이 방식 으로 , 반도체 제조 장치 , 액정 패널 제조 장치 , LED 제조 장치 등 의 챔버 의 배기 시스템 은 진공 펌프 , 희석 용 N 2 유닛 , 배기 가스 처리 장치 등 을 갖 고 , 배기 시스템 의 각각 의 장치 는 제조 장치 로부터 신호 에 기초 하 여 온 / 오프 제어 에 의해 작동 된다 . 예 를 들 어 , 반도체 제조 장치 가 LP - CVD 장치 인 경우 에 , 제조 장치 에서 의 작동 시퀀스 는 물 공급 → 진공 흡인 → 온도 상승 → 성막 ( 재료 가스 공급 ) → 온도 강 하 → 대기압 으로 복귀 → 물 제거 이 다 . 상기 작동 시퀀스 는 반복 된다 . 또한 , 챔버 의 내부 에 부착 되 어 있 는 고체 물질 을 제거 하 기 위해 , 세정 가스 ( 예 를 들 어 , HF , ClF 3 , NF 3 등 ) 가 챔버 내 로 주기 적 으로 공급 되 고 , 챔버 가 배기 된다 . 진공 펌프 는 챔버 의 진공 흡인 단계 가 시작 될 때 제조 장치 로부터 진공 흡인 을 위한 시작 신호 에 응답 하 여 기동 되 고 , 진공 펌프 는 챔버 의 대기압 으로 의 복귀 단계 가 시작 될 때 제조 장치 로부터 의 대기압 으로 의 복귀 신호 에 응답 하 여 정지 된다 . 또한 , 배기 가스 처리 장치 는 프로세스 챔버 내 의 성막 단계 가 시작 될 때 성막 을 위한 시작 신호 에 응답 하 여 기동 되 고 , 배기 가스 처리 장치 는 성막 단계 중 에 작동 된다 . 성막 단계 의 완료 후 에 , 배기 가스 처리 장치 는 미리 정해진 시간 동안 작동 되 고 정지 된다 . 희석 용 N 2 유닛 은 또한 제조 장치 로부터 의 신호 에 응답 하 여 N 2 가스 의 공급 및 N 2 가스 의 공급 정지 를 수행 한다 . 이 방식 으로 , 배기 시스템 의 각각 의 장치 는 제조 장치 내 의 미리 정해진 작업 프로세스 의 시작 및 완료 를 위한 신호 에 기초 하 여 온 / 오프 제어 에 의해 작동 된다 .