하나 의 실시 예 에서 , 본 발명 은 , 전기 도전 재료 로 이루어진 캐리어 를 제공 하 는 단계 , 상기 캐리어 상 에 접촉 패드 들 을 형성 하 는 단계 , 반도체 웨이퍼 의 액티브 표면 상 에 예비 - 인가 된 보호 층 을 형성 하 는 단계 , 예비 - 인가 된 보호 층 을 구비 한 반도체 다이 를 반도체 웨이퍼 로부터 제거 하 는 단계 , 예비 - 인가 된 보호 층 을 구비 한 반도체 다이 를 캐리어 상 에 장착 시키 는 단계 , 캐리어 상 의 상기 반도체 다이 와 접촉 패드 들 을 캡슐 화 시키 는 단계 , 상기 캐리어 를 제거 하 는 단계 , 상기 예비 - 인가 된 보호 층 및 접촉 패드 들 위 에 제 1 절연 층 을 형성 하 는 단계 , 상기 제 1 절연 층 및 예비 - 인가 된 보호 층 에 비어 를 형성 하 여 반도체 다 이상 의 상호 접속 사이트 들 을 노출 시키 는 단계 , 그리고 반도체 다 이상 의 상호 접속 사이트 및 접촉 패드 들 과 전기 적 접촉 관계 로 상기 제 1 절연 층 위 에 상호 접속 구조 체 를 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 반도체 소자 제조 방법 을 제공 한다 .