일 예 에서 , 상기 제 1 절곡 부 ( b 80 ) 의 상단 과 상기 제 2 절곡 부 ( b 180 ) 의 상단 사이 의 제 1 간격 ( G 1 ) 은 상기 중간 층간 절연 층 ( 115 ) 의 두께 와 실질 적 으로 동일 할 수 있 다 . 상기 제 2 절곡 부 ( b 180 ) 는 상기 제 1 절곡 부 ( b 80 ) 로부터 상기 제 1 간격 ( G 1 ) 만큼 하부 에 배치 될 수 있 다 . 상기 제 1 간격 ( G 1 ) 을 충분히 유지 하 도록 설계 하 여 , 상기 제 1 분리 구조물 들 ( 180 a ) 이 상기 제 1 수직 구조물 들 ( 80 a 1 , 80 b 1 ) 과 접촉 하 는 것 을 방지 할 수 있 다 . 따라서 , 제 1 수직 구조물 들 ( 80 a 1 , 80 b 1 ) 이 포함 하 는 상기 블로킹 절 연막 ( 85 ) , 상기 전하 저 장막 ( 84 ) , 상기 터널 절 연막 ( 82 ) , 상기 수직 채널 패턴 ( 81 ) 의 일부 가 제거 되 어 발생 할 수 있 는 반도체 소자 의 불량 을 방지 할 수 있 다 .