실리콘 단결정 웨이퍼 의 웨이퍼 강도 를 향상 시키 는 수법 으로 는 , 실리콘 단결정 웨이퍼 의 탄소 도프 나 질소 도프 , 웨이퍼 를 고산 소농 도 결정 으로 하 는 것 , 웨이퍼 중 에 산소 석출 을 시키 는 것 이 알려져 있 다 . 그러나 , 쵸 크랄스 키 법 에 의해 실리콘 단결정 ( 실리콘 단결정 잉곳 ) 을 성장 시키 는 단계 에서 , 결정 에 탄소 나 질소 를 도프 하 면 , 편석 현상 에 의해 , 단결정 화 한 결정 의 위치 에 따라 불순물 농도 가 변화 하 고 , 결정 위치 의 차이 에 따른 산소 석출 량 의 차이 가 발생 한다 .