전자 장치 및 그 제조 방법 이 제공 된다 . 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 전자 장치 는 , 반도체 메모리 를 포함 하 는 전자 장치 로서 , 상기 반도체 메모리 는 , 상기 반도체 메모리 는 , 기판 ; 상기 기판 상 에 수직 방향 으로 서로 이격 하 여 배열 되 는 제 1 내지 제 N 층 ( 여기 서 , N 은 2 이상 의 자연수 ) 의 복수 의 도전 라인 - 여기 서 , 상기 제 1 내지 제 N 층 각각 의 복수 의 도전 라인 은 , 수평 방향 으로 연장 하 면서 서로 이격 하 여 배열 됨 . - ; 상기 수직 방향 및 상기 수평 방향 에서 상기 도전 라인 사이 를 매립 하 는 절 연막 ; 상기 수평 방향 에서 상기 도전 라인 사이 의 상기 절 연막 을 관통 하 여 상기 제 1 내지 제 N 층 의 상기 도전 라인 의 측벽 을 노출 시키 는 홀 ; 상기 홀 측벽 을 따라 형성 되 는 가변 저항 층 ; 및 상기 가변 저항 층 이 형성 된 상기 홀 을 매립 하 는 도전 기둥 을 포함 할 수 있 다 .