형성 조건 으로서 는 , 예 를 들 어 , 기판 과 타 겟 간 의 거리 가 100 mm , 압력 이 0 . 6 Pa , 직류 ( DC ) 전력 이 0 . 5 kＷ , 분위기 가 산소 ( 산소 유량 비율 100 ％) 분위기 와 같 은 조건 을 적용 할 수 있 다 . 또한 , 펄스 직류 ( DC ) 전원 을 이용 하 면 , 먼지 를 경감 할 수 있 고 , 막 두께 분포 도 균일 해 지 기 때문 에 , 바람직 하 다는 점 을 주목 하 라 . 산화물 반도체 층 의 두께 는 , 2 nm 이상 , 200 nm 이하 , 바람직 하 게 는 5 nm 이상 , 30 nm 이하 로 한다 . 또한 , 적용 하 는 산화물 반도체 재료 에 따라 적절 한 두께 는 다르 기 때문 에 , 그 두께 는 이용 할 재료 에 따라서 적절히 선택 하 면 좋 다는 점 을 주목 하 라 .