파이프 트랜지스터 ( PTr ) 는 기판 에 형성 된다 . 드레 인 셀렉 트 트랜지스터 ( DST ) 와 제 1 메모리 그룹 의 메모리 셀 들 ( C 0 ~ Ck ) 은 기판 으로부터 수직 방향 으로 비트 라인 ( BL ) 과 파이프 트랜지스터 ( PTr ) 사이 에 직렬 로 배열 된다 . 소스 셀렉 트 트랜지스터 ( SST ) 와 제 2 메모리 그룹 의 메모리 셀 들 ( Ck + 1 ~ Cn ) 은 기판 으로부터 수직 방향 으로 소스 라인 ( SL ) 과 파이프 트랜지스터 ( PTr ) 사이 에 직렬 로 배열 된다 . 제 1 메모리 그룹 의 메모리 셀 들 ( C 0 ~ Ck ) 과 제 2 메모리 그룹 의 메모리 셀 들 ( Ck + 1 ~ Cn ) 의 수 는 동일 한 것 이 바람직 하 다 . 메모리 셀 들 ( Co ~ Cn ) 에 수직 으로 배열 됨 에 따라 메모리 셀 들 ( Co ~ Cn ) 의 채널 방향 은 기판 과 수직 방향 이 된다 . 그리고 메모리 스트링 의 메모리 셀 들 ( Co ~ Cn ) 이 제 1 및 제 2 메모리 그룹 들 로 나누 어 짐 에 따라 , 하나 의 스트링 에 는 기판 으로부터 수직 한 2 개 의 수직 채널 층 을 포함 하 게 된다 .