먼저 , 전기 적 인 대칭 구조 를 설명 하 면 , 본 발명 의 RF 밸런스 드 정합 소자 에서 , 상기 제 1 용량 패턴 ( CP 1 ) 과 제 3 용량 패턴 ( CP 3 ) 에 의해 형성 되 는 상기 제 1 커패시턴스 ( C 10 ) 는 , 상기 제 2 용량 패턴 ( CP 2 ) 과 제 4 용량 패턴 ( CP 4 ) 에 의해 형성 되 는 상기 제 2 커패시턴스 ( C 20 ) 와 동일 값 을 갖 도록 형성 되 는 것 이 바람직 하 다 .