제 1 절연 층 ( 113 ) 상 에 는 제 2 절연 층 ( 114 ) 이 형성 된다 . 제 2 절연 층 ( 114 ) 은 화소 영역 ( 120 ) 의 소스 / 드레 인 전극 ( 133 , 134 ) 과 유기 발광 소자 ( 140 ) 의 제 1 전극 ( 141 ) 사이 에 형성 되 는 것 으로 배선 영역 ( 150 ) 에 연장 형성 된다 . 상기 제 2 절연 층 ( 114 ) 은 화소 영역 ( 120 ) 의 박막 트랜지스터 ( 130 ) 를 포함 한 표면 을 평탄 화 시키 고 , 박막 트랜지스터 ( 130 ) 를 보호 하 는 역할 을 하 지만 , 본 발명 에서 는 제 2 절연 층 ( 114 ) 을 배선 영역 ( 150 ) 의 도전 성 배선 ( 151 ) 상 에 동시 에 형성 함 으로써 상기 도전 성 배선 ( 151 ) 들 을 또한 보호 한다 .