본 발명 은 능동형 TFT 플렉시블 디스플레이 기판 의 TFT 제조 와 발광 면적 확보 에 관한 방법 으로서 , 수축 성 에 영향 이 없 는 금속 성 베이스 물질 또는 플렉시블 필름 등 을 선정 하 여 그 위 에 실리콘 증착 또는 스퍼터 를 실시 하 여 P 형 또는 N 형 의 전극 과 캐 퍼시 터 를 형성 하 는 단계 와 ; 그 위 에 스퍼터 를 실시 하 여 패 터닝 으로 게이트 회로 또는 데이터 회로 를 형성 하 는 단계 와 ; 폴리 이미드 절 연막 기타 절연 기능 을 가진 절연체 를 도포 형성 하 여 트 렌지 스터 와 의 경계 절 연막 을 형성 하 고 실리콘 을 증착 또는 스퍼터 하 는 단계 와 ; 폴리 이미드 또는 절 연막 에 홀 을 뚫 고 스퍼터 를 실시 하 여 P 형 또는 N 형 의 전극 을 형성 하 는 단계 와 ; 구리 스퍼터 를 하 고 P 형 또는 N 형 의 전극 과 마이너스 전극 또는 플러스 전극 을 연결 형성 하 는 단계 를 포함 한다 . 이 에 따라 , 결과 적 으로 디스플레이 기판 의 TFT 가 모두 발광 층 인 OLED 또는 액정 ( LCD ) 의 요소 아래 에 위치 할 수 있 어 디스플레이 패널 의 개구율 을 크 게 증가 시킬 수 있 다는 현저 한 효과 와 캐 퍼 시터 의 면적 을 넓히 고 트 렌지 스터 의 수량 을 넓 은 면적 에 확보 할 수 있 는 효과 가 있 다 .