다음 의 설명 은 당업자 가 , MRAM 디바이스 와 같 은 자기 반도체 디바이스 를 위한 세차 운동 스핀 전류 구조물 을 생 성 및 사용 하 는 것 을 가능 하 게 하 도록 제시 된다 . 본원 에서 개시 된 특징 들 및 교시 들 각각 은 개시 된 시스템 및 방법 을 구현 하 기 위해 별개 로 또는 다른 특징 들 과 함께 활용 된다 . 개별 적 으로 그리고 조합 하 여 , 이러 한 부가 적 인 특징 들 및 교시 들 대부분 을 활용 하 는 대표 적 인 예 들 이 첨부 도면 들 을 참조 하 여 추가 로 상세히 설명 된다 . 이 상세 한 설명 은 단지 , 당업자 에게 본 교시 들 의 바람직 한 양상 들 을 실시 하 기 위한 추가 의 세부 사항 들 을 교시 하 려는 것 이 며 , 청구 항 들 의 범위 를 제한 하 려는 것 이 아니 다 . 그러므로 , 다음 의 상세 한 설명 에 개시 된 특징 들 의 결합 들 은 가장 넓 은 의미 로 교시 들 을 실시 하 는 데 필수 적 이 지 않 을 수 있 고 , 대신 에 , 본 교시 들 의 특히 대표 적 인 예 들 을 설명 하 기 위해서 만 교시 된다 .