이 와 같 은 미세 가공 의 기술 을 이용 하 여 제조 되 는 트랜지스터 등 의 반도체 소자 는 , 소형 화 에 수반 하 여 그 형상 을 상사 형상 인 상태 로 간단히 축소 한 것 만 으로 는 충분 하 지 않 고 , 새로운 설계 가 필요 하 며 , 특히 도 15 에 도시 한 바 와 같이 , 제 1 인버터 ( 110 ) 와 제 2 인버터 ( 120 ) 를 구비 한 플립플롭 회로 로 구성 되 는 SRAM 메모리 셀 에서 는 , 각 트랜지스터 의 설계 사양 을 조정 함 으로써 , SRAM 메모리 셀 이 주어진 기입 특성 및 읽 어 내 기 특성 을 갖 도록 할 필요 가 있 었 다 .