이 어 , 기판 ( 600 ) 상 에 알루미늄 ( Al ) , 알루미늄 합금 ( Al alloy ) , 티타늄 ( Ti ) , 은 ( Ag ) , 몰리브덴 ( Mo ) , 몰리브덴 합금 ( Mo alloy ) , 텅스텐 ( W ) , 텅스텐 실리사이드 ( WSi 2 ) 중 어느 하나 또는 이 들 의 다중 층 을 증착 하 고 패 터닝 하 여 , 표시 부 ( D ) 의 반도체 층 ( 610 ) 의 일정 영역 , 즉 채널 영역 에 대응 되 도록 게이트 전극 ( 620 a ) 을 형성 하 고 , 패드 부 ( P ) 의 버퍼 층 ( 605 ) 상 에 제 1 도전 층 ( 620 b ) 을 형성 한다 .