도 8 을 참조 하 면 , 상기 홀 ( 214 ) 을 매립 하 면서 상기 제 1 상변화 층 스 페이서 ( 212 a ) , 제 2 상변화 층 스 페이서 ( 212 b ) , 제 1 발열 전극 ( 206 a ) 및 제 2 발열 전극 ( 206 b ) 상 에 제 2 절연 물질 층 ( 216 ) 을 형성 한다 . 상기 제 2 절연 물질 층 ( 216 ) 은 실리콘 산화 막 이나 실리콘 질화 막 등 의 절연 특성 을 갖 는 막 질 로 형성 한다 .