한편 , 본 발명 의 실시 예 를 SA - STI ( Self Aligned - Shallow Trench Isolation ) 또는 ASA - STI ( Advanced Self Aligned - STI ) 공정 을 적용 하 는 경우 완충 막 ( 101 ) 대신 에 셀 영역 ( CELL ) 에 는 실제 F - N 터널 링 ( Fouler - Nordheim Tunneling ) 이 일어나 는 터널 링 절 연막 을 형성 하 고 , 고전압 영역 ( HVN ) 에 는 터널 링 절 연막 보다 두꺼운 게이트 절 연막 을 형성 한다 . 예컨대 , 터널 링 절연 막 은 50 ~ 100 Å 정도 의 두께 로 실리콘 산화 막 단층 구조 , 또는 소자 특성 을 위해 실리콘 산화 막 과 기판 ( 100 ) 계면 에 질화 층 이 개재 된 구조 로 형성 한다 . 또한 , 게이트 절연 막 은 300 ~ 500 Å 정도 의 두께 로 형성 한다 .