도 2 a 에 도시 된 바 와 같이 , 기판 ( 21 ) 에 소자 분리 막 ( 21 A ) 을 형성 한다 . 여기 서 , 기판 ( 21 ) 은 DRAM 공정 이 진행 되 는 반도체 기판 일 수 있 고 , 소자 분리 막 ( 21 A ) 은 STI ( Shallow Trench Isolation ) 공정 으로 형성 할 수 있 다 . 소자 분리 막 ( 21 A ) 을 형성 하 여 기판 ( 21 ) 에 활성 영역 ( 21 B ) 이 정의 된다 .