이 에 대하 여 , 도 2 의 본 발명 에 의한 배면 조사 의 경우 는 , 트랜지스터 ( 130 ) 가 배치 되 어 있 지 않 은 측 으로부터 광이 기판 ( 실리콘 기판 ) ( 100 ) 내 에 침입 하 는 구조 로 되 어 있 으므로 , 파장 이 긴 광 의 대부분 은 트랜지스터 근방 에 도달 하 지만 , 파장 이 짧 은 광 은 매우 일부 밖 에 도달 하 지 않 는다 .