비대칭 쇼트 키 장벽 을 이용 한 NOR 형 플래시 기억 소자 가 개시 된다 . 비대칭 쇼트 키 장벽 을 이용 한 NOR 형 플래시 기억 소자 의 제조 방법 에 있 어서 , 반도체 기판 에 불순물 을 주입 하 여 제 1 도전 성 영역 을 형성 하 는 단계 ; 기판 상 에 소스 와 이격 되 되 , 금속 을 실리사이드 화 한 제 2 도전 성 영역 을 형성 하 는 단계 ; 및 제 1 도전 성 영역 과 제 2 도전 성 영역 사이 의 채널 영역 상부 에 플로팅 게이트 와 컨트롤 게이트 를 순차 적 으로 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 제조 방법 이 제공 된다 . 본 발명 에 따르 면 , 드레 인 의 쇼트 키 장벽 주위 로 높 은 도핑 농도 가 유도 되 어 열전자 효과 가 증가 하 게 되 어 NOR 플래시 구조 의 쓰 기 속도 를 향상 시킬 수 있 다 .