실제로 , 표 1 의 평가 를 위한 각각 의 식각 공정 에 있 어서 , 식각 시 의 공정 온도 , 공정 압력 , 식각 챔버 내 의 플 라즈 마 밀도 , 기체 조성 비 등 에 따라 식각 율 이 크 게 변하 였 다 . 본 발명 의 방법 에 따라 Cl 2 , Ar , CH 4 및 H 2 를 포함 하 는 혼합 가스 의 플 라즈 마 를 이용 한 경우 에 있 어서 , 식각 마스크 로서 SiO 2 마스크 를 사용 하 였으며 , 반응 챔버 내 의 압력 은 약 10 mTorr , 온도 는 상온 , 플라 즈 마 파워 밀도 는 약 1 watt / cm 2 으로 하 였 다 .