다음 에 , 기판 을 배치 하 는 챔버 분위기 를 질소 , 또는 건조 공기 로 하 여 제 2 가열 처리 를 실시 한다 . 제 2 가열 처리 의 온도 는 400 ℃ 이상 750 ℃ 이하 로 한다 . 제 2 가열 처리 에 의해 제 2 결정 성 산화물 반도체 층 ( 1606 ) 을 형성 한다 ( 도 13 b 참조 ) . 질소 분위기 하 , 산소 분위기 하 , 또는 질소 와 산소 의 혼합 분위기 하 에서 제 2 가열 처리 를 실시 함 으로써 , 제 2 결정 성 산화물 반도체 층 의 고 밀도 화 및 결함 수 의 감소 를 도모 한다 . 제 2 가열 처리 에 의해 , 제 1 결정 성 산화물 반도체 층 ( 1604 ) 을 핵 으로서 이용 하 여 제 2 산화물 반도체 막 의 막 두께 방향 , 즉 하부 로부터 내부 로 결정 성장 이 진행 되 어 제 2 결정 성 산화물 반도체 층 ( 1606 ) 이 형성 된다 .