이러 한 구조 를 갖 는 유기 박막 트랜지스터 ( Tr ) 와 연결 되 며 특히 드레 인 전극 ( 113 ) 과 연결 되 며 화소 영역 ( P ) 에 는 화소 전극 ( 117 ) 이 형성 되 고 있 으며 , 외부 로 노출 됨 으로써 수분 또는 산소 ( O 2 ) 등 과 반응 하 여 발생 하 는 특성 저하 를 방지 하 고자 노출 된 상기 유기 반도체 층 ( 120 ) 의 측면 을 덮 으며 보호 층 ( 140 ) 이 더욱 형성 되 고 있 다 . 이때 상기 보호 층 ( 140 ) 은 상기 화소 전극 ( 117 ) 을 노출 시키 는 오픈 부 ( OP ) 와 상기 게이트 전극 ( 130 ) 을 노출 시키 는 게이트 콘 택 홀 ( 143 ) 을 갖 는 것 이 특징 이 다 .