즉 , 본 발명 의 실시 예 에 따른 메모리 시스템 ( 110 ) 에서 는 , 컨트롤러 ( 130 ) 가 , 호스트 ( 102 ) 로부터 수신 된 제 1 커맨드 , 제 2 커맨드 , 제 3 커맨드 , 및 제 4 커맨드 를 스 케 쥴 링 한 후 , 메모리 다이 0 ( 610 ) , 메모리 다이 1 ( 630 ) , 메모리 다이 2 ( 650 ) , 및 메모리 다이 3 ( 670 ) 에서 제 1 커맨드 동작 , 제 2 커맨드 동작 , 제 3 커맨드 동작 , 및 제 4 커맨드 동작 을 각각 수행 하 며 , 특히 메모리 시스템 ( 110 ) 에서 의 최대 동작 클럭 , 및 메모리 시스템 ( 110 ) 에서 의 최대 온도 레벨 내 에서 , 메모리 다이 0 ( 610 ) , 메모리 다이 1 ( 630 ) , 메모리 다이 2 ( 650 ) , 및 메모리 다이 3 ( 670 ) 에서 제 1 커맨드 동작 , 제 2 커맨드 동작 , 제 3 커맨드 동작 , 및 제 4 커맨드 동작 을 , 각각 수행 한다 . 이렇게 본 발명 의 실시 예 에 따른 메모리 시스템 ( 110 ) 에서 는 , 호스트 ( 102 ) 로부터 복수 의 커맨드 들 을 수신 할 경우 , 메모리 시스템 ( 110 ) 에서 의 최대 사용 가능 한 파워 레벨 과 전압 / 전류 레벨 , 메모리 시스템 ( 110 ) 에서 의 최대 동작 클럭 , 및 메모리 시스템 ( 110 ) 에서 의 최대 온도 레벨 내 에서 , 복수 의 커맨드 들 에 해당 하 는 커맨드 동작 들 을 수행 함 으로써 , 커맨드 동작 들 의 오동작 을 방지 하 고 , 또한 메모리 시스템 ( 110 ) 에서 커맨드 동작 들 을 안정 적 으로 수행 하 며 , 그 에 따라 메모리 시스템 ( 110 ) 의 신뢰 도 및 동작 성능 을 향상 시킬 수 있 다 .