도 47 을 참조 하 면 , 단계 1010 에서 , 제 1 핀 , 제 2 핀 , 그리고 제 1 핀 과 제 2 핀 사이 의 제 3 핀 위 에 더미 게이트 구조 가 형성 된다 . 단계 1020 에서 , 더미 게이트 구조 주위 에 유전체 층 이 형성 된다 . 단계 1030 에서 , 유전체 층 내 에 리세 스 를 형성 하 기 위해 더미 게이트 구조 가 제거 되 며 , 리세 스 는 제 1 핀 , 제 2 핀 , 및 제 3 핀 을 노출 시킨다 . 단계 140 에서 , 제 1 일 함수층 과 제 2 일 함수층 이 리세 스 에 형성 되 며 , 제 1 일 함수층 은 제 1 핀 의 제 1 측벽 과 제 1 상부 면 을 따라 연장 되 고 , 제 2 일 함수층 은 제 2 핀 의 제 2 측벽 과 제 2 상부 면 을 따라 연장 되 며 , 제 1 일 함수층 은 제 3 핀 의 제 3 측벽 을 따라 그리고 제 3 핀 의 제 3 상부 면 의 제 1 부분 을 따라 연장 되 고 , 제 2 일 함수층 은 제 3 핀 의 제 4 측벽 을 따라 그리고 제 3 핀 의 제 3 상부 면 의 제 2 부분 을 따라 연장 된다 . 단계 1050 에서 , 제 1 일 함수층 위 에 그리고 제 2 일 함수층 위 에 전기 전도성 재료 를 형성 함 으로써 리세 스 가 충전 된다 .