도 7 a 및 도 7 b 를 참조 하 면 게이트 도전 패턴 군 을 덮 는 제 2 절 연막 ( 35 ) 이 형성 된 후 , 제 3 마스크 공정 으로 활성 층 ( 46 ) 과 오 믹 접촉 층 ( 47 ) 을 포함 하 는 반도체 패턴 ( 48 ) , 및 데이터 라인 ( DL ) , 데이터 라인 ( DL ) 에 연결 된 소스 전극 ( 39 ) 과 , 소스 전극 ( 39 ) 과 분리 된 드레 인 전극 ( 40 ) 을 포함 하 는 소스 / 드레 인 도전 패턴 군 이 형성 된다 . 제 2 절 연막 ( 35 ) 으로 는 주로 SiOx , SiNx 등 과 같 은 무기 절연 물질 이 이용 된다 . 활성 층 ( 46 ) 으로 는 비정질 실리콘 이 이용 되 고 , 오 믹 접촉 층 ( 47 ) 으로 는 불순물 ( n + 또는 p +) 이 도핑 된 비정질 실리콘 이 이용 된다 . 소스 / 드레 인 금속 으로 는 Mo , Ti , Cu , AlNd , Al , Cr , Mo 합금 , Cu 합금 , Al 합금 등 과 같이 금속 물질 이 단일 층 또는 이중층 이상 으로 적층 되 어 이용 된다 . 제 3 마스크 공정 은 하프 톤 마스크 또는 회절 노광 마스크 를 이용 함 으로써 하나 의 마스크 공정 으로 반도체 패턴 ( 48 ) 및 소스 / 드레 인 도전 패턴 군 을 형성 할 수 있 다 .