상술 한 방법 으로 형성 되 는 상변화 메모리 장치 에 포함 된 상변화 물질 은 320 ℃ 내지 350 ℃ 에서 휘발 하 는 특성 을 가지 고 있 기 때문 에 상기 상변화 물질 막 패턴 을 형성 하 기 위해 적용 되 는 식각 마스크 와 상기 캡 핑 막 은 상술 한 온도 보다 낮 은 온도 에서 형성 되 어야 한다 . 또한 , 상기 캡 핑 막 이후 의 공정 진행 온도 도 400 ℃ 이하 에서 이루어져야 한다 .