도 5 는 본 발명 에 따른 반도체 발광 소자 제조 방법 의 일 실시 예 를 나타내 는 공정 별 단면도 이 다 . 여기 서 , 통상 의 수직 구조 질화물 계 Ⅲ - Ⅴ 족 반도체 화합물 반도체 발광 소자 의 제조 방법 은 소정 의 웨이퍼 를 이용 하 여 복수 개 로 제조 되 나 , 도 5 에서 는 설명 의 편의 를 위해 한 개 의 발광소 자만 을 제조 하 는 방법 을 도시 하고 있 다 .