본 발명 에 따른 반도체 FET 센서 는 , 반도체 기판 과 , 상기 반도체 기판 상 에 형성 된 , 핀 구조 를 갖 는 센서 구 조체 - 상기 센서 구 조체 에 는 전기 적 오 믹 콘 택 을 위한 이온 이 주입 되 고 금속 전극 이 증착 됨 - 와 , 표적 물질 이 상기 핀 구조 를 지나가 도록 하 는 통로 를 포함 하 며 , 상기 핀 구조 의 양쪽 측벽 에 는 상기 표적 물질 과 특이 성 결합 하 는 감지 물질 이 고정 화 되 어 있 는 것 을 특징 으로 한다 .