발명 의 제 3 면 에서 , ( 1 ) 제 1 도체 ; ( 2 ) 상기 제 1 도체 위 에 선택 적 으로 제조 된 탄소 나노 튜브 ( CNT ) 물질 을 포함 하 는 가역 저항 전환 소자 ; ( 3 ) 상기 가역 저항 전환 소자 위 에 형성 된 다이오드 ; 및 ( 4 ) 상기 다이오드 위 에 형성 된 제 2 도체 를 포함 하 는 메모리 셀 이 제공 된다 .