본원 의 일 구 현예 에 있 어서 , 상기 제 1 기재 상 에 형성 된 상기 제 1 음각 또는 상기 제 1 양각 에 의해 형성 된 공극 은 나노 우물 ( nanowell ) , 나 노점 ( nanodot ) , 나노 막대 ( nanorod ) , 나노 기둥 ( nanocolumn ) , 나노 도랑 ( nanotrench ) 또는 나노 원뿔 ( nanocone ) 의 형태 를 포함 하 는 것 일 수 있 으나 , 이 에 제한 되 는 것 은 아니 다 . 예 를 들 어 , 제 1 음각 에 의해 형성 되 는 공극 형상 또는 제 1 양각 의 형상 의 단면 모양 은 원형 , 삼각형 , 사각형 , 오각형 , 육각형 , 칠각형 , 팔각 형 , 구각 형 , 십각형 , 사 디리 꼴 , 마름모 및 평행사변형 등 과 같 은 다각형 , 타원 , 반달 , 초생달 , 꽃 모양 및 별 모양 등 과 같 은 복합 도형 , 직선형 및 곡선형 도랑 ( trench ) 형태 등 다양 한 기하학 적 형태 를 가질 수 있 으나 , 이 에 제한 되 는 것 은 아니 다 . 본원 에 의하 면 제 1 음각 또는 제 1 양각 에 의해 형성 되 는 공극 의 형상 에 무관 하 게 입자 를 거의 모든 공극 에 삽입 시켜 완벽 하 게 정렬 할 수 있 다 .