상기 웰 층 은 InGaN 으로 형성 되 고 , 상기 장벽층 은 InGaN 및 GaN 가 교대 로 적층 된 초격자 구조 일 수 있 다 . 이때 , 상기 웰 층 의 InGaN 은 장벽층 의 InGaN 에 비해 In 을 더 많이 함유 한다 . 이 에 따라 , 상기 웰 층 의 In 조성 을 변화 시켜 근자외선 영역 에서 다양 한 파장 의 광 을 방출 하 는 근자외선 발광 다이오드 를 제공 할 수 있 다 .