도 16 을 참조 하 면 , 나머지 단계 는 도 15 와 동일 하 되 , S 4 단계 에서 촉매 형성 전 , 희생 층 ( 24 ) 을 먼저 리프트 오프 한 후 촉매 를 형성 하 고 , S 5 단계 에서 는 희생 층 ( 24 ) 을 리프트 오프 하 지 않 고 포토레지스트 층 ( 26 ) 만 을 리프트 오프 한다 . 앞서 설명 한 바 와 마찬가지 로 S 5 단계 에서 촉매 가 형성 된 희생 층 ( 24 ) 을 굳이 리프트 오프 하 지 않 음 으로써 공정 을 간소 화 할 수 있 는데 이 와 같이 할 수 있 는 이유 는 해당 부위 에 는 가열 요소 가 없 으므로 촉매 로부터 탄소 나노 튜브 가 성장 할 우려 가 없 기 때문 이 다 .