여러 실시 예 들 은 비트 라인 들 및 / 또는 워드 라인 들 의 매 세트 ( 예 를 들 면 , 16 의 한 세트 ) 의 하나 상 에 디코더 로 제어 되 는 블 리더 다이오드 들 을 제공 함 으로써 컬 럼 들 이 플로팅 되 지 않 게 한다 . 또한 , 컬럼 디코더 는 비트 라인 들 상 에 블 리더 다이오드 들 을 제어 하 여 , 별도 의 배출 제어기 회로 에 대한 필요 성 을 제거 한다 . 결국 , 블 리더 회로 들 은 배출 제어 를 위한 복수 워드 라인 들 보다 적 은 면적 을 요구 한다 . 또한 , 실시 예 들 은 워드 라인 디코더 가 블 리더 다이오드 들 을 제어 하 는 ( 즉 , 행 디코더 는 워드 라인 상 에 블 리더 다이오드 들 을 제어 한다 ) 단일 장치 워드 라인 드라이버 를 가능 하 게 한다 . 이 에 따라 , 어레이 및 드라이버 지아 영역 근방 에 한 세트 의 블 리더 다이오드 들 은 컬럼 또는 행 디코더 에 의해 제어 되 는 공유 된 장치 에 의해 바이어스 라인 에 연결 된다 . 블 리더 다이오드 들 은 디코더 출력 이 비 선택 된 상태 에 있 을 때 즉 , 단일 장치 드라이버 장치 들 이 오프 되 었 을 때 어레이 내 비 선택 된 라인 들 상 에 바이어스 를 결정 한다 . 비트 라인 및 워드 라인 비 선택 된 바이어스 중 한 하나 또는 둘 다 는 이러 한 다이오드 배열 에 의해 결정 된다 . 바이어 싱 은 도 10 및 도 11 에 관련 하 여 이하 기술 된 바 와 같이 메모리 셀 의 동작 의 판독 , 리셋 및 설정 모드 들 에서 사용 된다 .