제 1 커버 웨이퍼 ( 112 ) 는 예 를 들 어 , 실리콘 , 금속 , 폴리머 및 세라믹 중 에서 적어도 어느 하나 를 포함 하 여 이루어질 수 있 으므로 , 에칭 에 의해 캐 비티 ( 130 ) 를 보다 용이 하 게 형성 할 수 있 어 , SAW 디바이스 의 경우 , 표면 탄성파 를 위한 고른 표면 을 얻 을 수 있 고 , 표면 탄성파 의 에너지 를 반사 시키 거나 간섭 시키 는 오염물 을 방지 할 수 있 으며 , 결과 적 으로 공정 의 효율 성 을 높일 수 있 다 .