다음 으로 , 제 2 가교 결합 층 ( 19 b ) 에 의해 간격 이 제 4 간격 ( S 4 ) 으로 축소 된 제 2 포토레지스트 패턴 ( 17 b ) 과 제 2 가교 결합 층 ( 19 b ) 을 식각 장벽 으로 하 여 하부 의 제 2 OBARC ( 16 b ) , 제 1 하드 마스크 폴리 실리콘 패턴 ( 15 a ) 을 식각 한다 . 이하 , 제 1 하드 마스크 폴리 실리콘 패턴 ( 15 a ) 의 식각 을 1 차 하드 마스크 폴리 실리콘 식각 공정 이 라 하 며 , 2 차 식각 을 통해 형성 된 패턴 을 ' 제 2 하드 마스크 폴리 실리콘 패턴 ( 15 b ) ' 이 라 한다 . 이 처럼 , 제 2 하드 마스크 폴리 실리콘 패턴 ( 15 b ) 은 제 1 하드 마스크 폴리 실리콘 패턴 ( 15 a ) 의 라인 중앙 부분 을 식각 하 여 형성 하 므로 , 제 1 하드 마스크 폴리 실리콘 패턴 ( 15 a ) 을 2 개 로 분할 하 는 형태 가 되 어 제 2 하드 마스크 폴리 실리콘 패턴 ( 15 b ) 은 미세 라인 선폭 을 가지 게 된다 .