오 목부 형성 에 이용 되 는 고 에너지 이온 의 투하 는 , 성장 하 거나 또는 이미 성장 된 전도성 확산 배리어 층 을 통해 종래 펀치 쓰루 공정 에서 오목 부를 형성 하 는 경우 에 그 아래 의 다양 한 물질 들 을 동요 시킬 수 있 으므로 , 구리 , 기판 유전체 물질 , 및 트렌치 바닥 물질 들 과 같 은 재 스퍼터 되 는 물질 들 에 의해 상기 전도성 확산 배리 어 층 은 필연 적 으로 오염 된다 . 이러 한 오염 은 상기 배리 어 및 상기 배리 어 상 에 뒤이 어 증착 되 는 접착 층 의 인 테 그리티 에 악영향 을 미치 게 되 어 , 전도성 물질 확산 문제 및 접착 층 의 불능 을 일으킨다 . 전도성 라이너 층 의 증착 이전 에 , 상기 컨 덕 터 에 오목 부를 형성 하 고 잔여물 제거 공정 을 통해 잔여물 과 같 은 오염 물질 을 제거 함 으로써 , 전도성 라이너 층 과 관련 된 오염 ( 문제 10 내지 14 참조 ) 가 방지 될 수 있 다 .