이 를 상세히 설명 하 면 , 활성 층 ( 138 ) 및 오 믹 접촉 층 ( 140 ) 이 형성 된 하부 기판 ( 101 ) 위 에 PECVD , 스퍼터링 등 의 증착 방법 을 통해 소스 및 드레 인 금속 층 이 형 성 된다 . 그 후 , 포 토리 쏘 그래피 공정 과 습식 식각 공정 으로 소스 및 드레 인 금속 층 을 패 터닝 함 으로써 소스 전극 ( 134 ) 및 드레 인 전극 ( 136 ) 이 형성 된다 . 이어서 , TFT 의 채널 부 의 소스 전극 ( 134 ) 및 드레 인 전극 ( 136 ) 과 오 믹 접촉 층 ( 140 ) 을 식각 공정 으로 제거 하 여 TFT 의 채널 부 의 활성 층 ( 138 ) 이 노출 되 어 TFT 의 채널 이 형성 된다 . 여기 서 , 소스 및 드레 인 금속 층 의 재료 로 는 Cr , Mo , MoW , Al / Cr , Al ( Nd ) , Al / Mo , Al ( Nd ) / Al , Al ( Nd ) / Cr , Mo / Al ( Nd ) / Mo , Cu / Mo , Ti / Al ( Nd ) / Ti 등 이 이용 된다 .