도 1 을 참조 하 면 , 반도체 기판 ( 1 ) 의 에 피층 ( 2 ) 상 에 활성 영역 과 필드 영역 을 정의 하 는 소자 분리 막 ( 3 ) 이 형성 되 고 , 소자 분리 막 ( 3 ) 에 의해 정의 된 활성 영역 의 중앙 부분 에 는 문턱 전압 을 조절 하 고 포토 다이오드 에서 생성 한 전하 를 플로팅 확산 부 로 전달 하 는 채널 부 ( 4 ) 가 형성 된다 . 채널 부 ( 4 ) 는 반도체 기판 ( 1 ) 상 에 이온 을 주입 하 여 형성 된다 .