후속 공정 으로 상기 저장 전극 콘 택 홀 영역 ( 53 ) 을 매립 하 는 저장 전극 콘 택 플러그 ( 미 도시 ) 를 형성 하 고 전체 표면 상부 에 식각 장벽층 ( 미 도시 ) 및 저장 전극 용 희생 산화 막 ( 미 도시 ) 을 형성 한 다음 , 저장 전극 마스크 ( 도 1 의 ' 120 ') 를 이용 한 사진 식각 공정 으로 저장 전극 콘 택 플러그 를 노출 시키 는 저장 전극 영역 ( 미 도시 ) 을 형성 하 고 , 저장 전극 영역 표면 에 저장 전극 ( 미 도시 ) 을 형성 한다 .