이 와 같이 , 제 1 증착 위치 ( 232 a ) 의 도가니 ( 231 ) 를 향하 는 제 1 성막 레이트 측 정부 ( 271 a ) 를 제 1 예열 위치 ( 237 a ) 의 도가니 ( 231 ) 를 향하 는 제 2 성막 레이트 측 정부 ( 272 a ) 보다 제 1 증발원 ( 23 a ) 의 해당 위치 의 도가니 로부터 먼 위치 에 설치 함 으로써 , 제 1 증착 위치 ( 232 a ) 의 도가니 ( 231 ) 로부터 증발 하 여 제 1 성막 레이트 측 정부 ( 271 a ) 에 퇴적 되 는 성막 재료 의 성막 레이트 를 낮출 수 있 다 . 이 는 제 1 증발원 ( 23 a ) 의 제 1 증착 위치 ( 232 a ) 에 있 는 도가니 ( 231 ) 로부터 증발 된 성막 재료 의 입자 가 제 1 성막 레이트 측 정부 ( 271 a ) 를 향해 날아가 는 과정 에서 다른 입자 와 의 충돌 등 에 의해 , 실제로 제 1 성막 레이트 측 정부 ( 271 a ) 에 도달 하 는 입자 의 양 이 줄어들 기 때문 이 다 .