본 발명 의 제 1 실시 예 에 따른 이미지 센서 는 하부 배선 ( 120 ) 을 포함 하 는 씨 모스 회로 ( circuitry ) ( 미 도시 ) 가 형성 된 기판 ( 110 ) ; 상기 기판 ( 110 ) 상 에 복수 로 분리 되 어 형성 된 제 1 배선 ( 140 ) ; 상기 제 1 배선 ( 140 ) 상 에 평탄 화 되 어 형성 된 절연 층 ( 160 ) ; 상기 절연 층 ( 160 ) 상 에 형성 된 진성 층 ( intrinsic layer ) ( 170 ) ; 및 상기 진성 층 ( 170 ) 상 에 형성 된 제 2 도전 형 전도 층 ( 180 ) ; 을 포함 할 수 있 다 .