부 가 패턴 ( 22 b ) 은 게이트 도체 ( 22 ) 를 형성 할 때 만들 어 지 는 것 이 므로 , 부 가 게이트 도체 패턴 ( 22 b ) 을 형성 하 기 위해 별도 의 마스크 ( photo mask ) 를 사용 할 필요 없이 마스크 의 패턴 만 변경 하 면 된다 . 즉 , 본 발명 의 부 가 게이트 도체 패턴 ( 22 b ) 을 형성 하 기 위하 여 반도체 제조 공정 을 변경 하 거나 새로운 공정 을 도입 할 필요 가 없 다 .