메모리 디바이스 는 데이터 를 저장 하 기 위한 광범위 한 응용 분야 에서 사용 되 고 있 다 . 판독 및 기록 동작 과 같 은 메모리 디바이스 의 동작 은 메모리 디바이스 의 각각 의 메모리 셀 에 결합 되 어 있 는 비트 라인 및 워드 라인 을 통해 이루어진다 . 그러나 , 메모리 셀 에 결합 되 는 비트 라인 , 워드 라인 및 회로 에 존재 하 는 기생 저항 이 메모리 디바이스 의 성능 을 열화 시킬 수 있 다 . 예 를 들 어 , 기생 저항 은 메모리 셀 의 제 1 논리 상태 와 제 2 논리 상태 간 의 마진 을 줄여서 에러 의 우려 를 높일 수 있 다 .