반도체 메모리 장치 ( 110 ) 는 메모리 컨트롤러 ( 120 ) 로부터 제 1 커맨드 ( CMD 1 ) 및 제 1 어드레스 ( ADDR 1 ) 를 수신 할 수 있 다 . 실시 예 에서 , 반도체 메모리 장치 ( 110 ) 는 메모리 컨트롤러 ( 120 ) 와 제어 신호 ( CTRL ) 를 교환 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 반도체 메모리 장치 ( 110 ) 는 반도체 메모리 장치 ( 110 ) 를 구성 하 는 메모리 유닛 ( 111 ) 을 선택 하 는 칩 선택 신호 ( / CE ) , 메모리 컨트롤러 ( 120 ) 로부터 수신 되 는 신호 가 제 1 커맨드 ( CMD 1 ) 임 을 가리키 는 커맨드 래치 인 에 이 블 신호 ( CLE ) , 메모리 컨트롤러 ( 120 ) 로부터 수신 되 는 신호 가 제 1 어드레스 ( ADDR 1 ) 임 을 가리키 는 어드레스 래치 인 에 이 블 신호 ( ALE ) , 읽 기 동작 시 에 메모리 컨트롤러 ( 120 ) 에 의해 생성 되 며 주기 적 으로 토글 되 어 타이밍 을 맞추 는 데 에 사용 되 는 읽 기 인 에 이 블 신호 ( / RE ) , 제 1 커맨드 ( CMD 1 ) 또는 제 1 어드레스 ( ADDR 1 ) 가 전송 될 때 에 메모리 컨트롤러 ( 120 ) 에 의해 활성 화 되 는 쓰 기 인 에 이 블 신호 ( / WE ) , 전원 이 변화 할 때 에 의도 하 지 않 은 쓰 기 또는 소거 를 방지 하 기 위해 메모리 컨트롤러 ( 120 ) 에 의해 활성 화 되 는 쓰 기 방지 신호 ( / WP ) , 쓰 기 시 에 메모리 컨트롤러 ( 120 ) 에 의해 생성 되 며 주기 적 으로 토글 되 어 제 1 데이터 ( DATA 1 ) 의 입력 싱크 를 맞추 는 데 에 사용 되 는 데이터 스트로브 신호 ( DQS ) 중 적어도 하나 를 메모리 컨트롤러 ( 120 ) 로부터 수신 할 수 있 다 .