또한 , 실시 예 1 에 있 어서 , 본딩 장치 ( 30 ) 가 , 예 를 들 면 도 41 B 에 나타내 는 바 와 같 은 , 기판 ( WT ) 과 헤드 ( 33 H ) 의 선 단부 사이 의 거리 를 측정 하 는 거리 측 정부 를 구비 하 는 것 이 어도 좋 다 . 이 경우 , 칩 실장 시스템 이 , 칩 ( CP ) 의 두께 를 미리 계측 하 는 두께 계측 부 ( 미 도시 ) 를 구비 하 고 , 본딩 장치 ( 30 ) 가 , 거리 측 정부 에 의해 측정 된 기판 ( WT ) 의 실 장면 ( WTf ) 과 헤드 ( 33 H ) 의 선 단부 사이 의 거리 로부터 칩 ( CP ) 의 두께 를 빼 고 얻 어 지 는 거리 에 기초 하 여 , 기판 ( WT ) 의 실 장면 ( WTf ) 과 칩 ( CP ) 사이 의 거리 와 칩 ( CP ) 의 기판 ( WT ) 의 실 장면 ( WTf ) 에 대한 경사 중 의 적어도 하나 를 조정 한다 . 또한 , 기판 ( WT ) 이 레이 저광 을 반사 하 지 않 는 경우 , 거리 측 정부 가 , 기판 ( WT ) 이 스테이지 ( 31 ) 에 유지 되 어 있 지 않 고 , 칩 ( CP ) 이 헤드 ( 33 H ) 에 유지 되 어 있 지 않 는 상태 에 있 어서 , 스테이지 ( 31 ) 와 헤드 ( 33 H ) 의 선 단부 사이 의 거리 를 측정 하 는 것 이 어도 좋 다 . 이 경우 , 칩 실장 시스템 이 , 기판 ( WT ) 의 두께 와 칩 ( CP ) 의 두께 를 미리 계측 하 는 두께 계측 부 ( 미 도시 ) 를 구비 하 고 , 본딩 장치 ( 30 ) 가 , 거리 측 정부 에 의해 측정 된 스테이지 ( 31 ) 와 헤드 ( 33 H ) 의 선 단부 사이 의 거리 로부터 기판 ( WT ) 의 두께 및 칩 ( CP ) 의 두께 를 빼 고 얻 어 지 는 거리 에 기초 하 여 , 기판 ( WT ) 의 실 장면 ( WTf ) 과 칩 ( CP ) 사이 의 거리 와 칩 ( CP ) 의 기판 ( WT ) 의 실 장면 ( WTf ) 에 대한 경사 중 의 적어도 하나 를 조정 한다 . 또한 , 칩 이나 기판 의 거리 를 측정 하 는 측 정부 는 칩 실장 시스템 부내 에 없 더라도 사전 에 두께 를 알 고 있 는 것 이 라면 그 값 을 사용 하 면 된다 .