이어서 , 도 5 b 에 도시 된 바 와 같이 , 회절 노광용 마스크 를 통해 상기 감광막 ( 111 ) 에 자외선 을 조사 한 후 현상 하 여 감광막 패턴 ( 111 a ) 을 형성 한다 . 이때 , 상기 화소 영역 에서 는 포토레지스트 가 제거 되 고 , TFT 영역 에서 만 감광막 패턴 ( 111 a ) 이 형성 된다 . 또한 , TFT 영역 에 조사 되 는 광 은 회절 마스크 에 형성 된 슬릿 에 의해 그 세기 가 달라지 기 때문 에 , 게이트 전극 ( 103 ) 상부 의 감광막 패턴 은 그 일부 가 제거 되 는 반면 에 게이트 전극 ( 103 ) 의 양 측면 상부 의 감광막 패턴 부분 은 그대로 남 아 있 게 되 어 , 두께 가 다른 감광막 패턴 ( 111 a ) 이 형성 된다 .