우선 , 실질 적 으로 절연 성 의 기판 ( 1 ) 상 에 한 쌍 의 보조 전극 ( 2 , 3 ) 을 형성 한다 ( 도 15 A ) . 다음 에 , 한 쌍 의 보조 전극 ( 2 , 3 ) 간 을 도전 성막 ( 4 ) 에 의해 접속 한다 ( 도 15 B ) . 일본국 특개평 09 － 330649 호 공보 에 는 , Ni 산화물 중 의 Ni 가 , 도전 성막 ( 4 ) 중 의 전체 Ni 의 5 atomic ％ 이상 90 atomic ％ 이 하인 , Ni 와 Ni 산화물 로 이루어지 는 도전 성막 ( 4 ) 이 개시 되 어 있 다 . 또한 , Ni 산화물 로서 는 , NiO 및 Ni 2 O 3 가 개시 되 어 있 다 . 또 , 도전 성막 ( 4 ) 이 미립 자막 에 의해 구성 되 는 것 도 개시 되 어 있 다 .