실시 예 에 따른 이미지 센서 는 배선 ( 110 ) 을 포함 하 는 회로 ( circuitry ) ( 미 도시 ) 가 형성 된 제 1 기판 ( 100 ) ; 상기 배선 ( 110 ) 과 선택 적 으로 접촉 하 도록 상기 제 1 기판 ( 100 ) 상 에 형성 된 실리콘 층 ( 120 ) ; 및 상기 실리콘 층 ( 120 ) 과 접촉 하 면서 상기 제 1 기판 ( 100 ) 과 본딩 되 고 상기 배선 ( 110 ) 과 전기 적 으로 연결 되 도록 형성 된 포토다이오드 ( 210 ) ; 를 포함 할 수 있 다 .