또한 , 펄스 발진 레이 저광 의 발진 주파수 를 10 ㎒ 이상 으로 하 고 , 통상 사용 되 고 있 는 수십 ㎐∼ 수백 ㎐ 의 주파수대 보다 현저히 높 은 주파수대 를 사용 하 여 레이저 결정화 를 행하 여도 좋 다 . 펄스 발진 으로 레이 저광 을 반도체 막 ( 704 ) 에 조사 하 고 나 서 반도체 막 ( 704 ) 이 완전히 고화 할 때 까지 의 시간 은 수십 nsec 내지 수백 nsec 라고 일컬 어 지 고 있 다 . 따라서 , 상기 주파수 를 사용 함 으로써 , 반도체 막 ( 704 ) 이 레이저 광 에 의해 용융 되 고 나 서 고화 할 때 까지 , 다음 의 펄스 레이 저광 을 조사 할 수 있 다 . 따라서 , 반도체 막 ( 704 ) 중 에서 고액 계면 을 연속 적 으로 이동 시킬 수 있 기 때문 에 , 주사 방향 으로 향하 여 연속 적 으로 성장 한 결정립 을 가지 는 반도체 막 ( 704 ) 이 형성 된다 . 구체 적 으로 는 , 함유 되 는 결정립 의 주사 방향 에서 의 폭 이 10 ∼ 30 ㎛, 주사 방향 에 대해 수직 인 방향 에서 의 폭 이 1 ∼ 5 ㎛ 정도 인 결정립 의 집합 을 형성 할 수 있 다 . 그 주사 방향 을 따라 연속 적 으로 성장 한 단결정 의 결정립 을 형성 함 으로써 , TFT 의 적어도 채널 방향 에 는 결정립계 가 거의 존재 하 지 않 는 반도체 막 ( 704 ) 을 형성 하 는 것 이 가능 하 게 된다 .