도 3 에 도시 한 바 와 같이 , 워드 선 WLmn 과 기둥 형 상부 CLmn 사이 에 는 ONO ( Oxide - Nitride - Oxide ) 층 ( NL ) 이 형성 된다 . ONO 층 ( NL ) 은 기둥 형 상부 CLmn 에 접하 는 터널 절연 층 ( TI ) , 터널 절연 층 ( TI ) 에 접하 는 전하 축적 층 ( EC ) 및 전하 축적 층 ( EC ) 에 접하 는 블록 절연 층 ( BI ) 을 갖 는다 . 전하 축적 층 ( EC ) 은 전하 를 축적 하 는 기능 을 갖 는다 .