본 발명 은 간단 하 게 , 저 전력 으로 , 단시간 에 , 양호 한 전자 방출 특성 을 얻 을 수 있 는 간극 을 형성 할 수 있 는 방법 을 제공 하 는 것 을 목적 으로 한다 . 제 1 입자 와 상기 제 1 입자 의 저항 보다 낮 은 저항 을 구비 한 제 2 입자 를 함유 한 도전 성막 에 전류 를 흐르 게 함 으로써 , 상기 도전 성막 의 일부 에 간극 을 형성 하 는 공정 을 포함 한 전자 방출 소자 의 제조 방법 이 고 , 상기 막 에 포함 되 는 상기 제 1 입자 의 비율 이 2 ％ 이상 30 ％ 이하 이 며 , 상기 제 1 입자 의 저항 율 과 상기 제 2 입자 의 저항 율 의 비 가 5 이상 1000 이하 인 것 을 특징 으로 한다 .