도 5 b 에서 , THV ( 66 ) 가 에칭 및 레이저 드릴 닝 에 의해 반도체 다이 ( 54 ) 사이 의 다이 확장 영역 에 형성 된다 . 이 경우 에 , THV ( 66 ) 들 은 확장 영역 ( 68 ) 의 내부 영역 에 형성 된 풀 ( full ) 비어 인데 , 즉 , THV ( 66 ) 이 확장 영역 에 의해 완전히 감싸 진다 . 확장 영역 ( 68 ) 의 폴리머 몰딩 화합물 은 또한 반도체 다 이 액티브 표면 맞 은 편의 , 반도체 다이 ( 54 ) 의 백사이드 를 커버 한다 . 도 5 a 에서 기술 된 바 와 같이 , 전기 적 도전 재료 가 증발 , 전해 도금 , 무전 해 도금 , 또는 스크린 프린팅 공정 을 사용 하 여 THV ( 66 ) 에 융 착 된다 . 그 도전 재료 는 알루미늄 ( Al ) , 구리 ( Cu ) , 주석 ( Sn ) , 니켈 ( Ni ) , 금 ( Au ) 또는 은 ( Ag ) 일 수 있 다 . RDL ( 62 ) 이 THV ( 66 ) 및 반도체 다이 ( 54 ) 의 접촉 패드 ( 56 ) 사이 에 형성 된다 . RDL ( 62 ) 은 THV ( 66 ) 및 접촉 패드 ( 56 ) 사이 에서 전기 적 신호 를 루팅 하 기 위한 중간 도전 층 으로서 작용 한다 . 광학 적 액티브 영역 ( 70 ) 이 반도체 다이 ( 54 ) 의 내부 영역 에 위치 된다 .