보조 층 ( 155 ) 은 다 결정 반도체 ( 151 , 154 ) 위 에 옴 접촉 을 위한 저항성 접촉 부재 ( 161 , 164 ) 를 포함 하 는 바텀 게이트 구조 에서 저항성 접촉 부재 ( 161 , 164 ) 를 식각 할 때 다결정 반도체 ( 151 , 154 ) 가 함께 식각 되 는 것 을 방지 한다 . 따라서 다결정 반도체 ( 151 , 154 ) 의 백 채널 이 손상 되 는 것 을 방지 한다 . 또한 , 저항성 접촉 부재 ( 161 , 164 ) 식각 단계 에서 반도체 가 일부 식각 될 것 을 고려 하 여 과도 하 게 두껍 게 형성 할 필요 가 없 으므로 결정화 를 용이 하 게 수행 할 수 있 다 .