본 발명 의 실시 예 에 따른 이미지 센서 는 , 회로 영역 이 형성 된 반도체 기판 ; 상기 반도체 기판 상 에 형성 되 고 복수 의 금속 배선 을 포함 하 는 층간 절 연막 ; 상기 금속 배선 과 연결 되 며 하부 전극 및 제 1 도전 형 전도 층 으로 구성 된 복수 의 픽셀 패턴 ; 상기 복수 의 픽셀 패턴 사이 에 형성 된 더미 픽셀 패턴 을 포함 한다 .