미국 등록 특허 5 , 290 , 664 는 게이트 전극 의 제조 프로세스 를 개재 하 고 , 미국 등록 특허 4 , 559 , 246 은 접촉 윈도우 ( contact window ) 들 에서 의 게이트 , 소스 및 드레 인 금속 들 의 형성 을 개재 한다 . 그 들 은 대응 하 는 건식 성막 ( 예 를 들 어 , 스퍼터링 ) 과 함께 리프트 - 오프 프로세스 를 모두 이용 한다 .