그리고 , 도 1 e 에 도시 한 바 와 같이 , 반도체 성 산화 물막 ( 105 a ) 과 절연성 산화물 층 ( 104 b ) 을 에칭 함 으로써 , 목적 으로 하 는 형상 ( 예 를 들 어 , 섬 형상 ) 을 갖 는 반도체 성 산화 물막 ( 105 b ) 을 얻 는다 . 에칭 에 는 , 건식 에칭 법 혹은 습식 에칭 법 을 사용 하 면 좋 다 . 또한 , 여기 에서 의 에칭 시 에 는 , 제 1 게이트 절연물 ( 103 ) 을 에칭 스토퍼 로서 사용 해도 좋 다 .