이 와 같이 버퍼 층 ( 20 ) 의 SiCAlN 막 상 에 반도체 층 ( 30 ) 을 형성 한다 . 반도체 층 ( 30 ) 으로 는 도핑 되 지 않 은 GaN 막 및 불순물 이 도핑 된 GaN 막 중 적어도 어느 하나 의 막 을 사용 한다 . 또한 , 반도체 층 ( 30 ) 은 다층 으로 형성 될 수 있 다 . 즉 , 발광 소자 를 형성 하 기 위한 N 타입 반도체 층 , 활성 층 및 P 타입 반도체 층 이 순차 적 으로 형성 된다 . 본 실시 예 에서 는 상기 의 SiCAlN 막 이 형성 된 반응 로 의 온도 를 섭씨 900 내지 1100 도 까지 상승 시킨 다음 도핑 되 지 않 은 GaN 을 기상 성장 시켜 반도체 층 ( 30 ) 을 형성 한 다 . 이 로써 , 고품질 의 GaN 막 을 형성 할 수 있 다 . 즉 , 이 와 같이 고품질 의 도핑 되 지 않 은 GaN 막 상 에 N 타입 도핑 된 n - GaN 막 을 형성 하 고 , 그 상 에 다 중양자 우물 구조 의 활성 층 을 형성 하 고 , 활성 층 상 에 P 타입 도핑 된 p - GaN 막 을 형성 하 여 결정 결함 이 감소 되 고 , 결정 성 이 향상 된 우수 한 특성 의 반도체 발광 소자 를 제작 할 수 있 다 .