이상 과 같 은 구조 를 이용 하 게 되 면 , 기판 ( 10 ) 의 배면 에 형성 된 자연 산화층 ( 도 1 의 16 b ) 이 에칭 액 ( 110 ) 과 접촉 할 수 있 는 시간 및 면적 이 충분히 확보 될 수 있 게 되 고 , 그 결과 기판 ( 10 ) 의 배면 에 형성 된 자연 산화층 ( 16 b ) 만 을 선택 적 으로 , 그리고 효율 적 으로 에칭 하 여 제거 할 수 있 게 된다 .