본 발명 에서 는 제 1 TFT ( TFT 1 ) 의 제 1 드레 인 전극 ( 112 ) 은 게이트 배선 ( 101 ) 과 평행 하 게 인접 되 어 있 고 , 단위 화소 영역 폭 만큼 확장 형성 되 어 있 다 . 또한 , 제 2 TFT ( TFT 2 ) 의 제 2 드레 인 전극 ( 113 ) 은 게이트 배선 ( 101 ) 과 평행 하 게 인접 되 어 있 고 , 단위 화소 영역 폭 만큼 확장 형성 되 어 있 다 .