이상 의 구성 과 동작 에 의해 , 다음 효과 가 얻 어 진다 . 즉 , 상대 적 으로 저항 값 이 낮 은 하층 에 위치 하 는 메모리 셀 일수록 , 리셋 동작 에서 의 전류 구동 시간 을 길 게 함 으로써 , 기록 층 을 원하 는 값 까지 고 저항 화 할 수 있 다 . 또한 , 도 32 에 도시 한 재 기입 드라이버 와 같이 , 인가 전류 의 조정 기능 과 조합 함 으로써 , 보다 확실 하 게 리셋 동작 을 행할 수 있 다 .