다음 , 마스크 패턴 ( 51 ) 을 마스크 로 하 여 도전 층 ( 150 ) 을 식각 하 여 도 11 에 도시 한 바 와 같이 게이트 전극 ( 154 a ) 을 형성 한다 . 이 때 식각 은 습식 식각 ( wet etch ) 을 이용 할 수 있 다 . 게이트 전극 ( 154 a ) 의 가장자리 는 마스크 패턴 ( 51 ) 의 가장자리 보다 더 안쪽 에 위치 하 도록 식각 시간 , 식각 액 농도 등 을 조절 하 여 식각 할 수 있 다 .