248 nm 광원 ( KrF ) 을 사용 한 반도체 미세 회로 제조 공정 에서 는 이미 150 nm L / S 의 미세 회로 가 형성 되 었 으며 , 현재 는 150 nm 이하 의 패턴 을 형성 하 기 위한 노력 이 계속 되 고 있 다 . 한편 보다 미세 한 회로 를 형성 하 기 위해서 , ArF ( 193 nm ) , F 2 ( 157 nm ) , EUV ( Extremely Ultraviolet ; 13 nm ) 등 의 낮 은 파장 의 광원 을 사용 하 는 미세 회로 제조 공정 에 대한 연구 가 진행 중 이 다 . 그러나 이 들 파장 에 대해 투과도 가 좋 은 감광제 수지 의 개발 이 쉽 지 않 다는 문제점 이 있 다 . 예 를 들 면 i - 라인 ( 365 nm ) 및 KrF ( 248 nm ) 에 사용 하 는 감광제 는 방향 족 화합물 로 수지 가 구성 되 는데 이 들 은 193 nm 에 대한 흡광도 가 너무 커서 사용 할 수 가 없 다 . 이러 한 이유 때문 에 방향 족 화합물 이 들 어 있 지 않 은 아크릴 계 혹은 알리사 이 클릭 계 수지 를 사용 하 여 193 nm 용 감광제 가 개발 되 고 있 다 . 그러나 이 들 수지 들 도 193 nm 에 대한 흡광도 가 비교적 커서 좋 은 패턴 을 형성 하 기 가 어렵 다 .