도 3 을 참조 하 면 , 기판 ( 100 ) 상 에 소스 전극 및 드레 인 전극 ( 210 ) 이 구비 되 어 있 고 , 이 소스 전극 및 드레 인 전극 ( 210 ) 에 접하 도록 유기 반도체 층 ( 230 ) 이 구비 되 어 있 다 . 그리고 이 유기 반도체 층 ( 230 ) 의 상부 에 게이트 전극 ( 250 ) 이 구비 되 어 있 는데 , 유기 반도체 층 ( 230 ) 과 게이트 전극 ( 250 ) 사이 에 는 게이트 절 연막 ( 270 ) 이 구비 되 어 소스 전극 및 드레 인 전극 ( 210 ) 과 유기 반도체 층 ( 230 ) 으로부터 게이트 전극 ( 250 ) 을 절연 시킨다 . 이때 , 기판 ( 100 ) 상 에 는 소스 전극 과 드레 인 전극 ( 210 ) 의 상호 대향 된 부분 을 노출 시키 는 개구부 ( 290 a ) 를 갖 는 절 연막 ( 290 ) 이 구비 되 어 , 이 절 연막 ( 290 ) 의 개구부 ( 290 a ) 내 에 유기 반도체 층 ( 230 ) , 게이트 절 연막 ( 270 ) 및 게이트 전극 ( 250 ) 이 구비 된다 . 절 연막 ( 290 ) 은 제 1 절 연막 ( 291 ) 과 제 2 절 연막 ( 292 ) 를 구비 한다 .