실시 형태 6 에 나타낸 도 9 ( A ) 와 마찬가지 로 , 기판 ( 50 ) 위 에 도전 막 을 형성 하 고 , 도전 막 위 에 레지스 트 를 도포 하 여 , 다 계조 마스크 를 사용 한 포토 리소그래피 공정 에 의해 형성 한 레지스 트 마스크 를 사용 하 여 도전 막 의 일부 를 에칭 하 여 , 게이트 전극 ( 51 ) 을 형성 한다 . 여기 에서 는 도시 하 지 않 았 지만 , 적절히 , 테이퍼 각 이 다른 측면 을 가지 는 게이트 전극 또는 게이트 배선 을 형성 한다 . 다음 에 , 게이트 전극 ( 51 ) 위 에 , 게이트 절 연막 ( 52 a , 52 b , 52 c ) 을 순차 로 형성 한다 .