본 발명 은 질화 갈륨 ( GaN ) 또는 갈륨 과 다른 금속 의 혼합 질화물 로 된 반도체 층 및 그 형성 방법 에 관한 것 이 다 . 본 발명 은 또한 이러 한 층 을 포함 하 는 전자 또는 광전자 소자 ( opto - electronic device ) , 질화물 반도체 기판 및 그 제조 방법 에 관한 것 이 다 . 본 발명 의 기술 분야 는 기판 위 에 결정 결함 이 적 은 고품질 의 질화물 반도체 층 을 형성 하 기 위한 반도체 적층 구조 및 그 형성 방법 으로 넓 게 정의 될 수 있 다 .