보호막 은 단차 피복성 ( step coverage ) 이 양호 한 성막 방법 을 이용 하 여 형성 되 는 것 이 바람직 하 다 . 이러 한 방법 중 하나 에 원자 층 퇴적 ( ALD : Atomic Layer Deposition ) 법 이 있 다 . ALD 법 을 사용 하 여 형성 할 수 있 는 재료 를 보호막 에 사용 하 는 것 이 바람직 하 다 . ALD 법 을 사용 함 으로써 , 크랙 이나 핀홀 등 의 결함 이 저감 되 거나 두께 가 균일 한 , 치밀 한 보호막 을 형성 할 수 있 다 . 또한 보호막 의 형성 시 에 가공 부재 에 가해 지 는 손상 을 저감 할 수 있 다 .