상기 적색 엘이디 웨이퍼 제작 단계 ( S 11 - R ) 에서 는 GaAs 기판 ( GS ) 상 에 n - AlGaInP 층 및 n - 클래딩 층 을 포함 하 는 n 형 반도체 층 ( 14 R ) 과 , MQW 를 포함 하 는 활성 층 ( 13 R ) 과 , p - 클래드 층 및 p - GaP 층 을 포함 하 는 p 형 반도체 층 ( 12 R ) 을 포함 하 는 에 피층 을 성장 시키 고 , SiO 2 본딩 층 ( 11 R ) 을 사이 에 두 고 p 형 반도체 층 ( 12 R ) 에 지지 기판 으로서 의 사파이어 기판 ( 10 R ) 을 본 딩 하 고 , 그 반대편 에서 n 형 반도체 층 ( 14 R ) 으로부터 성장기 판인 GaAs 기판 ( GS ) 을 분리 하 는 것 을 포함 한다 .