희생 재료 층 들 ( 42 ) 은 절연 재료 , 반도체 재료 , 또는 전도성 재료 를 포함 할 수 있 다 . 희생 재료 층 들 ( 42 ) 의 제 2 재료 는 후속 적 으로 , 예 를 들 어 , 수직 NAND 디바이스 의 제어 게이트 전극 들 로서 기능 할 수 있 는 전기 전도성 전극 들 로 대체 될 수 있 다 . 제 2 재료 의 비 제한 적 인 예 들 은 실리콘 질화물 , 비정질 반도체 재료 ( 예컨대 , 비정질 실리콘 ) , 및 다결정 반도체 재료 ( 예컨대 , 폴리 실리콘 ) 를 포함 한다 . 일 실시 예 에서 , 희생 재료 층 들 ( 42 ) 은 실리콘 질화물 , 또는 실리콘 및 게르마늄 중 적어도 하나 를 포함 하 는 반도체 재료 를 포함 하 는 스 페이서 재료 층 들 일 수 있 다 .