도 1 d 를 참조 하 여 설명 하 면 , 먼저 기판 ( 100 ) 이 위치 한다 . 상기 기판 ( 100 ) 으로부터 소자 로 유입 되 는 불순물 을 방지 하 기 위하 여 , 상기 기판 ( 100 ) 상 에 버퍼 층 ( 110 ) 을 형성 하 는 것 이 더욱 바람직 하 다 . 여기 서 , 상기 버퍼 층 ( 110 ) 은 실리콘 질화 막 , 실리콘 산화 막 및 실리콘 산화 질화 막 으로 이루어질 수 있 다 .