다양 한 실시 예 에 따르 면 , 상기 제 3 슬릿 ( 516 c ) 의 위치 에 따른 방사 특성 에 관해서 는 후술 하 는 도 13 또는 도 14 를 통해 좀 더 살펴보 게 될 것 이 다 . 상기 제 3 슬릿 ( 516 c ) 의 위치 에 관한 위 의 수치 값 은 , 상기 제 2 측면 부재 ( 502 ) 의 폭 ( 예 : 도 4 의 X 축 방향 길이 ) 이 100 mm 이내 인 전자 장치 에 적용 될 수 있 는 예시 적 인 값 으로서 , 본 발명 이 이 에 한정 되 지 않 음 에 유의 한다 . 예 를 들 어 , 실제 제작 하 고자 하 는 전자 장치 의 크기 나 상기 방사 도체 를 이용 하 여 형성 하 고자 하 는 공진 주파수 를 고려 하 여 상기 제 3 슬릿 ( 516 c ) 은 예시 된 수치 값 과 는 다른 위치 에 형성 될 수 있 다 . 예컨대 , 상기 제 3 슬릿 ( 516 c ) 은 상기 제 3 측면 부분 ( 513 ) 의 제 2 부분 ( 513 b ) 의 외측 으로부터 30 mm 이상 , 50 mm 이내 ( 예 : 40 mm ) 거리 ( D 1 ) 를 갖 는 제 1 길이 ( L 1 ) 의 위치 에 형성 함 으로써 , 방사 도체 ( 예 : 제 3 측면 부분 ( 513 ) ) 의 방사 성능 저하 를 저감 할 수 있 고 , 사용 자 가 전자 장치 ( 예 : 도 2 의 전자 장치 ( 200 ) ) 를 손 에 잡 고 통화 할 경우 , 인체 영향 에 의한 방사 도체 ( 예 : 제 3 측면 부분 ( 513 ) ) 의 방사 성능 저하 를 저감 시킬 수 있 다 . 따라서 , 상기 제 3 슬릿 ( 516 c ) 은 상기 방사 도체 ( 예 : 제 3 측면 부분 ( 513 ) ) 의 방사 성능 을 향상 시킬 수 있 다 .