도 2 g 를 참조 하 면 , 상기 마스크 패턴 ( 236 ) 을 덮 는 전하 트랩 막 ( 260 ) 이 형성 된다 . 상기 전하 트랩 막 ( 260 ) 은 화학 기상 증착 방법 으로 형성 된 실리콘 질화 막 일 수 있 다 . 상기 마스크 패턴 ( 236 ) 및 상기 전하 트랩 막 ( 260 ) 은 동일 한 물질 , 예 를 들 면 실리콘 질화 막 으로 형성 될 수 있 다 .