도 10 의 ( d ) 는 도 9 의 S 94 단계 에 해당 하 는 것 으로서 상하면 에 내층 회로 ( 63 a , 63 b ) 가 형성 된 코어 기판 ( 160 ) 에 , 외층 기판 ( 170 , 180 ) 을 상하 면 으로 적층 한다 . 이후 의 도 9 의 S 95 , S 96 , S 97 , S 98 단계 는 외층 회로 ( 65 a , 65 b ) 를 형성 하 고 도전 층 으로 외층 회로 ( 65 b ) 와 전극 범프 ( 4 ) 를 연결 하 는 공정 으로 , 이 는 이미 설명 한 바 이 므로 상세 한 설명 은 생략 한다 .