또 다른 실시 예 에서 , 희생 제 1 티어 충전 재료 는 , 애 싱에 의해 후속 적 으로 제거 될 수 있 는 비정질 실리콘 또는 탄소 함유 재료 ( 예컨대 , 비정질 탄소 또는 다이아몬드 유사 탄소 ) , 또는 후속 적 으로 제 1 수직 교번 시퀀스 ( 132 , 142 ) 의 재료 들 에 대해 선택 적 으로 제거 될 수 있 는 실리콘 계 중합체 를 포함 할 수 있 다 .