도 5 a 를 참조 하 면 , t 가 ' 0 ' 근처 ( 도 4 b 상태 ) 에서 는 기판 과 연마 패드 의 접촉 정도 에 따라서 각 칩 마다 연마 속도 즉 , dH / dt ( 즉 , t 에 대한 H 곡선 의 기울기 ) 가 다르 다 . 왜냐하면 웨이퍼 가공 의 최종 단계 인 표면 연마 에서 의 기판 평탄 도 ( flatness ) 는 통상 약 1 ? 2 미크론 으로서 편차 가 있 고 , 이러 한 평탄 도 를 가공 하 는 연마 패드 역시 동일 한 평탄 도 가 있 다고 생각 할 수 가 있 다 . 따라서 , 초기 연마 시 에 기판 과 연마 패드 의 접착 정도 역시 통상 약 1 ? 2 미크론 이상 의 접착 편차 가 있 다고 볼 수 가 있 기 때문 이 다 .