도 4 를 참조 하 면 , 1000 도 이상 의 고온 과 수소 ( H 2 ) 및 암모니아 ( NH 3 ) 개스 분위기 에서 화학 및 열 적 으로 안정 한 후막 층 을 구성 하 는 물질 들 Mo , W , Si , GaN , SiC , AlN , TiN 등 을 우선 적 으로 선택 하 여 형성 하 고 1000 도 이상 의 고온 에서 성장 된 언 돕 드 질화알루미늄 ( undoped AlN ) 및 언 돕 드 질화 갈륨 ( undoped GaN ) 으로 구성 된 제 1 에피 택 셜 적층 구조 , 그리고 질화 갈륨 계 반도체 로 구성 된 고성능 의 전자 및 광전자 소자 용 제 2 에피 택 셜 적층 구조 를 순차 적 으로 성장 시킨 것 이 다 .