본 발명 은 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드 의 ＤＢＲ 및 그 제조 방법 과 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드 에 관한 것 으로 , 보다 구체 적 으로 , InAlGaAs 층 상 에 InAlAs / InP / InAlAs 층 이 적층 된 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드 의 ＤＢＲ 및 그 제조 방법 과 상기 DBR 구조물 을 포함 하 는 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드 에 관한 것 이 다 .