도 3 을 참조 하 면 , 반도체 패키지 ( 10 a ) 는 재 배선 구조물 ( 100 ) , 반도체 칩 ( 200 ) , 도전 성 포스트 ( 160 ) , 및 몰딩 층 ( 250 a ) 을 포함 할 수 있 다 . 몰딩 층 ( 250 a ) 은 반도체 칩 ( 200 ) 의 측면 및 상면 을 덮 고 , 도전 성 포스트 ( 160 ) 의 측면 을 덮 을 수 있 다 . 몰딩 층 ( 250 a ) 은 평탄 화 된 상면 을 포함 할 수 있 다 . 몰딩 층 ( 250 a ) 의 상면 ( 251 a ) 은 반도체 칩 ( 200 ) 의 상면 보다 높 은 레벨 에 위치 될 수 있 다 . 또한 , 몰딩 층 ( 250 a ) 의 상면 ( 251 a ) 은 도전 성 포스트 ( 160 ) 의 상면 보다 높 은 레벨 에 위치 될 수 있 다 .