다음 , 도 6 c 와 도 7 d 에 도시 한 바 와 같이 , 상기 도핑 이 이루어진 기판 ( 101 ) 상 의 상기 게이트 및 스토리지 배선 ( 121 , 127 ) 과 제 1 및 제 2 게이트 전극 ( 123 , 125 ) 및 제 1 스토리지 전극 ( 129 ) 위 로 무기 절연 물질 예 를 들 면 산화 실리콘 ( SiO 2 ) 또는 질화 실리콘 ( SiNx ) 을 증착 하 여 층간 절 연막 ( 130 ) 을 형성 하 고 연속 하 여 상기 층간 절 연막 ( 130 ) 과 그 하부 의 게이트 절 연막 ( 113 ) 을 패 터닝 함 으로써 상기 폴리 실리콘 의 반도체 층 ( 110 ) 중 상기 제 1 및 제 2 게이트 전극 ( 123 , 125 ) 외측 에 위치 하 는 도핑 된 영역 ( 110 b ) 을 노출 시키 는 제 1 및 제 2 반도체 층 콘 택 홀 ( 133 , 135 ) 을 형성 한다 .