상기 채널 홀 들 ( CH ) 을 형성 하 는 것 은 , 상기 적층 구 조체 ( ST 1 , ST 2 ) 상 에 상기 채널 홀 들 ( CH ) 이 형성 될 영역 을 정의 하 는 개구부 들 을 갖 는 마스크 패턴 을 형성 하 는 것 , 및 상기 마스크 패턴 을 식각 마스크 로 상기 적층 구 조체 ( ST 1 , ST 2 ) 를 식각 하 는 것 을 포함 할 수 있 다 . 이 후 , 상기 마스크 패턴 들 이 제거 될 수 있 다 . 한편 , 상기 식각 공정 동안 , 상기 기판 ( 100 ) 의 상면 이 과 식각 될 수 있 다 . 이 에 따라 , 상기 기판 ( 100 ) 의 상면 이 리세 스 될 수 있 다 .