상기 제 1 분사 플레이트 ( 431 ) 에 는 제 1 가스 가 기판 ( S ) 으로 분사 될 수 있 도록 복수 의 제 1 가스 분사 홀 ( 431 b ) 이 형성 될 수 있 고 , 상기 제 2 분사 플레이트 ( 432 ) 에 는 제 2 가스 가 기판 ( S ) 으로 분사 될 수 있 도록 복수 의 제 2 가스 분사 홀 ( 432 a ) 이 형성 될 수 있 다 .