또한 , In － Sn － Zn 계 산화물 반도체 막 을 스퍼터링 법 에 따라 형성 하 는 경우 , 타 겟 의 조성 비 는 , 원자 수비 로 In ： Sn ： Zn 가 , 1 ： 2 ： 2 , 2 ： 1 ： 3 , 1 ： 1 ： 1 , 또는 20 ： 45 ： 35 등 을 이용 한다 . 또한 , In － Ga － Zn 계 산화물 반도체 막 을 스퍼터링 법 에 따라 형성 하 는 경우 , 타 겟 의 조성 비 는 , 원자 수비 로 , In ： Ga ： Zn = 1 ： 1 ： 0 . 5 , In ： Ga ： Zn = 1 ： 1 ： 1 , 또는 In ： Ga ： Zn = 1 ： 1 ： 2 로 할 수 가 있 다 .