또한 , 도 6 b 에 도시 하 는 반도체 장치 에서 는 , 각 메모리 셀 ( 550 ) 을 구성 하 는 트랜지스터 ( 510 ) 를 직렬 로 접속 하 기 때문 에 , 임의 의 행의 데이터 만 을 덮 어 쓰 는 것 은 곤란 하 다 . 이 로 인해 , 구동 방법 으로서 , 복수 행의 일괄 소거 동작 을 마련 하 는 것 이 바람직 하 다 . 예 를 들 면 , 제 1 행 으로부터 제 m 행 까지 를 블록 으로 하 고 , 블록 별 로 소거 를 행하 는 것 이 바람직 하 다 . 소정 의 블록 의 데이터 를 덮 어 쓰 는 경우 에 는 , 우선 상기 블록 의 데이터 를 소거 하 고 , 제 m 행 으로부터 순차 적 으로 데이터 를 기록 하 면 된다 . 또한 , 직전 에 기록 한 행의 데이터 를 덮 어 쓰 는 경우 에 는 , 소거 동작 은 불 필요 하 다 .