IC ( 1300 a ) 는 베이스 신호 및 / 또는 전원 을 사용 하 여 밀리미터 웨이브 ( mmWave ) 대역 의 RF 신호 를 생성 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , IC ( 1300 a ) 는 저 주파수 의 베이스 신호 를 전달 받 고 베이스 신호 의 주파수 변환 , 증폭 , 필터링 위상 제 어 및 전 원생 성 을 수행 할 수 있 다 . IC ( 1300 a ) 는 고주파 특성 을 구현 하 기 위하 여 , 화합물 반도체 ( 예 : GaAs ) 및 실리콘 반도체 중 하나 로 형성 될 수 있 다 . 한편 , 전자 부품 패키지 는 적어도 하나 의 배선 층 ( 1310 a ) 에 전기 적 으로 연결 되 는 수동 부품 ( 1350 a ) 을 더 포함 할 수 있 다 . 수동 부품 ( 1350 a ) 은 지지 부재 ( 1355 a ) 가 제공 하 는 수용 공간 ( 1306 a ) 에 배치 될 수 있 다 . 수동 부품 ( 1350 a ) 은 세라믹 캐 패 시터 ( Multi Layer Ceramic Capacitor , MLCC ) 나 인덕 터 , 칩 저항기 중 적어도 일부 를 포함 할 수 있 다 .