도 19 는 또 다른 일 실시 예 에 따른 변동 저 저항 라인 메모리 소자 ( 600 ) 를 도시 한 단면도 로서 , 기판 ( 630 ) 에 소스 ( 631 ) 와 드레 인 ( 632 ) 이 형성 되 고 , 기판 ( 630 ) 상 에 자발 분극 성 재료 를 포함 하 는 베이스 ( 610 ) 가 배치 될 수 있 다 . 도 19 에 도시 된 실시 예의 메모리 소자 ( 600 ) 도 도 18 에 도시 된 실시 예 와 같이 제 1 영역 ( 611 ) 이 제 2 영역 ( 612 ) 의 제 1 두께 ( t 1 ) 보다 두꺼운 제 2 두께 ( t 2 ) 를 가질 수 있 다 .