우선 , 도 3 a 에 도시 된 바 와 같이 , 실리콘 기판 ( 100 ) 상 에 제 1 식각 마스크 층 ( 110 ) 과 제 2 식각 마스크 층 ( 120 ) 및 감광제 ( 130 ) 를 순차 적 으로 형성 한다 . 이때 , 상기 제 1 식각 마스크 층 ( 110 ) 과 상기 제 2 식각 마스크 층 ( 120 ) 은 서로 식각 선택 비 가 다른 물질 로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 예 를 들 어 , 상기 제 1 식각 마스크 층 ( 110 ) 은 실리콘 산화물 ( SiO 2 ) 로 형성 하 고 , 상기 제 2 식각 마스크 층 ( 120 ) 은 실리콘 질소 화물 ( SiNx ) 로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 여기 서 , 상기 실리콘 산화물 ( SiO 2 ) 과 질소 화물 ( SiNx ) 로 마스크 를 형성 하 는 이유 는 두 물질 이 이후 수행 할 이등방성 식각 에서 흔히 사용 하 는 KOH 와 TMAH 용액 에 대하 여 실리콘 과 의 식각 비 가 매우 우수 하 기 때문 이 다 .