도 8 a 본 발명 에서 와 같이 열처리 단계 동안 에 웨이퍼 에 대한 열풍 의 방향 이 도 5 에서 보여 지 는 바 와 같이 웨이퍼 결합체 에 대하 여 거의 직각 이 되 도록 한 경우 에 웨이퍼 의 가장자리 에 발생 되 는 에지 익스 크루 션 ( edge exclusion ) 의 분포 이 며 , 도 8 b 는 열풍 의 방향 이 웨이퍼 결합체 에 대하 여 평행 이 되 는 , 즉 웨이퍼 의 측면 을 통하 여 열풍 을 불 어 준 종래 의 경우 의 에지 익스 크 르 션 의 분포 를 보여 주 는 사진 들 이 다 . 도 8 a 의 경우 에지 익스 쿠루 션 이 웨이퍼 의 에지 로부터 약 1 . 66 mm 정도 로 매우 양호 하 지만 , 도 8 b 의 경우 약 2 . 64 mm 정도 로 매우 넓 게 분 포함 을 알 수 있 다 . 에지 익스 크루 션 의 분포 가 넓 을수록 소자 영역 으로 활용 할 수 있 는 면적 이 그 만큼 줄어들 기 때문 에 바람직 하 지 않 다 .