통상 적 인 화학 기상 증착 프로세스 에서 , 각 웨이퍼 의 최 상부 표면 이 웨이퍼 캐리어 의 최 상부 표면 에 노출 되 도록 , 보통 웨이퍼 캐리어 로 지칭 되 는 디바이스 상 에 많 은 웨이퍼 들 이 유지 된다 . 웨이퍼 캐리어 는 , 그 후 , 반응 챔버 에 위치 되 고 , 기체 혼합물 이 웨이퍼 캐리어 의 표면 위 로 흐르 는 동안 원 하 는 온도 로 유지 된다 . 그 프로세스 동안 웨이퍼 캐리어 상 에 다양 한 웨이퍼 들 의 최 상부 표면 들 상 의 모든 점 들 에서 균일 한 조건 들 을 유지 하 는 것 이 중요 하 다 . 반응 성 기체 들 의 조성 및 웨이퍼 표면 들 의 온도 에 있 어서 의 사소 한 변화 들 은 최종 반도체 디바이스 의 특성 들 에 원치 않 는 변화 들 을 야기 한다 . 예 를 들 어 , 갈륨 및 인듐 나이트 라이드 층 이 증착 되 면 , 웨이퍼 표면 온도 에 있 어서 의 변화 들 은 그 증착 된 층 의 조성 및 밴드 갭 에 있 어서 변화 들 을 야기 할 것 이 다 . 인듐 이 상대 적 으로 높 은 기상 압력 을 가지 기 때문 에 , 그 증착 된 층 은 , 그 표면 온도 가 더 높 은 경우 , 웨이퍼 의 그 영역 들 내 에 더 큰 밴드 갭 과 더 낮 은 비율 의 인듐 을 가질 것 이 다 . 그 증착 된 층 이 LED 구조 의 활성 의 발광 층 이 라면 , 그 웨이퍼 로부터 형성 된 LED 들 의 발광 파장 은 또한 다양 할 것 이 다 . 따라서 , 지금 까지 는 본 기술 분야 에서 균일 한 조건 들 을 유지 하 는 데 상당 한 노력 들 이 기울여 져 왔 다 .