이어서 , 도 1 e 에 도시 된 바 와 같이 , 게이트 전극 ( 9 ) 을 포함 한 전체 구조 상부 에 스 페이서 용 절 연막 ( 미 도시 ) 을 증착 한 후 , 건식 식각 공정 을 실시 하 여 스 페이서 용 절 연막 및 게이트 산화 막 ( 8 ) 의 일부 를 식각 한다 . 이 로써 , 게이트 전극 ( 9 ) 의 양측 벽 에 는 스 페이서 ( 11 ) 가 형성 된다 .