다음 에 , 노출 되 어 있 는 버퍼 층 에 데미지 가 생기 지 않 고 , 또한 상기 버퍼 층 에 대한 에칭 레이트 가 낮 은 조건 으로 드라이 에칭 하 여도 좋 다 . 이 공정 에 의해 , 소스 영역 및 드레 인 영역 간 의 버퍼 층상 의 에칭 잔 사물 , 레지스 트 마스크 의 잔사 , 및 레지스 트 마스크 의 제거 에 사용 하 는 장치 내 의 오염원 을 제거 하 는 것 이 가능 하 고 , 소스 영역 및 드레 인 영역 간 의 절연 을 확실 한 것 으로 할 수 있 다 . 이 결과 , 박막 트랜지스터 의 리크 전류 를 저감 하 는 것 이 가능 하 고 , 오프 전류 가 작 고 , 내압 이 높 은 박막 트랜지스터 를 제작 하 는 것 이 가능 하 다 . 또 , 에칭 가스 에 는 예 를 들 면 염소 가스 를 사용 하 면 좋 다 .