이 에 , 몰딩 전 의 반도체 패키지 ( 30 ) 가 제 2 몰드 체이스 ( 16 ) 위 에 안착 되 는 동시 에 제 1 몰드 체이스 ( 14 ) 와 제 2 몰드 체이스 ( 16 ) 사이 의 캐비 티 내 에 위치 하 게 되 고 , 이 와 동시 에 상기 히트 슬러그 ( 20 ) 의 브릿지 ( 26 ) 하 단부 가 기판 ( 32 ) 상 에 형성 된 도전 성 패턴 ( 미도 시 됨 ) 에 도전 가능 하 게 접촉 되 는 상태 가 된다 .