본 발명 에 따른 반도체 소자 의 제조 방법 은 , 이온 주입 공정 후 반도체 기판 의 광 흡수율 파장 과 유사 한 300 ∼ 500 nm 의 파장 대역 을 갖 는 크세논 ( Xe ) 램프 를 이용 한 플래시 어 닐 공정 을 수행 하 여 실리콘 의 광 흡수율 을 증가 시킴 으로써 불순물 의 활성 화 율 을 향상 시켜 안정 적 인 SSR 웰 영역 을 형성 할 수 있 다 .