기판 ( 100 ) 상 에 순차 적 으로 절연 층 ( 101 ) 과 부유 바디 셀 ( 102 ) 이 형성 될 수 도 있 고 , 기판 내부 에 절연 층 ( 101 ) 이 형성 되 어 기판 이 세 부분 즉 , 기판 ( 100 ) , 절연 층 ( 101 ) 및 부유 바디 셀 ( 102 ) 로 나뉘 어 질 수 있 다 . 여기 서 , 절연 층 ( 101 ) 이 기판 내부 에 형성 된 기판 을 에스오 아이 ( Silicon On Insulator , 이하 SOI ) 기판 이 라 한다 . SOI 기판 의 종류 에 는 PD SOI ( Partially Depleted Silicon On Insulator ) 와 FD SOI ( Fully Depleted Silicon On Insulator ) 기판 이 있 다 . 이 중 본 발명 의 일 실시 예 에서 는 부유 바디 셀 ( 102 ) 의 두께 가 채널 의 최대 공핍 폭 보다 두꺼운 PD SOI ( Partially Depleted Silicon On Insulator ) 기판 을 이용 한다 . 이러 한 PD SOI 기판 ( 100 , 101 , 102 ) 은 홀 을 축적 하 기 위한 부유 바디 셀 ( 102 ) 을 제공 하 기 위함 이 다 .