상기 와 같 은 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 에 따른 반도체 소자 의 격리 막 은 반도체 기판 상 에 일정 깊이 로 형성 된 트렌치 와 ; 상기 트렌치 부분 에 형성 된 열 산화 막 과 ; 상기 열 산화 막 상 에 형성 된 산화 실리콘 막 과 ; 그리고 , 상기 산화 실리콘 막 을 포함 한 트렌치 부분 에 채워진 산화 절 연막 을 포함 하 여 이루어진 것 을 특징 으로 한다 .