도 2 d 내지 도 2 e 를 참조 하 면 , 상기 포토레지스트 ( 216 ) 및 상기 층간 절 연막 ( 214 ) 내 에 N 형 불순물 을 이온 주입 을 수행 한다 . 여기 서 , 상기 주입 되 는 N 형 물질 은 Ph 나 As 가 사용 되 고 , 상기 이온 주입 공정 은 0 . 5 ∼ 10 keV 의 에너지 , 바람직 하 게 , 2 ∼ 7 keV 의 에너지 및 1 . 0 E 10 ∼ 1 . 0 E 20 / cm 2 의 도즈 량 , 바람직 하 게 , 1 . 0 E 1 ∼ 1 . 0 E 16 / cm 2 의 도즈 량 으로 수행 된다 .