그렇지만 , 본 발명 의 표면 처리 방법 에 의해 게이트 절 연막 / 산화물 반도체 간 의 산소 결함 이 억제 되 어 , 통상 의 반도체 프로세스 에서 이용 하 는 산화알루미늄 이나 산화 실리콘 막 으로 충분히 실용 화 할 수 있 는 것 이 확인 되 었 다 . 이것 에 의해 산화물 반도체 의 와이드 갭 이나 고 ( 高 ) 여기자 ( 勵 起 子 , exciton ) 결합 에너지 특성 을 이용 한 파워 장치 , 센서 장치 등 의 실용화 를 기대 할 수 있 다 . 또한 , 게이트 길 이 1 μ m 의 상기 HEMT 소자 의 특성 으로서 는 , gm ( 상호 컨덕턴스 ( mutual conductance ) ) 으로서 80 mS / mm , 이동도 로서 는 135 cm 2 / Vs 가 얻 어 지 고 있 다 . 또한 , 본 실시 예 에서 는 가로 형 의 전계 효과 형 트랜지스터 에 대해서 기술 했 지만 , 예 를 들 면 , LED 나 LD , 바이 폴러 트랜지스터 ( bipolar transistor ) 와 같 은 세로 형 구조 의 트랜지스터 로 산화물 반도체 와 절연 막 의 계면 이 존재 하 는 장치 에서 도 본 발명 의 표면 처리 에 의해 산소 결함 이 저감 할 수 있 고 , 리크 ( leak , 누설 ) 전류 저감 등 의 부수 적 효과 를 기대 할 수 있 다 .