상기 제 2 도전 형 확산 영역 ( 40 ) 은 이후 형성 되 는 트랜스퍼 트랜지스터 의 게이 트 ( 이하 트랜스퍼 게이트 라 한다 . ) 하부 영역 과 상기 트랜스퍼 게이트 ( 60 ) 일 측 에 형성 된 소자 분리 막 ( 31 ) 에 접촉 하 고 상기 트랜스퍼 게이트 ( 60 ) 의 타 측 에 형성 된 소자 분리 막 ( 30 ) 에 근접 하 도록 형성 될 수 있 다 .