여기 서 반도체 층 ( 108 ) 으로서 인듐 을 포함 하 는 금속 산화 물막 을 사용 한 경우 , 저 저항 영역 ( 108 n ) 의 절연 층 ( 116 ) 측 의 계면 근방 에 , 산화 인듐 이 석출 한 영역 , 또는 인듐 농도 가 높 은 영역 이 형성 되 어 있 는 경우 가 있 다 . 이 로써 , 매우 저 저항 의 저 저항 영역 ( 108 n ) 을 형성 할 수 있 다 . 이러 한 영역 이 존재 하 는 것 은 , 예 를 들 어 X 선 광전자 분광법 ( XPS : X - ray Photoelectron Spectroscopy ) 등 의 분석법 으로 관측 할 수 있 는 경우 가 있 다 .