도 11 b 를 참조 하 면 , 도 10 b 및 10 c 와 동일 유사 하 게 워드 라인 컷 ( 332 ) 형성 , 제 2 희생 막 들 ( 321 - 324 ) 의 선택 적 습식 식각 으로 리세 스 영역 들 ( 326 ) 의 형성 . 리 세스 영역 ( 326 ) 내 에 제 2 정보 저 장막 ( 355 b ) 과 게이트 ( 365 ) 의 형성 공정 을 진행할 수 있 다 .