본원 에 는 폴리 고 뉴클레오티드 합성 을 위한 복수 의 구별 되 는 로커스 , 채널 또는 웰 을 포함 하 는 구조물 이 제공 된다 . 본원 에 기재 된 구조물 은 복수 의 클러스터 를 포함 할 수 있 으며 , 각각 의 클러스터 는 복수 의 웰 , 로커스 또는 채널 을 포함 한다 . 대안 적 으로 , 본원 에 는 웰 , 로커스 또는 채널 의 균일 배열 을 포함 할 수 있 는 구조물 이 기재 된다 . 일부 경우 에 , 본원 에 기재 된 구조물 은 클러스터 내 에 복수 의 피처 ( 로커스 ) 에 대응 하 는 복수 의 채널 을 포함 하 며 , 여기 서 채널 의 높이 또는 깊이 는 약 5 um 내지 약 500 um , 약 5 um 내지 약 400 um , 약 5 um 내지 약 300 um , 약 5 um 내지 약 200 um , 약 5 um 내지 약 100 um , 약 5 um 내지 약 50 um 또는 약 10 um 내지 약 50 um 이 다 . 일부 경우 에 , 채널 의 높이 또는 깊이 는 100 um 미만 , 80 um 미만 , 60 um 미만 , 40 um 미만 또는 20 um 미만 이 다 . 일부 경우 에 , 채널 의 높이 또는 깊이 는 약 10 , 20 , 30 , 40 , 50 , 60 , 70 , 80 , 90 , 100 , 200 , 300 , 400 , 500 um 또는 이 를 초과 한다 . 일부 경우 에 , 채널 의 높이 또는 깊이 는 적어도 10 , 25 , 50 , 75 , 100 , 200 , 300 , 400 , 500 , 600 , 700 , 800 , 900 , 1000 nm , 또는 1000 nm 를 초과 한다 . 일부 경우 에 , 채널 의 높이 또는 깊이 는 약 10 nm 내지 약 1000 nm , 약 25 nm 내지 약 900 nm , 약 50 nm 내지 약 800 nm , 약 75 nm 내지 약 700 nm , 약 100 nm 내지 약 600 nm 또는 약 200 nm 내지 약 500 nm 의 범위 이 다 . 일부 경우 에 , 높이 또는 깊이 는 약 50 nm 내지 약 1 um 의 범위 이 다 .