또한 , 종래 의 반도체 장치 의 제조 방법 에서 는 , 자유 캐리어 ( 정공 ) 가 실리콘 기판 표면 에서 재결합 하 는 것 을 방지 하 기 위해서 , 베이스 영역 상면 의 절 연막 을 균일 한 막 두께 로 얇 게 형성 한다 . 그 를 위해 , 절 연막 을 2 층 구조 로 하 고 , 각각 의 절 연막 에 개구부 를 형성 하 고 , 에 미터 인출 전극 및 에 미터 전극 을 형성 한다 . 즉 , 제조 공정 이 복잡 하 게 되 어 , 제조 코스트 도 증대 된다고 하 는 문제 가 있 다 .