미결정 반도체 막 ( 45 ) 의 두께 는 5 nm 이상 200 nm 이하 , 바람직 하 게 는 5 nm 이상 100 nm 이하 , 바람직 하 게 는 5 nm 이상 50 nm 이하 , 바람직 하 게 는 10 nm 이상 25 nm 이하 로 형성 한다 . 미결정 반도체 막 ( 45 ) 의 두께 를 5 nm 이상 50 nm 이하 로 함 으로써 완전 공핍 형 박막 트랜지스터 를 제작 할 수 있 다 .