수소 가스 를 사용 하 여 , 이온 도핑 법 으로 이온 의 도입 을 행할 경우 , 가속 전압 10 kV 이상 200 kV 이하 , 도즈 량 1 × 1016 ions / cm 2 이상 6 × 1016 ions / cm 2 이하 로 할 수 있 다 . 이 조건 으로 수소 이온 을 도입 하 는 것 으로 , 이온 빔 ( 403 ) 에 포함 되 는 이온 종 이나 이온 의 비율 에 도 따르 지만 , 손상 영역 ( 404 ) 을 단결정 반도체 기판 ( 401 ) 의 깊이 50 nm 이상 500 nm 이하 의 영역 에 형성 할 수 있 다 .