다만 , 상기 한 바 와 같이 마지막 공정 으로 투명 기판 의 하부 면 에 굴절 률 보정 층 을 형성 하 는 것 도 가능 하 지만 , 상기 제 1 산화 ? 산란 방지 층 의 형성 단계 ( S 401 ) 전 에 미리 투명 기판 의 하부 면 에 굴절 률 보정 층 을 형성 하 고 , 상기 굴절 률 보정 층 이 하부 에 형성 된 투명 기판 의 상부 면 에 제 1 산화 ? 산란 방지 층 을 형성 하 는 과정 을 거쳐서 본 발명 의 수동형 유기 발광 다이오드 를 제조 할 수 도 있 을 것 이 다 .