전술 한 목적 을 달성 하 기 위한 , 본 발명 의 일 측면 에 따 라면 , 본 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드 의 DBR 구조물 은 제 1 굴절 률 을 가지 며 InP 기판 상부 에 형성 되 는 InAlGaAs 층 ; 상기 제 1 굴절률 보다 낮 은 굴절 률 을 가지 며 , 상기 InAlGaAs 층 상 에 형성 되 는 제 1 InAlAs 층 ; 상기 제 1 굴절률 보다 낮 은 굴절 률 을 가지 며 , 상기 제 1 InAlAs 층 상 에 형성 되 는 InP 층 ; 및 상기 제 1 굴절률 보다 낮 은 굴절 률 을 가지 며 , 상기 InP 층 상 에 형성 되 는 제 2 InAlAs 층 을 포함 한다 .