한편 , 실시 예 5 에서 는 게이트 전극 에 , 몰리브덴 금속 대신 에 Cu - Mn 합금 을 사용 했 다 . 또한 , 반도체 층 과 게이트 절 연막 사이 에 산화물 저항 층 을 형성 했 다 . 또한 , 반도체 층 의 소스 전극 및 드레 인 전극 의 접속 개소 를 플 라즈 마 처리 하 여 콘택트 층 을 형성 했 다 . 콘택트 층 및 산화물 저항 층 의 형성 조건 은 이하 와 같 다 .