임의 의 페이지 에 대하 여 랜덤 하 게 페이지 어드레스 를 지정 한 캐시 리드 동작 을 행할 수 있 어 ， 판독 속도 의 고속화 에 유리 한 불휘발성 반도체 기억 장치 를 제공 한다 . 불휘발성 반도체 기억 장치 는 , 제 1 플레인 ( plane 0 ) 을 구비 하 는 제 1 메모리 셀 어레이 ( 10 - 1 ) 와 , 센스 회로 ( 12 - 1 ) 와 , 시 퀀서 ( 17 ) 와 , 외부 로부터 어드레스 가 입력 되 는 제 1 어드레스 레지스터 ( 26 ) 와 , 상기 제 1 어드레스 레지스터 의 출력 어드레스 가 입력 되 는 제 2 어드레스 레지스터 ( 27 ) 를 구비 하 고 , 메모리 셀 의 데이터 판독 동작 시 에 , 상기 시 퀀서는 , 제 2 어드레스 레지스터 에 저장 되 어 있 던 어드레스 에 따라서 페이지 n 을 판독 한 후 , 페이지 n 의 데이터 를 외부 로 출력 하 는 것 과 동시 병행 하 여 , 상기 제 1 어드레스 레지스터 에 저장 된 어드레스 를 제 2 어드레스 레지스터 에 전송 하 고 , 제 2 어드레스 레지스터 에 유지 한 페이지 m 의 어드레스 에 따라서 임의 의 페이지 m 의 데이터 를 판독 한다 .