도 9 를 참조 하 면 , 상기 마스크 패턴 ( 101 ) 이 제거 된다 . 상기 마스크 패턴 ( 101 ) 을 제거 함 으로써 상기 기판 ( 100 ) 의 상부 면 이 노출 된다 . 상기 노출 된 기판 ( 100 ) 표면 에 게이트 절 연막 ( 117 ) 이 형성 된다 . 상기 게이트 절 연막 ( 117 ) 은 열 산화 공정 에 의해 형성 될 수 있 다 . 상기 게이트 절 연막 ( 117 ) 및 상기 소자 분리 영역 ( 110 ) 상 에 제 2 도 전막 ( 미 도시 ) 이 형성 된다 . 상기 제 2 도전 막 은 도전 성 폴리 실리콘 및 금속 물질 과 같 은 도전 물질 을 포함 할 수 있 다 . 예컨대 , 상기 제 2 도전 막 은 폴리 실리콘 막 형성 공정 및 불순물 도핑 공정 을 수행 함 으로써 형성 될 수 있 다 . 이후 , 상기 제 2 도 전막 에 대해 평탄 화 공정 을 수행 하 여 도전 라인 ( 120 ) 이 형성 된다 . 상기 평탄 화 공정 은 상기 외부 쉴 딩 라인 ( 142 ) 을 정 지점 으로 하 여 수행 될 수 있 다 . 예컨대 , 상기 평탄 화 공정 은 화학 적 기계 적 연마 공정 ( Chemical Mechanical Polishing : CMP ) 일 수 있 다 .