도 2 a 를 참조 하 면 , 셀 ( cell ) 영역 및 주변 ( peripheral ) 영역 으로 구획 된 반 도체 기판 ( 210 a , 210 b ) 의 전면 상 에 마스크 용 으로 산화 막 과 질화 막 의 적층 막 을 형성 한 후 , 상기 적 층막 을 식각 하 여 소자 분리 영역 을 노출 시키 는 제 1 마스크 패턴 ( M 1 a , M 1 b ) 을 형성 한다 .