한편 , 반응 소오 스 의 비율 및 고주파 전원 의 조절 뿐 만 아니 라 압력 등 의 공정 조건 을 조절 함 으로써 비정질 탄소막 의 증착 률 , 스트레스 및 산화 막 에 대한 식각 선택 비 뿐 만 아니 라 비정질 탄소막 의 굴절 률 , 소광 계수 및 비정질 탄소막 의 수소 비율 등 을 조절 할 수 있 다 . 바람직 하 게 는 이 들 공정 조건 들 을 조절 하 여 비정질 탄소막 의 증착 률 을 100 ∼ 3000 Å / min 으로 조절 하 고 , 굴절 률 ( n ) 을 1 . 8 ∼ 2 . 4 로 조절 하 며 , 소광 계수 ( k ) 를 0 . 15 ∼ 0 . 4 로 조절 하 고 , 수소 함유율 을 1 ∼ 10 mol % 로 조절 한다 .