본 발명자 는 비결정 반도체 막 이 완전히 용융 되 지 않 은 비용 융 영역 의 가장자리 에 대응 하 는 등강 도 선 의 곡률 반지름 , 즉 , 비 단결정 반도체 막 의 용융 온도 와 연관 되 는 광 강도 의 등강 도 선 에 대한 곡률 반지름 에 대해 실험 하 였 다 . 결과 에 따르 면 , 등강 도 선 의 적어도 일부 에서 의 곡률 반지름 이 0 . 3 ㎛ 또는 그 이하 이 면 , 박막 트랜지스터 의 채널 영역 으로 침투 하 는 것 을 방지 할 만큼 충분히 큰 방 사각 을 갖 는 결정 성장 이 실현 될 수 있 다는 사실 을 알 았 다 . 비 단결정 반도체 막 의 용융 온도 와 연관 되 는 광 강도 의 등강 도 선 에서 의 적어도 일부 에 대한 곡률 반지름 이 0 . 3 ㎛ 또는 그 이하일 때 , 결정 입자 가 채널 영역 으로 침투 하 지 않 는 사실 에 대해 설명 하 기 로 한다 .