즉 , 상기 하부 분리 막 패턴 ( 102 a ) 에 의해 소스 / 드레 인 접합 영역 사이 의 채널 영역 이 공핍 영역 특성 을 가지 기 때문 에 , 상기 제 2 소자 분리 용 트렌치 ( 108 b ) 를 얕 은 깊이 로 형성 하 여도 소자 분리 특성 이 향상 된다 . 또한 , SOI ( Silicon - on - Insulator ) 채널 영역 으로 작용 한 것 과 같 아 기생 캐 패 시 턴 스도 감소 시킬 수 있 다 .