도 5 는 본 발명 에 따라 제공 된 메모리 셀 ( 500 ) 의 단면도 이 다 . 메모리 셀 ( 500 ) 은 기판 ( 505 ) 위 에 형성 된 가역 저항 전환 소자 ( 504 ) 에 결합 된 박막 , 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터 ( MOSFET ) ( 502 ) 와 같 은 박막 트랜지스터 ( TFT ) 를 포함 한다 . 예 를 들 어 , MOSFET ( 502 ) 는 임의 의 적합 한 기판 상 에 형성 된 n 채널 또는 p 채널 박막 MOSFET 일 수 있 다 . 도시 된 실시 예 에서 , 이산화 실리콘 , 질화 실리콘 , 옥시 나이트 라이드 등 과 같 은 절연 영역 ( 506 ) 이 기판 ( 505 ) 위 에 형성 되 고 증착 된 실리콘 , 게르마늄 , 실리콘 - 게르마늄 등 과 같 은 증착 된 반도체 영역 ( 507 ) 이 절연 영역 ( 506 ) 상 에 형성 된다 . 박막 MOSFET ( 502 ) 는 증착 된 반도체 영역 ( 507 ) 내 에 형성 되 며 절연 영역 ( 506 ) 에 의해 기판 ( 505 ) 으로부터 절연 된다 .