도 3 및 도 6 을 참조 하 면 , 본 발명 의 실시 예 에 따른 디스플레이 장치 는 IGZO 와 같 은 산화물 반도체 를 포함 하 는 제 2 박막 트랜지스터 ( 300 ) 가 발광 소자 ( 500 ) 의 제 1 전극 ( 510 ) 과 전기 적 으로 연결 되 어 구동 트랜지스터 의 역항 을 하 는 것 으로 설명 된다 . . 그러나 , 도 9 , 10 a 및 10 b 에 도시 된 바 와 같이 , 본 발명 의 다른 실시 예 에 따른 디스플레이 장치 는 폴리 실리콘 ( Poly - Si ) 을 포함 하 는 제 1 박막 트랜지스터 ( 200 ) 가 발광 소자 ( 500 ) 의 제 1 전극 ( 510 ) 과 전기 적 으로 연결 되 어 구동 트랜지스터 의 역할 을 할 수 있 다 . 그리고 , 본 발명 의 다른 실시 예 에 따른 디스플레이 장치 에서 는 제 1 중간 절 연막 ( 120 ) 이 실리콘 질화물 계 ( SiNx ) 물질 을 포함 하 는 단일 층 으로 형성 될 수 있 다 . 그러나 , 이 에 한정 되 지 는 않 으며 , 제 1 중간 절 연막 ( 120 ) 은 실리콘 질화물 계 ( SiNx ) 물질 층 과 실리콘 산화물 계 ( SiOx ) 물질 층 으로 이루어진 2 중층 으로 형성 될 수 도 있 다 . 본 발명 의 다른 실시 예 에 따른 디스플레이 장치 에서 는 분리 소자 ( 700 ) 가 제 2 버퍼 층 ( 112 ) 상 에 순서 대로 적층 된 제 1 광폭 패턴 ( 711 ) , 제 1 협 폭 패턴 ( 721 ) , 제 2 광폭 패턴 ( 712 ) , 제 2 협 폭 패턴 ( 722 ) , 및 제 3 광폭 패턴 ( 713 ) 을 포함 할 수 있 다 . 상기 제 1 광폭 패턴 ( 711 ) 및 상기 제 2 광폭 패턴 ( 712 ) 은 실리콘 산화물 계 ( SiOx ) 물질 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 상기 제 1 광폭 패턴 ( 711 ) 은 제 1 게이트 절 연막 ( 220 ) 과 동일 한 물질 을 포함 하 고 , 상기 제 2 광폭 패턴 ( 712 ) 은 분리 절 연막 ( 130 ) 과 동일 한 물질 을 포함 하 는 하부 광폭 층 ( 712 a ) 및 제 2 층간 절 연막 ( 340 ) 과 동일 한 물질 을 포함 하 는 상부 광폭 층 ( 712 b ) 의 적층 구조 일 수 있 다 . 상기 제 3 광폭 패턴 ( 713 ) 은 제 2 박막 트랜지스터 ( 300 ) 의 제 2 소스 전극 ( 350 ) 및 제 2 드레 인 전극 ( 360 ) 상 에 위치 하 는 제 1 오버 코트 층 ( 150 ) , 제 2 오버 코트 층 ( 160 ) 및 뱅크 절 연막 ( 170 ) 중 하나 와 동일 한 물질 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 상기 제 3 광폭 패턴 ( 713 ) 은 제 2 오버 코트 층 ( 160 ) 과 동일 한 마스크 공정 에 의해 형성 될 수 있 다 . 따라서 , 상기 제 3 광폭 패턴 ( 713 ) 은 제 2 오버 코트 층 ( 160 ) 과 동일 한 물질 로 형성 될 수 있 다 . 상기 제 1 협 폭 패턴 ( 721 ) 및 상기 제 2 협 폭 패턴 ( 722 ) 은 실리콘 질화물 계 ( SiNx ) 물질 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 상기 제 1 협 폭 패턴 ( 721 ) 은 제 1 층간 절 연막 ( 240 ) 과 동일 한 물질 을 포함 하 는 하부 협 폭 층 ( 721 a ) 및 제 1 중간 절 연막 ( 120 ) 과 동일 한 물질 을 포함 하 는 상부 협 폭 층 ( 721 b ) 의 적층 구조 일 수 있 다 . 상기 제 2 협 폭 패턴 ( 722 ) 은 제 2 중간 절 연막 ( 140 ) 과 동일 한 물질 을 포함 할 수 있 다 . 이 에 따라 , 본 발명 의 다른 실시 예 에 따른 디스플레이 장치 에서 는 상기 분리 소자 ( 700 ) 의 구성 에 대한 자유도 가 향상 될 수 있 다 .