본 발명 에 따른 양성자 전도성 고분자 막 에서 지르코늄 포스 페이트 는 단순히 균일 하 게 혼입 되 어 있 는 상태 가 아니 라 , 이미 형성 되 어 있 는 고분 자막 을 염화 지르코늄 용액 및 인산 용액 에 차례 로 침지 시키 는 것 에 의해 상기 고분자 막 의 주 쇄 에 존재 하 는 술폰산기 의 산소 원자 와 지르코늄 원자 간 에 화학 적 결합 이 형성 되 도록 함 으로써 상기 고분자 막 내 에서 가교제 로서 의 역할 을 하 여 영구 적 으로 존재 하 게 된다 . 따라서 , 전지 의 작 동시 에 도 상기 지르코늄 포스 페이트 가 상기 고분자 막 에서 용출 될 우려 가 없 다 .