도 9 를 참조 하 면 , 기판 ( 210 ) 상 에 게이트 ( 212 ) 를 형성 한 다음 , 상기 게이트 ( 212 ) 를 덮 도록 게이트 절 연막 ( 214 ) 을 형성 한다 . 여기 서 , 상기 게이트 ( 212 ) 는 전술 한 바 와 같이 기판 ( 210 ) 상 에 소정 금속 을 증착 하 고 , 이 를 패 터닝 함 으로써 형성 될 수 있 으며 , 상기 게이트 절 연막 ( 214 ) 은 예 를 들 면 , 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물 로 이루어질 수 있 다 .