이상 과 같 은 성막 조건 에 의해 , 산화 막 이 형성 되 지 않 은 실리콘 기판 ( 11 ) ( SOI 소자 형성 영역 ( 13 ) ) 위 만 선택 적 으로 실리콘 버퍼 층 ( 18 ) 을 성장 시키 기 때문 에 , 실리콘 버퍼 층 ( 18 ) 위 에 만 실리콘 게르마늄 층 ( 15 ) 을 성장 시키 기 쉽 게 하 는 것 이 가능 해진다 . 또한 , SOI 소자 형성 영역 ( 13 ) 이외 에서 는 필요 가 없 는 실리콘 게르마늄 층 ( 15 ) 을 SOI 소자 형성 영역 ( 13 ) 이외 에 성장 시키 지 않 게 할 수 있 다 .