일 도 전형 을 부여 하 는 불순물 이 첨가 된 반도체 막 ( 55 ) 은 , n 채널 형 의 박막 트랜지스터 를 형성 하 는 경우 에 는 , 대표 적 인 불순물 원소 로서 인 을 첨가 하 면 좋 고 , 수소 화 규소 에 PH 3 등 의 불순물 기체 를 더 하 면 좋 다 . 또한 , p 채널 형 의 박막 트랜지스터 를 형성 하 는 경우 에 는 , 대표 적 인 불순물 원소 로서 붕소 를 첨가 하 면 좋 고 , 수소 화 규소 에 B 2 H 6 등 의 불순물 기체 를 첨가 하 면 좋 다 . 일 도 전형 을 부여 하 는 불순물 이 첨가 된 반도체 막 ( 55 ) 은 , 미결정 반도체 , 또는 비정질 반도체 로 형성 할 수 있 다 . 일 도 전형 을 부여 하 는 불순물 이 첨가 된 반도체 막 ( 55 ) 은 2 nm 이상 50 nm 이하 의 두께 로 형성 한다 . 일 도 전형 을 부여 하 는 불순물 이 첨가 된 반도체 막 의 막 두께 를 , 얇 게 함 으로써 스루풋 을 향상 시킬 수 있 다 .