본 발명 의 다른 형태 에 따른 수직 구조 의 비휘발성 메모리 소자 가 제공 된다 . 상기 수직 구조 의 비휘발성 메모리 소자 는 , 기판 상 으로 수직 신장 하 는 반도체 영역 ; 상기 반도체 영역 의 측벽 을 따라서 상기 기판 상 으로 수직 신장 하 고 , 복수 의 메모리 셀 들 및 상기 복수 의 메모리 셀 들 의 일 측 에 서로 인접 하 게 배치 된 적어도 한 쌍 의 제 1 선택 트랜지스터 들 을 포함 하 는 메모리 셀 스트링 ; 상기 메모리 셀 스트링 의 상기 복수 의 메모리 셀 들 에 결합 된 복수 의 워드 라인 들 ; 상기 메모리 셀 스트링 의 상기 적어도 한 쌍 의 제 1 선택 트랜지스터 들 의 게이트 전극 에 연결 되 는 연결 전극 에 의해 공통 으로 결합 되 는 제 1 선택 라인 을 포함 한다 .