일반 적 으로 기공 율 , 기공 의 크기 및 다공성 Si 층 두께 가 증가 할수록 근적외선 조사 시 발생 하 는 열량 과 활성산소 의 양 은 증가 한다 . 그러나 발생 하 는 열량 은 대체로 높 은 것 이 좋 지만 , 암세포 파괴 에 있 어서 , PSi 의 온도 는 70 ℃ 이상 의 수준 이 바람직 하 고 활성산소 의 발생량 은 적 을수록 좋 기 때문 에 , 양극 산화 공정 조건 을 최적 화 할 필요 가 있 다 .