패 터닝 된 있 는 ITO 기판 상부 에 정공 전달 층 으로 PEDOT ( Poly - 3 , 4 - Ethylenedioxythiophene ) 을 50 nm 두께 로 스핀 코팅 하 여 110 ℃ 에서 10 분 간 열처리 하 고 , 그 위 에 표면 처리 한 CdSe 농도 1 중량 % 로 제조 된 클로로벤젠 용액 을 스핀 코팅 한 후 , 이 를 건조 하 여 10 nm 두께 의 발광 층 을 형성 하 였 다 . 상기 발광 층 상부 에 Alq 3 ( tris ( 8 - hydroxyquinoline ) aluminum ) 를 증착 하 여 40 nm 정도 의 전자 수송 층 을 형성 하 고 , 다시 LiF 를 1 nm 두께 로 증착 하 고 , 알루미늄 을 200 nm 두께 로 증착 하 여 , 전기 발광 소자 를 완성 하 였 다 . 제조 된 전기 발광 소자 의 전기 발광 스펙트럼 을 측정 하 여 이 를 도 5 에 나타내 었 다 . 발광 파장 은 약 520 nm 에서 나타났 고 , FWHM 은 약 40 nm 이 며 , 밝기 는 10 Cd / m 2 , 장치 의 효율 은 0 . 1 % 정도 였 다 .