종래 의 탑 게이트 형 유기 박막 트랜지스터 는 기판 ( 10 ) 상 에 배치 된 소스 전극 및 드레 인 전극 ( 21 ) 과 , 이 소스 전극 및 드레 인 전극 ( 21 ) 에 각각 접하 는 유기 반도체 층 ( 23 ) 과 , 소스 전극 및 드레 인 전극 ( 21 ) 과 유기 반도체 층 ( 23 ) 을 덮 도록 배치 된 게이트 절 연막 ( 27 ) 과 , 게이트 절 연막 ( 27 ) 상 에 배치 된 게이트 전극 ( 25 ) 을 구비 한다 . 이러 한 유기 박막 트랜지스터 가 커패시터 와 어레이 형태 로 구비 될 경우 , 통상 적 으로 도 2 에 도시 된 바 와 같 은 구조 를 갖 게 된다 . 즉 , 커패시터 ( 30 ) 의 제 1 전극 ( 31 ) 이 소스 전극 및 드레 인 전극 ( 21 ) 과 동일 평면 상 에 배치 되 고 , 커패시터 ( 30 ) 의 제 2 전극 ( 32 ) 이 게이트 전극 ( 25 ) 과 동일 평면 상 에 배치 되 며 , 커패시터 ( 30 ) 의 제 1 전극 ( 31 ) 과 제 2 전극 ( 32 ) 사이 에 게이트 절 연막 ( 27 ) 이 개재 된 구조 를 갖 게 된다 .