PBTS 시험 에서 문턱 전압 이 변동 되 는 요인 중 하나 로서 , 반도체 층 과 게이트 절연 층 의 계면 또는 계면 근방 에서 의 결함 준위 를 들 수 있 다 . 결함 준위 밀도 가 클수록 , PBTS 시험 에서 의 열화 가 현저 해진다 . 반도체 층 에서 게이트 절연 층 과 접하 는 부분 에서 의 갈륨 의 함유량 을 작 게 함 으로써 , 상기 결함 준위 의 생 성 을 억제 할 수 있 다 .