유기 EL 소자 ( 1 ) 가 저하 되 고 이 의 저항 이 높 아 지 게 되 면 , 전원 라인 ( 9 ) 으로부터 유기 EL 소자 ( 1 ) 로 흐르 는 전류 는 작아지 게 되 며 온 동작 이 일어나 는 동안 구동 트랜지스터 ( 2 ) 의 드레 인 전위 는 전압 하락 때문 에 작아진다 . 구동 트랜지스터 ( 2 ) 의 드레 인 전위 는 제 1 저장 커패시터 ( 6 ) 로 리셋 트랜지스터 ( 4 ) 를 통해 기록 되 며 , 이 는 유기 EL 소자 ( 1 ) 의 저하 ( degradation ) 가 제 1 저장 커패시터 ( 6 ) 에 반영 되 어 있 음 을 나타낸다 . 대안 으로 는 , 리셋 주기 가 완료 된 이후 제 1 데이터 기록 주기 에서 데이터 라인 ( 8 ) 에 VDD 전위 ( 또는 VDD 보다 높 은 전위 ) 를 공급 하 고 , 그리고 구동 트랜지스터 ( 2 ) 를 신뢰 성 있 게 끄 기 위해 제 2 저장 커패시터 ( 7 ) 에 기록 함 으로써 , 제 1 저장 커패시터 ( 6 ) 에서 유기 EL 소자 ( 1 ) 의 저하 를 반영 하 는 것 이 가능 하 다 . 즉 , 리셋 트랜지스터 ( 4 ) 및 발광 제어 트랜지스터 ( 5 ) 가 구동 트랜지스터 ( 2 ) 가 오프 인 상태 에서 켜 진다면 , 전류 는 VDD 에서 유지 되 는 데이터 라인 ( 8 ) 으로부터 , 제 1 저장 커패시터 ( 6 ) , 리셋 트랜지스터 ( 4 ) 및 발광 제어 트랜지스터 ( 5 ) 를 통해 , 유기 EL 소자 ( 1 ) 로 흐르 며 , 이 는 유기 EL 소자 ( 1 ) 의 애노드 전위 가 제 1 저장 커패시터 ( 6 ) 의 하나 의 단부 에 반영 되 며 , 저하 의 범위 에 대응 하 는 전위 는 적절 한 시간 에서 리셋 트랜지스터 ( 4 ) 를 끄 는 것 에 의해 제 1 저장 커패시터 ( 6 ) 에 유지 된다 . 이 경우 에 또한 , 저하 가 중요 하 다면 전류 가 흐르 기 어렵 게 되 며 , 이 는 유기 EL 소자 ( 1 ) 의 애노드 전위 는 높 아 지 며 , 반면 에 저하 가 낮 아 지 면 전류 가 흐르 기 쉽 고 이 는 애노드 전위 가 낮 아 짐 을 나타내 고 , 이 차이 는 제 1 저장 커패시터 ( 6 ) 에 반영 된다 .