그래서 본 출원인 은 , 단결정 SiC 에 대해 투과성 을 갖 는 파장 의 레이저 광선 의 집 광점 을 단결정 SiC 잉곳 의 내부 에 위치 결정 하 고 단결정 SiC 잉곳 에 레이저 광선 을 조사 하 여 절단 예 정면 에 박리 층 을 형성 하 고 , 박리 층 으로부터 SiC 웨이퍼 를 박리 하 는 기술 을 제안 하 였 다 ( 특허 문헌 2 참조 ) . 그런데 , 박리 층 으로부터 SiC 웨이퍼 를 박리 하 는 것 이 곤란 하 여 생산 효율 이 나쁘 다는 문제 가 있 다 .