몇몇 실시 예 에 따른 솔리드 스테이트 드라이브 장치 의 제 1 내지 제 4 반도체 칩 ( 344 ) 은 비휘발성 메모리 소자 일 수 있 다 . 제 1 내지 제 4 반도체 칩 ( 344 ) 은 예 를 들 어 , 플래시 메모리 , 상변화 메모리 ( Phase Change Random Access Memory ; PRAM ) 또는 저항성 메모리 ( Resistive Random Access Memory ; RRAM ) 일 수 있 으나 , 이 에 제한 되 는 것 은 아니 다 .