다음 에 , 상기 에 미터 인 탄소 나노 튜브 를 선택 적 으로 성장 시키 기 위하 여 패턴 을 갖 는 감광성 레지스 트 층 을 형성 하 는 방법 은 촉매 금속 층 이 형성 된 기판 상부 에 스핀코팅 에 의해 형성 한다 . 이때 형성 되 는 감광성 레지스 트 는 스핀코팅 의 속도 를 조정 하 여 0 . 3 ~ 10 ㎛ 의 두께 를 갖 도록 한다 . 또한 , 상기 와 같 은 두께 로 형성 된 감광성 레지스 트 를 100 ~ 250 oC 의 온도 로 소결 한 후 , UV 와 마스크 를 이용 하 여 필요 한 형태 의 패턴 노광 과정 을 수행 한 다음 , 이 를 현상 하 여 전자 방출 소자 의 위치 에 패턴 에 의해 에 미터 성 장부 를 형성 한다 . 상기 에 미터 의 선택 적 성장 을 위하 여 패턴 이외 의 부분 의 촉매 금속 층 을 식각 액 을 이용 하 여 제거 하 거나 , 또는 감광성 레지스 트 만 이 제거 된 상태 로 기판 을 200 ~ 800 ℃ 에서 1 ~ 600 분 간 용융 과정 을 거쳐 처리 하 여 탄소 나노 튜브 성장 을 위한 씨앗 ( Seed ) 인 전자 방출 성 장부 를 형성 한다 . 즉 , 전자 방출 소자 인 탄소 나노 튜브 가 성장 하 지 않 는 부분 의 감광성 레지스 트 는 제거 되 고 , 전자 방출 소자 가 형성 될 영역 의 레지스 트 와 촉매 금속 과 반응 하 게 된다 . 이때 , 상기 기판 열처리 조건 은 600 oC 에서 30 분 간 용융 과정 을 실시 하 는 것 이 적당 하 다 .