종래 의 기술 에 따르 면 , 상기 한 첫 번 째 라인 의 밝 음 현상 을 감소 시키 기 위하 여 첫 번 째 화소 의 약 50 % 를 가리 도록 차광 층 을 형성 하 였 다 . 이 경우 첫 번 째 행의 휘도 를 감소 시킬 수 는 있 었 으나 개구율 이 저하 되 는 문제점 이 있 었 다 . 이 에 비하 여 , 본 발명 의 실시 예 에서 는 게이트 라인 의 면적 을 넓힘 으로써 휘도 를 감소 시킴 과 동시 에 차광 층 을 박막 트랜지스터 ( T ) 와 게이트 라인 ( GL ) 및 데이터 라인 ( DL ) 부근 으로 최소 화 할 수 있 어 실질 적 인 개구율 이 향상 된다 .