베이스 다이 웨이퍼 ( 100 ) 상 에 코어 다이 ( 200 ) 들 이 적층 될 수 있 다 . 제 2 반도체 소자 를 이루 는 집 적 회로 가 반도체 기판 의 반도체 다 이 영역 에 집적 되 고 , 반도체 기판 으로부터 반도체 다 이 영역 이 절단 분리 되 어 코어 다이 ( 200 ) 가 이루어질 수 있 다 . 코어 다이 ( 200 ) 에 집적 된 제 2 반도체 소자 는 베이스 다 이 영역 ( 101 , 102 ) 에 집적 된 제 1 반도체 소자 와 는 다른 동작 또는 기능 을 하 는 집적회로 를 포함 할 수 있 다 . 예컨대 , 코어 다이 ( 200 ) 에 집적 된 제 2 반도체 소자 는 메모리 소자 일 수 있 고 , 베이스 다 이 영역 ( 101 , 102 ) 에 집적 된 제 1 반도체 소자 는 메모리 소자 를 제어 하 는 콘트 롤러 ( controller ) 를 포함 할 수 있 다 . 예컨대 알려진 HBM 소자 의 경우 , 코어 다이 ( 200 ) 의 제 2 반도체 소자 는 데이터 ( data ) 들 이 저장 될 뱅크 ( bank ) 들 을 포함 하 는 디램 ( DRAM ) 소자 로 이루어질 수 있 고 , 베이스 다 이 영역 ( 101 , 102 ) 의 제 1 반도체 소자 는 코어 다이 ( 200 ) 에 집적 된 디램 소자 를 테스트 ( test ) 하 는 회로 , 소프트 리 페어 ( soft repair ) 하 는 회로 , 어 드레스 ( address ) 회로 , 코 맨 드 ( command ) 회로 , 신호 교환 을 위한 물리 계층 ( PHY ) 들 을 포함 할 수 있 다 .