상기 실시 형태 에서 는 , 기상 성장 형 성막 법 으로서 CVD 법 을 들 어 설명 하 였 다 . CVD 법 에 의한 기층 성장 은 진공 증착 형 PVD ( Physical Vapor Deposition : 물리 기상 성장 ) 법 이나 , MBE ( Molecular Beam Epitaxy : 분자선 에피택시 ) 법 에 비하 여 , 막 두께 의 균등화 를 도모 할 수 있 다 . 이 때문 에 , 기능 면 을 최종 적 인 적 층면 에 의해서 구성 하 는 종래 의 SiC 막 단체 구 조체 의 제조 방법 으로서 는 유효 한 수단 이 었 다 . 그러나 , 실시 형태 와 관련 되 는 SiC 막 단체 구 조체 ( 10 ) 는 기능 면 ( 12 ) 을 구성 하 는 제 1 SiC 층 ( 20 ) 을 기준 으로 하 여 적층 형 SiC 층 ( 22 ) 을 적층 형성 함 으로써 구성 되 어 있 다 . 이 때문 에 , 진공 증착 형 성막 법인 PVD 법 이나 MBE 법 에 의한 성막 기술 을 적용 하 였 다 하 더라도 정밀 도 높 은 제품 을 제조 할 수 있 다 .