도 3 을 참조 하 면 , 반도체 기판 ( 200 ) 상 에 불순물 이온 주입 을 위한 마스크 막 패턴 ( 208 ) 을 형성 한다 . 이 마스크 막 패턴 ( 208 ) 은 포토레지스트 막 패턴 을 이용 하 여 형성 할 수 있 다 . 구체 적 으로 , 스크린 산화 막 ( 206 ) 이 형성 된 반도체 기판 ( 200 ) 위 에 포토레지스트 막 을 스핀 코팅 ( spin coating ) 등 의 방법 을 이용 하 여 도포 한다 . 다음 에 포토 마스크 를 이용 한 노광 공정 과 현상 공정 을 진행 하 여 마스크 막 패턴 ( 208 ) 을 형성 한다 . 이 와 같이 형성 된 마스크 막 패턴 ( 208 ) 은 반도체 기판 ( 200 ) 의 SSR ( Super steep retrograde ) 웰 형성 영역 에 대응 되 는 스크린 산화 막 ( 206 ) 의 일부 를 노출 시키 는 개구부 ( 210 ) 를 포함 한다 . 이때 , SSR 웰 형성 영역 을 제외 한 나머지 영역 은 마스크 막 패턴 ( 208 ) 에 의해 차단 된다 .