제 1 접속 비아 구조물 들 ( 588 A ) 은 어레이 유전체 분리 영역 들 ( 150 ) 내 에 위치 된 제 1 접속 비아 공동 들 내 에 형성 된다 . 각각 의 제 1 접속 비아 구조물 ( 588 A ) 은 절연 층 들 ( 132 , 232 ) 과 유전체 재료 플레이트 들 ( 142 ', 242 ') 의 각자 의 수직 스택 을 관통 하 여 , 그리고 메모리 어레이 영역 ( 100 ) 아래 에 놓인 랜딩 패드 레벨 금속 라인 구조물 들 ( 788 ) 의 제 1 서브 세트 내 의 각자 의 랜딩 패드 레벨 금속 라인 구조물 ( 788 ) 바로 위 에 수직 으로 연장 된다 . 소스 콘택트 비아 구조물 들 ( 588 B ) 은 어레이 유전체 분리 영역 들 ( 150 ) 내 의 소스 콘택트 비아 공동 들 내 에 형성 된다 . 소스 콘택트 비아 구조물 들 ( 588 B ) 은 절연 층 들 ( 132 , 232 ) 과 유전체 재료 플레이트 들 ( 142 ', 242 ') 의 각자 의 수직 스택 을 관통 하 여 그리고 전도성 플레이트 층 ( 6 ) 바로 위 에 또는 소스 레벨 재료 층 들 ( 10 ) 중 하나 의 소스 레벨 재료 층 상 에 형성 된다 . 제 2 접속 비아 구조물 들 ( 688 ) 은 계단 유전체 분리 영역 들 ( 250 ) 내 의 제 2 접속 비아 공동 들 내 에 형성 될 수 있 다 . 제 2 접속 비아 구조물 들 ( 688 ) 은 제 2 역 단차 형 유전체 재료 부분 ( 265 ) 을 관통 하 여 그리고 제 1 절연 층 들 ( 132 ) 과 제 1 유전체 재료 플레이트 들 ( 142 ') 의 교번 스택 을 관통 하 여 , 그리고 계단 영역 ( 200 ) 아래 에 놓인 랜딩 패드 레벨 금속 라인 구조물 들 ( 788 ) 의 제 2 서브 세트 내 의 각자 의 랜딩 패드 레벨 금속 라인 구조물 ( 788 ) 바로 위 에 형성 될 수 있 다 . 주변 접속 비아 구조물 들 ( 988 ) 은 제 2 역 단차 형 유전체 재료 부분 ( 265 ) 및 제 1 역 단차 형 유전체 재료 부분 ( 165 ) 을 관통 하 여 주변 접속 비아 공동 들 내 에 , 그리고 주변 디바이스 영역 ( 400 ) 아래 에 놓인 랜딩 패드 레벨 금속 라인 구조물 들 ( 788 ) 의 제 3 서브 세트 내 의 각자 의 랜딩 패드 레벨 금속 라인 구조물 ( 788 ) 바로 위 에 형성 될 수 있 다 .