도 24 ( B ) 에 나타낸 트랜지스터 는 , 기초 절연 층 ( 1301 ) 과 산화 알루미늄 으로 이루어지 는 매립 절연물 ( 1302 ) 위 에 형성 되 며 , 반도체 영역 ( 1303 a ) , 반도체 영역 ( 1303 c ) 과 , 그것 들 에 끼워진 진성 의 반도체 영역 ( 1303 b ) 과 , 폭 33 nm 의 게이트 ( 1305 ) 와 게이트 절연 층 ( 1304 ) 과 측벽 절연물 ( 1306 a ) 및 측벽 절연물 ( 1306 b ) 과 절연물 ( 1307 ) 과 소스 ( 1308 a ) 및 드레 인 ( 1308 b ) 을 갖 는 점 에서 도 24 ( A ) 에 나타내 는 트랜지스터 와 같 다 .