낸드 형 셀 어레이 구조 를 갖 는 비휘발성 기억 장치 에서 , 상기 게이트 패턴 들 은 접지 선택 라인 ( GSL ) 및 스트링 선택 라인 ( SSL ) , 그리고 상기 접지 선택 라인 ( GSL ) 및 상기 스트링 선택 라인 ( SSL ) 사이 에 배치 된 복수 개 의 워드 라인 들 ( WLn ) 을 포함 한다 . 상기 게이트 패턴 들 ( GSL , SSL , WLn ) 은 평행 하 게 배치 되 고 , 상기 활성 영역 들 ( 12 ) 도 평행 하 게 배치 된다 . 상기 워드 라인 들 ( WLn ) 과 상기 활성 영역 들 ( 12 ) 사이 에 부유 게이트 ( FG ) 가 배치 된다 . 상기 워드 라인 들 ( WLn ) 과 교차 하 는 부분 의 활성 영역 들 ( 12 ) 은 셀 트랜지스터 의 채널 영역 이 고 , 상기 접 지 선택 라인 ( GSL ) 및 상기 스트링 선택 라인 ( SSL ) 과 교차 하 는 부분 의 활성 영역 들 ( 12 ) 은 각각 접 지 선택 트랜지스터 의 채널 영역 및 스트링 선택 트랜지스터 의 채널 영역 이 다 .