여기 서 , 본 발명 은 금속 배선 의 상부 표면 에 만 Ru 막 을 선택 적 으로 형성 함 으로써 후속 식각 공정 시 식각 가스 에 금속 배선 이 노출 되 는 것 을 방지 할 수 있 으므로 , 상기 금속 배선 이 손실 및 부식 되 는 것 을 방지 할 수 있 으며 , 이 를 통해 , 소자 특성 및 신뢰 성 을 개선 하 고 반도체 소자 의 제조 수율 을 향상 시킬 수 있 다 .