다음 으로 도 12 에 도시 된 바 와 같이 유기 막 패턴 ( PR ) 및 패 터닝 된 제 3 도전 물질 층 ( 43 c ) 을 마스크 로 하 여 제 2 도전 물질 층 ( 43 b ) 을 패 터닝 한다 . 제 2 도전 물질 층 ( 43 b ) 은 에칭 액 등 을 이용 한 ? 에칭 ( 또는 습식 식각 ) 공정 을 통해 패 터닝 될 수 있 으며 , 상기 에칭 액 을 기준 으로 식각 선택 비 가 다른 제 1 도전 물질 층 ( 43 a ) 및 제 3 도전 물질 층 ( 43 c ) 은 식각 되 지 않 을 수 있 다 .