여기 에서 , 레지스 트 패턴 의 단면 형상 은 , 경화 막 형성 공정 에 있 어서 감방 사선 성 수지 막 에 조사 된 활성 방사선 이 , 감방 사선 성 수지 막 을 통과 하 여 기판 등 의 표면 에서 반사 되 는 것 에 의해서 도 영향 을 받 는다 . 그래서 , 활성 방사선 흡수 화합물 을 수지 액 에 배합 하 면 , 감방 사선 성 수지 막 중 의 활성 방사선 흡수 화합물 이 , 기판 등 의 표면 에서 반사 된 활성 방사선 을 흡수 하 여 , 레지스 트 패턴 의 단면 형상 을 양호 하 게 제어 할 수 있 다 . 특히 가교 성분 으로서 상술 한 광 산 발생 제 와 산 가교제 의 조합 을 채용 한 경우 에 는 , 활성 방사선 의 조사 에 의해 생성 된 산 이 감방 사선 성 수지 막 내 에서 확산 되 어 , 미 노광 영역 에 까지 가교 반응 이 미치 는 경우 가 있 지만 , 상술 한 활성 방사선 흡수 화합물 이 감방 사선 성 수지 막 중 에 존재 하 면 , 과도 한 가교 반응 을 억제 하 여 레지스 트 패턴 의 단면 형상 을 양호 하 게 제어 할 수 있 다 .