유기 금속 을 이용 하 여 증착 된 버퍼 층 ( 20 ) 으로 SiCAlN 막 을 사용 하 고 , SiCAlN 막 은 MOCVD 법 을 이용 하 여 형성 한다 . 일반 적 으로 SiCAlN 막 을 형성 하 기 위해서 는 Ⅲ 족 의 소스 로 는 메탈 오가 닉 ( metalorganic ) 을 사용 하 고 , Ⅴ 족 의 소스 로 암모 이나 ( NH 3 ) 와 같 은 기체 를 사용 하 였 지만 , 본 발명 에서 는 버퍼 층 ( 20 ) 인 SiCAlN 막 을 형성 하 기 위해 Ⅲ 및 Ⅴ 족 의 소스 로 모두 유기 금속 을 사용 한다 .