통상 적 으로 하드 마스크 로 사용 하 는 물질 로 는 산화 막 , 질화 막 , 폴리 실리콘 막 , 비정질 탄소막 등 이 있 다 . 그런데 , 이 들 중 에서 산화 막 , 질화 막 또는 폴리 실리콘 막 으로 이루어진 하드 마스크 를 사용 하 는 경우 에 는 패턴 형성 후 후속 공정 에 영향 을 주 지 않 기 위해 별도 의 화학 적 기계 적 연마 ( chmical mechanical polishing : CMP ) 공정 또는 건식 식각 공정 등 을 실시 하 여 하드 마스크 를 제거 해 주 어야 한다 . 이 와 같 은 공정 추가 의 문제점 을 해결 하 기 위해 최근 에 는 패턴 형성 후 애 싱 ( ashing ) 공정 에 의해 쉽 게 제거 될 수 있 는 비정질 탄소막 을 하드 마스크 로 사용 하 는 경향 이 증가 하 고 있 다 .