그러나 , 도 1 a 에 도시 된 바 와 같이 , 셀 ( cell ) 영역 의 채널 길이 를 확보 하 기 위한 반도체 기판 ( 110 a ) 의 식각 공정 시 , 즉 , 홈 을 형성 하 기 위한 반도체 기판 의 식각 공정 시 , 소자 분리 막 ( 120 a ) 의 일부분 도 식각 되 어 지 는데 , 통상 적 으로 , 소자 분리 막이 ( 120 a ) 식각 되 는 깊이 는 홈 ( H ) 의 깊이 대비 1 / 3 ∼ 1 / 2 수준 까지 식각 되 어 지 고 있 다 .