제 2 및 제 3 실시 형태 각각 에서 는 , 초점 보상 막 의 표면 의 토포 그래피 가 슈퍼 스트레이트 ( M 2 ) 에 의해 결정 되 므로 , 조성물 ( 3 ') 이 높 은 리플 로 우성 을 갖 는 경우 , 조성물 ( 3 ') 은 낮 은 정밀도 로 배치 될 수 있 다 . 따라서 , 조성물 ( 3 ') 은 , 스핀 코터 등 에 의해 프로세스 웨이퍼 ( 4 ) 상 에 배치 될 수 있 다 .