다음 에 , 레지스 트 마스크 를 사용 하 여 제 2 버퍼 층 ( 41 ) , 및 1 도 전형 을 부여 하 는 불순물 이 첨가 된 불순물 반도체 막 ( 55 ) 을 에칭 하 여 분리 하 여 , 도 2 a 에 도시 하 는 바 와 같이 , 섬 형상 의 제 2 버퍼 층 ( 42 ) 및 1 도 전형 을 부여 하 는 불순물 원소 가 첨가 된 불순물 반도체 막 ( 63 ) 을 형성 한다 . 이 때 , 도 4 b 에 도시 하 는 바 와 같이 , 게이트 전극 ( 게이트 배선 ) 과 , 후 에 형성 되 는 소스 배선 이 교차 하 는 영역 에 도 , 제 2 버퍼 층 ( 44 ) , 및 1 도 전형 을 부여 하 는 불순물 원소 가 첨가 된 불순물 반도체 막 ( 65 ) 을 형성 한다 . 이 후 , 레지스 트 마스크 를 제거 한다 . 또 , 도 2 a 는 , 도 5 b 의 Q - R 의 단면도 에 상당 하 고 , 도 4 b 는 , 도 5 b 의 S - T 의 단면도 에 상당 한다 .