본 개시 의 또 다른 양상 은 트랜지스터 의 게이트 구조물 에 관한 것 이 다 . 본 게이트 구조물 은 , 게이트 유전체 층 ; 게이트 유전체 층 위 에 위치 된 제 1 일 함수 금속 층 ; 제 1 일 함수 금속 층 위 에 위치 된 충전 금속 층 - 충전 금속 층 은 U 자형 리세 스 를 포함 함 -; 및 U 자형 리세 스 내 의 제 2 일 함수 금속 층 을 포함 한다 . 충전 금속 층 은 , 제 1 일 함수 금속 층 및 제 2 일 함수 금속 층 보다 더 높이 있 는 상부 표면 을 갖 는다 .