즉 , 제 1 피막 층 ( 211 ) 의 두께 는 10 um 보다 크 거나 같 으며 , 19 um 보다 작 거나 같 게 함 으로써 내열 특성 이 우수 한 피막 층 으로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 이때 , 기판 이 이동 되 고 NF 3 가스 로 세 정시 에 아 노다 이징 표면 과 반응 하 여 AlF 막 이 만들 어 질 수 있 다 . 만약 , 피막 의 두께 가 얇 으면 쉽 게 AlF 피막 이 생성 되 기 때문 에 최소한 의 두께 는 10 um 이상 으로 하 는 것 이 바람직 하 다 . 제 1 피막 층 ( 211 ) 은 내식성 향상 을 위해 수산 법 에 의한 아노 다 이징 피막 층 이 다 .