하지만 , 본 발명 이 이 에 한정 되 는 것 은 아니 며 화소 회로 ( 144 ) 의 구조 는 다양 하 게 변경 실시 될 수 있 다 . 일 예 로 , 화소 회로 ( 144 ) 는 제 2 트랜지스터 ( T 2 ) 의 문턱 전압 을 보상 하 기 위한 트랜지스터 소자 , 제 1 노드 ( N 1 ) 를 초기 화 하 기 위한 트랜지스터 소자 , 및 / 또는 발광 소자 ( LD ) 들 의 발광 시간 을 제어 하 기 위한 트랜지스터 소자 등 과 같 은 적어도 하나 의 트랜지스터 소자 나 , 제 1 노드 ( N 1 ) 의 전압 을 부스 팅 하 기 위한 부스 팅 커패시터 등 과 같 은 다른 회로 소자 들 을 추가 적 으로 더 포함 할 수 있 음 을 물론 이 다 .