상기 하드 마스크 층 ( 124 ) 은 상기 피식 각막 ( 120 ) 의 재료 및 형성 하 고자 하 는 패턴 의 용도 에 따라 다양 한 물질 로 이루어질 수 있 다 . 예 를 들 면 , 상기 하드 마스크 층 ( 124 ) 은 산화 막 , 질화 막 , 또는 이 들 의 조합 으로 이루어질 수 있 다 . 또는 , 상기 피식 각막 ( 120 ) 이 절 연막 또는 도전 막인 경우 , 상기 피식 각막 ( 120 ) 재료 에 따라 식각 선택 비 를 제공 할 수 있 는 물질 로 이루어진다 . 예 를 들 면 , 상기 하드 마스크 층 ( 124 ) 은 열 산화 막 , CVD ( chemical vapor deposition ) 산화 막 , USG 막 ( undoped silicate glass film ) 및 HDP 산화 막 ( high density plasma oxide film ) 으로 이루 어 지 는 군 에서 선택 되 는 적어도 하나 의 산화 막 으로 이루어질 수 있 다 . 또는 , 상기 하드 마스크 층 ( 124 ) 은 SiON , SiN , SiBN 및 BN 으로 이루어지 는 군 에서 선택 되 는 적어도 하나 의 막 으로 이루어질 수 있 다 . 또는 , 상기 하드 마스크 층 ( 124 ) 은 위 에서 예시 된 산화 막 들 중 에서 선택 되 는 적어도 하나 의 산화 막 과 위 에서 예시 된 질화 막 들 중 에서 선택 되 는 적어도 하나 의 질화 막 으로 구성 되 는 다중 층 으로 이루어질 수 도 있 다 .