마그네트론 스퍼터링 에 의해 증착 된 박막 , 예 를 들 어 , Mo , W , Ta , Ti , Pt , Cr , Ru 및 Al 과 같 은 금속 박막 의 웨이퍼 내 응력 은 타 겟 ( 30 ) 과 웨이퍼 ( 26 ) 사이 에 배치 된 그리드 ( 38 ) 의 추가 에 의해 극 적 으로 감소 될 수 있 는 것 으로 밝혀졌 다 . 이론 에 구속 되 지 않 고 , 그리드 ( 38 ) 는 웨이퍼 에 도달 하 는 외부 침식 프로파일 에서 발생 된 고 에너지 종 의 부분 을 선택 적 으로 감소 시킴 으로써 그리고 나머지 플 라즈 마 로부터 의 기여 를 열중성자 화 시킴 으로써 충돌 종 의 증착 플럭스 및 에너지 를 변형 시키 는 것 으로 여겨진다 . 이러 한 방식 으로 , 유리 하 게 도 , 웨이퍼 내 응력 균일성 이 약 180 MPa 미만 으로 감소 될 수 있 다 . 이 는 결과 적 으로 막 의 더 높 은 기계 적 신뢰 성 및 막 을 포함 하 는 디바이스 의 더 높 은 성능 을 야기 한다 . 실제로 , 낮 은 웨이퍼 내 응력 균일성 은 유리 하 게 도 물질 및 증착 파라미터 와 크 게 관계없이 유지 될 수 있 다는 것 이 밝혀졌 다 .