도 6 을 참조 하 면 , 상기 투명 절연 층 ( 410 ) 위 에 감광막 ( 511 ) 을 바르 고 배선 연결 을 위한 개구부 가 형성 될 부분 을 제외 한 나머지 부분 의 감광막 을 제거 하 여 식각 할 부분 을 정의 하 는 공정 이 수행 된다 . 그 다음 , 도 6 및 도 7 에 도시 된 바 와 같이 , 투명 절연 층 ( 410 ) 에 제 1 및 제 2 개 구부 ( 412 , 414 ) 를 형성 하 고 그 제 1 개 구 부 ( 412 ) 와 연통 되게 이어지 는 접점 홈 ( 294 ) 을 ITO 층 ( 290 ) 에 형성 하 기 위한 패 터닝 건식 식각 공정 이 수행 된다 . 본 실시 예 에서 의 건식 식각 공정 은 불활성 가스 ( inert gas ) 인 Ar + 를 식각 표면 에 충돌 시켜 물리 적 으로 투명 절연 층 ( 410 ) 및 ITO 층 ( 290 ) 일부 를 떼 어 내 는 방식 으로 수행 된다 . 이 때 , 상기 건식 식각 에 의해 형성 되 는 접점 홈 ( 294 ) 은 그 깊이 가 P 형 반도체 층 ( 260 ) 의 표면 에 이르 도록 정해진다 .