메모리 디바이스 ( 400 ) 는 메모리 셀 ( 405 ) ( 예 를 들 어 , 또는 다수 의 메모리 셀 ( 405 ) ) 을 선택 하 기 위한 선택 절차 를 구현 할 수 있 으며 , 여기 서 메모리 셀 ( 405 ) 은 워드 라인 ( 210 - b ) 과 디 지트 라인 ( 215 - b ) 의 교차점 에 배치 될 수 있 다 . 일부 예 에서 , 워드 라인 ( 210 - b ) 및 디 지트 라인 ( 215 - b ) 은 추가 적 으로 또는 대안 적 으로 선택 된 워드 라인 ( 210 - b ) 및 선택 된 디 지트 라인 ( 215 - b ) 이 라고 지칭 될 수 있 다 . 다른 워드 라인 ( 210 ) ( 예 를 들 어 , 워드 라인 ( 210 - a 및 210 - c ) ) 은 미 선택 워드 라인 ( 210 ) 또는 선택 해제 된 워드 라인 ( 210 ) 이 라고 지칭 될 수 있 는 반면 , 다른 디 지트 라인 ( 215 ) ( 예 를 들 어 , 디 지트 라인 ( 215 - a 및 215 - c ) ) 은 미 선택 디 지트 라인 ( 215 ) 또는 선택 해제 된 디 지트 라인 ( 215 ) 이 라고 지칭 될 수 있 다 .