도 12 에서 도시 하 는 레이저 처리 는 , 단결정 반도체 층 ( 106 ) 의 결함 을 수복 한다는 의미 에 있 어서 유용 하 다 . 즉 , 광전 변환 장치 에 있 어서 는 , 광전 변환 에 의해 반도체 내 에서 생성 된 캐리어 ( 전자 및 정공 ) 를 반도체 층 의 표면 에 형성 된 전극 에 수집 하 여 전류 로서 추출 하 고 있 다 . 이 때 , 반도체 층 의 표면 에서 의 재결합 중심 이 많 으면 , 거기 에서 광 생성 캐리어 가 소멸 되 어 광전 변환 특성 을 악화 시키 는 원인 이 되 어 버린다 . 그래서 , 레이저 처리 에 의해 단결정 반도체 층 의 결함 을 수복 해 두 는 것 은 유효 한 처리 가 된다 .