도 3 d 에 도시 된 바 와 같이 , 게이트 패턴 ( 33 ) 의 측벽 에 측벽 보호막 ( 37 ) 을 형성 한다 . 여기 서 , 측벽 보호막 ( 37 ) 은 분리 보호막 ( 34 A ) 을 포함 하 는 결과물 의 전면 에 절 연막 을 형성 하 고 에치 백 ( Etch Back ) 을 실시 하 여 게이트 패턴 ( 33 ) 의 측벽 에 잔류 시켜서 형성 할 수 있 는데 이때 , 절연 막 은 SiO 2 , Si 3 N 4 , SiBN 및 SiON 의 그룹 중 에서 선택 된 어느 하나 일 수 있 다 .