종래 의 반도체 장치 의 일 실시 예 로서 , 하 기 의 횡 형 PNP 트랜지스터 가 알려져 있 다 . P 형 의 실리콘 기판 상 에 에피 택 셜 층 이 형성 되 어 있 다 . 실리콘 기판 과 에피 택 셜 층 에 는 N 형 의 매립 확산 층 이 형성 되 어 있 다 . 에피 택 셜 층 에 는 , P 형 의 에 미터 확산 층 , 에 미터 확산 층 을 둘러싸 도록 P 형 의 콜렉터 확산 층 , N 형 의 베이스 컨 택트 확산 층 이 형성 되 어 , 횡 형 PNP 트랜지스터 가 구성 되 어 있 다 . 그리고 , 에 미터 확산 층 과 콜렉터 확산 층 사이 에 위치 하 는 에피 택 셜 층 은 베이스 영역 으로서 이용 된다 . 에 미터 확산 층 으로부터 베이스 영역 으로 주입 된 자유 캐리어 ( 정공 ) 는 에피 택 셜 층 표면 근방 을 경로 로 하 고 있 다 ( 예 를 들 면 , 특허 문헌 1 참조 ) .