상기 실리콘 기판 의 표면 에 패럴 린 으로 이루어진 1 차 식각 마스크 를 형성 하 는 단계 ; 상기 1 차 식각 마스크 를 이용 하 여 상기 실리콘 기판 을 1 차 습식 식각 함 으로써 제 1 요소 를 형성 하 는 단계 ; 상기 실리콘 기판 의 표면 에 실리콘 산화 막 으로 이루어진 2 차 식각 마스크 를 형성 하 는 단계 ; 및 상기 2 차 식각 마스크 를 이용 하 여 상기 실리콘 기판 을 2 차 습식 식각 함 으로써 제 2 요소 를 형성 하 는 단계 ; 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .