산화물 반도체 에 한정 되 지 않 고 , 실제로 측정 되 는 절연 게이트 형 트랜지스터 의 전계 효과 이동도 는 , 다양 한 이유 에 의해 본래 의 이동도 보다 도 낮 아 진다 . 이동도 를 저하 시키 는 요인 으로서 는 반도체 내부 의 결함 이나 반도체 와 절 연막 의 계면 의 결함 이 있 지만 , Levinson 모델 을 사용 하 면 , 반도체 내부 에 결함 이 없 다고 가정 한 경우 의 전계 효과 이동도 를 이론 적 으로 도출 할 수 있 다 .