이상 서술 한 바 와 같이 , 본 실시 형태 의 반도체 제조 장치 에 의하 면 , 클리닝 처리 의 종료 시 를 정확 하 게 파악 할 수 있 다 . 그리고 , 클리닝 처리 를 끝낸 후 에 서 셉 터 에 대하 여 SiC 막 의 재생 처리 를 실시 함 으로써 , 클리닝 처리 에 의해 제거 된 서 셉 터 의 구성 재료 인 SiC 막 을 재생 시킬 수 있 다 . 따라서 , 본 실시 형태 에 의하 면 , 서 셉 터 의 표면 에 부착 된 SiC 막 에서 기인 하 는 불량 을 억제 하 여 , 제조 수율 을 향상 시킬 수 있 는 반도체 제조 장치 가 제공 된다 .