물론 실리콘 층 을 기판 의 하 면 상 에 형성 하 고 이 를 결정 화 한 후 실리콘 층 상 의 자연 산화 막 을 제거 하 는 것 으로 설명 하 였으나 , 결정 화 된 실리콘 층 표면 상 의 자연 산화 막 을 제거 하 는 단계 에 앞서 결정 화 된 실리콘 층 을 패 터닝 하 는 단계 를 거칠 수 도 있 다 . 결정 화 된 실리콘 층 을 패 터닝 할 시 실리콘 층 의 일정 부분 은 제거 되 는 바 , 그 제거 된 부분 이 기판 상 에 또는 기판 상 의 실리콘 층 에 잔존 하 지 않 도록 하 는 것 이 바람직 하 다 . 따라서 자연 산화 막 을 제거 하 는 단계 에서 기판 상 의 패 터닝 된 실리콘 층 표면 의 자연 산화 막 을 제거 함 과 동시 에 , 산화 막 제 거액 을 분사 함 으로써 실리콘 층 의 패 터닝 시 기판 으로부터 분리 된 실리콘 층 의 부분 을 동시 에 중력 을 이용 하 여 또는 원심력 을 이용 하 여 제거 하 여 , 최종 박막 트랜지스터 어레이 또는 유기 발광 소자 등 에 있 어서 불량 이 발생 하 는 것 을 사전 에 효과 적 으로 방지 할 수 있 다 .