핀 - 시닝 프로세스 를 경험 한 돌출 반도체 핀 ( 126 ', 226 ') 이 도 12 에 도시 되 어 있 다 . 돌출 반도체 핀 ( 126 ') 의 시닝 후 에 , 도 14 에 프로세스 ( 312 ) 로서 도시 되 어 있 는 바 와 같이 , 돌출 반도체 핀 ( 126 ') 의 폭 ( Wm 1 ') 은 재차 측정 된다 . 측정 된 폭 ( Wm 1 ') 은 이어서 타 겟 폭 ( Wt 1 ) 과 재차 비교 될 수 도 있 다 . 핀 폭 차이 ( Wm 1 ' - Wt 1 ) 가 양 의 값 이 면 , 프로세스 는 프로세스 ( 308 ) 로 루프 백 되 어 프로세스 ( 308 , 310 ) 를 포함 하 는 재 작업 프로세스 를 수행 한다 . 이 에 따라 , 다른 에칭 레시피 가 핀 폭 차이 ( Wm 1 ' - Wt 1 ) 에 기초 하 여 생성 되 고 , 이어서 돌출 반도체 핀 ( 126 ') 은 돌출 핀 ( 126 ') 의 제 1 에칭 을 위한 이전 에 생성 된 에칭 레시피 와 는 상이 할 수 도 있 는 새롭 게 생성 된 에칭 레시피 를 사용 하 여 재차 에칭 된다 . 그렇 지 않 으면 , ( Wm 1 ' - Wt 1 ) 이 0 이하 이 면 , 재 작업 이 수행 되 지 않 을 것 이 고 , 프로세스 는 프로세스 ( 308 ) 로 루프 백 하 는 대신 에 , 돌출 반도체 핀 ( 226 ') 의 시닝 으로 진행 한다 .