패 시베이 션 층 ( 153 ) 상 에서 박막 트랜지스터 ( TFT ) 를 덮 도록 제 1 하부 기판 ( 151 ) 의 전면 상 에 절연 층 ( 154 ) 이 형성 된다 . 절연 층 ( 154 ) 은 박막 트랜지스터 ( TFT ) 의 일 전극 에 대응 되 는 홀 을 포함 한다 . 이 경우 , 패 시베이 션 층 ( 153 ) 은 절연 층 ( 154 ) 의 홀 에 대응 되 는 홀 을 포함 한다 . 절연 층 ( 154 ) 의 홀 및 패 시베이 션 층 ( 153 ) 의 홀 을 통해 박막 트랜지스터 ( TFT ) 의 일 전극 이 노출 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 절연 층 ( 154 ) 의 홀 은 박막 트랜지스터 ( TFT ) 의 드레 인 전극 ( D ) 의 일부 를 노출 한다 .