상기 구조 를 도 11 ( b ) 에 보인 본 발명 의 일 실시 형태 에 따른 마이크 로 가스 센서 소자 의 다이 ( die ) 를 나타낸 개략 적 인 단면도 와 비교 하 면 , 본 발명 에서 는 기판 앞면 에서 실리콘 을 건식 식각 하 여 부양 구조 를 형성 하 므로 실리콘 의 결정 방향 에 따른 차지 폭 ( Wp ) 과 기판 두께 ( St ) 에 의한 영향 이 없이 임의 형상 의 부양 구조 를 제작 하 는 장점 이 있 다 .