최근 반도체 소자 의 집적도 가 급격 하 게 증가 함 에 따라 패턴 이 더욱 미세 해 지 고 정교 해 지 는 상황 이나 포 토리 소그라 피 공정 기술 은 그 근본 적 인 한계 로 인하 여 뒤따라 오 지 못하 고 있 는 실정 이 다 . 좁 은 면적 에 가능 한 많 은 소자 를 집적 시키 기 위해서 개별 소자 의 크기 를 작 게 형성 하 여야 하 며 이 를 위해서 패턴 각각 의 폭 과 상기 패턴 사이 의 간격 의 합인 피치 ( pitch ) 를 작 게 형성 해야 한다 . 포토 리소그래피 공정 의 해 상 한계 로 인하 여 급격히 감소 된 반도체 소자 의 디자인 룰 ( design rule ) 에 맞추 어 미세 한 피치 를 형성 하 는데 있 어 많 은 어려움 이 따르 고 있 다 . 특히 기판 의 활성 영역 을 정의 하 는 소자 분리 영역 을 형성 하 기 위한 포토 리소그래피 공정 , 라인 앤 스페이스 패턴 ( line and space pattern ) 을 형성 하 기 위한 포토 리소그래피 공정 에 있 어 원 하 는 미세 패턴 을 구현 하 는 데 에 한계 가 있 다 .