( 1 ) 60 mM Pd ( NH 3 ) 4 Cl 2 , 40 mM NH 4 Cl 를 10 분 동안 자기 교반 하 고 ( pH = 7 ) 3 개 의 전극 전기분 해 시스템 속 에 옮긴다 ; 다공성 Si 를 연마 하 고 , 아세톤 과 에탄올 로 초음파 세정 하 고 , N 2 분위기 에서 건조 한다 . ( 2 ) 알루미나 ( AAO ) 주형 의 한 면 ( 이 면은 Au 필름 이 스퍼터 된다 ) 을 작동 전극 인 은 도전 성 접착제 를 통해 다공성 Si 와 연결 한다 . 알루미나 ( AAO ) 주형 의 다른 면 을 5 중량 % HgCl 로 식각 한 후 , 20 분 동안 5 중량 % 인산 용액 과 반응 시켜 AAO 의 장벽 을 제거 한다 ; ( 2 ) 에서 얻 은 전극 을 작동 전극 인 전기분 해 셀 ( 1 ) , 표준 전극 인 포화 칼로멜 전극 및 반대 전극 인 큰 면적 Pt 호일 에 첨가 한다 . - 1 V ( vs SCE ) 에서 120 분 동안 포 텐 시오스 탯 전기분 해 후 , 작동 전극 을 5 중량 % NaOH 용액 에서 처리 하 여 AAO 주형 을 제거 한 후 , 탈 이온 수 에 세척 하 고 진공 에서 건조 한다 . Pb 나노 와이어 의 지름 은 Pd ＠ Si 에서 100 nm 이 다 . 다공성 Si 의 PPI ( 구멍 의 수 / 인치 ) 는 150 이 며 , 공극 크기 는 300 ㎛ 이 다 .