그런데 , 이 와 같 은 전자 빔 ( 20 ) 의 크기 를 계산 측정 시 , 검출 되 는 신호 ( 도 5 의 40 ) 그래프 자체 는 , 기준 마크 ( 10 ) 자체 에 기인 하 는 오차 성분 을 포함 하 게 된다 . 이 에 따라 , 전자 빔 ( 20 ) 의 크기 가 정확 하 게 산출 되 지 못할 수 있 다 . 전자 빔 ( 20 ) 의 크기 산출 이 부정확 할 경우 , 가변 형 전자 빔 크기 를 이용 하 는 전자 빔 장치 에서 전자 빔 ( 20 ) 크기 의 조정 이 정확 하 게 이루어지 지 않 게 된다 . 따라서 , 반도체 소자 의 칩 ( chip ) 설계 레이아웃 데이터 ( data ) 를 이용 하 여 마스크 ( mask ) 또는 기타 기판 상 에 전자 빔 쓰 기 ( writing ) 를 실시 할 때 , 전자 빔 크기 의 불 안정 에 의한 패턴 선폭 ( CD ) 불량 이 발생 할 수 있 다 .