( 6 ) 제 10 항 에 기재 된 장치 에서 , 상기 제 1 공정 은 , 기판 에 레지스 트 막 을 형성 하 기 위한 , 및 , 기판 을 현상 하 기 위한 공정 이 며 , 상기 제 2 공정 은 , 기판 에 레지스 트 막 을 형성 하 기 위한 공정 , 또는 , 기판 을 현상 하 기 위한 공정 중 어느 한쪽 이 다 . 일부 기판 처리 열 로부터 레지스 트 막 을 형성 하 고 , 현상 한 기판 을 얻 을 수 있 고 , 다른 기판 처리 열 로부터 레지스 트 막 을 형성 한 기판 , 또는 , 현상 한 기판 을 얻 을 수 있 다 .