도 6 a 는 종래 기술 에서 저주파 RF 전력 에 의해 구동 되 는 기판 표면 상 의 전자 와 이온 의 운동 을 나타낸 모식도 이 다 . 도 6 b 는 본 발명 에서 초저주파 RF 전력 에 의해 구동 되 는 기판 표면 상 의 전자 와 이온 의 운동 을 나타낸 모식도 이 다 . 도 6 a 에 도시 한 바 와 같이 , 종래 기술 에서 는 400 KHz 보다 높 은 저주파 RF 전력 이 사용 된다 . 저 주파 RF 전력 이 안정 적 인 경우 , 저 주파 RF 전력 의 양 의 반주기 동안 플 라즈 마 에 있 는 전자 가 저 주파 전장 의 구 동하 에서 아래 방향 으로 운동 하 고 음 의 반주기 동안 전자 는 기판 으로부터 멀 어 진다 . 동시 에 음 의 반주기 의 기간 Pa ' 이 비교 적 짧 기 때문 에 , 이온 이 기판 에 도달 하 기 전 에 전기장 이 역전 되 어 , 저 주파 전기장 에 의해 직접 구동 되 어 아래 방향 으로 운동 하 는 이온 이 없 다 . 기판 표면 에 축적 되 는 직류 바이어스 전위 VDC 는 안정 적 으로 유지 된다 . 도 6 b 에 도시 한 바 와 같이 , 본 발명 에서 는 하부 전극 으로 출력 되 는 저주파 교류 신호 의 주기 가 충분 한 길이 를 갖 도록 , 초저주파 RF 전력 을 이용 한다 . 상기 초저주파 RF 전원 의 각 출력 주기 는 양 의 반주기 와 음 의 반주기 를 포함 한다 . 상기 양 의 반주기 동안 이온 을 가속 하 기 위한 제 1 가속 전기장 VDC 이 존재 하 고 상기 음 의 반주기 동안 이온 을 가속 하 기 위한 제 1 가속 전기장 VDC 과 제 2 가속 전기장 VDD 이 존재 한다 . 전기장 VDD 은 초저주파 RF 전원 이 플 라즈 마 에 있 는 이온 에게 가하 는 가속 전기장 이 다 . 상기 초저주파 RF 전원 의 출력 주파수 가 300 KHz 이하일 경우 , 상기 제 2 가속 전기장 VDD 의 지속 시간 이 1 . 7 ㎲ 보다 크 다 . 상기 초저주파 RF 전원 의 출력 주파수 가 200 MHz 이하일 경우 , 상기 제 2 가속 전기장 VDD 의 지속 시간 이 2 . 5 ㎲ 이상 이 다 .