상기 도 2 에 도시 된 바 와 같이 제 1 실시 예 에 따른 본 발명 은 기판 상 에 Ⅲ 족 및 Ⅵ 족 원소 를 포함 하 는 단일 전구체 와 , I 족 금속 을 포함 하 는 전구체 및 , Ⅵ 족 원 소 를 포함 하 는 전구체 또는 Ⅵ 족 원소 를 함유 하 는 가스 를 함께 공급 하 면서 증착 시켜 단일 단일 유기 금속 화학 기상 증착 ( Metal Organic Chemical Vapor Deposition ; MOCVD ) 공정 으로 I - Ⅲ - Ⅵ2 박막 을 형성 하 게 된다 .