광학 적 대역 에지 필터 는 반도체 층 시퀀스 상 에 직접 배치 되 거나 , 별도 의 소자 로서 방출 방향 에서 반도체 층 시퀀스 보다 뒤 에 배치 될 수 있 다 . 특히 , 흡수성 밴드 에지 필터 의 경우 , 별도 의 소자 가 배치 됨 으로써 반도체 층 시퀀스 의 복사 아웃 커플링 면 의 가열 이 방지 될 수 있 고 , 따라서 반도체 층 시퀀스 의 유효 수명 및 최대 출력 성능 이 증가 할 수 있 다 . 또한 , 제 1 필터 부재 는 전자기 복사 에 대해 불 투명 한 물질 을 함유 한 층 을 포함 할 수 있 다 . 불 투명 한 물질 은 예 를 들 면 규소 , 갈륨 , 게르마늄 , 알루미늄 , 크롬 또는 티타늄 을 포함 하 거나 이 들 의 조합 을 포함 할 수 있 다 . 불 투명 물질 을 포함 한 층 은 복사 아웃 커플링 면 의 제 2 부분 영역 상 에 또는 제 2 부분 영역 에 걸쳐 적어도 부분 적 으로 배치 될 수 있 다 . 특히 , 불 투명 물질 을 포함 한 층 은 전체 의 제 2 부분 영역 상 에 또는 전체 의 제 2 부분 영역 에 걸쳐 배치 될 수 있 다 . 또한 , 불 투명 물질 은 구조 화 되 어 복사 아웃 커플링 면 에 도포 될 수 있 고 , 전체 복사 아웃 커플링 면 이 제 1 부분 영역 에 이르 기 까지 불 투명 물질 에 의해 덮이 도록 구조 화 되 어 도포 될 수 있 다 . 불 투명 물질 을 포함 한 층 은 복사 아웃 커플링 면 의 제 1 부분 영역 에 걸쳐 개구부 를 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 면 , 상기 층 은 핀홀 구경 ( pinhole aperture ) 으로서 형성 될 수 있 다 .