도 1 c 에 도시 된 바 와 같이 , 기판 ( 10 ) 상 에 형성 된 게이트 전극 ( 20 a ) 상부 에 질화 실리콘 ( SiNX ) 을 증착 하 여 게이트 절연 층 ( 30 ) 을 형성 한다 . 여기 서 , 게이트 절연 층 ( 30 ) 을 질화 실리콘 ( SiNx ) 으로 형성 한다고 설명 하 였으나 이 에 한정 되 는 것 이 아니 라 산화 실리콘 ( SiO 2 ) 을 포함 하 는 각종 무기 절연물 질 중 에서 선택 된 물질 을 사용 하 여 게이트 절연 층 ( 30 ) 을 형성 할 수 있 다 .