또 다른 대안 예 에서 , 메모리 셀 들 ( 140 ) 의 방위 는 이 들 의 애노드 들 및 캐소드 들 이 상호 교환 되게 반대 가 될 수 도 있 다 . PMOS 트랜지스터 들 은 NMOS 트랜지스터 들 로 또는 그 반대 로 대체 될 수 도 있 다 . 따라서 , 선택 및 비 선택 전압 들 은 극성 이 반대 가 될 수 도 있 다 . 또 다른 대안 예 에서 , 상부 및 하부 단일 장치 드라이버 들 , 및 이중 장치 드라이버 들 은 선택 적 으로 풀 업 또는 풀 다운 저항기 들 로 구성 될 수 도 있 다 .