일 예 로 , 광전 다이오드 는 , 반도체 기판 ( 예 를 들 어 , 단결정 반도체 기판 , 좀 더 구체 적 으로 , 단결정 실리콘 웨이퍼 ) 과 , 반도체 기판 에 또는 반도체 기판 위 에 형성 되 며 서로 반대 되 는 도전 형 을 가지 는 제 1 및 제 2 도전 형 영역 과 , 이 들 에 각기 연결 되 는 제 1 및 제 2 전극 을 포함 할 수 있 다 . 여기 서 , 반도체 기판 은 낮 은 도핑 농도 의 p 형 또는 n 형 을 가질 수 있 고 , 제 1 및 제 2 도전 형 영역 중 하나 는 p 형 을 가질 수 있 고 다른 하나 는 n 형 을 가질 수 있 다 . 그리고 제 1 또는 제 2 도전 형 영역 은 반도체 기판 의 일부 에 도 펀트 를 도핑 하 여 형성 되 는 도핑 영역 으로 이루어질 수 도 있 고 , 반도체 기판 위 에 별도 로 형성 되 며 도 펀트 가 도핑 된 반도체 층 으로 이루어질 수 있 다 .