도 5 c 를 참조 하 면 , 제 1 플렉서블 기판 ( 110 ) 상 에 버퍼 층 ( 131 ) 및 트랜지스터 ( T 1 ) 의 활성 층 ( 142 ) 을 형성 할 수 있 다 . 버퍼 층 ( 131 ) 은 실리콘 옥사이드 , 실리콘 나이트 라이드 및 / 또는 실리콘 옥시 나이트 라이드 등 과 같 은 무기물 을 포함 하 며 , 단층 또는 다층 일 수 있 다 . 활성 층 ( 142 ) 은 비정질 실리콘 , 다 정질 실리콘 또는 산화물 등 을 포함 할 수 있 다 .