상술 한 문제점 을 해결 하 기 위한 본 발명 의 다른 실시 예 에 따르 면 , 선택 적 으로 식각 되 어 형성 된 실리콘 기둥 을 포함 하 는 기판 ; 상기 실리콘 기둥 의 하부 에 형성 된 제 1 확산 영역 ; 상기 실리콘 기둥 의 상부 에 형성 된 제 2 확산 영역 ; 상기 실리콘 기둥 의 일 측면 에 형성 된 트랩 층 적층 물 ; 상기 실리콘 기둥 및 상기 트랩 층 적층 물 을 커버 하 도록 형성 된 상부 절 연막 ; 및 상기 실리콘 기둥 사이 에 형성 되 고 , 인접 된 상기 상부 절 연막 에 접촉 되 는 게이트 를 포함 하 되 , 상기 게이트 , 상기 제 1 확산 영역 및 상기 제 2 확산 영역 에 인가 되 는 전압 에 따라 형성 되 는 채널 은 상기 실 리 콘 기둥 의 측면 을 따라 형성 되 는 것 을 특징 으로 하 는 소노 스 메모리 소자 가 제공 된다 .