물론 , 본 발명 의 다른 실시 예 로서 는 이후 기술 되 는 제 2 도전 형 전도 층 ( 180 ) 을 형성 한 후 에 상기 진성 층 ( 170 ) 과 상기 제 2 도전 형 전도 층 ( 180 ) 을 동시 에 식각 하 여 이후 기술 되 는 제 2 배선 과 전기 적 인 접촉 을 하 는 하부 배선 ( 120 a ) 을 노출 하 도록 식각 공정 을 진행할 수 도 있 다 .