상기 식각 정지 막 은 질화 막 으로 형성 할 수 있 다 . 상기 식각 정지 막 은 산화 막 보다 유전 율 이 높 은 물질 로 형성 할 수 있 다 . 상기 도전 물질 의 일부 는 상기 트렌치 절 연막 상부 에 하드 마스크 를 형성 할 수 있 다 . 상기 트렌치 절 연막 을 식각 하 여 상기 트렌치 를 형성 할 때 상기 하드 마스크 를 사용 할 수 있 다 . 상기 금속 배선 은 다 마신 공정 으로 형성 할 수 있 다 . 상기 금속 배선 은 상기 식각 정지 막 상부 에 형성 될 수 있 다 . 상기 도전 물질 은 폴리 실리콘 이나 텅스텐 일 수 있 다 .