다음 에 단결정 반도체 기판 ( 401 ) 과 지지 기판 ( 400 ) 을 접합 시킨다 ( 도 15 c 참조 ) . 단결정 반도체 기판 ( 401 ) 표면 에 형성 된 절 연막 ( 405 ) 과 지지 기판 ( 400 ) 의 표면 을 밀착 시킴 으로써 접합 이 형성 된다 . 이 접합 에 는 , 반 데르 발스 힘 이 작용 하 고 있 고 , 지지 기판 ( 400 ) 과 단결정 반도체 기판 ( 401 ) 을 압접 함 으로써 , Si - H , Si - OH , N - H , N - OH 결합 을 사용 한 수소 결합 에 의한 강고 한 접합 을 형성 하 는 것 이 가능 하 게 된다 .