상기 트렌치 를 형성 한 후 노출 된 상기 식각 정지 막 을 제거 하 는 단계 를 더욱 포함 할 수 있 다 . 상기 노출 된 식각 정지 막 을 제거 할 때 , 상기 식각 정지 막 의 식각 선택 비 는 상기 콘 택 플러그 의 식각 선택 비 보다 높 은 조건 으로 식각 공정 을 실시 할 수 있 다 . 상기 노출 된 식각 정지 막 을 제거 할 때 사용 되 는 Ar 가스 의 유량 은 0 ~ 100 sccm 일 수 있 다 . 상기 노출 된 식각 정지 막 은 인 시투 로 제거 할 수 있 다 . 상기 콘 택 플러그 를 형성 하 는 단계 는 , 상기 콘 택 홀 을 포함 하 는 상기 제 2 절 연막 상부 에 도전 물질 을 형성 하 는 단계 및 상기 도전 물질 에 대해 평탄 화 공정 을 실시 하 는 단계 를 더욱 포함 할 수 있 다 . 상기 제 1 절 연막 과 상기 제 2 절연 막 은 산화 막 으로 형성 할 수 있 다 . 상기 식각 정지 막 은 질화 막 으로 형성 할 수 있 다 . 상기 콘 택 플러그 는 폴리 실리콘 으로 형성 할 수 있 다 . 상기 금속 배선 은 텅스텐 으로 형성 할 수 있 다 . 상기 도전 물질 은 상기 콘 택 플러그 중 디싱 현상 이 발생 된 상기 콘 택 플러그 상 에 도 형성 될 수 있 다 .