또한 , 광 섬유 에서 손실 이 가장 적 은 장파장 ( 예 를 들 면 , 1 . 3 ㎛, 1 . 55 ㎛) 빔 을 발진 시키 는 중장거리 송신용 광통 신 소자 를 제작 하 는 방법 이 제안 되 고 있 다 . E . Hall 등 은 굴절 률 차이 ( 약 0 . 43 ~ 0 . 44 ) 가 큰 Sb 기반 의 AlAsSb / InAlGaAs DBR 구조물 과 AlAsSb / AlGaAsSb DBR 구조물 을 사용 하 여 1 . 55 ㎛ 대역 의 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드 를 제안 하 고 있 다 ( E . Hall et al . , Electron . Lett . 35 , 425 ( 1999 ) 과 Electron . Lett . 36 , 1465 ( 2000 ) ) . 그러나 , Sb 기반 으로 레이저 다이오드 를 제작 하 는 경우 , DBR 구조물 을 이루 는 물질 층 의 성장 이 복잡 하 고 , 열전도도 가 낮 아 소자 의 신뢰도 가 떨어진다는 단점 이 있 다 .