도 7 은 TFT 기판 ( 100 ) 에 형성 된 단자 부 의 상세도 이 다 . 도 7 의 ( a ) 는 단자 부 의 평면도 이 다 . 도 7 의 ( a ) 의 상측 이 표시 영역 이 며 , 하측 이 TFT 기판 ( 100 ) 의 단부 이 다 . 도 7 의 ( b ) 는 도 7 의 ( a ) 의 A - A 단면도 이 다 . 도 7 의 ( a ) 에서 , 배선 피치 가 작 기 때문 에 , 단자 ( 10 ) 는 지그재그 배치 로 형성 되 어 있 다 . 도 7 에서 의 횡 방향 에 대한 인접 한 것 끼리 의 단자 ( 10 ) 의 피치 x 는 36 ㎛ 이 다 . 도 7 의 ( a ) 에서 , 하층 의 단자 배선 ( 15 ) 에 는 게이트 메탈 ( 50 ) 이 사용 된다 . 게이트 메탈 ( 50 ) 은 표시 영역 에서 의 TFT 의 게이트 전극 혹은 게이트 배선 과 동일 한 층 의 금속 이 사용 되 므로 , 이 명칭 을 이용 한다 . 또한 , 주사선 도 게이트 메탈 ( 50 ) 로 형성 되 어 있 다 . 게이트 메탈 ( 50 ) 에 는 , 예 를 들 면 Mo 이 사용 된다 . 게이트 메탈 ( 50 ) 은 단자 ( 10 ) 의 부분 에서 는 , 그 전후 의 배선 부분 보다 도 폭 이 커져 있 다 . 컨 택트 홀 ( 40 ) 을 형성 하 기 위해서 이 다 . 도 7 의 ( b ) 에 도시 한 바 와 같이 , 게이트 메탈 ( 50 ) 을 덮 어 게이트 절 연막 ( 55 ) 이 형성 되 어 있 다 . 또한 그 위 에 는 , 패 시베이 션 막 ( 65 ) 이 적층 되 어 있 다 . 이 들 절연 막 은 , 게이트 메탈 ( 50 ) 을 보호 하 기 위해 이용 된다 .