리얼 메모리 셀 ( MC ) 은 , 한 쌍 의 CMOS 인버터 로 구성 되 며 , 상보 의 입출력 노드 ( ND 1 , ND 2 ) 를 갖 는 래치 ( LT ) 와 , 입출력 노드 ( ND 1 , ND 2 ) 에 소스 · 드레 인 의 한쪽 이 접속 된 한 쌍 의 전송 트랜지스터 ( T 1 , T 2 ) ( nMOS 트랜지스터 ) 를 갖 고 있 다 . 출력 이 노드 ( ND 1 ) 에 접속 된 CMOS 인버터 는 , 부하 트랜지스터 ( L 1 ) ( pMOS 트랜지스터 ) 및 구동 트랜지스터 ( D 1 ) ( nMOS 트랜지스터 ) 로 구성 된다 . 출력 이 노드 ( ND 2 ) 에 접속 된 CMOS 인버터 는 , 부하 트랜지스터 ( L 2 ) ( pMOS 트랜지스터 ) 및 구동 트랜지스터 ( D 2 ) ( nMOS 트랜지스터 ) 로 구성 된다 . 즉 , 메모리 셀 ( MC ) 은 , 6 트랜지스터 타입 의 스 태 틱 메모리 셀 이 다 . 부하 트랜지스터 ( L 1 , L 2 ) 의 소스 는 , 전원 선 ( VDD ) 에 접속 되 어 있 다 . 구동 트랜지스터 ( D 1 , D 2 ) 의 소스 는 , 접지선 ( VSS ) 에 접속 되 어 있 다 . 또 , 도 1 에 는 도시 하고 있 지 않 으나 , 메모리 셀 어레이 ( ARY ) 는 , 더미 메모리 셀 ( DMC ) ( 도 2 의 DMC 1 , DMC 2 ) 과 , 탭 셀 ( 도 2 의 TP ) 을 갖 고 있 다 .