이어서 , 완충 막 ( 101 ) 상 에 하드 마스크 ( 102 ) 를 형성 한다 . 이때 , 하드 마스크 ( 102 ) 는 질화 막 , 예컨대 실리콘 질화 막 ( Si 3 N 4 ) 으로 형성 한다 . 이러 한 하드 마스크 ( 102 ) 는 후속 공정 을 통해 니 플 ( nipple ) 형태 로 돌출 된 소자 분리 막 돌출부 의 높이 를 고려 - 소자 분리 막 돌출부 의 높이 에 의해 플로팅 게이트 의 높이 가 결정 됨 - 하 여 500 ~ 1500 Å 정도 의 두께 로 형성 할 수 있 다 . 예컨대 , 하드 마스크 ( 102 ) 는 700 ~ 800 ℃ 의 온도 , 0 . 3 ~ 0 . 4 Torr 의 압력 에서 , 질소 ( N 2 ) 유량 을 40 ~ 60 cc 로 하 고 , DCS ( Diclorosilane , SiCl 2 H 2 ) 유량 을 800 ~ 1000 cc 로 하 며 , 암모니아 ( NH 3 ) 유량 을 800 ~ 1000 cc 로 하 여 형성 한다 .