그러나 , 희생 기판 위 에 화합물 반도체 층 을 형성 하 고 , 그 위 에 금속 반사 층 , 접착 층 , 도전 성 기판 을 형성 하 기 전 에 화합물 반도체 층 에 대한 트렌치 에칭 이 수행 되 면 , 트렌치 에칭 을 통해 화합물 반도체 층 에 금속 반사 층 이 형성 될 때 평탄 하 지 않 은 표면 때문 에 금속 반사 층 과 의 접합 이 원할하 지 않 아 발광 다이오드 의 발광 효율 이 저하 되 는 문제점 이 있 다 .