또한 , 형광체 층 ( 17 ) 내 에 는 예 를 들 어 , 도 5 에 도시 된 바 와 같 은 형태 에서 2 차 전자 방출 재료 로서 MgO 결정체 가 포함 되 어 있 다 . 형광체 층 ( 17 ) 의 표면 위 에 있 는 방전 공간 S 을 피복 하 는 면 위 에 즉 , 방전 공간 S 과 면상 에 는 방전 가스 와 접촉 하 도록 MgO 결정체 가 형광체 층 ( 17 ) 으로부터 노출 되 어 있 다 . 이 경우 , 형광체 층 ( 17 ) 내 에 포함 되 어 있 는 복수 의 MgO 결정체 중 에 는 전술 한 바 와 같 은 CL 발광 MgO 결정체 가 포함 되 어 있 다 . 즉 , 각 방전 셀 ( OC ) 내 에 는 그 의 전면 투명 기판 ( 10 ) 에 형성 되 어 있 는 산화 마그네슘 층 ( 13 ) 과 , 배면 기판 ( 14 ) 측 에 형성 되 어 있 는 형광체 층 ( 17 ) 과 의 양자 에 CL 발광 MgO 결정체 가 포함 되 어 있 다 . 이러 한 구조 에 의하 면 각 방전 셀 PC 내 에 보다 많 은 CL 발광 MgO 결정체 를 포함 할 수 있 다 . 따라서 , 방전 확률 의 향상 , 및 방전 지연 의 저감 이 달성 된다 . 더욱이 상기 한 바 와 같이 산화 마그네슘 층 ( 13 ) 및 형광체 층 ( 17 ) 각각 의 표면 에 있 어서 방전 가스 와 접촉 하 도록 MgO 결정체 를 형성 함 에 의해 방전 공간 S 내 에 효율 좋 게 하전 입자 를 방출 하 는 것 이 가능 하 다 . 따라서 더욱 방전 효율 의 향상 및 방전 지연 의 저감 이 달성 된다 .