도 2 a 로 돌아가 서 , 집 적 박막 장치 들 , 표면 장착 장치 들 및 PCB 베이스 장치 들 을 시스템 인 패키지 로 제조 하 는 제 1 단계 가 도시 되 었 다 . 반도체 웨이퍼 ( 28 ) 는 그 위 에 절연 층 ( 32 ) 이 위치 되 는 기판 ( 30 ) 을 갖 는다 . 기판 ( 30 ) 은 일반 적 으로 더 이 웨이퍼 또는 희생 실리콘 ( Si ) 웨이퍼 또는 어떤 다른 적절 한 글래스 웨이퍼 와 같 은 기판 재료 를 포함 한다 . 따라서 , 기판 ( 30 ) 은 통상 적 인 기판 보다 저렴 한 재료 를 사용 하 고 따라서 제조 동안 에 희생 될 수 있 다 . 절연 층 ( 32 ) 은 선택 적 이 다 . 절연 층 이 존재 하 는 경우 에 는 , 절연 층 은 기판 ( 30 ) 이 웨이퍼 ( 28 ) 의 다른 층 들 로부터 전기 적 으로 절연 되 도록 한다 . 절연 층 ( 32 ) 은 또한 에칭 정지 층 으로 작용 할 수 있 다 . 그 와 같이 , 기판 의 제거 동안 에 절연 층 ( 32 ) 은 기판 ( 30 ) 및 절연 층 ( 32 ) 위 에 형성 된 부품 들 에 손상 을 방지 하 기 위해 기판 ( 30 ) 의 엔드 포인트 ( end - point ) 를 탐지 하 는 데 사용 될 수 있 다 . 절연 층 ( 32 ) 은 어떤 적절 한 재료 를 포함 할 수 있 고 , 멀티플 층 들 로 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 면 , 절연 층 은 이산화 실리콘 ( SiO 2 ) , 질화 실리콘 ( Si 3 N 4 ) , 산질 화 실리콘 ( SiON ) , 폴리 이미드 ( PI ) , 벤조 사이클 로 뷰 텐 ( BCB ) , 폴리 벤 조옥 사졸 ( PBO ) , 또는 실리콘 에 천트 ( etchant ) 대한 양호 한 선택 성 을 갖 는 어떤 다른 재료 를 포함 할 수 있 다 . 절연 층 ( 32 ) 의 증착 은 물리 적 기상 증착 ( PVD ) , 화학 적 기상 증착 ( CVD ) 또는 스핀 코팅 을 포함 할 수 있 다 .