복수 의 후면 전계 부 ( 122 ) 는 기판 ( 110 ) 과 동일 한 도전 성 타입 의 불순물 이 기판 ( 110 ) 보다 고농도 로 함유 한 불순물 , 예 를 들 어 n ++ 부이 다 . 이 와 같 은 복수 의 후면 전계 부 ( 122 ) 는 결정질 실리콘 기판 ( 110 ) 과 동일 한 도전 성 타입 의 불순물 ( n ++) 이 확산 동정 을 통하 여 고농도 로 함유 되 어 형성 될 수 있 다 .