비 표시 영역 ( NDA ) 에서 구동 회로 부 의 박막 트랜지스터 로 사용 되 는 제 1 박막 트랜지스터 ( 410 ) 의 제 1 게이트 전극 ( 414 ) 은 n 개 의 층 으로 구성 될 수 있 다 . 그리고 , 표시 영역 ( DA ) 에서 구동 박막 트랜지스터 로 사용 되 는 제 2 박막 트랜지스터 ( 320 ) 의 제 2 게이트 전극 ( 324 ) 은 n + 1 개 의 층 으로 구성 될 수 있 다 . 그리고 , n + 1 개 의 층 으로 형성 된 제 2 게이트 전극 ( 324 ) 의 최 상부 층 또는 최 하부 층 은 티타늄 ( Ti ) 또는 티타늄 질화물 ( TiNx ) 로 형성 될 수 있 다 . 제 2 게이트 전극 ( 324 ) 의 티타늄 ( Ti ) 또는 티타늄 질화물 ( TiNx ) 층 은 제 2 박막 트랜지스터 ( 320 ) 의 제 2 액티브 층 ( 321 ) 으로 수소 가 확산 되 는 것 을 막아주 는 배리어 층 으로 작용 한다 . 따라서 , 비 표시 영역 ( NDA ) 에서 폴리 실리콘 물질 로 이루어진 제 1 박막 트랜지스터 ( 410 ) 의 제 1 액티브 층 ( 411 ) 과 표시 영역 ( DA ) 에서 폴리 실리콘 물질 로 이루어진 제 2 박막 트랜지스터 ( 320 ) 의 제 2 액티브 층 ( 321 ) 의 수소 화 정도 를 다르 게 할 수 있 다 . 따라서 , 동일 한 물질 인 폴리 실리콘 으로 이루 어 졌 지만 , 표시 영역 ( DA ) 에 배치 된 제 2 박막 트랜지스터 ( 320 ) 는 문턱 전압 이하 에서 의 특성 ( s - factor ) 값 이 증가 될 수 있 다 .