반도체 소자 가 고집 적 화 되 면서 트랜지스터 의 채널 길이 ( channel length ) 도 매우 짧 아 지 고 있 다 . 이러 한 트랜지스터 구조 에서 는 트랜지스터 의 문턱 전압 ( threshold voltage ) 이 급격히 낮 아 지 는 등 의 단채 널 효과 ( short channel effect ) 가 발생 하 는 문제점 이 있 다 . 특히 , DRAM 과 같 은 메모리 소자 에서 셀 트랜지스터 의 채널 길 이 감소 는 접합 누설 ( junction leakage ) 을 증가 시켜 소자 의 리프 레시 ( refresh ) 특성 을 저하 시키 는 문제점 이 있 다 .