본 발명 은 , ( a ) 실리콘 웨이퍼 를 급속 열처리 장비 에 로딩 하 는 단계 와 , ( b ) 암모니아 ( NH 3 ) 가스 또는 질소 ( N 2 ) 가스 를 공급 하 면서 상기 급속 열처리 장비 내 의 온도 를 목표 하 는 제 1 온도 로 급격히 상승 시키 는 단계 와 , ( c ) 암모니아 ( NH 3 ) 가스 또는 질소 ( N 2 ) 가스 의 공급 을 차단 하 고 , 상기 제 1 온도 에서 소정 시간 동안 유지 하 여 제 1 급속 열처리 를 실시 하 는 단계 와 , ( d ) 상기 급속 열처리 장비 내 의 온도 를 제 2 온도 로 급격히 하강 시키 는 단계 와 , ( e ) 상기 급속 열처리 장비 내 의 온도 를 상기 제 1 온도 보다 높 은 제 3 온도 로 급격히 상승 시키 는 단계 와 , ( f ) 상기 제 3 온도 에서 소정 시간 동안 유지 하 여 제 2 급속 열처리 를 실시 하 는 단계 와 , ( g ) 상기 급속 열처리 장비 내 의 온도 를 제 4 온도 로 급격히 하강 시키 는 단계 를 포함 하 며 , 상기 ( b ) 단계 내지 상기 ( g ) 단계 동안 불활성 가스 를 계속 적 으로 공급 하 는 실리콘 웨이퍼 의 열처리 방법 을 제공 한다 .