본 발명 에 따르 면 , 불휘발성 메모리 장치 에 포함 되 는 고 유전 물질 을 포함 하 는 유전 막 패턴 의 등가 산화 막 두께 특성 을 개선 시킬 수 있 다 . 또한 , 유전 막 패턴 을 통해 흐르 는 누설 전류 를 줄일 수 있 다 . 또한 플로팅 게이트 로 폴리 실리콘 과 전이 금속 의 조합 막 을 사용 하 여 데이터 유지 특성 을 개선 할 수 있 다 .