본 발명 은 반도체 메모리 소자 및 그 제조 방법 에 관한 것 으로서 , 보다 상세 하 게 는 SONOS 메모리 소자 및 그 제조 방법 에 관한 것 이 다 . 본 발명 에 따르 면 , 기판 의 하부 에 제 1 확산 영역 을 도핑 하 는 단계 , 기판 을 선택 적 으로 식각 하 여 소정 의 깊이 의 실리콘 기둥 을 형성 하 는 단계 , 실리콘 기둥 의 상부 에 제 2 확산 영역 을 도핑 하 는 단계 , 실리콘 기둥 의 일 측면 에 트랩 층 적층 물 을 형성 하 는 단계 , 실리콘 기둥 및 트랩 층 적층 물 을 커버 하 도록 상부 절 연막 을 형성 하 는 단계 및 상부 절 연막 에 접촉 되 도록 실리콘 기둥 사이 에 게이트 를 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 소노 스 메모리 소자 제조 방법 이 제공 된다 . 본 발명 은 집적도 를 극대 화 시킬 수 있 는 소노 스 메모리 소자 및 그 제조 방법 을 제공 할 수 있 는 효과 가 있 다 .