도 2 의 ( d ) 에 나타내 는 바 와 같이 , 재생 처리 에 의해 서 셉 터 ( S ) 와 더미 웨이퍼 ( W '') 상 에 SiC 막 ( 303 ) 이 형성 된다 . 서 셉 터 ( S ) 상 으로부터 더미 웨이퍼 ( W '') 를 제거 하 면 , 더미 웨이퍼 ( W '') 아래 의 SiC 막 ( S 2 ) 의 막 두께 와 그 이외 의 부분 에 있 어서 의 SiC 막 의 막 두께 ( SiC 막 S 2 와 SiC 막 303 을 합한 막 두께 ) 가 거의 동등 해져 , 서 셉 터 ( S ) 를 구성 하 는 SiC 막 이 재생 되 었 음 을 알 수 있 다 .