n + 실리콘 층 ( 416 ) 의 증착 후 에 , 저 농도 도핑 된 , 진성 및 / 또는 비 의도 적 도핑 된 실리콘 층 ( 418 ) 이 n + 실리콘 층 ( 416 ) 상 에 형성 된다 . 일부 실시 예 에서 , 진성 시리 콘 층 ( 418 ) 은 증착 시 비정질 상태 에 있 다 . 다른 실시 예 에서 , 진성 실리콘 층 ( 418 ) 은 증착 시 다 결정질 상태 에 있 다 . 진성 실리콘 층 ( 418 ) 을 증착 하 기 위해 CVD 또는 또 다른 적합 한 증착 방법 이 사용 될 수 있 다 . 적어도 일 실시 예 에서 , 진성 실리콘 층 ( 418 ) 은 약 500 내지 약 4800 옹스트롬 , 바람직 하 게 는 약 2500 옹스트롬 두께 일 수 있 다 . 이외 진성 층 의 두께 들 이 사용 될 수 있 다 .