질화 갈륨 계 반도체 는 , 우수 한 물리 적 , 화학 적 특성 으로 인해 발광 다이오드 ( LED ) 또는 레이저 다이오드 ( LD ) 등 의 발광 소자 의 핵심 소재 로 각광 을 받 고 있 다 . 특히 , 질화 갈륨 계 반도체 는 가시광선 에서 자외선 에 이르 는 다양 한 영역 의 파장 을 방출 할 수 있 으며 , 최근 에 는 청색 발광 다이오드 소자 제조 에 많이 사용 되 고 있 다 . 질화 갈륨 계 반도체 는 통상 InxAlyGa 1 - x - yN ( 0 ≤ x ≤ 1 , 0 ≤ y ≤ 1 , 0 ≤ x + y ≤ 1 ) 의 조성식 을 가진다 .