또한 , 도 6 b 에 도시 하 는 반도체 장치 와 도 6 a 에 도시 하 는 반도체 장치 의 차이점 의 하나 로서 , 도 6 a 에 도시 하 는 반도체 장치 에 있 어서 는 , 각 메모리 셀 의 트랜지스터 ( 510 ) 는 소스 전극 ( 또는 드레 인 전극 ) 이 제 1 신호선 ( S 1 ) 에 접속 되 어 있 는 것 에 대해서 , 도 6 b 에 도시 하 는 반도체 장치 에 있 어서 는 , 각 메모리 셀 의 트랜지스터 ( 510 ) 는 직렬 로 접속 되 어 있 는 점 을 들 수 있 다 . 즉 , 메모리 셀 ( 550 ) ( i ) 이 갖 는 트랜지스터 ( 510 ) ( i ) 의 소스 전극 은 , 인접 하 는 메모리 셀 ( 550 ) ( i - 1 ) 이 갖 는 트랜지스터 ( 510 ) ( i - 1 ) 의 드레 인 전극 과 전기 적 으로 접속 되 고 , 메모리 셀 ( 550 ) ( i ) 이 갖 는 트랜지스터 ( 510 ) ( i ) 의 드레 인 전극 은 , 인접 하 는 메모리 셀 ( 550 ) ( i + 1 ) 이 갖 는 트랜지스터 ( 510 ) ( i + 1 ) 의 소스 전극 과 전기 적 으로 접속 된다 . 단 , 직렬 로 접속 된 m 개 의 메모리 셀 중 , 메모리 셀 ( 550 ) ( 1 ) 이 갖 는 트랜지스터 ( 510 ) ( 1 ) 의 소스 전극 은 , 제 1 신호선 ( S 1 ) 과 전기 적 으로 접속 된다 . 또한 , 직렬 로 접속 된 각 메모리 셀 에 있 어서 , 트랜지스터 ( 510 ) 의 드레 인 전극 ( 또는 소스 전극 ) 은 , 도 6 a 에 도시 하 는 반도체 장치 와 같이 , 트랜지스터 ( 500 ) 의 게이트 전극 과 , 용량 소자 ( 520 ) 의 전극 의 한쪽 과 전기 적 으로 접속 된다 .