비트 라인 프리 차지 구간 ( tBP ) 을 통해 비트 라인 노드 ( NB ) 이 클램 핑 전압 ( VC ) 으로 프리 차지 된 이후 , 제 3 시점 ( t 3 ) 부터 제 4 시점 ( t 4 ) 까지 의 센싱 구간 ( tSA ) 동안 전하 충전 커패시터 ( CA ) 에 충전 된 전하 와 센싱 노드 ( NS ) 사이 의 전하 를 비교 하 여 저항성 메모리 셀 ( 220 ) 이 SET 상태 인지 RST 상태 인지 센싱 할 수 있 다 .