SOG 층 ( 400 a ) 은 고전압 을 사용 하 는 경우 에 반도체 소자 의 누설 전류 를 충분히 제어 하 지 못할 수 있 다 . 따라서 도 5 에 보인 것 과 같이 , 도핑 된 규산염 유리질 ( doped silicate glass ) 층 ( 500 ) 을 SOG 층 ( 400 a ) 상 에 형성 하 여 누설 전류 를 충분 하 게 제어 할 수 있 다 .