상기 베이스 층 ( 120 ) 이 Si 함유 물질 층 인 경우 , 또는 상기 베이스 층 ( 120 ) 이 생략 되 고 상기 피식 각막 ( 110 ) 이 Si 함유 물질 층 인 경우 , 또는 상기 베이스 층 ( 120 ) 및 상기 피식 각막 ( 110 ) 이 생략 되 고 상기 베이스 기판 ( 100 ) 이 Si 함유 물질 층 인 경우 에 , 상기 Si 함유 물질 층 상 에 반응 성 분자 인 유기 치환기 를 갖 는 실란 , 유기 치환기 를 갖 는 클로로 실란 , 유기 치환기 를 갖 는 알 콕 시실 란 또는 유기 치환기 를 갖 는 실라 잔 을 제공 한다 . 그 결과 , Si - O - Si 결합 을 통해 상기 Si 함유 물질 층 상 에 자기 조립 된 이미지 층 ( 124 ) 을 형성 할 수 있 다 . 상기 Si 함유 물질 층 상 에 반응 성 분자 를 제공 하 는 것 은 상기 Si 함유 물질 층 을 갖 는 기판 을 상기 반응 성 분자 가 0 . 5 ~ 5 부피 % 로 함유 된 톨루엔 용액 에 1 ~ 60 분 간 딥 핑 하 여 수행 할 수 있 다 .