다음 에 , 도 6 b 에 도시 하 는 바 와 같이 , 배선 ( 71 a 내지 71 c ) , 소스 영역 및 드레 인 영역 ( 72 ) , 버퍼 층 ( 73 ) , 미결정 반도체 막 ( 58 ) , 및 게이트 절 연막 ( 52 b ) 위 에 보호 절 연막 ( 76 ) 을 형성 한다 . 보호 절 연막 ( 76 ) 은 게이트 절 연막 ( 52 a , 52 b ) 과 마찬가지 로 형성 할 수 있 다 . 또한 , 보호 절 연막 ( 76 ) 은 대기 중 에 부유 하 는 유기물 이나 금속 물 , 수증기 등 의 오염 불순물 의 침입 을 방지 하 는 막 이 고 , 치밀 한 막 인 것 이 바람직 하 다 . 또한 , 보호 절 연막 ( 76 ) 에 질화 실리콘 막 을 사용 함 으로써 버퍼 층 ( 73 ) 중 의 산소 농도 를 5 × 1019 atoms / cm 3 이하 , 바람직 하 게 는 , 1 × 1019 atoms / cm 3 이하 로 할 수 있 어 , 버퍼 층 ( 73 ) 의 산화 를 방지 할 수 있 다 .