심도 있 는 연구 에 의하 면 , 도 1 - 7 에 나타낸 종래 의 소자 는 , 인 캡슐 레 이 션 막 구조 가 , 제 2 면 ( 3 ) 에 인접 한 뱅크 구 조체 ( 4 ) 의 에지 에서 발광 영역 을 밀폐 시키 지 못하 기 때문 에 , 습기 및 / 또는 산소 의 침범 이 생길 수 있 다는 문제점 을 밝혔 다 . 도 1 에 나타낸 상세 표시 II 및 III 을 도 2 와 도 3 에 각각 나타내 고 , 도 4 에서 더 상세 하 게 나타낸다 . 이 연구 에 의하 면 , 금속 콘택트 ( 5 ) 의 에지 ( 5 a ) 는 평탄 하 지 않 으며 부서지 기 쉽 게 되 어 있 다 . 이 에 의해 , 콘택트 ( 5 ) 를 형성 할 때 에 에칭 에 의해 제거 하 는 , MoCr , Al , MoCr 등 의 금속 합금 으로 된 여러 개 의 층 으로 콘택트 를 형성 하 게 된다 . Al 은 MoCr 보다 더 신속 하 게 에칭 되 기 때문 에 , 콘택트 ( 5 ) 의 언더컷 에 의해 콘택트 ( 5 ) 의 에지 ( 5 a ) 가 더 부서지 기 쉬워진다 . 금속 플레이크 ( 10 ) [ 도 2 , 5 , 7 참조 ] 에 의해 , 후속 해서 형성 하 여야 하 는 인 캡슐 레 이 션 막 구조 에 손상 이 생길 수 있 다 . 여러 가지 재료 로 만들 어 진 콘택트 나 애노드 라인 을 형성 하 기 위한 에칭 이 완료 된 층 도 평평 하 지 않 게 되 어 , 마찬가지 의 문제점 을 보일 수 있 다 . 또한 , 도 2 - 5 에 나타낸 바 와 같이 , 뱅크 구 조체 ( 4 ) 의 에지 ( 4 a ) 와 금속 콘택트 ( 5 ) 의 에지 ( 5 a ) 의 교차 지점 에 홀 ( 11 ) 을 형성 하 고 있 다 . 이 홀 ( 11 ) 은 인 캡슐 레 이 션 막 구조 에 의해 효과 적 으로 밀폐 될 수 없 기 때문 에 , 이 홀 ( 11 ) 을 통해 습기 나 산소 가 발광 영역 ( 1 ) 으로 침범 할 수 있 다 .