한편 , SEM 을 이용 한 반도체 디바이스 의 결함 검사 에서 는 , 명도 의 차 에 의해 결함 의 개소 를 특정 할 뿐 만 아니 라 , 전기 저항 R 이나 정전 용량 C 등 의 보다 구체 적 인 전기 특성 에 의거 하 여 결함 을 분류 , 혹은 평가 하 는 것 이 고정 밀도 의 프로세스 관리 로 이어진다 . 예 를 들 면 , 전기 저항 R 과 정전 용량 C 에 의거 하 여 결함 을 분류 할 수 있 으면 , 정상 인 반도체 디바이스 보다 전기 저항 R 이 작 은 쇼트 결함 과 , 정전 용량 C 가 큰 공핍 ( 空乏 ) 정전 용량 결함 을 분류 할 수 있 어 , 프로세스 관리 에 피드백 하 는 정보량 이 늘어난다 . 즉 , 전기 적 인 결함 을 적정 하 게 평가 하 기 위해서 는 , 정상부 나 결함 부 의 전기 저항 R 이나 정전 용량 C 등 의 전기 적 파라미터 를 독립 적 으로 해석 하 는 것 이 바람직 하 다 .