여기 서 , 상기 단위 패키지 ( 222 a , 222 b ) 는 공지 된 방법 으로 재 배선 된 다수 의 본딩 패드 ( 202 ) 및 상기 본딩 패드 들 ( 202 ) 에 형성 된 제 1 범프 ( 208 ) 를 구비 한 반도체 칩 ( 200 ) 이 TSV ( Through Silicon Via ) 형성 기술 로 일 측 에 내부 를 관통 하 는 다수 의 관통 전극 ( 218 ) 을 구비 한 더미 실리콘 웨이퍼 ( 210 ) 의 상면 에 다수 의 접속 패드 ( 226 a , 226 b ) 를 구비 한 FPC ( Flexible Printed Circuits Board : 216 ) 를 매개 로 전기 적 으로 연결 되 어 구성 된다 .