상기 반도체 층 들 ( 53 , 55 , 57 ) 은 MOCVD 또는 MBE 기술 을 사용 하 여 성장 될 수 있 으며 , 사진 및 식각 공정 을 사용 하 여 상기 하부 콘 택 층 ( 53 ) 의 영역 이 노출 되 도록 패 터닝 되 어 메사 구조 ( M ) 가 형성 될 수 있 다 . 이때 , 포토레지스트 의 리플 로우 공정 을 사용 하 여 상기 메사 구조 ( M ) 의 측면 을 경사면 으로 형성 할 수 있 다 . 상기 메사 구조 ( M ) 의 측면 은 단일 의 기울기 를 갖 는 경사면 일 수 있 으나 , 이 에 한정 되 는 것 은 아니 며 , 굴곡진 경사 면 또는 기울기 가 변하 는 이중 경사면 일 수 있 다 . 상기 투명 전극 층 ( 59 ) 은 상부 콘 택 층 ( 57 ) 에 오 믹 접촉 하 며 , ITO 또는 Ni / Au 로 형성 될 수 있 다 . 투명 전극 층 ( 59 ) 은 상부 콘 택 층 에 비해 비저항 이 낮 아 전류 를 분산 시키 는 역할 을 한다 .