일부 실시 예 에서 , 게이트 구 조체 ( 20 ) 는 문턱 전압 제어 층 ( 25 ) 을 더 포함 할 수 있 다 . 문턱 전압 제어 층 ( 25 ) 은 산소 확산 배리 어 층 ( 24 ) 상 에 위치 할 수 있 다 . 문턱 전압 제어 층 ( 25 ) 은 트랜지스터 ( TR ) 의 문턱 전압 을 제어 할 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 문턱 전압 제어 층 ( 25 ) 은 안정 화 층 ( 23 ) 과 상이 한 물질 을 포함 할 수 있 다 . 트랜지스터 ( TR ) 가 p 형 인 경우 , 문턱 전압 제어 층 ( 25 ) 은 비교 적 일함수 가 큰 물질 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 문턱 전압 제어 층 ( 25 ) 은 Ti , W , Mo , Al , Si , 이 원소 들 중 적어도 하나 와 적어도 하나 의 다른 원소 의 화합물 , 또는 이 들 의 조합 을 포함 할 수 있 으나 , 이 에 제한 되 지 않 는다 . 트랜지스터 ( TR ) 가 n 형 인 경우 , 문턱 전압 제어 층 ( 25 ) 은 비교 적 일함수 가 작 은 물질 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 문턱 전압 제어 층 ( 25 ) 은 Ti , Al , Ta , V , Nb , Si , 이 원소 들 과 적어도 하나 의 다른 원소 의 화합물 , 또는 이 들 의 조합 을 포함 할 수 있 으나 , 이 에 제한 되 지 않 는다 . 일부 실시 예 에서 , 문턱 전압 제어 층 ( 25 ) 은 TiN 를 포함 할 수 있 다 . 문턱 전압 제어 층 ( 25 ) 의 두께 는 약 10 Å 내지 약 60 Å 일 수 있 으나 , 이 에 제한 되 지 않 는다 . 일부 실시 예 에서 , 트랜지스터 ( TR ) 의 문턱 전압 은 문턱 전압 제어 층 ( 25 ) 뿐 만 아니 라 안정 화 층 ( 23 ) , 및 산소 확산 배리 어 층 ( 24 ) 에 의해 영향 을 받 을 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 안정 화 층 ( 23 ) 을 구성 하 는 물질 의 일함수 는 문턱 전압 제어 층 ( 25 ) 을 구성 하 는 물질 의 일함수 보다 클 수 있 다 .