이때 , 식각 은 , CF 4 가스 를 이용 하 여 약 15 초 동안 브레이크 쓰루 ( breakthrough ; BT ) 식각 을 수행 하 고 , 종말점 ( end point ; EP ) 까지 HBr / Cl 2 / He 가스 와 O 2 가스 를 이용 하 여 약 35 초 동안 메인 식각 ( main etching ; ME ) 을 수행 하 고 , HBr / He 가스 와 O 2 가스 를 이용 하 여 약 70 초 동안 오버 식각 ( over etching ; OE ) 을 수행 하 는 단계 들 로 이루어진다 .