한편 , 본 명세서 에 개진 된 도전 층 , 그라운드 플레인 , 피 드라인 , 피드 비아 , 다이폴 안테나 패턴 , 패치 안테나 패턴 , 차폐 비아 , 디렉터 패턴 , 전기 연결구 조체 , 도금 부재 , 코어 비아 , 블로킹 패턴 은 , 금속 재료 ( 예 : 구리 ( Cu ) , 알루미늄 ( Al ) , 은 ( Ag ) , 주석 ( Sn ) , 금 ( Au ) , 니켈 ( Ni ) , 납 ( Pb ) , 티타늄 ( Ti ) , 또는 이 들 의 합금 등 의 도전 성 물질 ) 를 포함 할 수 있 으며 , CVD ( chemical vapor deposition ) , PVD ( Physical Vapor Deposition ) , 스퍼터링 ( sputtering ) , 서브 트랙 티 브 ( Subtractive ) , 애디 티 브 ( Additive ) , SAP ( Semi - Additive Process ) , MSAP ( Modified Semi - Additive Process ) 등 의 도금 방법 에 따라 형성 될 수 있 으나 , 이 에 한정 되 지 않 는다 .