도 1 및 도 2 를 참조 하 면 , 기판 ( W ) 이 기판 카세트 ( 미 도시 ) 로부터 로드 락 챔버 ( 100 ) 로 이송 되 면 , 펌프 ( 110 ) 를 이용 하 여 로드 락 챔버 ( 100 ) 의 내측 을 감압 시킨다 . 이후 , 질소 가스 를 충전 시켜 로드 락 챔버 ( 100 ) 의 내측 을 상압 분위기 로 형성 하 고 , 게이트 밸브 ( 120 ) 를 개폐 시켜 기판 ( W ) 을 공정 챔버 ( 200 ) 의 내측 으로 투입 시킨다 . 기판 ( W ) 이 공정 챔버 ( 200 ) 로 투입 되 면 , 가스 공급 부 ( 210 ) 로부터 공정 챔버 ( 200 ) 의 내측 에 플라 즈 마 생 성 을 위한 반응 가스 가 주입 되 고 , 이 와 동시 에 상부 전극 ( 220 ) 에 고주파 전원 ( 230 ) 을 인가 하 면 주입 된 반응 가스 는 플 라즈 마 상태 가 된다 . 이 때 , 가스 공급 부 ( 210 ) 로부터 공급 되 는 반응 가스 와 상부 전극 ( 220 ) 에 인가 되 는 고주파 전원 ( 230 ) 에 의해 생성 된 플 라즈 마 를 이용 하 여 , 기판 지지 부재 ( 240 ) 위 에 놓여진 기판 ( W ) 상 에 형성 된 절 연막 또는 금속 층 을 식각 하 여 기판 의 표면 처리 를 진행 한다 . 기판 의 처리 공정 이 진행 됨 에 따라 공정 챔버 ( 200 ) 의 내측 에 생성 되 는 반응 부산물 은 배기 장치 ( 250 ) 를 이용 하 여 챔버 ( 200 ) 의 외부 로 배출 시킨다 .