한편 , 투광 성 전극 ( 600 ) 이 빛 을 투과 시키 지 못하 도록 , 즉 빛 을 기판 측 으로 반사 하 도록 두꺼운 두께 를 가지 게 형성 할 수 있 는데 , 이러 한 기술 을 플립 칩 ( flip chip ) 기술 이 라 한다 . 미국 특허 제 6 , 194 , 743 호 에 는 20 nm 이상 의 두께 를 가지 는 Ag 층 , Ag 층 을 덮 는 확산 방지 층 , 그리고 확산 방지 층 을 덮 는 Au 와 Al 으로 이루어진 본딩 층 을 포함 하 는 전극 구조 에 관한 기술 이 개시 되 어 있 다 .