먼저 , 포토레지스트 막 ( 도시 되 지 않 음 ) 을 상기 제 2 도전 층 ( 150 ) 상 에 도포 한다 . 상기 제 2 마스크 ( M 2 ) 를 이용 하 여 상기 포토레지스트 막 을 식각 함 으로써 , 제 2 도전 층 ( 150 ) 상 에 패턴 화 된 포토레지스트 막 ( 162 ) 을 형성 한다 . 다음 에 , 도 2 h 에 도시 된 바 와 같이 , 상기 패턴 화 된 포토레지스트 막 ( 162 ) 을 마스크 로 이용 하 여 상기 제 2 도전 층 ( 150 ) 을 식각 함 으로써 , 상기 화소 전극 ( 152 ) 을 형성 한다 . 상기 화소 전극 ( 152 ) 을 형성 하 는 동안 , 상기 반도체 물질 층 ( 140 ) 의 일부 를 노출 시키 는 콘 택 홀 ( H ) 이 형성 된다 . 도 2 i 에 도시 한 바 와 같이 , 상기 화소 전극 ( 152 ) 을 형성 한 후 , 오 믹 콘 택 층 ( L 1 ) 을 패 터닝 하 기 위해 건식 식각 공정 이 먼저 수행 되 고 , 이후 에 스트립 공정 을 수행 하 여 상기 패턴 화 된 포토레지스트 막 ( 162 ) 을 제거 한다 . 전술 한 바 에 따르 면 상기 콘 택 홀 ( H ) 및 상기 화소 전극 ( 152 ) 이 동시 에 형성 되 었 으나 , 상기 콘 택 홀 ( H ) 및 상기 화소 전극 ( 152 ) 을 동시 에 형성 하 지 않 을 수 도 있 다 .