이어서 , 도 9 e 에 도시 된 바 와 같이 인 캡슐 레 이 션 단계 ( S 5 ) 에서 는 상기 서브 스트레이트 ( 110 ) 위 의 솔 더 볼 ( 120 ) , 반도체 다이 ( 130 ) 및 도전 성 와이어 ( 140 ) 를 에폭시 몰딩 컴 파운드 와 같 은 인 캡슐 란트 ( 150 ) 를 이용 하 여 몰드 ( mold ) 로 인 캡슐 레 이 션 하 거나 , 또는 액상 봉지 재와 같 은 인 캡슐 란트 ( 150 ) 를 이용 하 여 디 스펜서 ( dispensor ) 로 인 캡슐 레이 션 할 수 있 다 . 어떠 한 인 캡슐 레 이 션 방법 을 이용 하 건 , 상기 인 캡슐 란트 ( 150 ) 의 높이 는 상기 솔 더 볼 ( 120 ) 의 높이 를 초과 하 지 않 도록 함 이 바람직 하 다 . 더욱 바람직 하 기 로 는 , 상기 인 캡슐 란트 ( 150 ) 의 높이 가 상기 솔 더 볼 ( 120 ) 의 높이 의 50 ~ 99 % 정도 가 되 도록 함 이 좋 다 . 즉 , 상기 인 캡슐 레 이 션 후 상기 솔 더 볼 ( 120 ) 이 상기 인 캡슐 란트 ( 150 ) 를 통해서 외부 로 노출 또는 돌출 되 도록 한다 .