버퍼 층 ( 54 ) 으로서 는 실리콘 , 혹은 게르마늄 을 함유 하 는 퇴적 성 기체 를 사용 한 플 라즈 마 CVD 법 에 의하 여 비정질 반도체 막 을 형성 할 수 있 다 . 혹은 , 실리콘 혹은 게르마늄 을 함유 하 는 퇴적 성 기체 에 , 헬륨 , 아르곤 , 크립톤 , 네온 중 에서 선택 된 1 종 혹은 복수 종 의 희소 가스 원소 로 희석 하 여 비정질 반도체 막 을 형성 할 수 있 다 . 혹은 , 실란 가스 의 유량 의 1 배 이상 10 배 이하 , 더 바람직 하 게 는 1 배 이상 5 배 이하 의 유량 의 수소 를 사용 하 여 수소 를 함유 하 는 비정질 반도체 막 을 형성 할 수 있 다 . 또한 , 상기 수소 화 반도체 막 에 불소 , 염소 , 브롬 , 요오드 등 의 할로겐 을 첨가 하 여도 좋 다 .