먼저 , 도 2 에 도시 된 바 와 같이 , 상기 하부 전극 ( 211 , 213 , 215 ) 상 에 보조 정공 주입 층 ( 222 a ) 과 정공 주입 층 ( 224 ) 을 형성 한다 . 상기 정공 주입 층 ( 224 ) 은 상기 R , G , B 화소 의 발광 층 ( 241 , 243 , 245 ) 으로 의 정공 의 주입 을 용이 하 게 하 는 층 으로서 , CuPc ( cupper phthalocyanine ) , TNATA , TCTA , TDAPB , TDATA 와 같 은 저 분자 재료 또는 PANI ( polyaniline ) , PEDOT ( poly ( 3 , 4 ) - ethylenedioxythiophene ) 와 같 은 고분자 재료 를 사용 하 여 형성 할 수 있 다 . 또한 , 상기 보조 정공 주입 층 ( 222 a ) 은 R 화소 영역 ( Ⅰ ) 의 하부 전극 ( 211 ) 상 에 상기 정공 주입 층 ( 224 ) 과 동일 한 물질 로 형성 하 는데 , 상기 보조 정공 주입 층 ( 222 a ) 은 R 화소 의 발광 층 ( 241 ) 으로부터 발생 하 는 파장 인 레드 ( R ) 광 의 최적 화 된 광 경로 를 만족 시키 기 위하 여 150 내지 250 Å 두께 로 형성 한다 .