기동 회로 는 외부 전원 의 변화 , 소자 제작 공정 의 변화 , 온도 변화 에 따라 전류 소모 가 다르 게 된다 . 기동 회로 의 전류 소모 를 매우 적 게 설계 할 경우 에 , 공정 , 외부 전원 , 온도 가 모두 전류 소모 를 줄이 는 쪽 으로 치우치 면 기동 전류 가 매우 적 어 져서 BGR 회로 를 기동 시키 는 시간 이 길 어 지 거나 기동 을 못 시킬 수 도 있 다 . 반면 , 전류 소비 가 가장 적 은 온도 , 전압 , 공정 조건 에서 도 빠른 기동 이 이루어질 수 있 도록 기동 회로 에서 충분 한 전류 를 공급 하 게 되 면 , 공정 , 외부 전원 , 온도 가 전류 소모 를 늘리 는 쪽 으로 치우칠 경우 , 기동 회로 의 전류 소비 가 매우 커 지 게 된다 . 그러므로 , 기동 시 에 만 큰 전류 가 흘러서 기동 에 필요 한 전류 를 공급 하 고 , BGR 회로 의 기동 이 이루어진 이후 에 기동 회로 의 동작 소비 전류 를 줄이 는 것 이 반도체 소자 전체 의 소비 전력 을 줄이 는데 바람직 하 다 . 그러나 종래 의 기동 회로 는 기동 이후 에 도 기동 전 과 동일 한 비교 적 높 은 전류 를 소비 하 는 단점 이 있 다 .