상기 와 같이 , SiC 에피 택 셜 성장 공정 에서 는 , 웨이퍼 ( W ) 를 매우 고온 으로 할 필요 가 있 다 . 그러나 , 웨이퍼 ( W ) 를 고온 상태 로 하 기 위해 히터 로 가열 하 면 , 히터 로부터 의 복사열 은 , 웨이퍼 ( W ) 뿐 만 아니 라 , 성막 실 ( 2 ) 을 구성 하 는 다른 부재 에 도 전달 되 어 그것 들 을 승 온 시킨다 . 이러 한 것 은 , 특히 웨이퍼 ( W ) 나 히터 와 같 은 고온 이 되 는 부분 근방 에 위치 하 는 부재 나 , 성막 실 ( 2 ) 의 내벽 혹은 배관 에 있 어서 현저 하 다 . 그리고 , 성막 실 ( 2 ) 내 에 발생 된 고온 부위 에 반응 가스 가 접촉 하 면 , 고온 가열 된 웨이퍼 ( W ) 의 표면 과 동일 하 게 반응 가스 의 열분해 반응 이 일어난다 .