반도체 기판 위 에 제조 된 모노 리식 3 차원 메모리 어레이 를 위한 기판 이외 의 층 들 상 에 어레이 가 제조 되 는 어떤 메모리 기술 들 에 있 어서 , 위 에 기술 된 어떤 회로 는 메모리 어레이 밖 의 필요 영역 이 아니 라 메모리 서브 - 어레이 아래 구현 될 수 도 있 다 . 반도체 기판 위 에 제조 될 수 도 있 는 모노 리식 3 차원 메모리 어레이 들 은 Johnson 등 의 미국 특허 6 , 034 , 882 , N . Johan Knall 등 의 미국 특허 6 , 420 , 215 , Johnson 등 의 미국 특허 6 , 525 , 953 , Vyvoda 등 의 미국 특허 6 , 952 , 043 , Scheuerlein 등 의 미국 특허 6 , 545 , 898 에 기술 되 어 있 고 , 개시 된 이 들 전체 기재 내용 은 모두 본 명세서 에 참조 로 포함 되 어 있 다 .