이러 한 노력 의 하나 로 최근 로직 소자 ( Logic Device ) 분야 에서 는 3 차원 구조 의 채널 을 갖 는 돌기 형 게이트 ( Fin Gate ) 가 제안 된 바 있 다 . 상기 돌기 형 게이트 는 활성 영역 의 일부 를 돌출 시키 고 , 돌출 된 활성 영역 을 감싸 도록 게이트 라인 을 형성 시킨 구조 로서 , 이 경우 , 유효 채널 폭 이 증가 하 여 채널 을 통한 전류 구동 ( Current Drive ) 특성 이 향상 되 고 , 문턱 전압 마진 이 개선 된다 .