따라서 , 본 발명 은 상기 도핑 된 폴리 실리콘 막 내 의 불순물 에 의해 유발 되 는 도핑 된 폴리 실리콘 막 과 금속 막 사이 의 계면 반응 을 억제 함 으로써 , 게이트 절 연막 의 특성 이 저하 되 는 GOI ( Gate Oxide Integrity ) 페일 ( Fail ) 을 방지 할 수 있 으며 , 이 를 통해 , 디램 ( DRAM ) 소자 의 동작 특성 을 개선 하 고 소자 특성 및 신뢰 성 을 향상 시킬 수 있 다 .