상술 한 바 와 같이 , 본 발명 의 일실 시예 에서 는 PLD 증착 법 에 의해서 MgO 단결정 기판 위 에 하부 전극 으로서 LSCO 산화물 전극 이 형성 된 후 , PZO / PTO 산화물 인 공격자 가 증착 된다 . 이렇게 성장 된 인공 격자 의 등축 성장 및 결정 성 과 인공 격자 구조 형성 여부 를 XRD 분석 을 통하 여 확인 하 였 고 , P - E 특성 곡선 을 통하 여 인공 격자 의 강유 전 성 을 확인 하 였 고 , AFM 을 통하 여 매우 평탄 한 표면 을 가지 고 있 다는 것 을 확인 하 였 다 . 그리고 최소 12 nm 크기 정도 의 도메인 을 형성 함 으로써 수 Tbit / inch 2 정도 의 초고 밀도 정보 저장 장치 용 강유전체 매체 로서 산화물 인 공격자 가 매우 적합 함 을 확인 하 였 다 .