상기 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 플래시 메모리 소자 의 제조 방법 은 셀 영역 과 주변 회로 영역 이 정의 된 반도체 기판 상부 에 터널 산화 막 , 플로팅 게이트 용 제 1 폴리 실리콘 막 , 소자 분리 마스크 형상 의 질화 막 을 형성 하 는 단계 , 상기 질화 막 을 식각 장벽 으로 상기 반도체 기판 까지 식각 하 여 소자 분리 를 위한 트렌치 를 형성 하 는 단계 , 측벽 산화 공정 으로 상기 트렌치 의 측벽 상 에 측벽 산화 막 을 형성 하 는 단계 , 상기 측 벽산 화 막 을 포함 한 전면 에 라이너 질화 막 을 형성 하 는 단계 , 상기 라이너 질화 막 상 에 절 연막 형성 및 화학 적 기계 적 연마 를 통해 필드 산화 막 을 형성 하 는 단계 , 상기 주변 회로 영역 을 덮 고 상기 셀 영역 은 오픈 시키 는 마스크 를 형성 하 는 단계 , 제 1 세정 공정 을 진행 하 여 상기 셀 영역 의 필드 산화 막 의 일부 손실 , 마스크 제거 및 파티클 제거 를 동시 에 수행 하 는 단계 , 상기 질화 막 을 스트립 하 는 단계 , 제 2 세정 공정 을 진행 하 여 상기 셀 영역 과 상기 주변 회로 영역 에서 의 필드 산화 막 의 최종 EFH 를 제어 하 는 단계 , 및 상기 제 2 세정 공정 이 완료 된 구조물 상부 에 유전 막 과 제 2 폴리 실리콘 막 으로 된 컨크 롤 게이트 를 차례 로 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 하 며 , 상기 측벽 산화 공정 은 라디칼 산화 방식 으로 진행 하 는 것 을 특징 으로 한다 .