도 3 g 에 도시 된 바 와 같이 , 하드 마스크 패턴 ( 미 도시 ) 을 마스크 로 랜딩 플러그 가 노출 되 도록 절 연막 ( 126 ) , 하드 마스크 층 ( 116 ) , 캡 핑 질화 막 ( 114 ) , 캡 핑 산화 막 ( 112 ) 및 식각 정지 막 ( 110 ) 을 식각 하 고 , 식각 정지 막 ( 110 ) 이 노출 되 도록 절 연막 ( 126 ) 및 저장 전극 콘 택 플러그 ( 124 ) 를 식각 하 여 비트 라인 예정 영역 ( 132 ) 을 형성 한다 . 여기 서 , 식각 정지 막 ( 110 ) 은 비트 라인 예정 영역 ( 132 ) 을 형성 하 기 위한 공정 시 소자 분리 막 ( 102 ) 하부 로 과도 식각 되 지 않 도록 한다 . 따라서 , 비트 라인 의 프로 파일 이 열화 되 는 것 을 근본 적 으로 방지 한다 .