도 1 a 에 도시 하 는 바 와 같이 , 기판 ( 51 ) 위 에 산화물 절 연막 ( 53 ) 을 형성 하 였 다 . 다음 에 , 산화물 절 연막 ( 53 ) 위 에 산화물 반도체 막 ( 55 ) 을 형성 하 였 다 . 또한 , 시료 8 은 산화물 절 연막 ( 53 ) 을 형성 한 후 , 또 산화물 반도체 막 ( 55 ) 을 형성 하 기 전 에 가열 처리 를 행하 였 다 . 또한 , 시료 7 은 산화물 반도체 막 ( 55 ) 을 형성 한 후 , 또 도 1 c 에 도시 하 는 산화물 반도체 막 ( 59 ) 을 형성 하 기 전 에 가열 처리 를 행하 였 다 .