계속 해서 , 도 10 에서 보 듯이 , 제 2 질화 막 패턴 ( 18 ) 들 사이 에 형성 된 틈 ( 20 a ) 을 제 3 산화 막 ( 24 ) 으로 채운다 . 이 때 , 제 3 산화 막 ( 24 ) 은 갭 필 특성 이 좋 은 화학 기상 증착 을 이용 하 여 형성 되 며 , 아울러 제 2 질화 막 패턴 ( 18 ) 위 에 도 형성 된다 . 그리고 , 제 2 질화 막 패턴 ( 18 ) 위 에 증착 된 제 3 산화 막 을 제거 하 기 위하 여 평탄 화 공정 ( 에치 백 또는 화학 적 기계 적 연마 공정 ) 을 수행 한 후 , 산화 막 과 의 식각 선택 비 가 높 은 인산 용액 을 사용 하 여 제 2 질화 막 패턴 ( 18 ) 을 선택 적 으로 제거 하 면 , 도 11 에서 보 듯이 , 제 2 질화 막 패턴 ( 18 ) 들 사이 의 틈 ( 20 a ) 에 매립 되 었 던 제 3 산화 막 의 일부 가 남 게 되 어 , 한 쌍 의 스 페이서 ( 24 a ) 가 형성 된다 .