다음 으로 터치업 ( touch - up ) 공정 을 수행 하 고 , 이후 화학 기상 증착 법 ( Chemical Vapor Deposition : CVD ) 으로 층간 절 연막 으로서 대략 1300 Å 두께 의 　 FSG ( 145 ) 를 형성 하 고 , 형성 된 FSG ( 145 ) 상부 에 1500 Å 두께 의 제 2 SiH 4 - 산화 막 ( 150 ) 을 형성 한다 . 이후 D 1 ( 제 2 SiH 4 ( 150 ) , FSG ( 145 ) ) 포토 공정 ( PEP : Photo Engraving Process ) 을 수행 하 기 전 에 제 2 SiH 4 - 산화 막 ( 150 ) 상부 에 포토레지스트 ( 155 ) 및 추가 로 제작 된 마스크 ( 160 ) 를 이용 하 여 제 2 SiH 4 ( 150 ) , FSG ( 145 ) , 제 1 SiH 4 ( 130 ) 을 제거 하 는 포토 공정 을 수행 하 게 된다 . 즉 , 마스크 ( 160 ) 를 이용 하 여 W - 심 ( 140 ) 은 보호 하 고 , 그 주변 을 식각 하 는 것 이 다 .