상기 비휘발성 메모리 소자 의 형성 방법 은 반도체 기판 상 에 터널 절 연막 을 형성 하 는 것 , 상기 터널 절 연막 상 에 전하 저장 패턴 을 형성 하 는 것 , 상기 전하 저장 패턴 상 에 유전 막 을 형성 하 는 것 그리고 상기 유전 막 상 에 게이트 전극 을 형성 하 는 것 을 포함 하 되 , 상기 전하 저장 패턴 은 전하 를 저장 하 는 부유 게이트 패턴 및 전하 를 포획 하 는 전하 트랩 패턴 을 포함 한다 .