이러 한 레이아웃 구조 에 따른 변화 로 fMAX 와 fT 는 민감 하 게 반응 하 며 모델링 관점 에서 fT 는 수식 적 으로 Gm ( transconductance ) 과 게이트 ( 202 ) 에서 바라본 커패시턴스 ( capacitance ) 로 구성 된 값 들 을 포함 하 고 있 다 . fMAX 의 경우 에 는 fT 를 포함 한 Rg ( gate resistance ) 와 더불 어 Rs ( source resistance ) , Rd ( drain resistance ) 등 의 여러 모델 파라 메터 ( model parameter ) 값 들 을 포함 한다 .