상술 한 본 발명 의 일실 시예 에 따라 형성 한 박막 트랜지스터 ( 10 ) 는 통상 적 으로 역 스테거 드 형 ( inverted staggered type ) 이 라고 불린다 . 따라서 , 본 발명 이 속하 는 기술 분야 의 당업자 들 에게 는 , 상술 한 본 발명 의 일실 시예 에 개시 된 발명 의 사상 을 기초 로 하 여 , 역 스테거 드 형 에 속하 는 BCE 구조 ( back channel etched structure ) 또는 ES 구조 ( etch stopper structure ) 의 트랜지스터 를 구현 하 는 것 이 자명 할 것 이 다 . 이 와 같 은 역 스테거 드 형 의 박막 트랜지스터 ( 10 ) 는 정 스테거 드 형 ( normal staggered type ) 에 비하 여 광 효율 이 더 좋 을 수 있 다 .