또한 , 본 발명 에 따른 희생 인듐 층 을 사용 하 여 백금 나노 구조 를 생성 하 는 방법 은 , 종래 순수 하 게 백금 ( Pt ) 박막 을 가지 는 기판 에 대한 디 웨 팅 공정 과 비교 하 여 , 희생 인듐 ( In ) 층 을 사용 하 는 변형 된 고체 상태 디 웨 팅 ( Altered Solid State Dewetting , ASSD ) 공정 을 통해 디 웨 팅 공정 의 효율 을 극대 화 할 수 있 다 .