먼저 , 사파이어 기판 ( 100 ) 상 에 는 볼록 부 와 오 목부 로 이루어진 도 2 의 확대도 에 도시 된 것 과 같 은 패턴 ( 102 ) 이 식각 공정 에 의해 형성 된다 . 그 다음 , 패턴 ( 102 ) 의 오 목부 에 는 SiN 버퍼 층 ( 120 ) 이 메워져 형성 되 며 , 이 에 의해 , 상기 사파이어 기판 ( 100 ) 에 는 SiN 버퍼 층 ( 120 ) 이 분산 된 반도체 층 성 장면 ( G ) 가 형성 된다 . 상기 SiN 버퍼 층 ( 120 ) 은 유기 금속 화학 증착 법 으로 실란 ( SiH 4 ) 또는 이 염화 실란 ( SiHCl 2 ) 및 아산화질소 ( N 2 O ) 또는 암모늄 ( NH 4 ) 가스 를 주입 하 는 방식 으로 이루어지 는 유기 금속 화학 증착 법 에 의해 형성 될 수 있 다 .