우선 , 제 1 TMR 소자 에서 는 마이너스 측 의 임계 전류 값 을 절대 값 으로 0 . 3 ㎃ 이상 으로 하 기 위하 여 , 고정층 의 CoFeB 막 두께 를 줄여 , 자유 층 에 마이너스 방향 의 자계 오프셋 이 걸리 도록 하 였 다 . 그 이외 의 막 구성 및 MgO 의 막 두께 는 제 2 TMR 소자 의 그것 과 동일 하 며 , 필러 사이즈 도 동일 하 다 . 제 1 TMR 소자 의 레퍼런스 로서 동일 기판 상 에 제작 한 단독 의 TMR 소자 의 평행 상태 의 저항 은 1 k Ω , 전류 임계 값 은 - Idc 1 =- 0 . 3 ( ㎃), Idc 3 = 0 . 1 ㎃ 이 었 다 . 다음 으로 , 제 3 TMR 소자 에서 는 플러스 측 의 임계 전류 값 을 절대값 에서 0 . 4 ㎃ 이상 으로 하 기 위하 여 , 고정층 의 CoFeB 막 두께 를 늘려 , 자유 층 에 플러스 방향 의 자계 오프셋 이 걸리 도록 하 였 다 . 그 이외 의 막 구성 및 MgO 의 막 두께 는 제 2 TMR 소자 의 그것 과 동일 하 며 , 필러 사이즈 도 동일 하 다 . 제 1 TMR 소자 의 레퍼런스 로서 동일 기판 상 에 제작 한 단독 의 TMR 소자 의 평행 상태 의 저항 은 1 k Ω , 전류 임계 값 은 - Idc 1 =- 0 . 1 ( ㎃), Idc 3 = 0 . 4 ㎃ 이 었 다 .