이 에 따라 , 웨이퍼 에지 에 포함 되 어 있 는 다이 ( die ) , 즉 , a 영역 과 인접 된 다이 ( 예 를 들 면 , 도시 한 도 1 에서 b 영역 등 ) 는 웨이퍼 내부 의 다이 들 보다 상대 적 으로 낮 은 패턴 밀도 를 갖 게 되 고 , 이러 한 낮 은 패턴 밀도 에 따라 콘 택 홀 에 금속 물질 을 매립 한 후 금속 물질 을 평탄 화 하 는 공정 을 실시 할 경우 낮 은 패턴 밀도 를 갖 는 영역 에서 는 침식 ( erosion ) 현상 이 발생 하 여 이 후 금속 배선 을 형성 하 는 과정 에서 금속 배선 의 결함 이 발생 하 는 문제점 이 있 었 다 .