그런데 , 연마 대상 의 산화 규소 막 으로서 는 , 테트라 에 톡 시 실란 ( 이하 , TEOS 라고 함 ) 을 사용 하 여 얻 어 지 는 TEOS 막 을 예 로 들 수 있 지만 , 목적 에 따라서 는 , TEOS 막 보다 치밀 성 이 높 은 산화 규소 막 으로서 , 모노 실란 ( 이하 , SiH 4 라고 함 ) 을 사용 하 여 얻 어 지 는 SiH 4 막 을 사용 하 는 경우 가 있 다 . 그러나 , 종래 의 기술 로 는 , 높 은 연마 속도 로 TEOS 막 및 SiH 4 막 을 제거 하 는 것 이 곤란 하 다 .