도 1 은 nMOS 반도체 디바이스 ( 101 ) 및 pMOS 반도체 디바이스 ( 103 ) 를 갖 는 FD - SOI 웨이퍼 ( 100 ) 의 일 실시 예의 단면도 이 다 . FD - SOI 웨이퍼 ( 100 ) 는 베이스 실리콘 층 ( 102 ) , 매립 산화물 층 ( BOX ) ( 104 ) 및 실리콘 막 ( 106 ) 을 포함 한다 . BOX ( 104 ) 는 베이스 실리콘 층 ( 102 ) 위 에서 베이스 실리콘 층 ( 102 ) 과 실리콘 막 ( 106 ) 사이 에 포지셔닝 된다 . BOX ( 104 ) 는 nMOS 반도체 디바이스 ( 101 ) 및 pMOS 반도체 디바이스 ( 103 ) 와 같 은 능동 반도체 디바이스 들 을 베이스 실리콘 층 ( 102 ) 으로부터 전기 적 으로 절연 시키 기 위해 베이스 실리콘 층 ( 102 ) 상 에 형성 된 절연 층 이 다 . 특정 실시 예 들 에서 , BOX ( 104 ) 는 실리콘 이 산화물 및 / 또는 사파이어 를 포함 한다 . 대안 적 인 구현 들 에서 , BOX ( 104 ) 는 FD - SOI 반도체 ( 100 ) 가 본 명세서 에서 설명 되 는 바 와 같이 동작 할 수 있 게 하 는 임의 의 재료 를 포함 할 수 있 다 .