본 발명 과 관련 된 경화 성 수지 조성물 은 , 반도체 입자 ( A ) , 폴리 알킬렌 글리콜 구조 를 포함 하 고 , 또한 극성기 를 분자 말단 에 가지 는 화합물 ( B ) 〔 이하 , 「 화합물 ( B ) 」 라고 도 함 . 〕, 수지 ( C ) 및 중합 성 화합물 ( D ) 를 포함 한다 . 당해 경화 성 수지 조성물 은 , 양호 한 패 터닝 성 을 나타낼 수 있 다 . 예 를 들 면 , 당해 경화 성 수지 조성물 에 의하 면 , 원 하 는 선폭 을 가지 는 패 터닝 된 경화 막 을 양호 한 정밀도 로 형성 하 는 것 이 가능 하 다 . 당해 경화 성 수지 조성물 에 의하 면 , 상기 선폭 이 비교 적 좁 은 경우 여도 , 패 터닝 된 경화 막 을 양호 한 정밀도 로 형성 하 는 것 이 가능 하 다 .