이 막 전극 접합체 의 제조 장치 ( 70 ) 는 , 제 2 실시 형태 에 관한 제조 장치 ( 60 ) 와 일부 를 제외 하 고 동일 하 고 , 즉 , 제 1 성형형 ( 71 A ) 에 게이트 ( 72 ) 가 형성 되 고 , 게이트 ( 72 ) 에 수지 재 를 공급 하 는 공급 관 ( 73 ) 이 연결 되 어 있 는 점 에서 만 다르 다 . 게이트 ( 72 ) 는 , 제 1 실시 형태 에 있 어서 의 게이트 ( 36 A ) 와 마찬가지 로 , 핀 게이트 나 , 필름 형상 의 폭 을 갖 는 필름 게이트 로 형성 된다 .