표 13 에 도시 된 바 와 같이 , 실리콘 산화 막이 PEALD 에 의해서 만 증착 되 었 으면 , 하부 실리콘 층 은 손상 되 었 고 산화 되 었 으며 ( 실시 예 18 ) , 반면 에 실리콘 산화 막 이 보호 층 으로서 열적 ALD 에 의해 먼저 증착 되 었 고 , 이후 벌크 층 으로서 PEALD 에 의해 연속 적 으로 증착 되 었 으면 , 하부 실리콘 층 은 훨씬 덜 손상 되 었 고 산화 되 었 다 ( 실시 예 19 ~ 21 ) . 또한 , 촉매 가 첨가 되 지 않 았 고 반응물 이 펄스 로 공급 되 었 을 때 ( 표 8 의 실시 예 7 ) 에 얻 어 진 GPC 에 비해 , 열적 ALD 에서 반응물 을 연속 적 으로 공급 하 는 동안 촉매 가 첨가 되 었 으면 , GPC 는 상당히 증가 되 었 다 ( 실시 예 21 ) . 또한 , 1 nm 의 두께 를 갖 는 제 1 실리콘 산화 막 ( 실시 예 20 ) 과 비교 하 면 , 열적 ALD 에 의해 증착 된 제 1 실리콘 산화 막 의 두께 가 3 nm 였을 때 , 실질 적 으로 하부 실리콘 층 의 어떠 한 산화 도 검출 되 지 않 았 다 ( 실시 예 19 ) . 추가 적 으로 , PEALD 공정 에 의해서 만 증착 된 실리콘 산화 막 ( 실시 예 18 ) 의 등각 성 및 열적 ALD 와 PEALD 의 결합 공정 에 의해 증착 된 실리콘 산화 막 ( 실시 예 19 ~ 21 ) 의 등각 성 은 상당히 상이 하 지 않 았 다 ( 이 들 모두 는 90 % 의 등각 성 을 초과 했 다 ) .