또한 , 실시 형태 1 과 다른 형태 를 도 11 에 도시 한다 . 실시 형태 1 과 같이 , 게이트 절 연막 ( 52 ) 위 에 도너 가 되 는 불순물 원소 를 포함 하 는 미결정 반도체 막 ( 45 ) 을 형성 한 후 , 게르마늄 을 주성분 으로 하 는 반도체 막 을 형성 한다 . 다음 에 , 실시 형태 1 과 같이 제 2 포토 마스크 를 사용 한 포토 리소그래피 공정 에 의해 형성 한 레지스 트 마스크 를 사용 하 여 , 도너 가 되 는 불순물 원소 를 포함 하 는 미결정 반도체 막 ( 45 ) 및 게르마늄 을 주성분 으로 하 는 반도체 막 을 에칭 하 여 , 도너 가 되 는 불순물 원소 를 포함 하 는 미결정 반도체 막 ( 69 ) , 및 게르마늄 을 주성분 으로 하 는 반도체 막 ( 61 ) 을 형성 한다 . 다음 에 , 실시 형태 1 과 같 은 공정 에 의해 , 도 11 에 도시 하 는 바 와 같 은 , 게이트 절 연막 ( 52 b ) 위 에 도너 가 되 는 불순물 원소 를 포함 하 는 미결정 반도체 막 ( 69 ) 이 형성 되 고 , 그 위 에 게르마늄 을 주성분 으로 하 는 반도체 막 ( 61 ) 이 형성 되 고 , 도너 가 되 는 불순물 원소 를 포함 하 는 미결정 반도체 막 ( 69 ) 및 게르마늄 을 주성분 으로 하 는 반도체 막 ( 61 ) 의 측면 을 덮 는 버퍼 층 ( 73 ) 을 갖 는 박막 트랜지스터 를 제작 할 수 있 다 . 또한 , 실시 형태 2 와 같 은 공정 에 의해 박막 트랜지스터 를 형성 할 수 있 다 .