각 반응 실은 형성 하 는 박막 의 종류 에 따라서 구분 되 어 있 다 . 예 를 들 면 , 제 1 반응 실 ( 400 a ) 은 게이트 절 연막 등 의 절 연막 을 성막 하 고 , 제 2 반응 실 ( 400 b ) 은 , 도너 가 되 는 불순물 원소 를 포함 하 는 미결정 반도체 막 을 성막 하 고 , 제 3 반응 실 ( 400 c ) 은 박막 트랜지스터 의 고저 항 영역 이 되 는 버퍼 층 을 성막 하 고 , 제 4 반응 실 ( 400 d ) 은 소스 및 드레 인 을 형성 하 는 1 도 전형 을 부여 하 는 불순물 원소 가 첨가 된 불순물 반도체 막 을 성막 하 는 반응 실 로서 충당 된다 . 물론 , 반응 실 의 수 는 이것 에 한정 되 는 것 이 아니 라 , 필요 에 따라서 임의 로 증감 할 수 있 다 .