이 를 위하 여 현재 에 는 반도체 소자 의 소자 분리 막 으로서 , STI ( Sallow Trench Isolation ) 구조 의 소자 분리 막 이 널리 사용 되 고 있 다 . STI 소자 분리 막 제조 공정 은 , 반도체 기판 에 일정 한 깊이 를 갖 는 트렌치 ( trench ) 를 형성 하 고 , 이 트렌치 에 화학 기상 증착 법 ( CVD : Chemical Vapor Deposition ) 으로 절 연막 을 갭 필하 고 , 화학 적 기계 적 연마 ( CMP : Chemical Mechanical Polishing ) 공정 으로 절 연막 을 평탄 화 하 여 소자 의 활성 영역 과 비활성 영역 을 분리 하 는 소자 분리 막 을 형성 하 는 기술 이 다 .