일 실시 예 에서 , 3 차원 메모리 디바이스 는 : 소스 층 ( 18 ) 의 제 2 표면 과 접촉 하 는 접합 패드 ( 14 ) ; 단차 형 유전체 재료 부분 ( 65 ) 을 통해 수직 으로 연장 되 는 관통 비아 구조물 들 ( 8 P ) ; 및 관통 비아 구조물 들 ( 8 P ) 중 각자 의 하나 와 접촉 하 는 추가 의 접합 패드 들 ( 16 ) 을 포함 한다 .