또한 비 교예 에 따른 반도체 장치 에서 는 , 채널 구조물 ( C 140 ) 과 기판 ( 110 ) 사이 의 낮 은 접촉 저항 을 얻 기 위하 여 , 채널 홀 ( C 140 H ) 바닥 부 에 노출 된 기판 ( 110 ) 상면 으로부터 선택 적 에피 택 셜 성장 ( SEG ) 공정 에 의해 반도체 층 을 성장 시킴 에 의해 셀 콘 택 을 형성 할 수 있 다 . 그러나 상기 SEG 공정 을 통해 균일 한 높이 의 반도체 층 을 성장 시키 는 것 이 상당히 어려울 수 있 고 , 이 에 따라 복수 의 채널 구조물 ( C 140 ) 이 불 균일 한 전기 적 특성 을 가지 기 쉽 다 .