또한 , 특허 문헌 1 에 기재 된 반도체 장치 도 , 트랜스퍼 몰드 법 을 사용 한 수지 봉지 시 에 , 봉지 수지 로부터 노출 된 최 상부 의 상면 전체 가 금형 과 직접 접촉 한다 . 이 때문 에 , 상기 최 상부 의 상면 에 봉지 수지 를 침입 시키 지 않 기 위해서 , 수지 봉지 시 에 있 어서 , 금형 으로부터 적층 구조 전체 에 대해 매우 강한 힘 이 가해진다 . 여기 서 , 중계 용 배선 기판 상 에 외부 접속 단자 가 형성 되 어 있 으므로 , 봉지 수지 로부터 의 노출면 ( 금형 과 의 접촉면 ) 은 요철 을 갖 고 있 지만 , 금형 으로부터 반도체 칩 에 가해 지 는 압력 을 경감 시키 기 에 는 충분 하 지 않 다 . 따라서 , 수지 봉지 시 에 발생 하 는 반도체 칩 의 깨 짐 을 회피 할 수 없 다 .