라인 형태 의 레이저 빔 ( 14 ) 은 반도체 재료 상 에 이미 징 되 고 공급 방향 ( X ) 으로 상기 반도체 재료 에 대해 이동 됨 으로써 , 레이저 라인 ( 14 ) 은 반도체 재료 층 ( 12 ) 의 적어도 일부 영역 을 스윕 하 여 이 를 조명 한다 . 여기 에 도시 된 실시 예 에서 , 반도체 재료 층 ( 12 ) 을 가진 캐리어 ( 10 ) 는 공간 내 에서 변위 되 고 , 그 에 따라 고정 된 레이저 빔 ( 14 ) 에 대해 변위 된다 . 레이저 라인 ( 14 ) 은 전체 반도체 재료 층 ( 12 ) 이 레이저 라인 ( 14 ) 에 의해 조사 되 도록 반도체 재료 층 ( 12 ) 에 대해 이동 될 수 있 다 . 일반 적 으로 , 레이저 라인 ( 14 ) 은 특정 영역 이 레이저 라인 ( 14 ) 에 의해 여러 번 조사 되 도록 반도체 재료 층 ( 12 ) 에 대해 이동 된다 . 일반 적 인 공급 속도 는 5 mm / s ~ 50 mm / s 이 다 .