도 5 의 ( b ) 나 이하 에 나타내 는 성막 시퀀스 와 같이 , 웨이퍼 ( 200 ) 상 에 형성 된 제 1 층 이나 제 2 층 에 대하 여 제 1 개질 처리 를 행한 후 , 처리 후 의 각 층 에 대하 여 N 2 O 가스 를 공급 하 는 산화 스텝 을 또한 행하 도록 해도 된다 . 도 5 의 ( b ) 에서 는 , 이하 의 성막 시퀀스 에 나타내 는 n 1 , n 2 를 각각 1 회 로 하 는 예 를 나타내 고 있 다 .