NMOS 트랜지스터 ( 330 ) 는 N - 액티브 레이어 ( 318 b ) 와 게이트 폴리 레이어 ( 316 b ) 로 구성 된다 . N - 액티브 레이어 ( 318 b ) 위 에 콘 택 레이어 ( 320 b ) 를 감싸 는 비트 폴리 레이어 ( 322 b ) 가 배치 된다 . N - 액티브 레이어 ( 318 b ) 위 다른 하나 의 비트 폴리 레이어 ( 322 b ) 는 비아 레이어 ( 324 b ) 를 통하 여 메탈 레이어 ( 326 b ) 와 연결 되 고 , 콘 택 레이어 ( 320 c ) 를 통하 여 P - 액티브 레이어 ( 314 b ) 와 연결 된다 . 메탈 레이어 ( 326 b ) 에 는 접지 전압 ( VSS ) 이 연결 된다 . 접지 전압 ( VSS ) 에 연결 되 는 P - 액티브 레이어 ( 314 b ) 는 P - 서브 스트레이트 바이어스 가 된다 .