그 후 , 전술 한 이온 주입 공정 에서 도입 된 이온 , 즉 제 1 및 제 2 포켓 영역 ( 8 - 1 , 8 - 2 ) 중 에 도입 된 P 형 불순물 , 그리고 , 게이트 ( 5 ) 중 , 제 1 및 제 2 익스텐션 ( 9 - 1 , 9 - 2 ) 중 , 제 1 및 제 2 게이트 측벽 도전 막 ( 10 - 1 , 10 - 2 ) 중 , 드레 인 ( 11 - 1 ) 중 및 소스 ( 11 - 2 ) 중 에 도입 된 N 형 불순물 을 활성 화 하 기 위해 , 열처리 를 실시 한다 . 그 열처리 는 RTA ( Rapid Thermal Anneal ) 로 실시 할 수 있 다 . 구체 적 으로 는 , RTA 는 1000 ℃ 의 온도 에서 10 초간 실시 한다 .