본 발명 에 따른 반도체 적층 구조 는 기판 ( 10 ) 과 질화물 반도체 층 ( 50 ) 이 이러 한 계면 층 을 사이 에 두 고 연결 되 어 있 게 된다 . 이러 한 계면 층 은 빈 공간 ( C ) 과 선택 적 인 보이드 ( V ) 로 인해 기판 ( 10 ) 과 질화물 반도체 층 ( 50 ) 사이 가 어느 정도 물리 적 으로 분리 되 어 있 는 것 이 므로 응력 발생 은 더욱 억제 된 상태 이 고 , 질화물 반도체 층 ( 50 ) 성장 후 본 발명 에 따른 분리 방법 및 장치 에 의해 도 1 의 ( f ) 와 같이 질화물 반도체 층 ( 50 ) 과 기판 ( 10 ) 사이 를 분리 시킬 수 있 다 .