도 11 을 참조 하 면 , 반도체 장치 ( 100 ) 의 예시 적 인 독 출 동작 은 페이지 단위 로 수행 될 수 있 다 . 예 를 들 어 독 출 동작 이 수행 될 스트링 ( STRread ) 의 선택 된 워드 라인 ( WL ( Sel ) ) 에 스윕 전압 ( Vsweep ) 이 인가 되 고 비 선택 된 워드 라인 ( WL ( Unsel ) ) 에 독 출 전압 ( Vread ) 이 인가 되 며 , 독 출 동작 이 수행 될 바디 게이트 라인 ( BGread ) 에 0 V 의 전압 이 인가 되 어 , 독 출 동작 이 수행 될 수 있 다 . 이때 , 독 출 동작 이 수행 될 스트링 ( STRread ) 의 스트링 선택 라인 ( SSL ) 과 그라운드 선택 라인 ( GSL ) 에 는 각각 스트링 선택 전압 ( Vssl ) 과 그라운드 선택 전압 ( Vgsl ) 이 인가 될 수 있 다 .