본 발명 은 기판 상 에 하나 또는 수개 의 단결정 층 들 ( single - crystal layers ) 의 중첩 ( superposition ) 을 포함 하 는 소자 ( component ) 를 위한 제조 방법 에 관한 것 이 다 . 단결정 층 은 실리콘 및 / 또는 게르마늄 층 이 거나 , 또는 특히 실리콘 산화물 ( silicon oxide ) 로 이루어진 절연 층 도 될 수 있 다 . 그러므로 , 이 제조 방법 은 예 를 들 어 , 특히 단결정 의 실리콘 및 / 또는 게르마늄 층 이 위 에 중첩 되 어 있 는 절연 층 이 위 에 증착 된 단결정 실리콘 기판 을 포함 하 는 소자 의 제조 를 가능 하 게 한다 .