또한 , 본 발명 에 따른 다 파장 발광 소자 제조 방법 의 바람직 한 제 2 실시 예 에 따르 면 , 기판 상부 에 버퍼 층 을 형성 하 는 단계 ; 버퍼 층 상부 에 n - 반도체 층 을 형성 하 는 단계 ; 상부 에 상호 이격 된 복수 개 돌출부 들 을 갖 는 양자 우물 ( Quantum Well ) 층 과 돌출부 들 을 포함 하 는 양자 우물 층 상부 에 형성 된 양자 장벽 ( Quantum Barrier ) 층 이 순차 적 으로 적층 된 구조 로 이루어지 는 활성 층 을 n - 반도체 층 상부 에 형성 하 는 단계 ; 활성 층 상부 에 p - 반도체 층 을 형성 하 는 단계 ; p - 반도체 층 상부 에 제 1 전극 을 형성 하 는 단계 ; 기판 및 버퍼 층 을 제거 하 여 n - 반도체 층 을 노출 시키 는 단계 및 ; n - 반도체 층 하부 에 제 2 전극 을 형성 하 는 단계 ; 를 포함 하 여 이루어지 는 것 을 특징 으로 한다 .