한 실시 예 에 따르 면 , 상기 터치 감지 층 은 패널 의 형태 로 마련 될 수 있 다 . 한 예 로 , 정전 용량 방식 의 터치 감지 층 은 ITO ( indium thin oxide ) 또는 메탈 메 쉬 ( metal mesh ) 등 과 같 은 전도성 물질 로 형성 된 감지 전극 들 이 가로축 및 세로축 방향 으로 배열 되 어 격자 구조 로 형성 된 패널 로 마련 될 수 있 다 . 이 에 따라 , 상기 터치 감지 층 은 감지 전극 에 터치 객체 가 접촉 또는 접근 됨 에 따라 발생 하 는 정전 용량 의 변화 를 이용 하 여 터치 위치 를 검출 할 수 있 다 .