본 실시 예 에서 는 , 제 1 패턴 부 ( 11 a ) 와 , 레지스 트 패턴 ( 13 ) 의 직선 형상 의 부분 과 의 거리 ( L 2 ) 에 대응 하 는 거리 는 , 160 ㎚ 이 다 . 예 를 들 면 , 전계 효과 트랜지스터 의 게이트 전극 과 배선 의 거리 는 , 160 ㎚ 이 다 . 또한 , 본 실시 예 에서 는 , 제 1 패턴 부 ( 12 a ) 와 레지스 트 패턴 ( 13 ) 의 직선 형상 의 부분 과 의 거리 는 , 제 1 패턴 부 ( 11 a ) 와 레지스 트 패턴 ( 13 ) 의 직선 형상 의 부분 과 의 거리 와 동일 하 다 .