이어서 , 도 6 b 에 도시 된 바 와 같이 , 게이트 구조물 ( 110 A , 110 B ) 을 포함 하 는 기판 ( 100 ) 상부 에 스 페이서 용 절 연막 을 증착 한 후 에치 백 ( etch back ) 공정 과 같 은 건 식식 각 공정 을 실시 하 여 스 페이서 ( 112 , 이하 , 제 1 스 페이서 라 함 ) 를 형성 한다 . 이때 , 제 1 스 페이서 ( 112 ) 는 질화 막 으로 형성 한다 .