또한 , 제 2 패드 금속 층 ( 35 b ) 은 제 1 발광 셀 ( C 1 ) 의 상부 영역 내 에 , 나아가 , 제 1 발광 셀 ( C 1 ) 의 제 2 도전 형 반도체 층 ( 27 ) 의 상부 영역 내 에 한정 되 어 위치 할 수 있 다 . 제 2 패드 금속 층 ( 35 b ) 은 하부 절연 층 ( 33 ) 의 제 2 개 구부 ( 33 b ) 를 통해 제 1 발광 셀 ( C 1 ) 상 의 오 믹 반사 층 ( 31 ) 에 전기 적 으로 접속 한다 . 제 2 패드 금속 층 ( 35 b ) 은 제 2 개 구부 ( 33 b ) 를 통해 오 믹 반사 층 ( 31 ) 에 직접 접촉 할 수 있 다 .