상기 다른 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 반도체 메모리 장치 의 테스트 방법 은 외부 테스트 장비 로부터 주기 와 위상 이 다른 복수 개 의 외부 저주파 클럭 신호 를 입력 받 는 클럭 입력 단계 , 상기 복수 개 의 외부 저주파 클럭 에 응답 하 여 복수 개 의 비교 클럭 신호 를 출력 하 는 비교 클럭 생성 단계 , 상기 복수 개 의 비교 클럭 신호 를 제 1 논리 연산 하 여 반도체 메모리 장치 의 내부 회로 에 공급 하 는 클럭 논리 연산 단계 를 구비 하 는 것 을 특징 으로 한다 .