제 3 채널 층 ( 13 ) 은 산화물 반도체 물질 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 산화물 반도체 물질 은 InGaZnO , InZnO , InSnZnO 중 적어도 어느 하나 를 포함 할 수 있 다 . 제 3 채널 층 ( 13 ) 이 산화물 반도체 물질 을 포함 함 으로써 , 제 3 채널 층 ( 13 ) 의 활성 화 공정 이 섭씨 500 이하 에서 이루어질 수 있 다 . 이 에 따라 , 제 1 및 제 2 트랜지스터 ( Tr 1 , Tr 2 ) 상 에 제 3 트랜지스터 ( Tr 3 ) 를 적층 하 기 용이 할 수 있 다 .