본 발명 은 상기 의 문제점 을 해결 하 기 위한 것 으로 , 반사 층 과 GaN 층 의 사이 에 형성 된 연결 층 을 구비 하 고 , 상기 연결 층 의 상면 으로부터 하 면 까지 관통 되 는 홈 또는 홀 을 형성 하 여 , 반사 층 의 일부 가 연결 층 에 형성 된 홈 또는 홀 을 통하 여 , P - GaN 층 또는 도전 성 접착 층 에 연결 되 게 함 으로써 , 반사 층 의 박리 를 방지 할 수 있 을 뿐 만 아니 라 , 접촉 저항 이 작아져 동작 전압 및 발열량 을 감소 시킬 수 있 는 질화 갈륨 계 발광 다이오드 및 그 제조 방법 을 제공 하 기 위한 것 이 다 .