일부 실시 예 들 에서 , 노출 된 SnO 2 층 에 더 하 여 , 동작 1101 에서 제공 된 반도체 기판 , 노출 된 제 2 재료 의 층 을 더 포함 하 고 , 제 2 재료 는 SiO 2 , SiC , SiN , SiOC , SiNO , SiCNO , 및 SiCN 중 하나 이상 을 포함 한다 . 다른 실시 예 들 에서 제 2 재료 는 SnO 2 에칭 의 시작 시 노출 되 는 것 이 아니 라 , SnO 2 이 일정 시간 에칭 된 후 노출 되 게 된다 .