일부 실시 형태 에서 , 구조 는 솔 더 범프 를 갖 는 제 1 재분배 층 과 , 상기 제 1 재분배 층 에 전기 적 으로 접속 하 도록 구성 된 인터 포저 구조 를 포함 한다 . 인터 포저 구조 는 , 커패시터 구조 들 로서 , 각각 의 커패시터 구조 는 상기 제 1 재분배 층 에 전기 적 으로 결합 하 도록 구성 된 TIV 와 , 상기 TV 상 의 하이 - k 유전체 와 , 상기 하이 - k 유전체 상 의 금속 층 을 포함 한다 . 상기 구조 는 하나 이상 의 다이 와 , 상기 하나 이상 의 다이 와 상기 커패시터 구조 를 둘러싸 는 몰딩 화합물 을 더 포함 한다 .