게이트 절연 층 ( 152 ) 상 에 게이트 전극 ( G ) 의 적어도 일부 와 중첩 하 는 액티브 층 ( ACT ) 이 배치 된다 . 액티브 층 ( ACT ) 은 비정질 실리콘 ( Amorphous Silicon ) , 다 결정 실리콘 ( Poly Crystalline Silicon ) 및 금속 산화물 ( Metal Oxide ) 반도체 로 이루어질 수 있 다 . 액티브 층 ( ACT ) 이 금속 산화물 반도체 로 이루어진 경우 , 액티브 층 ( ACT ) 은 예 를 들 어 , 인듐 갈륨 아연 산화물 ( Indium Gallium Zinc Oxide : IGZO ) , 아연 주석 산화물 ( Zinc Tin Oxide : ZTO ) 또는 아연 인듐 산화물 ( Zinc Indium Oxide : ZIO ) 중 어느 하나 로 이루어질 수 있 으나 , 이 에 제한 되 지 는 않 는다 .