본 발명 의 다른 실시 예 에 따르 면 , 제 2 하드 마스크 ( 155 ) 를 제거 하 지 않 고 제 2 하드 마스크 ( 155 ) 및 제 1 하드 마스크 ( 160 ) 를 함께 식각 마스크 들 로 이용하 여 , 강유전체 층 패턴 ( 175 ) 및 하부 전극 ( 190 ) 을 형성 할 수 있 다 . 여기 서 , 강유전체 층 ( 135 ) , 제 2 하부 전 극막 ( 125 ) 및 제 1 하부 전 극막 ( 120 ) 을 부분 적 으로 식각 하 는 동안 , 제 2 하드 마스크 ( 155 ) 는 실질 적 으로 거의 소모 되 기 때문 에 강유전체 커패시터 ( 195 ) 를 형성 한 다음 제 2 하드 마스크 ( 155 ) 를 제거 하 기 위한 별도 의 공정 이 필요 하 지 는 않 게 된다 .