도 15 를 참조 하 면 , 제 2 슬릿 ( SL 2 ) 을 통해 잔류 하 는 식각 정지 막 ( 34 A ) 을 제거 한다 . 이어서 , 제 2 슬릿 ( SL 2 ) 의 내벽 에 스 페이서 ( 45 ) 를 형성 한다 . 예 를 들 어 , 제 2 슬릿 ( SL 2 ) 의 내면 을 따라 스 페이서 용 물질 막 을 형성 한 후 , 에치 백 공정 을 실시 하 여 제 2 슬릿 ( SL 2 ) 의 저면 에 형성 된 스 페이서 용 물질 막 을 제거 한다 . 이 를 통해 , 제 2 슬릿 ( SL 2 ) 의 내벽 을 커버 하 는 스 페이서 ( 45 ) 를 형성 할 수 있 다 . 여기 서 , 스 페이서 ( 45 ) 는 산화 막 일 수 있 다 .