원 자비 〔 In / ( In + Zn + Ga ) 〕 가 0 . 34 , 원 자비 〔 Zn / ( In + Zn + Ga ) 〕 가 0 . 34 , 원 자비 〔 Ga / ( In + Zn + Ga ) 〕 가 0 . 32 의 타 겟 을 이용 하 여 , 분위기 가스 를 Ar : 97 %, O 2 : 3 % 로 한 것 외 에 는 반도체 층 과 같 은 성막 조건 으로 20 nm 성막 하 여 , 산화물 저항 층 으로 했 다 .