이러 한 설계 에 있 어서 , 분해능 및 CD 제어 는 둘 다 장치 의 성과 에 중요 하 다 . Si 기반 링 공진기 의 경우 에 , 제어 에 관한 중요 한 파라미터 중 하나 는 RR 과 입 / 출 력 도파관 사이 의 결합 효율 이 다 . 큰 FSR 을 얻 기 위해 RR 에서 보통 콤팩트 도파관 ( 예컨대 , 220 ㎚ × 500 ㎚ 스트립 도파관 ) 이 사용 되 므로 , 링 과 버스 도파관 사이 의 갭 은 단지 100 ㎚ 내지 200 ㎚ 일 수 있 다 . 장치 는 소멸 ( evanescent ) 결합 을 통해 동작 하 므로 , 결합 은 개별 갭 의 크기 에 지수 적 으로 의존 한다 . 따라서 , 하이 - 큐 ( high - Q ) RR 장치 를 확실 하 게 처리 하 기 위해 , 수 ㎚ 의 제어 는 최신 0 . 18 ㎛ 또는 0 . 13 ㎛ 리 소그라 피 에 의해 용이 하 게 달성 된 CD 제어 를 필요 로 한다 .