도 10 은 도 5 a 에 대응 하 는 상면 도 이 다 . 제 2 실시 예 에서 , 도 10 에 도시 한 바 와 같이 , 더미 액티브 영역 DAA 의 형성 영역 이 스트라이프 형태 로 존재 한다 . 이 는 리소그래피 의 마스크 패턴 을 변경 함 으로써 실현 된다 . 실리콘 층 ( 30 ) 및 실리콘 게르마늄 층 ( 25 ) 은 도 10 에 도시 된 패턴 으로 에칭 된다 . 제 2 실시 예 는 제 1 실시 예 와 유사 한 효과 를 얻 을 수 있 다 .