복수 의 게이트 라인 ( GL ) 의 각각 의 양 측벽 상 에 절연 스 페이서 ( 126 ) 가 배치 될 수 있 다 . 절연 스 페이서 ( 126 ) 는 복수 의 게이트 라인 ( GL ) 의 각각 의 양 측벽 을 덮 을 수 있 다 . 절연 스 페이서 ( 126 ) 는 게이트 라인 ( GL ) 의 길 이 방향 ( 예컨대 , Y 방향 ) 을 따라 게이트 라인 ( GL ) 과 평행 하 게 연장 될 수 있 다 . 절연 스 페이서 ( 126 ) 는 실리콘 질화 막 , SiOCN 막 , SiCN 막 , 또는 이 들 의 조합 으로 이루어질 수 있 다 . 일부 실시 예 들 에 있 어서 , 복수 의 절연 스 페이서 ( 126 ) 는 실리콘 질화 막 보다 유전 상수 가 더 작 은 물질 막 , 예 를 들 면 SiOCN 막 , SiCN 막 , 또는 이 들 의 조합 으로 이루어질 수 있 다 .