이어서 , 도 3 c 에 도시 된 바 와 같이 , 식각 공정 ( 이하 , 제 2 식각 공정 ) 을 실시 하 여 소자 분리 막 ( 203 B ) 을 전체 적 으로 후퇴 ( recess ) 시킨다 . 이때 , 제 2 식각 공정 은 주변 회로 영역 은 덮이 고 , 셀 영역 이 개방 된 구조 를 갖 는 감광막 패턴 을 이용 하 여 실시 할 수 도 있 으나 , 이 경우 마스크 공정 이 추가 되 어 제조 공정 이 복잡 해질 뿐 만 아니 라 제조 단가 가 증가 하 기 때문 에 공정 단순 화 차원 에서 식각 마스크 없이 셀 영역 과 주변 회로 영역 에 대해 전면 식각 공정 , 예컨대 에치 백 ( etch back ) 공정 으로 실시 하 는 것 이 바람직 하 다 .