도쿄 일렉트론 사의 「 클린 트랙 ACT - 8 」 내 에서 , 실리콘 웨이퍼 상 에 상기 제조 한 화학 증폭 형 레지스 트 재료 를 스핀 코트 한 후 , 130 ℃, 60 초 의 조건 에서 PB 를 행하 여 , 평균 두께 50 ㎚ 의 레지스 트 막 을 형성 했 다 . 간이형 의 전자선 묘화 장치 ( 히다치 세 이사 꾸 쇼 사의 「 HL 800 D 」 , 출력 50 KeV , 전류 밀도 5 . 0 A / ㎠) 를 사용 해서 레지스 트 막 에 전자선 을 조사 하 고 , 패 터닝 을 행하 였 다 . 패 터닝 방법 으로서 는 , 0 . 5 ㎝ 사방 의 영역 에 소정 의 노광량 을 조사 하 는 조작 을 , 1 μ C / ㎠ 내지 50 μ C / ㎠ 까지 , 1 ㎛/㎠ 마다 합계 50 점 행하 였 다 . 전자선 의 조사 후 , 계속 해서 이 하의 ( 1 ) 및 ( 2 ) 의 조작 각각 을 행하 여 , 평가 를 행하 였 다 .