따라서 , 본 발명 은 상기 문제 를 해결 하 기 위하 여 이루어진 것 이 며 , 그 과제 로 하 는 바 는 , 염화수소 를 함유 하 지 않 더라도 , 에칭 에 의한 폭 가늘 어 짐 이 적 고 , 직선 성 이 양호 함 과 함께 원 하 는 폭 을 갖 는 세선 을 형성 하 는 것 이 가능 한 , 산화 인듐 계층 의 에칭 에 유용 한 에칭 액 조성물 을 제공 하 는 데 있 다 . 또한 , 본 발명 의 과제 로 하 는 바 는 , 상기 에칭 액 조성물 을 사용 한 에칭 방법 을 제공 하 는 데 있 다 .