여기 서 , 수지 층 ( 67 ) 은 센 터부 ( 67 A ) 가 가장 두껍 고 , 외측 부 ( 67 A ) 로 갈수록 낮 은 두께 로 형성 될 수 있 으며 , 이러 한 수지 층 ( 67 ) 은 사출 성형 틀 을 이용 하 여 제조 할 수 있 다 . 또한 발광 소자 는 수지 층 ( 67 ) 의 경화 후 각 발광 소자 의 크기 단위 로 커팅 하 여 분리 됨 으로써 , 제조 공정 시 금속 층 ( 11 , 13 ) 위 에 발광 칩 ( 45 ) 을 탑재 하 거나 수지 층 ( 67 ) 을 형성 할 수 있 다 . 상기 금속 층 ( 11 , 13 ) 간 의 에어 영역 ( 17 ) 은 최종 수지 층 을 형성 한 다음 레이저 , 커팅 등 을 이용 하 여 형성 할 수 있 으며 , 이 에 대해 한정 하 지 는 않 는다 .