그 다음 , 동일 공정 챔버 내 에서 , N 형 반도체 층 ( 220 ) 윗면 에 활성 층 ( 240 ) 및 P 형 반도체 층 ( 260 ) 이 순차 적 으로 형성 되 어 도 6 과 같 은 적층 구조 가 된다 . 이 때 , P 형 반도체 층 ( 260 ) 에 는 예 를 들 면 , 아연 ( Zn ) 또는 마그네슘 ( Mg ) 과 같 은 P 형 도 펀트 가 첨가 된다 .