위 에서 설명 된 장치 ( 1 ) 에서 , 전극 ( 21 ) 으로부터 접촉 부 ( 22 ) 로 의 도전 성 트랙 ( 27 ) 들 은 추가 의 층 아래 에 있 는 기판 ( 3 ) 의 표면 상 에 형성 된다 . 이것 은 도전 성 트랙 ( 27 ) 에 대한 평탄 이탈 루트 ( planar escape route ) 로서 지칭 될 수 있 다 . 이전 에 설명 된 바 와 같이 , 분리 된 도전 성 트랙 ( 27 ) 들 은 , 노이즈 및 대역폭 감소 에 기인 하 는 신호 저하 를 최소 화 시키 면서 , 회로 ( 26 ) 에 있 는 전용 의 저 노이즈 , 고 입력 임피던스 피코미터 ( picoammeter ) 에 각각 의 전극 ( 21 ) 이 개별 적 으로 연결 되 는 것 을 허용 한다 . 그러 한 평탄 도전 성 트랙 ( 27 ) 들 은 트랙 ( 27 ) 과 수성 용액 ( 10 ) 사이 에 두꺼운 층 및 적 은 수 의 요부 ( 5 ) 들 을 가지 는 장치 ( 1 ) 에 대하 여 이상 적 이 다 .