피크 온도 가 상기 온도 이상 이 면 , 반도체 나노 입자 를 수식 하 고 있 는 표면 수식 제 가 충분히 탈리 되 거나 , 또는 셸 생성 을 위한 화학 반응 이 충분히 진행 되 는 등 의 이유 에 의해 , 반도체 의 층 ( 셸 ) 의 형성 이 충분히 행해 지 는 경향 이 있 다 . 피크 온도 가 상기 온도 이하 이 면 , 반도체 나노 입자 에 변질 이 발생 하 는 것 이 억제 되 어 , 양호 한 밴드 단 발광 이 얻 어 지 는 경향 이 있 다 . 피크 온도 를 유지 하 는 시간 은 , 혼합액 의 첨가 가 개시 되 고 나 서 토탈 로 1 분 간 이상 300 분 간 이하 , 특히 10 분 간 이상 120 분 간 이하 로 할 수 있 다 . 피크 온도 의 유지 시간 은 , 피크 온도 와 의 관계 로 선택 되 며 , 피크 온도 가 보다 낮 은 경우 에 는 유지 시간 을 보다 길 게 하 고 , 피크 온도 가 보다 높 은 경우 에 는 유지 시간 을 보다 짧 게 하 면 , 양호 한 셸 층 이 형성 되 기 쉽 다 . 승 온 속도 및 강온 속도 는 특별히 한정 되 지 않 고 , 강온 은 , 예 를 들 어 피크 온도 에서 소정 시간 유지 한 후 , 가 열 원 ( 예 를 들 어 전기 히터 ) 에 의한 가열 을 정지 하 여 방랭 함 으로써 실시 해도 된다 .