노광 에 사용 하 는 파장 은 , 특별히 한정 되 지 않 고 , ArF 엑 시머 레이저 , KrF 엑 시머 레이저 , F 2 엑 시머 레이저 , EUV ( 극단 자외선 ) , VUV ( 진공 자외선 ) , EB ( 전자선 ) , X 선 , 연질 X 선 등 의 방사선 을 사용 하 여 실시 할 수 있 다 . 상기 레지스 트 조성물 은 , KrF 엑 시머 레이저 , ArF 엑 시머 레이저 , EB 또는 EUV 용 으로서 의 유용 성 이 높 고 , ArF 엑 시머 레이저 , EB 또는 EUV 용 으로서 의 유용 성 이 보다 높 고 , EB 또는 EUV 용 으로서 의 유용 성 이 특히 높 다 . 즉 , 본 실시 형태 의 레지스 트 패턴 형성 방법 은 , 레지스 트 막 을 노광 하 는 공정 이 , 상기 레지스 트 막 에 , EUV ( 극단 자외선 ) 또는 EB ( 전자선 ) 를 노광 하 는 조작 을 포함 하 는 경우 에 특히 유용 한 방법 이 다 .