도 15 는 , 반도체 기판 ( 301 ) 의 제조 과정 에서 의 단면 예 를 나타낸다 . 반도체 기판 ( 301 ) 의 Ge 층 형성 까지 의 제조 과정 은 , 반도체 기판 ( 101 ) 에 있 어서 의 도 7 까지 의 제조 과정 과 동일 하 여도 좋 다 . 도 15 에 도시 된 바 와 같이 , Ge 층 ( 302 ) 을 형성 한 후 에 , Ge 층 ( 302 ) 의 표면 에 예컨대 PH 3 의 노출 처리 를 행한다 . PH 3 에 의해 Ge 층 ( 302 ) 의 표면 을 처리 함 으로서 , 그 위 에 성정 되 는 GaAs 층 의 결정 품질 을 높일 수 있 다 .