그리고 활성 화 영역 은 n 형 불순물 로 도핑 되 는 영역 이 며 , 그 상부 에 게이트 폴리 가 구비 된다 . 여기 서 , 활성 화 영역 과 게이트 폴리 사이 는 층간 절연 물질 인 IMD ( Inter Metal Dielectrics ) 가 구비 된다 . IMD 는 게이트 폴리 와 그 상부 에 구비 되 는 메탈 라인 ( 예 를 들 어 , 워드 라인 인 에이블 신호 라인 ( 560 ) ) 의 사이 에 도 구비 되게 된다 . 이러 한 , IMD 의 구비 는 본 발명 이 속하 는 기술 분야 에서 통상 의 기술 을 가진 자 에게 자명 하 다 할 것 이 다 .