도 1 에 도시 된 바 와 같이 , 본 발명 의 실리콘 웨이퍼 제조 방법 은 베이스 기판 ( 100 ) 의 일면 에 실리콘 및 이종 물질 을 코팅 하 는 코팅 단계 ( S 100 ) , 베이스 기판 ( 100 ) 의 일면 의 국부 면적 에 코팅 된 실리콘 및 이종 물질 이 용융 되 도록 열원 ( 500 ) 으로 가열 하 여 실리콘 및 이종 물질 이 혼합 된 혼합 용 융액 상태 로 존재 하 는 용융 영역 ( 300 ) 을 형성 하 는 용융 단계 ( S 200 ) , 및 베이스 기판 ( 100 ) 또는 열 원 ( 500 ) 을 이동 시켜 베이스 기판 ( 100 ) 상 에서 용융 영역 ( 300 ) 이 이동 되 며 이동 된 용융 영역 ( 300 ) 의 궤적 에 실리콘 결정 층 ( 400 ) 을 형성 하 는 실리콘 결정 화 단계 ( S 300 ) 를 포함 할 수 있 다 .