예 를 들 어 신호 배선 층 ( 182 ) 가 전해 도금 된 다양 한 예시 적 인 시나리오 에서 , 블록 S 10 은 신호 배선 층 ( 182 ) 을 전해 도금 하 기 에 앞서 하나 이상 의 시드 층 을 형성 하 는 것 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 도 2 i 에 도시 되 지 않 았 지만 , 블록 S 10 은 제 2 인 캡슐 레이팅 물질 ( 170 ) , 제 2 반도체 다이 ( 160 ) 및 / 또는 제 2 금속 필러 ( 150 ) 의 상면 상 에 하나 이상 의 시드 층 을 형성 하 는 것 을 포함 할 수 있 다 . 이러 한 시드 층 은 다양 한 물질 의 어느 것 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 시드 층 은 구리 를 포함 할 수 있 다 . 또한 , 예 를 들 어 , 시드 층 은 다양 한 금속 ( 예 를 들 어 , 은 , 금 , 알루미늄 , 텅스텐 , 티타늄 , 니켈 , 몰리 브 뎀 등 ) 의 어느 것 의 하나 이상 의 층 을 포함 할 수 있 다 . 시드 층 은 다양 한 기법 ( 예 를 들 어 , 스퍼터링 또는 다른 물리 적 기상 증착 ( PVD ) 기법 , 화학 적 기상 증착 ( CVD ) , 무전 해 도금 , 전해 도금 등 ) 의 어느 것 을 사용 하 여 형성 될 수 있 다 . 시드 층 은 예 를 들 어 , 후속 하 는 전 해도 금 공정 동안 사용 될 수 있 다 .