본 발명 의 일 실시 예 에 따른 발광 다이오드 는 돌출 된 패턴 들 및 리세 스 된 영역 들 을 갖 도록 패 터닝 된 기판 과 , 상기 기판 위 에 형성 된 제 1 도전 형 반도체 층 과 , 상기 제 1 도전 형 반도체 층 위 에 형성 된 활성 층 과 , 상기 활성 층 위 에 형성 된 제 2 도전 형 반도체 층 을 포함 한다 . 이때 , 상기 기판 의 돌출 된 패턴 들 은 기판 과 접하 는 면 의 직경 이 0 . 5 ㎛ 내지 3 . 0 ㎛ 의 범위 인 반구형 의 형상 을 갖 도록 형성 된다 .