이런 이유 로 , 최근 들어서 는 규소 양자 점층 ( Si quantum dot ) 을 플로팅 게이트 대신 사용 하 는 형태 의 플래시 메모리 가 개발 되 었 다 . 이러 한 규소 양자 점층 을 이용 한 플 래미 시 메모리 의 구조 는 , 도 2 에 도시 된 바 와 같이 , 반도체 기판 ( 200 ) 상 에 형성 된 터널 산화 막 ( 202 ) , 터널 산화 막 ( 202 ) 을 통해 반도체 기판 ( 200 ) 과 격리 되 며 크기 가 10 nm 미만 의 규소 양자 점층 들 로 이루어진 플로팅 게이트 ( 204 ) , 플로팅 게이트 ( 204 ) 와 제어 게이트 ( 208 ) 간 을 절연 시키 기 위한 절 연막 ( 206 ) 으로 이루어져 있 다 .