상기 게이트 절 연막 ( 216 ) 상 에 는 순수 비정질 실리콘 으로 이루어지 는 액티브 층 ( 220 a ) 과 불순물 비정질 실리콘 으로 이루어지 는 오 믹 콘 택 층 ( 220 b ) 을 포함 하 는 반도체 층 ( 220 ) 이 위치 한다 . 상기 반도체 층 ( 220 ) 은 상기 게이트 전극 ( 212 ) 과 중첩 한다 . 또한 , 상기 반도체 층 ( 220 ) 상 에 는 서로 이격 되 어 있 는 소스 전극 ( 232 ) 및 드레 인 전극 ( 234 ) 이 위치 한다 . 상기 게이트 전극 ( 212 ) , 상기 게이트 절 연막 ( 216 ) , 상기 반도체 층 ( 220 ) , 서로 이격 하 는 상기 소스 전극 ( 232 ) 및 상기 드레 인 전극 ( 234 ) 은 스위칭 소자 인 박막 트랜지스터 ( Tr ) 를 이룬다 .