또한 단결정 반도체 층 ( 505 , 507 및 508 ) 에 있 어서 , 도너 불순물 원소 가 첨가 되 지 않 은 영역 이 , 각각 , 채널 형성 영역 ( 524 ∼ 528 ) 이 된다 . 또한 , 저장 용량 ( 203 ) 에 있 어서 , 절 연막 ( 510 ) 이 유전체 이 고 , 도전 막 ( 515 ) 및 채널 형성 영역 ( 526 ) 이 한 쌍 의 전극 을 구성 한다 . 또한 단결정 반도체 층 ( 505 ) 에 형성 된 n 형 저 저항 불순물 영역 ( 523 ) 중 하나 에 의해 , 스위칭 트랜지스터 ( 201 ) 와 저장 용량 ( 203 ) 이 전기 적 으로 접속 된다 .