층간 절연 층 ( 190 ) 및 제 1 내지 제 3 반도체 소자 들 ( 250 _ 1 , 250 _ 2 , 250 _ 3 ) 상 의 표시 영역 ( 10 ) 에 평탄 화 층 ( 270 ) 이 배치 될 수 있 고 , 주변 영역 ( 20 ) 에 는 배치 되 지 않 을 수 있 다 . 예 를 들 면 , 평탄 화 층 ( 270 ) 은 층간 절연 층 ( 190 ) 상 에서 제 1 내지 제 3 소스 전극 들 ( 210 _ 1 , 210 _ 2 , 210 _ 3 ) 및 제 1 내지 제 3 드레 인 전극 들 ( 230 _ 1 , 230 _ 2 , 230 _ 3 ) 을 충분히 덮 도록 상대 적 으로 두꺼운 두께 로 배치 될 수 있 고 , 이러 한 경우 , 평탄 화 층 ( 270 ) 은 실질 적 으로 평탄 한 상면 을 가질 수 있 으며 , 이 와 같 은 평탄 화 층 ( 270 ) 의 평탄 한 상면 을 구현 하 기 위하 여 평탄 화 층 ( 270 ) 에 대해 평탄 화 공정 이 추가 될 수 있 다 . 평탄 화 층 ( 270 ) 은 유기 물질 또는 무기 물질 등 을 포함 할 수 있 다 . 예 시 적 인 실시 예 들 에 있 어서 , 평탄 화 층 ( 270 ) 은 유기 물질 을 포함 할 수 있 다 .