반면 , 도 5 b 는 본 발명 에 따라 유기물 로 보호막 을 형성 하 되 , 스핀 코팅 및 사진 공정 이 적용 된 박막 트랜지스터 의 전기 적 특성 을 측정 한 특성 곡선 으로서 , 스핀 코팅 과 같이 수소 에 노출 되 지 않 으며 물질 들 간 의 반응 이 일어나 지 않 는 물리 적 인 방법 과 플 라즈 마 피해 를 유발 하 지 않 는 사진 공정 을 이용 함 으로써 반도체 층 의 케리어 농도 변화 가 발생 되 지 않 으며 , 그 로 인해 도전 성 의 변화 가 일어나 지 않 는 것 을 알 수 있 다 .