상기 노출 된 게이트 전극 ( 105 a ) 의 상부 에 금속 막 을 형성 할 수 있 다 . 예 를 들 면 , 상기 금속 막 은 코발트 ( Co ) , 니켈 ( Ni ) , 티탄 늄 ( Ti ) , 탄탈 늄 ( Ta ) 또는 텅스텐 ( W ) 으로 형성 될 수 있 다 . 상기 금속 막 을 형성 한 후 , 상기 반도체 기판 ( 100 ) 에 실리사이드 화 공정 을 수행 하 여 상기 게이트 전극 ( 105 a ) 의 상부 에 금속 실리사이드 막 ( 105 b ) 을 형성 한다 .