최근 , 반도체 소자 나 액정 표시 소자 의 제조 에 있 어서 는 , 리소그래피 기술 의 진보 에 의해 급속히 패턴 의 미세화 가 진행 되 고 있 다 . 미세화 의 수법 으로 는 , 일반 적 으로 , 노광 광원 의 단파장 화 ( 고 에너지 화 ) 가 실시 되 고 있 다 . 구체 적 으로 는 , 종래 에 는 , g 선 , i 선 으로 대표 되 는 자외선 이 이용 되 고 있 었 지만 , 현재 는 , KrF 엑 시머 레이저 나 , ArF 엑 시머 레이저 를 사용 한 반도체 소자 의 양산 이 실시 되 고 있 다 . 또한 , 이 들 엑 시머 레이저 보다 단파장 ( 고 에너지 ) 의 EUV ( 극자외선 ) 나 , EB ( 전자선 ) , X 선 등 에 대해서 도 검토 가 실시 되 고 있 다 .