400 Torr 의 정적 압력 이 달성 될 때 까지 , 메틸 트리 메 톡 시실 란 증기 ( CH 3 - Si -( O - CH 3 ) 3 ) 가 화학 증기 공급 시스템 ( 220 B ) 으로부터 프로세스 챔버 ( 200 ) 로 흐른다 . 반도체 기판 ( 100 ) 은 약 100 ℃ 의 제 1 온도 에서 약 20 초 동안 기상 메틸 트리 메 톡 시 실란 과 접촉 하 여 위치 된다 .