도전 층 의 에칭 은 , 형성 되 는 소스 전극 ( 142 a ) , 및 드레 인 전극 ( 142 b ) 의 단부 가 , 테이퍼 형상 이 되 도록 행하 는 것 이 바람직 하 다 . 여기 서 , 테이퍼 각 은 , 예 를 들 어 , 30 ° 이상 60 ° 이하 인 것 이 바람직 하 다 . 소스 전극 ( 142 a ) , 드레 인 전극 ( 142 b ) 의 단부 를 테이퍼 형상 이 되 도록 에칭 함 으로써 , 이후 형성 되 는 게이트 절연 층 ( 146 ) 의 피복 성 을 향상 시켜 단절 을 방지 할 수 있 다 .