일부 구 현예 에서 , 본 개시 내용 의 세정 조성물 은 반도체 기판 으로부터 벌크 포토레지스트 필름 ( bulk photoresist film ) 을 제거 하 도록 구체 적 으로 설계 되 지 는 않 는다 . 오히려 , 본 개시 내용 의 세정 조성물 은 건식 또는 습식 스 트리핑 방법 에 의해 벌크 레지스 트 제거 후 모든 잔류물 을 제거 하 도록 설계 될 수 있 다 . 따라서 , 일부 구 현예 에서 , 본 개시 내용 의 세정 방법 은 바람직 하 게 는 건식 또는 습식 포토레지스트 스 트리핑 공정 후 에 사용 된다 . 이 포토레지스트 스 트리핑 공정 은 일반 적 으로 에칭 또는 임 플란트 ( implant ) 공정 과 같 은 패턴 전사 ( pattern transfer ) 공정 에 의해 선행 되 거나 , 또는 패턴 전사 전 에 마스크 에러 를 수정 하 기 위해 수행 된다 . 잔류물 의 화학 적 구성 은 세정 단계 이전 의 공정 또는 공정 들 에 의존 할 것 이 다 .