텍 스쳐 링 공정 이 완료 된 상태 에서 , 기판 후면 에 BSF 층 ( p +)( 303 ) 을 형성 한다 ( S 203 ) . 구체 적 으로 , 도 3 b 에 도시 한 바 와 같이 p 형 불순물 예 를 들 어 , 붕소 ( B ) 를 포함 하 는 페이스트 ( paste ) 를 기판 후면 상 에 도포 한 후 , 열처리 공정 을 진행 하 여 붕소 ( B ) 이온 이 기판 후면 내부 로 확산 되 도록 함 으로써 BSF 층 ( p +)( 303 ) 을 형성 한다 . 이 때 , 붕소 이온 의 확산 을 위한 열처리 온도 는 950 ? 1050 ℃ 정도 가 바람직 하 다 . 또한 , 상기 열처리 공정 으로 인해 기판 후면 상 에 는 붕소 ( B ) 와 실리콘 기판 의 실리콘 ( Si ) 이 반응 한 BSG ( boro - silicate glass ) 막 ( 304 ) 이 부산물 로 형성 된다 .