상기 및 다른 실시 예 들 은 각각 다음 특징 들 중 하나 이상 의 특징 을 선택 적 으로 포함 할 수 있 다 . 제 1 어레이 내 의 단일 행 을 가로질러 측정 된 전도체 들 의 폭 은 제 1 어레이 의 2 개 의 인접 행 의 인접 한 가장자리 들 사이 에서 측정 된 각 전도체 들 사이 의 이격 거리 보다 더 작 을 수 있 고 , 제 2 어레이 내 의 단일 열 을 가로질러 측정 된 전도체 들 의 폭 은 제 2 어레이 내 의 2 개 의 인접 한 열 의 인접 한 가장자리 들 사이 에서 측정 된 각 전도체 들 사이 의 이격 거리 보다 더 작 을 수 있 다 . 접지 판 은 제 2 방향 으로 연장 되 는 전기 장선 의 일부 를 부분 적 으로 끊 도록 ( terminate ) 위치 할 수 있 다 . 센서 는 제 1 방향 으로 의 전기 장선 의 방해 ( interruption ) 를 검출 하 도록 구성 될 수 있 다 . 센서 는 제 1 방향 의 전기 장선 내 에서 센서 근처 에 위치 해 있 는 물체 ( object ) 로 인한 전기 장선 의 방해 를 검출 하 도록 구성 될 수 있 다 . 물체 는 센서 의 사용자 의 손가락 또는 신체 의 다른 부분 을 포함 할 수 있 다 . 센서 는 송신기 및 수신기 를 포함 할 수 있 다 . 센서 는 다음 의 동작 들 , 즉 , 송신기 를 이용 하 여 전 도체 들 의 제 1 또는 제 2 어레이 상 에서 2 개 의 상이 한 주파수 의 신호 를 송신 하 고 , 수신기 를 이용 하 여 전 도체 들 의 제 1 또는 제 2 어레이 중 다른 쪽 에서 적어도 2 개 의 상이 한 주파수 의 신호 를 수신 하 고 , 수신 된 신호 를 사용 하 여 2 개 의 상이 한 주파수 각각 에서 의 정전 용량 값 을 평가 하 고 , 2 개 의 주파수 에서 의 상기 평가 된 정전 용량 값 이 2 배 이상 다른 경우 에 물체 가 사용 자 의 손가락 또는 신체 의 다른 부분 이 라고 판정 하 고 , 2 개 의 주파수 에서 의 상기 평가 된 정전 용량 값 이 2 배 이상 다르 지 않 은 경우 에 는 물체 가 실제 정전 용량 터치 신호 ( true capacitive touch signal ) 를 생성 할 수 있 는 물체 가 아니 고 센서 의 작동 이 측정 된 힘 에 의한 것 으로 판정 하 는 동작 을 수행 하 도록 구성 될 수 있 다 . 센서 는 센서 를 터치 하 거나 또는 누르 는 것 으로부터 외부 힘 을 수신 하 도록 구성 될 수 있 다 . 센서 는 외부 신호 수신 시 에 제 1 및 제 2 어레이 내 의 전도체 들 을 접 지 판 쪽 으로 압축 하 도록 구성 될 수 있 고 , 또한 외부 힘 이 센서 에 가해질 때 센서 의 정전 용량 을 감소 시키 도록 구성 될 수 있 다 . 센서 는 , 물체 가 센서 근방 에 위치 할 때 부터 물체 가 센서 를 터치 하 여 누를 때 까지 측정 된 정전 용량 의 레벨 이 단조 증가 하 는 정전 용량 특성 을 포함 할 수 있 다 . 접지 판 은 인듐 주석 산화물 ( ITO ) 또는 투명 전도체 의 시트 를 포함 할 수 있 다 . 접지 판 은 액정 디스플레이 ( LCD ) 상 에 형성 된 와이어 또는 금속 을 포함 할 수 있 다 . 센서 는 접지 판 및 제 2 재료 시트 중 하나 가 변형 가능 한 유전체 재료 를 포함 하 는 시트 아래 에 형성 되 도록 구성 될 수 있 고 , 여기 서 제 2 재료 시트 는 변형 가능 한 유전체 재료 의 유전 상수 보다 더 높 은 유전 상수 를 갖 는다 . 센서 는 접지 판 이 변형 가능 한 유전체 재료 를 포함 하 는 시트 아래 에 형성 되 거나 또는 제 2 재료 시트 가 변형 가능 한 유전체 재료 를 포함 하 는 시트 위 에 형성 되 도록 구성 될 수 있 고 , 이 를 위해 제 2 재료 시트 는 변형 가능 한 유전체 재료 의 시트 보다 더 높 은 유전 상수 를 가질 수 있 다 . 센서 는 폴리에스테르 시트 ( PET ) 상 에 인듐 주석 산화물 ( ITO ) 을 포함 할 수 있 다 . 센서 는 폴리에스테르 시트 ( PET ) 또는 플라스틱 기판 상 에 불 투명 한 금속 트레이스 를 포함 할 수 있 다 . 전도체 는 전도체 들 의 제 1 및 제 2 어레이 사이 에 프린 징 전기장 을 생성 하 기 위한 패턴 으로 배열 된 투명 한 전도성 재료 를 포함 할 수 있 다 . 행 들 및 열 들 은 제 1 제 2 어레이 내 의 전도체 들 의 비교 차 영역 에 다이아몬드 형상 의 패턴 을 포함 할 수 있 다 . 제 2 어레이 내 의 전도체 들 은 전도체 들 의 제 1 어레이 와 변형 가능 한 유전체 사이 에 위치 하 고 , 변형 가능 한 유전체 는 제 2 어레이 내 의 전도체 들 과 접 지 판 사이 에 위치 할 수 있 다 .