도 2 및 도 15 를 참조 하 면 , 상기 제 2 포토레지스트 패턴 ( PR 2 ) 을 식각 마스크 로 상기 제 2 하 부막 ( ULa 2 ) 을 이방성 식각 하 여 , 제 2 하부 패턴 ( UL 2 ) 이 형성 될 수 있 다 . 상기 제 2 하부 패턴 ( UL 2 ) 은 , 상기 제 1 콘 택 영역 ( CTR 1 ) 밖 의 상기 절 연막 들 ( 110 ) 및 상기 제 1 희생 막 들 ( HL 1 ) 을 노출 시킬 수 있 다 . 상기 제 2 하부 패턴 ( UL 2 ) 을 형성 하 는 식각 공정 동안 상기 제 2 포토레지스트 패턴 ( PR 2 ) 은 모두 제거 될 수 있 다 .