면내 인장 변형 은 하부 층 에서 면내 압축 응력 을 갖 도록 하 고 두 층 모두 를 통하 여 근접 하 게 - 이격 된 분리 트렌치 를 에칭 함 으로써 실리콘 의 박막 영역 에서 생성 될 수 있 다 . 실리콘 의 박막 은 바람직 하 게 는 그 두께 가 최대 50 나노미터 이 며 트렌치 는 바람직 하 게 는 압축 응력 을 갖 는 층 이 탄성 에지 이완 에 의해 측면 으로 이완 할 수 있 는 것 을 보장 하 기 에 충분 한 깊이 로 에칭 된다 . 그 결과 분리 트렌치 에 근접 한 압축 층 에서 응력 이 감소 되 며 , 상기 압축 층 의 상단 상 의 박형 실리콘 층 을 비롯 하 여 , 분리 렌치 에 근접 한 인접 층 들 ( 상부 및 하부 ) 에서 면내 인장 변형 이 유발 된다 . 압축 응력 을 갖 는 하부 층 이 적어도 부분 적 으로 절연성 인 경우 , 분리 트렌치 를 에칭 한 이후 , 상단 의 분리 된 실리콘 의 영역 은 예컨대 완전 공핍 된 MOS 트랜지스터 와 같 은 절연체 - 상 - 실리콘 ( SOI ) 을 제조 하 기 위해 사용 될 수 있 다 . 논의 된 바 와 같이 , 이 는 본 발명 에 따라 적절 한 응력 및 기하학 에 의해 용이 하 게 달성 된다 . 따라서 , 본 발명 은 다른 고려 되 는 방법 과 비교 하 여 잠재 적 으로 낮 은 비용 및 낮 은 결함 밀도 를 갖 는 변형 된 박형 바디 SOI 소자 의 제조 를 가능 하 게 한다 .