그러나 , 종래 의 식각 장치 를 이용 하 여 박막 을 식각 하 는 경우 챔버 내 에서 의 식각 율 또는 식각 속도 ( etch rate ) 의 편차 가 발생 된다 . 예 를 들 어 , SF 6 가스 를 이용 하 여 게이트 절 연막 및 보호막 을 식각 하 는 경우 플라 즈 마는 챔버 외곽 에 집중 된다 . 이 에 따라 , 기판 의 중앙부 에 비해 외곽 부 의 식각 속도 가 빨라 지 게 됨 에 따라 기판 의 외곽 에 위치 하 는 게이트 절 연막 및 보호막 은 상대 적 으로 과 식각 됨 에 비하 여 기판 의 중앙 에 위치 하 는 게이트 절 연막 및 보호막 은 상대 적 으로 느리 게 식각 되 는 등 박막 패턴 의 불 균형 이 초래 된다 . 그 결과 , 도 2 에 도시 된 바 와 같이 기판 의 중심 ( center ) 에 위치 하 는 데이터 패드 위 의 보호막 은 정상 적 으로 제거 되 어 데이터 패드 가 정상 적 으로 노출 됨 에 비하 여 , 기판 의 외곽 ( etch ) 에 위치 하 는 데이터 패드 는 과 식각 됨 에 따라 손상 을 받 게 된다 .