본 발명 의 일 형태 에서 는 , 리얼 메모리 셀 은 , 매트릭스 형상 으로 배치 된다 . 더미 메모리 셀 은 , 매트릭스 의 외주 부 에 위치 하 는 리얼 메모리 셀 의 외측 에 배치 된다 . 제 1 콘택트 는 , 반도체 기판 상 에 적층 되 는 2 개 의 배선 층 사이 를 접속 하 고 , 메모리 셀 주위 에 배치 되 며 , 인접 하 는 메모리 셀 에 공유 된다 .