제 1 도전 형 질화물 층 ( 120 ) 은 기판 ( 110 ) 의 상면 상 에 배치 된다 . 이러 한 제 1 도전 형 질화물 층 ( 120 ) 은 Si 또는 Ge 을 도핑 한 AlGaN 으로 이루어진 제 1 층 ( 미 도시 ) 과 , 언 도우프 의 GaN ( undoped - GaN ) 으로 이루어진 제 2 층 ( 미 도시 ) 이 교번 적 으로 형성 된 적층 구조 를 가질 수 있 다 . 물론 , 제 1 도전 형 질화물 층 ( 120 ) 은 단일 의 질화물 층 으로 성장 시키 는 것 도 무방 하 다 . 이때 , 제 1 도전 형 질화물 층 ( 120 ) 은 20 nm ~ 5 ㎛ 의 높이 를 갖 는 것 이 바람직 하 다 .