구체 적 으로 , 데이터 도전 층 ( 140 ) 이 형성 된 층간 절 연막 ( 163 ) 상 에 패 시베이 션 층 ( 164 ) 을 전면 증착 한다 . 이 어 , 패 시베이 션 층 ( 164 ) 상 에 포토레지스트 층 을 형성 한 후 노광 및 현상 하 여 포토레지스트 패턴 을 형성 한다 . 포토레지스트 패턴 ( PR 1 ) 은 트랜지스터 영역 ( TRR ) 의 소스 전극 ( SEL ) 에 중첩 하 는 영역 을 노출 하 는 제 1 개 구부 ( OP 1 ) 와 패드 영역 ( PDA ) 을 노출 하 는 제 2 개 구부 ( OP 2 ) 를 포함 한다 . 일 실시 예 에서 , 제 1 개 구부 ( OP 1 ) 의 폭 은 대응 되 는 소스 전극 ( SEL ) 의 폭 보다 작 거나 같 은 반면 , 제 2 개 구부 ( OP 2 ) 의 폭 은 패드 영역 ( PDA ) 의 게이트 도전 층 ( 130 ) 의 폭 보다 클 수 있 지만 , 이 에 제한 되 는 것 은 아니 다 .