상기 와 같 은 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 에 따른 반도체 소자 의 플러그 형성 방법 의 일 특징 은 , 콘 택 홀 혹은 비 아홀 이 형성 된 구조물 상 에 금속 절 연막 과 콘 택 금속 을 차례 로 증착 하 여 플러그 를 갭 필 하 는 단계 , 상기 콘 택 금속 상부 에 포토레지스트 를 도포 하 여 패턴 을 형성 하 고 , 1 차 식각 을 실시 하 여 상기 플러그 를 개방 하 는 단계 , 상기 개방 된 플러그 상부 에 보호막 을 형성 하 는 단계 , 상기 보호막 이 형성 되 지 않 은 부분 에 2 차 식각 을 실시 하 는 단계 및 상기 보호막 을 제거 하 는 단계 를 포함 하 여 이루어지 는 것 이 다 .