즉 , I 를 1 부터 M 까지 순차 적 으로 증가 시켜 가 며 , 첫 번 째 일 측 워드 라인 ( 171 ) 및 첫 번 째 타 측 워드 라인 ( 173 ) 에 위치 한 제 1 메모리 소자 및 제 2 메모리 소자 의 출력 난수 값 부터 M 번 째 일 측 워드 라인 ( 172 ) 및 M 번 째 타 측 워드 라인 ( 174 ) 에 위치 한 제 1 메모리 소자 및 제 2 메모리 소자 의 출력 난수 값 까지 를 순차 적 으로 병합 하 여 선택 된 메모리 층 에 저장 된 난수 값 으로서 설정 한다 .