본 발명 은 박막 트랜지스터 어레이 기판 의 제조 방법 에 관한 것 이 다 . 특히 본 발명 은 스트립 용액 의 잔여물 이 반도체 채널 부를 오염 시키 는 것 을 방지 함 과 아울러 구리 를 이용 한 소스 / 드레 인 도전 패턴 군 형성 시 오 믹 접촉 층 의 외곽 에지 및 소스 / 드레 인 도전 패턴 군 의 외곽 에지 가 실질 적 으로 동일 한 선 을 따라 일치 하 는 박막 트랜지스터 어레이 기판 의 제조 방법 에 관한 것 이 다 .