도 4 c 에 도시 된 바 와 같이 , 포토다이오드 를 형성 하 기 위한 이온 주입 을 진행 한다 . 먼저 , 트렌치 ( 40 ) 에 의해 개방 된 포토다이오드 예정 지역 의 p 형 실리콘 기판 ( 31 ) 에 n 형 불순물 의 이온 주입 을 진행 하 여 깊 은 n 형 확산 층 ( 41 ) 을 형성 한다 . 이때 , n 형 불순물 의 이온 주입 은 포토다이오드 에 전자 의 포 텐 셜 웰 을 형성 하 기 위한 이온 주입 이 며 , 질화 막 으로 형성 된 식각 배리 어 층 ( 28 ) 이 이온 주입 에 의해 실리콘 기판 ( 31 ) 이 손상 받 는 것 을 방지 한다 . 이어서 , 피닝 다이오드 ( Pinning diode ) 형성 을 위한 p 형 불순물 의 이온 주입 을 진행 하 여 p 형 확산 층 ( 42 ) 을 형성 한다 .