도 5 d 는 ( 110 ) 면 방향 실리콘 웨이퍼 를 TMAH 용액 으로 비등방성 습식 식각 한 이후 단면 을 본 전자 현미경 사진 이 다 . 도 5 e 는 TMAH 용액 으로 추가 적 인 비등방성 습식 식각 후 에 위 에서 본 전자 현미경 사진 으로 , 원래 마스크 크기 인 137 nm , 124 nm 보다 훨씬 작 은 90 nm , 12 nm 까지 핀 구조 의 선폭 이 줄어든 것 을 확인 할 수 있 으며 , 핀 구조 의 높이 는 90 nm 이 다 . 핀 구조 의 폭 은 40 nm 이하 가 바람직 하 며 , 기판 의 도핑 농도 가 높 으면 상대 적 으로 캐리어 의 공핍 영역 이 얇 아지므로 핀 구조 의 폭 은 더욱 작아지 는 것 이 바람직 하 다 . 도 5 f 는 본 발명 에 따라 ( 110 ) SOI 기판 을 이용 하 여 제작 된 핀 구조 에 감지 물질 고정화 를 위한 자기 조립 단분자막 ( Self - assembled monolayer ) 을 증착 하 고 , 이 를 검증 하 기 위하 여 DNA 를 이용 하 여 금 나노 입자 를 부착 시킨 이후 의 핀 구조 에 대한 전자 현미경 사진 이 다 . 이 를 통해 본 발명 에 따른 핀 구조 의 측벽 에 도 평면 구조 체의 평면 과 같이 감지 물질 고정화 를 위한 자기 조립 단분자막 이 잘 증착 되 어 있 는 것 을 확인 할 수 있 다 . 도 5 g 는 최종 적 으로 하드 마스크 가 제거 된 뒤 의 완성 된 핀 구조 의 전자 현미경 사진 이 며 , 20 nm 정도 의 선폭 을 갖 는 핀 구조 의 제작 이 가능 함 을 보여준다 .