또는 본 발명 의 실시 예 에 따른 저항성 메모리 소자 는 제 3 배선 ( W 3 ) 상 에 상기 제 1 적층 구조물 ( SS 1 ) , 제 2 배선 ( W 2 ) , 제 2 적층 구조물 ( SS 2 ) , 제 3 배선 ( W 3 ) , 제 1 적층 구조물 ( SS 1 ) 및 제 2 배선 ( W 2 ) 이 차례 로 적층 된 적층 구조물 과 동일 한 구조 를 갖 는 적층 구조물 을 적어도 한 세트 이상 더 포함 할 수 있 다 .