게다가 , 도 6 c 에 나타낸 공정 에서 는 , 금속 및 실리콘 으로 이루어진 막 ( 203 ) 을 산화 하 는 것 으로 , 금속 실리케이트 막 ( 204 ) 을 형성 한다 . 이때 , 산 화종 ( 種 ) 의 일부 가 기판 ( 201 ) 에 도달 하 는 것 으로 , 기판 의 표층 부 의 실리콘 을 산화 해서 , 기판 ( 201 ) 과 금속 실리케이트 막 ( 204 ) 과 의 사이 에 실리콘 산화 막 ( 202 ) 을 형성 한다 .