본 발명 에 따른 메모리 장치 의 병렬 테스트 방법 은 , 압축률 의 변동 이 가능 한 병렬 테스트 회로 가 적용 된 메모리 장치 에 있 어서 , 테스트 모드 신호 를 이용 하 여 고압축 모드 로 진입 하 는 단계 ; 상기 고압축 모드 로 메모리 장치 를 병렬 테스트 하 는 단계 ; 상기 고압축 모드 에서 에러 ( 불량 셀 ) 가 검출 되 면 , 테스트 모드 신호 를 이용 하 여 저 압축 모드 로 진입 하 는 단계 ; 상기 저압 축 모드 로 메모리 장치 를 병렬 테스트 해 불량 셀 이 있 는 위치 를 찾아내 는 단계 ; 및 불량 셀 을 리 페어 ( repair ) 하 는 단계 를 포함 한다 .