도 1 a 및 도 1 b 에 도시 된 바 와 같이 , 핀 구조물 ( 20 ) 이 기판 ( 100 ) 위 에 형성 된다 . 하나 의 실시 예 에서 , 기판 ( 100 ) 은 적어도 자신 의 표면 부분 상 에 단결정 질 반도체 층 을 포함 한다 . 기판 ( 100 ) 은 Si , Ge , SiGe , GaAs , InSb , GaP , GaSb , InAlAs , InGaAs , GaSbP , GaAsSb 및 InP ( 이 에 한정 되 는 것 은 아님 ) 와 같 은 단결정 질 반도체 재료 를 포함 할 수 있 다 . 이 실시 예 에서 , 기판 ( 100 ) 은 Si 로 제조 된다 .