먼저 , 도 2 에 도시 된 바 와 같이 , 수소 ( Hydrogen , H 2 ) 가스 를 이용 한 제 1 어닐링 공정 을 실시 하 여 기판 ( 10 ) 표면 에 존재 하 는 수분 , 즉 OH 기 를 탈착 시킨다 . 이러 한 수분 은 후속 공정 시 소자 의 특성 을 저하 시키 는 원인 이 될 수 있 기 때문 이 다 . 여기 서 , 제 1 어닐링 공정 은 300 ~ 450 ℃ 에서 H 2 의 유량 을 10 ~ 500 sccm 으로 하 여 1 ~ 5 분 간 실시 한다 . 바람직 하 게 는 , 450 ℃ 의 H 2 분위기 에서 실시 한다 .