본 발명 은 유기 반도체 소자 및 그 제조 방법 에 관한 것 으로 , 본 유기 반도체 소자 는 제 1 전극 과 , 상기 제 1 전극 상 에 형성 되 는 전자 채널 층 과 , 상기 전자 채널 층 상 에 형성 되 는 제 2 전극 을 포함 하 며 , 상기 전자 채널 층 은 , 상기 제 1 전극 상 에 형성 되 는 하부 유기물 층 과 , 상기 하부 유기물 층 상 에 형성 되 며 , 상호 이격 거리 를 두 고 배치 된 소정 크기 의 나노 입자 를 갖 는 나노 입자 층 과 , 상기 나노 입자 층 의 상부 에 형성 되 는 상부 유기물 층 을 포함 한다 . 이 에 따라 , 간단 한 제작 공정 을 이용 하 여 고집 적 화 가 가능 한 유기 반도체 소자 를 제작 할 수 있 으며 , 임계 전압 특성 과 소자 축소 화 에 따른 소자 간 의 불 균일 성 을 해결 하 여 우수 한 성능 의 반도체 소자 를 구현 할 수 있 다 .