최근 의 반도체 소자 는 높 은 집적도 를 가지 면서 도 고 성능 을 가질 것 을 요구 하 고 있 다 . 이 와 같이 , 고도 로 집적 된 반도체 소자 를 형성 하 기 위하 여 반도체 소자 내 에 포함 되 는 도전 성 패턴 의 선폭 및 상기 도전 성 패턴 간 의 간격 이 매우 감소 되 고 있 다 . 또한 , 상기 도전 성 패턴 들 사이 에 형성 되 는 콘 택 플러그 의 사이즈 가 매우 감소 되 고 있 다 .