상기 하프톤 물질 층 ( 30 ) 이 크롬 층 및 크롬 옥사이드 층 이 적층 된 구조 로 형성 되 었 을 경우 상기 하프톤 물질 층 ( HTL ) 의 식각 공정 은 습식 식각 으로 진행 되 는 것 이 바람직 하 다 . 또한 , 상기 하프톤 물질 층 ( HTL ) 이 몰리브덴 실리콘 재질 로 형성 되 었 을 경우 상기 하프톤 물질 층 ( HTL ) 의 식각 공정 은 건식 식각 으로 진행 되 는 것 이 바람직 하 다 .