도 12 는 본 발명 의 실시 예 들 에 따른 박막 트랜지스터 들 의 공정 온도 별 positive bias tempera ture stress ( PBTS ) 값 을 나타내 는 그래프 이 다 . 구체 적 으로 , 도 12 의 ( a ) 는 공정 온도 가 150 ℃ 인 본 발명 의 제 6 실시 예 에 따른 트랜지스터 의 PBTS 값 을 나타내 는 그래프 이 고 , 도 12 의 ( b ) 는 공정 온도 가 175 ℃ 인 본 발명 의 제 7 실시 예 에 따른 트랜지스터 의 PBTS 값 을 나타내 는 그래프 이 고 , 도 12 의 ( c ) 는 공정 온도 가 200 ℃ 인 본 발명 의 제 3 실시 예 에 따른 박막 트랜지스터 의 PBTS 값 을 나타내 는 그래프 이 다 .