도 10 및 도 14 를 참조 하 면 , 제 1 절연 층 ( 도 11 의 IL 1 참고 ) 을 사이 에 두 고 제 2 스캔 배선 ( S 2 i - 1 , S 2 i , S 2 i + 1 ) , 발광 제어 배선 ( E 2 i ) , 하부 전극 ( LE ) , 및 제 1 내지 제 4 연장 배선 ( ELP 1 , ELP 2 , ELP 3 ) 상 에 초기 화 전원 배선 ( IPL ) 및 상부 전극 ( UE ) 이 제공 될 수 있 다 . 상기 초기 화 전원 배선 ( IPL ) 과 상기 상부 전극 ( UE ) 은 동일 한 층 에 제공 되 고 동일 한 공정 을 통해 형성 될 수 있 다 .