상술 한 본 발명 은 텅스텐 막 의 측벽 을 실링 하 는 산화 방지 패턴 을 형성 하 므로써 라이트 산화 공정 을 적용 하 여도 게이트 식각 시 받 은 식각 손상 을 회복 시킬 수 있 다 . 이 로써 선택 적 산화 공정 시 발생 할 수 있 는 웨이퍼 와 챔버 의 오염 을 방지 할 수 있 고 , 손상 된 폴리 실리콘 막 에 대해 충분 한 회복 산화 공정 을 진행할 수 있 어 리 프레시 를 증대 시킬 수 있 다 .