본 발명 의 반도체 소자 의 층간 절 연막 형성 방법 은 , 반도체 기판 위 에 게이트 스택 을 형성 하 는 단계 ; 게이트 스택 이 형성 된 반도체 기판 상 에 확산 방지 막 을 형성 하 는 단계 ; 확산 방지 막 위 에 1 차 유동 성막 을 형성 하 는 단계 ; 1 차 유동 성막 및 게이트 스택 을 매립 하 는 2 차 유동 성막 을 형성 하 는 단계 ; 및 2 차 유동 성막 상 에 열처리 공정 을 수행 하 는 단계 를 포함 한다 .