다음 에 , n + a - Si 막 이 성막 된 기판 을 , 화살 표시 a 4 로 도시 하 는 바 와 같이 , 공 통실 ( 423 ) 의 반송 기구 ( 426 ) 에 의해 로드 / 언로 드실 ( 422 ) 의 카세트 에 장전 한다 . 이상 의 공정 에 의해 , 섬 형상 의 n - μ c - Si 막 및 제 1 버퍼 층 이 형성 된 기판 위 에 , 제 2 버퍼 층 및 n + a - Si 막 을 연속 적 으로 성막 할 수 있 다 . 다음 에 , 반응 실 ( 400 a ) 의 내벽 을 불소 라디칼 등 으로 클리닝 하 여 ( S 485 ) , 반응 실 ( 400 a ) 의 잔류 불순물 을 제거 한 후 , 반응 실 ( 400 a ) 의 내벽 에 제 2 버퍼 층 과 같 은 막 을 코팅 한다 ( S 486 ) . 다음 에 , 로드 / 언로 드실 ( 422 ) 의 카세트 에 장전 된 다른 기판 을 , 반응 실 ( 400 a ) 에 반송 하 고 , 제 2 버퍼 층 의 성막 ( S 483 ) 부터 상기 공정 과 동일 하 게 하 여 , 제 2 버퍼 층 및 n + a - Si 막 을 연속 적 으로 성막 한다 .