제 1 식각 공정 은 유전체 막 ( 108 ) 상부 를 제거 한 후 , 제 1 폴리 실리콘 막 ( 104 ) 과 제 1 폴리 실리콘 막 ( 104 ) 측벽 의 유전체 막 ( 108 ) 을 동시 에 식각 하 기 위한 공정 으 로 , CH 4 가스 를 이용 하 여 옥사이드 ( Oxide ) 와 폴리 ( Poly ) 에 대한 식각 율 이 1 : 1 이 되 도록 하 는 레서피 ( Recipe ) 를 사용 하 여 약 100 내지 300 Å 을 식각 한다 .