이 에 반해 , MoS 2 박막 채널 이 다중 헤테로 접합 을 포함 하 는 경우 , 헤테로 접합 이 수직 방향 으로 형성 된 제 6 광전 소자 가 헤테로 접합 이 수평 방향 으로 형성 된 제 5 광전 소자 보다 현저 하 게 향상 된 광 응답 특성 을 나타내 는 것 으로 측정 되 었 다 . 구체 적 으로 , 광 응답 성 ( photoresponsivity ) 측면 에서 , 제 5 광전 소자 는 2 . 02 × 102 A / W 으로 제 2 광전 소자 에 비해 약 7 . 8 배 감소 되 었 으나 , 제 6 광전 소자 는 9 . 26 × 104 A / W 으로 제 2 광전 소자 에 비해 약 58 . 6 배 증가 한 것 으로 측정 되 었 다 . 이 는 제 5 광전 소자 에 형성 된 수평 방향 의 약 245 개 의 헤테로 접합 이 캐리어 전송 ( carrier transport ) 을 방해 하 는 베리어 ( barrier ) 로 기능 할 뿐 만 아니 라 채널 스 캐 터 링 ( channel scattering ) 이 동반 되 어 광 감지 특성 이 저하 되 었 기 때문 인 것 으로 판단 된다 . 이 와 달리 , 제 6 광전 소자 에 형성 된 수직 방향 의 헤테로 접합 은 캐리어 전송 ( carrier transport ) 에 대한 베리어 ( barrier ) 로 기능 하 지 않 을 뿐 만 아니 라 약 10 ㎛ 의 채널 폭 내 의 약 326 개 의 헤테로 접합 들 의 층간 갭 ( ~ 0 . 49 eV ) 및 공핍 영역 ( depletion region ) 에 의해 생성 된 내부 전기장 ( built - in electric field ) 때문 에 전자 - 정공 쌍 의 빠른 분리 와 재결합 이 최대 로 향상 되 기 때문 에 , 제 6 광전 소자 는 제 5 광전 소자 보다 현저 하 게 향상 된 광 응답 특성 을 나타내 는 것 으로 판단 된다 . 이러 한 특징 들 은 광 응답 곡선 에서 도 잘 나타났 다 . 제 6 광전 소자 의 라이징 시간 / 감쇄 시간 은 0 . 02 s / 0 . 025 s 로서 , 제 5 광전 소자 ( 12 . 31 s / 13 . 705 s ) 보다 486 . 5 배 / 632 . 2 배 빨라진 것 을 확인 할 수 있 다 .