예컨대 , 2007 년 2 월 5 일자 로 출원 된 미국 특허 가 출원 제 60 / 888 , 311 호 와 2005 년 10 월 21 일자 로 출원 된 국제 특허 출원 제 PCT / US 2005 / 038102 호 - 참고 에 의해 전체 가 본 명세서 에 포함 됨 - 에 설명 되 어 있 는 바 와 같 은 원위치 세척 방법 을 채용 할 수 도 있 다는 점 을 이해 해야 한다 . 예컨대 , 침적물 이 이온 빔 에서 기판 으로 전달 되 기 전 에 충분 한 시간 동안 상기 침적물 을 적어도 부분 적 으로 제거 하 기 위해 XeF 2 , XeF 4 , XeF 6 , NF 3 , IF 5 , IF 7 , SF 6 , C 2 F 6 , F 2 , CF 4 , KrF 2 , Cl 2 , HCl , ClF 3 , ClO 2 , N 2 F 4 , N 2 F 2 , N 3 F , NFH 2 , NH 2 F 와 같 은 가스 상 할로겐화물 화합물 이나 , C 3 F 6 , C 3 F 8 , C 4 F 8 및 C 5 F 8 과 같 은 화학식 CxFy 의 화합물 이나 , CHF 3 , CH 2 F 2 , CH 3 F , C 2 HF 5 , C 2 H 2 F 4 , C 2 H 3 F 3 , C 2 H 4 F 2 , 및 C 2 H 5 F 와 같 은 화학식 CxHyFz 의 화합물 이나 , 화학식 CxHyOz 의 화합물 이나 , COF 2 이나 , HF , 또는 COCl 2 , CCl 4 , CHCl 3 , CH 2 Cl 2 , 및 CH 3 Cl 와 같 은 유기 염화물 을 사용 하 는 것 에 의해 침적물 을 이온 소스 로부터 제거 할 수 있 다 . 가스 상 할로겐화물 과 침적물 의 반응 을 가능 하 게 하 는 조건 은 가스 상 할로겐화물 이 제거 하 고자 하 는 재료 와 화학 적 으로 반응 하 는 , 온도 , 압력 , 유량 조성 등 의 임의 의 적절 한 조건 을 포함 할 수 있 다 . 채용 가능 한 다양 한 조건 의 예 로 는 대기 온도 , 대기 온도 를 넘 는 온도 , 플 라즈 마의 존재 , 플라 즈 마 부재 , 대기압 미만 의 압력 등 이 있 다 . 그러 한 가스 상 할로겐화물 접촉 을 위한 특정 온도 는 약 0 ℃ 내지 1000 ℃ 범위 일 수 있 다 . 접촉 은 캐리어 가스 나 순수 한 형태 , 또는 다른 세척제 , 도 펀트 등 과 의 혼합물 로 가스 상 할로겐화물 을 이송 하 는 것 을 포함 할 수 있 다 . 대기 온도 인 침적물 과 의 화학 반응 을 위한 가스 상 할로겐화물 작용 제 는 반응 속도론 을 증가 시키 도록 가열 될 수 있 다 .