버퍼 층 ( 161 ) 상 에 는 반도체 층 ( 150 ) 이 배치 된다 . 반도체 층 ( 150 ) 은 트랜지스터 영역 ( TRR ) 에 배치 되 며 , 트랜지스터 ( DTR ) 의 채널 을 이룬다 . 반도체 층 ( 150 ) 은 산화물 반도체 를 포함 하 여 이루어질 수 있 다 . 상기 산화물 반도체 는 예 를 들 어 인듐 , 아연 , 갈륨 , 주석 , 티타늄 , 알루미늄 , 하프늄 ( Hf ) , 지르코늄 ( Zr ) , 마그네슘 ( Mg ) 등 을 함유 하 는 이 성분 계 화합물 ( ABx ) , 삼 성분 계 화합물 ( ABxCy ) , 사 성분 계 화합물 ( ABxCyDz ) 을 포함 할 수 있 다 . 일 실시 예 에서 , 반도체 층 ( 150 ) 은 IGZO ( Indium tin zinc oxide ) 를 포함 하 여 이루어질 수 있 다 .