상기 한 과제 를 달성 하 기 위한 본 발명 에 따른 반도체 기판 의 금속 배선 은 반 도체 기판 , 기판 위 에 형성 되 어 있 으며 트렌치 를 포함 하 는 층간 절 연막 , 트렌치 의 측벽 에 형성 되 어 있 는 덮개 막 , 덮개 막 위 에 형성 되 어 있 는 장벽층 , 장벽층 위 에 형성 되 며 트렌치 를 채우 는 금속 배선 을 포함 하 고 , 금속 배선 은 반도체 기판 과 직접 접촉 하 고 있 다 .