상기 충 방전 스위치 소자 ( 211 , 212 ) 는 금속 산화 막 반도체 전계 효과 트랜지스터 ( MOSFET : Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ) 또는 절연 게이트 양극 성 트랜지스터 ( IGBT : Insulated Gate Bipolar Transistor ) 또는 트랜지스터 ( Transistor ) 로 구성 함 으로써 충 , 방전 제 어부 ( 210 , 220 ) 의 제어 신호 에 따라 전력 을 빠르 게 스위칭 하 게 된다 .