게이트 유전 막 ( 122 ) 은 실리콘 산화 막 , 실리콘 질화 막 , 실리콘 산 화질 화 막 , ONO ( oxide / nitride / oxide ) , 또는 실리콘 산화 막 보다 높 은 유전 상수 를 가지 는 고유 전막 ( high - k dielectric film ) 중 에서 선택 되 는 적어도 하나 로 이루어질 수 있 다 . 예 를 들 면 , 게이트 유전 막 ( 122 ) 은 약 10 내지 25 의 유전 상수 를 가질 수 있 다 . 일부 실시 예 들 에서 , 게이트 유전 막 ( 122 ) 은 하프늄 산화물 ( HfO ) , 하프늄 실리케이트 ( HfSiO ) , 하프늄 산화 질화물 ( HfON ) , 하프늄 실리콘 산화 질화물 ( HfSiON ) , 란타늄 산화물 ( LaO ) , 란타늄 알루미늄 산화물 ( LaAlO ) , 지르코늄 산화물 ( ZrO ) , 지르코늄 실리케이트 ( ZrSiO ) , 지르코늄 산화 질화물 ( ZrON ) , 지르코늄 실리콘 산화 질화물 ( ZrSiON ) , 탄 탈륨 산화물 ( TaO ) , 티타늄 산화물 ( TiO ) , 바륨 스트론튬 티타늄 산화물 ( BaSrTiO ) , 바륨 티타늄 산화물 ( BaTiO ) , 스트론튬 티타늄 산화물 ( SrTiO ) , 이트륨 산화물 ( YO ) , 알루미늄 산화물 ( AlO ) , 또는 납 스칸듐 탄 탈륨 산화물 ( PbScTaO ) 중 에서 선택 되 는 적어도 하나 의 물질 로 이루어진다 . 예 를 들 면 , 게이트 유전 막 ( 122 ) 은 HfO 2 , Al 2 O 3 , HfAlO 3 , Ta 2 O 3 , 또는 TiO 2 로 이루어질 수 있 다 .