단계 ( 503 ) 에서 는 , UV 복사 를 차단 하 도록 구성 되 는 높 은 광 흡수 층 이 패 시베이 션 레벨 위 에 형성 된다 . 바람직 하 게 는 , 높 은 광 흡수 층 은 전면 으로부터 실리콘 기판 쪽 으로 들어오 는 400 nm 이하 파장 의 광 중 적어도 10 % 를 차단 하 도록 구성 된다 . 높 은 광 흡수 층 의 두께 는 애플리케이션 에 따라 달라질 수 있 다 . 하이 - k 실리콘 질화물 을 위해 앞서 논의 된 수학식 1 이 다른 재료 를 위한 높 은 광 흡수 층 의 두께 를 계산 하 기 위해 또한 사용 될 수 있 다 . 높 은 광 흡수 층 은 플 라즈 마 강화 화학 적 기상 증착 또는 반응 성 스퍼터링 에 의해 약 1 nm 내지 100 nm 의 두께 로 , 바람직 하 게 는 약 12 nm 의 두께 로 형성 된 하이 - k 실리콘 질화물 을 포함 할 수 있 다 .