일반 적 으로 , 불 투명 , 흡수성 , 부분 적 불 투명 위상 - 시프트 재료 는 임계 치수 ( CD ) 폭 으로 설계 되 고 형성 되 는 패턴 구조 로 형성 되 며 , 이 는 또한 CD 를 갖 는 구조 들 사이 에 명확 한 공간 을 야기 한다 . 특정 CD 값 은 일반 적 으로 포토 리소그래피 공정 에서 특정 레티 클 피처 가 어떻게 웨이퍼 로 전사 되 는지 에 영향 을 줄 수 있 으며 그러 한 CD 는 이 전사 공정 을 최적 화 하 도록 선택 된다 . 다른 방식 으로 말 하 면 , 특정 레티 클 피처 의 CD 값 이 지정 된 CD 범위 내 에 있 는 경우 , 그러 한 CD 값 은 회로 설계자 가 의도 한 바 와 같이 결과 적 인 집 적 회로 의 적절 한 동작 을 가능 하 게 하 는 대응 하 는 웨이퍼 피처 의 제조 를 초래 한다 . 피처 는 일반 적 으로 통합 된 칩 영역 을 보존 하 기 위하 여 동작 회로 를 생성 하 는 최소 치수 로 형성 된다 .