그 후 , 도 5 c 에서 볼 수 있 는 바 와 같이 , 제 1 마스크 층 ( 222 ) 를 이용 하 여 프로브 의 팁 부 의 상단 을 위한 일정 영역 에 대응 하 는 산화 막 ( 221 ) 을 식각 제거 한다 . 이때 , 산화 막 ( 221 ) 의 식각 방법 은 통상 적 으로 사용 되 는 것 이 면 특별히 제한 되 지 않 으며 , 일반 적 으로 활성 이온 식각 ( reactive ion etch ) 등 의 건식 식각 방법 이나 버퍼 옥사이드 식각 용액 ( buffer oxide etchant ) 등 의 식각 용액 을 이용 하 는 습식 식각 방법 을 이용 한다 .