위 와 같 은 공정 의 메커니즘 을 통해 웨이퍼 ( W ) 의 표면 을 평탄 하 게 연마 하 는 CMP 장비 에 있 어서 , 웨이퍼 ( W ) 와 연마 패드 ( 22 ) 의 접촉면 에 가해 지 는 압력 이 웨이퍼 ( W ) 의 전면 에 균일 하 게 가해 지 지 않 을 경우 에 는 웨이퍼 ( W ) 의 가공 표면 이 부분 적 으로 불 충분 하 게 연마 되 거나 과도 하 게 연마 되 어 평탄 도 와 정밀도 가 유지 될 수 없 게 된다 . 따라서 , 웨이퍼 ( W ) 의 전면 에 고른 압력 이 가해 지 도록 종래 의 CMP 장비 의 연 마 헤드 에 는 여러 가지 의 수단 이 강구 되 었 다 .