드레 인 ( 11 - 1 ) 및 소스 ( 11 - 2 ) 의 외측 단부 는 필드 산화 막 ( 2 ) 에 의해 획정 된다 . 드레 인 ( 11 - 1 ) 의 내측 단부 는 , 제 1 익스텐션 ( 9 - 1 ) 의 외측 단부 및 제 1 포켓 영역 ( 8 - 1 ) 의 외측 단부 와 경계 를 접하 고 있 다 . 소스 ( 11 - 2 ) 의 내측 단부 는 , 제 2 익스텐션 ( 9 - 2 ) 의 외측 단부 및 제 2 포켓 영역 ( 8 - 2 ) 의 외측 단부 와 경계 를 접하 고 있 다 . 전술 한 바 와 같이 , 드레 인 ( 11 - 1 ) 및 소스 ( 11 - 2 ) 의 불순물 농도 는 제 1 및 제 2 익스텐션 ( 9 - 1 , 9 - 2 ) 의 불순물 농도 보다 높 다 . 또한 , 드레 인 ( 11 - 1 ) 및 소스 ( 11 - 2 ) 는 , P 형 불순물 이 도입 된 제 1 및 제 2 포켓 영역 ( 8 - 1 , 8 - 2 ) 의 외측 영역 및 N 형 불순물 이 도입 된 제 1 및 제 2 익스텐션 ( 9 - 1 , 9 - 2 ) 의 외측 영역 에 선택 적 으로 N 형 불순물 을 도입 하 여 형성 하 였 기 때문 에 , 드레 인 ( 11 - 1 ) 및 소스 ( 11 - 2 ) 는 상부 영역 에서 농도 가 높 고 , 하부 영역 에서 농도 가 낮 아 진다 . 그 이온 주입 후 , 레지스 트 패턴 ( 58 ) 을 기지 의 방법 에 의해 제거 한다 .