상기 목적 을 달성 하 기 위해 본 발명자 들 이 연구 한 결과 , 2 장 의 실리콘 웨이퍼 를 직접 접합 시키 는 경우 , 실리콘 표면 의 산화 막 을 오 존수 ( ozone - water ) 처리 로 두께 2 . 2 nm 이하 로 형성 함 으로써 , 접합 웨이퍼 의 제작 공정 ( 열처리 ) 에 있 어서 발생 하 는 , 접합 계면 의 국소 적 인 산화물 의 발생 을 억제 할 수 있 는 것 을 알아내 어 , 본 발명 을 완성 시켰 다 . 오존 세정 으로 형성 된 산화 막 은 , 열처리 에 의해 형성 된 산화 막 에 비해 , 후 ( 後 ) 공정 에 있 어서 의 열처리 에 의해 분해 되 기 쉽 다는 특성 을 갖 고 , 그 때문 에 , 접합 공정 의 열처리 에서 도 국소 적 으로 집중 하 는 일 이 없이 , 확산 시킬 수 있 기 때문 에 , 접합 계면 의 국소 적 인 산화물 의 발생 을 억제 할 수 있 다고 추측 된다 . 오존 세정 으로 형성 된 산화 막 은 , 열처리 에 의해 형성 된 산화 막 에 비해 , 후 공정 에 있 어서 의 열처리 에 의해 분해 되 기 쉽 다는 인식 은 , 지금 까지 알려져 있 지 않 은 새로운 인식 이 다 .