기판 위 의 소정 의 영역 에 폴리 실리콘 층 ( 400 ) 을 형성 된다 . 폴리 실리콘 층 은 제 1 트랜지스터 ( M 1 ) 와 제 2 트랜지스터 ( M 2 ) 의 활성 층 및 방전 캐 패 시터 의 제 1 전극 이 된다 . 폴리 실리콘 층 ( 400 ) 의 상부 에 절 연막 ( 미 도시 ) 이 형성 되 며 , 그 상부 에 게이트 메탈 ( 410 ) 이 형성 되 며 게이트 메탈 ( 410 ) 은 제 1 트랜지스터 ( M 1 ) 와 제 2 트랜지스터 ( M 2 ) 의 게이트 전극 , 주사선 ( S ) , 스토리지 캐 패 시터 ( Cst ) 의 제 1 전극 이 된다 . 그리고 , 그 상부 에 절 연막 ( 미 도시 ) 이 형성 된다 . 게이트 메탈 ( 410 ) 중 주사선 ( S ) 이 되 는 게이트 메탈 ( 410 ) 은 방전 캐 패 시터 ( Cv ) 의 제 1 전극 과 겹쳐지 는 영역 이 생기 며 방전 캐 패 시터 ( Cv ) 의 제 2 전극 이 된다 . 그리고 , 그 상부 에 소스 드레 인 메탈 ( 420 ) 이 형성 되 어 제 1 트랜지스터 ( M 1 ) 와 제 2 트랜지스터 ( M 2 ) 의 소스 와 드레 인 전극 , 데이터 선 , 전원 선 및 스토리지 캐 패 시터 ( Cst ) 이 된다 . 그리고 , 그 상부 의 소정 영역 에 유기 발광 다이오드 ( OLED ) 가 형성 된다 .