상기 마스크 막 ( 120 ) 은 화학 기상 증착 법 또는 원자 층 적 층 법 으로 형성 될 수 있 다 . 특히 , 상기 마스크 막 ( 120 ) 은 원자 층 적 층 법 으로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 이 로써 , 상기 제 1 가이드 패턴 들 ( 115 ) 의 측벽 들 상 에 형성 된 상기 마스크 막 ( 120 ) 의 두께 는 매우 균일 할 수 있 다 .