구체 적 으로 , 얼라인 키 를 이용 한다는 것 은 드리프트 영역 ( 27 ) 과 대응 되 는 영 역 에서 의 게이트 산화 막 ( 29 ) 두께 ( H 2 ) 와 채널 영역 에서 의 게이트 산화 막 ( 29 ) 두께 ( H 1 ) 가 서로 다르 므로 , ' H 2 ' 두께 를 갖 는 게이트 산화 막 ( 29 ) 상 에 게이트 전극 ( 30 ) 의 일부 가 중첩 되 도록 자기 정렬 시켜 형성 할 수 있 다는 것 이 다 .