다음 에 에칭 조건 이 에칭 레이트 , 대 마스크 선택 비 및 에칭 형상 에 주 는 영향 에 대해서 시험 을 하 였 다 . 이 시험 에서 는 도 9 ( a ) 에 나타내 는 적층 구조 를 갖 는 샘플 웨이퍼 를 사용 하 였 다 . 이 샘플 웨이퍼 는 실리콘 기판 ( 301 ) 에 , 산화 규소 ( S 1 O 2 ) 막 ( 302 ) , 질화규소 ( Si 3 N 4 ) 막 ( 303 ) 및 레지스 트 막 ( 304 ) 이 적층 된 구조 를 갖 고 있 다 . 그리고 , 처리 가스 로서 CF 4 / CHF 3 / Ar / O 2 를 이용 하 고 , 표 3 에 나타내 는 바 와 같이 실험 계획법 에 의거 해서 에칭 조건 을 바꾸 어 에칭 을 실행 하 고 , 오 목부 ( 305 ) 를 형성 하 였 다 . 그 때 의 에칭 레이트 , 대 레지스 트 마스크 선택 비 및 에칭 형상 을 측정 하 여 비교 하 였 다 .