먼저 , 도 2 을 참조 하 면 , 본 발명 의 실시 예 에 따른 CMOS 이미지 센서 의 단위 화소 는 빛 을 받 아 광전 하 를 생성 하 는 하나 의 포토 다이오드 ( PD , 115 ) 와 , 포토 다이오드 ( PD ) 에서 모아진 광전 하 를 플로팅 확산 영역 ( FD , 118 ) 으로 전송 하 기 위해 포토 다이오드 ( PD ) 와 플로팅 확산 영역 ( FD ) 사이 에 대응 되 도록 형성 되 되 , 절 연막 ( 121 ) 을 통해 서로 전기 적 으로 분리 된 베리 어용 게이트 전극 ( 이하 , 제 1 게이트 전극 이 라 함 ; 114 a ) 및 트랜스퍼 트랜지스터 용 게이트 전극 ( 이하 , 제 2 게이트 전극 이 라 함 ; 114 b , GT ) 과 , 리셋 트랜지스터 용 게이트 전극 ( GR ) , 드라이브 트랜지스터 용 게이트 전극 ( GD ) 및 셀렉 트 트랜지스터 용 게이트 전극 ( GS ) 을 포함 한다 .