고농도 로 도핑 되 고 , 또한 표면 을 열 산화 에 의해 처리 한 두께 280 μ m 의 n - 형 실리콘 기판 상 에 실리콘 산화 막 이 200 nm 형성 된 것 을 아세톤 으로 10 분 , 초음파 세정 하 였 다 . 옥 타 데 실 트리 클로로 실란 ( OTS , 신 에 쯔 가 가꾸 고교 제조 ) 을 옥탄 으로 20 mmol / l 로 희석 한 액 에 , 세정 한 실리콘 기판 을 질소 중 에서 12 시간 침지 하 였 다 . 그 후 , 클로로포름 으로 세정 하 여 표면 처리 한 기판 으로 하 였 다 .