상기 와 같 은 공정 을 통하 여 형성 된 상변화 메모리 소자 의 하부 전극 내 에 보이드 ( void ) 및 심 ( seam ) 의 생 성 을 억제 할 수 있 다 . 또한 , 종래 기술 보다 공정 시간 이 짧 아 쓰루 풋 도 향상 될 수 있 다 . 그리고 , 티타늄 알루미늄 질화 막 의 알루미늄 양 을 조절 하 여 목적 하 는 비저항 을 갖 는 하부 전극 을 형성 할 수 있 다 .