이상 , 반도체 웨이퍼 를 가공 하 는 것 에 따른 반도체 칩 의 제조 방법 을 실시 형태 에 기초 하 여 설명 하 였 다 . 본 발명 에 관련 된 보호막 형성 제 와 , 반도체 칩 의 제조 방법 은 , 반도체 웨이퍼 표면 에 보호막 을 형성 하 고 , 반도체 웨이퍼 의 보호막 을 구비 하 는 면 에서 스트리트 에 상당 하 는 위치 에 가공 홈 을 형성 하 는 것 을 포함 하 는 방법 이 면 , 다양 한 반도체 칩 의 제조 방법 에 대해서 적용 할 수 있 다 .