표시 패널 ( 330 ) 에 는 데이터 라인 들 ( D 1 내지 Dm ) , 센서 라인 들 ( S 1 내지 Sm ) , 및 이 배선 들 ( D 1 내지 Dm , S 1 내지 Sm ) 과 교차 되 는 게이트 라인 들 ( G 0 내지 Gn ) 등 의 배선 들 이 형성 된다 . 게이트 라인 들 ( G 0 내지 Gn ) 과 데이터 라인 들 ( D 1 내지 Dm ) 의 교차로 정의 된 화소 영역 들 에 화소 들 ( 334 ) 과 센서 들 ( 337 ) 이 형성 된다 . 센서 들 ( 337 ) 에 는 데이터 라인 들 ( D 1 내지 Dm ) 과 평행 한 센서 라인 들 ( S 1 내지 Sm ) 이 접속 된다 . 이러 한 표시 패널 ( 330 ) 의 각 화소 들 ( 334 ) 과 센서 들 ( 337 ) 에 는 고전 위 전원 전압 ( VDD ) 과 저 전위 전원 전압 ( VSS ) 이 공급 된다 . 화소 들 ( 334 ) 각각 은 도 34 와 같이 유기 발광 다이오드 소자 ( OLED ) , 자신 의 게이트 전극 에 공급 되 는 데이터 전압 에 따라 유기 발광 다이오드 소자 ( OLED ) 에 전류 를 공급 하 는 구동 TFT ( DRT ) , 스캔 펄스 에 응답 하 여 데이터 전압 ( Vx ) 과 보상 전압 ( Vndi ) 을 구동 TFT ( DRT ) 의 게이트 전극 에 공급 하 는 스위치 회로 ( 341 ) , 및 구동 TFT ( DRT ) 의 게이트 - 소스 간 전압 을 유지 하 기 위한 스토리지 커패시터 ( C ) 를 포함 한다 . 센서 들 ( 337 ) 각각 은 유기 발광 다이오드 소자 ( OLED ) 가 없 고 센서 라인 들 ( S 1 내지 Sm ) 을 경유 하 여 센서 데이터 발생 부 ( 338 ) 에 접속 된 것 을 제외 하 면 화소 들 ( 334 ) 의 내부 회로 구성 과 실질 적 으로 동일 하 다 . 즉 , 화소 들 ( 334 ) 과 센서 들 ( 337 ) 에 포함 된 스위치 회로 ( 341 ) , 구동 TFT ( DRT ) , 및 스토리지 커패시터 ( C ) 와 그 들 간 의 유기 적 연결 관계 가 서로 동일 하 다 . 스위치 회로 ( 341 ) 는 하나 이상 의 스위치 TFT 를 포함 한다 . 도 34 에 도시 된 구동 TFT ( DRT ) 는 n 채널 MOS - FET 로 구현 되 는 예 를 보여 주 는 것 이 다 .