그러나 , 두꺼운 제 2 유전체 층 ( 114 ) 은 긴 공정 시간 이 소요 되 고 , 얇 은 제 1 유전체 층 ( 112 ) 은 게이트 누설 전류 ( leakage current ) 를 유발 하 여 복잡 한 공정 과정 이 요구 된다는 문제점 이 있 었 다 . 따라서 , 종래 의 듀얼 게이트 구조 의 ISFET ( DG ISFET ) 은 네른스트 한계 에 따른 감 지도 를 증폭 시키 면서 용량 성 커플링 한계 를 개선 하 는 데 에 어려움 이 존재 한다 .