다양 한 실시 예 에 따르 면 , 연성 회로 기판 ( 300 ) 은 , 제 1 접속 부 ( C 1 ) 에서 , 제 1 커버 레이 ( 3201 ) 를 통해 노출 되 는 제 1 복수 의 도전 성 단자 들 ( 350 ) 을 포함 할 수 있 다 . 한 실시 예 에 따르 면 , 연성 회로 기판 ( 300 ) 은 , 제 1 접속 부 ( C 1 ) 에서 , 제 1 커버 레이 ( 3201 ) 를 통해 노출 되 고 , 제 1 도전 층 ( 320 ) 과 전기 적 으로 연결 되 며 , 제 1 복수 의 도전 성 단자 들 ( 350 ) 보다 제 1 굴곡 부 ( F 1 ) 로부터 더 먼 거리 에 배치 되 는 제 2 복수 의 도전 성 단자 들 ( 360 ) 을 포함 할 수 있 다 . 각각 의 복수 의 도전 성 단자 들 ( 350 , 360 ) 은 별도 의 도전 성 패드 를 통해 외부 로 노출 될 수 도 있 다 한 실시 예 에 따르 면 , 연성 회로 기판 ( 300 ) 은 제 1 굴곡 부 ( F 1 ) 에서 , 제 1 도전 층 ( 320 ) 이 전기 적 으로 단절 된 제 1 단 절부 ( 321 ) 를 포함 할 수 있 다 . 한 실시 예 에 따르 면 , 제 1 단 절부 ( 321 ) 는 제 1 도전 층 ( 320 ) 이 생략 된 도전 층 제거 영역 을 포함 할 수 있 다 . 한 실시 예 에 따르 면 , 제 1 단 절부 ( 321 ) 는 , 연성 회로 기판 ( 300 ) 을 위 에서 바라볼 때 , 제 1 접속 부 ( C 1 ) 와 적어도 부분 적 으로 중첩 될 수 있 다 . 한 실시 예 에 따르 면 , 제 1 접속 부 ( C 1 ) 로부터 연결부 ( C 2 ) 방향 으로 형성 되 는 , 제 1 단 절부 ( 321 ) 의 단절 길이 ( d ) 는 , 제 1 굴곡 부 ( F 1 ) 의 굴곡 정도 에 의해 결정 될 수 있 다 . 예컨대 , 제 1 단 절부 ( 321 ) 의 단절 길이 ( d ) 는 , 제 1 굴곡 부 ( F 1 ) 의 굴곡 정도 ( 예 : 굴곡 각도 ) 가 클수록 더 커질 수 있 다 . 한 실시 예 에 따르 면 , 제 2 복수 의 도전 성 단자 들 ( 360 ) 은 , 제 1 접속 부 ( C 1 ) 에서 , 유전체 기판 ( 310 ) 에 배치 되 는 적어도 하나 의 제 1 도전 성 비아 ( 311 ) 를 통해 제 2 도전 층 ( 330 ) 과 전기 적 으로 연결 될 수 있 다 .