이러 한 본 발명 의 다른 실시 예의 변형 예 에 있 어서 도 , 컷팅 부위 는 상기 불량 이 발생 된 화소 전극 ( 103 a ) 을 구동 하 는 박막 트랜지스터 ( TFT 1 ) 이 며 , 쇼트 부위 는 불량 이 발생 된 화소 전극 ( 103 a ) 과 인접 한 상측 화소 영역 에 형성 된 보상 패턴 ( 110 ) 의 오버랩 부위 및 전단 화소 전극 ( 103 b ) 과 상기 보상 패턴 ( 110 ) 의 오버랩 부위 이 다 .