이 와 같이 액침 리소그래피 과정 의 노광 필드 별 순차 적 인 노광 을 수행 할 때 , 웨이퍼 ( 620 ) 의 온도 변화 를 실질 적 으로 억제 할 수 있 으므로 , 원 하 지 않 은 온도 변화 에 의한 노광 포커스 시프트 현상 을 억제 할 수 있 다 . 따라서 , 반도체 소자 의 미 세 패턴 형성 시 패턴 불량 발생 을 억제 할 수 있 다 . 웨이퍼 ( 620 ) 를 노광 한 후 , 노광 후 린스 ( post rinse ) 및 노광 후 베 이크 를 수행 하 고 , 상측 코팅 층 을 제거 하 고 노광 된 포토레지스트 층 을 현상 하 여 패턴 을 형성 한다 .