다른 하나 의 실시 예 에서 , 본 발명 은 , 빛 을 전기 적 신호 로 변환 시키 는 광학 적 액티브 영역 을 갖 는 반도체 다이 를 제공 하 는 단계 , 상기 반도체 다 이 주위 에 확장 영역 을 형성 하 는 단계 , 상기 확장 영역 에 관통 홀 비어 ( THV ) 를 형성 하 는 단계 , 상기 THV 에 도전 재료 를 융 착시 키는 단계 , 그리고 상기 반도체 다 이 위 에 패 시베이 션 층 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 반도체 소자 제조 방법 을 제공 한다 . 패 시베이 션 층 은 빛 이 반도체 다이 의 광학 적 액티브 영역 으로 의 통과 하 도록 한다 . 본 방법 은 또한 , THV 와 반도체 다이 의 접촉 패드 사이 에 전기 적 으로 연결 된 제 1 중간 도전 층 을 형성 하 는 단계 , 그리고 상기 제 1 중간 도전 층 위 에 제 1 언더 범프 메 탈라이 제이션 ( UBM ) 을 형성 하 고 그것 과 전기 적 으로 연결 시키 는 단계 를 포함 한다 .