300 mm 의 코팅 되 지 않 은 실리콘 웨이퍼 를 TEL Lithius 300 mm 웨이퍼 트랙 에서 AR ™ 46 ( Dupont ) 으로 코팅 하 고 205 ℃ 에서 60 초 동안 경화 시켜 650 Å 의 제 1 BARC 층 을 형성 하 였 다 . 리소그래피 평가 를 위한 BARC 재료 를 제 1 BARC 층 위 에 코팅 하 고 205 ℃ 에서 60 초 동안 경화 시켜 190 Å 의 제 2 BARC 층 을 형성 하 였 다 . Dupont ArF - i NTD 포토레지스트 를 BARC 층 스택 위 에 코팅 하 고 100 ℃ 에서 60 초 동안 소프트 베이 킹 하 여 900 Å 의 두께 를 형성 하 였 다 . NIKON 610 C 침지 스캐너 ( 1 . 3 NA , 0 . 80 / 0 . 64 의 내측 / 외측 시그마 , 환상 형 조명 ) 에서 포토 마스크 를 통해 웨이퍼 를 노광 시켜 46 / 94 nm 라인 / 스페이스 패턴 을 형성 하 였 다 . 웨이퍼 를 90 ℃ 에서 60 초 동안 노광 후 베이 킹 ( PEB ) 하 였 다 . 웨이퍼 를 n - 부틸 아세테이트 ( NBA ) 현상액 으로 현상 하 고 , 스핀 건조 시켜 포토레지스트 패턴 을 형성 하 였 다 . 패 터닝 된 웨이퍼 를 CD - SEM 툴 로 검사 하 고 , 리소그래피 분석 결과 를 표 2 에 제공 하 였 다 .