도 3 b 를 참조 하 면 , 제 1 전극 ( 108 a ) 및 공통 전극 ( 108 b ) 을 커버 하 도록 격리 층 ( 110 ') 이 반도체 기판 ( 100 ) 상 에 형성 된다 . 일부 실시 예 에서 , 격리 층 ( 110 ') 의 물질 은 실리콘 산화물 , 실리콘 산화 질화물 , 실리콘 질화물 또는 이 들 의 조합 을 포함 한다 . 특정 실시 예 에서 , 격리 층 ( 110 ') 은 산화물 - 질화물 - 산화물 ( Oxide - Nitride - Oxide , ONO ) 층 이 다 . 일부 실시 예 에서 , 격리 층 ( 110 ') 은 CVD 또는 임의 의 다른 적절 한 막 퇴적 방법 에 의해 형성 된다 .