제 1 층 ( 1311 ) 및 제 2 층 ( 1312 ) 은 실리콘 계 물질 을 포함 할 수 있 고 , 인 - 시투 ( in situ ) 공정 을 사용 하 여 배치 되 어 , 비용 및 공정 단계 의 수 를 줄일 수 있 다 . 제 1 층 ( 1311 ) 은 실리콘 나이트 라이드 ( SiNx ) 또는 실리콘 옥시 나이트 라이드 ( SiON ) 를 포함 할 수 있 고 , 제 2 층 ( 1312 ) 은 실리콘 옥사이드 ( SiOx ) 를 포함 할 수 있 다 .