도 2 내지 도 4 를 참조 하 면 , 실리콘 기판 과 같 은 반도체 기판 ( 200 ) 상 에 기판 ( 200 ) 과 수직 한 방향 ( Z 축 방향 ) 으로 돌출 된 제 1 및 제 2 돌출부 ( 210 a , 210 b ) 가 구비 되 어 있 다 . 제 1 및 제 2 돌출부 ( 210 a , 210 b ) 는 기판 ( 200 ) 의 일부 가 돌출 된 것 이 다 . 제 1 및 제 2 돌출부 ( 210 a , 210 b ) 는 평행 하 고 서로 이격 되 어 있 으며 , Y 축 방향 으로 그 들 의 폭 은 기판 ( 200 ) 의 폭 보다 작 다 . 제 1 및 제 2 돌출부 ( 210 a , 210 b ) 사이 의 기판 ( 200 ) 상 에 제 1 게이트 ( 220 a ) 가 형성 되 어 있 고 , X 축 방향 에 따른 기판 ( 200 ) 의 양단 상 에 제 1 게이트 ( 220 a ) 와 나란 한 제 2 및 제 3 게이트 ( 220 b , 220 c ) 가 형성 되 어 있 다 . 그러므로 제 1 및 제 2 게이트 ( 220 a , 220 b ) 사이 에 제 1 돌출부 ( 210 a ) 가 존재 하 고 , 제 1 및 제 3 게이트 ( 220 a , 220 c ) 사이 에 제 2 돌출부 ( 210 b ) 가 존재 한다 . 제 1 내지 제 3 게이트 ( 220 a ∼ 220 c ) 는 Y 축 과 평행 한 라인 형태 이 고 , 제 1 내지 제 3 게이트 ( 220 a ∼ 220 c ) 의 높이 는 제 1 및 제 2 돌출부 ( 210 a , 210 b ) 의 높이 보다 낮 다 . 제 1 내지 제 3 게이트 ( 220 a ∼ 220 c ) 는 금속 과 폴리 실리콘 중 적어도 어느 하나 로 형성 할 수 있 다 . 제 1 내지 제 3 게이트 ( 220 a ∼ 220 c ) 와 기판 ( 200 ) 사이 에 , 제 1 내지 제 3 게이트 ( 220 a ∼ 220 c ) 와 제 1 및 제 2 돌출부 ( 210 a , 210 b ) 사이 에 , 그리고 , 제 1 내지 제 3 게이트 ( 220 a ∼ 220 c ) 상 에 절연 물질 층 ( 230 ) 이 형성 되 어 있 다 . 절연 물질 층 ( 230 ) 은 제 1 및 제 2 돌출부 ( 210 a , 210 b ) 보다 낮 은 높이 로 형성 되 어 있 다 . 따라서 제 1 및 제 2 돌출부 ( 210 a , 210 b ) 의 상단 은 노출 될 수 있 다 .