다만 , 상기 제 2 게이트 구조물 에 포함 된 상기 제 5 게이트 전극 은 순차 적 으로 적층 된 제 2 폴리 실리콘 패턴 ( 125 ) 및 제 2 금속 패턴 ( 135 ) 을 포함 하 므로 , 도 9 를 참조 로 설명 한 공정 들 중 에서 , 제 2 희생 패턴 들 ( 225 ) 을 제거 하 여 상기 갭 을 형성 하 는 공정 에서 제거 되 지 않 을 수 있 다 . 이 에 따라 , 상기 제 5 게이트 전극 은 상기 갭 을 채우 도록 형성 되 는 제 3 및 제 4 게이트 전극 들 ( 405 , 407 ) 과 다른 구조 를 가질 수 있 다 .