상기 와 같이 , 콘 택 홀 ( 108 ) 상부 영역 에 형성 된 제 1 확산 정지 막 ( 110 ) 을 제거 함 으로써 콘 택 홀 ( 108 ) 상부 영역 에 형성 된 오버행 을 제거 할 수 있 다 . 또한 , 식각 공정 으로 콘 택 홀 ( 108 ) 내부 의 보우 잉 이 발생 한 영역 까지 층간 절 연막 ( 104 ) 을 식각 함 으로써 콘 택 홀 ( 108 ) 내부 의 측벽 이 포지티브 프로 파일 을 갖 도록 한다 . 이렇 게 콘 택 홀 ( 108 ) 내부 의 측벽 이 포지티브 프로 파일 을 갖 도록 함 으로써 콘 택 홀 ( 108 ) 갭 필 특성 이 향상 되 며 , 콘 택 플러그 ( 114 ) 의 저항 을 낮춰 소자 의 신뢰 성 을 확보 할 수 있 다 .