본 발명 은 상기 한 종래 기술 의 문제점 을 해결 하 기 위한 것 으로서 , 비정질 실리콘 을 레이저 로 결정 화 한 후 , O 2 플 라즈 마 처리 , 불 산 ( HF ) 처리 와 엑 시머 레이저 어닐링 ( ELA ) 큐어 링 ( curing ) 순 으로 처리 해 줌 으로써 , 폴리 실리콘 층 의 표면 에 형성 된 돌기 를 제거 하 여 폴리 실리콘 층 의 결정립계 부분 의 힐 락 을 제거 하 여 소자 특성 을 개선 하 고 , 공정 신뢰 성 을 높일 수 있 는 폴리 실리콘 박막 트랜지스터 의 제조 방법 을 제공 하 는 것 을 목적 으로 한다 .