층간 절연 층 ( 30 ) 을 형성 하 고 난 후 패 터닝 에 의해 상기 클록 신호 배선 ( 40 ) 과 게이트 전극 층 ( 50 ) 의 일부 를 노출 시킨 후 , 게이트 금속 배선 ( 60 ) ( GL 2 ) 을 형성 한다 . 게이트 금속 배선 ( 60 ) ( GL 2 ) 을 구성 하 는 물질 은 특별히 제한 되 지 않 으나 , 도전 성 의 금속 물질 일 수 있 다 . 특히 티타늄 ( Ti ) , 알루미늄 ( Al ) 의 도전 성 물질 및 이 들 의 합금 ( Ti / Al / Ti ) 형태 로 구성 될 수 있 다 .