절연 층 ( 116 ) 에 질화 알루미늄 막 을 사용 하 는 경우 , 조성식 이 AlNx ( x 는 0 보다 크 고 2 이하 의 실수 ( 實數 ) , 바람직 하 게 는 x 는 0 . 5 보다 크 고 1 . 5 이하 의 실수 ) 를 만족 시키 는 막 을 사용 하 는 것 이 바람직 하 다 . 이 에 의하 여 , 절연성 이 우수 하 며 , 열 전도성 이 우수 한 막 으로 할 수 있 기 때문 에 , 트랜지스터 ( 100 B ) 를 구동 하 였을 때 발생 되 는 열 의 방열 성 을 높일 수 있 다 .