이러 한 전사 프린팅 공정 ( S 2 ) 은 트랜스퍼 테이프 의 접착력 을 약화 시키 는 UV 광 에 트랜스퍼 테이프 ( 3 ) 를 영역 적 으로 노출 시켜 , 트랜스퍼 테이프 ( 3 ) 에 일정 간격 으로 접착 영역 ( 32 ) 들 을 형성 하 는 1 차 UV 노광 단계 ( S 21 ) 와 , 트랜스퍼 테이프 ( 3 ) 를 칩 온 캐리어 ( COC ) 의 엘이디 칩 ( 1 ) 들 에 가압 하 여 , 트랜스퍼 테이프 ( 3 ) 의 접착 영역 ( 32 ) 들 각각 에 엘이디 칩 ( 1 ) 을 부착 시키 는 칩 픽업 단계 ( S 22 ) 와 , 트랜스퍼 테이프 ( 3 ) 의 접착력 을 약화 시키 는 UV 광 에 트랜스퍼 테이프 ( 3 ) 를 전체 적 으로 노출 시켜 , 트랜스퍼 테이프 ( 3 ) 의 접착 영역 ( 32 ) 들 의 접착력 을 약화 시키 는 2 차 UV 노광 단계 ( S 23 ) 와 , 접착력 이 약화 된 트랜스퍼 테이프 ( 3 ) 에 접착 되 어 있 는 엘이디 칩 ( 1 ) 들 을 기판 ( 5 ) 에 대하 여 가압 하 는 플 레이싱 다운 단계 ( S 24 ) 를 포함 한다 . 플레 이싱 다운 단계 ( S 24 ) 중 에 또는 플 레이싱 단계 ( S 24 ) 후 에 , 트랜스퍼 테이프 ( 3 ) 를 엘이디 칩 ( 1 ) 으로부터 떼 어 내 는 박리 단계 ( S 25 ) 가 수행 된다 .