상기 n 형 질화물 반도체 층 ( 112 ) 은 , Si , Ge , Sn 등 과 같 은 n 형 도전 형 불순물 이 도핑 된 GaN 층 ( 113 a ) 과 상기 n 형 GaN 층 ( 113 a ) 상 에 형성 된 n + 형 GaN 층 ( 113 b , 113 b ') 으로 구성 되 어 있 으며 , 상기 n + 형 GaN 층 ( 113 b , 113 b ') 은 그 내부 에 유전체 층 ( 120 ) 을 포함 하 고 있 다 . 이때 , 상기 유전체 층 ( 120 ) 은 GaN 보다 유전 율 이 높 은 Zr , Si , Hf , Sr , Ti , Ba 중 의 적어도 하나 이상 을 포함 하 는 산화층 으로 형성 될 수 있 으며 , 상기 유전체 층 ( 120 ) 은 적어도 한 층 이상 으로 구성 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 상기 유전체 층 ( 120 ) 은 , ZrO 2 / SiO 2 , HfO 2 / SiO 2 , SiN 2 / SiO 2 / SrO 2 , TiO 2 / SiO 2 , BaTiO 3 또는 SrTiO 3 과 같 은 산화층 으로 형성 될 수 있 다 .