도 2 n 을 참조 하 면 , 상기 금속 막 ( 170 ) , 확산 배리 어 도전 막 ( 164 ) , 식각 배리 어 도전 막 ( 162 ) 을 상기 제 1 층간 유전 막 ( 157 a ) 이 노출 될 때 까지 평탄 화 시키 어 , 상기 제 1 개 구부 ( 160 a ) 내 에 제 1 게이트 전극 ( 175 a ) 및 상기 제 2 개 구부 ( 160 b ) 내 에 제 2 게이트 전극 ( 175 b ) 을 형성 할 수 있 다 . 상기 제 1 게이트 전극 ( 175 a ) 은 차례 로 적층 된 제 1 금속 함유 패턴 ( 115 a ) , 제 1 식각 배리 어 도전 패턴 ( 162 a ) 및 제 1 금속 패턴 ( 170 a ) 을 포함 할 수 있 으며 , 상기 제 2 게이트 전극 ( 175 b ) 은 차례 로 적층 된 제 2 금속 함유 패턴 ( 115 b ) , 제 2 식각 배리 어 도전 패턴 ( 162 b ) , 확산 배리 어 패턴 ( 164 b ) 및 제 2 금속 패턴 ( 170 b ) 을 포함 할 수 있 다 . 상기 확산 배리 어 패턴 ( 164 b ) 이 존재 하 지 않 는 상기 제 1 게이트 전극 ( 175 a ) 의 제 1 금속 패턴 ( 170 a ) 내 금속 원소 ( ex , 알루미늄 등 ) 는 상기 제 1 금속 함유 패턴 ( 115 a ) 내 로 확산 될 수 있 다 . 이 에 따라 , 상기 금속 원소 를 포함 하 는 제 1 금속 함유 패턴 ( 115 a ) 은 상기 제 2 금속 함유 패턴 ( 115 b ) 과 다른 일함수 를 가질 수 있 다 .