상기 수직 형 메모리 장치 에서 , 상기 제 2 방향 으로 서로 이웃 하 는 CSL 들 ( 310 ) 사이 에 형성 된 게이트 전극 구조물 을 상기 제 1 방향 으로 각각 관통 하 는 복수 의 채널 들 ( 225 ) 을 포함 하 는 채널 블록 이 형성 될 수 있 으며 , 상기 채널 블록 은 상기 제 3 방향 으로 배치 된 복수 의 채널 들 ( 225 ) 을 각각 포함 하 며 상기 제 2 방향 으로 배열 된 적어도 14 개 이상 의 채널 열 들 을 포함 할 수 있 다 . 후술 하 는 상기 수직 형 메모리 장치 의 제조 방법 에서 몰드 구조물 을 지지 하 여 기울어짐 을 방지 하 는 역할 을 수행 하 는 채널 들 ( 225 ) 이 다수 로 형성 되 어 상기 게이트 전극 구조물 을 관통 함 에 따라서 , 상기 수직 형 메모리 장치 는 기울어짐 이 없 는 안정 적 인 구조 를 가질 수 있 다 .