최근 반도체 가공 에서 는 , 특히 대 규모 집 적 회로 의 고집 적 화 에 의해 , 회로 패턴 의 미세화 가 점점 더 필요 해 지 고 있 고 , 회로 를 구성 하 는 배선 패턴 의 세선 화 나 , 셀 을 구성 하 는 층간 의 배선 을 위한 컨 택트 홀 패턴 의 미세화 기술 에 대한 요구 가 점점 더 높 아 지 고 있 다 . 이 때문 에 , 이 들 배선 패턴 이나 컨 택트 홀 패턴 을 형성 하 는 광 리소그래피 에서 이용 되 는 , 회로 패턴 이 기록 된 포토 마스크 의 제조 에서 도 , 상기 미세화 에 따라 보다 미세 하 고 정확 하 게 회로 패턴 을 기록 할 수 있 는 기술 이 요구 되 고 있 다 .