이러 한 경우 도 , 스텝 C 에서 , F 함유 가스 를 의사 촉매 인 SiN 막 , SiC 막 , SiCN 막 , SiRN 막 , SiRC 막 , SiRCN 막 ( 프리 코팅 막 ) 에 접촉 시킴 으로써 , F 함유 라디칼 을 효율 적 으로 발생 시킬 수 있 고 , 이렇게 효율 적 으로 발생 시킨 F 함유 라디칼 을 하 지 ( 200 b ) 및 보호막 ( 200 e ) 각각 에 대하 여 효율 적 으로 공급 하 는 것 이 가능 하 게 된다 . 그 결과 , 하 지 ( 200 b ) 및 보호막 ( 200 e ) 각각 의 표면 을 적정 하 게 개질 시키 는 것 이 가능 하 게 된다 .