포토레지스트 막 ( 4 ) 을 , 마스크 ( 5 ) 를 이용 한 패턴 노광 에 의해 패턴 형성 한다 ( 도 2 ( II - D ) ) . 계속 해서 가열 처리 를 행하 면 , 예컨대 규소 함유 레지스 트 하층 막 ( 3 ) 에 포함 되 는 열경화성 규소 함유 재료 ( Sx ) 가 보호기 를 갖 는 경우 에 는 , 포토레지스트 막 ( 4 ) 의 노광 된 부분 에서 발생 한 산 의 작용 에 의해 하층 의 규소 함유 레지스 트 하층 막 ( 3 ) 에 포함 되 는 열경화성 규소 함유 재료 의 보호기 가 이탈 하 여 친수성기 ( 수산기 혹은 카르복실기 등 ) 를 발생 시킨다 . 그 결과 , 포토레지스트 막 ( 4 ) 의 노광 후 변화 된 부분 ( 4 ’) 의 하층 에 규소 함유 레지스 트 하층 막 ( 3 ) 의 변화 된 부분 ( 3 ’) 이 형성 된다 ( 도 2 ( II - E ) ) . 그리고 , 이 변화 부분 ( 3 ’) 의 순수 에 대한 접촉각 은 , 보호기 의 이탈 ( 즉 , 친수성기 의 발생 ) 에 의해 규소 함유 레지스 트 하층 막 ( 3 ) 의 접촉각 보다 낮 아 진다 . 이 변화 를 이용 함 으로써 , 규소 함유 레지스 트 하층 막 ( 3 ) 자체 의 접촉각 이 높 은 경우 여도 , 포토레지스트 막 ( 4 ) 이 노광 되 었 을 때 에 , 노 광부 에 대응 하 는 규소 함유 레지스 트 하층 막 ( 3 ) 의 노광 후 의 변화 된 부분 ( 3 ’) 의 순수 에 대한 접촉각 을 40 도 이상 70 도 미만 으로 할 수 있 다 .