도전 막 ( 511 ) 과 도전 막 ( 512 ) 의 조합 에 는 , 예 를 들 면 질화 탄 탈막 과 텅스텐 막 , 질화 텅스텐 막 과 텅스텐 막 , 질화 몰리브덴 막 과 몰리브덴 막 등 이 있 다 . 또한 , 질화 탄탈 막 과 텅스텐 막 과 의 적층 막 은 , 양자 의 에칭 의 선택 비 가 높 아 바람직 하 다 . 여 기 에서 는 , 도전 막 ( 511 ) 으로서 , 두께 20 nm ∼ 100 nm 의 질화 탄 탈막 을 형성 하 고 , 도전 막 ( 512 ) 으로서 , 두께 100 nm ∼ 400 nm 의 텅스텐 막 을 형성 한다 . 또한 , 전극 , 배선 등 을 구성 하 는 도전 막 은 , 1 층 이나 3 층 이상 의 적층 막 이 어도 된다 . 3 층 구조 인 경우 에 는 , 몰리브덴 층 과 알루미늄 층 과 몰리브덴 층 의 적층 구조 를 채용 하 면 된다 .