스토리지 영역 ( 35 ) 에 는 게이트 라인 ( 12 ) 과 동일 층 에 공통 전극 ( 15 ) 이 배치 되 고 보호막 ( 29 ) 상 에 화소 전극 ( 31 ) 이 배치 된다 . 스토리지 영역 ( 35 ) 에서 공통 전극 ( 15 ) 과 화소 전극 ( 31 ) 사이 에 는 게이트 절 연막 ( 17 ) 과 보호막 ( 29 ) 이 위치 된다 . 따라서 , 공통 전극 ( 15 ) 과 화소 전극 ( 31 ) 사이 의 게이트 절 연막 ( 17 ) 과 보호막 ( 29 ) 에 의해 스토리지 캐 패 시 턴 스가 형성 된다 . 스토리지 캐 패 시 턴 스 는 화소 전극 ( 31 ) 으로 인가 된 데이터 전압 을 한 프레임 동안 유지 시켜 주 는 역할 을 한다 . 그러므로 , 스토리지 캐 패 시 턴 스 의 용량 은 충분히 큰 것 이 바람직 하 다 . 스토리지 캐 패 시 턴 스 의 용량 은 공통 전극 ( 15 ) 과 화소 전극 ( 31 ) 간 의 오버랩 면적 에 비례 하 고 공통 전극 ( 15 ) 과 화소 전극 ( 31 ) 간 의 거리 에 반비례 한다 . 따라서 , 공통 전극 ( 15 ) 과 화소 전극 ( 31 ) 간 의 오버랩 면적 은 커야 하 고 공통 전극 ( 15 ) 과 화소 전극 ( 31 ) 간 의 거리 는 감소 되 는 것 이 바람직 하 다 .