질화 갈륨 과 같 은 질화물 반도체 를 이용 하 는 소자 들 에서 , 질화물 반도체 층 의 성장 을 위해 가장 빈번히 사용 되 는 기판 은 사파이어 , 실리콘 카바이드 ( SiC ) , 실리콘 과 같 은 “ 이종 ” 기판 이 다 . 그런데 , 이 들 이종 기판 물질 은 질화물 과 의 격자 상수 불 일치 와 열팽창 계수 의 차이 가 있 기 때문 에 , 이종 기판 에 성장 시킨 질화물 반도체 층 은 전위 ( dislocation ) 등 의 결정 결함 을 다량 으로 포함 하 고 있 다 . 이러 한 결함 은 LED 등 질화물 반도체 소자 의 성능 을 떨어뜨리 는 주요인 으로 작용 한다 .