그러나 , 종래 의 임베디드 비아 를 형성 하 기 위한 공정 을 이용 하 여 이상 적 인 임베디드 비아 를 형성 하 는 것 은 어려울 수 있 다 . 많 은 이유 들 중 의 하나 는 , 펀치 - 쓰루 공정 으로 도 불리 는 종래 의 임베디드 비아 형성 공정 은 기판 내 에 형성 된 컨 덕 터 와 함께 비아 바닥 에서 이미 증착 된 전도성 라이너 층 의 에치 백 을 포함 하 므로 , 다 마신 인터 커넥트 시스템 을 구성 하 는 물질 의 오염 및 손상 을 일으키 기 때문 이 다 . 손상 및 오염 문제 에 부가 하 여 , 종래 의 다마 신 공정 은 다른 본질 적 인 문제 를 가지 고 있 다 .