따라서 , 종래 방법 에 따라 반도체 소자 이 콘 택 홀 을 형성 할 경우 콘 택 프로파일 이상 으로 인해 콘 택 플로 그간 단락 이 발생 하 는 문제점 이 있 었 고 , 이 에 따라 , 층간 절 연막 을 질화 막 으로 보호 하 여 안정 성 을 확보 하 는 방법 이 제안 되 고 있 으나 PECVD 공정 에 따라 모서리 부분 이 돌출 ( overhang ) 되 는 문제 가 발생 하 고 있 으며 , 형성 된 질화 막 이 콘 택 플러그 로서 매립 되 는 텅스텐 ( W ) 과 의 접착 ( adhesion ) 문제 가 발생 하 는 요인 이 되 고 있 는 실정 이 다 .