다른 예 에서 , 그래핀 층 들 ( 120 ) 은 화학 기상 증착 ( CVD ) 프로세스 를 통해 그래핀 성장 기판 상 에서 성장 될 수 있 다 . 그래핀 성장 기판 은 니켈 기판 또는 구리 기판 을 포함 할 수 있 다 . 대안 적 으로 , 그래핀 성장 기판 은 , SiO 2 , HfO 2 , Al 2 O 3 , Si 3 N 4 , 또는 실제로 는 CVD 에 의한 임의 의 다른 고온 상용 가능 한 평면 물질 의 절연 기판 을 포함 할 수 있 다 .