본 발명 의 굴절 지수 변화 를 측정 하 는 방법 은 통상 의 SPR 을 이용 한 방법 으로 수행 가능 하 며 , 바람직 하 기 로 는 휴대 가능 한 장치 내 에 표면 플라 즈 몬 층 ( surface Plasmon Layer ) , 광원 ( Light Emitting Diode ; 이하 ' LED ' 라 함 ) ) , 반사 거울 , 검출기 ( photodiode array ) 를 모두 포함 한 장치 이 다 . 광원 은 800 내지 850 nm 의 파장 으로 조사 하나 , 파장 범위 는 조절 될 수 있 다 . 상기 LED 및 검출기 는 하나 의 반도체 내 에 존재 하 며 , 반도체 내 의 정보 는 디지털 신호 처리 기 를 통하 여 컴퓨터 로 굴절 지수 변화 로 출력 될 수 있 다 . 굴절 지수 는 온도 에 의해 달라지 므로 , 상기 반도체 상 에 온 도 센서 를 더욱 포함 시켜 , 온도 에 따른 굴절 지수 를 보정 하 는 것 이 바람직 하 다 . 대표 적 인 SPR 장치 로 는 텍사스 기계 에서 개발 한 SpreetaTM ( US 6191847 , US 611652 , US 611248 , US 5946083 , US 5912456 , US 5898503 ) 가 있 다 . 상기 SpreetaTM 는 광학 적 기능 을 가지 는 일종 의 반도체 ( semiconductor based optoelectronic device ) 로 , LED 를 광 으로 사용 하 며 , 포토다이오드 어레이 ( liner silicon photodiode array ) , 온도 감지기 , 내부 는 에폭시 조성물 로 이루어져 있 다 .