상기 버퍼 층 ( 213 ) 위 에 는 제 1 도전 형 반도체 층 ( 215 ) 이 형성 될 수 있 다 . 상기 제 1 도전 형 반도체 층 ( 215 ) 은 제 1 도전 형 도 펀트 가 도핑 된 3 족 - 5 족 화합물 반도체 로 구현 되 며 , 예컨대 InxAlyGa 1 - x - yN ( 0 ≤ x ≤ 1 , 0 ≤ y ≤ 1 , 0 ≤ x + y ≤ 1 ) 의 조성식 을 갖 는 반도체 재료 로 형성 될 수 있 다 . 상기 제 1 도전 형 반도체 층 ( 215 ) 이 N 형 반도체 층 인 경우 , 상기 제 1 도전 형 의 도 펀트 는 N 형 도 펀트 로서 , Si , Ge , Sn , Se , Te 를 포함 한다 .