일 예 에 있 어서 , 기판 또는 기판 들 은 램프 들 과 같 은 열 소스 ( source ) 와 가스 분배 샤워 헤드 사이 에 위치 된 기판 지 지체 에 의해 프로세싱 지역 에 지지 된다 . 기판 지 지체 의 온도 균일 도 또는 온도 균일 도 의 제어 를 강화 하 기 위해 , 기판 지 지체 는 그 아키 텍 쳐 ( architecture ) 덕분 에 다른 챔버 부품 들 로 의 제한 된 도전 성 열전달 경로 들 을 갖 는다 . 그러나 , 이 동일 한 디자인 은 매립 된 저항 히터 에 의한 또는 문제 가 있 는 지 지체 - 매립 된 유체 순환 스타일 히터 에 의한 저항 가열 에 의한 것 과 같 은 , 기판 지 지체 의 직접 적 인 가열 을 수행 한다 . 그 결과 , 기판 지 지체 는 기판 지 지체 의 아래 에 또는 뒤 에 배치 된 램프 들 로부터 간접 적 으로 가열 되 며 , 가스 분배 샤워 헤드 의 반대쪽 에 있 는 기판 지지 체의 측 부 ( side ) 에 열 악영향 ( heat impinges ) 을 끼친다 . 이 간접 적 인 열 의 일부 는 기판 지 지체 및 기판 ( 들 ) 에 의해 흡수 되 지만 , 이 간접 적 인 열 의 다른 부분 은 가스 분배 샤워 헤드 의 표면 을 향해 복사 ( radiate ) 되 며 , 이 는 샤워 헤드 표면 으로부터 흡수 또는 복사 된다 . 복사 된 열 의 양 은 샤워 헤드 표면 의 복사 율 에 크 게 의존 한다 . 따라서 , 프로세싱 지역 의 온도 는 간접 적 으로 평형 또는 비평 형 에 의하 여 , 램프 들 에 의해 챔버 에 입력 된 열 의 함수 이 다 . 열 은 가스 분배 샤워 헤드 에 의해 흡수 되 었 고 가스 분배 샤워 헤드 의 능동 적 인 냉각 에 의해 제거 되 었 으며 , 열 은 가스 분배 샤워 헤드 로부터 방출 되 었 고 , 평형 의 마지막 부분 은 가스 분배 샤워 헤드 의 표면 의 변화 하 는 복사율 의 함수 이 다 . 다른 챔버 부품 들 뿐 만 아니 라 기판 ( 들 ) 및 기판 지 지체 로부터 의 열 및 램프 들 에 의해 입력 된 열 을 제거 하 기 위해 , 프로세싱 지역 의 온도 의 조절 은 주로 가스 분배 샤워 헤드 의 능동 적 인 냉각 에 의해 용이 해진다 . 기판 ( 들 ) 에 도달 하 는 열 이 기판 ( 들 ) 을 떠나 는 열 과 동일 할 때 , 기판 ( 들 ) 은 희망 하 는 온도 를 유지 한다 . 2 개 의 열 값 들 에 차이 가 있 다면 , 기판 ( 들 ) 및 기판 지 지체 의 온도 가 변한다 .