도시 에 의하 면 , 상기 제 2 전극 ( 240 ) 은 전도성 접착 층 ( 230 ) 상 에 위치 될 수 있 다 . 경우 에 따라 , 반도체 발광 소자 ( 250 ) 가 형성 된 기판 ( 210 ) 상 에 실리콘 옥사이드 ( SiOx ) 등 을 포함 하 는 투명 절연 층 ( 미 도시 ) 이 형성 될 수 있 다 . 투명 절연 층 이 형성 된 후 에 제 2 전극 ( 240 ) 을 위치 시킬 경우 , 상기 제 2 전극 ( 240 ) 은 투명 절연 층 상 에 위치 하 게 된다 . 또한 , 제 2 전극 ( 240 ) 은 전도성 접착 층 ( 230 ) 또는 투명 절연 층 에 이격 되 어 형성 될 수 도 있 다 .