수직 채널 을 갖 는 트랜지스터 중 하나 가 핀 ( fin ) 트랜지스터 이 다 . 일반 적 인 핀 트랜지스터 가 도 1 에 도시 되 었 다 . 도 1 에 도시 된 바 와 같이 , 핀 트랜지스터 는 소자 분리 막 ( 3 ) 간 의 기판 상부 가 핀 ( fin ) ( 2 ) 형태 로 형성 된 구조 를 가지 며 , 이 핀 ( 2 ) 의 양 측면 이 모두 채널 로 기능 하 고 , 이 를 통해 채널 면적 을 증가 시켜 단 채널 효과 문제 를 해결 할 수 있 다 . 그러나 , 이러 한 구조 는 바디 이펙트 ( body effect ) 를 감 소 시킬 수 는 있 으나 , 유효 채널 길이 를 증가 시키 는 데 는 한계 가 있 다 . 한편 , 수직 채널 을 갖 는 트랜지스터 중 다른 하나 가 도 2 에 도시 된 리세 스 형 ( 또는 , 트렌치 ( trench ) 형 ) 트랜지스터 이 다 . 리세 스 형 트랜지스터 는 핀 트랜지스터 와 달리 게이트 길이 와 상관없이 문턱 전압 ( Threshold Voltage ) 이 결정 되 는 트랜지스터 구조 를 갖 는다 . 그러나 , 문턱 전압 이 낮 아 지 거나 , 단 채널 효과 를 리세 스 형 트랜지스터 만큼 자유 롭 게 해결 할 수 는 없 다 .