이러 한 화학 적 기계 적 연마 를 위한 공정 은 CMP 장비 를 사용 하 여 달성 되 는데 , 반도체 웨이퍼 를 carrier ( 연마 헤드 ) 하부 에 흡착 하 여 고정 시키 고 연마 패드 표면 과 밀착 시킨 상태 에서 수백 나노미터 크기 의 연마제 와 화학 물질 이 현 탁 된 슬러리 를 공급 하 며 , 구동축 을 통해 carrier 에 회전력 과 갖 게 함 과 동시 에 하부 방향 으로 의 수직 압력 을 가하 여 웨이퍼 의 가공 표면 을 화학 적 으로 반응 시키 면서 연마 패드 테이블 과 carrier 를 상대 적 으로 운동 시켜 기계 적 으로 웨이퍼 측 가공 표면 의 요철 부분 을 평탄 화 함 으로써 미세 한 웨이퍼 의 표면 을 얻 을 수 있 게 된다 . 이 를 통해 넓 은 면적 을 가진 웨이퍼 의 생산 이 가능 하 게 된다 .