본 발명 은 또한 상기 목적 을 달성 하 기 위하 여 , LLO 기법 을 사용 하 여 최초 성장 기판 인 사파이어 를 제거 한 후 에 건식 및 습식 에칭 을 통해서 고 성능 의 전자 및 광전자 소자 용 양질 의 질화 갈륨 계 반도체 다층 박막 구조 층 , 즉 제 2 에피 택 셜 적층 구조 ( first epitaxial stacking layer structure ) 를 성장 하 기 위해서 그룹 3 족 질화물 계 로 형성 된 제 1 에피 택 셜 적층 구조 의 평탄 화 및 표면 처리 공정 을 수행 한다 .