반면 , TSV 들 ( Through - Silicon Vias ) 은 일반 적 으로 와이어 본드 들 보다 고 대역폭 을 갖 는다 . TSV 제조 ( fabrication ) 기술 에서 , 칩 들 은 , 그 들 의 액티브 페이스 ( active face ) 상 의 금속 층 들 중 하나 이상 이 그 들 의 백 페이스 ( back face ) 상 의 새로운 패드 들 에 도전 적 으로 ( conductively ) 접속 되 도록 처리 된다 . 그 다음 , 칩 들 이 스택 에서 접착 적 으로 ( adhesively ) 접속 되 어 , 하나 의 칩 의 백 페이스 상 의 새로운 패드 들 은 인접 한 칩 의 액티브 페이스 상 의 대응 하 는 패드 들 과 도전 적 콘택트 를 만든 다 .