NMOS 트랜지스터 ( 208 ) 는 , NMOS 트랜지스터 들 ( 209 , 210 ) 의 드레 인 단자 들 과 프리 챠 지 회로 ( 240 ) 사이 에 연결 된다 . NMOS 트랜지스터 ( 208 ) 는 선택 된 비트 라인 ( 예 를 들 면 , BLe ) 을 통해 전원 전압 ( VDD ) 보다 높 은 고전압 이 페이지 버퍼 ( 200 ) 로 직접 인가 되 는 것 을 방지 한다 . 잘 알려져 있 는 바 와 같이 , 페이지 버퍼 ( 200 ) 는 전원 전압 ( VDD ) 에서 동작 하 는 저전압 회로 이 다 . 따라서 , 전원 전압 ( VDD ) 보다 높 은 고전압 이 페이지 버퍼 ( 200 ) 와 같 은 저전압 회로 에 직접 인가 될 경우 , 페이지 버퍼 ( 200 ) 를 구성 하 는 저전압 트랜지스터 들 이 브레이크 다운 ( Break Down ) 현상 에 의해 파괴 될 수 있 다 . 따라서 , 비트 라인 선택 회로 ( 220 ) 에 포함 된 NMOS 트랜지스터 들 ( 208 , 209 , 210 ) 은 고전압 에 대해 내구 성 을 갖 는 고전압 트랜지스터 ( High Voltage Transistor ) 로 구성 된다 . 상기 NMOS 트랜지스터 들 ( 208 , 209 , 210 ) 각각 은 , 예 를 들 면 약 28 V 의 브레이크 다운 전압 ( Breakdown Voltage ) 을 갖 는 고전압 트랜지스터 로 구성 된다 .