본원 에 개시 된 실시 형태 들 은 MRAM 셀 들 을 대응 하 는 논리 층 들 과 통합 하 는 종래 의 기술 들 에서 직면 하 는 문제 들 을 극복 한다 . 예 시 적 인 실시 형태 들 은 MRAM 셀 들 의 형성 에 대한 제한 적 수직 공간 의 문제 들 ; 금속 배선 들 과 MTJ 스택 간 의 중첩 문제 들 ; 및 금속 배선 들 과 MTJ 스택 간 의 잠재 적 단락 들 을 해결 한다 .