다음 에 , 본 발명 의 실시 형태 에 대해서 도면 을 참조 해서 상세히 설명 한다 . 본 발명 에 따른 파워 온 검 출회 로 는 , 플래시 메모리 , 동적 메모리 ( DRAM ) , 정적 메모리 ( SRAM ) , 저항 변화 형 메모리 ( RRAM ) , 자기 메모리 ( MRAM ) 등 의 반도체 기억 장치 나 , 논리 , 신호 처리 등 의 반도체 장치 등 , 외부 또는 내부 로부터 전원 전압 을 공급 되 는 반도체 장치 에 적용 할 수 있 다 .