일 실시 예 는 제 1 단자 , 제 2 단자 및 제 3 단자 를 갖 는 MRAM 메모리 셀 에 기록 하 기 위한 방법 을 포함 하 며 , 메모리 셀 은 자기 터널 접합 , 자기 터널 접합 에 연결 된 스핀 축적 층 , 및 스핀 축적 층 에 연결 된 제 1 편광 층 을 포함 하 고 , 제 1 단자 는 자기 터널 접합 에 연결 되 고 , 제 2 단자 는 편광 층 에 연결 되 고 , 제 3 단자 는 스핀 축적 층 에 연결 되 며 , 방법 은 : 제 2 단자 에서 의 기록 전류 를 편광 층 내 로 인가 하 는 단계 ; 기록 전류 가 편광 층 을 통과 할 때 기록 전류 의 전자 를 스핀 편광 시키 는 단계 ; 스핀 편광 된 전자 를 스핀 축적 층 내 로 주입 하 는 단계 ; 스핀 편광 된 전자 의 적어도 일부 를 스핀 축적 층 으로부터 자기 터널 접합 의 자유 층 으로 확산 시키 는 단계 ; 스핀 편광 된 전자 가 자유 층 상 에 토크 를 부여 하 는 단계 ; 및 토크 가 자유 층 에서 의 스핀 배향 이 자기 터널 접합 의 핀 드 층 과 동일 하 게 되 도록 변화 되 게 하 는 단계 를 포함 한다 .