표 1 을 참조 하 면 , 기판 을 사용 하 지 않 고 발광 칩 만 을 구동 했 을 경우 , 발광 칩 정 션 온도 가 섭씨 150 도 가 된다 . 이러 한 발광 칩 을 종래 기술 과 같이 FR 4 기판 에 실장 할 경우 , 발광 칩 의 최고 온도 는 섭씨 138 도 가 되 며 , 본 발명 과 같이 발광 칩 을 카본 복합체 가 형성 된 FR 4 기판 에 실장 할 경우 , 발광 칩 의 최고 온도 가 섭씨 73 . 5 도 가 된다 . 따라서 , 동일 한 FR 4 기판 을 사용 했 을 때 카본 복합체 가 형성 된 본 발명 은 발광 칩 의 최고 온도 가 종래 기술 에 따른 발광 소자 보다 섭씨 64 . 5 도 가 낮 은 것 을 알 수 있 다 .