그리고 , 활성 층 에서 발생 된 광 입자 ( photon ) 가 n 형 반도체 층 을 통해 방출 되 므로 광 입자 의 방출 경로 가 짧 아 지 기 때문 에 방출 중 흡수 되 는 광 입자 의 수 를 줄일 수 있 다 . 또한 , n 형 반도체 층 의 도핑 농도 를 크 게 할 수 있 어 전기 전도도 를 크 게 할 수 있 고 , 이 에 따라 전류 확산 저항 을 줄일 수 있 어 광 출력 을 향상 시킬 수 있 다 .