도 19 a 및 도 19 b 에 는 소자 의 크기 가 비교 적 큰 경우 로서 , 산화물 반도체 층 ( 140 ) 상 에 게이트 층 ( 136 d ) 을 갖 는 구성 의 트랜지스터 ( 164 ) 를 도시 하 였 다 . 이 경우 에 도 , 표면 의 평탄 성 이나 커버리지 에 대한 요구 는 비교 적 완만 한 것 이 기 때문 에 , 배선 이나 전극 등 을 절연 층 중 에 매립 하 도록 형성 할 필요 는 없 다 . 예 를 들 어 , 도전 층 의 형성 후 에 패 터닝 을 행함 으로써 , 게이트 층 ( 136 d ) 등 을 형성 하 는 것 이 가능 하 다 .