본 발명 에 있 어서 의 상기 도 4 의 ( c ) 의 경우 , 상기 도 4 의 ( d ) 의 경우 ( 종래 의 승 온 방법 ) 에 비해 , 온도 차 가 100 ℃ 작아지 고 있 고 , 이 반도체 웨이퍼 ( 3 ) 에 발생 하 는 응력 이 작아진다 . 이 에 의해 , 이 반도체 웨이퍼 ( 3 ) 의 변형 이나 깨 짐 을 억제 할 수 있 는 것 으로 생각 된다 .