예컨대 , 에치 백 공정 은 고밀도 플라 즈 마 식각 장비 를 이용 하 여 실시 하 며 , 플로팅 게이트 ( 202 ) 상 에 실리콘 질화 막 ( Si 3 N 4 ) 으로 이루어진 하드 마스크 가 존재 한 경우 상기 하드 마스크 를 식각 장벽층 으로 이용 하 여 실시 한다 . 예컨대 , 에치 백 공정 은 이등방성 식각 을 진행 하 기 위해 CHF 3 와 O 2 가 혼합 된 혼합 가스 ( CHF 3 / O 2 ) 또는 CH 2 F 2 가스 를 사용 하 여 실시 한다 .