동 구성 에 의하 면 , 접속 층 을 형성 하 는 산화 인듐 갈륨 아연 중 의 인듐 이 , 소스 배선 층 에 의해 형성 된 배선 을 형성 하 는 티타늄 또는 티타늄 보다 표준 전극 전위 가 낮 고 소스 배선 층 에 의해 형성 된 배선 을 형성 하 는 금속 에 의해 환원 되 어 , 접속 층 이 저 저항 화 되 므로 , 저 저항 화 된 접속 층 을 개재 하 여 , 게이트 배선 층 에 의해 형성 된 배선 과 소스 배선 층 에 의해 형성 된 배선 을 접속 할 수 있 다 . 따라서 , 게이트 배선 층 에 의해 형성 된 배선 과 소스 배선 층 에 의해 형성 된 배선 을 접속 하 기 위한 에칭 처리 가 필요 없 게 된다 . 그 결과 , 제 조공 정수 를 증가 시키 는 일 없이 , 게이트 배선 층 에 의해 형성 된 배선 과 소스 배선 층 에 의해 형성 된 배선 의 접속 불량 을 방지 하 고 , 표시 품위 의 저하 를 방지 하 는 것 이 가능 해진다 .