한편 , 본 발명 에서 는 인듐 - 백금 ( In - Pt ) 의 이중 층 이 증착 된 사파이어 ( 10 ) 기판 에 어닐링 ( annealing ) 공정 이 수행 되 면서 , 기판 과 금속 박막 층 의 계면 에서 인듐 ( In ) 과 백금 ( Pt ) 원자 의 상호 확산 이 발생 하 고 , 금속 원자 간 상호 혼합 이 일어나 인듐 - 백금 ( In - Pt ) 이중 층 이 형성 된다 .