다음 으로 , 단계 S 17 내지 단계 S 21 에서 는 핀 반도체 ( 150 ) 를 덮 는 형태 로 절연 층 ( 140 ) 을 증착 하 고 , 이 위 에 절연 층 ( 140 ) 을 덮 는 형태 로 방사성 동위 원소 층 ( 130 ) 을 증착 하 며 , 이 위 에 방사성 동위 원소 층 ( 130 ) 을 덮 는 형태 로 방사선 누설 방지 층 ( 120 ) 을 증착 하 여 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 전지 ( 100 ) 를 제조 하 는 것 이 다 .