여기 서 , 단계 a ) 및 b ) 는 단계 a ) 에서 형성 된 중간체 의 단리 및 / 또는 정제 없이 수행 된다 . 하나 의 구 현예 에서 , 본 발명 의 방법 의 단계 ( a ) 에서 , 페노티 아진 은 염소 또는 브롬 과 접촉 하 는 용매 시스템 에 용해 되 어 3 , 7 - 디 클로 로 페노티 아진 클로라이드 또는 3 , 7 - 디브 로모 페노티 아진 브로마이드 중간체 를 생성 한다 . 3 , 7 - 디 클로 로 페노티 아진 클로라이드 또는 3 , 7 - 디브 로모 페노티 아진 브로마이드 가 중간체 로서 얻 어 지 는 경우 , 1 : 1 보다 높 은 염소 또는 브롬 : 페노티 아진 의 모든 몰 비 가 본 발명 의 방법 의 단계 ( a ) 에 적합 하 다 . 단계 ( a ) 에서 염소 또는 브롬 대 페노티 아진 의 적합 한 몰 비 는 전형 적 으로 약 1 : 1 내지 약 4 : 1 브롬 또는 염소 : 페노티 아진 , 바람직 하 게 는 약 2 . 2 : 1 내지 약 2 . 8 : 1 브롬 또는 염소 : 페노티 아진 의 범위 이 다 . 일 구 구 현예 에서 , 단계 ( a ) 에서 염소 또는 브롬 대 페노티 아진 의 몰 비 는 약 2 : 1 브롬 또는 염소 : 페노티 아진 이 다 . 일부 구 현예 에서 , 단계 ( a ) 에서 염소 또는 브롬 대 페노티 아진 의 몰 비 는 약 2 . 5 : 1 브롬 또는 염소 : 페노티 아진 이 다 . 일부 구 현예 에서 , 단계 ( a ) 에서 염소 또는 브롬 대 페노티 아진 의 몰 비 는 약 3 : 1 브롬 또는 염소 : 페노티 아진 이 다 . 바람직 한 구 현예 에서 , 단계 ( a ) 에서 염소 또는 브롬 대 페노티 아진 의 몰 비 는 약 2 . 5 : 1 브롬 또는 염소 : 페노티 아진 이 다 . 추가 의 바람직 한 구 현예 에서 , 단계 ( a ) 에서 염소 또는 브롬 대 페노티 아진 의 몰 비 는 약 3 : 1 브롬 또는 염소 : 페노티 아진 이 다 .