상기 기술 적 과제 를 달성 하 기 위한 본 발명 의 다른 태양 에 따른 반도체 에 피층 의 인 - 시 츄 결함 평가 방법 은 다음 의 단계 들 을 포함 한다 . 반도체 기판 상 에 제 1 반도체 에 피층 을 형성 한다 . 인 - 시 츄 로 식각 기체 를 이용 하 여 상기 제 1 반도체 에 피층 에 제 1 에칭 핏 을 형성 한다 . 상기 제 1 에칭 핏 을 관찰 하 여 상기 제 1 반도체 에 피층 의 결함 밀도 를 측정 한다 . 상기 제 1 에칭 핏 이 형성 된 상기 제 1 반도체 에 피층 상 에 제 2 반도체 에 피층 을 형성 한다 . 인 - 시 츄 로 상기 식각 기체 를 이용 하 여 상기 제 2 반도체 에 피층 에 제 2 에칭 핏 을 형성 한다 . 그리고 , 상기 제 2 에칭 핏 을 관찰 하 여 상기 제 2 반도체 에 피층 의 결함 밀도 를 측정 한다 .