한편 , 절연 층 ( 36 ) 상 에 마스크 ( M 1 ) 를 형성 한 다음 , 게이트 전극 층 ( 50 ) 을 형성 하 기 전 에 도 7 에 도시 한 바 와 같이 , 제 2 반도체 층 ( 32 ) 을 플 라즈 마 를 이용 하 여 산화 처리 할 수 있 다 . 이때 , 게이트 전극 이 형성 될 영역 을 제외 한 다른 부분 은 마스크 ( M 1 ) 가 형성 되 어 있 으므로 , 제 2 반도체 층 ( 32 ) 에 는 도 3 에 도시 한 산화 영역 ( 44 ) 이 형성 된다 . 산화 영역 ( 44 ) 을 형성 한 후 , 도 5 및 도 6 의 공정 을 진행할 수 있 다 .