게이트 절 연막 의 첫 번 째 층 및 두 번 째 층 의 막 두께 는 모두 50 nm 보다 두껍 게 한다 . 게이트 절 연막 의 첫 번 째 층 은 , 기판 으로부터 의 불순물 ( 예 를 들 면 , 알칼리 금속 등 ) 의 확산 을 막 기 위하 여 , 질화규소 막 또는 질화 산화 규소 막 이 바람직 하 다 . 또한 , 게이트 절 연막 의 첫 번 째 층 은 , 게이트 전극 의 산화 방지 외 에 , 게이트 전극 에 알루미늄 을 사용 하 는 경우 에 힐 록 방지 를 할 수 있 다 . 또한 , 미결정 반도체 막 과 접하 는 게이트 절 연막 의 세 번 째 층 은 , 0 nm 보다 두껍 고 5 nm 이하 , 바람직 하 게 는 약 1 nm 로 한다 . 게이트 절 연막 의 세 번 째 층 은 , 미결정 반도체 막 과 의 밀착 성 을 향상 시키 기 위하 여 형성 하 는 것 이 다 . 또한 , 게이트 절 연막 의 세 번 째 층 을 질화규소 막 으로 함 으로써 후 에 행해 지 는 열처리 에 의한 미결정 반도체 막 의 산화 방지 를 도모 할 수 있 다 . 예 를 들 면 , 산소 의 함유량 이 많 은 절 연막 과 미결정 반도체 막 을 접한 상태 로 열처리 를 행하 면 , 미결정 반도체 막 이 산화 될 우려 가 있 다 .