도 2 a 및 도 2 c 는 기판 ( 600 ) 위 에 소스 전극 ( 300 ) 및 드레 인 전극 ( 400 ) , 반도체 채널 층 ( 100 ) , 게이트 절 연막 ( 200 ) , 게이트 전극 ( 500 ) 이 차례 로 형성 된 통상 적 인 탑 - 게이트 형 구조 로서 , 소스 , 드레 인 전극 의 형성 순서 를 다르 게 한 구조 이 다 . 그리고 도 2 b 및 도 2 d 는 각각 도 2 a 및 도 2 c 구조 에서 기판 ( 600 ) 과 반도체 채널 층 ( 100 ) 사이 에 보다 우수 한 특성 의 채널 층 이 형성 되 도록 하 거나 소자 를 보호 할 목적 으로 제 2 버퍼 층 ( 610 ) 을 형성 한 구조 이 다 .