또한 , 특히 , 상술 한 물질 중 에서 도 전자 수송 성 의 물질 을 사용 하 여 발광 성 물질 을 분산 시켜서 제 3 층 ( 113 ) 을 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 구체 적 으로 는 , 상술 한 금속 착체 및 헤테로 사이 클릭 화합물 중 의 임의 의 것 ; 상술 한 축합 방향 족 화합물 중 에서 CzPA , DNA 및 t - BuDNA ; 및 이후 에 제 4 층 ( 114 ) 에 사용 하 는 물질 로서 제시 되 는 추가 의 고분자 화합물 을 사용 할 수 도 있 다 .