다음 , 스토리지 노드 컨 택 ( 250 ) 이 형성 된 반도체 기판 상 에 , 예 를 들 어 산화 막 을 소정 두께 증착 하 여 스토리지 전극 의 형상 을 부여 하 기 위한 몰드 산화 막 ( 260 ) 을 형성 한다 . 상기 몰드 산화 막 ( 260 ) 의 두께 에 따라 스토리지 전극 의 높이 가 결정 되 므로 , 원 하 는 캐 패 시턴 스 를 얻 기 위한 적절 한 스토리지 전극 의 두께 를 고려 하 여 상기 몰드 산화 막 ( 260 ) 의 두께 를 조절 한다 .