상기 하부 기판 ( 110 ) 위 에 는 박막 트랜지스터 ( 120 ) 가 형성 된다 . 상기 박막 트랜지스터 ( 120 ) 는 상기 하부 기판 ( 110 ) 위 에 형성 된 게이트 전극 ( 121 ) , 소스 전극 ( 123 ) 및 드레 인 전극 ( 125 ) 을 포함 한다 . 상기 박막 트랜지스터 ( 120 ) 는 상기 게이트 전극 ( 121 ) 을 커버 하 는 반도체 층 ( 127 ) 및 불순물 반도체 층 ( 128 ) 을 더 포함 할 수 있 다 . 상기 게이트 전극 ( 121 ) 위 에 는 게이트 절 연막 ( 130 ) 이 형성 된다 .