또한 , 홀 ( H ) 은 제 2 방향 에서 자신 의 양측 에 위치 하 는 워드 라인 ( 110 ) 의 측면 을 충분히 노출 시키 도록 형성 될 수 있 다 . 이 를 위하 여 , 홀 ( H ) 의 식각 방식 및 그 에 따른 홀 ( H ) 의 폭 을 적절히 제어 할 수 있 다 . 설명 의 편의 를 위하 여 도 2 b 에 는 홀 ( H ) 이 높이 방향 에서 일정 한 폭 을 갖 는 것 으로 도시 하 였으나 , 다른 실시 예 가 가능 할 수 있 다 . 예컨대 , 도 2 c 에 도시 된 바 와 같이 , 제 4 층간 절 연막 ( ILD 4 ) 상 에 워드 라인 ( 110 ) 사이 를 노출 시키 는 원 형상 또는 이 와 유사 한 섬 형상 의 개구부 를 갖 는 마스크 패턴 ( M ) 을 형성 할 수 있 다 . 여기 서 , 마스크 패턴 ( M ) 의 제 2 방향 에서 의 개구부 의 폭 ( W 2 ) 은 워드 라인 ( 110 ) 사이 의 거리 ( W 1 ) 보다 소정 정도 클 수 있 다 . 이어서 , 마스크 패턴 ( M ) 을 식각 베리어 로 층간 절 연막 ( ILD ) 을 형성 하 는 절연물 예컨대 , 산화물 의 식각 이 가능 한 식각 가스 를 이용 하 여 층간 절 연막 ( ILD ) 을 비등방성 식각 함 으로써 , 홀 ( H ) 을 형성 할 수 있 다 . 그 에 따라 , 홀 ( H ) 은 제 2 방향 에서 인접 하 는 층간 절 연막 ( ILD ) 사이 에서 는 제 2 폭 ( W 2 ) 을 갖 고 인접 하 는 워드 라인 ( 110 ) 사이 에서 는 제 2 폭 ( W 2 ) 보다 작 은 제 1 폭 ( W 1 ) 을 가질 수 있 다 . 이러 한 경우 , 홀 ( H ) 에 의해 드러나 는 워드 라인 ( 110 ) 의 측벽 은 층간 절 연막 ( ILD ) 의 측벽 보다 홀 ( H ) 을 향하 는 방향 으로 돌출 되 어 있 으므로 , 후술 하 는 가변 저항 층 과 의 접촉 이 용이 할 수 있 다 . 또는 , 도시 하 지 는 않 았 으나 , 워드 라인 ( 110 ) 사이 의 거리 ( W 1 ) 와 실질 적 으로 동일 한 크기 의 개구부 를 갖 는 마스크 패턴 을 이용 하 여 홀 ( H ) 을 형성 하 더라도 , 홀 ( H ) 형성 과정 중 에 또는 홀 ( H ) 형성 후 등방성 식각 가스 를 이용 하 여 층간 절 연막 ( ILD ) 및 / 또는 워드 라인 ( 110 ) 의 측벽 을 더 식각 함 으로써 후술 하 는 가변 저항 층 과 의 접촉 면적 을 증가 시킬 수 도 있 다 .