플 래쉬 메모리 를 위한 본 발명 의 일 실시 예 에 따르 면 , 상기 도전 패턴 ( 230 ) 을 형성 한 후 , 불순물 영역 들 ( 240 ) 을 형성 하 는 단계 가 더 실시 될 수 있 다 . 상기 불순물 영역 들 ( 240 ) 은 이온 주입 공정 을 통해 형성 될 수 있 으며 , 상기 트렌치 들 ( 200 ) 을 통해 노출 된 상기 기판 ( 10 ) 내 에 형성 될 수 있 다 . 상기 불순물 영역 들 ( 240 ) 은 상기 기판 ( 10 ) 과 다른 도전 형 을 가질 수 있 다 .