도 3 a 에 도시 된 바 와 같이 , 투명 기판 ( 301 ) 상부 에 폴리 실리콘 층 ( 302 ) 이 형성 되 어 있 고 , 그 상부 에 게이트 전극 ( 304 ) 이 형성 되 어 있 으며 , 게이트 전극 ( 304 ) 은 게이트 절 연막 ( 305 ) 에 의해 절연 되 어 있 다 . 한편 상기 폴리 실리콘 층 ( 302 ) 의 양쪽 에 는 활성 영역 ( 303 ) 이 형성 되 어 있 다 . 그리고 게이트 절 연막 ( 305 ) 에 형성 되 어 있 는 컨 택 홀 을 통해 활성 영역 ( 303 ) 과 전기 적 으로 연결 된 소스 / 드레 인 전극 ( 306 a / 306 b ) 이 형성 되 어 있 다 . 또한 , 그 상부 에 는 패 시베이 션 막 또는 평탄 막 ( 307 ) 이 형성 되 어 있 다 .