도 43 의 단면도 ( 4300 ) 에 의해 예시 된 바 와 같이 , 로직 게이트 전극 ( 318 ) 은 더미 로직 게이트 전극 ( 3307 ) 을 제거 함 으로써 남 은 개구 에 형성 될 수 있 다 . 로직 게이트 전극 은 임의 의 적합 한 재료 ( 들 ) 일 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 로직 게이트 전극 ( 318 ) 은 금속 이 다 . 로직 게이트 전극 ( 318 ) 을 형성 하 는 프로세스 는 , 로직 영역 ( 104 l ) 에서 의 개구 를 채우 는 전극 재료 의 층 을 형성 한 다음 평탄 화 를 포함 할 수 있 다 . 전도성 층 은 , CVD , PVD , 무전 해 도금 , 또는 또 다른 적합 한 성장 또는 퇴적 프로세스 ( 들 ) 에 의해 형성 될 수 있 다 . 평탄 화 는 로직 영역 ( 104 l ) 에서 의 개구 밖 으로부터 전도성 층 을 제거 할 수 있 고 , 또한 제 2 더미 캐 핑 층 ( 4201 ) 을 제거 할 수 있 다 . 평탄 화 프로세스 는 CMP 또는 임의 의 다른 적합 한 평탄 화 프로세스 ( 들 ) 일 수 있 다 .