도 2 에 도시 된 바 와 같이 , 본 실시 예 에 따른 반도체 메모리 장치 는 셀 어레이 ( 100 A , 100 B ) 와 , 워 드라인 드라이버 ( 110 A , 120 A , 110 B , 120 B ) 와 , 센스 앰프 제어 부 ( 200 A , 200 B ) 와 , 연결부 ( 300 A , 300 B ) , 비트 라인 센스 앰프 ( 400 ) 을 구비 한다 .