이어서 , 본 발명 의 회전식 전극 부재 유닛 ( 1 ) 의 전극 부재 ( 4 ) 에 칩 형 전자 부품 ( 40 ) 이 접촉 되 어 가 는 상태 를 도 6 으로 설명 한다 . 회전식 전극 부재 유닛 ( 1 ) 은 , 탄성체 링 ( 6 ) 이 0 . 5 ㎜~ 0 . 6 ㎜ 변형 하 도록 로터 ( 41 ) 의 표면 에 바싹 닿 아 설치 되 어 있 다 . 이 와 같이 설치 하 면 , 상술 한 바 와 같이 탄성체 링 ( 6 ) 의 외경 이 전극 부재 ( 4 ) 의 외경 보다 1 . 4 ㎜ 크기 때문 에 , 전극 부재 ( 4 ) 와 로터 ( 41 ) 표면 의 간격 은 0 . 1 ㎜~ 0 . 2 ㎜ 가 된다 . 또한 , 로터 ( 41 ) 의 각 구멍 ( 42 ) 에 수용 되 어 있 는 칩 형 전자 부품 ( 40 ) 은 , 로터 ( 41 ) 의 표면 보다 0 . 3 ㎜~ 0 . 4 ㎜ 돌출 되 어 있 다 . 이 와 같 은 관계 치수 에 있 기 때문 에 , 로터 ( 41 ) 의 각 구멍 ( 42 ) 에 수용 되 어 있 는 칩 형 전자 부품 ( 40 ) 이 로터 ( 41 ) 의 간 헐 반송 에 의해 이송 되 어 , 전극 부재 ( 4 ) 의 바로 아래 에 와서 전극 부재 ( 4 ) 를 밀 어 올린 상태 이 어도 , 탄성체 링 ( 6 ) 은 0 . 2 ㎜~ 0 . 5 ㎜ 변형 하 여 로터 ( 41 ) 의 표면 에 바싹 닿 아 있 다 . 이상 의 상태 를 실현 시키 기 위하 여 , 스프링 ( 9 ) 은 탄성체 링 ( 6 ) 이 0 . 6 ㎜ 변형 되 었 을 때 발생 하 는 반발력 보다 큰 스프링 압력 을 가지 는 것 이 어야 한다 .