도 16 을 참조 하 면 , 게이트 절 연막 ( 25 ) 이 열 산화 공정 에 의해 두껍 게 형성 될 경우 , 활성 기둥 ( AP ) 의 표면 의 일부 가 산화 되 어 상기 게이트 절 연막 ( 25 ) 으로 변하 고 , 상기 활성 기둥 ( AP ) 의 제 3 폭 ( W 3 ) 은 원래 의 제 1 폭 ( W 1 ) 보다 좁 아 질 수 있 다 . 도 16 의 반도체 장치 에서 그 외 의 구성 은 도 2 를 참조 하 여 설명 한 바 와 동일 / 유사 할 수 있 다 .