또한 , 상술 된 제조 방법 을 통해 제조 된 형광 물질 층 을 포함 함 에 따라 높 은 광속 을 구현 한다 . 경우 에 따라서 는 , 변환 된 백색광 을 특정 방향 으로 집중 시킬 수 도 있 으며 ; 발광 다이오드 패키지 의 열화 에 의한 광속 의 감소 , 에이징 타임 내 의 광속 의 감소 , 일부 발광 다이오드 패키지 의 에러 로 인한 광속 의 감소 등 발광 다이오드 패키지 자체 의 상태 변화 에 따른 광속 의 감소 를 효과 적 으로 억제 할 수 있 다 .