상기 소스 및 드레 인 전극 ( 110 , 113 ) 및 데이터 배선 ( 미 도시 ) 이 형성 된 기판 ( 101 ) 의 상면 ( 101 a ) 에 투명 도전 성 물질 예 를 들 면 인듐 - 틴 - 옥사이드 ( ITO ) 또는 인듐 - 징크 - 옥사이드 ( IZO ) 를 전면 에 증착 하 고 이 를 전술 한 마스크 공정 을 진행 하 여 패 터닝 함 으로써 각 화소 영역 ( P ) 별로 상기 드레 인 전극 ( 113 ) 과 접촉 하 는 화소 전극 ( 117 ) 을 형성 한다 .