또한 , 본 제 2 발명 의 반도체 제조 장치 는 , 제 1 발명 에 대하 여 , 출하 시 의 장치 동작 파라미터 인 디폴트 파라미터 ( default parameter ) 를 격납 하 는 디폴트 파라미터 격납 부 를 추가 로 구비 하 고 , 상기 처 리부 는 , 상기 디폴트 파라미터 또는 상기 고객 운용 파라미터 또는 상기 서비스 파라미터 중 어느 하나 를 적어도 판독 하 여 , 당해 판독 한 파라미터 에 따라서 반도체 제조 프로세스 를 실행 하 는 반도체 제조 장치 이 다 .