또한 , N 형 불순물 이 도핑 된 폴리 실리콘 막 을 P 형 불순물 이 도핑 된 폴리 실리콘 막 으로 전환 시키 기 위해 불순물 이온 의 도즈 량 및 주입 에너지 를 증가 시켜 주입 하 게 된다 . 그런데 , 고 동도 의 N 형 불순물 이 도핑 된 폴리 실리콘 막 을 적용 하 는 소자 에 있 어서 , 주입 할 수 있 는 불순물 량 이 제한 되 어 있 어 고농도 의 P 형 불순물 이 도핑 된 폴리 실리콘 막 으로 전환 시키 기 어려워 저 전력 및 고속 성능 을 요구 하 는 반도체 소자 에 적용 하 기 어려운 문제점 이 있 다 .