본 발명 의 바람직 한 실시 예 에 의한 제조 방법 에서 는 45 ° 경사 거울 을 제공 하 기 위하 여 , 반도체 잉곳 으로부터 반도체 웨이퍼 를 슬 라 이싱 하 되 , ( 001 ) 면 에서 9 . 74 ° 틸 트 되게 반도체 웨이퍼 를 잘라 내 고 , 이 반도체 웨이퍼 의 상면 일부 를 포토 레지 스트로 덮 는 단계 ; 식각 되 어야 할 부분 의 포토 레지스 트 를 포토 리소그래피 방법 으로 제거 하 는 단계 ; 포토 레지스 트 가 제거 된 부분 을 이방성 식각 용액 을 이용 하 여 식각 하 여 노출면 이 ( 001 ) 면 과 는 54 . 74 ° 의 경사각 을 갖 는 ( 111 ) 면 으로 형성 하 는 단계 ; 경사면 을 포함 하 지 않 는 반도체 웨이퍼 의 하면 에 반사 성 금속 을 증착 하 여 코팅 층 을 형성 하 는 단계 ; 금속 박막 이 코팅 된 반도체 웨이퍼 를 절단 하 여 45 ° 경사 거울 로 완성 하 는 단계 ; 를 포함 한다 .