본 발명 의 일 양태 에 따르 면 , 복수 의 디바이스 가 , 분할 예정 라인 에 의해 구획 된 표면 의 각 영역 에 형성 된 웨이퍼 를 개개 의 디바이스 칩 으로 분할 하 는 웨이퍼 의 가공 방법 으로서 , 웨이퍼 를 수용 하 는 개구 를 갖 는 프레임 의 상기 개구 내 에 웨이퍼 를 위치 시키 고 , 상기 웨이퍼 의 이면 또는 상기 표면 과 , 상기 프레임 의 외주 에 폴리에스테르 계 시트 를 배치 하 는 폴리에스테르 계 시트 배치 공정 과 , 상기 폴리에스테르 계 시트 를 가열 하 여 열 압착 에 의해 상기 웨이퍼 와 상기 프레임 을 상기 폴리에스테르 계 시트 를 통해 일체 화 하 는 일체화 공정 과 , 상기 웨이퍼 에 대하 여 투과성 을 갖 는 파장 의 레이저 빔 의 집 광점 을 상기 웨이퍼 의 내부 에 위치 시키 고 , 상기 레이저 빔 을 상기 분할 예정 라인 을 따라 상기 웨이퍼 에 조사 하 여 상기 웨이퍼 에 개질 층 을 형성 하 고 , 상기 웨이퍼 를 개개 의 디바이스 칩 으로 분할 하 는 분할 공정 과 , 상기 폴리에스테르 계 시트 의 각 디바이스 칩 에 대응 하 는 개개 의 영역 에 있 어서 , 상기 폴리에스테르 계 시트 에 초음파 를 부여 하 여 , 상기 폴리에스테르 계 시트 측 으로부터 디바이스 칩 을 밀 어 올리 고 , 상기 폴리에스테르 계 시트 로부터 상기 디바이스 칩 을 픽업 하 는 픽업 공정 을 포함 하 는 것 을 특징 으로 하 는 웨이퍼 의 가공 방법 이 제공 된다 .