Chatty 등 의 미국 특허 공개 공보 2009 / 0278201 은 SOI 웨이퍼 상 의 변형 된 채널 MOSFET 소자 를 개시 한다 . 출발점 은 기판 상 의 매립 실리콘 산화물 층 ( BOX ) , 그 상부 의 실리콘 질화물 층 및 MOSFET 이 구성 되 는 표면 활성 실리콘 층 을 갖 는 웨이퍼 이 다 . 이러 한 실리콘 질화물 층 은 200 MPa 의 최대 크기 까지 의 압축 또는 인장 응력 상태 에서 증착 될 수 있 다 . 이러 한 출발점 으로부터 , 분리 트렌치 가 활성 실리콘 층 및 그 하부 의 실리콘 질화물 층 을 관통 하 여 절단 되 나 , BOX 에서 중지 된다 . 그 후 활성 층 내 의 소스 및 드레 인 실리콘 의 일부 가 제거 되 고 압축 또는 인장 응력 받 은 물질 ( 예컨대 , 실리콘 게르마늄 또는 실리콘 : 탄소 각각 ) 으로 대체 되 고 이 에 따라 MOSFET 의 채널 영역 에서 세로 방향 압축 또는 인장 변형 을 유발 한다 . 실리콘 질화물 층 의 에지 이완 및 확장 으로부터 채널 영역 의 상당 한 변형 을 획득 하 는 대신 에 , Chatty 공개 공보 에서 , " 채널 영역 내 변형 을 유발 하 는 주 된 방법 은 공지 된 "" 내장 형 소스 / 드레 인 응력 기 ( embedded source / drain stressor ) "" 방법 이 다 . Chatty 공개 공보 는 보강재 ( stiffener ) 로서 매립 실리콘 질화물 층 을 사용 하 는 것 에 중점 을 두 며 ", 상기 보강재 에 대하 여 소스 / 드레 인 영역 에서 내장 형 응력 기 의 힘 이 작용 하 여 채널 영역 내 원 하 는 변형 을 생성 시킬 수 있 다 . 상기 공개 공보 에 의하 면 , 소스 / 드레 인 내장 형 응력 기 가 존재 하 지 않 는 경우 , 측정치 는 ( 1 ) 실리콘 질화물 보강 층 이 존재 하 거나 또는 ( 2 ) 실리콘 질화물 응력 기 가 존재 하 지 않 는 경우 , 채널 내 응력 의 차이 가 없 음 을 나타낸다 . 따라서 , Chatty 공개 공보 는 매립 실리콘 질화물 응력 기 와 함께 에지 이완 을 사용 하 여 채널 내 응력 을 유발 하 기 위한 시도 를 하 지 않 았 음 이 명백 하 다 .