다른 예 에서 , " 플래시 메모리 는 통상 적 으로 전하 를 보유 할 수 있 는 플로팅 게이트 전계 효과 트랜지스터 를 포함 하 는 수십억 개 의 플래시 메모리 셀 을 포함 한다 . 플로팅 게이트 내 의 전하 의 존재 또는 부재 는 메모리 셀 의 논리 상태 를 결정 한다 . 비트 는 셀 에 전하 를 주입 하 거나 셀 로부터 전하 를 제거 함 으로써 셀 에 기입 될 수 있 다 . 플래시 메모리 셀 은 비트 를 판독 하 는 상이 한 방식 을 각각 갖 는 상이 한 아키텍처 구성 으로 접속 될 수 있 다 . "" NOR "" 아키텍처 구성 에서 ", 각 메모리 셀 은 비트 라인 에 결합 되 고 , " 개별 적 으로 판독 될 수 있 다 . "" NAND "" 아키텍처 구성 에서 "," 메모리 셀 은 셀 들 의 "" 열 ( string ) "" 로 정렬 되 고 ", 셀 들 의 열 중 의 한 셀 내 의 데이터 에 액세스 하 기 위해서 는 전체 비트 라인 이 활성 화 된다 .