일 실시 예 에서 , 코어 ( 510 ) 는 n - 형 MuGFET 전원 스위치 ( 530 ) 에 의해 VSS ( 525 ) 와 같 은 공급 전압 에 선택 적 으로 결합 된다 . 코어 ( 510 ) 는 또한 VDD ( 535 ) 와 같 은 제 2 공급 전압 에 결합 된다 . 주변 액세스 회로 ( 515 ) 는 p - 형 MuGFET 전원 스위치 ( 550 ) 를 통해 VDD ( 545 ) 에 결합 되 며 , 또한 VSS ( 540 ) 에 결합 된다 . 전원 스위치 들 을 가로질러 발생 되 는 △ V 의 전압 강 하 는 일부 실시 예 에서 코어 ( 510 ) 및 주변 액세스 회로 ( 515 ) 에 제공 되 는 가상 전압 공급 레벨 을 발생 시킨다 . 주변 액세스 회로 를 VDD 로부터 절연 시키 기 위해 p - 형 MuGFET 전원 스위치 ( 550 ) 를 사용 하 면 , 워드 선 ( 520 ) 이 VSS 쪽 으로 부유 된다 . n - 형 MuGFET 전원 스위치 ( 530 ) 가 활성 상태 인 한 , 즉 , n - 형 MuGFET 전원 스위치 ( 530 ) 가 VSSV 를 VSS 에 결합 시키 는 한 , 워드 선 ( 520 ) 은 VSS 로 부유 되 며 또 한 워드 선 ( 520 ) 은 어레이 ( 510 ) 내 의 메모리 셀 들 이 메모리 셀 내 의 n - 형 액세스 디바이스 들 을 오프 상태 로 전환 시키 는 안정 한 워드 선 전압 에 의해 비트 선 으로부터 절연 되 는 것 을 보장 하 기 때문 에 , 메모리 내용 이 보존 된다 . n - 형 MuGFET 전원 스위치 ( 530 ) 가 오프 상태 일 때 , 셀 의 메모리 내용 은 셀 이 VDD 쪽 으로 부유 됨 에 따라 상실 된다 . 이러 한 전원 스위치 의 세분 성 레벨 은 개별 논리 소자 장치 들 보다 는 덜 세분 화 된 것 이 기 때문 에 , 중간 정도 의 세분 성 으로 간주 될 수 있 다 .