본 발명 의 반도체 소자 의 형성 방법 은 반도체 기판 상 에 도전 층 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 도전 층 상부 에 하드 마스크 층 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 하드 마스크 층 의 폭 보다 작 은 폭 을 갖 도록 상기 도전 층 을 식각 하 는 단계 와 , 상기 하드 마스크 층 의 측벽 과 일직선 이 되 도록 상기 도전 층 측벽 에 절 연막 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .