이어서 , 웨이퍼 ( w ) 가 장착 된 척 ( 130 ) 을 제 1 방향 ( ­ ｙ ) 으로 하강 시켜 제 1 처 리조 ( 110 ) 내 의 제 1 처리 액 ( 115 ) 에 웨이퍼 ( w ) 를 침잠 시킨다 . 이 때 , 웨이퍼 ( w ) 를 장착 한 척 ( 130 ) 의 일부 는 웨이퍼 ( w ) 와 함께 제 1 처리 액 ( 115 ) 에 침잠 되 게 된다 . 웨이퍼 ( w ) 를 장착 한 척 ( 130 ) 과 제 1 처리 액 ( 115 ) 사이 의 온도 차이 가 크 면 클수록 척 ( 130 ) 으로부터 발생 하 는 파티클 이 증가 할 수 있 다 . 따라서 , 척 ( 130 ) 의 온도 를 상술 한 바 와 같이 제 1 처 리조 ( 110 ) 내 의 제 1 처리 액 ( 115 ) 온도 에 따라 조절 한 후 에 , 웨이퍼 ( w ) 가 장착 된 척 ( 130 ) 을 제 1 처 리조 ( 110 ) 내 의 제 1 처리 액 ( 115 ) 에 침잠 시키 고 웨이퍼 ( w ) 처리 공정 을 진행 하 면 척 ( 130 ) 으로부터 발생 되 는 파티클 을 감소 시킬 수 있 다 . 따라서 , 반도체 소자 의 신뢰 성 이 향상 되 고 , 생산 성 이 향상 될 수 있 다 .