상기 와 같이 비트 라인 들 ( BL 1 - BL 4 ) 및 워드 라인 ( WL ) 에 바이어스 전압 이 입력 되 면 , 상대 적 으로 큰 전압 이 입력 되 는 선택 메모리 셀 에 만 전류 가 흐를 수 있 다 . 리드 아웃 회로 ( 330 ) 는 선택 메모리 셀 에 흐르 는 전류 에 대응 하 는 읽 기 전압 을 검출 하 여 기준 전압 과 비교 함 으로써 , 선택 메모리 셀 의 상태 를 셋 또는 리셋 상태 로 판단 할 수 있 다 . 일례 로 선택 메모리 셀 에 흐르 는 전류 에 의해 제 1 디코더 회로 ( 310 ) 또는 리드 아웃 회로 ( 330 ) 에 포함 된 커패시터 가 충전 될 수 있 으며 , 리드 아웃 회로 ( 330 ) 는 커패시터 의 전압 을 기준 전압 과 비교 하 여 선택 메모리 셀 의 데이터 를 판단 할 수 있 다 .