상기 수직 형 메모리 장치 는 상기 게이트 전극 구조물 을 관통 하 는 채널 ( 260 ) 부분 의 외측 벽 을 커버 하 는 제 1 전하 저장 구조물 ( 252 ) 을 포함 할 수 있 으며 , 제 1 전하 저장 구조물 ( 252 ) 은 각 게이트 전극 들 ( 372 , 374 , 376 ) 에 상기 수평 방향 으로 대향 하 며 분리 패턴 ( 234 ) 에 의해 상기 제 1 방향 을 따라 서로 이격 된 복수 의 전하 트래핑 패턴 들 ( 232 ) 을 포함 할 수 있 다 . 이 에 따라 , 각 전하 트래핑 패턴 들 ( 232 ) 에 저장 된 전하 가 다른 층 에 형성 된 게이트 전극 들 ( 372 , 374 , 376 ) 에 의해 상기 제 1 방향 으로 이동 하 지 않 으므로 그 리 텐션 특성 이 개선 될 수 있 다 . 따라서 제 1 전하 저장 구조물 ( 252 ) 을 포함 하 는 상기 수직 형 메모리 장치 는 개선 된 신뢰 성 을 가질 수 있 다 .