먼저 , 게이트 전극 ( 150 ) 과 반도체 기판 ( 110 ) 간 에 읽 기 전압 VR ( 0 ) 를 인가 한다 . 이때 , 소스 영역 ( 112 ) 과 드레 인 영역 ( 114 ) 간 에 전류 가 흐르 면 소자 는 플로팅 게이트 에 전하 가 축적 되 어 있 지 않 은 ( 즉 , 반도체 양자 점 ( 130 ) 에 전자 가 전혀 포획 되 어 있 지 않 은 ) 초기 상태 ( 상태 ' 0 ') 에 있 는 것 으로 판단 될 수 있 다 . 왜냐하면 , 도 4 를 통해 도시 되 는 바 와 같이 읽 기 전압 VR ( 0 ) 은 초기 상태 의 문턱 전압 ( VTH ( 0 ) ) 보다 크 고 상태 ' 1 ' 의 문턱 전압 ( VTH ( 1 ) ) 보다 작 은 값 으로 설정 되 므로 , 읽 기 전압 VR ( 0 ) 의 인가 하 였을 때 소자 에 전류 가 흐른다는 것 은 소자 의 문턱 전압 이 VTH ( 0 ) 인 상태 , 즉 소자 가 초기 상태 에 있 다는 것 을 의미 하 기 때문 이 다 . 반대 로 읽 기 전압 VR ( 0 ) 를 인가 하 였을 때 소자 에 전류 가 흐르 지 않 는다는 것 은 소자 가 초기 상태 가 아닌 다른 상태 에 있 음 을 의미 하 게 된다 .