도 3 을 참조 하 면 , 방열 스트라이프 ( 144 A , 144 B ) 는 약 10 nm 내지 약 1 ㎛( 예 , 약 10 nm 내지 약 100 nm , 약 50 nm 내지 200 nm , 약 100 nm 내지 약 500 nm , 약 400 nm 내지 약 800 nm , 약 700 nm 내지 약 1 ㎛) 의 범위 일 수 있 는 각각 의 두께 ( 144 At , 144 Bt ) 와 약 30 nm 내지 약 3 ㎛ 의 범위 의 각각 의 폭 ( 144 Aw , 144 Bw ) 을 가진다 . 또한 , 방열 스트라이프 ( 144 A , 144 B ) 는 약 100 nm 내지 약 10 ㎛ 의 범위 일 수 있 는 각각 의 피치 ( 144 Ap , 144 Bp ) 를 가진다 . 일부 실시 예 에서 , 칩 의 레이아웃 , 방열 스트라이프 의 폭 , 디싱 을 제한 하 는 평탄 화 공정 의 능력 및 형성 된 방열 층 ( 144 ) 의 원 하 는 점유 면적 ( 예 , 전체 면적 ) 은 피치 ( 144 Ap , 144 Bp ) 값 을 결정 하 는 데 기여 하 는 인자 이 다 . 일부 실시 예 에서 , 방열 층 ( 144 ) 은 칩 ( 102 ) 의 전체 면적 의 약 50 % 이상 인 영역 을 커버 하 는 것 이 필요 하 다 . 더 두껍 거나 더 넓 은 방열 스트라이프 ( 예 , 약 1 ㎛ 보다 두껍 고 약 3 ㎛ 보다 넓 은 방열 스트라이프 ) 가 가능 하 다 . 그러나 , 더 두껍 고 더 넓 은 방열 스트라이프 는 더 두꺼운 패 시베이 션 층 을 필요 로 하 며 , 이 는 제조 비용 및 적층 장치 ( 100 ) 의 전체 높이 를 증가 시킨다 . 또한 , 더 넓 은 방열 스트라이프 는 전술 한 바 와 같이 방열 스트라이프 사이 의 피치 를 감소 시키 고 디싱 을 야기 할 수 있 다 . 따라서 , 더 얇 거나 더 좁 은 방열 스트라이프 ( 예 , 10 nm 보다 얇 고 30 nm 보다 좁음 ) 도 가능 하 다 . 그러나 , 더 얇 고 좁 은 방열 스트라이프 는 제한 된 열전달 능력 을 나타내 며 , 이 는 전술 한 바 와 같이 방열 프로세스 를 제한 할 수 있 다 .