도 1 B 의 단계 30 에서 는 , 기둥 ( 122 ) 상 에 스 페이서 재료 ( 130 ) ( 도 6 A , 도 6 B ) 를 퇴적 한다 . 도 6 A 및 도 6 B 는 , 도 1 B 의 단계 30 이 수행 되 는 동안 에 부분 적 으로 형성 된 집 적 회로 ( 200 ) 를 예시 한다 . 스 페이서 재료 는 , 산화물 , 예 를 들 어 실리콘 산화물 과 같 은 절연 재료 , 특히 기둥 ( 122 ) 및 다른 노출 표면 의 재료 에 대하 여 선택 적 으로 에칭 가능 한 재료 를 포함 할 수 있 다 . 다른 스 페이서 재료 의 예 로 는 실리콘 질화물 , Al 2 O 3 , TiN 등 이 있 다 . 하나 이상 의 실시 예 에서 , 퇴적 단계 30 은 , 스 페이서 재료 ( 130 ) 를 CVD ( chemical vapor deposition ) 에 의해 블랭킷 퇴적 하 는 것 등 에 의해 , 기둥 ( 122 ) 및 기판 ( 100 ) 상 에 스 페이서 재료 ( 130 ) 를 균일 하 게 퇴적 하 는 단계 를 포함 한다 .