인 - 프로세스 구조 부 는 웨이퍼 의 접점 ( 30 ) 에 연결 된 트레이스 ( 48 ) 및 트레이스 에 연결 된 단자 ( 50 ) ( 도 3 및 도 4 ) 를 형성 함 으로써 취급 될 수 있 다 . 도 4 에 최상 으로 도시 된 바 와 같이 , 트레이스 ( 48 ) 는 컴 플라 이언 트 구조 부 의 상면 ( 38 ) 상 에 형성 될 수 있 다 . 본 실시 예 에서 , 단자 ( 50 ) 는 컴 플라 이언 트 구조 부 의 상면 ( 38 ) 에서부터 상 방향 으로 돌출 하 는 포스트 의 형태 를 갖 는다 . 트레이스 ( 48 ) 는 접점 과 정렬 상태 로 컴 플라 이언 트 구조 부 를 관통 하 여 연장 하 는 비아 ( 52 ) 에서 단자 ( 30 ) 와 접속 된다 . 각각 의 트레이스 는 컴 플라 이언 트 구 조부 ( 36 ) 내 의 비아 ( 52 ) 를 관통 하 여 연장 하 는 접속 부 를 갖 는 접촉 말 단부 ( 54 ) 를 가지 며 , 이 로써 접촉 말 단부 ( 54 ) 가 웨이퍼 의 접점 ( 30 ) 중 의 하나 에 전기 적 으로 접속 된다 . 트레이스 및 단자 와 , 접점 ( 30 ) 에 대한 이 들 의 접속 부 는 금속 층 의 증착 및 선택 적 에칭 등 의 실질 적 으로 종래 의 공정 을 이용 하 여 형성 될 수 있 다 . 비아 ( 52 ) 는 웨이퍼 와 단일 체화 ( uniting ) 되 기 전 에 컴 플라 이언 트 구조 부 내 에 형성 되 거나 , 또는 컴 플라 이언 트 구조 부 를 에칭 또는 레이저 삭마 등 에 의해 나중 에 형성 될 수 도 있 다 .