도 3 , 도 5 내지 도 10 에서 와 동일 한 참조 부호 는 동일 부재 를 나타내 며 , 따라서 여기 서 는 이 들 에 대한 상세 한 설명 은 생략 한다 . 도 11 을 참조 하 면 , 비휘발성 메모리 소자 ( 2000 a ) 의 한 쌍 의 스트링 선택 트랜지스터 들 ( SST 1 , SST 2 ) 및 접지 선택 트랜지스터 들 ( GST 1 , GST 2 ) 의 게이트 전극 ( 160 ) 이 각각 하부 연결 전극 ( 165 a ) 및 상부 연결 전극 ( 165 b ) 에 의하 여 연결 된다 . 상기 하부 연결 전극 ( 165 a ) 및 상부 연결 전극 ( 165 b ) 은 게이트 전극 ( 160 ) 과 동일 한 물질 을 포함 할 수 있 다 . 상기 하부 연결 전극 ( 165 a ) 및 상부 연결 전극 ( 165 b ) 은 예 를 들 어 , 텅스텐 ( W ) , 텅스텐 질화물 ( WN ) 또는 티타늄 질화물 ( TiN ) 을 포함 할 수 있 다 . 상기 하부 연결 전극 ( 165 a ) 의 수직 방향 ( 즉 , z 방향 ) 의 하단 은 기판 ( 100 ) 의 불순물 영역 ( 102 ) 과 이격 되 어 형성 될 수 있 다 . 상기 비휘발성 메모리 소자 ( 2000 a ) 는 절연 영역 ( 180 ) ( 도 3 참조 ) 은 포함 하 지 않 는다 .