도 27 을 참조 하 면 , 소자 분리 영역 ( 52 ) 에 형성 되 는 레지스 트 패턴 ( 13 ) 과 , 레벤 손 형 마스크 의 노광 영역 이 소정 의 거리 이내일 때 에 , 레지스 트 패턴 ( 13 ) 의 모두 를 하프톤 형 마스크 에 의한 노광 으로 형성 하 면 , 레지스 트 패턴 ( 13 ) 의 제 1 패턴 부 ( 13 a ) 에 대하 여 , 반전 위상 개구부 ( 4 b ) 및 동 위상 개구부 ( 4 c ) 를 통과 해서 조사 되 는 노광 의 영향 이 커진다 . 그 결과 , 레지스 트 패턴 ( 13 ) 의 제 1 패턴 부 ( 13 a ) 의 치수 가 크 게 변동 하 는 경우 가 있 다 .