종래 부터 , ArF 엑 시머 레이저 에 의한 반도체 제조 에 있 어서 의 포토레지스트 에 는 , 기판 밀착 성 을 높이 는 목적 에서 각종 고리 형 락톤 을 갖 는 중합 성 화합물 을 공중합 한 폴리머 가 사용 되 어 왔 다 . 이러 한 가운데 , 호모 아 다만 탄 골격 을 갖 는 락톤 으로서 1 -( 5 - 옥소 - 4 - 옥사 - 5 - 호모 아 다만 틸 ) 메타크릴 레이트 가 제안 되 고 , 단파 장광 에 대한 높 은 투명 성 , 높 은 드라이 에칭 내성 을 구비 하 고 , 또한 알칼리 현상 할 수 있 으며 , 밀착 성 , 해상 성 이 양호 한 레지스 트 패턴 을 형성 할 수 있 는 감광성 조성물 및 패턴 형성 방법 이 제공 되 고 있 다 ( 예 를 들 어 , 특허 문헌 2 ) . 그러나 , 이 호모 아 다만 틸 메타크릴 레이트 화합물 을 포함 하 여 종래 의 각종 고리 형 락톤 을 가진 중합 성 화합물 에 는 산분 해성 이 없 기 때문 에 , 단독 으로 는 포지티브 형 포토레지스트 로서 기능 하 지 않 는다 . 따라서 , 반드시 tert - 부틸 메타크릴 레이트 나 2 - 메틸 - 2 - 아 다만 틸 메타크릴 레이트 등 의 산분 해성 모노머 와 의 공중합 이 필요 로 되 고 있 었 다 .