각 포토 다이오드 ( PD ) 는 불순물 확산 층 에 의한 소자 분리 영역 ( 115 ) 으로 분리 되 어 있 고 , 반도체 기판 ( 112 ) 의 화소 트랜지스터 가 형성 된 표면 측 에 층간 절 연막 ( 117 ) 을 통하 여 복수 의 배선 ( 118 ) 을 배치 한 다층 배선 층 ( 119 ) 이 형성 되 어 있 다 . 배선 ( 118 ) 은 , 포토 다이오드 ( PD ) 의 위치 에 대응 하 는 부분 을 제외 하 고 형성 되 어 있 다 .