이때 , 상기 제 1 공진 부 ( 161 a ) 와 상기 제 1 전도체 ( 123 ) 가 배치 되 는 y 축 방향 으로 의 직선 거리 , 다시 말 해서 상기 제 1 공진 부 ( 161 a ) 와 상기 제 1 전도체 ( 123 ) 가 배치 되 는 제 1 렌즈 어셈블리 ( 120 ) 의 하 면 사이 에 는 제 1 거리 ( G ) 만큼 의 갭 이 존재 한다 . 이때 , 상기 제 1 거리 ( G ) 에 따라 상기 제 1 공진 부 ( 161 a ) 의 인덕턴스 변화 폭 에 차이 가 발생 한다 . 여기 에서 , 인덕턴스 변화 폭 은 제 1 전도체 ( 123 ) 가 제 1 위치 에서 제 2 위치 로 이동하 는 경우 에서 의 제 1 공진 부 ( 161 a ) 의 인덕턴스 변화 량 을 의미 할 수 있 다 . 이때 , 상기 제 1 거리 ( G ) 가 작 을수록 상기 인덕턴스 변화 량 이 커짐 에 따라 보다 정확 한 위치 감지 가 가능 하 다는 것 을 확인 할 수 있 었 으며 , 상기 제 1 거리 ( G ) 가 커질수록 상기 인덕턴스 변화 량 도 작 아 짐 에 따라 정확 한 위치 감지 가 어려운 것 을 확인 할 수 있 었 다 .