먼저 , 도 1 a 에 도시 된 바 와 같이 , 반도체 기판 ( 100 ) 상 에 터널 링 산화 막 ( 101 ) , 플로팅 게이트 ( 102 ) 및 패드 질화 막 ( 103 ) 을 순차 적 으로 증착 한 후 , 식각 공정 을 실시 하 여 반도체 기판 ( 100 ) 내 에 트렌치 ( 미 도시 ) 를 형성 한다 . 그런 다음 , 상기 트렌치 가 매립 되 도록 소자 분리 막 ( 104 ) 을 형성 한 후 , 도 1 b 에 도시 된 바 와 같이 패드 질화 막 ( 103 ) 을 제거 한다 . 이 과정 에서 소자 분리 막 ( 104 A ) 또한 일부 식각 된다 .