반도체 층 ( 108 a ) 및 반도체 층 ( 108 b ) 에 는 , 상술 한 결정 성 을 가지 는 금속 산화 물막 을 사용 하 는 것 이 바람직 하 다 . 반도체 층 ( 108 a ) 과 반도체 층 ( 108 b ) 의 양쪽 에 결정 성 이 높 은 금속 산화 물막 을 사용 하 여도 좋 고 , 결정 성 이 낮 은 금속 산화 물막 을 사용 하 여도 좋 다 . 또는 , 반도체 층 ( 108 a ) 과 반도체 층 ( 108 b ) 은 상이 한 결정 성 을 가져도 좋 다 . 예 를 들 어 , 반도체 층 ( 108 a ) 을 반도체 층 ( 108 b ) 보다 결정 성 이 높 은 막 으로 하 여도 좋 고 , 반도체 층 ( 108 b ) 을 반도체 층 ( 108 a ) 보다 결정 성 이 높 은 막 으로 하 여도 좋 다 . 반도체 층 ( 108 a ) 과 반도체 층 ( 108 b ) 에 사용 하 는 금속 산화 물막 의 결정 성 은 , 요구 되 는 트랜지스터 의 전기 특성 및 신뢰 성 이나 , 성막 장치 등 의 사양 을 바탕 으로 결정 할 수 있 다 .