본 발명 의 실시 형태 에 따르 면 , 진공 분위기 에서 복수 종류 의 반응 가스 를 순서 대로 기판 에 공급 하 는 사이클 을 복수 회 반복 해서 박막 을 형성 함 에 있 어서 , 박막 의 형성 중 에 기판 에 플 라즈 마 를 공급 해서 기판 상 의 박막 의 개질 처리 를 행하 고 있 기 때문 에 , 막 두께 방향 에 걸쳐 치밀 한 박막 을 얻 을 수 있 다 . 그리고 , 박막 의 형성 도중 에 플 라즈 마의 강도 를 변경 하 고 있 기 때문 에 , 예 를 들 어 바탕 막 에 대한 플 라즈 마의 영향 을 제어 할 수 있 고 , 혹은 박막 의 막 두께 방향 의 치밀 함 의 정도 를 맞출 수 있 는 등 , 양호 한 디바이스 구조 를 얻 는 것 에 기여 할 수 있 다 .