이어서 , 소자 ( 200 ) 는 습식 또는 건식 식각 공정 에 의해 채널 구멍 또는 메모리 구멍 을 형성 하 여 도 2 b 에 도시 된 소자 ( 200 ) 를 생성 하 는 공정 을 거칠 수 있 다 . 건식 식각 공정 은 , 예 를 들 어 NF 3 , CHF , SF 6 , CF 4 , 및 이 들 의 혼합물 과 같 은 불소 계열 할 라이드 화학 물질 을 사용 할 수 있 다 . 건식 식각 공정 은 , 예 를 들 어 원 격식 플 라즈 마 시스템 을 포함 할 수 있 다 . 건식 식각 화학 물질 은 일부 경우 에 산소 또는 오존 을 포함 할 수 있 다 .