본 발명 에 의하 면 종래 기술 에 비해 다수 의 이점 이 달성 된다 . 예 를 들 어 , 본 발명 의 실시 예 들 은 고주 파수 에서 동작 할 수 있 는 RF 기판 상 의 공면 도파관 들 과 통합 된 RF 디바이스 를 제조 하 기 위한 시스템 및 방법 을 제공 한다 . 또한 , 본 발명 의 실시 예 들 은 RF 디바이스 내 의 층 들 의 열 저항 ( thermal resistance ) 을 감소 시키 고 RF 디바이스 의 단자 로부터 접지 로 의 인덕턴스 및 / 또는 임피던스 를 감소 시킬 수 있 는 RF 디바이스 구조 를 제공 하 고 , 이 는 고주 파수 동작 을 가능 하 게 한다 .