n - GaN 물질 의 저항성 이 p - 형 GaN 물질 의 저항성 보다 상당히 적 은 반면 , 전류 확산 문제 는 또한 장치 가 충분히 크 다면 n - GaN 층 에서 일어난다 . n - GaN 층 에서 확산 하 는 전류 는 복수 의 금속 충전 비아 에 의해 n - GaN 층 에 연결 되 어 있 는 제 2 금속 층 을 활용 함 으로써 개선 될 수 있 다 . 본 발명 에 따른 LED 의 또 다른 실시 예의 단면도 인 , 도 3 을 참 고 한다 . LED ( 40 ) 는 복수 의 지점 에서 n - 층 에 콘 택 을 제공 하 는 제 2 전류 확산 층 을 포함 한다 . 전류 확산 층 은 미러 층 ( 37 ) 위 에 놓여 있 는 금속 층 ( 42 ) 을 포함 한다 . 금속 층 ( 42 ) 은 n - 전극 ( 45 ) 에 연결 된다 . 금속 코어 ( 44 ) 및 절연 외부 층 ( 43 ) 을 가지 는 복수 의 절연 비아 는 n - 층 ( 47 ) 의 다양 한 위치 에 층 ( 42 ) 을 연결 하 여 , 전 위원 에서 n - 층 ( 41 ) 에서 의 임의 지점 까지 의 거리 가 LED ( 40 ) 의 설계 에 좌우 되 는 기 결정 된 거리 보다 적 다 .