도 9 를 참조 하 면 , 식각 시간 이 길 어 질수록 식각 깊이 가 증가 하 고 , 기판 의 상면 이 위 로 향 할수록 비중 이 높 은 화학 물질 들 이 실리콘 의 표면 에 오랫동안 많 은 양 이 머무르 기 때문 에 식각 속도 가 더 빠르 다는 것 을 보여 주 며 , 은 ( Ag ) 입자 가 아래쪽 에 위치 ( 도 9 의 ( b ) ) 하 더라도 실리콘 의 전기 화학 적 ( electrochemical ) 인 식각 메커니즘 에 의해 은 ( Ag ) 입자 가 위치 한 상면 에서 은 ( Ag ) 입자 와 실리콘 의 접촉 면적 이 가장 넓 은 하 면 방향 으로 일어난다는 것 을 알 수 있 다 .