프로세스 챔버 ( 100 ) 를 열 고 X - Y 스테이지 에 기판 ( 190 ) 을 위치 시키 고 , 온도 제어 시스템 ( 130 ) 에 의해 제어 된 N 2 를 제 1 가스 공급 부 ( 120 ) 로부터 제 1 가스 공급 관 ( 125 ) 을 통해 보조 가스 탱크 ( 150 ) 의 게이트 밸브 ( 157 ) 를 열 어 가스 탱크 ( 110 ) 로 공급 하 고 , 상기 가스 탱크 ( 110 ) 에서 셋 팅 된 가스 를 가스 방출 부 ( 112 ) 를 통해 상기 기판 ( 190 ) 으로 분출 한다 . 이때 , 상기 고온 의 N 2 를 이용 하 여 상기 기판 ( 190 ) 을 가열 하 여 탈수소 공정 이 선행 될 수 있 고 , 이 후 레이저 장치 ( 140 ) 에서 발생 한 레이저 빔 ( 145 ) 을 씰 링 윈도우 ( 114 ) 를 거쳐 가스 방출 부 ( 112 ) 를 통해 상기 기판 ( 190 ) 에 조사 하 여 결정화 를 진행 한다 . 이때 , 레이저 가 소정 의 반복 률 로 비정질 실리콘 박막 을 조사 하 게 되 고 , 비정질 실리콘 박막 은 연속 적 으로 이동 하 기 때문 에 비정질 실리콘 박막 의 전 구간 에 걸쳐 레이저 가 연속 적 으로 조사 된다 . 상기 레이저 결정 화 장비 는 N 2 를 상기 기판 ( 190 ) 에 분출 함 과 동시 에 레이저 ( 145 ) 를 조사 함 으로써 탈수소 화 공정 과 결정 화 공정 을 동시 에 진행 할 수 있 다 .