중성 세제 , 순수 , 아세톤 , 이소프로판올 을 이용 하 여 초음파 로 세정 한 후 , UV - 오존 처리 를 실시 하 여 , ITO ( Indium Tin Oxide ) 를 코팅 한 유리 기판 ( 100 nm 짜리 ITO , 아츠키 마이크로 ) 을 세정 하 였 다 . DFB 격자 가 될 100 nm 두께 의 SiO 2 층 을 100 ° C 에서 ITO 피복 유리 기판 상 에 스퍼터링 했 다 . 스퍼터링 중 의 아르곤 압력 은 0 . 66 Pa 였 다 . 고주파 전력 은 100 W 로 설정 했 다 . 이소프로판올 을 이용 한 초음파 처리 , 뒤이 은 UV - 오존 처리 로 기판 을 다시 씻 어 냈 다 . SiO 2 표면 을 헥사 메틸 디 실라 잔 ( HMDS ) 으로 4 , 000 rpm 에서 15 초간 스핀 코팅 하 고 , 120 ° C 에서 120 초간 소둔 하 였 다 . ZEP 520 A - 7 용액 ( ZEON ) 으로 형성 한 약 70 nm 두께 의 레지스 트 층 을 4 , 000 rpm 에서 30 초 동안 스핀 코팅 하 고 , 180 ° C 에서 240 초 동안 구웠 다 .