도 6 을 참조 하 면 , 패드 질화 막 ( 104 ) 의 상부 가 노출 되 도록 CMP 공정 을 실시 하 여 트렌치 내 에 만 SOD 막 ( 108 ) 을 잔류 시켜 소자 분리 막 ( 106 , 107 , 108 ) 을 형성 한다 . 이 후 , 세정 공정 을 실시 하 여 EFH 가 원 하 는 수준 이 되 도록 타 겟 을 제어 하 여 소 자 분리 막 ( 107 , 108 , 109 ) 의 상단 부를 식각 한다 . 이때 소자 분리 막 ( 106 , 107 , 108 ) 은 상단 부 와 하단 부 가 큐어 링 공정 에 의해 고르 게 형성 되 어 식각 률 이 균일 해진다 .