본 발명 의 제 1 실시 예 는 플로팅 디 퓨전 영역 과 드라이브 트랜지스터 의 전기 적 인 연결 을 위해 더미 단위 화소 를 형성 한 후 주된 단위 화소 의 플로팅 디 퓨전 영역 과 더미 단위 화소 의 드라이브 트랜지스터 를 전기 적 으로 연결 함 으로써 컨 택 에 의한 개구율 감소 를 현저히 방지 함 으로써 포토다이오드 의 개구율 을 높여 고집 적 화 소수 의 이미지 센서 의 제공 이 가능 할 수 있 다 .