도 3 을 참조 하 면 본 발명 에 따른 발광 변환기 를 구비 한 포토다이오드 ( 300 ) 는 제 1 도전 형 의 기판 ( 310 ) , 상기 기판 ( 310 ) 상 에 형성 된 제 2 도전 형 의 포토다이오드 영역 ( 320 ) , 상기 포토다이오드 영역 ( 320 ) 상 에 형성 된 제 1 도전 형 의 분리 영역 ( 330 ) , 상기 분리 영역 ( 330 ) 상 에 형성 된 산화 막 ( 340 ) 및 상기 산화 막 상 에 형성 된 발광 변환기 ( 350 ) 를 구비 한다 .