스테이지 ( 82 ) 가 가열 램프 ( 84 ) 에 의해 미리 설정 된 온도 로 가열 되 면 , 처리 챔버 ( 81 ) 내 에 성막 가스 ( 처리 가스 ) 로서 , 예 를 들 어 육 불화 텅스텐 ( WF 6 ) 등 을 도시 하 지 않 은 가스 공 급구 로부터 도입 한다 . 이렇게 해서 , CVD ( Chemical vapor deposition ) 에 의해 , 웨이퍼 표면 에 텅스텐 막 을 형성 한다 . 설정 된 두께 의 텅스텐 막 을 성막 한 후 , 예 를 들 어 미리 설정 된 설정 온도 에서 스테이지 ( 82 ) 를 예 를 들 어 제 1 온도 보다 도 낮 은 온도 까지 강온 시키 도록 , 가열 램프 ( 84 ) 의 출력 을 제어 한다 . 이 예 에서 도 , 가 열부 의 출력 제어 는 제 1 실시 형태 와 마찬가지 의 방법 으로 실시 된다 .