이 어 , 상기 라운드 형상 이 반영 된 실리콘 게르마늄 막 ( 109 ) 을 제거 하 는데 , 이때 상기 실리콘 게르마늄 막 ( 109 ) 은 수소 ( H 2 ) , 질소 ( N 2 ) , 산소 ( O 2 ) 및 불소 화합물 ( NF 3 , CF 4 등 ) 을 포함 하 는 그룹 에서 선택 되 는 적어도 하나 의 기체 플 라즈 마 를 이용 하 거나 암모니아수 ( NH 4 OH ) , 과산화수소 ( H 2 O 2 ) , 질산 ( HNO 3 ) 및 불 산 ( HF ) 을 포함 하 는 그룹 에서 적어도 하나 의 용액 과 , 탈 이온 수 ( H 2 O ) 를 포함 하 는 혼합액 을 이용 한 습식 식각 으로 제거 한다 .