또한 , 메모리 장치 ( 150 ) 는 , 복수 의 메모리 블록 들 을 , 하나 의 메모리 셀 에 저장 또는 표현 할 수 있 는 비트 의 수 에 따라 , 단일 레벨 셀 ( SLC : Single Level Cell ) 메모리 블록 및 멀티 레벨 셀 ( MLC : Multi Level Cell ) 메모리 블록 등 으로 포함 할 수 있 다 . 여기 서 , SLC 메모리 블록 은 , 하나 의 메모리 셀 에 1 비트 데이터 를 저장 하 는 메모리 셀 들 에 의해 구현 된 복수 의 페이지 들 을 포함 하 며 , 데이터 연산 성능 이 빠르 며 내 구성 이 높 다 . 그리고 , MLC 메모리 블록 은 , 하나 의 메모리 셀 에 멀티 비트 데이터 ( 예 를 들 면 , 2 비트 또는 그 이상 의 비트 ) 를 저장 하 는 메모리 셀 들 에 의해 구현 된 복수 의 페이지 들 을 포함 하 며 , SLC 메모리 블록 보다 큰 데이터 저장 공간 을 가짐 , 다시 말 해 고집 적 화 할 수 있 다 . 특히 , 메모리 장치 ( 150 ) 는 , MLC 메모리 블록 으로 , 하나 의 메모리 셀 에 2 비트 데이터 를 저장 할 수 있 는 메모리 셀 들 에 의해 구현 된 복수 의 페이지 들 을 포함 하 는 MLC 메모리 블록 뿐 만 아니 라 , 하나 의 메모리 셀 에 3 비트 데이터 를 저장 할 수 있 는 메모리 셀 들 에 의해 구현 된 복수 의 페이지 들 을 포함 하 는 트리플 레벨 셀 ( TLC : Triple Level Cell ) 메모리 블록 , 하나 의 메모리 셀 에 4 비트 데이터 를 저장 할 수 있 는 메모리 셀 들 에 의해 구현 된 복수 의 페이지 들 을 포함 하 는 쿼드 러플 레벨 셀 ( QLC : Quadruple Level Cell ) 메모리 블록 , 또는 하나 의 메모리 셀 에 5 비트 또는 그 이상 의 비트 데이터 를 저장 할 수 있 는 메모리 셀 들 에 의해 구현 된 복수 의 페이지 들 을 포함 하 는 다중 레벨 셀 ( multiple level cell ) 메모리 블록 등 을 포함 할 수 있 다 .