본 발명 에 따른 반도체 소자 의 제조 방법 은 , 폴리 실리콘 게이트 가 형성 된 반도체 기판 상 에 비정질 실리콘 막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 비정질 실리콘 막 을 금속 소오 스 가스 에 노출 시켜서 실리콘 환원 반응 을 통해 상기 비정질 실리콘 막 표면 상 에 금속 막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 비정질 실리콘 막 과 금속 막 을 열처리 하 여 상호 반응 을 통해 금속 실리사이드 막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 열처리 시 에 미반 응한 금속 막 부분 을 제거 하 는 단계 와 , 상기 금속 실리사이드 막 을 열처리 하 는 단계 를 포함 한다 .