반도체 층 ( 1130 ) 은 무기 절연물 질 인 버퍼 층 이 형성 된 기판 상 에 배치 된다 . 본 실시 예 에서 , 반도체 층 ( 1130 ) 은 저온 폴리 실리콘 ( Low Temperature Poly - Silicon ; LTPS ) 을 포함 할 수 있 다 . 폴리 실리콘 물질 은 전자 이동도 가 높 아 ( 100 ㎠/ Vs 이상 ) , 에너지 소비 전력 이 낮 고 신뢰 성 이 우수 하 므로 , 　 표시 장치 에서 박막 트랜지스터 의 　 반도체 층 으로 이용 될 수 있 다 . 다만 본 발명 이 이 에 한정 되 는 것 은 아니 며 , 다른 실시 예 로 , 반도체 층 ( 1130 ) 은 아모 퍼스 실리콘 ( a - Si ) 및 / 또는 산화물 반도체 로 형성 될 수 도 있 으며 , 복수 의 박막 트랜지스터 들 중 일부 반도체 층 은 저온 폴리 실리콘 ( LTPS ) 으로 형성 되 고 , 다른 일부 반도체 층 은 아모 퍼스 실리콘 ( a - Si ) 및 / 또는 산화물 반도체 로 형성 될 수 도 있 다 .