상기 ( 2 ) 에서 얻 어 진 에칭 후 의 에칭 제 를 적당량 덜 어서 0 . 1 mol / L 질산 용액 으로 희석 한 후 , 유도 결합 플 라즈 마 발광 분광 분석 장치 ( 상품명 「 SPS 3000 ICP 발광 분광 분석 장치 」 , 에스아 이아이 나노 테크노 로지 ( 주 ) 사 ( SII Nano Technology Inc . ) 제 ) 를 사용 하 여 , 용해 한 Ti 및 Cu 량 을 측정 하 였 다 . 얻 어 진 금속 량 을 단위 면적 당 용해 량 으로 개산 ( roughly estimate ) 하 여 용해 속도 ( nm / min ) 를 산출 하 였 다 . 그 결과 및 Ti / Cu 의 용해 속도 비 를 모두 표 1 에 나타낸다 .