STI 영역 ( 304 ) 은 에피 택 셜 실리콘 표면 쪽 으로 에칭 되 고 , 실리콘 산화 막 으로 채워진다 . 실리콘 산화 막 은 또한 포토다이오드 의 전체 표면 을 덮 고 기판 으로부터 게이트 ( 312 ) 를 분리 시킨다 . p + 도핑 영역 ( 305 , 306 ) 은 암 전류 발생 을 최소 화 한다 . n 형 도핑 영역 ( 308 ) 은 게이트 ( 312 ) 와 정렬 되 는 본래 의 pn 포토다이오드 를 형성 하 고 , 게이트 ( 312 ) 가 턴 온 되 면 n 형 도핑 영역 인 FD 노드 ( 314 ) 에 필요 한 접속 을 제공 한다 . 적합 한 도핑 프로파일 및 배열 은 이 분야 에서 잘 알려진 것 과 같 은 게이트 측벽 유전체 익스텐션 ( extensions ) ( 313 ) 을 이용 하 여 달성 된다 .