그 다음 , 제 6 공정 에서 는 , 복수 의 제 2 단자 형성 부 ( 331 ) 를 상방 으로 독립 적 으로 이동 하 여 자성 기판 층 ( 520 ) 을 가압 함 으로써 , 자성 기판 층 ( 520 ) 의 하면 에 복수 의 제 2 단자 ( 551 ) 를 형성 한다 ( 도 6 e ) . 예컨대 , 상부 펀치 ( 320 ) 를 하방 으로 , 하부 펀치 ( 330 ) 를 상방 으로 이동 시켜 자성 기판 층 ( 520 ) 을 일정 압력 ( 예컨대 , 약 3 . 5 t / ㎠) 으로 가압 함 과 동시 에 , 복수 의 제 2 단자 형성 부 ( 331 ) 를 상방 으로 독립 적 으로 이동 하 여 자성 기판 층 ( 520 ) 을 가압 함 으로써 , 상기 제 1 공정 에서 복수 의 제 2 단자 형성 부 ( 331 ) 의 표면 위 에 충전 된 제 2 금속 분말 을 자성 기판 층 ( 520 ) 의 하면 에 충 진시 킨다 . 이 에 따라 , 자성 기판 층 ( 520 ) 의 하면 에 복수 의 제 2 단자 ( 551 ) 가 형성 되 고 , 제 2 단자 ( 551 ) 면 과 자성 기판 층 ( 520 ) 의 하면 이 동일면 내 에 포함 되 도록 평탄 하 게 된다 .