반도체 소자 의 고집 적 화 , 미세 화 및 배선 구조 의 다층 화 추세 에 따라 웨이퍼 상 에 다층 으로 형성 되 는 도전 층 또는 절연 층 에서 단차 가 증가 하 게 되 었 다 . 반도체 소자 의 집적도 가 증가 함 과 더불 어 다층 배선 공정 이 실용 화 됨 에 따라 , 층간 절 연막 에 있 어서 글로벌 ( grobal ) 평탄 화 의 중요 성 이 더 해 가 고 있 다 . 이 에 따라 , 화학 적 기계 적 으로 평탄 화 하 는 화학 적 기계 연마 ( Chemical Mechanical Polishing : CMP ) 공정 이 등장 하 게 되 었 다 .