에칭 세정 을 위한 수성 HF 조성물 의 이용 에서 의 다른 문제점 은 , 아마도 물 에 의한 HF 의 불활성화 에 의해 야기 되 는 , 실현 되 는 에칭 의 느린 속도 이 다 . 이러 한 느린 에칭 속도 를 극복 하 기 위하 여 , 대부분 의 수성 HF 에칭 조성물 은 적어도 0 . 5 중량 ％ 의 HF 가 혼입 되 는 것 이 필요 하 다 . 수성 HF 용액 의 느린 에칭 속도 는 MEMS 소자 에 특히 중요 할 수 있 다 . MEMS 에서 산화 규소 치수 는 다양 하 지만 , 전형 적 으로 대략 두께 가 1 ㎛ 이 고 측면 치수 가 10 내지 500 ㎛ 이 다 . 느린 에칭 속도 에 의해 처리 시간 이 더 길 어 진다 . 에칭 어시스트 홀 ( etch assist hole ) 이 종종 다 결정 규소 구조 에 부가 되 며 , 이 를 위하 여 예 를 들 어 마이크 로 미러 ( micro - mirror ) 의 릴리스 ( release ) 를 위하 여 , 산화 규소 의 크 고 좁 은 영역 을 제거 하 여 HF 수용액 의 느린 에칭 속도 를 수용 하 고 에칭 시간 을 감소 시켜야 한다 . 에칭 어시스트 홀 은 최종 소 자 성능 에 악영향 을 미칠 수 도 있 다 .