터널 링 유전체 층 ( 56 ) 은 , 적합 한 전기 바이어스 조건 들 하 에서 전하 터널 링 이 수행 될 수 있 는 유전체 재료 를 포함 한다 . 전하 터널 링 은 형성 될 모놀리식 3 차원 NAND 스트링 메모리 디바이스 의 동작 모드 에 따라 , 고온 - 캐리어 주입 을 통해 또는 파울러 - 노르드 하임 ( Fowler - Nordheim ) 터널 링 유도 전하 전달 에 의해 수행 될 수 있 다 . 터널 링 유전체 층 ( 56 ) 은 실리콘 산화물 , 실리콘 질화물 , 실리콘 산질 화물 , 유전체 금속 산화물 들 ( 예컨대 , 알루미늄 산화물 및 하프늄 산화물 ) , 유전체 금속 산질 화물 , 유전체 금속 실리케이트 들 , 이 들 의 합금 들 , 및 / 또는 이 들 의 조합 들 을 포함 할 수 있 다 . 일 실시 예 에서 , 터널 링 유전체 층 ( 56 ) 은 제 1 실리콘 산화물 층 , 실리콘 산질 화물 층 , 및 제 2 실리콘 산화물 층 의 스택 을 포함 할 수 있 으며 , 이 는 통상 적 으로 ONO 스택 으로서 알려져 있 다 . 일 실시 예 에서 , 터널 링 유전체 층 ( 56 ) 은 , 실질 적 으로 탄소 가 없 는 실리콘 산화물 층 또는 실질 적 으로 탄소 가 없 는 실리콘 산질 화물 층 을 포함 할 수 있 다 . 터널 링 유전체 층 ( 56 ) 의 두께 는 2 nm 내지 20 nm 범위 내 에 있 을 수 있 지만 , 더 작 은 두께 및 더 큰 두께 도 사용 될 수 있 다 . 차단 유전체 층 ( 52 ) , 전하 저장 층 ( 54 ) , 및 터널 링 유전체 층 ( 56 ) 의 스택 은 메모리 비트 들 을 저장 하 는 메모리 필름 ( 50 ) 을 구성 한다 .