본 실시 예 에 따른 면 발광 형 반도체 레이저 ( 100 ) 의 제조 공정 ( 1 ) ∼( 6 ) 을 행한 후 에 , 도 10 에 도시 한 바 와 같이 투명 절 연막 ( 201 ) 을 형성 한다 . 투명 절 연막 ( 201 ) 은 , 공지 의 방법 으로 성막 및 패 터닝 된다 . 투명 절 연막 ( 201 ) 으로서 의 질화 실리콘 박막 의 성막 은 , 플라 즈 마 CVD ( Chemical Vapor Deposition ) 를 이용 할 수 있 다 .