한편 , 본 발명 의 기술 적 사상 에 따른 메모리 장치 의 형태 가 이 에 제한 되 는 것 은 아니 다 . 본 발명 의 몇몇 실시 예 에서 , 플 래쉬 메모리 칩 은 PRAM ( Phase - change Random - Access Memory ) , MRAM ( Magneto - resistive Random - Access Memory ) , RRAM ( Resistive Random - Access Memory ) 중 어느 하나 를 포함 할 수 도 있 다 .