상기 수직 막 ( 150 ) 은 하나 의 박막 또는 복수 의 박막 들 로 구성 될 수 있 다 . 예 를 들 면 , 상기 수직 막 ( 150 ) 은 전하 트랩 형 비휘발성 메모리 트랜지스터 의 메모리 요소 로서 사용 되 는 박막 들 중 의 적어도 하나 를 포함 할 수 있 다 . 본 발명 의 실시 예 들 은 상기 수직 막 ( 150 ) 을 구성 하 는 박막 들 이 무엇 인 가 에 따라 다양 하 게 세분 화 될 수 있 다 . 이러 한 세분 화 된 실시 예 들 은 이후 도 41 내지 도 56 을 참조 하 여 상세 하 게 다시 설명 될 것 이 다 .