십 자형 절 단선 형성 단계 에서 는 , 상기 웨이퍼 의 활성 면 에 포토레지스트 를 도포 하 는 과정 과 , 노광 작업 을 통해 칩 단위 영역 들 의 사각 모서리 가 인접 하 는 지점 마다 십 자형 절 단선 패턴 으로 웨이퍼 를 노출 시키 는 과정 과 , 습식 식각 공정 으로 십자 형 절 단선 패턴 을 에칭 하 여 상기 십 자형 절 단선 을 형성 하 는 과정 이 수행 되 는 것 이 바람직 하 다 .