본 발명 의 다른 실시 예 로서 , 상기 게이트 리 세스 ( 120 ) 의 측벽 에 형성 된 실리콘 펜스 ( F ) 를 제거 하 기 위해 실리콘 이동 이 이루어지 는 온도 에서 수소 ( H 2 ) 가스 를 제공 하 여 일차 열처리 한 다음 , 상기 온도 에서 수소 및 염소 또는 실리콘 을 포함 하 는 가스 의 혼합 가스 를 제공 하 여 이 차 열처리 할 수 있 다 . 이때 , 상기 염소 를 포함 하 는 가스 로 는 염화수소 ( HCl ) 가스 또는 염소 ( Cl 2 ) 가스 가 사용 될 수 있 다 .