블 랭킹 애퍼처 어레이 기구 ( 204 ) 내 에 는 , 예 를 들 면 , 실리콘 등 으로 이루어지 는 반도체 기판 이 배치 된다 . 이러 한 반도체 기판 의 중앙부 는 , 예 를 들 면 , 이면 측 으로부터 얇 게 깎여 , 얇 은 막 두께 의 멤 브레인 영역 에 가공 되 어 있 다 . 멤 브레인 영역 에 는 , 도 2 에 도시 한 성형 애퍼처 어레이 기판 ( 203 ) 의 각 홀 ( 22 ) 에 대응 하 는 위치 에 멀티 빔 의 각각 의 빔 의 통과 용 의 통과 홀 ( 개구부 ) 이 개구 된다 . 바꾸 어 말 하 면 , 멤 브레인 영역 에 는 , 전자 선 을 이용 한 멀티 빔 의 각각 대응 하 는 빔 이 통과 하 는 복수 의 통과 홀 이 어레이 형상 으로 형성 된다 . 그리고 , 반도체 기판 의 멤 브레인 영역 상 에 는 , 이러 한 복수 의 통과 홀 의 각 통과 홀 을 사이 에 두 고 대향 하 는 위치 에 , 제 어 전극 과 대향 전극 과 의 2 개 의 전극 의 조 ( 블 랭 커 ： 블 랭킹 편 향기 ) 가 각각 배치 된다 . 또한 , 반도체 기판 내부 의 각 통과 홀 의 근방 에 는 , 각 통과 홀 용 의 제어 전극 에 편향 전압 을 인가 하 는 로직 회로 가 배치 된다 . 각 빔 용 의 대향 전극 은 그라운드 접속 된다 . 각 빔 용 의 로직 회로 에 는 , 제 어 신호용 의 n 비트 ( 예 를 들 면 , 10 비트 ) 의 패러 렐 배선 이 접속 된다 . 멀티 빔 을 구성 하 는 각각 의 빔 마다 , 제 어 전극 과 대향 전극 과 제어 회로 에 의한 개별 블 랭킹 기구 가 구성 된다 .