" 반도체 디바이스 를 위한 종래 의 제조 프로세스 는 반도체 웨이퍼 를 취급 하 는 것 으로 시작 한다 . 웨이퍼 는 다수 의 "" 패 키 징 되 지 않 은 "" 반도체 디바이스 로 다 이싱 된다 . "" 패 키 징 되 지 않 은 "" 수식어 는 보호 특징 을 구비 하 지 않 는 봉입 되 지 않 은 반도체 디바이스 를 지칭 한다 . 여기 서 ", 패 키 징 되 지 않 은 반도체 디바이스 는 반도체 디바이스 다이 로 지칭 될 수 있 고 , " 간략 화 를 위해 단지 "" 다이 "" 로 지칭 된다 . 단일 반도체 웨이퍼 는 반도체 웨이퍼 로부터 100 ", 000 개 또는 심지어 1 , 000 , 000 개 이상 의 다이 를 형성 하 기 위해 ( 반도체 의 시작 크기 에 의존 하 여 ) 다양 한 크기 의 다이 를 생성 하 도록 다 이싱 될 수 있 으며 , " 각각 의 다이 는 특정 품질 을 가진다 . 패 키 징 되 지 않 은 다이 는 그런 다음 이후 에 간단히 논의 되 는 종래 의 제조 프로세스 를 통해 "" 패 키 징 "" 된다 . 웨이퍼 취급 과 패 키 징 사이 의 동작 은 "" 다이 준비 ( die preparation ) "" 로서 지칭 될 수 있 다 . "