한편 , 상기 제 1 커서 성분 제거 회로 ( 211 ) 는 상기 제 3 클럭 ( CLK _ Q ) 이 특정 레벨 로 천 이 할 때 상기 제 1 선택 회로 ( 215 ) 로부터 제공 받 은 상기 제 3 가중치 적용 신호 ( W 3 ) 및 상기 제 4 샘플링 출력 신호 ( DQ _ QB ) 에 응답 하 여 제 1 포스트 커서 ( 1 st post cursor ) 성분 이 제거 된 상기 제 1 간섭 제거 신호 ( S _ icA ) 를 생성 할 수 있 다 .