또 본 발명 의 반도체 발광 소자 에서 상기 제 1 볼록 부 의 기단 에서 끝단 까지 의 높이 가 , 상기 제 2 볼록 부 의 기단 에서 끝단 까지 의 높이 보다 도 큰 것 이 바람직 하 다 . 상기 구성 에 의하 면 , 광취 출면 에 볼록 부가 상대 적 으로 깊 은 위치 에서 높 게 형성 되 어 있 는 제 1 볼록 영역 과 , 볼록 부가 상대 적 으로 얕 은 위치 에서 낮 게 형성 되 어 있 는 제 2 볼록 영역 을 구비 하 고 , 제 2 볼록 영역 이 전극 에 인접 하 여 배치 된다 . 따라서 이 와 같이 구성 됨 으로써 반도체 발광 소자 는 전극 의 박리 를 줄여 배광 성 을 향상 시킬 수 있 다 . 여기 에서 제 1 볼록 부 의 높이 는 제 2 볼록 부 의 높이 의 2 배 이상 인 것 이 바람직 하 다 .