제 1 채널 홀 ( 714 a ) 내부 의 폴리 실리콘 층 에 의해 제 1 수직 채널 층 ( 730 a ) 이 형성 되 고 , 제 2 채널 홀 ( 714 b ) 내부 의 폴리 실리콘 층 에 의해 제 2 수직 채널 층 ( 730 b ) 이 형성 되 고 , 파이프 게이트 도전 층 ( 704 ) 의 트렌치 ( 706 ) 내부 의 폴리 실리콘 층 에 의해 파이프 채널 층 ( 730 c ) 이 형성 된다 .