본 출원 의 일 관점 은 , 베이스 다이 웨이퍼 ( base die wafer ) 상 에 코어 다이 ( core die ) 들 이 수직 하 게 적층 된 제 1 스택 ( stack ) 및 제 2 스택 을 나란히 형성 하 는 단계 ; 상기 제 1 및 제 2 스택 들 이 각각 삽입 되 는 캐비 티 ( cavity ) 들 을 제공 하 는 격벽 격자 ( lattice of partition walls ) 를 도입 하 는 단계 ; 상기 캐비 티 들 내 에 언더 필 물질 을 주입 하 여 , 상기 코어 다이 들 사이 를 채우 는 언더 필 ( underfill ) 부분 과 상기 코어 다이 들 측면 을 덮 도록 연장 되 고 상기 격벽 들 에 의해 폭 이 제한 된 필 릿 ( fillet ) 부분 을 포함 하 는 언더 필 물질 층 을 형성 하 는 단계 ; 상기 격벽 격자 를 제거 하 는 단계 ; 및 상기 격벽 격자 가 제거 되 어 형성 되 는 트렌치 ( trench ) 부분 을 채우 는 몰드 ( mold ) 층 을 몰딩 ( molding ) 하 는 단계 ; 를 포함 하 는 적층 패키지 제조 방법 을 제시 한다 .