일부 실시 예 들 에서 , 본 발명 개시 는 집 적 칩 에 관한 것 이 다 . 집 적 칩 은 , 기판 위 의 하부 유전체 구조물 내 에 배치 된 복수 의 하부 상호 연결 층 들 ; 하부 유전체 구조물 위 에 배치 된 하부 절연 구조물 - 상기 하부 절연 구조물 은 상기 하부 절연 구조물 을 관통 하 여 연장 된 측벽 들 을 가짐 -; 하부 절연 구조물 의 측벽 들 과 윗면 을 따라 배열 된 하부 전극 - 하부 절연 구조물 의 윗면 은 하부 전극 의 최외각 측벽 들 을 지나 연장 됨 -; 하부 전극 상 에 배치 되 고 데이터 상태 를 저장 하 도록 구성 된 데이터 저장 구조물 ; 데이터 저장 구조물 상 에 배치 된 상부 전극 을 포함 하 고 , 하부 전극 은 , 하부 전극 의 윗면 내 에 리세 스 를 규정 하 도록 수평 연 장면 에 결합 된 내부 측벽 들 을 갖 고 , 하부 전극 의 수평 연장 면은 하부 절연 구조물 의 윗면 아래 에 있 다 . 일부 실시 예 들 에서 , 제 1 수평 평면 은 하부 전극 의 수평 연 장면 을 따라 그리고 하부 절연 구조물 의 측벽 들 을 관통 하 여 연장 된다 . 일부 실시 예 들 에서 , 하부 절연 구조물 의 측벽 들 은 하부 절연 구조물 의 바닥 부 를 따라 연장 된 라인 에 대해 측정 된 약 40 ° 와 약 50 ° 사이 의 각도 로 배향 된다 . 이러 한 일부 실시 예 들 에서 , 하부 전극 은 하부 전극 의 최 저면 을 이등분 하 는 라인 에 대해 실질 적 으로 대칭 이 다 . 일부 실시 예 들 에서 , 하부 전극 의 윗면 은 하부 전극 의 내부 측벽 들 을 지나 반대 방향 들 로 실질 적 으로 동일 한 거리 들 만큼 연장 된다 . 일부 실시 예 들 에서 , 집 적 칩 은 상부 전극 과 하부 절연 구조물 위 에 배치 된 상부 유전체 구조물 , 및 상부 유전체 구조물 의 윗면 으로부터 상부 전극 까지 연장 된 상부 상호 연결 구조물 을 더 포함 한다 . 일부 실시 예 들 에서 , 상부 상호 연결 구조물 은 하부 전극 의 최저 면 바로 위 에 있 는 위치 에서 상부 전극 과 접촉 한다 . 일부 실시 예 들 에서 , 집 적 칩 은 상부 전극 위 에 배치 된 하드 마스크 를 더 포함 하 고 , 하드 마스크 는 상부 전극 의 윗면 내 에 제 2 리세 스 를 규정 하 는 상부 전극 의 내부 측벽 들 을 따라 배치 된다 . 일부 실시 예 들 에서 , 집 적 칩 은 , 데이터 저장 구조물 위 에 배치 되 고 상부 전극 과 하드 마스크 의 최외각 측벽 들 을 완전히 덮 는 측벽 스 페이서 들 을 더 포함 한다 . 일부 실시 예 들 에서 , 집 적 칩 은 하드 마스크 위 에 배치 된 보호 층 을 더 포함 하 고 , 보호 층 은 하드 마스크 의 윗면 내 에 제 3 리세 스 를 규정 하 는 하드 마스크 의 내부 측벽 들 을 따라 배치 된다 . 일부 실시 예 들 에서 , 상부 유전체 구조물 은 보호 층 의 윗면 내 에 제 4 리세 스 를 규정 하 는 보호 층 의 내부 측벽 들 을 따라 배치 된다 .