다음 으로 , 상기 하부 전극 ( 2 ) 상 에 화소 공간 을 형성 하 기 위한 다수 의 격벽 ( 4 ) 을 형성 한다 . 즉 , 도 5 에 나타난 바 와 같이 상기 하부 기판 ( 1 ) 위 에 형성 된 하부 전극 ( 2 ) 및 하부 절연 층 ( 3 ) 상부 에 격벽 ( 4 ) 을 수개 형성 한다 . 도 5 에서 는 하부 절연 층 ( 3 ) 상부 에 격벽 ( 4 ) 이 형성 되 었 지만 상술 한 바 와 같이 본 발명 에 있 어서 , 상기 하부 절연 층 ( 3 ) 은 생략 되 는 형태 일 수 있 으므로 , 본 실시 예 에서 상기 하부 전극 ( 2 ) 상 에 화소 공간 을 형성 하 기 위한 격벽 ( 4 ) 이 바로 형성 되 는 형태 도 가능 하 다 .