일반 적 으로 플래시 메모리 ( Flash memory ) 소자 는 프로그래밍 및 소거 ( Erase ) 특성 을 구비 한 이피롬 ( EPROM ) 과 전기 적 으로 프로그래밍 및 소거 특성 을 확보 하 는 이 이피롬 ( EEPROM ) 의 장점 을 살려 제조 된 소자 이 다 . 이러 한 플래시 메모리 소자 는 실리콘 기판 상 에 형성 된 박막 의 터널 산화 막 , 절 연막 의 개재 하 에 적층 된 부유 게이트 , 제 어 게이트 및 노출 된 기판 부위 에 형성 된 소스 및 드레 인 영역 을 포함 하 여 구성 되 며 , 1 개 의 트랜지스터 로서 1 비트 의 저장 상태 를 실현 하 고 , 아울러 , 전기 적 으로 프로그래밍 과 소거 를 수행 한다 .