최근 , 팹 공정 에서 공정 가스 를 플라스마 상태 로 여기 시켜 기판 상 에 막 또는 패턴 을 형성 하 는 플라스마 처리 장치 의 사용 이 급증 하 고 있 다 . 상기 플라스마 처리 장치 는 반도체 기판 을 가공 하 기 위한 공간 을 가공 챔버 와 , 상기 가공 챔버 내부 에 배치 되 며 상기 반도체 기판 을 지지 하 기 위한 정 전척 과 , 가공 챔버 로 반응 가스 를 공급 하 며 상기 정 전척 과 연동 하 여 플라스마 가스 로 형성 하 기 위한 상부 전극 으로 이용 되 는 샤워 헤드 를 포함 한다 .