또한 , 상기 화소 영역 ( P ) 내 의 상기 층간 절 연막 ( 130 ) 상부 에 는 상기 데이터 배선 ( 미 도시 ) 과 소스 및 드레 인 전극 ( 142 , 144 ) 을 형성 한 동일 한 금속 물질 로써 아일랜드 형태 로 상기 게이트 배선 ( 미 도시 ) 의 일 측 과 중첩 하 며 상기 화소 영역 ( P ) 내측 으로 상기 게이트 배선 ( 미 도시 ) 과 상기 스토리지 영역 ( StgC ) 사이 의 영역 에 상기 게이트 배선 ( 미 도시 ) 을 따라 광 차단 패턴 ( 148 ) 이 형성 되 어 있 다 .