도 2 를 참조 하 면 , 본 발명 의 실시 예 에 따른 고전압 소자 는 기판 ( 21 ) 내 에 형성 된 고전압 용 웰 ( 22 ) 과 , 웰 ( 22 ) 내 에 서로 일정 거리 이격 되 어 형성 된 드리프트 영역 ( 27 ) 과 , 드리프트 영역 ( 27 ) 과 웰 ( 22 ) 간 의 경 계면 으로부터 일정 거리 ( L 2 ) 이격 되 어 드리프트 영역 ( 27 ) 내 에 각각 형성 된 소오 스 / 드레 인 영역 ( 35 ) 과 , 일부분 이 드리프트 영역 ( 27 ) 과 각각 중첩 되 도록 웰 ( 22 ) 상부 에 형성 된 고전압 용 게이트 전극 ( 30 ) 과 , 게이트 전극 ( 30 ) 과 드리프트 영역 ( 27 ) 간 의 중첩 영역 에서 의 두께 ( H 2 ) 가 드리프트 영역 ( 27 ) 사이 영역 에서 의 두께 ( H 1 ) 보다 두껍 도록 소오 스 / 드레 인 영역 ( 35 ) 사이 의 웰 ( 22 ) 표면 상 에 형성 된 게이트 산화 막 ( 29 ) 을 포함 한다 .