일단 식각 프로세스 가 실험 들 A - E 에 대해 완료 되 었 을 때 , 기판 들 A - E 는 프로세싱 챔버 로부터 제거 되 고 대기 환경 내 에 위치 되 어 , 기판 들 이 실온 ( 약 22 ℃) 에서 공기 내 에 있 는 물 과 산소 에 노출 되 었 다 . 약 5 시간 의 큐 시간 이후 에 , 기판 들 A , B , 및 C 각각 은 약 5 Å 보다 큰 산화물 층 을 포함 했 지만 , 기판 들 D 및 E 각각 은 약 5 Å 보다 작 은 산화물 층 을 포함 했 다 . 약 10 시간 의 큐 시간 이후 에 , 기판 들 A , B , 및 C 각각 은 약 7 Å 보다 큰 산화물 층 을 포함 했 지만 , 기판 들 D 및 E 각각 은 약 6 Å 보다 작 은 산화물 층 을 포함 했 다 . 약 15 시간 , 20 시간 , 및 25 시간 의 큐 시간 이후 에 , 기판 들 A , B , 및 C 각각 은 약 8 Å 보다 큰 산화물 층 을 포함 했 지만 , 기판 들 D 및 E 각각 은 약 6 Å 보다 작 은 산화물 층 을 포함 했 다 . 또한 , 약 30 시간 의 큐 시간 이후 에 , 기판 들 A , B , 및 C 각각 은 약 9 Å 보다 큰 산화물 층 을 포함 했 지만 , 기판 들 D 및 E 각각 은 약 7 Å 보다 작 은 산화물 층 을 포함 했 다 .