먼저 , 실리콘 과 같 은 반도체 기판 ( W ) 상 에 는 , 화학 기상 증착 법 ( CVD ) 에 의해 게이트 - 전극 - 재료 막 으로서 폴리 실리콘 막 ( 1 ) 이 형성 되 고 , 폴리 실리콘 막 ( 1 ) 위 에 는 , CVD 에 의해 제 1 절 연막 으로서 실리콘 산화 막 ( SiO 2 ) ( 2 ) 이 형성 된다 . 이어서 , 실리콘 산화 막 ( 2 ) 상 에 는 , CVD 를 이용 하 여 실리콘 을 함유 한 제 1 실리콘 함 유막 으로서 실리콘 질화 막 ( SiN ) ( 3 ) 이 형성 된다 . 제 1 실리콘 함유 막 은 실리콘 질화 막 ( 3 ) 에 국한 되 지 않 으며 , 실리콘 을 함유 한 재료 에 의해 형성 될 수 있 다 .