그리고 , 상술 한 접속 층 ( 25 ) 이 형성 된 접속 영역 ( 29 ) 의 경우 와 마찬가지 로 , 접속 영역 ( 32 ) 에 있 어서 , 접속 층 ( 38 ) 을 형성 하 는 산화물 반도체 ( IGZO ) 가 , 접속 층 ( 38 ) 과 접촉 하 는 소스 배선 ( 16 a ) 의 제 1 도전 층 ( 14 a ) 을 형성 하 는 티타늄 에 의해 환원 되게 되 므로 , 산화물 반도체 에 의해 형성 된 접속 층 ( 38 ) 의 저 저항 화 를 도모 하 는 것 이 가능 해진다 .