몇몇 실시 예 들 에 따라 , 도 1 및 도 2 는 박막 을 에칭 하 는 방법 을 예시 한다 . 흐름 도 ( 200 ) 로서 도시 된 방법 은 , 실리콘 질화물 을 함유 하 는 제 1 재료 ( 100 ) 및 제 1 재료 ( 100 ) 와 는 상이 한 제 2 재료 ( 도시 생략 ) 를 갖 는 기판 을 제공 하 는 단계 , H 및 선택 적 으로 불활성 가스 를 함유 하 는 제 1 프로세스 가스 의 플 라즈 마 여기 에 의해 제 1 화학 혼합물 을 형성 하 는 단계 [ 단계 ( 210 ) ] , 및 기판 상 의 제 1 재료 를 제 1 화학 혼합물 에 노출 시키 는 단계 [ 단계 ( 220 ) ] 를 포함 하 고 , 이 조합 은 도 1 에 102 로 도시 된다 . 그 후 , 방법 은 , N , F , 및 O , 및 선택 적 으로 불활성 요소 를 함유 하 는 제 2 프로세스 가스 의 플 라즈 마 여기 에 의해 제 2 화학 혼합물 을 형성 하 는 단계 [ 단계 ( 230 ) ] , 및 제 2 재료 에 대해 제 1 재료 ( 100 ) 를 선택 적 으로 에칭 하 기 위해 기판 상 의 제 1 재료 ( 100 ) 를 플 라즈 마 여기 된 제 2 프로세스 가스 에 노출 시키 는 단계 [ 단계 ( 240 ) ] 를 포함 하 고 , 이 조합 은 도 1 에 104 로 도시 된다 . 대안 적 으로 , 방법 은 , S 및 F , 및 선택 적 으로 불활성 요소 를 함유 하 는 제 2 프로세스 가스 의 플 라즈 마 여기 에 의해 제 2 화학 혼합물 을 형성 하 는 단계 [ 단계 ( 230 ) ] , 및 제 2 재료 에 대해 제 1 재료 ( 100 ) 를 선택 적 으로 에칭 하 기 위해 기판 상 의 제 1 재료 ( 100 ) 를 플 라즈 마 여기 된 제 2 프로세스 가스 에 노출 시키 는 단계 [ 단계 ( 240 ) ] 를 포함 하 고 , 이 조합 은 도 1 에 104 로 도시 된다 .