도 4 c 를 참조 하 면 하부 전도체 ( 408 ) 의 형성 후 에 CNT 재료 ( 409 ) 는 각 전도체 ( 408 ) 의 상부 상 에 형성 되 는 CNT 시 딩 층 ( 407 ) 상 에 선택 적 으로 형성 된다 . CNT 시 딩 층 ( 407 ) 이 티타늄 질화물 , 탄탈 질화물 또는 유사 한 재료 인 경우 에 , CNT 시 딩 층 ( 407 ) 의 표면 은 티타늄 질화물 , 탄탈 질화물 또는 유사 한 CNT 시 딩 층 ( 407 ) 상 에 CNT 들 이 직접 형성 되 도록 거칠 을 수 있 다 . ( 예 를 들 어 , " 2001 년 11 월 10 - 15 의 정밀 공학 기술 16 차 연차 회의 진행 에서 의 Smith 등 의 "" 나노 튜브 합성 용 의 TiN 의 연마 "" 및 Rao 등 의 Appl . Phys . Lett . ", Vol . 76 , No . 25 , 19 June 200 , " pp . 3813 ~ 3815 의 "" 탁월 한 필드 방출 특성 을 갖 는 원위치 성장 탄소 나노 튜브 어레이 "" 참조 ) . "