본 발명 은 , 저온 에서 의 제 1 급속 열처리 ( Rapid Thermal Processing ; RTP ) 와 고온 에서 의 제 2 급속 열처리 를 포함 하 는 2 단계 급속 열처리 를 사용 한 실리콘 웨이퍼 의 열처리 방법 에 관한 것 이 다 . 본 발명 에 의하 면 , 무결함 영역 에서 헤이즈 ( Haze ) 에 의한 산소 석출 물 의 발생 을 억제 할 수 가 있 다 .