여기 서 , 산화물 반도체 층 ( 144 ) 은 수소 등 의 불순물 이 충분히 제거 됨 으로써 , 또한 충분 한 산소 가 공급 됨 으로써 고 순도 화 된 것 인 것 이 바람직 하 다 . 구체 적 으로 는 , 예 를 들 어 산화물 반도체 층 ( 144 ) 의 수소 농도 는 5 × 1019 atoms / ㎤ 이하 , 바람직 하 게 는 5 × 1018 atoms / ㎤ 이하 , 보다 바람직 하 게 는 5 × 1017 atoms / ㎤ 이하 로 한다 . 또한 , 상술 한 산화물 반도체 층 ( 144 ) 중 의 수소 농도 는 , 2 차 이온 질량 분석법 ( SIMS : Secondary Ion Mass Spectroscopy ) 에 의해 측정 되 는 것 이 다 . 이 와 같이 , 수소 농도 가 충분히 저감 되 어 고 순도 화 되 고 , 충분 한 산소 의 공급 에 의해 산소 결손 에 기인 하 는 에너지 갭 중 의 결함 준위 가 저감 된 산화물 반도체 층 ( 144 ) 에서 는 , 캐리어 농도 가 1 × 1012 / ㎤ 미만 , 바람직 하 게 는 1 × 1011 / ㎤ 미만 , 보다 바람직 하 게 는 1 . 45 × 1010 / ㎤ 미만 으로 된다 . 예 를 들 어 , 실온 ( 25 ℃) 에서 의 오프 전류 ( 여기 서 는 , 단위 채널 폭 ( 1 ㎛) 당 의 값 ) 는 100 zA ( 1 zA ( 젭토 암페어 ) 는 1 × 10 - 21 A ) 이하 , 바람직 하 게 는 10 zA 이하 로 된다 . 이 와 같이 , i 형 화 ( 진성 화 ) 또는 실질 적 으로 i 형 화 된 산화물 반도체 를 이용 함 으로써 , 매우 우수 한 오프 전류 특성 의 트랜지스터 ( 162 ) 를 얻 을 수 있 다 .