일례 에 관련 된 처리 시스템 ( 1 c ) 은 , PHT 처리 장치 ( 4 ) 의 챔버 ( 20 ) 에 H 2 가스 를 도입 할 수 있 으므로 , 잔사 ( 313 ) 의 제거 처리 를 챔버 ( 20 ) 내 에서 실시 하 는 경우 에 바람직 하 게 사용 할 수 있 다 . 잔사 ( 313 ) 의 제거 처리 후 , 동일 한 챔버 ( 20 ) 내 에서 수소 종단 처리 를 실시 함 으로써 , 웨이퍼 ( W ) 의 표면 , 특히 실리콘 기판 ( 301 ) 의 표면 의 댕 글 링 본드 에 다른 물질 이 결합 하 기 전 에 수소 로 종단 시킬 수 있 다 . 따라서 , 실리콘 기판 ( 301 ) 의 표면 의 수소 종단 화 를 효율 적 으로 실시 할 수 있 다 .