도 19 c 및 도 20 을 참조 하 면 , 도핑 된 반도체 재료 층 ( 18 L ) 은 수직 반도체 채널 들 ( 60 ) 의 물리 적 으로 노출 된 표면 들 , 절연 층 들 ( 32 ) 중 물리 적 으로 노출 된 절연 층 의 평탄 한 표면 상 에 , 그리고 단차 형 유전체 재료 부분 ( 65 ) 의 물리 적 으로 노출 된 평탄 한 표면 상 에 퇴적 될 수 있 다 . 도핑 된 반도체 재료 층 ( 18 L ) 은 제 2 전도성 유형 의 도핑 , 즉 제 1 전도성 유형 의 반대 를 갖 는 전도성 반도체 재료 ( 즉 , 고농도 로 도핑 된 반도체 재료 ) 를 포함 할 수 있 다 . 따라서 , 도핑 된 반도체 재료 층 ( 18 L ) 은 1 . 0 x 105 S / cm 초과 인 전도도 를 갖 는 도핑 된 반도체 재료 를 포함 할 수 있 다 . 도핑 된 반도체 재료 층 ( 18 L ) 의 두께 는 100 nm 내지 1 , 000 nm 범위 에 있 을 수 있 지만 , 더 작 거나 더 큰 두께 도 또한 사용 될 수 있 다 . 도핑 된 반도체 재료 층 ( 18 L ) 의 수직 돌출 부분 들 ( 18 P ) 은 수직 반도체 채널 들 ( 60 ) 의 환형 상부 표면 들 을 포함 하 는 수평 평면 을 가로질러 유전체 코어 들 ( 62 ) 중 각자 의 하나 를 향해 수직 으로 돌출 되 고 , 유전체 코어 들 ( 62 ) 중 각자 의 하나 와 접촉 한다 .