상기 레지스 트 는 이온 임 플란테 이 션 이나 가열 등 에 의해 그 표면 이 변질 되 어 경화 되 어 버리 는 성질 이 있 다 . 예 를 들 면 , 이온 임 플란테 이 션 이 실시 된 레지스 트 는 그 표면 이 경화 된 레지스 트 경화 층 과 , 내부 가 변질 되 어 있 지 않 은 비교 적 부드러운 레지스 트 층 으로 이루어지 는 2 중 구조 를 이루 게 된다 . 일반 적 으로 레지스 트 는 유기 용제 에 의해 간단히 제거 할 수 있 지만 , 이온 임 플란테 이 션 을 실시 한 레지스 트 는 그 표면 이 경화 되 어 있 기 때문 에 용이 하 게 제거 할 수 없 다 . 따라서 , 이 경우 , 회화 ( 灰 化 ) 공정 을 행함 으로써 제거 하 도록 하 고 있 지만 회화 공정 만 으로 의 제거 에서 는 기판 으로 의 데미지 가 남 는 문제 가 있 다 . 또한 , 다른 방법 으로서 는 표면 이 경화 된 레지스 트 에 산화 규소 등 의 슬러리 를 공급 하 면서 연마 패드 를 표면 경화 층 에 마찰 시키 는 기계 가공 에 의해 제거 하 는 방법 이 개시 되 어 있 다 ( 특허 문헌 1 ) .