이러 한 관점 에서 고온 무수 의 상태 에서 도 수소 이온 전도도 , 전기 화학 적 안정 성 및 열 적 안정 성 이 우수 한 　 물질 을 고분자 전해질 로 이용 하 는 방안 이 강구 되 었 다 . 그 중 가장 주목 받 는 물질 로서 폴리 벤즈 이미다졸 ( Polybenzimidazole ) 계 고분자 전해질 에 도핑 된 인산 ( phosphric acid ) 을 이용 하 는 방법 이 었 다 ( 일본 공개 특허 공보 2000 - 195528 ) . 그러나 이러 한 방법 은 인산 이 양극 에서 생성 된 물 에 의해 용출 되 는 문제 와 그 로 인해 전해질 막 의 수소 이온 전도도 가 감소 하 는 문제 가 있 다 . 또한 고분자 전해질 막 의 수소 이온 전도도 를 유지 하 기 위해 산 의 도핑 량 을 높일 수록 막 의 기계 적 물 성 이 저하 되 는 것 도 큰 문제 라 할 수 있 다 .