이상 의 서브 픽셀 구조 는 제 1 기판 ( 110 ) 상 에 트랜지스터 ( T ) 가 형성 되 고 제 2 기판 ( 190 ) 상 에 유기 발광 다이오드 ( D ) 가 형성 된 구조 를 나타낸다 . 위 의 설명 에서 트랜지스터 ( T ) 는 게이트 ( 113 ) 가 반도체 층 ( 111 ) 보다 하부 에 위치 하 는 바탐 게이트 형 을 일례 로 설명 하 였으나 게이트 ( 113 ) 가 반도체 층 ( 111 ) 보다 상부 에 위치 하 는 탑 게이트 형 으로 형성 할 수 도 있 다 .