한편 , 광 응답 성 측면 에서 , 수평 방향 단일 헤테로 접합 을 포함 하 는 제 3 광전 소자 ( Type 3 ) ( 8 . 74 × 103 A / W ) 및 수직 방향 단일 헤테로 접합 을 포함 하 는 MoS 2 박막 을 채널 로 포함 하 는 제 4 광전 소자 ( Type 4 ) ( 3 . 07 × 103 A / W ) 은 제 2 광전 소자 ( 1 . 58 × 103 A / W ) 보다 더 큰 것 을 확인 할 수 있 는데 , 이 는 헤테로 접합 ( heterojunction ) 의 형성 으로 인한 전자 친화도 ( electron affinity ) 와 일함수 ( work function ) 의 차이 , 층간 갭 ( interlayer gap ) 및 공핍 영역 ( depletion region ) 에 의한 전자 - 정공 분리 ( electron - hole separation ) 및 재결합 ( recombination ) 이 잘 이루 어 졌 기 때문 이 다 . 이러 한 특징 들 은 광 응답 시간 측정 결과 에서 도 확인 될 수 있 다 . 제 3 및 제 4 광전 소자 들 의 라이징 시간 / 감쇄 시간 은 ' 0 . 465 s / 0 . 315 s ’ 및 ' 9 . 655 s / 6 . 93 s ’ 으로서 , 제 2 광전 소자 ( 9 . 73 s / 15 . 805 s ) 보다 현저 하 게 ( 20 . 9 / 50 . 2 배 ) 빨라진 것 을 확인 할 수 있 다 .