이 에 대해 , 에칭 율 은 , 라디칼 의 표면 흡착 과 이온 충돌 에 의한 탈리 가 상호 작용 하 여 결정 되 는 값 이 다 . 이 밖 에 도 , 열 에너지 에 의한 탈리 역시 , 이온 충돌 에 의한 탈리 와 라디칼 의 표면 흡착 이 상호 작용 하 지만 , 고주파 전력 ( LF ) 에 의해 기판 ( W ) 으로 끌 어 당겨질 정도 의 이온 이 존재 하 는 환경 에서 는 , 이온 충돌 에 의한 탈리 에 비해 기여 율 이 낮 으므로 , 여기 에서 는 고려 하 지 않 는다 .