또 , 본 발명 에 관련 된 산화물 소 결체 는 , 인듐 과 갈륨 의 합량 에 대한 인듐 의 원자 수비 [ In ] / ( [ In ] ＋ [ Ga ] ) 가 20 ％ ∼ 80 ％, 인듐 과 갈륨 과 아연 의 합량 에 대한 아연 의 원자 수비 [ Zn ] / ( [ In ] ＋ [ Ga ] ＋ [ Zn ] ) 가 10 ％ ∼ 50 ％ 인 조성 조건 을 만족 하 고 있 다 . 조성 조건 이 이 와 같이 규정 되 어 있 는 이유 는 , 그 조성 을 갖 는 산화물 소 결체 를 스퍼터링 타깃 으로 하 여 , 스퍼터 성막 하 여 얻 어 지 는 막 의 저항률 이 , 투명 반도체 로서 사용 되 는 데 적합 한 범위 가 되 도록 하 기 위해서 이 다 .