하부 소스 레벨 반도체 층 ( 112 ) 및 상부 소스 레벨 재료 층 ( 116 ) 은 도핑 된 폴리 실리콘 또는 도핑 된 비정질 실리콘 과 같 은 도핑 된 반도체 재료 를 포함 할 수 있 다 . 하부 소스 레벨 반도체 층 ( 112 ) 및 상부 소스 레벨 반도체 층 ( 116 ) 의 전도성 유형 은 , 후속 적 으로 형성 될 수직 반도체 채널 들 의 전도 성 과 반대 일 수 있 다 . 예 를 들 어 , 후속 적 으로 형성 될 수직 반도체 채널 들 이 제 1 전도성 유형 의 도핑 을 갖 는 경우 , 하부 소스 레벨 반도체 층 ( 112 ) 및 상부 소스 레벨 반도체 층 ( 116 ) 은 제 1 전도성 유형 과 반대 인 제 2 전도성 유형 의 도핑 을 갖 는다 . 하부 소스 레벨 반도체 층 ( 112 ) 및 상부 소스 레벨 반도체 층 ( 116 ) 각각 의 두께 는 10 nm 내지 300 nm , 예컨대 20 nm 내지 150 nm 범위 내 에 있 을 수 있 지만 , 더 작 은 두께 및 더 큰 두께 가 또한 사용 될 수 있 다 .