먼저 , 유리 기판 위 에 제 1 도 전막 ( 102 ) 을 두께 150 nm 의 몰리브덴 에 의해 형성 하 고 , 제 1 절 연막 ( 104 ) 을 두께 300 nm 의 질화 실리콘 에 의해 형성 하 고 , 반도체 막 ( 106 ) 을 두께 150 nm 의 비정질 실리콘 에 의해 형성 하 고 , 불순물 반도체 막 ( 108 ) 을 두께 50 nm 의 인 을 포함 하 는 비정질 실리콘 에 의해 형성 하 고 , 제 2 도 전막 ( 110 ) 을 두께 300 nm 의 텅스텐 에 의해 형성 했 다 .