이 와 같이 , 상기 조건 하 에서 제 1 선택 적 에피택시 얼 성장 을 수행 하 면 그 상부 에지 부위 에 깍 인 면 이 다소 발생 하 더라도 계면 특성 등 과 같 은 품질 이 우수 한 제 1 박막 ( 27 ) 의 획득 이 가능 하 다 . 따라서 , 후술 하 는 불순물 의 도핑 에서 도 손상 의 거의 받 지 않 기 때문 에 우수 한 전기 적 특성 의 확보 가 가능 하 다 .