한편 , 이상 을 기능 을 활용 하 여 적어도 하나 의 제 1 레이저 빔 에 의해 디 본딩 대상 전자 부품 영역 과 그 주변 을 포함 하 는 기판 의 일정 구역 이 소정 의 예열 온도 까지 예열 된 후 , 적어도 하나 의 제 2 레이저 빔 에 의해 디 본딩 대상 전자 부품 영역 의 온도 가 솔 더 의 용융 이 일어나 는 디 본딩 온도 까지 선택 적 으로 가열 되 어 짐 으로써 디 본딩 대상 전자 부품 이 선택 적 으로 제거 가능 한 상태 가 되 고 , 이어서 일정 형태 의 이 젝 터 장치 ( 도면 미 도시 ) 에 의해 상기 디 본딩 대상 전자 부품 이 기판 으로부터 제거 될 수 있 다 .