그 후 , 도쿄 일렉트론 제조 에칭 장치 Telius 를 이용 하 여 드라이 에칭 에 의해 레지스 트 패턴 을 마스크 로 하 여 유기 반사 방지 막 과 CVD - SiON 하드 마스크 를 에칭 가공 하 여 하드 마스크 패턴 을 형성 하 고 , 얻 어 진 하드 마스크 패턴 을 마스크 로 하 여 유기 막 을 에칭 하 여 유기 막 패턴 을 형성 하 고 , 얻 어 진 유기 막 패턴 을 마스크 로 하 여 SiO 2 막 의 에칭 가공 을 행했 다 . 에칭 조건 은 하 기 에 나타내 는 것 과 같 다 .