본 발명자 는 아연 을 함유 하 는 갈륨 산화 물막 을 가열 처리 하 면 , 표면 에 아연 이 편석 하 고 , 결정 화 하 는 현상 을 발견 하 였 다 . 즉 , 당초 , 막 중 에 균일 하 게 분포 되 어 있 던 아연 은 , 가열 처리 에 의해 표면 에 편석 하 고 , 주로 산화아연 으로 이루어지 는 매우 결정 성 이 높 은 결정 이 된다 . 한편 , 그 밖 의 부분 에서 는 , 아연 농도 가 충분히 낮 아 , 충분 한 절연성 이 얻 어 진다 .