상술 한 본 발명 에 의한 반도체 소자 의 트렌치 형성 방법 은 , 반도체 기판 을 식각 하 여 고 종횡비 의 트렌치 를 획득 하 기 위한 방법 으로서 SF 6 및 O 2 가스 를 사용 하 는 플 라즈 마 식각 방식 을 이용 하 고 아울러 이러 한 플 라즈 마 식각 시 니켈 하드 마스크 패턴 을 이용 하 고 공정 변수 를 조절 함 으로써 , 챔버 오염 방지 , 식각 과 식각 보호막 형성 이 동시 에 수행 되 는 원스텝 공정 및 우수 한 식각 프로파일 확보 가 가능 하 다 .