지금 까지 , 어떠 한 멤 브레인 층 ( 120 ) 도 시각 적 영역 ( VA ) 내 의 금속 성 나노 와 이 어 층 ( 140 A ) 상 에 존재 하 지 않 고 ; 즉 , 이상 에서 설명 된 금속 성 나노 와 이 어 층 ( 140 A ) 의 제 2 부분 이 터치 센싱 전극 들 ( TE ) 을 형성 하 며 , 주변 영역 ( PA ) 내 의 금속 성 나노 와 이 어 층 ( 140 A ) 은 멤 브레인 층 ( 120 ) 에 의해 커버 되 고 ; 즉 , 이상 에서 설명 된 금속 성 나노 와 이 어 층 ( 140 A ) 의 제 1 부분 , 및 주변 영역 ( PA ) 내 의 금속 성 나노 와 이 어 층 ( 140 A ) , 멤 브레인 층 ( 120 ) , 및 주변 회로 ( 130 ) 는 함께 주변 라우팅 을 형성 하 는 것 으로서 간주 되 며 ; 이러 한 실시 예의 전극 구조 체 는 이상 의 구조 체로 만들 어 진다 . 시각 적 영역 ( VA ) 내 의 금속 성 나노 와 이 어 층 ( 140 A ) 이 멤 브레인 층 ( 120 ) 에 의해 커버 되 지 않 기 때문 에 , 멤 브레인 층 ( 120 ) 에 의한 시각 적 효과 의 영향 은 광학 적 관점 에서 감소 될 수 있 다 .