도 1 을 참조 하 면 , 반도체 기판 ( 105 ) 은 소자 분리 막 ( 110 ) 에 의해 한정 된 활성 영역 ( 115 ) 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 활성 영역 ( 115 ) 은 소자 분리 막 ( 110 ) 의 측벽 에 의해서 둘러싸인 반도체 기판 ( 105 ) 의 일부 영역 으로 한정 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 소자 분리 막 ( 110 ) 은 반도체 기판 ( 105 ) 에 절연물 , 예컨대 산화 막 및 / 또는 질화 막 을 매립 하 여 형성 할 수 있 다 . 반도체 기판 ( 105 ) 은 실리콘 , 게르마늄 또는 실리콘 - 게르마늄 웨이퍼 를 포함 할 수 있 다 .