본 실시 예 에서 는 HEMT 소자 로서 InP 계 p - HEMT 소자 ( InP - based pseudomorphic high electron mobility transistor device ) 를 예 로써 설명 하 며 , InP 계 p - HEMT 소자 에 대한 상세 한 설명 은 한국 공개 특허 제 2002 - 0049163 호 에 상세히 개시 되 어 있 으므로 설명 을 생략 한다 .