상기 제 1 마스크 패턴 ( 122 a ) 을 이온 주입 마스크 로 사용 하 여 제 1 주 입 에너지 로 제 1 원소 이온 주입 공정 을 수행 한다 . 이 에 따라 , 상기 피복층 ( 102 ) 내 에 복수 의 제 1 원소 주입 층 들 ( 124 a ) 이 형성 된다 . 상기 제 1 원소 이온 주입 공정 은 실리콘 이온 등 을 주입 할 수 있 다 . 상기 제 1 마스크 패턴 ( 122 a ) 에 기인 하 여 상기 제 1 원소 주입 층 들 ( 124 a ) 은 상기 피복층 ( 102 ) 내 에 상기 일 방향 을 따라 등 간격 으로 이격 되 어 형성 된다 . 상기 제 1 원소 주입 층 들 ( 124 a ) 은 동일 한 높이 에 형성 된다 .