도 7 a - 7 g 를 참조 하 면 , 다른 양태 가 도시 된다 . 여기 서 , " 도 2 b 에서 도시 되 는 구조 ( 10 '"") 는 도시 되 는 바 와 같이 윈도우 ( 402 - 406 ) 가 형성 되 는 것 을 제외 하 고 도 2 c 와 관련 되 어 기재 되 는 바 와 같이 가공 된다 . 윈도우 ( 402 - 406 ) 를 형성 한 후 ", 에칭 저지 층 ( 42 ES '), 여기 서 는 예 를 들 어 실리콘 다 이 옥사이드 또는 SiNx 는 윈도우 ( 402 , 404 , 406 ) 에 의해 노출 된 층 ( 36 ) 의 내측 표면 일부 상 에 종래 의 실리콘 ( Si ) 주조 호환 ( 감산 적 ) 리소그래피 및 에칭 가공 기술 을 사용 하 여 형성 되 고 ; 층 ( 36 ) 의 노출면 의 외측 면 일부 가 에칭 저지 층 ( 42 ES ') 의 보이드 인 것 이 도 7 b 에서 주목 된다 . 또는 , 도시 되 지 않 지만 , 에칭 저지 층 ( 42 ES ') 은 윈도우 ( 40 ) 전체 에 의해 노출 되 는 내 측면 일부 상 에 형성 될 수 있 다 .