이 때 도 펀트 의 함량 은 발광 층 형성 재료 에 따라 가변 적 이 지만 , 일반 적 으로 발광 층 형성 재료 ( 호스트 와 도 펀트 의 총 중량 ) 100 중량 부를 기준 으로 하 여 3 내지 10 중량 부 인 것 이 바람직 하 다 . 만약 도 펀트 의 함량 이 상기 범위 를 벗어나 면 EL 소자 의 발광 특성 이 저하 되 어 바람직 하 지 못하 다 . 본 발명 에서 , 예 를 들 면 , DPAVBi ( 4 , 4 '- 비스 [ 4 -( 디 - p - 톨 일 아미노 ) 스티 릴 ] 비페닐 ) 이 사용 될 수 있 고 , 형광 호스트 로 서 는 ADN ( 9 , 10 - 디 ( 나프 - 2 - 틸 ) 안트라센 ) 또는 TBADN ( 3 - 터트 - 부틸 - 9 , 10 - 디 ( 나프 - 2 - 틸 ) 안트라센 ) 이 사용 될 수 있 다 .