비휘발성 메모리 장치 는 전하 를 저장 하 기 위한 유전체 층 을 갖 는 메모리 셀 로부터 제조 된다 . 상기 에서 기술 된 전도성 플로팅 게이트 소자 대신 에 , " 유전체 층 이 사용 된다 . 유전체 저장 소자 를 사용 하 는 메모리 장치 는 Eitan 등 의 "" NROM : A Novel Localized Trapping "," 2 - Bit Nonvolatile Memory Cell """, IEEE Electron Device Letters , vol . 21 , no . 11 , November 2000 , pp . 543 - 545 에 기재 되 어 있 다 . ONO 유전체 층 은 소스 와 드레 인 확산 사이 의 채널 을 교차 하 여 확장 된다 . 하나 의 데이터 비트 에 대한 전 하 는 드레 인 에 인접 한 유전체 층 에 위치 하 고 , 다른 데이터 비트 에 대한 전 하 는 소스 에 인접 한 유전체 층 에 위치 한다 . 예 를 들 어 , 미국 특허 제 5 , 768 , 192 호 및 제 6 , 011 , 725 호 에서 는 2 개 의 실리콘 이 산화물 층 사이 에 끼워진 트랩 핑 유전체 ( trapping dielectric ) 를 갖 는 비휘발성 메모리 셀 을 기술 하 고 있 다 . 다중 상태 데이터 저장 장치 는 유전체 내 에 공간 적 으로 분리 된 전하 저장 영역 의 2 중 상태 를 개별 판독 하 여 실시 된다 .