제 2 대전 방지 막 ( 134 ) 은 103 ~ 109 Ω / sq 의 면저항 을 가짐 과 아울러 최대 100 Å 의 두께 를 가지 는 활성 층 ( 114 ) 과 동일 재질 로 게이트 절 연막 ( 112 ) 상 에 형성 된다 . 이외 에 도 제 2 대전 방지 막 ( 134 ) 은 활성 층 ( 114 ) 및 오 믹 접촉 층 ( 116 ) 과 동일 재질 의 실리콘 층 들 이 순차 적 으로 적층 되 어 게이트 절 연막 ( 112 ) 상 에 형성 될 수 도 있 다 . 이 때 , 제 2 대전 방지 막 ( 134 ) 은 박막 트랜지스터 의 활성 층 ( 114 ) 및 오 믹 접촉 층 ( 116 ) 과 분리 되 도록 형성 된다 .