도 17 은 , PVD , CVD , 도금 , 또는 이 들 의 조합 등 을 사용 하 여 성막 될 수 있 고 , SiN 층 ( 72 ') 과 Si - N - 금속 결합체 를 형성 하 는 , 금속 물질 ( 82 ) 의 성막 을 도시 한다 . 도 25 에 도시 된 공정 흐름 ( 200 ) 에서 각 공정 은 공정 ( 238 ) 으로서 도시 되 어 있 다 . 금속 물질 ( 82 ) 은 코발트 , 텅스텐 , 몰리브덴 , 구리 , 또는 이 들 의 합금 을 포함 할 수 있 다 . 본 개시 의 일부 실시 예 에 따라서 , Si - N - 금속 결합체 의 유효 한 형성 을 보장 하 기 위해 , 적어도 금속 물질 ( 82 ) 의 하단 부분 ( 예컨대 , 시드 층 ) 은 플 라즈 마 처리 공정 ( 70 ')( 도 16 ) 으로 인 - 시 츄 형성 된다 . 후속 공정 에서 , 금속 물질 ( 82 ) 및 SiN 층 ( 72 ') 의 과잉 부분 을 제거 하 기 위해 CMP 공정 또는 기계 적 그라인딩 공정 과 같 은 평탄 화 공정 이 수행 되 며 , 따라서 상부 콘택트 플러그 ( 84 ) 를 형성 한다 . 결과 적 인 구조물 은 도 18 에 도시 되 어 있 다 .