따라서 , 본 발명 에서 는 배선 영역 ( 150 ) 의 도전 성 배선 ( 152 ) 들 의 간격 에 대응 하 는 위치 에 반도체 층 ( 151 ) 을 형성 함 으로써 도전 성 배선 ( 152 ) 들 의 단차 를 줄이 고 , 도전 성 배선 ( 152 ) 상 에 형성 되 는 제 1 절연 층 ( 113 ) 의 스텝 커버리지 를 향상 시킴 으로서 , 도전 성 배선 들 ( 152 ) 에 가해 지 는 외부 충격 을 완화 할 수 있 다 . 또한 , 상기 와 같 은 반도체 층 ( 151 ) 을 화소 영역 ( 120 ) 의 반도체 활성 층 ( 131 ) 을 패 터닝 하 는 마스크 공정 에서 패턴 설계 만 달리 하 여 적용 함 으로써 , 추가 마스크 의 투입 없이 반도체 층 ( 151 ) 을 형성 할 수 있 으므로 공 정상 적용 이 용이 하 게 할 수 있 다 .