한편 , 반도체 소자 의 고집 적 화 에 따라 요구 되 는 플래시 메모리 소자 의 메모리 셀 사이즈 는 점차 작아지 고 있 으나 , 패 터닝 ( patterning ) 기술 및 공정 장비 의 한계 로 인하 여 물리 적 으로 메모리 셀 사이즈 를 축소 시키 는 데 는 한계 가 있 다 . 이러 한 한계 를 극복 하 기 위하 여 , 한 개 의 메모리 셀 에 복수 개 의 데이터 를 저장 할 수 있 는 다중 비트 셀 에 대한 연구 가 활발히 진행 되 고 있 다 . 이러 한 동작 방식 을 갖 는 메모리 셀 을 이른바 멀티 레벨 셀 ( MLC ) 이 라고 한다 .