회로 ( 400 ) 는 회로 내 의 개별 디바이스 들 에 대해 n - 형 및 p - 형 MuGFET 전원 스위치 의 사용 을 예시 하 며 , MuGFET 전원 스위치 의 우수 한 절연 특성 이 상이 한 공급 전압 에 연결 되 는 교대 하 는 체 인 방식 의 ( alternating chains ) 의 논리 게이트 들 또는 논리 소자 들 로 상술 한 구별 되 는 디바이스 레벨 전력 제어 ( discrete device level power control ) 를 가능 하 게 한다는 것 을 추가 로 예시 한다 . 일 실시 예 에서 , 논리 게이트 는 NAND 게이트 , 인버터 게이트 , AND 게이트 , OR 게이트 또는 기타 게이트 와 같 은 CMOS 논리 게이트 로부터 선택 될 수 있 다 . 이것 이 바로 대기 상태 또는 감소 된 전력 상태 동안 각각 의 입력 게이트 에 안정 한 풀스 윙 ( full - swing ) 입력 을 제공 하 는 세분 성 ( fine granularity ) 이 다 . 이것 은 또한 게이트 입력 에서 의 중간 전압 레벨 ( intermediate voltage levels ) 을 회피 하 는 더 신속 한 재 활성 화 를 가능 하 게 한다 . MuGFET 전원 스위치 의 사용 은 상술 한 CMOS 전원 스위치 들 간 의 분리 에 대한 필요 성 을 감소 시켜서 , 칩 면적 ( chip real estate ) 에 대한 전반 적 인 요구 를 감소 시킬 수 있 다 . 일 실시 예 에서 , 소자 들 이 MuGFET 트랜지스터 와 함께 형성 되 어 , 적어도 절연 층 상 의 이러 한 소자 들 의 형성 으로 인하 여 회로 의 절연 을 추가 로 향상 시킨다 .