예 를 들 어 , 웨이퍼 ( W ) 의 표면 에 SiC 에피 택 셜 막 을 형성 하 고자 하 는 경우 , 반응 가스 로서 Si 원 으로서 의 실란 ( SiH 4 ) , C 원 으로서 의 프로판 ( C 3 H 8 ) , 캐리어 가스 로서 의 수소 가스 등 을 함유 하 여 조제 된 혼합 가스 가 사용 된다 . 반응 가스 는 , 도입 구 ( 18 ) 를 통하 여 성막 실 ( 2 ) 의 상부 로부터 성막 실 ( 2 ) 내 로 공급 되 고 , 고온 가열 된 웨이퍼 ( W ) 의 표면 에 도달 하 여 분해 된다 .