다음 으로 , 도 1 c 을 참조 하 면 , 제 1 릴 락스 물질 ( 18 a ) 이 도포 된 실리콘 기판 ( 11 ) 을 110 ∼ 130 ℃, 바람직 하 게 120 ℃ 에서 20 ∼ 70 초간 믹 싱 베 이크 ( Mixing bake ) 한다 . 이때 , 제 1 포토레지스트 패턴 ( 17 a ) 내 에 남 아 있 는 산 ( Acid ) 이 촉매 ( catalzer ) 로 작 용 함 으로써 제 1 릴 락스 물질 ( 18 a ) 이 제 1 포토레지스트 패턴 ( 17 a ) 에 가교 결합 ( cross linking ) 되 며 , 이 에 따라 , 제 1 포토레지스트 패턴 ( 17 a ) 의 표면 에 제 1 릴 락스 물질 ( 18 a ) 의 가교 결합 층 ( 19 a ) ( 이하 , 제 1 가교 결합 층 ( 19 a ) 이 라 약칭 함 ) 이 형성 된다 .