도 4 와 도 5 는 ReRAM 의 일례 를 도시 한다 . 도 4 에 도시 한 가변 저항기 VR 은 전극 층 들 ( 11 , 13 ) 간 에 배치 된 기록 층 ( 12 ) 을 포함 한다 . 기록 층 ( 12 ) 은 적어도 두 종류 의 양이온 원소 들 을 함유 하 는 복합 화합물 로 구성 된다 . 양 이온 원소 들 중 적어도 하나 는 전자 들 이 불 완전 하 게 채워진 d - 궤도 를 갖 는 전이 원소 이 며 , 인접 하 는 양이온 원소 들 간 의 최단 거리 는 0 . 32 nm 이하 이 다 . 구체 적 으로 , 양 이온 원소 는 화학식 AxMyXz ( A 와 M 은 서로 다른 원소 들 임 ) 로 표현 되 며 , 스피넬 구조 ( AM 2 O 4 ) , 일 메 나이트 구조 ( AMO 3 ) , 델라 포사이트 구조 ( AMO 2 ) , LiMoN 2 구조 ( AMN 2 ) , 월 프라 마이트 구조 ( AMO 4 ) , 올리 빈 구조 ( A 2 MO 4 ) , 홀란다 이트 구조 ( AxMO 2 ) , 람스 델 라이트 구조 ( AxMO 2 ) 및 페로 브 스카이 트 구조 ( AMO 3 ) 와 같 은 결정 구조 를 갖 는 물질 로 형성 되 어도 된다 .