도 14 c 에 도시 한 바 와 같이 , 초기 제 1 절연 층 ( IL 1 - A ) 상 에 제 1 제어 전극 ( CE 1 ) 을 형성 한다 . 보다 구체 적 으로 , 제 1 제어 전극 ( CE 1 ) 을 평면 상 에서 초기 제 1 반도체 패턴 ( SP 1 - A ) 과 중첩 하 도록 형성 한다 . 제 1 제어 전극 ( CE 1 ) 은 초기 제 1 절연 층 ( IL 1 - A ) 상 에 도전 층 ( 미 도시 ) 을 형성 한 후 , 도전 층 을 패 터닝 하 는 방법 으로 형성 될 수 있 다 . 다만 , 제 1 제어 전극 ( CE 1 ) 을 형성 하 는 방법 이 이 에 한정 되 는 것 은 아니 다 .