도 2 와 도 3 을 참조 하 면 , 상기 발광 적 층 체 ( S ) 는 , 투명 의 기판 ( 51 ) 상 에 차례 로 형성 된 하부 콘 택 층 ( 53 ) , 활성 층 ( 55 ) , 상부 콘 택 층 ( 57 ) 및 투명 전극 층 ( 59 ) 을 포함 한다 . 상기 기판 ( 51 ) 은 III 족 질화물 반도체 층 들 의 성장 에 적합 한 사파이어 기판 인 것 이 바람직 하 다 . 상기 기판 ( 51 ) 의 저면 에 는 예 를 들 면 금속 재료 로 형성 된 반사 층 ( 500 ) 이 형성 된다 . 본 실시 예 에서 , 전술 한 메사 구조 ( M ; 도 1 참조 ) 는 , 활성 층 ( 55 ) , 상부 콘 택 층 ( 57 ) 및 투명 전극 층 ( 59 ) 을 포함 하 되 , 도시 된 바 와 같이 , 상기 하부 콘 택 층 ( 53 ) 의 일부 를 포함 할 수 있 다 . 본 실시 예 에서 , 상기 하부 콘 택 층 ( 53 ) 은 n 형 반도체 층 이 고 상기 상부 콘 택 층 ( 27 ) 은 p 형 반도체 층 일 수 있 으나 , 이 에 한정 되 는 것 은 아니 며 , 서로 반대 의 도전 형 일 수 있 다 . 상기 하부 콘 택 층 ( 53 ) 과 상기 상부 콘 택 층 ( 57 ) 사이 에 활성 층 ( 55 ) 이 개재 된다 .