일 실시 예 에서 , 게이트 도전 층 ( 130 ) 은 티탄 을 포함 하 는 게이트 기저 층 ( 131 b ) , 구리 를 포함 하 는 게이트 메인 금속 층 ( 131 a ) 및 ZIO 를 포함 하 는 게이트 캡 핑 층 ( 132 ) 을 포함 할 수 있 다 . 즉 , 게이트 도전 층 ( 130 ) 은 Ti / Cu / ZIO 의 삼 중막 을 포함 할 수 있 다 . 게이트 캡 핑 층 ( 132 ) 으로 ZIO 를 사용 할 경우 , 상부 팁 의 발생 없이 하부 의 구리 층 과 일괄 식각 이 가능 하 고 , IZO 에 비해 우수 한 전기 전도도 를 가져 배선 패드 ( WPD ) 의 접촉 전극 으로 적합 하 게 사용 될 수 있 다 . 다른 대안 적 인 실시 예 에서 , 게이트 캡 핑 층 ( 132 ) 이 Ti / Mo / ITO 으로 적용 되 어 , 게이트 도전 층 ( 130 ) 은 Ti / Cu / Ti / Mo / ITO 의 적층 구조 를 가질 수 있 다 .