도 5 내지 도 6 을 참조 하 면 , 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 사출 형성 에 의해 가스켓 이 부착 된 두 개 의 금속 분리 판 을 적층 되 어 금속 분리 판 어셈블리 를 형성 된다 . 금속 분리 판 ( 100 ) 의 양면 에 부착 된다 . 금속 분리 판 ( 100 ) 의 냉각수 면 에 부착 되 는 가스켓 은 내측 단 ( 200 a ) , 외측 단 ( 200 b ) 및 중간부 ( 200 c ) 를 구비 하 며 , 금속 분리 판 ( 100 ) 의 반응 가스 면 에 부착 되 는 가스켓 ( 200 d ) 은 평평 한 형상 으로 냉각수 면 에 부착 되 는 가스켓 과 일체 로 사출 성 형 된다 . 가스켓 ( 200 ) 의 내측 단 ( 200 a ) 과 외측 단 ( 200 b ) 은 양측 으로 돌출 되 어 , 중간부 ( 200 c ) 보다 더 두껍 게 형성 된다 . 내측 단 ( 200 a ) 은 금속 분리 판 ( 100 ) 을 감싸 고 있 고 , 외측 단 ( 200 b ) 은 중간부 ( 200 c ) 보다 더 두껍 기 때문 에 , 높 은 체결 압 하 에서 금속 분리 판 ( 100 ) 에 의해 구속 되 어 내측 단 ( 200 a ) 및 외측 단 ( 200 b ) 이 원래 위치 를 이탈 하 여 중간부 ( 200 c ) 의 위치 로 이동 할 수 없 다 .