도 5 내지 도 7 에서 는 화소 ( PX ) 의 구동 트랜지스터 ( DRT ) 와 제 1 스위칭 트랜지스터 ( SCT ) 가 코 플라나 ( coplanar ) 구조 로 형성 된 것 을 도시 하고 있 다 . 코플라 나 구조 는 게이트 전극 이 활성 층 의 상부 에 형성 된 상부 게이트 ( top gate ) 구조 를 가진다 . 다만 , 이 에 제한 되 는 것 은 아니 며 , 각 화소 ( PX ) 의 구동 트랜지스터 ( DRT ) 와 제 1 스위칭 트랜지스터 ( SCT ) 는 게이트 전극 이 활성 층 의 하부 에 형성 된 하부 게이트 ( bottom gate ) 구조 를 가질 수 있 다 . 이하 , 구동 트랜지스터 ( DRT ) 와 제 1 스위칭 트랜지스터 ( SCT ) 에 대하 여 상세히 설명 하 기 로 한다 .