이어서 , 도 6 c 에 나타낸 공정 ( 막 형성 단계 ) 에서 는 , 초점 보상 막 ( 3 ) 이 형성 될 수 있 다 . 더 구체 적 으로 는 , 먼저 , 몰드 구동 기구 ( 305 ) 가 슈퍼 스트레이트 ( M 2 ) 를 프로세스 웨이퍼 ( 4 ) 상 의 조성물 ( 3 ') 에 접촉 시키 도록 슈퍼 스트레이트 ( M 2 ) 를 구동 할 수 있 다 ( 접촉 단계 ) . 이어서 , 조성물 ( 3 ') 의 밀도 분포 에 따른 형상 으로 슈퍼 스트레이트 ( M 2 ) 가 변형 된 상태 에서 , 경화 유닛 ( 307 ) 이 미러 ( 310 ) 및 슈퍼 스트레이트 ( M 2 ) 를 통해서 조성물 ( 3 ') 에 대하 여 경화 에너지 를 조사 할 수 있 다 ( 경화 단계 ) . 이 단계 에 의해 , 조성물 ( 3 ') 이 경화 되 고 , 경화 된 조성물 ( 3 ') 로 이루어지 는 초점 보상 막 ( 3 ) 이 형성 될 수 있 다 . 그 후 , 초점 보상 막 ( 3 ) 으로부터 슈퍼 스트레이트 ( M 2 ) 가 분리 될 수 있 다 ( 분리 단계 ) . 상술 한 막 형성 단계 에 의해 , 후속 노광 단계 에서 사용 되 는 노광 장치 의 상면 형상 에 대응 하 는 상부 표면 형상 을 갖 는 초점 보상 막 ( 3 ) 이 형성 될 수 있 다 . 그 후 , 프로세스 웨이퍼 ( 4 ) 는 막 형성 장치 ( 300 ) 로부터 반출 될 수 있 다 .