내부 스 페이서 층 들 ( 130 ) 은 희생 층 들 ( 120 ) 이 제거 된 영역 에 절연 물질 을 매립 하 고 , 채널 구조물 들 ( 140 ) 의 외측 에 증착 된 상기 절연 물질 을 제거 함 으로써 형성 할 수 있 다 . 내부 스 페이서 층 들 ( 130 ) 은 게이트 스 페이서 층 들 ( 164 ) 과 동일 한 물질 로 형성 될 수 있 으나 , 이 에 한정 되 지 는 않 는다 . 예 를 들 어 , 내부 스 페이서 층 들 ( 130 ) 은 SiN , SiCN , SiOCN , SiBCN , SiBN 중 적어도 하나 를 포함 할 수 있 다 .