다음 공정 으로 는 도 1 ( b ) 에서 처럼 , 최초 성장 기판 인 사파이어 상층부 에 제 1 에픽 택 셜 적층 구조 와 후막 층 을 연이 어서 성장 시킨 후 에 강한 에너지원 인 KrF 및 YAG 등 의 레이저 빔 ( laser beam ) 을 사용 하 여 전기 및 열 적 으로 나쁜 전도 성 을 지닌 사파이어 기판 을 제거 ( LLO ) 하 는 것 이 다 ( 도 1 ( c ) ) .