반도체 제조 공정 은 금속 배선 또는 콘택트 포인트 ( Contact Point ) 의 형성 을 위한 광 , 건식 식각 또는 습식 식각 , 그리고 플 라즈 마 애 싱 ( ashing ) 등 의 일련 의 공정 에서 유기 성 또는 금속 성 잔사 들 ( residue ) 을 발생 시킨다 . 따라서 , 후 공정 을 진행 시키 기 위해서 는 이러 한 불 필요 한 잔사 들 을 미리 제거 해야 만 한다 .