그러나 , 반도체 소자 의 고집 적 화 추세 에 의해 계속 적 으로 채널 길이 가 짧 아 지 기 때문 에 전술 한 LDD 구조 의 트랜지스터 역시 단 채널 ( short channel ) 현상 이 발생 하 게 된다 . 그러면 , LDD 영역 의 도 펀트 가 채널 로 확산 되 어 채널 에지 와 드레 인 사이 에 고전 기장 이 인가 되 어 핫 - 캐리어 현상 을 발생 하 여 트랜지스터 의 성능 을 열화 시킨다 .