상기 과제 를 해결 하 기 위한 본 발명 의 기술 적 사상 에 따른 반도체 장치 의 몇몇 실시 예 는 , 기판 , 기판 상 에 배치 되 는 비트 라인 컨 택 , 비트 라인 컨 택 상 에 배치 되 는 비트 라인 구조 체 , 비트 라인 구조 체의 적어도 일 측 에 형성 되 는 트렌치 , 트렌치 내 에 배치 되 고 , 순차 적 으로 적층 된 스토리지 컨 택 , 실리사이드 층 및 스토리지 패드 를 포함 하 는 스토리지 컨 택 구조 체 , 및 비트 라인 구 조체 와 스토리지 컨 택 구조 체 사이 에 배치 되 는 스 페이서 구조 체 를 포함 하 되 , 스토리지 컨 택 의 상면 은 비트 라인 컨 택 의 상면 보다 낮 게 형성 된다 .