도 1 c 를 참조 하 면 , 게이트 전극 ( 110 a ) 및 기판 ( 100 ) 의 노출 된 영역 상 에 절연 층 ( 120 ) 을 형성 한다 . 절연 층 ( 120 ) 은 예 를 들 어 실리콘 산화물 ( SiO 2 ) 로 형성 될 수 있 으며 , 또는 유기물 고분자 PMMA ( poly methyl methcrylate ) 으로 형성 할 수 도 있 다 . 절연 층 ( 120 ) 은 게이트 전극 ( 110 a ) 과 이후 에 형성 되 는 n - 형 CIS 층 ( 130 a , 도 1 f 참조 ) 과 p - 형 CIS 층 ( 140 a , 도 1 f 참조 ) 과 의 좋 은 접촉 을 유지 하 는 것 이 바람직 하 며 , 이 를 위해서 는 실리콘 산화물 ( SiO 2 ) 로 형성 되 는 것 이 바람직 하 다 . 또한 , 절연 층 ( 120 ) 의 두께 는 2000 내지 5000 Å 의 범위 일 수 있 다 . 그러나 , 절연 층 ( 120 ) 을 형성 하 는 재료 와 그 두께 는 예시 적 이 며 , 반드시 이 에 한정 되 는 것 은 아니 다 .