금속 배선 층 ( M 1 , M 2 , M 3 ) 을 구성 하 는 금속 막 은 폴리 실리콘 막 에 비해 쉽 게 산화 되 어 퓨즈 프로그래밍 시 부피 팽창 의 정도 가 심하 고 , 컷팅 시 발생 되 는 데미지 정도 도 심하 여 , 퓨즈 로 적용 하 기 어렵 다 . 이러 한 이유 로 , 퓨즈 ( FUSE ) 를 금속 배선 층 ( M 1 , M 2 , M 3 ) 으로 형성 하 지 못하 고 , 금속 배선 층 ( M 1 , M 2 , M 3 ) 의 하부 구조물 , 예 를 들 어 비트 라인 , 스토리지 노드 , 플레이트 전극 등 으로 형성 하 고 있 다 .