메모리 셀 어레이 ( MCA ) 는 제 1 본딩 물질 ( 114 ) 및 제 1 본딩 패드 ( 115 ) 를 더 포함 할 수 있 다 . 제 1 본딩 물질 ( 114 ) 및 제 1 본딩 패드 ( 115 ) 는 수직 형 사이리스터 ( 100 V ) 의 아래 에 위치 할 수 있 다 . 제 1 본딩 물질 ( 114 ) 및 제 1 본딩 패드 ( 115 ) 는 각각 제 2 본딩 물질 ( 104 ) 및 제 2 본딩 패드 ( 115 ) 와 동일 한 물질 로 형성 될 수 있 다 . 제 1 본딩 물질 ( 114 ) 은 실리콘 산화물 을 포함 할 수 있 고 , 제 1 본딩 패드 ( 115 ) 는 금속 - 베이스 물질 을 포함 할 수 있 다 . 제 1 본딩 물질 ( 114 ) 은 본딩 산화물 이 라고 지칭 할 수 있 고 , 제 1 본딩 패드 ( 115 ) 는 본딩 금속 패드 라고 지칭 할 수 있 다 .