한편 , 상기 발광 칩 ( 240 ) 은 p - n 접합 구조 를 가지 는 화합물 반도체 적층 구조 로서 소수 캐리어 ( 전자 또는 정공 ) 들 의 재결합 에 의하 여 발광 되 는 현상 을 이용 한다 . 상기 발광 칩 ( 240 ) 은 제 1 및 제 2 반도체 층 ( 미 도시 ) 과 상기 제 1 및 제 2 반도체 층 사이 에 형성 된 활성 층 ( 미 도시 ) 을 포함 할 수 있 다 . 본 실시 예 에서 는 상기 제 1 반도체 층 을 P 형 반도체 층 으로 하 고 , 제 2 반도체 층 을 N 형 반도체 층 으로 한다 . 또한 , 상기 발광 칩 ( 240 ) 의 상부 일 측 즉 , P 형 반도체 층 의 일면 에 는 P 형 전극 ( 미 도시 ) 이 형성 되 고 , 발광 칩 ( 240 ) 의 상부 타 측 즉 , N 형 반도체 층 의 일면 에 는 N 형 전극 ( 미 도시 ) 이 형성 된다 . 이때 , 상기 N 형 전극 과 P 형 전극 은 제 1 및 제 2 리드 패턴 ( 140 a , 140 b ) 을 포함 하 는 리드 패턴 ( 140 ) 에 접속 되 며 , 상기 N 형 전극 은 제 1 리드 패턴 ( 140 a ) 에 접하 고 , 상기 P 형 전극 은 배선 ( 280 ) 에 의해 제 2 리드 패턴 ( 140 b ) 에 전 기적 으로 연결 될 수 있 다 . 하지만 이 에 한정 되 는 것 은 아니 며 , 본 발명 에 따른 발광 칩 ( 240 ) 은 상기 와 같 은 수평 형 발광 칩 ( 240 ) 외 에 수직 형 발광 칩 을 사용 할 수 있 으며 , 가시 광 또는 자외선 등 을 발광 하 는 다양 한 종류 의 발광 칩 을 사용 할 수 있 다 . 물론 , 이 와 같 은 발광 칩 을 특정 파장 의 광 으로 변환 하 기 위한 형광체 를 사용 할 수 도 있 다 . 한편 , 본 실시 예 에서 는 상기 발광 칩 ( 240 ) 이 제 1 리드 패턴 ( 140 ) 상 에 실장 된 것 을 예 로 하 여 설명 하 였으나 , 이 에 한정 되 는 것 은 아니 며 , 상기 발광 칩 ( 240 ) 은 제 2 리드 패턴 ( 140 ) 상 에 실장 될 수 도 있 다 . 물론 , 상기 발광 칩 ( 240 ) 은 베이스 판 ( 110 ) 상 에 실장 되 고 상기 발광 칩 ( 240 ) 과 제 1 및 제 2 리드 패턴 을 두 개 의 배선 으로 연결 할 수 도 있 다 .