또한 박막 제조 예 2 에서 성장 시킨 CIGS 박막 의 In 과 Ga 의 조성 비 를 XRF 로 분석 한 결과 [ Ga ] / [ In + Ga ] 가 0 . 35 이 었 다 . Ⅲ 족 금속 원소 의 조성 비 [ Ga ] / [ In + Ga ] 의 값 이 증가 함 에 따라 XRD 의 ( 112 ) 봉우리 위치 2 θ 가 큰 각도 로 이동 하 는데 , 이것 은 Ga 원자가 In 원자 에 비하 여 원자 크기 가 작 아 In 대신 에 Ga 이 대치 되 어 들어가 는 비율 이 증가 함 에 따라 격자 상수 가 감소 함 에 따른 결과 이 다 . [ Ga ] / [ In + Ga ] 의 조성 비 가 증가 함 에 따라 격자 상수 2 a 와 c 는 선형 적 으로 감소 하 는 것 으로 알려져 있 다 . 또한 , 성장 된 CuIn 0 . 65 Ga 0 . 35 Se 2 박막 의 격자 상수 는 a = 5 . 612 Å , c = 10 . 953 Å 으로 , 이로 부터 유추 되 는 [ Ga ] / [ In + Ga ] 의 조성 비 도 0 . 32 이 며 XRF 의 결과 와 오 차 범위 내 에서 잘 일치 한다 . CuIn 0 . 65 Ga 0 . 35 Se 2 박막 의 XRD 회절 무늬 에서 , 2 θ = 27 . 05 o , 36 . 07 o 에 나타난 봉우리 는 각각 ( 112 ) , ( 211 ) 면 에 해당 하 는 봉우리 이 고 , 44 . 97 o 의 봉우리 는 ( 220 / 204 ) 면 에 해당 하 는 봉우리 이 다 . 모든 XRD 무늬 에서 관측 되 는 44 . 49 o 에 위치 한 봉우리 는 Mo 기판 에 의한 것 이 다 .