상기 구성 에 있 어서 , 제 1 트랜지스터 는 , 반도체 재료 를 포함 하 는 기판 에 형성 된 채널 형성 영역 과 , 채널 형성 영역 을 사이 에 두 도록 형성 된 불순물 영역 과 , 채널 형성 영역 위 의 제 1 게이트 절연 층 과 , 채널 형성 영역 과 중첩 하 고 , 제 1 게이트 절연 층 위 에 설치 된 제 1 게이트 전극 을 갖 는 구성 으로 해도 좋 다 .