상기 와 같 은 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 에 의한 씨 모스 이미지 센서 의 제조 방법 은 다 수개 의 포토 다이오드 와 각종 트랜지스터 들 이 형성 된 반도체 기판 의 전면 에 층간 절 연막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 층간 절연 막상 에 상기 각 포토 다이오드 와 대응 되 게 칼라 필터 층 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 칼라 필터 층 을 포함 한 전면 에 평탄 화 층 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 평탄 화 층상 에 상기 포토다이오드 와 대응 되 게 포토레지스트 패턴 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 포토레지스트 패턴 의 주위 에 라운드 형상 의 폴리머 를 형성 하 는 단계 와 , 상기 폴리머 를 포함 한 반도체 기판 의 전면 에 상기 폴리머 의 라운드 형상 이 반영 되 고 , 상기 각 폴리머 의 경계 부 상 에 는 상기 평탄 화 층 의 평탄 한 형상 이 반영 되 도록 동일 한 두께 의 제 1 절 연막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 제 1 절 연막 의 표면 형상 이 반영 되 도록 실리콘 게르마늄 막 , 제 2 절 연막 을 차례 로 형성 하 는 단계 와 , 상기 포토레지스트 패턴 을 포함 하 는 폴리머 의 측면 이 노출 되 도록 상기 평탄 한 형상 이 반영 된 상기 제 2 절 연막 , 실리콘 게르마늄 막 , 제 1 절 연막 및 폴리머 와 , 상기 라운드 형상 이 반영 된 상기 제 2 절 연막 , 실리콘 게르마늄 막 , 제 1 절 연막 및 폴리머 의 에 지부 를 제거 하 는 단계 와 , 상기 에 지부 가 제거 된 라운드 형상 의 폴리머 및 포토레지스트 패턴 을 제거 하 는 단계 와 , 상기 라운드 형상 이 반영 된 실리콘 게르마늄 막 을 제거 하 는 단계 를 포함 하 여 형성 함 을 특징 으로 한다 .