일부 실시 예 들 에서 , 본 기술 은 자기 - 제한 적 일 수 있 는 원자 층 식각 을 이용 하 여 하나 이상 의 금속 함유 물질 을 제거 하 기 위한 , 할로겐 이 없 는 그리고 플 라즈 마 가 없 는 공정 을 제공 할 수 있 다 . 실시 예 들 에서 , 방법 ( 300 ) 에서 사용 되 는 전구체 들 중 하나 또는 둘 모두 , 또는 그 전부 에 할로겐 이 없 을 수 있 으며 , 이 는 , 기판 표면 상 의 다른 노출 된 물질 들 에 대한 금속 함유 물질 들 의 더 선택 적 인 식각 을 허용 할 수 있 다 . 부가 적 으로 , 방법 ( 300 ) 은 플 라즈 마 가 없 는 환경 에서 수행 될 수 있 고 , 실시 예 들 에서 어떠 한 플 라즈 마 전구체 도 수반 하 지 않 을 수 있 다 . 라디칼 전구체 들 은 , 막 조성 과 관계 없이 표면 상 의 물질 들 을 스퍼터링 하 거나 다른 방식 으로 식각 할 수 있 는 물리 적 방식 으로 , 노출 된 물질 들 과 상호 작용 할 수 있 다 . 공정 처리 구역 및 챔버 내 의 플 라즈 마 유출물 들 을 최소 화 하 거나 제거 함 으로써 , 기판 상 의 다른 물질 들 보다 금속 함유 물질 의 선택 적 식각 을 허용 할 수 있 는 화학 적 - 기반 식각 이 수행 될 수 있 다 .