즉 , 본 실시 형태 에 있 어서 는 , 제 1 가스 원 ( 243 a ) 에 는 제 1 가스 로서 SiH 4 나 Si 2 H 6 등 의 실리콘 계 가스 를 수용 하 고 , 제 2 가스 원 ( 243 b ) 에 는 제 2 가스 로서 의 PH 3 , B 2 H 6 , BCl 3 , AsH 3 등 의 도 펀트 가스 를 수용 하 여 , 반응 관 ( 203 ) 내 의 압력 이 처리 압력 으로 안정 화 하 고 , 웨이퍼 ( 200 ) 의 온도 가 처리 온도 로 안정 화 한 후 , 반응 관 ( 203 ) 내 에 제 1 가스 원 ( 243 a ) , 제 2 가스 원 ( 243 b ) 으로부터 제 1 가스 도입 라인 ( 232 a ) , 제 2 가스 도입 라인 ( 232 b ) 을 개재 하 여 제 1 가스 로서 의 실리콘 계 가스 , 제 2 가스 로서 의 도 펀트 가스 를 , 후술 하 는 타이밍 으로 도입 함 으로써 , 웨이퍼 ( 200 ) 에 형성 된 절 연막 상 에 실리콘 입자 가 형성 된다 .