반도체 층 ( SCL ) 위 에 게이트 절연 층 ( 20 ) 이 형성 된다 . 게이트 절연 층 ( 20 ) 의 구성 물질 은 특별히 제한 되 지 않 으나 , 실리콘 산화물 ( SiO 2 ) , 실리콘 질화물 ( SiNx ) 등 과 같 은 무기물 , 이러 한 무기물 의 혼합 물질 , PVP ( polyvinylphenol ) , 폴리 이미드 ( polyimide ) 와 같 은 유기물 로 이루어질 수 있 다 . 일반 적 으로 게이트 절연 층 ( 20 ) 의 막 두께 가 가장 얇 기 때문 에 정전기 유입 시 정전기 방지 트랜지스터 에서 태워 져서 ( burnt ) 전기 적 으로 오픈 되 거나 쇼트 될 수 있 다 .