단계 ( 1405 ) 에서 , 메모리 컨트롤러 는 , 제 1 최 적 리드 전압 과 제 2 최 적 리드 전압 을 기반 으로 , 제 1 문턱 전압 분포 의 타 측 에 위치 하 는 문턱 전압 분포 들 간 의 최적 리드 전압 을 더 추정 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 메모리 컨트롤러 는 , 제 1 최 적 리드 전압 과 제 2 최 적 리드 전압 간 의 차이 값 에 메모리 셀 들 의 채널 특성 에 대응 하 는 제 2 가중치 가 반영 된 값 을 기반 으로 , 제 1 문턱 전압 분포 의 타 측 에 위치 하 는 문턱 전압 분포 들 간 의 최적 리드 전압 을 추정 할 수 있 다 .