본 명세서 에 개시 된 개념 들 은 서브 파장 피처 들 을 이미 징하 는 여 하한 의 일반 적 인 이미 징 시스템 을 시뮬레이션 하 거나 수학 적 으로 모델링 할 수 있 으며 , 본질 적 으로 점점 더 작 은 크기 의 파장 들 을 생성 할 수 있 는 신흥 ( emerging ) 이미 징 기술 들 을 이용 하 는 데 유용 할 수 있 다 . 이미 사용 중 인 신흥 기술 들 로 는 ArF 레이저 를 사용 하 여 193 nm 의 파장 을 생성 하 고 , 심지어 플루오린 레이저 를 사용 하 여 157 nm 의 파장 도 생성 할 수 있 는 EUV ( extreme ultra violet ) 리소그래피 를 포함 한다 . 또한 , EUV 리소그래피 는 싱크로트론 ( synchrotron ) 을 이용 하 거나 , 이 범위 내 의 광자 ( photon ) 를 생성 하 기 위해 고 에너지 전자 로 재료 ( 고체 또는 플 라즈 마 ) 를 가격 함 ( hit ) 으로써 20 내지 5 nm 범위 내 의 파장 들 을 생성 할 수 있 다 . 대부분 의 재료 들 이 이 범위 내 에서 흡수성 이 기 때문 에 , 다수 - 스택 의 몰리브덴 및 실리콘 을 갖 는 반사 거울 들 에 의해 조명 이 생성 될 수 있 다 . 다수 - 스택 거울 은 각 층 의 두께 가 1 / 4 파장 인 40 층 의 몰리브덴 및 실리콘 쌍 을 갖 는다 . X - 레이 리소그래피 를 이용 하 여 훨씬 더 작 은 파장 들 이 생성 될 수 있 다 . 전형 적 으로 , 싱크로트론 은 X - 레이 파장 을 생성 하 는 데 사용 된다 . 대부분 의 재료 가 X - 레이 파장 들 에서 흡수성 이 기 때문 에 , 얇 은 조각 의 흡수성 재료 가 피처 들 이 프린트 되 는 경우 ( 포지티브 레지스 트 ) 또는 프린트 되 지 않 는 경우 ( 네거티브 레지스 트 ) 를 정의 한다 .