본 발명 은 반도체 소자 의 마스크 및 그 패턴 형성 방법 에 관한 것 으로서 , 주 패턴 에 대해 이너 코너 와 아웃 터코 너 를 형성 하 고 , 이너 코너 와 아웃 터코 너 의 사이 에 보조 패턴 을 형성 하 며 , 보조 패턴 의 형성 으로 동일 선폭 을 갖 는 주 패턴 에 대해서 만 선택 적 으로 게이트 셀 의 선폭 조절 이 이루어지 는 것 을 특징 으로 한다 . 따라서 본 발명 은 , 반도체 소자 의 마스크 형성 시 게이트 셀 부분 을 선택 적 으로 정확히 확보 하 고 광 근접 효과 를 보상 함 으로써 정확 한 선폭 으로 제조 할 수 있 게 되 어 전기 적 특성 이 우수 하 고 , 트랜지스터 간 의 발란스 확보 로 반도체 칩 속도 향상 의 효과 를 가진다 .