게이트 절연 층 ( 146 ) 은 , CVD 법 이나 스퍼터 법 등 을 사용 하 여 형성 할 수 있 다 . 또한 , 게이트 절연 층 ( 146 ) 은 , 산화 실리콘 , 질화 실리콘 , 산질 화 실리콘 , 산화알루미늄 , 산화 탄탈 , 산화 하프늄 , 산화 이트륨 , 하프늄 실리케이트 ( HfSixOy ( x > 0 , y > 0 ) ) , 질소 가 첨가 된 하프늄 실리케이트 ( HfSixOyNz ( x > 0 , y > 0 , z > 0 ) ) , 질소 가 첨가 된 하프늄 알 루미 네이트 ( HfAlxOyNz ( x > 0 , y > 0 , z > 0 ) ) 등 을 포함 하 도록 형성 하 는 것 이 적합 하 다 . 또한 , 게이트 절연 층 ( 146 ) 은 , 단층 구조 로 해도 좋 고 , 적층 구조 로 해도 좋 다 . 또한 , 그 두께 는 특별히 한정 되 지 않 지만 , 반도체 장치 를 미세 화 하 는 경우 에 는 , 트랜지스터 의 동작 을 확보 하 기 위하 여 얇 게 하 는 것 이 바람직 하 다 . 예 를 들 어 , 산화 실리콘 을 사용 하 는 경우 에 는 , 1 nm 이상 100 ㎚ 이하 , 바람직 하 게 는 10 ㎚ 이상 50 ㎚ 이하 로 할 수 있 다 .