절연 층 ( 216 ) 은 트랜지스터 ( 200 c ) 의 채널 보호 층 으로서 의 기능 을 갖 는다 . 절연 층 ( 216 ) 이 없 는 경우 , 도전 층 ( 222 a 및 222 b ) 을 형성 할 때 에칭 법 등 에 의하 여 반도체 층 ( 231 ) 의 채널 형성 영역 이 손상 될 수 있 다 . 이 에 의하 여 , 트랜지스터 의 전기 특성 이 불 안정 해 지 는 경우 가 있 다 . 절연 층 ( 216 ) 을 형성 하 고 , 개구부 ( 238 a 및 238 b ) 를 제공 한 다음 에 도전 층 을 형성 하 고 에칭 법 등 에 의하 여 도전 층 ( 222 a 및 222 b ) 으로 가공 함 으로써 , 반도체 층 ( 231 ) 의 채널 형성 영역 으로 의 대미지 를 방지 할 수 있 다 . 이 로써 , 트랜지스터 의 전기 특성 을 안정 화 시켜 신뢰 성 이 높 은 트랜지스터 를 실현 할 수 있 다 .