도 2 의 예시 적 인 실시 예 에 도시 된 바 와 같이 , 메모리 셀 은 저장 소자 ( 예 를 들 어 , 커패시터 ) 및 액세스 디바이스 ( 예 를 들 어 , 트랜지스터 ) 를 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 제 1 메모리 셀 은 트랜지스터 ( 202 - 1 ) 및 커패시터 ( 203 - 1 ) 를 포함 할 수 있 고 , 제 2 메모리 셀 은 트랜지스터 ( 202 - 2 ) 및 커패시터 ( 203 - 2 ) 등 을 포함 할 수 있 다 . 이 실시 예 에서 , 메모리 어레이 ( 230 ) 는 1 T 1 B ( 일 트랜지스터 일 커패시터 ) 메모리 셀 의 DRAM 어레이 이 며 , 하지만 다 . 구성 의 다른 실시 예 ( 예 를 들 어 , 메모리 셀 당 2 개 의 트랜지스터 및 2 개 의 커패시터 를 갖 는 2 T 2 C ) 가 사용 될 수 있 다 . 다수 의 실시 예 들 에서 , 메모리 셀 들 은 파괴 적 인 판독 메모리 셀 들일 수 있 다 ( 예 를 들 어 , 셀 에 저장 된 데이터 를 판독 하 는 것 은 셀 에 원래 저장 된 데이터 가 판독 된 후 에 리프 레 쉬 되 도록 데이터 를 파괴 한다 ) .