도 9 a 및 도 9 b 에 있 어서 의 트랜지스터 ( 162 ) 는 , 절연 층 ( 128 ) 위 에 형성 된 절연 층 ( 140 ) 에 매립 된 소스 전극 ( 142 a ) 및 드레 인 전극 ( 142 b ) 과 , 절연 층 ( 140 ) , 소스 전극 ( 142 a ) 및 드레 인 전극 ( 142 b ) 의 일부 와 접하 는 산화물 반도체 층 ( 144 ) 과 , 산화물 반도체 층 ( 144 ) 을 덮 는 게이트 절연 층 ( 146 ) 과 , 게이트 절연 층 ( 146 ) 위 에 산화물 반도체 층 ( 144 ) 과 중첩 하 게 설치 된 게이트 전극 ( 148 ) 을 갖 는다 . 게이트 전극 ( 148 ) 의 측면 에 사이드 월 절연 층 을 형성 해도 좋 다 . 또한 , 게이트 전극 ( 148 ) 은 , 도 5 에 도시 하 는 회로도 에 있 어서 의 , 신호선 ( S 2 ) 으로서 기능 한다 .