반도체 디바이스 , 액정 패널 , LED , 태양 전지 등 을 제조 하 기 위한 제조 프로세스 에서 , 에칭 프로세스 , CVD 프로세스 등 과 같 은 다양 한 프로세스 를 수행 하 도록 배기 되 어 있 는 프로세스 챔버 내 로 프로세스 가스 가 도입 된다 . 에칭 프로세스 , CVD 프로세스 등 과 같 은 다수 의 프로세스 를 수행 하 기 위한 프로세스 챔버 는 진공 펌프 에 의해 배기 된다 . 또한 , 프로세스 챔버 및 프로세스 챔버 에 접속 된 배기 장치 는 그 에 세정 가스 를 공급 함 으로써 주기 적 으로 세정 된다 . 프로세스 가스 , 세정 가스 등 과 같 은 배기 가스 는 실리콘 계 가스 ( SiH 4 , TEOS 등 ) , 할로겐 계 가스 ( NF 3 , ClF 3 , SF 6 , CHF 3 등 ) , PFC 가스 ( CF 4 , C 2 F 6 등 ) 등 을 함유 하 기 때문 에 , 이러 한 배기 가스 는 인체 및 지구 온난 화 와 같 은 지구 환경 에 악영향 을 미친다 . 따라서 , 이 들 배기 가스 가 그대로 대기 로 방출 되 는 것 은 바람직 하 지 않 다 . 따라서 , 이 들 배기 가스 는 진공 펌프 의 하류 측 에 제공 된 배기 가스 처리 장치 에 의해 무해 화 처리 되 고 , 무해 한 배기 가스 가 대기 로 방출 된다 . 또한 , 프로세스 챔버 로부터 배출 된 배기 가스 는 높 은 연소 및 폭발 의 위험 성 에서 SiH 4 와 같 은 가스 를 함유 하 고 , 따라서 희석 용 N 2 유닛 으로부터 배기 가스 내 로 N 2 가스 를 공급 하 여 배기 가스 를 희석 하 는 것 이 통상 적 이 되 어 왔 다 . 또한 , 몇몇 경우 에 , 제조 장치 의 이송 챔버 ( transfer chamber ) , 부하 잠금 챔버 ( load lock chamber ) 등 과 같 은 프로세스 챔버 이외 의 다수 의 챔버 로부터 배기 가 진공 펌프 및 배기 가스 처리 장치 에 접속 되 어 여기 서 배기 가스 가 처리 된다 .