이때 , 고정 패턴 ( 130 ) 은 고정 패턴 ( 130 ) 을 포함 하 는 나노 섬유 매트 ( 100 ) 의 크기 가 배양 용기 보다 크 되 , 고정 패턴 ( 130 ) 에 압축력 이 가해 지 는 경우 압축 된 고정 패턴 ( 130 ) 을 포함 하 는 나노 섬유 매트 ( 100 ) 의 길이 가 배양 용기 보다 작아지 도록 나노 섬유 층 ( 110 ) 의 외부 방향 으로 돌출 된다 . 일례 로 , 고정 패턴 ( 130 ) 은 나노 섬유 층 ( 110 ) 과 배양 용기 사이 에 형성 된 간극 이상 돌출 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 나노 섬유 층 ( 110 ) 과 배양 용기 사이 의 간극 이 50 ㎛ 인 경우 , 고정 패턴 ( 130 ) 의 돌출 된 정도 는 50 ㎛ 를 초과 할 수 있 다 . 이때 , 고정 패턴 ( 130 ) 에 압축력 이 가해 지 는 경우 , 압축 된 고정 패턴 은 나노 섬유 층 ( 110 ) 으로부터 돌출 되 지 않 을 수 있 고 , 돌출 되 는 경우 돌출 정도 가 50 ㎛ 미만 일 수 있 다 . 즉 , 고정 패턴 ( 130 ) 의 말단 이 나노 섬유 층 ( 110 ) 과 배양 용기 사이 의 간극 에 존재 하 거나 나노 섬유 층 ( 110 ) 상 에 존재 할 수 있 다 . 때문 에 , 고정 패턴 ( 130 ) 에 압축력 을 가한 상태 에서 배양 용기 내 에 배치 시키 고 , 고정 패턴 ( 130 ) 에 가해진 압축력 을 제거 함 으로써 탄성 변형 에 의해 배양 용기 내 에 나노 섬유 매트 ( 100 ) 를 고정 시킬 수 있 다 .