방법 의 예 에 는 액정 물질 을 추가 하 기 전 에 셀 갭 Δ g 을 나타내 는 간섭 패턴 을 포함 하 는 저 결맞음 간섭 신호 를 취득 하 는 과정 이 포함 될 수 있 다 . 셀 갭 ( 또는 셀 의 다른 공간 적 특성 ) 은 , 간섭 패턴 으로부터 판정 될 수 있 으며 , 구체 적 인 값 과 비교 될 수 있 다 . 구체 적 인 값 과 판정 된 셀 갭 사이 의 차이 가 허용 범위 를 초과 하 는 경우 에 , 셀 갭 Δ g 을 변경 하 기 위해 제조 조건 , 예 를 들 어 유리판 에 가해 지 는 압력 이나 진공 을 변화 시킬 수 있 다 . 이러 한 공정 은 , 원 하 는 셀 갭 을 얻 을 때 까지 반복 해서 행할 수 있 다 . 액정 물질 을 셀 에 도입 한다 . 추가 할 액정 물질 의 양 은 셀 의 측정 된 공간 적 특성 으로 부 퍼 정해질 수 있 다 . 이 에 의하 면 , 넘침 이나 부족 함 을 피할 수 있 다 . 충전 ( filling ) 공정 은 유리판 상 의 노출 된 층 의 표면 으로부터 간섭 신호 를 관측 함 으로써 모니터링 이 가능 하 다 . 셀 을 채웠 으면 , 셀 갭 Δ g ( 또는 다른 공간 적 특성 ) 을 모니터링 하 기 위한 추가 의 저 결맞음 간섭 패턴 을 얻 을 수 있 다 . 제조 조건 을 변경 해서 , 셀 갭 을 유지 하 거나 허용 범위 내 에 포함 되 도록 할 수 있 다 .