반도체 장치 , 예컨대 트랜지스터 , 광 전지 , 발광 다이오드 및 / 또는 고주파 또는 다른 무선 장치 는 장치 층 ( 들 ) ( 115 ) 를 성장 기판 ( 101 ) 로부터 분리 하 기 전 에 미세 제조 기술 에 의해 장치 층 ( 들 ) ( 115 ) 내 에 또는 그 위 에 부분 적 으로 또는 완전히 형성 될 수 있 다 . 또한 , 고정 및 / 또는 속박 구조물 ( 나타내 지 않 음 ) 이 지지층 ( 110 ) 및 / 또는 다른 층 내 에 형성 될 수 있 고 , 장치 층 ( 들 ) ( 115 ) 를 기판 ( 101 ) 로부터 분리 하 기 위한 후속 작업 동안 에 반도체 장치 의 공간 적 방향 을 유지 하 도록 구성 될 수 있 다 . 이러 한 고정 및 / 또는 속박 구조물 의 제조 는 예 를 들 어 2011 년 3 월 22 일자 로 출원 된 PCT 출원 제 PCT / US 2011 / 029365 호 및 동 제 PCT / US 2011 / 029357 호 , 및 2010 년 3 월 26 일자 로 출원 된 제 PCT / US 2010 / 28844 호 에 기재 되 어 있 고 , 이것 들 의 개시 내용 은 본원 에 참고 로 포함 된다 . 부분 적 으로 또는 완전히 형성 된 장치 를 후속 가공 동안 의 화학 적 공격 으로부터 보호 하 기 위해서 밀봉 구조물 ( 나타내 지 않 음 ) 이 장치 층 ( 들 ) ( 115 ) 위 에 추가 로 제공 될 수 있 다 .