실리콘 반도체 기판 ( 10 ) 에 직접 접하 는 층간 절 연막 ( 13 ) 의 층 , 또는 실리콘 반도체 기판 상 에 형성 된 게이트 절연 막 은 , 실리콘 의 RIE 시 스토퍼 로서 기능 한다 . 후속 하 여 , 애 싱 및 습식 식각 에 의해 레지스 트 를 제거 한다 ( 단계 S 8 ) . 실리콘 RIE 또는 레지스 트 제거 후 에 는 HF 계 습식 세정 을 수행 함 으로써 RIE 잔여물 을 제거 하 는 것 이 바람직 하 다 .