상기 한 기술 적 과제 들 의 일부 를 달성 하 기 위한 본 발명 의 다른 양상 에 따라 , 본 발명 에 따른 , 반도체 제조 설비 의 가스 또는 케미컬 공급 방법 은 외부 로부터 가스 또는 케미컬 을 공급 받 아 유량 및 속도 를 제어 후 , 상기 가스 또는 케미컬 이 공정 챔버 로 이동하 는 제 1 단계 와 ; 상기 가스 또는 케미컬 이 상기 공정 챔버 로 이동 함 을 막 는 제 2 단계 와 ; 제 1 단계 에서 공급 된 상기 가스 또는 케미컬 이 제 1 단계 완료 후 배관 에 잔류 할 때 , 이 를 외부 로 배출 하 는 제 3 단계 를 포함 한다 .