취 출 전극 ( 80 ) 은 , 반도체 기판 ( 21 ) 의 이면 ( 면 ( 21 S 2 ) 위 ) 에 , 예 를 들 어 절연 층 ( 35 , 36 ) 및 SiO 2 막 에 의해 구성 되 는 절연 층 ( 81 ) 을 사이 에 두 고 마련 된 도전 막 ( 82 ) 과 , 범프 ( 84 ) 에 의해 구성 된 것 이 다 . 도전 막 ( 82 ) 의 주위 에 는 , 예 를 들 어 SiO 2 막 에 의해 구성 되 는 절연 층 ( 83 ) 이 마련 되 어 있 다 . 도전 막 ( 82 ) 은 , 예 를 들 어 Cu 로 형성 된 도전 막 ( 82 A ) 과 Al 로 형성 된 도전 막 ( 82 B ) 이 이 순서 대로 적층 된 구성 을 갖 는다 . 취 출 전극 ( 80 ) 은 , 예 를 들 어 반도체 기판 ( 21 ) 및 절연 층 ( 22 , 35 , 36 , 81 ) 을 관통 하 는 콘택트 플러그 P 3 을 통하 여 , 예 를 들 어 절 연막 ( 85 ) 에 의해 게이트 전극 ( 24 ) 과 분리 된 배선 ( 24 A ) 에 전기 적 으로 접속 되 어 있 다 . 또한 , 콘택트 플러그 P 3 의 주위 는 , 도 9 에 도시 된 바 와 같이 , 절 연막 에 의해 덮여 있 는 것 이 바람직 하 다 .