다음 으로 , 상기 기판 ( 10 ) 및 도핑 되 지 않 은 U - GaN 층 ( 11 ) 을 제거 한다 ( 도 5 d ) . 제거 방법 으로 는 레이저 리프트 오프 ( Laser Lift - off ) 방법 등 이 사용 될 수 있 다 . 레이저 리프트 오프 방법 에 대하 여 보다 상세 하 게 설명 하 면 , 245 ~ 305 nm 의 UV - 레이저 를 기판 을 통하 여 조사 하 면 , 레이저 는 기판 을 투과 하 여 기판 과 GaN 층 의 경계 면 에서 흡수 되 어 GaN 은 Ga 와 N 2 로 분리 되 고 N 2 는 가스 상태 로 외부 로 빠져 나오 므로 계면 에 는 Ga 만 남 게 된다 . Ga 는 융점 이 30 ℃ 정도 이 므로 열 에 의해 쉽 게 녹 아 기판 이 제거 된다 .