소자 영역 ( AA ) 의 표면 영역 내 에 는 , MOS 트랜지스터 TR 의 소스 및 드레 인 의 LDD 영역 으로서 기능 하 는 n 형 불순물 확산 층 ( 31 ) 이 설치 되 어 있 다 . 확산 층 ( 31 ) 은 , 메모리 셀 트랜지스터 MT 의 소스 및 드레 인 영역 ( 17 ) 과 마찬가지 로 , 예 를 들 어 인 , 비소 , 또는 안티몬 을 표면 농도 가 1017 cm - 3 ∼ 1020 cm - 3 로 되 도록 함유 하 고 , 그 접합 깊이 의 예 는 10 ㎚∼ 300 ㎚ 이 다 . 확산 층 ( 31 ) 은 게이트 전극 ( 34 ) 에 대하 여 자기 정합 적 으로 ( self - aligned fashion ) 형성 된다 .