또한 , 산화물 반도체 층 ( 644 ) 의 상 층 또는 하층 에 사용 하 는 절연 층 은 , 상층 과 하층 에서 동일 한 구성 원소 를 갖 는 절연 층 으로 해도 좋 고 , 다른 구성 원소 를 갖 는 절연 층 으로 해도 좋 다 . 예 를 들 어 , 상층 과 하층 모두 조성 이 Ga 2 OX ( X = 3 + α , 0 < α < 1 ) 인 산화 갈륨 으로 해도 좋 고 , 상층 과 하층 의 한 쪽 을 조성 이 Ga 2 OX ( X = 3 + α , 0 < α < 1 ) 인 산화 갈륨 으로 하 고 다른 쪽 을 조성 이 Al 2 OX ( X = 3 + α , 0 < α < 1 ) 인 산화알루미늄 으로 해도 좋 다 .