기판 스택 ( D 20 ) 은 주변 회로 부 ( PRP ) 상 에 메모리 셀 어레이 ( MCA ) 가 본딩 될 수 있 다 . 주변 회로 부 ( PRP ) 는 제 2 기판 ( 31 ) , 제 2 기판 ( 31 ) 상 에 형성 된 적어도 하나 이상 의 제 어회 로 ( 32 ) , 상호 접속구 조물 ( 33 ) 및 제 2 본딩 물질 ( 34 ) 을 포함 할 수 있 다 . 적어도 하나 이상 의 제 어회 로 ( 32 ) 는 트랜지스터 를 포함 할 수 있 다 . 상호 접속구 조물 ( 33 ) 은 적어도 하나 의 금속 배선 을 포함 할 수 있 다 . 상호 접속구 조물 ( 33 ) 은 다층 레벨 금속 배선 ( MLM ) 을 포함 할 수 있 다 . 상호 접속구 조물 ( 33 ) 은 제 어회 로 ( 32 ) 의 일부분 에 연결 될 수 있 다 . 상호 접속구 조물 ( 33 ) 상 에 제 2 본딩 물질 ( 34 ) 이 형성 될 수 있 다 . 제 2 본딩 물질 ( 34 ) 은 실리콘 산화물 을 포함 할 수 있 다 . 제 1 본딩 물질 ( 25 ) 및 제 2 본딩 물질 ( 34 ) 은 동일 물질 일 수 있 다 . 제 2 본딩 물질 ( 34 ) 을 관통 하 여 상호 접속구 조물 ( 33 ) 에 연결 되 는 제 2 본딩 패드 ( 35 ) 가 형성 될 수 있 다 . 제 2 본딩 패드 ( 35 ) 는 금속 - 베이스 물질 을 포함 할 수 있 다 . 제 1 본딩 패드 ( 26 ) 와 제 2 본딩 패드 ( 35 ) 는 동일 물질 일 수 있 다 . 제 1 본딩 물질 ( 25 ) 과 제 2 본딩 물질 ( 34 ) 이 본 딩 될 수 있 고 , 아울러 제 1 본딩 패드 ( 26 ) 와 제 2 본딩 패드 ( 35 ) 가 본딩 될 수 있 다 .