대표 적 인 발광 소자 인 발광 다이오드 는 N 형 반도체 와 P 형 반도체 가 서로 접합 된 구조 를 가지 는 광전 변환 반도체 소자 로서 , 전자 와 정공 의 재결합 에 의하 여 빛 을 발산 하 도록 구성 된다 . 위 와 같 은 발광 다이오드 로 는 GaN 계 발광 다이오드 가 공지 되 어 있 다 . GaN 계 발광 다이오드 는 예컨대 , 사파이어 또는 SiC 등 의 소재 로 이루어진 기판 위 에 GaN 계 의 N 형 반도체 층 , 활성 층 ( 또는 , 발광 층 ) , P 형 반도체 층 을 순차 적 으로 적층 하 고 , 투명 전극 을 형성 하 여 제조 된다 .