본 발명 의 실시 예 에 따른 통신 모듈 에서 는 전력 증폭 베 어 칩 을 이용 하 여 전력 증 폭부 를 형성 한다 . 이 에 따라 패 키 징 된 반도체 칩 을 이용 하 여 전력 증 폭부 를 형성 하 는 경우 에 비하 여 전력 증폭 베 어 칩 주위 의 공간 을 효율 적 으로 사용 할 수 있 게 된다 . 즉 , 전력 증 폭부 형성 영역 ( 700 ) 내 의 상기 출력 단자 ( 701 ) 주위 에 상기 제 1 비아 홀 ( 707 ) 을 형성 할 수 있 는 공간 을 확보 할 수 있 게 된다 . 또한 상기 제 2 비아 홀 ( 709 ) 은 복수 로 형성 될 수 있 으며 , 상기 전력 증폭 베 어 칩 의 로드 라인 ( 703 ) 주위 에 형성 될 수 있 다 . 상기 로드 라인 ( 703 ) 주위 에 형성 된 상기 제 2 비아 홀 ( 709 ) 은 고조파 의 공진 모드 발생 을 억제 한다 . 상기 제 1 비아 홀 ( 707 ) 과 상기 제 2 비아 홀 ( 709 ) 은 기판 의 그라운드 영역 내 에 형성 되 도록 할 수 있 다 . 이때 , 그라운드 영역 은 내층 의 그라운드 비아 를 이용 할 수 도 있 다 .