도 11 에 있 어서 , 기판 ( 510 ) , 평탄 화 층 ( 520 ) , 에치 스톱 층 ( 530 ) , 제 1 뱅크 층 ( 540 ) , 제 1 전극 ( 550 ) , 제 2 뱅크 층 ( 560 ) , 제 2 전극 ( 580 ) , 제 1 컨 택 홀 ( 590 ) , 트랜지스터 , 보조 전극 , 제 2 컨 택 홀 , 캐 패 시터 , 패드 영역 , 버퍼 층 ( BUF ) , 층간 절 연막 ( INF ) 및 보호 층 ( PAS ) 에 대한 사항 은 전술 한 본 발명 의 실시 예 들 에서 설명 한 것 과 동일 하 므로 , 생략 하 기 로 한다 .