도 14 의 프로세스 ( 310 ) 를 참조 하 면 , 돌출 반도체 핀 ( 126 ')( 제 1 유형 핀 ) 은 돌출 반도체 핀 ( 126 ') 을 에칭 하 는 에칭 화학 물 을 사용 하 여 시닝 되 고 , 반면 에 돌출 반도체 핀 ( 226 ') 의 에칭 률 ( etching rate ) 은 낮 다 . 에칭 중 에 , 양 돌출 반도체 핀 ( 126 ', 226 ')( 도 11 ) 은 에칭 화학 물 에 노출 된다 . 이 에 따라 , 돌출 반도체 핀 ( 226 ') 의 에칭 률 에 대한 돌출 반도체 핀 ( 126 ') 의 에칭 률 의 비인 제 1 에칭 선택도 는 반도체 핀 ( 226 ') 의 에칭 을 최소 화 되 게 유지 하 기 위해 가능 한 한 높 은 것 이 바람직 하 다 . 예 를 들 어 , 제 1 에칭 선택도 는 약 5 초과 일 수 도 있 고 , 약 5 내지 20 ( 또는 그 초과 ) 의 범위 일 수 도 있 다 .