전술 한 바 와 같이 , SJ - MOS 트랜지스터 의 제 1 칼럼 층 ( 11 a ~ 16 a ) , 제 2 칼럼 층 ( 11 b ~ 16 b ) 및 제 3 칼럼 층 ( 14 c , 16 c ) 의 전술 한 구조 의 파라미터 의 각각 을 적절히 설정 함 으로써 , 불순물 양 의 밸런스 에 대한 의도 하 는 내압 의 의존 성 을 가지 는 SJ - MOS 트랜지스터 ( 100 ~ 105 ) 가 보다 상세 하 게 설계 될 수 있 다 .