단결정 실리콘 웨이퍼 는 통상 그 제조 프로세스 에 의해 구분 된다 . Czochralski ( Cz ) 웨이퍼 는 가장 흔한 형태 의 단결정 실리콘 웨이퍼 이 고 , 태양 전지 와 집적회로 제작 에 사용 된다 . Cz 웨이퍼 를 제조 할 때 사용 하 는 석영 도가니 ( quartz crucible ) 때문 에 실리콘 잉곳 에 ppm 단위 ( 1018 cm - 3 ) 의 산소 ( oxygen ) 가 유입 된다 . 산소 그 자체 는 비교 적 무 해 하나 붕소 도핑 과 복합체 ( complex ) 를 형성 하 여 캐리어 수명 을 낮춘다 . P ( 인 ) 도 펀트 로 만든 n - 형 잉곳 은 유사 한 농도 의 산소 를 가지 지만 , 더 낮 은 저항 혹은 Ga 도 펀트 를 사용 한 웨이퍼 와 같이 열화 효과 ( degradation effect ) 를 나타내 지 않 는다 .