또한 구성 예 1 - 5 에서 예시 한 트랜지스터 ( 10 D ) 및 구성 예 1 - 6 에서 예시 한 트랜지스터 ( 10 E ) 에 , 구성 예 1 - 3 에서 예시 한 트랜지스터 ( 10 B ) 에 적용 된 적층 구조 를 가지 는 반도체 층 ( 108 ) 을 적용 할 수 도 있 다 . 이 로써 , 전기 특성 이 더 양호 하 고 신뢰 성 이 높 은 트랜지스터 를 실현 할 수 있 다 .