도 3 c 를 참조 하 면 , 제 1 패드 ( 250 ) , 제 2 패드 ( 255 ) 및 하부 층간 절 연막 ( 245 ) 상 에 제 2 하부 도전 막 ( 도시 되 지 않 음 ) 을 형성 한다 . 제 2 하부 도전 막 은 불순물 이 도핑 된 폴리 실리콘 , 금속 또는 금속 질화물 을 사용 하 여 형성 된다 . 예 를 들 면 , 상기 제 2 하부 도전 막 은 텅스텐 , 알루미늄 , 구리 , 탄 탈륨 , 티타늄 , 몰리브덴 , 텅스텐 질화물 , 알루미늄 질화물 , 티타늄 질화물 , 탄 탈륨 질화물 , 몰리브덴 질화물 , 니오븀 질화물 , 티타늄 실리콘 질화물 , 티타늄 알루미늄 질화물 , 티타늄 보론 질화물 , 지르코늄 실리콘 질화물 , 텅스텐 실리콘 질화물 , 텅스텐 보론 질화물 , 지르코늄 알루미늄 질화물 , 몰리브덴 실리콘 질화물 , 몰리브덴 알루미늄 질화물 , 탄 탈륨 실리콘 질화물 또는 탄 탈륨 알루미늄 질화물 을 사용 하 여 형성 될 수 있 다 . 이 들 은 단독 으로 또는 서로 혼합 되 어 사용 될 수 있 다 . 상기 제 2 하부 도전 막 은 스퍼터링 공정 , 화학 기상 증착 공정 , 저압 화학 기상 증착 공정 , 원자 층 적층 공정 , 전자 빔 증착 공정 또는 펄스 레이저 증착 공정 을 이용 하 여 형성 된다 .