상기 산화물 층 ( 40 , 41 ) 은 상기 선택 적 전면 필드 층 의 도핑 된 영역 들 ( 15 , 20 ) 의 전면 및 상기 n - 타입 기저 층 ( 10 ) 의 후면 과 접촉 함 으로써 이러 한 계면 들 에서 원자 들 의 결합 을 화학 적 으로 충족 시킬 수 있 으며 , 이 에 의해서 전하 캐리어 들 이 전멸 되 지 않 도록 할 수 있 다 . 상기 산화물 층 ( 40 , 41 ) 은 , 기판 의 조성 에 따라서 , 실리콘 기판 으로서 이산화 실리콘 ( SiO 2 ) 과 같 은 유전 성 물질 , 또는 다른 반도체 타입 의 산화물 을 포함 할 수 있 다 . 상기 산화물 층 ( 40 , 41 ) 은 5 내지 150 나노미터 의 두께 를 가질 수 있 다 . 예 를 들 어 , 20 나노미터 가 사용 될 수 도 있 다 . 상기 기판 의 표면 에서 댕 글 링 실리콘 결합 을 패 시베이 션 시킴 으로써 , 상기 산화물 층 ( 40 , 41 ) 은 표면 재결합 속도 를 감소 시키 고 역 포화 전류 밀도 ( reverse saturation current density , Joe ) 의 전면 필드 성분 을 감소 시킴 으로써 , 태양 전지 ( 5 ) 의 전체 적 효율 성 을 향상 시킬 수 있 다 . 부가 적 으로 , 일부 구 현예 들 에서 는 , 상기 n - 타입 기저 층 ( 10 ) 의 후면 상 에 형성 된 산화물 층 ( 41 ) 이 , 예 를 들 어 실리콘 질화물 층 으로 캡 핑 되 는 경우 에 는 , 고품질 의 유전 성 - 패 시베이 션 화 후면 이 될 수 도 있 다 .