본 발명 은 플래시 메모리 소자 의 제조 방법 에 관한 것 으로 , 터널 절 연막 , 제 1 도 전막 , 고유 전체 막 및 제 2 도 전막 이 적층 된 반도체 기판 이 제공 되 는 단계 와 , 상기 제 2 도 전막 및 고유 전체 막 을 선택 적 으로 식각 하 는 단계 와 , 상기 식각 공정 으로 노출 된 상기 제 2 도 전막 및 고유 전체 막 의 표면 에 제 1 절 연막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 제 1 도 전막 의 측벽 이 오목 한 벌브 형태 를 갖 도록 식각 공정 을 실시 하 는 단계 와 , 상기 제 1 절 연막 을 제거 하 면서 , 상기 반도체 기판 이 일부 노출 되 도록 상기 제 2 도 전막 사이 의 상기 반도체 기판 상부 에 잔류 하 는 상기 제 1 도 전막 도 함께 제거 하 여 셀 게이트 를 형성 하 는 단계 와 , 상기 셀 게이트 사이 에 제 2 절 연막 을 형성 하 되 , 상기 벌브 형태 로 식각 된 상기 제 1 도 전막 으로 인해 상기 제 1 도 전막 사이 에 에 어 갭 이 형성 되 는 단계 를 포함 한다 .