상기 폴리 실리콘 패턴 ( 7 ) 을 갖 는 반도체 기판 ( 1 ) 상 에 버퍼 산화 막 ( 9 ) 을 형성 한다 . 상기 버퍼 산화 막 ( 9 ) 을 패 터닝 하 여 상기 폴리 실리콘 패턴 ( 7 ) 을 노출 시키 고 , 상기 노출 된 폴리 실리콘 패턴 ( 7 ) 상 에 버퍼 패드 ( 11 ) 를 형성 한다 . 상기 버퍼 패드 ( 11 ) 는 금속 물질 을 사용 하 여 형성 될 수 있 다 . 상기 버퍼 패드 ( 11 ) 를 갖 는 상기 반도체 기판 ( 1 ) 을 열처리 하 여 상기 폴리 실리콘 패턴 ( 7 ) 의 상부 면 에 실리사이드 패턴 ( 8 ) 을 형성 할 수 있 다 . 상기 버퍼 패드 ( 11 ) 상 에 통상 의 공정 을 사용 하 여 스토리지 폴리 ( 13 ) 를 형성 한다 . 상기 버퍼 패드 ( 11 ) 및 상기 폴리 실리콘 패턴 ( 7 ) 이 서로 접촉 하 는 경우 , 상기 스토리지 폴리 ( 13 ) 는 버퍼 패드 ( 11 ) 를 통하 여 상기 폴리 실리콘 패턴 ( 7 ) 과 전기 적 으로 접속 될 수 있 다 . 상기 폴리 실리콘 패턴 ( 7 ) 은 상대 적 으로 높 은 약 500 μΩ ㆍ cm 의 비저항 을 가지 므로 상기 버퍼 패드 ( 11 ) 와 의 접촉 저항 특성 이 나빠질 수 있 다 .