상기 의 하부 보호막 ( 120 ) 상 에 상기 의 도핑 된 반도체 막 또는 전도 성 의 금속 막 을 형성 한 다음 감광막 을 도포 하 고 , 마스크 를 이용 한 사진 현상 공정 을 실시 하 여 감광막 패턴 을 형성 한다 . 이후 , 감광막 패턴 을 식각 마스크 로 하 는 식각 공정 을 실시 하 여 하부 보호막 ( 120 ) 상 의 도핑 된 반도체 막 또는 전도성 금속 막 의 일부 를 제거 하 여 제 1 하부 도전 막 ( 131 ) 을 형성 한다 . 상기 의 식각 은 건식 또는 습식 방식 의 모든 식각 공정 을 실시 할 수 있 다 . 물론 상기 제 1 하부 도전 막 ( 131 ) 을 패 터닝 하 지 않 고 , 쉐 도우 마스크 를 이용 한 증착 공정 을 통해 목표 로 하 는 제 1 하부 도전 막 ( 131 ) 을 형성 할 수 도 있 다 . 또한 , 상기 제 1 하부 도전 막 ( 131 ) 을 하부 보호막 ( 120 ) 상부 전 영역 에 형성 시킬 수 도 있 다 .