정전 용량 검출 소자 ( 38 ) 는 , 액정 층 ( 24 ) 과 , 공통 전극 ( 22 ) 과 동시 에 형성 되 는 다른 쪽 의 단자 로서 의 제 2 전극 ( 38 B ) 과 , 화소 전극 ( 20 ) 과 동시 에 형성 되 고 , 액정 층 ( 24 ) 을 사이 에 두 고 제 2 전극 ( 38 B ) 과 마주 향하 여 센싱 정전 용량 을 형성 하 는 한쪽 의 단자 로서 의 제 1 전극 ( 38 A ) 을 구비 한다 . 외부 압력 에 의한 센싱 정전 용량 의 용량 변화 에 대응 하 여 센싱 신호 가 센싱 회로 ( 30 ) ( 도 1 참조 ) 로부터 출력 된다 . 정전 용량 검출 소자 ( 38 ) 는 , 소자 기판 ( 34 ) 상 의 소정 의 화소 전극 ( 20 ) 사이 에 형성 되 고 , BM ( 12 ) 과 겹쳐 있 다 . 구체 적 으로 는 , 제 1 전극 ( 38 A ) 은 , 소자 기판 ( 34 ) 상 의 소정 의 화소 전극 ( 20 ) 사이 에 설치 되 고 , BM ( 12 ) 과 겹쳐 있 다 . 또한 , 정전 용량 검출 소자 ( 38 ) 와 센싱 회로 ( 30 ) 가 BM ( 12 ) 과 겹쳐 있 어도 된다 . 이 에 의해 , 외광 에 의한 각 트랜지스터 ( 후술 설명 ) 의 광 리크 의 영향 을 제거 할 수 있 음 과 함께 , 표시 의 시인 성 도 향상 된다 .