몇몇 구 현예 에 있 어서 , 저온 ( 예 를 들 어 , 결정 , 네마 틱 또는 스멕틱 ) 상태 에 있 어서 TSAOS 장치 는 충돌 하 는 광 또는 다른 복사 에너지 의 50 % 까지 를 흡수 시키 고 , 대략 40 % 를 투과 시킨다 . 고온 ( 예 를 들 어 , 등방성 ) 상태 에 있 어서 , TSAOS 장치 는 유입 하 는 광의 100 % 까지 를 흡수 시킨다 . 따라서 , TSAOS 는 열 적 절 환식 흡수 형 광학 셔터 를 형성 한다 . 또한 편광자 및 탈 편광자 층 의 정확 한 배열 에 따라서 는 반대 전이 ( 저온 시 흡수 되 고 고온 시 투과 되 는 셔터 ) 도 가능 하 다 .