전사 가능 한 반도체 장치 를 제조 하 는 방법 은 기판 위 에 인듐 알루미늄 인화물 을 포함 하 는 박리 층 을 제공 하 는 단계 , 및 박리 층 위 에 지지층 을 제공 하 는 단계 를 포함 한다 . 지지층 및 기판 은 박리 층 이 상기 지지층 및 기판 에 비해 에칭 선택 성 을 갖 도록 하 는 각각 의 물질 , 예컨대 비소화물 - 기재 의 물질 을 포함 한다 . 1 개 이상 의 장치 층 이 지지층 위 에 제공 된다 . 박리 층 은 지지층 및 기판 의 실질 적 에칭 없이 선택 적 으로 에칭 된다 . 관련 구조물 및 방법 또한 논의 된다 .