이 때 , 전자 온도 는 플 라즈 마의 전자 가 갖 는 에너지 의 크기 에 대응 되 는 값 으로 , 기판 처리 장치 ( 10 ) 의 가동 조건 에 의해 설정 범위 의 값 으로 정해 지 고 , 이 에 대응 하 여 , 디바이 길 이 , 쉬 스 전압 역시 기판 처리 장치 ( 10 ) 의 가동 조건 에 의해 설정 범위 의 값 으로 정해진다 . 일 예 로 , 기판 처리 장치 ( 10 ) 는 내부 에서 여기 되 는 전자 온도 가 1 ~ 3 Te 가 되 도록 가동 조건 이 설정 될 수 있 다 .