본 발명 은 상기 두 번 째 기술 적 과제 를 이루 기 위하 여 , 레이트 전이 금속 ( late transition metal ) 의 배선 및 그 와 인접 하 는 분리 막 을 포함 하 는 기판 상 에 하 기 화학식 ( 1 ) 의 코발트 화합물 을 공급 하 는 단계 ; 및 상기 배선 상 에 코발트 금속 층 을 선택 적 으로 형성 하 기 위하 여 환원성 가스 를 공급 하 는 단계 를 포함 하 는 코발트 금속 층 의 선택 적 형성 방법 을 제공 한다 .