또한 , " 데이터 "" 0 "" 의 기 입시 ", 워드 선 구동 회로 ( 13 ) 는 데이터 를 기입 하 고 싶 은 비트 ( MTr 4 mn ) 의 워드 선 WLm 4 에 프로그램 전압 Vprog ( 예 를 들 어 , 18 V ) 을 인가 한다 . 한편 , 워드 선 구동 회로 ( 13 ) 는 그 밖 의 워드 선 WLmn 에 패스 전압 Vpass ( 예 를 들 어 , 10 V ) 를 인가 한다 . 이런 동작 에 의해 , 원 하 는 비트 ( MTr 4 mn ) 에서 만 전하 축적 층 ( EC ) 에 인가 되 는 전계 강도 가 증가 되 어 전하 축적 층 ( EC ) 에 전자 가 주입 되 기 때문 에 , 메모리 트랜지스터 MTr 4 mn 의 임계 치 전압 Vth 가 양 의 방향 으로 시프트 한다 .