본 명세서 에서 사용 된 바 와 같이 , 달리 명시 되 지 않 는 한 , 상대 굴절 률 은 △ 로 나타내 고 , " 이 의 값 은 ""%"" 단위 이 다 . 영역 의 굴절 률 이 기준 굴절 률 nREF 보다 작 은 경우 ", 굴절률 % 는 음수 이 고 , 이 는 감소 된 영역 또는 감소 된 - 굴절 형 을 가진다는 것 을 의미 하 며 , 최소 상대 굴절 률 은 달리 명시 되 지 않 는 한 , 상대 굴절 률 이 가장 음수 인 지점 에서 계산 된다 . 영역 의 굴절 률 이 기준 굴절 률 nREF 보다 큰 경우 , 상대 굴절률 % 는 양수 이 고 , " 그 지역 은 양각 ( raised ) 되 거나 양 의 굴절 률 을 가질 수 있 다 . 본 명세서 에서 "" 상승도 펀트 "" 는 도핑 되 어 있 지 않 은 순수 SiO 2 의 굴절 률 을 상승 시키 는 성향 을 갖 는 도 펀트 로 간주 된다 . 본 명세서 에서 "" 하강 도 펀트 "" 는 도핑 되 어 있 지 않 은 순수 SiO 2 에 대하 여 굴절 률 을 감소 시키 는 성향 을 갖 는 도 펀트 로 간주 된다 . 상승도 펀트 는 상승도 펀트 가 아닌 하나 이상 의 그 외 다른 도 펀트 들 을 수반 하 는 경우 음 의 상대 굴절 률 을 갖 는 광섬유 영역 에서 나타날 것 이 다 . 마찬가지 로 ", 상승도 펀트 가 아닌 하나 이상 의 그 외 다른 도 펀트 들 은 양 의 상대 굴절 률 을 갖 는 광섬유 영역 에서 나타날 것 이 다 . 하강 도 펀트 는 하강 도 펀트 가 아닌 하나 이상 의 그 외 다른 도 펀트 들 을 수반 하 는 경우 양 의 상대 굴절 률 을 갖 는 광섬유 영역 에서 나타날 것 이 다 . 마찬가지 로 , 하강 도 펀트 가 아닌 하나 이상 의 그 외 다른 도 펀트 들 은 음 의 상대 굴절 률 을 갖 는 광섬유 영역 에서 나타날 것 이 다 .