본 발명 의 실시 예 들 에 있 어서 , 상기 게이트 패턴 과 교차 하 는 활성 영역 에 트랜지스터 의 채널 이 형성 되 고 , 상기 채널 들 중 일부분 은 리세 스 채널 일 수 있 다 . 상기 게이트 패턴 들 은 접지 선택 라인 , 스트링 선택 라인 및 상기 접지 선택 라인 및 상기 스트링 선택 라인 사이 에 배치 된 복수 개 의 워드 라인 들 을 포함 하 고 , 적어도 상기 스트링 선택 라인 및 상기 접지 선택 라인 하부 의 채널 은 리세 스 된 구조 일 수 있 다 .