패시 베이트 된 표면 은 상기 프로세싱 챔버 외부 의 대기 상태 ( ambient condition ) 들 로 의 이후 의 노출 동안 상기 기판 상 에서 의 추가 자연 산화물 성장 의 추가 적 인 형성 을 제한 한다 . 예 를 들 어 , 이후 의 자연 산화물 층 은 대기 환경 에서 약 5 시간 내지 약 25 시간 의 큐 시간 기간 동안 약 6 Å 이하 의 두께 로 형성 될 수 있 다 . 다른 예 에서 , 이후 의 자연 산화물 층 은 대기 환경 에 있 으면서 약 15 시간 내지 약 30 시간 의 큐 시간 기간 동안 약 8 Å 이하 의 두께 로 형성 될 수 있 다 . 또 다른 실시 예 에서 , 자연 산화물 층 의 제거 에 후속 하 여 기판 의 패 시베이 팅 된 표면 위 에 에피 택 셜 층 이 성장 될 수 있 다 .