미국 특허 제 4 , 821 , 191 호 는 희생 기판 제작 기술 ( sacrificial substrate fabrication technique ) 을 사용 하 여 다층 상호 연결 구조 를 제조 하 는 방법 을 개시 하 고 있 는데 , 다층 상호 연결 구조 는 상기 다층 상호 연결 의 그것 에 비하 여 보다 작 은 열 팽창 계수 를 갖 는 기판 위 에 형성 되 고 , 이어서 경화 를 수행 하 기 위하 여 온도 를 상승 시키 고 , 그 이후 에 기판 과 다층 상호 연결 구조 사이 에 충분 한 장력 을 형성 할 수 있 도록 온도 를 하강 시키 고 , 지지 장치 를 상기 다층 상호 연결 구조 에 접착 하 고 산 - 투입 ( acid - immersion ) 에 의하 여 다층 상호 연결 구조 가 기판 으로부터 분리 된다 .