이러 한 본 발명 의 망간 도핑 된 황화아연 나노 입자 의 제조 방법 은 최적 의 화합물 , 망간 도핑 농도 및 열처리 온도 선택 을 통해 비교 적 저온 에서 균일 한 크기 의 황화아연 나노 입자 를 효과 적 으로 제조 할 수 있 으므로 원가 절감 의 효과 가 있 고 , 제조 공정 이 단순 하 여 기존 의 공정 에 쉽 게 적용 시킬 수 있 다는 장점 을 지닌다 . 또한 , 본 발명 의 제조 방법 에 의해 제조 된 나노 입자 는 약 5 ~ 8 nm 의 크기 의 나노 입자 로 크기 가 균일 하 게 제조 되 고 550 ~ 625 nm 영역 에서 우수 한 발광 스펙트럼 을 나타내 어 붉은색 영역 의 안정 적 인 인광 특징 을 나타낸다 .