도 4 : 유기 층 내 의 정공 및 전자 수송 . a ) 및 b ) 수송 평가 에 쓰이 는 정공 만 을 가지 는 디바이스 ( a ) 와 전자 만 을 가지 는 디바이스 ( b ) 의 아키텍처 . c ) 대수 눈금 ( log scale ) 과 선형 눈금 ( linear scale ) ( 삽 입도 ) 으로 나타낸 , 직류 운전 ( 검은색 기호 ) 및 펄스 운전 ( 흰색 기호 ) 에서 정공 디바이스 ( HOD ) 와 전자 디바이스 ( EOD ) 의 대표 적 인 전류 밀도 - 전압 ( J - V ) 특성 . 디바이스 의 크기 는 200 x 200 mm 이 다 . J - V 곡선 을 통해 , 본 발명 에서 제조 한 레이저 다이오드 의 고전압 영역 에서 정공 및 전자 가 원활 하 게 수송 된다는 사실 을 알 수 있 다 . 정공 전류 의 트랩 한계 ( trap limiting ) 때문 에 낮 은 전압 에서 의 전류 는 정공 보다 전자 쪽 이 더 높 다 .