산화물 반도체 층 을 포함 하 는 트랜지스터 를 사용 한 다 치 메모리 에 있 어서 , 기입 하 려는 데이터 에 맞추 어 , 적절 한 전위 를 메모리 의 용량 소자 에 부여 하 면서 기입 을 행함 으로써 , 기입 전압 을 변화 시키 지 않 고 , 기입 데이터 에 대응 한 전위 를 플로팅 노드 에 부여 할 수 있 다 . 따라서 , 기입 전압 을 제어 하 는 회로 를 생략 할 수 있 기 때문 에 , 회로 구성 을 간략 화 할 수 있 다 .