도 3 b 에 도시 된 바 와 같이 , 소자 분리 막 ( 102 ) 을 식각 하 여 리세 스 ( 108 ) 를 형성 한다 . 여기 서 , 리 세스 ( 108 ) 의 깊이 는 랜딩 플러그 ( 106 ) 의 높이 와 동일 한 높이 를 갖 는 것 이 바람직 하 다 . 그리고 , 리 세스 ( 108 ) 는 랜딩 플러그 ( 106 ) 의 손실 없이 형성 하 기 위하 여 랜딩 플러그 ( 106 ) 와 식각 선택 비 를 갖 도록 습식 식각 으로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 본 발명 의 리세 스 ( 108 ) 는 매립 형 게이트 를 형성 한 이후 형성 되 기 때문 에 매립 형 게이트 의 프로 파일 을 열화 시키 지 않 고 , 매립 형 게이트 예정 영역 이 정확 하 게 식각 되 지 않 는 문제 를 근본 적 으로 방지 할 수 있 다 .