디바이스 1 에 사용 한 oYGTBiF ( 2 ) 는 3 급 아민 이 고 , 아민 의 질소 에 는 바이페닐 골격 의 오쏘 위치 와 , 플 루 오렌 골격 과 , 터 페닐 렌 골격 이 결합 되 고 , 상기 터 페닐 렌 골격 의 아민 의 질소 로부터 가장 먼 페닐 렌 기에 는 카바졸 골격 이 결합 된다 . 즉 터 페닐 골격 을 통하 여 아민 의 질소 와 카바졸 의 질소 가 결합 된다 . 한편 , 비교 디바이스 2 에 사용 한 oYGBBiF 는 터 페닐 렌 골격 이 아니 라 바이페닐 렌 골격 을 통하 여 카바졸 의 질소 와 아민 의 질소 가 결합 된 점 에서 디바이스 1 에 사용 한 oYGTBiF ( 2 ) 와 상이 하 다 . 또한 비교 디바이스 3 에 사용 한 oYGTBi 1 BP 는 플 루 오렌 골격 이 아니 라 바이페닐 골격 의 파라 위치 가 아민 의 질소 에 결합 된 점 에서 oYGTBiF ( 2 ) 와 상이 하 다 . 비교 디바이스 4 에 사용 한 YGTBiF ( 2 ) 는 바이페닐 골격 의 오쏘 위치 가 아니 라 바이페닐 골격 의 파라 위치 가 아민 의 질소 에 결합 된 점 에서 oYGTBiF ( 2 ) 와 상이 하 다 . 따라서 3 급 아민 이 고 , 아민 의 질소 에 는 바이페닐 골격 의 오쏘 위치 와 , 플 루 오렌 골격 과 , 터 페닐 렌 골격 이 결합 되 고 , 상기 터 페닐 렌 골격 의 , 아민 의 질소 로부터 가장 먼 페닐 렌 기에 는 카바졸 골격 이 결합 된 유기 화합물 을 사용 함 으로써 발광 디바이스 의 발광 효율 및 신뢰 성 의 양쪽 모두 가 향상 되 었 다고 할 수 있 다 .