상기 보조 반도체 층 ( 85 ) 을 에피택시 얼 성장 공정 으로 형성 하 는 경우 에 , 상기 단결정 패턴 ( 60 a ) 이 시드 층 으로 사용 된다 . 그 결과 , 상기 보조 반도체 층 ( 85 ) 은 단결정 상태 가 된다 . 이 와 는 달리 , 상기 보조 반도체 층 ( 85 ) 을 화학 기상 증착 법 으로 형성 하 는 경우 에 , 상기 보조 반도체 층 ( 85 ) 은 비정질 또는 다결정 상태 로 형성 된다 .