발광 다이오드 ( LED ) 는 광 반도체 소자 의 상하 좌우 에서 발광 이 일어나 므로 , 발광 다이오드 ( LED ) 를 구성 하 는 부품 은 광 을 흡수 하 는 것 은 바람직 하 지 않 고 , 광 투과 율 이 높 거나 반사 율 이 높 은 재료 가 바람직 하 다 . 이 에 따라 , 광 반도체 소자 가 탑재 되 는 기판 도 , 광 투과 율 이 높 거나 반사 율 이 높 은 재료 가 바람직 하 다 . 이러 한 광 반도체 소자 가 탑재 되 는 기판 으로 는 , 예 를 들 면 , 은 , 금 , 구리 등 의 도전 성 금속 ; 알루미늄 , 및 니켈 등 의 비 도전 성 금속 ; PPA , 및 LCP 등 의 백색 안료 를 혼합 한 열가소성 수지 ; 에폭시 수지 , BT 수지 , 폴리 이미드 수지 , 및 실리콘 수지 등 의 백색 안료 를 함유 하 는 열경화성 수지 ; 알루미나 , 및 질화 알루미나 등 의 세라믹스 가 예시 된다 .