일부 실시 예 들 에서 , 기판 의 수평 부분 들 로부터 주석 옥사이드 층 의 제거 는 2 개 의 상이 한 화학 물질 들 을 사용 하 는 2 단계 들 을 사용 하 는 것 을 수반 한다 . 에칭 으로 지칭 되 는 , 제 1 단계 에서 , 맨드릴 의 하부 층 들 및 ESL 재료 들 을 완전히 노출 하 지 않 고 , 대부분 의 주석 옥사이드 층 이 수평 표면 들 로부터 통상 적 으로 제거 된다 . 따라서 , 일부 실시 예 들 에서 , 주 에칭 의 에칭 화학 물질 은 선택 적 일 필요 는 없 다 . 일부 실시 예 들 에서 , 주 에칭 은 염소 - 기반 화학 물질 을 사용 하 여 기판 을 처리 함 으로써 수행 된다 ( 예 를 들 어 , BCl 3 / Cl 2 플 라즈 마 에칭 ) . 주 에칭 이 SnO 막 을 에칭 스루 ( etch through ) 한 후 또는 직전 에 , 에칭 화학 물질 이 오버 에칭 ( over etch ) 화학 물질 로 스위칭 된다 . 주 에칭 을 위한 엔드 포인트 가 맨드릴 재료 또는 ESL 재료 가 노출 되 게 될 때 를 시그널 링 하 는 , 광학 적 프로브 를 사용 하 여 검출 될 수 있 다 . 선택 적 인 오버 에칭 화학 물질 은 맨드릴 및 ESL 의 재료 들 을 실질 적 으로 에칭 하 지 않 고 남 아 있 는 주석 옥사이드 막 을 제거 하 지 않 도록 사용 되 고 상기 기술 되 었 다 .