상기 와 같 은 부작용 을 방지 하 기 위해 , 종래 기술 에 따른 상기 구조 의 트랜지스터 제조 방법 중 에서 는 , 실리사이드 공정 수행 후 게이트 측벽 절 연막 ( 28 ) 에 발생 되 는 금속 막 을 제거 해야 만 하 는데 , 상기 금속 막 제거 작업 은 실제 적 으로 어려움 이 많 으며 , 결국 게이트 측벽 절 연막 ( 28 ) 의 손상 에 따른 게이트 누설 전류 의 발생 을 억제 하 기 가 곤란 하 였 다 .