본 발명 은 비휘발성 메모리 소자 의 제조 방법 에 있 어서 , 메모리 셀 간 간섭 을 최소 화 할 수 있 는 비휘발성 메모리 소자 의 제조 방법 을 제공 하 기 위한 것 으로 , 이 를 위해 본 발명 은 소자 분리 막 에 의해 분리 된 복수 개 의 플로팅 게이트 가 형성 된 기판 을 준비 하 는 단계 와 , 상기 소자 분리 막 을 후퇴 시키 는 동시 에 상기 플로팅 게이트 의 선폭 을 감소 시키 는 단계 와 , 상기 셀 영역 에 형성 된 소자 분리 막 을 선택 적 으로 일정 깊이 후퇴 시키 는 단계 를 포함 하 는 비휘발성 메모리 소자 의 제조 방법 을 제공 한다 .