도 22 a 를 참조 하 면 , 콘 택 플러그 들 ( BC ) 이 형성 된 제 1 층간 절 연막 ( 122 ) 상 에 복수 의 절 연막 들 이 적층 된 몰드 막 ( 210 ; mold layer ) 이 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 몰드 막 ( 210 ) 은 식각 정지 막 ( 211 ) , 하부 몰드 막 ( 213 ) , 지지막 ( 215 ; support layer ) 및 상부 몰드 막 ( 217 ) 을 포함 할 수 있 다 . 여기 서 , 하부 및 상부 몰드 막 들 ( 213 , 217 ) 은 실리콘 산화물 로 형성 될 수 있 으며 , 식각 정지 막 ( 211 ) 및 지지막 ( 215 ) 은 하부 및 상부 몰드 막 들 ( 213 , 217 ) 을 습식 식각 하 는 공정 에서 하부 및 상부 몰드 막 들 ( 213 , 217 ) 에 대해 식각 선택 비 를 갖 는 물질 로 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 식각 정지 막 및 지지막 ( 211 , 215 ) 은 실리콘 질화물 로 형성 될 수 있 다 .