도 8 을 참조 하 면 , 본 발명 의 제 8 실시 예 에 따른 발광 소자 는 n 형 반도체 층 ( 100 ) , 활성 층 ( 200 ) , p 형 반도체 층 ( 300 ) , p 형 전극 층 ( 400 ) , 반사 층 ( 450 ) , 에칭 스탑 층 ( 500 ) , 커버 층 ( 600 ) , 본딩 층 ( 650 ) , 지지 기판 ( 750 ) , 보호 층 ( 800 ) 및 n 형 전극 층 ( 900 ) 을 포함 한다 . 즉 , 본 발명 의 제 8 실시 예 에 따른 발광 소자 는 본 발명 의 제 4 실시 예 에 따른 발광 소자 와 비교 하 여 지지층 ( 700 ) 대신 에 지지 기판 ( 750 ) 을 이용 하 여 본 딩 층 ( 650 ) 으로 커버 층 ( 600 ) 과 지지 기판 ( 750 ) 을 본 딩 하 는 것 이 상이 하 다 .