또한 , 제 1 스텝 ( 박막 의 에칭 공정 ) 에 있 어서 처리 실 ( 201 ) 내 의 온도 ( 제 1 온도 ) 와 제 2 스텝 ( 트리트 먼 트 공정 ) 에 있 어서 처리 실 ( 201 ) 내 의 온도 ( 제 2 온도 ) 를 , 양쪽 모두 400 ℃ 이상 450 ℃ 이하 로 해도 된다 . 이러 한 온도 영역 에서 는 , 질화 실리콘 막 의 에칭 반응 을 충분히 진행 시키 는 것 이 가능 함 과 동시 에 , 석영 의 에칭 반응 을 진행 시키 는 것 이 가능 하 다 . 이 경우 , 석영 의 에칭 레이트 는 질화 실리콘 막 의 에칭 레이트 와 동등 하 거나 그것 보다 약간 낮 아 진다 . 즉 , 이 온도 영역 은 , 질화 실리콘 막 의 에칭 을 석영 의 에칭 과 동일 한 정도 , 또는 그것 보다 약간 우월 하 게 수행 할 수 있 는 중간 적 인 온도 영역 이 라고 말 할 수 있 다 .