이 와 같이 본 발명 에 다른 커패시터 는 , 하부 전극 으로서 폴리 실리콘 막 ( 225 ) 과 , 커패시터 유전체 막 ( 245 ) 과 , 그리고 상부 전극 으로서 금속 막 ( 255 ) 으로 이루 지 는 PIM ( Polysilicon / Insulator / Metal ) 구조 를 가지 며 , 따라서 상부 전극 으로서 폴리 실리콘 막 을 사용 하 는 경우 보다 전기 적 인 특성 이 개선 된다 .