주지 된 바 와 같이 , 측정 대상물 의 온도 가 동일 했 다고 해도 , 방사 율 에 따라 방사 강도 가 변화 되 기 때문 에 , 방사 온도계 에 의한 온도 측정 에서 는 측정 대상물 의 방사 율 이 필요 하 다 . 방사 율 은 일반 적 으로 측정 대상물 에 대한 각도 에 따라 변화 된다 . 도 10 은 , 반도체 웨이퍼 ( W ) 에 대한 측정 각도 에 따른 방사 율 의 변화 를 나타내 는 도 이 다 . 전형 적 으로 는 , 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 상면 에 대해 수직 인 방향 ( 법선 방향 ) 에서 방사 율 은 최대 방사 율 ε max 가 되 고 , 당해 상면 이 이루 는 각도 가 작 아 짐 에 따라서 방사 율 도 저하 된다 . 상부 방사 온도계 ( 25 ) 는 , 프로세스 챔버 ( 6 ) 밖 에서 , 서 셉 터 ( 74 ) 에 재치 된 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 비스듬 한 상방 에 설치 되 어 있 다 . 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 법선 과 상부 방사 온도계 ( 25 ) 의 광축 이 이루 는 각도 를 θ 로 하 면 , 상부 방사 온도계 ( 25 ) 의 광축 방향 에서 의 방사 율 εθ 는 최대 방사 율 ε max 보다 작아진다 .