이때 , GIP 게이트 구 동부 에 포함 된 다수 의 박막 트랜지스터 는 표시 영역 중 액티브 영역 의 다수 의 박막 트랜지스터 와 달리 상대 적 으로 밀 집도 가 높 아 공정 상 의 오 차 가 발생 될 수 있 다 . 이 에 따라 , GIP 게이트 구 동부 에 포함 된 다수 의 박막 트랜지스터 의 특성 이 나빠져 표시 품질 에 영향 을 미치 게 된다 . 이 로 인해 , GIP 게이트 구동 부 의 포함 된 다수 의 박막 트랜지스터 의 공정 중 에 발생 된 임계 치수 를 측정 하 여 관리 하 여야 한다 .