상기 제 1 도전 라인 블록 ( 310 ) 및 상기 제 2 도전 라인 블록 ( 320 ) 은 각각 상기 메모리 셀 영역 ( 300 A ) 및 접속 영역 ( 300 B ) 에 걸쳐서 연장 되 어 있 다 . 상기 제 1 도전 라인 블록 ( 310 ) 중 상기 메모리 셀 영역 ( 300 A ) 에 형성 되 어 있 는 부분 은 제 1 메모리 셀 블록 ( 310 A ) 을 구성 한다 . 그리고 , 상기 제 2 도전 라인 블록 ( 320 ) 중 상기 메모리 셀 영역 ( 300 A ) 에 형성 되 어 있 는 부분 은 제 2 메모리 셀 블록 ( 320 A ) 을 구성 한다 .