본 개시 내용 내 에서 , " 트윈 MEMS 디바이스 의 "" 역 평행 방식 으로 결합 "" 이 라는 용어 는 ", 차동 MEMS 센서 디바이스 들 ( 10 , 20 ) 중 하나 의 제 1 전극 구 조체 ( 14 , 24 ) 중 하나 는 , 파선 들 ( 15 , 17 ) 을 통해 표시 된 바 와 같이 , 다른 차동 MEMS 센서 디바이스 ( 10 , 20 ) 의 제 2 전극 구 조체 ( 16 , 26 ) 와 전기 적 으로 결합 된다는 것 을 의미 한다 . 음파 가 제 1 또는 제 2 전극 구 조체 들 에 먼저 충돌 함 에 따라 , 제안 된 트윈 MEMS 디바이스 의 제 1 및 제 2 차동 MEMS 센서 디바이스 들 의 상호 접속 은 트윈 MEMS 디바이스 의 제 1 및 제 2 MEMS 디바이스 의 역 평행 판독 을 초래 한다 . 역 평행 방식 으로 결합 하 는 것 으로 인해 , 즉 , 역 평행 구성 으로 인해 , MEMS 커패시턴스 비대칭 이 제거 되 거나 감소 될 수 있 다 . 그러 한 MEMS 커패시턴스 비대칭 은 설명 된 바 와 같이 제조 에러 들 로 인해 발생 할 수 있 다 . 제조 에러 는 중앙 전극 구 조체 와 차동 MEMS 센서 디바이스 의 제 1 및 제 2 전극 구 조체 들 각각 사이 의 거리 에서 작 은 비대칭 들 을 야기 할 수 있 다 .