이상 의 도 4 a 내지 도 4 f 를 참조 하 여 설명 된 바 와 같이 , 상기 제 1 포토레지스트 패턴 ( PR 1 ) 을 이용 해 상기 제 1 베이스 기판 ( 101 ) 위 에 는 게이트 배선 들 ( GLn - 1 , GLn ) , 게이트 패드 전극 ( 113 ) , 스위칭 소자 ( TFT ) 의 게이트 전극 ( 111 ) 및 스위칭 소자 ( TFT ) 의 채널 부 ( CH ) 가 형성 된다 . 또한 , 상기 게이트 배선 들 ( GLn - 1 , GLn ) , 게이트 패드 전극 ( 113 ) 위 에 는 제 1 보호 절연 층 ( 140 ) 이 형성 되 고 , 상기 게이트 전극 ( 111 ) 과 채널 부 ( CH ) 사이 에 는 게이트 절연 패턴 ( 121 ) 이 형성 된다 .