또한 , 특허 문헌 1 에 는 하부 전극 까지 도달 하 는 도전 플러그 및 반도체 기판 까 지 도달 하 는 도전 플러그 를 형성 한 후 에 , 상부 전극 까지 도달 하 는 도전 플러그 를 형성 하 는 기술 이 개시 되 어 있 다 . 그러나 , 이 기술 에서 는 강유전체 커패시터 로 의 산소 공급 경로 가 충분 하 지 않 기 때문 에 , 회복 어닐링 을 행하 는 것 이 곤란 하 다 . 또한 , 상부 전극 까지 도달 하 는 개구부 를 형성 할 때 에 , 하부 전극 까지 도달 하 는 도전 플러그 를 통해 강유전체 커패시터 에 손상 이 생길 수 도 있 다 . 또한 , 수소 배리 어막 이 적 기 때문 에 수소 의 확산 에 대한 내성 이 충분 하 다고 말 할 수 없 다 . 그리고 , 이 기술 에 단지 수소 배리 어막 을 부가 한 것 만 으로 는 , 편차 ( variation ) 가 증가 하 는 등 의 새로운 문제 가 나타난다 .