도 7 에 있 어서 의 실리콘 의 미드 갭 에 상당 하 는 에너지 위치 ( E - Ev = 0 . 56 eV ) 의 결과 를 , 도 8 에 나타낸 XPS 측정 에 의한 질화규소 막 의 화학 조성 프로 파일 과 비교 하 면 , Si 기판 계면 으로부터 약 2 ㎚ 부근 에서 국소 적 으로 전자 점유 결함 이 증대 하 고 있 는 영역 은 케미컬 옥사이드 SiO 2 층 과 질화규소 막 의 계면 근방 에 상당 하 는 것 을 알 수 있 다 . 이상 으로부터 , 플라 즈 마 처리 장치 ( 100 ) 를 이용 하 여 , 플라 즈 마 CVD 조건 3 에 의해 성막 된 질화규소 막 중 에서 는 , 산소 원자 가 확산 , 혼입 되 어 있 는 케미컬 옥사이드 SiO 2 층 과 질화규소 막 의 계면 부근 에서 막 중 의 전자 점유 결함 밀도 가 현저히 증대 하 는 것 이 나타내 어 졌 다 .