그리고 , 본 명세서 는 제 2 박막 트랜지스터 의 제 2 소스 전극 및 제 2 드레 인 전극 을 2 중층 으로 구성 하 여 액티브 층 의 채널 영역 으로 수소 가 확산 되 는 것 을 방지 할 수 있 다 . 또한 , 제 2 소스 전극 및 제 2 드레 인 전극 을 형성 하 는 과정 에서 , 제 2 박막 트랜지스터 의 제 2 액티브 층 만 선택 적 으로 열처리 하 여 탈수소 화 공정 을 진행할 수 있 으므로 , 제 2 박막 트랜지스터 소자 만 을 문턱 전압 이하 에서 의 특성 값 ( s - factor ) 을 향상 시킬 수 있 다 .