본 발명 의 일 실시 예 에 따른 실리콘 나노 와이어 기반 압 저항 방식 의 마이크로폰 은 종래 의 정전 용량 형 감지 방식 의 마이크로폰 구조 에서 핵심 인 상하부 평 행판 전극 구조 를 필요 로 하 지 않 아 공정 시퀀스 감소 로 인한 제작 용이성 추구 및 초 소형 화 에 적합 하 고 , 실리콘 나노 와이어 의 우수 한 압 저항 특성 을 활용 하 기 때문 에 감지 회로 구현 시 에 도 휘트스톤 브릿지 기반 의 비교 적 단순 한 회로 로 도 측정 가능 한 수준 의 출력 구현 이 가능 하 다 .