도 2 h 에 도시 된 바 와 같이 , 상기 제 2 및 제 3 콘 택 홀 ( 32 , 33 , 34 ) 을 포함 하 는 상기 PMD 막 ( 27 ) 상 에 텅스텐 과 같 은 금속 물질 을 증착 한 다음 , 상기 PMD 막 ( 27 ) 이 노출 되 도록 CMP 공정 에 의해 평탄 화 하 여 상기 제 2 및 제 3 콘 택 홀 ( 32 , 33 , 34 ) 에 콘 택 ( 36 ) 이 형성 되 도록 한다 . 상기 콘 택 ( 36 ) 은 상기 배리어 금속 ( 30 ) 과 동일 한 금속 물질 ( 예컨대 , 텅스텐 ) 로 형성 될 수 도 있 고 또는 상이 한 금속 물질 로 형성 될 수 도 있 다 .