상기 게이트 전극 구조물 은 상기 제 1 방향 을 따라 서로 이격 된 복수 개 의 층 들 에 각각 형성 되 며 상기 제 2 방향 으로 각각 연장 된 게이트 전극 들 ( 372 , 374 , 376 ) 을 포함 할 수 있 으며 , 이 들 사이 에 는 절연 패턴 ( 175 ) 이 형성 될 수 있 다 . 절연 패턴 ( 175 ) 은 예 를 들 어 , 실리콘 산화물 과 같 은 산화물 을 포함 할 수 있 다 . 각 게이트 전극 들 ( 372 , 374 , 376 ) 은 상기 제 3 방향 으로 서로 이웃 하 는 상기 분리 구조물 들 사이 에 형성 된 채널 들 ( 260 ) 및 이 의 외측 벽 을 커버 하 는 제 1 전하 저장 구조물 ( 252 ) 을 둘러쌀 수 있 다 .