본 실시 예 에서 는 전술 한 실시 예 1 및 2 와 달리 , 저항성 접촉 부재 ( 163 , 165 ) 또한 다결정 구조 를 가진다 . 이 와 같이 다결정 반도체 ( 151 , 154 ) 와 소스 전극 ( 173 ) 및 드레 인 전극 ( 175 ) 사이 에 형성 되 어 있 는 저항성 접촉 부재 ( 163 , 165 ) 또한 다결정 구조 를 가짐 으로써 , 다 결정 반도체 의 이점 을 최대한 활용 하 여 전계 효과 이동도 를 더욱 높일 수 있 다 .