도 15 를 참조 하 면 , 다양 한 반도체 디바이스 들 ( 710 ) 을 포함 하 는 로직 다이 ( 700 ) 일 수 있 는 제 2 반도체 다이 가 제공 될 수 있 다 . 반도체 디바이스 들 ( 710 ) 은 메모리 다이 ( 1000 ) 내의 3 차원 메모리 어레이 들 의 동작 을 위한 주변 회로 부를 포함 한다 . 주변 회로 부 는 메모리 다이 ( 1000 ) 내 의 전기 전도성 층 들 ( 46 ) 을 구동 하 는 워드 라인 드라이버 , 메모리 다이 ( 1000 ) 내 의 비트 라인 들 ( 98 ) 을 구동 하 는 비트 라인 드라이버 , 전기 전도성 층 들 ( 46 ) 에 대한 어드레스 들 을 디 코딩 하 는 워드 라인 디코더 회로 부 , 비트 라인 들 ( 98 ) 에 대한 어드레스 들 을 디 코딩 하 는 비트 라인 디코더 회로 부 , 메모리 다이 ( 1000 ) 내 의 메모리 스택 구조물 들 ( 55 ) 내 의 메모리 요소 들 의 상태 들 을 감지 하 는 감지 증폭기 회로 부 , 메모리 다이 ( 1000 ) 에 전력 을 제공 하 는 전력 공급 / 분배 회로 부 , 데이터 버퍼 및 / 또는 래치 , 및 / 또는 메모리 다이 ( 1000 ) 내 의 메모리 스택 구조물 들 ( 58 ) 의 어레이 를 동작 시키 는 데 사용 될 수 있 는 임의 의 다른 반도체 회로 부를 포함 할 수 있 다 . 로직 다이 ( 700 ) 는 반도체 기판 일 수 있 는 로직 - 다 이 기판 ( 708 ) 을 포함 할 수 있 다 . 로직 - 다 이 기판 은 기판 반도체 층 ( 709 ) 을 포함 할 수 있 다 . 기판 반도체 층 ( 709 ) 은 반도체 웨이퍼 또는 반도체 재료 층 일 수 있 고 , 적어도 하나 의 원소 반도체 재료 ( 예 를 들 어 , 단결정 실리콘 웨이퍼 또는 층 ) , 적어도 하나 의 III - V 화합물 반도체 재료 , 적어도 하나 의 II - VI 화합물 반도체 재료 , 적어도 하나 의 유기 반도체 재료 , 또는 당업 계 에 알려진 다른 반도체 재료 들 을 포함 할 수 있 다 .