제 3 식각 공정 은 도 2 b 의 공정 과 마찬가지 로 유전체 막 혼 ( 108 a ) 과 제 1 폴리 실리콘 막 ( 104 ) 을 동시 에 식각 하 기 위한 공정 으로 , CH 4 가스 를 이용 하 여 옥사이드 ( Oxide ) 와 폴리 ( Poly ) 에 대한 식각 율 이 1 : 1 이 되 도록 하 는 레서피 ( Recipe ) 를 사용 하 여 약 100 내지 300 Å 을 식각 하 여 유전체 막 혼 ( 108 a ) 이 소량 잔류 되 도록 한다 .