상기 게이트 전극 에 전압 을 인가 하 면 , 게이트 전극 의 위쪽 에 있 는 반도체 층 의 내부 에서 의 반도체 영역 의 일부 에 채널 이 형성 된다 . 그러나 , 소스 - 드레 인 전극 아래 에 위치 된 상기 반도체 영역 의 대부분 에 는 채널 이 형성 되 지 않 고 , " 일종 의 저항체 ( "" 기생 저항 "" 이라고 도 한다 ) 가 된다 . 따라서 ", 전류 구동 능력 을 향상 시키 기 위해서 는 , 소스 - 드레 인 전극 아래 의 반도체 층 의 저항 을 낮추 어 , 소스 - 드레 인 전극 이 형성 된 영역 과 이 에 대응 한 반도체 영역 간 의 전기 적 정합성 을 향상 시키 는 것 이 필요 하 다 .