절연 층 을 형성 한 내층 회로 기판 을 , 팽윤 액 인 , 아토 텍 재팬 ( 주 ) 의 디 에틸렌글리콜 모노 부틸 에 테르 함유 의 스웰 링 딥 세 큐리 간트 P ( 글리콜 에테르 류 , 수산화 나트륨 의 수용액 ) 에 60 ℃ 에서 10 분 간 침지 하 고 , 다음 에 조화 액 으로서 , 아토 텍 재팬 ( 주 ) 의 콘센트 레이트 컴팩트 P ( KMnO 4 : 60 g / L , NaOH : 40 g / L 의 수용액 ) 에 80 ℃ 에서 20 분 간 침지 , 마지막 으로 중화 액 으로서 , 아토 텍 재팬 ( 주 ) 의 리덕션 솔 루신 세 큐리 간트 P ( 황산 의 수용액 ) 에 40 ℃ 에서 5 분 간 침지 하 고 , 그 후 80 ℃ 에서 30 분 건조 하 였 다 . 이 기판 을 「 평가 기판 A 」 라고 하 였 다 .