상기 상부 전도체 ( 436 ) 의 형성 이후 에 상기 구조 는 어닐링 되 어 상기 다이오드 ( 428 ) 의 증착 된 반도체 재료 를 결정 화 할 수 있 다 ( 및 / 또는 규소 화합물 영역 ( 432 ) 을 형성 할 수 있 음 ) . 적어도 하나 의 실시 예 에서 , 어닐링 은 600 내지 800 ℃, 더 바람직 하 게 는 650 내지 750 ℃ 의 온도 에서 질소 로 약 10 초 내지 2 분 동안 실행 할 수 있 다 . 다른 어닐링 시간 , " 온도 및 / 또는 환경 들 을 사용 할 수 있 다 . 상기 규소 화합물 영역 ( 432 ) 은 다이오드 ( 428 ) 를 형성 하 는 하부 의 증착 반도체 재료 의 어닐링 동안 "" 결정 성 템 플레이트 "" 또는 "" 씨드 "" 로서 제공 될 수 있 다 ( 예 를 들 어 ", 비결정성 반도체 재료 에서 다결정 반도체 재료 로 변환 및 / 또는 다이오드 ( 428 ) 의 전반 적 인 결정 성 특성 들 을 향상 시킴 ) . 이 로 인해서 더 낮 은 저항 다이오드 재료 가 제공 된다 .