즉 , 본 실시 예 에 있 어서 는 마스크 상 의 패턴 선폭 이 목표 선폭 보다 10 nm 더 크 게 제작 된 마스크 , 목표 선폭 보다 20 nm 더 크 게 제작 된 마스크 , 목표 선폭 과 동일 게 제작 된 마스크 , 목표 선폭 보다 10 nm 작 게 제작 된 마스크 , 및 목표 선폭 보다 20 nm 작 게 제작 된 마스크 와 같 은 5 개 의 테스트 마스크 를 제작 하 는 것 으로 가정 한다 . 이때 도 3 에 도시 된 바 와 같이 마스크 상 의 패턴 의 선폭 변경 은 웨이퍼 상 에서 그 변경 값 의 1 / 4 크기 로 변경 되 어 나타나 게 된다 .