온도 에 의해 실효 적 인 두께 가 변화 하 는 자기 갭 을 가지 고 , 또한 페라이트 자성체 의 초 투자 율 의 상대 온도 계수 αμ ir 을 원하 는 범위 로 설정 한 본 발명 의 적층 인덕 터 는 , 온도 변화 에 대하 여 안정 된 인덕턴스 및 우수 한 직류 중첩 특성 을 가지 고 , 또한 스위칭 주파수 부근 에서 저 손실 이 며 , 응력 에 의한 특성 변동 이 적 다 .