도 9 를 참조 하 면 , 제 1 영역 ( RG 1 ) 및 제 2 영역 ( RG 2 ) 을 포함 하 는 제 1 기판 ( 100 ) 이 제공 될 수 있 다 . 제 1 기판 ( 100 ) 내 에 소자 분리 막 ( ST ) 이 형성 될 수 있 다 . 소자 분리 막 ( ST ) 은 STI ( Shallow Trench Isolation ) 공정 을 이용 하 여 형성 될 수 있 다 . 제 1 영역 ( RG 1 ) 의 소자 분리 막 ( ST ) 은 , 제 1 기판 ( 100 ) 의 제 1 활성 영역 들 ( ACT 1 ) 을 정의 할 수 있 다 . 제 2 영역 ( RG 2 ) 의 소자 분리 막 ( ST ) 은 , 제 1 기판 ( 100 ) 의 제 2 활성 영역 들 ( ACT 2 ) 을 정의 할 수 있 다 .