도 3 은 SJ - MOS 트랜지스터 ( 100 ) 에서 의 불순물 양 의 밸런스 에 대한 내압 의 의존 성 과 특허 문헌 1 에서 와 같이 PN 칼럼 층 이 테이퍼 구조 로 구성 된 SJ - MOS 트랜지스터 에서 의 불순물 양 의 밸런스 에 대한 의존 성 을 비교 한다 . 다시 , 도 3 에서 예시 된 바 와 같이 , SJ - MOS 트랜지스터 ( 100 ) 는 PN 칼럼 층 이 테이퍼 구조 를 가지 는 SJ - MOS 트랜지스터 보다 불순물 양 의 밸런스 의 더 넓 은 범위 에서 필요 로 하 는 600 V 이상 의 내압 을 얻 을 수 있 도록 한다 . SJ - MOS 트랜지스터 ( 100 ) 에서 는 , 불순물 농도 에 대한 제조 편차 가 존재 하 더라도 내압 이 많이 변화 하 지 않 고 , SJ - MOS 트랜지스터 ( 100 ) 는 무결함 율 의 증대 에 유리 한 소자 가 될 수 있 다 .