상기 2 ) 단계 에서 제조 된 칩 상 에 부착 된 Pep - AuNP 또는 Pep - Cy 5 와 결합 된 양자 점 의 발광 강도 를 에너지 수용체 가 없 는 조건 의 spot ( QD control ) 을 기준 으로 서로 다른 에너지 공 여체 가 일정 농도 비율 ( QD : acceptor = 1 : 10 , 1 : 20 , 1 : 30 , 1 : 40 , 1 : 100 , mol / mol ) 로 증가 함 에 따라서 나타나 는 공 여체 의 발광 이미지 로 측정 하 였 다 . 발광 이미지 는 슬라이드 칩 스캐너 ( ArrayWoRxe , Applied Precision , USA ) 를 이용 하 여 형광 스캔 후 분석 하 고 그 사진 을 도 3 의 a ) 에 도시 하 였 다 . 이때 , 형광 필터 는 흡광 460 nm / 발광 605 nm ( Chroma ) 의 조합 을 사용 하 여 측정 하 였 다 .