또한 본 발명 은 제 3 질화물 반도체 층 이 거친 표면 의 윤곽 이 유지 되 도록 제 2 질화물 반도체 층 을 덮 는 것 을 특징 으로 하 는 3 족 질화물 반도체 발광 소자 를 제공 한다 . 제 3 질화물 반도체 층 을 AlGaN 또는 InGaN 을 포함 하 는 초격자 층 으로 구성 하 는 경우 에 , 층 들 간 의 굴절 율 의 차이 를 이용 할 수 있 으므로 이러 한 제약 은 다소 완화 될 수 있 다 .