비아 바닥 의 컨 덕 터 에 오목 부를 형성 하 는 동안 에 강하 게 투하 되 는 고 에너지 이온 들 에 의해 바람직 하 지 않 은 초기 부합 성 ( Conformality ) 의 피 브이 디 - 성장 ( PVD - grown ) 전도성 확산 배리어 가 손상 되 는 임베디드 비아 를 가지 는 종래 다 마신 인터 커넥트 ( 소위 , 펀치 쓰루 ( Punch through ) 공정 ) 제조 공정 과 달리 , 본 발명 의 바람직 한 실시 예 에서 는 , 전도성 라이너 층 이 다 마신 개구 상 에 증착 되 기 이전 에 , 피 브이 디 - 성장 전도성 확산 배리 어 층 의 두께 보다 작 은 비아 바닥 부 에서 의 두께 ( 도 3 a 참조 ) 와 같 은 보다 바람직 한 기하학 적 특징 들 ( 도 5 a 참조 ) 을 가지 는 희생 층 을 이용 하 여 오 목부 형성 공정 이 수행 되 므로 , 마이크 로 - 트렌치 형성 및 전도성 확산 배리어 층 에 대한 물리 적 손상 을 방지 하 게 된다 .