상기 공정 에 의해 남 아 있 는 스 페이서 패턴 ( 106 ) 들 과 마스크 패턴 ( 110 ) 은 상기 식각 대상 막 을 식각 하 기 위한 실질 적 인 식각 마스크 의 역할 을 한다 . 본 실시 예 에서 는 다 마신 방식 으로 패턴 구조물 을 형성 하 므로 , 스 페이서 패턴 들 ( 106 ) 사이 에 노출 되 어 있 는 상기 식각 대상 막 ( 102 ) 부위 에 패턴 구조물 이 형성 된다 . 즉 , 상기 제 1 내지 제 3 희생 마스크 패턴 ( 104 a ~ 104 c ) 이 제거 된 부위 와 , 상기 마스크 패턴 ( 110 ) 으로 덮혀 있 지 않 은 제 1 내지 제 3 갭 부위 ( 108 a ~ 108 c ) 에 패턴 구조물 이 형성 된다 .