도 2 는 상기 구체 적 인 예 에 관계 되 는 SJ - MOS 트랜지스터 ( 90 ) 및 SJ - MOS 트랜지스터 ( 100 ) 에서 의 시뮬레이션 결과 를 예시 하 고 , 불순물 양 의 밸런스 에 대한 내압 의 의존 성 에 대해 SJ - MOS 트랜지스터 ( 90 ) 및 SJ - MOS 트랜지스터 ( 100 ) 를 비교 한다 . SJ - MOS 트랜지스터 ( 100 ) 의 ( Da - W 2 n ) / ( W 1 n + W 2 n ) 는 7 % 로 설정 된다 . 가로축 에서 의 불순물 양 의 밸런스 는 불순물 농도 의 편차 가 존재 한다는 가정 하 에 존재 한다 . N 형 칼럼 ( 20 n , 21 n ) 의 불순물 농도 를 일정 하 게 유지 하 고 , P 형 칼럼 ( 20 p , 21 p ) 의 불순물 농도 를 변화 시킴 으로써 이 편차 가 발생 된다 .