제 1 박막 트랜지스터 ( TFT 1 ) 의 게이트 전극 ( GE 1 ) 과 동일 층 상 에 제 1 커패시터 ( Cst ) 의 제 1 전극 ( CE 1 ) 및 제 2 커패시터 ( Cbt ) 의 제 3 전극 ( CE 3 ) 이 배치 될 수 있 다 . 제 1 커패시터 ( Cst ) 의 제 1 전극 ( CE 1 ) 및 제 2 커패시터 ( Cbt ) 의 제 3 전극 ( CE 3 ) 은 제 1 박막 트랜지스터 ( TFT 1 ) 의 게이트 전극 ( GE 1 ) 과 동일 한 물질 을 포함 할 수 있 다 .