또한 , 일 실시 예 에 따르 면 , 제 1 게이트 전극 ( 310 ) 의 폭 은 적어도 제 1 산화물 층 ( 370 ) 의 폭 과 동일 할 수 있 다 . 도 5 에서 는 제 1 게이트 전극 ( 310 ) 의 폭 이 제 1 산화물 층 ( 370 ) 의 폭 보다 작 도록 도시 되 어 있 으나 , 실질 적 으로 제 1 게이트 전극 ( 310 ) 과 제 1 산화물 층 ( 370 ) 의 폭 은 동일 할 수 있 다 . 후술 할 바 와 같이 , 제 1 게이트 전극 ( 310 ) 과 제 1 산화물 층 ( 370 ) 은 동일 한 공정 에서 패 터닝 되 어 형성 됨 으로써 , 이 들 은 동일 한 폭 을 갖 고 형성 될 수 있 다 . 이 에 따라 , 일 실시 예 에 따르 면 제 1 산화물 층 ( 370 ) 은 상면 은 제 1 게이트 전극 ( 310 ) 과 접촉 하 되 . 측면 은 제 1 게이트 전극 ( 310 ) 과 접촉 하 지 않 고 노출 될 수 있 다 . 제 1 산화물 층 ( 370 ) 의 노출 된 측면 은 후술 하 는 제 1 층간 절 연막 ( 160 ) 과 접촉 할 수 있 다 .