채널 층 ( 19 ) 은 실리콘 층 을 포함 할 수 있 다 . 채널 층 ( 19 ) 은 도프 드 실리콘 층 을 포함 할 수 있 다 . 코어 절연 층 ( 20 ) 은 실리콘 산화물 을 포함 할 수 있 다 . 채널 층 ( 19 ) 과 코어 절연 층 ( 20 ) 을 형성 하 기 위해 , 실리콘 층 과 실리콘 산화물 을 순차 적 으로 형성 한 후 , 평탄 화 를 수행 할 수 있 다 . 채널 층 ( 19 ) 은 실린더 형상 일 수 있 고 , 코어 절연 층 ( 20 ) 은 채널 층 ( 19 ) 의 실린더 내부 를 채우 는 필라 형상 일 수 있 다 .