상기 제 1 콘 택 홀 ( 341 ) 은 상기 제 1 반도체 층 ( 310 ) 의 소스 영역 ( 310 a ) 의 상하 폭 이 너무 작 아 설계 시 마진 ( margin ) 이 부족 하 여 장 방향 으로 형성 되 나 , 상기 제 2 콘 택 홀 ( 343 ) 은 상기 제 1 반도체 층 ( 310 ) 의 드레 인 영역 ( 310 c ) 의 설계 마진 이 충분 하 기 때문 에 단 방향 으로 형성 되 며 , 종래 의 콘 택 홀 의 크기 보다 작 게 형성 된다 .