먼저 , 웨이퍼 기판 상 에 N 형 반도체 층 , 활성 층 및 P 형 반도체 층 을 증착 형성 한다 . 그 다음 에 , 상기 웨이퍼 기판 상 의 상기 N 형 반도체 층 에 연결 되 는 N 형 전극 패드 및 상기 P 형 반도체 층 에 연결 되 는 P 형 전극 패드 를 형성 한다 . 상기 N 형 전극 패드 및 P 형 전극 패드 에 바이어스 전압 을 인가 하 여 상기 웨이퍼 기판 상 의 각각 의 발광 반도체 칩 별로 　 출력 광 의 파장 을 검출 한다 . 여기 서 , 상기 N 형 전극 패드 및 상기 P 형 전극 패드 형성 단계 는 상기 파장 검출 단계 이후 과정 상 에서 임의 의 단계 에서 이루어질 수 있 다 .