또한 , 상기 식각 공정 에 의해 , 제 2 영역 ( B ) 상 의 희생 막 ( 180 ) 상부 및 제 1 절 연막 ( 170 ) 상부 도 제거 되 어 각각 제 2 희생 막 패턴 ( 184 ) 및 제 4 절 연막 패턴 ( 176 ) 을 형성 하 며 , 제 4 게이트 마스크 ( 158 ) 도 함께 제거 된다 . 이 에 따라 제 4 예비 컨트롤 게이트 ( 148 ) 의 상면 이 노출 된다 . 제 4 절 연막 패턴 ( 176 ) 은 제 4 터널 절 연막 패턴 ( 118 ) , 제 4 플로팅 게이트 ( 128 ) , 제 4 유전 막 패턴 ( 138 ) 및 제 4 예비 컨트롤 게이트 ( 148 ) 의 측벽 및 제 4 예비 게이트 구조물 ( 168 ) 에 인접 한 기판 ( 100 ) 부분 을 커버 하 도록 형성 된다 . 일 실시 예 에 따르 면 , 제 4 절 연막 패턴 ( 176 ) 은 제 4 예비 컨트롤 게이트 ( 148 ) 보다 높 은 상면 을 갖 도록 일부 가 돌출 될 수 도 있 다 .