다음 으로 , 상기 제 1 , 2 반도체 층 ( 110 , 115 ) 상 의 기판 ( 100 ) 전면 에 걸쳐 게이트 절 연막 ( 120 ) 이 형성 되 어 있 고 , 상기 게이트 절 연막 ( 120 ) 상 에 는 게이트 라인 ( 125 n , 125 n - 1 ) 이 형성 되 어 있 고 , 상기 게이트 라인 ( 125 n ) 과 연결 되 어 상기 제 1 반도체 층 ( 110 ) 의 채널 영역 ( 110 b ) 과 대응 되 는 영역 에 는 제 1 게이트 전극 ( 130 a ) 과 제 2 게이트 전극 ( 130 b ) 으로 이루어진 듀얼 게이트 전극 ( 130 ) 이 형성 되 어 있 다 .