상기 셀 어레이 영역 ( CR ) 에 버퍼 층 ( 111 ) 을 형성 한 후 , 상기 버퍼 층 ( 111 ) 상 에 희생 층 들 및 절연 층 들 ( 120 ) 이 교대 로 반복 하 여 형성 될 수 있 다 . 상기 버퍼 층 ( 111 ) 은 실리콘 산화층 일 수 있 다 . 일 예 로 , 상기 버퍼 층 ( 111 ) 은 열 산화 공정 에 의하 여 형성 될 수 있 다 . 상기 희생 층 들 과 상기 절연 층 들 ( 120 ) 은 상호 식각 선택 성 이 있 는 물질 로 선택 될 수 있 다 . 즉 , 소정 의 식각 레서피 를 사용 하 여 상기 희생 층 들 을 식각 하 는 공정 에서 , 상기 희생 층 들 은 상기 절연 층 들 ( 120 ) 의 식각 을 최소 화 하 면서 식각 될 수 있 는 물질 로 형성 될 수 있 다 .