또한 , 발광 층 에 인광 도 펀트 와 함께 사용 할 경우 에 는 삼 중항 여기자 또는 정공 이 전자 수송 층 으로 확산 되 는 현상 을 방지 하 기 위하 여 정공 억제 재료 ( HBL ) 를 추가 로 진공 증착 법 또는 스핀코팅 법 에 의해 적층 시킬 수 있 다 . 이때 사용 할 수 있 는 정공 억제 물질 은 특별히 제한 되 지 는 않 으나 , 정공 억제 재료 로 사용 되 고 있 는 공지 의 것 에서 임의 의 것 을 선택 해서 이용 할 수 있 다 . 예 를 들 면 , 옥사 디아졸 유도체 나 트리아졸 유도체 , 페난트롤린 유도체 , 또는 일본 특개평 11 - 329734 ( A 1 ) 에 기재 되 어 있 는 정공 억제 재료 등 을 들 수 있 으며 , 대표 적 으로 Balq ( 비스 ( 8 - 하이드 록 시 - 2 - 메틸 퀴놀리놀나토 ) - 알루미늄 비 페녹 사이드 ) , 페난트롤린 ( phenanthrolines ) 계 화합물 ( 예 : UDC 사 BCP ( 바쏘 쿠 프로 인 ) ) 등 을 사용 할 수 있 다 .