이 를 위하 여 , 본 발명 에서 는 도 3 , 도 5 a 및 도 5 b 에 도시 된 바 와 같이 CNT 에 미터 ( 210 ) 가 미세 패 터닝 된 음극 부 ( 220 ) 와 게이트 부 ( 250 ) 사이 에 스 페이서 ( 230 ) 를 배치 하 여 게이트 홀 ( 240 ) 이 CNT 에 미터 ( 210 ) 에 비하 여 훨씬 높 은 위치 에 위치 하 도록 하 는 한편 , 게이트 홀 ( 240 ) 의 지름 이 CNT 에 미터 ( 210 ) 의 지름 보다 대략 2 배 정도 크 게 형성 되 도록 한다 .