도 2 g 를 참조 하 면 , 정렬 키 ( 135 ) 및 실리콘 층 ( 125 ) 상부 에 상부 층 ( 미 도시 ) 를 형성 한다 . 이때 , 상부 층 ( 미 도시 ) 의 구조 에 따라 도 2 g 의 ( ⅰ ) 와 같이 형성 된 정렬 키 ( 135 ) 를 그대로 사용 할 수 도 있 고 , 도 2 g 의 ( ⅱ ) 와 같이 정렬 키 ( 135 ) 를 일부 식각 하 여 단차 를 형성 하 여 키 리딩 을 진행할 수 도 있 다 .