계속 해서 , 상기 제 1 포토레지스트 패턴 ( 161 a ) 의 두께 를 감소 시켜 , 상기 소오 스 - 드레 인 패턴 ( 118 ') 의 중앙부 를 노출 시키 는 포토레지스트 패턴 ( 161 b ) 을 형성 한다 . 예 를 들 어 , 에 싱 ( Ashing ) 공정 , 에치 백 ( Etch - Back ) 공정 등 을 이용 하 여 상기 제 1 포토레지스트 패턴 ( 161 a ) 의 두께 를 감소 시킨다 .