506 에서 , 압 전 재료 의 기재 는 다 이싱 파라미터 들 또는 조건 들 을 사용 하 여 다 이싱 된다 . 예 를 들 어 , 다 이싱 동작 은 모든 음향 층 들 을 통해 완전히 다 이 싱하 여 , 예컨대 모든 전기 전도성 층 들 을 통해 다 이 싱하 여 , 모든 음향 요소 들 을 분리 하 고 개별 전기 접속 들 을 허용 할 수 있 다 . 추가 로 , 요소 들 은 특수 한 종횡비 들 및 바람직 한 진동 모드 들 을 달성 하 기 위해 서브 - 다 이싱 될 수 있 다 . 그러나 , 서브 - 다 이싱 은 요소 서브 부분 들 에 대한 전기 적 접속 을 여전히 유지 한다 . 선택 적 으로 , 다 이싱 동작 은 기재 재료 가 개별 편부 ( piece ) 들 보다 는 슬래브 로서 유지 되 도록 기재 재료 ( 들 ) 를 도중 에 어느 정도 또는 부분 적 으로 다 이싱 하 는 것 으로 제한 될 수 있 다 . 선택 적 으로 , 다 이싱 파라미터 들 또는 조건 들 은 단결정 의 기계 적 속성 들 및 기하 구조 에 기초 할 수 있 다 . 다 이싱 파라미터 들 은 블레이드 재료 , 스핀들 회전 속도 , 공급 속도 등 을 포함 할 수 있 지만 , 이 들 로 제한 되 지 않 는다 . 따라서 , 전체 음향 스택 을 다 이싱 할 때 필요 한 다 이싱 조건 들 을 사용 할 경우 에 경험 되 는 균열 및 열화 를 피하 면서 단결정 의 품질 이 유지 된다 . 음향 스택 의 제조 프로세스 는 세라믹 및 단결정 재료 둘 모두 에서 응력 들 을 도입 한다 . 전형 적 으로 , 요소 들 을 폴링 하 기 전 에 재료 들 을 응력 완화 시키 기 위해 어닐링 단계 가 수행 된다 .