이어서 , 도 8 , 도 9 및 도 10 e 에 도시 된 바 와 같이 , 게이트 산화 공정 ( gate oxidation ) 공정 을 실시 하 여 노출 되 는 기판 ( 110 ) 표면 에 게이트 산화 막 ( 115 ) 을 형성 한다 . 이때 , 이미 핀 ( 114 ) 을 포함 한 핀 마스크 ( 112 ) 를 통해 노출 된 액티브 영역 은 이온 들 이 주입 된 상태 이 기 때문 에 핀 마스크 ( 112 ) 에 의해 덮혀 진 부위 보다 두껍 게 형성 된다 .