또한 , 상기 와 같이 제작 한 샘플 의 게이트 전극 층 단부 를 FIB ( Focused Ion Beam ) 장치 에 의해 가공 하 고 , 가공 한 샘플 을 STEM ( Scanning Transmission Electron Microscope ) 를 이용 하 여 관찰 했 다 . 도 41 ( A ) 는 , 제 2 에칭 을 행하 는 전 의 샘플 을 광학 현미경 에 의해 , 도 40 보다 확대 하 여 관찰 한 것 이 다 . 도 41 ( B ) 는 , 제 2 에칭 후 에 도 41 ( A ) 의 X - X ' 에서 취득 한 STEM 상 을 나타낸다 . 도 41 ( C ) 는 , 도 41 ( B ) 중 의 점선 으로 둘러싼 부분 의 확대도 를 나타낸다 . 도 41 ( C ) 에서 , 공동 개소 의 상하 에 는 흑색 의 물질 을 볼 수 있 다 . 이것 은 FIB 장치 에 의한 가공 으로 생긴 부착물 이 다 . 도 41 에 나타낸 바 와 같이 , 본 발명 을 적용 함 으로써 게이트 전극 층 단부 에 공동 이 형성 된다 .