상기 박막 트랜지스터 ( T ) 는 고농 도 불순물 이 주입 된 소스 영역 ( 310 a ) 및 드레 인 영역 ( 310 c ) , 상기 게이트 라인 ( 325 n ) 과 나란 하 게 형성 되 며 불순물 이 주입 되 지 않 은 채널 영역 ( 310 b ) 및 저 동도 불순물 이 주입 된 LDD 영역 ( 310 d ) 을 포함 하 는 제 1 반도체 층 ( 310 ) 과 , 상기 제 1 반도체 층 ( 310 ) 의 소스 영역 ( 310 a ) 과 상기 게이트 라인 ( 325 n ) 사이 의 채널 영역 ( 310 b ) 에 대응 되 어 형성 되 며 제 1 게이트 전극 ( 330 a ) 과 제 2 게이트 전극 ( 330 b ) 으로 이루어진 듀얼 게이트 전극 ( 330 ) 과 , 상기 제 1 콘 택 홀 ( 341 ) 을 통해 제 1 반도체 층 ( 310 ) 의 소스 영역 ( 310 a ) 과 전기 적 으로 연결 되 는 소스 전극 ( 350 ) 및 상기 제 1 반도체 층 ( 310 ) 의 드레 인 영역 ( 310 c ) 과 전기 적 으로 연결 되 는 제 1 드레 인 전극 ( 360 ) 으로 형성 된다 .