상기 와 같이 게이트 ( 60 ) 는 상기 n 형 도핑 영역 ( 40 ) 을 형성 한 후 상기 반도체 기판 ( 10 ) 상 에 형성 되 기 때문 에 상기 게이트 ( 60 ) 와 n 형 도핑 영역 ( 40 ) 이 오버랩 ( overlap ) 되 는 면적 의 제어 가 가능 하 다 . 이 에 따라 상기 게이트 ( 60 ) 아래 기판 표면 으로부터 깊이 방향 으로 채널 인 버 젼 ( inversion ) 영역 의 확산 을 게이트 전압 에 의해 제 어함 으로 상기 채널 영역 과 포토다이오드 사이 의 전송 특성 을 게이트 전압 으로 제어 할 수 있 게 한다 . 또한 , 상기 게이트 ( 60 ) 와 n 형 도핑 영역 의 오버랩 면적 이 넓 어 지 므로 상기 채널 영역 의 게이트 채널 인 버 젼 필드 에 의해 제어 됨 으로 전하 전송 효율 이 향상 될 수 있 다 .