그리고 , 상기 산화물 반도체 는 전자 공 여체 ( 도너 ) 가 될 수 있 는 수분 또는 수소 등 의 불순물 농도 가 저감 된 i 형 ( 진성 반도체 ) 또는 i 형 과 극히 비슷 한 산화물 반도체 ( purified OS ) 인 것 이 바람직 하 다 . 구체 적 으로 는 , 상기 산화물 반도체 는 2 차 이온 질량 분석법 ( SIMS : Secondary Ion Mass Spectroscopy ) 으로 측정 되 는 수소 농도 의 측정 값 이 5 × 1019 ( atoms / cm 3 ) 이하 , 바람직 하 게 는 , 5 × 1018 ( atoms / cm 3 ) 이하 , 더 바람직 하 게 는 , 5 × 1017 ( atoms / cm 3 ) 이하 다 . 또한 , 홀 효과 측정 에 의하 여 측정 할 수 있 는 상기 산화물 반도체 의 캐리어 밀도 는 1 × 1014 / cm 3 미 만 , 바람직 하 게 는 , 1 × 1012 / cm 3 미 만 , 더 바람직 하 게 는 , 1 × 1011 / cm 3 미만 이 다 . 또한 , 산화물 반도체 의 밴드 갭 은 2 eV 이상 , 바람직 하 게 는 , 2 . 5 eV 이상 , 더 바람직 하 게 는 3 eV 이상 이 다 .