이러 한 차이점 으로 인해 본 발명 의 화합물 P 1 - 9 가 비교 화합물 A 보다 Tg 가 낮 기 때문 에 상대 적 으로 낮 은 온도 에서 도 증착 이 가능 하 여 , 소자 증착 시 소자 에 주 는 데미지 를 줄일 수 있 다 . 또한 , 본 발명 의 화합물 이 비교 화합물 A 에 비해 정공 수송 층 으로서 적합 한 에너지 레벨 ( HOMO , LUMO ) 을 가짐 으로써 , 소자 증착 시 소자 성능 향상 에 주요 인 자 ( 정공 과 전자 의 전하 밸런스 , 정공 이동도 , 전자 이동도 ) 로 작용 하 여 , 구동 전압 , 효율 및 수명 등 이 향상 되 는 결과 가 도출 된 것 이 다 .