일반 적 으로 , 로직 다이 ( 700 ) 는 메모리 다이 ( 1000 ) 에 접합 될 수 있 다 . 메모리 다이 ( 1000 ) 는 메모리 스택 구조물 들 ( 55 ) 의 어레이 를 포함 하 고 , 로직 다이 ( 1000 ) 는 메모리 다이 ( 1000 ) 내 에 포함 된 금속 상호 연결 구조물 들 ( 168 ) 의 서브 세트 를 통해 메모리 스택 구조물 들 ( 55 ) 의 어레이 의 노드 들 에 전기 적 으로 결합 된 주변 회로 부를 포함 하 는 상보 형 금속 산화물 반도체 ( CMOS ) 회로 를 포함 한다 . 메모리 다이 ( 1000 ) 는 반도체 재료 층 ( 10 ) 을 포함 하 고 , 캐리어 기판 ( 9 ) 에 부착 된다 .