20 세기 전자 산업 을 이끌 어 온 현 실리콘 기반 의 반도체 기술 의 집적도 에 대한 그 한계 가 점차 드러남 에 따라 실리콘 소재 를 활용 한 기술 적 한계 를 극복 할 수 있 는 새로운 기술 개발 혹은 새로운 물질 의 도입 이 요구 되 고 있 다 . 2010 년 노벨 물리학상 주제 가 된 그래핀 은 2 차원 평면 상 에서 탄소 원자 들 간 의 강한 공유 결합 에 의한 벌집 구조 를 형성 하 고 있 고 단일 층 이 면서 도 구조 적 , 기계 적 , 전기 적 및 화학 적 으로 매우 안정 하 며 , 뛰어난 열전도도 와 전도체 로서 의 특징 을 가지 기 때문 에 2004 년 최초 분리 이후 폭발 적 인 연구 의 증대 를 가져오 고 있 다 . 이 는 실리콘 에 비해 100 배 높 은 전하 이동도 , 철강 의 200 배 강도 , 다이아몬드 의 2 배 에 달하 는 열전도 성 과 투명 전극 의 주원료 인 ITO 에 비해 훨씬 좋 은 신축성 과 투명도 등 의 우수 성 을 부여 할 수 있 기 때문 에 다양 한 전자 산업 에 적용 될 수 있 는 가능 성 과 그 기대 가 큰 신 물질 이 다 . 이러 한 특성 은 전자 의 에너지 - 모 멘 텀 분산 관계 E ( k ) 가 전형 적 인 2 차원 전자계 의 포물선 적 인 의존도 ( ∝ k 2 ) 가 아닌 소위 디 락 밴드 라고 불리 는 선형 적 인 의존도 ( ∝ k ) 로부터 기인 하 기 때문 인데 , 전자 의 페르미 속도 가 실리콘 에 비해 수백 배 인 106 m / s 에 해당 하 는 값 을 가지 므로 새로운 고속 전자 소자 및 나노 디바이스 , 센서 및 광검 출소 자 등 의 새로운 전자 산업 을 이끌 수 있 을 것 으로 기대 된다 . ( 비 특허 문헌 1 )