본 발명 에 따른 태양 전지 제조 방법 은 도 2 에 도시 된 바 와 같이 , 제 1 반도체 특성 을 가지 는 실리콘 기판 ( 1 ) 의 표면 에 불순물 을 확산 시켜 제 2 반도체 특성 을 가지 는 제 2 반도체 층 ( n 층 ) 을 형성 하 는 도핑 단계 ( S 31 ) 와 ; 기판 ( 1 ) 의 표면 중 수 광면 에 형성 된 제 2 반도체 층 ( n 층 ) 의 일부 를 식각 하 는 제 2 반도체 층 식각 단계 ( S 33 ) 를 포함 한다 .