한편 , 각 화소 영역 ( P ) 내측 에 위치 한 스토리지 영역 에 있 어서 는 상기 스토리지 배선 ( 127 ) 의 폭 보다 더 큰 폭 을 가지 며 제 1 스토리지 전극 ( 129 ) 이 형성 되 고 있 다 . 이때 상기 제 1 스토리지 전극 ( 129 ) 은 평면 상 으로 요부 및 철부 를 가지 며 형성 되 고 있 는 것 이 특징 이 다 . 이때 , 상기 요부 를 형성 한 이유 는 상기 제 1 스토리지 전극 ( 129 ) 하부 일부 에 는 폴리 실리콘 의 반도체 층 ( 110 ) 이 형성 되 고 있 는데 상기 반도체 층 ( 110 ) 은 드레 인 전극 ( 144 ) 과 전기 적 으로 연결 되 어야 하 므로 상기 드레 인 전극 ( 144 ) 과 상기 반도체 층 ( 110 ) 을 반도체 층 콘 택 홀 ( 133 , 135 ) 을 통해 연결 시키 기 위함 이 며 , 따라서 , 상기 반도체 층 ( 110 ) 과 상기 드레 인 전극 ( 144 ) 사이 에 위치 하 게 되 는 제 1 스토리지 전극 일부분 을 제거 함 으로써 도시 한 바 와 같이 평면 적 으로 요부 가 형성 된 것 이 다 .