본 발명 의 일 실시 예 에 따른 반도체 장치 의 제조 방법 은 제 1 반도체 패턴 및 제 2 반도체 패턴 이 상이 한 층 상 에 배치 되 고 , 상이 한 재료 를 포함 하 는 반도체 장치 에서 제 2 반도체 패턴 을 형성 하 기 위한 별도 의 마스크 구비 없이 커패시터 의 제 2 전극 형성 에 사용 되 는 마스크 를 이용 하 여 함께 형성 하 는 바 공정 경제 성 이 우수 하 다 . 또한 , 커패시터 의 제 2 전극 형성 시 제 2 전극 과 함께 반도체 패턴 을 함께 형성 하 고 , 반도체 패턴 의 도전 성 또는 절연 성 을 조절 하 여 다양 한 커패시턴스 를 구현 할 수 있 는 반도체 장치 를 제조 할 수 있 다 .