도 2 b 는 상술 된 연속 하 는 도전 층 및 유전체 층 에칭 단계 들 이후 의 층 스택 ( 200 ) 을 나타낸다 . 단일 플 라즈 마 프로세싱 챔버 에서 실리콘 기판 ( 212 ) 을 노출 시키 기 위해 도전 층 들 ( 204 및 208 ) 및 유전체 층 들 ( 206 및 210 ) 을 통해 피쳐 ( 218 ) 가 에칭 되 었 다 . 수행 될 필요 가 있 는 도전 층 에칭 단계 들 ( 도 1 의 단계 120 ) 및 유전체 층 에칭 단계 들 ( 도 1 의 단계 130 ) 의 특정 수 , 시퀀스 , 및 타입 이 웨이퍼 상 에 있 을 수 도 있 는 도전 및 유전체 층 들 의 상이 한 수 들 , 타입 들 , 및 조합 들 에 대해 변화 할 수 도 있 다는 것 이 당업자 에게 자명 해야 한다 .