특히 배리 어막 ( 100 ) 에 포함 된 질화 실리콘 층 ( 201 ) 은 약 350 ° C 이상 400 ° C 이하 범위 의 고온 에서 실란 ( SiH 4 ) 과 암모니아 ( NH 3 ) 를 사용 하 여 PECVD 법 에 의해 형성 될 수 있 다 . 이렇게 형성 된 질화 실리콘 층 ( 201 ) 의 막내 수소 원자 함유량 은 약 13 내지 17 % 이 며 , 막 밀도 는 약 2 . 5 내지 2 . 7 g / cm 3 일 수 있 다 . 질화 실리콘 층 ( 201 ) 이 막내 수소 원자 함유량 을 약 13 내지 17 % 가질 때 , 막 밀도 가 약 2 . 5 내지 2 . 7 g / cm 3 로 형성 될 수 있 고 디스플레이 장치 제조 에 적합 한 정도 로 수분 및 산소 의 투과 를 저지 할 수 있 다 .