침착 된 희생 재료 의 부분 들 은 제 1 티어 수직 교번 시퀀스 ( 132 , 142 ) 의 최 상단 층 위 로부터 , 예컨대 티어 간 유전체 층 ( 180 ) 위 로부터 제거 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 희생 제 1 티어 충전 재료 는 평탄 화 공정 을 사용 하 여 티어 간 유전체 층 ( 180 ) 의 상단 표면 에 리세 스 될 수 있 다 . 평탄 화 공정 은 리세 스 에칭 , 화학 적 기계 적 평탄 화 ( CMP ) , 또는 이 들 의 조합 을 포함 할 수 있 다 . 티어 간 유전체 층 ( 180 ) 의 상단 표면 은 에칭 정지 층 또는 평탄 화 정지 층 으로서 사용 될 수 있 다 .