도 2 d 에서 , 반도체 다이 는 전도 되 어 접촉 패드 ( 34 ) 가 위 로 향하 도록 구성 된다 . 선택 적 인 공정 캐리어 ( 50 ) 가 패키지 를 지지 하 도록 부착 층 ( 48 ) 을 사용 하 여 반도체 다 이 백사이드 에 장착 된다 . 부착 층 은 전형 적 으로 적어도 150 ℃ 의 유리 전이 온도 ( glass transition temperature , Tg ) 를 갖 는 열적 또는 자외선 방출 성 임시 부착물 로 이루어질 수 있 다 . 도전 층 ( 46 ) 은 부착 층 을 이용 하 여 티타늄 ( Ti ) 과 같 은 표면 상 에 스퍼터 및 패 터닝 , 또는 선택 적 으로 도금 된다 . 도전 층 ( 46 ) 은 Cu , Al , Au 또는 그 들 의 합금 으로 이루어진다 . 도전 층 ( 46 ) 은 반도체 다이 들 ( 36 , 40 ) 의 전기 적 기능 과 상호 접속 요건 들 에 따라서 접촉 패드 ( 34 ) 에 전기 적 으로 접속 된다 .