일부 실시 예 에서 , 핀 구조물 ( 20 ) 은 , 기판 ( 100 ) 의 돌출 부분 인 핀 하부 ( 100 A ) , 핀 하부 ( 100 A ) 상 에 형성 된 버퍼 반도체 층 ( 101 ) , 버퍼 반도체 층 ( 101 ) 상 에 형성 된 채널 반도체 층 ( 102 ) , 및 채널 반도체 층 ( 102 ) 상 에 형성 된 하드 마스크 층 ( 103 ) 을 포함 한다 .