일 실시 형태 에 따르 면 , 실리콘 을 함유 하 는 재료 상 에 저항 스위칭 메모리 소자 를 제조 하 는 방법 이 제공 되 며 , 이 방법 은 , 그 재료 상 에 금속 을 함유 하 는 층 을 증착 하 는 단계 , 증착 된 층 및 상기 재료 를 가열 하 여 증착 된 층 의 적어도 일부 및 상기 재료 의 적어도 일부 로부터 금속 규화물 전극 층 을 형성 하 는 단계 및 금속 규화물 전극 층 상 에 저항 스위칭 금속 산화물 을 형성 하 는 단계 를 포함 한다 .