도 1 을 참조 하 면 , 본 실시 예 에 따른 발광 다이오드 ( 1 ) 는 베이스 를 이루 는 사파이어 기판 ( 100 ) 과 복수 의 발광 셀 ( 200 ) 을 포함 하 며 , 상기 사파이어 기판 ( 100 ) 과 상기 복수 의 발광 셀 ( 200 ) 사이 에 는 격자 부정합 을 완화 시키 기 위한 버퍼 층 ( 120 ) 이 개재 된다 . 본 발명 에 따라 , 상기 버퍼 층 ( 120 ) 은 결정 핵 의 억제 특성 을 갖 는 실리콘 니트 라이드 ( SiN ) 계열 의 SiN 버퍼 층 ( 120 ) 으로 이루어진다 .