제 1 가열 처리 에 의해 , 산화물 절연 층 인 절연 층 ( 437 ) 내 의 산소 를 제 1 결정 성 산화물 반도체 층 ( 450 a ) 과 의 계면 또는 그 근방 ( 계면 으로부터 플러스마이너스 5 nm ) 으로 확산 시켜 제 1 결정 성 산화물 반도체 층 의 산소 결손 을 저감 한다 . 따라서 , 하 지 절연 층 으로서 사용 되 는 절연 층 ( 437 ) 은 , 막 중 ( 벌크 중 ) , 제 1 결정 성 산화물 반도체 층 ( 450 a ) 과 절연 층 ( 437 ) 의 계면 중 어느 하나 에 는 적어도 화학량론 비 를 초과 하 는 양 의 산소 가 존재 하 는 것 이 바람직 하 다 .