면적 이 동일 한 전제 에서 , 본 발명 의 상기 표면 탄성파 장치 는 종래 의 표면 탄성파 소자 보다 더욱 큰 공간 을 형성 하 여 상기 전극 유닛 을 수용 함 으로써 상기 표면 탄성파 장치 의 표면 탄성파 여기 / 수신 성능 및 주파수 응답 속도 를 향상 시킬 수 있 으므로 , 성능 을 향상 시키 는 효과 를 가진다 . 한편 , 종래 의 표면 탄성파 소자 에 비해 , 본 발명 의 상기 표면 탄성파 장치 는 비교 적 작 은 면적 으로 전극 쌍 의 개수 가 동일 한 전극 을 수용 할 수 있 어 , 면적 을 축소 시키 는 효과 를 가진다 . 또한 , 상기 커버 층 의 측면 에 돌출 된 상기 기둥 형 범프 는 방열 에 유리 하 여 , 상기 전극 유닛 에 의해 발생 되 는 고온 이 상기 표면 탄성파 장치 의 안정 성 에 영향 을 미치 지 않 게 할 수 있 다 .