플러그 충 진체 ( 250 ) 및 공극 ( 260 ) 은 , 증착 단계 , 할 라이드 화학 물질 을 포함 하 는 에치 백 단계 , 및 핀치 - 오프 단계 를 포함 하 는 인 시 츄 공정 을 통해 형성 될 수 있 다 . 증착 단계 는 , 열 반응 , 플라 즈 마 반응 , 플 라즈 마 강화 반응 , 또는 고밀 도 플 라즈 마 ( HDP ) 화학 기상 증착 ( CVD ) 공정 에 의해 일어날 수 있 다 . 증착 단계 는 , 예 를 들 어 실란 , 디 실란 , 트리 실란 , 클로 로 실란 , 디 클로로 실란 , 트리 클로로 실란 , 테트라 클로 로 실란 , 네오 펜 타실 란 , 메틸 실란 , 디 메틸 실란 , 트리 메틸 실란 , 테트라메틸 실란 , 또는 이 들 의 조합 과 같 은 실리콘 전구체 의 흐름 을 포함 할 수 있 다 . 증착 단계 는 , 예 를 들 어 저메인 , 디 저메인 , 디 클로로 저메인 , 트리 클로로 저메인 , 테트라 클로 로 저메인 , 게르마늄 알 콕 시드 , 또는 이 들 의 조합 과 같 은 게르마늄 전구체 의 흐름 을 또한 포함 할 수 있 다 . 증착 단계 는 , 실릴 - 저메인 전구체 와 같이 실리콘 과 게르마늄 둘 모두 를 함유 하 는 전구체 를 흐르 게 하 는 단계 를 또한 포함 할 수 있 다 . 증착 단계 는 게르마늄 의 인 시 츄 도핑 을 포함 할 수 있 다 . 인 시 츄 도핑 은 Ga , B , P , As , 또는 Al 과 같 은 원자로 수행 될 수 있 다 .