일부 예시 에서 , 타이밍 도 는 강유 전 성 메모리 셀 에 대한 액세스 동작 의 다양 한 페이즈 ( 일부분 , 부분 ) 를 도시 할 수 있 다 . 일부 예시 에서 , 액세스 동작 및 이 에 따른 제 1 페이즈 ( 520 ) 는 메모리 셀 의 페이지 ( 가령 , 로우 ( row ) ) 를 개방 하 기 위한 활성 화 커맨드 또는 그 밖 의 다른 커맨드 를 기초 로 ( 가령 , 이 에 응답 하 여 ) 할 수 있 다 . 일부 경우 , 액세스 동작 및 이 에 따른 제 1 페이즈 ( 520 ) 가 컬럼 마스크 ( 가령 , 선택 된 하나 이상 의 디 지트 라인 , 일부 경우 비 선택 된 하나 이상 의 다른 디 지트 라인 ) 를 액세스 하 거나 그 밖 의 다른 방식 으로 지시 하 기 위한 하나 이상 의 컬럼 ( 가령 , 디 지트 라인 ) 어 드레스 를 포함 하 는 읽 기 커맨드 또는 또 다른 커맨드 를 기초 로 ( 가령 , 이 에 응답 하 여 ) 할 수 있 다 .