본 발명 의 제 5 관점 에 따르 면 , 반도체 층 과 게이트 전극 사이 에 , 1 층 또는 복수 층 의 전하 축적 층 을 구비 한 비휘발성 반도체 메모리 장치 로서 , 상기 전하 축적 층 의 적어도 1 층 으로서 질화규소 막 을 구비 하 고 , 상기 질화규소 막 은 막 중 의 트랩 밀도 가 , 실리콘 의 미드 갭 에 상당 하 는 에너지 위치 에서 의 부피 밀도 로서 , 막 의 두께 방향 으로 1 × 1017 ~ 5 × 1017 ㎝- 3 eV - 1 의 범위 내 에서 분포 되 어 있 는 것 을 특징 으로 하 는 반도체 메모리 장치 가 제공 된다 .