보호막 ( 250 ) 은 제 2 기판 ( 201 ) 상 에 PECVD , 스핀 코팅 등 의 증착 방법 을 통해 형성 한다 . 그리고 , 마스크 를 이용 한 포토 리소그래피 공정 및 식각 공정 으로 보호막 ( 250 ) 을 관통 하 는 제 1 및 제 3 콘 택 홀 ( 251 , 253 ) 을 형성 한다 . 이 와 동시 에 보호막 ( 250 ) 및 게이트 절 연막 ( 220 ) 을 관통 하 는 제 2 콘 택 홀 ( 252 ) 을 형성 한다 . 이때 , 제 1 콘 택 홀 ( 251 ) 은 드레 인 전극 ( 243 ) 의 일부분 을 노출 시키 고 , 제 3 콘 택 홀 ( 253 ) 은 제 2 터치 도전 라인 ( 245 ) 의 일부분 을 노출 시킨다 . 그리고 , 제 2 콘 택 홀 ( 252 ) 은 제 1 터치 도전 라인 ( 215 ) 의 일부분 을 노출 시킨다 . 여기 서 , 보호막 ( 250 ) 은 절연 을 위해 SiNx 또는 SiOx 등 과 같 은 무기 절연물 질 로 형성 하 거나 , 아크릴 , 폴리 이미드 또는 BCB 등 과 같 은 유기 절연물 질 로 형성 한다 . 더불 어 , 무기 절 연막 과 유기 물질 을 적층 하 여 형성 할 수 도 있 다 .