게이트 전극 ( 125 ) 은 소오 스 영역 ( 140 ) 및 드레 인 영역 ( 145 ) 사이 의 활성 영역 ( 115 ) 을 덮 도록 반도체 기판 ( 105 ) 상 에 형성 될 수 있 다 . 제 1 및 제 2 저 농도 영역 들 ( 142 , 146 ) 의 일부분 은 게이트 전극 ( 125 ) 과 중첩 되 도록 게이트 전극 ( 125 ) 아래 로 신장 될 수 있 다 . 게이트 전극 ( 125 ) 및 반도체 기판 ( 105 ) 사이 에 는 게이트 절연 층 ( 120 ) 이 개재 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 게이트 절연 층 은 산화 막 , 질화 막 또는 고유 전 율 절 연막 을 포함 할 수 있 다 . 게이트 전극 ( 125 ) 은 폴리 실리콘 또는 금속 을 포함 할 수 있 다 .