도 2 d 에 도시 된 바 와 같이 , 제 2 포토레지스트 패턴 ( 27 b ) 을 식각 장벽 으로 하 여 제 2 유기 하부 반사 방지 막 ( 26 a ) 과 제 1 하드 마스크 텅스텐 패턴 ( 25 a ) 을 순차 적 으로 식각 한다 . 이때 , 제 1 하드 마스크 텅스텐 패턴 ( 25 a ) 의 식각 은 SF 6 베이스 로 진행 하 는데 , SF 6 가스 를 이용 한 텅스텐 의 식각 시 에 는 TiN 에 대한 선택 비 가 높 으므로 제 1 하드 마스크 텅스텐 패턴 ( 25 a ) 식각 후 하부 의 ARC TiN ( 24 ) 의 식각 손실 을 최소 화 할 수 있 어 펀치 ( Punch ) 를 예방 한다 . 그리고 , 제 1 하드 마스크 텅스텐 패턴 ( 25 a ) 의 식각 이 완료 된 후 에 , 제 2 포토레지스트 패턴 ( 27 b ) 은 일부 가 소모 되 어 얇 게 잔류 한다 .