이어서 , 도 9 를 참조 하 면 , 노출 된 p + InGaAs 베이스 층 ( 108 ) 과 콘 택 되 도록 베이스 전극 ( 130 ) 을 형성 한다 . 베이스 전극 ( 130 ) 은 에 미터 전극 ( 125 a ) 과 마찬가지 로 선택 적 이베 포레이 션 ( evaporation ) 방식 또는 스퍼터링 방식 으로 형성 될 수 있 다 . 이때 상기 와 같 은 방식 에 의해 베이스 전극 ( 130 ) 을 형성 하 면 , 노출 된 p + InGaAs 베이스 층 ( 108 ) 상부 는 물론 , 에 미터 전극 ( 125 a ) 상부 에 도 더미 로 베이스 전극 ( 131 ) 이 형성 된다 . 상기 더미 베이스 전극 ( 131 ) 은 베이스 전극 ( 130 ) 과 동시 에 동일 물질 로 형성 되 더라도 상기 베이스 전극 ( 130 ) 과 는 이격 되 어 있 고 , 상기 에 미터 전극 ( 125 a ) 과 접촉 되 도록 형성 되 므로 실질 적 으로 는 에 미터 전극 의 역할 을 한다 . 또한 , 상기 베이스 전극 ( 130 ) 은 상기 에 미터 전극 ( 125 a ) 과 의 전기 적 쇼트 를 방지 할 수 있 도록 n InP 에 미터 층 ( 112 ) , n + InP 에 미터 그레이드 층 ( 114 ) 및 n + InGaAs 에 미터 캡 층 ( 116 ) 의 두께 의 총합 보다 적 은 두께 를 가짐 이 바람직 하 다 .