특정 실시 형태 에 있 어서 , 메모리 셀 ( 102 ) 이 OTP 메모리 셀 로서 구성 될 경우 , 별도 의 레퍼런스 셀 에 대한 필요 성 없이 도 제 1 저항 메모리 엘리먼트 ( 106 ) 에서 판독 된 값 을 제 2 저항 메모리 엘리먼트 ( 108 ) 에서 판독 된 값 과 비교 함 으로써 비가역 상태 가 감지 될 수 도 있 다 . 예 를 들 어 , MTJ 의 가역 기입 상태 를 감지 하 기 위해 , 레퍼런스 전압 이 인가 될 수 도 있 다 . 메모리 셀 ( 102 ) 이 OTP 메모리 셀 로서 구성 될 경우 , 제 1 저항 메모리 엘리먼트 ( 106 ) 에서 판독 된 값 을 제 2 저항 메모리 엘리먼트 ( 108 ) 에서 판독 된 값 과 비교 함 으로써 비가역 상태 가 감지 될 수 있 도록 , 상보 형 셀 값 들 이 제 1 및 제 2 저항 메모리 엘리먼트 들 ( 106 , 108 ) 에 유지 된다는 점 에 있 어서 그 감지 는 자체 - 레퍼런스 된다 .