프로그램 모드 시 , 제 어 로직 ( 250 ) 은 보상 메모리 셀 ( 710 ) 의 게이트 ( 531 a ) 에 보상 전압 ( Vcc ) 을 인가 되 고 , 선택 메모리 셀 ( 720 ) 의 게이트 ( 531 b ) 에 턴 - 오프 전압 ( Voff ) 이 인가 되 며 , 비 선택 메모리 셀 ( 730 ) 의 게이트 ( 531 c ) 에 턴 - 온 전압 ( Von ) 이 인가 되 도록 제어 할 수 있 다 . 그리하여 , 선택 메모리 셀 ( 720 ) 의 반도체 층 ( 522 b ) 은 절연 특성 을 가지 며 , 비 선택 메모리 셀 ( 730 ) 의 반도체 층 ( 52 c ) 은 도체 특성 을 가질 수 있 다 . 선택 메모리 셀 ( 720 ) 에 전기 적 으로 연결 된 비트 라인 에 프로그램 전압 ( Vprogram ) 이 인가 되 면 , 보상 메모리 셀 ( 710 ) 및 선택 메모리 셀 ( 720 ) 에 전 압차 가 발생 하 게 된다 .