다음 에 , MOCVD 법 에 의해 상기 반도체 기판 의 GaAs 층 표면 에 반도체 층 을 적층 하 였 다 . 이 에 따라 , Si 웨이퍼 ( 102 ) 와 , 막 두께 가 850 ㎚ 인 Ge 층 ( 120 ) 과 , 막 두께 가 30 ㎚ 인 중간층 과 , 막 두께 가 500 ㎚ 인 언 도프 GaAs 층 과 , 막 두께 가 300 ㎚ 인 n 형 GaAs 층 과 , 막 두께 가 20 ㎚ 인 n 형 InGaP 층 과 , 막 두께 가 3 ㎚ 인 n 형 GaAs 층 과 , 막 두께 가 300 ㎚ 인 GaAs 층 과 , 막 두께 가 50 ㎚ 인 p 형 GaAs 층 과 , 막 두께 가 20 ㎚ 인 n 형 InGaP 층 과 , 막 두께 가 120 ㎚ 인 n 형 GaAs 층 과 , 막 두께 가 60 ㎚ 인 n 형 InGaAs 층 이 , 이러 한 순서 로 배치 된 HBT 소자 구조 를 얻 을 수 있 었 다 . 얻 어 진 HBT 소자 구조 로 전극 을 배치 하 여 전자 소자 또는 전자 디바이스 의 일례 인 HBT 소자 를 작성 하 였 다 . 상기 반도체 층 에 있 어서 , n 형 불순물 로서 Si 를 이용 하 였 다 . 상기 반도체 층 에 있 어서 , p 형 불순물 로서 C 를 이용 하 였 다 .