현재 , 가장 흔히 사용 되 는 AlGaN 계 자외선 LED 의 구조 는 도 1 에 도시 된 바 와 같이 , 기판 으로부터 윗 방향 을 향해 , 순차 적 으로 적층 설치 된 완충 층 , 비 도핑 AlN 층 , 비 도핑 AltGa 1 - tN 층 , N 형 AlwGa 1 - wN 층 , AlxGa 1 - xN / AlyGa 1 - yN 다중 양자 우물 층 , P 형 AlzGa 1 - zN 전자 차단 층 및 정공 주입 층 을 포함 한다 . 여기 서 , 정공 주입 층 은 대부분 P 형 GaN 층 이 지만 , P 형 GaN 층 은 자외선 에 대한 흡수 가 심각 하 여 , 자외선 의 추출 에 있 어서 제약 이 존재 한다 .