도 1 l 을 참조 하 면 , 제 3 , 제 4 및 제 5 절 연막 ( 120 , 122 , 124 ) 에 대한 평탄 화 공정 을 실시 하 여 트렌치 ( 112 ) 가 형성 된 영역 이외 의 부분 에 형성 된 제 3 , 제 4 및 제 5 절 연막 ( 120 , 122 , 124 ) 을 제거 한다 . 평탄 화 공정 은 CMP 공정 을 이용 하 여 실시 하 는 것 이 바람직 하 며 , 소자 분리 용 질화 막 ( 108 ) 이 노출 되 는 시점 까지 식각 공정 을 실시 하 는 것 이 바람직 하 다 .