도 1 은 본 발명 의 일 실시 예 에 의한 가공 된 기판 ( 100 ) 을 도시 한 단순 화 된 개념 도 이 다 . 도 1 에 도시 된 가공 된 기판 ( 100 ) 은 다양 한 전자 및 광학 애플리케이션 에 적합 하 다 . 가공 된 기판 ( 100 ) 은 , 가공 된 기판 ( 100 ) 상 에 성장 될 에피 택 셜 물질 의 열팽창 계수 ( CTE ) 와 실질 적 으로 정합 되 는 열팽창 계수 를 가질 수 있 는 코어 ( 110 ) 를 포함 한다 . 에피 택 셜 물질 ( 130 ) 은 가공 된 기판 ( 100 ) 의 구성 요소 로서 반드시 요구 되 는 것 은 아니 지만 일반 적 으로 가공 된 기판 ( 100 ) 상 에 성장 될 것 이 기 때문 에 , 선택 적 인 것 으로 도시 되 어 있 다 .