본 발명 은 , 다이오드 정류 기능 및 전기 적 , 광학 적 스위칭 기능 을 가질 수 있 는 칼코젠 계열 의 원소 중 Se 를 포함 하 는 CIS ( CuInSe 2 ) 를 이용 하 여 형성 한 n - 형 CIS 막 과 p - 형 CIS 막 을 포함 하 고 , 게이트 전극 에 전압 을 인가 하 여 또는 광 조사 에 의하 여 전기 적 인 스위칭 이 가능 한 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 을 개시 한다 . 본 발명 에 따른 박막 트랜지스터 는 기판 , 기판 의 일부 영역 상 에 형성 되 어 있 는 게이트 전극 , 기판 과 게이트 전극 을 덮 는 절 연막 , 게이트 전극 이 형성 된 영역 상 을 덮 도록 절 연막 상 에 형성 된 복수 의 CIS ( CuInSe 2 ) 막 들 , 및 복수 의 CIS 막 의 표면 의 일부 를 노출 하 는 트렌치 를 포함 하 도록 분리 되 어 형성 된 소스 / 드레 인 영역 을 포함 한다 .