도 2 를 참조 하 면 , 제 2 핀홀 마스크 ( 40 ) 는 4 행 4 열 의 복수 의 셀 영역 ( ( 1 , 1 ) … ( 4 , 4 ) ) 을 포함 하 지만 , 4 행 4 열 로 한정 되 지 않 는다 . 각 셀 영역 ( ( 1 , 1 ) … ( 4 , 4 ) ) 은 복수 의 홀 ( 42 ) 을 포함 한다 . 제 1 셀 영역 ( 1 , 1 ) 에 형성 된 복수 의 홀 ( 42 ) 의 분포 형태 를 제 1 분포 형태 라 하 고 , 제 2 셀 영역 ( 1 , 2 ) 에 형성 된 복수 의 홀 ( 42 ) 의 분포 형태 를 제 2 분포 형태 라 할 때 , 제 2 핀홀 마스크 ( 40 ) 에 포함 된 셀 영역 들 ( ( 1 , 1 ) … ( 4 , 4 ) ) 중 절반 은 상기 제 1 분포 형태 와 같 은 홀 분포 형태 를 가지 며 , 나머지 절반 은 상기 제 2 분포 형태 와 같 은 홀 분포 형태 를 갖 는다 . 달리 말 하 면 , 상기 제 1 분포 형태 와 상기 제 2 분포 형태 를 결합 하 여 기본 홀 분포 형태 라 할 때 , 제 2 핀홀 마스크 ( 40 ) 에 형성 된 복수 의 홀 ( 42 ) 은 상기 기본 홀 분포 형태 가 반복 된 형태 로 분포 되 어 있 다 . 이러 한 형태 의 제 2 핀홀 마스크 ( 40 ) 는 상기 기본 홀 분포 형태 를 형성 하 는 데 사용 되 는 포토 마스크 1 개 를 반복 사용 하 여 형성 할 수 있 다 . 따라서 제 2 핀홀 마스크 ( 40 ) 는 대면 적 으로 형성 할 수 도 있 다 .