동작 시 , 적절 한 전압 및 / 또는 전류 신호 ( 예 를 들 어 , 펄스 ) 는 어레이 ( 100 ) 의 위상 변화 메모리 셀 에 데이터 를 기록 하 거나 및 / 또는 이 메모리 셀 로부터 데이터 를 판독 하 기 위하 여 비트 라인 ( 107 - 0 , 107 - 1 , ..., 107 - M ) 과 워드 라인 ( 105 - 0 , 105 - 1 , ..., 105 - N ) 에 인가 될 수 있 다 . 일례 로서 , 어레이 ( 100 ) 의 위상 변화 메모리 셀 에 의해 저장 된 데이터 는 액세스 디바이스 ( 101 ) 를 턴 온 하 고 위상 변화 요소 ( 103 ) 를 통과 하 는 전류 를 감지 하 는 것 에 의해 결정 될 수 있 다 . 판독 되 는 메모리 셀 과 연관 된 비트 라인 에서 감지 된 전류 는 위상 변화 요소 ( 103 ) 의 저항 레벨 에 대응 하 고 이 는 특정 데이터 값 ( 1 , 0 , 001 , 111 , 1011 등 과 같 은 이진 값 ) 에 대응 한다 .