한편 , No . 9 의 도전 성막 ( 4 ) 에 는 , 도 6 A 에 도시 된 바 와 같이 , 분리 된 ( 불연속 인 ) 복수 의 간극 이 형성 되 고 있 고 , 거시 적 으로 보 아도 , 도전 성막 ( 4 ) 이 분리 되 어 있 지 않 았 다 . 또 , 형성 된 간극 ( 7 ) 의 폭 ( 보조 전극 ( 2 ) 과 보조 전극 ( 3 ) 이 대향 하 는 방향 의 길이 ) 도 매우 넓 고 , " 후술 하 는 "" 활성 화 "" 처리 를 실시 하 는 경우 에 도 소망 한 전자 방출 특성 을 얻 을 수 없 었 다 . 그리고 ", No 14 의 도전 성막 ( 4 ) 에서 는 , 도 6 C 에 도시 된 바 와 같이 , 서로 분리 된 복수 의 간극 이 형성 되 었 다 . 또 , No . 9 및 No . 14 의 도전 성막 ( 4 ) 을 구비 한 샘플 에서 는 , " "" 통전 포 밍 "" 처리 후 의 보조 전극 ( 2 ) 과 보조 전극 ( 3 ) 의 사이 의 저항 값 이 "," "" 통전 포 밍 "" 처리 전 의 저항 값 의 10 배 정도 로 남 아 있 었 다 . "