도 1 a 를 참조 하 면 , 기판 ( 115 ) 은 베이스 기판 ( 100 ) 과 상기 베이스 기판 ( 100 ) 상 에 형성 된 피식 각막 ( 110 ) 을 구비 할 수 있 다 . 상기 베이스 기판 ( 100 ) 은 예 를 들 면 , 실리콘 기판 과 같 은 반도체 기판 일 수 있 다 . 상기 피식 각막 ( 110 ) 은 절 연막 , 반도체 막 , 금속 막 또는 금속 실리사이드 막 일 수 있 다 . 구체 적 으로 , 상기 피식 각막 ( 110 ) 은 산화 막 , 질화 막 , 산화 질화 막 등 과 같 은 절 연막 ; 다결정 실리콘 막 , 비정질 실리콘 막 등 과 같 은 반도체 막 ; 알루미늄 ( Al ) , 텅스텐 ( W ) , 금 ( Au ) , 은 ( Ag ) , 팔라듐 ( Pt ) , 구리 ( Cu ) 등 와 같 은 금속 막 ; 또는 텅스텐 실리사이드 , 코발트 실리사이드 , 니켈 실리사이드 등 과 같 은 금속 실리사이드 막 일 수 있 다 . 상기 베이스 기판 ( 100 ) 을 식각 하 여 패턴 을 형성 하 고자 하 는 경우 에 는 상기 피식 각막 ( 110 ) 은 생략 할 수 있 다 .