도 5 e 를 참조 하 면 , 물리 기상 증착 혹은 화학 기상 증착 을 이용 하 여 게이트 스택 ( 104 a ) 상 에 실리콘 산화 막 혹은 실리콘 질화 막 을 증착 하 여 절 연막 ( 173 ) 을 형성 할 수 있 다 . 이 경우 대체로 스텝 커버 지 가 나쁘 게 절 연막 ( 173 ) 을 증착 하 게 되 면 워드 라인 컷 ( 132 ) 의 하부 에 비해 상부 에서 더 두껍 게 증착 되 어 오버행 ( 174 ) 이 발생 할 수 있 다 . 이러 한 오버행 ( 174 ) 발생 은 게이트 스택 ( 104 a ) 의 최 상부 에 캡 핑 절 연막 ( 171 ) 이 있 는 경우 및 / 또는 워드 라인 컷 ( 132 ) 의 종횡비 ( aspect ratio ) 가 큰 경우 더 심해질 수 있 다 . 상기 와 같이 오버행 ( 174 ) 이 발생 되 게끔 절 연막 ( 173 ) 을 증착 하 게 되 면 워드 라인 컷 ( 132 ) 은 대체로 절 연막 ( 173 ) 으로 다 채워 지 지 아니할 수 있 다 .