도 7 은 본 발명 의 제 2 실시 예 에 따른 가드 링 을 도시 한 단면도 이 다 . 도시 된 바 와 같이 , 본 발명 의 제 2 실시 예 에 따른 가드 링 ( 200 ) 은 반도체 소자 의 기판 ( 46 ) 상 에 다수 로 적층 되 는 층간 절 연막 ( 41 , 42 , 43 , 44 ) 마다 형성 되 는 비 아홀 ( 41 b , 42 b , 43 b , 44 b ) 에 형성 되 는 금속 링 ( 210 , 220 , 230 , 240 ) 의 다수 적층 으로 형성 되 며 , 금속 링 ( 210 , 220 , 230 , 240 ) 각각 은 제 1 실시 예 와 마찬가지 로 단면 형상 이 직사각 형 이 되 , 단면 의 폭 이 서로 동일 하 다 . 따라서 , 비 아홀 ( 41 b , 42 b , 43 b , 44 b ) 이 서로 동일 한 규격 을 가짐 으로써 가드 링 ( 200 ) 의 제조 공정 을 단순 화 시킬 수 있 다 .