한편 , 전술 한 본 발명 의 실시 예 에서 는 게이트 의 유효 채널 길이 를 증가 시키 기 위한 리 세스 게이트 의 형성 시 GIDL 현상 을 개선 할 수 있 는 방법 에 대해서 설명 하 였 지만 , 본 발명 의 다른 실시 예 로서 게이트 의 채널 폭 을 증가 시키 기 위해 소자 분리 막 을 식각 하 여 활성 영역 의 일부 측면 이 노출 시키 는 돌기 형 게이트 를 접목 시킨 경우 에 도 동일 한 효과 를 얻 을 수 있 다 .