상기 3 층 레지스 트 프로세스 의 규소 함유 레지스 트 하층 막 은 , 산소 가스 또는 수소 가스 에 의한 에칭 내성 을 나타내 기 때문 에 , 상기 3 층 레지스 트 프로세스 에 있 어서 , 규소 함유 레지스 트 하 층막 을 마스크 로 하 여 행하 는 유기 막 의 드라이 에칭 을 산소 가스 또는 수소 가스 를 주체 로 하 는 에칭 가스 를 이용 하 여 행하 는 것 이 바람직 하 다 .