" 본원 에서 사용 되 는 용어 "" 원자 층 증착 ( atomic layer deposition ) ""( ALD ) 은 증착 주기 ( deposition cycle ) ", 바람직 하 게 는 복수 의 연속 증착 주기 가 공정 챔버 에서 수행 되 는 증기 증착 공정 을 지칭 할 수 있 다 . 일반 적 으로 , 각각 의 사이클 동안 , 전 구체 는 증착 표면 ( 예 들 들 면 , 기판 표면 , 또는 이전 ALD 주기 로부터 의 물질 과 같 은 이전 에 증착 된 하부 표면 ) 에 화학 흡착 되 고 , 추가 적 인 전구체 와 쉽 게 반응 하 지 않 는 ( 즉 , 자기 제한 적 반응 ) 단층 또는 서브 단층 을 형성 한다 . 따라서 필요 하 다면 , 증착 표면 에서 화학 흡착 된 전구체 를 원하 는 물질 로 전환 시키 는 용도 로 , 반응물 ( 예 들 들 어 , 다른 전구체 또는 반응 가스 ) 이 후속 해서 공정 챔버 로 유입 될 수 있 다 . 일반 적 으로 , 이러 한 반응물 은 전구체 와 더 반응 할 수 있 다 . 또한 , 각 사이클 동안 공정 챔버 로부터 잉여 전구체 를 제거 하 고 ( 제거 하 거나 ) 화학 흡착 된 전구체 의 변환 후 공정 챔버 로부터 잉여 반응물 및 / 또는 반응 부산물 을 제거 하 기 ( 제거 하 거나 ) 위해 퍼징 ( purging ) 단계 들 이 사용 될 수 도 있 다 . 추가 로 , " 본원 에 사용 된 용어 "" 원자 층 증착 "" 은 "" 화학 적 증기 원자 층 증착 """," "" 원자 층 에피택시 ( atomic layer epitaxy ) ""( ALE ) ", 분자 빔 에피택시 ( molecular beam epitaxy ) ( MBE ) , 가스 공급원 MBE , 또는 유기 금속 MBE , 및 전 구체 조성물 ( 들 ) , 반응 가스 , 및 퍼지 ( 예 를 들 면 , 불활성 캐리어 ) 가스 의 교번 펄스 ( alternating pulses ) 로 수행 되 는 경우 의 화학 적 빔 에피택시 와 같 은 관련 용어 들 에 의해 지정 된 공정 을 포함 하 는 것 을 또한 의미 한다 .