위상 변화 메모리 디바이스 ( 450 ) 는 또 한 하나 이상 의 액세스 디바이스 ( 401 ) 의 소스 영역 ( 443 ) 에 연결 된 소스 접촉 부 ( 447 ) 를 더 포함 한다 . 소스 접촉 부 ( 447 ) 와 드레 인 접촉 부 ( 446 ) 는 유전 물질 ( 448 ) ( 예 를 들 어 , SiO 2 ) 에 형성 되 고 , 유전 물질 ( 449 ) ( 예 를 들 어 , SiN ) 은 접촉 부 ( 446 , 447 ) 로부터 트랜지스터 ( 401 ) 를 전기 적 으로 절연 시키 기 위해 트랜지스터 ( 401 ) 의 게이트 스택 주위 에 형성 된다 . 실시 예 는 특정 유전 물질 ( 448 , 449 ) 로 제한 되 지 않 는다 .