다음 에 도 11 d 의 공정 에서 상기 TiN 막 ( 70 ) 위 에 TiAlN 막 ( 71 ) 을 산소 확산 배리어 로서 형성 하 고 , 또한 도 11 e 의 공정 에서 상기 TiAlN 막 ( 71 ) 위 에 Al 2 O 3 막 ( 72 ) 으로 이루어진 Pb 확산 배리 어막 이 1 nm 이상 , 5 nm 이하 의 막 두께 로 스퍼터 법 에 의해 , 또는 그 아래 의 TiAlN 막 ( 71 ) 의 산화 에 의해 형성 된다 .