전기 적 으로 프로그램 ( program ) 과 소거 ( erase ) 가 가능 하 고 , 일정 주기 로 데이터 를 재 작성 해야 하 는 리 프레쉬 ( refresh ) 기능 이 필요 없 는 반도체 메모리 소자 에 대한 수요 가 증가 하 고 있 다 . 또한 , 더 많 은 용량 의 데이터 를 저장 할 수 있 는 대용량 메모리 소자 의 개발 을 위해 메모리 소자 의 고집 적 화 에 대한 기술 이 연구 되 고 있 다 . 이 에 따라 플래시 메모리 에 관한 연구 가 활발히 진행 되 고 있 다 . 플래시 메모리 는 일반 적 으로 낸드 ( NAND ) 형 플래시 메모리 와 노아 ( NOR ) 형 플래시 메모리 로 구분 된다 . 노아 ( NOR ) 형 플래시 메모리 는 메모리 셀 들 이 각각 독립 적 으로 비트 라인 과 워드 라인 에 연결 되 는 구조 를 가지 므로 랜덤 액세스 시간 ( random access time ) 특성 이 우수 한 장점 이 있 다 . 반면 , 낸드 ( NAND ) 형 플래시 메모리 는 복수 개 의 메모리 셀 들 이 직렬 로 연결 되 어 셀 스트링 당 한 개 의 컨 택 만 이 필요 하 므로 집 적 도면 에서 우수 한 특성 을 갖 는다 .