또한 , 트랜지스터 ( 11 ) 는 기판 ( 703 ) 위 에 제공 되 는 도전 층 ( 728 b ) , 도전 층 ( 728 c ) 과 , 기판 ( 703 ) , 도전 층 ( 728 b ) 의 다른 쪽 단부 , 및 도전 층 ( 728 c ) 의 한쪽 단부 위 에 제공 되 는 산화물 반도체 층 ( 730 b ) 과 , 도전 층 ( 728 b ) , 도전 층 ( 728 c ) , 및 산화물 반도체 층 ( 730 b ) 위 에 제공 되 는 절연 층 ( 729 ) 과 , 절연 층 ( 729 ) 을 사이 에 두 고 산화물 반도체 층 ( 730 b ) 위 에 제공 되 는 도전 층 ( 731 b ) 을 포함 한다 . 또한 , 트랜지스터 ( 11 ) 에서 도전 층 ( 731 b ) 은 게이트 로서 기능 하 고 , 절연 층 ( 729 ) 은 게이트 절 연막 으로서 기능 하 고 , 도전 층 ( 728 b ) 및 도전 층 ( 728 c ) 각각 은 소스 또는 드레 인 으로서 기능 한다 .