동작 도중 에 , 관련 된 비트 라인 들 ( 114 , 116 ) 과 공통 ( 즉 , 공유 된 ) 소스 라인 ( 118 ) 을 이용 하 여 데이터 가 제 1 메모리 셀 ( 102 ) 또는 제 2 메모리 셀 ( 104 ) 로부터 판독 되 거나 제 1 메모리 셀 ( 102 ) 또는 제 2 메모리 셀 ( 104 ) 로 기록 될 수 있 다 . 데이터 는 선택 된 메모리 셀 ( 102 또는 104 ) 과 관련 된 각각 의 비트 라인 ( 114 또는 116 ) 과 소스 라인 ( 118 ) 사이 에 전위차 를 인가 함 에 의해 판독 될 수 있 다 . 제 어 신호 는 스위치 들 ( 110 , 112 ) 을 통하 여 전류 를 흐르 게 하 기 위하 여 워드 라인 ( 116 ) 을 통하 여 전송 될 수 있 다 . 소스 라인 ( 118 ) 또는 관련 비트 라인 ( 114 또는 116 ) 을 통한 결과 적 인 전류 가 선택 된 메모리 셀 ( 102 또는 104 ) 에서 의 데이터 값 을 결정 하 기 위하 여 기준 전류 와 비교 될 수 있 다 . 선택 된 메모리 셀 ( 102 또는 104 ) 의 각각 의 MTJ 소자 ( 106 또는 108 ) 의 프로그램 가능 자기 필드 의 방향 을 변경 할 만큼 충분히 큰 전류 를 인가 함 에 의해서 데이터 가 선택 된 메모리 셀 ( 102 또는 104 ) 에 또한 저장 될 수 있 다 .