즉 , 데이터 라인 ( 130 ) 이 후술 하 는 활성 층 ( 134 ) 및 오 믹 접촉 층 ( 135 ) 으로 구성 된 반도체 패턴 을 사이 에 두 지 않 고 게이트 절 연막 ( 125 ) 상 에 직접 적 으로 형성 됨 에 따라 , 데이터 금속 층 ( 130 ) , 오 믹 접촉 층 ( 135 ) 및 활성 층 ( 134 ) 으로 순차 진행 되 는 건식 에칭 ( dry etching ) 과정 에서 활성 층 ( 134 ) 의 양측 단 에 생성 되 는 활성 리 던 던 시 ( active redundancy ) 의 발생 을 방지 할 수 있 다 .