먼저 , 게이트 절연 층 ( 207 ) 위 에 순수 한 비정질 실리콘 층 , 불순물 이 도핑 된 비정질 실리콘 층 및 금속 층 을 차례 로 형성 하 고 , 상기 금속 층 위 에 포 토리 지스 트 를 형성 한 후 에 상기 회절 마스크 ( 229 ) 를 사용 하 여 노광 및 현상 을 한다 . 그리고 , 상기 노광 및 현상 된 포 토리 지스 트 를 마스크 로 상기 금속 층 , 순수 한 비정질 실리콘 층 및 불순물 이 도핑 된 비정질 실리콘 층 을 제거 한다 . 이어서 상기 포 토리 지스 트 를 부분 에 싱 하고 , 상기 부분 에 싱 후 에 남 은 포 토리 지스 트 를 마스크 로 채널 영역 상부 의 , 금속 층 과 불순물 이 도핑 된 비정질 실리콘 층 을 제거 한다 . 이때 , 상기 부분 에 싱 은 소스 및 드레 인 전극 위 에 는 포 토리 지스 트 를 일부 남기 고 , 채널 영역 위 에 는 금속 층 이 노출 되 도록 포 토리 지스 트 가 완전히 제거 되 도록 하 여야 한다 .