반도체 소자 의 금속 배선 형성 방법 은 , 하부 구조물 이 형성 된 반도체 기판 상 에 절 연막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 절 연막 을 식각 하 여 금속 배선용 패턴 을 형성 하 는 단계 ; 상기 금속 배선용 패턴 을 도전 막 으로 매립 하 여 금속 배선 을 형성 하 는 단계 ; 상기 금속 배선 의 표면 에 만 선택 적 으로 Ru 막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 Ru 막 을 포함 한 절 연막 상 에 층간 절 연막 을 형성 하 는 단계 ; 및 상기 층간 절 연막 을 식각 하 여 상기 Ru 막 을 노출 시키 는 홀 을 형성 하 는 단계 ; 를 포함 한다 .