구체 적 으로 상기 제조 방법 은 반도체 전극 , 상대 전극 을 각각 준비 한다 . 그리고 비휘발성 용매 에 폴리 올 과 유기 폴리 이 소시아 네이트 를 가하 여 고분자 전해질 조성물 을 형성 하 여 , 상기 고분자 전해질 조성물 을 상기 반도체 전극 과 상기 상대 전극 사이 에 주입 한다 . 상기 고분자 전해질 조성물 을 열처리 함 으로써 겔화 반응 에 의해 경화 된다 .