본 발명 의 실시 예 에서 , 저항 변화 물질 층 ( RE ) 은 LaTiO 3 , LaNiO 3 , LaCuO 3 , LaScO 3 , LaVO 3 , LaMnO 3 , LaCrO 3 , LaCoO 3 , 그리고 LaCO 3 중 어느 하나 를 포함 할 수 있 다 . 또한 , 저항 변화 물질 층 ( RE ) 의 상기 금속 절연체 전이 는 모트 전이 ( mott transition ) 를 포함 하 고 , 상기 외부 에너지 는 전압 , 전류 , 전력 , 빛 , 열 중 어느 하나 일 수 있 으며 , 바람직 하 게 , 상기 외부 에너지 는 저항 변화 메모리 소자 ( MC ) 내 에 데이터 쓰 기 또는 읽 기 위한 전압 일 수 있 다 .