제 2 변형 실시 예 ( 도시 되 지 않 음 ) 로서 , 발광 다이오드 에 기초 한 램프 가 제조 된다 . 게다가 , 인광체 및 플 라즈 마 가스 는 생략 되 고 , 내부 공간 은 진공 상태 이 며 , 전극 및 안전 전도체 는 생략 된다 . 유리 박판 들 중 하나 의 유리 박판 의 내 주면 으로서 또는 두 개 의 유리 박판 의 내 주면 에 위치 한 두 개 의 연속 적 인 투과성 전기 전도 층 으로서 , 예 를 들 어 ( 예 를 들 어 , 불소 도핑 된 주석 산화물 로 구성 된 ) 연속 적 인 또는 불연속 적 인 투과성 전기 전도 층 과 같 은 내부 전극 이 사용 된다 . 광원 으로서 , 발광 다이오드 가 사용 된다 . 각각 의 발광 다이오드 는 예 를 들 어 활성 다중 양자 샘 층 ( active multiple quantum - well layer ) 을 가지 는 단순 반도체 칩 일 수 있 다 . 각각 의 반도체 칩 은 자신 과 마주 하 는 면 과 접촉 하 는 또는 내부 전극 을 통하 여 전기 적 으로 연결 되 어 있 는 일 면 과 접촉 하 는 제 1 접촉 층 및 제 2 접촉 층 을 포함 한다 .