도 3 ( 종래 기술 ) 은 , 변형 된 유도성 수퍼 포지션 ( MDS ) 기술 을 이용 하 는 LNA ( 15 ) 의 다이어그램 이 다 . 그 후 , DS 기술 의 경우 에서 와 같이 , 3 차 상호 변조 왜곡 에 대한 2 차 트랜스 컨덕턴스 계수 g 2 MAIN 기여 도 를 스케일 링 및 회전 시키 는 것 대신 에 , MDS 기술 은 3 차 상호 변조 왜곡 에 대한 3 차 트랜스 컨덕턴스 계수 g 3 MAIN 기여 도 에 대해 3 차 상호 변조 왜곡 에 대한 3 차 트랜스 컨덕턴스 계수 g 3 CANCEL 기여 도 의 크기 및 위상 을 변경 시키 므로 , 그 들 의 합산 ( g 3 CANCEL 기여 도 및 g 3 MAIN 기여 도 ) 은 3 차 상호 변조 왜곡 에 대한 2 차 계수 g 2 MAIN 기여 도 에 대해 위상 반전 된다 . 2 개 의 인덕 터 들 ( 17 및 18 ) 의 공통 노드 에 소거 FET ( 16 ) 의 소스 를 접속 시키 는 목적 은 , 메인 FET ( 19 ) 의 g 2 MAIN 및 g 3 MAIN 기여 도 들 에 대해 g 3 CANCEL 기여 도 의 크기 및 위상 을 변경 시키 는 것 이 다 . 따라서 , 도 3 의 MDS LNA ( 15 ) 는 , 도 2 의 DS LNA ( 10 ) 의 IIP 3 와 비교 하 여 개선 된 IIP 3 를 갖 는다 . 상술 된 위상 관계 들 및 트랜지스터 동작 들 의 설명 은 간략 화 되 어 있 다고 이해 될 것 이 다 . 그것 은 설명 의 목적 을 위해 여기 에 제공 된다 . 변형 된 유도성 수퍼 포지션 ( MDS ) 기술 을 이용 하 는 LNA 의 동작 의 더 상세 한 설명 에 대해서 는 2005 년 8 월 11 일 에 공개 된 미국 특허 공개 공보 제 2005 / 0176399 호 를 참고 한다 .