또한 , 산화물 반도체 층 ( 144 ) 을 스퍼터링 법 에 의해 형성 하 기 전 에 는 , 아르곤 가스 를 도입 하 여 플 라즈 마 를 발생 시키 는 역 스퍼터링 을 행하 여 , 형성 표면 ( 예 를 들 어 절연 층 ( 140 ) 의 표면 ) 의 부착물 을 제거 할 수 있 다 . 여기 서 , 역 스퍼터링 이 란 , 통상 의 스퍼터링 에 있 어서 는 스퍼터링 타 겟 에 이온 을 충돌 시키 는 바 를 , 반대 로 처리 표면 에 이온 을 충돌 시킴 으로써 그 의 표면 을 개질 하 는 방법 을 말 한다 . 처리 표면 에 이온 을 충돌 시키 는 방법 으로서 는 , 아르곤 분위기 하 에서 처리 표면 측 에 고주파 전압 을 인가 하 여 피 처리 물 부근 에 플 라즈 마 를 생성 시키 는 방법 등 이 있 다 . 또한 , 아르곤 분위기 대신 에 질소 , 헬륨 , 산소 등 에 의한 분위기 를 적용 할 수 있 다 .