이때 , 감쇠 형 PSM 마스크 ( 300 ) 를 사용 하 면 도 6 의 웨이퍼 상 의 광 세기 그래프 에 제시 된 바 와 같이 사이드 로브 ( side lobe ) 가 발생 하 게 된다 . 이 사이드 로브 는 통상 적 인 포토 ( photo ) 공정 에서 는 공정 마진 ( margin ) 을 감소 시키 는 요소 로 인식 되 지만 , 본 발명 의 실시 예 에서 는 사이드 로브 의 세기 및 위치 를 조절 하 여 인위 적 으로 라운드 형태 의 포토레지스트 패턴 을 만들 수 있 다 .