도 1 b 를 참조 하 면 , 제 1 포토레지스트 패턴 ( 106 ) 을 식각 마스크 로 하 는 식각 공정 으로 제 1 도 전막 ( 104 ) 및 게이트 절 연막 ( 102 ) 을 패 터닝 한 후 제 1 포토레지스트 패턴 ( 106 ) 을 제거 한다 . 이온 주입 공정 을 실시 하 여 반도체 기판 ( 100 ) 내 에 소스 및 드레 인 접합 ( 108 ) 을 형성 한다 .