제 1 전극 ( 1502 ) 의 표면 이 아래쪽 을 향하 도록 제 1 전극 ( 1502 ) 을 갖 는 기판 을 진공 증착 장치 내 에 마련 한 기판 홀더 에 고정 시키 고 , 약 10 - 4 Pa 로 감압 시켰 다 . 이어서 , 제 1 전극 ( 1502 ) 상 에 4 , 4 '- 비스 [ N -( 1 - 나프 틸 ) - N - 페닐 아미노 ] 비페닐 ( 약칭 : NPB ) 과 산화 몰리브덴 ( VI ) 을 공 증착 시킴 으로써 , 정공 주입 층 인 제 1 층 ( 1511 ) 을 형성 하 였 다 . 증착 속도 를 조절 하 여 , 정공 주입 층 인 제 1 층 의 두께 가 50 nm 가 될 수 있 게 하 고 NPB 대 산화 몰리브덴 ( VI ) 의 중량 비 는 4 : 1 ( = NPB : 산화 몰리브덴 ) 이 될 수 있 게 하 였 다 . 공 증착 법 은 하나 의 처리 챔버 내 에 복수 의 증착 원 을 동시 에 사용 하 여 증착 을 수행 하 는 증착 법 이 다 .