이상 에서 설명 한 바 와 같이 본 발명 에 따른 플 래쉬 메모리 의 제조 방법 은 플 라즈 마 를 이용 한 아 싱 또는 플 라즈 마 를 이용 한 아 싱 과 습식 클리닝 을 이용 하 여 사진 공정 후 감광막 을 제거 하 던 방식 에 비해 메모리 셀 주변 의 모바일 이온 ( Na +, K + 등 ) 발생 을 효과 적 으로 억제 함 으로써 플 래쉬 메모리 의 프로그램 , 이 레이즈 구동 및 데이터 보존 특성 의 향상 효과 를 얻 을 수 있 다 .