본 실시 예 에 따르 면 , 구동 트랜지스터 ( Td 2 ) 의 드레 인 영역 ( 135 d ) 과 게이트 전극 ( 154 d ) 사이 에 더미 채널 영역 ( 134 d 1 ) , 더미 절 연막 ( 144 d 3 ) 및 더미 전극 ( 154 d 1 ) 이 위치 하 여 드레 인 영역 ( 135 d ) 과 게이트 전극 ( 154 d ) 사이 의 거리 가 멀 어 질 수 있 다 . 따라서 소스 영역 ( 133 d ) 과 드레 인 영역 ( 135 d ) 사이 에 고전압 이 인가 되 고 드레 인 영역 ( 135 d ) 쪽 에 고전 위 가 인가 되 는 경우 에 도 드레 인 영역 ( 135 d ) 과 게이트 전극 ( 154 d ) 사이 에 강한 전기장 이 형성 되 는 것 을 방지 할 수 있 어서 구동 트랜지스터 ( Td 2 ) 의 온 - 전류 의 저하 및 문턱 전압 의 이동 으로 인한 특성 저하 를 방지 할 수 있 고 구동 트랜지스터 ( Td 2 ) 의 신뢰 성 및 고전압 에 대한 내성 을 유지 할 수 있 다 . 또한 , 구동 트랜지스터 ( Td 2 ) 의 사용 가능 한 전압 범위 를 넓힐 수 있 다 .