시스템 ( 400 ) 은 하우징 ( 405 ) 및 이동 가능 한 전도성 플레이트 ( 420 ) 와 결합 된 하나 이상 의 조정 디바이스 ( 410 ) 를 포함 한다 . 이동 가능 한 전도성 플레이트 ( 420 ) 는 마이크로파 공동 ( 467 ) 에 걸쳐 프로세스 챔버 ( 430 ) 와 대면 하 는데 , 즉 , 플레이트 ( 420 ) 는 프로세스 챔버 ( 430 ) 로부터 도파 로 공동 ( 467 ) 의 원위 측 상 에 있 다 . 조정 디바이스 들 ( 410 ) 이 도 4 에서 나사산 가공 된 막대 들 로 도시 되 지만 , 아래 에 논의 되 는 바 와 같이 , 많 은 다른 유형 들 의 조정 디바이스 들 이 사용 될 수 있 다 . 도 4 에 예시 된 실시 예 에서 , 디바이스 들 ( 410 ) 은 하우징 ( 405 ) 의 천장 플레이트 ( 415 ) 의 개구부 들 ( 412 ) 을 통해 연장 된다 . 각각 의 디바이스 ( 410 ) 의 높이 , 및 하우징 ( 405 ) 내 의 이동 가능 한 전도성 플레이트 ( 420 ) 의 대응 하 는 높이 는 , 대응 하 는 너트 ( 411 ) 를 이용 하 여 조정 될 수 있 다 . 이러 한 추가 적 인 자유도 는 플레이트 ( 469 ) 내 의 고유 모드 조건 을 지지 하 기 위해 , 예 를 들 어 , 마이크로파 주파수 가 먼저 조정 되 는 것 을 허용 하 고 ; 그 다음 , d 1 이 , 이동 가능 한 전도성 플레이트 ( 420 ) 가 도파 로 ( 467 ) 내 의 고유 모드 위치 에 있 도록 조정 될 수 있 다 . 이러 한 구조 들 각각 을 그 들 각각 의 고유 모드 들 을 지지 하 도록 조정 함 으로써 , ( 예 를 들 어 , 플라 즈 마를 점 화 하 기 위해 ) 유전체 플레이트 ( 469 ) 의 하부 표면 에서 의 효율 적 인 결합 및 높 은 필드 강도 가 제공 된다 . d 3 는 프로세스 챔버 ( 430 ) 의 바닥 표면 위로 의 유전체 플레이트 ( 469 ) 의 높이 를 나타내 며 , 작업 물 홀더 및 작업 물 그 자체 ( 예 를 들 어 , 도 2 a 의 페디 스 털 ( 135 ) 및 작업 물 ( 50 ) ) 를 위한 간극 을 제공 할 필요 에 의해 적어도 어느 정도 국한 될 것 이 다 .