이어서 , 게이트 배선 ( 11 a ) , 게이트 전극 ( 11 aa ) , 보조 용량 배선 ( 11 b ) , 그리고 중계 배선 ( 11 c ) 이 형성 된 기판 전체 에 , CVD 법 에 의해 , 예 를 들 어 , 질화 실리콘 막 ( 두께 200 ㎚∼ 500 ㎚ 정도 ) 을 성막 하 고 , 도 10 ( b ) , 및 도 12 ( b ) 에 나타내 듯이 , 절연 기판 ( 10 a ) 상 에 , 게이트 배선 ( 11 a ) , 게이트 전극 ( 11 aa ) , 및 보조 용량 배선 ( 11 b ) 을 피복 하 도록 게이트 절연 층 ( 12 ) 을 형성 한다 .