본 발명 의 실시 예 에 의하 면 , 질화물 반도체 층 들 을 위한 성장 표면 이 GaN 계임 에 도 불구 하 고 , 대면 적 으로 형성 될 수 있 으므로 , " 복수 의 발광 셀 이 하나 의 기판 상 에 형성 되 고 그 복수 의 발광 셀 들 이 교류 전원 에 의해 동작 되 는 교류 발광 다이오드 를 제조 하 는 데 유용 하 게 이용 될 수 있 다 . 위 와 같 은 교류 발광 다이오드 에 대해서 는 국제 공개 WO 2004 / 023568 ( A 1 ) 호에 "" 발광 요소 를 갖 는 발광 장치 ( LIGTH - EMITTING DEVICE HAVING LIGHT - EMITTING ELEMENT ) "" 라는 제목 으로 사카이 등 에 ( SAKAI et . al . ) 의해 개시 된 바 있 다 . "