그 다음 , 상기 게이트 전극 ( 240 ) 의 상면 에 소정 의 두께 로 마스크 패턴 ( mask pattern ) 을 형성 한다 . 상기 마스크 패턴 의 형성 은 전자 방출 원 홀 을 형성 하 기 위한 것 으로 포토레지스트 ( Photo Resist : PR ) 를 도포 하 고 UV 나 이 - 빔 ( E - beam ) 을 이용 하 여 패턴 을 형성 하 는 포토 리소그래피 공정 에 의해 수행 된다 .