일 실시 예 에서 , 제 2 비아 홀 ( H 2 ) 은 제 1 비아 홀 ( H 1 ) 보다 외측 에 위치 할 수 있 다 . 다시 말 해 , 제 2 비아 홀 ( H 2 ) 은 제 1 비아 홀 ( H 1 ) 보다 제 1 반도체 패키지 ( 100 a ) 의 측면 으로부터 가까울 수 있 다 . 이 에 따라 , 제 2 비아 홀 ( H 2 ) 간 의 이격 거리 ( d 3 ) 는 제 1 비아 홀 ( H 1 ) 간 의 이격 거리 ( d 2 ) 보다 큰 값 을 가질 수 있 다 . 다만 , 이 에 한정 되 지 않 고 , 제 2 비아 홀 ( H 2 ) 은 제 1 비아 홀 ( H 1 ) 의 내측 에 위치 할 수 있 다 . 다시 말 해 , 제 2 비아 홀 ( H 2 ) 은 제 1 비아 홀 ( H 1 ) 보다 제 1 반도체 패키지 ( 100 a ) 의 측면 으로부터 멀 수 있 다 .