도 22 a 및 22 b 에서 의 SJ - MOS 트랜지스터 ( 90 ) 와 , 도 1 a 및 1 b 에서 의 SJ - MOS 트랜지스터 ( 100 ) 는 보다 구체 적 인 예 에 기초 하 여 서로 비교 될 것 이 다 . SJ - MOS 트랜지스터 ( 90 ) 의 PN 칼럼 층 에서 의 불순물 농도 ( XOp , XOn ) 및 SJ - MOS 트랜지스터 ( 100 ) 의 PN 칼럼 층 ( 11 ) 에서 의 불순물 농도 ( Xap , Xan ) 는 모두 동일 하 게 설정 된다 ( XOp = XOn = Xap = Xan ) . 이러 한 경우 , 상기 불순물 농도 의 차이 ( D ) 는 단지 PN 칼럼 층 ( 10 , 11 ) 에서 의 P 형 칼럼 ( 20 p , 21 p ) 및 N 형 칼럼 ( 20 n , 21 n ) 의 폭 의 관계 에 의해 결정 된다 . 도 22 a 및 22 b 에서 의 SJ - MOS 트랜지스터 ( 90 ) 에서 는 , WOn = WOp 이 므로 , SJ - MOS 트랜지스터 ( 90 ) 는 PN 칼럼 층 ( 10 ) 에서 의 임의 의 깊이 에서 0 이 된다 . 도 1 a 및 1 b 에서 의 SJ - MOS 트랜지스터 ( 100 ) 에서 는 , 제 1 칼럼 층 ( 11 a ) 및 제 2 칼럼 층 ( 11 b ) 의 두께 및 폭 이 d 1 = d 2 = d / 2 및 | W 1 n - W 1 p | = | W 2 n - W 2 p | 이 되 도록 설정 된다 . 제 1 칼럼 층 ( 11 a ) 및 제 2 칼럼 층 ( 11 b ) 의 상기 불순물 양 의 차이 ( Da , Db ) 는 절대 값 이 동일 하 고 , 양 / 음 의 부호 만 이 서로 다르 다 . 주면 측 ( principal surface side ) 에서 의 제 2 칼럼 층 ( 11 b ) 에서 는 , P 형 불순물 양 이 N 형 불순물 양 보다 더 크 고 , 후면 측 ( back side ) 에서 의 제 1 칼럼 층 ( 11 a ) 에서 는 , N 형 불순물 양 이 P 형 불순물 양 보다 더 크 다 . 600 V 의 내압 의 범위 내 에서 의 소자 에서 는 , 드리프트 영역 의 길이 와 동등 한 PN 칼럼 층 ( 10 , 11 ) 의 두께 ( d ) 가 50 ㎛ 정도 이 다 . P 형 칼럼 ( 20 p , 21 p ) 및 N 형 칼럼 ( 20 n , 21 n ) 의 불순물 농도 는 5 . 0 × 1015 cm - 3 ~ 1 . 0 × 1017 cm - 3 이 다 .