이어서 , 반도체 영역 ( 604 ) 에 인 ( P ) 이나 비소 ( As ) 등 을 첨가 하 여 , 채널 형성 영역 ( 616 ) 및 불순물 영역 ( 620 a ) , 불순물 영역 ( 620 b ) 을 형성 한다 ( 도 10 e 참조 ) . 또한 , 여기 에서 는 , 트랜지스터 ( 660 ) 는 ｎ 채널 형 트랜지스터 로 하 고 ｎ 채널 형 트랜지스터 를 형성 하 기 위하 여 반도체 영역 ( 604 ) 에 인 이나 비소 등 의 도전 형 을 부여 하 는 불순물 원소 를 첨가 하 고 있 다 . 그러나 , 트랜지스터 ( 660 ) 를 p 채널 형 트랜지스터 로 하 는 경우 에 는 , 반도체 영역 ( 604 ) 에 붕소 ( B ) 나 알루미늄 ( Al ) 등 의 도전 형 을 부여 하 는 불순물 원소 를 첨가 하 여 , 채널 형성 영역 ( 616 ) 및 불순물 영역 ( 620 a ) , 불순물 영역 ( 620 b ) 을 형성 하 면 된다 . 여기 서 , 첨가 하 는 도전 형 을 부여 하 는 불순물 원소 의 농도 는 적절히 설정 할 수 있 지만 , 트랜지스터 ( 660 ) 가 고도 로 미세 화 되 는 경우 에 는 , 그 농도 를 높 게 하 는 것 이 바람직 하 다 .