먼저 , 도 2 의 ( a ) 에 도시 된 바 와 같이 , 금속 층 ( 201 ) 상 에 절 연막 ( 202 ) 이 형성 된 기판 ( 200 ) 을 준비 한다 . 기판 ( 200 ) 은 , 예 를 들 어 실리콘 웨이퍼 등 의 반도체 웨이퍼 이 다 . 금속 층 ( 201 ) 은 , 예 를 들 어 텅스텐 막 등 의 배선 재료 이 다 . 절 연막 ( 202 ) 은 , 예 를 들 어 질화 실리콘 막 ( 202 a ) 과 산화 실리콘 막 ( 202 b ) 의 적층 막 이 다 . 질화 실리콘 막 ( 202 a ) 은 , 예 를 들 어 에치 스토퍼 층 이 다 . 산화 실리콘 막 ( 202 b ) 은 , 예 를 들 어 층간 절 연막 이 다 . 또한 , 절 연막 ( 202 ) 은 , 예 를 들 어 질화 실리콘 막 , 산화 실리콘 막 등 의 단층 막 이 어도 된다 . 절 연막 ( 202 ) 에 는 , 트렌치 , 홀 등 의 오 목부 ( 203 ) 가 형성 되 고 , 오 목부 ( 203 ) 의 저면 ( 203 c ) 에서 는 금속 층 ( 201 ) 이 노출 되 어 있 다 . 또한 , 노출 된 금속 층 ( 201 ) 의 표면 에 자연 산화 막 등 이 형성 되 어 있 는 경우 에 는 , 자연 산화 막 등 을 제거 하 는 클리닝 공정 을 행해도 된다 . 클리닝 공정 은 , 예 를 들 어 오 목부 ( 203 ) 의 저면 ( 203 c ) 에 염소 함유 가스 를 공급 해서 오 목부 ( 203 ) 의 저면 ( 203 c ) ( 금속 층 ( 201 ) 의 노출면 ) 에 형성 된 산화 막 을 제거 하 는 공정 이 다 . 예 를 들 어 , Cl 2 가스 와 Ar 가스 에 의한 플라스마 의 교대 공급 에 의해서 도 텅스텐 산화 막 을 제거 할 수 있 다 . 또한 , 처리 온도 가 고온 ( 예 를 들 어 200 ℃ 이상 ) 이 라면 , Ar 가스 에 의한 플라스마 를 사용 하 지 않 고 Cl 2 가스 만 을 공급 함 으로써 텅스텐 산화 막 을 제거 할 수 있 다 . 또한 , Ar 가스 의 플라스마 에 의한 스퍼터링 을 사용 함 으로써 물리 적 으로 텅스텐 산화 막 을 제거 할 수 있 다 .