또한 , 산화물 반도체 층 ( 144 ) 과 소스 전극 또는 드레 인 전극 ( 142 a ) , 소스 전극 또는 드레 인 전극 ( 142 b ) 사이 에 , 소스 영역 및 드레 인 영역 으로서 기능 하 는 산화물 도전 층 을 버퍼 층 으로서 형성 해도 좋 다 . 도 11 b 의 트랜지스터 ( 162 ) 에 산화물 도전 층 을 형성 한 트랜지스터 ( 441 ) , 트랜지스터 ( 442 ) 를 도 27 a , 도 27 b 에 도시 한다 .