이 경우 , 상기 소스 및 드레 인 전극 ( 67 , 69 ) 과 함께 형성 되 는 데이터 배선 ( 65 ) 하부 에 있 어서 도 상기 오 믹 콘 택 층 ( 60 b ) 을 형성 한 동일 물질 로써 불순물 비정질 실리콘 패턴 ( 62 b ) 이 형성 되 며 , 그 하부 로 상기 불순물 비정질 실리콘 패턴 ( 62 b ) 외부 로 그 양 끝단 의 소정 폭 이 노출 된 형태 의 순수 비정질 실리콘 패턴 ( 62 a ) 이 형성 된다 .