이 에 따라 , 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 그래핀 반도체 박막 형성 단계 ( S 130 ) 에서 는 기판 ( 110 ) 이 연성 기판 으로 구비 되 는 경우 , 기판 ( 110 ) 이 경성 기판 으로 구비 되 는 경우 보다 그래핀 산화물 박막 ( 131 ) 에 조사 되 는 극 단파 백색광 의 조사 에너지 를 상대 적 으로 작 게 제어 할 수 있 다 .