도 3 을 참조 하 면 , 본 실시 예 에 따른 반도체 소자 의 에프 피지 에 이 는 제 1 메탈 배선 ( M 1 ) 그룹 을 매립 하 는 형태 의 제 1 IMD ( 31 ) 위 에 제 2 IMD ( 33 ) 가 형성 되 고 , 제 2 IMD ( 33 ) 의 상부 의 제 1 메탈 배선 ( M 1 ) 그룹 에 각각 대응 하 는 위치 에 제 2 메탈 배선 ( M 2 ) 그룹 이 형성 되 며 , 제 2 메탈 배선 ( M 2 ) 그룹 을 매립 하 는 형태 의 제 3 IMD ( 35 ) 가 형성 된다 .