이런 이유 로 , 도 4 c 에 도시 된 바 와 같이 , 게이트 용 폴리 실리콘 막 ( 420 ) 및 층간 절 연막 ( 430 ) 의 상부 에 잔존 하 는 이 물질 을 제거 하 기 위해 , 게이트 용 폴리 실리콘 막 ( 420 ) 의 상부 일부 가 제거 되 도록 전면 식각 공정 또는 화학 적 기계 적 평탄 화 공정 ( CMP : Chemical Mechanical Polishing ) 을 실시 한다 .