반도체 제조 장치 용 부재 ( 130 ) 에 있 어서 제 1 내 파티클 층 ( 21 ) 의 내 파티클 성 은 제 2 내 파티클 층 ( 22 ) 의 내 파티클 성 보다 높 게 구성 되 어 있 다 . 이 「 내 파티클 성 」 은 이하 에 설명 하 는 「 기준 내 플라스마 성 시험 」 을 하나 의 기준 법 으로 하 여 평가 할 수 있 다 . 반도체 제조 장치 용 부재 ( 130 ) 에 있 어서 기준 내 플라스마 성 시험 후 에 있 어서 의 제 1 내 파티클 층 ( 21 ) 의 산술 평균 높이 Sa 1 은 기준 내 플라스마 성 시험 후 에 있 어서 의 제 2 내 파티클 층 ( 22 ) 의 산술 평균 높이 Sa 2 보다 작 다 . 기준 내 플라스마 성 시험 후 에 있 어서 의 제 1 내 파티클 층 ( 21 ) 의 산술 평균 높이 Sa 1 은 0 . 060 이하 , 보다 바람직 하 게 는 0 . 020 이하 , 더 바람직 하 게 는 0 . 016 이하 인 것 이 바람직 하 다 .