또한 , 상기 그리드 플레이트 는 판 형상 의 제 1 그리드 전극 과 제 2 그리드 전극 사이 에 일정 높이 를 갖 는 유전체 층 을 형성 하 여 구성 되 고 , 상기 제 1 및 제 2 그리드 전극 과 유전체 층 은 동일 한 위치 에 동일 한 크기 를 갖 는 다수 의 홀 을 구비 하 여 구성 되 며 , 상기 유전체 층 의 각 홀 주변 에 는 신호 라인 이 형성 되 어 그리드 제 어부 와 연결 되 어 구성 되 고 , 상기 제 2 단계 는 그리드 제어 장치 에서 유전체 층 에 연결 된 홀 별 신호 라인 으로 인가 되 는 전계 값 을 근거 로 해당 홀 을 통과 하 는 빔 의 상태 를 판 단함 과 더불 어 , 홀 별 빔 상태 를 근거 로 공정 완료 된 박막 이 균일 한 특성 을 갖 도록 비 균일 영역 에 해당 하 는 각 전극 라인 에 대한 초기 전원 정보 를 갱신 함 으로써 , 기준 전원 정보 를 생성 하 는 것 을 특징 으로 하 는 반도체 공정 시스템 용 그리드 장치 를 이용 한 박막 공정 방법 이 제공 된다 .