그러 한 기술 은 자기장 과 같 은 필드 ( field ) 와 연관 된 피 감지 매개변수 의 측정 을 포함 할 수 있 다 . 하나 의 형태 에서 , 자기 센서 는 자기 적 구성 요소 가 센서 에 대해서 이동 될 때 피 감지 자기장 의 변화 를 감지 한다 . 다른 실시 예 에서 , 센서 시스템 은 물체 가 자기장 내 에 배치 될 때 및 / 또는 자기장 을 통해서 이동 될 때 자기장 의 특성 및 / 또는 변화 를 감지 할 수 있 다 . 필드 의 변경 은 피 감지 지역 내 의 피 감지 요소 의 위치 와 관련 된 피 감지 매개변수 의 특성 을 변화 시킨다 . 그러 한 실시 예 에서 , 피 감지 매개변수 는 커패시턴스 , 전도도 , 저항 , 임피던스 , 전압 , 인덕턴스 등 일 수 있 다 . 예 를 들 어 , 자기 - 저항 유형 의 센서 가 인가 자기장 의 왜곡 을 검출 하 고 , 이 는 센서 의 요소 의 저항 의 특성 적 변화 를 초래 한다 . 다른 예 로서 , 홀 효과 ( Hall effect ) 센서 가 인가 자기장 의 왜곡 으로부터 초래 되 는 전압 의 변화 를 검출 한다 .