이 경우 의 선택 성장 에서 의 처리 수순 , 처리 조건 은 , 처리 실 ( 201 ) 내 에 F 함유 가스 와 의사 촉매 가스 를 공급 하 는 것 , 및 스텝 B 를 불 실시 로 하 는 것 이외 는 , 상술 한 양태 의 처리 수순 , 처리 조건 과 마찬가지 로 할 수 있 다 . 이 와 같이 , F 함유 가스 와 의사 촉매 가스 를 공급 하 는 경우 에 있 어서 도 , 베 어 웨이퍼 를 의사 촉매 로서 사용 하 는 경우 와 마찬가지 의 효과 가 얻 어 진다 . 또한 , 가스 상태 의 의사 촉매 를 사용 하 는 경우 도 , 고체상 의 의사 촉매 를 사용 하 는 경우 와 마찬가지 로 , 스텝 C 에서 의 처리 온도 의 저 온화 가 가능 하 게 되 어 , 스텝 C 에서 의 하지 ( 200 a ) 의 표면 의 에칭 이나 , 하 지 ( 200 a ) 의 표면 에 의 에칭 대미지 를 효과 적 으로 억제 하 는 것 이 가능 하 게 된다 .