또한 메모리 어레이 ( 300 ) 는 워드 라인 들 ( 110 - b ) 및 비트 라인 들 ( 115 - b ) 을 포함 하 며 , 이 들 은 도 1 을 참조 하 여 설명 된 바 와 같 은 워드 라인 ( 110 ) 및 비트 라인 ( 115 ) 의 예 들 일 수 있 다 . 워드 라인 들 ( 110 - b ) 과 비트 라인 들 ( 115 - b ) 사이 물질 들 ( 105 - b ) 의 예시 는 도 2 의 하부 데크 위 에 메모리 셀 ( 105 - a ) 를 나타낼 수 있 다 . 메모리 어레이 ( 300 ) 는 전극 ( 305 ) 요소 들 , 로직 저장 구성 요소 ( 310 ) , 기판 ( 315 ) 및 선택 구성 요소 ( 320 ) 를 포함 한다 . 일부 예 에서 , 하나 의 구성 요소 가 로직 저장 구성 요소 및 선택 구성 요소 양자 의 역할 을 할 수 있 다 . 전극 ( 305 - a ) 은 비트 라인 ( 115 - b ) 과 전자 통신 할 수 있 고 전극 ( 305 - c ) 은 워드 라인 ( 110 - b ) 과 전자 통신 할 수 있 다 . 빈 공간 으로 도시 된 절연물 들 은 전기 적 으로 그리고 열 적 으로 절연 일 수 있 다 . 상술 한 바 와 같이 , PCM 기술 에서 , 다양 한 로직 상태 들 은 메모리 셀 들 ( 105 - b ) 에 로직 저장 구성 요소 ( 310 ) 의 전기 저항 을 프로그램 함 으로써 저장 될 수 있 다 . 몇몇 경우 , 이 는 전적 으로 또는 부분 적 으로 메모리 셀 ( 105 - b ) 를 통해 전류 를 통과 시키 는 단계 , 메모리 셀 ( 105 - b ) 에서 의 로직 저장 구성 요소 ( 310 ) 를 가열 하 는 단계 또는 메모리 셀 ( 105 - b ) 에서 의 로직 저장 구성 요소 ( 310 ) 의 믈 질 을 용융 시키 는 단계 를 포함 한다 . 임계 전압 변조 와 같 은 그 외 다른 저장 메커니즘 이 칼 코 게나 이드 기반 메모리 들 에서 활용 될 수 있 다 . 메모리 어레이 ( 300 ) 는 메모리 셀 들 이 지원 구성 요소 들 을 포함 하 는 기판 레이어 위 에 위치 되 도록 퀼트 아키텍처 의 부분 으로 포함 될 수 있 다 .