또한 , 본 발명 의 다른 측면 에 따르 면 , 기판 상 에 플러그 를 형성 하 는 단계 , 상기 플러그 상 에 니켈 이 함유 된 캐 패 시터 의 제 1 전극 을 형성 하 는 단계 , 상기 플러그 와 제 1 전극 사이 에 니켈 이 함유 된 오 믹 콘 택 층 을 형성 하 는 단계 , 상기 제 1 전극 상 에 유전 막 을 형성 하 는 단계 , 상기 유전 막 상 에 캐 패 시터 의 제 2 전극 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 반도체 소자 제조 방법 을 제공 한다 .