도 22 는 열처리 전 의 탄 탈륨 이 도핑 된 주석 산화 막 에 대한 AES 깊이 프로파일 이 고 , 도 23 은 수소 를 포함 한 환원 분위기 에서 의 열처리 후 의 탄 탈륨 이 도핑 된 주석 산화 막 에 대한 AES 깊이 프로파일 이 다 . 도 22 및 도 23 을 참조 하 면 , 열처리 전후 의 탄 탈륨 이 도핑 된 주석 산화 막 의 AES 깊이 프로파일 은 동일 한 것 을 확인 할 수 이 다 . 따라서 , 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 원자 층 적층 공정 으로 형성 된 탄 탈륨 이 도핑 된 주석 산화 막 은 수소 를 포함 한 환원 분위기 에서 의 열처리 후 에서 도 환원 되 지 않 고 화학 적 조성 을 유지 한 채 루타 일 구조 를 유지 한다는 것 을 알 수 있 다 .