상기 소스 전극 ( 208 ) , 드레 인 전극 ( 209 ) , 공통 전극 ( 207 ) 및 활성 층 패턴 의 형성 단계 는 , 1 개 의 회절 마스크 를 사용 한 사진 식각 기술 을 이용 하 여 포 토리 지스 트 를 패 터닝 하 고 , 상기 사진 식각 기술 로 패 터닝 된 포 토리 지스 트 를 마스크 로 소스 전극 ( 208 ) , 드레 인 전극 ( 209 ) 및 공통 전극 ( 207 ) 을 형성 하 는 도전 층 과 상기 도전 층 하부 의 반도체 층 ( 203 , 204 ) 을 식각 하 고 , 상기 식각 단계 후 에 포 토리 지스 트 를 부분 에 싱 ( partial ashing ) 하 고 , 상기 부분 에 싱 ( partial ashing ) 후 남 아 있 는 포 토리 지스 트 패턴 을 마스크 로 반도체 층 ( 203 , 204 ) 의 일부 영역 위 에 형성 된 소스 전극 ( 208 ) 및 드레 인 전극 ( 209 ) 을 형성 하 는 도전 층 을 식각 하 여 이루어진다 .