일부 실시 예 에서 , 다이오드 ( 204 ) 는 폴리 실리콘 , 다 결정질 실리콘 - 게르마늄 합금 , 폴리 게르마늄 과 같 은 다결정 반도체 물질 또는 이외 다른 적합 한 물질 로부터 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 다이오드 ( 204 ) 는 고농도 로 도핑 된 n + 폴리 실리콘 영역 ( 302 ) , n + 폴리 실리콘 영역 ( 302 ) 위 에 저 농도 로 도핑 된 또는 진성 ( 도핑 이 의도 적 이 아닌 ) 폴리 실리콘 영역 ( 304 ) , 및 진성 영역 ( 304 ) 위 에 p + 폴리 실리콘 영역 ( 306 ) 을 포함 할 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , n + 폴리 실리콘 영역 ( 302 ) 으로부터 진성 영역 ( 304 ) 으로 도 펀트 이주 를 방지 및 / 또는 감소 시키 기 위해서 얇 은 게르마늄 및 / 또는 실리콘 - 게르마늄 합금 층 ( 도시 되 지 않 음 ) 이 n + 폴리 실리콘 영역 ( 302 ) 상 에 형성 될 수 있 다 . 이러 한 층 의 사용 은 예 를 들 어 , " 모든 목적 을 위해 그 전체 기재 내용 이 본 명세서 에 참조 로 포함 되 는 2005 년 12 월 9 일 에 출원 된 "" DEPOSITED SEMICONDUCTOR STRUCTURE TO MINIMIZE N - TYPE DOPANT DIFFUSION AND METHOD OF MAKING ""( 이하 "," ""' 331 출원 "") 명칭 의 미국 특허 출원 번호 11 / 298 ", 331 에 기술 되 어 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 약 10 원자 % 이상 의 게르마늄 을 갖 는 몇 백 이 하 의 옹스트롬 의 실리콘 - 게르마늄 합금 이 사용 될 수 도 있 다 .