또한 , 본 발명 에 따르 면 앞서 설명 한 바 와 같이 , 슬 롭 식각 을 통해 절연 층 ( 350 ) 을 형성 함 으로써 다결정 실리콘 막 ( 120 ) 과 접촉 하 는 절연 층 ( 350 ) 의 면적 을 소정 의 면적 ( a , b , c , d ) 만큼 더 확보 할 수 있 으므로 0 . 18 μ m 이하 의 선폭 ( critical dimesion , CD ) 을 가지 는 반도체 소자 를 형성 할 수 있 어 반도체 소자 의 신뢰 성 을 향상 시킬 수 있 다 .