또한 , 도 3 에서 보 는 바 와 같이 , 본 발명 의 실시 예 1 에 따라 제조 된 질소 도핑 된 그래핀 은 398 . 4 eV ( pyridinic N ) 및 400 . 6 eV ( graphitic N ) 에서 2 종의 N - state 피크 가 관찰 됨 으로써 질소 도핑 된 것 을 확인 하 였으며 , 도핑 된 질소 는 전체 의 약 3 % 가 형성 됨 을 확인 하 였 다 .