도 5 의 ( a ) 에 도시 된 바 와 같이 , 제조 기판 ( 110 a ) 상 에 제 2 청색 발광 다이오드 칩 ( 122 a ) 이 소정 의 간격 으로 배치 된다 . 그리고 도 5 의 ( b ) 에 도시 된 바 와 같이 , 제 2 청색 발광 다이오드 칩 ( 122 a ) 전체 를 덮 도록 형광 물질 이 도포 된다 . 이때 , 형광 물질 은 점성 이 높 은 실리콘 이나 에폭시 등 이 이용 될 수 있 다 . 도포 된 형광 물질 이 경화 되 면 , 도 5 의 ( c ) 에 도시 된 바 와 같이 , 각 발광 다이오드 칩 들 을 기준 으로 다 이싱 공정 을 통해 분리 되 어 각 발광 다이오드 칩 을 덮 도록 형 광부 ( 150 ) 가 형성 된다 . 여기 서 , 필요 에 따라 형 광부 ( 150 ) 상부 를 그라인딩 공정 을 통해 평탄 화 할 수 있 다 .