본 발명 은 리세 스 구조 의 형성 방법 및 이 를 이용 한 트랜지스터 의 제조 방법 에 관한 것 이 다 . 보다 상세 하 게 는 , 본 발명 은 상이 한 치수 를 갖 는 리세 스 들 을 통해 확장 된 면적 을 가지 는 리세 스 구조 의 형성 방법 및 이러 한 리세 스 구조 의 형성 방법 을 이용 하 여 리세 스 게이트 를 갖 는 트랜지스터 를 제조 하 는 방법 에 관한 것 이 다 .