대안 적 으로 , 화학식 I 의 화합물 은 반응 도식 3 에 기재 된 바 와 같이 제조 될 수 있 다 . 화학식 XII 의 화합물 ( 여기 는 , R 1 , A , X , R 7 및 R 8 은 상기 화학식 I 에 대해 정의 된 바 와 같 음 ) 을 당업자 에게 알려져 있 고 , 예 를 들 어 문헌 [ Tetrahedron 2005 , 61 ( 46 ) , 10827 - 10852 ] 에 기재 된 방법 에 의해 처리 함 으로써 화학식 XI 의 화합물 로 활성 화 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 화학식 XI 의 화합물 ( 여기 서 , X 0 은 염소 임 ) 은 , 예 를 들 어 , 20 ℃ 내지 100 ℃, 바람직 하 게 는 25 ℃ 의 온도 에서 불활성 용매 , 예컨대 디 클로로메탄 또는 THF 중 촉매 량의 DMF 의 존재 하 에서 염화 옥 살릴 또는 염화티오닐 로 처리 함 으로써 형성 된다 . 선택 적 으로 염기 , 예 를 들 어 트리 에틸아민 또는 피리딘 의 존재 하 에서 , XI 을 화학식 X 의 화합물 ( 여기 서 , R 2 , G 1 및 X 1 은 화학식 I 에 기재 된 바 와 같이 정의 됨 ) 로 처리 함 으로써 화학식 IX 의 화합물 이 생성 된다 . 화학식 XI 의 화합물 은 50 내지 180 ℃ 의 온도 에서 선택 적 으로 염기 , 예 를 들 어 트리 에틸아민 의 존재 하 에서 , 불활성 용매 , 예 를 들 어 피리딘 , 또는 테트라 하이드로 푸란 ( THF ) 중 에서 화학식 XII 의 화합물 을 디 사이클 로 헥 실 카 보디 이미드 ( DCC ) 또는 1 - 에틸 - 3 -( 3 - 디메틸아미노 프로필 ) 카 보디 이미드 ( EDC ) 로 처리 하 여 활성 화 된 종 XI ( 여기 서 , X 0 은 각각 X 01 및 X 02 임 ) 을 생성 함 으로써 제조 될 수 있 다 . 이어서 , 얻 어 진 화학식 IX 의 화합물 은 25 내지 180 ℃, 바람직 하 게 는 130 내지 170 ℃ 의 온도 에서 불활성 용매 , 예컨대 N - 메틸 피 롤리 돈 중 에서 산 촉매 , 예 를 들 어 메탄 설폰산 , 또는 파라 - 톨루엔 설폰산 의 존재 하 에서 , 탈수 에 의해 , 예 를 들 어 마이크로파 조사 하 에서 가열 함 으로써 화학식 I 의 화합물 로 전환 될 수 있 다 . 그러 한 공정 은 WO 2010 / 125985 에 이미 기재 되 어 있 다 . 대안 적 으로 , 화학식 IX 의 화합물 은 25 내지 50 ℃ 의 온도 에서 불활성 용매 , 예컨대 THF 중 에서 트리 페닐 포스핀 , 디 - 이소프로필 아조 디카 복실 레이트 를 사용 하 여 화학식 I 의 화합물 ( 여기 서 , X 1 은 O 임 ) 로 전환 될 수 있 다 . 그러 한 변환 에 대한 그러 한 미츠노부 ( Mitsunobu ) 조건 은 이미 기재 되 어 있 다 ( WO 2009 / 131237 참조 ) . 화학식 X 의 화합물 은 , 예 를 들 어 WO 2012 / 086848 , WO 2015 / 000715 , 및 WO 2016 / 116338 에 이미 기재 되 어 있 다 .