제 1 / 제 2 / 제 3 게이트 전극 ( 124 a / 124 b / 124 c ) , 제 1 / 제 2 / 제 3 소스 전극 ( 173 a / 173 b / 173 c ) 및 제 1 / 제 2 / 제 3 드레 인 전극 ( 175 a / 175 b / 175 c ) 은 제 1 / 제 2 / 제 3 채널 부 ( 154 a / 154 b / 154 c ) 와 함께 제 1 / 제 2 / 제 3 박막 트랜지스터 ( thin film transistor , TFT ) ( Qa / Qb / Qc ) 를 이루 며 , 제 1 / 제 2 / 제 3 박막 트랜지스터 ( Qa / Qb / Qc ) 의 채널 ( channel ) 은 제 1 / 제 2 / 제 3 소스 전극 ( 173 a / 173 b / 173 c ) 과 제 1 / 제 2 / 제 3 드레 인 전극 ( 175 a / 175 b / 175 c ) 사이 의 제 1 / 제 2 / 제 3 채널 부 ( 154 a / 154 b / 154 c ) 에 형성 된다 .