질소 및 인 제거 장치 ( 100 ) 는 호 기조 ( 130 ) 에서 암모니아 성 질소 가 아질산 성 질소 로 산화 되 기 때문 에 , 별도 로 부분 아질산 화조 를 구비 할 필요 가 없 는 장점 을 갖 는다 . 다만 , 별도 의 부분 아질산 화조 가 포함 되 지 않 기 때문 에 , 호 기조 ( 130 ) 에서 산화 되 는 아질산 성 질소 의 농도 가 적절히 조절 되 어야 한다 . 호 기조 ( 130 ) 에서 산화 되 는 아질산 성 질소 는 제 1 무산소 조 ( 120 ) 로 반송 되 거나 제 2 무산소 조 ( 140 ) 로 유입 되 는 것 외 에 도 , 산화 되 지 않 고 잔류 하 는 암모니아 성 질소 가 혐기성 암모늄 산 화조 ( 170 ) 에서 제거 되 는 데 필요 한 양 만큼 의 아질산 성 질소 가 혐기성 암모늄 산 화조 ( 170 ) 로 유입 되 어야 한다 . 따라서 , 호 기조 ( 130 ) 에서 의 산화 는 제 1 무산소 조 ( 120 ) 내 에서 인 용출 후 잔류 하 는 유기물 의 농도 , 제 2 무산소 조 ( 140 ) 로 유입 되 는 유기물 의 농도 , 산화 되 지 않 고 잔류 하 는 암모니아 성 질소 의 농도 및 잔류 하 는 암모니아 성 질소 가 혐기성 암모늄 산 화조 ( 170 ) 에서 제거 되 는 데 필요 한 아질산 성 질소 농도 를 모두 고려 하 여 진행 된다 .