핵 생성 과정 은 350 mA 의 전류 밀도 에서 일정 시간 동안 전기 도 금한다 . 이러 한 균일 핵 생성 과정 에 의하 면 , 한계 전류 밀도 에 가까운 전류 밀도 로 도금 을 실시 하 여 세라믹 초전도체 표면 에 성장 핵 을 최대한 형성 하 게 된다 . 이어서 , 코팅 층 성장 과정 에서 는 96 mA 의 전류 밀도 에서 일정 시간 동안 전기 도 금하 여 Cu 코팅 층 을 성장 시키 며 , 코팅 층 성장 과정 을 통해 초전도체 표면 에 Cu 코팅 층 을 코팅 하 여 입힌다 .