이 처럼 , 본 발명 의 몇몇 실시 예 에 따른 웨이퍼 의 제조 방법 에 따르 면 , 제 1 열처리 공정 을 통해 보 론 을 초기 웨이퍼 내부 로 침투 시 키로 , 제 2 열처리 공정 을 통해 제 2 표면 보다 제 1 표면 에 인접 한 고농 도 보론 층 을 형성 함 으로써 , 반도체 소자 의 제조 공정 중 에 산소 가 웨이퍼 의 전면 으로 확산 되 는 것 을 방지 할 수 있 다 . 이 에 따라 , 신뢰 성 이 훨씬 향상 된 소자 를 제조 할 수 있 다 . 나아가 , 고농 도 보론 층 이 웨이퍼 내부 의 금속 이온 에 대한 게터 링 역할 을 수행 함 으로써 반도체 소자 의 결함 발생 을 감소 시킬 수 있 다 . 즉 , 소자 의 신뢰 성 을 향상 시킬 수 있 다 .