라이트 용 의 불휘발성 메모리 와 , 리드 용 의 불휘발성 메모리 는 , 그 들 특성 이 상이 하 다 . 즉 , 라이트 용 의 불휘발성 메모리 ( 104 ) 는 재 기입 내성 이 높 은 불휘발성 메모리 , 리드 용 의 불휘발성 메모리 는 라이트 용 의 불휘발성 메모리 ( 104 ) 보다 도 재 기입 내성 이 낮 은 불휘발성 메모리 ( 103 ) 로 구성 되 어 있 다 . 리드 캐쉬 와 라이트 캐쉬 에 재 기입 내성 이 상이 한 불휘발성 메모리 를 사용 하 는 것 은 , 예 를 들 면 , 재 기입 내성 이 낮 은 불휘발성 메모리 쪽 이 , 코스트 등 의 점 에서 재 기입 내성 이 높 은 불휘발성 메모리 보다 도 우위 이 기 때문 이 다 . 코스트 나 성능 등 , 정보 장치 에 요구 되 는 사양 에 따라서 , 리드 캐쉬 와 라이트 캐쉬 에 성질 이 상이 한 2 종류 의 불휘발성 메모리 를 각각 할당 하 면 된다 .