도 1 A 의 구성 과 본 명세서 에서 기술 된 표면 - 매립 디바이스 콤 포 넌 트 ( 예 를 들 면 , 도 1 D 내지 1 I 및 도 2 A 내지 2 H ) 사이 의 적어도 하나 의 차이 는 , 벌크 혼합 의 특성 , 즉 , 도 1 A 의 디바이스 층 ( 104 ) 은 디바이스 층 ( 104 ) 전체 에 무작위 적 으로 그리고 상대 적 으로 균일 하 게 분포 되 어 있 는 첨가물 ( 102 ) 을 갖 는다는 것 이 다 . 반대 로 , 본 명세서 에서 기술 된 표면 - 매립 디바이스 콤 포 넌 트 에서 는 , 첨가물 은 향상 된 전기 전도 성 을 위한 첨가물 사이 의 접합 형성 의 증가 된 발생 과 첨가물 의 감소 된 위상 적 무 질서 함 을 야기 시키 면서 , " 호스트 물질 의 "" 평면 "" 또는 "" 평면 같 은 "" 매립 된 영역 에 대부분 갇혀 있 을 수 있 다 . 비록 "," 매립 영역 이 때때로 "" 평면 "" 으로서 언급 될지라도 ", 첨가물 그 자체 가 전형 적 으로 3 차원 이 기 때문 에 이러 한 매립 영역 은 전형 적 으로 엄격 하 게 2 차원 이 아니 라는 것 을 이해 할 것 이 다 . 오히려 , " "" 평면 "" 은 호스트 물질 의 임의 의 영역 내 에서 첨가물 이 상대 적 으로 얇 게 ", 평판 같이 ( 또는 층 을 이루 어 ) 국부 적 으로 집중 된 상태 , 그리고 첨가물 이 호스트 물질 의 나머지 부분 에 는 대부분 없 는 상태 인 상대 적 인 개념 으로 사용 될 수 있 다 . 비록 매립 영역 이 도 1 F , 2 A , 2 B 와 같이 , 첨가물 의 특성 치수 보다 큰 ( 예 를 들 면 몇 배 더 큰 ) 두께 를 가질 수 있 을지라도 , " 이러 한 매립 영역 은 "" 평면 "" 으로 언급 될 수 있 음 을 또한 이해 할 것 이 다 . 매립 영역 은 호스트 물질 의 일 측 에 인접 하 게 ", 호스트 물질 의 중간 에 인접 하 게 , 또는 호스트 물질 의 두께 방향 을 따라 임의 의 위치 에 인접 하 게 위치 될 수 있 고 , 다중 매립 영역 은 호스트 물질 내 에서 서로 인접 하 여 위치 되 거나 서로 이격 될 수 있 다 . 각각 의 매립 영역 은 하나 이상 의 타입 의 첨가물 을 포함 할 수 있 고 , " ( 동일 한 호스트 물질 에 위치 된 ) 매립 영역 은 다른 타입 의 첨가물 을 포함 할 수 있 다 . ( 호스트 물질 전체 에 무작위 적 으로 배치 한 것 과 는 대조 적 으로 ) 전기 전도성 첨가물 을 호스트 물질 의 일 세트 의 "" 평면 "" 매립 영역 에 갇히 게 함 으로써 ", 단위 영역 당 첨가물 의 주어진 양 에 대하 여 더 높 은 전기 전도성 이 달성 될 수 있 다 . 매립 영역 에 갇히 지 않 은 첨가물 은 생략 될 수 있 는 첨가물 의 초과량 을 나타낸다 .