예 를 들 어 , 상기 실시 예 에서 는 , 본 발명 을 MTJ 소자 를 사용 한 자기 메모리 장치 에 적용 한 경우 에 대해서 나타냈 지만 , 본 발명 은 자성 층 사이 의 스핀 의 관계 에 의거 하 는 저항 변화 를 이용 한 자기 저항 효과 소자 를 사용 한 1 T 2 MTJ 형 의 자기 메모리 장치 에 널리 적용 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 2 개 의 자성 층 이 도전 성 의 비 자성 층 을 통하 여 적층 된 자기 저항 효과 소자 를 사용 한 자기 메모리 장치 에 도 적용 가능 하 다 .