상술 한 본 발명 에 의한 패턴 형성 을 위한 반도체 구조 및 이 를 이용 한 패턴 형성 방법 은 , 비정질 탄소막 과 같이 탄소 를 함유 하 는 하드 마스크 를 이용 하 는 패턴 형성 공정 에 있 어서 , 상기 탄소 를 함유 하 는 하드 마스크 상 에 상기 탄소 를 함유 하 는 하드 마스크 에 대해 높 은 선택 비 를 갖 는 제 2 하드 마스크 및 반사 방지 특성 을 갖 는 제 3 하드 마스크 를 순차 적 으로 형성 함 으로써 , 패턴 불량 을 방지 하 여 미세 패턴 형성 을 용이 하 게 하 고 아울러 추가 공정 이 요구 되 지 않 아 공정 의 안정 성 을 향상 시킬 수 있 다 .