제조 라인 이 예 를 들 면 반도체 제조 전공 정의 경우 의 개략 공정 을 , 도 5 를 이용 하 여 설명 한다 . 웨이퍼 제조 프로세스 는 , 실리콘 이나 글래스 등 으로 되 어 있 는 원반 형상 의 기판 을 투입 하 고 , 그 기판 상 에 전자 회로 의 패턴 이나 소자 를 형성 하 는 공정 이 다 . 기판 투입 공정 에서 는 , 대상 이 되 는 기판 을 투입 한다 ( S 11 ) . 다음 으로 , 「 성막 」 공정 에서 , 기판 표면 에 산화 막 을 형성 한다 ( S 12 ) . 또한 「 포토레지스트 도포 」 공정 에서 , 회로 나 소자 구조 의 패턴 을 전사 하 기 위해 광 을 닿 게 하 는 부분 만 이 화학 변화 를 일으키 는 재료 ( 포토레지스트 ) 를 도포 한다 ( S 13 ) . 다음 으로 , 「 노광 」 공정 에서 , 회로 나 소자 구조 가 그려진 포토 마스크 라고 칭하 는 글래스 기판 을 통해서 기판 에 광 을 조사 하 여 회로 나 소자 구조 를 전사 한 후 에 ( S 14 ) , 「 현상 」 공정 에서 , 그 기판 을 현상액 에 침지 하 여 화학 변화 를 일으키 지 않 는 포토레지스트 를 제거 한다 ( S 15 ) . 이 에 의해 , 포토 마스크 에 그린 회로 나 소자 구조 와 동일 한 패턴 으로 기판 상 에 포토레지스트 가 남 는다 . 다음 으로 , 「 에칭 」 공정 에서 , 약액 이나 가스 를 이용 하 여 포토레지스트 가 덮여 있 지 않 고 기판 상 에 노출 되 어 있 는 산화 막 을 제거 한 후 ( S 16 ) , 「 포토레지스트 제거 」 공정 에서 , 포토레지스트 를 제거 함 으로써 , 생성 시키 고자 하 는 회로 나 소자 구조 의 패턴 을 형성 한다 ( S 17 ) . 일반 적 으로 , 웨이퍼 제조 프로세스 는 , 복수 층 의 회로 를 형성 하 므로 , 상기 의 공정 을 수회 로부터 수십 회 반복 하 여 , 복잡 한 회로 나 소자 구조 를 형성 하 고 있 다 . 기판 에 회로 나 소자 구조 를 형성 한 후 에 는 , 「 검사 」 공정 에서 회로 나 소자 구조 의 양부 판정 을 행하 여 ( S 18 ) , 불출 된다 ( S 19 ) .