또한 , 도 7 에 있 어서 , 트랜지스터 ( 160 ) 와 트랜지스터 ( 162 ) 는 , 적어도 일부 가 중첩 되 도록 형성 되 어 있 다 . 또한 , 트랜지스터 ( 162 ) 나 용량 소자 ( 164 ) 가 , 트랜지스터 ( 160 ) 과 중첩 되 도록 형성 되 어 있 다 . 예 를 들 면 , 용량 소자 ( 164 ) 의 도전 층 ( 148 b ) 은 , 트랜지스터 ( 160 ) 의 게이트 전극 ( 110 ) 과 적어도 일부 가 중첩 되 어 형성 되 어 있 다 . 이러 한 , 평면 레이아웃 을 채용 함 으로써 , 고집 적 화 를 도모 할 수 있 다 . 예 를 들 면 , 최소 가공 치수 를 F 로 하 고 , 메모리 셀 이 차지 하 는 면적 을 15 F 2 내지 25 F 2 로 하 는 것 이 가능 하 다 .