다음 으로 , 본 발명 의 제 2 실시 형태 에 대해 설명 한다 . 제 2 실시 형태 의 열처리 장치 ( 1 ) 의 구성 은 제 1 실시 형태 와 완전히 같 다 . 또한 , 제 2 실시 형태 의 열처리 장치 ( 1 ) 에 있 어서 의 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 처리 순서 도 제 1 실시 형태 와 대체로 동일 하 다 . 단 , 제 2 실시 형태 에서 는 , 암모니아 등 의 반응 성 가스 의 분위기 중 에서 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 가열 처리 를 행하 고 있 다 . 제 2 실시 형태 가 제 1 실시 형태 와 실질 적 으로 상이 한 것 은 , 온도 측정치 의 적산 기간 과 깨 짐 검출 의 수법 이 다 .