한 예시 적 실시 예 에서 , 스텝 1102 에서 제조 프로세스 는 제 1 제조 클러스터 를 사용 하 여 수행 되 고 , 스텝 1112 에서 조정 된 하나 이상 의 프로세스 파라미터 는 제 1 제조 클러스터 의 파라미터 이 다 . 제 2 제조 클러스터 의 하나 이상 의 프로세스 파라미터 도 검사 영역 내 구조 의 존재 의 결정 에 기초 하 여 역시 조정 될 수 있 다 . 또한 , 구조 의 높이 및 폭 이 결정 될 때 , 제 1 제조 클러스터 및 / 또는 제 2 제조 클러스터 의 하나 이상 의 프로세스 파라미터 는 검사 영역 내 구조 의 존재 의 결정 에 기초 하 여 조정 될 수 있 다 . 제 2 제조 클러스터 는 제 1 제조 프로세스 이전 에 웨이퍼 를 처리 할 수 있 다 . 택일 적 으로 , 제 2 제조 클러스터 는 제 1 제조 클러스터 에 연이 어 웨이퍼 를 처리 할 수 있 다 .