패시 베이 션 층 ( 203 ) 의 도핑 과정 에서 는 불 필요 한 산화 막 이 생길 수 있 는데 , 이러 한 불 필요 한 산화 막 은 도 4 d 에 도시 되 는 바 와 같이 에칭 등 에 의해 제거 되 고 , 이 와 함께 가장 자리 를 정리 하 는 에지 아이 솔 레이 션 ( edge isolation ) 공정 이 더 수행 될 수 있 다 . 상기 산화 막 제거 방법 으로 는 불 산 용액 을 이용 한 습식 에칭 법 등 공지 의 기술 을 이용 하 여 수행 될 수 있 다 .