그리고 게이트 라인 ( GL ) 에 인가 되 는 신호 에 의해 스위칭 되 어 데이터 라인 ( DL ) 에 인가 되 는 신호 를 각 화소 전극 ( 124 ) 에 전달 하 기 위하 여 게이트 라인 ( GL ) 과 데이터 라인 ( DL ) 의 교차 부위 에 는 복수 개 의 박막 트랜지스터 ( 120 ) 가 형성 된다 . 이때 , 박막 트랜지스터 ( 120 ) 는 지그재그 로 형성 된다 . 즉 , 첫 번 째 게이트 라인 ( GL 1 ) 에 연결 된 박막 트랜지스터 ( 120 ) 는 화소 영역 의 좌측 하단 에 형성 되 고 , 두 번 째 게이트 라인 ( GL 2 ) 에 연결 된 박막 트랜지스터 ( 120 ) 는 화소 영역 의 우측 하단 에 형성 된다 . 또한 , 다음 게이트 라인 ( GL ) 에 도 동일 하 게 반복 되 어 , 홀수 번 째 게이트 라인 ( GL ) 에 연결 된 박막 트랜지스터 ( 120 ) 는 화소 영역 의 좌측 하단 에 형성 되 고 , 짝 수번 째 게이트 라인 ( GL ) 에 연결 된 박막 트랜지스터 ( 120 ) 는 화소 영역 의 우측 하단 에 형성 된다 .