본 발명 의 화학식 1 로 표시 되 는 구조 를 갖 는 화합물 ( 본 화합물 이 라고 칭함 ) 은 , 전자 가 부족 한 전자 흡인 성 이 강한 질소 함유 환상 구조 를 갖 는다 . 그 로 인해 , 본 화합물 은 전자 에 대한 친화성 이 높 고 , 반대 로 정공 에 대한 친화성 은 낮 다 . 또한 , 본 화합물 은 상기 한 질소 함유 환상 구조 를 가지 며 , 이 화합물 은 금속 산화물 입자 와 상호 작용 하 는 것 으로 추측 된다 . 본 화합물 이 금속 산화물 입자 와 상호 작용 함 으로써 , 3 개 의 방향 환 의 질소 원자 의 전자 밀도 가 변화 한다 . 이 질소 원자 의 전자 밀도 의 변화 에 의해 , 본 화합물 이 정공 의 전하 이동 을 차단 함 으로써 , 지 지체 로부터 감광층 으로 의 정공 주입 이 억제 되 는 것 으로 생각 된다 . 전자 의 이동 에 대하 여 , 본 화합물 은 전자 에 대한 친화성 이 높 은 구조 를 갖 기 때문 에 , 전자 이동 을 저해 하 지 않 는 것 으로 생각 된다 . 그 결과 , 고스트 의 개선 과 흑색점 의 억제 를 높 은 수준 으로 양립 할 수 있 는 것 으로 추측 된다 .