이후 에 저압 화학 기상 증착 법 ( LPCVD ) 으로 실리콘 질화 막 ( SiN ) 이나 TEOS ( Tetra Ethyl Ortho Silicate ) 을 대략 200 ~ 300 Å 으로 증착 하 고 , 셀프 얼라인 블 랭 캣 식각법 으로 제 1 측벽 절 연막 ( 35 ) 의 측면 에 제 2 측벽 절 연막 ( 36 ) 을 형성 한다 . 상기 제 2 측벽 절 연막 ( 36 ) 은 GIDL ( Gate Induced Drain Leakage ) 특성 을 개선 하 기 위한 버퍼 스 페이서 역할 을 한다 .