예시 적 으로 , 각 낸드 스트링 ( NS ) 에서 두 개 의 스트링 선택 트랜지스터 들 ( SSTa , SSTb ) 이 제공 되 는 것 으로 설명 되 었 다 . 즉 , 제 1 도전 물질 들 ( 211 ~ 291 , 212 ~ 292 , 213 ~ 293 ) 중 두 개 의 층 들 ( 예 를 들 면 , 제 8 및 제 9 높이 ) 의 제 1 도전 물질 들 이 스트링 선택 트랜지스터 들 ( SSTa , SSTb ) 을 형성 하 는 것 으로 설명 되 었 다 . 그러나 , 각 낸드 스트링 ( NS ) 에 제공 되 는 스트링 선택 트랜지스터 들 의 수 는 한정 되 지 않 는다 . 예 를 들 면 , 각 낸드 스트링 ( NS ) 에서 , 세 개 또는 그 이상 의 스트링 선택 트랜지스터 들 이 제공 될 수 있 다 .