도 2 a 는 종래 기술 에 따른 InAlGaAs / InP DBR 의 파장 에 따른 발광 세기 및 반사 율 을 나타내 는 그래프 이 고 , 도 2 b 는 종래 InAlGaAs / InP 접합 시 타입 - Ⅱ 밴드 라인업 ( line - up ) 에 의해 발생 하 는 발광 흡수 천 이 ( transition ) 를 나타내 는 모식도 이 다 . 1 . 2 ㎛ 파장 을 갖 는 InAlGaAs 층 ( 121 , 141 ) 의 조성 만 을 고려 한다면 , 발광 파장 이 1 . 2 ㎛ 이 기 때문 에 반사 율 에 는 영향 을 받 지 않 아야 하 는데 , InP ( 122 , 142 ) 와 접합 을 형성 하 여 나오 는 실제 발광 ( PL ) 파장 은 도 2 b 에 나타낸 것 처럼 타입 - Ⅱ 천 이 에 의해 1 . 29 ㎛ 이 다 . 그래서 , PL 파장 영역 에서 는 반사율 의 정지 밴드 ( stop - band ) 가 높 은 반사 율 을 유지 하 지 못하 고 반사 율 이 떨어져 딥 ( deep ) 을 형성 하 는 것 처럼 보인다 . 이 결과 1 . 3 ㎛ 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드 의 활성 층 ( 132 ) 에서 형성 된 광자 들 이 DBR 구조물 을 지나 면서 흡수 되 는 현상 을 보이 기 때문 에 전체 적 인 레이저 다이오드 의 효율 을 떨어뜨리 는 결과 를 가져오 게 되 며 , 특히 레이저 의 발진 파장 은 온도 에 따라 변화 하 기 때문 에 소자 의 특성 에 치명 적 인 악 영향 을 미칠 수 있 다 .