포토레지스트 ( 105 ) 를 제거 한 후 에 는 베이스 기판 ( 100 ) 을 50 % HF ( 불화 수소 ) 용액 에 담가 상기 포토레지스트 ( 105 ) 의 제거 에 의해 노출 된 2 차 Si 3 N 4 절 연막 ( 104 ) 을 선택 적 으로 습식 식각 하 여 베이스 기판 ( 100 ) 표면 을 노출 시키 는 공정 을 수행 한다 ( 도 7 의 ( l ) ) .