한편 , 전술 한 본 발명 의 실시 예 에서 는 상기 제 1 및 제 2 저유 전막 을 유전 상수 값 이 같 은 동일 한 물질 의 막 으로 형성 하 였 지만 , 본 발명 의 다른 실시 예 로서 다층 금속 배선 의 형성 시 각 금속 배 선간 매립 을 위한 저유 전막 을 다른 물질 의 막 으로 형성 하 는 방법 도 가능 하 다 . 이때 , 상부 금속 배 선간 매립 을 위한 저유 전막 은 하부 금속 배 선간 매립 을 위한 저유 전막 보다 유전 상수 값 이 낮 은 저유 전막 으로 형성 함 이 바람직 한데 , 이 는 소자 의 동작 속도 를 감소 시키 는 기생 캐 패 시턴 스 를 감소 시키 기 위함 이 다 .