도 3 에 도시 된 바 와 같이 , 공정 시퀀스 ( 300 ) 는 제 1 반응물 로부터 제 1 활성 종 을 형성 하 는 단계 ( 310 ) 로 시작 할 수 있 되 , 제 1 반응물 및 퍼지 가스 는 반응 챔버 에 연속 적 으로 제공 된다 . 단계 ( 310 ) 중 에 , 제 1 반응물 은 RF 전력 에 의해 활성 화 되 어 , 도 1 과 연관 하 여 전술 한 바 와 같이 제 1 활성 종 을 형성 할 수 있 다 . 제 1 반응물 의 플 라즈 마 활성 화 에 대한 시간 은 3 초 초과 내지 약 10 초 ( 예 , 5 초 ) , 또는 약 4 초 내지 약 8 초 범위 일 수 있 다 . 플 라즈 마 점 화 시간 은 , 오 목부 내 에 증착 된 재료 를 이음매 없이 충 진하 는 데 있 어서 중요 한 인자 로서 또한 생각 되 며 , 다양 한 인자 에 의존 할 수 있 고 , 전술 한 바 와 같이 피처 의 종횡비 및 m : n 의 비 를 포함 한다 . 예 를 들 어 , 도 7 에 도시 된 바 와 같이 , 1 : 3 의 m : n 비 및 20 : 1 의 종횡비 를 갖 는 피처 의 경우 , 각 처리 단계 에서 3 초 미만 의 플 라즈 마 점 화 시간 은 증착 된 재료 에 이음매 를 남길 수 있 다 . 예 시 적 인 실시 예 에서 , 각 처리 단계 에서 5 초 이상 의 플 라즈 마 점 화 시간 은 증착 된 재료 내 에 이음매 형성 을 생성 하 지 않 았 다 . 따라서 , 플라 즈 마 점 화 시간 은 적어도 부분 적 으로 기판 의 표면 상 의 피처 의 종횡비 에 기초 할 수 있 다 . 단계 ( 312 ) 중 에 , 퍼지 가스 및 제 1 반응물 은 반응 챔버 를 통해 흐르 게 한다 . 퍼지 가스 및 제 1 반응물 의 예시 적 인 유량 은 아래 표 2 에 제공 되 어 있 다 .