일부 실시 양태 에서 , 반응기 ( 105 ) 는 , 반응기 ( 105 ) 와 가공 챔버 ( 100 ) 사이 의 연속 적 인 유체 유동 경로 , 예컨대 파이프 또는 튜브 에 의해 생성 되 는 유동 경로 가 존재 하 지 않 는다는 점 에서 , 반도체 가공 챔버 ( 100 ) 와 유체 적 으로 소통 되 지 않 는다 . 이것 은 제 1 기체 혼합물 ( 102 ) 의 전처리 가 챔버 ( 100 ) 의 위치 ( 109 ) 로부터 실질 적 으로 떨어진 위치 ( 108 ) 에서 발생 한다는 사실 때문 일 수 있 다 . 예 를 들 어 , 챔버 ( 100 ) 은 반도체 제조 장소 에 위치 할 수 있 는 반면 , 전처리 는 이 제조 장소 에 위치 하 지 않 는 기체 생산 , 저장 또는 트랜 스필 ( transfill ) 센터 가 있 는 떨어진 장소 에서 발생 할 수 있 다 . 일부 실시 양태 에서 , 위치 ( 108 ) 및 위치 ( 109 ) 는 약 10 마일 ( mile ) , 바람직 하 게 는 약 5 마일 , 또는 더욱 바람직 하 게 는 약 1 마일 떨어져 있 을 수 있 다 .