본 발명 의 소정 의 실시 예 들 에 따르 면 , 반도체 디바이스 에 대하 여 알려진 데이터 ( 예 를 들 어 , CAD 데이터 , 도면 , 도면 의 컴퓨터 스캔 , 선행 데이터 등 ) 는 아이 포인트 를 규정 하 는 데 보조 하 기 위하 여 사용 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 그러 한 데이터 는 아이 포인트 를 수정 하 기 위하 여 사용 될 수 있 는데 , 이러 한 아이 포인트 는 아이 포인트 를 티칭 하 기 위해 사용 되 는 샘플 반도체 디바이스 의 소정 의 결함 들 을 포함 할 수 있 다 . 보다 상세 하 게 , 알려진 데이터 ( 예 를 들 어 , CAD 데이터 , 도면 , 도면 의 컴퓨터 스캔 , 선행 데이터 등 ) 는 도 11 에 보여 지 는 바 와 같 은 아이 포인트 를 규정 하 기 위하 여 사용 될 수 있 다 . 도 11 에 보여 지 는 바 와 같 은 반도체 디바이스 ( 600 ) 의 영역 ( 610 ) 은 본드 패드 들 ( 602 c , 602 d ) 의 변형 들 을 포함 하 지 않 음 을 주목 한다 . 도 11 에 도시 된 아이 포인트 ( 610 ; 이 아이 포인트 는 알려진 데이터 를 이용 하 여 규정 되 며 , 와이어 본딩 기계 상 에 샘플 디바이스 ( 600 ) 의 실제 적 티칭 이전 에 규정 됨 ) 로 시작 함 으로써 , 아이 포인트 ( 610 ) 는 소정 의 결함 들 이 없이 초기 에 규정 된다 . 그 후 에 , 규정 된 아이 포인트 ( 610 ) 가 와이어 본딩 기계 상 에 실제로 티칭 될 때 에 ( 예 를 들 어 , 도 10 에서 보여 지 는 바 와 같이 본드 패드 들 ( 602 c , 602 d ) 에서 변형 들 을 가지 는 샘플 디바이스 ( 600 ) 를 사용 하 여 ) , 소정 의 결함 들 은 티칭 프로세스 동안 에 제거 될 수 있 는데 , 이 는 샘플 디바이스 의 단지 일반 적 인 정보 ( 예 를 들 어 , 아이 포인트 ( 610 ) 에 포함 된 본드 패드 들 의 모양 및 상대 적 인 위치 ) 만 이 와이어 본딩 기계 상 에 티칭 하 는 동안 에 확인 되 기 때문 이 다 . 따라서 , 개선 된 아이 포인트 는 ( 1 ) 반도체 디바이스 에 대한 알려진 데이터 와 ( 2 ) 와이어 본딩 기계 상 에 티칭 되 는 샘플 디바이스 를 함께 사용 함 으로써 제공 된다 .