전극 부분 ( 5 b ) 에 포함 된 제 1 전극 층 ( E 1 ) 은 리지 부분 ( 3 h ) 상 에 배치 되 고 , 주 표면 ( 3 b ) 상 에 배치 되 지 않 는다 . 전극 부분 ( 5 b ) 에 포함 된 제 1 전극 층 ( E 1 ) 은 전체 리지 부분 ( 3 h ) 을 커버 하 도록 형성 된다 . 제 1 전극 층 ( E 1 ) 은 주 표면 ( 3 b ) 상 에 형성 되 지 않 는다 . 전극 부분 ( 5 b ) 에 포함 된 제 1 전극 층 ( E 1 ) 은 전체 리지 부분 ( 3 h ) 과 접촉 한다 . 주 표면 ( 3 b ) 은 제 1 전극 층 ( E 1 ) 으로 커버 되 지 않 고 , 제 1 전극 층 ( E 1 ) 으로부터 노출 된다 . 전극 부분 ( 5 b ) 에 포함 된 제 1 전극 층 ( E 1 ) 은 주 표면 ( 3 b ) 상 에 배치 될 수 있 다 . 이 경우 , 전극 부분 ( 5 b ) 에 포함 된 제 1 전극 층 ( E 1 ) 은 주 표면 ( 3 b ) 의 한 부분 및 전체 리지 부분 ( 3 h ) 을 커버 하 도록 형성 된다 . 즉 , 전극 부분 ( 5 b ) 에 포함 된 제 1 전극 층 ( E 1 ) 은 또한 주 표면 ( 3 b ) 의 한 부분 과 접촉 한다 . 주 표면 ( 3 b ) 의 한 부분 은 , 예 를 들 어 , 주 표면 ( 3 b ) 에서 , 단부 표면 ( 3 e ) 에 가까운 부분 영역 이 다 . 전극 부분 ( 5 b ) 은 제 2 전극 층 ( E 2 ) 을 포함 하 지 않 는다 . 주 표면 ( 3 b ) 은 제 2 전극 층 ( E 2 ) 으로 커버 되 지 않 고 , 제 2 전극 층 ( E 2 ) 으로부터 노출 된다 . 제 2 전극 층 ( E 2 ) 은 주 표면 ( 3 b ) 상 에 형성 되 지 않 는다 . 전극 부분 ( 5 b ) 은 3 층 이 다 .