본 발명 은 반도체 소자 의 소자 분리 막 형성 방법 에 관한 것 으로 , " 보다 상세 하 게 는 반도체 소자 의 소자 분리 막 형성 시 갭 필 산화 막 으로서 스핀 온 다이 일렉트릭 ( Spin On Dielectric : 이하 "" SOD "" 라 약칭 하 기 도 함 ) 산화 막 "," 제 1 고밀 도 플 라즈 마 ( High Density Plasma : 이하 "" HDP "" 라 약칭 하 기 도 함 ) 산화 막 및 제 2 고밀 도 플 라즈 마 산화 막 의 3 중 산화 막 을 사용 함 으로써 액티브 면적 을 확보 하 여 마진 ( margin ) 부족 으로 발생 하 는 페일 ( fail ) 을 개선 하 고 리 프레시 ( refresh ) 를 개선 할 수 있 는 반도체 소자 의 소자 분리 막 형성 방법 에 관한 것 이 다 . "