상기 박막 트랜지스터 어레이 기판 ( B 1 ) 은 , 스위칭 영역 ( S ) 을 포함 하 는 다수 의 화소 영역 ( P ) 이 정의 된 절연 기판 ( 200 ) 의 일면 에 상기 스위칭 영역 ( S ) 마다 위치 한 박막 트랜지스터 ( T ) 와 , 상기 박막 트랜지스터 ( T ) 에 신호 를 인가 하 면서 상기 화소 영역 ( P ) 의 일 측 과 타 측 에 위치 한 게이트 배선 ( 미 도시 ) 과 데이터 배선 ( 미 도시 ) 을 포함 하 며 , 상기 화소 영역 ( P ) 에 는 상기 박막 트랜지스터 ( T ) 와 접촉 하 는 화소 전극 ( 121 ) 을 포함 한다 .