도 4 a 및 도 4 b 는 산화 막 과 탄화규소 구조 내 의 질소 의 분포 를 나타낸 도면 으로 , 산화 막 과 탄화규소 의 표면 에서 깊이 방향 에 따른 ( depth profile ) 질소 의 분포 를 확인 하 기 위하 여 토프 심스 ( ToF - SIMS , Time of Flight Secondary Ion mass spectroscopy ) 를 이용 하 여 측정 한 것 이 다 . 참고 로 , 도프 심스 정보 는 8 keV 에너지 를 갖 는 세슘 이온 ( Cs +) 을 사용 하 여 샘플 을 스퍼터링 하 여 만들 어 지 는 M + Cs 형태 의 2 차종 을 분석 하 여 질소 의 분포 를 확인 할 수 있 다 . 이때 성분 분석 장비 ( monchrometer ) 의 상태 가 조금 씩 달라져 원소 마다 측정 되 는 세기 ( intensity ) 가 달라질 수 있 기 때문 에 탄화규소 의 양 으로 다른 원소 의 양 을 보정 하 여 나타내 었 고 산소 세기 의 50 % 가 되 는 지점 을 산화 막 과 탄화규소 의 계면 으로 정의 한다 .