구체 적 으로 , 상기 제 1 구조물 의 상부 를 에치 백 공정 을 통해 제거 하 여 상기 트렌치 를 형성 한 후 , 상기 트렌치 를 채우 는 캐 핑 막 을 상기 제 1 구조물 및 제 4 층간 절 연막 ( 240 ) 상 에 형성 하 고 , 제 4 층간 절 연막 ( 240 ) 의 상면 이 노출 될 때 까지 상기 캐 핑 막 의 상부 를 평탄 화 하 여 캐 핑 패턴 ( 330 ) 을 형성 할 수 있 다 . 예 시 적 인 실시 예 들 에 있 어서 , 상기 캐 핑 막 은 불순물 이 도핑 되 거나 또는 도핑 되 지 않 은 폴리 실리콘 혹은 비정질 실리콘 을 포함 하 도록 형성 될 수 있 으며 , 상기 캐 핑 막 이 비정질 실리콘 을 포함 하 도록 형성 되 는 경우 , 이 를 결정 화 시키 는 공정 이 추가 적 으로 수행 될 수 도 있 다 .