그리고 , 상기 플 라즈 마 식각 장치 ( 100 ) 는 상기 스테이지 ( 12 ) 와 마주 하 는 부분 의 제 1 절연체 ( 20 ) 를 노출 시키 면서 상기 제 1 절연체 ( 20 ) 를 둘러싸 는 상부 - 제 2 전극 ( 18 ) 을 포함 한다 . 또한 , 상기 상부 - 제 2 전극 ( 18 ) 은 상기 스테이지 와 ( 12 ) 마주 하 지 않 는 부분 은 노출 되 지 않 게 덮 는 구조 를 갖 는다 . 아울러 , 상기 상부 - 제 2 전극 ( 18 ) 은 상기 제 1 절연체 ( 20 ) 를 둘러싸 는 부위 에 공간 ( 65 ) 을 갖 도록 설치 한다 . 즉 , 상기 상부 - 제 2 전극 ( 18 ) 과 상기 제 1 절연체 ( 20 ) 를 둘러싸 는 부분 에 공간 ( 65 ) 을 갖 도록 하 는 것 이 다 . 이 와 같이 , 상기 상부 - 제 2 전극 ( 18 ) 과 상기 제 1 절연체 ( 20 ) 사이 에 공간 ( 65 ) 을 형성 하 는 것 은 상기 공간 ( 65 ) 으로 플 라즈 마 를 형성 하 기 위한 반응 가스 를 제공 하 기 위함 이 다 . 한편 , 상기 상부 - 제 2 전극 ( 18 ) 은 반도체 기판 ( W ) 의 가장자리 상부 , 측면 및 가장 자리 하부 에 플 라즈 마 형성 할 때 접지 되 고 , 반도체 기판 ( W ) 의 이면 에 플 라즈 마 를 형성 할 때 전기 적 으로 단락 된다 .