또한 , 제 4 의 실시 의 형태 에서 는 , 금속 산화 막 ( 14 ) 이 배선 ( 32 ) 의 형성 영역 에 만 형성 되 어 있 고 , 포토 다이오드 ( PD ) 상부 의 구조 는 통상 의 고체 촬상 장치 ( 금속 산화 막 ( 14 ) 이 형성 되 지 않 은 고체 촬상 장치 ) 와 같 은 구조 이 다 . 그 때문 에 , 금속 산화 막 ( 14 ) 을 구성 하 는 재료 의 투과율 이나 굴절 율 은 어떤 것 이 라도 좋 고 , 재료 선택 이나 성막 조건 의 자유도 가 높 고 , 집적화 의 제약 이 적 기 때문 에 , 보다 프로세스 윈도우 가 넓 은 조건 으로 안정 된 제조 프로세스 를 구축 할 수 있 다 .