상기 기판 ( 200 ) 상 에 는 상기 채널 층 ( 214 ) 및 스토리지 전극 ( 240 ) 을 덮 도록 게이트 절 연막 ( 212 ) 이 형성 되 어 있 다 . 상기 채널 층 ( 214 ) 상부 에 위치 한 게이트 절 연막 ( 212 ) 상 에 는 게이트 ( 210 ) 가 형성 되 어 있 으며 , 상기 스토리지 전극 ( 240 ) 의 일 측 상부 에 위치 한 게이트 절 연막 ( 212 ) 상 에 는 스토리지 전극 배선 ( 220 ) 이 형성 되 어 있 다 . 여기 서 , 상기 스토리지 전극 배선 ( 220 ) 은 전술 한 바 와 같이 스토리지 전극 ( 240 ) 에 인가 되 는 공통 전압 이 RC delay 에 의하 여 변동 되 는 것 을 방지 하 기 위해 사용 되 는 배선 이 므로 좁 은 폭 으로 형성 될 수 있 다 .