Ⅲ - Ⅴ 족 화합물 반도체 를 이용 하 여 가 시광 영역 에서 Si 보다 소멸 계수 가 작 고 TiO 2 보다 굴절 률 이 큰 나노 구 조체 ( NS ) 를 형성 할 수 있 다 . 따라서 , 가시 광 대역 에서 광 의 흡수 가 작 아서 효율 이 높 으면서 도 고 굴절 률 특성 으로 인하 여 공정 마진 이 ㅣ whv 은 메타 표면 ( metasurface ) 구조 를 구현 할 수 있 다 . 표 7 및 표 8 을 참조 하 면 , Ⅲ - Ⅴ 족 화합물 반도체 나노 구 조체 ( NS ) 에 는 p - Si , c - Si 보다 는 큰 패턴 이 적용 될 수 있 으며 , TiO 2 보다 는 종횡비 가 작 은 패턴 이 적용 될 수 있 다 . 따라서 , 패 터닝 공정 상 의 공정 난이도 를 낮출 수 있 으며 , 높 은 수율 을 확보 할 수 있 다 .