넷째 , 제 2 측벽 절 연막 ( 36 ) 의 하부 를 나 칭 된 측벽 ( sidewall - notched ) 구조 가 되 도록 제조 함 으로써 , 게이트 전극 ( 33 a ) 과 소오 스 영역 ( 39 a ) 및 게이트 전극 ( 33 a ) 과 드레 인 영역 ( 39 b ) 간 의 오버랩 마진 ( overlap margin ) 이 줄어들 기 때문 에 , GIDL 측면 에서 유리 하 고 , 또한 , 종래 의 나 칭 게이트 구조 의 재산 화 ( re - oxidation ) 현상 으로 야기 되 는 게이트 프린 징 이 팩 트 ( gate fringing effect ) 에 의한 문턱 전압 ( Vt ) 증가 ( Ion 감소 ) 도 개선 할 수 있 다 . 따라서 소자 동작 퇴화 문제 를 개선 할 수 있 다 .