상기 낮 은 강도 의 레이저 를 조사 하 여 제 2 광 흡수 층 ( 50 ) 의 기화 ( vaporization ) 을 유도 하 고 , 동일 영역 에 대한 반복 적 인 레이저 조사 를 통해 도 4 에 도식 적 으로 표현 한 바 와 같이 점진 적 으로 제 2 광 흡수 층 ( 50 ) 을 제거 할 수 있 다 . 도 4 의 ( c ) 와 같이 제 2 광 흡수 층 ( 50 ) 의 제거 가 완료 될 시점 에 는 , 조사 된 레이저 가 제 1 투명 전극 층 ( 40 ) 을 통과 하 여 제 1 광 흡수 층 ( 20 ) 에 흡수 된다 . 제 1 광 흡수 층 ( 20 ) 의 광 흡수 계수 는 제 2 광 흡수 층 ( 50 ) 에 비해 현저히 낮 기 때문 에 ( < 1 / 50 배 ) 레이저 에 의한 손상 을 피할 수 있 다 . 경우 에 따라 제 1 광 흡수 층 ( 20 ) 에 흡수 된 레이저 에 의한 열팽창 으로 제 1 투명 전극 층 ( 40 ) 의 박리 를 유발 할 수 있 다 . 또한 , 낮 은 강도 로 입사 하 는 레이저 는 기화 된 소재 의 간섭 을 최소 화 할 수 있 다 .