갈륨 나이트 라이드 ( GaN ) 기 발광 다이오드 외부 양자 효율 을 높 지 않 게 만드 는 　 아주 큰 원인 은 　 질화물 결정 층 과 공기 의 반사 계수 차이 가 크 기 때문 에 전체 반사 문제 를 일으키 는 데 있 으며 , 갈륨 나이트 라이드 ( GaN ) 와 공기 의 반사 계수 는 각각 2 . 5 와 1 로 , 이 로 인해 　 인듐 　 갈륨 나이트 라이드 - 갈륨 나이트 라이드 ( InGaN - GaN ) 　 원 층 에 생성 된 　 광 은 약 23 도 의 임계각 을 전파 해 내 기에 충분 하 며 , 이 는 갈륨 나이트 라이드 ( GaN ) 기 발광 다이오드 의 외부 양자 효율 을 대폭 제한 시키 는데 , 본 발명 에서 채택 한 원기둥 혹은 볼록 면체 로 구성 된 도형 기판 은 , 광선 을 원기둥 혹은 볼록 면체 의 도안 중 에서 여러 차례 반사 시킨 후 발광 하 게 하 여 , 외부 양자 효율 을 대폭 향상 시키 며 , 본 발명 의 식각 도형 기판 을 통해 발광 효율 을 15 ~ 40 % 향상 시킬 수 있 다 .