다음 , 도 3 g 에 도시 한 바 와 같이 , 상기 데이터 배선 ( 130 ) 과 소스 및 드레 인 전극 ( 133 , 136 ) 상 에 남 아 있 는 포토레지스트 패턴 ( 도 3 f 의 181 ) 을 스트립 ( strip ) 또는 애 싱 ( ashing ) 을 실시 하 여 제거 한 후 , 상기 포토레지스트 패턴 ( 도 3 f 의 181 ) 이 제거 된 기판 ( 101 ) 을 , 플라 즈 마 발생 장치 예 를 들 면 화학 기상 증착 장치 의 챔버 ( 190 ) 로 이동 시킨 후 , 수소 ( H 2 ) 가스 분위기 에서 플 라즈 마 에 300 초 내지 600 초 정도 노출 시키 는 수소 화 공정 을 진행 한다 . 이 는 드라이 에칭 등 에 의해 그 표면 일부 가 손상 되 거나 또는 오염 되 었 을 가능 성 이 있 으며 , 이 로 인해 추후 공정 에서 그 상부 에 형성 되 는 게이트 절 연막 과 의 계면 에서 의 특성 이 저하 되 는 문제 가 발생 할 수 있 는 바 , 상기 소스 및 드레 인 전극 사이 로 노출 된 제 1 실리콘 층 ( 111 a ) 의 표면 을 수소 ( H 2 ) 플 라즈 마 에 노출 시킴 으로써 그 표면 상태 를 안정 화 시키 기 위함 이 다 .