3 차원 메모리 디바이스 는 캐리어 기판 위 에 형성 된 절연 층 들 및 스 페이서 재료 층 들 의 교번 하 는 스택 을 포함 할 수 있 다 . 스 페이서 재료 층 들 은 전기 전도성 층 들 로서 형성 되 거나 , 후속 적 으로 그 들 로 대체 된다 . 메모리 스택 구조물 들 은 교번 하 는 스택 을 통해 형성 된다 . 각각 의 메모리 스택 구조물 은 각자 의 수직 반도체 채널 및 각자 의 메모리 필름 을 포함 한다 . 메모리 다이 를 제공 하 기 위해 메모리 스택 구조물 들 위 에 드레 인 영역 들 및 비트 라인 들 이 형성 될 수 있 다 . 메모리 다이 는 메모리 다이 내 의 메모리 셀 들 의 동작 들 을 지원 하 기 위한 주변 회로 부를 포함 하 는 로직 다이 에 접합 될 수 있 다 . 수직 반도체 채널 들 각각 의 원위 단부 는 캐리어 기판 을 제거 함 으로써 물리 적 으로 노출 된다 . 소스 층 은 수직 반도체 채널 들 각각 의 원위 단부 상 에 직접 형성 된다 . 접합 패드 가 소스 층 상 에 형성 될 수 있 다 .