도 16 a 는 게이트 절연 층 의 두께 를 15 nm 로 한 것 이 고 , 도 16 b 는 게이트 절연 층 의 두께 를 10 nm 로 한 것 이 고 , 도 16 c 는 게이트 절연 층 의 두께 를 5 nm 로 한 것 이 다 . 게이트 절연 층 이 얇 아 질수록 특히 오프 상태 에서 의 드레 인 전류 Id ( 오프 전류 ) 가 현저히 저하 된다 . 한편 , 이동도 μ 는 피크 값 이나 온 상태 에서 의 드레 인 전류 Id ( 온 전류 ) 에 는 두드러진 변화 가 없 다 . 게이트 전압 이 1 V 전후 에서 드레 인 전류 는 메모리 셀 에서 사용 되 는 트랜지스터 등 에 필요 한 10 ㎄ 를 넘 는 것 이 제시 되 었 다 .