도 6 의 ( f ) 에 도시 된 바 와 같이 제어 절 연막 ( 607 ) 상 에 제어 게이트 ( 608 ) 를 형성 하 고 , N 형 의 불순물 이온 의 디 퓨 젼 ( diffusion ) 또는 임 플란트 공정 및 후속 열처리 등 을 통하 여 제어 게이트 ( 608 ) 하부 , 곧 채널 영역 만큼 이격 된 소오 스 ( 미 도시 ) 및 드레 인 ( 604 ) 을 형성 한다 .