또한 , 에칭 의 깊이 에 따라 희가스 에 있 어 Ar 가스 와 He 가스 의 비율 을 제어 하 는 것 과 , 희가스 에 있 어 Ar 가스 와 He 가스 의 비율 이 서로 다른 단계 를 반복 하 여 제어 하 는 것 을 조합 한다 . 이 로써 , 산화 실리콘 층 ( 140 ) 의 에칭 속도 와 , 텅스텐 층 ( 130 ) 및 마스크 층 ( 100 ) 에 대한 선택 비 의 양립 이 가능 하 게 된다 .