에칭 은 예컨대 SnO 2 를 휘발 성 SnH 4 로 변환 하 도록 제어 된다 . 바람직 하 게 , 프로세스 가스 내 H 2 함량 은 적어도 약 50 체적 ％ ( ％ by volume ) , 예컨대 적어도 약 80 체적 ％ ( 최대 100 ％ 를 포함 할 수 있 다 ) 이 다 . 일부 실시 예 들 에서 , 프로세스 가스 는 하이드로 카본 , 예컨대 CH 4 를 더 포함 할 수 도 있 다 . 일부 실시 예 들 에서 , 프로세스 가스 는 Cl 2 를 더 포함 한다 . 예 를 들 어 , 프로세스 가스 는 본질 적 으로 H 2 및 불활성 가스 ( 예 를 들 어 , He ) 로 구성 될 수 도 있 고 , 또는 프로세스 가스 는 본질 적 으로 H 2 , 불활성 가스 및 하이드로 카본 ( 예 를 들 어 , CH 4 ) 으로 구성 될 수 도 있 다 . 에칭 은 기판 근방 에서 측정 된 , 약 100 ℃ 미만 의 온도 에서 수행 된다 . 에칭 반응 은 유리 하 게 휘발 성 재료 들 만 , 예컨대 SnH 4 을 생성 하 고 , 휘발 성 재료 들 은 배기 및 / 또는 퍼지 에 의해 에칭 프로세스 챔버 로부터 용이 하 게 제거 될 수 있 다 . 고온 이 형성 된 SnH 4 의 분해 및 프로세스 챔버 및 기판 을 오염 시킬 수 있 는 , 입자 들 의 형성 을 야기 할 수 있 기 때문 에 에칭 프로세스 온도 는 바람직 하 게 약 100 ℃ 미만 으로 선택 된다 . 프로세스 가스 의 조성 및 프로세스 조건 들 은 예컨대 에칭 동안 입자 들 의 형성 을 감소 시키 거나 제거 하 도록 선택 된다 . 중요 하 게 , 에칭 반응 은 임의 의 상당 한 스퍼터링 컴포넌트 를 필요 로 하 지 않 고 , 기판 에서 외부 바이어스 의 부 재시 , 그리고 중이온 들 ( 예 를 들 어 , 아르곤 이온 들 ) 의 부 재시 수행 될 수 있 다 . 스퍼터링 컴포넌트 를 감소 시키 는 것 은 기판 상 의 제 2 재료 에 대한 에칭 선택도 를 상승 시키 기 에 유리 할 수 있 다 . 따라서 , 일부 실시 예 들 에서 에칭 은 기판 에 외부 바이어스 를 제공 하 지 않 고 수행 되 고 그리고 / 또는 스퍼터링 을 감소 시키 도록 , 캐리어 가스 로서 헬륨 ( 가벼운 가스 ) 을 사용 하 는 것 을 수반 한다 .