제 1 커버 웨이퍼 ( 112 ) 및 제 2 커버 웨이퍼 ( 114 ) 즉 , 커버 웨이퍼 ( 110 ) 에 관통 홀 ( 120 ) 을 천공 한다 ( 222 ) . 예 를 들 어 , 드릴링 으로 웨이퍼 ( 110 ) 에 관통 홀 ( 120 ) 천공 할 수 있 다 . 또한 , 디버 링 이나 디스 미어 와 같 은 후처리 공정 도 필요 한 경우 수행 할 수 있 음 은 물론 이 다 . 이후 에 , 관통 홀 ( 120 ) 내부 에 도전 성 물질 을 충 진 한다 ( 224 ) . 관통 홀 ( 120 ) 내부 에 예 를 들 어 , 동 도금 , 패널 도금 , 패턴 도금 등 의 공정 에 의하 여 도전 성 물질 을 형성 함 으로써 , 전자 패키지 ( 100 ) 내부 의 디바이스 ( 170 ) 와 전자 패키지 ( 100 ) 외부 의 장치 의 전기 적 연결 을 제공 할 수 있 다 .