일 실시 예 로 , 광전 변환 소자 ( 820 R , 820 G , 820 B ) 는 포토다이오드 의 형태 로 구현 될 수 있 다 . 도 15 는 광전 변환 소자 ( 820 R , 820 G , 820 B ) 의 예 로서 , 핀 드 포토다이오드 ( pinned photodiode ) 를 도시 한 것 이 다 . 즉 , 광전 변환 소자 ( 820 R , 820 G , 820 B ) 는 제 2 도전 형 ( 예 를 들 어 , N 형 ) 의 불순물 영역 ( 821 ) 과 , 제 1 도전 형 ( 예 를 들 어 , P 형 ) ( 822 ) 의 불순물 영역 을 포함 할 수 있 다 .