보다 구체 적 인 예 로 , 실리콘 옥사이드 ( SiO 2 ) 로 게이트 절 연막 ( 130 ) 을 형성 하 고자 할 때 , 실리콘 ( Si ) 을 포함 하 는 소스 원료 와 반응 원료 인 산소 ( O 2 ) 를 연속 으로 공급 하 면서 , RF 전원 의 인가 ( on ) 및 중단 ( off ) 동작 을 교대 로 반복 한다 . 이때 , RF 전원 이 인가 되 는 구간 에서 는 플 라즈 마가 생성 되 며 , 생성 된 플 라즈 마 에 의해 반응 원료 가 해리 된다 . 이 에 , 반응 원료 와 소스 원료 가 반응 하 며 , 이 로 인해 실리콘 옥사이드 ( SiO 2 ) 막 즉 , 게이트 절 연막 ( 130 ) 이 형성 된다 .