종래 의 마이크로폰 은 멤 즈 ( Micro - Electro - Mechanical System , MEMS ) 공정 을 기반 으로 정전 용량 ( capacitance ) 형 타입 으로 주로 제조 되 었 다 . 정전 용량 형 마이크로폰 은 상부 전극 과 하부 전극 이 주요 구성 요소 이 며 , 이 는 수 마이크 로 수준 의 두께 를 가진 얇 은 평 행판 으로 되 어 있 다 . 상부 전극 은 입력 음압 에 대한 투과성 증가 를 목적 으로 다량 의 구멍 이 판 에 일정 한 간격 으로 뚫려 있 으며 , 이 는 상부 전극 과 하부 전극 사이 의 빈 공간 을 형성 하 는 데 필수 적 인 희생 층 을 식각 시 그 속도 를 증가 시킬 수 있 다 . 하부 전극 은 입력 된 음압 의 변화 에 민감 하 게 반응 하 도록 설계 된 얇 은 멤 브레인 위 에 형성 되 어 있 다 . 그러나 , 상하부 전극 사이 의 정전 용량 변화 를 구현 하 는 데 필수 적 인 희생 층 공정 이 매우 복잡 한 공정 조건 을 요구 한다 .