도 4 a 내지 도 4 c 는 본 발명 의 다른 실시 예 들 에 따른 상변화 메모리 장치 의 제조 방법 을 설명 하 기 위한 단면도 들 이 다 . 도 4 a 내지 도 4 c 에 도시 한 상변화 메모리 장치 의 제조 방법 에 있 어서 , 기판 ( 300 ) 상 에 소자 분리 막 ( 305 ) , 게이트 구조물 ( 330 ) , 제 1 및 제 2 콘 택 영역 ( 335 , 340 ) 및 제 1 하부 층간 절 연막 ( 345 ) 을 형성 하 는 공정 들 은 도 3 a 내지 도 3 b 를 참조 하 여 설명 한 공정 들 과 실질 적 으로 동일 하 다 . 게이트 구조물 ( 330 ) 은 기판 ( 300 ) 의 액티브 영역 상 에 위치 하 며 , 게이트 절 연막 패턴 ( 310 ) , 게이트 도전 막 패턴 ( 315 ) , 게이트 마스크 ( 320 ) 및 게이트 스 페이서 ( 325 ) 를 포함 한다 .