본 발명 의 일 형태 는 , 산화물 반도체 층 으로 형성 된 채널 부를 포함 하 는 복수 의 층 을 가지 며 , 복수 의 층 중 연속 하 고 있 는 3 개 의 층 의 중간 에 위치 하 는 층 이 , 산화물 반도체 층 의 막 면 에 대해 법선 방향 을 따라 채널 부 에 조사 될 수 있 는 파장 ( λ 0 ) 의 광 의 광로 에 해당 하 는 층 이 며 , 또한 , 파장 ( λ 0 ) 의 광 에 대한 투광 성 을 갖 는 층 이 며 , 또한 , 연속 하 고 있 는 3 개 의 층 의 굴절 율 중 에서 연속 하 고 있 는 3 개 의 층 의 중간 에 위치 하 는 층 의 굴절 율 이 가장 크 거나 가장 작 은 경우 에 는 , 연속 하 고 있 는 3 개 의 층 의 중간 에 위치 하 는 층 의 광학 적 두께 가 개략 λ 0 / 4 의 홀수 배 이 며 , 산화물 반도체 층 의 막 면 에 대해 법선 방향 을 따라 채널 부 에 조사 될 수 있 는 파장 ( λ 0 ) 의 광 의 광로 에 해당 하 는 층 이 며 , 또한 , 파장 ( λ 0 ) 의 광 에 대한 투광 성 을 갖 는 층 이 며 , 또한 , 연속 하 고 있 는 3 개 의 층 의 굴절 율 중 에서 가장 큰 굴절 율 을 갖 는 층 과 가장 작 은 굴절 율 을 갖 는 층 에 접하 고 있 는 경우 에 는 , 연속 하 고 있 는 3 개 의 층 의 중간 에 위치 하 는 층 의 광학 적 두께 가 개략 λ 0 / 4 의 짝수 배인 것 을 특징 으로 하 는 반도체 장치 이 다 .