제 1 기판 ( 11 ) 의 표면 에 희생 도 프 드 영역 ( 12 ) 이 형성 될 수 있 다 . 희생 도 프 드 영역 ( 12 ) 은 제 1 도 펀트 의 도핑 공정 ( 12 I ) 에 의해 형성 될 수 있 다 . 제 1 도 펀트 의 도핑 공정 ( 12 I ) 은 이온 임 플란트 ( Ion implantation ) 를 포함 할 수 있 다 . 희생 도 프 드 영역 ( 12 ) 은 제 1 도 펀트 를 포함 할 수 있 고 , 제 1 도 펀트 는 N 형 도 펀트 , P 형 도 펀트 또는 이 들 의 조합 을 포함 할 수 있 다 . 본 실시 예 에서 , 제 1 도 펀트 는 보론 과 같 은 P 형 도 펀트 를 포함 할 수 있 다 . P 형 도 펀트 의 이온 임 플란트 에 의해 희생 도 프 드 영역 ( 12 ) 이 형성 될 수 있 고 , 이 에 따라 희생 도 프 드 영역 ( 12 ) 은 ' P 형 도프 드 영역 ' 이라고 지칭 할 수 있 다 . 희생 도 프 드 영역 ( 12 ) 에 도핑 된 P 형 도 펀트 는 고농도 를 가질 수 있 다 . 예 를 들 어 , 희생 도 프 드 영역 ( 12 ) 에 도핑 된 P 형 도 펀트 는 1 × 1019 ∼ 5 × 1020 atoms / cm 3 의 고농도 를 가질 수 있 다 . 희생 도 프 드 영역 ( 12 ) 은 ' 고 농도 P 형 도프 드 영역 ( highly doped p - type doped region ) 이 라고 지칭 할 수 있 다 . 희생 도 프 드 영역 ( 12 ) 은 고농도 P 형 실리콘 물질 ( highly doped p - type silicon material ) , 즉 P + 실리콘 을 포함 할 수 있 다 . 희생 도 프 드 영역 ( 12 ) 은 후속 백 그라인딩 에 의해 제거 되 는 희생 도프 드 영역 일 수 있 다 .