계속 해서 , 도 2 d 및 도 3 d 에 나타나 있 는 바 와 같이 , pMOS 영역 의 사이 영역 만 을 덮 는 레지스 트 패턴 ( 12 ) 을 팽창 막 ( 11 ) 위 에 형성 한다 . 그리고 , 레지스 트 패턴 ( 12 ) 을 마스크 로 하 여 Ge 이온 을 팽창 막 ( 11 ) 에 주입 한다 . 그 결과 , 팽창 막 ( 11 ) 중 에서 , Ge 이온 이 주입 된 부분 으로부터 의 외측 을 향한 응력 이 완화 된다 . 따라서 , 이 부분 은 팽창 막 ( 11 ) 으로서 기능 할 수 없 게 되 고 , 도 1 b 에 도 나타나 있 는 바 와 같이 , 절 연막 ( 13 ) 이 된다 .