만약 제 1 전자 수송 층 부분 ( 106 a ) 이 열 에 의해 손상 되 기 쉬운 경우 에 는 , 금속 나노 도트 ( 20 ) 들 을 소스 기판 ( 10 ) 으로부터 박리 하 기 전 에 미리 열처리 공정 이 수행 될 수 도 있 다 . 예 를 들 어 , 도 7 b 에 도시 된 바 와 같이 소스 기판 ( 10 ) 위 에 다수 의 금속 나노 도트 ( 20 ) 들 을 자기 조립 시킨 상태 에서 , 상술 한 열처리 를 수행 함 으로써 소스 기판 ( 10 ) 위 에 직접 나노 - 플라 즈 모닉 입자 ( 107 ) 들 을 형성 할 수 도 있 다 . 그런 후 , 도 7 c 내지 도 7 e 에 도시 된 과정 과 유사 하 게 , 소스 기판 ( 10 ) 위 의 나노 - 플라 즈 모닉 입자 ( 107 ) 들 을 탄성 스탬프 ( 30 ) 로 제 1 전자 수송 층 부분 ( 106 a ) 위 로 전사 할 수 있 다 .