종래 의 top emission 방식 의 inverted AMOLED 구조 에서 투명 전극 인 ITO 를 양 의 전극 으로서 top 의 위치 에 위치 시키 면 , top 에 위치 한 ITO 양 의 전극 제작 시 스퍼터 증착 법 에 의한 유기 발광 층 의 손상 가능 성 이 있 고 , 이 를 반투명 금속 으로 대체 했 을 때 EL 특성 의 불 균일성 등 이 나타날 수 있 다 , 이러 한 단점 을 해결 하 기 위해 ITO 투명 전극 을 다른 물질 로 대체 하 여 bottom 에 위치 시키 는 방법 을 사용 할 수 있 는데 , bottom 전극 은 음극 으로서 낮 은 일함수 를 요구 하 므로 높 은 일함수 를 가지 는 ITO 는 적합 지 않 다 .