이어서 , 측벽 보호막 ( 37 ) 을 이온 주입 배리어 로 기판 ( 31 ) 에 이온 주입 을 실시 하 여 소스 / 드레 인 영역 ( 38 ) 을 형성 한다 . 여기 서 , 이온 주입 은 빔 라인 이온 주입 또는 플 라즈 마 도핑 ( Plasma Doping ) 으로 실시 할 수 있 고 , B , BF 2 , BF 3 , B + F 2 및 BF 2 + F 의 그룹 중 에서 선택 된 어느 하나 를 도 펀트 로 사용 할 수 있 다 .