상기 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 상변화 메모리 장치 의 제조 방법 에 따르 면 , 먼저 제 1 절 연막 패턴 에 형성 된 개구 에 도전 물질 을 매몰 하 여 기판 과 전기 적 으로 연결 되 는 콘 택 패드 를 형성 한다 . 이어서 , 상기 제 1 절 연막 패턴 상 에 형성 된 제 2 절 연막 패턴 을 관통 하 고 , 상기 콘 택 패드 와 전기 적 으로 연결 되 는 하부 콘 택 전극 을 형성 한다 . 상기 하부 콘 택 전극 및 상기 제 2 절 연막 패턴 상 에 상변화 물질 막 을 형성 한다 . 상기 상변화 물질 막 상 에 상부 전 극막 을 형성 한 후 마스크 을 적용 하 여 상기 상부 전 극막 과 상변화 물질 막 을 순차 적 으로 패 터닝 함 으로써 상부 전극 및 상변화 물질 막 패턴 을 형성 한다 . 상기 결과물 상 에 제 1 온도 에서 형성 된 제 1 캡 핑 막 을 형성 한 후 상기 제 1 캡 핑 막 상 에 상기 제 1 온도 보다 높 은 제 2 온도 에서 형성 된 제 2 캡 핑 막 을 형성 한다 . 그 결과 금속 배선 과 상기 콘 택 전극 사이 에서 전류 의 흐름 이 원활 한 상변화 메모리 장치 가 형성 된다 .