예 를 들 면 , 내 파티클 층 ( 20 ) 이 에어로졸 디 포지션 법 에 의해 형성 되 었 을 경우 , 세라믹 층 인 내 파티클 층 ( 20 ) 은 세라믹 소성체 나 용사 막 등 과 비교 하 면 구성 하 는 결정자 사이즈 가 작 아 치밀 한 미구조 를 갖 는다 . 이것 에 의해 실시 형태 에 의한 반도체 제조 장치 용 부재 ( 130 ) 의 내 파티클 성 은 소성체 나 용사 막 의 내 파티클 성 보다 높 다 . 또한 , 실시 형태 에 의한 반도체 제조 장치 용 부재 ( 130 ) 가 파티클 의 발생 원 이 될 확률 은 소성체 나 용사 막 등 이 파티클 의 발생 원 이 될 확률 보다 낮 다 .