일부 구 현예 에서 , 본원 에 기술 된 세정 조성물 을 사용 하 여 집 적 장치 를 제조 하 는 방법 은 다음 의 단계 를 포함 할 수 있 다 . 우선 , 포토레지스트 의 층 이 반도체 기판 에 도포 된다 . 이렇게 얻 어 진 반도체 기판 은 그 다음 에 에칭 또는 임 플란트 공정 과 같 은 패턴 전사 공정 을 거쳐 집 적 회로 를 형성 할 수 있 다 . 이어서 , 포토레지스트 의 벌크 는 건식 또는 습식 스 트리핑 방법 ( 예 를 들 어 , 산소계 플라스마 애 싱 공정 ) 에 의해 제거 될 수 있 다 . 그 다음 에 , 반도체 기판 상 에 남 아 있 는 잔류물 은 상기 기술 된 방식 으로 본원 에 기술 된 세정 조성물 을 사용 하 여 제거 될 수 있 다 . 이어서 , 반도체 기판 은 그 뒤 에 가공 되 어 기판 상 에 하나 이상 의 부가 적 인 회로 를 형성 할 수 있 거나 , 또는 가공 되 어 예 를 들 어 , 조립 ( 예 를 들 어 , 다 이싱 ( dicing ) 및 본딩 ( bonding ) ) 및 패 키 징 ( 예 를 들 어 , 칩 실링 ( sealing ) ) 에 의해 반도체 칩 으로 형성 될 수 있 다 .