반도체 미립자 로 이루어지 는 반도체 층 , 바꾸 어 말 하 면 반도체 미립자 층 은 많 은 증감 색소 를 흡착 할 수 있 도록 , 표면적 이 큰 것 이 바람직 하 다 . 이 때문 에 , 반도체 미립자 층 을 지 지체 상 에 도포 형성 한 상태 에서 의 표면적 은 , 투영 면적 에 대하 여 10 배 이상 인 것 이 바람직 하 며 , 100 배 이상 인 것 이 보다 바람직 하 다 . 이 상한 에 특별히 제한 은 없 지만 , 통상 1000 배 정도 이 다 . 반도체 미립자 층 은 일반 적 으로 , 그 두께 가 증대 할수록 단위 투영 면적 당 의 담지 색소 량 이 증가 하 기 때문 에 광 의 포획 률 이 높 아 지 지만 , 주입 한 전자 의 확산 거리 가 늘어나 기 때문 에 전하 재결합 에 의한 로스 도 커진다 . 따라서 , 반도체 미립자 층 에 는 바람직 한 두께 가 존재 하 지만 , 그 두께 는 일반 적 으로 는 0 . 1 ~ 100 ㎛ 이 고 , 1 ~ 50 ㎛ 인 것 이 보다 바람직 하 며 , 3 ~ 30 ㎛ 인 것 이 특히 바람직 하 다 . 반도체 미립자 층 은 지 지체 에 도포 한 후 에 입자 끼리 를 전자 적 으로 콘택트 시키 고 , 막 강도 의 향상 이나 기판 의 밀착 성 을 향상 시키 기 위해서 , 소성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 소성 온도 의 범위 에 특별히 제한 은 없 지만 , 온도 를 지나치 게 올리 면 기판 의 저항 이 높 아 지 게 되 어 용융 하 는 경우 도 있 기 때문 에 , 통상 은 40 ~ 700 ℃ 이 며 , 보다 바람직 하 게 는 40 ~ 650 ℃ 이 다 . 또한 , 소성 시간 도 특별히 제한 은 없 지만 , 통상 은 10 분 ~ 10 시간 정도 이 다 . 소성 후 , 반도체 미립자 층 의 표면적 을 증대 시키 거나 , 반도체 미립자 간 의 네 킹 을 높이 거나 할 목적 으로 , 예 를 들 어 4 염화 티탄 수용액 을 사용 한 화학 도금 이나 3 염화 티탄 수용액 을 사용 한 네 킹 처리 나 직경 10 ㎚ 이하 의 반도체 초미립자 졸 의 딥 처리 등 을 행해도 된다 .