도 6 a 및 도 6 b 는 본 개시 의 예시 적 구 현예 에 따른 반도체 처리 장치 ( 30 ) 를 나타낸다 . 반도체 처리 장치 ( 30 ) 는 , 그 안 에 리세 스 를 포함 할 수 있 는 표면 을 포함 할 수 있 는 기판 을 수용 하 기 위한 하나 이상 의 반응 챔버 ( 3 ) ; 제 1 밸브 ( 31 ) 를 통해 상기 반응 챔버 중 하나 와 가스 연통 하 는 제 1 반응물 용 제 1 공급원 ( 21 ) ; 제 2 밸브 ( 32 ) 를 통해 상기 반응 챔버 중 하나 와 가스 연통 하 는 제 2 반응물 용 제 2 공급원 ( 22 ) ; 제 3 밸브 ( 33 ) 를 통해 상기 반응 챔버 중 하나 와 가스 연통 하 는 제 3 반응물 용 제 3 공급원 ( 25 ) ; 제 4 밸브 ( 34 ) 를 통해 상기 반응 챔버 중 하나 와 가스 연통 하 는 선택 적 제 4 공급원 ( 예 , 퍼지 또는 캐리어 가스 ) ( 26 ) ; 및 상기 제 1 , 제 2 , 제 3 , 및 선택 적 제 4 가스 밸브 에 작동 가능 하 게 연결 된 컨트롤러 ( 27 ) 를 포함 하 고 , 상기 컨트롤러 는 , 상기 기판 의 표면 을 개질 하 기 위해 제 1 반응물 로부터 제 1 활성 종 을 형성 하 는 단계 , 및 재료 를 증착 하 기 위해 하나 이상 의 증착 사이클 을 수행 하 는 단계 를 제어 하 기 위해 구성 되 고 프로그래밍 된다 . 각각 의 증착 사이클 은 , 표면 과 반응 하 여 화학 흡착 된 재료 를 형성 하 는 제 2 반응물 을 상기 기판 에 도입 하 는 단계 ; 및 상기 화학 흡착 된 재료 와 반응 하 는 제 3 반응물 로부터 제 2 활성 종 을 형성 하 여 증착 재료 를 형성 하 는 단계 를 포함 할 수 있 다 . 제 1 활성 종 을 형성 하 는 단계 수 및 증착 사이클 수 의 비 는 약 1 : 1 내지 약 1 : 10 의 범위 이 다 . 제 4 가스 는 제 1 , 제 2 및 / 또는 제 3 반응물 중 임의 의 것 과 함께 도입 될 수 있 고 / 있 거나 본원 에 설명 된 퍼지 가스 로서 사용 될 수 있 다 . 나타내 지 않 았 지만 , 반도체 처리 장치 ( 30 ) 는 추가 적 인 공급원 과 추가 적 인 구성 요소 , 예컨대 반도체 처리 장치 에서 일반 적 으로 발견 되 는 것 을 포함 할 수 있 다 .