이 처럼 , 반도체 장치 는 기존 에 이온 들 을 디스 차징 시키 기 위해 입력 패드 ( 120 ) 와 보호 회로 부 ( 140 ) 사이 에 적용 하 였 던 보호 다이오드 또는 실리콘 제어 정류기 를 적용 하 였 다 . 반면 에 , 본 발명 에 따른 반도체 장치 의 보호 회로 는 반도체 장치 를 제조 하 는 공정 상 에 있 어서 , 상기 보호 회로 부 ( 140 ) 에 바이어스 를 제공 하 는 바이어스 제 공부 ( 142 ) 를 구비 함 으로써 , 반도체 장치 의 전체 사이즈 를 줄일 수 있 음 과 동시 에 칩 상 에 쌓인 이온 을 방출 시킴 으로서 , 칩 불량 을 방지 할 수 있 다 .