플라 즈 마 처리 장치 는 챔버 내 에 상부 전극 과 하부 전극 을 배치 하 고 , 하부 전극 의 위 에 반도체 웨이퍼 , 유리 기판 등 의 기판 을 탑재 하 여 , 양 전극 사이 에 전력 을 인가 한다 . 양 전극 사이 의 전계 에 의해서 가속 된 전자 , 전극 으로부터 방출 된 전자 , 또는 가열 된 전자 가 처리 가스 의 분자 와 전리 충돌 을 일으켜 , 처리 가스 의 플 라즈 마가 발생 한다 . 플 라즈 마 중 의 래디컬 이나 이온 과 같 은 활성 종 은 기판 표면 에 원하 는 미세 가공 , 예 를 들 면 에칭 가공 을 수행 한다 . 최근 , 미세 전자 소자 등 의 제조 에서 의 디자인 룰 이 점점 미세 화 되 고 , 특히 플 라즈 마 에칭 에서 는 더욱 높 은 치수 정밀도 가 요구 되 고 있 어서 , 종래 보다 도 현격히 높 은 전력 이 이용 되 고 있 다 . 이러 한 플 라즈 마 처리 장치 에 는 플 라즈 마 에 영향 을 받 는 에지 링 , 포커스 링 , 샤워 헤드 등 의 부품 들 이 내장 되 어 있 다 .