이어서 , 배리어 층 위 에 스퍼터 법 으로써 게터 링 사이트 가 되 는 아르곤 원소 를 포함 하 는 비정질 규소 막 을 10 nm 내지 400 nm , 여기 에서 는 막 두께 100 nm 로 성막 한다 . 여기 에서 는 아르곤 원소 를 포함 하 는 비정질 규소 막 은 , 실리콘 타깃 을 사용 하 여 아르곤 을 포함 하 는 분위기 하 에서 형성 한다 . 플라 즈 마 CVD 법 을 사용 하 여 아르곤 원소 를 포함 하 는 비정질 규소 막 을 형성 하 는 경우 , 성막 조건 은 , 모노 실란 과 아르곤 의 유량 비 ( SiH 4 : Ar ) 를 1 : 99 로 하 고 , 성막 압력 을 6 . 665 Pa 로 하 고 , RF 파워 밀도 를 0 . 087 W / ㎠ 로 하 고 , 성막 온도 를 350 ℃ 로 한다 .