도 2 f 에 도시 된 바 와 같이 , 하드 마스크 패턴 ( 23 A ) 과 스 페이서 ( 25 ) 를 제거 한 다 . 이때 , 하드 마스크 패턴 ( 23 A ) 과 스 페이서 ( 25 ) 가 질화 막 이 므로 , 절 연막 ( 22 ) 의 손실 없이 선택 적 으로 제거 할 수 있 다 . 일예 로 , 인산 용액 을 이용 한 습식 식각 또는 CF 계 가스 ( 예 , CF 4 ) 를 이용 한 건 식식 각 을 진행할 수 있 다 .