본 발명 에서 는 초저주파 RF 전력 을 사용 함 으로써 , 반응 가스 가 초저주파 와 해리 될 수 없 기 때문 에 플 라즈 마의 농도 와 반응 가스 에 있 는 라디칼 ( Radical ) 농도 가 저하 한다 . 충족 한 식각 속도 를 확보 하 기 위해 , 고주파 RF 전력 의 수치 를 충분히 증가 시킬 필요 가 있 다 . 예 를 들 어 , 종래 기술 에서 60 MHz 의 출력 파워 가 1200 W 이 고 2 MHz 에서 10000 W 의 출력 파워 를 갖 는 저주파 RF 전원 에 의해 식각 가스 ( 플 루 오로 카본 화합물 및 플 루 오로 카본 수소 화합물 ) 가 반응 가스 로서 주입 된다 . 동시 에 , 초저주파 RF 전원 은 10 ~ 300 KHz 의 주파수 에서 5000 ~ 8000 W 의 출력 파워 를 갖 는다 . 따라서 , 본 발명 에서 초저주파 RF 전력 으로 높 은 종횡비 의 식각 과정 에서 의 식각 속도 를 증가 시키 고 바이어스 RF 전원 의 파워 를 부분 적 으로 저하 시킬 수 있 지만 , 고주파 RF 전력 을 충분히 증가 시키 는 것 을 희생 으로 해야 한다 . 높 은 종횡비 의 식각 공정 을 더 개선 하 기 위해 , 본 발명 은 도 5 b 에 도시 한 다른 실시 예 를 더 제공 한다 . 도 5 b 에 도시 한 구조 는 , 두 저주파 RF 전원 ( LF 1 , LF 2 ) 이 하부 전극 에 연결 되 고 , 두 저주파 RF 전원 ( LF 1 , LF 2 ) 이 하나 의 매칭 회로 를 통해 하부 전극 에 연결 되 는 것 을 제외 하 면 도 5 a 의 구조 와 실질 적 으로 동일 하 다 . 높 은 종횡비 의 홀 을 식각 하 는 공정 동안 , 식각 깊이 가 비교 적 낮 은 ( 6 um 보다 적다 ) 제 1 단계 에서 먼저 하부 전극 에 주파수 ( LF 1 ) 가 비교 적 높 은 ( 2 MHz ~ 13 . 56 MHz ) 바이어스 RF 전력 을 공급 하 고 , 동시 에 파워 가 비교 적 낮 은 고주파 ( HF ) RF 전력 을 공급 하 며 , 고주파 ( HF ) 의 주파수 는 4 MHz 이상 이 다 . 한 실시 예 로서 , 주파수 ( LF 1 ) 가 13 . 56 MHz 일 때 , 고주파 ( HF ) 가 27 MHz 이상 이 다 . 도 4 에 나타낸 식각 속도 와 식각 깊이 의 관계 도 에서 알 수 있 듯이 , 이 공정 에서 저주파 RF 전력 ( LF 1 ) 의 식각 속도 가 초저주파 RF 전력 ( LF 2 ) 의 식각 속도 보다 조금 낮 지만 , 고주파 ( HF ) RF 전력 을 대량 으로 절약 할 수 있 다 . 식각 깊이 가 6 um 에 도달 하 면 , 매칭 스위치 회로 가 스위칭 되 어 하부 전극 에 초저주파 ( LF 2 ) 파워 가 출력 되 고 , 동시 에 RF 전원 ( LF 1 ) 의 RF 전력 의 출력 을 중지 하 고 , 제 2 단계 의 식각 을 실행 할 수 있 다 . 이러 한 방식 으로 , 제 2 단계 에서 비교 적 높 은 식각 속도 를 유지 할 수 있 으며 , 식각 홀 의 측벽 에 대한 식각 을 방지 하 고 최종 적 으로 원 하 는 식각 깊이 를 달성 할 수 있 다 . 상기 제 2 단계 의 식각 을 실행 할 때 초저주파 RF 전원 의 주파수 는 100 KHz 또는 200 KHz 로 선택 될 수 있 다 .