반도체 메모리 장치 ( semiconductor memory device ) 는 실리콘 ( Si , silicon ) , 게르마늄 ( Ge , Germanium ) , 비화 갈륨 ( GaAs , gallium arsenide ) , 인화 인듐 ( InP , indium phospide ) 등 과 같 은 반도체 를 이용 하 여 구현 되 는 기억 장치 이 다 . 반도체 메모리 장치 는 크 게 휘발 성 메모리 장치 ( Volatile memory device ) 와 불휘발성 메모리 장치 ( Nonvolatile memory device ) 로 구분 된다 .