트랜지스터 의 크기 를 줄이 려는 지속 적 인 노력 은 다중 브릿지 ( bridge ) 채널 형 FET ( MBCFET ) 을 개발 해냈 다 . MBCFET 는 사각형 의 단면 을 가진 채널 이 적층 된 구조 를 가진 FET 으로 알려졌 다 . 다중 브릿지 채널 형 FET 는 상기 문제 를 해결 할 수 있 었 으나 , 상기 다중 브릿지 채널 형 FET 는 일반 적 으로 NMOS 및 PMOS 를 동시 에 사용 하 는 CMOS 형 으로 형성 된다 . CMOS 형 트랜지스터 를 식각 할 경우 , 실리콘 산화 막 또는 폴리 실리콘 막 의 식각 을 최소 화 하 면서 , 실리콘 저 매 늄 막 의 식각 속도 를 유지 해야 하 고 , 이러 한 선택 성 이 우수 한 식각 액 에 대한 개발 이 필요 한 실정 이 다 .