종래 의 평탄 한 벌크 형 ( planar bulk ) CMOS 기술 에서 는 , 전원 스위치 를 구현 하 기 위해 통상 적 으로 nFET 타입 또는 pFET 타입 의 오직 한 종류 의 전계 효과 트랜지스터 ( field effect transistor : FET ) 전원 스위치 가 사용 된다 . nFET 타입 의 전원 스위치 는 더 양호 한 전류 구동 능력 으로 인해 , 훨씬 더 작 은 트랜지스터 폭 에서 pFET 타입 의 전원 스위치 와 동일 한 가상 전원 공급 장치 라인 ( virtual power supply lines ) 의 저 저항 연결 ( low - resistive connection ) 을 미 전환 된 전원 공급 장치 라인 ( unswitched power supply lines ) 에 제공 하 며 , 그 에 따라 더 낮 은 누설 전류 를 갖 기 때문 에 , nFET 타입 의 전원 스위치 가 선호 된다 . 그러나 , nFET 타입 의 전원 스위치 는 비 활성 화 된 회로 블록 내 의 전압 소스 소스 벌크 ( voltage source source bulk : VSSBULK ) 로 지칭 되 는 부유 기판 전위 ( floating body potential ) 를 칩 의 나머지 부품 으로부터 절연 시키 기 위해 트리플 웰 구조 의 절연 ( triple well isolation ) 이 요구 된다 . 반면 에 , 만일 pFET 타입 의 전원 스위치 가 사용 되 는 경우 , n - 웰 ( n - wells ) 의 분리 로 인하 여 자연 적 인 절연 이 제공 되 지만 , nFET 타입 의 전원 스위치 에 비해 대략 2 배 의 면적 오버헤드 ( area overhead ) 가 발생 하 는 결과 를 낳 는다 .