한편 , 하드 마스크 ( 203 ) 형성 전 에 도전 막 ( 202 ) 상 에 완충 막 ( 미 도시 ) 을 더 형성 할 수 있 는데 , 그 이유 는 후속 하드 마스크 ( 203 ) 형성 공정 시 가해 지 는 스트레스 로부터 도전 막 ( 202 ) 를 보호 하 는 동시 에 후속 하드 마스크 ( 203 ) 제 거공 정시 인산 ( H 3 PO 4 ) 과 같 은 식각 용액 으로부터 도전 막 ( 202 ) 을 보호 하 기 위함 이 다 . 예컨대 , 완충 막 은 하드 마스크 ( 203 ) 가 실리콘 질화 막 ( Si 3 N 4 ) 으로 형성 된 경우 실리콘 산화 막 ( SiO 2 ) 으로 형성 한다 .