본 발명 에 의한 반도체 제조 장치 용 부재 에서 는 제 1 내 파티클 층 에 있 어서 의 배율 40 만 배 ~ 200 만 배 의 TEM 화상 으로부터 산출 되 는 상기 다결정 세라믹스 의 평균 결정자 사이즈 가 제 2 내 파티클 층 에 있 어서 의 배율 40 만 배 ~ 200 만 배 의 TEM 화상 으로부터 산출 되 는 상기 다결정 세라믹스 의 평균 결정자 사이즈 보다 작 은 것 도 바람직 하 다 .