내부 인 젝 터 어셈블리 들 이 성장 챔버 내 의 고열 및 도관 내 로 운반 된 개스 및 성장 챔버 의 내부 의 개스 에 의해 발생 되 는 반응 화학 환경 ( reactive chemical environment ) 양자 모두 를 이겨낼 수 있 는 물질 로 형성 된다 . 바람직 한 물질 로 석영 , 실리콘 카바이드 , 알루미늄 나이트 라이드 및 다른 유사 한 내화성 ( refractory ) 물질 이 포함 된다 . 습식 에칭 , 플라 즈 마 에칭 , 및 기계 적 절단 , 레이저 커팅 또는 기술 분야 에 공지 된 다른 방법 으로 채널 들 이 물질 내 에서 커팅 될 수 있 다 . 물질 들 은 기술 분야 에 공지 된 웨이퍼 본딩 수단 을 사용 하 여 본 딩 될 수 있 다 . 내부 및 외부 크기 는 바람직 하 게 는 약 1 mm 에서 약 8 mm 이 며 ; 상기 도관 포트 는 바람직 하 게 는 약 0 . 01 mm 에서 약 1 mm 이 다 .