본 발명 은 그 위 에 적어도 하나 의 단결정 층 이 증착 되 어 있 는 단결정 기판 을 포함 하 는 소자 를 위한 제조 방법 에 관한 것 이 며 , 본 발명 의 방법 은 , 가스 의 플 라즈 마 내 에서 금속 또는 반도체 의 분쇄 ( pulverization ) 에 의한 단결정 층 의 증착 을 위한 하나 또는 수개 의 단계 를 포함 하 고 , 원자 증착 의 속도 가 그 들 사이 의 원자 의 균질 화 ( homogenization ) 속도 보다 낮 은 것 을 특징 으로 한다 .