다음 으로 , 도 35 에서 , 습식 에칭 공정 ( 113 ) 을 수행 하 여 , 캡 핑 층 ( 91 ) 의 노출 된 부분 바로 아래 에서 P 타입 일함수 층 ( 83 ) 의 부분 및 캡 핑 층 ( 91 ) 의 노출 된 부분 을 선택 적 으로 제거 한다 . 일부 실시 형태 에서 , 습식 에칭 공정 ( 113 ) 은 에칭 화학 물 ( W 2 ) 을 사용 하 며 , 이 에 대한 세부 설명 은 전술 하 였으므로 , 여기 에 반복 하 지 않 는다 . 에칭 공정 의 에칭 선택 성 으로 인해 , 습식 에칭 공정 ( 113 ) 은 하부 층 ( 89 ) 을 실질 적 으로 공격 하 지 않 으면서 캡 핑 층 ( 91 ) 의 일부 및 P 타입 일함수 층 ( 83 ) 의 일부 를 제거 한다 .