통상 의 STT - MRAM 장치 들 의 한 가지 제한 사항 은 메모리 어레이 의 소스 라인 구성 으로 인한 비트 라인 및 소스 라인 간격 ( spacing ) 에 의해 야기 되 는 낮 은 어레이 밀도 이 다 . STT - MRAM 이 상보 적 인 데이터 를 기록 하 기 위하 여 양방향 전류 를 이용 하 기 때문 에 , 다른 메모리 기술 들 에서 는 가능 함 에 도 , 소스 라인 들 은 접지 에 연결 될 수 없 고 전체 어레이 를 가로질러 공유 될 수 없 다 . 대신 에 , 통상 의 MRAM 메모리 어레이 들 은 컬럼 당 하나 의 소스 라인 을 가지 며 , 메모리 어레이 내 에서 조밀 한 금속 라인 들 의 증가 된 갯 수 로 인하 여 다른 메모리 기술 들 과 비교 하 여 대응 하 는 증가 된 면적 을 갖 는다 .