상기 와 같이 노광 된 부위 가 용해 되 어 제거 된 기판 을 현상액 으로부터 꺼낸 뒤 , 다시 하드 베 이크 ( hard bake ) 공정 을 통하 여 열처리 하 여 포토레지스트 막 의 접착성 및 내 화학 성 을 증진 시킨다 . 이러 한 열처리 는 포토레지스트 막 의 연화점 이하 의 온도 에서 실시 되 는 것 이 바람직 하 며 , 특히 90 내지 140 ℃ 의 온도 에서 실시 하 는 것 이 바람직 하 다 .