이때 , 패 터닝 된 고분자 물질 ( 120 ) 이 제거 됨 으로써 , 고분자 물질 상 에 방사 된 금속 나노 와이어 가 함께 제거 된다 . 따라서 최종 적 으로 , 고분자 물질 ( 120 ) 을 패 터닝 하 는 단계 ( S 100 ) 에서 패 터닝 된 구조 에 따라서 , 고분자 물질 ( 120 ) 이 프린팅 되 지 않 은 영역 에 금속 나노 와이어 로 형성 된 투명 전극 ( 140 ) 이 형성 되 게 된다 .