도 1 a 의 ( 1 ) 에 도시 한 반도체 장치 는 , 상기 반도체 장치 를 구성 하 는 트랜지스터 등 의 요소 가 저항 및 용량 을 포함 하 는 것 으로서 , 도 1 a 의 ( 2 ) 와 같이 생각 할 수 도 있 다 . 즉 , 도 1 a 의 ( 2 ) 에서 는 , 트랜지스터 ( 160 ) 및 용량 소자 ( 164 ) 가 , 각각 , 저항 및 용량 을 포함 하 여 구성 된다고 생각 하 게 된다 . R 1 및 C 1 은 , 각각 , 용량 소자 ( 164 ) 의 저항 값 및 용량 값 이 며 , 저항 값 R 1 은 , 용량 소자 ( 164 ) 를 구성 하 는 절연 층 에 의한 저항 값 에 상당 한다 . 또한 , R 2 및 C 2 는 각각 , 트랜지스터 ( 160 ) 의 저항 값 및 용량 값 이 며 , 저항 값 R 2 는 트랜지스터 ( 160 ) 가 온 상태 일 때 의 게이트 절연 층 에 의한 저항 값 에 상당 하 고 , 용량 값 C 2 는 소위 게이트 용량 ( 게이트 전극 과 , 소스 전극 또는 드레 인 전극 사이 에 형성 되 는 용량 및 게이트 전극 과 채널 형성 영역 사이 에 형성 되 는 용량 ) 의 용량 값 에 상당 한다 .