특히 , 다층 배선 형성 공정 의 층간 절 연막 의 평탄 화 , 콘 택 플러그 형성 매립 배선 형성 에 대해 설명 하 면 , 반도체 기판 의 소정 영역 에 STI ( Shallow Trench Isolation ) 구조 를 갖 는 소자 분리 막 을 형성 하 고 , 상부 전면 에 게이트 산화 막 및 폴리 실리콘 층 을 순차 형성 하 며 , 사진 및 식각 공정 을 통해 게이트 전극 을 형성 한 후 , 게이트 전극 을 마스크 로 이용 하 여 저 농도 불순물 이온 주입 공정 을 수행 하 여 LDD 영역 을 형성 한다 .