본 발명 은 희생 기판 의 상부 에 제 1 화합물 반도체 층 , 활성 층 , 제 2 화합물 반도체 층 을 포함 하 는 화합물 반도체 층 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 화합물 반도체 층 상 에 서로 이격 된 다수 의 제 1 본딩 메탈 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 화합물 반도체 층상 에 형성 된 제 1 본딩 메탈 에 대응 하 는 다수 의 제 2 본딩 메탈 을 리 셉 터 기판 에 형성 하 는 단계 와 , 상기 제 1 본딩 메탈 및 제 2 본딩 메탈 을 서로 본 딩 하 는 단계 와 , 레이저 리프트 오프 를 통해 상기 화합물 반도체 층 으로부터 상기 희생 기판 을 분리 하 는 단계 를 포함 하 는 수직 형 발광 다이오드 제조 방법 을 제공 한다 .