다음 으로 , 나노 물질 층 ( 310 ) 을 패 터닝 하 여 도 8 e 에 도시 된 바 와 같이 다수 의 나노 구 조체 ( NS ) 가 배열 된 나노 구조 어레이 ( NSA ) 를 얻 는다 . 패 터닝 공정 은 특별히 제한 되 지 않 으며 , 예 를 들 어 e - 빔 리소그래피 ( e - beam lithography ) 공정 에 의하 여 수행 될 수 있 다 .