그리고 , 천 장판 ( 36 ) 의 상면 에 , 처리 용기 ( 4 ) 내 에서 플라 즈 마를 발생 시키 기 위해 천 장판 ( 36 ) 을 거쳐서 플 라즈 마 발생 용 의 마이크로파 를 처리 용기 ( 4 ) 의 처리 공간 ( S ) 에 도입 하 는 마이크로파 도입 수단 ( 40 ) 이 마련 되 어 있 다 . 구체 적 으로 는 마이크로파 도입 수단 ( 40 ) 은 천 장판 ( 36 ) 의 상면 에 마련 된 원판 형상 의 평면 안테나 부재 ( 42 ) 를 갖 고 있 고 , 이 평면 안테나 부재 ( 42 ) 상 에 지파 재 ( 遲 派 材 ) ( 44 ) 가 마련 되 어 있 다 . 이 지파 재 ( 44 ) 는 마이크로파 의 파장 을 단축 하 기 위해 고유 전 율 특성 을 갖 고 있 으며 , 예 를 들 면 질화 알루미늄 등 으로 이루어진다 . 평면 안테나 부재 ( 42 ) 는 지 파재 ( 44 ) 의 위쪽 전면 을 덮 는 도전 성 의 중공 원통 형상 용기 로 이루어지 는 도파 ( 道破 ) 상자 ( 46 ) 의 바닥 판 으로서 도 기능 하 도록 되 어 있 으며 , 처리 용기 ( 4 ) 내 의 탑재 대 ( 8 ) 에 대향 하 고 있 다 . 도파 상자 ( 46 ) 의 상부 에 는 해당 도파 상자 ( 46 ) 를 냉각 하 기 위해 냉매 를 흘리 는 냉각 재킷 ( jacket ) ( 48 ) 이 마련 되 어 있 다 .