상기 한 바 와 같이 , 본 발명 에 따른 반도체 제조 장치 는 , 설치 된 웨이퍼 처리 챔버 들 의 수 가 심지어 증가 된 경우 에 도 상기 장치 의 폭 의 증가 를 최소 화 할 수 있 도록 설계 되 었 으며 , 증가 된 개수 의 웨이퍼 처리 챔버 들 을 사용 하 여 병렬 처리 를 가능 하 게 함 으로써 처리 량 을 개선 하 고 , 이 로 인하 여 유지 보수성 의 감소 시키 지 않 으면서 도 한정 된 공간 에서 복수 의 장치 들 을 설치 하 는 것 을 가능 하 게 한다 .