도 3 을 참조 하 면 , 반도체 메모리 ( 100 ) 는 복수 의 메모리 블록 들 ( BLK 1 ~ BLKz ) 을 포함 하 는 메모리 셀 어레이 ( 110 ) , 복수 의 메모리 블록 들 ( BLK 1 ~ BLKz ) 의 선택 된 페이지 에 포함 된 메모리 셀 들 의 프로그램 동작 , 리드 동작 , 또는 이 레이즈 동작 을 수행 하 도록 구성 된 주변 회로 ( PERI ) 를 포함 한다 . 주변 회로 ( PERI ) 는 제어 회로 ( 120 ) , 전압 공급 회로 ( 130 ) , 페이지 버퍼 그룹 ( 140 ) , 컬럼 디코더 ( 150 ) 및 입출력 회로 ( 160 ) 를 포함 한다 .