일반 적 으로 , NAND 형 플래시 메모리 에서 , 블록 소거 처리 및 기입 처리 에 상 상한 시간 이 걸리 며 , 따라서 , 기입 효율 의 열화 는 소거 된 블록 에서 의 블록 단위 데이터 의 소 거량 과 기입 데이터 양 이 호스트 기기 로부터 의 기입 데이터 양 에 대하 여 크 다는 것 을 의미 하 며 , 동시 에 , 반도체 기억 장치 의 레이트 성능 이 나빠진다는 것 을 의미 한다 .