위 와 같 은 비트 라인 콘 택 홀 ( 31 ) 형성 을 위한 식각 공정 시 오 정렬 , 즉 랜딩 플러그 콘 택 ( 29 A ) 과 게이트 패턴 의 상부 가 동시 에 오픈 되 는 경우 , 게이트 하드 마스크 막 ( 25 ) 이 두껍 게 형성 되 어 있 으므로 비록 일부 가 식각 ( 31 A ) 된다고 하 더라도 게이트 텅스텐 막 ( 24 ) 이 노출 되 지 는 않 는다 . 즉 , 평면 상 으로 홈 ( 24 A ) 과 비트 라인 콘 택 홀 ( 31 ) 이 일부 중첩 되 어 비트 라인 콘 택 홀 ( 31 ) 형성 시 게이트 하드 마스크 막 ( 25 ) 이 일부 손실 되 어도 홈 ( 24 A ) 에 매립 된 게이트 하드 마스크 막 ( 25 ) 이 두꺼우 므로 게이트 텅스텐 막 이 노출 되 지 는 않 는다 .