이후 에 , 게이트 전극 ( 13 a ) 을 포함 한 기판 ( 10 ) 내 에 이온 을 주입 하 여 소오 스 / 드레 인 영역 ( 17 a , 17 b ) 을 형성 한다 . 이때 , 게이트 전극 ( 13 a ) 바텀 에지 부분 의 나 칭 현상 으로 인해서 게이트 전극 ( 13 a ) 과 소오 스 영역 ( 17 a ) / 드레 인 영역 ( 17 b ) 의 오버랩 마진 이 줄어들 기 때문 에 GIDL ( Gate Induced Drain Leakage ) 측면 에서 는 유리 하나 , Vt 증가 ( Ion 감소 ) 로 인한 소자 동작 퇴화 의 단점 이 발생 한다 .