따라서 , 상기 등방 성 의 드라이 에칭 ( dry etching ) 에 의해 상기 제 2 포토레지스트 패턴 ( 181 a ) 외부 로 노출 된 보호 층 ( 140 ) 이 서서히 그 두께 가 줄어들 게 되 며 , 이때 상기 제 2 포토레지스트 패턴 ( 181 a ) 하부 에 위치 하 는 상기 보호 층 ( 140 ) 의 끝단 도 상기 줄어든 두께 만큼 소정 폭 상기 제 2 포토레지스트 패턴 ( 181 a ) 의 내측 으로 줄어들 게 된다 .