일 실시 예 에 따르 면 , 상기 게터 링 영역 은 상기 소자 반도체 층 내 에 배치 될 수 있 다 . 이 경우 에 , 상기 게터 링 영역 은 반도체 에 상기 원소 들 이 첨가 된 형태 또는 절연물 에 상기 원소 들 이 첨가 된 형태 일 수 있 다 . 상기 절연 층 및 상기 소자 반도체 층 은 상기 반도체 기판 상 에 복수 번 반복 적 으로 적층 될 수 있 다 . 이때 , 상기 각 소자 반도체 층 들 내 에 상기 게터 링 영역 이 배치 될 수 있 다 .