비휘발성 메모리 장치 ( 200 ) 는 컨트롤러 ( 110 ) 의 제어 에 따라 , 컨트롤러 ( 110 ) 로부터 전송 된 데이터 를 저장 하 고 , 저장 된 데이터 를 리드 하 여 컨트롤러 ( 110 ) 로 전송 할 수 있 다 . 비휘발성 메모리 장치 ( 200 ) 는 복수 의 메모리 블록 들 ( BK 1 ~ BKn ) 을 포함 할 수 있 다 . 메모리 블록 은 비휘발성 메모리 장치 ( 200 ) 가 소거 동작 을 수행 하 는 단위 일 수 있 다 . 따라서 , 비휘발성 메모리 장치 ( 200 ) 는 소거 동작 을 통해 어떤 메모리 블록 에 저장 된 데이터 를 동시 에 소거 할 수 있 다 . 메모리 블록 들 ( BK 1 ~ BKn ) 각각 은 복수 의 메모리 영역 들 ( AR 1 ~ ARm ) 을 포함 할 수 있 다 . 비휘발성 메모리 장치 ( 200 ) 는 라이트 동작 또는 리드 동작 을 수행 할 때 하나 이상 의 메모리 블록 들 의 하나 이상 의 메모리 영역 들 을 동시 에 액세스 할 수 있 다 .