도 6 b 에 도시 하 는 반도체 장치 와 도 6 a 에 도시 하 는 반도체 장치 의 차이점 의 하나 로서 , 도 6 b 에 도시 하 는 반도체 장치 에서 는 , 비트 선 ( BL ) 과 , 메모리 셀 ( 550 ) ( 1 ) 이 갖 는 트랜지스터 ( 500 ) ( 1 ) 의 드레 인 전극 이 , 선택 트랜지스터 ( 530 ) 를 통하 여 전기 적 으로 접속 되 어 있 는 점 을 들 수 있 다 . 선택 트랜지스터 ( 530 ) 는 게이트 전극 에 있 어서 , 선택 트랜지스터 ( 530 ) 의 온 오프 를 전환 하 기 위한 선택 선 ( G ) ( 1 ) 과 전기 적 으로 접속 되 어 있 다 .