도 47 에 있 어서 , " "" V "" 는 상기 제 3 불휘발성 반도체 장치 를 제조 한 후 ", 각 셀 들 의 문턱 전압 들 을 측정 한 결과 를 나타내 며 , " "" VI "" 은 상기 제 3 불휘발성 반도체 장치 에 대하 여 약 1 ", 200 사이클 정도 의 내구 성 테스트 를 수행 한 후 , 각 셀 들 의 문턱 전압 들 을 측정 한 결과 를 나타낸다 .