그러므로 , 제 1 n 측 핑거 ( 171 ) 와 제 2 n 측 핑거 ( 172 ) 각각 의 동일 한 저항 을 가지 는 특성 에 의해 제 1 n 측 핑거 ( 171 ) 와 제 2 n 측 핑거 ( 172 ) 각각 의 말단 까지 전류 를 균일 하 게 주입 함 에 따라 , 활성 층 으로 전류 퍼짐 ( current spreading ) 을 향상 시킴 으로써 , 수평 형 질화물 반도체 발광 소자 의 발광 효율 을 개선 할 수 있 다 .