본 발명 의 실시 예 에 따른 이미지 센서 는 하부 배선 을 포함 하 는 씨 모스 회로 ( circuitry ) 가 형성 된 기판 ; 상기 기판 상 에 복수 로 분리 되 어 형성 된 제 1 배선 ; 상기 제 1 배선 사이 에 평탄 화 되 어 형성 된 절연 층 ; 상기 절연 층 을 포함 하 는 기판 상 에 형성 된 진성 층 ( intrinsic layer ) ; 및 상기 진성 층 상 에 형성 된 제 2 도전 형 전도 층 ; 을 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .