센서 는 적외선 카메라 를 포함 할 수 있 다 . 적외선 온도 표시 는 은 레벨 에서 변경 될 수 있 다 . 레벨 센서 는 적어도 하나 의 웰 및 전자기 방사선 소스 및 대응 하 는 검출기 를 포함 할 수 있 다 . 웰 은 저 장소 의 기 저부 에 부착 될 수 있 는 저 장소 ( 5 c ) 의 내부 로 폐쇄 된 도관 을 포함 할 수 있 다 . 부착물 은 EM 펌프 조립 체 ( 5 kk ) 의 기 저부 에 있 을 수 있 다 . 웰 은 알루미나 , MgO , ZrO 2 , 질화 붕소 및 탄화규소 와 같 은 전기 절연체 와 같 은 전자기 방사선 투과성 재료 를 포함 할 수 있 다 . 센서 는 웰 의 벽 을 통과 하 고 용융 금속 레벨 로부터 반사 될 수 있 는 전자기 방사선 으로 웰 의 내부 를 조명 할 수 있 다 . 용융 금속 레벨 을 이미지 화 하 기 위한 센서 는 반사 된 전자기 방사선 을 검출 할 수 있 다 . 전 자기 방사선 은 레벨 의 영역 에 걸쳐 스캔 될 수 있 는 빔 을 포함 할 수 있 다 . 센서 는 용융 된 금속 레벨 을 결정 하 기 위해 반사 된 이미지 를 처리 하 는 프로세서 를 포함 할 수 있 다 . 반사 된 전자기 방사선 은 전자기 방사선 검출기 상 의 영역 을 조명 할 수 있 다 . 면적 은 레벨 , 입사 전자기 방사선 및 검출기 의 상대 적 위치 에 따라 변할 수 있 다 . 조명 된 검출기 영역 은 금속 레벨 및 용융 금속 레벨 과 의 교차점 에서 테이퍼 웰 의 대응 하 는 단면 에 응답 하 여 크기 가 변할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 반사 는 레벨 이 높 을수록 더 작 은 직경 을 가질 수 있 는 링 을 포함 할 수 있 다 . 센서 의 전자기 방사선 은 배경 전자기 방사선 을 감소 시키 도록 선택 될 수 있 다 . 센서 의 전자기 방사선 은 가열 된 웰 또는 셀 의 흑체 방사선 이 현저 한 배경 강도 를 갖 지 않 는 파장 을 포함 할 수 있 다 . 전 자기 방사선 은 적외선 , 가시 광 및 UV 방사선 중 적어도 하나 를 포함 할 수 있 다 . 예 시 적 인 파장 범위 는 약 250 nm 내지 320 nm 이 고 , 여기 서 은 은 투과 창 을 가지 므로 , 반사 는 얇 은 은 막 보다 는 은의 칼럼 에 의해 선택 적 으로 이루어진다 .