이러 한 실시 예 에 따라 , 약 200 mm 내지 450 mm 사이 , 예 를 들 어 약 300 mm 크기 의 기판 이 프로세스 챔버 에 배치 될 수 있 다 . 기판 은 실리콘 - 함유 기판 , 예 를 들 어 폴리 실리콘 또는 비정질 실리콘 기판 일 수 있 다 . 비소 도 펀트 는 플 라즈 마 이온 침지 주입 에 의해 기판 내 로 주입 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 중량 당 약 5 % 내지 약 10 % 수소 화 비소 ( AsH 3 ) 를 포함 하 고 나머지 는 H 2 , He , 또는 이 들 의 조합 물 을 포함 하 는 가스 혼합물 이 약 3 sccm 내지 약 200 sccm 의 유량 으로 프로세스 챔버 에 제공 될 수 있 다 . 플라 즈 마는 , 상기 유도 성 커플링 된 소스 에 약 6 kW 까지 의 전력 을 제공 함 으로써 생성 될 수 있 다 . 플 라즈 마 조건 들 에 종속 되 는 비소 이온 들 은 , 약 100 W 내지 약 5 kW 의 RF 전력 을 이용 하 여 샤워 헤드 에 전기 적 바이어스 를 인가 함 으로써 , 수소 화 비소 가스 로부터 해리 되 고 기판 을 향해 지향 될 수 있 다 . 약 3 초 내지 약 200 초 동안 의 처리 는 기판 표면 아래 약 300 옹스트롬 까지 비소 이온 들 을 주입 할 것 이 다 . 위 에서 기술 된 것 처럼 , 몇몇 실시 예 들 에서 주입 된 이온 들 의 농도 는 기판 표면 에서 또는 그 근처 에서 최대 가 될 것 이 다 .