또한 , 플라 즈 마 도핑 은 NMOS 영역 에 는 N 형 불순물 을 PMOS 영역 에 는 P 형 불순물 을 도핑 할 수 있 다 . 특히 PMOS 영역 에서 는 적어도 1 회 이상 나누 어 도핑 을 실시 할 수 있 다 . 이 는 , 폴리 실리콘 층 ( 13 ) 이 N 형 폴리 실리콘 으로 형성 되 어 있 기 때문 에 P 형 불순물 을 도핑 하 여 P 형 폴리 실리콘 으로 바꾸 는 카운터 도핑 ( Counter doping ) 을 위해 높 은 도즈 가 필요 하 기 때문 이 다 .