또한 , 상기 제 1 본딩 패드 ( 171 ) 와 상기 제 2 본딩 패드 ( 172 ) 사이 의 간격 ( d ) 이 300 마이크 로 미터 이하 로 제공 되 어야 상기 반도체 소자 패키지 의 제 1 전극 패드 및 제 2 전극 패드 와 상기 반도체 소자 의 제 1 본딩 패드 ( 171 ) 및 제 2 본딩 패드 ( 172 ) 가 충분 한 본딩 력 을 가지 며 본 딩 될 수 있 고 , 상기 반도체 소자 ( 100 ) 의 전기 적 특성 이 확보 될 수 있 다 .