일부 실시 예 들 에서 , 에칭 동안 반도체 기판 을 홀딩 하 기 위해 구성 된 기판 홀더 를 갖 는 프로세스 챔버 ; 프로세스 가스 에 플 라즈 마 를 생성 하 기 위해 구성 된 플 라즈 마 생성기 ; 및 제어기 를 포함 하 는 장치 가 제공 된다 . 제어기 는 임의 의 본 명세서 에 기술 된 방법 들 을 구현 하 기 위한 프로그램 인스트 럭 션 들 을 포함 한다 . 일 실시 예 에서 , 제어기 는 약 100 ℃ 미만 의 온도 에서 반도체 기판 상의 SnO 2 층 의 에칭 을 유발 하 기 위한 프로그램 인스트 럭 션 들 을 포함 하 고 , 에칭 을 유발 하 는 것 은 적어도 약 50 ％ 의 H 2 를 포함 하 는 프로세스 가스 로 형성 된 플 라즈 마 에 반도체 기판 의 노출 을 유발 하 는 것 을 포함 한다 .