임의 의 적절 한 판독 및 기록 회로 및 어레이 레이아웃 방식 이 비휘발성 메모리 소자 를 메모리 소자 ( 12 ) 와 같 은 저항 스위칭 메모리 소자 로부터 구성 하 는 데 이용 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 수평 라인 ( 16 ) 및 수직 라인 ( 18 ) 은 저항 스위칭 메모리 소자 ( 12 ) 의 단자 에 직접 접속 될 수 도 있 다 . 이것 은 단지 예시 이 다 . 원한다면 , 다른 전기 디바이스 가 각 소자 ( 12 ) 와 연관 될 수 도 있 다 .