불 산 을 함유 하 는 산화 막 또는 질화 막 은 SiOxFy 또는 SiNxFy ( x , y 는 자연수 ) 이 고 이때 , 분리 보호막 ( 15 ) 내 에 불 산 의 조성 율 은 3 ％∼ 30 ％ 일 수 있 다 . 또한 , 분리 보호막 ( 15 ) 은 화학 기상 증착 법 ( Chemical Vapor Deposition ) , 원자 층 증착 법 ( Atomic Layer Deposition ) 및 PECVD ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ) 의 그룹 중 에서 선택 된 어느 하나 의 방법 으로 형성 할 수 있 다 . 특히 , 불 산 을 함유 하 는 분리 보호막 ( 15 ) 은 통상 분리 보호막 ( 15 ) 은 사용 되 는 실리콘 산화 막 ( SiO 2 ) 및 실리콘 질화 막 ( Si 3 N 4 ) 보다 유전 율 이 낮 기 때문 에 RC delay 를 감소 시켜 소자 의 동작 속도 를 증가 시킬 수 있 다 .