특히 , 포토 리소그래피 공정 에서 광학 근접 보상 ( Optical Proximity Correction ) 기술 은 기존 의 광학 노광 장치 의 기술 적 인 한계 를 극복 하 는 요인 이 되 고 있 는데 , 논리 소자 와 같이 반복 적 이 지 않 고 불 규칙 적 인 패턴 구조 를 갖 는 반도체 소자 에 대해 광학 해 상 한계 를 극복 하 면서 동시 에 빠른 시간 내 에 정교 한 패 터닝 을 가능 하 게 하 였 고 , 이 는 광학 왜곡 현상 을 효과 적 으로 극복 하 면서 초미세 패턴 의 제조 능력 을 향상 시킬 수 있 으며 , 광학 노광 장치 가 안 고 있 는 빛 의 왜곡 현상 을 보상 을 할 수 있 게 되 었 다 .