도 11 b 는 제 1 유닛 셀 ( 104 ) 및 제 2 유닛 셀 ( 105 ) 이 형성 된 지지 기판 ( 101 ) 위 에 반사 방지 층 을 겸한 패 시베이 션 층 ( 124 ) 을 형성 하 는 단계 를 도시 한다 . 패 시베이 션 층 ( 124 ) 은 , 질화 실리콘 , 질화 산화 실리콘 , 또는 플루오르화 마그네슘 으로 형성 한 다 . 패 시베이 션 층 ( 124 ) 은 , 보조 전극 과 콘택트 를 형성 하 기 위해서 , 제 1 전극 ( 103 ) 과 제 2 전극 ( 112 ) 의 표면 의 일부 가 노출 되 도록 개구부 를 형성 한다 . 패 시베이 션 층 ( 124 ) 의 개구부 는 에칭 가공 에 의해 형성 한다 . 또는 , 개구부 가 형성 된 패 시베이 션 층 ( 124 ) 을 형성 한다 . 이 경우 는 , 상술 한 바 와 같이 섀도우 마스크 를 사용 하 는 방법 , 리프트 오프 법 을 사용 하 는 방법 을 적용 할 수 있 다 .