도 3 a 내지 도 3 e 와 도 4 a 및 도 4 b 에서 는 제 1 기판 ( 120 ) 에 발광 다이오드 ( D ) , 스위칭 박막 트랜지스터 ( Ts ) 및 구동 박막 트랜지스터 ( Td ) 를 형성 하 고 제 2 기판 ( 160 ) 에 파장 변환 층 ( 168 ) 을 형성 한 후 제 1 및 제 2 기판 ( 120 , 160 ) 을 합착 하 는 것 을 예 로 들 었 으나 , 다른 실시 예 에서 는 하나 의 기판 상부 에 발광 다이오드 ( D ) , 스위칭 박막 트랜지스터 ( Ts ) 및 구동 박막 트랜지스터 ( Td ) , 격벽 ( 162 ) , 파장 변환 층 ( 168 ) , 컬러 필터 층 ( 166 ) , 반사 층 ( 164 ) 을 순차 적 으로 형성 하 고 반사 층 ( 164 ) 상부 에 봉지 층 ( encapsulation layer ) 을 형성 할 수 도 있 다 .