종래 반도체 소자 의 경우 , 양질 의 전기 적 특성 을 확보 하 기 위하 여 상기 제 2 도전 형 반도체 층 ( 113 ) 의 두께 는 일반 적 으로 110 나노미터 이상 으로 제공 될 것 이 권장 되 었 다 . 그러나 , 실시 예 에 따른 반도체 소자 는 , [ 표 1 ] 및 도 23 에 도시 된 바 와 같이 , 상기 제 2 도전 형 반도체 층 ( 113 ) 의 두께 가 90 나노미터 내지 100 나노미터 로 제공 된 경우 에 광도 특성 이 향상 되 어 검출 되 는 것 을 볼 수 있 다 . 이 는 , 상기 제 2 도전 형 반도체 층 ( 113 ) 의 두께 가 90 나노미터 내지 100 나노미터 로 제공 된 경우 에 , 상기 절연성 반사 층 ( 160 ) 에서 반사 된 빛 과 상기 활성 층 ( 112 ) 에서 생성 되 어 방출 되 는 빛 간 에 보강 간섭 이 발생 되 기 때문 인 것 으로 해석 된다 .