본 개시 에 따른 메모리 장치 ( 100 ) 는 , 프리 - 프로그램 동작 시 에 공통 소스 라인 에 접 지 전압 을 인가 하 고 , 접지 선택 라인 에 패스 전압 을 인가 하 며 , 워드 라인 에 프리 - 프로그램 전압 을 인가 함 으로써 , 더미 스트링 에 프리 - 프로그램 동작 을 수행 할 수 있 다 . 메모리 장치 ( 100 ) 는 더미 스트링 이 비트 라인 에 연결 되 지 않 아도 , 더미 스트링 에 포함 된 더미 셀 들 을 프리 - 프로그램 할 수 있 다 . 프리 - 프로그램 동작 은 더미 스트링 에 포함 된 더미 셀 들 의 문턱 전압 산포 를 높 아 지 는 방향 으로 이동 시킬 수 있 다 . 더미 스트링 에 대한 프리 - 프로그램 동작 이 소거 동작 이 전 또는 이 후 에 수행 됨 으로써 , 반복 되 는 소거 동작 으로 인하 여 더미 스트링 에 포함 된 더미 셀 들 이 손상 되 는 것 을 방지 할 수 있 다 .