액침 리소그래피 장비 에서 의 침윤 매질 인 물 ( water ) 에 대한 온도 민감 성 이 진공 상태 에 비해 백배 수준 으로 크 기 때문 에 , 침윤 매질 의 굴절 률 변화 에 따른 노광 광 의 실질 적 인 파장 변화 가 크 게 발생 될 수 있 다 . 그런데 , 액침 리소그래피 의 노광 에너지 ( exposure energy ) 에 의해 웨이퍼 및 침윤 매질 에 온도 변화 가 유발 될 수 있 다 . 노광 과정 은 노광 필드 ( exposure field ) 들 을 순차 적 으로 노광 하 는 다이 투 다이 ( die - to - die ) 노광 시스템 ( exposure system ) 으로 수행 될 수 있 는 데 , 이전 필드 의 노광 시 축적 된 노광 에너지 에 의해 , 인접 필드 의 온도 변화 가 유발 될 수 있 다 . 이러 한 현상 이 반복 되 며 웨이퍼 전체 온도 가 변화 하 는 광역 열 적 효과 가 유발 될 수 있 다 .