본 발명 은 반도체 소자 의 제조 방법 에 관한 것 으로 , 실린더 구조 의 캐 패 시터 전극 영역 을 정의 하 는 희생 산화 막 패턴 사이 에 브릿지 역할 을 하 는 질화 막 패드 를 형성 함 으로써 , 희생 산화 막 패턴 딥 - 아웃 공정 시 습식 용액 에 의해 상기 하부 전극 용 도전 막 이 쓰러지 거나 , 기울어지 는 현상 을 방지 하 고 , 이 로 인해 소자 의 특성 을 향상 시키 는 기술 을 개시 한다 .