그 후 , 도 5 g 에 도시 된 바 와 같이 , 물리 기상 증착 ( PVD ) 또는 스퍼터링 프로세스 가 금속 의 층 ( 590 ) 을 증착 시키 기 위해서 이용 된다 . 통상 의 노 어닐링 은 그 후 금속 층 ( 590 ) 이 실리콘 과 접촉 하 는 영역 들 내 에 금속 실리사이드 를 형성 하 도록 금속 층 및 실리콘 층 을 어닐링 시키 기 위해서 이용 된다 . 어닐링 프로세스 는 통상 적 으로 별도 의 프로세싱 시스템 내 에서 수행 된다 . 따라서 , 보호 캡 핑 층 ( 도시 되 지 않 음 ) 이 금속 ( 590 ) 위 에서 증착 될 수 있 다 . 캡 핑 층 들 이 통상 적 으로 질화물 재료 들 이 며 티타늄 질화물 , 텅스텐 질화물 , 탄탈 질화물 , 하프늄 질화물 , 실리콘 질화물 , 이 들 의 유도체 들 , 이 들 의 합금 들 , 또는 이 들 의 조합 물 들 로 구성 되 는 그룹 으로부터 선택 되 는 하나 또는 그 이상 의 재료 들 을 포함 할 수 있 다 . 캡 핑 층 이 임의 의 증착 프로세스 , 바람직 하 게 는 PVD 프로세스 에 의해 증착 될 수 있 다 .