촉발 된 플라 즈 마는 상부 전극 과 웨이퍼 표면 이 인접 한 상태 이 므로 주로 부호 501 과 같이 웨이퍼 주변 을 우회 하 는 형태 의 영역 에 형성 상태 를 유지 하 게 된다 . 즉 , 전극 에 인가 된 높 은 고주파 로 인하 여 이온 이나 라디칼 과 같 은 전자 에 비해 무거운 입자 는 실질 적 으로 정지 된 정상 상태 를 유지 하 면서 플 라즈 마 영역 을 유지 한다 . 그러나 , 본원 에서 는 이런 정상 상태 를 유지 하 는 외 에 일부 플 라즈 마 입자 는 부호 503 의 영역 에서 나타낸 것 과 같이 상대 적 으로 낮 은 주파수 의 고주파 로 인하 여 식각 물질 의 중량 입자 가 웨이퍼 표면 으로 끌린다 . ( 끌리 는 기간 과 밀리 는 기간 을 가지 며 끌리 는 기간 내 에 기판 면 과 실질 적 충돌 을 하 여 반응 을 할 수 있 다 . )