이 처럼 , 본 발명 의 리튬 프리 도핑 된 SiOx 입자 의 제조 방법 은 유도 용융 법 에 리튬 소스 를 추가 하 는 공정 으로 진행 된다 . 이러 한 리튬 프리 도핑 된 SiOx 입자 의 제조 방법 에 의하 면 , 리튬 산화물 , 리튬 실리콘 산화물 과 같 은 비 가 역상 을 미리 형성 시킴 으로써 , 초기 충 방전 에서 리튬 의 희생 을 방지 하 여 초기 충 방전 효율 을 향상 시키 는 효과 가 있 다 . 나아가 , 리튬 이 차 전지 음극 소재 의 부피 팽창 이 억제 됨 과 동시 에 고용량 을 가지 는 리튬 이 차 전지 음극 소재 를 제조 할 수 있 으므로 , 에너지 저장 용 소재 의 특성 을 향상 시킬 수 있 는 음극 소재 제조 에 매우 효과 적 이 다 .