다음 으로 , 사파이어 기판 ( 100 ) 을 레이저 리프트 오프 ( LLO ) 나 케미컬 리프트 오프 ( CLO ) 공정 을 이용 하 여 제거 한 후 , 도 6 에 도시 한 바 와 같이 N 형 질화 갈륨 층 ( 210 ) 상 에 N 형 전극 ( 250 ) 을 형성 하 게 된다 . 다음 으로 , 패 터닝 ( patterning ) 된 금속 구조 지지층 ( 400 a , 400 b ) 을 식각 마스크 로 활용 하 여 , 금속 구조 지지층 ( 400 a , 400 b ) 하부 에 형성 되 어 있 는 질화 갈륨 계 LED 구조물 ( 200 ) 을 각각 의 LED 소자 로 분리 하 게 된다 . 여기 서 , 금속 구조 지지층 ( 400 a , 400 b ) 은 이미 분리 되 어 있 으므로 , 다 이싱 공정 이나 레이저 스크라이빙 공정 을 하 지 않 고 바로 , 칩 분리 가 가능 한 것 이 다 .