염소 가스 는 지나치 게 강 하 게 플라스마 화 하 면 , 하 지 막 UF 를 에칭 해 버리 는 경우 가 있 다 . 도 6 내지 8 에서 설명 한 안테나 ( 85 ) 를 사용 한 유도 형 플라스마 발생기 ( ICP , Inductively Coupled Plasma ) ( 80 , 80 a ) 는 높 은 플라스마 강도 로 플라스마 를 발생 시키 는 데 유효 하 지만 , 염소 의 활성 화 는 더 약한 플라스마 를 발생 시키 는 플라스마 발생기 를 사용 하 도록 해도 된다 . 리모트 플라스마 발생기 ( 90 ) 는 플라스마 발생기 ( 80 , 80 a ) 보다 도 약한 플라스마 를 발생 시키 는 데 적합 하 다 . 따라서 , 제 2 실시 형태 에 관한 성막 장치 에서 는 제 3 처리 영역 ( P 3 ) 에 있 어서 의 염소 가스 의 활성 화 를 리모트 플라스마 발생기 ( 90 ) 에서 행하 는 예 에 대하 여 설명 한다 .