또한 , 제 1 예시 적 인 실시 예의 용량 소자 ( 134 ) 는 절연 층 ( 178 ) 으로서 얇 은 절연 성 의 산화 알루미늄 ( Al 2 O 3 ) 층 을 대략 120 nm 의 두께 로 포함 하 고 , 여기 서 Al 2 O 3 층 은 , 약 200 ℃ 에서 , ITO 코팅 된 유리 기판 ( 172 ) 상 에 ALD ( Atomic Layer Deposition ) 를 직접 적용 하 여 본 실시 예 에 제공 된다 . 이하 에서 보다 상세히 설명 하 겠 지만 , 1 nm 내지 1 , 000 nm , 바람직 하 게 는 10 nm 내지 250 nm , 특히 , 20 nm 내지 150 nm 의 두께 에서 도 우수 한 절연 특성 을 나타내 는 것 으로 밝혀진 Al 2 O 3 ( ALD ) 층 은 , 감광층 ( 180 ) 으로 적절 한 재료 를 추가 사용 함 으로써 , 광활 성 커패시터 ( photoactive capacitor ) 를 용이 하 게 제조 할 수 있 다 .