일반 적 으로 , 절연체 층 ( 150 ) 은 상대 적 으로 고온 의 고밀 도 플 라즈 마 증착 공정 , 플 라즈 마 강화 화학 기상 증착 공정 , 또는 화학 증착 공정 에서 형성 된 산화물 ( 예 를 들 어 , SiO 2 ) 또는 질화물 ( 예 를 들 어 , Si 3 N 4 ) 이 다 . 활성 층 ( 130 ) 의 휘발 에 대한 우려 와 더불 어 , 산화물 과 질화물 증착 공정 들 은 활성 층 ( 130 ) 의 오염 에 대한 우려 를 낳 는다 . 산화물 또는 질화물 절연체 들 의 형성 은 선행 하 는 기체 들 을 상기 증착 환경 에 주입 하 는 것 을 요구 한다 . N 2 , O 2 , NO , NOx , N 2 O , SiH 4 , SiH 2 Cl 2 , 및 H 2 와 같 은 기체 들 은 일반 적 으로 산화물 및 질화물 절연체 들 의 형성 에 사용 된다 . 상기 형성 공정 동안 에 , 상기 선행 물질 들 은 반응 하 거나 분해 되 어 절연체 층 ( 150 ) 을 생성 한다 . 상기 형성 공정 동안 에 , 활물질 ( 130 ) 은 상기 전구체 기체 들 ( 및 그 들 의 반응 및 분해 생성물 들 ) 에 노출 된다 . 상부 전극 ( 140 ) 이 비 - 등각 및 / 또는 다공성 인 경우 , 상기 전구체 기체 들 은 상부 전극 ( 140 ) 내 에 존재 하 는 포어 또는 채널 을 통하 여 그 를 관통 하 여 활성 층 ( 130 ) 에 들어간다 . 이 는 활성 층 ( 130 ) 이 N , O , Si , H , 및 Cl 과 같 은 원소 들 로 화학 적 오염 이 될 가능 성 을 만들 어 낸다 .