예시 적 으로 , 버퍼 메모리 장치 ( 120 ) 는 SRAM ( Static RAM ) , DRAM ( Dynamic RAM ) , SDRAM ( Synchronous DRAM ) 등 과 같 은 고속 랜덤 액세스 메모리 를 포함 할 수 있 다 . 또는 , 버퍼 메모리 장치 ( 120 ) 는 ROM ( Read Only Memory ) , PROM ( Programmable ROM ) , EPROM ( Electrically Programmable ROM ) , EEPROM ( Electrically Erasable and Programmable ROM ) , 플래시 메모리 장치 , PRAM ( Phase - change RAM ) , MRAM ( Magnetic RAM ) , RRAM ( Resistive RAM ) , FRAM ( Ferroelectric RAM ) , TRAM ( Thyristor RAM ) 등 과 같 은 불휘발성 메모리 를 포함 할 수 있 다 . 예 시 적 으로 , 버퍼 메모리 장치 ( 120 ) 는 듀얼 - 포트 메모리 이 며 , FDMA 엔진 ( 111 ) 및 HDMA 엔진 ( 112 ) 에 의해 각각 제어 되 도록 구성 될 수 있 다 .