2 ) 의 각각 에서 는 , 서 스테인 방전 보다 도 미약 한 리셋 방전 만 으로 전 방전 셀 PC 의 초기 화 를 완료 시키 고 있 다 . 즉 , 종래 , 비교 적 다량 의 하전 입자 를 방전 공간 내 에 방출 시키 도록 , 리셋 행정 에서 는 , 서 스테인 펄스 보다 도 고전압 의 리셋 펄스 를 인가 함 으로써 , 서 스테인 방전 보다 도 강한 방전 을 리셋 방전 으로서 야기 시키 도록 하 고 있 다 . 즉 , 초기 화 의 단계 에서 다량 의 하전 입자 를 방전 공간 내 에 방출 시킴 으로써 어드레스 행정 에서 의 기입 어드레스 방전 의 안정 화 를 꾀하 는 것 이 다 . 그런데 , 본 실시 예 와 같 은 CL 발광 MgO 가 형성 되 어 있 는 방전 셀 은 , CL 발광 MgO 가 형성 되 어 있 지 않 은 방전 셀 에 비해 , 리셋 방전 에 의해 방출 되 는 하전 입자 의 양 에 관계없이 어드레스 행정 에서 의 기입 어드레스 방전 이 안정 화 한다 . 그래서 , 리셋 행정 ( R 1 , R 2 ) 에서 는 , 비교 적 다량 의 하전 입자 를 방전 공간 내 에 방출 시킬 수 있 는 강한 리셋 방전 , 즉 서 스테인 방전 보다 도 강한 방전 으로 되 는 리셋 방전 을 생략 함 으로써 암 콘트 라스트 의 향상 을 꾀하 도록 한 것 이 다 .