" 메모리 트랜지스터 MTr 4 mn 에 데이터 "" 1 "" 을 기입 할 경우 ", 즉 , 메모리 트랜지스터 MTr 4 m 의 임계 치 전압 Vth 를 소거 상태 로부터 증가 시키 지 않 는 경우 ( 전하 축적 층 ( EC ) 에 전자 를 주입 하 지 않 는 경우 ) , " 비트 선 구동 회로 는 비트 선 BLn 에 구동 전압 Vdd 를 인가 한다 . 그 밖 의 구동 회로 는 데이터 "" 0 "" 의 기입 시 와 같 은 동작 을 실행 한다는 점 에 주목 하 자 . 이 비트 선 BLn 에 구동 전압 Vdd 가 인가 됨 에 의해 ", 드레 인 측 선택 게이트 트랜지스터 ( SDTrmn ) 의 게이트 전위 와 그 소스 전위 가 동 전위 가 된다 . 이런 동작 에 의해 , 드레 인 측 선택 게이트 트랜지스터 ( SDTrmn ) 가 오프 ( OFF ) 상태 가 되 고 메모리 트랜지스터 MTr 4 mn 의 채널 형성 영역 ( 바디 부 ) 과 워드 선 WLm 4 사이 의 전위차 가 감소 되 기 때문 에 , 메모리 트랜지스터 MTr 4 mn 의 전하 축적 층 ( EC ) 에 전자 가 주입 되 지 않 는다 .