도 5 a 에 도시 된 바 와 같이 , 일반 적 인 리소그래피 공정 을 통하 여 마스크 패턴 을 형성 한다 . 이 때 마스크 는 PR 또는 실리콘 산화 막 이나 실리콘 질화 막 이 될 수 있 다 . 도 5 b 에 도시 된 바 와 같이 , 상기 마스크 로 SOI 상부 실리콘 층 을 식각 하 여 핀 구조 를 형성 한다 . 이 때 식각 방법 으로 는 건식 식각 방법 또는 비등방성 습식 식각 방법 이 이용 될 수 있 다 . 바람직 하 게 는 후속 하 는 감지 물질 고정화 를 위한 표면 처리 를 위해 측벽 에 결함 을 발생 시키 지 않 는 비등방성 습식 식각 방법 을 사용 한다 . 실리콘 의 경우 TMAH 나 KOH 용액 으로 식각 하 여 핀 처럼 식각 단면 이 수직 인 구조 체 를 형성 할 수 있 다 . 이 는 ( 100 ) 이나 ( 110 ) 면 방향 의 식각 속도 는 빠른 데 반하 여 , ( 111 ) 면 방향 의 식각 속도 가 매우 느리 기 때문 이 다 . 도 5 c 에 도시 된 바 와 같이 , 건식 식각 이후 추가 로 비등방성 습식 식각 을 하 거나 , 비등방성 습식 식각 이후 추가 적 인 습식 식각 을 하 면 핀 의 선폭 을 더욱 줄일 수 있 다 . 핀 의 선폭 이 줄어들 면 공핍 에 의한 센서 구조 체의 전기전도도 가 보다 급격 하 게 변하 고 이 로 인해 표적 물질 의 검출 감도 를 더욱 높일 수 있 다 .