또한 , 본 발명 의 한 실시 예 에 따른 박막 트랜지스터 표시판 의 제조 방법 은 기판 위 에 게이트 선 을 형성 하 는 단계 , 상기 게이트 선 위 에 게이트 절 연막 및 불순물 이 함유 된 반도체 를 형성 하 는 단계 , 상기 불순물 이 함유 된 반도체 를 열처리 하 여 다결정 반도체 를 포함 하 는 제 1 반도체 층 과 불순물 이 함유 되 어 있 는 제 2 반도체 층 을 형성 하 는 단계 , 상기 제 2 반도체 층 위 에 제 1 전극 을 포함 하 는 데이터 선 및 제 2 전극 을 형성 하 는 단계 , 그리고 상기 제 2 전극 위 에 화소 전극 을 형성 하 는 단계 를 포함 한다 .