상기 일 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 배 치식 기판 처리 장치 는 , 공정 챔버 , 상기 공정 챔버 내부 에 상호 평행 하 게 배치 되 며 , 복수 의 기판 들 의 이면 들 과 각각 접촉 하 여 상기 기판 들 을 각각 지지 하 며 , 복수 의 관통 홀 들 이 각각 형성 된 복수 의 척 들 및 상기 복수 의 관통 홀 들 을 각각 관통 하 며 , 상기 척 들 에 의하 여 지지 되 는 상기 기판 들 의 각각 을 상하 로 이동 키는 복수 의 서포터 들 을 포함 한다 . 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 배 치식 기판 처리 장치 는 상기 복수 의 척 들 의 사이 에 배치 되 며 , 상기 기판 을 개별 적 으로 처리 하 기 위한 상기 공정 챔버 의 공정 공간 을 분할 하 는 공간 분할 부재 를 더 포함 한다 . 여기 서 , 상기 복수 의 척 들 은 각각 상기 기판 들 의 이면 을 전체 적 으로 접촉 하 여 상기 기판 들 을 각각 지지 할 수 있 다 . 또한 , 상기 복수 의 척 들 은 동시 에 상하 로 이동하 여 , 각각 의 상기 기판 들 과 이격 되 거나 접촉 될 수 있 다 . 나아가 , 상기 척 들 은 그 내부 에 배치 되 며 상기 기판 들 을 각각 가열 시키 는 가열 부재 를 포함 할 수 있 다 . 한편 , 상기 공간 분할 부재 는 상기 서포터 들 의 단부 와 접촉 하 여 상기 복수 의 서포터 들 을 상하 로 이동 시킬 수 있 다 . 상기 공간 분할 부재 에 고주파 에너지 가 인가 될 수 있 도록 전도성 물질 을 포함 할 수 있 다 . 상기 공간 분할 부재 는 상기 척 들 보다 큰 직경 을 가질 수 있 다 .