또한 , 게이트 절연 층 ( 146 ) 과 같이 , 산화물 반도체 층 ( 144 ) 과 접하 는 막 에 는 , 금속 산화 물막 을 사용 하 는 것 이 바람직 하 다 . 금속 산화 물막 은 , 예 를 들 어 산화 실리콘 , 산화 질화 실리콘 , 질화 산화 실리콘 등 의 재료 를 사용 하 여 형성 한다 . 또한 , 13 족 원소 및 산소 를 포함 하 는 재료 를 사용 하 여 형성 할 수 도 있 다 . 13 족 원소 및 산소 를 포함 하 는 재료 로서 는 , 예 를 들 어 산화 갈륨 , 산화알루미늄 , 산화알루미늄 갈륨 및 산화 갈륨 알루미늄 중 어느 1 개 또는 복수 를 포함 하 는 재료 등 이 있 다 . 여기 서 , 산화알루미늄 갈륨 이란 , 갈륨 의 함유량 ( 원자 %) 보다 알루미늄 의 함유량 ( 원자 %) 이 많 은 것 을 나타내 고 , 산화 갈륨 알루미늄 이란 , 갈륨 의 함유량 ( 원자 %) 이 알루미늄 의 함유량 ( 원자 %) 이상 의 것 을 나타낸다 . 금속 산화 물막 은 , 상술 한 재료 를 사용 하 여 , 단층 구조 또는 적층 구조 로 형성 할 수 있 다 .