또한 , 본 발명 의 실시 예 들 에 따른 1 차원 광 을 이용 하 는 입자 측정 방법 을 사용 함 으로써 , 2 차원 적 으로 플 라즈 마 내 에 존재 하 는 입자 들 의 크기 및 그 분포 를 측정 할 수 있 다 . 이 에 따라 , 플 라즈 마 내 에 존재 하 는 입자 들 을 효과 적 으로 감시 함 으로써 , 반도체 제조 공정 의 수율 이 향상 될 수 있 다 .