상기 다른 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 바람직 한 실시 예 에 따른 플 라즈 마 식각 방법 에 따르 면 , 챔버 , 상기 챔버 내 에 설치 되 고 , 플 라즈 마 를 생성 하 기 위한 고주파 에너지 가 인가 되 는 스테이지 , 상기 스테이지 상 에 위치 하 면서 그 상부 에 는 반도체 기판 의 이면 의 중심부 를 지지 하 는 제 1 전극 , 상기 제 1 전극 에 놓여 지 는 상기 반도체 기판 을 상부 로 리프팅 하 여 상기 반도체 기판 의 이면 의 주변 부 를 지지 할 수 있 게 상기 스테이지 를 둘러싸 는 하부 - 제 2 전극 및 상기 스테이지 와 마주 보 는 상부 - 제 2 전극 을 포함 하 는 플 라즈 마 식각 장치 를 이용 하 는 플 라즈 마 식각 방법 에서 , 상기 반도체 기판 의 주변 부 를 식각 한다 . 이후 , 상기 반도체 기판 의 주변 부 를 접촉 하 여 상기 반도체 기판 을 리프팅 시킨다 . 이후 , 상기 반도체 기판 의 이면 을 식각 한다 .