이 와 같이 질화물 반도체 의 활성 이 억제 되 고 , 홀 이동도 및 분산도 가 저하 되 는 현상 을 방지 하 기 위해 여러 가지 시도 들 이 이루어지 고 있 으며 , 특히 질화 갈륨 을 성장 한 후 , 낮 은 에너지 선 을 갖 는 전자선 을 조사 함 으로써 , 수소 를 탈착 시키 는 방법 ( Low - energy electron beam irradiation : LEEBI ) 과 GaN 반도체 층 의 성장 후 에 , 열처리 를 수행 함 으로써 , P 형 반도체 층 의 활성 화 를 도모 하 였 다 .