도 12 a 및 도 12 b 를 참조 하 면 , 금속 기판 ( 31 ) 의 화소 어레이 영역 ( A ) 에 제 1 절 연막 ( 32 b ) 을 형성 한 후 , 제 1 마스크 공정 으로 게이트 라인 ( GL ) , 게이트 라인 ( GL ) 과 연결 된 게이트 전극 ( 33 ) , 게이트 라인 ( GL ) 과 분리 된 스토리지 라인 ( SL ) , 및 스토리지 라인 ( SL ) 과 연결 된 공급 라인 ( KL ) 을 포함 한 게이트 도전 패턴 군 이 형성 된다 . 게이트 도전 패턴 군 중 게이트 라인 ( GL ) , 게이트 라인 ( GL ) 과 연결 된 게이트 전극 ( 33 ) , 및 스토리지 라인 ( SL ) 은 화소 어레이 영역 ( A ) 의 제 1 절 연막 ( 32 b ) 상 에 형성 된다 . 그리고 공급 라인 ( KL ) 은 화소 어레이 영역 ( A ) 밖 의 금속 기판 ( 31 ) 상 에 형성 된다 . 여기 서 , 제 1 절 연막 ( 32 b ) 으로 는 SiOx , SiNx 등 과 같 은 무기 절연 물질 이 이용 되 거나 , 아크릴 계 유기 화합물 , BCB ( benzo cyclobutene ) , PFBC ( Perfluorocyclobutane ) , 테 프론 ( teflon ) , 사이 토프 ( Cytop ) 와 같 은 유기 절연 물질 이 이용 된다 . 그리고 게이트 도전 패턴 군 으로 는 Mo , Ti , Cu , AlNd , Al , Cr , Mo 합금 , Cu 합금 , Al 합금 등 과 같이 금속 물질 이 단일 층 또는 이중층 이상 으로 적층 되 어 이용 된다 .