다음 으로 , 상기 박막 트랜지스터 ( T ) 상부 에 는 상기 화 소부 및 외곽 부 의 제 2 기판 ( 310 ) 전면 에 걸쳐 상기 박막 트랜지스터 ( T ) 를 보호 하 고 , 후속 공정 에서 유기 절 연막 ( 380 ') 의 미충 진 을 방지 하 기 위하 여 실리콘 산화 막 ( SiO 2 ) , 실리콘 질화 막 ( SiNx ) 또는 이 들 의 이중 층 으로 이루어지 는 보호 층 ( 370 ) 이 더 형성 된다 .