이어서 , 게이트 절 연막 ( 12 ) 상 의 각 게이트 전극 ( Tr 11 g , Tr 12 g ) 에 대응 하 는 영 역 에 , 예 를 들 면 비결정성 실리콘 이나 폴리 실리콘 등 으로 이루어지 는 반도체 층 ( SMC ) 및 질화 실리콘 등 으로 이루어지 는 채널 보호 층 ( BL ) 을 형성 하 고 , 해당 반도체 층 ( SMC , 채널 ) 의 양 단부 에 오 믹 접속 을 위한 불순물 층 ( OHM ) 을 통하 여 소스 전극 ( Tr 11 s , Tr 12 s ) 및 드레 인 전극 ( Tr 11 d , Tr 12 d ) 을 형성 한다 .