도 2 및 도 3 에 도시 된 바 와 같이 , 각 상기 피 측정 유닛 ( 50 A , 50 B ) 의 상부 표면 ( 56 ) 은 반대 방향 을 향하 는 제 1 및 제 2 메인 에지 ( 51 , 52 ) ( 일반 적 으로 긴 변 ) , 제 1 및 제 2 메인 에지 ( 51 , 52 ) 를 연결 하 며 반대 방향 을 향하 는 제 1 및 제 2 측면 에지 ( 53 , 54 ) ( 일반 적 으로 짧 은 변 ) 및 복수 의 전도성 접점 ( 55 a ~ 55 d ) 을 포함 하 고 , 상기 제 1 피 측정 유닛 ( 50 A ) 의 제 2 측면 에지 ( 54 ) 는 상기 제 2 피 측정 유닛 ( 50 B ) 의 제 1 측면 에지 ( 53 ) 와 인접 한다 . 상기 프로브 모듈 ( 20 ) 이 상기 복수 의 상기 피 측정 유닛 ( 50 A , 50 B ) 을 검출 시 , 상기 제 1 및 제 2 프로브 베이스 ( 21 , 22 ) 는 각각 피 측정 유닛 ( 50 A , 50 B ) 의 제 1 메인 에지 ( 51 ) 의 외측 상부 및 제 2 메인 에지 ( 52 ) 의 외측 상부 에 위치 한다 . 다시 말 하 면 , 각 상기 피 측정 유닛 ( 50 A , 50 B ) 의 제 1 메인 에지 ( 51 ) 는 제 2 메인 에지 ( 52 ) 보다 상기 제 1 프로브 베이스 ( 21 ) 에 더 가깝 고 , 각 상기 피 측정 유닛 ( 50 A , 50 B ) 의 제 2 메인 에지 ( 52 ) 는 제 1 메인 에지 ( 51 ) 보다 상기 제 2 프로브 베이스 ( 22 ) 에 더 가까우며 , 상기 프로브 모듈 ( 20 ) 은 전체 적 으로 ( 상술 한 회로 판 ( 40 ) 과 함께 ) 아래 로 이동 하 여 상기 복수 의 프로브 ( 30 a ~ 30 e ) 로 상기 복수 의 전도성 접점 ( 55 a ~ 55 d ) 과 점 접촉 한다 .