실제로 , 제 1 프로브 베이스 의 상이 한 높이 로부터 연장 되 는 프로브 는 , 상술 한 바 와 같이 제 1 메인 에지 에 인접 한 제 1 및 제 2 경계 접점 에 점 접촉 되 는 것 에 제한 되 지 않 으며 , 동일 한 높이 의 프로브 가 너무 가까워 지 거나 상호 간섭 할 수 있 는 모든 위치 의 전도성 접점 에 적용 될 수 있 어 , 상술 한 문제 를 야기 할 수 있 는 전도성 접점 에 대응 하 는 프로브 ( 본 발명 에서 모두 제 1 및 제 2 경계 프로브 로 칭함 ) 를 상이 한 높이 에 설치 하 는 것 에 의해 프로브 간섭 을 피하 는 효과 에 도달 한다 .