도 3 을 참조 하 여 , 구성 ( 10 b ) 는 베이스 ( 52 ) 위 에 교번 하 는 제 1 레벨 ( 62 ) 및 제 2 레벨 ( 64 ) 의 수직 스택 ( 60 ) 을 포함 하 도록 형성 된다 . 제 1 레벨 ( 62 ) 은 제 1 재료 ( 66 ) 를 포함 하 고 , 제 2 레벨 ( 64 ) 은 제 2 재료 ( 68 ) 를 포함 한다 . 제 1 및 제 2 재료 ( 66 및 68 ) 는 임의 의 적절 한 조성물 또는 조성물 들 의 조합 을 포함 할 수 있 다 . 후속 프로세싱 ( 도 6 을 참조 하 여 후술 됨 ) 에서 , 전하 - 트랩 핑 재료 ( 44 ) 는 제 1 재료 ( 66 ) 에 비해 제 2 재료 ( 68 ) 를 따라 선택 적 으로 형성 된다 . 일부 실시 예 에서 , 제 1 재료 ( 66 ) 는 실리콘 이 산화물 을 포함 하 고 , 따라서 , 도 1 및 도 2 의 절연성 레벨 ( 18 ) 과 동일 한 재료 ( 26 ) 를 포함 한다 ; 제 2 재료 ( 68 ) 는 반도체 재료 ( 예 를 들 어 , 실리콘 , 게르마늄 등 ) 를 포함 한다 . 일부 예시 적 인 실시 예 에서 , 제 1 재료 ( 66 ) 는 실리콘 이 산화물 을 포함 하 거나 , 이 들 로 본질 적 으로 구성 되 거나 , 이 들 로 구성 될 수 있 다 ; 제 2 재료 ( 68 ) 는 실리콘 ( 예 를 들 어 , 다 결정 실리콘 , 아몰 퍼스 실리콘 , 단결정 실리콘 ) 을 포함 하 거나 , 이 들 로 본질 적 으로 구성 되 거나 , 이 들 로 구성 될 수 있 다 .