게이트 절연 층 ( 140 ) 및 반도체 층 ( 150 ) 상 에 는 데이터 도전 층 ( 170 ) 이 배치 될 수 있 다 . 데이터 도전 층 ( 170 ) 은 반도체 층 ( 150 ) 을 형성 하 기 위한 마스크 와 는 다른 마스크 를 이용 하 여 형성 될 수 있 다 . 따라서 , 데이터 도전 층 ( 170 ) 중 일부 는 게이트 절연 층 ( 140 ) 과 직접 접촉 할 수 있 다 . 또한 , 데이터 도전 층 ( 170 ) 의 다른 일부 는 반도체 층 ( 150 ) 의 구성 들 중 적어도 하나 ( 예 를 들 어 , 제 1 반도체 패턴 ( 151 ) ) 의 측면 과 접촉 할 수 있 다 . 화소 ( PX ) 내 에서 , 데이터 도전 층 ( 170 ) 이 점유 하 는 면적 은 , 반도체 층 ( 150 ) 이 점유 하 는 면적 보다 클 수 있 다 .