예 로서 , 상기 복수 의 발광 구조물 ( P 1 , P 2 , P 3 , P 4 , … ) 과 상기 복수 의 더미 발광 구조물 ( D 1 , D 2 , D 3 , D 4 ) 은 복수 의 화합물 반도체 층 으로 성장 될 수 있 다 . 상기 복수 의 발광 구조물 ( P 1 , P 2 , P 3 , P 4 , … ) 과 상기 복수 의 더미 발광 구조물 ( D 1 , D 2 , D 3 , D 4 ) 은 전자 빔 증착 기 , PVD ( physical vapor deposition ) , CVD ( chemical vapor deposition ) , PLD ( plasma laser deposition ) , 이중형 의 열 증착 기 ( dual - type thermal evaporator ) 스퍼터링 ( sputtering ) , MOCVD ( metal organic chemical vapor deposition ) 등 에 의해 형성 될 수 있 다 .