이러 한 구성 을 갖 는 본 발명 은 플 라즈 마 손상 에 취약 한 인버터 IV 4 의 게이트 레이어 에 정 션 을 연결 하 기 위한 다이오드 D 1 , D 2 를 형성 한다 . 즉 , 플라 즈 마 손상 을 방지 하 기 위해서 는 트랜지스터 의 형성 이후 에 제 1 배선 층 ( 100 a , 100 b ) 에서 N + 또는 P + 정 션 과 연결 되 도록 한다 . 이 에 따라 , 플라 즈 마 손상 에 의한 게이트 레이어 가 차지 - 업 될 경우 정 션 을 통해 디스 차지 되 거나 , (-) 이온 또는 전자 를 공급 받 을 수 있 도록 하 여 게이트 옥사이드 가 플 라즈 마 손상 에 영향 을 받 지 않 도록 한다 .