그 다음 , 액티브 영역 AA 및 더미 액티브 영역 DAA 을 덮 는 마스크 층 ( 42 ) 이 형성 된다 . 소자 분리 영역 IA 내 의 실리콘 층 ( 31 ) 의 표면 은 노출 된다 . 마스크 층 ( 42 ) 은 예 를 들 어 , 실리콘 질화 막 을 포함 하 고 , 리소그래피 및 RIE 를 이용 해서 처리 된다 . 소자 분리 영역 IA 내 의 실리콘 층 ( 30 ) 및 실리콘 게르마늄 층 ( 25 ) 은 , 도 5 a 및 도 5 b 에 도시 된 바 와 같이 , 마스크 로서 마스크 층 ( 42 ) 을 이용 하 고 RIE 를 이용 해서 이방 적 으로 ( anisotropically ) 에칭 된다 .