도 1 을 참조 하 면 , 경사진 전도성 접점 을 갖 는 피 측정 유닛 ( 10 ) ( unit under test ; 약칭 UUT ) 을 나타내 고 , 상기 피 측정 유닛 ( 10 ) 은 패 키 징 되 지 않 은 다이 ( die ) 또는 패 키 징 된 칩 ( chip ) 일 수 있 고 , 상기 피 측정 유닛 ( 10 ) 은 , 하나 이상 의 행 으로 배열 된 복수 의 신호 를 출력 하 기 위한 제 1 전도성 접점 ( 11 ) 및 하나 의 행 으로 배열 된 복수 의 신호 를 입력 하 기 위한 제 2 전도성 접점 ( 12 ) 을 가지 고 , 예 를 들 어 , 도 1 에 도시 된 피 측정 유닛 ( 10 ) 은 , 기판 ( 13 ) 의 제 1 긴 변 ( 131 ) 으로부터 제 2 긴 변 ( 132 ) 을 향해 배열 된 3 개 행 의 제 1 전도성 접점 ( 11 ) 및 상기 기판 ( 13 ) 의 제 2 긴 변 ( 132 ) 을 따라 설치 된 1 개 행 의 제 2 전도성 접점 ( 12 ) 을 가지 고 , 상기 복수 의 제 1 전도 성 접접 ( 11 ) , 제 2 전도성 접점 ( 12 ) 은 복수 의 열 로 배열 되 고 , 각 열 의 배열 방향 은 제 1 긴 변 ( 131 ) 및 제 2 긴 변 ( 132 ) 에 수직 인 가상 경계 축선 ( L ) 에 실질 적 으로 평행 하 고 , 또한 도 1 의 중간 영역 ( 14 ) 에 포함 된 열 과 같이 , 상기 가상 경계 축선 ( L ) 에 가까운 열 의 제 1 및 제 2 전도성 접점 ( 11 , 12 ) 의 긴 변 ( 111 , 121 ) 은 상기 가상 경계 축선 ( L ) 에 실질 적 으로 평행 하 고 , 상기 가상 경계 축선 ( L ) 으로부터 먼 열 의 제 1 및 제 2 전도성 접점 ( 11 , 12 ) 은 경사진 전도성 접점 이 고 , 기판 ( 13 ) 의 제 1 긴 변 ( 131 ) 에 가까운 일단 은 상기 가상 경계 축선 ( L ) 에 가깝 고 , 기판 ( 13 ) 의 제 1 긴 변 ( 131 ) 으로부터 먼 일단 은 상기 가상 경계 축선 ( L ) 으로부터 멀 다 . 즉 , 도 1 의 방향 에서 볼 때 경사진 전도성 접점 은 위 에서 아래 로 또한 내부 에서 외부 로 경사지 고 , 상기 가상 경계 축선 ( L ) 으로부터 더 먼 제 1 및 제 2 전도성 접점 ( 11 , 12 ) 일수록 상기 가상 경계 축선 ( L ) 에 대한 각도 가 더 크 고 , 예 를 들 면 , 도 1 에서 두 외측 영역 ( 15 , 16 ) 에 포함 된 제 1 및 제 2 전도성 접점 ( 11 , 12 ) 의 긴 변 ( 111 , 121 ) 의 상기 가상 경계 축선 ( L ) 에 대한 각도 ( θ 1 , θ 2 ) 가 가장 크 다 .