그 다음 , 후속 전극 형성 시 콘택트 저항 감소 , 이온 확산 등 을 방지 하 기 위하 여 도 1 e 에 도시 된 바 와 같이 티타늄 ( Ti ) 막 ( 8 ) 과 질화 티타늄 ( TiN ) 막 ( 9 ) 으로 구성 된 콘택트 배리어 ( barrier ) 메탈 막 을 형성 하 고 , 열 공정 을 통해 콘택트 실리사이드 를 형성 한다 . 이후 , 스퍼터링 등 을 통해 금속 막 을 증착 하 고 , 패 터닝 하 여 전극 패턴 을 형성 함 으로써 최종 모스 트랜지스터 를 완성 한다 .