이종 접합 바이 폴라 트랜지스터 ( Hetero - junction bipolar transistor : 이하 HBT ) 는 고속 특성 을 요구 하 는 마이크로파 및 밀리미터파 대역 의 핵심 소자 이 다 . 이러 한 HBT 는 에 미터 , 베이스 및 콜렉터 의 3 상 전극 으로 구성 되 며 특히 , HBT 의 에 미터 는 높 은 전류 이득 및 높 은 차단 주파수 ( cut off frequency ) 를 얻 을 수 있 도록 베이스 보다 에너지 대역폭 이 큰 반도체 물질 로 형성 되 고 있 다 .