일 예 에서 , 하나 또는 그 이상 의 실리콘 산화물 들 을 제거 하 기 위한 예시 적 인 건식 식각 프로세스 는 암모니아 ( NH 3 ) 및 삼 불화 질소 ( NF 3 ) 가스 혼합물 을 이용 하 며 프로세싱 챔버 ( 100 ) 내 에서 수행 될 수 있 다 . 프로세싱 챔버 ( 100 ) 는 어닐링 프로세스 를 포함 하 여 단일 프로세싱 환경 내 에서 의 기판 가열 및 기판 냉각 에 부가 하 여 플 라즈 마 처리 로부터 이 점 을 얻 는 임의 의 건식 식각 프로세스 에 대해서 유리 한 것 으로 믿 어 진다 .