본 발명 은 , 기판 상 에 형성 되 는 막 의 두께 의 균일성 을 향상 시킴 과 함께 , 기판 및 기판 상 에 형성 되 는 막 에 대한 금속 오염 을 억제 하 는 기술 을 제공 한다 . 금속 에 의해 구성 된 지주 와 , 지주 에 마련 되 어 복수 의 기판 을 다단 으로 지지 하 도록 구성 된 복수 의 지지 부 를 갖 는 기판 지지 구 와 , 기판 지지 구 에 지지 된 복수 의 기판 을 수용 하 는 처리 실과 , 처리 실에 수용 된 복수 의 기판 을 가열 하 는 가열 부 를 구비 하 고 , 복수 의 지지 부 는 , 적어도 복수 의 기판 에 접촉 하 는 접촉 부가 금속 산화물 및 비금속 물 중 적어도 어느 하나 에 의해 구성 되 는 기술 이 제공 된다 .