이후 , 상기 게이트 전극 ( 112 ) 및 커패시터 상부 전극 ( 122 ) 을 노광 마스크 로 하 여 불순물 을 이온 주입 하 여 반도체 층 ( 114 ) 에 소스 / 드레 인 영역 ( 114 a , 114 c ) 을 형성 한다 . 이때 , 불순물 이온 이 주입 되 지 않 은 소스 영역 과 드레 인 영역 사이 의 반도체 층 은 채널 영역 ( 114 b ) 이 된다 .