즉 , 도 4 의 실시 예 도 디 플리 션 이 형성 되 는 제 2 컨 택 면 들 ( 45 ) 이 서로 수직 하 는 제 1 방향 과 제 2 방향 에 대한 폭 들 이 동일 한 길이 를 갖 는 도형 의 일례 인 정사각형 으로 형성 됨 으로써 핀치 오프 를 형성 하 는 특성 을 개선 할 수 있 다 . 그 결과 쇼트 키 배리 어 다이오드 는 턴 온 전류 의 장점 은 유지 하 면서 역방향 전류 흐름 의 차단 특성 이 개선 될 수 있 으며 , 개선 된 오프 전류 특성 을 가질 수 있 다 .