일 실시 예 에서 는 상기 비트 라인 길 이 방향 에서 동일 스 트랩 핑 영역 ( 105 a , 105 b , 105 c ) 내 에서 이웃 하 는 액티브 패턴 마다 하나 씩 스 트랩 핑 콘 택 이 배열 되 므로 , 동일 스 트랩 핑 영역 에서 상기 비트 라인 길 이 방향 으로 액티브 패턴 마다 스 트랩 핑 콘 택 이 배열 되 는 도 1 의 메모리 소자 에 비하 여 상기 비트 라인 길 이 방향 으로 스 트랩 핑 콘 택 의 피치 가 2 배 로 증가 하 고 비트 라인 길 이 방향 에서 이웃 하 는 스 트랩 핑 콘 택 들 간 의 스페이스 가 3 배 로 증가 하 여 콘 택 마진 이 증가 하 게 된다 .