구체 적 으로 , 게이트 물질 로서 폴리 실리콘 막 ( Si ) 과 금속 폴리 사이드 막 의 적층 막 으로 이루어진 폴리 사이드 게이트 구조 가 폴리 실리콘 막 과 금속 막 의 적층 막 으로 이루어진 금속 게이트 구조 로 전환 되 고 있 으며 , 한 예 로 , 최근 들 어 상기 금속 막 으로서 텅스텐 막 ( W ) 을 적용 한 금속 게이트 의 형성 을 위한 연구 가 활발 하 게 진행 되 고 있 다 .