일반 적 으로 , 실리콘 온 인 슐레이터 ( silicon - on - insulator : SOI ) 디바이스 들 은 동작 될 때 열 을 생성 하 는데 , 이 열 은 관리 되 어야 한다 . 도 1 은 통상 적 인 SOI 웨이퍼 의 간략 도 이 다 . 실리콘 온 인 슐레이터 웨이퍼 들 은 기본 적 인 3 층 구조 를 포 함 할 수 있 다 . 상부 실리콘 에피 택 셜 층 은 도파관 ( 100 ) 으로서 작용 하 고 , SiO 2 매몰 ( buried ) 산화물 층 ( 102 ) 은 광학 모드 를 한정 하 고 , 하부 실리콘 기판 ( 104 ) 내로 의 누설 을 중지 시키 는 하부 클래딩 ( cladding ) 으로서 작용 한다 . 이 매몰 산화물 층 ( 102 ) 의 통상 적 인 두께 는 2 . 5 ㎛ 보다 큰 도파관 들 에 대해 0 . 35 ㎛ 이 고 , 높이 는 1 . 5 ㎛ 보다 짧 은 도파관 들 에 대해 1 ㎛ 이 다 .