도 1 a 는 반도체 소자 용 저유 전 박막 을 제조 하 기 위하 여 사용 되 는 PECVD 장치 를 도시 하 며 , 도 1 b 는 후 열처리 하 는 데 에 사용 되 는 RTA ( Rapid Thermal annealing ) 장치 를 도시 한다 . 도 1 a 에서 PECVD 방법 을 이용 하 는 PECVD 장치 는 상부 의 챔버 리드 ( chamber lid ) 와 하부 의 챔버 바디 ( chamber body ) 로 구성 되 는 공정 챔버 를 통해 박막 증착 공정 이 진행 된다 . 챔버 리드 내측 에 형성 된 샤워 헤드 를 통해 반응 가스 가 챔버 바디 내 에 형성 된 서 셉 터 의 상면 에 안착 된 기판 상 에 균일 하 게 분사 되 어 박막 이 증착 되 는데 , 반응 가스 는 백 킹 플레이트 ( backing plate ) 와 샤워 헤드 ( showerhead ) 로 이루어지 는 상부 전극 과 기판 받침대 ( susceptor ) 로 이루어지 는 하부 전극 에 의해 공급 되 는 RF ( radio frequency ) 에너지 에 의해 활성 화 되 어 박막 증착 공정 이 진행 된다 . 도 1 b 의 후 열처리 장치 에서 는 할로겐램프 를 통해 나오 는 빛 을 이용 해 기판 을 550 ℃ 까지 빠르 게 후 열처리 공정 을 진행 한다 .