본 발명 은 상술 한 종래 기술 의 문제 를 해결 하 기 위한 것 으로 , 다 마신 공정 으로 형성 된 하부 금속 배선 상부 에 식각 정지 막 으로서 의 선택 적 증착 막 을 형성 하 여 하부 금속 배선 에 대한 식각 어택 을 제거 하 여 소자 특성 을 개선 할 수 있 는 반도체 다 마신 공정 에서 의 금속 배선 형성 방법 을 제공 하 는데 그 목적 이 있 다 .