예 를 들 어 , 도전 패턴 들 ( CP 1 내지 CPn ) 중 소스 구조 ( SL ) 에 가깝 게 배치 된 제 1 도전 패턴 ( CP 1 ) 은 소스 셀렉 트 라인 으로 이용 될 수 있 다 . 도전 패턴 들 ( CP 1 내지 CPn ) 중 소스 구조 ( SL ) 로부터 가장 멀리 배치 된 제 n 도전 패턴 ( CPn ) 은 드레 인 셀렉 트 라인 으로 이용 될 수 있 다 . 본 발명 의 실시 예 는 이 에 제한 되 지 않 는다 . 예 를 들 어 , 제 1 도전 패턴 ( CP 1 ) 과 제 n 도전 패턴 ( CPn ) 사이 의 제 2 도전 패턴 ( CP 2 ) 내지 제 n - 1 도전 패턴 ( CPn - 1 ) 중 제 1 도전 패턴 ( CP 1 ) 에 인접 하 여 연이 어 적층 된 1 이상 의 도전 패턴 들 각각 이 다른 소스 셀렉 트 라인 으로 이용 될 수 있 다 . 또한 , 제 2 도전 패턴 ( CP 2 ) 내지 제 n - 1 도전 패턴 ( CPn - 1 ) 중 제 n 도전 패턴 ( CPn ) 에 인접 하 여 연이 어 적층 된 1 이상 의 도전 패턴 들 각각 이 다른 드레 인 셀렉 트 라인 으로 이용 될 수 있 다 . 제 2 슬릿 ( SI 2 ) 및 분리 절 연막 ( SIL ) 은 드레 인 셀렉 트 라인 들 로 이용 되 는 도전 패턴 들 ( 예 를 들 어 , CPn 및 CPn - 1 ) 을 개별 제어 가 가능 한 제 1 그룹 의 드레 인 셀렉 트 라인 및 제 2 그룹 의 드레 인 셀렉 트 라인 으로 분리 할 수 있 다 .