일반 적 으로 급속 열처리 방법 은 에치 된 웨이퍼 ( Etched Wafer ) 상태 에서 열처리 를 실시 하 고 있 다 . 열처리 사이클 ( Cycle ) 은 도 1 에 도시 된 바 와 같 은 사이클 을 사용 하 며 , 열처리 온도 영역 은 1100 ∼ 1250 ℃ 를 사용 하 고 있 다 . 열처리 가스 로 는 아르곤 ( Ar ) 과 산소 ( O 2 ) 의 혼합 가스 또는 아르곤 ( Ar ) 과 암모니아 ( NH 3 ) 가스 의 혼합 가스 를 사용 하 고 있 다 . 열처리 가스 에 따라 열처리 온도 영역 이 달라지 는데 , 일반 적 으로 1200 ℃ 이하 에서 는 아르곤 ( Ar ) 과 암모니아 ( NH 3 ) 가스 의 혼합 가스 를 많이 사용 하 고 있 고 , 1200 ℃ 이상 의 고온 에서 는 아르곤 ( Ar ) 과 산소 ( O 2 ) 의 혼합 가스 를 사용 하 고 있 다 . 그러나 , 도 1 에 도시 된 바 와 같 은 종래 의 열처리 방법 을 사용 할 경우 , 열처리 후 에 웨이퍼 표면 에 도 2 에 도시 된 바 와 같 은 흰색 의 헤이즈 ( Haze ) 가 발생 하 는 문제점 이 있 다 . 도 2 는 종래 방법 에 따른 급속 열처리 를 실시 한 경우 웨이퍼 표면 에 발생 하 는 헤이즈 ( Haze ) 패턴 을 보여 주 는 도면 이 다 . 도 2 에서 ' 2 영역 ' 은 헤이즈 ( Haze ) 가 발생 한 영역 이 고 , ' 1 영역 ' 은 헤이즈 ( Haze ) 가 발생 하 지 않 은 영역 이 다 . 도 2 에 나타난 바 와 같이 헤이즈 ( Haze ) 는 흰색 의 뿌연 안개 같 은 모양 을 하 고 있 다 .