도 2 e 에 도시 된 바 와 같이 , 퍼니스 ( Furnace ) 에서 산화 공정 을 진행 하 여 I / O PMOS 영역 의 노출 된 반도체 기판 ( 21 ) 상 에 순수 산화 막 ( Pure SiO 2 , 26 ) 을 성장 시킨다 . 이때 , 폴리 실리콘 ( 24 ) 에 의해 덮혀 있 는 나머지 영역 들 에서 는 폴리 실리콘 ( 24 ) 의 표면 산화 가 발생 하 여 표면 산화 막 ( 27 ) 이 형성 되 고 , I / O PMOS 영역 에서 는 일정 두께 까지 순수 산화 막 ( 26 ) 이 성장 한다 .