비휘발성 반도체 메모리 장치 ( 200 ) 에서 는 , 질화규소 막 ( 207 ) 으로서 , 막 의 두께 방향 으로 대략 균등 한 트랩 밀도 의 분포 를 갖 는 본 발명 의 질화규소 막 을 이용 하 는 것 에 의해 , 우수 한 데이터 유지 성능 이 얻 어 진다 . 또 , 본 발명 의 질화규소 막 은 , 도 1 에 나타낸 바 와 같 은 n 채널 형 의 비휘발성 반도체 메모리 장치 에 한정 되 지 않 고 , p 채널 형 의 비휘발성 반도체 메모리 장치 에 있 어서 도 , 전하 축적 층 으로서 이용 할 수 있 다 .