셀 영역 에서 새 들 트랜지스터 형성 을 위해서 는 활성 영역 ( 41 a ) 내 의 채널 영역 이 선택 적 식각 되 어야 하 고 , 필드 산화 막 ( 42 ) 중 게이트 전극 이 통과 할 부분 이 선택 적 식각 되 어야 한다 . 활성 영역 ( 41 a ) 내 의 채널 영역 의 선택 적 식각 으로 형성 되 는 부분 을 제 1 요 홈 부 ( G 1 ) 라 하 고 , 필드 산화 막 ( 42 ) 중 게이트 전극 이 통과 할 부분 의 선택 적 식각 으로 형성 되 는 부분 을 제 2 요 홈 부 ( G 2 ) 라 한다 . 이때 , 제 1 요 홈 부 ( G 1 ) 의 깊이 ( D 1 ) 는 제 2 요 홈 부 ( G 2 ) 의 깊이 ( D 2 ) 보다 더 크 도록 식각 이 수행 되 어야 한다 . 이 와 같 은 제 1 및 제 2 요 홈 부 ( G 1 , G 2 ) 에 의해서 형성 되 는 구조 를 새 들 이 라 하 며 , 특 히 새 들 구조 중 필드 산화 막 ( 42 ) 상부 로 돌출 된 활성 영역 ( 41 a ) 부분 을 새 들 핀 이 라 한다 . 따라서 , 포토레지스트 패턴 ( 44 ) 은 제 1 요 홈 부 ( G 1 ) 및 제 2 요 홈 부 ( G 2 ) 가 형성 될 부분 을 노출 시키 도록 형성 된다 .