상기 에 논의 된 바 와 같이 , 본 발명 의 실시 예 들 은 , 후면 트렌치 들 에 자 가 정렬 되 고 그 안 에 접속 비아 구조물 들 을 형성 하 는 데 사용 되 는 유전체 분리 영역 들 을 포함 하 는 3 차원 메모리 디바이스 및 그 의 제조 방법 들 에 관한 것 이 다 . 본 발명 의 실시 예 들 은 복수 의 NAND 메모리 스트링 들 을 포함 하 는 3 차원 모놀리식 메모리 어레이 디바이스 들 과 같 은 다양 한 반도체 디바이스 들 을 형성 하 는 데 사용 될 수 있 다 .