이상 으로 시료 2 와 마찬가지 의 공정 순서 로 가열 처리 를 행한 본 실시 예의 시료 7 에 있 어서 는 , 산화물 절 연막 에 포함 되 는 산소 의 일부 가 가열 에 의하 여 산화물 반도체 막 으로 확산 되 고 , 또한 산소 가 외부 로 방출 되 는 것 이 억제 되 기 때문 에 , 산화물 반도체 막 에 포함 되 는 산소 결손 이 저감 된다 . 그래서 , 상기 산화물 반도체 막 을 사용 한 트랜지스터 는 스위칭 특성 을 갖 는다 .