( d ) 스텝 A 를 행하 기 전 에 , DHF 세정 을 행하 고 , 하 지 ( 200 a ) 의 표면 에 형성 된 자연 산화 막 ( 200 d ) 을 제거 하 여 , 하 지 ( 200 a ) 의 표면 을 드러나 게 해서 노출 시킴 으로써 , 스텝 D 에서 , 하 지 ( 200 a ) 의 표면 상 에 막 두께 균일성 이 높 은 SiN 막 을 형성 하 는 것 이 가능 하 게 된다 . 또한 , 하 지 ( 200 c ) 의 표면 에 형성 된 자연 산화 막 ( 200 d ) 을 제거 하 여 , 하 지 ( 200 c ) 의 표면 을 드러나 게 해서 노출 시킴 으로써 , 스텝 A 에서 , 하 지 ( 200 c ) 의 표면 을 균일 하 게 산화 시켜 , 하 지 ( 200 c ) 의 표면 에 막 두께 균일성 이 높 은 보호막 ( 200 e ) 을 형성 하 는 것 이 가능 하 게 된다 .