이때 , 상기 반도체 기판 은 p + 형 기판 에 p 에 피층 이 형성 된 것 으로써 , 고농도 의 p + 형 기판 상 에 저 농도 의 p 에 피층 을 사용 하 는 이유 는 첫째 , 저 농도 의 p 에 피층 이 존재 하 므로 포토다이오드 의 공핍 영역 ( Depletion region ) 을 크 고 , 깊 게 증가 시킬 수 있 어 광전 하 를 모으 기 위한 포토다이오드 의 능력 ( ability ) 을 증가 시킬 수 있 고 , 둘째 , p 에 피층 의 하부 에 고농도 의 p + 형 기판 을 갖 게 되 면 , 이웃 하 는 단위 화소 ( pixel ) 로 전하 가 확산 되 기 전 에 이 전하 가 빨리 재결합 ( Recombination ) 되 기 때문 에 광 전하 의 불 규칙 확산 ( Random Diffusion ) 을 감소 시켜 광 전하 의 전달 기능 변화 를 감소 시킬 수 있 기 때문 이 다 .