상기 열처리 공정 은 제 3 베 이킹 공정 으로서 상기 전면 노광 된 포토레지스트 패턴 의 내부 에서 생성 된 산 을 확산 시켜 전면 노광 된 포토레지스트 를 현상액 에 대하 여 용해 되 기 쉬운 상태 를 갖 도록 하 는 공정 이 다 . 이 에 따라 , 상기 제 3 베 이킹 공정 에 의해 상기 전면 노광 된 포토레지스트 패턴 은 현상액 에 의해 용해 되 기 쉬운 상태 를 갖 는다 .