이때 , 상기 게이트 폴리 실리콘 층 ( 122 ) 은 인 ( Ph ) 및 보론 ( B ) 중 선택 된 어느 하나 를 이용 하 여 도핑 된 폴리 실리콘 을 이용 한 화학 기상 증착 법 으로 형성 하 는 것 이 바람직 하 며 , 상기 게이트 금속 층 ( 124 ) 은 Ti , TiN , W , Al , Cu , WSix 및 이 들 의 조합 중 선택 된 어느 하나 를 이용 하 여 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 .