즉 , 본 발명 은 도전 성막 으로 형성 되 는 인버터 부 ( 144 ) 및 금속 라인 ( 252 ) 의 공정 이 완료 되 면 , 반도체 기판 상 에 쌓이 는 이온 이 제거 되 도록 바이어스 제 공부 ( 252 ) 를 구동 시켜 금속 라인 ( 252 ) 에 ( +), ( -) 바이어스 를 인가 한다 . 그 에 따라 , 반도체 기판 의 결과물 상 에 쌓인 이온 들 은 외부 로 방출 되 고 정전기 에 의한 반도체 장치 내부 의 손상 을 방지 할 수 있 다 .