본 발명 에 의하 면 , 탄화물 - 반금속 또는 탄화물 - 금속 , 즉 ( MC ) 1 - xMx ( M 은 Si , Ta , W 또는 Mo 이 고 , 0 < x < 1 ) 로 이루어지 는 광 산란 박막 을 사용 하 여 소형 의 집적 화 된 전자 소자 를 구현 한다 . 이 를 위하 여 , 보호막 - 광산 란 박막 - 보호막 으로 이루어지 는 삼 층막 구조 , 또는 보호막 - 캡 핑 층 - 광산 란 박막 - 캡 핑 층 - 보호막 으로 이루어지 는 오 층막 구조 의 접합 구조 를 형성 함 으로써 광 산란 박막 에서 의 나노 입자 생성 을 더욱 용이 하 게 할 수 있 으며 , 보호막 - 캡 핑 층 - 광산 란 박막 내 의 각 계면 에서 발생 할 수 있 는 불 균일 접합 이 방지 될 수 있 다 . 본 발명 에 따른 광 산란 박막 을 포함 하 는 접합 구조 를 이용 하 여 광 산란 박막 트랜지스터 를 제조 함 으로써 기존 의 바이 폴라 트랜지스터 의 경우 에 비해 약 60 배 이상 의 큰 신호 증폭 효과 를 얻 을 수 있 으며 , 접합 구조 의 총 두께 를 현저히 낮춤 으로써 소형 의 집적 화 된 전자회로 제작 이 가능 하 다 .