상기 n 형 및 p 형 질화물 반도체 층 ( 32 , 37 ) 은 AlxInyGa ( 1 - x - y ) N 조성식 ( 여기 서 , 0 ≤ x ≤ 1 , 0 ≤ y ≤ 1 , 0 ≤ x + y ≤ 1 임 ) 을 갖 는 n 형 불순물 및 p 형 불순물 이 도핑 된 반도체 물질 로 이루어질 수 있 으며 , 대표 적 으로 , GaN , AlGaN , InGaN 이 있 다 . 또한 , 상 기 n 형 불순물 로 Si , Ge , Se , Te 또는 C 등 이 사용 될 수 있 으며 , 상기 p 형 불순물 로 는 Mg , Zn 또는 Be 등 이 대표 적 이 다 .