상기 지 립 으로서 는 , 무기 입자 가 바람직 하 며 , 그 중 에서 도 금속 또는 반금속 의 산화물 을 포함 하 는 입자 가 바람직 하 다 . 여기 에 개시 되 는 기술 에 있 어서 사용 할 수 있 는 지 립 의 적합 예 로서 실리카 입자 를 들 수 있 다 . 예 를 들 어 , 여기 에 개시 되 는 기술 을 실리콘 웨이퍼 의 연마 에 사용 될 수 있 는 연마 용 조성물 에 적용 하 는 경우 , 지 립 으로서 실리카 입자 를 사용 하 는 것 이 특히 바람직 하 다 . 그 이유 는 , 이하 와 같 다 . 연마 대상물 이 실리콘 웨이퍼 인 경우 , 연마 대상물 과 동일 한 원소 와 산소 원자 를 포함 하 는 실리카 입자 를 지 립 으로서 사용 하 면 연마 후 에 실리콘 과 는 상이 한 금속 또는 반금속 의 잔류물 이 발생 하 지 않 는다 . 그 때문 에 , 실리콘 웨이퍼 표면 의 오염 이나 연마 대상물 내부 에 실리콘 과 는 상이 한 금속 또는 반금속 이 확산 됨 에 따른 실리콘 웨이퍼 로서 의 전기 특성 의 열화 등 의 우려 가 없 어 지 기 때문 이 다 . 또한 , 실리콘 과 실리카 의 경도 가 가깝 기 때문 에 , 실리콘 웨이퍼 표면 에 과도 한 손상 을 주 지 않 고 연마 가공 을 행할 수 있 다 . 이러 한 관점 에서 바람직 한 연마 용 조성물 의 일 형태 로서 , 지 립 으로서 실리카 입자 만 을 함유 하 는 연마 용 조성물 이 예시 된다 . 실리카 입자 의 구체 예 로서 는 , 콜로 이달 실리카 , 퓸드 실리카 , 침강 실리카 등 을 들 수 있 다 . 연마 대상물 표면 에 스크래치 를 발생 시키 기 어렵 고 , 보다 헤이즈 가 낮 은 표면 을 실현 할 수 있 다고 하 는 관점 에서 , 바람직 한 실리카 입자 로서 콜로 이달 실리카 및 퓸드 실리카 를 들 수 있 다 . 그 중 에서 도 콜로 이달 실리카 가 바람직 하 다 . 예 를 들 어 , 실리콘 웨이퍼 의 폴리 싱에 사용 되 는 연마 용 조성물 의 지 립 으로서 , 콜로 이달 실리카 를 바람직 하 게 채용 할 수 있 다 . 여기 서 폴리 싱 은 , 예비 폴리 싱 및 파이널 폴리 싱 중 적어도 한쪽 , 바람직 하 게 는 예비 폴리 싱 을 의미 한다 .