그 후 , Si 기판 ( 1 ) 에 열 산화 처리 를 실시 한다 . 이 에 의해 , 소자 분리 영역 의 Si 기판 ( 1 ) 에 리세 스 LOCOS 층 ( 7 ) 을 형성 한다 . 리세 스 LOCOS 층 ( 7 ) 은 Si 기판 ( 1 ) 내 에 형성 된 오 목부 의 저면 및 측면 을 산화 함 으로써 형성 되 므로 , 통상 의 LOCOS 층 과 비교 하 여 , 그 표면 의 높이 를 낮 게 할 ( 즉 , 주변 의 Si 기판 ( 1 ) 표면 에 대하 여 단차 를 작 게 할 ) 수 있 다 . 여기 에서 는 , 도 1 의 ( b ) 에 도시 한 바 와 같이 , 리세 스 LOCOS 층 ( 7 ) 의 표면 과 , 벌크 영역 의 Si 기판 ( 1 ) 의 표면 이 거의 동일 한 높이 로 되 도록 , 리세 스 LOCOS 층 ( 7 ) 을 형성 한다 .