상기 문제점 을 해결 하 기 위하 여 , 최근 에 는 솔 더 볼 ( solder ball ) 을 사용 하 여 , 인쇄 회로 기판 상부 와 IC 를 연결 한 후 , 그 사이 를 에폭시 수지 로 채우 는 칩 온 보드 ( Chip on Board ; COB ) 언더 필 공정 이 개발 되 었 다 . COB 공정 에서 의 기판 과 IC 사이 의 갭 ( gap ) 은 일반 적 으로 100 m 이하 이 며 , 갭 은 점점 줄어들 어 수십 m 에 도달 할 것 으로 기대 된다 . 이러 한 COB 언더 필 공정 에 있 어서 , 상기 글로브 탑 공정 에서 사용 되 는 봉지 재인 다량 의 무기 충 진제 와 용제 로 이루어진 글로브 탑 수지 를 봉지 재로 사용 할 경우 , 충 진성 및 침투 성 이 불량 하 여 , 불 균일 한 경화 가 발생 된다 . 따라서 , 충 진성 , 침투 성 이 우수 하 고 , 균일 한 경화 가 이루어질 수 있 는 COB 공정 용 봉 지재 의 개발 이 시급 하 다 .