상기 제 2 평탄 화 단계 는 제 1 평탄 화 단계 에서 상대 적 으로 낮 은 제 1 메 쉬 값 을 가지 는 제 1 그라인더 입자 로 된 제 1 그라인더 로 질화 갈륨 기판 의 표면 을 그라인딩 할 경우 발생 하 는 손상 층 을 제거 하 는 역할 을 하 게 된다 . 즉 , 제 1 평탄 화 단계 를 통하 여 질화 갈륨 기판 표면 의 높이 의 최고점 과 최 저점 간 의 격차 는 해소 되 지만 , 이러 한 그라인딩 과정 을 수행 하 는 제 1 그라인더 입자 의 메 쉬 값 이 큰 관계 로 , 즉 제 1 그라인더 입자 는 입자 가 곱 지 않 고 거친 관계 로 질화 갈륨 기판 표면 에 상당 한 두께 의 손상 층 ( damage layer ) 을 형성 하 게 된다 . 그리고 , 이러 한 손상 층 은 후속 하 는 후처리 폴리 싱 공정 에서 소정 의 수준 으로 기판 표면 을 폴리 싱하 는 데 소요 되 는 공정 시간 을 증가 시키 게 된다 . 그런데 , 제 1 평탄 화 단계 에서 사용 되 는 제 1 그라인더 입자 보다 더 큰 메 쉬 값 을 가진 제 2 그라인더 입자 ( 즉 , 입자 가 더 고운 상태 임 ) 를 사용 하 여 제 1 평탄 화 단계 에서 표면 에 손상 층 이 형성 된 질화 갈륨 기판 표면 에서 손상 층 을 제거 하 는 제 2 평탄 화 단계 가 수행 됨 으로써 , 제 1 평탄 화 단계 만 을 수행 했 을 때 생기 는 손상 층 형성 의 문제 를 해소 할 수 있 게 된다 .