이하 에서 는 , 스루홀 전극 을 형성 하 는 방법 을 간략 하 게 설명 한다 . 먼저 , 실리콘 반도체 기판 ( 10 ) 내 에 스루홀 을 형성 하 고 , 이 스루홀 내 에 절 연막 ( 22 ) 을 형성 한다 . 이후 , 내부 전극 ( 26 ) 과 실리콘 반도체 기판 ( 10 ) 사이 에 존재 하 는 절 연막 과 , 절 연막 ( 22 ) 을 동시 에 처리 한다 . 이 에 따라 , 절 연막 으로 된 플래토 ( plateau ) 가 존재 한다 . 참조 번호 40 은 실리콘 반도체 기판 ( 10 ) 을 처리 함 으로써 층간 절 연막 ( 13 ) 의 측면 상 에 형성 된 처리 홀 ( 스루홀 ) 을 가리키 고 , 참조 번호 41 은 절 연막 ( 22 ) 을 처리 함 으로써 형성 된 처리 홀 을 가리킨다 . 이 경우 , 도 3 과 도 4 에 도시 한 바 와 같이 , 처리 홀 ( 41 ) 은 처리 홀 ( 40 ) 내 에 반드시 존재 하 며 , 처리 홀 ( 40 ) 은 패드 개구부 ( 30 ) 내 에 반드시 존재 한다 .