제 1 처 리조 ( 110 ) 에서 는 반도체 기판 이 처리 된다 . 적용 될 수 있 는 처리 공정 은 이 에 제한 되 는 것 은 아니 지만 , 예컨대 , 식각 공정 또는 세정 공정 일 수 있 다 . 보다 구체 적 으로 는 식각 액 또는 세정액 과 같 은 제 1 처리 액 ( 115 ) 을 이용 하 여 진행 되 는 습식 식각 공정 또는 습식 세정 공정 일 수 있 다 . 여기 서 , 습식 식각 공정 또는 습식 세정 공정 이 이루어지 는 제 1 처 리조 ( 110 ) 는 복수 개 가 설치 될 수 있 는데 , 복수 개 의 처 리조 는 예컨대 , 일렬 로 설치 될 수 도 있 고 , 클러스터 방식 으로 설치 될 수 도 있 다 . 복수 개 의 처 리조 의 배치 형태 에 관해서 는 어떠 한 제한 도 두 지 않 는다 .