따라서 , 상술 한 바 와 같이 , 벌브 형 리세 스 게이트 를 형성 하 되 벌브 형 모양 의 목 부분 에 대응 되 는 제 1 리세 스 게이트 영역 의 바닥 부분 에 이온 주입 공정 을 수 행한 후 , 그 측벽 을 산화 시키 는 방법 을 사용 하 여 벌브 형 모양 의 목 부분 과 몸통 부분 사이 의 경계 가 라운 딩 되 어 완만 한 곡선 형태 로 형성 되 도록 하 여 전기장 이 집중 되 는 현상 을 방지 한다 .