전술 한 전계 효과 형 트랜지스터 는 실리콘 기판 ( 1 ) 상 에 선택 적 으로 형성 한 P 형 웰 ( 4 ) 중 에 형성 하 였 지만 , 예 를 들 어 , SOQ ( Silicon - On - Quartz ) 기판 상 에 형성 하 는 것 도 가능 하 다 . 도 12 는 , 본 발명 의 제 1 실시 형태 에 대한 제 4 변 경예 에 관련 된 트랜지스터 의 구성 을 나타내 는 부분 수직 단면도 이 다 . 수정 기판 ( 21 ) 을 사용 하 여 , 그 수정 기판 ( 21 ) 상 에 실리콘 으로 이루어지 는 SOQ ( Silicon - On - Quartz ) 막 ( 22 ) 이 형성 된다 . 전술 한 전계 효과 형 트랜지스터 는 이 SOQ ( Silicon - On - Quartz ) 막 ( 22 ) 에 형성 된다 . SOQ 기판 의 제조 방법 은 기지 의 사항 이 므로 , 여기 서 는 설명 을 생략 한다 .