또한 , 용량 소자 ( 164 ) 를 구성 하 는 절연 층 의 비유전율 ε r 1 과 트랜지스터 ( 160 ) 를 구성 하 는 절연 층 의 비유전율 ε r 2 를 상이 하 게 하 는 경우 에 는 , 용량 소자 ( 164 ) 를 구성 하 는 절연 층 의 면적 S 1 과 트랜지스터 ( 160 ) 에 있 어서 게이트 용량 을 구성 하 는 절연 층 의 면적 S 2 가 2 · S 2 ≥ S 1 ( 바람직 하 게 는 S 2 ≥ S 1 ) 을 충족 하 면서 C 1 ≥ C 2 를 실현 하 기 용이 하 다 . 즉 , 용량 소자 ( 164 ) 를 구성 하 는 절연 층 의 면적 을 작 게 하 면서 , C 1 ≥ C 2 를 실현 하 기 용이 하 다 . 구체 적 으로 는 , 예 를 들 어 , 용량 소자 ( 164 ) 를 구성 하 는 절연 층 에서 는 산화 하프늄 등 의 high - k 재료 로 이루어진 막 , 또는 산화 하프늄 등 의 high - k 재료 로 이루어진 막 과 산화물 반도체 로 이루어진 막 의 적층 구조 를 채용 하 여 ε r 1 을 10 이상 , 바람직 하 게 는 15 이상 으로 하 고 , 게이트 용량 을 구성 하 는 절연 층 에서 는 산화 실리콘 을 채용 하 여 ε r 2 를 3 내지 4 로 할 수 있 다 .