상기 에서 얻 어 진 감광성 수지 조성물 을 실리콘 웨이퍼 상 에 스 피닝 ( 1200 rpm , 30 초 ) 하 여 적용 했 다 . 감광성 수지 조성물 을 적용 한 실리콘 웨이퍼 를 핫플레이트 상 에서 , 100 ℃ 에서 5 분 간 건조 하 여 , 실리콘 웨이퍼 상 에 두께 10 μ m 의 균일 한 막 을 형성 했 다 . 다음 으로 , 실리콘 웨이퍼 상 에 도포 된 막 을 , 얼라 이너 ( Karl - Suss MA 150 ) 를 이용 하 여 노광 했 다 . 노광 은 고압 수은 램프 로 행하 고 , 파장 365 nm 에서 의 노광 에너지 환산 으로 500 mJ / cm 2 조사 했 다 . 노광 후 , 감광성 수지 조성물 을 긁 어 모아 , 질소 분위기 중 , 5 ℃/ 분 의 속도 로 180 ℃ 까지 승 온 하 고 , 180 ℃ 로 유지 한 상태 에서 의 열 중량 분석 ( TGA 측정 ) 을 행하 여 , 환화 시간 을 평가 했 다 .