[ 0022 ] 종래 의 기술 들 은 헹굼 유체 를 챔버 의 측면 으로부터 기판 의 중심 을 향해 토출 하 는 노즐 로부터 욕 바로 위 의 기판 을 헹굴 수 있 다 . 헹굼 동안 에 , 기판 은 기판 을 가로질러 물 을 흡인 ( draw ) 하 고 챔버 의 외부 에 위치 된 캐치 ( catch ) 내 로 물 을 슬링 할 수 있 는 정도 의 속도 로 회전 될 수 있 다 . 전달 동안 , 물 이 전해 욕 내 로 떨어질 수 있 으며 , 이 는 용액 을 위 로 웨이퍼 상 으로 튀길 수 있 다 . 이것 은 기판 의 오염 을 유발 할 수 있 거나 , 상이 한 용액 을 갖 는 후속 욕 에 전해질 을 가져갈 수 있 어서 제 2 욕 을 오염 시킬 수 있 다 . 추가 적 으로 , 도금 챔버 들 은 다수 의 기판 크기 들 을 수용 할 수 있 고 , 그 에 따라 예 를 들 어 200 ㎜ 의 반도체 웨이퍼 및 300 ㎜ 의 반도체 웨이퍼 가 동일 한 챔버 에서 프로세싱 될 수 있 다 . 슬링 동작 동안 , 보다 작 은 직경 의 200 ㎜ 웨이퍼 는 헹굼 유체 를 캐치 내 로 완전히 전달 하 지 못할 수 있 고 , 이 는 헹굼 유체 가 전해 욕 내 로 전달 되 게 할 수 있 다 . 이것 은 욕 의 보다 상당 한 희석 을 유발 할 수 있 으며 , 이 는 수행 될 수 있 는 헹굼 의 양 을 제한 할 수 있 다 . 추가 적 으로 , 욕 으로부터 인출 될 때 , 잔 류량 의 욕 유체 가 기판 상 에 유지 될 수 있 으며 , 이 는 헹굼 동작 에서 손실 되 고 특정 간격 들 로 교체 를 요구 할 수 있 다 .