포지티브 형 의 화학 증폭 형 레지스 트 조성물 , 요컨대 노광 에 의해 알칼리 현상액 에 대한 용해 성 이 증대 되 는 화학 증폭 형 레지스 트 조성물 과 , 알칼리 현상액 을 조합 한 포지티브 형 현상 프로세스 는 , 네거티브 형 의 화학 증폭 형 레지스 트 조성물 과 알칼리 현상액 을 조합 한 네거티브 형 현상 프로세스 에 비해 , 포토 마스크 의 구조 를 단순 하 게 할 수 있 는 , 형성 되 는 패턴 의 특성 이 우수 한 등 의 이점 이 있 다 . 이 때문 에 , 현재 , 미세 한 패턴 의 형성 에 는 , 포지티브 형 의 화학 증폭 형 레지스 트 조성물 과 알칼리 현상액 을 조합 한 포지티브 형 현상 프로세스 가 주로 사용 되 고 있 다 .