또한 , 본 발명 의 실시 예 에 따른 이미지 센서 의 제조 방법 은 하부 배선 을 포함 하 는 씨 모스 회로 ( circuitry ) 를 기판 상 에 형성 하 는 단계 ; 상기 기판 상 에 복수 로 분리 된 제 1 배선 을 형성 하 는 단계 ; 상기 제 1 배선 상 에 절연 층 을 형성 하 는 단계 ; 상기 절연 층 을 평탄 화 하 는 단계 ; 상기 평탄 화 된 절연 층 상 에 진성 층 ( intrinsic layer ) 을 형성 하 는 단계 ; 및 상기 진성 층 상 에 제 2 도전 형 전도 층 을 형성 하 는 단계 ; 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .