후속 적 으로 임의 의 기판 에 전사 될 수 있 는 개시 된 본 성장 공정 은 그라핀 장치 의 대 규모 통합 을 위한 산업 적 미세 제조 공정 과 상용 가능 하 도록 하 는 큰 잠재력 을 가지 고 있 다 . 상기 장치 의 전도 성 및 이동도 를 추가 로 증가 시키 는 하나 의 방법 은 샘플 어닐링 에 의한 것 이 다 . 도 5 a 에서 제시 된 바 와 같이 , 장치 2 에서 의 게이트 전압 의 특징 적 인 측정치 에 대한 저항 은 , 상기 장치 의 이동도 가 어닐링 에 의해 유의 하 게 향상 된 반면 , " 이 의 전반 적 인 저항 은 감소 되 었 음 을 나타낸다 . 도 5 b 는 장치 의 저항 거동 의 "" 피크 "" 특징 이 보다 뚜렷 하 게 되 었 음 을 나타내 며 ", 이 는 저항 트레이스 의 최대치 및 최소치 의 비율 및 피크 둘 모두 가 재료 의 전자 성질 의 시사점 이 됨 을 나타낸다 .