우선 , 벌브 형 리세 스 게이트 공정 은 트랜지스터 의 채널 길 이 확보 를 위하 여 종래 의 리세 스 게이트 공정 을 개선 하 여 리세 스 하부 의 폭 을 상부 에 비해 확장 시킨 것 을 특징 으로 한다 . 즉 , 벌브 형 리세 스 의 넥 패턴 폭 은 벌브 형 리세 스 의 벌브 패턴 폭 에 비하 여 좁 게 형성 된다 . 그러나 , 이러 한 특징 때문 에 후속 게이트 전극 용 폴리 실리콘 막 의 증착 시 , " 벌브 패턴 에 폴리 실리콘 막 이 완전히 매립 되 지 전 에 넥 패턴 에 폴리 실리콘 막 이 먼저 매립 되 어 벌브 패턴 내 에 는 폴리 실리콘 이 미처 매립 되 지 못한 심 ( seam ) 이 발생 한다 ( 도 2 의 "" A "" 참조 ) . 이러 한 심 은 후속 열 공정 을 거치 면서 벌브 패턴 의 내부 를 이동 하 여 트랜지스터 의 특성 변화 를 유발 하 는 문제점 이 있 다 . "