전술 한 기술 적 과제 를 달성 하 기 위한 본 발명 에 따른 기판 처리 장치 는 공정 챔버 ; 복수 의 기판 을 지지 하 도록 상기 공정 챔버 에 설치 되 어 소정 방향 으로 회전 하 는 기판 지지 부 ; 상기 기판 지지 부 에 대향 되 도록 상기 공정 챔버 의 상부 를 덮 는 챔버 리드 ; 및 복수 의 접지 전극 부재 사이 에 마련 된 가스 분사 공간 을 포함 하 도록 형성 되 어 상기 챔버 리드 에 일정 한 간격 으로 설치 된 복수 의 가스 분사 모듈 을 포함 하 여 이루어지 는 가스 분사 부를 포함 하 고 , 상기 복수 의 가스 분사 모듈 중 적어도 하나 는 상기 접지 전극 부재 와 교대 로 배치 된 플 라즈 마 전극 부재 에 인가 되 는 플 라즈 마 전원 에 따라 상기 가스 분사 공간 에 플 라즈 마 를 형성 한다 .