패턴 ( 320 또는 340 ) 을 갖 는 분리 된 TCC 층 ( 326 ) 을 광전지 소자 로서 추후 에 사용 하 기 위해 반도체 어셈블리 와 같 은 다른 기재 ( 330 ) 에 이동 시킬 수 있 다 . 반도체 기재 어셈블리 ( 330 ) 는 그 위 에 TCC 층 ( 33 ) 이 형성 된 , 도 1 및 도 2 에 도시 된 반도체 기재 ( 100 , 200 ) 와 유사 한 반도체 기재 ( 331 ) 를 포함 한다 . 참조 부호 316 과 관련 하 여 상기 설명 한 바 와 같이 참조 부호 336 으로 도시 된 바 와 같 은 추가 의 처리 단계 를 실시 할 수 있 다 .