지금 까지 설명 한 바 와 같이 , 본 발명 에 따른 반도체 소자 의 리세 스 채널 용 트렌치 형성 방법 에 의하 면 , 국부 적 인 셀 채널 이온 주입 및 리세 스 채널 용 트렌치 형성 시 배리 어막 을 패드 질화 막 패턴 으로 동시 에 이용 함 으로써 공정 을 단순 화 할 수 있 다 . 또한 , 배리 어막 으로서 비정질 카본 막 을 이용 하 지 않 아 게이트 의 동작 특성 이 열화 하 는 것 을 방지 할 수 있 다 .