도 1 에 도시 한 바 와 같이 , 본 발명 의 반도체 제조 설비 는 , 소정 의 반도체 제조 공정 이 수행 되 는 공정 챔버 ( 200 ) 와 , 상기 공정 챔버 ( 200 ) 와 연통 되 며 , 상기 공정 챔버 ( 200 ) 에 웨이퍼 ( W ) 를 로딩 / 언로 딩 시키 고 외부 의 웨이퍼 카세트 ( 300 ) 에 탑재 된 다 수개 의 웨이퍼 ( W ) 를 낱장 으로 내부 에 장입 시키 는 로봇 ( 110 ) 이 형성 된 로드 락 챔버 ( 100 ) 와 , 상기 로드 락 챔버 ( 100 ) 및 상기 공정 챔버 ( 200 ) 사이 에서 개폐 동작 되 는 슬릿 밸브 ( 120 ) 와 , 상기 슬릿 밸브 ( 120 ) 의 대향 대 는 상기 로드 락 챔버 ( 100 ) 의 일 측 측벽 에서 상기 로드 락 챔버 ( 100 ) 내부 가 대기 중 에 노출 되 거나 밀폐 되 도록 개폐 동작 되 는 도어 ( 130 ) 와 , 상기 도어 ( 130 ) 가 열려 지 기 전 에 외부 의 공기 를 상기 로드 락 챔버 ( 100 ) 내부 에 유입 시키 도록 개폐 동작 되 는 벤트 밸브 ( 140 ) 와 , 상기 로드 락 챔 버 ( 100 ) 및 상기 공정 챔버 ( 200 ) 에 연결 되 는 제 1 및 제 2 펌핑 라인 ( 150 , 250 ) 을 통해 상기 로드 락 챔버 ( 100 ) 및 상기 공정 챔버 ( 200 ) 내부 의 공기 를 펌핑 하 도록 형성 된 제 1 내지 제 3 진공 펌프 ( 160 , 262 , 264 ) 와 , 상기 제 1 진공 펌프 ( 160 ) 와 상기 로드 락 챔버 ( 100 ) , 및 상기 제 2 및 제 3 진공 펌프 ( 262 , 264 ) 와 상기 공정 챔버 ( 200 ) 사이 의 상기 제 1 및 제 2 펌핑 라인 ( 150 , 250 ) 으로 유동 되 는 상기 공기 의 흐름 을 단속 하 도록 형성 된 제 1 내지 제 3 펌핑 밸브 ( 170 , 272 , 274 ) 와 , 상기 제 1 내지 제 3 진공 펌프 ( 160 , 262 , 264 ) 의 펌핑 시 에 상기 로드 락 챔버 ( 100 ) 및 상기 공정 챔버 ( 200 ) 내부 에 퍼지 가스 를 공급 하 는 퍼지 가스 공급 부 ( 180 ) 와 , 상기 퍼지 가스 공급 부 ( 180 ) 및 상기 로드 락 챔버 ( 100 ) 와 , 상기 퍼지 가스 공급 부 ( 180 ) 및 상기 공정 챔버 ( 200 ) 사이 에 연결 되 는 제 1 및 제 2 퍼지 라인 ( 182 , 184 ) 을 통해 유동 되 는 퍼지 가스 의 흐름 을 단속 하 는 제 1 및 제 2 퍼지 밸브 ( 190 , 192 ) 를 포함 하 여 구성 된다 .