동일 한 이유 로 , 제 1 콘택트 라인 이 제 1 콘택트 와 동일 한 프로세스 과정 에서 형성 될 수 있 으며 , 제 2 콘택트 라인 은 제 2 콘택트 와 동일 한 프로세스 과정 에서 형성 될 수 있 다 . 콘택트 라인 은 적어도 제 2 콘택트 에 바닥 층 을 형성 하 지 않 고 , 도전 성 층 구조 체로 만 구성 할 수 있 다 . 콘택트 라인 에서 , 도전 성 층 구조 체 는 , MoCr , Al 및 MoCr 의 구조 체 와 같이 , 하나 의 층 또는 여러 개 의 층 으로 구성 할 수 있 다 .