탄소 재료 로 피복 된 SiOx 의 제조 에 있 어서 , 기상 성장 ( CVD ) 법 의 처리 온도 ( 분위기 온도 ) 에 대해서 는 , 탄화수소 계 가스 의 종류 에 따라서 도 다르 지만 , 통상 , 600 ∼ 1200 ℃ 가 적당 하 고 , 그 중 에서 도 , 700 ℃ 이상 인 것 이 바람직 하 며 , 800 ℃ 이상 인 것 이 더욱 바람직 하 다 . 처리 온도 가 높 은 쪽 이 불순물 의 잔존 이 적 고 , 또한 도전 성 이 높 은 탄소 를 포함 하 는 피복층 을 형성 할 수 있 기 때문 이 다 .