도 6 a 를 참조 하 면 , 제 1 접합 패드 ( 988 ) 및 대응 하 는 제 2 접합 패드 ( 788 ) 의 정합 쌍 의 확대도 가 , 제 1 및 제 2 탄소 계 산화 장벽 층 들 ( 992 , 792 ) 이 2 차원 탄소 - 함유 재료 를 포함 하 는 제 1 구성 으로 도 5 의 처리 단계 에서 도시 된다 . 이 경우 , 제 1 탄소 계 산화 장벽 층 ( 992 ) 의 각각 의 부분 은 0 . 3 nm 내지 3 nm 범위 의 두께 를 갖 고 , 탄소 로 본질 적 으로 이루어지 고 , 비정질 탄소 , 다이아몬드 - 유사 탄소 , 그래핀 , 및 탄소 나노 튜브 로부터 선택 된 재료 를 포함 하 는 제 1 의 2 차원 탄소 - 함유 재료 층 ( 992 A ) 의 일부분 일 수 있 다 . 제 2 탄소 계 산화 장벽 층 ( 792 ) 의 각각 의 부분 은 0 . 3 nm 내지 3 nm 범위 의 두께 를 갖 고 , 탄소 로 본질 적 으로 이루어지 고 , 비정질 탄소 , 다이아몬드 - 유사 탄소 , 그래핀 , 및 탄소 나노 튜브 로부터 선택 된 재료 를 포함 하 는 제 2 의 2 차원 탄소 - 함유 재료 층 ( 792 A ) 의 일부분 일 수 있 다 .