이러 한 시뮬레이션 및 측정 결과 를 통해 돌출 된 패턴 들 및 리세 스 된 영역 들 을 갖 도록 패 터닝 된 기판 위 에 제 1 도전 형 반도체 층 , 활성 층 , 제 2 도전 형 반도체 층 을 형성 할 때 패 터닝 된 기판 의 리세 스 된 영역 과 활성 층 간 에 개재 되 는 제 1 도전 형 반도체 층 은 2 ㎛ ∼ 4 ㎛ 의 두께 로 형성 하 는 것 이 제 1 도전 형 반도체 층 및 그 위 에 성장 되 는 화합물 반도체 층 의 결정질 과 패 터닝 된 기판 에 의한 광반사 효율 간 에 최적 의 트레이드 오프 조건 으로 볼 수 있 을 것 이 다 .