상기 실시 예 89 ∼ 99 , 및 비 교예 15 ∼ 21 에서 얻 어 진 네거티브 형 감광성 수지 조성물 을 사용 하 여 , 6 인치 실리콘 웨이퍼 상 에 스핀 코트 하 고 그리고 핫 플레이트 상 에서 110 ℃ 에서 3 분 간 베이 킹 하 여 두께 약 15 ㎛ 의 필름 을 얻 었 다 . 이 필름 에 i 선 스 테퍼 노광기 ( 니콘 사 제조 , NSR 2005 i 8 A ) 에 의해 레티 클 을 통해 노광량 을 단계 적 으로 변화 시켜 노광 하 였 다 . 노광 된 웨이퍼 를 120 ℃ 에서 3 분 간 노광 후 베이 킹 하고 , 2 . 38 % 의 TMAH 수용액 ( 클라 리언 트 쟈 판사 제조 AZ 300 MIF ) 을 사용 하 여 현상 하 고 , 이어서 탈 이 온수 로 린스 하 여 릴리프 패턴 을 얻 었 다 . 이 릴리프 패턴 을 현미경 하 에서 관찰 하 고 , 노광 영역 에서 의 필름 두께 의 약 90 % 가 유지 된 부분 의 노광량 을 감도 로 하 고 ( 최소 노광량 으로 한다 ) , 미노 광부 의 정사각형 릴리프 패턴 이 완전 하 게 용해 제거 된 비아 사이즈 를 해상도 로 정의 하 였 다 . 결과 를 이하 의 표 13 에 나타낸다 . 또 , 초기 막 두께 를 15 ㎛ 에서 0 . 5 ㎛ 씩 두껍 게 한 실리콘 웨이퍼 를 제조 하 고 , 초기 막 두께 가 15 ㎛ 일 때 에 구한 최소 노광량 및 현상 시간 을 고정 시키 고 , 그래피 평가 를 실시 했 을 경우 에 , 현상 할 수 있 는 막 두께 마진 을 구하 였 다 . 결과 를 표 13 에 기재 한다 . 실시 예 89 ∼ 99 는 비 교예 15 ∼ 21 과 비교 하 여 고감도 로 , 막 두께 마진 이 넓 고 , 할로겐 원자 를 함유 하 지 않 는 점 에서 우수 하 다 .