도 14 내지 도 18 은 전술 한 실시 예 에서 설명 한 실리콘 반도체 기판 에 스루홀 전극 을 형성 하 는 단계 들 을 도시 하 는 단면도 이 다 . 도 14 내지 도 18 에서 , 실리콘 반도체 기판 ( 10 ) 의 상부 면 이 제 2 주면 이 고 실리콘 반도체 기판 ( 10 ) 의 하 부면 이 제 1 주면 이 라는 점 에 주목 한다 . 도 14 에 도시 한 바 와 같이 , 실리콘 반도체 기판 ( 10 ) 에 스루홀 ( 43 ) 을 형성 한다 . 후속 하 여 , 도 15 에 도시 한 바 와 같이 , 스루홀 ( 43 ) 내 에 그리고 제 2 주면 상 에 절 연막 ( 22 ) 을 형성 한다 .