상기 투명 기판 ( 10 ) 상 에 상기 더미 하프톤 부 ( 32 ) 가 생략 될 경우 상기 하프톤 부 ( 31 ) 의 제 2 방향 ( Y ) 단부 ( EG ) 는 광 이 모두 투과 되 는 노광 부 ( EXA ) 에 바로 연결 되 므로 상기 하프톤 부 ( 31 ) 의 여타 영역 에 비해 상대 적 으로 많 은 양 의 광 에 노출 된다 . 따라서 , 더미 하프톤 부 ( 32 ) 가 생략 된 구조 의 마스크 를 이용 하 여 포토레지스트 막 에 사진 공정 을 수행 할 경우 , 상기 이격 부 의 제 2 방향 ( Y ) 단부 에 대응 하 는 포토레지스트 막 은 상대 적 으로 현상액 에 의해 많이 용해 된다 . 이 에 따라 , 현상 공정 이후 에 상기 이격 부 에 대응 하 여 잔류 하 는 포토레지스트 막 의 두께 가 불 균일 해지므로 , 박막 트랜지스터 의 채널 부 를 형성 하 는 식각 공정 시 상기 이격 부 의 제 2 방향 ( Y ) 단부 ( EG ) 에 대응 하 는 영역 이 과잉 식각 될 수 있 다 .