산화물 반도체 중 및 이 산화물 반도체 와 접하 는 막 과 의 계면 에 는 , 산소 결손 에 의한 결함 이 생성 되 기 쉽 지만 , 이 와 같 은 열처리 에 의해 산화물 반도체 중 에 산소 를 과잉 으로 포함 시킴 으로써 , 정상 적 으로 생성 되 는 산소 결손 을 과잉 의 산소 에 의해서 보상 하 는 것 이 가능 해진다 . 과잉 산소 는 주로 격자 간 에 존재 하 는 산소 이 다 . 그 산소 농도 는 1 × 1016 / cm 3 이상 2 × 1020 / cm 3 이하 로 하 면 , 결정 에 변형 등 을 주 는 일 없이 산화물 반도체 중 에 포함 시킬 수 있 다 .