그런데 , 위상 반전 마스크 를 제조 하 는 과정 에서 원 하 는 CD 보다 상대 적 으로 큰 선폭 ( CD ; Critical Dimension ) 를 가진 불량 패턴 이 형성 되 면 , 포토 마스크 제작 과정 에서 위상 반 전막 패턴 의 CD 를 보정 하 는 공정 을 수행 한다 . 원 하 는 CD 보다 상대 적 으로 큰 CD 를 가진 불량 패턴 에 대한 CD 보정 공정 은 패턴 이 형성 된 포토 마스크 상 에 레지스 트 막 을 도포 하 고 , 노광 공정 및 현상 공정 을 수행 하 여 메인 칩 패턴 영역 즉 , 위상 반 전막 패턴 이 형성 되 는 영역 만 을 노출 시킨 후 , 노출 된 위상 반 전막 패턴 의 측면 을 식각 함 으로써 CD 를 보정 한다 .