본 실시 형태 에서 는 , 굴곡 등 의 외력 이 가해진 경우 에 도 , 트랜지스터 등 의 소자 에 생기 는 응력 을 억제 하 기 위해서 보 강막 을 형성 한다 . 본 실시 형태 에서 는 , 그 구조 의 일례 로서 , 트랜지스터 를 구성 하 는 반도체 막 의 위쪽 및 아래쪽 에 반도체 막 의 영률 보다 도 영률 이 높 은 재료 로 형성 된 보강 막 을 형성 한 경우 에 관해서 설명 한다 .