탄소 나노 튜브 ( 30 ) 가 생성 된 합성 기판 ( 10 ) 들 은 일정 온도 이하 로 떨어질 때 까지 카세트 ( 420 ) 의 제 2 지지 부 ( 422 b ) 들 에서 대기 하 게 된다 . 합성 기판 ( 10 ) 들 이 대 기 하 는 카세트 ( 420 ) 는 스테이션 부 ( 200 ) 내부 에 위치 된다 . 스테이션 부 ( 200 ) 의 내부 는 불활성 가스 로 채워져 있 기 때문 에 , 카세트 ( 420 ) 에서 대기 중 인 합성 기판 ( 10 ) 들 은 외부 의 공기 ( 특히 산소 ) 와 접촉 되 지 않 는다 . 예컨대 , 반응 챔버 ( 100 ) 에서 공정 을 마친 합성 기판 ( 10 ) 이 일정 온도 이하 로 떨어진 상태 에서 는 상관없 지만 , 합성 기판 ( 10 ) 이 고 온 상태 에서 상온 의 대기 중 에 노출 되 면 , 합성 기판 ( 10 ) 표면 에 생성 된 탄소 나노 튜브 ( 30 ) 가 대기 중 의 산소 와 반응 하 면서 변형 을 일으키 게 된다 . 본 발명 에서 는 이러 한 문제 를 예방 하 기 위해 반응 챔버 ( 100 ) 에서 언 로딩 된 합성 기판 ( 10 ) 들 이 산소 와 의 접촉 되 지 않 도록 상술 한 바 와 같이 불활성 가스 로 채워진 스테이션 부 ( 200 ) 를 제공 하 였 다 .