도 1 a 및 도 1 b 는 반도체 기판 , 예 를 들 어 실리콘 웨이퍼 가 프로세싱 되 는 플 라즈 마 프로세싱 장치 용 컴포넌트 어셈블리 의 예시 적 인 실시 형태 를 예시 한다 . 각 컴포넌트 어셈블리 는 지지 부재 에 고정 된 컴포넌트 를 포함 한다 . 다수 의 세그먼트 를 포함 하 는 컴포넌트 의 실시 형태 에서 , 그 세그먼트 는 예 를 들 어 본원 에 참조 에 의해 완전히 포함 되 는 공동 소유 의 미국 특허 출원 공보 제 2004 / 0092120 호 및 미국 특허 출원 공보 제 2007 / 0187038 호 에서 기술 한 바 와 같이 기저 본딩 재료 를 플 라즈 마 에 대한 노출 로부터 보호 하 기 위해 서로 오버랩 하 는 에지 들 을 갖 는 것 이 바람직 하 다 . 컴포넌트 는 지지 부재 ( 138 ) 에 고정 되 거나 챔버 벽 ( 120 ) 에 고정 되 는 챔버 라이너 ( 118 ) 를 포함 할 수 있 다 . 챔버 라이너 ( 118 ) 는 내부 에 임 베 딩 된 저항 가열기 ( 142 ) 를 가질 수 있 다 . 컴포넌트 는 광학 튜브 ( 116 ) 에 고정 된 광학 윈도우 ( 160 ) 를 포함 할 수 있 으며 , 예 를 들 어 , 광학 튜브 ( 116 ) 는 도 1 b 에 도시 된 TCP 유전체 윈도우 ( 105 ) 를 통하 여 중심 을 벗어나 탑재 될 수 있 다 . 컴포넌트 는 또한 지지 부재 로서 하부 전극 ( 132 ) 에 고정 된 정전 척 킹 디바이스 ( 124 ) 를 포함 할 수 있 다 . 컴포넌트 는 또한 플 라즈 마 프로세싱 장치 에서 이용 하 기 위한 예시 에서 미도 시 된 다른 부품 , 예 를 들 어 , 상부 전극 또는 하부 전극 주위 의 세 그먼 팅 된 실드 링 을 포함 할 수 있 다 .