아울러 요철 을 전극 바로 아래 의 질화물 반도체 층 표면 에 형성 하 는 것 을 전제 로 한 발광 소자 가 일본 특개 2007 - 67209 호 공보 에 기재 되 어 있 다 . 일본 특개 2007 - 67209 호 공보 에 기재 된 발광 소자 는 질화 갈륨 기판 상 에 질화 갈륨 계 화합물 반도체 가 적층 되 어 이루어지 고 , 질화 갈륨 기판 의 소자 를 적층 하 는 면 과 는 반대쪽 면 에 요철 이 형성 되 어 있 다 . 이 요철 의 형성 방법 은 이하 와 같 다 . 즉 , 마크 로 한 요철 을 연마 에 의해 형성 한 후 에 거기 에 겹쳐 미크 로 한 요철 을 식각 으로 형성 한다 . 이 로써 질화물 반도체 와 그 위 에 적층 되 는 전극 과 의 콘 택 저항 을 저하 시킴 과 동시 에 밀착 성 을 향상 시킬 수 있 다 .