마찬가지 로 , 하부 스캔 선 ( 143 ) 은 보상 박막 트랜지스터 ( T 3 ) 에 대응 되 도록 돌출 되 어 구비 될 수 있 다 . 상기 돌출 된 부분 은 보상 박막 트랜지스터 ( T 3 ) 의 제 1 하부 제어 전극 ( G 3 a , 도 7 참조 ) 로 기능 할 수 있 다 . 이 와 같이 보상 박막 트랜지스터 ( T 3 ) 는 동일 한 신호 가 인가 되 는 제 1 상부 제어 전극 ( G 3 b ) 및 제 1 하부 제어 전극 ( G 3 a ) 을 구비 하 고 있 는 바 , 보상 반도체 층 ( AO 3 ) 은 안정 적 으로 구동 할 수 있 다 . 또한 , 상기 돌출 된 부분 은 보상 박막 트랜지스터 ( T 3 ) 하부 에서 보상 반도체 층 ( AO 3 ) 의 채널 영역 을 모두 커버 하 도록 배치 되 고 있 는 바 , 기판 ( 110 ) 의 하부 에서부터 인가 될 수 있 는 광 을 차단 하 는 역할 을 할 수 있 다 .