분리 장치 ( 200 ) 는 기판 ( 10 ) 과 질화물 반도체 층 ( 50 ) 간 의 기계 적 분리 를 위하 여 , 한 쌍 의 분리 부재 ( 210 , 220 ) 에 대한 상대 적 인 압축 , 인장 , 전단 , 비틀 음 상태 중 적어도 어느 하나 , 또는 이 들 의 조합 을 구현 할 수 있 다 . 분리 부재 ( 210 , 220 ) 의 상대 적 인 움직임 에 의해 이러 한 상태 들 이 구현 되 므로 분리 부재 ( 210 , 220 ) 중 어느 하나 는 고정 하 고 다른 하나 에 구동 부 ( 230 ) 에 의한 외력 을 인가 할 수 있 다 . 바람직 하 게 는 하측 에 놓이 는 분리 부재 가 고정 이 되 는 것 이 안정 적 인 측면 에서 선호 될 수 있 다 . 본 실시 예 에서 하측 에 놓이 는 분리 부재 는 기판 ( 10 ) 과 접하 는 제 1 분리 부재 ( 210 ) 인 경우 를 예 로 들 어 설명 하 지만 , 질화물 반도체 층 ( 50 ) 과 접하 는 제 2 분리 부재 ( 220 ) 가 하측 에 놓일 수 도 있 다 .