상기 불 산 ( HF ) 은 산화 막 을 제거 해 주 기 위하 여 사용 되 는데 , 힐 락 영역 ( Ⅰ ) 은 결정 화 과정 에서 불순물 이 밀집 됨 에 따라 형성 되 는 자연 산화 막 ( native oxide ) 과 , O 2 플 라즈 마 처리 에 따라 형성 되 는 산화 막 과 , 또한 상기 오 존수 로 세정 해 주 는 과정 에서 형성 되 는 산화 막 을 동시 에 제거 해 주 기 위하 여 사용 된다 . 또한 상기 불 산 은 폴리 실리콘 층 ( 20 ) 의 평탄 화 특성 을 향상 시킬 수 있 다 . 상기 불 산 을 사용 하 여 폴리 실리콘 층 ( 20 ) 의 취약 한 영역 인 돌기 ( 20 b ) 를 집중 적 으로 식각 처리 하 여 힐 락 영역 ( Ⅰ ) 에서 많 은 부식 이 이루어지 게 한다 .