게이트 전극 ; 상기 게이트 전극 위 에 위치 한 게이트 절연 층 ; 상기 게이트 절연 층 위 의 일부 영역 에 위치 하 며 질소 - 도핑 그래핀 층 을 포함 하 는 활성 층 ; 상기 활성 층 의 일 측 영역 위 에 위치 한 제 1 전극 ; 상기 활성 층 의 타 측 영역 위 에 위치 한 제 2 전극 ; 을 포함 하 는 그래핀 기반 의 TFT 인 것 을 특징 으로 한다 .