또한 , 박막 트랜지스터 기판 및 칼라 필터 기판 에 포함 되 는 감광 성막 ( 예 를 들 어 , 컬러 필터 등 ) 은 본 발명 의 제 1 내지 제 3 실시 예 에 따른 노광 장치 를 이용 한 포토 리소그래피 공정 에 의해 패 터닝 됨 으로써 형성 된다 . 구체 적 으로 , 감광 성막 은 본 발명 의 제 1 내지 제 3 실시 예 중 어느 한 실시 예의 노광 장치 의 발광 다이오드 에서 생성 된 광 이 평행 광 으로 변환 된 후 , 그 평행 광이 마스크 를 통해 감광 성막 에 조사 됨 으로써 노광 된다 . 노광 된 감광 성 막 은 현상 공정 을 통해 패 터닝 된다 .