도 10 의 구조 ( 10 b ) 는 도 1 을 참조 하 여 상술 한 NAND 메모리 어레이 ( 12 ) 와 유사 한 NAND 메모리 어레이 ( 12 b ) 를 포함 한다 . 제 1 재료 ( 66 ) 는 일부 실시 예 에서 재료 ( 26 ) 와 동일 할 수 있 다 ( 예 를 들 어 , 실리콘 이 산화물 또는 다른 적절 한 절연성 재료 를 포함 할 수 있 다 ) . 대안 적 으로 , 제 1 재료 ( 66 ) 는 일부 실시 예 에서 제거 되 고 재료 ( 26 ) 로 대체 될 수 있 다 .