본 발명 은 반도체 소자 의 저장 전극 형성 방법 에 관한 것 으로 , 콘 택 공정 의 단순 화 및 콘 택 특성 의 향상 을 위하 여 , 반도체 기판 상 에 비트 라인 이 구비 되 는 하부 절연 층 을 형성 하 고 상기 하부 절연 층 상 에 저장 전극 콘 택용 제 1 노광 마스크 를 이용 하 여 상기 감광막 패턴 을 형성 한 다음 , 상기 구조물 상 에 저장 전극 콘 택용 제 2 노광 마스크 를 이용 하 여 제 2 감광막 패턴 을 형성 하 되 , 저장 전극 콘 택 영역 의 외측 으로 높 아 지 는 제 1 감광막 패턴 과 제 2 감광막 패턴 의 계단 형 적층 구조 로 형성 하 고 상기 계단 형 적층 구조 의 제 1 및 제 2 감광막 패턴 을 마스크 로 하 여 하부 절연 층 을 식각 하 여 저장 전극 콘 택 홀 을 형성 한 다음 , 상기 저장 전극 콘 택 홀 을 매립 하 는 저장 전극 콘 택 플러그 를 형성 하 고 이 에 접속 되 는 저장 전극 을 형성 하 여 반도체 소자 의 고집 적 화 를 가능 하 게 하 는 기술 이 다 .