이러 한 NAND 플래시 메모리 소자 는 반도체 기판 상부 에 게이트 절 연막 , 플로팅 게이트 , 유전체 막 및 콘트롤 게이트 등 을 적층 하 여 형성 한 뒤 게이트 식각 공정 으로 적층 막 을 패 터닝 함 으로써 형성 한다 . 이 중 에서 플로팅 게이트 는 NAND 플래시 메모리 소자 의 프로그램 / 소거 동작 에 따라 전하 를 저장 하 고 제거 하 는 역할 을 하 며 , NAND 플래시 메모리 소자 의 리 텐션 특성 이나 소거 속도 등 에 영향 을 주 기 때문 에 NAND 플래시 메모리 소자 의 특성 에 많 은 영향 을 미친다 .