점차 미세 화 되 는 반도체 소자 를 제조 하 기 위하 여 패턴 의 크기 또한 점차 작아지 는 추세 이 다 . 그 동안 미세 한 패턴 을 얻 기 위해서 노광 장비 와 그 에 대응 하 는 레지스 트 를 개발 하 는 방향 으로 연구 가 진행 되 어 왔 다 . 노광 장비 에 있 어서 , 노광 광원 으로 는 주로 248 ㎚ 파장 의 KrF 또는 193 ㎚ 파장 의 ArF 가 생산 공정 에 적용 되 고 있 으나 , F 2 ( 157 ㎚) 또는 EUV ( 13 nm ) 의 등 과 같이 광원 파장 을 단파장 화 하 거나 렌즈 개구수 ( numerical aperture ) 를 증대 시키 기 위한 노력 이 시도 되 고 있 다 .