한 가지 방법 은 포토레지스트 로 덮인 기판 이 유기 용매 와 아민 으로 주로 이루어진 포토레지스트 스트리퍼 용액 ( stripper solution ) 과 접촉 하 게 되 는 습식 스 트리핑 ( wet stripping ) 단계 를 수반 한다 . 그러나 스트리퍼 용액 은 특히 , 포토레지스트 필름 이 제조 중 에 자외선 과 플라스마 처리 에 노출 되 는 경우 , 완전 하 고 확실 하 게 포토레지스트 필름 을 제거 할 수 없 다 . 일부 포토레지스트 필름 은 이러 한 처리 에 의해 고도 로 가교 결합 되 고 , 스트리퍼 용액 에 용해 시키 기 가 더 어렵 다 . 또한 , 이러 한 종래 의 습식 스 트리핑 방법 에 사용 되 는 화학 물질 은 할로겐 함유 가스 로 금속 또는 산화물 층 을 플라스마 에칭 동안 형성 된 무기 또는 유기 금속 잔류 물질 을 제거 하 는 데 때때로 효과 적 이 지 않 다 .