도 26 을 참조 하 면 , 상기 예비 제 1 절 연막 패턴 ( 208 ) 상 에 유전 막 ( 212 ) 을 형성 한다 . 상기 유전 막 ( 212 ) 은 유전 상수 가 10 이상 인 금속 산화물 을 증착 시켜 형성 한다 . 구체 적 으로 , 상기 유전 막 ( 212 ) 은 탄 탈륨 산화물 ( Ta 2 O 5 ) , 티타늄 산화물 ( TiO 2 ) , 하프늄 산화물 ( HfO 2 ) , 지르코늄 산화물 ( ZrO 2 ) , 하프늄 실리케이트 ( HfSixOy ) , 지르코늄 실리케이트 ( ZrSixOy ) , 질화 하프늄 실리케이트 ( HfSixOyNz ) , 질화 지르코늄 실리케이트 ( ZrSixOyNz ) , 알루미늄 산화물 ( Al 2 O 3 ) , 질화 알루미늄 산화물 ( AlxOyNz ) , 하프늄 알 루미 네이트 ( HfAlxOy ) , 이트륨 산화물 ( Y 2 O 3 ) , 니오븀 산화물 ( Nb 2 O 5 ) , 세슘 산화물 ( CeO 2 ) , 인듐 산화물 ( InO 3 ) , 란 탈륨 산화물 ( LaO 2 ) , 스트론튬 티타늄 산화물 ( SrTiO 3 ) , 납 티타늄 산화물 ( PbTiO 3 ) , 스트론튬 루테늄 산화물 ( SrRuO 3 ) , 칼슘 루테늄 산화물 ( CaRuO 3 ) 물 등 으로 이루어질 수 있 다 . 상기 막 들 은 단독 또는 혼합 하 여 적층 될 수 있 다 .