본 발명 에 의한 반도체 소자 의 제조 방법 은 기판 상부 에 배리 어 층 , 금속 층 및 반사 방지 층 이 적층 된 퓨즈 를 형성 하 는 단계 , 상기 반사 방지 층 을 선택 적 으로 제거 하 는 단계 , 상기 퓨즈 를 포함 하 는 결과물 의 전면 에 절연 층 을 형성 하 는 단계 , 상기 퓨즈 상부 에 상기 절연 층 이 일부 두께 잔류 하 도록 리페 어 식각 을 실시 하 는 단계 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .