이어서 , 콘 택 홀 ( 28 ) 내부 에 랜딩 플러그 콘 택 ( 29 A ) 을 형성 한다 . 이때 , 랜딩 플러그 콘 택 ( 29 A ) 은 콘 택 홀 ( 28 ) 을 채울 때 까지 전면 에 폴리 실리콘 막 을 증착 한 후 , 게이트 하드 마스크 막 ( 25 ) 을 타 겟 으로 제 1 층간 절 연막 ( 27 ) 까지 평탄 화 공정 을 실시 하 여 콘 택 홀 ( 28 ) 내 에 매립 시킨다 . 이때 , 평탄 화 공정 으로 는 CMP ( Chemical Mechanical Polishing ) 공정 또는 에치 백 ( etch back ) 공정 을 사용 할 수 있 다 . 한편 , A - A ' 선 에 따르 면 , 제 1 층간 절연 막 은 ' 28 A ' 와 같이 잔류 하 고 , 도시 하 지 않 았 지만 스토리지 노드 콘 택 이 연결 될 랜딩 플러그 콘 택 ( 도 3 b 의 29 B 참조 ) 도 동시 에 형성 된다 .