한편 , 정공 주입 층 ( 2130 ) 의 상부 에 는 정공 주입 층 ( 2130 ) 을 통하 여 들어온 정공 을 안정 적 으로 발광 층 ( 2150 ) 으로 공급 할 수 있 도록 정공 전달 층 ( 2140 ) 이 형성 되 는데 , 정공 이 원활 하 게 수송 , 전달 될 수 있 도록 정공 전달 층 ( 2140 ) 의 HOMO 수준 이 발광 층 ( 2150 ) 의 HOMO 수준 보다 높 은 물질 이 선택 된다 . 본 발명 과 관련 하 여 정공 전달 층 ( 2140 ) 으로 사용 될 수 있 는 물질 로 는 N , N ′- diphenyl - N , N ′-( 3 - methylphenyl ) - 1 , 1 ′- biphenyl - 4 , 4 ′- diamine ( TPD ) , α - TPD 등 의 정공 전달 물질 이 사용 될 수 있 다 . 정공 수송 층 은 약 10 ~ 100 ㎚ 의 두께 로 정공 주입 층 ( 2130 ) 의 상부 로 증착 될 수 있 다 .