본 발명 에서 는 제 2 구동 신호 생 성부 ( 450 ) 에서 출력 된 제 2 워드 라인 구동 신호 ( FXB ) 에 의해 구동 전원 신호 ( FX ) 의 전위 를 상승 혹은 하강 시킬 때 , 접지 전압 ( VSS ) 에서 승압 전압 ( VPP ) 으로 혹은 승압 전압 ( VPP ) 에서 접지 전압 ( VSS ) 레벨 로 직접 변화 시키 지 않 고 제어 신호 ( CTRLB ) 에 대응 하 여 전원 전압 ( VDD ) 을 사용 하 여 단계 적 으로 상승 혹은 하강 시킨다 . 이 를 통해 , 워드 라인 ( WL ) 을 제어 하 는 데 있 어 , 승압 전압 ( VPP ) 의 사용 을 줄일 수 있 고 , 따라서 전류 소모 를 줄일 수 있 다 . 더욱이 , 전원 전압 ( VDD ) 은 외부 에서 인가 되 는 전압 으로 이 를 생성 하 기 위한 소자 내 별도 의 과정 이 필요 하 지 않 기 때문 에 , 반도체 메모리 장치 내부 에 전압 생성 회로 를 더 구비 할 필요 가 없 고 다른 내부 전압 의 전위 를 안정 적 으로 유지 하 는 데 부담 을 주 지 않 는다 .