감지 회로 ( 111 a ) 의 포토 다이오드 ( PD 11 ) 는 접지 전압 ( GND ) 과 제 1 NMOS 트랜지스터 ( MN 11 ) 사이 에 연결 되 고 , 제 1 NMOS 트랜지스터 ( MN 11 ) 는 전송 신호 ( TG ) 에 의해 제어 되 며 , FD ( Floating diffusion ) 노드 에 연결 된다 . 리셋 회로 ( 111 b ) 의 제 2 NMOS 트랜지스터 ( MN 12 ) 의 드레 인 은 전원 전압 ( VDD ) 을 공급 받 고 , 게이트 는 리셋 신호 ( RG ) 를 입력 받 고 , 소스 는 FD 노드 에 연결 된다 . 소스 팔 로워 회로 ( 111 c ) 의 제 3 NMOS 트랜지스터 ( MN 13 ) 의 드레 인 은 전원 전압 ( VDD ) 을 공급 받 고 , 게이트 는 FD 노드 에 연결 되 고 , 소스 는 제 4 NMOS 트랜지스터 ( MN 14 ) 의 드레 인 에 연결 된다 . 선택 회로 ( 111 d ) 의 제 4 NMOS 트랜지스터 ( MN 14 ) 의 게이트 는 선택 신호 ( SEL ) 를 입력 받 고 , 소스 는 노드 들 ( N 11 , N 12 , N 13 , N 14 ) 에 연결 된다 . N 14 노드 는 바이패스 트랜지스터 ( MN 16 ) 의 드레 인 에 연결 된다 . 바이패스 회로 ( 120 ) 의 바이패스 트랜지스터 ( MN 16 ) 의 게이트 는 제어 신호 ( SH 2 ) 를 제공 받 고 , 소스 는 출력 단자 ( VOUT ) 에 연결 된다 .