다음 에 도전 막 ( 512 ) 위 에 레지스 트 마스크 를 선택 적 으로 형성 한다 . 그리고 , 2 번 의 에칭 처리 에 의해 , 2 층 구조 의 도전 막 ( 515 ∼ 518 ) 이 형성 된다 ( 도 18 d 참조 ) . 도전 막 ( 515 ) 은 용량 선 CL 이 며 , 도전 막 ( 516 ) 은 주사선 SL 이 며 , 도전 막 ( 517 ) 은 리셋 용 주사선 RL 이 다 . 또한 도전 막 ( 518 ) 은 , CMOS 인버터 회로 의 출력 배선 이 다 .