본 발명 의 일 실시 예 에 따르 면 , 상기 음극 활물질 용 복합 물 은 내부 에 결정 질 또는 비정질 탄소 를 분산 된 상태 로 더 포함 할 수 있 다 . 　 이 경우 , 상기 산화 실리콘 입자 내부 의 Si 입자 는 0 . 01 내지 5 ㎛ 의 직경 을 갖 는 것 이 바람직 한데 , 이 보다 작 은 경우 대기 중 에서 Si 입자 의 표면 산화 반응 이 생길 경우 에 이 입자 표면 의 SiO 2 양 이 Si 코어 물질 대비 상대 적 으로 높 아 져 활성 물질 의 분 율 이 줄어들 뿐 아니 라 SiOx 계열 의 실리콘 산화물 의 열처리 시 생성 되 는 Si 입자 와 의 구별 이 어렵 고 , 이 보다 클 경우 에 는 이 입자 의 수축 - 팽창 이 너무 커서 산화 실리콘 이 이 수축 - 팽창 을 견디 기 어렵 게 된다 . 한편 , 상기 Si 는 상기 산화 실리콘 100 중량 부 에 대하 여 5 내지 200 중량 부 으로 존재 할 수 있 으며 , 탄소 는 상기 산화 실리콘 100 중량 부 에 대하 여 5 내지 200 중량 부 으로 존재 할 수 있 다 . 　 상기 음극 활물질 용 복합 물 의 전도 성 을 고려 하 고 동시 에 Si 입자 및 탄소 를 산화 실리콘 에 매립 시키 기 위해 상기 함량 범위 가 적절 한 범위 이 다 .