제 1 내지 제 12 수직 구 조체 들 ( VS 1 - VS 12 ) 각각 은 , 도 5 을 참조 하 여 설명 한 것 처럼 , 수직 반도체 패턴 ( SP ) 및 수직 반도체 패턴 ( SP ) 을 감싸 는 수직 절연 패턴 ( VP ) 을 포함 할 수 있 다 . 수직 반도체 패턴 ( SP ) 은 반도체 물질 을 포함 할 수 있 으며 , 수직 절연 패턴 ( VP ) 은 낸드 플래시 메모리 장치 의 데이터 저 장막 을 구성 하 는 터널 절 연막 ( TIL ) , 전하 저 장막 ( CIL ) , 및 블록 킹 절 연막 ( BLK ) 을 포함 할 수 있 다 . 수직 절연 패턴 ( VP ) 은 셀 전극 들 ( CE ) 과 수직 구 조체 들 ( VS 1 - VS 12 ) 사이 에서 제 1 및 제 2 하부 , 중간 , 및 상부 선택 전극 들 ( LSE 1 , LSE 2 , MSE 1 , MSE 2 , USE 1 , USE 2 ) 과 수직 구 조체 들 ( VS 1 - VS 12 ) 사이 로 수직 적 으로 연장 될 수 있 다 .