본 발명 은 질화 갈륨 계 화합물 반도체 에 관한 것 으로 , 기판 과 , 상기 기판 상 에 붕소 가 포함 된 버퍼 층 및 상기 버퍼 층 상 에 형성 된 질화 갈륨 계 반도체 층 을 포함 하 는 질화 갈륨 계 화합물 반도체 와 이 의 제조 방법 을 제공 한다 . 이 와 같이 붕소 를 포함 하 는 버퍼 층 dms 단일 막 , 다층막 또는 초격자 층 으로 형성 하 여 그 상부 에 형성 되 는 반도체 층 과 의 결정 결함 을 감소 시키 고 , 결정 성 을 향상 시키 고 , 결정 결함 과 결정 성 이 제거 된 반도체 층 으로 소자 의 성능 을 향상 시켜 , 소자 의 신뢰 성 을 향상 시킬 수 있 다 .