도 17 은 일반 적 인 원자 층 적층 공정 및 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 원자 층 적층 공정 각각 으로 형성 된 탄 탈륨 이 도핑 된 주석 산화 막 의 GIXRD ( Grazing Incidence X - Ray Diffraction ) 분석 한 그래프 이 다 . 도 17 에서 , 파란색 그래프 는 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 원자 층 적층 공정 으로 형성 된 2 . 0 at % 의 탄 탈륨 농도 로 도핑 된 주석 산화 막 을 분석 한 것 이 고 , 빨간색 그래프 는 일반 적 인 원자 층 적층 공정 으로 형성 된 1 . 8 at % 의 탄 탈륨 농도 로 도핑 된 주석 산화 막 을 분석 한 것 이 고 , 검정 색 그래프 는 탄 탈륨 없 는 주석 산화 막 을 분석 한 것 이 다 . 모든 주석 산화 막 들 각각 의 두께 는 약 35 nm 로 적층 한다 . 검정 색 그래프 에서 , 주석 산화물 ( 110 ) 및 ( 200 ) 의 피크 들 이 나타난다 . 그러나 , 빨간색 그래프 의 탄 탈륨 농도 는 파란색 그래프 의 탄 탈륨 농도 보다 낮 음 에 도 불구 하 고 주석 산화물 ( 110 ) 및 ( 200 ) 의 피크 들 이 나타나 지 않 는 것 을 볼 수 있 다 . 반면 , 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 원자 층 적층 공정 으로 형성 된 탄 탈륨 이 도핑 된 주석 산화 막 에서 는 주석 산화물 ( 110 ) 및 ( 200 ) 의 피크 들 이 나타난다 . 따라서 , 일 실시 예 에 따른 원자 층 적층 공정 으로 형성 된 탄 탈륨 이 도핑 된 주석 산화 막 에서 는 , 탄 탈륨 이 도핑 됨 과 동시 에 결정학 적 으로 도 주석 산화 막 질 특성 을 나타냄 을 알 수 있 다 .