또한 , 상기 한 목적 을 달성 하 기 위한 다른 측면 에 따른 본 발명 은 셀 영역 과 주변 회로 영역 을 포함 하 는 비휘발성 메모리 소자 의 제조 방법 에 있 어서 , 기판 상 에 소자 분리 막 에 의해 고립 된 플로팅 게이트 를 형성 하 는 단계 와 , 상기 주변 회로 영역 은 덮이 고 , 상기 셀 영역 에 형성 된 상기 소자 분리 막 상부 중 일부 가 개방 된 감광막 패턴 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 감광막 패턴 을 식각 마스크 로 상기 소자 분리 막 상부 에 홈 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 감광막 패턴 을 제거 하 는 단계 와 , 상기 소자 분리 막 상부 를 일정 깊이 로 후퇴 시키 는 단계 를 포함 하 는 비휘발성 메모리 소자 의 제조 방법 을 제공 한다 .