다음 으로 , 도 2 b 에 도시 한 바 와 같이 , 상기 듀얼 다 마신 패턴 ( 27 ) 을 포함 한 전체 구조 의 표면 을 따라 확산 방지 도전 층 ( 28 ) 을 형성 한다 . 상기 확산 방지 도전 층 ( 28 ) 은 , TiN 을 이온 화 ( ionized ) PVD , 화학 적 기상 증착 ( chemical vapor deposition : CVD ) 및 금속 유기 화학 적 기상 증착 법 ( metal organic chemical vapor deposition : MOCVD ) 중 어느 하나 의 방법 으로 증착 하 여 형성 하 거나 , Ta 또는 TaN 을 이온 화 PVD 또는 CVD 법 으로 증착 하 여 형성 하 거나 , WN 를 CVD 법 으로 증착 하 여 형성 하 거나 , TiAlN , TiSiN 및 TaSiN 중 어느 하나 를 PVD 또는 CVD 법 으로 증착 하 여 형성 할 수 있 다 .