상기 게이트 전극 ( GE ) 은 알루미늄 ( Al ) , 구리 ( Cu ) , 몰리브덴 ( Mo ) , 티타늄 ( Ti ) , 등 의 금속 또는 이 들 의 합금 등 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 상기 게이트 전극 ( GE ) 은 인듐 틴 옥사이드 ( Indium Tin Oxide , ITO ) , 인듐 징크 옥사이드 ( Indium Zinc Oxide , IZO ) , 알루미늄 도핑 된 징크 옥사이드 ( Aluminium doped Zinc Oxide , AZO ) 와 같 은 가시 광 을 투과 시키 는 투명 도전체 를 포함 할 수 있 다 . 반면 , 상기 게이트 전극 ( GE ) 은 상기 베이스 기판 ( 110 ) 의 배면 에서 입사 하 는 광 은 부분 적 으로 또는 전체 적 으로 차단 한다 . 단 , 본 발명 은 상기 게이트 전극 ( GE ) 의 물질 에 한정 되 지 않 는다 .