본 발명 의 실시 예 들 에 따른 불휘발성 반도체 장치 는 전술 한 바 와 같이 다양 한 방식 으로 형성 된 적어도 하나 의 산화 막 , 적어도 하나 의 질화 막 및 / 또는 적어도 하나 의 산질 화 막 을 포함 하 는 절연 구조물 ( 440 ) 을 터널 산화 막 으로 구비 한다 . 절연 구조물 ( 440 ) 의 에지 부분 을 포함 하 는 주변 부 의 두께 가 중앙부 의 두께 와 실질 적 으로 동일 하 게 형성 되 기 때문 에 상기 불휘발성 반도체 장치 의 각 셀 들 의 문턱 전압 들 ( Vth ) 이 불 규칙 해 지 는 현상 을 방지 할 수 있 다 . 또한 , 절연 구조물 ( 440 ) 과 플로팅 게이트 ( 445 ) 사이 에서 질소 원자 농도 분포 가 균일 해 지 며 , 절연 구조물 ( 440 ) 내 에 전하 트랩 사이트 들 의 형성 이 방지 되 기 때문 에 상기 불휘발성 반도체 장치 의 프로그래밍 동작 및 소거 동작 시 의 내구 성 과 신뢰 성 을 크 게 향상 시킬 수 있 다 .