본 발명 의 실시 예 에 따른 포토 다이오드 는 기판 ; 상기 기판 상 에서 제 1 방향 으로 서로 이격 되게 배치 된 제 1 전극 과 제 2 전극 ; 및 M + N 개 의 전이 금속 디 칼 코 게나 이드 분자 층 으로 이루어지 고 상기 제 1 방향 을 따라 연장 된 하나 이상 의 제 1 영역 및 상기 제 1 영역 의 하부 N 개 의 전이 금속 디 칼 코 게나 이드 분자 층 으로부터 연장 된 N 개 의 전이 금속 디 칼 코 게나 이드 분자 층 으로 이루어지 고 상기 제 1 영역 과 인접 한 위치 에서 상기 제 1 방향 으로 따라 연장 된 하나 이상 의 제 2 영역 을 포함 하 고 , 상기 제 1 및 제 2 영역 들 의 상기 제 1 방향 에 따른 양쪽 단부 영역 들 은 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 에 각각 전기 적 으로 연결 된 전이 금속 디 칼 코 게나 이드 박막 을 포함 하 고 , 상기 제 1 영역 과 상기 제 2 영역 사이 에 헤테로 접합 이 형성 된다 .