공통 전극 ( 118 ) 은 보호막 ( 150 ) 위 에 위치 하 고 화소 전극 ( 116 ) 과 중첩 되 는 영역 에서 는 다수 의 슬릿 ( S ) 들 을 구비 한다 . 이 와 동시 에 , 공통 전극 ( 118 ) 은 박막 트랜지스터 ( 106 ) 와 비 중첩 되 도록 형성 된다 . 즉 , 공통 전극 ( 118 ) 은 박막 트랜지스터 ( 106 ) 와 중첩 되 는 영역 에서 제거 되 도록 형성 됨 에 따라 박막 트랜지스터 ( 106 ) 위 에 는 공통 전극 ( 118 ) 이 위치 하 지 않 는 영역 ( P 1 ) 이 존재 하 게 된다 . 이 에 따라 , 박막 트랜지스터 ( 106 ) 의 활성 층 ( 114 ) 과 공통 전극 ( 118 ) 간 의 거리 를 충분히 이격 시킬 수 있 게 됨 으로써 활성 층 ( 114 ) 은 공통 전극 ( 118 ) 에서 의 기준 전압 에 의해 활성 화 되 지 않 게 된다 . 그 결과 , 박막 트랜지스터 ( 106 ) 의 오작동 을 방지 할 수 있 게 되 어 누설 전류 가 발생 하 지 않 게 됨 으로써 표시 품질 의 저하 를 방지 할 수 있 게 된다 .