도 2 는 , 능동 매트릭스 타입 의 화소 의 전자 소자 를 포함 하 는 회로도 이 다 . 소자 는 트랜지스터 , 커패시터 및 상호 연결 배선 을 포함 한다 . 화소 는 하나 이상 의 트랜지스터 를 포함 할 수 있 다 . 이 도면 은 두 개 의 박막 트랜지스터 ( TFTs ) 를 사용 하 는 실시 예 를 도시 한다 . 두 개 의 TFT ( 20 및 21 ) 는 각각 게이트 ( 22 및 23 ) , 소스 ( 24 및 25 ) 및 드레 인 ( 26 및 27 ) 을 갖 는다 . 두 개 의 트랜지스터 는 직렬 로 연결 된다 . 게이트 ( 22 및 23 ) 는 전압 ( Vgate ) 을 갖 는 게이트 제어 라인 ( 30 ) 에 연결 된다 . 소스 ( 24 ) 는 전압 ( Vsource ) 을 갖 는 소스 제어 라인 ( 31 ) 에 연결 된다 . 드레 인 ( 27 ) 은 커패시터 ( Cew ) ( 32 ) 및 커패시터 ( Cst ) ( 33 ) 에 연결 된다 . 커패시터 ( Cew ) 는 , 도 1 의 화소 의 전극 ( 14 ) 에 의해 형성 된 판 ( 34 ) 과 제 2 유체 ( 12 ) 에 의해 형성 된 판 ( 35 ) 을 갖 는 일렉트로 웨 팅 커패시터 이 다 . 판 ( 35 ) 은 , 신호 라인 ( 16 ) 에 의해 제 2 유체 에 인가 된 전압 인 전압 ( Vtop ) 에 연결 된다 . 커패시터 ( Cst ) 는 판 ( 36 및 37 ) 을 갖 는 저장 커패시터 이 다 . 판 ( 37 ) 은 , 전압 ( Vstorage ) 이 인가 되 는 저장 제어 라인 ( 40 ) 에 연결 된다 .