표 8 에 나타내 는 것 과 같이 , 본 발명 의 유기 막 형성 용 조성물 ( 실시 예 5 - 1 ∼ 5 - 23 ) 의 결과 로부터 , 어느 경우 나 레지스 트 상 층막 패턴 이 최종 적 으로 기판 까지 양호 하 게 전사 되 어 있 어 , 본 발명 의 유기 막 형성 용 조성물 은 다층 레지스 트 법 에 의한 미세 가공 에 적합 하 게 이용 되 는 것 이 확인 되 었 다 . 비 교예 5 - 1 ∼ 5 - 7 에서 는 내열성 이 부족 하 지만 패턴 을 형성 할 수 는 있 었 다 .