그 다음 , 제 1 마스크 패턴 ( PR 1 ) 및 하드 마스크 패턴 ( HM ) 을 식각 마스크 로 이용 하 여 적층 체 ( ML ) 를 식각 하 는 제 1 단위 식각 공정 이 수행 될 수 있 다 . 제 1 단위 식각 공정 의 식각 깊이 는 제 1 깊이 ( d 1 ) 일 수 있 으며 , 이 는 제 2 물질 막 들 ( 24 ) 의 수직 적 피치 와 동일 할 수 있 다 . 제 2 물질 막 들 ( 24 ) 의 수직 적 피치 는 제 2 물질 막 들 ( 24 ) 의 하나 의 두께 와 제 1 물질 막 들 ( 22 ) 의 하나 의 두께 의 합 으로 정의 될 수 있 다 .