본 발명 은 문턱 전압 조절 용 이온 주입 을 하 지 않 아 N 형 웰 표면 의 농도 를 낮추 어 튜닝 범위 를 높일 수 있 는 모스 버랙터 의 제조 방법 에 관한 것 으로 , 액티브 영역 과 필드 영역 이 정의 되 어 필드 영역 에 소자 분리 막 이 형성 된 반도체 기판 ; 상기 액티브 영역 의 반도체 기판 에 형성 되 는 N 형 웰 ; 상기 N 형 웰 상측 에 형성 되 는 게이트 절 연막 및 게이트 전극 ; 상기 게이트 전극 양측 의 상기 N 형 웰 에 형성 되 는 N 형 불순물 영역 을 구비 하 고 , 상기 N 형 웰 표면 의 불순물 농도 가 1016 atoms / cm 3 내지 1017 atoms / cm 3 를 유지 하 도록 한 것 이 다 .