도 14 e 에 도시 한 바 와 같이 , 초기 제 2 절연 층 ( IL 2 - A ) 상 에 초기 제 2 반도체 패턴 ( SP 2 - A ) 을 형성 한다 . 초기 제 2 반도체 패턴 ( SP 2 - A ) 은 평면 상 에서 제 1 반도체 패턴 ( SP 1 ) 및 제 1 제어 전극 ( CE 1 ) 과 중첩 하 도록 형성 한다 . 초기 제 2 반도체 패턴 ( SP 2 - A ) 은 산화물 반도체 물질 을 포함 한다 . 초기 제 2 반도체 패턴 ( SP 2 - A ) 은 초기 제 2 절연 층 ( IL 2 - A ) 상 에 산화물 반도체 물질 을 포함 하 는 층 을 형성 한 후 , 이 를 패 터닝 하 여 형성 될 수 있 다 .