또한 , 작동 온도 가 400 ℃ 부근 으로 낮 은 경우 이 어도 , 산화물 층 의 성장 을 완전 하 게 저지 하 는 것 은 어렵 다 . 산화물 층 의 후막 화 ( 성장 ) 는 도전 성 저하 의 큰 원인 이 된다 . 특히 , 산화물 층 은 , 고온 환경 에 있 어서 는 비교 적 양호 한 도전 성 을 나타내 지만 , 저 온 환경 에 있 어서 는 도전 성 이 크 게 저하 한다 . 그 때문 에 , 작동 온도 의 저온 화 에 수반 하 여 , 산화물 층 에 의한 도전 성 저하 의 문제 가 표면 화 되 어 왔 다 .