식 ( 2 ) 에 따르 면 , 정전 용량 ( C ) 이 클수록 임피던스 는 작아지 고 , 정전 용량 ( C ) 이 작 을수록 임피던스 는 커진다 . 따라서 , 식 ( 1 ) 및 식 ( 2 ) 로부터 , 제 1 환형 부재 ( 26 a ) 의 유전율 ( ε r ) 을 조정 함 으로써 공간 ( A ) 의 임피던스 를 조정 할 수 있 다 . 예컨대 , 재질 이 다른 제 1 환형 부재 ( 26 a ) 를 복수 개 준비 하 고 , 적절 하 게 어느 하나 의 제 1 환형 부재 ( 26 a ) 를 공간 ( A ) 에 배치 한다 . 제 1 환형 부재 ( 26 a ) 의 유전율 ( ε r ) 을 작 게 한 경우 , 정전 용량 ( C ) 이 작아지 고 , 공간 ( A ) 에서 의 임피던스 가 커진다 . 이것 에 의해 , 기판 ( W ) 의 외주 부 의 플 라즈 마 밀도 를 낮출 수 있 다 . 반대 로 , 제 1 환형 부재 ( 26 a ) 의 유전율 ( ε r ) 을 크 게 한 경우 , 정전 용량 ( C ) 이 커지 고 , 공간 ( A ) 에서 의 임피던스 가 작아진다 . 이것 에 의해 , 기판 ( W ) 의 외주 부 의 플 라즈 마 밀도 를 높일 수 있 다 . 이상 으로부터 , 재질 이 다른 복수 의 제 1 환형 부재 ( 26 a ) 중 에서 , 프로세스 의 조건 및 제 2 환형 부재 ( 26 b ) 의 소모량 에 따른 제 1 환형 부재 ( 26 a ) 를 공간 ( A ) 에 배치 함 으로써 , 기판 ( W ) 의 외주 부 의 플 라즈 마 밀도 를 제어 할 수 있 다 . 이것 에 의해 , 기판 ( W ) 의 외주 부 의 에칭 특성 을 제어 할 수 있 다 .