더욱이 , 종래 의 경우 드라이 에칭 ( dry etching ) 에 의해 게이트 절 연막 ( 120 ) 이 상기 액티브 층 ( 122 ) 하부 로 언더 컷 ( under cut ) 형태 가 되 는 바 , 상기 언더 컷 ( under cut ) 부분 이 더욱 단차 를 높이 며 , 단차 부 의 측면 이 더욱 얇 게 형성 됨 으로써 상기 언더 컷 ( under cut ) 발생 부분 에서 의 그 상부 로 증착 되 어 형성 되 는 보호 층 에 도 동일 한 형태 로 언더 컷 ( under cut ) 형태 를 가지 며 형성 되 고 최종 적 으로 는 상기 보호 층 상부 로 형성 되 는 투명 도전 성 물질 층 의 끊김 이 발생 하 지만 , 본 발명 의 경우 , 상기 액티브 층 ( 122 ) 에 대해 그 하부 에 위치 한 게이트 절 연막 ( 120 ) 의 언더 컷 ( under cut ) 이 발생 하 지 않 으며 , 또한 노출 된 액티브 층 ( 122 ) 상부 에 는 드레 인 전극 ( 136 ) 및 오 믹 콘 택 층 ( 126 ) 이 형성 되 지 않 으므로 상기 노출 된 액티브 층 ( 122 ) 끝단 이 상기 게이트 절 연막 ( 120 ) 과 이루 는 제 2 단차 부 ( SA 2 ) 의 높이 가 높 지 않 게 되 며 , 더욱이 상기 노출 된 액티브 층 ( 122 ) 하부 에 도 언더 컷 ( under cut ) 이 발생 하 지 않 게 됨 으로써 추후 그 상부 로 형성 되 는 보호 층 과 그 상부 로 형성 되 는 투명 도전 성 물질 층 의 끊김 은 발생 하 지 않 게 된다 .