도 4 에 도시 된 첫 번 째 파형 을 참조 하 면 , BGR 회로 ( 12 ) 의 트랜지스터 ( M 0 ) 에 흐르 는 BGR 전류 ( Ibgr ) 및 이 전류 를 일정 한 비율 로 복사 한 전류 ( Irbgr ) 는 종래 발명 과 제 1 및 제 2 본 발명 에서 모두 동일 하 므로 도 1 에 도시 된 종래 발명 의 전류 ( Ibgr 및 Irbgr ) 의 파형 만 을 도시 하 였 다 . 전류 ( Irbgr ) 는 전류 ( Ibgr ) 의 일정 한 비율 예 를 들 면 , 대략 1 / 5 로 복사 된 전류 이 다 . 차 ( VDD - VCONT ) 가 커짐 에 따라 트랜지스터 ( M 0 및 M 5 ) 의 문턱 전압 ( Vth ) 인 0 . 5 V 근처 에서 전류 ( Ibgr 및 Irbgr ) 가 급격히 지수 함수 적 으로 증가 하 는 것 을 볼 수 있 다 . 차 ( VDD - VCONT ) 가 0 . 8 V 이상 에서 는 트랜지스터 ( M 0 및 M 5 ) 가 턴 - 온 ( turn - on ) 되 어 선형 에 가까운 전류 증가 를 보인다 . 일반 적 으로 모스 트랜지스터 는 턴 - 온 상태 즉 , 게이트 - 소스 간 전압 ( Vgs ) 이 문턱 전압 ( Vth ) 보다 높 은 상태 에서 , ( Vgs - Vth ) 2 에 비례 하 는 전류 를 흘리 는 것 으로 잘 알려져 있 다 . 이 파형 에서 종축 이 로그 스케일 로 도시 되 어 있 으므로 직선 구간 이 지수 함수 적 으로 증가 하 는 구간 이 고 곡선 형태 로 기울 기 가 감소 하 면서 완만 하 게 증가 하 는 구간 이 선형 에 가까운 증가 를 보이 는 구간 이 다 .