이제 도 4 l 내지 도 4 n 을 참조 하 면 , 시일 링 층 이 기판 상 에 증착 되 고 , CMP 가 에어 갭 스 페이서 를 생성 하 도록 수행 된다 . 도 4 l 에서 , 시일 링 층 ( 156 ) 이 기판 ( 100 ) 의 상단 표면 상 에 증착 된다 . 증착 동안 , 희생 적 SnO 2 스 페이서 ( 128 ) 이 제거 된 후 에 생성 된 에어 갭 ( 159 ) 의 상부 부분 이 시일 링 층 ( 156 ) 에 의해 부분 적 으로 충 진 된다 . 일부 예 들 에서 , 시일 링 층 ( 156 ) 은 ILD , 실리콘 다 이 옥사이드 ( SiO 2 ) , 탄소 도핑 된 SiO 2 , 또는 실리콘 옥시 카바이드 ( SiOC ) 로 이루어진다 . 일부 예 들 에서 , 시일 링 층 ( 156 ) 이 PECVD ( plasma enhanced chemical vapor deposition ) 를 사용 하 여 증착 되 지만 , 다른 증착 프로세스 들 이 사용 될 수 도 있 다 .