도 38 을 참조 하 면 , 트렌치 들 ( 430 ) 을 채우 면서 마스크 구조물 ( 425 ) 상 에 소자 분리 막 ( 도시 되 지 않 음 ) 을 형성 한다 . 상기 소자 분리 막 은 화학 기상 증착 ( CVD ) 공정 , 플라 즈 마 증대 화학 기상 증착 ( PECVD ) 공정 , 고밀도 플라 즈 마 - 화학 기상 증착 ( HDP - CVD ) 공정 또는 원자 층 적층 ( ALD ) 공정 을 이용 하 여 형성 될 수 있 다 . 또한 , 상기 소자 분리 막 은 실리콘 산화물 과 같 은 산화물 을 사용 하 여 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 면 , 상기 소자 분리 막 은 BPSG , PSG , SOG , USG , FOX , TEOS , PE - TEOS 또는 HDP - CVD 산화물 로 구성 될 수 있 다 . 이 들 은 단독 으로 또는 서로 혼합 되 어 사용 될 수 있 다 .