제 1 기판 ( 4001 ) 위 에 형성 된 화소 부 ( 4002 ) 와 , 주사선 구동 회로 ( 4004 ) 를 둘러싸 도록 하 여 , 시 일재 ( 4005 ) 가 형성 되 어 있 다 . 또한 , 화소 부 ( 4002 ) 와 주사선 구동 회로 ( 4004 ) 위 에 제 2 기판 ( 4006 ) 이 설치 되 어 있 다 . 따라서 화소 부 ( 4002 ) 와 주사선 구동 회로 ( 4004 ) 는 제 1 기판 ( 4001 ) 과 시 일재 ( 4005 ) 와 제 2 기판 ( 4006 ) 에 의해 , 액정 ( 4008 ) 과 함께 봉지 되 어 있 다 . 또한 , 제 1 기판 ( 4001 ) 위 의 시 일재 ( 4005 ) 에 의해 둘러싸여 있 는 영역 과 는 다른 영역 에 , 별도 준비 된 기판 위 의 다결정 반도체 막 으로 형성 된 신호선 구동 회로 ( 4003 ) 가 실장 되 어 있 다 . 또한 본 실시 형태 에서 는 , 다 결정 반도체 막 을 사용 한 박막 트랜지스터 를 가지 는 신호선 구동 회로 를 , 제 1 기 판 ( 4001 ) 에 부착 시키 는 예 에 대하 여 설명 하 지만 , 단결정 반도체 를 사용 한 박막 트랜지스터 로 신호선 구동 회로 를 형성 하 여 , 부착 시키 도록 해도 좋 다 . 도 27 에서 는 , 신호선 구동 회로 ( 4003 ) 에 포함 되 는 다결정 반도체 막 으로 형성 된 박막 트랜지스터 ( 4009 ) 를 예시 한다 .