본 실시 예 에서 는 , 레지스 트 패턴 ( 13 ) 중 , 직선 형상 의 제 1 패턴 부 ( 13 b ) 에 대해서 도 레벤 손 형 마스크 로 형성 한다 . 여기 에서 , 레지스 트 패턴 ( 11 ) 과 레지스 트 패턴 ( 12 ) 에 끼워 지 는 레지스 트 패턴 ( 13 ) 에서 는 , 본래 는 하프톤 형 마스크 에 의해 형성 되 는 부분 이 다 . 본 실시 예 에서 는 , 레지스 트 패턴 ( 13 ) 을 끼우 는 위치 에 배치 된 반전 위상 개구부 ( 4 b ) 과 동 위상 개구부 ( 4 c ) 의 크기 가 확장 되 어 있 다 . 반전 위상 개구부 ( 4 b ) 를 통과 하 는 광 및 동 위상 개구부 ( 4 c ) 를 통과 하 는 광 에 의해 , 레지스 트 패턴 ( 13 ) 의 제 1 패턴 부 ( 13 a ) 가 형성 된다 ( 도 27 참조 ) .