본 발명 의 반도체 장치 의 제조 방법 에 있 어서 , 상기 ( 3 ) 공정 은 193 nm 파장 의 빛 에 의해 행해 지 는 것 이 바람직 하 다 . 해당 조성물 을 사용 하 여 형성 한 레지스 트 하층 막 은 , 193 nm 의 파장 을 갖 는 ArF 엑 시머 레이저 의 기판 에 의한 난반사 를 방지 할 수 있 기 때문 에 , 보다 높 은 해상도 를 갖 는 미세 한 패턴 을 구비 하 는 반도체 장치 를 제조 할 수 있 다 .