즉 , 부트스트랩 커패시터 ( 422 ) 를 그라운드 전압 ( 0 V ) 과 그라운드 전압 대비 소정 의 전압 이 높 은 전압 ( Vcc ) 을 이용 하 여 충전 할 수 있 다 . 구체 적 으로 , 서브 필드 의 유지 기간 에서 부트스트랩 커패시터 ( 422 ) 에 충전 된 전압 을 다음 서브 필드 의 리셋 기간 에서 트랜지스터 ( Yrr ) 의 구동 전압 으로 사용 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 부트스트랩 커패시터 ( Cb ) 가 그라운드 전압 대비 소정 의 전압 ( 일반 적 으로 , 15 V ) 이 높 은 전원 ( Vcc ) 과 트랜지스터 ( Yrr ) 의 소스 단 사이 에 연결 될 때 , 도 3 에서 나타낸 유지 방전 전압 공급 부 ( 412 ) 의 트랜지스터 ( Yg ) 가 턴 온 되 면 부트스트랩 커패시터 ( Cb ) 는 15 V 가 충전 된다 . 그런데 , 부트스트랩 커패시터 ( Cb ) 의 충전 경로 에서 기준 전압 으로 그라운드 전압 이 사용 될 경우 각 서브 필드 의 유지 기간 에서 각 화면 부하 율 에 따라 부트스트랩 커패시터 ( Cb ) 에 충전 되 는 전압 이 변동 될 수 있 다 . 즉 , 화면 부하 율 에 따라 패널 커패시턴스 ( Cp ) 가 변할 경우 임의 의 서브 필드 의 유지 기간 에서 패널 커패시터 ( Cp ) 에 유지 방전 펄스 의 로우 레벨 전압 ( 0 V ) 인가 시 하드 스위칭 에 따른 언더 슈트 ( under shoot ) 가 발생 하 게 된다 . 그러면 , 부트스트랩 커패시터 ( Cb ) 에 과전압 이 충전 되 어 다음 서브 필드 의 리셋 기간 에서 리셋 상승 파형 의 기울기 가 변하 게 된다 .