전술 한 구조 의 발광 장치 ( 100 ) 는 캐소드 전극 ( 26 ) 과 게이트 전극 ( 28 ) 중 어느 한 전극 에 주사 구동 전압 을 인가 하 고 , 다른 한 전극 에 데이터 구동 전압 을 인가 하 며 , 애노드 전극 ( 32 ) 에 수천 볼트 이상 의 애노드 전압 을 인가 하 여 구동 한다 . 그러면 캐소드 전극 ( 26 ) 과 게이트 전극 ( 28 ) 의 전압 차 가 임계 치 이상 인 화소 들 에서 전자 방출 부 ( 24 ) 주위 에 전계 가 형성 되 어 이 로부터 전자 들 이 방출 되 고 , 방출 된 전자 들 은 애노드 전압 에 이끌려 대응 하 는 형광 층 ( 34 ) 부위 에 충돌 함 으로써 이 를 발광 시킨다 .