워드 라인 ( WL ) 은 반도체 기판 ( 50 ) 의 소정 영역 에 소자 분리 막 ( 150 ) 을 형성 하 여 워드 라인 을 위한 복수 개 의 활성 영역 들 을 형성 한 후 , 여기 에 불순물 이온 들 을 주입 하 는 것 에 의해 형성 될 수 있 다 . 셀 어레이 영역 에서 워드 라인 을 위한 활성 영역 이 형성 될 때 , 주변 회로 영역 에서 는 구동 소자 인 모스 트랜지스터 ( 170 ) 를 위한 활성 영역 ( 160 ) 이 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 어 반도체 기판 ( 50 ) 이 p 형 반도체 기판 인 경우 에 , 워드 라인 ( WL ) 은 n 형 의 불순물 이온 들 을 주입 하 여 형성 될 수 있 다 .