본 명세서 에 개시 되 는 다양 한 특징 을 설명 하 기 위해 , 디바이스 실시 예 는 고진공 ( < 10 - 7 Torr ) 열 증발 에 의해 제조 하 였 다 . 애노드 전극 은 750 Å 의 인듐 주석 산화물 ( ITO ) 이 었 다 . 캐소드 는 전자 주입 층 ( EIL ) 으로서 10 Å 의 Liq , 이어서 1 , 000 Å 의 Al 로 구성 되 었 다 . 모든 디바이스 를 제조 직후 에 질소 글러브 박스 ( < 1 ppm 의 H 2 O 및 O 2 ) 에서 에폭시 수지 로 밀봉 된 유리 뚜껑 으로 캡슐 화 하 고 , 수분 게터 를 패키지 내 에 포함 시켰 다 . 디바이스 의 유기 스택 의 예 는 순차 적 으로 ITO 표면 으로부터 , 정공 주입 층 ( HIL ) 으로서 의 100 Å 의 HATCN ; 정공 수송 층 ( HTL ) 으로서 의 400 Å 의 HTM ; 전자 차단 층 으로서 의 50 Å 의 EBM 으로 이루 어 졌 다 . 디바이스 는 다음 과 같 은 3 개 의 발광 층 R 1 / G 2 / R 3 을 포함 하 였 다 : ( 2 : 1 ) 의 비율 의 전자 수송 호스트 EH 1 또는 EH 2 및 정공 수송 호스트 HH 1 , 및 적색 이미터 RDS 또는 RDD 2 . 5 % 를 포함 하 는 100 Å 의 적색 발광 층 R 1 ( EML R 1 ) , ( 3 : 2 ) 의 비율 의 정공 수송 호스트 HH 2 및 전자 수송 호스트 EH 1 , 및 녹색 이미터 GD 2 10 % 를 포함 하 는 350 Å 의 녹색 발광 층 G 2 , 및 적색 이미터 RDS 또는 RDD 로 2 . 5 % 농도 로 도핑 된 전자 수송 호스트 EH 1 을 포함 하 는 50 Å 의 제 3 적색 EML R 3 . 350 Å 의 Liq : ETM ( 2 : 1 ) 층 이 전자 수송 층 ( ETL ) 으로서 사용 되 었 다 . 도 14 는 개략 적 인 디바이스 구조 를 도시 한 것 이 다 . 표 8 은 디바이스 의 층 두께 및 물질 을 보여준다 .