도 8 b 를 참조 하 면 , 기판 ( 101 ) 내 에 광전 변환 부 ( PD ) , 플로팅 확산 영역 ( FD ) 및 제 1 접지 영역 ( GR 1 ) 을 형성 한다 . 예 를 들 어 , 이온 주입 ( ion implantation ) 공정 을 이용 하 여 광전 변환 부 ( PD ) , 플로팅 확산 영역 ( FD ) 및 제 1 접지 영역 ( GR 1 ) 을 마련 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 광전 변환 부 ( PD ) 및 플로팅 확산 영역 ( FD ) 은 기판 ( 101 ) 과 반대 타입 인 N 형 의 불순물 로 도핑 되 며 , 제 1 접지 영역 ( GR 1 ) 은 기판 ( 101 ) 과 동일 한 타입 인 P 형 의 불순물 로 도핑 되 고 기판 ( 101 ) 보다 높 은 농도 로 도핑 될 수 있 다 .