회전 테이블 ( 2 ) 의 회전 에 의해 , 웨이퍼 ( W ) 의 표면 에 는 제 1 처리 영역 ( P 1 ) 에서 Si 함유 가스 가 흡착 하 고 , 계속 해서 제 2 처리 영역 ( P 2 ) 에서 웨이퍼 ( W ) 상 에 흡착 한 Si 함유 가스 가 산화 되 어 , 박막 성분 인 산화 실리콘 막 의 분자 층 이 1 층 혹은 복수 층 형성 되 어 반응 생성물 의 성막 스텝 ( 각 반응 가스 의 공급 사이클 ) 이 행해진다 . 이때 , 전극 ( 36 a , 36 b ) 에 고주파 전력 을 공급 하 지 않 았 기 때문 에 , 플 라즈 마의 강도 는 제로 ( 제 1 강도 ) 가 된다 . 그 로 인해 , 산화 실리콘 막 중 에 는 , 예 를 들 어 Si 함유 가스 중 에 포함 되 는 잔 류 기 때문 에 , 수분 ( OH 기 ) 이나 유기물 등 의 불순물 이 포함 되 어 있 는 경우 가 있 다 . 이렇게 해서 도 9 및 도 11 에 도시 한 바 와 같이 회전 테이블 ( 2 ) 을 회전 시켜서 반응 생성물 의 막 두께 가 예 를 들 어 10 Å ( 1 nm ) 이 될 때 까지 성막 스텝 을 계속 한 후 , 상술 한 산화 막 두께 ( j ) 가 15 Å ( 1 . 5 nm ) 에 상당 하 는 플 라즈 마의 강도 가 되 도록 , 전극 ( 36 a , 36 b ) 간 에 45 W 의 전력 ( 제 2 강도 ) 을 공급 한다 . 또한 , 도 11 은 , 웨이퍼 ( W ) 및 웨이퍼 ( W ) 상 에 적층 되 는 반응 생성물 을 모식 적 으로 도시 하고 있 다 . 후술 하 는 도 12 및 도 13 에 대해서 도 마찬가지 이 다 .