또한 , 최근 에 초고 밀도 ( ULSI ) 반도체 소자 의 집적회로 에 사용 되 는 다층 금속 막 의 신호 지연 ( RC delay ) 을 줄이 기 위해 금속 배선 에 사용 되 는 층간 절 연막 을 저 유전 상수 ( k ≤ 2 . 4 ) 를 갖 는 물질 로 형성 하 는 연구 가 활발히 행해 지 고 있 다 . 이러 한 저 유전 박막 을 불소 ( F ) 가 도핑 된 산화 막 ( SiO 2 ) 과 불소 가 도핑 된 비정질 탄소 ( a - C : F ) 막 과 같이 무기 물질 로 형성 하 거나 유기 물질 로 형성 하 기 도 한다 . 상대 적 으로 낮 은 유전 상수 를 지니 며 열 적 안정 성 이 뛰어난 중합체 박막 을 유기 물질 로 주로 사용 한다 .