상호 접속 되 는 범프 들 간 의 금속 화합물 생성 을 억제 하 는 반도체 패키지 가 개시 되 어 있 다 . 본 발명 에 의한 반도체 패키지 는 일면 에 복수 개 의 제 1 패드 들 이 배열 된 제 1 구조물 , 제 1 패드 들 과 대응 하 여 제 2 패드 들 이 배열 되 고 , 제 1 구조물 이 본 딩 되 는 제 2 구조물 , 제 1 패드 및 상기 제 2 패드 들 중 어느 하나 의 패드 상 에 접속 되 고 , 금 을 포함 하 는 제 1 범프 및 제 1 패드 및 제 2 패드 들 중 나머지 하나 의 패드 상 에 접속 되 고 , 제 1 및 제 2 구조물 이 본 딩 될 때 제 1 범프 와 접속 되 며 , 제 1 범프 와 접속 되 었 을 때 발생 되 는 금속 산화물 의 생 성 을 억제 하 기 위한 반응 억제제 및 주석 을 포함 하 는 제 2 범프 를 포함 한다 .