도 12 a 및 12 b 에 도시 하 는 박막 트랜지스터 , 게이트 전극 ( 51 ) 및 드레 인 영역 ( 72 D ) , 및 도너 가 되 는 불순물 원소 를 포함 하 는 미결정 반도체 막 ( 58 ) 및 드레 인 영역 ( 72 D ) 이 중첩 되 어 있 기 때문 에 , 온 전류 가 높 고 , 전계 효과 이동도 가 높 은 박막 트랜지스터 로 할 수 있 다 .