본 발명 에 의하 면 , 금속 막 패턴 이 형성 된 반도체 기판 을 유기 또는 무기 스트립 용액 을 이용 하 여 스트립 한 다음 질소 가스 가 용해 된 세정 용액 을 사용 하 여 메가 소닉 세정 하 는 공정 을 통해 폴리머 와 함께 식각 가스 와 금속 막 사이 의 반응 에 의해 발생 되 는 식각 부산물 도 금속 배선 에 손상 을 최소 화 시키 면서 제거 할 수 있 다 .