도체 들 ( 408 ) 이 형성 된 후 에 , 도체 들 ( 408 ) 사이 에 보이 드 들 을 채우 기 위해서 유전 층 ( 410 ) 이 기판 ( 400 ) 상 에 형성 된다 . 예 를 들 어 , 근사 적 으로 3000 내지 7000 옹스트롬 의 이산화 실리콘 이 기판 ( 400 ) 상 에 증착 될 수 있 고 화학 기계식 연마 또는 에치 백 공정 을 사용 하 여 평탄 화 되 어 평탄 한 표면 ( 412 ) 을 형성 할 수 있 다 . 평탄 한 표면 ( 412 ) 은 유전 물질 ( 422 ) 에 의해 분리 된 ( 도시 된 바 와 같이 ) 도체 들 ( 408 ) 의 노출 된 맨 위 에 표면 들 을 포함 한다 . 질화 실리콘 , 실리콘 옥시 나이트 라이드 , 저 k 유전체 들 등 과 같 은 그 외 유전 물질 들 이 사용 될 수 있 다 . 바람직 한 저 k 유전체 들 은 탄소 가 도핑 된 산화물 들 , 실리콘 카본 층 등 을 포함 한다 .