따라서 , 레지스 트 패턴 ( 131 ) 은 브릿지 된 불량 패턴 ( 111 ) 의 수정 될 부분 만 을 노출 하 게 되 므로 , 후속 수정 공정 에서 수정 마스크 로 이용 될 수 있 다 . 이때 , 레지스 트 패턴 ( 131 ) 은 정상 적 으로 패 터닝 된 광차 단막 패턴 ( 110 ) 사이 의 투명 기판 부분 에 도 형성 되 어 있 으므로 , 후속 수정 공정 으로부터 마스크 기판 을 보호 할 수 있 다 . 또한 , 별도 의 수정 마스크 형성 공정 을 생략 할 수 있 어 공정 을 단순 화 시킬 수 있 다 .