그런 다음 , 상기 노출 된 제 2 기판 ( 231 ) 및 제 2 전극 ( 232 ) 상 에 스퍼터링 방식 과 같 은 증착 방식 을 이용 하 여 절연 층 ( 234 ) 을 형성 한다 . 이때 , 상기 절연 층 ( 234 ) 은 상기 제 2 기판 ( 231 ) 과 후술 하 는 제 3 기판 ( 235 ) 이 서로 전기 적 으로 도통 되 는 것 을 방지 하 기 위해 형성 한다 . 이때 , 상기 절연 층 ( 234 ) 은 비 전도 성 의 투명 물질 을 사용 하 여 형성 하 며 상기 비 전도 성 의 투명 물질 은 SiO 2 또는 SiN 중 선택 된 어느 하나 를 사용 하 는 것 이 바람직 하 다 .