도 2 a 에서 도시 된 바 와 같이 , 반도체 기판 ( 21 ) 에 소자 분리 막 ( 22 ) 을 형성 한다 . 반도체 기판 ( 21 ) 은 실리콘 기판 을 포함 한다 . 소자 분리 막 ( 22 ) 은 STI ( Shallow Trench Isolation ) 공정 을 이용 하 여 형성 한다 . 소자 분리 막 ( 22 ) 은 산화 막 을 포함 한다 . 소자 분리 막 ( 22 ) 에 의해 활성 영역 ( 23 ) 이 정의 된다 .