본 발명 은 , 트렌치 의 저면 에 유동 성 의 제 1 절 연막 을 채우 고 , 제 2 절 연막 을 형성 한 이후 에 건식 식각 공정 및 습식 식각 공정 을 실시 하 여 트렌치 의 상부 폭 을 넓히 면서 제 2 절 연막 에 포함 될 수 있 는 플루오린 의 양 을 감소 시킬 수 있 다 . 이 로써 , 터널 절 연막 의 전기 적 열화 를 억제 할 수 있 으며 , 플래시 메모리 소자 의 전기 적 특성 열화 를 방지 할 수 있 다 .