도 7 ( b ) 에 나타내 는 바 와 같이 , 워드 라인 ( 116 ) 의 하방 에서 는 게이트 절 연막 ( 104 ) 상 에 폴리 실리콘 막 ( 106 ) 이 형성 되 어 있 다 . 게이트 절 연막 ( 104 ) 및 폴리 실리콘 막 ( 106 ) 의 양측 에 는 , 사이드 월 ( 131 , 113 ) 이 형성 되 어 있 다 . 한편 , 도 8 ( c ) 에 나타내 는 바 와 같이 , 워드 라인 ( 116 ) 의 하방 이외 에서 는 게이트 절 연막 ( 104 ) 상 에 는 폴리 실리콘 막 ( 106 ) 이 존재 하 지 않 고 , 중간 절 연막 ( 118 ) 이 매립 되 어 있 다 . 게이트 절 연막 ( 104 ) 의 양측 에 는 사이드 월 ( 131 , 113 ) 이 형성 되 어 있 다 . 사이드 월 ( 131 ) 은 L 자 형상 으로 형성 된 실리콘 산화 막 ( 109 ) 과 , L 자 형상 으로 형성 된 실리콘 질화 막 으로 이루어지 는 전하 축적 막 ( 110 ) 과 , 전하 축적 막 ( 110 ) 의 L 자 형상 부분 을 매우 도록 형성 된 실리콘 산화 막 ( 111 ) 을 포함 하 고 있 다 . 사이드 월 ( 131 ) 의 구성 은 전하 축적 막 ( 110 ) 을 실리콘 산화 막 ( 109 및 111 ) 으로 이루어지 는 전하 장벽 막 으로 협지 한 구조 이 며 , 전하 축적 막 ( 110 ) 에 전자 를 축적 하 는 전하 유지 부 ( 전하 축적 부 ) 를 구성 한다 . 사이드 월 ( 113 ) 은 예 를 들 어 , NSG 막 으로 형성 되 는 실리콘 산화 막 이 다 . 사이드 월 ( 113 ) 은 도 7 ( b ) 에 나타내 는 바 와 같이 , 사이드 월 ( 131 ) 과 매립 도전 막 ( 114 ) 사이 에 배치 된다 . 이것 에 의해 , 사이드 월 ( 113 ) 은 사이드 월 ( 131 ) 과 매립 도전 막 ( 114 ) 을 전기 적 으로 절연 한다 . 특히 , 사이드 월 ( 113 ) 은 사이드 월 ( 131 ) 의 전하 축적 막 ( 110 ) 과 매립 도전 막 ( 114 ) 사이 를 전기 적 으로 절연 한다 . 사이드 월 ( 131 ) 은 도 1 에 나타내 는 게이트 패턴 ( 130 ) 의 내측 가장자리 부 를 따라 형성 되 어 있 다 . 바꿔 말 하 면 , 사이드 월 ( 131 ) 은 게이트 패턴 ( 130 ) 의 개구부 의 가장자리 부 를 따라 형성 되 어 있 고 , 각 확산 층 ( 112 ) 을 둘러싸 고 있 다 .