도 5 a 및 도 5 b 에 따르 면 , 캐 패 시터 의 유전 막 으로 [ ZrO 2 ] x [ Nb 2 O 5 ] ( 1 - x ) ( 102 ) 또는 ZrO 2 / Nb 2 O 5 ( 202 ) 를 사용 하 므로써 유효 산화 막 두께 ( EOT ) 가 10 Å 미만 의 값 을 요구 하 는 65 nm 급 이하 의 DRAM 캐 패 시터 형성 이 가능 하 다 .