본 발명 의 일 실시 예 에 따른 반도체 장치 는 교대 로 적층 된 층간 절 연막 들 및 전극 패턴 들 을 포함 하 는 적층 체 ; 상기 적층 체 를 관통 하 고 , 굴곡 부를 포함 하 는 지지 구조 ; 및 상기 전극 패턴 들 중 하나 에 연결 되 고 , 상기 굴곡 부 로 둘러싸인 콘 택 플러그 를 포함 할 수 있 다 . 상기 지지 구조 는 H 형 또는 X 형 으로 형성 될 수 있 다 .