상기 제 2 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 일 실시 예 에 따르 면 , 불휘발성 메모리 장치 를 제조 하 는 방법 이 제공 된다 . 구체 적 으로 반도체 기판 상 에 터널 산화 막 , 플로팅 게이트 막 , 제 1 도 전막 및 연마 저지 막 을 순차 적 으로 형성 한다 . 연마 저지 막 , 제 1 도 전막 , 플로팅 게이트 막 , 터널 산화 막 및 반도체 기판 의 상부 를 제 1 방향 을 따라 순차 적 으로 식각 하 여 반도체 기판 상 에 는 제 1 방향 으로 연장 하 고 제 1 방향 과 수직 인 제 2 방향 으로 이격 하 며 순차 적 으로 적층 되 는 터널 산화 막 패턴 들 , 예비 플로팅 게이트 들 , 제 1 도 전막 패턴 들 및 연마 저지 막 패턴 들 을 형성 하 고 반도체 기판 의 상부 에 는 제 1 방향 으로 연장 하 고 제 2 방향 으로 이격 하 는 그루브 들 을 형성 한다 . 그루브 들 을 매립 하 도록 반도체 기판 , 터널 산화 막 패턴 들 , 예비 플로팅 게이트 들 , 제 1 도 전막 패턴 들 및 연마 저지 막 패턴 들 상 에 소자 분리 막 을 형성 한다 . 소자 분리 막 에 연마 저지 막 패턴 들 이 노출 될 때 까지 연마 공정 을 수행 하 여 소자 분리 막 패턴 을 형성 한다 . 연마 저지 막 패턴 들 을 제거 한다 . 제 1 도 전막 패턴 들 및 소자 분리 막 패턴 들 상 에 유전 막 및 컨트롤 게이트 막 을 형성 한다 . 컨트롤 게이트 막 , 유전 막 , 제 1 도 전막 패턴 들 및 예비 플로팅 게이트 들 을 제 2 방향 을 따라 순차 적 으로 식각 하 여 제 2 방향 으로 연장 하 고 제 1 방향 으로 서로 이격 하 는 컨트롤 게이트 들 과 유전 막 패턴 들 을 형성 하 고 제 1 및 2 방향 들 로 서로 이격 하 는 제 1 도 전막 패턴 들 과 플로팅 게이트 들 을 형성 한다 .