따라서 , 도 2 f 에 도시 된 바 와 같이 , 플 라즈 마 ( Plasma ) 를 사용 한 카 본스 페이서 식각 ( Carbon spacer etch ) 을 진행 하 여 하부 전극 ( 25 ) 상부 에 홀더 ( 27 A ) 를 형성 한다 . 따라서 , 홀더 ( 27 A ) 가 있 는 상태 에서 습식 케미컬 침투 경로 ( 도면 부호 ' H ') 가 형성 된다 .