도 6 d 를 참조 하 면 , 리세 스 영역 ( 226 ) 내 에 정보 저 장막 ( 255 ) 과 게이트 ( 265 ) 를 형성 할 수 있 다 . 정보 저 장막 ( 255 ) 은 , 도 2 b 에 도시 된 것 처럼 , 터널 절 연막 ( 251 ) 과 트랩 절 연막 ( 252 ) 과 블록 킹 절 연막 ( 253 ) 을 포함 하 는 다 중막 구조 로 형성 할 수 있 다 . 가령 , 실리콘 산화 막 을 증착 하 여 터널 절 연막 ( 251 ) 을 형성 하 고 , 터널 절 연막 ( 251 ) 상 에 실리콘 질화 막 을 증착 하 여 트랩 절 연막 ( 252 ) 을 형성 하 고 , 트랩 절 연막 ( 252 ) 상 에 실리콘 산화 막 혹은 알루미늄 산화 막 을 증착 하 여 블록 킹 절 연막 ( 253 ) 을 형성 할 수 있 다 . 게이트 ( 265 ) 는 금속 ( 예 : W ) 혹은 폴리 실리콘 을 증착 한 후 워드 라인 컷 ( 232 ) 을 채우 는 부분 을 선택 적 으로 제거 하 여 형성 할 수 있 다 .