도 15 의 단면도 ( 1500 ) 에서 도시 된 바 와 같이 , 보호 층 ( 124 ) 이 제 1 FeRAM 디바이스 ( 208 a ) 와 제 2 FeRAM 디바이스 ( 208 b ) 위 에 형성 된다 . 보호 층 ( 124 ) 은 보호 층 ( 124 ) 의 윗면 ( 124 u ) 내 에 있 고 하부 전극 ( 114 ) 의 최저 면 ( 114 b ) 바로 위 에 있 는 제 5 리세 스 ( 1502 ) 를 규정 하 는 측벽 들 ( 124 s ) 과 수평 연 장면 ( 124 h ) 을 갖 는다 . 일부 실시 예 들 에서 , 보호 층 ( 124 ) 은 퇴적 기술 ( 예 를 들 어 , PVD , CVD , PE - CVD , ALD , 스퍼터링 등 ) 을 사용 하 여 형성 될 수 있 다 . 다양 한 실시 예 들 에서 , 보호 층 ( 124 ) 은 실리콘 탄화물 , TEOS ( Tetraethyl orthosilicate ) 등 중 하나 이상 을 포함 할 수 있 다 .