상기 기판 ( 110 ) 위 에 는 버퍼 층 ( 120 ) 이 형성 된다 . 상기 버퍼 층 ( 120 ) 은 상기 기판 ( 110 ) 과 의 격자 상수 차이 를 줄여 주 기 위한 층 으로서 , GaN , AlN , AlGaN , InGaN , AlInGaN 등 이 선택 적 으로 이용 하 여 소정 두께 ( ( 예 ; 140 ~ 1000 Å ) 로 형성 될 수 있 다 . 상기 버퍼 층 ( 120 ) 위 에 는 언 도프 드 반도체 층 ( 미 도시 ) 이 형성 될 수 있 으며 , 상기 언 도프 드 반도체 층 ( 미 도시 ) 은 undoped GaN 층 으로 구현 될 수 있 다 . 또한 상기 기판 ( 110 ) 위 에 는 상기 버퍼 층 ( 120 ) 및 언 도프 드 반도체 층 이 존재 하 지 않 거나 , 적어도 한 층 만 존재 할 수 있 다 .