도 1 , 도 2 a , 도 2 b , 및 도 2 c 를 참조 하 면 , 기판 ( 10 ) 에 형성 된 소자 분리 막 ( 11 ) 에 의해 서로 나란히 배치 된 복수 의 셀 활성 영역 ( 13 ) 및 소오 스 활성 영역 ( 15 ) 이 한정 된다 . 활성 영역 ( 13 , 15 ) 과 교차 하 는 방향 으로 복수 의 워드 라인 ( 30 ) 이 배치 된다 . 워드 라인 ( 30 ) 양측 의 셀 활성 영역 ( 13 ) 에 각각 소오 스 영역 ( 16 ) 과 드 레인 영역 ( 19 ) 이 위치 한다 .