상기 식 ( 1 ) 의 반응 을 효율 적 으로 진행 시키 려면 , 반응 생성물 인 3 종류 의 가스 ( 3 SiF 4 , 3 CF 4 , 4 Cl 2 ) 를 효율 적 으로 제거 하 면서 , 에칭 가스 인 ClF 3 가스 를 효율 적 으로 SiC 표면 에 공급 할 필요 가 있 다 . 그래서 , 반도체 제조 장치 ( 1 ) 에서 는 , 에칭 가스 를 클리닝 실 ( 5 ) 의 내부 에 공급 할 때 에 는 , 서 셉 터 ( S ) 의 상방 으로부터 에칭 가스 가 공급 되 도록 함 과 함께 , 서 셉 터 ( S ) 를 회전 시키 면서 클리닝 하 는 것 이 바람직 하 다 . 서 셉 터 ( S ) 를 고속 으로 회전 시킬수록 , 반응 가스 가 반응 을 일으키 는 영역 ( 반응 경계층 ) 의 두께 가 얇 아 진다 . 그러면 , 생성 가스 가 제거 되 기 쉬워 지 는 한편 , 반응 가스 가 공급 되 기 쉬워 지 므로 , 식 ( 1 ) 의 에칭 반응 이 일어나 기 쉬워진다 .