일부 실시 예 에서 , 반도체 소자 제조 방법 은 기판 ( 10 ) 의 제 2 영역 ( R 2 ) 상 의 산소 확산 배리 어 층 ( 24 ) 의 부분 을 제거 하 는 단계 및 기판 ( 10 ) 의 제 2 영역 ( R 2 ) 상 의 안정 화 층 ( 23 ) 의 부분 을 제거 하 는 단계 를 더 포함 할 수 있 다 . 이 경우 , 도 4 c 에 도시 된 반도체 소자 ( 200 c ) 가 제조 될 수 있 다 . 기판 ( 10 ) 의 제 2 영역 ( R 2 ) 상 의 안정 화 층 ( 23 ) 의 부분 은 남기 고 기판 ( 10 ) 의 제 2 영역 ( R 2 ) 상 의 안정 화 층 ( 23 ) 의 부분 을 제거 함 으로써 제 1 트랜지스터 ( TR 1 ) 와 제 2 트랜지스터 ( TR 2 ) 의 문턱 전압 제어 가 용이 해질 수 있 다 .