상기 열 성장 은 다양 한 조성 으로 이루어진 물질 을 고온 에서 가열 하 였을 때 , 상기 물질 을 구성 하 고 있 는 원소 들 의 증발 온도 차이 에 의해서 특정 한 원소 ( 박막 으로 성장 시키 고자 하 는 원소 ) 를 제외 한 남 은 원소 를 모두 증발 시켜 박막 을 성장 시키 는 방법 이 다 . 예 를 들 면 , 실리콘 카바이드 ( SiC ) 를 고온 에서 가열 하 면 , 실리콘 ( Si , 녹 는 점 1 , 414 ℃) 이 증발 되 고 남 은 탄소 ( C , 녹는점 3675 ℃) 를 이용 하 여 그래핀 을 성장 시킬 수 있 다 .