제 2 아이 솔 레 이 션 절연 층 ( 106 ) 이 리세 싱 된 후 에 , 도 5 a 및 도 5 b 에 도시 된 바 와 같이 , 하드 마스크 층 ( 103 ) 은 더미 게이트 구조물 ( 105 ) 을 에칭 마스크 로서 사용 하 여 에칭 함 으로써 패 터닝 되 며 , 그 에 의해 채널 반도체 층 ( 102 ) 이 노출 된다 . 제 2 아이 솔 레 이 션 절연 층 ( 106 ) 의 일부 도 또한 에칭 된다 . 일부 실시 예 에서 , 제 2 아이 솔 레 이 션 절연 층 ( 106 ) 은 채널 반도체 층 ( 102 ) 의 상부 표면 과 동일 하 거나 또는 이 보다 더 아래 높이 로 에칭 된다 .