즉 , CMP 공정 후 , 대략 30 ~ 50 nm 정도 층간 절 연막 을 식각 하 고 , 질화 실리콘 ( SiN ) 캡 핑 ( Capping ) 및 유전 물질 을 층간 절 연막 상 에 증착 하 여 보호막 을 형성 하 여 제 2 구리 배선 들 간 의 CMP 잔류물 을 원천 적 으로 제거 함 으로써 소자 의 신뢰 도 테스트 에서 의 마이크 로 브리지 현상 을 방지 함 과 아울러 금속 확산 방지 막인 Ta / TaN 와 질화 실리콘 ( SiN ) 의 보다 좋 은 결합 특성 이 보호막 에 적용 되 어 캡 핑 물질 로서 의 역할 도 보강 할 수 있 다 .