본 실시 예의 플 라즈 마 손상 방지 용 정 션 다이오드 의 배치 방법 에 따른 단위 레이아웃 을 반복 적 으로 배치 하 게 되 면 , PMOS 트랜지스터 ( 310 ) 및 NMOS 트랜지스터 ( 330 ) 의 게이트 폴리 레이어 ( 316 a , 316 b ) 에 의해 패 터닝 되 는 게이트 폴리 영역 이 일정 한 간격 으로 배치 되 기 때문 에 , 게이트 폴리 영역 의 공정 단차 를 고려 하 여 더미 게이트 폴리 레이어 를 배치 할 필요 가 없 다 . 그리고 , 본 실시 예의 플 라즈 마 손상 방지 용 정 션 다이오드 의 배치 방법 은 종래 의 플 라즈 마 손상 방지 용 정 션 다이오드 의 배치 방법 에 비하 여 레이아웃 면적 을 줄일 수 있 다 .