상기 셀 마스크 패턴 ( 220 c ) 은 상기 벽부 ( 221 ) 로부터 형성 된다 . 즉 , 상기 셀 마스크 패턴 ( 220 c ) 의 선폭 은 상기 벽부 ( 221 ) 의 선폭 에 의해 결정 되 고 , 상기 벽부 ( 221 ) 의 선폭 은 상기 마스크 막 ( 220 ) 의 증착 두께 에 의해 결정 된다 . 이 에 따라 , 상기 셀 마스크 패턴 ( 220 c ) 의 선폭 은 종래 의 노광 공정 으로 야기 된 선폭 가 발생 되 지 않 는다 . 결과 적 으로 , 상기 셀 마스크 패턴 들 ( 220 c ) 의 선폭 들 은 우수 한 균일성 을 가질 수 있 다 . 특히 , 상기 마스크 막 ( 220 ) 을 원자 층 적층 법 으로 형성 하 는 경우 에 , 상기 셀 마스크 패턴 들 ( 220 c ) 의 선폭 들 의 균일성 은 더욱 향상 된다 .