이어서 , 게이트 하부 스 페이서 ( 11 ) 양측 의 반도체 기판 ( 10 ) 상 에 후속 게이트 상부 및 게이트 상부 스 페이서 형성 공정 시 식각 정지 막 으로 작용 하 는 절 연막 으로서 , LPTEOS ( Low Pressure Tetra Ethyl Ortho Silicate ) 막 ( 15 ) 을 형성 한다 . 좀 더 상세 하 게 는 , 게이트 하부 ( 13 a ) 를 포함 하 는 반도체 기판 ( 10 ) 상 에 게이트 하부 ( 13 a ) 를 덮 는 LPTEOS 막 ( 15 ) 을 형성 한 후 게이트 하부 ( 13 a ) 의 표면 이 드러날 때 까지 CMP 공정 을 수행 한다 . 그 결과 , LPTEOS 막 ( 15 ) 과 게이트 하부 ( 13 a ) 및 게이트 하부 스 페이서 ( 11 ) 표면 이 평탄 화 된다 .