자기 기준 층 , 비 자기 터널 장벽 층 및 자유 자기 층 은 자기 터널 접합 을 형성 한다 . 실시 예 는 또한 제 4 평면 에 있 고 자유 자기 층 위 에 배치 되 는 비 자기 스 페이서 층 을 포함 한다 . 자기 커플링 층 은 MgO 를 포함 한다 . 실시 예 는 또한 자유 자기 층 으로부터 물리 적 으로 분리 되 고 비 자기 스 페이서 층 에 의해 자유 자기 층 에 커플링 되 는 , 제 5 평면 의 세차 운동 스핀 전류 자기 구조 를 포함 한다 . 세차 운동 스핀 전류 자기 구조 는 제 5 평면 에서 임의 의 자기 방향 으로 자유 롭 게 회전 할 수 있 는 , 제 5 평면 의 자화 방향 을 갖 는 자화 벡터 를 갖 는다 . 세차 운동 스핀 전류 자기 구조 는 제 1 세 차 운동 스핀 전류 강자성 층 , 비 자기 세차 운동 전류 삽입 층 및 제 2 세 차 운동 스핀 전류 강자성 층 을 포함 한다 . 제 1 세 차 운동 스핀 전류 강자성 층 은 비 자기 스 페이서 층 위 에 배치 될 수 있 다 . 비 자기 세차 운동 스핀 전류 삽입 층 은 제 1 세 차 운동 스핀 전류 강자성 층 위 에 배치 될 수 있 다 . 제 2 세 차 운동 스핀 전류 강자성 층 은 비 자기 세차 운동 스핀 전류 삽입 층 위 에 배치 될 수 있 다 . 일 실시 예 에서 , 자기 디바이스 는 제 6 평면 에 있 고 세차 운동 스핀 전류 자기 구조 위 에 배치 된 캐 핑 층 을 더 포함 한다 . 일 실시 예 에서 , 세차 운동 스핀 전류 자기 구조 를 통과 하 는 전류 의 전자 들 은 세차 운동 스핀 전류 자기 층 의 자기 방향 으로 정렬 되 고 비 자기 스 페이서 , 자유 자기 층 , 비 자기 터널 장벽 층 및 자기 기준 층 내 로 주입 되 고 , 세차 운동 스핀 전류 자기 구조 의 자화 방향 은 세차 운동 하 며 , 그리하여 스핀 전달 토크 로 하여금 자유 자기 층 의 자화 벡터 의 스위칭 을 보조 하 게 한다 .