상기 UV / Ozone 에 노출 시킨 PI / Al 2 O 3 / TPN 을 0 . 1 M 질산구리 ( Cu ( NO 3 ) 2 ) 용액 에 1 시간 이상 담가 주 었 다 꺼낸 다음 , 잔류 염 은 DI water 로 헹궈 제거 하 고 , 플라 즈 마 화학 기상 증착 ( PECVD ) 장비 의 챔버 안 에 위치 시켰 다 . 상기 PECVD 장비 의 히터 온도 상승 률 은 10 ℃/ min 으로 조절 하 였 고 , 동시 에 H 2 50 sccm 을 흘려 주 어 내부 의 압력 을 2 . 30 x 10 - 2 Torr 로 유지 하 였 다 . 그래핀 성장 온도 인 500 ℃ 에 도달 하 면 10 W 를 가해 플 라즈 마 분위기 를 유지 시켜 주 었 다 . 성장 이 끝난 후 에 는 냉각 속도 ( cooling rate ) 를 - 60 ℃/ min 으로 하 여 빠르 게 온도 를 낮추 었 다 . 실온 ( room temperature ) 에 도달 한 것 을 확인 한 뒤 에 샘플 을 PECVD 장비 로부터 꺼냈 다 . 이때 , 성장 된 그래핀 층 은 소스 전극 및 드레 인 전극 이 다 . 그 이후 에 유기 반도체 인 PDBT - co - TT 를 CF 에 녹여 용액 ( 7 mg / ml ) 을 만든 뒤 에 스핀 코터 장비 를 이용 하 여 스핀 코팅 하 여 유기 전계 효과 트랜지스터 를 제조 하 였 다 .