이온 도핑 법 을 사용 할 경우 , 이온 도핑 장치 는 질량 분리 를 행하 지 않 고 이온 을 첨가 하 므로 , 수소 이온 외 에 금속 이온 도 동시 에 반도체 기판 ( 100 ) 에 첨가 되 는 경우 가 있 다 . 금속 이온 은 질량수 가 크 기 때문 에 , 이온 이 첨가 되 는 쪽 의 극 표면 에 많이 분포 된다 . 본 형태 에서 는 반도체 기판 ( 100 ) 의 표면 에 산화 막 ( 106 ) 이 형성 되 어 있 다 . 이 산화 막 ( 106 ) 의 막 두께 를 금속 이온 이 첨가 되 는 깊이 보다 도 두껍 게 형성 하 는 것 으로 , 이 금속 의 분포 를 산화 막 ( 106 ) 안 에 머물 게 할 수 있 다 . 산화 막 ( 106 ) 은 HCl 산화 등 에 의해 막 안 에 할로겐 을 포함 시킴 으로써 , 중금속 등 반도체 기판 ( 100 ) 에 악영향 을 주 는 불순물 을 게터 링 하 는 작용 이 있 다 . 그것 에 의해 산화 막 ( 106 ) 안 에 포집 한 해당 불순물 을 고정 하 여 반도체 기판 ( 100 ) 의 오염 을 막 을 수 있 다 .