이상 과 같이 , 본 실시 형태 에서 는 , 트랜지스터 에 의하 여 발광 소자 의 구동 을 제어 하 는 액티브 매트릭스 형 의 발광 장치 에 대하 여 설명 했 지만 , 패시브 매트릭스 형 의 발광 장치 이 어도 좋 다 . 도 5 에 는 본 발명 을 적용 하 여 제조 한 패시브 매트릭스 형 의 발광 장치 를 나타낸다 . 또한 , 도 5 ( A ) 는 이 발광 장치 를 나타내 는 사시도 이 고 , 도 5 ( B ) 는 도 5 ( A ) 의 X - Y 선 에서 절단 한 단면도 이 다 . 도 5 에서 , 기판 ( 951 ) 위 에 는 , 전극 ( 952 ) 과 전극 ( 956 ) 과 의 사이 에 EL 층 ( 955 ) 이 제공 되 어 있 다 . 전극 ( 952 ) 의 단부 는 절연 층 ( 953 ) 으로 덮여 있 다 . 그리고 , 절연 층 ( 953 ) 위 에 는 격벽 층 ( 954 ) 이 제공 되 어 있 다 . 격벽 층 ( 954 ) 의 측벽 은 , 기판 면 에 가까워짐 에 따라 한쪽 측벽 과 다른 쪽 측벽 과 의 간격 이 좁 아 져 가 는 경사 를 가진다 . 즉 , 격벽 층 ( 954 ) 의 짧 은 변 방향 의 단면 은 사다리꼴 형상 이 고 , 바닥 변 ( 절연 층 ( 953 ) 의 면 방향 과 같 은 방향 으로 향하 고 , 절연 층 ( 953 ) 과 접하 는 변 ) 이 윗변 ( 절연 층 ( 953 ) 의 면 방향 과 같 은 방향 으로 향하 고 , 절연 층 ( 953 ) 과 접하 지 않 는 변 ) 보다 짧 다 . 이 와 같이 , 격벽 층 ( 954 ) 을 제공 함 으로써 , 음극 을 패 터닝 할 수 있 다 . 또한 , 패시브 매트릭스 형 의 발광 장치 에서 도 , 구동 전압 이 낮 은 본 발명 에 관한 발광 소자 를 포함 하 는 것 에 의해 , 소비 전력 이 낮 은 발광 장치 를 얻 을 수 있 다 .