그러나 , 텅스텐 을 형성 하 는 통상 적 인 방법 으로 PVD ( Physical Vapor Deposition ) 방법 을 이용 하 여 증착 할 경우 하부 에 배리 어 메탈 로 사용 된 ＷN 이 Ti 상부 에 증착 되 어 결정 성 을 갖 기 때문 에 텅스텐 의 그레인 ( Grain ) 크기 가 작 게 형성 되 어 시트 ( sheet ) 저항 값 이 증가 되 는 문제점 이 있 다 . 이러 한 , 텅스텐 의 시트 저항 값 의 증가 폭 은 게이트 선폭 이 증가 함 에 따라 급격 하 게 커지 기 때문 에 100 ㎚ 미만 의 미세 선폭 을 요구 하 는 향후 디바이스 적용 이 불 가능 한 문제점 이 있 다 .