박막 트랜지스터 ( 320 ) 상 에 실리콘 산화물 ( SiOx ) , 실리콘 질화물 ( SiNx ) 과 같 은 무기 절 연막 으로 구성 된 패 시베이 션 층 ( 335 ) 을 배치 한다 . 패 시베이 션 층 ( 335 ) 은 박막 트랜지스터 ( 320 ) 의 구성 요소 들 사이 의 불 필요 한 전기 적 연결 을 막 고 외부 로부터 의 오염 이나 손상 등 을 막 을 수 있 다 . 패 시베이 션 층 ( 335 ) 은 박막 트랜지스터 ( 320 ) 및 유기 발광 소자 ( 340 ) 의 구성 및 특성 에 따라서 생략 할 수 도 있 다 .