다음 에 도 6 을 참조 하 면 , 제 1 포토레지스트 막 패턴 ( 도 5 의 270 ) 을 식각 마스크 로 한 식각 공정 으로 제 2 금속 간절 연막 ( 260 ) 의 노출 부분 을 일정 깊이 로 식각 하 여 , 제 1 금속 막 패턴 ( 241 / 251 ) 의 상부 면 위 로 일정 두께 ( d ) 의 제 2 금속 간절 연막 ( 260 ) 이 남 도록 한다 . 제 2 금속 간절 연막 ( 260 ) 의 남 는 두께 는 , 후속 공정 으로 수행 되 는 비 아홀 형성 영역 의 제 2 금속 간절 연막 제거 와 동시 에 제거 될 수 있 는 두께 가 되 도록 하 여 , 비 아홀 과 MIM 커패시터 형성 을 위한 트랜 치가 동시 에 형성 되 도록 한다 . 이 와 같 은 식각 을 수행 한 후 에 는 , 통상 의 애 싱 공정 을 수행 하 여 제 1 포토레지스트 막 패턴 ( 270 ) 을 제거 한다 .