이상 에서 와 같이 , 본 발명 은 반도체 소자 의 게이트 형성 공정 에서 감광막 패턴 을 식각 마스크 로 이용 하 여 하드 마스크 질화 막 을 식각 할 때 , 감광막 패턴 과 하드 마스크 질화 막 의 측벽 에 형성 되 는 무기물 을 함유 한 폴리머 를 제거 하 기 위하 여 , 감광막 패턴 의 건식 식각 시 O 2 공정 가스 에 플루오린 계 가스 를 미량 으로 함께 주입 하 여 감광막 패턴 과 폴리머 를 동시 에 제거 한다 .