본 실시 형태 의 처리 로 에서 웨이퍼 를 처리 할 때 , 즉 웨이퍼 표면 에 형성 된 절 연막 상 에 실리콘 입자 를 형성 할 때 의 처리 조건 으로서 는 , 예 를 들 면 , 처리 온도 200 ~ 800 ℃, 처리 압력 13 ~ 1330 Pa , 실리콘 계 가스 ( SiH 4 ) 유량 10 ~ 2000 sccm , 도 펀트 가스 ( B 2 H 6 ) 유량 10 ~ 2000 sccm 이 예시 되 고 , 각각 의 처리 조건 을 각각 의 범위 내 의 소정 의 값 으로 일정 하 게 유지 함 으로써 , 실리콘 입자 의 핵 형성 사이트 를 많 게 하 면서 실리콘 입자 를 형성 할 수 가 있 다 .