본 발명 에 따른 반도체 장치 의 제조 방법 에서 는 , 강유전체 커패시터 를 덮 는 제 1 절 연막 을 형성 하 고 , 상기 제 1 절 연막 에 상기 강유전체 커패시터 의 전극 에 도달 하 는 비교 적 지름 이 큰 제 1 개 구부 를 형성 한 다음 상기 강유전체 커패시터 의 회복 어닐링 을 행함 으로써 , 회복 어닐링 의 때 의 산소 경로 를 확보 하 고 , 제조 상 의 문제점 을 발생 시키 지 않 아 충분 한 회복 어닐링 을 실행 할 수 있 다 .