도 8 a 에 도시 된 도시 된 바 와 같이 , 메모리 블록 은 기판 ( 미 도시 ) 상 에 는 게이트 ( 531 ) , 절연체 ( 532 ) , 게이트 절연 층 ( 521 ) , 반도체 층 ( 522 ) , 저항 변화 층 ( 523 ) 및 절연 층 ( 524 ) 을 포함 할 수 있 다 . 게이트 절연 층 ( 521 ) , 반도체 층 ( 522 ) , 저항 변화 층 ( 523 ) 및 절연 층 ( 524 ) 은 제 1 방향 을 따라 연장 될 수 있 다 . 게이트 ( 531 ) 와 절연 층 ( 532 ) 는 교번 적 으로 제 1 방향 과 수직 인 제 2 방향 을 따라 연장 될 수 있 다 .