상술 한 일부 실시 예 에서 , 핀 ( 210 ) 은 실리콘 으로 이루어진다 . 일부 실시 예 에서 , 핀 ( 210 ) 은 게르마늄 , 실리콘 카바이드 ( silicon carbide ) , 갈륨비소 및 인듐 인 화물 ( indium phosphite ) 과 같 은 기타 다른 반도체 재료 로 이루어질 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 핀 ( 210 ) 은 예 를 들 어 대략 10 nm 두께 를 갖 는 규소 화합물 의 얇 은 박막 ( thin film ) 으로 코팅 될 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 도 2 에 도시 된 단일 핀 ( 210 ) 과 는 달리 복수 의 핀 이 사용 될 수 있 다 . 이러 한 구조 에서 는 , 핀 의 수 의 증가 가 소스 영역 과 드레 인 영역 사이 의 ( 다중 핀 에 의해 제공 되 는 ) 도전 채널 을 통해 통전 되 는 전 류량 이 증가 되 도록 해준다 .