상기 한 본 발명 의 목적 을 실현 하 기 위하 여 일실 시예 에 따른 스위칭 소자 의 제조 방법 은 베이스 기판 위 에 게이트 전극 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 게이트 전극 에 대응 하 여 형성 되 며 , 비정질 실리콘 으로 이루어진 활성 층 및 n + 비정질 실리콘 으로 이루어진 오 믹 콘 택 층 이 순차 적 으로 적층 된 채널 부 를 형성 하 는 단계 와 , 상기 채널 부 위 에 소스 전극 및 상기 소스 전극 으로부터 소정 간격 이격 된 드레 인 전극 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 소스 전극 및 드레 인 전극 의 이격 부 에 대응 하 는 활성 층 을 결정 화 시키 는 단계 를 포함 한다 .