그리고 , 본 발명 에서 는 자속 이 흘러가 는 자로 가 되 는 자성체 가 자기 포화 되 는 것 을 방지 하 기 위해 자성체 에 갭 을 두 는데 , 특히 상기 갭 을 외측 자성체 에 형성 하 였 다 . 이 와 같이 외측 자성체 에 갭 을 형성 함 에 의해 실험 적 으로 얻 은 결과 는 내측 자성체 에 형성 하 는 것 이 비해 상대 적 으로 높 은 직류 중첩 특성 을 얻 게 되 어 인덕 터 의 특성 이 더 좋 아 지 는 효과 도 있 다 .