또한 , 게이트 절연 층 으로서 의 기능 을 갖 는 절연 층 ( 절연 층 ( 712 ) , 절연 층 ( 722 ) , 절연 층 ( 732 ) , 절연 층 ( 742 ) ) 은 수소 나 물 등 의 불순물 을 혼입 시키 지 않 는 방법 을 이용 하 여 성막 하 는 것 이 바람직 하 다 . 게이트 절연 층 으로서 의 기능 을 갖 는 절연 층 에 수소 나 물 등 의 불순물 이 함유 되 면 , 산화물 반도체 층 ( 산화물 반도체 층 ( 713 ) , 산화물 반도체 층 ( 723 ) , 산화물 반도체 층 ( 733 ) , 산화물 반도체 층 ( 743 ) ) 에 수소 나 물 등 의 불순물 이 침입 하 거나 수소 나 물 등 의 불순물 로 인한 산화물 반도체 층 내 의 산소 추출 등 에 의해 산화물 반도체 층 이 저 저항 화 ( n 형 화 ) 되 어 , 기생 채널 이 형성 될 우려 가 있 기 때문 이 다 . 예 를 들 어 게이트 절연 층 으로서 의 기능 을 갖 는 절연 층 은 스퍼터링 법 으로 성막 하 고 , 스퍼터링 가스 로서 는 수소 나 물 등 의 불순물 이 제거 된 고순 도 가스 를 사용 하 는 것 이 바람직 하 다 .