기존 에 제안 된 한 가지 해결책 은 , 전면 상 에서 수행 되 는 프로세싱 단계 에서 금속 접촉 부 를 제공 하 고 , 그 후 박 형 화 된 실리콘 에서 후면 으로부터 넓 고 깊 은 개구 를 잘라 내 어 이 들 금속 접촉 부 를 노출 시키 는 것 이 다 . 그 다음 , 솔 더 와이어 가 이 들 개구 안 의 금속 접촉 부 에 솔 더 링 될 수 있 다 . 하지만 , 이 는 종종 넓 은 개구 ( 통상 적 으로 120 내지 180 마이크로미터 의 폭 ) 의 제공 을 필요 로 한다 . 그러면 , 이러 한 방식 으로 형성 된 단자 들 의 총 폭 은 종래 의 CMOS 전자 회로 의 접촉 단자 들 에 대해 종래 제공 된 폭 ( 통상 적 으로 , 60 마이크로미터 폭 의 단자 로 충분 하 다 ) 보다 훨씬 더 크 다 .