본 발명 의 실시 예 에 따른 FET 센서 ( 200 ) 는 하 면 부 가 백사이드 절연 층 ( 207 ) 에 의해 절연 되 고 , 양 측면 과 상부 면 이 얇 은 보호막 ( 208 ) 에 의해 둘러싸여 밀봉 되 기 때문 에 두꺼운 에폭시 수지 를 사용 한 기존 의 반도체 센서 와 는 달리 마이크 로 한 환경 에서 보다 효율 적 으로 센서 링 을 하 는 것 이 가능 한 것 이 다 .