프로그래밍 ( 기록 ) 동작 에서 , 선택 된 워드 라인 에 고전압 프로그래밍 전압 ( high - voltage programming voltage ) Vpgm ( 15 V 내지 20 V ) 이 인가 되 고 , 및 중간 전위 ( intermediate potential ) ( 예 를 들 어 , 10 V ) 가 비트 라인 측 선택 트랜지스터 를 켜 고 소스 라인 측 선택 트랜지스터 를 끄 기 위해 선택 되 지 않 은 워드 라인 에 인가 되 고 , " 및 데이터 "" 0 "" 또는 "" 1 "" 에 대응 하 는 전위 가 비트 라인 에 공급 된다 . 소거 동작 ( erasing operation ) 에서 ", 블록 에서 선택 한 워드 라인 에 0 V 가 인가 되 고 , 및 고전압 ( 예 를 들 어 , 20 V ) 이 플로팅 게이트 ( floating gate ) 의 전자 들 을 기판 으로 추출 하 여 블록 단위 로 데이터 를 소거 하 기 위해 P - 웰 ( well ) 에 인가 된다 .