더구나 , 종래 의 플래시 메모리 소자 의 제조 과정 은 , 앞 에서 설명 한 대로 , 먼 저 기판 에 STI 를 형성 한 후 별도 의 사진 공정 을 통해서 플로팅 게이트 들 을 패 터닝 하 는 방식 으로 진행 되 는데 , 플로팅 게이트 형성 과정 에서 식각 마스크 의 오 정렬 을 방지 하 기 위해서 는 최소한 의 정렬 마진 을 확보 해야 한다 . 따라서 , STI 의 폭 및 플로팅 게이트 의 간격 을 일정 크기 이상 으로 유지 해야 하 므로 , 사진 공정 에 의존 하 여서는 소자 의 집적도 를 더 이상 향상 시킬 수 없 다 .