UV 복사 는 후면 접촉 태양 전지 의 전면 패 시베이 션 을 열화 시켜 , 효율 을 감소 시키 고 신뢰 성 문제 를 발생 시킬 수 있 다 . 기존 의 후면 접촉 태양 전지 의 전면 에 대한 대 역도 ( band diagram ) 를 나타내 는 도 2 는 전면 패 시베이 션 의 열화 를 설명 할 수 있 는 메커니즘 을 예시 한다 . 실리콘 이 산화물 의 전도 대역 과 실리콘 의 전도 대역 사이 의 에너지 차이 는 3 . 1 eV 이 다 . 이 에너지 는 400 nm 파장 을 갖 는 광자 ( photon ) 에너지 에 해당 된다 . 400 nm 보다 짧 은 파장 을 갖 는 UV 복사 는 실리콘 전도 대역 으로부터 실리콘 이 산화물 전도 대역 으로 전자 를 여기 시키 기에 충분 한 에너지 를 가지 므로 , SiO 2 / Si 결함 상태 밀도 ( defect state density ) 를 증가 시킬 것 이 다 . 따라서 , 이 프로세스 는 전면 에서 의 전자 와 홀 의 증가 된 재결합 을 초래 하 여 태양 전지 효율 을 감소 시킨다 . P . E . Gruenbaum , R . R . King , R . M . Swanson , " "" Photoinjected hot - electron damage in silicon point - contact solar cells "," Journal of Applied Physics , vol . 66 , p . 6110 - 6114 , 1989 를 또한 참고 한다 .