반도체 소자 또는 집적회로 소자 가 고집 적 화 됨 에 따라 , 소자 의 특성 향상 및 공정 마진 ( margin ) 확보 를 위한 방안 들 에 대해 많 은 노력 및 연구 가 수행 되 고 있 다 . 예컨대 , 낸드 ( NAND ) 형 플래시 ( FLASH ) 메모리 소자 또는 디램 ( DRAM ) 메모리 소자 와 같 은 메모리 반도체 소자 의 경우 , 메모리 용량 이 대용량 화 되 고 소자 를 구성 하 는 패턴 의 임계 선폭 ( CD ) 이 축소 되 고 있 다 . 이 에 따라 , 소자 구성 을 위해 설계 된 회로도 에 웨이퍼 ( wafer ) 상 에 실제 패턴 으로 형성 하 는 노광 과정 이 , 마이크 로 리소그래피 과정 에서 보다 중요 하 게 평가 되 고 있 다 .