약간 의 선택 가능 한 실시 방식 에서 , 반도체 소자 의 제조 방법 은 에피 택 셜 층 ( 3 ) 의 제 1 표면 ( 30 ) 에 트렌치 ( 31 ) 또는 블라인드 홀 ( 32 ) 을 설치 하 고 , 이온 주입 방식 을 통해 트렌치 ( 31 ) 또는 블라인드 홀 ( 32 ) 의 측벽 과 저부 를 둘러싸 며 에피 택 셜 층 ( 3 ) 내 에 우물 영역 ( 4 ) 을 설치 하 는 단계 를 더 포함 하 며 , 트렌치 ( 31 ) 또는 블라인드 홀 ( 32 ) 측벽 에 이온 을 주입 하 는 주입 각도 는 7 ° 보다 크 거나 같 다 .