예 를 들 어 상기 각 실시 형태 의 반도체 제조 장치 는 , 서 셉 터 에 재치 되 는 웨이퍼 상 에 SiC 에피 택 셜 막 을 형성 하 는 성막 실과 , 서 셉 터 에 부착 된 SiC 막 을 제거 하 는 클리닝 실과 , 서 셉 터 의 표면 에 SiC 막 을 형성 하 는 재 생실 을 갖 는 것 을 특징 으로 할 수 있 다 . 요컨대 , 클리닝 처리 는 ClF 3 가스 에 의한 에칭 에 한정 되 는 것 이 아니 라 , 다른 방법 에 의한 것 이 여도 된다 . 재 생실 을 가짐 으로써 , 클리닝 처리 에 의해 데미지 를 받 은 서 셉 터 표면 의 SiC 막 을 재생 시킬 수 있 으므로 , 서 셉 터 의 표면 에 부착 된 SiC 막 에서 기인 하 는 불량 을 억제 하 여 , 제조 수율 을 향상 시킬 수 있 는 반도체 제조 장치 로 할 수 있 다 .