이하 , 본 발명 의 실시 예 들 에 따른 기판 처리 장치 ( 1 ) 를 이용 한 반도체 소자 의 제조 방법 에 대해 설명 한다 . 도 7 a 내지 도 7 e 에 도시 된 반도체 소자 는 planar 타입 의 트랜지스터 를 예 로 들 어 도시 하 였으나 , 이 와 달리 반도체 소자 는 3 차원 으로 형성 되 는 Fin - fet ( FIN Field Effect Transistor ) 소자 일 수 있 다 .