도 3 및 도 11 을 참조 하 면 , 셀 어레이 영역 ( CAR ) 상 에 , 상부 구 조체 ( SS 2 ) 를 관통 하 여 희생 절연 패턴 들 ( SIP ) 을 노출 하 는 제 2 채널 홀 들 ( CH 2 ) 이 형성 될 수 있 다 . 제 2 채널 홀 들 ( CH 2 ) 의 직경 은 기판 ( 100 ) 에 가까워질수록 점진 적 으로 감소 할 수 있 다 . 제 2 채널 홀 들 ( CH 2 ) 은 제 1 채널 홀 들 ( CH 1 ) 과 수직 적 으로 중첩 되 도록 형성 될 수 있 다 . 제 2 채널 홀 들 ( CH 2 ) 을 형성 하 는 것 은 앞서 설명 한 제 1 채널 홀 들 ( CH 1 ) 을 형성 하 는 것 과 동일 할 수 있 다 . 일 예 로 , 제 2 채널 홀 들 ( CH 2 ) 이 형성 될 때 제 1 채널 홀 들 ( CH 1 ) 과 의 오 정렬 이 발생 될 수 있 다 ( 도 5 c 참조 ) . 이 경우 식각 정지 막 ( ESL ) 이 하부 구 조체 ( SS 1 ) 가 식각 되 는 것 을 방지 할 수 있 다 .