도 13 b 를 참조 하 면 , 상기 제 1 및 제 2 희생 마스크 패턴 ( 306 a , 306 b ) 의 양 측벽 에 스 페이서 패턴 ( 308 ) 을 형성 한다 . 계속 하 여 , 상기 스 페이서 패턴 ( 308 ) 의 양 측 으로 노출 되 는 상기 예비 하드 마스크 패턴 ( 304 ') 을 식각 한다 . 상기 식각 공정 을 수행 하 면 , 상기 제 1 및 제 2 희생 마스크 패턴 ( 306 a , 306 b ) 과 상기 스 페이서 패턴 ( 308 ) 아래 에 하드 마스크 패턴 ( 304 a ') 이 형성 된다 . 상기 공정 은 도 11 c 를 참조 로 설명 한 것 과 동일 하 다 .