도 3 및 도 5 에서 와 동일 한 참조 부호 는 동일 부재 를 나타내 며 , 따라서 여기 서 는 이 들 에 대한 상세 한 설명 은 생략 한다 . 도 6 을 참조 하 면 , 비휘발성 메모리 소자 ( 1000 b ) 의 공통 소스 라인 ( 200 ) 이 불순물 영역 ( 102 ) 상 에 z 방향 으로 스트링 선택 트랜지스터 들 ( SST 1 , SST 2 ) 의 하단 높이 까지 연장 될 수 있 다 . 상기 공통 소스 라인 ( 200 ) 은 상기 불순물 영역 ( 102 ) 과 오 믹 콘 택 ( ohmic contact ) 할 수 있 다 . 상기 공통 소스 라인 ( 200 ) 은 불순물 영역 ( 102 ) 을 따라 y 방향 으로 연장 될 수 있 다 . 상기 공통 소스 라인 ( 200 ) 및 상기 공통 소스 라인 ( 200 ) 측벽 의 절연 층 ( 170 ) 상 에 는 절연 영역 ( 180 ) 이 형성 된다 . 상기 비휘발성 메모리 소자 ( 1000 b ) 는 연결 전극 ( 165 ) ( 도 3 참조 ) 은 포함 하 지 않 는다 .