질화물 층 ( 120 ) 및 산화물 층 ( 130 ) 은 도 1 b 에 나타낸 바 와 같이 , 채널 구멍 을 형성 하 기 위한 식각 공정 을 거친다 . 식각 공정 은 NF 3 , CHF , SF 6 , CF 4 및 이 들 의 혼합물 과 같 은 불소 계열 의 산화물 또는 질화물 건식 식각 화학 물질 을 포함 할 수 있 다 . 건식 식각 화학 물질 은 일부 경우 에 산소 또는 오존 을 포함 할 수 있 다 . 도 1 c 는 , 소위 채널 구멍 또는 메모리 구멍 을 형성 하 기 위한 건식 식각 공정 후 에 라이너 를 형성 하 기 위한 제 1 공정 , 플러그 충 진체 를 형성 하 기 위한 제 2 공정 , 및 제 3 연마 공정 을 거친 후 의 NAND 소자 ( 100 ) 를 나타낸다 . 그 다음 , NAND 소자 ( 100 ) 는 라이너 ( 160 ) 및 플러그 충 진체 ( 170 ) 를 포함 한다 . 라이너 ( 160 ) 는 , 예 를 들 어 실리콘 산화물 ( SiOx ) 을 포함 할 수 있 다 .