또한 , 상기 와 같이 손상 된 반도체 기판 에 소스 / 드레 인 영역 형성 등 의 이온 주입 공정 이 수행 되 면 , 상기 반도체 기판 에 이온 주입 공정 에 의한 손상 또한 발생 되 어 , 상기 손상 된 반도체 기판 하부 에 형성 된 포토다이오드 에 대한 단위 화소 의 암전 류 가 증가 하 게 되 고 , 이 로 인해 씨 모드 이미지 센서 의 저조 도 특성 을 저하 시키 는 문제점 이 있 다 .