이 에 의해 , 도 9 의 ( a ) 및 ( b ) 에 도시 한 바 와 같이 , SBSI 영역 에서 Si 층 ( 즉 , SOI 층 ) ( 13 ) 의 표면 이 노출 한다 . 또한 , 벌크 영역 에서 도 SiO 2 막 ( 3 ) ( 예 를 들 면 , 도 1 의 ( b ) 참조 ) 등 이 에칭 되 어 Si 기판 ( 1 ) 표면 이 노출 한다 . 도 9 의 ( a ) 및 ( b ) 에 도시 한 바 와 같이 , SOI 층 ( 13 ) 의 하측 에 는 BOX 층 ( 31 ) 이 배치 되 어 있 고 , 그 주위 에 는 리세 스 LOCOS 층 ( 7 ) 및 절연 층 ( 33 ) 이 배치 되 어 있 으므로 , SOI 층 ( 13 ) 은 Si 기판 ( 1 ) 으로부터 전기 적 으로 분리 된 상태 ( 즉 , 부유 한 상태 ) 로 되 어 있 다 .