도 4 에 메모리 셀 어레이 ( 201 ) 의 예 를 나타낸다 . 도 4 에 도시 하 는 메모리 셀 어레이 ( 201 ) 는 m 개 의 게이트 선 GL 과 , m 개 의 용량 소자 선 CL 과 , n 개 의 비트 선 BL 과 , ( n / 8 ) 개 의 소스 선 SL 과 , 복수 의 메모리 셀 ( 170 ) 을 포함 한다 . 여기 서 , 메모리 셀 ( 170 ) 은 ( 수직 방향 ) m 개 ( 행 ) × ( 수평 방향 ) n 개 ( 열 ) 의 매트릭스 형상 으로 배치 되 어 있 다 . 여기 에서 는 , 소스 선 SL 은 메모리 셀 ( 170 ) 이 8 열 로 설치 될 때 마다 1 개 설치 되 어 있 다 . 이 에 의해 , 1 열 마다 소스 선 SL 을 설치 할 경우 에 비해 배선 의 수 를 저감 할 수 있 다 . 또한 , 메모리 셀 어레이 ( 201 ) 의 공간 절약 화 를 도모 할 수 있 다 . 물론 , 도 4 에 도시 하 는 메모리 셀 어레이 ( 201 ) 는 n 개 의 소스 선 SL 을 설치 할 수 있 다 .