인 - 프로세스 소스 레벨 재료 층 들 ( 10 ') 은 소스 레벨 재료 층 들 을 형성 하 도록 후속 적 으로 변경 되 는 다양 한 층 들 을 포함 할 수 있 다 . 소스 레벨 재료 층 들 은 , 형성 시 에 , 3 차원 메모리 디바이스 의 수직 전계 효과 트랜지스터 들 에 대한 공통 소스 영역 으로서 기능 하 는 소스 콘택트 층 을 포함 한다 . 일 실시 예 에서 , 인 - 프로세스 소스 레벨 재료 층 들 ( 10 ') 은 , 하단 으로부터 상단 으로 , 하부 소스 레벨 반도체 층 ( 112 ) , 하부 희생 라이너 ( 103 ) , 소스 레벨 희생 층 ( 104 ) , 상부 희생 라이너 ( 105 ) , 상부 소스 레벨 반도체 층 ( 116 ) , 소스 레벨 절연 층 ( 117 ) , 및 선택 적 소스 선택 레벨 전도성 층 ( 118 ) 을 포함 할 수 있 다 .