켜 쌓 기 성장 법 은 초고진공 환경 에서 실리콘 카바이드 기판 의 온도 를 단계 적 으로 일정 시간 동안 증가 시키 면서 진행 된다 . 기판 자체 의 깨끗 한 표면 을 얻 기 위해 1 . 0 x 10 - 9 Torr 의 진공 압 을 넘 지 않 는 수준 에서 약 800 ℃ 까지 증가 시켜서 반나절 혹은 기본 베이스 의 초고진공 환경 으로 회복 될 때 까지 유지 한다 . 이 때 부터 약 50 ℃ ~ 100 ℃ 씩 단계 적 으로 온도 를 상승 시켜 가 면서 표면 구조 의 변화 를 저 에너지 전자 회절 ( Low Energy Electron Diffraction , LEED ) 장치 를 이용 하 여 확인 한다 . 기판 을 100 ℃ 이상 의 온도 로 한꺼번에 올릴 경우 에 는 온도 변화 에 따른 표면 의 원자 구조 를 단계 적 으로 확인 할 수 없 으며 , 결국 결정 화 된 양질 의 그래핀 을 얻 을 수 없 다 . 특히 실리콘 원자 의 탈착 이 일어나 는 1000 ℃ 이상 부터 는 기판 의 온도 에 따라 미세 하 게 그래핀 의 층 수 가 결정 되 기 때문 에 약 50 ℃ ~ 100 ℃ 씩 의 단계 적 인 온도 상승 이 필요 하 다 .