도 2 e 를 참조 하 면 , 공지 의 포 토리 소그라 피 공정 에 따라 반사 방지 막 ( 28 ) 상 에 상부 전극 형성 영역 을 가리 는 감광막 패턴 ( 도시 안 됨 ) 을 형성 한 다음 , 상기 감광막 패턴 을 식각 마스크 로 이용 해 그 아래 의 반사 방지 막 을 식각 한 후 , 상부 전극 용 도전 막 을 식각 하 여 상부 전극 ( 27 a ) 을 형성 하 고 , 연이 어 , 절 연막 을 식각 한 후 , 하부 전극 용 도전 막 을 식각 하 여 하부 전극 ( 24 a ) 을 형성 하 여 상변환 셀 ( 30 ) 을 구성 한다 .