SiH 4 막 의 연마 속도 는 , 연마 시간 을 단축 하 는 관점 에서 , 15 nm / min 이상 이 바람직 하 고 , 20 nm / min 이상 이 보다 바람직 하 다 . SiH 4 막 의 연마 속도 는 , TEOS 막 , 배선 금속 등 의 오 목부 의 과잉 한 연마 가 진행 되 는 것 이 억제 되 어 평탄 성 이 더욱 향상 되 는 관점 , 및 연마 시간 을 조정 하 는 것 이 용이 한 관점 에서 , 1000 nm / min 이하 가 바람직 하 고 , 500 nm / min 이하 가 보다 바람직 하 다 .