일 실시 예 에 따른 비휘발성 메모리 장치 의 동작 방법 은 , 반도체 층 및 저항 변화 층 을 포함 하 는 수직 적층 형 구조 의 메모리 셀 어레이 중 보상 메모리 셀 에 특정 크기 의 전류 가 흐르 게 하 는 제 1 전압 을 인가 하 는 단계 ; 상기 메모리 셀 어레이 중 선택 메모리 셀 의 저항 변화 층 에 만 전류 - 온 시키 는 제 2 전압 을 인가 하 는 단계 ; 상기 메모리 셀 어레이 중 비 선택 메모리 셀 의 반도체 층 에 만 전류 - 온 시키 는 제 3 전압 을 인가 하 는 단계 ; 및 상기 선택 메모리 셀 에 상기 보상 메모리 셀 에 의해 전압 강하 된 프로그램 전압 이 인가 되 도록 상기 메모리 셀 어레이 중 프로그램 전압 을 인가 한 느 단계 ; 를 포함 한다 .