실시 예 1 과 동일 한 직경 200 ㎜ 의 실리콘 단결정 잉곳 으로부터 슬라이스 한 실리콘 웨이퍼 ( 산소 농도 가 11 . 5 ∼ 13 . 6 × 1017 atoms / cc ( Old - ASTM ) ) 를 1100 ℃ 로 열 산화 하 고 , 300 nm 의 산화 막 을 형성 한 후 , 이 웨이퍼 의 상면 으로부터 , 이 산화 막 을 개재 하 여 , 수소 이온 을 주입 에너지 50 keV , 도즈 량 6 × 1017 atoms / ㎠ 를 주입 하 고 , 활성 층 웨이퍼 내부 에 이온 주입 층 을 형성 한다 .