이 반도체 장치 에서 는 , 제 1 도전 형 칼럼 의 불순물 농도 및 제 2 도전 형 칼럼 의 불순물 농도 가 일정 한 값 으로 설정 되 고 , 제 1 칼럼 층 , 제 2 칼럼 층 및 제 3 칼럼 층 의 불순물 양 의 차이 가 각 칼럼 층 에서 의 제 1 도전 형 칼럼 과 제 2 도전 형 칼럼 사이 의 폭 의 차이 만큼 설정 된다 . 이것 에 따르 면 , 제 1 도전 형 칼럼 및 제 2 도전 형 칼럼 이 형성 될 경우 , 불순물 농도 를 일정 하 게 설정 하 는 것 이 가능 함 에 따라 , 안정 된 박막 형성 을 수행 할 수 있 다 .