상기 제 1 내지 제 4 커서 성분 제거 회로 ( 211 , 212 , 213 , 214 ) 는 상기 제 4 클럭 ( CLK _ QB ) 이 특정 레벨 즉 , 하이 레벨 로 천 이 할 때 상기 제 1 내지 제 4 포스트 커서 ( 1 st post cursor , 2 nd post cursor , 3 rd post cursor , 4 th post cursor ) 성분 을 제거 한 상기 제 1 간섭 제거 신호 ( S _ icA ) 를 생성 할 수 있 다 .