이상 과 같 은 기본 구조 에서 , 제 1 전극 ( 12 ) 상 에 는 상호 간 소정 간격 을 두 고 격벽 절연 층 ( 18 a ) 과 연결 전극 절연 층 ( 18 b ) 이 형성 되 며 , 격벽 절연 층 ( 18 a ) 상 에 는 발광 부 의 영역 을 구분 하 는 격벽 ( I ) 이 , 연결 전극 절연 층 ( 18 b ) 상 에 는 전술 한 격벽 ( I ) 보다 높 게 스 페이서 ( S ) 가 형성 되 어 있 었 다 . 또한 , 격벽 ( I ) 과 스 페이서 ( S ) 가 형성 된 구조 상 에 유기 발광 층 ( 14 ) 과 제 2 전극 ( 16 ) 이 적층 되 어 연결 전극 ( C ) 이 완성 되 었 다 .