일반 적 으로 , 화학 증폭 형 네거티브 톤 포토레지스트 는 산 - 불 안정 성 기 를 갖 는 수지 및 광산 발생 제 ( PAG ) 를 포함 한다 . 이러 한 포토레지스트 가 화학 방사선 에 노광 되 면 , 광산 발생 제 는 산 을 형성 하 고 , 이렇게 형성 된 산 은 노광 후 베이 킹 공정 중 에 수지 로부터 산 - 불 안정 성 기 를 분리 시킨다 . 산 - 불 안정 성 기 의 제거 는 노광 된 영역 과 노광 되 지 않 은 영역 간 의 수성 알칼리 현상액 또는 소수성 유기 용매 계 현상액 에 대한 용해도 특성 의 차이 를 생성 한다 . 레지스 트 의 노광 영역 은 수성 알칼리 현상액 에 용해 되 고 , 소수성 유기 용매 계 현상액 에 용해 되 지 않 는다 . 반도체 장치 의 제조 공정 에서 , 포지티브 톤 프로세스 는 수성 알칼리 현상액 을 사용 하 며 기판 상 에 포토레지스트 의 노광 되 지 않 은 영역 만 남기 는 반면 , 네거티브 톤 프로세스 는 소수성 유기 용매 계 현상액 을 사용 하 며 기판 상 에 포토레지스트 의 노광 된 영역 만 남긴다 .