도 2 를 참조 하 면 , 종래 의 HDP ( High Density Plasma ) - CVD 공정 에 의한 산화 막 으로 트렌치 를 매립 하 는 경우 , 100 nm 급 이하 의 소자 제조 시 , 도 1 의 B 영역 과 같 은 폭 이 좁 은 트렌치 ( T 1 ) 내 에 보이드 ( void ) 가 발생 되 고 , 이러 한 보이드 가 후속 의 습식 식각 공정 에서 노출 됨 으로써 결과 적 으로 는 소자 의 전기 적 페일 ( fail ) 을 초래 할 수 있 다 . 미 설명 된 부호 T 2 는 상기 T 1 보다 큰 폭 을 갖 는 , 예컨대 , 도 1 의 C 영역 에서 의 트렌치 를 가리킨다 .