한편 , 도 10 의 실리콘 노 출부 ( 116 A ) 는 소 잉 공정 에서 도 2 와 같이 웨이퍼 를 절단 하 고 , 몰딩 공정 및 2 차 절단 공정 ( 도 9 ) 을 진행 하 였을 때 의 구조 로서 실리콘 노 출부 ( 116 A ) 가 반도체 칩 의 중앙부 에서 4 곳 이 형성 되 는 구조 이 다 . 이러 한 구조 는 웨이퍼 레벨 패키지 ( 100 A ) 의 모서리 부분 이 외부 에 충격 에 약한 점 을 고려 할 때 에 깨 짐 불량 의 발생 을 효과 적 으로 억제 할 수 있 는 구조 이 다 . 또한 상기 반도체 칩 의 상면 에 형성 된 몰딩 부 ( 112 ) 는 웨이퍼 레벨 패키지 ( 100 A ) 가 인쇄 회로 기판 에 탑재 되 었 을 때 연결부 ( 110 ) 를 지지 하 기 때문 에 연결부 에 대한 솔 더 접합 신뢰도 ( SJR ) 를 개선 할 수 있 다 .