이상 의 본 발명 에 의하 면 , 기존 의 습식 에칭 방법 이 아닌 샌드 블 래 스팅 ( Sand Blasting ) 방법 에 의해 투명 도 전막 을 제거 하 는 공정 을 채택 함 으로써 , 기존 의 ITO 만 에칭 되 어 나간 매끈 한 면 의 글라스 기판 의 표면 보다 페이스트 접착력 이 매우 증가 하 게 되 고 , 이 로써 본 발명 은 공정 처리 중 이 거나 패널 사용 시 발생 할 가능 성 이 있 는 전극 의 탈막 등 의 현상 ( 또는 FPC 부분 의 전극 의 탈막 현상 ) 에 대해 발생 하 는 배선 전극 의 접촉 저항 ( ITO 글라스 기판 위 에 형성 된 배선 과 ITO 면 과 의 접촉 저항 ) 증가 를 야기 시킬 수 있 게 된다 .