본 발명 은 반도체 소자 제조 용 마스크 제조 방법 에 관한 것 으로서 , 보다 상세 하 게 는 비아 를 형성 시키 고자 하 는 반도체 기판 의 표면 에 존재 하 는 패턴 의 조 밀도 에 따라 마스크 의 비아 패턴 을 보상 함 으로써 비아 형성 전 에 실시 된 CMP 시 제 거량 의 차이 로 인해서 단차 를 유발 하 더라도 이후 에 형성 되 는 비아 가 원래 설계 된 사이 즈 를 가지 도록 하 는 반도체 소자 제조 용 마스크 제조 방법 에 관한 것 이 다 .