본 발명 의 제 1 양태 에 따른 반도체 소자 의 미세 패턴 형성 방법 은 상기 기판 상 의 피식 각막 위 에 하드 마스크 층 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 제 1 마스크 패턴 및 제 2 마스크 패턴 을 식각 마스크 로 하 여 상기 하드 마스크 층 을 식각 하 여 하드 마스크 패턴 을 형성 하 는 단계 를 더 포함 할 수 있 다 . 상기 미세 패턴 을 형성 하 기 위하 여 상기 제 1 마스크 패턴 , 상기 제 2 마스크 패턴 및 상기 하드 마스크 패턴 을 식각 마스크 로 하 여 상기 피식 각막 을 식각 할 수 있 다 .