산화알루미늄 은 , 스퍼터링 법 을 사용 하 여 복수 의 다른 조건 으로 형성 했 다 . 구체 적 으로 는 , 스퍼터 타 겟 으로서 알루미늄 ( Al ) 을 사용 하 고 , 아르곤 과 산소 를 도입 하 면서 고주파 전원 을 사용 했 을 경우 ( 조건 1 ) , 스퍼터 타 겟 으로서 산화알루미늄 을 사용 하 여 , 아르곤 과 산소 를 도입 하 면서 고주파 전원 을 사용 했 을 경우 ( 조건 2 ) , 스퍼터 타 겟 으로서 알루미늄 ( Al ) 을 사용 하 고 , 아르곤 과 산소 를 도입 하 면서 직류 전원 을 사용 하 여 바이어스 전압 을 인가 했 을 경우 ( 조건 3 ) 에 대해 행했 다 . 또한 , 성막 레이트 는 , 조건 1 이 0 . 51 nm / min , 조건 2 가 1 . 74 nm / min , 조건 3 이 0 . 98 nm / min 으로서 행했 다 . 또 공통 조건 으로서 , 가스 유량 을 ( 아르곤 : 30 sccm , 산소 : 10 sccm ) , 성막 압력 0 . 4 Pa 로 했 다 . 또한 성막 전력 은 , 조건 1 이 800 W ( 13 . 56 MHz ) , 조건 2 가 1 kW ( 13 . 56 MHz ) , 조건 3 이 1 kW ( DC ) 로 했 다 . 또한 , 조건 3 에서 는 , 기판 측 에 200 W ( 13 . 56 MHz ) 의 고주파 전력 을 인가 함 으로써 바이어스 전압 을 발생 시켰 다 .