그러나 , 본 발명 의 제 1 실시 예 에 따라 더미 하프톤 부 ( 32 ) 를 형성 하 면 상기 하프톤 부 ( 31 ) 의 제 2 방향 ( Y ) 단부 ( EG ) 가 노광 부 ( EXA ) 와 인접 함 으로 인한 과잉 노광 을 억제 할 수 있 으므로 박막 트랜지스터 의 채널 부 가 과잉 식각 되 는 것 을 방지 할 수 있 다 . 따라서 , 박막 트랜지스터 의 채널 부를 균일 한 폭 으로 형성 할 수 있 으며 , 충분 한 길이 로 형성 할 수 있 다 . 한편 , 도 1 에 도시 된 차 광층 ( 20 ) 의 위치 와 노 광부 ( EXA ) 의 위치 를 서로 바꾸 게 되 면 , 네 가티 브 형 포토레지스트 막 을 이용 하 여 사직 식각 공정 을 진행할 수 있 다 .