본 실시 형태 에서 는 , 즉시 이탈 조건 만 을 이용 하 거나 , 혹은 즉시 이탈 조건 과 확산 조건 을 조합 하 여 이용 하 여 웨트 에칭 처리 를 행함 으로써 , 웨이퍼 ( W ) 의 의도 하 는 부위 만 을 선택 적 으로 정밀 하 게 에칭 할 수 있 다 . 또한 확산 조건 은 , 피 에칭 영역 의 정밀 한 제어 가 필요 가 없 는 부분 을 에칭 하 는 경우 , 혹은 넓 은 범위 를 한 번 에 에칭 하 는 경우 등 에 이용 할 수 있 어 , 기판 처리 장치 의 동작 의 제어 의 간략 화 에 기여 한다 .