집 적 회로 의 증가 하 는 소규모 화 ( down - scaling ) 및 집 적 회로 의 속도 에 대한 증가 하 는 수요 요구 에 의해 , 트랜지스터 는 점점 더 소형 의 치수 를 갖 는 더 높 은 구동 전류 를 가질 필요 가 있 다 . 핀 전계 효과 트랜지스터 ( Fin Field - Effect Transistor : FinFET ) 가 따라서 개발 되 었 다 . 종래 의 FinFET 형성 프로세스 에서 , 반도체 핀 ( fin ) 이 실리콘 기판 을 에칭 하 여 트렌치 를 형성 하 고 , 유전 재료 ( 들 ) 로 트렌치 를 충전 하 여 얕 은 트렌치 격리 ( Shallow Trench Isolation : STI ) 영역 을 형성 하 고 , 이어서 STI 영역 을 리세 싱 ( recessing ) 함 으로써 형성 될 수 도 있 다 . STI 영역 의 리세 싱 된 부분 들 사이 의 실리콘 기판 부분 은 따라서 FinFET 가 그 위 에 형성 되 는 반도체 핀 을 형성 한다 .