도 7 을 참조 하 면 , 도 6 에서 설명 한 예비 베리드 콘 택 물질 층 ( 170 p ) 의 상측 일부분 이 제거 된 부분 을 채우 는 몰드 층 ( 175 ) 을 형성 한다 . 복수 의 베리드 콘 택 홀 ( 170 H ) 각각 의 하측 부분 은 예비 베리드 콘 택 물질 층 ( 170 p ) 이 채울 수 있 고 , 상측 부분 은 몰드 층 ( 175 ) 이 채울 수 있 다 . 즉 복수 의 비트 라인 구 조체 ( 140 ) 각각 의 양 측벽 을 덮 는 복수 의 절연 스 페이서 구조 체 ( 150 ) 사이 의 공간 의 하측 일부분 은 예비 베리드 콘 택 물질 층 ( 170 p ) 이 채우 고 , 상측 나머지 부분 은 몰드 층 ( 175 ) 이 채울 수 있 다 .