도 3 에 예시 된 NAND 플래시 메모리 소자 ( 300 ) 에서 , 상기 복수 의 제 1 더미 도전 라인 ( 316 ) 은 서로 다른 길이 를 가지 고 , 상기 복수 의 제 2 더미 도전 라인 ( 326 ) 도 서로 다른 길이 를 가진다 . 그러나 , 본 발명 은 이 에 한정 되 는 것 은 아니 다 . 예 를 들 면 , 상기 복수 의 제 1 더미 도전 라인 ( 316 ) 은 서로 동일 한 길이 를 가지 고 , 상기 복수 의 제 2 더미 도전 라인 ( 326 ) 은 서로 다른 길이 를 가지 도록 형성 될 수 도 있 다 . 또는 , 상기 복수 의 제 1 더미 도전 라인 ( 316 ) 은 서로 다른 길이 를 가지 고 , 상기 복수 의 제 2 더미 도전 라인 ( 316 ) 은 서로 동일 한 길이 를 가지 도록 형성 될 수 도 있 다 .