본 발명 의 질화물 반도체 발광 소자 는 도 1 a 내지 도 1 d 를 통해 성장 된 질화물 단결정 박막 ( 12 ) 상 에 제조 될 수 있 다 . 구체 적 으로 , 도 2 a 를 참조 하 면 , 도 1 d 에 도시 된 반도체 기판 ( 10 ) 상 에 제 1 질화물 반도체 층 ( 14 ) , 활성 층 ( 15 ) 및 제 2 질화물 반도체 층 ( 16 ) 을 포함 하 는 발광 구조물 을 형성 한다 . 구체 적 으로 , 제 1 질화물 반도체 층 ( 14 ) 은 GaN 반도체 물질 에 Si , In , Sn 과 같 은 n 형 도 펀트 를 도핑 시켜 형성 할 수 있 다 . 또한 , 활성 층 ( 15 ) 은 GaN 또는 InGaN 등 의 GaN 계 물질 을 이용 하 여 단일 또는 다중 양자 우물 구조 를 갖 는 형태 로 형성 할 수 있 다 . 그리고 , 제 2 질화물 반도체 층 ( 16 ) 은 GaN 반도체 물질 에 Zn , Cd , Mg 등 과 같 은 p 형 도 펀트 를 도핑 시키 는 방식 으로 형성 될 수 있 다 . 이 경우 , 제 1 질화물 반도체 층 ( 14 ) , 활성 층 ( 15 ) 및 제 2 질화물 반도체 층 ( 16 ) 각각 은 MOCVD ( Metal Organic Chemical Vapor Deposition ) 또는 MBE ( Molecular Beam Epitaxy ) 등 의 증착 방법 을 이용 하 여 형성 할 수 있 다 .