또한 , 상기 제작 방법 에 의하 여 얻 어 지 는 제 1 결정 성 산화물 반도체 층 및 제 2 결정 성 산화물 반도체 층 은 , C 축 배향 을 갖 는 것 을 특징 의 하나 로 한다 . 다만 , 제 1 결정 성 산화물 반도체 층 및 제 2 결정 성 산화물 반도체 층 은 단결정 구조 가 아니 라 비정질 구조 도 아닌 구조 이 며 , C 축 배향 을 갖 는 결정 성 산화물 반도체 ( C - Axis Aligned Crystalline oxide semiconductor ; CAAC 라고 도 함 ) 이 다 . 또한 , 제 1 결정 성 산화물 반도체 층 및 제 2 결정 성 산화물 반도체 층 은 일부 에 결정립계 를 갖 는다 .