이어서 , 도 1 b 에 도시 된 바 와 같이 , 얇 은 산화 막 ( 13 ) 을 증착 하 고 저 농도 소스 / 드레 인 ( 14 ) 을 형성 하 기 위한 이온 주입 공정 을 진행 한다 . 이 산화 막 ( 13 ) 은 저 농도 이온 주입 공정 에서 실리콘 기판 ( 10 ) 의 표면 을 보호 하 기 위하 여 일시 적 으로 형성 하 는 임시 산화 막 이 다 . 그러나 이 임시 산화 막 ( 13 ) 의 증착 공정 과 뒤 에 진행 될 제거 공정 은 게이트 절 연막 ( 11 ) 의 막 질 에 추가 손상 을 가하 여 반도체 소자 의 신뢰 성 에 영향 을 미친다 . 또한 , 저 농도 이온 주입 에 의하 여 형성 된 소스 / 드레 인 접합 ( 14 ) 은 이온 확산 에 의하 여 게이트 절 연막 ( 11 ) 의 아래쪽 으로 일부 겹쳐진다 . 이 는 전술 한 바 와 같이 반도체 소자 의 성능 을 떨어뜨리 는 요인 중 의 하나 이 다 .