PMOS 트랜지스터 의 경우 게이트 길이 가 줄어들 며 , 활성 영역 의 가장자리 부분 에서 발생 하 는 핫 전자 ( hot electron ) 에 의한 펀치 - 쓰루 ( punch - through ) , 즉 , HEIP ( Hot - Electron Induced Punch through ) 가 소자 의 특성 을 열화 시키 는 요인 이 되 고 있 다 . 특히 , 얕 은 트렌치 소자 분리 ( STI : Shallow Trench Isolation ) 공정 이 채용 되 며 , 활성 영역 의 가장자리 를 지나 는 게이트 영역 에서 필드 크라 우딩 효과 ( field crowding effect ) 에 의한 주 된 전류 경로 ( major current path ) 가 형성 되 어 HEIP 와 같 은 신뢰 성 문제 가 크 게 대두 되 고 있 다 .