본 발명 에 의하 면 , 수직 형 발광 다이오드 의 제조 시 에 희생 기판 위 에 서로 이격 된 여러 개 의 오 목부 를 형성 한 후 , 각 오 목부 에 화합물 반도체 층 을 성장 시켜 수직 형 발광 다이오드 의 제조 공정 을 수행 함 으로써 각 수직 형 발광 다이오드 를 구성 하 는 화합물 반도체 층 들 은 희생 기판 에 형성 된 각 오 목부 에 의해 서로 이격 된 상태 에서 각각 성장 된다 .