여기 에서 설명 된 실시 예 들 은 종래 의 TS AlGaInP 장치 들 에 비하 여 몇몇 의 이점 들 을 제공 할 수 있 다 . 예 를 들 면 , 본 발명 의 실시 예 들 의 추출 효율 은 성형 된 측벽 들 ( shaped sidewalls ) 을 갖 는 두꺼운 - 윈도우 TS AlGaInP 의 추출 효율 에 접근 할 수 있 지만 , 박막 장치 로부터 의 강화 된 표면 방출 에 의해 방향 성 ( directionality ) 이 더 나아지 고 표면 휘도 가 더 높 아 질 수 있 다 . 또한 , 여기 에서 설명 된 실시 예 들 은 보다 단순 한 성장 구조 , 비용 이 많이 들 지 않 는 제조 , 및 잠재 적 으로 활성 층 으로부터 의 더 양호 한 열 추출 을 허용 한다 . VPE 에 의한 GaP 윈도우 들 의 성장 동안 의 p - 도 펀트 들 의 확산 과 같 은 , 종래 의 TS AlGaInP 장치 들 에서 일반 적 인 성장 문제 들 은 여기 에서 설명 된 실시 예 들 에 의해 회피 될 수 있 다 .