도 6 a , 6 b 및 6 c 는 예시 적 인 반도체 디바이스 ( 100 ) 를 제조 하 기 위한 예시 적 인 방법 의 사시도 , 단면 도 및 확대 단면도 를 도시 한다 . 도 6 a , 6 b 및 6 c 에 도시 된 예 에서 , 감광성 필름 ( 117 ) 이 전자 컴 포 넨 트 ( 120 ) 및 인 캡슐 란트 ( 115 ) 의 상면 에 라미 네 이 팅 된 후 패 터닝 될 수 있 다 . 일부 예 들 에서 , 감광성 필름 ( 117 ) 은 전자 컴 포 넨 트 ( 120 ) 및 인 캡슐 란트 ( 115 ) 의 상면 에 스핀 코팅 , 닥터 블레이드 , 캐스팅 , 페인팅 , 스프레이 코팅 , 슬롯 다이 코팅 , 커튼 코팅 , 슬라이드 코팅 또는 나이프 오버 에지 코팅 방식 으로 형성 될 수 도 있 다 . 일부 예 들 에서 , 감광성 필름 ( 117 ) 은 인 캡슐 란트 ( 115 ) 에 형성 된 오프닝 ( 116 ) 을 막 을 수 있 다 . 일부 예 들 에서 , 패 터닝 공정 에 의해 감광성 필름 ( 117 ) 에 오프닝 이 형성 되 어 오프닝 ( 116 ) 이 개방 될 수 있 다 . 이 에 따라 감광성 필름 ( 117 ) 의 오프닝 이 인 캡슐 란트 ( 115 ) 의 오프닝 ( 116 ) 과 연결 될 수 있 다 . 감광성 필름 ( 117 ) 은 드라이 필름 , 드라이 필름 레지스 트 , 포토레지스트 또는 포토레지스트 필름 으로 지칭 될 수 있 다 . 이러 한 감광성 필름 ( 117 ) 은 하 기 할 서브 스트레이트 인터 커넥트 ( 112 ) 의 형성 공정 동안 전자 컴 포 넨 트 ( 120 ) 및 / 또는 인 캡슐 란트 ( 115 ) 의 상면 에 서브 스트레이트 인터 커넥트 ( 112 ) 가 형성 되 지 않 도록 할 수 있 다 .