일 구 현예 에 따른 절연체 층 을 상기 한 바 와 같 은 재료 로 구성 하 면 , 절연체 층 중 에 분극 이 발생 하 기 용이 해 지 고 , 트랜지스터 동작 의 임계 전압 을 저감 할 수 있 다 . 또한 , 상기 재료 중 에서 도 Si 3 N 4 , SixNy , SiONx ( x , y 〉 0 ) 등 의 질화 규소 로 절연체 층 을 형성 하 면 , 공핍 층 이 한층 더 발생 하 기 용이 해 지 며 , 트랜지스터 동작 의 임계 전압 을 더욱 저감 시킬 수 있 다 .