일부 구 현예 는 , Si - O 결합 을 함유 하 는 유전체 막 을 기판 표면 의 단차 상 에 형성 하 기 위한 방법 을 제공 하 며 , 상기 방법 은 , ( i ) 최종 유전체 막 을 생성 하 기 위해 , 초기 유전체 막 의 비 목표 부분 을 참조 하 여 선택 적 으로 제거 될 목표 부분 을 미리 설정 함 으로써 상기 단차 상 에 형성 된 Si - O 결합 을 함유 하 는 최종 유전체 막 의 토폴로지 를 설계 하 는 단계 ( 상기 목표 부분 은 상기 단차 의 상부 표면 및 하부 표면 상 에 형성 된 상기 초기 유전체 막 의 상부 / 하부 부분 또는 상기 단차 의 측벽 상 에 형성 된 측벽 부분 임 ) ; ( ii ) 상기 단차 의 측벽 , 상기 상부 표면 , 및 상기 하부 표면 상 에 상기 초기 유전체 막 을 등각 성 있 게 증착 하 는 단계 ; ( iii ) 처리 된 유전체 막 을 얻 기 위해 , 상기 초기 유전체 막 의 비 목표 부분 에 함유 된 불순물 의 양 에 비해 상기 초기 유전체 막 의 목표 부분 에 함유 된 불순물 의 양 을 상대 적 으로 증가 시킴 으로써 , 식각 을 거치 는 경우 상기 목표 부분 과 비 목표 부분 에 상이 한 내 화학 성 특성 을 제공 하 는 단계 , 및 ( iv ) 상기 최종 유전체 막 을 얻 기 위해 상기 처리 된 유전체 막 을 식각 하 는 단계 를 포함 한다 . 결과 적 으로 , 패턴 의 수직 부분 만 또는 수평 부분 만 을 실질 적 으로 또는 주로 제거 할 수 있 고 , 이 에 따라 SiO 의 토폴로지 - 선택 적 막 의 형성 을 달성 한다 . 본 개시 에서 , " 용어 "" 실질 적 으로 "" 등 은 당업자 가 의도 된 목적 또는 기능 에 대하 여 충분 하 다고 인식 되 는 충분 한 ", 상당 한 재료 량 , 크기 , 시간 , 또는 공간 ( 예컨대 , 관심 부위 내 의 전체 값 또는 기준 값 에 대해 적어도 70 %, 80 %, 90 %, 또는 95 %) 을 지칭 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , " 용어 "" 실질 적 으로 ~ 만 "" 등 은 ", 잔여 부분 에 대한 목표 부분 의 비 가 두께 로 적어도 70 / 30 , 80 / 20 , 90 / 10 , 또는 95 / 5 인 구성 을 지칭 할 수 있 다 .