그 결과 , 패턴 밀도 가 밀 한 영역 에 두껍 게 증착 된 제 2 산화 막 을 제거 하 는 동안 , 패 터 밀도 가 소한 영역 에 얇 게 증착 된 제 2 산화 막 뿐 만 아니 라 , 그 하부 에 위치 한 제 1 질화 막 까지 모두 제거 되 어 선폭 이 좁 은 영역 의 제 2 커패시터 산화 막 ( 31 ) 이 노출 된다 . 또한 , 상기 블랑 킷 식각 공정 조건 을 적절히 조절 하 여 트랜 치 내부 하측 에 형성 된 하부 전극 은 손상 되 지 않 도록 한다 .