실리콘 적 층 절연체 ( Silicon on insulator : SOI ) 는 회로 를 형성 하 는 기판 표면 과 하층 사이 에 얇 은 절 연막 층 이 있 기 때문 에 기생 용량 ( parasitic capacitance ) 이 감소 되 어 소자 의 성능 을 높일 수 있 는 특징 이 있 으며 , 같 은 전압 에서 동작 속도 를 빠르 게 할 수 있 고 , 같 은 속도 에서 전원 전압 을 낮 게 할 수 있 다는 특징 때문 에 차세대 집적회로 에서 중요 성 이 증가 되 어 주목 받 고 있 는 기술 중 에 하나 이 며 , 그 중 실리콘 적 층 사파이어 ( Silicon on sapphire : SOS ) 는 SOI 기술 중 잘 발달 된 기술 중 에 하나 이 다 .