또한 , 상기 자기 전 향판 ( 107 b ) 은 상기 복수 개 의 정전기 전향 판 ( 107 a ) 에서 방사형 모양 으로 펼쳐진 상기 이온 빔 ( 100 ) 을 모아 일정 한 선폭 을 갖 도록 할 수 있 다 . 이때 , 상기 자기 전 향판 ( 107 b ) 은 로렌츠 또는 페러 데이 의 법칙 을 이용 하 여 방사형 으로 펼쳐져 진행 되 는 상기 이온 빔 ( 100 ) 에 수직 하 는 방향 으로 자기장 을 인가 하 여 상기 이온 빔 ( 100 ) 의 진행 경로 를 일 방향 으로 변경 토록 할 수 있 다 . 또한 , 상기 자기 전 향판 ( 107 b ) 은 상기 정전기 전향 판 ( 107 a ) 에서 방사형 으로 펼쳐진 각도 에 따라 자기장 의 세기 를 달리 하 거나 , 자기장 이 인가 되 는 면적 을 달리 하 여 일정 한 선폭 을 갖 는 이온 빔 ( 100 ) 으로 변환 시킬 수 있 다 . 예컨대 , 상기 자기 전 향판 ( 107 b ) 은 상기 정전기 전향 판 ( 107 a ) 에 의해 스 캐 터 링 된 이온 빔 ( 100 ) 의 각도 가 증가 함 에 따라 넓 은 면적 의 자속 ( magnetic flex ) 에 상기 이온 빔 ( 100 ) 이 노출 되 도록 형성 된다 . 즉 , 상기 이온 빔 ( 100 ) 이 통과 되 는 일 측 또는 양측 에서 상기 이온 빔 ( 100 ) 에 수직 하 는 자기장 을 형성 하 여 상기 이온 빔 ( 100 ) 의 이동 경로 가 휘어지 도록 할 수 있 다 . 이때 , 상기 스캐닝 시스템 ( 108 ) 에서 스 캐 터 링 된 상기 이온 빔 ( 100 ) 의 선폭 은 상기 웨이퍼 ( W ) 의 X 축 방향 으로 정의 된다 . 또한 , 상기 이온 빔 ( 100 ) 이 상기 복수 개 의 자기 전 향판 ( 107 b ) 사이 를 통과 할 경우 , 상기 복수 개 의 자기 전 향판 ( 107 b ) 사이 의 거리 를 Y 축 의 두께 로 하 고 , X 축 의 선폭 을 갖 는 이온 빔 ( 100 ) 이 생성 될 수 있 다 . 따라서 , 상기 스캐닝 시스템 ( 108 ) 은 질량 분석기 ( 104 ) 를 통과 한 이온 빔 ( 100 ) 을 Y 축 으로 일정 한 두께 를 갖 고 X 축 방향 으로 일정 한 선폭 으로 스 캐 터 링 시키 고 , 단위 면적 당 일정 한 도즈 를 갖 도록 조절 할 수 있 다 . 여기 서 , 상기 X 축 , Y 축 , 및 Z 축 은 편의 상 직선 좌표계 로서 카테 시안 좌표계 이 다 .