실시 예 1 ~ 7 및 비 교예 1 ~ 2 의 복합 자성 분 을 원 형상 의 통 에 넣 고 , 표면 을 고르 게 한 후 에 하중 을 걸 어 펠 렛 상 으로 하 고 , 광전자 분광법 에 의해 O / Si 비 를 측정 하 였 다 . 장치 는 , PHI 제 QuanteraII 를 이용 하 여 단색화 한 X 선 의 Al - k α 선 을 사용 하 고 , 전압 을 15 kV , 출력 을 25 W , 분석 경 을 φ 100 ㎛ 로 설정 하 였 다 . 에너지 상세 분석 방법 은 , 분광기 에 거 는 에너지 ( PassEnergy ) 와 측정 에너지 간격 ( Step ) 을 PassEnergy = 140 eV , Step = 0 . 5 eV 로 하 고 , 10 회 적산 함 으로써 행하 였 다 . 깊이 방향 의 분석 은 , Ar 가스 를 사용 하 고 , 1 kV , 7 mA 의 조건 에서 2 mm × 2 mm 의 에어리어 를 에칭 하 면서 측정 하 였 다 . 상기 조건 하 에서 는 SiO 2 가 30 . 2 옹스트롬 / min 의 속도 로 에칭 된다 . 이 에 의해 , 표면 으로부터 깊이 20 nm 에서 의 O / Si 비 를 측정 하 였 다 .