1 / 4 도 변화 는 작 지만 , 초래 된 크로마 틱 변동 은 수십 내지 수백 옹스트롬 의 두께 결정 오류 를 제공 할 수 있 다 . 이 는 도 1 a - 1 b 의 우측 하위 도표 와 도 2 의 도표 에 도시 된 것 과 같 은 , 예 를 들 어 , SiO 2 막 의 이론 적 인 굴곡 들 을 비교 함 으로써 이해 될 수 있 다 . 이 SiO 2 막 에 대하 여 , 4 % 크로마 틱 변동 은 ~ 35 옹스트롬 의 막 두께 결정 오류 를 초래 할 수 있 다 . 3 D NAND 메모리 와 같 은 반도체 제품 에 대하 여 , 이 오류 는 작동 제품 과 비 - 작동 제품 간 의 차이 일 수 있 다 .