구체 적 으로 , 상기 어닐링 처리 는 정공 주입 층 의 주기 적 형성 에 따라 실시 될 수 있 으며 , 서브 층 각각 이 형성 된 후 에 어닐링 처리 를 수행 할 수 있 고 , 서브 층 형성 과정 에서 어닐링 처리 를 수행 할 수 도 있 다 . 예 를 들 어 , 기판 으로부터 윗 방향 을 향해 , 서브 층 각각 은 모두 순차 적 으로 적층 설치 된 P 형 AlvGa 1 - vN 층 및 P 형 GaN 층 을 포함 할 수 있 다 . 이때 , 서브 층 각각 이 제조 된 후 에 어닐링 처리 를 수행 할 수 있 는 바 , 즉 한 층 의 P 형 AlvGa 1 - vN 층 및 한 층 의 P 형 GaN 층 을 형성 하 였을 때 마다 어닐링 처리 를 수행 할 수 있 으며 ; 또는 , P 형 AlvGa 1 - vN 층 을 형성 한 후 어닐링 처리 를 수행 하 고 , P 형 GaN 층 을 형성 한 후 재차 어닐링 처리 를 수행 할 수 있 다 .