현재 , 리튬 이온 전해질 층 은 세라믹 절연 스퍼터 표적 상 에서 고주파 ( RF ) 여기 ( 1 MHz - 1 GHz ) 를 RF 튜너 및 RF 매칭 네트워크 와 함께 이용 하 여 그 세라믹 절연 스퍼터 표적 으로부터 증착 된다 . 이 접근 법 에 대한 주 된 이유 는 세라믹 표적 조성 또는 화학 양론 이 증착 하 고자 하 는 리튬 이온 전해질 층 의 화학 양론 과 동일 하 거나 또는 적어도 가장 유사 하 게 제조 될 수 있 다는 점 이 다 . 그러나 , 세라믹 절연 스퍼터 표적 및 RF 스퍼터링 방법 양자 의 이용 은 이 들 과 관련 된 고 비용 , 증착 면적 및 속도 의 제한 , 및 하드웨어 복잡 성 및 문제점 에 기인 하 여 바람직 하 지 못할 수 있 다 .