도 10 a 의 설명 으로 되돌아간다 . 섬 형상 으로 분할 된 제 1 반도체 층 ( 703 ) 내지 제 5 반도체 층 ( 707 ) , 제 2 절 연막 ( 702 b ) 을 덮 는 게이트 절 연막 ( 708 ) 을 형성 한다 . 게이트 절 연막 ( 708 ) 은 플라 즈 마 CVD 법 또는 스퍼터링 법 을 사용 하 여 형성 한다 . 그리고 , 게이트 절 연막 ( 708 ) 위 에 게이트 전극 을 형성 하 기 위한 제 1 도 전막 ( 709 a ) 과 제 2 도 전막 ( 709 b ) 을 형성 한다 .