이러 한 문제점 을 해결 하 기 위해 , 확장 게이트 ( Extended Gate , EG ) 트랜지스터 를 이용 하 여 기존 의 감지 부와 측 정부 를 분리 한 분리 형 센서 가 제안 되 었 다 . 분리 형 센서 는 측 정부 와 감 지부 가 분리 되 어 위치 함 에 따라 감 지부 가 검사 대상 물질 인 용액 에 의해 손상 되 어도 , 상대 적 으로 공정 이 복잡 한 측 정부 를 재 사용 할 수 있 다 . 따라서 , 생리 물질 을 포함 한 용액 에 취약 한 기존 ISFET 소자 의 단점 을 극복 할 수 있 었 다 . ( 특허 문헌 1 및 특허 문헌 2 )