또한 , 플라 즈 몬 도파 로 를 Si 3 N 4 계 포토 닉스 와 선택 적 으로 조합 함 으로써 , 전자 IC 공장 의 CMOS 후위 제조 공정 을 이용 하 여 통합 형 포 토닉 센서 를 더 저렴 하 게 대량 생산 할 수 있 다 . 플라 즈 몬 닉스 의 부 가 가치 는 실제로 확인 되 었 지만 , 손실 이 높 고 고립 된 기술 의 통합 형 플 라즈 몬 센서 를 고 가치 의 실용 적 인 CMOS 호환 디바이스 로 변화 시키 기 위한 조직 화 된 노력 은 아직 보이 지 않 고 있 다 . 간략히 말 하 면 , CMOS 호환 플라 즈 몬 닉스 와 평평 한 통합 형 칩 내 에 있 는 포토 닉스 의 조화 적 이 고 균형 잡힌 혼합 은 , 값비싸 고 복잡 한 기술 의 플 라즈 모 - 포 토닉 센서 를 포 토닉 통합 형 회로 ( PIC ) 기반 센서 에서 의 진정 한 기술 적 혁명 으로 변화 시켜 전례 없 는 성능 과 기능 을 대 규모 로 또한 다양 한 산업 적 요구 조건 에 맞 게 제공 할 것 으로 예상 된다 .