본 발명 에 있 어서 , 제 1 포토레지스트 막 패턴 을 형성 하 는 단계 는 , 상기 포토레지스트 막 위 에 웨이브 타입 ( wave typed ) 의 포토 마스크 를 배치 하 는 단계 ; 상기 포토 마스크 를 이용 하 여 노광 공정 을 진행 하 는 단계 ; 및 상기 노광 공정 으로 변성 된 포토레지스트 막 의 소정 영역 을 제거 하 는 단계 를 포함 하 는 것 이 바람직 하 다 .