본 발명 의 기술 적 과제 는 고도 로 스케일링 된 수직 형 메모리 소자 에서 메모리 셀 각각 의 수직 높이 및 수직 방향 으로 서로 인접 한 메모리 셀 들 사이 의 간격 이 비교 적 작 은 경우 에 도 , 각 메모리 셀 에 충분 한 전하 를 저장 하 고 , 인접 한 메모리 셀 들 사이 에 간섭 을 억제 하 여 신뢰 성 을 향상 시킬 수 있 는 구조 를 가지 는 집적회로 소자 및 그 제조 방법 을 제공 하 는 것 이 다 .