도 6 의 ( a ) 에 있 어서 , 활성 층 ( 63 ) 은 대략 게이트 전극 ( 11 ) 에 대향 하 는 위치 에 설치 되 어 있 고 , 활성 층 ( 63 ) 의 게이트 전극 ( 11 ) 에 대향 하 는 부분 이 채널 영역 으로 되 어 있 다 . 활성 층 ( 63 ) 위 에 는 오 믹 접합 을 얻 기 위한 예 를 들 어 n + 형 a - Si 층 으로 이루어지 는 접합 층 ( 64 A , 64 B ) 이 적층 되 어 있 고 , 소스 전극 ( 17 ) 은 접합 층 ( 64 A ) 을 통하 여 , 드레 인 전극 ( 14 ) 은 접합 층 ( 64 B ) 을 통하 여 활성 층 ( 63 ) 과 접합 되 어 있 다 . 소스 전극 ( 17 ) 및 접합 층 ( 64 A ) 과 드레 인 전극 ( 14 ) 및 접합 층 ( 64 B ) 은 활성 층 ( 63 ) 위 에 설치 된 칼럼 스 페이서 ( 67 ) 에 의해 서로 절연 된다 . 칼럼 스 페이서 ( 67 ) 는 유리 기판 ( 170 ) 과 는 반대 방향 으로 돌출 되 어 있 고 , 도 4 에 나타낸 대향 기판 ( 20 ) 과 의 사이 의 기판 간 거리 를 제어 한다 .