상술 한 기술 적 과제 들 을 해결 하 기 위한 반도체 집적회로 의 형성 방법 을 제공 한다 . 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 반도체 집적회로 의 형성 방법 은 차례 로 적층 된 반도체 기판 , 피복층 및 반도체 층 을 포함 하 는 기판 을 준비 하 는 단계 ; 원소 이온 주 입 공정 을 사용 하 여 상기 기판 내 에 적어도 하나 의 반사체 를 형성 하 는 단계 ; 및 상기 반도체 층 을 패 터닝 하 여 상기 피복층 상 에 위치 한 광도 파로 및 상기 광도 파로 상 의 회절 격자 를 포함 하 는 회절 격자 커플러 를 형성 하 는 단계 를 포함 할 수 있 다 . 상기 반사체 는 상기 회절 격자 아래 에 형성 된다 .