또한 본 발명 은 , 표면 에 무공 질 양극 산화 보호 피막 을 구비 한 알루미늄 부재 를 제조 하 는 방법 으로서 , 베 어 알루미늄 합금 ( bare aluminum alloy ) 으로 이루어진 모재 ( 母材 ) 의 표면 에 , 순수 알루미늄 ( pure aluminum ) 을 물리 적 기상 증착 ( PVD ; physical vapor deposition ) 하 여 두께 가 0 . 3 내지 20 ㎛ 인 알루미늄 증착 층 을 적층 하 는 알루미늄 PVD 단계 , 및 상기 알루미늄 PVD 단계 이후 에 , 상기 모재 의 표면 에 무공 질 ( 無孔 質 ) 산화알루미늄 으로 이루어지 며 두께 가 200 내지 700 nm 인 무공 질 양극 산화층 을 적층 하 는 무공 질 양극 산화층 적층 단계 를 구비 하 는 , 무공 질 양극 산화 보호 피막 을 구비 한 알루미늄 부재 의 제조 방법 을 제공 한다 .