본 발명 은 상기 한 종래 기술 의 문제점 을 해결 하 기 위하 여 제안 된 것 으로 , 소자 분리 용 트렌치 형성 을 위한 반도체 기판 의 식각 시 발생 하 는 식각 손상 층 이 후속 포토레지스트 패턴 제거 공정 에서 산화 되 는 것 을 방지 하 여 후속 LET 공정 에서 용이 하 게 제거 되 도록 함 으로써 , 소자 분리 용 트렌치 에 소자 분리 용 절 연막 의 매립 시 보이 드 발생 을 억제 할 수 있 는 반도체 소자 의 소자 분리 막 형성 방법 을 제공 하 는데 그 목적 이 있 다 .