도 2 l 는 제조 공정 중 , 제조 후기 단계 의 반도체 디바이스 ( 100 ) 를 도시 한 것 이 다 . 도 2 l 에 도시 된 예 에서 , 캐리어 ( 10 ) 를 제거 하 여 서브 스트레이트 ( 110 ) 의 하 면 ( 110 y ) 을 외부 로 노출 시킬 수 있 다 . 캐리어 ( 10 ) 가 제거 되 면 서브 스트레이트 ( 110 ) 의 하 면 ( 110 y ) 을 통해 UBM ( 111 ) 과 패 시베이 션 층 ( 112 ) 이 외부 로 노출 될 수 있 다 . 캐리어 ( 10 ) 의 제거 는 통상 의 그라인딩 , 화학 적 식각 공정 등 에 의해 제거 되 거나 , 자외선 이나 레이저 등 을 통한 릴리스 ( release ) 방식 에 의해 제거 될 수 있 다 .