일부 실시 예 들 에 있 어서 , 상기 기판 ( 100 ) 상 에 코발트 화합물 과 환원성 가스 를 공급 하 는 단계 ( S 120 ) 에 앞서 상기 기판 ( 100 ) 은 전처리 될 수 있 다 ( S 115 ) . 상기 전처리 는 플라스마 처리 , 열처리 , 화학 처리 등 의 방법 에 의하 여 수행 될 수 있 다 . 예 를 들 면 , 상기 플라스마 처리 는 약 10 W 내지 약 800 W , 약 20 W 내지 약 500 W , 또는 약 40 W 내지 약 200 W 의 파워 로 생성 된 플라스마 를 생성 하 여 약 100 ℃ 내지 약 400 ℃ 의 온도 하 에서 , 약 1 초 내지 약 10 분 동안 , 또는 약 10 초 내지 약 5 분 동안 상기 기판 ( 100 ) 을 플라스마 처리 함 으로써 수행 될 수 있 다 . 상기 열처리 는 수소 , 질소 , 또는 암모니아 의 분위기 에서 예 를 들 면 , 약 300 ℃ 내지 약 600 ℃ 또는 약 350 ℃ 내지 약 500 ℃ 의 온도 에서 수행 될 수 있 다 . 상기 화학 처리 는 예컨대 1 % 로 희석 된 불 산 ( dHF ) 으로 약 1 분 동안 상기 기판 ( 100 ) 을 처리 함 으로써 수행 될 수 있 다 .