도 3 은 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 PECVD 장치 를 나타내 는 단면도 이 고 , 도 4 는 도 3 의 ' A ' 부분 을 확대 하 여 나타내 는 도면 이 며 , 도 5 는 도 3 의 ' B ' 부분 을 확대 하 여 나타내 는 도면 이 다 . 도 3 내지 도 5 를 참조 하 면 , 공정 챔버 ( 100 ) , 반응 공간 ( 150 ) , 백 플레이트 ( 200 ) , 가스 도입부 ( 210 ) , 제 1 결합 부재 ( 250 ) , 가스 확산 부재 ( 300 ) , 샤워 헤드 ( 400 ) , 분사 홀 ( 410 ) , 제 2 결합 부재 ( 450 ) , 장공 홀 ( 460 ) , 서 셉 터 ( 500 ) , 클램프 부재 ( 600 ) , 제 3 결합 부재 ( 650 ) , 제 4 결합 부재 ( 670 ) , 열 저항 부재 ( 700 ) , 기판 ( 800 ) 등 이 도시 되 어 있 다 .