이 에 대하 여 , 특허 문헌 2 에 는 , 마스크 데이터 로부터 반도체 소자 의 특성 시 뮬 레이트 를 행하 기 위한 파라미터 를 추출 하 여 , 정확 한 3 차원 형상 을 재현 하 는 기술 , 즉 마스크 데이터 를 높이 정보 에 기초 하 여 높이 방향 으로 연장 함 으로써 , 정확 한 3 차원 형상 을 자동 생성 하 는 방법 이 개시 되 어 있 다 . 마스크 데이터 로부터 실제 의 가공 을 재현 하 는 방법 은 전술 한 3 차원 프로세스 시뮬레이션 의 산출 방법 과 마찬가지 의 과정 을 거치 게 되 어 , 마찬가지 의 문제점 을 안 게 된다 .