또한 , 상기 투명 채널 층 ( 4 ) 과 게이트 전극 ( 2 ) , 소오 스 전극 ( 5 ) , 드레 인 전극 ( 6 ) 역시 In ( 1 - X ) ZnXO 을 RF 마그네트론 스퍼터링 을 이용 하 여 증착 형성 되 며 , 그 두께 가 상기 투명 채널 층 ( 4 ) 은 60 nm , 소오 스 전극 ( 5 ) 과 드레 인 전극 ( 6 ) 의 전극 층 은 100 nm 로 형성 된다 .