도 11 은 막대 모양 의 흡수 형 요소 ( 109 ) 가 광기 전 스트립 으로 대체 된 , 또 다른 형태 의 흡수 형 편광자 , 즉 광기 전 편광자 의 개략 도 이 다 . 일 실시 예 에 있 어서 , 이러 한 스트립 ( 109 ) 은 큰 밴드 갭 ( bandgap ) 을 갖 는 반도체 ( 예 를 들 어 , 실리콘 ) 박막 의 상부 에 작 은 밴드 갭 을 갖 는 반도체 ( 예 를 들 어 , 게르마늄 ) 박막 으로 구성 되 는 쇼트 키 ( Shottky ) 형태 의 다이오드 이 다 . 그러나 , 다른 광기 전 재료 또는 장치 가 TSAOS 장치 의 이러 한 실시 예의 성질 또는 기능 에 대한 근본 적 인 변화 없이 대체 될 수 있 다 . 이러 한 배열 에 있 어서 , 광기 전 스트립 ( 109 ) 은 반대 극성 으로 충돌 하 는 광 의 상당 부분 을 흡수 시키 지만 ( 예 를 들 어 열 형태 로 ) , 또한 이러 한 광 의 상당 부분 은 전류 를 생성 하 기 위해 수집 될 수 있 는 전위 형태 로 흡수 된다 . 광기 전 장치 의 설계 및 기능 은 종래 기술 에서 잘 설명 되 므로 , 본 명세서 에서 는 추가 의 세부 설명 을 필요 로 하 지 않 는다 .