도 4 a 를 참조 하 면 , 반도체 소자 ( 200 ) 는 기판 ( 10 ) , 제 1 트랜지스터 ( TR 1 ) 및 제 2 트랜지스터 ( TR 2 ) 를 포함 할 수 있 다 . 기판 ( 10 ) 은 제 1 영역 ( R 1 ) 및 제 2 영역 ( R 2 ) 을 가질 수 있 다 . 제 1 트랜지스터 ( TR 1 ) 는 기판 ( 10 ) 의 제 1 영역 ( R 1 ) 상 에 위치 하 고 제 2 트랜지스터 ( TR 2 ) 는 기판 ( 10 ) 의 제 2 영역 ( R 2 ) 상 에 위치 할 수 있 다 . 제 1 트랜지스터 ( TR 1 ) 및 제 2 트랜지스터 ( TR 2 ) 각각 은 도 1 내지 도 3 에 도시 된 트랜지스터 들 ( TR ) 중 하나 일 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 제 1 트랜지스터 ( TR 1 ) 및 제 2 트랜지스터 ( TR 2 ) 는 각각 p 형 및 n 형 일 수 있 다 .