상술 한 반도체 활성 층 ( 231 ) 과 게이트 전극 ( 232 ) 사이 에 는 게이트 절연 층 ( 212 ) 이 형성 되 고 , 상기 게이트 전극 ( 232 ) 의 상면 에 는 제 1 절연 층 ( 213 ) 이 형성 되 는데 , 제 1 절연 층 ( 213 ) 은 후술 할 배선 영역 ( 250 ) 에 도 동시 에 형성 된다 . 그리고 , 제 1 절연 층 ( 213 ) 의 상면 에 연속 하 여 제 2 절연 층 ( 214 ) 이 형성 되 는데 , 제 2 절연 층 ( 214 ) 는 마찬가지 로 배선 영역 ( 250 ) 에 도 동시 에 형성 된다 .