상기 ( c ) 단계 이전 에 는 수소 베이 킹 공정 을 더 포함 하 여 수행 하 는 것 이 바람직 한데 , 이 는 상기 실리콘 이온 이 주입 된 이온 주입 층 ( 2 ) 의 표면 에 는 수증기 , SiO 2 기타 불순물 이 존재 할 수 있 으며 , 이러 한 불순물 로 인해 실리콘 의 증착 이 저해 되 기 때문 에 이러 한 불순물 을 제거 하 기 위함 이 다 . 본 공정 은 약 900 ℃ 의 온도 와 약 1 torr 의 압력 에서 1 분 내지 수분 동안 적당 한 유량 의 H 2 기체 를 흘려 주 며 상기 사파이어 기판 의 표면 에 붙 어 있 는 불순물 을 제거 하 는 공정 을 의미 한다 .