상기 소 결체 에 첨가 되 는 산화 티타늄 의 함량 이 0 . 01 중량 % 미만 일 경우 , 체적 저항 을 1 . 0 × 1011 내지 1 . 0 × 1014 Ω · cm 가 되 도록 제어 한다는 측면 에 있 어서 는 산화 티타늄 에 의한 질화 　 알루미늄 소 결체 의 체적 저항 증가 효과 가 미비 하 여 체적 저항 이 1 . 0 × 1011 Ω · cm 이 하로 낮 아 지 게 된다 . 또한 소 결체 의 명도 가 N 4 이하 가 되 도록 조절 한다는 측면 에 있 어서 는 산화 티타늄 에 의해 명도 가 낮 아 지 는 효과 가 미비 하 여 소 결체 의 명도 값 이 N 4 를 초과 하 게 된다 . 또한 산화 티타늄 의 함량 이 15 중량 % 를 초과 하 는 경우 , 산화 　 티타늄 의 첨가 로 인해 질화 알루미늄 소 결체 내 에 형성 된 질화 티탄 ( TiN ) 상 이 독립 적 으로 존재 하 지 않 고 서로 연결 되 어 버릴 수 도 있 다 . 일반 적 으로 질화 티 탄상 은 체적 저항 값 이 낮 은 전도체 이 므로 질화 알루미늄 소 결체 의 체적 저항 값 이 급격 하 게 낮 아 질 수 도 있 다 . 따라서 첨가 된 산화 티타늄 의 함량 은 약 0 . 01 내지 약 15 중량 % 의 범위 로 하 는 것 이 바람직 하 다 .