그러나 , MOCVD 법 에 따라 형성 된 막 은 , 유기 원료 로부터 유래 한 탄소 나 수소 등 의 불순물 을 많이 포함 한 막 이 다 . 그러 한 잔여 불순물 의 영향 에 의해 , MOCVD 법 으로 형성 된 막 은 리키지 전류 가 많이 발생 하 기 쉽 다고 하 는 문제 가 있 다 . MOCVD 법 과 같 은 원료 로부터 유래 한 불순물 을 포함 하 는 것 이 적 은 금속 산화물 을 기판 에 퇴적 하 는 다른 방법 으로서 , 스퍼터링 법 이 알려져 있 다 . 스퍼터링 법 에서 는 , 예 를 들 면 플 라즈 마 에 의해 이온 화 한 Ar 등 의 희가스 를 타 겟 의 표면 과 충돌 시키 는 것 으로 , 타 겟 을 구성 하 는 원자 를 흩 날려서 , 기판 표면 에 퇴적 시킨다 . 이 때문 에 , MOCVD 에 의한 것 보다 퇴적 한 막 중 의 불순물 의 함유량 이 적 다 . 또 다른 원소 를 함유 하 는 복수 의 타 겟 을 이용해 스퍼터링 을 실시 하 는 것 으로 , 다양 한 조성 의 막 을 용이 하 게 형성 하 는 것 이 가능 하 다 . 예 를 들 면 , 금속 으로 이루어진 타 겟 과 Si ( 실리콘 ) 으로 이루어진 타 겟 을 이용 해서 , 그러 한 타 겟 을 동시 에 스퍼터링 하 는 것 으로 , 금속 및 실리콘 을 함유 하 는 막 이 퇴적 된다 . 그러 한 막 을 산화 하 는 것 으로 , 금속 실리케이트 막 이 용이 하 게 형성 될 수 있 다 .