p 형 전극 층 ( 400 ) 은 p 형 반도체 층 ( 300 ) 하부 의 소정 영역 에 형성 되 며 , 전극 과 활성 층 ( 200 ) 에서 방출 된 광 을 반사 하 는 기능 을 동시 에 할 수 있 도록 전극 금속 과 반사 금속 을 적층 하 여 형성 할 수 있 다 . 즉 , p 형 전극 층 ( 400 ) 은 전극 금속 과 반사 금속 을 적층 하 여 이중 또는 삼중 구조 로 형성 될 수 있 다 . 전극 금속 으로 는 Ni , Pt , Ru , Ir , Rh , Ta , Mo , Ti , Ag , W , Cu , Cr , Pd , V , Co , Nb , Zr 중 어느 하나 또는 합금 을 이용 하 고 , 반사 금속 으로 는 Ag 또는 Al 를 이용 한다 . 또한 , p 형 전극 층 ( 400 ) 은 전극 금속 및 반사 금속 의 이중 구조 , 전극 금속 , 반사 금속 및 전극 금속 의 삼중 구조 로 형성 할 수 있 다 . 이 경우 하부 전극 금속 은 0 . 1 ∼ 10 ㎚ 의 두께 로 형성 하 고 , 반사 금속 은 10 ∼ 1000 ㎚ 의 두께 로 형성 하 며 , 상부 전극 금속 은 1 ∼ 100 ㎚ 의 두께 로 형성 할 수 있 다 . 또한 , p 형 전극 층 ( 400 ) 은 질소 분위기 또는 0 . 1 % 이상 의 산소 를 포함 하 는 분위기 에서 열처리 할 수 있 으며 , 열처리 는 250 ∼ 660 ℃ 의 온도 에서 30 초 ∼ 30 분 동안 실시 할 수 있 다 .