예 를 들 면 , 상기 하드 마스크 막 ( 25 ) 은 패드 산화 막 ( 23 ) 및 마스크 질화 막 ( 24 ) 을 차례 로 적층 하 여 형성 할 수 있 다 . 구체 적 으로 , 상기 기판 ( 21 ) 상 에 열 산화 ( thermal oxidation ) 방법 에 의한 실리콘 산화 막 으로 상기 패드 산화 막 ( 23 ) 을 형성 할 수 있 다 . 상기 패드 산화 막 ( 23 ) 상 에 화학 기상 증착 ( chemical vapor deposition ; CVD ) 방법 에 의한 실리콘 질 화 막 으로 상기 마스크 질화 막 ( 24 ) 을 형성 할 수 있 다 . 그러나 상기 하드 마스크 막 ( 25 ) 은 생략 될 수 있 다 .