본 실시 형태 에서 는 , 실시 형태 7 에서 설명 한 산화물 반도체 막 을 채널 형성 영역 에 이용 한 트랜지스터 의 구조 와 는 다른 트랜지스터 의 일 예 에 대하 여 설명 한다 . 또한 , 본 실시 형태 에서 는 산화물 반도체 막 을 구성 하 는 산화물 반도체 로서 In , Sn , 및 Zn 을 포함 하 는 산화물 반도체 ( In － Sn － Zn 계 산화물 반도체 ) 를 이용 하 였을 경우 에 대하 여 설명 하 였 지만 , 다른 실시 형태 에서 설명 한 다른 산화물 반도체 를 이용 할 수 도 있 다 .