실시 예 , 비 교예 에 따라 형성 한 레지스 트 패턴 에 대해서 , 가열 오븐 내 에서 고순 도 질소 가스 를 통기 하 면서 실온 에서부터 230 ℃ 까지 승 온 후 60 분 간 가열 하 여 , 레지스 트 패턴 으로부터 발생 한 가스 성분 을 흡 착관 에 포집 하 였 다 . 포집 한 성분 을 가스 크로마토그래피 - 질량 분석 ( GC - MS ) 계 로 측정 하 였 다 . 데칸 표준 물질 의 검량 선 을 사용 하 여 , 검출 된 유기 분 의 피크 면적 값 으로부터 유기 분 의 질량 ( ㎍) 을 구하 고 , 가열 전 의 레지스 트 패턴 의 질량 ( g ) 으로 나눔 으로써 , 단위 질 량당 의 유기 분량 ( ㎍/ g ) 을 산출 하 고 , 이하 의 기준 으로 평가 하 였 다 .