일반 적 으로 산화물 반도체 로 이루어진 채널 층 ( 114 ) 의 보호막 으로 는 실리콘 산화물 이 사용 되 는데 , 이 는 실리콘 산화물 의 증착 시 공급 되 는 산소 로 인하 여 산화물 반도체 내 에 과도 한 캐리어 발생 이 억제 되 어 박막 트랜지스터 의 문턱 전압 ( threshold voltage ) 을 원하 는 범위 내 로 유지 할 수 있 기 때문 이 다 . 하지만 , 실리콘 산화물 은 수분 이나 수소 등 과 같 은 외부 영향 을 차단 할 수 있 는 역할 에서 는 실리콘 질화물 보다 열등 하 다는 단점 이 있 다 . 반면 , 실리콘 질화물 의 경우 외부 영향 을 차단 할 수 있 는 역할 을 우수 하나 증착 시 산화 성 이온 을 포함 하 고 있 지 않 을 뿐 만 아니 라 , 많 은 양 의 수소 로 인하 여 산호 물 반도체 자체 를 환원 시켜 높 은 누설 전류 를 야기 시킬 수 있 다는 문제점 이 있 다 . 본 실시 예 에서 와 같이 산화물 반도체 로 이루어진 채널 층 ( 114 ) 과 보호막 ( 118 ) 사이 에 실리콘 산화물 로 이루어진 식각 정지 층 ( 115 ) 을 형성 하 게 되 면 , 우수 한 박막 트랜지스터 의 특성 을 확보 할 수 있 는 동시 에 보호막 ( 118 ) 을 실리콘 질화물 로 형성 함 으로써 보호막 ( 118 ) 의 특성 을 향상 시킬 수 있 게 된다 . 그리고 , 이때 투명 한 산화물 반도체 로 이루어진 스토리지 전극 ( 140 ) 상 에 는 식각 정지 층 ( 115 ) 이 형성 되 어 있 지 않 으므로 , 보호막 ( 118 ) 증착 시 스토리지 전극 ( 140 ) 을 이루 는 산화물 반도체 는 높 은 캐리어 농도 로 인해 도체 와 같 은 특성 을 가질 수 있 게 된다 .