상기 기판 은 Si 단결정 기판 , 화합물 반도체 기판 , SOI 기판 및 변형 된 기판 과 같 은 반도체 기판 일 수 있 으며 , 본 발명 이 이 에 한정 되 는 것 은 아니 다 . 예 를 들 면 , 상기 기판 은 세라믹 기판 또는 플렉시블 소자 를 구현 하 기 위한 고분자 기판 , 또는 심지어 패브릭 층 일 수 도 있 다 . 더 하 여 , 상기 기판 상 에 산화 물막 이 증착 되 거나 기판 의 상부 가 산화 되 어 산화 물막 이 형성 될 수 있 다 . 예컨대 , 실리콘 기판 상 에 실리콘 산화물 ( SiO 2 ) 이 증착 또는 산화 되 어 배치 될 수 있 다 .