상기 제 1 게터 링 영역 ( 365 a ) 은 다수 의 사이트 ( 370 ) 및 상기 사이트 들 ( 370 ) 을 생성 시키 는 원소 들 을 포함 한다 . 상기 사이트 들 ( 370 ) 은 상기 제 1 소자 반도체 층 ( 200 ) 내 의 금속 원소 들 을 포획 한다 . 상기 제 1 게터 링 영역 ( 365 a ) 은 반도체 내 에 상기 원소 들 이 첨가 된 형태 일 수 있 다 . 이 와 는 달리 , 상기 제 1 게터 링 영역 ( 365 a ) 은 절연물 내 에 상기 원소 들 이 첨가 된 형태 일 수 있 다 . 상술 한 제 1 및 제 2 실시 예 들 과 같이 , 상기 원소 들 은 상기 제 1 게터 링 영역 ( 365 a ) 내 에 다수 의 분산질 을 생성 시키 거나 , 다수 의 베이컨 스 및 / 또는 디스 로케이션 을 생성 시킬 수 있 다 .