일부 구 현예 에서 , 도 5 의 ( b ) 에 도시 된 불순물 의 영역 선택 적 제거 에 의해 상부 / 하부 가 두꺼운 TS - SiO 중 , 최종 막 의 등각 성 ( 상부 부위 에서 의 막 두께 ( 예 , 단면도 에서 의 중간 지점 ) 에 대한 측벽 에서 의 막 두께 ( 예 , 단면도 의 중간 지점 ) 의 비 ) 은 약 30 % 이하 로 실질 적 으로 0 % 를 포함 하 고 , 예 를 들 어 약 0 %, 약 10 %, 약 20 %, 약 30 %, 또는 전술 한 숫자 중 임의 의 2 개 사이 범위 내 의 임의 수이 다 . 일부 구 현예 에서 , 도 5 의 ( c ) 에 도시 된 불순물 의 영역 선택 적 포함 에 의해 측벽 이 두꺼운 TS - SiO 중 , 최종 막 의 등각 성 의 역수 ( 상부 부위 에서 의 막 두께 , 예 를 들 어 단면도 에서 의 중간 지점 에 대한 측벽 에서 의 막 두께 , 예 를 들 어 단면도 의 중간 지점 의 비 ) 는 약 30 % 이하 로 실질 적 으로 0 % 를 포함 하 고 , 예 를 들 어 약 0 %, 약 10 %, 약 20 %, 약 30 %, 또는 전술 한 숫자 중 임의 의 2 개 사이 범위 내 의 임의 수이 다 . 상기 에서 , 하부 에서 의 막 두께 는 트렌치 의 종횡비 , RF 전력 , 압력 등 에 따라 달라질 수 있 다 . 예 를 들 어 , 트렌치 의 종횡비 가 높 고 , 예 를 들 어 5 내지 10 또는 그 이상 의 경우 , RF 전력 은 비교 적 낮 고 / 낮 거나 압력 은 비교 적 높 으며 , 트렌치 하부 에서 의 막 은 상부 에서 의 막 에 비해 습식 식각 시 남 아 있 으려는 경향 이 있 고 , 그 이유 는 플 라즈 마 에 의한 충분 한 이온 충돌 이 트렌치 의 하부 에 도달 하 지 못할 수 있 기 때문 이 다 .