첨부 도면 을 참조 하 여 , 본 발명 의 일 양태 와 관련 되 는 실시 형태 에 대해서 설명 한다 . 우선 , 도 1 를 이용 하 여 , 본 실시 형태 와 관련 되 는 절삭 유닛 의 위치 검출 방법 이 실시 되 는 절삭 장치 에 대해 설명 한다 . 도 1 는 , 실리콘 , 실리콘 카바이드 ( SiC ) , 갈륨비소 ( GaAs ) 혹은 , 그 외 의 반도체 등 의 재료 , 또는 , 사파이어 , 유리 , 석영 등 의 재료 로 된 대략 원판 형 의 기판 등 의 피 가 공물 을 절삭 하 는 절삭 장치 ( 2 ) 이 다 .