상기 건조 된 웨이퍼 를 반사 모드 ( reflectance mode ) 의 FTIR ( Fourier - Transform Infra - Red Spectrometer ; 상품명 Nicolet ) 을 이용 하 여 표면 분석 하 여 3300 ∼ 3400 cm - 1 부근 에서 의 브로드피크 ( broad peak ) 의 존재 및 그 크기 에 의해 상기 실리콘 웨이퍼 의 상면 에 Si - OH 기 가 형성 된 것 을 확인 하 였 다 .