그 결과 , 다른 조건 및 수치 범위 에서 와 는 달리 , 하 기 의 ( ⅰ ) 내지 ( ⅳ ) 조건 을 모두 만족 할 경우 측정 되 는 C - V 특성 측정 에서 100 kHz 의 높 은 주파수 에서 도 역전층 ( inversion layer ) 이 형성 되 는 것 을 확인 하 였 다 . 뿐 만 아니 라 SIMS 측정 에서 게르마늄 기판 의 표면 에 high - k 물질 이 검출 되 지 않 고 계면 결함 밀도 가 현저 하 게 감소 하 는 것 을 확인 하 였 다 .