본 출원 의 발명자 들 은 플 라즈 마 화학 기상 증착 ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ; PECVD ) 을 이용 한 산화 막 증착 에 관한 연구 과정 에서 , 플라 즈 마 CVD 반응 장치 는 열 CVD 에 비해 복잡 할 뿐 만 아니 라 증착 변수 인 기판 온도 , 가스 유 량 비 , 압력 에 대해 플 라즈 마 를 발생 시키 는 고주파 전력 , 주파수 , 전극 구조 및 재질 , 배기 능력 , 플라 즈 마 발생 방식 등 이 매우 다양 하 여 박막 의 특성 제어 성 도 낮 은데 특히 , 반응 가스 조성 비 및 RF 파워 가 웨이퍼 의 휨 ( warpage ) 또는 구 부러짐 ( bow ) 에 큰 영향 을 미치 는 것 을 발견 하 고 , 본 발명 을 완성 시키 기 에 이르 렀다 .