일 예 에서 , 상기 제 1 수직 구조물 들 ( 80 ) 의 상기 터널 절 연막 ( 83 ) 은 전하 를 상기 전하 저 장막 ( 84 ) 으로 터널 링 시킬 수 있 으며 , 예 를 들 어 , 실리콘 산화물 ( SiO 2 ) , 실리콘 질화물 ( Si 3 N 4 ) , 실리콘 산질 화물 ( SiON ) 또는 이 들 의 조합 을 포함 할 수 있 다 . 상기 전하 저 장막 ( 83 ) 은 전하 트랩 층 또는 플로팅 게이트 도전 층 일 수 있 다 . 상기 블록 킹 층 은 실리콘 산화물 ( SiO 2 ) , 실리콘 질화물 ( Si 3 N 4 ) , 실리콘 산질 화물 ( SiON ) , 고유 전 율 ( high - k ) 유전 물질 또는 이 들 의 조합 을 포함 할 수 있 다 .