도 28 및 도 29 를 참조 하 면 , 제 1 산화 공정 을 수행 하 여 대 상체 ( 380 ) 상 에 산화 막 ( 385 ) 을 형성 한다 ( 단계 S 350 ) . 대 상체 ( 380 ) 는 실리콘 기판 . 게르마늄 기판 , 실리콘 게르마늄 기판 또는 SOI 기판 과 같 은 반도체 기판 이나 알루미늄 산화물 기판 또는 스트론튬 루테늄 산화물 기판 과 같 은 금속 산화물 기판 을 포함 할 수 있 다 . 전술 한 바 와 유사 하 게 , 대 상체 ( 380 ) 상 에 는 콘 택 영역 , 패드 , 절 연막 , 절연 패턴 , 도전 막 , 도전 패턴 , 게이트 구조물 및 / 또는 트랜지스터 등 을 포함 하 는 하부 구조물 이 형성 될 수 있 다 .