P - 영역 ( 110 ) 및 N - 영역 ( 120 ) 은 주로 이온 주입 ( Ion Implantation ) 공정 에 의해 이루어지 는데 , 종래 에 는 이러 한 이온 주입 공정 이후 , 주입 된 3 족 및 5 족 의 불순물 을 활성 화 시켜 전기 적 인 특성 을 나타내 도록 하 는 어닐링 ( Annealing ) 공정 을 진행 하 고 , 상대 적 으로 저온 에서 진행 되 는 LPCVD 나 PECVD 공정 을 이용 하 여 P - 영역 ( 110 ) 상 에 산화 막 을 형성 하 고 , 컨 택 비아 ( contact via ) 및 메탈 라인 ( metal line ) 을 형성 하 였 다 .