그러나 , 본 출원인 은 이러 한 처리 와 관련 하 여 일부 문제 가 존재 하 는 것 을 발견 하 였 다 . 절연성 뱅크 층 의 습윤 성 을 감소 시키 기 위한 처리 는 일반 적 으로 안정 적 이 지 않 고 , 처리 된 표면 이 시간 이 지남 에 따라 , 특히 추가 의 공정 단계 를 거칠 때 원래 의 습윤 성 으로 복귀 하 려는 경향 을 갖 는다 . 따라서 , 만약 절연성 층 이 우물 을 형성 하 기 위한 패 터닝 에 앞서 자신 의 표면 습윤 성 을 감소 시키 기 위해 처리 되 었 다면 , 우물 이 형성 되 고 유기 반도체 물질 이 증착 될 준비 가 될 때 까지 , 표면 은 자신 의 원래 습윤 성 으로 복귀 하 고자 할 것 이 다 . 이 와 달리 , 만약 우물 이 먼저 형성 되 고 표면 처리 가 적용 되 었 다면 , 이러 한 표면 처리 는 우물 내 에서 노출 되 는 전자 기판 의 회로 를 손상 시키 는 발견 되 었 다 .