특히 , 상기 반도체 디바이스 는 MOSFET 일 수 있 고 , 이 경우 , 상기 컴포넌트 는 상기 반도체 디바이스 의 바디 이 고 , 또는 상기 반도체 디바이스 는 반도체 싸이 리스터 일 수 있 고 , 이 경우 상기 컴포넌트 는 상기 반도체 싸이 리스터 의 게이트 이 다 . 또한 , 어떤 외부 전류 주입 소스 도 다수 의 핑거 들 중 적어도 하나 에 연결 되 지 않 을 수 있 고 , 및 / 또는 적어도 하나 의 외부 전류 주입 소스 는 다른 ( another ) 외부 전류 주입 소스 와 는 상이 한 량 의 주입 전류 를 주입 한다 . 바람직 하 게 는 , 상기 다수 의 핑거 들 중 적어도 두 개 는 실질 적 으로 매치 된 트리거 전압 들 을 갖 는다 . 가장 바람직 하 게 는 , 다수 의 핑거 들 모두 는 실질 적 으로 매치 된 트리거 전압 들 을 갖 는다 . 상기 회로 는 주입 전류 의 량 이 조절 될 수 있 도록 하 기 위해 외부 전류 주입 소스 들 중 적어도 하나 내 에 조정 가능 한 컴포넌트 를 포함 시킬 수 있 다 .