이어서 , 소자 형성 층 ( 134 ) 의 다른 쪽 의 면 ( 기판 ( 120 ) 으로부터 박리 한 면 ) 에 , 제 2 시트 ( 127 ) 를 형성 하 고 , 그 후 가열 처리 와 가압 처리 의 한 쪽 또는 양쪽 을 행하 여 , 소자 형성 층 ( 134 ) 에 제 2 시트 ( 127 ) 를 접합 한다 ( 도 6 b 참조 ) . 제 1 시트 ( 126 ) , 제 2 시트 ( 127 ) 는 , 핫 멜 트 필름 , 점착 층 이 형성 된 플라스틱 필름 , 또는 종이 를 사용 할 수 있 다 . 또한 , 제 1 시트 ( 126 ) , 제 2 시트 ( 127 ) 는 , 내압 을 향상 시키 기 위해서 , 얇 은 세라믹 을 사용 하 여도 좋 고 , 탄소 섬유 나 유리 섬유 의 직물 에 수지 를 스며들 게 한 시트 , 소위 프리프 래그 를 사용 하 여도 좋 다 . 제 1 시트 ( 126 ) 와 제 2 시트 ( 127 ) 의 재료 로서 플랙 시 블 한 재료 를 사용 하 면 , 물품 의 곡면 에 접합 하 는 데 적합 한 반도체 장치 를 제공 할 수 있 다 .