방금 언급 된 바람직 하 지 않 은 영향 을 초래 하 는 커패시턴스 비대칭 들 을 발생 시키 는 것 을 극복 하 기 위해 , 적어도 하나 의 트윈 MEMS 센서 디바이스 를 포함 하 는 MEMS 트랜스 듀 서가 제안 된다 . 적어도 하나 의 트윈 MEMS 센서 디바이스 는 역 평행 구성 으로 서로 결합 되 는 적어도 한 쌍 의 차동 MEMS 센서 디바이스 들 을 포함 한다 . 역 평행 방식 으로 결합 된 2 개 의 차동 MEMS 센서 디바이스 들 의 쌍 들 의 배열 로 차동 MEMS 센서 디바이스 들 을 제공 함 으로써 , MEMS 디바이스 들 의 비대칭 커패시턴스 로부터 발생 되 는 신호 비대칭 이 감소 되 는 것 으로 발견 되 었 다 . 이것 은 MEMS 트랜스 듀 서 의 개선 된 성능 품질 및 개선 된 강건 성 을 초래 한다 .