본 발명 에 있 어서 는 , 플라 즈 마 처리 장치 ( 100 ) 를 이용한 플라 즈 마 CVD 의 조건 을 선정 하 는 것 에 의해 , 성막 되 는 질화규소 막 의 트랩 밀도 를 소망 하 는 크기 로 제어 할 수 있 다 . 예컨대 트랩 밀도 가 큰 ( 예컨대 트랩 밀도 가 면 밀도 로 5 × 1010 ~ 1 × 1013 ㎝- 2 eV - 1 의 범위 내 , 바람직 하 게 는 1 × 1011 ~ 1 × 1013 ㎝- 2 eV - 1 의 범위 내 ) 질화규소 막 을 형성 하 는 경우 에 는 , 질소 함유 가스 로서 NH 3 가스 , 실리콘 함유 가스 로서 Si 2 H 6 가스 를 사용 하 는 것 이 바람직 하 다 . 이 때 , NH 3 가스 와 Si 2 H 6 가스 의 유량 ( NH 3 가스 유량 / Si 2 H 6 가스 유량 ) 은 0 . 1 ~ 1000 의 범위 내 로 하 는 것 이 바람직 하 고 , 10 ~ 300 의 범위 내 가 보다 바람직 하 다 . 구체 적 으로 는 , NH 3 가스 의 유량 을 10 ~ 5000 mL / min ( sc ㎝) 의 범위 내 , 바람직 하 게 는 100 ~ 1000 mL / min ( sc ㎝) 의 범위 내 , Si 2 H 6 가스 의 유량 을 1 ~ 100 mL / min ( sc ㎝) 의 범위 내 , 바람직 하 게 는 5 ~ 20 mL / min ( sc ㎝) 의 범위 내 에서 , 상기 유량 비 로 되 도록 설정 한다 . 또한 , 처리 압력 을 1 ~ 1333 ㎩ 로 하 는 것 이 바람직 하 고 , 50 ~ 650 ㎩ 로 하 는 것 이 보다 바람직 하 다 . 또한 , 마이크로파 의 파워 밀도 는 평면 안테나 판 ( 31 ) 의 면적 1 ㎠ 당 0 . 41 ~ 4 . 19 W / ㎠ 의 범위 내 로 하 는 것 이 바람직 하 다 . 이러 한 조건 범위 에서 , 막 중 의 결함 량 을 정밀 도 좋 게 제어 하 는 것 이 가능 하 다 .