한편 , 본 발명 에서 는 상기 S 4 단계 를 거친 논 슬립 패드 ( 130 ) 의 복합 조성물 ( 131 ) 상 에 금속 산화물 을 증착 하 여 금속 산화물 층 ( 135 ) 을 형성 하 는 S 4 - 1 단계 를 더 포함 할 수 있 다 . 금속 산화물 층 ( 135 ) 은 고경 도 입자 ( 133 ) 상 에 덮히 기 때문 에 고경 도 입자 의 결합력 을 더욱 향상 시킨다 .