구동 트랜지스터 ( DRT ) 의 제 1 활성 층 ( 350 ) 은 게이트 절 연막 으로부터 수소 가 유입 되 어 많 은 수 의 캐리어 ( carrier ) 를 가질 수 있 다 . 제 1 활성 층 ( 350 ) 에 캐리어 수 가 증가 하 면 높 은 이동도 를 가질 수 있 고 , 구동 트랜지스터 ( DRT ) 로써 우수 한 소자 특성 을 확보 할 수 있 다 . 다만 , 제 1 활성 층 ( 350 ) 이 많 은 수 의 캐리어 를 가질 경우 , 문턱 전압 ( Vth ) 의 쉬프 트 현상 이 발생 하 게 되 고 , 제 1 활성 층 ( 350 ) 의 채널 영역 ( 350 c ) 의 길이 가 짧 을수록 문턱 전압 ( Vth ) 의 쉬프 트 현상 이 심화 될 수 있 다 .