상기 단계 이후 , 패 시베이 션 층 ( 40 ) 은 절연 층 ( 32 ) , 전도 층 ( 34 ) , 저항 층 ( 36 ) 및 유전 층 ( 38 ) 상 에 융 착 된다 . 패 시베이 션 층 ( 40 ) 은 다양 한 개구 의 형성 하 기 위해 패턴 화 될 수 있 으며 이 로써 하나 또는 그 이상 의 웨이퍼 ( 28 ) 의 하단 층 을 노출 하 게 된다 . 도 2 a 에서 도시 한 바 와 같이 , 패 시베이 션 층 ( 40 ) 은 전도 층 ( 34 ) 와 유전 층 ( 38 ) 의 일부 를 노출 하 기 위해 패턴 화 되 고 에칭 된다 . 패 시베이 션 층 ( 40 ) 은 폴리 이미드 ( polyimide ) , 벤조 싸이클 로 부틴 ( benzocyclobutene , BCB ) , 폴리 벤 족 사졸 스 , ( polybenzoxazoles , PBO ) , 에폭시 - 기초 ( epoxy based ) 절연 폴리머 및 다른 절연 폴리 며 재료 와 같 은 적합 한 절연 물질 로 제조 될 수 있 다 . 추후 의 모든 패 시베이 션 층 과 같이 패 시베이 션 층 ( 40 ) 은 웨이퍼 ( 28 ) 의 층간 에 물리 적 인 지지 와 전기 적 절연 을 제공 한다 .