본 발명 의 제 2 관점 에 따르 면 , 비휘발성 반도체 메모리 장치 의 전하 축적 층 으로서 이용 되 는 질화규소 막 으로서 , 실리콘 의 미드 갭 에 상당 하 는 에너지 위치 에서 의 트랩 의 부피 밀도 가 막 의 두께 방향 으로 1 × 1017 ~ 5 × 1017 ㎝- 3 eV - 1 의 범위 내 에서 분포 되 어 있 는 것 을 특징 으로 하 는 질화규소 막 이 제공 된다 .