제 1 게이트 전극 ( 124 a ) , 제 1 소스 전극 ( 173 a ) 및 제 1 드레 인 전극 ( 175 a ) 은 제 1 반도체 부분 ( 154 a ) 과 함께 제 1 트랜지스터 ( Qa ) 를 이루 고 , 제 2 게이트 전극 ( 124 b ) , 제 2 소스 전극 ( 173 b ) 및 제 2 드레 인 전극 ( 175 b ) 은 제 2 반도체 부분 ( 154 b ) 과 함께 제 2 트랜지스터 ( Qb ) 를 이루 고 , 제 3 게이트 전극 ( 124 c ) , 제 3 소스 전극 ( 173 c ) 및 제 3 드레 인 전극 ( 175 c ) 은 제 3 반도체 부분 ( 154 c ) 과 함께 제 3 트랜지스터 ( Qc ) 를 이룬다 .