이러 한 층 들 각각 에 대한 추가 예 가 이용 가능 하 다 . 예 를 들 면 , 가요 성 및 투명 성 기판 - 애노드 조합 이 본원 에 전문 이 참고 인용 된 미국 특허 번호 제 5 , 844 , 363 호 에 개시 된다 . p - 도핑 된 정공 수송 층 의 예 로 는 , 전문 이 본원 에 참 고 인용 된 미국 특허 출원 번호 제 2003 / 0230980 호 에 개시 된 바 와 같이 , 50 : 1 의 몰 비 에서 F . sub . 4 - TCNQ 로 도핑 된 m - MTDATA 가 있 다 . 방출 성 및 호스트 물질 의 예 는 전문 이 본원 에 참 고 인용 된 Thompson 등 에 의한 미국 특허 번호 제 6 , 303 , 238 호 에 개시 된 바 와 같 다 . n - 도핑 된 전자 수송 층 의 예 로 는 , 전문 이 본원 에 참 고 인용 된 미국 특허 출원 공개 번호 제 2003 / 0230980 호 에 개시 된 바 와 같이 , 1 : 1 의 몰 비 에서 Li 로 도핑 된 BPhen 이 있 다 . 전문 이 본원 에 참 고 인용 된 미국 특허 번호 제 5 , 703 , 436 호 및 제 5 , 707 , 745 호 는 상부 면 투명 성 의 전기 전도성 스퍼터 - 증착 된 ITO 층 으로 Mg : Ag 와 같 은 금속 의 얇 은 층 을 갖 는 화합물 캐소드 를 포함 하 는 캐소드 의 예 가 개시 된다 . 차단 층 의 이론 및 용도 는 전문 이 본원 에 참 고 인용 되 는 미국 특허 번호 제 6 , 097 , 147 호 및 미국 특허 출원 공개 번호 제 2003 / 0230980 호 에 더욱 상세 하 게 기술 된다 . 주입 층 의 예 는 전문 이 본원 에 참 고 인용 되 는 미국 특허 출원 공개 번호 제 2004 / 0174116 호 에 제공 된다 . 보호 층 의 설명 은 전문 이 본원 에 참 고 인용 되 는 미국 특허 출원 공개 번호 제 2004 / 0174116 호 에서 찾 을 수 있 다 .