상기 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 반도체 소자 의 게이트 형성 방법 은 , 반도체 기판 상 에 게이트 절 연막 , 게이트 전극 용 도전 막 및 게이트 하드 마스크 를 순차 적 으로 형성 하 는 단계 ; 상기 게이트 하드 마스크 , 상기 게이트 전극 용 도전 막 및 상기 게이트 절 연막 을 선택 적 으로 식각 하 여 게이트 를 형성 하 는 단계 ; 상기 게이트 가 형성 된 결과물 에 대해 플 라즈 마 산화 공정 을 수행 하 여 상기 식각 된 게이트 전극 용 도전 막 의 측면 에 얇 은 두께 의 산화 막 을 형성 하 는 단계 ; 및 게이트 재산 화 공정 을 수행 하 는 단계 를 포함 한다 .