도 7 e 를 참조 하 면 , 이웃 한 비아 홀 들 ( 162 ) 사이 에 서브 홀 들 ( 172 ) 이 더 형성 될 수 있 다 . 이때 , 서브 홀 들 ( 172 ) 이 반도체 칩 ( 110 ) 과 콘 택 을 형성 하 지 않 도록 , 레이저 빔 의 강도 는 몰딩 부재 ( 160 ) 를 관통 하 지 않 을 정도 의 범위 에서 결정 될 수 있 다 . 혹은 레이저 빔 의 초점 이 몰딩 부재 ( 160 ) 의 상부 표면 보다 높 게 설정 될 수 있 다 . 이 경우 에 도 레이저 빔 은 , 몰딩 부재 ( 160 ) 의 하부 로 향하 여 내려갈수록 그 초점 이 흐려 지 기 때문 에 , 서브 홀 ( 172 ) 의 내부 직경 은 몰딩 부재 ( 160 ) 의 상부 표면 보다 그 하부 에서 작아질 수 있 다 .