도 3 i 에 도시 된 바 와 같이 , 선택 적 산화 공정 이 아닌 라이트 산화 ( Light oxidation ) 공정 을 진행 한다 . 이때 , 텅스텐 막 ( 28 ) 이 산화 방지 패턴 ( 26 A ) 에 의해 그 의 측벽 이 실링 된 상태 이 므로 텅스텐 막 ( 28 ) 의 산화 위험 없이 실리콘 물질 인 폴리 실리콘 막 패턴 ( 23 A ) 과 기판 ( 21 ) 을 산화 시킬 수 있 다 .