이어서 , 레지스 트 ( 6 a 및 6 b ) 를 마스크 로 이용 하 고 에칭 가스 로서 탄화 플루오르 를 이용 한 건식 에칭 에 의해 실리콘 산화 막 ( 5 ) 을 처리 하 여 좁 은 폭 패턴 과 넓 은 폭 패턴 으로 패 터닝 되 게 한다 . 필요 하 다면 , 제 1 실시 예 에서 와 유사 하 게 , 패턴 전사 시 실리콘 산화 막 ( 5 ) 에 대한 슬 리밍 처리 를 수행 할 수 있 다 . 그렇지만 , 이 경우 에서 는 , 슬 리밍 처리 후 의 좁 은 폭 패턴 에서 의 라인 - 스페이스 의 비율 이 1 : 3 보다 크 게 형성 된다 . 또한 , 산소 가스 를 이용 한 건식 에칭 을 이용 하 여 유기 재료 막 ( 4 ) 을 수직 처리 하 고 , 레지스 트 ( 6 a 및 6 b ) 를 제거 하 며 , 이 상태 에서 , 실리콘 산화 막 ( 5 ) 과 유기 재료 막 ( 4 ) 에 와이더 라인 의 패턴 및 라인 - 스페이스 가 형성 된다 ( 도 6 b ) .