모든 패 키 징 레벨 상 의 하드웨어 상관 측정 들 에 대한 모델 은 오늘날 고성능 컴퓨터 의 개발 프로세스 에 있 어서 필수 적 이 다 . 시간 및 주파수 영역 에서 의 상이 한 측정 기술 들 은 상이 한 측정 셋 업 ( set - up ) 및 테스트 사이트 ( test site ) 설계 를 요구 한다 . 테스트 사이트 에 대한 한 가지 요구 는 제품 ( product ) 에 상응 하 여야 한다는 것 이 다 . 따라서 , 칩 상 의 전송 라인 은 칩 상 의 모든 금속 층 들 에 분포 된 그라운드 배선 과 전원 ( power ) 과 같 은 제품 에서 측정 되 는 것 이 필요 하 다 . 또한 , 단일 전송 라인 뿐 만 아니 라 배선 채널 이용 과 같 은 제품 을 측정 하 는 것 도 관심 사항 이 다 . 이 는 칩 상 의 실 신호 ( real signal ) 커플링 특성 ( coupling behavior ) 및 상부 금속 층 들 과 반 도전 성 ( semi conducting ) 기판 사이 의 금속 층 들 의 차폐 효과 ( shielding effect ) 를 영상 화 ( image ) 하 기 위해 필수 적 이 다 .