실시 예 1 에서 사용 한 마스크 재 층 형성 용 조성물 B 의 자외선 흡수제 인 LA - F 70 ( 주식회사 ADEKA 제 , 트리아진 골격 의 자외선 흡수제 ) 을 , 측쇄 에 트리아졸 골격 을 가지 는 자외선 흡수성 폴리머 의 바나 레진 UVA - 5080 [ 신 나카무라 카가 쿠 고교 가 부시 키 가 이샤 제 , 질량 평균 분자량 : 40 , 000 ~ 60 , 000 , Tg : 80 ℃] 으로 변경 하 고 , 또 한 배 합량 을 0 . 75 질 량부 로부터 10 . 0 질 량부 로 변경 한 것 외 에 는 실시 예 1 과 마찬가지 로 하 여 , 마스크 일체 형 표면 보호 테이프 를 제작 하 고 , 실시 예 1 과 마찬가지 로 하 여 반도체 칩 을 제조 했 다 .