일반 적 으로 , 종래 의 저항 변화 메모리 소자 에서 , 상기 포 밍 전압 은 상기 리셋 전압 및 상기 셋 전압 보다 크 며 , 이 로 인해 , 전력 소모 가 커질 수 있 다 . 또한 , 산화 - 환원 을 기반 으로 동작 하 는 저항 변화 메모리 소자 는 구동 전류 로서 일정 수준 이상 의 전류 가 필요 하 기 때문 에 누설 전류 를 최소 화 하 는 데 한계 를 가질 수 있 다 .