제 1 실시 예의 설명 및 제 2 실시 예의 설명 모두 에서 , n 채널 SJ - MOS 트랜지스터 ( 100 ~ 105 , 110 , 111 ) 가 반도체 장치 의 예 로서 나타나 있 다 . 하지만 , SJ - MOS 트랜지스터 ( 100 ~ 105 , 110 , 111 ) 의 각 부 의 도전 형 을 역전 시킴 으로써 얻 어 진 p 채널 SJ - MOS 트랜지스터 에서 , 동일 한 효과 가 얻 어 질 수 도 있 다 .