소비자 가 요구 하 는 우수 한 성능 및 저렴 한 가격 을 충족 시키 기 위해 반도체 메모리 소자 의 집적도 를 증가 시키 는 것 이 요구 되 고 있 다 . 반도체 메모리 소자 의 집적도 는 제품 의 가격 을 결정 하 는 중요 한 요인 이 기 때문 에 , 특히 증가 된 집적도 가 요구 되 고 있 다 . 종래 의 2 차원 또는 평면 적 반도체 메모리 소자 는 그 집적도 가 단위 메모리 셀 이 점유 하 는 면적 에 의해 주로 결정 되 기 때문 에 , 미세 패턴 형성 기술 의 수준 에 크 게 영향 을 받 는다 . 하지만 , 패턴 의 미세화 를 위해서 는 초 고가 의 장비 들 이 필요 하 기 때문 에 , 2 차원 반도체 메모리 메모리 소자 의 집적도 는 증가 하 고는 있 지만 여전히 제한 적 이 다 . 이러 한 한계 를 극복 하 기 위하 여 3 차원 적 으로 배열 되 는 메모리 셀 들 을 구비 하 는 3 차원 반도체 메모리 소자 들 이 제안 되 고 있 다 .