예컨대 , CMP 공정 은 도전 막 ( 112 A ) 이 텅스텐 막 , 도전 막 ( 111 A ) 이 폴리 실리콘 막 으로 형성 되 고 , 더미 패턴 ( 109 ) 이 실리콘 산화 막 으로 형성 된 경우 , 먼저 폴리 실리콘 막 을 연마 정지 막 으로 선택 적 으로 텅스텐 막 을 연마 한 다음 폴리 실리콘 막 을 연마 하 는 공정 으로 실시 한다 . 이때 , 텅스텐 막 을 연마 하 는 공정 에서 는 폴리 실리콘 막 을 대상 으로 종말점 검출 ( End point detection , EPD ) 방식 을 이용 한다 . 또한 , 폴리 실리콘 막 을 연마 하 는 공정 에서 는 텅스텐 막 의 디싱 ( dishing ) 및 침식 ( erosion ) 을 최소 화 하 기 위해 폴리 실리콘 막 과 텅스텐 막 간 의 연마 선택 비 가 높 은 연마 조건 으로 실시 하 는 것 이 바람직 하 다 .