그리고 , 발광 디바이스 ( 190 B ) 는 절연 층 ( 214 b ) 측 에서 화소 전극 ( 191 B ) , 공통 층 ( 112 ) , 발광 층 ( 193 B ) , 공통 층 ( 114 ) , 및 공통 전극 ( 115 ) 의 순서 로 적층 된 적층 구조 를 가진다 . 화소 전극 ( 191 B ) 은 도전 층 ( 169 B ) 및 트랜지스터 ( 210 ) 의 도전 층 ( 222 b ) 을 통하 여 트랜지스터 ( 210 ) 의 저 저항 영역 ( 231 n ) 과 전기 적 으로 접속 된다 . 즉 , 화소 전극 ( 191 B ) 은 트랜지스터 ( 210 ) 와 전기 적 으로 접속 되 어 있 다 . 트랜지스터 ( 210 ) 는 발광 디바이스 ( 190 B ) 의 구동 을 제어 하 는 기능 을 가진다 .