그러나 , 종래 의 커패시터 구조 에서 는 문제점 이 있 다 . 즉 , 상술 한 특허 문헌 1 에 개시 되 어 있 는 종래 기술 의 고체 전해 커패시터 는 , 모재 금속 의 다공 질부 에 소요 되 는 수 의 관통 구멍 ( 스루홀 ) 을 마련 한 후 , 그 관통 구멍 에 절연 수지 를 충전 · 경화 하 고 , 그 경화 한 수지 부 의 중심 에 최초 에 마련 한 관통 구멍 의 직경 을 초과 하 지 않 는 크기 의 제 2 의 관통 구멍 을 마련 하 고 , 그 내부 를 도금 등 으로 피복 · 충전 함 에 의해 도전체 를 형성 하 지만 , 제 2 의 관통 구멍 을 형성 할 때 에 , 기계 적 · 열 적 스트레스 에 의해 , 수지 부 에 생기 는 균열 , 또는 구멍 주변 부 의 다공 질부 에서 야기 되 는 데미지 에 의해 고체 전해 커패시터 의 누설 전류 특성 을 열화 시키 는 문제점 이 있 다 .