상기 설명 한 바 와 같이 , 본 발명 에서 , 비 단결정 반도체 막 이 완전히 용융 되 는 영역 과 비 용융 영역 사이 의 경계선 에 대응 하 는 등강 도 선 , 즉 , 비 용융 영역 의 가장자리 에 대응 하 는 등강 도 선 ( 비 단결정 반도체 막 의 용융 온도 에 대응 하 는 광 강도 의 등강 도 선 ) 의 적어도 일부 에 대한 곡률 반지름 은 0 . 3 ㎛ 또는 그 이하 가 되 어야 한다 . 결과 에 따르 면 , 본 발명 에서 , 결정 입자 가 박막 트랜지스터 의 채널 영역 에 침투 하 는 것 을 방지 할 수 있 을 만큼 충분히 큰 방 사각 에서 결정 성장 이 안정 적 으로 실현 될 수 있 으며 , 채널 영역 의 결정 입계 에 따른 캐리어 분산 으로 인한 전계 효과 이동도 의 감소 를 피할 수 있 게 된다 .