또 , 콘택트 홀 ( Ca , Cc ) 을 형성 할 때 에 , 콘택트 홀 ( Ca ) 측 의 접속 층 ( 25 ) 과 콘택트 홀 ( Cc ) 측 의 게이트 절연 층 ( 12 ) 의 에칭 선택 비 를 조절 함 으로써 , 콘택트 홀 ( Ca ) 측 에 있 어서 , 에칭 을 접속 층 ( 25 ) 에서 멈추 고 , 게이트 절연 층 ( 12 ) 의 에칭 을 방지 하 는 것 이 가능 해진다 .