본 발명 은 극 자외선 리소그래피 , EUVL 장치 ( 20 ) 에 관한 것 으로서 , EUVL 장치 ( 20 ) 는 , 타 겟 웨이퍼 ( 250 ) 에 이미 징 될 리소그래피 패턴 을 포함 하 는 레티 클 ( 220 ) ; 상기 레티 클 ( 220 ) 의 전방 에 평행 하 게 장착 되 는 광 - 투과성 펠리 클 멤 브레인 ( 232 ) - 상기 펠리 클 멤 브레인 ( 232 ) 은 선택 적 산란 축 ( 214 ) 을 따라 투과 된 광 을 산란 함 -; 및 상기 펠리 클 멤 브레인 ( 232 ) 을 통해 상기 레티 클 ( 220 ) 을 비추 도록 되 는 극 자외선 EUV 조명 시스템 ( 210 ) - 상기 EUV 조명 시스템 ( 210 ) 에 의해 제공 되 는 조명 분포 ( 212 ) 는 상기 EUV 조명 시스템 ( 210 ) 의 소스 - 동공 평면 에서 볼 때 비대칭 적 임 -; 을 포함 하 고 , 상기 레티 클 ( 220 ) 에 의해 반사 되 고 상기 펠리 클 멤 브레인 ( 232 ) 을 통해 투과 된 광은 , 상기 펠리 클 멤 브레인 ( 232 ) 에 의해 산란 된 광 에 의해 형성 되 는 산란 분획 및 비 - 산란 분획 을 포함 하 고 ; 상기 EUVL 장치 ( 20 ) 는 , 상기 레티 클 ( 220 ) 에 의해 반사 된 후 상기 펠리 클 멤 브레인 ( 232 ) 을 통해 투과 되 는 광 의 일부 를 캡 처하 도록 되 는 수용 콘 ( 260 ) 을 구비 하 는 이미 징 시스템 ( 240 ) - 상기 이미 징 시스템 ( 240 ) 은 캡 처 된 부분 을 상기 타 겟 웨이퍼 ( 250 ) 에 투영 하 도록 됨 -; 을 더 포함 하 고 , 상기 선택 적 산란 축 ( 214 ) 은 상기 조명 분포 ( 212 ) 에 대하 여 배향 되 어 , 상기 캡 처 된 부분 의 산란 분획 이 상기 선택 적 산란 축 ( 214 ) 의 적어도 하나 의 다른 배향 에 비해 감소 된다 .