본 발명 의 또 다른 형태 에 따르 면 , 기판 을 수용 한 처리 용기 내 에 소정 원소 를 포함 하 는 원료 가스 를 공급 함 으로써 , 상기 기판 상 에 소정 원소 함유층 을 형성 하 는 공정 과 , 상기 처리 용기 내 에 질소 를 포함 하 는 가스 를 활성 화 하 여 공급 함 으로써 , 상기 소정 원소 함유층 을 질화 층 으로 개질 하 는 공정 과 , 상기 처리 용기 내 에 상기 원료 가스 를 공급 함 으로써 , 상기 질화 층 상 에 소정 원소 함유층 을 형성 하 는 공정 과 , 상기 처리 용기 내 에 산소 를 포함 하 는 가스 를 활성 화 하 여 공급 함 으로써 , 상기 질화 층 상 에 형성 된 소정 원소 함유층 및 상기 질화 층 을 , 산화층 또는 산질 화 층 으로 개질 하 는 공정 을 1 사이클 로 하 고 , 이 사이클 을 적어도 1 회 이상 수행 하 는 반도체 장치 의 제조 방법 이 제공 된다 .