데이터 배선 ( 62 , 65 , 66 , 67 ) 및 반도체 층 ( 42 ) 의 상부 에 는 보호막 ( 71 , 171 ) 이 형성 되 어 있 다 . 이러 한 보호막 ( 71 ) 은 예 를 들 어 , 질화규소 ( SiNx ) 또는 산화 규소 ( SiOx ) 등 으로 이루어진 무기 물질 또는 플 라즈 마 화학 기상 증착 ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ; PECVD ) 으로 형성 되 는 a - Si : C : O , a - Si : O : F 등 의 저 유전율 절연 물질 등 으로 형성 될 수 있 으나 , 이 에 한정 되 는 것 은 아니 다 .