일 실시 예 에서 의 셀 어레이 ( 425 ) 는 p - MuGFET 엑세스 디바이스 들 을 갖 는 메모리 셀 ( 100 ) 의 어레이 를 포함 한다 . 상술 한 바 와 같이 , 상기 p - MuGFET 엑세스 디바이스 들 은 하이 인 워드 라인 들 에 의해 작 은 누설 전류 를 갖 는 오프 ( off ) 조건 에 놓이 게 된다 . 따라서 , 상기 SRAM 셀 어레이 ( 425 ) 의 총 누설 전류 는 감소 될 수 있 다 . 스위치 그 자체 가 도 2 의 엑세스 디바이스 ( 200 ) 의 스위치 와 유사 한 방식 으로 절연 기판 상 에 형성 됨 에 따라 , 스위치 ( 440 ) 와 같 은 , n - MuGFET 파워 스위치 의 사용 은 누설 전류 를 보다 감소 시킨다 .