도 2 a 를 참조 하 면 , 비정질 실리콘 층 에 소정 의 빔 폭 ( w 1 ) 을 가지 는 레이저 빔 을 1 차 로 레이저 조사 하 여 , 상기 1 차 로 레이저 조사 된 비정질 실리콘 ( a - si ) 을 완전 용융 시킨다 . 상기 레이저 빔 의 조사 가 끝난 후 냉각 이 시작 되 면 비정질 실리콘 과 용융 실리콘 의 경계 면 에서 우선 적 으로 결정화 가 일어나 며 씨드 ( 110 ) 를 형성 한다 . 이때 , 상기 씨드 ( 110 ) 형성 시 발생 한 응고 잠열 에 의해 비정질 실리콘 과 용융 실리콘 의 경 계면 으로부터 용융 된 실리콘 방향 으로 온도 가 점차 감소 되 는 온도 구배 ( 句 配 ) 가 형성 된다 . 열 유속 은 용융 된 실리콘 층 의 중앙부 방향 으로 흐르 게 되 므로 , 다 결정 실리콘 결정립 은 용융 된 실리콘 이 완전히 응고 될 때 까지 측면 성장 이 일어나 게 된다 . 상기 다 결정 실리콘 은 인접 하 여 성장 하 는 결정립 사이 의 경계 , 즉 결정립계 가 발생 하 게 되 는데 , " 이 와 같이 결정립 의 성장 방향 과 같 은 방향 으로 발생 하 는 결정립 계 를 "" 세 컨 더리 결정립계 ( Secondary Grain Boundary ) ( 120 ) "" 라고 한다 . 또한 ", 상기 다결정 실리콘 결정립 은 용융 된 실리콘 의 양쪽 경계 면 에서 동시 에 성장 함 으로 용융 된 실리콘 의 중앙부 에서 상기 결정립 의 성장 은 멈추 게 되 며 , " 마주 보 며 성장 하 던 결정립 사이 에 는 결정립계 가 발생 된다 . 이 와 같이 결정립 의 성장 방향 과 수직 방향 으로 발생 하 는 결정립계 를 "" 프라이머리 결정립계 ( 130 ) "" 라고 한다 . "