도 8 에 도시 된 바 와 같이 , Ge 층 ( 120 ) 상 에 소자 형성 층 ( 124 ) 을 예컨대 에피 택 셜 성장 시킨다 . 소자 형성 층 ( 124 ) 으로서 예컨대 GaAs 층 또는 InGaAs 등 을 포함 하 는 GaAs 계 적 층막 을 예시 할 수 있 다 . GaAs 층 또는 GaAs 계 적 층막 의 에피 택 셜 성장 에 는 , 예컨대 MOCVD 법 또는 MBE 법 을 이용 할 수 있 다 .