부착 된 부품 들 ( 80 , 84 , 90 , 96 ) 로 상기 반도체 소자 는 플립 - 칩 또는 와이어 본딩 공정 을 이용 하 여 다른 부품 들 또는 시스템 에 연결 될 수 있 다 . 도 2 f 에서 도시 된 바 와 같이 와이어 본드 패드 , 납 ( 76 ) , 금속 층 ( 68 ) 간 의 기계 적 및 전기 적 본딩 를 형성 하 기 위한 열 , 압력 및 초음파 에너지 를 결합 하 는 적합 한 공정 을 이용 하 여 와이어 본드 패드 와 납 ( 76 ) 은 금속 층 ( 68 ) 에 연결 된다 . 적용 에 따라 와이어 본드 패드 와 납 ( 76 ) 은 금속 상호 연결 네트워크 를 통해 웨이퍼 ( 28 ) 상 에 형성 된 패시브 소자 에 전기 적 으로 연결 될 수 있 다 . 와이어 본드 와 와이어 본드 패드 는 적합 한 방법 또는 전도 재료 로 제조 될 수 있 다 . 도 2 f 는 금속 층 ( 68 ) 에 연결 된 범프 들 ( 74 ) 을 도시 한다 . 범프 ( 74 ) 는 상기 반도체 소자 가 PCB 또는 메모리 회로 와 같 은 부가 적 인 부품 과 의 연결 을 용이 하 게 하 도록 금속 층 ( 68 ) 과 결합 된다 . 범프 ( 74 ) 는 볼 드롭 ( ball drop ) 또는 스텐실 프린팅 ( stencil printing ) 공정 을 이용 해 형성 될 수 있 다 . 범프 ( 74 ) 는 또한 금속 상호 연결 네트워크 에 의해 웨이퍼 ( 28 ) 상 에 형성 된 패시브 부품 들 에 도 연결 될 수 있 다 . 범프 ( 74 ) 와 패시브 부품 들 간 의 상호 연결 은 적용 의 요구 에 따라 적합 한 방법 으로 패턴 화 될 수 있 다 .