도 3 c 를 참조 하 면 , 반도체 기판 ( 100 ) 전면 에 스 페이서 물질 층 을 형성 하 고 전면 에 이방성 식각 공정 을 수행 하 여 금속 배선 콘 택 홀 ( 125 ) 의 상부 측벽 에 스 페이서 ( 160 ) 를 형성 한다 . 이때 , 스 페이서 물질 층 은 300 ~ 700 Å 의 두께 로 산화 막 ( Oxide ) , 질화 막 ( Nitride ) 또는 이 들 의 혼합 층 중 선택 된 어느 하나 를 이용 하 여 형성 하 는 것 이 바람직 한데 , 상기 산화 막 ( Oxide ) 은 PE - TEOS 막 을 사용 하 고 , 상기 질화 막 ( Nitride ) 은 PE - Nitride 막 을 사용 한다 .