최근 반도체 집적회로 소자 에서 의 고집 적 화 가 크 게 진전 되 고 있 고 , 반도체 소자 에서 는 고집 적 화 에 대응 하 기 위한 트랜지스터 등 의 소자 가 미세 화 되 고 , 고성 능화 가 도모 되 고 있 다 . 그리고 트랜지스터 등 의 소자 의 미세화 , 고성능 화 에 따라 신뢰 성 이 높 은 MIS 구조 ( Metal Insulator Semiconductor ) 의 실현 이 필요 해 지 고 있 다 .