그런데 , 게이트 형성 을 위한 트렌치 식각 공정 시 , 식각 조건 등 을 컨트롤 하 기 어려워 트렌치 의 깊이 가 불 균일 할 수 있 다 . 트렌치 의 깊이 균일 도 는 문턱 전압 산포 에 영향 을 미치 므로 , 트렌치 의 깊이 가 균일 하 지 못할 경우 , 문턱 전압 산포 가 증가 할 수 있 다 . 또한 , 트렌치 를 형성 하 기 위한 식각 과정 에서 트렌치 가 국부 적 으로 날카로운 프로 파일 을 갖 게 형성 될 수 있 다 . 트렌치 가 날카로운 프로 파일 을 갖 게 되 면 , 후속 게이트 절 연막 증착 시 게이트 절 연막 이 얇 게 ( thinning ) 형성 되 는 취약 지점 이 발생 되 어 반도체 소자 의 신뢰 성 이 저하 될 수 있 다 . 예컨대 , 게이트 전극 형성 후 전압 을 인가 하 게 되 면 취약 지점 으로 전계 가 집중 되 어 누설 전류 가 발생 되 거나 , 게이트 절 연막 의 항복 전압 이 ( BV ; Breakdowm Voltage ) 이 감소 될 수 있 다 .