한편 , 반도체 저장 장치 는 사용 수명 에 제한 이 있 을 수 있 다 . 예 를 들 면 NAND 플래시 메모리 가 대표 적 이 다 . NAND 플래시 메모리 는 메모리 소자 가 블록 ( block ) 단위 로 나누 어 져 있 으며 , 한 개 의 블록 내 에 는 다수 의 페이지 가 존재 한다 . 사용자 는 먼저 블록 을 소거 하 고 그 블록 내 의 페이지 들 을 순차 적 으로 특정 데이터 로 프로그램 함 으로써 NAND 플래시 메모리 를 이용 한다 . 모든 페이지 가 프로그램 된 블록 을 새로운 데이터 로 프로그램 하 기 위해서 는 해당 블록 을 다시 소거 해야 한다 . 이 일련 의 과정 을 프로그램 - 소거 사이클 ( PE - cycle ) 이 라고 부르 며 , NAND 플래시 메모리 의 경우 한 블록 이 견딜 수 있 는 PE - 사이클 횟수 가 제한 되 어 있 다 . 이 를 NAND 플래시 메모리 의 인 듀어 런 스 ( endurance ) 라고 부른다 .