또한 , 상기 한 목적 을 달성 하 기 위한 다른 측면 에 따른 본 발명 의 비휘발성 메모리 소자 의 제조 방법 은 , 서로 직렬연결 된 복수 의 메모리 셀 을 포함 하 는 비휘발성 메모리 소자 의 제조 방법 에 있 어서 , 기판 상 에 복수 의 게이트 구조물 을 형성 하 는 단계 ; 상기 게이트 구조물 양측 벽 에 스 페이서 를 형성 하 는 단계 ; 상기 스 페이서 를 식각 장벽층 으로 상기 기판 을 식각 하 여 상기 기판 내 에 트렌치 를 형성 하 는 단계 ; 상기 트렌치 가 일부 매립 되 도록 절연 성 의 확산 방지 막 을 형성 하 는 단계 ; 및 상기 스 페이서 사이 가 일부 매립 되 도록 상기 확산 방지 막 상 에 소스 / 드레 인 영역 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .