제 2 재료 ( SiO 2 , SiC , SiN , SiOC , SiNO , SiCNO , 및 SiCN 중 어느 하나 ) 가 PECVD , CVD , ALD , 및 PEALD 를 포함 하 는 다양 한 방법 들 에 의해 증착 될 수 있 다 . 일부 실시 예 들 에서 제 2 재료 는 PECVD 에 의해 증착 된다 . 이 방법 에서 , 플라 즈 마는 실리콘 함유 전구체 및 기판 상 의 제 2 재료 의 증착 을 위해 제어 된 조건 들 하 에서 제 2 재료 의 하나 이상 의 엘리먼트 들 을 함유 하 는 반응 물질 을 포함 하 는 프로세스 가스 로 형성 된다 . 예 를 들 어 , SiO 2 는 실리콘 함유 전구체 및 산소 함유 반응 물질 을 포함 하 는 프로세스 가스 로 플 라즈 마 를 형성 함 으로써 증착 될 수 도 있 고 ; SiC 는 실리콘 함유 전구체 및 탄소 함유 반응 물질 을 포함 하 는 프로세스 가스 로 플 라즈 마 를 형성 함 으로써 증착 될 수 도 있 고 ; SiN 은 실리콘 함유 전구체 및 질소 함유 반응 물질 을 포함 하 는 프로세스 가스 로 플 라즈 마 를 형성 함 으로써 증착 될 수 도 있 고 ; SiOC 는 실리콘 함유 전구체 , 산소 함유 반응 물질 및 탄소 함유 반응 물질 을 포함 하 는 프로세스 가스 로 플 라즈 마 를 형성 함 으로써 증착 될 수 도 있 고 ; SiNO 는 실리콘 함유 전구체 , 산소 함유 반응 물질 , 및 질소 함유 반응 물질 을 포함 하 는 프로세스 가스 로 플 라즈 마 를 형성 함 으로써 증착 될 수 도 있 고 ; SiCNO 는 실리콘 함유 전구체 , 산소 함유 반응 물질 , 탄소 함유 반응 물질 , 및 질소 함유 반응 물질 을 포함 하 는 프로세스 가스 로 플 라즈 마 를 형성 함 으로써 증착 될 수 도 있 고 ; 및 SiCN 은 실리콘 함유 전구체 , 탄소 함유 반응 물질 , 및 질소 함유 반응 물질 을 포함 하 는 프로세스 가스 로 플 라즈 마 를 형성 함 으로써 증착 될 수 도 있 다 . 실리콘 함유 전구체 가 제 2 재료 의 임의 의 필수 엘리먼트 들 을 더 포함 하 는 , 이 들 경우 들 에서 , 실리콘 함유 전구체 및 반응 물질 이 동일 할 수 도 있 다 . 예 를 들 어 , TEOS 는 SiO 2 의 증착 동안 실리콘 함유 전구체 및 산소 함유 반응 물질 모두 로서 역할 을 할 수 있 다 . 실리콘 함유 전구체 들 의 예 들 은 실란 , 디 실란 , 테트라 알킬 실란 들 , 트리 알킬 실란 들 , 실록 산들 , TEOS , 등 을 포함 한다 . 산소 함유 반응 물질 들 의 예 들 은 CO 2 , N 2 O , O 2 , O 3 , H 2 O 를 포함 한다 . 질소 함유 반응 물질 들 의 예 들 은 N 2 , 및 NH 3 을 포함 한다 . 탄소 함유 반응 물질 들 의 예 들 은 하이드로 카본 들 , 예컨대 메탄 , 에탄 , 프로판 , 등 을 포함 한다 . 이 들 재료 들 의 증착 에 사용 된 프로세스 가스 들 은 또한 캐리어 가스 , 예컨대 He , Ar , Ne , 등 을 포함 할 수 도 있 다 .