계속 해서 , 소자 분리 패턴 ( 102 ) 이 형성 된 기판 ( 100 ) 상 에 게이트 절 연막 ( 도시 되 지 않 음 ) , 게이트 도전 막 ( 도시 되 지 않 음 ) 및 질화 막 패턴 ( 104 ) 을 형성 한다 . 상기 게이트 절연 막 은 산화물 을 포함 하 며 , 화학 기상 증착 공정 또는 열 산화 공정 으 로 형성 될 수 있 다 . 또한 , 게이트 도전 막 은 불순물 이 도핑 된 폴리 실리콘 또는 금속 을 포함 하 며 , 화학 기상 증착 ( chemical vapor deposition ) 공정 또는 물리 기상 증착 ( physical vapor deposition ) 공정 으로 형성 될 수 있 다 .