도 8 은 콘택트 에칭 정지 층 ( Contact Etch Stop Layer : CESL ) ( 46 ) 및 층간 유전체 ( Inter - Layer Dielectric : ILD ) ( 48 ) 의 형성 후 의 구조 의 사시도 를 도시 하고 있 다 . 각각 의 프로세스 는 도 18 에 도시 되 어 있 는 프로세스 흐름 ( 400 ) 에서 프로세스 ( 420 ) 로서 예시 되 어 있 다 . CESL ( 46 ) 은 실리콘 산화물 , 실리콘 질화물 , 실리콘 탄질 화물 등 으로 형성 될 수 도 있 고 , CVD , ALD 등 을 사용 하 여 형성 될 수 도 있 다 . ILD ( 48 ) 는 예 를 들 어 , FCVD , 스핀 - 온 코팅 , CVD , 또는 다른 증착 방법 을 사용 하 여 형성 된 유전 재료 를 포함 할 수 도 있 다 . ILD ( 48 ) 는 실리콘 산화물 , 인 - 실리케이트 유리 ( PSG ) , 보로 실리케이트 유리 ( BSG ) , 붕소 - 도핑 된 포스 포 실리케이트 유리 ( BPSG ) 등 과 같 은 실리콘 - 산화물 계 재료 일 수 도 있 는 산소 - 함유 유전 재료 로 형성 될 수 도 있 다 . CMP 프로세스 또는 기계 적 연삭 프로세스 와 같 은 평탄 화 프로세스 가 수행 되 어 ILD ( 48 ) , 더미 게이트 스택 ( 30 ) , 및 게이트 스 페이서 ( 38 ) 의 상면 을 서로 평준 화 할 수 도 있 다 .