또한 , 반도체 칩 내 에 존재 하 는 수십만 개 의 트랜지스터 게이트 의 임계 치수 ( Critical Dimension ) 는 설계 규칙 ( Design Rule ) 에 따라 정확히 제어 하 는 것 이 어렵 다 . 따라서 , 설계 규칙 에 따라 형성 되 지 않 은 게이트 들 이 존재 하 기 마련 인데 , 본 발명 에 따른 불량 검색 방법 을 이용 하 면 , 선폭 이 기준 값 보다 크 거나 작 은 게이트 가 형성 된 위치 를 용이 하 게 찾 을 수 있 다 . 즉 , 초기 에 양호 ( 또는 불량 ) 상태 로 판정 되 는 임계 전압 을 인가 한 후 , 레이저 조사 를 수행 할 때 불량 ( 또는 양호 ) 으로 판정 되 는 위치 를 찾 으면 된다 . 따라서 , 해당 위치 에서 게이트 패턴 의 공정 을 수행 할 때 임계 치수 를 계속 하 여 모니터링 하 면 반도체 소자 의 수율 을 보다 향상 시킬 수 있 다 .