그러나 , 이온 주입 공정 ( 105 ) 시 높 은 종횡비 - 하드 마스크 ( 103 A ) 의 상면 과 트렌치 ( 104 ) 저면 과 의 단차 에 기인 한 종횡비 - 로 인해 트렌치 ( 104 ) 와 접하 는 반도체 기판 ( 100 ) 의 채널 영역 내 에 안정 적 으로 불순물 이온 을 주입 시키 는 것 은 사실상 어려우 며 , 불순물 이온 들 중 일부 는 트렌치 ( 104 ) 의 상부 모서리 와 접하 는 부위 에 형성 된 터널 링 산화 막 ( 101 A ) 으로 주입 되 어 터널 링 산화 막 ( 101 A ) 내 에 트랩 사이트 ( trap site ) 를 형성 한다 .