본 실시 형태 에서 는 , 트랜지스터 ( 4010 ) , 트랜지스터 ( 4011 ) 로서 , 실시 형태 1 및 실시 형태 2 에서 나타낸 트랜지스터 를 적용 할 수 있 다 . 또한 , 도 14 에 있 어서 는 , 실시 형태 1 및 실시 형태 2 에서 나타낸 트랜지스터 ( 310 ) 를 사용 하 는 예 를 나타내 고 있 지만 , 본 실시 형태 는 이것 에 한정 되 는 것 이 아니 며 , 트랜지스터 ( 320 , 330 , 340 , 350 또는 360 ) 등 을 적절히 사용 하 는 것 이 가능 하 다 . 또한 , 트랜지스터 ( 4010 ) 와 트랜지스터 ( 4011 ) 를 반드시 동일 한 구조 의 트랜지스터 로 하 지 않 아도 좋 다 . 트랜지스터 ( 4010 ) , 트랜지스터 ( 4011 ) 는 전기 적 특성 변동 이 억제 되 고 있 어 전기 적 으로 안정 적 이 다 . 따라서 , 도 14 에서 도시 하 는 본 실시 형태 의 반도체 장치 로서 신뢰 성 이 높 은 반도체 장치 를 제공 할 수 있 다 .