상기 한 목적 을 달성 하 기 위한 일 측면 에 따른 본 발명 은 , 퓨즈 영역 을 갖 는 기판 과 , 상기 기판 상 에 형성 되 며 레이저 빔 에 노출 된 후 전기 저항 이 변하 는 특성 을 갖 는 물질 과 상기 물질 의 양단 에 연결 된 도전 성 라인 으로 구성 되 는 퓨즈 와 , 상기 퓨즈 상 에 형성 되 며 퓨즈 박스 가 정의 된 절 연막 을 포함 하 는 반도체 메모리 장치 를 제공 한다 .