또한 , 전술 한 ITO 층 ( 290 ) 은 90 % 이상 의 높 은 가시광선 투과율 을 가져 각 발광 셀 ( 200 ) 의 발광 효율 , 더 나아가 서 는 , 발광 다이오드 ( 1 ) 의 발광 효율 향상 에 기여 한다 . 이때 , 상기 ITO 층 ( 290 ) 이 N 형 이 라는 점 에서 P 형 반도체 층 ( 260 ) 과 사이 에 오 믹 콘 택 이 잘 형성 되 지 않 을 수 있 으나 , ITO 층 ( 290 ) 과 P 형 반도체 층 ( 260 ) 사이 에 오 믹 콘 택 을 형성 하 기 위한 터널 구조 를 채용 하 면 두 층 사이 의 오 믹 콘 택 이 잘 형성 될 수 있 다 . 도시 되 어 있 지 는 않 지만 , 상기 터널 구조 는 P 형 반도체 층 ( 260 ) 과 ITO 층 ( 290 ) 사이 에 인듐 ( In ) 또는 N - 형 도 펀트 를 델타 도핑 방식 으로 개재 하 여 형성 될 수 있 다 .