이러 한 전극 전원 공급 라인 ( 410 ) 은 디스플레이 영역 ( DA ) 내 의 다양 한 도전 층 을 형성 할 시 동일 물질 로 동시 에 형성 할 수 있 다 . 도 2 에서 는 디스플레이 영역 ( DA ) 내 의 박막 트랜지스터 ( 210 ) 의 소스 전극 ( 215 ) 과 드레 인 전극 ( 217 ) 이 층간 절연 층 ( 130 ) 상 에 위치 하 는 것 처럼 , 주변 영역 ( PA ) 에서 전극 전원 공급 라인 ( 410 ) 이 층간 절연 층 ( 130 ) 상 에 위치 하 는 것 으로 도시 하고 있 다 . 이 경우 디스플레이 영역 ( DA ) 내 의 박막 트랜지스터 ( 210 ) 의 소스 전극 ( 215 ) 과 드레 인 전극 ( 217 ) 을 층간 절연 층 ( 130 ) 상 에 형성 할 시 , 동일 물질 로 동시 에 주변 영역 ( PA ) 에서 층간 절연 층 ( 130 ) 상 에 전극 전원 공급 라인 ( 410 ) 을 형성 하 는 것 으로 이해 될 수 있 다 . 이 에 따라 전극 전원 공급 라인 ( 410 ) 은 소스 전극 ( 215 ) 및 드레 인 전극 ( 217 ) 과 동일 한 구조 를 갖 게 된다 . 물론 본 발명 이 이 에 한정 되 는 것 은 아니 며 , 게이트 전극 ( 213 ) 을 형성 할 시 전극 전원 공급 라인 ( 410 ) 을 동일 물질 로 동시 에 게이트 절연 층 ( 120 ) 상 에 형성 할 수 도 있 는 등 , 다양 한 변형 이 가능 하 다 .