전기 절연 유형 표적 은 전형 적 으로 스퍼터링 시 RF 여기 의 이용 을 필요 로 한다 . 만약 그렇 지 않 으면 , RF 여기 , 예컨대 직류 ( DC ) , 펄스 화 DC ( 예 를 들 면 , 250 kHz ) , 또는 저 주파 여기 와 함께 한 교류 ( AC : 예 를 들 면 , 100 kHz ) 를 이용 하 지 않 을 때 , 표적 표면 은 실질 적 으로 차지 - 업 현상 이 일어나 고 ( charge up ) 형성 된 전하 를 전기 아크 의 형태 로 기판 , 체임버 벽 및 / 또는 어두운 공간 쉴드 ( dark space shield ) 에 방출 한다 . 전기 아크 현상 은 매우 심할 수 있 어서 , 스퍼터 표적 에 접속 된 전력 공급 의 전자 기기 는 그러 한 이벤트 가 발생 하 는 것 을 방지 하 지 못할 수 있 거나 ( 이 는 기판 상 에서 막 성장 에 유해 한 영향 을 미침 ) , 또는 스퍼터링 공정 은 스퍼터 증착 이 발생 할 수 없 을 정도 로 전력 공급 을 방해 하 는 전자 기기 에 의해 너무 빈번 하 게 방해 받 을 수 있 다 . 유감 스럽 게 도 , 스퍼터 표적 주위 의 전체 RF 전자 기기 는 상당히 비쌀 뿐 만 아니 라 진공 증착 체임버 가 RF 상용 성 을 갖 는 것 을 필요 로 한다 . 반도체 제조 에서 사용 된 대부분 의 대형 스퍼터 증착 도구 는 RF 와 상용 성 이 없 지만 , 오직 직류 ( DC ) 또는 펄스 화 DC 와 상용 성 이 있 다 . 새로운 대형 진공 증착 체임버 의 디자인 및 구성 은 이러 한 체임버 가 구성 되 어 다량 시판 되 지 않 을 것 으로 예상 되 기 때문 에 상당 량 의 시간 및 양 이 소요 된다 .