실시 예 는 특정 맥락 , 즉 반도체 핀 을 시닝 하고 시닝 된 반도체 핀 에 기초 하 여 대응 FinFET 을 형성 하 는 프로세스 에 관하 여 설명 될 것 이 다 . 설명 된 실시 예의 개념 은 게이트 - 올 - 어 라운드 ( Gate - All - Around : GAA ) 나노 와이어 트랜지스터 , 나노 시트 트랜지스터 등 의 채널 영역 의 시닝 을 포함 하 고 , 이 들 에 한정 되 는 것 은 아닌 , 구조 체 및 핀 을 갖 는 다른 구조 체의 처리 에 또한 적용 될 수 도 있 다 . 본 명세서 에 설명 된 실시 예 는 본 개시 내용 의 요지 를 구성 하 거나 사용 하 는 것 을 가능 하 게 하 기 위해 예 를 제공 하 기 위한 것 이 지만 , 당 기술 분야 의 숙련자 는 다른 실시 예 들 의 고려 된 범주 내 에 남 아 있 으면서 이루어질 수 있 는 변경 을 즉시 이해 할 수 있 을 것 이 다 . 방법 실시 예 는 특정 순서 로 수행 되 는 것 으로서 설명 될 수 도 있 지만 , 다른 방법 실시 예 는 임의 의 논리 적 순서 로 수행 될 수 도 있 다 .