다음 , 반도체 기판 ( 100 ) , 게이트 전극 ( 60 a , 60 b ) 및 스 페이서 ( 115 ) 위 에 제 2 질화 막 ( 120 ) 을 증착 한 후 , 증착 된 제 2 질화 막 ( 120 ) 상부 에 절 연막 으로서 BPSG 막 ( 125 ) 을 증착 한다 . 또한 , BPSG 막 ( 125 ) 상부 에 제 1 SiH 4 - 산화 막 ( 130 ) 을 일정 한 두 께 로 증착 한다 .