베이스 기판 ( 120 ) 과 단결정 반도체 막 ( 124 ) 사이 에 산화알루미늄 막 을 설치 함 으로써 , 베이스 기판 ( 120 ) 에 포함 되 는 가동 이온 이나 수분 등 의 불순물 이 단결정 반도체 막 ( 124 ) 으로 확산 하 는 것 을 막 을 수 있 다 . 또한 베이스 기판 ( 120 ) 위 에 형성 된 제 2 절 연막 ( 122 ) 을 , 반도체 기판 ( 100 ) 위 에 형성 된 제 1 절 연막 ( 102 ) 과 본딩 시키 는 막 으로서 사용 함 으로써 , 반도체 기판 ( 100 ) 과 베이스 기판 ( 120 ) 의 밀착 성 을 향상 하 고 , 반도체 기판 ( 100 ) 과 베이스 기판 ( 120 ) 이 접합 불량 을 저감 하 는 것 이 가능 하 게 된다 .