소스 / 드레 인 영역 들 ( 150 ) 은 채널 구조물 ( 140 ) 의 양측 에서 , 활성 영역 ( 105 ) 상 에 배치 될 수 있 다 . 소스 / 드레 인 영역 ( 150 ) 은 , 채널 구조물 ( 140 ) 의 제 1 내지 제 3 채널 층 들 ( 141 , 142 , 143 ) 각각 의 측면 및 소스 / 드레 인 영역 ( 150 ) 의 하단 에서 활성 영역 ( 105 ) 의 상면 을 덮 도록 배치 될 수 있 다 . 소스 / 드레 인 영역 ( 150 ) 은 활성 영역 ( 105 ) 의 상부 를 일부 리세 스 하 여 배치 될 수 있 으나 , 실시 예 들 에서 리세 스 여부 및 리세 스 깊이 는 다양 하 게 변경 될 수 있 다 . 소스 / 드레 인 영역 들 ( 150 ) 은 실리콘 ( Si ) 을 포함 하 는 반도체 층 일 수 있 으며 , 서로 다른 종류 및 / 또는 농도 의 불순물 들 을 포함 할 수 있 다 .