또 다른 양태 에서 , 반도체 기판 을 프로세싱 하 는 방법 은 : ( a ) 복수 의 돌출 하 는 피처 들 을 갖 는 반도체 기판 을 제공 하 는 단계 ; ( b ) 돌출 하 는 피처 들 의 수평 표면 들 및 측벽 들 위 에 주석 옥사이드 층 을 증착 하 는 단계 ; 및 ( c ) 돌출 하 는 피처 들 의 측벽 들 에 존재 하 는 주석 옥사이드 를 제거 하 지 않 고 , 돌출 하 는 피처 들 의 수평 표면 들 로부터 주석 옥사이드 를 에칭 하 고 제거 하 는 단계 를 포함 하 고 , 에칭 하 는 단계 는 주석 옥사이드 를 주석 클로라이드 로 변환 하 기 위해 반도체 기판 을 염소 - 기반 에칭 화학 물질 에 노출 하 는 단계 를 포함 한다 .