또한 , 상기 의 목적 을 달성 하 기 위하 여 본 발명 은 , 상기 의 블랭크 마스크 를 준비 한 다음 상기 블랭크 마스크 를 노광 및 현상 하 여 포토레지스트 ( 5 ) 패턴 을 형성 하 는 단계 ; 상기 하드 마스크 막 ( 4 ) 을 염소 ( Cl ) 계열 의 식각 가스 로 식각 하 여 하드 마스크 막 ( 4 ) 패턴 을 형성 하 는 단계 ; 상기 포토레지스트 ( 5 ) 패턴 을 제거 하 는 단계 ; 상기 차광막 ( 2 ) 을 불소 ( F ) 계열 의 식각 가스 로 식각 하 여 차광막 ( 2 ) 패턴 을 형성 하 는 단계 ; 및 상기 하드 마스크 막 ( 4 ) 습식 식각 하 여 상기 하드 마스크 막 ( 4 ) 패턴 의 제거 를 실시 하 는 단계 ; 를 포함 하 여 포토 마스크 를 제조 하 는 것 이 바람직 하 다 .