계속 해서 금속 실리사이드 층 ( 44 ) 의 비 저항 을 더욱 낮 게 하 여 게이트 전극 ( 16 ) , 소오 스 및 드레 인 영역 의 계면 에서 면저항 을 더욱 낮추 기 위해 2 차 RTP 처리 할 수 있 다 . 2 차 열처리 는 가령 RTP 를 통해 850 도씨 에서 30 초간 실시 할 수 있 다 . 2 차 열처리 는 어닐링 으로서 결정 결함 을 치유 하 는 역할 을 하 거나 , 결정 구조 를 변화 시켜 금속 실리사이드 의 비저항 을 더욱 낮추 는 역할 을 할 수 도 있 다 .