반도체 내 에서 의 금속 원소 의 확산 거리 는 절연 층 ( ex , 산화물 등 ) 내 에서 의 금속 원소 의 확산 거리 에 비하 여 매우 길 다 . 즉 , 금속 원소 는 반도체 내 에서 는 비교 적 자유 롭 게 이동하 는 반면 에 , 금속 원소 는 절연 층 에 의해서 확산 경로 가 차단 될 수 있 다 . 이때 , 상기 제 1 게터 링 영역 ( 165 ) 이 형성 된 제 1 충전 반도체 패턴 ( 160 ) 은 상기 제 1 소자 반도체 층 ( 200 ) 에 접촉 하 고 있 기 때문 에 , 상기 제 1 소자 반도체 층 ( 200 ) 내 금속 원소 들 은 상기 제 1 게터 링 영역 ( 165 ) 으로 이동 이 자유 롭 다 .