기판 ( 132 ) 상 에 제 1 마스크 공정 에 의해 게이트 라인 ( 102 ) 및 게이트 전극 ( 108 ) 을 포함 하 는 게이트 패턴 이 형성 된다 . 이후 , 도 4 에 도시 된 검사 장치 를 이용 하 여 이 물 의 위치 및 개수 를 검출 한다 . 검출 결과 도 5 와 같 은 경우 이물 A 는 이웃 하 는 게이트 라인 ( 102 ) 과 접촉 되 어 있 으므로 이 는 라인 간 의 단락 ( Short ) 을 유발 할 수 있 으므로 반드시 제거 되 어야 한다 . 이 와 달리 , 이 물 B 는 게이트 라인 ( 102 ) 과 게이트 라인 ( 102 ) 사이 에 위치 하 며 크 기 도 작 기 때문 에 반드시 제거 공정 에 의해 제거 되 어야 하 는 것 은 아니 다 . 따라서 , 검출 결과 A 이물 이 있 으면 제거 공정 이 실시 되 어야 할 것 이 고 B 이물 만 이 검출 되 었 다면 제거 공정 은 거의 할 필요 가 없 게 된다 .