NAND 형 플 래쉬 메모리 소자 는 집적도 를 높이 기 위해 소자 의 크기 를 줄이 고 있 으며 , 이 에 따라 플로팅 게이트 의 면적 도 작아지 고 있 다 . 기존 의 플로팅 게이트 의 면적 이 큰 낮 은 집적도 의 플 래쉬 메모리 소자 에서 는 폴리 실리콘 그레인 의 개수 가 많 기 때문 에 이 들 에 의한 영향 이 평균 되 어 셀 과 셀 사이 의 문턱 전압 의 차이 를 작 게 할 수 있 었 다 . 그러나 , 최근 의 고집 적 화 된 셀 의 경우 플로팅 게이트 를 위한 폴리 실리콘 막 의 그레인 크기 는 줄어들 지 않 기 때문 에 이 에 따른 문턱 전압 의 산포 가 증가 하 고 있 다 .