또한 , 본 발명 의 실시 예 에 따른 이미지 센서 의 제조 방법 은 하부 배선 을 포함 하 는 씨 모스 회로 ( circuitry ) 를 기판 상 에 형성 하 는 단계 ; 상기 기판 상 에 제 1 전극 , 진성 층 ( intrinsic layer ) , 제 2 도전 형 전도 층 , 제 2 전극 을 순차 적 으로 형성 하 는 단계 ; 상기 제 1 전극 , 진성 층 , 제 2 도전 형 전도 층 , 제 2 전극 을 선택 적 으로 식각 하 여 비 아홀 을 형성 함 으로써 상호 간 에 분리 하 는 단계 ; 상기 비 아홀 을 포함 하 여 전체 기판 상 에 광 흡수 층 을 형성 하 는 단계 ; 및 상기 광 흡수 층 상 에 층간 절연 층 을 형성 하 는 단계 ; 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .