상기 언더 필 ( 130 ) 은 상기 인터 포저 ( 110 ) 와 반도체 다이 ( 120 ) 의 사이 에 충 진 된다 . 좀 더 구체 적 으로 , 언더 필 ( 130 ) 은 인터 포저 ( 110 ) 와 반도체 다이 ( 120 ) 의 사이 뿐 만 아니 라 반도체 다이 ( 120 ) 의 하부 측면 을 감싼다 . 이러 한 언더 필 ( 130 ) 은 인터 포저 ( 110 ) 와 반도체 다이 ( 120 ) 사이 의 물리 적 / 기구 적 결합력 을 향상 시킬 뿐 만 아니 라 , 인터 포저 ( 110 ) 와 반도체 다이 ( 120 ) 의 열팽창 계수 차이 에 따른 응력 으로부터 인터 포저 ( 110 ) 와 반도체 다이 ( 120 ) 의 분리 되 지 않 도록 한다 . 또한 , 상술 한 바 와 같이 상기 언더 필 ( 130 ) 의 충 진시 상기 언더 필 ( 130 ) 의 내부 에 포함 된 기공 에 의한 파손 또는 상기 인터 포저 ( 110 ) 와 의 열 팽창 계수 차이 에 따른 뒤틀림 현상 에 따른 파손 문제 는 상기 인터 포저 ( 110 ) 에 형성 된 보강 층 ( 114 ) 에 의해 줄어들 수 있 다 .