트랜지스터 ( 320 ) 및 트랜지스터 ( 330 ) 에 는 채널 이 형성 되 는 반도체 층 이 2 개 의 게이트 사이 에 끼워진 구성 이 적용 되 어 있 다 . 2 개 의 게이트 를 접속 시키 고 이 들 에 동일 한 신호 를 공급 함 으로써 , 트랜지스터 를 구동 시켜 도 좋 다 . 또는 , 2 개 의 게이트 중 한쪽 에 문턱 전압 을 제어 하 기 위한 전위 를 공급 하 고 , 다른 쪽 에 구동 시키 기 위한 전위 를 공급 함 으로써 , 트랜지스터 의 문턱 전압 을 제어 하 여도 좋 다 .