전자 수송 층 에 의 정공 의 유출 방지책 으로서 , 발광 층 과 전자 수송 층 사이 에 정공 저지 층 을 마련 하 는 수법 이 있 다 . 이 정공 저 지층 에 의해 정공 을 발광 층 중 에 효율 적 으로 축적 함 으로써 , 발광 층 중 에서 의 전자 와 의 재결합 확률 을 향상 시켜 , 발광 효율 을 향상 할 수 있 는 것 이 알려져 있 다 ( 특허 문헌 2 ) . 일반 적 으로 사용 되 고 있 는 정공 저지 재료 로서 2 , 9 - 디 메틸 - 4 , 7 - 디페닐 - 1 , 10 - 페난트롤린 ( 이하 , BCP 라 칭함 ) 및 p - 페닐 페놀 라토 - 비스 ( 2 - 메틸 - 8 - 퀴놀리놀라토 ) 알루미늄 ( 이하 , BAlq 라 칭함 ) 을 들 수 있 다 . 이것 에 의해 , 발광 층 으로부터 전자 수송 층 에 의 정공 의 유출 을 방지 하 는 것 은 가능 하 지만 , 양 재료 모두 에 Ir ( ppy ) 3 등 의 인광 발광 도 펀트 에 대하 여 최저 여기 삼 중항 상태 의 에너지 레벨 이 낮 기 때문 에 만족 스러운 효율 은 얻 어 지 지 않 는다 .