구동 트랜지스터 ( DRT ) 및 제 1 스위칭 트랜지스터 ( SCT ) 각각 은 박막 트랜지스터 ( thin film transistor ) 로 형성 될 수 있 다 . 또한 , 도 3 에서 는 구동 트랜지스터 ( DRT ) 및 제 1 스위칭 트랜지스터 ( SCT ) 각각 이 N 타입 MOSFET ( Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ) 으로 형성 된 것 으로 설명 하 였으나 , 이 에 제한 되 지 않 는다 . 구동 트랜지스터 ( DRT ) 및 제 1 스위칭 트랜지스터 ( SCT ) 는 P 타입 MOSFET 으로 형성 될 수 도 있 다 . 이 경우 , 구동 트랜지스터 ( DRT ) 및 제 1 스위칭 트랜지스터 ( SCT ) 들 각각 의 소스 전극 과 드레 인 전극 의 위치 는 변경 될 수 있 다 . 이하 에서 는 , 구동 트랜지스터 ( DRT ) 및 제 1 스위칭 트랜지스터 ( SCT ) 가 N 타입 MOSFET 인 경우 를 예시 하 여 설명 한다 .