둘째 , 본 발명 은 다면 채널 을 갖 는 트랜지스터 를 구비 한 반도체 소자 의 제조 방법 에 있 어서 , 가장 인접 하 게 이웃 하 는 워드 라인 이 직교 하 는 활성 영역 의 장축 양단 이 식각 되 는 것 을 방지 하 고 , 이 를 통해 식각 부위 에 워드 라인 이 매립 되 어 발생 되 는 소자 의 특성 저하 를 방지 할 수 있 는 반도체 소자 의 제조 방법 을 제공 하 는데 다른 목적 이 있 다 .