도 4 를 참조 하 면 , 반도체 디바이스 층 ( 24 ) 의 마이크 로 LED 화소 ( 26 ) 은 양전극 층 ( 30 ) , 투명 도전 층 ( 32 ) , 투명 p - 전극 층 ( 34 ) , p - GaN 층 ( 36 ) , 활성 층 ( 38 ) , n - GaN 층 ( 40 ) , 및 상부 의 투명 n - 전극 층 ( 42 ) 으로 구성 되 며 , 각 마이크 로 LED 화소 ( 26 ) 간 에 는 투명 성 절연 층 ( 44 ) 으로 형성 된다 . 반도체 디바이스 층 ( 24 ) 에 형성 된 마이크 로 LED 화소 ( 26 ) 들 각각 은 p - n 다이오드 층 으로서 스펙트럼 내 의 특정 영역 에 대응 하 는 밴드 갭 을 갖 는 화합물 반도체 이 며 , 본 발명 의 예시 에서 는 Ⅲ ∼ Ⅴ 족 질화물 재료 의 대표 적 일예 인 질화 갈륨 ( GaN ) 으로 형성 된다 .