실시 형태 1 과 같이 , 도 6 a 에 도시 하 는 바 와 같이 , 기판 ( 50 ) 위 에 도전 막 을 형성 하 고 , 도전 막 위 에 레지스 트 를 도포 하 고 , 제 1 포토 마스크 를 사용 한 포토 리소그래피 공정 에 의해 형성 한 레지스 트 마스크 를 사용 하 여 도전 막 의 일부 를 에칭 하 여 , 게이트 전극 ( 51 ) , 용량 배선 ( 56 ) 을 형성 한다 . 다음 에 , 게이트 전극 ( 51 ) 위 에 , 게이트 절 연막 ( 52 a , 52 b ) 을 형성 한다 . 다음 에 , 게이트 절 연막 ( 52 b ) 위 에 , 제 2 포토 마스크 를 사용 한 포토 리소그래피 공정 을 사용 하 여 , 도너 가 되 는 불순물 원소 를 포함 하 는 미결정 반도체 막 ( 58 ) 및 제 1 버퍼 층 ( 62 ) 을 형성 한다 . 다음 에 , 상기 제 1 버퍼 층 ( 62 ) 위 에 , 제 2 버퍼 층 ( 41 ) , 1 도 전형 을 부여 하 는 불순물 원소 가 첨가 된 불순물 반도체 막 ( 55 ) , 및 도전 막 ( 65 a 내지 65 c ) 을 차례 로 형성 한다 . 다음 에 , 도전 막 ( 65 a ) 위 에 레지스 트 를 도포 한다 .