상기 목적 을 달성 하 기 위해서 , 본 개시 의 일 실시 예 로 제 1 면 에 칩 패드 가 형성 된 반도체 칩 ; 상기 반도체 칩 의 상기 제 1 면 상 의 제 1 절연 층 ; 상기 칩 패드 와 전기 적 으로 연결 되 고 , 상기 제 1 절연 층 을 관통 하 여 형성 된 제 1 도전 성 비아 ; 상기 제 1 도전 성 비아 와 전기 적 으로 연결 되 고 , 상기 제 1 절연 층 에 매립 되 어 형성 된 재 배선 층 ; 상기 제 1 절연 층 상 에 있 고 , 상기 재 배선 층 과 맞닿 는 제 2 절연 층 ; 상기 재배 선 층 과 전기 적 으로 연결 되 고 , 상기 제 2 절연 층 을 관통 하 여 형성 된 제 2 도전 성 비아 ; 상기 제 2 도전 성 비아 와 전기 적 으로 연결 되 는 유비 엠 ; 및 상기 유비 엠 과 전기 적 으로 연결 되 는 외부 연결 단자 ; 를 포함 하 는 반도체 패키지 를 제공 한다 .