이 어 , 상기 반도체 기판 의 전면 에 , 화학 기계 적 연마 ( CMP ; Chemical Mechanical Polishing ) 공정 으로 상기 트렌치 영역 에 만 남 도록 상기 O 3 TEOS 막 을 제거 하 여 상기 트렌치 의 내부 에 소자 격리 막 ( 103 ) 을 형성 한다 . 이 어 , 상기 패드 산화 막 , 패드 질화 막 및 TEOS 산화 막 을 제거 한다 .