본 실시 형태 에서 설명 한 바 와 같이 , 도전 층 ( 128 b ) 을 이용 함 으로써 , 소스 전극 ( 142 a ) 을 단선 시키 지 않 고 상부 의 콘택트 의 형성 이 가능 하 게 된다 . 이 에 의해 , 하부 의 콘택트 와 상부 의 콘택트 를 중첩 시켜서 설치 할 수 있 기 때문 에 , 콘택트 영역 에 기인 하 는 소자 면적 의 증대 를 억제 할 수 있 다 . 즉 , 반도체 장치 의 집적도 를 높일 수 있 다 .