도 1 을 참조 하 면 , 비휘발성 메모리 장치 ( 1 ) 는 기판 ( 101 ) , 게이트 유전 층 구조물 ( 110 ) , 강유 전 층 ( 120 ) 및 게이트 전극 층 ( 130 ) 을 포함 한다 . 게이트 유전 층 구조물 ( 110 ) 은 전하 터널 링 층 ( 112 ) , 전하 트랩 층 ( 114 ) 및 전하 장벽층 ( 116 ) 을 포함 한다 . 또한 , 기판 ( 101 ) 는 게이트 유전 층 구조물 ( 110 ) 의 하부 에 위치 하 는 채널 층 ( 102 ) 및 채널 층 ( 102 ) 의 서로 다른 단부 에 위치 하 는 기판 ( 101 ) 의 영역 에 각각 위치 하 는 소스 영역 ( 105 ) 및 드레 인 영역 ( 106 ) 을 포함 한다 . 일 실시 예 로서 , 비휘발성 메모리 장치 ( 1 ) 는 전계 효과 트랜지스터 형태 의 플래시 메모리 장치 일 수 있 다 .