이 경우 , 상기 노출 된 액티브 층 ( 122 ) 의 끝 단부 와 만나 는 게이트 절 연막 ( 120 ) 은 상기 서로 이격 하 는 소스 전극 ( 133 ) 과 드레 인 전극 ( 136 ) 과 , 그 하부 로 서로 이격 하 는 불순물 비정질 실리콘 의 오 믹 콘 택 층 ( 126 ) 을 형성 하 기 위해 실시 하 는 드라이 에칭 ( dry etching ) 의 영향 으로 상기 노출 된 액티브 층 ( 122 ) 의 끝 단부 ( SA 2 ) 에서 상기 게이트 절 연막 ( 120 ) 일부 식각 되 지만 식각 정도 는 종래 대비 매우 미약 한 수준 이 되 며 , 상기 액티브 층 ( 122 ) 하부 로 도 거의 식각 되 지 않 아 언더 컷 ( under cut ) 은 거의 발생 하 지 않 거나 매우 미약 한 수준 으로 발생 하 게 된다 .