또한 , 고 선택 비 슬러리 조성물 만 을 사용 하 는 경우 에 는 산화 막 과 같 은 절 연막 의 연마 속도 가 낮 아 상변화 물질 층 패턴 의 상부 에 두꺼운 표면 산화 막 이 형성 되 고 상변화 물질 층 내부 로 산소 가 확산 되 어 상전이 에 관련 되 는 전기 적 특성 이 저하 될 수 있 다 . 그러나 본 발명 의 실시 예 들 에 따른 상변화 물질 층 의 형성 방법 에서 는 , 산화 막 의 제거 속도 가 상대 적 으로 빠른 저 선택 비 슬러리 조성물 을 이용 하 여 제 2 연마 공정 을 추가 적 으로 수행 함 으로써 , 제 1 연마 공정 에서 형성 된 상변화 물질 층 상부 의 표면 산화 막 을 제거 하 는 동시 에 표면 산화 막 의 형성 을 효과 적 으로 억제 할 수 있 다 . 이 에 따라 , 표면 산화 막 의 형성 에 따른 상변화 물질 층 의 전기 적 특성 의 저하 및 상변화 메모리 장치 의 불량 발생 을 크 게 감소 시킬 수 있 다 .