도 4 를 참조 하 면 , 도 1 b 에서 설명 한 구조 에서 다층막 을 손상 으로부터 보호 하 기 위한 절연성 베리 어막 ( 520 ) 을 더 포함 한다 . 구체 적 으로 예 를 들 면 , 절연성 베리 어막 ( 520 ) 은 식각 공정 에서 발생 할 수 있 는 식각 손상 으로부터 다층막 을 보호 하 기 위해 형성 된다 . 그 외 에 불순물 의 침투 에 의한 손상 으로부터 도 다층막 은 절연성 베리 어막 ( 520 ) 에 의해 보호 될 수 있 다 . 이 를 위해 , 수직 채널 층 들 ( 530 A , 530 B ) 및 파이프 채널 층 ( 530 C ) 의 표면 에 는 전하 저 장막 을 포함 하 는 다층막 ( 도 5 d 의 528 참조 ) 이 형성 되 며 , 절연성 베리 어막 ( 520 ) 은 다층막 을 감싸 도록 형성 된다 . 한편 , 절연성 베리 어막 ( 520 ) 은 다층막 에 포함 된 전하 저 장막 의 전자 ( 또는 전하 ) 가 워드 라인 용 도전 층 으로 이동 하 는 것 을 방지 하 는 블 로 팅 절 연막 의 기능 을 수행 하 거나 다층막 에 포함 된 블로킹 절 연막 의 기능 을 보다 더 보완 해 주 는 기능 을 수행 할 수 도 있 다 .