미국 특허 제 5 , 976 , 420 호 에 는 칩 형 다층 배리스터 가 개시 되 어 있 는데 , 이 배리스터 는 낮 은 용량 과 높 은 비 선형 계수 를 가지 며 , SiO 2 , Bi 2 O 3 , PbO , B 2 O 3 및 ZnO 중 에서 선택 된 적어도 두 개 의 산화물 을 0 . 1 내지 20 mol % 의 양 으로 함유 하 고 있 는 SiC 로 주로 이루어지 고 , 톨루엔 및 결합제 로 결합 되 고 볼밀 을 사용 하 여 혼합 시킴 으로써 슬러리 를 얻 고 , 그 후 에 이 슬러리 는 닥터 블레이드 공정 ( doctor blade process ) 을 이용 함 으로써 세라믹 그린 시트 ( ceramic green sheet ) 가 된다 . 이 그린 시트 의 표면 에 페이스트 가 인쇄 되 고 그 위 에 내부 전극 이 형성 된다 . 소정 개수 의 세라믹 그린 시트 가 적층 되 어 층 으로 된 본체 를 형성 한다 . 상기 층 으로 된 본체 는 일정 한 압력 으로 가압 함 으로써 접착 된다 . 그 압착 된 그린 본체 는 작 은 크기 의 칩 으로 절단 된다 . 이 그린 칩 을 700 내지 1 , 100 ℃ 범위 의 온도 에서 베이 킹 ( baking ) 하 여 정전 쇼크 에 내성 을 가지 며 , 서지 ( surge ) 전압 억제 능력 과 10 내지 20 의 높 은 비 선형 계수 를 가지 는 세라믹 다층 칩 형 배리스터 를 완성 한다 . 이 칩 은 용량 이 매우 높 지 는 않 지만 3 pF 보다 훨씬 큰 10 내지 40 pF 범위 의 용량 을 가지 며 , 이 에 따라 고주파 수용 회로 에 는 사용 하 기 가 적합 하 지 않 다 .