이 와 같이 패턴 크기 가 작 아 짐 에 따라 , 에너지 에 민감 한 감광막 패턴 높이 도 패턴 해상력 을 제어 하 기 위해 감소 되 어야 한다 . 그러나 , 얇 은 감광막 패턴 은 , 화학 에 천 트 를 사용 하 는 현상 공정 중 하부 재료 층 을 마스크 처리 하 기 에 는 불 충분 할 수 있 다 . 따라서 , 패턴 형성 을 위한 식각 공정 시 공정 마진 을 확보 하 기 위해 감광막 패턴 이외 에 하드 마스크 ( hard mask ) 를 추가 적 으로 적용 하 고 있 다 .