도 8 a 내지 도 8 b 는 위 도 6 에 도시 된 3 분할 된 상부 금속 배선 ( 600 ) 의 양 끝단 ( 602 ) 에 하부 금속 배선 ( 802 ) 의 전기 적 연결 을 위한 비 아홀 ( 800 ) 의 형성 을 도시 한 것 으로 , 위 비 아홀 ( 800 ) 은 상기 상부 금속 배선 ( 600 ) 의 분할 된 공간 에 서로 엇갈리 도록 형성 된 반도체 기판 하부 금속 층 ( 700 ) 내 하부 금속 배선 ( 802 ) 을 상부 금속 배선 ( 600 ) 과 전기 적 으로 연결 시키 게 된다 .