구체 적 으로 , 트랜지스터 의 누설 전류 는 크 게 두 종류 의 누설 전류 , " 즉 열 여기 전류 ( IG : thermal generation current ) 및 게이트 유도 드레 인 누설 전류 ( IGIDL : Gate - Induced - Drain - Leakage current ; "" 기 들 전류 "" 라고도 함 ) 의 합 으로 나타날 수 있 다 . 열 여기 전류 ( IG ) 및 게이트 유도 드레 인 누설 전류 ( IGIDL ) 각각 은 밴드 - 갭 을 변수 로 하 는 밴드 - 갭 의 함수 로서 ", 구체 적 으로 밴드 - 갭 이 증가 할수록 열 여기 전류 ( IG ) 및 게이트 유도 드레 인 누설 전류 ( IGIDL ) 각각 이 감소 하 게 된다 . 따라서 , 제 1 방향 ( DR 1 ) 을 따른 제 1 누설 전류 ( Ioff _ 1 ) 는 제 1 스위칭 트랜지스터 ( Ts _ 1 ) 에서 제 1 광폭 밴드 - 갭 영역 ( 120 c 1 ) 에 의해 억제 될 수 있 다 .