그런 다음 , 반도체 기판 ( 100 ) 상부 에 게이트 절 연막 ( 102 ) 및 제 1 도 전막 ( 104 ) 을 형성 한다 . 이때 , 게이트 절 연막 ( 102 ) 은 산화물 로 형성 하 고 , 제 1 도 전막 ( 104 ) 은 폴리 실리콘 막 으로 형성 한다 . 제 1 도 전막 ( 104 ) 상부 에 제 2 도 전막 ( 106 ) 및 하드 마스크 막 ( 108 ) 을 형성 한다 . 이때 , 제 2 도 전막 ( 106 ) 은 텅스텐 막 으로 형성 하 고 , 하드 마스크 막 ( 108 ) 은 질화 막 으로 형성 한다 . 식각 공정 으로 하드 마스크 막 ( 108 ) , 제 2 도 전막 ( 106 ) , 제 1 도 전막 ( 104 ) 및 게이트 절 연막 ( 102 ) 을 식각 하 여 게이트 절 연막 ( 102 ) , 제 1 도 전막 ( 104 ) , 제 2 도 전막 ( 106 ) 및 하드 마스크 막 ( 108 ) 으로 적층 된 게이트 ( 110 ) 를 형성 한다 .