이어서 , 반도체 기판 ( 301 ) 상 에 제 1 게이트 절 연막 ( 305 ) 을 형성 한 후 , 제 1 게이트 절 연막 ( 305 ) 상 에 게이트 전극 용 도전 막 으로 제 1 폴리 실리콘 막 ( 307 ) 및 제 1 텅스텐 실리사이드 막 ( 309 ) 과 게이트 하드 마스크 용 절 연막 으로 제 1 질화 막 ( 311 ) 을 순차 적 으로 형성 한다 . 이때 , 제 1 질화 막 ( 311 ) 은 후속 제 2 게이트 패턴 과 의 분리 막 으로 작용 하 며 , 10 nm 정도 의 두께 로 형성 됨 이 바람직 하 다 .