상기 단점 을 해결 하 기 위해 , 본 명세서 에 기술 된 실시 예 는 3 D SoIC 구 조체 의 기능 적 및 / 또는 비 기능 적 영역 에 형성 된 방열 구 조체 에 관한 것 이 다 . 이러 한 방열 구조 체 는 3 D SoIC 구 조체 내 에서 발생 된 열 을 3 D SoIC 구 조체 의 지정 된 영역 이나 3 D SoIC 구조 체 외부 로 효율 적 으로 유도 한다 . 일부 실시 예 에서 , 방열 구조 체 는 ( i ) 3 D SoIC 구 조체 에서 칩 내 에서 측면 으로 연장 되 는 방열 층 , ( ii ) 3 D SoIC 구 조체 에서 칩 의 금속화 층 내 에 배치 된 수직 또는 측면 열전도 성 구조 체 , iii ) 3 D SoIC 구 조체 에서 2 개 이상 의 칩 사이 에 배치 된 수직 열전도 성 구조 체 및 / 또는 ( iv ) 이 들 의 조합 을 포함 할 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 방열 층 은 패 시베이 션 층 과 같 은 유전체 재료 에 매립 된 2 개 이상 의 층 을 포함 할 수 있 다 . 방열 층 은 금속 또는 금속 합금 과 같이 약 1 W / mK 보다 큰 열 전도 성 을 갖 는 재료 를 포함 할 수 있 다 . 또한 , 방열 구조 체 는 3 D SoIC 구 조체 의 상이 한 영역 ( 예 , 칩 사이 또는 칩 내부 ) 으로부터 3 D SoIC 구조 체 상 에 또는 3 D SoIC 구조 체 외부 에 배치 된 히트 싱크 와 같 은 지정 된 방열 위치 로 열 을 보내 도록 구성 될 수 있 다 .