도 1 을 참조 하 면 , 도전 층 에칭 단계 ( 120 ) 는 웨이퍼 상 에 있 는 모든 도전 층 들 을 에칭 하 기 위해 요구 될 수 도 있 는 각각 의 단계 들 의 총 수 를 나타낸다 . 유사 하 게 , 유전체 층 에칭 단계 ( 130 ) 는 웨이퍼 상 에 있 는 모든 유전체 층 들 을 에칭 하 기 위해 요구 될 수 도 있 는 에칭 단계 들 의 총 수 를 나타낸다 . 단계 120 와 단계 130 사이 에서 화살표 들 에 의해 표시 된 바 와 같이 , 예컨대 다수 의 도전 및 유전체 층 들 이 있 는 경우 에 , 도전 및 유전체 에칭 단계 들 사이 에서 스위칭 하 는 것 이 유리 할 수 도 있 다 . 즉 , 웨이퍼 는 예컨대 , 실리콘 기판 위 에 배치 된 최소 의 1 개 의 유전체 층 및 최소 의 1 개 의 도전 층 을 가질 수 도 있 고 , 이 경우 에 , 도전 층 에칭 단계 ( 120 ) 및 유전체 층 에칭 단계 ( 130 ) 는 각각 한 번 만 수행 될 수 도 있 다 . 또는 , 다른 예 에서 , 다수 의 도전 층 들 및 다수 의 유전체 층 들 이 있 을 수 도 있 고 , 실리콘 기판 위 에 예컨대 교번 하 는 층 들 로 배열 될 수 도 있 으며 , 이 경우 에 , 다수 의 유전체 층 에칭 단계 들 ( 130 ) 사이 에 배치 된 다수 의 도전 층 에칭 단계 들 ( 120 ) 이 존재 할 수 도 있 다 .