활성 층 ( 400 ) 은 전자 와 정공 의 재결합 을 통해 광자 ( 빛 ) 를 생성 하 는 층 으로서 , 주로 In ( x ) Ga ( 1 - x ) N ( 0 < x ≤ 1 ) 로 이루어지 고 , 하나 의 양자 우물 층 ( single quantum well ) 이나 복수 개 의 양자 우물 층 들 ( multi quantum wells ) 로 구성 된다 . 국제 공개 공보 WO / 02 / 021121 호 에 는 복수 개 의 양자 우물 층 들 과 장벽층 들 의 일부 에 만 도핑 을 하 는 기술 이 개시 되 어 있 다 .