다음 에 , 제 1 도전 층 ( 203 ) 및 제 1 절연 층 ( 202 ) 을 덮 도록 제 2 절연 층 ( 204 ) 을 형성 한다 . 여기 에서 , 제 2 절연 층 ( 204 ) 으로 는 , CVD 법 이나 스퍼터링 법 등 으로 형성 한 , 산화 실리콘 , 산화 질화 실리콘 ( SiOxNy ) ( x > y > 0 ) , 질화 산화 실리콘 ( SiNxOy ) ( x > y > 0 )