대조 적 으로 , 불순물 의 영역 선택 적 포함 에 의해 측벽 이 두꺼운 TS - SiO 에서 , ( a ) 의 SiO 2 막 ( 42 ) 은 , 막 전체 에 걸쳐 실질 적 으로 제로 이거 나 낮 은 수준 의 불순물 을 포함 하 는 막 전체 에 실질 적 으로 균일 하 게 분포 된 불순물 을 함유 하 고 , 불순물 을 막 의 수직 및 수평 부분 의 표면 에 흡착 시킴 에 의해서 , 그 다음 플 라즈 마 노출 에 의해서 , 또는 불순물 의 활성 종 을 함유 하 는 플 라즈 마 에 막 의 수직 및 수평 부분 을 노출 시키 는 것 에 의해서 , 막 의 수평 부분 ( 45 , 43 ) 이 막 의 수직 부분 ( 44 ) 보다 더 많 은 이온 충돌 을 수용 함 으로써 , 불순물 을 수직 부분 내 보다 수평 부분 내 로 더 많이 혼입 시킨다 . 그 결과 , 불순물 은 막 의 수직 부분 보다 막 의 수평 부분 에 더 많이 도입 되 고 , 즉 수평 부분 은 수직 부분 보다 습식 식각 에 더 취약 하 게 된다 . 따라서 , 불순물 의 불 균일 한 분포 를 갖 는 막 을 식각 함 으로써 , 막 의 수평 부분 만 이 실질 적 으로 또는 주로 ( c ) 에 도시 된 바 와 같이 제거 될 수 있 다 .