다음 단계 의 공정 으로 , 도 6 d 에 도시 된 바 와 같이 상기 게이트 절연 층 ( 210 ) 에 포 토리 지스 트 를 도포 하 고 , 소정 의 포토 마스크 를 이용 한 사진 식각 기술 로 포 토리 지스 트 를 패 터닝 하 고 , 상기 패 터닝 된 포 토리 지스 트 를 마스크 로 콘택트 홀 ( 218 ) 을 식각 한다 . 상기 콘택트 홀 ( 218 ) 형성 공정 에 두 번 째 포토 마스크 가 사용 된다 .