본 발명 의 다른 실시 예 에 있 어서 , 대 상체 ( 250 ) 상 에 절연 구조물 ( 290 ) 을 형성 한 다음 , 상부 질화 막 ( 285 ) 의 질소 원자 분포 를 균일 하 게 하 는 동시 에 상부 질화 막 ( 285 ) 의 구조 를 치밀 하 게 위하 여 후 열처리 공정 을 더 수행 할 수 있 다 . 상기 후 열처리 공정 은 약 800 ∼ 1 , 000 ℃ 정도 의 상대 적 으로 높 은 제 5 온도 및 약 5 ∼ 15 Torr 정도 의 상대 적 으로 높 은 제 5 압력 하 에서 질소 를 포함 하 는 제 5 반응 가스 를 사용 하 여 약 5 ∼ 15 분 동안 수행 될 수 있 다 . 상기 제 5 반응 가스 는 질소 가스 또는 일산화질소 가스 중 에서 적어도 하나 를 포함 할 수 있 다 . 상기 제 5 반응 가스 가 질소 가스 및 일산화질소 가스 를 모두 포함 할 경우 , 상기 질소 가스 와 일산화질소 가스 사이 의 유량 비 는 약 1 . 0 : 0 . 02 ∼ 0 . 05 정도 가 될 수 있 다 .