이상 과 같이 본 발명 의 실시 형태 에 의하 면 , 제 어 게이트 전극 이나 부유 게이트 전극 을 구성 하 는 다결정 실리콘 을 박막 화 하 여도 , 실리콘 결정 의 입경 을 크 게 할 수 있 어 , 불순물 활성 화 율 을 높일 수 있 으므로 , 다 결정 실리콘 의 공핍 화 를 억제 할 수 있 다 . 이 에 의해 , 소자 의 미세화 가 진행 되 어도 , 인접 게이트 전극 간 의 전기 적 간섭 을 저감 할 수 있 어 , 임계 값 전압 등 의 동작 전압 의 변동 이나 흔들림 을 억제 할 수 있 다 .