반도체 기판 에 집적회로 를 형성 하 기 위한 기판 처리 공정 은 실리콘 기판 에 산화 막 을 성장 시키 고 불순물 을 침적 시키 며 침적 된 불순물 을 실리콘 기판 내 로 원 하 는 깊이 까지 침투 시키 는 확산 공정 과 , 식각 이나 이온 주입 이 될 부위 의 보호 부위 를 선택 적 으로 한정 하 기 위해 마스크 ( mask ) 나 레티 클 ( reticle ) 의 패턴 을 기판 위 에 만드 는 포토 리소그래피 ( Photo lithography ) 공정 , 포토레지스트 막 질 에 대한 현상 이 끝난 후 포토레지스트 막 질 밑 에 성장 되 거나 침 적 또는 증착 된 박막 들 을 가스 나 화학 약품 을 이용 하 여 선택 적 으로 제거 하 는 식각 공정 , 및 화학 기상 증착 ( CVD ; Chemical Vapor Deposition ) 이나 이온 주입 또는 금속 증착 방법 을 이용 하 여 특정 한 막 을 형성 시키 는 박막 공정 등 의 단위 공정 을 포함 한다 .