제 2 메모리 셀 ( 204 ) 에서 판독 동작 을 수행 하 기 위하 여 , 제 1 비트 라인 ( 206 ) 이 소스 라인 ( 210 ) 과 실질 적 으로 동일 한 전압 레벨 로 바이어스 될 수 있 으며 , 제 2 비트 라인 ( 208 ) 이 판독 전압 레벨 로 바이어스 될 수 있 다 . 제 2 비트 라인 ( 208 ) 또는 소스 라인 ( 210 ) 상 에서 의 결과 적 인 전류 가 제 2 메모리 셀 ( 204 ) 에 저장 된 데이터 값 을 결정 하 기 위하 여 기준 전류 와 비교 될 수 있 다 .