본 발명 은 탄소 나노 튜브 기재 전계 효과 트랜지스터 ( CNTFET ) 를 위한 수직 디바이스 의 기하학 적 구조 를 제공 한다 . 일 구체 예 에서 , 트랜지스터 는 단일 벽 탄소 나노 튜브 를 갖 는다 . 본 특허 는 하나 또는 다수 의 탄소 나노 튜브 를 갖 는 트랜지스터 부분 에 대한 단면도 를 기술 하 고 , 이 를 제공 한다 . 특정 실행 예 에서 , 파워 트랜지스터 또는 다수 의 탄소 나노 튜브 를 포함 하 는 비교 적 크기 가 큰 트랜지스터 디바이스 는 , 기술 된 다수 의 트랜지스터 부분 을 사용 함 으로써 형성 된다 . 전극 은 함께 평행 하 게 또는 연속 적 으로 함께 전기 적 으로 접속 되 거나 , 다르 게 는 서로 단락 되 어 ( shorted ) 트랜지스터 부분 이 단일 트랜지스터 로서 작용 한다 .