주파수 제어기 ( 50 ) 는 , 제 1 열전쌍 ( 51 ) 및 제 2 열전쌍 ( 52 ) 에서 검출 된 Tcent 및 Tedge 에 기초 하 여 , 플라스마 의 밀도 분포 가 최적 화 되 도록 , 마이크로파 발진기 ( 40 ) 에 명령 을 부여 하 고 , 마이크로파 발진기 ( 40 ) 로부터 의 마이크로파 의 발진 주파수 를 제어 한다 . 즉 , Tcent 및 Tedge 는 , 각각 챔버 ( 1 ) 내 의 마이크로파 투 과판 ( 28 ) 하면 의 중앙부 및 에 지부 의 온도 와 상관 이 있 고 , 또한 마이크로파 의 발진 주파수 를 변동 시킴 으로써 슬롯 안테나 ( 31 ) 로부터 방사 하 는 전계 의 분포 를 조작 하 여 , 플라스마 밀도 분포 를 제어 할 수 있 으므로 , 플라스마 밀도 분포 를 고정 밀도 로 제어 할 수 있 다 .