도 12 는 도 8 의 웰 영역 의 주요부 의 레이아웃 을 도시 하고 있 다 . 이 예 에서 는 , 탭 셀 ( TP ) 이 , 더미 메모리 셀 ( DMC 2 ) 의 외측 ( 도면 의 상측 ) 에 배치 된다 . 이 때문 에 , 예컨대 , n 형 웰 영역 ( NW ) 및 p 형 웰 영역 ( PW ) 은 , 이 들 의 단부 를 탭 셀 ( TP ) 의 단부 에 맞춰서 배치 된다 . 도면 중 의 굵 은 실선 은 , 레이아웃 데이터 ( 설계 데이터 ) 를 나타내 고 있 다 . 굵 은 파선 으로 나타낸 원호 C 1 은 , 반도체 기판 에 실제로 형성 되 는 n 형 웰 영역 ( NW ) 의 형상 을 나타내 고 있 다 . 이 변형 은 , 예컨대 , 웰 영역 ( NW , PW ) 을 형성 하 기 위한 포토레지스트 가 , 제조 조건 의 변동 에 의해 변형 되 는 것 에 기인 한다 . 즉 , SRAM 의 제조 중 에 , 메모리 셀 어레이 ( ARY ) 와 주변 회로 의 경계 에 있 어서 , 웰 영역 ( NW , PW ) 의 레이아웃 패턴 의 밀도 의 차이 에 의해 포토레지스트 의 형상 이 변화 되 어 , 웰 영역 이 정상 적 으로 형성 되 지 않 는 경우 가 있 다 .