본 발명 의 일 실시 예 에 따른 반도체 메모리 소자 의 콘 택 은 반도체 기판 의 드레 인 콘 택 영역 과 접촉 하 여 형성 된 다수 의 드레 인 콘 택 과 , 상기 반도체 기판 의 고전압 콘 택 영역 과 접촉 하 여 형성 된 제 1 고전압 콘 택 과 , 상기 제 1 고전압 콘 택 상 에 형성 된 금속 패드 와 , 상기 금속 패드 를 제외 한 영역 에 형성 된 식각 정지 막 과 , 상기 금속 패드 상 에 형성 된 제 2 고전압 콘 택 , 및 상기 식각 정지 막 상 에 형성 된 다수 의 더미 콘 택 을 포함 하 며 , 상기 제 2 고전압 콘 택 의 수 와 상기 다수 의 더미 콘 택 의 합 은 상기 다수 의 드레 인 콘 택 의 수 와 동일 하 다 .