도 36 b 에 도시 하 는 트랜지스터 는 , 하 지 절연 층 ( 1101 ) 과 , 산화 알루미늄 으로 이루어지 는 매립 절연체 ( 1102 ) 위 에 형성 되 고 , 반도체 영역 ( 1103 a ) , 반도체 영역 ( 1103 c ) 과 , 이 들 사이 에 끼워져 있 는 진성 의 반도체 영역 ( 1103 b ) , 폭 33 nm 의 게이트 ( 1105 ) , 게이트 절연 층 ( 1104 ) , 측벽 절연체 ( 1106 a ) , 측벽 절연체 ( 1106 b ) , 절연체 ( 1107 ) , 소스 ( 1108 a ) , 및 드레 인 ( 1108 b ) 을 갖 는 점 에서 도 36 a 에 도시 하 는 트랜지스터 와 같 다 .