또한 , 본 실시 형태 의 제 1 결정 성 산화물 반도체 층 과 제 2 결정 성 산화물 반도체 층 의 적층 을 산화물 반도체 층 으로서 사용 한 실시 형태 3 에 제시 한 도 11 d 의 트랜지스터 에 있 어서 는 , 산화물 반도체 층 의 한쪽 면 으로부터 다른 쪽 면 에 전계 가 인가 되 지 않 는다 . 또한 , 전류 가 산화물 반도체 적층 의 두께 방향 ( 한쪽 면 으로부터 다른 쪽 으로 흐르 는 방향 , 구체 적 으로 는 도 11 d 의 상하 방향 ) 으로 흐르 는 구조 가 아니 다 . 전류 는 주로 산화물 반도체 적층 의 계면 을 흐르 는 트랜지스터 구조 이 기 때문 에 , 트랜지스터 에 광이 조사 되 거나 BT 스트레스 가 가해진 경우 라도 트랜지스터 특성 의 열화 가 억제 되 거나 저감 된다 .