도 1 d 를 참조 하 면 , 제 2 하드 마스크 막 ( 112 ) 및 보호막 ( 110 ) 을 제거 한다 . 제 1 하드 마스크 막 ( 108 ) 을 사용 한 제 2 식각 공정 을 실시 하 여 제 1 도 전막 ( 104 ) 의 하부 를 식각 하 고 게이트 절 연막 ( 102 ) 을 제거 하 여 반도체 기판 ( 100 ) 의 일부 가 노출 되 도록 한다 .