또한 , 상술 한 발명 에서 , 상기 단일 처리 로 이루어지 는 공정 은 , 기판 에 레지스 트 막 재료 를 도포 하 는 레지스 트 막 재료 도포 처리 , 기판 에 현상액 을 공급 하 는 현상 처리 , 및 , 기판 을 가열 또는 냉각 하 는 열처리 중 어느 하나 의 처리 로 이루어지 는 공정 인 것 이 바람직 하 다 . 다른 기판 처리 열 로부터 , 레지스 트 막 재료 도포 처리 , 현상 처리 , 혹은 , 열처리 만 을 행한 기판 을 얻 을 수 있 다 .