또한 , TiN 막 또는 Ti 막 을 형성 할 때 에 는 기재 ( 10 ) 를 가열 할 필요 는 없 다 . 종래 의 CVD 장치 에 는 히터 ( 2 ) 에 상당 하 는 것 이 존재 하 지 않 기 때문 에 , 기재 ( 10 ) 의 온도 를 400 ℃ 정도 까지 가열 하 여 그 표면 에서 TDMAT 등 을 열분해 시킬 필요 가 있 지만 , 본 실시 예 에서 는 기재 ( 10 ) 의 표면 에서 의 열분해 는 필요 로 하 지 않 는다 . 종래 , Al 배선 을 포함 하 는 기재 를 400 ℃ 보다 높 은 온도 까지 가열 하 는 것 은 피하 고 있 고 , 이 때문 에 , 사용 가능 한 유기 금속 의 종류 가 한정 되 어 있 다 . 이 에 대하 여 , 본 실시 예 에서 는 히터 ( 2 ) 의 가열 에 의해 유기 금속 이 열분해 하 므로 , 기재 를 가열 할 필요 가 없 고 , 높 은 온도 에서 열분해 하 는 유기 금속 을 사용 하 는 것 도 가능 하 다 .