배선 변경 영역 ( T 1 ) 에 는 , 도 6 에 나타내 듯이 , 게이트 배선 층 에 의해 형성 된 배선 인 보조 용량 배선 ( 11 b ) 과 소스 배선 층 에 의해 형성 된 배선 ( 소스 배선 ( 16 a ) 을 형성 하 는 제 1 도전 층 ( 14 a ) 및 제 2 도전 층 ( 15 a ) 에 의해 형성 된 배선 ) 이 접속 되 는 복수 의 접속 영역 ( 32 ) 이 형성 되 며 , 각 접속 영역 ( 32 ) 은 , 도 7 에 나타내 듯이 , 절연 기판 ( 10 a ) 상 에 형성 되 고 게이트 배선 층 에 의해 형성 된 배선 에 의해 형성 된 보조 용량 배선 ( 11 b ) 과 , 보조 용량 배선 ( 11 b ) 을 피복 하 도록 형성 된 게이트 절연 층 ( 12 ) 과 , 게이트 절연 층 ( 12 ) 상 에 형성 되 고 제 1 도전 층 ( 14 a ) 및 제 2 도전 층 ( 14 b ) 에 의해 형성 된 배선 과 , 상기 배선 상 에 형성 된 층간 절 연막 ( 17 ) 과 , 층간 절 연막 ( 17 ) 을 피복 하 도록 형성 된 평탄 화 막 ( 18 ) 을 구비 한다 .