구체 적 으로 , 알루미늄 과 수소 이온 의 환원 전위차 에 의해 발생 하 는 자발 적 치환 반응 은 전극 표면 에서 수소 를 발생 시키 고 이 는 도금 박막 과 기판 간 의 접착성 을 떨어뜨리 거나 도금 이 이루어지 지 않 게 만든 다 . 이 를 해결 하 기 위해 본 발명 은 자발 적 치환 반응 에 의해 발생 되 는 수소 반응 을 억제 시킬 수 있 는 base layer 를 도금 한다 . 즉 , 낮 은 온도 에서 이온 의 활성 을 낮추 어 도금 을 진행 하 여 , base layer 를 도금 한 후 제 2 도금 단계 을 실시 한다 .