일부 실시 예 에서 , 어닐링 후 실리콘 층 ( 50 ) 을 제거 하 는 단계 를 더 포함 할 수 있 다 . 이 경우 , 실리콘 층 ( 50 ) 은 희생 층 으로 도 불릴 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 희생 층 은 실리콘 외 에 산소 확산 배리어 로서 기능 할 수 있 는 물질 을 포함 할 수 있 다 . 실리콘 층 ( 50 ) 은 습식 식각 또는 건식 식각 에 의해 제거 될 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 실리콘 층 ( 50 ) 을 제거 한 후 산소 확산 배리 어 층 ( 24 ) 을 제거 하 는 단계 를 더 포함 할 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 산소 확산 배리 어 층 ( 24 ) 을 제거 한 후 안정 화 층 ( 23 ) 을 제거 하 는 단계 를 더 포함 할 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 산소 확산 배리 어 층 ( 24 ) 을 형성 하 는 단계 ( S 1400 ) 는 생략 될 수 있 다 .