이어서 , 제 1 하드 마스크 ( 104 ) 상 에 서로 다른 물질 ( 또는 서로 다른 식각 선택 비 를 갖 는 물질 ) 를 이용 하 여 제 2 하드 마스크 ( 105 ) 를 형성 할 수 있 다 . 이때 , 제 2 하드 마스크 ( 105 ) 는 질화 막 , 예컨대 실리콘 산화 질화 막 ( SiON ) 으로 형성 한다 . 이러 한 제 2 하드 마스크 ( 105 ) 는 200 ~ 400 Å 정도 의 두께 로 형성 할 수 있 다 .