상술 한 순수 실리콘 의 Pv 영역 에 헤이즈 가 미치 는 영향 을 최소 화 하 기 위해 암모니아 ( NH 3 ) 가스 의 유량 및 급속 열처리 의 열처리 시간 , 온도 를 변화 시켜 실험 한 결과 , 낮 은 온도 및 미량 의 암모니아 ( NH 3 ) 가스 를 사용 할 경우 충분 한 BMD 형성 이 되 지 않 을 뿐 만 아니 라 디누 드 존 이 증가 하 는 경향 이 있 었 다 . 공정 온도 및 암모 니 아 ( NH 3 ) 가스 의 사용량 을 증가 시키 면 디누 드 존 은 감소 하 지만 , 헤이즈 에 의한 Pv 영역 의 산소 석출 물 은 일반 영역 보다 오히려 증가 하 는 경향 이 있 었 다 .