제 1 공정 에서 는 , 상술 한 CVD 장치 를 이용 하 여 , 이하 의 제 1 조작 , 제 2 조작 및 냉각 조작 을 행하 는 것 이 바람직 하 다 . 이 에 따라 , 피막 중 에 라멜라 층 을 형성 하 여 , 이 라멜라 층 을 포함 하 는 절삭 공구 전구체 를 얻 을 수 있 다 . 또한 , 라멜라 층 을 형성 하 기 전후 에 있 어서 , 상술 한 CVD 장치 를 이용 하 여 TiN 층 , Al 2 O 3 층 등 의 다른 층 을 기재 상 에 형성 할 수 도 있 다 . 기재 는 , 이런 종류 의 기재 로서 종래 공지 된 것 을 어느 것 이나 사용 할 수 있 으며 , 이 로써 종래 공지 된 방법 에 의해 제조 할 수 있 다 .