도 3 을 참조 하 면 , 상기 웰 층 ( 59 a ) 은 InxGa ( 1 - x ) N 으로 표현 될 수 있 으며 , 여기 서 0 < x < 0 . 5 이 다 . 상기 In 의 조성 은 360 ~ 410 nm 파장 범위 의 근자외선 을 방출 하 도록 선택 된다 . 한편 , 상기 초격자 구조 의 장벽층 ( 59 b ) 은 InyGa ( 1 - y ) N ( 71 a ) 및 GaN ( 71 b ) 이 교대 로 적층 된 하부 초격자 ( 71 ) , InyGa ( 1 - y ) N ( 75 a ) 및 GaN ( 75 b ) 이 교대 로 적층 된 상부 초격자 ( 75 ) 와 , 상기 하부 초격자 와 상부 초격자 사이 에 개재 된 중부 초격자 ( 73 ) 를 포함 한다 . 상기 중부 초격자 ( 73 ) 는 InzGa ( 1 - z ) N 및 GaN 이 교대 로 적층 되 어 형성 된다 . 여기 서 , 0 < x < 0 . 5 , 0 < y < 0 . 05 , 0 < z < 0 . 1 및 y < z < x 일 수 있 다 .