또한 , 본 실시 형태 에서 설명 하 는 발광 디바이스 의 EL 층 ( 103 , 103 a , 103 b ) 을 구성 하 는 각 기능 층 ( 정공 주입 층 ( 111 , 111 a , 111 b ) , 정공 수송 층 ( 112 , 112 a , 112 b ) , 발광 층 ( 113 , 113 a , 113 b ) , 전자 수송 층 ( 114 , 114 a , 114 b ) , 전자 주입 층 ( 115 , 115 a , 115 b ) ) 이나 전하 발생 층 ( 104 ) 은 상술 한 재료 에 한정 되 지 않 고 , 각 층 의 기능 을 만족 시킬 수 있 는 것 이 라면 , 상술 한 재료 외 의 재료 를 조합 하 여 사용 할 수 있 다 . 일례 로서 는 , 고분자 화합물 ( 올리고머 , 덴 드리머 , 폴리머 등 ) , 중분 자 화합물 ( 저 분자 와 고분자 의 중간 영역 의 화합물 : 분자량 400 내지 4000 ) , 무기 화합물 ( 퀀텀 닷 ( quantum dot ) 재료 등 ) 등 을 사용 할 수 있 다 . 또한 , 퀀텀 닷 재료 로서 는 , 콜로이드 상 퀀텀 닷 재료 , 합 금형 퀀텀 닷 재료 , 코어 · 셸 형 퀀텀 닷 재료 , 코어 형 퀀텀 닷 재료 등 을 사용 할 수 있 다 .