포토레지스트 층 ( 도시 되 지 않 음 ) 이 콘 택 레벨 유전체 층 ( 73 ) 위 에 적용 될 수 있 고 , 리소그래피 방식 으로 패턴 화 되 어 메모리 스택 구조물 들 ( 55 ) 의 클러스터 들 사이 의 구역 들 에 개구 들 을 형성 한다 . 포토레지스트 층 내 의 패턴 은 이방성 에칭 을 사용 하 여 콘 택 레벨 유전체 층 ( 73 ) , 교번 하 는 스택 ( 32 , 42 ) 및 / 또는 단차 형 유전체 재료 부분 ( 65 ) 을 통해 전사 되 어 후면 트렌치 들 ( 79 ) 을 형성 할 수 있 으며 , 이 는 콘 택 레벨 유전체 층 ( 73 ) 의 상부 표면 으로부터 적어도 기판 반도체 재료 층 ( 10 ) 의 상부 표면 까지 수직 으로 연장 되 고 , 메모리 어레이 영역 ( 100 ) 및 계단 영역 ( 300 ) 을 거쳐 측 방향 으로 연장 된다 .