일실 시예 에서 , 챔퍼 ( 212 a ) ( 예컨대 , 노출 되 고 있 는 표면 ) 는 복수 의 레이어 들 / 부피 들 ( 218 a ) 중 적어도 하나 를 제거 하 는 것 에 의해 형성 되 는 식별 할 수 있 는 래스터 링 패턴 을 보일 수 있 다 ( 예컨대 , 레이저 어 블레 이 션 에 의한 소재 의 제거 에 응답 하 여 형성 된 패턴 , 상기 래스터 링 패턴 은 그렇게 제거 된 디 봇 들 및 / 또는 리세 스 들 을 포함 한다 ) . 래스터 링 패턴 은 하나 또는 그 이상 의 마이크 로 피 쳐 들 ( 예컨대 , 디 봇 들 및 / 또는 리세 스 들 중 몇몇 에서 의 폭 이 500 μ m 보다 작 거나 , 100 μ m 보다 작 거나 , 50 μ m 보다 작 거나 , 25 μ m 보다 작 거나 , 10 μ m 보다 작 거나 , 5 μ m 보다 작 거나 , 1 μ m 보다 작 거나 , 500 nm 보다 작 거나 , 250 nm 보다 작 거나 , 또는 100 nm 보다 작 은 것 과 같이 999 μ m 보다 작 은 패턴 ) 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , PCD 테이블 ( 202 a ) 로부터 제거 되 는 레이어 들 / 부피 들 ( 218 a ) 이 챔퍼 ( 212 a ) 에 수직 하 거나 평행 하 지 않 기 때문 에 , 챔퍼 ( 212 a ) 는 식별 할 수 있 는 계단 모양 표면 을 보일 수 있 다 . 일실 시예 에서 , 챔퍼 ( 212 a ) 의 계단 모양 표면 은 그 표면 마감 을 향상 시키 기 위해 추가 적 인 폴리 싱 ( 예컨대 , 레이저 폴리 싱 ) 을 필요 로 할 수 있 다 . 그러나 챔퍼 ( 212 a ) 는 챔퍼 ( 212 a ) 가 추가 로 폴리 싱 된 이후 에 도 식별 할 수 있 는 래스터 링 패턴 을 여전히 보일 수 있 다 . 일실 시예 에서 , 레이어 들 / 부피 들 ( 218 a ) 각각 을 제거 하 기 위해 사용 되 는 에너지 빔 또는 에너지 펄스 가공 방법 은 챔퍼 ( 212 a ) 가 만족 할 만 한 표면 마감 ( 예컨대 , 챔퍼 ( 212 a ) 가 추가 폴리 싱 을 필요 로 하 지 않 을 정도 ) 을 보이 도록 구성 될 수 있 다 .