다음 으로 , 도 2 를 이용 하 여 , 본 발명 에 따른 반도체 제조 장치 의 일 실시 예의 구성 부를 설명 한다 . 도 2 를 참조 하 여 멀티 챔버 화 된 반도체 제조 장치 , 특히 , 클러스터 툴 ( cluster tool ) 장치 ( 2 ) 에 대하 여 설명 한다 . 클러스터 툴 장치 ( 2 ) 는 피 반 송체 로서 의 반도체 웨이퍼 ( W ) 에 대하 여 성막 처리 , 확산 처리 , 에칭 처리 등 의 각종 의 처리 를 행하 는 처리 시스템 ( 4 ) 과 , 처리 시스템 ( 4 ) 에 대하 여 웨이퍼 를 반입 , 반출 시키 는 반송 시스템 ( 6 ) 에 의해 구성 된다 . 또한 , 반도체 제조 장치 의 일 실시 예 에 있 어서 , 후술 하 는 바 와 같이 처 리부 ( 108 ) 는 , 처 리부 ( 108 ( 1 ) ) 와 처 리부 ( 108 ( 2 ) ) 로 나뉜다 .