제 1 기판 은 복수 의 게이트 라인 과 , 게이트 절 연막 을 사이 에 두 고 게이트 라인 과 교차 하 게 형성 되 어 화소 영역 을 정의 한 복수 의 데이터 라인 과 , 게이트 라인 과 데이터 라인 이 교차 하 는 부분 에 형성 된 박막 트랜지스터 와 , 각 화소 영역 에 형성 되 어 박막 트랜지스터 와 접속 된 화소 전극 으로 구성 된다 . 이 를 박막 트랜지스터 어레이 기판 이 라 한다 .