본 발명 은 반도체 소자 의 패턴 형성 방법 에 관한 것 으로 , 본 발명 의 반도체 소자 의 패턴 형성 방법 은 , 반도체 기판 상 에 텅스텐 막 을 최 상부 에 포함 하 는 피 식각 층 을 형성 하 는 단계 ; 상기 피식 각층 상 에 하드 마스크 를 형성 하 는 단계 ; 상기 텅스텐 막 이 드러날 때 까지 상기 하드 마스크 를 선택 적 으로 식각 하 여 하드 마스크 패턴 을 형성 하 는 단계 ; 상기 하드 마스크 패턴 에 의해 드러난 상기 텅스텐 막 표면 에 보호막 을 형성 하 는 단계 ; 및 상기 하드 마스크 패턴 을 식각 마스크 로 상기 피식 각층 을 식각 하 여 피식 각층 패턴 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 고 , 상술 한 본 발명 에 의한 반도체 소자 의 패턴 형성 방법 은 , 하드 마스크 패턴 형성 을 위한 하드 마스크 의 식각 시 텅스텐 막 에 발생 하 는 부분 적 어택 으로 인한 손실 을 보상 함 으로써 반도체 기판 의 어택 을 방지 하 여 소자 의 특성 을 개선 할 수 있 다 .