이어서 , 도 5 g 에 도시 된 바 와 같이 , 상기 유기 보호 층 패턴 ( 113 a ) 및 돌기 형성 부분 ( 113 b ) 를 마스크 로 상기 노출 된 상기 게이트 절연 층 ( 105 ) 부분 을 식각 하 여 화소 영역 의 제 1 기판 ( 101 ) 과 TFT 영역 의 드레 인 전극 ( 109 b ) 일부 를 노출 시키 므로써 게이트 절연 층 ( 105 ) 일부분 과 돌기 형성 부분 ( 113 b ) 으로 구성 되 는 돌기 ( 115 ) 를 형성 한다 .