또한 , 반도체 막 으로서 비정질 반도체 막 을 형성 하 는 일 형태 로서 , 반응 실 에 있 어서 , 실리콘 혹은 게르마늄 을 함유 하 는 퇴적 성 기체 를 사용 한 글 로우 방전 플 라즈 마 에 의하 여 비정질 반도체 막 을 형성 할 수 있 다 . 또한 , 실리콘 , 혹은 게르마늄 을 함유 하 는 퇴적 성 기체 에 헬륨 , 아르곤 , 크립톤 , 네온 중 에서 선택 된 1 종 혹은 복수 종 의 희소 가스 원소 로 희석 하 여 글 로우 방전 플 라즈 마 에 의하 여 비정질 반도체 막 을 형성 할 수 도 있 다 . 또한 , 실란 가스 의 유량 의 1 배 이상 10 배 이하 , 더 바람직 하 게 는 1 배 이상 5 배 이하 의 유량 의 수소 를 사용 한 글 로우 방전 플 라즈 마 에 의하 여 비정질 반도체 막 을 형성 할 수 있 다 .