도 3 을 참조 하 면 , 미러 구동 부 ( 20 ) 는 SRAM 셀 구조 로 형성 되 며 , SRAM 셀 을 구성 하 기 위한 배선 금속 층 이 3 층 으로 구성 되 고 있 다 . SRAM 셀 은 기판 상 에 구성 된 트랜지스터 들 을 연결 배선 으로 전기 적 으로 연결 하 여 회로 를 구성 함 으로써 구현 된다 . 이때 , 이러 한 SRAM 셀 의 동작 을 위한 배선 구조 는 세 층 의 배선 금속 층 구조 로 형성 될 수 있 는 데 , 제 1 금속 층 ( 도시 되 지 않 음 ) 상 에 제 1 금속 층간 절연 층 ( IMD - 1 ) 이 형성 되 고 , 제 1 금속 층간 절연 층 상 에 제 2 금속 층 ( 21 ) 이 형성 되 고 있 다 .