본 발명 의 다른 실시 예 에 따르 면 , 기판 을 처리 할 수 있 는 처리 공간 이 형성 되 는 공정 챔버 ; 상기 기판 을 지지 할 수 있 도록 상기 공정 챔버 의 상기 처리 공간 에 구비 되 는 기판 지지대 ; 및 상기 기판 지지대 와 대향 되 도록 상기 공정 챔버 의 상부 에 구비 되 어 , 상기 기판 지지대 를 향해 처리 가스 를 분사 하 는 샤워 헤드 ; 를 포함 할 수 있 다 .