그리고 , 상기 듀얼 게이트 전극 ( 330 ) 이 상기 제 1 반도체 층 ( 310 ) 의 소스 영역 ( 310 a ) 과 게이트 라인 ( 325 n ) 사이 에 형성 되 는 채널 영역 ( 310 b ) 에 대응 되 어 형성 됨 으로써 단위 픽셀 ( P ) 내 에서 가로 방향 으로 상기 듀얼 게이트 전극 ( 330 ) 이 차지 하 는 치수 를 대폭 줄일 수 있 다 .