도 1 a 에 나타내 는 바 와 같이 , 본 실시 형태 의 반도체 장치 ( 10 ) 는 , 봉지 수지 ( 5 ) 에 의해 그 측면 이 봉지 되 어 있 다 . 반도체 장치 ( 10 ) 의 상면 에 있 어서 , 봉지 수지 ( 5 ) 로부터 방열판 ( 11 ) 이 노출 되 어 있 다 . 방열판 ( 11 ) 상면 의 외주 영역 상 에 는 , 단면 이 볼록 형 을 갖 는 링 형상 의 응력 경감 부 ( 9 ) 가 형성 되 어 있 다 .