상기 목적 을 달성 하 기 위하 여 , 본 발명 의 다른 일면 에 따른 반도체 장치 의 배치 방법 은 , 패턴 반복 성 을 갖 는 단위 레이아웃 에 있 어서 , 단위 레이아웃 내 다 수개 의 액티브 영역 들 을 형성 하 는 액티브 레이어 를 분리 배치 하 는 단계 , 액티브 영역 위 에 게이트 영역 을 형성 하 는 게이트 레이어 를 배치 하 는 단계 , 제 2 도전 형 의 웰 영역 을 형성 하 는 웰 레이어 내 다 수개 의 액티브 영역 들 중 적어도 하나 이상 의 영역 에 제 1 도전 형 의 도핑 영역 을 배치 하 는 단계 , 웰 영역 바깥 에 다 수개 의 액티브 영역 들 중 적어도 하나 이상 의 영역 에 제 2 도전 형 의 도핑 영역 을 배치 하 되 제 1 도전 형 의 액티브 영역 에 인접 하 게 배치 하 는 단계 , 그리고 게이트 영역 들 과 연결 되 고 제 2 도전 형 의 액티브 영역 에 인접 한 적어도 하나 의 액티브 영역 에 정 션 다이오드 를 형성 하 는 제 2 도전 형 의 도핑 영역 을 배치 하 는 단계 를 포함 한다 .