도 3 b 는 다 마신 ( damascene ) 텅스텐 비트 라인 스택 을 형성 하 기 위한 방법 에서 의 작업 을 도시 하 는 공정 흐름 도 이 다 . 유전 층 에서 비트 라인 접촉 홀 이 형성 되 어 , 아래 위치 하 는 기판 의 전도성 영역 이 노출 된다 ( 351 ) . 상기 비트 라인 은 활성 영역 으로 의 접촉 부 뿐 아니 라 아래 위치 하 는 금속 층 으로 의 접합부 모두 를 포함 할 수 있 다 . 라이너 / 장벽 으로서 Ti / TiN 을 증착 하 는 것 대신 , 매우 얇 은 텅스텐 - 풍부 층 이 증착 되 어 , 상기 층 이 장벽 으로서 기능 한다 ( 353 ) . 뒤 따르 는 텅스텐 핵 생성 공정 및 텅스텐 벌크 증착 공정 이 비트 라인 을 형성 하 기 위해 수행 된다 . 작업 ( 355 및 357 ) 을 참조 하 라 . 비트 라인 을 형성 한 후 , 뒤 따르 는 공정 작업 이 수행 된다 . 통상 적 으로 이 들 은 예 를 들 어 , CMP 와 라이너 증착 중 하나 와 , 텅스텐 라인 을 형성 하 기 위한 뒤 따르 는 광 패턴 처리 ( photopatterning ) 와 건식 에칭 ( dryetch ) 이 다 . 상기 텅스텐 - 풍부 필름 은 얇 은 텅스텐 필름 ( < 500 옹스트롬 ) 이 요망 되 는 비트 라인 적용 예 에 특히 적합 하 다 . 총 두께 ( 도 1 b 의 H ) 가 작 기 때문 에 , 장벽 이 총 저항 에 더 기여 한다 . 본원 에서 기재 되 는 극 박 ( ultrathin ) 의 , 저 저항률 텅스텐 - 풍부 장벽 필름 이 TiN 필름 보다 더 낮 은 저항 을 제공 한다 . 도 3 c 는 라인 의 단면 의 개략 도 이 다 . 텅스텐 - 풍부 장벽 층 이 ( 371 ) 에 위치 하 고 , 텅스텐 핵 생성 층 이 ( 373 ) 에 위치 하 며 , 벌크 텅스텐 이 ( 375 ) 에 위치 한다 . 전체 라인 은 텅스텐 풍부 필름 으로 구성 된다 . 앞서 언급 된 바 와 같이 , 텅스텐 핵 생성 층 ( 373 ) 은 통상 적 으로 PNL , 또는 ALD 층 이 며 , 텅스텐 벌크 층 ( 375 ) 은 CVD 공정 으로 증착 된다 . 또한 특정 실시 예 에서 , 층 ( 373 ) 은 제공 되 지 않 을 수 있 다 . 블랭킷 ( blanket ) 텅스텐 필름 을 증착 하 고 , 뒤 이 어 , 상기 텅스텐 을 패턴 처리 하 고 , 건식 에칭 함 으로써 , 또는 다 마신 과 후 텅스텐 증착 패턴 처리 및 에칭 의 조합 에 의해 , 비트 라인 , 또는 그 밖 의 다른 텅스텐 라인 이 형성 될 수 있 다 .