게이트 구조물 ( 117 ) 은 플로팅 게이트 ( 104 b ) 들 , 제 1 도 전막 패턴 ( 106 b ) 들 , 유 전막 패턴 ( 114 a ) 및 컨트롤 게이트 ( 116 a ) 를 포함 한다 . 플로팅 게이트 ( 104 b ) 들 은 도핑 되 지 않 은 폴리 실리콘 또는 도프 트 폴리 실리콘 과 같 은 도전 성 물질 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 플로팅 게이트 ( 104 b ) 는 비소 ( As ) , 인 ( P ) , 안티몬 ( Sb ) 과 같 은 N 타입 의 불순물 이 도핑 된 폴리 실리콘 또는 보론 ( B ) , 갈륨 ( Ga ) 과 같 은 P 타입 의 불순물 이 도핑 된 폴리 실리콘 을 포함 할 수 있 다 . 본 발명 의 일실 시예 에서 , P 타입 의 불순물 은 세제곱 센티미터 당 1 × 1021 개 이하 의 개수 가 포함 되 도록 도핑 될 수 있 다 . 또한 , 플로팅 게이트 ( 104 b ) 들 은 제 2 방향 을 따라 터널 산화 막 패턴 ( 102 a ) 들 상 에 각각 형성 될 수 있 다 .