상기 제 2 포토레지스트 패턴 ( PR 21 , PR 22 ) 은 스위칭 소자 ( TFT ) 의 소스 전극 ( SE ) 이 형성 되 는 소스 전극 영역 ( SEA ) , 활성 층 ( 131 a ) 이 노출 되 는 채널 영역 ( CHA ) , 드레 인 전극 ( DE ) 이 형성 되 는 드레 인 전극 영역 ( DEA ) , 화소 전극 ( 155 ) 이 형성 되 는 화소 전극 영역 ( PEA ) 및 소스 패드 ( DP ) 가 형성 되 는 소스 패드 영역 ( DPA ) 에 형성 된다 . 또한 , 도시 되 지 는 않 았 으나 제 2 포토레지스트 패턴 ( PR 21 , PR 22 ) 은 상기 소스 배선 들 ( DLm , DLm + 1 ) 이 형성 되 는 소스 배선 영역 도 에 형성 된다 . 상기 소스 배선 들 ( DLm , DLm + 1 ) 이 형성 되 는 과정 은 상기 소스 패드 ( DP ) 가 형성 되 는 과정 과 실질 적 으로 동일 하 다 .