도 11 및 도 12 에 도시 된 바 와 같이 , 실리콘 기판 ( 61 ) 상 에 셀 소스 CS 가 제공 된다 . 셀 소스 CS 는 예 를 들 어 , 저 저항 화 ( resistance reduction ) 를 위해 비교 적 고농도 로 불순물 이 도핑 된 실리콘 층 이 다 . 셀 소스 CS 위 에 유전체 층 ( 62 ) 이 제공 되 고 , 그 위 에 는 하부 선택 게이트 LSG 가 제공 되 며 , 그 위 에 는 유전체 층 ( 63 ) 이 제공 된다 . 유전체 층 ( 62 , 63 ) 은 예 를 들 어 , 실리콘 산화물 층 이 며 , 하부 선택 게이트 LSG 는 예 를 들 어 , 실리콘 층 이 다 . 유전체 층 ( 62 ) , 하부 선택 게이트 LSG 및 유전체 층 ( 63 ) 은 적층 체 ML 1 을 구성 한다 . 유전체 층 ( 63 ) 이 반드시 필요 한 것 은 아니 라는 점 에 주목 한다 .