상술 한 본 발명 은 라디컬 산화 를 진행 하 기 전 에 , 리 세스 게이트 라인 을 따라 질화 막 을 증착 하 고 , 저 온 라디컬 산화 ( 500 ∼ 700 ℃) 를 통한 산화 막 형성 으로 , 종래 의 실리사이드 막 에 존재 하 는 실리콘 시드 ( Si seed ) 들 이 산소 와 반응 하 는 산화 를 방지 하 도록 하 면서 , 산화 막 을 형성 시킴 으로써 , 텅스텐 실리사이드 의 이상 산화 현상 은 억제 하 면서 , 소자 분리 막 과 텅스텐 실리사이드 막 간 의 스트레스 를 방지 하 는 효과 가 있 다 .