일부 구 현예 에서 , 탄소 응 집체 를 생성 하 기 위한 방법 은 마이크로파 에너지 를 반응 구역 을 갖 는 필드 - 증진 도파관 으로 공급 함 을 포함 한다 . 공급 가스 는 공급 가스 주입구 로 첨가 하 고 , 여기 서 , 상기 공급 가스 주입구 는 반응 구역 의 업 스트림 에 있 다 . 공정 재료 는 공정 재료 주입구 에 첨가 하 고 , 여기 서 , 상기 공정 재료 는 반응 구역 으로 흐른다 . 상기 공정 재료 는 반응 구역 에서 별개 의 성분 들 로 전환 시킨다 . 필드 - 증진 도파관 은 반응 구역 의 업 스트림 에 필드 - 증진 구역 을 가질 수 있 다 . 필드 - 증진 구역 은 제 1 횡단 면적 으로부터 제 2 횡단 면적 으로 감소 시키 는 횡단 영역 을 가질 수 있 고 , 여기 서 , 상기 제 2 횡단 영역 은 필드 - 증진 도파관 의 반응 구역 을 형성 하 는 반응 길이 에 따라 연장 한다 . 마이크로파 에너지 는 반응 길이 를 따라 하나 의 방향 으로 전파 된다 . 다수 의 공급 가스 흐름 은 반응 구역 에서 마이크로파 에너지 전파 의 방향 과 평행 한다 . 공급 가스 를 사용 하 여 플라스마 구역 에서 플라스마 를 생성 한다 . 반응 구역 에서 공정 재료 의 전환 은 적어도 0 . 1 기압 의 압력 에서 일어날 수 있 다 . 별도 의 성분 들 은 탄소 응 집체 를 포함 한다 .