이어서 , 제 1 도 전막 ( 108 ) 및 절 연막 ( 130 ) 을 마스크 로 하 여 반도체 막 ( 106 ) 에 제 2 불순물 원소 를 도입 하 여 , 소스 영역 또는 드레 인 영역 으로서 기능 하 는 불순물 영역 ( 106 b ) 과 , LDD 영역 으로서 기능 하 는 불순물 영역 ( 106 c ) 을 형성 한다 ( 도 8 c 참조 ) . 제 2 불순물 원소 로서 는 , n 형 의 불순물 원소 또는 p 형 의 불순물 원소 를 사용 한다 . n 형 의 불순물 원소 로서 는 , 인 ( P ) 이나 비소 ( As ) 등 을 사용 할 수 있 다 . p 형 의 불순물 원소 로서 는 , 붕소 ( B ) 나 알루미늄 ( Al ) 이나 갈륨 ( Ga ) 등 을 사용 할 수 있 다 . 또한 , 제 2 불순물 원소 는 상술 한 제 1 불순물 원소 보다 농도 를 높 게 하 여 도입 한다 . 여기 에서 는 , 불순물 원소 로서 , 인 ( P ) 을 사용 한다 .