그리고 , 게이트 절 연막 ( 27 ) 상 의 볼 패턴 ( 24 B ) 과 트렌치 패턴 ( 24 A ) 내부 및 기판 ( 21 ) 상부 에 제 1 폴리 실리콘 막 ( 28 ) 이 형성 된다 . 여기 서 , 제 1 폴리 실리콘 막 ( 28 ) 은 인시 튜 ( In - situ ) 로 불순물 이 도핑 될 수 있 는데 , 불순물 은 인 ( Ph ) 또는 보론 ( Boron ) 이 며 , 불순물 의 도핑 농도 는 1 × 1020 atoms / cm 3 ∼ 4 × 1020 atoms / cm 3 이 다 . 그리고 , 제 1 폴리 실리콘 막 ( 28 ) 의 두께 는 트렌치 패턴 ( 25 A ) 의 폭 의 절반 보다 작 은 두께 이 다 . 바람직 하 게 , 제 1 폴리 실리콘 막 ( 28 ) 은 30 ∼ 300 Å 두께 로 증착 하 며 , 이 로써 보이드 가 발생 하 지 않 는다 .