도 3 은 본 발명 에 의한 능동형 유기 발광 소자 의 요부 를 나타낸 단면도 이 다 . 도 3 을 참조 하 면 , 본 발명 의 능동형 유기 발광 소자 에서 는 투명 기판 ( 10 ) 의 전역 상 에 버퍼 절 연막 ( 21 ) 이 형성 되 고 , 상기 버퍼 절 연막 ( 21 ) 상 의 트랜지스터 형성 영역 에 트랜지스터 를 위한 소스 / 드레 인 영역 ( 23 ) , ( 25 ) 과 상기 소스 / 드레 인 영역 ( 23 ) , ( 25 ) 사이 의 반도체 층 ( 22 ) 이 형성 되 고 , 상기 소스 / 드레 인 영역 ( 23 ) , ( 25 ) 과 반도체 층 ( 22 ) 을 포함 하 여 상기 버퍼 절 연막 ( 21 ) 상 에 게이트 절 연막 ( 27 ) 이 형성 되 고 , 상기 게이트 절 연막 ( 27 ) 상 의 게이트 전극 형성 영역 에 게이트 전극 ( 29 ) 이 형성 되 고 , 상기 게이트 전극 ( 29 ) 을 포함 하 여 상기 게이트 절 연막 ( 27 ) 상 에 층간 절 연막 ( 31 ) 이 형성 되 고 , 상기 층간 절 연막 ( 31 ) 과 게이트 절 연막 ( 27 ) 을 관통 하 는 비 아홀 을 통하 여 상기 소스 / 드레 인 영역 ( 23 ) , ( 25 ) 과 각각 전기 적 으로 접촉 하 도록 상기 층간 절 연막 ( 31 ) 상 의 소스 / 드레 인 전극 형성 영역 에 소스 / 드레 인 전극 ( 33 ) , ( 35 ) 이 형성 되 고 , 상기 소스 / 드레 인 전극 ( 33 ) , ( 35 ) 을 포함 하 여 상기 층간 절 연막 ( 31 ) 상 에 보호막 ( 37 ) 이 형성 되 고 , 상기 보호막 ( 37 ) 의 비 아홀 을 통하 여 상기 드레 인 전극 ( 35 ) 에 전기 적 으로 접촉 하 도록 상기 보호막 ( 37 ) 상 의 애노드 전극 형성 영역 에 애노드 전극 을 위한 제 1 투명 전극 ( 51 ) 이 형성 된다 . 상기 제 1 투명 전극 ( 51 ) 은 스퍼터링 공정 등 에 의해 1000 ~ 2000 Å , 바람직 하 게 는 1500 Å 의 두께 로 증착 되 는 비정질 의 ITO 층 으로 구성 될 수 있 다 .