상기 제 2 보조 층 ( 59 ) 은 상기 제 2 자성 층 ( 55 ) 상 을 덮 을 수 있 다 . 상기 제 2 보조 층 ( 59 ) 의 일면 은 상기 제 2 자성 층 ( 55 ) 에 직접 적 으로 접촉 될 수 있 다 . 상기 제 2 보조 층 ( 59 ) 은 전극 층 , 씨드 ( seed ) 층 , 스 페이서 ( spacer ) 층 , 자기 보정 층 , 시프트 캔 슬링 층 ( shift cancelling layer ; SCL ) , 식각 정지 층 , 캐 핑 층 ( capping layer ) , 또는 이 들 의 조합 을 포함 할 수 있 다 . 상기 제 2 보조 층 ( 59 ) 은 상기 제 1 보조 층 ( 51 ) 과 다른 층 을 포함 할 수 있 다 . 일 실시 예 에서 , 상기 제 2 보조 층 ( 59 ) 은 상기 시프트 캔 슬링 층 ( SCL ) 및 상기 시프트 캔 슬링 층 ( SCL ) 상 에 형성 된 상기 캐 핑 층 ( capping layer ) 을 포함 할 수 있 다 . 상기 시프트 캔 슬링 층 ( SCL ) 은 상기 고정 층 에 의해 생성 되 는 표류 자계 의 영향 을 상쇄 또는 감소 하 기 위하 여 상기 고정 층 과 반대 되 는 자화 방향 을 가질 수 있 다 . 상기 시프트 캔 슬링 층 ( SCL ) 은 상기 고정 층 에 의해 생성 되 는 표류 자계 의 영향 으로 상기 자유 층 에 편향 자기장 이 발생 하 는 것 을 완화 시키 는 역할 을 할 수 있 다 . 상기 시프트 캔 슬링 층 ( SCL ) 은 CoPt , CoPd , FePt , FePd , 또는 이 들 의 조합 을 포함 할 수 있 다 . 일 실시 예 에서 , 상기 시프트 캔 슬링 층 ( SCL ) 은 CoPt 층 을 포함 할 수 있 다 . 상기 캐 핑 층 ( capping layer ) 은 Ru 과 같 은 금속 층 을 포함 할 수 있 다 .