반도체 제조 에 있 어서 장치 의 치수 가 축소 됨 에 따라 새롭 고 혁신 적 인 공정 접근 법 이 요구 된다 . 통상 적 으로 , 반도체 공정 에서 의 패 터닝 은 블랭킷 층 이 증착 되 고 , 포토 리소그래피 기술 에 의해 마스크 처리 되 고 , 마스크 의 개구 를 통해 식각 되 는 서브 트랙 티 브 공정 을 포함 한다 . 리프트 오프 ( lift - off ) 기술 이나 다 마신 ( damascene ) 단계 를 사용 하 는 패 터닝 과 같이 , 마스킹 단계 가 관심 재료 의 증착 에 선행 하 는 적층 패 터닝 ( additive patterning ) 이 또한 공지 되 어 있 다 . 대부분 의 경우 에 , 고 비용 의 다단계 리소그래피 기술 이 패 터닝 에 적용 된다 .