따라서 , 도 16 에 나타낸 바 와 같 은 천이 가 생긴 때 에 는 , 제 2 강제 점 등 처 리부 ( 33 ) 는 , 본래 , 블록 내 의 전 방전 셀 을 흑 표시 에 대응 한 제 1 계조 로 구동 시켜야 하 지만 , 상기 점 등 천 이 셀 을 포함 하 는 인접 방전 셀 각각 중 의 적어도 하나 의 방전 셀 에 대해서 는 , 강제 적 으로 흑 표시 이외 의 계조 ( 예 를 들 면 제 2 계조 ) 에 대응 한 강제 점 등 구동 을 실시 하 도록 하 는 처리 를 실행 한다 ( 스텝 S 21 ) . 즉 , 제 2 강제 점 등 처 리부 ( 33 ) 는 , 이 방전 셀 에 대응 한 화소 구동 데이터 GD 를 제 1 계조 이외 의 계조 에 대응 한 데이터 로 치환 하 게 하 는 지령 ( LS 2 ) 을 발한다 . 이때 , 제 2 강제 점 등 처 리부 ( 33 ) 는 , 점 등 천 이 셀 의 휘도 레벨 이 낮 을수록 , 강제 점 등 구동 을 실시 시키 도록 선정 되 는 방전 셀 의 수 를 적 게 한다 . 예 를 들 면 , 제 2 강제 점 등 처 리부 ( 33 ) 는 , 점 등 천 이 셀 ( 중앙 의 방전 셀 ) 의 휘도 레벨 이 M 1 보다 낮 은 경우 에 는 도 15 A 에 나타낸 바 와 같이 점 등 천 이 셀 만 을 강제 점 등 구동 을 실시 하 도록 하 는 방전 셀 로서 선정 한다 ( 레벨 A 의 강제 점 등 셀 선정 처리 ) . 또 , 제 2 강제 점 등 처 리부 ( 33 ) 는 , 점 등 천 이 셀 의 휘도 레벨 이 M 1 이상 이 지만 M 2 보다 도 낮 은 경우 에 는 , 도 15 B 에 나타낸 바 와 같이 , 점 등 천 이 셀 과 함께 이 점 등 천 이 셀 에 인접 하 는 하나 의 방전 셀 을 , 강제 점 등 구동 을 실시 하 도록 하 는 방전 셀 로서 선정 한다 ( 레벨 B 의 강제 점 등 셀 선정 처리 ) . 또 , 제 2 강제 점 등 처 리부 ( 33 ) 는 , 점 등 천 이 셀 의 휘도 레벨 이 M 2 이상 이 지만 M 3 보다 도 낮 은 경우 에 는 , 도 15 C 에 나타낸 바 와 같이 , 점 등 천 이 셀 과 함께 그 좌우 방향 으로 각각 인접 하 는 2 개 의 방전 셀 을 , 강제 점 등 구동 을 실시 하 도록 하 는 방전 셀 로서 선정 한다 ( 레벨 C 의 강제 점 등 셀 선정 처리 ) . 또 , 제 2 강제 점 등 처 리부 ( 33 ) 는 , 점 등 천 이 셀 의 휘도 레벨 이 M 3 이상 인 경우 에 는 , 도 15 D 에 나타낸 바 와 같이 , 점 등 천 이 셀 과 함께 그 좌우 방향 으로 각각 인접 하 는 2 개 의 방전 셀 과 상 방향 으로 인접 하 는 하나 의 방전 셀 의 합계 4 개 의 방전 셀 을 , 강제 점 등 구동 을 실시 하 도록 하 는 방전 셀 로서 선정 한다 ( 레벨 D 의 강제 점 등 셀 선정 처리 ) .