도 2 a 를 참조 하 면 , 반도체 기판 ( 200 ) 상 에 하드 마스크 패턴 ( 210 ) 이 형성 된다 . 상기 하드 마스크 패턴 ( 210 ) 은 상기 반도체 기판 ( 200 ) 상 의 패드 산화 막 ( 212 ) 및 질화 막 패턴 ( 214 ) 을 포함 한다 . 상기 하드 마스크 패턴 ( 210 ) 을 마스크 로 식각 공정 을 진행 하 여 , 상기 반도체 기판 ( 200 ) 에 트렌치 가 형성 된다 . 상기 트렌치 를 채우 며 , 활성 영역 을 정의 하 는 소자 분리 막 ( 220 ) 이 형성 된다 . 상기 소자 분리 막 ( 220 ) 은 고밀도 플라 즈 마 화학 기상 증착 방법 으로 형성 될 수 있 다 .