자세 하 게 , 우선 , ALD 공정 을 이용 하 여 글 루 막인 제 2 티타늄 질화 막 ( TiN : 미 되 시 ) 이 형성 된 웨이퍼 ( 100 ) 가 로딩 되 어 있 는 공정 챔버 ( Chamber ) 내부 에 WF 6 가스 를 주입 하 고 , 퍼지 공정 을 진행 한 후 , 환원 가스 인 SiH 4 가스 를 챔버 내부 로 공급 하 여 텅스텐 박막 ( 102 ) 을 형성 한다 .