본 실시 예 에서 , 상기 발광 적 층 체 ( S ) 는 하부 콘 택 층 ( 53 ) 과 , 상기 하부 콘 택 층 ( 53 ) 의 일부 영역 위 에 위치 하 는 메사 구조 ( M ) 를 포함 한다 . 상기 제 1 전극 구조 ( P 1 ) 는 상기 메사 구조 ( M ) 가 없 는 상기 하부 콘 택 층 ( 53 ) 의 상부 에 형성 되 며 , 상기 제 2 전극 구조 ( P 2 ) 는 상기 메사 구조 ( M ) 의 상부 에 형성 된다 . 본 실시 예 에서 , 상기 하부 콘 택 층 ( 53 ) 은 , n 형 반도체 층 으로서 , 그 상부 노출 영역 은 n 형 영역 을 한정 하 다 . 본 실시 예 에서 , 상기 메사 구조 ( M ) 는 , 상기 하부 콘 택 층 ( 53 ) 상 에 위치 하 는 활성 층 , 상부 콘 택 층 으로서 의 p 형 반도체 층 , 그리고 투명 전극 층 을 포함 한다 . 본 실시 예 에서 는 , 발광 적 층 체 ( S ) 의 상부 에 투명 전극 층 이 존재 하 고 , 그 투명 전극 층 이 메사 구조 ( M ) 의 최상층 을 구성 한다 . 그러나 , 투명 전극 층 의 없이 반도체 로 이루어진 상부 콘 택 층 이 메사 구조 의 최상층 인 경우 도 고려 될 수 있 을 것 이 다 .