RF 집 적 회로 ( 400 ) 는 또 한 하나 이상 의 GaN 층 과 같 은 하나 이상 의 에피 택 셜 층 ( 430 ) 및 2 차원 전자 가스 ( 2 DEG ) 유도 층 ( 440 ) 을 포함 할 수 있 다 . RF 집 적 회로 ( 400 ) 는 또한 2 DEG 유도 층 ( 440 ) 상 에 형성 된 하나 또는 그 이상 의 트랜지스터 를 포함 할 수 있 다 . 트랜지스터 는 소스 ( 450 ) , 게이트 ( 460 ) 및 드레 인 ( 470 ) 을 포함 하 는 FET 를 포함 할 수 있 다 . 드레 인 ( 470 ) 은 2 DEG 유도 층 ( 440 ) 에 접속 될 수 있 다 . 게이트 ( 460 ) 는 게이트 유전체 ( 480 ) 에 의해 2 DEG 유도 층 ( 440 ) 으로부터 격리 된 다중 필드 플레이트 게이 트일 수 있 다 . 트랜지스터 는 층간 유전체 ( 490 ) 에 의해 캡슐 화 될 수 있 다 . 하나 또는 그 이상 의 홀 이 2 DEG 유도 층 ( 440 ) 및 에피 택 셜 층 ( 430 ) 을 통해 층간 구조 ( 420 ) 까지 에칭 될 수 있 고 , 비아 ( 452 ) 를 형성 하 기 위해 금속 과 같 은 전도성 물질 로 채워질 수 있 다 .