도면 의 우측 에 있 어서 , 실선 으로 나타낸 크로스 해칭 된 패턴 은 , 확산 층 을 나타낸다 . 사선 을 붙인 사각형 으로 나타낸 패턴 은 , 폴리 실리콘 층 을 나타낸다 . 파선 으로 나타낸 패턴 은 , 제 1 금속 배선 층 을 나타낸다 . 제 1 금속 배선 층 은 , 콘택트 를 통하 지 않 고서 폴리 실리콘 층 에 접속 가능 하 다 . 확산 층 상 에 배치 되 는 폴리 실리콘 은 , 트랜지스터 의 게이트 를 구성 한다 . 게이트 의 하측 의 확산 층 패턴 은 , 트랜지스터 의 채널 을 구성 한다 . 게이트 의 양측 에 위치 하 는 확산 층 영역 은 , 트랜지스터 의 소스 또는 드레 인 을 구성 한다 . 도면 의 좌측 에 있 어서 , 굵 은 선 으로 나타낸 워드 선 ( WL ) 및 비트 선 ( BL , XBL ) 은 , 제 1 금속 배선 층 보다 상측 에 위치 하 는 제 2 금속 배선 층 을 이용 하 여 배선 된다 .