대안 으로 , 상기 터널 절 연막 ( 21 ) 은 실리콘 질화 막 예컨대 , Si 3 N 4 로 형성 될 수 도 있 다 . 이때 , 실리콘 질화 막 은 , 불순물 농도 가 높 지 않 고 ( 즉 , 불순물 의 농도 가 실리콘 산화 막 과 비견 될 만 하 고 ) 실리콘 과 의 계면 특성 이 우수 하 도록 형성 되 는 것 이 바람직 하 다 . 이러 한 양질 의 실리콘 질화 막 을 형성 하 기 위해 , 상기 터널 절 연막 ( 21 ) 을 이루 는 실리콘 질화 막 은 제트 기상 증착 ( Jet Vapor Depositon ) 과 같 은 특수 한 제법 을 사용 하 여 형성 될 수 있 다 .