다시 레지스 트 가 도포 되 고 , 실리콘 기판 의 스루홀 의 바닥 에 만 구멍 이 형성 되 며 ( 단계 S 13 ) , 절 연막 ( 22 ) 의 RIE 가 레지스 트 를 마스크 로서 이용 함 으로써 행해진다 ( 단계 S 14 ) . 절 연막 ( 22 ) 의 RIE 에서 , 실리콘 디바이스 공정 에 의해 미리 형성 된 CVD 절 연막 및 실리콘 기판 ( 10 ) 과 내부 전극 ( 26 ) 사이 에 형성 된 모든 절 연막 이 에칭 된다 . 이러 한 단계 에서 , 내부 전극 ( 26 ) 은 절 연막 들 의 RIE 동안 스토퍼 로서 기능 한다 .