도 4 및 도 5 를 참조 하 면 , 식각 바이어스 들 은 포토레지스트 패턴 의 선폭 에 비해 실제 식각 된 게이트 의 선폭 이 축소 되 므로 , 음 의 값 을 가지 는 수치 로 추출 될 수 있 다 . 이때 , NMOS 를 위한 제 2 식각 바이어스 값 이 PMOS 를 위한 제 1 식각 바이어스 값 보다 더 큰 크기 로 더 축소 되 는 경향 을 보인다 . 예컨대 , 제 1 식각 바이어스 보다 제 2 식각 바이어스 가 평균 적 으로 대략 7 ㎚ 정도 더 음 의 값 으로 큰 경향 을 보인다 . 이러 한 식각 바이어스 들 의 차이 에 의해서 식각 바이어스 를 고려 하 지 않 은 OPC 결과 는 실제 웨이퍼 상 에 식각 에 의해 형성 된 게이트 의 실제 선폭 과 차이 가 발생 하 게 된다 .