즉 , 도 1 의 XX ' 단면 구조 를 나타내 는 도 3 과 같이 , 시트 저항 값 이 높 고 , 가공 이 곤란 하 지만 높이 를 낮 게 할 수 있 는 텅스텐 층 등 의 차광 금속 층 ( 9 ) 을 이용 하 여 , 사이 에 제 2 배선 층 부 ( 5 b ) 를 걸치 고 , 우회 한 제 2 배선 층 부인 인 출부 ( 4 b , 4 b ) 사이 를 바이패스 선 으로서 단락 시키 면 , 제 2 배선 층 부인 인 출부 ( 5 b ) 및 패드 ( 8 ) 의 외측 을 돌 게 한 제 2 배선 층 부인 인 출부 ( 4 b ) 의 저항 값 및 용량 값 을 작 게 할 수 있 어서 우회 하 는 것 의 단점 을 개선 할 수 있 다 . 즉 , 우회 한 제 2 배선 층 부인 인 출부 ( 4 b ) 와 제 2 배선 층 부인 인 출부 ( 4 b ) 사이 의 저항 값 및 용량 값 과 바이패스 용 차광 금속 층 ( 9 ) 의 병렬 회로 가 구성 된다 .