도 1 및 도 2 를 참조 하 면 , 상기 발광 다이오드 는 기판 ( 21 ) , 반도체 적층 체 ( 30 ) , 오 믹 반사 층 ( 31 ) , 하부 절연 층 ( 33 ) , 제 1 패드 금속 층 ( 35 a ) , 제 2 패드 금속 층 ( 35 b ) , 연결부 들 ( 35 ab ) , 상부 절연 층 ( 37 ) , 제 1 범프 패드 ( 39 a ) 및 제 2 범프 패드 ( 39 b ) 를 포함 한다 . 반도체 적층 체 ( 30 ) 는 1 도전 형 반도체 층 ( 23 ) , 활성 층 ( 25 ) , 및 제 2 도전 형 반도체 층 ( 27 ) 을 포함 하 며 , 복수 의 발광 셀 들 ( C 1 ~ C 7 ) 로 분리 될 수 있 다 .