도 3 c 에 도시 된 바 와 같이 , 게이트 재산 화 ( Gate Reoxidation ) 를 실시 한다 . 게이트 재산 화 는 제 1 게이트 절 연막 ( 22 A ) , 제 2 게이트 절 연막 ( 22 B ) 및 기판 ( 21 ) 에 생긴 마이크 로 트렌치 ( Microtrench ) 및 손상 ( Damage ) 을 회복 시켜 주 고 , 기판 ( 21 ) 에 남 아 있 는 잔류 금속 ( Metal ) 및 폴리 실리콘 ( Poly Silicon ) 을 산화 시켜 제거 하 고 , 게이트 패턴 에지 ( Edge ) 부분 의 제 1 게이트 절 연막 ( 22 A ) 두께 를 증가 시켜 소자 의 신뢰 성 을 향상 시킬 수 있 다 .