또한 , 제 1 내지 제 3 반도체 소자 들 ( 250 _ 1 , 250 _ 2 , 250 _ 3 ) 각각 이 상부 게이트 구조 를 갖 는 것 으로 설명 하 였으나 , 본 발명 의 구성 이 이 에 한정 되 는 것 은 아니 다 . 예 를 들 면 , 제 1 내지 제 3 반도체 소자 들 ( 250 _ 1 , 250 _ 2 , 250 _ 3 ) 각각 은 하부 게이트 구조 및 / 또는 더블 게이트 구조 를 가질 수 도 있 다 .