본 발명 은 고전 자 이동도 트랜지스터 의 핀 구조 형성 방법 에 관한 것 으로 , 본 발명 의 실시 예 에 따른 고전 자 이동도 트랜지스터 의 핀 구조 형성 방법 은 , 기판 상 에 순차 적 으로 채널 층 과 장벽 층 을 형성 하 고 , 상기 장벽층 상 에 소스 전극 과 드레 인 전극 을 서로 이격 배치 하 여 증착 시키 는 단계 ; 상기 장벽층 상 의 게이트 영역 에서 종 방향 으로 단일 핀 들 을 일정 간격 이격 배치 하 는 구조 로 제 1 감광막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 제 1 감광막 의 일부분 을 노출 하 는 제 2 감광막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 제 1 감광막 및 상기 제 2 감광막 을 마스크 로 사용 하 여 상기 제 1 감광막 및 상기 제 2 감광막 이 형성 되 어 있 지 않 은 노출 영역 을 식각 하 는 단계 ; 및 상기 제 1 감광막 및 상기 제 2 감광막 을 제거 하 는 단계 ; 를 포함 한다 .