상기 게이트 전극 및 게이트 절 연막 이 형성 된 결과물 상 에 이온 주입 공정 을 수행 하 여 , 상기 포토다이오드 영역 에 제 1 확산 영역 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 게이트 전극 및 게이트 절 연막 의 측벽 에 스 페이서 를 형성 하 는 단계 와 , 상기 스 페이서 가 형성 된 결과물 상 에 이온 주입 공정 을 수행 하 여 , 상기 트랜지스터 영역 에 제 2 확산 영역 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 제 2 확산 영역 이 형성 된 결과물 상 에 이온 주입 공정 을 수행 하 여 , 상기 제 1 확산 영역 에 제 3 확산 영역 을 형성 하 는 단계 를 더 포함 한다 .