본 발명 에서 는 이 를 방지 하 기 위해 소자 분리 막 ( 60 ) 제거 공정 을 MERIE ( magnetic enhanced reactive ion etching ) 방식 으로 플라스마 를 형성 하 는 DRM ( dipole ring magnetron ) 과 같 은 플라스마 장치 내 에서 30 초 내지 90 초 동안 1 , 500 W 내지 2 , 000 W 의 전력 과 10 mT 내지 50 mT 의 압력 을 유지 하 고 C 5 F 8 가스 의 유입량 은 5 sccm 내지 20 sccm 으로 하 고 , CH 2 F 2 가스 의 유입량 은 1 sccm 내지 20 sccm 으로 하 고 , Ar 가스 의 유입량 은 300 sccm 내지 500 sccm 으로 하 여 진행 한다 .