IBE 수율 들 은 충돌 각도 종속 이 다 . 디바이스 밀도 가 상승 함 에 따라 , 종횡비 들 은 상승 하 고 이온 충돌 각도 는 얕 게 된다 ( 이온 들 이 여 입사각 ( glancing angle ) 으로 피처 측벽 표면 에 부딪친다 ) . 동시 에 , 하단 층 에 대한 충돌 각도 는 보다 급격 해 지 고 ( steeper ) , 이 는 불량 한 하단 층 선택도 를 유발 한다 . 마지막 으로 , 스퍼터링 된 원자 들 의 방향 은 에칭 된 표면 에 수직 인 강한 컴포넌트 를 가져 , 마주 보 는 에칭 된 벽 들 에서 재 - 증착 을 발생 시킨다 .