[ 0009 ] 본 기술 의 일부 실시 예 들 은 또한 반도체 도금 챔버 에서 기판 을 헹구 는 방법 들 을 포함 할 수 있 다 . 방법 들 은 처리 유체 를 제 1 유체 노즐 로부터 헤드 상 에 안착 된 기판 으로 전달 하 는 단계 를 포함 할 수 있 다 . 헤드 는 반도체 도금 챔버 내 의 제 1 포지션 에 위치 될 수 있 다 . 방법 들 은 헤드 를 제 1 포지션 으로부터 도금 욕 내 로 하강 시키 는 단계 를 포함 할 수 있 다 . 방법 들 은 헤드 를 도금 욕 으로부터 제 1 포지션 으로 이동 시키 는 단계 를 포함 할 수 있 다 . 방법 들 은 욕 유체 를 도금 욕 내 로 다시 슬링 시키 기 위해 헤드 를 회전 시키 는 단계 를 포함 할 수 있 다 . 잔 류량 의 욕 유체 가 남 아 있 을 수 있 다 . 방법 들 은 잔 류량 의 욕 유체 를 도금 욕 내 로 다시 적어도 부분 적 으로 배출 시키 기 위해 제 1 유체 노즐 로부터 기판 으로 제 1 유체 를 전달 하 는 단계 를 포함 할 수 있 다 . 일부 실시 예 들 에서 , 방법 들 은 헤드 를 제 2 포지션 으로 이동 시키 는 단계 를 포함 할 수 있 다 . 방법 들 은 헤드 를 회전 시키 는 단계 를 포함 할 수 있 다 . 방법 들 은 제 2 유체 노즐 로부터 기판 을 가로질러 제 2 유체 를 전달 하 는 단계 를 포함 할 수 있 다 . 방법 들 은 잔 류량 의 욕 유체 의 적어도 약 50 % 를 회수 할 수 있 다 .