본 발명 은 중성 빔 식각 장치 에 관한 것 으로서 , 더욱 상세 하 게 는 그리드 에 형성 되 는 슬릿 의 형태 를 개선 하 여 전체 그리드 면적 대비 높 은 추 출구 비율 을 가지 는 그리드 구조 에 관한 것 으로 , 플 라즈 마로 부터 이온 빔 을 발생 하 는 이온 소스 로부터 발생 된 이온 빔 의 진행 경로 상 에 위치 하 여 이온 빔 의 방향 을 조절 하 는 복수 개 의 그리드 를 포함 하 고 , 상기 복수 개 의 그리드 의 표면 에 는 각각 수직 으로 다 수개 의 슬롯 이 형성 되 어 있 는 그리드 구조 를 제공 함 으로써 , 보다 높 은 밀도 의 이온 을 추출 할 수 있 고 , 그리드 의 기계 적 강도 를 고려 함 으로서 쉽 게 파 손 되 지 않 으며 , 변환 되 는 중성 빔 의 직진 성 을 유지 하 도록 하 여 미세 패턴 가공 이 가능 하 도록 하 는 효과 가 있 다 .