해당 이온 성 관능기 밀도 는 , 예 를 들 어 이온 성 관능기 함유 고분자 를 제조 할 때 의 이온 성 관능기 를 갖 는 단량체 ( 술폰산 ( 염 ) 기 함유 단량체 , 인산 ( 염 ) 기 함유 단량체 , 포스폰산 ( 염 ) 기 함유 단량체 , 아미노기 함유 단량체 ) 의 사용량 에 의해 제어 할 수 있 다 . 또한 , 해당 이온 성 관능기 밀도 는 , ICP 발광 분광 분석법 ( 고주파 유도 결합 플라스마 발광 분광 분석법 ) , 원자 흡광 분광법 등 에 의해 측정 할 수 있 다 .