본 발명 에 있 어서 의 폴리아 믹 산 의 이미드 화 율 이 80 % 이상 으로 되 는 경화 온도 는 , 반도체 장치 에 대한 부하 경감 , 반도체 장치 의 휨 경감 의 관점 에서 200 ℃ 이하 가 바람직 하 다 . 또한 , 내열성 , 저 흡수율 의 관점 에서 는 , 폴리아 믹 산 의 이미드 화 율 이 90 % 이상 인 것 이 바람직 하 고 , 95 % 이상 인 것 이 보다 바람직 하 다 . 또한 , 경화 온도 는 , 실용 적 인 관점 에서 100 ℃ 이상 200 ℃ 이하 가 보다 바람직 하 고 , 150 ℃ 이상 200 ℃ 이하 가 특히 바람직 하 다 .