이 실장 방법 에서 사용 되 는 반도체 칩 은 예 를 들 면 , 회로 면 에 범프 가 형성 된 반도체 웨이퍼 의 회로 면 과 는 반대 측 의 면 을 연삭 하 거나 , 다 이싱 하 여 개편 화 함 으로써 얻 어 진다 . 이러 한 반도체 칩 을 얻 는 과정 에 있 어서 는 , 통상 , 반도체 웨이퍼 의 회로 면 및 범프 를 보호 하 는 목적 으로 , 경화 성 수지 필름 을 범프 형성 면 에 첩부 하 고 이 필름 을 경화 시켜 , 범프 형성 면 에 보호막 을 형성 한다 . 이 경화 성 수지 필름 은 예 를 들 면 , 범프 형성 면 에 첩부 한 후 , 가열 에 의해 유동 성 을 증대 시킴 으로써 , 범프 의 정상 과 그 근방 을 포함 하 는 상부 영역 은 관통 시켜 노출 시키 면서 , 범프 사이 에 퍼지 고 , 회로 면 과 밀착 함 과 함께 , 범프 의 표면 , 특히 상기 회로 면 근방 부위 의 표면 을 덮 고 , 범프 를 매립 한다 . 이 상태 의 경화 성 수지 필름 을 경화 시키 는 것 으로 형성 된 보호막 은 상기 회로 면 과 범프 를 이 들 에 밀착 한 상태 로 보호 한다 .