본 발명 에 따른 실란 계 화합물 은 상기 화학식 1 에서 4 가의 실리콘 화합물 이 모두 같 은 평면 위 에 존재 하 지 않 기 때문 에 분자 간 의 패킹 을 막 아 줌 으로써 농도 소광 ( concentration quenching ) 을 억제 하 여 발광 효율 을 증가 시키 는 역할 을 한다 . 또한 , 본 발명 에서 도입 되 는 페닐 실리콘 은 전극 과 의 계면 특성 및 박막 형성 능력 을 향상 시켜 준다 . 그리고 상기 화학식 1 에서 아릴 그룹 이 붙 은 스틸벤 기 를 도입 함 으로써 전자 수송 능력 을 증가 시키 면서 효율 향상 을 가져오 게 된다 .