상기 와 같 은 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 에 따른 반도체 소자 의 테스트 장치 는 트랜지스터 의 게이트 전극 및 액티브 전극 에 접속 된 제 1 및 제 2 테스트 패드 가 형성 된 웨이퍼 가 안착 되 는 척 을 포함 하 여 암실 화 된 자동 프로브 스테이션 과 , 상기 제 1 및 제 2 테스트 패드 에 부극 성 동작 전압 에서 정극성 동작 전압 까지 일정 한 단위 로 가변 되 는 직류 측정 전압 또는 커패시턴스 측정 전압 을 인가 하 는 프로브 카드 와 , 상기 프로브 카드 를 통해 상기 제 1 및 제 2 테이스 패드 에 상기 측정 전압 을 공급 함 과 아울러 게이트 전류 및 게이트 커패시턴스 를 측정 하 는 측 정부 와 , 상기 측 정부 를 제어 하 며 상기 측정 된 게이트 커패시턴스 에서 상기 측정 된 게이트 전류 를 차감 하 여 커패시턴스 를 추출 하 고 , 상기 추출 된 커패시턴스 를 상기 동작 전압 영역 의 각 전압 에 대응 되 도록 그래픽 드로잉 ( Graph Drawing ) 하 여 게이트 커패시턴스 커브 를 작성 하 는 제어 컴퓨터 를 구비 하 는 것 을 특징 으로 한다 .