2 . 도 2 의 SEM 이미지 를 보 면 , 전극 3 의 경우 고분자 지 지체 표면 에 작 은 금 알갱이 들 이 일정 하 게 깔린 것 을 알 수 있 고 , 전극 1 의 경우 표면 에 약 20 nm 내지 100 nm 크기 의 MoS 2 나노 입자 가 깔린 것 을 알 수 있 다 . 또한 , 도 3 의 AFM 이미지 를 보 면 , 고분자 지 지체 의 표면 은 거의 평평 하 며 , 전극 3 의 표면 은 작 은 알갱이 들 이 깔린 것 을 알 수 있 으며 , 고분자 지 지체 는 약 0 . 8 nm , 전극 3 은 3 . 6 nm , 전극 1 은 약 13 . 2 nm 의 높이 차이 를 가지 는 것 을 알 수 있 다 . 또한 , 도 4 의 EDS mapping 이미지 를 보 면 , gold , Mo , S 의 존재 를 확인 할 수 있 고 , Mo 와 S 의 비율 이 1 : 2 인 것 을 통해 MoS 2 의 존재 를 알 수 있 다 . 이 를 통해 , 고분자 지 지체 에 금 , 이 황화몰리브덴 , 금 이 차례 로 적층 된 전극 이 제조 되 었 음 을 알 수 있 다 .