또한 , 금속 원자 를 여기 하 기 위해서 요청 되 는 전자 의 에너지 즉 , 전자 온도 는 여기 파장 의 에너지 와 같이 , 대략 수 ｅＶ 다 . 저압 에서 의 방전 을 사용 하 는 프로세스 플 라즈 마 에 있 어서 , 전자 온도 의 에너지 분포 의 고 에너지 측 의 맨 아래 에 해당 하 는 지점 에서 는 충분히 수 ｅＶ 를 초과 하 고 있 기 때문 에 , 프로세스 중 의 정상 상태 를 생각 하 면 , 여기 와 자연 방출 이 균형 이 잡히 는 상태 로 프로세스 를 제어 하 는 것 은 가능 하 다 . 제어 의 피드백 속도 는 ( 3 ) 식 에 있 어서 의 자연 방출 에 의한 발광 강도 를 취득 하 는 시간 스케일 에 의존 하 지만 , 라인 ＣＣＤ 와 회절 격자 를 조합 한 것 만 의 비교 적 저렴 한 분광기 를 사용 했 을 경우 라도 대략 수십 밀리 초 의 주기 로 취득 가능 하 다 . 다시 말 해 , ＰＥＭ 을 활용 함 으로써 프로세스 중 에 원하 는 프로세스 상태 로 수십 밀리 초 의 시간 스케일 로 제어 가능 하 여 , 이것 은 반응 성 스퍼터링 에 있 어서 천 이 모드 의 유지 에 충분 한 속도 다 .