다양 한 반응 가스 들 이 본 발명 의 웨이퍼 공정 처리 를 위하 여 이용 된다고 하 여도 , 상술 한 실험 예 들 에서 는 , 실리콘 기판 상 에 TEOS 산화 막 을 형성 하 기 위하 여 테트라 - 에틸 - 오소 - 실리케이트 ( tetra - ethyl - ortho - silicate ) , 또는 균등 한 테트라 - 에 속시 - 실란 ( tetra - ethoxy - silane , TEOS ) , 및 산소 ( O 2 ) 를 이용 하 였 다 . 기판 상 에 산화층 을 형성 하 기 위하 여 , TEOS 가 산소 ( O 2 ) 와 함께 일반 적 으로 이용 된다 . 이러 한 공정 을 위한 통상 적 인 조건 들 은 다음 과 같 다 . 250 sccm 의 TEOS 유동 속도 , 2 . 3 slm 의 O 2 유동 속도 , 10 mm 의 상부 전극 ( 120 ) 과 하부 전극 ( 105 ) 사이 의 거리 , 400 Pa 의 반응 챔버 압력 , 600 W 의 높 은 라디오 주파수 ( 13 . 56 MHz ) 전력 , 400 W 의 낮 은 라디오 주파수 ( 430 kHz ) 전력 , 360 ℃ 의 서 셉 터 ( 105 ) 온도 , 150 ℃ 의 샤워 플레이트 ( 120 ) 온도 , 및 140 ℃ 의 반응 챔버 ( 102 ) 의 내부 벽 온도 이 다 .