이상 의 시트 ( 61 a ∼ 61 h ) 를 적층 함 으로써 , 배선 전극 ( 66 a ) 이 비어 홀 도체 ( 67 a ) 로 나선 형상 으로 접속 된 인덕턴스 소자 ( L 1 ) 가 형성 되 고 , 배선 전극 ( 66 b ) 이 비어 홀 도체 ( 67 b ) 로 나선 형상 으로 접속 된 인덕턴스 소자 ( L 2 ) 가 형성 된다 . 또한 , 배선 전극 ( 66 c ) 이 비어 홀 도체 ( 67 c ) 로 나선 형상 으로 접속 된 인덕턴스 소자 ( L 3 ) 가 형성 되 고 , 배선 전극 ( 66 d ) 이 비어 홀 도체 ( 67 d ) 로 나선 형상 으로 접속 된 인덕턴스 소자 ( L 4 ) 가 형성 된다 . 또한 , 배선 전극 ( 66 a , 66 b , 66 c , 66 d ) 의 선간 에 커패시턴스 가 형성 된다 .