프로그램 단계 이후 에 , 시스템 은 검증 단계 를 수행 한다 . 검증 단계 에서 는 , 선택 된 워드 라인 은 Vss 에서 Vcgv 로 증가 한다 . Vcgv ( 검증 프로세스 도중 사용 되 는 비교 전압 ) 는 목표 문턱 전압 분포 에 기초 하 여 선택 되 는데 , 특정 메모리 셀 이 이 목표 문턱 전압 분포 로 프로그램 된다 . 상기 에 설명 한 바 와 같이 , 선택 되 지 않 은 워드 라인 들 전압 ( WL _ unsel ) 은 Vread 로 증가 한다 . 선택 되 지 않 은 워드 라인 들 전압 ( WL _ unsel ) 이 Vread 의 값 을 가지 며 선택 된 워드 라인 전압 ( WL _ sel ) 이 Vcgv 의 값 을 갖 는 동안 에 , 적절 한 비트 라인 이 미리 충전 되 고 , 방전 될 경로 를 제공 받 으며 , 감지 증폭기 로 감지 된다 . 어느 비트 라인 이 방전 되 는지 여부 에 기초 하 여 , 검증 되 는 메모리 셀 의 문턱 전압 이 Vcgv 의 레벨 에 도달 하 였 는지 여부 가 결정 된다 . 감지 이후 에 는 , 선택 된 워드 라인 전압 ( WL _ sel ) 이 Vss 로 낮 아 지 게 되 고 선택 되 지 않 은 워드 라인 들 전압 ( WL _ unsel ) 은 Vdd 로 낮 아 지 게 된다 . 복원 단계 ( 검증 단계 이후 ) 에서 , 선택 되 지 않 은 워드 라인 들 전압 ( WL _ unsel ) 은 Vss 로 떨어지 게 된다 . 검증 단계 에 대한 보다 상세 한 내용 은 뒤 에 판독 프로세스 를 설명 할 때 에 설명 될 것 이 다 . 일 실시 예 에서 , 판독 프로세스 는 프로그래밍 에 대한 검증 을 수행 하 는 데 에 사용 된다 .