상기 와 같 은 방법 으로 제작 한 TFT 의 단면 TEM 사진 을 , 도 3 에 나타낸다 . 여기 에서 , TEM 사진 내 에 는 , 밑 으로부터 순서 적 으로 게이트 절연 층 , 반도체 층 , 소스 - 드레 인 전극 , 및 보호 층 이 관측 될 수 있 다 . 반도체 층 에 는 직경 이 20 nm 정도 의 결정립 이 존재 하 고 있 는 것 을 관측 할 수 있 다 . 또한 , 결정립 은 게이트 절연 층 을 형성 하 는 SiOx 와 의 계면 에 많이 존재 하 고 있 다 . 이것 은 , 계면 이 불 균일 결정 핵 형성 사이트 ( site ) 로서 기능 하 고 있 기 때문 이 라고 생각 될 수 있 다 .