본 발명 은 정공 주입 층 의 일반 형성 방식 에 대해 특별히 한정 하 지 않 으며 , 예컨대 금속 유기 화학 기상 증착 （ MOCVD ） 설비 , 분자선 에피택시 （ MBE ） 설비 , 수소화물 기상 에피택시 （ HVPE ） 설비 와 같 은 기존 의 통상 적 인 방법 중 하나 를 이용 할 수 있 다 . 본 발명 의 바람직 한 실시 형태 에서 , 정공 주입 층 은 전자 차단 층 상 에 하나 또는 복수 의 서브 층 을 형성 하 고 어닐링 을 수행 하 여 얻 어 지 며 , 여기 서 어닐링 은 순차 적 으로 수행 되 는 고온 어닐링 및 저 온 어닐링 을 포함 하 고 , 여기 서 고온 어닐링 의 온도 는 850 ~ 950 ℃ 이 고 , 시간 은 10 s ~ 20 min , 바람직 하 게 는 30 s ~ 10 min 이 고 , 더 바람직 하 게 는 30 s ~ 5 min 이 고 ; 저온 어닐링 의 온도 는 650 ~ 750 ℃ 이 고 , 시간 은 1 ~ 60 min , 바람직 하 게 는 2 ~ 30 min 이 다 .