다음 에 , 상술 한 기판 처리 장치 ( 10 ) 의 제 1 처리 로 ( 202 ) 를 사용 하 여 , 반도체 디바이스 의 제조 공정 의 하나 의 공정 으로서 기판 으로서 의 웨이퍼 를 처리 하 는 방법 에 대해 설명 한다 . 이하 설명 에 있 어서 , 기판 처리 장치 ( 10 ) 를 구성 하 는 각 부 의 동작 은 메인 컨트롤러 ( 249 ) 에 의하 여 제어 된다 .