이어서 , 얻 어 진 결정 구조 를 갖 는 반도체 막 ( 예 를 들 면 결정 성 규소 막 ) 의 표면 에 오 존수 로 얇 은 산화 막 을 형성 한 후 , 제 1 포토 마스크 를 사용 하 여 레지 스트로 이루어지 는 마스크 를 형성 하 고 , 원 하 는 형상 으로 에칭 처리 하 여 섬 형상 으로 분리 된 반도체 막 ( 본 명세서 에서 는 「 섬 형상 반도체 영역 ( 331 ) 이 라고 함 ) 을 형성 한다 ( 도 1 a 참조 ) . 섬 형상 반도체 영역 을 형성 한 후 , 레지 스트로 이루어지 는 마스크 를 제거 한다 .