여기 서 , 상기 박막 트랜지스터 ( TFT ) 는 다양 한 구성 이 가능 하 나 , 일예 를 들 면 상기 게이트 배선 으로부터 돌출 된 게이트 전극 과 , 전면 에 형성 된 게이트 절 연막 과 상기 게이트 전극 상측 의 게이트 절 연막 위 에 형성 된 액티브 층 과 , 상기 데이터 배선 으로부터 돌출 된 소오 스 전극 과 , 상기 소오 스 전극 에 대향 되 도록 드레 인 전극 을 구비 하 여 구성 된다 .