다음 , 도 1 j 에 나타낸 바 와 같이 NSG 막 ( 26 ) 위 , 소정 의 위치 에 개구부 를 갖 는 레지스 트 패턴 ( 93 ) 을 형성 한다 . 그리고 , 레지스 트 패턴 ( 93 ) 을 마스크 로 하 여 NSG 막 ( 26 ) 등 의 에칭 을 행함 으로써 , 컨 택트 플러그 ( 14 s ) 까지 도달 하 는 컨 택트 홀 ( 28 s ) 및 컨 택트 플러그 ( 14 d ) 까지 도달 하 는 컨 택트 홀 ( 28 d ) 을 형성 한다 .