실질 적 으로 단결정 인 층 ( 122 ) ( 예 를 들 어 , 박리 된 Si ( 111 ) ) 은 에피 택 셜 물질 의 형성 을 위한 에피 택 셜 성장 프로세스 동안 성장 층 으로서 사용 하 기 에 적합 하 다 . 몇몇 실시 예 에서 , 상기 에피 택 셜 물질 은 2 ㎛ 내지 10 ㎛ 두께 의 GaN 층 을 포함 할 수 있 으며 , 이 는 광전자 , RF 및 전력 디바이스 에서 이용 되 는 복수 의 층 들 중 하나 로서 이용 될 수 있 다 . 일 실시 예 에서 , 실질 적 으로 단결정 인 층 ( 122 ) 은 층 이송 프로세스 를 사용 하 여 결합 층 에 부착 되 는 단결정 실리콘 층 을 포함 한다 .