절연 층 ( 118 ) 을 플라스마 CVD 법 으로 형성 하 는 경우 , 성막 온도 가 지나치 게 높 으면 저 저항 영역 ( 108 n ) 등 에 포함 되 는 불순물 이 반도체 층 ( 108 ) 의 채널 형성 영역 을 포함 한 주변 부 로 확산 될 우려 나 저 저항 영역 ( 108 n ) 의 전기 저항 이 높 아 질 우려 가 있 다 . 그러므로 , 절연 층 ( 118 ) 의 성막 온도 는 이 들 점 을 고려 하 여 결정 하 면 좋 다 .