그러나 , 고유 전 율 을 가지 는 물질 로 유전 막 을 형성 하 는 방법 은 박막 상태 에서 의 누설 전류 가 크 고 파괴 전압 이 작 다는 문제점 이 있 으며 , 유전 막 을 박막 화 하 는 방법 은 박막 화 에 따른 유전 막 의 전기 적 특성 저하 및 반도체 소자 의 신뢰 성 이 감소 되 는 문제점 이 있 다 . 따라서 , 현재 의 반도체 장치 의 제조 공정 의 제반 상황 을 고려 할 때 , 커패시터 의 유효 면적 을 증가 시켜 축적 용량 을 향상 시키 는 방법 이 가장 적합 한 것 으로 평가 될 수 있 다 .