동작 ( 1814 ) 에서 , 제 1 FeRAM 디바이스 와 제 2 FeRAM 디바이스 를 규정 하 기 위해 강유전체 층 과 하부 전극 층 에 대해 제 2 패 터닝 공정 이 수행 되 며 , 이 FeRAM 디바이스 들 각각 은 하부 전극 과 상부 전극 사이 에 배치 된 강유전체 물질 을 갖 는다 . 도 14 는 동작 ( 1814 ) 에 대응 하 는 일부 실시 예 들 의 단면도 ( 1400 ) 를 나타낸 것 이 다 .