상술 한 바 와 같이 , 기판 스택 ( D 20 ) 은 메모리 셀 어레이 ( MCA ) 와 주변 회로 부 ( PRP ) 를 포함 하 고 , 메모리 셀 어레이 ( MCA ) 와 주변 회로 부 ( PRP ) 는 본딩 프로세스 에 의해 서로 본 딩 될 수 있 다 . 이 와 같 은 본딩 프로세스 에 의해 제 1 도전 라인 ( 24 L ) , 제 2 도전 라인 ( 43 ) 및 워드 라인 ( 16 ) 을 포함 하 는 3 단자 배선 이 가능 하 다 .