전자 수송 층 ( 114 ) 을 형성 한 후 , 플루오린화 리튬 ( LiF ) 을 막 두께 가 1 nm 가 되 도록 증착 하 여 전자 주입 층 ( 115 ) 을 형성 하 고 , 이어서 알루미늄 을 막 두께 가 200 nm 가 되 도록 증착 하 여 제 2 전극 ( 102 ) 을 형성 함 으로써 , 본 실시 예 에 따른 발광 디바이스 11 을 제작 하 였 다 .