도 8 은 도 7 에서 재성장 된 에피 구조 로부터 반도체 소자 형성 을 위한 메사 제조 과정 이 도시 되 어 있 다 . 먼저 , 상부 반도체 거울 층 ( 92 ) 을 정의 하 기 위하 여 식각 방법 에 의해서 L 4 크기 의 메사 를 형성 함 과 동시 에 상부 의 제 2 반도체 전극 층 ( 8 ) 을 노출 시킨다 . 다음 으로 L 2 크기 의 소자 2 차 메사 를 형성 하 면서 하부 의 제 1 반도체 전극 층 ( 3 ) 을 노출 시키 는 2 단계 의 메사 형성 과정 을 실시 한다 . 이때 상부 반도체 거울 층 ( 92 ) 의 메사 크기 L 4 는 2 차 메사 L 2 보다 내측 에 존재 하 게 하 며 , 2 차 메사 내측 에 는 저온 재성장 된 AlGaAs 로 이루어진 양 반도체 층 ( 62 ) 이 포함 되 도록 한다 .