그 결과 , 게이트 교체 공정 후 , 외부 영역 의 교번 유전체 스택 은 교번 전도체 / 유전체 스택 이 된다 . 제 1 유전체 층 을 전도체 층 으로 교체 하 는 것 은 , 제 2 유전체 층 ( 예컨대 , 실리콘 산화물 ) 에 대해 선택 적 인 제 1 유전체 층 ( 예컨대 , 실리콘 질화물 ) 을 습식 에칭 하 고 구조 를 전도체 층 ( 예컨대 , W ) 으로 충 진함 으로써 수행 될 수 있 다 . 전도체 층 은 PVD , CVD , ALD , 임의 의 다른 적절 한 공정 , 또는 이 들 의 임의 의 조합 으로 충 진 될 수 있 다 . 전도체 층 은 W , Co , Cu , Al , 폴리 실리콘 , 실리사이드 , 또는 이 들 의 임의 의 조합 을 포함 하 지만 이 에 제한 되 지 않 는 전도성 재료 를 포함 할 수 있 다 . 형성 된 교번 전도체 / 유전체 스택 및 나머지 교번 유전체 스택 은 교번 스택 을 구성 할 수 있 다 .