상기 기판 ( 402 ) 은 III - V 족 물질 또는 IV 족 물질 로 이루어짐 으로써 저 전력 , 고속 트랜지스터 를 만들 수 있 는 채널 재료 로 이용 될 수 있 다 . 상기 기판 ( 402 ) 상 에 NMOS 트랜지스터 를 형성 하 는 경우 , 상기 기판 ( 402 ) 은 III - V 족 물질 들 중 어느 하나 로 이루어질 수 있 다 . 예 를 들 면 , 상기 기판 ( 402 ) 은 GaAs 로 이루어질 수 있 다 . 상기 기판 ( 402 ) 상 에 PMOS 트랜지스터 를 형성 하 는 경우 , 상기 기판 ( 402 ) 은 Si 기판 에 비해 정공 의 이동도 가 높 은 반도체 물질 , 예 를 들 면 Ge 로 이루어질 수 있 다 .