본 실시 예 에서 는 MOCVD 법 을 이용 하 여 상술 한 버퍼 층 ( 20 ) 을 형성 한다 . 또한 , 버퍼 층 ( 20 ) 으로 사용 할 막 에 따라 MOCVD 장비 에 주입 되 는 원료 가스 및 반응 가스 들 을 다양 하 게 변화 시킨다 . 즉 , 도 1 의 ( a ) 에 도시 된 바 와 같이 버퍼 층 ( 20 ) 으로 BxAlyGa ( 1 - x - y ) N 막 을 형성 할 경우 , 트리 에틸 보론 ( Triethyboron ) , 트리 메틸 갈륨 ( Trimethygallium ) , 트리 메틸 알루미늄 ( Trimethyaluminum ) 이 혼합 된 원료 와 암모니아 ( NH 3 ) 를 이용 하 여 성장 한다 . 이때 , 섭씨 500 내지 800 도 의 온도 와 50 내지 900 torr 의 압력 하 에서 3 내지 100 μ mol / min 의 트리 에틸 보론 과 , 5 내지 200 μ mol / min 의 트리 메틸 갈륨 과 , 3 내지 100 μ mol / min 의 트리 메틸 알루미늄 과 , 2 내지 80 L / min 의 암모니아 를 주입 하 여 약 5 내지 1000 Å 두께 의 BxAlyGa ( 1 - x - y ) N 막 을 형성 한다 .