게이트 절 연막 ( 52 a , 52 b , 52 c ) 은 각각 , CVD 법 이나 스퍼터링 법 등 을 사용 하 여 , 산화 규소 막 , 질화규소 막 , 산화 질화규소 막 , 또는 질화 산화 규소 막 으로 형성 할 수 있 다 . 게이트 절 연막 에 형성 되 는 핀홀 등 에 의한 층간 쇼트 를 막 기 위해 , 다른 절연 층 을 사용 하 여 다층 으로 하 는 것 이 바람직 하 다 . 여기 에서 는 , 게이트 절 연막 ( 52 a , 52 b , 52 c ) 으로서 질화규소 막 , 산화 질화규소 막 , 질화규소 막 의 순 으로 적층 하 여 형성 하 는 형태 를 나타낸다 .