기판 ( 200 ) 상 에 게이트 구조 ( 230 ) 들 을 덮 는 하부 층간 절 연막 ( 245 ) 을 형성 한다 . 하부 층간 절 연막 ( 245 ) 은 산화물 을 화학 기상 증착 공정 , 플라 즈 마 증대 화학 기상 증착 공정 , 저압 화학 기상 증착 공정 또는 고밀도 플라 즈 마 화학 기상 증착 공정 으로 증착 하 여 형성 된다 . 예 를 들 면 , 하부 층간 절 연막 ( 245 ) 은 PSG , BPSG , USG , SOG , TEOS , PE - TEOS , FOX 또는 HDP - CVD 산화물 과 같 은 실리콘 산화물 을 사용 하 여 형성 될 수 있 다 . 본 발명 의 다른 실시 예 에 따르 면 , 화학 기계 적 연마 공정 및 / 또는 에치 백 공정 을 이용 하 여 하부 층간 절 연막 ( 245 ) 의 상면 을 평탄 화 시킬 수 있 다 .