한편 , 미국 등록 특허 5 , 192 , 400 호 는 복수 개 의 반구 형상 으로 된 전극 이 그 내부 는 p - 형 반도체 로 마련 되 고 , 그 외부 를 둘러싸 는 n - 형 반도체 를 구비 하 고 있 는 발명 을 공개 하 고 있 다 . 상기 p - 형 반도체 와 n - 형 반도체 는 전도 성 을 가진 알루미늄 포일 과 전기 적 으로 접촉 하 고 있 다 . 상기 알루미늄 포일 은 서로 절연 되 어 있 고 , 유연 한 성질 을 가진다 . 그러나 상기 발명 은 반구형 상 의 표면 에 n - 형 반도체 가 둘러싸 고 있 어서 어느 한 부분 은 p - 형 반도체 가 노출 되 어야 전류 가 외부 로 흐를 수 있 기 때문 에 23 % 정도 는 금속 과 접합 을 이루 어야 한다 . 따라서 , 이 부분 은 광 을 투과 시키 지 못하 므로 광 변환 효율 이 감소 되 는 문제 가 있 다 .