게다가 , 전술 한 포토레지스트 패턴 ( 13 ) 의 제거 과정 은 표면 식각 을 막 기 위하 여 탑 파워 ( top power ) 만 을 인가 한 상태 에서 수행 되 므로 , 식각 손상 층 ( 14 ) 의 일부 가 산화 막 으로 변질 되 는 현상 은 식각 손상 층 ( 14 ) 의 상부 로 갈수록 더욱 심화 된다 . 다시 말 하 면 , 식각 손상 층 ( 14 ) 이 변질 되 어 형성 되 는 산화 막 의 두께 가 하부 에서 상부 로 갈수록 더욱 두꺼워진다 . 따라서 , LET 공정 으로 식각 손상 층 ( 14 ) 을 제거 하 는 경우 에 특히 식각 손상 층 ( 14 ) 의 상부 를 모두 제거 하 는 것 이 어려워진다 .