한편 , 이방성 식각 에 의해 정확히 ( 111 ) 면 을 나타나 게 하 기 위해서 는 도 4 에서 보이 는 바 와 같이 포토 레지스 트 ( 3 ) 패턴 의 열린 부분 의 경계선 이 정확히 < 110 > 방향 을 이루 어야 한다 . 포토 레지스 트 ( 3 ) 의 열린 부분 이 가지 는 방향 은 포토 리소그래피 ( photo lithography ) 과정 에서 마스크 정렬 ( mask align ) 의 방법 으로 이루 어 지 나 , 이 부분 이 완벽 하 게 < 110 > 방향 을 가지 는 것 은 매우 어려운 일 이 며 , 마스크 정렬 시 약간 의 방향 불 일치 가 일어나 기 쉽 다 . 이러 한 포토 레지스 트 의 열린 부분 이 < 110 > 방향 과 방향 불 일치 가 있 을 경우 에 는 도 5 에서 알 수 있 는 바 와 같이 식각 된 경사면 에 점선 으로 표시 된 주름 형태 의 표면 거칠 기 가 발생 하 게 된다 .