본 발명 의 특히 바람직 한 실시 는 압축 또는 인장 응력 받 은 매립 절연체 구 조체 를 함유 하 는 절연체 상 의 반도체 ( semiconductor on insulator ) 웨이퍼 를 제공 하 거나 이 를 사용 할 수 있 다 . 이러 한 압축 또는 인장 응력 받 은 매립 절연체 층 및 압축 또는 인장 응력 받 은 매립 절연체 구조 체의 또 다른 실시 가 본 발명 에서 응력 받 은 BOX 구조 체 또는 층 들 로서 인용 된다 . 응력 받 은 BOX 구 조체 를 포함 하 는 바람직 한 SOI 웨이퍼 는 변형 반도체 영역 또는 층 들 을 제공 하 기 위하 여 , 또는 반도체 소자 구 조체 내 에 변형 된 활성 영역 을 제공 하 기 위하 여 유리 하 게 사용 될 수 있 다 . 이러 한 구조 체 는 변형 실리콘 기술 및 SOI 기술 둘 모두 의 장점 을 달성 하 는 것 으로 기대 된다 . 본 발명 은 반도체 가 실리콘 이외 의 물질 인 경우 , 예 를 들 어 , 그라핀 ( graphene ) 또는 나노 튜브 형태 로서 , 게르마늄 , 실리콘 게르마늄 , III - V 족 화합물 반도체 , II - VI 족 화합물 반도체 , 실리콘 카바이드 또는 나노 스케일 탄소 인 경우 , 절연체 상 의 반도체 ( semiconductor on insulator ) 웨이퍼 에 더욱 광범위 하 게 적용 될 수 있 다 . 이러 한 임의 반도체 시스템 에서 제조 된 소자 는 하나 이상 의 면내 축 ( in - plane axes ) 을 따라 유도 된 인장 또는 압축 변형 으로부터 이익 을 얻 을 수 있 다 .