예 를 들 면 , 고주파 전원 ( 61 ) 은 , 하부 전극 ( 18 ) 에 접속 되 어 있 지 않 아도 되 고 , 정합 회로 ( 63 ) 를 통하 여 상부 전극 ( 30 ) 에 접속 되 어 있 어도 된다 . 또 , 다른 실시 형태 에 있 어서 , 플라 즈 마 처리 장치 는 , 상술 한 바 와 같이 에지 링 ( ER ) 및 / 또는 도전 성 부재 ( 74 ) 에 양극 성 의 전압 을 인가 가능 하 면 , 유도 결합 형 의 플 라즈 마 처리 장치 와 같 은 임의 의 타입 의 플 라즈 마 처리 장치 여도 된다 . 또 , 플 라즈 마가 생성 되 고 있 을 때 에 에지 링 ( ER ) 및 / 또는 도전 성 부재 ( 74 ) 에 인가 되 는 양극 성 의 전압 으로서 펄스 상 이 거나 또는 연속 적 인 양극 성 의 직류 전압 을 예시 했 지만 , 해당 양극 성 의 전압 은 특별히 한정 되 는 것 은 아니 다 . 예 를 들 면 , 해당 양극 성 의 전압 은 , 양극 성 의 직류 전압 에 삼각파 등 을 합성 함 으로써 얻 어 지 는 파형 과 같 은 임의 의 파형 을 갖 는 전압 이 어도 된다 . 또 , 플 라즈 마가 생성 되 고 있 지 않 을 때 에 는 , 음극 성 의 전압 이 , 에지 링 ( ER ) 및 / 또는 도전 성 부재 ( 74 ) 에 인가 되 어도 된다 .