따라서 , 메모리 동작 특성 향상 과 함께 동작 전압 감소 로 신뢰 성 을 향상 시킬 수 있 다 . 즉 , 프로그램 속도 뿐 만 아니 라 , 소거 특성 도 좋 은 전하 트랩 형 메모리 소자 를 실현 할 수 있 다 . 동시 에 , 전하 트랩 층 이 실리콘 을 포함 하 는 물질 로 형성 된 경우 에 도 , 전하 트랩 층 을 그대로 유지 할 수 있 어 , 메모리 특성 의 퇴화 가 방지 될 수 있 으며 , 이 에 따라 메모리 소자 의 신뢰 성 을 향상 시킬 수 있 다 .