본 발명 의 발광 재료 를 이용 하 여 OLED 소자 를 제작 하 였 다 . 우선 , OLED 용 글 래스 ( 삼성 - 코닝 사 제조 ) 로부터 얻 어 진 투명 전극 ITO 박막 ( 15 Ω / □) 을 , 트리클로로에틸렌 , 아세톤 , 에탄올 , 증류수 를 순차 적 으로 사용 하 여 초음파 세척 을 실시 한 후 , 이소프로판올 에 넣 어 보관 한 후 사용 하 였 다 . 다음 으로 진공 증착 장비 의 기판 홀더 에 ITO 기판 을 장착 한 후 , 진공 증착 장비 내 의 셀 에 N 1 , N 1 '-([ 1 , 1 '- 비페닐 ] - 4 , 4 '- 디 일 ) 비스 ( N 1 -( 나프탈렌 - 1 - 일 ) - N 4 , N 4 - 디페닐 벤젠 - 1 , 4 - 디아민 ) 을 넣 고 챔버 내 의 진공도 가 10 - 6 torr 에 도달 할 때 까지 배기 시킨 후 , 셀 에 전류 를 인가 하 여 증발 시켜 ITO 기판 위 에 120 nm 두께 의 정공 주입 층 을 증착 하 였 다 . 이어서 , 진공 증착 장비 내 의 다른 셀 에 N 4 , N 4 , N 4 ', N 4 '- 테트라 ( [ 1 , 1 '- 비페닐 ] - 4 - 일 ) -[ 1 , 1 '- 비페닐 ] - 4 , 4 '- 디아민 을 넣 고 , 셀 에 전류 를 인가 하 여 증발 시켜 정공 주입 층 위 에 20 nm 두께 의 정공 전달 층 을 증착 하 였 다 . 정공 주입 층 , 정공 전달 층 을 형성 시킨 후 , 그 위 에 발광 층 을 다음 과 같이 증착 시켰 다 . 진공 증착 장비 내 의 한쪽 셀 에 호스트 로서 화합물 H - 43 을 넣 고 , 또 다른 셀 에 는 도판 트 로서 화합물 D - 9 를 각각 넣 은 후 , 두 물질 을 다른 속도 로 증발 시켜 12 중량 % 의 양 으로 도핑 함 으로써 상기 정공 전달 층 위 에 40 nm 두께 의 발광 층 을 증착 하 였 다 . 이어서 상기 발광 층 위 에 전자 전달 층 으로써 한쪽 셀 에 2 -( 4 -( 9 , 10 - 디 ( 나프탈렌 - 2 - 일 ) 안트라센 - 2 - 일 ) 페닐 ) - 1 - 페닐 - 1 H - 벤조 [ d ] 이미다졸 을 넣 고 , 또 다른 셀 에 는 리튬 퀴놀 레이트 를 각각 넣 은 후 , 두 물질 을 다른 속도 로 증발 시켜 50 중량 % 로 도핑 함 으로써 30 nm 의 전자 전달 층 을 증착 하 였 다 . 이어서 전자 주입 층 으로 리튬 퀴놀레이트를 1 내지 2 nm 두께 로 증착 한 후 , 다른 진공 증착 장비 를 이용 하 여 Al 음극 을 150 nm 의 두께 로 증착 하 여 OLED 소자 를 제작 하 였 다 . 재료 별로 각 화합물 은 10 - 6 torr 하 에서 진공 승화 정제 하 여 사용 하 였 다 .