식각 공정 은 서로 다른 물질 들 로 이루어진 적 층막 을 한 번 에 식각 하 기 위하 여 물리 적 식각 방법 ( Physical etching ) 을 사용 하 여 실시 한다 . 식각 공정 시 특히 , 제 1 도 전막 ( 32 A ) 을 식각 하 는 과정 에서 제 2 원소 즉 , 망간 에 의하 여 제 1 원소 즉 , 백금 이 패턴 ( 35 ) 의 측벽 에 재 증착 되 는 것 을 방지 할 수 있 다 . 이 는 물리 적 식각 시 망간 으로 인하 여 백금 이 탈리 되 는 것 을 억제 할 수 있 고 , 제 1 도 전막 ( 32 A ) 이 백금 막 으로 구성 되 는 경우 에 비하 여 망간 을 함유 함 에 따라 백금 성분 의 함량 이 감소 하 여 도전 성 부산물 이 생성 될 확률 을 감소 시키 기 때문 이 다 .