또한 , 본 발명 에 따른 화소 회로 에서 는 제 1 내지 제 4 박막 트랜지스터 ( T 1 ~ T 4 ) 로 상기 유기 발광 다이오드 ( OLED ) 를 제어 함 으로써 종래 의 화 소회 로 보다 개구율 을 향상 할 수 있 다 . 또한 , 이전 게이트 라인 에 인가 된 스캔 신호 에 의해 상기 캐 패 시터 ( C ) 가 초기 화 되 므로 동일 라인 상 의 화소 들 에 데이터 전압 이 순차 기입 되 어 분할 구동 이 가능 해질 수 있 다 .