대안 으로 , 일부 예시 에서 , t 1 에서 디 지트 라인 ( 805 ) 은 플레이트 로부터 분리 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 타깃 논리 상태 가 제 1 논리 상태 ( 가령 , " 논리 "" 1 "") 또는 상이 한 논리 상태 인지 에 무관 하 게 ", t 1 에서 디 지트 라인 ( 805 ) 은 플레이트 로부터 분리 될 수 있 다 . 디 지트 라인 ( 805 ) 을 플레이트 로부터 분리 하 는 것 이 , 디 지트 라인 ( 805 ) 의 전압 이 전기 적 으로 부동 상태 가 되 도록 할 수 있 지만 , 플레이트 ( 815 ) 와 비 선택 디 지트 라인 ( 806 ) 이 선택 된 디 지트 라인 ( 805 ) 과 동일 한 전압 일 수 있 기 때문 에 , 디 지트 라인 ( 805 ) 의 전압 이 변경 되 지 않 을 수 있 다 ( 가령 , 메모리 셀 로부터 의 누설 이 발생 하 지 않 을 수 있 다 ) . 타깃 논리 상태 가 제 1 논리 상태 인 경우 , 일부 예시 에서 , t 4 까지 디 지트 라인 ( 805 ) 의 전압 이 부동 상태 로 유지 될 수 있 다 . 디 지트 라인 ( 805 ) 을 플레이트 ( 815 ) 로부터 분리 하 는 것 이 , 타깃 논리 상태 와 무관 하 게 , 액세스 동작 과 연관 된 제 어 스킴 및 관련 시그널 링 ( 가령 , 페이즈 ) 의 하나 이상 의 양태 를 단순 화 할 수 있 고 , 타깃 논리 상태 가 제 1 논리 상태 와 상이 한 경우 타깃 논리 상태 를 메모리 셀 에 쓰 는 것 을 지원 할 수 있 다 .