위 에서 설명 된 구성 에 따라 , 본 실시 예 에 따른 발광 다이오드 ( 1 ) 는 ITO 층 ( 290 ) 의 발광 면적 을 크 게 줄이 지 않 으면서 배선 ( 400 ) 과 ITO 층 ( 290 ) 사이 의 접촉면 적 이 증가 될 수 있 다 . 특히 , 상기 배선 ( 400 ) 의 일부 인 접점 연결부 ( 402 ) 가 ITO 층 ( 290 ) 의 접점 홈 ( 294 ) 내면 에 접하 고 그 접점 홈 ( 294 ) 내면 이 ITO 층 ( 290 ) 으로 의 전류 확산 이 용이 한 위치 이 므로 , 상기 접점 홈 ( 294 ) 과 배선 ( 400 ) 의 연결 구조 에 의해 , 배선 ( 400 ) 으로부터 ITO 층 ( 290 ) 으로 전류 확산 효율 은 더욱 높 아 질 수 있 다 .