바이어 싱 회로 M ( 202 ) 은 캐스 코드 FET 들 ( 209 및 213 ) 의 게이트 들 상 에 DC 바이어스 전압 VBIAS 1 을 공급 한다 . 또한 , 도시 된 바 와 같이 , 바이어 싱 회로 M ( 202 ) 는 , 메인 FET ( 204 ) 의 게이트 상 에 DC 바이어스 전압 VBIAS 3 를 공급 하 고 , 메인 FET ( 205 ) 의 게이트 상 에 DC 바이어스 전압 VBIAS 4 를 공급 한다 . 이 들 바이어스 전압 들 은 , 메인 FET 들 ( 204 및 205 ) 이 그 들 의 포화 동작 영역 들 에 바이어 싱 되 도록 셋 팅 된다 . 바이어 싱 회로 C ( 203 ) 는 , 캐스 코드 FET 들 ( 210 및 212 ) 의 게이트 들 상 에 DC 바이어스 전압 VBIAS 2 를 공급 한다 . 또한 , 바이어 싱 회로 C ( 203 ) 는 , 소거 FET ( 206 ) 의 게이트 상 에 DC 바이어스 전압 VBIAS 5 를 공급 하 고 , 소거 FET ( 207 ) 의 게이트 상 에 DC 바이어스 전압 VBIAS 6 을 공급 한다 . 이 들 바이어스 전압 들 은 , 소거 FET 들 ( 206 및 207 ) 이 그 들 의 서브 - 임계 동작 영역 들 에 바이어 싱 되 도록 셋 팅 된다 . 종종 , 서브 - 임계 동작 영역 은 약한 전환 동작 영역 으로 지칭 된다 . 도 6 의 예 에서 는 캐스 코드 트랜지스터 들 ( 209 , 213 , 210 및 212 ) 을 바이어 싱하 기 위해 사용 된 2 개 의 바이어스 전압 들 이 존재 하 지만 , 다른 실시 형태 들 에서 는 모든 캐스 코드 트랜지스터 들 의 게이트 들 이 함께 접속 되 고 단일 DC 바이어스 전압 이 모든 캐스 코드 트랜지스터 들 을 바이어 싱하 기 위해 사용 된다 .