일반 적 으로 반도체 소자 의 후 공정 은 크 게 반도체 소자 들 이 형성 된 웨이퍼 ( Wafer ) 의 불량 을 체크 하 는 원자재 검사 , 웨이퍼 를 절단 하 여 낱개 로 분리 한 반도체 칩 을 리드 프레임 ( Lead frame ) 의 탑 재판 에 부착 시키 는 다이 본딩 ( Die bonding ) 공정 , 반도체 칩 상 에 구비 된 칩 패드 와 리드 프레임 의 리드 를 와이어 로 연결 시켜 주 는 와이어 본딩 ( Wire bonding ) 공정 , 반도체 칩 의 내부 회로 와 그 외 의 구성 부품 을 보호 하 기 위하 여 봉지 재로 외부 를 감싸 는 몰딩 ( Molding ) 공정 , 리드 와 리드 를 연결 하 고 있 는 댐 바를 커팅 하 는 트림 공정 및 리드 를 원하 는 형태 로 구부리 는 포 밍 ( Foaming ) 공정 , 및 상기 공정 을 거쳐 완성 된 반도체 소자 의 양부 를 검사 하 는 테스트 공정 으로 이루어진다 .