본 발명 에 있 어서 는 , 휨 교 정재 의 도포 량 , 즉 휨 교 정재 를 경화 시킨 후 의 휨 교정 층 의 막 두께 의 조정 , 활성 에너지 선 의 조사량 , 또한 전체 면 조사 와 부분 조사 의 선택 에 의해 , 의사 웨이퍼 의 휨 교정 층 의 경화 도 를 적절히 조정 함 으로써 , FO - WLP 의 휨 상태 에 따른 교 정량 을 간편 하 게 조정 할 수 있 다 .