반도체 소자 의 집적도 가 증가 함 에 따라 디자인 룰 ( design rule ) 의 축소 가 급격히 이루어지 고 있 다 . 이 에 따라 , 패턴 형성 을 위한 리소그래피 ( lithography ) 과정 에서 해상력 제약 에 의해 , 패턴 을 전사 ( transfer ) 중 에 왜곡 ( distortion ) 현상 이 극심 해 지 고 있 다 . 따라서 , 리소그래피 과정 의 제약 을 극복 하 는 방법 으로 광 근접 효과 를 보정 ( OPC ) 하 는 기술 과 같 은 해상력 을 증가 시켜 하 는 기술 ( RET ; Resolution Enhancement Technology ) 들 이 제시 되 고 있 다 .