그 후 , 전면 에 텅스텐 막 ( W 막 ) 을 형성 하 고 , 레지스 트 를 마스크 로 하 여 , W 막 을 에칭 하 여 워드 라인 을 형성 한다 . 또한 , 워드 라인 으로 덮여 있 지 않 은 영역 의 WSi 막 및 폴리 실리콘 막 을 제거 하 여 , 게이트 전극 을 섬 형상 으로 가공 한다 . 그 후 , 중간 절 연막 을 형성 한 후 , N ＋ 확산 층 ( 소스 / 드레 인 ) 을 노출 시키 는 컨 택트 홀 을 형성 하 여 컨 택트 를 형성 한다 .