도 3 을 참조 하 면 , 상기 채널 층 ( 116 ) 의 양 측면 상 에 각각 소스 및 드레 인 전극 ( 118 a , 118 b ) 을 형성 한다 . 상기 소스 및 드레 인 전극 ( 118 a , 118 b ) 은 상기 채널 층 ( 116 ) 을 덮 도록 소정 금속 층 을 형성 한 다음 , 이 를 패 터닝 함 으로써 형성 될 수 있 다 . 여기 서 , 상기 금속 층 은 단일 층 구조 또는 다층 구조 를 가질 수 있 으며 , 상기 금속 층 은 예 를 들 면 Cu , Mo 및 Al 로 이루어진 그룹 에서 선택 된 하나 로 이루어질 수 있 다 . 그러나 , 이 에 한정 되 지 는 않 는다 .