따라서 , GaN 계 화합물 을 성장 시키 는 기판 으로서 , c 면 의 사파이어 기판 이 전적 으로 사용 되 고 있 다 . 이 사파이어 기판 으로 하 더라도 GaN 과 15 % 가까운 격자 상수 가 벗어나 있 기 때문 에 , 실제로 는 격자 부정합 을 완화 하 기 위해서 는 사파이어 기판 과 성장 층 사이 에 버퍼 층 이 형성 되 어 있 다 . 현재 에 이르 러서는 , 어떻게 이 버퍼 층 의 품질 이 그 위 의 성장 층 의 품질 을 결정 하 는 요인 이 되 며 , 발명 을 고안 한 여러 가지 버퍼 층 이 제안 되 어 있 다 ( 예 를 들 어 , 일본 특개평 10 - 242586 호 공보 및 일본 특개평 9 - 227298 호 참조 ) .