상기 절연 층 ( 150 ) 에 제 1 오목 한 영역 ( 155 ) 을 형성 하 고 , 상기 오목 한 영역 ( 155 ) 을 채우 는 제 1 충전 반도체 패턴 ( 160 ) 을 형성 한다 . 상기 제 1 충전 반도체 패턴 ( 160 ) 에 원소 들 을 제공 하 여 상기 충전 반도체 패턴 ( 160 ) 내 에 제 1 형태 의 제 1 게터 링 영역 ( 165 ) 을 형성 한다 . 상기 원소 들 을 상기 제 1 충전 반도체 패턴 ( 160 ) 에 제공 하 는 방법 은 인시 츄 방식 또는 이온 주입 방식 을 이용 할 수 있 다 . 이 와 관련 된 것 은 상술 한 제 1 실시 예 에서 설명 하 였음으로 생략 한다 .