제 1 반사 방지 패턴 ( 52 ) 은 , 제 1 마스크 층 에 대해 식각 선택 비 를 가지 며 , 노광 공정 시 빛 을 흡수 하 여 광반사 를 방지 하 는 물질 로 형성 될 수 있 다 . 제 1 반사 방지 패턴 ( 52 ) 은 유기 화합물 또는 무기 화합물 로 이루어질 수 있 다 . 일 실시 예 에 따르 면 , 제 1 반사 방지 패턴 ( 52 ) 은 포토레지스트 와 그 식각 특성 이 유사 한 유기 물질 로 형성 될 수 있 다 . 이러 한 제 1 반사 방지 패턴 ( 52 ) 을 형성 하 는 것 은 , 스핀 온 코팅 방법 을 이용 하 여 제 1 마스크 층 상 에 제 1 반사 방지 막 을 코팅 하 는 것 , 코팅 된 제 1 반사 방지 막 을 경화 시키 는 베 이크 ( bake ) 하 는 것 , 및 제 1 포토레지스트 패턴 들 ( 54 ) 을 이용 하 여 식각 하 는 것 을 포함 한다 . 이 와 같이 , 제 1 마스크 층 과 제 1 포토레지스트 패턴 들 ( 54 ) 사이 에 제 1 반사 방지 패턴 들 ( 52 ) 막 을 형성 함 으로써 , 제 1 포토레지스트 패턴 들 ( 54 ) 을 형성 하 는 포토 리소그래피 공정 시 포토레지스트 층 에 조사 되 는 빛 의 반사 및 산란 에 의해 의해 제 1 포토레지스트 패턴 ( 54 ) 의 선폭 이 변동 되 는 것 을 방지 할 수 있 다 .