상술 한 본 발명 의 의한 리세 스 게이트 를 갖 는 반도체 소자 및 그 제조 방법 은 , 벌브 형 리세 스 와 같이 상부 에 비해 하부 폭 이 확장 된 리세 스 상 에 게이트 를 형성 하 는 공정 에서 발생 하 는 게이트 전극 용 도전 막 의 심 현상 을 방지 하 고 리세 스와 게이트 패턴 간 오 정렬 을 방지 하 며 , 아울러 게이트 패턴 형성 후 게이트 재산 화 공 정시 게이트 전극 측벽 에 발생 하 는 과도 산화 를 방지 함 으로써 소자 의 특성 및 신뢰 성 을 향상 시킬 수 있 다 .