측정 광 ( V ) 을 조사 하 는 과정 ( S 100 ) 은 반 응부 ( 100 ; 100 a , 100 b ) 에 적외선 이 입력 되 는 영역 이 전부 중첩 되 도록 측 정광 ( V ) 을 조사 할 수 있 다 . 즉 , 본 발명 의 실시 예 에 따른 적외선 촬영 방법 은 입력 되 는 적외선 ( I ) 에 따른 반 응부 ( 100 ; 100 a , 100 b ) 의 적어도 일부 의 물성 변화 를 측정 광 ( V ) 을 이용 하 여 감지 한다 . 이 에 , 적외선 ( I ) 이 입력 되 는 반 응부 ( 100 ; 100 a , 100 b ) 의 모든 영역 에 대하 여 측 정광 ( V ) 을 조사 하 기 위하 여 , 측 정광 ( V ) 을 조사 하 는 과정 ( S 100 ) 은 반 응부 ( 100 ; 100 a , 100 b ) 에 적외선 이 입력 되 는 영역 이 전부 중첩 되 도록 측 정광 ( V ) 을 조사 할 수 있 다 .