일 실시 예 에서 , 시냅스 소자 ( 162 , 164 , 166 , 168 ) 는 저항 변화 물질 ( 저항 변화 메모리 ) , 위상 변화 물질 , 또는 그 밖 의 메모리 셀 등 으로 구현 될 수 있 다 . 시냅스 소자 는 예컨대 , SRAM ( Static Random Access Memory ) 소자 , FG ( Floating - Gate ) 메모리 소자 , 또는 RRAM ( Resistive Random Access Memory ) , PRAM ( Phase - change Random Access Memory ) , MRAM ( Magnetic Random Access Memory ) 과 같 은 차세대 메모리 를 기반 으로 하 는 멤 리스터 ( memristor ) 등 의 소자 들 이 사용 될 수 있 다 .