연결 영역 ( CNR ) 에서 하드 마스크 패턴 ( HM ) 에 슬릿 ( SLT ) 이 마련 되 어 , 하드 마스크 패턴 ( HM ) 을 전극 구 조체 ( ES ) 보다 작 은 단위 로 분리 할 수 있 다 . 슬릿 ( SLT ) 에 의해서 하드 마스크 패턴 ( HM ) 은 복수 의 세그먼트 들 ( SEG ) 로 분리 될 수 있 다 . 슬릿 ( SLT ) 은 인접 한 한 쌍 의 분리 패턴 들 ( ISP ) 사이 에서 제 2 방향 ( SD ) 으로 신장 되 는 라인 형태 를 가질 수 있 다 . 세그먼트 들 ( SEG ) 은 제 1 방향 ( FD ) 을 따라서 배치 될 수 있 다 . 세그먼트 들 ( SEG ) 각각 의 제 1 방향 ( FD ) 길이 는 연결 영역 ( CNR ) 에서 전극 구 조체 ( ES ) 의 제 1 방향 ( FD ) 길이 보다 작 다 . 세그먼트 들 ( SEG ) 각각 의 제 2 방향 ( SD ) 폭 은 전극 구 조체 ( ES ) 의 제 2 방향 ( SD ) 폭 과 실질 적 으로 동일 할 수 있 다 .