이 때 에 는 소오 스 드레 인 정 션 을 통한 누설 전류 가 증가 하 는 것 을 막 기 위하 여 가령 , NMOS 트 렌지 스터 영역 에서 는 소오 스 드레 인 정 션 에 의한 누설 전류 를 줄이 기 위해 통상 의 소오 스 드레 인 영역 에 대한 이온 주입 보다 낮 은 dose ( 대략 5 × 1013 정도 의 dose ) 와 20 KeV ~ 30 KeV 에너지 로 P ( 인 ) 이온 주입 공정 을 진행 한다 . 또한 가령 , PMOS 트 렌지 스터 영역 에서 는 붕소 ( B ) 이온 을 1 × 1013 ~ 5 × 1013 정도 의 dose 와 6 KeV ~ 8 KeV 에너지 로 이온 주입 실시 한다 .