세차 운동 스핀 전류 MTJ 구조 ( 300 ) 를 갖 는 메모리 셀 이 도 5 에 도시 된다 . 도 5 에 도시 된 실시 예 뿐 만 아니 라 , 본원 에서 설명 된 모든 실시 예 들 은 , 바람직 하 게 는 자기 디바이스 를 위한 실리콘 기판 또는 다른 적절 한 베이스 상 에 형성 되 고 , 그 위 에 제조 된 CMOS ( complementary metal oxide semiconductor ) 회로 를 포함 할 수 있 다 . MTJ 구조 ( 300 ) 는 위 에 증착 된 층 들 에서 원 하 는 결정 성장 을 개시 하 기 위해 스택 ( 300 ) 의 바닥 에 제공 된 하나 이상 의 시드 층 들 ( 320 ) 을 포함 한다 . 제 1 합성 반강자성 ( synthetic antiferromagnetic ; SAF ) 층 ( 322 ) 은 시드 층 ( 320 ) 위 에 배치 된다 . 도 5 에 또한 도시 된 바 와 같이 , 제 1 SAF 층 ( 322 ) 은 그 의 평면 에 수직 인 자화 방향 을 갖 는 자기 층 이 다 . 제 1 SAF 층 ( 322 ) 의 구조 의 세부 사항 들 은 아래 에서 논의 될 것 이 다 . 반강자성 ( anti - ferromagnetic ; AFM ) 커플링 층 ( 324 ) 이 제 1 SAF 층 ( 322 ) 위 에 배치 된다 . AFM 커플링 층 ( 324 ) 은 비 자기 층 이 다 . 제 2 SAF 층 ( 326 ) 은 AFM 커플링 층 ( 324 ) 위 에 배치 된다 . 도 5 에 도시 된 바 와 같이 , 제 2 SAF 층 ( 326 ) 은 그 의 평면 에 수직 인 자기 방향 을 갖 는다 . 일 실시 예 에서 , 제 1 SAF 층 ( 322 ) 및 제 2 SAF 층 ( 326 ) 의 자기 방향 은 도 5 에 도시 된 바 와 같이 반평행 이 다 . 제 2 SAF 층 ( 326 ) 의 구조 의 세부 사항 들 이 또한 아래 에서 논의 될 것 이 다 . 강자성 커플링 층 ( 328 ) 은 제 2 SAF 층 ( 326 ) 위 에 배치 된다 . 강자성 커플링 층 ( 328 ) 은 비 자기 층 이 다 . MTJ ( 330 ) 는 강자성 커플링 층 ( 328 ) 위 에 증착 된다 . MTJ ( 330 ) 는 기준 층 ( 332 ) , 터널 링 장벽 층 ( 즉 , 절연체 ) ( 334 ) 및 자유 층 ( 336 ) 을 포함 한다 . MTJ ( 330 ) 의 기준 층 ( 332 ) 은 강자성 커플링 층 ( 328 ) 위 에 제조 된다 . MTJ ( 330 ) 의 터널 링 장벽 층 ( 334 ) 은 기준 층 ( 332 ) 위 에 제조 된다 . MTJ ( 330 ) 의 자유 층 ( 336 ) 은 터널 링 장벽 층 ( 334 ) 위 에 제조 된다 . 또한 , 합성 반강자성 층 ( 326 ) 은 기술 적 으로 강자성 커플링 층 ( 328 ) 및 기준 층 ( 332 ) 을 포함 하 지만 , 설명 의 목적 으로 여기 서 별개 로 도시 된다는 것 에 주의 한다 .