전술 한 TFT 배치 를 적용 함 으로써 , 부 화소 에 각각 에 설치 된 복수 의 박막 트랜지스터 를 주사선 과 신호선 의 교 차부 에 복수 근접 해서 설치 할 수 있 다 . 그 때문 에 , SOI 층 형성 시 에 있 어서 의 위치 맞춤 의 마진 을 증가 시킬 수 있 거나 , 또는 TFT 기판 과 대향 기판 의 부착 에 있 어서 의 위치 어긋남 으로 인한 개구율 의 저하 를 억제 할 수 있 다 .