반도체 기판 ( 100 ) 내 에 는 소자 분리 영역 ( 105 ) 이 형성 되 어 제 1 및 제 2 활성 ( active ) 영역 ( 110 , 120 ) 을 정의 한다 . 소자 분리 영역 ( 105 ) 은 STI ( Shallow Trench Isolation ; STI ) 또는 FOX ( Field OXide ; FOX ) 등 의 산화 막 으로 형성 될 수 있 다 .