도 19 는 본 발명 의 다른 실시 예 에 따른 실리콘 나노 와이어 기반 압 저항 방식 의 마이크로폰 의 개념 도 이 다 . 본 발명 의 다른 실시 예 에 따른 실리콘 나노 와이어 기반 압 저항 방식 의 마이크로폰 ( 11 ) 은 복수 의 사각 매트릭스 를 포함 하 는 센서 구조물 ( 110 ) 을 포함 할 수 있 다 . 센서 구조물 ( 110 ) 을 일정 사이즈 이상 제조 하 는 경우 , 센서 구조물 ( 110 ) 을 부유 시키 기 위한 습식 식각 공정 에서 많 은 공정 시간 이 필요 할 수 있 다 . 즉 , 습식 식각 공정 은 센서 구조물 ( 110 ) 의 외부 에서 내부 로 진행 되 는 것 으로 큰 사이즈 의 센서 구조물 ( 110 ) 하부 를 모두 식각 하 여 센서 구조물 ( 110 ) 을 부유 시키 기 위해서 는 오랜 시간 이 필요 할 수 있 다 .