본 발명 은 반도체 소자 및 이 의 제조 방법 에 관한 것 으로 , 반도체 소자 는 기본 소자 , 상기 기본 소자 의 적어도 일 방향 에 형성 되 는 중간층 및 상기 기본 소자 에 대향 하 는 방향 에서 상기 중간 층 에 형성 되 는 금속 층 을 포함 할 수 있 으며 , 중간 층 내부 에 는 중간 층 에 대한 전압 의 인가 에 따라서 전도성 필라멘트 가 생성 될 수 있 다 .