상기 게이트 절 연막 ( 212 ) 상 에 는 상기 게이트 ( 210 ) 및 스토리지 전극 배선 ( 220 ) 을 덮 도록 층간 절 연막 ( ILD ; Inter Layer Dielectrics , 217 ) 이 형성 되 어 있 다 . 상기 게이트 ( 210 ) 상부 에 위치 한 층간 절 연막 ( 217 ) 상 에 는 상기 채널 층 ( 214 ) 의 양측 과 각각 전기 적 으로 연결 되 는 소스 / 드레 인 전극 ( 216 a , 216 b ) 이 형성 되 어 있 다 . 여기 서 , 상기 소스 / 드레 인 전극 ( 216 a , 216 b ) 은 상기 층간 절 연막 ( 217 ) 및 게이트 절 연막 ( 212 ) 에 형성 된 제 1 및 제 2 비아 홀 ( 151 , 152 ) 을 통하 여 상기 채널 층 ( 214 ) 의 양측 과 전기 적 으로 연결 된다 . 상기 소스 / 드레 인 전극 ( 216 a , 216 b ) 은 예 를 들 면 Cu , Mo 및 Al 로 이루어진 그룹 에서 선택 된 하나 로 이루어질 수 있 다 . 그러나 , 이 에 한정 되 지 는 않 는다 . 그리고 , 상기 스토리지 전극 배선 ( 220 ) 의 상부 에 위치 한 층간 절 연막 ( 217 ) 상 에 는 스토리지 전극 배선 ( 220 ) 과 스토리지 전극 ( 240 ) 을 전기 적 으로 연결 시키 는 연결 배선 ( 245 ) 이 형성 되 어 있 다 . 여기 서 , 상기 연결 배선 ( 245 ) 은 층간 절 연막 ( 217 ) 에 형성 된 제 4 비아 홀 ( 154 ) 및 상기 층간 절 연막 ( 217 ) 및 게이트 절 연막 ( 212 ) 에 형성 된 제 5 비아 홀 ( 155 ) 을 통하 여 스토리지 전극 배선 ( 220 ) 과 스토리지 전극 ( 240 ) 을 전기 적 으로 연결 시킨다 . 상기 연결 배선 ( 245 ) 은 ITO ( Indium Tin Oxide ) 또는 IZO ( Indium Zinc Oxide ) 와 같 은 투명 한 전도성 물질 로 이루어질 수 있 다 .