여기 서 , 게이트 패턴 ( 130 ) 은 도 7 ( b ) 및 도 8 ( c ) 에 나타내 는 사이드 월 ( 131 , 113 ) 의 내측 에 규정 되 는 영역 이 며 , 게이트 절 연막 ( 104 ) 의 패턴 과 동일 하 다 . 제조 공정 에서 , 게이트 패턴 ( 130 ) 에는 도 1 에 나타내 는 패턴 에서 게이트 전극 으로서 의 폴리 실리콘 막 ( 106 ) 이 일단 형성 되 고 , 그 후 , 워드 라인 ( 116 ) 과 중첩 된 영역 이외 가 제거 된다 . 따라서 , 도 7 ( b ) 의 A - A 단면 에서 는 , 워드 라인 ( 116 ) 하방 에 는 폴리 실리콘 막 ( 106 ) 이 존재 하 지만 , 도 8 ( c ) 의 C - C 단면 에서 는 상방 에 워드 라인 ( 116 ) 이 없 고 , 폴리 실리콘 막 ( 106 ) 대신 에 중간 절 연막 ( 118 ) 이 매립 되 어 있 다 .