도 6 은 본 명세서 에 개시 된 예시 에 따라 강유 전 성 메모리 셀 액세스 를 지원 하 는 타이밍 도 ( 600 ) 의 예시 를 도시 한다 . 예 를 들 어 , 타이밍 도 ( 600 ) 은 액세스 동작 의 제 1 페이즈 , 가령 , 도 5 를 참조 하 여 기재 된 액세스 동작 의 제 1 페이즈 ( 520 ) 를 도시 할 수 있 다 . 본 명세서 에 기재 된 바 와 같이 , " 제 1 페이즈 ( 520 ) 는 "" 활성 ( active ) "" 페이즈 로 지칭 될 수 있 다 . 일부 예시 에서 ", 타이밍 도 ( 600 ) 는 제 1 페이즈 동안 선택 된 디 지트 라인 ( 605 ) , 하나 이상 의 비 선택 디 지트 라인 ( 606 ) , 선택 된 워드 라인 ( 610 ) , 하나 이상 의 비 선택 워드 라인 ( 611 ) , 및 플레이트 ( 615 ) 의 전압 을 도시 할 수 있 다 . 플레이트 ( 615 ) 는 선택 된 디 지트 라인 ( 605 ) 과 연결 된 복수 의 메모리 셀 및 비 선택 디 지트 라인 ( 606 ) 과 연결 된 복수 의 메모리 셀 에 공통 일 수 있 다 .