상기 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 반도체 메모리 장치 는 외부 로부터 인가 되 는 외부 전원 전압 의 레벨 의 범위 에 대응 하 는 전압 검출 신호 를 발생 하 는 전압 범위 검 출부 , 및 상기 전압 검출 신호 에 응답 하 여 상기 외부 전원 전압 의 레벨 의 범위 에 대응 하 는 제어 신호 를 발생 하 는 제어 신호 발생 부 를 구비 하 여 , 상기 제어 신호 에 응답 하 여 스펙 상 의 특성 을 만족 하 는 동작 을 수행 하 는 것 을 특징 으로 한다 .