이 와 같 은 본 발명 의 ( A ) ~( D ) 를 필수 성분 으로 하 는 광 반도체 케이스 형성 용 백색 열경화성 실리콘 수지 조성물 을 경화 시킨 경화물 의 파장 450 nm 에서 의 광반사 율 은 초기 값 에서 70 % 이상 , 특히 80 % 이상 , 그 중 에서 도 85 % 이상 , 180 ℃, 24 hr 열화 테스트 후 의 반사 율 이 70 % 이상 , 특히 80 % 이상 , 그 중 에서 도 85 % 이상 인 것 이 바람직 하 다 . 반사 율 이 70 % 미만 이 면 LED 용 반도체 소자 케이스 용 으로서 , 사용 상 사용 시간 이 짧 아 지 는 문제 가 발생 한다 . 또 365 nm 피크 파장 의 고압 수은 등 을 사용 하 여 24 hr 조사 ( 60 mW / cm ) 한 후 의 반사율 도 70 % 이상 , 특히 80 % 이상 , 그 중 에서 도 85 % 이상 인 것 이 바람직 하 다 .