또한 , SiO 2 의 경우 , 확대 사진 을 참조 하 면 , 증착 된 Cu 박막 이 균일 하 게 증착 되 었 음 을 알 수 있 다 . 표 2 에서 , 증착 전 과 증착 후 의 배 율 이 다름 을 유념 해야 한다 . 이때 , 증착 된 Cu 박막 의 균일 도 는 1 % 미만 이 다 . 본 발명 의 실시 예 에서 는 플 라즈 마 를 이용 한 건식 공정 을 수행 하 여 분체 유동 에 따른 분체 입자 들 사이 의 박막 간 결집 ( aggregation ) 이 발생 되 지 않 으므로 이 와 같 은 균일 한 박막 을 얻 는 것 이 가능 하 다 .