상술 한 바 와 같 은 구성 을 가지 는 본 발명 의 일 형태 의 발광 디바이스 는 수명 이 매우 긴 발광 디바이스 로 할 수 있 다 . 특히 LT 95 정도 의 열화 가 매우 작 은 영역 에서 의 수명 을 대폭 향상 시킬 수 있 다 . 또한 전자 수송 재료 로서 전자 를 수송 하 는 기능 을 가지 는 제 1 골격 과 , 정공 을 수용 하 는 기능 을 가지 는 제 2 골격 과 , 단일 고리 이 며 π 전자 부족 형 인 헤테로 방향 족 고리 인 제 3 골격 을 가지 는 화합물 을 사용 한 본 발명 의 일 형태 의 발광 디바이스 는 장기 열화 도 매우 작 은 발광 디바이스 이 고 , 수명 이 더 긴 발광 디바이스 로 할 수 있 다 .