이 와 같이 형성 된 복수 의 플로팅 게이트 ( 26 ) 는 각기 하나 의 메모리 셀 을 구성 하 게 되 는데 , 이웃 하 는 플로팅 게이트 ( 26 ) 들 은 서로 간격 ( W ) 만큼 이격 되 어 있 다 . 플로팅 게이트 들 ( 26 ) 은 보통 사진 공정 및 에칭 공정 을 통해 패 터닝 되 므로 , 사진 공정 의 한계 를 넘 어서 간격 ( W ) 을 줄이 는 것 이 용이 하 지 않 다 . 또한 , 소자 의 집적도 를 향상 시키 기 위해서 는 , 플로팅 게이트 들 ( 26 ) 사이 의 간격 뿐 만 아니 라 , 이웃 하 는 메모리 셀 들 을 절연 시키 는 소자 분리 막 ( 22 ) 도 보다 좁 게 형성 하 여야 하 지만 , 통상 의 STI 형성 공정 에서 도 사진 공정 을 통해 소자 분리 영역 을 패 터닝 하 게 되 므로 , 사진 공정 의 한계 로 인하 여 일정 치수 이하 로 줄이 는 것 이 어렵 다 . 이 와 같이 , 플로팅 게이트 ( 26 ) 및 STI 의 형성 을 사진 공정 에 만 의존 하 는 경우 고가 의 노광 장비 를 사용 하 여야 하 므로 제품 의 제조 비용 이 증가 하 게 된다 .