광 전환 층 ( 20 ) 이 퀀텀 닷 실록 산 수지 로 구현 되 는 경우 , 낮 은 온도 에서 재료 의 합성 이 가능 하 며 , 실록 산 수지 가 퀀텀 닷 을 담 는 역할 을 하 는 동시 에 열 과 수분 을 차단 해 퀀텀 닷 의 내구 성 을 향상 시킬 수 있 다 . 즉 , 발광 다이오드 ( 10 ) 로부터 발생 하 는 열 을 차단 하 기 위한 차단 필름 이 없 더라도 광 전환 층 ( 20 ) 을 발광 다이오드 ( 10 ) 의 상부 에 인접 한 상태 로 적층 할 수 있 으며 , 발광 다이오드 ( 10 ) 로부터 발생 하 는 열 에 의한 광 전환 층 ( 20 ) 의 손상 을 방지 할 수 있 다 .