그 후 , 마스크 층 ( 42 ) 이 희생 게이트 전극 층 ( 40 ) 위 에 형성 된다 . 마스크 층 ( 42 ) 은 실리콘 질화물 ( SiN ) 층 및 실리콘 산화물 층 중 하나 이상 을 포함 한다 . 그 다음 , 도 8 a 및 도 8 b 에 도시 된 바 와 같이 , 마스크 층 에 대해 패 터닝 작업 이 수행 되 고 희생 게이트 전극 층 이 희생 게이트 구조물 ( 40 ) 로 패턴 화 된다 . 희생 게이트 구조물 을 패턴 화 함 으로써 , 핀 구조물 ( 30 ) 은 희생 게이트 구조물 ( 40 ) 의 대향 측면 상 에 부분 적 으로 노출 되 어 , 도 8 b 에 도시 된 바 와 같이 소스 / 드레 인 ( S / D ) 영역 을 정의 한다 . 본 발명 에서 , 소스 및 드레 인 은 상호 교환 가능 하 게 사용 되 고 그 구조물 은 실질 적 으로 동일 하 다 . 도 8 a 및 8 b 에서 , 두 개 의 희생 게이트 구조물 ( 40 ) 이 두 개 의 핀 구조물 ( 30 ) 위 에 형성 되 지만 , 희생 게이트 구조물 의 수 는 이 구성 에 제한 되 지 않 는다 . 하나 또는 둘 이상 의 희생 게이트 구조물 이 일부 실시 예 에서 Y 방향 으로 배열 될 수 있 다 . 특정 실시 예 에서 , 하나 이상 의 더미 희생 게이트 구조물 이 희생 게이트 구조물 의 양 측 상 에 형성 되 어 , 패턴 충실 도 를 향상 시킨다 .