성막 장치 는 , 처리 용기 ( 1 ) 와 , 처리 용기 ( 1 ) 내 에서 기판 인 반도체 웨이퍼 ( 이하 , 간단히 웨이퍼 ( W ) 라고 함 ) 를 수평 하 게 지지 하 기 위한 서 셉 터 ( 2 ) 와 , 처리 용기 ( 1 ) 내 에 처리 가스 를 샤워 형상 으로 공급 하 기 위한 샤워 헤드 ( 3 ) 와 , 처리 용기 ( 1 ) 의 내부 를 배기 하 는 배기 부 ( 4 ) 와 , 샤워 헤드 ( 3 ) 에 처리 가스 를 공급 하 는 처리 가스 공급 기구 ( 5 ) 와 , 제 어부 ( 6 ) 를 갖 고 있 다 .