일부 실시 예 에서 , 단계 ( 602 ) 에서 기판 상 에 제 1 반도체 회로 를 형성 하 는 단계 는 기판 의 매립 형 산화물 영역 상 에 추가 MuGFET 디바이스 를 형성 하 는 단계 를 포함 한다 . 일부 실시 예 에서 , 단계 ( 602 ) 에서 상기 제 1 반도체 회로 를 형성 하 는 단계 는 상기 제 1 반도체 회로 를 제 1 소스 의 기준 전위 에 전기 적 으로 결합 하 도록 제공 되 는 결합 네트워크 를 형성 하 는 단계 를 포함 한다 . 일부 실시 예 에서 , 단계 ( 604 ) 에서 상기 제 2 반도체 회로 를 형성 하 는 단계 는 상기 제 2 반도체 회로 를 제 2 소스 의 기준 전위 에 전기 적 으로 결합 하 도록 제공 되 는 결합 네트워크 를 형성 하 는 단계 를 포함 한다 .