그 다음 , 노광 , 형상 및 식각 공정 을 수행 하 여 패 터닝 한다 . 사진 및 식각 공정 을 통해 , 도 5 b 에 도시 된 바 와 같이 , 스트라이프 형 의 마스크 막 ( 13 a ) 을 기판 ( 11 ) 의 상부 에 형성 시킨 다음 , 상기 마스크 막 ( 13 a ) 을 제외 한 영역 을 제 2 불순물 로 고농 도 도핑 하 여 제 1 및 제 2 반도체 전극 영역 ( 12 ) ( 14 ) 을 형성 한다 .