먼저 상기 2 단계 의 채널 이온 주입 중 , 1 차 채널 이온 주입 으로서 돌출 된 활성 영역 ( 200 ) 의 측면 에 주로 채널 이온 이 주입 되 도록 한다 . 이 를 위하 여 , BF 2 이온 을 대략 40 - 80 eV 의 주입 에너지 와 , 대략 1 × 1012 - 5 × 1013 atoms / ㎠ 의 도즈 ( dose ) 만큼 주입 하 되 , 도 13 에서 화살표 로 나타낸 바 와 같이 , 대략 20 - 40 ° 의 각도 로 기울인 틸 트 ( tilt ) 이온 주입 방법 을 사용 한다 . 그리고 돌출 된 활성 영역 ( 200 ) 의 양 측면 과 상하 측면 에 균일 하 게 이온 주입 하 기 위하 여 , 반도체 기판 ( 100 ) 을 90 ° 회전 을 4 회 실시 하 면서 상기 틸 트 이온 주입 을 수행 한다 . 경우 에 따라서 는 1 회 회전 되 는 각도 를 90 ° 보다 줄이 고 회전수 를 늘릴 수 도 있 다 .