도 4 를 참조 하 면 , 포토레지스트 막 패턴 ( 도 3 의 140 ) 을 제거 한 후 , 제 2 게이트 도 전막 ( 150 ) 을 형성 한다 . 주변 회로 영역 의 제 1 영역 ( A ) 에 형성 된 제 2 게이트 도 전막 ( 150 ) 은 셀 영역 및 주변 회로 영역 의 제 2 영역 ( B ) 에 형성 된 제 2 게이트 도 전막 ( 150 ) 보다 상대 적 으로 낮 게 형성 된다 .