트렌치 또는 함몰 부 의 횡단면 은 반도체 층 시퀀스 의 성장 방향 에 대해 평행 한 측면 또는 성장 방향 과 45 ° 의 각 이 될 때 까지 경사진 측면 을 포함 할 수 있 다 . 이 는 , 트렌치 또는 함몰 부가 U 형 단면 또는 V 형 횡단면 을 가질 수 있 음 을 의미 할 수 있 다 . 경사진 측면 에 의해 , 반도체 층 시퀀스 내 에서 확산 되 는 비 간섭 성 제 2 전자기 복사 는 편향 되 고 예 를 들 면 상기 에 기술 된 흡수 물질 을 포함 한 층 으로 방향 전환 될 수 있 다 . 부가 적 으로 , 트렌치 또는 함몰 부 는 상기 에 기술 된 물질 중 하나 또는 초 RENS 물질 중 하나 로 적어도 부분 적 으로 코팅 되 거나 충전 될 수 있 다 .