이것 에 대해서 , 본 발명 에서 는 , 산화 처리 는 질화 처리 후 에 행해 지 고 , 질화 된 금속 및 실리콘 으로 이루어진 막 ( 103 ) 중 에 있 어서 의 산소 의 확산 은 종래 의 질화 되 어 있 지 않 은 금속 및 실리콘 으로 이루어진 막 보다 작 다 . 이 때문 에 , 본 발명 에서 는 , 산화 처리 중 에 산소 가 기저 를 통해서 급격 하 게 관통 하 는 것 이 억제 된다 . 따라서 , 본 발명 은 , 종래 의 방법 에 비해 , 기저 실리콘 기판 ( 101 ) 의 표층 부를 산화 함 으로써 형성 되 는 실리콘 산화 막 ( 105 ) 의 막 두께 제어 성 이 뛰어나 다 .