일 실시 형태 에서 , 반도체 디바이스 를 형성 하 는 방법 은 , 기판 위 로 돌출 하 는 핀 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 핀 위 에 더미 게이트 구조 를 형성 하 는 단계 와 , 유전체 층 으로 상기 더미 게이트 구조 를 둘러싸 는 단계 와 , 상기 더미 게이트 구조 를 금속 게이트 로 대체 하 는 단계 를 포함 하 고 , 상기 대체 하 는 단계 는 , 상기 유전체 층 에 제 1 게이트 트렌치 , 제 2 게이트 트렌치 , 및 제 3 게이트 트렌치 를 형성 하 기 위해 상기 더미 게이트 구조 를 제거 하 는 단계 로서 , 상기 제 3 게이트 트렌치 는 상기 제 1 게이트 트렌치 와 상기 제 2 게이트 트렌치 사이 에 있 는 , 상기 더미 게이트 구조 제거 단계 와 , 상기 제 1 게이트 트렌치 의 측벽 과 바닥 부 를 따라 , 그리고 상기 제 3 게이트 트렌치 의 제 1 측벽 과 바닥 부 의 제 1 영역 을 따라 제 1 일 함수층 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 제 2 게이트 트렌치 의 측벽 과 바닥 부 를 따라 , 그리고 상기 제 3 게이트 트렌치 의 제 2 측벽 과 바닥 부 의 제 2 영역 을 따라 제 2 일 함수층 을 형성 하 는 단계 로서 , 상기 제 1 일 함수층 과 상기 제 2 일 함수층 은 동일 한 타입 의 일함수 층 인 , 상기 제 2 일 함수층 형성 단계 와 , 상기 제 1 게이트 트렌치 , 상기 제 2 게이트 트렌치 , 및 상기 제 3 게이트 트렌치 에 제 3 일 함수층 을 형성 하 는 단계 로서 , 상기 제 3 일 함수층 은 상기 제 1 일 함수층 과 상기 제 2 일 함수층 을 따라 연장 되 는 , 상기 제 3 일 함수층 형성 단계 와 , 전기 전도성 재료 로 상기 제 1 게이트 트렌치 , 상기 제 2 게이트 트렌치 , 및 상기 제 3 게이트 트렌치 를 충전 하 는 단계 를 포함 한다 . 일 실시 형태 에서 , 상기 대체 하 는 단계 는 , 상기 제 1 일 함수층 과 상기 제 2 일 함수층 이 형성 되 기 전 에 , 상기 제 1 게이트 트렌치 , 상기 제 2 게이트 트렌치 , 및 상기 제 3 게이트 트렌치 에 또 다른 층 을 형성 하 는 단계 를 더 포함 하 고 , 상기 제 1 일 함수층 과 상기 제 2 일 함수층 은 상기 또 다른 층 을 따라 연장 하 며 상기 또 다른 층 과 접촉 한다 . 일 실시 형태 에서 , 상기 대체 하 는 단계 는 , 캡 핑 층 을 상기 제 1 일 함수층 상 에 는 형성 하 고 상기 제 2 일 함수층 상 에 는 형성 하 지 않 는 단계 를 더 포함 하 고 , 상기 캡 핑 층 은 상기 제 1 일 함수층 과 상기 제 3 일 함수층 사이 에 형성 된다 . 일 실시 형태 에서 , 상기 방법 은 상기 제 3 일 함수층 위 에 제 4 일 함수층 과 제 5 일 함수층 을 형성 하 는 단계 를 더 포함 하 고 , 상기 제 3 일 함수층 은 상기 제 1 일 함수층 과 상기 제 4 일 함수층 사이 에 그리고 상기 제 2 일 함수층 과 상기 제 5 일 함수층 사이 에 있 다 .