위 와 같 은 워드 라인 ( 110 ) 및 층간 절 연막 ( ILD ) 의 적층 구조물 은 다음 과 같 은 공정 에 의하 여 형성 될 수 있 다 . 우선 , 기판 ( 100 ) 상 에 초기 층간 절 연막 ( ILD 0 ) 을 형성 할 수 있 다 . 기판 ( 100 ) 의 최 상부 가 절연 물질 로 형성 되 는 경우 에 는 초기 층간 절 연막 ( ILD 0 ) 은 생략 될 수 도 있 다 . 이어서 , 초기 층간 절 연막 ( ILD 0 ) 상 에 도전 물질 을 증착 하 고 이 를 선택 적 으로 식각 하 여 제 1 방향 으로 연장 하 면서 제 2 방향 에서 서로 이격 하 여 배열 되 는 제 1 층 의 워드 라인 ( 110 - 1 ) 을 형성 할 수 있 다 . 이어서 , 제 1 층 의 워드 라인 ( 110 - 1 ) 을 덮 는 제 1 층간 절 연막 ( ILD 1 ) 을 형성 할 수 있 다 . 제 1 층간 절 연막 ( ILD 1 ) 은 제 1 층 의 워드 라인 ( 110 - 1 ) 사이 의 공간 을 매립 하 면서 , 제 1 층 의 워드 라인 ( 110 - 1 ) 의 상면 보다 위 에 있 으면서 평탄 화 된 상면 을 가질 수 있 다 . 이어서 , 제 1 층간 절 연막 ( ILD 1 ) 상 에 제 2 층 의 워드 라인 ( 110 - 2 ) 을 형성 할 수 있 다 . 제 2 층 의 워드 라인 ( 110 - 2 ) 형성 공정 은 제 1 층 의 워드 라인 ( 110 - 1 ) 형성 공정 과 실질 적 으로 동일 할 수 있 다 . 그 에 따라 , 제 2 층 의 워드 라인 ( 110 - 2 ) 은 제 1 층 의 워드 라인 ( 110 - 1 ) 과 동일 한 위치 에 동일 한 선폭 을 갖 도록 , 다시 말 하 면 , 제 1 층 의 워드 라인 ( 110 - 1 ) 과 평면 상 중첩 하 도록 형성 될 수 있 다 . 유사 한 방식 으로 제 2 층간 절 연막 ( ILD 2 ) , 제 3 층 의 워드 라인 ( 110 - 3 ) , 제 3 층간 절 연막 ( ILD 3 ) , 제 4 층 의 워드 라인 ( 110 - 4 ) 및 제 4 층간 절 연막 ( ILD 4 ) 을 차례 로 형성 할 수 있 다 . 층간 절 연막 ( ILD ) 은 실리콘 산화물 , 실리콘 질화물 또는 이 들 의 조합 등 과 같 은 다양 한 절연 물질 을 포함 할 수 있 고 , 워드 라인 ( 110 ) 은 금속 , 금속 질화물 또는 이 들 의 조합 등 과 같 은 다양 한 도전 물질 을 포함 할 수 있 다 .