상기 인터페이스 층 ( 210 ) 은 열 이력 으로 인한 기계 적 응력 을 최소 화 하 기 위해 실리콘 칩 ( 204 ) 과 에폭시 접착 층 ( 203 ) 사이 에 개재 되 며 , 실리콘 칩 의 열팽창 계수 ( ~ 2 . 7 ppm / ℃) 와 유사 한 열팽창 계수 ( 3 내지 55 ppm / ℃ 범위 ) 를 갖 는 물질 또는 비슷 한 물 성 을 갖 는 물질 로부터 선택 된다 . 본 실시 예 에서 유사 한 물 성 을 갖 는 물질 이 라 함 은 3 내지 9 Gpa 범위 의 영 의 계수 ( Young ' s modulus ) 와 , 0 . 25 내지 0 . 4 범위 의 푸아송 비 ( Poisson ' s ratio ) 와 , 240 내지 260 ℃ 범위 의 온도 ( glass temperature ) 를 갖 는 물질 을 의미 하 는 것 으로 , 해당 조건 을 만족 하 는 물질 로 는 폴리 이미드 , ABS ( A c r y linitrilebutadienestyrene ) , BCB ( Benzocyclobutene ) , PS ( Polystyrene ) , PMMA ( Polymethylmethacrylate ) 등 을 예 로 들 수 있 다 . 인터페이스 층 ( 210 ) 의 두께 및 패턴 형상 은 집적회로 칩 의 사이즈 에 따라 가변 적 이 며 , 폴리 이미드 를 적용 하 는 경우 2 내지 7 ㎛ 두께 로 형성 했 을 때 응력 관점 에서 안정 된 증착 이 이루어진다 .