이 들 트랜지스터 의 반도체 층 은 단결정 반도체 층 으로 이루어지 고 , 광센서 ( 22 ) 의 광전 변환 층 도 단결정 반도체 층 으로 이루어진다 . 이것 에 의해 , 다 결정 실리콘 등 으로 제조 된 소자 와 비교 하 여 , 소자 에 따른 특성 의 편차 가 상당히 억제 되 므로 , 광센서 ( 22 ) 에 의해 고 정밀 한 위치 검출 이 가능 하 게 된다 . 또한 각 화소 ( 21 ) 에서 의 휘도 의 편차 도 억제 되 므로 , 신뢰 성 이 높 은 입력 장치 ( 10 ) 를 제공 할 수 있 다 .