산화물 반도체 층 을 포함 하 는 트랜지스터 ( 204 ) 를 전원 선 ( 240 ) 에 설치 함 으로써 , 저항 소자 ( 201 _ 1 ) 내지 저항 소자 ( 201 _ n + 1 ) 에 의 전위 의 공급 을 제어 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 노드 FN 1 내지 FNn 에 전위 를 공급 한 후 , 트랜지스터 ( 232 _ 1 ) 내지 트랜지스터 ( 232 _ n ) 가 오프 상태 가 되 어 노드 FN 1 내지 FNn 에 전위 를 유지 하 는 기간 동안 에 , 산화물 반도체 층 을 포함 하 는 트랜지스터 ( 204 ) 도 오프 상태 로 하 여 전원 선 ( 240 ) 에 의 전위 의 공급 을 정지 할 수 있 다 .