도 18 을 참조 하 면 , 게이트 간 절연 층 ( 192 ) 상 에 매립 절연 층 ( 250 ) 을 형성 하 고 , 매립 절연 층 ( 250 ) 상 에 마스크 패턴 ( 도시 생략 ) 을 형성 한 후 상기 마스크 패턴 을 식각 마스크 로 사용 하 여 개구부 ( 250 H ) 를 형성 할 수 있 다 . 매립 절연 층 ( 250 ) 은 TEOS 막 , 또는 약 2 . 2 ~ 2 . 4 의 초저 유전 상수 를 가지 는 ULK ( ultra low K ) 막 으로 이루어질 수 있 다 . 상기 ULK 막 은 SiOC 막 또는 SiCOH 막 을 포함 할 수 있 다 .