또한 , CBP 를 포함 한 대부분 의 저 분자 호스트 재료 들 은 진공 증착 방법 에 의해 소자 를 제작 하 기 때문 에 습식 공정 에 비해 상대 적 으로 제조 원가 가 높 다 . 그리고 이러 한 대부분 의 저 분자 호스트 들 은 유기 용매 에 대한 용해도 가 낮 기 때문 에 습식 공정 으로 균일 하 면서 도 막 특성 이 우수 한 막 을 형성 하 기 가 어려워 소자 의 성능 및 수명 이 떨어진다는 단점 이 있 다 . 또한 , 상기 저 분자 호스트 재료 들 은 정공 수송 성 이 전자 수송 성 보다 좋 은 재료 들 로서 , 주입 된 정공 의 이동 이 주입 된 전자 의 이동 보다 빠르 기 때문 에 발광 층 에서 엑시톤 이 효과 적 으로 형성 되 지 못함 에 따라 소자 의 발광 효율 이 감소 하 는 현상 이 나타난다 .