이 와 같이 , 마스크 패턴 의 크기 가 크 게 형성 된 상태 에서 식각 공정 이 진행 되 면 금속 배선 은 소망 하 는 크기 보다 가늘 게 형성 되 어 금속 배선 의 쓰 럼 짐 현상 이 발생 하 고 , 이 로 인해 , 웨이퍼 로부터 떨어져 나온 금속 배선 이 웨이퍼 의 다른 부분 으로 침투 되 어 파티클 소스 로 작용 함 으로써 반도체 소자 의 제품 수율 을 저하 시킨다 .