또한 , 본 발명 에 따른 이온 빔 소스 는 , 플라 즈 마 발생 공간 을 형성 하 는 전도성 챔버 , 상기 챔버 의 내부 또는 외부 에 마련 되 는 유도 코일 , 상기 챔버 와 유도 코일 중 적어도 어느 하나 에 고주파 전원 을 인가 하 여 챔버 내부 에 플 라즈 마 를 발생 시키 는 전원 공급 장치 를 포함 하 는 플 라즈 마 소스 부 와 , 복수 의 그리드 홀 ( grid hall ) 이 있 는 적어도 하나 의 판 으로 구성 되 어 상부 면은 상기 챔버 의 하단 부 에 연결 되 고 하부 면은 처리 하 고자 하 는 기판 의 처리 면 과 대향 하 며 , 상기 복수 의 그리드 홀 을 통해 플 라즈 마 소스 부 내부 이온 을 이온 빔 의 형태 로 추출 및 가속 하 여 상기 기판 의 처리 면 에 조사 시키 는 그리드 부 및 상기 챔버 내부 에 형성 되 는 플라 즈 마 쉬스 의 간격 또는 프로 파일 중 적어도 어느 하나 를 제어 하 기 위해 상기 전원 공급 장치 를 제어 하 는 제 어부 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .