이어서 , 도 10 ( A ) 에 도시 한 것 처럼 , 게이트 절 연막 ( 703 ) , 게이트 전극 ( 707 ) , 도전 막 ( 708 ) 을 덮 도록 , 절 연막 ( 712 ) , 절 연막 ( 713 ) 을 형성 한다 . 구체 적 으로 , 절 연막 ( 712 ) , 절 연막 ( 713 ) 은 , 산화 규소 , 질화규소 , 질화 산화 규소 , 산화 질화규소 , 질화알루미늄 , 질화 산화알루미늄 등 의 무기 의 절 연막 을 이용 할 수 있 다 . 특히 , 절 연막 ( 712 ) , 절 연막 ( 713 ) 에 유전 율 이 낮 은 ( low - k ) 재료 를 이용 함 으로써 , 각종 전극 이나 배선 의 중첩 에 기인 하 는 용량 을 충분히 저감 할 수 있 기 때문 에 바람직 하 다 . 또한 , 절 연막 ( 712 ) , 절 연막 ( 713 ) 에 , 상기 재료 를 이용 한 다공 성 의 절 연막 을 적용 해도 좋 음 을 주목 하 라 . 다공 성 의 절연 막 에서 는 , 밀도 가 높 은 절 연막 과 비교 해서 유전 율 이 저하 되 기 때문 에 , 전극 이나 배선 에 기인 하 는 기생 용량 을 더욱 저감 할 수 있 다 .