이어서 , 제 1 감광막 패턴 ( 26 ) 을 식각 마스크 로 하 여 비트 라인하드 마스크 질화 막 ( 25 ) , 텅스텐 막 ( 24 ) 및 배리어 메탈 ( 23 ) 을 1 차 식각 하 여 초기 비트 라인 패턴 ( 100 ) 을 형성 한다 . 이때 , 초기 비트 라인 패턴 ( 100 ) 의 사이즈 는 후속 최종 비트 라인 패턴 보다 2 ∼ 3 배 더 큰 사이즈 를 갖 는다 .