도 12 에 , 레벤 손 형 마스크 에 의해 형성 되 는 레지스 트 패턴 의 제 1 패턴 의 부분 의 합성 광학 상 을 나타낸다 . 도 13 에 , 제 2 시험 에서 의 ILS 값 의 그래프 를 나타낸다 . 도 12 를 참조 하 면 , 하프톤 형 마스크 의 투과율 을 낮춤 으로써 , 위치 0 ㎛ 에서 의 광 강도 가 0 에 근접 한다 . 도 13 을 참조 하 면 , 레벤 손 형 마스크 의 노광량 과 하프톤 형 마스크 의 노광량 의 비 가 0 . 8 : 1 인 경우 에서 는 , 하프톤 형 마스크 의 투과율 을 4 % 이하 로 함 으로써 , ILS 값 을 대략 34 이상 으로 할 수 있 다 .