도 2 l 에 도시 된 바 와 같이 , 잔류 하 는 비정질 탄소막 ( 21 a ) 을 제거 한다 . 그 결과 , 식각 된 피식 각층 ( 20 ) 은 제 1 식각 마스크 패턴 ( 22 a ) 패턴 의 하부 폭 ( w 1 ) 과 제 2 식각 마스크 패턴 ( 24 a ) 의 폭 ( w 2 ) 에 대응 하 는 라인 폭 과 스 페이서 ( 23 a ) 의 하부 폭 ( w 3 ) 에 대응 하 는 스페이스 폭 을 갖 는 초미세 패턴 으로 형성 된다 . 예 를 들 어 , 피식 각층 ( 20 ) 패턴 의 라인 / 스페이스 폭 은 20 nm 이하 정도 가 될 수 있 다 . 이때 , 전술 한 바 와 같이 제 1 식각 마스크 패턴 ( 22 a ) 의 하부 폭 ( w 1 ) 과 제 2 식각 마스크 패턴 ( 24 a ) 의 폭 ( w 2 ) 을 거의 동일 하 게 조절 한 경우 , 피식 각층 ( 20 ) 패턴 의 라인 폭 이 일정 하 게 형성 될 수 있 다 .