다음 에 가 열처리 를 행하 여 박리 층 ( 104 ) 에서 분리 ( 벽개 ) 함 으로써 , 베이스 기판 ( 120 ) 위 에 제 2 절 연막 ( 122 ) 및 제 1 절 연막 ( 102 ) 을 사이 에 두 고 단결정 반도체 막 ( 124 ) 을 형성 한다 ( 도 1 d 참조 ) . 여기 에서 는 , 400 ℃ 내지 650 ℃ 의 가 열처리 를 함 으로써 , 박리 층 ( 104 ) 에 포함 되 는 이온 ( 예 를 들 면 수소 이온 ) 에 미소 한 공동 의 체적 변화 가 일어나 , 박리 층 ( 104 ) 을 따라 분리 하 는 것 이 가능 하 게 된다 . 그 결과 , 베이스 기판 ( 120 ) 위 에 는 반도체 기판 ( 100 ) 의 일부 ( 단결정 반도체 막 ( 124 ) ) 가 설치 된다 .