상기 마스크 패턴 ( 190 m ) 은 우선 마스크 패턴 물질 막 의 층 을 형성 한 후 포토 리소그래피 방법 을 적용 함 으로써 얻 을 수 있 다 . 구체 적 으로 , 마스크 패턴 물질 막 의 층 을 형성 하 고 그 위 에 포토레지스트 패턴 을 포토 리소그래피 방법 으로 형성 한 후 , 상기 포토레지스트 패턴 을 식각 마스크 로 하 여 상기 마스크 패턴 물질 막 의 층 을 패 터닝 함 으로써 마스크 패턴 ( 190 m ) 이 형성 될 수 있 다 . 상기 마스크 패턴 ( 190 m ) 을 얻 은 후 상기 포토레지스트 패턴 은 애 슁 ( ashing ) 등 의 방법 으로 제거 될 수 있 다 .