위 와 같 은 문제점 을 해결 하 기 위해 텅스텐 을 CVD ( Chemical Vapor Deposition ) 또는 ALD ( Atomic Layer Deposition ) 로 형성 하 면 텅스텐 의 비저항 값 은 낮 아 지 지만 , PVD 를 사용 하 여 형성 하 는 것 과 비교 하 여 증착 두께 의 균 일도 가 저하 되 는 문제점 이 있 다 ( 도 5 참조 ) .