본 발명 의 실시 예 에 따른 이미지 센서 는 회로 영역 을 포함 하 는 반도체 기판 ( 100 ) 상 에 형성 된 금속 배선 층 ( 130 ) ; 상기 금속 배선 층 ( 130 ) 상 에 상호 이격 되 어 형성 된 제 1 도전 형 전도 층 ( 201 ) ; 상기 제 1 도전 형 전도 층 ( 201 ) 상 에 형성 된 진성 층 ( intrinsic ) ( 401 ) : 상기 진성 층 ( 401 ) 상 에 형성 된 제 2 도전 형 전도 층 ( 501 ) 을 포함 할 수 있 다 .