이 필요 성 에 부응 하 는 본 발명 의 일실 시예 의 도면 인 도 4 를 참조 하 면 , 하나 의 활성 영역 ( 201 ) 에 두 개 의 게이트 라인 ( G 2 , G 3 ) 만 이 접하 는 가운데 , 콘 택 플러그 가 형성 될 예정 영역 ( 204 ) 에 는 콘 택 면적 을 확보 하 기 위해 활성 영역 ( 201 ) 과 접하 는 소자 분리 막 ( 202 ) 의 일부 를 제거 하 였 다 . 따라서 , 활성 영역 ( 201 ) 의 상부 뿐 만 아니 라 측벽 의 일부 까지 콘 택 면적 으로 활용 하 여 충분 한 콘 택 면적 ( CNT 2 ) 을 확보 할 수 있 다 . 소자 분리 막 ( 202 ) 의 일부 제거 에 의해 노출 되 는 활성 영역 ( 201 ) 측벽 의 깊이 는 활성 영역 ( 201 ) 의 상부 표면 을 경계 로 100 ~ 1000 Å 이 다 .