도 35 의 단면도 ( 3500 ) 에 의해 예시 된 바 와 같이 , 그 다음 , 메모리 영역 ( 104 m ) 을 노출 된 채 남기 며 로직 영역 ( 104 l ) 을 덮 도록 포토레지스트 ( 3501 ) 가 형성 되 어 패 터닝 될 수 있 다 . 그 다음 , 메모리 영역 ( 104 m ) 으로부터 더미 캐 핑 층 ( 2304 ) 을 제거 하 도록 에칭 프로세스 가 적용 될 수 있 다 . 에칭 프로세스 후 에 , 포토레지스트 ( 3501 ) 가 스 트리핑 될 수 있 다 .