얕 은 트렌치 절연 구조물 들 ( 720 ) 이 감지 증폭기 회로 부 의 반도체 디바이스 들 에 대한 전기 적 격리 를 제공 하 기 위해 기판 반도체 층 ( 709 ) 의 상부 부분 에 형성 될 수 있 다 . 다양 한 반도체 디바이스 들 ( 710 ) 은 각자 의 트랜지스터 활성 영역 들 ( 742 ) ( 즉 , 소스 영역 들 및 드레 인 영역 들 ) , 채널 ( 746 ) , 및 게이트 구조물 ( 750 ) 을 포함 하 는 전계 효과 트랜지스터 들 을 포함 할 수 있 다 . 전계 효과 트랜지스터 들 은 CMOS 구성 으로 배열 될 수 있 다 . 각각 의 게이트 구조물 ( 750 ) 은 , 예 를 들 어 게이트 유전체 ( 752 ) , 게이트 전극 ( 754 ) , 유전체 게이트 스 페이서 ( 756 ) 및 게이트 캡 유전체 ( 758 ) 를 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 반도체 디바이스 들 ( 710 ) 은 전기 전도성 층 들 ( 46 ) 을 포함 하 는 메모리 다이 ( 1000 ) 의 워드 라인 들 을 전기 적 으로 바이어 싱하 기 위한 워드 라인 드라이버 들 을 포함 할 수 있 다 .