특정 실시 예 에서 , 하나 이상 의 일 함수 조정 층 ( 104 ) 이 게이트 유전체 층 ( 102 ) 상 에 형성 된다 . 일 함수 조정 층 ( 104 ) 은 TiN , TaN , TaAlC , TiC , TaC , Co , Al , TiAl , HfTi , TiSi , TaSi 또는 TiAlC 의 단일 층 또는 이 들 재료 중 두 개 이상 의 다층 과 같 은 전도성 재료 로 제조 된다 . 특정 실시 예 에서 , TiN 이 일 함수 조정 층 ( 104 ) 으로서 사용 된다 . 일 함수 조정 층 ( 104 ) 은 ALD , PVD , CVD , e - 빔 증발 또는 다른 적절 한 프로세스 에 의해 형성 될 수 있 다 . 또한 , 일 함수 조정 층 ( 104 ) 은 상이 한 금속 층 을 사용 할 수 있 는 n - 채널 FET 및 p - 채널 FET 에 대해 분리 하 여 형성 될 수 있 다 .