본 발명 이 이루 고자 하 는 상기 기술 적 인 과제 를 해결 하 기 위한 유기 박막 트랜지스터 제조 방법 은 소스 / 드레 인 전극 , 상기 소스 / 드레 인 전극 에 각각 접하 는 유기 반도체 층 , 그리고 상기 소스 / 드레 인 전극 및 상기 유기 반도체 층 으로부터 절연 된 게이트 전극 을 구비 하 는 유기 박막 트랜지스터 의 제조 방법 으로서 , 상기 소스 / 드레 인 전극 상부 에 나노 입자 층 으로 탄소 나노 튜브 를 형성 하 는 것 을 특징 으로 한다 .