다 ) 제 1 완충 층 ( 2 ) 위 에 PVD , CVD 또는 HVPE 법 에 의하 여 스터핑 층 ( 3 ) 을 결정 성장 에 의해 형성 한다 . 이때 , 스터핑 층 의 물질 은 적층 성장 ( epitaxy ) 조건 을 만족 시키 기 위하 여 육방정계 ( HCP ) 나 입방 정계 ( Cubic ) 결정 구조 를 갖 는다 . 또한 , Si 과 반응 할 수 있 는 물질 즉 합금 을 형성 할 수 있 는 물질 , 예 를 들 어 Ru , Pd , Co , Ti 등 의 물질 로 형성 한다 . 이 와 달리 제 1 완충 층 과 격자 상수 가 다른 물질 인 AlN , AlGaN , LT - AlN , LT - GaN , HfNx , SiNx , MnS , 등 이나 내열성 금속 질화물 ( refractory metal nitride ) 계열 물질 인 TiN 또는 TaN 로 형성 한다 ( 4 c 단계 ) .