본 발명 의 실시 형태 의 동작 은 , 주로 집 적 회로 를 제조 하 는 데 사용 된 실리콘 웨이퍼 와 같 은 반도체 웨이퍼 를 프로세싱 하 는 맥락 으로 이하 설명 될 것 이 다 . 집 적 회로 용 금속 배선 층 은 , 다 마신 또는 듀얼 다 마신 유전체 구조 내 에 형성 된 화학 엘리먼트 인 코발트 및 니켈 또는 그 합금 중 적어도 하나 를 포함 하 는 무 전해 적 으로 증착 된 캡 을 갖 는 금속 라인 용 구리 를 포함 한다 . 선택 적 으로 , 유전체 는 탄소 도핑 된 실리콘 산화물 ( SiOC : H ) 과 같 은 로우 k 유전체 재료 이 다 . 그러나 , 본 발명 에 따른 실시 형태 는 다른 반도체 디바이스 , 구리 이외 의 금속 , 및 반도체 웨이퍼 이외 의 웨이퍼 에 사용 될 수 도 있 다는 것 에 유의 해야 만 한다 .