본 발명 에 따른 반도체 소자 제조 방법 은 테스트 될 반도체 소자 들 을 준비 하 는 단계 ; 상기 반도체 소자 로딩 방법 을 이용 하 여 , 상기 준비 된 테스트 될 반도체 소자 들 을 상기 로딩 위치 에 위치 된 테스트 트레이 에 수납 시키 는 로딩 공정 을 수행 하 는 단계 ; 로딩 공정 이 완료 된 테스트 트레이 를 상기 로딩 위치 에서 상기 로딩 위치 의 아래 에 위치 하 는 제 1 반출 위치 로 하강 시킨 후 에 , 상기 회 전부 로 이송 하 는 단계 ; 상기 회 전부 에 위치 되 고 로딩 공정 이 완료 된 테스트 트레이 를 수평 상태 에서 수직 상태 로 회전 시킨 후 에 , 상기 회 전부 에서 챔버 부 로 이송 하 는 단계 ; 상기 챔버 부 에서 테스트 트레이 에 수납 된 테스트 될 반도체 소자 들 을 테스트 온도 로 조절 하 고 , 테스트 온도 로 조절 된 반도체 소자 들 을 하이 픽스 보드 에 접속 시켜 테스트 되 도록 하 며 , 테스트 된 반도체 소자 들 을 상온 으로 복원 시키 는 단계 ; 테스트 된 반도체 소자 들 이 수납 된 테스트 트레이 를 상기 챔버 부 에서 상기 회 전부 로 이송 한 후 에 , 수직 상태 에서 수평 상태 로 회전 시키 는 단계 ; 상기 회 전부 에 위치 되 고 테스트 된 반도체 소자 들 이 수납 된 테스트 트레이 를 , 상기 언 로딩 위치 의 아래 에 위치 하 는 제 2 반입 위치 로 이송 한 후 에 , 언로 딩 위치 로 상승 시키 는 단계 ; 상기 언로 딩 위치 에 위치 된 테스트 트레이 에 대해 언 로딩 공정 을 수행 하 는 단계 ; 및 언로 딩 공정 이 완료 된 테스트 트레이 를 상기 언 로딩 위치 에서 , 상기 언 로딩 위치 와 상기 제 2 반입 위치 사이 에 위치 하 는 제 2 반출 위치 및 상기 로딩 위치 와 제 1 반출 위치 사이 에 위치 하 는 제 1 반입 위치 를 경유 하 여 , 상기 로딩 위치 로 이송 하 는 단계 를 포함 한다 .