일 실시 예 에 따르 면 , 상기 절연 층 내 에 제 1 게터 링 영역 및 제 2 게터 링 영역 이 배치 될 수 있 다 . 이 경우 에 , 상기 원소 들 은 제 1 원소 들 및 제 2 원소 들 을 포함 할 수 있 다 . 상기 제 1 게터 링 영역 은 상기 절연 층 의 제 1 원소 들 이 첨가 된 부분 이 며 , 상기 제 1 게터 링 영역 은 상기 소자 반도체 층 의 하부 면 에 접촉 되 다 . 상기 제 2 게터 링 영역 은 상기 절연 층 내 에 배치 된 충전 반도체 패턴 내 에 배치 되 고 , 상기 제 2 게터 링 영역 은 상기 충전 반도체 패턴 의 제 2 원소 들 이 첨가 된 부분 이 다 . 상기 충전 반도체 패턴 은 상기 소자 반도체 층 의 하부 면 에 접촉 된다 .