도 1 을 참조 하 면 , 본 발명 의 실시 예 에 따른 비휘발성 메모리 소자 는 복수 의 메모리 셀 을 포함 하 고 , 각 메모리 셀 은 소자 의 기입 및 소거 동작 시 F - N 터널 링 에 의한 전하 이동 을 방지 하 기 위해 터널 링 절 연막 ( 104 ) 의 양측 부와 접하 는 플로팅 게 이트 ( 105 ) 저부 의 양측 부 ( 채널 길 이 방향 ) 에 형성 된 전하 이동 방지 막 ( 105 ) 을 포함 한다 .