도 6 은 열 산화 공정 을 통해 산화 막 이 형성 된 결과 를 3 차원 구조 로 나타낸 도면 이 다 . 열 산화 공정 을 통해 실리콘 기판 ( 130 ) 은 산화 되 어 산화 막 ( 131 ) 을 형성 할 수 있 다 . 산화 막 ( 131 ) 은 실리콘 기판 의 표면 으로부터 형성 될 수 있 는 바 , 건식 식각 공정 을 통해 식각 되 지 않 은 나노 와이어 ( 100 ) , 센서 구조물 ( 110 ) , 제 1 함몰 영역 ( 132 ) 에서 도 형성 될 수 있 다 . 또한 , 실리콘 기판 ( 130 ) 의 후면 , 즉 , 나노 와이어 ( 100 ) 등 의 구성 이 형성 되 지 않 은 반 대면 도 산화 막 ( 131 ) 이 형성 될 수 있 다 . 이러 한 , 산화 막 ( 131 ) 의 형성 에 따라 나노 와이어 ( 100 ) 의 폭 ( w ) 이 결정 될 수 있 다 . 구체 적 으로 , 산화 막 ( 131 ) 의 형성 에 따라 나노 와이어 ( 100 ) 의 폭 은 감소 될 수 있 다 . 즉 , 목적 하 는 실리콘 나노 와이어 ( 100 ) 의 폭 ( w ) 이 되 도록 산화 막 형성 공정 의 시간 을 조절 할 수 있 다 . 열 산화 공정 의 시간 을 조절 하 여 나노 와이어 의 폭 ( w ) 은 결정 될 수 있 다 .