상기 비정질 실리콘 을 다 결정 실리콘 으로 결정 화 하 는 방법 은 고상 결정 화법 ( Solid Phase Crystallization ) , 엑 시머 레이저 결정 화법 ( Excimer Laser Crystallization ) , 금속 유도 결정 화법 ( Metal Induced Crystallization ) 및 금속 유도 측면 결정 화법 ( Metal Induced Lateral Crystallization ) 등 이 있 는데 , 고상 결정 화법 은 비정질 실리콘 층 을 박막 트랜지스터 가 사용 되 는 디스플레이 소자 의 기판 을 형성 하 는 물질 인 유리 의 변형 온도 인 약 700 ℃ 이하 의 온도 에서 수 시간 내지 수십 시간 에 걸쳐 어닐링 하 는 방법 이 고 , 엑 시머 레이저 결정 화법 은 엑 시머 레이저 를 비정질 실리콘 층 에 주사 하 여 매우 짧 은 시간 동안 국부 적 으로 높 은 온도 로 가열 하 여 결정 화 하 는 방법 이 며 , 금속 유도 결정 화법 은 니켈 , 팔라듐 , 금 , 알루미늄 등 의 금속 을 비정질 실리콘 층 과 접촉 시키 거나 주입 하 여 상기 금속 에 의해 비정질 실리콘 층 이 다 결정 실리콘 층 으로 상 변화 가 유도 되 는 현상 을 이용 하 는 방법 이 고 , 금속 유도 측면 결정 화법 은 금속 과 실리콘 이 반응 하 여 생성 된 실리사이드 가 측면 으로 계속 하 여 전파 되 면서 순차 로 비정질 실리콘 층 의 결정화 를 유도 하 는 방법 을 이용 하 는 결정 화 방법 이 다 .