절연 층 ( 38 ) 이 저항 층 위 에 패턴 화 되 고 형성 된다 . 절연 층 ( 38 ) 은 캐 패 시터 , 레지스터 및 인덕 터 를 포함 하 는 다양 한 패시브 회로 소자 들 의 부분 을 형성 하 고 , 접촉 패드 ( 34 a , 34 b ) 를 지지 한다 . 절연 층 ( 38 ) 은 질화 실리콘 ( SiN ) , 산화 탄탈 늄 ( Ta 2 O 5 ) , 산화 하프늄 ( HfO 2 ) , 또는 절 연막 재료 일 수 있 다 . 선택 적 인 실시 예 에서 , 저항 층 ( 36 ) 이 절연 층 ( 38 ) 위 에 형성 된다 .