다음 도 3 에 도시 한 바 와 같이 , 노출 된 식각 정지 막 을 제거 하 여 하부 도전체 ( 102 ) 를 노출 한다 . 이후 트렌치 ( T ) 의 내벽 에 SiN 으로 이루어지 는 덮개 막 ( 108 ) 을 형성 한다 . 이때 , 덮개 막 ( 108 ) 은 HCD , BTBAS 따위 의 질소 기체 가 주입 된 580 ~ 600 ℃ 의 로 ( furnace ) 를 이용 하 여 형성 한다 . 로 를 이용 하 여 덮개 막 ( 108 ) 을 형성 하 면 화 학적 기상 증착 보다 낮 은 온도 에서 더욱 얇 은 덮개 막 ( 108 ) 을 형성 할 수 있 다 .