상술 한 기술 적 과제 를 달성 하 기 위하 여 , 본 발명 의 일 측면 에 의한 반도체 소자 의 제조 방법 은 실리콘 기판 상 에 형성 되 는 제 1 산화 막 패턴 을 형성 하 는 단계 ; 상기 제 1 산화 막 패턴 을 식각 마스크 로 하 여 상기 실리콘 기판 을 소정 의 깊이 ( H 2 ) 만 큼 식각 하 는 단계 ; 상기 제 1 산화 막 패턴 사이 에 그루브 를 형성 하 도록 , 상기 실리콘 기판 및 제 1 산화 막 패턴 상 의 전면 에 제 1 실리콘 막 패턴 을 형성 하 는 단계 ; 상기 그루브 내 에 , 상기 제 1 산화 막 패턴 의 상면 ( top surface ) 과 높이 가 일치 하 는 상면 을 가지 는 제 2 산화 막 패턴 을 형성 하 는 단계 ; 상기 제 1 실리콘 막 패턴 중 에서 상기 제 2 산화 막 패턴 의 상면 보다 높 은 위치 에 형성 되 는 부분 을 제거 하 여 제 2 실리콘 막 패턴 을 형성 하 는 단계 ; 및 상기 제 2 실리콘 막 패턴 을 가 열처리 하 여 단결정 실리콘 으로 구성 되 는 제 3 실리콘 막 패턴 을 형성 하 는 단계 ; 를 포함 한다 . 한편 , 상기 제 3 실리콘 막 패턴 을 형성 하 는 단계 이후 에 상기 제 3 실리콘 막 패턴 의 상면 이 상기 제 1 산화 막 패턴 의 상면 및 상기 제 2 산화 막 패턴 의 상면 과 높이 가 일치 하 도록 , 상기 제 3 실리콘 막 패턴 의 일부 를 제거 하 는 단계 ; 를 더 포함 할 수 있 다 . 상기 제 1 실리콘 막 패턴 을 형성 하 는 단계 는 비정질 실리콘 , 다 결정 실리콘 또는 에피 택 셜 성장 실리콘 으로 구성 된 실리콘 막 패턴 을 형성 하 는 단계 를 포함 할 수 있 다 . 상기 제 3 실리콘 막 패턴 을 형성 하 는 단계 는 상기 제 2 실리콘 막 패턴 을 가열 하 여 재결정 시키 는 방법 을 통하 여 단결정 실리콘 으로 구성 되 는 제 3 실리콘 막 패턴 을 형성 하 는 단계 를 포함 할 수 있 으며 , 바람직 하 게 는 상기 가열 하 여 재결정 시키 는 방법 은 레이저 어닐링 ( LEG ) 방법 을 포함 한다 . 상기 소정 의 깊이 ( H 2 ) 는 상기 제 1 산화 막 패턴 에 의해 노출 되 는 상기 실리콘 기판 상 에 위치 하 는 상기 제 1 실리콘 막 패턴 의 상면 이 상기 제 1 산화 막 패턴 의 하 면 ( bottom surface ) 과 높이 가 일치 하 도록 결정 되 는 깊이 와 동일 할 수 있 다 . 상기 제 1 실리콘 막 패턴 을 형성 하 는 단계 는 상기 실리콘 기판 및 제 1 산화 막 패턴 상 의 전면 에 컨 포 멀 ( conformal ) 하 게 제 1 실리콘 막 패턴 을 형성 하 는 단계 를 포함 한다 . 한편 , 제 2 산화 막 패턴 을 형성 하 는 단계 는 , 상기 그루브 를 채우 고 상기 제 1 실리콘 막 패턴 상 에 형성 되 는 산화 막 을 증착 하 는 단계 ; 상기 제 1 실리콘 막 패턴 이 노출 될 때 까지 상기 산화 막 을 제 1 화학 기계 적 연마 ( CMP ) 로 제거 하 는 단계 ; 및 상기 제 1 실리콘 막 패턴 에 의해 노출 된 상기 산화 막 을 습식 식각 하 여 제거 하 는 단계 ; 를 포함 할 수 있 다 . 상기 제 2 실리콘 막 패턴 을 형성 하 는 단계 는 상기 제 1 실리콘 막 패턴 중 에서 상기 제 2 산화 막 패턴 의 상면 보다 높 은 위치 에 있 는 부분 을 제 2 화학 기계 적 연마 를 통하 여 제거 하 여 제 2 실리콘 막 패턴 을 형성 하 는 단계 를 포함 할 수 있 다 . 상기 제 3 실리콘 막 패턴 의 일부 를 제거 하 는 단계 는 상기 제 3 실리콘 막 패턴 의 상면 이 상기 제 1 산화 막 패턴 의 상면 및 상기 제 2 산화 막 패턴 의 상면 과 높이 가 일치 하 도록 , 제 3 기계 화학 적 연마 를 통하 여 상기 제 3 실리콘 막 패턴 의 일부 를 제거 하 는 단계 를 포함 할 수 있 다 . 상기 제 1 실리콘 막 패턴 을 형성 하 는 단계 는 상기 제 1 산화 막 패턴 의 피처 사이즈 ( F 1 ) 와 상기 제 2 산화 막 패턴 의 피처 사이즈 ( F 3 ) 가 동일 하 도록 상기 제 1 실리콘 막 패턴 을 형성 하 는 단계 를 포함 할 수 있 다 . 상기 제 3 실리콘 막 패턴 은 상기 실리콘 기판 과 실리콘 의 결정 방향 이 동일 할 수 있 다 .