첫째 , 금속 오염원 인 일정 농도 의 금속 불순물 을 포함 하 는 용액 을 반도체 웨이퍼 표면 에 적하 시킨 후 , 상기 반도체 웨이퍼 를 건조 시킴 으로써 표준 시료 를 수득 하 는 방법 이 있 다 . 둘째 , 금속 오염원 인 일정 농도 의 금속 불순물 을 포함 하 는 용액 에 반도체 웨이퍼 를 침지 한 후 , 상기 반도체 웨이퍼 를 건조 시킴 으로써 표준 시료 를 수득 하 는 방법 이 있 다 . 셋째 , 일본 특허 공개 평 2 - 156636 호 에 개시 되 어 있 는 방법 으로서 반도체 웨이퍼 에 금속 오염원 인 가용성 금속염 을 도포 함 으로써 표준 시료 를 수득 하 는 방법 이 있 다 . 넷째 , 일본 특허 공개 평 6 - 249764 호 에 개시 되 어 있 는 방법 으로서 반도체 웨이퍼 를 금속 오염원 인 일정 농도 의 금속 불순물 을 포함 하 는 알 카리 성 과산화수소 용액 에 침지 한 후 , 상기 반도체 웨이퍼 를 순수 한 물 로 린스 함 으로써 표준 시료 를 수득 하 는 방법 이 있 다 .