도 1 a 는 통상 적 인 평 행판 , 용량 성 플 라즈 마 프로세싱 챔버 ( 100 ) 의 측면도 이 다 . 도 1 b 는 통상 적 인 평 행판 , 용량 성 플 라즈 마 프로세싱 챔버 ( 100 ) 에서 프로세싱 되 는 기판 ( 102 ) 의 평면도 이 다 . 통상 적 인 플 라즈 마 프로세스 프로세싱 챔버 ( 100 ) 는 상부 전극 ( 104 ) , 프로세싱 될 기판 ( 102 ) 을 지지 하 기 위한 기판 지 지체 ( 106 ) 를 포함 한다 . 기판 지 지체 ( 106 ) 는 또한 하부 전극 일 수 있 다 . 상부 전극 ( 104 ) 은 통상 적 으로 다수 의 유입 부 ( inlet ) 포트 들 ( 109 ) 을 갖 는 샤워 헤드 타입 전극 이 다 . 다수 의 유입 부 포트 들 ( 109 ) 은 프로세싱 챔버 ( 100 ) 의 폭 에 걸쳐 프로세스 가스 들 ( 110 ) 을 안 으로 허용 한다 .