도 15 는 실리콘 후면 기판 에 노광 공정 을 통해 감광제 ( 133 ) 가 패 터닝 된 결과 를 3 차원 구조 로 나타낸 도면 이 고 , 도 16 은 이산화 규소 건식 식각 공정 을 통해 산화 막 을 패 터닝 한 결과 를 3 차원 구조 로 나타낸 도면 이 다 . 감광제 ( 133 ) 를 패 터닝 하 고 , 열 산화 공정 에서 생성 된 실리콘 기판 ( 130 ) 후면 에 형성 된 산화 막 ( 131 ) 을 먼저 식각 한다 . 이후 , 실리콘 건식 식각 공정 을 통해 실리콘 기판 ( 130 ) 을 식각 하 여 , 실리콘 기판 ( 130 ) 의 후면 에 공동 을 형성 한다 .