도 1 은 일반 적 인 질화 갈륨 계 발광 소자 ( 특히 , LED ) 를 나타낸 사시도 이 다 . 도 1 을 참조 하 면 , 발광 소자 ( 10 ) 는 기판 ( 11 ) 상 에 순차 적층 된 n 형 질화 갈륨 계 반도체 층 ( 13 ) , 활성 층 ( 14 ) , p 형 질화 갈륨 계 반도체 층 ( 15 ) 를 포함 한다 . n 형 질화 갈륨 계 반도체 층 ( 13 ) 의 일부 상면 에 는 n 측 전극 ( 18 ) 이 형성 되 어 있 고 , p 형 질화 갈륨 계 반 도 체 층 ( 15 ) 상 에 는 투명 전극 층 ( 16 ) 과 p 측 전극 ( 17 ) 이 형성 되 어 있 다 . p 측 전극 ( 17 ) 과 n 측 전극 ( 18 ) 에 전압 을 인가 하 여 발광 소자 ( 10 ) 에 전류 를 흘려 주 면 , 활성 층 ( 14 ) 에서 전자 - 정공 재결합 에 의해 빛 이 방출 된다 .