소오 스 전극 ( SE ) 을 갖 는 데이터 라인 ( DL ) 및 드레 인 전극 ( DE ) 이 형성 된 후 , 데이터 라인 ( DL ) 및 드레 인 전극 ( DE ) 을 덮 는 보호막 이 절 연막 상 에 형성 된다 . 보호막 은 화학 기상 증착 공정 에 의하 여 형성 될 수 있 고 , 보호막 으로 사용 될 수 있 는 물질 의 예 로서 는 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물 일 수 있 다 .