본 발명 은 또한 상기 목적 을 달성 하 기 위하 여 , 후막 층 을 구성 하 는 물질 로 는 Si , Ge , SiGe , GaAs , GaN , AlN , AlGaN , InGaN , BN , BP , BAs , BSb , AlP , AlAs , Alsb , GaSb , InP , InAs , InSb , GaP , InP , InAs , InSb , In 2 S 3 , PbS , CdTe , CdSe , Cd 1 - xZnxTe , In 2 Se 3 , CuInSe 2 , Hg 1 - xCdxTe , Cu 2 S , ZnSe , ZnTe , ZnO , W , Mo , Ni , Nb , Ta , Pt , Cu , Al , Ag , Au , ZrB 2 , WB , MoB , MoC , WC , ZrC , Pd , Ru , Rh , Ir , Cr , Ti , Co , V , Re , Fe , Mn , RuO , IrO 2 , BeO , MgO , SiO 2 , SiN , TiN , ZrN , HfN , VN , NbN , TaN , MoN , ReN , CuI , Diamond , DLC ( diamond like carbon ) , SiC , WC , TiW , TiC , CuW , 또는 SiCN 들 중 에서 적어도 한 성분 이상 으로 적층 된 것 이 바람직 하 다 .