상기 와 같이 구성 된 플래시 메모리 셀 에 대한 프로그래밍 은 드레 인 정 션 ( 112 ) 에 0 V , 소 오스 정 션 ( 110 ) 에 높 은 ( +) 전압 을 그리고 제 어 게이트 ( 108 ) 에 중간 정도 의 전압 을 인가 하 여 발생 한 채널 핫 일렉트론 이 플로팅 게이트 ( 104 ) 에 주입 되 도록 하 고 , 셀 의 소거 동작 은 소 오스 정 션 ( 110 ) 에 0 V , 제 어 게이트 ( 108 ) 에 높 은 ( +) 전압 을 인가 하 여 , 플로팅 게이트 ( 104 ) 의 모서리 에 집중 된 전계 를 이용 하 여 플로팅 게이트 ( 104 ) 의 전자 가 제어 게이트 ( 108 ) 쪽 으로 빠져나가 도록 한다 .