DFB 기판 을 기존 의 초음파 처리 에 의해 세정 하 였 다 . 이어서 유기 층 과 금속 전극 을 1 . 5 X 10 - 4 Pa 의 압력 하 에서 전체 증발 속도 0 . 1 - 0 . 2 nm · s - 1 의 열 증발 에 의해 기판 상 에 진공 증착 하 여 인듐 주석 산화물 ( ITO ( 100 nm ) / 20 중량 % BSBCz : Cs ( 60 nm ) / BSBCz ( 150 nm ) / MoO 3 ( 10 nm ) / Ag ( 10 nm ) / Al ( 90 nm ) 의 구조 를 가지 는 OSLD 를 제조 하 였 다 . ITO 표면 의 SiO 2 층 은 , DFB 격자 와 마찬가지 로 절연체 로서 작용 하 였 다 . 따라서 OLED 의 전류 흐름 영역 은 , BSBCz 이 ITO 와 직접 접촉 하 는 DFB 영역 에 한정 되 었 다 . 30 X 45 μ m 의 활성 영역 을 가지 는 기준 OLED 역시 동일 한 전류 흐름 영역 에서 제조 하 였 다 .