기판 ( 110 ) 위 에 놓이 는 층 ( 120 - 140 ) 의 재료 는 여기 에 설명 된 다양 한 패턴 형성 및 패턴 전사 단계 를 위한 화학 특성 및 프로세스 조건 의 고려 에 기초 하 여 선택 된다 . 가장 위 에 있 는 선택 적 으로 정의 가능 한 층 ( 120 ) 과 기판 ( 110 ) 사이 의 층 들 이 선택 적 으로 정의 가능 한 층 ( 120 ) 에서 얻 어 진 패턴 을 기판 ( 110 ) 으로 전사 하 는 기능 을 하 기 때문 에 , 선택 적 으로 정의 가능 한 층 ( 120 ) 과 기판 ( 110 ) 사이 의 층 ( 130 - 140 ) 은 이 들 층 이 그 외 다른 노출 된 재료 에 대해 선택 적 으로 에칭 될 수 있 도록 선택 된다 . 재료 는 그 재료 의 에칭 속도 가 주위 재료 의 에칭 속도 보다 적어도 약 2 - 3 배 더 클 때 , 적어도 약 10 배 더 클 때 , 적어도 약 20 배 더 클 때 , 또는 적어도 약 40 배 더 클 때 , 선택 적 으로 고려 되 거나 우선 적 으로 에칭 된다는 것 을 알 수 있 을 것 이 다 . 제 1 하드 마스크 층 ( 140 ) 위 에 놓인 층 ( 120 - 130 ) 의 목적 은 잘 정의 된 패턴 이 그 층 ( 140 ) 내 에 형성 될 수 있 게 하 는 것 이 기 때문 에 , 하나 이상 의 층 ( 120 - 130 ) 은 적합 한 그 외 다른 재료 , 화학 적 특성 및 / 또는 프로세스 조건 이 사용 되 는 경우 에 생략 되 거나 대체 될 수 있 다는 것 을 알 수 있 을 것 이 다 . 예 를 들 어 , 기판 이 비교 적 단순 하 고 , 하드 마스크 층 ( 130 ) 에 대해 선택 적 으로 에칭 될 수 있 는 경우 에 , 제 1 하드 마스크 층 ( 140 ) 은 생략 될 수 있 고 , 패턴 은 하드 마스크 층 ( 130 ) 을 사용 하 여 기판 에 직접 전사 될 수 있 다 .