본 개시 내용 의 더 넓 은 형태 중 하나 는 반도체 디바이스 를 포함 한다 . 반도체 디바이스 는 밀봉 링 영역 및 회로 영역 을 가진 기판 , 밀봉 링 영역 위 에 배치 된 밀봉 링 구조 , 밀봉 링 구조 위 에 배치 된 제 1 의 전면 패 시베이 션 층 , 및 제 1 의 전면 패 시 베이 션 층 에 있 는 전면 금속 패드 를 구비 하 고 , 상기 전면 금속 패드 는 밀봉 링 구조 의 외측 부분 에 결합 된다 . 상기 디바이스 는 전면 금속 패드 위 에 배치 된 제 2 의 전면 패 시베이 션 층 , 제 2 의 전면 패 시 베이 션 층 에 접합 된 캐리어 웨이퍼 , 및 밀봉 링 구조 아래 에 배치 된 제 1 의 후면 패 시베이 션 층 을 더 구비 한다 .