도 2 ( c ) 를 참조 하 면 , 전체 구조 상부 에 도전 층 을 형성 한 후 전면 식각 하 여 제 1 도전 층 ( 23 ) 측벽 에 도전 층 스 페이서 ( 27 ) 를 형성 한다 . 여기 서 , 도전 층 스 페이서 ( 27 ) 는 인접 셀 간 간섭 효과 에 영향 을 미치 지 않 는 최소한 의 두께 로 형성 하 며 , 도프 트 폴리 실리콘 막 을 이용 하 여 형성 한다 . 바람직 하 게 도전 층 스 페이서 ( 27 ) 는 셀 간 간격 의 1 / 2 의 두께 로 형성 하 며 , 1 E 15 ∼ 2 E 15 ions / ㎠ 이상 의 도핑 농도 를 갖 도록 형성 한다 .