도 1 에서 는 산화물 반도체 가 흡수 하 는 광 의 흡수 계수 의 파장 의존 성 의 일례 를 도시 하 였 지만 , 사용 하 는 산화물 반도체 에 의해 , 이 흡수 계수 는 고유 한 값 을 취한다 . 즉 , 광 열화 를 유발 하 는 파장 영역 은 사용 하 는 산화물 반도체 에 따라 상이 하 다 . 따라서 , 본 발명 에서 사용 하 는 파장 ( λ 0 ) 은 , 실시 자 가 사용 하 는 산화물 반도체 에 있 어서 의 광 의 흡수 계수 와 산화물 반도체 에 조사 되 는 광 의 파장 에 있 어서 의 열화 의 관계 로부터 300 nm 에서 450 nm 의 범위 에서 임의 로 선택 하 면 좋 다 . 특히 외광 으로서 지표 에 있 어서 의 태양광 의 스펙트럼 분포 와 산화물 반도체 에 있 어서 의 광 의 흡수 계수 의 곱 으로부터 구해 지 는 스펙트럼 의 피크 파장 을 λ 0 로 하 면 효과 가 높 다 . 예 를 들 면 , 태양광 의 스펙트럼 분포 로서 AM 1 . 5 G 을 도 2 에 도시 한다 . 이 태양광 의 스펙트럼 분포 와 도 1 의 흡수 계수 를 곱하 여 얻 어 지 는 스펙트럼 을 도 3 에 도시 한다 . 330 nm 부근 에 피크 가 나타나 고 있 는 것 을 알 수 있 다 .