또한 , 게이트 절 연막 ( 715 ) 는 나중 에 형성 되 는 산화물 반도체 막 ( 716 ) 과 접 한다는 점 을 주목 하 라 . 산화물 반도체 막 ( 716 ) 은 수소 가 함유 되 면 특성 에 악영향 을 미치 기 때문 에 , 게이트 절 연막 ( 715 ) 은 수소 , 수산기 및 수분 이 함유 되 지 않 는 것 이 바람직 하 다 . 게이트 절 연막 ( 715 ) 에 수소 , 수산기 및 수분 이 가능 한 한 포함 되 지 않 도록 하 기 위해서 는 , 성막 의 전처리 로서 , 스퍼터링 장치 의 예비 가 열실 에서 게이트 전극 ( 714 ) 이 형성 된 기판 ( 700 ) 을 예비 가열 하 고 , 기판 ( 700 ) 에 흡착 한 수분 또는 수소 등 의 불순물 을 탈리 하 고 배기 하 는 것 이 바람직 하 다 . 또한 , 예비 가열 의 온도 는 , 100 ℃ 이상 400 ℃ 이하 , 바람직 하 게 는 150 ℃ 이상 300 ℃ 이하 이 다 . 또한 , 예비 가 열실 에 형성 한 배기 수단 은 크라이 오 펌프 가 바람직 하 다 . 또한 , 이 예비 가열 의 처리 는 생략 할 수 도 있 음 을 주목 하 라 .