이때 , 상기 게이트 전극 ( 150 ) 은 상기 소스 및 드레 인 전극 ( 133 , 136 ) 사이 로 노출 된 제 1 실리콘 층 ( 111 a ) 과 는 전면 대응 하 도록 그리고 서로 이격 하 는 오 믹 콘 택 층 ( 122 ) 에 대해서 는 각각 소정 간격 중첩 되 도록 형성 하 는 것 이 바람직 하 며 , 이 경우 상기 오 믹 콘 택 층 ( 122 ) 과 각각 상기 게이트 전극 ( 150 ) 의 양 끝단 은 상기 오 믹 콘 택 층 ( 122 ) 의 외측 으로 연장 되 지 않 도록 상기 오 믹 콘 택 층 ( 122 ) 각 끝단 의 내측 에 위치 하 도록 하 는 것 이 바람직 하 다 .