그러나 , 다 단계 박막 형성 공정 을 거쳐 최종 박막 을 형성 하 는 이러 한 박막 제조 방법 은 전체 공정 시간 이 길 뿐 만 아니 라 표면 이 고르 지 못하 고 성 장막 내부 에 기공 이 생성 되 는 단점 이 있 다 . CIGS 박막 이 고르 게 잘 성장 되 지 못하 는 이유 를 좀 더 자세히 설명 하 면 다음 과 같 다 . CIS 또는 CIGS 박막 을 형성 시키 기 위하 여 1 단계 로 성장 시키 는 Ⅲ - Ⅵ 족 박막 은 성장 초기 에 무 질서 하 게 배열 된 막대 형태 로 성장 되 다가 성장 시간 이 경과 됨 에 따라 점차 적 으로 얇 은 육각형 판 형태 로 무 질서 하 게 성장 된다 . 여기 에 2 단계 와 3 단계 의 공정 이 추가 되 어 이 들 박막 이 I - Ⅲ - Ⅵ2 상 의 결정 알갱이 로 변환 되 는데 , 최종 형성 된 I - Ⅲ - Ⅵ2 상 박막 의 표면 은 고르 지 못할 뿐 만 아니 라 박막 내부 에 는 기공 이 있 는 형태 로 성장 되 게 된다 . 이 들 표면 형상 의 변화 를 도 1 에 보였 다 .