반도체 소자 의 종류 중 에서 디램 ( DRAM ) 은 캐 패 시터 및 트랜지스터 로 구성 된 단위 셀 ( unit cell ) 을 다수 포함 하 고 있 다 . 이 중 캐 패 시터 는 데이터 를 임시 저장 하 기 위해 사용 되 고 , 트랜지스터 는 환경 에 따라 전기 전도도 가 변화 하 는 반도체 의 성질 을 이용 하 여 제어 신호 ( 워드 라인 ) 에 대응 하 여 비트 라인 과 캐 패 시터 간 데이터 를 전달 하 기 위해 사용 된다 . 트랜지스터 는 게이트 ( gate ) , 소스 ( source ) 및 드레 인 ( drain ) 의 세 영역 으로 구성 되 어 있 다 . 게이트 로 입력 되 는 제어 신호 에 따라 소스 와 드레 인 간 전하 의 이동 이 일어난다 . 소스 와 드레 인 간 전하 의 이동은 채널 ( channel ) 영역 을 통해 이루어지 는데 바로 이 채널 이 반도체 의 성질 을 이용 한 것 이 다 .