반도체 디바이스 제조 과정 에서 수행 되 는 이러 한 웨이퍼 세정 공정 을 통해 , 웨이퍼 상부 에 회로 패턴 층 을 형성 하 는 과정 에서 식각 공정 등 으로부터 충분히 제거 되 지 않 은 감광막 과 같 은 불 필요 한 물질 층 , 여러 단위 공정 과정 에서 생성 되 는 폴리머 를 포함 한 불순물 및 각종 형태 의 파티클 등 이 제거 된다 . 이러 한 세정 공정 은 크 게 화학 약품 을 이용 하 는 습식 세정 과 증기 또는 플 라즈 마 를 이용 하 는 건식 세정 으로 구분 할 수 있 다 .