이러 한 방식 을 이용 하 여 , 기판 비아 ( TSV ) 에칭 저지 금속 층 을 통한 실리콘 주조 호환 감산 적 패 터닝 은 전측 금 이 없 는 금속 상호 접속 접촉 구조 체 와 후 측 에칭 된 비아 사이 의 웨이퍼 의 전 측면 상 에 배치 된다 . 니켈 또는 몰리브덴 또는 플래티넘 과 같 은 금속 은 염소 계 후 측 비아 에칭 을 위한 에칭 저지 층 으로서 사용 되 지만 , 알루미늄 은 불 소계 에칭 을 위한 에칭 저지 층 으로서 작용 할 수 있 다 . 이러 한 금속 에칭 저지 층 은 상호 접속 구조 체의 전 - 후 측 저항 에 대한 부정 적 인 영향 을 완화 하 기 위해 가능 한 한 얇 다 .