피연 마막 을 가지 는 기체 로서 , 막 두께 500 nm 의 TEOS 막 을 실리콘 기판 상 에 가지 는 기체 , 및 막 두께 200 nm 의 SiH 4 막 을 실리콘 기판 상 에 가지 는 기체 를 사용 했 다 . 상기 기체 를 20 ㎜ × 20 mm 의 칩 으로 잘라 내 어 평가 용 칩 을 준비 했 다 . 상기 에서 조제 한 연마제 를 사용 하 여 , 하 기 연마 조건 에 의해 60 초간 평가 용 칩 의 피연 마막 을 화학 적 기계 적 연마 를 행하 였 다 .