특정 실시 예 에서 , 상기 방법 은 제 1 전극 위 에 놓이 는 버퍼 층 을 증착 하 는 것 을 포함 한다 . 버퍼 층 은 스위칭 디바이스 를 위한 바람직 한 스위칭 특성 을 허용 하 기 위한 속성 들 을 가져야 한다 . 또한 , 버퍼 층 은 스위칭 디바이스 에서 이용 되 는 선택 된 스위칭 재료 와 의 신뢰 성 있 는 계면 을 형성 해야 한다 . 금속 입자 들 이 버퍼 층 으로 주입 하 는 것 을 방지 하 기 위하 여 높 은 밀도 의 재료 가 이용 될 수 있 다 . 버퍼 층 은 실시 예 에 따라서 는 전도성 재료 또는 절연 재료 일 수 있 다 . 특정 실시 예 에서 , 전도성 버퍼 층 은 p + 폴리 실리콘 재료 와 같 은 p - 도핑 된 실리콘 재료 ( p - doped silicon material ) 를 포함 할 수 있 다 . 절연 버퍼 층 은 약 5 nm 미만 의 두께 를 가져야 하 므로 , 전자 들 은 동작 전압 들 ( 1 - 3 볼트 사이 ) 에서 터널 링 할 수 있 다 .