게이트 전압 변 조부 ( 160 ) 는 상기 게이트 전압 발생 부 ( 150 ) 로부터 생성 된 게이트 하이 전압 ( VGH ) 을 변조 하 여 우수 번 째 액정 셀 들 의 박막 트랜지스터 ( TFT ) 를 턴 - 온 시키 는 변조 된 게이트 하이 전압 ( VGHM ) 을 생성 한다 . 즉 , 상기 변조 된 게이트 하이 전압 ( VGHM ) 은 우수 번 째 게이트 라인 ( GL 2 내지 GLn ) 들 과 접속 된 박막 트랜지스터 ( TFT ) 들 을 턴 - 온 시킨다 .