표면 에 구리 ( Cu ) 전극 층 이 형성 되 어 있 는 PI 기판 상 에 10 ㎚ 두께 를 갖 는 그래핀 산화물 박막 을 형성 한 다음 , 제논 램프 를 통하 여 극 단파 백색광 을 그래 핀 산화물 박막 에 조사 하 여 , 그래핀 산화물 박막 을 광소 결하 였 다 . 이때 , 조사 되 는 극 단파 백색 과 의 펄스 수 는 1 회 , 펄스 폭 은 10 ms , 조사 에너지 는 4 J / ㎠ 로 제어 하 였 다 . 이 를 통해 , 그래핀 산화물 박막 을 그래 핀 반도체 박막 으로 변환 시켰 다 . 그 다음 , 그래핀 반도체 박막 상 에 은 ( Ag ) 전극 층 을 형성 하 여 , 메모리 소자 를 제작 하 였으며 , 그 특성 을 평가 한 결과 를 도 12 에 나타내 었 다 .