도 2 를 참조 하 면 , 반도체 기판 ( 100 ) 에 활성 영역 ( 120 ) 을 정의 하 는 소자 분리 막 ( 130 ) 이 구비 된다 . 이때 , 활성 영역 ( 120 ) 은 주변 회로 영역 을 나타낸 것 이 며 , 활성 영역 ( 120 ) 의 소정 부분 이 식각 되 어 서로 다른 채널 길이 를 형성 하 는 제 1 리세 스 게이트 영역 ( 125 a ) 및 제 2 리세 스 게이트 영역 ( 125 b ) 이 구비 된다 .