도 5 및 도 6 을 참조 하 면 , 실리콘 웨이퍼 ( 100 ) 를 관통 하 는 TSV ( 120 ) 가 형성 되 고 , 실리콘 웨이퍼 ( 100 ) 상 에 배선 층 ( 110 ) 이 형성 될 수 있 다 . 설명 의 편의 를 위하 여 도 6 에서 TSV ( 120 ) 는 하나 의 기둥 형태 를 갖 고 , 하나 의 접속 패드 ( 230 ) 에 연결 되 는 것 으로 도시 되 었 으나 , 이 에 한정 되 는 것 은 아니 며 , TSV ( 120 ) 는 복수 개 로 형성 될 수 있 으며 , 전기 적 신호 에 따라 접속 패드 ( 230 ) ( 도 10 참조 ) 와 각각 개별 적 으로 연결 될 수 있 다 . 배선 층 ( 110 ) 내 에 는 TSV ( 120 ) 와 전기 적 으로 연결 되 는 연결 전극 들 ( 130 ) 이 배치 될 수 있 다 . 배선 층 ( 110 ) 상 에 는 연결 전극 들 ( 130 ) 과 전기 적 으로 연결 되 는 연결 범프 ( 140 ) 가 형성 될 수 있 다 . 일 실시 예 에 있 어서 , 실리콘 웨이퍼 ( 100 ) 는 플랫 존 ( FZ ) 또는 노치 ( 도면 미 도시 ) 를 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 플랫 존 ( FZ ) 의 법선 방향 은 실리콘 결정 구조 의 [ 100 ] 결정 방향 일 수 있 다 .