또한 , 상기 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 에 따른 LTO 가 형성 된 웨이퍼 는 화학 기상 증착 ( Chemical Vapor Deposition ; CVD ) 에 의해 저온 산화물 배면 실 ( Low Temperature Oxide ; LTO ) 이 형성 된 웨이퍼 로서 , SiH 4 에 대한 N 2 O 의 혼합 조성 비 가 10 내지 40 , RF 파워 가 100 내지 400 watt 에서 LTO 가 형성 되 어 , 상기 웨이퍼 의 구 부러짐 ( bow ) 이 10 내지 40 ㎛ 인 ( Polishing Warp 기준 ) 것 을 특징 으로 한다 .