추가 적 으로 또는 대안 적 으로 , 간섭계 ( 300 ) 는 도 5 a 내지 도 5 c , 그리고 도 6 a 내지 도 6 c 를 참조 하 여 아래 에 설명 되 는 그리드 기반 리소그래피 를 수행 하 기 위해 사용 될 수 있 다 . 그리드 기반 리소그래피 에서 , 평행 한 라인 들 의 제 1 세트 가 노광 되 면 , 기판 ( 301 ) 이 90 ° 만큼 회전 될 수 있 으며 , 평행 한 라인 들 의 제 2 세트 가 노광 될 수 있 다 . 상기 라인 들 의 제 2 세트 는 상기 평행 한 라인 들 의 제 1 세트 와 실질 적 으로 수직 이 다 . 따라서 , 서로 수직 인 평행 한 라인 들 의 두 세트 들 을 프린트 함 으로써 , 그리드 가 형성 될 수 있 다 . 그 후 , 그리드 는 추가 노광 들 을 통해 원 하 는 패턴 으로 트리밍 될 수 있 다 . 그 후 , 그리드 기반 리소그래피 는 비교 적 높 은 개구수 ( 예 를 들 어 , 다른 EUV 시스템 들 에 대해서 거의 0 . 4 인 것 에 비해 , 거의 0 . 9 ) 를 갖 고 , 미세 패턴 들 을 형성 하 기 위한 기저 ( basis ) 로서 사용 될 매우 미세 한 평행 라인 들 [ 예 를 들 어 , 약 13 nm 의 파장 을 갖 는 EUV 방사선 으로 4 nm ( L / S ) ] 을 형성 할 수 있 는 디바이스 [ 예 를 들 어 , 간섭계 ( 300 ) ] 의 이용 을 허용 한다 .