그런 다음 , 도 3 b 에 도시 한 바 와 같이 , 상기 제 1 하드 마스크 막 ( 101 ) 및 제 1 실리콘 기판 ( 100 ) 을 선택 적 으로 식각 하 여 , 상기 제 1 실리콘 기판 ( 100 ) 의 가장자리 일부분 에 제 1 트렌치 ( 102 ) 를 형성 함 과 동시 에 , 상기 제 1 트렌치 ( 102 ) 로부터 기판 ( 100 ) 의 내측 으로 소정 간격 이격 된 제 2 트렌치 ( 103 ) 를 형성 한다 .