도 36 의 단면도 ( 3600 ) 에 의해 예시 된 바 와 같이 , 그 다음 , 메모리 영역 ( 104 m ) 에 개별 메모리 소스 / 드레 인 영역 ( 126 ) 을 그리고 로직 영역 ( 104 l ) 에 로직 소스 / 드레 인 영역 ( 312 ) 을 형성 하 도록 도 펀트 가 주입 될 수 있 다 . 개별 메모리 소스 / 드레 인 영역 ( 126 ) 및 로직 소스 / 드레 인 영역 ( 312 ) 을 형성 하 기 위한 프로세스 는 반도체 기판 ( 104 ) 으로 의 이온 주입 을 포함 할 수 있 다 . 더미 라이너 층 ( 304 ) 및 메모리 유전체 층 ( 1502 ) 과 같 은 층 을 통해 이온 주입 을 수행 하 도록 도 펀트 및 / 또는 주입 에너지 가 선택 될 수 있 다 . 이온 주입 은 소스 / 드레 인 영역 들 사이 에 달라지 는 도핑 레벨 을 제공 하 도록 마스킹 을 이용 한 일련 의 단계 들 로 수행 될 수 있 다 .