도 12 는 교차점 아키텍처 에 대한 다이 영역 의 효율 적 이용 을 지원 하 는 메모리 부분 ( 1200 ) 의 일례 를 도시 한다 . 도 12 는 명확 성 을 위해 기판 레이어 및 로우 라인 들 에서 의 구성 요소 들 만 을 도시 한다 . 예 를 들 어 , 메모리 타일 의 부분 들 이 명확 성 을 위해 생략 될 수 있 다 . 다른 예 에서 , 상이 한 덱 들 과 연관 된 로우 라인 들 은 메모리 소자 에서 의 상이 한 높이 들 에 위치 될 수 있 다 . 그 에 따라 , 일부 예 에서 , 로우 라인 들 은 서로 포개지 거나 차곡차곡 적층 될 수 있 다 . 로우 라인 들 은 명확 성 을 위해 2 차원 배열 로 오프셋 되 어 도시 된다 . 메모리 부분 ( 1200 ) 은 도 9 를 참조 하 여 설명 된 메모리 부분 ( 905 ) 의 일례 일 수 있 다 . 메모리 부분 ( 1200 ) 은 지원 구성 요소 들 및 메모리 타일 들 ( 430 ) 및 경계 타일 들 ( 915 ) 의 액세스 라인 들 의 일부 를 도시 한다 . 메모리 부분 의 실례 가 되 는 예 들 에서 , 메모리 타일 들 ( 430 ) 및 경계 타일 들 ( 915 ) 은 각각 의 타일 이 어디 서 시작 하 고 끝나 는지 에 대한 추가 명확 성 을 제공 하 기 위해 이격 된다 . 일부 예 에서 , 메모리 부분 ( 1200 ) 은 메모리 타일 들 ( 430 ) 과 경계 타일 들 ( 915 ) 사이 의 갭 들 을 포함 하 지 않 는다 .