도 4 e 를 참조 하 면 , 제 2 도 전막 ( 304 A , 304 B ) 과 유전체 막 ( 303 ) 의 전체 표면 에 스 페이서 막 ( 305 ) 과 식각 정지 막 ( 306 ) 을 적층 한다 . 스 페이서 막 ( 305 ) 은 산화 막 으로 형성 될 수 있 으며 , 식각 정지 막 ( 306 ) 은 질화 막 으로 형성 될 수 있 다 . 스 페이서 막 ( 305 ) 과 식각 정지 막 ( 306 ) 은 플래시 메모리 소자 의 셀 영역 에 형성 되 는 게이트 패턴 측벽 이 후속 하 는 드레 인 또는 소스 콘 택 홀 형성 공정 을 위한 식각 공정 에서 노출 되 는 것 을 방지 하 기 위해 형성 하 는 것 이 다 . 한편 , 격리 영역 ( R ) 는 스 페이서 막 ( 305 ) 과 식각 정지 막 ( 306 ) 을 통해 매립 되 지 않 을 수 있 다 .