제 1 커버 웨이퍼 ( 112 ) 의 타면 에 , 디바이스 ( 170 ) 의 위치 에 상응 하 는 개구부 가 형성 된 에칭 레지스 트 ( 310 ) 를 형성 한다 ( 232 ) . 예 를 들 어 , 드라이 필름 ( dry film ) 이나 노광 , 현상 에 따라 일부 가 제거 될 수 있 는 감광성 액체 가 에칭 레지스 트 로써 사용 될 수 있 다 . 캐 비티 ( 130 ) 는 디바이스 ( 170 ) 를 커버 할 수 있 도록 형성 되 므로 , 디바이스 ( 170 ) 에 상응 하 는 부분 의 레지스 트 를 현상액 등 을 이용 하 여 제거 할 수 있 다 . 다음 으로 , 에칭 레지스 트 를 제거 하 여 제 1 커버 웨이퍼 ( 112 ) 의 타면 을 디바이스 위치 에 상응 하 여 에칭 한다 ( 234 ) . 이 에 따라 제 1 커버 웨이퍼 ( 112 ) 에 캐 비 티 가 형성 되 어 , 디바이스 ( 170 ) 의 정확 하 고 효율 적 인 작동 을 제공 할 수 있 게 된다 .