이 와 같 은 반도체 웨이퍼 상 의 구리 금속 배선 형성 방법 중 에서 , 무전 해 전기 도금 은 높 은 어스 팩 트 비 ( high aspect ratio ) 에서 도 우수 한 갭 필링 ( gap filling ) 과 고속 성장 을 보여 주 고 있 으나 , 결정립 의 크기 ( grain size ) 가 작 아 전기 이동도 에 대한 내성 이 낮 고 화학 반응 도 복잡 하 여 제어 가 어려운 단점 이 있 다 . 따라서 , 성장 속도 가 빠를 뿐 만 아니 라 화학 반응 이 비교 적 간단 하 고 취급 이 쉬우며 결정립 의 크기 가 크 고 양호 한 막 질 을 얻 을 수 있 으므로 전기 이동도 에 대한 내성 이 우수 한 전기 도금 을 이용 한 방법 이 선호 되 고 있 다 .