실리콘 - 형성 금속 층 ( 312 ) 형성 이후 에 탑 전도체 ( 208 ) 가 형성 된다 . 몇몇 실시 예 에서 , 하나 이상 의 장벽 층 및 / 또는 접착 층 ( 314 ) 은 전도체 층 ( 315 ) 의 증착 이전 에 규소 화합물 - 형성 금속 층 ( 312 ) 상 에 형성 될 수 있 다 . 전도성 층 ( 315 ) , 장벽 층 ( 314 ) 및 규소 화합물 - 형성 금속 층 ( 312 ) 은 함께 패 터닝 및 / 또는 에칭 되 어 탑 전도체 ( 208 ) 를 형성 할 수 있 다 .