계속 해서 , 제 2 반도체 층 ( 32 ) 상 에 소스 전극 ( 34 S ) 과 드레 인 전극 ( 34 D ) 이 구비 되 어 있 다 . 소스 및 드레 인 전극 ( 34 S , 34 D ) 은 이격 되 어 있 다 . 제 2 반도체 층 ( 32 ) 은 소스 및 드레 인 전극 ( 34 S , 34 D ) 에 대해서 하부 막 으로 사용 된다 . 소스 및 드레 인 전극 ( 34 S , 34 D ) 사이 의 제 2 반도체 층 ( 32 ) 상 에 절연 층 ( 36 ) 이 형성 되 어 있 다 . 절연 층 ( 36 ) 은 게이트 절연 층 일 수 있 다 . 절연 층 ( 36 ) 은 소스 전극 ( 34 S ) 상 으로 확장 되 어 있 다 . 절연 층 ( 36 ) 은 드레 인 전극 ( 34 D ) 상 으로 확장 될 수 도 있 다 . 절연 층 ( 36 ) 은 , 예 를 들 면 , 알루미늄 산화 막 , 실리콘 산화 막 또는 실리콘 질화 막 일 수 있 다 . 절연 층 ( 36 ) 은 소스 및 드레 인 전극 ( 34 S , 34 D ) 에 비해 훨씬 얇 을 수 있 다 . 절연 층 ( 36 ) 의 소정 영역 상 에 게이트 전극 ( 38 ) 이 존재 한다 . 게이트 전극 ( 38 ) 은 드레 인 전극 ( 34 D ) 전극 과 떨어져 있 다 . 게이트 전극 ( 38 ) 의 일부 는 소스 전극 ( 34 S ) 위 에 존재 한다 . 결과 적 으로 , 게이트 전극 ( 38 ) 의 일부 는 소스 전극 ( 34 S ) 과 겹친다 .