도 1 을 다시 참조 하 여 보 면 , 척 ( 107 ) 은 하부 플라 즈 마 생 성 볼륨 ( 109 ) 아래 에서 챔버 ( 100 ) 의 내부 캐 버티 ( 100 D ) 내 에 배치 된다 . 일 실시 형태 에서 , 척 ( 107 ) 은 챔버 ( 100 ) 의 벽 ( 100 C ) 으로부터 캔틸레버 된다 . 일 실시 형태 에서 , 척 ( 107 ) 은 정전 척 이 며 RF 파워 를 하부 플라 즈 마 생 성 볼륨 ( 109 ) 으로 전달 하 기 위한 전극 을 제공 한다 . 척 ( 107 ) 은 기판 ( 113 ) , 즉 , 웨이퍼 ( 113 ) 를 하부 플라 즈 마 생 성 볼륨 ( 109 ) 에 노출 된 상태 로 홀딩 하 도록 정의 된다 . 일 실시 형태 에서 , 웨이퍼 에지 링 ( 149 ) 은 척 ( 107 ) 상 에서 의 기판 ( 113 ) 수용 / 홀딩 영역 주변 에 대하 여 척 ( 107 ) 상 에 배치 된다 . 여러 실시 형태 들 에서 , 웨이퍼 에지 링 은 석영 또는 실리콘 으로 형성 된다 . 또한 , 일 실시 형태 에서 , 전도체 ( 148 ) 가 웨이퍼 에지 링 ( 149 ) 아래 에 배치 되 고 웨이퍼 에지 링 ( 149 ) 을 통하 여 DC 바이어스 를 드라이브 하 도록 연결 된다 . 척 ( 107 ) 은 또한 냉각 채널 및 / 또는 가열 엘리먼트 들 의 구성 을 포함 하 도록 정의 되 어 기판 ( 113 ) 및 하부 플라 즈 마 생 성 볼륨 ( 109 ) 의 온도 제어 를 가능 하 게 한다 .