또한 , 앞서 설명 한 도 3 i 내지 도 3 k 의 단계 가 후속 되 어 , 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 반도체 디바이스 ( 100 ) 가 제조 될 수 있 다 . 또한 , 마찬가지 로 최종 단계 이후 , 솔 더 볼 을 형성 하 는 단계 가 더 수행 됨 으로써 , 본 발명 의 다른 실시 예 에 따른 반도체 디바이스 ( 200 ) 의 구조 가 형성 되 는 것 이 가능 하 다 .