이온 주입기 ( 26 ) 는 1 이상 형성 된 스테이지 들 ( 23 및 35 ) 을 포함 한다 . 이온 주입기 의 각 스테이지 는 , 적절 하 게 는 이온 빔 의 효과 적 인 시준 을 제공 하 도록 합금 또는 금속 을 포함 할 수 있 는 전도성 재료 로 이루어진 가속 전극 ( 32 ) 을 포함 한다 . 예 를 들 어 , 전극 들 은 적절 하 게 는 낮 은 스퍼터링 계수 ( sputtering coefficient ) 를 갖 는 전도성 금속 , 예 를 들 어 텅스텐 으로 만들 어 진다 . 다른 적절 한 재료 들 은 알루미늄 , 강철 , 스테인리스 강 , 그래 파이트 , 몰리브덴 , 탄탈룸 등 을 포함 할 수 있 다 . RF 안테나 ( 24 ) 는 일 단부 에서 RF 임피던스 매칭 회로 ( 도시 되 지 않 음 ) 의 출력 에 , 또한 다른 단부 에서 는 접지 에 연결 된다 . RF 임피던스 매칭 회로 는 발생기 에 의해 필요 한 임피던스 를 매칭 하고 RF 공진 을 확립 하 도록 안테나 를 조정 할 수 있 다 . RF 안테나 ( 24 ) 는 적절 하 게 는 폭넓 은 범위 의 RF 주파수 를 발생 시키 며 , 이 는 0 Hz 내지 수 kHz , 수 MHz , GHz 이상 을 포함 하 고 , 이 에 제한 되 지 는 않 는다 . RF 안테나 ( 24 ) 는 외부 워터 쿨러 ( water cooler : 도시 되 지 않 음 ) 에 의해 물 로 냉각 되 어 , 저항 의 최소 변화 로 높 은 파워 손실 을 용인 할 수 있 다 . RF 안테나 ( 24 ) 의 턴 의 매칭 회로 는 RF 파워 발생기 ( 도시 되 지 않 음 ) 에 연결 될 수 있 다 . 이온 소스 ( 20 ) , 매칭 회로 , 및 RF 파워 발생기 는 최고 가속기 전위 에 , 또는 약간 더 높이 부유 할 수 있 으며 ( 접지 로부터 절연 됨 ) , 이 전위 는 고전압 전력 공 급기 에 전기 연결 하 여 얻 어 질 수 있 다 . RF 파워 발생기 는 원격 으로 조정 가능 할 수 있 으므로 , 빔 세기 가 사용자 에 의해 , 또는 대안 적 으로 컴퓨터 시스템 에 의해 제어 될 수 있 다 . 진공 챔버 ( 25 ) 에 연결 된 RF 안테나 ( 24 ) 는 적절 하 게 는 연료 를 포지티브 하 게 이온 화 하 여 , 이온 빔 을 생성 한다 . 이온 들 을 생성 하 는 대안 적 인 수단 은 당업자 에게 알려져 있 으며 , 마이크로파 방전 , 전자 - 충돌 이온 화 , 및 레이저 이온 화 를 포함 할 수 있 다 .