본 발명 의 일 실시 예 에 따른 플래시 메모리 셀 의 제조 방법 은 우선 , 도 3 에 도시 한 바 와 같이 , 반도체 기판 ( 100 ) 에 트렌치 영역 ( 53 , 54 ) 을 형성 하 고 , 트렌치 영역 ( 53 , 54 ) 에 절연 물질 을 채워 소자 분리 막 ( 60 ) 을 형성 한다 . 이러 한 트렌치 영역 ( 53 , 54 ) 은 도 1 의 트렌치 라인 ( 19 ) 에 대응 한다 . 복수 개 의 트렌치 라인 ( 19 ) 은 비트 라인 ( BL ) 방향 에 평행 하 게 형성 된다 . 그리고 , 트렌치 라인 ( 19 ) 을 제외 한 반도체 기판 ( 100 ) 상 에 제 1 산화 막 ( 110 ) 을 형성 한다 . 그리고 , 반도체 기판 ( 100 ) 및 제 1 산화 막 ( 110 ) 위 에 제 1 다결정 실리콘 층 ( 120 ) 을 증착 한다 .