이어서 , 도 5 의 단계 S 104 에 나타내 는 바 와 같이 , 예 를 들 면 스퍼터 법 등 에 의해 ITO 등 의 투광 성 을 가지 는 도전 성 박막 을 형성 하 고 , 포토 리소그래피 에 의해 소정 형상 의 마스크 를 포토레지스트 로 형성 하 고 , 에칭 에 의해 패 터닝 하 여 유기 EL 소자 ( 5 ) 의 양극 ( 52 ) 을 형성 한다 ( 도 6 A ( c ) ) .