이 어 , 상기 반도체 기판 ( 201 ) 의 트랜지스터 영역 에 는 게이트 절 연막 ( 204 ) 을 개재 하 여 상기 포토다이오드 영역 의 일부 를 감싸 면서 사각형 형태 로 게이트 전극 ( 205 ) 및 캡 산화 막 ( 206 ) 이 형성 되 고 , 상기 게이트 전극 ( 205 ) 및 캡 산화 막 ( 206 ) 의 양 측면 에 절 연막 측벽 ( 209 ) 이 형성 된다 .