일 태양 에서 , 본 발명 은 플 루오 라이드 이온 을 원 위치 에서 생성 하 고 , 그 에 따라 예컨대 반도체 및 집 적 회로 제조 에서 세정 및 에칭 응용 에 유용 한 처리 조성물 을 제공 하 는 조성물 에 관한 것 이 다 . 간단히 요약 하 면 , 본 발명 의 조성물 은 ( a ) 예 를 들 어 분리 형 ( segregated ) 하이드로 플 루 오로 에 테르 , 예컨대 메 톡 시노 나 플 루 오로 부탄 및 에 톡 시노 나 플 루 오로 부탄 으로 이루어진 군 으로부터 선택 되 는 하나 이상 의 플루오르 화 된 화합물 , 및 ( b ) 예 를 들 어 아미드 및 락탐 , 예컨대 N , N - 다이메틸 포름 아미드 및 N - 메틸 - 2 - 피 롤리 돈 으로 이루어진 군 으로부터 선택 되 는 하나 이상 의 유기 제제 를 혼합 함 으로써 얻 어 지 는 반응 생성물 ( 미 반응 플루오르화 화합물 ( 들 ) 및 유기 제제 ( 들 ) 포함 ) 로 본질 적 으로 이루어지 는 비수 성 조성물 이 다 . 그러 한 성분 이 조합 될 때 , 플 루오 라이드 이온 의 원위치 형성 이 발생 하 여 , 상대 적 으로 저 농도 의 플 루오 라이드 이온 을 함유 하 지만 에칭 , 잔류물 의 제거 , 헹굼 및 건조 에 유용 한 조성물 이 생성 됨 이 발견 되 었 다 . 본 발명 의 조성물 은 플루오르 화 된 화합물 의 적절 한 선택 에 의해 불연성 이 될 수 도 있 다 . 유리 하 게 는 , 본 발명 의 조성물 은 사실상 비수 성 이 며 , 예 를 들 어 규소 , 게르마늄 , GaAs , InP 및 기타 III - V 족 및 II - VII 족 화합물 반도체 를 비롯 한 다양 한 기판 에서 이용 될 수 있 다 . 집 적 회로 제조 에 연루 된 많 은 수 의 처리 단계 로 인해 , 기판 이 규소 , 다 결정 규소 , 금속 및 그 산화물 , 레지스 트 , 마스크 및 유전체 의 층 들 을 포함 할 수 도 있 음 이 이해 될 것 이 다 .