도 11 은 , 반도체 웨이퍼 ( W ) 에 휨 이 생겼 을 때 의 방사 율 의 변화 를 나타내 는 도 이 다 . 플래시 광 조사 에 의해 반도체 웨이퍼 ( W ) 가 상면 이 볼록해 지 도록 휘어짐 으로써 , 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 법선 과 상부 방사 온도계 ( 25 ) 의 광축 이 이루 는 각도 가 θ + Δθ 된다 . 즉 , 반도체 웨이퍼 ( W ) 가 휘어짐 으로써 , 반도체 웨이퍼 ( W ) 가 평탄 한 경우 와 비교 해 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 법선 과 상부 방사 온도계 ( 25 ) 의 광축 이 이루 는 각도 가 Δθ 만큼 변화 되 는 것 이 다 . 이것 에 수반 하 여 , 상부 방사 온도계 ( 25 ) 의 광축 방향 에서 의 방사 율 εθ + Δθ 도 반도체 웨이퍼 ( W ) 가 평탄 한 경우 의 방사 율 εθ 로부터 변화 되 게 된다 . 그렇 다면 , 상부 방사 온도계 ( 25 ) 에 설정 되 어 있 는 방사 율 εθ 와 실제 의 방사 율 εθ + Δθ 가 상이 하 기 때문 에 , 온도 측정 에 오 차 가 생기 게 되 는 것 이 다 .