본 발명자 들 은 , 플래시 광조 사 시 에 반도체 웨이퍼 ( W ) 에 휨 이 생기 기 시작 한 순간 에 , 그 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 비스듬 한 상방 에 설치 하 여 상면 온도 를 측정 하 는 방사 온도계 의 측정치 가 일단 미소 하 게 저하 되 는 것 을 발견 했 다 . 그 온도 측정치 의 저하 의 정도 는 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 휨 이 클수록 커진다 . 따라서 , 제 1 상부 방사 온도계 ( 25 ) 또는 제 2 상부 방사 온도계 ( 125 ) 중 , 플래시 광조 사 시 에 일단 저하 되 는 측정치 의 저하 의 정도 가 작 은 쪽 의 광축 이 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 휨 이 최소 가 되 는 방향 을 따른 직경 과 일치 하 고 있 다고 판단 할 수 있 다 . 따라서 , 제 어부 ( 3 ) 는 , 제 1 상부 방사 온도계 ( 25 ) 또는 제 2 상부 방사 온도계 ( 125 ) 중 , 플래시 광조 사 시 에 일단 저하 되 는 측정치 의 저하 의 정도 가 작 은 쪽 을 채용 한다 . 이것 에 의해 , 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 상면 의 온도 를 정확 하 게 측정 할 수 있 다 .