이어서 , 질소 어닐링 ( Nitrogen annealing ) 을 실시 하 여 각 게이트 산화 막 과 반도체 기판 의 계면 에 질소 가 다량 함유 된 질소 부화 산화 막 ( N - rich Oxide ) 을 형성 한다 . 위 와 같이 질소 부화 산화 막 이 형성 된 게이트 산화 막 구조 를 ' NO 게이트 산화 막 ' 이 라고 한다 . 즉 , 질소 부화 산화 막 과 제 1 게이트 산화 막 , 질소 부화 산화 막 과 제 2 게이트 산화 막 의 구조 를 통틀 어 NO 게이트 산화 막이 라고 한다 . 여기 서 , I / O 영역 과 코어 영역 에서 NO 게이트 산화 막 은 두께 가 서로 다르 다 . 즉 , 반도체 기판 ( 21 ) 이 사용 목적 에 따라 I / O 영역 과 코어 영역 으로 구분 되 고 , I / O 영역 은 다시 NMOS 영역 과 PMOS 영역 으로 구분 되 는데 , I / O 영역 에 형성 된 NO 게이트 산화 막 ( 23 a ) 의 두께 가 코어 영역 에 형성 된 NO 게이트 산화 막 ( 23 b ) 에 비해 더 두껍 다 .