도 3 과 도 5 를 참조 하 면 , 판독 전압 ( Vread ) 이 적절 하 게 선택 될 때 에 , 메모리 셀 에 대한 판독 동작 의 판독 마진 ( RM ) 이 개선 된다 . 예 를 들 어 , 메모리 셀 이 고저 항 상태 인 경우 , 메모리 셀 의 메모리 엘리먼트 는 셀 렉터 엘리먼트 에 의해 비트 라인 으로부터 절연 된다 . 도 5 에 도시 하 는 바 와 같이 , 고저 항 상태 를 가진 메모리 셀 의 관통 전류 는 제로 볼트 에 가깝 다 . 한편 , 메모리 셀 이 저 저항 상태 인 경우 , 셀 렉터 엘리먼트 는 턴 온 되 고 , 메모리 셀 에 저장 된 데이터 는 비트 라인 에 출력 된다 .