특히 , 누설 전류 를 줄이 기 위해 CMOS 트랜지스터 내 의 얇 은 실리콘 이 산화물 층 을 게이트 유전체 로 대체 할 수 있 는 기능 을 가진 , 커패시터 에서 높 은 κ 산화물 을 사용 하 는 것 으로 시작 된 J . Robertson 의 High Dielectric Constant Oxides ( The European Physical Journal Applied Physics , Vol . 28 , No . 3 , 265 - 291 페이지 , 2004 년 ) 는 높 은 κ 산화물 의 선택 , 그 구조 및 야금학 적 거동 ( metallurgical behavior ) , 원자 확산 , 증착 , 계면 구조 및 반응 , 전자 구조 , 결합 , 밴드 오프셋 ( band offset ) , 이동도 저하 , 플랫 밴드 전압 이동 및 전자 결함 의 선택 을 막 라 하 는 검토 를 제공 한다 .