한편 , 반도체 디바이스 용 기판 은 , 디바이스 의 고속 화 및 고집 적 화 를 위해 배선 , 및 트랜지스터 와 배선 층 을 접속 하 는 전극 ( 콘택트 플러그 ) 의 미세화 가 급격히 진행 되 고 있 다 . 그러나 , 미세 한 배선 및 전극 에 종래 사용 되 고 있 었 던 구리 , 텅스텐 또는 텅스텐 합금 을 배선 및 전극 의 재료 로서 사용 하 면 , 미세화 에 수반 하 는 저항 값 의 증가 가 문제 가 된다 . 그 때문 에 , 최근 에 는 , 저항 값 이 낮 은 코발트 또는 코발트 합금 으로 이루어지 는 배선 및 전극 이 도입 되 기 시작 하 고 있 다 .