일부 실시 예 에서 , CNT 시드 층 ( 314 ) 은 하나 이상 의 추가 의 층 들 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 도 3 b 는 CNT 시드 층 ( 314 ) 이 추가 의 금속 촉매 층 ( 332 ) 을 포함 하 는 도 2 a 의 메모리 셀 ( 200 ) 의 제 2 실시 예의 단면도 이 다 . 금속 촉매 층 ( 332 ) 은 CMP 또는 에치 백 된 노출 된 CNT 시드 층 ( 314 ) 상 에 선택 적 으로 증착 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 일부 실시 예 에서 , 니켈 , 코발트 , 철 등 , 금속 촉매 층 ( 332 ) 이 비전 해 ( electroless ) 증착 , 전기 도금 등 에 의해 요철 표면 의 질화 티탄 또는 질화 탄탈 CNT 시드 층 ( 314 ) 상 에 선택 적 으로 형성 될 수 있 다 . 이어서 CNT 물질 ( 324 ) 가 금속 촉매 가 코팅 된 CNT 시드 층 ( 314 ) 상 에 형성 될 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 금속 촉매 층 ( 316 ) 의 사용 은 CNT 형성 동안 촉매 프리 커서 ( precursor ) 에 대한 필요 성 을 제거 할 수 있 다 . 바람직 한 금속 촉매 층 두께 들 은 약 1 내지 200 옹스트롬 의 범위 인데 , 그러나 그 외 두께 들 이 사용 될 수 도 있 다 . 이러 한 실시 예 는 금속 하드 마스크 층 들 ( 316 , 318 ) 을 사용 하 여 또는 없이 사용 될 수 도 있 다 . 니켈 , 코발트 , 철 , 또는 유사 금속 촉매 층 이 무전 해 증착 , 전기 도금 등 에 의해 요철 표면 이 아닌 또는 매끄러운 질화 티탄 , 질화 탄탈 또는 유사 층 상 에 형성 될 수 도 있 다 .