하나 의 실시 예 에 따르 면 , 방법 은 , 상기 SiO 2 층 상 에 그리고 상기 금속 함유 표면 상 에 에칭 정지 층 을 퇴적 하 는 단계 , 상기 평탄 화 된 기판 상 에 층간 유전체 층 을 퇴적 하 는 단계 , 상기 층간 유전체 층 에 리세 스 된 특징 부를 에칭 하 며 상기 금속 함유 표면 위 의 상기 에칭 정지 층 상 에서 정지 하 는 단계 , 및 상기 리세 스 된 특징 부를 금속 으로 충 진하 는 단계 를 더 포함 한다 .