본 명세서 에 기재 된 방법 ( 1100 ) 및 장치 의 일부 예시 는 강유 전 성 메모리 셀 에 대한 타깃 논리 상태 가 제 1 논리 상태 일 수 있 음 을 결정 하 고 , 워드 라인 을 비 활성 화 할 때 까지 타깃 논리 상태 가 제 1 논리 상태 임 을 기초 로 , 디 지트 라인 및 플레이트 를 제 2 전압 으로 유지 하 기 위한 동작 , 특징 부 , 수단 , 또는 명령 을 더 포함 할 수 있 다 .