게이트 절연 층 ( 30 ) 상 에 화학 증기 증착 ( CVD ) 방법 을 이용 하 여 반도체 층 ( 40 , 41 ) 을 형성 한다 . 즉 , 순차 적 으로 엑 티 브 층 ( active layer ) ( 40 ) 과 옴 익 콘 텍 층 ( ohmic contact layer ) ( 41 ) 을 형성 한 후 , 건식 식각 을 통해 도 1 d 에 도시 된 바 와 같이 , 패턴 을 형성 한다 .