상기 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 트렌치 트랜지스터 는 상기 기판 에 형성 된 소정 깊이 의 트렌치 ; 상기 트렌치 의 바닥 과 측면 에 걸쳐 형성 된 게이트 산화 막 ; 상기 트렌치 내부 를 채우 면서 상기 게이트 산화 막 상 에 형성 된 게이트 전극 ; 상 기 게이트 전극 에 의해 정의 되 는 채널 이외 지역 의 상기 트렌치 의 바텀 부 아래 에 형성 된 산화 막 ; 상기 트렌치 에 접하 여 상기 기판 내 에 형성 되 며 소스 / 드레 인 역할 을 하 는 N 형 확산 층 ; 상기 N 형 확산 층 에 접하 여 소정 깊이 를 갖 고 형성 된 리세 스 ; 상기 리세 스 아래 에 형성 된 P 형 확산 층 ; 및 상기 P 형 확산 층 에 연결 된 금속 배선 을 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .