워드 라인 ( 121 ) 은 수직 형 사이리스터 ( 100 V ) 의 적어도 하나 의 측벽 상 에 배치 될 수 있 다 . 예 를 들 면 , 워드 라인 ( 121 ) 은 수직 형 사이리스터 ( 100 V ) 의 제 2 반도체 필라 ( P 2 ) 의 측벽 을 서 라운 딩 할 수 있 다 . 다른 실시 예 에서 , 제 2 반도체 필라 ( P 2 ) 의 일 측 측벽 상 에 게이트 절연 층 ( 122 ) 및 워드 라인 ( 121 ) 이 형성 될 수 있 다 . 다른 실시 예 에서 , 제 2 반도체 필라 ( P 2 ) 의 서로 대향 하 는 측벽 들 상 에 게이트 절연 층 ( 122 ) 및 워드 라인 ( 121 ) 이 형성 될 수 있 다 .