" 이러 한 유형 의 스위칭 디바이스 는 "" 소프트 ( soft ) "" 스위칭 - 오프 프로세스 ( switching - off process ) 를 허용 하 고 ", 여기 서 , 전류 경로 에서 의 전류 플럭스 ( flux ) 는 급격히 중단 되 지 는 않 지만 , 램프 식 ( ramped ) 특성 으로 줄어든다 . 적어도 2 개 의 스위칭 모듈 들 중 적어도 하나 에 의하 여 , 전류 경로 에 역 - 전압 ( counter - voltage ) 이 설정 된다 . 이 는 , 스위칭 - 모드 도메인 ( switched - mode domain ) 에서 스위칭 모듈 의 개개 의 반도체 스위칭 엘리먼트 를 동작 시킴 으로써 가능 해진다 . 이 에 따라서 , 스위치 - 오프 ( switch - off ) 경우 에서 의 높 은 전력 손실 은 개개 의 스위칭 모듈 의 반도체 스위칭 엘리먼트 에 전달 되 는 것 이 아니 라 , 주로 개개 의 스위칭 모듈 의 저항기 에 전달 된다 . 따라서 , 비싸 고 무거우 며 많 은 설치 공간 을 차지 하 는 배리스터 들 과 같 은 전압 - 제한 구성 요소 들 이 스위칭 디바이스 로부터 생략 될 수 있 다 . 따라서 , 개개 의 스위칭 모듈 들 에서 의 반도체 스위칭 엘리먼트 는 브레이크 초퍼 ( brake chopper ) 의 기능 을 담당 한다 . 동시 에 , 관련 스위칭 모듈 들 의 반도체 스위칭 엘리먼트 의 스위칭 - 모드 동작 의 이유 로 , 스위칭 모듈 들 의 개개 의 커패시터 는 , 이러 한 개개 의 커패시터 가 소스 단부 및 부하 단부 에서 의 인덕턴스 들 에 저장 된 에너지 의 전체 량 을 수용 할 것 을 요구 받 는 것 이 아니 라 이 전체 량 의 단지 작 은 비율 ( proportion ) 만 을 수용 할 것 을 요구 받 기 때문 에 , 더 낮 은 정격 ( rating ) 으로 치수 화 될 수 있 다 . 이 에 따라서 , 제거 될 총 에너지 는 관련 스위칭 모듈 들 의 반도체 스위칭 엘리먼트 에 의해 제한 되 지 않 는다 . 소스 단부 및 부하 단부 에서 의 더 큰 인덕턴스 들 의 경우 에 , 스위치 - 오프 프로세스 는 간단히 연장 된다 .