도 3 은 본 발명 의 실시 예 에 따른 메모리 컨트롤러 의 개략 적 인 제어 블록 도 를 도시 한 것 이 다 . 도 3 을 참조 하 면 , 본 발명 의 메모리 컨트롤러 는 링 오실 레이터 를 이용 하 여 기준 클럭 의 위상 을 검출 하 는 위상 검 출부 ( 100 ) 와 , 이 위상 검 출부 ( 100 ) 를 통해 검출 된 위상 값 과 미리 설정 된 위상 값 을 비교 하 여 일치 하 면 검출 된 위상 값 을 그대로 출력 하 고 , 일치 하 지 않 으면 검출 된 위상 값 을 보정 하 여 출력 하 는 동작 을 제어 하 는 지연제 어부 ( 200 ) 와 , 이 지연제 어부 ( 200 ) 로부터 위상 값 을 입력 받 아 기준 클럭 을 정해진 지연 값 만큼 지연 시켜 읽 기 동작 과 쓰 기 동작 을 처리 하 는 지연 처 리부 ( 300 ) 를 포함 하 여 이루어진다 . 본 발명 의 다른 측면 에서 메모리 컨트롤러 는 부가 적 인 다른 구성 요소 들 을 구비 할 수 있 다 . 마찬가지 로 , 상기 한 구성 요소 들 은 두 개 또는 그 이상 이 하나 의 장치 로 조합 될 수 있 다 .