최근 에 는 산화물 ( Oxide ) 반도체 가 이동도 와 균 일도 가 우수 한 특성 으로 각광 받 고 있 다 . 산화물 반도체 는 4 원계 금속 산화물 인 인듐 주석 갈륨 아연 산화물 ( InSnGaZnO ) 계 재료 , 3 원계 금속 산화물 인 인듐 갈륨 아연 산화물 ( InGaZnO ) 계 재료 , 인듐 주석 아연 산화물 ( InSnZnO ) 계 재료 , 인듐 알루미늄 아연 산화물 ( InAlZnO ) 계 재료 , 주석 갈륨 아연 산화물 ( SnGaZnO ) 계 재료 , 알루미늄 갈륨 아연 산화물 ( AlGaZnO ) 계 재료 , 주석 알루미늄 아연 산화물 ( SnAlZnO ) 계 재료 , 2 원계 금속 산화물 인 인듐 아연 산화물 ( InZnO ) 계 재료 , 주석 아연 산화물 ( SnZnO ) 계 재료 , 알루미늄 아연 산화물 ( AlZnO ) 계 재료 , 아연 마그네슘 산화물 ( ZnMgO ) 계 재료 , 주석 마그네슘 산화물 ( SnMgO ) 계 재료 , 인듐 마그네슘 산화물 ( InMgO ) 계 재료 , 인듐 갈륨 산화물 ( InGaO ) 계 재료 나 , 인듐 산화물 ( InO ) 계 재료 , 주석 산화물 ( SnO ) 계 재료 , 아연 산화물 ( ZnO ) 계 재료 등 으로 형성 할 수 있 으며 , 각각 의 원소 의 조성 비율 은 특별히 한정 되 지 않 는다 .