첫째 , 도 9 a 에 도시 한 바 와 같이 , 제 1 감광 패턴 ( 41 a ) 을 제거 하 고 회로 입력 전극 ( 173 a ) 및 회로 출력 전극 ( 175 a ) 을 마스크 로 하 여 회로 반도체 ( 154 a ) 의 노출 된 부분 에 레이저 를 조사 한다 . 이 경우 , 회로 반도체 ( 154 a ) 중 회로 입력 전극 ( 173 a ) 및 회로 출력 전극 ( 175 a ) 사이 로 노출 된 부분 은 결정 화 되 고 회로 입력 전극 ( 173 a ) 및 회로 출력 전극 ( 175 a ) 하부 에 위치 하 는 부분 은 회로 입력 전극 ( 173 a ) 및 회로 출력 전극 ( 175 a ) 에 의해 레이저 가 차단 되 므로 결정 화 되 지 않 고 비정질 상태 로 남 는다 .