도 2 a 를 참조 하 면 , 활성 영역 및 소자 분리 영역 을 갖 는 반도체 기판 ( 200 ) 상 에 소자 분리 영역 을 노출 시키 는 하드 마스크 ( 미 도시 ) 를 형성 한다 . 그런 다음 , 상기 하드 마스크 를 식각 마스크 로 이용 하 여 노출 된 반도체 기판 ( 200 ) 부분 을 식각 하 여 상기 소자 분리 영역 에 트렌치 ( T ) 를 형성 한다 .