이제 도 1 을 참조 한다 . 도 1 은 일부 실시 예 에 따른 반도체 소자 ( 100 ) 의 일부 의 상면 도 이 다 . 일부 실시 예 에서 , 반도체 소자 ( 100 ) 는 안테나 스위치 로서 기능 하 도록 형성 된다 . 예 시 를 위해 , 반도체 소자 ( 100 ) 는 기판 ( 110 ) , 금속 산화물 반도체 소자 ( MOS ) ( 120 ) 및 MOS ( 120 ) 에 인접 하 게 배치 된 특징 부 ( 130 ) 를 포함 한다 . 일부 실시 예 에서 , 특징 부 ( 130 ) 의 전도 성 은 기판 ( 110 ) 의 전도성 보다 작 다 . 다양 한 실시 예 에서 , 특징 부 ( 130 ) 는 제 1 깊이 로 기판 ( 110 ) 내 로 연장 되 고 , 금속 산화물 반도체 소자 ( 120 ) 는 제 1 깊이 보다 작 은 제 2 깊이 로 기판 ( 110 ) 내 로 연장 된다 .