도 34 의 단면도 ( 3400 ) 에 의해 예시 된 바 와 같이 , 포토레지스트 ( 3401 ) 가 형성 되 고 패 터닝 된 다음 , 로직 디바이스 ( 110 a , 110 b ) 를 형성 하 기 위해 로직 게이트 스택 ( 3301 ) 을 선택 적 으로 에칭 하 는 데 사용 될 수 있 다 . 로직 디바이스 ( 110 a , 110 b ) 의 각각 은 , 제 1 로직 게이트 유전체 층 ( 316 a ) , 제 2 로직 게이트 유전체 층 ( 316 b ) , 더미 로직 게이트 전극 ( 3307 ) , 및 로직 게이트 하드 마스크 ( 3309 ) 를 포함 할 수 있 다 . 제 1 로직 게이트 유전체 층 ( 3303 ) ( 도 33 참조 ) 의 작 은 부분 이 경계 측벽 스 페이서 ( 185 ) 하의 유전체 ( 501 ) 를 형성 하 며 남 을 수 있 다 . 선택 적 에칭 은 로직 게이트 스택 ( 3301 ) 의 다양 한 층 들 의 마스킹 되 지 않 은 부분 을 제거 하 도록 일련 의 플 라즈 마 에칭 을 포함 할 수 있 다 . 에칭 은 또한 캐 핑 층 ( 402 ) 을 통해 진행 될 수 있 다 . 이 프로세스 의 끝 에 또는 로직 하드 마스크 ( 3309 ) 가 패 터닝 된 후 의 또 다른 시점 에 포토레지스트 ( 3401 ) 가 제거 될 수 있 다 .