본 발명 은 태양 전지 및 그 의 제조 방법 에 관한 것 이 다 . 본 발명 의 태양 전지 는 제 1 도전 형 반도체 기판 , 상기 제 1 도전 형 반도체 기판 상 에 형성 되 고 상기 제 1 도전 형 반도체 기판 과 반대 도전 형 을 가지 는 제 2 도전 형 반도체 층 및 상기 제 1 도전 형 반도체 기판 과 제 2 도전 형 반도체 층 사이 의 계면 에 형성 된 p - n 접합 으로 이루어진 p - n 구조 상기 제 2 도전 형 의 반도체 층 상 에 형성 되 는 반사 방지 막 상기 반사 방지 막 상 에 형성 되 고 , 상기 반사 방지 막 을 관통 하 여 제 2 도전 형 반도체 층 과 연결 되 는 전면 전극 및 표면 에 소정 의 음각 패턴 을 포함 하 며 상기 제 1 도전 형 반도체 기판 상 에 형성 되 는 후면 전극 을 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 . 본 발명 의 태양 전지 는 셀 보 우잉 현상 의 발생 이 줄어들 뿐 만 아니 라 셀 보 우잉 현상 의 정도 및 방향 이 제어 되 어 , 파손 위험 이 낮 고 태양광 에 대한 흡수 율 이 높 아 우수 한 성능 을 나타낸다 .