이하 더 기술 되 는 바 와 같이 , 장벽층 ( 210 ) , 도전 층 ( 212 ) 및 CNT 시드 층 ( 214 ) 은 다이오드 ( 204 ) 의 형성 동안 하드 마스크 로 작용 할 수 있 다 . 하드 마스크 의 사용 은 , " 예 를 들 어 전체 기재 내용 이 본 명세서 에 참조 로 포함 되 는 2006 년 5 월 13 일 에 출원 된 "" CONDUCTIVE HARD MASK TO PROTECT PATTERNED FEATURES DURING TRENCH ETCH "" 명칭 의 미국 특허 출원 번호 11 / 444 "," 936 ( 이하 ""' 936 출원 "") 에 기술 되 어 있 다 . 질화 티탄 ", 질화 탄탈 , 질화 텅스텐 등 과 같 은 추가 의 장벽층 ( 216 ) 이 다이오드 ( 204 ) 와 제 1 도체 ( 206 ) 사이 에 형성 될 수 도 있 다 .