또한 , 본 실시 예 에서 와 같 은 전송 게이트 구조 에서 는 , 이미지 센싱 장치 가 다크 ( dark ) 환경 에 노출 되 는 시간 동안 에 , 기판 ( 10 ) 의 계면 에서 발생 되 는 다크 전자 들 을 효과 적 으로 제어 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 다크 ( dark ) 환경 에서 , 게이트 전극 ( 142 ) 에 네거티브 전압 을 인가 해 줌 으로써 , 도 4 에서 와 같이 , 게이트 절 연막 ( 144 ) 과 접하 는 기판 표면 에 정공 ( +) 들 이 축적 되 도록 할 수 있 다 . 이 처럼 , 다크 ( dark ) 환경 에서 , 정공 ( +) 들 이 광전 변환 소자 ( 130 ) 를 둘러싸 도록 함 으로써 , 입사광 과 무관 하 게 기판 ( 10 ) 의 계면 에서 발생 되 는 다크 전자 들 이 광전 변환 소자 ( 130 ) 쪽 으로 유입 되 는 것 을 방지 할 수 있 다 .