금속 의 CMP 의 일반 적 인 방법 은 , 원형 ( 圓形 ) 의 연마 정반 ( 플 래 틴 ) 상 에 연마 포 를 첩부 ( 貼付 ) 하 고 , 연마포 의 표면 을 금속 용 연마 액 에 담그 고 , 기판 의 금속 막 을 형성 한 면 을 압부 하 고 , 그 이면 으로부터 소정 의 압력 ( 이하 연마 압력 이 라 기재 한다 ) 을 가한 상태 에서 연마 정반 을 돌려 , 금속 용 연마 액 과 금속 막 의 볼록 부와 의 기계 적 마찰 에 의해서 볼록 부 의 금속 막 을 제거 하 는 것 이 다 . CMP 에 사용 되 는 금속 용 연마 액 은 , 일반 적 으로 는 산화제 및 지 립 ( 砥 粒 ) 를 함유 하 고 , 필요 에 따라 산화 금속 용 해제 , 금속 방식제 등 이 더 첨가 된다 . 우선 산화제 에 의해 금속 막 표면 을 산화 하 고 , 그 산화층 을 지 립 에 의해서 삭 취 ( 削 取 ) 하 는 것 이 기본 적 인 메커니즘 이 라고 생각 되 고 있 다 . 오 목부 의 금속 표면 의 산화층 은 연마포 에 별로 접하 지 않 고 , 연마 지 립 에 의한 삭 취의 효과 가 미치 지 않 기 때문 에 , CMP 의 진행 과 함께 볼록 부 의 금속 층 이 제거 되 어 기판 표면 은 평탄 화 된다고 생각 되 고 있 다 . 이 기술 은 , 예 를 들 면 , 저널 · 오브 · 일렉트로 케미컬 소사이어티 지 제 138 권 11 호 ( 1991 년 발행 ) 3460 ~ 3464 페이지 에 개시 되 어 있 다 .