불휘발성 메모리 장치 는 EEPROM ( Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory ) , 플래시 ( flash ) 메모리 , MRAM ( Magnetic RAM ) , 스핀 전달 토크 MRAM ( Spin - Transfer Torque ( STT ) - MRAM ) , Conductive Bridging RAM ( CBRAM ) , FeRAM ( Ferroelectric RAM ) , PRAM ( Phase change RAM ) , 저항 메모리 ( Resistive RAM ( RRAM ) ) , 나노 튜브 RRAM ( Nanotube RRAM ) , 폴리머 RAM ( Polymer RAM ( PoRAM ) ) , 나노 부유 게이트 메모리 ( Nano Floating Gate Memory ( NFGM ) ) , 홀로 그래픽 메모리 ( holographic memory ) , 분자 전자 메모리 소자 ( Molecular Electronic Memory Device ) , 또는 절연 저항 변화 메모리 ( Insulator Resistance Change Memory ) 로 구현 될 수 있 다 .