바람직 하 게 는 , 단결정 SiC 잉곳 의 고유 진동수 와 근사 하 는 주파수 는 단결정 SiC 잉곳 의 고유 진동수 의 0 . 8 배 이 다 . 바람직 하 게 는 , 그 액체 는 물 이 며 , 캐비테이션 의 발생 이 억제 되 는 온도 로 설정 된다 . 물 의 온도 는 0 ∼ 25 ℃ 인 것 이 바람직 하 다 . 바람직 하 게 는 , 그 박리 층 형성 공정 에 있 어서 , 단결정 SiC 잉곳 의 단면 의 수선 과 c 축 이 일치 하 고 있 는 경우 , 연속 적 으로 형성 된 개질 부 로부터 c 면 에 등방 적 으로 형성 된 크랙 의 폭 을 초과 하 지 않 는 범위 에서 단결정 SiC 잉곳 과 집 광점 을 상대 적 으로 인덱스 이송 하 여 개질 부를 연속 적 으로 형성 하 고 크랙 과 크랙 을 연결 시켜 박리 층 을 형성 한다 . 바람직 하 게 는 , 그 박리 층 형성 공정 에 있 어서 , 단결정 SiC 잉곳 의 단면 의 수선 에 대해 c 축 이 경사져 있 는 경우 , c 면 과 단면 으로 오프 각이 형성 되 는 방향 과 직교 하 는 방향 으로 개질 부를 연속 적 으로 형성 하 여 개질 부 로부터 c 면 에 등방 적 으로 크랙 을 형성 하 고 , 그 오프 각이 형성 되 는 방향 으로 크랙 의 폭 을 초과 하 지 않 는 범위 에서 단결정 SiC 잉곳 과 집 광점 을 상대 적 으로 인덱스 이송 하 여 그 오프 각이 형성 되 는 방향 과 직교 하 는 방향 으로 개질 부를 연속 적 으로 형성 하 여 개질 부 로부터 c 면 에 등방 적 으로 크랙 을 순차 형성 하 여 박리 층 을 형성 한다 .