본 발명 의 일 실시 예 에 의한 EUV 리소그래피 펠리 클 박막 의 제조 방법 은 KOH 용액 을 이용 하 여 , 실리콘 기판 및 상기 실리콘 기판 상 에 형성 된 실리콘 나이트 라이드 멤 브레인 박막 을 구비 하 는 구조 체 중 에서 상기 실리콘 기판 의 적어도 일부 를 , 습 식각 하 는 단계 ; 습 식각 된 상기 구 조체 를 탈 이온 수 ( DIW ) 에 침지 하 여 세정 ( rinse ) 하 는 단계 ; 상기 탈 이 온수 의 표면 에 이소프로필 알콜 ( IPA ) 층 을 형성 하 는 단계 ; 및 상기 구 조체 를 상기 이소프로필 알콜 층 을 거치 면서 상기 탈 이 온수 로부터 분리 함 으로써 , 상기 실리콘 나이트 라이드 멤 브레인 박막 을 건조 시키 는 단계 ; 를 포함 한다 .