도 1 을 참조 하 면 , 종래 수직 구조 반도체 발광 소자 ( 10 ) 는 도전 성 기판 ( 40 ) 상 에 금속 층 ( 35 ) , p 형 반도체 층 ( 25 ) , 활성 층 ( 20 ) 및 n 형 반도체 층 ( 15 ) 을 구비 하 며 , n 형 반도체 층 ( 15 ) 상면 에 n 형 전극 ( 45 ) 이 형성 되 어 있 다 . p 형 반도체 층 ( 25 ) 과 n 형 반도체 층 ( 15 ) 양단 에 구동 전류 를 인가 하 면 , p 형 반도체 층 ( 25 ) 과 n 형 반도체 층 ( 15 ) 으로부터 활성 층 ( 20 ) 으로 전자 및 정공 이 주입 된다 . 주입 된 전자 와 정공 은 활성 층 ( 20 ) 에서 재결합 하 여 광 을 생성 한다 .