상기 와 같 은 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 트랜지스터 는 , 소자 분리 막 에 의해 한정 되 며 , 게이트 형성 영역 의 중앙부 가 돌출 된 활성 영역 을 갖 는 반도체 기판 ; 활성 영역 의 돌출부 를 포함 한 기판 부분 상 에 형성 된 게이트 ; 및 게이트 양측 의 활성 영역 내 에 형성 된 소오 스 / 드레 인 영역 ; 을 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .