상술 한 바 와 같이 , 본 발명 에 따른 반도체 소자 의 제조 방법 은 리세 스 영역 내 에 게이트 폴리 실리콘 층 및 게이트 전극 층 을 매립 하 는 매립 형 구조 의 게이트 를 형성 함 으로써 게이트 와 랜딩 플러그 간 의 공정 마진 을 확보 할 수 있 다 . 이 로 인해 , 게이트 하드 마스크 층 을 별도 로 형성 하 지 않 더라도 랜딩 플러그 콘 택 홀 형성 을 위한 식각 공정 시 게이트 의 손상 없이 게이트 와 랜딩 플러그 간 의 브릿지 ( bridge ) 를 방지 할 수 있 다 .