특정 실시 예 에서 , 어레이 ( 1004 ) 의 MRAM 메모리 셀 들 은 도 1 - 5 에 제시 된 것 과 같 은 자기 터널 접합 ( MTJ ) 장치 들 을 포함 할 수 있 다 . 각 MTJ 장치 는 판독 비트 라인 에 연결 된 제 1 기준 계층 및 기록 비트 라인 에 연결 된 자유 계층 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 대표 셀 ( 1008 ) 은 비트 라인 ( 1010 ) 에 연결 된 제 1 기준 계층 및 비트 라인 ( 1020 ) 에 연결 된 자유 계층 을 갖 는 MTJ 구조 를 포함 할 수 있 다 . 제 2 기준 계층 은 워드 라인 ( 1006 ) 에 응답 하 는 게이트 단자 를 갖 는 트랜지스터 와 같 은 스위치 에 연결 될 수 있 다 .