상기 제 2 자성 층 ( 55 ) 은 상기 터널 배리어 층 ( 54 ) 상 을 덮 을 수 있 다 . 상기 제 2 자성 층 ( 55 ) 은 자유 층 및 고정 층 중 상기 제 1 자성 층 ( 53 ) 과 다른 하나 를 포함 할 수 있 다 . 이하 에서 는 , 간략 한 설명 을 위하 여 상기 제 1 자성 층 ( 53 ) 이 상기 자유 층 을 포함 하 고 상기 제 2 자성 층 ( 55 ) 은 상기 고정 층 을 포함 하 는 경우 를 상정 하 여 설명 하 기 로 한다 . 상기 터널 배리어 층 ( 54 ) 은 상기 제 1 자성 층 ( 53 ) 및 상기 제 2 자성 층 ( 55 ) 사이 에 개재 될 수 있 다 . 상기 제 2 자성 층 ( 55 ) 은 레퍼런스 층 ( reference layer ; RL ) 에 해당 될 수 있 다 . 상기 제 2 보조 층 ( 59 ) 은 상기 제 2 자성 층 ( 55 ) 상 을 덮 을 수 있 다 . 상기 제 2 보조 층 ( 59 ) 은 전극 층 , 씨드 ( seed ) 층 , 스 페이서 ( spacer ) 층 , 자기 보정 층 , 시프트 캔 슬링 층 ( shift cancelling layer ; SCL ) , 식각 정지 층 , 캐 핑 층 ( capping layer ) , 또는 이 들 의 조합 을 포함 할 수 있 다 . 상기 제 2 보조 층 ( 59 ) 은 상기 제 1 보조 층 ( 51 ) 과 다른 층 을 포함 할 수 있 다 . 일 실시 예 에서 , 상기 제 2 보조 층 ( 59 ) 은 상기 시프트 캔 슬링 층 ( SCL ) 및 상기 시프트 캔 슬링 층 ( SCL ) 상 에 형성 된 상기 캐 핑 층 ( capping layer ) 을 포함 할 수 있 다 . 상기 제 2 보조 층 ( 59 ) 상 에 상기 상부 전극 ( 61 ) 이 형성 될 수 있 다 .