제 1 전극 ( 320 ) 은 도 3 b 의 커패시터 구조 에서 제 1 전극 용 도전 막 ( 302 , 304 B , 309 B ) 에 대응 될 수 있 다 . 제 1 전극 ( 320 ) 은 하부 영역 ( 321 ) 및 하부 영역 ( 321 ) 상 에 형성 되 며 하부 영역 ( 321 ) 에 비해 좁 은 횡단면 적 을 갖 는 상부 영역 ( 322 ) 을 포함 할 수 있 다 . 하부 영역 ( 321 ) 및 상부 영역 ( 322 ) 은 각각 도 3 b 의 커패시터 구조 에서 제 1 도 전막 ( 302 ) 및 제 2 도 전막 ( 304 ) 의 제 2 패턴 ( 304 B ) 에 대응 될 수 있 다 .