기판 처리 장치 ( 10 ) 는 , 한 예 로서 반도체 장치 ( IC ) 의 제조 방법 을 실시 하 는 반도체 제조 장치 로서 구성 되 어 있 다 . 이하 의 설명 에서 는 , 기판 처리 장치 로서 기판 에 산화 , 확산 처리 또는 CVD 처리 등 을 실시 하 는 종형 장치 ( 이하 , 단순히 처리 장치 라고 한다 ) 에 적용 한 경우 에 대하 여 설명 한다 . 도 2 는 , 본 발명 에 적용 되 는 기판 처리 장치 의 사시도 로서 나타내 고 있 다 . 또한 , 도 3 은 도 2 에 나타낸 기판 처리 장치 의 측면 투시도 이 다 .