도 7 a 는 스핀 축적 층 및 자유 층 바로 아래 의 편광 층 을 갖 는 MRAM 메모리 셀 의 다른 실시 예 를 도시 한다 . 이 실시 예 는 상부 상 의 자성 재료 를 밀링 하 는 것 으로부터 발생 할 수 있 는 , FL 에지 들 을 넘 어 연장 되 는 스핀 축적 층 의 영역 에서 의 잠재 적 으로 낮 은 스핀 확산 길이 에 대한 성능 문제 를 회피 하 기 때문 에 중요 하 다 . 메모리 셀 ( 478 ) 은 MTJ ( 101 ) , 스핀 축적 층 ( SAL ) ( 480 ) , 편광 층 ( 482 ) , 절연체 ( 484 ) 및 절연체 ( 486 ) 를 포함 한다 . 절연체 ( 484 ) 및 절연체 ( 486 ) 는 SAL ( 480 ) 아래 에 위치 된다 . 편광 층 ( 482 ) 은 SAL ( 480 ) 아래 에 그리고 절연체 ( 484 ) 와 절연체 ( 486 ) 사이 에 위치 된다 . 편광 층 ( 482 ) 은 자유 층 ( 110 ) 바로 아래 에 위치 된다 . 단자 ( T 1 ) 는 핀 드 층 ( 102 ) 에 연결 되 고 , 단자 ( T 2 ) 는 편광 층 ( 482 ) 에 연결 되 고 , 단자 ( T 3 ) 는 SAL ( 480 ) 에 연결 된다 . SAL ( 480 ) 은 SAL ( 202 ) 과 동일 한 재료 로 제조 될 수 있 다 . 절연체 들 ( 484 , 486 ) 은 Al 2 O 3 , SiN , SiO 2 , TaOx 또는 다른 적합 한 재료 일 수 있 다 . 메모리 셀 ( 478 ) 은 메모리 셀 ( 400 ) 과 동일 한 방식 으로 동작 하 며 , 이때 메모리 셀 ( 478 ) 의 기록 전류 ( 488 ) 는 T 2 로부터 T 3 까지 의 기록 전류 로서 구현 된다 . 메모리 셀 ( 478 ) 은 수직 자화 를 갖 는 것 으로 도시 되 지만 , 평면 내 자화 를 또한 구현 할 수 있 다 .