상기 에서 , 보 우잉 이 발생 된 콘 택 홀 내부 의 상부 영역 은 네거티브 프로 파일 을 갖 는다 . 제 1 확산 정지 막 은 CVD ( Chemical Vapor Deposition ) 방법 을 이용 하 여 티타늄 ( Ti ) 및 티타늄 질화 막 ( TiN ) 을 적층 된 구조 로 형성 한다 . 제 1 확산 정지 막 은 블랭킷 식각 ( blanket etch ) 공정 을 이용 하 여 선택 적 으로 제거 한다 .