상기 기술 적 과제 를 달성 하 기 위하 여 , 본 발명 에 따른 반도체 소자 의 제조 방법 은 , 반도체 기판 위 에 스크린 산화 막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 스크린 산화 막 의 일부 영역 을 노출 시키 는 마스크 막 패턴 을 형성 하 는 단계 ; 상기 마스크 막 패턴 을 이온 주입 마스크 로 상기 반도체 기판 내 에 불순물 을 주입 하 는 단계 ; 및 상기 반도체 기판 상 에 기판 과 광 흡수율 파장 과 유사 한 파장 대역 을 갖 는 램프 를 이용 한 플래시 어 닐 공정 을 진행 하 여 상기 기판 내 에 주입 된 불순물 을 확산 시키 는 단계 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .