고집 적 반도체 소자 , 예 를 들 어 100 나노 이하 의 반도체 소자 에서 는 금속 배선 의 폭 및 간격 이 줄어들 고 , 이 에 따른 저항 증가 를 보상 하 기 위해 금속 배선 의 높이 가 증가 하 게 된다 . 따라서 , 금속 층 이 모두 식각 되 어 금속 배선 이 형성 되 기 이전 에 하드 마스크 막 이 식각 되 는 것 을 방지 하 기 위해 하드 마스크 막 의 두께 를 증가 시키 게 된다 . 그러나 , 하드 마스크 막 의 두께 가 증가 하 게 되 면 식각 공정 시 하드 마스크 막 이 쓰러지 는 현상 이 발생 하 게 되 어 반도체 소자 의 중대 한 결함 을 발생 시킨다 . 따라서 , 하드 마스크 막 의 밀도 를 높여 하드 마스크 막 의 두께 를 줄이 기 위해 하드 마스크 막 을 높 은 온도 , 예 를 들 어 550 ℃ 이상 의 온도 에서 증착 하 고 있 다 . 그러나 , 하드 마스크 막 의 증착 온도 를 증가 시킬 경우 트랜지스터 를 구성 하 기 위해 주입 된 불순물 이 확산 되 기 때문 에 불순물 의 농도 와 위치 가 변형 되 어 반도체 소자 의 전기 적 특성 에 문제 를 발생 시킨다 . 뿐 만 아니 라 , 녹는점 이 낮 은 알루미늄 이나 텅스텐 상부 에 높 은 온도 에서 하드 마스크 막 을 형성 할 경우 이 들 금속 층 이 녹 게 되 는 문제점 이 있 다 .