도 9 에 도시 된 것 처럼 제작 예 3 트랜지스터 는 투명 하 고 유연 한 질소 - 도핑 그래핀 트랜지스터 구현 을 위하 여 , 기존 Si 기반 의 기판 과 게이트 절연 층 을 유연 성 을 가진 PI 기판 과 Al 2 O 3 게이트 절연 층 으로 대체 하 고 그래핀 / Ti 제 1 전극 , 제 2 전극 을 사용 하 여 제작 하 였 다 . 제작 예 1 , 2 와 마찬가지 로 250 ℃ 에서 열처리 했 을 때 , 트랜지스터 의 성능 이 우수 해 지 는 것 을 확인 할 수 있 다 . PI 기판 의 열화 현상 때문 에 그 이상 의 온도 에서 열처리 테스트 는 생략 하 였 다 .