본 발명 의 반도체 소자 구조 ( 100 ) 는 유리 하 게 는 3 D 시스템 ( 예 를 들 어 , 3 D IC , 3 D 패키지 ) 을 구조 화 하 는 데 사용 될 수 있 다 . 3 D 시스템 에서 는 주로 평면 기술 로 제조 되 는 여러 소자 구조 가 서로 위 에 수직 으로 배열 된다 . 본 발명 의 반도체 소자 구조 ( 100 ) 는 이러 한 소자 구조 중 하나 를 나타낼 수 있 으며 , 여기 서 추가 적 인 분리 된 소자 구조 는 반도체 소자 구조 ( 100 ) 위 에 , 즉 각각 기판 ( 10 ) 의 제 1 기판 측면 ( 1 ) 및 제 1 주 표면 ( 11 ) 에 대향 하 여 수직 으로 배열 되 고 / 되 거나 반도체 소자 구조 ( 100 ) 아래 에 , 즉 각각 기판 ( 10 ) 의 제 2 기판 측면 및 제 2 주 표면 ( 12 ) 에 대향 하 여 수직 으로 추가 적 인 별개 의 소자 구조 가 배열 될 것 이 다 . 따라서 , 서로 의 상부 에 수직 으로 배열 된 여러 소자 구조 를 갖 는 3 D 시스템 이 형성 될 수 있 으며 , 여기 서 개별 소자 구조 는 수직 비아 ( 13 ) 에 의해 전기 적 으로 그리고 가능 하 면 기계 적 으로 서로 연결 될 수 있 다 .