본 발명 은 제 1 및 제 2 반 응부 를 갖 는 반응 장치 본 체부 와 , 상기 반응 장치 본 체부 를 수용 하 는 용기 와 , 상기 용기 에 또는 상기 용기 의 내측 에 설치 된 , 적어도 상기 제 1 반 응부 에 대향 하 여 위치 하 는 제 1 영역 및 상기 제 2 반 응부 에 대향 하 여 위치 하 는 제 2 영역 을 구비 하 고 , 상기 제 1 반 응부 는 상기 제 2 반 응부 보다 도 높 은 온도 로 설정 되 며 , 상기 제 1 영역 은 상기 제 2 영역 보다 도 상기 반응 장치 본 체부 로부터 복사 되 는 열선 에 대해 높 은 반사 율 을 갖 는 반응 장치 가 개시 되 어 있 다 .