구체 적 으로 , 도 4 에 도시 된 바 와 같이 테스트 패턴 부 ( 132 ) 의 테스트 박막 트랜지스터 ( T - TFT ) 와 GIP 게이트 구동 부 ( 130 ) 의 구동 용 박막 트랜지스터 ( G - TFT ) 는 동일 한 마스크 를 이용 한 포토 리소그래피 공정 과 식각 공정 으로 동시 에 형성 된다 . 따라서 , 테스트 박막 트랜지스터 ( T - TFT ) 의 소스 전극 및 드레 인 전극 ( 214 , 216 ) 간 이격 거리 ( L ) 는 구동 용 박막 트랜지스터 ( G - TFT ) 의 소스 전극 ( 314 ) 및 드레 인 전극 ( 316 ) 간 의 이격 거리 ( L ') 는 동일 하 게 형성 된다 . 또한 , 밀집 도 가 낮 은 테스트 박막 트랜지스터 ( T - TFT ) 의 소스 및 드레 인 ( 214 , 216 ) 의 거리 즉 , 채널 길이 ( L ) 및 채널 폭 ( W ) 을 측정 함 으로써 구동 용 박막 트랜지스터 ( G - TFT ) 의 특성 또는 공정 상태 를 관리 할 수 있 다 .