예 를 들 어 , 표면 처리 대상물 이 폴리 실리콘 을 포함 하 는 경우 에 는 , 표면 처리 대상물 표면 의 폴리 실리콘 부분 은 , 산 성 조건 하 에서 양전하 의 대전 이 발생 하 지 않 는다는 점 에서 , 표면 처리 대상물 이 질화규소 또는 산화 규소 를 포함 하 는 경우 와 는 상이 한 메커니즘 에 의해 잔사 가 제거 된다 . 폴리 실리콘 은 소수성 이 라는 점 에서 , 소수성 성분 은 소수성 상호 작용 에 의해 표면 처리 대상물 표면 에 부착 되 기 쉬운 상태 에 있 기 때문 에 , 표면 처리 공정 에 있 어서 , 표면 처리 대상물 표면 으로부터 한 번 제거 된 소수성 성분 의 재 부착 이 발생 한다 . 여기 서 , 술폰산 ( 염 ) 기 함유 고분자 의 소수성 구조 부위 는 , 표면 처리 대상물 표면 측 을 향하 고 , 친수성 구조 부위 인 음 이온 화 된 산 성 관능기 는 , 표면 처리 대상물 표면 측 과 는 반대 측 을 향함 으로써 , 표면 처리 대상물 표면 에 소수성 상호 작용 에 의해 흡착 된다 . 그 결과 , 표면 처리 대상물 은 , 표면 처리 대상물 표면 측 과 는 반대 측 을 향한 음 이온 화 된 산 성 관능기 에 덮인 상태 로 되 어 친수 성 으로 되 고 , 음 이온 화 된 산 성 관능기 에 덮인 표면 처리 대상물 표면 과 소수성 성분 의 사이 에서 는 소수성 상호 작용 이 발생 하 지 않 게 된다 . 이 에 의해 , 소수성 성분 은 , 표면 처리 대상물 표면 에 대한 재 부착 이 방해 된다 . 또한 , 양전하 대전 성 성분 에 대해서 는 , 표면 처리 대상물 이 질화규소 또는 산화 규소 를 포함 하 는 경우 와 마찬가지 로 , 산 성 조건 하 에 있 어서 , 음 이온 화 된 산 성 관능기 에 덮인 표면 처리 대상물 표면 과 음 이온 화 된 산 성 관능기 에 덮인 양전하 대전 성 성분 이 정전 적 으로 반발 함 으로써 , 양전하 대전 성 성분 은 표면 처리 대상물 표면 으로부터 제거 된다 . 그리고 , 표면 처리 대상물 표면 에 흡착 된 산 성 관능기 함유 고분자 는 , 표면 처리 공정 후 에 용이 하 게 제거 된다 .