상술 한 본 발명 에 따르 면 , 비정질 실리콘 상 에 FUSI 형성 하 므로 , 게이트 계면 까지 실리사이드 시킬 수 있 다 . 이 에 따라 보다 낮 은 Rs 의 게이트 전극 을 형성 하 는 것 이 가능 하 다 . 이러 한 실리사이드 과정 은 보다 간단 하 게 FUSI 를 형성 할 수 있 다 . 또한 , 열적 버짓 에 의한 영향 을 최소 화 할 수 있 다 .