예컨대 , 제 1 도 전막 ( 102 B ) 이 폴리 실리콘 막 으로 형성 되 고 , 보호막 ( 109 ) , 하드 마스크 패턴 ( 103 A ) 이 실리콘 질 화 막 으로 형성 된 경우 , 제 2 식각 공정 은 이방성 식각 공정 을 위해 불소 ( F ) 를 함유 한 기체 , 예컨대 NFx ( x 는 0 을 제외 한 자연수 ) ( NF 3 ) , SiFx ( x 는 0 을 제외 한 자연수 ) ( SiF 4 ) 가스 또는 Cl 2 가스 를 사용 하 거나 , 이 들 의 혼합 가스 를 사용 한다 . 이때 , NFx , SiFx 가스 의 유입량 은 10 ~ 50 sccm , Cl 2 가스 의 유입량 은 50 ~ 200 sccm 로 한다 . 또한 , 소스 파워 ( source power ) 는 100 ~ 500 W 로 하 고 , 바이어스 파워 ( bias power ) 는 인가 하 지 않 거나 , 수 W 이하 , 예컨대 0 을 초과 하 고 9 W 미만 인 범위 로 인가 한다 . 이러 한 제 2 식각 공정 은 종말점 검출 ( End Point Detection ) 방식 을 이용 하 여 게이트 절 연막 ( 101 ) 이 노출 되 는 시점 에서 공정 이 완료 되 도록 실시 하 는 것 이 바람직 하 다 . 예컨대 , 종말점 이 검출 되 는 즉시 O 2 가스 를 첨가 하 고 , Cl 2 의 양 을 감소 시키 며 , 소스 파워 를 감소 시켜 실리콘 산화 막 에 대한 선택 비 를 향상 시키 는 조건 으로 진행 한다 .