상기 샘플 을 수평 의 고온 벽 화학 증착 ( CVD ) 노 에 넣 고 , 상기 노 에서 상기 집 전체 기질 및 촉매 층 을 200 sccm 의 아르곤 흐름 및 100 토르 의 기본 압력 하 에 500 ℃ 까지 가열 한다 . 상기 고온 은 상기 촉매 층 을 액체 상 으로 변화 시키 며 액체 구 의 비드 모양 으로 만든 다 . 상기 온도 를 500 ℃ 에서 안정 화 시킨 후 에 , 아르곤 을 계속 해서 200 sccm 으로 유동 시키 면서 100 토르 의 기본 압력 을 10 분 더 지속 시킨다 . 10 분 후 에 , 상기 기체 흐름 을 아르곤 에서 99 % 아르곤 및 1 % 실란 의 혼합물 로 바꾸 고 이 를 20 분 간 100 토르 의 기본 압력 으로 200 sccm 으로 유동 시키 며 , 이러 는 동안 상기 규소 가 상기 니켈 촉매 입자 내 로 침착 된다 . 상기 규소 는 그 의 용해도 한계 에 도달 할 때 까지 상기 니켈 촉매 내 로 침착 되 며 , 상기 한계 시점 에서 규소 는 상기 니켈 촉매 의 바로 아래 에서 3 차원 구조 로 성장 하 여 나노 와이어 로 된다 . 20 분 성장 후 에 , 가열기 를 멈추 어 상기 기질 이 냉각 되 게 하 고 , 상기 기체 흐름 을 다시 200 sccm 의 유속 및 100 토르 의 기본 압력 을 갖 는 아르곤 기체 로 바꾼다 .