그 후 , 전면 에 패 시 베이 션 막 을 형성 하 고 ( 스텝 S 33 ) , 전면 에 레지스 트 를 더 형성 하 여 , 제품 용 칩 에 형성 해야 할 패드 의 패턴 이 형성 된 레티 클 을 사용 하 여 , 모든 노광 샷 영역 ( 도 5 의 노광 샷 영역 ( 4 a ) 을 참조 ) 에 대하 여 노광 을 행하 고 , 노광 후 , 현상 을 행하 여 , 레지스 트 패턴 을 형성 한다 ( 스텝 S 34 ) . 그리고 , 얻 어 진 레지스 트 패턴 을 마스크 로 하 여 패 시베이 션 막 의 에칭 을 행하 고 , 패드 를 형성 한다 ( 스텝 S 35 ) .