본 명세서 의 실시 예 에 따른 디스플레이 장치 는 , 소자 기판 상 에 위치 하 고 제 1 방향 으로 나란히 위치 하 는 소스 영역 , 채널 영역 및 드레 인 영역 을 포함 하 는 산화물 반도체 패턴 , 산화물 반도체 패턴 의 채널 영역 상 에 위치 하 는 게이트 절 연막 , 및 게이트 절 연막 상 에 위치 하 고 제 1 방향 과 수직 한 제 2 방향 으로 연장 하 는 게이트 전극 을 포함 할 수 있 다 . 그리고 , 게이트 전극 은 수소 배리 어 층 과 게이트 도전 층 의 적층 구조 일 수 있 다 또한 , 제 1 방향 으로 게이트 전극 의 길이 는 제 1 방향 으로 게이트 절 연막 의 길이 보다 작 을 수 있 다 .