반면 , 비 교예 1 - 2 내지 7 - 2 는 실리콘 저 매 늄 막인 , Si 0 . 75 Ge 0 . 25 막 에 대한 식각 능력 이 우수 할 경우 , 실리콘 산화 막 또한 과 식각 시키 는 경우 가 발생 하 였 고 , 불 산 ( HF ) 을 포함 하 는 비 교예 1 - 2 내지 3 - 2 의 경우 , 실리콘 저 매 늄 막 의 식각 능력 은 떨어지 는 반면 , 실리콘 산화 막 은 과 식각 시켜 , 본원 발명 의 효과 를 달성 할 수 없 음 을 확인 하 였 다 . 특히 , 불 산 ( HF ) 만 을 포함 한 비 교예 1 - 2 및 불 산 ( HF ) 을 과량 포함 하 는 비 교예 3 - 2 의 식각 액 조성물 은 Si 0 . 75 Ge 0 . 25 의 식각 속도 가 현저히 낮 을 뿐 아니 라 , Si 0 . 75 Ge 0 . 25 의 식각 속도 대비 실리콘 산화 막 의 식각 속도 도 높 아 실리콘 산화 막 의 과 식각 을 방지 하 지 못하 였 다 .