또 , 본 발명 의 리 소그라 피용 하층 막 형성 조성물 에 는 평균 입자 지름 이 1 미크론 을 넘 지 않 는 범위 의 산화 티탄 등 의 금속 입자 또는 풀러렌 등 의 무기 입자 를 첨가 할 수 있 다 . 상기 금속 입자 내지 무기 입자 를 첨가 함 으로써 , 드라이 에칭 속도 를 늦 게 할 수 있 고 , 또 포토레지스트 와 의 선택 비 를 올릴 수 있 다 .