본 발명 의 다른 실시 예 에 따르 면 , 기판 의 상면 에 절연체 층 을 형성 하 는 단계 ; 상기 절연체 층 의 상면 에 센서 물질 층 을 형성 하 는 단계 ; 포토 리소그래피 ( photolithography ) 를 이용 하 여 상기 센서 물질 층 을 부분 적 으로 식각 하 는 단계 ; 부분 적 으로 식각 된 상기 센서 물질 층 의 상면 과 상기 절연체 의 상면 에 전극 용 메탈 층 을 형성 하 는 단계 ; 및 포토 리소그래피 ( photolithography ) 를 이용 하 여 상기 전극 용 메탈 층 을 부분 적 으로 식각 하 여 상기 센서 물질 층 을 노출 시키 는 단계 를 포함 하 는 접촉 저항 이 개선 된 가스 센서 제조 방법 을 제공 한다 .