제 2 리세 스 패턴 ( 207 ) 은 별도 의 하드 마스크 패턴 을 통해 형성 할 수 있 고 , 게 이트 스 페이서 ( 206 ) 를 식각 장벽 으로 형성 할 수 도 있 다 . 이때 게이트 스 페이서 ( 206 ) 는 두껍 게 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 그리고 , 제 2 리세 스 패턴 ( 207 ) 을 형성 한 후 에 두껍 게 형성 했 던 게이트 스 페이서 ( 206 ) 의 두께 를 감소 시키 는 것 이 바람직 하 다 .