다음 에 , 도 3 c 에 도시 하 는 바 와 같이 , 콘택트 홀 ( 111 , 112 ) 에 , 배선 ( 71 c ) 및 용량 전극 ( 71 f ) 에 접하 는 화소 전극 ( 77 ) 을 형성 한다 . 또한 , 게이트 절 연막 ( 52 a , 52 b ) , 용량 전극 ( 71 d 내지 71 f ) , 및 화소 전극 ( 77 ) 으로 용량 소자 ( 106 ) 를 형성 할 수 있 다 . 여기 에서 는 , 절 연막 ( 102 ) 위 에 도전 막 을 형성 한 후 , 제 6 포토 마스크 를 사용 한 포토 리소그래피 공정 에 의해 형성 한 레지스 트 마스크 를 사용 하 여 도전 막 을 에칭 하 여 , 화소 전극 ( 77 ) 을 형성 한다 .