일부 실시 예 들 에서 , 본 발명 개시 는 하부 전극 을 형성 하 는데 있 어서 CMP 공정 을 사용 하 지 않 는 FeRAM 디바이스 를 형성 하 는 방법 에 관한 것 이 다 . 하부 전극 을 형성 하 는데 있 어서 CMP 공정 을 사용 하 지 않 음 으로써 , FeRAM 디바이스 를 형성 하 는 비용 이 감소 될 수 있 고 , 위 에 있 는 층 들 의 포토 리소그래피 공정 윈도우 가 개선 될 수 있 다 . 일부 실시 예 들 에서 , 결과 적 인 FeRAM 디바이스 는 , 아래 에 있 는 하부 절연 구조물 의 측벽 들 과 윗면 을 따라 일반 적 으로 형성 된 하부 전극 , 하부 전극 위 에 배치 된 강유전체 물질 , 및 강유전체 물질 위 에 있 는 상부 전극 을 포함 한다 . 하부 전극 은 CMP 공정 을 사용 하 지 않 고서 형성 되 기 때문 에 , 하부 전극 은 하부 전극 의 윗면 내 에 배치 된 제 1 리세 스 를 규정 하 는 내부 측벽 들 을 갖 는다 . 강유전체 물질 및 / 또는 상부 전극 은 제 1 리세 스 내 에 배치 되 고 , 또한 추가 적 인 리세 스 들 을 규정 하 는 내부 측벽 들 을 가질 수 있 다 .