종래 의 박막 제조 에 있 어서 , 높 은 keV 의 에너지 를 이용 한 박막 제조 방법 들 은 기판 또는 박막 에 많 은 손상 을 준다 . 따라서 , 이온 보조 설비 를 장착 하 여 증착 하 고자 하 는 물질 의 에너지 를 수 eV 로 감속 시켜 기판 또는 박막 에 손상 을 주 지 않 는 이온 보조 증착 법 이 사용 되 고 있 다 . 이온 보조 증착 법 은 에너지 를 가진 원자 나 기체 를 기판 표면 에 충돌 해 주 면서 다른 한쪽 에선 금속 을 증착 시키 거나 증착 하 기 를 원하 는 물질 을 기체 나 원자 또는 클러스터 ( cluster ) 의 덩어리 로 만들 고 , 그 자체 에 에너지 를 주 어 증착 시키 는 성막 방법 이 다 . 기판 또는 박막 손상 이 낮 은 이온 보조 증착 법 은 일반 적 인 박막 제조 방법 에 비해 유기 발광 다이오드 용 투명 도 전막 이 요구 하 는 평탄 한 박막 을 구현 하 는 것 이 가능 하 다 .