예 를 들 어 , 기판 ( 61 ) 의 후면 ( R ) 에 제 2 전극 ( 66 A ) 을 형성 한 후 , 기판 ( 61 ) 을 관통 하 는 개구부 ( OP ) 를 형성 한다 . 개구부 ( OP ) 는 제 2 전극 ( 66 A ) 과 대응 되 는 위치 에 형성 될 수 있 고 , 제 2 전극 ( 66 A ) 을 노출 시키 는 깊이 로 형성 될 수 있 다 . 이어서 , 개구부 ( OP ) 내 에 절연 물질 을 형성 한다 . 예 를 들 어 , 개구부 ( OP ) 의 내면 을 따라 컨 포 멀 하 게 절연 물질 을 형성 한다 . 이어서 , 전면 식각 공정 을 이용 하 여 절연 물질 을 식각 함 으로써 , 절연체 ( 62 ) 를 형성 한다 . 이 를 통해 , 제 2 전극 ( 66 A ) 이 다시 노출 된다 . 이어서 , 제 2 전극 ( 66 A ) 의 노출 된 표면 을 식각 하 여 그루브 ( G ) 를 형성 한다 . 이어서 , 개구부 ( OP ) 내 에 그래핀 전극 ( 63 A ) 을 형성 한다 . 그래핀 전극 ( 63 A ) 은 그루브 ( G ) 를 채우 도록 형성 될 수 있 다 . 이어서 , 기판 ( 61 ) 의 전면 ( F ) 에 제 1 전극 ( 65 ) 을 형성 한다 . 이 를 통해 , 제 2 전극 ( 66 A ) 의 내부 로 돌출 된 형태 의 그래핀 전극 ( 63 A ) 을 포함 하 는 관통 전극 ( 60 C ) 이 형성 된다 .