아울러 , 상기 제 2 용액 의 경우 에 는 불 산 을 희석 시킨 용액 인 것 이 바람직 하 다 . 그러나 , 상기 불 산 을 약 0 . 5 % 미만 으로 희석 시킬 경우 에 는 상기 자연 산화 막 의 제거 가 용이 하 게 이루어지 지 않 기 때문 에 바람직 하 지 않 고 , 상기 불 산 을 약 1 . 5 % 초과 로 희석 시킬 경우 에 는 상기 반도체 웨이퍼 ( 10 ) 자체 에 손상 을 끼치 기 때문 에 바람직 하 지 않 다 . 따라서 , 상기 제 2 용액 은 상기 불 산 을 약 0 . 5 내지 1 . 5 % 로 희석 시킨 용액 인 것 이 바람직 하 고 , 약 0 . 9 내지 1 . 1 % 로 희석 시킨 용액 인 것 이 더욱 바람직 하 다 .