다음 에 , 실리콘 기판 ( 101 ) 의 표면 에 형성 된 막 ( 102 ) 을 질화 하 기 때문 에 , 표면파 여기 에 의해 질소 플 라즈 마 를 발생 하 는 ( 도시 하 지 않 은 ) 플라 즈 마 질화 장치 내 에 막 ( 102 ) 을 갖 는 실리콘 기판 ( 101 ) 을 반송 했 다 . 또한 상기 스퍼터링 장치 와 플라 즈 마 질화 장치 는 , 복수 의 공정 을 연속 으로 실시 하 기 위한 클러스터 ( cluster ) 장치 를 구성 하 는 모듈 들 중 1 개 이 며 , 각 장치 사이 에서 기판 을 반송 하 는 에어리어 는 고진공 상태 하 에 항상 유지 되 고 있 었 다 . 이 때문 에 , 스퍼터링 처리 를 실시 한 후 에 질화 처리 를 실시 할 때 까지 , 스퍼터링 된 Hf 및 Si 가 장치 내 에 잔존 하 는 산소 등 에 의해 산화 반응 을 일으키 기 어려운 분위기 내 에 기판 이 유지 되 었 다 .