이 와 반대 로 , ITO 물질 을 증착 하 기 위해서 는 ITO 물질 로 이루어진 타 겟 ( 315 ) 을 상기 캐소드 ( 314 ) 상 에 부착 하 고 , 상기 플 라즈 마 영역 ( 320 ) 에서 200 G 의 작 은 자기장 세기 를 갖 도록 하 기 위해 상기 각 가이드 부재 ( 333 a , 333 b , 333 c ) 가 후방 으로 이동 하 게 됨 으로써 , 상기 각 마그넷 ( 336 a , 336 b , 336 c ) 이 상기 캐소드 ( 314 ) 로부터 멀 어 지 게 된다 . 이 에 따라 , 상기 플 라즈 마 영역 ( 320 ) 에서 의 자기장 세기 는 감소 하 게 되 고 , 상기 플 라즈 마 영역 ( 320 ) 에서 의 자기장 세기 가 200 G 가 되 는 경우 , 상기 각 가이드 부재 ( 333 a , 333 b , 333 c ) 의 이동 을 정지 시킨다 .