상기 베이 킹 공정 은 150 내지 250 ℃ 에서 1 내지 5 분 간 진행 된다 . 상기 포토레지스트 패턴 형성 단계 는 , 상기 포토레지스트 의 도포 후 및 노광 전 , 및 상기 노광 된 포토레지스트 의 노광 후 및 현상 전 중 적어도 하나 에서 수행 되 는 베이 킹 공정 을 더 포함 할 수 있 다 . 상기 포토레지스트 패턴 형성 단계 에 있 어서 의 베 이킹 공정 은 70 내지 200 ℃ 에서 수행 된다 .