제 2 마스크 패턴 들 ( 72 ) 은 도 5 를 참조 하 여 설명 한 것 처럼 , 화학 기상 증착 공정 과 같 은 증착 방법 을 이용 하 여 형성 될 수 있 으며 , 제 1 및 제 2 희생 막 들 ( 30 , 62 ) 에 대해 식각 선택 비 를 갖 는 물질 로 형성 될 수 있 다 . 이 와 달리 , 제 2 마스크 패턴 들 ( 72 ) 은 제 1 마스크 패턴 들 ( 42 ) 과 동일 한 물질 로 형성 될 수 있 다 .