박막 트랜지스터 ( 130 ) 의 반도체 활성 층 ( 131 ) 은 전술 한 버퍼 층 ( 111 ) 상 에 형성 될 수 있 다 . 반도체 활성 층 ( 131 ) 은 아모 퍼스 실리콘 또는 폴리 실리콘 과 같 은 무기 재 반도체 나 , 유기 반도체 가 사용 될 수 있 다 . 또한 , 반도체 활성 층 ( 131 ) 은 소스 영역 , 드레 인 영역 및 이 들 사이 에 형성 되 는 채널 영역 을 포함 한다 . 이때 , 화소 영역 ( 120 ) 의 반도체 활성 층 ( 131 ) 의 형성 과 동시 에 배선 영역 ( 150 ) 의 반도체 층 ( 151 ) 들 도 함께 형성 한다 . 이 에 대해 상세 한 설명 은 후술 한다 .