MRAM ( magnetoresistive random access memory ) 스택 을 포함 하 는 기판 을 프로세싱 하 기 위한 방법 은 MRAM 스택 을 포함 하 는 기판 을 제공 하 는 단계 , 및 MRAM 스택 의 표면 상 에 제 1 마스크 층 을 생성 하 는 단계 를 포함 한다 . 제 1 마스크 층 은 MRAM 스택 의 표면 에 걸쳐 제 1 방향 으로 연장 하 는 제 1 복수 의 이격 된 마스크 라인 들 및 제 1 복수 의 이격 된 마스크 라인 들 사이 에 위치 된 제 1 공간 들 을 포함 하 는 제 1 마스크 패턴 을 규정 한다 . 방법 은 제 1 공간 들 아래 에 위치 된 MRAM 스택 의 재료 를 제거 하 기 위해 제 1 복수 의 이격 된 마스크 라인 들 사이 에 위치 된 제 1 공간 들 에서 제 1 방향 으로 이온 빔 에칭 을 수행 하 는 단계 를 더 포함 한다 .