도 6 ( a ) 와 같이 방전 공간 의 높이 즉 , 격벽 의 높이 D 와 ITO 전극 의 갭 간격 d 의 관계 가 1 / D 2 < 1 / d 2 인 경우 는 , 입자 의 거동 이 상판 쪽 에서 강 하 며 형광체 ( 4 ) 쪽 으로 갈수록 약해진다 . 이 에 비하 여 , 도 6 ( b ) 와 같이 격벽 의 높이 D 와 ITO 전극 의 갭 간격 d 의 관계 가 1 / D 2 ≥ 1 / d 2 인 경우 는 , 입자 의 거동 이 형광체 ( 4 ) 쪽 으로 갈수록 강해진다 . 특히 , ITO 전극 의 갭 간격 이 80 ㎛ 이상 이 될수록 유지 전극 ( Z ) 과 스캔 전극 ( Y ) 사이 의 방전 로드 는 더욱 커 지 며 , 서 스테인 펄스 의 왜곡 도 더욱 심해진다 . 이 와 같 은 서 스테인 펄스 중 , 도 7 에 도시 한 바 와 같 은 , 주 방전 영역 을 제외 한 나머지 부분 은 유지 전극 ( Z ) 과 스캔 전극 ( Y ) 사이 에 진동 방전 을 일으키 기 때문 에 형광체 ( 4 ) 에 큰 타격 을 주 어 PDP 의 잔상 과 수명 , 및 균일성 에 악영향 을 미치 게 된다 .