상기 한 문제점 을 해결 한 본 발명 은 발광 소자 및 고주파 신호 처리 반도체 소자 의 원재료 인 갈륨비소 ( GaAs ) 잉곳 ( Ingot ) 을 결정 성장 시키 는 장치 및 방법 에 관한 것 으로 특히 , 갈륨 ( Ga ) 과 비소 ( As ) 를 도가니 에 각각 장입 후 원료 의 합성 과 수직 브리지 만법 을 이용 한 결정 성장 을 단일 공정 으로 처리 하 는 장치 와 방법 을 제공 하 고자 한다 .