반도체 소자 , 예컨대 , DRAM 소자 의 고집 적 화 가 급격히 진행 됨 에 따라 , 소자 를 구현 하 기 위한 패턴 이 더욱 미세 화 되 고 있 다 . 디자인 룰 ( design rule ) 이 극심 하 게 축소 됨 에 따라 , 트랜지스터 의 특성 열화 가 두드러지 게 나타나 고 있 다 . 소자 의 고집 적 화 에 따라 트랜지스터 의 게이트 의 길이 ( length ) , 즉 , 게이트 라인 ( gate line ) 의 선폭 은 더욱 작아지 고 있 으나 , 트랜지스터 의 신뢰 성 은 적어도 동일 하 게 유지 되 도록 요구 되 고 있 다 .