본 발명 은 , 단차 피복성 이 양호 한 RuSi 막 을 형성 할 수 있 는 기술 을 제공 한다 . 본 개시 의 일 양태 에 의한 RuSi 막 의 형성 방법 은 , 절 연막 을 포함 하 는 오 목부 를 갖 는 기판 에 실리콘 함유 가스 를 공급 해서 상기 오 목부 에 실리콘 을 흡착 시키 는 공정 과 , 상기 실리콘 이 흡착 된 상기 오 목부 에 Ru 함유 전구체 를 공급 해서 상기 오 목부 에 Ru 막 을 형성 하 는 공정 과 , Ru 막 이 형성 된 상기 오 목부 에 실리콘 함유 가스 를 공급 해서 RuSi 막 을 형성 하 는 공정 을 갖 는다 .