본 발명 의 양태 에 있 어서 는 , 상기 활성 에너지 선 및 열 에 의한 경화 를 , JEITA 규격 의 실리콘 웨이퍼 상 에 상기 휨 교 정재 를 도포 하 여 활성 에너지 선 및 열 에 의해 경화 시켜 평 막상 의 경화물 로 한 경우 에 , 경화물 표면 의 60 ° 경면 반사율 과 , 경화물 과 실리콘 웨이퍼 의 계면 에서 의 60 ° 경면 반사율 의 차 의 절댓값 이 10 ％ 이하 가 되 도록 행하 는 것 이 바람직 하 다 .