도 5 에 도시 된 바 와 같이 , 본 발명 의 제 4 실시 예 에 따른 수직 형 질화물 반도체 발광 소자 는 전극 패턴 으로 n 형 질화물 층 의 상부 면 중앙 에 형성 된 n 측 패드 ( 470 ) , 및 이러 한 n 측 패드 ( 470 ) 에 연결 되 어 방사형 으로 교대 로 연장 된 제 1 n 측 핑거 ( 471 ) 와 제 2 n 측 핑거 ( 472 ) 를 포함 하 여 형성 된다 .