ArF 리소그래피 는 130 nm 노드 의 디바이스 제작 에서부터 부분 적 으로 사용 되 기 시작 하 여 , 90 nm 노드 디바이스 부터 는 메인 리소그래피 기술 이 되 었 다 . 다음 45 nm 노드 의 리소그래피 기술 로서 , 당초 F 2 레이저 를 이용 한 157 nm 리소그래피 가 유망 하 다고 여겨졌 지만 , 여러 가지 문제 에 의한 개발 지연 이 지적 되 었 기 때문 에 , 투영 렌즈 와 웨이퍼 의 사이 에 물 , 에틸렌글리콜 , 글리세린 등 의 공기 보다 굴절 율 이 높 은 액체 를 삽입 함 으로써 , 투영 렌즈 의 개구수 ( NA ) 를 1 . 0 이상 으로 설계 할 수 있 고 , 고해상도 를 달성 할 수 있 는 ArF 액침 리소그래피 가 급부상 하 여 ( 예 를 들 어 , 비 특허 문헌 1 : Journal of photopolymer Science and Technology Vo 1 . 17 , No . 4 , p 587 ( 2004 ) 참조 ) , 실용 단계 에 있 다 . 이 액침 리소그래피 를 위해서 는 물 에 잘 용출 되 지 않 는 레지스 트 재료 가 요구 된다 .