이후 , 도 14 f 에 도시 한 바 와 같이 , 초기 제 2 반도체 패턴 ( SP 2 - A ) 을 커버 하 도록 초기 제 2 절연 층 ( IL 2 - A ) 상 에 초기 절연 패턴 ( IP - A ) 를 형성 한다 . 초기 절연 패턴 ( IP - A ) 은 초기 제 2 절연 층 ( IL 2 - A ) 및 초기 제 2 반도체 패턴 ( SP 2 - A ) 상 에 무기 물질 및 / 또는 유기 물질 을 포함 하 는 층 을 형성 한 후 이 를 패 터닝 하 여 형성 될 수 있 다 . 구체 적 으로 , 초기 절연 패턴 ( IP - A ) 을 평면 상 에서 제 1 반도체 패턴 ( SP 1 ) , 제 1 제어 전극 ( CE 1 ) 및 초기 제 2 반도체 패턴 ( SP 2 - A ) 와 중첩 하 도록 형성 한다 .