종래 부터 , 배선 층 절연 막중 의 누설 전류 에 의한 소비 전력 의 증가 가 알려져 있 었 지만 , 반도체 디바이스 의 배선 간격 이 1 ㎛ 를 초과 하 는 세대 에서 는 누설 전류 에 의한 디바이스 전체 에 대한 영향 은 적 었 다 . 그러나 , 배선 간격 이 1 ㎛ 이하 에서 는 배선 간격 의 협 애 화 와 배선 규모 의 증대 로부터 소비 전력 에 대한 영향 이 커지 고 , 특히 이후 0 . 1 ㎛ 이하 의 배선 간격 으로 회로 를 형성 하 면 , 배 선간 의 누설 전 류량 이 디바이스 의 특성 ㆍ수명에 크 게 영향 을 미치 게 되 어 있 다 .