또한 기판 ( 101 ) 의 한쪽 의 면 이 며 , 반사 층 ( 102 ) , 단열층 ( 104 ) , 광 흡수 층 ( 105 ) , 및 재료 층 ( 106 ) 이 형성 된 면 에 대향 하 는 위치 에 , 피 성막 기판 인 제 2 기판 ( 301 ) 을 배치 한다 . 제 2 기판 ( 301 ) 은 , 증착 처리 에 의해 원 하 는 층 이 성막 되 는 피 성막 기판 이 다 . 또한 , 여기 에서 는 , 본 발명 의 증착 용 기판 을 사용 해서 발광 소자 의 ＥＬ 층 을 형성 할 경우 에 관하 여 설명 하 기 위해서 , 제 2 기판 ( 301 ) 위 에 는 , 발광 소자 의 한쪽 의 전극 이 되 는 제 1 전극 ( 302 ) 이 형성 되 어 있 다 . 그리고 , 제 1 기판 ( 101 ) 과 제 2 기판 ( 301 ) 을 가까운 거리 , 구체 적 으로 는 제 1 기판 ( 101 ) 위 의 재료 층 ( 106 ) 의 표면 과 , 제 2 기판 ( 301 ) 표면 ( 구체 적 으로 는 , 제 1 전극 ( 302 ) 의 표면 ) 과 의 거리 d 를 , 0 mm 이상 2 mm 이하 , 바람직 하 게 는 0 mm 이상 0 . 05 mm 이하 , 더 바람직 하 게 는 0 mm 이상 0 . 01 mm 이하 가 되 도록 가깝 게 해서 대향 시킨다 .