도 7 을 참조 하 면 , 제 2 포토레지스트 막 패턴 ( 510 ) 을 식각 마스크 로 한 식각 으로 반사 율 이 변화 된 제 1 포토레지스트 막 ( 410 ) 의 노출 부분 및 패턴 대상 막 ( 300 ) 의 노출 부분 을 순차 적 으로 제거 하 여 미세 패턴 ( 300 ') 을 형성 한다 . 미세 패턴 ( 300 ') 은 알루미늄 ( Al ) 막 패턴 ( 330 ) 및 티타늄 / 티타늄 나이트 라이드 ( Ti / TiN ) 막 패턴 ( 340 ) 이 순차 적 으로 적층 되 는 구조 로 형성 된다 . 미세 패턴 ( 300 ') 을 형성 한 후 에 는 통상 의 애 싱 방법 등 을 사용 하 여 제 2 포토레지스트 막 패턴 ( 510 ) 및 반사 율 이 변화 된 제 1 포토레지스트 막 ( 410 ) 을 제거 한다 .