도 2 및 도 3 을 참조 하 여 , 상기 반도체 기판 ( 10 ) 상 에 산화 막 ( 30 ) 및 폴리 실리콘 막 ( 40 ) 이 형성 된 후 , 식각 공정 을 통하 여 게이트 산화 막 ( 31 ) 및 게이트 전극 ( 41 ) 이 형성 된다 . 상기 게이트 전극 ( 41 ) 은 포토다이오드 에 인접 하 는 트랜스퍼 트랜지스터 의 게이트 전극 ( 141 ) 이 다 .