우선 , 게이트 전극 ( 128 a ) , 도전 층 ( 128 b ) , 절연 층 ( 136 ) , 절연 층 ( 138 ) , 절연 층 ( 140 ) 등 위 에 산화물 반도체 층 을 형성 하 고 , 당해 산화물 반도체 층 을 가공 하 여 , 산화물 반도체 층 ( 144 ) 을 형성 한다 ( 도 21 의 ( a ) 참조 ) . 산화물 반도체 층 을 형성 하 기 전 에 , 절연 층 ( 136 ) , 절연 층 ( 138 ) , 및 절연 층 ( 140 ) 위 에 , 하 지 층 으로서 기능 하 는 절연 층 을 형성 할 수 있 다는 점 에 주목 한다 . 당해 절연 층 은 스퍼터링 법 을 비롯 한 PVD 법 이나 플라 즈 마 CVD 법 등 의 CVD 법 등 을 이용 해서 형성 할 수 있 다 .