상기 직접 증착 하 여 생성 되 는 과정 은 다음 과 같 다 . 제 1 단계 , 스퍼터링 , 화학 기상 증착 법 등 방법 으로 이미지 감지 층 ( 2 ) 에 실리콘 플래트 를 증착 한다 . 제 2 단계 , 포토에칭 , 전자 빔 노출 등 그래픽 전사 방법 을 이용 하 여 실리콘 프래트 상 에 필요 한 2 차원 그래픽 구조 를 제작 하 되 , 그 구조 는 도 6 에 도시 된 바 와 같 다 . 상기 2 차원 그래픽 구조 는 구체 적 으로 다음 과 같 다 . 타원 형 변조 홀 ( 6 ) 의 단축 과 회전 각도 에 대해서 만 점진 적 으로 변화 되 는 조정 을 진행 한다 . 타원 장축 은 200 nm ~ 1000 nm 범위 의 정격치 로 선정 한다 . 예 를 들 면 500 nm 로 선정 할 수 있 다 . 단축 길이 는 120 nm ~ 500 nm 의 범위 내 에서 변화 하 고 타원 의 회전 각도 는 0 °~ 90 ° 범위 내 에서 변화 하 며 , 타원 의 배열 주기 는 200 nm ~ 1000 nm 의 범위 내 의 정격치 로 선정 한다 . 예 를 들 면 500 nm 로 선정 할 수 있 다 . 변조 유닛 ( 5 ) 의 그래픽 전체 는 면적 범위 가 200 μ m 2 ~ 40000 μ m 2 인 직사각 형 의 어레이 구조 이 다 . 제 3 단계 , 반응 성 이온 에칭 , 유도식 커플링 플 라즈 마 에칭 및 이온 빔 에칭 등 방법 을 통하 여 실리콘 플레이트 에 대하 여 에칭 하 면 필요 로 하 는 광변조 층 ( 1 ) 을 획득 할 수 있 다 . 마지막 으로 광변조 층 ( 1 ) 과 이미지 감지 층 ( 2 ) 전체 를 전기 적 연결 을 통하 여 신호 처리 회로 층 ( 3 ) 에 연결 하 면 된다 .