도 4 를 참조 하 여 살펴보 면 , 본 실시 예 에 따른 반도체 메모리 장치 는 클럭 버 퍼 ( 100 ) , 위상 비교기 ( 200 ) , 딜레이 제 어부 ( 300 ) , 미세 딜레이 제 어부 ( 400 ) , 딜레이 체인 ( 500 ) , 미세 딜레이 체인 ( 600 ) , 지연 모델 ( 700 ) , 클럭 생 성부 ( 800 ) 를 구비 한다 . 도 4 에 도시 된 반도체 메모리 장치 가 가지 는 특징 은 락킹 상태 감지 부 ( 400 ) 가 추가 되 었 다는 것 과 미세 딜레이 제 어부 ( 400 ) 와 클럭 생 성부 ( 800 ) 의 동작 이 달라졌 다는 것 이 다 .