SiO 2 / Si ( 300 nm SiO 2 / n - dopoed Si ) 기판 이 초음파 처리 에 의해 아세톤 및 이소프로필 알콜 내 에서 각각 20 분 동안 연속 적 으로 세척 되 었 다 . 질소 스트림 을 이용 하 여 완전히 건조 한 후 , 기판 을 360 nm 자외선 에 15 분 동안 노출 시킴 으로써 추가 적 으로 세척 하 였 다 . 이어서 , ME 2 화합물 층 이 5 mg / ml 농도 의 용액 을 사용 한 스핀 캐스팅 방법 을 통해 형성 되 었 다 . ME 2 화합물 층 상부 에 , Al 2 O 3 층 ( 20 nm ) 이 100 ℃ 에서 의 1 . 3 ~ 1 . 6 Å / cycle 의 증착 속도 로 원자 층 증착 방법 에 의해 증착 되 었 고 , 펜 타 센 ( pentacene ) 층 이 2 . 0 × 10 - 6 Torr 의 진공 조건 하 에서 0 . 4 ~ 0 . 5 Å / s 의 증착 속도 로 열 적 으로 증착 되 었 다 . 최종 적 으로 , 상부 에 금 ( Au ) 소스 / 드레 인 전극 들 이 2 . 0 × 10 - 6 Torr 의 진공 조건 하 에서 0 . 1 ~ 0 . 2 Å / s 의 증착 속도 로 열 적 으로 증착 되 었 다 .