그 후 , 도 6 c 에 도시 된 바 와 같이 상기 플로팅 게이트 전극 ( 22 ) 과 하부 전극 ( 71 ) 의 상부 를 노출 시키 는 콘 택 홀 을 형성 한 후 이 콘 택 홀 을 금속 으로 매립 하 여 콘 택 ( 4 ) 을 형성 하 고 , 상기 컨트롤 게이트 ( 7 ) 의 상부 전극 ( 73 ) , 소오 스 및 드레 인 ( 13 ) 을 노출 시키 는 다수 의 비 아홀 을 형성 한 후 이 비 아홀 을 금속 으로 매립 함 으로써 비아 ( 8 ') 를 형성 한다 .