이 와 같이 하 여 조성물 층 이 형성 되 어 있 는 웨이퍼 상 에 , " 이후 접촉 홀 패턴 을 액침 리소그래피 용 ArF 엑 시머 레이저 스 테퍼 ( "" XT : 1900 Gi """, ASML 사 ( ASML Ltd . ) 제조 : NA = 1 . 35 , 3 / 42 애 뉼라 X - Y 편극 ) 를 이용 하 여 노광량 을 단계 적 으로 변화 시켜 마스크 패턴 ( 홀 피치 : 100 nm , 홀 직경 : 70 nm ) 을 사용 하 여 노광 하 였 다 . 초 순수 를 침지 의 매체 로서 이용 하 였 다 .