그러나 , 최근 , 디바이스 의 미세화 나 저 소비 전력화 에 의해 , BOX 로 되 는 산화 막 의 막 두께 가 얇 아 지 고 , 또한 , 예 를 들 면 , BOX 가 없 는 직접 접합 의 개발 도 행해 지 고 있 다 . 그런데 , 상기 종래 의 열처리 에 의한 산화 막 형성 에서 는 , 수 nm 정도 의 산화 막 을 균일 하 게 형성 시키 는 것 은 곤란 하 다 . 특히 배치 ( batch ) 타입 의 열처리 로 ( 爐 ) 에서 는 , 로드 록 ( load lock ) 타입 의 이재 ( 移 載 ) 설비 나 , 또한 , 예 를 들 면 , 오존 가스 를 공급 시키 기 위한 설비 가 필요 하 게 되 는 등 , 고가 의 설비 비용 이 필요 하 다 .