도 2 e 를 참조 하 면 , 식각 마스크 를 사용 하 지 않 고 상기 결과물 을 셀 영역 ( C ) 에서 는 절연 산화 막 ( 126 ) 이 노출 할 때 까지 , 주변 회로 부 영역 ( N , P ) 에서 는 게이트 층 ( 114 ) 이 노출 할 때 까지 , 전면 식각 ( blanket etching ) 하 여 주변 회로 부 영역 ( N , P ) 의 게이트 측벽 에 질화 막 스 페이서 ( 124 ) 를 형성 한다 .