다음 에 , 도 10 ( C ) 에 나타내 는 바 와 같이 , 일 도 전형 을 부여 하 는 불순물 이 첨가 된 반도체 막 ( 63 ) 및 게이트 절 연막 ( 52 c ) 을 덮 도록 도전 막 ( 65 a ∼ 65 c ) 을 형성 한다 . 도전 막 ( 65 a ∼ 65 c ) 은 , 알루미늄 , 혹은 구리 , 실리콘 , 티탄 , 네오디뮴 , 스칸듐 , 몰리브덴 등 의 내열성 향상 원소 혹은 힐 록 방지 원소 가 첨가 된 알루미늄 합금 의 단층 또는 적층 으로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 또한 , 일 도 전형 을 부여 하 는 불순물 이 첨가 된 반도체 막 과 접하 는 측 의 막 을 , 티탄 , 탄탈 , 몰리브덴 , 텅스텐 , 또는 이 들 원소 의 질화물 로 형성 하 고 , 그 위 에 알루미늄 또는 알루미늄 합금 을 형성 한 적층 구조 로 하 여도 좋 다 . 또한 , 알루미늄 또는 알루미늄 합금 의 상면 및 하면 을 , 티탄 , 탄탈 , 몰리브덴 , 텅스텐 , 또는 이 들 원소 의 질화물 로 끼운 적층 구조 로 하 여도 좋 다 . 여기 에서 는 , 도전 막 으로서 는 , 도전 막 ( 65 a ∼ 65 c ) 3 층 이 적층 한 구조 의 도전 막 을 나타내 고 , 도전 막 ( 65 a , 65 c ) 에 몰리브덴 막 , 도전 막 ( 65 b ) 에 알루미늄 막 을 사용 한 적층 도전 막 이나 , 도전 막 ( 65 a , 65 c ) 에 티 탄막 , 도전 막 ( 65 b ) 에 알루미늄 막 을 사 용 한 적층 도전 막 을 나타낸다 . 도전 막 ( 65 a ∼ 65 c ) 은 , 스퍼터링 법 이나 진공 증착 법 으로 형성 한다 .