샘플 2 로서 , 도 1 에 도시 하 는 기판 처리 장치 를 사용 하 여 , 웨이퍼 에 대하 여 BDEAS 가스 와 N 2 O 가스 를 동시 에 또한 연속 적 으로 공급 하 는 스텝 을 행함 으로써 웨이퍼 상 에 SiOCN 막 을 형성 하 였 다 . 샘플 2 를 제작 할 때 , 제 1 개질 처리 를 불 실시 로 하 고 , 제 2 개질 처리 만 을 실시 하 였 다 . 그 점 을 제외 하 고 , 샘플 2 를 제작 할 때 의 처리 수순 , 처리 조건 은 , 도 4 의 ( a ) 에 나타내 는 성막 시퀀스 의 처리 수순 , 처리 조건 과 마찬가지 로 하 였 다 .