본 실시 예 에서 , 지지 유닛 ( 40 ) 은 소스 층 S 및 드레 인 층 D 둘 다의 아래 에 제공 되 면서 , 또한 지지 유닛 ( 40 ) 은 소스 층 S 및 드레 인 층 D 중 하나 의 바로 아래 에 제공 될 수 있 다 . 이 경우 에 , 지지 유닛 ( 40 ) 은 , 소스 층 S 및 드레 인 층 D 또는 벌크 기판 ( 10 ) 과 반대 의 도전 성 을 갖 는 반도체 로 형성 된다 . 이러 한 구성 으로 , 소스 와 기판 은 pn - 접합 에 의해 절연 될 수 있 고 , 드레 인과 기판 은 pn - 접합 에 의해 절연 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 소스 층 S 및 드레 인 층 D 이 n 형 반도체 이 고 , 또한 벌크 기판 ( 10 ) 이 p 형 반도체 이 면 , 지지 유닛 ( 40 ) 은 n 형 반도체 로 형성 될 수 있 다 . 따라서 , pn - 접합 은 소스 와 기판 사이 , 드레 인과 기판 사이 에 각각 형성 된다 . 그 결과 , 소스 는 기판 으로부터 절연 될 수 있 고 , 드레 인 은 기판 으로부터 절연 될 수 있 다 .