본 발명 에 따른 방사선 방출 컴포넌트 의 한 가지 추가 실시 예 에 따르 면 , 변환 소자 는 리세 스 의 개구 내부 에 배치 되 어 있 다 . 이때 상기 변환 소자 는 예 를 들 어 평평 하 거나 또는 구부러진 층 으로서 형성 될 수 있 다 . 이 경우 상기 변환 소자 는 10 내지 2 , 000 ㎛ 의 평균 층 두께 를 가질 수 있 다 . 상기 층 두께 는 50 내지 1 , 000 ㎛, 특히 50 내지 500 ㎛ 에 달할 수 있 다 .