다음 으로 , n + 도전 층 ( 202 ) 또는 p + 도전 층 ( 203 a , 203 b ) 이 형성 된 상기 실리콘 기판 의 양면 에 부동층 ( 204 ) 을 형성 한다 ( 도 4 참조 ) . 본 단계 는 대표 적 으로 n + 도전 층 ( 202 ) 또는 p + 도전 층 ( 203 a , 203 b ) 이 형성 된 상기 실리콘 기판 의 표면 을 산화 시켜 산화 막 ( SiO 2 ) 을 형성 함 에 의해 실시 될 수 있 다 . 산화 막 을 형성 하 는 방법 으로 는 대표 적 으로 건 식산 화법 ( dry oxidation ) 및 습식 산화 법 ( wet oxidation ) 이 사용 될 수 있 다 .