다음 에 , 도너 가 되 는 불순물 원소 를 포함 하 는 미결정 반도체 막 이 성막 된 기 판 을 , 화살 표시 a 2 로 도시 하 는 바 와 같이 , 공 통실 ( 423 ) 의 반송 기구 ( 426 ) 에 의해 대기실 ( 401 ) 에 반송 하 여 대기 한다 ( S 470 ) . 이 후 , 반응 실 ( 400 a ) 의 내벽 을 불소 라디칼 등 으로 클리닝 하 여 ( S 468 ) , 반응 실 ( 400 a ) 의 잔류 불순물 을 제거 한 후 , 반응 실 ( 400 a ) 의 내벽 에 비정질 반도체 막 을 코팅 한다 ( S 469 ) . 이 클리닝 및 코팅 에 의해 , 반응 실 ( 400 a ) 의 내벽 에 성막 된 도너 가 되 는 불순물 을 포함 하 는 미결정 반도체 막 의 성분 ( 인 ) 이나 반응 실 을 구성 하 는 금속 이 불순물 로서 , 후 에 형성 하 는 비정질 반도체 막 에 혼입 되 는 것 을 막 는 것 이 가능 하 다 . 이 때문 에 , 비정질 반도체 막 을 고저 항 영역 으로서 기능 시킬 수 있 다 . 다음 에 , 화살 표시 a 3 으로 도시 하 는 바 와 같이 , 공 통실 ( 423 ) 의 반송 기구 ( 426 ) 에 의해 반응 실 ( 400 a ) 에 반송 하 여 , 반응 실 ( 400 a ) 에서 , 제 1 버퍼 층 으로서 비정질 반도체 막 을 성막 한다 ( S 471 ) . 여기 에서 는 , 비정질 반도체 막 으로서 , 실란 과 , 수소 를 원료 가스 로서 사용 하 여 , 어모퍼스 실리콘 막 을 성막 한다 .