상기 게이트 전극 ( 12 ) , 제 1 배선 ( 12 a ) , 소스 및 드레 인 전극 ( 14 , 14 ') 및 제 2 배선 ( 14 a ) 중 적어도 하나 와 같 은 도전 막 들 은 전술 한 바 와 같이 매우 낮 은 표면 조도 를 가지 는 바 , 상기 도전 막 들 은 그 표면 에 불 규칙 하 게 형성 되 는 돌출부 를 실질 적 으로 갖 지 않 는다 . 그 결과 , 이 와 같 은 도전 막 을 구비 한 박막 트랜지스터 가 예 를 들 어 , 유기 발광 표시 장치 에 구비 될 경우 , 상기 도전 막 들 상부 에 구비 될 수 있 는 층 들 ( 예 를 들 면 , 절연 층 , 유기 발광 소자 의 유기 층 등 ) 과 , 통전 되 는 것 이 방지 될 수 있 고 , 기생 캐 패 시 턴 스가 형성 되 는 것 도 방지 될 수 있 다 . 또한 , 상기 도전 막 들 의 저항 도 균일 하 게 형성 될 수 있 어 , 박막 트랜지스터 의 전기 적 특성 이 전체 적 으로 향상 될 수 있 다 .