디램 소자 를 제조 할 때 본 발명 과 달리 랜딩 콘 택 플러그 가 비트 라인 보다 아래 에 위치 하 도록 형성 할 수 도 있 다 . 이 경우 랜딩 콘 택 플러그 와 연결 되 는 스토리지 노드 콘 택 플러그 를 형성 할 때 비트 라인 사이 를 통과 하 여 형성 해야 하 기 때문 에 , 스토리지 노드 콘 택 홀 의 깊이 는 매우 깊 고 직경 은 작 게 형성 된다 . 따라서 , 스토리지 노드 콘 택 홀 이 오픈 되 지 않 게 되 어 데 이타 를 스토리지 노드 에 저장 할 수 없 는 경우 가 발생 될 수 있 다 . 이러 한 문제점 은 디램 소자 를 형성 하 는 디자인 룰 이 점차 작아지 는 경향 으로 인하 여 더욱 자주 발생 될 수 있 다 .