이후 , 도 5 e 에 도시 된 것 과 같이 , 제 1 절연 층 ( 10 ) 상 에 제 2 절연 층 ( 20 ) 을 형성 한다 . 제 2 절연 층 ( 20 ) 은 무기물 또는 유기물 을 화학 기상 증착 법 ( CVD , Chemical Vapor Deposition ) 을 통해 증착 하 여 형성 될 수 있 다 . 일 실시 예 에서 , 제 2 절연 층 ( 20 ) 은 실리콘 옥사이드 또는 실리콘 나이트 라이드 를 화학 기상 증착 법 ( CVD ) 을 통해 증착 하 여 형성 될 수 있 다 .