도 1 b 를 참조 하 면 , 포토 레지스 트 패턴 ( 112 ; 도 1 a 참조 ) 을 식각 마스크 로 이용 하 는 식각 공정 을 실시 하 여 금속 장벽층 ( 110 ) 과 도전 층 ( 106 ) 을 패 터닝 한다 . 이 로써 금속 장벽층 ( 110 ) 과 도전 층 ( 106 ) 의 일부 가 제거 되 고 , 도전 층 ( 106 ) 사이 에서 게이트 절 연막 ( 104 ) 의 일부 가 노출 된다 . 이후 에 , 포토 레지스 트 패턴 ( 112 ; 도 1 a 참조 ) 과 반사 방지 막 ( 110 ; 도 1 a 참조 ) 을 제거 ( strip ) 한다 .