이 와 같이 구성 되 는 본 실시 예 에 따른 코 일부 ( 110 ) 는 , 제 2 배선 ( 132 ) 을 구성 하 는 한 쌍 의 환형 배선 들 ( 132 a , 132 b ) 사이 에서 발생 하 는 커패시턴스 ( Capacitance ) 를 활용 해 자기장 을 생성 시켜 자속 을 집중 시킨다 . 따라서 , 제 1 환형 배선 ( 132 a ) 과 제 2 환형 배선 ( 132 b ) 은 상호 간 에 커패시턴스 ( Capacitance ) 가 용이 하 게 발생 될 수 있 도록 매우 인접 하 게 배치 된다 .