한편 , 본 발명 의 또 다른 목적 을 달성 하 기 위한 유기 전계 발광 소자 의 제조 방법 은 기판 상 에 서로 일체 형 인 반도체 층 및 커패시터 하부 전극 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 커패시터 하부 전극 을 스토리지 도핑 하 는 단계 와 , 상기 반도체 층 을 포함 한 전면 에 게이트 절 연막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 게이트 절 연막 상 에 게이트 배선 , 게이트 전극 및 커패시터 상부 전극 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 게이트 전극 을 마스크 로 하 여 상기 반도체 층 에 불순물 을 주입 하 여 소스 / 드레 인 영역 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 게이트 배선 에 교차 하 는 데이터 배선 과 , 상기 게이트 전극 과 절연 되 고 상기 소스 / 드레 인 영역 에 콘 택 되 는 소스 / 드레 인 전극 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 소스 / 드레 인 전극 과 절연 되 는 상기 드레 인 전극 에 콘 택 되 는 제 1 전극 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 제 1 전극 상 에 전자 수송 층 , 유기 발광 층 및 정공 수송 층 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 유기 발광 층 상 에 제 2 전극 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 여 이루어지 는 것 을 특징 으로 한다 .