반도체 층 ( 112 ) 의 일정 영역 에 대응 되 도록 , 즉 채널 영역 에 대응 되 도록 게이트 절 연막 ( 113 ) 상 에 게이트 전극 ( 114 ) 이 위치 한다 . 게이트 전극 ( 114 ) 은 알루미늄 ( Al ) , 알루미늄 합금 ( Al alloy ) , 티타늄 ( Ti ) , 은 ( Ag ) , 몰리브덴 ( Mo ) , 몰리브덴 합금 ( Mo alloy ) , 텅스텐 ( W ) , 텅스텐 실리사이드 ( WSi 2 ) 중 어느 하나 를 포함 할 수 있 다 .