이 와 같이 상기 하부 기판 ( 30 ) 을 ZnO 를 주성분 으로 하 는 바 리스터 재질 로 제조 하 게 되 면 바리스 터 자체 의 높 은 열전도 성 으로 인해 본 발명 의 반도체 패키지 의 온도 를 낮출 수 있 게 된다 . 특히 , 하부 기판 ( 30 ) 을 열전도 율 이 상호 다른 복수 의 재질 로 된 기판 으로 제조 하 는 것 이 아니 라 열전도 율 이 높 은 단일 의 바리스 터 기판 으로 제조 함 으로써 , 종래 와 비교 하 여 볼 때 제조 공정 이 간단 하 게 되 고 신속 한 열 방출 이 이루어지 게 된다 .