본 발명 에서 는 상기 수소 화 된 비정질 탄소 박막 형성 시 에 비대칭 마그네트론 스퍼터링 법 ( closed - field unbalance magnetron sputtering ) 을 이용 하 는데 , 4 인치 ( inch ) 이상 의 대면 적 증착 및 100 ℃ 이하 의 저온 에서 공정 이 가능 하 고 , 다양 한 기판 위 에 증착 할 수 있 다는 장점 을 가진다 .