도 6 f 를 참조 하 면 , 상기 이방성 식각 후 남 은 제 2 질화물 층 ( 25 ) 을 식각 마스크 로 이용 해서 기판 ( 200 ) 을 식각 한다 . 그 결과 , 도 6 g 에 도시 한 바 와 같이 , 기판 ( 200 ) 상 에 서로 이격 되 고 평행 한 제 1 및 제 2 돌출부 ( 210 a , 210 b ) 가 형성 된다 . 제 1 돌출부 ( 210 a ) 의 바깥 면 과 제 2 돌출부 ( 210 b ) 의 바깥 면 사이 의 간격 ( 이하 , 제 1 및 제 2 돌출부 ( 210 a , 210 b ) 사이 의 외측 간격 ) ( G ) 은 도 6 a 의 마스크 층 ( M 1 ) 의 폭 과 같 은 1 F 일 수 있 다 . 그러므로 제 1 및 제 2 돌출부 ( 210 a , 210 b ) 사이 의 상기 외측 간격 은 수십 내지 수백 nm 일 수 있 다 . 제 1 및 제 2 돌출부 ( 210 a , 210 b ) 의 두께 는 수 내지 수백 nm , 예컨대 , 10 nm 정도 일 수 있 다 .