또한 , 도 10 에 도시 하 는 트랜지스터 와 마찬가지 로 , 게이트 전극 ( 2105 ) 과 반도체 영역 ( 2103 b ) 의 사이 에 , 게이트 절연 층 ( 2104 ) 을 갖 고 , 반도체 영역 ( 2103 a ) 및 반도체 영역 ( 2103 c ) 에 접하 고 , 소스 전극 ( 2108 a ) 및 드레 인 전극 ( 2108 b ) 을 갖 는다 . 또한 , 이 트랜지스터 에 있 어서 의 채널 폭 을 40 ㎚ 로 한다 .