계속 해서 , 서 셉 터 ( S ) 의 상방 으로부터 에칭 가스 를 공급 하 여 , 에칭 가스 를 서 셉 터 ( S ) 쪽 에 유하 시 킨다 . 이 때 , 샤워 플레이트 등 의 정류판 을 통하 여 에칭 가스 를 정류 하 는 것 이 바람직 하 다 . 에칭 가스 는 , 서 셉 터 ( S ) 를 향하 여 거의 연직 으로 유하 되 어 , 이른바 종 ( 縱 ) 플로우 를 형성 하 고 , 서 셉 터 ( S ) 의 표면 상 에서 정류 상태 가 된다 . 그리고 , 가열 된 서 셉 터 ( S ) 의 표면 에 에칭 가스 가 도달 하 면 , 식 ( 1 ) 의 반응 을 일으켜 서 셉 터 ( S ) 의 표면 에 부착 된 SiC 막 을 에칭 한다 .