이러 한 처리 방법 에 의하 면 , 활물질 에 부착 된 불순물 또는 활물질 의 표면 에 부착 된 작용기 가 제거 될 수 있 다 . 활물질 의 표면 에 노출 된 댕 글 링 본드 의 수 가 증가 되 고 활물질 의 표면 상 으로 의 유기계 분자 쇄 의 화학 적 흡착 이 용이 하 게 된다 . 진공 또는 불활성 기체 분위기 중 에서 가열 이 수행 되 지 않 는 경우 , 예 를 들 면 가열 이 통상 적 인 공기 환경 에서 수행 되 는 경우 , 활물질 은 가열 중 에 산화 될 수 있 다 . 또한 , 활물질 이 1000 ℃ 미만 의 온도 로 가열 되 는 때 에 도 , 활물질 의 표면 에 부착 된 불순물 또는 활물질 의 표면 에 부착 된 작용기 는 종종 제거 될 수 없 다 . 한편 , 활물질 이 1500 ℃ 초과 의 온도 로 가열 되 는 경우 , 활물질 의 결정 구조 가 변하 고 활물질 의 표면 에 노출 된 댕 글 링 본드 의 수 가 감소 한다 . 활물질 을 1000 ℃ 내지 1500 ℃ 의 온도 로 가열 함 으로써 , 댕 글 링 본드 의 수 를 감소 시키 지 않 고 활물질 의 표면 에 부착 된 불순물 또는 활물질 의 표면 에 부착 된 작용기 를 제거 하 는 것 이 가능 하 다 .