도 7 d 를 참조 하 면 , 상기 리세 스 된 활성 영역 ( H ) 의 측벽 에 형성 된 절연 막 스 페이서 ( 304 ) 와 상기 마스크 패턴 ( 320 ) 을 식각 마스크 로 상기 반도체 기판 ( 300 ) 에 식각 공정 을 진행 하 여 상기 게이트 형성 영역 의 리세 스 된 활성 영역 ( H ) 의 바닥 으로부터 300 ∼ 3000 Å 의 깊이 로 홈 ( H ') 을 형성 한다 .