도 4 a 내지 4 c 에 도시 된 바 와 같이 , 실리콘 결정 화 단계 ( S 300 ) 에서 열원 ( 500 ) 또는 베이스 기판 ( 100 ) 을 이동 시켜 용융 영역 ( 300 ) 의 위치 를 베이스 기판 ( 100 ) 상 에서 이동 시킬 수 있 다 . 구체 적 으로 용융 영역 ( 300 ) 을 베이스 기판 ( 100 ) 상 에서 제 1 방향 으로 이동 시킬 수 있 다 . 용융 영역 ( 300 ) 이 베이스 기판 ( 100 ) 상 에서 이동 하 면서 용융 영역 ( 300 ) 의 궤적 에 는 석출 된 실리콘 이 성장 하 여 결정 을 형성 하 고 , 용융 영역 ( 300 ) 이 베이스 기판 ( 100 ) 의 일면 을 완전히 훑 고 지나가 게 되 면 베이스 기판 ( 100 ) 의 일면 에 는 실리콘 결정 층 ( 400 ) 이 형성 될 수 있 다 . 도 4 a 는 코팅 단계 ( S 100 ) 에서 이종 물질 이 용융 단계 ( S 200 ) 에서 형성 될 용융 영역 ( 300 ) 의 범위 내 에 만 도포 된 경우 에 실리콘 결정 화 단계 ( S 300 ) 가 적용 된 것 을 나타내 는 것 이 며 , 도 4 b 는 코팅 단계 ( S 100 ) 에서 이종 물질 이 베이스 기판 ( 100 ) 일면 의 전체 에 실리콘 과 개별 코팅 층 으로 적층 된 경우 에 실리콘 결정 화 단계 ( S 300 ) 가 적용 된 것 을 나타내 는 것 이 고 , 도 4 c 는 코팅 단계 ( S 100 ) 에서 실리콘 과 이종 물질 이 혼합 된 상태 로 베이스 기판 ( 100 ) 에 도포 된 경우 에 실리콘 결정 화 단계 ( S 300 ) 가 적용 된 것 을 나타내 는 것 일 수 있 다 .