이때 , 그래핀 반도체 박막 형성 단계 ( S 130 ) 에서 는 기판 ( 110 ) 이 폴리머 기판 과 같 은 연성 기판 으로 구비 되 는 경우 , 그래핀 산화물 박막 ( 131 ) 을 그래 핀 반도체 박막 ( 132 ) 으로 변환 시키 기 위해 , 그래핀 산화물 박막 ( 131 ) 에 조사 되 는 극 단파 백색광 의 조사 에너지 를 2 J / ㎠ ~ 6 J / ㎠ 로 제어 할 수 있 다 .