FET M 21 의 게이트 단자 는 도시 하 지 않 은 전압 원 VBias 에 접속 되 고 , 드레 인 단자 는 전원 전압 단 ( VDD ) 에 접속 되 고 , 소오 스 단자 는 제 1 인덕 터 L 1 의 다른 일 측 및 제 2 인덕 터 L 2 의 다른 일 측 에 접속 된다 . 상기 제 1 인덕 터 L 1 및 제 2 인덕 터 L 2 로 는 작 은 크기 의 인덕 터 , 높 은 Q 값 및 높 은 SRF 값 을 위해 예 를 들 어 , 3 . 3 나노 헨리 ( nH ) 가 사용 된다 .