또한 , 이종 재료 위 에 미결정 반도체 막 을 형성 하 는 경우 , 계면 의 결정 성 이 낮 고 , 상기 미결정 반도체 막 을 사용 한 역 스 태거 형 박막 트랜지스터 에 있 어서 , 게이트 절 연막 및 미결정 반도체 막 의 계면 영역 의 결정 성 이 낮 은 문제 가 있 다 . 또 한 , 광전 변환 장치 에 있 어서 는 , 전극 과 미결정 반도체 막 의 계면 에 있 어서 의 결정 성 이 낮 은 문제 가 있 다 .