상기 high - k 물질 은 ZrO 2 , TiO 2 , Nb 2 O 5 , Ta 2 O 5 , MoO 3 , La 2 O 3 , Al 2 O 3 , Y 2 O 3 및 LaLuO 2 중 에서 선택 되 는 어느 하나 또는 둘 이상 의 혼합물 일 수 있 으며 , 바람직 하 게 는 TiO 2 일 수 있 다 . 상기 ( B ) 단계 의 고유 전체 산화물 을 이산화 게르마늄 층 상 에 증착 하 는 과정 은 기존 에 알려진 증착 방법 이 제한 없이 사용 될 수 있 다 . 상기 TiO 2 는 고유 전체 산화물 이 증착 된 이후 , 산소 기체 가 TiO 2 를 원활 하 게 투과 및 확산 하 여 게르마늄 기판 을 산화 시키 기 때문 에 , 가장 바람직 하 다 . 상기 high - k 물질 의 선택 에 있 어서 산소 기체 의 원활 한 투과 및 확산 외 에 도 고려 해야 할 점 은 추후 진행 되 는 상기 ( C ) 단계 의 열처리 과정 에서 고유 전체 산화 막 으로 게르마늄 원자 의 확산 이 다 . 예 를 들 어 , HfO 2 는 대표 적 인 high - k 물질 에 해당 하 며 산소 기체 를 잘 투과 시키 지만 , 상기 ( C ) 단계 의 열처리 과정 에서 게르마늄 원자 가 고유 전체 산화 막 으로 빠르 게 확산 하 여 중간 층 을 형성 하 고 소자 의 특성 을 열화 시키 기 때문 에 부적합 함 을 확인 하 였 다 . 반면 TiO 2 는 상기 ( C ) 단계 의 열처리 과정 에서 도 게르마늄 기판 과 고유 전체 산화 막 상호 간 의 확산 이 일어나 지 않 아 가장 우수 한 소자 특성 을 보였 다 .