상기 의 과제 를 해결 하 기 위하 여 , 본 발명 에 따른 반도체 적층 구조 는 질화물 반도체 와 이종인 단결정 기판 ; 상기 기판 과 의 사이 에 빈 공간 ( cavity ) 이 정의 되 도록 상기 기판 과 접촉 하 는 다리 부 및 상기 다 리부 로부터 연장 되 어 상기 기판 과 평행 한 상면 부를 포함 하 고 상기 기판 과 같 은 결정 구조 로 적어도 일부 결정 화 된 무기물 박막 ; 및 상기 빈 공간 위 의 상기 결정 화 된 무기물 박막 상 에서부터 성장 된 질화물 반도체 층 을 포함 한다 .