도 4 내지 도 8 d 를 참조 하 면 , 상기 제 1 영역 및 제 2 영역 을 제외 한 반도체 패턴 ( SCP ) 의 나머지 영역 을 결정 화 하 기 위한 결정 화 공정 을 진행 한다 . 예 를 들 어 , 각각 의 반도체 패턴 ( SCP ) 및 마스크 ( 200 ) 가 형성 된 베이스 층 ( 100 ) 상 에 레이저 조사 장치 ( 일 예 로 , 레이저 바 ) ( 300 ) 를 배치 하 고 , 상기 레이저 조사 장치 ( 300 ) 를 일 방향 ( 일 예 로 , 제 1 방향 ( DR 1 ) ) 을 따라 이동 시키 면서 레이저 ( 310 ) 를 조사 함 에 의해 , 마스크 ( 200 ) 에 의해 커버 되 지 않 은 반도체 패턴 ( SCP ) 의 일 영역 을 결정 화 할 수 있 다 . 이 에 따라 , 상기 반도체 패턴 ( SCP ) 을 , 제 1 마스크 ( 200 _ 1 ) 및 제 2 마스크 ( 200 _ 2 ) 하부 의 제 1 영역 및 제 2 영역 에 대응 하 는 비정질 영역 ( 일 예 로 , a - Si 영역 ) 과 , 상기 제 1 영역 및 제 2 영역 을 제외 한 나머지 영역 에 대응 하 는 결정질 영역 ( 일 예 로 , Poly - Si 영역 ) 으로 구분 할 수 있 다 .