본 실시 예 에서 , 결합 을 수행 하 는 단계 에서 , 상기 제 3 전도성 홀 ( 표시 되 지 않 음 ) 및 신호 처리 회로 의 대응 되 는 연결 단 ( 165 ) 이 서로 대응 되 도록 , 상기 연결 단 ( 165 ) 을 노출 시킨다 . 구체 적 으로 , 상기 영구 결합 층 ( 150 ) 에 제 1 서브 전도성 홀 ( 152 ) ( 도 13 에 도시 된 바 와 같 음 ) 이 형성 되 므로 , 따라서 상기 영구 결합 층 ( 150 ) 을 상기 기판 ( 160 ) 에 배치 한 후 , 상기 제 1 서브 전도성 홀 ( 152 ) 은 상기 연결 단 ( 165 ) 에 대응 된다 .