상기 과제 를 해결 하 기 위한 본 발명 의 일 관점 에 따른 비정질 실리콘 막 의 형성 방법 은 , 공정 챔버 내 기판 상 에 전처리 가스 를 공급 하 고 , 제 1 플 라즈 마 를 이용 하 여 상기 전처리 가스 를 활성 화 하 여 상기 기판 을 전처리 하 는 단계 와 , 상기 기판 상 에 실리콘 및 수소 를 포함 하 는 공정 가스 를 공급 하 고 , 제 2 플 라즈 마 를 이용 하 여 상기 공정 가스 를 분해 하 여 상기 기판 상 에 비정질 실리콘 막 을 형성 하 는 단계 를 포함 한다 . 상기 제 1 플 라즈 마는 제 1 RF 전력 을 상기 공정 챔버 내 에 인가 하 여 형성 하 고 , 상기 제 2 플 라즈 마는 제 2 RF 전력 을 펄스 파 ( pulsed wave ) 로 상기 공정 챔버 내 에 인가 하 여 형성 할 수 있 다 .