도 3 c 를 참조 하 면 , 상기 에피 실리콘 막 ( 200 ') 이 형성 된 기판 결과물 의 전면 상 에 마스크 패턴 ( M ) 과 동일 재질 의 절 연막 을 균일 한 두께 로 컨 퍼 멀 ( conformal ) 하 게 형성 하 고 , 상기 절 연막 을 이방성 식각 하 여 에피 실리콘 막 ( 200 ') 이 형성 되 지 않 은 마스크 패턴 ( M ) 의 측벽 에 측벽 절 연막 ( 215 ) 을 형성 한다 .