도 7 b 를 참조 하 면 , 채널 ( 11 ) 상 에 더미 게이트 구 조체 ( 60 ) 가 형성 될 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 더미 게이트 구 조체 ( 60 ) 는 채널 ( 11 ) 상 에 적층 된 더미 게이트 절연 층 ( 61 ) , 더미 게이트 전극 층 ( 62 ) , 및 더미 게이트 마스크 ( 63 ) 를 포함 할 수 있 다 . 더미 게이트 절연 층 ( 61 ) 은 예 를 들 어 , 실리콘 산화물 , 실리콘 질화물 , 또는 이 들 의 조합 을 포함 할 수 있 으나 이 에 제한 되 지 않 는다 . 더미 게이트 전극 층 ( 62 ) 은 예 를 들 어 실리콘 을 포함 할 수 있 으나 이 에 제한 되 지 않 는다 . 더미 게이트 마스크 ( 63 ) 는 실리콘 산화물 , 실리콘 질화물 , 또는 이 들 의 조합 을 포함 할 수 있 으나 이 에 제한 되 지 않 는다 .