( 제 1 구성 ) 제 1 수광 소자 에 축적 된 전하 와 , 상기 제 1 수광 소자 와 상이 한 분광 특성 을 갖 는 제 2 수광 소자 에 축적 된 전하 의 차분 을 사용 하 여 광 강도 를 검지 하 기 위한 광검 출 반도체 장치 로서 , 상기 제 1 수광 소자 는 , 제 1 도전 형 의 반도체 에 의해서 구성 된 반도체 기판 과 , 상기 반도체 기판 의 표면 에서부터 소정 의 깊이 에 걸쳐 형성 된 제 2 도전 형 의 반도체 에 의한 제 1 도전 층 으로 구성 되 고 , 상기 제 2 수광 소자 는 , 상기 반도체 기판 과 , 상기 반도체 기판 의 표면 에서부터 상기 소정 의 깊이 보다 깊 은 깊이 에 걸쳐서 형성 된 제 2 도전 형 의 반도체 에 의한 제 2 도전 층 으로 구성 되 고 , 상기 제 1 도전 층 과 상기 제 2 도전 층 의 표면 에 는 , 광 을 투과 하 시키 고 , 도전 성 을 갖 는 전자파 시일 드 층 이 형성 되 어 있 는 것 을 특징 으로 하 는 광검 출 반도체 장치 .