넷째 , 본 발명 에 의하 면 , 직렬 연결 된 메모리 셀 의 게이트 구조물 사이 에 매립 된 도전 층 을 메모리 셀 의 접합 영역 저부 의 양측 부가 기판 과 접속 되 도록 형성 하 고 , 후속 열처리 공정 에 의해 접합 영역 에 포함 된 저 농도 이온 확산 층 을 형성 함 으로써 메모리 셀 이 스위칭 소자 로 동작 하 는 경우 항복 전압 을 높일 수 있 는 효과 를 얻 을 수 있 다 .