도 6 을 참조 하 면 , 트렌치 바닥 면 에 일정 두께 잔류 되 게 SOD 막 ( 160 ) 을 식각 한다 . SOD 막 ( 160 ) 의 식각 은 습식 용액 을 이용 하 여 반도체 기판 ( 100 ) 표면 으로부터 200 내지 300 Å 정도 SOD 막 ( 160 ) 이 제거 되 게 식각 프로 파일 을 설정 한다 . 이때 , SOD 막 ( 160 ) 이 제거 되 면서 트렌치 측벽 에 형성 된 라이너 산화 막 ( 150 ) 이 노출 될 수 있 다 .