보다 상세히 살펴보 면 , 저마늄 웨이퍼 , 즉 저마늄 반도체 층 ( 1000 g ) 상 에 층간 절 연막 의 일 실시 예 로 SiO 2 층 ( 1040 a , 1040 b , 1040 c ) 이 배치 되 며 , 캐소드 영역 에 TiO 2 를 중간층 ( 710 a ) 으로 형성 한다 . 도 7 과 같이 TiO 2 중간층 을 삽입 할 경우 암 전류 를 감소 시킬 수 있 다 .