이어서 , 실리콘 기판 ( 21 ) 상 에 게이트 산화 막 ( 23 ) 을 10 ∼ 100 Å 두께 로 형성 한다 . 이때 , 게이트 산화 막 ( 23 ) 은 산화 공정 ( Oxidation ) 을 실시 하 여 형성 한다 . 여기 서 , 산화 공정 은 수증기 ( H 2 O ) 와 같 은 산화 기체 내 에서 실리콘 기판 ( 21 ) 을 900 내지 1000 ℃ 의 온도 에서 가열 하 는 습식 산화 ( Wet oxidation ) 방식 으로 실시 하 거나 , 순수 한 산소 를 산화 기체 로 사용 하 여 1200 ℃ 의 온도 에서 가열 하 는 건 식산 화 ( Dry oxidation ) 방식 으로 실시 한다 .