반도체 층 ( 522 ) 의 내 부면 을 따라 저항 변화 층 ( 523 ) 이 배치 될 수 있 다 . 저항 변화 층 ( 523 ) 은 반도체 층 ( 522 ) 과 접하 게 배치 될 수 있 고 , 반도체 층 ( 522 ) 에 콘 포말 하 게 증착 될 수 있 다 . 일 실시 예 에서 저항 변화 층 ( 523 ) 은 인가 된 전압 에 따라 저항 이 달라지 는 물질 로 형성 될 수 있 다 . 저항 변화 층 ( 523 ) 은 게이트 ( 531 ) 에 인가 된 전압 에 따라 고저 항 상태 에서 저 저항 상태 또는 저 저항 상태 에서 고저 항 상태 로 변할 수 있 다 . 상기 한 저항 변화 는 저항 변화 층 ( 523 ) 의 산소 공공 ( Oxygen vacancies ) 에 의한 현상 일 수 도 있 고 , 저항 변화 층 ( 523 ) 의 전자 의 트랩 / 디 트랩 에 의한 전류 전도 메커니즘 의 변화 에서 기인 하 는 현상 일 수 도 있 다 .