메모리 셀 은 저장 요소 , 가령 , 커패시터 , 및 액세스 디바이스 , 가령 , 트랜지스터 를 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 제 1 메모리 셀 은 트랜지스터 ( 202 - 1 ) 및 커패시터 ( 203 - 1 ) 를 포함 할 수 있 고 , 제 2 메모리 셀 은 트랜지스터 ( 202 - 2 ) 및 커패시터 ( 203 - 2 ) 등 을 포함 할 수 있 다 . 이 실시 예 에서 , 메모리 어레이 ( 230 ) 는 1 T 1 C ( 하나 의 트랜지스터 하나 의 커패시터 ) 메모리 셀 의 DRAM 어레이 지만 , 구성 의 또 다른 실시 예 , 가령 , 메모리 셀 당 두 개 의 트랜지스터 및 두 개 의 커패시터 를 갖 는 2 T 2 C 가 사용 될 수 있 다 . 다수 의 실시 예 에서 , 메모리 셀 은 파괴 적 읽 기 메모리 셀 ( destructive read memory cell ) 일 수 있 는데 , 가령 , 셀 에 저장 된 데이터 를 읽 는 것 이 데이터 를 파괴 하 여 , 셀 에 원래 저장 된 데이터 가 읽힌 후 재생 ( refresh ) 되게 할 수 있 다 .