도 1 g 및 도 3 을 참조 로 하 면 , 상기 와 같이 형성 된 상기 제 4 시편 ( 150 ) 의 보호막 ( 54 ) 을 FIB 를 사용 하 여 밀링 을 수행 하 게 되 는데 , 이때 , 이온 빔 의 전압 을 8 kV 의 전압 을 가해 낮 은 전압 으로 상기 보호막 ( 54 ) 을 밀링 한다 ( S 420 ) . 따라서 , 상기 제 4 시편 ( 150 ) 의 보호막 ( 54 ) 에 손상 을 최소 화 할 수 있 다 .