마지막 으로 , 도 45 에 도시 하 는 바 와 같이 , 다이아몬드 톱 ( 18 ) 을 이용 하 여 다 이싱 을 행하 여 , 도 41 에 도시 한 바 와 같 은 구성 의 개개 의 반도체 장치 ( 40 ) 를 얻 는다 ( 단 , 도 41 에서 는 , 재 배선 ( 7 ) 및 댐 층 ( 8 ) 의 시드 메탈 ( 14 ) 의 부분 에 대해서 는 그 도시 를 생략 하 고 있 다 . ) .