모놀리식 3 차원 메모리 어레이 는 다중 메모리 레벨 이 기재 를 끼우 지 않 고 , 웨이퍼 와 같 은 단일 기재 위 에 형성 되 는 것 이 다 . 하나 의 메모리 레벨 을 형성 하 는 층 은 존재 하 는 레벨 또는 레벨 들 의 층 상 에 직접 적 으로 증착 되 거나 또는 성장 한다 . 대조 적 으로 , 스태킹 된 메모리 들 은 Leedy 의 미국 특허 번호 5 , 915 , " 167 의 "" 3 차원 구조 메모리 "" 와 같이 분리 기재 위 에 메모리 레벨 들 을 형성 하 고 서로 메모리 레벨 의 맨 꼭대기 에 부착 됨 으로서 구성 된다 . 기재 는 결합 이전 에 박 형 화 되 거나 또는 메모리 레벨 로부터 제거 될 수 있 지만 ", 메모리 레벨 이 분리 기재 위 에 초기 에 형성 되 는 것 과 같이 이러 한 메모리 는 진정한 모놀리식 3 차원 메모리 어레이 가 아니 다 .