도 1 ( C ) 에서 , 트랜지스터 ( 101 ) 는 , 절연 표면 을 갖 는 기판 ( 110 ) 위 에 , 제 1 게이트 전극 ( 111 ) 과 , 제 1 게이트 전극 ( 111 ) 위 의 절 연막 ( 112 ) 과 , 절 연막 ( 112 ) 을 사이 에 끼우 고 제 1 게이트 전극 ( 111 ) 과 중첩 하 는 활성 층 으로서 기능 하 는 산화물 반도체 막 ( 113 ) 과 , 산화물 반도체 막 ( 113 ) 위 의 소스 전극 ( 114 ) , 드레 인 전극 ( 115 ) 과 , 산화물 반도체 막 ( 113 ) , 소스 전극 ( 114 ) 및 드레 인 전극 ( 115 ) 위 의 절 연막 ( 116 ) 과 , 절 연막 ( 116 ) 위 에서 산화물 반도체 막 ( 113 ) 과 중첩 하 고 있 는 제 2 게이트 전극 ( 117 ) 을 가지 고 있 다 . 또한 , 도 1 ( C ) 에서 는 , 제 2 게이트 전극 ( 117 ) 위 에 절 연막 ( 118 ) 이 형성 되 어 있 고 , 트랜지스터 ( 101 ) 는 절 연막 ( 118 ) 을 그 구성 요소 에 포함 하 고 있 어도 좋 다 .