반도체 패턴 ( AL ) 은 보조 층 ( BI ) 상 에 배치 된다 . 반도체 패턴 ( AL ) 은 반도체 물질 을 포함 할 수 있 다 . 제 어 전극 ( GE ) 은 제 1 절연 층 ( IH 1 ) 을 사이 에 두 고 반도체 패턴 ( AL ) 으로부터 이격 된다 . 제 어 전극 ( GE ) 은 도전 물질 을 포함 한다 . 예 를 들 어 , 니켈 ( Ni ) , 몰리브덴 ( Mo ) , 알루미늄 ( Al ) , 티타늄 ( Ti ) , 구리 ( Cu ) , 및 텅스텐 ( W ) 과 같 은 금속 , 또는 금속 산화물 중 적어도 어느 하나 를 포함 할 수 있 다 .