또 , 입력 도 선 ( 51 a ) 의 제 2 접속 단자 ( 55 ) 에 대응 하 는 전기 소자 ( 29 ) 의 입력 단자 패드 ( 29 a ) 에 는 일정 압력 으로 가압 변형 될 때 전도 성 을 가지 는 제 2 ACF 패치 ( 37 ) 가 부착 된다 . 따라서 , 하우징 ( 41 ) 과 센서 칩 / 렌즈 구조물 ( 20 ) 의 결합 시 제 2 ACF 패치 ( 37 ) 는 입력 도 선 ( 51 a ) 의 제 2 접속 단자 ( 55 ) 에 의해 접촉 가압 되 어 입력 도 선 ( 51 a ) 의 제 2 접속 단자 ( 55 ) 와 전기 적 으로 연결 되 고 , 그 에 따라 입력 단자 패드 ( 29 a ) 는 제 2 ACF 패치 ( 37 ) 를 통해 입력 도 선 ( 51 a ) 의 제 2 접속 단자 ( 55 ) 와 전기 적 으로 연결 된다 . 이때 , 도 6 a 내지 도 6 c 에 도시 한 바 와 같이 , 하우징 ( 41 ) 의 내 측면 과 센서 칩 / 렌즈 구조물 ( 20 ) 의 전기 소자 ( 29 ) 사이 의 갭 이 하우징 ( 41 ) 의 제작 공차 , 전기 소자 ( 29 ) 의 다 이싱 공차 등 을 감안 200 ㎛ 이하 의 범위 로 설계 되 고 입력 도 선 ( 51 a ) 이 하우징 ( 41 ) 의 내 측면 과 센서 칩 / 렌즈 구조물 ( 20 ) 의 전기 소자 ( 29 ) 사이 의 갭 범위 이하 의 적당 한 두께 를 가지 므로 , 입력 도 선 ( 51 a ) 의 제 2 접속 단자 ( 55 ) 가 제 2 ACF 패치 ( 37 ) 로부터 떨어져 제 2 ACF 패치 ( 37 ) 와 접촉 하 지 않 는 경우 는 발생 하 지 않 는다 .