다음 , 도 5 e 에 도시 한 바 와 같이 , 상기 스위칭 영역 ( TrA ) 에 폴리 실리콘 의 제 1 실리콘 층 ( 214 ) 이 형성 된 기판 ( 201 ) 을 다시 화학 적 기상 증착 장비 의 챔버 ( 미 도시 ) 로 이동 시킨 후 , 상기 화학 적 기상 증착 장비 의 챔버 ( 미 도시 ) 내 분위기 를 SiH 4 / H 2 의 혼합 가스 분위기 로 조성 한 후 플 라즈 마 를 형성 함 으로써 상기 제 1 실리콘 층 ( 214 ) 위 로 전면 에 제 2 순수 비정질 실리콘 층 ( 218 ) 을 300 Å 내지 500 Å 정도 의 제 2 두께 를 갖 도록 형성 한다 .