하 기 [ 표 4 ] 를 참조 하 면 , 본 발명 의 또 다른 실시 예 에 따른 발광 표시 장치 ( 500 ) 와 도 7 의 비 교예 에 따른 발광 표시 장치 에서 의 광 추출 효율 을 비교 하 였 다 . 본 발명 의 또 다른 실시 예 에 따른 발광 표시 장치 ( 500 ) 에서 는 뱅크 층 ( 440 ) 은 무기물 이 고 , 뱅크 층 ( 440 ) 의 두께 는 200 ㎚ 인 것 으로 가정 하 였 다는 것 을 제외 하 면 , 나머지 시뮬레이션 조건 은 본 발명 의 다른 실시 예 에 따른 발광 표시 장치 ( 300 ) 와 동일 하 다 . 하 기 [ 표 4 ] 를 참조 하 면 , 뱅크 층 ( 440 ) 을 무기물 로 형성 함 에 따라 뱅크 층 ( 440 ) 의 두께 가 낮 아 져 보다 많 은 광이 반사 층 ( 570 ) 에 도달 하 므로 , 광 추출 효율 이 약 16 . 50 % 증가 함 을 확인 할 수 있 다 .