선택 된 제 1 행의 특정 낸드 스트링 의 메모리 셀 들 ( MC 1 ~ MC 7 ) 의 문턱 전압 이 소거 검증 전압 ( Vvfy ) 보다 낮 으면 , 대응 하 는 비트 라인 ( BL ) 의 전압 은 프리 차지 전압 ( Vpre ) 으로부터 낮 아 질 것 이 다 . 선택 된 제 1 행의 특정 낸드 스트링 의 적어도 하나 의 메모리 셀 ( MC ) 의 문턱 전압 이 소거 검증 전압 ( Vvfy ) 보다 높 으면 , 대응 하 는 비트 라인 ( BL ) 의 전압 은 프리 차지 전압 ( Vpre ) 을 유지 할 것 이 다 .