상기 질화 갈륨 후막 은 실리콘 과 는 달리 단결정 을 성장 시키 기 어렵 기 때문 에 웨이퍼 형태 의 동일 한 물질 ( 질화 갈륨 ) 기판 을 사용 하 지 못하 고 , 사파이어 기판 등 을 주로 사용 하 고 있 다 . 상기 와 같 은 이종 기판 에 화합물 반도체 를 성장 시키 는 경우 에 는 격자 상수 부정합 에 따른 다수 의 전위 ( dislocation ) 가 생성 되 기 때문 에 전위 가 없 는 화합물 반도체 의 나노 구 조체 를 이용 한 발광 다이오드 에 비해 광학 적 성능 이 저하 된다는 문제점 이 있 었 다 .