도 1 에 도시 한 바 와 같이 종래 기술 에 따른 기판 처리 장치 ( 100 ) 는 , 기판 을 처리 하 는 반응 공간 을 제공 하 는 공정 챔버 ( 110 ) , 공정 챔버 ( 110 ) 의 상부 를 덮 는 챔버 리드 ( 120 ) , 상부 전극 인 제 1 전극 ( 131 ) 과 하부 전극 인 제 2 전극 ( 132 ) 을 포함 하 는 전극 부 ( 130 ) , 기판 지지 부 ( 140 ) 및 RF 전원 공급 부 ( 150 ) 를 포함 한다 . 종래 기술 에 따른 기판 처리 장치 는 상기 전극 부 ( 130 ) 를 통해 기판 으로 가스 를 공급 하 고 RF 전원 공급 부 ( 150 ) 를 통해 RF 전원 을 인가 하 여 플 라즈 마 를 발생 시킴 으로써 , 상기 기판 에 대한 처리 공정 을 수행 한다 .