상기 전하 생 성층 ( CGL ) 은 제 1 스택 과 인접 하 게 위치 하 는 n 형 전하 생성 층 과 n 형 전하 생성 층 상 에 형성 되 어 제 2 스택 과 인접 하 게 위치 하 는 p 형 전하 생성 층 을 포함 할 수 있 다 . n 형 전하 생성 층 은 제 1 스택 으로 전자 ( electron ) 를 주입 해 주 고 , p 형 전하 생성 층 은 제 2 스택 으로 정공 ( hole ) 을 주입 해 준다 . n 형 전하 생성 층 은 Li , Na , K , 또는 Cs 와 같 은 알칼리 금속 , 또는 Mg , Sr , Ba , 또는 Ra 와 같 은 알칼리 토금속 으로 도핑 된 유기 층 으로 이루어질 수 있 다 . p 형 전하 생성 층 은 정공수 송 능력 이 있 는 유기 물질 에 도 펀트 가 도핑 되 어 이루어질 수 있 다 .