우선 , 단계 S 200 에서 상술 한 바 와 같 은 1 차 및 2 차 양극 산화 처리 방법 으로 형성 된 제 2 다공성 산화 피막 이 형성 된 알루미나 템플 릿 을 준비 한다 . 단계 S 210 에서 상기 알루미나 템플 릿 의 제 2 다공성 산화 피막 위 에 PMMA 용액 을 소정 의 두께 로 , 예 를 들 어 스핀 코팅 방법 을 사용 하 여 도포 한다 . 상기 제 2 다공성 산화 피막 상 에 도포 되 는 PMMA 막 은 상기 제 2 다공성 산화 피막 을 지지 하 기 위한 배 킹 레이 어 ( backing layer ) 의 기능 을 수행 하 게 되 며 , 상기 제 2 다공성 산화 피막 과 함께 합성 몰드 를 형성 하 게 된다 . 따라서 , 상기 PMMA 막 을 형성 하 는 경우 도포 된 PMMA 의 일부 가 상기 제 2 다공성 산화 피막 의 나노 포어 내 로 스며들 지 않 도록 하 여야 한다 . 그 후 , 단계 S 220 에서 상기 알루미나 템플 릿 의 활성 층 인 알루미늄 기판 을 제거 하 고 나 면 , 제 2 다공성 산화 피막 상 에 남 아 있 는 나노 포어 가 제 2 다공성 산화 피막 의 상하 면 을 거의 관통 하 는 다수 의 홀 의 형태 ( 상기 제 2 다공성 산화 피막 에 는 양극 산화 에 의한 얇 은 배리어 층 이 남 아 있 음 ) 로 존재 하 게 되 는 나노 포어 구조 의 합성 몰드 를 얻 게 된다 .