본 발명 의 인버터 부 ( 16 ) 는 반 브리지 구조 를 가지 며 , 역방향 다이오드 를 내장 한 MOSFET ( Q 11 , Q 12 ) 을 이용 하 여 영 전압 스위칭 을 달성 한다 . 따라서 , 고압 의 입력 전원 을 스위칭 함 에 따라 발생 될 수 있 는 스위칭 손실 을 최소 화 한다 . 또한 , 고압 의 입력 전원 을 스위칭 함 에 따라 MOSFET ( Q 11 , Q 12 ) 의 손상 이 발생 될 수 있 으므로 , MOSFET ( Q 11 , Q 12 ) 의 보호 를 위해 각 MOSFET ( Q 11 , Q 12 ) 의 게이트 단자 와 소스 단자 사이 에 보호 저항 을 설치 한다 .