또한 , 실리콘 단결정 웨이퍼 는 , 질소 또는 탄소 를 도프 함 으로써 웨이퍼 강도 가 향상 되 는 것 도 잘 알려져 있 다 . 단 , 질소 는 실리콘 단결정 중 의 확산 속도 가 빠르 므로 , 질소 도프 실리콘 단결정 웨이퍼 에서 는 , 디바이스 제작 을 위한 열처리 중 에 질소 가 외방 확산 되 어 버려 , 높 은 표층 강도 를 얻 기 어렵 다 . 한편 , 탄소 는 확산 계수 가 적 으므로 , 탄소 도프 실리콘 단결정 웨이퍼 에서 는 , 표층 강도 를 향상 시키 는 것 이 가능 하 다 .