도 3 을 참조 하 면 , 하드 마스크 ( 104 a ) 및 제 1 리세 스 ( 110 ) 의 저면 상 에 위치 하 는 보호막 ( 112 ) 을 제거 하 여 , 제 1 리세 스 ( 130 ) 의 측벽 상 에 보호막 패턴 ( 112 a ) 을 형성 한다 . 보호막 패턴 ( 112 a ) 은 건식 식각 공정 을 이용 하 여 형성 될 수 있 다 . 제 1 리세 스 ( 110 ) 의 측벽 상 에 만 보호막 패턴 ( 112 a ) 이 형성 되 기 때문 에 , 제 1 리세 스 ( 110 ) 의 저면 을 통해 기판 ( 100 ) 의 일부 가 노출 된다 . 이러 한 보호막 패턴 ( 112 a ) 을 이용 하 여 후술 하 는 바 와 같이 제 1 리세 스 ( 110 ) 저면 을 통해 노출 되 는 기판 ( 100 ) 을 식각 할 수 있 다 .