일부 예 에서 , 로컬 메모리 컨트롤러 ( 265 ) 는 메모리 다이 ( 200 ) 에 대해 프리 차지 동작 을 수행 하 도록 구성 될 수 있 다 . 프리 차지 동작 은 메모리 다이 ( 200 ) 의 하나 이상 의 구성 요소 및 / 또는 액세스 라인 을 하나 이상 의 미리 결정 된 전압 레벨 로 프리 차징 하 는 것 을 포함 할 수 있 다 . 일부 예 에서 , 메모리 셀 ( 205 ) 및 / 또는 메모리 다이 ( 200 ) 의 일부 는 상이 한 액세스 동작 사이 에서 프리 차징 될 수 있 다 . 일부 경우 에 , 디 지트 라인 ( 215 ) 및 / 또는 다른 구성 요소 는 판독 동작 전 에 프리 차징 될 수 있 다 .