일 실시 예 에서 , 패턴 ( 610 ) 은 메모리 셀 을 형성 하 는 데 사용 될 수 있 다 . 대안 적 인 실시 예 들 에서 , 유사 한 설계 단계 들 , 즉 라인 들 의 수직 세트 를 노광 함 으로써 그리드 를 생성 하 는 단계 , 및 결과 적 인 그리드 를 트리밍 하 는 단계 는 , 스택 메모리 기술 ( Stacked Memory technology ) 뿐 만 아니 라 , NAND 및 다른 로직 구성 요소 와 같 은 다른 구조 체 들 을 구현 하 는 데 사용 될 수 있 다 .