도 50 은 라디칼 산화 공정 , 질화 공정 및 클린 산화 공정 을 통하 여 형성 된 제 3 절연 구조물 들 을 포함 하 는 제 4 불휘발성 반도체 장치 의 각 셀 들 의 문턱 전압 산포 를 설명 하 기 위한 그래프 이 다 . 도 51 은 상기 제 4 절연 구조물 들 을 포함 하 는 제 4 불휘발성 반도체 장치 의 각 셀 들 의 내구 성 을 테스트 한 결과 를 나타내 는 개략 적 인 평면도 이 다 .