상기 PSi 는 실리콘 웨이퍼 를 예컨대 , 전기 화학 적 인 에칭 ( 양극 산화 ) 을 시킴 으로써 쉽 게 제조 할 수 있 다 . 양극 산화 공정 은 양극 주위 에서 전해질 과 양극 사이 에 일어나 는 산화 반응 을 이용 하 는 공정 으로 , 처리 를 하 려는 부품 을 양극 에 연결 시키 고 용액 을 음극 에 연결 시켜 이루어진다 . 이 공정 은 산화 처리 후 사용 한 용액 의 종류 에 따라서 내식성 · 내 구성 · 접착성 이 향상 되 는데 , 주로 알루미늄 합금 의 표면 처리 기술 로 많이 이용 되 고 있 다 . 대부분 의 경우 양극 산화 처리 를 하 면 표면 이 울퉁불퉁 한 상태 가 되 는데 이런 상태 를 다공성 표면 이 라 말 한다 . 일반 적 으로 양극 산화 처리 에 의해 형성 된 다공성 표면 은 처리 하 기 전 보다 표면적 이 증가 하 여 높 은 반응 성 을 나타낸다 .