또한 , 산화물 반도체 층 ( 144 ) 에 사용 되 는 산화물 반도체 재료 에 는 , 13 족 원소 를 포함 하 는 것 이 많 다 . 이 로 인해 , 13 족 원소 및 산소 를 포함 하 는 재료 를 사용 하 여 산화물 반도체 층 ( 144 ) 와 접하 는 게이트 절연 층 ( 146 ) 을 형성 하 는 경우 에 는 , 산화물 반도체 층 ( 144 ) 과 의 계면 상태 를 양호 하 게 유지 할 수 있 다 . 이것 은 13 족 원소 및 산소 를 포함 하 는 재료 와 , 산화물 반도체 재료 와 의 호환 성 이 양호 한 것 에 의한다 . 예 를 들 면 , 산화물 반도체 층 ( 144 ) 과 산화 갈륨 을 사용 한 게이트 절연 층 ( 146 ) 을 접하 여 형성 함 으로써 , 산화물 반도체 층 ( 144 ) 과 게이트 절연 층 ( 146 ) 의 계면 에 있 어서 의 수소 의 파 일업 을 저감 할 수 있 다 . 또한 , 게이트 절연 층 ( 146 ) 으로서 , 산화알루미늄 을 사용 하 는 경우 는 , 물 을 투과 시키 기 어렵 다고 하 는 특성 을 가지 고 있 기 때문 에 , 상기 재료 를 사용 하 는 것 은 , 산화물 반도체 층 ( 144 ) 의 물 의 침입 방지 라고 하 는 점 에 있 어서 도 바람직 하 다 .