최근 미세 화 된 반도체 소자 의 제조 기술 의 급속 한 발전 으로 메모리 ( memory ) 소자 의 고집 적 화 가 가속 화 되 고 있 다 . 이 에 따라 , 단위 셀 ( cell ) 면적 이 크 게 감소 하 고 있 으며 , 동작 전압 의 저전압 화 가 이루어지 고 있 다 . 그러나 , 메모리 소자 의 동작 에 필요 한 충전 용량 은 셀 면적 감소 에 도 불구 하 고 , 소프트 에러 ( soft error ) 의 발생 과 리 프레쉬 시간 ( refresh time ) 의 단축 을 방지 하 기 위해서 25 fF / cell 이상 의 충분 한 충전 용량 이 지속 적 으로 요구 되 고 있 다 .