첫째 , 단차 피복성 ( Step coverage ) 특성 확보 를 위해 저온 에서 증착 하 는 1 차 유전 막인 Ta 2 O 5 ( 또는 ZrO 2 ) 위 에 300 ∼ 500 ℃ 의 온도 에서 Al 2 O 3 를 증착 함 으로써 Ta 2 O 5 ( 또는 ZrO 2 ) 의 박막 내 불순물 제거 할 수 있 고 , 더불 어 유전 율 이 높 으면서 도 누설 전류 특성 이 더 우수 한 정방 정계 ( Tetragonal ) 의 결정상 을 가질 수 있 도록 결정 화 시킬 수 있 다 .