도 2 d 를 참조 하 면 , 상기 에 피층 ( 220 ) 상 에 상기 실리콘 기판 ( 200 ) 의 셀 지역 및 주변 회로 지역 에서 의 각 소자 분리 영역 을 노출 시키 는 하드 마스크 ( 도시 안 됨 ) 를 형성 한다 . 상기 하드 마스크 는 버퍼 역할 을 하 는 30 ∼ 600 Å 정도 두께 의 패드 산화 막 과 후속 CMP 공정 시 연마 정지 막 역할 을 하 는 20 ∼ 1500 Å 정도 두께 의 패드 질화 막 의 적층 막 으로 형성 한다 .