도 3 a 에서 , 본 발명 의 실시 예 에 따른 FET 센서 는 백사이드 절연 층 ( 207 ) 을 포함 하 는 실리콘 기판 을 기초 로 제조 된다 . 상술 하 였 듯이 , SOI 구조 를 갖 는 실리콘 기판 은 백사이드 절연 층 ( 207 ) 을 기준 으로 상부 기판 ( 201 ) 과 하부 기판 ( 301 ) 으로 나눌 수 있 으며 FET 센서 의 각 구성 은 상부 기판 ( 204 ) 상 에 형성 된다 . 본 실시 예 에서 는 p - type sub 가 사용 되 었 으나 , 이 에 한정 하 는 것 은 아니 다 .