또한 , 본 발명 은 반도체 소자 를 준비 하 는 단계 ; 준비 된 반도체 소자 를 테스트 트레이 에 로딩 한 후 테스트 트레이 를 회 전부 에서 수직 상태 로 회전 하 는 단계 ; 상기 테스트 트레이 를 회 전부 에서 제 1 챔버 로 이송 한 후 상기 제 1 챔버 내 에서 상기 테 스 트 트레이 에 고온 또는 저온 의 극한 상태 를 부여 하 는 단계 ; 상기 테스트 트레이 를 제 1 챔버 에서 테스트 챔버 로 이송 하 는 단계 ; 상기 테스트 챔버 내 에서 상기 테스트 트레이 에 로딩 된 반도체 소자 에 대한 테스트 를 수행 하 는 단계 ; 상기 테스트 트레이 를 상기 테스트 챔버 에서 제 2 챔버 로 이송 하 는 단계 ; 상기 테스트 트레이 를 상기 제 2 챔버 내 에서 상온 상태 로 복귀 시키 는 단계 ; 및 상기 테스트 트레이 를 제 2 챔버 에서 회 전부 로 이송 한 후 수직 상태 의 테스트 트레이 를 수평 상태 로 회전 하 는 단계 를 포함 하 여 이루어지 며 , 이때 , 상기 테스트 트레이 를 제 1 챔버 에서 테스트 챔버 로 이송 하 는 단계 및 상기 테스트 트레이 를 테스트 챔버 에서 제 2 챔버 로 이송 하 는 단계 는 , 전술 한 제 1 이송기 구 및 제 2 이송 기구 를 포함 하 는 테스트 트레이 이송 장치 를 이용 하 여 동시 에 수행 하 는 것 을 특징 으로 하 는 반도체 소자 의 제조 방법 을 제공 한다 .