도 5 를 참조 하 면 , 포토레지스트 막 ( 308 ) 을 패 터닝 하 여 제 2 층간 절 연막 ( 306 ) 위 에 노출 영역 ( a ) 이 대칭 ( symmetry ) 구조 의 타원 형 으로 배열 된 포토레지스트 막 패턴 ( 312 ) 을 형성 한다 . 포토레지스트 막 패턴 ( 312 ) 은 포토 마스크 ( 400 ) 및 조명계 를 이용 한 포토 공정 ( Photolithography ) 을 이용 하 여 형성 할 수 있 다 .