제 1 투명 도전 막 ( 302 ) 만 의 패턴 을 형성 하 는 개소 와 제 1 투명 도전 막 ( 302 ) 과 제 1 금속 막 ( 303 ) 의 적층 을 잔존 시키 는 개소 의 거리 는 매우 가깝 다 . 그 때문 에 , 통상 의 포토 마스크 를 사용 하 여 정확 하 게 패 터닝 을 행하 는 것 은 곤란 하 다 . 이 와 같 이 , 매우 좁 은 영역 에서 패 터닝 을 행하 지 않 으면 안 되 는 경우 , 제 1 투명 도전 막 ( 302 ) 만 의 패턴 을 형성 하 는 개소 의 포토레지스트 와 , 제 1 투명 도전 막 ( 302 ) 과 제 1 금속 막 ( 303 ) 의 적층 을 잔존 시키 는 개소 의 포토레지스트 를 따로 따로 형성 하 여 패 터닝 을 행하 면 , 포토 마스크 의 위치 맞춤 에 약간 의 어긋남 이 일어나 는 경우 가 있 다 . 그러나 , 다 계조 포토 마스크 를 사용 함 으로써 , 포토 마스크 의 위치 맞춤 이 어긋나 는 경우 가 발생 하 기 어렵 게 되 어 , 미세 가공 이 용이 하 게 된다 .