채널 영역 ( CH 1 , CH 2 ) 은 한 쌍 의 핀 들 ( 11 a , 11 b ) 이 스토리지 노드 ( 16 ) 와 접촉 하 는 부위 의 표면 내 에 형성 될 수 있 으며 , 소스 ( S ) 및 드레 인 ( D ) 사이 의 전하 의 이동 경로 의 역할 을 한다 . 도면 을 참조 하 면 , 하나 의 게이트 전극 ( 17 ) 에 대해 두 개 의 채널 영역 ( CH 1 , CH 2 ) 이 전하 의 이동 경로 로 제공 되 는 것 을 알 수 있 다 . 따라서 , 두 개 의 채널 영역 ( CH 1 , CH 2 ) 를 동시 에 이용 할 수 있 으므로 반도체 메모리 소자 의 동작 전류 를 높일 수 있 으며 , 결과 적 으로 동작 속도 도 높일 수 있 는 장점 이 있 다 . 따라서 , 높 은 동작 전류 가 필요 한 메모리 , 예 를 들 어 , 상전 이 메모리 ( PRAM ) 또는 저항 변환 메모리 ( RRAM ) 소자 에 이용 될 수 있 다 . 또한 , DRAM 에 사용 되 는 경우 , 동작 전류 를 높임 으로써 센싱 마진 을 증가 시킬 수 있 는 장점 이 있 다 .