이 기판 가열 이나 열처리 는 , 산화물 반도체 에 있 어서 악 성 의 불순물 인 수소 나 수산기 를 막 속 에 포함 시키 지 않 도록 하 는 효과 , 또는 막 속 으로부터 제거 하 는 효과 가 있 다 . 즉 , 산화물 반도체 속 에서 도너 불순물 이 되 는 수소 를 제거 하 는 것 으로써 고순 도화 를 꾀할 수 가 있 으며 , 그 에 따라 트랜지스터 의 노 멀리 오프 화 를 꾀할 수 가 있 으며 , 산화물 반도체 가 고 순도 화 됨 으로써 오프 전류 를 1 aA / m 이하 로 할 수 있 다 . 여기 서 , 상기 오프 전류 치 의 단위 는 , 채널 폭 1 μ m 당 전류 치 를 나타낸다 .