한편 , 상기 위치 에 따라 두께 가 다른 포토 레지스 트 패턴 ( 110 a ) 을 건식 식각 방법 으로 에 슁 ( ashing ) 하 면 , 상기 하프 톤 마스크 ( 190 ) 의 부분 투과 영역 ( C ) 과 대응 되 는 위치 에서 부분 광중합 되 어 현상 되 어 두께 가 얇 게 형성 된 포토 레지스 트 패턴 ( 110 a ) 이 제거 되 어 상기 제 1 기판 ( 100 ) 을 일부 노출 시키 게 된다 .