이렇게 실리콘 기판 의 측면 및 배면 에 코팅 된 불순물 은 , 도 1 에 도시 된 바 와 같이 , n 층 을 형성 하 기 위해 p 형 실리콘 기판 ( 12 ) 의 전면 에 코팅 된 불순물 의 확산 공정 시 에 자연 산화층 ( 16 a , 16 b ) 을 형성 하 게 된다 . 이러 한 자연 산화층 ( 16 a , 16 b ) 을 잔존 시키 게 되 면 , 실리콘 기판 의 전면 에 형성 된 n 층 ( 14 ) 과 전기 적 으로 연결 되 어 쇼트 를 발생 시키 므로 , 이 들 을 실리콘 기판 의 전면 에 형성 된 n 층 ( 14 ) 과 분리 할 필요 가 있 다 .