도 3 은 본 발명 에 따른 HVPE 법 을 이용 하 여 나노 구 조체 를 제조 하 기 위한 장치 의 한 실시 예 를 나타낸 것 으로 , 반응 로 ( 200 ) 에 할리드 가스 ( Halide gas ) 와 같 은 불활성 가스 가 주입 되 는 제 1 가스 주 입관 ( 210 ) 과 , NH 3 등 의 V - 족 원소 를 포함 하 는 기체 가 주입 되 는 제 2 가스 주 입관 ( 220 ) 이 형성 되 며 , 상기 제 1 가스 주 입관 ( 210 ) 중간 에 는 Ga 등 의 Ⅲ - 족 를 담 기 위한 용기 ( 230 ) 와 , 상기 제 1 가스 주 입관 ( 210 ) 과 제 2 가스 주 입관 ( 220 ) 이 형성 된 반응 로 내부 로 에칭 가스 를 주입 하 기 위한 에칭 가스 주 입관 ( 280 ) 이 설치 된다 . 또한 , 상기 반응 로 ( 200 ) 내부 에 는 기판 홀더 ( 240 ) 상부 에 사파이어 등 의 기판 ( 270 ) 을 안치 하 며 , 에칭 가스 주 입관 일단 에 는 유량 조절 수단 을 구비 하 여 간단 한 조작 에 의해 주입 되 는 에칭 가스 의 유량 을 조절 할 수 있 도록 한다 .