또한 , T ≤ X ≤ T ＋ 500 ㎚ 의 관계 를 만족 하 도록 액티브 층 의 식각 을 수행 할 필요 가 있 으며 , 여기 서 T 는 액티브 층 의 두께 ( ㎚) 이 고 X 는 식각 깊이 ( ㎚) 이 다 . 지지 기판 과 액티브 층 을 절 연막 없이 직접 접합 하 여 형성 된 접합 웨이퍼 의 접합 계면 에 존재 하 는 섬 형상 의 산화물 은 디바이스 에 악영향 을 미친다고 알려져 있 기 때문 에 , 발명자 들 은 섬 형상 의 산화물 의 존재 또는 부재 를 확인 할 필요 가 있 고 , 또 한 영향 이 미치 는 디바이스 의 구역 을 파악 하 는 점 에서 섬 형상 의 산화물 의 개수 뿐 만 아니 라 크기 를 특정 하 는 것 이 중요 하 다는 것 을 주시 하 고 섬 형상 의 산화물 의 크기 를 검출 할 수 있 는 방법 에 대하 여 다양 한 연구 를 거듭 해 왔 다 . 그 결과 , 접합 계면 에서 생성 되 는 섬 형상 의 산화물 의 정확 한 개수 및 크기 가 T ≤ X ≤ T ＋ 500 ㎚ 의 관계 를 만족 하 도록 식각 깊이 를 조절 함 으로써 구체 화 될 수 있 다는 것 을 알아내 었 으며 , 여기 서 T 는 상기 액티브 층 의 두께 ( ㎚) 이 고 X 는 식각 깊이 ( ㎚) 이 다 .