본 발명 은 질화물 반도체 소자 및 그 제조 방법 에 관한 것 으로 , 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 질화물 반도체 소자 는 기판 과 ; 상기 기판 위 에 형성 된 질화물 반도체 층 과 ; 상기 질화물 반도체 층 위 에 콘 택 홀 을 구비 하 여 형성 된 패 시베이 션 층 과 ; 상기 콘 택 홀 을 통해 상기 질화물 반도체 층 과 쇼트 키 접합 을 이루 는 제 1 전극 과 ; 상기 제 1 전극 의 가장자리 로부터 연장 되 어 상기 패 시베이 션 층 위 에 형성 된 제 1 필드 플레이트 와 ; 상기 제 1 필드 플레이트 와 이격 하 여 상기 패 시베이 션 층 위 에 형성 된 적어도 하나 의 제 2 필드 플레이트 와 ; 오 믹 접합 에 의한 제 2 전극 을 포함 함 을 특징 으로 한다 .