상기 제 1 마스크 패턴 ( 300 a ) 을 이온 주입 마스크 로 사용 하 여 제 1 주 입 에너지 의 이온 주입 공정 을 수행 하 여 상기 반도체 층 ( 105 ) 의 위 부분 내 에 복수 의 제 1 화합물 원소 주입 층 들 ( 305 a ) 을 형성 한다 . 상기 복수 의 제 1 화합물 원소 주입 층 들 ( 305 a ) 은 상기 일 방향 을 따라 배열 된다 . 상기 제 1 주 입 에너지 의 이온 주입 공정 은 산소 , 질소 , 보론 ( B ) , 포스 포 러스 ( P ) 및 아세 닉 ( As ) 등 에서 선택 된 적어도 하나 의 이온 들 을 주입 할 수 있 다 . 따라서 , 상기 제 1 화합물 원소 주입 층 들 ( 305 a ) 은 산소 , 질소 , 보론 ( B ) , 포스 포 러스 ( P ) 및 아세 닉 ( As ) 등 에서 적어도 하나 를 포함 할 수 있 다 .