전자 제품 의 경박 단소 화 경향 에 따라 반도체 장치 의 고집 적 화 에 대한 요구 가 증가 하 고 있 다 . 반도체 장치 의 다운 스케일링 에 따라 , 트랜지스터 의 단채 널 효과 ( short channel effect ) 가 발생 하 여 반도체 장치 의 신뢰 성 이 저하 되 는 문제 가 있 다 . 단 채널 효과 를 감소 시키 기 위하 여 핀 형 활성 영역 을 포함 하 는 반도체 장치 가 제안 되 었 다 . 그러나 , 디자인 룰 이 감소 함 에 따라 핀 형 활성 영역 을 포함 하 는 반도체 장치 의 제조 공정 의 정밀 한 조절 이 어려워진다 .