배선 ( 15 ) 은 , 예 를 들 어 , 도 3 ( g ) ~( h ) 에 나타내 는 바 와 같이 , 발광 소자 ( 11 ) 의 정부 ( 正 負 ) 의 전극 ( 11 b ) 을 봉지 부재 ( 13 ) 의 표면 에 노출 시키 고 , 발광 소자 ( 11 ) 의 전극 ( 11 b ) 및 봉지 부재 ( 13 ) 의 표면 의 대략 전면 ( 全面 ) 에 금속 막 ( 15 a ) 을 형성 하 고 , 당해 금속 막 ( 15 a ) 을 레이저 등 으로 일부 제거 하 여 패 터닝 함 으로써 , 배선 ( 15 ) 를 형성 할 수 있 다 .