따라서 , 소스 / 드레 인 전극 ( 55 a , 55 b ) 과 유기 반도체 층 ( 54 ) 간 의 저항 증가 로 인해 , 박막 트랜지스터 의 특성 중 이동도 ( mobility ) 가 낮 아 지 고 , 박막 트랜지스터 의 출력 ( output ) 특성 에서 저전압 에서 의 전류 비선 형성 ( current clouding ) 현상 이 발생 하 게 되 는 문제점 이 있 다 .