일반 적 으로 실리콘 단결정 잉곳 성장 장치 에서 실리콘 단결정 잉곳 ( ingot ) 은 석영 도가니 에 폴리 실리콘 ( poly silicon ) 과 불순물 ( dopant ) 을 용융 하 여 형성 된 실리콘 용융물 에 인상 장치 를 사용 하 여 시드 를 디 핑 ( dipping ) 시키 고 이 시드 ( Seed ) 와 석영 도가니 를 서로 반대 방향 으로 회전 시키 면서 서서히 시드 를 인상 함 으로써 ( pulling up ) 성장 제조 된다 .