NAND 메모리 셀 들 의 동작 은 채널 재료 와 전하 - 트랩 핑 재료 사이 의 전하 이동 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , NAND 메모리 셀 의 프로그래밍 은 채널 재료 로부터 전하 - 트랩 핑 재료 로 전하 ( 즉 , 전자 ) 를 이동 시킨 다음 전하 - 트랩 핑 재료 내 에 전하 를 저장 하 는 단계 를 포함 할 수 있 다 . NAND 메모리 셀 의 소거 는 전하 - 트랩 핑 재료 에 저장 된 전자 들 과 재결합 하 여 전하 - 트랩 핑 재료 로부터 전하 를 방출 하 기 위해 전하 - 트랩 핑 재료 내 로 홀 ( hole ) 을 이동 시키 는 단계 를 포함 할 수 있 다 . 전하 - 트랩 핑 재료 는 예 를 들 어 , 실리콘 질화물 , 실리콘 산화 질화물 ( silicon oxynitride ) , 루테늄 산화물 등 을 포함 할 수 있 다 . 종래 의 NAND 의 문제점 은 전하 - 트랩 핑 재료 가 메모리 어레이 의 다수 의 메모리 셀 로 확장 되 어 셀 들 간 의 전하 이동 을 가능 하 게 할 수 있 다는 것 이 다 . 메모리 셀 간 의 전하 이동은 데이터 보유 문제 를 일으킬 수 있 다 . 일부 실시 예 들 은 메모리 셀 들 간 의 전하 의 이동 을 방해 하 는 구조 들 을 포함 한다 . 예 시 적 인 실시 예 에서 , 전하 이동 을 방해 하 는 데 이용 되 는 구조 는 메모리 셀 사이 의 영역 에서 전하 - 트랩 핑 재료 의 파괴 ( break ) 일 수 있 다 . 본 출원 에 설명 된 예 들 은 NAND 메모리 에 관한 것 이 지만 , 본 출원 에 설명 된 구조 및 방법 은 다른 실시 예 에서 다른 메모리 및 아키텍처 에 관련 될 수 있 음 을 이해 해야 한다 . 예 시 적 인 실시 예 가 도 1 내지 도 14 를 참조 하 여 설명 된다 .