도 8 로부터 명백히 알 수 있 는 바 와 같이 , 실리콘 질화물 만 이 반사 방지 구조 에 사용 되 는 경우 ( 플롯 804 ) 에 는 , UV 복사 에 80 시간 노출 된 후 , 태양 전지 의 개방 회로 전압 이 1 . 2 % 보다 크 게 열화 되 었 다 . ( 11 nm 보다 큰 ) 30 nm 의 비정질 실리콘 이 반사 방지 구조 에 추가 되 는 경우 ( 플롯 803 ) , 태양 전지 는 UV 손상 에 대해 강건 해진다 . 30 nm 두께 의 비정질 실리콘 에 대해 , 태양 전지 의 개방 회로 전압 은 동일 한 80 시간 주기 에 걸쳐 0 . 1 % 보다 작 게 떨어졌 다 . 60 nm 비정질 실리콘 이 사용 되 는 경우 , 개방 회로 전압 은 , UV 복사 에 노출 되 지 않 은 태양 전지 의 그것 과 유사 한 프로파일 ( 플롯 801 ) 을 가지 며 , 훨씬 적 은 열화 를 나타내 었 다 ( 플롯 802 ) . 따라서 , 후면 접촉 태양 전지 의 반사 방지 구조 에 비정질 실리콘 을 추가 하 는 것 은 , 시간 에 따른 패 시베이 션 레벨 열화 를 최소 화 하 면서 , 태양 전지 의 UV 안정 성 을 개선 하 는 효과 적 인 방법 이 다 .