다음 으로 , 도 24 에 도시 하 는 바 와 같이 , 층간 절 연막 ( 16 ) 에 , 예컨대 마그네트론 RIE ( Reactive Ion Etching ; 반응 성 이온 에칭 ) 에 의해 , 소스 영역 ( 1 c ) 및 드레 인 영역 ( 1 d ) 에 도달 하 는 콘택트 홀 을 형성 한다 . 그리고 , 콘택트 홀 의 내벽 에 , 예컨대 CVD 에 의해 , TiN 등 의 배리어 메탈 을 형성 한다 . 계속 해서 , 예컨대 CVD 에 의해 , 배리어 메탈 상 에 텅스텐 ( W ) 막 을 성막 ( 成 膜 ) 한다 . 이렇게 해서 , 콘택트 홀 에 텅스텐 ( W ) 으로 이루어지 는 콘택트 가 매립 되 고 , 소스 영역 ( 1 c ) 및 드레 인 영역 ( 1 d ) 에 전기 적 으로 접속 된 콘택트 ( 17 ) 가 완성 된다 . 이상 으로 , 반도체 장치 의 주요 한 제조 공정 이 종료 된다 .