전계 방출 층 ( 140 ) 으로 카바이드 유도 탄소 를 이용 할 경우 , 이 는 탄소 전구체 로서 예컨대 메탈 카바이드 를 사용 하 여 Cl 2 등 의 할로겐 가스 분위기 에서 고온 흑연 로 를 사용 하 여 합성 한다 . 이 경우 , 고온 열화학 반응 에 의해 메탈 이 탄소 전구체 로부터 제거 되 며 , 이 에 따라 생성물 은 다공성 탄소 의 형태 로 남 게 된다 . 예컨대 탄소 전구체 로서 평균 입경 0 . 7 ㎛ 의 α - SiC 100 g 을 사용 하 고 그라 파이트 반응 챔버 및 트랜스포머 ( transformer ) 등 으로 구성 된 고온 전기로 를 이용 하 여 1000 ℃ 에서 분당 0 . 5 ℓ 의 Cl 2 가스 를 흘려 열화학 반응 을 7 시간 동안 유지 함 으로써 Si 를 전구체 로부터 추출 함 으로써 카바이드 유도 탄소 30 g 을 제조 할 수 있 다 . 이 와 같 은 카바이드 유도 탄소 의 경우 나노 다공성 탄화물 ( NPC ; nano - porous carbide ) 로서 종횡비 가 1 에 근접 한 판상 형 의 입자 형태 를 지니 기 에 이 를 이용 하 여 잉크젯 용 분산 액 을 제조 함 으로써 잉크젯 프린팅 법 을 이용 하 여 용이 하 게 전계 방출 층 ( 140 ) 을 형성 할 수 있 다 . 물론 필요 에 따라 잉크젯 프린팅 법 외 의 다양 한 방법 을 이용 하 여 전계 방출 층 ( 140 ) 을 형성 할 수 도 있 다 . 이 와 같 은 카바이드 유도 탄소 의 제조 에 있 어서 탄소 전구체 로 는 SiC 또는 B 4 C 등 의 다이아몬드 상 카바이드 ( diamond - like carbide ) , TiC 또는 ZrCx 등 의 금속 상 카바이드 ( metal - like carbide ) , Al 4 C 3 또는 CaC 2 등 의 염 ( 鹽 ) 상 카바이드 ( salt - like carbide ) , TixTayC 또는 MoxWyC 등 의 콤플렉스 카바이드 , TiNxCy 또는 ZrNxCy 등 의 카본 나이트 라이드 등 으로부터 선택 된 카바이드 물질 을 이용 할 수 있 다 .