또한 , 게이트 절 연막 ( 52 b ) 및 보호 절 연막 ( 76 a ) 을 같 은 재료 로 형성 하 고 , 게이트 절 연막 ( 52 a ) 과 게이트 절 연막 ( 52 b ) 의 에칭 선택 비 를 다른 막 으로 형성 하 면 ( 예 를 들 면 , 게이트 절 연막 ( 52 b ) 및 보호 절 연막 ( 76 a ) 을 질화규소 막 으로 형성 하 고 , 게이트 절 연막 ( 52 a ) 을 산화 질화규소 막 으로 형성 함 ) , 보호 절 연막 ( 76 a ) 및 게이트 절 연막 ( 52 b ) 을 선택 적 으로 에칭 하 는 조건 을 사용 하 는 것 으로 , 용량 배선 ( 56 ) 위 의 콘택트 홀 형성 의 에칭 을 , 게이트 절 연막 ( 52 a ) 에서 멈출 수 있 다 . 이 때문 에 , 용량 소자 를 , 용량 배선 ( 56 ) , 게이트 절 연막 ( 52 a ) , 및 화소 전극 ( 77 ) 으로 형성 할 수 있 다 . 용량 소자 에 있 어서 , 2 개 의 도전 막 ( 여기 에서 는 , 용량 배선 ( 56 ) 및 화소 전극 ( 77 ) ) 의 사이 의 절 연막 ( 여기 에서 는 , 게이트 절 연막 ( 52 a ) ) 의 막 두께 가 얇 을수록 높 은 용량 을 가질 수 있 기 때문 에 , 바람직 하 다 .