도 6 을 참조 하 면 , 본 발명 의 제 1 실시 예 에 따른 반응 층 ( 110 a ) 의 또 다른 구조 는 그래핀 나노 입자 또는 환원 된 산화 그래핀 나노 입자 가 액정 에 분산 되 어 형성 되 는 액정 층 ( 118 a ) 을 포함 할 수 있 다 . 여기 서 , 액정 층 ( 118 a ) 은 수 나노미터 ( nm ) 의 입경 을 가지 는 그래핀 나노 입자 또는 환원 된 산화 그래핀 나노 입자 가 액정 에 분산 되 어 형성 될 수 있 다 . 또한 , 그래핀 나노 입자 또는 환원 된 산화 그래핀 나노 입자 가 분산 되 는 액정 은 5 CB , 8 CB , E 7 등 다양 한 액정 및 이 들 의 조합 을 사용 할 수 도 있 음 은 물론 이 다 .