메모리 셀 ( 205 ) 에 액세스 하 는 것 은 행 디코더 ( 225 ) , 열 디코더 ( 230 ) , 및 플레이트 구 동기 ( 235 ) 를 통해 제어 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 행 디코더 ( 225 ) 는 로컬 메모리 컨트롤러 ( 265 ) 로부터 행 어드레스 를 수신 하 고 수신 된 행 어드레스 에 기초 하 여 워드 라인 ( 210 ) 을 활성 화 할 수 있 다 . 열 디코더 ( 230 ) 는 로컬 메모리 컨트롤러 ( 265 ) 로부터 열 어드레스 를 수신 하 고 수신 된 열 어드레스 에 기초 하 여 디 지트 라인 ( 215 ) 을 활성 화 한다 . 플레이트 구 동기 ( 235 ) 는 로컬 메모리 컨트롤러 ( 265 ) 로부터 플레이트 어드레스 를 수신 하 고 수신 된 플레이트 어드레스 에 기초 하 여 플레이트 라인 ( 220 ) 을 활성 화 한다 . 예 를 들 어 , 메모리 다이 ( 200 ) 는 WL _ 1 내지 WL _ M 으로 라벨 링 된 다수 의 워드 라인 ( 210 ) , DL _ 1 내지 DL _ N 으로 라벨 링 된 다수 의 디 지트 라인 ( 215 ) , 및 PL _ 1 내지 PL _ P 로 라벨 링 된 다수 의 플레이트 라인 을 포함 할 수 있 으며 , 여기 서 M , N , 및 P 는 메모리 어레이 의 크기 에 의존 한다 . 따라서 , 워드 라인 ( 210 ) , 디 지트 라인 ( 215 ) , 및 플레이트 라인 ( 220 ) , 예 를 들 어 WL _ 1 , DL _ 3 , 및 PL _ 1 을 활성 화 함 으로써 , 이 들 의 교차점 에 있 는 메모리 셀 ( 205 ) 이 액세스 될 수 있 다 . 2 차원 또는 3 차원 구성 에서 워드 라인 ( 210 ) 과 디 지트 라인 ( 215 ) 의 교차점 은 메모리 셀 ( 205 ) 의 어드레스 라고 지칭 될 수 있 다 . 일부 예 에서 , 워드 라인 ( 210 ) , 디 지트 라인 ( 215 ) , 및 플레이트 라인 ( 220 ) 의 교차점 은 메모리 셀 ( 205 ) 의 어드레스 라고 지칭 될 수 있 다 .