고 ( Koh ) 에 의하 면 , 폴리 실리콘 게이트 전극 과 소스 / 드레 인 영역 이 형성 된 반도체 기판 상 에 금속 막 을 형성 한다 . 상기 반도체 기판 을 열처리 하 여 상기 게이트 전극 및 상기 소스 / 드레 인 영역 의 실리콘 과 상기 금속 막 을 반응 시켜 , 금속 실리사이드 를 형성 한다 . 상기 금속 실리사이드 의 형성 으로 상기 게이트 전극 의 전기 적 저항 이 감소 될 수 있 다 . 또한 상기 소스 / 드레 인 영역 의 접촉 저항 ( Contact Resistance ) 을 줄일 수 있 게 된다 .