당 업계 에 알려진 바 와 같이 , Cu 는 관리 할 수 있 지만 , Si 주조 에서 오염 의 위험 을 제기 한다 . 구리 의 주변 물질 로 의 확산 이 이 들 의 특성 을 열화 하 기 때문 에 , 배리어 층 은 전체 구리 상호 접속 을 완전히 둘러싸 야 한다 . 일반 적 으로 , 트렌치 는 박형 탄탈럼 ( Ta ) 및 / 또는 탄탈럼 질화물 ( TaN ) 금속 층 ( Ta / TaN / Cu 플 레이팅 씨드 금속 스택 의 일부 로서 ) 으로 라이닝 되 어 , Cu 금속 상호 접속 의 하부 및 측면 을 따라 확산 베리어 로서 작용 한다 . Cu CMP 후 에 , 상호 접속 금속 의 상부 는 SiNx 로 코팅 되 어 상부 계면 확산 베리어 로서 작용 하 고 , 중간층 산화물 적층 동안 산화 를 방지 하 며 , 추가 적 인 상호 접속 형성 을 위한 에칭 저지 층 ( 실리콘 다 이 옥사이드 의 트렌치 에칭 동안 ) 으로서 작용 한다 . 그러나 , 백 - 프론트 측 ( back to front side ) 금속 상호 접속 이 비아 를 형성 하 기 위해 염소 -( 또는 다른 산화제 ) 계 에칭 을 필요 로 하 는 관통 웨이퍼 ( through - wafer ) 또는 관통 - 반도체 층 비아 ( through - semiconductor layer vias ) 에 의해 가능 해 지 는 경우 에 추가 공정 의 복잡 성 이 발생 한다 . 염소 계 에칭 부산물 은 비휘발성 이 고 , 에칭 공정 은 열화 되 는 Cu 계면 을 초래 한다 .