본 발명 의 산화마그네슘 박막 은 , 상기 의 산화마그네슘 미립자 분 산액 을 기판 ( 예 를 들 어 , 유전체 층 이 형성 된 AC 형 PDP 의 전면 판 ) 상 에 도포 하 여 도포 막 을 형성 하 고 , 이어서 그 도포 막 을 건조 후 에 소성 함 으로써 얻 을 수 있 다 . 산화마그네슘 미립자 분 산액 을 기판 상 에 도포 하 는 방법 의 예 로 는 , 스핀 코트 법 , 스프레이 코트 법 , 스크린 인쇄 법 , 그라비아 인쇄 법 , 딥 법 , 닥터 블레이드 법 등 의 공지 된 도포 법 을 들 수 있 다 . 도포 막 의 건조 온도 는 , 일반 적 으로 50 ∼ 200 ℃ 의 범위 이 다 . 소성 온도 는 , 일반 적 으로 300 ∼ 700 ℃ 의 범위 이 다 .