일 예 로서 , 상기 제 1 캡 핑 막 을 형성 하 기 위한 상기 제 1 온도 는 180 내지 230 ℃ 인 것 이 바람직 하 고 , 상기 제 1 캡 핑 막 은 강화 플라 즈 마 화학 기상 증착 공정 을 수행 하 여 형성 된 실리콘 질화 막 이 다 . 또한 , 상기 제 2 캡 핑 막 을 형성 하 기 위한 상기 제 2 온도 는 380 내지 420 ℃ 인 것 이 바람직 하 고 , 상기 제 2 캡 핑 막 은 강화 플라 즈 마 화학 기상 증착 공정 을 수행 하 여 형성 하 며 , 실리콘 질화물 을 포함 하 는 것 을 특징 으로 하 는 상변화 메모리 장치 의 제조 방법 .