우선 , 절연 표면 을 갖 는 기판 ( 400 ) 위 에 도전 막 을 형성 한 후 , 제 1 포토 리소그래피 공정 에 의해 도전 막 위 에 레지스 트 마스크 를 형성 하 고 , 선택 적 으로 에칭 을 행하 여 게이트 전극 ( 401 ) 을 형성 한 후 , 레지스 트 마스크 를 제거 한다 . 또한 , 레지스 트 마스크 를 잉크젯 법 으로 형성 해도 좋 다 . 레지스 트 마스크 를 잉크젯 법 으로 형성 하 면 포토 마스크 를 사용 하 지 않 기 때문 에 , 제조 비용 을 저감 시킬 수 있 다 .