하지만 , 보론 의 경우 폴리 실리콘 층 보다 메탈 층 에서 더 안정 하 기 때문 에 , 폴리 실리콘 층 으로부터 메탈 전극 쪽 으로 보론 이 외 확산 되 는 것 에 대해서 는 적절 한 대처 방법 이 없 다 . 보론 의 외 확산 이 발생 하 면 P + 폴리 실리콘 게이트 내 의 도핑 농도 가 낮 아 져 PDE ( polysilicon depletion effect ) 를 심화 시킬 뿐 만 아니 라 , 보론 이 게이트 산화 막 이나 반도체 기판 으로 침투 하 면서 문턱 전압 이 이동 하 는 등 계면 ( interface ) 저항 과 게이트 산화 막 특성 이 저하 되 어 소자 동작 속도 가 급격히 감소 ( R / O delay ) 한다 . 따라서 소자 신뢰 성 을 확보 하 기 어렵 다 .