In - Zn - O 계 의 재료 의 타 겟 으로서 는 , 조성 비 로서 , 원자 수비 로 , In : Zn = 50 : 1 내지 1 : 2 ( 몰수 비 로 환산 하 면 In 2 O 3 : ZnO = 25 : 1 내지 1 : 4 ) , 바람직 하 게 는 In : Zn = 20 : 1 내지 1 : 1 ( 몰수 비 로 환산 하 면 In 2 O 3 : ZnO = 10 : 1 내지 1 : 2 ) , 더욱 바람직 하 게 는 In : Zn = 15 : 1 내지 1 . 5 : 1 ( 몰수 비 로 환산 하 면 In 2 O 3 : ZnO = 15 : 2 내지 3 : 4 ) 로 한다 . 예 를 들 어 , In - Zn - O 계 의 산화물 반도체 의 형성 에 이용 하 는 타 겟 은 , 원자 수비 가 In : Zn : O = X : Y : Z 일 때 , Z >( 1 . 5 X + Y ) 로 한다 .