또한 , 동작 예 2 에서 는 , 기판 처리 열 ( Ｌｕ ) 에서 기판 ( Ｗ ) 에 도포 현상 공정 을 행하 면서 , 기판 처리 열 ( Ｌｄ ) 에서 레지스 트 막 재료 도포 처리 만 으로 이루어지 는 공정 을 행한다 . 레지스 트 막 재료 도포 처리 는 단일 처리 이 며 , 레지스 트 막 용 도포 처리 유닛 ( ＲＥＳＩＳＴ ) 에서 행해진다 . 이 때문 에 , 레지스 트 막 재료 도포 처리 의 처리 품질 을 검사 , 검증 한다든지 , 레지스 트 막 용 도포 처리 유닛 ( ＲＥＳＩＳＴ ) 의 시운전 을 행하 는 경우 에 는 , 동작 예 2 에서 설명 한 바 와 같이 동작 시킴 으로써 , 본 장치 의 가동 율 이 대폭 으로 저하 하 는 것 을 억제 할 수 있 다 .