또한 상기 박막층 ( 20 ) 을 형성 하 는 단계 가 금속 전극 을 형성 하 는 단계 일 경우 , 상기 코팅 물질 은 금속 전극 형성 용 물질 로서 은 ( Ag ) , 구리 ( Cu ) , 금 ( Au ) , 백금 ( Pt ) , 티타늄 ( Ti ) , 알루미늄 ( Al ) , 니켈 ( Ni ) , 지르코늄 ( Zr ) , 철 ( Fe ) , 망간 ( Mn ) 등 의 금속 입자 ; 또는 상기 금속 원소 를 포함 하 는 전구체 , 예 를 들 면 질산은 ( AgNO 3 ) , Cu ( HAFC ) 2 ( Cu ( hexafluoroacetylacetonate ) 2 , ) , Cu ( HAFC ) ( 1 , 5 - Cyclooctanediene ) , Cu ( HAFC ) ( 1 , 5 - Dimethylcyclooctanediene ) , Cu ( HAFC ) ( 4 - Methyl - 1 - pentene ) , Cu ( HAFC ) ( Vinylcyclohexane ) , Cu ( HAFC ) ( DMB ) , Cu ( TMHD ) 2 ( Cu ( tetramethylheptanedionate ) 2 ) , DMAH ( dimethylaluminum hydride ) , TMEDA ( t etramethylethylenediamine ) , DMEAA ( dimethylethylamine alane , NMe 2 Et · AlH 3 ) , TMA ( trimethylaluminum ) , TEA ( triethylaluminum ) , TBA ( triisobutylaluminum ) , TDMAT ( tetra ( dimethylamino ) titanium ) , TDEAT ( tetra ( dimethylamino ) titanium ) 등 일 수 있 다 .