도 3 a 를 참조 하 면 , 반도체 기판 ( 100 ) 에 바 ( Bar ) 형 활성 영역 ( 120 ) 을 정의 하 는 하드 마스크 패턴 ( 140 , 145 ) 을 형성 한다 . 이때 , 하드 마스크 패턴 ( 140 , 145 ) 은 패드 산화 막 ( 140 ) 및 패드 질화 막 ( 145 ) 의 적층 구조 로 구비 되 며 , 피모 오스 ( PMOS ) 용 제 1 활성 영역 및 엔 모 오스 ( NMOS ) 용 제 2 활성 영역 을 동일 한 크기 로 각각 정의 한다 .