제 1 가열 처리 의 온도 또는 성막 시 에서 의 기판 온도 에 따라 , 제 1 가열 처리 에 의해 막 표면 으로부터 결정화 가 일어나 고 , 막 의 표면 으로부터 내부 를 향해서 결정 성장 하 여 , c 축 배향 한 결정 이 얻 어 진다 . 제 1 가열 처리 에 의해 , 아연 과 산소 가 막 표면 에 많이 모인 , 상부 면 이 6 각 형 을 이루 는 아연 과 산소 를 포함 하 는 그라 펜 타입 의 이차원 결정 이 최 외측 표면 에 1 층 또는 복수 층 형성 되 고 , 이 층 ( 들 이 막 두께 방향 으로 성장 해서 겹쳐 적층 이 된다 . 가열 처리 의 온도 를 올리 면 , 표면 으로부터 내부 , 그리고 내부 로부터 저부 로 결정 성장 이 진행 한다 .