한편 , 반도체 장치 제조 공정 에 있 어서 의 미세 화 는 , 광 리소그래피 용 광원 의 파장 에 유래 하 는 본질 적 인 한계 에 가까워 지 고 있 다 . 그 때문 에 , 최근 에 는 미세화 에 의존 하 지 않 는 반도체 장치 의 고집 적 화 가 검토 되 고 있 고 , 그 방법 중 하나 로서 멀티 게이트 구조 등 의 복잡 한 구조 를 갖 는 반도체 장치 가 검토 되 고 있 으며 , 일부 는 이미 실용 화 되 어 있 다 . 이러 한 구조 를 다층 레지스 트 법 으로 형성 하 는 경우 , 피 가공 기판 상 에서 형성 된 홀 , 트렌치 , 핀 등 의 미소 패턴 을 공극 없이 막 으로 매립 하 거나 , 단차 나 패턴 밀집 부분 과 패턴 이 없 는 영역 을 막 으로 매립 하 여 평탄 화 ( planarization ) 할 수 있 는 유기 막 재료 를 적용 할 수 있 다 . 이러 한 유기 막 재료 를 이용 하 여 단차 기판 상 에 평탄 한 유기 막 표면 을 형성 함 으로써 , 그 위 에 성막 하 는 규소 중간막 이나 레지스 트 상 층막 의 막 두께 변동 을 억제 하 여 , 광 리소그래피 의 포커스 마진 이나 그 후 의 피 가공 기판 가공 공정 에 있 어서 의 마진 저하 를 억제 할 수 있 다 . 이 에 따라 , 수율 좋 게 반도체 장치 를 제조 하 는 것 이 가능 하 게 된다 . 한편 , 단층 레지스 트 법 에서 는 , 단차 나 패턴 이 있 는 피 가공 기판 을 메우 기 위해서 는 , 상층 레지스 트 막 의 막 두께 가 두껍 게 되 고 , 그 로 인한 노광 현상 후 의 패턴 붕괴 나 노광 시 의 기판 으로부터 의 반사 에 의한 패턴 형상 열화 등 , 노광 시 의 패턴 형성 마진 이 좁 아 져 , 수율 좋 게 반도체 장치 를 제조 하 기 어렵 다 .