상기 구성 의 메모리 셀 어레이 ( 2 ) 에서 , 동일 한 워드 선 WL 에 접속 된 복수 의 메모리 셀 트랜지스터 MT 에 는 , 일괄 적 으로 데이터 가 기입 된다 . 이 데이터 가 기입 되 는 단위 를 「 페이지 」 라 부른다 . 본 실시 양태 에서 는 , 설명 의 간단 화 를 위해 , 동일 한 워드 선 에 접속 된 ( m + 1 ) 개 의 메모리 셀 트랜지스터 MT 의 전부 에 대하 여 , 일괄 적 으로 데이터 가 기입 되 는 경우 를 예 로 설명 한다 . 또한 ， 데이터 의 판독 도 기입 과 동일 한 단위 에 의해 행해 지 는 것 으로 한다 . 단 ， 반드시 동일 한 워드 선 에 접속 된 모든 메모리 셀 트랜지스터 MT 에 대하 여 동시 에 기입 및 판독 이 행해질 필요 는 없 다 . 예 를 들 면 , 동일 워드 선 에 접속 된 메모리 셀 트랜지스터 MT 중 ， 짝수 비트 선 ( BL 0 , BL 2 , BL 4 , … ) 에 접속 된 것 끼리 및 홀수 비트 선 ( BL 1 , BL 3 , BL 5 , … ) 에 접속 된 것 끼리 에 대하 여 , 동시 에 기입 및 판독 이 행해 지 는 경우 이 어도 된다 . 예 를 들 면 짝수 비트 선 에 접속 된 메모리 셀 트랜지스터 MT 에 대하 여 데이터 가 기입 되 는 경우 에 는 , 홀수 비트 선 은 비 선택 비트 선 으로서 취급 된다 . 반대 의 경우 에 도 마찬가지 이 다 .