또한 , 종래 기술 에 의한 수평 형 의 씨 모스 이미지 센서 에 의하 면 포토다이오드 와 트랜지스터 를 동시 에 제조 하 는 공정 에 대한 최적화 를 달성 하 는 점 이 매우 어려운 문제 가 있 다 . 즉 , 신속 한 트랜지스터 공정 에서 는 작 은 면저항 ( low sheet resistance ) 을 위해 샐 로우 졍 션 ( shallow junction ) 이 요구 되 나 , 포토다이오드 에 는 이러 한 샐 로우 졍 션 ( shallow junction ) 이 적절 하 지 않 을 수 있 다 .