또한 , 폴리 실리콘 을 반도체 에 사용 하 는 트랜지스터 의 전계 효과 이동도 는 비정질 실리콘 을 반도체 에 사용 하 는 트랜지스터 의 전계 효과 이동도 에 비하 여 높 다 . 이 에 의하 여 , 화소 의 개구율 을 향상 시킬 수 있 다 . 또한 , 매우 높 은 정세 도로 제공 된 화소 와 , 게이트 구동 회로 및 소스 구동 회로 를 동일 기판 위 에 형성 할 수 있 다 . 그 결과 , 전자 기기 를 구성 하 는 부품 개수 를 저감 할 수 있 다 .