도 1 및 도 2 에 도시 한 바 와 같이 , 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 플래시 메모리 셀 은 소자 분리 영역 에 대응 하 는 트렌치 라인 ( 19 ) 이 반도체 기판 ( 100 ) 에 형성 되 어 있 으며 , 복수 개 의 트렌치 라인 ( 19 ) 은 비트 라인 ( BL ) 방향 에 평행 하 게 형성 되 어 있 다 . 여기 서 , 점선 은 트렌치 라인 ( 19 ) 의 측벽 경사면 의 경계 를 나타낸 것 이 다 .