종래 , 반도체 소자 에 사용 되 는 층간 절 연막 으로서 화학 기상 증착 법 ( CVD ) 등 의 기상법 으로 형성 된 실리카 ( SiO 2 ) 막 이 널리 사용 되 고 있 다 . 최근 , 더욱 균일 한 층간 절 연막 을 형성 하 기 위하 여 SOG ( Spin On Glass ) 막 이 라 불리 는 테트라 알 콕 시 실란 의 가수 분해 생성물 로 주로 이루어지 는 도포 형 절 연막 이 사용 된다 . 또한 , 반도체 소자 의 집적도 의 증가 에 따라서 , 유기 SOG 막 이 라 불리 는 폴 리오르 가노 실록 산 으로 주로 이루어지 는 저 유전율 층간 절 연막 도 개발 되 었 다 .