다음 에 , 게이트 전극 ( 128 a ) 및 도전 층 ( 128 b ) 을 마스크 로 하 여 일 도 전형 을 부여 하 는 불순물 원소 를 반도체 층 에 첨가 하 여 채널 형성 영역 ( 134 ) , 불순물 영역 ( 132 ) , 및 불순물 영역 ( 130 ) 을 형성 한다 ( 도 8 a 참조 ) . 여기 서 는 , p 형 트랜지스터 를 형성 하 기 위하 여 붕소 ( B ) 나 알루미늄 ( Al ) 등 의 불순물 원소 를 첨가 한다 . 여기 서 , 첨가 되 는 불순물 원소 의 농도 는 , 적절히 설정 할 수 있 다 . 또한 , 불순물 원소 를 첨가 한 후 에 는 , 활성 화 시키 기 위한 열 처리 를 행한다 . 여기 서 , 불순물 영역 의 농도 는 불순물 영역 ( 126 ) , 불순물 영역 ( 132 ) , 불순물 영역 ( 130 ) 의 순서 로 높 아 진다 .