이 들 화합물 은 일반 적 인 술폰산 에스테르화 반응 또는 술폰아미드 화 반응 을 사용 함 으로써 쉽 게 합성 될 수 있 다 . 예 를 들 면 , 이 들 화합물 은 비스 술포닐 할 라이드 화합물 의 1 개 의 술포닐 할 라이드 부위 를 선택 적 으로 일반식 ( PA - Ⅱ ) 또는 일반식 ( PA - Ⅲ ) 의 부분 구조 를 포함 하 는 아민 또는 알콜 과 반응 시켜서 술폰 아미도 결합 또는 술폰산 에스테르 결합 을 형성 한 후 , 다른 술포닐 할 라이드 부위 를 가수 분해 하 는 방법 , 또는 환상 술폰산 무수물 을 일반식 ( PA - Ⅱ ) 의 부분 구조 를 포함 하 는 아민 또는 알콜 에 의해 개환 시키 는 방법 에 의해 합성 될 수 있 다 . 일반식 ( PA - Ⅱ ) 또는 일반식 ( PA - Ⅲ ) 의 부분 구조 를 포함 하 는 상기 아민 및 알콜 은 아민 과 알콜 을 염기 성 조건 하 에서 ( R ' O 2 C ) 2 O 또는 ( R ' SO 2 ) 2 O 와 같 은 무수물 , 또는 R ' O 2 CCl 또는 R ' SO 2 Cl 과 같 은 산 클로라이드 화합물 과 반응 시킴 으로써 합성 될 수 있 다 ( 식 중 , R ' 은 메틸기 , n - 옥 틸 기 , 트리플 루 오로 메틸기 등 이 다 ) . 특히 , 합성 은 예 를 들 면 일본 특허 공개 2006 - 330098 호 공보 에 주어진 합성 예 에 따라서 행해질 수 있 다 .