본 발명 은 다른 일 측면 에 있 어서 , 기재 와 , 상기 기재 상 에 형성 된 , Ni , Cr , Mn , Fe , Co 및 Cu 로 이루어지 는 군인 A 구성 원소 군 에서 선택 된 1 종 또는 2 종 이상 으로 구성 된 하층 과 , 상기 하층 상 에 형성 된 중간층 과 , 상기 중간층 상 에 형성 된 , Sn 및 In 으로 이루어지 는 군인 B 구성 원소 군 에서 선택 된 1 종 또는 2 종과 , Ag , Au , Pt , Pd , Ru , Rh , Os 및 Ir 로 이루어지 는 군인 C 구성 원소 군 에서 선택 된 1 종 또는 2 종류 이상 의 합금 으로 구성 된 상 층 을 구비 하 고 , 또한 상기 중간층 이 , 상기 A 구성 원소 군 에서 선택 된 1 종 또는 2 종 이상 과 , 상기 B 구성 원소 군 에서 선택 된 1 종 또는 2 종 으로 구성 된 금속 재료 를 , 인산 에스테르 계 처리 액 을 2 . 5 ∼ 5 . 0 g / L 함유 하 는 처리 액 중 에 마련 하 고 , 초음파 교반 함 으로써 상기 금속 재료 의 표면 에 C 의 함유량 이 60 at ％ 이상 이 고 , 또한 O 의 함유량 이 30 at ％ 이 하인 처리 층 을 형성 하 는 공정 을 포함 하 는 , 전자 부품 용 금속 재료 의 제조 방법 이 다 .