이 에 의하 여 , 도 4 e 의 터널 ( 107 T ) 내 에 만 도전 물질 이 매립 되 어 게이트 전극 ( 160 ) 을 형성 할 수 있 다 . 상기 공정 은 이방성 식각 에 의할 수 있 다 . 또한 , 기판 ( 100 ) 의 상부 면 상 에 형성 된 게이트 유전 막 ( 150 ) 도 이방성 식각 에 의해 제거 될 수 있 다 . 다른 실시 예 에 따르 면 , 층간 절연 층 들 ( 120 ) 의 측면 에 형성 된 게이트 유전 막 들 ( 150 ) 도 함께 제거 할 수 있 다 .