이상 에서 설명 한 바 와 같이 본 발명 은 제 1 마스크 막 을 이용 한 이온 주입 공정 으로 엘 디디 영역 을 형성 하 고 , 제 2 마스크 막 을 이용 한 이온 주입 공정 으로 채널 영역 을 형성 하 고 있 으며 , 채널 영역 을 형성 하 기 위한 이온 주입 공정 에서 상기 엘 디디 영역 을 형성 할 때 주입 한 이온 과 반대 도전 형 의 이온 을 주입 하 고 있 다 .