적층 된 전도성 층 은 확산 장벽층 , 및 확산 장벽층 위 의 하나 의 ( 또는 하나 이상 의 ) 일함수 층 을 포함 할 수 있 다 . 확산 장벽층 은 티타늄 질화물 ( TiN ) 로 형성 될 수 있 으며 , 이 는 실리콘 으로 도핑 될 수 있 다 ( 또는 도핑 되 지 않 을 수 있 다 ) . 일함수 층 은 게이트 의 일함수 를 결정 하 며 , 상이 한 물질 로 형성 된 복수 의 층 또는 적어도 하나 의 층 을 포함 한다 . 일함수 층 의 물질 은 각 FinFET 이 n 형 FinFET 또는 p 형 FinFET 인지 의 여부 에 따라서 선택 된다 . 예컨대 , FinFET 이 n 형 FinFET 일 때 , 일함수 층 은 TaN 층 , 및 TaN 층 위 의 티타늄 알루미늄 ( TiAl ) 층 을 포함 할 수 있 다 . FinFET 이 p 형 FinFET 일 때 , 일함수 층 은 TaN 층 , TaN 층 위 의 TiN 층 , 및 TiN 층 위 의 TiAl 층 을 포함 할 수 있 다 . 일함수 층 ( 들 ) 의 성막 후 , 또 다른 TiN 층 일 수 있 는 , 장벽층 이 형성 된다 .