상기 실리콘 미세 결정 메모리 기술 이나 미세 한 폴리 실리콘 의 형성 기술 에 있 어서 , 웨이퍼 표면 의 입자 형성 과정 에서 핵 밀도 ( 核 密度 ) 를 많 게 해야 한다 . 그러나 , 종래 의 핵 형성 에서 는 , 프로세스 조건 의 조정 만 으로 핵 밀도 의 제어 를 하 는 것 이 일반 적 으로서 , 그 방법 에서 는 나노 스케일 오더 ( nano scale order ) 에 알맞 는 핵 밀도 를 얻 기 어렵 다는 문제점 이 발생 하 고 있 었 으며 , 그 원인 과 대책 이 필요 했 다 .