이러 한 본 발명 의 또 다른 실시 예 에 따른 비휘발성 디램 소자 의 제조 방법 은 도 6 의 ( a ) 내지 ( f ) 의 제조 방법 과 유사 하 다 . 차이점 은 부유 바디 셀 ( 702 ) 의 두께 가 채널 의 최대 공핍 폭 보다 얇 은 FD SOI 구조 를 형성 한다는 점 , 전자 저장 구조 인 터널 링 절 연막 ( 705 ) 을 비롯 한 부유 게이트 ( 706 ) 및 제 어 절 연막 ( 707 ) 을 부유 바디 셀 ( 702 ) 의 일 측 부 에 형성 한다는 점 및 백 게이트 ( 708 b ) 를 부유 바디 셀 ( 702 ) 의 타 측 부 에 형성 한다는 점 이 다 . 여기 서 , 도시 되 지 않 았 지만 단위 셀 은 STI ( Shallow Trench Isolation ) 로 둘러싸 서 인접 한 셀 과 절연 ( Isolation ) 시킨다 .