상기 일 목적 을 달성 하 기 위해 , 본 발명 의 실시 예 들 에 따른 상기 일 목적 을 달성 하 기 위해 , 본 발명 의 실시 예 들 에 따른 비휘발성 메모리 장치 는 , 기입 설정 데이터 를 저장 하 는 제 1 메모리 셀 들 및 상기 제 1 메모리 셀 들 로부터 센싱 된 제 1 독 출 설정 데이터 를 저장 하 는 제 1 페이지 버퍼 회로 를 포함 하 는 제 1 메모리 플레인 , 상기 기입 설정 데이터 를 저장 하 는 제 2 메모리 셀 들 및 상기 제 2 메모리 셀 들 로부터 센싱 된 제 2 독 출 설정 데이터 를 저장 하 는 제 2 페이지 버퍼 회로 를 포함 하 는 제 2 메모리 플레인 , 상기 제 1 페이지 버퍼 회로 에 연결 되 고 상기 제 1 독 출 설정 데이터 의 유효 성 을 검증 하 는 제 1 검증 회로 , 상기 제 2 페이지 버퍼 회로 에 연결 되 고 상기 제 2 독 출 설정 데이터 의 유효 성 을 검증 하 는 제 2 검증 회로 , 상기 제 1 독 출 설정 데이터 의 유효 성 검증 결과 및 상기 제 2 독 출 설정 데이터 의 유효 성 검증 결과 에 기초 하 여 상기 제 1 독 출 설정 데이터 및 상기 제 2 독 출 설정 데이터 중 하나 에 상응 하 는 유효 데이터 를 결정 하 는 덤프 다운 제어 로직 및 상기 덤프 다운 제어 로직 상기 유효 데이터 를 저장 하 는 버퍼 를 포함 한다 .