도 3 c 에 도시 된 바 와 같이 , 잔류 하 는 하드 마스크 패턴 ( 23 A ) 을 포함 한 전면 에 스 페이서 층 ( 25 ) 을 형성 한다 . 이때 , 스 페이서 층 ( 25 ) 은 실리콘 산화 막 ( SiO 2 ) , 실리콘 질화 막 ( Si 3 N 4 ) 또는 실리콘 산화 질화 막 ( SiON ) 중 에서 선택 되 며 , 그 두께 는 30 ∼ 150 Å 이 다 .