통상 니켈 ( Nickel ) 이나 코발트 ( Cobalt ) 를 이용 하 여서 실라 시 이드 공정 을 형성 하 게 되 는데 , 이 때 에서 종래 의 공정 보다 깊 게 실리사이드 층 을 형성 하 게 된다 . 가령 , Ni 이나 Co 를 기존 보다 두껍 게 15 ~ 40 nm 정도 로 증착 하 여 기존 의 MOSFET 소자 보다 2 배 에서 4 배 정도 로 깊 은 실리사이드 층 을 형성 하 게 된다 . 또한 이 때 에 는 폴리 실리콘 게이트 상부 도 금속 실리사이드 층 이 된다 . 이 를 이용 하 여서 폴리 실리콘 게이트 를 전체 를 금속 실리사이드 로 하 여 FUSI 게이트 를 형성 할 수 도 있 다 .