본 발명 은 비휘발성 메모리 소자 의 제조 방법 에 관한 것 으로 , 소자 분리 영역 에 는 소자 분리 막 이 형성 되 고 , 활성 영역 에 는 터널 절 연막 및 플로팅 게이트 용 제 1 도 전막 이 형성 되 고 , 상기 소자 분리 막 을 포함 한 상기 제 1 도 전막 상 에 는 유전체 막 , 컨트롤 게이트 용 제 2 도 전막 및 게이트 하드 마스크 가 형성 된 반도체 기판 이 제공 되 는 단계 , 상기 게이트 하드 마스크 를 식각 마스크 로 사용 하 여 상기 제 2 도 전막 을 패 터닝 하 는 단계 , 상기 유전체 막 이 식각 되 면서 노출 되 는 상기 제 1 도 전막 도 함께 식각 되 도록 상기 유전체 막 을 패 터닝 하 는 단계 , 및 잔류 하 는 상기 제 1 도 전막 을 상기 게이트 하드 마스크 의 패턴 에 따라 패 터닝 하 는 단계 를 포함 함 으로써 , 게이트 패 터닝 시 플로팅 게이트 간 마이크 로 브릿지 ( micro bridge ) 를 방지 하 여 인접 한 셀 간 의 2 비트 페일 ( 2 bit fail ) 을 개선 할 수 있 다 .