상기 게이트 배선 ( GLn ) 의 단부 에 형성 된 게이트 패드 전극 ( 113 ) 위 에 는 제 1 및 제 2 보호 절연 층 ( 140 , 170 ) 이 제거 된 제 1 콘 택 홀 ( 181 ) 이 형성 된다 . 상기 제 1 콘 택 홀 ( 181 ) 과 , 상기 제 1 콘 택 홀 ( 181 ) 을 통해 노출 된 게이트 패드 전극 ( 113 ) 에 의해 게이트 패드 ( GP ) 가 정의 된다 .