반도체 소자 의 제조 방법 은 , 하부 구조물 이 형성 된 반도체 기판 상 에 금속 배선 을 형성 하 는 단계 ; 상기 금속 배선 을 포함 한 기판 전면 상 에 제 1 베리 어막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 제 1 베리 어막 상 에 상기 금속 배선 을 덮 도록 제 1 저유 전막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 금속 배선 상부 의 콘 택 플러그 예정 영역 에 만 제 1 저유 전막 이 잔류 되 도록 제 1 저유 전막 을 식각 하 는 단계 ; 상기 식각 된 제 1 저유 전막 을 포함 한 기판 전면 상 에 제 2 베리 어막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 제 2 베리 어막 상 에 제 2 저유 전막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 콘 택 플러그 예정 영역 의 제 2 베리 어막 과 제 1 저유 전막 부분 을 선택 적 으로 식각 하 여 측벽 에 제 2 베리 어막 이 잔류 된 상기 금속 배선 을 노출 시키 는 콘 택 홀 을 형성 하 는 단계 ; 및 상기 콘 택 홀 을 도전 막 으로 매립 하 여 상기 금속 배선 과 콘 택 되 는 콘 택 플러그 를 형성 하 는 단계 ; 를 포함 한다 .