이어서 , 상기 기판 결과물 에 대해 희생 산화 ( sacrificial oxidation ) 공정 , 세정 ( cleaning ) 공정 및 측벽 산화 ( wall oxidation ) 공정 을 차례 로 진행 하 고 , 이 를 통해 , 트렌치 표면 에 박막 의 측벽 산화 막 을 형성 한다 . 그런 다음 , 기판 의 Si 과 후속 소자 분리 용 매립 산화 막 의 스트레스 완충 역할 및 후속 산화 공정 에서 기판 의 산화 를 억제 하 기 위해 기판 의 전면 상 에 라이너 ( liner ) 질화 막 을 증착 한다 .