본 발명 의 실시 예 에 따른 이미지 센서 는 , 도 2 에 도시 된 바 와 같이 , 소자 분리 영역 과 포토다이오드 영역 을 갖 는 기판 ( 200 ) 과 , 상기 소자 분리 영역 에 형성 된 트렌치 ( 201 ) 와 , 상기 포토다이오드 영역 에 형성 된 제 1 및 제 2 불순물 영역 ( 204 ) 과 , 상기 포토다이오드 영역 에 형성 된 게이트 절 연막 ( 241 ) 과 , 상기 게이트 절 연막 ( 241 ) 상 에 형성 된 게이트 전극 ( 242 ) 과 , 상기 게이트 전극 ( 242 ) 및 게이트 절 연막 ( 241 ) 의 양 측면 에 형성 된 스 페이서 ( 243 ) 와 , 상기 트렌치 ( 201 ) 의 내벽 을 따라 형성 되 어 상기 제 1 및 제 2 불순물 영역 ( 203 , 204 ) 으로부터 상기 트렌치 ( 201 ) 내부 로 확산 되 는 것 을 방지 하 기 위한 질화 막 ( 211 ) 과 , 상기 트렌치 ( 201 ) 내 에 매립 된 소자 분리 막 을 포함 한다 .