그리고 , 제 1 메모리 장치 들 ( NAND 1 < 1 : 4 >) 에 포함 된 제 1 메모리 블록 들 중 에서 제 1 대체 메모리 블록 들 을 선택 하 는 방법 은 , 제 1 메모리 블록 들 중 제 1 대체 메모리 블록 들 로 사용 용도 가 정해진 제 1 메모리 블록 들 이 존재 하 는 형태 가 될 수 도 있 고 , 또는 제 1 메모리 블록 들 중 프리 ( free ) 상태 인 임의 의 메모리 블록 들 을 제 1 대체 메모리 블록 들 로 선택 하 는 형태 가 될 수 도 있 다 . 마찬가지 로 , 제 2 메모리 장치 들 ( NAND 2 < 1 : 4 >) 에 포함 된 제 2 메모리 블록 들 중 에서 제 2 대체 메모리 블록 들 을 선택 하 는 방법 은 , 제 2 메모리 블록 들 중 제 2 대체 메모리 블록 들 로 사용 용도 가 정해진 제 2 메모리 블록 들 이 존재 하 는 형태 가 될 수 도 있 고 , 또는 제 2 메모리 블록 들 중 프리 ( free ) 상태 인 임의 의 메모리 블록 들 을 제 2 대체 메모리 블록 들 로 선택 하 는 형태 가 될 수 도 있 다 . 이렇게 , 제 1 대체 메모리 블록 들 및 제 2 대체 메모리 블록 들 을 선택 하 는 방법 은 설계자 에 의해 얼마 든지 선택 가능 하 며 , 선택 된 제 1 대체 메모리 블록 들 에 대응 하 는 물리 주소 값 및 선택 된 제 2 대체 메모리 블록 들 에 대응 하 는 물리 주소 값 을 배드 정보 로딩 부 ( 540 ) 에서 제 1 대체 물리 주소 들 ( SUB _ PA 1 ) 및 제 2 대체 물리 주소 들 ( SUB _ PA 2 ) 로서 사용 하 게 된다 .