다수 의 코딩 서열 이 동일 한 올리 고 뉴클레오티드 내 에 존재 하 는 배열 에서 , 절단 영역 ( 607 ) 은 각각 의 코딩 영역 사이 에 임의 적 으로 존재 한다 . 절단 영역 ( 607 ) 은 각각 의 코딩 영역 사이 의 접합부 에 존재 할 수 있 거나 , 각각 의 코딩 영역 사이 에 일련 의 서열 을 갖 는 어댑터 영역 내 에 존재 할 수 있 다 . 절단 영역 ( 607 ) 은 일단 합성 되 면 , 절단 신호 의 적용 후 가닥 으로부터 파괴 되 는 서열 피처 를 코딩 할 수 있 다 . 절단 영역 ( 607 ) 은 제한 효소 인식 부위 , 감광성 이 고 전자기 복사 의 적용 하 에 파괴 되 는 변경 된 핵산 ( 예컨대 , > 300 nm 파장 의 광 에 민감 성 인 염기 민감 성 S - 피발 로 일 티오 에틸 ( t - Bu - SATE ) 를 보유 하 는 올리 고데 옥시 뉴클레오티드 헤테로 중합체 ) , 또는 특정 화학 물질 , 예컨대 암모니아 기체 의 적용 후 파괴 되 는 티미 딘 - 숙시 닐 헥사 미드 CED 포스 포르 아미 다 이트 ( ChemGenes 의 CLP - 2244 ) 의 적용 에 민감 한 변형 된 핵산 을 코딩 할 수 있 다 . 특정 절단 스킴 을 갖 는 서열 의 디자인 은 합성 된 올리 고 뉴클레오티드 의 시퀀싱 으로부터 쉽 게 명백 하 지 않 을 수 있 기 때문 에 , 절단 스킴 은 합성 된 핵산 라이브러리 에 의해 코딩 되 는 서열 에 일정 수준 의 보안 을 부가 하 는 수단 을 제공 한다 . 본원 에 기재 된 올리 고 뉴클레오티드 에 대한 서열 은 적어도 1 , 2 , 3 , 4 , 5 , 6 , 7 , 8 , 9 , 10 , 11 , 12 , 13 , 14 , 15 , 16 , 17 , 18 , 19 , 20 개 또는 이 를 초과 하 는 절단 영역 을 코딩 할 수 있 다 . 일부 경우 에 , 각각 의 절단 영역 은 1 - 100 , 1 - 50 , 1 - 20 , 1 - 10 , 5 - 25 또는 5 - 30 개 염기 길이 를 코딩 한다 . 일부 경우 에 , 각각 의 코딩 영역 은 적어도 1 , 2 , 3 , 4 , 5 , 6 , 7 , 8 , 9 , 10 , 11 , 12 , 13 , 14 , 15 , 16 , 17 , 18 , 19 , 20 , 25 , 30 , 40 , 50 100 개 또는 이 를 초과 하 는 염기 를 코딩 한다 . 일부 배열 에서 , 각각 의 올리 고 뉴클레오티드 에 대해 , 각각 의 코딩 영역 은 동일 하 고 , 각각 의 코딩 영역 사이 의 각각 의 절단 영역 은 상이 하 다 . 예컨대 , 제 1 절단 영역 ( 607 ) 은 제 2 절단 영역 ( 609 ) 과 상이 하 다 . 일부 배열 에서 , 표면 ( 602 ) 에 가장 근접 한 절단 영역 ( 607 ) 은 다음 원위 절단 영역 ( 607 ) 과 동일 하 다 .