이제 도 4 i 및 도 4 j 를 참조 하 면 , SAC ( self - aligned contact ) 영역 에칭 , SAC 충 진 및 희생 적 스 페이서 제거 가 각각 도시 된다 . 도 4 i 에서 , 복수 의 핀 들 ( 114 ) 을 노출 하 고 SAC 영역 을 생성 하 기 위해 , 복수 의 핀 들 ( 114 ) 의 마주 보 는 측면 들 을 둘러싸 는 ILD 층 ( 132 ) 의 영역 들 이 마스킹 되 고 게이트 캡 핑 층 및 희생 적 SnO 2 스 페이서 에 대해 선택 적 으로 ILD 를 에칭 하 는 에칭 을 사용 하 여 에칭 된다 .