도 6 a 내지 도 6 c 를 참조 하 면 , 비휘발성 메모리 장치 ( 3 ) 는 기판 ( 201 ) , 및 기판 ( 201 ) 상 의 전극 적층 체 ( 3 a ) 를 포함 한다 . 전극 전 층 체 ( 3 a ) 는 서로 번갈 아 배치 되 는 제 1 내지 제 8 게이트 전극 층 ( 310 a , 310 b , 310 c , 310 d , 310 e , 310 f , 310 g , 310 h ) 과 제 1 내지 제 8 층간 절연 층 ( 210 a , 210 b , 210 c , 210 d , 210 e , 210 f , 210 g , 210 h ) 을 구비 한다 . 일 실시 예 에서 , 제 8 층간 절연 층 ( 210 h ) 는 제 1 내지 제 7 층간 절연 층 ( 210 a , 210 b , 210 c , 210 d , 210 e , 210 f , 210 g ) 보다 두껍 게 형성 될 수 있 다 . 일 실시 예 에 있 어서 , 제 1 내지 제 7 층간 절연 층 ( 210 a , 210 b , 210 c , 210 d , 210 e , 210 f , 210 g ) 은 실질 적 으로 동일 한 두께 로 형성 될 수 있 다 . 마찬가지 로 , 제 1 내지 제 8 게이트 전극 층 ( 310 a , 310 b , 310 c , 310 d , 310 e , 310 f , 310 g , 310 h ) 은 실질 적 으로 동일 한 두께 로 형성 될 수 있 다 .