여기 서 VB 기술 에 의한 GaAs 단결정 성장 은 1960 년 대 이미 시도 되 었 지만 이 기술 은 낮 은 dislocation 의 화합물 반도체 소자 제조 를 위해 1980 년 대 후반 더욱더 발전 되 어 져 왔 다 . 이 시간 동안 , 수직 브리지 만 법 에 의한 단결정 성장 은 실리콘 , 갈륨비소 성장산업 에 확산 되 어 졌 다 . 3 ” , 6 ” Growth 가 성공 되 었 고 이 들 의 전위 밀도 는 500 ~ 5000 / ㎠ 이 다 . 또한 특이 할 만 한 점 은 수직 브리지 만 에 의한 결정 의 전기 적 인 특성 은 열처리 후 의 쵸 크랄스 키 법 에 견줄 만 한 좋 은 성질 을 갖 고 있 다 . 후 의 PBN 도가니 의 응용 은 초기 의 단결정 성장 수율 특성 향상 과 기계 적 스트레스 등 의 문제 를 효과 적 으로 해결 해 주 었 다 . 이 공정 의 장점 으로 는 낮 은 전위 밀도 와 낮 은 열응력 에서 의 낮 은 열 구배 로 인해 낮 은 전위 결함 을 갖 으며 , 또한 화학 양론 에 입각 한 선택 적 운전 , 성장기 구안 열처리 가 가능 하 며 많 은 다중 히터 를 필요 로 하 지만 상대 적 으로 LEC ( Liquid Encapsulated Czochralski ) 법 에 비해 낮 은 투자 비 가 소요 된다 .