실시 예 1 에서 제조 한 전계 효과 트랜지스터 에 음 의 게이트 전압 을 인가 하 여 , 전류 - 전압 ( ISD - VSD ) 특성 을 실온 ( 25 ℃) 에서 측정 한 바 , 도 3 과 같이 게이트 전압 의 증가 와 함께 전류 값 이 증가 하 는 전형 적 인 p 형 의 트랜지스터 특성 을 나타내 었 다 ( 도 3 ( A ) ) . 한편 , 양 의 게이트 전압 을 인가 한 경우 에 는 공핍 층 이 형성 되 기 때문 에 , 저 게이트 전압 에서 는 전류 값 이 감소 하 지만 , 고게 이트 전압 에서 는 반전 층 이 형성 되 고 , 전류 값 이 증가 하 는 n 형 의 특성 을 나타내 었 다 ( 도 3 ( B ) ) . 구리 프탈 로 시아닌 층 이 p 형 이 고 , 추가 로 밴드 갭 이 1 . 5 eV 로 크 기 때문 에 , 다량 의 전하 를 축적 하 고 있 음 에 도 불구 하 고 , 약한 반전 상태 라고 생각 된다 . 이 때문 에 , n 형 의 소스 · 드레 인 전류 값 은 p 형 의 소스 · 드레 인 전류 값 에 비하 여 10 분 의 1 ( │ Vg │= 50 V 일 때 ) 로 작 은 값 을 나타낸다 .