본 발명 은 반도체 제조 기술 에 관한 것 으로 특히 , 반도체 소자 제조 공정 중 , 자기 정렬 콘 택 결함 을 해결 하 는 반도체 소자 의 제조 방법 에 관한 것 으로 , 이 를 위해 본 발명 은 , 게이트 전극 과 게이트 하드 마스크 층 을 포함 하 는 게이트 패턴 이 형성 된 기판 상 에 층간 절 연막 을 형성 하 는 단계 , 상기 게이트 하드 마스크 층 의 상부 면 이 평탄 해 지 도록 상기 층간 절 연막 과 게이트 하드 마스크 층 을 평탄 화 하 는 단계 및 상기 게이트 패턴 사이 의 층간 절 연막 을 식각 하 여 콘 택 홀 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 반도체 소자 제조 방법 을 제공 하 며 , 상술 한 본 발명 은 자기 정렬 콘 택 결함 의 해결 및 정확 한 EPD 검출 로써 , 신뢰 도 높 은 게이트 를 제공 한다 .