임프 린트 헤드 ( 4 ) 에 의해 보유 지지 되 는 몰드 ( 1 ) 는 통상 자외선 을 투과 시킬 수 있 는 석영 등 의 재료 로 이루어진다 . 몰드 ( 1 ) 는 기판 ( 2 ) 에 대면 하 는 면 ( 패턴 면 ) 에 패턴 영역 ( 1 a ) 을 가지 며 , 디바이스 패턴 으로서 기판 ( 2 ) 에 전사 해야 할 요철 패턴 이 패턴 영역 ( 1 a ) 에 형성 된다 . 몰드 ( 1 ) 는 템플 릿 또는 원판 이 라고 도 불릴 수 있 다 . 몰드 ( 1 ) 는 직사각 형 외형 을 갖 는다 . 몰드 ( 1 ) 의 패턴 영역 ( 1 a ) 에 는 얼라인먼트 마크 로서 기능 하 는 몰드 측 마크 가 형성 된다 . 패턴 영역 ( 1 a ) 은 , 예 를 들 어 약 수십 μ m 의 높이 의 단차 를 갖 는 메사 구조 로 형성 된다 . 패턴 영역 ( 1 a ) 의 사이즈 는 기판 ( 2 ) 상 에 전사 해야 할 디바이스 패턴 에 따라 다를 수 있 지만 , 패턴 영역 ( 1 a ) 의 사이즈 는 전형 적 으로 33 mm × 26 mm 이 다 . 또한 , 몰드 ( 1 ) 는 , 캐비 티 ( 1 b ) 의 제공 에 의해 패턴 영역 ( 1 a ) 및 패턴 영역 ( 1 a ) 주변 의 부분 이 얇 아 지 게 하 여 패턴 영역 ( 1 a ) 을 용이 하 게 변형 시킬 수 있 도록 패턴 면 의 반대 측 면 에 캐 비티 ( 1 b ) ( 오 목부 ) 를 갖 는다 . 몰드 ( 1 ) 가 임프 린트 헤드 ( 4 ) ( 몰드 척 ( 4 a ) ) 에 의해 보유 지지 될 때 , 캐비 티 ( 1 b ) 에 는 실질 적 으로 차폐 된 공간 이 형성 된다 . 캐 비티 ( 1 b ) 는 배관 ( 5 a ) 을 통해서 변형 유닛 ( 5 ) 과 소통 한다 .