도 49 a , 49 b , 49 c 및 49 d 는 예시 적 인 반도체 디바이스 ( 400 ) 를 제조 하 기 위한 예시 적 인 방법 의 투시도 , 단면도 , 상면 도 및 확대 단면도 를 도시 한다 . 도 49 a 및 49 b 에 도시 된 예 에서 , 감광성 필름 ( 117 ) 이 인 캡슐 란트 ( 115 ) 및 / 또는 전자 컴 포 넨 트 ( 120 ) 의 상면 으로부터 제거 될 수 있 다 . 서브 스트레이트 인터 커넥트 ( 112 ) 의 상면 은 전자 컴 포 넨 트 ( 120 ) 의 상면 및 인 캡슐 란트 ( 115 ) 의 상면 과 대체로 동일 평면 을 이룰 수 있 다 . 일부 예 들 에서 , 서브 스트레이트 인터 커넥트 ( 112 ) 의 상면 이 인 캡슐 란트 ( 115 ) 의 상면 을 통해 노출 될 수 있 다 . 더욱이 , 오프닝 ( 119 ) 및 그 내측 의 임시 접착 층 ( 102 ) 이 인 캡슐 란트 ( 115 ) 를 통해 외부 로 노출 될 수 있 다 .