여기 서 박막 트랜지스터 ( T ) 는 게이트 배선 ( 22 ) 으로부터 돌출 되 어 형성 되 는 게이트 전극 ( 40 ) 과 , 전면 에 형성 된 게이트 절 연막 ( 도시 되 지 않 음 ) 과 , 게이트 전극 ( 40 ) 상측 의 게이트 절 연막 위 에 형성 되 는 액티브 층 ( 33 ) 과 , 데이터 배선 ( 21 ) 으로부터 돌출 되 어 형성 되 는 소오 스 전극 ( 37 ) 과 상기 소오 스 전극 ( 37 ) 과 일정 한 간격 을 갖 고 형성 되 는 드레 인 전극 ( 38 ) 으로 구성 된다 .