다 성분 산화물 은 대개 MSiOx 인데 , 금속 소스 물질 을 증기 화 시키 고 , 증기 화 된 상기 금속 소스 물질 을 기판 위 로 인도 하 여 상기 기판 상 에서 상기 금속 소스 물질 이 리간드 교환 반응 및 / 또는 해리 반응 을 통해 표면 위 에 하나 의 분자 층 을 형성 하 는 반응 을 하 도록 함 으로써 성장 될 수 있 다 . 상기 반응 후 에 반응 공간 은 미 반응 소스 물질 및 상기 반응 생성물 을 상기 반응 공간 으로부터 제거 하 기 위해 불활성 기체 로 조심 스럽 게 퍼지 된다 . 그런 다음 , 산소 소스 물질 이 상기 반응 공간 내부 로 인도 될 수 있 으며 , 상기 산소 소스 물질 은 화학 흡착 된 ( chemisorbed ) 금속 착화합물 ( 예 를 들 면 , 지르코늄 착화합물 ) 의 잔여 리간드 와 반응 하 여 상기 표면 위 에 새로운 OH 기 와 산소 브릿지 ( bridge ) 들 을 형성 한다 . 그런 다음 , 상기 반응 공간 은 다시 조심 스럽 게 퍼지 된다 . 그 다음 단계 에서 , 위 에서 설명 한 실리콘 이 산화물 의 성장 사이클 이 수행 된다 .