본 발명 이 이루 고자 하 는 기술 적 과제 는 불순물 주입 이후 IMD ( Inter Metallic Dielectric ) 층 으로 산화 막 을 형성 할 때 에 열 산화 ( Thermal Oxidation ) 를 이용 함 으로써 누설 전류 를 줄일 수 있 으며 , 또한 불순물 주입 이후 별도 의 어닐링 공정 을 생략 하 여 전체 적 인 제조 공정 을 줄일 수 있 는 P - I - N 포토다이오드 제조 방법 을 제공 하 는데 있 다 .