메모리 셀 에 하나 이상 의 데이터 비트 를 기록 할 때 , 인접 한 분포 사이 의 거리 가 감소 하 기 때문 에 메모리 셀 의 임계 전압 레벨 의 미세 한 배치 ( fine placement ) 가 필요 하 다 . 이 는 동일 한 워드 라인 의 증가 형 스텝 펄스 프로그램 ( incremental step pulse program , ISPP ) 을 사용 함 으로써 달성 된다 . 즉 , 동일 한 워드 라인 의 메모리 셀 은 워드 라인 에 인가 된 계단 형 프로그램 전압 ( stair case program voltage ) 으로 프로그램 - 확인 ( program - and - verify ) 방법 을 사용 하 여 반복 적 으로 프로그래밍 된다 . 각각 의 프로그래밍 상태 는 확인 동작 에 사용 되 는 확인 전압 과 연결 되 며 , 프로그래밍 상태 는 각 임계 전압 분배 윈도우 ( threshold voltage distribution window ) 의 타 겟 위치 ( target position ) 를 설정 한다 .