본 발명 에 따른 GaN 후막 의 제조 방법 은 ( a ) 이종기 판상 에 GaN 나노 막대 를 성 장 시켜 GaN 나노 막대 템 플레이트 를 형성 키는 단계 ; ( b ) 상기 GaN 나노 막대 템 플레이트 상 에 GaN 보호막 을 단층 또는 다층 으로 성장 시키 는 단계 ; 및 ( c ) 상기 GaN 보호막 상 에 GaN 후막 을 성장 시키 는 단계 를 포함 하 며 , 이종기 판상 에 길이 와 밀도 가 균일 한 GaN 나노 막대 로 이루어진 템 플레이트 를 형성 함 으로써 , 이종기 판 으로부터 격자 상수 차이 에 의한 스트레인 이 GaN 후막 으로 전달 되 지 않 도록 함 과 동시 에 , 상기 GaN 후막 의 제조 시 에 상기 GaN 나노 막대 가 붕괴 되 는 것 을 방지 하 기 위하 여 별도 의 GaN 보호막 을 적층 함 으로써 최종 적 으로 스트레인 이 없 는 GaN 후막 의 제조 가 가능 하 다는 것 을 특징 으로 한다 .