또한 , 소스 전극 층 ( 405 a ) , 드레 인 전극 층 ( 405 b ) ( 이것 과 같 은 층 으로 형성 되 는 배선 층 을 포함 한다 ) 으로 되 는 도전 층 으로서 는 도전 성 의 금속 산화물 로 형성 해도 좋 다 . 도전 성 의 금속 산화물 로서 는 산화 인듐 ( In 2 O 3 ) , 산화주석 ( SnO 2 ) , 산화아연 ( ZnO ) , 산화 인듐 산화주석 합금 ( In 2 O 3 - SnO 2 , ITO 라고 약기 한다 ) , 산화 인듐 산화아연 합금 ( In 2 O 3 - ZnO ) 또는 이 들 의 금속 산화물 재료 에 산화 실리콘 을 포함 시킨 것 을 사용 할 수 있 다 .