도 3 f 에 도시 된 바 와 같이 , 제 1 및 제 2 리세 스 ( 36 , 37 ) 에 실리콘 게르마늄 ( SiGe , 38 ) 을 성장 시킨다 . 여기 서 , 실리콘 게르마늄 ( 38 ) 은 에피 택 셜 성 장 ( Epitaxial growth ) 으로 형성 하 는데 , 압축성 변형 을 조절 하 기 위해 실리콘 게르마늄 ( 38 ) 막 내 의 게르마늄 농도 를 5 ％∼ 50 ％ 로 조절 할 수 있 다 .