본 발명 에 따른 반도체 디바이스 의 제조 방법 은 반도체 다이 가 안착 될 서브 스트레이트 영역 과 상기 서브 스트레이트 영역 으로부터 이격 된 다수 의 랜드 를 포함 하 는 리드 프레임 을 구비 하 는 단계 ; 상기 리드 프레임 에 반도체 다이 를 결합 하 고 , 도전 성 연결 부재 를 통해 상기 반도체 다이 를 상기 랜드 와 전기 적 으로 연결 하 는 단계 ; 상기 랜드 는 하면 으로부터 내부 로 형성 된 제 1 길이 의 폭 을 갖 는 홈 에 채워진 절연 부재 를 포함 하 도록 구비 되 는 단계 ; 상기 랜드 에 대해 제 2 길이 의 폭 으로 하프 소 잉 을 수행 하 여 상기 절연 부재 를 제거 하 는 단계 ; 상기 랜드 에 대해 소 잉 을 수행 하 여 상기 리드 프레임 을 반도체 디바이스 별 로 싱 귤 레이 션 하 는 단계 를 포함 할 수 있 다 .