예 를 들 어 , 180 내지 400 나노미터 범위 의 파장 을 갖 는 자외선 을 방출 하 는 적절 한 공급원 에서 나온 자외선 이 , 상기 에 설명 한 티 올 - 엔 반응 을 개시 하 고 이 로써 본 발명 의 중합체 및 경화 된 실란 트 를 형성 하 는 데 사용 될 수 있 다 . 자외선 의 적절 한 공급원 은 일반 적 으로 알려져 있 고 , 예 를 들 어 , 수은 아크 , 탄소 아크 , 저압 수은 램프 , 중압 수은 램프 , 고압 수은 램프 , 스 월 ( swirl ) - 유동 플라스마 아크 및 자외선 발광 다이오드 를 포함 한다 . 본 발명 의 조성물 의 특정 실시 양태 는 자외선 이 상대 적 으로 낮 은 에너지 노 출하 에 공기 중 에서 탁월 한 경화 수준 을 나타낼 수 있 다 .