일부 실시 예 에서 , 제 2 전기 전도성 층 들 ( 246 ) 의 최 상단 레벨 들 에 드레 인 선택 레벨 분리 구조물 들 ( 72 ) 이 제공 될 수 있 다 . 드레 인 선택 레벨 분리 구조물 들 ( 72 ) 의 레벨 들 에 위치 된 제 2 전기 전도성 층 들 ( 246 ) 의 서브 세트 가 드레 인 선택 게이트 전극 들 을 구성 한다 . 드레 인 선택 게이트 전극 들 아래 에 위치 된 전기 전도성 층 ( 146 , 246 ) 의 서브 세트 는 동일 한 레벨 에 위치 된 워드 라인 과 제어 게이트 의 조합 들 로서 기능 할 수 있 다 . 각각 의 전기 전도성 층 ( 146 , 246 ) 내 의 제어 게이트 전극 들 은 메모리 스택 구조물 ( 55 ) 을 포함 하 는 수직 메모리 디바이스 를 위한 제어 게이트 전극 들 이 다 .