그런데 n 형 전극 과 p 형 전극 을 발광 구조물 의 상면 에 거의 수평 으로 배열 하 면 발광 면적 이 감소 되 어 휘도 가 감소 되 고 , 전류 퍼짐 이 원활 하 지 못해 정전 방전 ( Electrostatic discharge : ESD ) 에 취약 한 신뢰 성 문제 를 유발 시킨다 . 뿐 만 아니 라 , 동일 웨이퍼 상 에서 칩 의 개수 가 감소 하 여 수율 이 저하 되 는 문제점 이 있 다 . 또한 칩 사이즈 를 축소 하 는 데 한계 가 있 으며 , 더구나 사파이어 기판 은 열전도 율 이 좋 지 않 기 때문 에 고출력 구 동시 발생 되 는 열 이 충분히 방출 되 지 못하 게 됨 으로써 소자 성능 에 제약 을 초래 한다 .