유전 막 및 컨트롤 게이트 막 사이 에 제 1 도 전막 과 실질 적 으로 동일 한 물질 을 포함 하 는 제 2 도 전막 을 더 형성 할 수 있 다 . 그 후 , 제 2 도 전막 을 상기 제 2 방향 으로 식각 하 여 유전 막 패턴 과 컨트롤 게이트 사이 에서 제 2 방향 으로 연장 하 고 제 1 방향 으로 서로 이격 하 는 제 2 도 전막 패턴 들 을 형성 할 수 있 다 .