도 22 를 참조 하 면 , 상기 기판 ( 110 ) 에 어닐링 공정 을 수행 한다 . 이 로써 , 상기 적층 된 화합물 원소 주입 층 들 ( 305 a , 305 b , 305 c , 305 d ) 은 화합물 패턴 ( 310 ) 으로 형성 된다 . 상기 화합물 패턴 ( 310 ) 의 양측 벽 은 상기 반도체 기판 ( 100 ) 의 상부 면 에 대하 여 경사 진다 . 상기 화합물 패턴 ( 310 ) 은 산화물 , 산화 질화물 또는 질화물 로 형성 될 수 있 다 . 상기 반도체 층 ( 105 ) 의 윗부분 에 는 복수 의 화합물 패턴 들 ( 310 ) 이 상기 일 방향 을 따라 서로 이격 되 어 배열 된다 . 이때 , 인접 한 상기 화합물 패턴 들 ( 310 ) 사이 의 상기 반도체 층 ( 105 ) 의 일부분 은 회절 격자 의 돌출부 에 해당 한다 . 상기 화합물 패턴 들 ( 310 ) 의 경사진 측벽 들 에 의하 여 상기 회절 격자 의 돌출부 들 은 경사진 측벽 을 갖 는다 .