이어서 , 반도체 기판 ( 10 ) 이 드러날 때 까지 CMP ( Chemical Mechanical Polishing ) 공정 을 수행 함 으로써 게이트 하부 용 도전 막 ( 13 ) 을 홈 ( A ) 내부 에 매립 시켜 게이트 하부 ( 13 a ) 를 형성 한다 . 이때 , CMP 공정 은 반도체 기판 ( 10 ) 의 표면 으로부터 50 Å 정도 아래 의 지점 ( 점선 부분 참조 ) 을 연마 의 타 겟 ( target ) 으로 하 여 수행 되 는 것 이 바람직 하 다 .