반도체 디바이스 의 제조 프로세스 에 있 어서 , 불순물 도입 은 반도체 웨이퍼 내 에 pn 접합 을 형성 하 기 위한 필수 의 공정 이 다 . 현재 , 불순물 도입 은 , 이온 주 입법 과 그 후 의 어닐링 법 에 의해 이루어지 는 것 이 일반 적 이 다 . 이온 주입 법 은 , 붕소 ( B ) , 비소 ( As ) , 인 ( P ) 등 과 같 은 불순물 의 원소 를 이온 화 시켜 고가 속 전압 으로 반도체 웨이퍼 에 충돌 시켜 물리 적 으로 불순물 주입 을 행하 는 기술 이 다 . 주입 된 불순물 은 어닐링 처리 에 의해 활성 화 된다 . 이 때 에 , 어닐링 시간 이 수초 정도 이상 이 면 , 주입 된 불순물 이 열 에 의해 깊 게 확산 하 고 , 그 결과 접합 깊이 가 요구 보다 너무 깊 어 져 양호 한 디바이스 형성 에 지장 이 발생 할 우려 가 있 다 .