구체 적 으로 , 상기 어닐링 은 서브 층 각각 이 형성 된 후 에 수행 될 수 있 고 , 서브 층 의 형성 과정 에서 수행 될 수 도 있 다 . 서브 층 각각 이 모두 P 형 AlvGa 1 - vN 층 및 P 형 GaN 층 을 포함 하 는 경우 를 예 로 들 면 , P 형 AlvGa 1 - vN 층 및 P 형 GaN 층 을 형성 한 후 에 어닐링 처리 를 수행 , 즉 매번 P 형 GaN 층 을 형성 한 후 에 어닐링 처리 를 수행 할 수 있 고 ; P 형 AlvGa 1 - vN 층 을 형성 한 후 어닐링 처리 를 수행 하 고 , P 형 GaN 층 을 형성 한 후 에 도 어닐링 처리 를 수행 할 수 도 있 다 .