게이트 절연 층 ( 402 ) 에 대해 , 산소 도프 처리 등 의 산소 를 공급 하 는 처리 를 행함 으로써 , 게이트 절연 층 ( 402 ) 에 는 화학량론 적 조성 비 보다 산소 가 많 은 영역 이 형성 된다 . 이러 한 영역 을 구비 함 으로써 , 나중 에 성막 되 는 산화물 반도체 층 에 산소 를 공급 하 고 , 산화물 반도체 층 중 또는 산화물 반도체 층 과 게이트 절연 층 ( 402 ) 계면 의 산소 결손 을 저감 시킬 수 있 다 .