다음 에 , 제 1 성막 조건 으로 미결정 반도체 막 ( 53 ) 을 형성 한다 . 계속 하 여 , 같 은 체임버 로 제 2 성막 조건 으로 성막 을 행하 고 , 실시 형태 6 에 나타낸 도 9 ( C ) 와 마 찬 가지 로 , 미결정 반도체 막 ( 53 ) 을 형성 한다 . 다음 에 , 실시 형태 6 에 나타낸 도 9 ( D ) 와 마찬가지 로 , 미결정 반도체 막 ( 53 ) 위 에 , 버퍼 층 ( 54 ) , 일 도 전형 을 부여 하 는 불순물 이 첨가 된 반도체 막 ( 55 ) 을 순차 로 형성 한다 .