상기 강유전체 층 ( 115 ) 은 소재 특성 상 그 와 접하 는 제 1 , 제 3 전극 ( 111 , 113 ) 의 전기 적 극성 에 따라 유전 분극 이 유도 되 고 , 그 결과 외부 로 노출 된 강유전체 층 ( 115 ) 표면 과 이 와 접한 제 3 전극 ( 113 ) 사이 에 높 은 전계 가 집중 되 면서 강유전체 층 ( 115 ) 표면 에 는 전계 방출 된 전자 들 이 쌓이 게 된다 . 이렇게 강유전체 층 ( 115 ) 표면 에 전자 들 이 축적 된 후 제 1 , 제 3 전극 ( 111 , 113 ) 의 극성 을 반전 시키 면 , 강유전체 층 ( 115 ) 에 분극 반전 이 유도 되 면서 표면 에 축적 된 전자 들 이 전기 적 인 반발력 에 의해 표시 셀 ( S ) 공간 으로 방출 된다 . 방출 된 다수 의 전자 들 은 하나 의 전자 빔 ( E ) 을 구성 하 게 된다 . 전자 축적 및 방출 원리 에 대해서 는 후 에 보다 상세히 설명 하 기 로 한다 . 한편 , 상기 제 1 , 제 3 전극 ( 111 , 113 ) 사이 에 인가 되 는 전압 으로 방출 전자 가 갖 는 에너지 레벨 이 최적 화 될 수 있 는데 , 상기 방출 전자 의 에너지 레벨 은 여기 가스 ( 130 ) 를 여기 시키 는데 필요 한 에너지 보다 크 고 , 여기 가스 ( 130 ) 를 이온 화 시키 는 데 필요 한 에너지 보다 는 작 은 것 이 바람직 하 다 . 이 경우 , 발광 을 위해 형광체 ( 125 ) 에 공급 되 는 소정 의 자외선 ( V ) 은 가스 여기 를 통해 제공 되 면서 도 불 필요 한 가스 이온 화 에 따른 무효 한 에너지 소모 는 줄일 수 있 다 . 한편 , 상기 제 1 전극 ( 111 ) 및 제 3 전극 ( 113 ) 은 전기 전도도 가 우수 한 금속 전극 소재 로 이루어질 수 있 으며 , 특히 , 상기 제 3 전극 ( 113 ) 은 방출 전자 를 제공 하 는 캐소드 ( cathode ) 전극 으로 기능 하 로 , 작 은 일 함수 를 갖 는 금속 소재 로 이루어지 는 것 이 바람직 할 것 이 다 .