열 산화 동안 또는 하나 이상 의 별도 의 가열 동작 동안 , 금속 - 함유 층 내 의 금속 이 실리콘 - 함유 층 내 의 실리콘 과 반응 하 도록 열 이 인가 된다 . 이 반응 은 금속 규화물 층 을 형성 한다 . 금속 규화물 층 은 도전 성 이 있 으며 비휘발성 메모리 소자 에 대한 하부 전극 ( lower electrode ) 을 형성 하 는 데 이용 될 수 있 다 . 금속 - 함유 층 내 의 금속 의 일부 가 실리콘 과 반응 하 기 때문 에 , 실리콘 - 함유 층 이 없 는 경우 에 비해 금속 산화물 층 내 에 금속 결함 ( metal deficiency ) 의 증가 가 존재 한다 . 따라서 이런 방식 으로 형성 된 금속 산화물 층 은 i ) 동일 금속 을 포함 하 는 애즈 - 증착 된 ( as - deposited ) 금속 산화물 이나 ii ) 실리콘 - 함유 층 의 존재 없이 후속 산화 를 가진 증착 된 금속 중 어느 하나 와 비교 해 볼 때 더 많 은 금속 결함 이 있 다 . 일 실시 형태 에서 , 규화 ( silicidation ) 와 산화 의 동시 적 인 반응 은 산화 에 이용 가능 한 금속 의 양 을 제한 하 는데 , 이 는 i ) 고도 로 금속 결함 이 있 고 , ii ) 초과 부 화학 양론 적 이 며 , iii ) 낮 은 밀도 의 금속 산화 물막 을 초래 한다 .