따라서 , 기판 ( 10 ) 과 질화물 반도체 층 ( 50 ) 의 분리 가 필요 한 응용 분야 , 예컨대 수직 형 LED 또는 수평 형 LED , 임의 의 기판 에 이전 된 LED 제조 에 매우 유리 하 고 기판 ( 10 ) 을 재 활용 하 기 쉽 다 . 뿐 만 아니 라 질화물 반도체 층 ( 50 ) 을 후막 으로 형성 하 여 기판 ( 10 ) 과 분리 하 게 되 면 또는 자유 기립 의 질화물 반도체 기판 으로 도 활용 할 수 있 으므로 우수 한 질화물 반도체 성장 을 위한 동종 기판 으로서 의 질화물 반도체 기판 제조 가 용이 해진다 .