도 9 의 부분 단면도 를 참조 하 면 , 제 2 이 산 전도성 영역 ( 49 ) 은 전도성 비아 ( 44 ) 를 형성 하 는 전도성 재료 로서 형성 될 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 제 1 소스 재 분배 구조물 ( 45 ) 의 제 1 이 산 전도성 영역 ( 48 ) , 제 1 드레 인 재 분배 구조물 ( 46 ) 의 제 2 이 산 전도성 영역 ( 49 ) , 제 1 게이트 재 분배 구조물 ( 47 ) 및 전도성 비아 ( 44 ) 는 텅스텐 으로 형성 된다 . 동일 한 재료 는 동일 한 증착 단계 에서 형성 될 수 있 다 .