본 발명 의 수지 막 ( 박막 ) 은 , 금속 전극 간 에 두께 1 ㎛ 로 수지 층 을 형성 했 을 때 , 당해 금속 전극 간 에 30 V 인가 시켰 을 때 에 10 nA / ㎠ 이하 의 리크 전류 를 갖 는 절연 성 을 갖 는 것 을 특징 으로 한다 . 이 와 같 은 , 높 은 절연 성 을 갖 는 박막 이 기 때문 에 , 전자 부품 , 반 도 체용 의 절 연막 에 사용 함 으로써 , 이 들 전자 부품 · 반도체 를 지금 까지 없 는 소형 화 · 박 층화 를 할 수 있 게 된다 .