이어서 , 실시 예 1 과 동일 하 게 , 1325 ℃ 의 고온 으로 , Ar 및 O 2 의 혼합 분위기 중 에서 8 시간 , 단결정 실리콘 웨이퍼 를 열처리 하 고 , SOI 웨이퍼 를 제작 했 다 . 형성 된 활성 층 의 두께 및 매입 SiO 2 층 의 두께 를 투과 전자 현미경 으로 관찰 한 바 활성 층 의 두께 는 200 nm , 매입 SiO 2 층 의 두께 는 125 nm 이 었 다 .