이상 , 본 발명 의 실시 의 형태 에 대해 설명 했 는데 , 이 발명 은 그 취지 를 벗어나 지 않 는 한 에 있 어서 상술 한 것 이외 로 여러 가지 의 변경 을 행하 는 것 이 가능 하 다 . 제 1 실시 형태 에서 는 , 표면 온도 적 산치 ( FS ) 또는 이면 온도 적 산치 ( BS ) 가 상한 치 및 하 한 치 의 범위 에서 벗어나 있 을 때 에 반도체 웨이퍼 ( W ) 가 깨져 있 다고 판정 하 였 다 ( 즉 , 표면 온도 적 산치 ( FS ) 와 이면 온도 적 산치 ( BS ) 의 OR 판정 ) . 제 2 실시 형태 에서 는 , 표면 온도 적 산치 ( FS ) 및 이면 온도 적 산치 ( BS ) 가 상한 치 및 하 한 치 의 범위 에서 벗어나 있 을 때 에 반도체 웨이퍼 ( W ) 가 깨져 있 다고 판정 하 였 다 ( 즉 , 표면 온도 적 산치 ( FS ) 와 이면 온도 적 산치 ( BS ) 의 AND 판정 ) . 이 들 을 대신 하 여 , 예 를 들 면 , 표면 온도 적 산치 ( FS ) 만 에 의거 하 여 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 깨 짐 을 판정 하 도록 해도 된다 . 또한 , 이면 온도 적 산치 ( BS ) 만 에 의거 하 여 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 깨 짐 을 판정 하 도록 해도 된다 .