제 1 가열 처리 에 의하 여 막 표면 으로부터 결정화 가 일어나 고 , 막 표면 으로부터 내부 를 향하 여 결정 성장 하 고 , C 축 배향 한 결정 이 얻 어 진다 . 제 1 가열 처리 에 의하 여 아연 과 산소 가 막 표면 에 많이 모이 고 , 상평면 이 육각형 이 되 는 아연 과 산소 로 이루어진 그라핀 타입 의 2 차원 결정 이 최 표면 에 한층 또는 복수 층 형성 되 고 , 이것 이 막 두께 방향 으로 성장 하 여 중첩 됨 으로써 적층 이 된다 . 가열 처리 의 온도 를 상승 시키 면 , 표면 으로부터 내부 , 그리고 내부 로부터 저부 로 결정 성장 이 진행 된다 .