상기 하부 전극 ( 211 , 213 , 215 ) 상 에 정공 주입 층 ( 224 ) 을 공통 층 으로 형성 한다 . 이어서 , 상기 R 화소 영역 ( Ⅰ ) 의 정공 주입 층 ( 224 ) 상부 에 보조 정공 주입 층 ( 222 b ) 을 형성 한다 . 상기 보조 정공 주입 층 ( 222 b ) 은 정공 주입 층 ( 224 ) 과 동일 한 물질 로 형성 하 는데 , 상기 R 화소 의 발광 층 ( 241 ) 으로부터 발생 하 는 파장 인 레드 ( R ) 광 의 최적 화 된 광 경로 를 만족 시키 기 위하 여 150 내지 250 Å 두께 로 형성 한다 . 다음 , 상기 보조 정공 주입 층 ( 222 b ) 을 포함 한 정공 주입 층 ( 224 ) 상부 에 정공 수송 층 ( 230 ) 을 공통 층 으로 형성 한다 .