따라서 , 본 발명 에 따르 면 전극 이 제공 된다 . 상기 전극 은 조면 화 된 표면 을 가지 는 도전 성 재료 를 포함 한다 . 상기 표면 은 , 전극 표면 상 에 흡수 된 분자 로부터 표면 강화 라만 산란 을 생산 할 수 있 도록 조면 화 된다 . 적절 한 피 흡수 질 은 이하 상세히 기재 된다 . 입사 광자 ( incident photon ) 가 피 흡수 질 - 피복 된 금속 표면 과 상호 작용 할 때 , 이 들 은 비탄성 적 으로 산란 되 어 광자 가 에너지 를 얻 거나 잃 는다 . 따라서 , 산란 된 광자 는 주파수 에 있 어 이동 된다 . 이러 한 비탄성 산란 이 라만 산란 이 라 불리운다 . 적절 하 게 조면 화 된 금속 표면 에서 피 흡수 질 로부터 의 라만 산란 된 광 의 강도 는 , 피 흡수 질 의 낮 은 표면 농도 에 대해 기대 되 는 것 이상 으로 강화 되 며 , " 따라서 "" 표면 강화 라만 산란 "" 또는 SERS 로 불리운다 . SERS 를 생성 하 기 위해 필요 한 표면 의 정확 한 구조 적 특징 에 대하 여 는 과학 계 에서 일부 논쟁 이 있 으나 ", 실험 에 따르 면 , 예 를 들 어 전기 화학 적 조면 화 ( electrochemical roughening ) 가 이러 한 효과 를 생성 할 수 있 다 . 본 명세서 에 기재 된 바 와 같이 , 다른 타입 의 표면 처리 역시 피 흡수 질 분자 로부터 표면 강화 라만 산란 을 생성 할 수 있 다 . 따라서 , 피 흡수 질 분자 로부터 표면 강화 라만 산란 을 생산 할 수 있 는 표면 은 , 라만 산란 을 생산 할 수 있 는 것 으로 당해 기술 분야 의 통상 의 기술자 에게 공지 된 모든 적절 한 표면 을 지칭 하 고자 하 는 것 이 다 .