도 4 내지 도 6 , 및 도 7 a 를 참조 하 면 , STI ( Shallow Trench Isolation ) 공정 을 실시 하 여 기판 ( 10 ) 내 에 소자 분리 막 ( 11 ) 을 형성 한다 . 이때 , STI 공정 은 다음 과 같 은 방법 으로 실시 된다 . 먼저 , 기판 ( 10 ) 상 에 도시 되 지 않 은 패드 산화 막 과 패드 질화 막 을 순차 적 으로 적층 ( 산화 공정 과 증착 공정 을 진행 ) 한 후 STI 마스크 를 이용 한 식각 공정 을 실시 하 여 기판 ( 10 ) 내 에 트렌치 ( trench ) 를 형성 한다 . 그런 다음 , 트렌치 가 매립 되 도록 단일 막 으로 HDP ( High Density Plasma ) 산화 막 을 증착 한 후 CMP ( Chemical Mechanical Polishing ) 공정 을 실시 하 여 트렌치 내부 에 고립 된 소자 분리 막 ( 11 ) 을 형성 한다 .