우선 , 도 2 a 에 도시 된 파동 함수 ( 점선 : 전자 , 실선 : 정공 ) 에 따르 면 , 상대 적 으로 정공 은 전자 에 비해 이동도 가 낮 으므로 , 페어 ( pair ) 수 가 증가 함 에 따라 정공 의 존재 확률 은 급격히 감소 하 게 된다 . 전자 와 정공 은 각각 n 형 및 p 형 질화물 반도체 층 으로부터 멀 어 질수록 그 분포 가 감소 하 지만 , 정공 이 상대 적 으로 더 급속 하 게 감소 하 므로 , 도 2 b 에 나타난 바 와 같이 , 유효 한 재결합 확률 은 p 형 질화물 반도체 층 과 가까운 영역 ( Ⅱ ) 에 위치 한 양자 우물 층 에서 높 은 경향 을 나타낸다 .