또한 , 상기 포토레지스트 패턴 ( 170 ) 을 이용 한 식각 공정 은 CxFy / O 2 / Ar 또는 CHF 3 / CF 4 / O 2 / Ar 을 베이스 로 활성 화 된 플 라즈 마 를 이용 한 건식 식각 공정 으로 진행 할 수 있 는데 , 때 에 따라 He , N 2 , Co 들 을 선택 적 으로 혼합 한 플 라즈 마 를 이용 하 여 진행 할 수 도 있 다 .