전자 차단 층 ( EBL ) 은 발광 층 을 떠나 는 전자 및 / 또는 엑시톤 의 수 를 감소 시키 기 위해 사용 될 수 있 다 . 디바이스 내 의 이러 한 차단 층 의 존재 는 차단 층 이 없 는 유사 한 디바이스 와 비교 했 을 때 상당히 더 높 은 효율 및 / 또는 더 긴 수명 을 유도 할 수 있 다 . 또한 , 차단 층 은 OLED 의 원 하 는 영역 에 발광 을 국한 시키 기 위해 사용 될 수 있 다 . 일부 실시 양태 에서 , EBL 물질 은 EBL 계면 에 가장 가까운 이미터 보다 더 높 은 LUMO ( 진공 준위 에 보다 가까움 ) 및 / 또는 더 높 은 삼 중항 에너지 를 갖 는다 . 일부 실시 양태 에서 , EBL 물질 은 EBL 계면 에 가장 가까운 호스트 들 중 하나 이상 보다 더 높 은 LUMO ( 진공 준위 에 보다 가까움 ) 및 / 또는 더 높 은 삼 중항 에너지 를 갖 는다 . 한 양태 에서 , EBL 에 사용 되 는 화합물 은 이하 에 기재 된 호스트 들 중 하나 와 동일 한 사용 분자 또는 작용기 를 함유 한다 .