도 6 은 , 상기 스텝 S 4 에서 행해 지 는 웨이퍼 프로세스 의 상세 한 플로 차트 다 . 스텝 S 11 ( 산화 ) 에서 는 , 웨이퍼 의 표면 을 산화 시킨다 . 스텝 S 12 ( CVD ) 에서 는 , 웨이퍼 의 표면 에 절 연막 을 형성 한다 . 스텝 S 13 ( 전극 형성 ) 에서 는 , 웨이퍼 상 에 전극 을 증착 등 에 의해 형성 한다 . 스텝 S 14 ( 이온 주입 ) 에서 는 , 웨이퍼 에 이온 을 주입 한다 . 스텝 S 15 ( 레지스 트 처리 ) 에서 는 , 웨이퍼 에 감광제 를 도포 한다 . 스텝 S 16 ( 노광 ) 에서 는 , 노광 장치 ( 1 ) 를 이용해 레티 클 상 에 형성 된 회로 패턴 을 개입 시켜 웨이퍼 를 노광 한다 . 스텝 S 17 ( 현상 ) 에서 는 , 노광 한 웨이퍼 를 현상 한다 . 스텝 S 18 ( 에칭 ) 에서 는 , 현상 한 레지스 트 상 이외 의 부분 을 제거 한다 . 스텝 S 19 ( 레지스 트 박리 ) 에서 는 , 에칭 이 끝나 불 필요 해진 레지스 트 를 박리 한다 . 이러 한 스텝 을 반복 해 실시 하 는 것 에 의해 웨이퍼 상 에 다중 의 회로 패턴 이 형성 된다 . 본 실시 예 에 따른 디바이스 제조 방법 에 의하 면 , 종래 보다 고품위 의 디바이스 를 제조 할 수 가 있 다 . 이 와 같이 , 노광 장치 ( 1 ) 를 이용 하 는 디바이스 제조 방법 , 및 제조 한 디바이스 도 본 발명 의 일 측면 을 구성 한다 .