그런데 , 가까운 미래 에 근거리 광통 신 시장 이 활성 화 될 경우 수신기 수요 가 크 게 증가 할 것 이 다 . 이 에 따라 , 근거리 광 통신 에 이용 되 는 저 가 형 수신기 제작 에 유리 한 저속 의 도파 로 형 p - i - n 포토다이오드 의 수요 역시 크 게 증가 할 것 이 확실 하 다 . 상기 저속 의 도파 로 형 p - i - n 포토다이오드 의 상용 화 에 있 어 필수 요소 는 높 은 반응 계수 ( high responsivity ) , 단일 모드 광섬유 와 의 높 은 결합 계수 ( high coupling coefficient ) 및 높 은 정렬 유격 ( alignment tolerance ) , 및 낮 은 패키지 비용 을 들 수 있 다 .