본 실시 예 에서 는 , p - 클래드 층 8 , p - 클래드 층 9 , p - 클래드 층 10 , p - BDR 층 ( 11 ) 의 도 팬 트 , p - 콘 택 층 ( 12 ) 의 확산 억제 도 팬 트 는 Zn 으로 했 지만 , 본 발명 은 이것 에 한정 되 는 것 은 아니 다 . 즉 전술 한 Zn 이 아닌 , 도 5 , 도 6 에 나타나 있 는 바 와 같이 p 형 도 팬 트 로서 Mg 이나 Be 를 이용 해도 본 발명 의 효과 를 얻 을 수 있 다 . 이 경우 , Mg 과 Be 는 각각 시클 로 펜 타 디 에 닐 마그네슘 ( Cp 2 Mg ) , 시클 로 펜 타 디 에 닐 베릴륨 ( Cp 2 Be ) 에 의해 도프 된다 . 여기 에서 , Mg 또는 Be 의 경우 도 , 캐리어 농도 는 C 만 의 유도 로 20 . 0 - 40 . 0 ( E 18 / cm 3 ) 이 바람직 하 다 . 더 바람직 하 게 는 , 확산 억제 도 팬 트 의 양 은 p - 8 DR 층 의 도핑 량 과 같 은 양 이 좋 다 . 확산 억제 도 팬 트 가 콘 택 층 안 에 존재 하 고 있 으면 , 확산 억제 도 팬 트 의 양 이나 확산 억제 도 팬 트 의 분포 에 의하 지 않 고 본 발명 의 효과 를 얻 을 수 있 다 .