피 가 공체 로서 , 두께 625 ㎛ 실리콘 미러 웨이퍼 ( 6 인치 ) 를 사용 하 고 , 여기 에 위 에서 얻 어 진 가보 호용 수지 필름 ( 두께 200 ㎛) 을 40 ℃ 에서 롤 라미 네이트 에 의해 접착 함 으로써 , 가 보호용 수지 필름 을 장비 한 실리콘 미러 웨이퍼 를 얻 었 다 . UV - 330 HQP - 2 형 노광기 ( 제 품명 , 가부 시 키가 이샤 오크 세이사쿠 쇼 제조 ) 를 이용 하 여 , 노광량 을 500 mJ / ㎠ 로 하 여 가 보호용 수지 필름 에 UV 조사 를 가 보호용 수지 필름 측 에서 행했 다 . 그리고 , 가 보호용 수지 필름 으로부터 기재 PET 필름 을 박리 제거 하 여 다 이싱 테이프 UC - 353 EP - 110 ( 제 품명 , 후루카와 덴키 고교 가부 시 키가 이샤 제조 ) 에 접착 하 고 , 풀 오토매틱 다 이싱 소 DFD - 6361 ( 제 품명 , 가부 시 키가 이샤 디스코 제조 ) 을 이용 하 여 다 이싱 을 행하 여 , 칩 을 얻 었 다 . 칩 사이즈 는 10 mm× 10 mm ( 또는 5 mm× 5 mm ) 로 했 다 . 또 , 블레이드 에 는 ZH 05 - SD 4000 - N 1 - 70 - BB ( 제 품명 , 가부 시 키가 이샤 디스코 제조 ) 를 이용 하 고 , 조건 을 블레이드 높이 90 ㎛, 블레이드 회전수 40000 rpm , 다 이싱 속도 55 mm / sec 로 했 다 . 또한 , 컷 트 방법 은 싱글 컷 트 로 했 다 .