상기 레지스 트 도포 · 현상 처리 시스템 은 , 피 처리 기판 인 반도체 웨이퍼 ( W ) [ 이하 에 웨이퍼 ( W ) 라고 칭함 ] 를 웨이퍼 카세트 ( 1 ) 로 복수 장 예컨대 25 장 단위 로 외부 로부터 시스템 으로 반입 하 거나 시스템 으로부터 반출 하 거나 , 웨이퍼 카세트 ( 1 ) 에 대하 여 웨이퍼 ( W ) 를 반출 · 반입 하 기 위한 카세트 스테이션 ( 10 ) [ 반 출입 블록 ] 과 , 도포 현상 공정 중 에서 1 장 씩 웨이퍼 ( W ) 에 소정 의 처리 를 실시 하 는 매 엽 식 ( 枚 葉 式 ) 의 각종 처리 유닛 을 소정 위치 에 다단 배치 하 여 이루어지 는 도포 · 현상 처리 블록 ( 20 ) [ 이하 에 처리 스테이션 ( 20 ) 이 라고 칭함 ] 과 , 이 처리 스테이션 ( 20 ) 과 인접 하 여 설치 되 는 노광 장치 ( 40 ) 와 의 사이 에서 웨이퍼 ( W ) 를 전달 하 기 위한 인터페이스 부 ( 30 ) [ 인터페이스 블록 ] 와 , 카세트 스테이션 ( 10 ) 과 처리 스테이션 ( 20 ) 사이 에 통합 되 어 , 레지스 트 패턴 표면 을 평활 화 하 는 스무 딩 처리 유닛 ( 51 ) 이 배치 된 스무 딩 처리 블록 ( 50 ) 과 , 상기 처리 스테이션 ( 20 ) , 카세트 스테이션 ( 10 ) , 인터페이스 부 ( 30 ) 및 스무 딩 처리 블록 ( 50 ) 의 상방 으로부터 하방 을 향하 여 청정 화 된 공기 의 흐름 을 형성 하 는 기류 형성 수단 ( 60 ) 과 , 기류 형성 수단 ( 60 ) 을 제어 하 는 제어 수 단 ( 100 ) 으로 주요부 가 구성 되 어 있 다 .