밴드 갭 ( band gap ) 이 다른 반도체 들 을 포함 하 는 고 전자 이동도 트랜지스터 ( HEMT ) 에서 밴드 갭 이 큰 반도체 는 도너 역할 을 한다 . 이러 한 밴드 갭 이 큰 반도체 에 의해 밴드 갭 이 작 은 반도체 에 2 DEG ( 2 - dimensional electron gas ) 가 형성 된다 . HEMT 에서 2 DEG 는 채널 로 이용 될 수 있 다 .