한편 , 상기 제 1 서브 셀 스트링 은 생략 될 수 있 다 . 즉 , 상기 반도체 기판 ( 100 ) 에 는 스트링 선택 트랜지스터 및 접지 선택 트랜지스터 만 이 형성 될 수 도 있 다 . 이 경우 에 , 상기 제 1 스트링 근접 단자 ( 135 ca ) 은 그대로 형성 되 어 상기 스트링 선택 트랜지스터 의 소스 영역 으로 사용 된다 . 이 와 마찬가지 로 , 상기 제 1 접지 근접 단자 ( 135 cb ) 은 그대로 형성 되 어 상기 접지 선택 트랜지스터 의 드레 인 영역 으로 사용 된다 . 또한 , 이 경우 에 , 상기 제 1 , 제 2 및 제 3 스트링 근접 단자 들 ( 135 ca , 135 ca '," 135 ca "") 은 상기 제 1 및 제 2 스트링 근접 플러그 들 ( 137 a ", 137 a ') 및 제 1 및 제 3 접속 도핑 영역 들 ( 139 a , 139 a ') 이외 에 다른 연결 구조 ( 예컨대 , 콘 택 플러그 들 및 국부 배선 들 ) 로 접속 될 수 있 다 . 이 와 마찬가지 로 , 상기 제 1 , 제 2 및 제 3 접지 근접 단자 들 ( 135 cb , 135 cb '," 135 cb "") 도 상기 제 1 및 제 2 접지 근접 플러그 들 ( 137 b ", 137 b ') 및 제 2 및 제 4 접속 도핑 영역 들 ( 139 b , 139 b ') 이외 에 다른 연결 구조 ( 예컨대 , 콘 택 플러그 들 및 국부 배선 들 ) 로 접속 될 수 있 다 .