도 2 및 도 3 을 참조 하 면 , 상기 제 1 전극 층 ( 160 ) 의 사각형 패턴 에 는 내부 또는 / 및 외부 로 분기 되 는 서브 패턴 ( 161 ) 이 형성 되 며 , 상기 서브 패턴 ( 161 ) 의 끝단 에 는 제 1 전극 ( 162 ) 이 형성 되 며 , 제 1 전극 ( 162 ) 중 적어도 하나 는 제 1 패드 ( 165 ) 로 이용 된다 . 이러 한 제 1 전극 ( 162 ) 및 제 1 패드 ( 165 ) 는 제 2 전극 층 ( 170 ) 의 패턴 과 중첩 되 지 않 는 영역 에 배치 되 는 데 예컨대 , 사각형 격자 패턴 의 중심부 에 각각 배치 될 수 있 다 .