각각 의 상기 게이트 절 연막 들 ( 145 ) 은 하나 의 박막 또는 복수 의 박막 들 을 포함 할 수 있 다 . 일 실시 예 로 , 상기 게이트 절 연막 ( 145 ) 은 전하 트랩 형 플래시 메모리 트랜지스터 의 터널 절 연막 및 전하 저 장막 을 포함 할 수 있 다 . 상기 터널 절연 막 은 상기 전하 저 장막 보다 큰 밴드 갭 을 갖 는 물질 들 중 의 한 가지 일 수 있 다 . 예 를 들 어 , 상기 터널 절연 막 은 알루미늄 산화 막 및 하프늄 산화 막 등 과 같 은 고유 전막 들 중 의 하나 일 수 있 다 . 상기 전하 저장 막 은 실리콘 질화 막 과 같 은 트랩 사이트 가 풍부 한 절 연막 , 부유 게이트 전극 , 또는 도전 성 나노 돗 들 ( conductive nano dots ) 을 포함 하 는 절 연막 중 의 한 가지 일 수 있 다 . 상기 터널 절연 막 은 상기 채널 막 ( 135 ) 과 직접 접촉 할 수 있 다 . 한편 , 도시 되 진 않 았 지만 , 각각 의 상기 게이트 전극 들 ( LSL , WL 1 , WL 2 , USL ) 과 상기 전하 저 장막 사이 에 블로킹 절 연막 이 개재 될 수 있 다 . 상기 블로킹 절연 막 은 각각 의 상기 게이트 전극 들 ( LSL , WL 1 , WL 2 , USL ) 과 상기 절 연막 ( 110 ) 사이 로 연장 될 수 있 다 . 상기 블로킹 절연 막 은 상기 터널 절 연막 보다 작 고 상기 전하 저 장막 보다 큰 밴드 갭 을 갖 는 물질 들 중 의 한 가지 일 수 있 다 . 예 를 들 어 , 상기 블로킹 절연 막 은 알루미늄 산화 막 및 하프늄 산화 막 등 과 같 은 고유 전막 들 중 의 하나 일 수 있 다 .