도 13 a 를 참조 하 면 , 기판 상 에 식각 대상 막 을 형성 하 고 , 상기 식각 대상 막 상 에 예비 하드 마스크 패턴 ( 304 ') 을 형성 한다 . 상기 예비 하드 마스크 패턴 ( 304 ') 은 상기 식각 대상 막 과 식각 선택 비 가 높 은 물질 로 형성 한다 . 일 예 로 , 상기 예비 하드 마스크 패턴 ( 304 ') 은 실리콘 질화물 , 실리콘 산질 화 막 또는 폴리 실리콘 으로 형성 될 수 있 다 .