그런 후 에 , 도 3 e 에 도시 한 바 와 같이 , 상기 제 1 하드 마스크 막 ( 101 ) 이 노출 될 때 까지 상기 구리 막 ( 106 ) 을 화학 적 기계 적 연마 ( chemical mechanical polishing : CMP ) 하 여 , 상기 제 1 트렌치 ( 102 ) 를 매립 하 는 제 1 Cu 본딩 라인 ( 106 a ) 을 형성 함 과 동시 에 , 상기 제 2 트렌치 ( 103 ) 를 매립 하 는 제 1 Cu 본딩 패드 ( 106 b ) 를 형성 한다 . 계속 해서 , 상기 제 1 Cu 본딩 라인 ( 106 a ) 및 제 1 Cu 본딩 패드 ( 106 b ) 를 포함 한 제 1 하드 마스크 막 ( 101 ) 상 에 보호막 ( 107 ) 을 형성 한다 . 상기 보호막 ( 107 ) 은 , 후속 의 센서 파트 ( 109 ) 형성 공정 시 , 상기 제 1 Cu 본딩 라인 ( 106 a ) 및 제 1 Cu 본딩 패드 ( 106 b ) 를 보호 할 수 있 도록 , SiC 또는 SiN 과 같 은 절연 물질 을 이용 하 여 200 내지 5 , 000 Å 의 두께 로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 .