이 와 같이 형성 된 질화 금속 실리케이트 막 ( 104 ) 은 , 높 은 질소 농도 ( 질소 함유율 ) 및 높 은 비유전율 을 갖 는 동시 에 , 열 적 안정 성 이 뛰어나 고 , 고유 전 율 게이트 절 연막 으로서 이용 하 는데 매우 적합 하 다 . 예 를 들 면 , 질소 농도 ( 함유율 ) 를 1 원자 % 이상 20 원자 % 이하 로 설정 할 수 가 있 다 . 또 , 비유전율 을 10 이상 20 이하 로 설정 할 수 가 있 다 . 또 , 본 발명 에 의한 절 연막 의 형성 방법 은 , 종래 의 방법 에 비해 막 두께 , 특히 실리콘 산화 막 의 막 두께 의 제 어성 이 높 다고 하 는 특징 이 있 다 .