톤 반전 하드 마스크 들 . 일부 실시 예 들 에서 , 주석 옥사이드 가 다양 한 톤 반전 하드 마스크 들 적용 예 들 에서 사용 된다 . 일 예시 적 인 프로세스 플로우 가 도 8 에 도시 되 고 도 7 a 내지 도 7 c 의 기판 의 개략 적 인 단면도 들 에 의해 예시 된다 . 프로세스 는 노출 된 패 터닝 된 애시 가능 층 및 복수 의 리세 스 된 피처 들 을 갖 는 기판 을 제공 함 으로써 801 에서 시작 된다 . 애시 가능 재료 들 의 예 들 은 비정질 탄소 , 다이아몬드 - 유사 탄소 , 포토레지스트 및 유기 폴리머 들 과 같 은 탄소 - 함유 재료 들 을 포함 하 고 , 폴리머 들 은 금속 들 또는 금속 옥사이드 들 로 도핑 되 거나 도핑 되 지 않 을 수 도 있 다 . 애시 가능 재료 의 패 터닝 된 층 이 예 를 들 어 , ( 예 를 들 어 , PECVD 또는 스핀 온 방법 에 의해 ) 애시 가능 재료 의 블랭킷 층 의 증착 , 이어서 포 토리 소 그래픽 패 터닝 에 의해 형성 될 수 있 다 . 도 7 a 는 서브 층 ( 701 ) 상 에 존재 하 는 애시 가능 재료 ( 예 를 들 어 , Si , SiN , 금속 나이트 라이드 또는 본 명세서 에 기술 된 임의 의 타깃 또는 서브 층 재료 ) 의 패 터닝 된 층 ( 703 ) 을 갖 는 기판 을 예시 한다 . 기판 상 에 복수 의 리세 스 된 피처 들 이 있 고 , 층 ( 701 ) 은 리세 스 된 피처 들 의 하단 부 들 에서 노출 된다 . 다음 에 , 동작 803 에서 , 기판 상 의 리세 스 된 피처 들 은 ( 예 를 들 어 , CVD 를 사용 하 여 ) 주석 옥사이드 로 충 진 된다 . 이 단계 에서 오버 버든 이 또한 애시 가능 재료 의 층 ( 703 ) 위 에 통상 적 으로 형성 된다 . 획득 된 구조 체 는 증착 된 주석 옥사이드 ( 705 ) 가 애시 가능 재료 ( 703 ) 사이 의 갭 들 을 충 진하 고 오버 버든 을 형성 하 는 , 도 7 b 에 도시 된다 . 이어서 오버 버든 은 애시 가능 재료 ( 703 ) 를 노출 하 기 위해 , 예 를 들 어 , CMP ( chemical mechanical polishing ) 동작 또는 벌크 플 라즈 마 에칭 ( 예 를 들 어 , 수소 - 기반 및 / 또는 염소 - 기반 플 라즈 마 에칭 을 사용 하 는 ) 에 의해 제거 될 수 있 다 . 평탄 화 후 , 동작 805 에서 , 주석 옥사이드 재료 를 실질 적 으로 제거 하 지 않 고 애시 가능 재료 가 제거 되 어 ( 예 를 들 어 , 적어도 90 ％ 의 주석 옥사이드 가 남음 ) , 도 7 c 에 도시 된 바 와 같이 , 주석 옥사이드 ( 705 ) 의 상보 적 인 패턴 을 형성 한다 .