계속 해서 , 상기 절 연막 ( 22 a ′) 상 에 도전 막 ( 22 b ″) 을 형성 한다 . 상기 도전 막 ( 22 b ′) 은 게이트 도전 막 ( 22 b ) 으로 형성 하 기 위한 것 이 다 . 그러므로 , 상기 도전 막 ( 22 b ′) 은 , 언급 한 바 와 같이 , 폴리 실리콘 , 금속 , 금속 질화물 , 금속 실리사이드 등 을 포함 하 는 것 이 바람직 하 다 . 아울러 , 최근 의 반도체 메모리 소자 의 제조 에서 는 효율 적 인 전기 적 특성 의 확보 를 위하 여 게이트 도전 막 ( 22 b ) 을 다층 구조 로 형성 하 는 추세 이 기 때문 에 상기 도전 막 ( 22 b ′) 도 다층 구조 로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 따라서 , 본 실시 예 에서 는 상기 도전 막 ( 22 b ′) 을 금속 과 금속 질화물 을 포함 하 는 다층 구조 로 형성 한다 . 아울러 , 상기 다층 구조 의 도전 막 ( 22 b ′) 은 주로 화학 기상 증착 을 수행 하 여 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 .