한편 , 실시 예 에 따라 , 인접 하 는 칩 안테나 ( 100 ) 들 의 중심 간 의 이격 거리 는 λ / 2 보다 작 을 수 있 다 . 후술 할 바 와 같이 , 칩 안테나 ( 100 ) 들 각각 은 세라믹 기판 들 및 세라믹 기판 들 중 일부 에 마련 되 는 적어도 하나 의 패치 로 구성 된다 . 이 때 , 세라믹 기판 들 을 소정 의 거리 이격 하 거나 , 세라믹 기판 들 사이 에 세라믹 기판 들 보다 유전 율 이 낮 은 물질 을 배치 하 여 , 칩 안테나 ( 100 ) 의 전체 유전율 을 낮출 수 있 다 . 이 로써 , 칩 안테나 ( 100 ) 에서 송수신 되 는 RF 신호 의 파장 을 증가 시켜 , 방사 효율 및 이득 을 향상 시킬 수 있 으므로 , 인접 하 는 칩 안테나 ( 100 ) 들 의 중심 간 의 이격 거리 를 RF 신호 의 λ / 2 보다 작 게 , 인접 하 는 칩 안테나 ( 100 ) 를 배치 하 는 경우 에 도 , RF 신호 간 의 간섭 을 최소 화 할 수 있 다 . 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 칩 안테나 모듈 ( 1 ) 은 28 GHz 대역 에서 RF 신호 를 송수신 하 는 경우 , 인접 하 는 칩 안테나 ( 100 ) 들 의 중심 간 의 이격 거리 는 5 . 36 mm 보다 작 을 수 있 다 .