하부 전극 ( 114 ) 은 하부 전극 ( 114 ) 의 최저 면 위 에 배치 된 내부 측벽 들 을 갖 는다 . 내부 측벽 들 은 하부 전극 ( 114 ) 의 수평 연 장면 과 하부 전극 ( 114 ) 의 윗면 간 에 결합 된다 . 일부 실시 예 들 에서 , 하부 전극 ( 114 ) 의 수평 연장 면은 하부 절연 구조물 ( 110 ) 의 측벽 들 ( 110 s ) 을 가로지르 는 제 1 수평 평면 ( horizontal plane ) ( 306 ) 을 따라 연장 된다 . 일부 실시 예 들 에서 , 강유전체 물질 ( 210 ) 과 상부 전극 ( 118 ) 은 하부 절연 구조물 ( 110 ) 바로 위 로부터 하부 절연 구조물 ( 110 ) 의 윗면 ( 110 u ) 을 따라 연장 된 제 2 수평 평면 ( 308 ) 아래 의 위치 들 까지 연속 적 으로 연장 된다 . 강유전체 물질 ( 210 ) 과 상부 전극 ( 118 ) 을 제 2 수평 평면 ( 308 ) 아래 로 유지 함 으로써 , FeRAM 디바이스 ( 208 ) 의 높이 가 상대 적 으로 낮 게 유지 될 수 있 고 , 이 에 의해 FeRAM 디바이스 위 에 놓인 층 들 에 대한 공정 문제 들 을 완화 시킬 수 있 다 .