또한 , 도 12 a 및 도 12 b 에 도시 된 바 와 같이 , 게이트 공간 ( 55 ) 내 의 지지 층 ( 20 ) 이 제거 되 어 CNT ( 100 ) 를 해제 한다 . 지지 층 ( 20 ) 은 플라 즈 마 건식 에칭 및 / 또는 습식 에칭 을 사용 하 여 CNT ( 100 ) 에 대해 선택 적 으로 제거 될 수 있 다 . 지지 층 ( 20 ) 이 폴리 실리콘 또는 비정질 실리콘 이 고 제 1 ILD 층 ( 50 ) 이 실리콘 산화물 인 경우 , TMAH 용액 과 같 은 습식 에 천 트 가 사용 된다 . 희생 게이트 전극 층 ( 40 ) 과 지지 층 ( 20 ) 이 동일 한 재료 로 제조 되 는 경우 , 희생 게이트 전극 층 ( 40 ) 의 제거 및 지지 층 ( 20 ) 의 제거 는 동일 한 에칭 작업 에 의해 수행 된다 .