샘플 1 , 2 의 단면 SEM 화상 및 TEM 화상 양쪽 을 각각 관찰 한 결과 , 스텝 A 를 실시 한 샘플 1 에서 는 , 제 3 하지 의 표면 은 에칭 대미지 를 받 지 않 은 것 을 확인 할 수 있 었 다 . 이 에 반해 , 스텝 A 를 불 실시 로 한 샘플 2 에서 는 , 제 3 하지 의 표면 은 에칭 대미지 를 받 은 것 을 확인 하 였 다 . 또한 , 샘플 1 , 2 의 어느 샘플 에서 든 , 제 1 하지 의 표면 에 만 SiN 막 을 선택 적 으로 형성 할 수 있 는 것 을 확인 할 수 있 었 다 .