먼저 , 도 4 a 에 도시 된 바 와 같이 , 실리콘 기판 ( 400 ) 의 상부 일정 영역 에 는 채널 영역 ( 미 도시 ) 이 존재 한다 . 이 채널 영역 양쪽 으로 는 고농도 의 불순물 영역 인 소스 영역 및 드레 인 영역 ( 미 도시 ) 이 각각 배치 된다 . 실리콘 기판 ( 400 ) , 게이트 산화 막 ( 410 ) 및 게이트 용 폴리 실리콘 막 ( 420 ) 은 층간 절 연막 ( 430 ) 에 의해 모두 덮힌 다 . 도면 에 나타나 지 는 않 았 지만 , 소스 영역 및 드레 인 영역 은 층간 절 연막 ( 430 ) 을 관통 하 는 콘 택 에 의해 금속 전극 과 전기 적 으로 연결 된다 . 마찬가지 로 게이트 용 폴리 콘 막 ( 420 ) 또는 콘 택 을 통하 여 상부 의 금속 전극 과 전기 적 으로 연결 된다 . 통상 적 으로 이 와 같 은 금속 전극 은 다층 의 배선 구조 로 이루어진다 .