도 10 ( a ) 에 나타난 바 와 같이 , 먼저 , 적어도 그 일면 에 지지층 ( 330 ) 을 갖 는 기판 ( 310 ) 을 마련 한다 . 상기 기판 으로 는 실리콘 기판 을 이용 할 수 있 으나 , 이 에 제한 되 는 것 은 아니 다 . 또한 상기 지지층 ( 330 ) 은 상기 기판 ( 310 ) 의 상 , 하부 에 열 적 고립 구조 를 위하 여 마련 되 며 , 바람직 하 게 는 저압 화학 증기 증착 ( LPCVD : Low Pressure Chemical Vapor Deposition ) 법 , 플라 즈 마 화학 기상 증착 ( PECVD : Plasma Enhenced Chemical Vapor Deposition ) 법 등 을 이용 하 여 저 응력 의 실리콘 질화 막 을 지지층 ( 330 ) 으로 형성 하 는 것 이 다 .