TFT 는 게이트 라인 ( GL ) 에 연결 된 게이트 전극 ( 33 ) , 데이터 라인 ( DL ) 에 연결 된 소스 전극 ( 39 ) , 화소 전극 ( 43 ) 에 접속 된 드레 인 전극 ( 40 ) , 및 소스 전극 ( 39 ) 과 드레 인 전극 ( 40 ) 에 오 믹 접촉 된 반도체 패턴 ( 48 ) 을 포함 한다 . 반도체 패턴 ( 48 ) 은 활성 층 ( 46 ) , 및 오 믹 접촉 층 ( 47 ) 으로 구성 된다 . 활성 층 ( 46 ) 은 제 2 절 연막 ( 35 ) 을 사이 에 두 고 게이트 전극 ( 33 ) 에 중첩 되 며 , 소스 전극 ( 39 ) 과 드레 인 전극 ( 40 ) 사이 에서 노출 되 어 반도체 채널 을 형성 한다 . 오 믹 접촉 층 ( 47 ) 은 소스 전극 ( 39 ) 과 드레 인 전극 ( 40 ) 이 활성 층 ( 46 ) 에 오 믹 접촉 되 도록 소스 전극 ( 39 ) 과 활성 층 ( 46 ) 사이 , 및 드레 인 전극 ( 40 ) 과 활성 층 ( 46 ) 사이 에서 중첩 된다 . 이러 한 TFT 는 제 3 절 연막 ( 41 ) 에 의해 보호 된다 . 제 3 절 연막 ( 41 ) 은 드레 인 전극 ( 40 ) 을 노출 시키 는 제 2 접촉 홀 ( 42 ) 에 의해 관통 된다 . 이 제 2 접촉 홀 ( 42 ) 을 통해 화소 전극 ( 43 ) 이 드레 인 전극 ( 40 ) 에 접속 된다 .