전계 효과 형 트랜지스터 ( 3 ) 에서 는 , 기판 ( 30 ) 상 에 소스 전극 ( 35 ) 및 드레 인 전극 ( 36 ) 이 형성 되 고 , 그 간극 및 이 들 전극 의 일부 를 덮 도록 반도체 층 ( 34 ) 이 설치 되 어 있 다 . 그리고 , 반도체 층 ( 34 ) 에 게이트 절 연막 ( 33 ) 을 통해서 게이트 전극 ( 32 ) 이 형성 되 어 있 다 .