도 2 는 본 발명 의 반도체 소자 구조 ( 100 ) 및 추가 적 인 별개 의 전자 소자 구조 ( 101 ) 를 갖 는 본 발명 의 3 차원 반도체 소자 ( 1000 ) 의 실시 예 를 도시 한다 . 이 실시 예 에서 , 추가 적 인 별개 의 전자 소자 구조 ( 101 ) 는 본 발명 의 반도체 소자 구조 ( 100 ) 아래 에 수직 으로 배열 된다 . 이것 은 추가 적 인 별개 의 전자 소자 구조 ( 101 ) 가 각각 기판 ( 10 ) 의 제 2 기판 측면 ( 2 ) 및 제 2 주 표면 ( 12 ) 에 대향 하 여 배열 됨 을 의미 한다 .