상기 탄소 나노 튜브 층 이 복수 개 의 질서 있 게 배열 된 탄소 나노 튜브 를 포함 하 는 경우 , 상기 복수 개 의 탄소 나노 튜브 들 은 동일 한 방향 을 따라 우선 방위 ( Preferred Orientation ) 로 배열 된다 . 상기 탄소 나노 튜브 층 이 복수 개 의 무 질서 하 게 배열 된 탄소 나노 튜브 를 포함 하 는 경우 , 상기 복수 개 의 탄소 나노 튜브 들 은 무 질서 하 게 분포 되 거나 상기 탄소 나노 튜브 층 은 등방 성 을 가지 게 된다 . 상기 탄소 나노 튜브 층 의 복수 개 의 탄소 나노 튜브 들 은 서로 뒤엉키 는 한편 상기 탄소 나노 튜브 층 의 표면 에 평행 하 게 된다 . 상기 탄소 나노 튜브 층 은 하나 의 탄소 나노 튜브 막 또는 평행 및 무 간격 으로 밀착 된 복수 개 의 탄소 나노 튜브 막 에 의해 형성 될 수 있 다 . 본 실시 형태 에 있 어서 , 상기 투명 도전 층 ( 24 ) 은 상기 기판 ( 22 ) 의 제 1 표면 ( 221 ) 에 설치 된다 .