그 후 , 제 3 포토 마스크 를 이용 한 포 토리 소 그래피 에 의한 레지스 트 패 터닝 , 알루미늄 막 의 ? 에칭 을 행함 과 동시 에 , 티타늄 막 에 대해 드라이 에칭 ( 플라 즈 마 에칭 ) , 그리고 레지스 트 의 박리 와 세 척 을 행한다 . 그리고 , 도 10 ( e ) 에 나타내 듯이 , 산화물 반도체 층 ( 13 a ) 상 에 제 1 도전 층 ( 14 a ) 및 제 2 도전 층 ( 15 a ) 의 적층 막 에 의해 구성 된 소스 전극 ( 16 aa ) 을 형성 함 과 동시 에 , 접속 층 ( 25 ) 상 에 제 1 도전 층 ( 14 b ) 및 제 2 도전 층 ( 15 b ) 의 적층 막 에 의해 구성 된 드레 인 전극 ( 16 b ) 을 형성 하 고 , 산화물 반도체 층 ( 13 a ) 의 채널 영역 ( C ) 을 노출 시킨다 . 또 , 도 12 ( e ) 에 나타내 듯이 , 접속 층 ( 38 ) 상 에 , 제 1 도전 층 ( 14 a ) 및 제 2 도전 층 ( 15 a ) 의 적층 막 에 의해 구성 된 소스 배선 층 에 의해 형성 된 배선 을 형성 한다 .