도 7 내지 8 은 강유전체 PbZr 0 . 5 Ti 0 . 5 O 3 ( PZT ) 단일 층 과 상기 PZO 2 / PTO 2 인공 격자 의 평탄 한 표면 에 AFM 탐침 에 외부 전압 + 10 V 를 인가 하 면서 2 μ m× 2 μ m 의 영역 에 걸쳐 스캔 하 여 전기 분극 의 방향 을 한쪽 방향 으로 배열 후 , 특정 위치 에 외부 펄스 전압 을 - 4 V 내지 - 10 V 범위 까지 변화 시키 면서 동시 에 인가 시간 을 달리 하 여 이미 한 쪽 방향 으로 배열 된 인공 격자 에 전기 분극 을 반대 방향 으로 반전시 켜 서 비트 를 형성 시킨 후 , PFM 방식 으로 도메인 을 관찰 한 이미지 이 다 . 도 7 에 도시 된 바 와 같이 PZT 단일 막 의 경우 는 도메인 의 발생 과 전기 분극 의 반전 이 박막 이 갖 는 결정립 의 형태 에 의존 하 여 , 도메인 크기 를 최소 화 하 기 에 어려움 이 있 고 , 결정립계 의 상호 작용 으로 분극 반전 속도 가 낮 아 져 저장 된 정보 를 읽 는 속도 도 저하 되 며 도메인 의 일부 만 이 반전 이 되 어 읽 기 의 오류 가 발생 될 수 있 다 . 반면 도 8 에 도시 된 본 발명 에 따른 인공 격자 는 도메인 의 형태 및 분극 반전 이 결정립 의 모양 과 관계없이 원형 으로 되 어 도메인 의 크기 를 용이 하 게 나노 크기 화 할 수 있 고 균일 한 분극 을 갖 는 도메인 으로 인해 분극 반전시 속도 의 저하 및 부분 적 인 분극 반전 이 일어나 지 않 는 장점 이 있 다 . 이 는 단위 면적 분극 량 을 유지 하 여 정보 의 읽 기 / 쓰 기 의 오류 가 없 는 정보 저장 능력 의 고 밀도 화 를 획득 하 면서 고속 으로 읽 기 / 쓰 기 를 가능 케 한다 . 이러 한 사실 은 도 8 에서 도시 된 바 와 같이 인공 격자 는 균일 한 분극 을 갖 는 도메인 크기 를 펄스 전압 과 시간 에 따라 12 nm 에서 130 nm 범위 에서 조절 가능 하 고 나노 크기 화 할 수 있 음 을 보이 고 있 다 .