특허 문헌 1 에 는 , 강유전체 층 을 갖 는 메모리 셀 이 절연 층 을 개재 하 여 적층 된 어레이 구조 를 갖 는 반도체 메모리 장치 의 메모리 셀 특성 및 판독 조건 이 기재 되 어 있 다 . 구체 적 으로 는 , 메모리 셀 의 열 이력 이 층 마다 서로 다르 기 때문 에 , 형성 된 층 에 따라 메모리 셀 의 전기 특성 에 차 가 생긴다 . 이 와 같 은 메모리 셀 을 확실 하 게 판독 하 기 위해 , 액세스 한 메모리 셀 이 포함 되 는 층 에 따라서 참조 전압 을 바꾸 는 방식 이 기재 되 어 있 다 . 특허 문헌 2 에 는 , 칼 코 게나 이드 재료 로 이루어지 는 메모리 셀 을 적층 한 어레이 구조 를 갖 는 반도체 메모리 장치 의 메모리 셀 특성 이 기재 되 어 있 다 . 즉 , 칼 코 게나 이드 재료 는 적층 배열 의 형성 스텝 의 영향 을 받 기 쉬운 특성 을 갖 는다고 기재 되 어 있 다 . 특허 문헌 3 에 는 , 적층 형 자기 메모리 의 메모리 어레이 구조 가 기재 되 어 있 다 . 구체 적 으로 는 , 층 마다 기입 특성 이 변하 는 것 을 방지 하 기 위해 , 배선 구조 나 컨 택트 구조 등 을 층 마다 바꾸 는 방식 이 기재 되 어 있 다 .