활성 층 ( 14 ) 은 질화 갈륨 계 반도체 로 된 단일 양자 우물 ( Single Quantum Well ) 또는 다 중양자 우물 ( Multi - Quantum Well ) 구조 를 갖 는다 . 일본 특허 공개 공보 평 10 - 135514 호 는 , 언 도프 ( undoped ) GaN 의 장벽층 과 언 도프 InGaN 의 우물 층 으로 이루어진 다중 양자 우물 구조 를 갖 는 활성 층 을 개시 하 고 있 다 . 활성 층 ( 14 ) 내 의 양자 우물 층 ( 간단히 , ' 우물 층 ' 이라고 도 함 ) 은 질화 갈륨 계 발광 소자 의 광학 적 성질 을 결정 하 는 가장 중요 한 요소 이 다 . 활성 층 ( 14 ) 내 의 우물 층 이 균일 한 조성 ( 특히 , In 조성 ) 을 갖 도록 형성 되 지 않 으면 , 발광 소자 ( 10 ) 의 광 출력 이 현저히 감소 되 고 파장 범위 가 넓 어 지 게 되 어 소자 성능 이 떨어지 게 된다 .