이 와 반대 로 , 게이트 절 연막 ( 5 ) 이 업 분극 상태 일 경우 에 는 , 반도체 소자 ( 10 ) 의 문턱 전압 이 비교 적 높 을 수 있 다 . 이 와 같이 반도체 소자 ( 10 ) 의 문턱 전압 이 높 아 지 는 이유 는 , 업 분극 상태 의 게이트 절 연막 ( 5 ) 에 의해서 , 채널 층 ( 7 ) 의 캐리어 농도 가 낮 아 짐 에 따른 것 일 수 있 다 .