우선 , 반도체 웨이퍼 를 준비 하 여 , 한 쪽 면 에 회로 형성 을 행한다 . 반도체 웨이퍼 는 실리콘 웨이퍼 여도 되 고 , 또한 갈륨 · 비소 ( GaAs ) 등 의 화합물 반도체 웨이퍼 여도 된다 . 웨이퍼 표면 에 의 회로 의 형성 은 에칭 법 , 리프트 오프 법 등 의 범용 되 고 있 는 방법 을 포함 하 는 각종 방법 에 의해 행할 수 있 다 . 반도체 웨이퍼 는 다 이싱 공정 을 거쳐 , 개개 의 반도체 칩 으로 잘라 나누 어 두 어도 된다 .