반도체 제조 시 의 다양 한 제조 시퀀스 들 이 정밀 한 에칭 기술 들 을 요한다 . 이후 에 논의 될 예시 들 은 : ( 1 ) 2 D ( two - dimensional , 2 차원 ) 및 3 D ( three - dimensional , 3 차원 ) 디바이스 구조물 들 둘 다 에 대한 게이트 스 페이서 에칭 , ( 2 ) 다중 패 터닝 을 위한 측벽 이미지 전사 ( sidewall image transfer ; SIT ) 에 대한 스 페이서 에칭 , ( 3 ) 사후 스 페이서 에칭 ( post - spacer etch ) SIT 구조물 로부터 의 맨드렐 ( mandrel ) 제거 , 및 ( 4 ) 융기 된 구조물 ( raised structure ) 로부터 의 라이너 에칭 을 포함 한다 .