즉 , 상술 한 도 2 의 단계 ( b ) 내지 도 2 의 단계 ( d ) 를 반복 함 을 통하 여 절연성 반도체 박막 ( 120 ) 의 내부 에 반도체 양자 점 ( 130 ) 들 로 이루어진 다층 구조 ( 본 실시 예 에서 는 3 층 구조 ) 의 양자 점층 을 형성 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 도 3 c 및 도 3 d 의 단면 명시 야상 을 통해 확인 할 수 있 듯이 절연성 GaAs 박막 의 내부 에 는 다층 구조 의 InAs 양자 점층 이 공간 적 으로 분리 되 어 형성 될 수 있 다 .