상기 기술 적 과제 를 달성 하 기 위하 여 , 본 발명 에 따른 반도체 소자 의 트랜 치 소자 분리 막 형성 방법 은 , 하드 마스크 막 패턴 을 이용 한 식각 으로 반도체 기판 의 소자 분리 영역 에 소자 분리 용 트랜 치 를 형성 하 는 단계 , 상기 소자 분리 용 트랜 치내 에 측벽 산화 막 을 형성 하 는 단계 , 상기 측벽 산화 막 이 형성 된 트랜 치 와 상기 반도체 기판 위 에 라이너 질화 막 을 형성 하 는 단계 , 상기 라이너 질화 막 위 에 매립 절 연막 을 형성 하 여 상기 소자 분리 용 트랜 치가 매립 되 도록 하 는 단계 , 상기 매립 절 연막 에 대한 평탄 화 를 수행 하 여 상기 하드 마스크 막 패턴 이 노출 되 도록 하 는 단계 , 상기 평탄 화 에 의해 하드 마스크 막 패턴 이 노출 된 결과물 에 대해 건식 산화 를 수행 하 는 단계 및 상기 하드 마스크 막 패턴 을 제거 하 는 단계 를 포함 한다 .