도 1 a 의 메모리 셀 에 대해 전술 된 자기장 유도 전환 기술 은 , 특히 설계 가 메모리 셀 을 더 작 은 치수 들 로 스케일링 할 것 을 요구 할 때 , 일부 실제 적 인 제한 들 을 갖 는다 . 예 를 들 어 , 이 기술 은 2 개 세트 의 자기장 기록 라인 들 을 필요 로 하 기 때문 에 , MRAM 셀 들 의 어레이 는 비트 교란 들 에 민감 하 다 ( 즉 , 주어진 셀 로 지향 되 는 기록 전류 에 응답 하 여 이웃 셀 들 이 의도 하 지 않 게 변경 될 수 있 다 ) . 또한 , MRAM 메모리 셀 들 의 물리 적 크기 를 감소 시키 는 것 은 열 적 변동 들 로 인한 자화 전환 에 대해 더 낮 은 자기 안정 성 을 초래 한다 . 비트 의 안정 성 은 큰 자기 이방 성 및 그 에 따른 큰 전환 자기장 을 갖 는 자유 층 에 대한 자성 재료 를 이용 함 으로써 향상 될 수 있 으나 , 비트 를 전환 하 기 에 충분히 강한 자기장 을 생성 하 는 데 필요 한 전류 들 은 기존 의 응용 들 에서 비 실용 적 이 다 .