도 2 b 에 도시 된 바 와 같이 , Cu CMP 및 세정 공정 후 발생 된 구리 레시 듀 를 제거 하 기 위해 SiH 4 또는 NH 3 가스 를 아르곤 리모트 플 라즈 마 ( Ar remote plasma ) 에 의해 분해 시켜 H + 상태 로 만들 어 준 후 이 를 웨이퍼 표면 ( 즉 , 구리 레시 듀 가 발생 된 절연 층 표면 ) 과 반응 시킨다 . 즉 , 리모트 플 라즈 마 를 이용 하 여 H + 를 절연 층 ( 22 ) 표면 에 반응 시킴 으로써 절연 층 ( 22 ) 표면 의 결합력 을 약화 시킨다 .