도프 트 반도체 패턴 ( 161 ) 은 식각 공정 에 의해 잔류 높이 가 제어 될 수 있 고 , 슬릿 ( 131 ) 하단 에 잔류 될 수 있 다 . 도프 트 반도체 패턴 ( 161 ) 을 형성 하 는 동안 , 도프 트 반도체 패턴 ( 161 ) 내부 에 갭 ( 163 ) 이 정의 될 수 있 고 , 갭 ( 163 ) 은 도프 트 반도체 패턴 ( 161 ) 에 의해 슬릿 ( 131 ) 으로부터 격리 될 수 있 다 .