이렇게 웨이퍼 ( 102 ) 를 절단 하 면서 반도체 칩 ( 104 ) 이 웨이퍼 에 붙 어 있 도록 소 잉 을 진행 하 는 방식 은 , 본 발명 의 특징 인 1 회 의 몰딩 공정 으로 반도체 칩 ( 104 ) 의 외부 6 면 을 봉지 수지 로 감싸 는 기술 에 주요 한 열쇠 를 제공 하 며 , 상기 소 잉 공정 에서 의 절단 방식 은 상술 한 실시 예 외 에 도 여러 가지 다른 방식 으로 변형 이 가능 하 다 . 본 발명 에서 는 제 1 선폭 의 절단 자국 ( 108 ) 중 에서 웨이퍼 ( 102 ) 와 붙 어 있 는 곳 이 1 , 2 및 4 개 를 예시 적 으로 설명 하 였으나 , 그 개수 역시 변형 이 가능 하 다 . 또한 제 1 선폭 의 절단 자국 ( 108 ) 이 웨이퍼 ( 102 ) 에 붙 어 있 는 위치 가 반도체 칩 ( 104 ) 의 모서리 와 중앙부 를 중심 으로 설명 하 였으나 이 역시 다양 한 방식 을 변형 이 가능 하 다 . 또한 레이저 절단 방식 으로 웨이퍼 ( 102 ) 에 제 1 선폭 의 절단 자국 ( 108 ) 을 형성 하 는 것 을 예시 적 으로 설명 하 였으나 , 레이저 절단 방식 외 에 다이아몬드 블레이드 를 사용 한 절단 방식 혹은 지금 까지 알려진 다른 절단 방식 을 사용 해도 무방 하 다 .