상기 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 반도체 소자 의 트렌치 형성 방법 은 , 반도체 기판 상 에 트렌치 형성 을 위한 니켈 하드 마스크 패턴 을 형성 하 는 단계 ; 및 상기 니켈 하드 마스크 패턴 을 식각 베리어 로 하 여 SF 6 및 O 2 가스 를 이용한 플라 즈 마 식각 으로 상기 반도체 기판 을 식각 하 여 트렌치 를 형성 하 면서 동시 에 상기 트렌치 의 측면 에 식각 보호막 을 형성 하 는 단계 를 포함 한다 .