산화 막 을 형성 한 후 , 형성 한 산화 막 을 통하 여 상기 2 장 의 실리콘 웨이퍼 를 접합 시켜 , 접합 웨이퍼 를 얻 는다 . 웨이퍼 의 접합 은 , 형성 한 산화 막 을 통하 여 상기 2 장 의 실리콘 웨이퍼 를 서로 겹치 고 , 이어서 , 1000 ℃ 이상 의 온도 로 열처리 를 행하 고 , 접착 강도 를 강화 하 여 , 접합 웨이퍼 를 얻 는다 . 본 발명 의 제조 방법 에서 는 , 오존 세정 에 의해 표면 에 형성 한 막 두께 2 . 2 nm 이하 의 산화 막 을 갖 는 2 장 의 실리콘 웨이퍼 를 접합 시켜 , 상기 열처리 를 행함 으로써 , 접합 계면 의 국소 적 인 산화물 의 발생 을 억제 할 수 있 다 . 이 열처리 의 온도 로서 는 , 1000 ℃ 이상 이 적당 하 며 , 1000 ℃ 미만 의 경우 는 충분 한 결합력 이 얻 어 지 지 않 아 , 박막 화 공정 이나 디바이스 공정 에서 의 벗겨짐 등 , 불량 의 원인 이 되 는 경우 가 있 다 . 또한 , 고온 영역 , 특히 1200 ℃ 를 초과 하 는 경우 에 는 , 슬립 ( slip ) 의 문제 가 생기 는 경우 가 있 어 , 온도 범위 로서 는 1050 ℃∼ 1150 ℃ 가 바람직 하 다 . 다음 으로 , 시간 에 관해서 는 , 30 분 이상 의 열처리 가 적당 하 고 , 30 분 미만 의 경우 , 상기 와 동일 한 불량 이 발생 하 는 경우 가 있 다 . 또한 , 이 열처리 의 분위기 는 , 예 를 들 면 , 아르곤 가스 분위기 나 산소 와 질소 의 혼합 가스 등 일 수 있 지만 , 특히 이 들 에 한정 하 는 것 은 아니 다 .