상기 반도체 층 ( 300 ) 은 실리콘 계 반도체 물질 을 플 라즈 마 CVD 법 등 을 이용 하 여 형성 할 수 있 다 . 상기 반도체 층 ( 300 ) 은 P 형 반도체 층 , I 형 반도체 층 및 N 형 반도체 층 이 순서 대로 적층 된 PIN 구조 로 형성 할 수 있 으며 , 이 와 같이 상기 반도체 층 ( 300 ) 을 PIN 구조 로 형성 하 게 되 면 , I 형 반도체 층 이 P 형 반도체 층 과 N 형 반도체 층 에 의해 공핍 ( depletion ) 이 되 어 내부 에 전기장 이 발생 하 게 되 고 , 태양광 에 의해 생성 되 는 정공 및 전자 가 상기 전기장 에 의해 드리프트 ( drift ) 되 어 각각 P 형 반도체 층 및 N 형 반도체 층 에서 수집 되 게 된다 . 한편 , 상기 반도체 층 ( 300 ) 을 PIN 구조 로 형성 할 경우 에 는 상기 전면 전극 ( 200 ) 상부 에 P 형 반도체 층 을 형성 하 고 이어서 I 형 반도체 층 및 N 형 반도체 층 을 형성 하 는 것 이 바람직 한데 , 그 이유 는 일반 적 으로 정공 의 드리프트 이동도 ( drift mobility ) 가 전자 의 드리프트 이동도 에 의해 낮 기 때문 에 입사광 에 의한 수집 효율 을 극대 화 하 기 위해서 P 형 반도체 층 을 수 광면 에 가깝 게 형성 하 기 위함 이 다 .