즉 , 제 1 소자 ( 20 ) 는 베이스 ( 10 ) 의 상부 가장자리 에 제 1 n 형 반도체 ( 21 ) 와 , 제 1 활성 층 ( 23 ) 및 제 1 p 형 반도체 ( 22 ) 를 순차 적 으로 적층 형성 하 고 , 제 1 n 형 반도체 ( 21 ) 가 노출 되 게 일부 를 에칭 하 여 제 1 n 형 반도체 ( 21 ) 에 제 1 n 형 단자 ( 24 ) 를 구성 한다 . 그리고 제 1 p 형 반도체 ( 22 ) 의 상부 에 투명 전극 ( 50 ) 과 , 투명 전극 ( 50 ) 의 상부 에 제 1 p 형 단자 ( 25 ) 를 형성 한다 .