도시 된 바 와 같이 , 제 4 실시 예 에 따른 상변화 기억 소자 는 제 1 실시 예의 그것 과 비교 해서 절 연막 ( 518 ) 이 상변화 막 ( 522 ) 과 상부 전극 ( 524 ) 의 형성 시 식각 정지 막 으 로서 의 역할 을 하 지 않 고 함께 식각 되 어 하드 마스크 ( 514 ) 상 에 배치 되 도록 형성 되 며 , 또한 , 상기 하드 마스크 ( 514 ) 과 하부 전극 ( 520 ) 사이 에 절연 막 스 페이서 ( 519 ) 가 형성 된다 . 상기 절연 막 스 페이서 ( 519 ) 는 산화 막 또는 질화 막 으로 이루어지 며 , 하부 전극 ( 520 ) 과 상변화 막 ( 522 ) 간 의 접촉 면적 을 감소 시키 기 위해 형성 된다 .