다시 도 4 를 참조 하 면 , 비 선택 메모리 셀 ( M 31 ) 이 도 5 에서 설명 한 메커니즘 에 의해 오버 프로그램 되 면 , 셀 스트링 ( cell string ) 의 채널 저항 은 증가 한다 . 채널 저항 이 증가 하 면 , 선택 메모리 셀 ( M 8 ) 에서 읽 기 페일 이 발생 할 수 있 다 . 예 를 들 면 , 비 선택 메모리 셀 ( M 31 ) 의 문턱 전압 이 비 선택 읽 기 전압 ( Vread ) 보다 높 아 지 면 , 읽 기 동작 시 에 비 선택 메모리 셀 ( M 31 ) 은 턴 오프 된다 . 비 선택 메모리 셀 ( M 31 ) 이 턴 오프 되 면 , 선택 메모리 셀 ( M 8 ) 은 항상 오프 셀 ( 또는 데이터 0 ) 로 읽혀진다 .