그러나 , 희가스 에 He 가스 를 사용 함 으로써 , 플 루 오로 카본 가스 가 많이 해리 되 어 흡착 계수 가 작 은 전구체 가 생성 된다 . 그러므로 , 에 천트 ( etchant ) 로 작용 하 는 라디칼 이 홀 ( H ) 의 저부 에 까지 공급 되 게 되 어 Г ion ( 이온 입사 량 ) 이 증가 하 게 된다 . 이 로써 , 희가스 에 He 가스 를 사용 하 더라도 에칭 율 이 유지 될 수 있 다고 생각 된다 .