이때 스퍼터링 은 RF 스퍼터링 ( sputtering ) 장치 를 이용 하 였으며 시편 을 장착 후 에 진공 챔버 를 3 . 0 × 10 - 5 torr 까지 배기 시키 고 매스 플로우 컨트롤러 ( mass flow controller ) 를 이용 하 여 Ar gas 를 10 - 20 m torr 로 공급 하 였 다 . 이후 900 W 의 동력 으로 Ar 플 라즈 마 를 발생 시킨 후 시편 에 DC 를 인하 하 여 약 10 분 동안 산화층 을 비롯 한 시편 표면 의 오염 물질 을 제거 한 후 , 진공 챔버 를 다시 3 . 0 × 10 - 5 torr 로 배기 시켰 다 . 이때 RF 스퍼터링 은 TiN 와 ZrN 코팅 을 위하 여 질소 가스 를 10 - 20 m torr 로 공급 하 며 도금 시간 을 60 min 으로 하 여 도금 두께 가 2 . 0 - 2 . 5 ㎛ 가 되 도록 하 였 다 . 이때 도금 의 접 착도 를 증가 시키 기 위하 여 온도 는 350 - 380 ℃ 로 하 였 다 .