반응 가스 노즐 ( 31 , 32 ) 의 하 면 측 에 는 , 이 들 노즐 ( 31 , 32 ) 의 길 이 방향 을 따라 복수 개소 에 가스 토출 구멍 ( 도시 생략 ) 이 예 를 들 어 등 간격 으로 형성 되 어 있 다 . 반응 가스 노즐 ( 31 ) 의 하방 영역 은 , Si 함유 가스 를 웨이퍼 ( W ) 에 흡착 시키 기 위한 제 1 처리 영역 ( P 1 ) 이 되 고 , 반응 가스 노즐 ( 32 ) 의 하방 영역 은 , 웨이퍼 ( W ) 에 흡착 한 Si 함유 가스 와 O 3 가스 를 반응 시키 기 위한 제 2 처리 영역 ( P 2 ) 이 된다 .