본 발명 의 화소 구조 의 제조 방법 은 다음 과 같 은 단계 를 포함 한다 . 먼저 , 제 1 도전 층 이 기판 상 에 형성 된다 . 제 1 마스크 를 이용 하 여 상기 제 1 도전 층 을 패 터닝 하 여 게이트 를 형성 한다 . 다음 으로 , 상기 게이트 를 덮 으면서 상기 기판 상 에 유전 층 을 형성 한다 . 상기 유전 층 상 에 반도체 물질 층 을 형성 한다 . 상기 제 1 마스크 를 다시 이용 하 여 상기 반도체 물질 층 을 패 터닝 하 여 상기 유전 층 상 에 반도체 층 을 형성 한다 . 계속 하 여 , 상기 기판 상 에 제 2 도전 층 을 형성 한다 . 제 2 마스크 를 이용 하 여 상기 제 2 도전 층 을 패 터닝 하 여 상기 기판 상 에 소스 / 드레 인 을 형성 한다 . 이어서 , 상기 기판 상 에 제 3 도전 층 을 형성 한다 . 제 3 마스크 를 이용 하 여 상기 제 3 도전 층 을 패 터닝 하 여 상기 기판 상 에 상기 드레 인과 전기 적 으로 연결 되 는 화소 전극 을 형성 한다 .