또한 , 산화물 반도체 막 을 스퍼터링 법 에 의해 성막 하 기 전 에 , 아르곤 가스 를 도입 하 여 플 라즈 마 를 발생 시키 는 역 스퍼터링 를 행하 고 , 게이트 절 연막 ( 715 ) 의 표면 에 부착 되 어 있 는 먼지 와 티끌 을 제거 하 는 것 이 바람직 함 을 주목 하 라 . 역 스퍼터링 는 , 타 겟 측 에 전압 을 인가 하 지 않 고 , 아르곤 분위기 하 에서 기판 측 에 RF 전원 을 이용 해서 전압 을 인가 하 고 기판 근방 에 플 라즈 마 를 형성 하 여 표면 을 개질 하 는 방법 이 다 . 또한 , 아르곤 분위기 대신 에 질소 , 헬륨 등 을 이용 해도 좋 음 을 주목 하 라 . 또한 , 아르곤 분위기 에 산소 , 아산화질소 등 을 더 한 분위기 에서 행해 도 좋 다 . 또한 , 아르곤 분위기 에 염소 , 사불 화 탄소 등 을 더 한 분위기 에서 행해 도 좋 다 .