 내 에 복수 의 전도체 / 유전체 층 쌍 을 형성 하 는 단계 를 더 포함 한다 . 방법 은 적어도 하나 의 메모리 핑거 에서 교번 층 스택 을 통해 연장 되 는 수직 메모리 스트링 의 제 1 열 을 형성 하 는 단계 를 더 포함 한다 . 제 1 열 내 의 수직 메모리 스트링 은 워드 라인 방향 을 따라 서로 에 대해 변위 된다 . 방법 은 적어도 하나 의 메모리 핑거 에서 교번 층 스택 을 통해 연장 되 는 수직 메모리 스트링 의 제 2 열 을 형성 하 는 단계 를 더 포함 한다 . 제 2 열 내 의 수직 메모리 스트링 은 워드 라인 방향 을 따라 서로 에 대해 변위 된다 . 방법 은 적어도 하나 의 메모리 핑거 에서 워드 라인 방향 을 따라 변위 되 고 비트 라인 방향 을 따라 연장 되 는 복수 의 비트 라인 을 형성 하 는 단계 를 더 포함 하 는데 , 각각 의 비트 라인 은 제 1 열 및 제 2 열 내 의 개별 수직 메모리 스트링 에 접속 된다 . 일부 실시 예 에서 , 3 D 메모리 장치 는 3 D NAND 메모리 장치 이 다 . 일부 실시 예 에서 , 제 1 열 및 제 2 열 을 형성 하 는 것 은 동시 에 수행 될 수 있 다 .