반도체 층 ( 37 ) 은 반도체 층 ( 32 ) 과 같 은 반도체 막 을 사용 하 여 형성 되 어도 좋 다 . 반도체 층 ( 37 ) 은 , 불순물 반도체 층 ( 35 ) 의 에칭 시 에 반도체 층 ( 32 ) 이 제거 되 는 것 을 방지 하 는 에칭 스토퍼 로서 기능 할 수 있 다 . 도 39 의 ( A ) 에 는 반도체 층 ( 37 ) 이 오른쪽 부분 과 왼쪽 부분 으로 분리 된 예 를 도시 하 였 지만 , 반도체 층 ( 37 ) 의 일부 가 반도체 층 ( 32 ) 의 채널 형성 영역 을 덮 어도 좋 다 .