레지스 트 를 다시 도포 하 고 , 실리콘 반도체 기판 내 의 스루홀 의 하부 에 만 홀 을 형성 하 며 ( 단계 S 10 ) , 레지스 트 를 마스크 로서 이용 함 으로써 절 연막 ( 22 ) 의 RIE 를 수행 한다 ( 단계 S 11 ) . 이러 한 절 연막 ( 22 ) 의 RIE 에서 는 , 기형성 된 CVD 절 연막 , 및 실리콘 장치 프로세스 에 의해 실리콘 반도체 기판 ( 10 ) 과 내부 전극 ( 26 ) 사이 에 형성 된 모든 절 연막 들 을 식각 한다 . 이 단계 에서 , 내부 전극 ( 26 ) 은 절 연막 의 RIE 동안 스토퍼 로서 기능 한다 .