본 발명 의 실시 예 에 의해 형성 된 제 2 컨 택 면 들 ( 40 ) 은 원형 으로 형성 된다 . 그러므로 , P 웰 ( 130 ) 의 성장 에 의한 디 플리 션 영역 ( DP ) 의 성장 은 제 2 컨 택 면 들 ( 40 ) 의 모든 측면 에서 균일 하 게 진행 될 수 있 으며 , 디 플리 션 영역 ( DP ) 의 성장 에 의한 제 2 컨 택 면 들 ( 40 ) 의 핀치 오프 는 효율 적 으로 진행 될 수 있 다 .