우선 , 어레이 기판 ( 201 ) 의 구조 에 대해 살펴보 면 , 도시 한 바 와 같이 , 화소 영역 ( P ) 내 의 스위칭 영역 ( TrA ) 에 는 박막 트랜지스터 ( Tr ) 가 형성 되 어 있 으며 , 상기 박막 트랜지스터 ( Tr ) 의 게이트 전극 ( 217 ) 과 연결 되 어 게이트 배선 ( 미 도시 ) 이 , 그리고 상기 박막 트랜지스터 ( Tr ) 의 소스 전극 ( 230 ) 과 연결 되 어 데이터 배선 ( 미 도시 ) 이 게이트 절 연막 ( 220 ) 을 사이 에 두 고 그 하부 및 상부 에 교차 하 여 화소 영역 ( P ) 을 정의 하 며 형성 되 어 있 다 .