본 발명 의 일 특징 에 따른 박막 트랜지스터 기판 의 제조 방법 에 따르 면 , 게이 트 라인 및 게이트 전극 이 형성 된 베이스 기판 위 에 게이트 절 연막 , 액티브 층 및 데이터 금속 층 을 차례 로 형성 한다 . 상기 데이터 금속 층 위 에 글 리시 딜 아크릴 레이트 수지 약 1 내지 약 70 중량 부 , 광산 발생 제 약 0 . 5 내지 약 10 중량 부 , 가교제 약 1 내지 약 20 중량 부 및 용매 약 10 내지 약 200 중량 부를 포함 하 는 포토레지스트 조성물 을 도포 하 여 포토레지스트 막 을 형성 한다 .