상기 유전체 층 ( 220 ) 은 , GaN 보다 유전 율 이 높 은 Zr , Si , Hf , Sr , Ti , Ba 중 의 적어도 하나 이상 을 포함 하 는 산화층 으로 형성 할 수 있 으며 , 적어도 한 층 이상 을 갖 도록 형성 한다 . 예 를 들 어 , 상기 유전체 층 ( 220 ) 은 , ZrO 2 / SiO 2 , HfO 2 / SiO 2 , SiN 2 / SiO 2 / SrO 2 , TiO 2 / SiO 2 , BaTiO 3 또는 SrTiO 3 과 같 은 산화층 으로 형성 할 수 있 다 . 이때 , 상기 유전체 층 ( 220 ) 의 두께 는 전자 의 터널 링 이 가능 하 도록 20 nm 이하 로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 .