도 1 , 도 2 k 및 도 3 k 를 참조 하 면 , 랜딩 콘 택 플러그 ( 108 a , 108 b ) 와 식각 정지 막 ( 114 ) 을 포함 하 는 전체 구조 상부 에 제 2 절 연막 ( 116 ) 을 형성 한다 . 제 2 절 연막 ( 116 ) 을 산화 막 을 이용 하 여 500 ~ 2000 Å 의 두께 로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 그리고 , 제 2 절 연막 ( 116 ) 상 에 포토 레지스 트 막 ( 118 ) 을 형성 한 후 , 스토리지 노드 콘 택 플러그 를 형성 하 고자 하 는 영역 , 예 를 들 면 도 1 의 선 C 에서 비트 라인 ( 112 ) 사이 가 오픈 되 도록 포토 레지스 트 막 ( 118 ) 을 패 터닝 한다 .