상술 한 바 와 같이 본 발명 은 반도체 기판 상 에 산화 막 을 형성 하 고 이 를 패 터닝 하 여 소자 분리 막 및 트렌치 를 형성 하 고 트렌치 에 실리콘 에 피층 을 형성 한 후 여기 에 고 농도 웰 임 플란트 공정 을 진행 하 여 액티브 영역 을 형성 함 으로써 소자 간 격리 의 안정 성 을 확보 할 수 있 어 소자 의 신뢰 성 을 향상 시킬 수 있 는 이점 이 있 다 .