도 6 에 도시 된 바 와 같이 , 개구 영역 ( 106 ) 에 Ge 층 ( 120 ) 을 예컨대 에피 택 셜 성장 시킨다 . Ge 층 ( 120 ) 의 에피 택 셜 성장 에 는 , 예컨대 MOCVD 법 ( 유기 금속 화학 기상 성 장법 ) 또는 MBE 법 ( 분자선 에피택시 법 ) 을 이용 할 수 있 다 . 원료 가스 에 는 GeH 4 를 이용 할 수 있 다 .