도 4 내지 도 8 a 를 참조 하 면 , 먼저 베이스 층 ( 100 ) 상 에 버퍼 층 ( 110 ) 을 형성 한 이후 , 상기 버퍼 층 ( 110 ) 상 의 각 트랜지스터 영역 ( 일 예 로 , 스위칭 트랜지스터 ( Ts ) 가 배치 될 스위칭 트랜지스터 영역 ) 에 반도체 패턴 ( SCP ) 을 형성 할 수 있 다 . 한편 , 실시 예 에 따라서 는 버퍼 층 ( 110 ) 이 생략 될 수 도 있 고 , 이 경우 반도체 패턴 ( SCP ) 은 베이스 층 ( 100 ) 의 일면 상 에 바로 형성 될 수 있 다 .