일반 적 으로 반도체 메모리 장치 는 휘발 성 메모리 장치 와 비휘발성 메모리 장치 로 구별 될 수 있 다 . 디램 ( DRAM : Dynamic Random Access Memory ) 및 에스램 ( SRAM : Static Random Access Memory ) 을 포함 하 는 휘발 성 메모리 장치 는 데이터 의 입출력 은 빠르 지만 , 전원 이 끊 어 지 면 저장 된 데이터 를 잃 어 버리 는 메모리 장치 이 다 . 이 에 반해 , 비휘발성 메모리 장치 는 전원 이 끊어져도 저장 된 데이터 를 계속 유지 하 는 메모리 장치 이 다 .