게이트 절 연막 ( 140 ) 위 에 는 수소 화 비정질 규소 ( hydrogenated amorphous silicon ) ( 비정질 규소 는 약칭 a - Si 로 씀 ) 또는 다결정 규소 ( polysilicon ) 등 으로 만들 어 진 복수 의 반도체 ( 154 , 156 ) 가 형성 되 어 있 다 . 반도체 ( 154 ) 는 게이트 전극 ( 124 ) 위 에 위치 하 고 , 반도체 ( 156 ) 는 소거 게이트 전극 ( 128 ) 위 에 위치 한다 .