상부 전극 ( UE ) 은 제 1 게이트 전극 ( GE 1 ) 과 중첩 하 며 , 평면 상 에서 볼 때 하부 전극 ( LE ) 을 커버 할 수 있 다 . 상부 전극 ( UE ) 과 하부 전극 ( LE ) 과 의 중첩 면적 을 넓힘 으로써 스토리지 캐 패 시터 ( Cst ) 의 캐 패 시 턴 스가 증가 될 수 있 다 . 상부 전극 ( UE ) 은 제 1 방향 ( DR 1 ) 으로 연장 될 수 있 다 . 본 발명 의 일 실시 예 에 있 어서 , 상부 전극 ( UE ) 에 는 제 1 전원 ( ELVDD ) 과 동일 한 레벨 의 전압 이 인가 될 수 있 다 . 상부 전극 ( UE ) 은 제 1 게이트 전극 ( GE 1 ) 과 연결 라인 ( CNL ) 이 접촉 되 는 제 1 콘 택 홀 ( CH 1 ) 이 형성 되 는 영역 의 일부 가 제거 되 어 오픈 될 수 있 다 .