우선 , 도 3 a 에 도시 한 바 와 같이 , 투명 한 절연 기판 ( 101 ) 을 화학 적 기상 증착 ( CVD : chemical vapor deposition ) 장비 의 챔버 ( 190 ) 로 이동 시킨 후 , SiH 4 / N 2 의 혼합 가스 분위기 , SiH 4 / NH 3 혼합 가스 분위기 , SiH 4 / N 2 O 혼합 가스 분위기 중 어느 하나 의 혼합 가스 분위기 를 조성 한 후 , 상기 챔버 ( 190 ) 내 에서 플 라즈 마 를 형성 함 으로써 상기 기판 ( 101 ) 상 에 질화 실리콘 ( SiNx ) 또는 산화 실리콘 ( SiO 2 ) 의 버퍼 층 ( 103 ) 을 전면 에 형성 한다 .