본 발명 의 실시 예 에 따른 이미지 센서 는 회로 영역 을 포함 하 는 반도체 기판 상 에 형성 된 금속 배선 층 ; 상기 금속 배선 층 상 에 상호 이격 되 어 형성 된 제 1 도전 형 전도 층 ; 상기 제 1 도전 형 전도 층 상 에 형성 된 진성 층 ( intrinsic ) : 상기 진성 층 상 에 형성 된 제 2 도전 형 전도 층 을 포함 한다 .