반도체 소자 의 고집 적 화 에 따라 패턴 이 미세 화 되 면서 포 토리 소그라 피 ( photo lithography ) 공정 에서 요구 되 는 해상도 는 점차 증가 되 고 있 다 . 그러나 , 이러 한 높 은 해상도 를 만족 시키 는 노 광원 을 이용 하 는 경우 , 포토레지스트 의 두께 를 두껍 게 할 수 없 는 문제점 이 있 다 . 따라서 , 현재 에 는 포토레지스트 하부 에 하드 마스크 를 개재 시키 고 이 를 식각 마스크 로 이용 하 여 패턴 을 형성 하 는 기술 을 사용 하 고 있 다 .