이때 , 줄어든 제 1 액티브 층 ( 328 a ) 의 면적 에 대응 하 여 제 1 영역 ( A ) 에 배치 되 는 서브 화소 ( 115 ) 의 저항 값 이 증가 하 게 된다 . 따라서 , 제 1 영역 ( A ) 에 배치 되 는 서브 화소 ( 115 ) 들 의 제 5 스위칭 소자 ( T 5 ) 의 저항 값 을 증가 시킴 으로써 제 2 영역 ( B ) 에 배치 되 는 서브 화소 ( 115 ) 들 의 전압 강하 현상 을 방지 할 수 있 다 .