상기 수동 소자 패턴 ( 125 r ) 은 저항체 ( resistor ) 일 수 있 다 . 일 실시 예 에 따르 면 , 상기 수동 소자 영역 ( 70 ) 은 반도체 집적회로 내 에 포함 된 저항 영역 일 수 있 다 . 다른 실시 예 에 따르 면 , 상기 수동 소자 영역 ( 70 ) 는 반도체 집적회로 내 의 이 - 퓨즈 회로 ( e - fuse circuit ) 영역 일 수 도 있 다 . 상기 수동 소자 영역 ( 70 ) 이 상기 이 - 퓨즈 회로 영역 인 경우 에 , 상기 수동 소자 패턴 ( 125 r ) 은 이 - 퓨즈 회로 에 포함 된 저항체 일 수 있 다 . 상기 수동 소자 패턴 ( 125 r ) 은 반도체 물질 을 포함 할 수 있 다 . 예컨대 , 상기 수동 소자 패턴 ( 125 r ) 은 실리콘 , 게르마늄 또는 실리콘 - 게르마늄 을 포함 할 수 있 다 . 일 실시 예 에 따르 면 , 상기 수동 소자 패턴 ( 125 r ) 에 포함 된 반도체 물질 은 다 결정 상태 일 수 있 다 . 상기 수동 소자 패턴 ( 125 r ) 은 상기 수동 소자 패턴 ( 125 r ) 의 비저항 을 조절 하 기 위한 도 펀트 ( ex , n 형 도 펀트 또는 p 형 도 펀트 ) 로 도핑 될 수 있 다 . 일 실시 예 에 따르 면 , 상기 수동 소자 패턴 ( 125 r ) 의 전체 가 상기 비저항 조절 을 위한 도 펀트 로 실질 적 으로 균일 하 게 도핑 될 수 있 다 . 이 와 는 달리 , 상기 수동 소자 패턴 ( 125 r ) 은 부분 적 으로 도핑 될 수 도 있 다 . 이 경우 에 , 상기 수동 소자 패턴 ( 125 r ) 내 도핑 된 부분 의 하부 면 ( 150 ) 은 상기 수동 소자 패턴 ( 125 r ) 의 하부 면 보다 높 을 수 있 다 . 즉 , 상기 수동 소자 패턴 ( 125 r ) 의 윗부분 이 상기 비저항 조절 을 위한 도 펀트 로 도핑 될 수 있 으며 , 상기 수동 소자 패턴 ( 125 r ) 의 아랫부분 은 언 도프 트 상태 ( undoped state ) 일 수 있 다 .