제 3 질화물 반도체 층 ( 53 ) 은 950 ℃ 정도 의 온도 , 300 A 정도 의 두께 의 Mg 이 도핑 된 GaN 으로 이루어질 수 있 다 . 제 3 질화물 반도체 층 ( 53 ) 이 제 2 질화물 반도체 층 ( 52 ) 과 동일 한 물질 로 이루어지 는 경우 에 거친 표면 을 메우 게 되 면 거친 표면 의 기능 이 상실 되 므로 , 거친 표면 을 따라 이 를 덮 는 정도 의 두께 로 형성 되 며 , 이 를 감안 하 여 200 ~ 500 A 정도 가 적당 하 다 .