200 ℃ 이하 의 저온 공정 으로 배선 및 박막 트랜지스터 를 포함 하 는 화소 를 형성 함 에 있 어서 , 전극 과 배선 을 이루 는 금속 물질 과 보호 층 등 의 형성 은 저온 증착 또는 코팅 의 방법 등 을 통해 형성 하 여도 박막 트랜지스터 의 특성 에 별 영향 을 주 지 않 지만 , 캐리어 의 이동 통로 가 되 는 채널 을 그 내부 에 형성 하 게 되 는 반도체 층 의 경우 , 일반 적 으로 이용 되 는 반도체 물질 인 비정질 실리콘 을 사용 하 여 이 를 200 ℃ 이하 의 저온 공정 에서 증착 하 여 형성 하 면 내부 구조 가 치밀 하 지 못하 여 이동도 등 의 중요 특성 이 급격히 저하 되 는 문제 가 발생 한다 .