구체 적 으로 , 위 에서 설명 한 트랜지스터 는 , 실리콘 보다 도 밴드 갭 이 넓 고 , 진성 캐리어 밀도 가 실리콘 보다 도 낮 은 반도체 재료 를 , 채널 형성 영역 에 포함 하 는 것 을 특징 으로 하 는 것 이 다 . 위 에서 설명 한 것 과 같 은 특성 을 갖 는 반도체 재료 를 채널 형성 영역 에 포함 함 으로써 , 오프 전류 가 매우 낮 은 트랜지스터 를 실현 할 수 있 다 . 이 와 같 은 반도체 재료 로서 는 , 예 를 들 어 , 실리콘 의 약 3 배 정도 의 큰 밴드 갭 을 갖 는 , 산화물 반도체 , 탄화 실리콘 , 질화 갈륨 등 을 들 수 있 다 . 상기 반도체 재료 를 갖 는 트랜지스터 는 , 통상 의 실리콘 이나 게르마늄 등 의 반도체 재료 로 형성 된 트랜지스터 에 비해 , 오프 전류 를 극히 낮 게 할 수 있 다 .