이 와 같 은 해상력 증가 법 은 통상 의 노광 마스크 ( lithography mask ) 대신 에 위상 반전 패턴 을 사용 하 는 방법 이나 , 이미지 콘트 라스트 를 향상 시킬 수 있 는 별도 의 박막 을 웨이퍼 상 에 형성 하 는 씨 . 이 . 엘 ( contrast enhancement layer ; CEL ) 방법 이나 , 두 층 의 감광막 사이 에 에스 . 오 . 지 ( spin on glass ; SOG ) 등 의 중간 층 을 개재 시킨 삼 층 레지스 트 ( Tri layer resister ; 이하 TLR 이 라 칭함 ) 방법 또는 감광막 의 상측 에 선택 적 으로 실리콘 을 주입 시키 는 실리 레 이 션 방법 등 이 개발 되 어 분해능 한계 치를 낮추 고 있 으며 , 그 중 공정 재현 성 이 우수 한 위상 반전 패턴 을 사용법 이 가장 주목 받 고 있 다 . 이러 한 위상 반전 패턴 을 포함 하 는 노광 마스크 는 일반 적 인 마스크 에 비해 해상력 이 커지 고 , 초 점심 도 폭 ( focus latitude ) 이 커 미세 한 패턴 을 안정 적 으로 형성 할 수 있 다 .