한편 , 본 실시 형태 에 따르 는 반도체 장치 가 갖 는 메모리 셀 은 , 산화물 반도체 를 사용 한 트랜지스터 의 스위칭 에 의해 동작 하 고 , 상기 와 같 은 터널 전류 에 의한 전하 주입 의 원리 를 사용 하 지 않 는다 . 즉 , 플래시 메모리 와 같 은 , 전하 를 주입 하 기 위한 고전 계 가 불 필요 하 다 . 이것 에 의해 , 인접 셀 에 대한 , 컨트롤 게이트 에 의한 고전 계 의 영향 을 고려 할 필요 가 없 기 때문 에 , 고집 적 화 가 용이 해진다 .