이 감광성 실록 산 조성물 을 , 스핀 코트 로 실리콘 웨이퍼 위 에 도포 하 고 , 도포 후 , 핫플레이트 위 100 ℃ 에서 90 초간 프리 베 이크 하 여 , 0 . 1 ㎛ 의 막 두께 가 되 도록 조정 하 였 다 . 프리 베 이크 후 , 니콘 FX - 604 ( NA = 0 . 1 ) 의 g , h 선 노광기 를 사용 하 여 120 mJ / ㎠ 로 노광 하 고 , 2 . 38 % TMAH 수용액 으로 현상 , 순수 에 의한 린스 를 실시 하 였 다 . 그 결과 , 10 ㎛ 의 라인 앤드 스페이스 ( L / S ) 패턴 및 콘택트 홀 ( C / H ) 패턴 이 , 잔사 등 없이 탈락 되 어 있 는 것 이 확인 되 었 다 . 또한 캐논 제조 의 PLA - 501 F 로 600 mJ / ㎠ 로 전면 노광 한 후 , 250 ℃ 에서 소성 경화 를 실시 하 고 , 광학 현미경 으로 확인 한 결과 , 모서리 가 둥글 어 지 는 정도 로 양호 한 형상 을 유지 하 고 있 고 , 10 ㎛ 의 패턴 이 유지 되 고 있 었 다 . 또한 , 수득 된 비유전율 은 3 . 1 이 었 다 .