게이트 전극 ( 22 ) , 하부 배선 ( 122 ) 의 형성 후 , 주변 회로 에서 스위칭 소자 로서 의 p 채널 TFT 가 있 는 경우 에 는 , 그 소스 ㆍ드레인 영역 에 불순물 ( 예 를 들 면 , 붕소 ) 이 도프 된다 ( S 24 ) . 이 는 , 포토 리소그래피 에 의해 , 도프 가 필요 한 영역 이외 에 형성 한 레지스 트 등 을 마스크 로 한 붕소 의 이온 도프 에 의해 행해진다 . 이 때 , 단자 부 ( 20 ) 에서 는 , 아무런 처리 도 이루어지 지 않 는다 ( 불순물 도프 도 이루어지 지 않 는다 ) . 또한 , 스위칭 소자 에 n 채널 TFT 만 을 이용 하 는 구성 일 때 에 는 , S 24 의 공정 을 생략 할 수 있 다 .