2 ㎛ 의 평균 입자 직경 을 갖 는 Cu 파우더 ( Nippon Atomized Metal Powders co . , Ltd . , Japan ) 가 사용 되 었 다 . 개선 된 막 저항 ( film resistor ) 에 적용 가능 한 상이 한 입자 크기 ( 25 nm , 500 nm ) 를 갖 는 anatase 타입 의 세라믹 TiO 2 파우더 들 ( Sigma Aldrich co . , Ltd . , Korea ) 이 사용 되 었 다 . TiO 2 와 Cu 파우더 는 AD 프로세스 에 앞서 다른 비율 ( 5 , 10 , 30 , 및 50 wt %) 로 사전 - 혼합 되 었 다 . TiO 2 / Cu 합성 필름 과 기판 간 의 기계 적 인터로킹 을 형성 함 으로써 강한 접착 강도 를 갖 도록 세라믹 중 탁월 한 경도 를 갖 는 알루미나 ( Al 2 O 3 ) 가 기판 이 사용 되 었 다 .