예 를 들 어 , 본원 에 기술 된 구 현예 에서 , 상기 표면 들 중 하나 는 기판 의 전도성 ( 예 : 금속 또는 금속 성 ) 표면 일 수 있 고 , 다른 표면 은 기판 의 비 전도성 ( 예 : 무기 유전체 ) 표면 일 수 있 다 . 일부 구 현예 에서 , 실리콘 산화물 ( 예 : 성장 된 실리콘 산화물 재료 및 증착 된 실리콘 산화물 재료 및 실리콘 상 의 자연 산화물 을 포함 하 는 저 유전율 재료 ) 계 표면 과 같 은 비 전도성 표면 은 - OH 기 를 포함 한다 . 일부 구 현예 에서 , HF 디 핑 된 Si 표면 또는 HF 디 핑 된 Ge 표면 과 같 은 비 전도성 표면 은 - H 말단 을 더 포함 할 수 있 다 . 이러 한 구 현예 에서 , 관심 표면 은 - H 말단 및 - H 말단 아래 의 재료 모두 를 포함 하 는 것 으로 간주 될 것 이 다 .