도 4 를 참조 하 면 , 투명 절연 기판 ( 100 ) 상 의 게이트 전극 ( 111 ) 을 덮 도록 투명 절연 기판 ( 110 ) 의 전면 에 게이트 절 연막 ( 101 ) 이 형성 되 고 , 게이트 전극 ( 111 ) 에 대응 하 는 게이트 절 연막 ( 101 ) 상 의 영역 에 반도체 층 ( ACT ) 이 형성 된다 . 반도체 층 ( ACT ) 의 양측 에 는 소스 전극 ( 121 ) 과 드레 인 전극 ( 122 ) 이 구성 되 며 , 보호막 ( 101 ) 의 상부 에 화소 전극 ( 130 ) 이 형성 되 어 드레 인 전극 ( 122 ) 과 콘 택 홀 을 통하 여 접촉 된다 . 반도체 층 ( ACT ) 과 , 소스 전극 ( 121 ) 및 드레 인 전극 ( 122 ) 사이 에 는 저항성 접촉 층 ( Ohmic contact ) ( 미 도시 ) 이 형성 된다 .