라인 매립 절연 층 ( 190 ) 측벽 상 에 배치 되 는 게이트 스 페이서 구조물 ( 140 ) 부분 의 상면 은 게이트 전극 ( 120 ) 측벽 상 에 배치 된 게이트 스 페이서 구조물 ( 140 ) 부분 의 상면 과 동일 한 레벨 에 위치 할 수 있 다 . 이 는 반도체 장치 ( 100 A ) 의 제조 공정 에서 , T - 형상 의 희생 게이트 스택 ( 220 ) 을 형성 하 기 위하 여 제 1 희생 게이트 ( 222 ) 및 게이트 스 페이서 구조물 ( 140 ) 상부 를 제거 하 는 리세 스 공정 을 수행 할 때 , 라인 컷 영역 ( CT ) 의 제 1 희생 게이트 ( 222 ) 상부 및 게이트 스 페이서 구조물 ( 140 ) 상부 가 동시 에 제거 되 기 때문 일 수 있 다 .