전술 한 바 와 같이 , 도 3 의 메모리 셀 들 ( 105 - b ) 은 가변 저항 을 갖 는 재료 를 포함 할 수 있 다 . 가변 저항 재료 는 예 를 들 어 , 금속 산화물 , 칼 코 게나 이드 등 을 포함 하 는 다양 한 재료 계 를 지칭 할 수 있 다 . 칼 코 게나 이드 재료 는 원소 들 황 ( S ) , 텔루륨 ( Te ) 또는 Se 중 적어도 하나 를 포함 하 는 재료 또는 합금 이 다 . 많 은 칼 코 게나 이드 합금 이 가능 하 고 - 예 를 들 어 , 게르마늄 - 안티모니 ( Sb ) - 텔루륨 합금 ( Ge - Sb - Te ) 은 칼 코 게나 이드 재료 이 다 . 명시 적 으로 열거 되 지 않 은 다른 칼 코 게나 이드 합금 이 또한 사용 될 수 있 다 .