단계 ( 438 ) 에서 자기 터널 접합 ( 530 ) 의 제조 후 에 , 비 자기 스 페이서 ( 540 ) 가 퇴적 되 는 단계 ( 446 ) 가 수행 된다 . 일 실시 예 에서 , 스 페이서 ( 540 ) 는 0 . 8 나노미터 의 두께 를 갖 는 MgO 의 박막 을 포함 할 수 있 다 . 다른 실시 예 들 에서 , 스 페이서 층 ( 540 ) 은 0 . 5 내지 1 . 5 나노미터 범위 의 두께 를 갖 는 MgO 의 박막 을 포함 할 수 있 다 . 다른 실시 예 들 에서 , " 스 페이서 층 ( 540 ) 은 2015 년 9 월 25 일자 로 출원 되 고 발명 의 명칭 이 "" Spin Transfer Torque Structure For MRAM Devices Having A Spin Current Injection Capping Layer "" 인 미국 특허 출원 일련 번호 제 14 / 866 ", 359 호 에 설명 된 바 와 같이 구성 될 수 있 다 . 이 로써 , 미국 특허 출원 일련 번호 제 14 / 866 , 359 호 는 그 전문 이 본원 에 인용 에 의해 포함 된다 .