본 발명 의 일 실시 예 에 따르 면 , 상기 상부 산화 막 은 질소 를 포함 하 는 반응 가스 로부터 생성 된 질소 플 라즈 마 와 상기 제 2 예비 산화 막 에 포함 된 실리콘 사이 의 반응 에 따라 형성 될 수 있 다 . 상기 질소 를 포함 하 는 가스 는 질소 가스 및 암모니아 가스 중 에서 적어도 하나 를 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 면 , 상기 질소 플라 즈 마는 약 400 ∼ 600 ℃ 정도 의 온도 및 약 0 . 5 ∼ 1 . 5 Torr 정도 의 압력 하 에서 약 1 , 000 ∼ 2 , 000 W 정도 의 전력 을 인가 하 여 형성 될 수 있 다 .