다른 실시 형태 에 있 어서 , 반도체 웨이퍼 프로세싱 시스템 이 개시 된다 . 시스템 은 내부 캐비 티 를 갖 도록 정의 된 챔버 를 포함 한다 . 또한 , 시스템 은 챔버 의 내부 캐비 티 내 에 배치 된 척 을 포함 한다 . 척 은 플라 즈 마 발생 체적 에 대한 노 출시 기판 을 홀딩 하 기 위해 정의 된 상면 을 갖 는다 . 그리고 , 척 은 플라 즈 마 발생 체적 에 무선 주파수 ( RF ) 전력 을 공급 하 도록 정의 된다 . 또한 , 척 은 척 상 에 배치 되 고 플 라즈 마 발생 체적 의 주변 을 둘러싸 고 인 클로징 하 도록 정의 된 외주 구조 를 포함 한다 . 시스템 은 , 외주 구조 상 에 배치 되 고 척 의 상면 에 실질 적 으로 평행 관계 로 플 라즈 마 발생 체적 에 걸쳐 연장 하 도록 정의 된 가스 분배 유닛 을 더 포함 한다 . 가스 분배 유닛 은 플라 즈 마 발생 체적 내부 로 플 라즈 마 프로세스 가스 의 입력 플로우 를 지향 하 도록 정의 된 가스 공급 포트 들 의 배열 을 포함 하 도록 정의 된다 . 가스 분배 유닛 은 쓰루 홀 들 의 배열 을 포함 하 도록 또 한 정의 된다 . 또한 , 시스템 은 가스 분배 유닛 위 의 챔버 내부 에 정의 된 배출 영역 을 포함 하 여 , 쓰루 홀 들 의 각각 이 가스 분배 유닛 을 통해 연장 하 여 배출 영역 에 플 라즈 마 발생 체적 을 유체 적 으로 연결 시킨다 . 또한 , 시스템 은 배출 영역 으로부터 가스 들 을 제거 하 기 위해 배출 영역 에 유체 적 으로 연결 된 펌프 를 포함 한다 .