도 4 e 에 도시 된 바 와 같이 , 질화 막스 페이서 ( 43 ) 를 포함 한 전면 에 제 2 층간 절 연막 ( 44 ) 을 증착 하 여 트렌치 ( 40 ) 를 모두 매립 시킨 다음 , 제 2 층간 절 연막 ( 44 ) 의 CMP 공정 을 통해 평탄 화 시켜 트렌치 ( 40 ) 내부 를 채우 는 형태 로 제 2 층간 절 연막 ( 44 ) 을 잔류 시킨다 . 이때 , 제 2 층간 절 연막 ( 44 ) 은 실리콘 산화 막 으로 형성 한다 .