도 2 에서 만든 와이어 형상 의 소자 를 잉크 제트 ( ink jet ) 방식 이나 실크 스크린 방식 등 과 같 은 방법 을 사용 하 여 p 형 반도체 의 노 출부 ( 4 ) 에 은 / 알루미늄 잉크 를 도포 한 다음 건조 하 여 제 1 전극 ( 6 ) 을 형성 한다 . 경우 에 따라서 는 알루미늄 을 먼저 도포 한 후 에 은 / 알루미늄 을 다시 도포 하 여 형성 할 수 도 있 다 . 도 4 에서 는 p 형 반도체 의 노 출부 ( 4 ) 에서 법선 방향 에 n 형 반도체 ( 2 ) 표면 에 은 잉크 를 도포 하 여 건조 한 다음 제 2 전극 ( 5 ) 을 형성 한다 . 전극 의 소성 은 통상 적 으로 700 내지 950 ℃ 의 온도 에서 수초 내지 수십 분 동안 행한다 . 제 1 전극 ( 6 ) 과 제 2 전극 ( 5 ) 은 순차 적 으로 또는 동시 소성 할 수 있 다 .