상술 한 바 와 같이 , 광 흡수 층 ( 220 ) 과 반도체 기판 ( 100 ) 사이 에 는 복수 개 의 반도체 층 이 더 형성 될 수 있 으며 , 이 의 일예 로써 복수 의 반사 방지 층 ( anti reflection layer ) 이 형성 될 수 있 다 . 이때 복수 의 반사 방지 층 각각 의 굴절 률 은 광 흡수 층 ( 220 ) 과 반도체 기판 ( 100 ) 의 굴절 률 사이 의 값 을 가질 수 있 으며 , 반도체 기판 ( 100 ) 측 에 형성 된 반사 방지 층 의 굴절 률 은 광 흡수 층 ( 220 ) 측 에 형성 된 반사 방지 층 의 굴절률 보다 작 게 형성 됨 으로써 , 반도체 기판 ( 100 ) 에서 광 흡수 층 ( 220 ) 으로 입사 되 는 광이 계단식 으로 굴절 되 어 반사 를 줄일 수 있 다 .