이 상태 에서 , 사면체 실리콘 패턴 ( 21 ) 을 마스크 층 으로 하 여 기판 ( 10 ) 을 1 : l 식각 하 면 사면체 실리콘 패턴 ( 21 ) 에 의해 한정 되 지 않 은 부분 은 식각 되 어 평평 한 베이스 ( 12 ) 를 형성 하 게 되 고 , 사면체 실리콘 패턴 ( 21 ) 에 의해 한정 된 영역 은 돌출 된 사면체 패턴 ( 11 ) 으로 남 는다 .