상기 기판 ( 100 ) 은 n 형 인듐 인 ( InP ) 을 포함 할 수 있 다 . 상기 기판 ( 100 ) 의 하부 면 에 는 n 형 전극 ( 미 도시 ) 이 배치 될 수 있 다 . 상기 하부 클래드 층 ( 110 ) 은 n 형 인듐 인 ( InP ) 을 포함 할 수 있 다 . 상기 능동 광도 파로 ( 120 ) 및 수동 광도 파로 ( 130 ) 는 인듐 갈륨비소 인 ( InGaAsP ) 을 포함 할 수 있 다 . 상기 능동 광도 파로 ( 120 ) 는 우물 ( well ) 과 장벽 ( barrier ) 을 포함 하 는 다중 양자 우물 구조 와 같 은 이득 매질 을 포함 한다 . 상기 상부 클래드 층 ( 140 ) 은 p 형 인듐 인 ( InP ) 을 포함 할 수 있 다 . 상기 제 1 전류 주입 전극 ( 150 ) , 상기 제 2 전류 주입 전극 ( 160 ) , 제 1 마이크 로 히터 전극 ( 180 ) 및 제 2 마이크 로 히터 전극 ( 190 ) 은 도전 성 물질 , 예 를 들 면 금속 을 포함 할 수 있 다 .