또한 절 연막 ( 405 ) 과 지지 기판 과 의 접합 에 는 수소 결합 이 크 게 기여 하 므로 , 절 연막 ( 405 ) 은 , 수소 가 포함 되 도록 형성 한다 . 절 연막 ( 405 ) 으로서 , 수소 를 함유 하 는 질화 실리콘 막 또는 질화 산화 실리콘 막 을 사용 함 으로써 , Si - H , Si - OH , N - H , N - OH 결합 을 사용 한 수소 결합 에 의해 , 유리 등 의 지지 기판 과 강고 한 접합 을 형성 하 는 것 이 가능 하 게 된다 . 수소 를 포함 하 는 절 연막 ( 405 ) 의 형성 방법 으로서 는 , 플라 즈 마 CVD 법 을 사용 하 여 , 성막 시 의 기판 온도 를 실온 이상 350 ℃ 이하 , 바람직 하 게 는 실온 이상 300 ℃ 이하 로 하 고 , 또한 수소 를 조성 으로 하 는 원료 가스 를 사용 한다 . 성막 시 의 기판 온도 를 낮 게 함 으로써 , 형성 되 는 절 연막 ( 405 ) 의 표면 의 거칠 기 를 작 게 할 수 있 다 . 이것 은 , 성막 시 의 기판 온도 가 높 아 짐 에 따라 막 의 퇴적 표면 에서 의 수소 래디컬 등 에 의한 에칭 반응 이 과다 하 게 되 어 표면 거칠 어 짐 을 일으킨다 .