도 2 a 및 도 3 a 를 참조 하 면 , 반도체 기판 ( 200 ) 상부 에 제 1 도 전막 ( 202 ) 을 형성 한다 . 이때 , 제 1 도 전막 ( 202 ) 은 폴리 실리콘 막 으로 형성 한다 . 반도체 기판 ( 200 ) 상부 에 게이트 절 연막 형성 공정 없이 제 1 도 전막 ( 202 ) 을 형성 함 으로 제 1 도 전막 ( 202 ) 이 액티브 ( active ) 영역 과 같 은 역할 을 한다 .