여기 서 , 상기 하드 마스크 ( 204 ) 로써 , 실리콘 카바이드 계열 의 물질 을 사용 할 경우 , 상기 실리콘 카바이드 계열 의 물질 은 , 후속 의 정렬 키 형성 후 진행 되 는 감광막 패턴 의 제거 를 위한 , O 2 플 라즈 마 가스 를 이용 한 애 싱 공정 시 산소 ( oxygen ) 에 의해 탈 탄소 화 ( decarburization ) 된다 . 따라서 , 상기 실리콘 카바이드 계열 의 물질 이 , 쉽 게 탈 탄소 화 될 수 있 도록 50 Å 내지 300 ㎚ 정도 의 두께 로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 .