반도체 소자 제조 공정 은 증착 공정 , 사진 공정 , 식각 공정 및 이온 주입 공정 등 의 일련 의 공정 들 을 수행 하 여 이루어지 며 , 이 들 공정 을 통하 여 웨이퍼 위 에 산화 막 , 질화 막 , 폴리 실리콘 막 , 금속 막 등 다양 한 막 들 을 형성 하 고 , 이 들 막 을 원하 는 형상 으로 패 터닝 하 여 원 하 는 소자 들 을 완성 한다 . 반도체 소자 제조 공정 중 원 하 는 막 을 선택 적 으로 습식 식각 하 기 위해서 는 식각 대상 막 질 을 높 은 식각 선택 비 로 제거 할 수 있 는 식각 액 이 요구 된다 .