본 발명 은 반도체 기판 상 에 게이트 절 연막 , 제 1 도 전막 , 제 1 하드 마스크 막 및 제 2 하드 마스크 막 을 형성 하 는 단계 , 제 2 하드 마스크 막 및 제 1 하드 마스크 막 을 패 터닝 하 면서 , 제 1 도 전막 에 제 1 트렌치 가 형성 되 도록 제 1 식각 공정 을 실시 하 는 단계 , 제 2 하드 마스크 막 을 제거 하 는 단계 , 제 1 하드 마스크 막 에 의해 제 1 도 전막 의 측벽 에 폴리머 가 발생 되 면서 제 1 도 전막 의 하부 가 상부 보다 넓 게 패 터닝 되 도록 제 2 식각 공정 을 실시 하 는 단계 및 제 1 도 전막 사이 의 반도체 기판 을 식각 하 여 제 2 트렌치 를 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 플래시 메모리 소자 의 제조 방법 으로 이루어진다 .