또한 , 기판 ( 51 ) 의 가열 부터 산화물 반도체 막 ( 55 ) 의 형성 까지 를 대기 에 노출 시키 지 않 고 진공 분위기 에서 연속 적 으로 행함 으로써 , 기판 ( 51 ) , 산화물 절 연막 ( 53 ) , 및 산화물 반도체 막 ( 55 ) 에 수소 , 수소 분자 , 물 , 수산기 , 또는 수소화물 이 흡착 되 지 않 고 , 산화물 반도체 막 ( 55 ) 의 가열 공정 에 있 어서 기판 ( 51 ) 및 산화물 절 연막 ( 53 ) 으로부터 산화물 반도체 막 ( 55 ) 으로 수소 가 확산 되 는 것 을 저감 시킬 수 있 고 , 도 1 b 에 도시 하 는 가열 된 산화물 반도체 막 ( 57 ) 의 수소 농도 를 더 저감 할 수 있 다 . 결과 적 으로 , 트랜지스터 의 임계 값 전압 의 마이너스 시프트 를 저감 할 수 있 다 .