상기 도전 성 나노 입자 는 2 . 0 m 2 / g 내지 10 . 0 m 2 / g , 바람직 하 게 는 3 . 0 m 2 / g 내지 9 . 0 m 2 / g 의 비표 면적 을 가질 수 있 다 . 한편 , 상기 도전 성 나노 입자 는 10 nm 내지 100 nm , 바람직 하 게 는 20 nm 내지 90 nm 의 평균 입경 을 가질 수 있 다 . 상기 도전 성 나노 입자 의 비표 면적 이 2 . 0 m 2 / g 미만 또는 평균 입경 이 100 nm 를 초과 하 는 경우 , 상기 게이트 전극 , 상기 제 1 배선 , 상기 소스 및 드레 인 전극 및 / 또는 상기 제 2 배선 의 직선 성 이 불량 해 지 고 , 저항 이 증가 할 수 있 다 . 이 와 는 반대 로 , 상기 도전 성 나노 입자 의 비표 면적 이 10 . 0 m 2 / g 을 초과 하 거나 , 평균 입경 이 10 nm 미만 인 경우 , 이 를 포함 하 는 상기 게이트 전극 , 상기 제 1 배선 , 상기 소스 및 드레 인 전극 및 / 또는 상기 제 2 배선 에 충분 한 도전 성 을 부여 할 수 없 을 수 있 다 .