도 81 은 도 79 의 불휘발성 메모리 장치 ( 100 e ) 의 소거 방법 을 더 상세 하 게 보여 주 는 순서도 이 다 . 도 80 을 참조 하 여 설명 된 바 와 같이 , 불휘발성 메모리 장치 ( 100 e ) 의 선택 된 메모리 블록 의 복수 의 스트링 선택 라인 들 중 일부 스트링 선택 라인 들 에 대응 하 는 복수 의 메모리 셀 들 이 소거 검증 된다 .