즉 , 상기 게이트 전극 영역 ( GEA ) 에 는 게이트 금속 패턴 ( 111 ) , 게이트 절연 패턴 ( 121 ) 및 채널 패턴 ( 131 a , 132 a ) 이 형성 되 고 , 상기 게이트 패드 영역 ( GPA ) 에 는 게이트 금속 패턴 ( 113 ) , 게이트 절연 패턴 ( 122 ) 및 채널 패턴 ( 131 b , 132 b ) 이 형성 된다 . 여기 서 , 상기 채널 층 ( 130 ) 및 게이트 절연 층 ( 120 ) 은 건식 식각 공정 으로 식각 되 고 , 상기 게이트 금속 층 ( 110 ) 은 습식 식각 공정 으로 식각 되 는 식각 공정 특성 에 따라서 , 상기 게이트 금속 패턴 들 ( 111 , 113 ) 에 는 언더 컷 ( uc 1 ) 이 발생 한다 .