이때 , 제 2 절 연막 ( 212 ) 으로 트렌치 ( 207 ) 의 내부 를 완전히 채울 수 도 있 지만 , 반도체 소자 의 집적 도 증가 로 인해 트렌치 ( 207 ) 의 종횡비 가 증가 할 경우 , 트렌치 ( 207 ) 의 내부 에 보이드 ( void ) 가 발생 할 수 있 다 . 구체 적 으로 , 트렌치 ( 207 ) 의 내부 를 완전히 채우 기 이전 에 트렌치 ( 207 ) 의 상부 폭 ( W ) 이 하부 보다 좁 아 질 수 있 으며 , 나아가 트렌치 ( 207 ) 의 상부 에 완전히 덮이 게 되 면 트렌치 ( 207 ) 의 내부 에 채워 지 지 않 은 영역 에 보이드 ( void ) 가 발생 할 수 있 다 . 이 에 따라 , 제 2 절 연막 ( 212 ) 에 식각 공정 을 실시 하 여 트렌치 ( 207 ) 의 개구부 폭 ( W ) 을 넓힐 수 있 는데 , 다음 의 도면 을 참조 하 여 구체 적 으로 설명 하 도록 한다 .