추가 적 인 적절 한 구성 에 따르 면 , 전류 경로 를 분리 하 기 위한 스위칭 디바이스 의 동작 에서 , 인덕턴스 들 에 저장 된 에너지 의 제거 까지 , 스위칭 모듈 또는 스위칭 모듈 들 의 커패시터 ( 들 ) 양단 에서 전압 이 미리 정의 된 상한 임계 값 에 도달 하 는 해당 스위칭 모듈 또는 스위칭 모듈 들 의 제어 가능 반도체 스위칭 엘리먼트 가 전 도 상태 로 스위칭 되 는 것 이 제공 된다 . 스위칭 디바이스 가 차단 상태 로 스위칭 됨 에 따라 , 소정 의 시점 에 , 적어도 하나 의 스위칭 모듈 이 차단 상태 로 스위칭 된다 . 다시 말 해서 , 관련 스위칭 모듈 의 제어 가능 반도체 스위칭 엘리먼트 가 차단 상태 로 스위칭 된다 . 이 에 따라서 , 이 스위칭 모듈 에서 의 전류 는 RC 엘리먼트 의 병렬 경로 를 통해서 만 계속 흐를 수 있 다 . 그 결과 , 전압 이 미리 정의 된 상한 임계 값 에 도달 할 때 까지 , RC 엘리먼트 의 커패시터 는 충전 되 기 만 할 것 이 다 . 그 후 , 이 스위칭 모듈 의 제어 가능 반도체 스위칭 엘리먼트 는 전 도 상태 로 다시 스위칭 ( switch ) 하 고 , 따라서 커패시터 는 직렬 - 연결 된 저항기 를 통해 방전 될 수 있 다 .