본 개시 의 일부 구 현예 에서 , 선택 적 증착 장치 ( 11 ) 는 , 반응 챔버 ( 12 ) 내 의 금속 할 라이드 또는 IV 족 반도체 의 할 라이드 를 포함 한 제 1 전구체 공급원 ( 114 ) 으로부터 의 제 1 전구체 의 증기 를 반응 챔버 ( 12 ) 에 제공 하 도록 구성 되 고 배열 되 는 전구체 분배 및 제거 시스템 ( 14 ) 을 포함 할 수 있 다 .