이어서 , 상기 예비 포토레지스트 막 이 형성 되 어 있 는 기판 을 가열 하 는 제 1 베 이킹 공정 을 수행 하 여 포토레지스트 막 을 형성 한다 . 상기 제 1 베 이킹 공정 은 약 90 ℃ 내지 약 130 ℃ 의 온도 에서 수행 한다 . 상기 제 1 베 이킹 공정 을 수행 함 으로 인해 상기 유기 반사 방지 막 에 대하 여 포토레지스트 막 의 접착성 이 증가 된다 .