도 6 을 참조 하 면 , 상기 마스크 패턴 들 ( 31 ) 을 식각 마스크 로 사용 하 여 상기 노출 된 하드 마스크 막 ( 25 ) 을 식각 하 여 제 3 개 구부 ( 25 H ) 를 갖 는 하드 마스크 패턴 들 ( 25 ') 을 형성 할 수 있 다 . 상기 하드 마스크 막 ( 25 ) 이 차례 로 적층 된 상기 패드 산화 막 ( 23 ) 및 상기 마스크 질화 막 ( 24 ) 으로 구성 된 경우 , 상기 하드 마스크 패턴 들 ( 25 ') 은 차례 로 적층 된 패드 산화 패턴 들 ( 23 ') 및 마스크 질화 패턴 들 ( 24 ') 로 형성 될 수 있 다 . 상기 제 3 개 구부 ( 25 H ) 에 상기 기판 ( 21 ) 이 노출 될 수 있 다 .