본 발명 은 상술 한 종래 기술 의 한계 를 극복 하 기 위한 것 으로 , 배선 공정 의 반응 성 이온 식각 전 에 W - 심위 에 마스크 를 증착 하 여 W - 심 을 보호 하 며 , W - 심 주변 에 건식 식각 을 수행 한 후 D 1 RIE 진행 시 기존 조건 보다 더 오버 식각 시간 을 수행 함 으로써 , M 1 의 저항 을 개선 할 수 있 는 반도체 소자 의 제조 방법 을 제공 하 는데 그 목적 이 있 다 .