이 와 같이 하 여 , 본 발명 에 따른 표면 소수 화 막 형성 재료 를 이용 하 여 , 「 배선 과 의 밀착 강도 가 높 은 표면 소수 화 막 」 을 형성 할 수 있 고 , 이것 에 의해 , 누설 전 류량 이 적 으며 , EM 내성 , TDDB 내성 이 높 은 배선 층 을 얻 을 수 있 다 . 이러 한 배선 층 을 이용 하 면 소비 전력 이 작 고 , 신뢰 성 이 높 은 반도체 장치 를 제조 할 수 있 다 . 본 발명 은 예컨대 IC , LSI 등 의 고집 적도 의 반도체 장치 에 적합 하 게 적용 할 수 있 다 .