보조 기억 장치 ( 1230 ) 는 프로그램 코드 나 데이터 를 보관 하 기 위한 기억 장치 를 말 한다 . 주 기억 장치 ( 1220 ) 보다 속도 는 느리 지만 많 은 자료 를 보관 할 수 있 다 . 보조 기억 장치 ( 1230 ) 는 전술 한 반도체 장치 의 실시 예 들 중 하나 이상 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 보조 기억 장치 ( 1230 ) 는 , 기판 ; 상기 기판 상 에 수직 방향 으로 서로 이격 하 여 배열 되 는 제 1 내지 제 N 층 ( 여기 서 , N 은 2 이상 의 자연수 ) 의 복수 의 도전 라인 - 여기 서 , 상기 제 1 내지 제 N 층 각각 의 복수 의 도전 라인 은 , 수평 방향 으로 연장 하 면서 서로 이격 하 여 배열 됨 . - ; 상기 수직 방향 및 상기 수평 방향 에서 상기 도전 라인 사이 를 매립 하 는 절 연막 ; 상기 수평 방향 에서 상기 도전 라인 사이 의 상기 절 연막 을 관통 하 여 상기 제 1 내지 제 N 층 의 상기 도전 라인 의 측벽 을 노출 시키 는 홀 ; 상기 홀 측벽 을 따라 형성 되 는 가변 저항 층 ; 및 상기 가변 저항 층 이 형성 된 상기 홀 을 매립 하 는 도전 기둥 을 포함 할 수 있 다 . 이 를 통해 , 보조 기억 장치 ( 1230 ) 의 집적도 가 증가 하 고 데이터 저장 특성 이 향상 될 수 있 다 . 결과 적 으로 , 시스템 ( 1200 ) 의 사이즈 감소 및 동작 특성 이 향상 될 수 있 다 .