반응 챔버 내 에 기판 을 제공 하 는 단계 ( 102 ) 는 , 방법 ( 100 ) 에 따라 공정 처리 를 위해 반응 챔버 에 기판 을 제공 하 는 단계 를 포함 한다 . 예 로서 , 기판 은 실리콘 을 포함 하 거나 실리콘 층 을 포함 할 수 있 고 , 그 안 에 형성 된 적어도 하나 의 리세 스 를 갖 는다 . 추가 적 으로 또는 대안 적 으로 , 기판 은 , 예 를 들 어 실리콘 옥사이드 또는 포토레지스트 의 층 을 포함 할 수 있 다 .