또 , 상기 보호막 은 , λ 1 / 4 n ( λ 1 : 형광 체부 에 의해 여기 된 빛 의 파장 , n : 굴절률 ) 의 두께 를 갖 는 박막 이 적어도 하나 이상 적층 되 어 형성 된 반사 방지 막 또는 , λ 2 / 4 n 1 ( λ 2 : 발광 다이오드 칩 으로부터 방출 되 는 빛 의 파장 , n 1 : 제 1 박막 의 굴절률 ) 의 두께 를 갖 는 제 1 박막 과 , 제 1 박막 보다 굴절 률 이 큰 물질 로 이루어지 며 , λ 2 / 4 n 2 ( λ 2 : 발광 다이오드 칩 으로부터 방출 되 는 빛 의 파장 , n 2 : 제 2 박막 의 굴절률 ) 의 두께 를 갖 는 제 2 박막 이 적어도 한 쌍 이상 교대 로 적층 되 어 형성 된 반사막 인 것 을 특징 으로 하 는 몰드 부 로부터 분리 된 형광 체부 를 구비 한 발광 소자 이 다 .