도 1 은 , 본 발명 의 반도체 장치 의 제조 방법 으로 팬 아웃 형 웨이퍼 레벨 패키지 를 제조 하 는 경우 의 플로우 의 일 예 를 나타내 는 개략 단면도 이 다 . 도 1 의 반도체 장치 의 제조 방법 에서 는 , 먼저 , 기판 ( 1 ) 상 에 형성 된 배선 층 ( 2 ) ( 절연 층 ( 2 a ) , 절연 층 ( 2 b ) , 도금 패턴 ( 2 c ) ) 상 에 플립 칩 형 의 반도체 소자 ( 3 ) 를 복수 탑재 한 반도체 소자 탑재기 판 ( 4 ) 을 준비 한다 ( 도 1 ( A ) : 준비 공정 ) . 다음 에 , 기재 ( 5 ) 와 기재 ( 5 ) 의 일방 의 표면 에 형성 된 봉지 수지 층 ( 6 ) 을 갖 는 반도체 봉지 용 기재 가 부착 된 봉 지재 ( 7 ) 의 봉지 수지 층 ( 6 ) 에 의해 , 반도체 소자 탑재기 판 ( 4 ) 의 소자 탑 재면 을 피복 하 고 , 플립 칩 형 의 반도체 소자 ( 3 ) 와 배선 층 ( 2 ) 사이 의 공간 에 봉지 수지 를 침입 시켜 경화 시킨다 . 이 에 따라 , 봉지 수지 층 ( 6 ) 은 경화 후 의 봉지 수지 층 ( 6 ') 이 된다 ( 도 1 ( B ) , ( C ) : 봉지 공정 ) . 다음 에 , 기판 ( 1 ) 을 연삭 이나 에칭 등 에 의해 제거 하 고 ( 도 1 ( D ) : 기판 제거 공정 ) , 기판 ( 1 ) 의 제거 에 의해 노출 된 배선 층 ( 2 ) 상 에 범프 ( 8 ) 를 형성 한다 ( 도 1 ( E ) : 범프 형성 공정 ) . 그리고 , 이렇게 하 여 얻 어 진 반도체 장치 집합체 ( 9 ) 를 다 이싱 에 의해 개편 화 하 여 반도체 장치 ( 10 ) 를 제조 한다 ( 도 1 ( F ) : 다 이싱 공정 ) .