전술 한 바 와 같이 제조 된 도전 막 은 rms 1 Å 내지 200 Å , 보다 바람직 하 게 는 rms 1 Å 내지 100 Å , 더욱 바람직 하 게 는 rms 1 Å 내지 50 Å 의 표면 조도 를 가질 수 있 어 , 이 와 같 은 평탄 한 표면 을 갖 는 도전 막 을 구비 한 박막 트랜지스터 는 우수 한 전기 적 특성 을 가질 수 있 다 . 따라서 , 본 발명 을 따르 는 제 3 태양 은 , 전술 한 바 와 같 은 도전 막 제조 방법 을 이용 하 여 얻 은 도전 막 을 구비 한 박막 트랜지스터 를 제공 한다 .