제거 된 용액 에 용매 로 벤젠 을 사용 하 여 희석 시킨 후 벤젠 에 희석 된 MBDA 를 천천히 반응 시켰 다 . 이때 반응 온도 는 상온 을 유지 하 며 5 시간 동안 교반 하 였 다 . 5 시간 동안 교반 후 감압 증류 를 통하 여 벤젠 을 제거 하 면 화학식 2 의 화합물 이 형성 되 어 지 면 정제 장치 를 사용 하 여 80 ~ 130 ℃ 온도 에서 감압 으로 크래킹 을 실시 하 여 트리 메틸 칼륨 을 얻 을 수 있 었 다 . 이때 수득 률 은 60 % 이 다 . ( CVD of Compound Semiconductors Book 50 ~ 81 페이지 참고 )