본 발명 의 NW 는 하나 이상 의 III - V 화합물 반도체 로부터 형성 된다 . 바람직 하 게 는 , NW 는 각각 의 NW 에서 광 발생 영역 을 생성 하 기 위해 하 기 논의 된 바 와 같이 성장 된 III - V 족 화합물 로 구성 된다 . 바람직 하 게 는 , 광 발생 영역 은 각각 헤테로 구조 를 포함 한다 . III - V 족 화합물 과 상 이 한 하나 초과 의 족 이 존재 할 수 있 지만 , 존재 하 는 모든 화합물 이 III - V 족 화합물 인 것 이 바람직 하 다 .