상기 한 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 일 특징 적 인 반도체 소자 는 , 반도체 기판 ; 반도체 기판 에 마련 된 게이트 트랜 치 ; 상기 게이트 트랜 치 내측 에서 상기 트랜 치 상측 으로 마련 된 게이트 전극 패턴 ; 상기 게이트 전극 패턴 양측 의 반도체 기판 에 마련 된 정 션 층 ; 및 상기 게이트 전극 과 상기 반도체 기판 사이 영역 에 마련 된 게이트 절 연막 을 포함 하 고 , 상기 정 션 층 과 상기 게이트 전극 패턴 이 중첩 되 는 영역 의 게이트 절 연막 의 두께 가 다른 영역 의 게이트 절 연막 의 두께 보다 더 두꺼운 것 을 특징 으로 한다 .