동작 동안 , 바이어스 전압 들 이 하부 전극 ( 114 ) 및 / 또는 상부 전극 ( 118 ) 에 인가 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 기록 동작 동안 , 전하 캐리어 들 ( 예 를 들 어 , 전자 및 / 또는 정공 ) 이 하부 전극 ( 114 ) 및 / 또는 상부 전극 ( 118 ) 내 에 축적 되 도록 하나 이상 의 바이어스 전압 이 인가 될 수 있 다 . 전하 캐리어 들 은 강유전체 ( 210 ) 를 관통 하 여 연장 되 는 전기장 을 생성 한다 . 전기장 은 바이어스 전압 들 에 따라 강유전체 물질 ( 210 ) 내 의 전기 쌍극자 들 의 위치 들 을 변경 하 도록 구성 된다 . 강유전체 물질 ( 210 ) 내 의 전기 쌍극자 들 의 위치 들 이 제 1 편광 을 규정 하 는 경우 , FeRAM 디바이스 ( 208 ) 는 데이터 를 제 1 비트 값 ( 예 를 들 어 , " 논리 "" 0 "") 으로서 디지털 방식 으로 저장 할 것 이 다 . 대안 적 으로 ", 강유전체 물질 ( 210 ) 내 의 전기 쌍극자 들 의 위치 들 이 제 2 편광 을 규정 하 는 경우 , FeRAM 디바이스 ( 208 ) 는 데이터 를 제 2 비트 값 ( 예 를 들 어 , " 논리 "" 1 "") 으로서 디지털 방식 으로 저장 할 것 이 다 . "