예 를 들 어 , 특정 실시 형태 에 있 어서 , 프로그램 전압 은 제 1 MTJ ( 310 ) 의 터널 산화물 이 브레이크 다운 되게 하 여 , 제 1 MTJ ( 310 ) 의 영구 적 인 저 저항 상태 를 발생 시킬 수 도 있 다 . 특정 실시 형태 에 있 어서 , 터널 산화물 은 마그네슘 산화물 배리 어 층 일 수 도 있 고 , 프로그램 전압 은 대략 1 . 3 볼트 보다 클 수 도 있 다 . 제 1 MTJ ( 310 ) 의 터널 산화물 이 브레이크 다운 된 후 , 제 1 MTJ ( 310 ) 의 영구 적 인 단저 항 또는 저 저항 상태 가 생성 된다 . 예 를 들 어 , 일단 블로우 되 면 , 블로우 된 제 1 MTJ ( 310 ) 의 저항 은 대략 250 옴 일 수 도 있 다 . 제 2 MTJ ( 314 ) 의 고유 의 미 - 블로우 된 상태 는 더 높 은 저항 , 예 를 들 어 , 2500 옴 일 수 도 있 다 . 특정 실시 형태 에 있 어서 , 제 1 MTJ ( 310 ; 예 를 들 어 , 블로우 됨 ) 의 상태 는 제 2 MTJ ( 314 ; 예 를 들 어 , 미 - 블로우 됨 ) 의 상태 에 상보 적 으로 유지 될 수 도 있 다 . 비트 셀 ( 302 ) 의 감지 는 , 비가역 상태 가 별도 의 레퍼런스 전압 없이 제 1 MTJ ( 310 ) 에서 판독 된 값 을 제 2 MTJ ( 314 ) 에서 판독 된 값 과 비교 함 으로써 ( 예 를 들 어 , 비트 라인 들 의 쌍 ( 332 ) 에서 의 신호 를 비교 함 으로써 ) 감지 될 수 있 다는 점 에 있 어서 자체 - 레퍼런스 된다 .