또한 , 본 발명 의 실시 예 에 따른 이미지 센서 의 제조 방법 은 제 1 트랜스퍼 트랜지스터 를 포함 하 는 제 1 단위 화소 를 형성 하 는 단계 ; 제 2 드라이브 트랜지스터 를 포함 하 는 제 2 단위 화소 를 형성 하 는 단계 ; 및 상기 제 1 단위 화소 의 플로팅 디 퓨전 영역 과 상기 제 2 드라이브 트랜지스터 를 전기 적 으로 연결 하 는 컨 택 을 형성 하 는 단계 ; 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .