상기 활성 영역 의 게이트 형성 영역 에 홈 을 형성 하 는 단계 는 , 상기 활성 영역 상 에 게이트 형성 영역 을 노출 시키 는 마스크 패턴 을 형성 하 는 단계 ; 상기 활성 영역 에서 의 게이트 형성 영역 을 리세 스 시키 는 단계 ; 상기 마스크 패턴 및 리세 스 된 게이트 형성 영역 을 포함 하 여 반도체 기판 상 에 절연 막 스 페이서 를 형성 하 는 단계 ; 상기 반도체 기판 에 스 페이서 시각 공정 을 진행 하 여 상기 리세 스 된 게이트 형성 영역 의 바닥 을 노출 시키 는 단계 ; 상기 마스크 패턴 및 절연 막 스 페이서 를 식각 마스크 로 이용 해서 노출 된 활성 영역 부분 을 식각 하 여 상기 리세 스 된 활성 영역 의 게이트 형성 영역 에 홈 을 형성 하 는 단계 ; 및 상기 마스크 패턴 및 절연 막 스 페이서 를 제거 하 는 단계 ; 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .