제 1 마스크 패턴 ( 500 ) 은 포토레지스트 를 재료 로 하 여 형성 될 수 있 으며 포 토리 소그라 피 공정 을 통해 소정 형태 로 패 터닝 될 수 있 다 . 제 1 마스크 패턴 ( 500 ) 은 소정 의 규격 을 가지 고 형성 된 복수 의 단위 마스크 패턴 들 ( 500 U ) 을 포함 할 수 있 다 . 단위 마스크 패턴 들 ( 500 U ) 은 제 1 방향 ( FD ) 및 제 2 방향 ( SD ) 과 비스듬 한 사선 방향 을 따라서 배열 될 수 있 으며 실질 적 으로 동일 한 구조 를 가질 수 있 다 .