이러 한 열전 발전소 자 ( 200 ) 는 , 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 열전 발전소 자 ( 100 ) 에 비해 출력 성능 이 현저히 떨어지 게 된다 . 왜냐하면 , 제 3 전극 ( 203 ) 과 의 접촉 에 의해 유전체 층 ( 250 ) 이 양전하 로 대전 되 므로 , 열전 발전소 자 ( 100 ) 와 는 반대 의 전계 효과 를 제 1 전극 ( 201 ) 과 P 형 반도체 층 ( 220 ) 에 주 기 때문 이 다 . 즉 , 유전체 층 ( 250 ) 에 대전 된 양전하 가 제 1 전극 ( 201 ) 에 전계 효과 를 주 어 , 제 1 전극 ( 201 ) 의 하부 에 는 음전하 가 유도 되 고 , 제 1 전극 ( 201 ) 의 상부 에 는 양전하 가 유도 된다 . 이러 한 전계 효과 는 P 형 반도체 층 ( 220 ) 의 정공 에 도 영향 을 주 어 , 정공 의 유도 를 저해 할 수 있 다 . 따라서 , 열전 발전소 자 ( 200 ) 와 같이 유전체 층 ( 250 ) 을 양전하 대전체 로 구성 하 고 , 제 3 전극 ( 203 ) 을 음전하 대전체 로 구성 하 는 경우 , 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 열전 발전소 자 ( 100 ) 에 비해 출력 전류 ( I ) 가 감소 하 게 된다 .