상기 본딩 은 Field assisted sealing 방법 인 어 노 딕 본딩 ( anodic bonding ) 공정 에 의한다 . 이 공정 은 실리콘 기판 ( 60 ) 과 글래스 기판 ( 50 ) 간 에 실리콘 기판 ( 60 ) 이 상대 적 으로 양 ( positive ) 이 되 도록 수백 볼트 의 전압 을 인가 한 후 온도 를 수백 ℃ 로 올린다 . 글래스 기판 ( 50 ) 의 양이온 이 온도 상승 에 의해 운동 도 가 증가 하 여 cathode 가 되 는 글래스 표면 으로 이동 하 여 사라진다 . 글래스 기판 ( 50 ) 내 에 상대 적 으로 더 강하 게 구속 되 는 음 이온 은 실리콘 기판 ( 60 ) 표면 근처 에 공간 전하 층 을 형성 하 며 , 글래스 기판 내 의 양이온 이 cathode 가 되 는 글래스 표면 쪽 으로 이동 함 에 따라 글래스 / 실리콘 계면 에서 의 포 텐 셜 강 하 는 커 지 게 되 어 이 전기장 에 의해 두 계면 이 본 딩 된다 .