이어서 , 이 들 을 형성 한 기판 ( 101 ) 을 적절 한 분위기 , 예 를 들 어 압력 을 10 Pa 내지 1 기압 으로 하 고 , 산소 분위기 , 질소 분위기 , 산소 와 질소 의 혼합 분위기 중 어느 하나 로 하 는 조건 에서 , 400 ℃ 내지 700 ℃ 에서 10 분 내지 24 시간 의 가열 을 행한다 . 이 와 같이 하 면 , 도 1 b 에 도시 한 바 와 같이 , 산화 물막 ( 104 ) 이 변질 되 고 , 표면 부근 에 아연 농도 가 높 은 반도체 성 산화물 층 ( 104 a ) 이 형성 되 고 , 그 밖 의 부분 이 아연 농도 가 낮 은 절연성 산화물 층 ( 104 b ) 이 된다 .