도 3 b 는 본 발명 의 몇몇 실시 예 에 의한 RF 기판 ( 315 ) 을 도시 하 는 단순 화 된 개념 적 단면도 이 다 . RF 기판 ( 315 ) 은 코어 ( 310 ) 및 금속 층 ( 들 ) 이 매립 된 중간층 ( 320 ) 을 포함 한다 . 중간층 ( 320 ) 은 제 1 부착 층 ( 321 ) ( 예 를 들 어 , SiO 22 ) , 전도 층 ( 322 ) ( 예 를 들 어 , 폴리 실리콘 ) , 제 2 부착 층 ( 323 ) ( 예 를 들 어 , SiO 2 ) , 배리어 층 , 결합 층 ( 328 ) ( 예 를 들 어 , SiO 2 ) , 및 실질 적 으로 단결정 성 인 층 ( 329 ) ( 예 를 들 어 , Si ) 을 포함 할 수 있 다 . 배리 어 층 은 제 1 유전체 층 ( 324 ) ( 예 를 들 어 , 실리콘 질화물 ) , 제 2 유전체 층 ( 325 ) ( 예 를 들 어 , 실리콘 질화물 ) , 제 3 유전체 층 ( 327 ) ( 예 를 들 어 , 실리콘 질화물 ) , 및 제 2 유전체 층 ( 325 ) 과 제 3 유전체 층 ( 327 ) 사이 에 샌드위치 된 금속 층 ( 326 ) 을 포함 할 수 있 다 . 몇몇 실시 예 에서 , 제 2 유전체 층 ( 325 ) 과 금속 층 ( 326 ) 의 조합 은 N 번 반복 될 수 있 다 .