본 발명 이 이루 고자 하 는 기술 적 과제 는 다 결정 이나 비정질 기판 위 에 간단 한 방법 으로 결정 크기 ( grain size ) 가 큰 반도체 를 결정 성장 시킬 수 있 는 씨앗 층 을 형성 하 고 , 상기 의 씨앗 층 위 에 반도체 층 을 결정 성장 시켜 , 결정 크기 ( grain size ) 가 크 고 , 반도체 내부 에 불순물 이 없 는 결정질 반도체 층 을 얻 는 방법 을 제공 하 는데 있 다 .