이 도전 성 패턴 ( D ') 은 소스 ㆍ드레인 전극 ( 33 ) 이 된다 . 그 후 , 예 를 들 어 오븐 으로 가열 하 여 , 상기 도전 성 패턴 ( D ') 을 소결 한다 . 여기 서 , 소결 후 의 도전 성 패턴 ( D ') 의 막 두께 는 500 ㎚ 이하 인 것 으로 한다 . 이 후 의 공정 은 , 통상 의 박막 트랜지스터 의 제조 공정 과 마찬가지 로 행한다 . 즉 , 도 2 의 ( g ) 에 도시 한 바 와 같이 , 예 를 들 어 스핀 코팅 법 에 의해 , 도전 성 패턴 ( D ') 으로 이루어지 는 소스 ㆍ드레인 전극 ( 33 ) 을 덮 는 상태 에서 , 절 연막 ( 32 ) 상 에 , 예 를 들 어 트리 이소프로필 실릴 에티 닐 펜 타 센 을 포함 하 는 반도체 층 ( 34 ) 을 형성 한다 .