여기 의 메커니즘 은 참조 문헌 으로 수록 된 미국 특허 7 , 338 , 834 , " 명칭 "" Strained Silicon with Elastic Edge Relaxation "" 에 기재 된 것 과 유사 하 다 . 미국 특허 7 ", 338 , 834 는 주로 실리콘 또는 또 다른 기판 상 에서 에피 택 셜 하 게 성장 된 실리콘 게르마늄 매립 응력 기 물질 의 사용 을 개시 한다 . 이 와 반대 로 , 예컨대 실리콘 질화물 또는 실리콘 산화물 이 적층 된 실리콘 질화물 과 같 은 일부 바람직 한 BOX 물질 은 현재 에피 택 셜 하 게 성장 될 수 없 으므로 간단 한 방식 으로 수용 ( accommodate ) 될 수 없 다 . 본 발명 의 바람직 한 실시 는 쉽 게 에피 택 셜 하 게 증착 ( 또는 성장 ) 되 지 않 는 응력 기 를 사용 할 수 있 다 . 실제 적 인 결과 로서 , 본 발명 의 바람직 한 실시 는 제조 비용 및 유연 성 을 포함 하 여 많 은 실제 적 인 장점 을 가질 수 있 는 절연 압축 또는 인장 응력 받 은 층 을 제공 할 수 있 다 .