도 8 은 도 1 에서 표현 된 스위칭 모듈 ( 10 ) 의 수정 을 예시 한다 . 반도체 스위칭 엘리먼트 ( 13 ) 에 부가 적 으로 , 제 어 가능 반도체 스위칭 엘리먼트 ( 13 ) 와 의 역 - 직렬 어 레인지 먼 트 로 추가 반도체 스위칭 엘리먼트 ( 16 ) 가 상호 연결 된다 . 제 어 가능 반도체 스위칭 엘리먼트 ( 13 ) 와 추가 제어 가능 반도체 스위칭 엘리먼트 ( 16 ) 는 동일 한 유형 , 예컨대 IGBT 들 일 수 있 다 . 이러 한 양방향 으로 동작 가능 한 스위칭 모듈 ( 10 ) 의 성능 은 도 1 로부터 의 스위칭 모듈 의 성능 에 대응 한다 . 도 8 에서 예시 된 양방향 스위칭 모듈 ( 10 ) 에서 , 전류 플럭스 는 방향 들 둘 모두 로 배향 될 수 있 다 . 따라서 , 전도 의 경우 에 , 2 개 의 제어 가능 반도체 스위칭 엘리먼트 들 ( 13 , 16 ) 중 하나 는 전 도 상태 로 스위칭 되 고 , 다른 하나 는 차단 상태 로 스위칭 된다 . 전류 플럭스 는 개개 의 역 - 병렬 ( anti - parallel ) 로 연결 된 다이오드 ( 17 또는 18 ) 를 통해 유지 된다 .