다음 으로 마스크 ( 110 ) 를 제거 하 고 , 도 6 ( e ) 에 도시 한 것 처럼 n 측 전극 ( 50 ) 을 마스크 하 여 습식 식각 에 의해 비 마스크 부를 식각 한다 . 비 마스크 부 중 불 완전 한 제 1 볼록 부가 형성 되 어 있 던 영역 에 는 , 이 식각 에 의해 제 1 볼록 부 가 다수 형성 된다 . 즉 비교 적 깊 은 위치 에서 돌출 된 높 은 볼록 부가 형성 된다 . 또 비 마스크 부 중 마스크 ( 110 ) 가 마련 되 어 있 던 영역 에 는 , 이 식각 에 의해 제 2 볼록 부 가 다수 형성 된다 . 즉 비교 적 얕 은 위치 에서 돌출 된 낮 은 볼록 부가 형성 된다 .