P 1 에 구비 된 박막 트랜지스터 의 반도체 층 ( 미 도시 ) 상 에서 채널 불량 이 발생 한 경우 에 는 , ( S 20 ) 의 레이저 커팅 ( laser cutting ) 을 통해 P 1 에 구비 된 박막 트랜지스터 의 드레 인 전극 ( 122 ) 을 P 1 의 화소 전극 ( 130 ) 으로부터 단선 시키 고 , ( S 21 ) 및 ( S 22 ) 부분 을 용접 하 여 리페 어 한다 .