도 13 a 및 도 13 b 를 참조 하 면 , 제 1 패드 들 ( 41 ) 에 제 1 타입 의 불순물 을 선택 적 으로 불순물 을 도핑 하 여 , 불순물 이 도핑 된 제 1 패드 들 ( 41 A ) 을 형성 한다 . 또한 , 제 2 및 제 3 패드 들 ( 42 , 43 ) 에 제 2 타입 의 불순물 을 선택 적 으로 도핑 하 여 , 불순물 이 도핑 된 제 2 및 제 3 패드 들 ( 42 A , 43 A ) 을 형성 한다 . 예 를 들 어 , 적층 물 ( ST ) 상 에 제 1 패드 들 ( 41 ) 을 덮 고 제 2 및 제 3 패드 들 ( 42 , 43 ) 을 노출 시키 는 제 1 마스크 를 형성 한 후 , 제 1 마스크 를 베리 어 로 제 2 및 제 3 패드 들 ( 42 , 43 ) 에 P 타입 의 불순물 을 도핑 한다 . 이어서 , 불순물 이 도핑 된 제 2 및 제 3 패드 들 ( 42 A , 43 A ) 을 덮 고 제 1 패드 들 ( 41 ) 을 노출 시키 는 제 2 마스크 를 형성 한 후 , 제 2 마스크 를 베리 어 로 제 1 패드 들 ( 41 ) 에 N 타입 의 불순물 을 도핑 한다 . 이 를 통해 , P 타입 의 불순물 을 포함 하 는 제 2 및 제 3 패드 들 ( 42 A , 43 A ) 및 N 타입 의 불순물 을 포함 하 는 제 1 패드 들 ( 41 A ) 이 형성 된다 .