처리 실 ( 11 ) 은 , 반도체 웨이퍼 ( 이하 「 웨이퍼 ( W ) 」 라고 함 ) 를 적재 하 는 스테이지 ( 11 a ) 를 갖 고 , 게이트 밸브 ( 61 ) 를 개재 하 여 진공 반 송실 ( 20 ) 과 접속 되 어 있 다 . 마찬가지 로 , 처리 실 ( 12 ) 은 , 웨이퍼 ( W ) 를 적재 하 는 스테이지 ( 12 a ) 를 갖 고 , 게이트 밸브 ( 62 ) 를 개재 하 여 진공 반 송실 ( 20 ) 과 접속 되 어 있 다 . 처리 실 ( 13 ) 은 , 웨이퍼 ( W ) 를 적재 하 는 스테이지 ( 13 a ) 를 갖 고 , 게이트 밸브 ( 63 ) 를 개재 하 여 진공 반 송실 ( 20 ) 과 접속 되 어 있 다 . 처리 실 ( 14 ) 은 , 웨이퍼 ( W ) 를 적재 하 는 스테이지 ( 14 a ) 를 갖 고 , 게이트 밸브 ( 64 ) 를 개재 하 여 진공 반 송실 ( 20 ) 과 접속 되 어 있 다 . 처리 실 ( 11 내지 14 ) 내 는 , 소정 의 진공 분위기 로 감압 되 어 , 그 내부 에서 웨이퍼 ( W ) 에 원하 는 처리 ( 에칭 처리 , 성막 처리 , 클리닝 처리 , 애 싱 처리 등 ) 를 실시 한다 . 또한 , 처리 실 ( 11 내지 14 ) 에서 의 처리 를 위한 각 부 의 동작 은 , 제 어 장치 ( 70 ) 에 의해 제어 된다 .