상기 와 같이 소스 / 드레 인 전극 ( 106 , 116 , 112 , 113 ) 및 데이터 배선 ( 103 ) 등 이 형성 되 면 , 절연 기판 ( 100 ) 의 전 영역 상 에 보호막 ( 107 ) 을 형성 하 고 , 제 1 드레 인 전극 ( 112 ) 상부 에 소정 의 콘 택 홀 을 형성 한다 . 그런 다음 , 보호막 ( 107 ) 이 형성 된 절연 기판 ( 100 ) 상 에 투명 성 도전 금속 막 을 형성 한 다음 , 마스크 를 포함 하 는 포 토리 쏘 그래피 방법 으로 식각 하 여 게이트 배선 ( 101 ) 을 중심 으로 상부 에 제 1 화소 전극 ( 109 a ) 을 형성 하 고 , 하부 에 제 2 화소 전극 ( 109 b ) 을 형성 한다 .