도 11 을 참조 하 면 , 각 제 2 갭 들 ( 350 ) 에 의해 노출 된 제 1 전하 저장 구조물 ( 252 ) 의 외측 벽 , 제 2 갭 들 ( 350 ) 의 내벽 , 절연 패턴 들 ( 175 ) 의 표면 , 지지막 ( 160 ) 의 측벽 , 지지 패턴 ( 165 ) 의 측벽 , 채널 연결 패턴 ( 330 ) 의 측벽 , 기판 ( 100 ) 의 상면 , 및 제 2 층간 절 연막 ( 290 ) 의 상면 에 제 2 블로킹 막 을 형성 하 고 , 상기 제 2 블로킹 막 상 에 게이트 전 극막 을 형성 할 수 있 다 . 상기 게이트 전극 막 은 순차 적 으로 적층 된 게이트 배리 어 막 및 게이트 도전 막 을 포함 할 수 있 다 .