상기 마스크 ( 338 ) 를 제거 하 여 , 고농 도 불순물 이 주입 된 제 2 소스 영역 ( 317 a ) 및 제 2 드레 인 영역 ( 317 c ) , 저 농도 불순물 이 주입 된 제 2 LDD 영역 ( 317 d ) 및 불순물 이 주입 되 지 않 은 제 2 채널 영역 ( 317 b ) 을 포함 하 는 제 4 반도체 층 ( 332 ) 을 형성 한다 .