서브 마운트 부재 ( 30 ) 는 열전도 율 이 비교 적 높 고 상기 절연 성 을 가지 는 AIN 에 의해 형성 되 어 있 다 . 또한 , 서브 마운트 부재 ( 30 ) 의 평면 사이즈 는 LED 칩 ( 10 ) 의 칩 사이즈 보다 크 게 설정 되 어 있 다 . 이러 한 서브 마운트 부재 ( 30 ) 는 응력 완화 기능 과 열전 도 기능 을 갖 고 있 다 . 상기 응력 완화 기능 은 전열 판 ( 21 ) 과 LED 칩 ( 10 ) 의 선 팽창 율 차이 로 인해 LED 칩 ( 10 ) 에 작용 하 는 응력 을 완화 하 는 기능 이 다 . 또한 , 상기 열전 도 기능 은 LED 칩 ( 10 ) 에서 발생 한 열 을 전열 판 ( 21 ) 에 있 어서 LED 칩 ( 10 ) 의 칩 사이즈 보다 넓 은 범위 에 전열 시키 는 기능 이 다 . 따라서 , 본 실시 예의 발광 장치 ( 1 ) 에서 는 LED 칩 ( 10 ) 과 전열 판 ( 21 ) 과 의 선 팽창 율 차이 로 인하 여 LED 칩 ( 10 ) 에 작용 하 는 응력 을 완화 할 수 있 는 동시 에 , LED 칩 ( 10 ) 에서 발생 한 열 을 서브 마운트 부재 ( 30 ) 및 전열 판 ( 21 ) 을 통해 효율 적 으로 방열 시킬 수 있 다 .