도 3 g 및 도 5 를 참조 하 면 , 상기 전하 저 장막 ( 207 ) 이 다 결정 실리콘 으로 형성 되 는 경우 에 , 상기 스트링 선택 , 셀 및 접지 선택 마스크 패턴 들 ( 255 a , 220 c , 255 b ) 을 식각 마스크 로 사용 하 여 캐 핑 막 ( 213 ) , 제 어 게이트 도전 막 ( 211 ) , 블로킹 절 연막 ( 209 ) 및 전 하저 장막 ( 207 ) 을 연속 적 으로 패 터닝 하 여 스트링 선택 라인 ( SSL ) , 워드 라인 들 ( WL ) 및 접지 선택 라인 ( GSL ) 을 형성 한다 . 상기 스트링 선택 라인 ( SSL ) 은 상기 스트링 선택 마스크 패턴 ( 255 a ) 아래 에 형성 되 고 , 상기 워드 라인 들 ( WL ) 은 각각 상기 셀 마스크 패턴 들 ( 220 c ) 아래 에 형성 된다 . 상기 접 지 선택 라인 ( GSL ) 은 상기 접지 선택 마스크 패턴 ( 255 b ) 아래 에 형성 된다 . 이 경우 에 , 상기 제어 게이트 도전 막 ( 211 ) 을 형성 하 게 전 에 , 상기 스트링 선택 라인 ( SSL ) 및 접지 선택 라인 ( GSL ) 이 형성 되 는 영역 들 의 상기 블로킹 절 연막 ( 111 ) 을 관통 하 는 홀 들 을 형성 할 수 있 다 . 이 로써 , 상기 스트링 선택 라인 ( SSL ) 내 제어 게이트 도전 막 ( 211 ) 의 일부 및 전하 저 장막 ( 207 ) 의 일부 는 상기 홀 을 통하 여 서로 접속 될 수 있 다 . 이 와 마찬가지 로 , 상기 접 지 선택 라인 ( GSL ) 내 제어 게이트 도전 막 ( 211 ) 의 일부 및 전하 저 장막 ( 207 ) 의 일부 도 상기 홀 을 통하 여 서로 접속 될 수 있 다 .