특히 , 도 7 을 참조 하 여 설명 된 바 와 같이 , 전기 적 특성 이 우수 한 본 발명 의 실시 예 에 따른 박막 트랜지스터 를 제조 하 기 위해 , 175 ℃ 초과 250 ℃ 미만 의 공정 온도 에서 원자 층 증착 공정 을 수행 하 는 경우 인 , 본 발명 의 제 7 , 제 3 , 및 제 8 실시 예 에 따른 산화물 반도체 박막 의 아연 ( Zn ) 의 함량 이 31 . 4 % 초과 및 33 % 미만 이 고 , 인듐 ( In ) 의 함량 이 17 . 3 % 초과 및 18 . 6 % 미만 인 것 을 알 수 있 었 다 .