도 5 a 를 참조 하 면 , 반도체 기판 ( 100 ) 에 활성 영역 ( 120 ) 을 정의 하 는 소자 분리 막 ( 130 ) 을 형성 한다 . 이때 , 소자 분리 막 ( 130 ) 은 STI ( Shallow Trench Isolation ) 공정 을 이용 하 여 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 다음 에 는 , 반도체 기판 ( 100 ) 상부 에 후속 의 공정 에서 게이트 가 형성 되 는 영역 인 게이트 예정 영역 상부 에 게이트 모양 의 제 1 하드 마스크 패턴 ( 180 ) 을 형성 한다 . 이때 , 제 1 하드 마스크 패턴 ( 180 ) 의 CD ( Critical Dimension ) 는 게이트 CD 의 70 ~ 90 % 크기 만큼 작 게 형성 한다 . 바람직 하 게 는 140 ~ 900 Å 의 크기 로 형성 한다 .