여기 서 , 상기 CMP 공정 은 웨이퍼 를 회전 시킨 상태 에서 웨이퍼 를 연마 하 여 평탄 화 하 는 공정 으로서 공정 의 특성 상 웨이퍼 의 가장자리 부분 의 연마 속도 가 중심부 보다 빠른 특징 이 있 으며 , 이 로 인해 , 웨이퍼 가장자리 부분 은 웨이퍼 의 중심부 와 다른 높이 로 연마 되 기 때문 에 웨이퍼 의 높이 차이 로 인하 여 웨이퍼 의 가장자리 부분 에서 패턴 이 요구 되 는 형상 으로 형성 되 지 않 는 문제 가 발생 한다 .