산화물 반도체 층 ( 644 ) 의 형성 조건 으로서 는 , 예 를 들 어 피 처리 물 과 타깃 사이 의 거리 가 170 mm , 압력 이 0 . 4 Pa , 직류 ( DC ) 전력 이 0 . 5 kW , 분위기 가 산소 ( 산소 100 %) 분위기 또는 아르곤 ( 아르곤 100 %) 분위기 또는 산소 와 아르곤 의 혼합 분위기 , 등 의 조건 을 적용 할 수 있 다 . 또한 , 펄스 직류 ( DC ) 전원 을 사용 하 면 , 먼지 ( 성막 시 에 형성 되 는 가루 상태 의 물질 등 ) 를 저감 시킬 수 있 어 , 산화물 반도체 층 ( 644 ) 의 막 두께 분포 도 균일 해 지 기 때문 에 바람직 하 다 .