도 1 을 참조 하 면 , 일반 적 인 CMP 공정 의 메커니즘 은 웨이퍼 ( W ) 를 연마 패드 ( 22 ) 의 표면 위 에 밀착 한 상태 에서 수백 나노미터 크기 의 연마제 와 화학 물질 이 현 탁 된 슬러리 ( 52 ) 를 공급 하 고 , 몸체 의 하부 에 웨이퍼 ( W ) 가 흡착 되 는 연마 헤드 ( polishing head ; 10 ) 에 구동축 ( 30 ) 을 통해 회전력 ( R 1 ) 과 하부 방향 으로 의 수직 압력 ( P ) 을 가하 여 웨이퍼 ( W ) 의 가공 표면 을 화학 적 으로 반응 시키 면서 테이블 ( 20 ) 과 연마 헤드 ( 10 ) 를 상대 적 으로 운동 시켜 기계 적 으로 웨이퍼 ( W ) 의 가공 표면 의 요철 부분 을 평탄 화 함 으로써 , 미세 한 웨이퍼 ( W ) 의 표면 을 얻 을 수 있 으며 , 넓 은 면적 을 가진 웨이퍼 ( W ) 의 생산 이 가능 하 게 되 었 다 .