메모리 블록 은 데이터 를 지우 는 단위 일 수 있 다 . 실시 예 에서 , 메모리 장치 ( 100 ) 는 DDR SDRAM ( Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory ) , LPDDR 4 ( Low Power Double Data Rate 4 ) SDRAM , GDDR ( Graphics Double Data Rate ) SDRAM , LPDDR ( Low Power DDR ) , RDRAM ( Rambus Dynamic Random Access Memory ) , 낸드 플래시 메모리 ( NAND flash memory ) , 수직 형 낸드 플래시 메모리 ( Vertical NAND ) , 노아 플래시 메모리 ( NOR flash memory ) , 저항성 램 ( resistive random access memory : RRAM ) , 상변화 메모리 ( phase - change memory : PRAM ) , 자기 저항 메모리 ( magnetoresistive random access memory : MRAM ) , 강유전체 메모리 ( ferroelectric random access memory : FRAM ) , 스핀 주입 자화 반전 메모리 ( spin transfer torque random access memory : STT - RAM ) 등 이 될 수 있 다 . 본 명세서 에서 는 설명 의 편의 를 위해 , 메모리 장치 ( 100 ) 가 낸드 플래시 메모리 인 경우 를 가정 하 여 설명 한다 .