본 발명 은 서로 직렬 연결 된 메모리 셀 을 포함 하 는 비휘발성 메모리 소자 에서 , 메모리 셀 간 간섭 을 최소 화 할 수 있 는 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법 을 제공 하 기 위한 것 으로 , 본 발명 의 비휘발성 메모리 소자 는 서로 직렬연결 된 복수 의 메모리 셀 을 포함 하 는 비휘발성 메모리 소자 에 있 어서 , 상기 메모리 셀 은 , 기판 상 에 형성 된 복수 의 게이트 구조물 ; 상기 게이트 구조물 과 전기 적 으로 분리 되 고 , 상기 게이트 구조물 사이 에서 일부 매립 되 도록 형성 되 며 , 저부 의 양측 부가 상기 기판 과 접속 된 상기 소스 / 드레 인 영역 ; 및 상기 소스 / 드레 인 영역 아래 에 형성 된 절연 성 의 확산 방지 막 을 포함 한다 .