우선 , 다 이싱 성 평가 에서 제작 한 10 mm× 10 mm ( 또는 5 mm× 5 mm ) 의 칩 을 , 내열 점착 재 테이프 인 폴리 이미드 테이프 상 에 반송 하 여 접착 했 다 . 실험 2 에서 는 , 이 에 대하 여 , 이 너트 오븐 DN 410 I ( 제 품명 , 야마토 가 가 쿠 가부 시 키가 이샤 제조 ) 를 이용 하 여 , 130 ℃ 에서 30 분 간 , 170 ℃ 에서 60 분 간 의 순서 로 열처리 함 으로써 , 가보 호재 를 열 경화 시키 는 공정 을 실시 했 다 ( 실험 1 에서 는 이 열 경화 공정 을 행하 지 않 았 다 ) . 그리고 , 피 가 공체 에 대하 여 스퍼터링 장치 SDH 시리즈 ( 제 품명 , 가부 시 키가 이샤 얼 박 제조 ) 를 이용 하 여 , 온도 60 ∼ 150 ℃ 및 압력 7 × 10 - 1 Pa 의 조건 으로 약 1 . 8 ㎛ 의 구리 를 성막 하 여 , 전자 실드 를 형성 했 다 . 그 후 , 박리 성 평가 의 경우 와 같 은 식 으로 하 여 , 다 이본 더 BESTEM - 02 ( 제 품명 , 캐논 머시 너리 가부 시 키가 이샤 제조 ) 을 이용 하 여 , 피 가 공체 를 , 경화 한 가보 호용 수지 필름 으로부터 박리 함 으로써 , 전자 실드 가 형성 된 피 가 공체 를 얻 었 다 . 얻 어 진 피 가 공체 를 현미경 으로 관찰 하 여 , 전자 실드 형성 성 을 이하 의 기준 에 따라서 평가 했 다 .