바람직 하 게 , 전자 차 단층 에서 의 Al 의 함량 은 정공 주입 층 에서 의 Al 함량 보다 크 다 . 예 를 들 어 기판 으로부터 윗 방향 을 향해 , 정공 주입 층 의 서브 층 각각 은 모두 순차 적 으로 적층 설치 된 P 형 AlvGa 1 - vN 층 및 P 형 GaN 층 을 포함 하 면 , 0 . 1 ≤ v ＜ z ＜ 1 이 고 ; 또 예 를 들 어 , 기판 으로부터 윗 방향 을 향해 , 서브 층 각각 은 모두 순차 적 으로 적층 설치 된 P 형 AluGa 1 - uN 층 및 P 형 AlvGa 1 - vN 층 을 포함 하 면 , 0 . 1 ≤ v ＜ z ＜ 1 , 0 . 1 ≤ u ＜ z ＜ 1 이 고 ; 또 예 를 들 어 , 기판 으로부터 윗 방향 을 향해 , 서브 층 각각 은 모두 순차 적 으로 적층 설치 된 P 형 AluGa 1 - uN 층 , P 형 AlvGa 1 - vN 층 및 P 형 GaN 층 을 포함 하 면 , 0 . 1 ≤ v ＜ z ＜ 1 , 0 . 1 ≤ u ＜ z ＜ 1 이 다 .