이때 , 상기 화소 영역 ( P ) 내 에 종 방향 으로 배치 된 다수 의 공통 전극 ( 17 ) 및 화소 전극 ( 30 ) 을 갖 는 어레이 기판 ( 10 ) 은 최상층 에 배향 막 을 더욱 형성 하 고 , 상기 공통 전극 ( 17 ) 및 화소 전극 ( 30 ) 의 길 이 방향 즉 , 종 방향 으로 러 빙 ( rubbing ) 을 실시 함 으로써 이러 한 방향 의 러 빙 ( rubbing ) 에 의해 액정 층 내 의 액정 의 초기 배열 은 도시 한 바 와 같이 액정 분자 ( 50 ) 의 장축 이 화소 전극 ( 30 ) 의 길 이 방향 과 나란 하 게 배치 됨 을 알 수 있 다 .