한편 , 종래 기술 에서 는 비정질 탄소 층 등 많 은 하드 마스크 재료 가 존재 함 에 도 불구 하 고 , 개선 된 하드 마스크 조성물 에 대한 요구 가 지속 되 고 있 다 . 　 그러 한 많 은 종래 기술 상 재료 는 기판 에 도포 하 기 어려우므로 , 예 를 들 면 화학 적 또는 물리 적 증착 , 특수 용매 , 및 / 또는 고온 소성 의 이용 이 필요 할 수 있 다 . 또한 증착 에 의한 하드 마스크 재료 의 형성 시 파티클 의 오염 을 제어 하 기 가 어려운 점 이 있 다 . 　 고 온 소성 에 대한 필요 성 없이 도 스핀 - 코팅 기법 에 의해 도포 될 수 있 는 하드 마스크 조성물 에 대한 요구 가 지속 되 고 있 다 . 　　 따라서 , 신규 한 hardmask 조성물 은 적당 한 저장 수명 을 제공 하 고 , 스핀 - 코팅 기법 에 의해 도포 될 수 　 있 으며 , 이미지 화 레지스 트 층 과 의 저해 한 상호 작용 ( 예 를 들 어 , 하드 마스크 로부터 산 오염 에 의한 것 ) 을 피하 는 것 이 　 바람직 하 다 . 추가 로 , 보다 짧 은 파장 ( 예 , 157 , 193 , 248 nm ) 의 이미지 방사선 에 대한 소정 의 광학 특성 을 지닌 하드 마스크 조성물 을 갖 는 것 이 바람직 하 다 .