일부 양상 에서 , ( 1 ) 기판 위 에 제 1 도체 를 제조 하 는 단계 와 , ( 2 ) 상기 제 1 도체 위 에 탄소 나노 튜브 ( CNT ) 물질 을 선택 적 으로 제조 하 는 단계 와 , ( 3 ) 상기 CNT 물질 위 에 다이오드 를 제조 하 는 단계 와 , ( 4 ) 상기 다이오드 위 에 제 2 도체 를 제조 하 는 단계 를 포함 하 는 메모리 셀 제조 방법 이 제공 된다 . 여러 다른 양상 이 제공 된다 .