US 2008 / 0230120 호 에서 는 제 1 광 활성 층 과 , 제 2 광 활성 층 과 , 그 사이 에 배치 되 는 재결합 층 을 포함 하 는 광기 전 소자 를 개시 하 고 있 으며 , 제 1 광 활성 층 은 태양광 의 가시 광 영역 을 실질 적 으로 흡수 하 는 반도체 물질 로 구성 되 고 , 제 2 광 활성 층 은 태양광 의 적외선 영역 을 실질 적 으로 흡수 하 는 나노 구조 물질 로 구성 되 며 , 재결합 층 은 제 1 광 활성 층 과 제 2 광 활성 층 간 의 전하 이동 을 돕 게 된다 . 이 미국 특허 공개 공보 에서 는 제 1 광 활성 층 과 , 상부 광활 성 층 과 , 제 1 재결합 층 과 , 하부 광활 성 층 과 , 제 2 재결합 층 을 포함 하 는 광기 전 소자 를 개시 하 고 있 고 , 제 1 광 활성 층 은 태양광 의 가시 광 영역 을 흡수 하 는 반도체 물질 로 구성 되 고 , 상부 광활 성 층 은 태양광 의 자외선 영역 을 흡수 하 는 나노 구조 물질 로 구성 되 며 , 상기 제 1 재결합 층 은 제 1 광 활성 층 과 상부 광활 성 층 사이 에 위치 하 여 두 층 간 의 전하 이동 을 촉진 시키 는 기능 을 하 고 , 상기 하부 광활 성 층 은 태양광 의 적외선 영역 을 흡수 하 는 나노 구조 물질 로 구성 되 며 , 상기 제 2 재결합 층 은 제 1 광 활성 층 과 하부 광활 성 층 사이 에 배치 되 어 두 층 간 의 전하 이동 을 촉진 시키 는 기능 을 한다 .