위 와 같 은 플 라즈 마 질화 공정 시 동시 에 척 ( 100 ) 에 양극 전압 ( positive bias ) 을 가해 주 면 질소 ( N ) 에 반발 력 ( repulsive force ) 을 형성 시켜 질소 ( N ) 의 에너지 를 감소 시키 게 된다 . 이때 , 양극 전압 은 전자 ( e ) 가 리 세스 게이트 패턴 ( 102 ) 하부 에 손상 을 가하 거나 질소 ( N ) 가 리 세스 게이트 패턴 ( 102 ) 하부 의 게이트 산화 막 ( 103 ) 을 질화 시키 는 것 을 방해 하 지 않 는 범위 내 에서 가해 주 어야 한다 . 한편 , 척 ( 100 ) 이 구비 되 지 않 은 경우 에 는 실리콘 기판 ( 101 ) 에 양극 전압 을 걸 어 줄 수 도 있 다 .