특히 , 하부 의 제 1 전극 ( 136 ) 을 티타늄 ( Ti ) , 탄 탈륨 ( Ta ) , 지르코늄 ( Zr ) 중 하나 로 형성 할 경우 , 하부 의 제 1 전극 ( 136 ) 이 결정 구조 의 시드 ( seed ) 역할 을 하 는 베리어 ( barrier ) 층 으로 작용 하 므로 , 상대 적 으로 낮 은 온도 에서 도 유리 로 이루어지 는 제 1 기판 ( 120 ) 상부 에 미세 결정 ( microcrystal ) 구조 를 갖 는 활성 층 ( 128 ) 을 직접 형성 할 수 있 다 .