다음 으로 , 도 8 i 에 나타낸 바 와 같이 실리콘 산질 화 막 ( 115 ) 위 , 소정 의 위치 에 개구부 를 갖 는 레지스 트 패턴 ( 192 ) 을 형성 한다 . 그리고 , 레지스 트 패턴 ( 192 ) 을 마스크 로 하 여 실리콘 산질 화 막 ( 115 ) 등 의 에칭 을 행함 으로써 , 상부 전극 ( 이리듐 산화 막 ( 120 ) ) 까지 도달 하 는 콘택트 홀 ( 127 t ) 및 하부 전극 ( 백금 막 ( 118 ) ) 까지 도달 하 는 콘택트 홀 ( 127 b ) 을 형성 한다 .