실시 예 에서 , 하나 이상 의 전도성 라이너 층 의 증착 동안 및 / 또는 이후 에 하나 이상 의 라이너 에치 백 공정 이 수행 될 수 있 으므로 , 다 마신 개구 를 상부 레벨 컨 덕 터로 충 진하 기 이전 에 상기 전도성 라이너 층 의 컨 포 멀리 티 가 한 번 이상 조절 된다 . 도 7 b 는 컨 포 멀리 티 조절 을 위해 , 한번 이상 의 라이너 에치 백 공정 에 의해 전도성 확산 배리 어 층 ( 701 ) 이 에치 백 된 바람직 한 실시 예 를 도시 한다 . 비아 바닥 에서 상기 배리어 를 얇 게 하 는 것 은 비아 저항 을 감소 시킬 수 있 다 . 그러나 , 너무 작 은 두께 의 경우 에 는 일 배선 층 으로부터 다른 배선 층 으로 의 구리 원자 의 자유 로운 확산 을 일으키 게 되 므로 , 상기 인터 커넥트 시스템 을 구성 하 는 컨 덕 터 물질 에서 보이드 ( Void ) 를 형성 하 게 된다 . 또한 , 얇 은 영역 ( 703 ) 을 통한 컨 덕 터 물질 의 기판 유전체 층 ( 103 ) 으로 의 확산 을 일으킬 수 있 다 . 트렌치 바닥 ( 704 ) 에서 의 확산 배리 어 층 의 두께 는 이 를 통해 컨 덕 터 물질 이 확산 되 는 것 을 방지 할 수 있 는 최적 의 값 으로 제어 될 필요 가 있 다 .