반도체 기판 ( 100 a ) 은 제 1 반도체 층 ( 130 ) 을 성장 시키 기 위한 것 으로 , 질화 갈륨 ( GaN ) 기판 일 수 있 으나 , 이 에 한정 되 는 것 은 아니 다 . 예 를 들 어 , 반도체 기판 ( 100 a ) 은 사파이어 ( sapphire ) 기판 , 실리콘 ( si ) 기판 , 실리콘 카바이드 ( SiC ) 기판 , 갈륨비소 ( GaAs ) 기판 및 산화 아연 ( ZnO ) 기판 중 선택 된 어느 하나 의 기판 이 이용 될 수 있 다 .