예 를 들 어 본 실시 예 에서 는 방사선원 ( 10 ) 상 에 예컨대 변환기 소형 플레이트 로서 형성 된 제 2 변환 소자 ( 32 ) 가 배치 되 어 있 음 으로써 , 결과 적 으로 는 상기 방사선원 ( 10 ) 근처 에서 도 변환 ( chip - level conversion ) 이 이루어지 게 된다 . 상기 제 2 변환 소자 ( 32 ) 는 다수 의 방사선원 ( 10 ) 을 위해서 도 존재 할 수 있 다 . 본 출원 서 의 다른 실시 예 들 에서 도 유사 하 게 하나 또는 다수 의 제 2 변환 소자 가 존재 할 수 있 다 . 예 를 들 어 백색 을 방출 하 는 컴포넌트 ( 1 ) 를 얻 기 위해서 는 , 청색 스펙트럼 범위 안 에서 방출 작용 을 하 는 방사선원 ( 10 ) , 예컨대 InGaN 을 포함 하 는 LED 가 적색 스펙트럼 범위 안 에서 방출 작용 을 하 는 변환기 재료 를 함유 하 는 제 2 변환 소자 ( 32 ) ( chip - level conversion ) 와 그리고 변환 소자 ( 31 ) ( remote phosphor conversion ) 내부 에서 녹색 및 적색 스펙트럼 범위 안 에서 방출 작용 을 하 는 변환기 재료 들 로 구성 된 혼합물 과 하나 의 컴포넌트 ( 1 ) 내부 에서 조합 될 수 있 다 .