본 명세서 에 있 어서 는 , 레지스 트 막 노광 부 가 용해 제거 되 어 포지티브 형 레지스 트 패턴 을 형성 하 는 레지스 트 조성물 을 포지티브 형 레지스 트 조성물 이 라고 하 고 , 레지스 트 막 미노 광부 가 용해 제거 되 어 네거티브 형 레지스 트 패턴 을 형성 하 는 레지스 트 조성물 을 네거티브 형 레지스 트 조성물 이 라고 한다 . 본 실시 형태 의 레지스 트 조성물 은 , 포지티브 형 레지스 트 조성물 이 어도 되 고 , 네거티브 형 레지스 트 조성물 이 어도 된다 . 또 , 본 실시 형태 의 레지스 트 조성물 은 , 레지스 트 패턴 형성 시 의 현상 처리 에 알칼리 현상액 을 사용 하 는 알칼리 현상 프로세스 용 이 어도 되 고 , 그 현상 처리 에 유기 용제 를 포함 하 는 현상액 ( 유기계 현상액 ) 을 사용 하 는 용제 현상 프로세스 용 이 어도 된다 .