일반 적 으로 , 이미지 센서 는 광학 적 이미지 ( optical image ) 를 전기 신호 로 변환 하 는 반도체 소자 이 다 . 그 중 에서 CCD ( Charge Coupled Device ) 이미지 센서 는 MOS 커패시터 에 축적 된 전하 를 연속 적 으로 전송 시켜 출력 을 얻 는 방식 을 사용 하 며 , 거의 완전 에 가까운 전하 전송 특성 을 필요 로 한다 . 또한 , CCD 이미지 센서 는 셀 크기 와 소비 전력 을 줄이 는 것 이 어렵 고 , 주변 회로 를 포함 하 는 온 - 칩 화 ( On - Chip ) 가 용이 하 지 않 아 , 비용 을 절감 하 는 데 많 은 제약 이 따른다 . 이 와 달리 CMOS 이미지 센서 ( CMOS Image Sensor ; CIS ) 는 단위 화소 ( pixel ) 내 에 포토 다이오드 와 MOS 트랜지스터 가 형성 된 소자 로서 , 스위칭 방식 을 이용 하 여 화소 내부 에서 신호 전하 를 검출 및 증폭 한다 . 특히 , CMOS 이미지 센서 는 CCD 공정 에 비해 공정 이 매우 단순 한 CMOS 공정 을 사용 하 기 때문 에 제조 단가 를 줄일 수 있 고 , 신호 처리 회로 와 같 은 주변 회로 를 단일 칩 내 에 형성 할 수 있 는 장점 이 있 다 . 이 와 같 은 특성 으로 인해 CMOS 이미지 센서 는 차세대 이미지 센서 로서 각광 을 받 고 있 다 .