즉 , 스퍼터링 을 이용 하 는 PVD 에서 반도체 기판 금속 박막 증착 에 있 어서 , 금속 박막 의 증착 을 위한 반도체 기판 이 PVD 장치 의 공정 챔버 내 위치 되 는 경우 , 공정 챔버 에 연결 된 전력 공급원 은 챔버 내 의 음극 과 양극 사이 에 전기 포 텐 셜 을 발생 시키 고 , 음극 과 양극 사이 의 영역 에서 공정 가스 의 플 라즈 마 를 생성 시킨다 . 이 플 라즈 마로 부터 생성 된 이온 들 은 타 겟 ( Target ) ( 음극 바이어스 ) 를 타격 하 고 , 이때 기판 ( 양극 바이어스 ) 상 에 증착 되 는 재료 를 타 겟 으로부터 스퍼터링 하 여 반도체 기판 금속 박막 을 형성 시키 게 된다 .