실리콘 기판 , 상기 실리콘 기판 상 에 형성 되 는 센싱 게이트 영역 , 상기 센싱 게이트 영역 일 측 의 상기 실리콘 기판 상 에 형성 된 소스 영역 및 상기 센싱 게이트 영역 타 측 의 상기 실리콘 기판 상 에 형성 된 드레 인 영역 을 포함 하 여 구성 된 FET 센서 에 있 어서 , 상기 FET 센서 의 하 면 부 의 상기 실리콘 기판 상 에 형성 된 백사이드 절연 층 ; 및 상기 백사이드 절연 층 에서 연장 되 어 상기 FET 센서 의 측면 부 및 상부 를 둘러싸 며 패 시베이 션 하 는 보호막 ; 을 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .