본 발명 에서 는 도 4 a 에 도시 된 바 와 같이 제 1 측면 성장 속도 를 이용 하 여 반 극성 질화물 단결정 박막 ( 12 b ) 을 1 차 측 방향 성장 시키 고 , 도 4 b 에 도시 된 바 와 같이 제 2 측면 성장 속도 를 이용 하 여 반 극성 질화물 단결정 박막 ( 12 b ) 을 2 차 측 방향 성장 시킴 으로써 , m 면 육방정계 단결정 기판 ( 11 ) 에 평행 한 ( 11 - 22 ) 면 을 가지 며 , 고품위 의 결정 성 을 갖 는 반 극성 질화물 단결정 박막 ( 12 b ) 을 형성 할 수 있 게 된다 . 구체 적 인 설명 은 후술 한다 .