반도체 내부 의 결함 이 없 는 이상 적 인 산화물 반도체 를 채널 에 사용 한 트랜지스터 의 이동도 μ 2 를 계산 한 결과 를 도 22 에 도시 한다 . 또한 , 계산 에 는 시놉시스 사제 디바이스 시뮬레이션 소프트 , Sentaurus Device 를 사용 하 고 , 산화물 반도체 의 밴드 갭 , 전자 친화력 , 비유전율 , 두께 를 각각 2 . 8 전자 볼트 , 4 . 7 전자 볼트 , 15 , 15 ㎚ 로 했 다 . 이 들 값 은 , 스퍼터링 법 에 의해 형성 된 박막 을 측정 하 여 얻 어 진 것 이 다 .