도 3 a 는 텅스텐 플러그 를 형성 하 는 방법 중 주요 작업 을 보여 주 는 공정 흐름 시트 이 다 . 먼저 , 작업 ( 301 ) 에서 , 통상 적 으로 접촉 홀 ( contact hole ) 이 실리콘 옥사이드 층 내 에 형성 되 어 , 아래 위치 하 는 전 도성 구역 이 노출 된다 . 상기 전 도성 구역 은 Si , Si / Ge , NiSi , CoSi 등 의 실리콘 , 또는 실리사이드 소스 및 / 또는 드레 인 구역 일 수 있 지만 , 특정 실시 예 에서 , 또한 전 도성 구역 은 아래 위치 하 는 금속 층 일 수 있 다 . 노출 된 전도성 물질 ( 가령 , 실리콘 , 또는 실리사이드 소스 / 드레 인 , 또는 금속 층 ) 이 선택 적 으로 세정 된다 ( 303 ) . 이때 , 접촉 홀 을 무 ( 無 ) 할로겐 텅스텐 함유 유기 금속 성 전구체 및 환원제 에 노출 시킴 으로써 , 극 박 텅스텐 풍부 층 이 증착 된다 ( 305 ) . 층 은 임의 의 적합 한 방법 으로 증착 될 수 있 는데 , 예 를 들 어 , 화학 기상 증착 타입 공정 에서 접촉 홀 을 유기 금속 전구체 와 환원제 에 동시 에 노출 시킴 으로써 , 또는 원자 층 증착 ( ALD ) , 또는 펄스 화 핵 생성 층 ( PNL : pulsed nucleation layer ) 타입 공정 에서 유기 금속 전구체 의 교대 펄스 와 환원제 를 유입 함 으로써 , 증착 될 수 있 다 . 환원제 는 수소 , 암모니아 , 메탄 , 에탄 , 에틸렌 및 실란 일 수 있 다 ( 그러나 이 에 제한 받 지 않 음 ) . ALD 타입 공정 에서 , 환원제 는 활성 화 ( 가령 , 수소 원자 ) , 또는 비활성 화 될 수 있 다 . 직접 ( 또는 원격 ) 플라스마 발생기 ( plasma generator ) , 또는 열분해 로 ( thermal cracker ) 등 에 의해 , 활성 화 된 환원제 종 ( reducing agent species ) 이 생성 될 수 있 다 . 이온 - 유도 된 ALD , 즉 iALD 가 사용 될 수 있 다 . 증착 된 필름 은 텅스텐 - 풍부 필름 이 며 , 특정 실시 예 에서 , 텅스텐 과 텅 세텐 카바이드 의 혼합물 이 다 . 또한 산소 와 질소 가 필름 에 제공 될 수 있 다 . 상기 필름 은 접촉 홀 에 등각 ( conformal ) 이 도록 , 그리고 희망 두께 까지 로 증착 된다 . 앞서 나타난 바 와 같이 , 예 를 들 어 , 약 10 - 20 옹스트롬 만큼 의 매우 얇 은 층 이 바람직 하 다 . 이 는 텅스텐 - 풍부 유기 금속 필름 ( W / WC 필름 ) 이 연속 이 도록 나타나 며 , 이 들 두께 에서 바람직 한 접착성 을 갖 기 때문 에 가능 하 다 . 이하 에서 더 설명 될 바 와 같이 , 저항률 은 텅스텐 나이트 라이드 , 또는 티타늄 타이트 라이드 장벽 층 에 필적 하 거나 , 더 낮 다 . 텅스텐 - 풍부 층 을 증착 한 후 , 작업 ( 307 ) 에서 , 텅스텐 핵 생성 층 이 증착 된다 . 이 는 PNL , 또는 ALD 공정 에 의해 이뤄질 수 있 다 . 그 후 , CVD 공정 에 의해 벌크 텅스텐 층 이 증착 되 어 , 플러그 를 형성 할 수 있 다 ( 309 ) . 통상 적 으로 , 할로겐 - 함유 전구체 ( WF 6 ) 가 핵 생 성 및 벌크 텅스텐 증착 공정 에 대하 여 사용 된다 . 특정 실시 예 에서 , 중간 에 삽입 되 는 핵 생성 층 증착 없이 , CVD 벌크 층 이 텅스텐 - 풍부 장벽 층 상 에 직접 증착 된다 . 텅스텐 플러그 를 형성 한 후 , 뒤따르 는 공정 작업 , 가령 , 화학 기계 적 평탄 화 , 또는 에칭 백 ( etchback ) , 또는 패턴 처리 가 수행 된다 .