본 발명 의 몇몇 실시 예 에 따른 이미지 센서 에 있 어서 , 경계 분리 트렌치 ( 120 ) 의 깊이 가 제 1 광전 소자 ( 110 ) 와 근접 하 지 않 는 경우 에 는 내부 반사 패턴 트렌치 ( 140 ) 의 깊이 도 경계 분리 트렌치 ( 120 ) 와 동일 한 수준 이 될 수 있 다 . 이 는 한 번 의 식각 공정 으로 경계 분리 트렌치 ( 120 ) 및 내부 반사 패턴 트렌치 ( 140 ) 를 동시 에 형성 할 수 있 는 방법 이 므로 , 본 발명 의 몇몇 실시 예 에 따른 이미지 센서 의 제조 비용 이 최소 화 되 고 , 공정 의 낭비 도 줄일 수 있 다 . 또한 , 공정 의 난이도 도 내려가 이미지 센서 의 수율 도 향상 될 수 있 다 .