그러나 , 거친 메 쉬 를 가진 입자 의 한 가지 종류 의 그라인더 를 이용 하 여 GaN 기판 을 평탄 화 하 는 그라인딩 공정 을 수행 한 후 에 후속 하 여 기판 표면 폴리 싱 공정 을 수행 함 에 있 어서 거친 메 쉬 의 그라인더 를 이용 한 평탄 화 과정 에서 GaN 기판 의 표면 에 상당 한 두께 의 손상 층 ( damage layer ) 이 발생 하 게 되 고 , 이러 한 손상 층 으로 인하 여 후속 하 는 폴리 싱 공정 에 더욱 많 은 시간 이 소요 되 어 전체 공정 에 소요 되 는 시간 이 증가 되 는 문제점 이 있 었 다 .