따라서 , 복수 의 제 2 도전 성 배선 ( 220 ) 중 제 2 최 외곽 배선 ( 220 a ) 을 제외 한 제 2 내측 배선 들 ( 220 b ) 은 반도체 기판 ( 110 ) 의 제 2 측면 ( 100 S 2 ) 밖 으로 돌출 되 어 , 셀 간 커넥터 ( 300 ) 와 중첩 되 어 접속 될 수 있 고 , 제 2 최 외곽 배선 ( 220 a ) 의 양 끝단 은 반도체 기판 ( 110 ) 의 제 2 측면 ( 100 S 2 ) 에서 사선 방향 으로 연장 되 는 제 2 모 따 기 된 측면 ( 100 CS 2 ) 각각 에 인접 한 에지 부분 에 위치 할 수 있 다 .