( 3 ) 탄소 나노 튜브 네트워크 층 을 갖 는 박리 성 기판 은 탄소 나노 튜브 분산매 및 필요 에 따라 분산제 를 포함 하 는 탄소 나노 튜브 가 포함 된 분 산액 을 박리 성 기판 표면 에 도포 · 건조 하 고 , 잔류 하 는 분산제 및 기타 첨가제 를 온 수 또는 탄소 나노 튜브 의 분산 에 사용 한 분산매 를 사용 하 여 세정 · 제거 하 여 표면 에 탄소 나노 튜브 의 연속 적 인 삼차원 네트워크 층 으로 한 상기 ( 1 ) 또는 ( 2 ) 에 기재 된 탄소 나노 튜브 가 포함 된 전도체 의 제조 방법 .