그리고 , 도면 에 는 도시 되 어 있 지 않 지만 , 상기 하부 기판 의 구성 을 설명 하 면 , 하부 기판 에 는 화소 영역 을 정의 하 기 위하 여 일정 한 간격 을 갖 고 일 방향 으로 복수 개 의 게이트 배선 이 배열 되 고 , 상기 게이트 배선 에 수직 한 방향 으로 일정 한 간격 을 갖 고 복수 개 의 데이터 배선 이 배열 되 며 , 상기 게이트 배선 과 데이터 배선 이 교차 하 는 각 화소 영역 에 는 화소 전극 이 형성 되 고 , 상기 각 게이트 배선 과 데이터 배선 이 교차 하 는 부분 에 박막 트랜지스터 ( TFT ) 가 형성 되 어 있 다 .