상기 중성 전해액 전기 분해 는 배리어 타입 아 노다 이징 ( barrier type anodizing ) 이 라 불리 기 도 한다 . 산 성 전해액 ( acidic electrolyte ) 에 모재 를 침잠 시켜 전기 분해 하 는 일반 적 인 아노 다 이징 에 의해 형성 된 양극 산화층 은 다공질 ( porous ) 양극 산화층 으로서 , 표면 에 다수 의 기공 이 형성 되 고 , 두께 가 수십 마이크로미터 ( ㎛) 이 며 , 조직 이 치밀 하 지 않 다 . 그러나 , 상기 중성 전해액 전기 분해 를 통해 형성 된 양극 산화층 ( 20 ) 은 무공 질 ( non - porous ) 양극 산화층 으로서 , 표면 에 기공 이 형성 되 지 않 고 , 두께 ( TH 1 ) 가 수십 내지 수백 나노미터 ( nm ) 로 얇 으며 , 조직 이 치밀 하 여 , 상기 다공질 양극 산화층 보다 가혹 한 환경 에 견디 는 내식성 이 우수 하 다 . 또한 , 상기 무공 질 양극 산화층 ( 20 ) 은 두께 ( TH 1 ) 가 얇 아서 모재 ( 11 ) 에 형성 된 내경 ( ID ) ( 도 1 참조 ) 이 0 . 1 내지 1 mm 인 홀 ( hole ) ( 15 ) 의 내 주면 에 도 적층 된다 . 따라서 , 상기 홀 ( 15 ) 내 주면 의 깊 은 지점 도 가혹 한 환경 에 의한 침식 과 손상 으로부터 보호 된다 .