도전 성 배선 ( 152 ) 상 에 는 제 1 절연 층 ( 113 ) 이 형성 된다 . 제 1 절연 층 ( 113 ) 은 화소 영역 ( 120 ) 의 게이트 전극 ( 132 ) 과 소스 / 드레 인 전극 ( 133 , 134 ) 사이 에 형성 되 는 것 으로 배선 영역 ( 150 ) 에 도 오픈 마스크 를 이용 하 여 동시 에 형성 된다 . 이러 한 제 1 절연 층 ( 113 ) 은 실리콘 옥사이드 계 물질 또는 실리콘 나이트 라이드 계 물질 중 적어도 하나 의 물질 을 포함 하 는 다양 한 절연 층 으로 형성 될 수 있 다 .