도 1 ( a ) 를 참조 하 면 , 전구 구조물 ( 10 ) 이 개략 적 인 횡단면 도로 도시 된다 . 구조물 ( 10 ) 은 제 1 기판 ( 12 ) 을 포함 한다 . 기판 ( 12 ) 은 전면 , 즉 소자 표면 ( 14 ) 과 , 후면 ( 16 ) 과 , 최 외 변 부 ( outermost edge ) ( 18 ) 를 가진다 . 기판 ( 12 ) 은 임의 의 형태 를 가질 수 있 지만 , 통상 적 으로 원 의 형태 를 가질 것 이 다 . 바람직 한 제 1 기판 ( 12 ) 은 소자 웨이퍼 , 가령 , 집 적 회로 , MEMS , 마이크 로 센서 , 전력 반도체 , 발광 다이오드 , 광자 회로 , 인터 포저 , 내장 형 수동 소자 , 및 실리콘 및 그 밖 의 다른 반도체 물질 , 가령 , 실리콘 - 게르마늄 , 갈륨 비소 , 및 갈륨 니트 라이드 로 제조 된 그 밖 의 다른 마이크 로 소자 로 구성 된 군 중 에서 선택 된 소자 들 의 어레이 ( 도면 에 도시 되 지 않 음 ) 를 포함 하 는 소자 표면 을 갖 는 소자 웨이퍼 를 포함 한다 . 이 들 소자 의 표면 은 이하 의 물질 중 하나 이상 으로부터 형성 된 구조물 ( 도면 에 도시 되 지 않 음 ) 을 포함 하 는 것 이 일반 적 이 다 : 실리콘 , 폴리 실리콘 , 실리콘 디 옥사이드 , 실리콘 ( 옥시 ) 니트 라이드 , 금속 ( 가령 , 구리 , 알루미늄 , 금 , 텅스텐 , 탄탈럼 ) , 로우 k 유전체 ( low k dielectric ) , 폴리머 유전체 , 및 다양 한 금속 니트 라이드 및 실리사이드 . 소자 표면 ( 14 ) 은 또한 , 솔 더 범프 , 금속 포스트 ( metal post ) , 금속 필러 ( metal pillar ) , 및 실리콘 , 폴리 실리콘 , 실리콘 디 옥사이드 , 실리콘 ( 옥시 ) 니트 라이드 , 금속 , 로우 k 유전체 , 폴리머 유전체 , 금속 니트 라이드 , 및 금속 실리사이드 로 구성 된 군 중 에서 선택 된 물질 로부터 형성 된 구조물 로 구성 된 군 중 에서 선택 된 적어도 하나 의 구조물 을 포함 할 수 있 다 .