한편 , 메모리 장치 ( 200 ) 는 메모리 셀 어레이 ( 210 ) , OCD / ODT 회로 ( 220 ) , 캘 리브레 이 션 회로 ( 230 ) 및 제 어 로직 ( 240 ) 을 포함 할 수 있 다 . OCD / ODT 회로 ( 220 ) 는 OCD 회로 및 / 또는 ODT 회로 를 포함 할 수 있 다 . 일 실시 예 에 따라 , 메모리 장치 ( 200 ) 에서 OCD 회로 와 ODT 회로 는 서로 별개 로 구현 될 수 있 다 . 또는 , 일 실시 예 에 따라 , OCD 회로 는 풀 업 회로 와 풀 다운 회로 를 포함 하 고 , 상기 풀 업 회로 와 풀 다운 회로 중 어느 하나 가 상기 ODT 회로 로 이용 될 수 있 다 . 일 예 로서 , 데이터 ( DATA ) 의 출력 동작 에서 OCD 회로 는 풀 업 회로 와 풀 다운 회로 를 이용 한 신호 출력 동작 을 수행 하 고 , 데이터 ( DATA ) 의 수신 동작 에서 OCD 회로 의 풀 업 회로 는 데이터 ( DATA ) 가 입력 되 는 라인 에 터 미 네이션 저항 을 제공 하 기 위한 ODT 회로 로 이용 될 수 있 다 .