추가 적 인 실시 예 에 따르 면 , 화합물 반도체 레이어 는 전이 금속 디 칼 코 제 나 이드 ( transition metal dichalcogenide ) 들 의 그룹 의 적어도 하나 의 재료 를 포함 할 수 있 다 . 전이 금속 디 칼 코 제 나 이드 들 은 또한 TMD 들 로서 지칭 된다 . TMD 들 은 보통 3 원자 평면 들 로서 구조 화 되 고 주로 두 개 의 상이 한 원자 종류 들 , 즉 , 하나 의 금속 및 두 개 의 칼 코 제 나 이드 들 을 포함 한다 . 또한 TMD 모노 레이어 들 로서 지칭 되 는 , 전이 금속 디 칼 코 제 나 이드 들 은 타입 MX 2 의 원자 얇 기 반도체 ( atomic thin semiconductor ) 들 이 고 , 여기 서 M 은 전이 금속 원자 ( 예 를 들 어 , Mo , W 등 ) 를 지칭 하 고 X 는 칼 코 제 나 이드 원자 ( 예 를 들 어 , S , Se 또는 Te ) 를 지칭 한다 . 여기 에서 , 통상 적 으로 , M 개 의 원자 들 의 하나 의 레이어 가 X 개 의 원자 들 의 두 개 의 레이어 들 사이 에 배치 된다 . 이러 한 배치 들 은 2 D 재료 들 의 상위 그룹 의 일부 이 다 . MoS 2 , WS 2 , MoSe 2 , WSe 2 , MoTe 2 와 같 은 , TMD 모노 레이어 들 은 본 발명 의 화합물 반도체 레이어 에서 화합물 반도체 들 로서 사용 하 기 위해 이 들 을 특징 지우 는 다이렉트 밴드 갭 ( direct band gap ) 을 가진다 .