다른 특정 실시 형태 에 있 어서 , 메모리 디바이스 는 자기 터널 접합 ( MTJ ) 비트 셀 을 포함 한다 . MTJ 비트 셀 은 제 1 MTJ , 제 2 MTJ , 및 비트 셀 의 제 1 MTJ 및 제 2 MTJ 중 선택 된 MTJ 에 프로그램 신호 를 인가 함 으로써 비트 셀 에서 비가역 상태 를 발생 시키 도록 구성 된 프로그래밍 회로 를 포함 한다 .