한편 , 도 2 의 디램 에서 제 1 및 제 2 돌출부 ( 210 a , 210 b ) 와 제 1 내지 제 3 게이트 ( 220 a ∼ 220 c ) 가 하나 의 셀 을 구성 하 는 경우 , 동일 한 데이터 가 저장 된 제 1 및 제 2 채널 바디 ( C 1 , C 2 ) 로부터 읽 기 센싱 ( sensing ) 이 이루어지 기 때문 에 , 한 셀 에 대한 드레 인 전류 차 ( Δ Id ) , 즉 , 센싱 마진 ( sensing margin ) 이 도 5 의 두 배 가 될 수 있 다 . 이러 한 센싱 마진 은 종래 의 커패시터 리스 디램 의 그것 보다 큰 값 이 다 .