또한 , 발광소 자 제 조시 , 반 극성 질화물 단결정 박막 상 에 발광 구조물 을 형성 함 으로써 , 내부 전기장 발생 을 방지 하 여 발광 에 필요 한 전자 및 전공 의 재결합 률 을 증가 시킬 수 있 게 된다 . 이 에 따라 , 발광 소자 의 발광 효율 이 향상 되 며 , 광 의 장파장 화 가 가능 하 게 되 어 질화물 반도체 발광 소자 의 제품 신뢰 성 을 향상 시킬 수 있 게 된다 .