개구 들 ( 40 ) 은 실리콘 상 에서 화학 적 식각 에 의해 형성 되 는 것 이 바람직 하 고 , 그러면 , 개구 들 은 경사진 측면 을 갖 고 , 이 경사각 은 실리콘 의 자연 열 개 ( 裂 開 ) ( natural cleavage ) 평면 들 에 대응 한다 ( 55 °). 홈 ( 48 ) 은 수직 이방성 어택 ( vertical anisotropic attack ) ( 플라 즈 마 식각 ) 에 의해 식각 되 는 것 이 바람직 하 고 , 그 옆 측면 들 은 수직 이 다 . 그 폭 은 수 마이크로미터 ( 예 를 들 어 1 내지 3 마이크로미터 ) 일 수 있 다 . 홈 ( 48 ) 은 비록 이론 적 으로 는 개구 들 ( 40 ) 과 동시 에 만들 어 지 는 것 이 가능 하 지만 , 접속 단자 의 범위 를 정하 기 위해 식각 할 때 홈 의 바닥 으로부터 알루미늄 을 제거 하 는 것 이 어렵 기 때문 에 , 레이어 ( 42 ) 가 성막 될 때 홈 ( 48 ) 이 채워 지 지 않 도록 , 홈 ( 48 ) 은 개구 들 ( 40 ) 과 동시 에 만들 어 지 지 않 는다 .