도 1 을 참조 하 면 , 종래 의 CMOS 이미지 센서 는 빛 을 받 아 광전 하 를 생성 하 는 포토 다이오드 ( Photo Diode ) 용 N - 확산 영역 ( 15 ) 이 P - 에 피층 ( 10 , P -_ epi ) 이 성장 된 기판 ( 미 도시 ) 내 에 형성 되 어 있 고 , N - 확산 영역 ( 15 ) 에서 모아진 광전 하 를 플로팅 확산 영역 ( Floating Diffusion , 18 ) 으로 운송 하 기 위한 트랜스퍼 트랜지스터 의 게이트 전극 ( 14 ) 이 N - 확산 영역 ( 15 ) 의 일 측 에 얼라인 되 도록 P - 에 피층 ( 10 ) 상 에 형성 되 어 었 다 . 이 로써 , P - 에 피층 ( 10 ) / N - 확산 영역 ( 15 ) 으로 이루어진 PN 접합 포토 다이오드 가 제공 된다 .