여기 서 , 상기 진성 층 물질 ( 400 ) 은 상기 제 1 도전 형 전도 층 ( 301 ) 의 두께 보다 약 10 ~ 1 , 000 배 정도 의 두꺼운 두께 로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 이 는 상기 진성 층 ( 401 ) 의 두께 가 두 꺼 울 수록 핀 다이오드 의 공핍 영역 이 늘어나 많 은 양 의 광전 하 를 보관 및 생성 하 기 에 유리 하 기 때문 이 다 .