도 17 의 단면도 ( 1700 ) 에 의해 또한 예시 된 바 와 같이 , 메모리 유전체 층 ( 1502 ) , 및 메모리 , 로직 , 및 경계 영역 ( 104 m , 104 l , 104 b ) 에서 의 다른 구조물 을 덮 는 선택 게이트 층 ( 1504 ) 이 형성 될 수 있 다 . 선택 게이트 층 ( 1504 ) 은 도핑 된 폴리 실리콘 , 금속 , 또는 또 다른 적합 한 전도성 재료 ( 들 ) 로 형성 될 수 있 고 , CVD , PVD , 또는 또 다른 적합 한 퇴적 프로세스 ( 들 ) 에 의해 형성 될 수 있 다 . 도 17 의 단면도 ( 1700 ) 는 또한 , 선택 게이트 층 ( 1504 ) 위 에 형성 된 메모리 반사 방지 코팅 ( ARC ; antireflective coating ) ( 1506 ) 을 예시 한다 . 메모리 ARC ( 1506 ) 는 평면 이 거나 실질 적 으로 평면 인 상부 표면 을 갖 도록 형성 될 수 있 다 . 메모리 ARC ( 1506 ) 는 예 를 들 어 , 액상 ARC 코팅 이 웨이퍼 표면 상 에 있 는 동안 반도체 기판 ( 104 ) 의 웨이퍼 가 그 의 중심 을 중심 으로 스핀 되 는 스핀 온 프로세스 를 통해 , 퇴적 될 수 있 다 . 그 의 유동 성 때문 에 , 액상 ARC 코팅 은 평평 한 표면 을 발전 시키 는 경향 이 있 다 . 액상 ARC 코팅 이 스핀 온 된 후 에 , 메모리 ARC ( 1506 ) 를 경화 시키 도록 베 이킹 단계 가 수행 될 수 있 다 .