일반 적 으로 , 도 1 a 에 도시 된 바 와 같이 , 본 개시 의 이온 화 게이지 ( 100 ) 는 전자 발생 원 어레이 ( 105 ) , 이온 콜렉터 전극 ( 110 ) , 및 애노드 ( 115 ) 를 포함 한다 . 이온 화 게이지 ( 100 ) 가 애노드 ( 115 ) 및 콜렉터 전극 ( 110 ) 과 함께 도시 된다 할지라도 , 이러 한 구성 요소 들 은 아래 에 기술 된 바 와 같이 본 발명 의 모든 실시 예 들 에서 필요 한 것 은 아니 며 다양 하 고 상이 한 이온 화 게이지 구성 들 이 가능 하 다 . 일 실시 예 에서 , 이온 화 게이지 ( 100 ) 는 비 - 베 이야드 - 알퍼트 타입 게이지 , 또는 냉 전자 방출 기 이온 화 게이지 이 며 , 게이지 ( 100 ) 에 대한 전자 소스 로서 어떠 한 열음극 필라멘트 도 포함 하 지 않 는다 . 대신 , 이온 화 게이지 ( 100 ) 는 냉 전자 방출 기 게이지 구성 에 형성 되 며 전자 발생 어레이 로서 도면 부호 ( 105 ) 로 집단 으로 도시 된 시드 전자 들 ( seed electrons ) 을 증가 시키 기 위한 소스 와 함께 시드 전자 들 을 발생 시키 기 위한 소스 를 포함 한다 .