우선 비 아홀 내 보이드 ( void ) 의 발생 을 억제 하 는 증착 속도 인 제 1 조건 하 에서 비 아홀 및 리세 스 를 텅스텐 으로 매립 하 고 ( 제 1 증착 단계 ) , 증착 속도 가 제 1 조건 보다 1 . 5 내지 3 배 빠른 제 2 조건 ( 제 2 증착 단계 ) 하 에서 텡 스텐 을 벌크 로 증착 하 였 다 . 이때 , 증착 시간 은 제 1 조건 과 제 2 조건 이 실질 적 으로 동일 하 도록 하 였 다 . 제 2 조건 에 의할 때 , 리세 스 에 형성 된 텅스텐 의 두께 는 비 아홀 두께 의 1 . 5 내지 3 배 로 형성 되 었 다 . 이 경우 에 후속 공정 인 CMP 를 수행 할 때리 세스 하부 의 절 연막 이 침식 되 는 것 을 방지 할 수 있 었 다 .