이러 한 처리 후 의 절연 막 은 표면 에 물 등 의 물질 이 부착 되 고 , 누설 전 류량 의 증대 , 막내 수분 에 의한 TDDB 특성 의 열화 등 이 발생 하 여 , 반도체 제조 에서 의 수율 ㆍ신뢰성 저하 의 하나 의 큰 원인 이 될 수 있 지만 , 이러 한 경우 에 , 본 발명 에 따른 표면 소수 화 막 을 설치 하 면 표면 소수 화 막 이 없 는 경우 에 절 연막 과 배선 이 직접 접촉 하 는 경우 에 비해 , 배선 과 접하 는 부분 의 수분 량 이 작아지 고 , 배선 으로부터 의 누설 전 류량 이 적어진다 . 따라서 TDDB 내성 이 높 은 LSI 배선 층 을 얻 을 수 있 고 , 이것 에 의해 소비 전력 이 작 으며 , 신뢰 성 이 높 은 반도체 장치 를 제조 할 수 있 게 된다 .