하지만 , 이 와 같 은 종래 의 반도체 소자 공정 에서 는 BPSG 막 ( 6 ) 이 SA CVD 나 AP CVD 에 의해 형성 되 지만 , SA CVD 나 AP CVD 를 사용 할 경우 , 증착 율 ( deposition rate ) 이 너무 낮 기 때문 에 원하 는 BPSG 막 ( 6 ) 을 형성 하 는 데 많 은 시간 이 요구 되 어 지 고 있 다 . 이 에 따라 , 작업 생산 성 이 떨어지 므로 제품 수율 이 저하 되 는 문제 가 있 다 .