이런 단점 을 극복 하 기 위해 최근 NMOS 형성 영역 에 낮 은 일함수 를 갖 는 N + 폴리 실리콘 게이트 를 형성 하 고 , PMOS 형성 영역 에 높 은 일함수 를 갖 는 P + 폴리 실리콘 게이트 를 형성 하 는 듀얼 폴리 게이트 구조 가 개발 되 었 다 . 상기 듀얼 폴리 게이트 는 통상 비 도핑 된 비정질 실리콘 ( undoped a - Si ) 을 증착 한 후 NMOS 게이트 영역 및 PMOS 게이트 영역 각각 에 선택 적 으로 N + 도 펀트 또는 P + 도 펀트 를 주입 하 여 형성 한다 .