반도체 제조 공정 의 패 터닝 공정 은 포토 리소그래피 ( photolithography ) 공정 과 에칭 ( etching ) 공정 에 의해 진행 된다 . 각 단위 공정 이 진행 됨 에 따라 마스크 레이아웃 ( Mask Layout ) 과 실제 웨이퍼 상 에 형성 되 는 회로 패턴 간 의 격차 가 생기 는 데 , 이때 포토 리소그래피 공정 요인 에 의한 것 은 주로 광 근접 효과 때문 이 고 , 에칭 공정 요인 에 의한 것 은 주로 로딩 ( loading ) 때문 이 다 .