도 8 및 9 를 참조 하 면 , 상기 예비 제 1 절 연막 패턴 ( 112 ) 의 상부 를 부분 적 으로 식각 함 으로써 제 1 절 연막 패턴 ( 112 a ) 을 형성 한다 . 상기 예비 제 1 절 연막 패턴 ( 112 ) 을 식각 하 는 공정 에서 , 상기 에 어 터널 ( 114 ) 이 노출 되 지 않 도록 하 여야 한다 . 상기 제 1 절 연막 패턴 ( 112 a ) 의 상부 면은 상기 예비 플로팅 게이트 전극 ( 104 a ) 의 두께 의 중심 부위 보다 는 낮 게 위치 하 는 것 이 바람직 하 다 .