도 1 과 같 은 저마늄 MSM 포토 다이오드 는 작 은 정공 쇼트 키 배리어 로 인해 정공 암전 류 가 크 다는 단점 이 있 다 . 이 를 해결 하 기 위해 밴드 갭 이 큰 물질 의 삽입 , 또는 도핑 을 이용 하 여 12 과 같 은 정공 쇼트 키 배리어 를 배치 하 여 향상 시켰 고 , 이 는 정공 암 전류 를 감소 시키 는 효과 를 제공 한다 . 그러나 , 밴드 갭 에 큰 물질 을 삽입 하 는 것 은 광전 하 를 모으 는 데 에 저항 성분 으로 작용 하 게 되 며 이 는 광전류 의 저하 를 야기 하 게 된다 .