또한 , 상기 S 4 단계 에 는 투명 전도 성막 을 형성 하 는 단계 를 더 포함 하 는 것 을 특징 으로 할 수 있 는데 , 이 는 상기 제 2 단자 부와 CdS 로 결정 화 된 층간 의 부착력 향상 및 전기 적 특성 의 향상 을 위한 것 이 고 , 또한 입사 하 는 태양광 이 투과 되 어야 하 는 특성 상 , 박막 ( thin film ) 으로 형성 될 수 있 다 . 이러 한 투명 전도 성막 은 스퍼터링 ( sputtering ) , 화학 기상 증착 ( CVD ) , 증기 증착 ( evaporation ) , 열 산화 ( thermal oxidation ) , 전해 증착 , 전기 화학 적 증착 ( electrochemical anodization ( deposition ) ) 중 의 어느 한 방법 에 의해 형성 할 수 있 다 .