고온 가열 과 플 라즈 마 보충 을 통해 구리 기판 상 에 성장 한 그래핀 의 주름 을 감소 및 제거 하 며 , 구체 적 으로 , 먼저 주름 진 그래핀 필름 을 구리 기판 상 에 성장 시킨다 . 본 실시 예 에서 는 주름 진 그래핀 을 탄 소원 으로 메탄 을 사용 하 여 상압 에서 성장 시킨다 . 구리 기판 을 관상 로 에 넣 고 아르곤 과 수소 를 10 : 1 비율 로 붓 고 , 총 가스 유량 은 500 sccm 이 다 , 그 다음 1000 ℃ 로 가열 하 며 40 분 동안 어닐링 한 다음 , 1 % 희석 된 메탄 을 5 내지 50 sccm 동안 붓 고 상압 에서 600 내지 3600 s 동안 성장 시킨다 . 그 후 자연 적 으로 냉각 시켜 주름 진 그래핀 을 획득 한다 . 다시 주름 진 그래핀 을 플 라즈 마 보조 화학 기상 증착 시스템 에 넣 어 수소 를 붓 고 , 압력 조절 밸브 를 통해 반응 챔버 의 압력 을 10 Pa 로 안정 화 시키 며 , 500 내지 800 ℃ 로 가열 하 고 1 내지 10 분 동안 유지 한다 . 유도 결합 플 라즈 마 발생기 를 가동 하 고 전력 을 10 내지 50 W 로 조정 한다 . 일반 적 으로 1 내지 5 분 이 면 그래핀 필름 의 주름 을 효과 적 으로 감소 및 제거 할 수 있 다 . 처리 가 완료 된 후 온도 를 자연 적 으로 냉각 하 며 , 온도 가 실온 에 가까워 지 면 가스 를 차단 한다 .