도 1 을 참조 하 면 , 반도체 기판 ( 11 ) 상 에 게이트 절 연막 ( 12 ) , 게이트 폴리 실리콘 막 ( 13 ) , 게이트 텅스텐 막 ( 14 ) 및 게이트 하드 마스크 막 ( 15 ) 의 순서 로 적층 된 게이트 패턴 이 형성 된다 . 그리고 , 게이트 패턴 의 측벽 에 게이트 스 페이서 ( 16 ) 가 형성 되 고 , 전면 에 제 1 층간 절 연막 ( 18 A ) 이 형성 된다 .