n - 타입 FET 에 대하 여 , 추가 의 캡 소스 / 드레 인 에피 텍 셜 층 ( 110 ) 의 격자 상수 는 캡 소스 / 드레 인 에피 텍 셜 층 ( 109 ) 의 격자 상수 보다 더 크 다 . 일부 실시 예 에서 , 캡 소스 / 드레 인 에피 텍 셜 층 ( 109 ) 이 Si 일 때 , 추가 의 캡 소스 / 드레 인 에피 텍 셜 층 ( 110 ) 은 SiGe , Ge , Sn 및 GeSn 중 의 하나 이상 을 포함 한다 . 일부 실시 예 에서 , 캡 소스 / 드레 인 에피 텍 셜 층 ( 109 ) 이 SiGe 일 때 , 추가 의 캡 소스 / 드레 인 에피 텍 셜 층 ( 110 ) 은 캡 소스 / 드레 인 에피 텍 셜 층 ( 109 ) 보다 더 높 은 Ge 함량 을 갖 는 SiGe , Ge 및 GeSn 중 의 하나 이상 을 포함 한다 . 일부 실시 예 에서 , 캡 소스 / 드레 인 에피 텍 셜 층 ( 109 ) 이 Ge 일 때 , 추가 의 캡 소스 / 드레 인 에피 텍 셜 층 ( 110 ) 은 GeSn 을 포함 한다 .