이 와 같이 , 레지스 트 ( 6 ) 의 노광 샷 영역 ( 4 b , 4 c ) 을 각각 소정 의 레티 클 을 사용 하 여 노광 하 고 , 제품 용 칩 의 패드 에 대응 한 형상 의 노광 영역 ( 6 a ) 과 기준 용 칩 의 L / S 패턴 에 대응 한 형상 의 노광 영역 ( 6 b ) 을 각각 형성 한 후 는 , 그 레지스 트 ( 6 ) 전체 의 현상 을 행한다 ( 스텝 S 9 ) . 이것 에 의해 , 노광 영역 ( 6 a , 6 b ) 은 모두 제거 되 고 , 레지스 트 ( 6 ) 에 는 제품 용 칩 의 패드 를 형성 하 기 위한 레지스 트 패턴 과 기준 용 칩 의 L / S 패턴 을 형성 하 기 위한 레지스 트 패턴 이 동시 에 형성 된다 .