본 발명 에 의한 반도체 디바이스 는 서브 스트레이트 의 형성 을 위한 공정 들 에서 금속 플레이트 의 하면 에 절연 부재 를 형성 하 여 캐리어 로서 고정 시키 되 , 패턴 형성 및 노출 공정 을 진행 하 여 공정 에서 의 강성 을 확보 할 수 있 고 , 후속 단계 에서 절연 부재 를 그라인딩 을 통해 제거 하 여 두께 를 감소 함 으로써 , 얇 은 두께 의 서브 스트레이트 및 반도체 디바이스 를 형성 할 수 있 다 .