본 발명 의 다양 한 실시 예 들 에 따르 면 , 도 3 의 ( a ) 내지 ( d ) 의 과정 은 외력 에 따른 제 3 전극 ( 103 ) 의 움직임 에 따라 불 규칙 적 으로 반복 될 수 있 다 . 또한 , 도 3 의 ( a ) 내지 ( d ) 은 , 제 2 전극 ( 102 ) 이 제 1 전극 ( 101 ) 보다 고온 인 상황 을 나타낸다 . 따라서 도 3 의 ( a ) 내지 ( d ) 에서 , P 형 반도체 층 ( 120 ) 의 정공 이 제 2 전극 ( 102 ) 에서 제 1 전극 ( 101 ) 방향 으로 움직여 , 전류 ( I ) 가 시계 방향 으로 흐를 수 있 다 .