제 3 LED 층 ( 130 c ) 에 의해 방출 된 광 의 제 3 파장 은 약 580 nm 내지 약 760 nm 일 수 있 다 . 따라서 , 제 3 결정질 무기 반도체 는 , 예 를 들 어 알루미늄 갈륨 비화물 ( AlGaAs ) , 갈륨 비소 인화물 ( GaAsP ) , 알루미늄 갈륨 인듐 인화물 ( AlGaInP ) 또는 갈륨 ( Ⅲ ) 인화물 ( GaP ) 을 포함 할 수 있 다 .