상술 한 원리 로부터 , DRAM 에서 는 , 데이터 를 판독 하 면 용량 소자 의 전하 를 잃 어 버리 기 때문 에 , 데이터 의 판독 시 에 , 또 하나 의 기입 동작 이 필요 해진다 . 또한 , 기억 소자 를 구성 하 는 트랜지스터 에서 는 오프 상태 에서 의 소스 와 드레 인 간 의 리크 전류 ( 오프 전류 ) 등 에 의해 , 트랜지스터 가 선택 되 지 않 고 있 는 상황 에서 도 전하 가 유출 또는 유입 하 기 때문 에 , 데이터 의 유지 기간 이 짧 다 . 이 로 인해 , 소정 의 주기 에서 또 하나 의 기입 동작 ( 리 프레시 동작 ) 이 필요 해져서 , 소비 전력 을 충분히 저감 하 는 것 은 곤란 하 다 . 또한 , 전력 의 공급 이 없 어 지 면 기억 내용 이 잃어버려 지 기 때문 에 , 장기간 의 기억 의 유지 에 는 , 자성 재료 나 광학 재료 를 이용 한 다른 기억 장치 가 필요 해진다 .