또 다른 예 에 따르 면 , 제 1 유도 성 소자 ( L 1 ) 에 저장 된 에너지 는 출력 단의 제어 가능 반도체 소자 ( T 2 또는 T 3 ) 가 스위치 오프 될 때 추가 커패시터 ( Cs ) 에 저장 될 수 있 다 . 이 를 통해 여러 스위칭 동작 의 에너지 를 저장 할 수 있 다 . 전술 한 예 와 비교 하 여 , 제 1 유도 성 소자 ( L 1 ) 를 통한 전류 ( IDC _ link ) 는 완전히 오프 커 뮤 테이트 될 수 있 다 . 이 대안 은 , 예 를 들 어 설계 이유 로 인해 발진 회로 가 비교 적 낮 은 품질 을 갖 는 장치 에 이 점 을 제공 할 수 있 다 . 이 대안 에 따라 동작 하 는 장치 에서 발생 하 는 전압 및 전류 는 도 10 에 개략 적 으로 도시 되 어 있 다 . 도 10 에 , 추가 커패시터 ( Cs ) 에 에너지 가 저장 되 는 순간 이 표시 되 어 있 다 . 이 도면 은 추가 커패시터 ( Cs ) 양단 의 전압 ( Vs ) , 추가 커패시터 ( Cs ) 를 통한 전류 ( Is ) 및 출력 단 ( 22 ) 의 제각기 의 제어 가능 반도체 소자 ( T 2 , T 3 ) 양단 의 전압 ( VDS ) 을 보여준다 . 즉 , 이 예 에서 제 1 제어 가능 반도체 소자 ( T 1 ) 는 출력 단 ( 22 ) 의 적어도 2 개 의 스위칭 사이클 동안 차단 상태 ( 비전 도 상태 ) 로 유지 되 고 , 여기 서 각각 의 스위칭 사이클 은 출력 단 ( 22 ) 의 적어도 하나 의 제어 가능 반도체 소자 중 적어도 하나 의 제어 가능 반도체 소자 ( T 2 또는 T 3 ) 의 온 및 오프 를 포함 한다 .