먼저 , 도 6 a 에 도시 된 바 와 같이 , 원소 재 기판 ( S ) 을 준비 하 는 데 ( S 10 ) , 이것 은 예 를 들 어 , 구리 ( Cu ) , 구리 합금 ( Cu - alloy ) 의 구리 계열 이나 , 니켈 ( Ni ) , 니켈 합금 ( Ni - alloy ) 의 니켈 계열 등 으로 된 판상 기재 로 마련 될 수 있 다 . 다음 에 , 도 6 b 에 도시 된 바 와 같이 , 상기 원소 재 기판 상 에 , 니켈 ( Ni ) , 니켈 합금 ( Ni - alloy ) , 니켈 - 팔라듐 합금 ( Ni / Pd - alloy ) , 금 ( Au ) , 금 합금 ( Au - alloy ) , 니켈 - 팔라듐 - 금 합금 ( Ni / Pd / Au - alloy ) 이나 이 들 의 조합 된 성분 의 금속 원소 를 도금 , 증착 등 에 의해 원소 재 기판 ( S ) 상 에 형성 하 여 소정 두께 의 금속 피막 ( M ) 을 형성 한다 ( S 20 ) . 이 어 , 도 6 c 에 도시 된 바 와 같이 , 상기 금속 피막 ( M ) 위 에 감광 필름 ( PR ) 을 부착 한 후 ( S 30 ) , 도 6 d 에 도시 된 바 와 같이 , 광 마스크 ( 미 도시 ) 를 통한 노광 에 의해 목적 패턴 을 감광 필름 ( PR ) 상 에 인식 시키 고 , 현상 을 통해 경화 되 지 않 은 감광 필름 ( PR ) 을 제거 하 여 감광 필름 ( PR ) 을 패턴 화 한다 ( S 40 ) . 그런 후 , 도 6 e 에 도시 된 바 와 같이 , 패턴 화 된 감광 필름 ( PR ) 에 의해 노출 되 는 금속 피막 ( M ) 에 Hydrogen peroxide Sulphuric acid ( H 2 O 2 10 % + H 2 SO 4 30 %) 로 구성 된 산 성 액 , 또는 염화 동 20 % + 질산 30 % 용액 등 의 에칭 액 을 적용 하 여 식각 제거 하 는 1 차 에칭 단계 가 수행 된다 ( S 50 ) . 다음 에 , 도 6 f 에 도시 된 바 와 같이 , 에칭 마스크 로서 효용 을 다 한 감광 필름 ( PR ) 을 물리 적 으로 박리 하 거나 , 또는 화학 적 으로 분해 하 여 제거 한다 ( S 60 ) . 그리고 , 도 6 g 에 도시 된 바 와 같이 , 감광 필름 ( PR ) 이 제거 된 금속 피막 ( M ) 상 에 , Cupric chloride ( CuCl 2 ) , Ferric chloride ( FeCl 3 ) , Alkaline etchant , Hydrogen peroxide Sulphuric acid ( H 2 O 2 + H 2 SO 4 ) 등 의 에칭 액 을 적용 하 여 , 노출 되 어 있 는 원소 재 기판 ( S ) 을 식각 하 는 2 차 에칭 단계 가 수행 된다 ( S 70 ) . 마지막 으로 , 도 6 h 에 도시 된 바 와 같이 , 에칭 마스크 로서 효용 을 다 한 금속 피막 ( M ) 을 제거 하 는 3 차 에칭 단계 를 행하 여 ( S 80 ) , 다 이 패드 ( 210 ) 와 각 리드 ( 220 ) 가 서로 분리 된 기판 형태 를 완성 한다 .