하드 마스크 층 이 형성 되 면 방사선 - 민감 성 이미지 화 층 을 형성 시키 고 , 　 노광 ( exposure ) 공정 및 현상 ( develop ) 공정 에 의하 여 이미지 화 층 에 패턴 을 형성 한다 . 　　 그리고 , 노출 된 하부 층 에 CHF 3 / CF 4 　 혼합 가스 등 을 이용 하 여 드라이 에칭 을 진행 하 게 되 면 실리콘 하드 마스크 상 에 패턴 이 형성 된다 . 이런 공정 이후 에 　 BCl 3 / Cl 2 　　 혼합 가스 등 을 이용 하 여 , 본 발명 의 하드 마스크 막 질 이 노출 된 부분 을 에치 하 여 하드 마스크 패턴 화 공정 을 다시 진행 한다 .