본 발명 은 마스크 노광 을 통해 반도체 소자 의 패턴 을 형성 한다는 것 으로 , 이 를 위하 여 본 발명 은 , 마스크 노광 공정 을 통해 형성 된 패턴 에서 패턴 컬 랩스 ( pattern collapse ) 또는 패턴 브리지 ( pattern bridge ) 현상 이 에지 부분 에 발생 하 는 종래 방법 과 는 달리 , 디자인 룰 에 따른 패턴 간 최소 선폭 을 측정 하 고 , 마스크 제작 후 광 강도 분포 를 측정 하 며 , 테스트 마스크 를 이용 하 여 패턴 컬 랩스 및 패턴 브리지 가 발생 하 는 노광 조건 을 확인 한 후 에 , 이 들 을 이용 하 여 특정 노광 조건 을 산출 하 고 , 산출 된 특정 노광 조건 에 따른 마스크 의 광 강도 분포 를 재 측정 하 며 , 재 측정 된 광 강도 분포 를 이용 하 여 광학 근접 보상 을 수행 함 으로써 , 반도체 소자 의 제조 과정 에서 특정 노광 조건 으로 광학 근접 보상 조건 을 이용 한 마스크 노광 을 통해 패턴 을 형성 할 수 있 다 .