도 12 의 ( a ) , ( b ) 및 ( c ) 를 참조 하 면 , 본 발명 의 제 6 내지 제 7 실시 예 들 에 따른 트랜지스터 들 의 경우 , 온도 스트레스 가 가해 지 는 시간 이 증가 함 에 따라 , 열화 가 진행 되 어 트랜지스터 소자 의 특성 이 저하 되 는 것 을 확인 하 였 다 . 반면 , 공정 온도 가 200 ℃ 인 본 발명 의 제 3 실시 예 들 에 따른 트랜지스터 의 경우 , 온도 스트레스 에 따른 트랜지스터 소자 의 특성 저하 가 거의 발생 하 지 않 는 것 을 확인 하 였 다 . 이 로부터 , 공정 온도 가 200 ℃ 인 본 발명 의 제 3 실시 예 들 에 따른 트랜지스터 가 우수 한 신뢰 성 특성 을 갖 는 것 을 알 수 있 었 다 .