이 에 비해 , 제 1 실시 예 에 따른 반도체 장치 제조 방법 에서 는 , 유기 재료 막 ( 4 ) 이 실리콘 질화 막 ( 3 ) 상 에 형성 되 며 , 유기 재료 막 ( 4 ) 의 처리 를 위해 , 플루오르 와 같 은 할로겐 을 함유 한 에칭 가스 가 이용 되 지 않 는다 . 따라서 , 유기 재료 막 ( 4 ) 아래 에 있 는 실리콘 질화 막 ( 3 ) 은 거의 깎이 지 않 는다 . 즉 , 실리콘 질화 막 ( 3 ) 에 대한 유기 재료 막 ( 4 ) 의 선택 비 는 무제한 이 므로 , 종래 의 방안 이 갖 고 있 던 문제점 을 해결 한다 .