도 8 을 참조 하 면 , 상기 박막 트랜지스터 내 상기 활성 막 의 두께 가 15 nm 및 20 nm 인 경우 , 트랜지스터 소자 특성 을 나타내 지 않 은 것 을 확인 하 였 다 . 반면 , 상기 박막 트랜지스터 내 상기 활성 막 의 두께 가 5 nm 및 10 nm 인 경우 , 트랜지스터 소자 특성 을 나타내 는 것 을 확인 하 였 다 . 또한 , 상기 활성 막 의 두께 가 10 nm 인 경우 , 게이트 전압 에 따른 드레 인 전류 값 이 가장 큰 것 을 확인 하 였 다 . 이 에 따라 , 10 nm 두께 의 본 발명 의 실시 예 에 따른 산화물 반도체 박막 을 포함 하 는 박막 트랜지스터 가 우수 한 트랜지스터 소자 특성 을 갖 는 것 을 알 수 있 었 다 .