예 를 들 어 , 하이브리드 레이저 들 또는 증폭기 들 과 같이 , 동작 시 열 을 생성 하 는 광 디바이스 들 의 경우 , 열 원 ( heat source ) 과 방열판 ( heat sink ) 간 의 열 저항 은 그 디바이스 의 활성 영역 의 실제 작용 온도 ( working temperature ) 를 나타내 기 때문 에 중요 한 디바이스 파라미터 이 다 . 통상 적 으로 SOI 상 에 구축 된 디바이스 들 의 경우 , 실리콘 기판 ( 104 ) 아래 에 방열판 이 배치 되 고 , 방열판 은 통상 적 으로 열 전기 냉각기 ( thermoelectric cooler : TEC ) 디바이스 ( 도시 되 지 않 음 ) 이 다 . 본 열 아키텍처 를 이용 하 는 소형 도파관 들 ( < 1 . 5 ㎛) 의 경우 , SiO 2 매몰 산화물 층 은 주요 한 열 저 항원 이 다 ( SiO 2 의 열 전도성 ( 1 . 1 - 1 . 4 W / m . K ) 을 실리콘 의 열 전도성 ( 130 W / m . K ) 과 비교 함 ) .