이어서 , 랜딩 플러그 콘 택 ( 24 ) 을 포함 한 제 1 층간 절 연막 ( 23 ) 상 에 제 2 층간 절 연막 ( 25 ) 을 형성 하 고 , 제 2 층간 절 연막 ( 25 ) 을 선택 적 으로 식각 하 여 비트 라인 콘 택 홀 을 형성 한 후 , 비트 라인 콘 택 홀 을 통해 랜딩 플러그 콘 택 ( 24 ) 중 어느 하나 와 연결 되 는 비트 라인 패턴 ( 26 ) 을 형성 한다 . 여기 서 , 비트 라인 패턴 ( 26 ) 은 비트 라인 ( 26 a ) 과 비트 라인하드 마스크 ( 26 b ) 의 순서 로 적층 된 구조 로서 , 비트 라인 ( 26 a ) 은 텅스텐 막 으로 형성 하 고 , 비트 라인하드 마스크 ( 26 b ) 는 질화 막 으로 형성 한다 . 그리고 , 비트 라인 패턴 ( 26 ) 은 셀 영역 에 형성 됨 과 동시 에 주변 영역 에 도 형성 되 며 , 주변 영역 에 형성 되 는 비트 라인 패턴 또한 그 구조 는 비트 라인 ( 26 a ) 과 비트 라인하드 마스크 ( 26 b ) 의 순서 로 적층 된 구조 를 갖 는다 .