메모리 셀 의 수직 방향 의 높이 를 효과 적 으로 줄이 는 동시 에 , 메모리 셀 이 가지 는 메모리 특성 , 예 를 들 어 , 누설 전류 에 의해 저장 된 데이터 를 장시간 온전 하 게 유지 하 는 특성 인 리 텐션 ( retention ) 특성 을 유지 하 기 위하 여 , 전하 를 저장 하 는 수단 으로서 , 플로팅 게이트 가 아닌 실리콘 질화 막 ( Si 3 N 4 ) 을 사용 하 여 구성 된 SONOS ( Silicon - Oxide - Nitride - Oxide - Semiconductor ) 나 MONOS ( Metal - Oxide - Nitride - Oxide - Semiconductor ) 메모리 소자 로 대표 되 는 MOIOS ( metal - oxide - insulator - oxide - semiconductor ) 구조 를 갖 는 반도체 메모리 장치 가 제안 되 었 고 , 이 에 대한 활발 한 연구 가 진행 되 고 있 다 . 여기 서 , SONOS 는 컨트롤 게이트 물질 로 실리콘 을 사용 하 고 , MONOS 는 컨트롤 게이트 물질 로 금속 을 사용 한다는 점 에서 차이 가 있 다 .