도 7 a 내지 도 7 d 및 [ 표 2 ] 를 참조 하 면 , 제 7 , 제 3 , 및 제 9 실시 예 에 따른 박막 트랜지스터 들 의 전기 적 특성 값 이 우수 한 것 을 확인 하 였 다 . 이 에 따라 , 원자 층 증착 공정 의 온도 를 175 ℃, 200 ℃, 및 225 ℃ 로 하 여 본 발명 의 실시 예 에 따른 산화물 반도체 박막 을 제조 하 는 경우 , 우수 한 트랜지스터 소자 특성 을 갖 는 본 발명 의 실시 예 에 따른 박막 트랜지스터 가 제작 되 는 것 을 알 수 있 었 다 .