예 를 들 어 , 시중 에 시판 되 고 있 는 SOS ( Silicon - On - Saphire ) 기판 은 ( 100 ) 면 실리콘 이 얹혀 있 는 것 이 다 . r - 평면 사파이어 위 에 질화물 화합물 반도체 인 GaN 를 성장 하 면 , a - 평면 GaN 를 얻 게 된다 . 이 는 비극 성 ( non - polar ) 의 특징 을 가지 게 된다 . 따라서 , 이러 한 기술 을 이용 하 여 비극 성 GaN 을 가지 는 발광 소자 를 제작 할 수 있 게 된다 .