본 실시 형태 의 질화규소 막 의 형성 방법 에 의해 성막 된 질화규소 막 의 트랩 밀도 는 , 예컨대 광전자 수율 분광법 ( Photoemission Yield Spectroscopy : PYS ) 을 이용 하 여 파악 할 수 있 다 . PYS 는 시료 ( 질화규소 막 ) 에 일정 한 에너지 의 광 을 조사 하 여 , 광전 효과 에 의해 방출 되 는 광전자 의 전체 방출 광전 자량 을 입사광 의 에너지 의 함수 로서 측정 하 는 방법 이 다 . 이 PYS 측정 에 의해 , 질화규소 막 중 및 질화규소 막 과 실리콘 층 의 계면 의 결함 준위 밀도 분포 를 비파괴 이 면서 고감도 로 계측 할 수 있 다 . PYS 로 측정 되 는 광전자 수율 은 전자 점유 상태 밀도 분포 의 에너지 적분 에 상당 하 기 때문 에 , S . Miyazaki 등 의 수법 [ Microelectron . Eng . 48 ( 1999 ) 63 . ] 에 의해 미분 PYS 스펙트럼 으로부터 결함 준위 밀도 분포 를 구할 수 있 다 .