대한민국 등록 특허 공보 제 450485 호 에 는 이종기 판 상 에 저온 버퍼 층 을 형성 하 고 , 상기 저온 버퍼 층 위 에 고온 버퍼 층 을 형성 한 후 , 상기 고온 버퍼 층 위 에 다시 저 온 버퍼 층 및 고 온 버퍼 층 을 교번 으로 홀 수회 반복 적층 한 다음 , 최종 버퍼 층 상 에 GaN 후막 을 형성 함 으로써 GaN 후막 을 제조 하 여 이 를 GaN 에피 택 셜 성장 을 위한 기판 으로 사용 하 는 방법 이 개시 되 어 있 으나 , 제조 공정 이 매우 복잡 하 다는 문제점 이 있 었 다 .