여기 서 , e 는 전기 소량 을 나타내 고 , N 은 채널 내 의 단위 면적 당 의 평균 결함 밀도 를 나타내 고 , ε 는 반도체 의 유전율 을 나타내 고 , n 은 단위 면적 당 의 채널 에 포함 되 는 캐리 어수 를 나타내 고 , Cox 는 단위 면적 당 의 용량 을 나타내 고 , Vg 는 게이트 전압 을 나타내 고 , t 는 채널 의 두께 를 나타낸다 . 또한 , 두께 30 nm 이하 의 반도체 층 이 면 , 채널 의 두께 는 반도체 층 의 두께 와 동일 하 여도 좋 다 . 선형 영역 에서 의 드레 인 전류 Id 는 수학식 8 로 나타낼 수 있 다 .