도 16 a 를 참조 하 면 , 전자 장치 ( 200 ) 의 제 1 측면 에 형성 된 슬롯 ( 516 c ) 은 제 1 , 2 , 3 및 4 거리 ( G 1 , G 2 , G 3 , G 4 ) 의 위치 에 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 제 1 거리 ( G 1 ) 는 10 mm 일 수 있 고 , 제 2 거리 ( G 2 ) 는 20 mm 일 수 있 으며 , 제 3 거리 ( G 3 ) 는 30 mm 일 수 있 고 , 제 4 거리 ( G 3 ) 는 40 mm 일 수 있 다 . 상기 전자 장치 의 제 3 측면 에 형성 된 슬롯 ( 516 d ) 은 제 1 , 2 , 3 및 4 거리 ( H 1 , H 2 , H 3 , H 4 ) 의 위치 에 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 제 1 거리 ( H 1 ) 는 18 . 5 mm 일 수 있 고 , 제 2 거리 ( H 2 ) 는 28 . 5 mm 일 수 있 으며 , 제 3 거리 ( H 3 ) 는 38 . 5 mm 일 수 있 고 , 제 4 거리 ( H 4 ) 는 48 . 5 mm 일 수 있 다 .