광취 출면 에 는 여러 개 의 볼록 부가 형성 되 어 있 다 . 본 실시 형태 에서 는 광취 출면 은 n 형 반도체 층 ( 41 ) 의 표면 이 다 . 즉 , 여러 개 의 볼록 부 는 n 형 반도체 층 ( 41 ) 에 마련 되 어 있 다 . 여러 개 의 볼록 부 는 제 1 볼록 영역 ( 80 ) 과 제 2 볼록 영역 ( 90 ) ( 90 a , 90 b , 90 c , 90 d ) 에 마련 되 어 있 다 . 제 2 볼록 영역 ( 90 ) 은 제 1 볼록 영역 ( 80 ) 과 n 측 전극 ( 50 ) 사이 에서 n 측 전극 ( 50 ) 과 반도체 적층 체 ( 40 ) 의 계면 과 인접 되 어 있 다 . 제 1 볼록 영역 ( 80 ) 에 마련 된 제 1 볼록 부 의 기단 ( 基 端 ) 은 , n 측 전극 ( 50 ) 과 반도체 적층 체 ( 40 ) 의 계면 보다 도 발광 층 ( 42 ) 쪽 에 위치 하 고 있 다 . 제 2 볼록 영역 ( 90 ) 에 마련 된 제 2 볼록 부 의 기단 은 , 제 1 볼록 부 의 기단 보다 도 n 측 전극 ( 50 ) 과 반도체 적층 체 ( 40 ) 의 계면 쪽 에 위치 하 고 있 다 . 제 1 볼록 부 의 기단 에서 끝단 까지 의 높이 는 제 2 볼록 부 의 기단 에서 끝단 까지 의 높이 보다 도 크 다 . 광취 출면 에 는 2 개 의 n 측 전극 ( 50 ) 이 이격 되 어 마련 되 고 , 이격 되 어 마련 된 2 개 의 n 측 전극 ( 50 ) 에 끼워 지 는 영역 에 제 1 볼록 영역 ( 80 ) 및 제 2 볼록 영역 ( 90 a ) , ( 90 b ) 을 가진다 . 이 제 1 볼록 영역 ( 80 ) 및 제 2 볼록 영역 ( 90 ) 에 형성 된 볼록 부 ( 제 1 볼록 부 , 제 2 볼록 부 ) 의 상세 에 대해서 는 후기 하 기 로 한다 .