도 10 b 를 참조 하 면 , 상기 방법 은 광기전력 활성 재료 ( 1030 ) 의 형성 을 추가 로 포함 한다 . 예시 된 실시 형태 에 있 어서 , 광기전력 ( PV ) 활성 재료 ( 1030 ) 는 증착 된 박막 을 포함 하 지만 , 다른 구성 에서 는 , 그 위 에 있 는 단결정 , 반도체 기판 및 / 또는 에피 택 셜 층 의 일부 가 이용 된다 . 증착 된 PV 활성 재료 는 , 예 를 들 어 , 최근 인기 를 얻 고 있 는 비정질 실리콘 박막 을 포함 할 수 있 다 . 박막 으로서 의 비정질 실리콘 은 특히 물리 적 기상 증착 ( PVD ) , 화학 적 기상 증착 ( CVD ) , 전기 - 화학 적 기상 증착 혹은 플 라즈 마 - 증강 된 화학 적 기상 증착 ( PECVD ) 뿐 만 아니 라 당업자 에게 공지 된 기타 방법 에 의해 대 면적 에 걸쳐 증착 될 수 있 다 . 당업자 에게 공지 된 바 와 같이 , 비정질 실리콘 층 을 포함 하 는 PV 활성 재료 는 n - 도핑 된 및 / 또는 p - 도핑 된 실리콘 을 지닌 하나 이상 의 접합부 를 포함 할 수 있 고 또한 p - i - n 접합부 를 포함 할 수 있 다 . PV 활성 재료 ( 1030 ) 의 기타 적절 한 재료 는 게르마늄 ( Ge ) , Ge 합금 , 구리 인듐 갈륨 셀렌화물 ( CIGS ) , 카드뮴 텔루르 화합물 ( CdTe ) 등 의 합금 뿐 만 아니 라 , III - V 족 반도체 재료 , 또는 탄 뎀 ( tandem ) 멀티 - 접합 광기전력 재료 및 막 을 포함 한다 . III - V 족 반도체 재료 는 갈륨 비소 ( GaAs ) , 질화 인듐 ( InN ) , 질화 갈륨 ( GaN ) , 붕소 비화물 ( BAs ) 등 의 재료 를 포함 한다 . 인듐 갈륨 질화물 과 같 은 반도체 합금 도 이용 될 수 있 다 . 기타 광기전력 재료 및 장치 도 가능 하 다 . 이 들 재료 를 형성 하 는 방법 은 당업자 에게 공지 되 어 있 다 . 예시 된 예 로서 , CIGS 와 같 은 합금 이 구리 , 갈륨 및 인듐 이 공 증착 되 거나 공 스퍼터링 되 고 나 서 셀렌화물 증기 로 어닐링 되 어 CIGS 구 조체 를 형성 하 는 진공 기반 과정 에 의해 형성 될 수 있 다 . 비 진공 에 기초 한 대안 적 인 과정 은 또한 당업자 에게 공지 되 어 있 다 .