따라서 , 반도체 메모리 장치 가 X 4 또는 X 8 의 데이터 입출력 구조 를 가지 는 경우 정상 서브 어레이 를 활성 화 시킬 때 는 제 1 승압 전압 발생기 ( 1210 ) 만 이 승압 전압 ( VPP ) 을 출력 하 며 , 반도체 메모리 장치 가 X 4 또는 X 8 의 데이터 입출력 구조 를 가지 는 경우 에지 서브 어레이 를 활성 화 시킬 때 는 제 1 승압 전압 발생기 ( 1210 ) 와 제 3 승압 전압 발생기 ( 1230 ) 가 각각 승압 전압 ( VPP ) 을 출력 한다 . 또한 , 반도체 메모리 장치 가 X 16 의 데이터 입출력 구조 를 가지 는 경우 정상 서브 어레이 를 활성 화 시킬 때 는 제 1 승압 전압 발생기 ( 1210 ) 와 제 2 승압 전압 발생기 ( 1220 ) 가 각각 승압 전압 ( VPP ) 을 출력 하 며 , 반도체 메모리 장치 가 X 16 의 데이터 입출력 구조 를 가지 는 경우 에지 서브 어레이 를 활성 화 시킬 때 는 제 1 승압 전압 발생기 ( 1210 ) , 제 2 승압 전압 발생기 ( 1220 ) , 및 제 3 승압 전압 발생기 ( 1230 ) 가 각각 승압 전압 ( VPP ) 을 출력 한다 .