즉 , 기판 ( 500 ) 상 에 본 발명 의 실시 예 에 완성 된 마스크 를 이용 하 여 더미 패턴 ( 100 ) 과 제 1 메인 패턴 ( 212 , 222 ) , 제 2 메인 패턴 ( 110 ) 을 형성 할 수 있 다 . 이때 , 본 발명 의 실시 예 에 완성 된 마스크 를 이용 하 여 더미 패턴 ( 100 ) 과 제 1 메인 패턴 ( 212 , 222 ) , 제 2 메인 패턴 ( 110 ) 을 동시 에 형성 함 으로써 설계 의 간략 화 , 설계 공정 의 데이터 부담 의 감축 , 반도체 제조 공정 의 신속 , 정확 성 을 높일 수 있 다 .