산화물 반도체 층 ( 144 ) 의 형성 조건 으로서 는 , 예 를 들 어 피 처리 물 과 타깃 간 의 거리 가 170 mm , 압력 이 0 . 4 Pa , 직류 ( DC ) 전력 이 0 . 5 kW , 분위기 가 산소 ( 산소 100 ％) 분위기 또는 아르곤 ( 아르곤 100 ％) 분위기 , 또는 산소 와 아르곤 의 혼합 분위기 와 같 은 조건 을 적용 할 수 있 다 . 또한 , 펄스 직류 ( DC ) 전원 을 사용 하 면 , 먼지 ( 성막 시 에 형성 되 는 가루 형상 의 물질 등 ) 를 저감 할 수 있 고 , 막 두께 분포 도 균일 해 지 기 때문 에 바람직 하 다 . 산화물 반도체 층 ( 144 ) 의 두께 는 1 nm 이상 50 nm 이하 , 바람직 하 게 는 2 nm 이상 20 nm 이하 , 보다 바람직 하 게 는 3 nm 이상 15 nm 이하 로 한다 . 개시 하 는 발명 에 따른 구성 을 채용 함 으로써 , 이러 한 두께 의 산화물 반도체 층 ( 144 ) 을 사용 하 는 경우 이 더라도 , 미세화 에 따른 단채 널 효과 를 억제 하 는 것 이 가능 하 다 . 단 , 적용 하 는 산화물 반도체 재료 나 , 반도체 장치 의 용도 등 에 따라 적절 한 두께 는 달라지 기 때문 에 , 그 의 두께 는 사용 하 는 재료 나 용도 등 에 따라 선택 할 수 도 있 다 . 또한 , 상기 와 같이 절연 층 ( 140 ) 을 형성 함 으로써 , 산화물 반도체 층 ( 144 ) 의 채널 형성 영역 에 상당 하 는 부분 의 형성 표면 을 충분히 평탄 화 할 수 있 으므로 , 두께 가 작 은 산화물 반도체 층 이 더라도 적절히 형성 하 는 것 이 가능 하 다 . 또한 , 도 12 a 에 도시 한 바 와 같이 , 산화물 반도체 층 ( 144 ) 의 채널 형성 영역 에 상당 하 는 부분 의 단면 형상 을 평탄 한 형상 으로 하 는 것 이 바람직 하 다 . 산화물 반도체 층 ( 144 ) 의 채널 형성 영역 에 상당 하 는 부분 의 단면 형상 을 평탄 한 형상 으로 함 으로써 , 산화물 반도체 층 ( 144 ) 의 단면 형상 이 평탄 하 지 않 은 경우 와 비교 하 여 누설 전류 를 저감 할 수 있 다 .