도 7 을 참고 하 면 , 입력 영역 ( 10 a ) 과 절연 층 ( 2 b ) 위 에 보호막 ( 15 ) 을 형성 한다 . 보호막 ( 15 ) 은 패드 ( P ) 를 노출 시킨다 . 보호막 ( 15 ) 은 질화규소 ( SiNx ) 또는 산화 규소 ( SiOx ) 따위 의 투명 한 무기 절연 물질 로 만들 어 지 거나 , 유기 절연 물질 로 만들 어 질 수 있 다 . 보호막 ( 15 ) 이 무기 절연 물질 로 만들 어 지 는 경우 , 보호막 ( 15 ) 의 두께 는 수천 옹스트롬 이하 로 형성 할 수 있 고 , 보호막 ( 15 ) 이 유기 절연 물질 로 만들 어 지 는 경우 , 보호막 ( 15 ) 의 두께 는 수 마이크로미터 이하 로 형성 할 수 있 다 . 보호막 ( 15 ) 은 하나 의 마스크 를 사용 하 는 광 노광 공정 및 식각 공정 을 통해 형성 될 수 있 다 . 다만 , 보호막 ( 15 ) 은 경우 에 따라 생략 될 수 있 다 .