베이스 부재 를 상세히 설명 하 면 , 상기 기판 ( 111 ) 상 에 네 가티 브 포토레지스트 조성물 을 도포 한다 . 하프톤 마스크 ( 113 ) 를 사용 하 여 패 터닝 이 형성 될 부분 을 조사 하 는 공정 을 수행 한다 . 상기 하프톤 마스크 는 패 터닝 이 형성 된 부위 가 단일 톤 으로 된 것 이 아니 라 여러 가지 톤 으로 형성 될 수 있 다 . 따라서 도전 패턴 이 형성 되 는 제 1 오 목부 ( 116 ) 부분 의 상부 마스크 패턴 은 조사 광 의 투과도 가 적 도록 하 기 위해 진한 톤 으로 착색 되 어야 한다 . 한편 상기 제 1 오 목부 ( 116 ) 와 단차 를 가지 는 제 2 오 목부 ( 115 ) 부분 의 상부 마스크 패턴 은 제 1 오 목부 ( 116 ) 의 해당 부분 마스크 의 톤 보다 연하 게 하 여 조사 광 의 일부 가 투과 될 수 있 도록 한다 . 본 발명 에 따르 면 , 하프톤 마스크 ( 113 ) 를 사용 함 으로써 도전 패턴 이 형성 되 는 제 1 오 목부 ( 116 ) 및 상기 제 1 오 목부 ( 116 ) 와 단차 를 가지 는 제 2 오 목부 ( 115 ) 를 형성 할 수 있 다 .