이러 한 , 본 발명 의 또 다른 실시 예 에 따른 비휘발성 디램 소자 는 , 앞서 상술 한 다른 실시 예 와 마찬가지 로 , 전하 를 축적 하 는 다수 의 탄소 나노 튜브 가 이 산 적 으로 ( Discretely ) 터널 링 절 연막 ( 905 ) 상 에 형성 되 어 있 기 때문 에 , 메모리 소자 가 축소 됨 에 따라 터널 링 절 연막 ( 905 ) 혹은 절 연막 ( 907 ) 의 두께 의 감소 로 발생 할 수 있 는 유전체 결함 ( Dielectric Defect ) 의 손실 을 종래 의 메모리 소자 보다 더 감소 시킬 수 있 다 . 이러 한 유전체 결함 의 감소 는 , 비휘발성 디램 소자 의 크기 를 더욱 축소 시킬 수 있 다 .