( b ) 스텝 A 에서 하 지 ( 200 c ) 의 표면 에 보호막 ( 200 e ) 으로서 SiO 막 을 형성 함 으로써 , 스텝 C 에서 는 , 하 지 ( 200 c ) 의 표면 에 F 2 가스 가 접촉 하 지 않 게 되 므로 , 하 지 ( 200 c ) 의 표면 에 의 에칭 대미지 를 억제 하 는 것 이 가능 하 게 된다 . 즉 , 스텝 C 에서 는 , F 2 가스 에 의한 하지 ( 200 c ) 에 의 에칭 대미지 를 억제 하 면서 , 하 지 ( 200 b ) 및 보호막 ( 200 e ) 각각 의 표면 을 개질 시키 는 것 이 가능 하 게 된다 .