도 6 을 참조 하 면 , 본 발명 의 또 다른 실시 예 에 따른 접촉 저항 이 개선 된 가스 센서 제조 방법 은 , 절연체 층 을 형성 하 는 단계 ( S 210 ) ; 센서 물질 층 을 형성 하 는 단계 ( S 220 ) ; 센서 물질 층 을 부분 적 으로 식각 하 는 단계 ( S 230 ) ; 포토레지스트 층 을 형성 하 는 단계 ( S 240 ) ; 전극 용 메탈 층 을 형성 하 는 단계 ( S 250 ) ; 포토레지스트 층 을 제거 하 는 단계 ( S 260 ) 를 포함 할 수 있 다 .