이 구성 에 따르 면 , 평탄 화 가공 공정 에 의하 여 도전 성막 의 연마 가 진행 되 어 , 표피 깊이 로 정의 되 는 극히 얇 은 막 두께 에 달한 이후 의 막 두께 의 변화 에 따라 전자파 의 투과 특성 및 반사 특성 이 크 게 변화 하 는 것 으로부터 , 투과 전자파 혹은 반사 전자파 중 적어도 어느 하나 의 변화 를 기초 로 연마 제거 의 종료 점 및 연마 제거 의 종료 시점 에 대응 한 시점 이 검출 된다 .