상기 에 논의 된 바 와 같이 , 반도체 디바이스 의 실제 적 인 사실 은 , 상이 한 디바이스 들 이 그 들 이 같 은 디바이스 라 간주 되 어도 상이 한 특성 들 을 나타낼 수 있 다는 것 이 다 . 예 를 들 어 , 도 2 는 다른 반도체 디바이스 ( 200 ) 부분 의 상면 도 이 다 . 반도체 디바이스 ( 200 ) 는 도 1 의 디바이스 ( 100 ) 와 상이 한 제조자 에 의하 여 제공 되 지만 , 도 1 에 도시 된 반도체 디바이스 ( 100 ) 와 와이어 본딩 기계 의 관점 에서 같 은 디바이스 라고 간주 된다 . 반도체 디바이스 ( 100 ) 의 본드 패드 들 과 유사 하 게 , 반도체 디바이스 ( 200 ) 는 본드 패드 들 ( 200 a , 200 b , 200 c , 200 d , 200 e , 200 f , 200 g , 200 h , 200 i , 200 j , 200 k , 200 l , 200 m ) 과 같 은 많 은 본드 패드 들 을 포함 한다 . 또한 , 반도체 디바이스 ( 100 ) 의 회로 영역 들 ( 102 , 104 ) 과 유사 하 게 , 반도체 디바이스 ( 200 ) 는 회로 영역 들 ( 202 , 204 ) 을 포함 한다 . 비전 시스템 의 견지 에서 , 반도체 디바이스 ( 100 ) 의 회로 영역 들 ( 102 , 104 ) 은 공통 의 물리 적 인 외관 을 가지 는 단일 의 요소 들 또는 영역 들 로 보인다 . 그러나 , 두 디바이스 들 ( 즉 , 디바이스 100 과 200 ) 의 표면 에서 의 편차 들 때문 에 같 은 비전 시스템 은 반도체 디바이스 ( 200 ) 의 회로 영역 들 ( 202 , 204 ) 을 많 은 이산 부분 들 을 포함 하 는 것 으로 볼 수 있 다 . 예 를 들 어 , 도 2 에 보여 지 는 바 와 같 이 , 회로 영역 ( 202 ) 은 특히 부분 들 ( 202 a , 202 b , 202 c ) 을 포함 하 는 것 으로 보여진다 . 유사 하 게 , 회로 영역 ( 204 ) 은 특히 부분 들 ( 204 a , 204 b , 204 c ) 을 포함 한다 .