마스크 패턴 의 광 근접 효과 를 제대로 고려 하 지 못하 면 리 소그라 피 ( Lithography ) 본래 노광 의도 와 는 달리 패턴 선폭 왜곡 이 발생 하 여 반도체 소자 특성 에 나쁜 영향 을 주 게 된다 . 따라서 , 반도체 포토 리 소그라 피 기술 은 마스크 설계 를 정교 하 게 해줌 으로써 , 마스크 로 투광 되 어 나오 는 빛 의 양 을 적절히 조절 할 수 있 게 하 는 방법 의 하나 로 광 근접 성 보정 ( OPC : Optical Proximity Correction ) 이 마스크 에 그려진 패턴 형상 에 의한 빛 의 왜곡 현상 을 최소 화 시킬 수 있 는 방법 으로서 사용 되 고 있 다 .