상기 광반사 방지 층 ( 250 a ) 은 상기 액티브 패턴 ( 250 b ) 과 마찬가지 로 아몰 퍼스 실리콘 을 포함 하 고 , 상기 액티브 패턴 ( 250 b ) 과 동일 한 공정 에서 형성 된다 . 즉 , 상기 광반사 방지 층 ( 250 a ) 및 상기 액티브 패턴 ( 250 b ) 은 상기 제 2 모 기판 ( 200 ) 에 아몰 퍼스 실리콘 층 을 형성 시킨 후 , 동일 한 마스크 를 이용 한 사진 식각 공정 에 의해 패 터닝 되 어 형성 된다 . 상기 광반사 방지 층 ( 250 a ) 및 상기 액티브 패턴 ( 250 b ) 이 동일 한 공정 에서 형성 되 므로 상기 광반사 방지 층 ( 250 a ) 을 형성 하 기 위한 별도 의 공정 이 추가 되 지 않 는다 . 상기 광반사 방지 층 ( 250 a ) 의 작용 에 대한 보다 상세 한 설명 은 도 7 b 를 이용 하 여 설명 하 기 로 한다 .