다음 으로 , SixNy 로 이루어지 는 보호 절 연막 ( 62 ) 이 아래 글래스 ( 50 ) 의 전체 면 에 형성 된다 ( S 74 ) . IZO 막 은 이 보호 절 연막 형성 시의 열 , 예 를 들 면 CVD 성막 시 의 열 에 의해 결정 화 되 지 않 는다 . 따라서 , 후술 하 는 웨트 에칭 에 의해 용이 하 게 제거 할 수 있 다 . 그리고 , 이어서 감광성 아크릴 수지 의 평탄 화 막 ( 64 ) 이 아래 글래스 ( 50 ) 의 전체 면 에 형성 되 고 , 포토 리소그래피 에 의해 화소 전극 의 컨 택트 개구부 를 개구 하 고 , 단자 부 및 단자 부 주변 의 평탄 화 막 ( 64 ) 이 제거 되 고 ( S 76 ) , 이어서 평탄 화 막 ( 64 ) 을 개구 또는 제거 한 부분 의 보호 절 연막 ( 62 ) 에 대해서 , 포토 리소그래피 에 의해 필요 한 개소 에 개구부 가 형성 된다 ( S 78 ) . 이 들 공정 은 , 도 28 에서 설명 한 내용 과 동일 하 다 .