또한 , NSG 막 ( 71 ) 대신 에 두께 가 20 nm ～ 100 nm 정도 인 다른 산화 막 을 CVD 법 등 에 의해 형성 해도 좋 다 . 또한 , 플라 즈 마 CVD 법 등 에 의해 두께 가 20 nm ～ 100 nm 인 실리콘 산질 화 막 또는 실리콘 질화 막 등 의 질소 를 함유 하 는 막 을 , 수분 투과 를 방해 하 는 배리 어막 으로서 형성 해도 좋 다 . 또한 , PVD 법 등 에 의해 두께 가 20 nm ～ 50 nm 정도 인 금속 산화 막 을 , 수분 및 수소 의 투과 를 방해 하 는 배리 어막 으로서 형성 해도 좋 다 . 금속 산화 막 으로서 는 알루미늄 산화 막 , 티탄산 화 막 , 지르코늄 산화 막 , 마그네슘 산화 막 또는 마그네슘 티탄 산화 막 등 을 들 수 있 다 . 또한 , 도 7 에 나타낸 바 와 같이 금속 산화 막 ( 81 ) 을 형성 한 후 에 NSG 막 ( 71 ) 을 형성 해도 좋 다 . 또한 , 이 들 막 이 지나치 게 두터우 면 그 후 의 가공 이 곤란 해질 경우 가 있 고 , 지나치 게 엷 으면 에칭 스토퍼 막 으 로서 충분히 기능 하 지 않 을 경우 가 있 거나 , 수분 및 수소 의 투과 를 방해 하 는 효과 가 부족 할 경우 가 있 다 . 또한 , 도포 형 의 막 의 형성 은 행하 지 않 는 것 이 바람직 하 다 . 도포 형 의 막 을 형성 할 경우 에 는 , 많 은 물 이 사용 되 기 때문 이 다 .