도 3 E 를 참조 하 면 , 도 3 E 는 도 3 D 와 유사 하 며 , 다만 차이점 은 : 제 3 도전 층 ( 262 c ) 이 콘 택 홀 들 ( 266 a 및 266 b ) 만 을 덮 고 , 제 1 도전 층 ( 262 a ) 이 제 3 도전 층 ( 262 c ) 을 통해 제 2 도전 층 ( 262 b ) 과 전기 적 으로 병렬 연결 된다는 것 이 다 . 또한 , 콘 택 홀 들 ( 266 a 및 266 b ) 은 스위치 성분 들 ( 240 ) 의 콘 택 홀 들 ( 미 도시 ) 과 함께 형성 될 수 있 으므로 , 본 발명 은 현재 의 프로세스 와 양립 가능 하 다