본 발명 은 , 상기 지견 에 의거 하 여 본 발명자 들 이 예의 검토 한 결과 로서 완성 되 었 고 , 본 발명 의 필수 적 인 특징 은 , 게이트 전극 과 , 게이트 절연 층 과 , 아모 퍼스 산화물 로 이루어진 반도체 층 과 , 소스 - 드레 인 전극 과 , 보호 층 을 갖 는 트랜지스터 를 제공 하 고 , 상기 반도체 층 은 , 상기 소스 - 드레 인 전극 이 형성 된 영역 에 대응 하 는 제 1 의 영역 과 , 상기 소스 - 드레 인 전극 이 형성 된 영역 에 대응 하 지 않 는 제 2 의 영역 을 포함 하 고 , 적어도 상기 제 1 의 영역 이 상기 제 2 의 영역 의 아모 퍼스 산화물 의 조성 과 다른 조성 을 갖 는 결정 성분 을 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .