서로 이격 된 제 1 오 목부 및 상기 제 1 오 목부 와 단차 를 가지 는 제 2 오 목부 를 구비 하 는 베이스 부재 ; 상기 베이스 부재 의 제 1 오 목부 에 각각 형성 된 소오 스 / 드레 인 전극 ; 상기 소오 스 / 드레 인 전극 상 의 제 2 오 목부 에 형성 된 반도체 층 ; 상기 반도체 층 상 에 형성 되 고 , 상기 소오 스 / 드레 인 전극 사이 에 배열 되 는 제 3 오 목부 를 구비 하 는 게이트 절 연막 ; 및 상기 게이트 절 연막 의 제 3 오 목부 에 형성 된 게이트 전극 을 포함 하 는 것 을 특징 으로 하 는 박박 트랜지스터 를 제공 한다 .