" 도 1 은 종래 의 STT - MRAM 비트 셀 ( 100 ) 을 도시 한다 . STT - MRAM 비트 셀 ( 100 ) 은 자기 터널 접합 ( MTJ ) 저장 엘리먼트 ( 105 ) ( "" MTJ 스택 "" 으로 도 또한 지칭 됨 ) ", 트랜지스터 ( 101 ) , 비트 라인 ( 102 ) 및 워드 라인 ( 103 ) 을 포함 한다 . MTJ 스택 은 , 예 를 들 어 , 핀 드 층 ( 124 ) 및 프리 층 ( 120 ) 으로부터 형성 되 는데 , 이 들 각각 은 절연 터널 링 배리 어 층 ( 122 ) 에 의해 분리 되 어 , 자기 모 멘 텀 또는 분극 을 유지 할 수 있 다 . 종래 에 는 MTJ 스택 에 반 - 강자성 ( AFM ) 층 과 캡 층 ( 미 도시 ) 이 존재 한다 . AFM 층 은 핀 드 층 의 자기 모멘트 를 피닝 ( pin ) 하 는 데 에 사용 된다 . 캡 층 은 MTJ 와 금속 상호 연결부 들 사이 의 버퍼 층 으로 사용 된다 . 프리 층 의 분극 은 , 핀 드 층 및 프리 층 의 극성 이 실질 적 으로 나란 하 거나 또는 반대 가 되 는 것 중 어느 하나 가 되 도록 특정 방향 으로 전류 를 인가 함 으로써 반전 될 수 있 다 . MTJ 를 통한 전기 경로 의 저항 은 핀 드 층 및 프리 층 의 분극 들 의 얼라인먼트 에 의존 하 여 변한다 . 알려진 바 와 같이 , 이러 한 저항 의 변화 는 비트 셀 ( 100 ) 을 프로그래밍 하 고 판독 하 기 위해 사용 될 수 있 다 . STT - MRAM 비트 셀 ( 100 ) 은 또한 소스 라인 ( 104 ) , 감지 증폭기 ( 108 ) , 판독 / 기록 회로 ( 106 ) 및 비트 라인 레퍼런스 ( 107 ) 를 포함 한다 . 당업자 는 , 메모리 셀 ( 100 ) 의 동작 및 구성 을 본 기술 에 알려진 바 와 같이 인식 할 것 이 다 .