구체 적 으로 , 희생 물질 층 패턴 ( 102 a ) , 예컨대 SiGe 층 은 화학 적 건식 식각 을 사용 하 는 것 보다 습식 식각 을 사용 하 는 것 이 보다 바람직 하 다 . 덧붙여 , 분당 수백 Å 의 식각 율 을 가지 는 습식 식각 액 을 사용 하 면 식각 시간 을 크 게 줄일 수 있 다 . 분 당 수백 Å 의 식각 율 을 보이 는 식각 액 은 다음 에 상세 하 게 설명 하 는 것 과 같이 수산화 암모늄 ( NH 4 OH ) , 과산화수소 ( H 2 O 2 ) 및 탈 이 온수 ( H 2 O ) 를 포함 하 는 혼합 용액 을 사용 하 는 것 이 바람직 하 다 . 예컨대 , 수산화 암모늄 , 과산화수소 및 탈 이 온수 의 혼합 비율 이 1 : 5 : 1 인 표준 세정액 ( SC - 1 ) 을 사용 하 거나 탈 이온 수 의 비율 을 증가 시켜서 상기 혼합 비율 을 1 : 5 : 20 으로 하 여 사용 할 수 도 있 다 . 이러 한 혼합 용액 은 40 내지 75 ℃ 로 가열 하 여 사용 하 는 경우 에 SiGe 층 ( 102 a ) 의 제거 효과 가 우수 하 다 .