또 다른 양태 에서 , 반도체 기판 을 프로세싱 하 는 방법 이 제공 되 고 , 방법 은 : ( a ) 패 터닝 된 주석 옥사이드 층 을 갖 는 반도체 기판 을 제공 하 는 단계 로서 , 패 터닝 된 주석 옥사이드 층 은 복수 의 리세 스 된 피처 들 을 포함 하 는 , 반도체 기판 을 제공 하 는 단계 ; ( b ) 리세 스 된 피처 들 을 실리콘 또는 실리콘 - 함유 화합물 인 실리콘 - 함유 재료 로 충 진하 고 주석 옥사이드 층 위 에 실리콘 - 함유 재료 의 오버 버든 을 형성 하 는 단계 ; ( c ) 아래 에 놓인 주석 옥사이드 를 노출 하 기 위해 오버 버든 을 제거 하 는 단계 ; 및 ( d ) 실리콘 - 함유 재료 를 제거 하 지 않 고 주석 옥사이드 를 제거 하 는 단계 를 포함 한다 . 일 구 현예 에서 , 실리콘 - 함유 재료 를 완전히 제거 하 지 않 고 주석 옥사이드 를 제거 하 는 단계 는 수소 - 기반 에칭 화학 물질 ( 예 를 들 어 , H 2 에 형성 된 플 라즈 마 ) 을 사용 하 여 주석 옥사이드 를 에칭 하 는 단계 를 포함 한다 .