실리콘 - 함유 층 ( 40 ) 상 에 금속 - 함유 층 ( 44 ) 을 형성 한 후 에 , 금속 - 함유 층 ( 44 ) 은 금속 산화물 ( 46 ) 을 형성 하 기 위해 산화 된다 . 실리콘 - 함유 층 ( 40 ) 에는 금속 규화물 ( 48 ) 을 형성 하 기 위해 가열 이 실시 된다 . 금속 규화물 ( 48 ) 은 층 ( 40 ) 내 의 실리콘 및 금속 - 함유 층 ( 44 ) 내 의 금속 의 적어도 일부 로부터 형성 된다 . 실리콘 ( 40 ) 이 층 ( 44 ) 내 의 금속 과 반응 하 기 때문 에 , 다르 게 는 금속 산화물 ( 46 ) 을 형성 하 기 위해 산화 에 이용 가능 하 게 될 금속 의 일부 가 소비 된다 . 이것 은 금속 산화물 ( 46 ) 내 의 금속 농도 를 감소 시켜 , 금속 산화물 ( 46 ) 은 금속 결함 이 있 게 된다 . 충분 한 실리콘 이 이용 되 는 경우 , 금속 산화물 ( 46 ) 은 고도 로 금속 결함 이 있 을 수 있 다 . 예 를 들 어 , 금속 산화물 ( 46 ) 이 MxOy ( 여기 서 , M 은 금속 이 고 O 는 산소 ) 의 조성 을 갖 는 경우 , 및 MaOb 가 금속 M 과 산소 로부터 형성 된 화학 양론 적 금속 산화물 을 나타내 는 경우 , x / y 의 비 는 a / b 의 80 % 미만 , 또는 심지어 a / b 의 65 % 미만 일 수 도 있 다 .