그리고 , 각 NMOS 트랜지스터 ( N 1 ~ N 8 ) 의 공통 드레 인 영역 ( D _ N ) 상 에 형성 되 는 콘 택 ( CNT ) 은 배선 영역 ( 44 ) 을 기준 으로 대칭 되 는 PMOS 트랜지스터 ( P 1 ~ P 4 ) 와 각각 대응 되 는 위치 에 형성 됨 이 바람직 하 다 . 예 를 들 면 , NMOS 트랜지스터 ( N 1 ) 의 드레 인 영역 ( D _ N ) 상 에 형성 되 는 콘 택 ( CNT ) 은 PMOS 트랜지스터 ( P 1 ) 의 드레 인 영역 ( D _ P ) 상 에 형성 되 는 콘 택 과 동일 선상 에 위치 함 이 바람직 하 다 .