도 3 ( B ) 에 나타내 는 바 와 같이 , 포토 리소그래피 법 등 에 의해 형성 된 제 1 포토 마스크 를 사용 하 여 제 1 투명 도전 막 ( 302 ) 및 제 1 금속 막 ( 303 ) 을 습식 에칭 법 또는 건식 에칭 법 에 의해 에칭 하 고 , 도 3 ( C ) 에 나타내 는 바 와 같이 제 1 투명 도전 막 ( 302 ) 을 제 1 투명 도전 층 ( 3021 a , 3022 a , 3021 c ) 으로 , 또한 , 제 1 금속 막 ( 303 ) 을 제 1 금속 층 ( 3031 a , 3032 a , 3031 c ) 으로 형상 가공 한다 . 제 1 투명 도전 층 ( 3022 a ) 은 후 에 FFS 모드 LCD 의 공통 전극 으로서 사용 된다 . 여기 서 다 계조 마스크 를 제 1 포토 마스크 로 하 여 하프 톤 포토 마스크 또는 그레이 톤 포토 마스크 를 사용 한 노광 기술 을 사용 하 여 , 막 두께 에 차 ( 差 ) 를 가지 는 제 1 포토레지스트 ( 304 a , 304 c ) 를 형성 한다 . 제 1 투명 도전 막 ( 302 ) 만 의 패턴 을 형성 하 는 개소 의 포토레지스트 를 , 제 1 투명 도전 막 ( 302 ) 과 제 1 금속 막 ( 303 ) 의 적층 을 잔존 시키 는 개소 의 포토레지스트 보다 도 막 두께 를 얇 게 한다 .