위 와 같 은 질화 막 블랭킷 식각 을 통해 질화 막스 페이서 ( 43 ) 를 형성 하 면서 질화 막 으로 형성 된 식각 배리 어 층 ( 38 ) 도 동시 에 식각 되 어 p 형 실리콘 기판 ( 31 ) 의 표면 이 노출 된다 . 이 는 굴절 율 ( n ) 이 2 . 02 로 높 은 질화 막 을 제거 하 므로써 실리콘 산화 막 ( SiO 2 ) 에서 투과 된 빛 이 바로 실리콘 기판 ( 굴절 율 이 3 . 88 ∼ 10 . 02 ) 으로 입사 하 도록 한다 .