도 6 에 도시 하 는 트랜지스터 ( 310 ) 는 , 절연 표면 을 갖 는 기판 ( 400 ) 위 에 , 게이트 전극 ( 401 ) 과 , 게이트 절연 층 ( 402 ) 과 , 산화물 반도체 층 ( 409 ) 과 , 제 1 도전 층 ( 406 a ) 과 제 2 도전 층 ( 405 a ) 으로 형성 된 소스 전극 과 , 제 1 도전 층 ( 406 b ) 과 제 2 도전 층 ( 405 b ) 으로 형성 된 드레 인 전극 과 , 보호 절 연막 ( 407 ) 을 포함 한다 .