그 후 , N 형 의 도전 성 을 나타내 는 반도체 성 산화 물막 과 금속 등 의 도전 막 을 퇴적 한다 . 이 들 의 성막 에 는 스퍼터링 법 을 사용 하 면 좋 다 . N 형 의 반도체 성 산화 물막 으로 는 , 산화 인듐 , 산화 인듐 주석 , 산화아연 , 산화아연 알루미늄 등 을 사용 하 면 좋 다 . 또한 , N 형 의 반도체 성 산화 물막 은 , 소스 전극 이나 드레 인 전극 과 반도체 성 산화 물막 ( 105 b ) 과 의 접촉 저항 을 저감 시킬 목적 으로 설치 하 는데 , 소스 전극 이나 드레 인 전극 에 사용 하 는 금속 의 종류 에 따라서 는 설치 하 지 않 아도 좋 다 .