조립 된 분말 은 420 x 250 x 10 ㎜ 성 형체 를 얻 기 위해 직사각 형 의 금형 에 충 진 되 고 , 가압 성형 하 여 플레이트 를 얻 는다 ( S 9 ) . 이렇게 얻 어 진 ITO 성 형체 플레이트 를 고온 의 산소 가압 형 의 전기로 에 알루미나 를 주재료 로 하 는 내화물 위 에 성 형체 를 장입 하 고 1200 ~ 1600 ℃ 의 온도 로 1 ~ 3 시간 동안 가열 하 여 ITO 타 겟 재 를 소결 공정 을 통해 얻 는다 ( S 10 ) . 이때 , 산소 는 소결 공정 중 결손 발생 이 가능 한 고온 에서 의 부족량 을 채워 주 고 비정질 화 된 분말 을 재결정 화 하 여 결정립 형성 과 고밀 도 달성 을 위해 0 . 5 ~ 2 . 0 kgf / ㎠ 로 유입 되 는 과정 이 바람직 하 다 . 타 겟 재는 면 가공 및 절단 에 의해 일정 크기 로 가공 하 고 ( S 11 ) , 밀도 를 분석 한 결과 7 . 14 g / ㎤, 상대 밀도 99 . 7 % 이상 을 갖 는 도 7 과 같 은 ITO 타 겟 재 를 얻 을 수 있 다 ( S 12 ) . 또한 , 이 에 의하 여 얻 어 진 고밀도 ITO 타 겟 을 사용 하 면 LCD , OLED , PDP 소자 등 과 같 은 디스플레이 소자 의 고품질 투명 전극 을 용이 하 게 형성 할 수 있 다 .