일반 적 으로 말 하 여 , 본 발명 의 실시 양태 는 활성 불소 종 을 함유 하 는 전처리 된 기체 혼합물 을 반도체 가공 챔버 의 정상 적 인 운전 온도 와 같 거나 또는 그 보다 낮 은 온도 에서 가공 챔버 내 로 도입 하 는 , 반도체 가공 챔버 의 저온 세정 방법 에 관한 것 이 다 . 전처리 된 기체 혼합물 은 보다 낮 은 온도 에서 및 챔버 내 에 플 라즈 마 를 발생 시킬 필요 없이 챔버 내 의 표면 으로부터 하나 이상 의 원 하 지 않 는 물질 을 제거 하 거나 세정 한다 .