잘 알려진 바 와 같이 , 현재 게이트 패턴 형성 후 게이트 재산 화 ( Re - oxidation ) 를 실시 하 는 공정 이 적용 되 고 있 다 . 게이트 재산 화 는 게이트 패턴 형성 시 식각 에 의해 산화 막 질 의 게이트 절 연막 에 발생 하 는 손상 회복 , 반도체 기판 상 에 잔류 하 는 잔류물 제거 및 게이트 패턴 에지 ( Edge ) 부분 의 게이트 절 연막 두께 를 증가 시킴 으로써 소자 의 신뢰 성 을 향상 시킬 수 있 다 .