일부 실시 예 에서 , 복수 의 펜스 홀 ( 180 H ) 은 , 복수 의 마스크 패턴 ( MK ) 을 식각 마스크 로 사용 하 여 몰드 층 ( 175 ) 의 일부분 을 제거 하 여 예비 베리드 콘 택 물질 층 ( 170 p ) 을 노출 시키 는 제 1 식각 공정 , 및 노출 되 는 예비 베리드 콘 택 물질 층 ( 170 p ) 의 일부분 을 제거 하 는 제 2 식각 공정 을 순차 적 으로 수행 하 여 형성 할 수 있 다 .