본 발명 의 실시 예 에 따른 반도체 메모리 장치 의 제조 방법 은 , 제 1 반도체 막 및 상기 제 1 반도체 막 상 에 배치 된 희생 막 을 포함 하 는 하부 적층 체 를 형성 하 는 단계 및 상기 제 1 반도체 막 내부 로부터 상기 희생 막 을 관통 하 도록 연장 되 고 메모리 막 으로 덮인 측벽 및 바닥 면 을 갖 는 채널 막 을 형성 하 는 단계 를 포함 할 수 있 다 . 상기 채널 막 은 상기 하부 적층 체 보다 돌출 될 수 있 다 . 상기 반도체 메모리 장치 의 제조 방법 은 상기 채널 막 을 감싸 도록 상기 하부 적층 체 상 에 게이트 적층 체 를 형성 하 는 단계 , 상기 게이트 적층 체 와 상기 제 1 반도체 막 사이 에서 상기 메모리 막 의 일부 가 노출 되 도록 상기 희생 막 을 제거 하 는 단계 , 상기 메모리 막 이 상기 게이트 적층 체 와 상기 채널 막 사이 의 제 1 메모리 패턴 과 상기 제 1 반도체 막 과 상기 채널 막 사이 의 제 2 메모리 패턴 으로 분리 되 도록 상기 메모리 막 의 상기 일부 를 제거 하 는 단계 , 및 상기 제 1 메모리 패턴 과 상기 제 2 메모리 패턴 사이 에서 노출 된 상기 채널 막 의 일부 를 도프 트 반도체 패턴 으로 교체 하 는 단계 를 포함 할 수 있 다 .