다음 으로 , 도 5 의 ( c ) 와 같이 , 해당 제 1 감광막 패턴 ( 108 ) 을 식각 용 마스크 로 이용 하 여 식각 함 으로써 제 1 감광막 패턴 ( 108 ) 영역 이외 의 차광막 ( 106 a ) 을 선택 적 으로 제거 함 으로써 차광 패턴 ( 106 ) 을 형성 하 며 , 이때 식각 은 이방성 특성 을 갖 는 건식 식각 ( dry etching ) 을 이용 할 수 있 다 .