여기 서 , 박막 적층 체 ( 114 ) 의 측면 과 게이트 전극 층 ( 116 ) 의 측면 과 의 간격 ( d 1 ) 은 , 제 1 도 전막 ( 102 ) 의 두께 에 의존 한다 . 제 2 에칭 은 , 사이드 에칭 을 수반 하 는 에칭 이 며 , 대략 등방 적 인 에칭 ( 소위 , 화학 적 인 에칭 ) 이 다 . 따라서 , 실시 형태 1 에 나타낸 방법 에 따라서 는 , 상기 간격 ( d 1 ) 을 제 1 도 전막 ( 102 ) 의 두께 보다 작 게 하 는 경우 , 제 1 도 전막 ( 102 ) 의 제거 해야 할 영역 을 완전히 제거 하 는 것 은 매우 곤란 하 다 .