상기 미세 마스크 패턴 을 마스크 로 하 여 반응 성 이온 에치 법 을 사용 하 여 상기 스페이스 내 에 노출 된 하 부막 을 식각 하 였 다 . 그 후 , 상기 미세 마스크 패턴 , 상기 이미지 패턴 층 및 상기 반사 방지 막 을 제거 하 고 , 이 들 막 들 이 제거 된 웨이퍼 를 SEM 을 통해 관찰 하 였 다 . 그 결과 , 실리콘 산화 막 내 에 형성 된 라인 폭 과 스페이스 폭 의 비 가 3 : 1 이 고 , 패턴 피치 는 140 nm 인 미세 패턴 을 확인 하 였 다 .