반도체 소자 의 집적도 가 높 아 지 면서 소자 의 디자인 룰 ( design rule ) 도 감소 하 고 있 다 . 디자인 룰 이 감소 하 면서 소자 가 미세 화 됨 에 따라 소스 / 드레 인 사이 의 채널 길이 도 축소 되 고 , 이 에 따라 단 채널 효과 ( Short channel effect ) 가 증가 하 여 소자 의 전기 적 특성 을 저하 시킬 수 있 다 . 이 와 같 은 단채 널 효과 는 채널 영역 의 도핑 프로 파일 을 제어 함 으로써 보상 할 수 있 다 . 채널 영역 의 도핑 프로 파일 을 제어 하 는 방법 가운데 SSR ( Super steep retrograde ) 웰 형성 방법 이 있 다 .