전술 한 바 와 같이 , 저항 변화 메모리 소자 ( MC ) 가 전이 금속 산화물 내 의 산소 이동 에 인하 여 발생 한 분극 방향 에 따른 에너지 장벽 의 변화 특성 및 전이 금속 산화물 내 의 산소 농도 에 따라 저항 값 을 변화 시키 는 특성 을 가짐 으로써 , 셀 선택 트랜지스터 가 없 는 모트 전이 ( mott transition ) 에서 읽 기 과정 시 발생 하 는 간섭 현상 과 쓰 기 과정 에서 발생 하 는 전압 강하 문제 를 해결 하 고 , 이 와 동시 에 종래 ReRAM 의 포 밍 과정 ( forming process ) 없이 저 전력 동작 이 가능 하 다 .