비어 들 또는 개구 들 이 , 레이저 드릴 닝 또는 딥 반응 성 이온 에칭 ( deep reactive ion etching , DRIE ) 에 의해 반도체 웨이퍼 의 액티브 표면 에 형성 된다 . 포토 비어 들 이 포토레지스트 부착 층 이 인가 되 는 경우 에 형성 될 수 있 다 . 웨이퍼 는 보호 층 이 다 이싱 테이프 를 향해 아래 로 위치 되 도록 놓이 고 다 이싱 블 래이 드 ( dicing blade ) 로 절삭 된다 . 픽 앤 플래이스 ( pick and place ) 공구 가 예비 - 인가 된 보호 층 을 구비 한 개별 적 인 다이 를 제거 하 고 그 다이 를 금속 캐리어 ( 40 ) 상 에 위치 시킨다 .