도 9 a 및 도 10 a 에 도시 된 바 와 같이 , 기판 ( 201 ) 상 에 제 1 금속 물질 을 증착 하 여 제 1 금속 층 ( 미 도시 ) 을 형성 하 고 제 1 마스크 공정 에 의해 상기 제 1 금속 층 ( 미 도시 ) 을 패 터닝 함 으로써 , 상기 기판 ( 201 ) 상 에 제 1 방향 으로 연장 되 는 게이트 배선 ( 미 도시 ) 과 , 상기 게이트 배선 ( 미 도시 ) 에서 연장 되 는 게이트 전극 ( 212 ) 과 , 상기 게이트 배선 ( 미 도시 ) 및 상기 게이트 전극 ( 212 ) 으로부터 플로팅 되 며 비 표시 영역 ( NDA ) 에 위치 하 는 그라운드 배선 ( 214 ) 을 형성 한다 . 도시 하 지 않 았 으나 , 상기 게이트 배선 ( 미 도시 ) 의 일 끝 에 는 게이트 패드 가 형성 된다 . 상기 제 1 금속 물질 은 저 저항 특성 을 갖 는 금속 물질 예 를 들 면 구리 ( Cu ) , 구리 합금 , 알루미늄 ( Al ) , 알루미늄 합금 ( AlNd ) , 몰리브덴 ( Mo ) 중 어느 하나 로 이루어진다 .