일부 실시 예 에서 , 안정 화 층 ( 23 ) 은 열 팽창 계수 가 비교 적 큰 물질 을 포함 할 수 있 다 . 안정 화 층 ( 23 ) 은 예 를 들 어 TiN , MoN , Mo , Al 2 O 3 , AlN , W , WN , WCN , La , LaO , LaN , TiAlN , TiON 또는 이 들 의 조합 을 포함 할 수 있 으나 , 이 에 제한 되 는 것 은 아니 다 . 안정 화 층 ( 23 ) 의 두께 는 약 1 Å 내지 약 30 Å , 예컨대 약 5 Å 내지 약 20 Å 일 수 있 으나 , 이 에 제한 되 지 않 는다 . 안정 화 층 ( 23 ) 이 MoN 와 같 은 비교 적 큰 일함수 를 가지 는 물질 을 포함 하 고 트랜지스터 ( TR ) 가 p 형 트랜지스터 인 경우 트랜지스터 ( TR ) 의 문턱 전압 제어 가 용이 할 수 있 다 . 반면 , 안정 화 층 ( 23 ) 이 비교 적 작 은 일함수 를 가지 는 물질 을 포함 하 고 트랜지스터 ( TR ) 가 n 형 인 경우 트랜지스터 ( TR ) 의 문턱 전압 제어 가 용이 할 수 있 다 .