복수 의 워드 라인 컷 영역 ( WLC ) 의 일부 는 공통 소스 라인 ( CSL ) 으로 채워질 수 있 다 . 공통 소스 라인 ( CSL ) 은 복수 의 공통 소스 영역 ( 160 ) 상 에서 제 2 방향 ( Y 방향 ) 으로 연장 될 수 있 다 . 워드 라인 컷 영역 ( WLC ) 내 에 는 공통 소스 라인 ( CSL ) 의 측벽 을 덮 는 절연 스 페이서 ( 170 ) 가 형성 될 수 있 다 . 절연 스 페이서 ( 170 ) 는 공통 소스 라인 ( CSL ) 과 복수 의 워드 라인 ( WL : WL 1 , WL 2 , … , WLn - 1 , WLn ) 과 의 사이 를 전기 적 으로 절연 시키 는 역할 을 할 수 있 다 . 공통 소스 라인 ( CSL ) 및 절연 스 페이서 ( 170 ) 는 캡 핑 절 연막 ( 172 ) 으로 덮일 수 있 다 . 공통 소스 라인 ( CSL ) 은 텅스텐 , 구리 , 또는 알루미늄 등 과 같 은 금속 ; 질화 티타늄 , 질화 탄탈럼 등 과 같 은 도전 성 금속 질화물 ; 티타늄 , 탄탈럼 등 과 같 은 전이 금속 ; 또는 이 들 의 조합 으로 이루어질 수 있 다 . 절연 스 페이서 ( 170 ) 및 캡 핑 절 연막 ( 172 ) 은 각각 실리콘 산화 막 , 실리콘 질화 막 , 실리콘 산질 화 막 , 또는 이 들 의 조합 으로 이루어질 수 있 다 . 일부 실시 예 들 에서 , 공통 소스 영역 ( 160 ) 과 공통 소스 라인 ( CSL ) 과 의 사이 에 는 접촉 저항 을 낮추 기 위한 금속 실리사이드 막 ( 도시 생략 ) 이 개재 될 수 있 다 . 예 를 들 면 , 상기 금속 실리사이드 막 은 코발트 실리사이드 , 텅스텐 실리사이드 , 니켈 실리사이드 등 으로 이루어질 수 있 다 .