본 실시 형태 1 에서 는 , 캐비 티 기판 ( 3 ) 이 단결정 실리콘 으로 이루어지 고 , 그 전면 ( 全面 ) 에 플 라즈 마 CVD ( Chemical Vapor Deposition ) 에 의해 , TEOS ( Tetra Ethyl Ortho Silicate ) 로 이루어지 는 절 연막 ( 도시 안함 ) 을 0 . 1 ㎛ 정도 형성 하 고 있 다 . 이것 은 , 진동판 ( 11 ) 의 구 동시 에 있 어서 의 절연 파괴 및 쇼트 를 방지 하 기 위함 과 , 잉크 등 의 액적 에 의한 캐비 티 기판 ( 3 ) 의 에칭 을 방지 하 기 위함 이 다 . 또한 , 캐비 티 기판 ( 3 ) 에 는 , 공통 액 적실 ( 13 ) 에 연통 하 는 액 적 공급 공 ( 10 b ) 이 형성 되 어 있 다 .