한편 , 게이트 유전 층 구조물 ( 110 ) 상 에 강유 전 층 ( 120 ) 이 배치 될 수 있 다 . 일 실시 예 로서 , 강유 전 층 ( 120 ) 은 전하 장벽층 ( 116 ) 과 계면 을 이루 도록 배치 될 수 있 다 . 강유 전 층 ( 120 ) 은 음 의 캐 패 시턴 스 를 구비 할 수 있 다 . 음 의 캐 패 시 턴 스란 , 도 3 에 도시 되 는 것 과 같이 , 강유 전 층 의 양단 에 전압 ( V ) 이 인가 될 때 , 강유 전 층 내부 에 발생 하 는 분극 ( P ) 의 크기 가 상기 인가 전압 ( V ) 에 대해 음 의 기울기 를 가지 도록 변화 하 는 그래프 부분 ( 22 ) 을 가지 는 경우 를 의미 한다 . 즉 , 상기 강유 전 층 은 상기 그래프 부분 ( 22 ) 의 범위 내 에서 음 의 캐 패 시턴 스 를 가진다고 명명 할 수 있 다 . 후술 하 는 바 와 같이 , 상기 강유 전 층 의 항 전압 ( Vc , - Vc ) 에 대응 되 는 전압 이 상기 강유 전 층 에 인가 될 때 , 상기 강유 전 층 은 음 의 캐 패 시턴 스 를 구비 할 수 있 다 .