상기 반도체 층 을 PIN 구조 로 형성 할 경우 에 는 상기 전면 전극 층 ( 200 ) 상 에 P 형 반도체 층 을 형성 하 고 이어서 I 형 반도체 층 및 N 형 반도체 층 을 형성 하 는 것 이 바람직 한데 , 그 이유 는 일반 적 으로 정공 의 드리프트 이동도 ( drift mobility ) 가 전자 의 드리프트 이동도 보다 낮 기 때문 에 입사광 에 의한 수집 효율 을 극대 화 하 기 위해서 P 형 반도체 층 을 수 광면 에 가깝 게 형성 하 기 위함 이 다 .