다음 유전체 물질 이 비트 라인 위 와 사이 에 증착 된다 . 유전체 물질 이 실리콘 산화물 , 실리콘 질화물 , 또는 실리콘 옥시 질화물 과 같 은 임의 의 알려진 전기 적 절연 물질 이 될 수 있 다 . 바람직 한 실시 예 에서 , 실리콘 산화물 이 이 유전체 물질 로 사용 된다 . 비트 라인 은 약 60 도 의 각도 로 워드 라인 과 교차 한다 . 유리 하 게 , 3 중 노출 은 더 작 은 하프 피치 를 가진 장치 가 형성 되 도록 하 고 이 는 이중 노출 된 라인 의 감소 된 계측 팩터 의 충분 한 사용 을 허용 한다 . 또한 , 6 각 형 으로 패 키 징 된 메모리 셀 은 더 작 은 다이 영역 을 필요 로 한다 . 또한 , 더 작 은 하프 피치 를 가진 장치 는 더 작 은 다이 크기 를 사용 한다 . 6 각 형 구성 에서 셀 의 어레이 를 형성 하 기 위해 3 중 노출 을 사용 하 는 것 은 어레이 패턴 이 종래 의 단일 노출 타입 포토 리소그래피 에 의해 형성 된 직사각형 어레이 구성 과 비교 하 여 1 . 73 의 팩터 로 덜 하 게 되 도록 한다 .