도 33 ( B ) 에 나타내 는 트랜지스터 는 , 기판 ( 1200 ) 과 , 기판 ( 1200 ) 상 에 마련 된 기초 절 연막 ( 1202 ) 과 , 기초 절 연막 ( 1202 ) 상 에 마련 된 산화물 반도체 막 ( 1206 ) 과 , 산화물 반도체 막 ( 1206 ) 과 접하 는 한 쌍 의 전극 ( 1214 ) 과 , 산화물 반도체 막 ( 1206 ) 및 한 쌍 의 전극 ( 1214 ) 상 에 마련 된 게이트 절연 층 ( 1208 ) 과 , 게이트 절연 층 ( 1208 ) 을 통하 여 산화물 반도체 막 ( 1206 ) 과 중첩 하 여 마련 된 게이트 전극 ( 1210 ) 과 , 게이트 절연 층 ( 1208 ) 및 게이트 전극 ( 1210 ) 을 덮 어서 마련 된 층간 절 연막 ( 1216 ) 과 , 층간 절 연막 ( 1216 ) 에 마련 된 개구부 를 통하 여 한 쌍 의 전극 ( 1214 ) 과 접속 하 는 배선 ( 1218 ) 과 , 층간 절 연막 ( 1216 ) 및 배선 ( 1218 ) 을 덮 어서 마련 된 보호막 ( 1220 ) 을 갖 는다 .