이제 도 7 g 를 참조 하 면 , 일 실시 예 에 따른 , 레지스 트 층 ( 795 ) 내 에 개구 가 형성 되 고 및 범프 ( 737 ) 가 인터 포저 ( 730 ) 및 중첩 컴포넌트 ( 740 ) 의 패키지 측 패드 ( 733 , 743 ) 에 부착 된 후 의 단면도 가 각각 도시 되 어 있 다 . 일 실시 예 에서 , 개구부 는 레이저 드릴링 프로세스 또는 리소그래피 프로세스 로 형성 될 수 있 다 . 범프 ( 737 ) 는 패키지 기판 ( 도시 되 어 있 지 않 음 ) 과 인터페이스 할 것 이 기 때문 에 패키지 측 범프 ( PSB ) 로 지칭 될 수 있 다 . 그러나 , 도시 된 BGA 아키텍처 에서 범프 ( 737 ) 대신 에 다른 상호 접속 아키텍처 ( 예컨대 , LGA , PGA , PoINT , eWLB 등 ) 가 사용 될 수 있 음 을 이해 해야 한다 . 일 실시 예 에서 , 개별 전자 패키지 는 PSB ( 737 ) 의 형성 후 ( 또는 이전 ) 패널 레벨 어셈블리 로부터 개별 화 될 수 있 다 .