설명 한 것 과 같이 , 상기 액티브 영역 및 플로팅 게이트 전극 사이 에 는 에어 갭 ( 210 a ) 을 포함 하 는 제 1 절 연막 패턴 ( 208 a ) 이 구비 된다 . 그러므로 , 상기 플로팅 게이트 전극 들 ( 204 b ) 간 의 기생 커패시턴스 및 플로팅 게이트 전극 들 ( 204 b ) 과 액티브 영역 간 의 기생 커패시턴스 를 감소 시킬 수 있 다 .