한편 , 발광 셀 들 ( C 1 ~ C 7 ) 은 각각 제 2 도전 형 반도체 층 ( 27 ) 및 활성 층 ( 23 ) 을 관통 하 여 제 1 도전 형 반도체 층 ( 23 ) 을 노출 시키 는 관통 홀 들 ( 30 a ) 을 가진다 . 관통 홀 들 ( 30 a ) 은 제 2 도전 형 반도체 층 ( 27 ) 및 활성 층 ( 25 ) 으로 둘러싸인다 . 도시 한 바 와 같이 , 관통 홀 들 ( 30 a ) 은 발광 셀 들 ( C 1 ~ C 7 ) 의 중앙 영역 에 배치 될 수 있 으며 , 기다란 형상 을 가질 수 있 다 . 그러나 본 발명 은 이 에 한정 되 는 것 은 아니 며 , 각 발광 셀 에 복수 의 관통 홀 들 이 형성 될 수 도 있 다 .