그리고 , 상기 박막 트랜지스터 는 상기 게이트 라인 으로 돌출 된 게이트 전극 과 , 상기 게이트 전극 상부 에 서로 이격 되 어 형성 된 소오 스 전극 과 드레 인 전극 및 상기 소오 스 전극 및 드레 인 전극 과 소정 부분 접하 여 상기 소오 스 / 드레 인 전극 과 상기 게이트 전극 사이 의 층간 에 형성 된 반도체 층 을 포함 하 여 이루어진다 .