실시 예의 반도체 소자 ( 1100 ) 는 발광 구조물 ( 1110 ) 상 에 제공 된 제 2 도전 층 ( 1140 ) 을 포함 할 수 있 다 . 상기 제 2 도전 층 ( 1140 ) 은 제 2 반도체 층 ( 1115 ) 상 에 배치 되 고 , 발광 영역 ( EA ) 의 가장자리 를 따라 배치 될 수 있 다 . 상기 제 2 도전 층 ( 1140 ) 은 상부 방향 에서 보 았 을 때 원형 링 타입 일 수 있 다 . 상기 제 2 도전 층 ( 1140 ) 은 오 믹 접촉 기능 을 포함 할 수 있 다 . 상기 제 2 도전 층 ( 1140 ) 은 제 2 도전 형 의 도 펀트 가 도핑 된 3 족 - 5 족 또는 2 족 - 6 족 의 화합물 반도체 중 적어도 하나 로 구현 될 수 있 다 . 예컨대 상기 제 2 도전 층 ( 1140 ) 은 GaAs , GaAl , InP , InAs , GaP 를 포함 하 는 그룹 중 하나 일 수 있 다 . 상기 제 2 도전 층 ( 1140 ) 은 제 2 도전 형 의 도 펀트 예컨대 , Mg , Zn , Ca , Sr , Ba 와 같 은 p 형 도 펀트 를 갖 는 p 형 반도체 층 일 수 있 다 .