기판 처리 장치 ( 1 ) 에 대해 , 내부 공간 ( 10 s ) 에 플 라즈 마 를 발생 시키 는 플 라즈 마 처리 장치 인 것 으로 설명 하 였으나 , 이 에 한정 되 는 것 은 아니 다 . 기판 처리 장치 ( 1 ) 는 ALD ( Atomic Layer Deposition ) 장치 , 열 CVD ( Chemical Vapor Deposition ) 장치 등 일 수 도 있 다 . 이 경우 , 시일 부재 ( 26 ) 에 의해 , 내부 공간 ( 10 s ) 에 공급 되 는 처리 가스 가 제 1 접합 층 ( 23 ) 및 제 2 접합 층 ( 24 ) 으로 유입 되 는 것 을 억제 할 수 있 다 . 이 로써 , 예 를 들 어 , 처리 가스 가 접합 층 ( 23 , 24 ) 과 반응 하 여 접합 층 ( 23 , 24 ) 이 열화 되 는 것 을 억제 할 수 있 다 .