그런 다음 , 도 4 b 에 도시 한 바 와 같이 , 상기 제 3 하드 마스크 막 ( 201 ) 및 제 2 실리콘 기판 ( 200 ) 을 선택 적 으로 식각 하 여 , 상기 제 2 실리콘 기판 ( 200 ) 의 가장자리 일부분 에 제 3 트렌치 ( 202 ) 를 형성 함 과 동시 에 , 상기 제 3 트렌치 ( 202 ) 로부터 기판 ( 200 ) 의 내측 으로 소정 간격 이격 된 딥 비아 ( 203 ) 를 형성 한다 .