다음 으로 , 예 를 들 면 , 열 인산 용액 을 이용 하 여 SiN 막 ( 15 ) 을 웨트 에칭 하 여 , Si 기판 위 로부터 SiN 막 ( 15 ) 을 제거 한다 . 이 때 , SOI 층 ( 13 ) 의 표면 과 , 벌크 영역 의 Si 기판 ( 1 ) 표면 은 각각 얇 은 SiO 2 막 으로 덮여져 있 으므로 , 열 인산 용액 에 의한 표면 산화 등 을 방지 할 수 있 다 . 계속 해서 , 예 를 들 면 BHF 를 이용 하 여 절연 층 ( 33 ) 을 웨트 에칭 한다 .