제 3 주 상부 ( 150 ) 의 상면 에 는 , 제 1 전극 ( 114 ) 이 형성 되 기 때문 에 , 제 3 주 상부 ( 150 ) 의 최상층 의 도전 성 을 향상 함 으로써 , 보다 균일 하 게 전류 주입 을 행할 수 있 다 . 따라서 , 제 3 주 상부 ( 150 ) 의 최상층 의 제 1 전극 ( 114 ) 이 형성 되 는 영역 에 는 , Al 을 포함 하 지 않 는 GaAs 층 , 혹은 고 굴절 율 영역 ( 106 ) 과 같 은 Al 을 거의 포함 하 지 않 는 AlGaAs 층 이 형성 되 어 있 는 것 이 바람직 하 다 .