이어서 , 실시 예 1 과 동일 한 직경 200 ㎜ 의 실리콘 단결정 잉곳 으로부터 슬라이스 한 실리콘 웨이퍼 ( 산소 농도 가 11 . 5 ∼ 13 . 6 × 1017 atoms / cc ( Old - ASTM ) ) 를 지지 웨이퍼 로 하 여 , 산화 막 을 개재 하 여 밀착 시키 고 , 그 후 , 박리 열처리 를 600 ℃ 로 행하 고 , 주입 층 을 경계 로 하 여 , 활성 층 웨이퍼 를 박막 형상 으로 박리 했 다 . 추가 로 , 1100 ℃ 의 접합 강화 열처리 를 행함 으로써 , 견고 하 게 결합 한 SOI 웨이퍼 를 얻 었 다 . 또한 , 표면 의 대미지 ( damage ) 제거 에 는 , 산소 분위기 중 에서 열처리 하 여 표면 근방 을 산화 하 는 희생 산화 법 을 이용 했 다 .