일 실시 예 에 따르 면 , 초기 화 전압 라인 ( VIL _ 1 ) 은 보조 화소 ( Pa 3 _ 1 ) 및 투 과부 ( TA ) 상 모두 에서 , 게이트 절 연막 ( 130 ) 상 에 형성 되 는 제 2 게이트 층 ( GTL 2 ) 으로 형성 될 수 있 다 . 제 1 스캔 라인 ( SLK - 1 _ 1 ) 은 보조 화소 ( Pa 3 ) 및 투 과부 ( TA ) 상 모두 에서 , 버퍼 막 ( BF ) 상 에 형성 되 는 제 1 게이트 층 ( GTL 1 ) 으로 형성 될 수 있 다 . 제 2 스캔 라인 ( SLK _ 1 ) 은 보조 화소 ( Pa 3 ) 상 에서 는 버퍼 막 ( BF ) 상 에 형성 되 는 제 1 게이트 층 ( GTL 1 ) 으로 형성 될 수 있 고 , 제 2 스캔 라인 연결 배선 ( SLK _ Br 1 ) 은 투과 부 ( TA ) 상 에서 게이트 절 연막 ( 130 ) 상 에 형성 되 는 제 2 게이트 층 ( GTL 2 ) 으로 형성 될 수 있 다 . 제 2 스캔 라인 연결 배선 ( SLK _ Br 1 ) 은 게이트 절 연막 ( 130 ) 에 형성 되 는 제 9 컨 택 홀 ( CNT 9 ) 을 통해 제 2 스캔 라인 ( SLK _ 1 ) 과 전기 적 및 / 또는 물리 적 으로 연결 되 수 있 다 . 발광 제어 라인 ( ELK _ 1 ) 은 보조 화소 ( Pa 3 _ 1 ) 및 투 과부 ( TA ) 상 모두 에서 , 버퍼 막 ( BF ) 상 에 형성 되 는 제 1 게이트 층 ( GTL 1 ) 으로 형성 될 수 있 다 .