다른 실시 예 에서 , 제 1 전극 ( EL 1 ) 에 음 전압 인가 시 , 제 1 전극 ( EL 1 ) 과 저항 변화 물질 층 ( RE ) 사이 의 계면 에 에너지 장벽 이 생성 되 고 , 제 1 전극 ( EL 1 ) 에 양 전압 인가 시 , 제 1 전극 ( EL 1 ) 과 저항 변화 물질 층 ( RE ) 사이 의 계면 에 에너지 장벽 이 소멸 됨 으로써 , 다이오드 특성 이 결정 될 수 있 다 .