상기 에서 기재 한 것 과 같이 CNT 재료 ( 409 ) 는 단지 각 전도체 ( 408 ) 상 에 형성 된 CNT 시 딩 층 ( 407 ) 상 에 만 형성 된다 . 몇몇 실시 예 에서 CNT 재료 ( 409 ) 는 다른 CNT 재료 두께 를 사용 할 수 있 지만 약 1 나노미터 내지 약 1 마이크 론 ( 및 심지어 수 마이크 론 ) , 및 더 바람직 하 게 는 약 10 내지 약 20 나노미터 의 두께 를 가질 수 있 다 . CNT 재료 ( 409 ) 에서 각 튜브 의 밀도 는 , 예 를 들 어 , 다른 밀도 를 사용 할 수 있 지만 약 6 . 6 × 103 내지 약 1 × 106 CNTs / 마이크 론 2 , 및 더 바람직 하 게 는 6 . 6 × 104 CNTs / 마이크 론 일 수 있 다 . 예 를 들 어 , 약 45 나노미터 의 폭 을 전도체 ( 408 ) 가 갖 는다고 가정 하 면 , 몇몇 실시 예 에서 각 전도체 ( 408 ) 상 에 형성 되 는 CNT 재료 ( 409 ) 에서 약 10 CNTs 이상 , 더 바람직 하 게 는 약 100 CNTs 이상 을 갖 는 것 이 바람직 하 다 ( 더 적 은 CNTs , 예 를 들 어 1 , 2 , 3 , 4 , 5 등 또는 보다 많 은 CNTs , 예 를 들 어 100 이상 이 사용 될 수 있 음 ) .