차세대 메모리 소자 로 주목 받 고 있 는 PRAM ( Phase change RAM ) , FRAM ( Ferroelectric RAM ) , MRAM ( Magnetic RAM ) 등 과 같 은 비휘발성 메모리 ( NVRAM ) 는 , 구동 에 필요 한 전력 이 매우 낮 으며 , 바이트 단위 로 액세스 ( access ) 가 가능 하 다는 장점 을 가지 면서 비휘발성 이 라는 저장 매체 의 특성 을 갖 고 있 다 . 현재 비휘발성 메모리 로서 NAND 플래시 메모리 가 널리 사용 되 고 있 지만 , 낸드 플래시 ( NAND flash ) 메모리 는 페이지 단위 로 읽 기 및 쓰 기 동작 이 이루어지 고 블록 단위 로 지우 기 동작 이 이루어져야 한다는 한계 를 갖 고 있 다 . 이 에 따라 비트 ( bit ) 단위 로 읽 기 및 쓰 기 동작 이 이루어지 는 비휘발성 메모리 의 응용 분야 는 점점 확대 될 것 으로 기대 되 고 있 다 .