또한 발광 층 ( 113 ) 의 호스트 재료 로서 TADF 재료 를 사용 하 는 경우 에 도 , 상술 한 것 을 마찬가지 로 사용 할 수 있 다 . 또한 TADF 재료 를 호스트 재료 로서 사용 하 면 , TADF 재료 에서 생성 된 삼 중항 여기 에너지 가 역항 간 교차 에 의하 여 단일 항 여기 에너지 로 변환 되 고 , 또한 발광 중심 물질 로 에너지 이동 함 으로써 , 발광 디바이스 의 발광 효율 을 높일 수 있 다 . 이때 , TADF 재료 가 에너지 도너 로서 기능 하 고 , 발광 중심 물질 이 에너지 억셉터 로서 기능 한다 . 따라서 , 호스트 재료 로서 TADF 재료 를 사용 하 는 것 은 게스트 재료 로서 형광 발광 물질 을 사용 하 는 경우 에 매우 유효 하 다 . 또한 이때 , 높 은 발광 효율 을 얻 기 위하 여 TADF 재료 의 S 1 준위 는 형광 발광 물질 의 S 1 준위 보다 높 은 것 이 바람직 하 다 . 또한 TADF 재료 의 T 1 준위 는 형광 발광 물질 의 S 1 준위 보다 높 은 것 이 바람직 하 다 . 따라서 , TADF 재료 의 T 1 준위 는 형광 발광 물질 의 T 1 준위 보다 높 은 것 이 바람직 하 다 .