상기 제 1 및 제 2 수단 에 기재 된 발명 에 의하 면 , 적층 구조 체가 제 1 수지 절연 층 과 이 제 1 수지 절연 층 보다 도 열팽창 계수 가 작 은 빌드 업 재 에 의해서 형성 된 제 2 수지 절연 층 에 의해서 구성 되 어 있 다 . 따라서 , 수지 절연 층 전체 가 제 1 수지 절연 층 인 경우 에 비해서 적층 구조 체의 열팽창 계수 가 작아지 게 된다 . 이것 에 수반 하 여 , 적층 구조 체의 열팽창 계수 가 IC 칩 및 마더 보드 의 열팽창 계수 보다 도 큰 경우 에 는 , 수지 절연 층 전체 가 제 1 수지 절연 층 인 경우 에 비해서 , 적층 구 조체 와 IC 칩 의 열팽창 계수 차 나 적층 구 조체 와 마더 보드 의 열팽창 계수 차 가 작아지 게 된다 . 그 결과 , 열팽창 계수 차 에 기인 하 는 열응력 의 영향 이 경감 되 기 때문 에 , 적층 구 조체 와 IC 칩 의 접속 부분 이나 적층 구 조체 와 마더 보드 의 접속 부분 에 있 어서 의 크랙 의 발생 을 방지 할 수 있 다 .