도 7 을 참조 하 면 , 패드 질화 막 의 상부 가 노출 되 도록 평탄 화 ( CMP ) 공정 을 실시 한다 . 이때 , 선 공정 에서 소자 분리 용 절 연막 상 에 잔류 하 던 잔류물 을 제거 하 여 잔류물 에 의한 손상 없이 평탄 화 공정 을 실시 할 수 있 다 . 이 후 , 식각 공정 을 통해 패드 질화 막 및 버퍼 산화 막 을 제거 한다 . 또한 습식 식각 을 통해 최종 적 으로 돌출 된 소자 분리 막 ( 109 ) 의 높이 를 조절 할 수 있 다 .