도 2 를 참조 하 면 , 셸 로우 트렌치 소자 분리 ( STI ) 공정 을 수행 하 여 반도체 기판 ( 100 ) 상 에 소자 분리 막 ( 102 ) 을 형성 하 여 기판 ( 100 ) 을 액티브 영역 및 필드 영역 으로 구분 한다 . 이어서 , 열 산화 법 , 화학 기상 증착 공정 또는 원자 층 적 층 공정 으로 소자 분리 막 ( 102 ) 이 형성 된 기판 ( 100 ) 상 에 게이트 절 연막 ( 미 도시 ) 을 형성 한다 . 여기 서 , 상기 게이트 절연 막 은 실리콘 산화 막 ( SiO 2 ) 일 수 도 있 고 , 상기 실리콘 산화 막 보다 높 은 유전율 을 갖 는 물질 로 이루어진 박막 일 수 도 있 다 .