다음 , 마스크 패턴 ( 52 ) 을 마스크 로 하 여 절연 층 ( 140 ) 을 식각 하 여 도 16 과 같이 게이트 절 연막 ( 144 d ) 을 형성 한다 . 이 때 의 식각 은 건식 식각 을 이용 할 수 있 다 . 게이트 절 연막 ( 144 d ) 의 가장자리 는 마스크 패턴 ( 52 ) 의 가장자리 에 대응 하 여 형성 될 수 있 다 . 이 에 따라 게이트 절 연막 ( 144 d ) 의 외곽 부 ( 14 d ) 는 화소 트랜지스터 ( Ta ) 의 게이트 절 연막 ( 144 a ) 의 외곽 부 ( 14 a ) 보다 더 큰 폭 을 가지 고 형성 될 수 있 다 .