이상 설명 한 바 와 같이 , 본 발명 은 반도체 소자 의 소자 분리 막 형성 시 갭 필 산화 막 으로서 스핀 온 다이 일렉트릭 산화 막 , 제 1 고밀 도 플 라즈 마 산화 막 및 제 2 고밀 도 플 라즈 마 산화 막 의 3 중 산화 막 을 사용 함 으로써 액티브 면적 을 확보 하 여 마진 부족 으로 발생 하 는 페일 을 개선 하 고 리 프레시 를 개선 할 수 있 어 , 궁극 적 으로 는 소자 분리 막 형성 에서 기인 하 는 소자 의 열화 를 방지 할 수 있 다 .