또한 , 도 6 을 참조 하 여 설명 된 바 와 같이 , 본 발명 의 제 3 실시 예 에 따른 박막 트랜지스터 의 문턱 전압 ( Vth ) 은 - 0 . 7 ± 0 . 4 V 으로 가장 작 고 , 이동도 ( μ sat ) 는 42 . 3 ± 0 . 9 cm 2 / VS 로 가장 크 고 , subthreshold slope ( S . S . ) 는 37 . 3 ± 0 . 2 로 가장 크 고 , 드레 인 전류비 ( ION / IOFF ) 는 5 . 03 E ± 09 로 가장 큰 것 을 확인 하 였 다 . 이 에 따라 , 원자 층 증착 공정 의 온도 를 200 ℃ 로 하 여 제조 된 산화물 반도체 박막 을 포함 한 제 3 실시 예 에 따른 박막 트랜지스터 의 전기 적 특성 값 이 가장 우수 한 것 을 알 수 있 었 다 .