도 2 에 도시 하 는 바 와 같이 기판 처리 장치 ( 100 ) 는 처리 용기 ( 202 ) 를 구비 한다 . 처리 용기 ( 202 ) 는 예컨대 알루미늄 ( Al ) 이나 스텐 레스 ( SUS ) 등 의 금속 재료 또는 석영 에 의해 횡단면 이 원형 이 며 편평 한 밀폐 용기 로서 구성 된다 . 또한 처리 용기 ( 202 ) 는 상부 용기 ( 202 a ) 와 하부 용기 ( 202 b ) 를 구비 하 고 , 이것 들 사이 에 경 계부 ( 204 ) 가 설치 된다 . 경 계부 ( 204 ) 보다 상방 ( 上方 ) 의 상부 용기 ( 202 a ) 에 둘러싸인 공간 은 성막 처리 의 처리 대상 이 되 는 웨이퍼 ( 200 ) 를 처리 하 는 처리 공간 ( 「 처리 실 」 이 라고 도 부른다 . ) ( 201 ) 으로서 기능 한다 . 한편 , 경 계부 ( 204 ) 보다 하방 ( 下方 ) 의 공간 의 하부 용기 ( 202 b ) 에 둘러싸인 공간 은 웨이퍼 ( 200 ) 를 이재 하 기 위한 반송 공간 ( 「 이재실 」 이 라고 도 부른다 . ) ( 203 ) 으로서 기능 한다 . 이재실 ( 203 ) 로서 기능 하 기 위해서 하부 용기 ( 202 b ) 의 측면 에 는 게이트 밸브 ( 1490 ) 에 인접 한 기판 반입 출구 ( 1480 ) 가 설치 되 고 , 그 기판 반입 출구 ( 1480 ) 를 개재 하 여 웨이퍼 ( 200 ) 가 TM ( 2400 ) 사이 를 이동 하 도록 이루어진다 . 하부 용기 ( 202 b ) 의 저부 에 는 리프트 핀 ( 207 ) 이 복수 설치 된다 . 또한 하부 용기 ( 202 b ) 는 접지 ( 接地 ) 된다 .