이러 한 문제 를 해결 하 기 위하 여 , 비정질 탄소막 상 에 산화 막 대신 반사 방지 특성 을 갖 는 실리콘 산화 질화 막 ( SiON ) 을 얇 게 형성 하 여 하드 마스크 로 사용 하 는 기술 도 제안 되 었 다 . 이 와 같 은 비정질 탄소막 상 의 실리콘 산화 질화 막 을 이용 하 면 미세 패턴 의 형성 에 는 문제 가 없 으나 , 패턴 형성 후 넓 은 지역 에서 실리콘 산화 질화 막 이 제거 되 지 않 아 제거 공정 을 추가 해야 하 는 문제점 이 있 다 . 이 는 , 공정 을 복잡 하 게 하 고 특히 패턴 의 CD ( Critical Dimension ) 조절 을 어렵 게 하 는 등 공정 의 안정 성 을 저하 시키 는 문제점 을 초래 한다 .