이 에 , 본 발명 에 따른 워드 라인 은 제 1 절 연막 ( 104 ) , 전하 저 장막 ( 106 ) , 제 1 게이트 ( 108 ) 및 제 2 절 연막 ( 110 ) 상부 에 p 형 불순물 이 주입 된 게이트 인 제 2 게이트 ( 112 ) 가 형성 된다 . 제 2 게이트 ( 112 ) 는 p 형 폴리 실리콘 을 이용 하 여 형성 되 어 , 통상 적 으로 사용 되 는 공정 으로 게이트 를 형성 하 면서 도 메탈 게이트 로 형성 하 는 것 과 같이 일함수 를 증가 시킬 수 있 다 . 이 로써 , 제 2 게이트 ( 112 ) 는 문턱 전압 이 증가 하 여 소 거시 질화 막 이 다시 프로그램 되 는 문제점 이 감소 되 기 때문 에 , 소거 속도 를 향상 시킬 수 있 다 . 한편 , 워드 라인 에 형성 된 제 1 게이트 ( 108 ) 는 제 2 게이트 ( 112 ) 의 바이어스 ( bias ) 를 전하 저 장막 ( 106 ) 에 전달 하 는 역할 을 한다 .