도 5 d 를 참조 하 면 , 절연성 베리 어막 ( 520 ) 의 표면 에 절 연막 ( 522 , 526 ) 및 전하 저 장막 ( 524 ) 을 포함 하 는 다층막 ( 528 ) 을 형성 한다 . 예 를 들 어 , 다층막 ( 528 ) 은 산화 막 / 질화 막 / 산화 막 의 적층 구조 로 형성 할 수 있 다 . 여기 서 , 질화 막 은 전하 저 장막 ( 524 ) 으로 사용 하 기 위해 형성 된다 . 첫 번 째 산화 막 ( 522 ) 은 전하 저 장막 ( 524 ) 에서 정공 이나 전자 가 도전 층 들 ( 512 a ~ 512 d ) 로 이동 하 는 것 을 방지 하 기 위한 블로킹 절 연막 으로 사용 하 기 위해 형성 된다 . 두 번 째 산화 막 ( 526 ) 은 일반 적 인 플래시 메모리 셀 의 터널 절 연막 으로 사용 하 기 위해 형성 된다 .