본 발명 의 화합물 을 발광 보조 층 물질 로 사용 하 여 통상 적 인 방법 에 따라 유기 전기 발광 소자 를 제작 하 였 다 . 먼저 , 유리 기판 에 형성 된 ITO 층 ( 양극 ) 위 에 우선 홀 주입 층 으로서 N 1 -( naphthalen - 2 - yl ) - N 4 , N 4 - bis ( 4 -( naphthalen - 2 - yl ( phenyl ) amino ) phenyl ) - N 1 - phenylbenzene - 1 , 4 - diamine ( 2 - TNATA 로 약기 함 ) 막 을 진공 증착 하 여 60 nm 두께 로 형성 하 였 다 . 이어서 , 이 막 상 에 정공수 송 화합물 로서 4 , 4 - 비스 [ N -( 1 - 나프 틸 ) - N - 페닐 아미노 ] 비페닐 ( 이하 - NPD 로 약기 함 ) 를 60 nm 두께 로 진공 증착 하 여 홀 수송 층 을 형성 하 였 다 . 이어서 , 발광 보조 층 재료 로서 본 발명 의 화합물 P - 1 을 20 nm 의 두께 로 진공 증착 하 여 발광 보조 층 을 형성 하 였 다 . 발광 보조 층 을 형성 한 후 , 발광 보조 층 상부 에 호스트 로서 는 CBP [ 4 , 4 '- N , N '- dicarbazole - biphenyl ] , 도판 트 로서 는 Ir ( ppy ) 3 [ tris ( 2 - phenylpyridine ) - iridium ] 을 95 : 5 중량 으로 도핑 함 으로써 상기 발광 보조 층 위 에 30 nm 두께 의 발광 층 을 증착 하 였 다 . 홀 저 지층 으로 ( 1 , 1 ’- 비스 페닐 ) - 4 - 올레 이토 ) 비스 ( 2 - 메틸 - 8 - 퀴놀린 올레 이토 ) 알루미늄 ( 이하 BAlq 로 약기 함 ) 을 10 nm 두께 로 진공 증착 하 고 , 전자 수송 층 으로 트리스 ( 8 - 퀴놀리놀 ) 알루미늄 ( 이하 Alq 3 로 약칭 함 ) 을 40 nm 두께 로 성막 하 였 다 . 이후 , 전자 주입 층 으로 할로젠화 알칼리 금속 인 LiF 를 0 . 2 nm 두께 로 증착 하 고 , 이어서 Al 을 150 nm 의 두께 로 증착 하 여 음극 으로 사용 함 으로써 유기 전계 발광 소자 를 제조 하 였 다 .