도 3 은 평탄 화 된 기판 ( 30 ) 의 단면 TEM 이미지 를 도시 한다 . SiO 2 막 ( 301 ) 은 TaN 배리 어 층 ( 304 ) 및 W 금속 플러그 ( 302 ) 에 대하 여 SiO 2 층 ( 300 ) 상 에 선택 적 으로 퇴적 되 었 다 . SiO 2 퇴적 은 W 금속 플러그 ( 302 ) 상 에 관찰 되 지 않 았 다 . SiO 2 퇴적 은 TMA 의 6 초 노출 에 후속 하 여 TPSOL 의 60 초 노출 을 사용 하 여 수행 되 었 다 .