마스크 패턴 의 형성 공정 수 를 삭감 하 는 기술 로서 레지스 트 에 유기 용제 를 침투 시키 는 것 으로 레지스 트 를 연화 시켜 레지스 트 의 패턴 형상 을 변화 시키 는 것 에 의해 새로운 마스크 패턴 을 형성 해 , 포트 리소그래피 에 의한 마스크 패턴 의 형성 공정 을 저감 할 수 가 있 는 리플 로우 처리 가 제안 되 고 있 다 ( 예 를 들 면 , 일본국 특개 2002 - 334830 호 공보 ) .