전 하저 장막 ( CIL ) 은 트랩 사이트 들 이 풍부 한 절 연막 들 및 나노 입자 들 을 포함 하 는 절 연막 들 중 의 한 가지 일 수 수 있 다 . 예 를 들 면 , 전 하저 장막 ( CIL ) 은 트랩 절 연막 , 부유 게이트 전극 또는 도전 성 나노 돗 들 ( conductive nano dots ) 을 포함 하 는 절 연막 중 의 한 가지 를 포함 할 수 있 다 . 더 구체 적 인 예 로 , 전 하저 장막 ( CIL ) 은 실리콘 질화 막 , 실리콘 산 화질 화 막 , 실리콘 - 풍부 질화 막 ( Si - rich nitride ) , 나노 크리스탈 실리콘 ( nanocrystalline Si ) 및 박 층 화 된 트랩 막 ( laminated trap layer ) 중 의 적어도 하나 를 포함 할 수 있 다 . 터널 절 연막 ( TIL ) 은 전 하저 장막 ( CIL ) 보다 큰 밴드 갭 을 갖 는 물질 들 중 의 한 가지 일 수 있 으며 , 예 를 들 어 , 실리콘 산화 막 일 수 있 다 . 이 와 달리 , 터널 절연 막 은 알루미늄 산화 막 및 하프늄 산화 막 등 과 같 은 고유 전막 들 중 의 하나 일 수 있 다 . 블록 킹 절 연막 ( BLK ) 은 터널 절 연막 ( TIL ) 보다 작 고 전하 저 장막 ( CIL ) 보다 큰 밴드 갭 을 갖 는 물질 들 중 의 한 가지 일 수 있 다 . 블록 킹 절 연막 ( BLK ) 은 알루미늄 산화 막 및 하프늄 산화 막 등 과 같 은 고유 전막 들 을 포함 할 수 있 다 .