한편 , 상기 도 5 a 에서 나타난 바 와 같이 , 실시 예 1 의 경우 상기 비 교예 1 및 2 와 마찬가지 로 TiO 2 층 아래 에 GeO 2 층 이 잘 성장 되 어 있 는 것 을 확인 할 수 있 었 다 . 또한 GeO 2 내부 에 TiO 2 가 증착 되 어 있 는 것 을 확인 할 수 있 었 다 . TiO 2 는 GeO 2 상부 에 2 . 5 Å 의 lattice constant 를 가지 는 rutile ( 101 ) 구조 로 증착 되 어 있 고 , GeO 2 내부 에 는 rutile ( 101 ) 구조 와 135 ° 의 각도 를 이루 며 2 . 3 Å 의 lattice constant 를 가지 는 rutile ( 200 ) 구조 로 증착 되 어 잇 는 것 을 확인 할 수 있 었 다 . 또한 R ( 200 ) 아래 에 비정질 의 형태 로 성장 해 있 는 GeO 2 를 확인 할 수 있 었 다 . 상기 도 5 b 에 나타난 SIMS 측정 에서 도 Ti 가 Ge 기판 표면 에서 검출 되 지 않 는 것 을 확인 할 수 있 었 다 .