도 7 의 단면도 ( 700 ) 에 의해 예시 된 바 와 같이 , 상부 패드 층 ( 404 ) 및 하부 패드 층 ( 402 ) 을 메모리 영역 ( 104 m ) 으로부터 제거 하 도록 에칭 이 수행 될 수 있 다 . 제거 를 수행 하 기 위한 프로세스 는 , 메모리 영역 ( 104 m ) 을 남기 며 로직 영역 ( 104 l ) 을 덮 도록 포토레지스트 층 ( 701 ) 을 형성 및 패 터닝 한 다음 , 메모리 영역 ( 104 m ) 으로부터 상부 패드 층 ( 404 ) 및 하부 패드 층 ( 402 ) 을 제거 하 도록 그 자리 의 포토레지스트 층 ( 701 ) 을 이용 한 에칭 을 포함 할 수 있 다 . 그 후 에 , 포토레지스트 층 ( 701 ) 은 스트리 핑 될 수 있 다 .