또한 , 강유전체 커패시터 를 형성 한 후 에 는 이것 을 덮 는 층간 절 연막 을 형성 한다 . 층간 절 연막 의 형성 에서 는 TEOS 를 사용 한 플 라즈 마 CVD 법 , 고밀 도 플 라즈 마법 등 이 채용 되 고 있 다 . 따라서 , 층간 절 연막 형성 의 때 에 강유전체 커패시터 가 플 라즈 마 에 노출 되 고 그 특성 이 저하 된다 . 강유전체 커패시터 를 알루미늄 산화 막 등 의 보호막 으로 덮 은 후 에 층간 절 연막 을 형성 하 는 기술 도 존재 하 지만 , 이 기술 에 의해서 도 특성 을 충분 하 게 유지 하 는 것 은 곤란 하 다 .