일반 적 인 3 T 형 CMOS 이미지 센서 의 단위 화소 는 , 도 2 에 도시 한 바 와 같이 , 액티브 영역 ( 10 ) 이 정의 되 어 액티브 영역 ( 10 ) 중 폭 이 넓 은 부분 에 1 개 의 포토다이오드 ( 20 ) 가 형성 되 고 , 상기 나머지 부분 의 액티브 영역 ( 10 ) 에 각각 오버랩 되 는 3 개 의 트랜지스터 의 게이트 전극 ( 30 , 40 , 50 ) 이 형성 된다 .