상기 또 다른 목적 을 달성 하 기 위하 여 , 본 발명 에 따른 박막 트랜지스터 용 접합 구조 의 제조 방법 에서 는 기판 상 에 ( ZnS ) 1 - x ( SiC ) x , W 1 - xCx , Ta 1 - xCx 및 Mo 1 - xCx ( 0 < x < 1 ) 으로 이루어지 는 군 에서 선택 되 는 하나 의 탄화물 로 이루어지 는 제 1 보호막 을 형성 한다 . 상기 제 1 보호막 위 에 ( MC ) 1 - xMx ( M 은 Si , Ta , W 또는 Mo 이 고 , 0 < x < 1 ) 로 이루어지 는 광 산란 박막 을 형성 한다 . 상기 광산 란 박막 을 열처리 하 여 상기 광산 란 박막 내 에 상기 M 으로 이루어지 는 나노 입자 를 생성 시킨다 . 상기 광산 란 박막 위 에 ( ZnS ) 1 - x ( SiC ) x , W 1 - xCx , Ta 1 - xCx 및 Mo 1 - xCx ( 0 < x < 1 ) 으로 이루어지 는 군 에서 선택 되 는 하나 의 탄화물 로 이루어지 는 제 2 보호막 을 형성 한다 .