종래 , MOS 트랜지스터 에서 의 온 전류 ( on - current ) 를 향상 시키 기 위해서 채널 에 변형 ( strain ) 을 생기 게 한 구조 가 실용 화 되 어 있 다 . 예 를 들 면 , 인장 응력 을 생기 게 하 는 막 에 의해 덮힌 n 채널 MOS 트랜지스터 가 실용 화 되 어 있 다 . 또한 , 소스 및 드레 인 에 SiGe 층 이 형성 된 p 채널 MOS 트랜지스터 도 실용 화 되 어 있 다 .