이미지 센서 가 X - 선 들 을 감지 하 도록 구성 될 때 , 이미지 센서 는 입사 하 는 X - 선 광자 ( photon ) 들 을 흡수 하 고 광전류 ( photocurrent ) 를 생성 하 도록 구성 되 는 , 포토다이오드 ( photodiode ) 와 같 은 감광성 엘리먼트 ( photosensitive element ) 를 포함 할 수 있 다 . 이 유형 의 변환 은 직접 변환 으로서 지칭 된다 . 다른 이미지 센서 들 은 입사 하 는 X - 선 광자 들 을 가시 광 광자 들 로 변환 하 는 신 틸레 이터 층 ( scintillator layer ) 을 포함 할 수 있 다 . 이 후자 의 광자 들 은 궁극 적 으로 , 광전류 를 생성 하 는 감광성 엘리먼트 에 의해 흡수 될 수 있 다 . 이 유형 의 변환 은 간접 변환 으로서 지칭 된다 . 본 발명 은 양자 의 유형 들 의 변환 에 관한 것 이 다 .