본 발명 에 따른 평가 방법 은 , 지지 기판 용 웨이퍼 와 액티브 층 용 웨이퍼 를 절 연막 없이 직접 접합 한 후 액티브 층 용 웨이퍼 를 얇 게 하 여 형성 된 접합 웨이퍼 를 평가 하 는 방법 이 다 . 구체 적 으로 , 도 1 에 나타낸 바 와 같이 , 본 발명 에 따른 평가 방법 은 , 예 를 들 어 0 . 5 % HF 액 으로 접합 웨이퍼 ( 도 1 의 ( a ) ) 의 액티브 층 ( 2 ) 표면 으로부터 자연 산화물 ( 3 ) 을 제거 하 는 단계 ( 도 1 의 ( b ) , 자연 산화물 제거 단계 ) , 실리콘 과 같 은 웨이퍼 를 구성 하 는 재료 에 대한 식각 속도 가 SiO 2 와 같 은 그 재료 의 산화물 에 대한 식각 속도 보다 더 빠른 식각 액 으로 접합 웨이퍼 를 식각 하 여 적어도 액티브 층 의 전부 를 제거 하 는 단계 ( 도 1 의 ( c ) , 액티브 층 제거 를 위한 식각 단계 ) , 및 식각 에 의해 노출 된 섬 형상 의 산화물 을 검출 하 는 단계 ( 도 1 의 ( d ) , 섬 형상 의 산화물 검출 단계 ) 를 포함 하 는 평가 방법 이 다 .