반도체 디바이스 의 처리 속도 가 빨라짐 에 따라 반도체 디바이스 에 사용 되 는 신호 의 주파수 가 높 아 지 고 있 으며 , 이 에 따라 고속 신호 의 고품질 전송 에 대한 요구 가 증가 하 고 있 다 . 고주파 신호 를 전달 하 는 신호 핀 ( 13 S ) 은 높 은 주파수 대역 에서 외부 전자기파 나 상호 간 의 간섭 현상 ( cross - talk ) 에 매우 민감 한 특성 을 갖 지만 , 도전 성 재질 의 소켓 몸 체부 로 인해 전자기파 를 차폐 하 여 고주파 동작 시 노이즈 와 간섭 현상 ( cross - talk ) 을 효과 적 으로 억제 시킬 수 있 다 .