베이스 기판 ( 120 ) 에 제 2 절 연막 ( 122 ) , 제 1 절 연막 ( 102 ) 및 단결정 반도체 막 ( 124 ) 이 형성 된 SOI 기판 을 준비 한다 ( 도 21 a ) . 단결정 반도체 막 ( 124 ) 은 , n 형 이 고 저항 율 10 Ω cm 이상 이 며 , 결정면 이 ( 100 ) 또는 ( 110 ) 인 것 을 사용 한다 . 단결정 반도체 막 ( 124 ) 의 두께 는 30 nm 부터 100 nm , 예 를 들 면 50 nm 두께 인 것 을 사용 한다 . 제 2 절 연막 ( 122 ) 은 , 산화알루미늄 을 함유 하 는 절 연막 을 사용 할 수 있 다 .