갈륨 을 포함 시키 지 않 거나 , 또는 갈륨 의 함유량 을 작 게 함 으로써 PBTS 열화 를 억제 할 수 있 는 이유 로서 는 , 예 를 들 어 다음 과 같 은 것 이 생각 된다 . 반도체 층 ( 108 ) 에 포함 되 는 갈륨 은 다른 금속 원소 ( 예 를 들 어 인듐 이나 아연 ) 와 비교 하 여 산소 를 끌어당기 기 쉬운 성질 을 가진다 . 그러므로 , 갈륨 을 많이 포함 한 금속 산화 물막 과 산화물 을 포함 한 절연 층 ( 110 ) 의 계면 에서 , 갈륨 이 절연 층 ( 110 ) 내 의 과잉 산소 와 결합 함 으로써 , 캐리어 ( 여기 서 는 전자 ) 트랩 장소 가 생기 기 쉬워 진다고 추찰 된다 . 그러므로 , 게이트 에 양 의 전위 를 공급 하 였을 때 , 반도체 층 과 게이트 절연 층 의 계면 에 캐리어 가 트랩 됨 으로써 , 문턱 전압 이 변동 되 는 것 이 생각 된다 .