다음 에 반도체 기판 ( 100 ) 과 베이스 기판 ( 120 ) 을 대향 시켜 , 제 1 절 연막 ( 102 ) 의 표면 과 제 2 절 연막 ( 122 ) 의 표면 을 본 딩 한다 ( 도 1 c 참조 ) . 반도체 기판 ( 100 ) 위 에 형성 된 제 1 절 연막 ( 102 ) 과 베이스 기판 ( 120 ) 위 에 형성 된 제 2 절 연막 ( 122 ) 의 표면 을 밀착 시킴 으로써 접합 이 형성 된다 . 이 접합 은 , 반데르발스 힘 이 작용 하 고 있 으며 , 반도체 기판 ( 100 ) 과 베이스 기판 ( 120 ) 을 밀착 시킴 으로써 , Si - OH , Al - OH 등 을 사용 한 수소 결합 에 의한 접합 을 형성 하 는 것 이 가능 하 게 된다 .