또는 반도체 기판 이나 SOI 기판 등 을 사용 하 여 트랜지스터 를 형성 할 수 있 다 . 이 들 에 의해 , 특성 이나 사이즈 나 형상 등 의 불 균일 이 적 고 , 전류 공급 능력 이 높 고 , 사이즈 가 작 은 트랜지스터 를 제조 할 수 있 다 . 이 들 의 트랜지스터 를 사용 하 면 , 회로 의 저 소비 전력화 , 또는 회로 의 고집 적 화 를 도모 할 수 있 다 .