이 와 같이 , 본 실시 형태 에 관한 클러스터 시스템 ( 300 ) 에 의하 면 , 제 1 전처리 장치 ( 100 ) 및 제 2 전처리 장치 ( 150 ) 에서 기판 W 에 전처리 인 산화 막 제거 처리 를 실시 한 후 , 진공 분위기 를 유지 한 채 ( 진공 을 깨뜨리 지 않 고 ) 제 2 전처리 장치 ( 150 ) 로부터 금속 막 성막 장치 ( 200 ) 로 반송 하 고 , 금속 막 성막 장치 ( 200 ) 에서 산화 막 제거 처리 가 실시 된 기판 W 에 금속 막 성막 처리 를 실시 할 수 있 다 . 이 에 의해 , 기판 W 에 저 저항 의 텅스텐 막 ( 406 ) 을 형성 할 수 있 다 .