부스트 커패시터 ( Cbt ) 의 일 전극 인 제 3 전극 ( CE 3 ) 는 제 1 스캔 선 ( SL 1 ) 의 일부 로 구비 되 어 , 상기 스위칭 제어 전극 ( G 2 ) 와 연결 된다 . 부스트 커패시터 ( Cbt ) 의 제 4 전극 ( CE 4 ) 는 상기 제 3 전극 ( CE 3 ) 와 중첩 되 도록 배치 되 며 , 산화물 반도체 로 구비 될 수 있 다 . 상기 제 4 전극 ( CE 4 ) 은 상기 보상 박막 트랜지스터 ( T 3 ) 의 보상 반도체 층 와 제 1 초기 화 박막 트랜지스터 ( T 4 ) 의 반도체 층 과 동일 층 에 구비 되 어 , 상기 보상 반도체 층 과 제 1 초기 화 반도체 층 사이 의 영역 으로 구비 될 수 있 다 . 또는 , 제 4 전극 ( CE 4 ) 는 제 1 초기 화 반도체 층 으로 부 터 연장 되 어 구비 될 수 있 다 . 또는 , 제 4 전극 ( CE 3 ) 은 보상 반도체 층 으로 부 터 연장 되 어 구비 될 수 있 다 .