16 나노 이후 에 도 D 램 의 미세 화 는 2 ~ 3 년 에 1 나노 씩 이뤄질 전망 이 다 . D 램 기능 을 유지 하 면서 크기 를 줄이 는 것 이 갈수록 어려워 지 기 때문 이 다 . D 램 의 크기 가 작 아 질수록 셀 면적 도 좁 아 져 전하 를 담 을 공간 이 부족 해진다 . 반도체 업체 들 은 좁 아 지 는 면적 만큼 셀 높이 를 올려 전하 를 담 을 공간 을 확보 하 는 전략 을 취한다 . 하지만 높이 가 어느 수준 을 지나 면 셀 이 구조 를 유지 하 지 못하 고 무너지 는 현상 이 나타난다 . 저장 된 전하 가 외부 로 유출 될 가능 성 도 높 아 진다 . 과거 에 는 생산 설비 를 개선 하 는 것 만 으로 도 미세화 가 가능 했 지만 이제 는 셀 을 구성 할 소재 부터 새로 개발 해야 한다 .