하 기 시험 예 에서 는 GaN 나노 막대 층 의 온도 에 따른 영향 을 알아보 기 위하 여 , 실시 예 1 에서 , 2 인치 사파이어 기판 상 에 GaN 나노 막대 층만 을 적층 한 상태 의 기판 의 일부분 을 분리 하 여 1000 ℃ 에서 1 시간 동안 질소 분위기 에서 열처리 한 결과 를 도 7 에 도시 하 였 다 . 도 7 의 웨이퍼 의 왼쪽 의 노란색 을 띄 는 부분 은 열처리 이전 의 상태 로서 , GaN 나노 막대 가 성장 되 어 있 기 때문 에 노란색 을 띄 며 , 오른쪽 의 투명 한 부분 이 열처리 를 거친 웨이퍼 의 일부분 이 다 . 본 도 7 을 참조 하 면 , 열처리 를 수행 한 부분 은 색 이 투명 하 게 변화 하 며 극히 일부분 에 만 나노 막대 가 남 아 있 다는 것 을 확인 할 수 있 다 . 따라서 , 본 발명 에 따른 GaN 보호막 을 적층 하 지 않 은 상태 에서 , HVPE 에 의하 여 상기 GaN 나노 막대 템 플레이트 상부 에 GaN 후막 을 적층 하 게 되 면 , 나노 막대 의 형상 이 유지 되 지 않 게 된다는 것 을 알 수 있 다 .