이하 에서 는 도 15 a 내지 도 15 l 을 참조 하 여 , 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 반도체 장치 의 제조 방법 에 대하 여 설명 한다 . 이하 에서 는 앞서 설명 한 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 반도체 장치 와 의 차이점 을 위주 로 구체 적 으로 설명 하 고 , 설명 되 지 않 은 부분 은 도 8 내지 도 12 , 및 도 14 a 내지 도 14 k 을 참조 하 여 설명 한 내용 에 따른다 .