다음 으로 , 도 9 ( b ) 에 도시 된 바 와 같이 재료 층 ( 120 ) 상부 에 상술 한 방법 에 의해 비정질 탄소막 ( 130 ) 을 형성 한다 . 즉 , 옥탄 ( C 8 H 18 ) , 톨루엔 ( C 7 H 8 ) , 핵산 ( C 6 H 14 ) , 데칸 ( C 10 H 22 ) 등 을 적어도 하나 이상 포함 하 는 탄화 수소 화합물 가스 와 아르곤 가스 를 포함 하 는 캐리어 가스 를 400 ∼ 1000 W 의 고주파 파워 를 인가 하 여 생성 된 13 . 56 ㎒ 이 고주파 를 이용 하 여 플 라즈 마 를 생성 하 고 , 200 ∼ 400 ℃ 의 기판 온도 에서 비정질 탄소막 ( 130 ) 을 형성 한다 . 이렇게 형성 된 비정질 탄소막 ( 130 ) 은 재료 층 ( 120 ) 과 높 은 식각 선택 비 를 갖 는 동시 에 광 흡수 계수 ( K ) 가 낮 은 하드 마스크 막 으로서 의 역할 을 하 게 된다 .