예 를 들 어 CAC - OS 중 , CAC 구성 을 갖 는 In - Ga - Zn 산화물 ( 이러 한 In - Ga - Zn 산화물 을 특히 CAC - IGZO 라고 하 여도 좋 음 ) 은 인듐 산화물 ( InO X 1 , 여기 서 X 1 은 0 보다 큰 실수 ( 實數 ) ) 또는 인듐 아연 산화물 ( In X 2 Zn Y 2 O Z 2 , 여기 서 X 2 , Y 2 , 및 Z 2 는 0 보다 큰 실수 ) 와 , 갈륨 산화물 ( GaO X 3 , 여기 서 X 3 은 0 보다 큰 실수 ) 또는 갈륨 아연 산화물 ( Ga X 4 Zn Y 4 O Z 4 , 여기 서 X 4 , Y 4 , 및 Z 4 는 0 보다 큰 실수 ) 등 으로 재료 가 분리 되 어 모자이크 패턴 이 형성 되 는 구성 을 갖 는다 . 그리고 , 모자이크 패턴 을 형성 하 는 InO X 1 또는 In X 2 Zn Y 2 O Z 2 가 막 내 에 고르 게 분포 되 어 있 다 . 이 구성 을 클라우드 상 구성 이 라고 도 한다 .