반도체 소자 의 소자 분리 막 형성 방법 은 , 활성 영역 및 소자 분리 영역 을 갖 는 반도체 기판 상 에 상기 소자 분리 형성 영역 을 노출 시키 는 하드 마스크 막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 하드 마스크 막 을 식각 마스크 로 이용 해서 반도체 기판 을 식각 하 여 트렌치 를 형성 하 는 단계 ; 상기 트렌치 가 매립 되 도록 상기 반도체 기판 상 에 SOD 막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 SOD 막 을 큐어 링 하 는 단계 ; 상기 하드 마스크 막 이 노출 되 도록 SOD 막 을 CMP 하 는 단계 ; 상기 SOD 막 을 700 ∼ 900 ℃ 의 온도 로 고온 어닐링 하 는 단계 ; 상기 하드 마스크 막 을 제거 하 는 단계 ; 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .