계속 해서 , 반구형 그레인 ( 208 C ) 을 갖 는 제 1 전극 ( 209 A ) 상 에 유전 막 ( 210 ) 과 상부 전극 ( 211 ) 을 형성 한다 . 유전 막 ( 210 ) 은 실리콘 질화 막 ( Si 3 N 4 ) , 하프늄 산화 막 ( HfO 2 ) , 탄탈 늄 산화 막 ( Ta 2 O 5 ) 또는 지르코늄 산화 막 ( ZrO 2 ) 으로 이루어진 그룹 중 에서 선택 된 적어도 어느 하나 일 수 있 는데 , 예 를 들 면 , 하프늄 산화 막 과 지르코늄 산화 막 이 순차 적 으로 적층 된 구조 일 수 있 다 . 그리고 , 다른 유전 막 도 적용 이 가능 하 다 .