본 실시 형태 의 레지스 트 조성물 이 , 알칼리 현상 프로세스 에 있 어서 포지티브 형 레지스 트 패턴 을 형성 하 는 「 알칼리 현상 프로세스 용 포지티브 형 레지스 트 조성물 」 인 경우 , 또는 , 용제 현상 프로세스 에 있 어서 네거티브 형 레지스 트 패턴 을 형성 하 는 「 용제 현상 프로세스 용 네거티브 형 레지스 트 조성물 」 인 경우 , ( A ) 성분 으로 는 , 바람직 하 게 는 , 산 의 작용 에 의해 극성 이 증대 하 는 기재 성분 ( A - 1 ) ( 이하 「 ( A - 1 ) 성분 」 이 라고 한다 ) 이 사용 된다 . ( A - 1 ) 성분 을 사용 함 으로써 , 노광 전후 로 기재 성분 의 극성 이 변화 하 기 때문 에 , 알칼리 현상 프로세스 뿐 만 아니 라 , 용제 현상 프로세스 에 있 어서 도 , 양호 한 현상 콘트 라스트 를 얻 을 수 있 다 .