하지만 , 본 발명 의 제 2 실시 예 에 따르 면 , 열처리 공정 시 외 확산 되 는 제 2 원소 즉 , 망간 이 제 2 원소 가 산화 된 산화 막 으로 이루어진 가변저항 막 ( 33 A ) 즉 , 망간산 화 막 으로 확산 되 어 망간산 화 막 내 산소 공공 을 생성 한다 . 따라서 , 가변저항 막 ( 33 A ) 내 산소 공공 을 생성 하 기 위한 별도 의 공정 을 생략 할 수 있 다 . 그리고 , 가변저항 막 ( 33 A ) 내 산소 공공 이 일부 생성 된 경우 에 는 열처리 를 통해 가변저항 막 ( 33 A ) 내 산소 공공 의 밀도 를 증가 시킬 수 있 기 때문 에 스위칭 특성 을 더욱더 향상 시킬 수 있 다 .