그래서 , 이러 한 TiN 막 과 WCl 6 가스 와 의 사이 의 에칭 반응 을 억제 하 는 방법 에 대해서 검토 하 였 다 . 그 결과 , 도 6 에 도시 된 바 와 같이 , TiN 막 상 에 텅스텐 막 ( 203 ) 을 성막 할 때 , 복수 회 반복 되 는 WCl 6 가스 의 공급 에 있 어서 , 1 회 당 공급 되 는 WCl 6 가스 의 유량 을 서서히 증가 시키 는 기간 ( T 1 ) 을 두 는 것 이 유효 한 것 을 알아내 었 다 . WCl 6 가스 의 유량 을 서서히 증가 시키 는 기간 ( T 1 ) 은 , 복수 회 반복 되 는 WCl 6 가스 를 공급 하 는 기간 의 일부 이 며 , TiN 막 에 대한 보호막 이 형성 될 때 까지 의 기간 인 것 이 바람직 하 다 .