하부 전극 ( 310 ) 상 에 는 데이터 저 장막 ( 320 ) 이 형성 될 수 있 다 . . 데이터 저 장막 ( 320 ) 은 비트 라인 들 ( BL ) 은 워드 라인 들 ( WL ) 을 가로질러 배치 되 는 비트 라인 ( BL ) 과 상부 전극 ( 330 ) 을 통해 연결 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 데이터 저 장막 ( 320 ) 은 전하 트랩 물질 , 상변환 물질 , 가변 저항 물질 , 또는 자성 물질 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 상변환 물질 은 칼 코 게나 이드 ( chalcogenide ) 원소 인 텔 루리 움 ( Te ) 및 셀 레니 움 ( Se ) 중 선택 된 적어도 하나 를 함유 할 수 있 다 . 그리고 , 가변 저항 물질 은 페로 브 스카이 트 ( perovskite ) 구조 를 갖 는 거대 자기 저항 물질 막 ( colossal magnetro - resistive material layer ; CRM 물질 막 ) , 고온 초전 도 물질 막 ( hightemperature super conducting material layer ; HTSC 물질 막 ) 또는 2 가지 의 안정 한 저항성 상태 를 갖 는 전이 금속 산화 막 일 수 있 다