다양 한 실시 예 들 에서 , 하부 SiN 에 선택 적 인 산화물 제거 를 위해 , ALE 기법 이 적용 되 고 , 그리고 이 는 10 이상 으로 산화물 / SiN 선택도 를 부스트 하 도록 설계 되 었 다 . 이 는 SiN 정지 층 은 하부 에피 ( epi ) 를 보호 하 도록 제자리 에 남 아 있 는 반면 , 컨 택트 에서 산화물 이 제거 될 수 있 게 한다 . 일단 산화물 이 일정 양 의 오버 에칭 으로 제거 되 면 , 산소 스트립 은 후속 하 는 전용 SiN 제거 단계 동안 순수 한 SiN 이 노출 된다는 것 을 보장 하 도록 , ALE 단계 에서 남 은 모든 폴리머 를 제거 하 도록 적용 된다 . 남 아 있 는 SiN 층 은 스트립 동안 산화 로부터 Si 에피 택 셜 성장 을 방지 한다 . 스트립 단계 가 완료 되 면 , SiN 제거 단계 ( LRM ) 가 적용 된다 . 이 단계 는 산화물 ( 예 를 들 어 , 새롭 게 에칭 되 는 컨 택트 의 측벽 들 ) 및 에피 택 셜 성장 모두 에 대해 SiN 을 매우 선택 적 으로 ( 선택도 > 10 ) 제거 하 도록 개발 되 고 , 여기 서 SiN 은 제거 되 도록 예정 되 어 있 다 . 다른 실시 예 들 에서 , 플루오르화 탄소 가스 는 C 3 F 6 , C 4 F 8 , C 5 F 8 , 또는 C 6 F 6 중 하나 이상 일 수 도 있 다 . 이 에 더 하 여 , 바람직 하 게 는 플루오르화 탄소 가스 는 하이드로 플루오르화 탄소 들 을 포함 하 지 않 는다 . 다른 실시 예 들 에서 , SiN 에칭 가스 는 H 2 대신 에 또는 H 2 와 조합 하 여 O 2 또는 CO 2 를 이용 할 수 도 있 다 .