본 발명 에 의하 면 , 패턴 이 형성 된 사파이어 기판 상 에 SiN 버퍼 층 이 분산 된 반도체 층 성 장면 을 형성 함 으로써 , 상기 패턴 에 의해 광 추출 효율 이 향상 되 고 , 상기 SiN 버퍼 층 에 의해 사파이어 기판 과 발광 셀 사이 의 격자 부정합 이 완화 되 며 , 상기 SiN 버퍼 층 이 분산 된 반도체 층 성 장면 에서 이루어지 는 반도체 층 의 횡 방향 성장 에 의해 그 반도체 층 의 전위 밀도 가 크 게 감소 되 는 효과 를 제공 한다 .