도 2 h 를 참조 하 면 , 상기 제 2 유전 막 ( 236 ) 상 에 상기 절 연막 ( 220 ) 과 스토리지 노드 용 홀 ( H ) 사이 의 제 1 폴리 실리콘 막 ( 234 ) 상부 를 노출 시키 는 제 3 마스크 패턴 ( 도시 안 됨 ) 을 형성 한 후 , 상기 제 3 마스크 패턴 에 의해 노출 된 제 2 및 제 1 유전 막 ( 236 , 232 ) 부분 을 리세 스 하고 , 그리고 나 서 , 제 3 마스크 패턴 을 제거 한다 .