본 발명 의 일 실시 예 에 따른 플래시 메모리 소자 의 게이트 형성 방법 은 , ( a ) 활성 영역 과 필드 영역 이 확정 된 반도체 기판 의 상기 활성 영역 에 터널 산화 막 및 제 1 폴리 실리콘 막 이 형성 되 고 , 상기 필드 영역 에 소자 분리 막 이 형성 되 는 단계 ; ( b ) 상기 활성 영역 및 필드 영역 을 포함 한 전체 구조 상부 에 유전체 막 , 제 2 폴리 실리콘 막 , 텅스텐 실리사이드 막 및 하드 마스크 막 을 적층 하 는 단계 ; ( c ) 상기 하드 마스크 막 , 텅스텐 실리사이드 막 , 제 2 폴리 실리콘 막 의 소정 영역 을 식각 하 여 유전체 막 을 노출 시키 는 단계 ; ( d ) 상기 활성 영역 및 필드 영역 의 상기 노출 된 유전체 막 상부 를 제거 하 는 단계 ; ( e ) 상기 활성 영역 의 상기 제 1 폴리 실리콘 막 을 일부 제거 하 여 유전체 막 혼 이 형성 되 도록 하 는 단계 ; ( f ) 상기 활성 영역 의 상기 제 1 폴리 실리콘 막 및 상기 유전체 막 혼 의 일부 를 제거 하 는 단계 ; 및 ( g ) 상기 활성 영역 의 상기 제 1 폴리 실리콘 막 및 상기 유전체 막 혼 을 완전히 제거 하 는 단계 를 포함 한다 .