GMR 을 이용한 마그네 틱 램 은 비 자성 층 을 사이 에 둔 두 자성 층 에서 스핀 방향 이 같 은 경우 와 다른 경우 의 저항 이 다른 현상 을 이용 한다 . 스핀 편극 자기 투과 현상 을 이용한 마그네 틱 램 은 절연 층 을 사이 에 둔 두 자성 층 에서 스핀 방향 이 같 은 경우 가 다른 경우 보다 전류 투과 가 더 잘 일어나 는 현상 을 이용 한다 .