상기 두 번 째 서브 층 은 바람직 하 게 는 높 은 컨 포 멀리 티 의 얇 은 ( 10 나노미터 미만 , 바람직 하 게 는 1 나노미터 미만 ) 질화규소 ( SiN ) 로 구성 되 어 , 하부 레벨 컨 덕 터 를 노출 시키 기 위한 상기 에치 백 공정 을 완료 한 이후 에 수행 되 는 잔여물 제거 공정 에 이용 되 는 , 등방성 습식 세척 화학 반응 또는 등방 성 건식 에칭 화학 반응 에서 균일 하 게 그 두께 가 감소 될 수 있 다 . 본 바람직 한 실시 예 에서 , 상기 희생 층 의 두 번 째 서브 층 은 세 번 째 서브 층 보다 낮 은 에칭 율 을 이용 하 도록 선택 된다 . 균일 두께 의 산화층 ( 503 ) 을 포함 하 는 상기 첫 번 째 서브 층 및 질화규소 를 포함 하 는 상기 두 번 째 서브 층 의 바람직 한 증착 방법 으로서 는 , 에이 엘 디 ( ALD ) 증착 법 또는 레이어 - 바이 - 레이어 ( Lay - by - lay ) 방식 으로 재료 층 을 성장 시키 기 위해 이용 되 는 다른 진보 된 화학 증착 법 이 이용 될 수 있 다 . 잔여 비아 에칭 중단 층 ( 401 ) 은 상기 희생 층 의 서브 층 의 증착 공정 에 의한 손상 및 오염 으로부터 아래 컨 덕 터 ( Mx ) 의 표면 을 보호 한다 .