고순 도 용융 석영 성분 은 또한 반도체 웨이퍼 의 제조 에서 사용 되 고 , 다시 특정 용도 에서 , 이 들 내화성 입자 는 수율 손실 의 가능 한 원인 일 수 있 다 . 그러므로 용융 석영 성분 은 플루오린 - 함유 가스 를 포함 하 는 플 라즈 마 - 에칭 공정 에서 웨이퍼 의 표면 의 에칭 동안 웨이퍼 를 지지 하 는 데 사용 되 며 , 그러 는 동안 석영 성분 의 일부 에칭 이 또한 일어날 수 있 다 . 이것 은 이러 한 에칭 의 생성물 이 가스 , 즉 사 플루오린화 규소 , SiF 4 이 기 때문 에 허용 될 수 있 을 것 이 다 . 그러나 , 만약 내화성 마이크 로 입자 가 이 공정 에서 노출 된다면 , 웨이퍼 를 오염 시켜 허용 할 수 없 는 수율 손실 을 초래 할 수 있 는 먼지 가 발생 할 수 있 다 . 나아가 이 들 내화성 미네랄 입자 의 일부 는 토륨 및 우라늄 을 함유 하 고 있 으며 , 이러 한 방사성 종 의 존재 는 특히 반도체 제조 공정 에서 특히 바람직 하 지 못하 다는 점 에 주목 할 필요 가 있 다 .