이어서 , 반도체 기판 ( 100 ) 상 의 전면 에 하드 마스크 용 으로 카본 을 함유 한 막 , 예컨대 아모르 퍼스 카본 막 ( amorphous carbon ) ( 102 ) 과 절연성 반사 방지 막 ( 103 ) 을 형성 한다 . 이때 , 절연성 반사 방지 막 ( 103 ) 은 아모르 퍼스 카본 막 ( 102 ) 이 식각 될 때 우수 한 식각 선택 비 - 10 : 1 이상 의 선택 비 - 의 하드 마스크 역할 을 하 는 것 으로 실리콘 산화 질화 막 ( SiON ) 으로 형성 하 며 , 그 두께 는 2000 Å 이하 , 예컨대 500 ~ 2000 Å 으로 형성 한다 .