도 18 내지 도 23 에서 , 설명 의 편의 를 위하 여 제 1 도전 물질 들 ( 211 ~ 291 , 212 ~ 292 , 213 ~ 293 ) 은 9 개 의 층 들 에 제공 되 는 것 으로 설명 되 었 다 . 그러나 , 제 1 도전 물질 들 ( 211 ~ 291 , 212 ~ 292 , 213 ~ 293 ) 은 9 개 의 층 들 에 제공 되 는 것 으로 한정 되 지 않 는다 . 예 를 들 면 , 제 1 도전 물질 들 은 메모리 셀 들 을 형성 하 는 적어도 8 개 의 층 들 그리고 선택 트랜지스터 들 을 형성 하 는 적어도 2 개 의 층 들 에 제공 될 수 있 다 . 제 1 도전 물질 들 은 메모리 셀 들 을 구성 하 는 적어도 16 개 의 층 들 그리고 선택 트랜지스터 들 을 형성 하 는 적어도 2 개 의 층 들 에 제공 될 수 있 다 . 또한 , 제 1 도전 물질 들 은 메모리 셀 들 을 형성 하 는 복수 의 층 들 그리고 선택 트랜지스터 들 을 형성 하 는 적어도 2 개 의 층 들 에 제공 될 수 있 다 . 예 를 들 면 , 제 1 도전 물질 들 은 더미 메모리 셀 들 을 형성 하 는 층 에 도 제공 될 수 있 다 .