몇몇 실시 예 에서 , 하이브리드 터치 센서 ( 700 ) 는 바닥 에 조밀 한 행 전도체 ( 740 ) 와 , 행 전도체 ( 740 ) 상 에 압축 가능 하 고 변형 가능 한 유전체 ( 110 ) 와 , 유전체 ( 110 ) 상 에 조밀 한 열 전도체 ( 730 ) 와 , 열 전도체 ( 730 ) 상 에 스 파스 한 ( sparse ) 행 전도체 ( 720 ) 를 적층 한 것 이 다 . 열 전도체 ( 730 ) 는 행 전도체 ( 720 ) 와 변형 가능 한 유전체 ( 100 ) 사이 에 위치 해 있 고 , 변형 가능 한 유전체 ( 100 ) 는 열 전도체 ( 730 ) 와 행 전도체 ( 740 ) 사이 에 위치 해 있 다 . 도 7 에 도시 된 투시도 에서 , 행 전도체 ( 720 ) 는 센서 를 위해 도시 된 다른 층 들 의 최 상부 에 위치 하 는 것 으로 고려 되 며 , 행 전도체 ( 740 ) 는 센서 를 위해 도시 된 다른 층 들 보다 맨 아래 에 있 는 것 으로 고려 된다 . 조밀 한 행 들 로부터 조밀 한 열 들 로 의 평 행판 정전 용량 을 측정 함 으로써 힘 측정 이 얻 어 질 수 있 고 , 조밀 한 열 들 로부터 스 파스 한 행 들 로 의 프린 징 정전 용량 을 측정 함 으로써 실제 정전 용량 터치 신호 가 얻 어 질 수 있 으며 , 여기 서 사용 자 의 터치 로 인해 힘 측정 에서 측정 된 정전 용량 은 증가 하 게 되 고 실제 정전 용량 터치 측정 에서 측정 된 정전 용량 은 감소 하 게 될 수 있 다 .