본 발명 의 실시 예 들 은 비휘발성 메모리 장치 에 메모리 블록 의 복수 의 페이지 각각 의 에러 비트 정보 를 바탕 으로 복수 의 페이 중 상기 에러 비트 정보 가 에러 임계 치 를 넘어서 는 페이지 들 을 에러 가능 페이지 로 선정 하 고 이 에 대한 우선순위 를 부여 하 여 그 우선 순위 에 따라 테스트 리드 동작 을 수행 하 는 메모리 시스템 , 데이터 처리 시스템 및 그 동작 방법 을 제공 한다 .