다음 에 , 상기 의 공정 에 의해 형성 된 각 구성 을 덮 도록 , 절연 층 ( 128 ) 을 형성 한다 ( 도 9 c 참조 ) . 절연 층 ( 128 ) 은 산화 실리콘 , 산질 화 실리콘 , 질화 실리콘 , 산화알루미늄 등 의 무기 절연 재료 를 포함 하 는 재료 를 사용 하 여 형성 할 수 있 다 . 특히 , 절연 층 ( 128 ) 에 유전 율 이 낮 은 ( low - k ) 재료 를 사용 함 으로써 , 각종 전극 이나 배선 의 중첩 에 기인 하 는 용량 을 충분히 저감 하 는 것 이 가능 해 지 기 때문 에 바람직 하 다 . 또한 , 절연 층 ( 128 ) 에 는 , 이 들 재료 를 사용 한 다공 성 의 절연 층 을 적용 해도 좋 다 . 다공 성 의 절연 층 에서 는 , 밀도 가 높 은 절연 층 과 비교 하 여 유전 율 이 저하 되 기 때문 에 , 전극 이나 배선 에 기인 하 는 용량 을 더욱 저감 하 는 것 이 가능 하 다 . 또한 , 절연 층 ( 128 ) 은 , 폴리 이미드 , 아크릴 등 의 유기 절연 재료 를 사용 하 여 형성 하 는 것 도 가능 하 다 . 또한 , 여기 에서 는 , 절연 층 ( 128 ) 의 단층 구조 로 하 고 있 지만 , 본 발명 의 일 형태 는 이것 에 한정 되 지 않 는다 . 2 층 이상 의 적층 구조 로 해도 좋 다 . 3 층 구조 로 하 는 경우 에 는 , 예 를 들 면 , 산화 질화 실리콘 층 과 , 질화 산화 실리콘 층 과 , 산화 실리콘 층 의 적층 구조 로 할 수 있 다 .