또한 , 반도체 소자 제조 장치 ( 20 ) 는 제 2 처 리조 ( 150 ) 의 상부 에 이격 되 어 설치 된 가스 분사 노즐 ( 165 ) 및 가스 분사 노즐 ( 165 ) 에 가스 를 공급 하 는 가스 공급 부 ( 160 ) 를 더 포함 한다 . 가스 공급 부 ( 160 ) 로부터 공급 되 고 가스 분사 노즐 ( 165 ) 에서 척 ( 130 ) 으로 분사 되 는 가스 는 척 ( 130 ) 을 건조 시킴 과 동시 에 가열 시킬 수 있 다 . 이러 한 가스 로 는 예 를 들 어 , 질소 가스 ( N ₂ ) 가 적용 될 수 있 으나 , 이 에 한정 되 는 것 은 아니 다 .