먼저 , 도 3 을 참조 하 여 상술 한 바 와 같이 , 제 1 기판 ( ST 1 ) 상 에 버퍼 층 ( 111 ) 및 게이트 절연 층 ( 112 ) 이 형성 된 후 , 게이트 절연 층 ( 112 ) 상 에 게이트 전극 ( GE ) 이 형성 되 므로 , 복수 의 검사 기판 ( ST 5 ) 상 에 도 버퍼 층 ( 111 ) 및 게이트 절연 층 ( 112 ) 이 형성 된 후 , 게이트 절연 층 ( 112 ) 상 에 게이트 전극 ( GE ) 과 동일 한 물질 로 이루어진 검사 패턴 ( 161 ) 이 형성 될 수 있 다 . 이때 , 제 1 추가 연결 배선 ( 762 a ) 은 검사 패턴 ( 161 ) 과 동일 한 물질 및 동일 한 공정 으로 형성 될 수 있 으므로 , 제 1 추가 연결 배선 ( 762 a ) 은 검사 패턴 ( 161 ) 과 일체 로 이루어져 제 1 추가 연결 기판 ( ST 6 a ) 상 에 형성 될 수 있 다 .