이후 , 상기 포토레지스트 패턴 이 식각 마스크 로 사용 되 어 , 상기 아몰 퍼스 실리콘 박막 및 상기 n + 아몰 퍼스 실리콘 박막 은 패 터닝 되 고 , 상기 게이트 절 연막 ( 217 ) 상 에 는 상기 채널 패턴 ( 212 ) 이 형성 된다 . 상기 채널 패 넌 ( 212 ) 의 상기 n + 아몰 퍼스 실리콘 패턴 ( 212 b ) 은 상기 아몰 포스 실리콘 패턴 ( 212 a ) 상 에 한 쌍 이 상호 소정 의 간격 으로 이격 되 어 배치 된다 .