본 발명 은 , 절연성 기판 , 상기 절연성 기판 위 에 적층 되 는 게이트 전극 , 상기 게이트 전극 을 감싸 도록 상부 에 적층 되 는 투명 한 게이트 절 연막 , 상기 게이트 절 연막 위 에 형성 되 는 투명 채널 층 , 및 상기 투명 채널 층 위 에 소오 스 전극 , 드레 인 전극 을 포함 하 여 형성 되 는 투명 전극 층 을 포함 하 는 박막 트랜지스터 에 있 어서 , 상기 투명 채널 층 , 게이트 전극 , 소오 스 전극 , 드레 인 전극 중 적어도 어느 하나 는 In ( 1 - X ) ZnXO 재질 로 형성 되 는 박막 트랜지스터 를 제공 한다 .