일부 구 현예 에서 , 희생 마스킹 층 은 , CHx 기 ( x 는 1 내지 3 의 정수임 ) 와 비교 하 여 OH 기에 대해 더 반응 성 인 전구체 를 사용 하 여 , 선택 적 인 ALD 공정 으로 증착 된다 . 유리 하 게 는 , 이러 한 구 현예 에 사용 된 전구체 는 CHx 기 ( x 는 1 내지 3 의 정수임 ) 에 대해 실질 적 으로 반응 적 이 지 않 고 , OH 기에 대해 상당히 반응 적 이 다 . CH 3 기 보다 OH 기에 대해 더 반응 할 수 있 는 전구체 를 사용 하 는 공정 의 예 는 , TIN 또는 TiO 2 의 ALD 를 포함 하 고 , TiCl 4 및 NH 3 또는 H 2 O TDMAT ( 테트라 키스 ( 디 메틸 아미도 ) 티타늄 ) 및 H 2 O , 및 / 또는 TTIP ( 티타늄 테트라 이소 프로 폭 시드 ) 및 H 2 O 를 사용 한다 . OH 기에 대해 더 반응 성 이 있 을 수 있 는 전구체 를 사용 하 는 공정 의 다른 예 는 , EBECHRu ( 에틸 - 벤젠 에틸 - 1 , 4 - 시클 로 헥 사디 엔 루테늄 ) 에 의한 Ru 의 ALD 를 포함 한다 . 본 발명 이 임의 의 특정 이론 또는 작동 모드 에 제한 되 지 않 는다면 , 이 들 공정 은 OH 종결 표면 에 대해 CH 3 종결 표면 상 에 핵 생성 지연 을 나타내 고 이 는 CH 3 종결 표면 에 대해 OH 종결 표면 상 에 선택 적 인 성장 을 제공 하 도록 활용 될 수 있 는 것 으로 여겨진다 .