질화 막 ( 12 ) 상 의 산화 막 ( 15 ) 을 평탄 화 시킨 후 도 4 f 에 도시 된 바 와 같이 , 실리콘 기판 ( 11 ) 전면 에 걸쳐서 잔존 하 는 잔여 산화 막 ( 15 b ) 을 질화 시키 는데 , 이 때 , 플라 즈 마 질화 ( plasma nitridation ) 공정 이 적용 된다 . 잔여 산화 막 ( 15 b ) 을 질화 시키 기 위한 플 라즈 마 질화 공정 은 밀폐 된 프로세스 챔버 내부 에 실리콘 기판 ( 11 ) 을 로딩 한 다음 , 8 ∼ 12 mmTorr 압력 및 상온 에서 N 2 가스 를 350 ∼ 450 sccm 주입 하 며 , RF 전원 을 180 ∼ 220 W 인가 하 여 70 ∼ 80 sec 동안 플 라즈 마로 잔여 산화 막 ( 15 b ) 을 질화 시킨다 .