따라서 , 상술 한 바 와 같이 , 벌브 형 리세 스 게이트 구조 의 게이트 를 형성 할 때 , 상기 구형 의 제 2 홈 이 매립 되 도록 절 연막 을 형성 하 여 게이트 형성 과정 중 발생 하 는 보이드 발생 을 방지 할 수 있 어 문턱 전압 ( Vt ) 상승 및 포화 전류 감소 로 인한 셀 동장 특성 을 개선 할 수 있 다 . 또한 , 상기 제 1 홈 이 매립 되 도록 금속 막 을 형성 함 으로써 게이트 의 저항 을 개선 하 여 문턱 전압 마진 을 확보 할 수 있 다 .