그 다음 , 도 8 및 도 9 에 도시 된 것 과 같 은 배선 연결 공정 이 수행 된다 . 배선 연결 을 위해서 는 , 먼저 , 증착 방식 또는 도금 방식 에 의해 투명 절연 층 ( 410 ) 이 형성 된 발광 셀 들 ( 200 ) 및 그 발광 셀 들 ( 200 ) 사이 의 사파이어 기판 ( 100 ) 을 덮 는 도전 성 금속 층 ( 400 a ) 을 도 8 에 도시 된 바 와 같이 형성 한다 . 그 다음 , 발광 셀 들 ( 200 ) 로부터 광이 출사 되 는 영역 을 가리 지 않 도록 그 영역 에 상응 하 는 도전 성 금속 층 ( 400 a ) 일부 를 제거 하 면 , 도 9 에 도시 된 것 과 같 은 도전 성 금속 층 구조 의 배선 ( 400 ) 이 형성 된다 .