한편 , 도시 하 지 는 않 았 지만 , 도 2 a 의 비트 라인 스위칭 소자 ( BL _ SW ) 및 / 또는 워 드라인 스위칭 소자 ( WL _ SW ) 에 있 어서 , 제 1 및 제 2 접합 영역 의 불순물 농도 는 상대 적 으로 높 은 값 을 가질 수 있 다 . 도 2 a 의 회로 에서 는 제 1 및 제 2 저항 성분 ( R 1 , R 2 ) 이 부 존재 하 기 때문 이 다 . 구체 적 으로 , 도 2 a 의 비트 라인 스위칭 소자 ( BL _ SW ) 및 / 또는 워 드라인 스위칭 소자 ( WL _ SW ) 의 제 1 및 제 2 접합 영역 의 불순물 농도 는 , 본 실시 예 의 제 2 접합 영역 ( 310 B ) 의 불순물 농도 보다 크 면서 제 1 접합 영역 ( 310 A ) 의 불순물 농도 와 동일 및 / 또는 유사 한 값 을 가질 수 있 다 . 또한 , 도 2 a 의 비트 라인 스위칭 소자 ( BL _ SW ) 및 / 또는 워 드라인 스위칭 소자 ( WL _ SW ) 의 제 1 및 제 2 접합 영역 의 불순물 농도 는 실질 적 으로 서로 동일 할 수 있 다 .