도 4 b 를 참조 하 면 , 상기 제 1 전극 ( 440 ) , 상기 패드 부 ( 410 ) , 상기 링크 배선 ( 424 ) 및 상기 패드 링크 부 ( 430 ) 를 포함 하 는 상기 제 1 기판 ( 400 ) 상 에 절 연막 을 형성 한 뒤 , 패 터닝 하 여 버퍼 층 ( 420 ) 을 형성 한다 . 이때 , 상기 절연 막 은 화학 기상 증착 법 ( PECVD ) 을 수행 하 여 형성 할 수 있 다 . 여기 서 , 상기 버퍼 층 ( 420 ) 은 산화 실리콘 막 , 질화 실리콘 막 또는 이 들 의 적층 막 으로 이루어질 수 있 다 .