예시 적 인 실시 예 들 에 있 어서 , 콘 택 홀 ( 180 H ) 을 형성 하 기 위한 식각 공정 에서 , 게이트 스 페이서 구조물 ( 140 ) 의 상면 이 콘 택 홀 ( 180 H ) 에 의해 노출 되 지 않 을 수 있 다 . 앞서 설명 한 바 와 같이 , 제 1 희생 게이트 ( 222 ) 의 리세 스 공정 에서 게이트 스 페이서 구조물 ( 140 ) 의 높이 가 감소 되 고 제 1 리세 스 영역 ( 220 R 1 ) 상부 측벽 상 에 절연 라이너 ( 160 ) 가 형성 됨 에 따라 , 콘 택 홀 ( 180 ) 형성 공정 에서 절연 라이너 ( 160 ) 또는 절연 캡 핑 층 ( 150 ) 상부 가 제거 된다 . 만약 유전 상수 가 낮 은 절연 물질 을 포함 하 는 제 2 스 페이서 층 ( 144 ) ( 도 3 참조 ) 이 상기 식각 공정 에 노출 될 경우 손상 되 거나 제거 될 위험 이 있 으나 , 예시 적 인 실시 예 들 에 따르 면 게이트 스 페이서 구조물 ( 140 ) 의 손상 이 방지 될 수 있 다 .