상기 제 2 하부 도전 막 을 사진 식각 공정 으로 패 터닝 하 여 제 1 및 제 2 패드 ( 250 , 255 ) 상 에 각기 하부 전극 ( 260 ) 및 하부 배선 ( 265 ) 을 형성 한다 . 하부 전극 ( 260 ) 은 제 1 패드 ( 250 ) 를 통해 제 1 콘 택 영역 ( 235 ) 에 전기 적 으로 연결 된다 . 하부 배선 ( 265 ) 은 제 2 패드 ( 255 ) 를 통해 제 2 콘 택 영역 ( 240 ) 에 전기 적 으로 접속 된다 . 하부 배선 ( 265 ) 은 비트 라인 을 포함 한다 . 본 발명 의 실시 예 들 에 있 어서 , 하부 전극 ( 260 ) 과 하부 배선 ( 265 ) 은 각기 제 1 패드 ( 250 ) 와 제 2 패드 ( 255 ) 에 비하 여 실질 적 으로 넓 은 폭 으로 형성 될 수 있 다 .