먼저 , 본 발명 의 기술 적 원리 를 설명 하 면 , 본 발명 은 돌기 형 트랜지스터 를 제조 하 기 위한 것 으로써 , 활성 영역 의 양 측면 을 노출 하 기 위한 필드 산화 막 의 식각 시 사용 하 는 식각 마스크 인 감광막 패턴 을 활성 영역 그 양측 의 인접 한 필드 산화 막 부분 들 을 노출 시키 는 개구부 를 갖 는 감광막 패턴 으로 형성 한다 .