각 도면 에 있 어서 , Ge 층 ( 120 ) 은 이하 의 절차 에 의해 형성 하 였 다 . 우선 , 열 산화 법 에 의해 Si 웨이퍼 ( 102 ) 의 표면 에 SiO 2 층 의 저해 층 ( 104 ) 을 형성 하 고 , 저해 층 ( 104 ) 에 피복 영역 및 개구 영역 ( 106 ) 을 형성 하 였 다 . Si 웨이퍼 ( 102 ) 는 시판 되 고 있 는 단결정 Si 기판 을 이용 하 였 다 . 피복 영역 의 평면 형상 은 , 1 변의 길이 가 400 ㎛ 인 정사각형 이 었 다 . 다음 에 , CVD 법 에 의해 개구 영역 ( 106 ) 의 내부 에 Ge 층 ( 120 ) 을 선택 적 으로 성장 시켰 다 .