이어서 , 배리어 메탈 층 ( 306 ) 상 에 식각 정지 층 ( 307 ) 을 형성 한다 . 여기 서 , 식각 정지 층 ( 307 ) 은 텅스텐 과 식각 선택 비 를 갖 는 물질 로 형성 하 되 , TiN ( 티타늄 질화 막 ) 으로 형성 할 수 있 다 . 이때 , TiN 은 물리 적 기상 증착 법 ( Physical Vapor Depositon , 이하 PVD 라고 한다 ) , 화학 기상 증착 법 ( Chemical Vapor Deposition , 이하 CVD 라고 한다 ) 및 원자 층 증착 법 ( Atomic Layer Deposition , 이하 ALD 라고 한다 ) 의 그룹 중 에서 선택 된 어느 하나 의 증착 방법 으로 TiCl 3 를 소스 가스 로 하 여 형성 할 수 있 다 .