또한 , 상기 반도체 제조 설비 의 외부 에서 내부 로 유입 되 는 파티클 과 같 은 오연 물질 은 생산 수율 에 매우 큰 영향 을 미치 므로 , 설비 내부 를 높 은 청 정도 로 유지 하 는 것 은 중요 하 다 . 따라서 , 외부 로부터 밀폐 된 공간 이 제공 되 는 공정 챔버 내 에서 상기 파티클 과 같 은 오염 물질 이 최소 화 된 진공 의 분위기 에서 반도체 제조 공정 이 수행 될 수 있 다 . 여기 서 , 상기 공정 챔버 는 일 측 측벽 으로 연결 되 는 펌핑 라인 의 말단 에 형성 된 진공 펌프 의 펌핑 에 의해 소정 의 진공 압 을 갖 도록 설정 될 수 있 다 .