상기 기판 ( 110 ) 상 에 개구부 ( 119 ) 를 갖 는 마스크 패턴 ( 118 ) 을 형성 한다 . 상기 개구부 ( 119 ) 는 회절 격자 가 형성 되 는 영역 을 포함 한 소정 영역 을 노출 시킬 수 있 다 . 상기 마스크 패턴 ( 118 ) 을 이온 주입 마스크 로 사용 하 여 원소 이온 주입 공정 을 수행 하 여 상기 피복층 ( 102 ) 내 에 원소 주입 층 ( 120 ) 을 형성 한다 . 상기 원소 이온 주입 공정 은 실리콘 이온 들 을 주입 할 수 있 다 . 상기 원소 주입 층 ( 120 ) 은 평판 형태 일 수 있 다 . 상기 원소 이온 주입 공정 은 한 번 수행 할 수 있 다 . 이 경우 에 , 상기 피복층 ( 102 ) 내 에 는 하나 의 원소 주입 층 ( 120 ) 이 형성 된다 . 이 와 는 다르 게 , 상기 마스크 패턴 ( 118 ) 을 이온 주입 마스크 로 사용 하 여 복수 의 원소 이온 주입 공정 들 을 순차 적 으로 수행 할 수 있 다 . 이때 , 상기 원소 이온 주입 공정 들 은 서로 다른 주입 에너지 들 로 각각 수행 한다 . 이 에 따라 , 상기 피복층 ( 102 ) 내 에 복수 의 적층 된 원소 주입 층 들 ( 120 ) 을 형성 할 수 있 다 . 이때 , 상기 원소 주입 층 들 ( 120 ) 은 상기 반도체 기판 ( 100 ) 의 상부 면 에 수직 한 방향 으로 서로 이격 되 는 것 이 바람직 하 다 .