그러나 단자 배선 k 및 단자 배선 m 을 외측 으로 굴곡 시킴 으로써 , 인접 한 단자 배선 과 의 거리 가 더욱 작아진다 . 그러나 , 도 1 의 ( a ) 에 도시 한 바 와 같이 , 예 를 들 면 단자 배선 m 의 인접 한 단자 배선 n 은 단자 ( 10 ) 이 지만 , 배선 m 이 굴곡 되 어 있 는 부분 에서 는 , 단자 용 컨 택트 홀 ( 41 ) 은 형성 되 어 있 지 않 다 . 즉 , 단자 ( 10 ) 의 제 2 부분 ( 12 ) 의 구성 으로 되 어 있 다 . 그리고 , 컨 택트 홀 ( 40 ) 이 형성 되 어 있 지 않 은 제 2 부분 ( 12 ) 의 단자 배선 n 의 배선 폭 은 다른 부분 과 동일 한 가 는 상태 이 다 . 따라서 , 단자 배선 n 과 단자 배선 m 의 간격 은 , 노광 에 의한 패 터닝 이 가능 한 정도 로 까지 , 크 게 할 수 있 다 . 이 와 같 은 구성 으로 함 으로써 , 도 1 에서 의 단자 ( 10 ) 끼 리의 사이 의 피치 x 를 34 ㎛ 이 하로 까지 작 게 하 여도 , 노광 에 의한 배선 패 터닝 이 가능 하 게 된다 .