이 실시 예 에서 는 , 레지스 트 패턴 ( 14 ) 이 , 본 발명 의 레지스 트 조성물 을 이용 하 여 제조 한 레지스 트 패턴 이 다 . 또한 상관 절 연막 ( 12 ) 이 유전율 2 . 7 이하 의 저 유전율 재료 이 고 , 예컨대 다공질 실리카 막 ( 세라 메이트 NCS , 쇼 쿠바 이카 세이코 교 제조 , 유전율 2 . 25 ) , 혹은 , 예컨대 C 4 F 8 , C 2 H 2 혼합 가스 , 혹은 C 4 F 8 가스 를 소스 로서 이용 한 RFCVD 법 ( 파워 400 W ) 에 따라 퇴적 된 플 루 오로 카본 막 ( 유전율 2 . 4 ) 이 다 .