하지만 , 본 발명 은 포토 리소그래피 기술 의 포토레지스트 및 현상 공정 을 이용 하 면서 자외선 경화 방식 의 나노 임프 린트 리소그래피 기술 을 결합 한 CNP 공정 을 사용 하 므로써 잔류 층 제거 를 위한 반응 성 이온 식각 과정 을 생략 할 수 있 다 . 이 에 따라 포토 리소그래피 기술 또는 나노 임프 린트 리소그래피 기술 에 비해 비용 측면 이나 공정 시간 ( Turn Around Time ) 측면 에서 유리 하 다 .