마지막 단계 의 공정 으로 , 도 3 d 에 도시 된 바 와 같이 상기 컨 택트 홀 들 ( 도 3 c 의 125 a , 125 b , 125 c ) 이 형성 된 층간 절연 층 ( 117 ) 위 에 인듐 틴 옥사이드 ( ITO : indium tin oxide ) 나 틴 옥사이드 ( TO : tin oxide ) 와 같 은 투명 도전 층 을 증착 하 고 , 포토 마스크 ( 133 ) 를 사용 한 사진 식각 기술 을 이용 하 여 화소 영역 에 화소 전극 ( 119 ) 을 형성 한다 . 상기 화소 전극 ( 119 ) 은 층간 절연 층 ( 117 ) 에 형성 된 제 1 컨 택트 홀 ( 도 3 c 의 125 a ) 을 통하 여 드레 인 전극 ( 113 b ) 과 접속 된다 . 그리고 게이트 패드 ( 105 ) 와 데이터 패드 ( 115 ) 위 에 도 제 2 , 제 3 컨 택트 홀 ( 도 3 c 의 125 b , 125 c ) 을 통하 여 게이트 패드 ( 105 ) 와 데이터 패드 ( 115 ) 에 각각 접속 되 는 게이트 패드 단자 ( 121 ) 와 데이터 패드 단자 ( 123 ) 를 형성 한다 .