비 교예 로서 , 특허 문헌 2 에 개시 되 어 있 는 공지 기술 을 이용 하 여 고체 전해 커패시터 10 개 를 제작 하 였 다 . 즉 실시 예 1 과 마찬가지 로 제 1 공정 에서 제 4 공정 까지 실시 하 여 커패시터 소자 를 형성 한 후 , 양극 전극 과 음극 도전체 의 일부 의 부분 을 제외 한 커패시터 소자 를 에폭시 수지 로 피복 하 였 다 . 여기 서 얻 어 진 고체 전해 커패시터 10 개 의 평균 적 인 전기 특성 은 , 120 ㎐ 의 용량 은 20 ㎌, 100 ㎑ 의 등가 직렬 저항 은 11 m Ω 이 였 다 . 여기 서 , 본 실시 예의 고체 전해 커패시터 의 제작 조건 , 즉 , 사용 하 는 알루미늄박 , 유전체 를 형성 하 기 위한 화성 전압 , 양극 인 출부 의 면적 및 그 주위 의 절연체 의 크기 등 , 고체 전해 커패시터 의 용량 , 등 가 직렬 저항 에 영향 을 미치 는 설계 인자 는 전술 한 실시 예 2 와 같 은 조건 으로 하 였 다 .