우선 ， 도 1 을 이용 하 여 , 본 발명 의 제 1 실시 형태 에 따른 불휘발성 반도체 기억 장치 의 전체 구성 예 를 설명 한다 . 본 예 에서 는 , 2 개 의 플레인 ( plane 0 , plane 1 ) 을 갖 는 멀티 플레인 의 경우 를 일례 로 들 어 설명 한다 . 도 1 은 , 제 1 실시 형태 에 따른 NAND 형 플래시 메모리 를 나타내 는 블록 도 이 다 .