디램 ( Dynamic Random Access Memory : DRAM ) 용량 및 집적화 향상 을 위해 소자 의 크기 는 지속 적 으로 감소 하 고 있 으며 , 이러 한 스케일 다운 ( scaling down ) 을 지속 하 기 위해서 는 전하 를 저장 하 는 커패시터 의 변화 가 필연 적 이 다 . 이 는 디램 소자 크기 감소 에 따라 커패시터 의 면적 은 작아질 수 밖 에 없 으나 , 전하량 은 면적 에 비례 하 기 때문 이 다 . 이 에 따라 충분 한 정전 용량 확보 하 면서 도 낮 은 누설 전류 를 유지 하 기 위해 고유 전 박막 등 이 연구 되 고 있 다 .