본 개시 내용 에 따른 III 족 - N 층 과 접촉 하 여 전기 전도성 오 믹 접촉 을 형성 하 는 방법 은 , 전기 접촉 구조 체 와 III 족 - N 반도체 층 사이 의 오 믹 접촉 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 고 , 이 단계 는 전기 접촉 구조 체의 제 1 금속 과 III 족 - N 반도체 층 사이 에 금속 질화물 을 형성 하 고 , 전기 접촉 구조 체의 제 2 금속 을 제 1 금속 및 III 족 - N 반도체 층 의 상부 면 에 확산 시키 는 단계 를 포함 하 고 , 이 단계 는 전기 접촉 의 제 3 금속 또는 금속 질화물 과 서로 혼합 되 는 것 을 억제 하 는 단계 를 포함 하 는 것 으로 이해 해야 한다 . 상기 방법 은 다음 특징 중 하나 이상 을 독립 적 으로 또는 다음 을 포함 하 는 다른 특징 과 조합 하 여 포함 할 수 있 다 : 상기 서로 혼합 되 는 것 을 억제 하 는 단계 는 , 오 믹 접촉 의 금속 질화물 또는 제 3 금속 의 적층 전 에 오 믹 접촉 형성 동안 전기 접촉 구조 체의 제 1 및 제 2 금속 을 형성 및 어닐링 하 는 단계 를 포함 하 고 , 상기 서로 혼합 되 는 것 을 억제 하 는 단계 는 , 제 2 금속 과 제 3 금속 사이 에 부분 적 으로 산화 된 중간층 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 고 , 상기 서로 혼합 되 는 것 을 억제 하 는 단계 는 , 전기 접촉 구조 체 금속 적층 공정 동안 금속 질화물 로서 제 3 금속 을 형성 하 는 단계 를 포함 한다 .