도 11 은 본 명세서 에 기술 된 플 라즈 마 에칭 을 구현 하 기 에 적절 한 ICP 통합 된 에칭 및 증착 장치 ( 400 ) 의 단면도 를 개략 적 으로 도시 하고 , 이 의 예 는 CA , Fremont 소재 의 Lam Research Corp . 에 의해 생산 된 Kiyo ® 리액터 이 다 . 유도 커플링 플 라즈 마 장치 ( 400 ) 는 챔버 벽 들 ( 401 ) 및 윈도우 ( 411 ) 에 의해서 구조 적 으로 구획 된 전체 프로세스 챔버 ( 424 ) 를 포함 한다 . 챔버 벽 들 ( 401 ) 은 스테인 레스 스틸 또는 알루미늄 으로 제조 될 수 도 있 다 . 윈도우 ( 411 ) 는 석영 또는 다른 유전체 재료 로 제조 될 수 도 있 다 . 선택 가능 한 내부 플 라즈 마 그리드 ( 450 ) 는 상부 서브 - 챔버 ( 402 ) 및 하부 서브 - 챔버 ( 403 ) 로 전체 프로세싱 챔버 를 분할 한다 . 대부분 의 실시 예 들 에서 , 플라 즈 마 그리드 ( 450 ) 는 제거 될 수 도 있 고 , 따라서 , 서브 - 챔버 들 ( 402 및 703 ) 로 이루어진 챔버 공간 을 활용 한다 . 척 ( 417 ) 은 하단 내측 표면 근방 에서 하부 프로세싱 챔버 ( 403 ) 내 에 위치 된다 . 척 ( 417 ) 은 에칭 및 증착 프로세스 들 이 수행 되 는 반도체 웨이퍼 ( 419 ) 를 수용 및 홀딩 하 도록 구성 된다 . 척 ( 417 ) 은 웨이퍼 ( 419 ) 가 존재 하 는 경우 에 웨이퍼 ( 419 ) 를 지지 하 는 정전 척 일 수 있 다 . 일부 실시 예 들 에서 , 에지 링 ( 미 도시 ) 이 척 ( 417 ) 을 둘러싸 며 척 ( 417 ) 위 에 존재 할 경우 에 웨이퍼 ( 419 ) 의 상단 표면 과 대략 동일 평면 에 있 는 상부 표면 을 갖 는다 . 척 ( 417 ) 은 또한 웨이퍼 ( 419 ) 를 척 킹 및 디 척 킹 하 기 위한 정전 전극 들 을 포함 한다 . 필터 및 DC 클램프 전력 공급 부 가 이 목적 을 위해서 제공 될 수 도 있 다 . 척 ( 417 ) 으로부터 웨이퍼 ( 419 ) 를 리프팅 ( lifting ) 하 기 위한 다른 제어 시스템 들 이 또한 제공 될 수 있 다 . 척 ( 417 ) 은 RF 전력 공급 부 ( 423 ) 를 사용 하 여 전기 적 으로 대전 될 수 있 다 . RF 전력 공급 부 ( 423 ) 는 연결부 ( 427 ) 를 통해 매칭 회로 ( 421 ) 에 연결 된다 . 매칭 회로 ( 421 ) 는 연결부 ( 425 ) 을 통해 척 ( 417 ) 에 연결 된다 . 이러 한 방식 으로 , RF 전력 공급 부 ( 423 ) 는 척 ( 417 ) 에 연결 된다 . 다양 한 실시 예 들 에서 , 정전 척 의 바이어스 전력 은 약 50 Vb 로 설정 될 수 도 있 고 또는 개시 된 실시 예 들 에 따라 수행 된 프로세스 에 종속 하 여 상이 한 바이어스 전력 으로 설정 될 수 도 있 다 . 예 를 들 어 , 바이어스 전력 은 약 20 Vb 및 100 Vb 일 수 도 있 고 , 또는 약 30 Vb 및 약 150 Vb 일 수 도 있 다 .