도 2 h 를 참조 하 고 , 이전 단락 에 기재 된 다마스 커스 공정 을 시작 하 면 , 유전체 층 ( 48 ) , 여기 서 는 예 를 들 어 SiNx 는 도 2 g 에 도시 되 는 구조 체의 표면 상 에 적층 된다 . 도 2 i 를 참조 하 면 , 제 2 유전체 층 ( 50 ) , 여기 서 는 예 를 들 어 SiO 2 는 층 ( 48 ) 상 에 배치 되 고 , 층 ( 50 ) 및 층 ( 48 ) 의 선택 된 부분 을 통해 윈도우 ( 52 ) 를 형성 하 기 위해 종래 의 실리콘 ( Si ) 주조 호환 리소그래피 및 에칭 기술 을 이용 하 여 패 터닝 하 여 , 소스 , 드레 인 및 게이트 전극 ( 541 - 5411 ) 의 동시 형성 에 대해 도 2 j 에 도시 되 는 바 와 같이 전기 접촉 구조 체 ( 421 내지 427 ) 의 상부 면 및 핑거 형 게이트 전극 구 조체 ( 141 - 144 ) 를 노출 시켜 , 도 1 a 와 관련 하 여 상기 기재 되 는 게이트 전극 구 조체 ( 141 - 144 ) , 드레 인 전극 구 조체 ( 181 - 182 ) , 및 드레 인 전극 구 조체 ( 221 - 223 ) 를 완성 한다 .