상기 불순물 주입 단계 에서 는 이온 주입 에 의하 여 실리콘 웨이퍼 에 3 족 불순물 및 5 족 불순물 을 주입 하 여 , 수직 방향 으로 P - 영역 , I - 영역 및 N - 영역 을 형성 한 다 . 상기 IMD 층 형성 단계 에서 는 P - 영역 이 형성 된 실리콘 웨이퍼 표면 에 IMD ( Inter Metallic Dielectric ) 층 을 형성 한다 . 상기 메탈 라인 형성 단계 에서 는 상기 형성 된 IMD 층 에 컨 택 비아 ( Contact Via ) 및 메탈 라인 을 형성 한다 . 특히 , 상기 IMD 층 형성 단계 는 열 산화 ( Thermal Oxidation ) 에 의하 여 열 산화 막 을 형성 하 여 이루어진다 .