도 2 a 를 참조 하 면 , 폴드 형 칩 스택 패키지 ( 이하 , ' 스택 패키지 ' 라 한다 ) 는 각각 에 본딩 패드 ( 110 a , 110 b , 110 c ) 가 형성 된 3 개 의 반도체 칩 ( 100 a , 100 b , 100 c ) 및 제 1 반도체 칩 ( 100 a ) 과 제 2 반도체 칩 ( 100 b ) 을 전기 적 으로 연결 하 는 제 1 도전 성 배 선 ( 200 a , 도 2 b 참조 ) , 제 2 반도체 칩 ( 100 b ) 과 제 3 반도체 칩 ( 100 c ) 을 전기 적 으로 연결 하 는 제 2 도전 성 배선 ( 200 b ) 을 포함 한다 . 제 1 도전 성 배선 ( 200 a ) , 예컨대 와이어 ( wire ) 본딩 이 일 측면 으로 형성 되 고 제 2 도전 성 배선 ( 200 b ) 은 제 1 도전 성 배선 ( 200 a ) 에 대향 한 타 측면 에 형성 된다 . 이 와 같 은 배선 의 형태 에 대한 이유 는 도 3 a 이하 의 스택 패키지 형성 방법 에서 설명 된다 .