또 , 도 2 에 나타낸 화소 구동회 로 ( DC ) 에 있 어서 는 2 개 의 n 채널 형 의 트랜지스터 ( Tr 11 , Tr 12 ) 를 적용 한 회로 구성 을 나타냈 다 . 그러나 본 발명 에 관련 되 는 표시 패널 은 이것 에 한정 되 는 것 은 아니 고 , 3 개 이상 의 트랜지스터 를 적용 한 다른 회로 구성 을 갖 는 것 이 라도 좋 다 . 또 , 회로 소자 로서 p 채널 형 의 트랜지스터 만 을 적용 한 것 , 혹은 n 채널 형 및 p 채널 형 의 쌍방 의 채널 극성 을 갖 는 트랜지스터 가 혼재 하 는 것 이 라도 좋 다 . 여기 에서 , 도 2 에 나타낸 바 와 같이 , 화소 구동회 로 ( DC ) 로서 n 채널 형 의 트랜지스터 만 을 적용 한 경우 에 는 , 이미 제조 기술 이 확립 된 비결정성 실리콘 반도체 제조 기술 을 이용 하 여 동작 특성 이 안정 된 트랜지스터 를 간 이 하 게 제조 할 수 있 으며 , 상기 표시 화소 의 발광 특성 의 불 규칙 을 억제 한 화소 구동 회로 를 실현 할 수 있 다 .