도시 된 바 와 같이 본 발명 의 전도성 물질 나노 센서 제조 방법 은 , 전극 설치 단계 ( S 1 ) , 희생 층 적층 단계 ( S 2 ) , 절연 층 적층 단계 ( S 3 ) , 전도성 물질 적층 단계 ( S 4 ) , 절연 층 제거 단계 ( S 5 ) , 희생 층 제거 단계 ( S 6 ) 를 거쳐 한 쌍 의 전극 ( 200 ) 사이 에 전도성 물질 ( 500 ) 을 적층 하 게 되 는 것 이 다 .