시간 구간 t 22 ~ t 26 은 도 5 a , 5 b 의 선택 된 비트 라인 프리 차지 단계 일 수 있 다 . 선택 된 비트 라인 ( BL 5 ) 의 전압 ( VBL ) 은 전압 레벨 ( V 2 ) 로부터 전압 레벨 ( V 5 ) 까지 변화 ( 만일 V 5 > V 2 라면 , 증가 ) 할 수 있 다 . 비트 라인 ( BL 5 ) 의 전압 ( VBL ) 과 프리 차지 된 워드 라인 ( WL 3 ) 의 전압 ( VWLon , VWLoff . real 또는 VWLoff . ideal ) 간 의 차이 가 시간 t 23 에서 메모리 셀 ( MC 35 ) 의 문턱 전압 ( Vth ) 에 도달 하 면 , 메모리 셀 ( MC 35 ) 는 턴 - 온 될 수 있 고 그리고 메모리 셀 ( MC 35 ) 을 가로지르 는 셀 전류 는 전류 레벨 ( I 2 ) 에서 전류 레벨 ( I 1 ) 까지 급격히 변화 ( I 1 > I 2 라면 , 증가 ) 할 수 있 다 . 시간 구간 t 23 ~ t 24 에서 , 메모리 셀 ( MC 35 ) 의 급격 한 전류 의 변화 로 인하 여 비트 라인 ( BL 5 ) 의 전압 ( VBL ) 은 전압 레벨 ( V 4 ) 로부터 전압 레벨 ( V 3 ) 까지 변화 ( 만일 V 4 > V 3 라면 , 감소 ) 할 수 있 고 그리고 , 그런 다음 메모리 셀 ( MC 35 ) 을 가로지르 는 셀 전류 는 다시 전류 레벨 ( I 1 ) 부터 전류 레벨 ( I 2 ) 까지 변화 ( I 1 > I 2 라면 , 감소 ) 할 수 있 다 . 비트 라인 ( BL 5 ) 의 전압 ( VBL ) 이 전압 레벨 ( V 3 ) 인 경우 , 비트 라인 ( BL 5 ) 의 전압 과 워드 라인 ( WL 3 ) 의 전압 ( VWLon ) 간 의 차이 는 메모리 셀 ( MC 35 ) 의 스위칭 전압 ( Vs ) 일 수 있 다 . 이후 , 비트 라인 ( BL 5 ) 의 전압 ( VBL ) 은 전압 레벨 ( V 3 ) 부터 전압 레벨 ( V 5 ) 까지 변화 ( V 5 > V 3 라면 , 증가 ) 할 수 있 다 . 이후 , 선택 된 비트 라인 ( BL 5 ) 은 시간 t 26 에서 전압 레벨 ( V 5 ) 로 프리 차지 될 수 있 다 .