불휘발성 메모리 장치 ( 112 _ 3 ) 는 불휘발성 메모리 를 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 불휘발성 메모리 장치 ( 112 _ 3 ) 는 서로 분리 된 패키지 들 로 형성 되 는 복수 의 불휘발성 메모리 들 을 포함 할 수 있 다 . 불휘발성 메모리 장치 ( 112 _ 3 ) 는 플래시 메모리 ( Flash Memory Device ) , 상 변화 메모리 ( Phase Change Memory ) , 강유전체 메모리 ( Ferroelectric Memory ) , 저항성 메모리 ( Resistive Memory ) , 자기 메모리 ( Magnetoregistive Memory ) 와 같 은 다양 한 불휘발성 메모리 들 중 적어도 하나 를 포함 할 수 있 다 .