산화물 반도체 층 ( 144 ) 의 에칭 은 상기 열처리 전 또는 상기 열처리 후 중 어느 시점 에서 든 행할 수 있 다 . 또한 , 소자 의 미세 화 라는 측면 에서 는 건식 에칭 을 이용 하 는 것 이 적합 하 지만 , 습식 에칭 을 이용 할 수 도 있 다 . 에칭 가스 나 에칭 액 에 대해서 는 피 에칭 재료 에 따라 적절히 선택 할 수 있 다 . 또한 , 소자 에 있 어서 의 누설 등 이 문제 가 되 지 않 는 경우 에 는 , 산화물 반도체 층 을 섬 형상 으로 가공 하 지 않 고 사용 할 수 도 있 다 .