그 다음 에 는 , 반도체 기판 ( 100 ) 전면 에 제 2 산화 막 층 ( 175 ) 을 형성 하 고 , 패드 질화 막 ( 145 ) 이 노출 될 때 까지 화학 기계 적 연마 ( Chemical Mechanical Polishing : CMP ) 공정 을 수행 한다 . 이때 , 제 2 산화 막 층 ( 175 ) 도 SOD ( Spin - on - dielectric ) 산화 막 , HDP ( High density plasma ) 산화 막 또는 이 들 의 조합 중 선택 된 어느 하나 로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 .