이하 , 제작 공정 의 개략 을 설명 한다 . 도 1 a 에 도시 한 바 와 같이 , 절연 표면 을 갖 는 기판 ( 101 ) 상 에 게이트 전극 ( 102 ) , 산화 규소 혹은 산화 질화 규소 등 의 제 1 게이트 절연물 ( 103 ) 및 산화 물막 ( 104 ) 을 형성 한다 . 제 1 게이트 절연물 ( 103 ) 은 설치 하 지 않 더라도 좋 다 . 또한 , 산화 물막 ( 104 ) 은 , 본 실시 형태 에서 는 갈륨 과 아연 의 산화물 에서 , 갈륨 의 비율 Ga / ( Ga + Zn ) 은 0 . 2 이상 0 . 8 미 만 , 바람직 하 게 는 0 . 3 이상 0 . 7 미만 으로 하 면 좋 다 .