또한 , 본 발명 에서 는 상기 자연 산화 막 을 제거 한 이후 에 , 상기 반도체 웨이퍼 ( 10 ) 상 에 불순물 이 존재 하 지 않 는 순수 한 산화 막 ( pure oxide layer ) ( 도시 되 지 않 음 ) 을 형성 하 는 공정 을 더 수행 할 수 있 다 . 그 이유 는 , 상기 순수 한 산화 막 을 상기 반도체 웨이퍼 ( 10 ) 상 에 형성 함 으로써 상기 반도체 웨이퍼 ( 10 ) 표면 자체 가 갖 는 결함 을 어느 정도 보상 하 기 위함 이 다 . 아울러 , 후속 되 는 유기 실리카 용액 ( 14 a ) 을 도포 할 때 상기 유기 실리카 용액 ( 14 a ) 과 의 접착성 을 향상 시키 기 위함 이 다 . 그리고 , 상기 순수 한 산화 막 의 경우 에 는 금속 오염원 과 같 은 불순물 이 존재 하 지 않 기 때문 에 분석 에 따른 데이터 의 신뢰도 에 는 아무런 지장 을 끼치 지 않 는다 .