본 발명 은 셀 영역 과 주변 회로 영역 의 경계 부분 에 형성 되 는 숄더 프로파일 ( shoulder profile ) 로 인한 잔류물 ( residue ) 발생 을 방지 하 기 위한 SONOS 소자 의 제조 방법 을 제공 하 기 위한 것 으로 , 이 를 위해 본 발명 은 반도체 기판 의 셀 영역 및 주변 회로 영역 에 소자 분리 막 을 형성 하 는 단계 와 , 주변 회로 영역 의 반도체 기판 상 에 게이트 절 연막 과 제 1 게이트 도전 막 을 적층 형성 하 는 단계 와 , 반도체 기판 을 포함 한 전면 에 ONO ( Oxide Nitride Oxide ) 막 과 캡 핑 도전 막 을 적층 형성 하 는 단계 와 , 주변 회로 영역 , 그리고 주변 회로 영역 과 셀 영역 의 경계 영역 을 오픈 하 는 마스크 를 형성 하 는 단계 와 , 마스크 를 이용 한 습식 식각 공정 으로 제 1 게이트 도전 막 의 측벽 에 형성 된 캡 핑 도전 막 과 ONO 막 으로 인해 유발 된 숄더 프로 파일 을 제거 하 는 단계 와 , 마스크 를 이용 한 건식 식각 공정 으로 캡 핑 도전 막 과 ONO 막 을 제거 하 는 단계 를 포함 하 는 소노 스 소자 의 제조 방법 을 제공 한다 .