본 발명 은 웨이퍼 의 에지 부분 에 대해 이미지 를 획득 한 후 , 이미지 프로세싱 을 통해 이 를 긴 평면 으로 변환 한 후 소정 의 간격 으로 분할 하 여 단위 면적 로 나누 고 , 각각 의 단위 면적 에 대해 밝기 를 비교 함 으로써 다이 가 형성 되 지 않 은 웨이퍼 의 에지 부분 에 대해 결함 검사 를 실시 할 수 있 다 . 또한 , 다 이 가 형성 된 웨이퍼 의 내측 에서 실시 한 결함 검사 와 비교 하 여 보다 신속 하 고 정확 하 게 결함 소스 를 찾아낼 수 있 다 . 따라서 , 더욱 신뢰 성 있 는 반도체 소자 의 제조 가 가능 하 다 .