상기 제 1 스토리지 영역 에 는 상기 제 1 반도체 층 ( 310 ) 과 일체 형 으로 연결 되 어 동일 층 에 제 2 반도체 층 ( 315 ) 이 형성 되 며 , 상기 제 2 스토리지 영역 에 는 상기 제 1 , 2 반도체 층 ( 315 ) 과 일체 형 으로 연결 되 어 제 3 반도체 층 ( 316 ) 이 형성 된다 . 상기 제 1 , 2 및 3 반도체 층 ( 310 , 315 , 316 ) 은 불순물 이 주입 되 어 형성 된다 .