또한 , 상기 홀딩 구 ( 511 ) 가 몸체 ( 51 a ) 의 상면 ( 51 b ) 에서 돌출 되 는 높이 ( 511 c ) 는 , 도 6 b 에 도시 된 바 와 같이 상기 이 탈방 지부 ( 51 ) 의 상 승시 상기 홀딩 구 ( 511 ) 가 유에스 비 메모리 소자 ( 8 ) 의 홀딩 홈 ( 82 ) 에 삽입 되 고 , 도 6 a 에 도시 된 바 와 같이 상기 이 탈방 지부 ( 51 ) 의 하 강시 상기 홀딩 구 ( 511 ) 가 유에스 비 메모리 소자 ( 8 ) 의 홀딩 홈 ( 82 ) 으로부터 이격 될 수 있 는 높이 로 형성 된다 .