이 와 같이 , 전하 저장 층 ( 14 ) 을 스트립 하 지 않 은 상태 에서 , 제 1 전극 ( 16 ) 의 측벽 에 불순물 로서 질소 를 이온 주입 한다 . 이때 , 이온 주입 각도 를 경사지 게 하 여 제 1 전극 의 하부 모서리 근방 에 도 질소 가 충분히 주입 되 게 한다 . 또한 , 제 1 전극 ( 16 ) 의 전후 좌우 네 측벽 에 돌아가 면서 질소 를 주입 한다 . 주입 방법 은 기판 ( 10 ) 을 90 도 각도 로 4 회 회전 시키 면서 수행 한다 . 질소 를 이온 주입 한 후 에 는 열처리 공정 을 거쳐 주입 된 질소 를 활성 화 시킨다 .