본 발명 에 있 어서 , 상기 1 차 식각 마스크 형성 단계 는 ; 상기 실리콘 기판 의 상면 에 패럴 린 을 증착 하 여 패럴 린 막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 패럴 린 막 의 표면 에 제 1 포토레지스트 를 도포 한 뒤 , 상기 제 1 포토레지스트 를 패 터닝 하 여 상기 다수 의 리스트 릭터 를 형성 하 기 위한 다수 의 제 1 개 구부 를 형성 하 는 단계 와 , 상기 다수 의 제 1 개 구부 를 통해 노출 된 부위 의 상기 패럴 린 막 을 제거 하 여 상기 실리콘 기판 의 상면 을 부분 적 으로 노출 시키 는 단계 와 , 상기 제 1 포토레지스트 를 제거 하 는 단계 를 포함 할 수 있 다 .