도 2 를 참조 하 면 , 석영 과 같 은 투명 한 기판 ( 200 ) 상 에 투과율 저하 막 ( 210 ) , 위상 반 전막 ( 220 ) 및 광차 단막 ( 230 ) 을 형성 한다 . 투과율 저하 막 ( 210 ) 은 실리콘 산화 질화 막 ( SiON ) 으로 형성 할 수 있 다 . 위상 반 전막 ( 221 ) 은 투과 되 는 광 의 위상 을 반전 시킬 수 있 는 물질 예컨대 , 몰리브덴 실리콘 질화 막 ( MoSiN ) 으로 형성 할 수 있 다 . 광차 단막 ( 222 ) 은 투과 되 는 광 을 차단 할 수 있 는 물질 , 예컨대 크롬 ( Cr ) 막 으로 형성 할 수 있 다 . 본 발명 의 실시 예 에서 는 위상 반전 마스크 를 예 를 들 어 설명 하 지만 , 경우 에 따라 바이너리 마스크 등 다른 종류 의 포토 마스크 에 도 적용 될 수 있 다 .