양극 산화 장치 는 도 1 과 같 다 . 반응기 는 HF 에 강한 테 프론 을 이용 하 여 제작 하 였 고 전극 으로 는 백금 을 사용 하 였 다 . 이때 , 양극 의 전극 은 실리콘 웨이퍼 뒷면 에 스퍼터링 법 을 이용 하 여 백금 박막 을 10 nm 두께 로 앞서 증착 한 것 이 다 . 전해질 로 는 95 % 에탄올 로 희석 시킨 46 % 의 HF 용액 ( 에탄올 : HF = 1 : 1 , v / v ) 을 사용 하 였 다 . 실리콘 웨이퍼 의 양면 은 오링 ( Ｏ - ring ) 에 의해 분리 시켜 , 앞면 은 HF 용액 과 접촉 하 게 하 고 웨이퍼 의 뒷면 은 실리콘 웨이퍼 의 비저항 이 낮 기 때문 에 옴 적 접촉 을 위한 별도 의 금속 전극 재료 의 증착 공정 없이 전해액 인 KCl 을 이용 하 여 전류 를 흐르 게 하 였 다 . 이때 사용 한 전류 밀도 는 50 ㎃/㎠, 에칭 시간 은 10 분 으로 하 였으며 에칭 공정 중 에 조명 은 별도 로 사용 하 지 않 았 다 . 이 공정 을 통하 여 기공 율 이 73 %, 다공성 Si 층 두께 가 55 μ m 인 PSi 를 얻 었 다 . 따라서 양극 산화 에칭 에 의하 여 PSi 로 바뀐 Si 즉 , PSi 층 의 부피 는 1 . 73 × 10 - 4 ㎤( 1 ㎝ × 1 ㎝ × 3 . 14 × 55 × 10 - 4 ㎝) 이 며 , Si 의 밀도 가 2 . 33 g / ㎤ 이 므로 , 그 질량 은 40 . 3 mg 이 다 .