한편 , 소자 분리 막 의 돌출부 간 의 간격 을 증대 시키 기 위하 여 습식 식각 공정 을 실시 하 여 소자 분리 막 의 돌출부 의 폭 을 더 감소 시킬 수 도 있 다 . 이때 , 소자 분리 막 의 돌출부 의 폭 은 후속 플로팅 게이트 ( 106 , 도 6 참조 ) 용 도전 막 평탄 화 공정 , 예컨대 CMP 공정 을 고려 하 여 결정 하 여야 한다 . 그 이유 는 소자 분리 막 의 돌출부 는 후속 CMP 공정 시 연마 정지 막 으로 사용 되 기 때문 인데 , 소자 분리 막 의 돌출부 의 폭 이 작 은 경우 후속 CMP 공정 시 압력 에 의해 손상 되 어 균일 한 연마 특성 을 얻 을 수 없 기 때문 이 다 .