반도체 발광 소자 로서 GaAs 계 반도체 재료 는 발광 다이오드 ( Light Emitting Diode : 이하 LED ) 소자 및 레이저 소자 에 사용 되 어 왔 다 . 이 들 반도체 발광 소자 의 발광 되 는 광 의 색 ( 파장 ) 은 적외선 으로부터 적색 까지 의 범위 이 다 . 그러나 이 들 반 도 체 발광 소자 로부터 발생 되 는 레이저 빔 을 사용 하 여 광디스크 의 정보 를 기록 하 는 경우 에 는 , 보다 고정 밀도 정보 의 기록 을 행하 더라도 레이저 빔 의 파장 이 길 기 때문 에 기록 된 정보 의 밀도 가 제한 된다 . 이 때문 에 , 보다 파장 이 짧 은 레이저 빔 을 발생 시킬 수 있 는 반도체 발광 소자 ( 반도체 레이저 다이오드 ) 에 대한 요구 가 고조 되 어 왔 다 . 따라서 질소 를 포함 하 는 III - V 족 화합물 반도체 재료 ( 이하 , 질화물 계 반도체 재료 ) 를 사용 한 단파장 발광 소자 의 개발 이 진행 되 어 왔 다 . III - V 족 화합물 반도체 재료 는 2 eV 이상 의 폭넓 은 띠 간격 을 가지 고 있 기 때문 에 오렌지색 으로부터 자외선 까지 폭넓 은 범위 에서 발광 할 수 있 는 단파장 발광 소자 를 얻 을 수 있 다 . 현재 일반 적 인 단파장 발광 소자 의 제조 방법 은 In , Ga 및 Al 으로부터 선택 되 는 소정 의 금속 과 질소 와 의 상이 한 조성 의 혼합 결정 으로 형성 된 반도체 층 을 순차 다층 시킴 으로써 , 목적 한 파장 의 발광 이 가능 하 게 되 는 소자 의 구조 와 각 반도체 층 의 조성 을 결정 하 고 , 이 와 같 은 소자 의 구조 및 반도체 층 의 조성 을 기준 으로 하 여 결정 성장 을 행함 으로써 반도체 층 을 형성 하 여 발광 소자 를 제작 하 는 것 이 통례 이 다 .