본 발명 은 실시 예 를 참조 하 여 설명 하 였 다 . 그러나 , 본 발명 은 이 들 실시 예 에 한정 되 는 것 은 아니 며 , 본 발명 의 사상 내 에서 다양 하 게 변경 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 본 발명 의 기술자 들 은 , 구성 요소 의 추가 , 삭제 및 설계 변경 , 또는 , 공정 의 추가 , 생략 및 조건 변경 에 의해 상기 실시 예 들 을 적절히 수정 할 수 있 고 , 그러 한 수정 은 본 발명 의 사상 내 에 있 는 한 , 본 발명 의 범위 에 도 포함 된다 . 구체 적 으로 , 충전 층 의 재료 는 실리콘 질화물 및 실리콘 을 포함 하 는 금속 산화물 로 한정 되 지 않 는다 . 또한 , 터널 층 및 블록 층 의 재료 도 실리콘 산화물 에 한정 되 지 않 는다 . 또한 , 도전체 및 실리콘 층 의 형상 은 원기둥 형상 에 한정 되 지 않 고 , 예 를 들 어 , 각기둥 ( prism ) 형상 일 수 도 있 다 . 또한 , 본 발명 은 관통 홀 내 에 전체 적 으로 반도체 층 을 매립 하 는 것 에 한정 되 지 않 고 , 반도체 층 은 원통 형상 과 같 은 형상 일 수 있 다 . 즉 , 반도체 층 은 제 2 유전체 막 ( 77 ) 에 접촉 하 는 부분 에 만 관 형상 으로 형성 될 수 있 고 , 유전체 가 반도체 층 의 내부 에 매립 될 수 있 다 .