다음 에 , 도 4 d 의 공정 ( 제 2 의 공정 ) 에 있 어서 , 도 3 c 의 공정 과 같이 , 질소 , 금속 및 실리콘 으로 이루어진 막 ( 103 ) 을 산화 한다 . 이것 에 의해 , 리 엑 티 브 스퍼터링 처리 에 의해 완전 하 게 질화 되 어 있 지 않 았 던 막 ( 103 ) 중 의 금속 원자 혹은 실리콘 원자 가 산화 된다 . 또 , 금속 원자 및 실리콘 원자 와 결합 하 고 있 는 질소 원자 의 일부 가 산소 원자 와 치환 되 는 반응 , 혹은 산소 원자 가 금속 - 질소 결합 사이 및 실리콘 - 질소 결합 사이 에 삽입 되 는 반응 등 에 의해 도 , 산화 를 행한다 . 이러 한 산화 반응 에 의해 , 질화 금속 실리케이트 막 ( 104 ) 이 형성 된다 .