시 딩 24 시간 후 에 화합물 첨가 를 시작 하 였으며 , 동시 에 T 0 를 측정 하 였 다 . 사전 에 측정 된 각 화합물 의 IC 50 값 의 4 배 , 2 배 , 1 배 , 0 . 5 배 , 0 . 25 배 및 0 . 125 배 인 일련 의 희 석물 을 96 - 딥 웰 플레이트 ( 96 - deep well plate ) 에서 , 상기 플레이트 의 모서리 를 가장 높 은 농도 로 하 여 제조 하 였 다 . 6 개 의 희 석물 을 각각 삼중 으로 첨가 하 고 , 완전 배지 를 세포 없이 빈 외부 열 에 첨가 하 였 다 . 화합물 을 단독 으로 또는 화합물 III ( LBH 589 ) 과 의 조합 으로 플레이트 에 첨가 하 였 다 . 플레이트 를 시 딩 이후 72 시간 동안 37 ℃ 에서 인 큐 베이 션 하 였 다 . MTS 용액 을 첨가 하 고 ( T 0 플레이트 에서 와 같이 ) , 4 시간 후 에 판독 하 였 다 . 데이터 를 분석 하 기 위해 , 각 실험 웰 에서 배지 단독 ( 배경 ) 의 평균 값 을 빼 고 , 각 화합물 희석 물 에 대해 삼중 값 을 평균 내 었 다 . 성장률 ( ％) 을 계산 하 기 위해 하 기 식 을 사용 하 였 다 .