이어서 , 건식 에칭 기법 을 이용 하 여 실리콘 산화 막 ( 5 ) 의 표면 이 노출 될 때 까지 비결정 실리콘 ( 7 ) 을 에칭 백 ( etch back ) 하 고 , 이 에 따라 , 유기 재료 막 ( 4 ) 과 실리콘 산화 막 ( 5 ) 의 적층 구조 의 측면 상 에 , 비결정 실리콘 ( 7 ) 의 측벽 이 형성 된다 ( 도 1 e ) . 즉 , 좁 은 폭 과 넓 은 폭 을 갖 도록 패 터닝 된 유기 재료 막 ( 4 ) 과 실리콘 산화 막 ( 5 ) 의 측벽 상 에 는 , 비결정 실리콘 ( 7 ) 의 측벽 이 형성 된다 . 따라서 , 유기 재료 막 ( 4 ) , 실리콘 산화 막 ( 5 ) 및 비결정 실리콘 ( 7 ) 의 측벽 에 의해 구성 된 새로운 와이더 라인 이 형성 된다 .