본 발명자 들 은 상기 문제점 을 해결 하 기 위하 여 다양 한 연구 를 거듭 하 였 고 , 지지 기판 용 웨이퍼 와 액티브 층 용 웨이퍼 를 절 연막 없이 집 적 접합 하 여 형성 된 접합 웨이퍼 에 있 어서 , 접합 웨이퍼 의 액티브 층 표면 으로부터 자연 산화물 이 제거 된 후 , 웨이퍼 를 구성 하 는 재료 에 대한 식각 속도 가 상기 재료 의 산화물 에 대한 식각 속도 보다 더 빠른 식각 액 을 이용 한 식각 에 의해 적어도 액티브 층 의 전부 가 제거 됨 으로써 , 웨이퍼 를 구성 하 는 재료 가 먼저 제거 되 어 섬 형상 의 산화물 의 윤곽 을 선명 하 게 하 여 , 섬 형상 의 산화물 의 존재 또는 부재 를 검출 하 는 것 이 가능 하 며 , 또한 그 표면 상 에 노출 된 섬 형상 의 산화물 이 과도 한 식각 에 의해 최소 화 되 기 전 에 소정 의 레벨 까지 식각 깊이 를 조절 하 여 섬 형상 의 산화물 의 개수 및 크기 가 정확 하 게 검출 될 수 있 으며 , 그 결과 본 발명 이 달성 될 수 있 다는 것 을 알아내 었 다 .