절연 층 ( 14 ) 상 에 포토레지스트 ( 43 ) 를 형성 하 고 , 컨 택트 홀 ( 16 , 17 ) 이 개구 된 상태 로 되 도록 , 포토레지스트 ( 43 ) 를 선택 적 으로 제거 한다 . 그리고 , 컨 택트 홀 ( 16 , 17 ) 을 통해서 에피 택 셜 층 ( 4 ) 에 , P 형 불순물 , 예 를 들 면 , 불화 붕소 ( BF 2 ) 를 가속 전압 40 ∼ 60 keV , 도입 량 1 . 0 × 1014 ∼ 1 . 0 × 1016 ( / ㎠) 로 이온 주입 한다 . 컨 택트 홀 ( 16 , 17 ) 의 하방 에 는 컨 택트 홀 ( 16 , 17 ) 의 개구 형상 에 맞춰 P 형 의 확산 층 ( 7 , 9 ) 이 형성 된다 .