한편 , 확산 방지 막 ( 108 ) 을 CVD ( Chemical Vapor Deposition ) 공정 으로 형성 하 는 경우 , CVD 공정 으로 확산 방지 막 용 절 연막 을 증착 한 후 , 전면 식각 공정 , 예컨대 에치 백 공정 을 실시 하 여 트렌치 ( 107 ) 의 내 측벽 중 일부 가 노출 되 도록 절 연막 을 후퇴 ( recess ) 시켜 형성 한다 . 또한 , 산화 공정 으로 형성 하 는 경우 에 도 별도 의 식각 공정 을 실시 하 여 트렌치 ( 107 ) 의 내 측벽 중 적어도 일부 가 노출 되 도록 후퇴 시켜 형성 한 다 .