도 7 a 를 참조 하 면 , 픽셀 전극 들 ( 231 ~ 233 ) , 제 1 몸체 부들 ( 241 A ~ 241 D ) 을 포함 하 는 패턴 된 층 , 제 2 몸체 부들 ( 242 A ~ 242 D ) 을 포함 하 는 차광 층 , 전자 발광 층 들 ( 251 ~ 253 ) , 공통 전극 ( 260 ) , 제 1 절연 층 ( 271 ) 이 박막 트랜지스터 기판 ( TFTSB ) 위 에 형성 된다 . 제 1 몸체 부들 ( 241 A ~ 241 D ) 및 제 2 몸체 부들 ( 242 A ~ 242 D ) 과 중첩 하 는 영역 들 에서 제 3 몸체 부들 ( 391 ~ 394 ) 을 포함 하 는 장벽층 이 형성 될 수 있 다 .