에칭 핏 ( 112 ) 을 관찰 한 실험 예 가 도 9 내지 도 12 에 제공 된다 . 본 실험 예 에서 반도체 에 피층 은 19 % 의 게르마늄 을 함유 한 실리콘 - 게르마늄 에 피층 이 예 로써 제공 된다 . 도 9 및 도 10 은 HCl 및 H 2 의 혼합 기체 를 이용 하 여 약 60 초 동안 의 식각 후 의 에칭 핏 을 보여 주 고 , 도 11 및 도 12 는 약 90 초 동안 의 식각 후 의 에칭 핏 을 보여준다 .