상술 한 조건 하 에서 웨이퍼 ( 200 ) 에 대하 여 SiH 3 R 가스 를 공급 함 으로써 , 도 5 의 ( d ) 에 도시 하 는 바 와 같이 , SiH 3 R 가스 에 포함 되 는 Si 의 하지 ( 200 a ) 의 표면 에 의 흡착 을 억제 하 면서 , SiH 3 R 가스 에 포함 되 는 Si 를 , 하 지 ( 200 b ) 의 표면 에 선택 적 ( 우선 적 ) 으로 흡착 시키 는 것 이 가능 하 게 된다 . 이때 , 보호막 ( 200 e ) 의 표면 에 도 SiH 3 R 가스 에 포함 되 는 Si 를 선택 적 ( 우선 적 ) 으로 흡착 시키 는 것 이 가능 하 게 된다 . 또한 , 이때 , 하 지 ( 200 a ) 의 표면 의 일부 에 SiH 3 R 가스 에 포함 되 는 Si 가 흡착 하 기 도 하 지만 , 그 흡착 량 은 , 하 지 ( 200 b ) 및 보호막 ( 200 e ) 각각 의 표면 에 의 Si 의 흡착 량 보다 도 소량 이 된다 . 이러 한 선택 적 ( 우선 적 ) 인 흡착 이 가능 하 게 되 는 것 은 , 본 스텝 에서 의 처리 조건 을 , 처리 실 ( 201 ) 내 에서 SiH 3 R 가스 가 기상 분해 하 지 않 는 조건 으로 하 고 있 기 때문 이 다 . 또한 , 하 지 ( 200 b ) 및 보호막 ( 200 e ) 각각 의 표면 이 전역 에 걸쳐 OH 종단 되 어 있 는 것 에 반해 , 하 지 ( 200 a ) 의 표면 의 대부분 의 영역 이 OH 종단 되 어 있 지 않 기 ( 표면 의 일부 영역 이 OH 종단 되 어 있 음 ) 때문 이 다 . 본 스텝 에서 는 , 처리 실 ( 201 ) 내 에서 SiH 3 R 가스 가 기상 분해 하 지 않 으므로 , 하 지 ( 200 a , 200 b ) 및 보호막 ( 200 e ) 각각 의 표면 에 는 , SiH 3 R 에 포함 되 는 Si 가 다중 퇴적 되 지 않 는다 . 본 스텝 에서 는 , 하 지 ( 200 b ) 및 보호막 ( 200 e ) 각각 의 표면 에서 는 , 표면 의 전역 에 형성 된 OH 종단 과 SiH 3 R 이 반응 하 여 , SiH 3 R 에 포함 되 는 Si 가 하 지 ( 200 b ) 및 보호막 ( 200 e ) 각각 의 표면 의 전역 에 화학 흡착 된다 . 이 에 반해 , 하 지 ( 200 a ) 의 표면 에서 는 , 표면 의 대부분 의 영역 에 OH 종단 이 존재 하 지 않 으므로 , 그 대부분 의 영역 에 는 , SiH 3 R 에 포함 되 는 Si 가 화학 흡착 되 지 않 는다 . 단 , 하 지 ( 200 a ) 의 표면 의 일부 영역 에 형성 된 OH 종단 과 SiH 3 R 이 반응 하 여 , SiH 3 R 에 포함 되 는 Si 가 , 그 일부 영역 에 화학 흡착 되 기 도 한다 . 또한 , SiH 3 R 에 포함 되 는 Si 가 하 지의 표면 에 화학 흡착 될 때 , Si 에 H 가 결합 한 상태 에서 화학 흡착 되 게 된다 .