이 와 같이 , 본 장치 ( 10 ) 에 의하 면 , 2 개 의 기판 처리 열 ( Ｌｕ , Ｌｄ ) 을 구비 하 고 있 으므로 , 각 기판 처리 열 ( Ｌｕ , Ｌｄ ) 에서 동일 한 공정 으로 기판 ( Ｗ ) 에 병행 해서 처리 를 행하 는 것 , 및 , 각 기판 처리 열 ( Ｌｕ , Ｌｄ ) 에서 서로 다른 공정 으로 기판 ( Ｗ ) 에 병행 해서 처리 를 행하 는 것 을 적합 하 게 실현 할 수 있 다 . 전자 의 경우 에 는 , 각 기판 처리 열 ( Ｌｕ , Ｌｄ ) 로부터 동일 한 공정 으로 처리 된 기판 ( Ｗ ) 을 얻 을 수 있 고 , 후자 의 경우 에 는 , 기판 처리 열 ( Ｌｕ , Ｌｄ ) 로부터 각각 , 다른 공정 으로 처리 된 기판 ( Ｗ ) 을 동시 에 얻 을 수 있 다 . 또한 , 기판 처리 열 ( Ｌｕ , Ｌｄ ) 중 어느 하나 를 선택 해서 기판 ( Ｗ ) 을 반송 함 으로써 , 기판 ( Ｗ ) 에 행하 는 처리 공정 을 기판 ( Ｗ ) 마다 적합 하 게 변경 할 수 있 다 .