도 5 b 를 참조 하 면 , 제 1 하드 마스크 패턴 ( 180 ) 을 이용 한 부분 식각 공정 으로 활성 영역 ( 120 ) 을 소정 깊이 식각 하 여 리세 스 영역 ( 170 a ) 을 형성 한다 . 이때 , 식각 공정 은 건식 식각 공정 을 이용 하 는 것 이 바람직 하 다 . 식각 깊이 ( H ) 는 100 ~ 800 Å 의 깊이 로 식각 하 는 것 이 바람직 하 다 . 이 와 같이 형성 될 리세 스 영역 ( 170 a ) 에 의해서 게이트 예정 영역 의 활성 영역 ( 120 ) 은 상대 적 으로 볼록 한 모양 이 되 므로 , 본 발명 에서 는 이 를 철 ( 凸 ) 부 ( 170 ) 라 한다 .