포토 리소그래피 공정 은 일반 적 으로 , 식각 대상 막 ( 피식 각층 ) 상 에 포토레지스트 를 도포 하 여 포토레지스트 층 을 형성 하 고 , 노광 및 현상 공정 을 통해 포토레지스트 패턴 을 형성 한다 . 이어서 , 상기 포토레지스트 패턴 을 식각 마스크 로 사용 하 여 상기 식각 대상 막 을 부분 적 으로 제거 함 으로써 소정 의 패턴 을 형성 할 수 있 다 . 상기 식각 대상 막 에 대한 이미지 전사 가 수행 된 후 , 상기 포토레지스트 패턴 은 애 싱 ( ashing ) 및 / 또는 스트립 ( strip ) 공정 을 통해 제거 될 수 있 다 .