위 와 같이 도 3 b 및 도 3 c 에서 실리콘 이 다량 함유 된 하드 마스크 층 ( 23 ) 및 감광막 패턴 ( 24 ) 의 제거 에 불소 계 가스 를 이용 함 으로써 , 감광막 패턴 ( 24 ) 의 제 거시 산소 에 실리콘 이 다량 함유 된 하드 마스크 층 ( 23 ) 이 산화 되 어 산화층 ( SiOx ) 이 형성 되 어도 불소 계 가스 에 의해 산화층 이 쉽 게 제거 되 기 때문 에 공정 에 영향 을 미치 지 않 는다 . 또한 , 50 Ｗ ∼ 500 Ｗ 의 바텀 파워 를 인가 하 여 가벼운 식각 ( Light Etch ) 공정 으로 진행 하 기 때문 에 산화층 제거 도 더 쉽 게 진행 할 수 있 다 .