" 반도체 활성 영역 이 면내 인장 변형 을 갖 는 완전 공핍 형 SOI 기술 은 초 박형 바디 절연체 - 상 - 반도체 및 변형 실리콘 의 결합 된 이익 을 가질 수 있 다 . "" 절연체 상 의 변형 실리콘 "" 을 획득 하 기 위한 여러 접근 법 이 개시 되 었 다 . Ghyselen 등 에게 허여 된 미국 특허 번호 7 ", 534 , 701 은 변형 된 절연체 - 상 - 실리콘 제조 방법 을 개시 하 는데 여기 서 블랭킷 변형 실리콘 층 이 단결정 실리콘 게르마늄 의 이완 된 표면 상 에 먼저 형성 되 고 후속 하 여 산화물 층 이 있 는 핸들 웨이퍼 에 결합 되 어 이 에 따라 변형 실리콘 층 이 핸들 웨이퍼 로 전송 된다 . 인장 변형 은 예 를 들 어 앞서 기재 된 스마트 컷 공정 ( SmartCut process ) 에 의해 , 실리콘 게르마늄 의 분리 이후 박형 변형 실리콘 층 에 유지 된다 .