계속 해서 , 도 17 ( a ) 에 나타내 듯이 , 층간 절 연막 ( 26 A ) 을 드라이 에칭 함 으로써 , 산화물 반도체 막 ( 24 a ) 에 도달 하 는 소스 콘택트 홀 ( 27 as ) 을 형성 한다 . 그리고 , 산화물 반도체 막 ( 24 a ) 중 , 소스 콘택트 홀 ( 27 as ) 의 표면 에 노출 한 영역 에 저 저항 화 처리 를 행함 으로써 , 이 산화물 반도체 막 ( 24 a ) 의 노출면 을 포함 한 부분 을 저 저항 화 하 고 , 저 저항 영역 ( 24 as ) 을 형성 한다 . 저 저항 화 처리 는 , 제 1 실시 형태 에서 저 저항 화 처리 로써 예 를 든 것 과 마찬가지 방법 에 의해 행할 수 있 다 . 이 저 저항 화 처리 에 의해 , 산화물 반도체 막 ( 24 a ) 두께 의 2 분 의 1 이하 의 두께 의 부분 이 , 산화물 반도체 막 ( 24 a ) 보다 저항 이 작 은 저 저항 영역 ( 24 ad ) 에 형성 된다 . 산화물 반도체 막 ( 24 a ) 의 일부 가 저 저항 화 됨 으로써 형성 된 저 저항 영역 ( 24 as ) 은 , 소스 부 ( S ) 가 된다 .