게이트 전극 ( 26 a ) 은 반도체 층 ( 14 ) 의 표면 상 에 형성 되 어 있 다 . 게이트 전극 ( 26 a ) 은 소오 스 영역 ( 16 a ) 의 일부분 위 로부터 필드 절연 영역 ( 23 a ) 위 까지 연장 되 어 있 고 , 그리고 불순물 로 도프 된 폴리 실리콘 을 갖 고 있 다 . 게이트 전극 ( 26 a ) 은 게이트 유전체 ( 28 a ) 에 의해서 반도체 층 ( 14 ) 의 표면 으로부터 격리 되 어 있 다 . 게이트 유전체 ( 28 a ) 는 산화물 또는 질화물 , 또는 그 의 화합물 ( 즉 , 적층 된 NO 또는 ONO 층 ) 을 포함 할 수 있 다 .