게이트 전극 ( 108 c ) 은 , 게이트 절연 층 ( 108 b ) 을 통해 반도체 층 ( 108 a ) 과 중첩 하 고 있 다 . 반도체 층 ( 108 a ) 에 있 어서 , 게이트 전극 ( 108 c ) 과 중첩 하 는 영역 이 채널 영역 이 다 . 게이트 전극 ( 108 c ) 의 재료 로서 는 , 티타늄 , 알루미늄 , 구리 , 몰리브덴 , 텅스텐 , 탄 탈륨 등 의 금속 이나 , 그 합금 등 을 사용 할 수 있 다 . 이 들 재료 중 어느 것 으로 형성 되 는 도전 층 의 단층 , 혹은 이 들 중 에서 선택 된 재료 로 형성 되 는 도전 층 이 복수 층 적층 된 구조 로 형성 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 티타늄 , 텅스텐 , 몰리브덴 등 의 비교 적 높 은 융점 을 갖 는 금속 재료 로 형성 되 는 도전 층 이 , 알루미늄 이나 구리 등 의 도전 성 이 높 은 금속 재료 로 형성 되 는 도전 층 의 상하 를 끼움 지지 하 는 구조 를 채용 할 수 있 다 .