본 발명 의 일 실시 예 에 따른 비휘발성 메모리 소자 의 제조 방법 은 , 터널 절 연막 , 제 1 도 전막 , 유전체 막 및 캡 핑 용 도전 막 이 형성 된 반도체 기판 이 제공 되 는 단계 , 메모리 셀 들 사이 의 더미 게이트 패턴 이 형성 될 영역 및 선택 트랜지스터 가 형성 될 영역 에 콘 택 홀 이 형성 되 도록 캡 핑 용 도전 막 및 유전체 막 의 일부 영역 을 식각 하 는 단계 , 콘 택 홀 을 포함 한 캡 핑 용 도전 막 상 에 제 2 도 전막 을 형성 하 는 단계 , 및 제 2 도 전막 , 캡 핑 용 도전 막 , 유전체 막 및 도전 막 을 패 터닝 하 여 콘 택 홀 을 포함 하 는 선택 트랜지스터 및 더미 게이트 패턴 을 형성 하 고 , 콘 택 홀 을 포함 하 지 않 도록 메모리 셀 들 을 형성 하 는 단계 를 포함 한다 .