한편 , 전면 식각 중 화소 전극 ( PXE ) 은 포토레지스트 패턴 ( PR 3 ) 에 의해 덮여 보호 되 지만 , 포토레지스트 패턴 ( PR 3 ) 이 덮 지 않 는 비아 층 ( 165 a ) 은 전면 식각 에 노출 되 면서 층간 절 연막 ( 163 a ) 과 함께 부분 적 으로 식각 될 수 있 다 . 그 결과 , 포토레지스트 패턴 ( PR 3 ) 에 덮이 지 않 고 노출 된 비아 층 ( 165 a ) 의 높이 ( 두께 ) 가 감소 할 수 있 다 . 그 에 따라 , 비아 층 ( 165 a ) 은 영역 별 로 높이 가 상이 한 단차 구조 를 가질 수 있 다 . 즉 , 표시 영역 ( DPA ) 에서 화소 전극 ( PXE ) 에 의해 덮인 비아 층 ( 165 a ) 의 제 1 영역 ( 165 a _ 1 ) 은 제 1 높이 를 갖 고 , 화소 전극 ( PXE ) 에 의해 덮이 지 않 은 비아 층 ( 165 a ) 의 제 2 영역 ( 165 a _ 2 ) 은 제 1 높이 보다 작 은 제 2 높이 를 가질 수 있 다 . 한편 , 패드 영역 ( PDA ) 의 얇 은 두께 의 비아 층 ( 165 a ) 은 전면 식각 을 통해 모두 제거 될 수 있 다 . 비아 층 ( 165 a ) 이 제거 되 면 하부 의 패 시베이 션 층 ( 164 a ) 이 노출 되 는데 , 전면 식각 에 의해 두께 가 감소 하 면서 , 패 시베이 션 층 ( 164 a ) 이 제 3 구간 ( 164 a _ 3 ) 및 제 4 구간 ( 164 a _ 4 ) 으로 구분 될 수 있 다 . 제 3 구간 ( 164 a _ 3 ) 과 제 4 구간 ( 164 a _ 4 ) 사이 에 는 제 2 단차 부 ( STP 2 ) 가 정의 될 수 있 다 . 이 어 , 애 슁 또는 스트립 공정 으로 포토레지스트 패턴 ( PR 3 ) 을 제거 한다 .