본 발명 은 , 반도체 소자 의 STI 형성 방법 에 있 어서 , 실리콘 기판 상 에 질화 막 을 형성 시키 는 단계 와 , 실리콘 기판 의 질화 막 형성 면 에 트렌치 를 형성 시키 는 단계 와 , 실리콘 기판 의 트렌치 내부 에 산화 막 으로 매립 시키 는 단계 와 , 질화 막상 의 산화 막 을 평탄 화 시켜서 소자 분리 막 을 형성 시키 는 단계 와 , 질화 막상 의 잔여 산화 막 을 질화 시키 는 단계 와 , 질화 막 을 스트립 하 는 단계 를 포함 한다 .