도 5 a 에서 보여 지 는 전압 인가 상태 로 인해 , P + 층 ( 406 ) 과 N + 층 ( 408 ) 의 P - N 접합 부분 에서 고농도 의 P - N 접합 층 과 , 강한 워드 라인 전압 에 의한 전계 로 인해 밴드 투 밴드 터널 링 ( Band To Band Tunneling ) 에 의한 핫 홀 ( Hot Hole ) 이 발생 되 며 , 핫 홀 은 ONO 적 층막 ( 412 ) 의 질화 막 ( nitride ) 에 트랩 ( trap ) 되 어 쌓이 게 된다 .