본 발명 의 에칭 방법 은 , 상기 본 발명 의 에칭 액 조성물 을 사용 하 여 산화 인듐 계층 을 에칭 하 는 공정 을 갖 는다 . 본 발명 의 에칭 액 조성물 을 사용 하 면 , 산화 인듐 계층 과 금속 계층 을 포함 하 는 적층 체 를 일괄 하 여 에칭 할 수 있 다 . 적층 체 를 구성 하 는 산화 인듐 계층 은 , 1 층 이 어도 되 고 , 2 층 이상 이 어도 된다 . 또한 , 적층 체 를 구성 하 는 금속 계층 도 , 1 층 이 어도 되 고 , 2 층 이상 이 어도 된다 . 적층 체 는 , 금속 계층 이 산화 인듐 계층 의 상층 에 배치 되 어 있 어도 , 하층 에 배치 되 어 있 어도 , 상 층 및 하층 에 배치 되 어 있 어도 된다 . 또한 , 산화 인듐 계층 과 금속 계층 이 교대 로 적층 되 어 있 어도 된다 .