도 44 는 예시 적 인 반도체 디바이스 ( 300 ) 를 제조 하 기 위한 예시 적 인 방법 의 단면도 를 도시 한다 . 도 44 에 도시 된 예 에서 , 개별 반도체 디바이스 ( 300 ) 로 개별 화 ( 싱 귤 레이 션 ) 될 수 있 다 . 일부 예 들 에서 , 다이아몬드 블레이드 또는 레이저 빔 에 의해 개별 반도체 디바이스 ( 300 ) 로 싱 귤 레이 션 될 수 있 다 . 일부 예 들 에서 , 서브 스트레이트 인 캡슐 란트 ( 115 ) 의 측면 과 리드 ( 350 ) 의 측면 이 대략 동일 평면 을 이룰 수 있 다 .