이후 , 셀 영역 을 오픈 하 는 제 3 마스크 ( 미 도시 ) 를 형성 하 고 , 제 3 마스크 와 셀 영역 의 패 터닝 된 하드 마스크 ( 28 ) 를 마스크 로 캡 핑 도전 막 ( 25 ) 과 ONO 막 ( 24 A 0 ( 24 B ) ( 24 C ) 을 식각 하 여 셀 영역 에 게이트 를 형성 한다 . 이때 , 반도체 기판 ( 20 ) 상 에 터널 산화 막 ( 24 A ) 이 잔류 되 지 않 도록 식각 타 겟 을 적절히 설정 하 도록 한다 .