본 발명 은 a - IGZO 산화물 박막 의 제조 방법 에 관한 것 으로서 , 더욱 상세 하 게 는 주로 인듐 ( In ) , 갈륨 ( Ga ) , 아연 ( Zn ) , 및 산소 ( O ) 를 구성 원소 로 하 는 산화물 소 결체 를 스퍼터링 타깃 으로 하 여 스퍼터링 법 에 의해 a - IGZO 산화물 박막 을 제조 하 는 방법 에 관한 것 이 다 . 또 , 본 발명 은 상기 제조 방법 을 이용 한 트랜지스터 , 나아가 서 는 액티브 매트릭스 구동 표시 패널 의 제조 방법 에 관한 것 이 다 .