또한 , 다 이 본드 필름 에 의한 복수 의 반도체 칩 끼리 의 적층 은 , 통상 , 120 ℃ 하 에서 행하 여 지 고 , 다 이 본드 필름 에 의해 적층 된 복수 의 반도체 칩 은 , 통상 , 180 ℃ 하 에서 수지 밀봉 ( 몰드 성형 ) 된다 . 즉 , 다 이 본드 필름 은 , 통상 , 복수 의 반도체 칩 끼리 의 적층 시 에 120 ℃ 의 온도 에 노출 되 고 , 수지 밀봉 ( 몰드 성형 ) 시 에 180 ℃ 의 온도 에 노출 된다 .