도 2 에 도시 한 바 와 같이 , 하부 도전체 ( 102 ) 를 포함 하 는 반도체 기판 ( 100 ) 위 에 식각 정지 막 ( 104 ) 및 층간 절 연막 ( 106 ) 을 적층 한다 . 그리고 층간 절 연막 ( 106 ) 에 감광막 ( 도시 하 지 않 음 ) 을 이용 한 선택 적 식각 공정 으로 식각 정지 막 ( 104 ) 을 노출 하 는 트렌치 ( T ) 를 형성 한다