본 발명 에서 는 n 형 반도체 층 표면 에 거칠 기 를 주 는 기존 습식 식각 공정 을 사진 및 건식 식각 공정 으로 바꾸 어 재현 성 을 높인다 . 따라서 , 종래 기술 에서 와 같 은 공정 조건 변동 에 따른 광 출력 편차 가 현저히 줄어들 게 된다 . 사진 공정 에서 과잉 노광 을 하 면 마스크 1 개 를 이용 해서 한 번 에 만들 어서 바로 식각 하 는 것 이 가능 하 게 된다 .