구체 적 으로 , 도 3 의 반도체 제조 장치 ( 5 ) 는 도 1 및 도 2 의 반도체 제조 장치 ( 1 , 3 ) 와 비교 할 때 로드 락 챔버 ( 300 ) 에 제 2 기판 얼라 이너 ( 310 , AL 1 a , AL 1 b ) 를 위치 시키 고 , 이송 챔버 ( 500 ) 에 제 2 기판 스테이지 ( 324 , WS 2 ) 를 더 포함 하 는 것 을 제외 하 고 는 동일 할 수 있 다 . 도 3 에서 , 도 1 및 도 2 와 동일 한 참조 번호 는 동일 한 부재 를 나타낸다 . 도 3 에서 도 1 및 도 2 와 동일 한 내용 은 간단히 설명 하 거나 생략 한다 .