각 불휘발성 메모리 칩 은 도 1 , 도 13 , 그리고 도 73 을 참조 하 여 설명 된 불휘발성 메모리 장치 들 ( 100 a , 100 b , 100 c ) 중 하나 와 동일 한 구조 를 가지 며 , 동일 하 게 동작 할 것 이 다 . 즉 , 각 불휘발성 메모리 칩 은 선택 된 메모리 블록 ( BLK ) 을 소거 한 후 에 , 선택 된 메모리 블록 ( BLK ) 을 워드 라인 단위 로 소거 검증 한다 . 소거 페일 이 발생 한 경우 , 선택 된 메모리 블록 ( BLK ) 이 다시 소거 되 며 , 소거 페일 된 워드 라인 으로부터 소거 검증 이 재개 된다 . 소거 및 소거 검증 은 선택 된 메모리 블록 ( BLK ) 의 행의 단위 로 수행 된다 .