그리고 , 광 흡수 층 ( 18 ) 의 두께 가 0 . 1 ㎛ 와 0 . 5 ㎛ 인 경우 에 대해 칩 을 제작 하 고 측정 한 결과 도파 로 길이 가 200 ㎛ 이상 인 경우 반응 계수 는 큰 차이 를 보이 지 않 았 다 . 상기 광 흡수 층 ( 18 ) 의 두께 가 지나치 게 두 꺼 울 경우 대부분 의 광자 가 입사 면 근처 에서 흡수 되 어 입사 면 부분 이 높 은 파워 에 대해 취약 하 게 되 고 수명 도 급격히 짧아진다 . 광 흡수 층 ( 18 ) 의 두께 가 1 ㎛ 이하 인 포토다이오드 의 경우 안정 성 ( stability ) 및 정전 파괴 ( breakdown ) 실험 에서 좋 은 결과 를 보였 다 . 광 흡수 층 ( 18 ) 의 두께 가 0 . 03 ㎛ 인 경우 도파 로 길이 가 300 ㎛ 일 때 반응 계수 가 0 . 75 A / W 의 값 을 나타내 었 다