상기 발광 소자 의 제조 방법 은 상기 투광 성 전극 ( 405 ) 을 형성 하 는 단계 를 포함 할 수 있 다 . 상기 투광 성 전극 ( 405 ) 을 형성 하 는 단계 는 캐리어 주입 을 효율 적 으로 할 수 있 도록 상기 제 2 도전 형 반도체 층 ( 330 ) 상 에 단일 금속 또는 금속 합금 , 금속 산화물 등 을 다중 으로 적층 하 여 형성 하 는 단계 일 수 있 다 . 상기 투광 성 전극 ( 405 ) 은 반도체 와 전기 적 인 접촉 인 우수 한 물질 로 형성 될 수 있 다 . 또한 , 상기 투광 성 전극 ( 405 ) 은 반사 전극 으로 형성 할 수 있 다 .