따라서 , 본 발명 의 반도체 제조 설비 는 복수 의 반응 가스 및 세정 가스 의 유동 을 개별 적 으로 단속 하 도록 원료 탱크 또는 소스 에 연결 되 는 가스 공급 라인 ( 32 ) 에 복수 개 의 서브 반응 가스 밸브 ( 42 a , 42 b , 42 c , 42 d , 42 e ) 와 복수 개 의 서브 세정 가스 밸브 ( 52 a , 52 b ) 가 형성 되 어 있 고 , 상기 복수 개 의 서브 반응 가스 밸브 ( 42 a , 42 b , 42 c , 42 d , 42 e ) 및 상기 복수 개 의 서브 세정 가스 밸브 ( 52 a , 52 b ) 에 각각 연결 되 는 가스 공급 라인 ( 32 ) 이 각각 하나 로 병합 되 는 부분 에 메인 반응 가스 밸브 ( 36 ) 및 메인 세정 가스 밸브 ( 38 ) 가 형성 되 어 있 고 , 상기 메인 반응 가스 밸브 ( 36 ) 및 상기 메인 세정 가스 밸브 ( 38 ) 와 연결 되 는 가스 공급 라인 ( 32 ) 이 병합 되 어 상기 챔버 로 연결 되 는 부분 에 메인 공급 밸브 가 형성 되 어 있 다 . 이때 , 상기 각 밸브 들 은 상기 반도체 제조 설비 의 구동 을 제어 하 는 프로그램 이 저장 된 설비 컴퓨터 ( 도시 되 지 않 음 ) 에 제어 신호 에 의해 제어 된다 .