본 발명 에 의한 상기 제 1 경화 성 보호막 ( 350 ) 은 상기 고분자 유기 막 ( 150 ) 의 일 면 에 형성 된다 . 즉 , 상기 제 1 경화 성 보호막 ( 350 ) 은 상기 고분자 유기 막 ( 150 ) 의 상면 에 형성 될 수 있 다 . 이 와 달리 , 상기 제 1 경화 성 보호막 ( 350 ) 은 상기 고분자 유기 막 ( 150 ) 의 하면 에 형성 될 수 도 있 다 . 또한 , 상기 제 1 경화 성 보호막 ( 350 ) 은 상기 고분자 유기 막 ( 150 ) 의 상면 및 하면 에 동시 에 형성 될 수 도 있 다 . 어느 경 우 에 도 , 본 실시 예 에 의한 상기 제 1 경화 성 보호막 ( 350 ) 은 상기 고분자 유기 막 ( 150 ) 의 상면 또는 하면 에 직접 형성 된다 .