이어서 , 도 1 c 에 도시 된 바 와 같이 , EFH 조절 을 위한 식각 공정 ( 105 ) , 예컨대 건식 식각 공정 을 실시 하 여 소자 분리 막 ( 103 B ) 을 목표치 깊이 , 예컨대 550 Å 정도 의 깊이 로 후퇴 시켜 잔류 되 는 소자 분리 막 ( 103 B ) 의 두께 가 420 Å 정도 가 되 도록 후퇴 시킨다 . 이때 , 식각 공정 ( 105 ) 은 주변 회로 영역 은 덮 고 , 셀 영역 은 개방 된 구조 를 갖 는 식각 마스크 를 이용 하 여 선택 적 으로 셀 영역 에 형성 된 소자 분리 막 ( 103 B ) 에 대해 식각 공정 을 진행 한다 . 여기 서 , 주변 회로 영역 일 함 은 메모리 셀 을 구동 시키 기 위한 구동회 로 , 예컨대 디코더 ( decoder ) , 페이지 버퍼 ( page buffer ) 등 이 형성 될 영역 을 의미 한다 .