이 에 그래핀 에 적절 한 밴드 갭 을 부여 하 여 작동 전류 의 온 / 오프 비 를 증가 시키 려는 다양 한 시도 가 있 어 왔 다 . 예 를 들 면 , 그래핀 과 기판 사이 격자 부정합 으로 나타나 는 그래핀 결정 구조 의 대칭 성 을 파괴 하 거나 , 나노 리본 형태 패턴 을 형성 하 거나 , 또는 그래핀 의 화학 조성 을 변화 시키 거나 , 반도체 특성 을 가진 특정 층 을 그래핀 과 적층 시키 는 하이브리드 구 조체 를 제작 하 는 방법 등 이 시도 되 어 왔 다 . 그러나 우수 한 품질 의 그래핀 을 제작 하 는 것 도 , 제작 된 그래핀 을 나노 리본 구조 로 구현 하 는 것 도 , 그래핀 의 물 성 을 조정 하 는 것 도 용이 하 지 않 을 뿐 아니 라 , 증가 된 온 / 오프 비 가 수 ~ 수천 정도 로 산업 적 으로 활용 되 는 실리콘 기반 TFT 의 온 / 오프 비인 104 보다 여전히 열악 하 여 소자 의 대량 집적화 와 고속 구동 에 저해 요소 가 되 고 있 다 .