언급 한 바 와 같이 , 상대 적 으로 저온 인 상기 제 2 온도 에서 상기 제 2 선택 적 에피택시 얼 성장 을 수행 할 경우 에 는 획득 하 는 제 2 박막 ( 28 ) 의 상부 에지 부위 에 깍 인 면 이 거의 발생 하 지 않 는다 . 다만 , 상대 적 으로 저온 인 상기 제 2 온도 에서 상기 제 2 선택 적 에피택시 얼 성장 을 수행 하 면 계면 특성 이 상기 제 1 박막 ( 27 ) 에 다소 저하 되 는 단점 이 있 다 .