도 3 및 도 4 를 참조 하 면 , 제 1 층간 절 연막 ( 117 ) 및 노출 된 상기 제 2 도전 패턴 ( 115 b ) 의 상부 면 상 에 콘 택 홀 ( 119 ) 의 내부 공간 을 채우 는 베리드 도전 층 ( 121 a ) 을 형성 한다 . 상기 베리드 도전 층 ( 121 a ) 은 예 를 들 어 , 폴리 실리콘 층 일 수 있 고 , 그리고 저압 화학 기상 증착 ( low pressure chemical vapor deposition ; LP - CVD ) 공정 을 사용 하 여 형성 될 수 있 다 . 상기 베리드 도전 층 ( 121 a ) 을 전면 식각 하 여 상기 제 1 층 간 절 연막 ( 117 ) 의 상부 면 및 상기 콘 택 홀 ( 119 ) 의 상부 측벽 을 노출 시킬 수 있 다 . 다시 말 하 면 , 상기 베리드 도전 층 ( 121 a ) 은 전면 식각 되 는 동안 상기 콘 택 홀 ( 119 ) 내의 상기 베리드 도전 층 ( 121 a ) 의 상부 가 제거 되 어 상기 제 1 층간 절 연막 ( 117 ) 의 상부 면 보다 낮 은 상부 면 을 갖 는 리세 스 도전 패턴 ( 121 ) 으로 형성 될 수 있 다 . 상기 전면 식각 은 이방성 식각 공정 으로 수행 될 수 있 다 .