이어서 , 이웃 하 는 캐 패 시터 를 전기 적 으로 분리 시키 기 위한 식각 공정 시 제 1 식각 정지 막 ( 41 ) 의 손실 을 보상 하 기 위하 여 캐 패 시터 ( Cap ) 를 포함 하 는 셀 영역 및 주변 회로 영역 상부 의 전면 에 제 2 식각 정지 막 ( 45 ) 을 증착 한다 . 이 때 , 제 2 식각 정지 막 ( 45 ) 은 제 1 식각 정지 막 ( 41 ) 과 동일 물질 , 예컨대 질화 막 계열 의 물질 로 형성 한다 . 바람직 하 게 는 , 제 2 식각 정지 막 ( 45 ) 은 질화 막 계열 의 실리콘 부화 ( Si Rich ) SiON 막 을 사용 하 며 , 300 ∼ 1500 Å 의 두께 로 형성 한다 .