이러 한 HEMT 소자 의 잠재력 을 실현 하 기 위해 , 낮 은 저항 , 우수 한 에지 예리 함 ( edge acuity ) 및 신뢰 할 수 있 는 금속 대 금속 접촉 , 및 금속 대 반도체 오 믹 접촉 을 달성 할 필요 가 있 다 . 대부분 의 III 족 - N 주조 금속 대 금속 ( Group III - N foundry metal to metal ) , 및 금속 대 반도체 저 저항 오 믹 접촉 ( metal to semiconductor Ohmic contacts ) 은 시트 저항 을 줄이 고 ( 전송선 ( transmission line ) 및 오 믹 접촉 에 대해 ) , 활성 소자 에 대한 최저 금속 대 반도체 오 믹 접촉 저항 을 달성 하 기 위해 필요 한 고온 어닐링 동안 산화 를 줄이 기 위해 금 ( Au ) 을 사용 한다 .