하지만 , 종래 의 MCVD 공정 은 OVD 공정 이나 VAD 공정 과 는 달리 증착 과 소결 과정 이 동시 에 진행 되 어 , 수트 가 형성 됨 과 동시 에 수트 들 이 용융 되 면서 치밀 화 된다 . 따라서 기존 의 MCVD 공정 으로 제조 한 광섬유 에서 는 소결 로 인해 치밀 화 된 유리 층 내부 의 Si - OH 가 1385 nm 대역 에서 임계 적 인 수산기 ( OH ) 흡수 손실 을 야기 한다 . 이 에 따라 , MCVD 공정 에 의해 제조 된 광섬유 모재 로부터 인선 되 는 광섬유 는 사용 할 수 있 는 광통 신 파장 대역 에 제한 이 따르 게 되 는 것 이 다 .