상기 발광 다이오드 ( 100 ) 의 발광 현상 으로부터 생성 되 는 빛 의 세기 는 상기 활성 층 ( 103 ) 을 흐르 는 전류 의 세기 에 비례 한다 . 따라서 , 상기 발광 다이오드 ( 100 ) 로부터 방출 되 는 빛 의 세기 의 균일성 을 향상 시키 기 위해서 는 , 상기 전류 가 특정 영역 으로 의 집중 되 는 것 을 예방 하 는 것 이 필요 하 다 . 이때 , 상기 투명 전극 층 ( 105 ) 은 상기 전류 를 상기 활성 영역 ( 30 ) 의 전면 으로 분배 하 는 역할 을 하 며 , 이 를 위해 비저항 이 낮 은 도전 성 물질 로 형성 된다 . 예 를 들 면 , 상술 한 것 처럼 , 상기 투명 전극 층 ( 105 ) 은 ITO 막 으로 형성 될 수 있 다 . 이런 점 을 고려 할 때 , 상기 전류 의 흐름 은 , 상기 투명 전극 층 ( 105 ) 을 관통 하 도록 형성 된 , 본 발명 의 상기 전류 분산 홀 ( 200 ) 의 배치 에 의해 제어 될 수 있 다 . 즉 , 본 발명 에 따르 면 , 상기 전류 의 집중 을 예방 하 기 위해 , 상기 전류 분산 홀 들 ( 200 ) 의 배치 밀도 , 위치 및 깊이 등 은 필요 에 따라 다양 하 게 변경 될 수 있 다 .