또한 , 소스 배선 의 최 소폭 ( d 2 ) 은 크 게 하 는 것 이 곤란 하 다 . 소스 배선 의 최 소폭 ( d 2 ) 은 소스 배선 과 중첩 하 는 반도체 층 의 최 소폭 ( d 4 ) 에 의해 정해 지 고 , 소스 배선 의 최 소폭 ( d 2 ) 을 크 게 하 기 위해서 는 반도체 층 의 최 소폭 ( d 4 ) 을 크 게 해야 하 고 , 인접 하 는 게이트 배선 과 용량 배선 을 절연 시키 는 것 이 곤란 하 게 되 기 때문 이 다 . 본 발명 에 있 어서 , 반도체 층 의 최 소폭 ( d 4 ) 은 , 상기 한 간격 ( d 1 ) 의 대략 2 배 보다 작 게 한다 . 바꿔 말 하 면 , 간격 ( d 1 ) 은 반도체 층 의 최 소폭 ( d 4 ) 의 대략 반 보다 크 게 한다 .