노블 셀 들 ( NC 1 내지 NCk ) 을 이용 한 프로그램 속도 의 검출 동작 에 의해 프로그램 동작 의 초기 프로그램 전압 이 결정 되 면 메모리 셀 들 의 프로그램 동작 을 실시 한다 ( S 240 ) . 이때 , 프로그램 동작 이 실시 되 어 문턱 전압 이 0 V 보다 높 아 진 노블 셀 들 ( NC 1 내지 NCk ) 이 메모리 셀 들 ( CA 0 내지 CAn ) 의 프로그램 동작 에 영향 을 줄 수 있 다 . 따라서 , 메모리 셀 들 의 프로그램 동작 을 실시 하 기 전 에 노블 셀 들 ( NC 1 내지 NCk ) 의 소거 동작 을 실시 하 는 것 이 바람직 하 다 . 통상 적 으로 소거 동작 은 블록 단위 로 이루어지 므로 , 노블 셀 들 ( NC 1 내지 NCk ) 의 소거 동작 도 블록 단위 로 실시 할 수 있 다 . 한편 , 메모리 셀 들 ( CA 0 내지 CAn , CK 0 내지 CKn ) 은 소거 상태 이 므로 , 또 다시 소거 동작 이 실시 되 면 메모리 셀 들 ( CA 0 내지 CAn , CK 0 내지 CKn ) 의 문턱 전압 이 보다 더 낮 아 지 게 된다 . 따라서 , 노블 셀 들 ( NC 1 내지 NCk ) 의 소거 동작 시 워드 라인 들 ( WL 0 내지 WLn ) 을 플로팅 상태 로 유지 하 는 것 이 바람직 하 다 . 그렇게 되 면 , 소거 전압 이 메모리 셀 들 ( CA 0 내지 CAn , CK 0 내지 CK ) 의 벌크 ( 예 를 들 어 , P 웰 ) 로 인가 될 때 , 커패시터 커플링 현상 에 의해 워드 라인 들 ( WL 0 내지 WLn ) 의 전압 도 함께 높 아 져 메모리 셀 들 ( CA 0 내지 CAn , CK 0 내지 CK ) 의 소거 동작 은 거의 발생 하 지 않 는다 .