도 2 g 에 도시 된 바 와 같이 , 제 2 텅스텐 막 ( 29 ) 에 대해 에치 백 공정 을 수행 하 여 홈 ( B ) 내부 에 매립 시킨다 . 이때 , 제 2 텅스텐 막 ( 29 ) 의 에치 백 은 후속 최종 게이트 패턴 형성 을 위한 제 2 게이트 하드 마스크 가 형성 될 영역 의 확보 를 위하 여 제 1 층간 절 연막 ( 27 ) ( 또는 콘 택 플러그 ( 28 a ) ) 의 표면 으로부터 10 ~ 500 Å 정도 하향 된 지점 을 타 겟 으로 하 여 수행 된다 . 그 결과 , 홈 ( B ) 내부 의 제 2 텅스텐 막 ( 29 ) 상부 의 공간 이 10 ~ 500 Å 정도 비 어 있 게 된다 .