등 을 사용 할 수 있 다 . 또한 , 제 2 절연 층 ( 204 ) 은 , 폴리 이미드 , 폴리아미드 , 폴리비닐 페놀 , 벤조 시클 로부 텐 계 수지 , 아크릴 , 에폭시 등 의 유기 재료 , 또는 실록 산 수지 등 의 실록 산 재료 , 옥 사졸 수지 등 으로 이루어진 단층 구조 또는 적층 구조 를 갖 도록 설치 할 수 있 다 . 이때 , 실록 산 재료 는 Si - O - Si 결합 을 포함 하 는 재료 에 해당 한다 . 실록 산 은 , 실리콘 ( Si ) 과 산소 ( O ) 의 결합 으로 골격 구조 가 구성 된다 . 치환기 로서 , 유기 기 ( 예 를 들 면 , 알킬기 , 방향 족 탄화수소 ) 나 플 루 오로 기 를 사용 해도 된다 . 유기 기 는 플 루 오로 기 를 포함 하 여도 된다 . 옥 사졸 수지 는 , 예 를 들 면 , 감광성 폴리 벤즈 옥 사졸 등 이 다 . 감광성 폴리 벤즈 옥 사졸 은 , 비유전율 이 낮 고 ( 상온 1 MHz 에서 비유전율 2 . 9 ) , 내열성 이 높 고 ( 시차 열 열 중량 동시 측정 ( TG / DTA ) 으로 승 온 속도 5 ℃/ min 에서 의 결과 에 따르 면 , 열분해 온도 550 ℃ 를 갖 는다 ) , 흡수 율 이 낮 은 ( 상온 24 시간 에서 0 . 3 %) 재료 이 다 . 옥 사졸 수지 는 , 폴리 이미드 등 의 비유전율 ( 3 . 2 ∼ 3 . 4 정도 ) 과 비교 하 면 , 비유전율 이 낮 다 ( 2 . 9 정도 ) , 따라서 , 옥 사졸 수지 를 사용 할 때 , 기생 용량 의 발생 을 억제 하 여 , 고속 동작 을 행할 수 있 다 . 본 실시 예 에서 는 , 제 2 절연 층 ( 204 ) 으로서 , CVD 법 으로 형성 한 산화 실리콘 , 산화 질화 실리콘 ( SiOxNy ) ( x > y > 0 ) 및 / 또는 질화 산화 실리콘 ( SiNxOy ) ( x > y > 0 ) 을 단층 또는 적층 으로 형성 한다 . 더구나 , 제 2 절연 층 ( 204 ) 은 , 폴리 이미드 , 폴리아미드 , 폴리비닐 페놀 , 벤조 시클 로부 텐 계 수지 , 아크릴 , 에폭시 등 의 유기 재료 , 실록 산 수지 등 의 실록 산 재료 , 또는 옥 사졸 수지 를 적층 해서 형성 해도 된다 . 다음 에 , 제 2 절연 층 ( 204 ) 위 에 선택 적 으로 레지스 트 를 형성 한다 . 레지스 트 로서 는 , 포지티브 형 의 포토레지스트 나 네 가티 브 형 의 포토레지스트 등 을 적절히 선택 할 수 있 다 .