위 에 언급 된 바 와 같이 , 블 리더 다이오드 들 ( 300 , 600 ) 및 이 들 의 각각 의 제어 트랜지스터 들 ( 즉 , 비트 라인 블 리더 다이오드 제어 NMOS 트랜지스터 들 ( 314 ) , " 및 워드 라인 블 리더 다이오드 제어 PMOS 트랜지스터 들 ( 614 ) ) 은 선택 된 비트 라인 및 워드 라인 상 에 는 아니 고 비 선택 된 비트 라인 들 및 워드 라인 들 상 에 적합 한 바이어스 전압 이 나타날 수 있 게 한다 . 도 10 a 및 도 10 b 은 "" 0 "" 을 선택 된 메모리 셀 ( S ) 에 기입 하 는 ( 즉 ", 셀 ( S ) 의 저장 소자 ( 142 ) 를 고 저항 상태 에 놓 는다 ) 리셋 동작 동안 인가 된 전압 들 뿐 만 아니 라 , 블 리더 다이오드 들 ( 300 b , 600 b ) 을 통하 는 전압 경로 들 을 도시 한다 . 도 10 a 및 도 10 b 에 도시 된 바 와 같이 , 리셋 동작 을 위해 워드 라인 을 선택 하 기 위해서 , 대응 하 는 워드 라인 단일 장치 드라이버 NMOS 트랜지스터 ( 663 a ) 의 드레 인 ( 또는 소스 ) 는 워드 라인 바이어스 발생기 ( 604 a ) 로부터 펄스 신호 ( 예 를 들 면 , 50 ns 내 에 4 V 에서 접지 로 그리고 다시 4 V 로 의 전압 천 이 ) 에서 저 전압 ( SELX ) ( 예 를 들 면 , 접지 ) 으로 설정 되 고 , 반면 게이트 는 전역 워드 라인 디코더 ( 110 ) 로부터 의 신호 에 의해 고 전압 ( GWL ) ( 예 를 들 면 , 약 5 V ) 으로 설정 된다 . NMOS 트랜지스터 ( 663 a ) 의 게이트 에 인가 된 전압 은 워드 라인 블 리더 다이오드 제어 PMOS 트랜지스터 ( 614 a ) 의 게이트 에 도 인가 된다 . 결국 , 대응 하 는 워드 라인 블 리더 다이오드 ( 600 a ) 는 고 바이어스 서플라이 ( 605 ) 에 의해 발생 된 비 선택 된 워드 라인 바이어스 ( Vux ) ( 예 를 들 면 , 약 5 V ) 로부터 분리 된다 . 유사 하 게 , 리셋 동작 을 위해 비트 라인 을 선택 하 기 위해서 , 고 전압 ( 예 를 들 면 , 약 5 V ) 이 비트 라인 바이어스 발생기 ( 304 ) 에 의해 대응 하 는 선택 된 비트 라인 단일 장치 드라이버 PMOS 트랜지스터 ( 163 a ) 의 드레 인 ( 또는 소스 ) 에 인가 되 고 , 저 전압 ( 예 를 들 면 , 접지 ) 이 비트 라인 디코더 ( 120 ) 에 의해 선택 된 비트 라인 단일 장치 드라이버 PMOS 트랜지스터 ( 163 a ) 의 게이트 에 인가 되 고 또 한 비트 라인 블 리더 다이오드 제어 NMOS 트랜지스터 ( 314 a ) 의 게이트 에 도 인가 된다 . 결국 , 대응 하 는 비트 라인 블 리더 다이오드 ( 300 a ) 는 선택 된 비트 라인 로부터 격리 되 어 , 단일 장치 드라이버 PMOS 트랜지스터 ( 163 a ) 가 선택 된 비트 라인 ( 122 ) 을 고 전압 ( 예 를 들 면 , 약 5 V ) 까지 구동 할 수 있 게 한다 . 다른 곳 에 비트 라인 디코더 ( 120 ) 는 고 전압 ( 예 를 들 면 , 약 5 V ) 을 비 선택 된 비트 라인 단일 장치 드라이버 PMOS 트랜지스터 ( 163 ') 의 게이트 에 그리고 비트 라인 블 리더 다이오드 제어 NMOS 트랜지스터 ( 314 ') 의 게이트 에 도 공급 한다 . 비 선택 된 바이어스 발생기 ( 305 ) 는 저 전압 ( 예 를 들 면 , 접지 ) 을 비트 라인 블 리더 다이오드 제어 NMOS 트랜지스터 ( 314 ') 의 소스 에 공급 한다 . 결국 , 대응 하 는 비트 라인 블 리더 다이오드 ( 300 b ) 는 비 선택 된 비트 라인 ( 124 ) 으로부터 전류 ( 점선 화살표 로 도시 된 ) 를 싱크 하 여 , 이 비트 라인 의 전압 을 접 지 ( 예 를 들 면 , 약 0 . 8 V ) 이상 의 한 다이오드 전압 강하 에 유지 한다 . 비 선택 된 워드 라인 에서 , 전역 워드 라인 디코더 ( 110 ) 는 저 전압 ( 예 를 들 면 , 접지 ) 을 비 선택 된 워드 라인 단일 장치 드라이버 NMOS 트랜지스터 들 ( 663 b ) 의 게이트 에 인가 하 며 , 또한 같 은 전압 을 대응 하 는 워드 라인 블 리더 다이오드 제어 PMOS 트랜지스터 들 ( 614 b ) 의 게이트 에 도 인가 한다 . 동시 에 , 고 전압 ( Vux ) 이 비 선택 된 워드 라인 블 리더 다이오드 제어 PMOS 트랜지스터 들 ( 614 b ) 의 소스 ( 또는 드레 인 ) 에 인가 된다 . 비 선택 된 워드 라인 블 리더 다이오드 ( 600 b ) 는 워드 라인 블 리더 다이오드 제어 PMOS 트랜지스터 들 ( 614 b ) 의 드레 인 으로부터 전류 ( 점선 화살표 로 도시 된 ) 를 비 선택 된 워드 라인 에 공급 한다 . 이것 은 누설 전류 가 비 선택 된 셀 ( U ) ( 점선 화살표 로 도시 된 ) 을 통해 흐르 는 동안 비 선택 된 워드 라인 을 예시 적 5 볼트 ( 예 를 들 면 , 약 4 . 2 볼트 ) 미만 의 약 한 다이오드 전압 강하 에 유지 한다 .