제 2 NMOS 트랜지스터 의 인 에 이 블 ( enable ) 상태 에 대한 저항 성분 이 점점 증가 하 고 제 4 PMOS 트랜지스터 가 제 2 NMOS 트랜지스터 게이트 ( gate ) 단의 모든 전하 를 방전 시키 면 제 2 NMOS 트랜지스터 는 디스 에이블 ( disable ) 된다 . -> 출력 패드 의 저항 이 천 이 시작 시점 보다 증가 하 게 됨 으로써 링 잉 잡음 ( ringing noise ) 은 감소 하 게 된다 .