상기 CMP 공정 에 의해 질화규소 기판 , 폴리 실리콘 기판 을 각각 연마 한 후 , 연마 완료 질화규소 기판 , 연마 완료 폴리 실리콘 기판 을 연마 정반 ( 플 래 턴 ) 상 에서 분리 하 였 다 . 이어서 , 상기 에서 조정 한 표면 처리 조성물 b - 1 및 B - 1 내지 B - 8 을 사용 하 여 , 연마 완료 질화규소 기판 , 연마 완료 폴리 실리콘 기판 을 연마 정반 ( 플 래 턴 ) 상 에 각각 다시 설치 하 여 , 하 기 조건 에서 린스 연마 처리 를 행하 였 다 .