도 4 는 예시 적 인 실시 예 에 따른 SRAM 어레이 를 위한 멀티 게이트 전계 효과 트랜지스터 파워 스위치 및 주변 회로 를 도시 한 블록 회로도 이 다 . 논리 블록 ( 410 ) 은 VDD ( 415 ) 및 VSS ( 420 ) 와 결합 된다 . 논리 블록 ( 410 ) 은 마이크로프로세서 와 같 은 임의 형태 의 디바이스 일 수 있 으며 , 주변 회로 ( 430 ) 을 통해 SRAM 메모리 셀 어레이 ( 425 ) 를 엑세스 하 기 를 원한다 . 일 실시 예 에서 , VDD ( 415 ) 및 / 또는 VSS ( 420 ) 은 전 체 공급 및 접지 에 각각 결합 되 는 가상 의 VDD 및 가상 의 VSS 일 수 있 다 . 메모리 셀 어레이 ( 425 ) 및 주변 회로 ( 430 ) 는 VDD ( 415 ) 및 VSS ( 420 ) 에 유사 하 게 결합 된다 . 논리 블록 ( 410 ) 은 일 실시 예 에서 제 1 의 n - MuGFET 파워 스위치 ( 435 ) 를 통해 VSS ( 420 ) 에 연결 될 수 있 다 . 유사 하 게 , 추가 의 실시 예 에서 주변 회로 ( 430 ) 은 제 2 의 n - MuGFET 전력 스위치 ( 440 ) 을 통해 VSS ( 420 ) 에 연결 될 수 있 다 .