다음 , 도 5 x 에 나타낸 바 와 같이 콘택트 플러그 ( 70 t , 67 s ) 에 접하 는 배선 ( 73 ) 을 형성 한다 . 또한 , 배선 ( 73 ) 의 형성 에서 는 먼저 PVD 법 등 에 의해 두께 가 150 nm 정도 인 티탄 질 화 막 , 두께 가 550 nm 정도 인 AlCu 합금 막 , 두께 가 5 nm 정도 인 티 탄막 , 및 두께 가 150 nm 정도 인 티탄 질화 막 을 순차 적 으로 형성 한다 . 다음 , 이 들 막 의 패 터닝 을 행한다 .