한편 , 선행 기술 로 제시 되 었 던 산화물 반도체 나 유기 물질 을 사용 한 발진 소자 의 발진 들 과 비교 해 볼 때 , 본 발명 의 MIT 소자 기반 발진 회로 는 인가 전압 및 저항 값 만 을 변화 시킴 으로써 발진 주파수 를 연속 적 으로 조절 하 는 것 이 가능 하 며 , 발진 파형 또한 정현파 와 같 은 연속 적 인 변화 가 아닌 , 불 연속 전류 증가 에 따른 램프 ( ramp ) 형 에 가까운 파형 을 상온 에서 발생 시킬 수 있 다는 큰 차이점 을 갖 는다 . 또한 , 이러 한 불연속 적 인 파형 을 갖 는 발진 현상 은 저항 , 커패시터 , 인덕 터 등 으로 구성 되 는 일반 적 인 발진 회로 들 에서 는 관측 할 수 없 는 현상 이 기 도 하 다 . 더 나아가 본 실시 예의 발진 회로 에서 발진 주파수 의 경우 에 는 선행 기술 로 제시 된 발진 소자 의 발진 주파수 에 비해 상온 에서 발진 주파수 를 10 ~ 1000 배 이상 증가 시킬 수 있 는 장점 을 가지 기 도 한다 . 예컨대 , 본 실시 예의 발진 회로 는 수백 kHz 의 높 은 발진 주파수 를 발생 시킬 수 있 고 , 또 이 주파수 를 연속 적 으로 조절 할 수 있 다 .