이상 , 본 실시 형태 에 대해서 설명 하 였으나 본 발명 은 여기 에 한정 되 지 않 으며 그 취지 를 바꾸 지 않 는 범위 내 에서 다양 하 게 실시 할 수 있 다 . 예 를 들 면 , 광취 출면 의 제 1 볼록 영역 ( 80 ) 에서 제 1 볼록 부를 , n 측 전극 ( 50 ) 에서 멀 어 질수록 기단 이 발광 층 ( 42 ) 에 근접 하 도록 형성 해도 좋 다 . 도 9 는 , 이 와 같이 제조 한 반도체 발광 소자 의 제 1 볼록 영역 을 모식 적 으로 일부 단면 으로 도시 한 도면 이 다 . 아울러 도 9 는 주사 전자 현미경 ( SEM ) 으로 관찰 한 것 을 모식 적 으로 도시 하 였 다 ( 「 3 D 리얼 서피스 뷰 ( surface view ) 현미경 ( VE - 9800 , 주식회사 키 엔스 제 ) 」 를 사용 ) . 도 9 에서 는 오른쪽 에 n 측 전극 ( 50 ) ( 도시 는 하 지 않 는다 ) 이 배치 되 어 있 는 것 으로 한다 . 이 예 에서 는 , 각 볼록 부 의 끝단 은 가상 선 ( 901 ) 으로 도시 한 것 처럼 같 은 높이 에 위치 하 고 있 다 . 또 도 9 에서 오른쪽 에서부터 2 개 째 볼록 부 의 단면 기단 ( 왼쪽 ) 과 , 오른쪽 에서 3 개 째 볼록 부 의 단면 기단 ( 오른쪽 ) 은 인접 해 있 다 . 이 공통 기단 을 부호 ' 902 ' 로 나타낸다 . 오른쪽 에서 5 개 째 볼록 부 의 단면 기단 ( 오른쪽 ) ( 903 ) 과 그 기단 ( 왼쪽 ) ( 904 ) 은 같 은 깊이 에 위치 하 고 있 다 . 한편 , 기단 ( 902 ) 의 위치 를 기준 으로 하 면 기단 ( 904 ) 의 위치 는 D 만큼 깊어진다 . 즉 , 오른쪽 에서 5 개 째 볼록 부 는 오른쪽 에서 2 개 째 볼록 부 와 비교 하 면 볼록 부가 상대 적 으로 깊 은 위치 에서 높 게 형성 되 어 있 게 된다 . 이 와 같이 제 1 볼록 영역 중 에서 도 단계 적 또는 연속 적 으로 전극 에서 멀 어 질수록 깊 어 지 게 형성 함 으로써 전극 의 박리 를 줄이 면서 광 출력 을 높일 수 있 다 .