도 1 은 반도체 기판 , 예 를 들 어 , 실리콘 웨이퍼 가 처리 되 는 플 라즈 마 처리 장치 를 위한 샤워 헤드 전극 어셈블리 ( 10 ) 의 예시 적 인 실시 형태 를 도시 한다 . 예 를 들 어 , 전체 로서 참조 문헌 으로 본원 에 포함 된 , 공동 소유 된 미국 특허 출원 제 2005 / 0133160 호 에 샤워 헤드 전극 이 설명 된다 . 샤워 헤드 전극 어셈블리 ( 10 ) 는 상부 전극 ( 12 ) , 상부 전극 ( 12 ) 에 고정 된 백 킹 부재 ( 14 ) , 및 열 제 어 플레이트 ( 16 ) 를 포함 한 샤워 헤드 전극 을 포함 한다 . 하부 전극 및 선택 적 인 정전식 클램 핑 전극 을 포함 한 기판 지 지체 ( 18 ) ( 도 1 에 는 일부 만 이 도시 됨 ) 는 플 라즈 마 처리 장치 의 진공 처리 챔버 내 의 상부 전극 ( 12 ) 아래 에 위치 된다 . 플 라즈 마 처리 되 는 기판 ( 20 ) 은 기판 지 지체 ( 18 ) 의 상부 지지 표면 ( 22 ) 상 에 기계 적 으로 또는 정전 적 으로 클램 핑 된다 .