또한 소스 / 드레 인 영역 ( 170 ) 은 서로 조성 을 달리 하 는 복수 의 반도체 층 들 로 구성 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 소스 / 드레 인 영역 ( 170 ) 은 리세 스 ( 170 R ) 내 를 순차 적 으로 채우 는 하부 반도체 층 ( 도시 생략 ) , 상부 반도체 층 ( 도시 생략 ) 및 캡 핑 반도체 층 ( 도시 생략 ) 을 포함 할 수 있 다 . 상기 하부 반도체 층 , 상부 반도체 층 및 캡 핑 반도체 층 은 각각 SiGe 를 포함 하 고 Si 과 Ge 의 함량 을 달리 할 수 있 다 .