이러 한 구성 을 갖 는 온 다이 터 미 네이션 회로 ( 34 ) 는 다수 의 저항 ( R 1 , R 2 ) 에 의한 전원 전압 ( VDDQ ) 과 접지 전압 ( VSSQ ) 간 의 전압 분배 를 통해 입출력 패드 ( 30 ) 에 연결 된 라인 의 전압 을 조절 함 으로써 , 반도체 메모리 장치 와 외부 시스템 사이 를 연결 하 는 버스 라인 의 임피던스 와 , 상기 버스 라인 과 직접 연결 된 반도체 메모리 장치 내 의 신호 라인 , 즉 , 입출력 패드 ( 30 ) 에 연결 된 라인 의 임피던스 를 매칭 시킨다 .