에피 택 셜 성 장법 으로 희생물 층 ( 102 ) , 예컨대 SiGe 층 을 형성 하 기 위하 여 , Si 소오 스 가스 로 SiH 4 , SiH 2 Cl 2 , SiCl 4 또는 Si 2 H 6 가스 를 사용 하 며 , Ge 소오 스 가스 는 GeH 4 가스 를 사용 할 수 있 다 . 희생물 층 ( 102 ) , 예컨대 SiGe 층 은 10 - 30 % 의 Ge 농도 를 가질 수 있 다 . 희생물 층 ( 102 ) , 예컨대 SiGe 층 의 두께 는 부분 절연 층 ( 도 6 b 의 113 ) 의 두께 를 결정 한다 . 희생물 층 ( 102 ) , 예컨대 SiGe 층 의 두께 는 부분 절연 층 ( 113 ) 의 하부 의 반도체 기판 ( 100 ) 에 기생 채널 이 형성 되 지 않 을 정도 의 두께 로 형성 되 는 것 이 바람직 하 다 .