도 1 을 참조 하 면 , 반도체 기판 ( 100 ) 상 에 패드 산화 막 ( 111 ) , 패드 질화 막 ( 113 ) 및 산화 막 ( 115 ) 을 형성 한다 . 패드 질화 막 ( 113 ) 및 산화 막 ( 115 ) 은 후속 트렌치 를 형성 하 기 위한 식각 공정 시 , 하드 마스크 로 이용 될 수 있 다 . 산화 막 ( 113 ) 상 에 실리콘 산화 질화 막 ( SiON ) 을 증착 하 여 반사 방지 막 ( 도시 되 지 않 음 ) 을 형성 할 수 있 다 . 반사 방지 막 은 포 토리 소그라 피 공정 에서 선폭 의 균일 도와 공정 조건 을 확보 하 는 데 유용 하 며 , 필요 에 따라 생략 할 수 있 다 .