이어서 , 마지막 으로 도 2 k 와 같이 , 하드 마스크 로 이용 하 였 던 이온 주입 층 ( 700 ) 을 게이트 전극 ( 300 ') 의 상부 에서 제거 하 기 위해 또 다른 식각 을 실시 하 며 , 이때 에 는 제거 선택 비 가 우수 한 습식 식각 을 이용 할 수 있 고 , 해당 습식 식각 시 의 식각 용액 으로 는 게이트 전극 ( 300 ') 의 폴리 실리콘 막 에 대한 산화 막 일 수 있 는 이온 주입 층 ( 700 ) 의 우수 한 제거 선택 비 를 제공 할 수 있 는 인산 ( H 3 PO 4 ) 용액 이 이용 될 수 있 다 .