또한 금속 질화물 을 사용 하 는 경우 에 는 알루미늄 , 타이타늄 , 탄탈럼 , 텅스텐 , 크로뮴 , 또는 루테늄 의 질화물 을 사용 하 는 것 이 바람직 하 다 . 특히 , 알루미늄 또는 타이타늄 을 포함 하 는 것 이 바람직 하 다 . 예 를 들 어 , 알루미늄 을 스퍼터링 타깃 에 사용 하 고 , 성막 가스 로서 질소 를 포함 한 가스 를 사용 한 반응 스퍼터링 법 으로 형성 한 질화 알루미늄 막 은 , 성막 가스 의 유량 전체 에 대한 질소 가스 의 유량 을 적절히 제어 함 으로써 , 매우 높 은 절연 성 과 , 수소 나 산소 에 대한 매우 높 은 차단성 을 겸비 한 막 으로 할 수 있 다 . 그러므로 이 와 같 은 금속 질화물 을 포함 한 절 연막 을 반도체 층 에 접하 여 제공 함 으로써 , 반도체 층 을 저 저항 화 시킬 수 있 을 뿐 만 아니 라 , 반도체 층 으로부터 산소 가 이탈 되 는 것 , 및 반도체 층 으로 수소 가 확산 되 는 것 을 적합 하 게 방지 할 수 있 다 .