상술 한 바 와 같이 , 본 발명 의 실시 예 에 따른 웨이퍼 시료 분석 방법 은 웨이퍼 시료 의 기준 샷 영역 및 상기 기준 샷 영역 과 인접 한 샷 영역 들 의 결함 들 과 상기 기준 샷 영역 과 이격 된 샷 영역 들 의 결함 들 을 이용 하 여 상기 웨이퍼 시료 로 전사 된 패턴 의 취약 지점 및 노광 마진 을 설정 할 수 있 다 . 따라서 , 상기 패턴 을 웨이퍼 로 전사 할 때 의 노광 조건 을 용이 하 게 설정 할 수 있 고 , 상기 취약 지점 을 기준 으로 상기 패턴 이 전사 된 웨이퍼 를 신속 하 게 검사 할 수 있 다 .