한편 , 본 발명 에서 는 도 4 및 도 5 에 도시 된 바 와 같이 , 버스 바 ( 300 ) 가 하나 의 절 단선 ( 200 ) 에 인접 하 여 양측 에 한 쌍 으로 마련 되 므로 , 상기 단계 S 40 에서 절 단선 ( 200 ) 에 따라 스크라이버 로 상기 웨이퍼 ( 100 ) 를 절단 할 때 한 쌍 의 버스 바 ( 300 ) 는 상기 스크라이버 의 가이드 기능 을 실현 할 수 있 다 . 또 레이저 조사 에 의한 스크라이빙 의 실행 시 인접 한 버스 바 ( 300 ) 에서 전극 의 열처리 를 통한 어닐링 의 효과 가 상승 된다 . 특히 , 저온 공정 에서 형성 되 는 HIT ( Heterojunction with Intrinsic Thinlayer ) 셀 에 적용 하 는 경우 어닐링 효과 는 더 상승 하 게 된다 .