그 다음 에 는 , 제 1 활성 영역 및 제 2 활성 영역 에 각각 불순물 이온 주입 공정 을 수행 하 여 소스 / 드레 인 영역 을 형성 한다 . 이때 , 제 1 활성 영역 에 는 P 형 불순물 이온 을 주입 하 고 , 제 2 활성 영역 에 는 N 형 불순물 이온 을 주입 하 여 제 1 활성 영역 상부 에 는 피모 오스 ( PMOS ) 트랜지스터 가 형성 되 도록 하 고 , 제 2 활성 영역 에 는 엔 모 오스 ( NMOS ) 트랜지스터 가 형성 되 도록 한다 .