전자 공학 - 반도체 공정 에 대해서 공학 기술 레포트 
 전자 공학 - 반도체 공정 에 대해서 
 전자 공학 - 반도체 공정 에 대해서 . hwp 
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 100 % 전자 공학 - 반도체 공정 에 대해서 
 ( wafer fabrication ) 
 1 . 반도체 란 
 2 . 반도체 의 기본 이 되 는 트랜지스터 , 그 중 대세 인 MOSFET 
 3 . 풀 노드 와 하프 노드 
 4 . 공정 에서 칩 의 크기 를 줄이 려는 이유 
 5 . 반도체 공정 재료 와 장비 
 6 . 반도체 관련 용어 
 7 . 반도체 공정 요약 
 8 . 구체 적 인 반도체 공정 
 전기 전도도 에 따라 물질 을 분류 하 면 크 게 도체 , 반도체 , 부도체 로 나뉜다 . 반도체 는 순수 한 상태 에서 부도체 와 비슷 한 특성 을 보이 지만 불순물 의 첨가 에 의해 전기전도도 가 늘어나 기 도 하 고 빛 이나 열에너지 에 의해 일시 적 으로 전기 전도 성 을 갖 기 도 한다 . 
 순수 한 반도체 는 14 족 원소 로 이루어져 모든 전자 가 공유 결합 을 이룬다 . 여기 에 15 족 원소 를 첨가 하 면 잉여 전자 가 발생 하 여 n 형 반도체 가 되 며 13 족 원소 를 첨가 하 면 반대 로 전자 가 부족 하 게 되 어 정공 으로 이루어진 p 형 반도체 가 된다 . n 형 반도체 와 p 형 반도체 를 붙여 놓 으면 p 형 반도체 에서 n 형 반도체 방향 으로 는 전류 가 잘 흐르 며 반대 방향 으로 는 거의 흐르 지 않 는 정류 작용 이 일어난다 . 이러 한 소자 를 다이오드 ( diode ) 라고 하 며 이것 이 반도체 소자 의 기본 이 된다 . 
 르 기 도 한다 . 2 . 반도체 의 기본 이 되 는 트랜지스터 , 그 중 대세 인 MOSFET 
 MOSTFET 은 Metal Oxide Semiconductor Field - Effect Transistor 의 약자 로 그림 에서 보 는 것 처럼 Metal ( Polysilicon ) Oxide ( SiO 2 ) Semiconductor ( Doped Si ) 가 순서 대로 배치 되 어 있 는 트랜지스터 이 다 . 동작 원리 를 간단 하 게 하 면 게이트 에 특정 크기 이상 의 전압 이 걸리 면 , 소스 와 드레 인 사이 에 채널 이 형성 되 고 , 소스 와 드레 인 의 전압 차이 에 의해 채널 을 통해 전류 가 흐르 는 구조 이 다 . 흔히 말 하 는 32 nm 공정 , 45 nm 공정 등 은 게이트 의 길이 를 말 하 는 것 이 다 . 
 반도체 산업 은 기본 적 으로 대량 생산 을 바탕 으로 한다 . 그리고 반도체 는 원형 의 실리콘 웨이퍼 를 기반 으로 만들 어 진다 . 즉 , 하나 의 웨이퍼 에서 더 많 은 칩 을 생산 할수록 수익 이 높 아 지 는 것 이 다 . 여기 서 수익 을 높이 기 위해서 가장 쉬운 방법 은 웨이퍼 의 크기 를 늘리 는 것 이 다 . 예전 부터 지금 까지 웨이퍼 의 크기 는 지름 25 mm 에서 점점 커져서 현재 는 300 mm 에 이르 고 있 다 . 현재 는 450 mm 를 준비 하 고 있 지만 막대 한 투자 비용 으로 인해 정체 되 고 있 는 상태 이 다 . 앞서 3 에서 말 했 듯이 풀 노드 이전 한 번 이 면 집적도 가 두 배 로 올라간다 . 동일 웨이퍼 에서 두 배 의 같 은 칩 을 만들 수 있 다는 것 이 다 . 하지만 실제로 는 두 배 이상 이 가능 하 다 . 옆 의 그림 에서 볼 수 있 듯이 웨이퍼 상 에서 빨간 점 ( 불량 ) 인 부분 으로 인해 쓸 수 없 는 칩 의 개수 가 칩 이 클수록 커지 기 때문 이 다 . 이 를 수율 이 라고 하 는데 칩 의 크기 가 작 을수록 쓸 수 없 는 칩 의 비율 이 작아지 는 것 을 볼 수 있 다 . 게다가 웨이퍼 가 원형 이 기 때문 에 가장 자리 부분 에서 는 다이 ( 직사각형 ) 가 되 지 않 아 칩 을 버려야 하 는데 칩 의 크기 가 작 아 질수록 마찬가지 로 그 부분 을 최소 화 할 수 있 기 때문 에 칩 의 크기 를 줄이 게 되 면 수율 이 매우 효과 적 으로 올라간다 . 이 와 같 은 이유 로 칩 의 크기 를 줄이 기 위한 노력 은 지금 도 계속 되 고 있 지만 칩 의 크기 를 70 % 줄이 게 되 면 동작 전압 ( 게이트 전압 ) 은 70 % 로 떨어지 고 소비 전력 은 동일 쿨 럭 에서 35 % 까지 떨어지 게 된다 . 이 밖 에 도 다양 한 문제점 들 이 있 다 . 하지만 지금 도 칩 의 크기 를 줄이 기 위한 노력 은 계속 되 고 있 다 . 
 반도체 재료 를 크 게 세분 하 면 일반 적 으로 전 공정 재료 와 후 공정 재료 로 구분 된다 . ( 1 ) 전 공정 재료 
 1 ) 기능재료 - 반도체 의 기판 이 되 는 웨이퍼 2 ) 공정 재료 - 웨이퍼 를 가공 하 여 칩 을 제조 하 는 데 사용 되 는 소재 로 포토 마스크 , 포토레지스트 , 반 도 체용 고순 도 화공 약품 및 가스 류 , 페리 클 , 배선 재료 등 
 ( 2 ) 후 공정 재료 
 3 ) 구조 재료 - 리드 프레임 , 본딩 와 이어 , 봉 지재 등 ( 3 ) 전공 정장 비 
 1 ) Main 장비 - CVD ( 화학 증착 장비 ) , Asher , 식각 장비 , Track 장비 등 
 2 ) 주변 장비 - 세정 장비 , 개스 캐비 넷 , Chiller , Scrubber 클린 룸 설비 , 반도체 배관 설비 등 
 ( 4 ) 후 공정 장비 
 1 ) 검사 장비 ( Test Handler , Chip Mounter , Burn - in System 등 ) 
 2 ) 기타 장비 - 패 키 징 장비 ( 몰딩 , 트리밍 , 포 밍 장비 ) , 레이저 마킹 장비 등 
 1 ) 화학 기상 증착 ( CVD : Chemical Vapor Deposition ) 
 화학 기상 증착 이 란 반도체 제조 공정 중 반응기 안 에 화학 기체 들 을 주입 하 여 화학 반응 에 의해 생성 된 화합물 을 웨이퍼 에 증기 착상 시키 는 것 을 말 하 며 이 과정 에 사용 되 는 고순 도 약액 또는 특수 가스 를 화학 기상 증착 재료 라 한다 . 증착 법 에 는 크 게 네 가지 로 분류 되 는 데 1 ) 상압 화 학기 상 증착 ( AP CVD : Atmospheric Pressure CVD ) , 2 ) 저압 화학 기상 증착 ( LP CVD : Low Pressure CVD ) , 3 ) 열화학 증착 과 4 ) 플라 즈 마 화학 증착 ( PE - CVD ) 으로 나눌 수 있 다 
 2 ) 식각 재료 ( Etchants ) 및 세정 재료 ( Cleaning Chemicals ) 
 식각 재료 는 반도체 제조 공정 및 웨이퍼 제조 공정 은 물론 평판 디스플레이 제조 공정 에서 도 광범위 하 게 사용 되 는 재료 이 다 . 우선 식각 이 라 함 은 웨이퍼 표면 이나 평판 디스플레이 기판 에 반도체 집적회로 를 형성 시키 기 거나 필요 한 부위 를 얻 기 위하 여 화학 약품 및 특수 가스 의 화학 반응 을 이용 하 여 얻 고자 하 는 패턴 을 만드 는 작업 을 식각 이 라 하 며 이러 한 공정 에 사용 되 는 약품 이나 특수 가스 및 기타 재료 를 식각 재료 라고 한다 . 세정 이 란 웨이퍼 나 평판 디스플레이 표면 에 반도체 패턴 이나 도선 패턴 등 을 형성 시킬 때 금속 오염물 이나 입자 들 을 각각 의 제조 공정 을 수행 하 기 전 ㆍ후에 고 순도 의 약품 을 사용 하 여 제거 시켜 주 는 작업 을 세정 이 라 하 며 반도체 공정 에서 30 ∼ 40 % 정도 가 세정 공정 이 차지 함 으로 세정 재료 의 중요 성 은 지대 하 다 할 수 있 다 . 3 ) 포토 마스크 : 석영 유리판 에 회로 를 묘화 한 회로도 의 원판 
 4 ) 포토레지스트 ( P / R ) : 회로 를 사진 현상 하 기 위한 감광액 
 5 ) 리드 프레임 : 칩 과 외부 회로 와 의 접속 을 위한 지지대 
 6 ) Etching ( 식각 ) Silicon Wafer 에 필요 한 부분 만 을 남겨 놓 고 불 필요 한 부분 을 화학 또는 가스 로 녹여내 는 제작 과정 
 7 ) Bonding 주로 Wire Bonding 이 라고 일컬 어 지 며 반도체 제품 의 조립 시 Chip 의 PAD 와 외부 단자 를 도선 으로 연결 하 는 작업 
 8 ) Chiller ( 칠러 ) 반도체 공정 중 주로 Etching ( 식각 ) 공정 에서 Process Chamber 내 의 온도 조건 을 안정 적 으로 제어 하 는 온도 조절 장비 9 ) Asher ( 에셔 ) 
 건식 식각 이나 이온 주입 등 에 의해 굳어진 감광액 의 건식 제거 ( Dry Strip ) 용 반도체 전 공정 장비 
 10 ) Burn in System 높 은 온도 ( 83 ℃~ 125 ℃) 로 Device 에 열적 Stress 를 가하 여 Test 하 는 장치 
 11 ) Capillary Wire Bonding 공정 에서 금선 을 연결 하 는 데 사용 하 는 도구 ( Ball 모양 을 형성 해 주 고 , Wire 를 끊 어 주 는데 사용 ) Gold Wire 로 접합 하 는 Bonding 작업 시 Gold Wire 를 Bonding 위치 에 정확히 안내 하 고 , 또한 Gold Wire 가 Chip 에 단단 하 게 연결 될 수 있 도록 초음파 를 Bonding 부위 에 전달 시키 는 기능 을 수행 하 는 초 정밀 가공 제품 12 ) Cascade System 3 단 으로 되 어 있 는 작 은 폭포 로써 순수 한 물 ( DI Water ) 이 흐르 면서 바닥 으로부터 질소 가 분출 되 도록 하 여 Wafer 를 헹구 는 장치 
 13 ) Gold Wire : 반도체 소자 인 Die 와 Package 단자 간 을 연결 하 는 금속 세선 
 14 ) Slurry Supply System 반도체 제조 공정 중 하나 인 CMP 공정 에 슬러리 를 공급 하 여 웨이퍼 표면 을 초미세 평탄 화 하 는 장치 15 ) TRAY 반도체 소자 , 반도체 및 LCD Module 제품 ( 정밀 전자 부품 ) 을 외부 의 충격 이나 정전기 , 전자파 등 으로부터 안 전하 게 보호 할 수 있 도록 제작 된 제품 16 ) Si , AI 203 , Quartz ( 구체 적 인 설명 은 나 도 애널리스트 란 의 ` 에스 엔 티 ` 참조 ) 
 반도체 제조 장비 부분품 17 ) NF 3 반도체 및 LCD 세정 용 특수 가스 18 ) C . C . S . S 반도체 와 LCD 전 공정 에 필요 한 Chemical 을 배관 을 통해 생산 장비 로 원격 공급 하 는 자동 화 System 이 며 , 다양 한 형태 의 제품 으로 응용 이 가능 19 ) WET SYSTEM 반도체 용 각종 Cleaner 및 LCD 용 세정 system , Glass Etching system 등 으로 Fab 공정 중 Etching 및 세 정시 에 사용 되 는 전 공정 장비 로서 기존 에 는 주로 일본 에서 수입 하 였으나 , 최근 국산화 개발 로 수입 대체 중 인 제품 . 20 ) RF - Genertor 반도체 전 공정 장비 ( Etch , CVD , 등 ) 의 Plasma 발생 전원 장치 로 사용 21 ) Pellicle ( 소형 펠리 클 ) 반도체 Device 제조 시 Photolithography ( 노광 식각 ) 공정 에서 Photomask ( 반도체 설계 회로도 ) 를 이 물질 로부터 보호 하 기 위해 사용 되 는 부품 22 ) GAS SCRUBBER 반도체 및 LCD 생산 설비 의 독성 GAS 농도 를 분해 하 여 배출 하 는 장비 로 Air + Heating Condition 에 반응 , 고온 에서 분해 , 2 차 분해 후 Powder Collector 를 통해 분진 을 모집 . 
 23 ) DI ( DI Water ) 이온 이 함유 되 지 않 은 물 이 란 뜻 으로 , 불순물 을 제거 시킨 순수 Wafer 의 세정 및 절 단시 용수 로 사용 됨 
 24 ) Dicing 편도 절단 이 라고 도 하 며 Wafer 절단 방식 의 하나 로 단일 방향 으로 절단 하 는 방식 ( 왼쪽 에서 오른쪽 으로 만 절단 ) 
 25 ) Flash Memory 일반 메모리 반도체 와 달리 전원 이 꺼져도 저장 된 데이터 가 그대로 보존 되 는 반도체 
 26 ) Foundry 생산 공장 을 의미 하 는 Fabrication Plant 와 동의어 로 쓰이 며 마이크로프로세서 를 실제로 생산 하 는 장소 , 반도체 수탁 생산 업체 27 ) Utility 공기 , 질소 , 진공 , 순수 , 전원 등 제반 공정 에 필요 한 요소 들 을 통틀어 일컫 는 말 
 28 ) Wafer 
 규소 박판 으로 규소 ( Si ) 를 고순 도로 정제 하 여 결정 시킨 후 얇 게 잘라 낸 것 으로 반도체 소자 를 만드 는데 사용 함 7 . 반도체 공정 요약 
 1 ) 단결정 성장 
 고순 도로 정제 된 실리콘 용 융액 에 속고 를 가하 여 회전 시키 면 단결정 규소 봉 ( INGOT ) 을 성장 시킨다 . ( 회전 을 시키 면 규소 봉 이 점차 자라나 는 형태 로 보이 기 때문 에 ` 성장 ` 이 라는 단어 를 사용 한다 . ) 
 2 ) 규소 봉 절단 
 성장 했 으면 이제 절단 을 해야 한다 . 성장 된 규소 봉 을 균일 한 두께 의 얇 은 웨이퍼 로 잘라낸다 . 우리 가 흔히 말 하 는 몇 인치 웨이퍼 라는 말 은 절단 되 는 규소 봉 의 구경 에 따라 3 `, 4 `, 6 `, 8 ` 로 만들 어 지 며 생산 성 향상 을 위해 점점 대구경 화 경향 을 보이 고 있 다 . 
 3 ) 웨이퍼 표면 연마 
 웨이퍼 의 한쪽 면 을 연마 하 여 거울 면 처럼 만들 어 주 며 , 이 연마 된 면 에 회로 패턴 을 그려 넣 게 된다 . 
 4 ) 회로 설계 
 CAD 시스템 을 사용 하 여 전자회로 와 실제 웨이퍼 위 에 그려질 회로 패턴 을 설계 한다 . 
 5 ) 마스크 제작 
 설계 된 회로 패턴 을 E - beam 설비 로 유리판 위 에 그려 MASK 를 만든다 . 
 Photo Mask 라고 도 하 는데 사진 용 원판 의 구실 을 한다 다 . 현상 공정 에서 마스크 를 Wafer 위 에 얹 은 다음 강한 자외선 을 비추 면 유리 위 에 그려진 회로 가 Wafer 에 도 똑같이 그려진다 . ( 사진 의 현상 과 비슷 하 다고 생각 하 면 된다 ) 
 마스크 : 웨이퍼 위 에 만들 어 질 회로 패턴 의 모양 을 각 층 별 로 유리판 위 에 그려 놓 은 것 으로 사진 공정 시 스 테퍼 ( 반 도 체제 작용 카메라 ) 의 사진 건판 으로 사용 된다 . 
 6 ) 산화 공정 
 고온 ( 800 ~ 1200 ℃) 에서 산소 나 수증기 를 실리콘 웨이퍼 표면 과 화학 반응 시켜 얇 고 균일 한 실리콘 산화 막 ( SiO 2 ) 를 형성 시키 는 공정 을 말 한다 . 
 7 ) 감광액 ( PR : PhotoResist ) 도포 
 빛 에 민감 한 물질 인 PR 을 웨이퍼 표면 에 고르 게 도포 시킨다 . 그 다음 이 를 살짝 구워서 Aligner 라고 불리 는 사진 촬영 장치 로 보내 는데 이때 부터 웨이퍼 는 사진 의 인화지 역할 을 하 게 된다 . 
 포토레지스트 ( P / R ) : 회로 를 사진 현상 하 기 위한 감광액 Coater : 감광액 도포 설비 . 웨이퍼 표면 에 감광액 을 고르 게 도포 해 주 는 설비 . Aligner : 정렬 기 . 미세 한 회로 패턴 이 그려진 마스크 를 반복 적 으로 축소 투영 하 게 되 는데 웨이퍼 상 의 위치 와 마스크 가 정확히 일치 하도 록 정렬 시켜 주 는 설비 . 8 ) 노광 
 STEPPER 를 사용 하 여 MASK 에 그려진 회로 패턴 에 빛 을 통과 시켜 PR 막 이 형성 된 웨이퍼 위 에 회로 패턴 을 사진 찍 는 공정 을 말 한다 . 
 ( 반도체 공정 중 매우 중요 한 공정 의 하나 이 기 도 함 ) 
 stepper : 반도체 제조 용 카메라 . 자외선 ( UV 선 ) 을 이용 하 여 마스크 상 의 회로 패턴 을 감광액 이 도포 된 웨이퍼 표면 에 전사 해 주 는 설비 . 9 ) 현상 
 웨이퍼 표면 에서 빛 을 받 은 부분 의 막 을 현상 시키 는 공정 을 말 한다 . ( 일반 사진 현상 과 동일 ) 현상액 을 웨이퍼 에 뿌리 면 웨이퍼 는 노광 과정 에서 빛 을 받 은 부분 과 받 지 않 는 부분 으로 구별 되 는 데 빛 을 받 은 부분 의 현상액 은 날라가 고 빛 을 받 지 않 는 부분 은 그대로 남 게 된다 . 
 Developer : 현상기 . 빛 에 노출 되 어 성질 이 변한 감광액 을 현상액 으로 제거 해 주 는 설비 . 10 ) 식각 ( etching ) 
 회로 패턴 을 형성 시켜 주 기 위해 화학 물질 ( 습식 ) 이나 반응 성 GAS ( 건식 ) 를 사용 하 여 필요 없 는 부분 을 선택 적 으로 제거 시키 는 공정 을 말 한다 . 현상액 이 남 아 있 는 부분 을 남겨 둔 채 나머지 부분 은 부식 시킨다 . 식각 이 끝나 면 감광액 도 황산 용액 으로 제거 한다 . 이 과정 은 동판화 를 만드 는 것 과 다름없 다 . 동판화 제작 과정 을 보 면 동판 위 에 파라핀 을 바르 고 ( 반도체 의 감광액 ) 표면 을 불로 그을 은 뒤 ( 반도체 의 산화 공정 ) 그 위 에 날카로운 송곳 같 은 것 으로 그림 을 그린다 . 송곳 이 지나간 자리 에 는 파라핀 이 벗겨진다 . 그 다음 부식 시키 는 화공 약품 을 넣 는다 ( 반도체 의 식각 공정 ) 화공 약품 과 파라핀 을 씻겨 내 면 그림 이 완성 된다 . 반도체 의 경우 이러 한 패턴 형성 과정 은 각 패턴 층 에 대해 계속 적 으로 반복 한다 . 
 ( 패턴 공정 이 라고 도 함 ) 
 Etcher ( 에 쳐 ) : 웨이퍼 위 에 형성 된 패턴 대로 필요 한 부분 을 선택 적 으로 깍 아 내 는 설비 . Asher ( 에셔 ) : 건식 식각 이나 이온 주입 등 에 의해 굳어진 감광액 의 건식 제거 ( Dry Strip ) 용 반도체 전 공정 장비 
 Stripper : 식각 공정 이 끝난 후 남 아 있 는 감광액 을 제거 해 주 는 설비 . 
 Station : 세 척 설비 . 매 공정 후 에 는 항상 웨이퍼 를 세척 해 주 어야 한다 . 
 패턴 공정 11 ) 이온 주입 공정 
 회로 패턴 과 연결 된 부분 에 불순물 을 미세 한 GAS 입자 형태 로 가속 하 여 웨이퍼 의 내부 에 침투 시킴 으로써 전자 소자 의 특성 을 만들 어 준다 . 이러 한 불순물 주입 은 공 온의 전기 로 속 에서 불순물 입자 를 웨이퍼 내부 로 확산 시켜 주입 하 는 DIFFUSION ( 확산 ) 공정 에 의해서 도 이루어진다 . 
 Implanter : 이온 주입 장치 . 불순물 주입 공정 에 사용 되 는 설비 로서 불순물 원 자 이온 을 고속 으로 가속 하 여 웨이퍼 속 으로 주입 해 주 는 장치 . 가 속 에 너지 정도 에 따라 High Implanter 와 Medium Implanter 가 있 다 . 
 확산 : ` 확산 ` 이 란 한 물질 이 어떤 다른 물질 속 으로 퍼져 나가 는 것 을 말 한다 . 맑 은 물위 에 잉크 를 떨어뜨리 면 물 속 으로 잉크 가 퍼져 나 가 는 것 을 볼 수 있 다 . 그러나 반도체 공정 에서 는 이러 한 액체 간 의 확산 이 아니 라 고체 간 의 확산 이 이루어지 며 , 빠른 확산 을 위 해 환경 을 고온 처리 해 주 어야 한다 . 이 처럼 고온 의 환경 을 만들 어 주 는 설비 가 Furnace ( 爐 ) 이 다 . 용광로 를 사용 하 는 제철소 와 는 달리 반도체 라인 에서 는 석영관 에 코일 을 감 은 전기로 를 사용 하 며 웨이퍼 를 집어넣 는 방식 에 따라 수평 식 ( Horizontal ) 과 수직식 ( Vertical ) 의 두 가지 가 있 다 . 12 ) 화 학기 증착 ( CVD ) 
 가스 의 화학 반응 으로 형성 된 입자 들 을 웨이퍼 표면 에 수증기 형태 로 쏘 아 ( 증착 ) 절 연막 이나 전도 성막 을 형성 시킨다 . 일종 의 보호막 과 도 같 은 역할 을 한다 . 
 화 학기 증착 화학 기상 증착 이 란 반도체 제조 공정 중 반응기 안 에 화학 기체 들 을 주입 하 여 화학 반응 에 의해 생성 된 화합물 을 웨이퍼 에 증기 착상 시키 는 것 을 말 하 며 이 과정 에 사용 되 는 고순 도 약액 또는 특수 가스 를 화학 기상 증착 재료 라 한다 . 증착 법 에 는 크 게 네 가지 로 분류 되 는 데 1 ) 상압 화 학기 상 증착 ( AP CVD : Atmospheric Pressure CVD ) , 2 ) 저압 화학 기상 증착 ( LP CVD : Low Pressure CVD ) , 3 ) 열화학 증착 과 4 ) 플라 즈 마 화학 증착 ( PE - CVD ) 으로 나눌 수 있 다 
 13 ) 금속 배선 
 웨이퍼 표면 에 형성 된 각각 의 회로 를 금 , 은 , 알루미늄 선 으로 연결 시키 는 공정 . 금속 에 전기 적 충격 을 주 면 금속 이 물방울 처럼 증발 하 는데 여기 에 웨이퍼 를 넣 어 회로 를 연결 시킨다 . 
 14 ) 웨이퍼 자동 선별 
 Chip 들 의 불량 여부 를 컴퓨터 로 검사 하 여 불량품 을 골라 낸다 . 불량 제품 은 검 은 잉크 로 동그란 마크 를 찍 어 분류 한다 . 
 15 ) 웨이퍼 절단 
 웨이퍼 상 의 수많 은 칩 들 을 분리 하 기 위해 다이아몬드 톱 을 사용 하 여 웨이퍼 를 절단 하 는 공정 . 
 16 ) 칩 접착 ( Die Attach ) 
 낱개 로 분리 된 Chip 가운데 제대로 작동 하 는 것 만 을 골라 내 어 Lead Frame 위 에 올려 놓 는다 . 
 17 ) 금속 연결 ( wire bonding ) 칩 내부 의 외부 연결 단자 와 리드 프레임 을 가 는 금선 으로 연결 하 여 주 는 공정 이 다 . 
 18 ) 성형 ( molding ) 
 외형 만들 기 작업 이 다 . 이 과정 을 거쳐 우리 가 흔히 볼 수 있 는 검은색 지네발 모양 이 된다 . Chip 과 연결 금선 을 보호 해 주 기 위하 여 화학 수지 로 밀봉 해 준다 . 플라스틱 이나 세라믹 같 은 것 으로 감싸 준다 . 19 ) 최종 검사 
 완성 된 반도체 의 전기 적 특성 이나 기능 등 을 컴퓨터 로 최종 검사 한다 . 강제 로 높 은 정전기 를 흘린 다음 제품 이 제대로 작동 하 는지 , 높 거나 낮 은 습도 에서 높 은 온도 에서 잘 견디 는지 등 을 확인 한다 . 합격 된 제품 만 판매 . 
 전자 공학 반도체 공정 공정 에