도 9 는 ( 도 8 에 도시 된 ) 활물질 ( 3 ) 을 1100 ℃ 에서 아르곤 ( Ar ) 분위기 에서 2 시간 가열 함 으로써 얻 어 진 활물질 을 도시 한다 . 도 9 로부터 명백 해진 바 와 같이 , 활물질 ( 3 ) 상 으로 흡착 되 어 있 던 히드록시기 가 제거 되 고 댕 글 링 본드 ( 7 ) 가 활물질 ( 3 ) 내 에 발생 된다 . 도 10 은 유기계 분자 쇄 ( 5 ) 가 활물질 ( 3 ) 의 표면 에 화학 적 으로 흡착 되 어 있 는 상태 를 도시 한다 . 유기계 분자 쇄 ( 5 ) 는 활물질 ( 3 ) 의 댕 글 링 본드 ( 7 ) 에 의해 화학 적 으로 흡착 된다 .