앞 에서 설명 한 바 와 같이 , 게이트 절 연막 ( 144 d ) 의 패 터닝 과정 에서 식각 용 가스 의 성분 이 게이트 절 연막 ( 144 d ) 으로 덮이 지 않 은 액티브 패턴 ( 131 d ) 으로 도핑 되 어 저 저항 의 소스 영역 ( 133 a ) 및 드레 인 영역 ( 135 a ) 이 형성 될 수 도 있 고 , 게이트 절 연막 ( 144 d ) 의 패 터닝 이후 플 라즈 마 처리 등 의 방법 을 이용 해 드러난 액티브 패턴 ( 131 d ) 을 처리 하 여 소스 영역 ( 133 a ) 및 드레 인 영역 ( 135 a ) 을 형성 할 수 도 있 다 . 또한 앞 에서 설명 한 도 5 를 참조 하 면 , 게이트 전극 ( 154 d ) 및 게이트 절 연막 ( 144 d ) 위 에 형성 된 절연 층 ( 160 ) 의 형성 공정 중 또는 그 이후 에 수소 등 의 성분 이 소스 영역 ( 133 a ) 및 드레 인 영역 ( 135 a ) 으로 확산 되 어 저 저항 을 가질 수 있 게 할 수 있 다 .