후속 처리 단계 에서 , 접촉 은 다양 한 비트 및 워드 라인 에 대해 이루어지 고 , 비트 및 워드 라인 은 메모리 장치 를 형성 하 기 위해 다양 한 보조 회로 에 접속 된다 . 일부 실시 예 에서 , 접촉 은 비트 및 워드 라인 위 의 레벨 로부터 이루어진다 . 게다가 , 소스 영역 ( 320 , 322 ) 으로 의 접촉 은 여기 에 설명 된 바 와 같이 , 분리 트랜지스터 의 게이트 및 소스 가 동작 의 단순 화 및 신뢰 성 을 위해 함께 연결 되 도록 , 각각 게이트 ( 342 , 343 ) 에 전기 적 으로 접속 된다 .