이 와 같이 , 주변 영역 오픈 마스크 층 ( 38 ) 제거 시 에 셀 영역 에 잔류 하 고 있 는 비정질 카본 층 ( 37 ) 도 동시 에 제거 하 게 되 므로 , 셀 영역 오픈 공정 시 필요 한 마스크 및 습식 식각 공정 이 불 필요 하 다 . 아울러 , 비정질 카본 층 ( 37 ) 을 습식 식각 으로 제거 하 지 않 아도 되 므로 셀 영역 에 잔류 하 고 있 는 실리콘 질화 막 ( 36 ) 이 어택 받 지 않 는다 .