도 6 을 참조 하 여 , 포토레지스트 패턴 ( 120 ) 및 실리콘 질화 막 ( 118 ) 에 의해 노출 된 n + InGaAs 에 미터 캡 층 ( 116 ) 에 에 미터 전극 층 ( 125 ) 을 증착 한다 . 상기 에 미터 전극 층 ( 125 ) 은 예컨대 진공 이베 포레이 션 방식 또는 스퍼터링 방식 으로 형성 될 수 있 으며 , 상기 에 미터 전극 층 ( 125 ) 은 노출 된 n + InGaAs 에 미터 캡 층 ( 116 ) 뿐 만 아니 라 , 상기 포토레지스트 패턴 ( 120 ) 상부 에 도 형성 된다 .