상술 한 바 와 같이 본 발명 은 게이트 전극 , 활성 층 , 오 믹 콘 택 층 , 소스 및 드레 인 전극 및 화소 전극 이 임 프린팅 방식 에 의해 형성 된다 . 결국 포토 리소그래피 공정 에서 필요 한 노광 마스크 를 사용 하 지 않 고 임 프린팅 레지스 트 층 을 마스크 로 이용 함 으로써 공 정상 원가 절감 효과 가 크 다 . 본 실시 예 에서 는 노광 마스크 를 사용 하 지 않 았 으나 , 공정 여건 에 따라서 노광 마스크 와 임 프린팅 레지스 트 층 을 적절히 혼합 하 여 사용 할 수 있 다 .