통상 적 인 화학 기상 증착 프로세스 에서 , 그 웨이퍼 캐리어 의 최 상부 표면 에서 노출 되 도록 , 통상 적 으로 웨이퍼 캐리어 로 지칭 되 는 컴포넌트 상 에 각 웨이퍼 의 최 상부 표면 이 유지 된다 . 그 후 웨이퍼 캐리어 가 반응 챔버 로 위치 되 고 기체 혼합물 이 웨이퍼 캐리어 의 표면 위 로 흐르 는 동안 원 하 는 온도 로 유지 된다 . 그 프로세스 동안 캐리어 상 의 다양 한 웨이퍼 들 의 최 상부 표면 들 상 의 모든 점 들 에서 균일 한 조건 들 이 유지 되 는 것 이 중요 하 다 . 반응 성 기체 들 의 조성 및 웨이퍼 표면 들 의 온도 에서 의 사소 한 변화 들 은 결과 적 인 반도체 디바이스 들 의 성질 들 에서 원치 않 는 변화 들 을 야기 한다 .