이 에 따라 윙 스 페이서 ( wing spacer ) 를 게이트 측면 에 형성 하 여 전계 에 의한 영향 을 감소 시키 는 방법 이 제안 되 고 있 다 . 이 를 위해 반도체 기판 위 에 플로팅 게이트 를 형성 하 고 , 플로팅 게이트 위 에 윙 스 페이서 용 절 연막 을 증착 한 후 , 플로팅 게이트 측면 을 일부 덮 도록 상기 절 연막 을 선택 적 으로 식각 하 여 양 측면 에 윙 스 페이서 를 형성 한 후 , 플로팅 게이트 를 덮 는 차폐층 을 형성 한다 . 그러나 이 와 같이 플로팅 게이트 를 형성 한 다음 윙 스 페이서 를 형성 할 경우 , 도 2 에 도시 된 바 와 같이 , 플로팅 게이트 프로파일 에 불량 이 발생 하 는 문제점 이 있 다 .