상기 와 같이 소오 스 / 드레 인 영역 에 n 형 불순물 을 도핑 하 고 제 3 열처리 해 줌 으로써 , 도 4 및 도 5 에 도시 된 바 와 같이 P 형 박막 트랜지스터 의 특성 이 개선 된 것 을 알 수 있 다 . 도 4 의 ( a ) 및 도 5 의 ( a ) 는 n 형 불순물 로 게터 링 하 기 전 의 Vg 와 Id 의 특성 을 나타낸 그래프 이 고 , 도 4 의 ( b ) 및 도 5 의 ( b ) 는 인 ( P ) 으로 Ni 을 게터 링 해 준 후 의 특성 을 나타낸 그래프 이 다 . 상기 공정 에 의해 S - 팩터 ( factor ) 는 0 . 5 에서 약 0 . 3 v / dec , 문턱 전압 ( Vth ) 은 2 V 에서 1 V 로 , off 개선 도 ~ e 12 에서 ~ e 13 으로 개선 된 것 을 알 수 있 다 .