이어서 , 절연 층 ( 650 ) 및 절연 층 ( 654 ) 에 , 전극 ( 504 ) 에 도달 하 는 개구부 ( 501 ) 를 형성 한다 . 그 후 , 배선 ( 658 ) 을 형성 한다 ( 도 12 d 참조 ) . 배선 ( 658 ) 은 , 스퍼터 법 을 비롯 한 PVD 법 이나 , 플라 즈 마 CVD 법 등 의 CVD 법 을 사용 하 여 도전 층 을 형성 한 후 , 당해 도전 층 을 패 터닝 함 으로써 형성 된다 . 또한 , 도전 층 의 재료 로서 는 , 알루미늄 , 크롬 , 구리 , 탄탈 , 티타늄 , 몰리브덴 , 텅스텐 으로 선택 된 원소 나 , 상술 한 원소 를 성분 으로 하 는 합금 등 을 사용 할 수 있 다 . 망간 , 마그네슘 , 지르코늄 , 베릴륨 , 네오디뮴 , 스칸듐 중 어느 1 개 또는 이 들 을 복수 조합 한 재료 를 사용 해도 좋 다 . 상세 한 것 은 , 전극 ( 642 a ) , 전극 ( 642 b ) 등 과 마찬가지 이 다 . 또한 , 개구부 ( 501 ) 에 있 어서 전극 을 형성 하 고 , 당해 전극 과 접하 도록 배선 ( 658 ) 을 형성 해도 좋 다 .