기판 ( 110 ) 상부 에 형성 되 는 제 1 전극 층 ( 120 ) 은 투명 소재 의 전도성 물질 로 형성 할 수 있 는 데 , ITO , IZO , In 2 O 3 , 및 ZnO 등 으로 형성 될 수 있 고 , 포토 리 소 그래 피 법 에 의해 소정 의 패턴 이 되 도록 형성 할 수 있 다 . 제 1 전극 층 ( 120 ) 의 패턴 은 수동 구동 형 ( Passive Matrix type : PM ) 의 경우 에 는 서로 소정 간격 떨어진 스트라이프 상 의 라인 들 로 형성 될 수 있 고 , 능동 구동 형 ( Active Matrix type : AM ) 의 경우 에 는 화소 에 대응 되 는 형태 로 형성 될 수 있 다 . 능동 구동 형 의 경우 에 는 또한 , 이 제 1 전극 층 ( 120 ) 하부 의 기판 ( 110 ) 에 적어도 하나 의 박막 트랜지스터 를 구비 한 TFT ( Thin Film Transistor ) 층 이 더 구비 되 고 , 제 1 전극 층 ( 110 ) 은 이 TFT 층 에 전기 적 으로 연결 된다 .