본 발명 은 상기 와 같 은 문제점 을 해결 하 기 위하 여 창출 된 것 으로서 , 특히 , 게이트 옥사이드 를 포함 하 는 트랜지스터 의 소자 의 경우 첫 번 째 배선 의 형성 시 게이트 입력 노드 에 N + 또는 P + 정 션 이 연결 되 도록 하 여 공정 진행 과정 에서 발생 하 는 플 라즈 마 손상 에 따른 반도체 소자 의 특성 저하 를 방지 할 수 있 도록 하 는데 그 목적 이 있 다 .