상기 제어 게이트 도전 막 ( 211 ) 상 에 캐 핑 막 ( 211 ) 을 형성 할 수 있 다 . 상기 캐 핑 막 ( 211 ) 은 반도체 소자 가 요구 하 는 특성 에 맞추 어 산화 막 , 질화 막 , 다 결정 실리콘 또는 산화 질화 막 등 다양 한 물질 로 형성 될 수 있 다 . 경우 에 따라 , 상기 캐 핑 막 ( 211 ) 은 생략 될 수 도 있 다 .