상기 상변화 층 패턴 의 미스 얼라인 을 방지 할 수 있 는 구조 로 , " 본 발명자 들 이 2005 년 8 월 25 일자 로 한국 특허 출원 제 2005 - 78388 호 로 "" 상변화 층 스 페이서 를 갖 는 상변화 메모리 소자 및 그 제조 방법 "" 이 라는 명칭 으로 출원 한 바 있 다 . 여기 에 ", 도 2 a 및 도 2 b 를 참고 로 하 여 간단 하 게 기재 한다 .