기판 ( 100 ) 과 반도체 칩 ( 200 ) 은 접착제 층 ( 110 ) 에 의해 부착 ( 적층 ) 될 수 있 으며 , 솔 더 레지스 트 ( 108 ) , 회로 층 ( 114 ) 과 반도체 칩 을 피복 하 는 몰딩 재 ( 120 ) 및 기판 의 기판 단자 ( 106 ) 에 형성 되 어 기판 단자 ( 106 ) 과 전기 적 으로 연결 되 는 솔 더 볼 ( 130 ) 을 포함 할 수 있 다 . 기판 ( 100 ) 은 세라믹 기판 , 플라스틱 기판 일 수 있 으며 , 전기 적 인 회로 패턴 ( 104 ) 이 형성 된 기판 일 수 있 다 . 반도체 칩 ( 200 ) 은 메모리 소자 , 로직 로 자 , 광전 소자 또는 파워 소자 등 의 반도체 소자 가 형성 될 수 있 으며 상기 반도체 소자 에 는 저항 , 콘덴서 등 의 각종 수동소자 가 포함 될 수 있 다 . 시드 금속 층 ( 112 ) 은 구리 를 포함 하 는 금속 층 일 수 있 으며 무전 해 구리도금 에 의해 형성 될 수 있 다 . 회로 층 ( 114 ) 은 전해 도금 에 의해 시드 금속 층 ( 112 ) 상 에 구리 , 니켈 및 금 이 순차 적 으로 적층 된 금속 층 일 수 있 다 .