이상 과 같 은 본 발명 의 반도체 장치 의 제조 방법 이 면 , 반도체 봉지 용 기재 가 부착 된 봉 지재 를 이용 하 여 소자 탑 재면 을 일괄 봉지 함 으로써 , 기재 의 보강 효과 에 의해 매우 강도 가 높 은 성형물 을 얻 을 수 있 다 . 따라서 , 봉지 수지 층 측 에 지지 기판 을 접합 하 는 일 없이 , 배선 층 과 접착 된 기판 의 제거 및 배선 층 상 으로 의 단자 ( 전극 ) 의 형성 을 행할 수 있 다 . 즉 , 본 발명 이 면 , 종래 법 에 있 어서 별도 행할 필요 가 있 었 던 지지 기판 의 접합 공정 및 지지 기판 의 제거 공정 을 생략 할 수 있 다 . 또한 , 본 발명 의 반도체 장치 의 제조 방법 에서 는 , 반도체 봉지 용 기재 가 부착 된 봉 지재 의 기재 에 의해 반도체 장치 의 휨 을 억제 할 수 있 으므로 , 봉지 수지 층 의 물 성 의 자유도 를 높일 수 있 다 . 이 에 따라 , 언더 필 와 소자 탑 재면 의 일괄 봉지 를 동시 에 행하 는 , 몰드 언더 필 이 가능 해진다 . 즉 , 본 발명 이 면 , 종래 법 에 있 어서 별도 행할 필요 가 있 었 던 언더 필 공정 을 생략 할 수 있 다 . 이 와 같이 , 본 발명 의 반도체 장치 의 제조 방법 이 면 , 보이드 등 의 봉지 결함 이나 휨 을 발생 시키 는 일 없이 , 반도체 장치 , 특히 팬 아웃 형 웨이퍼 레벨 패키지 의 제조 에 있 어서 필요 했었 던 몇 가지 의 공정 을 생략 ( 단축 ) 하 여 , 제조 비용 의 저감 이나 수율 의 향상 을 달성 할 수 있 다 .