본 발명 의 적층 인덕 터 에서 는 , 온도 에 따라 자기 갭 길이 가 변화 한다 . 자기 갭 길이 의 변화 와 자성 체부 의 초 투자 율 의 상대 온도 계수 αμ ir 를 정합 시킴 으로써 인덕턴스 의 온도 변화 를 작 게 할 수 있 다 . 온도 에 의해 자기 갭 길이 가 변화 하 는 본 발명 의 구조 의 경우 , 자성 체부 의 초 투자 율 의 상대 온도 계수 αμ ir 이 + 10 ppm / ℃ 이하 또는 + 40 ppm / ℃ 를 초과 하 면 , 인덕턴스 의 변화 가 크 다 .