도 1 에 나타내 는 바 와 같이 , 실리콘 기판 ( 11 ) 위 에 층간 절 연막 ( 12 ) 을 형성 하 고 , 도 2 에 나타내 는 바 와 같이 , 층간 절 연막 ( 12 ) 위 에 스퍼터링 법 에 따라 티 탄막 ( 13 ) 을 형성 하 였 다 . 다음 에 , 도 3 에 나타내 는 바 와 같이 , ArF 액침 노광 에 의해 레지스 트 패턴 ( 14 ) 을 형성 하 고 , 이것 을 마스크 로서 이용 하 며 , 반응 성 이온 에칭 에 의해 티 탄막 ( 13 ) 을 패 터닝 하 여 개구부 ( 15 a ) 를 형성 하 였 다 . 계속 해서 , 반응 성 이온 에칭 에 의해 레지스 트 패턴 ( 14 ) 을 제거 하 며 , 도 4 에 나타내 는 바 와 같이 , 티 탄막 ( 13 ) 을 마스크 로 하 여 층간 절 연막 ( 12 ) 에 개구부 ( 15 b ) 를 형성 하 였 다 .