도 4 b 에 도시 된 바 와 같이 , 플 라즈 마질 화 공정 을 실시 하 여 게이트 산화 막 ( 23 ) 의 일부 를 질화 시킨다 . 이 로써 , 게이트 산화 막 ( 23 A ) 상 에 질화 산화 막 ( 23 B ) 이 형성 된다 . 이때 , 질화 산화 막 ( 23 B ) 은 후속 공정 을 통해 도핑 될 보론 이 게이트 산화 막 ( 23 A ) 으로 침투 하 는 것 을 방지 하 는 역할 을 한다 .