상기 정공 주입 층 물질 은 전술 한 바 와 같 은 화학식 1 을 갖 는 방향 족 복소 환 화합물 일 수 있 다 . 또는 , 공지 된 정공 주입 물질 일 수 있 다 . 예 를 들 어 , 미국 특허 제 4 , 356 , 429 호 에 개시 된 구리 프탈 로 시아닌 등 의 프탈 로 시아닌 화합물 또는 스타 버스트 형 아민 유도체 류 인 TCTA , m - MTDATA , m - MTDAPB , 용해 성 이 있 는 전도성 고분자 인 Pani / DBSA ( Polyaniline / Dodecylbenzenesulfonic acid : 폴리 아닐린 / 도데 실 벤젠술폰산 ) 또는 PEDOT / PSS ( Poly ( 3 , 4 - ethylenedioxythiophene ) / Poly ( 4 - styrenesulfonate ) : 폴리 ( 3 , 4 - 에틸렌 디 옥시 티오펜 ) / 폴리 ( 4 - 스티렌 술포 네이트 ) ) , Pani / CSA ( Polyaniline / Camphor sulfonicacid : 폴리 아닐린 / 캠퍼 술폰산 ) 또는 PANI / PSS ( Polyaniline ) / Poly ( 4 - styrenesulfonate ) : 폴리 아닐린 ) / 폴리 ( 4 - 스티렌 술포 네이트 ) ) 등 과 같 은 공지 된 정공 주입 물질 을 사용 할 수 있 다 .