도 1 의 동작 104 는 실리콘 옥사이드 및 실리콘 나이트 라이드 를 갖 는 기판 이 표면 상 에 단일 - NHx 기 들 을 갖 는 실리콘 나이트 라이드 표면 들 을 이미 갖 는다면 선택 가능 하 다 . 예 를 들 어 , 실리콘 나이트 라이드 가 500 ℃ 보다 고온 에서 CVD 를 사용 하 여 이전 에 증착 되 었 다면 , 이 기법 및 이 들 고온 들 을 사용 하 여 증착 된 실리콘 나이트 라이드 가 도 2 a 에 도시 된 바 와 같 은 다이 머들 을 형성 하 는 것 보다 실리콘 나이트 라이드 재료 의 표면 상 에 단일 NH 기 들 을 산출 하 기 보다 쉽 기 때문 에 , 동작 104 는 선택 가능 하 다 .