또한 여기 서 는 반도체 층 ( 108 ) 의 일부 를 저 저항 화 시키 기 위한 막 으로서 , 절연 층 ( 116 ) 을 사용 하 는 예 를 나타내 었 지만 , 절연 층 ( 118 ) 을 반도체 층 ( 108 ) 의 일부 에 접하 여 제공 함 으로써 , 반도체 층 ( 108 ) 의 일부 를 저 저항 화 시켜 도 좋 다 . 즉 , 절연 층 ( 116 ) 을 제공 하 지 않 는 구성 으로 할 수 도 있 다 . 이때 , 반도체 층 ( 108 ) 의 일부 와 접하 는 절연 층 ( 118 ) 으로서 , 산화 실리콘 막 , 산화 질화 실리콘 막 등 의 산화물 을 포함 한 절 연막 을 사용 할 수 도 있 다 .