문헌 1 에 명시 된 기술 은 , ICP 에칭 장치 의 에칭 조건 에 의해 , 배선 의 측면 에서 의 각도 가 결정 되 기 때문 에 , 동일 기판 위 에 , 같 은 에칭 공정 으로 형성 되 는 배선 의 측면 형상 은 , 모든 배선 에서 일정 하 게 하 는 것 을 의도 하 고 있 다 . 따라서 , 의도 적 으로 배선 의 측면 형상 을 장소 에 따라 다르 게 하 는 본 발명 과 는 크 게 차이 가 있 다 .