다음 으로 , 한 쌍 의 제 2 산화 막 스 페이서 ( 16 a ) 가 형성 된 기판 ( 10 ) 위 에 제 2 질화 막 을 충분 한 두께 로 증착 한 후 , 제 2 질화 막 의 상부 를 평탄 화 공정 ( 예컨대 화학 적 기계 적 연마 공정 ( Chemical - Mechanical Polishing ) ) 을 통해 제 2 산화 막 스 페이서 ( 16 a ) 의 상단 이 노출 될 때 까지 연마 한다 . 그리하여 , 도 6 에서 와 같이 , 제 2 산화 막 스 페이서 ( 16 a ) 에 의해 분리 된 복수 의 제 2 질화 막 패턴 ( 18 ) 을 형성 한다 .