하지만 , 종래 의 STI 구조 의 소자 분리 막 을 포함 하 는 반도체 소자 의 제조 과정 에서 형성 된 정전 방지 회로 에서 STI 구조 의 소자 분리 막 은 가장자리 영역 이 상대 적 으로 날카로운 형태 를 갖 기 때문 에 로코스 ( LOCOS : LOCal Oxidation of Silicon ) 구조 의 소자 분리 막 에서 보다 이동 경로 가 길 어 져서 기생 바이 폴라 트랜지스터 의 동작 을 느리 게 하 므로 , 정전 방전 보호 특성 이 나빠 지 고 , STI 구조 의 소자 분리 막 의 날카로운 가장자리 영역 에서 의 전류 밀도 가 상대 적 으로 증가 되 어 국부 적 인 격자 온도 가 높 아 지 기 때문 에 반도체 소자 의 주 회로 를 보호 하 지 못하 는 문제점 이 있 었 다 .