다음 으로 , 도 40 에서 , P 타입 일함수 층 ( 99 ) 과 N 타입 일함수 층 ( 94 ) 이 P 타입 일함수 층 ( 84 ) 위 에서 ( 예컨대 , 물리 적 으로 접촉 하 여 ) 그리고 캡 핑 층 ( 91 ) 위 에서 게이트 트렌치 ( 69 ) 에 ( 예컨대 , 등각 으로 ) 연속 으로 형성 된다 . N 타입 일함수 층 ( 94 ) 은 일부 실시 형태 에 있 어서 , 알루미늄 , 알루미늄 탄화물 , 또는 알루미늄 질화물 과 같 은 알루미늄 재료 로 형성 되 고 , CVD , PVD , ALD 등 , 이 들 의 조합 과 같 은 적절 한 방법 으로 형성 될 수 있 다 . N 타입 일함수 층 ( 85 ) 과 비교 해서 , N 타입 일함수 층 ( 94 ) 중 의 알루미늄 ( Al ) 의 비율 ( 예컨대 , 원 자비 ) 이 N 타입 일함수 층 ( 85 ) 의 것 과 상이 하 여 , 형성 되 는 FinFET 디바이스 ( 200 ) 의 상이 한 트랜지스터 마다 임계 전압 을 조정 하 는 것 이 가능 한 것 을 주목 해야 한다 .