베이스 다이 웨이퍼 ( base die wafer ) 상 에 코어 다이 ( core die ) 들 을 수직 하 게 적층 하 고 , 코어 다이 들 이 적층 된 스택 ( stack ) 을 둘러싸 도록 격벽 ( partition walls ) 들 을 도입 한 후 , 코어 다이 들 사이 를 채우 는 언더 필 ( underfill ) 부분 과 코어 다이 들 측면 을 덮 도록 연장 되 고 격벽 들 에 의해 폭 이 제한 된 필 릿 ( fillet ) 부분 을 포함 하 는 언더 필 물질 층 을 형성 한다 . 격벽 들 을 제거 하 고 , 필 릿 부분 을 덮 는 몰드 ( mold ) 층 을 몰딩 ( molding ) 하 는 적층 패키지 제조 방법 및 이 에 따른 적층 패키지 구조 를 제시 한다 .