도 1 a 내지 도 1 c 는 종래 기술 에 따른 반도체 소자 의 리세 스 게이트 형성 방법 을 도시 한 단면도 들 이 다 . 여기 서 , 리 세스 게이트 영역 ( 20 ) 은 리세 스 게이트 특성 을 더 향상 시키 고 , 게이트 와 리 세스 게이트 영역 의 오 정렬 에 의한 문제 를 해결 하 기 위하 여 전구 ( Bulb ) 형 리 세스 게이트 영역 을 형성 하 는 것 으로 한다 .