이상 에서 설명 한 바 와 같이 , 본 발명 에 의하 면 , 포토 다이오드 의 일 측 에 얼라인 되 도록 기판 상 에 베리 어 전극 을 형성 하 고 베리 어 전극 과 전기 적 으로 분리 된 트랜스퍼 트랜지스터 용 게이트 전극 을 베리 어 전극 의 일 측 기판 상 에 형성 하 여 베리 어 전극 에 트랜스퍼 트랜지스터 용 게이트 전극 과 는 별도 로 바이어스 전압 을 인가 함 으로써 , 포토 다이오드 상부 에 상기 포토 다이오드 와 반대 도전 형 으로 형성 되 는 확산 영역 의 도핑 농도 에 관계 없이 포 텐 셜 베리어 가 일정 ( 기준치 로 ) 하 게 유지 되 도록 할 수 있 다 .