본 발명 에 따르 면 , 태양 전지 , MOS , TFT 등 의 트랜지스터 및 광 감지 층 등 전자 디바이스 에 적용 되 는 실리콘 박막 을 새로운 방식 으로 제공 하 고 , 반도체 박막 의 결정 화 속도 와 결정 크기 의 조절 을 용이 하 게 제공 하 며 , 전극 과 오 믹 접촉 층 으로 사용 되 는 실리콘 반도체 층 을 포함 하 는 태양 전지 를 제공 하 는 것 이 다 .