도 13 에 , 소스 전극 및 드레 인 전극 으로서 기능 하 는 도전 막 ( 719 ) 및 도전 막 ( 720 ) 이 , 산화물 반도체 막 ( 716 ) 과 게이트 절 연막 ( 715 ) 의 사이 에 형성 되 어 있 는 경우 의 , 메모리 셀 의 단면도 를 도시 한다 . 도 13 에 도시 한 트랜지스터 ( 101 ) 는 게이트 절 연막 ( 715 ) 을 형성 한 후 에 도전 막 ( 719 ) 및 도전 막 ( 720 ) 의 형성 을 행하 고 , 이어서 산화물 반도체 막 ( 716 ) 의 형성 을 행함 으로써 , 얻 을 수 있 다 .