실리콘 웨이퍼 상 에 실리콘 산화 막 을 형성 하 고 , 상기 실리콘 산화 막 상 에 반사 방지 층 인 Si - ARC ( Sith 920 , ShinEtsu 사 ) 를 600 nm 의 두께 로 스핀코팅 하 였 다 . 상기 코팅 된 웨이퍼 를 240 ℃ 에서 1 분 간 경화 하 였 다 . 경화 된 반사 방지 층 을 갖 는 웨이퍼 를 TEAH 3 mM 수용액 에 60 분 동안 딥 핑 한 후 꺼내 어 증류수 로 세척 하 였 다 . 그 후 , 상온 및 흐르 는 질소 분위기 에서 건조 시켰 다 .