도시 된 바 와 같이 , 본 발명 에 의한 반도체 장치 는 , 제 1 리드 배선 ( 520 ) 이 반도체 칩 의 엣지 로부터 거리 가 상대 적 으로 가까운 위치 에 일정 간격 으로 복수 의 열 을 이루 도록 배치 된 엣지 측 전극 패드 ( 520 a ) 와 연결 되 고 , 제 2 리드 배선 ( 530 ) 은 엣지 로부터 의 거리 가 상대 적 으로 먼 위치 에 상기 엣지 측 전극 패드 ( 520 a ) 와 수직 방향 으로 지그재그 형태 를 이루 며 배치 된 내부 측 전극 패드 ( 530 a ) 와 연결 되 어 질 수 도 있 다 .