우선 , 도 5 ( a ) 에 도시 한 것 처럼 반도체 성장 용 기판 ( 100 ) 위 에 n 형 반도체 층 ( 41 ) , 발광 층 ( 42 ) , p 형 반도체 층 ( 43 ) 을 이 순서 대로 적층 하 여 반도체 적층 체 ( 40 ) 를 형성 한다 . 반도체 성장 용 기판 ( 100 ) 은 후 공정 에서 박리 되 는 기판 으로서 , 예 를 들 면 C 면 , R 면 및 A 면 중 어느 하나 를 주면 으로 하 는 사파이어 로 구성 된다 . 아울러 반도체 성장 용 기판 ( 100 ) 으로서 사파이어 와 다른 이종 기판 을 사용 해도 좋 다 . 이종 기판 으로서 는 , 예 를 들 면 스피넬 ( MgAl 2 O 4 ) 과 같 은 절연성 기판 , SiC ( 6 H , 4 H , 3 C 를 포함 ) , ZnS , ZnO , GaAs 및 질화물 반도체 와 격자 정합 되 는 산화물 기판 등 질화물 반도체 를 성장 시킬 수 있 으며 종래 부터 알려져 있 는 기판 재료 를 사용 할 수 있 다 .