다른 실시 형태 에 따르 면 , 저항 스위칭 메모리 소자 를 제조 하 는 방법 이 제공 되 며 , 증착 된 층 이 제 1 부분 을 열 산화 하 는 단계 는 MxOy 의 조성 을 가진 저항 스위칭 금속 산화물 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 며 , 여기 서 , M 은 금속 이 고 O 는 산소 이 며 , MaOb 는 화학 양론 적 금속 산화물 을 나타내 고 , x / y 는 a / b 의 65 % 미만 이 다 .