도 6 b 를 참조 하 면 , 도 4 에 도시 된 ST 5 단계 는 도 6 a 에 도시 된 제 2 개 구부 ( 155 ) 를 통해 노출 된 제 1 블로킹 절 연막 ( 123 a ) , 데이터 저 장막 ( 123 b ) , 및 터널 절 연막 ( 123 c ) 을 순차 로 식각 하 여 채널 막 ( 125 ) 의 측벽 을 노출 하 는 제 3 개 구부 ( 157 A ) 를 형성 하 는 단계 를 포함 할 수 있 다 . 제 3 개 구부 ( 157 A ) 에 의해 제 1 블로킹 절 연막 ( 123 a ) , 데이터 저 장막 ( 123 b ) , 및 터널 절 연막 ( 123 c ) 을 포함 하 는 메모리 막 은 제 1 메모리 패턴 ( 123 P 1 ) 과 제 2 메모리 패턴 ( 123 P 2 ) 으로 분리 될 수 있 다 .