본 발명 의 방법 은 하나 의 기판 ( 10 ) 의 기판 비 아들 ( 13 ) 에 있 는 수직 화합물 반도체 들 ( 21 , 22 , 23 ) 의 다른 기판 의 디바이스 들 ( 101 ) 과 의 3 - 차원 연결 을 구현 하 고 그리 하 여 3 - 차원 집 적 디바이스 시스템 들 ( 1000 ) 의 상당 한 집 적 밀도 증가 를 가능 하 게 한다 . 기판 ( 10 ) 과 관련 하 여 , 기판 비 아들 ( 13 ) 은 전기 적 으로 절연 된 비 아들 ( TSV - 스루 기판 비아 ) 일 수 있 다 .