상기 제 2 도전 형 전도 층 ( 70 ) 은 화학 기상 증착 ( CVD ) 특히 , PECVD 등 에 의해 형 성 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 상기 제 2 도전 형 전도 층 ( 70 ) 은 실란 가스 ( SiH 4 ) 에 BH 3 또는 B 2 H 6 가스 를 혼합 하 여 100 ~ 400 ℃ 의 온도 에서 PECVD 에 의해 50 ~ 5 , 000 Å 의 두께 의 비정질 실리콘 으로 형성 될 수 있 다 .