도 2 는 본 개시 의 일 예 에 따른 상변화 메모리 시스템 을 나타내 보인 블록 도 이 다 . 도 2 를 참조 하 면 , 본 예 에 따른 상변화 메모리 시스템 ( 100 ) 은 , 상변화 메모리 장치 ( PCM device ) ( 110 ) 및 메모리 컨트롤러 ( memory controller ) ( 120 ) 를 포함 하 여 구성 될 수 있 다 . 상변화 메모리 장치 ( 110 ) 는 , 복수 개 , 예컨대 제 1 내지 제 4 랭크 ( ranks ) ( 111 - 114 ) 를 포함 할 수 있 다 . 제 1 내지 제 4 랭크 들 ( 111 - 114 ) 각각 은 , 복수 개 , 예컨대 8 개 의 뱅크 들 ( banks ) ( bank 1 - bank 8 ) 을 포함 할 수 있 다 . 각각 의 뱅크 에 는 , 도 1 을 참조 하 여 설명 한 상변화 메모리 ( PCM ) 셀 들 이 어레이 형태 로 배치 될 수 있 다 .