1105 에서 , 메모리 디바이스 는 강유 전 성 메모리 셀 의 제 1 논리 상태 를 판독 할 수 있 고 , 판독 하 는 것 은 감지 회로 를 강유 전 성 메모리 셀 과 연관 된 디 지트 라인 에 결합 하 는 것 및 감지 회로 에서 제 1 전압 또는 제 2 전압 을 래 칭 하 는 것 을 포함 한다 . 1105 의 동작 은 본 명세서 에 설명 된 방법 에 따라 수행 될 수 있 다 . 일부 예 에서 , 1105 의 동작 의 양태 는 도 7 을 참조 하 여 설명 된 판독 구성 요소 에 의해 수행 될 수 있 다 .