이론 에 의해 제한 되 기 를 원하 지 는 않 지만 , 입방정 결정 구조 와 [ 111 ] 방향 으로 성장 하 는 나노 와 이 어의 ( 111 ) 평면 에서 의 ( 또는 육방정 결정 구조 와 [ 0001 ] 방향 으로 성장 하 는 나노 와 이 어의 ( 0001 ) 평면 에서 의 ) 흑연 질 기판 의 육각형 대칭 및 반도체 원자 의 육각형 대칭 으로 인해 , 반도체 원자 가 흑연 질 기판 의 탄소 원자 위 에 이상 적 으로 는 육각형 패턴 으로 배치 될 때 , 흑연 질 기판 과 반도체 사이 의 가까운 격자 매칭 이 달성 될 수 있 다 . 이것 은 새롭 고 도 놀라운 발견 으로 , 흑연 질 기판 상 에서 의 NW 의 에피 택 셜 성장 을 가능 하 게 할 수 있 다 .