활성 물질 층 ( 530 ) 은 제 1 도전 형 반도체 ( 521 ) 와 제 2 도전 형 반도체 ( 522 ) 사이 에 배치 된다 . 활성 물질 층 ( 530 ) 은 단일 또는 다중 양자 우물 구조 의 물질 을 포함 할 수 있 다 . 활성 물질 층 ( 530 ) 이 다중 양자 우물 구조 의 물질 을 포함 할 경우 , 활성 물질 층 ( 530 ) 은 양자 층 ( quantum layer ) 과 우물 층 ( well layer ) 이 서로 교번 적 으로 복수 개 적층 된 구조 로 이루어질 수 도 있 다 . 활성 물질 층 ( 530 ) 은 제 1 도전 형 반도체 ( 521 ) 및 제 2 도전 형 반도체 ( 522 ) 를 통해 인가 되 는 전기 신호 에 따라 전자 - 정공 쌍 의 결합 에 의해 광 을 발광 할 수 있 다 . 일 예 로 , 발광 소자 ( 500 ) 가 청색광 을 방출 하 는 경우 , 활성 물질 층 ( 530 ) 은 AlGaN , AlInGaN 등 의 물질 을 포함 할 수 있 다 . 특히 , 활성 물질 층 ( 530 ) 이 다중 양자 우물 구조 로 , 양자 층 과 우물 층 에 교번 적 으로 적층 된 구조 로 이루어진 경우 , 양자 층 은 AlGaN 또는 AlInGaN 등 과 같 은 물질 을 포함 하 고 , 우물 층 은 GaN 또는 AlGaN 등 과 같 은 물질 을 포함 할 수 있 다 . 다만 , 이 에 제한 되 는 것 은 아니 며 , 활성 물질 층 ( 530 ) 은 발광 하 는 광 의 파장 대 에 따라 다른 3 족 내지 5 족 반도체 물질 들 을 포함 할 수 도 있 다 .