또한 , 본 발명 에서 는 , 에피 택 셜 층 상 에 절연 층 을 퇴적 하 고 , 절연 층 에 컨 택트 홀 을 형성 한 후 에 , 컨 택트 홀 을 이용 해서 에 미터 영역 을 형성 한다 . 이 제조 방법 에 의해 , 에 미터 영역 용 의 확산 층 및 콜렉터 영역 용 의 확산 층 과 컨 택트 홀 과 의 마스크 어긋남 을 고려 할 필요 가 없 어 , 디바이스 사이즈 를 축소 할 수 있 다 .