도 3 을 참조 하 면 , 기판 ( 100 ) 상 에 SiO 2 층 ( 210 ) 을 증착 한 후 포 토리 소그라 피 기술 을 이용 하 여 SiO 2 층 ( 210 ) 을 패 터닝 식각 하 여 메 쉬 패턴 형태 로 이루어지 는 SiO 2 패턴 ( 224 ) 을 형성 한다 . 실시 예 에서 는 SiO 2 패턴 ( 224 ) 의 형상 을 원기둥 형태 로 하 였 지만 , 그 외 에 도 반구형 ( hemisphere ) , 삼각형 ( triangle ) , ( 사각형 ) quadrangle , 정사 형 ( square ) , 사변형 ( tetragon ) , 사다리꼴 ( trapezium ) , 스트립 ( strip ) 의 형태 로 다양 하 게 변형 이 가능 하 다 .