중간 층 실시 예의 또 다른 구 현예 는 도 5 h 내지 도 5 k 에 도시 된다 . 이 시퀀스 는 도 5 d 내지 도 5 g 를 참조 하 여 기술 된 시퀀스 와 유사 하 지만 , 하부 층 ( 56 ) 을 사용 하 지 않 고 수행 되 었 다 . 이 시퀀스 에서 , 패 터닝 된 포토레지스트 ( 57 ) 는 주석 옥사이드 층 ( 55 ) 직상 에 형성 되 고 , 포토레지스트 의 존재 시 주석 옥사이드 에칭 ( 예 를 들 어 , 수소 - 기반 에칭 ( H 2 또는 HBr ) 을 사용 하 여 ) 또는 염소 - 기반 에칭 이 이어진다 . 이어서 프로세스 는 주석 옥사이드 중간 층 ( 55 ) 으로부터 탄소 - 함유 층 ( 53 ) 으로 패턴 을 전사 하 는 것 으로 이어지 고 , 층 ( 53 ) 은 스스로 하부 층 ( 51 ) 을 패 터닝 하 기 위해 하드 마스크 로서 기능 할 수 도 있 다 . 다음 에 , 주석 옥사이드 ( 55 ) 는 탄소 - 함유 층 ( 53 ) 의 존재 시 , 예 를 들 어 , 수소 - 기반 에칭 화학 물질 ( 예 를 들 어 , 플 라즈 마의 H 2 ) 을 사용 하 여 선택 적 으로 에칭 되 고 제거 된다 . 이 들 중간 층 시퀀스 들 은 EUV 하드 마스크 프로세싱 적용 예 들 에 적합 하 다 .