본 발명 에 따른 상변화 기억 소자 는 상기 하드 마스크 ( 114 ) 와 상변화 막 ( 122 ) 사이 에 절 연막 ( 118 ) 이 개재 된다 . 상기 절 연막 ( 118 ) 은 , 바람직 하 게 , 질화 막 으로 이 루어 지 며 , 그리고 , 상기 하드 마스크 ( 114 ) 를 포함 한 제 2 층간 절 연막 ( 116 ) 의 전체 상 에 형성 된다 .