( 변형 예 4 ) 상기 한 바 와 같이 , 제 1 반도체 층 의 재질 로서 실리콘 게르마늄 , 제 2 반도체 층 의 재질 로서 실리콘 을 예 로 들 어 설명 했 지만 , 제 1 반도체 층 보다 도 에칭 의 선택 비 가 작 은 제 2 반도체 층 을 조합 시키 면 되 고 , 예 를 들 어 제 1 반도체 층 과 제 2 반도체 층 의 재질 로서 , Ge , SiC , SiSn , PbS , GaAs , InP , GaP , GaN , ZnSe 등 중 에서 선택 된 조합 을 사용 하 도록 할 수 도 있 다 .