또 , 결정 성 을 가지 는 산화물 반도체 에서 는 , 보다 벌크 내 결함 을 저감 하 는 것 이 가능 하 다 . 표면 의 평탄 성 을 높이 면 어모퍼스 상태 의 산화물 반도체 이상 의 이동도 를 얻 을 수 있 다 . 표면 의 평탄 성 을 높이 기 위해서 는 평탄 한 표면 위 에 산화물 반도체 를 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 구체 적 으로 는 , 평균 면 거칠 기 ( Ra ) 가 1 nm 이하 , 바람직 하 게 는 0 . 3 nm 이하 , 더 바람직 하 게 는 0 . 1 nm 이하 의 표면 위 에 형성 하 면 좋 다 .