도 5 에 도시 된 바 와 같이 , 기판 ( 110 , 210 ) 표면 의 전위 는 일반 적 으로 기판 ( 110 , 210 ) 의 표면 에 충돌 하 고 에칭 하 는 이온 들 을 흡인 하 도록 마이너스 로 된다 . ( Vout 에 펄스 를 인가 함 으로써 ) 기판 ( 110 , 210 ) 에 인가 되 는 주기 적 인 짧 은 펄스 들 은 , Vbus 에 인가 되 는 전위 에 의해 규정 되 는 진폭 을 갖 고 , 이 들 펄스 들 은 ( 예컨대 , 플러스 또는 약간 플러스 전위 에 가까운 ) 기판 ( 110 , 210 ) 의 전위 에 있 어서 짧 은 변화 를 야기 하 며 , 이 는 기판 ( 110 , 210 ) 의 표면 을 따라 일반 적 으로 마이너스 전위 를 달성 하 도록 기판 의 표면 에 전자 들 을 흡인 시킨다 . 도 5 에 도시 된 바 와 같이 , Vout 에 인가 되 는 정전 압 은 특정 이온 에너지 로 이온 플럭스 의 단일 집중 을 야기 하 며 ; 이 에 따라 Vbus 를 특정 이온 충돌 이 에너지 로 간단히 설정 함 으로써 특정 이온 충돌 에너지 가 선택 될 수 있 다 . 다른 모드 의 동작 에 있 어서 , 둘 이상 의 별도 의 이온 에너지 의 집중 이 생성 될 수 도 있 다 .