본 발명 은 반도체 설계 기술 에 관한 것 으로 특히 , 테스트 모드 에서 반도체 메모리 소자 의 라이트 회복 시간 및 리 프레쉬 시간 을 개선 시키 는 반도체 메모리 소자 및 비트 라인 감지 증폭기 구동 방법 에 관한 것 이 다 . 이 를 위해 본 발명 은 , 테스트 모드 에서 액티브 커맨드 에 응답 하 여 비트 라인 감지 증폭기 의 제 1 오버 드라이빙 동작 과 노멀 드라이빙 동작 을 수행 하 여 비트 라인 쌍 의 전위차 를 증폭 시킨 후 , 다시 메모리 셀 에 상기 데이터 를 라이트 할 때 의 라이트 동작 을 수월 하 게 수행 하 여 라이트 회복 시간 및 리 프레쉬 시간 을 개선 시키 기 위하 여 프리 차지 신호 가 활성 화 되 는 시점 부터 센싱 타임 이 끝 나기 전 ( 워드 라인 이 활성 화 되 기 전 ) 까지 제 2 오버 드라이빙 동작 을 수행 하 는 반도체 메모리 소자 를 제공 한다 .