추가 적 인 구성 에 따르 면 , 전류 경로 를 분리 하 기 위한 스위칭 디바이스 의 동작 에서 , 인덕턴스 들 에 저장 된 에너지 의 제거 까지 , 소정 의 시점 에 , 나머지 스위칭 모듈 들 의 커패시터 들 의 전압 들 과 비교 할 때 커패시터 에 최고 전압 이 존재 하 는 스위칭 모듈 의 제어 가능 반도체 스위칭 엘리먼트 가 전 도 상태 로 스위칭 되 는 것 이 제공 된다 . 이 구성 에 따르 면 , 제 어 가능 반도체 스위칭 엘리먼트 의 분리 를 위해 , 상한 임계 값 은 결정 되 지 않 는다 . 대신 에 , 스위칭 모듈 들 전부 의 커패시터 들 양단 의 전압 들 은 별개 로 결정 되 고 , 서로 비교 된다 . 그런 다음 , 커패시터 양단 에서 최고 전압 이 강하 하 는 해당 스위칭 모듈 의 제어 가능 반도체 스위칭 엘리먼트 가 전 도 상태 로 스위칭 된다 . 따라서 , 심지어 높 은 과전압 들 의 경우 에 도 , 임의 의 주어진 스위칭 모듈 상 에서 제어 가능 반도체 스위칭 엘리먼트 의 과부하 가 발생 하 지 않 을 수 있 다는 것 이 보장 된다 . 이 는 또한 , 임의 의 주어진 스위칭 시점 에 임의 의 스위칭 모듈 에 의해 담당 되 는 스위칭 상태 와 관련 하 여 소정 의 무작위 품질 을 제공 한다 .