또한 , 반도체 막 ( 42 ) 을 형성 하 기 전 에 , 성막 장치 의 반응 실 내벽 에 비정질 반도체 막 혹은 미결정 반도체 막 을 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 또한 , 반응 실 내벽 을 불소 플 라즈 마 등 으로 클리닝 한 후 , 반응 실 내벽 에 비정질 반도체 막 혹은 미결정 반도체 막 을 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 이러 한 처리 에 의하 여 , 반도체 막 ( 42 ) 혹은 미결정 반도체 막 ( 45 ) 을 형성 할 때 , 반응 실 의 내벽 의 성분 이나 클리닝 에 사용 한 불소 가 , 반도체 막 ( 42 ) 혹은 미결정 반도체 막 ( 45 ) 중 에 혼입 되 는 것 을 저감 할 수 있 다 .