첫 번 째 , 제 1 마스크 를 이용 하 여 게이트 전극 을 형성 하 고 , 제 2 마스크 를 이용 하 여 액티브 층 과 소스 전극 및 드레 인 전극 을 형성 하 고 , 제 3 마스크 를 이용 하 여 , 소스 전극 과 채널 영역 을 노출 시키 는 투명 전극 층 과 , 감광막 패턴 이 형성 된 투명 기판 상 에 보호 층 을 형성 하 고 , 감광막 의 리프트 오프 방식 을 사용 하 여 소스 전극 및 채널 영역 에 보호 층 을 잔류 시키 는 것 에 의해 , 제조 공정 에 필요 한 마스크 의 수 를 최소 화 시키 는 효과 가 있 다 .