논의 된 바 와 같이 , 기준 층 ( 532 ) 은 자기 터널 접합 ( 530 ) 을 형성 하 는 구조 들 중 하나 이 다 . 자기 터널 접합 ( 530 ) 을 포함 하 는 MRAM 스택 ( 500 ) 을 제조 하 는 방법 을 도시 하 는 흐름 도 는 도 6 b 에서 계속 된다 . 단계 ( 436 ) 에서 , 비 자기 터널 링 장벽 층 ( 534 ) 이 기준 층 ( 532 ) 상 에 증착 된다 . 일 실시 예 에서 , 비 자기 터널 링 장벽 ( 534 ) 은 절연 재료 , 예 를 들 어 MgO 의 박막 으로서 형성 되 고 1 . 1 nm 의 두께 를 갖 는다 . 비 자기 터널 링 장벽 ( 534 ) 의 목적 은 위 에서 논의 되 었 다 .