이러 한 소자 분리 를 형성 하 기 위한 방법 으로 반도체 부분 산화 법 ( LOCal Oxidation of Silicon ; 이하 LOCOS 라 함 ) 이 많이 사용 되 어 왔 다 . 그러나 , 이러 한 LOCOS 소자 분리 에 의하 면 반도체 기판 의 선택 적 산화 시 마스크 로 사용 되 는 질화 막 하부 에서 패드 산화 막 의 측면 으로 산소 가 침투 하 면서 필드 산화 막 의 끝 부분 에 버즈 비크 ( Bird ' s beak ) 가 발생 하 게 된다 . 이러 한 버즈 비크 에 의해 필드 산화 막 이 버즈 비크 의 길이 만큼 액티브 영역 으로 확장 되 기 때문 에 , 채널 길이 가 짧 아 지 게 되 어 문턱 전압 ( Threshold voltage ) 이 증가 하 게 되 므로 예컨대 , 트랜지스터 등 의 전기 적 특성 을 악화 시키 는 문제점 이 발생 하 게 된다 .