도 8 의 단면도 ( 800 ) 에 의해 예시 된 바 와 같이 , 그 다음 , 게이트 산화물 ( 403 ) 이 메모리 영역 ( 104 m ) 에서 의 반도체 기판 ( 104 ) 의 노출 된 부분 상 에 성장 될 수 있 다 . 그 다음 , 플로팅 게이트 층 ( 602 ) 이 메모리 영역 ( 104 m ) , 경계 영역 ( 104 b ) , 및 로직 영역 ( 104 l ) 을 덮 으며 형성 될 수 있 다 . 플로팅 게이트 층 ( 602 ) 이 컨 포 멀 하 게 형성 될 수 있 고 , 도핑 된 폴리 실리콘 또는 또 다른 적합 한 전도성 재료 ( 들 ) 일 수 있 다 . 플로팅 게이트 층 ( 602 ) 은 , CVD , PVD , 스퍼터링 , 또는 또 다른 적합 한 퇴적 프로세스 ( 들 ) 에 의해 형성 될 수 있 다 .