도 3 ( a ) 내지 도 3 ( f ) 는 본 발명 에 의한 결함 전이 방지 를 위한 구리 배선 형성 방법 을 도시 한 단면도 이 다 . 도 3 ( a ) 에서 와 같이 , 반도체 기판 ( 11 ) 상 에 층간 절 연막 ( 12 ) 을 증착 하 고 , 사진 / 식각 공정 을 진행 하 여 상기 반도체 기판 ( 11 ) 상 에 비아 및 트렌치 ( 13 ) 를 형성 한다 . 상기 반도체 기판 ( 11 ) 은 경우 에 따라서 는 하부 금속 배선 ( 미 도시 ) 이 형성 되 어 있 을 수 도 있 다 .