예 를 들 어 , 갈륨 을 함유 하 는 산화물 반도체 층 에 접하 여 게이트 절연 층 을 형성 하 는 경우 에 , 게이트 절연 층 에 산화 갈륨 을 포함 하 는 재료 를 사용 함 으로써 산화물 반도체 층 과 게이트 절연 층 의 계면 특성 을 양호 하 게 유지 할 수 있 다 . 또한 , 산화물 반도체 층 과 산화 갈륨 을 포함 하 는 절연 층 을 접하 여 형성 함 으로써 , 산화물 반도체 층 과 절연 층 의 계면 에 있 어서 의 수소 의 파 일업 ( pileup ) 을 저감 할 수 있 다 . 또한 , 절연 층 에 산화물 반도체 의 성분 원소 와 같 은 족 ( 族 ) 의 원소 를 사용 하 는 경우 에 는 , 같 은 효과 를 얻 을 수 있 다 . 예 를 들 어 , 산화알루미늄 을 포함 하 는 재료 를 사용 하 여 절연 층 을 형성 하 는 것 도 유효 하 다 . 또한 , 산화알루미늄 은 물 을 투과 시키 기 어려운 특성 을 갖 기 때문 에 , 상기 재료 를 사용 하 는 것 은 산화물 반도체 층 에 물 이 침입 하 는 것 을 방지 하 는 관점 에서 도 바람직 하 다 .