구체 적 으로 , 상기 제 1 박막 ( 27 ) 의 형성 에서 는 제 1 온도 에서 상기 제 1 선택 적 에피택시 얼 성장 을 수행 한다 . 이때 , 상기 제 1 온도 는 후술 하 는 제 2 온도 에 비해 상대 적 으로 고온 을 갖 는다 . 만약 , 상기 제 1 온도 가 약 630 ℃ 미만 이 면 제 1 박막 을 형성 하 기 위한 속도 가 너무 느려 생산 성 에 지장 을 끼치 기 때문 에 바람직 하 지 않 고 , 약 700 ℃ 초과 이 면 제 1 박막 의 상부 에지 부위 에 깍 인 면 이 심각 하 게 발생 하 기 때문 에 바람직 하 지 않 다 . 따라서 , 상기 제 1 박막 ( 27 ) 을 획득 하 기 위한 제 1 선택 적 에피택시 얼 성장 은 약 630 내지 700 ℃ 의 온도 에서 수행 하 는 것 이 바람직 하 다 . 또한 , 상기 제 1 선택 적 에피택시 얼 성장 을 수행 하 기 위한 온도 는 약 670 내지 700 ℃ 인 것 이 보다 바람직 하 다 .