이 와 같이 , 본 발명 의 실시 예 에 따른 박막 트랜지스터 기판 의 제조 방법 은 ZnO 막 을 150 ℃ 이하 의 온도 에서 증착 함 에 따라 ZnO 막 의 결정 상태 가 상부 , 중앙 및 하부 에 상관없이 비결정질 형상 으로 상부 , 중앙 및 하부 가 모두 동일 하 게 식각 된다 . 따라서 , 활성 층 및 오 믹 접촉 층 이 역 테퍼 형상 으로 패 터닝 되 는 것 을 방지 할 수 있 으며 이 에 따라 , 소스 및 드레 인 전극 의 단선 을 방지 할 수 있 다 . 이 결과 , 본 발명 의 박막 트랜지스터 기판 의 제조 방법 은 소스 및 드레 인 전극 의 단선 을 방지 함 으로써 박막 트랜지스터 기판 의 수율 을 향상 시킬 수 있 다 .