본 발명 의 일 실시 예 에 따른 플 래쉬 메모리 소자 의 플로팅 게이트 형성 방법 은 터널 산화 막 이 형성 된 반도체 기판 상부 에 제 1 그레인 사이즈 를 갖 는 언 도프 트 폴리 실리콘 막 을 다층 으로 형성 하 는 단계 ; 및 상기 언 도프 트 폴리 실리콘 막 상부 에 제 1 그레인 사이즈 보다 큰 제 2 그레인 사이즈 를 갖 는 도프 트 폴리 실리콘 막 을 형성 하 는 단계 를 포함 한다 .