광 디바이스 층 ( 23 ) 은 , 광 디바이스 ( 17 ) ( 도 1 참조 ) 를 구성 하 는 각종 막 ( 반도체 막 , 도전 막 , 절 연막 등 ) 을 포함 하 는 층 이 다 . 예컨대 광 디바이스 층 ( 23 ) 은 , 정공 이 다수 캐리어 인 p 형 반도체 에 의해 구성 되 는 p 형 반도체 막 ( 25 ) 과 , 전자 가 다수 캐리어 인 n 형 반도체 에 의해 구성 되 는 n 형 반도체 막 ( 27 ) 을 포함 한다 . 단 , 광 디바이스 층 ( 23 ) 의 구성 은 , 최종 적 으로 기판 ( 13 ) 상 에 형성 되 는 광 디바이스 ( 17 ) 의 구조 나 기능 에 따라 적절 하 게 선택 된다 .