따라서 , 본 발명 에서 도 상기 의 프로세스 를 이용 하 여 포토레지스트 패턴 ( 26 ) 의 양 측벽 에 만 두께 가 W 1 정도 인 폴리머 층 ( 27 ) 을 형성 하 는 것 이 가능 하 며 , 이 경우 W 1 이 40 nm 이하 가 되 도록 하 는 것 도 가능 하 다 . 이때 , 챔버 에 인가 되 는 파워 가 커질수록 증착 공정 단계 에서 포토레지스트 패턴 ( 26 ) 의 측벽 에 증착 되 는 폴리머 의 양 이 포토레지스트 패턴 ( 26 ) 의 상부 면 과 비트 라인 하드 마스크 용 절 연막 ( 25 ) 의 노출 된 면 상 에 증착 되 는 폴리머 의 양 보다 상대 적 으로 증가 한다 . 따라서 , 본 발명 에서 는 챔버 에 인가 되 는 파워 를 60 MHz 정도 로 크 게 하 는 것 이 바람직 하 다 . 또한 , 증착 공정 단계 에서 증착 가스 로 CxHy 계 가스 중 C 의 함량 이 큰 C 2 H 2 가스 를 챔버 내 로 주입 하 여 포토레지스트 패턴 상 에 증착 되 는 폴리머 의 C 함량 을 증가 시킨다 . 이 는 폴리머 의 C 함량 증가 시 폴리머 의 강도 가 증가 되 어 후속 포토레지스트 패턴 ( 26 ) 의 제 거시 선택 비 확보 가 가능 하 기 때문 이 다 . 또한 , 상기 증착 공정 단계 는 4 초 동안 수행 하 고 상기 식각 공정 단계 는 2 초 동안 수행 함 이 바람직 하 다 .