도 11 및 도 12 에서 보 는 바 와 같이 본 발명 에 따라 CuInSe 2 화합물 박막 을 제조 한 경우 사진 에서 볼 수 있 듯이 표면 이 고르 고 기포 가 생성 되 지 않 고 잘 발달 된 결정 성 박막 으로 성장 되 었 음 을 볼 수 있 으나 , 종래 의 방법 에 따라 CuInSe 2 화합물 박막 을 제조 한 경우 사진 에서 볼 수 있 듯이 박막 의 결정 은 잘 발달 되 어 있 으나 표면 이 고르 지 못하 고 기포 가 생성 되 어 있 음 볼 수 있 다 .