그래서 , 스퍼터 법 이나 CVD 법 에 의한 대면 적 프로세스 가 가능 하 고 , 그리고 1 ~ 50 cm 2 / Vs 정도 의 고 이동도 를 얻 을 수 있 는 , 문턱 전위 의 시프트 나 환경 안정 성 에 유 리 한 산화물 반도체 의 검토 가 진행 되 고 있 다 . 특히 , 산화아연 계 산화물 반도체 의 검토 가 많 지만 , 산화아연 은 성막 시 에 회전 영역 의 존재 에 의한 입계 ( 粒 界 ) 나 화학량론 의 제어 가 곤란 하 여 산소 결함 이 존재 하 는 것 으로 알려져 있 다 . 산소 결함 은 전자 ( 電子 ) 를 보충 하 는 사이트 로서 이동도 의 저 하나 문턱 전위 의 시프트 , 리크 전류 등 을 일으키 고 , 와이드 갭 산화물 반도체 본래 의 특성 을 살릴 수 없 는 문제 가 있 었 다 . 이 점 에서 , 문턱 전위 시프트 를 작 게 억제 할 수 있 는 a - IGZO 등 아몰 퍼스 계 산화물 반도체 재료 도 제안 되 고 있 지만 , 희소금속 이 고 근래 가격 이 고등 ( 高騰 ) 하 고 있 는 인듐 이나 갈륨 을 이용 하 고 있 기 때문 에 , 자원 적 관점 에서 과제 가 크 고 , 더욱이 인듐 에 관해서 는 간질 성 폐렴 의 원인 원소 로서 건강 피해 의 문제 도 존재 한다는 점 에서 , 향후 의 적용 화 에 는 문제 로 남 아 있 다 .