따라서 , 도 5 및 도 6 에 도시 한 바 와 같이 , HD 구조 의 전기 화학 적 셀 ( 1000 ) 은 적어도 절연체 ( 1018 ) 에 의해 , 어쩌면 PSA 층 ( 1019 ) 에 의해서 도 캐소드 콜렉터 ( 1016 ) 로부터 분리 된 대체로 중앙 의 애노드 ( 1014 ) 를 제공 한다 . 애노드 ( 1014 ) 의 양측 각각 에 는 캐소드 ( 1012 A , 1012 B ) 가 마련 되 며 , 이 들 두 캐소드 모두 는 캐소드 콜렉터 ( 1016 ) 위 에 놓여 있 다 . HD 전기 화학 적 셀 ( 1000 ) 은 표준 구조 에 비해 낮 은 셀 저항 으로 인해 고전 류 를 생성 할 수 있 다 . 이 는 중앙 의 애노드 ( 1014 ) 와 2 개 의 인접 한 캐소드 ( 1012 A , 1012 B ) 사이 의 도전 길이 를 감소 시키 거나 , 및 / 또는 캐소드 콜렉터 ( 1016 ) 의 저항 을 감소 시킴 으로써 달성 된다 . 이해 할 수 있 는 바 와 같이 , 대체로 대칭 적 인 셀 의 기하학 적 형상 이 애노드 ( 1014 ) 를 2 개 의 인접 하 는 캐소드 ( 1012 A , 1012 B ) 들 가운데 에 배치 하 여 그 사이 의 거리 를 감소 시키 기 에 유리 할 수 있 지만 , 다양 한 형태 의 셀 기하학 적 형상 이 이용 될 수 도 있 다 .