본 실시 형태 에 있 어서 는 , 플래시 가 열부 ( 160 ) 의 열처리 공간 ( 65 ) 의 외측 이 되 는 프로세스 챔버 ( 6 ) 밖 에 상부 방사 온도계 ( 25 ) 를 설치 하 고 , 그 상부 방사 온도계 ( 25 ) 에 의해 플래시 가열 처리 중 의 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 상면 온도 를 측정 하 고 있 다 . 조사 시간 이 극히 짧 고 강도 가 강한 플래시 광 을 조사 하 는 플래시 가열 시 에 는 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 상면 과 하면 에서 순간 적 인 온도 차 가 생기 기 때문 에 , 디바이스 패턴 이 형성 되 는 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 상면 의 온도 를 측정 하 는 것 은 프로세스 관리 상 중요 하 다 . 이하 , 플래시 가열 시 에서 의 상부 방사 온도계 ( 25 ) 에 의한 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 상면 온도 의 측정 에 대해서 설명 한다 . 또한 , 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 하면 의 온도 를 측정 하 는 하부 방사 온도계 ( 20 ) 는 , 주로 할로겐 램프 ( HL ) 에 의한 예비 가열 의 온도 제어 를 위해 사용 된다 .