제 2 이방성 에칭 공정 은 제 2 티어 수직 교번 시퀀스 ( 232 , 242 ) 의 재료 들 이 제 2 역 단차 형 유전체 재료 부분 ( 265 ) 의 재료 와 동시 에 에칭 되 는 에칭 단계 를 포함 할 수 있 다 . 에칭 단계 의 화학 은 제 2 역 단차 형 유전체 재료 부분 ( 265 ) 의 재료 와 비슷 한 평균 에칭 속도 를 제공 하 면서 제 2 티어 수직 교번 시퀀스 ( 232 , 242 ) 내 의 재료 들 의 에칭 을 최적 화 하 도록 교번 할 수 있 다 . 제 2 이방성 에칭 공정 은 , 예 를 들 어 , 일련 의 반응 성 이온 에칭 공정 들 또는 단일 반응 에칭 공정 ( 예컨대 , CF 4 / O 2 / Ar 에칭 ) 을 사용 할 수 있 다 . 다양 한 제 2 티어 개구 들 ( 249 , 229 ) 의 측벽 들 은 실질 적 으로 수직 일 수 있 거나 , 또는 테이퍼 링 될 수 있 다 . 각각 의 제 2 티어 개구 ( 249 , 229 ) 의 하단 주연 부 는 측 방향 으로 오프셋 될 수 있 고 / 있 거나 , 전체 적 으로 , 아래 에 놓인 희생 제 1 티어 개구 충전 부분 ( 148 , 128 ) 의 상단 표면 의 주연 부 내 에 위치 될 수 있 다 . 포토레지스트 층 은 , 예 를 들 어 애 싱에 의해 후속 적 으로 제거 될 수 있 다 .