상기 플 라즈 마 전극 ( 160 ) 은 상기 고주파 파워 및 상기 저주파 파워 를 이용 하 여 상기 이소프렌 가스 와 질소 가스 를 고온 의 플 라즈 마 상태 로 여기 시키 고 , 상기 이소프렌 가스 와 상기 질소 가스 를 일정 한 혼합비 로 혼합 시킨다 . 예컨대 , 상기 플 라즈 마 전극 ( 160 ) 은 약 100 W 내지 약 200 W 정도 의 에너지 를 갖 고 약 10 MHz 내지 약 30 MHz 정도 의 고주파 를 갖 는 고주파 파워 를 인가 하 는 제 1 플 라즈 마 전극 ( 162 ) 과 , 상기 제 1 플 라즈 마 전극 ( 162 ) 에 인가 되 는 고주파 파워 에 비해 상대 적 으로 낮 은 약 13 . 5 MHz 정도 의 저주파 를 갖 는 저주파 파워 를 인가 하 는 제 2 플 라즈 마 전극 ( 164 ) 을 포함 하 여 이루어진다 . 따라서 , 상기 제 1 플 라즈 마 전극 ( 162 ) 및 상기 제 2 플 라즈 마 전극 ( 164 ) 은 상기 반응 가스 공급 부 ( 150 ) 에서 공급 된 상기 이소프렌 가스 와 상기 질소 가스 에 고주파 파워 및 저 주파 파워 를 인가 하 여 상기 이소프렌 가스 와 상기 질소 가스 를 일정 하 게 혼합 시켜 약 1 . 1 정도 의 낮 은 굴절 율 을 갖 고 약 0 . 4 정도 의 높 은 흡수율 을 갖 는 비정질 탄소막 을 형성 토록 할 수 있 다 . 상기 제 1 플 라즈 마 전극 ( 162 ) 및 상기 제 2 플 라즈 마 전극 ( 164 ) 은 상기 웨이퍼 상부 에서 수평 으로 구분 되 도록 형성 되 거나 , 수직 으로 적층 된 구조 로 구분 되 도록 형성 될 수 있 다 . 이때 , 상기 제 1 플 라즈 마 전극 ( 162 ) 및 상기 제 2 플 라즈 마 전극 ( 164 ) 에 인가 되 는 상기 고주파 파워 와 상기 저주파 파워 는 서로 다른 대역 의 주파수 를 갖 기 때문 에 서로 간 에 간섭 이 발생 되 지 않 는다 . 도시 되 지 않 았 지만 , 상기 제 1 플 라즈 마 전극 ( 162 ) 및 상기 제 2 플 라즈 마 전극 ( 164 ) 에 인가 되 는 상기 고주파 파워 와 상기 저주파 파워 가 상기 반응 챔버 ( 110 ) 내부 에서 피드백 되 거나 반사 되 는 반사파 와 , 상기 고주파 파워 및 상기 저주파 파워 의 임피던스 를 매칭 시키 는 제 1 매칭 박스 와 , 제 2 매칭 박스 가 상기 반응 챔버 ( 110 ) 의 외부 에 형성 되 어 있 다 .