상기 활성 층 ( 1113 ) 은 3 족 - 5 족 또는 2 족 - 6 족 의 화합물 반도체 중 적어도 하나 로 제공 될 수 있 다 . 예컨대 상기 활성 층 ( 1113 ) 은 GaAs , GaAl , InP , InAs , GaP 를 포함 하 는 그룹 중 하나 일 수 있 다 . 상기 활성 층 ( 1113 ) 은 다중 우물 구조 로 구현 된 경우 , 상기 활성 층 ( 1113 ) 은 교대 로 배치 된 복수 의 우물 층 과 복수 의 장벽 층 을 포함 할 수 있 다 . 상기 복수 의 우물 층 은 예컨대 , InpGa 1 - pAs ( 0 ≤ p ≤ 1 ) 의 조성식 을 갖 는 반도체 재료 로 제공 될 수 있 다 . 상기 장벽층 은 예컨대 , InqGa 1 - qAs ( 0 ≤ q ≤ 1 ) 의 조성식 을 갖 는 반도체 재료 로 배치 될 수 있 다 .