상술 한 실시 예 에 따르 면 , 숏 키 다이오드 영역 이 되 는 활성 영역 ( 20 a ) 은 그 형태 가 숏 키 다이오드 의 누설 특성 을 개선 하 기 위해 모서리 가 깍 인 챔퍼드 ( Chamfered ) 팔각 형 형태 를 유지 하 는 것 이 좋 으나 , 베이스 공정 인 0 . 5 ㎛ 고전압 40 V 공 정상 살리 사이드 형성 이 불가 하 므로 애노드 를 형성 시키 기 위한 활성 영역 모양 을 팔각 형 으로 하 고 , 숏 키 배리어 를 형성 하 는 Ti / TiN 배리 어 메탈 과 콘 택 되 는 부분 ( 애노드 전극 ) 은 사각형 으로 유지 한다 .