반도체 처리 공정 은 실리콘 웨이퍼 의 표면 으로부터 폴리머 또는 금속 을 선택 적 으로 제거 하 는 단계 를 수반 한다 . 이 단계 는 다양 한 화학 물질 , 가령 , 산 ( acid ) 또는 용매 를 웨이퍼 배치 ( wafer batch ) 에 분사 함 으로써 수행 된다 . 제거 되 는 양 에 영향 을 미치 는 다수 의 요인 들 중 하나 는 스프레이 노즐 ( spray nozzle ) 을 통해 분사 되 는 액체 의 부피 및 유량 ( flow rate ) 이 다 . 현재 , 각각 의 스프레이 노즐 을 통과 하 는 흐름 을 조절 하 는 공정 은 , 내부 공간 내 의 모든 스프레이 노즐 로 흐르 는 흐름 을 한 번 에 조절 함 으로써 다량 방식 으로 수행 된다 . 개별 적 인 스프레이 노즐 은 기술 된 것 과 같이 변경 될 수 있 지만 , 이렇게 각각 의 스프레이 노즐 을 개별 적 으로 조절 하 는 것 은 시간 이 많이 소요 되 고 각각 의 스프레이 노즐 을 통과 하 는 액체 의 흐름 이 정확 하 게 조절 되 지 않 을 수 도 있 다 .