본 발명 에 따르 면 , 성장 시간 에 경과 에 따라 상기 In 소스 ( 예컨대 , TMG ) 의 유량 을 감소 시킨다 . 즉 , InGaN 우물 층 성장 시 성장 초기 보다 성장 말기 에 In 함량 이 높 아 지 는 In 분리 현상 을 억제 하 기 위해 , InGaN 우물 층 성 장시 , Ga 및 N 소스 유량 은 일정 하 게 유지 시키 면서 In 소스 유량 은 의도 적 으로 성장 시간 경과 에 따라 감소 시켜준다 ( 성장 시간 에 따라 In 소스 유량 이 감소 하 도록 In 소스 유량 의 프로파일 에 그레 디언 트 를 줌 ) . 이 에 따라 , 자연 적 으로 발생 하 는 In 분리 현상 에 의한 In 조성 의 변화 가 보상 되 고 , In 함량 이 균일 한 InGaN 우물 층 을 얻 게 된다 . 특히 , 본 실시 형태 에서 는 , InGaN 우물 층 성장 단계 ( A ') 에서 In 소스 유량 을 성장 시간 경과 에 따라 선형 적 으로 감소 시켜 주 고 있 다 .