또한 , 도 4 a 및 도 4 b 를 참조 하 면 , 상기 랜드 ( 10 ) 를 따라서 , 전체 리드 프레임 의 구조 를 소 잉 하 는 단계 가 수행 된다 . 여기 서 , 상기 랜드 ( 10 ) 를 소 잉 시 사용 되 는 블레이드 는 상기 제 3 길이 ( W 3 ) 에 비해 크 고 상기 제 2 길이 ( W 2 ) 에 비해 작 은 폭 을 가질 수 있 다 . 따라서 , 상기 블레이드 를 통한 소 잉 이후 , 상기 랜드 ( 10 ) 는 2 개 영역 으로 분리 되 어 각각 이웃 한 두 개 의 반도체 디바이스 ( 100 ) 에 포함 되 는 구조 를 갖 게 된다 . 또한 , 상기 랜드 ( 10 ) 의 구조 로 인해 , 최종 적 인 반도체 디바이스 ( 100 ) 의 구조 에서 측면 으로 노출 된 랜드 ( 120 ) 을 포함 하 도록 형성 될 수 있 다 .