반도체 디바이스 의 주석 ( IV ) 옥사이드 ( SnO 2 ) 를 에칭 하 기 위한 방법 들 이 제공 된다 . 일부 실시 예 들 에서 , 제공 된 방법 들 은 SiO 2 , SiC , SiN , SiOC , SiNO , SiCNO , 및 SiCN 중 하나 이상 에 대해 고 선택도 를 갖 는 주석 옥사이드 를 에칭 하 도록 사용 된다 . 일부 실시 예 들 에서 에칭 선택도 는 10 초과 , 예컨대 30 초과 , 예 를 들 어 , 50 초과 , 또는 80 초과 이 다 . 에칭 선택도 는 선택 된 프로세스 조건 들 에 대한 SnO 2 의 에칭 레이트 대 다른 재료 들 의 에칭 레이트 의 비 를 지칭 한다 . 일부 예 들 에서 , 100 의 에칭 선택도 는 SiO 2 에 대한 SnO 2 의 에칭 에 대해 달성 된다 . 이 들 에칭 선택도 들 은 H 2 를 포함 하 는 프로세스 가스 로 형성 된 플 라즈 마 와 반도체 기판 을 콘택트 하 는 것 을 수반 하 는 에칭 방법 에 대해 달성 된다 . 제공 된 방법 들 은 SnO 2 의 수소 플 라즈 마 에 대한 노출 을 통해 가스 성 SnH 4 로 고체 SnO 2 를 변환 하 는 것 을 수반 한다 . 이어서 가스 성 SnH 4 생산물 은 퍼지 및 / 또는 배기 에 의해 프로세스 챔버 로부터 용이 하 게 제거 될 수 있 다 . 일부 실시 예 들 에서 다른 재료 ( 예 를 들 어 , SiO 2 , SiC , SiN , SiOC , SiNO , SiCNO , 또는 SiCN ) 가 SnO 2 에칭 의 시작 시 반도체 기판 상 에서 노출 된다 . 다른 실시 예 들 에서 다른 재료 는 SnO 2 에칭 의 시작 시 노출 되 지 않 고 에칭 고스 동안 노출 되 게 된다 .