도 17 은 실리콘 건식 식각 공정 을 통해 후면 에 공동 ( cavity ) 을 형성 한 도면 이 다 . 즉 , 실리콘 질화 막 ( 120 ) 의 하부 에 위치 한 실리콘 기판 ( 130 ) 은 모두 식각 될 수 있 으며 , 실리콘 질화 막 ( 120 ) 의 하부 는 개방 된 상태 로 , 실리콘 기판 ( 130 ) 의 측벽 에 고정 된 상태 로 부유 될 수 있 다 . 실리콘 질화 막 ( 120 ) 에 고정 된 나노 와이어 ( 100 ) 및 센서 구조물 ( 110 ) 도 실리콘 질화 막 ( 120 ) 과 함께 부유 될 수 있 다 .