하지만 , 바람직 한 실시 예 에서 , 상기 성장 챔버 는 방사 소자 에 의해 가열 되 며 방출 된 방사 ( radiation ) 는 포획 되 어 내부 인 젝 터 를 가열 한다 . 예컨대 , 이 경우 , 내부 인 젝 터 는 적어도 일정 정도 로 방출 된 방사 를 흡수 하 는 물질 , 예컨대 , SiC 를 포함 한다 . 상기 내부 인 젝 터 는 자 화기 를 성장 온도 로 가열 하 는 방출 된 방사 에 의해 직접 가열 될 것 이 다 . 이 에 의해 , 흐르 는 개스 가 보다 효과 적 으로 성장 온도 근처 로 가열 될 수 있 다 . 다른 한편 , 만일 내부 인 젝 터 의 물질 들 이 예컨대 석영 과 같이 실질 적 으로 방출 된 방사 에 대해 투명 하 다면 , 기타 의 방사 흡수 물질 이 상기 내부 인 젝 터 와 접촉 되 거나 이 에 근접 하 도록 하 는 구성 과 크기 를 가질 수 있 다 . 이 에 의해 , 이 흡수 소자 는 방출 된 방사 에 의해 가열 되 어 결과 적 으로 상기 내부 인 젝 터 를 가열 한다 .