메모리 셀 ( 105 ) 은 관련 된 워드 라인 ( 110 ) 및 디 지트 라인 ( 115 ) 을 활성 화 시킴 으로써 설정 되 거나 기록 될 수 있 다 . 전술 한 바 와 같이 , 워드 라인 ( 110 ) 활성 화 는 메모리 셀 ( 105 ) 의 대응 하 는 로우 를 그것 들 의 개별 디 지트 라인 ( 115 ) 에 전기 적 으로 연결 한다 . 워드 라인 ( 110 ) 이 활성 화 되 는 동안 관련 디 지트 라인 ( 115 ) 을 제어 함 으로써 , 메모리 셀 ( 105 ) 이 기록 될 수 있 다 - 즉 , 로직 값 이 메모리 셀 ( 105 ) 에 저장 될 수 있 다 . 컬럼 디코더 ( 130 ) 는 메모리 셀 ( 105 ) 에 기록 될 데이터 , 예 를 들 어 입 / 출력 ( 135 ) 을 수용 할 수 있 다 . 메모리 셀 ( 105 ) 은 메모리 저장 엘리먼트 를 가로 질러 전압 을 인가 하 거나 전류 를 흐르 게 함 으로써 기록 될 수 있 다 . 이 프로세스 에 대해서 는 이하 에서 더 상세히 설명 된다 .