상기 터널 절 연막 ( TIL ) 은 상기 전 하저 장막 ( CL ) 보다 큰 밴드 갭 을 갖 는 물질 들 중 의 하나 일 수 이 었 으며 , 화학 기상 증착 또는 원자 층 증착 기술 들 중 의 한 가지 를 사용 하 여 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 면 , 상기 터널 절 연막 ( TIL ) 은 상술 한 증착 기술 들 중 의 하나 를 사용 하 여 형성 되 는 실리콘 산화 막 일 수 있 다 . 이 에 더 하 여 , 상기 터널 절 연막 ( TIL ) 은 증착 공정 이후 실시 되 는 소정 의 열처리 단계 를 더 경험 할 수 있 다 . 상기 열처리 단계 는 급속 - 열 - 질화 공정 ( Rapid Thermal Nitridation ; RTN ) 또는 질소 및 산소 중 의 적어도 하나 를 포함 하 는 분위기 에서 실시 되 는 어닐링 공정 일 수 있 다 .