그 다음 에 는 , 리 세스 게이트 영역 ( 140 ) 을 포함 하 는 게이트 예정 영역 에 게이트 산화 막 ( 150 ) , 게이트 폴리 실리콘 층 ( 152 ) , 게이트 금속 층 ( 154 ) 및 게이트 하드 마스크 층 ( 156 ) 패턴 의 적층 구조 로 구비 되 고 측벽 에 스 페이서 ( 158 ) 를 구비 하 는 게이트 ( 160 ) 를 형성 한다 . 이때 , 게이트 폴리 실리콘 층 ( 152 ) 은 P 형 불순물 이온 이 주입 된 폴리 실리콘 을 사용 한다 . 이 는 후속 공정 에서 N 형 불순물 에 의해 형성 되 는 소스 / 드레 인 영역 에 대한 일 함수 ( Work Function ) 의 차이 를 증가 시켜 문턱 전압 ( Vt ) 을 증가 시키 기 위한 것 이 다 .