상기 핀 다이오드 는 n 형 비정질 실리콘 층 ( n - type amorphous silicon ) , 진성 비정질 실리콘 층 ( intrinsic amorphous silicon ) , p 형 비정질 실리콘 층 ( p - type amorphous silicon ) 이 접합 된 구조 로 형성 되 는 것 이 다 . 포토다이오드 의 성능 은 외부 의 빛 을 받 아 전기 적 형태 로 전환 하 는 효율 과 총 보관 가능 전기량 ( charge capacitance ) 에 따라 결정 되 는 것 으로 기존 의 포토다이오드 는 P - N , N - P , N - P - N , P - N - P 등 의 이 종접 합시 생성 되 는 공핍 영역 ( Depletion region ) 에 전하 를 생 성 및 보관 하 였으나 , 상기 핀 다이오드 는 p 형 실리콘 층 과 n 형 실리콘 층 사이 에 순수 한 반도체 인 진성 비정질 실리콘 층 이 접합 된 구조 의 광 다이오드 로서 , 상기 p 형 과 n 형 사이 에 형성 되 는 진성 비정질 실리콘 층 이 모두 공핍 영역 이 되 어 전하 의 생 성 및 보관 에 유리 하 게 된다 .