반도체 소자 들 의 제조 는 다수 다이 를 갖 는 웨이퍼 형성 을 포함 한다 . 각 다이 는 수백 내지 수천 의 트랜지스터 및 하나 이상 의 전기 적 기능 들 을 수행 하 는 다른 액티브 및 패시브 장치 들 을 포함 한다 . 주어진 하나 의 웨이퍼 에 대해서 , 그 웨이퍼 로부터 의 각 다이 는 동일 한 전기 적 기능 을 수행 한다 . 프론트 - 엔드 ( front - end ) 제조 는 일반 적 으로 웨이퍼 상 에 반도체 소자 를 형성 하 는 것 을 의미 한다 . 최종 웨이퍼 는 트랜지스터 및 다른 액티브 및 패시브 장치 들 을 포함 하 는 액티브 사이드 를 갖 는다 . 백 - 엔드 ( back - end ) 제조 는 최종 웨이퍼 를 개별 적 인 다이로 컷팅 및 싱 귤 레이팅 ( singulating ) 하 고 구조 적 지지 및 / 또는 환경 적 분리 를 위해서 패 키 징하 는 것 을 의미 한다 .