도 6 은 , 복수 의 유전체 층 ( 38 ) , RDL ( 40 ) , 및 금속 패드 ( 42 ) 를 포함 하 는 앞 측 재 분배 구조물 ( 36 ) 의 형성 을 도시 한다 . 금속 패드 ( 42 ) 는 앞 측 재 분배 구조물 ( 36 ) 의 상부 표면 부분 이 고 , 노출 된다 . 각각 의 공정 은 도 16 에 도시 된 공정 흐름 ( 200 ) 에서 공정 ( 210 ) 으로 도시 된다 . 본 개시 의 일부 실시 예 에 따르 면 , 유전체 층 ( 38 ) 은 PBO , 폴리 이미드 등 과 같 은 폴리머 로 형성 된다 . 유전체 층 ( 38 ) 및 대응 하 는 RDL 층 ( 40 ) 의 형성 공정 은 , 유전체 층 ( 38 ) 을 형성 하 는 단계 , 및 이어서 유전체 층 ( 38 ) 을 패 터닝 하 여 비아 개구부 를 형성 하 는 단계 를 포함 할 수 있 으며 , 이 비아 개구부 를 통해 도전 성 피처 ( 124 ) 또는 그 아래 에 위치 하 는 RDL ( 40 ) 과 같이 그 아래 에 위치 하 는 도전 성 피처 가 노출 된다 . 유전체 층 ( 38 ) 이 PBO 또는 폴리 이미드 와 같 은 감광성 재료 로 형성 되 는 일부 실시 예 에 따르 면 , 비아 개구부 의 형성 은 리소그래피 마스크 ( 미 도시 ) 를 이용 한 노광 공정 및 현상 공정 을 포함 한다 . 본 개시 의 대안 적 실시 예 에 따르 면 , 유전체 층 ( 38 ) 은 실리콘 질화물 , 실리콘 산화물 등 과 같 은 무기 유전체 재료 로 형성 되 며 , 이 는 화학 적 기상 증착 ( CVD : Chemical Vapor Deposition ) 공정 , 원자 층 퇴적 ( ALD : Atomic Layer Deposition ) 공정 , 플 라즈 마 강화 CVD ( PECVD : Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ) 공정 , 또는 그 밖 의 적용 가능 한 퇴적 공정 과 같 은 퇴적 공정 을 통해 형성 될 수 있 다 . 퇴적 된 유전체 층 ( 38 ) 은 비아 개구부 를 형성 하 도록 에칭 된다 . 다음 으로 , 시드 층 이 블랭킷 층 으로 퇴적 된다 . 시드 층 은 , 예 를 들 어 물리 적 기상 증착 ( PVD : Physical Vapor Deposition ) 을 통해 형성 될 수 있 는 티타늄 서브 층 및 티타늄 서브 층 위 의 구리 서브 층 을 포함 할 수 있 다 . 다음 으로 , 포토 레지 스트로 형성 될 수 있 는 도금 마스크 ( 미 도시 ) 가 형성 되 고 , 그 아래 에 위치 하 는 금속 시드 층 을 드러내 도록 패 터닝 된다 . 금속 재료 를 도금 하 도록 도금 공정 이 수행 된다 . 다음 으로 , 도금 마스크 가 제거 된 후 , 도금 재료 로 덮이 지 않 은 금속 시드 층 의 부분 을 제거 하 기 위한 에칭 공정 이 이어진다 . 도금 된 재료 및 그 아래 에 위치 하 는 시드 층 의 잔여 부분 은 RDL ( 40 ) 을 형성 한다 .