실리콘 웨이퍼 의 표면 에 막 두께 2 . 2 nm 이하 의 산화 막 을 형성 하 기 위해 , 본 발명 에서 는 , 2 장 의 실리콘 웨이퍼 를 오존 세정 한다 . 이 오존 세정 에 는 , 오존 농도 가 1 ∼ 50 ppm 의 범위 에 있 는 오존 수 를 이용 하 는 것 이 적당 하 다 . 오존 농도 가 1 ppm 미만 에서 는 , 소정 의 막 두께 의 산화 막 을 형성 하 는 데 에 , 시간 이 너무 많이 걸리 는 경우 가 있 다 . 또한 , 오존 농도 가 50 ppm 을 초과 하 면 , 막 두께 2 . 2 nm 이하 의 산화 막 을 형성 하 는 데 에 , 엄밀 한 시간 의 제어 가 필요 하 게 되 는 경우 가 있 다 . 오존 농도 는 , 바람직 하 게 는 5 ∼ 40 ppm 의 범위 이 다 . 오존 의 농도 는 , 보다 바람직 하 게 는 10 ∼ 30 ppm 의 범위 이 다 .