도 8 을 참조 하 면 절연 층 들 ( 32 ) 의 제 1 재료 에 대하 여 희생 재료 층 들 ( 42 ) 의 제 2 재료 를 선택 적 으로 에칭 하 는 에칭 제 가 , 예 를 들 어 , 에칭 공정 을 사용 하 여 후면 트렌치 들 ( 79 ) 안 으로 도입 될 수 있 다 . 희생 재료 층 들 ( 42 ) 이 제거 된 체적 들 내 에 후면 리세 스 들 ( 43 ) 이 형성 된다 . 희생 재료 층 들 ( 42 ) 의 제 2 재료 의 제거 는 절연 층 들 ( 32 ) 의 제 1 재료 , 단차 형 유전체 재료 부분 ( 65 ) 의 재료 , 반도체 재료 층 ( 10 ) 의 반도체 재료 , 및 메모리 필름 들 ( 50 ) 의 최 외측 층 의 재료 에 대해 선택 적 일 수 있 다 . 일 실시 예 에서 , 희생 재료 층 들 ( 42 ) 은 실리콘 질화물 을 포함 할 수 있 고 , 절연 층 들 ( 32 ) 및 단차 형 유전체 재료 부분 ( 65 ) 의 재료 들 은 실리콘 산화물 및 유전체 금속 산화물 들 로부터 선택 될 수 있 다 .