본 발명 은 상기 한 바 와 같 은 결점 을 해소 시키 기 위하 여 안출 된 것 으로서 , 사염 화 티탄 ( TiCL 4 ) 와 암모니아 ( NH 3 ) 를 이용 한 원자 박막 증착 기법 으로 콘 택 홀 을 CVD 질화 티타늄 으로 채움 으로써 , 콘 택 홀 사이즈 를 조절 할 수 있 도록 한 반도체 소자 의 금속 배선 형성 방법 을 제공 하 는데 그 목적 이 있 다 .