일부 예 들 에서 , 디 지트 라인 ( 1940 ) 는 감지 컴포넌트 ( 1935 ) 및 메모리 셀 ( 1910 ) 의 저장 엘리먼트 와 전자 통신 할 수 있 다 . 일부 예 들 에서 , 저장 엘리먼트 는 강유 전 성 커패시터 일 수 있 고 , 메모리 셀 ( 1910 ) 은 강유 전 성 메모리 셀 일 수 있 다 . 도 19 에서 , 메모리 셀 은 단순 화 를 위해 메모리 기술 특유 의 특정 엘리먼트 들 을 생략 한 개략 적 인 예 로서 만 도시 된다 . 일부 예 에서 , 저장 엘리먼트 는 칼 코 게나 이드 상 변화 재료 를 포함 할 수 있 고 / 있 거나 메모리 셀 ( 1910 ) 은 상 변화 메모리 셀 일 수 있 다 . 메모리 셀 ( 1910 ) 는 로직 상태 ( 예 를 들 어 , 제 1 또는 제 2 로직 상태 ) 로 기록 가능 할 수 있 다 . 워드 라인 ( 1920 ) 은 메모리 제어기 ( 1915 ) 및 메모리 셀 ( 1910 ) 의 선택기 디바이스 와 전자 통신 할 수 있 다 . 감지 컴포넌트 ( 1935 ) 는 메모리 제어기 ( 1915 ) , 디 지트 라인 ( 1940 ) , 래치 ( 1945 ) 및 기준 라인 ( 1960 ) 과 전자 통신 할 수 있 다 . 기준 컴포넌트 ( 1930 ) 은 기준 라인 ( 1960 ) 및 메모리 제어기 ( 1915 ) 와 전자 통신 할 수 있 다 . 감지 제어 라인 ( 1965 ) 은 감지 컴포넌트 ( 1935 ) 및 메모리 제어기 ( 1915 ) 와 전자 통신 할 수 있 다 . 이 들 컴포넌트 들 은 또한 다른 컴포넌트 , 연결 또는 버스 를 통해 상기 에서 열거 되 지 않 는 컴포넌트 들 에 추가 하 여 메모리 어레이 ( 1905 ) 의 내측 및 외측 양쪽 에 다른 컴포넌트 들 과 전자 통신 할 수 있 다 .