알루미늄 산화 막 ( 32 ) 의 단원자 증착 공정 을 구체 적 으로 살펴보 면 , 0 . 1 Torr ∼ 10 Torr 의 공정 압력 과 300 ∼ 500 ℃ 의 공정 온도 를 유지 하 는 챔버 내 에 전술 한 소스 중 에서 선택 된 어느 하나 의 알루미늄 소스 를 0 . 1 초 ∼ 10 초 동안 주입 ( flow ) 하 여 알루미늄 소스 를 흡착 시킨다 . 이어서 , 원자 층 형성 을 위한 소스 이외 의 미 반응 알루미늄 소스 를 제거 하 기 위해 N 2 가스 를 0 . 1 초 ∼ 10 초 동안 주입 하 여 퍼지 시 킨다 . 이어서 , 반응 가스 ( O 3 또는 O 2 플 라즈 마 ) 를 0 . 1 초 ∼ 10 초 동안 주입 하 여 흡착 되 어 있 는 알루미늄 소스 와 반응 가스 의 반응 에 의한 원자 층 단위 의 Al 2 O 3 박막 을 증착 한다 . 이어서 , 미 반응 반응 가스 및 반응 부산물 을 제거 하 기 위해 N 2 가스 를 0 . 1 초 ∼ 10 초 동안 주입 하 여 퍼지 시 킨다 . 위 와 같 은 알루미늄 소스 ( Al 소스 ) 주입 단계 ( T 25 ) , 퍼지 단계 ( T 26 ) , 반응 가스 주입 단계 ( T 27 ) 및 퍼지 단계 ( T 28 ) 로 이루어진 단위 사이클 을 반복 진행 하 여 2 ∼ 10 Å 두께 의 알루미늄 산화 막 ( 32 ) 을 증착 한다 . 여기 서 , 알루미늄 산화 막 ( 32 ) 을 2 ∼ 10 Å 두께 로 얇 게 하 는 이유 는 , 캐 패 시 턴 스 감소 는 최소 화 하 면서 누설 전류 특성 은 향상 시키 기 위함 이 다 .