상기 한 반도체 기판 의 제조 방법 은 , 예 를 들 어 비 특허 문헌 1 에 기재 된 바 와 같이 , SBSI ( Separation by Bonding Si Islands ) 법 을 이용 하 여 벌크 ( bulk ) 실리콘 기판 위 에 SOI 층 을 부분 적 으로 형성 하 고 , 이 SOI 층 에 SOI 트랜지스터 를 더 형성 한다 . SOI 층 을 부분 적 으로 형성 함 으로써 SOI 트랜지스터 를 저 비용 으로 형성 하 는 것 이 가능 해진다 .