본 발명 에 따른 웨이퍼 시료 분석 방법 은 서로 다른 노광 조건 들 에 의해 노광 된 다수 의 샷 ( shot ) 영역 들 을 갖 는 웨이퍼 시료 의 제 1 결함 을 검출 한다 . 상기 웨이퍼 시료 에서 상기 노광 조건 들 중 기준 노광 조건 의 오 차 범위 에 해당 하 는 제 1 영역 과 상기 제 1 영역 을 제외 한 제 2 영역 을 설정 한다 . 상기 제 2 영역 에 포함 된 샷 영역 들 의 제 1 결함 들 중 에서 적어도 두 개 의 샷 영역 에서 반복 되 는 제 2 결함 들 을 검출 한다 . 상기 반복 되 는 제 2 결함 들 이 표시 된 제 1 기준 이미지 를 획득 한다 . 상기 제 1 영역 에 포함 된 샷 영역 들 의 제 1 결함 들 중 에서 상기 제 1 기준 이미지 에 표시 된 상기 제 2 결함 들 과 일치 하 는 제 3 결함 들 의 위치 들 을 취약 지점 들 로 설정 한다 .