따라서 , 소자 분리 막 형성 물질 로 SOD 막 이 사용 되 었 을 경우 , 저 선택 비 화학 용액 을 사용 한 FRD 방식 으로 웨이퍼 를 세정 하 여 수분 마크 의 발생 을 억제 함 으로써 게이트 절 연막 의 막 질 을 열화 를 방지 하 고 , 막 질 의 열화 로 유발 되 었 던 게이트 식각 공정 시 의 실리콘 손실 ( loss ) 을 방지 하 여 수율 을 향상 시킬 수 있 다 .