또 , 청구 항 6 의 발명 은 , 청구 항 5 의 발명 에 관련 된 열처리 방법 에 있 어서 , 상기 기판 은 면방 위가 ( 100 ) 면 인 단결정 실리콘 의 반도체 웨이퍼 이 며 , 상기 이 재 공정 에서 는 , 상기 기판 의 ＜ 100 ＞ 방향 을 따른 직경 이 상기 방사 온도계 의 광축 과 일치 하 도록 상기 기판 을 상기 서 셉 터 에 재치 하 는 것 을 특징 으로 한다 .