도 3 a 에 도시 된 바 와 같이 , 기판 ( 31 ) 에 소자 분리 막 ( 32 ) 을 형성 한다 . 여기 서 , 기판 ( 31 ) 은 DRAM 공정 이 진행 되 는 기판 일 수 있 고 특히 , PMOS 영역 의 기판 일 수 있 다 . 또한 , 소자 분리 막 ( 32 ) 은 STI ( Shallow Trench Isolation ) 공정 으로 형성 할 수 있 다 .