일부 구 현예 에서 , 단계 ( i ) 에서 , 상부 / 하부 부분 을 목표 부분 으로 미리 선택 하 고 , 단계 ( iii ) 에서 , 초기 유전체 막 의 목표 부분 에 함유 된 불순물 양 을 증가 시킴 으로써 목표 부분 에 함유 된 불순물 의 양 이 상대 적 으로 증가 되 고 , 이 는 ( iiia ) 초기 유전체 막 의 전체 노출 표면 상 에 탄소 및 / 또는 할로겐 을 함유 하 는 비 실리콘 가스 를 흡착 시키 고 , " ( iiib ) 기판 이 그 사이 에 평행 하 게 배치 되 는 2 개 의 전극 사이 에 RF 전력 을 인가 함 으로써 여기 된 플 라즈 마의 이방성 충돌 에 비 실리콘 가스 흡착 표면 을 놓 는 것 에 의한다 . 이 구 현예 는 "" 불순물 의 영역 선택 적 포함 에 의해 측벽 이 두꺼운 TS - SiO "" 로서 지칭 될 수 있 다 . 이 구 현예 에서 ", 불순물 을 막 의 표면 에 도입 한 다음 , 플 라즈 마 에 의한 이방성 이온 충돌 에 의해 , 막 의 수평 부분 이 주로 공격 받 고 , 그 결과 , 수평 부분 은 치밀 화 되 고 , 불순물 은 막 의 수직 부분 에 대해 수평 부분 으로 선택 적 으로 포함 되 고 도입 됨 으로써 , 수평 부분 에서 의 내 화학 성 을 영역 선택 적 으로 감소 시키 고 , 습식 식각 속도 를 증가 시킨다 ( 즉 실질 적 으로 막 의 측벽 부분 만 실질 적 으로 또는 주로 남긴다 ) .