상기 기술 적 과제 를 달성 하 기 위한 본 발명 에 의한 다중 채널 을 갖 는 반도체 소자 는 반도체 기판 과 , 상기 반도체 기판 상 에 대향 된 측벽 을 가지 며 , 이격 되 어 있 는 한 쌍 의 도전 성 영역 을 포함 한다 . 상기 한 쌍 의 도전 성 영역 사이 의 상기 반도체 기판 상 에 배치 되 는 부분 절연 층 과 상기 부분 절연 층 상 에 접촉 되 며 , 제 1 방향 으로 는 서로 이격 되 고 상기 제 1 방향 과 소정 의 각 을 이루 는 제 2 방향 으로 는 상기 도전 성 영역 을 연결 하 는 적어도 둘 이상 의 브릿지 부분 의 채널 층 을 포함 한다 . 상기 채널 층 의 주위 를 둘러싸 는 게이트 절연 층 과 상기 채널 층 을 둘러싸 며 상기 게이트 절연 층 상 에 형성 된 게이트 전극 층 을 포함 한다 .