따라서 , 본 발명 의 실시 예 들 은 가공 된 층 들 및 선택 적 인 GaN 층 ( 130 ) 과 같 은 에피 택 셜 층 들 로 다 결정 성 세라믹 물질 ( 예 를 들 어 , AlN ) 로부터 백그라운드 요소 의 확산 을 방지 하 기 위해 실리콘 질화물 층 을 통합 한다 . 하부 층 들 및 물질 을 캡슐 화 하 는 실리콘 질화물 층 ( 118 ) 은 원 하 는 배리어 층 기능 을 제공 한다 . 실리콘 질화물 층 ( 118 ) 을 가공 된 기판 구조 체로 통합 함 으로써 , 실리콘 질화물 층 이 존재 하 지 않 을 때 발생 하 는 어닐링 프로세스 동안 의 칼슘 , 이트륨 및 알루미늄 의 가공 된 층 으로 의 확산 을 방지 한다 . 따라서 , 실리콘 질화물 층 ( 118 ) 의 사용 은 이 들 요소 가 확산 배리어 를 통해 확산 되 는 것 을 방지 하 고 , 이 에 의해 가공 된 기판 을 둘러싸 는 환경 으로 의 방출 을 방지 한다 . 유사 하 게 , 벌크 세라믹 물질 내 에 함유 된 임의 의 다른 불순물 이 배리 어 층 에 의해 봉쇄 될 것 이 다 .