제 2 게이트 절 연막 ( 114 ) 은 제 2 반도체 패턴 ( 310 ) 의 제 2 소스 영역 ( 310 S ) 및 제 2 드레 인 영역 ( 310 D ) 을 노출 할 수 있 다 . 제 2 반도체 패턴 ( 310 ) 의 제 2 소스 영역 ( 310 S ) 및 제 2 드레 인 영역 ( 310 D ) 은 제 2 게이트 절 연막 ( 114 ) 과 중첩 하 지 않 을 수 있 다 . 예 를 들 어 , 제 2 게이트 절 연막 ( 114 ) 은 제 2 반도체 패턴 ( 310 ) 이 형성 된 소자 기판 ( 100 ) 상 에 게이트 절연 물질 층 을 형성 하 는 공정 및 제 2 반도체 패턴 ( 310 ) 의 제 2 소스 영역 ( 310 S ) 및 제 2 드레 인 영역 ( 310 D ) 을 덮 는 게이트 절연 물질 층 을 제거 하 는 공정 을 포함 할 수 있 다 . 제 2 반도체 패턴 ( 310 ) 의 제 2 반도체 패턴 ( 310 ) 의 제 2 소스 영역 ( 310 S ) 및 제 2 드레 인 영역 ( 310 D ) 은 게이트 절연 물질 층 의 제거 공정 에 사용 되 는 식각 용액 ( etchant ) 에 의해 도체 화 될 수 있 다 .