금 ( Au ) 을 포함 하 는 금속 스터 드 범프 ( 130 ) 를 반도체 기판 상 에 형성 된 솔 더 층 과 접합 시키 는 경우 , 접합 과정 에서 금 ( Au ) 이 납 ( Pb ) 을 포함 하 는 상기 솔 더 층 내부 로 확산 될 수 있 다 . 이 를 방지 하 거나 , 확산 속도 를 감소 시키 기 위하 여 금속 스터 드 범프 ( 130 ) 의 압인 가공 면 상 에 니켈 ( Ni ) 을 포함 하 는 확산 방지 층 ( 140 ) 을 형성 할 수 있 다 . 확산 방지 층 ( 140 ) 은 니켈 ( Ni ) 도금 방법 에 의해 약 2 ㎛ 이하 의 두께 로 형성 될 수 있 다 .