더욱이 , 실리콘 질화물 결합 층 을 사용 함 으로써 , " 호스트 웨이퍼 가 실리콘 이 고 상단 반도체 층 이 실리콘 이외 의 것 인 절연체 - 상 - 반도체 웨이퍼 를 생성 하 는 것 이 가능 하 다 . 매립 질화물 을 갖 는 이러 한 비 - 균질 한 절연체 - 상 - 반도체 의 예 는 마이클 라우스 ( Miclaus ) 등 의 "" Wafer Bonding of ( 211 ) Cd 0 . 96 Zn 0 . 04 Teon ( 001 ) Silicon "," J . Electron . Materials , vol . 32 , pp . 552 - 555 ( 2004 ) 에서 제안 된다 . 마이클 라우스 ( Miclaus ) 논문 은 매립 실리콘 질화물 절연체 층 상 의 화합물 반도체 층 의 결합 을 기재 하 지만 , 화합물 반도체 층 내 에 변형 을 도입 하 기 위한 어떠 한 방법 도 기재 하 지 않 는다 . 마이클 라우스 ( Miclaus ) 등 의 논문 의 결합 전략 은 II - VI 족 물질 예컨대 카드뮴 텔 루 라이드 , 카드뮴 - 아연 텔 루 라이드 및 수은 카드뮴 텔 루 라이드 그리고 III - V 족 물질 예컨대 갈륨 비화물 , 인듐 갈륨 비화물 , 인듐 인화물 , 인듐 갈륨 비화물 , 갈륨 질화물 , 인듐 갈륨 질화물 및 알루미늄 질화물 을 포함 하 는 , 화합물 반도체 물질 내 에 변형 을 도입 하 기 위하 여 본 명세서 에 기재 된 변형 및 에지 이완 전략 에 포함 될 수 있 다 .