제 3 두께 ( t 3 ) 를 매우 작 게 형성 함 으로써 제 1 플렉서블 기판 ( 110 ) 의 콘 택 홀 ( CH ) 에 대응 되 는 영역 을 플 라즈 마 처리 및 에 싱 ( ashing ) 등 의 공정 을 통해 완전히 제거 함 으로써 , 콘 택 홀 ( CH ) 에 대응 되 는 개구 를 형성 할 수 있 다 . 제 3 두께 ( t 3 ) 가 작 은 값 을 갖 도록 제 1 플렉서블 기판 ( 110 ) 을 구성 하 는 유기물 , 예컨대 폴리 이미드 의 점도 는 20000 cp 이하 일 수 있 다 . 즉 , 점도 가 낮 은 유기물 을 이용 하 여 도전 패턴 ( 160 ) 을 덮 는 제 1 플렉서블 기판 ( 110 ) 을 형성 함 으로써 , 도전 패턴 ( 160 ) 상부 에 배치 된 제 1 플렉서블 기판 ( 110 ) 의 제 3 두께 ( t 3 ) 가 매우 작 은 값 을 갖 도록 할 수 있 다 . 일 실시 예 에 따르 면 , 도전 패턴 ( 160 ) 의 제 2 두께 ( t 2 ) 의 약 1 / 4 의 두께 를 가질 수 있 으며 약 150 nm 이하 의 값 을 가질 수 있 다 . 상기 구성 에 의해 도전 패턴 ( 160 ) 상 에 배치 된 제 1 플렉서블 기판 ( 110 ) 을 플 라즈 마 처리 및 에 싱 을 통해 용이 하 게 제거 할 수 있 다 .