먼저 , 본 발명 의 제 1 실시 예 에 관하 여 설명 한다 . 제 1 실시 예 에서 는 서로 채널 의 방향 이 평행 한 n 채널 MOS 트랜지스터 및 p 채널 MOS 트랜지스터 를 반도체 기판 위 에 형성 한다 . 또한 , 반도체 기판 의 표면 에 평행 한 면내 에서 이 들 트랜지스터 의 소 스 및 드레 인 을 연결 하 는 직선 이 연장 되 는 방향 ( 채널 길 이 방향 ) 을 제 1 방향 이 라고 하 고 , 이것 에 직교 하 는 방향 ( 채널 폭 방향 ) 을 제 2 방향 이 라고 한다 . 즉 , n 채널 MOS 트랜지스터 에서 는 채널 에서 의 전자 이동 방향 이 제 1 방향 에 해당 하 고 , p 채널 MOS 트랜지스터 에서 는 채널 에서 의 정공 의 이동 방향 이 제 1 방향 에 해당 한다 . 또한 , n 채널 MOS 트랜지스터 를 형성 할 예정 인 영역 을 nMOS 영역 이 라고 하 고 , p 채널 MOS 트랜지스터 를 형성 할 예정 인 영역 을 pMOS 영역 이 라고 한다 . 도 1 a 내지 도 1 b 는 본 발명 의 제 1 실시 예 에 따른 반도체 장치 의 제조 방법 을 공 정순 으로 나타낸 평면도 이 다 . 또한 , 도 2 a 내지 도 2 e 는 본 발명 의 제 1 실시 예 에 따른 반도체 장치 의 제조 방법 을 공 정순 으로 나타낸 단면도 이 고 , 도 3 a 내지 도 3 e 도 본 발명 의 제 1 실시 예 에 따른 반도체 장치 의 제조 방법 을 공 정순 으로 나타낸 단면도 이 다 . 또한 , 도 2 a 내지 도 2 e 는 , 도 1 a 내지 도 1 b 중 의 I - I 선 에 따른 단면 을 나타내 고 , 도 3 a 내지 도 3 e 는 , 도 1 a 내지 도 1 b 중 의 II - II 선 에 따른 단면 을 나타내 고 있 다 .