주석 옥사이드 하드 마스크 를 사용 하 는 프로세스 플로우 의 일 구체 적 인 예 에서 , 서브 층 ( 51 ) 은 SiN 층 , 또는 금속 층 이 고 , 층 ( 53 ) 은 실리콘 옥사이드 이 다 . 프로세스 는 SiN 또는 금속 층 ( 51 ) 위 에 실리콘 옥사이드 의 노출 된 층 을 갖 는 평면형 기판 을 제공 함 으로써 시작 된다 . 다음 에 , 블랭킷 주석 옥사이드 층 이 실리콘 옥사이드 위 에 증착 되 고 , 이어서 주석 옥사이드 가 패 터닝 되 어 ( 예 를 들 어 , 포 토리 소 그래픽 패 터닝 을 사용 하 여 ) , 도 5 a 에 도시 된 구조 체 를 유도 한다 . 다음 에 , 노출 된 실리콘 옥사이드 는 예 를 들 어 , 플루오르화 탄소 플 라즈 마 를 사용 하 여 주석 옥사이드 에 상대 적 으로 선택 적 으로 에칭 되 어 , 도 5 b 에 도시 된 구조 체 를 유도 한다 . 다음 에 , 주석 옥사이드 가 예 를 들 어 , 수소 플 라즈 마 에칭 을 사용 하 여 스트립 핑 되 고 ( stripped ) ( 제거 되 고 ) , 도 5 c 에 도시 된 구조 체 를 유도 한다 .