노광 수행 후 , 웨이퍼 ( 701 ) 를 이탈 시켜 웨이퍼 척 ( 901 ) 상 의 잔류 침윤 매질 ( 905 ) 을 흡수 한다 . 이탈 된 웨이퍼 ( 701 ) 를 사후 린스 하 고 , 노광 후 베 이크 ( PEB : Post Exposure Bake ) 한다 . 노광 후 베 이크 후 상측 코팅 층 ( 850 ) 을 제거 하 고 , 현상 과정 을 수행 하 여 레지스 트 의 패턴 을 형성 한다 .