저압 화학 증착 법 을 이용 한 경우 , 위 에 언급 한 규소 원 과 암모니아 기체 의 반응 에 의하 여 염화 암모늄 ( NH 4 Cl 4 ) 이 부차 적 으로 생성 되 어 , 화학 기상 증착 장치 의 배기 시스템 내부 에 축적 되 고 , 증착 속도 가 매우 낮 다 . 또한 , 고온 에서 증착 이 이루어지 기 때문 에 고온 에 의한 질화 규소 막 의 계면 산화 로 인하 여 , 질화 규소 막 을 게이트 절 연막 으로 이용 할 경우 에 는 누설 전류 가 증가 할 수 있 으며 , 배선공 정에 이용 하 는 경우 에 도 산소 확산 에 의해 배선 의 전기 적 특성 을 저하 할 수 있 다 .