장치 의 추출 효율 은 임계 각도 보다 작 은 입사 각도 들 에서 진행 하 는 광 ( 상기 , 광선 들 ( 66 및 70 ) ) 또는 임계 각도 보다 더 큰 입사 각도 에서 진행 하 는 광 ( 상기 광선 ( 68 ) ) 의 어느 한 쪽 또는 양쪽 모두 의 반사 율 을 개선 하 는 것 에 의해 개선 된다 . GaN / SiO 2 / Ag 구조 의 경우 에 위 에 설명 된 효과 들 이 요약 된다 . 두께 t < 100 nm 인 SiO 2 의 경우 , 공명 이 없 고 전체 반사율 은 t 와 함께 증가 한다 . 더 큰 t 의 경우 , 일부 각도 들 에서 공명 이 나타나 고 반사 율 을 감소 시킨다 . t = 100 nm 및 t = 200 nm 에 대응 하 는 2 개 의 실시 예 들 이 2 개 의 대시 선 들 에 의해 나타내 어 져 있 다 . 이 두께 들 은 각각 SiO 2 층 에서 공명 이 없 는 것 과 하나 의 공명 에 대응 하 고 , 양쪽 모두 매우 높 은 반사율 ( 50 ° 보다 큰 각도 들 에 대하 여 > 99 . 9 %) 을 보장 한다 .