본 발명 은 반도체 소자 의 가드 링 에 관한 것 으로서 , 반도체 칩 의 둘레 를 감싸 도록 반도체 칩 의 층간 절 연막 마다 형성 되 는 금속 링 이 다수 적층 됨 으로써 이루어지 는 가드 링 에 있 어서 , 금속 링 은 단면 형상 이 직사각 형 인 것 을 특징 으로 한다 . 따라서 , 본 발명 은 트렌치 형성 공정 을 생략 하 고 비 아홀 형성 공정 만 으로 형성 됨 으로써 제조 공정 을 단순 화 하 여 수율 증대 에 기여 하 고 , 트렌치 패턴 으로 인한 CMP 공정 의 디싱 ( dishing ) 현상 을 방지 하 여 이 로 인한 공정 불량 을 방지 하 며 , 트렌치 포토 공정 시 사이드 로브 ( side lobe ) 방지 를 통한 제품 의 신뢰 성 을 향상 시키 는 효과 를 가지 고 있 다 .