메모리 디바이스 들 의 개발 에 있 어서 , MRAM 셀 들 은 흔히 , 다양 한 다른 논리 게이트 들 및 전자 컴포넌트 들 , 이를 테 면 , 트랜지스터 들 , 커패시터 들 , 금속 배선 들 등 과 통합 된다 . 따라서 , MTJ 엘리먼트 들 을 제조 하 는 프로세스 는 집 적 회로 들 의 제조 에 고유 한 제약 들 과 호환 성 을 유지 하 는 것 이 바람직 하 다 . 그러나 , 반도체 기술 스케일링 이 집 적 회로 들 의 제조 에 수반 되 는 모든 컴포넌트 들 에 걸쳐 균일 하 지 않 다는 것 은 잘 알려져 있 다 . 예 를 들 어 , " 수직 상호 접속 액세스 ( Vertical Interconnect Access ) ( 흔히 "" 비아 ( via ) "" 로 알려짐 ) 의 금속 배선 폭 및 사이즈 들 은 일 세대 로부터 다음 세대 까지 약 70 % 씩 스케일링 된다 . 그러나 ", 층간 금속 유전체 ( IMD ; interlayer metal dielectric ) 두께 의 스케일링 은 , 확산 캡 층 들 이 그것 을 빠르 게 스케일링 할 수 없 기 때문 에 70 % 보다 훨씬 더 작 다 . 따라서 , 커패시터 들 은 훨씬 더 느린 레이트 로 스케일 다운 된다 . 보다 구체 적 으로 , MTJ 셀 들 의 높이 의 스케일링 다운 은 훨씬 더 느리 고 , 집 적 회로 들 내 다른 전자 컴포넌트 들 과 비교 하 여 스케일링 은 거의 , 현재 최 첨단 상태 로 존재 하 지 않 고 있 다 .