도 7 a , 도 7 b 및 도 10 을 참조 하 면 , 상기 배리 어 층 ( 73 ) 상 에 상기 제 1 내지 제 3 홀 들 ( S 1 , S 2 , 및 S 3 ) 을 채우 는 금속 층 ( 74 ) 을 형성 한 후 , 평탄 화 공정 을 수행 하 여 상기 제 1 내지 제 3 콘 택 들 ( CT 1 , CT 2 , CT 3 ) 이 형성 될 수 있 다 . 일 예 로 , 상기 금속 층 ( 74 ) 는 텅스텐 을 포함 할 수 있 다 .