또한 , 상기 실시 예 1 ∼ 9 , 비 교예 1 ∼ 3 에서 얻 어 진 막 형성 조성물 을 이용 하 여 형성 된 구조 체 에 저압 수은등 ( 제 품명 : DeepUVProcessor 램프 L - 800 FS , 니혼 전 지사 제조 , 메인 파장 254 , 185 ㎚) 으로 50 ℃, 90 초 의 조건 으로 UV 광 을 조사 한 것 , 및 조사 하 고 있 지 않 는 것 에 대해 , 400 ℃, 질소 중 에서 의 가열 후 의 형상 변화 에 대해 검토 하 였 다 . 결과 를 표 2 에 나타낸다 . 또한 , 형상 변화 는 쉬 링크 율 에 의해 평가 하 였 다 . 이 쉬 링크 율 은 가열 전 에 있 어서 의 구조 체의 막 두께 100 ㎚ 에 대한 가열 후 의 구조 체의 막 두께 비율 이 10 % 이상 변화 되 어 있 지 않 은 것 을 ○, 10 % 이상 변화 된 것 을 × 로 하 였 다 .