계속 해서 , 도 27 및 도 28 에 도시 한 바 와 같이 , 메모리 분리 홈 ( 94 ) 의 측면 에 코발트 ( Co ) 막 을 CVD 법 에 의해 피착 시킨다 . 이후 , RTA ( Rapid Thermal Annealing ) 처리 를 더 행함 으로써 , 코발트 막 이 제 1 내지 제 8 워드 선 도전 층 ( 32 a 내지 32 h ) 을 구성 하 는 폴리 실리콘 ( p - Si ) 과 자기 정합 적 으로 반응 하 여 , 제 1 내지 제 8 워드 선 도전 층 ( 32 a 내지 32 h ) 의 전 방면 에 실리사이드 막 ( 36 ) 이 형성 된다 . 미 반응 의 코발트 막 은 황산 - 과산화수소수 혼합액 중 에서 제거 됨 에 주목 한다 .