비 메모리 소자 의 상기 제 1 소오 스 영역 ( 26 a ) 과 제 1 드레 인 영역 ( 26 b ) 은 상기 일반 게이트 ( 23 b ) 와 제 1 스 페이서 ( 24 b ) 를 마스크 로 하 여 이온 주입 하 여 형성 되 고 , 메모리 소자 의 상기 제 2 소오 스 영역 ( 25 a ) 과 제 2 드레 인 영역 ( 25 b ) 은 상기 플로팅 게이트 ( 23 a ) 와 제 2 스 페이서 ( 24 a ) 를 마스크 로 하 여 이온 주입 하 여 형성 될 수 있 다 .