즉 , CMP 시 패턴 ( 5 ) 의 조 밀도 가 높 은 영역 에서 발생 하 는 단차 ( d ) 로 인하 여 단차 ( d ) 발생 영역 의 표면 이 다른 표면 에 비하 여 노광 장비 의 대물렌즈 로부터 거리 가 증가 하 여 포커스 의 차이 를 유발 함 으로써 마스크 로 노광 후 현상 시 단차 ( d ) 발생 영역 에 는 설계 된 비 아홀 보다 작 은 직경 의 포토레지스트 패턴 이 형성 됨 으로써 단차 ( d ) 발생 영역 의 비아 ( 4 ) 는 원래 의 사이즈 보다 작 게 형성 되 며 , 이 로 인해 동일 층 의 층간 절 연막 ( 1 ) 에 형성 되 어 동일 한 직경 으로 설계 된 다른 비아 ( 2 , 3 ) 의 직경 ( d 1 ) 보다 작 은 직경 ( d 2 ) 을 가지 게 된다 .