반도체 활성 층 ( 131 ) 상 에 는 채널 영역 에 대응 하 도록 게이트 전극 ( 132 ) 이 형성 된다 . 상기 게이트 전극 ( 132 ) 은 MoW , Al , Cr , Al / Cu 등 도전 성 금속 으로 형성 될 수 있 는데 , 반드시 이 에 한정 되 지 않 으며 , 도전 성 폴리머 등 다양 한 도전 성 물질 이 게이트 전극 ( 132 ) 으로 사용 될 수 있 다 .