도 3 a 를 참조 하 면 , 반도체 기판 ( 200 ) 에 활성 영역 ( 220 ) 을 정의 하 는 소자 분리 막 ( 230 ) 을 형성 한다 . 이때 , 활성 영역 ( 220 ) 은 주변 회로 영역 에 형성 되 는 게이트 위치 및 게이트 의 크기 에 따라서 정의 되 는 것 이 바람직 하 다 . 게이트 는 각각 서로 다른 채널 길이 를 갖 고 형성 되 고 있 으며 본 도면 에서 는 하나 의 활성 영역 ( 220 ) 에 이종 채널 길이 를 갖 는 게이트 가 형성 되 는 것 을 도시 하 는 것 으로 한다 .