이 와 같이 , 상술 의 관계 를 충족 시키 는 것 으로 , 보다 적합 한 반도체 장치 를 실현 하 는 것 이 가능 하 다 . R 1 및 R 2 은 트랜지스터 ( 160 ) 의 게이트 절연 층 이나 용량 소자 ( 164 ) 의 절연 층 에 의해 제어 된다는 점 에 주목 한다 . C 1 및 C 2 에 대해서 도 마찬가지 이 다 . 따라서 , 게이트 절연 층 의 재료 나 두께 등 을 적절히 설정 하 고 , 상술 의 관계 를 충족 시키 도록 하 는 것 이 바람직 하 다 .