다음 으로 , 상기 제 2 콘 택 홀 ( 132 ) 이 형성 된 패 시베이 션 층 상 에 제 1 도전 성 물질 층 ( 미 도시 ) 을 스퍼터링 방법 으로 증착 한다 . 상기 제 1 도전 성 물질 층 ( 미 도시 ) 은 인듐 틴 옥사이드 , 인듐 징크 옥사이드 , 비정질 인듐 틴 옥사이드 와 같 은 투명 한 재질 로 형성 될 수 도 있 고 , 광 을 반사 시키 는 금속 재질 로 형성 될 수 도 있 다 . 이어서 , 사진 - 식각 공정 으로 상기 제 1 도전 성 물질 층 을 패 터닝 하 여 상기 단위 화소 ( P ) 에 대응 하 는 제 1 전극 ( PE ) 을 형성 한다 . 상기 제 1 전극 ( PE ) 은 상기 제 2 콘 택 홀 ( 132 ) 을 통해 상기 구동 박막 트랜지스터 ( TFT 2 ) 와 전기 적 으로 접촉 하 며 상기 구동 박막 트랜지스터 ( TFT 2 ) 로부터 화소 전압 을 인가 받 는다 .