응력 받 은 BOX 구 조체 를 갖 는 SOI 기판 의 다른 실시 는 응력 받 은 BOX 구조 체 내 응력 기 층 으로서 빌트인 ( built - in ) 압축 응력 을 갖 는 증착 된 전도성 박막 을 사용 한다 . 예 를 들 어 , 응력 받 은 BOX 구조 체 는 압축 응력 받 은 전기 전도성 물질 의 내장 층 ( embedded layer ) 으로 구성 될 수 있 으며 , 이 는 한쪽 면 또는 양쪽 면 에서 절연체 에 의해 캡슐 화 된다 . 텅스텐 , 몰리브덴 및 티타늄 또는 이 들 의 합금 과 같 은 내화 금속 은 빌트인 ( built - in ) 압축 응력 을 가지 면서 CMOS IC 프로세싱 산업 에서 공지 된 조건 하 에서 스퍼터링 방법 을 사용 하 여 용이 하 게 증착 될 수 있 다 . 응력 받 은 금속 의 선택 은 CMOS IC 제조 공정 과 관련 된 열 적 부담 ( thermal budget ) 및 열 적 쇼크 ( thermal shock ) 를 견딜 수 있 는 충분히 화학 적 으로 그리고 물리 적 으로 안정 해야 하 는 조건 에 의해 제한 된다 . 내장 형 응력 받 은 전 도성 층 에 대한 다른 옵션 은 금속 붕소 화물 ( 예컨대 LaB 6 , HfB 2 ) 및 금속 카바이드 ( 예컨대 HfC ) 및 금속 질화물 ( 예컨대 HfN , TaN 및 TiN ) 을 포함 한다 . 또 다른 대안 은 도핑 안 된 비정질 실리콘 의 층 을 증착 하 고 상기 층 을 비소 원자 의 고투 여량 이온 주입 으로 고도 로 도핑 하 고 , 후속 하 여 웨이퍼 를 어닐링 하 여 비소 를 활성 화 시키 고 비정질 실리콘 을 다 결정 실리콘 으로 변화 시키 는 것 이 며 이 는 추후 압축 응력 하 에 놓일 것 이 다 .