플라 즈 마 전자 온도 가 상승 하 면 , 하나 의 전자 가 갖 는 에너지 가 커지 므로 , 전자 와 가스 가 충돌 했 을 때 에 가스 가 잘 해리 되 며 , 또한 많이 해리 된 라디칼 과 나아가 전리 된 이온 등 과 같 은 전구체 가 생성 되 기 쉽 다 . 생성 된 전구체 는 폴리머 의 퇴적 에 기여 한다 . 라디칼 성 전구체 는 플 라즈 마로 부터 기판 ( W ) 에 대해 등방 ( 等方 ) 적 으로 작용 하 며 , 이온 성 전구체 는 이방 ( 異方 ) 적 으로 작용 한다 . 또한 , 에칭 대상 막 상 에 퇴적 된 전구체 는 , 고주파 전력 ( LF ) 에 의해 기판 ( W ) 으로 끌어당겨 진 희가스 이온 과 의 상호 작용 에 의해 , 에칭 대상 막 의 에칭 을 촉진 하 는 에 천트 ( etchant ) 로서 기여 한다 . 도 5 의 횡축 에 는 플 라즈 마 전자 온도 를 나타내 어 , C 4 F 6 가스 해리도 와 의 관계 를 나타낸다 . 플 라즈 마 전자 온도 가 낮 으면 , C 4 F 6 가스 의 해리 가 촉진 되 기 어려워서 , 해리 가 적 게 된 전구체 ( C 3 F 4 라디칼 , C 3 F 4 + 이온 등 ) 가 많 고 , 많이 해리 된 전구체 ( CF 2 라디칼 , CF 2 + 이온 등 ) 는 적 다 . 플 라즈 마 전자 온도 가 높 으면 , C 4 F 6 가스 의 해리 가 진행 되 어 , 많이 해리 된 CF 라디칼 이 늘어나 고 , 적 게 해리 된 전구체 는 감소 한다 . 따라서 , 무거운 희가스 에서 가벼운 희가스 로 변경 하 면 , 플 라즈 마 내 에 많이 해리 된 전구체 가 감소 하 고 적 게 해리 된 전구체 는 늘어난다 . 즉 , 무거운 희가스 에서 가벼운 희가스 로 변경 하 면 , C 3 F 4 등 과 같이 흡착 계수 ( 흡 착력 ) 가 큰 전구체 가 감소 하 고 , CF 2 등 과 같이 흡착 계수 가 작 은 전구체 는 증가 한다 . 다만 , 도 6 및 도 7 에 나타내 는 바 와 같이 , 처리 공간 ( U ) 에 생성 되 는 플라 즈 마 생 성 영역 ( P ) 에 는 , 많이 해리 된 전구체 와 적 게 해리 된 전구체 양쪽 이 존재 하 며 , 많이 해리 된 전구체 와 적 게 해리 된 전구체 의 비율 이 변한다 . 에칭 에 사용 하 는 희가스 를 Ar 가스 에서 He 가스 로 변경 함 으로써 , 많이 해리 되 어 흡착 계수 가 작 은 전구체 를 , 적 게 해리 되 어 흡착 계수 가 큰 전구체 보다 상대 적 으로 많 게 할 수 있 다 . 플라 즈 마 생 성 영역 ( P ) 에 생성 된 전구체 는 시스 영역 ( S ) 을 통해 기판 ( W ) 에 공급 된다 .