본 발명 의 다른 실시 예 들 에 따르 면 , 상술 한 제 1 산화 공정 , 질화 공정 및 제 2 산화 공정 을 동일 한 공정 챔버 를 이용 하 여 인 시튜 ( in - situ ) 로 진행 함 으로써 , 대 상체 ( 100 ) 상 에 질화 막 ( 120 ) , 하부 산화 막 ( 118 ) 및 상부 산화 막 ( 125 ) 을 포함 하 는 절연 구조물 ( 130 ) 을 보다 단축 된 공정 시간 내 에 형성 할 수 있 다 .