본 발명 의 다른 실시 예 에 따른 연성 회로 기판 제조 방법 은 동박 적 층 필름 ( CF ) 을 이용 하 여 본딩 패드 ( 11 ) 를 갖 는 제 1 영역 ( 10 ) , 배선 패턴 ( 21 ) 을 갖 는 제 2 영역 ( 20 ) 및 커넥터 단자 ( 31 b ) 를 갖 는 제 3 영역 ( 30 ) 을 갖 도록 함 과 동시 에 반도체 칩 ( B ) , 즉 이미지 센싱 칩 을 제 1 영역 ( 10 ) 의 하부 에 탑재 시키 면서 범프 볼 ( B 1 ) 과 본딩 패드 ( 11 ) 를 리버스 본딩 와이어 ( RW ) 로 접속 시킬 수 있 도록 리버스 홀 ( 12 ) 을 제공 하 여 연성 회로 기판 ( 100 ) 의 소형 화 를 기할 수 있 도록 하 며 , 제 1 영역 ( 10 ) 은 본딩 패드 ( 11 ) 를 비롯 한 고집 적 화 된 다수 의 패턴 들 이 형성 되 어 있 으므로 포토 솔 더 레지스 트 ( P ) 를 도포 시켜 상호 간 의 쇼트 를 미리 방지 할 수 있 도록 절연 시키 고 , 제 3 영역 ( 30 ) 에 는 커넥터 단자 ( 31 b ) 가 있 으므로 Ni 도금 이 곧바로 이루어지 도록 하 여 Ni 이 Au 에 비해 강도 가 강함 을 이용 하 여 동박 적 층 필름 ( CF ) 상 의 동박 ( C ) 의 약함 을 보완 할 수 있 도록 제 1 영역 ( 10 ) 의 본딩 패드 ( 11 ) 또는 제 2 영역 ( 20 ) 의 배선 패턴 ( 21 ) 에 선택 적 으로 Ni 도금 을 행하 게 함 과 동시 에 커넥터 단자 ( 31 b ) 의 강도 를 함께 강화 시킬 수 있 도록 하 는 이점 이 있 다 .