차세대 반도체 금속 배선 의 층간 절연 물질 ( Inter Metallic Dielectric , IMD ) 로 는 유전율 3 . 0 이하 의 저 유전 물질 의 이용 이 검토 되 고 있 는데 , 이 는 기존 의 IMD 물질 로 사용 되 던 옥사이드 ( SiO 2 ) 의 유전율 ( k ) 이 3 . 2 ~ 4 . 2 로 너무 높 아서 , 반도체 칩 의 고집 적 화 , 고속화 등 에 심각 한 문제 를 야기 할 수 있 기 때문 이 다 .