도 1 에 도시 된 바 와 같이 , 본 발명 의 고립 형 전해질 시스템 은 지 지체 ( substrate ) ( 10 ) 위 에 여러 개 의 전해질 ( 25 ) 을 고립 된 형태 로 패 터닝 하 여 형성 하 고 전극 ( 20 , 22 ) 을 각각 의 전해질 의 측벽 과 상단 에 걸쳐서 형성 할 수 있 다 . 또한 , 도 2 에 도시 된 바 와 같이 , 여러 개 의 전해질 ( 25 ) 을 고립 된 형태 로 지 지체 ( 10 ) 위 에 패 터닝 하 고 , 전극 ( 20 , 22 ) 을 각 전해질 의 상단 에 만 형성 할 수 있 다 .