듀얼 폴리 게이트 를 형성 하 기 위해 반도체 층 내 에 불순물 을 주입 하 고 , 주입 된 불순물 을 활성 화 시키 기 위해 어 닐 공정 을 수행 한다 . 이러 한 어 닐 공정 을 진행 하 는 과정 에서 듀얼 폴리 게이트 상 에 도 1 에 도시 된 바 와 같이 , 핀 홀 ( pin hole , 100 ) 이 발생 할 수 있 다 . 이렇게 발생 한 핀 홀 ( 100 ) 은 폴리 실리콘 막 자체 의 물 성 이 열화 시킬 뿐 만 아니 라 반도체 소자 의 특성 을 저하 시킬 수 있 다 .