상기 기판 ( 200 ) 상 에 상기 셀 게이트 구조물 ( 212 ) , 셀 선택 트랜지스터 및 그라운드 선택 트랜지스터 를 덮 는 제 1 층간 절 연막 ( 214 ) 을 형성 한다 . 상기 제 1 층간 절 연막 ( 214 ) 은 실리콘 산화물 을 화학 기상 증착 공정 을 통해 증착 하 여 형성 할 수 있 다 . 상기 제 1 층간 절 연막 ( 214 ) 을 형성 한 이 후 에 , 상기 제 1 층간 절 연막 ( 214 ) 의 상부 면 을 평탄 화 하 는 공정 이 더 수행 될 수 있 다 . 상기 평탄 화 공정 은 화학 기계 적 연마 공정 을 포함 한다 .