상기 상부 전극 층 상 에 하드 마스크 막 을 형성 하 고 , 상기 하드 마스크 막 상 에 포토레지스트 패턴 을 형성 한다 . 상기 포토레지스트 패턴 을 식각 마스크 로 이용 하 여 상기 하드 마스크 막 을 식각 하 여 하드 마스크 패턴 을 형성 한다 . 상기 하드 마스크 패턴 을 형성 한 후 , 애 싱 공정 을 수행 하 여 상기 포토레지스트 패턴 을 제거 한다 . 이어서 , 상기 하드 마스크 패턴 을 식각 마스크 로 이용 하 여 상기 상부 전극 층 , 상기 강유전체 층 및 상기 하부 전극 층 을 순차 적 으로 패 터닝 하 여 , 상부 전극 , 강유전체 층 패턴 및 하부 전극 을 포함 하 는 강유전체 커패시터 를 제조 할 수 있 다 .