상업 적 응용 에 있 어서 의 대량 의 결정 성 SiC 의 성장 을 위한 기준 적 방법 은 승화 방법 을 기재 한 Davis 등 의 미국 특허 제 RE 34 , 861 호 의 방법 이 다 . 이 방법 은 이전 에 Lely ( 미국 특허 제 2 , 854 , 364 호 ) , Tairov ( J . Crystal Growth , 52 ( 1981 ) pp . 46 참조 ) 및 기타 많 은 사람 에 의해 보 고 된 방법 에 대한 개량 으로서 출현 되 었 다 .