여기 서 , 본 발명 은 상기 도핑 된 폴리 실리콘 막 ( 204 ) 과 금속 막 ( 212 ) 사이 에 제 1 확산 방지 막 ( 206 ) 과 씨드 막 ( 208 ) 및 제 2 확산 방지 막 ( 210 ) 의 적층 막 구조 를 갖 는 베 리어 막 을 형성 함 으로써 , 상기 도핑 된 폴리 실리콘 막 ( 204 ) 내 에 도핑 된 보론 ( Boron ) 과 같 은 P 형 불순물 이온 들 이 상기 도핑 된 폴리 실리콘 막 ( 204 ) 으로부터 확산 되 어 나가 는 것 을 방지 할 수 있 다 .