예 를 들 어 , 제조 시스템 은 제 1 그룹 에 포함 되 는 수직 스트링 들 이 생성 될 수직 홀 들 ( 510 ) 을 형성 하 는 첫 번 째 식각 공정 에서 사용 하 는 마스크 패턴 을 도 5 와 같이 구현 함 으로써 , 도 5 의 마스크 패턴 을 활용 하 여 첫 번 째 식각 공정 을 수행 하 여 제 1 그룹 에 대응 하 는 수직 홀 들 ( 510 ) 을 형성 할 수 있 다 . 뒤 이 어 , 제조 시스템 은 제 2 그룹 에 포함 되 는 수직 스트링 들 이 생성 될 수직 홀 들 ( 610 ) 을 형성 하 는 두 번 째 식각 공정 에서 사용 하 는 마스크 패턴 을 도 6 과 같이 구현 함 으로써 , 도 6 의 마스크 패턴 을 활용 하 여 두 번 째 식각 공정 을 수행 하 여 제 2 그룹 에 대응 하 는 수직 홀 들 ( 610 ) 을 형성 할 수 있 다 . 이 에 도 7 과 같이 제 1 그룹 에 대응 하 는 수직 홀 들 ( 510 ) 및 제 2 그룹 에 대응 하 는 수직 홀 들 ( 610 ) 이 형성 될 수 있 다 .