또한 , 본 실시 형태 의 미결정 반도체 막 에 는 박막 트랜지스터 의 채널 형성 영역 으로서 기능 하 는 미결정 반도체 막 에 대하 여 는 , 성막 과 동시 에 혹은 성막 후 에 , 억셉터 로서 기능 하 는 불순물 원소 를 첨가 함 으로써 , 임계 값 제어 를 할 수 있 게 된다 . 억셉터 로서 기능 하 는 불순물 원소 는 대표 적 으로 는 붕소 이 고 , B 2 H 6 , BF 3 등 의 불순물 기체 를 1 ppm 내지 1000 ppm , 바람직 하 게 는 1 ppm 내지 100 ppm 의 비율 로 실리 콘 혹은 게르마늄 을 함유 하 는 퇴적 성 기체 에 혼입 시키 면 좋 다 . 그리고 붕소 의 농도 는 , 도너 로서 기능 하 는 불순물 원소 의 10 분 의 1 정도 , 예 를 들 어 1 × 1014 atoms / cm 3 내지 6 × 1016 atoms / cm 3 로 하 면 좋 다 .