ITO 투명 전극 에 정공 주입 층 을 형성 하 기 위해 [ HAT _ CN ] 을 이용 하 여 정공 주입 층 의 두께 를 5 nm 로 진공 열 증착 방법 으로 형성 하 고 , 이후 정공 수송 층 을 α - NPB 를 사용 하 여 성막 하 였 다 . 전자 저지 층 은 본 발명 으로 구현 되 는 화학식 142 , 145 , 167 , 173 , 189 , 201 , 209 를 사용 하 여 10 nm 의 두께 로 성막 하 였 다 . 또한 , 발광 층 에 는 호스트 화합물 로 는 [ BH 1 ] 을 사용 하 고 , 도판 트 화합물 로 [ BD 1 ] 을 사용 하 여 두께 가 20 nm 정도 가 되 도록 성막 하 였으며 , 추가 로 전자 수송 층 ( 하 기 [ 201 ] 화합물 Liq 50 % 도핑 ) 30 nm 및 LiF 1 nm 및 알루미늄 100 nm 를 증착 법 으로 성막 하 여 , 유기 전계 발광 소자 를 제조 하 였 다 .