다음 에 반도체 기판 ( 100 a , 100 b ) 의 표면 과 베이스 기판 ( 120 ) 의 표면 을 대향 시켜 , 제 1 절 연막 ( 102 a , 102 b ) 과 제 2 절 연막 ( 122 ) 을 각각 본 딩 시킨 후 ( 도 5 c 참조 ) , 가 열처리 를 행하 여 박리 층 ( 104 a , 104 b ) 에서 분리 함 으로써 , 베이스 기판 ( 120 ) 위 에 설치 된 제 2 절 연막 ( 122 ) 위 에 , 각각 제 1 절 연막 ( 102 a , 102 b ) 를 사이 에 두 고 단결정 반도체 막 ( 124 a , 124 b ) 을 형성 할 수 있 다 . ( 도 5 d 참조 ) .