도 9 의 992 에 도시 된 바 와 같이 , 증착 된 SiO 2 ( 1040 ) 을 포토 리소그래피 ( photolithography ) 를 진행 하 고 SiO 2 를 습식 식각 ( wet etching ) 하 여 캐소드 ( cathode ) MIS 컨 택 영역 ( 901 ) 을 정의 한다 . 도 8 의 S 820 단계 의 실시 예 이 다 . 습식 식각 은 1 : 25 로 희석 된 HF ( 플루오린화 수소 ) 용액 으로 진행 될 수 있 으며 , 이 공정 에서 901 영역 과 같이 저마늄 웨이퍼 ( 1000 g ) 가 노출 된다 .