즉 , 본 발명 의 반도체 메모리 장치 는 다수 의 뱅크 를 소정 그룹 으로 나누 어 각 뱅크 그룹 에 해당 되 는 글로벌 입출력 라인 을 배치 하 고 , 데이터 입력 스트로브 신호 DIN _ STROBE 와 뱅크 제어 신호 WT _ BAEN 를 이용 하 여 상기 각 뱅크 그룹 에 연결 되 는 글로벌 입출력 라인 중 어느 하나 가 선택 되 도록 제어 한다 .