절연 층 ( 136 ) , 절연 층 ( 138 ) , 절연 층 ( 140 ) 은 산화 실리콘 , 산화 질화 실리콘 , 질화 산화 실리콘 , 질화 실리콘 , 산화알루미늄 등 의 무기 절연 재료 를 함유 한 재료 를 사용 하 여 형성 할 수 있 다 . 특히 , 절연 층 ( 136 ) , 절연 층 ( 138 ) , 절연 층 ( 140 ) 에 유전 율 이 낮 은 ( low - k ) 재료 를 사용 함 으로써 , 각종 전극 이나 배선 이 중첩 하 는 것 에 기인 하 는 용량 을 충분히 저감 할 수 있 기 때문 에 , 바람직 하 다 . 또한 , 절연 층 ( 136 ) , 절연 층 ( 138 ) , 절연 층 ( 140 ) 에 는 이 들 의 재료 를 사용 한 다공성 ( 多孔 性 ) 절연 층 을 적용 하 여도 좋 다 . 다공성 절연 층 에서 는 밀도 가 높 은 절연 층 과 비교 하 여 유전 율 이 저하 하 기 때문 에 전극 이나 배선 에 기인 하 는 용량 을 더 저감 할 수 있 다 . 또한 , 절연 층 ( 136 ) , 절연 층 ( 138 ) , 절연 층 ( 140 ) 은 , 폴리 이미드 , 아크릴 등 의 유기 절연 재료 를 사용 하 여 형성 할 수 도 있 다 . 본 실시 형태 에서 는 , 절연 층 ( 136 ) 으로서 산화 질화 실리콘 을 사용 하 고 , 절연 층 ( 138 ) 으로서 질화 산화 실리콘 을 사용 하 고 , 절연 층 ( 140 ) 으로서 산화 실리콘 을 사용 하 는 경우 에 대하 여 설명 한다 . 또한 , 여기 서 는 절연 층 ( 136 ) , 절연 층 ( 138 ) , 절연 층 ( 140 ) 의 적층 구조 로 하 지만 , 개시 하 는 발명 의 일 형태 는 이것 에 한정 되 지 않 는다 . 1 층 또는 2 층 으로 하 여도 좋 고 , 4 층 이상 의 적층 구조 로 하 여도 좋 다 .