도 1 e 를 참조 하 면 , 제 2 포토레지스트 패턴 ( 120 ) 을 식각 마스크 로 하 는 식각 공정 으로 하드 마스크 막 ( 118 ) 을 패 터닝 한 후 제 2 포토레지스트 패턴 ( 120 ) 을 제거 한 다 . 패 터닝 된 하드 마스크 막 ( 118 ) 을 식각 마스크 로 하 는 식각 공정 으로 금속 막 ( 116 ) 및 베리 어 메탈 막 ( 114 ) 을 식각 하 여 게이트 ( 122 ) 를 형성 한다 . 이때 , 제 1 도 전막 ( 104 ) 사이 에서 는 제 1 도 전막 ( 104 ) 상부 에서 보다 금속 막 ( 116 ) 이 두껍 게 형성 되 기 때문 에 , 금속 막 ( 116 ) 을 식각 하 더라도 제 1 도 전막 ( 104 ) 사이 에서 는 금속 막 ( 116 ) 이 잔류 된다 . 한편 금속 막 ( 116 ) 이 제거 되 면서 노출 되 는 베리어 메탈 막 ( 114 ) 및 제 1 스 페이서 ( 112 ) 도 일부 제거 될 수 있 다 . 이 와 같이 게이트 ( 122 ) 를 형성 하 는 동시 에 게이트 ( 122 ) 사이 에 금속 막 ( 116 ) 의 일부 가 잔류 되 므로 , 잔류 된 금속 막 ( 116 ) 을 이용 해 콘 택 플러그 를 형성 하 면 콘 택 플러그 의 저항 을 감소 시킬 수 있 다 . 이 로 인해 종횡비 ( aspect ratio ) 가 낮 아 져 콘 택 플러그 의 폭 이 좁 아도 용이 하 게 적용 가능 하 다 .