상기 제 1 도전 형 질화물 반도체 층 은 n 형 이 고 , 상기 제 1 도전 형 질화물 반도체 층 은 p 형 이 며 , 상기 제 1 도전 형 질화물 반도체 층 은 , 도핑 된 n 형 질화물 반도체 층 과 n + 형 질화물 반도체 층 이 적층 되 어 이루어지 고 , 상기 제 2 도전 형 질화물 반도체 층 은 , 전자 차단 층 ( Electron Blocking Layer ) 을 포함 하 고 있 다 .