또 , 이 보텀 게이트 형 의 TFT 에 있 어서 는 , 반도체 층 의 채널 영역 상부 가 , SiO 2 등 으로 이루어진 층간 절 연막 에 의해 피복 됨 과 동시 에 , 층간 절 연막 의 표면 이 아크릴 수지 등 으로 이루어진 평탄 화 막 에 의해 피복 되 어 있 다 . 또 , 이 평탄 화 막 상 에 인듐 주석산 화물 ( ITO ) 에 의해 형성 된 화소 전극 이 형성 되 고 , 드레 인 전극 은 , 층간 절 연막 및 평탄 화 막 의 적층 막 에 형성 된 콘택트 홀 을 통해 화소 전극 에 접속 되 어 있 다 .