도 2 에 도시 된 바 와 같이 , 먼저 , 기판 ( 10 ) , 제 1 도전 형 인 p 형 실리콘 기판 을 준비 한다 . 여기 서 , 기판 ( 10 ) 의 일부 활성 영역 에 는 제 1 도전 형 과 반대 되 는 제 2 도전 형 인 n 형 매몰 층 ( 11 ) 이 형성 되 고 , 상기 매몰 층 ( 11 ) 내 에 제 2 도전 형 인 n 형 으로 도핑 된 제 1 웰 ( 12 a ) 및 제 2 웰 ( 12 b ) 를 형성 한다 .