도 1 i 를 참조 하 면 , 모트 ( A ') 가 채워 지 도록 트렌치 ( 112 ) 가 형성 된 영역 에 잔류 된 제 3 절 연막 ( 120 ) 의 가장자리 상부 에 제 4 절 연막 ( 122 ) 을 형성 한다 . 제 4 절 연막 ( 122 ) 은 모트 ( A ') 를 효율 적 으로 메울 수 있 도록 화학 기상 증착 ( Chemical Vapor Deposition ; LPCVD ) 방법 , 바람직 하 게 저압 화 학기 상 증착 ( Low Pressure Chemical Vapor Deposition ; LPCVD ) 방법 을 이용 한 LPCVD 산화 막 으로 형성 할 수 있 다 . 이때 , LPCVD 산화 막 의 경우 HTO ( High Temperature Oxide ) 막 또는 TEOS ( Tetra Ethyl Ortho Silicate ) 막 등 을 이용 하 여 50 내지 200 Å 의 두께 로 형성 할 수 있 다 .