도 3 을 참조 하 면 , 소자 분리 막 ( 140 ) 에 의해 활성 영역 이 설정 된 패드 기판 ( 130 ) 상 에 제 2 마스크 패턴 ( 150 ) 을 형성 한다 . 제 2 마스크 패턴 ( 150 ) 은 후속 리세 스 트렌치 가 형성 될 영역 이 노출 되 게 대략 500 ~ 1500 Å 정도 의 두께 로 형성 할 수 있 다 . 이때 , 제 2 마스크 패턴 ( 150 ) 은 식각 정지 패턴 ( 111 ) 와 리 세스 트렌치 와 의 미스 얼라인 ( mis - align ) 을 최소 화 하 기 위해 제 1 마스크 패턴 ( 도 2 의 121 ) 에 얼라인 ( align ) 작업 을 수행 하 여 형성 할 수 있 다 .