도 7 을 참조 하 면 , 상기 제 1 절 연막 패턴 ( 112 ) , 스 페이서 ( 108 ) 및 식각 저지 막 패턴 ( 104 a ) 의 노출 된 표면 을 따라 제 2 절 연막 ( 114 ) 을 형성 한다 . 상기 제 2 절 연막 ( 114 ) 은 상기 제 1 절 연막 패턴 ( 112 ) 과 동일 한 물질 로 형성 하 거나 또는 서로 다른 물질 로 형성 할 수 있 다 . 상기 제 2 절 연막 ( 114 ) 을 형성 하 면 , 상기 제 1 절 연막 패턴 ( 112 ) 사이 부위 에 리세 스 부 ( 116 ) 가 생성 된다 .