반도체 소자 의 고집 적 화 경향 에 따라 , 노광 공정 이 정의 하 는 최소 선폭 이 한계 에 다 다르 고 있 다 . 특히 , 수십 나노미터 의 최소 선폭 이 요구 되 는 현 반도체 산업 에서 , 노광 공정 으로 인하 여 여러 문제점 들 이 발생 되 고 있 다 . 예컨대 , 노광 공정 으로 반도체 패턴 들 을 정의 할 때 , 웨이퍼 의 영역 별 , 노광 빛 의 균일성 또는 하 부막 의 균일 도 등 에 의하 여 반도체 패턴 들 의 선폭 들 의 균일성 이 저하 될 수 있 다 . 즉 , 반도체 패턴 들 의 선폭 들 의 산포 가 증가 될 수 있 다 . 이러 한 선폭 의 변동 량 은 최소 선폭 이 감소 할수록 타켓 폭 에 대한 비율 이 증가 된다 . 이 로 인하 여 , 선폭 의 변동 량 에 의한 단위 소자 들 ( ex , 트랜지스터 등 ) 의 특성 들 이 달라지 게 지 고 , 그 결과 , 반도체 소자 의 불량 이 초래 될 수 있 다 . 특히 , 동일 한 패턴 들 이 반복 적 으로 배열 되 는 고용량 의 기억 소자 들 은 이러 한 선폭 변동 량 은 치명 적 일 수 있 다 .