이하 에서 는 본 발명 에 따른 반도체 적층 구조 ( 100 ) 를 이용 하 여 기판 ( 10 ) 과 질화물 반도체 층 ( 50 ) 을 분리 하 는 경우 를 예 로 들 어 도시 하 지만 , 반도체 적층 구조 ( 100 ) 와 다른 구조 라도 빈 공간 을 포함 하 는 계면 층 이 기판 과 질화물 반도체 층 사이 에 형성 되 어 있 는 반도체 적층 구조 라면 본 발명 에 따른 분리 방법 및 장치 를 이용 해 기계 적 으로 분리 할 수 있 다 .