본 발명 의 일 실시 예 에 따르 면 , 절연 구조물 들 ( 400 ) 은 도 6 을 참조 하 여 설명 한 공정 들 과 실질 적 으로 동일 한 공정 들 을 이용 하 여 상기 액티브 영역 들 상 에 형성 될 수 있 다 . 따라서 절연 구조물 들 ( 400 ) 은 각기 상기 액티브 영역 상 에 순차 적 으로 형성 된 질화 막 , 하부 산화 막 및 상부 산화 막 을 포함 할 수 있 다 . 구체 적 으로 , 제 1 산화 공정 을 이용 하 여 상기 액티브 영역 상 에 제 1 예비 산화 막 을 형성 한 후 , 질화 공정 을 통해 상기 액티브 영역 상 에 예비 질화 막 및 제 2 예비 산화 막 을 형성 한다 . 상기 제 1 예비 산화 막 은 반도체 기판 ( 400 ) 의 상기 액티브 영역 을 부분 적 으로 산화 시켜 형성 되 며 , 상기 예비 질화 막 은 상기 제 1 예비 산화 막 의 하부 를 변화 시킴 으로써 반도체 기판 ( 400 ) 상 에 형성 된다 . 이 경우 , 상기 제 1 예비 산화 막 은 상기 제 2 예비 산화 막 으로 변화 된다 . 이어서 , 제 2 산화 공정 을 이용 하 여 상기 액티브 영역 상 에 상기 질화 막 , 상기 하부 산화 막 및 상기 상부 산화 막 을 포함 하 는 절연 구조물 ( 440 ) 을 형성 한다 . 상기 질화 막 은 상기 예비 질화 막 으로부터 형성 되 고 , 상기 하부 산화 막 은 상기 제 2 예비 산화 막 으로부터 형성 된다 . 상기 상부 산화 막 은 상기 제 2 예비 산화 막 이 변화 되 어 상기 하부 산화 막 상 에 형성 된다 .