이어서 , 패 터닝 된 유기 재료 막 ( 4 ) 과 실리콘 산화 막 ( 5 ) 의 적층 구조 를 피복 함 에 있 어 , 실리콘 을 함유 하 는 재료 이 면서 제 1 실리콘 함 유막 의 재료 와 는 상이 한 재료 로 이루어지 며 , 제 1 실리콘 함 유막 에 대한 선택 비 를 갖 는 재료 로 이루어진 제 3 실리콘 함 유막 이 피착 된다 . 예컨대 , 패 터닝 된 유기 재료 막 ( 4 ) 과 실리콘 산화 막 ( 5 ) 의 적층 구조 를 피복 함 에 있 어 , 예 를 들 어 , 실리콘 을 함유 하 면서 하부 의 실리콘 질화 막 ( 3 ) 에 대한 선택 비 를 갖 는 재료 인 비결정 실리콘 ( 7 ) 이 CVD 를 이용 하 여 정합 적 으로 피착 된다 ( 도 1 d ) . 제 1 실리콘 함 유막 , 제 2 실리콘 함 유막 및 제 3 실리콘 함 유막 의 재료 들 의 조합 의 예 로 는 도 3 에 도시 된 예 들 을 들 수 있 다 .