그러나 , 도 7 E 에 나타내 는 바 와 같이 , PHT 처리 후 , 컨 택트 홀 ( 310 ) 의 내부 에 , 플 루 오로 규산 암모늄 ( ( NH 4 ) 2 SiF 6 ) 의 분해 물 인 불소 나 불소 화합물 ( 예 를 들 어 , CF ) 이 잔사 ( 313 ) 로서 남 을 가능 성 이 있 다 . 잔사 ( 313 ) 는 할로겐 , 본 예 에서 는 불소 를 포함 하 고 있 다 . 이 와 같 은 잔사 ( 313 ) 가 남 은 채 로 웨이퍼 ( W ) 를 대기 개방 하 면 , 대기 가 함유 하 는 성분 , 예 를 들 어 수분 ( H 2 O ) 을 말려들 게 하 여 , 잔사 ( 313 ) 가 기판 ( 301 ) , 게이트 전극 ( 폴리 실리콘 막 ( 305 ) ) , 측벽 절 연막 ( 307 ) , 층간 절 연막 ( 309 ) , 및 이후 형성 되 는 배선 과 같 은 집 적 회로 중 의 구조 체 와 이상 반응 을 일으킬 가능 성 이 있 다 . 이상 반응 을 일으킨 경우 를 , 참고 예 로서 도 9 A 및 도 9 B 에 나타낸다 .