이 경우 , 후술 할 바 와 같이 , 상기 제 2 양자 우물 층 ( 35 c ) 은 제 1 양자 우물 층 ( 35 a ) 에 비하 여 높 은 양자 준위 를 가지 며 , 이 에 따라 , 제 1 양자 우물 층 ( 35 a ) 의 고차 양자 준위 로부터 제 2 양자 우물 층 ( 35 c ) 의 0 차 양자 준위 ( E ' 0 ) 로 보다 용이 하 게 전자 가 터널 링 될 수 있 다 .