도 1 내지 도 9 를 참조 하 여 , 본 발명 에 기초 하 는 실시 예 1 에서 의 패턴 형성 방법 에 대하 여 설명 한다 . 본 실시 예 에서 는 , 반도체 장치 의 제조 방법 을 예 로 들 어 설명 한다 . 본 실시 예 에서 는 , 위상 시프트 마스크 중 레벤 손 형 마스크 와 하프톤 형 마스크 를 이용 한다 . 각각 의 위상 시프트 마스크 를 이용 하 여 , 복수 회의 노광 을 행한다 .