즉 , 제 1 실시 예 에 따르 는 고체 촬상 장치 에서 , 폴리 실리콘 게이트 전극 ( 210 또는 220 ) 과 알루미늄 층 에 형성 된 제 1 배선 ( 100 ) 사이 의 커패시턴스 를 저감 함 으로써 , 수평 전송 부 ( 10 ) 에서 단자 들 사이 의 커패시턴스 와 저항 으로부터 얻 어 질 수 있 는 시정수 가 감소 될 수 있 고 , 이 에 의해 수평 전송 구동 펄스 의 언 샤프 니스 를 감소 할 수 있 다 .