한편 , 소자 분리 막 ( 103 ) 은 증착 공정 후 평탄 화 공정 , 예컨대 CMP ( Chemical Mechanical Polishing ) 공정 을 통해 평탄 화 되 며 , 그 높이 는 기판 ( 100 ) 의 상면 을 기준 으로 하 여 도전 막 ( 102 ) 과 동일 한 높이 를 갖 는다 . 예컨대 , 1000 ~ 2000 Å 정도 의 높 이 , 바람직 하 게 는 1300 Å 높이 로 형성 한다 . 하지만 , 이 들 ( 102 , 103 ) 의 높이 는 설명 의 편의 를 위해 실시 예 적 인 측면 에서 언급 된 것 이 지 , 상기 한 범위 에 한정 되 는 것 은 결코 아니 며 , 소자 의 고집 적 화 에 따른 선폭 에 따라 소자 의 특성 을 고려 하 여 적절히 변동 될 수 있 다 .