일부 실시 예 에서 , 채널 구조 를 형성 하 기 위한 제조 공정 은 예 를 들 어 습식 에칭 및 / 또는 건식 에칭 에 의해 교번 유전체 스택 을 통해 수직 으로 연장 되 는 채널 홀 을 형성 하 는 것 을 포함 한다 . 일부 실시 예 에서 , 채널 구조 를 형성 하 기 위한 제조 공정 은 반도체 채널 과 , 교번 유전체 스택 내 의 유전체 층 쌍 과 반도체 채널 사이 의 메모리 막 을 형성 하 는 것 을 더 포함 한다 . 반도체 채널 은 폴리 실리콘 과 같 은 반도체 재료 를 포함 할 수 있 다 . 메모리 막 은 , 터널 링 층 , 저장 층 및 차단 층 의 조합 과 같 은 복합 유전체 층 일 수 있 다 .