상기 한 목적 을 달성 하 기 위한 일 측면 에 따른 본 발명 은 , 기판 상 에 터널 링 절 연막 과 플로팅 게이트 용 도전 막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 도전 막 , 상기 터널 링 절 연막 및 상기 기판 을 식각 하 여 트렌치 를 형성 하 는 단계 와 , 상기 트렌치 가 일부 매립 되 도록 상기 트렌치 의 내 부면 을 따라 제 1 절 연막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 트렌치 가 매립 되 도록 상기 제 1 절 연막 과 서로 다른 식각 율 을 갖 는 물질 로 제 2 절 연막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 제 1 절 연막 이 상기 도전 막 과 상기 터널 링 절 연막 의 측벽 에 잔류 되 도록 선택 적 으로 상기 제 2 절 연막 을 후퇴 시키 는 단계 와 , 상기 트렌치 가 매립 되 도록 상기 제 2 절 연막 상 에 제 3 절 연막 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 비휘발성 메모리 소자 의 제조 방법 을 제공 한다 .