도 2 를 참조 하 면 , 패드 산화 막 ( 도 1 의 110 ) 및 패드 질화 막 ( 도 1 의 120 ) 을 패 터닝 하 여 반도체 기판 ( 100 ) 의 소자 분리 영역 표면 을 노출 시키 는 패드 산화 막 패턴 ( 112 ) 및 패드 질화 막 패턴 ( 122 ) 을 형성 한다 . 그리고 이 를 식각 마스크 로 한 식각 으로 반도체 기판 ( 100 ) 의 소자 분리 영역 을 일정 깊이 식각 하 여 트랜 치 ( 130 ) 를 형성 한다 . 그리고 측벽 산화 막 ( 130 ) 을 트랜 치 ( 130 ) 내부 에 형성 한 후 , 매립 절 연막 으로 트랜 치 ( 130 ) 를 매립 하 여 트랜 치 소자 분리 막 ( 150 ) 을 형성 한다 . 다음 에 평탄 화 를 수행 하 여 패드 질화 막 패턴 ( 122 ) 의 상부 표면 이 노출 되 도록 한다 .