또한 종래 스토리지 캐 패 시터 ( 20 ) 를 구성 하 는 전극 ( 16 , 14 C ) 사이 의 수직 거리 ( t 1 ) 는 게이트 절 연막 ( 46 ) 및 보호막 ( 52 ) 의 중첩 으로 이루어지 고 , 본 발명 의 스토리지 캐 패 시터 ( 120 ) 를 구성 하 는 전극 ( 116 , 112 ) 사이 의 수직 거리 ( t 2 ) 는 게이트 절 연막 ( 146 ) 만 으로 이루어짐 에 따라 본 발명 에 따른 스토리지 캐 패 시터 의 전극 간 거리 가 더 가까워진다 ( t 1 > t 2 ) . 따라서 상기 [ 수학식 1 ] 에 따르 면 스토리지 캐 패 시터 ( 120 ) 의 구성 전극 ( 116 C , 112 ) 간 의 수직 거리 ( t 2 ) 가 종래 의 스토리지 캐 패 시터 ( 20 ) 의 구성 전극 ( 16 , 14 C ) 간 의 수직 거리 ( t 1 ) 보다 가까워 지 므로 본 발명 에 따른 스토리지 캐 패 시터 의 용량 ( CS / D ) 은 증대 될 수 있 다 .