반도체 장치 는 제 2 절연 층 상 에 배치 되 고 , 제 2 반도체 패턴 , 절연 패턴 , 및 제 2 제어 전극 을 커버 하 는 제 3 절연 층 을 더 포함 하 고 , 제 1 입력 전극 및 제 1 출력 전극 은 제 1 절연 층 , 제 2 절연 층 및 제 3 절연 층 을 관통 하 고 , 서로 이격 된 제 1 관통 홀 및 제 2 관통 홀 각각 을 통해 제 1 반도체 패턴 에 접촉 하 며 , 제 2 입력 전극 및 제 2 출력 전극 은 제 3 절연 층 을 관통 하 고 , 서로 이격 된 제 3 관통 홀 및 제 4 관통 홀 각각 을 통해 제 2 반도체 패턴 에 접촉 하 고 , 평면 상 에서 , 제 3 관통 홀 및 제 4 관통 홀 은 제 1 관통 홀 및 제 2 관통 홀 사이 에 제공 되 는 것 일 수 있 다 .