상기 분리 소자 ( 700 ) 는 상기 구동 회로 의 형성 공정 및 상기 발광 소자 ( 500 ) 의 형성 공정 을 이용 하 여 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 상기 분리 소자 들 ( 700 ) 은 상기 분리 영역 ( SA ) 상 에 상기 제 1 층간 절 연막 ( 240 ) , 상기 제 1 중간층 ( 121 ) , 상기 제 2 중간층 ( 122 ) , 상기 분리 절 연막 ( 130 ) , 상기 제 2 층간 절 연막 ( 340 ) 및 상기 제 2 오버 코트 층 ( 160 ) 을 증착 하 는 공정 및 마스크 패턴 을 이용 하 여 상기 제 1 중간층 ( 121 ) , 상기 제 2 중간층 ( 122 ) , 상기 분리 절 연막 ( 130 ) , 상기 제 2 층간 절 연막 ( 340 ) , 상기 제 2 중간 절 연막 ( 140 ) 및 상기 제 2 오버 코트 층 ( 160 ) 을 순차 적 으로 식각 하 는 공정 을 포함 할 수 있 다 . 상기 제 1 광폭 패턴 ( 711 ) 은 상기 분리 영역 ( SA ) 상 에 형성 된 상기 제 1 중간층 ( 121 ) 의 식각 공정 에 의해 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 상기 제 1 광폭 패턴 ( 711 ) 은 실리콘 산화물 계 ( SiOx ) 물질 을 포함 할 수 있 다 . 상기 제 1 협 폭 패턴 ( 721 ) 은 상기 분리 영역 ( SA ) 상 에 형성 된 상기 제 2 중간층 ( 122 ) 의 식각 공정 에 의해 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 상기 제 1 협 폭 패턴 ( 721 ) 은 실리콘 질화물 계 ( SiNx ) 물질 을 포함 할 수 있 다 . 상기 제 2 광폭 패턴 ( 712 ) 은 상기 분리 영역 ( SA ) 상 에 형성 된 상기 분리 절 연막 ( 130 ) 및 상기 제 2 층간 절 연막 ( 340 ) 의 식각 공정 에 의해 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 상기 제 2 광폭 패턴 ( 712 ) 은 실리콘 산화물 계 ( SiOx ) 물질 을 포함 할 수 있 다 . 상기 제 2 광폭 패턴 ( 712 ) 의 하부 광폭 층 ( 712 a ) 및 상부 광폭 층 ( 712 b ) 의 적층 구조 일 수 있 다 . 상기 제 2 협 폭 패턴 ( 722 ) 은 상기 분리 영역 ( SA ) 상 에 형성 된 상기 제 2 중간 절 연막 ( 140 ) 의 식각 공정 에 의해 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 상기 제 2 협 폭 패턴 ( 722 ) 은 실리콘 질화물 계 ( SiNx ) 물질 을 포함 할 수 있 다 . 상기 제 3 광폭 패턴 ( 713 ) 은 상기 분리 영역 ( SA ) 상 에 형성 된 상기 제 1 오버 코트 층 ( 150 ) 의 식각 공정 에 의해 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 상기 제 3 광폭 패턴 ( 713 ) 은 유기 절연 물질 을 포함 할 수 있 다 . 이 에 따라 , 본 발명 의 실시 예 에 따른 디스플레이 장치 에서 는 상기 분리 소자 들 ( 700 ) 의 형성 공정 에 의한 공정 효율 의 저하 가 최소 화 될 수 있 다 .