기판 을 의도 적 으로 가열 하 여 성막 하 는 효과 및 / 또는 성막 한 후 에 열 처리 하 는 효과 는 전계 효과 이동도 의 향상 뿐 만 아니 라 , 트랜지스터 의 노 멀리 오프 화 를 도모 하 는 것 에 도 기여 한다 . 기판 을 의도 적 으로 가열 하 지 않 고 형성 된 In , Sn , 및 Zn 을 주성분 으로 하 는 산화물 반도체 막 을 채널 형성 영역 으로 한 트랜지스터 는 , 임계 값 전압 이 마이너스 ( minus ) 로 시프트 해 버리 는 경향 이 있 다 . 그러나 , 기판 을 의도 적 으로 가열 하 여 형성 된 산화물 반도체 막 을 사용 한 경우 , 이 임계 값 전압 이 마이너스 로 시프트 하 는 것 은 해소 된다 . 즉 , 임계 값 전압 은 트랜지스터 가 노 멀리 오프 가 되 는 방향 으로 시프트 하 고 , 이 와 같 은 경향 은 도 20 a 및 도 20 b 를 비교 함 으로써 확인 될 수 있 다 .