다음 , 도 17 을 참고 하 면 , 제 1 감광 패턴 ( 41 a ) 을 제거 하 고 저항성 접촉 부재 ( 163 a , 165 a ) 를 마스크 로 하 여 회로 반도체 ( 154 a ) 에 레이저 를 조사 한다 . 이 때 회로 반도체 ( 154 a ) 중 저항성 접촉 부재 ( 163 a , 165 a ) 사이 로 노출 된 부분 은 결정 화 되 고 저항성 접촉 부재 ( 163 a , 165 a ) 하부 에 위치 하 는 부분 은 저항성 접촉 부재 ( 163 a , 165 a ) 에 의해 레이저 가 차단 되 어 결정 화 되 지 않 고 비정질 상태 로 남 는다 . 따라서 도 17 에 도시 한 바 와 같이 회로 반도체 ( 154 a ) 는 다 결정 규소 로 만들 어 진 제 1 부분 ( 155 ) 과 그 외 에 결정 화 되 지 않 고 비정질 규소 로 남 아 있 는 제 2 부분 ( 156 ) 으로 나뉜다 .