시료 1 ∼ 시료 13 에 있 어서 의 피막 의 형성 조건 은 , Al 리치 층 이외 ( TiN , TiCN , Al 2 O 3 ) 에 관해서 는 , 이하 의 표 2 에 나타내 는 것 과 같 다 . 각 시료 ( 시료 1 ∼ 시료 13 ) 에 있 어서 TiN , TiCN , Al 2 O 3 의 각 층 은 , 후술 하 는 표 6 에 나타내 는 두께 가 되 도록 원료 가스 의 성막 시간 을 조정 한 다음 에 기재 상 에 형성 했 다 . 시료 14 및 시료 15 의 기재 에 관해서 는 상술 한 CVD 장치 를 이용 하 여 TiN 을 형성 한 후 , Al 및 Ti 로 이루어지 는 타 겟 ( 타 겟 조성 , Al : Ti = 60 : 40 ) 을 이용 한 PVD 법 에 의해 기재 상 에 AlTiN 막 을 형성 했 다 .