바람직 한 실시 예 에서 , 메모리 셀 은 원통형 금속 산화물 층 또는 필름 과 일렬 로 위치 한 원통형 반도체 다이오드 를 포함 한다 . 다이오드 및 필름 은 도 2 에 예시 된 바 와 같이 2 개 의 전극 사이 에 배치 된다 . 산화물 층 또는 필름 의 수 는 하나 로 제한 되 는 것 을 필요 로 하 지 않 으며 ; 예 를 들 어 , 2 개 이상 일 수 있 다 . 다이오드 및 금속 산화물 필름 은 바람직 한 경우 에 원통형 과 는 상이 한 형상 을 가질 수 있 다 . 다이오드 및 금속 산화물 을 포함 하 는 메모리 셀 의 설계 의 상세 한 설명 을 위해 , 본원 에 참 고 문헌 으로 인용 된 , 2005 년 5 월 9 일자 로 출원 된 미국 특허 출원 번호 11 / 125 , 939 ( 헤르 너 ( Herner ) 등 의 미국 공개 출원 번호 2006 / 0250836 에 해당 함 ) 및 2006 년 3 월 31 일자 로 출원 된 미국 특허 출원 번호 11 / 395 , 995 ( 헤르 너 등 의 미국 특허 공개 출원 번호 2006 / 0250837 에 해당 함 ) 가 참조 된다 . 본 발명 의 바람직 한 실시 예 에서 , 금속 산화물 필름 은 저항률 스위칭 소자 로서 역할 을 하 고 , 다이오드 는 메모리 셀 의 지향 소자 로서 역할 을 한다 .