이 경화 성 수지 필름 은 반도체 웨이퍼 의 범프 를 갖 는 표면 에 첩부 하 고 , 경화 시킴 으로써 상기 표면 에 제 1 보호막 을 형성 하 기 위한 필름 이 고 , 경화 전 의 이 경화 성 수지 필름 의 가시광선 투과율 은 45 ％ 이하 이 며 , 경화 전 의 이 경화 성 수지 필름 의 적외선 투과율 은 33 ％ 이상 이 다 . 제 1 보호막 형성 용 시트 는 제 1 지지 시트 를 구비 하 고 , 제 1 지지 시트 의 한쪽 면 상 에 이 경화 성 수지 필름 을 구비 하 고 있 다 .