도 2 에서 도시 된 바 와 같이 , 각 포트 ( 76 ) 는 챔퍼링 된 에지 ( chamfered edge ) 를 구비 할 수 있 다 . 각 포트 ( 76 ) 의 챔퍼링 된 에지 의 각 은 임의 의 각 이 될 수 있 지만 , 일부 실시 예 들 에서 그 각 은 각각 의 팁 ( 82 ) 의 각 과 대략 적 으로 일치 할 수 있 다 ( 예컨대 , 각 포트 의 챔퍼링 된 에지 및 각 팁 의 원뿔 의 각 은 대략 적 으로 45 도 가 될 수 있 다 . ) 그러 한 실시 예 들 에서 , 각 팁 ( 82 ) 의 직경 이 포트 의 직경 보다 큰 경우 , 포트 의 챔퍼링 된 에지 와 원뿔형 팁 사이 의 짝 이 되 는 표면 들 ( mating surfaces ) 은 그 포트 와 팁 사이 의 더 큰 표면 영역 콘택트 를 허용 할 수 있 으며 , 그 로 인해 그 포트 ( 76 ) 로부터 더 큰 양 의 고형 입자 들 을 제거 하 는 것 이 허용 된다 .