In , Sn , 및 Zn 을 주성분 으로서 포함 하 는 산화물 반도체 막 을 채널 형성 영역 에 이용 한 트랜지스터 는 , 산화물 반도체 막 을 형성 할 때 에 기판 을 가열 한 상태 에서 성막 하 는 것 , 또는 산화물 반도체 막 의 성막 후 에 열처리 를 실시 하 는 것 으로 양호 한 특성 을 얻 을 수 있 다 . 또한 , 주성분 이 라는 것 은 조성 비로 5 atomic % 이상 포함 되 는 원소 를 말 한다 .