질화물 반도체 는 발광 다이오드 ( Light Emitting Diode , LED ) , 레이저 다이오드 ( Laser Diode , LD ) , 트랜지스터 ( Transistor ) 그리고 광 검출기 ( Photodetector ) 등 광소자 및 전자 소자 를 실현 할 수 있 는 소재 로서 최근 에 각광 받 고 있 으며 , 또한 국내외 적 으로 연구 가 활발히 진행 되 고 있 다 . 질화물 발광 다이오드 제작 에 는 소자 의 효율 과 수명 시간 의 향상 을 위하 여 질화물 반도체 와 금속 과 의 접합 시 고 품질 의 오 믹 접합 이 필수 적 이 다 . 특히 P 형 질화 갈륨 ( GaN ) 의 경우 에 는 높 은 정공 농도 를 갖 는 P 형 질화 갈륨 ( GaN ) 를 얻 기 가 어렵 고 질화 갈륨 ( GaN ) 의 일함수 에 비하 여 높 은 일함수 를 갖 는 금속 이 없 기 때문 에 매우 낮 은 접합 저항 을 가지 며 안정 성 이 매우 우수 한 접합 을 얻 기 가 어렵 다고 알려져 있 다 . 또한 , 질화 갈륨 ( GaN ) 계열 의 발광 다이오드 는 일반 적 으로 표면 발광 다이오드 형태 로 제작 되 기 때문 에 P 형 질화 갈륨 ( GaN ) 층 의 오 믹 접촉 으로 사용 되 는 금속 의 전기 적 특성 뿐 만 아니 라 발광 다이오드 의 활성 층 에서 발광 되 어 나오 는 광 에 대한 투광 성 또한 높 아야 발광 다이오드 의 효율 이 우수 해진다 .