본 발명 의 실시 예 들 에 있 어서 , 상기 제 2 연마 공정 에 사용 되 는 상기 제 2 슬러리 조성물 은 약 1 : 0 . 5 내지 약 1 : 2 의 범위 의 연마 선택 비 ( 절 연막 : 상변화 물질 층 ) 를 가질 수 있 다 . 예 를 들 어 , 상기 제 2 슬러리 조성물 이 약 1 : 0 . 5 미만 의 연마 선택 비 를 가지 는 경우 에 는 , 상변화 물질 층 ( 115 ) 에 비해 절 연막 ( 105 ) 이 과다 연마 되 어 절 연막 ( 105 ) 의 상면 에 리세 스 가 발생 할 수 있 다 . 또한 , 제 2 슬러리 조성물 의 연 마 선택 비 가 약 1 : 2 를 초과 하 는 경우 에 는 , 절 연막 ( 105 ) 의 연마 속도 에 비하 여 상변화 물질 층 ( 115 ) 의 연마 속도 가 빨라서 형성 되 는 상변화 물질 층 패턴 ( 125 ) 의 상면 에 의도 되 지 않 은 리세 스 가 발생 하 여 상변화 메모리 장치 의 불량 을 유발 할 수 있 다 . 상기 와 같 은 낮 은 연마 선택 비 를 가지 는 제 2 슬러리 조성물 은 , 절연 물질 에 대한 연마 능력 이 제 1 슬러리 조성물 에 비하 여 향상 되 므로 , 칼코겐 화합물 과 같 은 상변화 물질 층 이 산화 되 어 형성 되 는 표면 산화 막 ( 120 ) 에 대한 연마 능력 도 개선 될 수 있 다 .