구리 전해 도금 용액 및 이 를 이용 한 반도체 소자 의 배선 형성 방법 에 관하 여 개시 한다 . 본 발명 의 용액 에 는 단일 공정 에서 수퍼 필링 과 레벨 링 이 이루어지 도록 1 μ M ~ 30 μ M 농도 의 N , N - 디 메틸 디 티오 카르바 믹 산 ( 3 - 설 포프 로 필 ) 에스테르 ( N , N - Dimethyldithiocarbamic acid ( 3 - sulfopropyl ) ester ) ( DPS ) 가 포함 되 는 것 을 특징 으로 한다 . 본 발명 에 의하 면 , 구리 전해 도금 용액 의 유기 첨가제 로서 SPS 대신 에 저 농도 의 DPS 를 이용 함 으로써 도금 공정 중 추가 적 인 공정 없이 수퍼 필링 과 레벨 링 을 얻 을 수 있 으므로 공정 단순 화 와 후속 CMP 공정 에서 의 균일 한 구리 배선 형성 의 효과 를 얻 을 수 있 다 .