이상 에서 와 같이 , 본 발명 은 소자 분리 용 절 연막 을 도포 성 이 우수 한 비 도핑 된 ( un - doped ) 폴리 실리콘 막 을 사용 한 후 , 이 를 어닐링 ( annealing ) 하 여 산화 막 으로 치환 시킴 으로써 , 트렌치 ( trench ) 내 에 보이드 ( void ) 가 없 는 소자 분리 막 ( iosolation ) 을 형성 할 수 있 다 .