상기 와 같 은 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 구성 은 a ) 웨이퍼 의 일면 에 금속 층 을 증착 시키 고 , 상기 금속 층 을 기 설정 된 형상 으로 패 터닝 하 는 단계 ; b ) 상기 금속 층 이 패 터닝 된 상기 웨이퍼 의 일면 에 가공 홀 을 형성 하 는 단계 ; c ) 형성 된 상기 가공 홀 에 기판 부 를 형성 하 는 단계 ; d ) 상기 기판 부 가 형성 된 상기 웨이퍼 의 타면 을 그라인딩 및 식각 하 여 상기 기판 부 를 노출 시키 는 단계 ; e ) 상기 웨이퍼 의 타면 측 부터 기 설정 된 깊이 만큼 상기 기판 부를 식각 하 여 전극 부 를 형성 하 는 단계 ; 및 f ) 형성 된 상기 전극 부 의 상단 부 에 증착 층 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 며 , 상기 기판 부 는 상기 망막 및 광수 용체 층 의 형상 에 대응 하 여 변형 되 도록 마련 되 어 , 상기 전극 부를 상기 망막 에 밀착 시키 는 것 을 특징 으로 하 는 3 차원 전극 장치 의 제조 방법 을 제공 한다 .