채널 구조물 ( C 140 C ) 은 제 1 반도체 층 ( 174 ) 및 제 2 반도체 층 ( 176 ) 을 관통 하 여 기판 ( 110 ) 의 주면 ( 110 M ) 보다 낮 은 레벨 까지 연장 될 수 있 다 . 게이트 절연 층 ( 132 C ) 은 채널 홀 ( C 140 H ) 의 내벽 상 에 배치 될 수 있 고 , 제 1 반도체 층 ( 174 ) 에 의해 둘러싸이 는 채널 구조물 ( C 140 C ) 의 측벽 ( C 140 S ) 부분 을 제외 하 고 , 채널 구조물 ( C 140 C ) 의 측벽 ( C 140 S ) 전체 와 바닥 면 전체 를 둘러싸 도록 배치 될 수 있 다 . 게이트 절연 층 ( 132 C ) 은 이 에 따라 채널 층 ( 142 ) 과 게이트 전극 ( 130 ) 사이 , 및 채널 층 ( 142 ) 과 제 1 절연 층 ( 120 ) 사이 에 배치 될 수 있 고 , 게이트 전극 ( 130 ) 의 상면 ( 130 U ) 과 바닥 면 ( 130 L ) 은 제 1 절연 층 ( 120 ) 과 접촉 할 수 있 다 .