도 15 는 소스 라인 전압 강하 에 의해 원인 이 되 는 메모리 셀 의 임계 전압 레벨 에서 에러 를 나타낸다 . 메모리 셀 ( 10 ) 의 제 어 게이트 ( 30 ) 로 공급 된 임계 전압 VT 은 GND 에 비례 한다 . 그러나 , 메모리 셀 로부터 알 수 있 는 유효 VT 는 이 의 제 어 게이트 ( 30 ) 와 소스 ( 14 ) 사이 의 전압 차이 이 다 . 이 는 공급 유효 VT 사이 에 는 약 1 . 5 ×Vdrop 의 차이 가 있 다 { 소스 ( 14 ) 로부터 소스 라인 까지 전압 강하 의 더 작 은 기여 는 무시 ) . 상기 Vdrop 또는 소스 라인 바이어스 는 메모리 셀 의 임계 전압 이 감지 될 때 예 를 들 어 0 . 45 볼트 의 감지 에러 에 기여 할 것 이 다 . 상기 바이어스 는 데이터 - 의존 성 , 예 를 들 어 페이지 의 메모리 셀 의 메모리 상태 에 의존 할 때 쉽 게 제거 될 수 없 다 .