이후 , 금속 막 은 상기 포토 공정 에 의하 여 형성 된 포토레지스트 패턴 을 식각 마스크 로 이용 하 여 패 터닝 되 어 게이트 절 연막 ( 12 ) 상 에 는 데이터 라인 ( DL ) , 데이터 라인 ( DL ) 으로부터 분기 된 스위칭 트랜지스터 ( STR ) 의 소오 스 전극 ( S 1 ) 및 드레 인 전극 ( D 1 ) , 구동 트랜지스터 ( DTR ) 의 소오 스 전극 ( S 2 ) 및 드레 인 전극 ( D 2 ) 이 각각 형성 된다 .