상기 한 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 반도체 소자 는 , 반도체 소자 의 특정 영역 에 형성 되 어 게이트 옥사이드 를 포함 하 는 트랜지스터 ; 트랜지스터 의 게이트 단자 와 연결 된 제 1 배선 층 ; 및 트랜지스터 의 게이트 단자 와 제 1 배선 층 사이 에 연결 되 고 , 트랜지스터 와 전원 전압 단 사이 에 연결 된 다이오드 를 포함 하 는 정 션 부를 포함 하 고 , 트랜지스터 는 제 1 배선 층 의 형성 단계 에서 게이트 단자 와 정 션 부 가 연결 되 도록 하 는 것 을 특징 으로 한다 .