따라서 , 격벽 상부 에 블랙 탑 ( black top ) 을 형성 하 거나 , 상부 패널 의 서 스테인 전극 쌍 사이 에 블랙 매트릭스 ( black matrix ) 를 형성 하 기 도 한다 . 그런데 , 도 1 에 도시 된 바 와 같이 , 종래 에 는 투명 전극 ( 80 a , 80 b ) 사이 에 블랙 매트릭스 ( 85 ) 를 패 터닝 한다 . 이 때 , 블랙 매트릭스 ( 85 ) 의 일부 가 투명 전극 ( 80 a , 80 b ) 상 에 형성 된다 . 그리고 , 블랙 매트릭스 ( 85 ) 와 투명 전극 ( 80 a , 80 b ) 이 중첩 되 는 영역 의 상부 에 , 버스 전극 ( 80 a ', 80 b ') 을 형성 한다 . 따라서 , 투명 전극 과 블랙 매트릭스 및 버스 전극 을 각각 별도 로 패 터닝 하 여야 한다 . 또한 , 블랙 매트릭스 의 두께 가 얇 게 형성 되 므로 , 컨 트 라스트 향상 효과 를 충분히 기대 하 기 어렵 다 .