일부 실시 예 에서 , 아이 솔 레 이 션 구조물 ( 106 ) 및 로직 아이 솔 레 이 션 구조물 ( 310 ) 을 형성 하 는 프로세스 는 , 반도체 기판 ( 104 ) 을 덮 는 하부 패드 층 ( 402 ) 및 하부 패드 층 ( 402 ) 을 덮 는 상부 패드 층 ( 404 ) 을 형성 하 는 것 을 포함 한다 . 하부 및 상부 패드 층 ( 402 , 404 ) 은 상이 한 재료 로 형성 되 고 , 화학 적 기상 증착 ( CVD ; chemical vapor deposition ) , 물리 적 기상 증착 ( PVD ; physical vapor deposition ) , 스퍼터링 , 열 산화 , 또는 또 다른 적합 한 성장 또는 퇴적 프로세스 ( 들 ) 에 의해 형성 될 수 있 다 . 여기 에서 사용 될 때 , " ""( 들 ) "" 의 접미사 를 갖 는 용어 ( 예컨대 ", 프로세스 ) 는 단수 형 이나 복수 형 일 수 있 다 . 하부 패드 층 ( 402 ) 은 산화물 또는 또 다른 적합 한 유전체 ( 들 ) 일 수 있 다 . 상부 패드 층 ( 404 ) 은 질화물 또는 또 다른 적합 한 유전체 ( 들 ) 일 수 있 다 . 하부 및 상부 패드 층 ( 402 , 404 ) 은 아이 솔 레 이 션 구조물 ( 106 , 310 ) 로 패 터닝 된 트렌치 에 형성 되 어 마스크 를 제공 할 수 있 다 . 트렌치 가 유전체 ( 들 ) 로 채워진 다음 , 도 6 의 단면도 ( 600 ) 에 도시 된 구조물 을 생성 하 도록 평탄 화 가 이어질 수 있 다 . 유전체 층 은 , CVD , PVD , 스퍼터링 , 또는 또 다른 적합 한 퇴적 프로세스 ( 들 ) 에 의해 퇴적 될 수 있 다 . 평탄 화 프로세스 는 화학 기계 적 연마 ( CMP ; chemical mechanical polish ) 또는 또 다른 적합 한 평탄 화 프로세스 ( 들 ) 일 수 있 다 .