또한 , 접합 한 후 에 는 , 접합 강도 를 증가 시키 기 위한 열 처리 를 행하 여도 좋 다 . 이 열 처리 의 온도 는 , 취화 영역 ( 514 ) 에 있 어서 의 분리 가 생기 지 않 는 온도 ( 예 를 들 어 , 실온 이상 400 ℃ 미만 ) 로 한다 . 또한 , 이 온도 범위 에서 가열 하 면서 , 반도체 기판 ( 500 ) 과 산화 막 ( 512 ) 을 접합 시켜 도 좋 다 . 상기 열 처리 에 는 , 확산 로 , 저항 가열로 등 의 가열로 , RTA ( 순간 열 어닐링 , Rapid Thermal Anneal ) 장치 , 마이크로파 가열 장치 등 을 사용 할 수 있 다 . 또한 , 상기 온도 는 어디 까지 나 일례 이 며 , 개시 하 는 발명 의 일 형태 가 이것 에 한정 되 어 해석 되 는 것 은 아니 다 .