판독 과 프로그램 성능 을 향상 시키 기 위해 , 어레이 에서 다수 의 전하 저장 소자 또는 메모리 트랜지스터 는 병렬 로 읽 거나 또는 프로그램 된다 . 그러므로 , " 메모리 소자 의 "" 페이지 "" 는 함께 읽 거나 또는 프로그램 된다 . 종래 의 메모리 구조 에서 ", 열 ( row ) 은 전형 적 으로 몇 개 의 끼워진 페이지 를 포함 하 거나 , 또는 한 페이지 의 이웃 하 는 메모리 셀 로 구성 될 수 있 다 . 페이지 의 모든 메모리 소자 는 함께 읽 거나 프로그램 될 것 이 다 . 현재 제조 된 반도체 집 적 회로 메모리 칩 에서 , 메모리 페이지 는 병렬 로 읽 거나 또는 감지 된 64 , 000 개 의 메모리 셀 또는 메모리 소자 만큼 가질 수 있 다 .