다음 에 , 반도체 층 ( 108 a ) 을 형성 한다 . 반도체 층 ( 108 a ) 은 , 전술 한 규소 등 의 14 족 원소 , 혹은 반도체 층 ( 108 a ) 은 , 산화물 반도체 를 포함 해도 된다 . 반도체 층 ( 108 a ) 이 규소 를 포함 하 는 경우 , 반도체 층 ( 108 a ) 은 , 실란 가스 등 을 원료 로서 사용 하 여 , CVD 법 에 의해 형성 하 면 된다 . 이 에 의해 얻 어 지 는 아몰 퍼스 실리콘 에 대하 여 가열 처리 , 혹은 레이저 등 의 광 을 조사 함 으로써 결정화 를 행해도 된다 . 반도체 층 ( 108 a ) 이 산화물 반도체 를 포함 하 는 경우 , 스퍼터링 법 등 을 이용 하 여 형성 할 수 있 다 .