비단 결정 반도체 층 ( 116 ) 은 , 반도체 재료 가스 를 포함 하 는 반응 성 가스 를 전자 에너지 에 의해 분해 하 여 형성 한다 . 반도체 재료 가스 로서 는 , 실란 또는 디 실란 으로 대표 되 는 실리콘 의 수소화물 이 고 , 그 외 실리콘 의 플루오르화물 또는 실리콘 의 염화물 에 의한 가스 를 사용 한다 . 이러 한 반도체 재료 가스 , 또는 반도체 재료 가스 에 수소 , 불활성 가스 를 혼합 하 여 반응 성 가스 로서 사용 한다 . 비단 결정 반도체 층 ( 116 ) 은 , 이 반응 성 가스 를 사용 하 여 , 전자 에너지 로서 , 10 MHz 로부터 200 MHz 의 고주파 전력 을 인가 하 여 박막 을 형성 하 는 플 라즈 마 CVD 장치 에 의해 형성 한다 . 전자 에너지 로서 는 , 고주파 전력 대신 에 1 GHz 로부터 5 GHz , 대표 적 으로 는 2 . 45 GHz 의 마이크로파 전력 을 인가 하 여도 좋 다 . 제 3 불순물 반도체 층 ( 117 ) 및 제 4 불순물 반도체 층 ( 118 ) 도 마찬가지 로 플 라즈 마 CVD 장치 로 형성 되 는 것 이 며 , 상기 한 반응 성 가스 에 , p 형 화 하 는 경우 에 는 불순물 로서 디보란 ( B 2 H 6 ) 을 , n 형 화 하 는 경우 에 는 불순물 로서 포스핀 ( PH 3 ) 을 첨가 하 여 성막 한다 . 비단 결정 반도체 층 ( 116 ) 으로서 , 대표 적 으로 는 비정질 실리콘 층 이 적용 된다 . 비단 결정 반도체 층 ( 116 ) 의 두께 는 50 nm 이상 , 300 nm 이하 , 바람직 하 게 는 100 nm 이상 , 200 nm 이하 로 한다 . 비단 결정 반도체 층 ( 116 ) 으로서 비정질 실리콘 반도체 를 적용 하 는 경우 에 는 , 에너지 갭 이 1 . 75 eV 이 고 , 이 두께 로 함 으로써 , 600 nm 보다 도 짧 은 파장 영역 의 빛 을 흡수 하 여 광전 변환 할 수 있 다 .