이상 과 같이 하 여 배선 패턴 을 묘화 한 후 의 처리 는 , 기술 한 본 발명 의 도전 성 기판 의 제조 방법 과 동일 하 다 . 즉 , 필요 에 따라서 건조 시킨 후 , 산화 처리 를 실시 하 고 , 그 후 , 형성 된 배선 패턴 에 대해서 , 기술 한 처리 액 에 의해서 처리 를 실시 한다 . 그러면 , 기술 한 도전 성 기판 의 제조 방법 과 동일 하 게 , 배선 패턴 의 심층부 의 구리 / 구리 산화물 코어 쉘 입자 의 구리 산화물 코어 가 환원 되 어 금속 구리 가 노출 하 고 , 그 금속 구리 로부터 구리 의 석출 이 시작 되 어 전체 로 퍼져 , 치밀 한 구리 도체 배선 이 얻 어 진다 .