제 1 유닛 셀 ( 104 ) 의 단결정 반도체 층 ( 106 ) 은 , 대표 적 으로 는 단결정 실리콘 이 적용 된다 . 또한 , 단결정 반도체 층 대신 에 다결정 반도체 층 ( 대표 적 으로 는 다 결정 실리콘 ) 을 적용 할 수 도 있 다 . 한 도전 형 의 제 1 불순물 반도체 층 ( 107 ) 과 , 한 도전 형 과 는 반대 의 도전 형 의 제 2 불순물 반도체 층 ( 108 ) 은 , 소정 의 불순물 을 단결정 반도체 층 ( 106 ) 에 첨가 함 으로써 제작 된다 . 제 1 불순물 반도체 층 ( 107 ) 을 p 형 으로 하 는 경우 , 제 2 불순물 반도체 층 ( 108 ) 은 n 형 이 고 , 그 반대 의 선택 도 가능 하 다 . p 형 불순물 로서 는 붕소 등 의 원소 주기율표 제 13 족 의 원소 가 적용 되 고 , n 형 불순물 로서 는 인 , 비소 등 원소 주기율표 제 15 족 의 원소 가 적용 된다 . 불순물 원소 의 첨가 는 , 이온 주입 또는 이온 도핑 으로 행할 수 있 다 . 본 명세서 에서 는 , 이온 주입 이 란 이온 화 한 가스 를 질량 분리 하 여 반도체 에 주입 하 는 방식 을 가리키 며 , 이온 도핑 이 란 이온 화 한 가스 를 질량 분리 하 지 않 고 반도체 에 주입 시키 는 방식 을 말 한다 .