본 발명 에 따른 반도체 디바이스 는 제 1 방향 으로 배열 되 고 금속 으로 형성 된 제 1 배선 층 ; 상기 제 1 배선 층 의 상부 에 안착 된 반도체 다이 ; 상기 반도체 다이 를 감싸 도록 형성 된 절연 층 ; 및 상기 절연 층 을 상기 제 1 방향 에 수직 한 제 2 방향 으로 관통 하 여 상기 제 1 배선 층 및 상기 반도체 다이 중 적어도 하나 와 전기 적 으로 연결 된 제 2 배선 층 을 포함 할 수 있 다 .