상기 실시 예 1 및 비 교예 1 에 의하 여 제조 된 실리콘 적 층 사파이어 박막 에 대하 여 X - ray 분광기 ( DCRC ) 를 사용 하 여 XRD 데이터 를 측정 하 고 그 결과 를 도 7 에 도시 하 였 다 . 본 도면 을 참조 하 면 비 교예 1 에 의해 제조 된 박막 의 경우 DCRC 반 폭 치 ( FWHM ) 는 1205 sec - 1 이 며 , 본 발명 방법 에 의해 제조 된 박막 의 DCRC 반 폭 치 는 700 sec - 1 인데 , DCRC 반 폭 치가 적 을수록 박막 의 결정 상태 가 우수 한 것 을 나타내 므로 본 발명 에 따라 제조 된 실리콘 적 층 사파이어 박막 의 단결정 실리콘 층 의 결정 성 이 우수 하 다는 것 을 확인 할 수 있 다 .