이 와 같 은 이유 로 , 소자 분리 막 으로 SOD 막 을 사용 할 때 SOD 막 을 하부 층 으로 사용 하 고 , 후속 습식 식각 에서 SOD 막 의 표면 을 활성 영역 아래 로 리 세스 ( Recess ) 시킨 후 , HDP 막 을 그 상부 에 형성 하 는 이 중막 ( Bilayered ) 형태 가 많이 사용 하 고 있 다 . 그러나 , 이 중막 의 경우 도 결국 HDP 막 을 사용 하 여야 하 기 때문 에 반도체 소자 의 고집 적 화 에 따른 갭 - 필 마진 ( Margin ) 의 부족 으로 양산 성 문제 를 여전히 내포 하 고 있 다 .