다음 으로 , 도 5 c 에 도시 된 바 와 같이 , 선택 질화 처리 를 행하 여 , 다 결정 실리콘 으로 구성 되 는 전 극막 ( 4 ) 의 표면 에 만 선택 적 으로 실리콘 질화물 층 을 형성 한다 . 이러 한 선택 질화 처리 는 예 를 들 어 , 압력 이 0 . 5 Torr ( = 67 Pa ) 이상 인 질소 가스 에 노출 시킴 으로써 행해진다 . 이 에 의해 , 전 극막 ( 4 ) 에 대응 하 는 관통 홀 ( 7 ) 의 내면 의 영역 에 충전 층 ( 12 ) 이 선택 적 으로 형성 된다 . 충전 층 ( 12 ) 의 두께 는 예 를 들 어 , 3 nm 이상 이 다 . 이때 , 관통 홀 ( 7 ) 의 저면 에서 노출 된 실리콘 기판 ( 2 ) 의 상면 에 도 실리콘 질화물 층 ( 22 ) 이 형성 된다 .