메모리 어레이 ( 300 ) 는 또한 워드 라인 ( 110 - b ) 및 비트 라인 ( 115 - b ) 을 포함 하 며 , 이 는 도 1 을 참고 로 하 여 설명 된 워드 라인 ( 110 ) 및 비트 라인 ( 115 ) 의 예 일 수 있 다 . 워드 라인 ( 110 - b ) 과 비트 라인 ( 115 - b ) 사이 의 재료 들 의 예시 는 도 2 의 하부 데크 위 에 메모리 셀 ( 105 - a ) 를 나타낼 수 있 다 . 메모리 어레이 ( 300 ) 는 전극 ( 305 ) , 로직 저장 엘리먼트 ( 310 ) , 기판 ( 315 ) 및 선택기 디바이스 ( 320 ) 를 포함 한다 . 일부 예 들 에서 , 단일 컴포넌트 는 로직 저장 엘리먼트 및 선택기 디바이스 둘 모두 로서 작동 할 수 있 다 . 전극 ( 305 - a ) 는 비트 라인 ( 115 - b ) 와 전자 통신 할 수 있 고 , 전극 ( 305 - c ) 는 워드 라인 ( 110 - b ) 와 전자 통신 할 수 있 다 . 빈 공간 으로 도시 된 절연 재료 는 전기 적 으로 그리고 열 적 으로 절연 일 수 있 다 . 상술 된 바 와 같이 , PCM 기술 에서 , 다양 한 로직 상태 들 은 메모리 셀 ( 105 - b ) 에 로직 저장 엘리먼트 ( 310 ) 의 전기 저항 을 프로그래밍 함 으로써 저장 될 수 있 다 . 일부 경우 들 에서 , 이것 은 전적 으로 또는 부분 적 으로 메모리 셀 ( 105 - b ) 를 통해 전류 를 통과 시키 는 단계 , 메모리 셀 ( 105 - b ) 내 로직 저장 엘리먼트 ( 310 ) 를 가열 하 는 단계 또는 메모리 셀 ( 105 - b ) 내 로직 저장 엘리먼트 ( 310 ) 의 재료 를 용융 시키 는 단계 를 포함 한다 . 임계 전압 변조 와 같 은 다른 저장 메커니즘 은 칼 코 게나 이드 기반 메모리 에서 활용 될 수 있 다 . 메모리 어레이 ( 300 ) 는 메모리 셀 이 지지 엘리먼트 를 포함 하 는 기판 층 의 위 에 위치 되 도록 퀼트 아키텍처 의 일부 로서 포함 될 수 있 다 .