반도체 소자 는 집적 된 패시브 회로 소자 를 가진다 . 제 1 기판 은 상기 반도체 소자 의 후면 에 형성 된다 . 패시브 회로 소자 는 절연 층상 에 형성 된다 . 패시브 회로 소자 는 인덕 터 , 캐 패 시터 및 레지스터 가 될 수 있 다 . 패 시베이 션 층 은 패시브 회로 소자 상 에 형성 된다 . 캐리어 는 패 시베이 션 층 에 부착 된다 . 제 1 기판 은 제거 된다 . 논 - 실리콘 ( non - silicon ) 기판 은 반도체 소자 의 후면 에 위치 한 절연 층상 에 형성 된다 . 논 - 실리콘 기판 은 유리 , 몰딩 컴 파운드 , 에폭시 , 폴리머 및 폴리머 복합 재의 재료 로 제조 될 수 있 다 . 부착 층 은 논 - 실리콘 기판 과 절연 층 간 에 형성 된다 . 비아 는 절연 층 과 제 1 패 시베이 션 층 간 에 형성 된다 . 캐리어 는 제거 된다 . 언더 범프 메 탈라이 제이션 ( under bump metallization , UBM ) 은 패시브 회로 소자 와 전기 적 접촉 을 하 는 패 시베이 션 상 에 형성 된다 . 솔 더 범프 는 UBM 상 에 형성 된다 .