도 22 에 나타내 듯이 , 게이트 전극 ( 22 a ) 은 게이트 절 연막 ( 23 ) 에 의해 피복 되 고 , 게이트 절 연막 ( 23 ) 상 에 는 게이트 전극 ( 22 a ) 에 대향 하 는 위치 에 채널 부 ( 24 ac ) 가 형성 된 산화물 반도체 막 ( 24 a ) 이 배치 되 며 , 산화물 반도체 막 ( 24 a ) 상 에 채널 부 ( 24 ac ) 를 개재 하 고 서로 이간 하 여 소스 부 ( S ) 및 드레 인부 ( DR ) 가 형성 된 구성 으로 된다 .