레이 저광 을 단결정 반도체 막 의 윗면 측 에서 조사 하 는 것 으로 , 단결정 반도체 막 의 윗면 을 용융 시킬 수 있 다 . 용융 한 후 , 단결정 반도체 막 이 냉각 , 고화 하 는 것 으로 , 그 윗면 의 평탄 성 이 향상 된 단결정 반도체 막 을 얻 을 수 있 다 . 레이 저광 을 사 용 함 으로써 , 베이스 기판 ( 120 ) 이 직접 가열 되 지 않 기 때문 에 , 이 베이스 기판 ( 120 ) 의 온도 상승 을 억제 할 수 있 다 . 이 때문 에 , 유리 기판 과 같 은 내열성 이 낮 은 기판 을 베이스 기판 ( 120 ) 에 사용 했 을 경우 라도 단결정 반도체 막 을 용융 시켜서 평탄 화 하 는 것 이 가능 하 다 .