도 5 , 도 7 내지 도 9 및 도 13 에 예시 된 모든 디바이스 층 들 ( 300 , 500 , 600 , 700 및 1300 ) 은 당업자 에 의해 인지 될 바 와 같 은 박막 스퍼터 퇴적 시스템 에 의해 형성 될 수 있 다 . 박막 스퍼터 퇴적 시스템 은 , 각각 이 하나 이상 의 타 겟 들 을 갖 는 필수 물리 기상 증착 ( physical vapor deposition ; PVD ) 챔버 들 , 산화 챔버 및 스퍼터 에칭 챔버 를 포함 할 수 있 다 . 통상 적 으로 스퍼터 증착 프로세스 는 초고진공 을 갖 는 스퍼터 가스 ( 예 를 들 어 , 아르곤 , 크립톤 , 크세논 등 ) 를 포함 하 고 , 타 겟 들 은 기판 상 에 퇴적 될 금속 또는 금속 합금 들 로 제조 될 수 있 다 . 따라서 , 층 이 다른 층 위 에 배치 된다고 본 명세서 가 언급 할 때 , 그러 한 층 은 그러 한 시스템 을 사용 하 여 퇴적 될 수 있 다 . 다른 방법 들 이 또한 사용 될 수 있 다 . MTJ 스택 ( 300 ) 을 제조 하 는 데 필요 한 잔여 단계 들 은 당업자 에게 잘 알려져 있 으며 , 본원 에서 의 개시 내용 의 양상 들 을 불 필요 하 게 모호 하 게 하 지 않 기 위해 본원 에서 상세히 설명 되 지 않 을 것 임 을 인지 되 어야 한다 .