그러나 , 종래 기술 에 따른 반도체 소자 의 메탈 배선 형성 방법 에서 는 캐 패 시터 상부 전극 을 형성 한 후 이웃 하 는 캐 패 시터 간 의 전기 적 인 분리 를 위해 상부 전극 과 유전 막 을 식각 하 기 위한 식각 공정 을 진행 하 는데 , 이 식각 공정 시 식각 정지 막 으로 사용 되 는 하부 식각 정지 막 의 일부 가 손실 되 어 주변 회로 영역 에서 식각 정지 막 의 두께 가 얇 아 지 게 된다 . 이 때문 에 메탈 콘 택 식각 의 1 차 식각 시 충분 한 과도 식각 을 행할 경우 콘 택 이 하부 식각 정지 막 에서 멈추 지 못하 게 되 어 충분 한 과도 식각 을 행할 수 없 는 문제 가 있 다 .