이때 , 상기 차단 영역 ( III ) 에 형성 된 제 1 감광막 패턴 ( 270 a ) 은 제 2 투과 영역 ( II ) 을 통해 형성 된 제 2 감광막 패턴 ( 270 b ) 내지 제 6 감광막 패턴 ( 270 f ) 보다 두껍 게 형성 된다 . 또한 , 상기 제 1 투과 영역 ( I ) 을 통해 광 이 모두 투과 된 영역 에 는 상기 제 2 감광막 이 완전히 제거 되 는데 , 이것 은 포지티브 포토레지스트 를 사용 했 기 때문 이 며 , 본 발명 이 이 에 한정 되 는 것 은 아니 며 네거티브 포토레지스트 를 사용 하 여도 무방 하 다 .