그 다음 , 제조 시스템 은 단계 ( S 730 ) 에서 도 10 과 같이 희생 막 ( 910 ) 을 포함 하 는 기판 ( 810 ) 상 에 일 방향 으로 적어도 하나 의 수직 스트링 ( 1010 ) 을 연장 형성 하 고 , 적어도 하나 의 수직 스트링 ( 1010 ) 에 대해 수직 적 으로 연결 되 도록 적층 되 는 복수 의 전극 층 들 ( 1020 ) 을 생성 한다 . 보다 상세 하 게 , 제조 시스템 은 채널 층 ( 1011 ) 과 채널 층 ( 1011 ) 을 둘러싸 는 전하 저장 층 ( 1012 ) 으로 구성 되 는 적어도 하나 의 수직 스트링 ( 1010 ) 을 기판 ( 810 ) 상 일 방향 으로 연장 형성 할 수 있 다 . 이 때 , 채널 층 ( 1011 ) 은 기판 ( 810 ) 을 시드 로 이용 하 는 선택 적 에피 택 셜 성장 공정 또는 상전 이 에피 택 셜 공정 등 을 통해 단결정 질 의 실리콘 ( Single crystal silicon ) 또는 다결정 실리콘 ( Poly - silicon ) 으로 형성 될 수 있 으며 , 전하 저장 층 ( 1012 ) 은 복수 의 전극 층 들 ( 1020 ) 을 통해 유입 되 는 전류 로부터 전하 를 저장 하 도록 예컨대 , ONO ( Oxide - Nitride - Oxide ) 의 구조 로 형성 될 수 있 다 .