본 발명 제 3 양태 의 은 미립자 의 제조 방법 은 , 은 이온 을 환원 하 여 은 미립자 를 제조 하 는 공정 을 갖 고 , 은 나노 입자 를 첨가 하 고 , 이 은 나노 입자 의 존재 하 에서 은 이온 을 환원 하 는 방법 으로 , 미세 한 은 미립자 를 안정 적 이 고 효율 적 으로 제조 할 수 있 다 . 본 발명 제 3 양태 의 은 미립자 의 제조 방법 에 있 어서 는 , 은 이온 의 환원 시 에 액 중 에 다수 의 미세 한 은 나노 입자 가 존재 하 고 , 그것 이 핵 형성 물질 이 되 어 핵 을 형성 한다 . 그리고 은 나노 입자 를 핵 으로 하 여 은의 결정 성 1 차 입자 가 형성 되 고 , 이 1 차 입자 끼리 응집 되 어 은 미립자 가 형성 된다 . 은 나노 입자 가 존재 하 지 않 는 경우 와 비교 하 여 , 이미 초기 핵 은 형성 되 어 있 고 , 또한 그 초기 핵 의 수 를 임의 로 많 게 할 수 있 어 , 1 차 입자 의 응집 중심 점수 도 많 게 할 수 있 다 . 이 때문 에 , 미세 한 은 미립자 가 안정 적 이 고 효율 적 으로 석출 된다 .