여기 서 , 반도체 박막 ( 131 ) 을 형성 할 소정 의 반도체 물질 은 제 1 절연성 반도체 박막 ( 120 - 1 ) 을 형성 하 는 반도체 물질 에 비해 상대 적 으로 그 에너지 금지 대역 ( energy band gap ) 이 작 은 반도체 물질 이 이용 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 제 1 절연성 반도체 박막 ( 120 - 1 ) 으로서 절연성 GaAs 박막 이 이용 되 는 경우 , InAs ( indium arsenide ) 를 분자 빔 성 장법 ( MBE , Molecular Beam Epitaxy ) 을 이용 하 여 절연성 GaAs 박막 상 에 약 10 초 동안 성장 시키 는 방법 으로 약 1 . 66 nm 두께 의 InAs 박막 을 형성 시킬 수 있 다 . 이 와 같이 InAs 박막 을 제 1 절연성 반도체 박막 ( 120 - 1 ) 에 비해 아주 얇 게 성장 시키 는 이유 는 이후 도 2 의 단계 ( c ) 를 통하 여 해당 물질 의 반도체 양자 점 ( 130 ) 을 얻 어 내 기 위해서 는 물질 간 상호 응집 과정 이 수월히 일어날 수 있 도록 그 박막 의 두께 가 얇 아야 하 기 때문 이 다 . 즉 , 제 1 절연성 반도체 박막 ( 120 - 1 ) 의 경 우 에 는 동일 한 방법 ( 분자 빔 성 장법 ( MBE , Molecular Beam Epitaxy ) ) 을 이용 하 여 박막 을 성장 ( 형성 ) 시켰 더라도 그 박막 의 두께 가 두껍 기 때문 에 물질 간 상호 응집 이 일어나 지 않 아서 양자 점 이 형성 되 지 않 는다 . 다만 , 반도체 양자 점 ( 130 ) 을 얻 기 위한 박막 의 두께 는 상술 한 예 와 는 다른 수치 를 가질 수 있 으며 , 박막 형성 을 위해 사용 되 는 반도체 물질 의 종류 , 특성 등 을 고려 하 여 최적 화 된 두께 로 박막 을 형성 할 수 있 음 은 물론 이 다 .