그러므로 , 본 발명 은 드레 인 영역 ( D ') 에 인접 한 소자 분리 막 ( F ') 부분 에 전자 가 유입 됨 에 따라 유발 되 는 유효 채널 길 이 감소 현상 인 HEIP 현상 을 억제 할 수 있 다 . 따라서 , 본 발명 은 피 모스 트랜지스터 의 HEIP 현상 에 의한 오프 누설 전류 증가 및 동작 전압 손실 및 동작 속도 저하 등 의 문제 를 개선 하 여 피 모스 트랜지스터 의 특성 을 개선 할 수 있 다 .