이어서 , 하드 마스크 ( 21 ) 패턴 에 의해 드러난 반도체 기판 ( 20 ) 을 브레이크 쓰루 ( break through : BT ) 처리 하 여 위 에서 아래 로 갈수록 폭 이 감소 되 는 경사 프로 파일 을 갖 는 상부 트렌치 ( 23 a ) 를 형성 한다 . 이때 , 상부 트렌치 ( 23 a ) 는 150 Å 이하 의 깊이 로 형성 되 는 것 이 바람직 하 다 . 이 는 상부 트렌치 ( 23 a ) 의 깊이 가 그 이상 증가 하 게 되 면 후속 리세 스 게이트 공정 시 혼 이 발생 하 는 부분 까지 경사 가 생겨 혼 의 높이 가 증가 하 기 때문 이 다 . 상부 트렌치 ( 23 a ) 형성 을 위한 브레이크 쓰루 처리 공정 은 상부 트렌치 ( 23 a ) 의 경사면 을 보호 하 기 위해 폴리머 를 생성 하 는 CHF 3 가스 를 포함 하 여 수행 될 수 도 있 다 .