반도체 장치 에서 의 시뮬레이션 결과 에 따르 면 , 불순물 양 과 내압 의 값 사이 의 관계 를 나타내 는 그래프 에서 는 , 제 1 칼럼 층 에 관련 된 제 1 그래프 에서 의 내압 의 최대 값 및 제 2 칼럼 층 에 관련 된 제 2 그래프 에서 의 내압 의 최대 값 이 동일 하 다 . 따 라서 , 이러 한 이유 로 인하 여 , 제 1 칼럼 층 및 제 2 칼럼 층 으로 구성 된 PN 칼럼 층 의 내압 을 설계 하 는데 있 어서 , 상기 형성 편차 가 발생 되 는 경우 에 도 충분 한 내압 이 확보 될 수 있 는 불순물 양 의 차이 의 값 을 용이 하 게 설계 할 수 있 고 , 제조 에 있 어서 는 안정 된 무결함 율 을 얻 을 수 있 다 .