전기 용량 성 실린더 ( capacitive cylinder ) 아래 에 금속 연결 이 이뤄진 경우 , " 이 프로세스 는 콘덴서 오버 비트 라인 ( capacitor over bit line ( "" COB "")) 구조 로 불린다 . 상기 로부터 의 지지 는 실리콘 질화물 의 층 에 의해 공급 될 수 있 다 "," 이 는 건축 분야 에서 실제 비 제한 된 높이 를 위한 기계 적 증가 된 저장 노드 롤 불린다 ( mechanically enhanced storage node for virtually unlimited height ( "" MESH "")). 실리콘 질화물 MESH 는 측면 배치 를 차단 하 기 위해 사용 된다 . 도 1 은 이 제조 방법 의 개략 도 이 다 . 실리콘 산화물 영역 ( 108 ) 이 제거 되 면서 콘덴서 ( 104 ) 는 습윤 산화물 에칭 으로부터 보호 된다 . 콘덴서 를 형성 할 때 사용 된 유전체 를 공격 하 는 것 으로부터 습윤 산화물 에칭 제 를 질화물 층 이 보호 하 기 위해 ", 실리콘 질화물 층 ( 114 ) 이 실리콘 산화물 ( 108 ) 보다 훨씬 느리 게 에칭 되 어야 함 이 바람직 하 다 . 따라서 , 본 발명 의 방법 은 도 1 에 도시 된 구조 를 활용 하 는 DRAM 장치 의 제조 에 유용 하 다 .