즉 , 도 8 에 개시 된 화소 ( PXE ) 는 도 2 에 개시 된 화소 ( PXA ) 에서 제 2 트랜지스터 ( T 2 ) 의 제 2 전극 과 유기 발광 소자 ( OLED ) 의 제 1 전극 사이 에 제 3 트랜지스터 ( T 3 ) 를 추가 적 으로 구비 할 수 있 다 . 이 에 따라 , 화소 ( PXE ) 는 제 3 트랜지스터 ( T 3 ) 에 의해 제 2 노드 ( N 2 ) 와 제 3 노드 ( N 3 ) 가 분리 될 수 있 으므로 , 데이터 신호 ( D [ j ] ) 가 제 1 트랜지스터 ( T 1 ) 의 게이트 전극 ( 즉 , 제 1 노드 ( N 1 ) ) 에 기입 되 는 동안 제 1 트랜지스터 ( T 1 ) 를 통해 제 1 전원 ( ELVDD ) 로부터 제 2 노드 ( N 2 ) 로 흐르 는 누설 전류 가 발생 하 는 경우 에 도 제 1 트랜지스터 ( T 1 ) 의 게이트 전극 에 기입 되 는 데이터 신호 ( D [ j ] ) 가 영향 을 받 지 않 으므로 표시 품질 이 향상 될 수 있 다 .