다음 으로 , 도 8 에서 보 듯이 , 제 2 질화 막 패턴 ( 18 ) 을 식각 마스크 로 사용 하 여 , 틈 ( 20 ) 에 의해 노출 된 기판 ( 10 ) 의 표면 을 소정 의 깊이 로 식각 하 여 기판 ( 10 ) 내부 에 트랜 치 ( 20 a ) 를 형성 한다 . 그리고 나 서 , 트랜 치 ( 20 a ) 에 의해 노출 된 기판 ( 10 ) 표면 ( 즉 , 트랜 치 20 a 의 내벽 ) 을 산화 시킨다 . 이 산화 공정 은 실리콘 산화 공정 에 의해 수행 되 는 것 이 바람직 한데 , 트랜 치 ( 20 a ) 의 내벽 의 실리콘 이 산화 하 면서 트랜 치 ( 20 a ) 를 채우 게 된다 ( 도 9 참조 ) . 이렇게 형성 된 산화 막 은 메모리 셀 들 을 절연 시키 는 소자 분리 막 ( 22 ) 으로서 기능 하 게 된다 .