도 18 ( 도 1 에 도시 된 기준 단면 C - C 를 따른 절단 을 나타냄 ) 은 영역 ( 50 P ) 내 에 제 1 이중 물질 실리사이드 전구체 층 ( 201 ) 을 유지 하 면서 영역 ( 50 N ) 으로부터 제 1 이중 물질 실리사이드 전구체 층 ( 201 ) 을 제거 하 기 위해 제 1 이중 물질 실리사이드 전구체 층 ( 201 ) 의 패턴 화 를 도시 한다 . 일 실시 예 에서 , 제 1 이중 물질 실리사이드 전구체 층 ( 201 ) 은 제 1 이중 물질 실리사이드 전구체 층 ( 201 ) 위 에 포토 레지스 트 층 ( 207 ) ( 예 를 들 어 , 삼중 층 포토 레지스 트 ) 을 초기 에 도포 하 고 , 포토 레지스 트 층 ( 207 ) 내 의 감광성 물질 을 패턴 화 된 광원 에 노출 시키 고 , 영역 ( 50 N ) 위 의 감광성 물질 의 일부 를 제거 하 기 위해 감광성 물질 을 현상 하 며 , 영역 ( 50 N ) 에서 포토 레지스 트 층 ( 207 ) 의 다른 층 을 제거 하 고 산화 장벽 층 ( 203 ) 의 물질 및 제 1 이중 물질 실리사이드 전구체 층 ( 201 ) 을 노출 시키 기 위해 감광성 물질 을 마스크 로서 사용 함 으로써 패턴 화 될 수 있 다 .