본 발명 의 목적 을 달성 하 기 위하 여 실리사이드 시드 를 사용 한 실리콘 막 의 형성 방법 을 통하 여 제조 된 실리콘 막 을 포함 하 는 태양 전지 는 , 일반 적 인 p 영역 과 n 영역 의 이중 반도체 층 접합 구조 또는 p 영역 과 n 영역 사이 에 진성 i 형 반도체 층 을 접합 시킨 삼중 반도체 층 접합 구조 를 포함 하 는 태양 전지 에 있 어서 , 최 하부 반도체 층 은 하부 기판 에 실리사이드 시드 ( Silicide seed ) 를 형성 한 후 실란 조성물 을 적층 하 고 용매 를 제거 하 여 제조 된 실리콘 박막 에 불순물 을 도핑 하 여 형성 된 태양 전지 이 다 .