한편 , 열 이 가해 지 고 있 는 돌출부 의 하 부면 을 비정질 실리콘 층 에 일정 시간 접촉 또는 소정 간격 거리 를 두 고 근접 시킨 뒤 비정질 실리콘 층 을 국부 적 으로 결정 화 될 수 있 도록 한다 . 비정질 실리콘 층 이 결정화 가 이루어지 는 동안 진공 챔버 ( 180 ) 에서 진행 하 며 불순물 과 의 반응 을 억제 해 주 는 것 이 바람직 하 며 , 필요 에 따라 가스 주 입부 를 통해 원 하 는 가스 를 공급 하 는 것 도 가능 하 다 . 비정질 실리콘 층 이 결정 화 되 는 것 은 실리콘 의 위상 을 실시간 으로 체크 할 수 있 는 센서 를 장착 하 는 것 이 바람직 하 며 , 경우 에 따라서 는 접촉 이 이루어지 는 측면 을 직접 모니터링 할 수 있 도록 장비 를 꾸미 는 것 또한 가능 하 다 . 또한 비정질 실리콘 층 의 하부 에 직접 적 인 열 을 공급 하 기 위해 히터 ( 165 ) 를 장착 하 는 것 도 선택 적 으로 가능 하 다 .