도 35 ( c ) 에 나타내 는 바 와 같이 , 필드 산화 막 ( 2 ) , 게이트 절 연막 ( 3 ) , 게이트 측벽 절 연막 ( 6 ) , 제 3 및 제 4 게이트 측벽 절 연막 ( 7 - 1 , 7 - 2 ) , 제 1 및 제 2 게이트 측벽 도전 막 ( 10 - 1 , 10 - 2 ) 상 에 기지 의 열 CVD ( Thermal Chemical Vapor Deposition ) 법 에 의해 폴리 실리콘 막 을 퇴적 한다 . 그 후 , 그 폴리 실리콘 막 을 건식 에칭 에 의해 선택 적 으로 제거 하 여 , 제 1 및 제 2 게이트 측벽 도전 막 ( 10 - 1 , 10 - 2 ) 의 외측 측벽 에 접함 과 함께 , 드레 인 ( 11 - 1 ) 및 소스 ( 11 - 2 ) 의 상방 이 고 또 한 게이트 산화 막 ( 3 ) 의 직상 으로 연장 되 는 부분 만 을 남김 으로써 , 제 7 및 제 8 게이트 측벽 도전 막 ( 25 - 1 , 25 - 2 ) 을 형성 한다 . 여기 서 , 그 제 7 및 제 8 게이트 측벽 도전 막 ( 25 - 1 , 25 - 2 ) 중 및 게이트 절 연막 ( 3 ) 중 에 제 1 및 제 2 컨 택트 홀 ( 26 - 1 , 26 - 2 ) 이 각각 형성 되 도록 , 전술 한 건식 에칭 을 실시 한다 . 그 제 7 및 제 8 게이트 측벽 도전 막 ( 25 - 1 , 25 - 2 ) 은 , 드레 인 ( 11 - 1 ) 및 소스 ( 11 - 2 ) 의 상방 또한 게이트 산화 막 ( 3 ) 직상 이 고 , 또한 그 제 1 및 제 2 게이트 측벽 도전 막 ( 10 - 1 , 10 - 2 ) 의 외측 측벽 에 접하 도록 형성 된다 . 그 제 7 및 제 8 게이트 측벽 도전 막 ( 25 - 1 , 25 - 2 ) 의 게이트 길 이 방향 에 있 어서 의 치수 는 , 드레 인 ( 11 - 1 ) 및 소스 ( 11 - 2 ) 의 치수 와 동일 하 게 하 는 것 이 가능 하 다 . 이 경우 , 드레 인 ( 11 - 1 ) 및 소스 ( 11 - 2 ) 의 컨 택트 를 형성 하 기 위한 제 1 및 제 2 컨 택트 홀 ( 26 - 1 , 26 - 2 ) 을 그 제 7 및 제 8 게이트 측벽 도전 막 ( 25 - 1 , 25 - 2 ) 중 및 게이트 절 연막 ( 3 ) 중 에 각각 형성 한다 . 그 제 7 및 제 8 게이트 측벽 도전 막 ( 25 - 1 , 25 - 2 ) 의 게이트 길 이 방향 에 있 어서 의 치수 를 드레 인 ( 11 - 1 ) 및 소스 ( 11 - 2 ) 의 치수 보다 짧 게 하 는 경우 , 드레 인 컨 택트 및 소스 컨 택트 를 그 제 7 및 제 8 게이트 측벽 도전 막 ( 25 - 1 , 25 - 2 ) 보다 외측 에 형성 해도 된다 . 이 경우 , 게이트 절 연막 ( 3 ) 중 에 제 1 및 제 2 컨 택트 홀 ( 26 - 1 , 26 - 2 ) 을 형성 해도 된다 . 그 제 7 및 제 8 게이트 측벽 도전 막 ( 25 - 1 , 25 - 2 ) 의 상면 의 레벨 은 , 그 제 1 및 제 2 게이트 측벽 도전 막 ( 10 - 1 , 10 - 2 ) , 게이트 측벽 절 연막 ( 6 ) 및 제 3 및 제 4 게이트 측벽 절 연막 ( 7 - 1 , 7 - 2 ) 의 상면 레벨 과 실질 적 으로 동일 하 다 . 그 제 7 및 제 8 게이트 측벽 도전 막 ( 25 - 1 , 25 - 2 ) 은 , 이 시점 에서 는 불순물 이 도입 되 지 않 은 폴리 실리콘 으로 구성 된다 . 따라서 , 그 제 7 및 제 8 게이트 측벽 도전 막 ( 25 - 1 , 25 - 2 ) 에 그 제 1 및 제 2 게이트 측벽 도전 막 ( 10 - 1 , 10 - 2 ) 의 불순물 과 동일 한 도전 형 의 불순물 을 , 대략 동일 한 불순물 농도 로 도입 하 는 것 이 가능 하 다 .