상기 캐소드 ( 314 ) 에 인가 된 소정 의 전압 에 의해 플 라즈 마 영역 ( 320 ) 에 기체 플 라즈 마가 형성 되 고 , 상기 기체 플 라즈 마의 양이온 이 상기 타 겟 ( 314 ) 과 충돌 하 여 소정 의 타 겟 물질 이 방출 된다 . 상기 타 겟 물질 이 상기 기판 유지 플레이트 ( 310 ) 상 에 안착 된 기판 ( 307 ) 상 에 증착 된다 . 이때 , 상기 마그넷 ( 316 ) 에 의해 타 겟 ( 315 ) 주 변 에 형성 된 자기장 에 의해 기체 플 라즈 마의 밀도 가 증가 되 므로 동일 시간 내 에 더 많 은 타 겟 물질 이 방출 되 어 기판 ( 307 ) 의 증착 시간 을 단축 시킬 수 있 다 .