싱 귤 레이 션 될 때 , 반도체 디바이스 ( 200 ) 는 도 16 에 도시 된 도면 에 대응 할 수 있 다 . 이해 될 수 있 는 바 와 같이 , 서브 스트레이트 ( 210 ) 의 상면 은 서브 스트레이트 ( 110 ) 의 하면 에 결합 되 고 외부 인터 커넥트 ( 160 ) 는 서브 스트레이트 ( 210 ) 의 하면 에 결합 된다 . 도전 성 구조 ( 211 ) 는 서브 스트레이트 ( 210 ) 의 상면 에서 하 면 사이 의 도전 성 경로 를 정의 하 기 위해 하나 이상 의 유전 성 구조 ( 212 ) 사이 에 또는 이 를 통해 연장 되 는 도전체 ( 트레이스 , 비아 , 패드 ) 를 포함 한다 . 일부 예 들 에서 , 도전 성 구조 ( 211 ) 의 도전체 는 서브 스트레이트 ( 210 ) 의 상면 에서 노출 될 수 있 고 , 전자 컴 포 넨 트 ( 120 ) 의 터미널 ( 121 ) 에 결합 될 수 있 으며 , 여기 서 터미널 ( 121 ) 은 서브 스트레이트 ( 110 ) 의 하면 에서 인 캡슐 란트 ( 115 ) 로부터 노출 된다 . 일부 예 들 에서 , 도전 성 구조 ( 211 ) 의 도전체 는 서브 스트레이트 ( 210 ) 의 상면 에서 노출 될 수 있 고 서브 스트레이트 인터 커넥트 ( 112 ) 에 연결 될 수 있 으며 , 여기 서 서브 스트레이트 인터 커넥트 ( 112 ) 는 서브 스트레이트 ( 110 ) 의 하면 에서 인 캡슐 란트 ( 115 ) 로부터 노출 된다 . 일부 예 들 에서 , 서브 스트레이트 ( 210 ) 는 RDL 서브 스트레이트 일 수 있 고 , 유전 성 구조 ( 212 ) 의 상면 또는 상부 유전 층 은 서브 스트레이트 ( 110 ) 의 하면 의 윤곽 을 따를 수 있 다 ( conformal ) . 일부 예 에서 , 서브 스트레이트 ( 110 ) 는 전자 컴 포 넨 트 ( 120 ) 와 전자 컴 포 넨 트 ( 130 ) 사이 에서 전자 컴 포 넨 트 ( 120 ) 의 상면 에 접착제 ( 270 ) 를 포함 한다 . 일부 예 들 에서 , 접착제 ( 270 ) 의 상면 은 서브 스트레이트 ( 110 ) 의 인 캡슐 란트 ( 115 ) 로부터 노출 될 수 있 다 . 일부 예 들 에서 , 서브 스트레이트 ( 110 ) 의 인 캡슐 란트 ( 115 ) 는 접착제 ( 270 ) 의 측면 , 또는 전자 컴 포 넨 트 ( 120 ) 의 풋 프린트 를 넘 어 연장 되 는 접착제 ( 270 ) 의 하면 의 일부 를 코팅 할 수 있 다 .