한편 , 전자 수송 성 이 높 은 물질 에 공 여체 특성 을 갖 는 물질 이 첨가 된 구조 를 사용 하 는 경우 , 전자 수송 성 이 높 은 물질 로서 , 예 를 들 면 , 트리스 ( 8 - 퀴놀리놀레이토 ) 알루미늄 ( III ) ( 약칭 : Alq ) , 트리스 ( 4 - 메틸 - 8 - 퀴놀리놀레이토 ) 알루미늄 ( III ) ( 약칭 : Almq 3 ) , 비스 ( 10 - 하이드 록 시 벤조 [ h ] 퀴놀리네이토 ) 베릴륨 ( II ) ( 약칭 : BeBq 2 ) 또는 비스 ( 2 - 메틸 - 8 - 퀴놀리놀레이토 ) ( 4 - 페닐 페놀 레 이토 ) 알루미늄 ( III ) ( 약칭 : BAlq ) 과 같 은 퀴놀린 골격 또는 벤조 퀴놀린 골격 을 갖 는 금속 착체 도 사용 할 수 있 다 . 추가 로 , 비스 [ 2 -( 2 '- 하이드 록 시 페닐 ) 벤즈 옥사 졸레 이토 ] 아연 ( II ) ( 약칭 : Zn ( BOX ) 2 ) 또는 비스 [ 2 -( 2 '- 하이드 록 시 페닐 ) 벤조 티 아 졸레 이토 ] 아연 ( II ) ( 약칭 : Zn ( BTZ ) 2 ) 과 같 은 옥사 졸계 리간드 또는 티 아졸 계 리간드 가 또한 사용 될 수 있 다 . 추가 로 , 금속 착체 이외 에 , 하 기 화합물 이 사용 될 수 도 있 다 : 2 -( 4 - 비페닐 릴 ) - 5 -( 4 - 3 급 - 부틸 페닐 ) - 1 , 3 , 4 - 옥사 디아졸 ( 약칭 : PBD ) ; 1 , 3 - 비스 [ 5 -( p - 3 급 - 부틸 페닐 ) - 1 , 3 , 4 - 옥사 디아졸 - 2 - 일 ] 벤젠 ( 약칭 : OXD - 7 ) ; 3 -( 비페닐 - 4 - 일 ) - 4 - 페닐 - 5 -( 4 - 3 급 - 부틸 페닐 ) - 1 , 2 , 4 - 트리아졸 ( 약칭 : TAZ ) ; 바소 페난트롤린 ( 약칭 : BPhen ) ; 바소 쿠 프로 인 ( 약칭 : BCP ) 등 . 본원 에 기술 된 물질 은 , 주로 10 - 6 cm 2 / Vs 이상 의 전자 이동도 를 갖 는 물질 이 다 . 정공 수송 성 보다 전자 수송 성 이 더 높 은 물질 이 기 만 하 다면 , 상기 물질 이외 의 물질 을 사용 할 수 있 음 을 유의 한다 .