도 7 a 는 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 반도체 저장 장치 ( 10 ) 의 쓰 기 성능 조절 방법 을 나타내 는 흐름 도 이 다 . 반도체 저장 장치 ( 10 ) 로 의 데이터 쓰 기 동작 은 둘 이상 의 동작 단계 들 을 포함 할 수 있 다 . 예컨대 , 도 7 a 에 도시 된 바 와 같이 , 컨트롤러 ( 100 ) 가 호스트 ( 20 ) 로부터 쓰 기 명령 을 수신 하 는 단계 ( S 210 ) , 호스트 ( 20 ) 로부터 쓰 기 데이터 를 수신 하 는 단계 ( S 230 ) , 및 수신 된 쓰 기 데이터 를 비휘발성 메모리 ( 200 ) 의 메모리 셀 어레이 에 프로그램 하 는 단계 ( S 250 ) 를 구비 할 수 있 다 . 수신 된 쓰 기 데이터 의 프로그램 이 완료 되 면 , 반도체 저장 장치 ( 10 ) 는 호스트 ( 20 ) 로 쓰 기 완료 신호 를 전송 할 수 있 다 ( S 270 ) . 그리고 , 각 단계 들 ( S 210 , S 230 , S 250 ) 중 의 적어도 하나 의 단계 이후 에 아이 들 타임 이 삽입 될 수 있 다 ( S 220 , S 240 , S 260 ) .