또한 , 원 하 는 TFT 를 구현 하 기 위한 확산 처리 에서 초기 Ti 층 의 최적 두께 가 중요 하 다는 점 이 관측 되 었 다 . 예 를 들 면 , 모든 공정 파라미터 들 에 있 어서 소자 A 와 동일 하 되 7 nm 두께 의 Ti 층 을 갖 는 TFT 소자 는 게이트 모듈레이션 특성 을 보이 지만 , 핀치 오프 또는 포화 특성 은 보이 지 않 는다 . 이 는 지나치 게 높 은 농도 의 Ti 원자 들 을 갖 는 TiO 2 막 의 이동 전하 ( mobile charge ) 들 에 의한 벌크 전도 효과 ( bulk conductance effect ) 때문 인 것 으로 보인다 .