복수 의 제 1 국부 영역 ( 542 a ) 및 복수 의 제 1 스 페이서 ( 552 ) 는 상기 제 1 메모리 셀 블록 영역 ( 400 A ) 으로부터 상기 접속 영역 ( 300 B ) 을 거쳐 상기 제 2 메모리 셀 블록 영역 ( 400 B ) 까지 연장 되 는 복수 의 제 1 마스크 라인 ( 572 ) 을 구성 한다 . 또한 , 상기 메모리 셀 영역 ( 300 A ) 에서 상기 제 1 메모리 셀 블록 영역 ( 400 A ) 및 제 2 메모리 셀 블록 영역 ( 400 B ) 사이 에 있 는 상기 제 2 몰드 마스크 패턴 ( 544 ) 및 제 2 스페이스 ( 554 ) 는 제 2 마스크 라인 ( 574 ) 을 구성 한다 .