노출 된 실리콘 나이트 라이드 표면 의 존재 시 실리콘 옥사이드 표면 상 에 실리콘 옥사이드 를 선택 적 으로 증착 하 는 방법 들 이 본 명세서 에 제공 된다 . 증착 기법 들 은 , 실리콘 옥사이드 를 형성 하 기 위한 특정 한 실리콘 함유 전구체 들 및 반응 물질 들 에 대한 실리콘 나이트 라이드 대 실리콘 옥사이드 표면 의 반응 성 을 조절 함 으로써 실리콘 나이트 라이드 에 상대 적 으로 실리콘 옥사이드 를 증착 하 는 것 에 선택 적 이 다 . 본 명세서 기술 된 기법 들 은 열적 ALD ( atomic layer deposition ) 를 수반 한다 . 즉 , 다양 한 실시 예 들 에서 , 실리콘 옥사이드 를 형성 하 기 위해 실리콘 함유 전구체 와 산화제 간 반응 이 플 라즈 마 를 점 화 하 지 않 고 수행 된다 .