도 1 a 및 도 1 b 를 참조 하 여 , 종래 의 SAS 공정 을 간략히 설명 하 면 다음 과 같 다 . 먼저 , 터널 산화 막 ( 22 ) , 플로팅 게이트 ( 24 ) , 게이트 간 유전 막 ( 26 ) 및 콘트롤 게이트 ( 28 ) 로 이루어진 스택 ( 20 ) 을 형성 한 후 SAS 공정 을 진행 한다 . SAS 공정 에서 는 , 8 ~ 16 비트 셀 에 대한 소스 영역 을 한꺼번에 오픈 한 후 , 소자 분리 영역 에 형성 된 산화 막 ( 즉 , STI ( Shallow Trench Isolation ) 로 형성 된 필드 산화 막 ) 을 제거 한다 . 따라서 , 공통 소스 영역 , 즉 스택 게이트 ( 20 ) 사이 로 노출 되 는 공통 소스 라인 이 형성 될 영역 에서 는 , 도 1 a 에서 보 듯이 , 기판 ( 10 ) 내 에 트랜 치 ( 14 ) 가 형성 된다 . 그리고 , 도 1 b 에서 보 듯이 , 노출 된 기판 표면 에 도 펀트 ( As 또는 P ) 를 이온 주입 하 여 이온 주입 층 을 형성 한다 . 이렇게 형성 된 이온 주입 층 은 공통 소스 라인 ( 10 L ) 이 되 어 , 각 셀 의 소스 확산 영역 을 전기 적 으로 연결 한다 .