증착 이 13 . 56 MHz 플 라즈 마 ( 100 W ) 를 갖 는 샤워 헤드 챔버 에서 300 ℃ 에서 수행 되 는 것 을 제외 하 고 , 증착 을 표 5 에 제공 된 조건 하 에서 규소 전구체 로서 2 - 디메틸아미노 - 2 , 4 , 6 , 8 - 테트라메틸 사이클 로 테트라 실록 산 및 O 2 플 라즈 마로 수행 하 였 다 . 전 구체 를 운반 가스 흐름 과 함께 챔버 로 전달 하 였 다 . 단계 b 내지 단계 e 를 계측 을 위한 산화 규소 의 요망 되 는 두께 를 얻 기 위해 여러 차례 반복 하 였 다 . 막 증착 파라미터 및 증착 GPC 및 웨이퍼 균일성 은 표 10 에 나타내 었 다 . 도 7 은 샤워 헤드 챔버 에서 증착 된 산화 규소 콘 포말 성 을 도시 한 것 이 다 . 막 은 트렌치 에서 매우 콘 포말 한데 , 이 는 ALD 증착 을 지시 하 는 것 이 다 . TMCTS 와 는 달리 , 디메틸아미노 와 같 은 오가노 아미노 기로 TMCTS 에서 하나 의 Si - H 기 를 대체 하 는 것 은 TMCTS 를 양호 한 단차 피복 뿐 만 아니 라 2 . 5 Å / 사이클 보다 높 은 성장 률 을 갖 는 우수 한 ALD 전구체 로 만들 수 있 다 .