또한 , 상기 예 에서 는 , 기판 을 실리콘 함유 가스 에 폭로 하 는 공정 S 11 , 기판 상 에 Ru 막 을 형성 하 는 공정 S 12 및 Ru 막 을 실리콘 함유 가스 에 폭로 하 는 공정 S 13 을 이 순서 로 1 회 씩 행하 는 경우 를 설명 했 지만 , 본 개시 는 이것 에 한정 되 지 않 는다 . 예 를 들 어 , 기판 을 실리콘 함유 가스 에 폭로 하 는 공정 S 11 후 에 , 기판 상 에 Ru 막 을 형성 하 는 공정 S 12 및 Ru 막 을 실리콘 함유 가스 에 폭로 하 는 공정 S 13 을 복수 회 씩 반복 해서 행해도 된다 .