각각 의 제 1 반도체 패턴 ( 120 ) 은 제 1 방향 ( X ) 을 따라 차례 로 배열 되 는 제 1 불순물 영역 ( 124 ) , 제 1 채널 영역 ( 122 ) 및 제 2 불순물 영역 ( 126 ) 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 제 1 채널 영역 ( 122 ) 은 제 1 불순물 영역 ( 124 ) 과 제 2 불순물 영역 ( 126 ) 사이 에 개재 될 수 있 다 . 제 1 채널 영역 ( 122 ) 은 도 1 에서 상술 한 하나 의 셀 트랜지스터 ( CT ) 의 채널 에 대응 될 수 있 다 .