두께 의 단위 는 ㎛ 이 고 , 단면적 의 단위 는 ㎛ 2 이 다 . 종래 기술 에서 는 스토리지 배선 을 형성 하 고 , 스토리지 배선 과 화소 전극 의 사이 에 개재 된 게이트 절 연막 과 보호 층 을 유전 막 으로 사용 하 여 캐 패시 터 를 형성 하 는 것 으로 , 화소 영역 에서 스토리지 배선 과 대응 되 는 화소 영역 은 개구 영역 에 기여 하 지 못하 므로 , 본 발명 과 비교 하 여 당연히 개구율 이 감소 하 게 된다 .