반응 가스 의 분압 과 온도 를 조절 하 여 반응 가스 의 분압 이 포화 상태 가 되 면 화학 증착 형태 가 이 종핵 화 모드 에서 동종 핵 화 모드 로 변화 하 게 되 며 이종기 판 ( 21 ) 위 에 나노 크리스탈 또는 나노 파우더 ( 이하 나노 입자 ( 41 ) 로 통칭 함 ) 가 성장 하 게 된다 . 이러 한 나노 입자 ( 41 ) 로부터 소결 과정 ( sintering process ) 이 수행 되 고 , 재결정 화 가 이루어져 종자 층 ( 42 ) 이 형성 된다 ( 도 3 ( b ) 참조 ) . 한편 , 상기 소결 과정 대신 에 종자 층 ( 42 ) 형성 을 위한 열처리 과정 ( annealing process ) 이 수행 될 수 도 있 다 . 상기 종자 층 ( 42 ) 의 형성 은 그때 의 온도 및 시간 에 따라 나노 입자 의 크기 및 결정 경계 ( grain boundary ) 의 크기 를 조절 할 수 있 다 . 이러 한 종자 층 ( 42 ) 을 기반 으로 하 여 자발 적 으로 나노 막대 ( 43 ) 가 수직 상방 으로 형성 되 어 ( 도 3 ( c ) 참조 ) GaN 나노 막대 템 플레이트 ( 43 ') 를 형성 시킬 수 있 다 . 상기 GaN 나노 막대 템 플레이트 ( 43 ') 를 형성 시키 는 단계 의 반응 시간 은 30 분 내지 6 시간 일 수 있 는데 , 30 분 미만 인 때 에 는 나노 막대 의 형성 이 충분 하 지 않 고 , 6 시간 을 초과 하 게 되 면 공정 효율 측면 에서 바람직 하 지 않 다 .