먼저 , 포도 레지스 트 막 ( 도시 되 지 않 음 ) 을 상기 반도체 물질 층 ( 140 ) 및 상기 화소 전극 ( 152 ) 상 에 도포 한다 . 이어서 , 상기 제 1 마스크 ( M 1 ) 를 마스크 로 이용 하 여 상기 포토레지스트 막 을 식각 함 으로써 , 반도체 물질 층 ( 140 ) 및 화소 전극 ( 152 ) 상 에 상기 패턴 화 된 포토레지스트 막 ( 172 ) 을 형성 한다 .