이어서 , 트랜지스터 ( 160 ) 의 금속 화합물 영역 ( 124 b ) 위 에 접하 도록 전극 ( 126 ) 을 형성 한다 ( 도 11 b 참조 ) . 전극 ( 126 ) 은 , 스퍼터 법 을 비롯 한 PVD 법 이나 , 플라 즈 마 CVD 법 등 의 CVD 법 을 사용 하 여 도전 층 을 형성 한 후 , 그 도전 층 을 원하 는 형상 으로 에칭 가공 함 으로써 형성 된다 . 또한 , 도전 층 의 재료 로서 는 , 알루미늄 , 크롬 , 구리 , 탄탈 , 티타늄 , 몰리브덴 , 텅스텐 으로 선택 된 원소 나 , 상술 한 원소 를 성분 으로 하 는 합금 등 을 사용 할 수 있 다 . 망간 , 마그네슘 , 지르코늄 , 베릴륨 , 네오디뮴 , 스칸듐 중 어느 하나 또는 이 들 을 복수 조합 한 재료 를 사용 해도 좋 다 . 상세 한 것 은 , 후술 하 는 소스 전극 ( 142 a ) , 드레 인 전극 ( 142 b ) 등 과 마찬가지 이 다 .