몇몇 실시 예 에서 , 배리어 층 ( 118 ) , 예 를 들 어 , 실리콘 질화물 층 은 , 예 를 들 어 , 고온 ( 예 를 들 어 , 1 , 000 ℃) 에피 택 셜 성장 프로세스 중 에 가공 된 기판 이 존재 할 수 있 는 반도체 프로세싱 챔버 의 환경 으로 , 코어 에 존재 하 는 요소 들 , 예 를 들 어 , 이트륨 ( yttrium ) ( 원소 ) , 산화 이트륨 ( 즉 , 이트리아 ( yttria ) ) , 산소 , 금속 불순물 , 다른 미량 성분 등 이 확산 및 / 또는 배출 되 는 것 을 방지 한다 . 본 명세서 에 설명 된 캡슐 화 층 을 이용 하 면 , 비 청정실 환경 을 위해 설계 된 다결정 성 AlN 을 포함 하 는 세라믹 물질 들 이 반도체 프로세스 공정 및 청정실 환경 에서 이용 될 수 있 다 .