이렇게 열전자 효과 가 증가 함 에 따라 , 도 8 에 도시 된 바 와 같이 , 플로팅 게이트 ( 16 ) 에 같 은 전하량 ( Q ) 를 저장 하 는 데 걸리 는 시간 이 기존 의 NOR 형 플래시 기억 소자 및 대칭 SB NOR 형 플래시 기억 소자 보다 본 실시 예 에서 제안 하 는 비대칭 SB NOR 형 플래시 기억 소자 가 더 빠르 다 . 이 는 소자 의 쓰 기 시간 을 줄일 수 있 음 을 의미 한다 .