또한 , 본 발명 의 다른 실시 예 에 따른 수직 구조 를 갖 는 질화 갈륨 계 LED 소자 의 제조 방법 은 사파이어 기판 상 에 N 형 질화 갈륨 층 , 활성 층 , 및 P 형 질화 갈륨 층 이 포함 된 질화 갈륨 계 발광 다이오드 구조물 을 형성 하 는 ( a ) 단계 ; 상기 ( a ) 단계 에서 형성 된 질화 갈륨 계 발광 다이오드 구조 물상 에 마스크 패턴 을 형성 한 후 , 솔 더 페이스트 를 도포 하 는 ( b ) 단계 ; 상기 도포 된 솔 더 페이스트 를 열처리 한 다음 , 상기 마스크 를 제 거하 여 상기 마스크 에 의한 패턴 을 갖 는 금속 구조 지지층 을 형성 하 는 ( c ) 단계 ; 및 상기 사파이어 기판 을 제거 한 후 , 상기 사파이어 기판 이 제거 된 질화 갈륨 계 발광 다이오드 구조 물상 에 전극 을 형성 하 는 ( d ) 단계 를 포함 하 여 이루어진 수직 구조 를 갖 는 질화 갈륨 계 LED 소자 의 제조 방법 을 제공 한다 .