도 1 의 예 에서 , 기존 의 후면 접촉 태양 전지 ( 100 ) 는 N 형 실리콘 기판 ( 102 ) 을 포함 한다 . 태양 전지 ( 100 ) 의 전면 은 전체 적 으로 120 으로서 레이블 링 되 고 , 전면 과 대향 하 는 후면 은 전체 적 으로 121 로서 레이블 링 된다 . 태양 전지 의 전면 은 정상 동작 동안 태양 을 대면 하 여 태양 복사 를 수집 한다 . 전면 은 반사 를 감소 시키 도록 무작위 로 텍스처 링 됨 으로써 , 기판 ( 102 ) 에 수집 되 는 태양 복사 의 양 을 증가 시킨다 . 열 적 으로 성장 된 실리콘 이 산화물 ( SiO 2 ) 층 ( 122 ) 및 실리콘 질화물 층 ( 103 ) 을 포함 하 는 다층 반사 방지 구조 ( 110 ) 가 텍스처 링 된 실리콘 표면 에 형성 된다 .