본 실시 형태 에서 는 비정질 구조 의 산화물 반도체 층 ( 144 ) 을 , In - Ga - Zn - O 계 의 금속 산화물 타깃 을 사용 하 는 스퍼터링 법 에 의해 형성 하 는 것 으로 한다 . 또한 , 그 의 막 두께 는 1 nm 이상 50 nm 이하 , 바람직 하 게 는 2 nm 이상 20 nm 이하 , 보다 바람직 하 게 는 3 nm 이상 15 nm 이하 로 한다 .