제 1 실시 예 에서 의 SJ - MOS 트랜지스터 에서 는 , N 형 칼럼 ( 21 n ) 및 P 형 칼럼 ( 21 p ) 의 불순물 농도 가 일정 한 값 으로 각각 설정 되 고 , 불순물 양 의 전술 한 차 이 ( d ) 가 N 형 칼럼 ( 21 n ) 및 P 형 칼럼 ( 21 p ) 의 폭 에 의해 설정 된다 . 제 2 실시 예 에서 의 SJ - MOS 트랜지스터 에서 는 , N 형 칼럼 및 P 형 칼럼 의 폭 이 일정 한 값 으로 각각 설정 되 고 , 불순물 양 의 전술 한 차이 ( d ) 가 N 형 칼럼 및 P 형 칼럼 의 불순물 농도 에 의해 설정 된다 .