또한 상기 다 이싱 다이 본딩 필름 은 웨이퍼 와 다 이 본딩 부 의 접착 층 간 의 접착력 ( X ) 이 20 gf 이상 인 것 을 특징 으로 한다 . 바람직 하 게 는 상기 접착력 ( X ) 은 25 내지 100 gf 이 고 , 보다 바람직 하 게 는 30 내지 75 gf 이 다 . 상기 접착력 ( X ) 이 20 gf 미만 일 경우 에 는 웨이퍼 이면 에 다 이 본딩 접착 층 의 부착력 이 떨어져 다 이싱 공정 중 에 칩 의 비산 을 일으킬 수 있 다 .