정공 디바이스 와 전자 디바이스 ( 도 4 의 에너지 다이어그램 및 구조 ) 의 실험 데이터 를 피팅 하 여 , 전하 담체 이동율 을 추출 했 다 . 해당 시뮬레이션 에서 쓰인 피팅 이동율 패러 미터 및 기타 입력 패러 미터 를 표 2 에 정리 하 였 다 . 추출 된 값 은 , ITO / 20 중량 % Cs : BSBCz ( 10 nm ) / BSBCz ( 190 nm ) / MoO 3 ( 10 nm ) / Al 의 구조 를 갖 는 쌍극 성 OLED 디바이스 를 시뮬레이션 하 기 위해 사용 하 였 다 . 양극 ( ITO / 20 중량 % Cs : BSBCz ) 의 일함수 는 2 . 6 eV 로 , 음극 ( MoO 3 / Al ) 의 일함수 는 5 . 7 eV 로 설정 했 다 . OSLD 의 전기 적 특성 에 대한 DFB 격자 의 영향 을 계산 하 여 , 기준 디바이스 ( 격자 미 포함 ) 과 비교 하 였 다 . 모드 이득 g m 는 하 기 의 식 을 대입 하 여 S ( x , y ) 와 광학 모드 강도 | E ( x , y ) | 2 로부터 산출 한다 .