이어서 , 이 와 같 은 박막 형성 장치 에 의해 실시 되 는 박막 형성 공정 에 대하 여 설명 한다 . 우선 , 복수 의 기판 ( 100 ) 을 보 지 한 보트 ( 102 ) 를 성막 실 ( 101 ) 내 에 반입 한다 . 그리고 , 가 열 원 ( 104 ) 에 의해 기판 ( 100 ) 의 표면 을 소정 의 온도 까지 가열 한다 . 그 후 , 성막 실 ( 101 ) 내 를 배기 라인 ( 108 ) 에 의해 배기 하 면서 , 처리 가스 공급 라인 ( 105 ) 에 의해 처리 가스 를 성막 실 ( 101 ) 내 에 공급 하 고 , CVD ( Chemical 　 Vapor 　 Deposition ) 반응 에 의해 기판 ( 100 ) 상 에 박막 을 형성 한다 . 이 때 , 배기 라인 ( 108 ) 에 설치 된 압력 조정 밸브 ( 106 ) 에 의해 , 성막 실 ( 101 ) 내 의 압력 을 일정 한 압력 으로 유지 하 도록 조정 한다 . 기판 ( 100 ) 상 에 소정 의 막 두께 의 박막 이 형성 되 면 , 처리 가스 공급 라인 ( 105 ) 으로부터 의 처리 가스 의 공급 을 중단 한다 . 그리고 , 박막 형성 후 의 기판 ( 100 ) 을 소정 의 온도 까지 강온 시키 고 나 서 , 보트 ( 102 ) 를 성막 실 ( 101 ) 외부 로 반출 한다 .