제 1 프로파일러 컵 ( 44 a ) 은 , 준비 공정 에 있 어서 , 제 1 퇴피 위치 ( 71 ) 로부터 복수 의 제 1 측정 위치 ( 76 ) 에 x 방향 으로 이동 한다 . 복수 의 제 1 측정 위치 ( 76 ) 는 , 빔 진행 방향 으로 보 아 주입 위치 ( 70 ) 와 중첩 되 고 , 주입 공정 에 있 어서 의 웨이퍼 처리 면 ( WS ) 에 일치 하 는 평면 ( 측 정면 ( MS ) 이 라고 도 함 ) 에 있 다 . 환언 하 면 , 복수 의 제 1 측정 위치 ( 76 ) 의 빔 진행 방향 과 직교 하 는 방향 ( x 및 y 방향 ) 의 위치 는 , 주입 위치 ( 70 ) 의 빔 진행 방향 과 직교 하 는 방향 ( x 및 y 방향 ) 의 위치 에 일치 하 고 있 다 . 따라서 , 제 1 프로파일러 컵 ( 44 a ) 은 , 주입 공정 에 있 어서 웨이퍼 ( W ) 에 이온 이 주입 되 는 주입 위치 ( 70 ) 와 동일 한 위치 에서 빔 전류 를 측정 가능 하 다 . 제 1 프로파일러 컵 ( 44 a ) 은 , x 방향 으로 이동 하 면서 빔 전류 를 측정 함 으로써 , 주입 위치 ( 70 ) ( 또는 측 정면 ( MS ) ) 에 있 어서 의 x 방향 의 빔 전류 밀도 분포 를 측정 할 수 도 있 다 .