보호막 은 단차 피복성 ( 스텝 커버리지 ) 이 양호 한 성막 방법 을 사용 하 여 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 이 와 같 은 방법 중 하나 에 원자 층 퇴적 ( ALD : Atomic Layer Deposition ) 법 이 있 다 . ALD 법 을 사용 하 여 형성 할 수 있 는 재료 를 보호막 에 사용 하 는 것 이 바람직 하 다 . ALD 법 을 사용 함 으로써 치밀 하 고 , 크랙 이나 핀홀 등 의 결함 이 저감 되 거나 또는 균일 한 두께 를 가지 는 보호막 을 형성 할 수 있 다 . 또한 보호막 을 형성 할 때 에 가공 부재 에 가해 지 는 손상 을 저감 할 수 있 다 .