상기 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 소자 분리 막 을 갖 는 반도체 소자 의 제조 방법 은 , 반도체 기판 상 에 마스크 패턴 을 형성 하 는 단계 ; 상기 마스크 패턴 에 의해 드러난 상기 반도체 기판 을 브레이크 쓰루 처리 하 여 위 에서 아래 로 갈수록 폭 이 감소 되 는 경사 프로 파일 을 갖 는 상부 트렌치 를 형성 하 는 단계 ; 및 폴리머 생성 가스 를 사용 하 여 상기 상부 트렌치 의 경사면 을 보호 하 면서 상기 상부 트렌치 아래 의 상기 반도체 기판 을 식각 하 여 수직 프로 파일 을 갖 는 하부 트렌치 를 형성 하 는 단계 를 포함 하 여 , 상기 상부 트렌치 및 상기 하부 트렌치 가 연결 된 소자 분리 용 트렌치 를 형성 한다 .