본 발명 의 반도체 소자 의 캐 패 시터 형성 방법 은 , 반도체 기판 상 에 하부 전극 , 고유 전 율 을 갖 는 유전체 막 , 및 금속 막 을 순차 적 으로 형성 하 는 단계 ; 금속 막 위 에 불순물 이 도핑 되 지 않 은 폴리 실리콘 게르마늄 막 을 형성 하 는 단계 ; 불순물 이 도핑 되 지 않 은 폴리 실리콘 게르마늄 막 두께 의 50 % 이내 에 이온 주입 층 을 형성 하 는 단계 ; 및 반도체 기판 상 에 저온 의 열처리 를 실시 하 는 단계 를 포함 한다 .