게이트 전극 ( 148 ) 은 게이트 절연 층 ( 146 ) 위 에 도전 층 을 형성 한 후 에 , 해당 도전 층 을 선택 적 으로 에칭 함 으로써 형성 할 수 있 다 . 게이트 전극 ( 148 ) 이 되 는 도전 층 은 , 스퍼터링 법 을 비롯 한 PVD 법 이나 , 플라 즈 마 CVD 법 등 의 CVD 법 을 이용 하 여 형성 할 수 있 다 . 상세 한 내용 은 소스 전극 ( 142 a ) 또는 드레 인 전극 ( 142 b ) 등 의 경우 와 마찬가지 이 며 , 이 들 기재 를 참작 할 수 있 다 .