전압 범위 검 출부 ( 20 ) 는 일정 범위 내 의 외부 전원 전압 ( EVDD ) 이 인가 되 면 이 를 검출 하 여 전압 검출 신호 ( VEN ) 를 발생 한다 . 제 어 신호 발생 부 ( 22 ) 는 전압 검출 신호 ( VEN ) 에 응답 하 여 설정 된 제어 신호 를 최종 제어 신호 ( CON ) 로 출력 한다 . 이 에 따라 , 반도체 메모리 장치 는 일정 범위 내의 ( 일정 범위 를 벗어난 ) 외부 전원 전압 ( EVDD ) 이 인가 되 면 최종 제어 신호 ( CON ) 에 응답 하 여 장치 의 동작 이 스펙 상 의 특성 을 만족 하 도록 조절 한다 . 만일 일정 범위 를 벗어나 ( 일정 범위 내의 ) 외부 전원 전압 ( EVDD ) 이 인가 되 면 장치 의 동작 이 스펙 상 의 특성 을 만족 하 므로 최종 제어 신호 ( CON ) 에 응답 하 여 장치 의 내부 회로 의 구성 또는 동작 을 변경 할 필요 가 없 다 .