도 1 a 를 참조 하 면 , 식각 대상 층 ( 1 ) 상 에 제 1 폴리 실리콘 층 ( 2 ) 을 형성 한다 . 도 1 b 를 참조 하 면 , 제 1 폴리 실리콘 층 ( 2 ) 을 패 터닝 하 여 제 1 폴리 실리콘 층 패턴 ( 2 a ) 을 형성 한 후 , 산화 막 패턴 ( 3 ) 을 컨 포 멀 하 게 형성 한다 . 산화 막 패턴 ( 3 ) 사이 에 는 그루브 가 형성 된다 . 도 1 c 를 참조 하 면 , 상기 그루브 를 채우 면서 산화 막 패턴 ( 3 ) 상 에 제 2 폴리 실리콘 층 ( 4 ) 를 형성 한다 . 도 1 d 를 참조 하 면 , 산화 막 패턴 ( 3 ) 의 상면 이 노출 될 때 까지 제 2 폴리 실리콘 층 ( 4 ) 을 제거 하 여 제 2 폴리 실리콘 층 패턴 ( 4 a ) 을 형성 한다 . 도 1 e 를 참조 하 면 , 산화 막 패턴 ( 3 ) 과 제 2 폴리 실리콘 층 패턴 ( 4 a ) 에 대해 식각 선택 비 를 가지 는 식각 제 를 사용 하 여 산화 막 패턴 ( 3 ) 의 일부 를 제거 한다 . 따라서 제 1 폴리 실리콘 층 패턴 ( 2 a ) 사이 에 는 산화 막 패턴 ( 3 a ) 상 의 제 2 폴리 실리콘 층 패턴 ( 4 a ) 이 형성 된다 . 도 1 f 를 참조 하 면 , 제 1 폴리 실리콘 층 패턴 ( 2 a ) 과 제 2 폴리 실리콘 층 패턴 ( 4 a ) 을 식각 마스크 로 하 여 식각 대상 층 ( 1 ) 을 식각 하 여 식각 대상 층 패턴 ( 1 a ) 을 형성 한다 .