도 7 을 참조 하 면 , 본 명세서 의 다른 실시 예 에 따른 표시 장치 ( 100 ) 은 기판 ( 110 ) , 제 1 버퍼 층 ( 111 ) , 제 1 게이트 절연 층 ( 112 ) , 제 1 층간 절연 층 ( 113 ) , 제 2 버퍼 층 ( 114 ) , 제 2 게이트 절연 층 ( 115 ) , 제 2 층간 절연 층 ( 116 ) , 제 1 평탄 화 층 ( 117 ) , 보조 전극 ( 160 ) , 제 2 평탄 화 층 ( 118 ) , 제 1 전극 ( 170 ) , 뱅크 ( 180 ) , 스 페이서 ( 190 ) , 발광 구조물 ( 200 ) , 제 2 전극 ( 210 ) , 봉지 부 ( 220 ) , 스토리지 커패시터 ( 140 ) , 연결 전극 ( 150 ) , 제 1 박막 트랜지스터 ( 310 ) , 제 2 박막 트랜지스터 ( 320 ) , 및 제 3 박막 트랜지스터 ( 330 ) 을 포함 할 수 있 다 . 그리고 , 제 1 박막 트랜지스터 ( 310 ) 의 제 1 액티브 층 ( 311 ) 및 제 2 박막 트랜지스터 ( 320 ) 의 제 2 액티브 층 ( 321 ) 은 폴리 실리콘 물질 로 이루어질 수 있 으며 , 제 3 박막 트랜지스터 ( 330 ) 의 제 3 액티브 층 ( 331 ) 은 산화물 반도체 로 이루어질 수 있 다 . 그리고 , 제 1 박막 트랜지스터 ( 310 ) 및 제 3 박막 트랜지스터 ( 330 ) 은 스위칭 박막 트랜지스터 로 사용 되 며 , 제 2 박막 트랜지스터 ( 320 ) 는 제 1 전극 ( 170 ) 과 연결 되 어 구동 박막 트랜지스터 로 사용 될 수 있 다 .