도 1 을 참조 하 면 , 텅스텐 할로겐램프 ( A ) 는 파장 1 ㎛ 부근 의 피크 ( peak ) 를 지닌 광 을 조사 하 여 실리콘 웨이퍼 를 가열 한다 . 실리콘 의 광 흡수성 ( B ) 은 가시광선 영역 에서 는 높 지만 적외선 영역 에서 는 투과 가 많이 일어나 기 때문 에 가열 효율 이 낮 다 . 그러나 600 ℃ 이상 에서 적외선 영역 의 흡수율 은 향상 되 기 시작 하 여 800 ℃ 의 온도 이상 에서 는 적외선 영역 의 광 의 흡수 가 높 은 상태 로 변하 기 때문 에 초 단위 의 RTA 공정 시 효과 를 얻 을 수 있 다 . 그러나 기판 의 온도 가 적어도 600 ℃ 의 온도 이상 으로 도달 하 기 위해서 는 그만큼 RTA 공정 시간 이 증대 되 게 된다 . 이 처럼 RTA 공정 시간 이 증대 되 면 기판 내 에 비교 적 작 은 단위 원자 질량 을 갖 는 불순물 이 이미 주입 되 어 있 는 경우 , 불순물 의 확산 이 진행 되 어 원 하 는 도핑 프로 파일 을 얻 기 어렵 고 , 활성 화 율 도 낮 은 문제 가 발생 되 게 된다 . 또한 , 이 온주 입공 정시 반도체 기판 에 발생 된 결함 을 제거 하 지 않 은 채 후속 공정 을 진행 하 는 경우 정 션 누설 전류 에 악영향 을 미칠 수 있 다 .