이때 , 상기 유기 박막 트랜지스터 의 게이트 전극 ( 422 ) , 게이트 절 연막 ( 420 ) , 소스 / 드레 인 전극 ( 414 a , 414 b ) 및 유기 반도체 층 ( 418 ) 이 모두 유기 물질 로 형성 되 는 경우 에 는 저온 공정 이 가능 하 므로 상기 기판 ( 410 ) 은 플렉서블 한 특성 의 플라스틱 기판 또는 필름 으로 사용 가능 하 다 .