이어서 , 상기 콘택트 홀 ( CH 14 ) 을 포함 하 는 평탄 화 막 ( 14 ) 상 에 스퍼터링 법 등 을 이용 하 여 , 은 ( Ag ) 이나 알루미늄 ( Al ) 등 의 금속 재료 , 혹은 알루미늄 - 네오디뮴 - 티탄 ( AlNdTi ) 등 의 합금 재료 로 이루어지 는 광반사 특성 을 갖 는 ( 더욱 구체 적 으로 는 , 가시광선 역 에 대해서 높 은 반사 율 을 갖 는 ) 금속 박막 을 형성 한다 . 그 후 , 해당 금속 박막 을 패 터닝 하 여 도 7 a 에 나타내 는 바 와 같이 , 콘택트 홀 ( CH 14 ) 내부 에 있 어서 트랜지스터 ( Tr 12 ) 의 소스 전극 ( Tr 12 s ) 과 전기 적 으로 접속 하 고 , 또한 각 표시 화소 ( PIX ) 에 있 어서 의 EL 소자 형성 영역 ( Rel ) 에 대응 하 는 평면 형상 을 갖 고 평탄 화 막 ( 14 ) 상 에 연재 하 는 반사 층 ( 15 a ) 을 형성 한다 .