상술 한 바 와 같이 , 본 발명 에 따른 반도체 소자 및 그 의 형성 방법 은 핀 형 활성 영역 을 형성 하 기 이전 에 게이트 의 선폭 보다 소정 폭 좁 게 형성 된 하드 마스크 패턴 을 이용 하 여 활성 영역 에 리세 스 영역 을 형성 함 으로써 게이트 채널 이 형성 되 는 영역 의 활성 영역 이 돌출 된 모양 으로 형성 되 도록 한다 . 이 와 같이 형성 된 철 ( 凸 ) 부 는 게이트 채널 길이 를 확장 시킬 수 있 다 . 또한 , 후속 공정 에서 핀 형 활성 영역 을 형성 하 는 공정 마진 을 향상 시킬 수 있 으며 , 핀 형 활성 영역 형성 에 의한 게이트 채널 면적 을 증가 시킬 수 있 으므로 , 게이트 전류 구동 능력 을 향상 시킬 수 있 다 . 따라서 고집 적 반도체 소자 의 게이트 채널 길이 를 효율 적 으로 향상 시켜 게이트 전압 을 용이 하 게 높일 수 있 고 리 프레쉬 ( Refresh ) 특성 을 향상 시킬 수 있 다 .