본 실시 형태 에 의하 여 섬 형상 의 산화물 반도체 막 ( 59 ) 및 한 쌍 의 전극 ( 61 ) 사이 에 n 형 도전 형 을 갖 는 버퍼 ( 87 ) 를 갖 기 때문 에 , 섬 형상 의 산화물 반도체 막 ( 59 ) 및 한 쌍 의 전극 ( 61 ) 의 접촉 저항 을 저감 할 수 있 다 . 결과 적 으로 , 트랜지스터 의 온 전류 의 저감 을 억제 할 수 있 다 .