이 에 , FPD 디바이스 제조 용 포토 마스크 의 정밀도 를 향상 시키 기 위한 방법 으로 등배 노광 장치 에서 도 i 선 ( 365 nm ) , h 선 ( 405 nm ) , g 선 ( 436 nm ) 을 포함 하 는 복합 파장 의 노광 광 에 대하 여 위상 이 대략 180 ° 반전 되 는 위상 반 전막 을 구비 한 FPD 용 위상 반전 블랭크 마스크 및 포토 마스크 가 개발 되 고 있 다 . 상기 위상 반 전막 은 몰 리브 데 늄 실리사이드 ( MoSi ) 화합물 또는 크롬 ( Cr ) 화합물 로 형성 된 단층 막 형태 의 박막 으로서 , 대 면적 의 기판 에 형성 된 박막 은 습식 식각 을 이용 하 여 패턴 의 형태 로 제조 된다 .