식각 대상물 ( 예컨대 , 실리콘 웨이퍼 ) 의 전체 두께 를 이용 하 여 미세 역학 구 조체 를 만드 는 벌크 미세 가공 기법 에 따라 , 식각 단계 를 수행 할 수 있 다 . 대안 으로 는 , 코팅 재 를 가하 여 층 들 을 형성 하 고 , 이 들 층 을 선택 적 으로 식각 하 는 표면 미세 가공 기법 에 따라 , 식각 단계 를 수행 할 수 있 다 . 식각 공정 은 일반 적 으로 딥 반응 성 이온 식각 ( deep reactive ion etching ) 기법 에 사용 될 수 있 다 .