구체 적 으로 , 슬릿 마스크 는 석영 기판 상 에 차단 층 이 형성 된 차단 영역 ( S 1 ) 과 , 석영 기판 상 에 다 수개 의 슬릿 들 이 형성 된 슬릿 영역 ( S 2 ) 과 , 석영 기판 만 존재 하 는 투과 영역 ( S 3 ) 을 구비 한다 . 차단 영역 ( S 1 ) 은 반도체 패턴 및 데이터 금속 패턴 이 형성 되 어 질 영역 에 위치 하 여 자외선 을 차단 함 으로써 현상 후 도 11 a 와 같이 제 1 포토레지스트 패턴 ( 178 a ) 이 남 게 한다 . 슬릿 영역 ( S 2 ) 은 제 2 대전 방지 막 및 박막 트랜지스터 의 채널 이 형성 될 영역 에 위치 하 여 자외선 을 회절 시킴 으로써 현상 후 도 11 a 와 같이 제 1 포토레지스트 패턴 ( 178 a ) 보다 얇 은 제 2 포토레지스트 패턴 ( 178 B ) 이 남 게 한다 . 그리고 , 투과 영역 ( S 3 ) 은 자외선 을 모두 투과 시킴 으로써 현상 후 도 11 a 와 같이 포토레지스트 가 제거 되 게 한다 .