본 발명 은 , 종래 의 6 매 마스크 프로세스 에 의한 공 정수 를 삭감 하 기 위하 여 , 마스크 수 를 4 장 으로 하 여 제조 한 반도체 장치 및 그 의 제조 방법 에 관한 것 이 다 . 도 3 내지 도 6 은 본 발명 의 반도체 장치 의 제조 방법 의 일례 를 나타낸 것 이 다 . 본 제조 공정 에서 는 , 투명 도전 막 위 에 게이트 메탈 을 적층 하 고 , 제 1 다 계조 ( multi - tone ) 마스크 인 하프 톤 ( half - tone ) 포토 마스크 또는 그레이 톤 ( gray - tone ) 포토 마스크 를 사용 한 노광 기술 을 사용 하 여 , 투명 도전 막 이 단층 으로서 존재 하 는 영역 과 , 투명 도전 막 과 금속 막 이 적층 의 형태 로 그대로 잔존 하 는 영역 을 나누 어 만드 는 것 을 특징 으로 한다 . 여기 서 , 투명 도전 막 이 단층 인 부분 을 FFS 모드 LCD 의 전극 ( 이 하 , 공통 전극 ( common electrode ) 이 라고 부른다 ) 이 라고 한다 .