하 부막 ( 20 ) 은 반도체 물질 , 도전 물질 , 절연 물질 중 에서 선택 된 어느 하나 또는 이 들 의 조합 으로 이루어질 수 있 다 . 예 를 들 어 , 하 부막 ( 20 ) 이 반도체 물질 로 이루어진 경우 , 하 부막 ( 20 ) 은 기판 ( 10 ) 또는 에피 택 셜 층 일 수 도 있 다 . 예 를 들 어 , 하 부막 ( 20 ) 이 도전 물질 로 이루어진 경우 , 하 부막 ( 20 ) 은 도핑 된 폴리 실리콘 , 금속 실리사이드 , 금속 , 금속 질화물 , 또는 이 들 의 조합 으로 이루어질 수 있 다 . 예 를 들 어 , 하 부막 ( 20 ) 이 절연 물질 로 이루어진 경우 , 하 부막 ( 20 ) 은 고밀 도 플 라즈 마 ( HDP ) 산화 막 , TEOS ( TetraEthylOrthoSilicate ) , PE - TEOS ( Plasma Enhanced TetraEthylOrthoSilicate ) , O 3 - TEOS ( O 3 - Tetra Ethyl Ortho Silicate ) , USG ( Undoped Silicate Glass ) , PSG ( PhosphoSilicate Glass ) , BSG ( Borosilicate Glass ) , BPSG ( BoroPhosphoSilicate Glass ) , FSG ( Fluoride Silicate Glass ) , SOG ( Spin On Glass ) , TOSZ ( Tonen SilaZene ) 또는 이 들 의 조합 으로 이루어질 수 있 다 . 또한 , 하 부막 ( 20 ) 은 실리콘 질화물 , 실리콘 산질 화물 또는 낮 은 유전율 을 가지 는 low - k 물질 로 이루어질 수 도 있 다 .