도 7 에 도시 된 바 와 같이 , 본 발명 의 제 6 실시 예 에 따른 수직 형 질화물 반도체 발광 소자 는 n 측 전극 패턴 으로 n 형 질화물 층 의 상부 면 양측 모서리 에 각각 형성 된 제 1 및 제 2 n 측 패드 ( 670 - 1 , 670 - 2 ) 와 n 측 패드 ( 670 - 1 , 670 - 2 ) 각각 에 연결 되 어 타 측 의 n 측 패드 로 연장 형성 된 적어도 두 개 의 n 측 핑거 ( 671 , 672 ) 를 포함 할 수 있 다 .