간섭계 측 원리 는 상기 정의 된 파라미터 η abs 및 η collection 의 어느 한 쪽 혹은 양쪽 모두 를 증가 혹은 최적 화 시킴 으로써 전체 변환 효율 η overall 을 증가 혹은 최적 화 시키 는 데 이용 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 몇몇 실시 형태 에 있 어서 , 흡수 효율 η abs 는 수집 효율 η collection 을 고려 하 는 일 없이 최적 화 혹은 최대 화 될 수 있 다 . 그러나 , 흡수 효율 η abs 를 증가 혹은 최적 화 시키 도록 변화 된 파라미터 는 또한 수집 효율 η collection 에 영향 을 미칠 수 도 있 다 . 예 를 들 어 , 전극 의 두께 혹은 활성 층 의 두께 는 활성 층 의 흡수 를 증가 시키 도록 변경 될 수 있 지만 , 이 두께 조정 은 또한 수집 효율 에 영향 을 미칠 수 있 다 . 따라서 , 몇몇 실시 형태 에 있 어서 , 최적 화 는 , 수집 효율 η collection 과 흡수 효율 η abs 의 양쪽 모두 가 고려 되 고 / 되 거나 최적 화 되 어 증가 된 혹은 최적 화 된 전체 효율 η overall 이 얻 어 지 도록 수행 될 수 있 다 . 소정 의 다른 실시 형태 에 있 어서 , 흡수 효율 η abs 및 수집 효율 η collection 은 전체 효율 η overall 을 최대 화 시키 도록 반복 해서 최적 화 될 수 있 다 . 다른 인자 도 이 최적화 과정 에 포함 될 수 있 다 . 몇몇 실시 형태 에 있 어서 , 예 를 들 어 , iPV 장치 의 전체 효율 을 최적 화 시키 는 것 은 하나 이상 의 불활성 층 의 방열 혹은 흡수 에 의거 할 수 있 다 .