도 2 d 를 참조 하 면 , 상기 홀 ( h ) 이 매립 되 도록 반도체 기판 ( 200 ) 의 전면 상 에 도전 막 , 바람직 하 게 는 , 폴리 실리콘 막 을 증착 한 후 , 상기 소자 분리 막 ( 210 ) 이 노출 될 때 까지 상기 폴리 실리콘 막 을 화학 적 기계 적 연마 ( Chemical Mechanical Polishing ) 하 여 , 이 를 통해 , 상기 홀 ( h ) 내 에 폴리 실리콘 막 으로 이루어진 차폐막 ( 230 ) 을 형성 한다 .