도 3 에서 , 박리 층 물질 은 비소화물 - 기재 의 기판 및 / 또는 지지층 의 물질 ( 들 ) 과 비교 되 는 에칭 선택 성 을 제공 한다 . 따라서 , 블럭 ( 325 ) 에서 , 기판 및 / 또는 지지층 의 실질 적 에칭 없이 박리 층 이 선택 적 으로 에칭 된다 . 특히 , 비소화물 - 기재 의 층 을 실질 적 으로 에칭 시키 지 않 으면서 InAlP 박리 층 을 선택 적 으로 횡 방향 에칭 시키 는 데 염산 ( HCl ) 을 비롯 한 에칭 제 가 사용 될 수 있 다 . 에 칭제 는 InAlP 박리 층 의 에칭 동안 발생 할 수 있 는 버블 의 크기 를 감소 시켜서 장치 구조물 에 대한 손상 가능 성 을 감소 시킬 수 있 는 에탄올 또는 또 다른 적합 한 계면 활성제 를 추가 로 포함 할 수 있 다 . 일부 실시 양태 에서 , 에칭 제 에 다른 방식 으로 취약 할 수 있 는 층 을 보호 하 기 위해서 밀봉 층 이 장치 층 ( 들 ) 및 / 또는 장치 구조물 의 다른 부분 위 에 제공 될 수 있 다 . HCl 및 에탄올 을 포함 하 는 에칭 제 는 비교 적 높 은 속도 ( 예 를 들 어 , 1 시간 당 약 0 . 1 밀리미터 ( mm ) 초과 ) 로 박리 층 을 선택 적 으로 에칭 하 여 지지층 을 기판 으로부터 분리 할 수 있 다 . 이후 , 장치 층 ( 들 ) 은 예 를 들 어 미세 전사 인쇄 기술 을 이용 하 여 상이 한 기판 으로 전사 될 수 있 다 .