이하 도 6 a 내지 도 6 d 를 참조 하 여 포토레지스트 막 패턴 형성 방법 을 설명 하 기 로 한다 . 먼저 포토레지스트 막 ( 308 ) 이 형성 된 반도체 기판 ( 300 ) 상 에 도 6 a 의 포 토마스 크 ( 400 ) 를 배치 한다 . 이러 한 포토 마스크 ( 400 ) 는 투광 영역 ( 410 ) 및 투광 영역 ( 410 ) 을 제외 한 나머지 차광 영역 ( 420 ) 으로 이루어진다 . 여기 서 투광 영역 ( 410 ) 은 ' Ⅰ ' 형상 으로 배치 되 어 있 다 . 이때 , 투광 영역 ( 410 ) 의 양 종단 부 ( 415 a , 415 b ) 는 x 축 방향 으로 대칭 ( symmetry ) 하 도록 이루어진다 . 이 와 같이 투광 영역 ( 410 ) 을 대칭 구조 로 형성 함 에 따라 마스크 오 차 강화 계수 ( MEEF ; Mask Error Enhancement Factor ) 값 을 감소 시킬 수 있 다 .