그 다음 , 도시 되 어 있 지 는 않 지만 , P 형 반도체 층 ( 260 ) 윗면 에 Ni / Au , ITO , ZnO 등 으로부터 선택 된 투명 전극 층 ( 320 ; 도 1 참조 ) 을 형성 하 는 공정 과 N 형 반도체 층 ( 220 ) 일부 를 노출 시키 기 위해 메사 를 형성 하 는 공정 과 투명 전극 층 ( 320 ) 과 N 형 반도체 층 ( 220 ) 의 노출 영역 에 각각 P 형 전극 패드 ( 340 ) 및 N 형 전극 패드 ( 330 ) 를 형성 하 는 공정 이 수행 될 수 있 으며 , 이 에 의해 , 도 1 에 도시 된 것 과 같 은 구조 의 발광 다이오드 가 제조 될 수 있 다 .