또한 절연 층 ( 118 ) 의 형성 후 에 가열 처리 를 수행 하 여도 좋 다 . 상기 가열 처리 에 의하 여 , 저 저항 영역 ( 108 n ) 을 더 안정 하 게 저 저항 으로 할 수 있 는 경우 가 있 다 . 예 를 들 어 , 가열 처리 를 수행 함 으로써 , 불순물 원소 ( 140 ) 가 적절히 확산 되 고 국소 적 으로 균일 화 되 고 , 이상 적 인 불순물 원소 의 농도 구배 를 가지 는 저 저항 영역 ( 108 n ) 이 형성 될 수 있 다 . 또한 가열 처리 의 온도 가 지나치 게 높 으면 ( 예 를 들 어 500 ℃ 이상 ) , 불순물 원소 ( 140 ) 가 채널 형성 영역 내 까지 확산 되 고 , 트랜지스터 의 전기 특성 이나 신뢰 성 의 악화 를 초래 할 우려 가 있 다 .