본 실시 형태 에 의하 여 수소 농도 및 산소 결손 이 저감 된 산화물 반도체 막 을 형성 하 는 것 과 함께 , 산화물 반도체 막 및 한 쌍 의 배선 사이 에 접촉 저항 을 저감 하 는 n 형 도전 형 을 갖 는 버퍼 를 형성 하 기 때문 에 , 트랜지스터 의 임계 값 전압 의 마이너스 시프트 를 저감 시키 는 것 과 함께 트랜지스터 의 온 전류 가 저감 되 는 것 을 억제 할 수 있 다 .