상술 한 조건 하 에서 웨이퍼 ( 200 ) 에 대하 여 NH 3 가스 를 공급 함 으로써 , 하 지 ( 200 a ) 의 표면 상 에 형성 된 Si 함유층 의 적어도 일부 가 질화 된다 . Si 함유층 이 질화 됨 으로써 , 하 지 ( 200 a ) 의 표면 상 에 , Si 및 N 을 포함 하 는 층 , 즉 , 실리콘 질화 층 ( SiN 층 ) 이 형성 된다 . SiN 층 을 형성 할 때 , Si 함유층 에 포함 되 어 있 던 Cl 등 의 불순물 은 , NH 3 가스 에 의한 Si 함유층 의 질화 반응 의 과정 에서 , 적어도 Cl 을 포함 하 는 가스 상태 물질 을 구성 하 여 , 처리 실 ( 201 ) 내 로부터 배출 된다 . 이 에 의해 , SiN 층 은 , 스텝 D 1 에서 형성 된 Si 함유층 에 비하 여 Cl 등 의 불순물 이 적 은 층 으로 된다 . 또한 , 하 지 ( 200 b ) 및 보호막 ( 200 e ) 각각 의 표면 은 , 본 스텝 을 실시 할 때 도 , 질화 되 지 않 고 유지 된다 . 즉 , 하 지 ( 200 b ) 및 보호막 ( 200 e ) 각각 의 표면 은 , 질화 ( NH 종단 ) 되 지 않 고 , F 종단 된 채 안정 적 으로 유지 된다 .