VCCD ( 31 ) 는 , p 웰 층 ( 35 ) 의 표층 에 형성 된 n 형 층 으로 이루어진다 . VCCD ( 31 ) 의 위 에 는 , 전송 전극 ( 40 ) 이 설치 되 어 있 다 . 판독 게이트 트랜지스터 ( 33 ) 는 , p 웰 층 ( 35 ) 의 표층 에 형성 된 p 형 층 으로 이루어진다 . 판독 게이트 트랜지스터 ( 33 ) 위 에 는 , 전송 전극 ( 41 ) 으로 구성 되 어 있 다 . 각 전송 전극 ( 40 , 41 ) 에 는 , 예 를 들 면 저 저항 폴리 실리콘 이 이용 된다 .