냉각 처리 가 종료 된 후 , 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 반출 처리 가 행해진다 ( 단계 S 8 ) . 구체 적 으로 는 , 방사 온도계 ( 120 ) 에 의해 감시 되 는 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 온도 가 소정 이 하로 까지 강온 된 후 , 이 재 기구 ( 10 ) 의 한 쌍 의 이재 아암 ( 11 ) 이 다시 퇴피 위치 로부터 이 재 동작 위치 에 수평 이동 하 여 상승 함 으로써 , 리프트 핀 ( 12 ) 이 서 셉 터 ( 74 ) 의 상면 으로부터 돌출 되 어 반도체 웨이퍼 ( W ) 를 서 셉 터 ( 74 ) 로부터 수취 한다 . 이어서 , 게이트 밸브 ( 185 ) 에 의해 폐쇄 되 어 있 던 반송 개구부 ( 66 ) 가 개방 되 고 , 리프트 핀 ( 12 ) 상 에 재치 된 반도체 웨이퍼 ( W ) 가 장치 외부 의 반송 로봇 에 의해 반출 되 어 , 열처리 장치 ( 1 ) 에 있 어서 의 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 가열 처리 가 완료 된다 .