하나 의 실시 예 에서 , 본 발명 은 , 희생 적 캐리어 를 제공 하 는 단계 , 상기 희생 적 캐리어 상 에 다수 접촉 패드 들 을 형성 하 는 단계 , 상기 접촉 패드 들 에 전기 적 으로 접촉 되 도록 제 1 반도체 다이 를 장착 시키 는 단계 , 몰딩 화합물 로 상기 반도체 다이 를 캡슐 화 시키 는 단계 , 희생 적 캐리어 를 제거 시키 는 단계 , 몰딩 화합물 위 에 제 1 도전 층 을 형성 하 여 접촉 패드 들 에 전기 적 으로 연결 시키 는 단계 , 상기 제 1 도전 층 위 에 제 1 절연 층 을 형성 하 는 단계 , 상기 제 1 절연 층 의 일부 를 제거 하 여 제 1 도전 층 을 노출 시키 는 단계 , 상기 제 1 도전 층 과 전기 적 접촉 관계 로 솔 더 재료 를 융 착시 키는 단계 , 그리고 상기 솔 더 재료 를 리플 로어 시키 어 솔 더 범프 를 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 반도체 소자 제조 방법 을 제공 한다 .