상술 한 본 발명 의 다른 과제 를 달성 하 기 위하 여 , 예시 적 인 실시 예 들 에 따른 수직 형 메모리 장치 의 제조 방법 에서 , 기판 상 에 절 연막 및 제 1 희생 막 이 교대 로 반복 적 으로 적층 된 몰드 를 형성 할 수 있 다 . 상기 기판 상 에 상기 몰드 를 관통 하 는 채널 및 이 의 외측 벽 을 커버 하 며 순차 적 으로 적층 된 터널 절연 패턴 , 예비 전하 트래핑 패턴 및 제 1 블로킹 패턴 을 포함 하 는 예비 전하 저장 구조물 을 형성 할 수 있 다 . 상기 몰드 를 관통 하 여 상기 기판 상면 을 노출 시키 는 개구 를 형성 할 수 있 다 . 상기 개구 를 통해 상기 제 1 희생 막 을 제거 하 여 상기 예비 전하 저장 구조물 의 외측 벽 을 노출 시키 는 제 1 갭 을 형성 할 수 있 다 . 상기 제 1 갭 을 통해 상기 예비 전하 트래핑 패턴 에 제 1 질화 공정 을 수행 하 여 상기 기판 상면 에 수직 한 수직 방향 을 따라 서로 이격 된 복수 의 전하 트래핑 패턴 들 을 형성 할 수 있 다 . 상기 제 1 갭 을 통해 상기 예비 전하 트래핑 패턴 에 제 1 산화 공정 을 수행 하 여 상기 전하 트래핑 패턴 들 사이 에 분리 패턴 을 형성 할 수 있 다 . 상기 제 1 갭 내 에 게이트 전극 을 형성 할 수 있 다 .