실시 예 에서 , 레벨 센서 는 입자 후방 산란 유형 을 포함 한다 . 레벨 센서 는 헬륨 이온 , 양성자 , X - 선 또는 감마선 , 전자 및 중성자 중 적어도 하나 와 같 은 입자 소스 를 포함 할 수 있 다 . 소스 는 시준 된 소스 를 포함 할 수 있 다 . 입자 는 저 장소 ( 5 c ) 를 복수 의 수직 좌표 위치 로 입사 시키 거나 시간 에 따라 복수 의 수직 위치 에 걸쳐 주사 될 수 있 다 . 레벨 이하 에 비해 용융 금속 레벨 위 의 수직 위치 에서 저 장소 에 입사 할 때 입자 가 강도 변화 에 따라 후방 산란 될 수 있 으며 , 세기 변화 는 입자 및 그 에너지 에 따라 증가 또는 감소 할 수 있 다 . X - 선 은 은과 같 은 용융 금속 에 의해 흡수 되 어 , 저 장소 벽 으로부터 의 후방 산란 이 개입 된 용융 금속 으로 인해 감소 될 수 있 다 . 결과 적 으로 , 후방 산란 된 X - 선 의 세기 는 X - 선 이 레벨 아래 의 수직 좌표 위치 에서 그 곳 에 저장 될 때 감소 할 수 있 다 . X - 선 의 에너지 는 저 장소 벽 에서 의 감쇠 와 비교 하 여 은과 같 은 용융 금속 에서 높 은 감쇠 를 갖 도록 선택 될 수 있 다 . X - 선 에너지 는 단지 전자 에지 , 전자 쉘 의 결합 에너지 위 의 에너지 에 있 도록 선택 될 수 있 다 . X - 선 소스 는 방사성 동위 원소 또는 X - 선 발생기 를 포함 할 수 있 다 . 실시 예 에서 , 후방 산란 된 X - 선 의 감소 는 레벨 을 식별 하 기 위한 수단 으로서 검출 되 며 , X - 선 에너지 는 후방 산란 된 신호 가 위 의 은의 열 이 없 는 것 에 비해서 레벨 이하 의 은 에 의해 크 게 감쇠 되 도록 선택 된다 . 높 은 흡수 에너지 는 은 K 에지 의 25 keV 에너지 와 같 은 에지 일 수 있 다 .