이어서 , 에칭 선택 비 를 갖 는 조건 하 에서 실리콘 산화 막 ( 5 ) , 비결정 실리콘 ( 7 ) 및 실리콘 질화 막 ( 3 ) 에 대해 에 싱 을 수행 할 때 , 라인 - 스페이스 의 유기 재료 막 ( 4 ) 과 레지스 트 ( 8 ) 를 제거 하 여 , 비결정 실리콘 ( 7 ) , 실리콘 산화 막 ( 5 ) 및 유기 재료 막 ( 4 ) 에 의해 구성 되 는 와이더 라인 과 , 비결정 실리콘 ( 7 ) 의 라인 - 스페이스 패턴 이 공존 하 는 패턴 을 형성 한다 ( 도 6 h ) .