본 발명 에 따르 면 , EUV 광 , 전자선 , 이온 빔 , KrF 엑 시머 레이저 , ArF 엑 시머 레이저 등 의 250 ㎚ 이하 의 파장 을 갖 는 방사선 을 이용 한 패턴 형성 기술 에 있 어서 , 높 은 감도 와 우수 한 리소그래피 특성 의 양쪽 을 고 수준 으로 달성 가능 한 화학 증폭 형 레지스 트 재료 가 제공 된다 . 또한 , 본 발명 에 따르 면 , 상기 레지스 트 재료 를 사용 한 패턴 형성 방법 이 제공 된다 .