이 와 같 은 방법 으로 , 실리콘 결정 화 마스크 ( 400 ) 가 좌측 및 우측 을 왕복 하 여 N 번 을 이동 함 으로써 , N 번 째 스캔 ( n - th scan ) 이 이루어진다 . N 번 째 스캔 ( n - th scan ) 을 통해 , 실리콘 결정 화 마스크 ( 400 ) 를 투과 한 레이저 빔 이 기판 ( 10 ) 의 전 영역 으로 조사 된다 . 그 결과 , 기판 ( 10 ) 상 에 형성 된 아몰 퍼스 실리콘 ( a - Si ) 이 다 결정 실리콘 ( poly - Si ) 으로 모두 변경 된다 .