즉 , 상기 성장 챔버 ( MOCVD 장치 ) 를 400 내지 1300 도 의 온도 로 유지 시킨다 . 상기 온도 에서 Si 소스 인 테트라 에 솔 실란 을 5 내지 10 μ mol 과 C 소스 인 카본 테트라 브로마이드 5 내지 100 μ mol 을 주입 한다 . 상기 소스 의 주입 시간 은 0 . 1 내지 3 분 이내 로 한다 . 이러 한 과정 후 , Si 와 C 소스 의 공급 을 중단 함 과 동시 에 상기 성장 챔버 에 Al 소스 와 , N 소스 ( 예 를 들 어 , 암모니아 ) 를 공급 한다 . 이때 , 상기 알루미늄 과 암모니아 의 공급 시간 은 0 . 1 내지 3 분 이내 로 한다 . 이 를 통해 SiCAlN 막 을 형성 한다 . 상기 의 방법 에 한정 되 지 않 고 , 4 가지 물질 즉 , Si 소스 , C 소스 , Al 소스 , N 소스 를 동시 에 공급 하 여 0 . 1 내지 3 분 을 유지 하 여 20 내지 800 Å 두께 의 버퍼 층 이 형성 된다 .