도 3 을 참조 하 면 , MEF ( Mask Error Factor ) 의 변화 는 가장 적 으면서 EL ( Exposure Latitude ) 은 가장 큰 차광 패턴 의 크기 는 74 nm 가 된다 . 따라서 , MEF 를 가장 작 게 진행 하 기 위해서 는 목표 하 는 미세 패턴 보다 더 크 게 정의 된 노광 마스크 를 이용 하 여 EL 을 최대 로 하 는 오버 프로세스 ( Over Process ) 공정 을 진행 하 여야 한 다 . 그러나 오버 프로세스 ( Over Process ) 공정 으로 진행 하 는 경우 ' 도 2 a 및 도 2 b ' 에서 제 1 및 제 2 차 광 패턴 ( 20 a , 20 b ) 의 장축 길이 가 정상 적 으로 패 터닝 되 지 못하 고 더 길 게 형성 되 는 문제 가 있 다 .