도 2 e 를 참조 하 면 , 상기 식각 된 제 1 저유 전막 ( 214 ) 과 , 제 1 BARC 막 ( 216 ) 및 노출 된 제 1 베리 어막 ( 212 ) 의 상면 을 포함 한 기판 ( 200 ) 전면 상 에 제 2 베리 어막 ( 218 ) 을 형성 한다 . 상기 제 2 베리 어막 ( 218 ) 은 단차 피복성 이 우수 한 CVD 방식 을 통해 형성 하 며 , 저유 전막 에 비해 상대 적 으로 유전 상수 값 ( k ) 이 높 은 고강 도 절 연막 , 바람직 하 게 는 , SiO 2 막 , SiN 막 ( k ≒ 7 ) , SiC 막 ( k ≒ 5 ) 및 SiCN 막 ( k ≒ 4 . 9 ) 중 어느 하나 의 막 으로 형성 한다 .