상기 정보 저장 층 ( DS ) 은 상기 수평 전극 들 ( GP ) 에 인접 한 블로킹 절 연막 , 상기 채널 패턴 ( CP ) 에 인접 한 터널 절 연막 , 및 이 들 사이 의 전하 저 장막 을 포함 할 수 있 다 . 상기 블로킹 절연 막 은 고유 전막 ( 예 를 들 면 , 알루미늄 산화 막 또는 하프늄 산화 막 ) 을 포함 할 수 있 다 . 상기 블로킹 절연 막 은 복수 의 박막 들 로 구성 되 는 다층막 일 수 있 다 . 일 예 로 , 상기 블로킹 절연 막 은 제 1 블로킹 절 연막 및 제 2 블로킹 절 연막 을 포함 하 고 , 상기 제 1 및 제 2 블로킹 절 연막 들 각각 은 알루미늄 산화 막 및 / 또는 하프늄 산화 막 일 수 있 다 . 상기 제 1 및 제 2 블로킹 절 연막 들 모두 상기 채널 패턴 ( CP ) 을 따라 수직 으로 연장 될 수 있 으나 , 이 와 는 달리 , 상기 제 1 블로킹 절 연막 의 일부 는 상기 수평 전극 들 ( GP ) 과 상기 절연 층 들 ( 120 ) 사이 로 연장 될 수 있 다 .