제 1 전극 층 ( E 1 ) 은 요소 바디 ( 3 ) 의 표면 상 에 도포 된 도전 성 페이스트 를 소결 시킴 으로써 형성 된다 . 제 1 전극 층 ( E 1 ) 은 단부 표면 ( 3 e ) 및 리지 부분 들 ( 3 g , 3 h , 3 i 및 3 j ) 을 커버 하 도록 형성 된다 . 제 1 전극 층 ( E 1 ) 은 도전 성 페이스트 에 포함 된 금속 성분 ( 금속 분말 ) 을 소결 시킴 으로써 형성 된다 . 제 1 전극 층 ( E 1 ) 은 소결 된 금속 층 을 포함 한다 . 제 1 전극 층 ( E 1 ) 은 요소 바디 ( 3 ) 상 에 형성 된 소결 된 금속 층 을 포함 한다 . 제 1 전극 층 ( E 1 ) 은 한 쌍 의 주 표면 ( 3 a 및 3 b ) 및 한 쌍 의 측면 ( 3 c ) 상 에 의도 적 으로 형성 되 지 않 는다 . 제 1 전극 층 ( E 1 ) 은 , 예 를 들 어 , 생산 오차 로 인해 주 표면 들 ( 3 a 및 3 b ) 및 측면 들 ( 3 c ) 상 에 의도 치 않 게 형성 될 수 있 다 . 본 실시 예 에서 , 제 1 전극 층 ( E 1 ) 은 Cu 로 만들 어 진 소결 된 금속 층 이 다 . 제 1 전극 층 ( E 1 ) 은 Ni 로 만들 어 진 소결 된 금속 층 일 수 있 다 . 제 1 전극 층 ( E 1 ) 은 베이스 금속 을 포함 한다 . 도전 성 페이스트 는 , 예 를 들 어 , Cu 또는 Ni 로 만들 어 진 분말 , 유리 성분 , 유기 바인더 , 및 유기 용매 를 포함 한다 . 전극 부분 ( 5 a ) 에 포함 된 제 1 전극 층 ( E 1 ) , 전극 부분 ( 5 b ) 에 포함 된 제 1 전극 층 ( E 1 ) , 전극 부분 ( 5 c ) 에 포함 된 제 1 전극 층 ( E 1 ) , 및 전극 부분 ( 5 e ) 에 포함 된 제 1 전극 층 ( E 1 ) 은 일체 로 형성 된다 .