다른 실시 예 에서 , 프로세싱 챔버 가 본원 에서 개시 된다 . 프로세싱 챔버 는 기판 지지 부재 및 프로세스 키트 를 포함 한다 . 기판 지지 부재 는 기판 을 지지 하 도록 구성 된다 . 프로세스 키트 는 기판 지지 부재 에 의해 지지 된다 . 프로세스 키트 는 링 , 조정 가능 한 튜닝 링 , 및 작동 메커니즘 을 포함 한다 . 링 은 제 1 링 컴포넌트 및 제 2 링 컴포넌트 를 갖 는다 . 제 1 링 컴포넌트 는 , 제 1 링 컴포넌트 와 제 2 링 컴포넌트 사이 에 갭 을 형성 하 면서 제 2 링 컴포넌트 가 제 1 링 컴포넌트 에 대하 여 이동 가능 하 도록 , 제 2 링 컴포넌트 와 인터 페이 싱 된다 . 조정 가능 한 튜닝 링 은 링 아래 에 위치 되 고 , 제 2 링 컴포넌트 의 바닥 표면 과 접촉 한다 . 조정 가능 한 튜닝 링 은 상단 표면 및 바닥 표면 을 갖 는다 . 조정 가능 한 튜닝 링 의 상단 표면 은 제 2 링 컴포넌트 와 접촉 한다 . 작동 메커니즘 은 조정 가능 한 튜닝 링 의 바닥 표면 과 인터 페이 싱 된다 . 작동 메커니즘 은 , 제 1 링 컴포넌트 와 제 2 링 컴포넌트 사이 의 갭 이 변화 되 도록 , 조정 가능 한 튜닝 링 을 작동 시키 도록 구성 된다 .