상기 포토레지스트 제거 공정 의 주요 이슈 는 하 부막 을 손상 ( attack ) 시키 지 않 으면서 반도체 웨이퍼 표면 으로부터 불순물 입자 및 다른 오염물 을 완전 하 게 제거 하 는 것 이 다 . 일반 적 으로 , 상기 포토레지스트 제거 공정 은 애 싱 ( ashing ) 공정 과 같 은 건식 스트립 공정 과 유기 및 무기 스트립 용액 ( organic and inorganic stripper ) 를 사용 하 는 습식 스트립 공정 의 조합 으로 진행 된다 .