셋 상태 분포 ( 500 ) 는 제 1 영역 ( 501 ) 과 제 2 영역 ( 502 ) 으로 구분 할 수 있 다 . 문턱 전압 이 제 1 영역 ( 501 ) 에 속하 는 메모리 셀 은 상대 적 으로 작 은 센싱 마진 을 갖 는 반면 , 큰 리드 디스 터브 마진 을 가질 수 있 다 . 반대 로 , 제 2 영역 ( 502 ) 에 속하 는 메모리 셀 은 상대 적 으로 큰 센싱 마진 과 , 작 은 리드 디스 터브 마진 을 가질 수 있 다 .