일 실시 예 에 따르 면 , 상기 디스플레이 패널 ( 730 ) 은 OLED 패널 일 수 있 다 . 이 에 따라 , 상기 디스플레이 패널 ( 730 ) 에 포함 된 하나 의 화소 ( 735 ) 에 는 OLED , 수 개 의 트랜지스터 , 및 커패시터 가 배치 될 수 있 다 . 일 실시 예 에 따르 면 , 게이트 드라이버 ( 723 ) 로부터 수신 된 스캔 신호 ( SCAN ) ( 71 ) 에 기반 하 여 화소 ( 735 ) 의 발광 여부 가 결정 될 수 있 고 , 소스 드라이버 ( 724 ) 로부터 수신 된 데이터 신호 ( DATA ) ( 72 ) 에 기반 하 여 화소 ( 735 ) 의 발광 세기 가 결정 될 수 있 다 . 또한 , 화소 전원 ( 740 ) 로부터 인가 된 전압 ( ELVDD ( 74 ) , ELVSS ( 75 ) ) 에 의해 화소 ( 735 ) 에 포함 된 OLED 가 발광 할 수 있 다 . 상기 에 미션 드라이버 ( 732 ) 로부터 수신 된 EM 신호 ( 73 ) 에 의해 화소 ( 735 ) 에 포함 된 OLED 의 발광 타이밍 이 제어 될 수 있 다 .