도 4 의 우측 에 는 , 단자 부 ( 20 ) 에서 의 단자 용 접속 배선 ( 124 ) 과 단자 용 몰리브덴 막 ( 196 ) 의 부분 확대도 가 도시 되 어 있 다 . 화소 용 접속 배선 ( 24 ) 과 달리 , 단자 용 접속 배선 ( 124 ) 은 , 도시 되 어 있 지 않 은 버퍼 층 ( 52 ) 및 게이트 절 연막 ( 56 ) 위 에 배치 되 는 하부 배선 ( 122 ) 에 접속 되 는 배선 이 다 . 또한 , 후술 하 는 바 와 같이 , 하부 배선 ( 122 ) 은 화소 부 ( 14 ) 에서 의 게이트 전극 ( 22 ) 이 형성 되 는 것 과 동일 공정 에서 형성 된다 . 예 를 들 면 , 게이트 전극 ( 22 ) 이 몰리브덴 막 으로 형성 될 때 에 는 , 하부 배선 ( 122 ) 은 몰리브덴 막 으로 형성 된다 . 또한 , 단자 부 ( 20 ) 에서 는 게이트 전극 ( 22 ) 과 동일 공정 에서 형성 되 는 하부 배선 ( 122 ) 이 배치 되 어 있 으므로 , 층 간 절 연막 ( 60 ) 이 게이트 절 연막 ( 56 ) 위 에 직접 배치 되 는 화소 부 ( 14 ) 의 구성 과 달리 , 하층 측 으로부터 상층 측 을 향하 여 , 게이트 전극 ( 22 ) 과 동일 한 하부 배선 ( 122 ) , 층 간 절 연막 ( 60 ) 의 순 으로 적층 되 어 있 다 .