메모리 장치 ( 3500 ) 는 비휘발성 메모리 일 수 있 다 . 또한 , 메모리 장치 ( 3500 ) 는 앞서 도 1 a 내지 도 16 을 참조 하 여 설명 한 구조 를 가질 수 있 고 , 앞서 도 1 a 내지 도 16 을 참조 하 여 설명 한 제조 방법 에 따라 제조 될 수 있 다 . 실시 예 로서 , 메모리 장치 ( 3500 ) 는 적층 물 ; 상기 적층 물 을 관통 하 는 채널 패턴 들 , 상기 적층 물 을 관통 하 는 더미 채널 패턴 들 및 상기 적층 물 의 하부 에 위치 되 고 상기 채널 패턴 들 과 상기 더미 채널 패턴 들 을 연결 시키 는 연결 패턴 을 포함 하 는 채널 막 들 ; 상기 채널 패턴 들 과 연결 된 비트 라인 ; 및 상기 더미 채널 패턴 들 과 연결 된 웰 픽업 라인 을 포함 하 도록 구성 된다 . 메모리 장치 ( 3500 ) 의 구조 및 제조 방법 은 앞서 설명 한 바 와 동일 하 므로 , 구체 적 인 설명 은 생략 하 도록 한다 .