소거 동작 은 , 상기 접합 영역 ( 209 ) 과 오버랩 되 어 있 는 플로팅 게이트 ( 210 ) 간 의 캐 패 시 턴 스 ( capacitance ) 와 플로팅 게이트 ( 210 ) 와 오버랩 되 어 있 는 모든 캐 패 시 턴 스 ( capacitance ) 와 의 비율 에 의해 플로팅 게이트 전압 ( Vfg ) 이 결정 되 며 , 결정 된 플로팅 게이트 전압 ( Vfg ) 에 의해 터널 산화 막 ( 208 ) 을 통한 전자 주입 으로 센스 트랜지스터 ( Sense Transistor ) 의 문턱 전압 ( Vth ) 이 양 ( +) 으로 채널 ( channel ) 이 오프 ( off ) 상태 가 된다 .