본 형태 는 실시 형태 1 과 다른 제조 공정 을 도 19 에 도시 한다 . 도 19 에 있 어서 , ( A ) 보호막 ( 120 ) 을 형성 하 여 수소 의 클러스터 이온 을 주입 하 여 손상 층 ( 121 ) 을 형성 하 고 , ( B ) 보호막 ( 120 ) 을 제거 하 여 제 1 전극 ( 103 ) 을 형성 한다 . 그리고 , ( C ) 제 1 전극 ( 103 ) 을 통해서 한 도전 형 의 불순물 을 첨가 하 여 제 1 불순물 반도체 층 ( 107 ) 을 형성 한다 . 제 1 전극 ( 103 ) 을 통해서 제 1 불순물 반도체 층 ( 107 ) 을 형성 함 으로써 , 제 1 불순물 반도체 층 ( 107 ) 의 두께 를 제어 하 는 것 이 용이 해진다 .