이 를 통하 여 기판 ( 101 ) 의 상면 에 소스 기체 의 성분 및 반응 기체 의 성분 으로 구성 된 단일 층 의 원자 층 또는 복수 층 의 원자 층 이 형성 된다 . 즉 , 알루미늄 산화 막 ( AlxOy , x 및 y 는 공정 조건 에 따라 제어 가능 ) 이 형성 된다 . 본 실시 예 에서 는 알루미늄 산화 막 을 형성 하 는 공정 을 개시 하 였으나 이 는 설명 의 편의 를 위한 것 으로 본 발명 은 이 에 한정 되 지 않 는다 . 즉 , 본 발명 은 산화 막 을 포함 한 다양 한 절 연막 및 도전 막 을 형성 하 는 공정 에 적용 될 수 있 음 은 물론 이 다 .