이러 한 단점 을 해결 하 기 위하 여 ( 즉 , 메모리 장치 의 셀 크기 를 줄이 기 위하 여 ) 많 은 기술 이 개발 되 고 있 다 . 자기 정렬 된 소오 스 라인 ( SAS : Self Aligned Source line ) 기술 과 얕 은 트렌치 격리 ( STI : Shallow Trench Isolation ) 기술 이 있 다 . SAS 기술 과 STI 기술 은 각각 비트 라인 방향 과 워드 라인 방향 으로 셀 크기 를 줄이 는 기술 로서 , 최근 에 노아 형 플래시 메모리 장치 를 제조 함 에 있 어서 , 널리 사용 되 고 있 다 .