도 2 d 는 3 - D 플러그 충 진체 가 채워진 후 의 결과 를 나타낸다 . 소자 ( 200 ) 는 플러그 충 진체 ( 250 ) 및 공극 ( 260 ) 을 포함 한다 . 플러그 충 진체 ( 250 ) 는 실리콘 게르마늄 ( SiGe ) 또는 구배 된 게르마늄 중 적어도 하나 를 포함 할 수 있 다 . SiGe 플러그 충 진체 ( 250 ) 에서 게르마늄 의 농도 는 1 % 내지 100 % 의 범위 일 수 있 다 . 게르마늄 함량 은 , 예 를 들 어 식각 공정 에서 의 제거 속도 및 열 안정 성 과 같이 , 3 D NAND 의 후속 공정 단계 에서 필요 한 바람직 한 재료 특성 을 얻 기 위해 , 조절 될 수 있 다 .