반도체 물질 들 을 함유 하 는 방사선원 은 예 를 들 어 발광 다이오드 ( LED ) 또는 레이저 다이오드 이 다 . 동일 한 또는 상이 한 제 1 파장 에서 방출 작용 을 하 는 다수 의 발광 다이오드 및 / 또는 레이저 다이오드 도 방사선원 으로서 사용 될 수 있 다 . 상기 제 1 방사선 의 스펙트럼 은 제 1 파장 으로서 표기 된다 . 상기 제 1 파장 은 스펙트럼 의 가시 범위 ( 420 내지 780 nm 파장 ) 안 에 , 특히 청색 스펙트럼 범위 안 에 , UV - 범위 안 에 ( 420 nm 미만 ) 그리고 IR - 범위 ( 780 nm 초과 ) 안 에 놓일 수 있 다 . 상기 제 1 방사선 은 특히 600 nm 미만 의 파장 최대치 를 가질 수 있 다 . 상기 반도체 물질 들 은 이 반도체 물질 들 이 적어도 부분 적 으로 전자 발광 특성 을 가질 수 있 다면 본 발명 에 한정 되 지 않 는다 . 예 를 들 어 인듐 , 갈륨 , 알루미늄 , 질소 , 인 , 비소 , 산소 , 규소 , 탄소 또는 이 들 의 조합 들 로부터 선택 될 수 있 는 원소 들 로 이루어진 화합물 , 예 를 들 어 인듐 - 갈륨 - 질화물 ( InGaN ) 또는 인듐 - 갈륨 - 알루미늄 - 인화물 ( InGaAlP ) 이 사용 된다 . 다른 원소 들 또는 첨가물 들 도 사용 될 수 있 다 .