이 와 같 은 구조 에서 , 반도체 기둥 들 ( PL ) 은 , 하부 선택 라인 들 ( LSL 1 , LSL 2 ) , 워드 라인 들 ( WL 0 - WL 3 ) 및 상부 선택 라인 들 ( USL 1 , USL 2 ) 과 함께 , 반도체 기둥 ( PL ) 을 채널 영역 으로 사용 하 는 모 오스 전계 효과 트랜지스터 ( MOSFET ) 를 구성 할 수 있 다 . 이 와 달리 , 반도체 기둥 들 ( PL ) 은 , 하부 선택 라인 들 ( LSL 1 , LSL 2 ) , 워드 라인 들 ( WL 0 - WL 3 ) 및 상부 선택 라인 들 ( USL 1 , USL 2 ) 과 함께 , 모 오스 커패시터 ( MOS capacitor ) 를 구성 할 수 있 다 .