다음 , 도 6 에 도시 된 바 와 같이 , 상기 LDD 영역 과 소오 스 / 드레 인 영역 표면 및 상기 게이트 전극 ( 110 ) 의 상면 을 소정 의 온도 로 열처리 하 는 실리사이드 공정 을 진행 하 여 실리사이드 층 ( 130 ) 및 게이트 실리사이드 층 ( 150 ) 을 형성 한다 . 그리하여 실리사이드 막 을 형성 하 여 LDD 영역 과 소오 스 / 드레 인 영역 을 안정 화 시키 는 동시 에 상기 LDD 영역 및 소오 스 드레 인 영역 을 확산 시켜 채널 의 길이 를 조절 할 수 있 다 .