여기 서 , 게이트 의 형성 을 위한 식각 공정 은 감광막 패턴 으로 하드 마스크 질화 막 을 식각 하 고 , 식각 된 하드 마스크 질화 막 을 식각 마스크 로 텅스텐 막 을 포함 한 하부 막 들 을 식각 하 는 것 으로 진행 된다 . 그러나 , 상기 하드 마스크 질화 막 의 식각 시 감광막 패턴 과 하드 마스크 질화 막 의 식각 면 측벽 에 무기물 을 함유 한 폴리머 가 형성 되 고 , 이 를 습식 식각 으로 제거 하 는 과정 에서 습식 에 천 트 가 하부 막 들 로 침투 하 여 반도체 기판 에 데미지 를 주 는 경우 가 발생 하 고 있 다 .