그 다음 , 도 7 에서 와 같이 , 상기 포토레지스트 패턴 ( 120 ) 을 공지 의 방식 으로 제거 한다 . 포토레지스트 패턴 ( 120 ) 의 제거 에 의해 , 포토레지스트 패턴 ( 120 ) 상부 에 형성 되 어 있 는 에 미터 전극 층 ( 125 ) 이 리프트 오프 ( lift off ) 된다 . 이 로써 , 기판 결과물 상부 에 n + InGaAs 에 미터 캡 층 ( 116 ) 과 콘 택 되 는 에 미터 전극 층 만 이 잔류 되 고 , " 이 전극 층 이 곧 HBT 트랜지스터 의 에 미터 전극 ( 125 a ) 이 된다 . 에 미터 전극 ( 125 a ) 은 상기 제 1 질화 막 ( 118 ) 에 의해 하부 보다 상부 의 선폭 이 넓 은 "" T "" 자형 구조 로 형성 된다 . "