양극 과 발광 층 사이 에 정공 주입 층 , 정공 전달 층 또는 전자 차단 층 , 또는 이 들 의 조합 이 사용 될 수 있 다 . 정공 주입 층 은 양극 에서 정공 전달 층 또는 전자 차단 층 으로 의 정공 주입 장벽 ( 또는 정공 주입 전압 ) 을 낮출 목적 으로 복수 의 층 이 사용 될 수 있 으며 , 각 층 은 2 개 의 화합물 이 동시 에 사용 될 수 있 다 . 전자 차단 층 은 정공 전달 층 ( 또는 정공 주입 층 ) 과 발광 층 사이 에 위치 하 고 , 발광 층 으로부터 의 전자 의 오버 플로우 를 차단 하 여 엑시톤 을 발광 층 내 에 가두 어 발광 누수 를 방지 할 수 있 다 . 정공 전달 층 또는 전자 차단 층 은 복수 의 층 이 사용 될 수 있 고 , 각 층 에 복수 의 화합물 이 사용 될 수 있 다 .