본 발명 의 다른 실시 예 에 의하 면 , 기판 처리 방법 은 제 1 챔버 내 에 기판 을 로딩 하 는 단계 , 상기 제 1 챔버 에 상기 기판 을 처리 하 기 위한 공정 가스 를 공급 하 여서 상기 제 1 챔버 내 의 압력 을 기 설정 된 압력 으로 증 압 하 여 상기 기판 의 온도 를 안정 화 시키 는 단계 , 상기 제 1 챔버 내 의 압력 을 공정 압력 으로 감압 하 여 상기 기판 에 대한 제 1 공정 을 수행 하 는 단계 , 상기 기판 을 상기 제 1 챔버 의 외부 로 언 로딩 하 고 제 2 챔버 내 에 로딩 하 는 단계 , 상기 제 2 챔버 내 의 압력 을 기 설정 된 압력 으로 증 압 하 여 상기 기판 의 온도 를 안정 화 시키 는 단계 , 상기 제 2 챔버 내 의 압력 을 공정 압력 으로 감압 하 여 상기 기판 에 대한 제 2 공정 을 수행 하 는 단계 , 그리고 상기 기판 을 상기 제 2 챔버 의 외부 로 언 로딩 하 는 단계 를 포함 한다 .