최근 , 전원 전압 ( Vcc ) 의 저전압 화 ( 예 를 들 어 , Vcc = 1 . 8 V ) 에 의해 저전압 하 에서 의 동작 이 필요 하 게 되 고 , 그 때문 에 , BGR 회로 가 저전압 에서 동작 하 고 , 도 3 의 시각 t 1 내지 t 3 에 나타낸 바 와 같이 , 기대 하 는 전압 ( 1 . 25 V ) 보다 도 낮 은 기준 전압 ( Vref _ L ) 이 출력 되 어 버린다 . 예 를 들 면 , 차동 증폭 회로 ( AMP ) 를 구성 하 는 CMOS 트랜지스터 의 역치 보다 도 전원 전압 ( Vcc ) 이 커지 면 , 낮 은 기준 전압 ( Vre _ L ) 이 출력 되 어 버린다 . 그렇 다면 , 비 교회 로 ( 40 ) 는 , 낮 은 기준 전압 ( Vref _ L ) 과 , 내부 전압 생성 회로 ( 30 ) 에서 생성 된 내부 전압 ( VI ) 을 비교 하 고 , 전원 전압 ( Vcc ) 이 타깃 전압 에 도달 하 고 있 지 않 음 에 도 불구 하 고 , 파워 온 검출 신호 ( PWRDET ) 를 출력 하 고 , 그 결과 , 내부 회로 가 보증 전압 이하 의 전압 에서 오동작 되 어 버린다 .