본 발명 의 제 4 실시 예 에 따른 반도체 메모리 장치 는 데이터 라인 선택 부 ( SW , 166 , 167 ) 를 더 구비 할 수 있 다 . 상기 데이터 라인 선택 부 ( 166 , 167 ) 는 라이트 커맨드 신호 ( WCON ) 및 컬럼 어드레스 ( YA ) 의 조합 신호 를 수신 하 여 상기 제 1 데이터 입력 라인 쌍 ( GDIL , GDILB ) 의 데이터 가 상기 제 2 라이트 드라이버 부 ( 162 ~ 165 ) 로 인가 되 도록 스위칭 할 수 있 다 . 상기 데이터 라인 선택 부 ( 166 , 167 ) 의 스위칭 동작 은 도 17 을 참조 하 여 설명 되 어 질 것 이 다 .