상기 실시 예 및 비 교예 에 따른 각각 의 감광성 수지 조성물 을 스핀 코팅 방식 으로 4 인치 실리콘 웨이퍼 및 Cu 가 300 nm 두께 로 도포 된 실리콘 웨이퍼 기판 에 도포 한 후 , 120 ℃ 의 온도 에서 2 분 간 건조 하 고 , 브로드밴드 얼라 이너 ( broadband aligner ) 노광 장치 에서 500 mJ / ㎠ 의 에너지 로 노광 하 였 다 . 그리고 , 다시 200 ℃ 의 온도 에서 2 시간 경화 하 여 약 4 . 3 내지 4 . 5 ㎛ 두께 의 경화 막 이 형성 된 기판 을 얻 었 다 .