본 실시 예의 배선 기판 에 따르 면 , 언더 필 수지 공급 영역 ( B ) 에 대응 하 는 솔 더 레지스 트 ( 35 ) 의 부분 의 측벽 과 , 댐 ( 37 ) 의 내벽 사이 의 거리 ( D 1 , D 2 ) ( 제 1 거리 ) 는 언더 필 수지 공급 영역 ( B ) 에 대응 하 지 않 는 솔 더 레지스 트 ( 35 ) 의 부분 의 측벽 과 , 댐 ( 37 ) 의 내벽 사이 의 거리 ( D 5 , D 8 ) ( 제 2 거리 ) 보다 크 게 세팅 된다 ( 솔 더 레지스 트 ( 35 ) 의 개구부 ( 43 ) 의 내벽 과 , 댐 ( 37 ) 의 내벽 사이 의 거리 가 부분 적 으로 다름 ) . 따라서 , 배선 기판 ( 11 ) 에 플립 칩 접속 되 는 반도체 소자 ( 12 ) 와 , 배선 기판 ( 11 ) 사이 의 간극 에 언더 필 수지 ( 13 ) 를 형성 할 때 , 반도체 소자 ( 12 ) 와 배선 기판 ( 11 ) 사이 의 간극 으로 언더 필 수지 ( 13 ) 가 향하 도록 , 댐 ( 37 ) 의 내벽 에 의해 언더 필 수지 ( 13 ) 의 유동 방향 을 제어 할 수 있 다 . 그 결과 , 개구부 ( 43 ) 로부터 노출 된 배선 패턴 ( 33 ) 의 부분 을 언더 필 수지 ( 13 ) 로 양호 한 정밀도 에 의해 덮 을 수 있 어서 , 반도체 소자 ( 12 ) 가 플립 칩 접속 되 는 배선 패턴 ( 33 ) 의 신뢰 성 을 향상 시킬 수 있 다 .