예열 단계 에 뒤이 은 스퍼터 프로세스 는 앞 에서 언급 한 Winfried Wolke 등 의 문헌 에서 설명 된 바 와 같이 실행 될 수 있 다 . 특히 , 반응 성 스퍼터 프로세스 는 , 증착 챔버 내 로 도입 되 는 질소 , 수소 , 또는 암모니아 를 함유 하 는 반응 성 가스 들 및 아르곤 플 라즈 마로 부터 생성 되 는 아르곤 이온 에 의해 스퍼터링 되 는 실리콘 타 겟 을 이용 할 수 있 다 . 플라 즈 마는 . 예 를 들 어 현재 Applied Materials 사인 Applied Films 사 의 트윈 - 마그 ( twin - mag ) 장치 와 같 은 이중 전극 장치 에 의해 발생 할 수 있 으며 , 이 장치 는 캐소드 또는 애노드 로서 교대 로 동작 하 는 2 개 의 전극 을 이용 하 며 , 이 에 따라 이 전극 들 앞 에 배치 된 타 겟 물질 이 또는 전극 물질 자체 가 이온 충돌 에 의해 교대 로 스퍼터링 된다 . AC 또는 펄스 화 전원 용 으로 사용 되 는 주파수 는 중간 ( medium ) 주파수 내지 무선 주파수 의 범위 ( kHz 내지 MHz ) 에서 선택 될 수 있 다 .