이때 , 도 5 b 에 도시 된 바 와 같이 제 1 N 형 확산 영역 ( 420 ) 의 일부 도 이방성 식각 될 수 있 다 . 즉 , 제 2 식각 부 ( 515 ) 는 상기 제 1 식각 부 ( 415 ) 의 저면 을 상기 제 1 확산 영역 의 일부 가 노출 되 도록 식각 하 여 형성 될 수 있 고 , 이 에 따라 제 2 식각 부 ( 515 ) 의 저면 은 제 1 N 형 확산 영역 ( 420 ) 일 수 있 다 . 따라서 , 실리콘 기둥 ( 520 ) 의 하부 ( 즉 , 도 5 b 에서 , 단 턱 ( 440 ) 의 밑부분 ) 는 30 nm 의 두께 를 가질 수 있 고 , 실리콘 기둥 ( 520 ) 의 상부 ( 즉 , 도 5 b 에서 , 단 턱 ( 440 ) 의 윗부분 ) 는 20 nm 의 두께 를 가질 수 있 다 .