그러나 , 금 으로 형성 된 스터 드 범프 ( 14 ) 와 주석 을 포함 한 솔 더 범프 ( 24 ) 가 접속 될 때 스터 드 범프 ( 14 ) 를 이루 는 금 이 솔 더 범프 ( 24 ) 의 내부 로 빠르 게 확산 하 여 들어가 고 , 솔 더 범프 ( 24 ) 내 에 포함 된 주석 은 금 으로 형성 된 스터 드 범프 ( 14 ) 쪽 으로 빠르 게 확산 하 여 들어가 금과 주석 이 매우 활발 하 게 반응 함 으로써 , 도 2 에 도시 된 바 와 같이 스 터드 범프 ( 14 ) 및 솔 더 범프 ( 24 ) 의 경계 면 에 AuSn , AuSn 2 , AuSn 4 등 과 같 은 금속 간 화합물 이 형성 된다 . 이러 한 금속 간 화합물 은 매우 깨 지기 쉬운 ( Brittle ) 성질 을 가지 고 있 어 반도체 칩 과 기판 을 접속 하 는 데 무리 한 힘 이 가해질 경우 도 1 에 도시 된 바 와 같이 제 1 본딩 부 ( 10 ) 또는 제 2 본딩 부 ( 20 ) 에 크랙 ( A ) 이 발생 되 거나 심한 경우 에 는 크랙 ( A ) 으로 이해 파괴 되 는 문제점 이 있 다 .