여기 서 , " No . 2 내지 No . 4 의 도전 성막 ( 4 ) 에 의해 "" 통전 포 밍 처리 "" 에 ", 환원성 가스 를 이용 하 면 , 의도 에 따라서 포 밍 파워 가 크 게 되 는 경우 가 있 다 . 그 이유 로서 는 , 도전 성막 ( 4 ) 의 도전 기구 가 변화 되 었 다는 것 이 고려 된다 . 그 때문 에 , 본 발명 에 있 어서 는 , " "" 통전 포 밍 처리 "" 시 의 분위기 는 실용 적 으로 는 10 - 5 Pa 이하 의 압력 으로 유지 하 여 안정 적 인 간극 ( 7 ) 의 형성 에 기여 하 므로 ", 바람직 하 다 .