이어서 , 스토리지 노드 콘 택 플러그 ( 13 ) 가 형성 된 결과물 상 에 희생 막 ( 14 ) 을 형성 한 후 , 이 를 식각 하 여 스토리지 노드 콘 택 플러그 ( 13 ) 표면 을 오픈 시키 는 오픈 영역 을 형성 하 고 , 이후 하부 전극 분리 공정 을 진행 하 여 오픈 영역 내 에 하부 전극 ( 15 ) 을 형성 한다 . 이때 , 하부 전극 ( 15 ) 은 티타늄 질화 막 ( TiN ) 과 같 은 금속 물질 이 다 .