산화물 절 연막 ( 53 ) 은 , 가열 에 의하 여 산소 의 일부 가 탈리 되 는 산화물 절 연막 을 사용 하 여 형성 한다 . 가열 에 의하 여 산소 의 일부 가 탈리 되 는 산화물 절 연막 으로서 는 , 화학량론 적 조성 비 보다 많 은 산소 를 포함 하 는 산화물 절 연막 을 사용 하 는 것 이 바람직 하 다 . 가열 에 의하 여 산소 의 일부 가 탈리 되 는 산화물 절연 막 은 가열 에 의하 여 산소 가 탈리 되 기 때문 에 , 가열 에 의하 여 산화물 반도체 막 으로 산소 를 확산 시킬 수 있 다 . 산화물 절 연막 ( 53 ) 은 대표 적 으로 산화 실리콘 , 산화 질화 실리콘 , 질화 산화 실리콘 , 산화 알루미늄 , 산화 질화 알루미늄 , 산화 갈륨 , 산화 하프늄 , 산화 이트륨 등 으로 형성 할 수 있 다 .