피 성막 기판 지지 기구 ( 805 ) 를 이 동시 켜 서 , 증착 용 기판 ( 807 ) 과 피 성막 기판 ( 809 ) 을 가깝 게 해서 거리 d 로 한다 . 이 때 , 거리 d 는 , 증착 용 기판 ( 807 ) 에 형성 된 재료 층 ( 808 ) 의 표면 과 , 피 성막 기판 ( 809 ) 의 표면 과 의 거리 로 정의 한다 . 또한 피 성막 기판 ( 809 ) 위 에 어떠 한 층 ( 예 를 들 면 전극 으로서 기능 하 는 도전 층 이나 분리 벽 으로서 기능 하 는 절연물 등 ) 이 형성 되 어 있 을 경우 , 거리 d 는 , 증착 용 기판 ( 807 ) 의 재료 층 ( 808 ) 의 표면 과 , 피 성막 기판 ( 809 ) 위 에 형성 된 층 의 표면 과 의 거리 로 정의 한다 . 다만 , 증착 용 기판 ( 807 ) 상 의 재료 층 ( 808 ) 의 표면 이나 , 피 성막 기판 ( 809 ) 또는 피 성막 기판 ( 809 ) 위 에 형성 된 층 의 표면 이 요철 을 가질 경우 에 있 어서 의 거리 d 는 , 증착 용 기판 ( 807 ) 위 의 재료 층 ( 808 ) 의 표면 과 , 피 성막 기판 ( 809 ) 또는 피 성막 기판 ( 809 ) 위 에 형성 된 층 의 최 표면 과 의 사이 의 가장 짧 은 거리 로 정의 하 는 것 으로 한다 . 이 때 , 거리 d 는 , 구체 적 으로 는 , 0 mm 이상 2 mm 이하 로 하 고 , 바람직 하 게 는 0 mm 이상 0 . 05 mm 이하 , 더 바람직 하 게 는 0 mm 이상 0 . 003 mm 이하 로 한다 .