여기 서 기재 하 는 미결정 반도체 막 이란 , 비정질 과 결정 구조 ( 단결정 , 다 결정 을 포함 함 ) 의 중간 적 인 구조 의 반도체 를 포함 하 는 막 이 다 . 이 반도체 는 자유 에너지 적 으로 안정 된 제 3 상태 를 갖 는 반도체 로서 , 단거리 질서 를 갖 고 격자 왜곡 을 갖 는 결정질 의 것 이 고 , 입자 직경 이 0 . 5 nm 내지 100 nm , 바람직 하 게 는 1 nm 내지 20 nm 의 기둥 형상 혹은 침상 ( 針狀 ) 의 결정 이 기판 표면 에 대하 여 법선 ( normal ) 방향 으로 성장 한다 . 또한 , 복수 의 미결정 반도체 사이 에 비단 결정 반도체 가 존재 한 다 . 미결정 반도체 의 대표 적 인 예 인 미결정 실리콘 은 그 라만 스펙트럼 이 단결정 실리콘 을 나타내 는 520 cm - 1 보다 도 저 파수 ( 低 波數 ) 측 으로 시프트 ( shift ) 한다 . 즉 , 단결정 실리콘 을 나타내 는 520 cm - 11 와 비정질 실리콘 을 나타내 는 480 cm - 1 사이 에 미결정 실리콘 의 라만 스펙트럼 의 피크 가 있 다 . 또한 , 미 결합수 ( 未 結合 手 ) ( 댕 글 링 본드 ( dangling bond ) ) 를 종단 하 기 위하 여 수소 혹은 할로겐 을 적어도 1 at . % 혹은 그 이상 함유 시킨다 . 또한 , 헬륨 , 아르곤 , 크립톤 , 네온 등 의 희소 가스 원소 를 함유 시켜 격자 왜곡 을 더욱 촉진 함 으로써 , 안정 성 이 높 아 지 고 양호 한 미결정 반도체 막 을 얻 을 수 있 다 . 이러 한 미결정 반도체 막 에 관한 기재 는 , 예 를 들 어 , 미국 특허 4 , 409 , 134 호 에 개시 된다 .