실시 예 에서 , 돔 흑체 방열기 와 같 은 흑체 방열기 ( 5 b 4 ) 및 적어도 하나 의 저 장소 ( 5 c ) 와 같 은 셀 구성 요소 의 적어도 하나 의 섹션 은 비 전도성 이 다 . 저 장소 ( 5 c ) 및 돔 ( 5 b 4 ) 또는 하부 반구 ( 5 b 41 ) 및 상부 반구 ( 5 b 42 ) 를 포함 하 는 흑체 방열기 중 적어도 하나 의 원주 섹션 은 비 전도성 이 거나 비전 도체 를 포함 할 수 있 다 . 흑체 방열기 의 비 전도성 섹션 은 이중 액체 주입기 실시 예의 두 노즐 사이 의 선 을 가로지르 는 평면 을 포함 할 수 있 다 . 비전 도체 는 구성 요소 의 한 섹션 의 재료 를 비전 도성 으로 변환 함 으로써 형성 될 수 있 다 . 비전 도체 는 SiC 또는 B 4 C 와 같 은 붕소 카바이드 를 포함 할 수 있 다 . 셀 구성 요소 의 SiC 또는 B 4 C 섹션 은 탄소 셀 구성 요소 를 각각 실리콘 소스 또는 붕소 소스 와 반응 시킴 으로써 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 탄소 저 장소 는 액체 실리콘 또는 폴리 ( 메틸 실린 ) 과 같 은 실리콘 중합체 중 적어도 하나 와 반응 하 여 실리콘 카바이드 섹션 을 형성 할 수 있 다 . 중합체 는 성분 의 원 하 는 부분 에 형성 될 수 있 다 . 셀 구성 요소 는 가열 될 수 있 다 . 반응 이 비 전도성 섹션 을 형성 하 도록 전류 가 구성 요소 를 통과 할 수 있 다 . 비 전도성 섹션 은 당업자 에게 공지 된 다른 방법 에 의해 형성 될 수 있 다 . 저 장소 ( 5 c ) 의 외부 표면 은 탄소 의 탄화규소 또는 탄화 붕소 로부터 탄소 로 의 변환 동안 용융 된 규소 또는 붕소 를 유지 하 기 위해 상승 된 원주 방향 밴드 를 포함 할 수 있 다 . 탄화규소 는 반응 결합 에 의해 형성 될 수 있 다 . 붕소 및 탄소 로부터 붕소 탄화물 을 형성 하 는 예시 적 인 방법 은 https : / / www . google . com / patents / US 3914371 에 주어지 며 , 이 는 원용 에 의해 본 명세서 에 포함 된다 . 실리콘 카바이드 또는 붕소 카바이드 섹션 은 https : / / www 3 . nd . edu / ~ amoukasi / combustion _ synthesis _ of _ silicon _ carbide . pdf 및 Jesse C . Margiotta 의 Study Of Silicon Carbide Formation By Liquid Silicon Infiltration By Porous Carbon Structures 에 주어진 바 와 같이 연소 합성 에 의해 형성 될 수 있 으며 , 이 는 원용 에 의해 본 명세서 에 포함 된다 . 다른 적합 한 저 장소 재료 는 열분해 흑연 또는 도핑 된 흑연 과 같 은 비 전도성 흑연 , SiC , 질화규소 , 탄화 붕소 , 질화 붕소 , 지르 코니 아 , 알루미나 , AlN , SHAPAL Hi Msoft ( Tokuyama Corporation ) 와 같 은 AlN - BN , 이 붕화 티타늄 , 및 기타 고온 세라믹 이 다 . 저 장소 는 복합 재료 일 수 있 으며 , 비전 도 섹션 은 탄소 와 같 은 저 장소 모 재료 를 위해 형성 될 수 있 다 . 저 장소 는 SiC , 지르 코니 아 또는 알루미나 와 같 은 내화 전기 절연체 로 코팅 된 재료 를 포함 할 수 있 다 . 코팅 된 재료 는 코팅 에 의해 전기 적 으로 절연 된 탄소 와 같 은 전기 전도체 일 수 있 다 . 예 시 적 인 실시 예 에서 , 탄소 저 장소 는 이방성 일 수 있 는 Minteq Pyroid SN / CN 열분해 흑연 과 같 은 연속 핵 형성 흑연 을 포함 하 며 , 여기 서 낮 은 전기 전도 성 은 횡 방향 평면 에 있 을 수 있 고 저 장소 의 단부 는 SiC 와 같 은 비전 도체 로 코팅 되 어 길 이 방향 저 장소 축 을 따르 는 전류 흐름 을 방지 할 수 있 다 . 실시 예 에서 , 다공성 SiC 저 장소 는 탄소 로 코팅 되 어 공극 을 밀봉 할 수 있 다 . 코팅 은 전기 탄소 아크 와 같 은 소스 부터 탄소 를 증착 함 으로써 이루어질 수 있 다 .