이러 한 레지스 트 조성물 을 사용 하 여 레지스 트 막 을 형성 하 고 , 그 레지스 트 막 에 대하 여 선택 적 노광 을 실시 하 면 , 그 레지스 트 막 의 노광 부 에서 는 산 이 발생 하 고 , 그 산 의 작용 에 의해 ( A ) 성분 의 현상액 에 대한 용해 성 이 변화 하 는 한편 으로 , 그 레지스 트 막 의 미노 광부 에서 는 ( A ) 성분 의 현상액 에 대한 용해 성 이 변화 하 지 않 기 때문 에 , 노 광부 와 미노 광부 사이 에서 현상액 에 대한 용해 성 의 차 가 발생 한다 . 그 때문 에 , 그 레지스 트 막 을 현상 하 면 , 그 레지스 트 조성물 이 포지티브 형 인 경우 에 는 레지스 트 막 노광 부 가 용해 제거 되 어 포지티브 형 의 레지스 트 패턴 이 형성 되 고 , 그 레지스 트 조성물 이 네거티브 형 인 경우 에 는 레지스 트 막 미노 광부 가 용해 제거 되 어 네거티브 형 의 레지스 트 패턴 이 형성 된다 .