또한 , 산화물 반도체 층 의 성막 후 , 산화물 반도체 층 ( 144 ) 의 형성 후 , 또는 게이트 절연 층 ( 146 ) 의 형성 후 중 어느 하나 에 있 어서 , 산소 도프 처리 를 행해 도 좋 다 . 산소 도프 란 , 산소 ( 적어도 , 산소 라디칼 , 산소 원자 , 산소 이온 중 어느 하나 를 포함 ) 를 벌크 에 첨가 하 는 것 을 말 한다 . 또한 , 상기 「 벌크 」 라는 용어 는 , 산소 를 , 박막 표면 뿐 만 아니 라 박막 내부 에 첨가 하 는 것 을 명확히 하 는 취지 로 사용 하 고 있 다 . 또한 , 「 산소 도프 」 에 는 , 플 라즈 마 화 한 산소 를 벌크 에 첨가 하 는 「 산소 플 라즈 마 도프 」 가 포함 된다 . 산소 도프 처리 를 행함 으로써 , 산화물 반도체 층 이나 게이트 절연 층 에 포함 되 는 산소 를 , 화학량론 적 조성 비 보다 많 게 할 수 있 다 .