또한 , 감광성 수지 를 스핀 코팅 에 의해 도포 하 고 , 베이 킹 등 의 소요 처리 를 실시 하 여 성막 할 수 도 있 다 . 이것 에 패턴 노광 및 현상 처리 를 행하 여 , 하측 게이트 전극 ( 14 a ) 을 부분 적 으로 덮 는 희생 층 ( 16 ) 을 형성 할 수 있 다 . 희생 층 ( 16 ) 은 기판 ( 12 ) , 상기 기판 의 하 지 절 연막 , 하측 게이트 전극 ( 14 a ) 및 반도체 층 ( 18 ) 에 대하 여 에칭 제거 시 에 소요 에칭 레이트 의 선택 비 가 얻 어 지 는 재료 이 다 . 예 를 들 어 노볼락 계 수지 의 포토레지스트 를 사용 할 수 있 다 . 또한 , 수지 를 도포 한 후 , 진공 중 에서 100 ∼ 130 ℃ 정도 로 가열 하 면서 UV 조사 를 행하 면 , 내열성 이 향상 되 고 , 300 ∼ 400 ℃ 정도 까지 의 열처리 에 대해서 도 희생 층 ( 16 ) 의 변형 이나 부피 감소 를 억제 할 수 있 다 .