도 7 을 참조 하 면 , 제 2 N 형 확산 영역 ( 610 ) 이 도핑 된 각각 의 실리콘 기둥 ( 520 ) 의 양 측면 에 하나 이상 의 트랩 층 적층 물 ( 도 7 에서 는 4 개 의 트랩 층 적층 물 이 도시 됨 ) ( 711 , 712 , 713 , 714 , 이하 , ' 710 ' 으로 통칭 함 ) 이 적층 될 수 있 다 . 여기 서 , 트랩 층 적층 물 ( 710 ) 은 실리콘 기둥 ( 520 ) 의 측면 중 제 1 식각 부 ( 415 ) 의 측면 에 증착 되 도록 적층 될 수 있 고 ( 711 , 713 ) , 제 2 식각 부 ( 515 ) 의 측면 에 증착 되 도록 적층 될 수 도 있 다 ( 712 , 714 ) . 이때 , 단 턱 ( 440 ) 및 / 또는 제 2 식각 부 ( 515 ) 의 저면 ( 530 ) 은 적층 된 트랩 층 적층 물 ( 710 ) 이 실리콘 기둥 ( 520 ) 측면 에서 미끄러지 는 것 을 방지 할 수 있 다 . 또한 , 트랩 층 적층 물 ( 710 ) 의 두께 는 5 nm 일 수 있 다 .