절연 물질 ( 104 ) 을 식각 하 는 단계 는 리버스 모트 ( reverse moat ) 식각 공정 을 이용 한다 . 즉 , 반도체 기판 ( 101 ) 의 픽셀 영역 ( A ) 에서 사용 한 마스크 , 예 를 들 면 광 감지 소자 ( 102 ) 등 과 같 은 이온 주입 을 위한 레이어 ( layer ) 용 마스크 를 이용 하 여 마스크 의 모트 패턴 ( moat pattern ) 과 반대 형상 의 리버스 모트 패턴 ( reverse moat pattern ) 을 마스크 로 하 여 반도체 기판 ( 101 ) 의 픽셀 영역 ( A ) 내 에서 활성 영역 상 의 절연 물질 ( 104 ) 을 식각 한다 .