산화물 층 은 인접 한 다른 층 , 예컨대 절 연막 에 과잉 산소 ( O ) 를 공급 할 수 있 다 . 절 연막 에 공급 된 과잉 산소 ( O ) 는 산화물 반도체 의 채널 영역 으로 주입 되 고 , 산소 결함 영역 ( Vo ) 에 침투 된 수소 ( H ) 가 다시 절 연막 으로 배출 될 수 있 다 . 이 경우 , 산화물 반도체 에 포함 된 캐리어 ( carrier ) 수 가 감소 하 고 , 구동 트랜지스터 ( DRT ) 의 구동 전압 의 범위 를 확보 할 수 있 다 . 반면 에 , 제 1 스위칭 트랜지스터 ( SCT ) 의 경우 활성 층 상 에 산소 공급 층 이 배치 되 지 않 음 으로써 , 높 은 이동도 를 가질 수 있 다 .