예컨대 게이트 전극 ( 110 ) 이 핀 구조물 ( 104 ) 주위 를 둘러싸 는 방식 과 유사 한 방식 으로 , 핀 구조물 ( 250 ) 주위 를 둘러싸 도록 더미 게이트 구조물 ( 300 ) 이 형성 된다 . 더미 게이트 구조물 ( 300 ) 은 더미 게이트 전극 , 예컨대 폴리 실리콘 게이트 전극 을 포함 할 수 있 다 . 더미 게이트 구조물 ( 300 ) 각각 의 측벽 상 에 게이트 스 페이서 ( 310 ) 가 형성 된다 . 일부 실시 예 에서 , 게이트 스 페이서 ( 310 ) 는 하나 이상 의 유전체 물질 , 예컨대 실리콘 질화물 , 실리콘 탄소 질화물 ( SiCN ) , 실리콘 탄소 산화 질화물 ( SiCON ) , 또는 적합 한 로우 - k 유전체 물질 을 포함 할 수 있 다 . 격리 구조물 ( 240 ) 위 에 층간 유전체 ( ILD , interlayer dielectric ) ( 350 ) 가 형성 된다 . 일부 실시 예 에서 , ILD ( 350 ) 는 로우 - k 유전체 물질 , 예컨대 약 4 보다 더 작 은 유전 상수 를 갖 는 유전체 물질 을 함유 한다 . ILD ( 350 ) 의 부분 은 더미 게이트 구조물 ( 300 ) 사이 에 배치 된다 ( 또는 그 사이 에 전기 적 격리 를 제공 함 ) .