플라 즈 마 처리 공정 에서 , 수소 는 , 실리콘 원자 에 대한 환원 반응 을 수행 하 고 , 따라서 실리콘 층 ( 68 ) 의 실리콘 원자 에 대해 댕 글 링 결합체 ( dangling bond ) 를 생성 하 는 기능 을 갖 는다 . 따라서 , 질소 함유 가스 내 의 질소 원자 가 실리콘 원자 의 댕 글 링 결합체 에 결합 되 기 더 쉽 다 . 따라서 , Si - N 결합체 가 생성 된다 . 이 는 , Si - N 의 단결정 층 일 수 있 거나 , ( 2 개 , 3 개 , 4 개 , 또는 5 개 와 같 은 ) 여러 개 의 SiN 층 을 포함 할 수 있 는 , SiN 층 ( 72 ) 이 생성 되 도록 한다 . Si - N 은 , 그 아래 에 놓이 는 금속 층 ( 62 ) 에 대해 좋 은 접착력 을 가지 며 , 후속 적 으로 형성 되 는 금속 영역 ( 73 ) ( 도 14 ) 에 대해서 도 좋 은 접착력 을 갖 는다 . SiN 층 ( 72 ) 의 두께 ( T 2 ) 는 약 1 nm 보다 더 작 을 수 있 다 . SiN 층 ( 72 ) 은 또한 , 예컨대 , 수평 부분 및 수직 부분 이 약 20 퍼센트 보다 더 작 은 두께 변화 를 갖 는 컨 포 멀 한 층 일 수 있 다 .