다층 커패시터 ( C 1 ) 에서 , 부분 ( E 21 ) 에서 의 갭 들 ( 13 ) 의 총 면적 은 제 2 전극 층 ( E 2 ) 의 부분 ( E 21 ) 의 두께 방향 을 따른 단면 에서 부분 ( E 21 ) 의 면적 의 5 내지 35 % 의 범위 내 에 있 다 . 부분 ( E 21 ) 에서 의 갭 들 ( 13 ) 의 총 면적 이 부분 ( E 21 ) 의 두께 방향 을 따른 단면 에서 부분 ( E 21 ) 의 면적 의 5 % 보다 작 은 경우 , 수분 으로부터 생성 된 기체 는 갭 ( 13 ) 내부 로 이동 하 지 않 는 경향 이 있 다 . 부분 ( E 21 ) 에서 의 갭 들 ( 13 ) 의의 총 면적 이 부분 ( E 21 ) 의 두께 방향 을 따른 단면 에서 부분 ( E 21 ) 의 면적 의 35 % 보다 큰 경우 , 수분 은 제 2 전극 층 ( E 2 ) 에 들어가 는 경향 이 있 고 , 기체 생성량 이 증가 할 수 있 다 . 따라서 , 다층 커패시터 ( C 1 ) 는 기체 생성량 의 증가 를 제어 하 고 부분 ( E 21 ) 에서 의 기체 이동의 억제 를 감소 시킨다 .