상기 터널 절 연막 ( 202 a ) 상 에 전하 저 장막 패턴 ( 204 b ) 이 구비 된다 . 상기 전하 저 장막 패턴 ( 204 b ) 은 고립 된 패턴 형상 을 가지 면서 규칙 적 으로 배치 된다 . 즉 , 상기 전하 저 장막 패턴 ( 204 b ) 은 제 1 방향 으로 연장 되 는 라인 형상 의 액티브 영역 상 에 규칙 적 으로 배치 된다 . 상기 전하 저 장막 패턴 ( 204 b ) 은 플로팅 게이트 전극 또는 전하 트랩 막 패턴 일 수 있 다 . 상기 전하 저 장막 패턴 ( 204 b ) 이 플로팅 게이트 전극 일 경우 , 폴리 실리콘 을 포함 할 수 있 다 . 또한 , 상기 전하 저 장막 패턴 ( 204 b ) 이 전하 트랩 막 패턴 일 경우 , 실리콘 질화물 을 포함 할 수 있 다 . 이하 에서 는 , 상기 전하 저 장막 패턴 ( 204 b ) 이 플로팅 게이트 전극 인 것 으로 설명 한다 .