그리고 , 갭 필 절 연막 을 화학 적 기계 적 연마 ( CMP ) 로 식각 하 여 그 표면 을 평탄 화 하 고 , 산화 막 및 질화 막 을 제거 하 여 소자 분리 막 형성 영역 에 STI 구조 의 소자 분리 막 ( 102 ) 을 형성 한다 . 이 때 , STI 구조 의 소자 분리 막 은 적어도 2 개 형성 할 수 있 고 , 그 폭 과 깊이 는 제조 될 CMOS 소자 의 특성 에 대응 되 는 조건 으로 형성 될 수 있 으며 , 하나 의 소자 분리 막 을 형성 할 경우 보다 상대 적 으로 작 은 폭 과 깊이 로 형성 할 수 있 다 .