제 2 커버 웨이퍼 ( 114 ) 는 , 제 1 커버 웨이퍼 ( 112 ) 의 타면 에 적층 되 며 , 리튬 탄탈 레이트 , 석영 및 리튬 니오베 이 트 중 에서 적어도 어느 하나 를 포함 하 여 이루어질 수 있 다 . 이 에 따라 예 를 들 어 , 섭씨 280 도 까지 온도 를 높여 제 1 커버 웨이퍼 ( 112 ) 과 디바이스 웨이퍼 ( 180 ) 의 결합 할 시 에 도 축 간 의 열팽창 계수 차이 에 따른 열 충격 을 방지 할 수 있 다 . 또한 , 이 경우 에 도 제 1 커버 웨이퍼 ( 112 ) 에 실리콘 , 금속 , 폴리머 및 세라믹 과 같 은 재료 를 사용 하 여 가공 을 수행 함 으로써 , 캐비 티 ( 130 ) 는 용이 하 게 형성 할 수 있 을 것 이 다 .