도 15 를 참조 하 면 , 본 발명 의 또 다른 몇몇 실시 예 에 따른 반도체 장치 는 제 1 내지 제 3 나노 와이어 ( 111 , 112 , 113 ) 와 접하 는 제 1 소오 스 / 드레 인 영역 ( 1251 ) 의 측벽 이 제 3 방향 ( Z ) 으로 일정 한 경사 프로 파일 을 갖 도록 연장 될 수 있 다 . 또한 , 제 4 내지 제 6 나노 와이어 ( 114 , 115 , 116 ) 와 접하 는 제 2 소오 스 / 드레 인 영역 ( 1252 ) 의 측벽 이 제 3 방향 ( Z ) 으로 일정 한 경사 프로 파일 을 갖 도록 연장 될 수 있 다 .