일 실시 예 에서 , 본 발명 의 각 중합체 막 및 / 또는 본 발명 의 전자 장치 의 중합체 막 성분 은 각각 500 S / ㎝ 이상 또는 1000 S / ㎝ 이상 , 또는 1500 S / ㎝ 이상 또는 2000 S / ㎝ 이상 의 전도성 , 및 550 ㎚ 에서 90 % 이상 , 더 전형 적 으로 는 93 % 이상 , 보다 더 전형 적 으로 는 95 % 이상 , 더더욱 전형 적 으로 는 98 % 이상 의 광학 적 투과성 을 나타낸다 .