따라서 연마 저지 막 ( 108 ) , 제 1 도 전막 ( 106 ) , 플로팅 게이트 막 ( 104 ) 및 터널 산화 막 ( 102 ) 은 각각 연마 저지 막 패턴 ( 108 a ) , 예비 제 1 도 전막 패턴 ( 106 a ) , 예비 플로팅 게이트 ( 104 a ) 및 터널 산화 막 패턴 ( 102 a ) 으로 변화 된다 . 또한 반도체 기판 ( 100 ) 의 상부 에 는 그루브 ( 10 ) 가 형성 된다 .