이때 , 산화 질화 규소 막 ( 101 ) 또는 질화 산화 규소 막 ( 102 ) 을 형성 하 지 않 는 경우 , 단결정 반도체 기판 ( 100 ) 의 표면 에 , 자연 산화 막 , 화학 적 산화 막 , 또는 산소 를 포함 하 는 분위기 에서 UV 광 을 조사 함 으로써 형성 된 극 박 ( ultra - thin ) 산화 막 을 형성 해 두 는 것 이 바람직 하 다 . 마찬가지 로 , 단결정 반도체 기판 ( 100 ) 위 에 산 화질 화 규소 막 ( 101 ) 또는 질화 산화 규소 막 ( 102 ) 을 형성 하 기 전 에 , 상기 한 극 박 산화 막 을 형성 해 두 는 것 이 바람직 하 다 . 화학 적 으로 형성 된 산화 막 은 , 오 존수 , 과산화 수소 수 또는 황산 등 의 산화제 로 단결정 반도체 기판 의 표면 을 처리 함 으로써 형성 할 수 있 다 .