일부 실시 예 에서 , 반도체 장치 는 소스 전극 , 드레 인 전극 및 게이트 전극 을 갖 는 수직 형 트랜지스터 장치 를 구비 하 는 반도체 다이 를 포함 하 되 , 반도체 다이 는 제 1 표면 및 제 1 표면 상 에 배치 된 금속화 구조물 을 갖 는다 . 금속화 구조물 은 제 1 표면 상 의 제 1 전도 층 , 제 1 전도 층 상 의 제 1 절연 층 , 제 1 절연 층 상 의 제 2 전도 층 , 제 2 전도 층 상 의 제 2 절연 층 및 제 2 절연 층 상 의 제 3 전도 층 을 포함 한다 . 제 3 전도 층 은 , 소스 전극 에 결합 된 적어도 하나 의 소스 패드 , 드레 인 전극 에 연결 된 적어도 하나 의 드레 인 패드 및 게이트 전극 에 연결 된 적어도 하나 의 게이트 패드 를 포함 한다 .