이어서 , 절 연막 ( 110 ) 상 에 제 2 포토레지스트 패턴 을 식각 마스크 로 이용 하 여 절 연막 ( 110 ) 을 부분 적 으로 이방성 식각 함 으로써 , 절 연막 ( 110 ) 을 관통 하 여 제 1 및 제 2 콘 택 영역 ( 103 , 104 ) 을 노출 시키 는 제 1 개구 를 형성 한다 . 이후 , 상기 제 1 개구 에 도전 성 물질 을 매몰 함 으로서 , 상기 제 1 개구 내 에 구비 되 는 자기 정렬 콘 택 ( SAC ) 패드 인 제 1 패드 ( 107 ) 와 제 2 패드 ( 108 ) 를 형성 한다 .