한편 , 노광 과정 은 빛 에 의해 일어나 며 빛 의 특성 상 패턴 을 형성 하 기 에 적당 한 초점 ( Focus ) 위치 가 존재 하 게 되 며 , 패턴 의 형상 이 작 아 질수록 이 초점 심도 ( DOF : Depth of focus ) 의 허용치 가 작아진다 . 따라서 , 웨이퍼 의 평탄 도 가 중요 하 며 이 를 위해 최근 에 는 반도체 제조 공정 의 중간 에 CMP ( Chemical Mechanical Polishing ) 공정 을 진행 하 여 평탄 화 작업 을 실시 한다 .