본 발명 의 특정 구체 예의 이익 을 확인 하 기 위해 , WER 과 PECVD 와 LPCVD 방법 에 의해 증착 된 실리콘 질화물 필름 에 대 힌 본원 에 기재 된 기술 에 따라 증착 된 HDP - CVD 실리콘 질화물 필름 의 수소 함량 을 비교 하 는 , 실험 을 수행 하 였 다 . 실리콘 질화물 필름 의 성장 중 에 2800 리터 / 초의 펌핑 속도 가 적용 되 는 , 300 mm 기판 을 위해 갖춰진 기판 은 Ultima HDP 챔버 에서 프로세싱 되 었 다 . 기판 온도 는 , HDP - CVD 기판 증착 중 약 450 ℃ 에서 유지 되 었 고 , 적용 된 플라스마 RF 파워 는 2000 와트 였 고 , 3000 와트 는 상부 및 측 부 에서 적용 되 었 다 . 어떠 한 바 이 아스 파워 도 성장 중 에 적용 되 지 않 았 다 . 가스 흐름 속도 는 실란 에 대해 40 sccm 이 었 고 , 질소 에 대해 1500 sccm 이 었 으며 아르곤 에 대해 300 sccm 이 었 다 .