상기 기판 ( 10 ) 은 배선 ( 12 ) 을 갖 는다 . 상기 반도체 칩 ( 20 ) 들 은 웨이퍼 형태 로 상기 기판 ( 10 ) 상 에 적층 되 며 각각 패드 ( 22 ) 들 을 갖 는다 . 상기 도전 성 기둥 ( 40 ) 은 상기 웨이퍼 들 ( 20 ) 을 관통 하 여 상기 배선 ( 12 ) 과 상기 패드 ( 22 ) 를 전기 적 으로 연결 한다 . 상기 도전 성 기둥 ( 40 ) 은 상기 적층 된 반도체 칩 ( 20 ) 들 을 관통 하 며 , 상기 패드 ( 22 ) 들 중 전력 / 접지 패드 및 신호 패드 를 각각 연결 한다 . 상기 외부 연결 단자 ( 50 ) 는 상기 기판 ( 10 ) 에서 상기 반도체 칩 ( 20 ) 들 이 적층 된 면 과 반대 되 는 면 에 구비 되 며 , 상기 배선 ( 12 ) 과 전기 적 으로 연결 된다 . 상기 접착 층 ( 30 ) 은 상기 반도체 칩 ( 20 ) 들 사이 및 상기 반도체 칩 ( 20 ) 들 과 상기 기판 ( 10 ) 사이 에 개재 된다 .