즉 , 저항성 메모리 셀 ( 220 ) 이 SET 상태 일 때 , 센싱 노드 ( NS ) 는 VSSET ( a ) 와 같 은 그래프 형태 를 가질 수 있 다 . 문턱 전압 시점 ( tr ) 에 로컬 워드 라인 노드 ( NW ) 에 의해 마진 보상 PMOS 트랜지스터 ( MCPTn ) 가 턴 오프 되 지 않 는다면 , 센싱 노드 ( NS ) 는 제 1 마진 보상 전압 ( VCM ( a ) ) 을 유지 하 여 VSRST ( a ) 의 그래프 형태 를 가질 수 있 다 .