상기 바람직 하 게 처리 단계 는 , 상기 초경질 분말 을 용매 에 혼입 하 여 준비 하 는 단계 와 , 상기 칩 단위 로 다 이싱 된 기판 을 초음파 반응기 내 에 위치 시키 는 단계 와 , 상기 용매 에 혼입 된 초경질 분말 을 상기 초음파 반응기 내 에 넣 은 후 초음파 를 발생 시켜 상기 초경질 분말 을 활성 화 시켜 활성 된 초경질 분말 에 의해 상기 기판 의 측벽 표면 을 거칠 게 표면 처리 하 는 단계 를 포함 한다 .