배선 구조물 및 그 형성 방법 , 이 를 포함 하 는 반도체 소자 및 그 제조 방법 에서 , 상기 배선 구조물 은 기판 상 에 구비 되 는 제 1 도전 패턴 들 과 , 상기 기판 에서 콘 택 영역 들 과 인접 하 는 제 1 도전 패턴 의 양측 벽 에 구비 되 는 스 페이서 와 , 상기 스 페이서 사이 에 구비 되 고 상기 기판 의 콘 택 영역 들 과 접속 하 는 콘 택 플러그 들 과 , 상기 제 1 도전 패턴 들 상 에 구비 되 는 제 2 도전 패턴 들 및 상기 제 2 도전 패턴 과 동일 한 물질 로 이루어지 고 , 상기 콘 택 플러그 들 상부 면 과 접하 는 제 3 도전 패턴 들 을 포함 한다 . 상기 배선 구조물 은 기판 의 콘 택 영역 과 콘 택 플러그 간 의 미스 얼라인 이 발생 되 지 않 는다 .