또 다른 예 로 , 제 1 절 연막 ( 107 B ) 이 HDP 막 으로 형성 되 고 , 제 2 절 연막 ( 108 B ) 이 PSZ 막 으로 형성 된 경우 , HDP 막 과 PSZ 막 간 의 식각 선택 비 는 1 : 50 ~ 1 : 100 ( HDP : PSZ ) 으로 하 고 , PSZ 막 의 식각 율 은 분당 20 Å 이하 , 바람직 하 게 는 분당 2 ~ 20 Å 가 되 도록 한다 . 또한 , 식각 후 PSZ 막 의 높이 균일성 은 웨이퍼 전면 에 걸쳐 3 ~ 4 % 이내 가 되 도록 제어 한다 . 또한 PSZ 막 의 표면 거칠 기 는 50 Å 이하 , 바람직 하 게 는 10 ~ 30 Å 가 되 도록 제어 한다 . 또한 , pH 가 9 . 5 ~ 12 인 용액 을 사용 하 며 , 희석 용액 의 비율 은 5 배 이하 로 한다 .