상기 한 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 은 , 기존 의 강유전체 PZT 박막 을 대신 하 여 인위 적 으로 PbZrO 3 과 PbTiO 3 등 과 같 은 서로 다른 전기 분극 특성 을 가진 유전체 물질 을 주기 적 으로 적층 성장 시킨 인공 격자 로 대체 하 여 , 기존 의 PZT 박막 과 유사 한 크기 의 전기 분 극량 을 가지 면서 등축 성장 하 여 우수 한 표면 평탄 도 와 단일 180 ° 도메인 구조 만 갖 는 산화물 인 공격자 를 형성 한 것 을 특징 으로 한다 .