따라서 , 위치 선택 적 으로 상기 단분자막 을 형성 하 고자 한 경우 에 는 , 레지스 트 막 에 의한 보호 가 유용 하 지만 , 마이크로미터 오더 정도 의 정밀도 를 필요 로 하 는 패턴 형성 을 위해 상식 적 으로 사용 되 는 노볼락 형 레지스 트 나 , 약간 과잉 의 미세화 성능 을 갖 는 KrF 엑 시머 레이저 용 으로 개발 된 반도체 가공 용 레지스 트 를 사용 한 경우 , 레지스 트 막 자체 도 상기 단분자막 형성 용 재료 와 반응 하 여 레지스 트 막 상 에 도 단분자막 이 형성 되 어 버리 기 때문 에 , 위치 선택 적 인 성막 에 는 매우 번잡 한 조작 이 필요 하 였 다 .