전술 한 본 발명 의 과제 해결 수단 에 의하 면 , 3 차원 크로스바 메모리 를 이용 한 난수 발생 장치 를 통해 , 에러 율 이 낮 은 대량 의 암호 키 를 생성 할 수 있 다 . 암호 키 의 경우 생성 개수 와 보안 성 이 비례 하 므로 , 따라서 고집 적 이 가능 한 본 발명 의 구조 를 사용 할 경우 , 대량 의 암호 키 를 생성 할 수 있 어 , 보안 성능 이 높 은 PUF 칩 을 효율 적 으로 제작 할 수 있 다 .