기존 에 사용 되 던 실리콘 질화 막 / 산화 막 선택 비 조절 기술 은 , 식각 액 에 silicate 계열 화합물 을 용해 시켜 실리콘 농도 를 상승 시킴 으로 산화 막 의 식각 능력 을 감소 시키 는 방법 , silane 계열 의 화합물 을 첨가 하 여 산화 막 표면 을 보호 하 여 식각 억제 효과 를 얻 는 방법 , 크 게 두 가지 가 있 었 는데 , 전자 의 경우 식각 공정 중 식각 액 내 실리콘 농도 의 상승 으로 실리콘 화합물 의 파티클 발생 및 산화 막 표면 의 이상 성장 에 취약 한 단점 을 가지 고 있 으며 , 후자 의 경우 파티클 발생 및 , 이상 성장 발생 에 는 유리 하 지만 , silane 계열 화합물 사용 전 , 사전 반응 이 필요 하 거나 , 식각 억제 효과 가 낮 아 1000 : 1 이상 의 고 선택 비 구현 이 어려운 경우 가 많 았 다 .