에피 택 셜 성장 기술 에 사용 되 는 기상 성장 방법 에서 는 , 상압 또는 감압 으로 유지 된 성막 실 의 내부 에 웨이퍼 를 재치 하 고 , 이 웨이퍼 를 가열 하 면서 성막 실 내 에 반응 가스 를 공급 한다 . 그러면 , 웨이퍼 의 표면 에서 반응 가스 의 열분해 반응 및 수소 환원 반응 이 일어나 , 웨이퍼 상 에 에피 택 셜 막 이 성막 된다 .