도 11 a 는 교차점 메모리 어레이 의 다른 실시 예의 일부분 을 도시 한 것 으로서 , MRAM 메모리 셀 들 이 각각 예 를 들 어 , 도 5 , 도 5 a , 도 6 및 도 7 의 메모리 셀 들 에 따라 2 개 의 편광 층 들 을 포함 한다 . 하나 의 예시 적 인 구 현예 에서 , 각각 의 편광 층 은 2 개 의 인접 한 메모리 셀 들 사이 에서 공유 된다 . 도 11 a 에 는 3 개 의 메모리 셀 들 이 도시 되 어 있 으나 , 전체 메모리 어레이 는 수백만 개 의 메모리 셀 들 을 가질 가능 성 이 높 다 . 제 1 메모리 셀 은 MTJ ( 860 ) , 편광 층 ( 862 ) 및 편광 층 ( 864 ) 을 포함 한다 . 제 2 메모리 셀 은 MTJ ( 866 ) , 편광 층 ( 868 ) 및 편광 층 ( 870 ) 을 포함 한다 . 제 3 메모리 셀 은 MTJ ( 872 ) , 편광 층 ( 874 ) 및 편광 층 ( 876 ) 을 포함 한다 . 전도체 ( 즉 , 금속 라인 ) 인 MTJ 컬럼 ( 878 ) 이 MTJ ( 860 ) , MTJ ( 866 ) 및 MTJ ( 872 ) 위 에서 이 들 에 연결 된다 . 트랜지스터 ( 880 ) ( VMTJ 에 도 연결 됨 ) 가 MTJ 컬럼 ( 878 ) 을 활성 화 / 구동 하 는 데 사용 된다 . 전도체 ( 즉 , 금속 라인 ) 인 POL 1 컬럼 ( 882 ) 이 편광 층 ( 862 ) , 편광 층 ( 868 ) 및 편광 층 ( 874 ) 위 에서 이 들 에 연결 된다 . 트랜지스터 ( 884 ) ( VPOL 1 에 도 연결 됨 ) 가 POL 1 컬럼 ( 882 ) 을 활성 화 / 구동 하 는 데 사용 된다 . 전도체 ( 즉 , 금속 라인 ) 인 POL 2 컬럼 ( 886 ) 이 편광 층 ( 864 ) , 편광 층 ( 870 ) 및 편광 층 ( 876 ) 위 에서 이 들 에 연결 된다 . 트랜지스터 ( 888 ) ( VPOL 2 에 도 연결 됨 ) 가 POL 2 컬럼 ( 886 ) 을 활성 화 / 구동 하 는 데 사용 된다 . 스핀 축적 층 의 구 현예 인 로우 ( 890 ) 가 편광 층 ( 862 ) , MTJ ( 860 ) 및 편광 층 ( 864 ) 아래 에서 이 들 에 연결 된다 . 스핀 축적 층 의 구 현예 인 로우 ( 892 ) 가 편광 층 ( 868 ) , MTJ ( 866 ) 및 편광 층 ( 870 ) 아래 에서 이 들 에 연결 된다 . 스핀 축적 층 의 구 현예 인 로우 ( 894 ) 가 편광 층 ( 874 ) , MTJ ( 872 ) 및 편광 층 ( 876 ) 아래 에서 이 들 에 연결 된다 . 트랜지스터 ( 895 ) 가 로우 ( 890 ) 를 활성 화 / 구동 하 는 데 사용 된다 . 트랜지스터 ( 896 ) 가 로우 ( 892 ) 를 활성 화 / 구동 하 는 데 사용 된다 . 트랜지스터 ( 897 ) 가 로우 ( 894 ) 를 활성 화 / 구동 하 는 데 사용 된다 . 도 11 의 구조 는 더 큰 메모리 어레이 를 형성 하 기 위해 여러 번 복제 될 수 있 다 .