상기 와 같 은 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 에 따른 씨 모스 이미지 센서 는 반도체 기판 에 일정 한 간격 을 갖 고 형성 되 는 다수 의 포토 다이오드 들 과 , 상기 각 포토 다이오드 를 포함 한 상기 반도체 기판 의 전면 에 형성 되 는 층간 절연 층 과 , 상기 층간 절연 층 상 에 상기 각 포토 다이오드 와 대응 되 게 형성 된 칼라 필터 층 과 ; 상기 칼라 필터 층 을 포함 한 전면 에 1000 ~ 6000 Å 의 두께 를 가지 도록 형성 된 평탄 화 층 과 ; 상기 각 포토 다이오드 와 대응 하 도록 상기 평탄 화 층 상 에 형성 된 마이크 로 렌즈 들 과 ; HMDS 가스 를 플로우 시키 는 공정 및 300 ℃∼ 500 ℃ 의 온도 에서 180 초 ∼ 300 초 동안 베 이크 시키 는 공정 을 통해 상기 마이크 로 렌즈 의 표면 에 형성 되 어 상기 마이크 로 렌즈 를 보호 하 는 보호막 을 포함 하 여 구성 됨 을 특징 으로 한다 .