실시 예 에 의하 면 , 상기 리세 스 ( M ) 에 의하 여 노출 된 상기 제 1 도전 형 반도체 층 ( 111 ) 위 에 상기 제 1 전극 ( 141 ) 이 형성 될 수 있 다 . 상기 제 1 전극 ( 141 ) 은 예 를 들 어 선 형상 으로 형성 될 수 있 다 . 또한 , 상기 제 1 전극 ( 141 ) 은 선 형상 의 다른 영역 에 비해 상대 적 으로 면적 이 넓 은 N 영역 을 포함 할 수 있 다 . 상기 제 1 전극 ( 141 ) 의 N 영역 은 추후 형성 될 제 1 본딩 패드 ( 171 ) 와 전기 적 으로 연결 될 수 있 다 .