그리고 , 본 발명 에서 는 반도체 성 을 띠 는 산화 물질 로써 ZnO , MgO , B 2 O 3 및 K 2 O 로 이루어진 군 에서 하나 이상 선택 된 것 을 사용 한 것 이 특징 이 다 . 이 에 따라 , 절연체 와 반도체 성 산화 물질 의 혼합 상 으로 스 페이서 를 제조 하 는 경우 , 도 5 에 나타난 바 와 같이 절연체 사이 에 반도체 아일랜드 ( island ) 이 혼합 되 어 있 는 내부 구조 를 만들 어 낼 수 있 으며 , 이 는 상기 한 반도체 아일랜드 사이 로 전자 가 이동 할 후 있 는 최소한 의 경로 를 제공 할 수 있 어서 , 절연체 에 전도 성 을 부여 하 는 것 이 가능 하 고 , 이 에 따라 스 페이서 의 비저항 값 을 감소 시킬 수 있 는 것 이 다 . 도 6 a 과 도 6 b 는 각각 본 발명 의 일례 에 따른 스 페이서 의 혼합 상 을 나타내 는 현미경 사진 이 고 , 여기 에 도시 된 바 와 같이 실제로 스 페이서 의 내부 구조 는 절연체 사이 에 반도체 아일랜드 ( island ) 가 혼합 되 어 있 는 혼합 상임 을 확인 할 수 있 다 .