본 발명 에 따른 SnO 2 계 스퍼터링 타 겟 트 는 , Ta 2 O 5 , Nb 2 O 5 , 및 잔부 SnO 2 및 불가피 불순물 을 포함 하 는 소 결체 로 이루어진다 . 이 와 같 은 Ta 2 O 5 - Nb 2 O 5 - SnO 2 소 결체 에 있 어서 , Ta 2 O 5 첨가량 을 1 . 5 ~ 3 . 5 질량 % 로 , Nb 2 O 5 첨가량 을 0 . 25 ~ 2 질량 % 로 하 는 것 에 의해 , 항절 강도 가 우수 하 고 , 또한 응 집상 이 실질 적 으로 없 는 SnO 2 계 소 결체 를 얻 을 수 있 다 . 그리고 , 이 SnO 2 계 소 결체 를 스퍼터링 타 겟 트 로 사용 한 경우 에 , 스퍼터링 중 의 이상 방전 을 저감 하 면서 , 가열 처리 없이 도 낮 은 막비 저항 을 갖 고 , 또한 , 그 후 의 가열 처리 에 따른 비저항 변화 가 작 으며 , 내열성 이 우수 한 스퍼터 막 을 얻 을 수 있 다 . 이 와 같이 가열 처리 없이 도 낮 은 막비 저항 을 갖 는 스퍼터 막 을 얻 을 수 있 어 , 열처리 에 적합 하 지 않 은 플라스틱 등 의 내열 온도 가 낮 은 기판 에 의 저 저항 ( 예 를 들 어 , 9 m Ω ＊㎝ 미만 ) 의 막 의 제작 이 가능 하 게 된다 . 또 , 이 스퍼터 막 에 있 어서 는 , 그 후 의 가열 처리 에 따른 비저항 변화 가 작 아서 , 불 균일 한 온도 분포 에서 열 을 받 아도 비저항 값 의 분포 가 형성 되 기 어렵 기 때문 에 내열성 이 우수 하 다 . 이 내열 성 은 , 투명 도 전막 을 성막 한 후 에 유전체 를 달구 어 붙이 는 공정 이 있 어 500 ℃~ 600 ℃ 의 온도 에서 가열 되 는 플 라즈 마 디바이스 패널 ( PDP ) 의 제조 공정 에 있 어서 매우 유익 하 다 . 또한 , 스퍼터링 중 의 이상 방전 을 저감 할 수 있 어 , 장시간 안정 적 으로 마그네트론 방전 을 행할 수 있 고 , 우수 한 특성 의 스퍼터 막 을 제작 할 수 있 다 . 이 에 더 하 여 , Sb 2 O 3 와 같 은 극물 을 사용 하 지 않 기 때문 에 안전 상 및 환경 상 의 이점도 얻 을 수 있 다 .