다 치 기입 을 행하 는 반도체 장치 및 반도체 장치 의 구동 방법 에 있 어서 , 산화물 반도체 층 을 포함 하 는 트랜지스터 를 사용 한 메모리 셀 에 기입 을 행하 는 기입 트랜지스터 의 온 오프 를 제어 하 는 신호선 을 , 비트 선 을 따르 도록 배치 하 고 , 판독 동작 시 에 용량 소자 에 부여 하 는 전압 을 기입 시 에 도 이용 하 여 , 다 치 기입 을 행한다 . 트랜지스터 의 오프 전류 를 충분히 작 게 할 수 있 는 와이드 갭 반도체 인 산화물 반도체 재료 를 사용 함 으로써 , 장기간 에 걸쳐 정보 를 유지 하 는 것 이 가능 하 다 .