도 1 을 참조 하 면 , NMOS 영역 과 PMOS 영역 으로 구분 된 반도체 기판 ( 1 ) 상 에 복수 개 의 희생 층 ( 3 ) 및 복수 개 의 채널 층 ( 5 ) 을 서로 반복 하 여 적층 한다 . 먼저 기판 ( 1 ) 상 에 제 1 희생 층 ( 3 a ) 을 형성 하 고 , 제 1 희생 층 ( 3 a ) 상 에 제 1 채널 층 ( 5 a ) 을 형성 한다 . 이어서 , 상기 제 1 채널 층 ( 5 a ) 상 에 제 2 희생 층 ( 3 b ) 및 제 2 채널 층 ( 5 b ) 을 연속 하 여 형성 한다 . 상기 제 2 채널 층 ( 5 b ) 상 에 소자 분리 막 용 하드 마스크 층 ( 7 ) 을 형성 한다 .