데이터 도전 층 ( 170 ) 상 에 는 패 시베이 션 층 ( 130 ) 이 배치 된다 . 패 시베이 션 층 ( 130 ) 은 제 1 베이스 기판 ( 110 ) 의 전면 에 걸쳐 배치 될 수 있 다 . 패 시베이 션 층 ( 130 ) 은 드레 인 전극 ( DE ) 의 적어도 일부 를 노출 시키 는 개구부 를 포함 할 수 있 다 . 패 시베이 션 층 ( 130 ) 은 일 실시 예 로 질화 규소 와 산화 규소 등 의 무기 절연물 로 형성 될 수 있 다 . 패 시베이 션 층 ( 130 ) 은 후술 하 는 평탄 화 층 ( 180 ) 의 안료 가 반도체 층 ( 150 ) 으로 유입 되 는 것 을 방지 할 수 있 다 .