개시 된 주제 는 적어도 2 개 의 주요 문제 를 해결 하 는데 , 첫째 로 , 기판 의 모든 표면 들 ( 예컨대 , 전면 , 후면 , 및 가장 자리 ( 들 ) ) 이 동일 하 거나 거의 동일 한 효율 로 실질 적 으로 동시 에 세정 된다 . 현재 , 본원 에 개시 된 동작 들 을 수행 할 수 있 는 어떠 한 당해 메커니즘 도 존재 하 지 않 는다 . 둘째 로 , 개시 된 주제 는 공정 챔버 로부터 극도 로 작 은 것 들 ( 예컨대 , 나노미터 수준 입자 들 및 다른 오염물 들 ) 을 제거 한다 . 나노미터 수준 세정 능력 은 , 사용 자 들 이 , 높 은 단일 통과 세정 효율 로 25 nm 미만 또는 더 작 은 집 적 회로 제작 을 달성 할 수 있 게 한다 .