한편 , 상기 스토리지 전극 배선 ( 120 ) 의 상부 에 위치 하 는 보호막 ( 118 ) 상 에 는 스토리지 전극 ( 140 ) 과 스토리지 전극 배선 ( 120 ) 을 전기 적 으로 연결 하 는 연결 배선 ( 145 ) 이 형성 되 어 있 다 . 이러 한 연결 배선 ( 145 ) 은 상기 보호막 ( 118 ) 에 형성 된 제 2 비아 홀 ( 152 ) 및 상기 보호막 ( 118 ) 및 게이트 절 연막 ( 112 ) 에 형성 된 제 3 비아 홀 ( 153 ) 을 통하 여 스토리지 전극 ( 140 ) 과 스토리지 전극 배선 ( 120 ) 을 전기 적 으로 연결 시킨다 . 여기 서 , 상기 연결 배선 ( 145 ) 은 화소 전극 ( 130 ) 과 마찬가지 로 ITO ( Indium Tin Oxide ) 또는 IZO ( Indium Zinc Oxide ) 와 같 은 투명 한 도전 성 물질 로 이루어질 수 있 다 . 이 와 같 은 구조 의 스토리지 캐 퍼시 터 에서 , 박막 트랜지스터 가 ON 되 면 , 화소 전극 ( 130 ) 에 인가 된 화소 전압 은 화소 전극 ( 130 ) 과 스토리지 전극 ( 140 ) 사이 의 보호막 ( 118 ) 을 통해 유지 된다 .