다르 게 는 , 디바이스 집 적 기법 들 은 , 실질 적 으로 전기 디바이스 층 들 이 없 는 스루 - 실리콘 비 아들 을 위한 전용 영역 들 을 예비 할 수 도 있 고 , 따라서 존재 하 는 디바이스 층 들 과 연관 된 복잡도 및 비용 을 회피 할 수 도 있 다 . 그러나 , 통상 적 으로 , 그러 한 예비 된 영역 들 은 패드 들 과 같 은 원 하 는 디바이스 접속 포인트 들 로부터 원거리 에 위치 된다 . 따라서 , 원격 의 스루 - 실리콘 비아 를 CMOS 패드 에 접속 시키 도록 요구 될 수 도 있 는 , 다수 의 패 터닝 , 에칭 , 금속화 , CMP , 및 클리닝 단계 들 의 형태 로 부가 적 인 프로세싱 비용 및 복잡도 가 발생 할 수 도 있 다 .