보다 구체 적 으로 는 , 예 를 들 어 텅스텐 막 ( 203 ) 을 성막 하 기 전 에 , 성막 원료 탱크 ( 91 ) 내 를 소정 의 압력 으로 감압 하 고 , 감압 한 상태 에서 텅스텐 막 ( 203 ) 의 성막 을 개시 한다 . 이 에 의해 , 복수 회 반복 되 는 WCl 6 가스 의 공급 ( 스텝 S 1 ) 에 있 어서 , 1 회 당 공급 되 는 WCl 6 가스 의 유량 을 서서히 증가 시키 는 기간 ( T 1 ) 과 , 1 회 당 공급 되 는 WCl 6 가스 의 유량 이 일정 한 기간 ( T 2 ) 을 둘 수 있 다 . 1 회 당 공급 되 는 WCl 6 가스 의 유량 을 서서히 증가 시키 는 기간 ( T 1 ) 에서 는 , 텅스텐 막 ( 203 ) 이 거의 성막 되 어 있 지 않 은 상태 에서 WCl 6 가스 가 공급 되 지만 , WCl 6 가스 의 유량 이 적 으므로 , TiN 막 이 거의 에칭 되 지 않 는다 . 그리고 , 시간 의 경과 에 수반 해서 WCl 6 가스 의 유량 이 커지 는데 , 이때 는 TiN 막 의 표면 에 텅스텐 막 ( 203 ) 이 성막 되 어 있 으므로 , WCl 6 가스 가 직접 TiN 막 에 작용 하 지 않 는다 . 그 때문 에 , WCl 6 가스 에 의한 TiN 막 의 에칭 반응 을 억제 할 수 있 다 .