방법 은 , 기판 의 유전체 층 을 에칭 하 여 유전체 층 내 에 개구 를 형성 하 는 단계 , 개구 내 로 연장 되 는 금속 층 을 형성 하 는 단계 , 금속 층 의 하단 부분 이 , 금속 층 아래 에 놓이 는 반도체 영역 과 반응 하 여 , 소스 / 드레 인 영역 을 형성 하 도록 , 어닐링 공정 을 수행 하 는 단계 , 실리콘 및 질소 함유층 을 형성 하 기 위해 , 질소 함유 가스 및 수소 가스 를 포함 하 는 공정 가스 를 사용 하 여 기판 에 플 라즈 마 처리 공정 을 수행 하 는 단계 , 및 실리콘 및 질소 함유층 상 에 금속 물질 을 성막 하 는 단계 를 포함 한다 .