일례 로 , 컨트롤 게이트 ( 113 ) 가 폴리 실리콘 막 - 텅스텐 질화 막 ( WN ) - 텅스텐 막 ( W ) 이 적층 된 구조 로 형성 된 경우 , 컨트롤 게이트 ( 113 ) 의 전체 비저항 을 낮추 기 위해 하부 도전 막 ( 111 ) 은 비교 적 얇 게 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 예컨대 , 300 ~ 1000 Å 정도 의 두께 로 증착 한다 . 또한 , 텅스텐 막 ( W ) 은 1000 ~ 2000 Å , 텅스텐 질화 막 ( WN ) 은 10 ~ 50 Å 정도 의 두께 로 형성 한다 . 이때 , 텅스텐 질화 막 ( WN ) 대신 에 티타늄 막 ( Ti ) - 티타늄 질화 막 ( TiN ) 의 적층 구조 ( Ti / TiN ) 로 형성 할 수 있 으나 , 저항 측면 에서 텅스텐 질화 막 ( WN ) 이 Ti / TiN 막 보다 유리 하 기 때문 에 텅스텐 질화 막 ( WN ) 을 사용 하 는 것 이 바람직 하 다 . 더욱이 , 공정 측면 에서 텅스텐 질화 막 ( WN ) 과 텅스텐 막 ( W ) 은 동일 챔버 내 에서 인 - 시튜 ( in - situ ) 공정 으로 증착 할 수 있 어 공정 을 단순 화 시킬 수 있 는 이점도 얻 을 수 있 다 .