다층 커패시터 ( C 1 ) 에서 , 제 2 전극 층 ( E 2 ) 의 부분 ( E 21 ) 에서 의 갭 들 ( 13 ) 의 존재 비율 은 제 2 전극 층 ( E 2 ) 의 부분 ( E 22 ) 에서 의 갭 들 ( 13 ) 의 존재 비율 보다 크 다 . 따라서 , 제 2 전극 층 ( E 2 ) 에서 수분 으로부터 생성 된 기체 는 단부 에지 ( PL 1 e ) 와 요소 바디 ( 3 ) 사이 의 틈새 ( 17 ) 를 통해 외부 전극 ( 5 ) 의 밖 으로 이동 하 는 경향 이 있 다 . 기체 는 단부 에지 ( PL 2 e ) 와 요소 바디 ( 3 ) 사이 의 틈새 ( 19 ) 로부터 이동 하 지 않 는 경향 이 있 다 . 다층 커패시터 ( C 1 ) 에서 , 기체 는 주로 틈새 ( 17 ) 를 통해 외부 전극 ( 5 ) 의 밖 으로 이동 한다 . 결과 적 으로 , 다층 커패시터 ( C 1 ) 는 기체 가 나가 는 위치 를 신뢰 성 있 게 제어 한다 .