일부 실시 예 들 에서 , 저 굴절 률 층 ( 40 ) 은 에피 택 셜 성장 된 반도체 층 이 다 . 전형 적 으로 그러 한 저 굴절 률 층 은 AlInGaN , AlGaN , 또는 AlInN 과 같 은 Ⅲ - 질화물 층 이 지만 , ZnO 와 같 은 Ⅲ - 질화물 이 아닌 에피 택 셜 재료 들 이 가능 하 다 . 저 굴절 률 반도체 층 은 그 저 굴절 률 층 을 통하 여 p - 콘택트 ( 24 ) 로부터 p - 타입 영역 ( 20 ) 으로 전류 가 바로 주입 되 기 에 충분 할 만큼 도핑 될 수 있 다 . 다르 게 는 , 얇 은 저 농도 로 도핑 된 또는 도핑 되 지 않 은 저 굴절 률 반도체 층 의 경우 에 , 전류 는 터널 링 에 의해 주입 될 수 있 다 . 터널 주입 의 경우 에 , 저 굴절 률 반도체 층 에 인접 한 p - 타입 영역 의 표면 은 주입 을 용이 하 게 하 기 위해 고농도 로 도핑 될 수 있 다 .