또한 , 본 발명 은 이온 주입 에너지 를 낮춰서 이온 임 플란트 공정 을 실시 함 에 따라 , 포토 레지스 트 의 상변화 를 방지 할 수 있 으므로 플 라즈 마 를 이용 하 여 포토 레지스 트 를 제거 하 는 건식 애 싱 공정 을 실행 하 지 않 을 수 있 고 , 이 에 따라 플 라즈 마 에 의하 여 반도체 소자 의 구조물 이 손상 되 는 문제점 을 방지 하 여 반 도 세 소자 의 전기 적 신뢰 성 을 확보 할 수 있 다 .