하나 의 셀 스트링 ( CSTR ) 은 공통 소오 스 라인 들 ( CSL ) 로부터 의 거리 가 서로 다른 복수 개 의 메모리 셀 들 ( MCT ) 로 구성 될 수 있 다 . 그리고 , 공통 소오 스 라인 들 ( CSL ) 과 비트 라인 들 ( BL 0 - BL 2 ) 사이 에 는 복수 개 의 워드 라인 들 ( WL 0 - WLn , DWL ) 이 배치 될 수 있 다 .