후처리 회로 는 또한 빔 스폿 의 이 차 경 계부 를 결정 하 도록 구성 될 수 있 다 . 입사 전자 빔 내 의 전자 들 은 상이 한 생 성 공정 으로 인하 여 상이 한 특성 , 예 를 들 어 에너지 를 가질 수 있 다 . 상이 한 특성 을 갖 는 전자 의 분포 또는 집 중도 ( concentration ) 는 검출 된 전자 빔 스폿 에서 대응 하 는 세기 패턴 을 형성 하 는 전자 빔 내 의 상이 한 위치 에서 변할 수 있 다 . 　 결정 된 일차 및 이 차 경 계부 는 대응 하 는 전자 감지 요소 의 출력 신호 를 그룹 화 ( group ) 하 는 데 사용 될 수 있 다 . 그룹 은 그 의 기하학 적 배열 이 대응 하 는 전자 빔 스폿 의 패턴 과 일치 하 도록 형성 될 수 있 다 . 예 로서 , 이 차 빔 경 계부 내 에서 전자 감지 요소 에 의해 검출 된 전자 빔 스폿 의 일부분 은 거의 전부 후방 산란 전자 로 구성 될 수 있 으며 , 일 차 빔 경 계부 와 이 차 빔 경 계부 사이 에서 전자 감지 요소 에 의해 검출 된 전자 빔 스폿 의 일부분 은 거의 전부 이 차 전자 로 구성 될 수 있 다 . 따라서 , 형성 된 그룹 은 전체 검출 된 빔 의 세기 정보 그리고 또한 전자 빔 의 후방 산란 및 이 차 전자 부분 에 대응 하 는 세기 정보 를 산출 할 수 있 다 . 따라서 , 개시 된 실시 예 는 검출 된 전자 빔 스폿 에 관한 부가 적 인 정보 및 결과 적 으로 조사 중 인 샘플 의 부가 적 인 특성 을 제공 할 수 있 다 .