상기 제 2 마스크 패턴 ( 300 b ) 을 이온 주입 마스크 로 사용 하 여 제 2 주 입 에너지 의 이온 주입 공정 을 수행 하 여 상기 제 1 화합물 원소 주입 층 ( 305 a ) 상 에 제 2 화합물 원소 주입 층 ( 305 b ) 을 형성 한다 . 상기 제 2 주 입 에너지 는 상기 제 1 주 입 에너지 에 비하 여 작 다 . 상기 제 2 주 입 에너지 의 이온 주입 공정 은 상기 제 1 주 입 에너지 의 이온 주입 공정 과 동일 한 종류 의 이온 들 을 주입 할 수 있 다 . 상기 제 1 및 제 2 개 구부 들 ( 302 a , 302 b ) 에 의하 여 상기 제 1 화합물 원소 주입 층 ( 305 a ) 의 폭 및 상기 제 2 화합물 원소 주입 층 ( 305 b ) 의 폭 은 동일 하 게 형성 된다 .