도 10 d 를 참조 하 면 , 워드 라인 컷 ( 332 ) 을 통해 불 산 ( HF ) 혹은 불 산 ( HF ) 과 질산 ( HNO 3 ) 혼합액 을 제공 하 여 제 1 희생 막 들 ( 311 - 315 ) 을 선택 적 으로 습식 식각 할 수 있 다 . 이 에 따라 게이트 들 ( 365 ) 사이 에 는 에어 갭 들 ( 316 ) 이 형성 될 수 있 다 . 본 실시 예 에 의하 면 , 수직 채널 ( 340 ) 을 따라 수직 적층 된 접지 선택 게이트 ( 365 g ) 와 메모리 게이트 들 ( 365 w ) 및 스트링 선택 게이트 ( 365 s ) 가 에어 갭 들 ( 316 ) 에 의해 이격 된 셀 스트링 ( 305 ) 을 포함 하 는 게이트 스택 ( 304 b ) 이 형성 될 수 있 다 . 워드 라인 컷 ( 332 ) 은 가령 실리콘 산화 막 ( SiO 2 ) 을 증착 하 여 형성 된 절 연막 ( 372 ) 에 의해 채워질 수 있 다 . 절 연막 ( 372 ) 은 대체로 스텝 커버리지 가 나쁘 게 형성 될 수 있 고 이 에 따라 그 내부 에 공동 ( 373 a ) 이 포함 될 수 있 다 .