게이트 ( 1305 ) 와 반도체 영역 ( 1303 b ) 의 사이 에 는 , 게이트 절연 층 ( 1304 ) 을 가지 며 , 또한 , 게이트 ( 1305 ) 의 양 측면 에 는 측벽 절연물 ( 1306 a ) 및 측벽 절연물 ( 1306 b ) , 게이트 ( 1305 ) 의 상부 에 는 , 게이트 ( 1305 ) 와 다른 배선 과 의 단락 을 방지 하 기 위한 절연물 ( 1307 ) 을 갖 는다 . 측벽 절연물 의 폭 은 5 nm 로 한다 . 또한 , 반도체 영역 ( 1303 a ) 및 반도체 영역 ( 1303 c ) 에 접하 여 , 소스 ( 1308 a ) 및 드레 인 ( 1308 b ) 을 갖 는다 . 또한 , 이 트랜지스터 에 있 어서 의 채널 폭 을 40 nm 로 한다 .