일 실시 예 에서 , 3 차원 메모리 디바이스 는 , 교번 스택 들 {( 132 , 232 ) , ( 146 , 142 '), ( 246 , 242 ')} 중 제 1 교번 스택 {( 132 , 232 ) , ( 146 , 142 '), ( 246 , 242 ')} 위 에 놓이 는 유전체 재료 부분 ( 예컨대 , 제 2 역 단차 형 유전체 재료 부분 ( 265 ) ) 을 포함 한다 . 접속 비아 구조물 ( 예컨대 , 제 2 접속 비아 구조물 ( 688 ) ) 은 유전체 재료 부분 ( 265 ) 을 관통 하 여 그리고 제 1 교번 스택 {( 132 , 232 ) , ( 146 , 142 '), ( 246 , 242 ') 내 의 유전체 재료 플레이트 들 ( 142 ') 및 절연 층 들 ( 132 ) 의 수직 스택 을 관통 하 여 수직 으로 연장 된다 .