본 발명 의 실시 예 들 은 상술 한 문제점 을 해결 하 기 위한 것 으로 , 본 발명 의 실시 예 들 의 목적 은 금속 스터 드 범프 와 솔 더 간 의 접합 영역 에서 발생 하 는 금속 간 화합물 을 1 ㎛ 이하 의 두께 가 되 도록 하 여 반도체 소자 와 반도체 기판 사이 의 접합 영역 에 대한 간 의 접합 강도 및 기계 적 인 신뢰 성 을 향상 시킬 수 있 는 플립 칩 본딩 방법 을 제공 하 기 위한 것 이 다 .