구체 적 으로 는 , 예 를 들 어 , 절연 층 ( 150 ) 의 개구 를 포함 하 는 영역 에 PVD 법 에 의해 티 탄막 을 얇 게 ( 5 nm 정도 ) 형성 한 후 에 , 개구 에 매립 하 도록 알루미늄 막 을 형성 하 는 방법 을 적용 할 수 있 다 . 여기 서 , PVD 법 에 의해 형성 되 는 티 탄막 은 , 피 형성 면 의 산화 막 ( 자연 산화 막 등 ) 을 환원 하 고 , 하부 전극 등 ( 여기 에서 는 , 소스 전극 ( 142 a ) ) 과 의 접촉 저항 을 저감 시키 는 기능 을 갖 는다 . 또한 , 알루미늄 막 의 힐 록 을 방지 할 수 있 다 . 티탄 이나 질화 티탄 등 에 의한 배리 어막 을 형성 한 후 에 , 도금 법 에 의해 구리 막 을 형성 할 수 있 다 .