본 발명 의 일 형태 의 기억 장치 에서 는 , 위 에서 설명 한 것 처럼 , 데이터 의 유지 기간 의 길이 가 , 기억 소자 에 축적 되 어 있 는 전하 가 상기 트랜지스터 ( 101 ) 를 통하 여 누설 하 는 양 에 의존 한다 . 본 발명 의 일 형태 에서 는 , 제 2 게이트 전극 전위 ( Vbg ) 를 제어 함 으로써 , 트랜지스터 ( 101 ) 의 오프 전류 를 현저 하 게 낮출 수 있 다 . 따라서 상기 전하 의 누설 을 막 을 수 있 고 , 데이터 의 유지 기간 을 길 게 확보 할 수 있 다 .