도 3 a 및 3 b 는 본 명세서 에 개시 된 다양 한 예시 에 따라 히스 테레 시스 곡선 ( 300 - a , 300 - b ) 을 갖 는 강유 전 성 메모리 셀 의 비 - 선형 전기 속성 의 예시 를 도시 한다 . 히스테리시스 곡선 ( 300 - a 및 300 - b ) 은 예시 적 강유 전 성 메모리 셀 쓰 기 및 읽 기 프로세스 를 각각 도시 한다 . 히스테리시스 곡선 ( 300 - a 및 300 - b ) 은 강유 전 성 커패시터 ( 가령 , 도 2 를 참조 하 여 기재 된 커패시터 ( 240 ) ) 에 저장 된 전하량 Q 를 전압 차이 V 의 함수 로서 도시 한다 .