비휘발성 기억 장치 의 대표 적 인 예 로서 는 , 플래시 메모리 ( flash memory ) 가 있 다 . 플래시 메모리 는 트랜지스터 의 게이트 전극 과 채널 형성 영역 사이 에 부유 게이트 를 갖 고 , 상기 부유 게이트 에 전하 를 유지 시킴 으로써 데이터 를 기억 하 기 때문 에 데이터 의 유지 기간 은 극히 오래 가 고 ( 반영구 적 ( 半 永久 的 ) ) , 휘발 성 기억 장치 에서 필요 한 리 프레시 동작 을 행할 필요 가 없 는 이점 을 갖 는다 ( 예 를 들 어 , 특허 문헌 1 참조 ) .