또한 , 산화물 반도체 막 ( 716 ) 에 접하 는 절연 막 은 , 화학량론 적 조성 비 보다 산소 가 많 은 영역 을 갖 는 절 연막 의 적층 으로 해도 좋 다 . 예 를 들 어 , 산화물 반도체 막 ( 716 ) 의 상층 에 조성 이 Ga 2 OX ( X = 3 + α , 0 < α < 1 ) 의 산화 갈륨 을 형성 하 고 , 그 위 에 조성 이 GaXAl 2 - XO 3 + α ( 0 < X < 2 , 0 < α < 1 ) 의 산화 갈륨 알루미늄 ( 산화 알루미늄 갈륨 ) 을 형성 해도 좋 다 . 또한 , 산화물 반도체 막 ( 716 ) 의 하층 을 , 화학량론 적 조성 비 보다 산소 가 많 은 영역 을 갖 는 절 연막 의 적층 으로 해도 좋 다 . 또는 산화물 반도체 막 ( 716 ) 의 상 층 및 하층 의 양쪽 을 , 화학량론 적 조성 비 보다 산소 가 많 은 영역 을 갖 는 절 연막 의 적층 으로 해도 좋 다 .