도 23 및 24 에 도시 된 메모리 블록 ( BLKa , BLKb ) 은 예시 적 인 것 이 다 . 본 발명 의 기술 적 사상 은 도 23 및 24 에 도시 된 메모리 블록 ( BLKa , BLKb ) 에 한정 되 지 않 는다 . 예 를 들 어 , 셀 스트링 들 의 행 들 의 수 는 증가 또는 감소 될 수 있 다 . 셀 스트링 들 의 행 들 의 수 가 변경 됨 에 따라 , 셀 스트링 들 의 행 들 에 연결 되 는 드레 인 선택 라인 들 또는 소스 선택 라인 의 수 , 그리고 하나 의 비트 라인 에 연결 되 는 셀 스트링 들 의 수 또한 변경 될 수 있 다 .