도 5 c 에 도시 한 바 와 같이 , 상기 제 2 마스크 ( 110 ) 를 대상 으로 광 을 노광 시키 는 경우 , 상기 제 2 마스크 ( 110 ) 의 투과 영역 ( 111 ) 에 의해 광 이 모두 투과 되 므로 , 상기 제 2 마스크 ( 110 ) 의 투과 영역 ( 111 ) 에 대응 된 상기 포토레지스트 물질 ( 107 ) 은 모두 경화 된다 . 상기 제 2 마스크 ( 110 ) 의 반투 과 영역 ( 113 ) 에 의해 광 의 일부 만 이 투과 되 므로 , 상기 제 2 마스크 ( 110 ) 의 반투 과 영역 ( 113 ) 에 대응 된 상기 포토레지스트 물질 ( 107 ) 은 그 표면 으로부터 일부 두께 만 경화 된다 . 또한 , 상기 제 2 마스크 ( 110 ) 의 차단 영역 ( 115 ) 에 의해 광 이 전혀 투과 되 지 않 게 됨 에 따라 , 상기 제 2 마스크 ( 110 ) 의 상기 차단 영역 ( 115 ) 에 대응 된 상기 포토레지스트 물질 ( 107 ) 은 전혀 경화 되 지 않 게 된다 . 따라서 , 상기 포토레지스트 물질 ( 107 ) 을 현상 하 는 경우 , 상기 제 2 마스크 ( 110 ) 의 투과 영역 ( 111 ) 에 대응 된 상기 포토레지스트 물질 ( 107 ) 은 모두 제거 되 고 , 상기 반투 과 영역 ( 113 ) 에 대응 된 상기 포토레지스트 물질 ( 107 ) 은 일부 두께 만 제거 되 며 , 상기 차단 영역 ( 115 ) 에 대응 된 상기 포토레지스트 물질 ( 107 ) 은 전혀 제거 되 지 않 게 된다 . 이러 한 결과 에 의해 상기 포토레지스트 물질 ( 107 ) 은 제 1 포토레지스트 패턴 ( 109 ) 으로 형성 될 수 있 다 .