도 1 은 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 상변화 메모리 소자 를 개략 적 으로 도시 하 는 단면도 이 다 . 도 1 을 참조 하 면 , 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 상변화 메모리 소자 는 제 1 절 연막 ( 60 ) 의 개구부 ( 70 ) 내 에 제공 된 가변 저항체 ( 113 ) 와 상기 가변 저항체 ( 113 ) 의 저항 상태 를 변경 하 기 위한 신호 를 공급 하 는 제 1 도 전체 ( 95 ) 를 포함 할 수 있 다 . 가변 저항체 ( 113 ) 에 연결 되 도록 제 2 도 전체 ( 120 ) 가 제공 된다 . 제 2 도 전체 ( 120 ) 역시 제 1 도 전체 ( 95 ) 와 마찬가지 로 가변 저항체 ( 113 ) 의 저항 상태 를 변경 하 기 위한 신호 를 공급 할 수 도 있 다 . 가변 저항체 ( 113 ) 로서 예 를 들 어 상변화 물질 이 사용 될 수 있 다 . 이하 에서 는 단지 예시 적 가변 저항체 로서 상변화 물질 을 사용 하 는 실시 예 에 대해서 설명 을 한다 .