이때 , 제 2 칩 패드 들 ( 512 ) 과 제 1 관통 전극 들 ( 320 ) 의 용이 한 접합 을 위하 여 , 제 2 칩 패드 들 ( 512 ) 과 제 1 관통 전극 들 ( 320 ) 의 표면 에 표면 활성 화 ( surface activation ) 공정 이 수행 될 수 있 다 . 상기 표면 활성 화 공정 은 플 라즈 마 공정 을 포함 할 수 있 다 . 더 하 여 , 제 2 칩 패드 들 ( 512 ) 과 제 1 관통 전극 들 ( 320 ) 의 용이 한 접합 을 위하 여 , 제 2 칩 패드 들 ( 512 ) 과 제 1 관통 전극 들 ( 320 ) 에 압력 및 열 이 가해질 수 있 다 . 가해진 압력 은 예 를 들 어 , 약 30 MPa 미만 의 압력 을 포함 할 수 있 고 , 가해진 열 은 약 100 ℃ 내지 500 ℃ 의 온도 에서 의 어닐링 ( annealing ) 프로세스 를 포함 할 수 있 다 . 대안 적 으로 , 다른 양 의 압력 및 열 이 하이브리드 본딩 프로세스 를 위해 이용 될 수 있 다 .