근거리 액세스 망은 많 은 수요자 가 있 기 때문 에 기술 이 성숙 될 경우 충분히 큰 광통 신 시장 을 제공 할 것 으로 판단 된다 . 근거리 광 통신망 의 통신 속도 는 수백 MHz 에서 수 GHz ( 예컨대 , 1 . 25 또는 2 . 5 GHz ) 에 이를 것 으로 예측 된다 . 상기 포토다이오드 와 관련 하 여 가장 활발히 연구 되 고 있 는 분야 는 수광 대역폭 이 40 GHz 이상 인 고속 의 p - i - n 포토다이오드 와 높 은 이득 율 을 갖 는 아 발란 취 포토다이오드 ( avalanche photodiode ) 이 다 . 반면 에 , 5 GHz 이하 의 저속 인 p - i - n 도파 로 형 포토다이오드 는 높 은 패키지 비용 및 낮 은 수요 등 으로 인하 여 아직 시판 단계 에 이르 지 못하 고 있 다 .