최근 반도체 소자 의 집적도 가 증가 함 에 따라 종래 의 2 차원 적 인 트랜지스터 의 구조 로 는 고집 적 메모리 소자 에서 고농 도 도핑 의 의한 접합 누설 전류 ( junction leakage current ) 때문 에 충분 한 정보 저장 시간 ( data retention time ) 을 확보 할 수 없 고 , 또한 , 고속 소자 ( high speed device ) 의 전류 구동 능력 ( current drivability ) 확보 측면 에서 도 한계 에 다 다르 고 있 다 .