데이터 선 ( 171 ) , 드레 인 전극 ( 175 ) 및 노출 된 반도체 ( 151 ) 부분 위 에 는 보호막 ( passivation layer ) ( 180 ) 이 형성 되 어 있 다 . 보호막 ( 180 ) 은 무기 절연물 또는 유기 절연물 따위 로 만들 어 지 며 표면 이 평탄 할 수 있 다 . 무기 절연물 의 예 로 는 질화규소 ( SiNx ) 와 산화 규소 ( SiOx ) 를 들 수 있 다 . 유기 절연물 은 감광성 ( photosensitivity ) 을 가질 수 있 으며 그 유전 상수 ( dielectric constant ) 는 약 4 . 0 이하 인 것 이 바람직 하 다 . 그러나 , 보호막 ( 180 ) 은 유기 막 의 우수 한 절연 특성 을 살리 면서 도 노출 된 돌출부 ( 154 ) 부분 에 해 가 가 지 않 도록 하부 무기 막 과 상부 무기 막 의 이 중막 구조 를 가질 수 있 다 .