도 4 는 비 도핑 된 제 2 폴리 실리콘 막 을 530 ℃ 의 온도 및 1 . 0 torr 의 압력 하 에서 SiH 4 를 1000 sccm 정도 플로우 시켜 50 Å 의 두께 로 증착 한 경우 의 사진 으로서 , 도 3 의 공정 조건 에 비해 상대 적 인 고온 조건 이 고 , 아일랜드 ( island ) 가 완전히 결합 되 어 성장 되 도록 하 는 인 큐 베이 션 시간 ( incubation time ) 의 부족 으로 인해서 균일 한 형태 로 증착 되 지 못하 고 국부 적 으로 아일랜드 형상 이 나타남 을 볼 수 있 다 .