자연 산화 막 ( 162 ) 은 절연 라이너 ( 160 ) 의 일부분 , 게이트 스 페이서 구조물 ( 140 ) 의 일부분 , 또는 제 2 희생 게이트 ( 226 ) ( 도 11 참조 ) 의 일부분 으로부터 형성 된 산화물 로 구성 될 수 있 다 . 게이트 전극 ( 120 ) 및 절연 캡 핑 층 ( 150 ) 을 형성 하 기 위한 예시 적 인 공정 에 있 어서 , 제 1 희생 게이트 ( 222 ) ( 도 10 참조 ) 측벽 상 에 게이트 스 페이서 구조물 ( 140 ) 을 형성 하 고 , 제 1 희생 게이트 ( 222 ) 의 상부 ( upper portion ) 와 게이트 스 페이서 구조물 ( 140 ) 의 상부 를 제거 하 여 제 1 리세 스 영역 ( 220 R 1 ) ( 도 10 참조 ) 을 형성 한 후 , 게이트 스 페이서 구조물 ( 140 ) 상 에 절연 라이너 ( 160 ) 를 형성 할 수 있 다 . 이후 제 1 리세 스 영역 ( 220 R 1 ) 을 채우 는 제 2 희생 게이트 ( 226 ) ( 도 11 참조 ) 을 형성 하 여 T - 형상 을 갖 는 희생 게이트 스택 ( 220 ) ( 도 11 참조 ) 을 형성 할 수 있 다 . 희생 게이트 스택 ( 220 ) 이 제거 된 부분 에 게이트 전극 ( 120 ) 과 절연 캡 핑 층 ( 150 ) 을 순차 적 으로 형성 할 수 있 다 . 여기 서 희생 게이트 스택 ( 220 ) 의 제거 공정 및 / 또는 게이트 전극 ( 120 ) 의 형성 공정 에서 노출 되 는 절연 라이너 ( 160 ) 및 게이트 스 페이서 구조물 ( 140 ) 의 표면 상 에 자연 산화 막 ( 162 ) 이 소정 의 두께 로 형성 될 수 있 다 .