치환기 B 및 B ' 로서 보통 내지 강한 전자 공 여기 를 갖 는 나프 토피 란 을 다음 과 같이 제조 하 였 다 : 1 , 1 - 다이 ( 4 - 메 톡 시 페닐 ) - 2 - 프로 핀 - 1 - 올 ( 4 . 0 g , 본원 에 참고 로 특별 하 게 인용 한 미국 특허 제 5 , 458 , 814 호 의 실시 예 1 , 단계 1 의 생성물 ) 을 1 -( 4 - 메 톡 시 페닐 ) - 1 - 페닐 - 2 - 프로 핀 - 1 - 올 대신 사용 하 고 , 5 . 6 g 의 2 - 메 톡 시 카본 일 - 4 - 하 이드 록 시 - 7 , 8 - 다 이메 톡 시 나프탈렌 을 사용 하 고 , 250 ㎖ 의 메틸렌 클로라이드 를 사용 하 는 것 을 제외 하 고 는 실시 예 1 의 단계 4 의 과정 을 반복 하 였 다 . 반응 혼합물 을 포화 중 탄산 나트륨 ( 300 ㎖, 매회 ) 으로 두 번 세 척 한 후 , 용매 를 회전 증발 에 의해 제거 하 였 다 . 생성 된 갈색 고체 를 플래시 칼럼 크로마토그래피 에 의해 정제 하 고 , 계속 하 여 수득 된 생성물 을 에 터 로부터 의 결정 화 에 의해 정제 하 여 3 . 4 g 의 황색 고체 를 수득 하 였 다 . NMR 분석 으로 상기 생성물 이 2 , 2 - 다이 -( 4 - 메 톡 시 페닐 ) - 5 - 메 톡 시 카본 일 - 7 , 8 - 다 이메 톡 시 - 2 H - 나프 토 [ 1 , 2 - b ] 피란 에 일치 하 는 구조 를 가짐 을 확인 하 였 다 .