도 6 b 를 참조 하 면 , 수직 채널 홀 들 ( 230 ) 을 반도체 로 채워 기판 ( 201 ) 과 접속 하 는 수직 채널 들 ( 240 ) 을 형성 할 수 있 다 . 그런 다음 , 몰드 스택 ( 203 ) 을 건식 식각 으로 패 터닝 하 여 수직 채널 들 ( 240 ) 사이 에 워드 라인 컷 ( 232 ) 을 형성 할 수 있 다 . 워드 라인 컷 ( 232 ) 은 기판 ( 201 ) 을 노출 시키 며 도 1 b 의 X 방향 으로 신장 된 트렌치 형태 로 형성 될 수 있 다 .