상술 한 종래 기술 에 따른 반도체 소자 의 제조 방법 에서 , 저장 전극 콘 택 홀 형성 시 습식 식각 공정 을 수행 하 여 상기 저장 전극 콘 택 홀 상부 의 선폭 을 확장 시키 는데 , 이때 상기 저장 전극 콘 택 홀 상부 의 선폭 이 과도 하 게 확장 되 는 경우 , 이전 공정 에서 형성 된 비트 라인 콘 택 플러그 와 의 공간 마진 이 확보 되 지 않 으며 , 이 로 인해 비트 라인 콘 택 플러그 와 저장 전극 콘 택 플러그 간 에 SAC 페일 이 발생 하 여 소자 의 특성 이 저하 되 는 문제점 이 있 다 .