제 2 게이트 도전 막 ( 26 A ) ( 26 B ) 은 폴리 실리콘 막 ( 26 A ) 과 텅스텐 실리사이드 막 ( 26 B ) 의 적층 막 으로 형성 할 수 있 다 . 여기 서 , 폴리 실리콘 막 ( 26 A ) 은 500 내지 550 ℃ 의 온도 에서 비정질 실리콘 ( a - Si ) 을 1900 내지 2100 Å 의 두께 로 증착 하 고 , 잔류 두께 가 300 내지 500 Å 이 되 도록 폴리 실리콘 막 ( 26 A ) 을 에치 백 ( etchback ) 하 여 형성 할 수 있 다 . 그리고 , 텅스텐 실리사이드 막 ( 26 B ) 은 180 내지 220 초간 프리크리 닝 ( pre - cleaning ) 공정 을 실시 한 이후 에 WSix 를 1080 내지 1120 Å 의 두께 로 증착 하 여 형성 할 수 있 다 .