도전 재료 를 포함 하 는 층 은 알루미늄 이나 구리 , 티타늄 , 탄탈 , 텅스텐 등 의 금속 재료 를 사용 하 여 형성 할 수 있 다 . 또한 , 다 결정 실리콘 등 의 반도체 재료 를 사용 하 여 도전 재료 를 포함 하 는 층 을 형성 할 수 있 다 . 형성 방법 도 특별히 한정 되 지 않 고 , 증착 법 , CVD 법 , 스퍼터링 법 , 스핀 코팅 법 등 의 각종 성막 방법 을 이용 할 수 있 다 . 또한 , 본 실시 형태 에서 는 도전 재료 를 포함 하 는 층 을 , 금속 재료 를 사용 하 여 형성 하 는 경우 의 일례 에 대하 여 나타내 는 것 으로 한다 .