그 다음 에 는 , 게이트 마스크 를 이용 한 부분 식각 공정 으로 게이트 하드 마스크 층 ( 146 ) , 게이트 금속 층 ( 144 ) 및 게이트 폴리 실리콘 층 ( 142 ) 및 게이트 산화 막 ( 140 ) 을 순차 적 으로 식각 하 여 게이트 ( 150 ) 를 형성 한다 . 이때 , 게이트 ( 150 ) 의 CD 는 돌출부 ( 170 ) 의 측벽 에 형성 된 게이트 산화 막 ( 140 ) 두께 에 따라서 결정 된다 .