제 1 단계 ( S 110 ) 에서 , 상부 스트링 선택 라인 ( USSL ) 에 프로그램 전압 이 인가 될 수 있 으며 , 하부 및 중간 스트링 선택 라인 들 ( LSSL , MSSL ) 에 접 지 전압 이 인가 될 수 있 다 . 이 에 따라 , 제 3 스트링 선택 트랜지스터 ( SST 3 ) 의 게이트 절 연막 으로 사용 되 는 전하 저장 막 에 전하 들 이 트랩 되 어 , 제 3 스트링 선택 트랜지스터 ( SST 3 ) 의 문턱 전압 이 제 1 및 제 2 스트링 선택 트랜지스터 ( SST 1 , SST 2 ) 의 제 1 문턱 전압 ( Vth 1 ) 보다 큰 제 2 문턱 전압 ( Vth 2 ) 으로 상승 될 수 있 다 .