도 1 로부터 이해 될 수 있 는 것 처럼 , 식각 용액 ( 21 ) 은 실리콘 웨이퍼 들 ( 22 ) 의 상 으로 만 방출 된다 . 따라서 , 실리콘 웨이퍼 들 ( 22 ) 의 텍 스쳐 링 또는 실리콘 웨이퍼 들 ( 22 ) 의 상부 면 들 ( 23 ) 의 텍 스쳐 링 은 여기 에서 주로 제 1 방법 단계 에서 수행 된다 . 이러 한 경우 에서 , 식각 용액 ( 21 ) 의 어떠 한 양 은 특히 실리콘 웨이퍼 들 ( 22 ) 의 전면 에지 들 ( front edges ) 및 실리콘 웨이퍼 들 ( 22 ) 의 에지 들 상 에 넘치 며 ( overflow ) 그리고 그 다음 에 이송 롤러 들 ( 13 ) 상 에 위치 된다는 것 은 또한 명백 하 다 . 이송 롤러 들 ( 13 ) 상 에 위치 하 는 후속 의 실리콘 웨이퍼 들 ( 22 ) 은 실리콘 웨이퍼 들 ( 22 ) 의 하 부면 들 ( 24 ) 상 에서 도 이러 한 식각 용액 ( 21 ) 으로 웨 팅 ( wetting ) 된다 . 그러나 , 여기 에서 는 식각 용액 ( 21 ) 의 양 은 상당히 더 작 아서 , 식각 도 상당히 덜 진행 된다 . 그러나 , 도해 된 것 처럼 , 위 로부터 식각 용액 ( 21 ) 의 목표 된 적용 은 노즐 들 ( 20 ) 에 의하 여 수행 되 기 때문 에 , 이것 은 본 발명 의 의미 내 에서 위 로부터 식각 용액 을 적용 하 는 것 으로 언급 된다 .