이 상태 에서 NH 3 가스 를 플 라즈 마 여기 하 여 얻 어 진 NH 3 활 성종 ( NH 3 *) 을 포함 하 는 가스 를 공급 하 면 , 도 10 ( b ) 에 나타내 는 바 와 같이 , 웨이퍼 면내 에 있 어서 의 NH 3 가스 ( NH 3 *) 류 의 상류 에서 하류 를 향하 여 실리콘 웨이퍼 표면 에 흡착 한 HCD 분자 의 질화 가 진행 한다 . 이 때 웨이퍼 면내 에 있 어서 의 NH 3 가스 류 의 하류 의 HCD 분자 는 실리콘 웨이퍼 표면 으로부터 이탈 하 는 일 은 없 다 . 즉 , 종래 기술 의 순서 에 있 어서 발생 한 HCD 분자 의 실리콘 웨이퍼 표면 으로부터 의 이탈 은 억제 된다 . 이것 은 , NH 3 가스 를 플 라즈 마 여기 함 으로써 얻 어 진 NH 3 * 의 에너지 는 비교 적 낮 고 , 또한 , Si － N 결합 은 , Si － O 결합 과 비교 하 여 낮 은 에너지 로 발생 하 며 , 그리고 , 그러 한 낮 은 에너지 라고 하 더라도 HCD 를 충분히 질화 시킬 수 있 기 때문 이 라고 생각 할 수 있 다 . 즉 , 이 경우 , 실리콘 웨이퍼 표면 상 에 대한 Si 의 고정 을 충분히 수행 할 수 있 고 , 실리콘 웨이퍼 표면 상 에 균일 하 게 Si 가 고정 되 게 된다 . 이 때문 에 , 도 10 ( b ) 에 나타내 는 바 와 같이 , 실리콘 웨이퍼 표면 에 흡착 한 HCD 분자 는 웨이퍼 면내 에 걸쳐 균일 하 게 질화 되 고 , 실리콘 웨이퍼 표면 상 에 SiN 층 이 웨이퍼 면내 에 걸쳐 균일 하 게 형성 된다 .