도 6 ( b ) 는 도 6 ( a ) 의 반도체 메모리 장치 에서 입력 값 의 논리 조합 에 따른 저항 값 을 나타내 는 도면 이 다 . 입력 값 들 ( A , B ) 이 ( 0 , 0 ) 이 면 , 저항 변환 소자 ( 230 ) 의 저항 값 은 낮 아 지 는 반면 에 , 입력 값 들 ( A , B ) 이 ( 0 , 0 ) 이 아니 면 , 저항 변환 소자 ( 230 ) 의 저항 값 은 높 아 진다 . 이러 한 방식 으로 , 도 6 ( a ) 의 반도체 메모리 장치 는 OR 게이트 로 동작 한다 . 도 6 ( c ) 에 는 도 6 ( a ) 에서 입력 값 들 이 자성 유도 레이어 ( 210 ) 에 흐르 는 전류 의 크기 와 방향 을 결정 하 는 동작 이 모델링 되 어 있 다 .