상기 설명 한 바 와 같이 , 본 발명 에 따른 전자 소자 용 광 산란 박막 을 포함 하 는 박막 트랜지스터 용 접합 구조 에서 는 탄화물 - 반금속 또는 탄화물 - 금속 , 즉 ( MC ) 1 - xMx ( M 은 Si , Ta , W 또는 Mo 이 고 , 0 < x < 1 ) 로 이루어지 는 상기 광 산란 박막 ( 40 ) 을 이용 하 여 보호막 ( P ) - 광산 란 박막 ( L ) - 보호막 ( P ) ( P - L - P , Protective layer - Light scattering layer - Protective layer ) 의 접합 구조 로 구성 되 는 P - L - P 접합 을 형성 한다 . 상기 P - L - P 접합 제조 공정 은 인시 츄 방식 으로 이루어지 고 모든 박막 은 연속 적 으로 성장 된다 . 이 와 같이 인시 츄 방식 으로 연속 적 으로 다층 박막 을 증착 함 으로써 공기 중 에 노출 시켰 을 때 발생 될 수 있 는 박막 오염 문제 를 피할 수 있 어 보다 재현 성 있 는 접합 구조 를 제작 할 수 있 다 .