이어서 , 공정 챔버 ( 102 ) 내 에서 제 4 기판 상 에 제 4 저유 전막 을 형성 하 는 단계 ( S 28 ) 가 이어질 수 있 다 . 예 를 들 어 , 제 4 저유 전막 은 실리콘 및 탄소 를 포함 할 수 있 고 , 실질 적 으로 제 1 저유 전막 내지 제 3 저유 전막 과 동일 할 수 있 다 . 따라서 , 제 4 저유 전막 을 형성 하 는 단계 ( S 28 ) 는 전술 한 제 1 저유 전막 을 형성 하 는 단계 ( S 12 ) 와 실질 적 으로 동일 할 수 있 다 .