이 로써 , 스 페이서 식각 공정 에 의해 제 4 절 연막 ( 122 ) 의 수 평부 는 모두 제거 되 고 , 수 평부 에 비해 두껍 게 증착 된 수 직부 가 잔류 되 어 도전 막 ( 104 ) 및 소자 분리 용 질화 막 ( 108 ) 의 측벽 에 제 4 절 연막 ( 122 ) 이 스 페이서 형태 로 잔류 되 면서 포지티브 슬로프 ( positive slope ) 를 갖 는다 . 이 경우 , 제 4 절 연막 ( 122 ) 은 스 페이서 형태 로 도전 막 ( 104 ) 의 측벽 에 30 내지 150 Å 의 두께 로 잔류 되 도록 한다 .