도 3 c 및 도 4 c 를 참조 하 면 , 상기 일부 가 식각 된 SOG 절 연막 ( 206 ) 을 덮 도록 표면 에 산화 막 ( 220 ) 이 형성 된 반도체 기판 ( 200 ) 상 에 보호막 ( 230 ) 을 형성 한다 . 상기 보호막 ( 230 ) 은 카본 폴리머 막 [ ( CHx ) n ] 을 스핀 - 온 ( spin - on ) 방식 에 따라 도포 한 후 , 상기 도포 된 카본 폴리머 막 내 의 솔 벤트 가 제거 되 도록 150 ∼ 400 ℃ 의 온도 에서 베이 킹 하 여 형성 한다 . 상기 카본 폴리머 막 은 상기 식각 된 SOG 절 연막 부분 을 채우 면서 반도체 기판 ( 200 ) 의 액티브 영역 ( A / R ) 상 에서 의 두께 가 200 ∼ 1000 Å 정도 가 되 도록 도포 한다 .