본 발명 의 기술 사상 은 바람직 한 실시 예 에서 구체 적 으로 기술 되 었 으나 , 상기 한 실시 예 는 그 설명 을 위한 것 이 며 , 그 제한 을 위한 것 이 아님 을 주의 하 여야 한다 . 특히 , 본 발명 의 실시 예 는 낸드 플래시 메모리 소자 의 제조 방법 을 일례 로 들 어 기술 되 었 으나 , 이 는 설명 의 편의 를 위한 것 으로 , 모든 비휘발성 메리 소자 에 모두 적용 할 수 있 다 . 또한 , 본 발명 은 ASA - STI 공정 대신 에 SA - STI 공정 을 적용 한 비휘발성 메모리 소자 에 도 적용 할 수 있 다 . 또한 , 본 발명 은 이 기술 분야 의 통상 의 전문가 라면 본 발명 의 기술 사상 의 범위 내 에서 다양 한 실시 예 들 이 가능 함 을 이해 할 수 있 을 것 이 다 .