다음 으로 , 이 와 같 은 플 라즈 마 처리 장치 ( 100 ) 에 의한 웨이퍼 처리 의 구체 예 에 대하 여 설명 한다 . 본 실시 형태 에서 는 , 예컨대 웨이퍼 W 상 에 형성 된 산화 막 ( 예컨대 실리콘 산화 막 ) 에 , 패 터닝 된 소정 의 막 ( 예컨대 레지스 트 막 , 폴리 실리콘 막 ) 을 마스크 로 하 여 소정 의 애 스 팩 트 비 의 홀 또는 트렌치 를 형성 하 는 플 라즈 마 에칭 을 행하 는 경우 를 예 로 든다 .