이어서 , 상기 제 1 포토레지스트 패턴 ( 109 ) 을 애 싱 공정 에 의해 식각 하 여 , 상기 제 1 포토레지스트 패턴 ( 109 ) 의 두께 를 감소 시킨다 . 상기 애 싱 공정 은 상기 소오 스 / 드레 인 전극 을 형성 하 기 위한 영역 의 중앙 영역 에 대응 된 상기 금속 물질 ( 105 ) 이 노출 될 때 까지 수행 될 수 있 다 . 이 와 같이 상기 제 1 포토레지스트 패턴 ( 109 ) 의 두께 가 감소 되 어 제 2 포토레지스트 패턴 ( 109 ') 으로 형성 될 수 있 다 .