이어서 , 제 1 실리콘 층 ( 401 ) 상 에 제 1 마스크 ( M 1 ) 를 형성 하 고 , 이어서 제 1 마스크 ( M 1 ) 위 에 제 2 마스크 ( M 2 ) 를 형성 한다 . 제 1 마스크 ( M 1 ) 는 고정 콤 전극 형성 부분 과 프레임 형성 부분 상 에 형성 되 며 , 제 2 마스크 ( M 2 ) 는 구동 콤 전극 형성 부분 및 제 1 마스크 ( M 1 ) 상 에 각각 형성 된다 . 제 1 마스크 ( M 1 ) 및 제 2 마스크 ( M 2 ) 는 각각 실리콘 과 다른 식각 률 을 가지 며 , 또한 , 제 1 마스크 ( M 1 ) 및 제 2 마스크 ( M 2 ) 는 특정 한 에칭 액 에 다른 식각 률 을 가진다 .