도 1 a 를 참조 하 면 , 제 1 반도체 기판 ( 100 ) 이 제공 된다 . 상기 제 1 반도체 기판 ( 100 ) 은 실리콘 기판 일 수 있 다 . 상기 제 1 반도체 기판 ( 100 ) 은 트랜지스터 , 저항 및 커패시터 등 의 전자 부품 ( 미 도시 ) 을 포함 하 는 억셉터 ( acceptor ) 기판 일 수 있 다 . 상기 제 1 반도체 기판 ( 100 ) 은 상기 제 1 반도체 기판 ( 100 ) 상 에 적어도 한 층 의 반도체 막 ( 미 도시 ) 을 형성 할 수 있 다 . 상기 반도체 막도 트랜지스터 , 저항 및 커패시터 등 의 전자 부품 ( 미 도시 ) 을 포함 할 수 있 다 .