도 7 을 참조 하 면 , 트렌치 ( 120 ) 바닥 면 에 채워진 SOD 막 ( 160 ) 상 에 고밀 도 플 라즈 마 산화 막 ( 170 ) 을 형성 한다 . 상세 하 게 는 , 플라 즈 마 챔버 내부 로 SOD 막 ( 160 ) 이 형성 된 반도체 기판 ( 100 ) 을 로딩 시킨 후 , 증착 소스 가스 를 유량 공급 하 여 플 라즈 마 를 발생 시켜 SOD 막 ( 160 ) 이 형성 된 반도체 기판 ( 100 ) 상 에 고밀 도 플 라즈 마 산화 막 ( 170 ) 을 형성 한다 .