산화물 반도체 층 에 채널 이 형성 되 는 트랜지스터 는 오프 전류 가 지극히 작 다 . 예 를 들 어 , 산화물 반도체 층 에 채널 이 형성 되 는 트랜지스터 의 오프 전류 는 , 결정 성 을 갖 는 실리콘 에 채널 이 형성 되 는 트랜지스터 의 오프 전류 에 비하 여 현저 하 게 낮 다 . 그 로 인해 , 당해 트랜지스터 를 트랜지스터 ( 111 ) 및 트랜지스터 ( 112 ) 로서 사용 함 으로써 , 기억 소자 ( 100 ) 에 전원 전압 이 공급 되 지 않 는 동안 에 도 용량 소자 ( 121 ) 및 용량 소자 ( 122 ) 에 유지 된 전위 는 유지 된다 . 이렇게 해서 , 기억 소자 ( 100 ) 는 전원 전압 의 공급 이 정지 한 동안 에 도 기억 내용 을 유지 하 는 것 이 가능 하 다 .