그 다음 , 도 3 j 에 도시 된 바 와 같이 , 상기 질소 화물 로 형성 된 상기 측벽 영 역 ( 150 ) 을 제거 한 후 상기 제 1 식각 마스크 패턴 층 ( 110 a ) 을 마스크 로 이용 하 여 노출 된 상기 실리콘 기판 ( 100 b ) 에 적절 한 농도 의 불순물 을 주입 하 여 반도체 탐침 의 양쪽 경사면 에 얕 은 ( shallow ) 소스 , 드레 인 영역 ( 180 ) ( 190 ) 을 형성 한다 .