상기 기판 ( 10 ) 상 에 상기 제 1 몰드 구조물 ( 101 ) 을 관통 하 여 , 상기 제 2 수평 연결 패턴 ( 34 ) 을 노출 시키 는 제 1 트렌치 들 ( T 1 ) 을 형성 할 수 있 다 . 제 1 트렌치 들 ( T 1 ) 의 측면 상 및 상기 제 2 수평 연결 패턴 ( 34 ) 의 일부 노출 된 상면 을 덮 는 제 1 분리 스 페이서 ( 151 ) 를 형성 할 수 있 다 . 상기 제 1 분리 스 페이서 ( 151 ) 은 후속 공정 에서 제거 되 는 막 일 수 있 다 . 상기 제 1 분리 스 페이서 ( 151 ) 는 실리콘 질화물 을 포함 할 수 있 으나 , 이 에 한정 되 는 것 은 아니 다 .