시간 구간 t 22 ~ t 26 ( 선택 된 비트 라인 프리 차지 단계 ) 에서 , 선택 된 워드 라인 ( WL 3 ) 은 플로팅 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 선택 된 워드 라인 ( WL 3 ) 은 시간 구간 t 22 ~ t 26 중 적어도 일부 시간 구간 에서 플로팅 될 수 있 다 . 메모리 셀 ( MC 35 ) 이 온 셀 인 경우 , 선택 된 워드 라인 ( WL 3 ) 의 전압 ( VWLon ) 은 시간 구간 t 22 ~ t 25 에서 전압 레벨 ( V 1 ) 부터 전압 레벨 ( V 2 ) 까지 변화 ( V 2 > V 1 라면 , 증가 ) 할 수 있 다 . 선택 된 워드 라인 ( WL 3 ) 의 전압 ( VWLon ) 은 시간 구간 t 25 ~ t 26 에서 전압 레벨 ( V 2 ) 을 유지 할 수 있 다 .