상기 리세 스 에 제 1 일 함수층 과 제 2 일 함수층 을 형성 하 는 단계 로서 , 상기 제 1 일 함수층 은 상기 제 1 핀 의 제 1 측벽 과 제 1 상부 면 을 따라 연장 되 고 , 상기 제 2 일 함수층 은 상기 제 2 핀 의 제 2 측벽 과 제 2 상부 면 을 따라 연장 되 며 , 상기 제 1 일 함수층 은 상기 제 3 핀 의 제 3 측벽 을 따라 그리고 상기 제 3 핀 의 제 3 상부 면 의 제 1 부분 을 따라 연장 되 고 , 상기 제 2 일 함수층 은 상기 제 3 핀 의 제 4 측벽 을 따라 그리고 상기 제 3 핀 의 제 3 상부 면 의 제 2 부분 을 따라 연장 되 는 것 인 , 상기 제 1 및 제 2 일 함수층 형성 단계 와 ,