계속 해서 , 상기 게이트 절 연막 ( 140 ) 상부 에 알루미늄 ( Al ) 또는 알루미늄 - 네오디뮴 ( Al - Nd ) 과 같 은 알루미늄 합금 의 단일 층 이나 , 크롬 ( Cr ) 또는 몰리브덴 ( Mo ) 합금 위 에 알루미늄 합금 이 적층 된 다중 층 으로 게이트 전극 용 금속 층 ( 도시 안 됨 ) 을 형성 하 고 , 사진 식각 공정 으로 상기 게이트 전극 용 금속 층 을 식각 하 여 상기 반도체 층 ( 128 ) 과 대응 되 는 소정 부분 에 게이트 전극 ( 138 ) 을 형성 한다 .