무기 배리 어 층 은 동일 할 필요 가 없 다 . 다양 한 무기 배리 어 재료 가 이용 될 수 있 다 . 바람직 한 무기 배리 어 재료 에 는 금속 , 금속 산화물 , 금속 질화물 , 금속 탄화물 , 금속 산질 화물 , 금속 옥시 보라 이 드 및 이 들 의 조합 , 예컨대 실리카 와 같 은 산화 규소 , 알루미나 와 같 은 산화알루미늄 , 티타니아 와 같 은 산화 티타늄 , 산화 인듐 , 산화주석 , 산화 인듐 주석 ( ITO ) , 산화 탄 탈륨 , 산화지르코늄 , 산화 니오븀 , 탄화 붕소 , 탄화텅스텐 , 탄화규소 , 질화알루미늄 , 질화규소 , 질화붕소 , 산질 화 알루미늄 , 산질 화 규소 , 산질 화 붕소 , 지르코늄 옥시 보라 이드 , 티타늄 옥시 보라 이 드 및 이 들 의 조합 이 포함 된다 . 산화 인듐 주석 , 산화 규소 , 산화알루미늄 및 이 들 의 조합 이 특히 바람직 한 무기 배리 어 재료 이 다 . ITO 는 각 원소 구성 요소 의 상대 비 의 적절 한 선택 으로 전기 적 으로 전도성 이 될 수 있 는 세라믹 재료 의 특수 유형 의 예 이 다 . 무기 배리 어 층 은 바람직 하 게 는 스퍼터링 ( 예컨대 캐소드 또는 평면 마그네트론 스퍼터링 , 듀얼 AC 평면 마그네트론 스퍼터링 또는 듀얼 AC 회전 성 마그네트론 스퍼터링 ) , 증발 ( 예컨대 저항성 또는 전자 빔 증발 및 이온 빔 및 플 라즈 마 지원 침착 을 비롯 한 저항 성 또는 전자 빔 증발 의 에너지 강화 유사 물 ) , 화학 증착 , 플 라즈 마 강화 화학 증착 , 프래 팅 ( plating ) 등 과 같 은 필름 금속화 분야 에서 이용 되 는 기법 을 이용 하 여 형성 된다 . 가장 바람직 하 게 는 , 무기 배리 어 층 은 스퍼터링 , 예컨대 반응 성 스퍼터링 을 이용 하 여 형성 된다 . 증강 된 배리 어 특성 은 저 에너지 기법 , 예컨대 종래 의 증착 방법 에 비해 고 에너지 침착 기법 , 예컨대 스퍼터링 에 의해 무기 층 이 형성 되 는 경우 에 관찰 되 었 다 . 이론 에 의한 도약 없이 , 증강 된 특성 은 압착 의 결과 더 낮 은 공극 분획 을 가져오 는 , 더 큰 동력 에너지 로 기판 에 도달 하 는 응축 종 때문 인 것 으로 여겨진다 . 각 무기 배리 어 층 의 평활 도 및 연속 성 과 하부 층 에 대한 이 의 접착성 은 제 1 중합체 층 에 관해 상술 된 것 과 같 은 예비 처리 ( 예컨대 , 플라 즈 마 예비 처리 ) 에 의해 증강 될 수 있 다 .