제 2 희생 패턴 들 ( 64 ) 을 형성 한 후 , 연속 적 으로 제 1 희생 막 ( 30 ) 에 대한 식각 공정 이 진행 될 수 있 다 . 이 에 따라 , 도 17 e 에 도시 된 것 처럼 , 제 1 및 제 2 마스크 패턴 들 ( 42 , 72 ) 이 전사 된 제 1 희생 패턴 들 ( 34 ) 이 형성 될 수 있 다 . 구체 적 으로 , 제 1 희생 막 ( 30 ) 은 높이 가 서로 다른 라인 형상 의 제 1 및 제 2 패턴 들 ( 34 a , 34 b ) 로 분리 될 수 있 다 . 제 1 희생 패턴 들 ( 34 ) 은 , 제 1 패턴 들 ( 34 a ) 과 제 1 패턴 들 ( 34 a ) 보다 높이 가 작 은 제 2 패턴 들 ( 34 b ) 로 구성 될 수 있 다 . 또한 , 제 2 패턴 ( 34 b ) 은 인접 하 는 제 1 패턴 들 ( 34 a ) 사이 에 배치 되 며 , 제 2 패턴 들 ( 34 b ) 상 에 는 제 2 희생 패턴 들 ( 64 ) 이 위치 한다 . 또한 , 이 실시 예 에 따르 면 , 제 1 및 제 2 패턴 들 ( 34 a , 34 b ) 은 제 1 폭 을 갖 는 제 1 영역 과 , 제 1 폭 보다 큰 제 2 폭 을 갖 는 제 2 영역 을 포함 할 수 있 다 .