상기 에서 , 게이트 를 형성 한 후 게이트 측벽 에 스 페이서 를 형성 하 는 단계 를 더 포함 한다 . 제 1 절연 막 은 10 Å 내지 50 Å 의 두께 로 형성 한다 . 제 2 절연 막 은 고밀 도 플 라즈 마 ( High Density Plasma ; HDP ) 산화 막 으로 형성 한다 . 제 2 절연 막 은 30 Å 내지 200 Å 의 두께 로 형성 한다 .