이 와 동시 에 , 연결 전극 ( 14 ) 의 제 1 수 직부 ( 14 a ) 와 중첩 되 어 제 2 콘 택 홀 ( 35 ) 을 통해 전기 적 으로 연결 되 는 공통 라인 ( 45 ) , 공통 라인 ( 45 ) 에서 연장 되 어 게이트 라인 ( GL ) 상 에 게이트 절 연막 ( 17 ) , 반도체 층 ( 19 ) , 스토리지 전극 ( 23 ) 을 사이 에 두 고 형성 된 공통 전극 ( 47 ) 의 수 평부 ( 47 a ) , 공통 전극 ( 47 ) 의 수 평부 ( 47 ) 에서 분기 되 어 화소 전극 ( 42 ) 의 수직 부 ( 42 b ) 와 나란 하 게 배치 된 공통 전극 ( 47 ) 의 다수 의 수직 부 ( 47 b ) 가 형성 된다 .