도 2 a 을 참조 하 면 , 액티브 영역 및 소자 분리 영역 이 구비 된 반도체 기판 ( 10 ) 상 에 패드 산화 막 과 패드 질화 막 으로 이루어진 하드 마스크 막 ( 20 ) 을 형성 한 후 , 상기 소자 분리 영역 에 해당 하 는 기판 부분 을 노출 시키 도록 상기 하드 마스크 막 ( 20 ) 을 식각 한다 . 다음 으로 , 상기 하드 마스크 ( 20 ) 를 식각 마스크 로 이용 해서 노출 된 기판 ( 10 ) 부분 을 식각 하 여 서로 다른 폭 을 갖 는 수직 한 모양 의 트렌치 ( 30 ) 들 을 형성 한다 .