상기 활성 층 ( 314 ) 은 상기 제 1 도전 형 반도체 층 ( 313 ) 위 에 배치 되 며 , 단일 양자 우물 , 다중 양자 우물 ( MQW ) , 양자 선 ( quantum wire ) 구조 또는 양자 점 ( quantum dot ) 구조 를 선택 적 으로 포함 한다 . 상기 활성 층 ( 314 ) 은 우물 층 과 장벽층 의 주기 를 포함 한다 . 상기 우물 층 은 InxAlyGa 1 - x - yN ( 0 ≤ x ≤ 1 , 0 ≤ y ≤ 1 , 0 ≤ x + y ≤ 1 ) 의 조성식 을 포함 하 며 , 상기 장벽층 은 InxAlyGa 1 - x - yN ( 0 ≤ x ≤ 1 , 0 ≤ y ≤ 1 , 0 ≤ x + y ≤ 1 ) 의 조성식 을 포함 할 수 있 다 . 상기 우물 층 / 장벽층 의 주기 는 예컨대 , InGaN / GaN , GaN / AlGaN , InGaN / AlGaN , InGaN / InGaN , InAlGaN / InAlGaN 의 적층 구조 를 이용 하 여 1 주기 이상 으로 형성 될 수 있 다 . 상기 장벽층 은 상기 우물 층 의 밴드 갭 보다 높 은 밴드 갭 을 가지 는 반도체 물질 로 형성 될 수 있 다 .