제 2 내지 제 8 높이 를 갖 는 제 1 도전 물질 들 ( 221 ~ 281 ) 은 각각 제 1 내지 제 7 워드 라인 들 ( WL 1 ~ WL 7 ) 로 동작 하 며 , 제 1 내지 제 7 메모리 셀 들 ( MC 1 ~ MC 7 ) 의 게이트 ( 또는 제 어 게이트 ) 로 동작 한다 . 제 1 시간 ( t 1 ) 에 , 워드 라인 들 ( WL 1 ~ WL 7 ) 에 제 1 워드 라인 소거 전압 ( Vwe 1 ) 이 인가 된다 . 예 시 적 으로 , 제 1 워드 라인 소거 전압 ( Vwe 1 ) 은 저전압 일 것 이 다 . 예 를 들 면 , 제 1 워드 라인 소거 전압 ( Vwe 1 ) 은 접지 전압 ( Vss ) 일 것 이 다 .