이어서 , 상기 감광막 패턴 ( 235 ) 을 제거 하 고 , 상기 제 1 및 제 2 갭 영역 들 ( 245 a , 245 b ) 을 채우 는 충전 마스크 막 ( 250 ) 을 상기 기판 ( 100 ) 전면 상 에 형성 한다 . 상기 충전 마스크 막 ( 250 ) 은 상기 셀 가이드 패턴 들 ( 215 c ) , 제 2 가이드 패턴 들 ( 230 ) 및 제 2 가이드 패턴 들 ( 215 c , 230 ) , 및 제 어 게이트 도전 막 에 대하 여 식각 선택 비 를 갖 는 물질 로 형성 한다 . 상기 충전 마스크 막 ( 250 ) 은 상기 마스크 막 ( 220 ) 과 동일 한 물질 로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 .