반면 , 본 실시 예 에 의한 실리콘 결정 화 마스크 ( 500 ) 의 제 1 , 제 2 및 제 3 패턴 부 ( 1 AE , 2 AE , 3 AE ) 각각 은 복수 개 로 세분 화 된 서브 패턴 부들 을 갖 고 , 이 와 같이 세분 화 된 서브 패턴 부 들 은 홀수 열 투 과부 ( O ) , 짝수 열 투 과부 ( E ) , 점진 적 투과 증가 부 ( I ) , 점진 적 투과 감소 부 ( D ) , 모든 열 투 과부 ( W ) 및 모든 열 차 단부 ( 미 도시 ) 중 적어도 하나 이상 의 조합 으로 구성 된다 .