상기 기술 적 과제 를 달성 하 기 위해 본 발명 은 , 투명 도전 막 과 산화물 반도체 막 으로 이루어진 적층 전극 을 제조 하 는 방법 에 있 어서 , 투명 도전 막상 에 산화물 반도체 전구체 를 도포 하 는 단계 ; 상기 전구체 가 도포 된 투명 도전 막 을 산화 분위기 에서 열처리 하 여 산화물 반도체 막 / 투명 도 전막 의 적층 전극 을 형성 하 는 단계 ; 상기 열처리 후 환원 분위기 에서 상기 적층 전극 을 열처리 하 는 단계 ; 및 전기 화학 적 산화 단계 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 하 는 적층 전극 제조 방법 을 제공 한다 .