예 를 들 면 , 상기 소자 로서 트랜지스터 를 형성 하 는 경우 에 는 , SOI 영역 의 제 2 반도체 층 과 , 벌크 영역 의 반도체 기판 에 각각 동일 한 높이 로 게이트 전극 을 형성 할 수 있 다 . 이 때문 에 , 게이트 전극 을 형성 할 때 의 포토 리소그래피 공정 에서 는 , SOI 영역 에 대한 노광 조건 과 벌크 영역 에 대한 노광 조건 을 거의 일치 시킬 수 있 어 , SOI 영역 및 벌크 영역 의 양방 에 대하 여 동시 에 최적 의 조건 으로 노광 하 는 것 이 가능 하 게 된다 . 따라서 , 생산 효율 이 좋 은 반도체 장치 의 제조 방법 을 제공 할 수 있 다 .