예컨대 , 미크론 미만 또는 나노미터 수준 크기 들 을 갖 는 디바이스 의 특성 피 쳐 들 을 훨씬 넘어서 는 반도체 및 동종 의 산업 들 에서 의 현재 경향 의 관점 에서 , 초기 에 그리고 다양 한 증착 및 패 터닝 동작 들 이후 에 기판 들 을 세정 하 기 위한 효과 적 인 기법 들 이 점점 더 중요 해 지 고 있 다 . 설계 된 피 쳐들 및 피쳐 들 을 생성 하 기 위한 설계 규칙 들 이 점점 더 작아지 고 있 기 때문 에 , 오염물 들 의 존재 에 대한 반도체 표면 들 의 극단 적 인 민감 도 가 존재 한다 . 예컨대 , 기판 ( 예컨대 , 규소 웨이퍼 ) 의 총 금속 성 불순물 들 은 cm 2 당 1010 원자 보다 훨씬 작 아야 한다 . 크기 가 0 . 1 ㎛ 보다 큰 입자 들 의 존재 는 대략 적 으로 , cm 2 당 0 . 1 보다 훨씬 작 아야 한다 . 게다가 , 유기 오염물 들 , 미립자 들 , 및 / 또는 다른 불순물 들 이 기판 상 에 존재 할 수 있 다 . 이러 한 요건 들 은 현재 종래 기술 에 의해 해결 되 지 않 고 있 다 .