이후 , 포토 리소그래피 공정 ( 제 2 마스크 공정 ) 을 통해 상기 비정질 실리콘 박막 과 n + 비정질 실리콘 박막 및 제 2 도 전막 을 선택 적 으로 제거 함 으로써 상기 어레이 기판 ( 210 ) 의 화소 부 에 상기 비정질 실리콘 박막 으로 이루어진 액티브 패턴 ( 224 ) 을 형성 하 며 , 상기 액티브 패턴 ( 224 ) 상부 에 상기 제 2 도 전막 으로 이루어진 소오 스 전극 ( 222 ) 과 드레 인 전극 ( 223 ) 을 형성 한다 .