상기 제 3 에 피부 ( 26 ) 는 , GaN 계 로 이루어지 며 , 제 1 에 피부 ( 22 ) 의 상면 및 제 2 에 피부 ( 24 ) 의 상면 에 공통 적 으로 형성 된다 . 그리고 , 상기 제 3 에 피부 ( 26 ) 의 상면 은 대략 평탄 한 면 으로 이루어지 며 , 그 평탄 한 제 3 에 피부 ( 26 ) 의 상면 에 는 발광 다이오드 의 발광 셀 을 형성 하 는 나머지 질화물 반도체 층 들 이 차례 로 형성 된다 , 예컨대 , 상기 제 3 에 피부 ( 26 ) 이 N - GaN 반도체 층 인 경우 , 상기 제 3 에 피부 ( 26 ) 위 로 는 활성 반도체 층 과 P - GaN 반도체 층 이 차례 로 형성 된다 .