다른 실시 형태 에 의하 면 , 플립 칩 반도체 부품 패 키 징 방법 은 복수 의 접속 범프 가 제 1 면 상 에 형성 된 다이 를 제공 하 는 단계 , 대응 하 는 복수 의 도전 성 접합 패드 가 제 2 면 상 에 형성 된 기판 을 제공 하 는 단계 , 상기 기판 의 제 2 면 상 에 유전체 배리어 를 형성 하 는 단계 , 상기 기판 에 상기 다이 를 서모 소닉 접합 하 는 단계 , 및 상기 배리어 와 상기 다 이 사이 에 간극 을 제거 하 여 상기 다이 와 상기 기판 사이 에 상기 배리어 에 의해 형성 되 는 캐비 티 를 형성 하 도록 접합 동안 에 상기 유전체 배리어 를 압축 하 는 단계 를 포함 한다 . 일례 에 있 어서 , 상기 유전체 배리어 를 형성 하 는 단계 는 SU 8 폴리머 로 제작 된 배리어 를 형성 하 는 단계 를 포함 한다 . 상기 기판 에 상기 다이 를 서모 소닉 접합 하 는 단계 는 상기 복수 의 접속 범프 를 상기 대응 하 는 복수 의 도전 성 접합 패드 에 접합 하 기 위해 금 - 금 상호 접속 공정 을 사용 하 는 단계 를 포함 할 수 있 다 . 일례 에 있 어서 , 상기 다이 를 제공 하 는 단계 는 상기 다 이 상 의 지정 된 위치 내 에 적어도 부분 적 으로 배치 되 는 MEMS 소자 를 포함 하 는 다이 를 제공 하 는 단계 를 포함 한다 . 다른 예 에 있 어서 , 상기 유전체 배리어 를 형성 하 는 단계 는 상기 다이 의 제 1 면 상 의 지정 된 위치 를 완전히 둘러싸 는 유전체 배리어 를 형성 하 는 단계 를 포함 한다 . 상기 방법 은 상기 다 이 위 와 상기 기판 의 적어도 일부 위 로 몰딩 화합물 을 흐르 게 하 는 단계 를 더 포함 할 수 있 고 , 상기 몰딩 화합물 의 흐름 은 상기 몰딩 화합물 이 상기 캐 비 티 로 유입 되 는 것 을 방지 하 는 상기 유전체 배리어 에 의해 차단 된다 .