게이트 절연 층 ( 150 ) 상 에 제 1 내지 제 3 게이트 전극 들 ( 170 _ 1 , 170 _ 2 , 170 _ 3 ) 이 서로 이격 하 여 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 면 , 제 1 게이트 전극 ( 170 _ 1 ) 은 게이트 절연 층 ( 150 ) 중 에서 하부 에 제 1 액티브 층 ( 130 _ 1 ) 이 위치 하 는 부분 상 에 형성 될 수 있 고 , 제 2 게이트 전극 ( 170 _ 2 ) 은 게이트 절연 층 ( 150 ) 중 에서 하부 에 제 2 액티브 층 ( 130 _ 2 ) 이 위치 하 는 부분 상 에 형성 될 수 있 으며 , 제 3 게이트 전극 ( 170 _ 3 ) 은 게이트 절연 층 ( 150 ) 중 에서 하부 에 제 3 액티브 층 ( 130 _ 3 ) 이 위치 하 는 부분 상 에 형성 될 수 있 다 . 제 1 내지 제 3 게이트 전극 들 ( 170 _ 1 , 170 _ 2 , 170 _ 3 ) 각각 은 금속 , 합금 , 금속 질화물 , 도전 성 금속 산화물 , 투명 도전 성 물질 등 을 사용 하 여 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 면 , 제 1 내지 제 3 게이트 전극 들 ( 170 _ 1 , 170 _ 2 , 170 _ 3 ) 각각 은 Au , Ag , Al , Pt , Ni , Ti , Pd , Mg , Ca , Li , Cr , Ta , W , Cu , Mo , Sc , Nd , Ir , 알루미늄 을 함유 하 는 합금 , AlN , 은 을 함유 하 는 합금 , WN , 구리 를 함유 하 는 합금 , 몰리 브 데 늄 을 함유 하 는 합금 , TiN , CrN , TaN , SrRuO , ZnO , ITO , SnO , InO , GaO , IZO 등 을 포함 할 수 있 다 . 이 들 은 단독 으로 또는 서로 조합 되 어 사용 될 수 있 다 .