도 11 을 참조 하 면 , 상기 보호막 ( 220 ) 을 형성 한 다음 , 산소 를 포함 하 는 이온 을 산화물 반도체 로 이루어진 채널 층 ( 216 ) 에 주입 한다 . 이러 한 이온 주입 공정 은 이온 주입 장치 를 이용 하 여 산소 를 포함 하 는 이온 을 보호막 ( 220 ) 을 통하 여 채널 층 ( 216 ) 에 주입 함 으로써 수행 될 수 있 다 . 이때 , 산소 를 포함 하 는 이온 의 농도 가 보 호 ( 220 ) 막 과 채널 층 ( 216 ) 사이 에서 최대 가 될 수 있 도록 이온 주입 장치 의 가속 에너지 가 조절 될 수 있 다 .