일 실시 예 에서 , 전도성 필라 ( 125 ) 는 습식 식각 액 ( Wet Etchant ) 을 사용 하 는 습식 식각 에 의해 제거 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 습식 식각 액 은 FeCl 3 , CuCl 2 , Cu ( NH 3 ) 4 2 + 와 같 은 알칼리 식각 액 , H 2 O 2 - H 2 SO 4 , CrO 3 - H 2 SO 4 , NaClO 3 또는 이 들 의 조합 을 포함 할 수 있 다 . 제 1 반도체 칩 ( 130 ) 및 봉 지재 ( 142 ) 는 상기 식각 공정 에서 식각 되 지 않 을 수 있 다 . 전도성 필라 ( 125 ) 는 제 1 재배 선 구 조체 ( 110 ) 상 에 복수 개 가 형성 되 므로 , 습식 식각 시 하나 의 공정 으로 복수 의 전도성 필라 ( 125 ) 가 식각 되 므로 반도체 패키지 제조 공정 이 단순 화 되 며 수율 확보 가 용이 해질 수 있 다 .