제 1 반도체 칩 ( 300 ) 의 제 1 칩 패드 들 ( 312 ) 은 인터 포저 기판 ( 200 ) 의 제 1 기판 패드 들 ( 220 ) 과 접합 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 제 1 칩 패드 들 ( 312 ) 은 제 1 기판 패드 들 ( 220 ) 과 결합 하 여 일체 를 형성 할 수 있 다 . 제 1 칩 패드 들 ( 312 ) 과 제 1 기판 패드 들 ( 220 ) 의 결합 은 자연 적 으로 진행 될 수 있 다 , 상세 하 게 는 , 제 1 칩 패드 들 ( 312 ) 과 제 1 기판 패드 들 ( 220 ) 은 동일 한 물질 ( 일 예 로 , 구리 ( Cu ) ) 로 구성 될 수 있 으며 , 서로 접촉 된 제 1 칩 패드 들 ( 312 ) 과 제 1 기판 패드 들 ( 220 ) 의 제 1 계면 ( IF 1 , 도 2 참조 ) 에서 표면 활성 화 ( surface activation ) 에 의한 구리 ( Cu ) - 구리 ( Cu ) 금속 간 하이브리드 본딩 ( hybrid bonding ) 프로세스 ( 일 예 로 , 구리 ( Cu ) - 구리 ( Cu ) 하이브리드 본딩 ) 에 의해 , 제 1 칩 패드 들 ( 312 ) 과 제 1 기판 패드 들 ( 220 ) 이 결합 될 수 있 다 . 제 1 칩 패드 들 ( 312 ) 과 제 1 기판 패드 들 ( 220 ) 이 접합 되 어 , 제 1 칩 패드 들 ( 312 ) 과 제 1 기판 패드 들 ( 220 ) 사이 의 경 계면 ( IF 1 ) 이 사라질 수 있 다 .