또한 , 종래 의 베이스 전극 ( 21 ) 의 저면 은 상기 베이스 층 ( 14 ) 상면 과 모두 접하 도록 형성 되 므로 , 상기 베이스 층 ( 14 ) 은 일정 면적 의 베이스 전극 ( 21 ) 이 형성 될 면적 이상 을 확보 하 여야 한다 . 이때 , 상기 베이스 층 ( 14 ) 하부 에 형성 되 는 콜렉터 층 ( 13 ) 역시 베이스 층 ( 14 ) 과 동시 에 한정 되 므로 , 베이스 층 ( 14 ) 과 콜렉터 층 ( 13 ) 의 접합 면적 도 일정 면적 이상 을 확보 하 게 된다 . 그러므로 , 베이스 - 콜렉터 사이 의 접합 캐 패 시 턴 스가 증대 되 는 문제점 이 있 다 . 또한 , 도 2 의 HBT 는 베이스 층 ( 14 ) 과 콜렉터 층 ( 13 ) 의 접합 측면 이 외부 로 오픈 되 어 있 어 , 기생 의 접합 캐 패 시 턴 스 가 더욱 증가 된다 .