도 4 a 를 참조 하 면 , 기판 ( 100 ) 상 에 도전 막 을 형성 한 뒤 , 패 터닝 하 여 다수 의 게이트 배선 ( 110 ) , 게이트 전극 ( 102 ) 을 형성 한다 . 이 와 동시 에 , 상기 다수 의 게이트 배선 중 일부분 은 상기 게이트 배선 ( 110 ) 과 연장 되 는 제 1 게이트 패드 라인 ( 150 a ) 을 동시 에 형성 한다 . 여기 서 , 상기 도전 막 은 저 저항체 의 도전 물질 로 , Al , AlNd , Cr , Al / Cu , Au / Ti , Au / Cr 및 MoW 로 이루어진 군 에서 선택 된 적어도 하나 를 포함 하 여 형성 할 수 있 다 .