도 7 의 ( d ) 에서 는 , 제 2 환형 부재 ( 26 b ) 가 도 7 의 ( c ) 일 때 보다 더 소모 되 고 있 다 . 이 때 , 다시 제 2 환형 부재 ( 26 b ) 상 의 시스 는 기판 ( W ) 상 의 시스 보다 얇 아 진다 . 이 때문 에 , 기판 ( W ) 의 외주 부 에 형성 되 는 홀 ( H ) 에서 는 , 이온 의 입사 각도 가 외측 에서 내측 으로 기울 고 , 기판 ( W ) 의 외주 부 에 형성 되 는 홀 ( H ) 에서 는 , 틸팅 각도 가 도 7 의 ( c ) 와 반대 방향 으로 변화 한다 .