제 5 , 제 6 실시 예 에서 는 , 클록 신호 ( CK ) 의 최초 의 수 클록 에서 , 이 들 메모리 칩 의 RWDS 신호 는 , 어느 쪽 이나 같 은 상태 ( 동일 하 게 로우 레벨 또는 동일 하 게 하이 임피던스 상태 ) 에 있 기 때문 에 , 버스 경합 을 회피 할 수 있 다 . 또한 , 제 2 ∼ 제 4 실시 예 와 비교 해 , 유효 데이터 의 출력 을 개시 하 기 전 에 , 제 1 메모리 칩 ( 110 ＿ 0 ) 의 RWDS 신호 는 , 로우 레벨 이 거나 , 또는 하이 임피던스 상태 로부터 로우 레벨 이 되 고 , 하이 레벨 에서 로우 레벨 이 되 는 것 이 아니 라 , 그 RWDS 신호 는 로우 레벨 로 용이 하 게 유지 된다 .