전술 한 바 와 같이 상기 본 발명 의 제 1 실시 예 및 제 2 실시 예 는 액티브 패턴 으로 비정질 실리콘 박막 을 이용 한 비정질 실리콘 박막 트랜지스터 를 예 를 들 어 설명 하 고 있 으나 , 본 발명 이 이 에 한정 되 는 것 은 아니 며 본 발명 은 상기 액티브 패턴 으로 다결정 실리콘 박막 을 이용 한 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 에 도 적용 된다 .