그리고 , 듀얼 폴리 실리콘 게이트 를 형성 함 에 있 어서 셀 지역 이 리 세스 게이트 구조 로 형성 되 면 셀 영역 에 대하 여 인 ( Phosphorous ) 을 균일 하 게 도핑 해야 하 는 문제점 때문 에 셀 영역 과 주변 영역 에 모두 N + 폴리 실리콘 을 형성 한 후 주변 영역 의 N + 폴리 실리콘 에 P 형 불순물 을 이온 주입 하 여 P + 폴리 실리콘 을 형성 하 는 컨 버티 드 구조 ( Converted scheme ) 를 사용 하 여 P + 폴리 실리콘 을 형성 한다 . 이때 , 인 이 도핑 된 N + 폴리 게이트 를 이온 주입 을 통해 P + 폴리 실리콘 으로 변환 하 기 위해서 는 적어도 2 . 0 E 16 atoms / ㎠ 이상 의 보론 을 이온 주입 한다 .