먼저 , 도 1 a 는 탄화규소 ( 예 를 들 면 4 - H ) 기판 ( 1 ) 위 에 SixNy 막 ( 2 ) 을 증착 한 상태 를 나타낸 단면도 이 다 . 기판 ( 1 ) 은 8 ° 의 오프 축 ( off - axis ) 을 갖 는 탄화규소 단결정 기판 으로 SixNy 막 ( 2 ) 을 증착 하 기 전 에 아세톤 - 에틸 알콜 - 표준 알씨 에이 ( RCA ) - 불 산 ( 탈 이 온수 에 7 : 1 로 희석 ) - 탈 이온 수 의 순서 로 세정 한다 . 또한 , SixNy 막 ( 2 ) 증착 시 에 하부 의 탄화규소 ( 예 를 들 면 4 - H ) 기판 ( 1 ) 에 충격 이 가해 지 는 것 을 줄일 수 있 도록 리모트 - 플라 즈 마보 조 화학 기상 증착 ( remote PECVD ) 법 에 의해 증착 하 며 , 7 nm 내지 80 nm 정도 두께 로 형성 한다 . 리모트 - 플라 즈 마보 조 화학 기상 증착 법 에 의하 면 박막 이 성장 되 는 영역 과 플 라즈 마가 형성 되 는 영역 을 분리 함 으로써 플 라즈 마 에 의한 기판 의 충격 을 최소 화 하 고 플 라즈 마 에 의해 생성 된 기 ( spieces ) 와 사 일 렌 ( SiH 4 ) 이 기판 위 에서 반응 하 는 메카 니즘 은 저온 에서 고품질 의 박막 을 형성 할 수 있 다 . 본 실시 예 에서 는 4 - H SiC 기판 을 사용 하 였으나 , 4 - H SiC , 6 - H SiC , 3 C SiC , Si , GaN , GaAs 등 을 포함 하 는 반도체 물질 로 된 기판 도 가능 하 다 .