리 세스 구조 의 형성 방법 에 있 어서 , 기판 에 제 1 리세 스 를 형성 하 고 , 제 1 리세 스 의 측벽 상 에 보호막 패턴 을 형성 한다 . 보호막 패턴 을 식각 마스크 로 이용 하 여 제 1 리세 스 의 저면 을 통해 노출 되 는 기판 을 식각 하 여 제 1 리세 스 에 연통 되 며 , 제 1 리세 스 보다 큰 폭 을 갖 는 제 2 리세 스 를 형성 한다 . 제 2 리세 스 의 저면 을 통해 노출 되 는 기판 을 식각 하 여 제 2 리세 스 에 연통 되 며 , 제 2 리세 스 보다 작 은 폭 을 갖 는 제 3 리세 스 를 형성 한다 .