상기 의 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 일 측면 에 따르 면 , 기판 상 에 복수 의 게이트 패턴 을 형성 하 는 단계 , 상기 게이트 패턴 의 상부 를 덮 는 제 1 보호막 패턴 을 형성 하 는 단계 , 상기 제 1 보호막 패턴 을 덮 는 제 2 보호막 패턴 을 형성 하 는 단계 , 상기 제 2 보호막 패턴 을 포함 한 기판 상 에 상기 게이트 패턴 사이 를 채우 는 전 도막 을 형성 하 는 단계 및 상기 전 도막 을 연마 하 여 상기 게이트 패턴 사이 에서 서로 분리 되 는 콘 택 플러그 를 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 반도체 소자 제조 방법 을 제공 한다 .