이 와 같 은 분리 방법 및 장치 에 따르 면 , 레이저 와 같 은 고밀도 고출력 에너지 를 사용 할 필요 없이 작 은 기계 적 인 힘 에 의해 기판 과 질화물 반도체 층 을 분리 할 수 있 다 . 공정 과정 및 장치 구성 이 단순 하 고 공정 시간 이 짧 다 . 이 장치 는 진공 이나 특정 가스 분위기 를 만들 지 않 으므로 밀폐 된 챔버 공간 을 필요 로 하 지 않 아 경제 적 이 다 . 이미 성장 된 질화물 반도체 층 에 영향 을 주 지 않 으면서 경제 적 으로 기판 과 분리 할 수 있 는 방법 과 장치 이 므로 질화물 반도체 층 분리 가 필요 한 수직 형 , 수평 형 , 또는 임의 의 기판 에 이전 된 LED 제조 또는 질화물 반도체 기판 제조 와 같 은 분야 에 활용 도 가 높 다 . 질화물 반도체 층 을 분리 하 면 소자 구 동시 발생 하 는 열 을 손쉽 게 제거 할 수 있 으며 , 기판 이 존재 할 경우 기판 내부 에 갇혀서 빠져 나오 지 못하 는 빛 을 밖 으로 빼낼 수 있 는 장점 이 있 고 , 질화물 반도체 성장 을 위한 동종 기판 으로 활용 할 가치 가 있 다 .