다른 실시 예 에서 , 희생 재료 층 들 ( 42 ) 은 절연 층 들 ( 32 ) 의 측벽 들 에 대해 측 방향 으로 리세 스 될 수 있 고 , 퇴적 공정 과 이방성 에칭 공정 의 조합 이 , 수직 으로 이격 된 복수 의 메모리 재료 부분 들 로서 전하 저장 층 ( 54 ) 을 형성 하 기 위해 사용 될 수 있 다 . 본 개시 내용 은 전하 저장 층 ( 54 ) 이 단일 연속 층 인 실시 예 를 사용 하 는 것 으로 기술 되 지만 , 전하 저장 층 ( 54 ) 이 수직 으로 이격 된 복수 의 메모리 재료 부분 들 ( 이 는 전하 트래핑 재료 부분 들 또는 전기 적 으로 격리 된 전도성 재료 부분 들 일 수 있 음 ) 로 대체 되 는 실시 예 들 이 본 명세서 에서 명백 하 게 고려 된다 .