상기 표면 소수 화 막내 의 유황 원자 , 인 원자 및 질소 원자 의 전체 농도 가 , 상기 절연 막내 의 유황 원자 , 인 원자 및 질소 원자 의 전체 농도 보다 큰 것 , 상기 표면 소수 화 막 이 , 상기 절 연막 에 대한 손상 부여 를 수반 하 는 처리 후 에 설치 된 것 인 것 , 상기 표면 소수 화 막내 의 유황 원자 , 인 원자 및 질소 원자 의 전체 농도 가 원자 조성 으로 1 ～ 10 원자 % 의 범위 에 있 는 것 , 상기 표면 소수 화 막이 SiO 골격 을 갖 는 것 , 상기 표면 소수 화 막 의 평균 막 두께 가 0 . 1 ㎚～ 50 ㎚ 의 범위 에 있 는 것 , 상기 절 연막 이 비유전율 2 . 7 이하 의 저 유전율 절 연막 인 것 , 특히 비유전율 2 . 5 이하 의 저 유전율 절 연막 인 것 이 바람직 하 다 .