희생 층 은 상기 관통 홀 의 형성 공정 시 에 제 2 지지 기판 과 제 2 배리어 층 ( 311 ) 사이 에 배치 되 어 상기 자외선 레이저 에 의해 상부 의 차광 메탈 패턴 ( BML ) , 및 박막 트랜지스터 층 ( 320 ) 이 데미지 를 입 는 것 을 방지 할 뿐 만 아니 라 , 상기 자외선 레이저 에 의해 절개 되 는 제 2 지지 기판 의 구성 물질 , 제 1 배리어 층 의 구성 물질 , 및 제 1 지지 기판 의 구성 물질 이 제 2 배리어 층 ( 311 ) 의 하 면 ( 311 a ) 으로부터 용이 하 게 제거 될 수 있 도록 하 는 역할 을 할 수 있 다 .