도 3 d 를 참조 하 면 , 상기 박막 트랜지스터 ( T ) 를 포함 하 는 제 1 기판 ( 310 ) 전면 에 걸쳐 실리콘 산화 막 또는 실리콘 질화 막 을 PECVD 또는 LPCVD 방법 으로 증착 하 여 보호 층 ( 370 ) 을 더 형성 하 고 , 상기 보호 층 ( 370 ) 상 의 제 1 기판 ( 310 ) 전면 에 걸쳐 감광성 물질 을 스핀 코팅 ( Spin Coating ) 방법 으로 도포 하 여 유기 절 연막 ( 380 ) 을 형성 한다 . 본 발명 에서 상기 감광성 물질 은 포토 아크릴 수지 를 이용 하 며 , 상기 유기 절 연막 ( 380 ) 은 도포 후 경화 공정 을 더 포함 할 수 있 다 .