상기 반도체 활성 층 ( 212 ) 은 다 결정 실리콘 으로 형성 될 수 있 는 데 , 반드시 이 에 한정 되 는 것 은 아니 며 , 산화물 반도체 로 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 면 G - I - Z - O 층 [ ( In 2 O 3 ) a ( Ga 2 O 3 ) b ( ZnO ) c 층 ] ( a , b , c 는 각각 a ≥ 0 , b ≥ 0 , c ＞ 0 의 조건 을 만족 시키 는 실수 ) 일 수 있 다 . 이렇게 반도체 활성 층 ( 212 ) 을 산화물 반도체 로 형성 할 경우 에 는 제 1 영역 ( 31 ) 의 회로 영역 ( 311 ) 에서 의 광 투과도 가 더욱 높 아 질 수 있 게 되 고 , 이 에 따라 디스플레이 부 ( 2 ) 전체 의 외광 투과도 를 상승 시킬 수 있 다 .