도 13 g 는 간섭계 마스크 ( 300 ) 가 투명 기판 ( 1310 ) 의 광 입사 혹은 전방 측 상 에 형성 되 는 한편 , 전방 전극 ( 1390 ) 과 광기전력 ( PV ) 활성 층 ( 1350 ) 이 광 입사 혹은 전방 측 과 반대쪽 인 기판 ( 1310 ) 의 후방 측 상 에 있 는 다른 실시 형태 를 예시 하 고 있 다 . 이러 한 실시 형태 에서 , 반사 성 전방 전극 ( 1390 ) 과 흡 수체 ( 301 ) 사이 에 있 는 기판 ( 1310 ) 의 두께 로 인해 , 전방 측 IMOD 마스크 ( 300 ) 는 기판 ( 1310 ) 의 다른 쪽 상 에 있 는 반사 성 전방 전극 ( 1390 ) 을 피복 하 도록 패턴 화 된 , 기판 ( 1310 ) 의 전방 측 상 에 별도 의 반사체 ( 303 ) 를 포함 하 는 것 이 바람직 하 다 . 이 경우 , PV 장치 ( 1300 G ) 는 투명 기판 ( 1310 ) 의 후방 측 위 에 순차 로 형성 된 패턴 화 된 전방 전극 ( 1390 ) , TCO 층 ( 1380 ) , PV 활성 층 ( 1350 ) 및 후방 전극 ( 1360 ) 을 포함 하 는 , 기판 ( 1310 ) 의 후방 측 상 에 통상 의 구조 를 지닐 수 있 다 . 기판 ( 1310 ) 의 전방 측 은 광 - 투과성 기판 ( 1310 ) 의 전방 측 상 에 순차 로 형성 된 별도 의 반사체 ( 303 ) , 광학 공명 공동 부 ( 302 ) 및 흡 수체 ( 301 ) 의 IMOD 마스크 ( 300 ) 적층 부를 포함 한다 . 예시 된 실시 형태 에 의하 면 , 이 IMOD 적층 부 는 전방 전도체 ( 1390 ) 패턴 을 피복 하 도록 패턴 화 되 는 것 이 바람직 하 다 . 이것 은 그 자체 의 반사체 ( 303 ) 및 흡 수체 ( 301 ) 를 지니 기 때문 에 , 이러 한 IMOD 마스크 는 PV 활성 층 ( 1350 ) 으로부터 전기 적 으로 분리 되 고 , 따라서 , 개별 적 으로 상호 접속 되 어 정전식 MEMS IMOD 를 형성 할 수 있 다 . 이러 한 실시 형태 에서 , IMOD 마스크 ( 300 ) 는 도 3 c 및 도 3 d 에 예시 된 바 와 같이 , 개폐 될 수 있 다 . 이 경우 , 광학 공명 공동 부 ( 302 ) 는 공기 간극 ( 도 3 c 에서 ( 340 ) ) 을 포함 할 수 있 고 , 이 공기 간극 을 통해서 이동식 전극 ( 도 3 c 및 도 3 d 에서 의 ( 303 ) ) 이 이동 할 수 있 다 . 당업자 가 이해 할 수 있 는 바 와 같이 , 이러 한 실시 형태 에서 , 이동식 전극 / 반사체 를 고정 전극 / 흡 수체 로부터 이 간 시키 기 위한 지지 기둥 부 뿐 만 아니 라 유전체 층 및 기타 층 들 이 기판 ( 1310 ) 의 앞쪽 에 형성 되 어 기판 ( 1310 ) 의 광 입사 측 상 에 이동식 IMOD 마스크 ( 300 ) 를 구현 할 수 있 다 .