상기 반도체 소자 의 집적도 가 증가 됨 에 따라 , 상기 반도체 소자 에서 외부 와 연결 되 기 위한 입 / 출력 단자 들 이 증가 되 나 , 이 들 간 의 피치 ( pitch ) 는 감소 하 는 추세 이 다 . 이 로 인해 , 상기 반도체 소자 와 연결 된 회로 기판 도 높 은 집적화 를 요구 받 는 실정 이 다 . 다시 말 하 면 , 상기 회로 기판 에 배치 되 는 배선 들 은 상기 회로 기판 의 한정 된 면적 에서 좁 은 피치 로 배치 될 필요 가 있 다 . 그러나 , 상기 회로 기판 상 에 배치 되 는 배선 들 이 증가 되 고 있 어 상기 배선 들 을 상기 회로 기판 의 표면 에 배치 시키 는 데 한계 가 있 다 . 또한 , 상기 배선 들 의 피치 가 감소 됨 에 따라 상기 배선 들 간 의 노이즈 ( noise ) 로 인한 상기 반도체 소자 의 전기 적 특성 을 열화 시킬 수 있 다 .