도 3 을 참조 하 면 , 모트 습식 식각 ( moat wet etch ) 공정 을 수행 하 여 패드 질화 막 패턴 ( 도 2 의 122 ) 을 제거 한다 . 그러면 패드 산화 막 패턴 ( 112 ) 표면 이 노출 된다 . 이 와 함께 모트 습식 식각 공정 에 의해 패드 산화 막 패턴 ( 112 ) 의 노출 표면 위 에 는 산화 막 형태 의 파티클 ( particle ) ( 160 ) 이 발생 한다 .