도 5 내지 도 6 b 를 참조 하 면 , 상기 제 2 포토레지스트 패턴 ( PR 21 , PR 22 ) 을 이용 하 여 상기 소스 금속 층 ( 160 ) 및 투명 도전 층 ( 150 ) 을 습식 식각 공정 으로 식각 한다 . 이 에 의해 제 2 포토레지스트 패턴 ( PR 21 , PR 22 ) 이 형성 된 소스 전극 영역 ( SEA ) , 드레 인 전극 영역 ( DEA ) , 화소 전극 영역 ( PEA ) 및 소스 패드 영역 ( DPA ) 에 투명 도전 패턴 ( 152 , 153 , 154 ) 및 소스 금속 패턴 ( 162 , 163 , 164 ) 이 형성 된다 .