이때 , 구동 TFT ( DT ) 의 게이트 에 연결 된 제 2 및 제 6 스위치 TFT 들 ( T 2 , T 6 ) 은 오프 기간 이 길 기 때문 에 누설 전류 에 취약 하 다 . 제 2 및 제 6 스위치 TFT 들 ( T 2 , T 6 ) 에서 누설 전류 가 생기 면 발광 기간 ( Te ) 동안 제 2 노드 ( N 2 ) 의 전위 즉 , 구동 TFT ( DT ) 의 게이트 전압 ( DTG ) 이 변하 여 원 하 는 계조 를 구현 하 기 어렵 다 . 이 를 고려 하 여 제 2 및 제 6 스위치 TFT 들 ( T 2 , T 6 ) 은 도 3 에 도시 된 바 와 같이 , 누설 전류 가 작 은 듀얼 게이트 ( dual gate ) 구조 의 트랜지스터 일 수 있 다 . 이러 한 제 2 및 제 6 스위치 TFT 들 ( T 2 , T 6 ) 이 누설 전류 가 매우 작 은 트랜지스터 , 예 를 들 어 , 산화물 TFT ( Oxide TFT ) 로 구현 될 경우 , 싱글 게이트 ( single gate ) 구조 도 가능 할 수 있 다 .