도 1 에 도시 된 바 와 같이 , 3 D 메모리 장치 ( 100 ) 는 4 개 이상 의 메모리 플레인 ( 110 ) 을 포함 할 수 있 으며 , 이 들 각각 은 복수 의 메모리 블록 ( 115 ) 을 포함 할 수 있 다 . 도 1 에 도시 된 3 D 메모리 장치 ( 100 ) 에서 의 메모리 플레인 ( 110 ) 의 배열 및 각 메모리 플레인 ( 110 ) 에서 의 메모리 블록 ( 115 ) 의 배열 은 예시 일 뿐 이 며 , 본 발명 의 범위 를 제한 하 는 것 은 아님 에 유의 한다 .