이 어 , 도 5 f 에 도시 된 바 와 같이 , 상기 게이트 전극 ( 165 b ) 및 게이트 절 연막 ( 164 ) 이 형성 된 기판 전면 에 감광막 을 도포 하 고 , 노광 및 현상 공정 으로 각 포토 다이오드 영역 이 노출 되 도록 상기 감광막 을 선택 적 으로 패 터닝 한다 . 그리고 , 상기 패 터닝 된 감광막 을 마스크 로 이용 하 여 상기 에 피층 ( 162 ) 에 저 농도 도전 형 ( n 형 ) 불순물 이온 을 주입 하 여 포토다이오드 영역 에 n 형 확산 영역 ( 167 ) 을 형성 한다 .