일 실시 예 에 따르 면 , 표시 패널 ( 10 ) 의 표시 영역 ( DA ) 에 는 복수 의 화소 ( PX ) 들 이 배치 되 고 , 각 화소 ( PX ) 는 구동 트랜지스터 ( DRT ) 와 제 1 스위칭 트랜지스터 ( SCT ) 를 포함 할 수 있 다 . 각 화소 ( PX ) 의 구동 트랜지스터 ( DRT ) 는 제 1 활성 층 ( 350 ) , 제 1 산화물 층 ( 370 ) , 제 1 게이트 전극 ( 310 ) , 제 1 소스 전극 ( 330 ) , 및 제 1 드레 인 전극 ( 340 ) 을 포함 한다 . 화소 ( PX ) 의 제 1 스위칭 트랜지스터 ( SCT ) 는 제 2 활성 층 ( 450 ) , 제 2 게이트 전극 ( 410 ) , 제 2 소스 전극 ( 430 ) 및 제 2 드레 인 전극 ( 440 ) 을 포함 한다 . 또한 , 각 화소 ( PX ) 는 제 1 스위칭 트랜지스터 ( SCT ) 의 제 2 소스 전극 ( 430 ) 과 접촉 하 는 제 1 도전 패턴 ( 630 ) 및 제 2 드레 인 전극 ( 440 ) 과 접촉 하 는 제 2 도전 패턴 ( 640 ) 을 더 포함 할 수 있 다 .