도 64 에 따르 면 , 굴절 률 이 낮 은 재료 인 dchPAF , mmtBuBichPAF , 및 mmtBumTPchPAF 를 사용 한 발광 디바이스 4 - 1 내지 발광 디바이스 4 - 4 , 발광 디바이스 5 - 1 내지 발광 디바이스 5 - 4 , 발광 디바이스 6 - 1 내지 발광 디바이스 6 - 4 는 , 발광 디바이스 의 유기 화합물 로서 사용 되 는 유기 화합물 로서 통상 의 굴절 률 을 갖 는 PCBBiF 를 사용 한 비교 발광 디바이스 2 - 1 내지 비교 발광 디바이스 2 - 4 보다 발광 효율 이 높 고 , 굴절 률 이 낮 은 재료 인 dchPAF , mmtBuBichPAF , 및 mmtBumTPchPAF 를 사용 함 으로써 , 발광 효율 이 높 은 발광 디바이스 를 얻 을 수 있 다 .