도 4 b 를 참고 하 면 , 더욱 높 은 온도 로 승 온 하 는 경우 , 액체 거동 의 금속 유리 ( 115 b ) 로 확산 된 도전 성 입자 ( 120 c ) 가 반도체 기판 ( 110 ) 내 로 침투 한다 . 이때 상술 한 바 와 같이 액체 거동 의 금속 유리 ( 115 b ) 의 젖 음성 을 강화 하 여 금속 유리 ( 115 b ) 와 반도체 기판 ( 110 ) 사이 의 접촉 면적 을 넓힘 으로써 도전 성 입자 ( 120 c ) 가 반도체 기판 ( 110 ) 으로 침투 할 수 있 는 면적 을 넓힐 수 있 다 .