상기 수평 전극 들 ( GP ) 의 일부 를 관통 하 며 제 1 방향 ( D 1 ) 으로 연장 하 는 분리 절연 패턴 ( 19 ) 이 제공 될 수 있 다 . 일 예 로 , 상기 분리 절연 패턴 ( 19 ) 은 상기 수직 전극 들 ( 140 ) 사이 에서 상기 수평 전극 들 ( GP ) 중 스트링 선택 트랜지스터 의 게이트 전극 들 을 제 2 방향 ( D 2 ) 으로 분리 할 수 있 다 . 일 예 로 , 상기 수평 전극 들 ( GP ) 중 최상층 수평 전극 및 두 번 째 최상층 수평 전극 이 상기 분리 절연 패턴 ( 19 ) 에 의하 여 관통 될 수 있 다 . 상기 분리 절연 패턴 ( 19 ) 은 실리콘 산화 막 또는 실리콘 질화 막 을 포함 할 수 있 다 .