예 를 들 어 , 비교 예 에서 는 , 단일 의 구동 트랜지스터 를 구성 하 고 , 상기 구동 트랜지스터 의 게이트 절 연막 및 활성 층 패턴 의 두께 를 나머지 트랜지스터 들 의 게이트 절 연막 및 활성 층 패턴 들 의 두께 ( 일 예 로 , 각각 제 2 두께 ( t 2 ) 및 제 4 두께 ( t 4 ) ) 와 동일 하 게 형성 하 였 다고 가정 하 기 로 한다 . 이러 한 비교 예 에 따른 제 1 트랜지스터 ( T 1 ) 는 , 게이트 - 소스 간 전압 ( Vgs ) 이 변화 될 때 , 본 발명 의 실시 예 에 의한 제 1 트랜지스터 ( T 1 ) 와 비교 하 여 보다 큰 폭 으로 드레 인 전류 ( Ids ) 가 변화 된다 . 반면 , 본 발명 의 실시 예 에 의한 제 1 트랜지스터 ( T 1 ) 는 , 게이트 - 소스 간 전압 ( Vgs ) 에 따른 드레 인 전류 ( Ids ) 의 변화 폭 이 상대 적 으로 미세 해진다 . 따라서 , 본 발명 의 실시 예 에 따르 면 , 특정 범위 의 드레 인 전류 ( Ids ) 에 대응 하 는 제 1 구동 트랜지스터 ( T 1 ) 의 동작 전압 의 범위 , 즉 제 1 구동 트랜지스터 ( T 1 ) 의 구동 범위 를 확장 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 소정 범위 의 드레 인 전류 ( Ids ) 에 대하 여 , 비교 예 에 의한 구동 트랜지스터 가 기존 구동 범위 ( DR _ old ) 를 가진다고 할 때 , 본 발명 에 의한 제 1 트랜지스터 ( T 1 ) 는 상기 기존 구동 범위 ( DR _ old ) 보다 넓 은 , 개선 된 구동 범위 ( DR _ new ) 를 가질 수 있 다 .