또한 , 본 발명 은 추가 적 인 게이트 탭 ( TAB ) 을 형성 하 지 않 고 , 다만 활성 영역 ( A ') 의 형상 을 다소 변경 함 으로써 HEIP 현상 을 개선 할 수 있 기 때문 에 , 종래 의 게이트 탭 ( TAB ) 적용 시 에 나타나 는 공정 마진 한계 문제 를 극복 할 수 있 어서 , 80 nm 급 이하 의 고집 적 소자 의 피 모스 ( PMOS ) 트랜지스터 형성 시 용이 하 게 적용 할 수 있 다 .