상기 기술 적 과제 를 달성 하 기 위하 여 , 본 발명 에 의한 상변화 메모리 소자 는 제 1 단위 상변화 메모리 소자 부분 및 제 2 단위 상변화 메모리 소자 부분 으로 한정 된 반도체 기판 을 포함 한다 . 상기 제 1 단위 상변화 메모리 소자 부분 에 는 제 1 하부 전극 및 제 1 발열 전극 이 순차 적 으로 형성 되 어 있 고 , 상기 제 1 발열 전극 상 에 는 외측 으로 기울 기 를 갖 게 제 1 상변화 층 스 페이서 가 형성 되 어 있 다 .