상기 멀티플 포트 ( multiple ports ) 를 구비 한 반도체 장치 또한 현대 사회 가 요구 하 는 전자 부품 소형 화 의 요구 로부터 자유 로울 수 없 다 . 이 와 관련 한 기술 발전 에 따라 더 좁 은 공간 에 더 많 은 수 의 포트 들 이 배치 됨 으로써 , 상기 반도체 장치 내 의 포트 들 간 의 이격 거리 는 갈수록 좁혀 지 고 있 다 . 그 결과 , 상기 포트 들 로 연결 되 는 신호선 들 사이 의 간격 이 좁 아 짐 으로써 인접 신호 선간 의 전기 적 간섭 이 큰 폭 으로 증가 한다 . 인접 신호선 간 의 상기 전기 적 간섭 을 커플링 노이즈 ( coupling noise ) 라 한다 . 특히 데이터 전송 신호선 을 통해 고속 의 전류 신호 펄스 가 흐를 경우 , 인접 신호 선 에 미치 는 커플링 노이즈 ( coupling noise ) 는 심각 한 전기 적 혼신 ( crosstalk ) 을 야기 할 수 있 다 . 따라서 고속 신호 가 전송 되 는 반도체 장치 의 경우 상기 커플링 노이즈 를 최소 화 하 기 위한 패키지 구조 의 설계 가 필수 적 으로 요구 된다 .