이 를 위하 여 , 상기 제 1 도 전막 ( 272 ) 이 형성 된 결과물 상 에 티타늄 나이트 라이드 ( TiN ) 를 다시 증착 하 되 , 스텝 커버리지 ( step coverage ) 특성 이 불량 한 증착 방법 을 사용 하 여 증착 함 으로써 , 도시 된 것 과 같이 몰드 산화 막 ( 260 ) 패턴 의 상부 모서리 에 오버행 ( overhang ) 이 형성 되 도록 하 여 제 2 도 전막 ( 274 ) 을 형성 한다 . 스텝 커버리지 특성 이 불량 한 증착 방법 으로 는 , 예 를 들 어 스퍼터링 ( sputerring ) 과 같 은 물리 기상 증착 ( Physical Vapor Deposition ; PVD ) 방법 이 있 다 . 또는 화학 기상 증착 ( CVD ) 방법 으로 증착 할 수 도 있 다 . 스텝 커버리지 특성 이 불량 한 증착 방법 으로 티타늄 나이트 라이드 ( TiN ) 를 증착 하 면 , 몰드 산화 막 ( 260 ) 이 제거 된 홀 ( hole ) 의 바닥 쪽 에 는 티타늄 나이트 라이드 가 거의 증착 되 지 못하 고 상부 쪽 에 만 과다 하 게 증착 되 어 , 도시 된 것 과 같이 오버행 ( overhang ) 이 형성 된다 .