수직 정렬 된 CNT 는 측면 전도 가 거의 없 거나 또는 없 는 수직 으로 전류 가 흐르 도록 한다 . 메모리 셀 ( 200 ) 을 포함 하 는 메모리 레벨 상 에 제조 된 인접 한 메모리 셀 ( 도시 되 어 있 지 않 음 ) 사이 의 측면 또는 브리 징 전도 경로 의 형성 을 감소 또는 방지 하 기 위해서 몇몇 실시 예 에서 실질 적 으로 수직 으로 나란히 배열 하 기 위해서 CNT 재료 ( 212 ) 의 각 튜브 를 제조 할 수 있 다 ( 예 를 들 어 , " 이 로 인해서 인접 한 메모리 셀 의 상태 및 / 또는 프로그래밍 의 의해서 메모리 셀 의 상태 가 영향 을 받 거나 또는 "" 방해 를 받 는 "" 것 을 감소 시키 거나 또는 방지 함 ) . 각 튜브 분리 는 상기 CNT 재료 ( 212 ) 의 전체 두께 상 에 연장 되 거나 또는 연장 되 지 않 을 수 있 다 . 예 를 들 어 ", 초기 성장 상 중 에 몇몇 또는 대부분 의 각 튜브 는 수직 으로 나란히 배열 될 수 있 다 ( 예 를 들 어 , 서로 접촉 하 지 않 음 ) . 그러나 각 튜브 의 길이 가 수직 으로 증가 하 는 것 과 같이 튜브 중 일부 는 또 다른 것 과 접촉 하 거나 , 심지어 얽히 거나 뒤엉킬 수 있 다 .