본 특허 문헌 은 고정 된 자화 방향 을 갖 는 분극 층 을 사용 하 지 않 는 MRAM 디바이스 를 개시 한다 . 고정 된 자화 방향 을 갖 는 분극 층 대신 에 , 본 특허 문헌 에 설명 된 MRAM 디바이스 는 , PSC 층 의 수평 자화 컴포넌트 방향 이 자유 롭 게 회전 하 는 ( 그리고 예 를 들 어 , 도 4 에 도시 된 ) 수직 MTJ ( 430 ) 와 함께 PSC ( precessional spin current ) 자기 층 ( 350 ) 을 활용 한다 . PSC 자기 층 ( 350 ) 은 자유 - 층 자화 세차 운동 역학 에 따라 회전 할 수 있 다 . 이 는 자유 층 ( 336 ) 의 고유 댐 핑 ( 205 ) 을 극복 하 는 데 있 어 스핀 전류 의 영향 을 상당히 개선 할 것 인데 , 그 이유 는 PSC 층 이 세차 운동 의 단지 절반 동안 만 보 다는 , 세차 운동 사이클 의 전체 궤도 움직임 내내 스핀 토크 가 이러 한 댐 핑 을 극복 하 도록 도울 것 이 기 때문 이 다 . 전체 180 도 회전 전체 에 걸친 이러 한 세차 운동 스핀 전류 효과 는 자유 - 층 자화 스위칭 을 크 게 향상 시킨다 .