금속 간 접합 의 경우 , 메모리 다이 ( 1000 ) 의 제 1 접합 구조물 ( 178 ) 및 로직 다이 ( 700 ) 의 제 2 접합 구조물 ( 788 ) 의 대면 하 는 쌍 들 은 서로 직접 접촉 하 게 될 수 있 고 , 금속 성 패드 구조물 들 ( 178 , 788 ) 의 인접 한 쌍 들 사이 의 계면 들 을 가로질러 재료 확산 을 유도 하 기 위해 승 온 에 처해질 수 있 다 . 금속 성 재료 의 상호 확산 은 금속 성 패드 구조물 ( 178 , 788 ) 의 각각 의 인접 한 쌍 들 사이 의 접합 을 유도 할 수 있 다 . 또한 , 로직 - 측 유전체 층 들 ( 760 ) 및 상호 연결 레벨 유전체 층 들 ( 160 ) 은 서로 접합 될 수 있 는 유전체 재료 ( 예컨대 , 실리케이트 유리 재료 ) 를 포함 할 수 있 다 . 이 경우 , 로직 - 측 유전체 층 들 ( 760 ) 및 상호 연결 레벨 유전체 층 들 ( 160 ) 의 물리 적 으로 노출 된 표면 들 은 서로 직접 접촉 하 게 될 수 있 고 , 추가 적 인 접합 을 제공 하 기 위해 열 적 어닐링 에 처해질 수 있 다 .