콘택트 층 의 제작 방법 에 특별히 제약 은 없 지만 , 성막 조건 을 변경 하 여 반도체 층 과 동일 한 조성 비 의 콘택트 층 을 성막 하 거나 , 반도체 층 과 조성 비 가 다른 층 을 성막 하 거나 , 반도체 의 전극 과 의 콘택트 부분 을 플 라즈 마 처리 나 오존 처리 에 의해 저항 을 높임 으로써 구성 하 거나 , 반도체 층 을 성막 할 때 에 산소 분압 등 의 성막 조건 에 의해 저항 이 높 아 지 는 층 을 구성 하 여도 좋 다 .