처음 에 , 하부 의 트랜지스터 ( 160 ) 의 제작 방법 에 대해서 도 19 의 ( a ) 내지 ( e ) 및 도 20 의 ( a ) 내지 ( d ) 를 참조 하 여 설명 한다 . 도 19 의 ( a ) 내지 ( e ) 및 도 20 의 ( a ) 내지 ( d ) 는 도 18 의 ( a ) 내지 ( g ) 에 도시 하 는 방법 으로 작성 한 SOI 기판 의 일부 이 며 , 도 17 a 에 도시 하 는 하부 의 트랜지스터 에 상당 하 는 단면 공정도 라는 점 에 주목 한다 .