특히 , 이러 한 리 던 던 시 방식 의 경우 메모리 의 리 던 던 시 셀 ( Redundancy Cell ) 은 서브 - 어레이 블럭 별로 설치 해 두 는데 , 예 를 들 어 16 메가 디램 의 경우 256 K 셀 어 레이 마다 예비 로우 및 컬럼 을 미리 설치 해 두 어 결함 ( Fail ) 이 발생 하 여 불량 으로 된 메모리 셀 을 로우 ( Row ) / 컬럼 ( Column ) 단위 로 하 여 예비 메모리 셀 ( 즉 , 리 던 던 시 셀 ) 로 치환 하 는 방식 이 주로 사용 된다 .