도 18 내지 도 21 및 표 4 에서 알 수 있 듯이 , 디바이스 5 및 디바이스 6 은 발광 효율 이 높 다 . 또한 디바이스 6 은 디바이스 5 보다 정공 수송 층 ( 812 ) 의 막 두께 를 100 nm 두껍 게 하 였 지만 , 1000 cd / m 2 에서 의 구동 전압 은 0 . 6 V 밖에 증가 하 지 않 았 다 . 이것 은 oYGTBiF ( 2 ) 의 정공 수송 성 이 우수 한 것 을 뜻 한다 .