HPHT 공정 에서 형성 된 PDC 들 ( 100 ) 및 PCD 테이블 들 ( 102 ) 의 적어도 하나 의 외부 표면 ( 예컨대 , 측 방향 표면 ( 108 ) , 작업 표면 ( 110 ) , 및 / 또는 챔퍼 ( 112 ) ) 은 상대 적 으로 거친 표면 마감 을 보일 수 있 다 . 예 를 들 어 , PDC 들 ( 100 ) 및 PCD 테이블 들 ( 102 ) 의 적어도 하나 의 외부 표면 은 약 3 μ m ( 여기 서 개시 되 는 모든 표면 마감 은 Ra 로 표현 되 어 있 다 ) 보다 큰 표면 마감 을 보일 수 있 다 . 약 3 μ m 보다 큰 표면 마감 은 바람직 하 지 않 다 ( 예컨대 , PCD 테이블 ( 102 ) 의 마찰 계수 를 증가 시킬 수 있 고 및 / 또는 작동 중 에 PCD 테이블 ( 102 ) 의 온도 를 증가 시킬 수 있 다 ) . 따라서 , 선택 적 으로 , PCD 테이블 ( 102 ) 의 적어도 하나 의 외부 표면 은 PCD 테이블 ( 102 ) 이 쉐 이 핑 되 는 동안 예컨대 그 표면 마감 을 향상 시키 기 위해 폴리 싱 될 수 있 다 . 그러나 이전 에 논의 되 었 듯이 , 그라인딩 , 래핑 , EDM , 및 기타 통상 적 인 가공 기법 들 은 느리 고 및 / 또는 값 비쌀 수 있 다 . 이 에 더 하 여 , 그라인딩 , 래핑 , EDM , 및 기타 통상 적 인 가공 기법 들 은 아래 에 개시 되 는 특정 한 기하학 적 형상 및 / 또는 미세 한 표면 마감 들 을 얻 어 내 는 것 이 불 가능 할 수 있 다 . 일실 시예 에서 , PCD 테이블 ( 102 ) 의 적어도 하나 의 외부 표면 은 약 1 . 5 μ m 또는 그 이하 의 표면 마감 을 보이 도록 에너지 빔 가공 될 ( 예컨대 , 레이저 폴리 싱 되 거나 레이저 가공 될 ) 수 있 다 . 예컨대 , 측 방향 표면 ( 108 ) , 작업 표면 ( 110 ) , 또는 챔퍼 ( 112 ) 중 적어도 하나 는 에너지 빔 폴리 싱 되 어서 약 1 . 25 μ m 또는 그 이하 , 약 1 μ m 또는 그 이하 , 약 0 . 8 μ m 또는 그 이하 , 약 0 . 65 μ m 또는 그 이하 , 약 0 . 5 μ m 또는 그 이하 , 약 0 . 4 μ m 또는 그 이하 , 약 0 . 3 μ m 또는 그 이하 , 약 0 . 25 μ m 또는 그 이하 , 약 0 . 2 μ m 또는 그 이하 , 약 0 . 15 μ m 또는 그 이하 , 약 0 . 13 μ m 또는 그 이하 , 약 0 . 1 μ m 또는 그 이하 , 약 0 . 05 μ m 또는 그 이하 , 0 . 025 μ m 또는 그 이하 의 표면 마감 을 보일 수 있 다 . 다른 실시 예 에서 , 측 방향 표면 ( 108 ) , 작업 표면 ( 110 ) , 또는 챔퍼 ( 112 ) 중 적어도 하나 는 에너지 빔 폴리 싱 되 어 약 1 . 5 μ m 내지 약 0 . 025 μ m , 약 0 . 65 μ m 내지 약 1 . 5 μ m , 약 0 . 5 μ m 내지 약 0 . 75 μ m , 약 0 . 4 μ m 내지 약 0 . 65 μ m , 약 0 . 10 μ m 내지 약 0 . 5 μ m , 약 0 . 05 μ m 내지 약 0 . 25 μ m , 또는 약 0 . 1 μ m 내지 약 0 . 25 μ m 의 표면 마감 을 보일 수 있 다 . 일실 시예 에서 , 측 방향 표면 ( 108 ) , 작업 표면 ( 110 ) , 또는 챔퍼 ( 112 ) 중 적어도 하나 는 에너지 빔 폴리 싱 되 어서 거울 면 표면 마감 ( mirror surface finish ) ( 예컨대 , 약 0 . 05 μ m 또는 그 이하 ) 을 보일 수 있 다 . 이 표면 마감 은 예컨대 조면 계 ( 예컨대 , Ra 로 ) 에 의해 측정 될 수 있 다 . 일실 시예 에서 , 여기 서 개시 되 는 레이저 가공 은 , 약 ± 2 . 0 μ m 또는 그 이하 , 약 ± 1 . 0 μ m 또는 그 이하 , 약 ± 500 nm 또는 그 이하 , 또는 약 ± 250 nm 또는 그 이하 와 같 은 약 ± 3 . 0 μ m 또는 그 이하 의 공차 를 보이 는 PCD 테이블 의 적어도 하나 의 외부 표면 내 의 특징 들 을 형성 하 는 데 에 이용 될 수 있 다 .