일반 적 으로 실리콘 기판 을 습식 식각 할 때 에 는 , 식각 마스크 로서 실리콘 산화 막 을 사용 하 고 있 다 . 상기 실리콘 산화 막 은 통상 적 으로 실리콘 기판 을 대략 1000 ℃ 정도 에서 열 산화 시킴 에 의해 실리콘 기판 의 표면 에 소정 두께 로 형성 된다 . 이어서 , 포토레지스트 를 이용 하 여 실리콘 산화 막 을 소정 패턴 으로 패 터닝 하 여 식각 마스크 를 형성 한다 . 이 와 같이 실리콘 산화 막 으로 이루어진 식각 마스크 를 이용 하 여 실리콘 용 에칭 액 ( etchant ) , 예컨대 테트라메틸 수산화 암모늄 ( TMAH : Tetramethyl Ammonium Hydroxide ) 또는 수산화 칼륨 ( KOH ) 으로 실리콘 기판 을 식각 하 게 된다 .