불휘발성 메모리 장치 ( 122 ) 는 데이터 가 저장 되 는 메모리 셀 어레이 를 포함 할 수 있 다 . 메모리 셀 어레이 에 포함 된 메모리 셀 들 중 적어도 일부 는 복수 의 비트 들 을 저장 하 도록 구성 될 수 있 다 . 일례 로 , 메모리 셀 어레이 는 TLC ( Triple - level Cell ) 또는 QLC ( Quad - level Cell ) 를 포함 할 수 있 다 . TLC 는 하나 의 셀로 3 개 의 비트 들 을 저장 할 수 있 고 , QLC 는 하나 의 셀로 4 개 의 비트 들 을 저장 할 수 있 다 . TLC 및 QLC 는 하나 의 셀 로 복수 의 비트 들 을 저장 할 수 있 으나 , SLC ( Single Level Cell ) 에 비하 여 쓰 기 동작 속도 가 느릴 수 있 다 . 특히 , 랜덤 쓰 기 속도 는 순차 쓰 기 속도 보다 느리 다 . 본 발명 의 실시 예 에 따른 스토리지 시스템 ( 100 ) 은 불휘발성 메모리 장치 ( 122 ) 의 셀 들 이 복수 의 비트 들 을 저장 하 여도 쓰 기 속도 를 개선 할 수 있 다 .