포토레지스트 의 다양 한 생성 들 이 알려져 있 다 . 심 자 외선 ( DUV ) 포토레지스트 는 248 ㎚ 의 광 에 의해 노출 된다 . 현재 , 248 ㎚ 포토레지스트 에 있 어서 , 포토레지스트 에 대한 통상 적 인 임계 치수 ( critical dimension ; CD ) 는 종래 의 프로세스 들 을 사용 하 여 130 ㎚ 내지 250 ㎚ 일 수 도 있 다 . 파장 에 따른 광학 특성 들 로 인해 , 더 긴 파장 의 광 에 의해 노출 된 포토레지스트 는 더 큰 이론 적 인 최소 임계 치수 들 을 갖 는다 . 더 작 은 CD 를 갖 는 피 쳐 들 을 제공 하 기 위해 , 더 짧 은 파장 의 광 을 사용 하 여 형성 된 피 쳐 들 이 추구 되 고 있 다 . 193 ㎚ 포토레지스트 는 193 ㎚ 의 광 에 의해 노출 된다 . 위상 시프트 레티 클 들 및 다른 기술 을 사용 함 으로써 , 55 내지 100 ㎚ CD 포토레지스트 패턴 이 193 ㎚ 포토레지스트 를 사용 하 여 형성 될 수 도 있 다 . 이 는 90 ㎚ 내지 100 ㎚ 의 CD 를 갖 는 피쳐 를 제공 할 수 있 게 할 것 이 다 . 193 ㎚ 이 머 전 ( immerrsion ) 포토레지스트 는 , 물 이 웨이퍼 표면 과 직접 접촉 하 면서 193 ㎚ 광 에 의해 노출 된다 . 위상 시프트 레티 클 들 및 다른 기술 을 사용 함 으로써 , 55 ㎚ CD 포토레지스트 패턴 들 이 형성 될 수 도 있 고 , 이 는 장래 에 확장 될 것 이 다 . 이 는 90 ㎚ 아래 의 CD 를 갖 는 피쳐 를 제공 할 수 있 게 할 것 이 다 . EUV ( 13 ㎚) 포토레지스트 는 13 ㎚ 광 에 의해 노출 된다 . 이 기술 을 사용 함 으로써 , 22 ㎚ 아래 의 CD 포토레지스트 패턴 들 이 형성 될 수 도 있 다 . 이 는 55 ㎚ 아래 의 CD 를 갖 는 피쳐 를 제공 할 수 있 게 할 것 이 다 .