여기 서 , 고농도 n 형 불순물 영역 으로 된 상기 액티브 영역 ( 110 ) 및 PID ( 120 ) 주변 에 LDD ( lightly doped drain ) 형태 의 접합 영역 을 구축 할 수 있 도록 그 주변 에 저 농도 n 형 불순물 영역 ( 105 ) 이 형성 되 어 있 다 . 바람직 하 게 는 , 저 농도 n 형 불순물 영역 ( 105 ) 은 액티브 영역 ( 110 ) 및 PID ( 120 ) 형성 전 에 저 농도 n 형 불순물 을 먼저 주입 하 여 형성 한 후 , 저 농도 n 형 불순물 영역 ( 105 ) 에 고농도 n 형 불순물 을 주입 하 여 액티브 영역 ( 110 ) 및 PID ( 120 ) 를 형성 할 수 있 다 .