예 를 들 어 , 도 31 ( A ) 내지 도 31 ( C ) 는 , In , Sn , Zn 을 주성분 으로 하 고 , 채널 길이 ( L ) 가 3 μ m , 채널 폭 ( Ｗ ) 이 10 μ m 인 산화물 반도체 막 과 , 두께 100 nm 의 게이트 절연 층 을 이용 한 트랜지스터 의 특성 이 다 . 또한 , Vd 는 10 V 로 했 다는 점 을 주목 하 라 .