이러 한 효과 는 실질 적 으로 게이트 전극 ( 125 ) 의 폭 ( WG ) ( 또는 게이트 길이 로 부를 수 도 있 음 ) 을 감소 시킨 것 과 유사 하 다 . 통상 적 으로 서브 마이크 론 이하 에서 단 채널 효과 는 문턱 전압 의 감소 와 포화 전류 의 증가 를 초래 할 수 있 다 . 하지만 , 반도체 소자 ( 100 ) 에서 는 게이트 전극 ( 125 ) 의 실질 적 인 폭 ( WG ) 의 감소 없이 , 문턱 전압 을 낮추 고 동작 전류 를 높일 수 있 다 .