구체 적 으로 는 , 광전 변환 소자 구조 에 CCD 형 특징 을 채용 한 전하 변조 디바이스 ( CMD : Charge Modulation Device , 일본 특허 제 1938092 호 공보 , 일본 특허 출원 공개 번호 평 6 - 120473 호 공보 , 및 일본 특허 출원 공개 번호 소 60 - 140752 호 공보 참조 ) , 벌크 전하 변조 디바이스 ( BCMD : Bulk Charge Modulation Device , 일본 특허 출원 공개 번호 소 64 - 14959 호 공보 참조 ) , 극대점 에 축적 되 는 포토 홀 의 전하량 에 따라 표면 에 채널 이 형성 되 고 , 이 표면 의 전하량 에 의해 소스 / 드레 인 전류 가 변화 되 고 , 그 결과 신호 전하 에 따른 판독 이 가능 해 지 는 플로팅 웰 형 증폭기 ( FWA : Floating Well Amplifier , 일본 특허 제 2692218 호 공보 및 일본 특허 제 3752773 호 공보 참조 ) , 수 광부 와 신호 검 출부 를 분류 인접 하 여 배치 한 임계 값 변조 형 이미지 센서 ( VMIS : Vth Modulation Image Sensor , 일본 특허 출원 공개 번호 평 2 - 304973 호 공보 , 일본 특허 출원 공개 번호 2005 - 244434 호 공보 , 일본 특허 제 2935492 호 공보 , 및 일본 특허 출원 공개 번호 2005 - 85999 호 공보 참조 ) 등 의 각종 디바이스 가 제안 되 어 있 다 .