구체 적 으로 는 , 본 발명 에 있 어서 의 판 두께 중앙부 의 형성 을 더 촉진 시키 기 위해서 는 , 합금 원소 , 특히 C 원자 의 농도 가 완만 하 게 분포 하 도록 제어 할 필요 가 있 다 . C 농도 의 분포 는 C 원자 의 확산 에 의해 얻 어 지 고 , C 원자 의 확산 빈도 는 고온 일수록 증가 한다 . 따라서 , C 농도 를 제어 하 기 위해서 는 , 열연 가열로 부터 조압연 에 있 어서 의 제어 가 중요 해진다 . 열연 가열 에서 는 , C 원자 의 확산 을 촉진 하 기 위해 , 가열 온도 를 고온 화 할 필요 가 있 고 , 바람직 하 게 는 1100 ℃ 이상 1350 ℃ 이하 , 보다 바람직 하 게 는 1150 ℃ 초과 1350 ℃ 이하 이 다 . 열연 가열 에서 는 , 도 1 에 도시 하 는 ( i ) 및 ( ii ) 의 변화 가 발생 한다 . ( i ) 는 판 두께 중앙부 에서 표층 으로 의 C 원자 의 확산 이 고 , ( ii ) 는 표층 으로부터 외부 에 탈리 하 는 C 의 탈탄 반응 이 다 . 이 ( i ) 과 ( ii ) 의 C 원자 의 확산 과 탈리 반응 의 균형 에 의해 C 농도 에 분포 가 발생 한다 . 1100 ℃ 미만 이 면 , ( i ) 의 반응 이 부족 하 므로 , 바람직 한 C 농도 분포 가 얻 어 지 지 않 는다 . 한편 , 1350 ℃ 초과 에서 는 , ( ii ) 의 반응 이 과도 하 게 발생 하 므로 , 마찬가지 로 바람직 한 농도 분포 가 얻 어 지 지 않 는다 .