도 1 에 도시 된 바 와 같 은 메모리 셀 어레이 의 동작 에서 , 워드 라인 디코더 ( 110 ) 는 이중 장치 드라이버 들 ( 113 , 115 , 117 , 119 ) 을 제어 하 며 , 그 각각 은 워드 라인 들 ( 112 , 114 , 116 , 118 ) 중 하나 를 구동 한다 . 이중 장치 드라이버 들 ( 113 , 115 , 117 , 119 ) 각각 은 워드 라인 디코더 ( 110 ) 와 워드 라인 들 ( 112 , 114 , 116 , 118 ) 중 하나 사이 에 병렬 로 연결 된 PMOS 트랜지스터 ( 162 ) 및 NMOS 트랜지스터 ( 161 ) 를 포함 할 수 있 다 . 도시 된 예 에서 , NMOS 트랜지스터 ( 161 ) 는 전역 워드 라인 선택 전압 원 ( 170 ) ( V ( WL SEL ) ) 에 연결 되 며 ( 예 를 들 면 , NMOS 트랜지스터 의 소스 영역 은 전역 워드 라인 선택 전압 원 ( 170 ) ( V ( WLUSEL ) 에 연결 된다 ) , 드레 인 은 워드 라인 ( 112 , 114 , 116 , 118 ) 에 연결 된다 . 메모리 셀 어레이 ( 100 ) 는 주 서플라이 전압 ( VPP ) 을 가질 수 있 다 . 워드 라인 선택 전압 원 ( 170 ) 은 메모리 셀 들 을 통한 누설 의 량 을 제어 하 기 위해 다양 한 상대 적 전압 들 이 선택 될 수 있 을지라도 , 대략 접 지 전압 ( GND ) , 즉 , 접지 전압 과 동일 한 워드 라인 선택 전압 을 제공 한다 . 일반 적 으로 , 바이어 싱 전압 들 은 메모리 셀 들 의 턴 - 온 전압 들 을 감안 하 기 위해 조절 될 수 있 다 . 워드 라인 비 선택 전압 원 ( 160 ) ( V ( WLUSEL ) ) 은 약 1 V 내지 VPP 이 다 . 따라서 , 워드 라인 디코더 ( 110 ) 가 선택 제어 전압 을 이중 장치 드라이버 들 ( 113 , 115 , 117 , 119 ) 에 인가 하 였을 때 , 각 NMOS 트랜지스터 ( 161 ) 이 작동 되 어 워드 라인 선택 전압 을 워드 라인 들 ( 112 , 114 , 116 , 118 ) 각각 에 인가 하 며 ( 예 를 들 면 , NMOS 드레 인 을 통해 ) , PMOS 트랜지스터 ( 162 ) 는 비 작동 된다 . 반대 로 , 워드 라인 디코더 ( 110 ) 가 비 선택 제어 전압 을 이중 장치 드라이버 들 ( 113 , 115 , 117 , 119 ) 에 인가 하 였을 때 , PMOS 트랜지스터 ( 162 ) 가 작동 ( 예 를 들 면 , 워드 라인 비 선택 전압 원 ( 160 ) 이 PMOS 소스 에 인가 된다 ) 되 어 워드 라인 비 선택 전압 을 워드 라인 들 ( 112 , 114 , 116 , 118 ) 에 인가 하 고 , NMOS 트랜지스터 ( 161 ) 는 비 작동 된다 .