도 14 는 도 11 a 내지 도 11 c 에 기재 된 실시 형태 의 각각 에 대해서 대략 400 ㎚ 내지 대략 1100 ㎚ 의 파장 영역 에서 의 표본 화 된 흡수 의 그래프 를 나타내 고 있 다 . 곡선 ( 1401 ) 은 도 11 a 에 나타낸 실시 형태 에 대해서 흡 수체 층 ( 1103 ) 의 흡광도 이 다 . 곡선 ( 1402 ) 은 도 11 b 에 나타낸 실시 형태 에 대해서 흡 수체 층 ( 1103 ) 의 흡광도 이 다 . 곡선 ( 1403 ) 은 도 11 c 에 나타낸 실시 형태 에 대해서 흡 수체 층 ( 1103 ) 의 흡광도 이 다 . 도 14 에 나타낸 바 와 같이 , 곡선 ( 1402 ) 에 따르 면 , 대략 550 ㎚ 와 동일 한 파장 에서 도 11 b 에 나타낸 실시 형태 의 흡 수체 층 의 표본 화 된 흡수 는 곡선 ( 1401 ) 에 나타낸 도 11 a 의 실시 형태 의 흡 수체 층 에서 의 대응 하 는 표본 화 된 흡수 값 보다 대략 28 % 높 다 . 또한 , 곡선 ( 1403 ) 에 따르 면 , 대략 550 ㎚ 와 동일 한 파장 에서 도 11 c 에 나타낸 실시 형태 의 흡 수체 층 의 표본 화 된 흡수 는 곡선 ( 1401 ) 에 나타낸 도 11 a 의 실시 형태 의 흡 수체 층 에서 의 대응 하 는 표본 화 된 흡수 값 보다 대략 35 % 높 다 . 따라서 , 광학 공명 공동 부 를 포함 하 는 도 11 b 및 도 11 c 에 나타낸 실시 형태 는 도 11 a 에 나타낸 실시 형태 와 비교 해서 활성 영역 의 흡수 에서 대략 10 % 내지 35 % 의 개선 을 보인다 . 곡선 ( 1402 ) , ( 1403 ) 의 비교 로부터 , 도 11 b 에 나타낸 광학 공명 공동 부 의 ITO 층 을 포함 하 는 실시 형태 와 도 11 c 에 나타낸 광학 공명 공동 부 의 공기 또는 SiO 2 를 포함 하 는 실시 형태 간 에 흡 수체 층 ( 1103 ) 의 보다 높 은 흡수 를 지니 는 것 을 알 수 있 다 . 이 결과 는 다음 과 같이 설명 될 수 있 다 : 활성 혹은 흡 수체 층 내 의 전계 강도 는 높 다 . 흡 수체 층 외부 의 광학 공명 공동 부 층 의 전계 는 급속 하 게 하락 하 지만 0 ( 제로 ) 으로 는 되 지 않 는다 . ITO 의 굴절 률 n 과 소광 계수 k 의 곱 은 흡 수체 층 의 밴드 - 갭 에 상당 하 는 에너지 를 지닌 파장 ( 예 를 들 어 , 300 ㎚ 내지 800 ㎚ 의 파장 ) 에서 낮 지만 , 흡 수체 층 의 밴드 - 갭 에 상당 하 는 에너지 를 지닌 파장 에서 공기 또는 SiO 2 의 굴절 률 n 과 소광 계수 k 의 곱 보다 낮 지 않 다 . 이 와 같이 해서 , 광학 공명 공동 부 내 의 ITO 층 은 공기 ( 또는 SiO 2 ) 층 보다 상당히 많 은 방사선 을 흡수 한다 . 이 결과 , 흡 수체 층 의 흡수 의 저감 을 가져온다 . 곡선 ( 1403 ) 에서 관찰 될 수 있 는 바 와 같이 , 최적 화 된 경우 , 도 11 c 에 나타낸 실시 형태 의 활성 층 의 표본 화 된 흡수 는 500 ㎚ 내지 700 ㎚ 의 파장 범위 에서 대략 90 % 이 다