상기 제 1 유전 막 ( 105 ) 을 전 에 , 이온 주입 기술 을 이용 하 여 상기 제 2 채널 불순물 영역 ( 113 ) 및 상기 제 1 채널 불순물 영역 ( 113 ) 을 차례 로 형성 할 수 있 다 . 이 와 는 달리 , 상기 제 1 도 전막 ( 110 ) 을 형성 하 기 위하 여 상기 언 도우프 트 실리콘 막 을 형성 한 후 에 , 이온 주입 기술 을 이용 하 여 상기 제 2 채널 불순물 영역 ( 113 ) 및 상기 제 1 채널 불순물 영역 ( 113 ) 을 차례 로 형성 할 수 있 다 .