이 처럼 , 상기 P 형 폴리 실리콘 막 ( 240 ) 내 에 N 형 불순물 로 카운터 도핑 을 수행 하 여 리 세스 게이트 구조 특징 상 GIDL 현상 이 발생 되 는 P 형 폴리 실리콘 막 부분 의 도핑 농도 를 낮추 도록 하 면 상기 N 형 불순물 이 카운터 도핑 된 부분 에서 는 GIDL 현상 이 발생 되 는 곳 의 전압 을 좌우 하 게 되 면서 약 0 . 3 V 가량 의 GIDL 의 브레이크 다운 - 전압 ( Breakdown - Voltage ) 을 개선 시킬 수 있 게 된다 .