도 2 d 를 다시 참조 하 여 , 본 실시 예 에 따른 수직 형 비휘발성 메모리 소자 의 구조 를 설명 한다 . 본 실시 예 에 따른 수직 형 비휘발성 메모리 소자 는 기판 ( 100 ) 의 상부 방향 으로 연장 되 는 절연 기둥 ( 141 a ) 을 구비 할 수 있 다 . 상기 절연 기둥 ( 141 a ) 의 측 부 에 교호 적 으로 적층 된 셀 간 절 연막 들 ( 117 ) 과 제어 게이트 패턴 들 ( 115 a ) 이 배치 될 수 있 다 . 상기 절연 기둥 ( 141 a ) 의 측 부 에 , 상기 각 제어 게이트 전극 ( 115 a ) 과 이 의 상부 에 인접 하 는 셀 간 절 연막 ( 117 ) 사이 에 상부 스 페이서 절 연막 ( 116 b ) 이 배치 되 고 , 상기 각 제어 게이트 전극 ( 115 a ) 과 이 의 하부 에 인접 하 는 셀 간 절 연막 ( 117 ) 사이 에 하부 스 페이서 절 연막 ( 116 a ) 이 배치 될 수 있 다 . 상기 스 페이서 절 연막 들 ( 116 a , 116 b ) 은 상기 셀 간 절 연막 ( 117 ) 에 비해 낮 은 유전 상수 를 가질 수 있 다 . 상기 절연 기둥 ( 141 a ) 과 상기 제어 게이트 패턴 들 ( 115 a ) 사이 에서 상기 절연 기둥 ( 141 a ) 상 에 , 상기 절연 기둥 ( 141 a ) 을 따라 연장 하 는 반도체 채널 층 ( 135 ) , 터널 절 연막 ( 133 ) , 전하 포획 층 ( 126 ) , 및 블로킹 절 연막 ( 123 ) 이 차례 로 배치 될 수 있 다 . 구체 적 으로 , 상기 절연 기둥 ( 141 a ) 의 측벽 을 상기 반도체 채널 층 ( 135 ) , 상기 터널 절 연막 ( 133 ) , 전하 포획 층 ( 126 ) , 및 블로킹 절 연막 ( 123 ) 이 차례 로 감싸 도록 배치 될 수 있 다 .