도 2 에 도시 된 바 와 같이 , 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 기판 지지대 ( 100 ) 의 디스크 ( 10 ) 는 , 적어도 하나 의 기판 ( S ) 을 지지 하 고 공정 챔버 ( 600 ) 의 처리 공간 에 회전 가능 하 게 설치 될 수 있 도록 원판 형상 으로 형성 될 수 있 다 . 예컨대 , 디스크 ( 10 ) 는 , 디스크 ( 10 ) 의 외부 에 별도 로 설치 된 히터 에 의해 공정 온도 로 가열 되 어 , 포켓 홈 부 ( 30 ) 에 안착 되 는 기판 ( S ) 을 박막 을 증착 하 는 공정 또는 박막 을 식각 하 는 공정 이 가능 한 상기 공정 온도 로 가열 시킬 수 있 다 .