패턴 설계 치수 80 nm 의 1 : 1 라인 앤드 스페이스 가 9 개 배열 된 패턴 을 갖 는 마스크 를 사용 하 여 , 상기 절차 로 노광 을 행하 였 다 . 노광량 을 0 . 5 mJ / cm 2 씩 늘려서 9 개 배열 된 패턴 중 4 개 가 붕괴 되 었 을 때 , 나머지 5 개 의 선폭 의 평균값 을 붕괴 치수 로 하 였 다 . 붕괴 치수 가 짧 을수록 , " 패턴 붕괴 가 보다 억제 되 어 있 는 것 으로 평가 된다 . 레지스 트 패턴 의 길 이 측정 에 는 주사 형 전자 현미경 ( 상품명 "" S 9380 """, 히다치 하이테크 놀 로 지사 제조 ) 을 사용 하 였 다 .