본 발명 은 상측 에 개구부 가 형성 된 챔버 본체 와 ; 상기 챔버 본체 의 개구부 를 복개 하 여 상기 챔버 본체 와 함께 처리 공간 을 형성 하 는 상부 리드 와 ; 상기 상부 리드 의 하측 에 설치 되 어 상기 처리 공간 에 가스 를 분사 하 는 샤워 헤드 부 와 ; 기판 을 직접 또는 기판 이 안착 된 트레이 를 지지 하 도록 상기 챔버 본체 에 설치 되 는 기판 지지 부를 포함 하 며 , 상기 샤워 헤드 부 는 제 1 확산 공간 을 형성 하 고 저면 에 다 수개 의 분사 돌기 들 이 형성 되 며 , 상기 제 1 확산 공간 으로부터 처리 공간 으로 가스 를 분사 하 도록 제 1 분 사공 이 각 분사 돌기 를 관통 하 여 형성 된 확산 플레이트 와 ; 제 2 확산 공간 을 형성 하 고 제 2 확산 공간 으로부터 처리 공간 으로 가스 를 분사 하 도록 다 수개 의 제 2 분 사공 들 이 형성 되 며 상기 확산 플레이트 에 형성 된 각 분사 돌기 들 이 관통 하 여 삽입 되 도록 각 분사 돌기 들 에 대응 되 는 다 수개 의 끼움 공 들 이 형성 된 분사 플레이트 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 하 는 기판 처리 장치 를 개시 한다 .