본 발명 의 일 실시 예 에 따라 , 질화물 반도체 기반 의 LED 층 을 형성 하 는 단계 는 , 웨이퍼 기판 상부 에 버퍼 층 , n - 형 질화물 반도체 층 , 활성 층 및 p - 형 질화물 반도체 층 을 순차 적 으로 형성 하 고 , 상기 마이크 로 - LED 픽셀 로 식각 하 는 단계 는 , p - 형 질화물 반도체 층 에서부터 상기 n 형 질화물 반도체 층 의 일부분 까지 메사 ( Mesa ) 식각 하 여 마이크 로 - LED 픽셀 을 형성 하 고 , n 형 질화물 반도체 층 을 노출 하 는 것 일 수 있 다 .