도 1 을 참조 하 면 , 본 발명 의 박막 트랜지스터 는 절연성 유리 기판 ( 1 ) 위 에 게이트 전극 ( 2 ) 을 적층 하 고 , 상기 게이트 전극 ( 2 ) 을 감싸 도록 투명 한 게이트 절 연막 ( 3 ) 을 상부 에 적층 하 고 , 상기 게이트 절 연막 ( 3 ) 위 에 투명 채널 층 ( 4 ) 을 형성 하 고 , 상기 투명 채널 층 ( 4 ) 위 에 소오 스 전극 ( 5 ) , 드레 인 전극 ( 6 ) 의 투명 전극 층 이 형성 된 구조 로 이루어지 며 , 상기 투명 채널 층 ( 4 ) , 게이트 전극 ( 2 ) , 소오 스 전극 ( 5 ) , 드레 인 전극 ( 6 ) 중 적어도 어느 하나 는 In ( 1 - X ) ZnXO 재질 로 형성 된다 .