도 1 a 를 참조 하 면 , 방법 ( 100 ) 은 몰딩 화합물 ( 900 ) , TIV ( 610 , 620 , 및 630 ) , 및 다이 ( 800 ) 를 둘러싸 도록 몰딩 화합물 ( 900 ) 상 에 하이 - k 유전체 를 형성 하 는 공정 및 단계 160 에서 계속 된다 . 도 10 을 참조 하 면 , 하이 - k 유전체 ( 1010 ) 가 몰딩 화합물 ( 900 ) , TIV ( 610 , 620 , 및 630 ) , 및 다이 ( 800 ) 위 에 블랭킷 퇴적 된다 . 일부 실시 형태 에서 , 패 터닝 될 때 에 하이 - k 유전체 ( 1010 ) 는 각각 의 MIM 커패시터 를 형성 할 수 있 다 . 일부 실시 형태 에서 , 하이 - k 유전체 ( 1010 ) 는 사용 되 는 퇴적 방법 및 유전체 층 의 유형 에 따라 약 250 ℃ 미만 의 온도 , 예컨대 약 180 ℃ 또는 약 210 ℃ 에서 퇴적 된다 . 추가 로 , 하이 - k 유전체 ( 1010 ) 의 두께 는 전하 누설 및 커패시턴스 손실 을 피하 기 위해 약 1 nm 보다 높 을 수 있 다 .