또한 국내 특허 공개 공보 제 2003 - 42580 호 에서 는 반도체 탐침 을 이용 한 정보 저 장 장치 가 개시 되 어 있 으며 , 이 는 전극 층 , 상기 전극 층 상 에 적층 된 강유 전 성막 및 강유 전 성막 의 표면 에 적층 된 반도체 층 을 구비 한 기록 매체 및 상기 강유 전 성막 에 유전 분극 을 형성 하 여 정보 를 기록 하 며 상기 기록 매체 와 의 p - n 접합 구조 를 이용 하 여 상기 강유 전 성막 에 형성 된 유전 분극 으로부터 정보 를 재생 하 는 반도체 탐침 을 구비 한 헤드 를 포함 한다 . 재 기록 이 가능 하 며 고집 적 고속 의 소형 화 된 정보 저장 장치 를 제공 하 는 기술 이 다 .