본 발명 의 일 실시 예 에 따른 반도체 장치 는 정격 전압 을 초과 하 는 전압 이 인 가 되 는 경우 에 래치 업 상태 에 도달 하 지 않 게 하 기 위하 여 E 필드 가 더미 모스 와 연결 되 어 모두 접지 되 도록 한다 . 즉 , 도 2 b 를 참조 하 면 , 정전기 와 같이 정격 전압 을 현저히 초과 하 는 전압 이 인가 되 는 경우 에 는 더미 게이트 전극 ( 40 d ) 과 이 에 인접 하 는 게이트 전극 ( 40 n ) 사이 에 는 소자 분리 막 이 형성 되 어 있 지 않 으므로 E - 필드 의 콘 택 이 가능 하 다 . 따라서 , 정전기 등 의 과부하 를 더미 게이트 ( 40 d ) 로 보내 고 이 를 다시 접지 로 보낼 수 있 어 , 래치 업 상태 의 발생 을 막 는다 . 따라서 , 방전 후 정격 전압 이하 의 정상 상태 로 회복 되 면 다시 정상 적 인 동작 이 가능 하 다 . 한편 , 이러 한 E - 필드 의 콘 택 은 상기 한 정격 전압 에 따라 더미 게이트 ( 40 n ) 와 최 말단 게이트 ( 40 n ) 의 거리 ( L ) 를 조절 하 여 제어 할 수 있 다 . 즉 , 정격 전압 이 작 을수록 이 거리 ( L ) 를 작 게 형성 하 여 E - 필드 가 보다 용이 하 게 콘 택 되 도록 하 여 절 연막 등 내부 소자 의 파괴 를 방지 할 수 있 다 .