본 발명 의 일부 구 현예 에서 , 본원 에 기재 된 방법 으로 형성 된 금속 막 은 목적 하 는 결정학 적 특성 을 가질 수 있 다 . 예 를 들 면 , 비 제한 적 이 고 예시 적 인 구 현예 로서 , 금속 막 은 구리 로 필수 적 으로 이루어질 수 있 으며 구리 막 은 우세 한 ( 111 ) 결정학 적 배향 을 갖 는 입방 결정 구조 를 포함 할 수 있 다 . 보다 구체 적 으로 , 도 1 은 다양 한 증착 온도 에서 할로겐 비 함유 금속 전구체 및 알킬 - 하이드라진 전구체 를 이용 하 여 본 발명 의 ALD 공정 에 의해 형성 된 비 제한 적 예 인 금속 성 구리 막 의 2 세타 X - 선 회절 ( XRD ) 스캔 을 나타내 는 그래프 이 다 . 예 를 들 면 , 라벨 100 으로 표지 된 XRD 스캔 은 140 의 기판 온도 에서 Cu ( dmap ) 2 및 3 급 부틸 하이드라진 을 이용 하 는 ALD 에 의해 형성 된 구리 막 으로부터 얻 어 진다 . 라벨 100 으로 표지 된 XRD 스캔 은 , 본 발명 의 방법 에 의해 형성 된 구리 막이 ( 111 ) 및 ( 200 ) 을 포함 하 고 ( 111 ) 결정학 적 배향 이 우세 한 다수 의 결정학 적 배향 을 포함 할 수 있 음 을 나타낸다 . 따라서 , 본 발명 의 일부 구 현예 에서 , 본원 에 기재 된 ALD 공정 에 의해 형성 된 금속 막 은 ( 111 ) 결정학 적 배향 을 포함 하 고 , 일부 구 현예 에서 , 금속 막 은 우세 한 ( 111 ) 결정학 적 배향 을 포함 한다 .