상기 발광 구조물 ( 300 ) 은 상기 리세 스 ( 250 ) 내 에 배치 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 상기 제 1 도전 형 반도체 층 ( 310 ) 이 상기 발광 구조물 ( 300 ) 의 최 하부 에 위치 할 경우 , 상기 제 1 도전 형 반도체 층 ( 310 ) 의 일부 는 상기 리세 스 ( 250 ) 내 에 배치 될 수 있 다 . 상기 제 1 도전 형 반도체 층 ( 310 ) 은 상기 리세 스 ( 250 ) 내부 공간 전체 또는 일부 를 채우 며 배치 될 수 있 다 .