이 LM 모드 는 종래 모드 에 비해 몇 가지 이점 들 을 제공 한다 . 먼저 , LM 모드 에서 프로그래밍 시간 이 통상 의 모드 에서 보다 적 을 수 있 기 때문 에 프로그래밍 스트레스 가 덜 할 수 있 고 ( 예 를 들 어 , E 상태 ( 130 ) 에서 C 상태 ( 136 ) 로 종래 모드 에서 메모리 셀 을 프로그래밍 하 는 것 은 메모리 셀 의 임계 전압 을 이동 시키 는 데 긴 기간 을 필요 로 하 고 전체 시간 에 이웃 셀 들 에 스트레스 를 주 며 LM 모드 에서 임계 시트 프 들 각각 은 크기 가 더 작 다 ) , 따라서 프로그램 교란 이 덜하 며 신뢰 성 이 더 크 다 . 또한 , 하위 페이지 만 을 사용 한다면 , E 상태 ( 140 ) 와 중간 LM 상태 ( 148 ) 간 의 격리 는 종래 모드 에서 E 상태 ( 130 ) 와 A 상태 ( 132 ) 간 의 격리 보다 크 며 , 그럼 으로써 메모리 셀 에서 신호 마진 들 은 더 커 지 게 된다 . 마지막 으로 , 피크 ( 148 ) 의 폭 은 종래 모드 에서 피크 ( 132 ) 의 폭 보다 더 넓 을 수 있 어 , 결과 적 인 최종 임계 값 이 종래 모드 에서 와 같이 정확 하 게 제어 될 필요 가 없 기 때문 에 하위 페이지 프로그래밍 이 더 신속 하 게 행해질 수 있 게 된다 .