더미 홀 ( DH 1 ) 에 형성 되 는 더미 셀 들 ( DC ) 은 비트 라인 들 ( BL 1 , BL 3 , BL 6 , BL 8 ) 에 연결 되 지 못하 므로 , 비트 라인 들 ( BL 1 , BL 3 , BL 6 , BL 8 ) 에 전압 을 인가 하 는 방식 으로 프로그램 될 수 없 다 . 따라서 , 본 개시 에 따른 메모리 장치 는 기판 ( SUB ) 에 형성 되 는 공통 소스 라인 에 접 지 전압 을 인가 하 고 , 그라운드 선택 라인 ( GSL ) 에 패스 전압 을 인가 하 고 , 복수 의 워드 라인 들 ( WL 1 ~ WL 8 ) 에 프리 - 프로그램 전압 을 인가 함 으로써 , 더미 홀 ( DH 1 ) 에 형성 되 는 더미 셀 들 ( DC ) 을 프리 - 프로그램 할 수 있 다 . 일 실시 예 에서 , 메모리 장치 는 복수 의 워드 라인 들 ( WL 1 ~ WL 8 ) 중 적어도 일부 의 워드 라인 에 선택 적 으로 프리 - 프로그램 전압 을 인가 함 으로써 , 더미 홀 ( DH 1 ) 에 형성 되 는 더미 셀 들 ( DC ) 중 적어도 일부 의 더미 셀 을 프리 - 프로그램 할 수 도 있 다 .