이 와 같이 스위칭 박막 트랜지스터 ( Qs ) 의 채널 은 비정질 규소 에 형성 함 으로써 누설 전류 를 줄이 고 데이터 전압 이 감소 되 는 것 을 방지 할 수 있 으며 , 구동 박막 트랜지스터 ( Qdd ) 의 채널 은 다 결정 규소 에 형성 함 으로써 높 은 전하 이동도 및 안정 성 을 가질 수 있 고 이 에 따라 발광 소자 에 흐르 는 전 류량 을 늘릴 수 있 어서 휘도 를 높일 수 있 다 .