상술 한 바 와 같이 , 본 발명 의 일 실시 예 에서 는 적어도 하나 의 스위칭 트랜지스터 ( Ts ) 를 복수 의 트랜지스터 들 ( 일 예 로 , 제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터 들 ( Ts _ 1 , Ts _ 2 ) ) 을 포함 한 듀얼 구조 이상 의 다중 구조 로 구성 한다 . 그리고 , 상기 복수 의 트랜지스터 들 사이 의 전도성 영역 ( 일 예 로 , 제 3 전도성 영역 ( 120 b 3 ) ) 과 각각 의 채널 영역 ( 일 예 로 , 제 1 및 제 2 채널 영역 들 ( 120 a 1 , 120 a 2 ) ) 의 사이 에 각각 의 광폭 밴드 - 갭 영역 ( 일 예 로 , 제 1 및 제 2 광폭 밴드 - 갭 영역 들 ( 120 c 1 , 120 c 2 ) ) 을 배치 한 접합부 밴드 - 갭 확장 ( JBW : Junction Band - gap Widening ) 구조 를 형성 한다 . 이 에 따라 , 채널 영역 들 각각 의 일 측 에 만 광폭 밴드 - 갭 영역 을 형성 하 더라도 양방향 누설 전류 를 모두 효과 적 으로 저감 또는 방지 할 수 있 다 . 또한 , 활성 층 패턴 ( 120 ) 을 비교 적 짧 게 형성 하 더라도 각각 의 광폭 밴드 - 갭 영역 에 의한 누설 전류 저감 효과 를 얻 을 수 있 다 .