본 발명 에 관련 되 는 텅스텐 보다 도 이온 화 경향 이 낮 은 금속 범프 또는 금속 배선 이 형성 된 반도체 기판 상 의 W 계 금속 막 용 에칭 제 , 즉 , 본 발명 < 2 > 에 관한 에칭 제 에 있 어서 는 특히 ( C ) ( c - 1 ) 무기 알칼리 및 ( c - 2 ) 유기 아민 으로부터 선택 되 는 적어도 1 종 이상 의 염기 성 화합물 로서 , 수산화 나트륨 또는 테트라 암모늄 수산화물 을 사용 함 으로써 이 들 로부터 발생 하 는 나트륨 이온 이나 4 급 암모늄 이온 등 의 양이온 종이 이종 금속 접촉 부식 ( Galvanic 부식 ) 의 원인 중 에 하나 가 되 는 전자 이동 이 억제 되 고 , 또 , 황산 이온 , 구연산 이온 등 의 소량 의 특정 의 음 이온 종이 존재 함 으로써 전기 이중 층 을 유지 하 면서 전기 적 인 영향 을 광범위 하 게 분산 시킬 수 가 있 으므로 , 이 종금 속 접촉 부식 ( Galvanic 부식 ) 을 억제 할 수 있 는 등 의 이점 을 가진다 .