이 SiC 를 에피 택 셜 성장 시켜 SiC 단결정 박막 을 얻 고자 하 는 경우 에 는 , 기판 을 1500 ℃ 이상 의 온도 까지 승 온 시킬 필요 가 있 다 . 이 때문 에 , 웨이퍼 가 재치 되 는 서 셉 터 에 는 고 내열성 재료 가 사용 되 고 , 구체 적 으로 는 흑연 기재 의 표면 에 CVD ( Chemical Vapor Deposition ) 법 에 의해 SiC 를 피복 한 것 이 사용 된다 ( 예 를 들 어 , 특허 문헌 2 참조 ) .