반도체 층 상 에 층간 절 연막 을 증착 한다 ( S 810 ) . 그리고 층간 절 연막 중 제 1 영역 을 식각 한다 ( S 820 ) . 제 1 영역 은 전술 한 중간층 이 배치 될 영역 이 자 전술 한 제 1 컨 택부 들 ( 즉 MIS 컨 택부 ) 이 배치 되 는 영역 이 다 . 식각 방식 으로 는 습식 식각 ( wet etching ) 공정 에 따라 식각 할 수 있 다 .