상기 애노드 상 에 HAT - CN 을 진공 증착 하 여 10 nm 두께 의 정공 주입 층 을 형성 하 고 , 상기 정공 주입 층 상 에 NPB 를 진공 증착 하 여 50 nm 두께 의 정공 수송 층 을 형성 한 후 , 상기 정공 수송 층 상 에 TCTA 를 진공 증착 하 여 5 nm 두께 의 제 1 전자 저지 층 을 형성 한 다음 , 상기 제 1 전자 저지 층 상 에 mCP 를 진공 증착 하 여 5 nm 두께 의 제 2 전자 저지 층 을 형성 하 였 다 .