예 를 들 어 , 본 실시 예의 데이터 배선 ( 152 ) 들 은 게이트 전극 ( 132 ) 과 동일 한 도전 성 물질 로 동일 층 에 형성 되 어 게이트 전극 ( 132 ) 들 과 동시 에 패 터닝 되 기 때문 에 , 만약 배선 영역 ( 150 ) 에 반도체 층 ( 151 ) 패턴 이 형성 되 지 않 고 직접 버퍼 층 ( 111 ) 상 에 도전 성 배선 ( 152 ) 들 이 형성 된다면 게이트 전극 ( 132 ) 들 과 동일 높이 로 형성 될 것 이 다 . 따라서 , 이 데이터 배선 ( 152 ) 상 에 화소 영역 ( 120 ) 의 게이트 전극 ( 132 ) 과 소스 / 드레 인 전극 ( 133 , 134 ) 사이 에 형성 되 는 제 1 절연 층 ( 113 ) 이 연장 형성 된다 하 더라도 , 배선 ( 152 ) 들 의 단차 면 에서 는 스텝 커버리지 가 좋 지 않 기 때문 에 제 1 절연 층 ( 113 ) 만 으로 충분히 상기 데이터 배선 ( 152 ) 들 을 커버 하 지 못할 수 있 다 . 이때 , 커버 되 지 못한 배선 ( 152 ) 들 은 쇼트 될 수 있 으며 이 로 인하 여 유기 발광 장치 의 오작동 을 야기 시킬 수 도 있 다 .