이하 상기 금속 RIE 공정 조건 에 따른 식각 공정 을 상세히 설명 하 면 , 먼저 상부 전극 금속 층 ( 230 ) 인 Ti / TiN 막 ( 232 , 234 ) 을 제거 하 는 공정 은 전통 적 으로 사용 하 는 Cl 2 를 이용 하 여 식각 을 하 지만 , 추가 적 으로 Ti / TiN 의 측벽 을 보호 하 고 더욱 이 Ti 와 계면 에 있 는 나이트 라이드 막 을 어느 정도 제거 하 기 위해 CHF 3 를 사용 하 며 , 또한 유니 포머 티 ( uniformity ) 를 형성 시키 기 위해 Ar 를 사용 한다 .