본 발명 은 공정 챔버 내부 에 수직 및 수평 구조 의 소스 파워 를 동시 에 구성 하 여 웨이퍼 상면 의 막 질 종류 에 따라 이온 식각 과 라디칼 식각 중 어느 하나 를 선택 적 으로 사용 할 수 있 도록 함 으로써 , 웨이퍼 전체 의 식각 률 을 고르 게 할 수 있 도록 한 에 천 트 의 선택 적 인 사용 이 가능 한 고밀 도 플 라즈 마 식각 챔버 에 관한 것 이 다 .