비교 로서 , 제 2 볼록 부를 제 1 볼록 부 와 동일 하 게 상대 적 으로 깊 은 위치 에서 높 게 마련 하 고 요철 을 건식 식각 에 의해 형성 한 것 ( 이하 , 비 교예 1 이 라고 한다 ) 을 , 일례 로서 RIE ( Reactive Ion Etching 반응 성 이온 식각 ) 로 제조 했 다 . 도 12 에 도시 한 것 처럼 비 교예 1 을 나타내 는 종래 의 반도체 발광 소자 ( 200 ) 는 , 주로 기판 ( 210 ) 과 메탈 라이즈 층 ( 220 ) 과 , p 측 전극 ( 230 ) 과 , 반도체 적층 체 ( 240 ) 와 , n 측 전극 ( 250 ) 과 , 보호막 ( 260 ) 과 , 이면 메탈 라이즈 층 ( 270 ) 으로 이루어진다 . 반도체 적층 체 ( 240 ) 는 기판 ( 210 ) 에 실장 되 는 쪽 면 과 는 반대쪽 의 광취 출면 쪽 에서 n 형 반도체 층 ( 241 ) , 발광 층 ( 242 ) 및 p 형 반도체 층 ( 243 ) 의 순서 대로 적층 되 어 구성 되 어 있 다 . 또 n 형 반도체 층 ( 241 ) 의 표면 에 는 전극 비 형성 영역 에 요철 ( 280 ) 이 규칙 적 으로 형성 되 어 있 다 . n 측 전극 ( 250 ) 은 , n 형 반도체 층 ( 241 ) 의 표면 인 광취 출면 에서 요철 ( 280 ) 이외 의 부분 위 에 설치 되 어 있 다 . 아울러 도 12 에서 는 요철 ( 280 ) 의 일례 를 모식 적 으로 도시 하고 있 으며 , 반도체 발광 소자 ( 200 ) 는 요철 ( 280 ) 에서 서로 인접 한 오 목부 사이 에 평탄 한 면 ( 상면 ) 을 갖 거나 , 또는 서로 인접 한 볼록 부 사이 에 평탄 한 면 ( 저면 ) 중 적어도 하나 를 갖 는다 .