도 20 은 일단 접착제 층 ( 217 ) 이 형성 되 면 , 장벽 층 ( 223 ) 이 접착제 층 ( 217 ) 위 에 퇴적 될 수 있 음 을 추가 로 도시 한다 . 일 실시 예 에서 , 장벽 층 ( 223 ) 은 TiN , Ti , TiAlN , TaC , TaCN , TaSiN , Mn , Zr , TaN , Ru , Mo , WN , 기타 금속 산화물 , 금속 질화물 , 금속 실리케이트 , 전이 금속 산화물 , 전이 금속 질화물 , 전이 금속 실리케이트 , 금속 의 산질 화물 , 금속 알 루미 네이트 , 지르코늄 실리케이트 , 지르코늄 알 루미 네이트 , 이 들 의 조합 등 과 같 은 금속 물질 로 형성 될 수 있 다 . 부가 적 으로 , 장벽 층 ( 223 ) 은 원자 층 퇴적 , 화학 적 기상 퇴적 , 스퍼터링 등 과 같 은 퇴적 공정 을 사용 하 여 약 5 Å 내지 약 200 Å 의 두께 로 퇴적 될 수 있 지만 , 임의 의 적합 한 퇴적 공정 또는 두께 가 사용 될 수 있 다 .