도 1 a 를 참조 하 면 , 통상 의 공정 을 통해 트랜지스터 나 플래시 메모리 셀 , 소스 및 드레 인 영역 과 같 은 여러 요소 ( 도시 하 지 않 음 ) 가 형성 된 반도체 기판 ( 102 ) 상 에 제 1 절 연막 ( 104 ) , 식각 정지 막 ( 106 ) 및 제 2 절 연막 ( 108 ) 을 형성 한다 . 여기 서 , 제 1 절 연막 ( 104 ) 과 제 2 절 연막 ( 108 ) 은 산화 막 으로 형성 할 수 있 다 . 또한 , 식각 정지 막 ( 106 ) 은 자기 정렬 콘 택 ( Self Align Contact ; SAC ) 공정 시 사용 되 는 질화 막 으로 형성 할 수 있 다 .