[ 0028 ] 도 3 은 본 기술 의 일부 실시 예 에 따른 , 반도체 도금 챔버 에서 기판 을 헹구 는 방법 ( 300 ) 의 예시 적 인 동작 들 을 도시 하 며 , 방법 ( 300 ) 은 이전 에 설명 된 컴포넌트 들 중 임의 의 것 을 사용 할 수 있 다 . 방법 ( 300 ) 은 예 를 들 어 프로세싱 시스템 ( 100 ) 에 통합 될 수 있 는 전기 도금 장치 ( 200 ) 와 같 은 하나 이상 의 전기 도금 시스템 들 뿐 만 아니 라 , 설명 된 동작 들 을 수행 하 도록 적합 화 가능 한 임의 의 다른 반도체 도금 챔버 들 에서 수행 될 수 있 다 . 방법 은 본 기술 에 따른 방법 들 의 일부 실시 예 들 과 구체 적 으로 연관 될 수 있 거나 연관 되 지 않 을 수 있 는 일부 실시 예 들 에서 다수 의 선택 적 인 동작 들 을 포함 할 수 있 다 . 방법 ( 300 ) 은 도 4 및 도 5 에 개략 적 으로 도시 된 동작 들 을 설명 하 며 , 도 4 및 도 5 의 도시 들 은 방법 ( 300 ) 의 동작 들 과 관련 하 여 설명 될 것 이 다 . 도 4 및 도 5 는 제한 된 세부 사항 들 을 갖 는 부분 적 인 개략 도 들 만 을 도시 하고 , 일부 실시 예 들 에서 , 시스템 들 은 보다 많 거나 보다 적 은 컴포넌트 들 뿐 만 아니 라 , 본 기술 의 양상 들 중 임의 의 것 으로부터 여전히 이익 을 얻 을 수 있 는 대안 적 인 구조 적 양상 들 또는 재배열 들 을 포함 할 수 있 다는 것 이 이해 되 어야 한다 .