도 1 , 도 2 l 및 도 3 l 를 참조 하 면 , 포토 레지스 트 막 ( 118 ; 도 2 k 및 도 3 k 참조 ) 패턴 을 마스크 로 이용 하 는 식각 공정 으로 제 2 절 연막 ( 116 ) 을 제거 하 여 도 1 의 선 C 에서 랜딩 콘 택 플러그 ( 108 b ) 의 일부 가 노출 되 는 트렌치 를 형성 한다 . 이때 , 상기 식각 공정 은 질화 막 으로 형성 되 는 스 페이서 ( 110 a ) 과 식각 정지 막 ( 114 ) 에 비해 산화 막 으로 형성 되 는 제 2 절 연막 ( 116 ) 이 더욱 식각 되 는 식각 선택 비 를 이용 하 는 자기 정렬 콘 택 ( Self Align Contact ; SAC ) 공정 으로 실시 한다 . 이후 에 , 포토 레지스 트 막 ( 118 ) 패턴 을 제거 한다 .