또한 , 도 5 의 ( a ) , ( b ) 에 나타낸 예 에서 는 , 웨이퍼 ( 1 ) 의 재질 이 실리콘 인 경우 , 실리콘 과 공기 의 굴절 률 의 비 가 약 4 이 기 때문 에 , 웨이퍼 ( 1 ) 내 에서 는 , 집광 렌즈 ( 183 ) 에 있 어서 의 Defocus = 0 으로부터 의 이 동량 의 약 4 배 깊 은 위치 에 , 집 광점 ( C ) 이 위치 된다 . 예컨대 , 집광 렌즈 ( 183 ) 의 높이 위치 가 10 ㎛ 내려가 면 ( Defocus =- 10 ) , 집 광점 ( C ) 의 위치 ( 개질 층 의 형성 위치 ) 는 , 약 40 ㎛ 내려간다 . 이 때문 에 , 도 5 의 ( b ) 에 나타내 는 바 와 같이 , 집 광점 ( C ) 에 의해 형성 되 는 개질 층 의 깊이 [ 웨이퍼 ( 1 ) 의 상면 ( US ) 으로부터 의 개질 층 까지 의 거리 ; Depth ] 는 , 약 40 ㎛ 가 된다 .