게다가 , 본 발명 의 실시 예 에 따른 비휘발성 메모리 장치 ( 100 ) 는 프로그램 동작 시 채널 부 스팅 을 수행 하 면서 비트 라인 셋 업 동작 을 수행 한다 . 이 에 , 본 발명 의 비휘발성 메모리 장치 ( 100 ) 는 비트 라인 셋 업 동작 을 수행 한 뒤 채널 부 스팅 을 수행 하 는 것 과 비교 하 여 프로그램 시간 을 줄일 수 있 다 .