하나 의 GAA FET 에서 CNT ( 100 ) 의 총 개수 는 일부 실시 예 에서 대략 5 내지 대략 100 의 범위 내 에 있 고 , 다른 실시 예 에서 대략 10 내지 50 의 범위 내 에 있 다 . 하나 의 GAA FET 에서 CNT 의 총 개수 는 일부 실시 예 에서 , 다른 GAA FET 에서 CNT 의 총 개수 와 상이 하 다 . 일부 실시 예 에서 , GAA FET 에서 , CNT 중 두 개 의 CNT 는 수평 방향 으로 서로 접촉 하 고 , CNT 는 수직 방향 으로 다른 CNT 와 접촉 하 지 않 는다 . 일부 실시 예 에서 , 소스 / 드레 인 접촉 부 가 먼저 형성 되 고 그 후 에 게이트 구조물 이 형성 된다 .