S 130 단계 에서 , 컬럼 디코더 ( 150 ) 는 선택 된 비트 라인 ( BL 5 ) 를 전압 레벨 ( V 5 ) 로 프리 차지 할 수 있 다 . 선택 된 비트 라인 ( BL 5 ) 의 프리 차징 에 의해 , 선택 된 워드 라인 ( WL 3 ) 에 연결 된 워드 라인 커패시터 ( Cw ) 의 전하 가 충전 될 수 있 다 . S 130 단계 에서 , 컬럼 디코더 ( 150 ) 는 , 선택 된 비트 라인 ( BL 5 ) 과 인접 하 는 비트 라인 ( 예컨대 , 도 4 의 BL 6 ) 을 제 1 전압 레벨 ( 예컨대 , 도 5 b 의 Vbr 4 ) 에서 바이어 싱 하 고 선택 된 비트 라인 ( BL 5 ) 과 비 인접 하 는 비트 라인 ( 예컨대 , 도 4 의 BL 7 ) 을 제 2 전압 레벨 ( 예컨대 , 도 5 b 의 Vbr 3 ) 에서 플로팅 시킬 수 있 다 . 선택 된 비트 라인 ( BL 5 ) 과 인접 하 는 비트 라인 ( 예컨대 , 도 4 의 BL 6 ) 의 바이어 싱 과 선택 된 비트 라인 ( BL 5 ) 과 비 인접 하 는 비트 라인 ( 예컨대 , 도 4 의 BL 7 ) 의 플로팅 을 위해 , 판독 및 기입 제어 회로 ( 170 ) 는 선택 된 비트 라인 ( BL 5 ) 과 인접 하 는 비트 라인 ( 예컨대 , 도 4 의 BL 6 ) 에 연결 된 트랜지스터 들 ( 예컨대 , ) 의 게이트 전압 들 및 선택 된 비트 라인 ( BL 5 ) 과 비 인접 하 는 비트 라인 ( 예컨대 , 도 4 의 BL 7 ) 에 연결 된 트랜지스터 들 ( 예컨대 , ) 의 게이트 전압 들 을 제어 할 수 있 다 . 비트 라인 ( 예컨대 , 도 4 의 BL 6 ) 을 제 1 전압 레벨 ( 예컨대 , 도 5 b 의 Vbr 4 ) 에서 바이어 싱 하 는 시간 과 선택 된 비트 라인 ( BL 5 ) 과 비 인접 하 는 비트 라인 ( 예컨대 , 도 4 의 BL 7 ) 을 제 2 전압 레벨 ( 예컨대 , 도 5 b 의 Vbr 3 ) 에서 플로팅 시키 기 시작 하 는 시간 은 , 선택 된 비트 라인 ( BL 5 ) 를 전압 레벨 ( V 5 ) 로 프리 차징 하 기 시작 하 는 시간 과 동일 할 수 있 다 .