그런 다음 , 제 1 도 전막 ( 104 ) 사이 의 공간 이 채워 지 도록 베리 어 메탈 막 ( 114 ) 상부 에 금속 막 ( 116 ) 및 하드 마스크 막 ( 118 ) 을 형성 한다 . 이때 , 금속 막 ( 116 ) 은 텅스텐 ( W ) 막 으로 형성 한다 . 금속 막 ( 116 ) 상부 에 는 제 1 도 전막 ( 104 ) 사이 의 영역 이 개방 되 는 개구부 를 갖 는 제 2 포토레지스트 패턴 ( 120 ) 을 형성 한다 . 이때 , 개구부 의 폭 은 제 1 도 전막 ( 104 ) 사이 의 간격 과 동일 한 것 이 바람직 하 다 . 이 경우 , 도 1 a 에서 제 1 포토레지스트 패턴 ( 106 ) 을 형성 하 기 위한 노광 공정 시 사용 된 레티 클 을 이용 하 여 제 2 포토레지스트 패턴 ( 120 ) 을 형성 할 수 있 다 .