각 노광 영역 의 형성 후 는 , 현상 을 행하 여 , 제품 용 칩 의 최상층 배선 형성 용 및 기준 용 칩 의 도체 부 형성 용 의 레지스 트 패턴 을 동시 에 형성 한다 ( 스텝 S 25 ) . 그것 을 마스크 로 하 여 Al 막 의 에칭 을 행함 으로써 , 제품 용 칩 의 최상층 배선 및 기준 용 칩 의 도체 부를 동시 에 형성 한다 ( 스텝 S 26 ) .