이 와 같 은 배치 에 의하 면 , 단결정 반도체 막 ( 124 ) 의 a 1 보다 도 길 고 , 베이스 기판 ( 120 ) 의 짧 은 변 보다 도 짧 은 , 긴 쪽 길 이 L 1 의 선상 레이저 빔 으로 단결정 반도체 막 ( 124 ) 의 표면 처리 또는 재 단결정 화 처리 를 할 경우 에 있 어서 , 인접 간격 c 사이 에 상기 선상 레이저 빔 의 단부 가 위치 하 도록 조사 할 수 있 다 . 그것 에 의해 , 인접 하 는 단결정 반도체 막 ( 124 ) 에 선상 레이저 빔 단 이 중복 해서 조사 되 지 않 아 , 품질 이 불 균일 하 게 되 는 것 을 방지 할 수 있 다 .