반도체 장치 가 점점 고속화 . 고집 적 화 되 면서 반도체 장치 내 에 형성 되 는 금속 배선 의 미세 화 및 다 층화 가 이루어지 고 있 다 . 이러 한 금속 배선 의 폭 이 좁 아 져 서 금속 배선 의 저항 및 기생 용량 ( capacitance ) 으로 인한 RC ( resistance capacitance ) 에 의한 지연 이 발생 하 여 반도체 소자 의 고속화 를 방해 한다 . 이러 한 기생 용량 은 누설 전류 를 증가 시키 고 이 에 따라 전력 소모량 이 증가 한다 .