반도체 칩 으로부터 의 전기 적 연결 통로 ( electrical path ) 는 , 제 1 칩 ( 12 ) 에 대해서 는 전기 접점 ( 13 a ) 으로부터 빌드 업 공정 을 진행 하 여 구현 되 므로 보다 미세 한 피치 의 구현 이 가능 하 며 , 제 2 칩 ( 14 ) 에 대해서 는 플립 칩 본딩 으로 구현 되 므로 생산 성 이 향상 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 종래 의 범프 볼 기술 을 적용 하 여 100 마이크로미터 정도 의 피치 를 구현 한다고 할 때 , 본 실시 예 에 따른 빌드 업 기술 을 적용 하 여 30 마이크로미터 정도 의 피치 를 구현 할 수 있 으며 , 일부 저밀 도 칩 에 대해서 는 플립 칩 본딩 으로 전기 적 연결 을 구현 하 므로 설계 의 자유도 를 높일 수 있 어 , 미세 피치 구현 및 패키지 의 소형 화 에 기여 할 수 있 다 .