실리콘 기판 ( 11 ) 상 에 질화 막 ( 12 ) 이 형성 되 면 , 질화 막 ( 12 ) 형성 면 에 트렌치 를 형성 하 는데 , 이 를 위해 도 4 b 에 도시 된 바 와 같이 , 질화 막 ( 12 ) 상 에 포토레지스트 ( photo resist ) 를 코팅 한 다음 , 노광 , 현상 등 의 포토 리소그래피 공정 에 의해 트렌치 를 형성 하 고자 하 는 영역 을 정의 한 포토레지스트 패턴 ( 13 ) 을 질화 막 ( 12 ) 상 에 형성 하 고 , 이러 한 포토레지스트 패턴 ( 13 ) 을 마스크 ( mask ) 로 하 여 식각 공정 에 의해 상부 가 노출 되 는 실리콘 기판 ( 11 ) 의 일부 를 선택 적 으로 제거 하 고 , 잔류 하 는 포토레지스트 패턴 ( 13 ) 을 제거 함 으로써 도 4 c 에 도시 된 바 와 같이 , 실리콘 기판 ( 11 ) 내 에 목표 로 하 는 깊이 의 트렌치 ( 14 ) 를 형성 한다 .