예 를 들 어 , 도 3 의 제 3 트랜지스터 ( T 3 ) 를 도 4 및 도 5 의 실시 예 에 의한 스위칭 트랜지스터 ( Ts ) 로 형성 할 경우 , 오프 상태 에서 의 제 3 트랜지스터 ( T 3 ) 의 누설 전류 를 획기적으로 낮출 수 있 다 . 실시 예 에 따라 , 전원 등 에 직접 적 으로 연결 되 지 않 는 제 3 트랜지스터 ( T 3 ) 는 , 화소 ( PXL ) 의 다른 스위칭 트랜지스터 들 에 비해 화소 영역 의 중앙 영역 에 보다 가깝 게 배치 될 수 있 다 . 따라서 , 제 3 트랜지스터 ( T 3 ) 에 대해서 는 , 에이징 이 제대로 실시 되 지 않 을 가능 성 이 상대 적 으로 높 아 진다 . 이 경우 , 제 3 트랜지스터 ( T 3 ) 의 누설 전류 특성 이 악화 될 수 도 있 으나 , 본 발명 의 실시 예 에서 와 같 은 광폭 밴드 - 갭 영역 을 포함 하 도록 제 3 트랜지스터 ( T 3 ) 를 형성 할 경우 , 제 3 트랜지스터 ( T 3 ) 의 누설 전류 특성 을 향상 시킬 수 있 다 . 이 에 따라 , 제 1 노드 ( N 1 ) 의 전압 을 안정 화 하 여 화소 ( PXL ) 의 계조 표현 력 을 향상 시킬 수 있 다 .