OS 트랜지스터 는 에너지 갭 이 크 기 때문 에 , 매우 낮 은 오프 전류 특성 을 나타낸다 . 또한 OS 트랜지스터 는 충격 이온 화 , 애벌 란시 항복 , 및 단 채널 효과 등 이 생기 지 않 는 등 , Si 을 채널 형성 영역 에 가지 는 트랜지스터 ( 이하 , Si 트랜지스터 ) 와 는 상이 한 특징 을 가지 고 , 신뢰 성 이 높 은 회로 를 형성 할 수 있 다 .