다음 에 , 산화물 반도체 층 ( 144 ) 등 위 에 , 소스 전극 및 드레 인 전극 ( 이것 과 동일 한 층 으로 형성 되 는 배선 을 포함 ) 을 형성 하 기 위한 도전 층 을 형성 하 고 , 상기 도전 층 을 가공 하 여 , 소스 전극 또는 드레 인 전극 ( 142 a ) , 소스 전극 또는 드레 인 전극 ( 142 b ) 을 형성 한다 ( 도 10 b 참조 ) .