시간 구간 t 10 ~ t 11 ( 스탠바이 단계 ) 에서 , 메모리 장치 ( 100 a ) 는 기입 동작 을 위해 대기 할 수 있 다 . 스탠바이 단계 에서 , 메모리 장치 ( 100 a ) 는 외부 장치 ( 예컨대 , 호스트 ) 로부터 기입 명령 을 기다릴 수 있 다 . 스탠바이 단계 에서 , 트랜지스터 들 ( Tpw 3 ~ Tpw 5 , Tpb 5 ) 의 게이트 들 에 인가 되 는 전압 들 ( Gpw 3 ~ Gpw 5 , Gpb 5 ) 은 로직 하이 ( ' 1 ') 레벨 일 수 있 고 , 그리고 트랜지스터 들 ( Tnw 3 ~ Tnw 5 , Tnb 5 ) 의 게이트 들 에 인가 되 는 전압 들 ( Gnw 3 ~ Gnw 5 , Gnb 5 ) 은 로직 로우 ( ' 0 ') 레벨 일 수 있 다 . 선택 된 비트 라인 ( BL 5 ) 의 전압 ( VBL 5 ) 은 전압 레벨 ( Vbw 1 ) 일 수 있 다 . 워드 라인 들 ( WL 3 ~ WL 5 ) 의 전압 들 ( VWL 3 ~ VWL 5 ) 은 전압 레벨 ( Vww 1 ) 일 수 있 다 . 예 를 들 어 , 전압 레벨 들 ( Vbw 1 , Vww 1 ) 은 0 V 일 수 있 다 .