도 2 b 를 참조 하 면 , 수소 주입 층 ( 25 ) 상 에 제 1 절 연막 ( 31 ) , 전하 저 장막 ( 32 ) , 제 2 절 연막 ( 33 ) 및 도전 막 ( 34 ) 을 포함 하 는 게이트 구조물 ( 30 ) 이 형성 된다 . 제 1 절 연막 ( 31 ) 은 예컨대 , 열 산화 공정 에 의해 형성 된 실리콘 산화 막 일 수 있 다 . 전하 저 장막 ( 32 ) 은 도핑 된 폴리 실리콘 또는 금속 과 같 은 도전 물질 로 형성 되 거나 실리콘 질화 막 과 같 은 절연 물질 로 형성 될 수 있 다 . 제 2 절 연막 ( 33 ) 은 ONO 막 ( 산화 막 / 질화 막 / 산화 막 ) 으로 형성 되 거나 고유 전막 으로 형성 될 수 있 다 . 도전 막 ( 34 ) 은 도핑 된 폴리 실리콘 및 / 또는 금속 으로 형성 될 수 있 다 .