인듐 도핑 된 주석산 화물 투명 전도체 위 에 입경 5 내지 15 nm 정도 크기 의 티타늄 산화물 입자 분 산액 을 닥터 블레이드 법 을 이용 하 여 1 cm 2 면적 에 도포 하 고 , 450 ℃ 에서 30 분 간 열처리 소성 공정 을 통해 3 ㎛ 두께 의 다공성 티타늄 산화물 후막 을 제작 하 였 다 . 그 후 80 ℃ 에서 시편 을 유지 한 후 메탄올 에 용해 된 0 . 3 mM [ Ru ( dcb ) 2 ( dfo ) ] ( CN ) 2 염료 색소 액 에 염료 흡착 처리 를 12 시간 이상 수행 하 였 다 . 그 후 염료 흡착 된 다공성 티타늄 산화물 후막 을 메탄올 을 이용 하 여 세척 하 고 상온 건조 하 여 반도체 전극 을 제조 하 였 다 .