또한 , 산화물 반도체 층 ( 144 ) 중 의 수분 또는 수소 를 이탈 시킨 후 의 산소 첨가 는 , 산소 분위기 하 에서 산화물 반도체 층 ( 144 ) 에 가열 처리 를 가함 으로써 행하 여도 좋 다 . 가열 처리 의 온도 는 , 예 를 들 면 100 ℃ 이상 350 ℃ 미만 , 바람직 하 게 는 150 ℃ 이상 250 ℃ 미만 에서 실시 한다 . 상기 산소 분위기 하의 가열 처리 에 이용 되 는 산소 가스 에 는 , 물 , 수소 등 이 포함 되 지 않 는 것 이 바람직 하 다 . 또는 , 가열 처리 장치 에 도입 하 는 산소 가스 의 순도 를 , 6 N ( 99 . 9999 %) 이상 , 바람직 하 게 는 7 N ( 99 . 99999 %) 이상 , ( 즉 산소 중 의 불순물 농도 를 1 ppm 이하 , 바람직 하 게 는 0 . 1 ppm 이하 ) 로 하 는 것 이 바람직 하 다 .