상기 제 1 반도체 층 내 에 불순물 영역 을 형성 하 는 단계 는 , BN 웨이퍼 상 에 HBO 2 막 을 형성 하 는 단계 ; 보트 내 에 상기 BN 웨이퍼 를 로딩 시키 는 단계 ; 상기 BN 웨이퍼 와 마주 보 도록 상기 반도체 기판 을 보트 내 에 로딩 시키 는 단계 ; 및 상기 보트 내 의 공정 온도 를 상승 시켜 BN 웨이퍼 의 소스 물질 을 상기 반도체 기판 으로 확산 시키 는 단계 ; 및 상기 보트 를 질소 ( N 2 ) 분위기 에서 열처리 하 는 단계 를 포함 하 는 것 이 바람직 하 다 .