일반 적 인 3 T 형 CMOS 이미지 센서 의 단위 화소 는 도 2 에 도시 한 바 와 같이 액티브 영역 ( 11 ) 이 정의 되 어 액티브 영역 ( 11 ) 중 폭 이 넓 은 부분 에 1 개 의 포토 다이오드 ( 24 ) 가 형성 되 고 , 나머지 부분 의 액티브 영역 ( 11 ) 에 각각 오버랩 되 는 제 1 내지 제 3 트랜지스터 의 게이트 전극 ( 22 , 33 , 44 ) 이 형성 된다 .