이하 , 도 4 a 내지 도 11 b 를 참조 하 여 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 소노 스 메모리 소자 의 구조 및 제조 방법 에 대하 여 설명 한다 . 이때 , 도 4 a 내지 도 9 , 도 10 a 및 도 11 a 은 도 3 에 도시 된 절 단선 A - A ' 를 따라 절취 된 단면도 이 고 , 도 10 b 및 도 11 b 는 도 3 에 도시 된 영역 B ( 330 ) 를 따라 절취 된 사시도 이 다 .