상기 실리사이드 막 들 ( 160 a , 160 b ) 을 형성 하 는 방법 에 대해 구체 적 으로 설명 하 기 로 한다 . 상기 폴리 실리콘 패턴 ( 108 ) 및 상기 과잉 질소 영역 ( 120 N ) 을 갖 는 상기 게이트 스 페이서 ( 120 S ) 를 구비 하 는 상기 반도체 기판 ( 100 ) 상 에 금속 막 ( 150 ) 을 형성 할 수 있 다 ( S 12 ) . 상기 금속 막 ( 150 ) 을 구비 하 는 상기 반도체 기판 ( 100 ) 을 열처리 할 수 있 다 . 상기 열처리 는 제 1 열처리 공정 ( S 14 ) 및 제 2 열처리 공정 ( S 16 ) 을 포함 할 수 있 다 . 상기 제 1 열처리 공정 ( S 14 ) 은 제 1 온도 하 에서 실시 할 수 있 으며 , 상기 제 2 열처리 공정 ( S 16 ) 은 상기 제 1 온도 보다 높 은 제 2 온도 하 에서 실시 할 수 있 다 . 상기 제 1 열처리 공정 ( S 16 ) 은 상기 금속 막 ( 150 ) 과 상기 소스 / 드레 인 영역 들 ( 140 ) 또는 상기 금속 막 ( 150 ) 과 상기 폴리 실리콘 패턴 ( 108 ) 을 반응 시키 는 역할 을 할 수 있 다 . 상기 반응 에 의해 상기 실리사이드 막 들 ( 160 a , 160 b ) 이 형성 된다 . 상기 제 2 열처리 공정 ( S 18 ) 은 상기 실리사이드 막 들 ( 160 a , 160 b ) 의 고유 저항 을 더 낮 게 만들 어 주 는 역할 을 할 수 있 다 .