본 발명 의 다른 실시 예 에 따른 반도체 장치 의 보호 회로 의 제조 방법 은 , 씨 모스 트랜지스터 가 형성 된 반도체 기판 상 에 절연 물질 을 증착 시킨 뒤 , 상기 트랜지스터 의 일부 표면 을 노출 시키 는 컨 택 홀 을 형성 하 는 단계 ; 상기 컨 택 홀 이 형성 된 상기 반도체 기판 을 물 에 침지 시켜 상기 반도체 기판 전면 에 전류 제 공막 을 형성 하 는 단계 ; 및 상기 반도체 기판 에 바이어스 를 인가 하 여 이온 들 을 디스 차징 시키 는 단계 를 포함 한다 .