예 를 들 면 , 표면 구조 체 는 제 1 및 / 또는 제 2 파장 영역 의 약 1 / 10 배 라는 평균 주기 를 가진 거 칠기 를 포함 할 수 있 고 , 반도체 층 시퀀스 안 으로 , 활성 영역 을 포함 한 반도체 층 시퀀스 의 층 이 바람직 하 게 는 상기 거칠 기 에 의해 관통 되 지 않 을 정도 의 깊이 를 가질 수 있 다 . 거칠 기 는 예 를 들 면 건식 식각 또는 습식 식각 에 의해 제조 될 수 있 다 .