일부 실시 형태 에 따르 면 , SRAM 매크로 ( 22 ) 의 전체 높이 ( HT 4 ) 는 , 도 1 에 도시 된 바 와 같이 , H 1 * k 인 표준 셀 높이 ( H 1 ) 의 정수 배 와 동일 하 고 , 수 k 는 SRAM 매크로 ( 22 ) 에 대응 하 는 표준 셀 의 수이 다 . 주변 부분 ( 26 A ) 은 로직 셀 로 간주 되 기 때문 에 , 주변 부분 ( 26 A ) 의 셀 은 표준 셀 영역 ( 21 ) 내 의 표준 셀 ( 23 ) 의 열 에 수평 으로 정렬 된다 . 따라서 , 주변 부분 ( 26 A ) 내 의 셀 의 상부 열 의 상부 경계 는 , 점선 ( 32 ) 으로 표시 된 바 와 같이 , 표준 셀 ( 23 ) 하나 의 열 의 상부 경계 와 수평 을 이룬다 . 대안 적 으로 , SRAM 어레이 ( 24 ) 의 하부 경계 는 표준 셀 ( 23 ) 의 하나 의 행 ( Srow - n ) 의 하부 경계 와 수평 을 이룬다 . 또한 , 필러 셀 영역 ( 28 ) 의 상부 경계 는 표준 셀 열 ( Srow - A ) 의 하부 경계 와 수평 을 이룰 필요 가 있 다 . 이것 은 , SRAM 어레이 ( 24 ) 와 필러 셀 영역 ( 28 ) 의 결합 된 영역 의 전체 높이 인 전체 높이 ( HT 3 ) 는 표준 셀 높이 ( H 1 ) 의 정수 배 , n * H 1 과 동일 하 게 될 필요 가 있 다 ( H 1 은 표준 셀 높이 ) 는 것 을 의미 한다 . 필러 셀 영역 ( 28 ) 의 높이 ( HT 2 ) 는 이 요구사항 을 만족 시키 기 위해 선택 된다 .