따라서 , 제 1 N 형 확산 영역 ( 420 ) 과 제 2 N 형 확산 영역 ( 610 ) 사이 의 실리콘 기둥 ( 520 ) ( 즉 , P 형 기판 ) 에 채널 ( channel ) ( 1210 ) 이 형성 될 수 있 다 . 또한 , 전자 들 은 형성 된 채널 ( 1210 ) 을 통하 여 제 1 N 형 확산 영역 ( 420 ) 에서 제 2 N 형 확산 영역 ( 610 ) 으로 이동 할 수 있 다 . 이때 , 전자 들 의 에너지 는 제 2 N 형 확산 영역 ( 610 ) 부근 에서 높 아 지 게 되 고 , 에너지 가 높 아 진 전자 들 은 제 1 하부 절 연막 ( 720 ) 의 에너지 장벽 을 넘 어 제 1 트랩 층 ( 730 ) 에 주입 될 수 있 다 .