한 가지 구체 예 에서 , 이트륨 금속 기판 은 약 700 ℃ 내지 약 1050 ℃ 범위 의 최대 온도 로 신속 하 게 가열 된다 ( 예 를 들 어 약 25 ℃/ min 의 속도 이 지만 , 이 에 제한 되 지 않 는다 ) . 그 다음 제작 되 는 부품 부분 은 큰 결정립 결정 이 성장 하 는 동안 의 시간 동안 최대 온도 에서 유지 된다 . 이러 한 시간 은 더 작 은 결정립 이트륨 옥사이드 결정 이 성장 하 는 동안 의 시간 의 약 1 % 내지 약 5 % 의 길이 의 범위 이 다 . 결정 형성 의 메카 니즘 으로 인해 , 더 작 은 결정 이 더 큰 결정 밑 에서 성장 하 며 , 이 는 본원 에서 후속 하 여 기재 된다 . 온도 가 감소 하 는 동안 형성 되 는 이트륨 옥사이드 의 더 작 은 결정립 결정 은 온도 가 약 400 ℃ 에 도달 할 때 까지 , 공정 온도 가 감소 함 에 따라 점진 적 으로 더 작아진다 . 더 낮 은 온도 에서 , 이트륨 옥사이드 결정 성장 은 극히 느리 다 .