또한 , 일 실시 형태 의 RuSi 막 의 형성 방법 에 의하 면 , Ru 함유 전구체 로서 Ru 3 ( CO ) 12 , cis - dicarbonyl bis ( 5 - methylhexane - 2 , 4 - dionate ) ruthenium ( II ) 를 사용 하 므로 , Ru 막 및 RuSi 막 의 형성 에 O 2 가스 가 불 필요 하 다 . 그 때문 에 , 형성 되 는 Ru 막 및 RuSi 막 의 막 중 에 O 가 불순물 로서 도입 되 기 어렵 다 . 그 결과 , 불순물 농도 가 낮 은 Ru 막 및 RuSi 막 을 형성 하 는 것 이 가능 하 다 .