성막 공정 에서 는 , 재료 가 ITO 이 고 , 두께 130 ㎚ 인 투명 도전 층 ( 2 ) 을 , 유리 기재 ( 1 ) 의 두께 방향 일 방면 ( 51 ) 에 형성 하 였 다 . 또한 , 성막 공정 에서 는 , 투명 도전 성 유리 ( 3 ) 를 500 ℃ 의 가열기 ( 30 ) 에 의해 300 ℃ 로 가열 하 여 , 표면 저항 을 10 Ω / □ 이하 로 하 였 다 .