제 1 가스 공급 관 ( 232 a ) 으로부터 는 , 산소 를 포함 하 는 가스 ( 산소 함유 가스 ) 로서 예 를 들 면 일산 화 질소 가스 ( NO ) 가 , 제 1 매스 플로우 컨트롤러 ( 241 a ) , 제 1 밸브 ( 243 a ) , 가스 노즐 ( 233 ) , 버퍼 실 ( 237 ) 을 개재 하 여 처리 실 ( 201 ) 내 로 공급 된다 . 또한 , 제 2 가스 공급 관 ( 232 b ) 으로부터 는 , 실리콘 원료 가스 , 즉 소정 원소 로서 의 실리콘 을 포함 하 는 가스 ( 실리콘 함유 가스 ) 로서 , 예 를 들 면 헥사 클로 로디 실란 ( hexachlorodisilane , Si 2 Cl 6 , 약칭 HCD ) 가스 가 , 제 2 매스 플로우 컨트롤러 ( 241 b ) , 제 2 밸브 ( 243 b ) , 가스 공급 부 ( 249 ) 를 개재 하 여 처리 실 ( 201 ) 내 로 공급 된다 . 또한 , 제 3 가스 공급 관 ( 232 c ) 으로부터 는 , 질소 를 포함 하 는 가스 ( 질소 함유 가스 ) 로서 예 를 들 면 암모니아 가스 ( NH 3 ) 가 , 제 3 매스 플로우 컨트롤러 ( 241 c ) , 제 3 밸브 ( 243 c ) , 제 1 가스 공급 관 ( 232 a ) , 가스 노즐 ( 233 ) , 버퍼 실 ( 237 ) 을 개재 하 여 처리 실 ( 201 ) 내 로 공급 된다 . 주로 , 제 1 가스 공급 관 ( 232 a ) , 제 1 매스 플로우 컨트롤러 ( 241 a ) , 제 1 밸브 ( 243 a ) , 가스 노즐 ( 233 ) , 버퍼 실 ( 237 ) 에 의해 제 1 가스 공급계 로서 의 산소 함유 가스 공급계 가 구성 되 고 , 주로 , 제 2 가스 공급 관 ( 232 b ) , 제 2 매스 플로우 컨트롤러 ( 241 b ) , 제 2 밸브 ( 243 b ) , 가스 공급 부 ( 249 ) 에 의해 제 2 가스 공급계 로서 원료 가스 공급계 , 즉 실리콘 함유 가스 공급계 가 구성 되 며 , 주로 , 제 3 가스 공급 관 ( 232 c ) , 제 3 매스 플로우 컨트롤러 ( 241 c ) , 제 3 밸브 ( 243 c ) , 제 1 가스 공급 관 ( 232 a ) , 가스 노즐 ( 233 ) , 버퍼 실 ( 237 ) 에 의해 제 3 가스 공급계 로서 질소 함유 가스 공급계 가 구성 된다 .