상기 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 반도체 소자 의 제조 방법 은 기판 상 에 게이트 절 연막 을 형성 하 는 단계 , 상기 게이트 절 연막 상 에 게이트 패턴 을 형성 하 는 단계 , 게이트 재산 화 를 실시 하 여 상기 게이트 패턴 및 기판 상 에 산화 막 을 형성 하 는 단계 , 상기 게이트 패턴 을 포함 하 는 결과물 의 전면 에 불소 를 함유 하 는 분리 보호막 을 형성 하 는 단계 , 열 공정 을 실시 하 는 단계 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .