일반 적 으로 , DRAM ( dynamic random access memory ) 소자 등 에 포함 되 는 커패시터 는 스토리지 전극 ( storage electrode ) , 유전 막 ( dielectric layer ) 및 플레이트 전극 ( plate electrode ) 으로 구성 된다 . 상기 와 같 은 커패시터 를 포함 하 는 메모리 소자 의 용량 을 향상 시키 기 위해서 는 커패시터 의 축 적 용량 , 즉 커패시턴스 ( capacitance ) 를 증가 시키 는 것 이 매우 중요 하 게 대두 되 고 있 다 .