일 실시 예 에서 , 초음파 세정 공정 은 전술 한 상기 플 라즈 마 식각 공정 이후 에 제 1 비아 홀 ( H 1 ) 의 최 하부 에 남 아 있 는 제 1 절연 층 ( 103 ) 에 고주파 의 진동 에너지 를 가하 여 , 제 1 비아 홀 ( H 1 ) 의 상부 의 제 1 절연 층 ( 103 ) 을 제거 하 여 칩 패드 ( 102 ) 를 외부 에 노출 시킬 수 있 다 .