이 와 같이 , 프로브 팁 부 의 기단 부 ( 116 ) 와 프로브 팁 부 의 상단 ( 226 ) 이 서로 부착 되 면 , 희생 기판 ( 200 ) , 제 8 포토레지스트 층 ( 225 ) 및 전도성 박막 ( 111 ) 등 을 모두 식각 제거 하 여 도 6 에 도시 된 바 와 같 은 프로브 가 형성 된 프로브 카드 를 형성 한다 . 이때 전도성 박막 ( 111 ) 의 식각 제거 는 적어도 인접 해 위치 해 있 는 복수 개 의 프로브 몸 체부 ( 113 ) 사이 부분 에서 는 완전히 이루어져야 복수 개 의 프로브 몸체 부 ( 113 ) 가 서로 전기 적 으로 쇼트 되 지 않 게 된다 . 이때 , 인접 해 위치 해 있 는 복수 개 의 프로브 몸 체부 ( 113 ) 사이 가 전기 적 으로 분리 될 정도 로 전도성 박막 ( 111 ) 이 식각 제거 되 면 충분 하 고 프로브 몸 체부 ( 113 ) 와 탄성 층 ( 109 ) 사이 의 전도성 박막 ( 111 ) 까지 식각 제거 되 어야 하 는 것 은 아니 다 .