한편 , 본 발명 은 웨이퍼 레벨 패키지 의 제조 과정 중 에 , 도 1 c 를 참조 하 면 , 중앙부 에 다수 의 본딩 패드 ( 120 ) 를 구비 한 센터 패드 형 반도체 칩 ( 102 ) 들 로 이루어진 웨이퍼 ( 100 ) 의 후면 에 백 그라인딩 공정 을 진행 한 후 , 상기 웨이퍼 ( 100 ) 의 후면 에 상기 반도체 칩 ( 102 ) 을 보호 하 기 위한 몰딩 제 또는 보호 필름 등 과 같 은 반도체 칩 ( 102 ) 보호 물질 ( 124 ) 을 형성 할 수 있 다 .