구체 적 으로 는 , 반응 관 ( 203 ) 내 에 , ( 1 ) 도 펀트 가스 를 먼저 도입 하 고 , 도 펀트 가스 의 도입 을 정지 한 후 , 실리콘 계 가스 를 도입 하 여 실리콘 입자 를 형성 하 거나 , 또는 , ( 2 ) 도 펀트 가스 와 실리콘 계 가스 를 동시 에 도입 하 여 실리콘 입자 를 형성 하 거나 , 또는 , ( 3 ) 도 펀트 가스 를 먼저 도입 하 고 , 도 펀트 가스 의 도입 을 유지 한 채 로 실리콘 계 가스 를 도입 하 여 실리콘 입자 를 형성 하 도록 했 다 .