여기 에 , 리저브 캐 패 시터 ( 128 ) 가 형성 되 며 , 리저브 캐 패 시터 ( 128 ) 는 P 형 웰 이 형성 된 영역 ( 120 P ) 에 형성 된 P + 형 의 불순물 을 갖 는 다수 의 접합 영역 ( 소스 와 드레 인 ( 124 ) 에 해당 됨 ) 을 포함 하 고 , 이 들 접합 영역 들 이 공통 으로 연결 되 어서 일단 의 전극 을 형성 하 고 , 이 와 대향 되 는 전극 을 형성 하 기 위한 게이트 ( 126 ) 가 절 연막 ( 미도 시 ) 을 사이 에 두 고 형성 된다 . 상기 한 리저브 캐 패 시터 ( 128 ) 는 MOS 캐 패 시 터 에 해당 된다 .