실리콘 웨이퍼 의 표면 에 형성 된 산화 막 의 막 두께 는 , 예 를 들 면 , 편광 해석법 ( 엘 립 소 메트리 ( ellipsometry ) 법 ) 을 이용 하 여 측정 할 수 있 다 . 엘 립 소 메트리 법 은 , 평평 한 시료 ( 試料 ) 의 표면 에 편광 을 입사 시켜 , 반사광 의 편광 상태 의 변화 를 측정 하 고 , 시료 의 굴절 률 을 앎 으로써 , 산화 막 의 막 두께 를 측정 하 는 방법 이 다 .