상기 비휘발성 메모리 소자 들 은 플래시 메모리 소자 를 포함 한다 . 상기 플래시 메모리 소자 의 단위 셀 은 반도체 기판 의 소정 영역 상 에 한정 된 활성 영역 , 상기 활성 영역 상 에 형성 된 터널 절 연막 , 상기 터널 절 연막 상 에 형성 된 플로팅 게이트 , 플로팅 게이트 상 에 형성 된 게이트 층간 절 연막 및 게이트 층간 절 연막 상 에 형성 된 컨트롤 게이트 전극 을 포함 하 는 구조 가 널리 채택 되 고 있 다 .