그 다음 에 는 , 반도체 기판 ( 100 ) 상부 에 게이트 산화 막 ( 180 ) 을 형성 하 고 , 바 ( Bar ) 형 활성 영역 ( 120 ) 을 수직 으로 가로지르 는 게이트 ( 190 ) 를 형성 한다 . 여기 서 , 게이트 ( 190 ) 를 형성 하 기 이전 에 피모 오스 ( PMOS ) 트랜지스터 형성 영역 인 제 1 활성 영역 에 는 엔 웰 ( N well ) 이온 주입 공정 을 수행 하 고 , 엔 모 오스 ( NMOS ) 트랜지스터 형성 영역 인 제 2 활성 영역 에 는 피 웰 ( P well ) 이온 주입 공정 을 수행 하 고 채널 이온 주입 공정 을 수행 하 는 것 이 바람직 하 다 .