또한 , 실시 예 에 따른 반도체 소자 ( 200 ) 는 , 도 1 에 도시 된 바 와 같이 , 복수 의 더미 발광 구조물 ( D 1 , D 2 , D 3 , D 4 ) 을 포함 할 수 있 다 . 상기 복수 의 더미 발광 구조물 ( D 1 , D 2 , D 3 , D 4 ) 은 제 1 도전 형 DBR 층 , 활성 층 , 제 2 도전 형 DBR 층 을 포함 할 수 있 다 . 또한 , 상기 복수 의 더미 발광 구조물 ( D 1 , D 2 , D 3 , D 4 ) 중 에서 상기 제 1 더미 발광 구조물 ( D 1 ) 의 상부 와 상기 제 2 더미 발광 구조물 ( D 2 ) 의 상부 에 는 상기 제 1 본딩 패드 ( 155 ) 가 배치 될 수 있 다 .