3 - D NAND 장치 를 형성 하 는 방법 은 , 예 를 들 어 ALD 반응 챔버 , 화학 기상 증착 ( CVD ) 챔버 , 에피 택 셜 반응 챔버 , 배 치식 반응 챔버 , 미니 배 치식 반응 챔버 , 또는 단일 웨이퍼 반응 챔버 에서 일어날 수 있 다 . 적절 한 반응 챔버 는 , 이 들 공정 의 전부 또는 대부분 을 인 시 츄 공정 으로 일어나 도록 할 수 있 다 .