본 발명 의 일 실시 예 에 있 어서 , 제 2 도 전체 ( 120 ) 에 인접 한 상변화 물질 ( 113 ) 부분 과 제 1 도 전체 ( 95 ) 에 인접 한 상변화 물질 ( 113 ) 부분 은 실질 적 으로 동일 한 단면 형태 혹은 기하학 적 형태 를 나타낼 수 있 다 . 예 를 들 어 제 1 도 전체 ( 95 ) 와 상변화 물질 ( 113 ) 사이 의 중첩 면 과 제 2 도 전체 ( 120 ) 와 상변화 물질 ( 113 ) 사이 의 중첩 면 이 실질 적 으로 동일 한 면적 혹은 기하학 적 형태 를 나타낼 수 있 다 . 따라서 , 본 발명 의 일 실시 예 에 따르 면 , 제 1 도 전체 ( 95 ) 및 제 2 도 전체 ( 120 ) 중 어느 것 혹은 둘 모두 를 상변화 물질 ( 113 ) 의 결정 상태 를 변경 하 기 위한 가열 전극 으로 사용 하 더라도 크 게 문제 되 지 않 는다 . 즉 , 제 1 도 전체 ( 95 ) 에 인접 한 상변화 물질 ( 113 ) 그리고 / 또는 제 2 도 전체 ( 120 ) 에 인접 한 상변화 물질 ( 113 ) 에서 결정 상태 변화 가 일어날 수 있 다 . 예 를 들 어 본 발명 의 일 실시 예 에 따르 면 , 상변화 물질 ( 113 ) 은 두 곳 에서 결정 상태 의 변화 가 발생 할 수 있 어 , 멀티 레벨 메모리 소자 를 구현 할 수 있 다 .