또한 , 상기 제 2 렌즈 어셈블리 ( 130 ) 에 배치 되 는 제 2 전도체 는 상기 제 1 기판 ( 161 ) 상 에 배치 되 는 제 2 공진 부 ( 161 b ) 에서 생성 된 자기장 을 방해 ( interference ) 한다 . 즉 , 제 2 전도체 에 는 상기 제 2 공진 부 ( 161 b ) 에서 발생 한 자기장 의 역방향 에 해당 하 는 방해 자기장 을 발생 한다 . 그리고 , 상기 방해 자기장 은 상기 제 2 공진 부 ( 161 b ) 가 가지 는 인덕턴스 를 감소 시킨다 . 이때 , 상기 제 2 렌즈 어셈블리 ( 130 ) 의 위치 에 따라 상기 제 2 전도체 에서 발생 되 는 방해 자기장 의 세기 가 변화 한다 . 이때 , 상기 제 2 전도체 는 상기 와 같이 제 2 렌즈 어셈블리 ( 130 ) 의 이동 방향 에 대응 하 는 광축 방향 으로 갈수록 폭 이 변화 한다 . 이 에 따라 , 상기 제 2 전도체 에서 발생 되 는 방해 자기장 의 세기 도 상기 제 2 렌즈 어셈블리 ( 130 ) 가 광축 방향 으로 이동 함 에 따라 증가 또는 감소 하 게 된다 .