소자 분리 막 ( 106 ) 등 이 형성 된 기판 을 압력 10 － 2 Pa 및 150 ℃ 의 분위기 하 에서 10 분 간 가열 한 후 , 표시 영역 ( A ) 의 각 제 1 전극 ( 105 ) 상 에 유기 화합물 층 ( 107 ) 을 형성 했 다 . 유기 화합물 층 ( 107 ) 으로서 , 공지 의 유기 재료 로 구성 되 는 홀 수송 층 , 발광 층 , 전자 수송 층 , 전자 주입 층 을 저 항가 열 증착 법 에 의해 순차 적 으로 적층 했 다 .