그리고 , 전술 한 제 1 익스텐션 ( 9 - 1 ) 의 내측 단부 는 그 게이트 구조 체의 제 1 측벽 과 정합 하 거나 , 또는 아주 약간 만 오버랩 또는 오프셋 되 어도 된다 . 그 오버랩 또는 오프셋 의 양 은 특별히 한정 되 지 는 않 지만 , 바람직 하 게 는 ± 10 ㎚ 를 초과 하 지 않 는 것 이 바람직 하 다 . 즉 , 전술 한 제 1 익스텐션 ( 9 - 1 ) 과 전술 한 게이트 ( 5 ) 와의 실질 적 으로 큰 오버랩 또는 오프셋 은 형성 되 지 않 는다 . 그러나 , 전술 한 제 1 사이드 월 구조 체가 게이트 전위 와 비교 하 여 보다 드레 인 전위 에 가까운 전위 를 취하 는 제 1 도전 성 사이드 월 구 조체 를 포함 하 고 있 기 때문 에 , 게이트 ( 5 ) 가 고 전위 를 취하 면 , 제 1 익스텐션 ( 9 - 1 ) 의 상부 영역 에 축적 층 을 형성 하 고 , 또한 게이트 ( 5 ) 하방 의 채널 영역 에 반전 층 을 형성 한다 . 이 때문 에 , 실질 적 으로 큰 오버랩 구조 를 갖 고 있 지 않 음 에 도 불구 하 고 , 채널 영역 및 제 1 익스텐션 ( 9 - 1 ) 에서 의 저항 증가 는 발생 하 지 않 는다 .