본 발명 의 일 실시 예 에 의한 HEMT 의 제조 방법 은 적어도 2 DEG 채널 을 포함 하 고 , 소스 , 드레 인 및 게이트 전극 을 포함 하 는 HEMT 의 제조 방법 에 있 어서 , 기판 상 에 채널 형성 층 및 채널 공급 층 을 순차 적 으로 적층 하 는 단계 , 상기 채널 공급 층 상 에 상기 소스 및 드레 인 전극 을 이격 되게 형성 하 는 단계 , 상기 소스 및 드레 인 사이 의 상기 채널 공급 층 전체 를 덮 고 상기 소스 전극 과 상기 드레 인 전극 을 덮 는 절연 층 을 형성 하 는 단계 및 상기 절연 층 상 에 상기 게이트 전극 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 고 , 상기 게이트 전극 을 형성 하 는 단계 에서 상기 게이트 전극 의 일부 를 상기 소스 전극 위 에 형성 한다 .