또한 , 게이트 전극 ( 118 ) 은 리 세스 게이트 ( recess type gate ) 구조 대신 에 일반 적 인 평면 구조 ( planar structure ) 로 도 형성 할 수 있 다 . 그러나 . 셀 의 리프 레시 ( refresh ) 특성 을 개선 시키 기 위해서 는 평면 구조 대신 에 리 세스 게이트 구조 로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 그 이유 는 , 리 세스 게이트 구조 는 구조 적 인 특성 상 평면 채널 ( planar channel ) 보다 큰 길이 를 갖 는 리세 스 채널 ( recessed channel ) 을 형성 하 고 , 이 를 통해 유효 채널 길이 ( effective channel length ) 를 증가 시켜 채널 도핑 농도 를 낮추 어 전기장 을 효과 적 으로 감소 시킬 수 있 기 때문 이 다 . 결국 , 접합 누설 전류 측면 에서 양호 한 소자 의 특성 을 확보 할 수 있 어 리 프레시 특성 을 개선 시킬 수 있 다 .