상부 층간 절 연막 ( 293 ) 을 사진 식각 공정 을 통해 부분 적 으로 식각 하 여 상부 층간 절 연막 ( 293 ) 에 상부 전극 ( 290 ) 을 노출 시키 는 상부 콘 택 홀 ( 도시 되 지 않 음 ) 을 형성 한다 . 상기 상부 콘 택 홀 을 채우 면서 노출 된 상부 전극 ( 290 ) 과 상부 층간 절 연막 ( 293 ) 상 에 상부 패드 ( 296 ) 및 상부 배선 ( 299 ) 을 형성 한다 . 상부 패드 ( 296 ) 와 상 부 배선 ( 299 ) 은 불순물 로 도핑 된 폴리 실리콘 , 금속 또는 도전 성 금속 질화물 을 사용 하 여 형성 된다 . 상부 배선 ( 296 ) 및 상부 패드 ( 299 ) 는 스퍼터링 공정 , 화학 기상 증착 공정 , 원자 층 적층 공정 , 전자 빔 증착 공정 또는 펄스 레이저 증착 공정 을 이용 하 여 형성 된다 . 본 발명 의 일 실시 예 에 따르 면 , 상부 패드 ( 296 ) 와 상부 배선 ( 299 ) 은 일체 로 형성 된다 . 본 발명 의 다른 실시 예 에 있 어서 , 상기 상부 콘 택 홀 을 채우 는 상부 패드 ( 296 ) 를 먼저 형성 한 후 , 상부 패드 ( 296 ) 와 상부 층간 절 연막 ( 293 ) 상 에 상부 배선 ( 299 ) 을 형성 할 수 있 다 .