고주파 트랜지스터 또는 고 전자 이동도 트랜지스터 ( high - electron - mobility transistor : HEMT ) 와 같 은 고주파 , 고 성능 무선 주파수 ( RF ) 통합 디바이스 는 화합물 반도체 를 사용 하 여 제조 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , RF 디바이스 를 제조 하 기 위해 , 질화 갈륨 ( GaN ) 과 같 은 에피 택 셜 층 이 헤테로 에피 택 셜 ( epi ) 성장 프로세스 에 의해 형성 될 수 있 고 , 이 헤테로 에피 택 셜 성장 프로세스 는 GaN 을 반도체 캐리어 기판 상 에 디포짓 하 는 단계 를 포함 하 며 , 상기 반도체 캐리어 기판 은 실리콘 , 실리콘 카바이드 ( SiC ) , 사파이어 또는 다른 기판 과 같이 디포짓 된 GaN 과 다른 격자 구조 ( 또는 격자 상수 ) 를 갖 는다 . GaN 과 캐리어 기판 사이 의 격자 부정합 ( mismatch ) 은 디바이스 수율 및 성능 에 부정 적 인 영향 을 미칠 수 있 는 결함 , 전위 ( dislocation ) 및 변형 ( strain ) 을 생성 할 수 있 다 . 또한 , GaN 층 과 캐리어 기판 은 상이 한 열팽창 계수 ( CTE ) 를 가질 수 있 다 . 열 처리 ( 예 를 들 어 , GaN 에피 택 셜 성장 ) 는 GaN 을 크랙 을 발생 시키 거나 또는 박리 하 거나 , 휘어지 게 할 수 있 고 , 경우 에 따라 , 캐리어 기판 을 파손 시킬 수 있 다 . 상이 한 CTE 는 기판 웨이퍼 크기 를 제한 할 수 있 고 , 스케일 을 제한 하 며 , RF 디바이스 및 솔루션 의 전체 제조 비용 의 감소 를 저해 할 수 있 다 .