본원 에서 사용 되 는 바 와 같이 , 고밀도 플라스마 공정 은 플라스마 CVD 공정 으로서 , 이 는 1011 이온 / cm 3 또는 그 초과 의 이온 밀도 를 가지 고 10 - 4 또는 그 초과 의 이온 분획 ( 이온 / 중성 비율 ) 을 가지 는 플라스마 를 사용 한다 . 전형 적 으로 HDP - CVD 프로세스 는 동시 증착 및 스퍼터링 ( sputtering ) 성분 을 포함 한다 . 본 발명 에 포함 된 HDP - CVD 프로세스 는 , 갭 필 ( gapfill ) 에 최적 될 수 있 는 전통 적 HDP - CVD 와 다소 상이 하 다 . 일부 구체 예 에서 , 더 높 은 밀도 실리콘 질화물 필름 은 상당히 줄어든 또는 바이 아스 ( bias ) 가 없 는 파워 로 얻 어 지 고 , 따라서 스퍼터링 을 조장 하 기 위해 큰 바 이 아스 파워 를 사용 하 는 HDP - CVD 프로세스 보다 덜 스퍼터링 을 가진다 . 전통 적 HDP 프로세스 파라미터 로부터 의 이탈 에 도 , 스퍼터링 및 증착 률 을 포함 하 는 특징 은 유용 할 것 이 고 그래서 아래 에 정의 되 어 있 다 .