이상 에서 설명 한 본 발명 에 따르 면 , 에스오 아이 기판 위 에 나노 선 을 정의 한 후 열 산화 공정 을 수행 하 여 선택 적 으로 포 텐 셜 에너지 장벽 을 형성 된 단일 전자 트랜지스터 를 제작 한다 . 포 텐 셜 장벽 사이 에 자발 적 으로 형성 된 양자 점 은 식각 공정 에 의한 손상 없이 구현 되 기 때문 에 소자 의 특성 저하 를 줄일 수 있 다 .