이러 한 구성 의 후면 전극 ( 116 ) 및 후면 전계 부 ( 118 ') 는 보호막 ( 119 ) 위 에 후면 전극 용 도전 층 ( 116 ') 을 형성 한 후 , 일정 한 영역 에 레이저 빔 을 조사 하 여 후면 전극 용 도전 층 ( 116 '), 보호막 ( 119 ) 및 기판 ( 111 ) 이 서로 혼합 된 부분 ( molten mixture ) 을 형성 하 고 , 기판 ( 111 ) 을 약 750 ℃ 내지 약 800 ℃ 의 온도 에서 소성 ( firing ) 하 는 것 에 따라 형성 할 수 있 다 .