임시 산화 막 ( 23 ) 을 제거 한 뒤 , 스 페이서 절 연막 을 증착 하 고 이방성 식각 공정 을 진행 한다 . 그 결과 , 도 2 f 에 도시 된 바 와 같이 게이트 ( 22 a ) 의 양쪽 측벽 에 게이트 스 페이서 ( 25 ) 가 형성 된다 . 그리고 게이트 스 페이서 ( 25 ) 를 이온 주입 마스크 로 이용 하 는 고농 도 이온 주입 공정 을 진행 하 여 고농 도 소스 / 드레 인 ( 26 ) 을 형성 한다 .