본 발명 은 3 차원 반도체 메모리 장치 에 관한 것 으로 , 더욱 상세 하 게 는 , 셀 어레이 영역 및 연결 영역 을 포함 하 는 기판 ; 상기 기판 상 에 수직 적 으로 번갈 아 적층 된 절 연막 및 전극 들 을 포함 하 며 , 상기 연결 영역 에서 계단식 구조 를 갖 는 적층 구 조체 ; 상기 셀 어레이 영역 상 의 상기 적층 구 조체 를 관통 하 는 수직 구 조체 들 ; 및 상기 연결 영역 상 의 상기 적층 구 조체 를 관통 하 는 더미 구 조체 들 을 포함 한다 . 상기 수직 구 조체 들 각각 은 , 그 의 직경 이 불 연속 적 으로 변화 하 는 부분 을 갖 고 , 상기 더미 구 조체 들 각각 은 , 그 의 직경 이 연속 적 으로 변화 한다 .