MRAM ( magnetoresistive random - access memory ) 는 자기 저장 엘리먼트 들 을 통해 데이터 를 저장 하 는 비휘발성 메모리 기술 이 다 . 이 들 엘리먼트 들 은 자화 를 유지 할 수 있 고 비 자기 금속 또는 절연체 와 같 은 비 자기 재료 에 의해 분리 되 는 2 개 의 강자성 플레이트 들 또는 전극 들 이 다 . 일반 적 으로 플레이트 들 중 하나 는 고정 되 어 있 는 자화 를 가지 며 ( 즉 , " "" 기준층 "")", 이 는 이 층 이 다른 층 보다 높 은 보자력 을 갖 고 그 의 자화 의 배향 을 변경 하 기 위해 더 큰 자기장 또는 스핀 분극 전류 ( spin - polarized current ) 를 요구 한다는 것 을 의미 한다 . 제 2 플레이트 는 통상 적 으로 자유 층 으로서 지칭 되 며 , 그 의 자화 방향 은 기준층 에 비해 더 작 은 자기장 또는 스핀 분극 전류 에 의해 변경 될 수 있 다 .