이 와 는 관계없이 , 도 24 - 26 은 서로 이격 된 실리콘 - 함유 메사 ( 65 ) 들 각각 의 위 에 개별 적 인 다이오드 ( 75 ) 들 을 형성 하 는 과정 을 제시 한다 . 일 실시 예 에서 는 개별 다이오드 들 이 p - 형 실리콘 - 함유 영역 ( 20 ) 과 , n - 형 실리콘 - 함유 영역 ( 16 , 18 ) 을 포함 한다 . 일 실시 예 에서 는 개별 다이오드 들 이 실리콘 - 함유 영역 ( 20 ) 과 금속 영역 ( 68 ) 을 포함 한다 . 일례 의 경우 이 다이오드 들 이 PCRAM ( Programmable Conductive Random Access Memory ) 애플리케이션 에 사용 될 수 있 다 .