상기 베이스 밴드 부 ( 110 ) , 상기 트랜 시버 ( 120 ) , 상기 전력 증 폭부 ( 130 ) 는 신호 처리 를 위한 반도체 칩 ( 베이스 밴드 칩 , 트랜 시버 칩 , 전력 증폭 칩 ) 을 포함 한다 . 상기 베이스 밴드 부 ( 110 ) , 상기 트랜 시버 ( 120 ) , 상기 전력 증 폭부 ( 130 ) 에 는 패 키 징 된 형태 의 반도체 칩 이 제공 될 수 도 있 고 , 또한 베 어 칩 ( bare chip ) 형태 의 반도체 칩 이 제공 될 수 도 있 다 .