상부 의 트랜지스터 ( 662 ) 의 채널 길이 ( L ) 는 , 전극 ( 642 a ) 및 전극 ( 642 b ) 의 하단 부 의 간격 에 따라 결정 된다 . 또한 , 채널 길이 ( L ) 가 25 ㎚ 미만 인 트랜지스터 를 형성 하 는 경우 에 사용 하 는 마스크 를 형성 하 기 위한 노광 을 행할 때 에 는 , 수 ㎚ 내지 수 10 ㎚ 로 파장 이 짧 은 초 자외선 ( Extreme Ultraviolet ) 을 사용 하 는 것 이 바람직 하 다 . 초 자외선 에 의한 노광 은 해상도 가 높 아 초점 심도 도 크 다 . 따라서 , 트랜지스터 ( 662 ) 의 채널 길이 ( L ) 를 2 ㎛ 미만 , 바람직 하 게 는 10 ㎚ 이상 350 ㎚( 0 . 35 ㎛) 이하 로 하 는 것 도 가능 하 여 , 회로 의 동작 속도 를 높이 는 것 이 가능 하 다 .