그 결과 를 도 11 에 나타낸다 . 도 11 ( a ) 는 일반 적 인 CVD 법 에 의해 형성 한 실리콘 산화 막 의 막 속 에 포함 되 는 불순물 ( H , C , N , Cl ) 의 농도 를 나타내 고 있 다 . 도 11 ( b ) 는 본 실시 형태 의 제 2 순서 에 의해 형성 한 실리콘 산화 막 의 막 속 에 포함 되 는 불순물 ( H , C , N , Cl ) 의 농도 를 나타내 고 있 다 . 도 11 ( a ) 와 도 11 ( b ) 에서 는 , 횡축 은 SiO 2 막 표면 으로부터 의 깊이 ( nm ) 를 나타내 고 , 좌측 의 종축 은 H , C , N , Cl 의 농도 ( atoms / cm 3 ) 를 , 우측 의 종축 은 O , Si 의 2 차 이온 강도 ( counts / sec ) 를 나타낸다 .