도 14 를 참조 하 면 , 노출 된 윙 스 페이서 ( 320 ) 및 플로팅 게이트 전극 ( 328 ) 위 에 상기 플로팅 게이트 전극 ( 328 ) 로부터 후속 형성 될 상부 전극 으로 전하 가 이동 하 는 것 을 방지 하 는 차폐층 ( 336 ) 을 형성 한다 . 차폐층 ( 336 ) 은 절 연막 으로 형성 할 수 있 으며 , 본 발명 의 실시 예 에서 는 산화 막 ( oxide ) ( 330 ) , 질화 막 ( nitride ) ( 332 ) 및 산화 막 ( oxide ) ( 334 ) 이 적층 된 ONO 구조 로 형성 하 였 다 .