도 3 b 에 도시 된 바 와 같이 , 반도체 기판 ( 21 ) 의 소스 및 드레 인 으로 예정 된 영역 상 에 선택 적 에 피 탁 셜 성장 ( SEG ) 을 통해 에피 탁 셜 층 ( 26 ) 을 형성 한다 . 이때 , 에피 탁 셜 층 ( 26 ) 은 LPCVD ( Low Pressure CVD ) , VLPCVD ( Very Low Pressure CVD ) , PE - CVD ( Plasma Enhanced - CVD ) , UHVCVD ( Ultrahigh Vacuum CVD ) , RTCVD ( Rapid Thermal CVD ) , APCVD ( Atmosphere Pressure CVD ) 또는 MBE ( Molecular Beam Epitaxy ) 중 에서 선택 된 어느 하나 의 장비 에서 형성 한다 . 에피 탁 셜 층 ( 26 ) 은 실리콘 ( Si ) , 저마늄 ( Ge ) 또는 실리콘 저마늄 ( SiGe ) 이 사용 되 며 , 바람직 하 게 에피 탁 셜 실리콘 ( Epitaxial Si ) , 에피 탁 셜 저마늄 ( Epitaxial Ge ) 또는 에피 탁 셜 실리콘 저마늄 ( Epitaxial SiGe ) 이 다 . 그리고 , 에피 탁 셜 층 ( 26 ) 내 에 는 불순물 이 도핑 되 지 않 거나 도 는 인 ( phosphorus ) , 비소 ( As ) 또는 보론 ( boron ) 과 같 은 불순물 이 도핑 되 어 있 는데 , 불순물 의 도핑 은 에피 탁 셜 층 ( 26 ) 성장 후 이온 주입 하 거나 또는 성장 시 인시 튜 ( in - situ ) 로 도핑 할 수 있 다 . 에피 탁 셜 층 ( 26 ) 내 의 불순물 의 도핑 농도 는 1 E 17 ∼ 1 E 21 atoms / cm 3 의 범위 이 다 . 에피 탁 셜 층 ( 26 ) 의 형성 온도 는 400 ∼ 800 ℃ 범위 이 고 , 에피 탁 셜 층 ( 26 ) 의 두께 는 400 ∼ 1200 Å 의 범위 이 다 .