예컨데 , 리세 스 게이트 용 채널 의 길 이 및 기판 의 리세 스 깊이 와 상기 게이트 절 여막 의 특성 등 의 변수 에 따라 트랜지스터 의 전기 적 특성 및 반도체 소자 의 전체 적 인 특성 이 변하 게 된다 . 따라서 , 반도체 소자 의 특성 및 신뢰 성 을 확보 하 기 위해 서 는 트랜지스터 의 전기 적 특성 에 영향 을 주 는 상기 변수 들 의 데 이타 를 정확 하 게 측정 하 는 것 이 매우 중요 하 다 .