이때 , A 부분 에 나타낸 바 와 같이 , 제 1 게이트 도전 막 ( 23 ) 의 측벽 에 형성 된 ONO 막 ( 24 A ) ( 24 B ) ( 24 C ) 과 캡 핑 폴리 실리콘 막 ( 25 ) 이 숄더 ( shoulder ) 형태 를 띠 게 되 어 , 셀 영역 과 주변 회로 영역 의 경계 영역 에 숄더 프로파일 ( shoulder profile ) 이 형성 되 게 된다 .