도 3 c 에 도시 된 바 와 같이 , 1 차 홀 ( 35 A ) 의 측벽 에 스 페이서 ( 38 ) 를 형성 한다 . 이때 , 스 페이서 ( 38 ) 는 1 차 홀 ( 35 A ) 을 포함 한 전면 에 질화 막 을 증착 한 후 , 질화 막 을 식각 하 여 형성 한 것 이 다 . 여기 서 , 질화 막 식각 을 스 페이서 식각 ( Spacer etch ) 이 라고 하 며 , 스 페이서 식각 은 건식 에 치 백 ( Dry etchback ) 을 적용 한다 . 건식 에 치 백 을 적용 하 면 비등방성 식각 특성 에 의해 1 차 홀 ( 35 A ) 의 측벽 에 있 는 질화 막 은 식각 되 지 않 고 , 1 차 홀 ( 35 A ) 의 바닥 면 과 하드 마스크 패턴 ( 36 A ) 의 상부 에 있 는 질화 막 만 식각 되 면서 스 페이서 ( 38 ) 가 형성 된다 .