다음 에 도 3 을 참조 하 면 , 하드 마스크 막 패턴 ( 410 ) 형성 을 위한 포토레지스트 막 패턴 을 통상 의 방법 을 사용 하 여 제거 한다 . 그리고 하드 마스크 막 패턴 ( 410 ) 을 식각 마스크 로 한 식각 으로 반도체 기판 ( 400 ) 을 일정 깊이 로 식각 하 여 소자 분리 용 트랜 치 ( 402 ) 를 형성 한다 . 경우 에 따라서 포토레지스트 막 패턴 의 제거 는 소자 분리 용 트랜 치 ( 402 ) 형성 후 에 이루어질 수 도 있 다 . 다음 에 트랜 치 ( 402 ) 측벽 에 측벽 산화 막 ( 420 ) 을 형성 하 고 , 측벽 산화 막 ( 420 ) 이 형성 된 결과물 전면 에 라이너 질화 막 ( 430 ) 을 형성 한다 . 다음 에 트랜 치 ( 402 ) 가 매립 되 도록 전면 에 매립 절 연막 ( 440 ) 을 형성 한다 . 이 매립 절 연막 ( 440 ) 은 도핑 되 지 않 은 실리콘 글라스 ( NSG : Non - doped Silicon Glass ) 산화 막 으로 형성 할 수 있 다 .