일반 적 으로 , 도 7 로부터 인식 될 수 있 는 바 와 같이 , 오프셋 이 클수록 , 예 를 들 어 , 400 nm 의 신호 갭 에서 신호 비대칭 이 더 크 다 . 그러나 , 심지어 도 7 에 도시 된 + 0 . 5 V 의 오프셋 및 400 nm 의 갭 비대칭 에서 도 , 제안 된 바 와 같 은 트윈 차동 MEMS 센서 디바이스 의 신호 비대칭 은 평행 구성 으로 결합 된 2 개 의 차동 MEMS 센서 디바이스 들 의 신호 비대칭 의 크기 의 절반 미만 이 다 . 따라서 , 트윈 차동 MEMS 센서 디바이스 의 역 평행 구성 에 대해 , 예 를 들 어 , 0 . 5 V 의 전압 오프셋 및 400 nm 의 갭 비대칭 으로 < 3 % 미만 의 신호 비대칭 이 획득 된다 . 이것 은 획득 된 신호 판독 이 , 평행 으로 결합 된 2 개 의 MEMS 디바이스 들 보다 트윈 MEMS 디바이스 의 역 평행 구성 의 0 . 5 V 의 전압 오프셋 에 대해 더 우수 하 다는 것 을 의미 한다 . 0 . 5 V 의 바이어스 전압 오프셋 및 200 nm 의 갭 비대칭 에 대해서 도 , 신호 비대칭 은 < 1 % 보다 작 다는 점 에 유의 해야 한다 . 도 7 에 도시 된 바 와 같이 그래프 ( 100 ) 는 400 nm 의 갭 및 및 0 . 5 V 의 오프셋 전압 값 에서 획득 된 최대 신호 비대칭 을 나타낸다는 점 에 유의 해야 한다 . 이것 은 , 이 값 이 더 상세히 논의 되 는 이유 이 며 , 이후 도 7 에 또한 도시 된 바 와 같이 - 0 . 5 V ( 그래프 92 ) , 또는 - 0 . 25 V ( 그래프 94 ) , 또는 0 V ( 그래프 96 ) , 또는 + 0 . 25 V ( 그래프 98 ) 의 오프셋 전압 값 에 대해 결과 들 이 획득 된다 .