에이징 작동 에서 는 , 가열 중 에 도 8 에 도시 하 는 것 과 같이 본딩 헤드 ( 2 ) 와 본딩 스테이지 ( 3 ) 를 함께 테이프 바깥 포지션 ( 92 ) 에 위치 시켜 서로 를 이격 시킨다 . 그리고 , 우선 본딩 스테이지 ( 3 ) 를 테이프 ( 300 ) 를 지지 하 는 높이 와 동일 한 높이 까지 상승 시키 고 , 그 후 , 도 9 에 도시 하 는 것 과 같이 본딩 헤드 ( 2 ) 를 하강 시킨다 . 이 에 따라 , 본딩 헤드 ( 2 ) 의 유지 면 을 본딩 스테이지 ( 3 ) 의 지지 면 에 접촉 또는 근접 시킨다 . 근접 했 을 때 의 본딩 헤드 ( 2 ) 와 본딩 스테이지 ( 3 ) 의 거리 는 , 전자 부품 ( 100 ) 과 테이프 ( 300 ) 의 두께 에 상당 하 는 거리 , 또는 전자 부품 ( 100 ) 과 테이프 ( 300 ) 가 있 는 경우 의 열전 도량 과 동일 하 게 되 는 거리 가 바람직 하 다 .