도 3 에 도시 한 바 와 같이 제 1 플 라즈 마 토치 ( 20 ) 는 내부 전극 ( 28 ) , 접지 된 가스 도입 관 ( 23 ) 과 외부 전극 ( 22 ) 사이 에 고주파 전력 을 통전 함 으로써 가스 도입 관 ( 23 ) 으로부터 도입 된 가스 를 플 라즈 마 화 하 고 , 플 라즈 마 화 한 가스 를 선 단부 ( 21 ) 의 개구 로부터 기판 ( 41 ) 과 기판 상 에 부착 되 어 있 는 반도체 칩 ( 42 ) 을 향하 여 조사 한다 . 도 3 중 의 크로스 해칭 한 영역 은 플 라즈 마 화 한 가스 의 분출 류 ( 26 ) 를 나타낸다 . 도 3 에 도시 한 바 와 같이 선 단부 ( 21 ) 로부터 분출 된 플 라즈 마 화 한 가스 의 분출 류 ( 26 ) 는 기판 ( 41 ) 과 반도체 칩 ( 42 ) 을 향하 여 퍼지 도록 분출 되 어 , 반도체 칩 ( 42 ) 의 표면 에 형성 되 어 있 는 패드 ( 43 ) 와 기판 ( 41 ) 상 에 형성 되 어 있 는 전극 ( 44 ) 의 본딩 하 는 영역 을 커버 하 고 있 다 . 이 때문 에 , 기판 ( 41 ) 을 세정 위치 ( 27 ) 에 정지 시키 고 , 제 1 플 라즈 마 토치 ( 20 ) 에 의해 플 라즈 마 화 한 가스 를 조사 하 면 , 반도체 칩 ( 42 ) 의 각 패드 ( 43 ) 와 기판 ( 41 ) 의 각 전극 ( 44 ) 을 동시 에 표면 처리 할 수 있 다 . 본 실시 형태 에서 는 제 1 플 라즈 마 토치 ( 20 ) 는 1 개 로 각 패드 ( 43 ) 와 전극 ( 44 ) 을 커버 하 는 것 으로 하 여 설명 했 지만 , 제 1 플 라즈 마 토치 ( 20 ) 를 복수 개 설치 하 도록 해도 되 고 , 제 1 플 라즈 마 토치 ( 20 ) 로부터 플 라즈 마 화 한 가스 를 기판 ( 41 ) , 반도체 칩 ( 42 ) 을 향하 여 조사 한 상태 에서 기판 ( 41 ) 을 이동 시켜 각 패드 ( 43 ) , 전극 ( 44 ) 의 표면 처리 를 행하 도록 구성 해도 된다 .