반도체 프로세스 들 의 광학 모니터링 은 식각 , 증착 , 화학 기계 연마 , " 및 주입 과 같 은 프로세스 들 을 제어 하 기 위한 잘 - 구축 된 방법 이 다 . "" OES ""( optical emission spectroscopy ) 및 "" IEP ""( interferometric endpoint ) 는 광학 신호 데이터 를 수집 하 기 위한 2 가지 필수 방법 들 이 다 . IEP 응용 들 에서 ", 광 은 전형 적 으로 섬광등 ( flashlamp ) 과 같 은 외부 소스 로부터 공급 되 어 가공물 로 보내 진다 . 가공물 로부터 의 반사 시 에 , 얻 은 광 은 광 의 파장 및 가공물 의 복잡 한 반사 율 속성 들 에 따라 진폭 변조 된다 . 가공물 의 상태 에 관한 정보 는 반사 된 진폭 변조 된 소스 광 으로부터 사용 가능 하 다 . 가공물 의 반사 율 을 추출 및 모델링 함 으로써 , 반도체 프로세스 들 동안 의 가공물 의 막 두께 , 피처 크기 들 / 깊이 / 폭 들 , 및 다른 속성 들 을 이해 할 수 있 게 된다 .