제 1 클래드 층 ( 320 ) 상 에 는 광 도파 로 ( WG : waveguide ) ( 330 ) 가 형성 된다 . 광 도파 로 ( 330 ) 는 약 1 . 3 ~ 1 . 5 ㎛ 의 파장 밴드 갭 을 갖 는 InGaAsP 반도체 로 이루어지 며 , 광도 파로 ( 330 ) 의 두께 는 약 0 . 1 ~ 0 . 3 ㎛ 로 형성 된다 . 광도 파로 ( 330 ) 상 에 는 소정 이격 거리 를 가지 며 주기 적 으로 배치 된 복수 의 그 레이팅 ( grating , 340 a ) 을 포함 하 는 회절 격자 역할 을 수행 하 는 그 레이팅 구조 층 ( 340 ) 이 형성 된다 . 그 레이팅 구조 층 ( 340 ) 은 제 1 클래드 층 ( 320 ) 의 InP 에 격자 정합 되 는 InGaAs 를 이용 하 며 , 그 레이팅 ( 340 a ) 은 약 20 ~ 50 ㎚ 의 두께 로 형성 된다 . 그 레이팅 ( 340 a ) 과 광도 파로 ( 330 ) 는 약 0 . 05 ~ 0 . 3 ㎛ 정도 의 거리 를 두 고 배치 된다 .