본 발명 은 게이트 전극 ( 2 ) , 게이트 절연 층 ( 3 ) , 반도체 층 ( 4 ) , 소스 전극 ( 7 ) 및 드레 인 전극 ( 8 ) 을 구비 하 는 유기 전계 효과 트랜지스터 로서 , 소스 전극 ( 7 ) 및 드레 인 전극 ( 8 ) 은 각각 도전 층 ( 6 ) 및 ( 6 '), 및 억셉터 화합물 을 포함 하 는 화합물 층 ( 5 ) 및 ( 5 ') 으로 구성 되 어 있 고 , 화합물 층 ( 5 ) 및 ( 5 ') 은 각각 반도체 층 ( 4 ) 에 접하 여 배치 되 고 , 반도체 층 ( 4 ) 는 이온 화 포 텐 셜 이 5 . 0 eV 이상 인 고분자 화합물 을 함유 하 는 유기 전계 효과 트랜지스터 에 관한 것 이 다 .