NAND 형 EEPROM 에서 는 , 전하 축적 층 으로 의 전자 주입 ( 데이터 기입 ) 및 전하 축적 층 으로부터 의 전자 방출 ( 데이터 소거 ) 은 전하 축적 층 과 반도체 기판 사이 에 설 치 된 터널 절 연막 을 통한 터널 전류 에 의해 행해진다 . NOR 형 EEPROM 에 있 어서 도 , 데이터 소거 시 에서 의 단채 널 효과 의 영향 을 받 기 어렵 게 하 기 위해 , 전하 축적 층 으로부터 의 전자 방출 은 터널 전류 에 의해 행해진다 .