제 1 포켓 영역 ( 8 - 1 ) 은 불순물 이 도입 된 실리콘 으로 구성 할 수 있 다 . 그 제 1 포켓 영역 ( 8 - 1 ) 이 P 형 웰 ( 4 ) 에 형성 되 는 경우 , 그 불순물 은 P 형 불순물 로 구성 할 수 있 다 . 즉 , 제 1 포켓 영역 ( 8 - 1 ) 은 P 형 불순물 이 도입 된 실리콘 으로 구성 할 수 있 다 . 불순물 의 농도 는 제 1 익스텐션 ( 9 - 1 ) 의 불순물 의 농도 보다 낮 으면 특별히 한정 되 지 는 않 지만 , 전형 적 으로 는 1 E 18 [ 1 / ㎤] 여도 된 다 . 제 1 포켓 영역 ( 8 - 1 ) 의 두께 는 특별히 한정 되 지 는 않 지만 , 전형 적 으로 는 200 ㎚ 여도 된다 . 제 1 포켓 영역 ( 8 - 1 ) 의 외측 단부 는 드레 인 ( 11 - 1 ) 의 내측 단부 에 의해 획정 된다 . 제 1 포켓 영역 ( 8 - 1 ) 의 내측 단부 는 제 1 익스텐션 ( 9 - 1 ) 의 내측 단부 보다 내측 이 고 또 한 게이트 구조 체의 제 1 측벽 보다 내측 에 위치 하 는 것 이 바람직 하 지만 , 반드시 그럴 필요 는 없 다 .