도 2 b 에 도시 된 바 와 같이 , 변환기 회로 ( 200 B ) 는 코어 전압 도메인 ( Vdd _ core ) 에서 코어 전압 공급 라인 ( 120 ) 으로부터 전류 를 싱 킹 하 기 위해 함께 배열 되 고 결합 된 복수 의 트랜지스터 ( N 2 , N 3 , N 4 , N 5 ) 를 갖 는 n 형 디지털 - 아날로그 변환기 ( inDAC ) ( 116 B ) 로서 구현 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 변환기 회로 ( 200 B ) 는 서플라이 전압 라인 ( Vdd _ core ) 과 접지 ( Vss 또는 Gnd ) 사이 에 연결 된 트랜지스터 ( N 2 , N 3 ) 를 포함 할 수 있 다 . 도시 된 바 와 같이 , 트랜지스터 ( N 2 ) 는 트랜지스터 ( N 3 ) 와 접지 ( Vss 또는 Gnd ) 사이 에 연결 될 수 있 고 , 트랜지스터 ( N 3 ) 는 기준 전류 ( Iref ) ( 130 ) 소스 와 트랜지스터 ( N 2 ) 와 Iref 소스 사이 에 연결 될 수 있 고 서플라이 전압 라인 ( Vdd _ core ) 과 트랜지스터 ( N 3 ) 사이 에 ( 130 ) 이 연결 될 수 있 다 . 일부 예 에서 , 트랜지스터 의 게이트 ( N 2 ) 는 공급 전압 라인 ( Vdd _ core ) 에 연결 될 수 있 고 , 트랜지스터 의 게이트 ( N 3 ) 는 그 자체 의 입력 에 연결 될 수 있 다 .