상기 희생 막 들 ( HL 1 , HL 2 ) 및 상기 절 연막 들 ( 110 ) 은 열 적 화학 기상 증착 ( Thermal CVD ) , 플라 즈 마 보강 화학 기상 증착 ( Plasma enhanced CVD ) , 물리 적 화학 기상 증착 ( physical CVD ) 또는 원자 층 증착 ( Atomic Layer Deposition ; ALD ) 공정 을 이용 하 여 증착 될 수 있 다 . 상기 희생 막 들 ( HL 1 , HL 2 ) 은 실리콘 질화 막 , 실리콘 산 화질 화 막 또는 실리콘 막 으로 형성 될 수 있 다 . 상기 희생 막 들 ( HL 1 , HL 2 ) 은 다 결정 구조 또는 단결정 구조 를 포함 할 수 있 다 . 상기 절 연막 들 ( 110 ) 은 실리콘 산화 막 으로 형성 될 수 있 다 .