상기 반도체 기판 에 있 어서 , 상기 Ge 층 은 , 수소 를 함유 하 는 분위기 내 에서 어닐링 되 어 이루어지 는 Ge 층 이 어도 좋 다 . 상기 반도체 기판 에 있 어서 , 상기 Ge 층 은 , 할로겐 원소 를 함유 하 는 가스 를 원료 가스 에 포함 시키 는 분위기 내 에서 CVD 법 에 의해 상기 개구 에 선택 적 으로 결정 성장 되 어 이루어지 는 Ge 층 이 어도 좋 다 . 상기 반도체 기판 에 있 어서 , 상기 Ge 층 과 상기 기능 층 사이 에 600 ℃ 이하 의 온도 에서 형성 된 GaAs 층 을 더 포함 하 여도 좋 다 . 상기 반도체 기판 에 있 어서 , 상기 Ge 층 의 상기 기능 층 에 대향 하 는 면 은 , P 를 함유 하 는 가스 에 의해 표면 처리 되 어도 좋 다 . 상기 반도체 기판 에 있 어서 , 상기 기능 층 은 , 3 - 5 족 화합물 층 또는 2 - 6 족 화합물 층 이 어도 좋 다 .