본 발명 은 저온 산화물 배면 실 형성 방법 및 이 를 사용 하 여 제조 되 는 웨이퍼 에 관한 것 으로서 , 보다 구체 적 으로 는 화학 기상 증착 ( Chemical Vapor Deposition ; CVD ) 으로 웨이퍼 상 에 저온 산화물 배면 실 ( Low Temperature Oxide ; LTO ) 을 형성 하 는 방법 및 이 를 사용 하 여 제조 되 는 웨이퍼 에 관한 것 이 다 .