소자 분리 영역 ( STI ) 상 에 있 어서 , 게이트 전극 ( 34 ) 상 에 는 컨 택트 플러그 ( CP 6 ) 가 형성 되 어 있 다 . 그리고 , 금속 배선 층 ( 35 ) 에 의해 , 컨 택트 플러그 CP 6 과 CP 4 가 접속 되 어 있 다 . 즉 , 금속 배선 층 ( 35 ) 및 컨 택트 플러그 ( CP 4 , CP 6 ) 에 의해 , 확산 층 ( 31 - 1 ) 과 게이트 전극 ( 34 ) 이 전기 적 으로 접속 된다 . 즉 , 금속 배선 층 ( 35 ) 이 MOS 트랜지스터 TRi 에서 의 노드 N ( i - 1 ) 로 기능 한다 ( 금속 배선 층 ( 35 ) 은 MOS 트랜지스터 TR 1 의 경우 에 는 Vdd 노드 로 된다 ) .