도 1 h 를 참조 하 면 , 도전 막 ( 104 ) 측벽 의 절 연막 을 최소 화 하 고 트렌치 ( 112 ) 저면 을 바텀 업 ( bottom - up ) 시킬 수 있 도록 도전 막 ( 104 ) 및 소자 분리 용 질화 막 ( 108 ) 의 측벽 에 형성 된 제 3 절 연막 ( 120 ) 을 제거 하 기 위한 식각 공정 을 실시 한다 . 식각 공정 은 습식 식각 공정 으로 실시 할 수 있 으며 , 바람직 하 게 습식 에치 백 ( wet etchback ) 공정 으로 실시 할 수 있 다 . 이때 , 습식 에치 백 공정 시 식각 액 으로 는 500 : 1 내지 50 : 1 의 희석 된 불 산 ( Dilute HF ) 을 사용 할 수 있 다 .