이어서 , 상기 플로팅 게이트 전극 ( 22 ) 의 양 측벽 에 스 페이서 ( 23 ) 를 형성 한다 . 그 후 이온 주입 혹은 확산 공정 을 이용 하 여 고농 도 소오 스 와 드레 인 접합 구조 ( 13 ) 를 형성 한다 . 이때 형성 되 는 LDD 및 고농 도 소오 스 및 드레 인 접합 구조 는 제 2 도 전형 웰 과 는 반대 의 타입 으로 형성 한다 . 예 를 들 어 제 2 도 전형 웰 이 p 타입 일 경우 인 ( Ph ) 혹은 비소 ( As ) 와 같 은 n 타입 으로 형성 하 고 , 제 2 도 전형 웰 이 n 타입 일 경우 붕소 ( B ) 과 같 은 p 타입 으로 형성 한다 .