한편 , 벽개면 에 대한 상기 습식 식각 공정 이 완료 된 후 , 최종 적 으로 식각 된 소자 형성 영역 의 표면 에 대하 여 2 차 수소 열처리 공정 을 수행 할 수 도 있 다 . 2 차 수소 열처리 공정 은 전술 한 수소 열처리 공정 과 동일 한 방법 으로 수행 한다 . 2 차 수소 열처리 공정 수행 후 소자 형성 영역 의 Rms 값 은 나노 급 SOI 웨이퍼 에서 요구 되 는 2 Å 이 하로 유지 되 도록 하 는 것 이 바람직 하 다 .