본 발명 은 타이타늄 또는 타이타늄 합금 을 포함 하 는 기재 에 질소 ( N 2 ) 가스 를 공급 하 여 질화 표면 을 형성 하 는 단계 ; 및 상기 질화 표면 이 형성 된 기재 에 인산 ( H 3 PO 4 ) 및 불 산 ( HF ) 중 적어도 하나 를 포함 하 는 전해액 상 에서 양극 산화 시켜 다공 층 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 , 타이타늄 기재 의 표면 처리 방법 에 관한 것 이 다 .