모노 리딕 3 차원 메모리 배열 은 다중 메모리 레벨 이 개재 기판 ( intervening substrate ) 없이 , 웨이퍼 와 같 은 단일 기판 위 에 형성 되 는 것 이 다 . 하나 의 메모리 레벨 을 형성 하 는 층 은 , 기존 의 레벨 또는 레벨 들 의 층 위 에서 직접 증착 또는 성장 한다 . 이 에 반해서 , 적층 된 메모리 들 은 리디 ( Leedy ) 의 미국 특허 제 5 , 915 , " 167 호 "" 3 차원 구조 메모리 "" 에서 와 같이 ", 개별 기판 위 에 메모리 레벨 을 형성 한 다음 , 정상 에 있 는 메모리 레벨 을 서로 접착 시켜 구성 되 었 다 . 기판 은 결합 전 메모리 레벨 들 로부터 얇 아 지 거나 제거 될 수 있 지만 , 메모리 레벨 은 초기 에 개별 기판 위 에 형성 되 므로 , 이러 한 메모리 는 진정한 모노 리딕 3 차원 메모리 배열 이 아니 다 .