다음 에 , 소스 전극 또는 드레 인 전극 ( 109 , 110 ) , 소스 영역 또는 드레 인 영역 ( 106 , 108 ) , 비정질 반도체 막 ( 105 ) , 및 게이트 절 연막 ( 102 ) 을 덮 는 절 연막 ( 111 ) 을 형성 한다 . 절 연막 ( 111 ) 은 , 게이트 절 연막 ( 102 ) 과 같 은 성막 방법 을 이용 하 여 형성 할 수 있 다 . 또한 , 절 연막 ( 102 ) 은 , 대기 중 에 부유 하 는 유기물 이나 금속 물 , 수증기 등 의 오염 불순물 의 침입 을 막 기 위한 것 이 며 , 치밀 한 막 이 바람직 하 다 .