현재 게이트 패턴 형성 방법 은 반도체 기판 상 에 폴리 실리콘 막 을 형성 하 고 , 폴리 실리콘 막 상 에 마스크 패턴 을 형성 한 후 마스크 패턴 을 이온 주입 베리어 로 폴리 실리콘 막 상 에 불순물 을 이온 주입 한다 . 그리고 , 마스크 패턴 을 제거 한 후 불순물 의 활성 화 를 위한 어 닐 공정 을 진행 하 고 , 금속 계 도전 층 을 형성 하 고 패 터닝 하 여 게이트 패턴 을 형성 한다 .