바람직 하 게 는 상기 산화 방지 막 을 형성 하 기 전 에 , 상기 반도체 기판 상 에 전도성 패턴 을 형성 하 는 단계 를 더 포함 할 수 있 으며 , 상기 전도성 패턴 은 실리사이드 층 을 포함 할 수 있 다 . 또한 상기 실리사이드 층 은 텅스텐 실리사이드 , 타이타늄 실리사이드 또는 코발트 실리사이드 로 형성 하 는 것 이 더욱 바람직 하 다 . 그리고 상기 산화 방지 막 은 실리콘 질화 막 ( SiN ) 또는 실리콘 산화 질화 막 ( SiON ) 중 어느 하나 이 거나 , 또는 이 들 의 적층 구조 인 것 이 바람직 하 다 .