상기 제 2 안 에서 , 상기 제 2 단계 내지 상기 제 6 단계 를 기본 과정 으로 하 여 , 상기 기본 과정 이 반복 될 수 있 으며 , 이때 상기 마스크 패턴 은 상기 기본 과정 의 반복 횟수 에 대응 하 여 상기 갭 의 노출 정도 가 점차 작아지 도록 위치 를 변경 토록 한다 . 예컨대 , 상기 갭 의 노출 정도 가 상기 충전물 의 내측 에 형성 된 보이드 의 최 대폭 에 대응 하 도록 상기 마스크 패턴 의 위치 를 변경 토록 한다 . 따라서 , 상기 기본 과정 은 상기 보이 드 없이 상기 갭 이 충전 될 때 까지 반복 수행 될 것 이 다 .