또한 , 산화물 반도체 층 ( 644 ) 으로서 본 실시 형태 의 산화물 반도체 적층 을 사용 한 트랜지스터 에 있 어서 는 , 전류 는 , 주로 산화물 반도체 적층 의 계면 을 흐르 는 트랜지스터 구조 이 기 때문 에 , 트랜지스터 에 광 조사 가 행해 지 고 또는 BT 스트레스 가 부여 되 어도 , 트랜지스터 특성 의 열화 는 억제 되 거나 , 또는 저감 된다 .