자기 접합부 ( 110 ) 는 자유 층 ( 112 ) , 비 자기 스 페이서 층 ( 114 ) 및 자기 모멘트 ( 117 ) 를 갖 는 고정층 ( 116 ) 을 포함 한다 . 자기 접합부 ( 110 ) 는 또한 높 은 스핀 분극 을 갖 는 임의 의 분극 강화 층 ( 들 ) ( polarization enhancement layer ) 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 분극 강화 층 은 Fe , CoFe 및 / 또는 CoFeB 를 포함 할 수 있 다 . 하부 콘 택 , 상부 콘 택 , 선택 적 인 시드 층 ( 들 ) 및 선택 적 인 캡 핑 층 ( 들 ) 이 존재 할 수 있 지만 , 단순 화 를 위해 도시 되 지 는 않 는다 . 시드 층 ( 들 ) 은 ( 200 ) 배향 을 갖 는 얇 은 결정질 MgO 시드 층 을 포함 할 수 있 다 . 이러 한 MgO 층 은 인접 층 의 수직 자기 이방성 ( perpendicular magnetic anisotropy , PMA ) 을 향상 시킬 수 있 다 . 유사 하 게 , 캡 핑 층 ( 들 ) 은 인접 층 의 수직 자기 이방성 을 향상 시키 기 위해 얇 고 결정 질인 ( 200 ) MgO 층 을 포함 할 수 있 다 . 다른 시드 및 / 또는 캡 핑 층 이 사용 될 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 스핀 궤도 상호 작용 활성 층 ( 130 ) 은 자기 접합부 ( 110 ) 보다 기판 ( 도시 되 지 않 음 ) 에 더 가깝 다 . 다른 실시 예 에서 , 자기 접합부 ( 110 ) 는 스핀 궤도 상호 작용 활성 층 ( 130 ) 보다 기판 ( 도시 되 지 않 음 ) 에 더 가깝 다 . 선택 적 인 삽입 층 ( 102 ) 은 비 자기 이 며 , 자유 층 ( 112 ) 과 스핀 궤도 상호 작용 활성 층 ( 130 ) 사이 에 존재 하 여 스핀 궤도 상호 작용 을 조절 할 수 있 다 . 고정층 ( 116 ) 의 자화 를 고정 하 기 위해 선택 적 인 고정층 ( 미 도시 ) 이 사용 될 수 있 다 . 선택 적 고정층 은 교환 바이어스 상호 작용 에 의해 고정층 ( 116 ) 의 자화 를 고정 하 는 반강자성 층 또는 다층 일 수 있 다 . 그러나 , 다른 실시 예 에서 , 선택 적 인 고정층 은 생략 되 거나 다른 구조 가 사용 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 고정층 ( 116 ) 의 자기 모멘트 ( 117 ) 가 평면 에 수직 인 도시 된 실시 예 에서 , 이러 한 반강자성 층 은 생략 된다 .