한편 , 상기 식각 공정 에 의해 , 제 2 영역 ( B ) 상 의 희생 막 ( 180 ) 상부 및 제 1 절 연막 ( 170 ) 상부 도 제거 되 어 각각 제 2 희생 막 패턴 ( 184 ) 및 제 2 절 연막 패턴 ( 174 ) 을 형성 하 며 , 또한 제 4 게이트 마스크 ( 158 ) 의 일부 가 제거 되 어 제 4 게이트 마스크 패턴 ( 159 ) 을 형성 한다 . 이 에 따라 제 4 예비 컨트롤 게이트 ( 148 ) 의 상면 일부 가 노출 된다 .