다음 으로 , 제 1 전극 ( 101 ) 이 형성 된 면 이 아래쪽 이 되 도록 , 제 1 전극 ( 101 ) 이 형성 된 기판 을 진공 증착 장치 내 에 제공 된 기판 홀더 에 고정 하 고 , 제 1 전극 ( 101 ) 위 에 , 증착 법 에 의하 여 dchPAF 와 산화 몰리브데넘 을 중량 비 가 1 : 1 ( = dchPAF : 산화 몰리브데넘 ) 이 되 도록 5 nm 로 공 증착 하 여 정공 주입 층 ( 111 ) 을 형성 하 였 다 .