스 페이서 ( 700 ) 는 도전 층 ( 200 ) 및 절연 층 패턴 ( 300 A ) 상 에 균일 한 두께 , 예컨대 연결 배선 들 간 간격 의 타 겟 크기 인 1 F 의 두께 로 스 페이서 층 을 형성 하 고 , 도전 층 ( 200 ) 이 노출 될 때 까지 스 페이서 층 을 에치 백 하 여 형성 할 수 있 다 . 스 페이서 층 을 균일 한 두께 로 형성 하 기 위해서 ALD ( Atomic Layer Deposition ) 공정 을 이용 할 수 있 다 .