상기 반도체 메모리 의 빠른 읽 기 / 쓰 기 동작 은 이퀄 라이징 유닛 의 동작 속도 에 의존 한다 . tRP ( Ras Precharge Time ) 은 메모리 장치 의 재충전 을 위해 전하 를 충분히 충전 하 기 위한 시간 을 나타내 며 , 메모리 장치 의 시스템 의 성능 을 결정 하 는 요소 중 의 하나 이 다 . 즉 , 상기 tRP 를 감소 시키 면 낮 은 전원 전압 하 에 동작 되 는 메모리 장치 의 고속 동작 을 구현 할 수 있 다 .