상기 한 본 발명 의 다른 목적 을 실현 하 기 위한 다른 실시 예 에 따른 박막 트랜지스터 의 제조 방법 은 베이스 기판 의 제 1 면 상 에 도전 성 패턴 을 형성 하 는 단계 , 상기 베이스 기판 및 상기 도전 성 패턴 상 에 보호 층 을 형성 하 는 단계 , 상기 보호 층 상 에 포지티브 포토레지스트 층 을 형성 하 는 단계 , 상기 베이스 기판 의 상기 제 1 면 에 반대 인 제 2 면 에서 상기 포지티브 포토레지스트 층 을 노광 하 는 단계 , 상기 포지티브 포토레지스트 층 을 현상 하 여 상기 도전 성 패턴 에 대응 하 는 보호 층 상 에 돌출부 를 형성 하 는 단계 , 상기 보호 층 및 상기 돌출부 상 에 평탄 화 층 을 형성 하 는 단계 , 상기 돌출부 를 제거 하 는 단계 , 상기 게이트 전극 과 중첩 되 는 반도체 층 을 형성 하 는 단계 및 상기 반도체 층 상 에 상기 반도체 층 과 중첩 되 는 소스 전극 및 상기 반도체 층 과 중첩 되 고 상기 소스 전극 과 이격 되 는 드레 인 전극 을 형성 하 는 단계 를 포함 한다 .