도 2 에 도시 된 바 와 같이 , 본 발명 의 실시 예 에 따른 광전 소자 ( 100 ) 는 , 일면 이 요철 형태 로 패턴 되 고 투과성 을 갖 는 기판 ( 110 ) , 기판 ( 110 ) 의 다른 일면 에 투과성 과 도전 성 을 갖 도록 형성 되 는 제 1 전극 ( 120 ) , 제 1 전극 ( 120 ) 상 에 복수 의 반도체 층 으로 형성 되 고 , 기판 ( 110 ) 및 제 1 전극 ( 120 ) 을 투과 한 광 에너지 를 흡수 하 면 , 내부 에 전자 - 정공 쌍 이 생성 되 고 , 생성 된 전자 - 정공 쌍 에 의해 내부 에 기전력 이 발생 되 는 광전 층 ( 130 ) , 광전 층 ( 130 ) 상 에 도전 성 을 갖 도록 형성 되 는 제 2 전극 및 기판 ( 110 ) 의 일면 에 형성 되 는 반사 방지 막 ( 150 ) 을 포함 하 여 이루어진다 . 여기 서 , " "" 상부 "" 또는 ""~ 상 에 "" 는 도 2 에서 하측 면 으로 도시 된다 . "