일부 실시 예 에서 , 경계 측벽 스 페이서 ( 185 ) 를 형성 하 는 에칭 은 건식 에칭 이 다 . 일부 실시 예 에서 , 에칭 프로세스 는 제 1 더미 캐 핑 층 ( 2304 ) 및 측벽 스 페이서 층 ( 3001 ) 이 유사 한 감응 도 를 갖 는 것 이 다 . 이러 한 프로세스 의 식별 은 둘 다의 층 이 동일 재료 로 형성 되 는 경우 용이 하 게 된다 . 건식 에칭 은 임의 의 적합 한 화학 을 사용 할 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 측벽 스 페이서 층 ( 3001 ) 은 폴리 실리콘 이 고 , 건식 에칭 은 불소 화학 을 사용 한다 . 불소 화학 은 , 테트라 플 루 오로 메탄 ( CF 4 ) , 플 루 오로 포름 ( CHF 3 ) , 디 플 루 오로 메탄 ( CH 2 F 2 ) , 육 플루오르화 황 ( SF 6 ) , 헥사 플 루 오로 에 탄 ( C 2 F 6 ) , 헥사 플 루 오로 프로필렌 ( C 3 F 6 ) , 옥 타 플 루 오로시 클로 부탄 ( C 4 F 8 ) , 퍼플 루오 로시 클로 펜텐 ( C 5 F 8 ) , 또 다른 적합 한 플루오린 ( 들 ) , 전술 한 바 의 임의 의 조합 등 으로 생성 된 플 라즈 마 를 사용 할 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 측벽 스 페이서 층 ( 3001 ) 은 유전체 이 고 건식 에칭 은 염소 또는 브롬 화학 을 사용 한다 . 염소 또는 브롬 화학 은 염소 ( Cl 2 ) , 브롬화수소 ( HBr ) , 다른 적합 한 할로겐 화합물 ( 들 ) , 전술 한 바 의 임의 의 조합 등 으로 생성 된 플 라즈 마 를 사용 할 수 있 다 . 둘 다의 경우 , 아르곤 , 산소 , 및 다른 적합 한 가스 가 또 한 에칭 화학 에 포함 될 수 있 다 . 더미 게이트 유전체 층 ( 183 ) 의 적어도 부분 두께 가 이 에칭 프로세스 의 종료 를 통해 로직 영역 ( 104 l ) 위 에 남 을 수 있 다 .