또한 , 도 5 c 의 배선 ( 71 a 내지 71 c ) 혹은 도 11 b 의 배선 ( 92 a 내지 92 c ) 을 형성 한 후 , 레지스 트 마스크 ( 66 혹은 86 ) 를 제거 하 고 , 배선 ( 71 a 내지 71 c 혹은 92 a 내지 92 c ) 을 마스크 로서 사용 하 여 일 도 전형 을 부여 하 는 불순물 원소 가 첨가 된 반도체 막 ( 63 ) 을 에칭 하 여도 좋 다 . 결과 적 으로 , 배선 ( 71 a 내지 71 c 혹은 92 a 내지 92 c ) 과 , 소스 영역 및 드레 인 영역 ( 72 혹은 88 ) 의 단부 가 일치 한 박막 트랜지스터 를 형성 할 수 있 다 . 여기 서 는 , 도 5 c 의 레지스 트 마스크 ( 66 ) 를 제거 한 후 , 배선 ( 71 a 내지 71 c ) 을 마스크 로서 사용 하 여 일 도 전형 을 부여 하 는 불순물 원소 가 첨가 된 반도체 막 ( 63 ) 을 에칭 하 여 , 소스 영역 및 드레 인 영역 ( 89 ) 의 단부 와 배선 ( 71 a 내지 71 c ) 의 단부 가 일치 하 는 박막 트랜지스터 를 도 16 에 도시 한다 .