실리콘 질화 막 ( 204 ) 및 게이트 상 절 연막 ( 실리콘 산화 막 ; 203 ) 은 예 를 들 어 , 드라이 에칭 으로 제거 할 수 있 다 . 이 드라이 에칭 은 예 를 들 어 , CF 4 / CH 2 F 2 / He = 45 / 30 / 100 sccm , 압력 = 10 mTorr ( 1 . 33 Pa ) , RF 파워 상부 / 하부 = 900 / 80 W 의 조건 으로 실시 할 수 있 다 . WSi 막 ( 202 ) 은 예 를 들 어 , 드라이 에칭 으로 제거 할 수 있 다 . 이 드라이 에칭 은 예 를 들 어 , Cl 2 / O 2 = 20 / 2 sccm , 압력 3 mTorr ( 0 . 4 Pa ) , RF 파워 상부 / 하부 = 220 / 120 W 의 조건 으로 실시 할 수 있 다 . 폴리 실리콘 막 ( 201 ) 은 예 를 들 어 , 드라이 에칭 으로 제거 할 수 있 다 . 이 드라이 에칭 은 예 를 들 어 , HBr / O 2 = 100 / 3 sccm , 압력 = 5 mTorr ( 0 . 667 Pa ) , RF 파워 상부 / 하부 = 350 / 30 W 의 조건 으로 실시 할 수 있 다 .