메모리 장치 및 그 형성 방법 이 제공 된다 . 기판 상 에 제 1 도전 패턴 을 포함 하 는 제 1 절 연막 이 형성 된다 . 상기 제 1 도전 패턴 상 에 적층 된 데이터 저 장막 패턴 , 제 2 도전 패턴 , 및 희생 막 패턴 이 형성 된다 . 상기 희생 막 패턴 상 에 제 2 절 연막 이 형성 된다 . 상기 제 2 절 연막 을 패 터닝 하 여 상기 희생 막 패턴 을 노출 하 는 제 1 홀 이 형성 된다 . 상기 희생 막 패턴 을 제거 하 여 상기 제 2 도전 패턴 을 노출 하 는 제 2 홀 이 형성 된다 . 상기 제 1 및 제 2 홀 들 내 에 상기 제 2 도전 패턴 에 연결 되 는 제 3 도전 패턴 이 형성 된다 .