종래 의 저항 변화 메모리 소자 의 경우 , 도전 성 경로 ( conducting path ) 를 이루 도록 필라멘트 형성 하 거나 스위칭 상태 에 따라 다른 전기 적 저항 을 갖 도록 하 기 위해서 포 밍 처리 ( forming process ) 가 필수 적 으로 수행 되 고 있 다 . 상기 포 밍 처리 는 저항 변화 물질 에 소정 의 전압 ( 이하 포 밍 전압 이 라 함 ) 을 가해 저항 스위칭 이 가능 하 도록 소자 를 활성 화 하 는 처리 이 다 . 이러 한 포 밍 처리 를 통해 형성 된 도전 성 필라멘트 는 상부 전극 과 하부 전극 을 전기 적 으로 연결 시켜 줄 수 있 다 . 이러 한 상부 전극 과 하부 전극 사이 를 전기 적 으로 연결 시켜 주 는 도전 성 필라멘트 는 리셋 전압 ( reset voltage , 초기 화 전압 ) 에 의해 적어도 일부 가 끊어질 수 있 으며 , 반대 로 상기 리셋 전압 에 의해 끊어진 도전 성 필라멘트 는 셋 전압 ( set voltage ) 에 의해 다시 연결 될 수 있 다 .