본 실시 형태 에서 의 DLC 층 ( 35 ) 은 , 이온 화 증착 법 에 의해 형성 되 어 있 다 . 즉 , 진공 중 에서 , 열 필라멘트 에 의한 고온 아크 방전 을 이용 하 여 플 라즈 마 를 발생 시키 고 , 모재 ( 31 ) 측 을 전극 으로 하 여 음 ( -) 의 바이어스 를 거 는 방식 이 다 . 이 방법 은 , 나노 급 의 막 두께 제어 가 가능 하 며 , 비교 적 높 은 경도 의 막 이 얻 어 진다는 특징 이 있 다 . 또한 , 이온 화 증착 법 으로 DLC 층 ( 35 ) 을 형성 하 는 경우 , 고주파 플 라즈 마 CVD 법 에 비해 피막 중 에 잔류 하 는 수소 ( H ) 가 없 고 , 취성 ( 脆性 ) 을 쉽 게 발생 시키 지 않 으므로 적합 하 다 . 또한 , 본 실시 형태 에서 는 , 상술 한 바 와 같이 , 질화물 층 ( 32 ) 상 에 크롬 으로 이루어진 중간층 ( 33 ) 을 개재 시키 고 , 또 그 위 에 상기 DLC 층 ( 35 ) 을 적층 시키 는 구성 을 채용 하 고 있 다 . 따라서 , 모재 ( 31 ) 혹은 질화물 층 ( 32 ) 상 에 직접 DLC 층 ( 35 ) 을 형성 하 는 경우 에 비해 , 상기 DLC 층 ( 35 ) 과 접촉 하 는 부재 와 의 경도차 가 작 기 때문 에 , 각 층간 에 있 어서 의 잔류 응력 이 대폭 적 으로 완화 되 어 있 다 . 즉 , 높 은 밀착 성 에 의해 안정 적 으로 성장 한 상기 DLC 층 ( 35 ) 은 , 충분히 두껍 게 형성 되 어 있 다 .