예 를 들 면 , 본 실시 예 에서 는 , 도 1 을 참조 하 면 , 레지스 트 패턴 ( 10 ) 의 제 1 패턴 부 ( 10 a ) 의 잠상 은 , 나중 에 하프톤 형 마스크 를 이용 해서 노광 을 행할 때 에 영향 을 받 는다 . 예 를 들 면 , 하프톤 형 마스크 를 이용 해서 노광 을 행하 는 제 2 노광 공정 의 노광량 이 지나치 게 많 으면 , 제 1 패턴 부 ( 10 a ) 의 치수 정밀도 가 악화 되 는 경우 가 있 다 .