도 1 은 다양 한 구 현예 에 따른 반도체 처리 장치 ( 1 ) 의 개략 적 인 시스템 다이어그램 이 다 . 도 2 는 도 1 의 반도체 처리 장치 의 개략 적 인 시스템 다이어그램 이 고 , 액체 기화기 ( 10 ) 로 액체 반응물 을 공급 하 는 액체 반응물 소스 ( 3 ) 를 포함 한다 . 액체 기화기 ( 10 ) 는 공정 제어 챔버 ( 20 ) 에 기화 된 반응물 을 공급 할 수 있 고 , 이 는 반응기 어셈블리 또는 반응기 ( 21 ) 에 공급 하 기 위해 반응물 이 증기 형태 로 남 는 것 을 보장 하 도록 구성 된다 . 액체 반응물 은 액체 전구체 , 또는 액체 전구체 ( 예 , 지르코늄 아미노 알 콕 시드 , 예 를 들 어 Zr ( dmae ) 4 , Zr ( dmae ) 2 ( OtBu ) 2 , 및 Zr ( dmae ) 2 ( OIpr ) 2 와 같 은 , 지르코늄 유기 금속 또는 Zr MO , 여기 서 dmae 는 디메틸아미노 에 톡 시드 [ OCH ] 2 CH 2 N ( CH 3 ) 2 ] 임 ) 와 용매 ( 예 , 옥탄 ) 의 혼합물 을 포함 할 수 있 다 . 액체 반응물 소스 ( 3 ) 는 액체 반응물 을 액체 주입 라인 ( 7 ) 을 따라 기화기 ( 10 ) 에 공급 할 수 있 다 . 액체 질량 흐름 제어기 ( 액체 MFC ) ( 2 ) 는 , 액체 주입 라인 ( 7 ) 을 따라 액체 반응물 의 흐름 을 제 어 또는 계량 하 기 위해 제공 될 수 있 다 . 제 1 밸브 ( 11 ) 는 , 기화기 ( 10 ) 내 로 액체 반응물 의 흐름 ( 예 , 압력 및 / 또는 유량 ) 을 조절 할 수 있 다 . 제 1 밸브 ( 11 ) 는 임의 의 적합 한 유형 의 밸브 를 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 다양 한 구 현예 에서 , 제 1 밸브 ( 11 ) 는 , 액체 주입 라인 ( 7 ) 을 통한 유량 을 조절 하 기 위해 복수 의 유동 컨덕턴스 설정 을 갖 는 조절 밸브 를 포함 할 수 있 다 .