도 2 a 를 참조 하 면 , 상기 비정질 실리콘 층 ( 120 ) 상 에 실리콘 산화 막 과 실리콘 질화 막 의 적층 구조 로 이루어진 캡 핑 층 ( 123 ) 을 형성 한다 . 상기 캡 핑 층 ( 123 ) 은 제 1 캡 핑 층 ( 123 a ) 과 제 2 캡 핑 층 ( 123 b ) 으로 구성 되 어 있 고 상기 제 2 캡 핑 층 ( 123 b ) 에 는 개구부 ( Ⅰ ) 가 형성 되 어 있 는데 , 실리콘 산화 막 보 다는 실리콘 질화 막 에서 금속 촉매 의 확산 이 쉽 게 이루어지 므로 본 발명 의 캡 핑 층 ( 123 ) 은 비정질 실리콘 층 ( 120 ) 상 에 형성 되 어 있 는 제 1 캡 핑 층 ( 123 a ) 을 실리콘 산화 막 으로 형성 하 고 상기 제 2 캡 핑 층 ( 123 b ) 을 실리콘 질화 막 으로 형성 하 며 상기 제 2 캡 핑 층 ( 123 b ) 상 에 형성 되 어 있 는 개구부 ( Ⅰ ) 를 통하 여 금속 촉매 가 선택 적 으로 침투 할 수 있 게 한다 . 한편 , 상기 제 1 캡 핑 층 ( 123 a ) 과 제 2 캡 핑 층 ( 123 b ) 을 형성 하 는 물질 의 순서 를 역 으로 하 여 구성 하 여도 무관 하 다 .