상기 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 에 따른 슬라이 싱 ( Slicing ) , 래핑 ( Lappimg ) , 에칭 ( Etcing ) , 화학 기상 증착 ( Chemical Vapor Deposition ; CVD ) , 폴리 싱 ( Polishing ) , 에피 성장 ( Epitaxial growing ) 공정 을 포함 하 는 웨이퍼 제조 방법 은 , 상기 화학 기상 증착 공정 에 투입 되 는 웨이퍼 의 Bow ( 바우 또는 구 부러짐 ) 를 제어 하 는 단계 를 더 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .