도 22 를 참조 하 면 , 안테나 모듈 ( 1950 ) 로부터 방사 된 전자기파 ( 예 : 수직 편파 ) 는 지향 성 에 의해 후면 플레이트 ( 1920 ) 로 향하 는 빔 을 가질 수 있 다 . 상기 빔 은 후면 플레이트 ( 1920 ) 에서 반사 되 어 그 반사 된 성분 은 최대 복사 방향 ( boresight ) 에 보상 및 / 또는 간섭 을 일으켜 도 22 에서 와 같이 빔 패턴 의 변형 ( 또는 왜곡 ) 을 초래 할 수 있 다 . 도 21 을 참조 하 면 , 일 실시 예 에서 , 도전 성 층 ( 1980 ) 은 후면 플레이트 ( 1920 ) 에 대한 상기 전자기파 의 경계 조건 을 변경 하 여 , 상기 전자기파 의 변형 을 줄일 수 있 다 . 도 21 을 참조 하 면 , 일 실시 예 에서 , 도전 성 층 ( 1980 ) 은 상기 전자기파 의 적어도 일부 가 후면 플레이트 ( 192 ) 로 유기 되 는 것 을 차폐 하 거나 감쇠 시켜 , 빔 패턴 의 변형 을 줄이 고 안테나 이득 을 확보 할 수 있 다 .