도 4 h 를 참조 하 면 , 에치 - 백 공정 을 실시 한다 . 에치 - 백 공정 에 의해 제 2 도 전막 ( 304 ) 의 표면 및 측면 의 일부 가 노출 될 수 있 다 . 또한 , 격리 영역 ( R ) 에 는 스 페이서 막 ( 305 ) , 식각 정지 막 ( 306 ) 및 제 1 층간 절 연막 ( 307 ) 이 잔여 할 수 있 다 . 본 발명 에서 는 식각 정지 막 ( 306 ) 이 평탄 화 공정 에서 손실 되 는 현상 이 방지 되 므로 , 에치 - 백 공정 시 에 제 2 도 전막 ( 304 ) 의 측면 에 형성 된 스 페이서 막 ( 305 ) 이 제거 되 어 유전체 막 ( 303 ) 이 노출 되 는 현상 및 노출 된 유전체 막 ( 303 ) 이 에치 - 백 공정 에 의해 식각 되 어 제 1 도 전막 ( 302 ) 이 노출 되 는 현상 이 방지 될 수 있 다 .