단계 ( S 3 ) 에서 , 플라 즈 마 처리 된 막 은 표 2 에 나타낸 조건 하 에서 도 2 에 도시 된 단계 ( S 3 ) 와 실질 적 으로 유사 한 방식 으로 TS - SiO 를 달성 하 기 위해 습식 식각 을 거친다 . 단계 ( S 2 ) 에 의해 , 불순물 은 막 의 수평 부분 ( 즉 , 막 의 상부 / 하부 부분 ) 으로 선택 적 으로 포함 되 고 , 막 의 수평 부분 은 이온 충돌 에 더욱 약해 지 고 내 화학 성 을 감소 시킨다 . 플 라즈 마 처리 된 막 을 습식 식각 함 으로써 , 막 의 수직 부분 보다 더 많 은 불순물 을 함유 하 는 막 의 수평 부분 ( 즉 , 막 의 상부 / 하부 부분 ) 은 주로 식각 되 거나 제거 되 어 , 측벽 이 두꺼운 프로 파일 을 형성 한다 .