또한 , 실시 예 에 따른 이미지 센서 의 제조 방법 은 배선 을 포함 하 는 회로 ( circuitry ) 가 형성 된 제 1 기판 을 준비 하 는 단계 ; 상기 제 1 기판 상 에 상기 배선 과 선택 적 으로 접촉 하 도록 실리콘 층 을 형성 하 는 단계 ; 포토다이오드 가 형성 된 제 2 기판 을 준비 하 는 단계 ; 상기 포토다이오드 와 상기 실리콘 층 이 접촉 하 도록 상기 제 1 기판 과 상기 제 2 기판 을 본딩 ( bonding ) 하 는 단계 ; 및 상기 본 딩 된 제 2 기판 의 하측 을 제거 하 여 포토다이오드 를 노출 시키 는 단계 ; 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .