일부 구체 예 에서 , 본 발명 의 폴리 싱 조성물 은 500 Å / 분 보다 높 은 , 또는 더욱 바람직 하 게 , 1000 Å / 분 보다 높 은 , 또는 가장 바람직 하 게 , 1500 Å / 분 보다 높 은 제거 율 로 원소 규소 를 포함 하 는 막 을 폴리 싱하 기 위해 사용 될 수 있 다 . 일부 구체 예 에서 , 원소 규소 를 포함 하 는 막 의 제거율 은 1000 Å / 분 보다 높 으며 , 산화 규소 제거율 은 50 Å / 분 미만 이 다 . 일부 구체 예 에서 , 원소 규소 를 포함 하 는 막 의 제거율 은 1000 Å / 분 보다 높 으며 , 산화 규소 제거율 은 500 Å / 분 보다 높 다 .