즉 , 도 6 에 나타낸 바 와 같이 , 반도체 장치 ( 70 ) 가 응력 경감 부 ( 9 ) 를 구비 하 고 있 음 으로써 , 수지 봉지 시 의 적층 구조 의 파손 ( 반도체 칩 ( 3 ) 의 깨 짐 ) 을 억제 하 고 , 또한 최 상부 의 부재 ( 여기 서 는 , 배선 층 ( 41 ) ) 를 노출 시킨 반도체 장치 ( 70 ) 의 생산 수율 을 향상 시킬 수 있 다 . 또한 , 본 실시 형태 의 반도체 장치 ( 70 ) 를 채용 함 으로써 , 다층 구조 를 갖 는 반도체 장치 를 제공 할 수 있 다 .