또한 , 분리 된 반도체 기판 ( 100 a , 100 b ) 에 대하 여 , 상기 도 3 , 도 4 에서 도시 한 바 와 같이 재생 처리 를 행해도 된다 . 또한 , 본 실시 의 형태 에서 는 , 분리 된 반도체 기판 ( 100 a , 100 b ) 의 단부 에 잔사 부분 이 생기 지 않 기 때문 에 , 반도체 기판 의 재 생 처리 공정 에 있 어서 주변 잔사 의 제거 공정 을 생략 하 는 것 이 가능 하 게 된다 .