이 에 도시 된 바 와 같이 , 지지층 ( 200 ) 상부 에 커패시터 ( 210 ) 및 제 1 회 로 패턴 ( 220 ) 을 형성 하 고 , 상기 지지층 ( 200 ) 상부 에 커패시터 ( 210 ) 및 제 1 회 로 패턴 ( 220 ) 을 감싸 며 절연 층 ( 230 ) 을 형성 하 며 , 상기 절연 층 ( 230 ) 상부 에 제 2 회 로 패턴 ( 245 ) 을 형성 한 후 , 상기 커패시터 ( 210 ) 및 제 1 회 로 패턴 ( 220 ) 의 상부 에 상기 제 2 회 로 패턴 ( 245 ) 및 절연 층 ( 230 ) 을 관통 하 며 도전 성 물질 ( 255 ) 이 충 진 된 비 아홀 ( 250 ) 을 형성 한다 ( 도 2 a ) .