도 4 b 는 도 4 a 에 나타낸 구조 를 형성 하 는 공정 을 나타내 었 다 . 도 4 b 를 참조 하 면 , 핀 들 ( 21 a , 21 b ) 의 형성 방법 은 발명 이 속하 는 기술 분야 의 통상 의 지식 을 지닌 자 들 에게 알려진 일반 적 인 방법 을 이용 할 수 있 다 . 구체 적 으로 예 를 들 면 Si 기판 에 핀 들 이 형성 될 위치 를 제외 한 영역 을 포토 리소그래피 및 식각 기술 을 이용 하 여 트랜 치 ( 30 a , 30 b ) 를 형성 함 으로써 핀 들 ( 21 a , 21 b ) 을 용이 하 게 형성 할 수 있 다 . 그리고 , 제 1 트렌치 ( 30 a ) 및 제 2 트렌치 ( 30 b ) 를 매립 하 는 제 1 절연 층 ( 22 ) 을 형성 한다 . 제 1 절연 층 ( 22 ) 은 예 를 들 어 , 실리콘 산화물 을 도포 하 여 트렌치 들 ( 30 a , 30 b ) 을 매립 하 고 평탄 화 하 여 형성 할 수 있 다 . 그리고 , 제 2 트랜 치 ( 30 b ) 에 매립 된 절연 물질 을 식각 하 여 제거 한다 . 그리고 , 제 2 트랜 치 ( 30 b ) 를 매립 하 는 제 2 절연 층 ( 23 ) 을 형성 한 뒤 평탄 화 공정 을 실시 한다 . 제 2 절연 층 ( 23 ) 은 예 를 들 어 , 실리콘 질화물 을 도포 하 여 형성 할 수 있 다 . 여기 서 , 제 2 트랜 치 ( 30 b ) 를 매립 하 기 전 에 노출 된 핀 들 ( 21 a , 21 b ) 의 노출 된 상면 및 내 측면 에 불순물 을 주입 하 여 소스 및 드레 인 을 형성 할 수 있 다 .