게이트 하부 ( 22 a ) 의 측벽 에 는 제 1 산화 막 ( 23 a ) 및 제 1 산화 막 ( 23 a ) 측벽 의 제 1 질화 막 ( 23 b ) 으로 이루어진 게이트 하부 스 페이서 ( 23 ) 가 형성 되 어 있 다 . 게이트 상부 ( 22 b ) 의 측벽 에 는 제 2 산화 막 ( 24 a ) 및 제 2 산화 막 ( 24 a ) 측벽 의 제 2 질화 막 ( 24 b ) 으로 이루어진 게이트 상부 스 페이서 ( 24 ) 가 형성 되 어 있 다 . 이때 , 게이트 상부 스 페이서 ( 24 ) 는 게이트 상부 ( 22 b ) 의 상면 을 덮 도록 형성 될 수 있 다 .