클리닝 실 ( 5 ) 에서 의 클리닝 처리 는 , 성막 실 ( 2 ) 에서 의 성막 처리 가 1 회 끝 날 때 마다 서 셉 터 ( S ) 를 성막 실 ( 2 ) 로부터 반출 하 여 실시 할 수 있 다 . 또 , 성막 처리 가 소정 횟수 에 도달 할 때 까지 는 웨이퍼 ( W ) 만 을 성막 실 ( 2 ) 로부터 반출 하 고 , 소정 횟수 가 된 시점 에서 웨이퍼 ( W ) 와 함께 서 셉 터 ( S ) 를 반출 한 후 , 서 셉 터 ( S ) 를 클리닝 실 ( 5 ) 에 반송 하 여 클리닝 할 수 도 있 다 .