한편 , CMP 용 슬러리 조성물 은 기판 연 마면 의 평탄 도 에 중요 한 영향 을 미친다 . 특히 산화 세륨 슬러리 는 기판 의 중앙부 가 많이 연마 되 고 가장 자리 는 상대 적 으로 적 게 연마 되 는 센터 - 패스트 ( Center - fast ) 형 연마 특성 을 가진다 . 예 를 들 면 , STI ( Shallow Trench Isolation ) 형성 공정 에서 산화 규소 막 을 연마 할 때 기판 중앙부 가 많이 연마 되 면서 디싱 ( Dishing ) 및 에로 젼 ( Erosion ) 이 증가 하 고 웨이퍼 내 두께 산포 가 커져 생산 수율 을 감소 시키 게 된다 . 종래 에 는 고 선택 성 을 가진 연마 조성물 을 사용 하 여 질화규소 막 과 같 은 연마 정지 막 ( stopping layer ) 을 사용 해서 이러 한 문제점 을 극복 해 왔 지만 소자 가 고집 적 화 됨 에 따라 기판 의 센터 ( center ) 와 에지 ( edge ) 의 연마 량 불 균일 에 의한 기판 내 의 공정 산포 불량 이 해결 해야 할 과제 로 대두 되 었 다 .