기판 ( 110 ) , 구동 반도체 ( 154 b ) 및 식각 저 지막 ( 147 b ) 위 에 는 식각 저 지막 ( 147 b ) 의 안쪽 경계선 과 중첩 하 는 구동 입력 전극 ( 173 b ) 및 연결부 ( 173 b 1 ) 을 포함 하 는 구동 전압선 ( 172 ) 및 식각 저 지막 ( 147 b ) 의 상부 및 하부 와 각각 중첩 하 는 제 1 및 제 2 부분 ( 175 b 1 , 175 b 2 ) 과 이 들 을 연결 하 는 연결부 ( 175 b 3 ) 를 포함 하 는 구동 출력 전극 ( 175 b ) 이 형성 되 어 있 다 .