전술 된 혼합물 을 이방 성 및 등방성 식각 에서 MEMS 제조 에 적용 할 수 있 다 . 이방성 식각 에서 , 식각 가스 는 측벽 에 전혀 또는 거의 영향 을 미치 지 않 고 트렌치 의 저부 를 식각 하 여 트렌치 를 형성 한다 . 이방성 식각 은 물리 적 식각 ( 본질 적 으로 트렌치 의 저부 를 식각 함 ) 과 화학 적 식각 ( 측벽 과 저부 를 식각 함 ) 을 균형 맞춤 으로써 유도 될 수 있 다 . 등방성 식각 을 원한다면 , 측벽 식각 을 방지 할 필요 는 없 다 . 이방성 식각 에서 는 , 측벽 식각 이 바람직 하 지 않 다 . 이방성 식각 은 , 측벽 을 보호 하 는 부동태화 가스 를 식각 가스 에 포함 시키 거나 , 또는 식각 가스 로 순차 적 식각 을 하 고 별도 의 단계 에서 부동태화 가스 를 이용 하 여 측벽 에 부동태 층 을 형성 함 으로써 수행 하 는 것 이 바람직 하 다 .