또한 , 상기 촬상부 ( 300 ) 는 상기 광학 모듈 ( 200 ) 에서 전달 되 는 반사광 에 의해 투영 되 는 복수 개 의 오버레이 패턴 에 대응 되 는 영상 신호 를 획득 할 수 있 다 . 예컨대 , 상기 촬상부 ( 300 ) 는 전하 결합 소자 ( charge coupled device ) 카메라 , 또는 상보성 금속 산화 막 반도체 ( complementary metal oxide semiconductor ) 카메라 를 포함 하 여 이루어진다 . 여기 서 , 상기 전하 결합 소자 는 1970 년 미국 의 벨 연구소 에서 발표 한 반도체 소자 . n 형 의 반도체 기판 의 표면 에 0 . 1 m 정도 두께 의 절연 층 을 형성 , 금속 전극 을 배열 하 여 이 금속 전극 의 전압 을 제어 함 으로써 반도체 표면 전위 의 낮 은 부분 을 좌우 로 이동 시켜 축적 된 전하 를 이 에 맞추 어 순차 로 전송 시킬 수 있 기 때문 에 자리 옮김 레지스터 ( shift register ) 나 기억 장치 로 응용 되 기 도 한다 . 상기 전하 결합 소자 ( CCD ) 는 MOS 트랜지스터 와 유사 한 단순 한 구조 의 소자 로 , 전하 의 축적 에 의한 기억 과 전하 의 이동 에 의한 전송 이 라는 2 가지 기능 을 갖 고 있 어서 고집 적 화 가 가능 하 다 . 전하 결합 소자 는 전하 의 크기 에 따른 아날로그 양 의 기억 전송 이 가능 하 기 때문 에 TV 카메라 의 영상 회로 , 영상 기억 장치 에 대한 응용 화 가 진행 되 었 다 . 1983 년 부터 양산 화 되 어 3 분 의 2 인치 크기 의 25 만 화소 로부터 실용화 가 본격 화 되 었 는데 , 1991 년 에 는 3 분 의 1 인치 크기 의 38 만 화소 의 제품 이 등장 하 고 그 후 에 200 만 화소 의 제품 도 고해 상 TV 용 으로 등장 하 였 다 . 상기 전하 결합 소자 는 현재 디지털 카메라 및 많 은 종류 의 비디오 카메라 의 고체 촬상 소자 ( 이미지 센서 ) 로 사용 되 고 있 다 . 또한 , 상보성 금속 산화 막 반도체 ( CMOS ) 는 인버터 ( inverter ) 회로 에 p - 채널 트랜지스터 와 n - 채널 트랜지스터 를 같이 구성 하 여 동작 속도 ( 연산 속도 ) 는 늦 지만 소비 전력 이 아주 작 은 반도체 . 포켓 계산기 나 손목시계 등 의 휴대 용 제 품 에 많이 사용 되 고 있 다 .