이어서 , 도 1 b 에 도시 된 바 와 같이 , STI 식각 공정 을 실시 하 여 하드 마스크 ( 103 A ) , 언 - 도프 트 폴리 실리콘 막 ( 102 A ) , 터널 링 절 연막 ( 101 A ) 및 기판 ( 100 A ) 의 일부 를 식각 한다 . 이 로써 , 기판 ( 100 A ) 내 에 일정 깊이 를 갖 는 트렌치 ( 미 도시 ) 가 형성 된다 .