게이트 절연 층 ( 112 ) 상 에 액티브 층 ( 122 ) 이 배치 된다 . 액티브 층 ( 122 ) 은 게이트 전극 ( 121 ) 과 중첩 하 도록 배치 된다 . 예 를 들 어 , 액티브 층 은 산화물 반도체 로 형성 될 수 도 있 고 , 비정질 실리콘 ( amorphous silicon , a - Si ) , 다 결정 실리콘 ( polycrystalline silicon , poly - Si ) , 또는 유기물 ( organic ) 반도체 등 으로 형성 될 수 있 다 .