도 1 ( a ) 은 , 본 발명 에 관한 반도체 장치 의 모식 적 설명도 이 며 , 본 발명 에 관한 접합 재 ( 1 ) 는 실리콘 칩 ( IC 칩 ) ( 2 ) 과 절연 기판 ( 3 ) 상 에 형성 된 Ni / Au 도금 층 ( 3 a ) 의 사이 에 개재 시켜 양자 를 내부 접합 하 고 있 고 , 이 조립 체 는 , 절연 기판 ( 3 ) 을 그 이면 에 형성 한 Ni / Au 도금 층 ( 4 a ) 을 사이 에 두 고 Cu 베이스 기판 ( 4 ) 에 내부 접합 시켜 , 반도체 장치 를 구성 하 고 있 다 .