한편 , 실시 예 에 따라 , 제 1 패치 ( 120 a ) , 제 2 패치 ( 120 b ) , 제 3 패치 ( 120 c ) 상 에 는 제 1 패치 ( 120 a ) , 제 2 패치 ( 120 b ) , 제 3 패치 ( 120 c ) 각각 의 표면 을 따라 막 의 형태 로 형성 되 는 보호 층 이 추가 적 으로 형성 될 수 있 다 . 보호 층 은 도금 공정 을 통해 제 1 패치 ( 120 a ) , 제 2 패치 ( 120 b ) , 제 3 패치 ( 120 c ) 각각 의 표면 에 형성 될 수 있 다 . 보호 층 은 니켈 ( Ni ) 층 과 주석 ( Sn ) 층 을 차례 로 적층 하 거나 , 아연 ( Zn ) 층 과 주석 ( Sn ) 층 을 차례 로 적층 하 여 형성 할 수 있 다 . 상기 보호 층 는 제 1 패치 ( 120 a ) , 제 2 패치 ( 120 b ) , 및 제 3 패치 ( 120 c ) 각각 에 형성 되 어 , 제 1 패치 ( 120 a ) , 제 2 패치 ( 120 b ) , 및 제 3 패치 ( 120 c ) 의 산화 를 방지 할 수 있 다 . 또한 , 보호 층 은 후술 할 , 급전 패드 ( 130 ) , 급전 비아 ( 131 ) , 접합 패드 ( 140 ) , 스 페이서 ( 150 ) 의 표면 을 따라 형성 될 수 도 있 다 .