도 3 ( a ) 는 바이어 싱 회로 에 연결 된 수동 저항성 센서 구조물 ( 310 ) 을 포함 하 는 가령 , 반도체 장치 인 회로 ( 300 ) 또는 시스템 의 높 은 레벨 의 블록 도 를 나타내 는데 , 도 3 ( a ) 의 예시 에서 , 상기 회로 는 여기 노드 ( A ) 에 연결 된 제 1 부분 ( 321 ) 및 여기 노드 ( C ) 에 연결 된 제 2 부분 ( 322 ) 을 포함 한다 . 제 1 부분 ( 321 ) 및 제 2 부분 ( 322 ) 은 상호 연결 되 거나 , 및 / 또는 EP 2722682 에 설명 된 원리 에 따라 , 가령 , 제 1 부분 내 의 전압 에 의존 하 는 전류 를 생성 하 기 위한 , " 소위 "" 종속 전류 소스 "" 라고 불리 는 것 에 의해 상호 종속 적 일 수 있 지만 ", 본 발명 은 이 에 제한 되 지 않 는다 . 바이어 싱 회로 의 제 1 부분 ( 321 ) 은 수동 저항성 센서 구조물 ( 310 ) 의 여기 노드 ( A ) 에 연결 되 고 , 전류 ( Ibias ( t ) ) 를 저항성 센서 구조물 ( 310 ) 로 제공 ( 소 싱 ) 하 도록 구성 되 고 , 제 2 부분 ( 322 ) 은 전류 를 싱 킹 ( sinking ) 하 도록 구성 되 거나 , 이 와 반대 일 수 있 다 . 도 3 ( a ) 는 차동 전압 ( Δ V ( t ) ) 을 수신 하 기 위해 센서 구조물 ( 310 ) 의 출력 노드 ( B , D ) 에 연결 된 리드 아웃 회로 ( 330 ) 도 나타낸다 .