평탄 화 에 이어 , 각 메모리 셀 의 다이오드 구조 들 이 형성 된다 . 도 4 b 를 참조 하 면 , 장벽층 ( 414 ) 이 기판 ( 400 ) 의 평탄 화 된 상면 ( 4112 ) 상 에 형성 된다 . 장벽층 ( 414 ) 은 약 20 내지 약 500 옹스트롬 , 바람직 하 게 약 100 옹스트롬 의 질화 티탄 , 또는 질화 탄탈 , 질화 텅스텐 과 같 은 또 다른 적합 한 장벽층 , 하나 이상 의 장벽층 들 의 조합 , 티탄 / 질화 티탄 , 탄탈 / 질화 탄탈 또는 텅스텐 / 질화 텅스텐 적층 들 등 과 같 은 다른 층 들 과 조합 한 장벽층 들 일 수 있 다 . 이외 의 장벽층 물질 들 및 / 또는 두께 들 이 사용 될 수 있 다 .