대한민국 공개 특허 제 2005 - 13841 호 는 , 실리콘 옥사이드 ( SiOx ) , 특히 SiO 2 , SiO , SiZO ( e . g . SnSiO 3 , MnSiO 3 , FeSiO 3 , Li 2 TiSiO 3 , LiSiON ) 등 을 상기 실리콘 산화물 보다 산화물 형성 엔탈피 ( DHfor ) 값 의 절대 치가 크 고 음 의 산화물 형성 엔탈피 값 을 가지 는 물질 들 , 특히 금속 인 Al , Fe , Li , Mn , Ni , Co , Sn 등 과 미케 노 케미 칼 공정 또는 열화학 적 반응 을 통하 게 함 으로써 비가역 적 반응 을 일으키 는 산소 가 이 들 금속 과 반응 하 여 MyOx 를 형성 하 고 이 들 은 환원 된 Si 입자 주위 를 포위 하 는 형상 을 가진 물질 을 제조 하 여 이 를 음극 재료 로 응용 하 는 것 에 관한 것 이 다 .