일반 적 으로 , SiO 2 산화 막 을 증착 하 는 경우 에 는 SiHCl 3 , SiH 2 Cl 2 , SiH 3 Cl , SiCl 4 등 과 O 2 , NO , NO 2 , N 2 O , CO , H 2 O 등 의 여러 가지 반응 가스 를 적절 한 비율 로 혼합 하 여 사용 할 수 있 다 . 본 발명 에서 는 고온 의 에피택시 ( Epitaxy ) 공정 에서 도 펀트 들 이 아웃 개 싱 ( Outgasing ) 되 어 에피 웨이퍼 의 전면 ( EPI Wafer Front ) 에 비저항 ( Resistivity , Res ) 이상 을 초래 하 는 웨이퍼 의 아웃 도핑 ( Autodoping ) 방지 를 위해 웨이퍼 배면 에 SiO 2 산화 막 을 구성 하 기 위한 소스 ( Source ) 가스 로서 SiH 4 와 산 소운반 가스 로서 N 2 O 를 혼합 하 여 반응 가스 를 구성 한다 .