본원 의 발명 을 이용 한 소자 는 기판 상 의 애노드 물질 로서 예 를 들 어 ITO 를 이용 하 여 제조 할 수 있 다 . 다른 애노드 물질 은 예 를 들 어 금속 , 예 를 들 어 Au , 단일 벽 또는 다 중벽 탄소 나노 튜브 , 및 다른 투명 전도성 산화물 을 포함 할 수 있 다 . 애노드 의 비저항 은 예 를 들 어 15 Ω / sq 이하 , 25 Ω / sq 이하 , 또는 50 Ω / sq 이하 , 또는 100 Ω / sq 이하 , 또는 200 Ω / sq 이하 , 또는 250 Ω / sq 이하 로 유지 될 수 있 다 . 기판 은 예 를 들 어 유리 , 플라스틱 ( PTFE , 폴리 실록 산 , 열 가소 성 물질 , PET , PEN 및 기타 등등 ) , 금속 ( Al , Au , Ag ) , 금속 호일 , 금속 산화물 ( TiOx , ZnOx ) 및 반도체 , 예 를 들 어 Si 일 수 있 다 . 기판 상의 ITO 는 소자 층 침착 전 에 당업 계 에 알려진 기술 을 이용 해서 세정 할 수 있 다 . 임의 적 인 정공 주입 층 ( HIL ) 이 예 를 들 어 스핀 캐스팅 , 잉크 젯 팅 , 닥터 블 레이딩 , 스프레이 캐스팅 , 침지 코팅 , 증착 , 또는 다른 공지 침착 방법 을 이용 해서 첨가 될 수 있 다 . HIL 은 예 를 들 어 PEDOT , PEDOT / PSS 또는 TBD , 또는 NPB , 또는 플렉스 코어 ( Plexcore ) HIL ( 플렉 스트로 닉스 , 미국 펜 실바니 아주 피츠버그 ) 일 수 있 다 .