상기 다이오드 방식 의 전계 방출 패널 는 , 기판 상부 에 캐소드 전극 ( 102 ) 을 형성 다음 , 상기 캐소드 전극 상부 에 탄소 나노 튜브 를 이용 하 여 다 수개 의 에 미터 ( 101 ) 를 형성 한다 . 이때 , 상기 기판 이 도전 성 물질 로 이루어진 경우 에 는 캐소드 전극 을 형성 하 지 않 고 기판 자체 를 캐소드 전극 으로 사용 할 수 도 있 다 . 다음 에 , 상기 에 미터 가 형성 된 부분 을 둘러싸 도록 스 페이서 ( 205 ) 를 형성 한 다음 , 상기 스 페이서 ( 205 ) 상부 에 전자 빔 방출 홀 을 갖 는 게이트 전극 ( 103 ) 을 형성 한다 .