도 7 a 를 참조 하 면 , 반도체 기판 ( 100 ) 상 에 제 1 절연 층 ( 150 ) 을 형성 하 고 , 상기 제 1 절연 층 ( 150 ) 을 패 터닝 하 여 상기 반도체 기판 ( 100 ) 을 노출 시키 는 제 1 오목 한 영역 ( 155 a ) 을 형성 한다 . 상기 노출 된 반도체 기판 ( 100 ) 을 시드 층 으로 하 는 에피택시 얼 성장 공정 을 수행 하 여 , 상기 제 1 오목 한 영역 ( 155 a ) 을 채우 는 제 1 충전 반도체 패턴 ( 160 b ) 을 형성 한다 . 이때 , 상기 제 1 충전 반도체 패턴 ( 160 b ) 은 단결정 상태 로 형성 된다 . 상기 제 1 충전 반도체 패턴 ( 160 b ) 의 아랫부분 에 제 1 게터 링 영역 ( 165 b ) 을 형성 한다 .