이러 한 게이트 절연 층 ( 3 ) 은 , 예 를 들 면 CVD 법 , 플라 즈 마 CVD 법 , 플라 즈 마 중합법 , 증착 법 , 스핀 코팅 법 , 딥 핑 법 , 노즐 코팅 법 , 모세관 코팅 법 , 클러스터 이온 빔 증착 법 및 LB 법 등 에 의해 형성 할 수 있 다 . 이러 한 게이트 절연 층 ( 3 ) 의 두께 는 50 내지 1000 nm 인 것 이 바람직 하 다 . 또한 , 게이트 전극 ( 2 ) 로서 , 고농도 로 도핑 된 n - 형 실리콘 기판 을 이용 하 는 경우 에 는 그 의 표면 을 열 산화 함 으로써 산화 규소 의 막 을 형성 하 는 것 이 가능 하 고 , 이 막 을 게이트 절연 층 ( 3 ) 으로서 이용 할 수 도 있 다 .