본 실시 형태 에서 는 , 실시 형태 1 과 다른 구조 의 트랜지스터 의 제작 방법 에 대하 여 , 도 3 a 내지 도 4 를 사용 하 여 설명 한다 . 본 실시 형태 에서 는 , 산화물 절 연막 및 산화물 반도체 막 사이 에 한 쌍 의 전극 이 형성 되 는 점 이 실시 형태 1 과 다르 다 . 또한 , 도 4 의 일 점 파선 A - B 의 단면도 는 도 3 d 에 상당 한다 .