도 5 는 본 발명 의 제 4 실시 예 에 따른 수직 형 질화물 반도체 발광 소자 의 전극 패턴 을 도시 한 예 시도 로서 , 전극 패턴 은 선택 적 으로 수직 형 질화물 반도체 발광 소자 의 p 형 질화물 층 ( 도시 하 지 않 음 ) 의 상부 면 에 형성 된 p 측 전극 패턴 또는 n 형 질화물 층 의 상부 면 에 형성 된 n 측 전극 패턴 을 도시 하 여 설명 한다 .