이어서 , 도 9 ( B ) 에 도시 한 것 처럼 , 반도체 막 ( 702 ) 위 에 게이트 절 연막 ( 703 ) 을 형성 한다 . 그 후 , 게이트 절 연막 ( 703 ) 위 에 마스크 ( 705 ) 를 형성 하 고 , 도전 성 을 부여 하 는 불순물 원소 를 반도체 막 ( 702 ) 의 일부 에 첨가 함 으로써 , 불순물 영역 ( 704 ) 을 형성 한다 .