더욱 구체 적 으로 , 최적 의 접촉 형상 을 유지 하 고 , 오염 제어 를 위해 , 반도체 오 믹 접촉 을 형성 하 기 위해 오 믹 접촉 구조 체 ( 42 OC ) 의 어닐링 은 알루미늄 의 용융점 미만 ( ≤ 660 ℃) 으로 유지 된다 . 이러 한 저온 어닐링 은 일반 적 으로 정상 상태 온도 에서 질소 분위기 에서 5 분 보다 더 걸린다 ( ≥ 5 ) . 더욱 구체 적 으로 , 금속 대 반도체 오 믹 접촉 구조 체 ( 42 OC ) 의 제 1 금속 원소 , 여기 서 는 예 를 들 어 Ti 또는 Ta 층 ( 42 a ) 은 III 족 - N 면 , 여기 서 는 예 를 들 어 AlxGa 1 - xN 층 ( 36 ) 상 에 직접 적층 되 거나 접촉 하 여 배치 되 고 , 오 믹 접촉 구조 체 ( 42 OC ) 의 오 믹 접촉 형성 어닐링 ( 여기 서 오 믹 어닐링 이 라고 도 함 ) 동안 주변 온도 에서 정상 상태 의 어닐링 온도 까지 온도 상승 동안 III 족 - N 물질 계면 층 ( 36 ) 내 에서 V 족 원소 질소 와 반응 함 으로써 금속 질화물 을 형성 한다 . 선형 온도 상승 이 사용 될 때 , 온도 상승 은 일반 적 으로 ≤ 15 ℃/ sec 이 지만 , 금속 질화물 의 형성 시 에 III 족 - N 표면층 ( 36 ) 과 제 1 금속 층 ( 42 a ) 의 상호 작용 을 최적 화 하 기 위해 계단 형 온도 상승 프로 파일 , 및 혼합 단계 및 선형 상승 프로파일 전체 가 사용 될 수 있 음 을 알 수 있 다 . 다음 으로 , 제 2 저저 항 금속 , 여기 서 는 예 를 들 어 알루미늄 층 ( 42 b ) 은 최저 저항 오 믹 접촉 을 제공 하 기 위해 ≥ 5 분 동안 ≤ 660 ℃ 의 정상 상태 어닐링 공정 동안 III 족 - N 물질 ( 여기 서 는 층 ( 36 ) ) 의 표면 으로 , 및 제 1 금속 ( 여기 서 는 층 ( 42 a ) ) , 형성 된 금속 질화물 로 확산 한다 . 마지막 으로 , 제 1 금속 과 제 2 금속 , 여기 서 는 ≤ 660 ℃ 온도 에서 III 족 - N 물질 층 ( 36 ) 및 오 믹 접촉 을 형성 하 는 금속 대 반도체 오 믹 접촉 구조 체 ( 42 OC ) 의 층 ( 42 a 및 42 b ) 사이 의 상호 작용 의 양 을 최대 화 하 기 위해서 , 둘 중 상부 층 ( 여기 서 는 층 ( 42 b ) ) 과 접촉 하 고 , 2 개 의 층 ( 여기 서 는 층 ( 42 a 및 42 b ) ) 상 에 배치 되 는 임의 의 제 3 금속 층 ( 금속 질화물 또는 금속 , 여기 서 는 층 ( 42 c ) ) 과 서로 혼합 을 억제 할 필요 가 있 다 .