도 11 을 참조 하 면 , 각 서브 화소 ( R , G , B ) 는 기판 ( 101 ) , 버퍼 층 ( BF ) , 반도체 층 ( ACT ) , 제 1 절연 층 ( IL 1 ) , 제 1 게이트 도전 층 ( 110 ) , 제 2 절연 층 ( IL 2 ) , 제 2 게이트 도전 층 ( 120 ) , 제 3 절연 층 ( IL 3 ) , 제 1 도전 층 ( 130 ) , 제 4 절연 층 ( IL 4 ) , 제 2 도전 층 ( 140 ) , 제 5 절연 층 ( IL 5 ) , 제 3 도전 층 ( 150 ) , 제 6 절연 층 ( IL 6 ) , 제 1 전극 층 ( 171 ) , 제 1 전극 층 ( 171 ) 을 노출 하 는 개구부 를 포함 하 는 화소 정의 막 ( 180 ) , 화소 정의 막 ( 180 ) 의 개구부 내 에 배치 된 발광 층 ( 172 ) , 발광 층 ( 172 ) 과 화소 정의 막 ( 180 ) 상 에 배치 된 제 2 전극 층 ( 173 ) , 및 패 시베이 션 층 ( 190 ) 을 포함 할 수 있 다 .