이 와 같이 , 상기 반도체 웨이퍼 ( 10 ) 상 에 금속 불순물 ( 12 ) 을 포함 하 는 유기 실리카 용액 ( 14 a ) 을 도포 시킨 후 , 상기 반도체 웨이퍼 ( 10 ) 를 열처리 한다 . 그러면 , 도 1 b 에 도시 된 바 와 같이 , 상기 반도체 웨이퍼 ( 10 ) 상 에 는 금속 불순물 ( 12 ) 을 포함 하 는 산화 막 ( 14 ) 이 형성 된다 . 즉 , 상기 열처리 를 수행 함 으로써 반도체 웨이퍼 ( 10 ) 상 에 도포 시킨 유기 실리카 용액 ( 14 a ) 을 상기 산화 막 ( 14 ) 으로 변환 시키 는 것 이 다 .