일 실시 예 에서 , 메모리 스택 구조물 들 ( 55 ) 및 지지 기둥 구조물 들 ( 20 ) 각각 은 소스 층 ( 18 ) 과 수직 반도체 채널 들 ( 60 ) 사이 의 수평 계면 을 포함 하 는 수평 평면 내 에 완전히 위치 되 는 각자 의 수평 표면 을 포함 하 고 ; 메모리 스택 구조물 들 및 지지 기둥 구조물 들 은 소스 층 과 수직 반도체 채널 들 ( 60 ) 사이 의 수평 계면 을 포함 하 는 수평 평면 을 통해 연장 되 지 않 는다 .