다음 에 , 게이트 절연 층 ( 146 ) , 게이트 전극 ( 148 a ) 및 도전 층 ( 148 b ) 상 에 절연 층 ( 150 ) 을 형성 한다 ( 도 22 a 참조 ) . 절연 층 ( 150 ) 은 , PVD 법 이나 CVD 법 등 을 이용 하 여 형성 할 수 있 다 . 또한 , 산화 실리콘 , 산질 화 실리콘 , 질화 실리콘 , 산화 하프늄 , 산화 갈륨 , 산화알루미늄 등 의 무기 절연 재료 를 포함 하 는 재료 를 이용 하 여 형성 할 수 있 다 . 또한 , 절연 층 ( 150 ) 에 는 , 유전 율 이 낮 은 재료 나 , 유전 율 이 낮 은 구조 ( 다공 성 의 구조 등 ) 를 이용 하 는 것 이 바람직 하 다 . 절연 층 ( 150 ) 의 유전율 을 낮 게 함 으로써 , 배선 이나 전극 등 의 사이 에 발생 하 는 용량 을 저감 하 고 , 동작 의 고속화 를 도모 할 수 있 기 때문 이 다 . 또한 , 본 실시 형태 에서 는 , 절연 층 ( 150 ) 의 단층 구조 로 하 고 있 지만 , 본 발명 의 일 형태 는 이것 에 한정 되 지 않 고 , 2 층 이상 의 적층 구조 로 하 여도 된다 .