제 1 버퍼 절 연막 ( 110 ) 상 에 는 제 1 박막 트랜지스터 ( 200 ) 의 제 1 반도체 패턴 ( 210 ) 이 배치 될 수 있 다 . 제 1 반도체 패턴 ( 210 ) 은 폴리 실리콘 ( Poly - si ) 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 면 , 제 1 반도체 패턴 ( 210 ) 은 저온 폴리 실리콘 ( Low Temperature Poly - Silicon : LTPS ) 을 포함 할 수 있 다 . 폴리 실리콘 물질 은 이동도 가 높 아 ( 100 ㎠/ Vs 이상 ) , 에너지 소비 전력 이 낮 고 신뢰 성 이 우수 하 므로 , 표시 소자 용 박막 트랜지스터 들 을 구동 하 는 구동 소자 용 게이트 드라이버 및 / 또는 멀티플렉서 ( MUX ) 등 에 적용 될 수 있 다 . 그리고 , 실시 예 에 따른 디스플레이 장치 에서 구동 박막 트랜지스터 의 반도체 패턴 으로 적용 될 수 있 으며 , 이 에 한정 되 지 는 않 는다 . 예 를 들 면 , 스위칭 박막 트랜지스터 의 반도체 패턴 으로 적용 될 수 도 있 다 . 본 명세서 의 실시 예 에 따르 면 , 제 1 박막 트랜지스터 ( 200 ) 의 제 1 반도체 패턴 ( 210 ) 은 구동 박막 트랜지스터 의 반도체 패턴 으로 적용 된다 . 따라서 , 제 1 박막 트랜지스터 ( 200 ) 는 제 1 전극 ( 510 ) 과 전기 적 으로 연결 되 어 발광 소자 ( 500 ) 에 전류 를 공급 하 는 구동 박막 트랜지스터 일 수 있 다 . 제 1 버퍼 절 연막 ( 110 ) 상 에 아몰 퍼스 실리콘 ( a - Si ) 물질 을 증착 하 고 , 결정 화 공정 으로 폴리 실리콘 층 이 형성 될 수 있 다 . 그리고 , 폴리 실리콘 층 을 패 터닝 하 여 제 1 반도체 패턴 ( 210 ) 이 형성 될 수 있 다 .