여기 서 , 탑 게이트 타입 의 구동 박막 트랜지스터 ( DTr ) 를 일예 로 설명 하 면 , 반도체 층 은 폴리 실리콘 으로 이루어지 며 그 중앙부 는 채널 을 이루 는 액티브 영역 그리고 액티브 영역 양 측면 으로 고농도 의 불순물 이 도핑 된 소스 및 드레 인 영역 으로 구성 되 며 , 이러 한 반도체 층 상부 로 는 게이트 절 연막 이 형성 되 어 있 다 .