추가 실시 예 에 따르 면 , 수직 비아 에 갈 바닉 연결 된 접촉 부 가 제 1 및 / 또는 제 2 기판 측면 에 배열 될 수 있 으며 , 여기 서 반도체 소자 구조 는 3 차원 전자 반도체 소자 를 생성 하 기 위해 이 접촉 부 에 의해 추가 적 인 별개 의 전자 소자 구조 에 전기 적 및 / 또는 기계 적 으로 연결 될 수 있 으며 , 여기 서 반도체 소자 구조 및 추가 적 인 별개 의 전자 소자 구조 는 서로 수직 으로 배열 된다 . 따라서 , 본 발명 의 반도체 소자 구조 를 사용 하 여 , 반도체 소자 구조 에 그리고 특히 , 접촉 부 에 의한 화합물 반도체 층 에서 기계 적 으로 및 / 또는 갈바 닉 연결 된 제 1 및 / 또는 제 2 기판 측면 에 대향 하 는 추가 적 인 별개 의 전자 소자 구조 를 배열 함 으로써 3 차원 전자 반도체 소자 ( 3 D 시스템 ) 를 제조 할 수 있 다 . 별개 의 전자 소자 구조 는 예 를 들 어 평면 기술 로 제조 된 2 차원 시스템 또는 추가 의 진보 적 인 반도체 소자 구조 일 수 있 다 . 이러 한 방식 으로 제조 가능 한 3 D 시스템 은 3 D 패키지 또는 3 D IC 일 수 있 다 .