비정질 실리콘 의 흡광 계수 및 흡수 계수 가 좀 더 크 기 때문 에 , 광 강도 를 상당 량 감소 시키 기 위해 요구 되 는 비정질 실리콘 의 두께 는 실리콘 질화물 의 두께 에 비해 비교 적 얇 다 . SiO 2 / Si 인터페이스 를 심각 하 게 손상 시킬 수 있 는 UV 스펙트럼 에서 의 가장 긴 파장 인 400 nm 파장 을 갖 는 광 을 고려 할 때 , 광의 10 % 를 필터링 하 여 제거 하 기 위해 약 11 nm 의 비정질 실리콘 이 필요 하 다 . 350 nm 파장 에 대해서 는 , 광의 10 % 를 필터링 하 여 제거 하 기 위해 약 1 nm 의 비정질 실리콘 만 이 필요 하 다 . 이러 한 두께 는 실리콘 질화물 을 위한 두께 에 비해 현저 하 게 차이 가 난다 . 400 nm 에서 , 광의 10 % 를 필터링 하 여 제거 하 기 위해 약 1545 nm 의 실리콘 질화물 이 필요 하 다 . 태양 전지 의 통상 적 인 반사 방지 구조 에서 , 실리콘 질화물 의 두께 는 대부분 이 값 의 1 / 10 보다 작 다 . 따라서 , 400 nm 보다 짧 은 파장 을 갖 는 UV 복사 는 본질 적 으로 필터 링 없이 실리콘 질화물 을 통과 할 것 이 다 . 반사 방지 구조 ( 310 A ) 에서 와 같이 , 다층 반사 방지 구조 의 실리콘 질화물 과 실리콘 이 산화물 사이 에 11 nm 보다 큰 비정질 실리콘 이 형성 되 는 경우 , UV 복사 의 90 % 미만 이 비정질 실리콘 을 통과 할 것 이 다 . 따라서 , 비정질 실리콘 은 후면 접촉 태양 전지 의 SiO 2 / Si 인터페이스 를 보호 하 기 위한 훌륭 한 UV 필터 로서 이용 될 수 있 다 . 비정질 실리콘 은 , 후면 접촉 전지 의 다층 반사 방지 구조 에서 높 은 광 흡수 층 으로서 이용 되 는 경우 , 태양 전지 의 전면 으로부터 들어오 는 태양 복사 의 적어도 25 % 를 필터링 하 여 제거 하 거나 차단 하 도록 형성 되 는 것 이 바람직 하 다 .