프로세서 및 / 또는 컴퓨팅 플랫 폼 은 온 다이 ( on - die ) 캐시 메모리 를 포함 할 수 있 다 . 캐시 메모리 의 랜덤 액세스 메모리 ( RAM ) 셀 은 프로세서 가 동작 할 수 있 는 최저 가능 전압 을 제한 할 수 있 다 . 온 다이 프로세서 캐시 메모리 에서 RAM 셀 은 프로세서 제조 에 이용 된 제조 프로세스 가 지원 하 는 최소 가능 크기 로 설계 된 장치 로부터 제조 될 수 있 으며 , 이 장치 는 부작용 으로서 , 제조 중 에 통상 적 으로 발생 하 는 변동 에 매우 민감 할 수 있 으며 , 이 에 따라 몇 개 의 셀 은 정확 하 게 동작 하 는 데 필요 한 최소 전압 의 평균 으로부터 크 게 벗어날 수 있 다 . 이러 한 변동 은 캐시 메모 리 라인 에서 비트 의 고장 을 일으킬 수 있 다 .