근래 , 반도체 디바이스 기술 의 비약 적 인 진보 에 의한 반도체 디바이스 의 고집 적 화 가 현저 하 고 , 이 진보 에 따른 , 실리콘 웨이퍼 등 에 대한 품질 요구 도 보다 엄격 해 지 고 있 다 . 반도체 디바이스 의 제조 는 , 이 와 같 은 단결정 제조 공정 , 웨이퍼 가공 공정 을 거친 경면 연마 웨이퍼 를 이용 하 여 제조 되 고 있 다 . 디바이스 제조 공정 에서 는 , 레지스 트 패턴 을 형성 하 는 공정 이 , 통상 20 회 ~ 30 회 정도 행해진다 . 최근 에 는 , 반도체 집적회로 의 고집 적 화 · 고성 능화 가 점점 진행 되 고 있 으며 , 이것 에 따라 회로 패턴 이 일층 미세화 가 요구 되 고 있 다 . 이 진보 에 따라 , 디바이스 의 베이스 가 되 는 실리콘 웨이퍼 등 에 대한 품질 요구 도 보다 엄격 해 지 고 있 다 .