STI 영역 ( 22 ) 은 라이너 산화물 ( 도시 되 지 않 음 ) 을 포함 할 수 있 으며 , 이 는 기판 ( 20 ) 의 표면 층 의 열 산화 를 통해 형성 된 열 산화물 일 수 있 다 . 라이너 산화물 은 , 예컨대 , 원자 층 성막 ( ALD , Atomic Layer Deposition ) , 고밀도 플라 즈 마 화학 적 기상 증착 ( HDPCVD , High - Density Plasma Chemical Vapor Deposition ) , 또는 화학 적 기상 증착 ( CVD , Chemical Vapor Deposition ) 등 을 사용 해 형성 된 , 성막 된 실리콘 산화물 층 일 수 도 있 다 . STI 영역 ( 22 ) 은 또한 , 라이너 산화물 위 에 유전체 물질 을 포함 할 수 있 으며 , 유전체 물질 은 , 유동 가능 화학 적 기상 증착 ( FCVD , Flowable Chemical Vapor Deposition ) 또는 스핀 온 코팅 등 을 사용 하 여 형성 될 수 있 다 .