이어서 , 상기 고분자 발광 층 상부 에 진공 증착 기 를 이용 하 여 진공도 를 4 ㅧ 10 - 6 torr 이하 로 유지 하 면서 Alq 3 를 1 . 0 Å / sec 의 속도 로 진공 증착 하 여 30 nm 두께 의 전자 수송 층 을 형성 한 다음 , 이 상부 에 LiF 를 0 . 1 Å / sec 의 속도 로 진공 증착 하 여 5 nm 두께 의 전자 주입 층 을 형성 하 였 다 .