도 2 e 및 2 f 를 참조 하 면 , 전체 구조물 상부 에 하부 게이트 도전 층 ( 250 ) 을 형성 하 여 게이트 절 연막 ( 240 ) 을 포함 한 리세 스 채널 구조 ( 230 ) 를 매립 한다 . 다음 으로 , 하부 게이트 도전 층 ( 250 ) 상부 에 감광막 ( 미 도시 ) 을 형성 한 후 , 피 모스 ( PMOS ) 영역 을 노출 하 는 마스크 ( 미 도시 ) 로 감광막 을 노광 및 현상 하 여 감광막 패턴 ( 252 ) 을 형성 한다 . 이후 , 전체 구조물 에 피 모스 ( PMOS ) 형성 을 위한 이온 주입 공정 ( 254 ) 을 수행 한다 .