도 5 는 실리콘 건식 식각 공정 을 통해 제 1 함몰 영역 을 형성 한 결과 를 3 차원 구조 로 나타낸 도면 이 다 . 이 때 , 산화 막 ( 131 ) 은 마스크 로 이용 될 수 있 으며 , 실리콘 기판 ( 130 ) 에서 산화 막 ( 131 ) 과 오버랩 되 지 않 은 영역 은 실리콘 건식 식각 공정 을 통해 식각 되 어 제 1 함몰 영역 ( 132 ) 이 형성 될 수 있 다 . 실리콘 건식 식각 공정 에 따라 식각 되 지 않 은 실리콘 기판 의 영역 은 나노 와이어 ( 100 ) , 센서 구조물 ( 110 ) 및 나노 와이어 ( 100 ) 및 센서 구조물 ( 110 ) 을 둘러싸 고 이 를 고정 하 는 고정 구조물 ( 140 ) 이 될 수 있 다 . 센서 구조물 ( 110 ) 는 복수 의 나노 와이어 ( 100 ) 를 이 어 주 는 가교 역할 을 수행 할 수 있 다 . 센서 구조물 ( 110 ) 은 나노 와이어 ( 100 ) 대비 더 넓 은 폭 , 크기 를 가지 도록 생성 될 수 있 다 . 도 5 에 도시 된 바 와 같이 , 하나 의 센서 구조물 ( 110 ) 는 4 개 의 나노 와이어 ( 100 ) 가 연결 될 수 있 다 . 미세 한 두께 의 나노 와이어 ( 100 ) 를 길 게 형성 하 는 것 은 공 정상 한계 가 존재 할 수 있 다 . 다만 , 본 실시 예 에 따른 나노 와이어 ( 100 ) 는 가교 역할 을 수행 하 는 센서 구조물 ( 110 ) 에 의해 일정 길 이 이상 끊어짐 없이 생성 될 수 있 으며 , 압 저항 방식 의 마이크로폰 ( 10 ) 이 적용 되 어야 하 는 장치 의 요구 길이 에 대응 되 도록 형성 될 수 있 다 . 고정 구조물 ( 140 ) 은 실리콘 기판 ( 130 ) 에서 나노 와이어 ( 100 ) 및 센서 구조물 ( 110 ) 를 제외 하 고 , 제 1 함몰 영역 ( 132 ) 으로 정의 되 지 않 은 영역 을 의미 하 며 , 나노 와이어 ( 100 ) 와 의 연결 이 계속 유지 될 수 있 다 . 즉 , 나노 와이어 ( 100 ) 및 센서 구조물 ( 110 ) 은 고정 구조물 ( 140 ) 에 고정 된 상태 에서 부유 될 수 있 다 .