많 은 예 에서 , 좁 은 이온 에너지 분포 를 갖 도록 하 는 것 이 바람직 하 나 , 기판 에 정현파 를 인가 하 는 것 은 이온 에너지 의 넓 은 분포 를 유도 하 고 , 이 는 소망 에칭 프로 파일 을 실행 하 기 위한 플 라즈 마 공정 의 능력 을 제한 한다 . 좁 은 이온 에너지 분포 를 달성 하 기 위한 공지 기술 은 고가 이 고 , 비 효율 적 이 고 , 제어 가 어려우 며 , 플라 즈 마 밀도 에 악영향 을 미칠 수 있 다 . 따라서 , 이 들 공지 기술 은 상업 적 으로 채용 되 지 않 고 있 다 . 이 에 따라 , 현재 기술 의 단점 들 을 극복 하 고 다른 신규 하 고 독창 적 인 특징 들 을 제공 할 필요 가 있 다 .