또한 , 도 6 a ( 레지스 트 마스크 ( 66 ) 는 제외 함 ) 는 도 7 b 의 A - B 단면도 에 상당 한다 . 도 7 b 에 도시 하 는 바 와 같이 , 소스 영역 및 드레 인 영역 ( 72 ) 의 단부 는 배선 ( 71 c ) 의 단부 의 외측 에 위치 하 는 것 을 알 수 있 다 . 또한 , 버퍼 층 ( 73 ) 의 단부 는 배선 ( 71 c ) 및 소스 영역 및 드레 인 영역 ( 72 ) 의 단부 의 외측 에 위치 한다 . 또한 , 배선 의 한쪽 은 배선 의 다른 쪽 을 둘러싸 는 형상 ( 구체 적 으로 는 , U 자형 , C 자형 ) 이 다 . 따라서 , 캐리어 가 이동 하 는 영역 의 면적 을 증가 시킬 수 있 으므로 , 전 류량 을 증가 시 킬 수 있 고 , 박막 트랜지스터 의 면적 을 축소 할 수 있 다 . 또한 , 게이트 전극 위 에 있 어서 , 미결정 반도체 막 과 배선 이 중첩 되 기 때문 에 , 게이트 전극 의 요철 의 영향 이 적 고 , 피복 률 의 저감 및 누설 전류 의 발생 을 억제 할 수 있 다 .