또한 , 측벽 들 상 의 탄소 기반 패 시베이 션 의 특성 들 을 변형 시키 기 위해 , 보쉬 - 형 프로세스 의 패 시베이 션 단계 에서 , 소량 의 SO 2 와 같 은 황 함유 가스 또는 SiF 4 와 같 은 다른 가스 가 C 4 F 8 가스 에 첨가 될 수 도 있 다 . 그러 한 첨가제 는 , C - C 결합 들 과 특성 들 이 상이 한 C - S 결합 들 또는 C - Si 결합 들 을 생성 할 수 도 있 다 . 이 는 패 시베이 션 단계 의 시간 을 감소 시키 고 / 시키 거나 반복 증착 - 및 - 에칭 프로세스 를 사용 하 여 측벽 프로파일 의 추가 적 인 제어 를 제공 할 수 도 있 다 .