그 후 , 도 9 s 에 나타낸 바 와 같이 실리콘 산질 화 막 ( 168 ) 위 , 소정 의 위치 에 개구부 를 갖 는 레지스 트 패턴 ( 199 ) 을 형성 한다 . 그리고 , 레지스 트 패턴 ( 199 ) 을 마스크 로 하 여 실리콘 산질 화 막 ( 168 ) 등 의 에칭 을 행함 으로써 , 백금 막 ( 161 ) 까지 도달 하 는 콘택트 홀 ( 169 t ) 을 형성 한다 .