제 2 보호 층 ( 750 ) 을 구성 하 는 실리콘 산화 막 ( SiOx ) 또는 실리콘 질화 막 ( SiNx ) 은 세정 공정 시 세정액 으로 사용 되 는 BOE 등 에 의해 쉽 게 부식 될 수 있 다 . 그 에 따라 세정 공정 시 에 식각 된 제 2 보호 층 ( 750 ) 을 통해 핀 층 ( PIN ) 의 측면 일부 가 외부 로 노출 되 어 , 누설 전류 가 발생 할 수 있 다 . 본 발명 에서 는 , 세정 공정 이전 에 제 2 보호 층 ( 750 ) 상 에 습식 식각 에 강건 한 자기 조립 단분자막 ( SAM ') 을 형성 함 으로써 , 세정 공정 에서 의 제 2 보호 층 ( 750 ) 의 손상 을 방지 할 수 있 다 .