게이트 전극 ( 51 ) 은 두께 50 nm 이상 300 nm 이하 로 형성 한다 . 게이트 전극 ( 51 ) 의 두께 를 50 nm 이상 100 nm 이하 로 하 는 것 으로 , 후 에 형성 되 는 미결정 게르마늄 막 이나 배선 의 단락 방지 가 가능 하 다 . 또한 , 게이트 전극 ( 51 ) 의 두께 를 150 nm 이상 300 nm 이하 로 하 는 것 으로 , 게이트 전극 ( 51 ) 의 저항 율 을 저감 하 는 것 이 가능 하 고 , 대 면적 화 가 가능 하 다 .