도 3 c 및 도 4 c 를 참조 하 면 , 상기 감광막 패턴 을 제거 한 상태 에서 상기 양 측면 이 노출 된 활성 영역 상 에 게이트 절 연막 ( 40 ) 과 도전 막 ( 50 ) 및 하드 마스크 막 ( 60 ) 을 차례 로 형성 한다 . 그런 다음 , 상기 하드 마스크 막 ( 60 ) 과 도전 막 ( 50 ) 및 게이트 절 연막 ( 40 ) 을 식각 하 여 게이트 ( 70 ) 를 형성 한다 .