또한 , 상기 그리드 플레이트 의 하측 에 는 중성자 빔 을 생성 하 기 위한 뉴트럴 라이즈 ( neutralize ) 그리드 또는 리타 딩 ( retarding ) 그리드 를 포함 하 는 특정 기능 의 그리드 중 적어도 하나 이상 이 추가 로 배치 되 어 구성 되 는 것 을 특징 으로 하 는 빔 조절 기능 을 갖 는 반도체 공정 시스템 용 그리드 장치 가 제공 된다 .