반도체 장치 의 커패시터 형성 방법 으로 , 기판 상 에 개구부 를 갖 는 몰드 막 을 형성 한다 . 상기 개구부 의 내 측벽 , 저면 및 몰드 막 상부 면 을 따라 하부 전극 용 도전 막 을 형성 한다 . 상기 개구부 내부 를 매립 하 는 희생 막 패턴 을 형성 한다 . 상기 도전 막 의 일부 를 제거 하 여 , 상기 개구부 내 측벽 및 저면 상 에 실린더 형 의 하부 노드 전극 을 형성 한다 . 상기 몰드 막 , 희생 막 패턴 및 하부 노드 전극 을 덮 는 , 습식 식각 액 이 침투 될 수 있 는 물질 로 이루어진 캡 핑 막 을 형성 한다 . 상기 캡 핑 막 을 침투 한 습식 식각 액 에 의해 상기 몰드 막 및 희생 막 패턴 을 제거 한다 . 상기 캡 핑 막 을 제거 한다 . 상기 하부 노드 전극 및 기판 의 표면 을 따라 유전 막 및 상부 전극 을 순차 적 으로 형성 한다 . 이 로써 , 커패시터 의 기울어짐 현상 을 방지 할 수 있 다 .