다음 으로 , 하측 게이트 전극 ( 14 a ) 의 트랜지스터 의 채널 영역 으로 되 어야 할 부분 에 대응 하 여 희생 층 ( 16 ) 을 수 ㎚ 내지 100 ㎚ 정도 의 막 두께 로 형성 한다 . 희생 층 ( 16 ) 은 나중 에 제거 된다 . 희생 층 ( 16 ) 은 예 를 들 어 액 적 토출 법 에 의해 수지 를 해당 부분 에 도포 함 으로써 형성 할 수 있 다 .