이 어 , 상기 형성 된 제 2 포토레지스트 패턴 ( 23 ) 을 마스크 로 이용하 여 , 상기 패드 산화 막 ( 17 ) , 상기 기판 의 소정 깊이 를 식각 한다 . 이 로써 , 상기 패드 산화 막 ( 17 ) 을 패 터닝 하 고 , 기판 에 형성 된 제 3 웰 ( 18 ) 을 노출 한다 . 한편 , 상기 식각 공정 으로 제 3 웰 ( 18 ) 이 노출 되 면 , 상기 형성 된 베이스 영역 ( 20 ) 이 분리 정의 된다 .