이미 상술 한 바대 로 , 본 발명 에 따른 Ti / TiN 막 의 형성 은 Ti 막 과 계면 TiN 막 을 각각 ALD 반응 챔버 와 CVD 반응 챔버 에서 따로 수행 한다 . 이 와 달리 , 종래 의 ALD 기술 의 경우 , Ti 막 의 형성 과 계면 TiN 막 의 형성 을 동일 한 ALD 반응 챔버 에서 인 시투 ( in - situ ) 로 수행 한다 . 상기 종래 기술 의 스펙트럼 ( 301 ) 의 경우 , 2 θ 가 36 . 5 도 , 42 . 9 도 인 곳 에서 각각 피크 ( peak ) 를 형성 하 고 있 다 .