본 발명 의 방법 은 화합물 반도체 나노 결정 의 종류 에 제한 되 지 않 고 적용 가능 하 나 , 구체 적 으로 는 CdS , CdSe , CdTe , ZnS , ZnSe , ZnTe , HgS , HgSe , HgTe , GaN , GaP , GaAs , InP , InAs 등 으로 이루어진 화합물 반도체 나노 결정 에 적용 될 수 있 다 . 한편 코아 - 쉘 구조 의 나노 결정 또는 합금 형태 의 나노 결정 에 도 제한 되 지 않 고 적용 가능 하 다 . 이러 한 화합물 반도체 나노 결정 의 발광 영역 은 통상 적 으로 300 nm 내지 1300 nm 범위 이 다 .