( 1 ) 패 터닝 된 투명 도전 막 이 설치 된 기판 의 한쪽 면 에 본 발명 의 액정 배향 제 를 예 를 들 면 롤 코터 법 , 스피너 법 , 인쇄 법 , 잉크젯 법 등 의 방법 에 의해 도포 하 고 , 이어서 도포면 을 가열 함 으로써 도막 을 형성 한다 . 여기 서 , 기판 에 액정 배향 제 를 도포 하 는 방법 으로서 는 , 소형 의 기판 에 대해서 는 스피너 법 이 바람직 하 고 , 중형 의 기판 에 대해서 는 인쇄 법 이 바람직 하 고 , 대형 의 기판 에 대해서 는 잉크젯 법 이 바람직 하 다 . 또한 , 기판 으로서 는 , 예 를 들 면 플로트 유리 , 소다 유리 등 의 유리 ; 폴리에틸렌 테레프탈 레이트 , 폴리 부틸렌 테레프탈 레이트 , 폴리에테르 술폰 , 폴리 카르보 네이트 , 환상 폴리올레핀 등 의 플라스틱 을 포함 하 는 투명 기판 을 사용 할 수 있 다 . 기판 의 한쪽 면 에 설치 되 는 투명 도전 막 으로서 는 , 산화주석 ( SnO 2 ) 을 포함 하 는 NESA 막 ( 미국 PPG 사 등록 상표 ) , 산화 인듐 - 산화주석 ( In 2 O 3 - SnO 2 ) 을 포함 하 는 ITO 막 등 을 사용 할 수 있 다 . 이 들 투명 도전 막 의 패 터닝 에 는 , 포토 ㆍ에칭법이나 미리 마스크 를 사용 하 는 방법 이 이용 된다 . 반사 전극 에 는 Al 이나 Ag 등 의 금속 , 또는 이 들 금속 을 함유 하 는 합금 등 을 사용 할 수 있 다 . 단 , 충분 한 반사 율 을 갖 고 있 으면 , 이 들 로 한정 되 지 않 는다 . 액정 배향 제 의 도포 시 에 는 , 기판 표면 및 투명 도전 막 이나 반사 전극 과 도막 의 접착성 을 더욱 양호 하 게 하 기 위해 , 기판 의 상기 표면 에 관능 성 실란 화합물 , 관능 성 티탄 화합물 등 을 미리 도포 할 수 도 있 다 . 액정 배향 제 도포 후 , 도포 한 배향 제 의 액체 적하 방지 등 의 목적 으로 통상 적 으로 예비 가열 ( 예 비베 이킹 ) 이 실시 된다 . 예 비베 이킹 온도 는 바람직 하 게 는 30 내지 300 ℃ 이 고 , 보다 바람직 하 게 는 40 내지 200 ℃ 이 고 , 특히 바람직 하 게 는 50 내지 150 ℃ 이 다 . 그 후 , 용제 를 완전히 제거 하 는 것 등 을 목적 으로 소성 ( 후베 이킹 ) 공정 이 실시 된다 . 이 소성 온도 는 바람직 하 게 는 80 내지 300 ℃ 이 고 , 보다 바람직 하 게 는 120 내지 250 ℃ 이 다 . 이 와 같이 하 여 본 발명 의 액정 배향 제 는 , 도포 후 에 유기 용매 를 제거 함 으로써 배향 막 이 되 는 도막 을 형성 하 지만 , 본 발명 의 액정 배 향제 가 폴리아 믹 산 또는 이미드 화 율 이 낮 은 이미드 화 중합체 를 함유 하 는 경우 에 는 , 가열 함 으로써 탈수 폐환 을 진행 시켜 , 보다 이미드 화 된 도막 으로 할 수 도 있 다 . 형성 되 는 도막 의 막 두께 는 바람직 하 게 는 0 . 001 내지 1 ㎛ 이 고 , 보다 바람직 하 게 는 0 . 005 내지 0 . 5 ㎛ 이 다 .