그런 다음 , 도 1 f 에 도시 한 바 와 같이 , 상기 결과물 에 디 개 싱 ( degassing ) 및 냉각 ( cooling ) 처리 ( 105 ) 를 수행 한다 . 즉 , 상기 비 아홀 ( 104 ) 을 포함 한 상기 제 2 층간 절 연막 ( 103 ) 까지 형성 된 반도체 기판 ( 100 ) 을 , 먼저 고온 에서 열처리 하 여 디 개 싱 을 수행 한 후 에 , 상기 디 개 싱이 완료 된 반도체 기판 ( 100 ) 을 상온 이나 그 이하 의 온도 까지 냉각 시키 는 것 이 다 .