그러나 , 실리콘 기판 ( 1 ) 상 의 패턴 밀도 ( pattern density ) 등 에 의한 산화 막 ( 5 ) 의 제거 율 에 영향 을 미치 는 요소 들 에 의해 도 3 a 에 나타낸 이미지 에서 처럼 질화 막 ( 2 ) 상 에 산화 막 ( 5 ) 이 제대로 제거 되 지 못하 고 잔존 함 으로써 질화 막 ( 2 ) 을 스트립 시 도 3 b 에 도시 된 바 와 같이 , 질화 막 잔류물 ( 2 a ) 이 남 게 되 며 , 이 로 인해 후속 공정 시 베리 어 마스크 ( barrier mask ) 로 작용 하 는 등 결함 을 유발 시키 는 문제점 을 가지 고 있 었 다 .