다음 으로 도 6 ( a ) 에 도시 한 것 처럼 반도체 적층 체 ( 40 ) 에서 반도체 성장 용 기판 ( 100 ) 을 벗긴다 . 다음 으로 도 6 ( b ) 에 도시 한 것 처럼 반도체 성장 용 기판 ( 100 ) 이 박리 된 기판 ( 10 ) 을 뒤집 음 으로써 최상면 이 된 반도체 적층 체 ( 40 ) 의 상면 ( n 형 반도체 층 ( 41 ) 의 표면 ) 을 CMP ( Chemical Mechanical Polishing : 화학 기계 연마 ) 에 의해 연마 한다 .