각각 의 활성 기둥 ( PL ) 은 웰 영역 ( Well ) 에 인접 하 는 몸 체부 ( B ) 와 , 상부 선택 라인 ( upper selection lone ; USLi ) ( i 는 N 보다 작 거나 같 은 정수 ) 에 인접 하 는 드레 인 영역 ( D ) 을 포함 할 수 있 다 . 몸 체부 ( B ) 는 웰 영역 ( Well ) 과 동일 한 도전 형 으로 구성 될 수 있 고 , 드레 인 영역 ( D ) 은 웰 영역 ( Well ) 과 다른 도전 형 으로 구성 될 수 있 다 . 복수 의 활성 기둥 들 ( PL ) 은 복수 의 워드 라인 평면 들 ( WL _ PT ) 을 관통 하 는 방향 의 장축 들 을 가질 수 있 다 . 복수 의 워드 라인 평면 들 ( WL _ PT ) 과 복수 의 활성 기둥 들 ( PL ) 사이 의 교점 들 은 3 차원 적 으로 분포 될 수 있 다 . 즉 , 3 차원 메모리 의 메모리 셀 들 ( MC ) 각각 은 3 차원 적 으로 분포 된 교점 들 에 의해 형성 될 수 있 다 . 워드 라인 평면 ( WL _ PT ) 과 활성 기둥 ( PL ) 사이 에 는 게이트 절 연막 ( GI ) 이 배치 될 수 있 다 . 예 시 적 인 실시 예 에 있 어서 , 상기 게이트 절 연막 ( GI ) 은 다층막 일 수 있 으며 , 예 를 들 어 ONO 의 적층 일 수 있 다 . 게이트 절 연막 의 일부 막 은 정보 저장 을 위한 박막 ( 즉 , 전 하저 장막 또는 전하 저장 층 ) 으로 사용 될 수 있 다 .