도 33 b 에 도시 한 트랜지스터 는 , 기판 ( 3100 ) 과 , 기판 ( 3100 ) 위 에 형성 된 절연 층 ( 3102 ) 과 , 절연 층 ( 3102 ) 의 주변 에 설치 된 매립 절연물 ( 3104 ) 과 , 절연 층 ( 3102 ) 및 매립 절연물 ( 3104 ) 위 에 형성 된 고저 항 영역 ( 3106 a ) 및 저 저항 영역 ( 3106 b ) 을 갖 는 산화물 반도체 층 ( 3106 ) 과 , 산화물 반도체 층 ( 3106 ) 위 에 형성 된 게이트 절연 층 ( 3108 ) 과 , 게이트 절연 층 ( 3108 ) 을 통하 여 산화물 반도체 층 ( 3106 ) 과 중첩 하 여 설치 된 게이트 전극 ( 3110 ) 과 , 게이트 전극 ( 3110 ) 의 측면 과 접하 여 형성 된 사이드 월 절연 층 ( 3112 ) 과 , 적어도 저 저항 영역 ( 3106 b ) 과 접하 여 설치 된 한 쌍 의 전극 ( 3114 ) 과 , 적어도 산화물 반도체 층 ( 3106 ) , 게이트 전극 ( 3110 ) 및 한 쌍 의 전극 ( 3114 ) 을 덮 어서 형성 된 층간 절 연막 ( 3116 ) 과 , 층간 절 연막 ( 3116 ) 에 형성 된 개구부 를 통하 여 적어도 한 쌍 의 전극 ( 3114 ) 의 한쪽 과 접속 하 여 설치 된 배선 ( 3118 ) 을 갖 는다 .