도 2 e 에서 , 절연 층 ( 51 ) 이 몰딩 화합물 ( 44 ) 및 도전 층 ( 46 ) 위 에 형성 된다 . 절연 층 ( 51 ) 은 200 ℃ 미만 의 낮 은 경화 온도 를 갖 는 감광성 폴리머 재료 또는 다른 절연 재료 의 싱글 또는 멀티플 층 들 로 이루어진다 . 절연 층 ( 51 ) 의 일부 가 포토 패 터닝 또는 화학 적 에칭 과 같 은 에칭 공정 에 의해 제거 되 어 개구 를 형성 하 고 도전 층 ( 46 ) 을 노출 시킨다 . 도전 층 ( 52 ) 이 도전 층 ( 46 ) 과 전기 적 으로 접속 하 기 위해 절연 층 ( 51 ) 위 에 형성 된다 . 절연 층 ( 54 ) 이 도전 층 ( 52 ) 과 절연 층 ( 51 ) 위 에 형성 된다 . 절연 층 ( 54 ) 은 200 ℃ 미만 의 낮 은 경화 온도 를 갖 는 감광성 폴리머 재료 또는 다른 절연 재료 의 싱글 또는 멀티플 층 들 로 이루어진다 . 절연 층 ( 54 ) 의 일부 가 포토 패 터닝 또는 화학 적 에칭 과 같 은 에칭 공정 에 의해 제거 되 어 개구 를 형성 하 고 도전 층 ( 52 ) 을 노출 시킨다 . 도전 층 들 ( 46 , 52 ) 및 절연 층 들 ( 51 , 54 ) 이 패키지 외부 뿐 아니 라 반도체 다이 들 ( 36 , 40 ) 사이 의 전기 적 신호 들 을 루팅 하 는 상호 접속 구조 체의 일부 를 이룬다 . 추가 적 인 절연 층 및 도전 층 들 이 상호 접속 구조 체 에 사용 될 수 있 다 .