상기 와 같 은 돌기 형 트랜지스터 는 활성 영역 의 노출 된 세 면 모두 에 채널 이 형성 되 기 때문 에 채널 을 통한 전류 구동 ( current drive ) 특성 을 향상 시킬 수 있 는 장점 을 가지 고 있 다 . 따라서 , 상기 와 같 은 장점 으로 인해 , 상기 돌기 형 트랜지스터 구조 는 차세대 초 고집 적 소자 ( device ) 를 구현 할 수 있 는 가장 이상 적 인 구조 로 주목 받 고 있 다 .