도 1 을 참조 하 면 , 본 발명 의 실시 예 에 따른 반도체 소자 의 테스트 장치 는 트랜지스터 의 게이트 전극 ( 16 ) 및 액티브 전극 ( 미 도시 ) 에 접속 된 제 1 및 제 2 테스트 패드 ( 미 도시 ) 가 형성 된 웨이퍼 ( 14 ) 가 안착 되 는 척 ( 12 ) 을 포함 하 는 자동 프로브 스테이션 ( 10 ) 과 , 웨이퍼 ( 14 ) 의 제 1 및 제 2 테스트 패드 에 직류 ( DC ) 측정 전압 또는 커패시턴스 측정 전압 을 인가 하 기 위한 프로브 카드 ( 20 ) 와 , 프로브 카드 ( 20 ) 에 직류 측정 전압 또는 커패시턴스 측정 전압 을 인가 하 여 게이트 전류 및 커패시턴스 를 측정 하 기 위한 측 정부 ( 40 ) 와 , 게이트 전류 및 커패시턴스 를 측정 하 도록 측 정부 ( 40 ) 를 제어 하 는 제어 컴퓨터 ( 30 ) 를 구비 한다 .