실시 예 에서 , 이 미터 는 전기 에너지 와 열 에너지 중 적어도 하나 를 생성 하 며 , 여기 서 이 미터 는 대기압 미만 , 대기압 또는 대기압 초과 의 압력 을 유지 할 수 있 는 적어도 하나 의 용기 ; a ) 적어도 하나 의 촉매 공급원 또는 초기 H 2 O 를 포함 하 는 촉매 , b ) 적어도 하나 의 H 2 O 공급원 또는 H 2 O , c ) 용기 의 벽 을 통해 침투 할 수 있 는 적어도 하나 의 원자 수소 공급원 또는 원자 수소 d ) 은 , 구리 또는 은 - 구리 합금 과 같 은 용융 금속 , 및 e ) CO 2 , B 2 O 3 , LiVO 3 및 H 2 와 반응 하 지 않 는 안정 한 산화물 과 같 은 산화물 을 포함 하 는 반응물 ; 용융 금속 저 장소 및 전자기 펌프 를 포함 하 는 적어도 하나 의 용융 금속 주입 시스템 ; 반응물 이 발광 플 라즈 마 와 열 방출 플 라즈 마 중 적어도 하나 를 형성 하 게 하 고 전력 변환기 로부터 전력 을 수용 하 는 전력 원 을 포함 하 는 적어도 하나 의 반응물 점 화 시스템 ; 용융 금속 및 산화물 을 회수 하 는 시스템 ; 전력 및 / 또는 열 전력 으로 광과 열 출력 중 적어도 하나 를 변환 하 는 적어도 하나 의 전력 변환기 또는 출력 시스템 을 포함 하 며 ; 용융 금속 점 화 시스템 은 i ) a ) 용융 금속 을 한정 하 기 위한 적어도 하나 의 내화성 금속 또는 탄소 전극 세트 ; b ) 전기 적 으로 절연 된 용융 금속 저 장소 로부터 전자기 펌프 에 의해 전달 되 는 내화 금속 또는 탄소 전극 및 용융 금속 스트림 , 및 c ) 복수 의 전기 절연 된 용융 금속 저 장소 로부터 적어도 2 개 의 전자기 펌프 에 의해 전달 되 는 적어도 2 개 의 용융 금속 스트림 의 그룹 으로부터 의 전극 ; 및 ii ) 용융 금속 점 화 시스템 전류 가 50 A 내지 50 , 000 A 의 범위 에 있 는 플 라즈 마 를 형성 하 기 위해 반응물 이 반응 하 게 하 는데 충분 한 고전 류 전기 에너지 를 전달 하 기 위한 전력 공급원 을 포함 하 는 점 화 시스템 중 적어도 하나 를 포함 하 며 ; 용융 금속 주입 시스템 은 벡터 교차 전류 성분 을 제공 하 기 위해 자기장 및 전류 원 을 제공 하 는 적어도 하나 의 자석 을 포함 하 는 전자기 펌프 를 포함 하 며 ; 용융 금속 저 장소 는 유도 결합 히터 를 포함 하 며 ; 이 미터 는 용융 금속 및 산화물 , 예컨대 중력 하 에서 용융물 로 의 유동 을 제공 할 수 있 는 벽 과 용기 와 연통 하 는 저 장소 중 적어도 하나 를 더 포함 하 고 저 장소 를 용기 보다 더 낮 은 온도 로 유지 하 고 금속 이 저 장소 에 수집 되 게 하 는 냉각 시스템 을 더 포함 하 며 ; 대기압 미만 , 대기압 또는 대기압 초과 의 압력 을 유지 할 수 있 는 용기 는 고온 흑체 방열기 를 포함 하 는 내부 반응 셀 , 및 대기압 미만 , 대기압 또는 대기압 초과 의 압력 을 유지 할 수 있 는 외부 챔버 를 포함 하 며 ; 흑체 방열기 는 1000 K 내지 3700 K 범위 의 온도 로 유지 되 고 ; 흑체 방열기 를 포함 하 는 내부 반응 셀 은 탄소 또는 W 와 같 은 내화 재료 를 포함 하 고 ; 셀 의 외부 로부터 방출 된 흑체 방열기 는 광 - 전기 전력 변환기 에 입사 되 고 ; 반응 전력 출력 의 적어도 하나 의 전력 변환기 는 열광 전지 변환기 및 광전지 변환기 중 적어도 하나 를 포함 하 고 ; 셀 셀 에 의해 방출 된 광 은 주로 가 시 및 근적외선 을 포함 하 는 흑체 방사선 이 고 , 광전지 셀 은 결정질 실리콘 , 게르마늄 , 갈륨 비소 ( GaAs ) , 갈륨 안티몬 화물 ( GaSb ) , 인듐 갈륨 비소 ( InGaAs ) , 인듐 갈륨 비소 안티몬 화물 ( InGaAsSb ) , 및 인듐 인화물 비소 안티몬 화물 ( InPAsSb ) , III / V 족 반도체 , InGaP / InGaAs / Ge ; InAlGaP / AlGaAs / GaInNAsSb / Ge ; GaInP / GaAsP / SiGe ; GaInP / GaAsP / Si ; GaInP / GaAsP / Ge ; GaInP / GaAsP / Si / SiGe ; GaInP / GaAs / InGaAs ; GaInP / GaAs / GaInNAs ; GaInP / GaAs / InGaAs / InGaAs ; GaInP / Ga ( In ) As / InGaAs ; GaInP - GaAs - 웨이퍼 - InGaAs ; GaInP - Ga ( In ) As - Ge ; 및 GaInP - GaInAs - Ge 로부터 선택 되 는 적어도 하나 의 화합물 을 포함 하 는 집광기 셀 을 포함 하 고 , 전력 시스템 은 진공 펌프 및 적어도 하나 의 열 제거 시스템 을 더 포함 하 고 흑체 방열기 는 흑체 온도 센서 및 제어기 를 더 포함 한다 . 선택 적 으로 , 이 미터 는 적어도 하나 의 추가 의 반응물 주입 시스템 을 포함 할 수 있 으며 , 여기 서 추가 의 반응물 은 a ) 적어도 하나 의 촉매 공급원 또는 초기 H 2 O 를 포함 하 는 촉매 ; b ) 적어도 하나 의 H 2 O 공급원 또는 H 2 O , 및 c ) 적어도 하나 의 원자 수소 공급원 또는 원자 수소 를 포함 한다 . 추가 의 반응물 주입 시스템 은 컴퓨터 , H 2 O 및 H 2 압력 센서 중 적어도 하나 , 및 질량 유량 제어기 , 펌프 , 주사기 펌프 및 고 정밀 전자 제어 가능 한 밸브 의 그룹 중 적어도 하나 를 더 포함 할 수 있 으며 ; 밸브 는 니 들 밸브 , 비례 전자 밸브 , 및 스 테퍼 모터 밸브 중 적어도 하나 를 포함 하 며 , 밸브 는 압력 센서 및 컴퓨터 에 의해 제어 되 어 H 2 O 및 H 2 압력 중 적어도 하나 를 원하 는 값 으로 유지 하 고 ; 추가 의 반응물 주입 시스템 은 H 2 O 증기압 을 0 . 1 Torr 내지 1 Torr 의 범위 로 유지 한다 .