본 발명 의 고분자 전해질 막 제조 방법 은 , 하이드록실기 ( - OH ) , 카르복실기 ( - COOH ) , 및 아 민기 ( - NH 2 ) 로 이루어진 그룹 으로부터 선택 되 는 적어도 하나 의 가교 성 작용기 를 갖 는 고분자 를 준비 하 는 단계 , 상기 고분자 로 다공성 지 지체 를 형성 하 는 단계 , 및 상기 다공성 지 지체 의 공극 들 을 비 가교 이온 전도체 로 충 진하 는 단계 를 포함 한다 .