대안 적 으로 , 양 의 포토레지스트 가 필러 를 패 터닝 하 는 데 사용 될 수 있 다 . 포토레지스트 의 제 1 , 제 2 , 및 제 3 노출 은 6 각 형 패턴 으로서 대표 필러 ( 640 , 650 , 660 ) 을 위한 위치 에 양 의 포토레지스트 를 노출 한다 . 포토레지스트 는 그 다음 현상 되 고 6 각 형 패턴 내 의 대표 필러 ( 640 , 650 , 660 ) 를 위한 위치 에 홀 을 형성 한다 . 임의 의 적절 한 이미지 역전 공정 이 그 다음 홀 안 에 에칭 저항 형성 을 생성 하 도록 사용 된다 . 예 를 들 어 , 하드 마스크 물질 또는 필러 물질 이 포토레지스트 층 위 로 및 포토레지스트 층 의 홀 안 에 형성 된다 . 하드 마스크 물질 또는 필러 물질 이 그 다음 포토레지스트 층 의 홀 안 에서 만 남 아 있 도록 평탄 화 된다 . 예 를 들 어 , 하드 마스크 층 은 CMP 또는 에칭 백 에 의해 평탄 화 되 어도 좋 고 , 필러 물질 은 포토레지스트 층 의 홀 안 에 만 있 도록 포토레지스트 위 로 필러 물질 슬러리 를 스핀 코팅 에 의해 형성 할 수 있 다 . 절연 하드 마스크 물질 ( 예 를 들 어 , 실리콘 산화물 , 텅스텐 산화물 , 또는 실리콘 질화물 ) 또는 전도성 하드 마스크 물질 ( 예 를 들 어 , 텅스텐 ) 과 같 은 하드 마스크 물질 이 포토레지스트 내 의 홀 을 충전 하 기 위해 사용 되 면 , 하드 마스크 형상 은 아래 놓인 반도체 층 을 패 터닝 ( 즉 , 에칭 ) 하 는 마스크 로 사용 된다 . 상기 실시 예 공정 에서 와 같이 , 반도체 층 은 패 터닝 된 포토레지스트 층 의 제거 전 또는 후 에 마스크 로 하드 마스크 를 사용 하 여 패 터닝 된다 . 2007 년 9 월 28 일 에 출원 되 고 여기 전체 에서 참조 로 포함 되 는 T . Chen 등 의 미국 특허 출원 번호 제 11 / 864 , 205 호 에 설명 되 는 실리콘 포함 스핀 - 온 코팅 과 같이 유기 필러 물질 과 같 은 필러 물질 이 사용 되 면 , 하드 마스크 층 이 필러 물질 과 아래 놓인 반도체 층 사이 에 배치 될 수 있 다 . 필러 물질 형상 이 하드 마스크 층 을 형상 으로 패 터닝 하 는 마스크 로 사용 된다 . 하드 마스크 형상 은 그 다음 아래 놓인 반도체 층 을 패 터닝 하 는 마스크 로 사용 된다 .