또한 , 채널 폭 이 좁 은 트랜지스터 공정 에서 실리콘 의 국부 산화 ( LOCOS : Local Oxidation of Silicon ) 로 소자 분리 영역 을 만들 면 문턱 전압 이 높 아 지 는 것 이 보통 이 지만 , 얕 은 트렌치 ( STI : Shallow Trench Isolation ) 공정 으로 소자 분리 영역 을 만들 면 문턱 전압 이 낮 아 져 전류 가 증가 한다 .