도 1 b 에서 , 고정 전하 를 갖 는 유전체 층 ( 200 ) 이 CNT ( 100 ) 주위 를 감싼다 . 일부 실시 예 에서 , 유전체 층 ( 200 ) 은 부 정비 ( 不定 比 , non - stoichiometric ) 실리콘 질화물 , 예 를 들 면 , SiNx 이 다 . 유전체 층 ( 200 ) 이 양 의 고정 전하 ( positive fixed charge ) 를 갖 기 때문 에 , 음 의 이동 전하 ( negative mobile charge ) 가 n - 형 FET 에 대해 CNT ( 100 ) 에서 유도 된다 . 일부 실시 예 에서 , 유전체 층 ( 200 ) 의 두께 는 대략 1 nm 내지 대략 10 nm 의 범위 내 에 있 다 . 다른 실시 예 에서 , 유전체 층 ( 200 ) 은 음 의 고정 전하 를 운반 하 며 , 이 는 p - 형 FET 에 대해 CNT ( 100 ) 에서 양 의 이동 전하 를 유도 한다 . 음 의 고정 전하 를 운반 하 는 유전체 층 ( 200 ) 은 MoO 3 또는 NiO 2 를 포함 한다 .