존재 하 는 경우 , 전자 - 주입 층 의 예 로 는 미국 특허 제 5 , 608 , 287 호 ; 제 5 , 776 , 622 호 ; 제 5 , 776 , 623 호 ; 제 6 , 137 , 223 호 ; 제 6 , 140 , 763 호 ; 및 제 6 , 914 , 269 호 에 기술 된 것 들 이 있 다 . 전자 - 주입 층 은 일반 적 으로 는 4 . 0 eV 미만 의 일함수 를 갖 는 물질 로 이루어진다 . Li , Cs , Ca , Mg 와 같 은 낮 은 일함수 를 갖 는 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 원소 를 함유 하 는 박막 이 사용 될 수 있 다 . 그 외 에 도 , 이러 한 낮 은 일함수 를 갖 는 금속 으로 도핑 된 유기 물질 도 또한 전자 - 주입 층 으로서 효과 적 으로 사용 될 수 있 다 . 그 예 는 Li - 또는 Cs - 도핑 된 Alq 이 다 . 하나 의 적합 한 실시 태양 에서 , 전자 - 주입 층 은 LiF 를 포함 한다 . 실제로 , 전자 - 주입 층 은 때로 는 0 . 1 내지 3 . 0 ㎚ 범위 의 적합 한 두께 로 증착 된 얇 은 층 이 다 .