이러 한 층 에서 의 각 층 은 더 많 은 예시 를 구비 한다 . 전문 을 인용 하 는 방식 으로 결합 된 미국 특허 제 5844363 호 에 개시 된 유연 하 고 투명 한 기판 - 애노드 조합 을 예 로 들 수 있 다 . p - 도핑 된 정공 수송 층 의 예시 로 는 , 전문 을 인용 하 는 방식 으로 결합 된 미국 특허 출원 공개 제 2003 / 0230980 호 에 개시 된 바 와 같이 50 : 1 의 몰 비로 F 4 - TCNQ 가 도핑 된 m - MTDATA 이 다 . 전문 을 인용 하 는 방식 으로 결합 된 미국 특허 제 6303238 호 ( Thompson 등 에게 수여 됨 ) 에서 는 호스트 재료 ( host material ) 의 예시 를 개시 하 였 다 . n - 도핑 된 전자 수송 층 의 예시 로 는 , 전문 을 인용 하 는 방식 으로 결합 된 미국 특허 출원 공개 제 2003 / 0230980 호 에 개시 된 바 와 같이 1 : 1 의 몰 비로 Li 가 도핑 된 BPhen 이 다 . 전문 을 인용 하 는 방식 으로 결합 된 미국 특허 제 5703436 호 및 제 5707745 호 에서 는 음극 의 예시 를 개시 하 였으며 , 이 는 Mg : Ag 와 같 은 금속 박 층 , 오버 라잉 ( overlying ) 된 투명 하 고 전도 성 을 가지 며 스퍼터 증착 ( sputter - deposited ) 된 ITO 층 을 가지 는 복합 음극 을 포함 한다 . 전문 을 인용 하 는 방식 으로 결합 된 미국 특허 제 6097147 호 및 미국 특허 출원 공개 제 2003 / 0230980 호 에서 는 차단 층 의 원리 및 사용 에 대해 더 구체 적 으로 설명 하 였 다 . 전문 을 인용 하 는 방식 으로 결합 된 미국 특허 출원 공개 제 2004 / 0174116 호 에서 는 주입 층 의 예시 를 제공 하 였 다 . 전문 을 인용 하 는 방식 으로 결합 된 미국 특허 출원 공개 제 2004 / 0174116 호 에서 보호 층 에 대한 설명 을 찾 을 수 있 다 .