도 3 에 나타나 있 지 않 으나 , 상기 발광 층 상부 에 진공 증착 법 , 스핀코팅 법 , 캐스트 법 , LB 법 등 과 같 은 다양 한 방법 을 이용 하 여 정공 억제 층 ( HBL ) 을 선택 적 으로 형성 할 수 있 다 . 진공 증착 법 및 스핀 팅 법 에 의하 여 정공 억제 층 을 형성 하 는 경우 , 그 증착 조건 및 코팅 조건 은 사용 하 는 화합물 에 따라 다르 지만 , 일반 적 으로 정공 주입 층 의 형성 과 거의 동일 한 조건 범위 중 에서 선택 된다 . 이 때 사용 하 는 정공 억제 층 용 물질 은 특별히 제한 되 지 는 않 으나 전자 수송 능력 을 가지 면서 발광 화합물 보다 높 은 이온 화 퍼텐셜 을 가져야 하 며 대표 적 으로 bis ( 2 - methyl - 8 - quinolato ) -( p - phenylphenolato ) - aluminum ( Balq ) , bathocuproine ( BCP ) , tris ( N - arylbenzimidazole ) ( TPBI ) 등 이 사용 된다 .