즉 , 본 발명 의 인덕 터 상부 금속 배선 ( 600 ) 은 금속 배선 의 폭 이 3 분할 되 어 형성 되 며 , 분할 된 상부 금속 배선 ( 600 ) 이 양 끝단 ( 602 ) 에서 연결 되 도록 형성 되 는데 , 위 금속 배선 ( 600 ) 의 양 끝단 ( 602 ) 에 는 위 도 8 a 에서 보여 지 는 바 와 같이 , 반도체 기판 상 인덕 터 의 하부 금속 배선 ( 802 ) 과 연결 하 기 위한 비 아홀 ( 800 ) 이 형성 된다 .