도 1 은 일반 적 인 발광 다이오드 의 단면도 로서 , 사파이어 기판 ( 110 ) 상부 에 N - GaN 층 ( 111 ) , 활성 층 ( 112 ) 과 P - GaN 층 ( 113 ) 이 순차 적 으로 형성 되 어 있 고 ; 상기 P - GaN 층 ( 113 ) 에서 N - GaN 층 ( 111 ) 까지 메사 ( Mesa ) 식각 되 어 있 고 ; 상기 메사 식각 된 N - GaN 층 ( 111 ) 상부 에 N - 전극 ( 115 ) 이 형성 되 어 있 고 ; 상기 P - GaN 층 ( 113 ) 상부 에 P - 전극 ( 114 ) 이 형성 되 어 있 다 .