본 발명 의 실시 예 에 따른 기판 처리 장치 는 , 기판 이 놓이 는 서 셉 터 , 상기 서 셉 터 의 일 측 에 배치 되 어 제 1 및 제 2 공정 가스 들 을 포함 하 는 공정 가스 들 을 주입 하 는 인 젝 터 유닛 및 상기 인 젝 터 유닛 으로 상기 공정 가스 들 을 공급 하 는 가스 공급 유닛 을 포함 하 되 , 상기 가스 공급 유닛 은 상기 제 1 및 제 2 공정 가스 들 을 각각 수용 하 는 제 1 및 제 2 가스 공급원 들 , 상기 제 1 및 제 2 가스 공급원 들 을 상기 인 젝 터 유닛 과 각각 연결 하 는 제 1 및 제 2 가스 공급 라인 들 및 상기 제 1 및 제 2 가스 공급 라인 들 상 에 각각 배치 되 는 제 1 및 제 2 가열 유닛 들 을 포함 하 되 , 상기 제 1 가스 공급 라인 상 에 배치 되 는 상기 제 1 가열 유닛 들 의 단위 길이 당 밀집 도 는 상기 제 2 가스 공급 라인 상 에 배치 되 는 상기 제 2 가열 유닛 들 의 단위 길이 당 밀집 도 보다 높 다 .