본 발명 의 일 실시 예 에 따른 상기 제 3 - 2 서브 화소 ( PXL 3 ) 는 상기 기판 ( SUB ) 상 에 제공 된 절연 층 , 화소 정의 막 ( PDL ) , 상기 박막 트랜지스터 ( TFT ) , 상기 발광 소자 ( OLED ) , 및 봉지 부재 ( SLM ) 를 포함 할 수 있 다 . 여기 서 , 상기 박막 트랜지스터 ( TFT ) 는 액티브 패턴 ( ACT ) , 게이트 전극 ( GE ) , 소스 전극 ( SE ) , 및 드레 인 전극 ( DE ) 을 포함 할 수 있 다 . 상기 절연 층 은 버퍼 층 ( BFL ) , 게이트 절 연막 ( GI ) , 제 1 층간 절 연막 ( ILD 1 ) , 및 보호 층 ( PSV ) 를 포함 할 수 있 다 . 상기 발광 소자 ( OLED ) 는 상기 제 1 - 3 전극 ( AD 3 ) , 상기 제 2 전극 ( CD ) , 및 상기 제 1 - 3 전극 ( AD 3 ) 과 상기 제 2 전극 ( CD ) 사이 에 제공 된 상기 제 3 발광 층 ( EML 3 ) 을 포함 할 수 있 다 .