제 2 트렌치 ( 235 ) 를 형성 하 기 위한 식각 공정 의 특성 상 , 제 2 트렌치 ( 235 ) 의 측벽 이 경사지 게 형성 되 고 , 제 2 트렌치 ( 235 ) 의 폭 은 매립 패턴 ( 227 ) 에 가까워질수록 좁 아 질 수 있 다 . 제 3 물질 막 들 ( 231 ) 및 제 4 물질 막 들 ( 233 ) 의 적층 높이 는 , 목표 로 하 는 셀 스트링 의 총 높이 보다 작 게 제어 되 므로 , 제 2 트렌치 ( 235 ) 의 폭 을 과도 하 게 넓히 지 않 더라도 , 제 2 트렌치 ( 235 ) 의 바닥 면 에 의해 매립 패턴 ( 227 ) 을 개구 시킬 수 있 다 .