노어 형 플래시 메모리 소자 의 공통 소스 라인 형성 방법 이 개시 된다 . 본 방법 은 , 반도체 기판 위 에 형성 된 복수 의 스택 게이트 패턴 들 위 에 공통 소스 영역 을 노출 시키 는 포토레지스트 패턴 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 포토레지스트 패턴 을 마스크 로 이용 하 여 상기 공통 소스 영역 에 미리 형성 된 필드 산화 막 을 선택 적 으로 제거 하 는 단계 와 , 상기 복수 의 스택 게이트 패턴 들 각각 의 측벽 에 비정질 층 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 공통 소스 영역 에 도 펀트 를 이온 주입 하 여 공통 소스 라인 을 형성 하 는 단계 를 포함 한다 .