일부 실시 예 들 에서 는 , p - 타입 콘택트 층 ( 28 ) 및 반사 금속 ( 30 ) 의 일부 를 나타내 는 도 6 에 도시 된 바 와 같이 , 작 은 콘택트 영역 들 및 유전체 미러 ( dielectric mirror ) 의 조합 이 p - 콘택트 층 ( 28 ) 과 반사 금속 ( 30 ) 사이 에 배치 될 수 있 다 . 예 를 들 면 , AuZn 과 같 은 합금 금속 의 작 은 도트 들 이 Al 2 O 3 와 같 은 비 전도성 산화물 들 ( 52 ) 에 의해 둘러싸여 , p - 콘택트 층 ( 28 ) 에 패 터닝 될 수 있 다 . 그 구조 는 고농도 로 도핑 된 반도체 도트 들 ( 50 ) 을 형성 하 기 위해 AuZn 도 펀트 들 을 반도체 안 으로 확산 시키 기 위해 어닐링 되 고 , 그 후 남 아 있 는 AuZn 금속 은 벗겨진다 . Ag 와 같 은 반사 금속 ( 30 ) 이 유전체 ( 52 ) 및 고농도 로 도핑 된 반도체 도트 들 ( 50 ) 위 에 형성 된다 . 이 예 에서 , AuZn 의 확산 에 노출 된 작 은 영역 들 ( 54 ) 은 전기 접촉 을 제공 하 고 , 유전체 ( 52 ) / 반사 금속 ( 30 ) 에 의해 커버 되 는 더 큰 비율 의 영역 은 높 은 반사율 의 표면 을 제공 한다 . ( 도 3 에 도시 된 ) p - 타입 층 ( 26 ) 은 ( 도 6 에 도시 된 ) 고농도 로 도핑 된 반도체 도트 들 ( 50 ) 으로부터 의 양호 한 충분 한 측면 전류 분포 를 제공 하 기 위해 1 ㎛ 내지 3 ㎛ 사이 의 두께 일 수 있 다 . 도 6 에 도시 된 콘택트 설계 에서 는 , AuZn 확산 된 영역 들 로부터 의 광 흡수 가 최소 화 되 기 때문 에 , 콘택트 는 유전체 / 금속 영역 들 로부터 적당히 양호 한 반사 율 을 갖 는다 .