이 에 따라 본 발명 의 실시 예 에서 는 포토 마스크 ( 400 ) 의 투광 영역 ( 410 ) 을 ' I ' 형상 으로 형성 하 면서 , 이 와 함께 다이폴 조명계 를 이용 한 포토 공정 을 진행 하 여 인접 하 는 투광 영역 사이 의 임계 치수 ( b ) 를 보다 큰 값 의 임계 치수 를 확보 할 수 있 다 . 이 에 따라 이후 식각 공정 에서 포토레지스트 막 패턴 에 브릿지 성 결함 이 발생 하 는 것 을 방지 할 수 있 다 .