상기 버퍼 층 ( 105 ) 상의 n 형 TFT 영역 에 는 고농도 n 형 불순물 이 주입 된 소스 영역 및 드레 인 영역 ( 110 a , 110 c ) , 상기 소스 영역 및 드레 인 영역 ( 110 a , 110 c ) 사이 에 개재 되 며 불순물 이 주입 되 지 않 은 채널 영역 ( 110 b ) 및 저 농도 n 형 불순물 이 주입 된 NLDD ( lightly doped drain ) 영역 을 포함 하 는 제 1 반도체 층 ( 110 ) 이 형성 되 어 있 다 .