불휘발성 메모리 장치 ( 100 b ) 는 도 3 을 참조 하 여 설명 된 동작 방법 에 따라 동작 할 것 이 다 . 즉 , 소거 동작 시 에 , 불휘발성 메모리 장치 ( 100 b ) 의 선택 된 메모리 블록 이 소거 ( S 110 단계 ) 된 후 에 워드 라인 단위 로 소거 검증 ( S 120 단계 ) 될 것 이 다 . 그리고 , 선택 된 메모리 블록 이 소거 패스 될 때 까지 또는 오류 가 발생 할 때 까지 , 소거 및 소거 페일 된 워드 라인 으로부터 의 소거 검증 이 반복 ( S 130 단계 ) 된다 .