상기 기술 적 과제 를 달성 하 기 위하 여 본 발명 에 따른 반도체 메모리 소자 의 캐 패 시터 형성 방법 은 , 반도체 기판 상 에 층간 절 연막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 층간 절 연막 을 관통 하 여 상기 반도체 기판 과 접속 된 컨 택 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 컨 택 이 형성 된 반도체 기판 상 에 , 상기 컨 택 을 포함 하 는 영역 을 노출 시키 는 몰드 절 연막 패턴 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 몰드 절 연막 패턴 이 형성 된 반도체 기판 상 에 제 1 도 전막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 몰드 절 연막 패턴 의 상측 모서리 에 오버행 ( overhang ) 되 도록 제 2 도 전막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 제 1 및 제 2 도 전막 을 식각 하 여 셀 단위 로 분리 된 스토리지 전극 을 형성 하 는 단계 , 및 상기 스토리지 전극 상 에 유전체 막 및 플레이트 전극 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .