경계 측벽 스 페이서 ( 185 A ) 와 비슷 하 게 , 경계 측벽 스 페이서 ( 185 C ) 는 아이 솔 레 이 션 구조물 ( 106 ) 위 에 이격 되 어 있 다 . 테이퍼 형 측벽 구조물 ( 187 C ) 은 , 더미 게이트 유전체 층 ( 183 ) 의 두께 이하 의 거리 만큼 아이 솔 레 이 션 구조물 ( 106 ) 위 의 높이 에서 종결 된다 . 일부 실시 예 에서 , 테이퍼 형 측벽 구조물 ( 187 C ) 은 재료 의 단층 으로 형성 된다 . 도 3 b 는 , 도 3 a 의 본질 적 으로 동일 한 테이퍼 형 측벽 구조물 ( 187 C ) 이 지만 2 개 의 재료 로 형성 되 는 테이퍼 형 측벽 구조물 ( 187 D ) 을 갖 는 IC ( 350 ) 를 도시 한다 . 이 경우 , 테이퍼 형 측벽 구조물 ( 187 D ) 의 하부 부분 이 더미 게이트 전극 층 ( 181 ) 의 연장 부 ( extension ) 에 의해 형성 되 며 , 이 의 상부 부분 은 스 페이서 ( 185 D ) 에 의해 형성 된다 .