도 2 b 에 도시 된 바 와 같이 , NF ( NMOSFET Field stop ) 이온 을 주입 하 여 숏 키 다이오드 가 형성 되 는 영역 의 주변 필드 산화 막 ( 24 ) 아래 에 NF 주입 층 ( 25 ) 을 형성 한다 . 이러 한 NF 이온 주입 은 필드 산화 막 ( 24 ) 에 의한 절연 능력 의 향상 및 숏 키 다이오드 의 항복 전압 과 누설 전류 특성 을 향상 시키 기 위하 여 실시 하 는 것 이 다 . 예컨대 , NF 이온 주입 은 보론 과 같 은 P 형 불순물 을 이온 주입 한다 .