또한 , 금속 대 반도체 오 믹 접촉 저항 의 최적 화 는 상기 언급 된 바 와 같이 오 믹 접촉 구조 체 에 소량 의 실리콘 도 펀트 를 첨가 함 으로써 얻 어 질 수 있 다 . 실리콘 은 전자 빔 증착 및 스퍼터링 과 같 은 복수 의 방법 에 의해 적층 될 수 있 다 . 실리콘 은 오 믹 접촉 구조 체 ( 42 OC ) 내 에서 분리 층 으로서 ( 실리콘 스퍼터링 타 겟 의 스퍼터링 에 의해 또는 전자 빔 증착 에 의해 ) 또는 순수 한 타 겟 을 공동 - 스퍼터링 함 으로써 다른 층 으로 실리콘 을 혼합 함 으로써 ( 여기 서 는 예 를 들 어 실리콘 및 알루미늄 ) 또는 Si 도핑 된 타켓 을 스퍼터링 함 으로써 ( 여기 서 는 예 를 들 어 Si 도핑 된 알루미늄 Al 1 - xSix 층 ( 42 b ) , 식 중 에서 Si 도핑 , x 는 일반 적 으로 ≤ 0 . 05 임 ) 적층 될 수 있 다 .