예 를 들 어 , 상기 포토다이오드 패턴 ( 145 ) 및 소자 분리 트랜 치 ( 147 ) 는 플 라즈 마 식각 공정 에 의하 여 형성 될 수 있 다 . 상기 포토다이오드 ( 140 ) 가 플 라즈 마 식각 공정 에 의하 여 패 터닝 되 므로 플 라즈 마 데미지 로 인하 여 식각 된 포토다이오드 ( 140 ) 표면 에 예상 치 못한 전자 들 이 발생 할 수 있 다 . 즉 , 상기 포토다이오드 ( 140 ) 는 결정 형 반도체 기판 ( 20 ) 에 형성 된 것 으로 결정 형 반도체 기판 ( 20 ) 이 식각 되 면 댕 글 링 본드 와 같 은 격자 결함 이 발생 하 여 다크 커런트 를 유발 시키 고 저조 도 특성 을 열화 시킬 수 있 다 .