스위칭 박막 트랜지스터 로 사용 되 는 제 1 박막 트랜지스터 ( 310 ) 의 제 1 게이트 전극 ( 314 ) 은 n 개 의 층 으로 구성 될 수 있 다 . 그리고 , 구동 박막 트랜지스터 로 사용 되 는 제 2 박막 트랜지스터 ( 320 ) 의 제 2 게이트 전극 ( 324 ) 은 n + 1 개 의 층 으로 구성 될 수 있 다 . 그리고 , n + 1 개 의 층 으로 형성 된 제 2 게이트 전극 ( 324 ) 의 최 상부 층 또는 최 하부 층 은 티타늄 ( Ti ) 또는 티타늄 질화물 ( TiNx ) 로 형성 될 수 있 다 . 제 2 게이트 전극 ( 324 ) 의 티타늄 ( Ti ) 또는 티타늄 질화물 ( TiNx ) 층 은 제 2 박막 트랜지스터 ( 320 ) 의 제 2 액티브 층 ( 321 ) 으로 수소 가 확산 되 는 것 을 막아주 는 배리어 층 으로 작용 한다 . 따라서 , 스위칭 박막 트랜지스터 로 사용 되 는 제 1 박막 트랜지스터 ( 310 ) 의 제 1 액티브 층 ( 311 ) 과 구동 박막 트랜지스터 로 사용 되 는 제 2 박막 트랜지스터 ( 320 ) 의 제 2 액티브 층 ( 321 ) 의 수소 화 정도 를 다르 게 하 여 , 구동 박막 트랜지스터 로 사용 되 는 제 2 박막 트랜지스터 ( 320 ) 만 문턱 전압 이하 에서 의 특성 ( s - factor ) 값 을 증가 시킬 수 있 다 .