즉 , 도 4 내지 도 10 을 참조 로 설명 한 공정 을 수행 한 후 , 제 2 절 연막 패턴 ( 124 ) 을 형성 하 기 위한 증착 공정 에서 개구부 ( 120 ) 와 연통 하 는 에어 터널 부위 는 절연 물질 로 채우 고 , 상기 콘트롤 게이트 전극 ( 118 a ) 사이 에 는 제 2 에어 갭 ( 124 a ) 이 생성 되 도록 한다 . 이 로써 , 도 19 a 에 도시 된 비휘발성 메모리 소자 를 형성 할 수 있 다 .