다음 에 는 , 에피 택 셜 성장 층 ( 180 ) 및 에피 택 셜 성장 층 ( 180 ) 하부 의 활성 영역 에 불순물 이온 을 주입 하 여 소스 / 드레 인 영역 ( 170 ) 을 형성 한다 . 이때 , 불순물 은 인 ( Phosphorous ) 와 같 은 N 형 불순물 을 사용 하 는 것 이 바람직 하 며 , 에피 택 셜 성장 층 ( 180 ) 의 표면 으로부터 100 ~ 2000 Å 깊이 에 해당 하 는 영역 에 형성 되 도록 이온 주입 공정 을 조절 하 는 것 이 바람직 하 다 .