최근 의 반도체 소자 를 제조 하 는 기술 은 50 nm 이하 의 단 채널 을 가지 는 트랜지스터 를 제조 하 기 에 이르 고 있 다 . 그러나 , 소자 의 크기 가 미세 화 됨 에 따라 새로운 현상 이 수반 되 어 소자 의 동작 특성 을 오히려 악화 시키 게 된다 . 특히 , 100 nm 이하 의 채널 길이 를 가지 는 트랜지스터 에서 는 단 채널 효과 에 의한 누설 전류 가 매우 커 지 며 , 이 에 대한 적절 한 제어 가 매우 중요 하 다 . 이러 한 문제점 들 을 극복 하 게 위한 다양 한 연구 가 진행 되 고 있 으며 , 새로운 대안 으로서 소오 스 와 드레 인 을 금속 또는 실리사이드 로 대체 하 는 쇼트 키 모스 트랜지스터 ( Schottky MOSFET ) 를 채널 길 이 35 nm 이하 로 줄일 수 있 는 가능 성 이 논의 되 고 있 다 . 기존 의 이온 확산 에 의한 소오 스 - 드레 인 확장 영역 ( SDE : Source Drain Extension ) 을 포함 한 소스 드레 인 의 기생 저항 성분 은 접합 깊이 가 축소 될수록 증가 하 여 1 E 19 / cm 3 의 도핑 농도 와 10 nm 깊이 를 가정 할 경우 면저항 값 이 500 Ohm / sq . 를 상회 하 게 된다 .