그리고 , 제 1 포토레지스트 패턴 ( 17 a ) 과 제 2 포토레지스트 패턴 ( 17 b ) 간 의 오버레이 ( Overlay ) 를 5 nm 이내 로 제어 한다 . 즉 , 제 1 포토레지스트 패턴 ( 17 a ) 이 형성 되 었 던 위치 와 다르 게 제 2 포토레지스트 패턴 ( 17 b ) 이 형성 되 는 위치 를 이동 시키 되 , 두 포토레지스트 패턴 간 오버레이 가 5 nm 이내 가 되 도록 한다 . 따라서 , 제 2 포토레지스트 패턴 ( 17 b ) 의 간격 은 제 1 하드 마스크 폴리 실리콘 패턴 ( 15 a ) 의 라인 중앙 부분 상부 에 위치 한다 .