도 4 를 참조 하 면 , 본 발명 의 씨 모스 이미지 센서 는 반도체 기판 ( 100 ) 의 다수 의 금속 배선 ( 도시 되 지 않 음 ) 을 포함 하 는 로직 회로 부 ( Logic Circuit ) 와 , 빛 을 수 광 하 여 적색 ( R ) , 녹색 ( G ) , 청색 ( B ) 신호 를 센싱 하 는 다수 의 포토 다이오드 ( 115 ) 및 포토 다이오드 ( 115 ) 와 대응 되 도록 형성 된 산화 막 계열 물질 로 형성 된 마이크 로 렌즈 ( 140 b ) 를 포함 하 는 화소 부 ( Pixel Area ) 로 구성 된다 . 포토 다이오드 ( 115 ) 는 반도체 기판 ( 100 ) 내 에 선택 적 으로 불순물 이온 을 주입 하 여 서로 다른 깊이 를 갖 도록 수직 하 게 배열 된다 .