구체 적 으로 , 도 2 의 좌측 부분 및 우측 부분 은 각각 도 1 의 p - 굴절 율 희석 층 ( 24 ) 및 n - 굴절 율 희석 층 ( 12 ) 의 결정 성장 방법 및 단면 구조 를 설명 하 기 위하 여 도시 한 것 이 다 . 상기 p - 굴절 율 희석 층 ( 26 ) 은 상기 p - 클래드 층 ( 26 ) 을 구성 하 는 p - InP 물질 층 ( 52 ) 과 상기 p - 1 . 1 Q 층 을 구성 하 는 p - InGaAsP 물질 층 ( 50 ) 을 한 쌍 ( 54 ) 으로 하 여 복수 개 쌍 들 을 적층 하 여 굴절 율 을 조절 하 는 반도체 층 이 다 . 상기 p - 굴절 율 희석 층 ( 24 ) 은 50 nm 의 p - InGaAsP 층 ( 50 ) 및 100 nm 의 p - lnP ( 52 ) 를 한 쌍 ( 54 ) 으로 하 여 7 개 의 쌍 의 적층 되 어 형성 된다 . 이렇게 형성 되 는 p - 굴절 율 희석 층 ( 24 ) 은 p - 클래드 층 ( 26 ) 과 p - 1 . 1 Q 층 ( 22 ) 사이 의 중간 정도 값 의 굴절 율 을 갖 게 된다 .