반도체 패키지 내 의 전기 적 인 접속 을 위한 인터 커넥션 ( 상호 접속 ) 의 증가 로 입출력 단자 가 증가 하 고 , 반도체 칩 의 본딩 패드 간 의 간격 이 좁 아 져 본딩 피 치 ( bonding pitch ) 가 작 아 짐 에 따라 , 반도체 칩 의 본딩 패드 에 대한 볼 본딩 의 크기 또한 작아지 게 되 어 , 결국 볼 본딩 의 본딩 력 약화 를 초래 하 는 문제점 이 있 었 다 .