도 2 b 를 참조 하 면 , 포토레지스트 패턴 을 식각 마스크 로 이용 하 여 제 2 도 전막 ( 104 ) 의 일부 를 식각 하 여 유전체 막 ( 103 ) 을 노출 시키 는 격리 영역 ( R ) 을 형성 한다 . 격리 영역 ( R ) 은 후속 공정 에서 콘 택 구조 ( 200 B ; 도 2 i 참조 ) 와 제 1 도 전막 ( 102 ) 의 연결 부분 으로 사용 되 므로 넓 게 형성 되 는 것 이 바람직 하 다 .