기판 과 박막 의 물리 적 차이 에 의한 응력 은 계면 에서 탄성 에너지 로 변환 되 어 전위 를 생성 하 는 구동력 ( driving force ) 이 된다 . 보통 의 경우 는 기판 의 두께 가 박막 에 비해 상당히 두껍 기 때문 에 변형 이 어렵 고 , 대신 박막 에 전위 가 생성 되 면서 응력 이 해소 된다 . 이 때 , 임계 두께 ( critical thickness ) 라는 일정 두께 이상 의 박막 이 성장 될 때 계면 에서 의 탄성 에너지 가 전위 의 생성 에너지 보다 커져서 전위 가 발생 하 기 시작 한다 . 하지만 본 발명 의 경우 에 는 무기물 박막 ( 30 ') 이 질화물 반도체 층 ( 50 ) 보다 얇 은 경우 에 는 임계 두께 가 더욱 크 기 때문 에 질화물 반도체 층 ( 50 ) 의 전위 발생 이 저하 된다 . 이 와 같이 무기물 박막 ( 30 ') 이 질화물 반도체 층 ( 50 ) 보다 충분히 얇 다면 보통 의 경우 의 기판 과 박막 의 역할 이 바뀌 었 다고 볼 수 있 고 , 질화물 반도체 층 ( 50 ) 은 전위 가 적 게 발생 하 는 상태 로 성장 하 게 된다 . 따라서 , 결함 밀도 가 작 은 고품질 의 질화물 반도체 층 ( 50 ) 을 형성 할 수 있 고 질화물 반도체 결정 결함 밀도 가 감소 하 기 때문 에 LED 로 제조 시 내부 양자 효율 을 증대 시킬 수 있 다 .