계속 해서 , 상기 제 1 층간 절 연막 ( 118 ) 상 에 금속 층 일예 로 , 구리 ( Cu ) , 알루미늄 ( Al ) , 알루미늄 합금 ( AlNd ) , 몰리브덴 ( Mo ) , 크롬 ( Cr ) , 티타늄 ( Ti ) , 탄 탈륨 ( Ta ) , 몰리브덴 - 텅스텐 ( MoW ) 등 을 증착 하 고 제 5 노광 마스크 를 이용 한 포토 식각 기술 로 데이터 배선 ( 도시 하 지 않 음 ) 및 상기 소스 / 드레 인 영역 ( 114 a , 114 c ) 에 콘 택 되 는 소스 / 드레 인 전극 ( 115 a , 115 b ) 을 형성 한다 . 이때 , 패드 부 영역 에 패드 전극 ( 125 ) 을 동시 에 형성 한다 .