이 후 , 전체 구조 상 에 도전 막 을 증착 한 후 , 식각 정지 막 ( 104 ) 의 상부 가 노출 되 도록 CMP 공정 을 실시 하 여 제 1 고전압 콘 택 ( 103 ) 상 에 도전 막 을 잔류 시켜 금속 패드 ( 105 ) 을 형성 한다 . 금속 패드 ( 105 ) 는 텅스텐 으로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 이 후 , 금속 패드 ( 105 ) 와 식각 정지 막 ( 104 ) 의 단차 를 형성 하 기 위하 건식 식각 공정 을 실시 하 여 금속 패드 ( 105 ) 의 높이 를 제어 할 수 있 다 . 이때 , 건식 식각 공정 은 SF 6 , NF 3 를 사용 하 여 실시 하 는 것 이 바람직 하 다 . 이때 , 건식 식각 공정 은 10 mT 내지 100 mT 의 압력 , 300 W 내지 1500 W 의 소오 스 파워 , 50 W 내지 700 W 의 바이어스 파워 를 사용 하 여 실시 하 는 것 이 바람직 하 다 .