도 3 a 과 같이 , 투명 기판 ( 22 ) 상 에 도전 층 ( 도시 하 지 않 음 ) 을 형성 한다 . 도전 층 은 알루미늄 , 알루미늄 합금 , 몰리브덴 , 크롬 , 구리 , 및 구리 합금 중 하나 를 선택 하 여 형성 하 거나 , 또는 알루미늄 합금 상 에 몰리브덴 등 을 적층 한 이중층 의 구조 를 사용 한다 . 그리고 도전 층 상 에 제 1 감광막 ( 도시 하 지 않 음 ) 을 도포 하 고 , 제 1 마스크 ( 도시 하 지 않 음 ) 를 사용 하 여 , 제 1 감광막 을 노광 하 고 , 노광 된 제 1 감광막 을 현상 하 여 제 1 감광막 패턴 ( 도시 하 지 않 음 ) 을 형성 하 고 , 제 1 감광막 패턴 을 식각 마스크 로 이용 하 여 도전 층 을 식각 하 는 것 에 의해 , 게이트 전극 ( 40 ) , 게이트 패드 ( 48 ) , 스토리지 전극 ( 43 ) 과 도 3 a 에 는 도시 되 지 않 았 지만 , 도 2 에 도시 되 어 있 는 게이트 배선 ( 14 ) 을 형성 한다 . 그리고 , 제 1 감광막 패턴 을 제거 하 고 , 게이트 전극 ( 40 ) 을 포함 한 투명 기판 ( 22 ) 상 에 무기 절연물 질 인 실리콘 산화 막 또는 실리콘 질화 막 으로 게이트 절 연막 ( 41 ) 을 형성 하 고 , 게이트 절 연막 ( 41 ) 상 에 비정질 실리콘 층 ( 39 a ) 과 비정질 실리콘 층 상 에 불순물 이 도핑 된 불순물 반도체 층 ( 39 b ) 으로 구성 된 반도체 층 ( 39 ) 과 반도체 층 ( 39 ) 상 에 금속 층 ( 45 ) 을 형성 한다 .