한편 , 본 실시 예 에 있 어서 , 상기 N 형 반도체 층 ( 57 ) 상 에 웰 층 ( 59 a ) 을 먼저 형성 하 는 것 으로 도시 하 였으나 , N 형 반도체 층 ( 57 ) 상 에 장벽층 ( 59 b ) 을 먼저 형성 하 고 이어서 웰 층 ( 59 a ) 을 형성 할 수 도 있 다 . 또한 , InxGa 1 - xN 층 ( 71 a ) 을 먼저 형성 하 고 InyGa 1 - yN 층 ( 71 b ) 을 형성 하 는 것 으로 도시 및 설명 하 였으나 , 그 순서 는 바뀔 수 도 있 다 .