기판 처리 공간 ( 201 b ) 에서 서 셉 터 ( 217 ) 상 에 보유 지지 되 어 있 는 웨이퍼 ( 200 ) 에 는 , 유도 플라스마 에 의해 생성 된 라디칼 과 가속 되 지 않 는 상태 의 이온 이 홈 ( 301 ) 내 에 균일 하 게 공급 된다 . 공급 된 라디칼 및 이온 은 , 측벽 ( 301 a , 301 b ) 과 균일 하 게 반응 하 여 , 표면 의 실리콘 층 을 스텝 커버리지 가 양호 한 실리콘 산화층 으로 개질 한다 .