쇼트 키 게이트 금속 층 ( 14 a ) 의 형성 후 , 도 2 k 에 도시 되 는 바 와 같이 상기 전극 접촉 , 여기 서 는 구리 다마스 커스 전극 접촉 ( 541 - 5411 ) 의 형성 과 함께 가공 이 계속 되 고 ; 이 들 의 예 로 , 여기 서 는 전극 ( 542 ) 이 도 3 a 에서 상세히 도시 된다 . 각각 의 구리 다마스 커스 전극 접촉 ( 541 - 5411 ) 의 형성 은 도 2 i 에 도시 되 는 바 와 같이 2 개 의 유전체 층 ( 여기 서 는 SiNx 층 ( 48 ) 및 SiO 2 층 ( 50 ) ) 의 적층 이 일어나 는 것 에 주목 한다 . 제 1 층 ( 48 ) , 여기 서 는 SiNx 는 확산 배리어 ( 구리 가 그 아래 에 배치 될 때 ) 및 에칭 저지 층 으로서 작용 한다 . 제 2 층 , 여기 서 SiO 2 층 ( 50 ) 은 제 1 층 ( 48 ) , 여기 서 는 SiNx 로 선택 적 으로 에칭 된 후 , 게이트 금속 층 ( 14 a ) 이 드러나 도록 에칭 하 여 , 금 이 없 는 물질 , 여기 서 는 구리 가 이어서 적층 되 는 곳 으로 트렌치 를 형성 한다 .