PR 및 폴리 실리콘 선 의 CD 측정 은 Hitachi 사 의 CDSEM 을 사용 하 였으며 , LER 을 측정 하 기 위한 측정 박스 로 는 가로 1 ㎛ 세로 1 . 5 ㎛ 의 크기 로 AMAT Verity CDSEM 을 이용 하 였 다 . 또한 트랜지스터 프로 파일 을 관찰 하 기 위해서 절단면 SEM 을 사용 하 였 다 . ArF PR 를 사용 할 때 생길 수 있 는 문제점 인 CD 및 ID 편차 제어 , 트랜지스터 라인 의 LER , 플 라즈 마 에 대한 PR 저항 및 폴리 실리콘 의 프로파일 등 을 인라인 CDSEM , 절단면 SEM 을 이용 하 여 측정 하 였으며 트랜지스터 의 특성 은 PCM ( Physical control monitor ) 을 이용 하 여 CD 편차 제어 , CD 선형 성 , LER , ArF PR 및 마진 , PCM 결과 등 의 항목 으로 평가 하 였 다 .