이상 설명 한 바 와 같이 본 실시 예 에 의하 면 , 반도체 웨이퍼 W 의 탑 재면 을 갖 는 무산소 구리 로 이루어지 는 탑 플레이트 ( 21 ) 와 , 이 탑 플레이트 ( 21 ) 의 아랫면 ( 21 A ) 및 측면 ( 21 B ) 의 하부 를 연속 적 으로 피복 하 는 알루미나 로 이루어지 는 절연 피막 ( 22 ) 과 , 이 절연 피막 ( 22 ) 과 접촉 하 도록 배치 되 고 또한 무산소 구리 로 이루어지 는 냉각 재킷 ( 23 ) 을 구비 하 고 있 으므로 , 탑 플레이트 ( 21 ) 의 표면 저항 이 낮 고 , 탑 플레이트 ( 21 ) 에 저전압 으로부터 고전압 까지 어떠 한 검사 용 신호 를 인가 하 더라도 안정 한 전위 를 얻 을 수 있 어 , 안정 한 신뢰 성 이 높 은 C - V 법 등 에 의한 용량 측정 등 의 전기 적 특성 검사 를 행할 수 있 다 .