고 효율 의 후면 접촉 태양 전지 를 만들 기 위해서 는 전면 텍스처 링 된 표면 의 패 시베이 션 이 중요 한데 , 수집 된 태양 복사 로부터 생성 되 는 전자 및 홀 의 밀도 가 실리콘 기판 의 전면 표면 에 집중 되 기 때문 이 다 . 광 강도 및 실리콘 기판 에서 의 광 생성 ( photo - generated ) 전자 및 홀 의 밀도 는 기판 의 전면 표면 으로부터 뒤 표면 까지 기하급수 적 으로 감소 한다 . 전면 에서 의 양호 한 패 시베이 션 없이 는 , 다량 의 전자 및 홀 이 SiO 2 / Si 인터페이스 에서 재결합 하 여 감소 된 태양 전지 효율 을 초래 할 수 있 다 .