본 발명 의 일 실시 예 에 있 어서 , 상기 박막 트랜지스터 ( TFT ) 는 상기 액티브 패턴 ( ACT ) , 상기 게이트 전극 ( GE ) , 상기 소스 전극 ( SE ) 및 상기 드레 인 전극 ( DE ) 을 포함 할 수 있 다 . 상기 박막 트랜지스터 ( TFT ) 는 탑 게이트 ( top gate ) 구조 의 박막 트랜지스터 인 경우 를 예 로서 설명 하 였으나 , 이 에 한정 되 는 것 은 아니 다 . 예 를 들 면 , 상기 박막 트랜지스터 ( TFT ) 는 바텀 게이트 ( bottom gate ) 구조 의 박막 트랜지스터 일 수 있 다 .