더우기 , 플라스틱 광기 전 셀 에서 알려진 문제점 중 하나 는 경쟁 적 인 반경 방향 재결합 프로세스 로 인해 , 광 에 의해 발생 된 캐리어 들 을 잃 게 된다는 점 이 다 . 왜냐하면 전자 및 정공 들 이 서로 를 발견 하 여 재결합 하 기 전 에 캐리어 들 이 충분히 멀리 ( 10 nm 이상 ) 이동 하 지 않 기 때문 이 다 . 이 문제점 을 극복 하 기 위한 방법 들 중 한 가지 는 도너 - 액 셉 터 ( D - A ) 헤테로 정 션 을 생성 하 는 것 이 다 . 실제로 , 본 발명 의 광기 전 셀 에 사용 되 는 반도체 나노 결정 들 은 D - A 쌍 처럼 거동 하 며 , 따라서 , 밀접 한 접촉 상태 를 유지 한다 . 또한 상술 한 바 와 같이 , 전극 전위 만큼 추가 적 으로 개선 되 는 본질 적 인 전하 이격 을 제공 하 게 된다 . 이 와 는 다른 구성 에서 , 여러 가지 전자 친화도 를 가진 나노 결정 필름 들 을 이용 하 여 D - A 양 층 헤테로 정 션 을 모방 할 수 있 다 .