제 3 절연 층 ( 123 ) 상 에 는 부스트 커패시터 ( Cbt ) 의 제 4 전극 ( CE 4 ) 이 제 3 전극 ( CE 3 ) 에 중첩 하 게 배치 될 수 있 다 . 부스트 커패시터 ( Cbt ) 의 제 4 전극 ( CE 4 ) 은 산화물 반도체 를 포함 할 수 있 다 . 일 실시 예 에서 , 부스트 커패시터 ( Cbt ) 의 제 4 전극 ( CE 4 ) 은 제 2 박막 트랜지스터 ( TFT 2 ) 의 제 2 반도체 층 ( AO ) 으로부터 연장 되 어 제 3 전극 ( CE 3 ) 에 중첩 하 는 부분 일 수 있 다 . 제 3 전극 ( CE 3 ) 및 제 4 전극 ( CE 4 ) 사이 에 는 제 2 절연 층 ( 122 ) 및 제 3 절연 층 ( 123 ) 이 배치 될 수 있 다 .