상술 한 과제 를 해결 하 기 위하 여 본 발명 의 기술 적 사상 의 일 실시 예 에 의한 반도체 소자 는 기판 , 상기 기판 내 또는 상 의 채널 , 상기 채널 의 양단 상 에 각각 위치 하 는 한 쌍 의 소스 / 드레 인 , 및 상기 한 쌍 의 소스 / 드레 인 사이 의 상기 채널 상 의 게이트 구 조체 를 포함 하 고 , 상기 게이트 구조 체 는 상기 채널 상 에 차례 로 적층 된 계면 층 , 강유 전 층 , 안정 화 층 , 산소 확산 배리 어 층 , 및 문턱 전압 제어 층 을 포함 할 수 있 다 .