" 전기 접촉 구조 체 ( 42 "" 1 - 42 "" 5 ) 의 오 믹 접촉 구조 체 층 ( 42 a ", 42 b , 및 42 c ) 및 전극 접촉 은 , Ti 또는 Ta 의 하부 층 ( 42 a ) ( III 족 - N 반도체 층 ( 36 ) 의 상부 표면 부분 으로 리세 스 될 수 있 는 ) ; 알루미늄 계층 , 여기 서 는 알루미늄 또는 Si 도핑 된 알루미늄 Al 1 - xSix 층 의 중간층 ( 42 b ) ; 및 상기 알루미늄 또는 Si 도핑 된 알루미늄 Al 1 - xSix 층 상 의 탄탈럼 또는 금속 질화물 층 , 여기 서 는 예 를 들 어 탄탈럼 ( Ta ) , 탄탈럼 질화물 ( TaN ) 또는 티타늄 질화물 ( TiN ) 의 상부 층 ( 42 c ) ; 및 전기 전도성 금속 상호 접속 접촉 , 여기 서 는 예 를 들 어 확산 배리어 층 으로 라이닝 되 는 측면 및 하부 를 갖 는 구리 를 갖 는 전극 접촉 ( 541 - 549 ) 을 갖 는 오 믹 접촉 구조 체 ( 42 OC 1 - 42 OC 5 ) 와 도 3 b 와 관련 하 여 상기 기재 되 었 다 . 따라서 , 후 측 가공 과 관련 하 여 , 하 기 에 더욱 기재 되 는 바 와 같이 , 이 양태 에서 , 절연 된 에칭 저지 층 ( 42 ES ) 이 존재 하 지 않 고 ( 도 2 a - 2 u 와 관련 하 여 상기 기재 되 는 ) ; 대신 이 양태 에서 비아 ( 90 ) ( 도 6 c ) 를 형성 하 기 위해 사용 되 는 불소 화학 에칭 제 때문 에 , 에칭 저지 층 은 층 ( 42 b ) , " 여기 서 는 예 를 들 어 알루미늄 ( 또는 전기 접촉 구조 체 ( 42 "") 의 Si 도핑 된 알루미늄 Al 1 - xSix ) 에 의해 제공 되 는 것 을 주목 한다 . "