소오 스 영역 ( 16 ) , 접속 영역 ( 17 ) , 소오 스 라인 ( 18 ) 및 드레 인 영역 ( 19 ) 에 각각 주입 된 불순물 은 서로 다를 수 있 다 . 예컨대 , 게르마늄 이온 은 소오 스 영역 ( 16 ) 에 만 주입 될 수 있 으며 , 인 이온 은 소오 스 영역 ( 16 ) , 접속 영역 ( 17 ) , 및 소오 스 라인 ( 18 ) 에 만 주입 될 수 있 다 . 이렇게 주입 되 는 불순물 을 조절 하 여 소오 스 영역 ( 16 ) 은 확장 되 지 않 으면서 , 소오 스 영역 ( 16 ) 아래 에 소오 스 라인 ( 18 ) 이 형성 될 수 있 다 . 따라서 , 소오 스 영역 ( 16 ) 과 드레 인 영역 ( 19 ) 사이 의 단채 널 효과 ( short channel effect ) 를 방지 함 과 동시 에 소오 스 라인 ( 18 ) 의 저항 이 대폭 감소 될 수 있 다 .