결정 화 장치 는 , 광 변조 소자 , 및 조사 표면 에 상기 광 변조 소자 를 통해 투과 되 는 광 에 기초 하 여 광 강도 분포 를 형성 하 는 결상 광학계 를 포함 한다 . 상기 결정 화 장치 는 비 단결정 반도체 막 을 상기 광 강도 분포 를 갖 는 광 으로 조사 하 여 결정 화 반도체 막 을 생성 한다 . 광 강도 의 등강 도 선 중 적어도 하나 의 곡률 반지름 은 조사 표면 에서 의 광 강도 분포 에 대한 등강 도 선 을 따라 실질 적 으로 변하 고 , 상기 등강 도 선 의 적어도 일부 에 대한 곡률 반지름 은 0 . 3 ㎛ 이하 의 최소 값 을 갖 는다 .