본 발명 의 일 측면 에 따르 면 , 원자 층 증착 에 의하 여 기판 위 에 실리콘 이 산화물 을 포함 하 는 박막 을 증착 하 는 방법 들 이 제공 된다 . 상기 방법 들 은 반응 공간 내 에서 기판 을 실리콘 소스 케미컬 , 바람직 하 게 는 여기 에 설명 하 는 바 와 같 은 디 실란 화합물 을 포함 하 는 제 1 반응물 및 산소 소스 를 포함 하 는 제 2 반응물 과 접촉 시키 는 단계 를 일반 적 으로 포함 하 고 , 그 에 의하 여 상기 기판 위 에 실리콘 이 산화물 박막 을 형성 한다 .