반도체 칩 제조 에서 다른 중요 한 세정 공정 은 유전체 , " 포토레지스트 또는 금속 의 플 라즈 마 애 싱 ( plasma ashing ) 또는 에칭 으로부터 남겨진 잔류물 의 제거 이 다 . 이 들 "" 에칭 후 잔류물 "" 의 제거 는 ", 이 들 의 다 성분 성질 ( 즉 , " 잔류물 은 전형 적 으로 유기 및 무기 화합물 둘 모두 로 이루어짐 ) 때문 에 그리고 잔류물 은 잔류물 제거 동안 손상 되 어서 는 안 되 는 민감 한 소자 특징 부 에 인접 하 기 때문 에 어렵 다 . "" 에칭 후 잔류물 "" 제거 를 목적 으로 하 는 에칭 세정 공정 은 종종 제 1 단계 에서 수성 HF 조성물 을 이용 하 고 ", 이어서 다 단계 공정 을 이용 하 여 잔류물 의 무기 성분 을 제거 할 것 이 다 . 예 를 들 어 , " 금속 라인 으로부터 "" 에칭 후 잔류물 "" 의 제거 를 위해 에틸렌 글리콜 - HF - NH 4 F 수용액 이 널리 이용 되 며 ", 쉘로우 트렌치 분리 에칭 ( shallow trench isolation etching ) 후 캡 및 측벽 베일 잔류물 을 제거 하 기 위해 묽 은 수성 HF 가 종종 이용 된다 . 예 를 들 어 , 문헌 [ S . Y . M . Chooi et al . , Electrochem . Soc . , Proceedings , " "" Sixth International Symposium on Cleaning Technology in Semiconductor Device Manufacturing "," 99 - 35 ( 1999 ) ] 을 참 고 한다 .