도 4 j 에서 , SAC 영역 은 SAC 재료 ( 152 ) 로 충 진 된다 . 일부 예 들 에서 , SAC 재료 ( 152 ) 는 금속 층 들 ( 155 ) 또는 배리어 층 들 ( 153 ) 및 배리어 층 들 ( 153 ) 상 에 증착 된 금속 층 들 ( 155 ) 을 포함 한다 . 일부 예 들 에서 , 배리어 층 들 ( 153 ) 은 티타늄 ( Ti ) 및 티타늄 나이트 라이드 ( TiN ) 2 층 을 포함 하 고 , 금속 층 들 ( 155 ) 은 텅스텐 ( W ) 을 포함 하 지만 , 다른 재료 들 , 예컨대 배리어 에 대해 WCNx 및 금속 층 에 대해 Co 가 사용 될 수 있 다 . 도 4 k 에서 , 희생 적 SnO 2 스 페이서 ( 128 ) 는 제거 된다 . 예 를 들 어 , 희생 적 SnO 2 스 페이서 ( 128 ) 의 에칭 은 본 명세서 에 기술 된 수소 플 라즈 마 에칭 방법 들 을 사용 하 여 노출 된 재료 들 에 대해 선택 적 으로 , 수행 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , SnO 2 재료 는 SiOC 층 ( 145 ) 과 ILD 층 ( 예 를 들 어 , 도핑 되 거나 도핑 되 지 않 은 SiO 2 ) ( 132 ) 사이 에 놓일 수 도 있 고 , 수소 플 라즈 마 를 사용 하 여 이 들 재료 들 에 대해 선택 적 으로 에칭 될 수 도 있 다 .