적어도 하나 의 외부 디 스펜서 ( 418 ) 는 반도체 기판 ( 403 ) 상 에 화학 물질 , 가스 또는 세정액 을 공급 하 기 위해 밀 봉실 ( 410 ) 외부 에 배치 된다 . 프로세스 요건 에 따라 , 외부 디 스펜서 ( 418 ) 는 반도체 기판 ( 403 ) 상 에 IPA ( 이소프로필 알콜 ) 를 전달 하 는 데 이용 될 수 있 다 . 외부 디 스펜서 ( 418 ) 는 봉입 벽 ( 405 ) 이 아래 로 이동 하 도록 구동 된 후 에 밀 봉실 ( 410 ) 내외 로 출입 한다 . 울트라 또는 메 가 음파 장치 ( 419 ) 는 반도체 기판 ( 403 ) 을 세정 하 도록 울트라 또는 메 가 음파 세정 을 인가 하 기 위해 밀 봉실 ( 410 ) 외부 에 배치 된다 . 울트라 또는 메 가 음파 장치 ( 419 ) 는 봉입 벽 ( 405 ) 이 아래 로 이동 하 도록 구동 된 후 에 밀 봉실 ( 410 ) 내외 로 출입 한다 . 챔버 ( 401 ) 의 하부 벽 ( 4013 ) 은 밀 봉실 ( 410 ) 외부 에 또 다른 배출 구멍 ( 420 ) 및 또 다른 드레 인 구멍 ( 421 ) 을 형성 한다 .