또한 , 상기 한 목적 을 달성 하 기 위한 다른 측면 에 따른 본 발명 은 셀 영역 과 주변 회로 영역 을 포함 하 는 비휘발성 메모리 소자 의 제조 방법 에 있 어서 , 상기 셀 영역 과 상기 주변 회로 영역 의 기판 상 에 게이트 절 연막 과 플로팅 게이트 용 게이트 도전 막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 게이트 도전 막 , 상기 게이트 절 연막 및 상기 기판 의 일부 를 식각 하 여 트렌치 를 형성 하 는 단계 와 , 상기 트렌치 가 매립 되 도록 소자 분리 막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 소자 분리 막 중 상기 셀 영역 에 형성 된 소자 분리 막 을 상기 트렌치 내부 에서 일정 깊이 로 후퇴 시키 는 단계 와 , 후퇴 된 소자 분리 막 에 의해 형성 된 단차 면 을 따라 완충 막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 트렌치 의 내 측벽 과 대응 되 는 상기 완충 막 의 측벽 에 상기 완충 막 과 식각 선택 비 를 갖 는 물질 로 이루어진 스 페이서 를 형성 하 는 단계 와 , 상기 스 페이서 를 식각 장벽층 으로 상기 소자 분리 막 을 일부 식각 하 여 상기 소자 분리 막 내 에 홈 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 스 페이서 를 제거 하 는 단계 와 , 상기 완충 막 을 제거 하 는 단계 와 , 상기 완충 막 이 제거 된 상기 기판 상부 면 을 따라 유전체 막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 유전체 막 상 에 컨트롤 게이트 를 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 비휘발성 메모리 소자 의 제조 방법 을 제공 한다 .