먼저 , 웨이퍼 형태 의 베이스 기판 ( 100 ) 을 세정 한 후 PECVD ( Plasma - enhanced chemical vapor deposition ) 장비 를 이용해 베이스 기판 ( 100 ) 상 에 Si 3 N 4 절 연막 ( 101 ) 을 증착 하 는 공정 이 수행 된다 ( 도 5 의 ( a ) ) . 베이스 기판 ( 100 ) 으로 는 InP 웨이퍼 또는 Si 웨이퍼 가 바람직 하 게 채택 될 수 있 다 .