예 를 들 면 도시 예의 기판 처리 장치 ( 100 ) 는 금속 창 을 구비 한 유도 결합 형 의 플 라즈 마 처리 장치 로서 설명 했 지만 , 금속 창 대신 에 유전체 창 을 구비 한 유도 결합 형 의 플 라즈 마 처리 장치 라도 좋 으며 , 다른 형태 의 플 라즈 마 처리 장치 라도 좋 다 . 구체 적 으로 는 , 전자 사이클로트론 공명 플 라즈 마 ( Electron Cyclotron resonance Plasma ; ECP ) 나 헬리콘 파 여기 플 라즈 마 ( Helicon Wave Plasma ; HWP ) , 평행 평판 플 라즈 마 ( Capacitively coupled Plasma ; CCP ) 를 들 수 있 다 . 또한 , 마이크로파 여기 표면파 플 라즈 마 ( Surface Wave Plasma ; SWP ) 를 들 수 있 다 . 이 들 플 라즈 마 처리 장치 는 , ICP 를 포함 하 고 , 모두 이온 플럭스 와 이온 에너지 를 독립 적 으로 제어 할 수 있 어서 , 에칭 형상 이나 선택 성 을 자유 롭 게 제어 할 수 있 는 동시 에 , 1011 내지 1013 cm - 3 정도 로 높 은 전자 밀도 를 얻 을 수 있 다 .