MOSFET ( 50 ) 는 게이트 유전 층 ( 514 ) , 게이트 전극 ( 516 ) 및 스 페이서 들 ( 518 a - b ) 뿐 만 아니 라 , 소스 / 드레 인 영역 들 ( 508 , 510 ) 및 채널 영역 ( 512 ) 을 포함 한다 . 적어도 일 실시 예 에서 , 소스 / 드레 인 영역 들 ( 508 , 510 ) 은 p 형 으로 도핑 될 수 있 고 채널 영역 ( 512 ) 는 n 형 으로 도핑 될 수 있 으며 다른 실시 예 에서 는 소스 / 드레 인 영역 들 ( 508 , 510 ) 이 n 형 으로 도핑 되 고 채널 영역 ( 512 ) 이 p 형 으로 도핑 될 수 있 다 . 이외 어떤 다른 MOSFET 구성 또는 어떤 적합 한 제조 기술 들 이 박막 MOSFET ( 502 ) 를 위해 사용 될 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , MOSFET ( 502 ) 는 STI , LOCOS 또는 이외 유사 한 공정 을 사용 하 여 형성 된 격리 영역 들 ( 도시 되 지 않 음 ) 에 의해 전기 적 으로 격리 될 수 있 다 . 대안 적 으로 , MOSFET ( 502 ) 의 게이트 , 소스 및 / 또는 드레 인 영역 들 은 기판 ( 505 ) 상 에 형성 된 다른 트랜지스터 들 ( 도시 되 지 않 음 ) 과 공유 될 수 있 다 .