다음 에 도 3 을 참조 하 면 , 불순물 이 도핑 되 지 않 은 폴리 실리콘 게르마늄 ( poly SiGe ) 막 ( 140 ) 상 에 불순물 을 주입 하 여 상기 폴리 실리콘 게르마늄 ( poly SiGe ) 막 ( 140 ) 두께 의 50 % 이내 에 Rp 점 ( Range of projection ) 이 위치 하 는 이온 주입 층 ( 160 ) 을 형성 한다 . 불순물 은 n 형 불순물 , 예 를 들 어 인 ( 31 P ) 이나 아세 닉 ( 75 As ) 을 포함 하 는 불순물 을 주입 하 거나 또는 p 형 불순물 , 예 를 들 어 붕소 ( 11 B ) 와 같 은 원자량 이 작 은 불순물 이나 불화 붕소 ( 49 BF 2 ) 를 이용 할 수 있 다 . 여기 서 후속 공정 에서 이온 주입 층 ( 160 ) 의 활성 화 를 위해 열처리 를 실시 할 때 , 상부 전극 ( 150 ) 내 에 이온 주입 층 ( 160 ) 이 균일 하 게 활성 화 할 수 있 도록 Rp 점 이 폴리 실리콘 게르마늄 막 ( 140 ) 두께 의 50 % 이내 에 위치 하 도록 이온 주입 에너지 를 유지 하 며 , 도즈 량 ( dose ) 은 1 . 0 E 15 / ㎠ 를 유지 하 면서 불순물 을 주입 하 도록 한다 .