이어서 , 상기 돌기 형 게이트 ( 628 ) 의 양 측벽 을 감싸 도록 스 페이서 ( 622 ) 를 형성 하 고 , 상기 스토리지 노드 콘 택 영역 상부 의 실리콘 에 피층 ( 612 ) 내 에 는 제 1 접합 영역 ( 630 ) 이 형성 되 고 , 상기 활성 영역 의 비트 라인 콘 택 영역 상 의 실리콘 에 피층 ( 612 ) 내 에 는 제 2 접합 영역 ( 632 ) 이 형성 되 어 본 발명 의 실시 예 에 따른 반도체 소자 를 완성 한다 .