도 1 a 내지 도 1 d 는 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 질화물 단결정 박막 의 성장 방법 을 설명 하 기 위한 공정도 이 다 . 도 1 a 를 참조 하 면 , m 면 육방정계 단결정 기판 ( 11 ) 상 에 반 극성 질화물 단결정 기 저층 ( 12 a ) 을 증착 시킨다 . 이 경우 , 육방정계 단결정 기판 ( 11 ) 은 사파이어 기판 으로 , m 면 사파이어 기판 상 에 질화 갈륨 ( GaN ) 물질 을 유기 화학 증착 시켜 반 극성 질화물 단결정 기 저층 ( 12 a ) 을 형성 할 수 있 게 된다 . 반 극성 질화물 단결정 기 저층 ( 12 a ) 은 약 2 ~ 3 ㎛ 의 두께 로 증착 될 수 있 다 .