처리 속도 를 개선 할 수 있 는 이종 접합 바이 폴라 트랜지스터 및 그 제조 방법 을 개시 한다 . 개시 된 본 발명 의 이종 접합 바이 폴라 트랜지스터 는 반 절연 화합물 기판 , 상기 상기 화합물 기판 상 에 형성 되 는 서브 콜렉터 층 , 상기 서브 콜렉터 층 의 소정 부분 에 일정 간격 을 두 고 배치 되 는 한 쌍 의 콜렉터 전극 , 상기 콜렉터 전극 사이 에 배치 되 는 콜렉터 층 과 베이스 층 , 상기 베이스 층 의 소정 부분 에 일정 간격 을 두 고 배치 되 는 한 쌍 의 베이스 전극 , 상기 베이스 전극 사이 에 배치 되 는 다층 의 에 미터 층 , 및 상기 다층 의 에 미터 층상 에 형성 되 며 상기 다층 의 에 미터 층 보다 는 넓 은 선폭 을 갖 는 부분 을 포함 하 는 에 미터 전극 을 포함 하 며 , 상기 에 미터 전극 의 양측 벽부 는 상기 한 쌍 의 베이스 전극 의 내 측벽 각각 과 일치 하 며 , 상기 콜렉터 층 및 베이스 층 의 측벽 은 상기 한 쌍 의 베이스 전극 의 외측 벽 보다 안측 에 위치 한다 .