동작 모드 ( MD 4 ) 에서 는 , 설정 값 ( HVZ , HFZ , LT 4 Z ) 은 저 레벨 ( L ) 로 설정 되 며 , 설정 값 ( TYPZ ) 은 고 레벨 ( H ) 로 설정 된다 . 전원 전압 ( VDDQ ) 은 1 . 2 V 로 설정 되 며 , 클록 신호 ( CLK ) 의 주파수 는 50 ㎒ 로 설정 되 고 , " 레이턴 시 ( LAT ) 는 "" 2 "" 로 설정 되 며 ", 입출력 회로 ( MI / O , CI / O ) 의 구동 능력 ( DRV ) 은 표준 ( TYP ) 으로 설정 된다 . 이때 , DRAM 의 소비 전류 ( IDD ) 는 50 ㎃ 이 며 , 액세스 시간 ( tAC ) 은 10 ㎱ 이 다 . 동작 모드 ( MD 4 ) 에서 는 , 레이턴 시 ( LAT ) 가 작 으며 , 독 출 커맨드 에서 독 출 데이터 의 출력 까지 의 기간 이 단축 된다 . 이 에 따라 , 메모리 코어 ( 30 ) 의 활성 화 기간 을 상대 적 으로 단축 할 수 있 기 때문 에 , 소비 전력 ( PWR ) 은 동작 모드 ( MD 3 ) 에 비해서 더 낮 아 진다 ( = 60 ㎽). 데이터 의 수신 마진 ( tAC / tCK ) 은 O . 5 이 다 .