이 어 , 제 2 공정 에 이해 , 게이트 절 연막 ( 44 ) 을 형성 함 과 함께 a - Si 층 및 N + a - Si 층 을 차례 로 형성 하 고 , N + a - Si 층상 에 금속 층 을 형성 하 며 , 에칭 에 의해 홀 을 형성 하 고 , 게이트 전극 ( 41 ) 상 에 소오 스 전극 ( 45 ) 및 드레 인 전극 ( 46 ) 을 형성 한다 ( 도 4 설명 참조 ) .