도 4 는 , 본 발명 에 따른 보텀 게이트 형 TFT 를 이용 한 유기 EL 표시 장치 의 단면 모식도 이 다 . 도 4 에서 , 우선 , 절연 기판 ( 1 ) 위 에 게이트 전극 배선 ( 6 ) 으로서 Nb 막 을 스퍼터링 에 의해 성막 하 고 포토 리소그래피 를 이용 하 여 가공 하 였 다 . 이 위 에 , 게이트 절연 층 ( 5 ) 으로서 SiO 2 막 을 , TEOS 를 이용 한 PECVD 에 의해 성막 하 였 다 . 그 위 에 , 반응 열 CVD 를 이용 하 여 다결정 SiGe 막 을 형성 하 였 다 .