( a ) 성막 처리 의 실시 기간 중 에 제 1 개질 처리 를 간헐 적 으로 행함 으로써 , 웨이퍼 ( 200 ) 상 에 형성 되 는 제 1 막 을 , 그 두께 방향 의 전역 에 걸쳐 불순물 이 적 은 치밀 한 막 으로 하 는 것 이 가능 하 게 된다 . 즉 , 성막 처리 를 행함 으로써 형성 되 는 제 1 막 을 , 유전 율 이 낮 고 , 또한 애 싱 내성 이나 불화 수소 ( HF ) 내성 등 의 가공 내성 ( 특성 ) 이 양호 한 막 으로 하 는 것 이 가능 하 게 된다 .