다음 으로 반도체 장치 ( 반도체 디바이스 ) 의 제조 공정 의 일 공정 으로서 웨이퍼 ( 200 ) 상 에 소정 막 을 성막 하 는 기판 처리 공정 을 예 로 들 어 그 개요 를 설명 한다 . 또한 여기 서 는 소정 막 으로서 예컨대 질화 막 으로서 의 실리콘 질화 막 ( SiN 막 ) 을 성막 하 는 경우 를 예 로 든다 . 이하 에 설명 하 는 기판 처리 공정 은 전술 한 기판 처리 시스템 ( 2000 ) 에서 의 각 기판 처리 장치 [ 100 ( 100 a , 100 b , 100 c , 100 d ) ] 로 수행 된다 . 또한 이하 의 설명 에서 각 부 의 동작 은 컨트롤러 ( 260 ) 에 의해 제어 된다 .