도 4 를 참조 하 면 , 제 2 전압 ( 404 ) 이 제 2 전극 에 인가 될 때 , 금속 영역 으로부터 연장 되 는 필라멘트 구조 ( 402 ) 가 형성 된다 . 도시 된 바 와 같이 , 버퍼 층 은 차단 층 ( blocking layer ) 으로서 기능 하 여 , 특정 실시 예 에서 , 필라멘트 구조 는 제 1 전극 과 접촉 하 도록 연장 되 지 않 을 것 이 다 . 제 2 전압 은 예 를 들 어 , 특정 실시 예 에서 스위칭 디바이스 를 위한 기록 전압 ( write voltage ) 일 수 있 다 . 스위칭 디바이스 는 온 상태 에 있 고 , 온 상태 전류 는 제 2 전극 및 제 1 전극 사이 에 흐른다 . 특정 실시 예 에서 , 온 상태 전류 는 필라멘트 구조 의 길이 에 의해 제어 된다 . 특정 실시 예 에서 , 온 상태 전류 는 버퍼 층 이 없 는 기존 의 스위칭 디바이스 의 온 상태 전류 보다 훨씬 적 은 수 나노 암페어 ( nano ampere ) 로부터 마이크 로 암페어 ( micro ampere ) 까지 의 범위 일 수 있 다 .