마그네 틱 램 은 SRAM ( static random access memory ) 보다 빠른 속도 , DRAM ( dynamic random access memory ) 과 같 은 집적도 및 플래시 메모리 ( flash memory ) 와 같 은 비휘발성 메모리 의 특성 을 가진다 . 마그네 틱 램 은 강자성 박막 을 다층 으로 형성 하 여 각 박막 의 자화 방향 에 따른 전류 변화 를 감지 함 으로써 정보 를 읽 고 쓸 수 있 는 기억 소자 로서 , 강자성 박막 의 고유 특성 에 의해 고속 , 저 전력 및 고집 적 화 가 가능 할 뿐 만 아니 라 , 플래시 메모리 와 같이 비휘발성 메모리 동작 이 가능 하 다 .