또한 , 상기 기판 은 미리 커플링 처리 를 실시 하 여 둠 으로써 , 수지 조성물 또는 수지 전사 재료 와 의 밀착 을 양호 하 게 할 수 있 다 . 상기 커플링 처리 로서 는 일본 특허 공개 2000 - 39033 호 공보 에 기재 된 방법 이 적합 하 게 사용 된다 . 한편 , 특별히 한정 하 는 것 은 아니 지만 , 기판 의 막 두께 로서 는 700 ~ 1200 ㎛ 가 일반 적 으로 바람직 하 다 .