본 발명 은 듀얼 다 마신 방법 을 이용 하 는 구리 배선 형성 방법 에 관한 것 이 다 . 즉 , 본 발명 에서 는 듀얼 다 마신 방법 을 사용 하 는 구리 배선 형성 방법 에 있 어서 , 구리 배선 형성 을 위한 트렌치 및 비 아홀 내 구리 배리 어막 의 탄탄 륨 층 을 증착 시키 고 , 임 플란트 방식 을 이용 하 여 실리콘 ( Si ) 을 탄 탈륨 층 위 에 얇 게 형성 시킨 후 , 열 공정 을 통해 구리 시드 막 과 구리 배리 어막 의 탄 탈륨 층 경계 면 에 각각 구리 실리사이드 와 탄 탈륨 실리사이드 를 형성 시킴 으로써 , 구리 시드 막 과 구리 배리 어 막간 접촉 특성 을 향상 시켜 구리 배선 형성 시 소자 의 전기 적 특성 을 향상 시키 게 된다 .