도 19 를 참조 하 면 , 본 발명 의 실시 예 에 따라 상기 산화물 반도체 층 ( 200 ) 을 형성 한 후 에 , 상기 산화물 반도체 층 ( 200 ) 에 상기 예비 전극 ( 270 ) 을 형성 하 고 , 상기 예비 전극 ( 270 ) 및 상기 채널 ( CH ) 에 상기 제 2 광 소결 에너지 ( 2 nd IPL ) 를 조사 하 는 경우 , 상기 채널 ( CH ) 의 화학 적 조성 ( 도 19 의 IPL sintering ) 을 살펴볼 수 있 다 .