이때 , 패드 질화 막 과 패드 산화 막 의 제거 를 위한 식각 공정 및 세정 ( cleaning ) 공정 을 비롯 하 여 문턱 전압 조절 용 도 펀트 의 이온 주 입공 정시 이온 주입 장벽 으로 사용 되 는 스크린 산화 막 을 형성 하 기 위한 전세정 ( pre - cleaning ) 공정 , 게이트 절 연막 을 형성 하 기 위한 전세정 공정 과 같 은 세정 공정 으로 인하 여 활성 영역 ( 33 ) 과 소자 분리 막 ( 32 ) 에 접하 는 경 계면 의 측벽 산화 막 ( 32 A ) , 라이너 질화 막 ( 32 B ) 및 HDP 절 연막 ( 32 C ) 의 일부분 이 손실 되 면서 모우 트 ( Q ) 가 형성 될 수 있 다 .