일반 적 으로 적 외 영역 의 레이저 광 에 는 광파이버 의 클래드 지름 을 작 게 하 면 전반 손실 이 증가 한다 . 이 때문 에 레이 저광 의 파장 대역 에 따라서 바람직 한 클래드 지름 이 결정 되 고 있 다 . 그러나 , 파장 이 짧 을수록 전반 손실 은 적어지 고 , GaN 계 반도체 레이저 에서 출사 된 파장 405 nm 의 레이저 광 에서 는 클래드 의 두께 {( 클래드 지름 - 코어 지름 ) / 2 } 를 800 nm 의 파장 대역 의 적 외광 을 전반 시키 는 경우 의 1 / 2 정도 , 통신 용 의 1 . 5 ㎛ 의 파장 대역 의 적 외광 을 전반 시키 는 경우 의 약 1 / 4 로 하 여도 , 전반 손실 은 거의 증가 하 지 않 는다 . 따라서 , 클래드 지름 을 60 ㎛ 로 작 게 할 수 있 다 .