상기 의 제 1 실시 형태 에서 는 , SBSI 영역 의 Si 기판 ( 1 ) 에 오 목부 ( 9 ) 을 형성 하 고 , 이 오 목부 ( 9 ) 에 SiGe 층 ( 11 ) 과 Si 층 ( 13 ) 을 선택 에피 택 셜 성장 시킴 으로써 , Si 층 ( 13 ) 의 표면 높이 를 벌크 영역 의 Si 기판 ( 1 ) 표면 의 높이 에 가깝 게 하 는 경우 에 대해 설명 하 였 다 . 특히 , 오 목부 ( 9 ) 의 깊이 d = SiGe 층 ( 11 ) 및 Si 층 ( 13 ) 의 막 두께 의 합계 값 으로 한 경우 에 는 , SOI 영역 의 Si 층 ( 13 ) 표면 과 , 벌크 영역 의 Si 기판 ( 1 ) 표면 의 고저 차 를 거의 제로 ( 0 ) 로 할 수 있 다 .