본원 의 실시 예 들 은 , 웨이퍼 크기 들 이 점점 더 커 지 고 반도체 제조 에서 생성 되 는 기하 형상 들 이 점점 더 작 아 짐 에 따라 , 웨이퍼 주위 의 처리 환경 의 모든 양상 들 의 균일성 제어 에 대한 필요 가 증가 한다는 것 을 인식 한다 . 그러므로 , 본원 의 실시 예 들 은 , 웨이퍼 주위 에 생성 된 플 라즈 마의 개선 된 대칭 을 위해서 , 임피던스 를 정합 하 기 위해서 뿐 만 아니 라 , 임피던스 가 정합 된 이후 에 위상 및 / 또는 진폭 을 조정 하 기 위해 , 플 라즈 마 를 생성 하 는 마이크로파 구성 을 조정 한다 . 프로세스 챔버 의 대칭 , 프로세스 챔버 에서 웨이퍼 의 배치 등 에 세심 한 주의 를 기울여도 , 많 은 이유 들 ( 예 를 들 어 , 가스 또는 플 라즈 마 입력 및 배출구 들 을 위한 기계 적 으로 비대칭 인 포트 들 , 센서 들 , 웨이퍼 배치 , 웨이퍼 플랫 들 , 케이블 류 길 이 , 위 의 구성 요소 들 중 임의 의 구성 요소 의 물질 변동 들 등 ) 때문 에 플 라즈 마의 비대칭 들 이 발생 할 수 있 다 . 이러 한 원인 들 을 보정 하 기 위해 , 임피던스 정합 이외 에 도 추가 적 인 수준 의 제어 가 , 플라 즈 마 처리 에서 의 균일성 을 개선 하 기 위해 추가 의 유용 한 툴 들 을 제공 할 수 있 다 . 시스템 ( 300 ) 은 진폭 및 위상 의 전자 적 조정 들 을 통해 일부 제어 를 제공 하 지만 , 아래 에서 설명 되 는 추가 적 인 기계 적 및 전기 적 조정 들 이 또한 유용 하 다 .