정보 의 읽 기 는 , 제 1 배선 ( 1 st Line ) 의 전위 를 트랜지스터 ( 160 ) 가 온 상태 가 되 는 것 같 은 전위 로 하 고 , 제 2 배선 ( 2 nd Line ) 의 전위 를 트랜지스터 ( 162 ) 가 온 상태 가 되 는 것 같 은 전위 로 하 여 , 트랜지스터 ( 160 ) 및 트랜지스터 ( 162 ) 를 온 상태 로 한다 . 용량 소자 ( 164 ) 에 소정 의 전하 가 보관 유지 되 고 있 었 을 경우 , 온 상태 가 된 트랜지스터 ( 160 ) 및 트랜지스터 ( 162 ) 를 통하 여 전하 가 제 4 배선 ( 4 th Line ) 에 방출 된다 . 제 4 배선 ( 4 th Line ) 에 용량 소자 ( 164 ) 로부터 전하 가 방출 되 면 , 제 4 배선 ( 4 th Line ) 의 전위 는 순간 적 으로 변화 한다 . 여기 서 , 제 4 배선 ( 4 th Line ) 은 읽 기 회로 에 접속 되 며 , 읽 기 회로 는 제 4 배선 ( 4 th Line ) 의 전위 의 변화 를 검출 한다 . 이렇게 하 여 , 용량 소자 ( 164 ) 에 전하 가 보관 유지 되 고 있 었 는지 아닌지 를 검출 함 으로써 , 메모리 셀 ( 190 ) 에 기억 되 어 있 던 정보 를 읽 어 낼 수 가 있 다 .