본 발명 에 따른 절연 막 은 , 다공질 인 것 과 비 다공질 인 것 으로 나눌 수 있 다 . 다공질 인 것 은 비 유전 률 을 보다 작 게 할 수 있 는 점 에서 유리 하 지만 기계 적 강도 가 저하 하 여 구리 와 의 박리 가 발생 하 기 쉽 게 되 어 구리 의 확산 방지 성능 이 낮 아 진다고 하 는 결점 을 갖 는다 . 이것 에 대하 여 , 비 다공질 인 것 은 , 비 유전 률 도 낮 게 억제 되 고 , 기계 적 강도 , 구리 와 의 박리 방지 성 및 구리 의 확산 방지 성능 의 점 에서 유리 하 며 , 특히 본 발명 의 구리 와 의 밀착 성 향상 과 함께 저 유전 률 이 면서 신뢰 성 이 높 은 절 연막 을 갖 는 반도체 장치 를 실현 할 수 있 어서 바람직 하 다 . 이러 한 의미 에 있 어서 의 비 다공질 의 정도 는 절 연막 의 밀도 에 의해 파악 하 는 것 이 가능 하 다 . 절 연막 의 밀도 로서 는 , 1 . 0 이상 이 바람직 하 다 . 상한 에 는 특별히 제한 은 없 지만 , 실용 적 으로 는 3 이 상한 이 다 .