본 실시 형태 에 있 어서 , 표면 처리 의 대상 이 되 는 「 기판 」 으로 는 , 반도체 디바이스 제작 을 위해서 사용 되 는 기판 이 예시 되 고 , 예 를 들 어 , 규소 ( Si ) 기판 , 질화규소 ( SiN ) 기판 , 실리콘 산화 막 ( Ox ) 기판 , 텅스텐 ( W ) 기판 , 코발트 ( Co ) 기판 , 질화 티탄 ( TiN ) 기판 , 질화 탄탈 ( TaN ) 기판 , 게르마늄 ( Ge ) 기판 , 실리콘 게르마늄 ( SiGe ) 기판 , 알루미늄 ( Al ) 기판 , 니켈 ( Ni ) 기판 , 루테늄 ( Ru ) 기판 , 구리 ( Cu ) 기판 등 을 들 수 있 다 .