다음 에 도 5 내지 도 8 에 나타낸 바 와 같이 , 상기 하드 마스크 막 산화 막 ( 120 ) 을 식각 마스크 로 한 식각 으로 반도체 기판 ( 100 ) 의 노출 부분 을 일정 깊이 제거 하 여 , 리세 스 된 제 1 영역 ( 210 ) 을 형성 한다 . 상기 리세 스 된 제 1 영역 ( 210 ) 이 형성 됨 으로써 , 활성 영역 ( 200 ) 은 , 이 제 1 영역 ( 210 ) 과 , 제 1 영역 ( 210 ) 양쪽 에서 리세 스 되 지 않 은 제 2 영역 ( 220 ) 으로 구별 된다 . 따라서 상기 식각 에 의해 , 활성 영역 ( 200 ) 의 장축 을 따라 지나 는 절 단선 ( A - A ') 에 의해 절단 된 단면 구조 ( 도 7 참조 ) 에서 알 수 있 듯이 , 리세 스 된 제 1 영역 ( 210 ) 과 리세 스 되 지 않 은 제 2 영역 ( 220 ) 의 경계 부분 에 계단 형 단차 가 형성 된 스텝 ( step ) 구조 가 만들 어 진다 .