이 와 같이 형성 된 전계 에 의해 처리 가스 는 안테나 에서 전자기장 형태 로 변환 된 RF 전력 으로부터 에너지 를 받 고 이온 과 전자 , 중성자 상태 로 이온 화 되 어 플 라즈 마 를 생성 하 고 이 플 라즈 마가 하부 전극 상 에 탑재 된 반도체 웨이퍼 에 충돌 하 여 웨이퍼 를 식각 한다 . 즉 , 플라 즈 마 상태 에서 는 각종 물질 들 의 반응 상태 가 활발 해져 반도체 의 경우 막 질 을 식각 하 거나 필요 한 막 질 을 증착 하 게 된다 .