게이트 전극 ( 120 ) 의 양 측 의 핀 형 활성 영역 ( FA ) 에 는 소스 / 드레 인 영역 ( 170 ) 이 배치 될 수 있 다 . 소스 / 드레 인 영역 ( 170 ) 은 도핑 된 SiGe 막 , 도핑 된 Ge 막 , 도핑 된 SiC 막 , 또는 도핑 된 InGaAs 막 으로 이루어질 수 있 으나 , 이 에 한정 되 는 것 은 아니 다 . 게이트 전극 ( 120 ) 양 측 의 핀 형 활성 영역 ( FA ) 일부분 을 제거 하 여 리세 스 ( 170 R ) 를 형성 하 고 , 에피택시 공정 에 의해 리세 스 ( 170 R ) 내부 를 채우 는 반도체 층 을 성장 시킴 에 의해 소스 / 드레 인 영역 ( 170 ) 이 형성 될 수 있 다 .