본 발명 은 반도체 소자 의 포토레지스트 막 두께 결정 방법 에 관한 것 으로 , 반도체 웨이퍼 상 에 n 개 의 다른 두께 를 갖 는 포토레지스트 막 을 형성 하 는 단계 와 ( n 은 자연수 ) , 상기 포토레지스트 막 에 노광 공정 을 수행 하 는 단계 와 , 상기 각 두께 의 포토레지스트 막 으로부터 n 개 의 OPC 파라미터 를 추출 하 는 단계 와 , 상기 n 개 의 OPC 파라미터 에 대한 공정 마진 을 평가 하 는 단계 와 , CD 타 겟 및 상기 에서 평가 된 공정 마진 이 가장 우수 한 포토레지스트 막 을 선택 하 는 단계 를 포함 함 으로써 , 이렇게 결정 된 포토레지스트 막 을 실제 리 소그라 피 공정 에 적용 하 게 되 면 CD 타 겟 에 가장 잘 맞 는 크기 로 코아 및 주변 회로 트랜지스터 를 패 터닝 할 수 있 다 .