또한 , 선택 적 에피 택 셜 실리콘 증착 방법 은 LPCVD ( Low Pressure Chemical Vapor Deposition ) , VLPCVD ( Very Low Pressure CVD ) , PE - CVD ( Plasma Enhanced - CVD ) , UHVCVD ( Ultra High Vacuum CVD ) , RTCVD ( Rapid Thermal CVD ) , APCVD ( Atmosphere Pressure CVD ) 및 MBE ( Molecular Beam Epitaxy ) 로 이루어진 그룹 중 에서 선택 된 어느 하나 의 장비 에서 면 ( Facet ) 과 측면 과 성장 ( lateral Overgrowth ) 이 조절 되 도록 형성 할 수 있 다 .