본 발명 은 고전압 소자 의 1 차 금속 배선 공정 시 안 전하 게 PCM ( process control module ) 을 측정 하 여 빠른 공정 피드백 ( feed back ) 을 가능 하 게 하 고 , 다량 의 반도체 기판 손실 을 예방 할 수 있 는 고전압 소자 및 그 제조 방법 에 관한 것 으로써 , 저전압 영역 과 고전압 영역 및 중간 전압 영역 그리고 소자 분리 영역 으로 정의 된 반도체 기판 과 , 상기 반도체 기판 의 소자 분리 영역 에 형성 된 소자 분리 막 과 , 상기 반도체 기판 의 소자 분리 영역 을 제외 한 각 영역 에 게이트 절 연막 과 폴리 실리콘 층 을 순차 적 으로 개재 하 여 형성 된 각각 의 게이트 전극 과 , 상기 반도체 기판 에 불순물 이온 주입 공정 을 수행 하 여 형성 된 소오 스 및 드레 인 영역 과 , 상기 반도체 기판 의 전면 에 형성 된 층간 절 연막 과 , 상기 층간 절 연막 에 하부 의 소오 스 및 드레 인 영역 과 게이트 전극 이 소정 부분 노출 되 도록 형성 된 콘 텍 홀 과 , 상기 콘 텍 홀 에 형성 된 금속 배선 과 , PCM 을 측정 하 는 PCM 테스트 패드 및 PCM 패드 와 , 상기 PCM 테스트 패드 및 PCM 패드 를 보호 하 기 위한 보호막 을 포함 하 여 구성 된 것 을 특징 으로 한다 .