도 6 a , 도 6 b 및 도 6 c 는 , 도 5 a 1 에 도시 하 는 반도체 장치 ( 이하 , 메모리 셀 이 라고 도 기재 한다 . ) 를 복수 사용 하 여 형성 되 는 , 기억 장치 로서 사용 할 수 있 는 반도체 장치 의 회로도 이 다 . 도 6 a 및 도 6 b 는 메모리 셀 이 직렬 로 접속 된 , 소위 NAND 형 의 반도체 장치 의 회로도 이 며 , 도 6 c 는 메모리 셀 이 병렬 로 접속 된 , 소위 NOR 형 의 반도체 장치 의 회로도 이 다 .