도 2 k 를 참조 하 면 , 상기 제 1 및 제 2 개 구부 들 ( 160 a , 160 b ) 을 갖 는 기판 ( 100 ) 상 에 식각 배리 어 도전 막 ( 162 ) 을 콘 포말 하 게 형성 할 수 있 으며 , 상기 식각 배리 어 도전 막 ( 162 ) 상 에 확산 배리 어 도전 막 ( 164 ) 을 콘 포말 하 게 형성 할 수 있 다 . 상기 식각 배리 어 도전 막 ( 162 ) 은 상기 확산 배리 어 도전 막 ( 164 ) 에 대하 여 식각 선택 비 를 갖 는 도전 성 금속 질화 막 으로 형성 될 수 있 다 . 상기 확산 배리 어 도전 막 ( 164 ) 은 상기 식각 배리 어 도전 막 ( 162 ) 보다 두껍 게 형성 될 수 있 다 . 상기 확산 배리 어 도전 막 ( 164 ) 상 에 블로킹 유전 막 ( 166 ) 을 형성 할 수 있 다 . 상기 블로킹 유전 막 ( 166 ) 은 산화 막 , 질화 막 및 / 또는 산화 질화 막 등 으로 형성 될 수 있 다 .