본 실시 형태 에서 는 , 도 1 aa 에 도시 한 메모리 셀 에서 , 트랜지스터 ( 160 ) 의 소스 전극 또는 드레 인 전극 과 트랜지스터 ( 162 ) 의 소스 전극 또는 드레 인 전극 이 비트 선 BL 에 의해 접속 된 메모리 셀 들 을 병렬 로 접속 한 NOR 형 메모리 셀 어레이 의 구성 을 예 에 도시 했 지만 , 본 발명 의 실시 형태 는 이 구성 에 한하 지 않 는다는 점 에 주목 한다 . 트랜지스터 ( 160 ) 의 소스 전극 또는 드레 인 전극 과 트랜지스터 ( 162 ) 의 소스 전극 또는 드레 인 전극 은 서로 다른 배선 에 접속 될 수 있 다 . 도 1 c 에 도시 하 는 것 같이 , 메모리 셀 에 포함 된 트랜지스터 ( 160 ) 를 n 채널 형 트랜지스터 로 할 수 있 다 . 또한 , 도 5 에 도시 하 는 것 같이 , 메모리 셀 들 을 직렬 로 접속 한 NAND 형 메모리 셀 어레이 가 이용 될 수 있 다 .