도 1 은 본 발명 에 따른 LCD 어레이 기판 의 바람직 한 일 실시 예의 어레이 기판 의 평면도 이 다 . 상기 LCD 어레이 기판 은 기판 ( 미 도시 ) , 및 기판 에 형성 되 는 복수 의 게이트 라인 ( Gn , Gn + 1 , Gn + 3 . ..... 으로 표기 ) 및 데이터 라인 ( Dn , Dn + 1 , Dn + 3 . ..... 으로 표기 ) 을 포함 하 고 , 상기 게이트 라인 및 상기 데이터 라인 은 서로 교차 설치 되 어 복수 의 화소 유닛 ( n , n + 1 . ..... 으로 표기 ) 을 형성 하 고 , 각 화소 유닛 n 내 에 화소 전극 Pn 및 제 1 박막 트랜지스터 Tn 이 형성 되 어 있 고 , 각 화소 유닛 n 은 게이트 라인 에 의해 제어 되 는 연결 스위치 Kn 을 더 포함 하 고 , 상기 연결 스위치 Kn 은 , 소재 하 는 화소 유닛 n 과 동일 한 열 및 윗 행 에 위치 하 는 화소 유닛 n - 1 의 화소 전극 Pn - 1 과 , 소재 하 는 화소 유닛 n 과 동일 한 열 및 아래 행 에 위치 하 는 화소 유닛 n + 1 의 화소 전극 Pn + 1 과 의 사이 에 설치 된다 . 상기 연결 스위치 Kn 은 , 소재 하 는 화소 유닛 n 과 동일 한 열 및 윗 행 에 위치 하 는 화소 유닛 n - 1 의 화소 전극 Pn - 1 과 , 소재 하 는 화소 유닛 n 과 동일 한 열 및 아래 행 에 위치 하 는 화소 유닛 n + 1 의 화소 전극 Pn + 1 을 연결 시킬 수 있 고 , 게이트 라인 Gn 으로 상이 한 전압 을 인가 하 여 상기 연결 스위치 Kn 의 온 또는 오프 를 제어 하 고 , 나아가 , 소재 하 는 화소 유닛 n 과 동일 한 열 및 윗 행 에 위치 하 는 화소 유닛 n - 1 의 화소 전극 Pn - 1 과 , 소재 하 는 화소 유닛 n 과 동일 한 열 및 아래 행 에 위치 하 는 화소 유닛 n + 1 의 화소 전극 Pn + 1 과 의 사이 에서 의 연결 또는 차단 을 제어 한다 . 상기 제 1 박막 트랜지스터 Tn 의 게이트 는 게이트 라인 Gn 과 연결 되 고 , 소스 는 데이터 라인 과 연결 되 고 , 드레 인 은 화소 전극 Pn 과 연결 된다 .