MOVPE 의 중요 한 이점 은 , NW 가 훨씬 빠른 성장 속도 로 성장 될 수 있 다는 점 이 다 . 이 방법 은 , 반경 방향 헤테로 구조 NW 및 마이크 로 와이어 , 예 를 들 어 , n - 형 도핑 된 GaN 코어 와 진성 AlN / Al ( In ) GaN 다중 양자 우물 ( MQW ) , AlGaN 전자 차단 층 ( EBL ) 및 p - 형 도핑 된 ( Al ) GaN 쉘 로 이루어진 쉘 의 성장 에 바람직 하 다 . 이 방법 은 또한 , 예 를 들 어 더 낮 은 V / III 몰 비 및 더 높 은 기판 온도 를 위해 변경 된 성장 변수 를 갖 는 펄스 화 된 성장 기술 또는 연속 성장 모드 와 같 은 기술 을 사용 하 여 축 방향 헤테로 구조 화 된 NW 가 성장 될 수 있 게 한다 .