기존 에 결정 화 실리콘 막 을 얻 기 위해서 는 플 라즈 마 화학 기상 증착 ( PECVD : Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ) , 열선 화학 증착 ( HFCVD : Hot Filament Chemical Vapor Deposition 또는 HWCVD : Hot Wire Chemical Vapor Deposition ) 을 이용 해서 비정질 실리콘 을 기판 에 증착 한 뒤 고상 결정 화 ( SPC : Solid Phase Crystallization ) , 금속 유도 측면 결정 화 ( MILC : Metal Induced Lateral Crystallization ) , 엑 시머 레이저 결정 화 ( Excimer laser Crystallization ) 등 의 방법 을 이용 해서 고온 에서 장시간 재결정 화 과정 을 거치 거나 , 촉매 를 이용 하 거나 , 엑 시머 레이저 를 이용 해서 표면 을 순간 적 으로 결정 화 시키 는 방법 이 이용 되 었 다 .