발광 디바이스 는 정공 주입 층 및 전자 수송 층 을 더 가지 는 것 이 바람직 하 다 . 이때 , 정공 주입 층 은 제 2 화소 전극 및 공통 전극 중 양극 으로서 기능 하 는 전극 에 접하 고 , 제 1 화합물 및 제 2 화합물 을 가진다 . 전자 수송 층 은 전자 수송 성 재료 를 가진다 . 제 1 화합물 은 제 2 화합물 에 대한 전자 수용성 을 가진다 . 제 2 화합물 의 HOMO 준위 는 - 5 . 7 eV 이상 - 5 . 4 eV 이하 이 다 . 전자 수송 성 재료 는 HOMO 준위 가 - 6 . 0 eV 이상 이 고 , 전계 강도 [ V / cm ] 의 제곱근 이 600 일 때 의 전자 이동도 가 1 × 10 - 7 cm 2 / Vs 이상 5 × 10 - 5 cm 2 / Vs 이하 이 다 .