상기 활성 층 ( 114 ) 위 에 는 상기 제 2 도전 형 반도체 층 ( 115 ) 이 형성 되 며 , 상기 제 2 도전 형 반도체 층 ( 115 ) 은 제 2 도전 형 도 펀트 가 도핑 된 3 족 - 5 족 원소 의 화합물 반도체 예컨대 , GaN , AlN , AlGaN , InGaN , InN , InAlGaN , AlInN , AlGaAs , GaP , GaAs , GaAsP , AlGaInP 등 에서 선택 될 수 있 다 . 상기 제 2 도 전형 이 P 형 반도체 인 경우 , 상기 제 2 도전 형 도 펀트 는 Mg , Ze 등 과 같 은 P 형 도 펀트 를 포함 한다 . 상기 제 2 도전 형 반도체 층 ( 115 ) 은 단층 또는 다층 으로 형성 될 수 있 고 , 이 에 대해 한정 하 지 는 않 는다 .