또한 , 제 1 및 제 2 자기 저항 효과 소자 와 , 제 1 및 제 2 자기 저항 효과 소자 의 접속 노드 에 접속 된 선택 용 트랜지스터 를 갖 는 메모리 셀 과 , 제 1 방향 으로 연장 되 어 제 1 자기 저항 효과 소자 에 접속 된 제 1 신호선 과 , 제 1 방향 으로 연장 되 어 제 2 자기 저항 효과 소자 에 접속 된 제 2 신호선 과 , 제 2 방향 으로 연장 되 는 제 3 신호선 과 , 제 1 방향 으로 연장 되 어 메모리 셀 의 접속 노드 에 선택 용 트랜지스터 를 통하 여 접속 된 판독 용 의 제 4 신호선 을 갖 는 자기 메모리 장치 를 구성 함 으로써 , 1 개 의 행 ( 行 ) 어 드레스 ( 제 3 신호선 ) 와 복수 의 열 ( 列 ) 어 드레스 ( 제 1 및 제 2 신호선 ) 를 선택 하 여 , 복수 의 메모리 셀로 의 패럴렐 기입 을 행할 수 있 다 . 이 에 따라 , 일반 적 인 주변 회로 나 기입 프로그램 등 의 정합성 ( 整合 性 ) 을 향상 시킬 수 있 다 .