본 발명 의 네 번 째 측면 에서 메모리 셀 은 ( 1 ) 제 1 전도체 ; ( 2 ) 상기 제 1 전도체 상 에 제조 된 탄소 나노 튜브 ( CNT ) 재료 를 포함 하 는 가역 저항 전환 소자 ( 상기 가역 저항 전환 소자 는 복수 의 CNT 를 포함 함 ) ; ( 3 ) 복수 의 CNT 는 상기 가역 저항 전환 소자 의 평면 의 표면 으로 노출 되 도록 상기 CNT 사이 에 배치 되 는 유전체 재료 ; ( 4 ) 상기 제 1 전도체 상 에 형성 된 다이오드 ; 및 ( 5 ) 상기 가역 저항 전환 소자 와 상기 다이오드 상 에 형성 된 제 2 전도체 를 포함 하 여 제공 된다 .