그런 다음 , 도 7 d 에 도시 된 바 와 같이 , 탄성 스탬프 ( 30 ) 를 이용 하 여 소스 기판 ( 10 ) 으로부터 금속 나노 도트 ( 20 ) 들 을 픽업 한다 . 그런 후 , 도 7 e 에 도시 된 바 와 같이 , 바닥 에 금속 나노 도트 ( 20 ) 들 이 부착 되 어 있 는 탄성 스탬프 ( 30 ) 를 도 7 a 에 도시 된 제 1 전자 수송 층 부분 ( 106 a ) 의 표면 에 밀착 시켜 , 상기 제 1 전자 수송 층 부분 ( 106 a ) 위 에 금속 나 노드 트 ( 20 ) 들 을 전사 한다 . 이때 , 탄성 스탬프 ( 30 ) 의 바닥 면 에 붙 어 있 는 금속 나노 도트 ( 20 ) 들 이 제 1 전자 수송 층 부분 ( 106 a ) 위 에 쉽 게 전사 될 수 있 도록 , 탄성 스탬프 ( 30 ) 를 약하 게 가열 하 거나 또는 압 전 효과 나 음파 를 통해 탄성 스탬프 ( 30 ) 에 미세 한 진동 을 줄 수 있 다 .