태양 전지 및 그 제조 방법 이 개시 된다 . 예 시 적 인 방법 은 n - 타입 실리콘 기판 을 제조 하 는 단계 및 n - 타입 도 펀트 를 상기 기판 의 하나 이상 의 제 1 및 제 2 영역 들 에 상기 제 2 영역 이 상기 제 1 영역 보다 더욱 중도 핑 되 도록 도입 하 는 단계 를 포함 한다 . 상기 기판 은 단일 고온 어닐링 사이클 처리 를 함 으로써 선택 적 전면 필드 층 을 형성 한다 . 산소 가 상기 단일 어닐링 사이클 도중 에 도입 되 어 인 시투 전면 및 후면 패 시베이 션 산화물 층 들 이 형성 될 수 있 다 . 전면 및 후면 접촉 부 들 의 소성 및 접촉 접속 부와 의 금속 화 는 단일 동시 - 소성 공정 에 의해서 수행 될 수 있 다 . 후면 접촉 부 의 소성 에 의해서 상기 기판 및 후면 접촉 부들과 의 계면 에서 p + 이 미터 층 이 형성 됨 으로써 , 상기 이 미터 층 과 상기 기판 의 계면 에서 p - n 접합 이 형성 된다 . 관련 태양 전지 가 또한 제공 된다 .