이 스위칭 제어 용 반도체 는 다양 한 신호 를 입력 으로 할 수 있 는데 . 본 발명 에 적용 되 는 상기 스위칭 제어 용 반도체 는 , 특히 , BO 단자 로 명명 된 활성 화 / 비활성 화 제 어 단자 를 구비 한다 . 상기 스위칭 제어 용 반도체 는 , 마이컴 으로부터 의 구동 신호 가 존재 함 과 동시 에 BO 단자 로 high 의 신호 가 입력 되 는 경우 에 만 인버터 부 ( 120 ) 가 스위칭 을 지속 적 으로 수행 하 도록 제어 하 여 유도 가열 을 실행 한다 . 하지만 , BO 단자 에 low 신호 가 입력 되 는 경우 에 는 마이컴 으로부터 의 구동 신호 의 유무 에 관계없이 스위칭 동작 을 정지 하 여 IGBT 의 동작 을 정지 시킨다 .