도 4 는 다양 한 구 현예 에 따라 , 반도체 처리 방법 ( 40 ) 을 나타내 는 흐름 도 이 다 . 방법 ( 40 ) 은 , 액체 반응물 이 기화기 에 공급 되 는 블록 ( 41 ) 에서 시작 할 수 있 다 . 기화기 는 제 1 온도 로 제 1 열 구역 에 배치 될 수 있 다 . 블록 ( 42 ) 을 보 면 , 반응물 은 기화기 에서 기화 되 어 반응물 증기 를 형성 할 수 있 다 . 나타낸 직접 식 액체 주입 구 현예 에서 , 기화 는 분무 뿐 만 아니 라 가열 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 분무 화 는 , 고속 의 불활성 가스 흐름 과 혼합 하 면서 분무 되 는 비접 촉식 주입기 를 통과 할 수 있 는 반면 에 , 분무 화 되 거나 에어로졸 화 된 반응물 의 기화 는 , 기화기 에 열 에너지 를 인가 하 여 그 온도 를 증가 시키 는 하나 이상 의 히터 ( 예 , 복사 히터 ) 에 의해 보조 받 을 수 있 다 .