도 3 h 에 도시 된 바 와 같이 , 결과물 의 전체 구조 상부 에 게이트 전극 용 텅스텐 막 ( 38 ) 및 게이트 하드 마스크 용 질화 막 ( 39 ) 을 순차 적 으로 형성 한다 . 여기 서 , 게이트 전극 을 이루 는 저 저항 물질 로 텅스텐 막 ( 38 ) 을 이용 하 고 있 으나 , 이 에 한정 되 는 것 은 아니 며 다른 금속 막 또는 금속 실리사이드 막 을 이용 하 는 것 도 가능 하 다 .