도 3 a 는 1 . 4404 스테인리스 스틸 로 구성 된 기판 ( 1 ) 의 바이 폴라 플레이트 를 도시 하 며 , 상기 기판 의 표면 상 에 배치 된 층 시스템 으로서 , 그 표면 은 전기 화학 적 전지 가 조립 될 때 가스 - 투과성 요소 ( 2 ) 와 접하 여 접촉 한다 . 표면 의 불순물 및 산화물 을 제거 하 기 위한 청소 이후 , 이온 스퍼터링 의 수단 으로써 , 예 를 들 어 , PVC 방법 , 아크 증발기 의 수단 으로써 , 예 를 들 어 크롬 을 침착 시킨다 . 탄소 는 펄스 또는 DC 아크 증발기 에 의해 200 ℃ 내지 500 ℃ 의 온도 에서 접착 촉진 성분 으로서 크롬 층 ( 7 ) 으로 기화 되 고 , 이온 화 된 형태 는 높 은 음 의 바이어스 전압 ( 예 를 들 어 , 1000 V ) 으로 임 플랜트 되 거나 또는 서브 플랜트 된다 . 이 는 탄소 - 풍부 한 층 또는 서브 플랜트 ( subplantation ) 으로 획득 된 탄소 층 ( 5 ) 을 형성 한다 . 펄스 된 아크 증발기 를 이용 하 여 , 높이 이온 화 된 탄소 는 이후 낮 은 바이어스 전압 ( 예 를 들 어 , ., <　 500 　 V ) 에서 침착 된다 . 고도 의 이온 화 및 충돌 이온 의 높 은 에너지 및 또한 생성 된 표면 장력 및 온도 에 기초 하 여 , 높 은 전도성 인 나노 - 또는 마이크 로 구조 의 탄소 층 ( 4 ) 이 표면 에 형성 된다 .