위 의 설명 은 프로그램 및 소 거의 반복 에 의해 발생 한 전자 트랩 과 계면 뉴트럴 트랩 센터 에 의한 문턱 전압 의 변화 에 관한 것 인데 , 이 현상 은 사이클링 테스트 에서 만 발생 하 는 것 이 아니 라 플 래쉬 메모리 소자 에서 가장 중요 한 신뢰 성 항목 인 리 텐션 특성 과 도 관련 이 있 다 . 실제로 전자 트랩 이 줄어들 고 ( 플로팅 게이트 에 있 는 전자 가 빠져나가 는 것 보다 훨씬 빠져나가 지 쉽 다 ) 계면 트랩 센터 가 줄어들 면 ( 상대 적 으로 높 은 온도 내지 150 ℃ 이상 에서 빠르 게 없 어 지 지만 낮 은 온도 에서 도 발생 한다 ) 소거 된 셀 의 경우 문턱 전압 이 낮 아 지 게 되 므로 문제 가 없 지만 프로그램 된 셀 의 경우 두 가지 다 문턱 전압 을 낮추 게 되 므로 실제로 플로팅 게이트 에서 빠져나가 는 전자 가 없 다고 하 더라도 리 텐션 문제 를 야기 시키 게 된다 . 상대 적 으로 NAND 플 래쉬 메모리 셀 의 경우 프로그램 쪽 의 리드 마진 이 1 V 정도 로 소거 쪽 보다 는 부족 하 다 .