상술 한 기술 적 과제 를 해결 하 기 위한 본 발명 의 일 측면 에 따르 는 암전 류 가 감소 된 포토 다이오드 는 반도체 층 , 반도체 층 의 제 1 영역 에 배치 되 며 중간층 과 하나 이상 의 금속 층 을 포함 하 는 제 1 컨 택부 , 반도체 의 제 2 영역 에 배치 되 며 하나 이상 의 금속 층 을 포함 하 는 제 2 컨 택부 , 제 1 컨 택부 및 제 2 컨 택부 사이 에 배치 되 는 액티브 영역 을 포함 하 며 , 상기 제 1 컨 택부 및 상기 제 2 컨 택부 는 비대칭 이 다 .