그러므로 , 전술 한 제 2 실시 예 에 따른 반도체 메모리 소자 는 지연 량 - 조절 신호 에 따라 조절 된 지연 시간 을 부여 하 는 도메인 크로싱 제 어부 ( 500 B ) 와 , 퓨즈 옵션 과 테스트 신호 의 인가 를 통해 지연 량 - 조절 신호 를 생성 하 기 위한 지연 량 조 절부 ( 700 ) 를 포함 한다 . 따라서 , 퓨즈 옵션 과 테스트 신호 ( TM 1 , TM 2 ) 의 인가 를 통해 , 도메인 크로싱 제 어부 ( 500 B ) 의 지연 량 이 조절 되 므로 , 이 에 출력 되 는 내부 클럭 - 스트로브 신호 ( DINSTBP ) 의 활성 화 시점 이 조절 된다 . 즉 , 종래 와 달리 , 본 발명 은 PVT 변동 과 고주파 구동 시 에 도 , 적정 한 tDQSS 를 갖 도록 , 내부 클럭 - 스트로브 신호 ( DINSTBP ) 의 활성 화 시점 을 퓨즈 옵션 과 테스트 신호 ( TM 1 , TM 2 ) 의 인가 를 통해 조절 할 수 있 다 .