스핀 코팅 방법 에 의해 유기 반도체 층 ( 140 ) 이 형성 된 후 에 는 , 그 일면 상 에 차후 형성 될 게이트 전극 ( 160 ) 과 의 절연 을 위한 게이트 절연 층 ( 150 ) 이 형성 된다 . 게이트 절연 층 ( 150 ) 은 , 예 를 들 어 화학 기상 증착 이나 스퍼터링 과정 에 의한 SiO 2 , SiNx , Al 2 O 3 , Ta 2 O 5 , BST , PZT 등 과 같 은 무기 절연 층 으로 구성 될 수 도 있 고 , 일반 범용 고분자 로서 의 PMMA ( poly methylmethacrylate ) , PS ( polystyrene ) , 페놀 계 고분자 , 아크릴 계 고분자 , 폴리 이미드 ( polyimide ) 와 같 은 이미드 계 고분자 , 아릴 에 테르 계 고분자 , 아마이드 계 고분자 , 불 소계 고분자 , p - 자일리 렌 계 고분자 , 비닐 알콜 계 고분자 , 파 릴 렌 ( parylene ) , 및 이 들 의 하나 이상 을 포함 하 는 화합물 등 과 같 은 고분자 재료 에 의한 유기 절연 층 으로 구성 될 수 도 있 으며 , 경우 에 따라서 는 복수 의 층 으로 형성 될 수 도 있 는 등 다양 한 구성 이 가능 한데 , 절연 특성 과 함께 유전 율 이 우수 하 고 기판 과 열팽창 률 이 같 거나 비슷 한 재료 로 선택 되 는 것 이 바람직 하 다 .