먼저 , 복수 의 검사 패턴 ( 161 ) 은 복수 의 제 1 기판 ( ST 1 ) 상 의 다양 한 구성 요소 제조 시 , 복수 의 검사 기판 ( ST 5 ) 상 에 함께 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 복수 의 검사 패턴 ( 161 ) 은 트랜지스터 ( TR ) , 복수 의 패드 등 과 동일 한 물질 및 동일 한 공정 으로 형성 될 수 있 다 . 이때 , 복수 의 검사 패턴 ( 161 ) 이 게이트 전극 ( GE ) 과 동일 한 물질 및 동일 한 공정 으로 형성 되 는 경우 , 제 1 기판 ( ST 1 ) 에 형성 된 것 과 같이 복수 의 검사 패턴 ( 161 ) 과 복수 의 검사 기판 ( ST 5 ) 사이 에 하나 이상 의 절연 층 이 함께 형성 될 수 도 있 다 . 예 를 들 어 , 도 3 을 참조 하 여 상술 한 바 와 같이 , 제 1 기판 ( ST 1 ) 상 에 는 버퍼 층 ( 111 ) 및 게이트 절연 층 ( 112 ) 이 형성 된 후 , 게이트 절연 층 ( 112 ) 상 에 게이트 전극 ( GE ) 이 형성 될 수 있 다 . 그리고 복수 의 검사 기판 ( ST 5 ) 상 에 도 버퍼 층 ( 111 ) 및 게이트 절연 층 ( 112 ) 이 형성 된 후 , 게이트 절연 층 ( 112 ) 상 에 게이트 전극 ( GE ) 과 동일 한 물질 로 이루어진 검사 패턴 ( 161 ) 이 형성 될 수 있 다 . 다만 , 복수 의 검사 기판 ( ST 5 ) 상 에 배치 된 버퍼 층 ( 111 ) 및 게이트 절연 층 ( 112 ) 과 검사 패턴 ( 161 ) 은 예시 적 인 것 이 며 , 버퍼 층 ( 111 ) 및 게이트 절연 층 ( 112 ) 과 같 은 절연 층 없이 복수 의 검사 기판 ( ST 5 ) 상 에 바로 복수 의 검사 패턴 ( 161 ) 이 배치 될 수 도 있 고 , 검사 패턴 ( 161 ) 을 이루 는 물질 또한 설계 에 따라 다양 하 게 변경 될 수 있 다 .