도 1 b 는 소스 , 드레 인 사이 에 탄소 나노 튜브 또는 실리콘 나노 와이어 가 형성 된 반도체 구 조체 를 갖 는 FET 센서 를 나타낸다 . 탄소 나노 튜브 또는 실리콘 나노 와이어 에 감지 물질 을 부착 하 여 표적 물질 과 결합 할 때 탄소 나노 튜브 또는 실리콘 나노 와이어 의 전기 전도 도 변화 로 표적 물질 을 검출 한다 . 탄소 나노 튜브 또는 실리콘 나노 와이어 는 구조 체의 크기 가 20 nm 이하 까지 제작 이 가능 하 기 때문 에 적 은 양 의 표적 물질 결합 으로 도 충분 한 공핍 을 일으켜서 고감 도 검출 이 가능 하 다고 알려져 있 다 . 그러나 이러 한 탄소 나노 튜브 또는 실리콘 나노 와이어 는 화학 적 합성 에 의하 여 만들 기 때문 에 , 합성 된 탄소 나노 튜브 또는 실리콘 나노 와이어 를 센서 칩 위 의 원 하 는 위치 에 고정 시키 기 가 어렵 다 .