즉 , 도 2 또는 도 3 과 같이 챔버 ( C ) 내부 에 그리드 플레이트 ( 200 ) 가 구비 되 고 , 그 하측 에 기판 이 배치 된 상태 에서 , 빔 발생 장치 ( 100 ) 를 통해 균일 한 특성 의 빔 을 방출 한다 . 여기 서 , 그리드 플레이트 ( 200 ) 는 공정 에 따라 보다 정교 한 빔 상태 제어 를 위해 3 개 이상 의 그리드 전극 을 일정 거리 이격 되게 적층 형태 로 배치 하 되 , 각 그리드 전극 의 전극 라인 이 교차 각도 를 형성 하 도록 배치 되 어 설치 될 수 있 다 .