그리고 원 하 는 위치 에 , 레이저 를 사용 하 여 직경 100 ㎛ 의 비 아홀 을 형성 하 였 다 . 그리고 , 도전 성 페이스트 조성물 을 , 이 비 아홀 에 스크린 인쇄 에 의해 충전 하 였 다 . 충전 후 125 ℃, 45 분 간 가열 하 여 , 용제 를 휘발 시켜 도전 성 페이스트 를 건조 고화 시켰 다 . 이상 의 방법 에 의해 절연 기재 ( 50 D ) 를 제조 하 였 다 . 그 후 , 12 ㎛ 의 동박 을 양면 에 230 ℃, 5 ㎫, 30 분 의 조건 에서 적층 시키 고 , 포토 리소그래프 법 에 의해 동박 에 도체 패턴 ( 20 ) 을 형성 하 여 배선 기판 ( 100 D ) 으로 하 였 다 . 또한 , 상기 한 도전 성 페이스트 조성물 로 는 , 실시 예 1 과 동일 한 것 을 사용 하 였 다 .