아래 와 같 은 단계 를 통해 전기 발광 다층 샘플 을 준비 하 였 다 . 아닐린 0 . 01 M 및 폴리 - p , p '-( 2 , 2 '- 디 설 포산 ) - 디페닐 렌 - 이 소프 탈아미드 와 폴리 - p , p '-( 2 , 2 '- 디 설 포산 ) - 디페닐 렌 - 테레프탈 아미드 의 공중 합체 ( poly - p , p '-( 2 , 2 '- disulfoacid ) - diphenylene - iso - phthalamide - co - poly - p , p '-( 2 , 2 '- disulfoacid ) - diphenylene - tere - phthalamide , co - PASA ) 0 . 005 M 을 포함 하 는 수용액 에서 포화 은 - 염화 은 전극 ( saturated silver - silver chloride electrode , SSCE ) 에 대하 여 양극 전위 가 약 0 . 75 V 에서 정전 압 방식 에 따라 폴리 아닐린 의 전기 화학 적 합성 을 수행 하 였 다 . 상기 co - PASA 의 농도 는 용액 내 의 폴리 산 의 모노머 들 의 몰수 로 나타냈 다 . 폴리 아닐린 막 은 In 2 O 3 / SnO 2 투명 전도 층 ( Balzers 사 , 스위스 또는 Donally 사 ) 으로 코팅 된 유리 전극 상 에 실온 에서 형성 됐 다 . 상기 투명 전도 층 은 양극 의 역할 을 하 며 , 상기 투명 전도 층 의 면저항 은 약 16 내지 약 20 ohm / sq 이 었 다 . In 2 O 3 / SnO 2 전기 전도 기판 위 에 폴리 아닐린 막 을 형성 하 기 전 에 , 상기 전기 전도 기판 은 초음파 배스 에서 부 피비 가 약 1 : 1 인 이소프로판올 / 탈 이온 수 , 톨루엔 , 아세톤 및 탈 이 온수 등 을 포함 하 는 세정제 수용액 으로 간단 하 게 세정 되 었 다 . 세정 의 마지막 단계 에서 상기 In 2 O 3 / SnO 2 막 의 표면 에 산소 플 라즈 마 를 가하 였 다 . 상기 폴리 아닐린 막 이 형성 된 후 , 폴리 아닐린 막 의 표면 을 약 1 . 0 M 의 염산 용액 및 탈 이 온수 로 반복 하 여 세정 하 였 다 . 상기 폴리 아닐린 막 은 약 60 ℃, 진공 분위기 에서 약 12 시간 동안 건조 되 었 다 . 건조 조건 에서 상기 막 들 의 두께 는 약 10 내지 약 20 nm 이 었 다 . 폴리 아닐린 막 의 두께 는 폴리 아닐린 합성 을 위한 전기 전하 소모 및 광 흡수 값 에 기초 할 뿐 만 아니 라 , 간섭계 ( interferometry ) 에 의해 측정 되 었 다 . 폴리 아닐린 막 위 에 클로로포름 스핀 캐스팅 을 이용 하 여 폴리 [ ( p - 페닐 렌 ) - alt ( 2 - 메 톡 시 - 5 -( 2 - 에틸 헥 속시 ) - p - 페닐 렌 비닐 렌 ] ( poly [ ( p - phenylene ) - alt ( 2 - methoxy - 5 -( 2 - ethylhexoxy ) - p - phenylenevinylene ] , 알드리 치사 ) 막 을 형성 하 였 다 . 상기 스핀 캐스팅 의 회전 속도 는 약 1000 내지 약 2500 rpm 이 었 다 . 상기 시편 은 약 60 ℃, 진공 분위기 에서 약 12 시간 동안 건조 되 었 다 . 또한 , 진공 열 증착 법 을 이용 하 여 약 5 x 10 - 6 Torr 에서 상기 폴리 [ ( p - 페닐 렌 ) - alt ( 2 - 메 톡 시 - 5 -( 2 - 에틸 헥 속시 ) - p - 페닐 렌 비닐 렌 ] 막 위 에 음극 의 역할 을 하 는 칼슘 막 과 알루미늄 막 을 차례 로 형성 하 였 다 . 상기 금속 양극 의 두께 는 약 80 내지 약 120 nm 이 었 다 . 제조 된 발광 다이오드 의 단일 발광 셀 의 면적 은 약 10 mm 2 이 었 으며 , 약 10 V 의 전압 및 약 0 . 09 mA / cm 2 의 전류 가 공급 되 었 을 때 휘도 는 약 350 cd / m 2 이 었 다 .