상술 한 바 와 같이 , CNT 재료 ( 212 ) 는 단지 CNT 시 딩 층 ( 210 ) 상 에 형성 된다 . 몇몇 실시 예 에서 다른 CNT 재료 두께 를 사용 할 수 있 지만 상기 CNT 재료 ( 212 ) 는 약 1 나노미터 내지 약 1 마이크 론 ( 및 심지어 수만 마이크 론 ) , 및 더 바람직 하 게 는 약 10 내지 약 20 나노미터 의 두께 를 가질 수 있 다 . 상기 CNT 재료 ( 212 ) 에서 각 튜브 의 밀도 는 다른 밀도 를 사용 할 수 있 지만 예 를 들 어 , 약 6 . 6 × 103 내지 약 1 × 106 CNTs / 마이크 론 2 , 및 더 바람직 하 게 는 적어도 약 6 . 6 × 104 CNTs / 마이크 론 2 일 수 있 다 . 예 를 들 어 , 다이오드 ( 204 ) 가 약 45 나노미터 의 폭 을 가지 는 것 으로 가정 하 면 몇몇 실시 예 에서 다이오드 ( 204 ) 하 에서 적어도 약 10 CNTs , 더 바람직 하 게 는 적어도 약 100 CNTs 을 갖 는 것 이 바람직 하 다 ( 비록 더 작 은 CNTs , 예 를 들 어 1 , 2 , 3 , 4 , 5 등 , 또는 더 많 은 CNTs , 예 를 들 어 100 이상 이 사용 될 수 있 음 ) .