본 발명 에서 게이트 구동 부 는 표시 패널 의 기판 상 에 직접 형성 될 수 있 다 . 픽셀 회로 와 게이트 구동 부를 구성 하 는 트랜지스터 들 은 n 타입 또는 p 타입 MOSFET ( Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ) 구조 의 TFT 로 구현 될 수 있 다 . TFT ( 또는 트랜지스터 ) 는 게이트 ( gate ) , 소스 ( source ) 및 드레 인 ( drain ) 을 포함 한 3 단자 소자 이 다 . 소스 는 캐리어 ( carrier ) 를 트랜지스터 에 공급 하 는 전극 이 다 . TFT 내 에서 캐리어 는 소스 로부터 흐르 기 시작 한다 . 드레 인 은 TFT 에서 캐리어 가 외부 로 나가 는 전극 이 다 . 즉 , MOSFET 에서 의 캐리어 의 흐름 은 소스 로부터 드레 인 으로 흐른다 . n 타입 TFT ( 또는 n 타입 트랜지스터 , NMOS ) 의 경우 , 캐리어 가 전자 ( electron ) 이 기 때문 에 소스 에서 드레 인 으로 전자 가 흐를 수 있 도록 소스 전압 이 드레 인 전압 보다 낮 은 전압 을 가진다 . n 타입 TFT 에서 전자 가 소스 로부터 드레 인 쪽 으로 흐르 기 때문 에 전류 의 방향 은 드레 인 으로부터 소스 쪽 으로 흐른다 . p 타입 TFT ( 또는 p 타입 트랜지스터 , PMOS ) 의 경우 , 캐리어 가 정공 ( hole ) 이 기 때문 에 소스 로부터 드레 인 으로 정공 이 흐를 수 있 도록 소스 전압 이 드레 인 전압 보다 높 다 . p 타입 TFT 에서 정공 이 소스 로부터 드레 인 쪽 으로 흐르 기 때문 에 전류 가 소스 로부터 드레 인 쪽 으로 흐른다 . MOSFET 의 소스 와 드레 인 은 고정 된 것 이 아니 라는 것 에 주의 하 여야 한다 . 예컨대 , MOSFET 의 소스 와 드레 인은 인가 전압 에 따라 변경 될 수 있 다 . 이하 의 실시 예 들 에서 TFT 의 소스 와 드레 인 으로 인하 여 본 발명 이 제한 되 지 않 는다 .