제 2 발광 층 ( 224 ) 상 에 는 전자 전달 층 ( 226 a ) / 전자 주입 층 ( 226 b ) 을 포함 하 여 제 2 상부 공통 막 ( 226 ) 을 적층 형성 하 고 , 제 2 상부 공통 막 ( 226 ) 상 에 금속 성분 의 제 2 캐소드 전극 ( 228 ) 을 적층 형성 하 는 것 을 포함 하 여 제 2 기판 ( 200 ) 상 의 공정 이 완료 된다 .