본 발명 은 흑연 질 기판 상 에 성장 된 NW 에 기초 한 레이저 또는 LED 와 같 은 발광 장치 의 제조 에 관한 것 이 다 . 본 발명 의 NW 레이저 는 바람직 하 게 는 수직 공동 표면 방출 레이저 ( VCSEL ) , 즉 NW VCSEL 이 다 . NW VCSEL 의 구조 는 아래 에서 보다 상세 하 게 설명 된다 . 본 발명 의 NW LED 는 바람직 하 게 는 공진 공동 발광 다이오드 ( RCLED ) , 즉 NW RCLED 이 다 . NW RCLED 의 구조 는 NW VCSEL 과 동일 할 수 있 지만 , 작 동시 NW RCLED 는 레이 징 역치 에서 또는 그 보다 위 에서 가 아니 라 레이 징 역치 보다 아래 에서 작동 하 도록 배열 된다 . 따라서 , 이 하의 NW VCSEL 의 설명 은 또한 NW RCLED 의 구조 를 설명 하 는 것 으로 이해 될 것 이 다 . 레이저 역치 보다 아래 에서 작동 할 때 NW VCSEL 은 NW RCLED 인 것 으로 간주 될 수 있 음 을 이해 할 것 이 다 . NW RCLED 에서 출력 되 는 광 은 레이저 역치 아래 에서 작동 하 기 때문 에 주로 자발 적 방출 을 포함 한다 . NW VCSEL 로부터 출력 된 광 은 레이 징 역치 이상 에서 작동 할 때 자극 된 방출 을 주로 포함 할 것 이 다 .