본 실시 형태 에서 는 , 용량 결합 형 ( 평행 평판 형 ) 의 CVD 장치 를 사용 하 여 갭 ( 전 극면 과 기판 표면 의 간격 ) 을 20 mm 로 하 고 , 제 1 성막 조건 을 진공 체임버 내 의 진공도 를 100 Pa 로 하 고 , 기판 온도 를 100 ℃ 로 하 고 , 60 MHz 의 고주파 전력 을 30 W 가하 고 , 실란 가스 ( 유량 2 sccm ) 를 수소 ( 유량 400 sccm ) 로 200 배 희석 하 는 조건 으로 하 고 , 가스 유량 을 바꾸 어 성막 속도 를 빠르 게 하 는 제 2 성막 조건 으로서 4 sccm 의 실란 가스 를 수소 ( 유량 400 sccm ) 로 100 배 희석 하 는 조건 으로 성막 을 행한 다 .