도 4 f 는 쉘로우 트렌치 ( 406 ) 내부 에 충 진 되 는 트렌치 산화물 ( 409 ) 및 트렌치 패턴 ( 405 ) 을 도시 하고 있 다 . 트렌치 산화물 ( 409 ) 은 상대 적 으로 높 은 증착 률 을 갖 는 CVD 프로세스 에 의해 통상 적 으로 형성 된다 . 트렌치 산화물 ( 409 ) 은 과 충 진 되 어 트렌치 산화물 ( 409 ) 이 기판 ( 401 ) 의 최 상부 표면 위 에 있 다 .