그러나 , 이 와 같 은 장점 을 갖 는 8 F 2 구조 의 셀 도 단점 이 존재 하 는데 , 활성 영역 ( 11 B ) 의 장축 중앙 부분 을 볼록 하 게 형성 하 는 방법 이 난이도 가 높 고 , 특히 활성 영역 ( 11 B ) 의 장축 길이 를 일정 하 게 만드 는 것 이 어렵 다 . 이 는 리 세스 게이트 ( recess gate ) 의 경우 두드러지 게 나타나 는데 , 장축 의 길이 를 일정 하 게 만들 지 못하 였을 경우 , 활성 영역 ( 11 B ) 의 장축 끝 부분 이 리세 스 영역 과 중첩 되 는 문제점 이 발생 된다 .