본 발명 의 포토 마스크 를 노광 장치 에 의해 노광 하 고 , 현상 함 으로써 , 피전 사체 상 에 는 , 잔 막 값 이 상이 한 부분 을 갖 는 , 입체 형상 의 레지스 트 패턴 이 형성 된다 . 예 를 들 어 , 포지티브 형 레지스 트 를 사용 하 면 , 투 광부 에 대응 하 는 위치 에 있 어서 는 , 레지스 트 잔 막 이 형성 되 지 않 고 , 차 광부 에 대응 하 는 위치 에 있 어서 는 , 소정 의 두께 H 1 을 갖 는 레지스 트 잔 막 이 형성 되 고 , 반투 광부 에 대응 하 는 위치 에 는 , H 1 보다 작 은 두께 H 2 를 갖 는 레지스 트 잔 막 이 형성 된다 .