즉 , 도 2 에 도시 된 바 와 같이 , 반도체 기판 ( 10 ) 상 의 블록 ( 12 ) 에 대한 패턴 조 밀도 를 각각 산출 하 여 이 들 패턴 조 밀도 가 평균값 보다 큰 블록 ( A 1 , B 1 , C 1 ) 에 각각 대응 하 는 마스크 ( 20 ) 의 구획 ( A 2 , B 2 , C 2 ) 에 위치 하 는 비아 패턴 ( 22 ) 의 사이즈 를 정해진 값 만큼 확대 형성 시키 게 된다 .