반도체 기판 ( 100 ) 에 는 제 1 방향 으로 연장 하 는 그루브 ( 10 ) 들 이 형성 된다 . 그 루브 ( 10 ) 들 은 제 2 방향 으로 서로 이격 한다 . 그리고 그루브 ( 10 ) 를 채우 도록 제 1 방향 으로 연장 하 는 소자 분리 막 패턴 ( 112 a ) 이 형성 된다 . 소자 분리 막 패턴 ( 112 a ) 들 은 은 제 2 방향 으로 서로 이격 한다 . 그리고 소자 분리 막 패턴 ( 112 a ) 은 실리콘 산화물 과 같 은 절연성 물질 을 포함 할 수 있 다 .