도 5 d 를 참조 하 면 , 상기 제 1 , 2 , 3 및 4 게이트 전극 ( 330 a , 330 b , 332 a , 332 b ) , 스토리지 라인 ( 335 ) 및 게이트 전극 층 ( 336 ) 을 마스크 로 이용 하 고 , 상기 n 형 TFT 영역 및 p 형 TFT 영역 의 상기 제 1 , 2 게이트 전극 ( 330 a , 330 b ) 과 제 3 , 4 게이트 전극 ( 332 a , 332 b ) 사이 에 마스크 ( 334 ) 를 이용 하 여 상기 제 1 , 4 반도체 층 ( 310 , 317 ) 에 저 농도 N 형 또는 P 형 불순물 을 주입 하 여 LDD 도핑 을 수행 하 여 LDD 영역 ( 310 d , 317 d ) 을 형성 한다 . 이후 상기 마스크 ( 334 ) 를 제거 한다 .