본 발명 의 다른 측면 은 , 기판 상 에 실리콘 산화 막 및 실리콘 질화 막 을 형성 하 는 단계 ; 및 실리콘 질화 막 선택 적 식각 액 을 사용 하 여 상기 실리콘 산화 막 및 실리콘 질화 막 이 형성 된 기판 을 식각 하 는 단계 ; 를 포함 하 고 , 상기 실리콘 질화 막 선택 적 식각 액 은 , 청구 항 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항 의 실리콘 질화 막 선택 적 식각 액 인 것 인 , 실리콘 산화 막 및 실리콘 질화 막 이 형성 된 기판 의 식각 방법 을 제공 한다 .