본원 에 기술 된 방법 에 따라 , DAH 를 제 1 기상 전구체 로서 및 PMDA 를 제 2 기상 전구체 로서 사용 하 여 실리콘 산화물 표면 과 교번 하 여 패턴 화 된 텅스텐 ( W ) 특징 부 를 갖 는 200 mm 실리콘 웨이퍼 상 에 샘플 폴리 이미드 층 을 선택 적 으로 증착 하 였 다 . 제 1 반응물 인 DAH 를 450 sccm 의 유속 을 갖 는 N 2 캐리어 가스 에 의해 45 ℃ 에서 공급 하 였 다 . DAH 펄스 시간 은 5 초 였 고 , DAH 퍼징 시간 은 4 초 였 다 . 제 2 반응물 인 PMDA 를 450 sccm 의 유속 을 갖 는 N 2 캐리어 가스 에 의해 180 ℃ 에서 반응 챔버 에 공급 하 였 다 . PMDA 펄스 시간 은 11 초 였 고 , PMDA 퍼징 시간 은 4 초 였 다 . 반응 온도 는 190 ℃ 였 다 . 1000 증착 사이클 을 사용 해 폴리 이미드 샘플 층 을 증착 하 였 다 . 약 30 nm 의 층 두께 를 갖 는 폴리 이미드 를 W 표면 상 에 증착 하 였 다 . 실질 적 으로 약 4 nm 더 적 은 양 의 폴리 이미드 가 실리콘 산화물 표면 상 에 증착 되 었 다 .