도 8 a 에 도시 된 바 와 같이 터치 도전 라인 이 각각 형성 된 상부 기판 ( 101 ) 및 하부 기판 ( 111 ) 중 어느 한 기판 상 에 도전 성 고분자 ( 182 ) 가 전면 도포 된다 . 이 도전 성 고분자 ( 182 ) 상 에 포토레지스트 를 도포 한 후 그 포토레지스트 를 노광 및 현상 공정 을 포함 하 는 포토 리소그래피 공정 을 이용 하 여 패 터닝 함 으로써 포토레지스트 패턴 ( 184 ) 을 형성 한다 . 이 포토레지스트 패턴 ( 184 ) 을 마스크 로 이용 한 식각 공정 에 의해 도전 성 고분자 ( 182 ) 가 패 터닝 됨 으로써 도 8 b 에 도시 된 바 와 같이 터치 용 스 페이서 ( 126 ) 가 형성 된다 . 한편 , 유기 절연 물질 로 형성 된 도 3 b 및 도 3 c 에 도시 된 터치 용 스 페이서 ( 126 ) 도 상술 한 포토 리소그래피 공정 과 식각 공정 에 의해 형성 된다 .