도 7 a 내지 도 7 h 는 그래핀 계 층 전사 기술 들 을 이용 하 는 LED 디바이스 들 의 방법 ( 700 ) 을 도시 한다 . 도 7 a 에서 , 그래핀 층 ( 720 ) 이 기판 ( 710 ) ( 예 를 들 어 , " 6 "" SiC 기판 ) 상 에서 성장 된다 . 이어서 ", 그래핀 층 ( 720 ) 은 도 7 b 에 도시 된 바 와 같이 기판 ( 710 ) 으로부터 해제 되 며 , 도 7 c 에 도시 된 바 와 같이 타 겟 기판 ( 730 ) 에 전사 된다 . 타 겟 기판 ( 730 ) 은 예 를 들 어 도 7 a 에서 이용 된 SiC 웨이퍼 보다 저렴 할 수 있 다 .