다중 상태 또는 다중 레벨 EEPROM 메모리 셀 ( multi - state or multi - level EEPROM memory cell ) 에 있 어서 , 전도 윈도우 는 2 개 이상 의 영역 으로 1 개 이상 의 중 단점 에 의해 분배 되 어 각 셀 은 1 비트 이상 의 데이터 를 저장 할 수 있 다 . 그러므로 , 주어진 EEPROM 어레이 가 저장 할 수 있 는 정보 는 각 셀 이 저장 할 수 있 는 상태 의 수 를 증가 시킨다 . 다중 상태 또는 다중 레벨 메모리 셀 을 갖 는 EEPROM 또는 플래시 EEPROM 이 미국 특허 제 5 , 172 , 338 호 에 기술 되 어 있 다 .