이어서 , 도 4 h 에 도시 한 바 와 같이 , 상기 노출 된 게이트 패드 ( 501 ) 및 반도체 막 ( 540 ) 을 포함 하 는 제 1 기판 ( 500 ) 전면 에 Al . AlNd , Cr , Mo , Cu 등 과 같 은 제 2 금속 막 ( 560 ) 을 증착 한다 . 여기 서 , 상기 제 2 금속 막 ( 560 ) 은 소스 전극 ( 561 ) 과 드레 인 전극 ( 562 ) 을 형성 하 기 위한 것 이 다 .