일부 실시 예 들 에 있 어서 , 상기 코발트 화합물 은 상기 기판 ( 100 ) 상 에 균일 하 게 화학 흡착 되 고 , 화학 흡착 된 상기 코발트 화합물 중 금속 배선 에 화학 흡착 된 코발트 화합물 이 선호 적 으로 ( preferentially ) 환원성 가스 와 반응 함 으로써 상기 금속 배선 상 에 코발트 금속 층 이 선택 적 으로 형성 될 수 있 다 . 하지만 본 발명 이 이러 한 특정 메커니즘 이나 특정 이론 에 한정 되 는 것 은 아니 다 .