도 1 에 도시 한 반도체 발광 소자 의 제 2 제조 방법 은 , 제 1 제조 방법 과 같이 도 5 ( a ) ~ 도 5 ( e ) 및 도 6 ( a ) ~ 도 6 ( b ) 에 각각 도시 하 는 공정 을 수행 한다 . 제 2 제조 방법 은 , 계속 해서 수행 하 는 n 측 전극 ( 50 ) 의 형성 방법 에 특징 이 있 다 . 제 2 제조 방법 에 대해서 도 7 을 참조 ( 적절히 도 1 내지 도 6 참조 ) 하 여 설명 하 기 로 한다 . 도 7 은 , 반도체 발광 소자 의 제조 공정 을 모식 적 으로 도시 한 단면도 이 다 . 아울러 도 7 에서 는 반도체 적층 체 ( 40 ) 보다 도 아래 인 층 에 대해서 는 도시 를 생략 했 다 .