바람직 하 게 는 , 상기 처리 실 을 구성 하 는 부재 는 석영 부재 를 포함 하 고 , 상기 박막 이 질화 실리콘 막 이 며 , 상기 제 1 온도 및 상기 제 2 온도 는 , 상기 질화 실리콘 막 의 에칭 레이트 와 상기 석영 부재 의 에칭 레이트 가 동등 하 게 되 거나 , 상기 석영 부재 의 에칭 레이트 보다 상기 질화 실리콘 막 의 에칭 레이트 가 약간 커지 는 온도 이 다 .