이 때 , 게이트 절 연막 ( 52 b ) 과 보호 절 연막 ( 76 a ) 을 에칭 선택 비 가 다른 막 으로 형성 하 고 ( 예 를 들 면 , 게이트 절 연막 ( 52 b ) 을 산화 질화규소 막 으로 형성 하 고 , 보호 절 연막 ( 76 a ) 을 질화규소 막 으로 형성 함 ) , 보호 절 연막 ( 76 a ) 을 선택 적 으로 에칭 하 는 조건 을 사용 하 는 것 으로 , 용량 배선 ( 56 ) 위 의 콘택트 홀 형성 의 에칭 을 게이트 절 연막 ( 52 b ) 에서 멈추 는 것 이 가능 하 다 . 이 때문 에 , 용량 소자 를 , 용량 배선 ( 56 ) , 게이트 절 연막 ( 52 a , 52 b ) , 및 화소 전극 ( 77 ) 으로 형성 할 수 있 다 .