반도체 웨이퍼 프로세싱 장치 는 제 1 플 라즈 마 생 성 볼륨 에 노출 되 는 제 1 전극 , 제 2 플 라즈 마 생 성 볼륨 에 노출 되 는 제 2 전극 , 및 제 1 플 라즈 마 생 성 볼륨 과 제 2 플 라즈 마 생 성 볼륨 사이 에 배치 된 가스 분배 유닛 을 포함 한다 . 제 1 전극 은 무선 주파수 ( RF ) 파워 를 제 1 플 라즈 마 생 성 볼륨 에 전달 하 고 제 1 플 라즈 마 프로세스 가스 를 제 1 플 라즈 마 생 성 볼륨 에 분배 하 도록 정의 된다 . 제 2 전극 은 RF 파워 를 제 2 플 라즈 마 생 성 볼륨 에 전달 하 고 , 제 2 플 라즈 마 생 성 볼륨 에 대해 기판 을 노출 상태 로 홀딩 하 도록 정의 된다 . 가스 분배 유닛 은 제 1 플 라즈 마 생 성 볼륨 을 제 2 플 라즈 마 생 성 볼륨 에 유체 연결 하 도록 정의 된 스루홀 들 의 배열 을 포함 한다 . 가스 분배 유닛 은 또한 제 2 플 라즈 마 프로세스 가스 를 제 2 플 라즈 마 생 성 볼륨 에 분배 하 도록 정의 된 가스 공급 포트 들 의 배열 을 포함 한다 .