상기 한 바 와 같이 , 본 발명 에서 는 디자인 룰 의 변경 없이 단순히 박막 트랜지스터 와 스토리지 전극 의 설계 룰 을 변경 하 여 박막 트랜지스터 의 크기 를 소형 화 하 고 , 스토리지 캐 패 시터 값 의 변화 없이 단위 픽셀 내 차지 하 는 면적 이 감소 된 스토리지 전극 을 형성 함 으로써 액정 표시 장치 에 적용 이 용이 하 면서 도 종래 의 동일 면적 대비 단위 픽셀 내 의 개구율 을 약 10 % 이상 향상 시킬 수 있 다 .