본 발명 의 일 실시 예 에 따른 반도체 메모리 소자 의 콘 택 형성 방법 은 셀 영역 과 고전압 영역 을 포함 하 는 반도체 기판 상 에 제 1 절 연막 을 형성 하 고 , 상기 고전압 영역 의 상기 제 1 절 연막 을 식각 하 여 콘 택 홀 을 형성 한 후 이 를 도전 물질 로 매립 하 여 제 1 고전압 콘 택 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 제 1 고전압 콘 택 을 포함 하 는 전체 구조 상 에 식각 정지 막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 제 1 고전압 콘 택 이 노출 되 도록 상기 식각 정지 막 을 식각 하 고 , 상기 식각 정지 막 상 에 금속 패드 를 형성 하 는 단계 와 , 상기 셀 영역 의 콘 택 이 형성 될 영역 상 에 형성 된 상기 식각 정지 막 을 식각 하 는 단계 와 , 상기 금속 패드 를 포함 한 전체 구조 상 에 제 2 절 연막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 셀 영역 상 에 형성 된 상기 제 2 및 제 1 절 연막 을 식각 하 여 상기 반도체 기판 이 노출 되 는 다수 의 드레 인 콘 택 홀 을 형성 하 는 동시 에 상기 고전압 영역 상 에 형성 된 상기 제 2 절 연막 을 식각 하 여 상기 금속 패드 를 노출 되 는 고전압 콘 택 홀 및 상기 식각 정지 막 이 노출 되 는 다수 의 더미 콘 택 홀 을 형성 하 는 단계 , 및 상기 다수 의 드레 인 콘 택 홀 , 상기 고전압 콘 택 홀 및 상기 다수 의 더미 콘 택 홀 을 매립 하 여 다수 의 드레 인 콘 택 , 제 2 고전압 콘 택 및 다수 의 더미 콘 택 을 형성 하 는 단계 를 포함 한다 .