도 5 는 본 발명 에 따른 3 족 질화물 반도체 발광 소자 의 일 예 를 나타내 는 도면 으로서 , 3 족 질화물 반도체 발광 소자 는 사파이어 기판 ( 10 ) , 사파이어 기판 ( 10 ) 위 에 성장 되 는 버퍼 층 ( 20 ) , 버퍼 층 ( 20 ) 위 에 성장 되 는 n 형 질화물 반도체 층 ( 30 ) , n 형 질화물 반도체 층 ( 30 ) 위 에 성장 되 는 활성 층 ( 40 ) , 활성 층 ( 40 ) 위 에 성장 되 는 p 형 질화물 반도체 층 ( 50 ) , p 형 질화물 반도체 층 ( 50 ) 위 에 형성 되 는 p 측 전극 ( 60 ) , p 측 전극 ( 60 ) 위 에 형성 되 는 p 측 본딩 패드 ( 70 ) , p 형 질화물 반도체 층 ( 50 ) 과 활성 층 ( 40 ) 이 메사 식각 되 어 노출 된 n 형 질화물 반도체 층 ( 31 ) 위 에 형성 되 는 n 측 전극 ( 80 ) 을 포함 한다 .