기판 ( 110 ) 은 제 1 방향 ( X 방향 ) 및 제 2 방향 ( Y 방향 ) 으로 연장 되 는 주면 ( 110 M ) 을 가질 수 있 다 . 기판 ( 110 ) 은 반도체 물질 , 예 를 들 어 IV 족 반도체 , III - V 족 화합물 반도체 또는 II - VI 족 산화물 반도체 를 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , IV 족 반도체 는 실리콘 ( Si ) , 저 머 늄 ( Ge ) 또는 실리콘 - 저 머 늄 을 포함 할 수 있 다 . 기판 ( 110 ) 은 벌크 웨이퍼 또는 에피 택 셜 층 으로 제공 될 수 도 있 다 . 다른 실시 예 에서 , 기판 ( 110 ) 은 SOI ( silicon - on - insulator ) 기판 , 또는 GeOI ( germanium - on - insulator ) 기판 을 포함 할 수 있 다 .