도 5 에 나타내 는 바 와 같이 , 본 실시 형태 의 제 1 순서 및 제 2 순서 에 의해 형성 된 실리콘 산화 막 은 , 종래 기술 의 순서 에 의해 형성 된 실리콘 산화 막 에 비해 , 성막 속도 가 현격히 높 은 것 을 알 수 있 다 . 특히 , 본 실시 형태 의 제 1 순서 에 따르 면 , 종래 기술 의 순서 에 의한 성막 속도 의 2 배 가까운 성막 속도 를 얻 을 수 있 음 을 알 수 있 다 . 또한 , 본 실시 형태 의 제 2 순서 의 경우 에 있 어서 도 , 종래 기술 의 순서 에 의한 성막 속도 의 1 . 5 배 정도 의 성막 속도 를 얻 을 수 있 음 을 알 수 있 다 .