이러 한 레티 클 ( 20 ) 에 있 어서 , 기준 용 칩 패턴 영역 ( 21 ) 및 외주 영역 ( 22 ) 의 크기 는 다양 한 노광 샷 사이즈 에 대응 할 수 있 게 설정 되 어 있 다 . 즉 , 이 레티 클 ( 20 ) 에서 는 , 도 15 에 점선 으로 나타낸 바 와 같이 , 외주 영역 ( 22 ) 의 범위 에서 스 테퍼 의 블라인드 사이즈 ( 23 ) 를 임의 로 변경 할 수 있 게 되 어 있 다 . 또한 , 이 레티 클 ( 20 ) 에서 는 , 블라인드 사이즈 ( 23 ) 가 변경 된 경우 에 도 , 기준 용 칩 의 패턴 이 웨이퍼 측 에 확실 하 게 전사 된다 . 그 때문 에 , 패턴 이 결여 되 어 전사 되 지 않 아 패턴 손실 등 의 문제 를 회피 하 는 것 이 가능 해 지 는 것 이외 에 , 다양 한 형태 의 칩 형성 에 적용 하 는 것 이 가능 하 다 .