도 30 은 여기 의 실시 형태 들 에 따른 3 칩 메모리 스택 을 형성 하 기 위한 칩 ( 2805 ) 의 다 중축 오프셋 에 대한 상 면도 를 도시 하 는 예시 적 인 도면 이 다 . 예 를 들 어 , 칩 ( 2805 - 3 ) 및 칩 ( 2805 - 2 ) 은 ( 도 29 에 대해 전술 한 바 와 같이 ) 메모리 스택 의 예시 적 인 상면 부분 을 형성 하 고 , 칩 ( 2805 - 2 ; 제 2 칩 층 ) 의 출력 부 는 연속 적 메모리 디바이스 칩 ( 2805 - 3 ; 제 3 칩 층 ) 의 입력 부 에 접속 된다 . 따라서 , 임의 의 적절 한 수 의 칩 ( 2805 ) 이 서로 의 상단 에 적층 되 어 , 스택 의 일 칩 의 다음 칩 에 대한 다 중축 오프셋 에 기초 하 여 메모리 스택 을 형성 할 수 있 다 .