실시 예 1 에서 형성 한 점착제 층 ( 3 ab ) 을 마련 하 지 않 고 , 실시 예 1 에서 사용 한 마스크 재 층 형성 용 조성물 B 를 박리 라이너 상 에 건조 후 의 두께 가 10 μ m 가 되 도록 도공 하 고 , 형성 된 마스크 재 층 ( 3 b ) 을 , 실시 예 1 에서 사용 한 기재 필름 ( 두께 100 μ m 의 LDPE 필름 ) 에 직접 첩 합 하 는 것 으로 , 총 두께 110 μ m 의 자외선 경화 형 의 마스크 재 일체 형 표면 보호 테이프 를 제작 하 고 , 실시 예 1 과 마찬가지 로 하 여 반도체 칩 을 제조 했 다 .