또 다른 양태 에서 , 반도체 기판 을 프로세싱 하 는 방법 에 있 어서 , SnO 2 더미 게이트 의 증착 을 수반 하 는 방법 이 제공 된다 . 방법 은 : ( a ) 반도체 기판 상 에 SnO 2 더미 게이트 를 형성 하 는 단계 ; ( b ) SnO 2 더미 게이트 의 존재 시 반도체 기판 을 프로세싱 하 는 단계 ; ( c ) 더미 게이트 대신 리세 스 된 피처 를 형성 하 도록 H 2 를 포함 하 는 프로세스 가스 로 형성 된 플 라즈 마로 SnO 2 더미 게이트 를 에칭 하 는 단계 ; 및 ( d ) 더미 게이트 대신 게이트 를 형성 하 도록 형성 된 리세 스 된 피처 내 로 하이 - k 유전체 재료 를 증착 하 는 단계 를 포함 한다 . 또 다른 양태 에서 , 반도체 기판 을 프로세싱 하 는 시스템 에 있 어서 , 시스템 은 , 하나 이상 의 증착 프로세스 챔버 들 ; 하나 이상 의 에칭 프로세스 챔버 들 ; 및 제어기 로서 : ( i ) 반도체 기판 상 에 SnO 2 더미 게이트 를 형성 하 는 단계 ; ( ii ) SnO 2 더미 게이트 의 존재 시 반도체 기판 을 프로세싱 하 는 단계 ; ( iii ) 더미 게이트 대신 리세 스 된 피처 를 형성 하 도록 H 2 를 포함 하 는 프로세스 가스 로 형성 된 플 라즈 마로 SnO 2 더미 게이트 를 에칭 하 는 단계 ; 및 ( iv ) 더미 게이트 대신 게이트 를 형성 하 도록 형성 된 리세 스 된 피처 내 로 하이 - k 유전체 재료 를 증착 하 는 단계 를 유발 하 는 프로그램 인스트 럭 션 들 을 포함 하 는 , 제어기 를 포함 하 는 시스템 이 제공 된다 . 또 다른 양태 에서 , 시스템 을 제어 하 기 위한 프로그램 인스트 럭 션 들 을 포함 하 는 비 일시 적 인 컴퓨터 판독 가능 매체 가 제공 되 고 , 프로그램 인스트 럭 션 들 은 : ( i ) 반도체 기판 상 에 SnO 2 더미 게이트 를 형성 하 는 단계 ; ( ii ) SnO 2 더미 게이트 의 존재 시 반도체 기판 을 프로세싱 하 는 단계 ; ( iii ) 더미 게이트 대신 리세 스 된 피처 를 형성 하 도록 H 2 를 포함 하 는 프로세스 가스 로 형성 된 플 라즈 마로 SnO 2 더미 게이트 를 에칭 하 는 단계 ; 및 ( iv ) 더미 게이트 대신 게이트 를 형성 하 도록 형성 된 리세 스 된 피처 내 로 하이 - k 유전체 재료 를 증착 하 는 단계 를 유발 하 는 코드 를 포함 한다 .