이상 적 으로 제조 된 임베디드 비아 는 평면 적 비아 에 관련 된 상기 문제점 들 을 제거 할 수 있 다 ( 이상 적 으로 제조 되 는 임베디드 비아 를 위해 도 2 c 및 2 d 참조 ) . 이상 적 으로 제조 된 임베디드 비아 는 임베디드 비아 를 가지 는 다마 신 인터 커넥트 시스템 을 구성 하 는 물질 에 오염 이나 손상 을 일으키 지 않 는 이상 적 인 다마 신 공정 에 의해 형성 된 비아 를 의미 한다 . 상기 이상 적 으로 제조 되 는 임베디드 비아 의 형성 이 본 발명 의 목적 범위 내이 다 .