상술 한 바 와 같이 본 발명 의 시모스 이미지 센서 의 제조 방법 에 따르 면 , 이웃 하 는 각각 의 마이크 로 렌즈 들 이 보호막 과 의 표면 장력 에 상호 공간 부 가 발생 하 지 않 도록 형성 하 여 , 입사 되 는 광자 ( photon ) 의 산란 을 방지 하 여 최대한 으로 해당 포토다이오드 에 도달 할 수 있 도록 함 으로써 소자 의 광 특성 을 향상 시킬 수 있 는 이점 이 있 다 .