일 예 로 , 도 5 을 참조 하 면 , 수직 절연 패턴 ( VP ) 은 낸드 플래시 메모리 장치 에서 데이터 저 장막 을 구성 하 는 터널 절 연막 ( TIL ) , 전하 저 장막 ( CIL ) , 및 블록 킹 절 연막 ( BLK ) 을 포함 할 수 있 다 . 이러 한 데이터 저장 막 에 저장 되 는 데이터 는 반도체 물질 을 포함 하 는 수직 반도체 패턴 ( SP ) 과 전극 들 ( GSE , CE , LSE , USE ) 사이 의 전압 차이 에 의해 유발 되 는 파울러 - 노던 하임 터널 링 을 이용 하 여 변경 될 수 있 다 .