이 때 , Si 2 H 6 과 GeF 4 와 He 의 혼합 가스 를 이용 하 였 다 . 우선 ， Si 2 H 6 : 3 sccm , GeF 4 : 0 . 5 sccm , He : 1 slm ( = 1000 sccm ) 을 도입 하 여 결정핵 을 형성 하 였 다 . 다음 으로 , Si 2 H 6 : 3 sccm , GeF 4 : 0 . 03 sccm , He : 1 slm 도입 하 였 다 . 가스 압력 은 665 Pa 로 하 고 SiGe 결정 을 성장 하 였 다 . 막 두께 는 100 ㎚ 이 다 . RBS 에 의한 조성 분포 평가 에서 는 , 기판 측 20 ㎚ 이하 의 영역 에서 18 at % 이상 이 며 , 막 두께 40 ㎚ 이상 의 영역 에서 13 at % 이하 이 었 다 .