한편 , 반도체 소자 의 신뢰 성 향상 을 위해 수소 이온 을 최대한 제거 시키 는 것 이 바람직 하 므로 상기 완성 된 STI 구조 에서 실리콘 막 및 실리콘 산화 막 내 의 수소 이온 을 제거 하 고자 레이저 를 다시 조사 하 여 큐어 링 ( curing ) 할 수 있 다 . 이 경우 상기 레이저 조사 는 수소 , 산소 또는 불활성 기체 를 포함 하 는 분위기 에서 진행 될 수 있 다 .