" 칩 의 여러 컴포넌트 들 사이 에 전기 적 상호 접속 을 형성 하 기 위해 소위 "" 이 중 다 마신 구리 ""( dual damascene copper ) 프로세서 를 이용 하 는 것 이 칩 제조 업자 들 사이 에서 일반 적 인 것 으로 되 고 있 다 . 이것 은 적절 한 표면 토포 그래피 시스템 을 사용 하 는 특징 을 효과 적 으로 가질 수 있 는 프로세스 의 예 이 다 . 이 중 다 마신 프로세스 는 6 개 의 부분 ", 즉 ( 1 ) 유전체 재료 층 ( 폴리머 , 유리 등 ) 을 웨이퍼 ( 다수 의 개별 칩 을 포함 ) 표면 상 에 증착 하 는 층간 유전체 ( ILD ) 증착 , ( 2 ) 유전체 층 을 연마 해서 정밀 한 광학 적 리소그래피 에 적합 한 평탄 한 표면 을 생성 하 는 화학 기계 적 연마 ( CMP ) , ( 3 ) 웨이퍼 표면 에 평행 한 좁 은 트렌치 와 트렌치 의 바닥 으로부터 하부 ( 앞서 형성 된 ) 의 전기 적 도전 층 으로 형성 된 작 은 비아 를 포함 하 는 복잡 한 망이 형성 되 는 , 리소그래피 패 터닝 및 반응 성 이온 에칭 의 조합 단계 , ( 4 ) 구리 트렌치 와 비아 가 증착 되 는 금속 증착 의 조합 , ( 5 ) 구리 트렌치 와 비아 위 에 유전체 가 도포 되 는 유전체 증착 단계 , 및 ( 6 ) 잉여 의 구리 를 제거 하 고 , 유전체 재료 로 둘러싸이 고 구리 로 채워진 트렌치 ( 또는 비아 ) 의 망 을 남기 는 최종 적 인 CMP 단계 를 포함 하 는 것 으로 간주 될 수 있 다 .