도 3 은 도 1 의 반도체 처리 장치 의 개략 적 인 시스템 다이어그램 으로 , 액체 반응물 소스 ( 3 ) 및 비활성 가스 소스 ( 29 ) 를 포함 한다 . 달리 언급 이 없 는 한 , 도 3 의 구성 요소 는 도 1 및 도 2 의 유사 번호 의 구성 요소 와 동일 하 거나 일반 적 으로 유사 할 수 있 다 . 반응물 소스 ( 3 ) 만 이 존재 하 는 도 1 및 도 2 의 구 현예 와 달리 , 도 3 에서 , 장치 ( 1 ) 는 비활성 가스 라인 ( 33 ) 을 따라 기화기 ( 10 ) 의 주입기 ( 5 ) 에 비활성 캐리어 가스 를 공급 할 수 있 다 . 나타낸 바 와 같이 , 가스 질량 흐름 제어기 ( MFC ) ( 6 ) 는 비활성 가스 라인 ( 33 ) 을 따라 가스 공급량 을 계량 할 수 있 다 . 제 4 밸브 ( 31 ) 가 비활성 가스 라인 ( 33 ) 을 따라 제공 되 어 , 비활성 가스 의 기화기 ( 10 ) 로 의 흐름 을 조절 할 수 있 다 . 제 4 밸브 ( 31 ) 는 , 일부 구 현예 에서 복수 의 유동 컨덕턴스 설정 을 갖 는 조절 밸브 를 포함 할 수 있 다 . 다른 구 현예 에서 , 제 4 밸브 ( 31 ) 는 이중 온 / 오프 밸브 를 포함 할 수 있 고 , 여기 서 밸브 ( 31 ) 는 비활성 가스 라인 ( 33 ) 을 따라 비활성 가스 의 흐름 을 허용 하 거나 차단 한다 . 도 3 의 구 현예 에서 , 비활성 가스 는 반응물 증기 를 반응기 ( 21 ) 에 공급 하 는 것 을 보조 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 비활성 가스 는 주입기 ( 5 ) 에 반응물 액체 를 분무 하 는 것 을 보조 할 수 있 으며 , 이 는 기화 효율 을 개선 한다 .