제 2 실시 형태 에 있 어서 , 반도체 디바이스 의 FEOL ( Front - End - Of - Line ) 공정 에 있 어서 의 콘택트 형성 을 예 로 들 면 , 예컨대 , 제 1 프로세스 챔버 ( 23 - 1 ) 를 Ti 성막 하 기 위한 플 라즈 마 CVD 장치 , 다른 한쪽 의 제 1 프로세스 챔버 ( 23 - 2 ) 를 TiN 성막 하 기 위한 열 CVD 장치 로 하 고 , 제 1 트랜스퍼 챔버 ( 27 ) 에 연결 챔버 ( 96 ) 를 거쳐서 연결 된 제 2 트랜스퍼 챔버 ( 30 ) 에 접속 되 는 제 2 프로세스 챔버 ( 24 - 1 , 24 - 2 ) 를 , 예 를 들 면 , W 플러그 ( plug ) 를 형성 하 기 위해서 열 CVD 장치 로 한다 . 이 들 을 이용 하 여 소스 · 드레 인 위 에 형성 된 홀 에 콘택트 플러그 를 형성 한다 . 우선 , 콘택트 홀 이 형성 된 웨이퍼 는 제 1 프로세스 챔버 ( 23 - 1 ) 로 보내 져 , 플라 즈 마 CVD 에 의해 홀 내 를 덮 도록 Ti 층 이 성막 된다 . 다음 으로 , 제 1 프로세스 챔버 ( 23 - 1 ) 로부터 제 1 프로세스 챔버 ( 23 - 2 ) 에 보내 져 , Ti 층 위 에 열 CVD 에 의해 TiN 층 이 성막 된다 . 다음 에 , 웨이퍼 는 , 연결 챔버 ( 96 ) 를 거쳐서 제 2 트랜스퍼 챔버 ( 30 ) 로 보내 지 고 , 제 2 프로세스 챔버 ( 24 - 1 또는 24 - 2 ) 에 반송 되 어서 , 열 CVD 장치 에 의해 W 플러그 가 형성 된다 . 이 들 일련 의 공정 은 연결 챔버 ( 96 ) 를 거치 는 것 으로 , 진공 환경 에서 연속 해서 실행 될 수 있 다 . 연결 챔버 ( 96 ) 를 거치 지 않 고 , Ti / TiN 의 성막 공정 과 W 플러그 형성 공정 을 독립 해서 병행 실행 하 는 것 도 가능 하 다 . 각 반송 유닛 이나 연결 챔버 ( 96 ) 를 거치 고 , 웨이퍼 를 프로세스 챔버 사이 에서 이동 하 게 하 는 진공 연속 처리 방법 이나 , 단독 처리 를 병행 실행 하 는 처리 방법 은 , 기판 반송 처리 시스템 의 소프트웨어 에 의해 , 처리 내용 에 따라 적절히 선택 가능 하 다 .