구체 적 으로 , 본 발명 과 같 은 도파 로 형 p - i - n 포토다이오드 의 최대 수요 는 PLC 도파 로 ( 72 ) 와 의 플립 칩 결합 을 이용 한 광 신호 수신기 제작 에 있 기 때문 에 PLC 도파 로 ( 72 ) 와 의 결합 손실 이 매우 중요 하 다 . 도 6 은 본 발명 의 도파 로 형 p - i - n 포토다이오드 의 코아 층 ( 36 ) 과 실리카 PLC 도파 로 ( 72 ) 를 결합 할 경우 , 광 의 도파 프로 파일 을 컴퓨터 프로그램 을 이용 해 계산 한 결과 이 다 .