이 급전 회로 ( 150 ) 에 있 어서 , 인덕턴스 소자 ( L 1 , L 2 ) 의 중간 점 이 가상 그라운드 가 된다 . 또한 , 급전 회로 ( 150 ) 의 임피던스 값 은 무선 IC 칩 ( 10 ) 의 임피던스 와 복소 공역 ( 複 素 共役 ) 이 되 도록 설계 된다 . 인덕턴스 소자 ( L 1 , L 2 ) 는 도 22 에 나타내 는 바 와 같이 적층 상태 로 형성 되 기 때문 에 , 방사 판 까지 의 거리 에 따라서 인덕턴스 값 이 다르 다 . 따라서 , 무선 IC 칩 ( 10 ) 의 이면 에 절연 층 ( 159 ) 을 형성 하 여 방사 판과 의 거리 를 고정 하 고 , 또한 인덕턴스 소자 ( L 1 , L 2 ) 를 보호 하 고 있 다 .