상기 차광 층 은 도전 성 을 갖 는 불 투명 금속 재질 , 반도체 재질 , 또는 광 흡수 물질 로 이루어질 수 있 다 . 예 를 들 어 , 차 광층 은 전기 전도 도 및 광 흡수 계수 를 갖 는 유전체 물질 인 실리콘 ( Si ) , 게르마늄 ( Ge ) , 실리콘 - 게르마늄 ( SiGe ) 중 어느 하나 의 반도체 물질 이 이용 된다 . 반도체 를 이용 할 때 , 차광 율 이 높 은 게르마늄 ( Ge ) 을 포함 하 는 반도체 물질 을 포함 함 으로써 반도체 층 ( ACT ) 으로 입사 되 는 외부 광 또는 내부 광 을 차단 한다 .