상기 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 콘 택 홀 형성 방법 은 기판 상 에 양 측벽 에 스 페이서 가 구비 된 복수 의 게이트 패턴 을 형성 하 는 단계 ; 상기 게이트 패턴 사이 의 기판 상 에 랜딩 플러그 를 형성 하 는 단계 ; 상기 랜딩 플러그 를 포함 한 전면 에 절 연막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 절 연막 상 에 하드 마스크 막 을 형성 하 는 단계 ; 비트 라인 콘 택 마스크 로 상기 하드 마스크 막 을 식각 하 는 단계 ; 상기 하드 마스크 막 식각 후 노출 된 절 연막 의 일부 를 건식 식각 하 여 1 차 홀 을 형성 하 는 단계 ; 상기 1 차 홀 의 측벽 에 스 페이서 를 형성 하 는 단계 ; 상기 1 차 홀 아래 에 남 아 있 는 절 연막 을 건식 식각 하 여 상기 랜딩 플러그 표면 을 오픈 시키 는 2 차 홀 을 형성 하 는 단계 ; 상기 2 차 홀 이 형성 된 절 연막 을 선택 적 으로 습식 식각 하 여 상기 1 차 홀 보다 선폭 이 큰 3 차 홀 을 형성 하 는 단계 ; 및 상기 하드 마스크 막 과 스 페이서 를 제거 하 여 상기 1 차 홀 과 3 차 홀로 이루어진 비트 라인 콘 택 홀 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 고 , 상기 2 차 홀 형성 시 하부 의 게이트 패턴 과 의 오버랩 을 방지 하 도록 상기 1 차 홀 형성 을 위한 비트 라인 콘 택 마스크 의 DICD 를 작 게 형성 하 는 것 을 특징 으로 하 며 , 상기 절연 막 은 산화 막 이 고 , 상기 하드 마스크 패턴 과 스 페이서 는 질화 막 인 것 을 특징 으로 한다 .