도 27 의 단면도 ( 2700 ) 에 의해 예시 된 바 와 같이 , 제 1 더미 캐 핑 층 ( 2304 ) , 더미 라이너 층 ( 304 ) 을 통해 그리고 더미 게이트 스택 ( 166 ) 안 으로 에칭 이 수행 될 수 있 다 . 이 에칭 은 하나 이상 의 등방성 에칭 프로세스 ( 들 ) 를 포함 할 수 있 다 . 포토레지스트 마스크 ( 2601 ) 는 로직 영역 ( 104 l ) 및 로직 영역 ( 104 l ) 의 측 부 상 의 경계 영역 ( 104 b ) 의 일부 에 의 에칭 을 제한 할 수 있 다 . 에칭 은 도 21 의 단면도 ( 2100 ) 로부터 도 22 의 단면도 ( 2200 ) 로 의 전환 에 의해 예시 된 평탄 화 프로세스 후 에 남 은 만큼 많 은 층 의 제어 게이트 하드 마스크 ( 708 ) 를 통해 진행 된다 . 에칭 은 아이 솔 레 이 션 구조물 ( 106 ) 위 에 측벽 ( 2704 ) 을 생성 한다 . 일부 실시 예 에서 , 측벽 ( 2704 ) 은 하부 질화물 층 및 질화물 층 위 의 산화물 층 을 포함 한다 . 도 27 의 단면도 ( 2700 ) 에 의해 예시 된 예 에서 , 하부 질화물 층 은 제어 게이트 하드 마스크 ( 708 ) 의 제 1 질화물 층 ( 708 l ) 이 고 , 그 질화물 층 위 의 산화물 층 은 산화물 층 ( 708 m ) 이 다 . 일부 실시 예 에서 , 측벽 ( 2704 ) 은 산화물 층 ( 708 m ) 을 통한 에칭 후 에 형성 된 제 1 질화물 층 ( 708 l ) 및 산화물 라이너 층 을 포함 한다 . 측벽 ( 2704 ) 은 제 1 질화물 층 ( 708 l ) 및 산화물 층 ( 708 m ) 에 인접 하 거나 또는 그 자리 에 추가 의 유전체 배리 어 층 을 가질 수 있 다 . 유전체 층 은 하드 마스크 층 , 에칭 정지 층 , 라이너 층 등 일 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 이 들 층 은 100 옹스트롬 내지 1000 옹스트롬 범위 의 두께 를 갖 는다 . 측벽 ( 2704 ) 을 형성 하 는 에칭 후 에 , 포토레지스트 마스크 ( 2601 ) 가 제거 될 수 있 다 . 다른 포토레지스트 마스크 와 같이 , 포토레지스트 마스크 ( 2601 ) 는 전체 노광 및 현상 , 에칭 , 애 싱 또는 임의 의 다른 적합 한 제거 프로세스 ( 들 ) 에 의해 제거 될 수 있 다 .