추가 적 인 별개 의 전자 디바이스 구조 가 기판 의 제 1 및 / 또는 제 2 메인 표면 맞은편 에 배치 되 고 , 추가 적 인 별개 의 전자 디바이스 구조 가 컨 택 팅 부분 ( contacting portion ) 에 의해 수직 화합물 반도체 구조 로 , 특히 화합물 반도체 레이어 로 기계 적 으로 그리고 / 또는 갈바 닉 적 으로 연결 된다는 점 에서 , 3 - 차원 전자 반도체 디바이스 ( 3 D 시스템 ) 은 수직 화합물 반도체 구조 를 이용 하 여 제조 될 수 있 다 . 추가 적 인 별개 의 전자 디바이스 구조 는 , 예 를 들 어 , 평면 기술 로 제조 되 는 2 - 차원 시스템 또는 추가 적 인 본 발명 의 수직 화합물 반도체 구조 일 수 있 다 . 이러 한 방식 으로 제조 되 는 3 D 시스템 은 3 D 패키지 또는 3 D IC 일 수 있 다 .