한편 , 게이트 하드 마스크 ( 126 ) 의 산화 막 ( 118 ) 이 형성 되 지 않 은 영역 에 는 소자 분리 막 ( 108 ) 지역 까지 의 모든 폴리 실리콘 막 이 완전히 제거 되 어 플로팅 게이트 ( 104 a ) 간 폴리 잔류물 에 기인 한 마이크 로 브릿지 ( micro bridge ) 를 개선 할 수 있 고 , 이 를 통해 인접 한 셀 간 의 2 비트 페일 ( 2 bit fail ) 을 개선 하 여 제품 수율 을 향상 시킬 수 있 다 .