제 1 보 강막 및 제 2 보 강막 의 최적 의 막 두께 를 구하 기 위해서 , 제 1 보 강막 의 막 두께 와 제 2 보 강막 의 막 두께 의 조합 을 여러 가지 변경 하 여 , 4 점 굴곡 시험 을 모의 한 유한 요소 법 해석 을 하 여 , 반도체 장치 에 생기 는 응력 분포 를 구하 였 다 . 구한 응력 분포 로부터 , 반도체 막 ( 특히 , 채널 형성 영역 ) 에 생기 는 미제스 의 상당 응력 의 최대 값 을 구하 였 다 . 또 , 본 명세서 에서 규정 하 는 미제스 의 상당 응력 이란 , 일반 적 으로 사용 되 는 계산기 시뮬레이션 으로부터 구해 지 는 각 방향 의 응력 을 스칼라 량 으로 변환 함 으로써 구할 수 있 는 값 이 다 .