도 4 및 도 5 를 참고 하 여 설명 하 면 , 본 발명 에 따른 반도체 소자 는 금속 물질 로 형성 되 는 전극 ( 20 ) , 상기 전극 ( 20 ) 상 에 형성 되 는 제 1 실리콘 절 연막 ( 30 ) , 상기 제 1 실리콘 절 연막 ( 30 ) 상 에 형성 되 고 , 상기 제 1 실리콘 절 연막 ( 30 ) 의 산소 농도 보다 큰 제 2 실리콘 절 연막 ( 40 ) , 상기 제 2 실리콘 절 연막 ( 40 ) 상 에 형성 되 고 , 상기 제 2 실리콘 절 연막 ( 40 ) 의 산소 농도 보다 작 은 제 3 실리콘 절 연막 ( 50 ) 을 포함 하 여 형성 될 수 있 다 .