파워 트랜지스터 분야 에 있 어서 , 게이트 및 소스 전극 을 각각 형성 하 는 , 폴리 실리콘 과 콘 택 영역 의 연결 된 폭 은 소자 의 셀 피치 ( cell pitch ) 로서 정의 된다 . DMOS 파워 트랜지스터 에 관한 종래 기술 에 의하 면 폴리 실리콘 영역 의 폭 을 줄이 기 위해서 는 P 웰 접합 깊이 를 줄여야 하 는데 최소 접합 깊이 는 이 에 필요 한 항복 전압 에 의해 정의 된다 .