도 9 에 따르 면 , 기판 ( 10 ) 은 비휘발성 메모리 소자 를 집적 시키 기 위한 베이스 로서 P 형 의 도전 형 의 기판 ( 10 ) ( 예 를 들 어 , 실리콘 기판 ) 으로 형성 될 수 있 다 . 딥 N 형 웰 ( deep N - type well , 150 ) 은 P 형 웰 ( P - type well , 미 도시 ) 하층 에 형성 되 어 기판 ( 10 ) 으로부터 P 형 웰 ( P - type well , 미 도시 ) 을 분리 시킬 수 있 고 반도체 기판 ( 10 ) 에 의해 발생 되 는 핫 캐리어 ( hot carrier ) 등 이 P 형 웰 ( P - type well , 미 도시 ) 로 유입 되 는 것 을 차단 할 수 있 다 .