비정질 실리콘 막 은 결정 화 될 반도체 막 이 다 . 캡 막 은 비정질 실리콘 막 으로 입사 하 는 광 빔 의 일부 에 의해 가열 되 고 가열 온도 를 저장 한다 . 광 빔 의 입사 가 일어날 때 , 고 온부 의 온도 는 비정질 실리콘 막 의 방사 대상 기판 상 에서 상대 적 으로 급격히 감소 한다 . 그러나 , 이러 한 축 열 효과 는 온도 하강 율 을 완화 시키 고 큰 입경 을 갖 는 결정 의 측 방향 성장 을 촉진 시킨다 . 프로세싱 대상 기판 ( 4 ) 은 진공 척 ( vacuum chuck ) 또는 정전 척 ( electrosatic chuck ) 에 의해 기판 지지대 ( 5 ) 상 의 소정 위치 에 놓여져 홀딩 된다 .