여기 서 , 포토다이오드 ( 1 ) 는 , 제 1 도전 형 ( 여기 서 는 P 형 ) 의 반도체 에 의해서 구성 된 반도체 기판 ( P 형 기판 ( 3 ) ) 과 , 당해 반도체 기판 의 표면 에서부터 소정 의 깊이 에 걸쳐 형성 된 제 2 도전 형 ( 여기 서 는 N 형 ) 의 반도체 에 의한 제 1 도전 층 ( N 형 층 ( 4 ) ) 으로 구성 된 제 1 수광 소자 로서 기능 하 고 , 포토다이오드 ( 2 ) 는 , 반도체 기판 ( P 형 기판 ( 3 ) ) 과 , 당해 반도체 기판 의 표면 에서부터 소정 의 깊이 에 걸쳐 형성 된 제 2 도전 형 의 반도체 에 의한 제 2 도전 층 ( N 형 층 ( 5 ) ) 으로 구성 된 제 2 수광 소자 로서 기능 하 고 있 다 .