제 1 실시 예 에서 는 , 유기 재료 막 ( 4 ) 이 실리콘 질화 막 ( 3 ) 또는 제 1 실리콘 함 유막 위 에 형성 되 고 , 플루오르 와 같 은 할로겐 을 함유 한 에칭 가스 를 이용 하 지 않 고 건식 에칭 에 의해 처리 된다 . 따라서 , 실리콘 질화 막 ( 3 ) 에서 의 과도 한 처리 ( 깎 기 ) 의 발생 결과 로 실리콘 질화 막 ( 3 ) 에서 스텝 ( 막 두께 에서 의 차이 ) 이 발생 하 는 것 을 방지 할 수 있 다 . 또한 , 실리콘 질화 막 ( 3 ) 의 스텝 ( 막 두께 에서 의 차이 ) 으로 인한 반도체 장치 제품 의 특성 악화 를 방지 할 수 있 어 , 고품질 의 반도체 장치 제품 을 제조 할 수 있 다 .