이어서 , 스위치 트랜지스터 ( 202 _ 1 ) 의 형성 전 의 처리 로서 , 절연 층 ( 128 ) 및 절연 층 ( 130 ) 에 CMP 처리 를 실시 하 여 , 평탄 화 된 절연 층 ( 128 ) , 절연 층 ( 130 ) 을 형성 하 고 , 동시 에 게이트 전극 ( 110 ) 의 상면 을 노출 시킨다 ( 도 11 e 참조 ) . 게이트 전극 ( 110 ) 의 상면 을 노출 시키 는 처리 로서 는 , CMP 처리 이외 에 에칭 처리 등 을 적용 하 는 것 도 가능 하 다 .