도 4 는 자율 최적화 회로 ( 200 ) 의 초기 정착 의 플롯 ( 800 ) 이 다 . 플롯 ( 800 ) 은 수직 축 ( 806 ) 으로 나타내 며 볼트 로 표현 된 전압 대 수평 축 ( 804 ) 상 에 나타내 며 마이크 로 초로 표현 된 시간 을 도시 한다 . 전하 펌프 ( 202 ) 가 예 를 들 어 , - 3 . 4 V 로 이미 정착 되 었 을 때 , 자율 최적화 회로 ( 200 ) 의 초기 정착 은 초기 조건 들 없이 시뮬레이션 되 었 다 . 시뮬레이션 은 작 은 ( 대략 100 fF ) 국부 웰 커패시턴스 , 1 메가헤르츠 ( ㎒) 의 GBWP ( Gain - Bandwidth Product ) 에 의한 60 ㏈ OTA 이득 을 가정 하 여 수행 되 었 고 , 그 다음 에 LDO 의 구동 스테이지 가 이어지 며 , 우수 한 안정 성 을 보여 주 었 다 . 그러나 큰 회로 아래 의 더 큰 웰 이 동일 한 루프 에서 닫혔 다면 , 모든 파형 들 에 대한 링 잉 이 악화 될 수 있 다 . 실제로 , 도 4 에 도시 된 안정 성 테스트 결과 들 은 이온 타격 후 자율 최적화 회로 ( 200 ) 의 복구 를 모방 하 는 데 사용 될 수 있 다 . 결과 들 이 도 4 에 도시 된 시뮬레이션 에서 , FD - SOI 트랜지스터 ( 209 ) 아래 의 웰 은 최적화 중 인 디바이스 들 아래 의 웰 들 과 분리 되 는데 , 이 는 BOX 를 넘 어서 깔때기 효과 들 에 의해 증대 된 더 큰 전하 수집 영역 은 SOI 절연 이득 을 부분 적 으로 무효 화 할 수 있 기 때문 이 다 . 일반 적 으로 , 이온 타격 들 은 여전히 LDO 조절기 ( 221 ) 에 영향 을 줄 것 이 지만 , 적어도 루프 의 안정 성 에 대해서 는 더 적 은 영향 을 가져 , 긴 지속 기간 의 링 잉 을 야기 하 지 않 을 것 이 다 .