본 개시 내용 은 가변 커패시턴스 를 가진 MIM 디 커플링 커패시터 를 형성 하 기 위한 방법 에 관한 것 이 다 . 방법 은 , 폴리머 층 의 일부 상 에 금속 라인 을 갖 는 제 1 재분배 층 을 형성 하 는 단계 와 , 제 1 재분배 층 상 에 포토레지스트 층 을 퇴적 하 는 단계 와 , 재 분배 층 의 금속 라인 의 각각 의 부분 을 노출 시키 는 이격 된 제 1 및 제 2 TIV 개구부 를 포토 레지스 층 에 형성 하 기 위해 포토레지스트 층 을 에칭 하 는 단계 를 포함 할 수 있 고 , 제 1 TIV 개구부 는 제 2 TIV 개구부 보다 넓 다 . 방법 은 , 제 1 및 제 2 TIV 개구부 에 금속 을 퇴적 하 여 금속 라인 과 접촉 하 는 각각 의 제 1 및 제 2 TIV 구조 를 형성 하 는 단계 와 , 제 1 및 제 2 TIV 구조 의 상부 표면 상 에 하이 - k 유전체 를 형성 하 는 단계 와 , 하이 - k 유전체 층 상 에 금속 층 을 퇴적 하 여 각각 의 제 1 및 제 2 커패시터 를 형성 하 는 단계 를 더 포함 할 수 있 다 .