도 1 을 참조 하 면 , 수직 형 발광 다이오드 는 일반 적 으로 사파이어 기판 과 같 은 희생 기판 ( 21 ) 위 에 제 1 화합물 반도체 층 ( 11 ) 과 , 활성 층 ( 13 ) , 제 2 화합물 반도체 층 ( 15 ) 을 금속 유기 화 학기 상 증착 법 등 을 사용 하 여 성장 된 후 , 화합물 반도체 층 들 상 에 금속 반사 층 ( 미도 시 됨 ) 및 접착 층 ( 미도 시 됨 ) 이 형성 되 고 , 도전 성 기판 ( 미도 시 됨 ) 이 부착 된다 . 이어서 , 레이저 리프트 오프 ( laser lift - off ) 기술 등 을 사용 하 여 희생 기판 이 화합물 반도체 층 들 로부터 분리 된 후 노출 된 제 1 화합물 반도체 층 에 전극 패드 ( 미도 시 됨 ) 이 형성 된다 .