상기 점착 층 을 200 ℃ 내지 300 ℃ 의 온도 에서 열처리 하 여 측정 한 초기 점착력 ( A 1 ) 대비 상기 열처리 된 점착 층 에 광 조사 하 고 측정 한 점착력 ( A 2 ) 간 의 비율 이 과다 하 게 높 은 경우 , 예 를 들 어 30 % 초과 또는 50 % 초과 하 는 경우 광경 화 에 의한 충분 한 박리 력 효과 를 구현 할 수 없 다 . 이 경우 대상 반도체 표면 에 점착 잔여물 이 존재 하 거나 , 반도체 손상 를 유발 하 는 등 의 문제 가 발생 할 수 있 다 . 바람직 하 게 는 상기 변화 율 은 50 % 이하 , 30 % 이하 , 또는 20 % 이하 일 수 있 다 .