예 를 들 면 , 전하 트랩 형 플래시 메모리 가 검증 된 온도 의 범위 를 벗어나 저온 에서 동작 하 면 ( 즉 , 소정 의 기준 전압 보다 낮 을 경우 ) , 전하 트랩 형 플래시 메모리 의 전하 저장 층 내 에서 의 전자 / 홀 들 이 안정 화 되 는 데 걸리 는 시간 이 기존 과 달라지 게 된다 . 따라서 , 안정 화 가 보장 되 지 않 은 상태 에서 소거 검증 동작 이 수행 되 고 , 그 로 인해 소거 동작 의 에러 발생 빈도 가 증가 하 게 된다 . 이 는 , 전하 트랩 형 플래시 메모리 에서 오동작 을 유발 할 수 있 고 데이터 의 신뢰도 를 떨어뜨릴 수 있 다 . 증가 된 소거 동작 의 에러 발생 빈도 는 , 소거 루프 의 반복 횟수 를 증가 시키 고 , 그 로 인해 전하 트랩 형 플래시 메모리 로 인가 되 는 고전압 스트레스 가 증가 하 게 된다 . 전하 트랩 형 플래시 메모리 로 인가 되 는 고전압 스트레스 의 증가 는 , 전하 트랩 형 플래시 메모리 의 수명 을 단축 시키 는 원인 이 된다 .