스위치 트랜지스터 ( 202 _ 1 ) 내지 ( 202 _ n ) 가 오프 인 경우 , 해당 노드 FN 1 내지 FNn 은 절연체 내 에 매설 된 것 으로 간주 할 수 있 고 , 노드 FN 1 내지 FNn 에 는 전위 가 유지 된다 . 산화물 반도체 층 을 사용 한 스위치 트랜지스터 ( 202 _ 1 ) 내지 ( 202 _ n ) 의 오프 전류 는 실리콘 반도체 등 으로 형성 되 는 트랜지스터 의 10 만 분 의 1 이하 ( 예 를 들 어 실온 ( 25 ℃) 에서 의 오프 전류 가 10 zA ( 1 zA ( 젭토 암페어 ) 는 1 × 10 - 21 A ) 이하 ) 이 기 때문 에 , 스위치 트랜지스터 ( 202 _ 1 ) 내지 ( 202 _ n ) 의 누설 에 의한 , 노드 FN 1 내지 FNn 에 유지 된 전위 의 저하 를 거의 무시 할 수 있 다 . 즉 , 산화물 반도체 층 을 사용 한 스위치 트랜지스터 ( 202 _ 1 ) 내지 ( 202 _ n ) 에 의해 장기간 에 걸쳐 전위 를 유지 하 는 것 이 가능 하 다 .