실리콘 보다 밴드 갭 이 넓 고 , 진성 캐리어 밀도 가 실리콘 보다 도 낮 은 반도체 재료 의 일례 로서 , 산화물 반도체 의 외 에 , 탄화 실리콘 ( SiC ) , 질화 갈륨 ( GaN ) 등 의 화합물 반도체 를 들 수 있 다 . 산화물 반도체 는 , 탄화 실리콘 이나 질화 갈륨 등 의 화합물 반도체 와 는 다르 고 , 스퍼터링 법 이나 습식법 에 의해 제작 할 수 있 고 , 양산 성 이 뛰어나 다는 이점 이 있 다 . 또한 , 탄화 실리콘 또는 질화 갈륨 은 다르 고 , 산화물 반도체 는 실온 에서 도 성막 이 가능 하 기 때문 에 , 유리 기판 상 으로 의 성막 , 또는 실리콘 을 이용 한 집 적 회로 상 으로 의 성막 이 가능 하 다 . 또한 , 기판 의 대형 화 에 도 대응 할 수 있 다 . 따라서 , 위 에서 설명 한 탄화 실리콘 이나 질화 갈륨 등 보다 도 , 산화물 반도체 는 특히 양산 성 이 높 다고 하 는 장점 을 갖 는다 . 또한 , 트랜지스터 의 성능 ( 예 를 들 어 전계 효과 이동도 ) 을 향상 시키 기 위해 결정 성 의 산화물 반도체 를 얻 으려고 하 는 경우 라도 , 250 ℃ 에서 800 ℃ 의 열처리 에 의해 용이 하 게 결정 성 의 산화물 반도체 를 얻 을 수 있 다 .