상기 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 반도체 기판 세정 방법 에 의하 면 , 유기 또는 무기 스트립 용액 을 이용 하 여 금속 막 패턴 이 형성 된 반도체 기판 상 에 잔류 하 는 제 1 불순물 을 제거 한다 . 질소 가 용해 된 세정 용액 을 이용 하 여 상기 반도체 기판 상 에 잔류 하 는 유기 또는 무기 스트립 용액 및 제 2 불순물 을 제거 한다 . 여기 서 , 상기 질소 가 용해 된 세정 용액 에 는 메가 소닉 에너지 가 인가 되 는 것 이 바람직 하 다 .