또한 , Ⅲ - Ⅲ ' 영역 에서 는 식각 공정 으로 형성 된 절연 기판 ( 110 ) 의 홈 내측 에 제 1 공통 전극 ( 103 a ) 이 형성 되 어 있 고 , 제 1 공통 전극 ( 103 a ) 상 에 는 게이트 절 연막 ( 112 ) 이 형성 되 어 있 다 . 게이트 절 연막 ( 112 ) 상 에 는 데이터 배선 ( 105 ) 이 형성 되 어 있 고 , 보호막 ( 119 ) 을 사이 에 두 고 제 3 공통 전극 ( 113 b ) , 화소 전극 ( 107 a ) 및 제 2 공통 전극 ( 113 a ) 이 교대 로 배치 되 어 있 다 .