지금 까지 설명 한 바 와 같이 본 발명 에 의한 멀티 레벨 셀 플래시 메모리 소자 에 따르 면 , 셀 어 에이 영역 에 소스 라인 과 배선 금속 막 과 컨 택 하 는 금속 막 패턴 을 배치 한다 . 상기 금속 막 패턴 으로 인해 플래시 메모리 소자 의 프로그램 동작 초기 에 , 패스트 셀 이 연결 된 비트 라인 을 제외 한 다른 비트 라인 들 로부터 공통 소스 라인 을 통해 전하 들 이 방전 될 때 전하 들 을 빠르 게 방전 시킬 수 있 으므로 소스 라인 의 노이즈 로 인한 언더 프로그램 현상 을 방지 할 수 있 다 .