그 후 , 스퍼터링 법 에 의해 , 예 를 들 어 , 산화 인듐 갈륨 아연 ( IGZO ) 에 의해 형성 된 산화물 반도체 막 ( 두께 30 ㎚~ 100 ㎚ 정도 ) 를 성막 하 고 , 그 후 , 이 산화물 반도체 막 에 대해 , 제 2 포토 마스크 를 이용 한 포 토리 소 그래피 에 의한 레지스 트 의 패 터닝 , ? 에칭 및 레지스 트 박리 세척 을 행함 으로써 , 도 10 ( c ) , 도 12 ( c ) 에 나타내 듯이 , 게이트 절연 층 ( 12 ) 상 에 , 산화물 반도체 층 ( 13 a ) , 및 접속 층 ( 25 , 38 ) 을 형성 한다 .