그러나 , 배경 기술 로 는 , 높 은 이동도 를 나타내 는 다결정 SiGe 막 을 저온 에서 형성 하 는 것 이 곤란 하 다 . 이 때문 에 , 연화 온도 가 낮 은 염가 의 글래스 기판 위 에 소자 를 형성 하 는 것 이 곤란 하 게 된다 . 이 문제 를 해결 하 기 위해서 , 레이저 어닐링 을 적용 하 는 방법 도 있 다 . 그러나 ， 이 경우 , 레이저 어닐링 공정 이 증가 하 여 프로 세스 코스트 가 높 아 진다고 하 는 결점 이 있 다 . 또한 , 레이저 의 메인 터 넌 스에 코스트 가 든다고 하 는 결점 도 있 다 .