이상 의 제 1 실시 형태 에 따른 기판 처리 장치 ( 1 ) 에 의하 면 , 도 2 에 나타내 는 바 와 같이 , 하부 전극 ( 18 ) 과 상부 전극 ( 30 ) 사이 의 공간 에서 생성 된 라디칼 이 제 1 접합 층 ( 23 ) 및 제 2 접합 층 ( 24 ) 에 도달 하 는 것 을 시일 부재 ( 26 ) 에 의해 억제 할 수 있 다 . 이 로써 제 1 접합 층 ( 23 ) 및 제 2 접합 층 ( 24 ) 이 라디칼 에 의해 열화 되 는 것 을 억제 할 수 있 다 . 그러므로 , 제 1 정전 척 ( 21 ) 및 제 2 정전 척 ( 22 ) 이 하부 전극 ( 18 ) 으로부터 박리 되 는 것 을 억제 할 수 있 다 .