본 발명 은 다 파장 발광 소자 에 관한 것 으로서 , 발광 소자 의 광 을 방출 하 는 영역 인 활성 층 을 이루 고 있 는 양자 우물 ( Quatum Well ) 층 및 양자 장벽 ( Quantum Barrier ) 층 의 두께 에 따라 다른 파장 대 의 광 을 방출 시키 는 현상 을 이용 하 여 , 양자 우물 층 과 양자 장벽층 사이 의 계면 을 요철 형상 을 따라 형성 시켜서 위치 에 따라 두께 를 다르 게 형성 함 으로써 , 하나 의 발광 소자 칩 에서 다양 한 파장 대 의 광이 방출 되 도록 구현 할 수 있 고 , 간단 한 공정 을 통해 패 키 징 할 수 있 으며 , 신뢰 성 또한 향상 된 다 파장 발광 소자 및 그 제조 방법 에 관한 것 이 다 .