따라서 , 실시 예 에 의하 면 , 상기 복수 의 발광 구조물 ( P 1 , P 2 , P 3 , P 4 , … ) 에 전원 이 제공 됨 에 있 어 , 상기 기판 ( 105 ) 의 하부 면 을 통해 전원 이 인가 될 필요 가 없 다 . 종래 반도체 소자 에서 , 상기 기판 의 하부 면 을 통해 전원 이 인가 되 어야 하 는 경우 , 상기 기판 ( 105 ) 이 반드시 도전 성 기판 으로 제공 되 어야 한다 . 하지만 , 실시 예 에 따른 반도체 소자 ( 200 ) 에 의하 면 , 상기 기판 ( 105 ) 은 도전 성 기판 일 수 도 있 으며 절연성 기판 일 수 도 있 다 . 예 로서 , 실시 예 에 따른 상기 기판 ( 105 ) 은 진성 반도체 기판 으로 제공 될 수 도 있 다 .