SiC 막 의 재생 공정 은 , 실시 형태 1 에서 설명 한 것 과 동일 하 다 . 즉 , 클리닝 실 ( 5 ) 내 에서 서 셉 터 ( S ) 상 에 SiC 막 을 에피 택 셜 성장 시킨다 . 이 때 , 클리닝 처리 의 경우 와 동일 하 게 , 서 셉 터 ( S ) 상 에 더미 웨이퍼 를 재치 해 두 는 것 이 바람직 하 다 . 그리고 , 더미 웨이퍼 아래 의 SiC 막 과 동일 한 정도 의 막 두께 가 될 때 까지 SiC 막 을 에피 택 셜 성장 시킴 으로써 , 서 셉 터 표면 의 SiC 막 을 재생 시킬 수 있 다 . 또한 , 이 재생 처리 는 본 실시 형태 에서 는 클리닝 처리 를 끝낼 때 마다 실시 한다 .