에칭 스탑 층 ( 500 ) 은 일부 영역 이 p 형 반도체 층 ( 300 ) 하부 에 형성 되 며 , p 형 전극 층 ( 400 ) 과 소정 간격 이격 되 어 형성 된다 . 에칭 스탑 층 ( 500 ) 은 상기 n 형 반도체 층 ( 100 ) , 활성 층 ( 200 ) 및 p 형 반도체 층 ( 300 ) 을 이루 는 GaN 과 식각 선택 비 가 차이 나 는 물질 로 형성 되 며 , 예 를 들 어 MgO , Al 2 O 3 , ZrO 2 , IrO 2 , RuO 2 , TaO 2 , WO 3 , VO 3 , HfO 2 , RhO 2 , NbO 2 , YO 3 , ReO 3 등 의 산화물 을 이용 하 여 형성 할 수 있 다 .