이 와 같 은 구조 의 스토리지 캐 퍼시 터 에서 , 박막 트랜지스터 가 ON 되 면 , 화소 전극 ( 230 ) 에 인가 된 화소 전압 은 화소 전극 ( 230 ) 과 스토리지 전극 ( 240 ) 사이 의 보호막 ( 218 ) , 층간 절 연막 ( 217 ) 및 게이트 절 연막 ( 212 ) 을 통해 유지 된다 . 본 실시 예 에서 도 전술 한 실시 예 와 마찬가지 로 투명 한 산화물 반도체 로 이루어진 스토리지 전극 ( 240 ) 을 넓 은 면적 으로 형성 함 으로써 빛 의 패널 투과율 을 향상 시키 는 동시 에 충전 용량 을 증대 시킬 수 있 다 .