이 와 같이 , 본 발명 의 반도체 웨이퍼 의 열처리 방법 에서 는 , 각각 의 지지 보조 부재 의 재치 면 모두 에 의한 평면도 를 조정 하 고 나 서 , 상기 재치 면 상 에 반도체 웨이퍼 를 재치 하 여 열처리 를 실시 하 므로 , 반도체 웨이퍼 의 하중 이 각 지지 보조 부재 에 균일 하 게 되 도록 재치 하 여 , 열처리 하 는 것 이 가능 하 다 . 따라서 , 종래 와 같이 웨이퍼 하중 의 언밸런스 가 발생 하 는 것 을 방지 하 고 , 그 에 따라 일어나 는 슬립 전위 를 효과 적 으로 억제 할 수 있 다 .