게이트 유전 층 ( 162 ) 은 활성 영역 ( 105 ) 과 게이트 전극 ( 165 ) 의 사이 및 채널 구조물 ( 140 ) 과 게이트 전극 ( 165 ) 의 사이 에 배치 될 수 있 으며 , 게이트 전극 ( 165 ) 의 면 들 중 적어도 일부 를 덮 도록 배치 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 게이트 유전 층 ( 162 ) 은 게이트 전극 ( 165 ) 의 최상 부면 을 제외 한 모든 면 들 을 둘러싸 도록 배치 될 수 있 다 . 게이트 유전 층 ( 162 ) 은 게이트 전극 ( 165 ) 과 게이트 스 페이서 층 들 ( 164 ) 의 사이 로 연장 될 수 있 으나 , 이 에 한정 되 지 는 않 는다 . 게이트 유전 층 ( 162 ) 은 산화물 , 질화물 또는 고 유전율 ( high - k ) 물질 을 포함 할 수 있 다 . 상기 고유 전 율 물질 은 , 실리콘 산화 막 ( SiO 2 ) 보다 높 은 유전 상수 ( dielectric constant ) 를 가지 는 유전 물질 을 의미 할 수 있 다 . 상기 고유 전 율 물질 은 , 예 를 들 어 , 알루미늄 산화물 ( Al 2 O 3 ) , 탄 탈륨 산화물 ( Ta 2 O 3 ) , 티타늄 산화물 ( TiO 2 ) , 이트륨 산화물 ( Y 2 O 3 ) , 지르코늄 산화물 ( ZrO 2 ) , 지르코늄 실리콘 산화물 ( ZrSixOy ) , 하프늄 산화물 ( HfO 2 ) , 하프늄 실리콘 산화물 ( HfSixOy ) , 란탄 산화물 ( La 2 O 3 ) , 란탄 알루미늄 산화물 ( LaAlxOy ) , 란탄 하프늄 산화물 ( LaHfxOy ) , 하프늄 알루미늄 산화물 ( HfAlxOy ) , 및 프라세오디뮴 산화물 ( Pr 2 O 3 ) 중 어느 하나 일 수 있 다 .