조명 라인 은 단축 방향 으로 전형 적 으로 약 5 내지 50 mm / s 의 공급 속도 로 반도체 층 위 로 이동 된다 . 광 빔 의 출력 밀도 ( 연속파 레이저 의 경우 ) 또는 펄스 에너지 밀도 ( 펄스 레이저 의 경우 ) 는 , 예컨대 비정질 실리콘 의 경우 , 이 실리콘 이 부분 적 으로 용융 되 고 이 용융 된 실리콘 이 후속 해서 유리 기판 상 에서 용융 되 지 않 은 고체 실리콘 으로부터 다 결정 구조 로 고화 되 도록 설정 된다 . 용융 및 고화 는 일반 적 으로 10 내지 100 ns 의 시간 스케일 로 실행 되 며 , 그 후 실온 으로 필름 의 냉각 은 일반 적 으로 수백 ㎲ 가 걸린다 .