마 ) 상기 제 2 완충 층 ( 4 ) 위 에 HVPE 법 에 의하 여 GaN 막 5 ) 을 성장 시킨다 . 이때 에 GaN 막 의 성장 조건 은 다음 과 같 다 . GaN 층 의 성장 은 Ga 금속 에 HCl 가스 를 흘려 GaCl 을 만들 고 이 를 NH 3 와 반응 시킨다 . 수송 가스 ( carrier gas ) 로 H 2 또는 N 2 가스 를 이용 한다 . V / III 족 비 는 10 ~ 1000 , 이 때 의 온도 는 900 ~ 1200 ℃ 로 한다 . 이 와 같 은 조건 에 의해 GaN 층 성장 한 결과 결함 밀도 가 106 ~ 1010 / cm 2 인 GaN 막 을 얻 을 수 있 었 다 .