이어서 , 식각 저 지막 ( 101 ) 상 에 제 1 희생 절 연막 ( 102 ) 을 형성 한다 . 이때 , 제 1 희생 절 연막 ( 102 ) 은 불순물 이온 이 도핑 ( doping ) 되 지 않 는 절 연막 으로 형성 하 거나 , 후속 공정 을 통해 형성 될 제 2 희생 절 연막 ( 103 , 도 1 b 참조 ) 보다 저 농도 로 도핑 된 절 연막 으로 형성 한다 . 예컨대 , 불순물 이온 이 도핑 되 지 않 는 절 연막 으로 는 USG ( Un - doped Silicate Glass ) 막 , TEOS ( Tetra Ethyle Ortho Silicate ) 막 ( 예컨대 , PE - TEOS ( Plasma Enhanced - TEOS ) ) 으로 형성 하 고 , 불순물 이온 이 도핑 된 막 으로 는 인 ( P ) , 붕소 ( B ) 또는 이 들 이 모두 도핑 된 막 , 예컨대 PSG ( PhosphoSilicate Glass ) 막 , BSG ( BoroSilicate Glass ) 막 또는 BPSG ( BoroPhosphoSilicate Glass ) 막 으로 형성 한다 .