상기 기술 적 과제 를 달성 하 기 위한 본 발명 에 의한 다중 채널 을 갖 는 반도체 소자 의 제조 방법 은 먼저 반도체 기판 상 에 제 1 방향 으로 연장 되 며 소정 의 폭 을 가지 는 희생 물질 층 및 제 1 반도체 층 을 순차 적 으로 형성 한다 . 그 후 , 상기 희생 물질 층 을 덮 으면서 , 상기 희생 물질 층 상 에 소정 의 두께 를 갖 도록 상기 반도체 기판 과 상기 희생 물질 층 상 에 제 2 반도체 층 을 형성 한다 . 상기 제 2 반도체 층 상 에 활성 영역 을 정의 하 는 마스크 층 을 형성 한다 . 상기 마스크 층 을 식각 마스크 로 하 여 상기 제 2 반도체 층 , 상기 희생 물질 층 및 상기 반도체 기판 의 일부 를 제거 하 여 리세 스 영역 을 형성 한다 . 상기 희생 물질 층 을 제거 한다 . 상기 희생 물질 층 이 제거 된 부분 을 채워 부분 절연 층 을 형성 하 고 , 상기 리세 스 영역 을 채워 소자 분리 층 을 형성 한다 . 상기 마스크 층 을 상기 제 1 방향 을 따라 소정 의 폭 으로 제거 하 여 , 상기 제 2 반도체 층 의 상부 면 의 일부 를 노출 시키 는 개구부 를 형성 한다 . 상기 노출 된 제 2 반도체 층 의 일부 를 제거 하 여 , 상기 부분 절연 층 상 에 접촉 하 며 , 상기 제 1 방향 으로 는 서로 이격 되 고 상기 제 1 방향 과 소정 의 각 을 이루 는 제 2 방향 으로 는 적어도 둘 이상 의 브릿지 형태 를 갖 는 채널 층 을 형성 한다 . 상기 부분 절연 층 에 접촉 하 지 않 는 상기 채널 층 을 둘러싸 는 게이트 절연 층 을 형성 한다 . 상기 부분 절연 층 에 접촉 하 지 않 는 상기 게이트 절연 층 을 둘 러 싸 는 게이트 전극 층 을 형성 한다 .