상기 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 반도체 소자 의 제조 방법 은 하부 금속 배선 상 에 절연 층 배리어 를 형성 하 는 단계 와 , 상기 절연 층 배리 어 상 에 저유 전상수 물질 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 저유 전상수 물질 상 에 저유 전상수 캡 핑 층 을 형성 하 는 단계 와 , 이온 주입 을 통해 상기 저유 전상수 물질 의 내부 에 식각 정지 층 을 형성 하 는 단계 와 , 듀얼 다 마신 공정 을 진행 하 여 상기 하부 금속 배선 을 개방 시키 는 듀얼 다 마신 패턴 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 하 고 , 상기 식각 정지 층 을 형성 하 는 단계 에서 상기 이온 주 입시 이용 되 는 원소 는 B , C , Si , O , Ge , As , P 및 N 으로 이루어진 그룹 중 에서 선택 된 어느 하나 를 사용 하 는 것 을 특징 으로 하 며 , 상기 이온 주 입시 가속 전압 은 5 keV ∼ 3 MeV 이 고 , 입사각 은 0 ∼ 89 . 9 ° 로 하 는 것 을 특징 으로 한다 .