본 발명 의 다른 표현 에서 , 정상 - 상태 가스 플로우 로 실리콘 웨이퍼 에 피 쳐 들 을 에칭 하 는 방법 이 제공 된다 . 웨이퍼 가 플 라즈 마 프로세싱 챔버 로 로딩 된다 . SF 6 , SiF 4 , HBr , 및 O 2 로 구성 된 정상 - 상태 가스 플로우 가 제공 된다 . 정상 - 상태 가스 플로우 로부터 플 라즈 마가 형성 된다 . 정상 - 상태 가스 플로우 로부터 형성 된 플 라즈 마로 실리콘 웨이퍼 가 에칭 된다 . 플 라즈 마 프로세싱 챔버 로부터 웨이퍼 가 제거 된다 .