도 6 은 , 도 1 a 및 도 1 b 의 회로도 에서 도시 한 기억 소자 ( 100 ) 의 구성 의 일례 이 다 . 도 6 에서 는 기억 소자 ( 100 ) 를 구성 하 는 소자 중 , 2 개 의 트랜지스터 ( 트랜지스터 ( 660 ) 및 트랜지스터 ( 662 ) ) , 1 개 의 용량 소자 ( 664 ) 의 단면 을 도시 한다 . 트랜지스터 ( 662 ) 는 산화물 반도체 층 에 채널 이 형성 되 는 트랜지스터 이 다 . 트랜지스터 ( 662 ) 는 도 1 a 및 도 1 b 에 있 어서 의 트랜지스터 ( 111 ) 나 트랜지스터 ( 112 ) 로 할 수 있 다 . 트랜지스터 ( 660 ) 는 산화물 반도체 이외 의 반도체 ( 예 를 들 어 실리콘 등 ) 에 채널 이 형성 되 는 트랜지스터 이 다 . 트랜지스터 ( 660 ) 는 도 1 a 및 도 1 b 에 있 어서 의 선택 트랜지스터 ( 103 ) , 선택 트랜지스터 ( 104 ) , 위상 반전 소자 를 구성 하 는 트랜지스터 ( 도 1 b 에 있 어서 의 ｎ 채널 형 트랜지스터 ( 131 ) , p 채널 형 트랜지스터 ( 132 ) , ｎ 채널 형 트랜지스터 ( 133 ) , p 채널 형 트랜지스터 ( 134 ) ) 로 할 수 있 다 . 용량 소자 ( 664 ) 는 도 1 a 및 도 1 b 에 있 어서 의 용량 소자 ( 121 ) , 용량 소자 ( 122 ) 로 할 수 있 다 .