일 실시 예 에서 , 교번 하 는 스택 ( 32 , 46 ) 은 교번 하 는 스택 내 의 절연 층 들 ( 32 ) 중 가장 근위 의 절연 층 으로부터 , 교번 하 는 스택 ( 32 , 46 ) 의 모든 절연 층 들 중 소스 층 ( 18 ) 으로부터 가장 원위 에 있 는 절연 층 들 ( 32 ) 중 가장 원위 의 절연 층 까지 연속 적 으로 연장 되 는 단차 형 표면 들 을 포함 하 고 ; 메모리 다이 ( 1000 ) 는 , 단차 형 표면 들 과 접촉 하 며 , 소스 층 ( 18 ) 과 절연 층 들 ( 32 ) 중 가장 근위 의 절연 층 사이 의 계면 을 포함 하 는 수평 평면 ( HP ) 으로부터 의 수직 거리 ( VD ) 에 따라 증가 하 는 단계 적 - 증가 측 방향 범위 ( LE ) ( 도 21 에 도시 됨 ) 를 갖 는 단차 형 유전체 재료 부분 ( 65 ) 을 포함 한다 .