상기 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 반도체 소자 의 제조 방법 은 기판 에 트렌치 패턴 과 볼 패턴 으로 이루어진 벌브 형 리세 스 패턴 을 형성 하 는 단계 ; 상기 벌브 형 리세 스 패턴 이 형성 된 기판 상 에 게이트 절 연막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 게이트 절 연막 상 에 제 1 게이트 도 전막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 제 1 게이트 도 전막 상 에 상기 벌브 형 리세 스 패턴 내부 를 매립 하 지 않 는 두께 로 공극 이 동방 지막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 공극 이 동방 지막 을 선택 적 으로 식각 하 여 상기 벌브 형 리세 스 패턴 의 내부 에 잔류 시키 는 단계 ; 및 상기 공극 이 동방 지막 및 제 1 게이트 도 전막 상 에 상기 벌브 형 리세 스 패턴 을 매립 하 도록 제 2 게이트 도 전막 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 하 고 , 상기 공극 이 동방 지막 은 원자 층 증착 법 ( ALD ) 으로 형성 하 며 , 상기 공극 이 동방 지 막 은 알루미늄 산화 막 ( Al 2 O 3 ) 또는 지르코늄 산화 막 ( ZrO 2 ) 으로 형성 하 는 것 을 특징 으로 한다 .