일 실시 예 에 따르 면 , 상기 제 1 및 제 2 계면 층 들 ( 107 a , 107 b ) 은 서로 다른 두께 로 형성 될 수 도 있 다 . 예컨대 , 상기 제 1 계면 층 ( 107 a ) 이 상기 제 2 계면 층 ( 107 b ) 에 비하 여 두껍 게 형성 되 는 경우 에 , 제 1 산화 공정 을 수행 하 여 상기 제 1 및 제 2 활성 부들 ( 105 a , 105 b ) 상 에 예비 산화 막 을 형성 할 수 있 다 . 이어서 , 상기 제 2 활 성부 ( 105 b ) 상 의 예비 산화 막 을 제거 할 수 있 다 . 이때 , 상기 제 1 활 성부 ( 105 a ) 상 의 예비 산화 막 은 잔존 될 수 있 다 . 이어서 , 제 2 산화 공정 을 수행 하 여 상대 적 으로 두꺼운 상기 제 1 계면 층 ( 107 a ) 및 상대 적 으로 얇 은 상기 제 2 계면 층 ( 107 b ) 을 형성 할 수 있 다 . 하지만 , 본 발명 은 여기 에 한정 되 지 않 는다 .