그리고 나 서 , 도 7 b 를 참조 하 면 , 상기 포토다이오드 전극 ( 304 ) 상 에 200 Å 의 비정질 실리콘 층 을 더 형성 한 후 N 형 금속 으로 도핑 하 였 다 . 그리고 나 서 패 터닝 하 여 N 도핑 실리콘 막 ( 305 ) 을 형성 했 다 . 상기 N 형 금속 으로 는 안티몬 ( Sb ) 비소 ( As ) , 인 ( P ) 등 이 있 다 .