우선 , 입력 을 행하 는 1 행 째 의 메모리 셀 이 갖 는 , 제 1 워드 선 WLCG 1 및 용량 선 CL 1 의 선택 을 행한다 . 구체 적 으로 도 4 에서 는 , 제 1 워드 선 WLCG 1 에 하이 ( high ) 레벨 의 전위 ( VH ) 가 공급 되 고 , 그 이외 의 제 1 워드 선 WLCG 2 ∼ WLCGy 에 는 접지 전위 ( GND ) 가 공급 된다 . 따라서 , 제 1 워드 선 WLCG 1 에 제 1 게이트 전극 이 접속 되 어 있 는 트랜지스터 ( 101 ) 만 이 선택 적 으로 온 ( on ) 이 된다 . 또한 , 용량 선 CL 1 에 는 접지 전위 ( GND ) 가 공급 되 고 , 다른 용량 선 CL 2 ∼ CLy 에 는 하이 ( high ) 레벨 의 전위 ( VDD ) 가 공급 된다 .