고집 적 반도체 제조 공정 에서 웨이퍼 의 불 필요 한 박막층 연마 에 연마 액 ( slurry ) 을 이용 한 화학 적 기계 적 연마 ( Chemical Mechanical Polishing ) 방법 이 사용 되 고 있 다 . CMP 법 은 웨이퍼 를 연마 테이블 에 위치 시킨 상태 에서 웨이퍼 상 에 연마 액 을 도포 한 후 , 웨이퍼 와 연마장 치 를 연마 액 을 사이 에 둔 상태 에서 작동 시켜 , 연마 액 에 혼합 되 어 있 는 연마 입자 유동 에 의해 웨이퍼 의 표면 이 기계 적 으로 연마 함 과 동시 에 화학 적 으로 연마 하 는 방법 으로 , 슬러리 공급 장치 에서 연마 액 이 제조 된 후 연마장 치 를 통해 웨이퍼 의 표면 에 도포 된다 .