이어서 , 도 1 c 에 도시 된 바 와 같이 , 트렌치 ( 105 , 도 1 a 참조 ) 가 일부 매립 되 도록 소자 분리 막 용 제 1 절 연막 ( 107 ) 으로 라이너 HDP ( linear High Density Plasma ) 막 을 형성 한다 . 이때 , 제 1 절 연막 ( 107 ) 은 트렌치 ( 105 ) 뿐 만 아니 라 , 반도체 기판 ( 100 ) 의 단차 면 , 즉 터널 링 절 연막 ( 101 ) 과 도전 막 ( 102 ) 의 측벽 에 도 단 차면 을 따라 비교 적 얇 게 형성 된다 .