복수 의 게이트 라인 ( GL ) 은 각각 게이트 절연 캡 핑 층 ( 128 ) 으로 덮여 있 고 , 복수 의 게이트 라인 ( GL ) 각각 의 사이 에 는 제 1 절 연막 ( 170 ) 이 개재 될 수 있 다 . 게이트 절연 캡 핑 층 ( 128 ) 은 게이트 라인 ( GL ) 의 상면 을 덮 을 수 있 고 , 게이트 라인 ( GL ) 과 평행 하 게 연장 될 수 있 다 . 게이트 절연 캡 핑 층 ( 128 ) 및 제 1 절 연막 ( 170 ) 은 스토퍼 절 연막 ( 160 ) 으로 덮일 수 있 다 . 게이트 절연 캡 핑 층 ( 128 ) 은 실리콘 질화 막 으로 이루어질 수 있 으나 , 이 에 한정 되 는 것 은 아니 다 . 제 1 절 연막 ( 170 ) 은 실리콘 산화 막 으로 이루어질 수 있 다 . 예컨대 , 제 1 절 연막 ( 170 ) 은 실리콘 산화물 , 예 를 들 면 PEOX ( plasma enhanced oxide ) , TEOS ( tetraethyl orthosilicate ) , BTEOS ( boro TEOS ) , PTEOS ( phosphorous TEOS ) , BPTEOS ( boro phospho TESO ) , BSG ( boro silicate glass ) , PSG ( phospho silicate glass ) , BPSG ( boro phospho silicate glass ) 등 으로 이루어질 수 있 다 .