이어서 , 상기 소자 분리 막 ( 21 ) 을 갖 는 반도체 기판 ( 20 ) 상 에 절 연막 ( 22 a ′) 을 형성 한다 . 상기 절 연막 ( 22 a ′) 은 게이트 절 연막 ( 22 a ) 으로 형성 하 기 위한 것 이 다 . 그러므로 , 상기 절 연막 ( 22 a ′) 은 산화물 , 금속 산화물 , 금속 산질 화물 등 을 포함 하 는 것 이 바람직 하 다 . 그러나 , 본 실시 예 에서 는 , 언급 한 바 와 같이 , 얇 은 등 가 산화 막 두께 를 가지 면서 도 누설 전류 특성 이 양호 한 금속 산화물 을 이용 하 여 상기 절 연막 ( 22 a ′) 을 형성 한다 . 또한 , 상기 금속 산화물 로 상기 절 연막 ( 22 a ′) 을 형성 할 경우 에 는 주로 원자 층 적층 을 수행 하 는 것 이 바람직 하 다 . 그러므로 , 본 실시 예 에서 는 상기 원자 층 적층 을 수행 하 여 상기 금속 산화물 의 절 연막 ( 22 a ′) 을 형성 한다 .