도 24 ( A ) 에서 는 , 제 1 보호막 ( 126 ) 및 제 2 보호막 ( 128 ) 의 단부 가 에칭 등 에 의해 제거 되 고 , 게이트 전극 층 ( 116 ) 과 , 소스 전극 및 드레 인 전극 층 ( 120 ) 이 노출 되 고 , 이 노출 된 영역 에 화소 전극 층 ( 132 ) 을 형성 함 으로써 전기 적 인 접속 을 실현 하 고 있 다 . 도 22 에 나타낸 상면 도 는 도 24 ( A ) 의 상 면도 에 상당 한다 .