비 선택 된 워드 라인 들 은 플로팅 된다 . 표면층 ( 114 ) 으로부터 의 커플링 의 영향 에 의해 , 제 4 내지 제 6 워드 라인 들 ( WL 4 ~ WL 6 ) 로 동작 하 는 제 1 도전 물질 들 ( 261 ~ 281 ) 의 전압 이 상승 한다 . 예 시 적 으로 , 제 4 내지 제 6 워드 라인 들 ( WL 4 ~ WL 6 ) 의 전압 은 제 1 비 선택 워드 라인 전압 ( Vuwl 1 ) 으로 상승 할 것 이 다 . 예 시 적 으로 , 제 2 소거 전압 ( Vers 2 ) 및 비 선택 워드 라인 전압 ( Vuwl 1 ) 의 차이 는 Fowler - Nordheim 터널 링 을 유발 할 정도 로 크 지 않 을 것 이 다 . 따라서 , 비 선택 된 제 2 서브 블록 의 제 4 내지 제 6 메모리 셀 들 ( MC 4 ~ MC 6 ) 은 소거 금지 된다 .