그러므로 , 제 1 실시 예 에 따른 반도체 메모리 소자 는 퓨즈 옵션 ( FS 1 , FS 2 ) 과 테스트 신호 ( TM 1 , TM 2 ) 의 인가 를 통해 구동 전원 ( VDD _ TRIM ) 의 레벨 을 조절 함 으로써 , 내부 클럭 - 스트로브 신호 ( DINSTBP ) 의 활성 화 시점 을 조절 할 수 있 다 . 일반 적 으로 구동 전원 의 레벨 이 상승 되 면 , 전파 지연 시간 이 줄어들 어 내부 클럭 - 스트로브 신호 ( DINSTBP ) 의 활성 화 시점 이 앞당겨 진다 . 또한 , 구동 전원 의 레벨 이 하강 하 면 , 전파 지연 시간 이 줄어들 어 내부 클럭 - 스트로브 신호 ( DINSTBP ) 의 활성 화 시점 이 느려진다 .