이 와 같이 , 본 발명 의 실시 예 에 따라 원자 층 증착 공정 을 이용 하 여 인듐 ( In ) 및 산소 ( O ) 를 제공 하 는 상기 제 1 단위 공정 및 아연 ( Zn ) 및 산소 ( O ) 를 제공 하 는 상기 제 2 단위 공정 을 1 : 1 의 비율 로 , 교대 로 그리고 반복 적 으로 수행 하 여 산화물 반도체 박막 을 제조 하 는 경우 , 원자 층 증착 공정 의 온도 를 조절 함 에 따라 본 발명 의 실시 예 에 따른 산화물 반도체 박막 의 두께 및 비율 이 조절 되 는 것 을 확인 하 였 다 . 이 에 따라 , 원자 층 증착 공정 의 온도 를 조절 하 는 간단 한 방법 을 통해 전기 적 특성 이 용이 하 게 조절 가능 한 본 발명 의 실시 예 에 따른 산화물 반도체 박막 의 제조 방법 , 및 이 를 이용 한 박막 트랜지스터 의 제조 방법 이 제공 될 수 있 다 .