특히 , 패턴 크기 의 미세화 가 진행 되 는 현재 의 반도체 장치 제조 공정 에서 는 , 드라이 에칭 에 의한 패턴 형성 시 에 레지스 트 막 및 기판 에 대한 우수 한 에칭 선택 비 를 실현 할 수 있 으며 , 패턴 붕괴 에 강한 것 을 가능 하 게 하 는 레지스 트 하층 막 형성 용 조성물 , 및 상기 특성 을 구비 한 레지스 트 하 층막 의 개발 이 강하 게 요망 되 고 있 다 .