갈륨 은 인듐 과 비교 하 여 산소 와 의 결합력 이 강하 기 때문 에 , 갈륨 의 원자 수비 가 높 은 금속 산화 물막 을 반도체 층 ( 108 a ) 에 사용 함 으로써 , 산소 결손 이 형성 되 기 어려워진다 . 반도체 층 ( 108 a ) 내 에 산소 결손 이 많이 존재 하 면 , 트랜지스터 의 전기 특성 이나 신뢰 성 의 저하 를 일으킨다 . 따라서 , 반도체 층 ( 108 a ) 으로서 반도체 층 ( 108 b ) 보다 갈륨 의 원자 수비 가 높 은 금속 산화 물막 을 사용 함 으로써 , 전기 특성 이 양호 하 며 신뢰 성 이 높 은 트랜지스터 ( 10 B ) 를 실현 할 수 있 다 .