상기 질화 갈륨 후막 은 실리콘 과 는 달리 단결정 을 성장 시키 기 어렵 기 때문 에 웨이퍼 형태 의 동일 한 물질 ( 질화 갈륨 ) 기판 을 사용 하 지 못하 고 , 사파이어 기판 등 을 주로 사용 하 고 있 다 . 상기 와 같 은 이종 기판 에 질화물 반도체 를 성장 시킬 경우 에 는 격자 및 열팽창 계수 의 차이 가 심하 여 박막 의 결정 성 이 매우 저하 되 고 품질 이 저하 된다는 문제점 이 있 었 다 .