그 다음 , 도면 에 는 도시 하 지 않 았 지만 , 상기 절연 층 ( 11 ) 상 에 스위칭 소자 인 박막 트랜지스터 의 채널 영역 으로 사용 하 기 위한 비정질 실리콘 층 을 증착 한다 . 이어서 , 상기 비정질 실리콘 층 의 상부 에 실리사이드 ( silicide ) 또는 n 형 불순물 이 고농도 로 도핑 되 어 있 는 n + 비정질 실리콘 등 의 물질 로 이루어진 오 믹 콘 택 층 을 형성 한다 .