또한 , 선택 적 에피 택 셜 성장 ( Selective Epitaxial Growth ) 공정 을 이용 하 여 리세 스 영역 ( 170 a ) 에 에피 택 셜 성장 층 을 더 형성 한 후 에피 택 셜 성장 층 에 소스 / 드레 인 영역 을 형성 할 수 있 다 . 소스 / 드레 인 영역 과 채널 영역 이 인접 할 경우 채널 형성 이 용이 해지므로 반도체 소자 의 전기 적 특성 을 더 안정 적 으로 확보 할 수 있 다 .