또한 , 도 18 b 에 도시 하 는 바 와 같이 , 다이오드 ( 314 ) 의 게이트 전극 은 , 공통 선 ( 256 ) 으로 형성 되 고 , 공통 선 은 256 은 , 도전 막 ( 221 ) 을 개재 하 여 다이오드 ( 314 ) 의 , 도너 가 되 는 불순물 원소 를 포함 하 는 미결정 반도체 막 ( 258 b ) , 제 1 버퍼 층 ( 262 b ) , 및 제 2 버퍼 층 ( 242 b ) 에 접속 된다 . 또한 , 다이오드 ( 314 ) 의 신호선 ( 271 a 내지 271 c ) 은 , 소스 영역 또는 드레 인 영역 ( 263 b ) 에 접한다 . 여기 에서 는 , 공통 선 ( 256 ) 은 , 도전 막 ( 221 ) 을 개재 하 여 , 도너 가 되 는 불순물 원소 가 첨가 되 지 않 은 비정질 반도체 막 으로 형성 되 는 제 1 버퍼 층 ( 262 b ) , 및 제 2 버퍼 층 ( 242 b ) , 및 저 농도 의 도너 가 되 는 불순물 원소 를 포함 하 는 미결정 반도체 막 ( 258 b ) 과 접하 기 위해서 , 쇼트 키 접합 하 고 있 다 .