또한 , 도 4 에서 는 복수 의 제 1 A 전극 라인 ( FA 1 ) 의 폭 ( WFA 1 ) 이 복수 의 제 2 A 전극 라인 ( FA 2 ) 의 폭 ( WFA 2 ) 과 동일 한 것 을 일례 로 도시 하 였으나 , 이 와 다르 게 복수 의 제 1 A 전극 라인 ( FA 1 ) 의 폭 ( WFA 1 ) 은 복수 의 제 2 A 전극 라인 ( FA 2 ) 의 폭 ( WFA 2 ) 보다 크 게 할 수 있 다 . 이 는 도 1 및 2 에서 설명 한 바 와 같이 , 기판 ( 110 ) 이 n 형 도전 성 타입 의 실리콘 으로 이루어진 반도체 기판 ( 110 ) 인 경우 , 정공 은 에미 터부 ( 121 ) 쪽 으로 이동 하 며 , 전자 는 후면 전계 부 ( 122 ) 쪽 으로 이동 하 게 된다 . 이때 , 복수 의 제 1 A 전극 라인 ( FA 1 ) 의 폭 ( WFA 1 ) 을 복수 의 제 2 A 전극 라인 ( FA 2 ) 의 폭 ( WFA 2 ) 보다 크 게 함 으로써 제 1 전극 ( 141 ) 으로 수집 되 는 마이너 리티 케리어 인 정공 의 이동 거리 를 단축 시킬 수 있 어 태양 전지 의 광전 효율 을 더욱 향상 시킬 수 있 는 것 이 다 .