단계 ( 650 ) 에서 세차 운동 스핀 전류 자기 구조 ( 750 ) 의 제조 후 에 , 캐 핑 층 ( 751 ) 이 증착 된다 ( 단계 660 ) . 캐 핑 층 ( 751 ) 의 제조 는 TaN 층 ( 753 ) 을 증착 하 는 단계 ( 단계 662 ) 및 Ru 층 ( 755 ) 을 증착 하 는 단계 ( 단계 664 ) 를 포함 할 수 있 다 . 일 실시 예 에서 , TaN 층 ( 753 ) 은 2 . 0 나노미터 의 두께 를 갖 는 TaN 의 박막 을 포함 하 는 반면 , 다른 실시 예 들 에서 , TaN 층 ( 753 ) 은 1 . 0 내지 5 . 0 나노미터 범위 의 두께 를 가질 수 있 다 . 일 실시 예 에서 , Ru 층 ( 755 ) 은 10 나노미터 의 두께 를 갖 는 Ru 의 박막 을 포함 하 는 반면 , 다른 실시 예 들 에서 , Ru 층 ( 755 ) 은 1 . 0 내지 20 나노미터 범위 의 두께 를 가질 수 있 다 . 다른 실시 예 들 에서 , 캐 핑 층 ( 751 ) 은 Ru 층 ( TaN 이 없 음 ) 또는 MgO 층 을 포함 한다 . 논의 되 는 바 와 같이 , 특정 캐 핑 구조 의 선택 은 여러 이유 들 중 에서 도 , 사용 되 는 특정 어닐링 온도 에 의해 영향 을 받 는다 . 이 는 이러 한 특정 재료 들 이 어닐링 온도 에 의존 하 여 상이 한 특성 들 을 가질 것 이 라는 사실 에 기인 한다 .