도 1 f 를 참조 하 면 , 상기 애 싱 공정 을 수행 하 여 포토레지스트 패턴 ( 153 ) 을 제거 한 후 에 , 제 2 하드 마스크 ( 155 ) 를 식각 마스크 로 이용 하 여 제 1 하드 마스크 층 ( 145 ) 을 부분 적 으로 식각 함 으로써 , 상부 전극 층 ( 140 ) 상 에 제 1 하드 마스크 ( 160 ) 를 형성 한다 . 이 에 따라 , 상부 전극 층 ( 140 ) 상 에 는 제 1 하드 마스크 ( 160 ) 및 제 2 하드 마스크 ( 155 ) 를 구비 하 는 하드 마스크 구조물 ( 165 ) 이 형성 된다 .