이어서 , 제 1 도 전막 ( 108 ) , 게이트 절 연막 ( 107 ) 을 덮 도록 절 연막 ( 129 ) 을 형성 한다 ( 도 8 b 참조 ) . 절 연막 ( 129 ) 은 , 플라 즈 마 CVD 법 이나 스퍼터링 법 등 에 의해 , 규소 , 규소 의 산화물 또는 규소 의 질화물 의 무기 재료 를 포함 하 는 막 이나 , 유기 수지 등 의 유기 재료 를 포함 하 는 막 을 단층 또는 적층 하 여 형성 한다 .