이어서 , 건식 에칭 기법 을 이용 하 여 실리콘 산화 막 ( 5 ) 의 표면 이 노출 될 때 까지 비결정 실리콘 ( 7 ) 을 에칭 백 하 고 , 이 에 따라 , 유기 재료 막 ( 4 ) 과 실리콘 산화 막 ( 5 ) 의 적층 구조 의 측면 상 에 , 비결정 실리콘 ( 7 ) 의 측벽 이 형성 된다 ( 도 6 e ) . 제 2 실시 예 에서 는 , 실리콘 산화 막 ( 5 ) 과 의 접촉면 이 L 자 모양 ( 미로 구조 ( labyrinth structure ) ) 인 비결정 실리콘 ( 7 ) 의 측벽 이 형성 된다 .