이후 , 도 5 c 에 도시 된 것 과 같이 , 제 1 예비 배리 어 층 ( BR - P ) 상 에 제 1 층 ( CL 1 ) 과 제 2 층 ( CL 2 ) 을 연속 적 으로 형성 할 수 있 다 . 제 1 층 ( CL 1 ) 및 제 2 층 ( CL 2 ) 은 각각 서로 다른 금속 물질 을 증착 하 여 형성 될 수 있 다 . 제 1 층 ( CL 1 ) 은 티타늄 ( Ti ) 을 증착 하 여 형성 될 수 있 다 . 제 2 층 ( CL 2 ) 은 구리 ( Cu ) 를 증착 하 여 형성 될 수 있 다 . 이하 , 제 1 층 ( CL 1 ) 및 제 2 층 ( CL 2 ) 은 식각 공정 에 의해 전극 및 배선 을 형성 하 는 예비 전극 층 으로 명명 될 수 있 다 .