바람직 하 게 , SOG 로 형성 된 희생 막 패턴 ( 24 A ) 의 에치 백 공정 은 플 라즈 마식 각 장비 의 일종 인 TCP ( Transformer Coupled Plasma ) 장비 에서 진행 하 되 , 바이어스 파워 와 압력 은 최대한 낮 게 하 여 등방성 식각 을 유도 한다 . 예컨대 , 바이어스 파워 ( Bias power ) 는 50 ∼ 60 W 로 작 게 하 고 , 압력 은 3 ∼ 5 mTorr 로 낮 게 한다 . 특히 , 압력 이 3 ∼ 5 mTorr 로 낮 으면 식각 제 ( Etchant ) 의 평균 자유 행로 ( Mean free path ) 가 증가 되 어 입자 의 입자 의 스 캐 터 링 ( Scattering ) 효과 를 감소 시켜 등방성 식각 을 유도 하 게 된다 . 그리고 , TCP 장비 의 온도 를 40 ℃ 이상 ( 50 ∼ 60 ℃) 으로 높여서 플 라즈 마 활성도 를 높인다 . 이 처럼 플 라즈 마 활성도 를 높이 면 입자 간 충돌 이 많이 발생 되 어 산화 막 에 대한 물리 적 식각 특성 을 줄여 주 고 , 결국 낮 은 식각 속도 를 유도 하 고 등방성 식각 을 증대 시켜 평탄 화 를 확보 한다 .