본 발명 은 미세 패턴 형성 방법 및 고 정세 의 유기 막막 트랜지스터 를 제조 하 는 방법 을 개시 한다 . 본 발명 의 박막 트랜지스터 의 제조 방법 은 기판 을 준비 하 는 단계 ; 상기 기판 을 플 라즈 마 표면 처리 하 는 단계 ; 상기 기판 상 에 게이트 를 형성 하 는 단계 ; 상기 게이트 및 상기 기판 상 에 게이트 절 연막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 게이트 절 연막 을 플 라즈 마 표면 처리 하 는 단계 ; 상기 게이트 절연 막상 에 소오 스 및 드레 인 전극 을 형성 하 는 단계 ; 및 상기 소오 스 및 드레 인 전극 과 콘 택 되 는 유기 반도체 층 을 형성 하 는 단계 를 포함 한다 .