다음 에 , 실리콘 혹은 게르마늄 을 함유 하 는 퇴적 성 기체 , 불소 혹은 플루오르화물 기체 , 및 수소 를 사용 하 여 결정핵 ( 44 ) 으로부터 결정 성장 시킴 으로써 , 도 1 d 에 도시 하 는 바 와 같이 , 미결정 반도체 막 ( 45 ) 을 형성 한다 . 플루오르화물 가스 로서 는 HF , SiF 4 , SiHF 3 , SiH 2 F 2 , SiH 3 F , Si 2 F 6 , GeF 4 , GeHF 3 , GeH 2 F 2 , GeH 3 F , Ge 2 F 6 등 이 있 다 . 여기 서 는 실란 , 불화 실란 , 수소 및 / 혹은 희소 가스 를 혼합 하 여 , 글 로우 방전 플 라즈 마 에 의하 여 미결정 반도체 막 ( 45 ) 을 형성 한다 .