도 53 을 참조 하 면 , 상기 제 5 절연 구조물 들 을 포함 하 는 제 5 불휘발성 반도체 장치 의 셀 들 에 대하 여 약 10 , 000 사이클 이하 의 내구 성 테스트 를 수행 한 경우 에 는 불량 셀 들 이 거의 발생 하 지 않 았 다 . 한편 , 약 10 , 000 사이클 이상 의 내구 성 테스트 를 수행 한 경우 에 는 약 6 . 3 % 정도 의 셀 들 에서 불량 이 발생 하 였 다 . 즉 , 약 10 , 000 사이클 미만 의 내구 성 테스트 에서 는 거의 100 % 의 셀 들 이 통과 하 였으며 , 약 10 , 000 사이클 이상 에서 는 약 93 . 7 % 정도 의 셀 들 이 기준 을 통과 하 였 다 . 따라서 상기 제 5 절연 구조물 들 을 구비 하 는 제 5 불휘발성 반도체 장치 의 각 셀 들 은 상기 제 1 불휘발성 메모리 장치 에 비하 여 현저 하 게 향상 된 내구 성 을 가짐 을 확인 할 수 있 다 .