보다 구체 적 으로 , 상기 제 2 영역 ( R 2 ) 의 반도체 기판 ( 100 ) 에 활성 영역 들 ( ACT ) 을 정의 하 는 소자 분리 막 ( 101 ) 이 형성 될 수 있 다 . 활성 영역 들 ( ACT ) 은 바 ( bar ) 형태 일 수 있 으며 , 활성 영역 들 ( ACT ) 의 장축 은 워드 라인 들 ( WL ) 및 비트 라인 들 ( BL ) 에 대하 여 비스듬 한 방향 으로 배치 될 수 있 다 .