각각 의 메모리 블록 ( MB ) 에 포함 된 메모리 셀 들 은 도 2 에 도시 된 바 와 같이 낸드 ( NAND ) 스트링 구조 를 가질 수 있 고 , 노어 ( NOR ) 구조 ( 미 도시 됨 ) 를 가질 수 있 다 . 설명 을 간단히 하 기 위해 , 본 발명 에서 는 NAND 스트링 구조 를 가지 는 차지 트랩 형 플래시 메모리 가 예시 적 으로 설명 될 것 이 다 .