도 24 ( c ) 에 나타내 는 바 와 같이 , 그 레지스 트 패턴 ( 55 ) 을 제거 하 고 , 그 후 , 리소그래피 기술 에 의해 새로운 레지스 트 패턴 을 폴리 실리콘 막 ( 54 ) 상 에 형성 한다 . 그 후 , 그 새로운 레지스 트 패턴 을 마스크 로서 사용 하 고 , 폴리 실리콘 막 ( 54 ) 을 패 터닝 함 으로써 , 불순물 이 도입 된 폴리 실리콘 으로 이루어지 는 게이트 ( 5 ) 를 게이트 산화 막 ( 3 ) 상 에 선택 적 으로 형성 한다 . 폴리 실리콘 막 ( 54 ) 의 패 터닝 은 건식 에칭 을 사용 하 여 실시 할 수 있 다 . 게이트 의 길이 와 폭 은 전술 한 바 와 동일 하 다 . 구체 적 으로 는 , 게이트 길이 는 특별히 한정 할 필요 는 없 지만 , 전형 적 으로 는 100 ㎚ 여도 된다 . 또 , 게이트 폭 은 특별히 한정 할 필요 는 없 다 .