도 8 에 나타내 는 바 와 같이 , 회로 층 ( 112 ) 이 되 는 구리판 ( 122 ) 과 세라믹스 기판 ( 111 ) 사이 에 , 각각 Ti , Zr , Nb , Hf 에서 선택 되 는 1 종 또는 2 종 이상 의 활성 금속 의 단체 ( 본 실시 형태 에서 는 Ti 단체 ) 및 Mg 단체 를 배치 한다 ( 활성 금속 및 Mg 배치 공정 S 101 ) . 본 실시 형태 에서 는 , 활성 금속 ( Ti ) 과 Mg 를 증착 시킴 으로써 , 활성 금속 막 ( 124 ) ( Ti 막 ) 및 Mg 막 ( 125 ) 이 형성 되 어 있 고 , 구리판 ( 122 ) 에 접촉 하 도록 Mg 막 ( 125 ) 이 형성 되 어 있 다 .