반도체 패키지 는 빛 을 전기 적 신호 로 변환 시키 는 광학 적 액티브 영역 을 구비 한 반도체 다이 를 갖 는다 . 확장 영역 이 반도체 다 이 주위 에 형성 된다 . 관통 홀 비어 ( THV ) 가 상기 확장 영역 에 형성 된다 . 도전 재료 가 THV 에 융 착 된다 . 패 시베이 션 층 이 반도체 다 이 위 에 형성 된다 . 패 시베이 션 층 은 빛 이 반도체 다 이 액티브 영역 으로 통과 하 도록 한다 . 글래스 층 이 패 시베이 션 층 에 인가 된다 . 제 1 RDL 이 THV 및 반도체 다이 접촉 패드 사이 에 전기 적 으로 연결 된다 . 추가 적 인 RDL 이 반도체 다이 의 프론트 및 백사이드 에 형성 된다 . 언더 범프 메 탈라이 제이션 ( UBM ) 이 중간 도전 층 위 에 형성 되 어 그것 과 전기 적 으로 연결 된다 . 솔 더 재료 가 UBM 상 에 융 착 되 고 리플 로우 되 어 솔 더 범프 를 형성 한다 .