본 발명 의 또 다른 실시 예 에 있 어서 , 도 28 을 참조 하 여 설명 한 공정 들 과 실질 적 으로 동일 한 공정 들 을 이용 하 여 상기 액티브 영역 들 상 에 각기 절연 구조물 들 ( 440 ) 을 형성 할 수 있 다 . 상세 하 게 는 , 제 1 산화 공정 을 통해 반도체 기판 ( 400 ) 의 액티브 영역 상 에 산화 막 을 형성 한 후 , 질화 공정 을 적용 하 여 상기 산화 막 을 전체 적 으로 예비 산질 화 막 으로 변화 시킨다 . 이어서 , 제 2 산화 공정 을 수행 하 여 상기 예비 산질 화 막 을 산질 화 막 으로 변화 시킴 으로써 , 상기 액티브 영역 상 에 절연 구조물 ( 440 ) 을 형성 한다 .