이 를 위해 도 2 를 참조 하 면 , 유전체 막 ( 120 ) 위 에 금속 막 ( 130 ) 을 형성 하 고 , 상기 금속 막 ( 130 ) 위 에 버퍼 막 으로서 불순물 이 도핑 되 지 않 은 폴리 실리콘 게르마늄 ( non - doped poly SiGe ) 막 ( 140 ) 을 형성 하 여 금속 막 ( 130 ) 과 폴리 실리콘 게르마늄 ( poly SiGe ) 막 ( 140 ) 이 적층 된 구조 를 포함 하 는 상부 전극 ( 150 ) 을 형성 한다 . 금속 막 ( 130 ) 은 티타늄 나이트 라이드 ( TiN ) 막 또는 루테늄 ( Ru ) 막 가운데 하나 를 선택 하 여 화학 기상 증착 법 ( CVD ; Chemical Vapor Deposition ) 또는 원자 층 증착 법 ( ALD ; Atomic Layer Deposition ) 을 이용 해 형성 할 수 있 다 .