도 1 을 참조 하 면 배면 이 드레 인 인 단위 모스 트랜지스터 는 , 고농도 n 형 기판 ( 1 ) 의 상부 에 저 농도 n 형 의 단결정 성장 층 ( 2 ) 이 위치 하 며 , 그 단결정 성장 층 ( 2 ) 의 상부 에 마련 된 p 형 채널 층 ( 3 ) 이 위치 하 고 , 그 채널 층 ( 3 ) 및 단결정 성장 층 ( 2 ) 의 일부 에 매립 되 어 위치 하 는 게이트 ( 4 ) 와 , 그 게이트 ( 4 ) 의 상부 주변 부 에 위치 하 는 소스 ( 5 ) 와 , 상기 기판 ( 1 ) 의 배면 에 형성 된 드레 인 ( 6 ) 을 포함 하 여 구성 된다 .