바람직 하 게 는 , 분리 트랜지스터 를 형성 하 는 단계 는 통상 적 으로 , 이미 , 그 외 다른 트랜지스터 를 형성 하 는 프로세스 흐름 의 일부 이 고 , 예 를 들 어 분리 트랜지스터 는 메모리 장치 내 의 플로팅 게이트 트랜지스터 및 선택 게이트 를 형성 하 기 위해 사용 된 동일 한 패 터닝 , 도핑 및 퇴적 단계 를 사용 하 여 형성 될 수 있 다는 것 을 알 수 있 을 것 이 다 . 결과 적 으로 , 여러 실시 예 에서 , 분리 트랜지스터 의 형성 은 프로세스 흐름 에 어떤 추가 단계 도 끌어들이 지 않 는다 . 더구나 , 루프 에칭 을 제거 함 으로써 , 루프 에칭 에 관련 된 프로세스 단계 가 생략 될 수 있 다 . 그러므로 , 프로세스 흐름 은 단순 화 되 고 , 프로세스 처리율 은 증가 된다 .