이어서 , 게이트 절 연막 ( 11 ) 상 에 게이트 전극 용 도전 막 으로 폴리 실리콘 막 ( 12 ) 및 텅스텐 막 ( 14 ) 을 순차 적 으로 형성 한다 . 이때 , 폴리 실리콘 막 ( 12 ) 과 텅스텐 막 ( 14 ) 사이 에 는 후속 열 공정 등 으로 폴리 실리콘 막 ( 12 ) 의 실리콘 이 텅스텐 막 ( 14 ) 으 로 확산 되 는 것 을 방지 하 기 위한 확산 베리어 ( diffusion barrier ) 막 ( 13 ) 이 개재 된다 . 확산 베리 어막 ( 13 ) 으로 는 텅스텐 질화 막 또는 티타늄 질화 막 등 이 사용 될 수 있 다 .