한편 , 시료 4 및 시료 6 과 마찬가지 의 공정 순서 로 가열 처리 를 행한 본 실시 예의 시료 8 및 시료 9 에 있 어서 는 , 산화물 절 연막 에 포함 되 는 산소 의 일부 가 가열 에 의하 여 외부 로 방출 되 기 때문 에 , 산소 가 산화물 반도체 막 으로 확산 되 는 양 이 적 고 , 캐리어 원 이 되 는 산소 결손 이 많이 포함 된다 . 그래서 , 산화물 반도체 막이 n 형 의 도전 형 을 갖 고 , 상기 산화물 반도체 막 을 사용 한 트랜지스터 는 스위칭 특성 을 갖 지 않 는다 .