플 래쉬 메모리 는 내부 고전압 ( internal high voltage ) 을 사용 하 므로 , 셀 크기 가 줄어들 면서 트렌치 깊이 가 깊 어 져서 점점 공통 소스 라인 의 길이 가 증가 하 여 소스 저항 에 불리 하 게 작용 하 며 , 임베디드 플 래쉬 ( embedded flash ) 의 경우 에 는 프로그램 특성 및 읽 기 속도 가 저하 되 는 등 제품 에 치명 적 인 악영향 을 미친다 .