도 4 를 참조 하 면 , 상기 피복층 ( 10 A ) 및 상기 포토레지스트 패턴 들 ( 27 ) 을 가 교반응 ( 10 R ) 시키 어 상기 포토레지스트 패턴 들 ( 27 ) 의 표면 을 덮 는 피복 패턴 들 ( 10 B ) 을 형성 할 수 있 다 . 상기 피복층 ( 10 A ) 및 상기 포토레지스트 패턴 들 ( 27 ) 의 상기 가교 반응 ( 10 R ) 은 80 ℃ 내지 250 ℃ 의 온도 에서 수행 되 는 제 2 베 이크 ( second bake ) 공정 을 이용 하 여 실시 할 수 있 다 .