도 2 a 내지 2 f 는 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 반도체 소자 의 제조 방법 을 도시 한 단면도 들 이 다 . 엔 모스 영역 ( 2000 n ) 과 피 모스 영역 ( 2000 p ) 을 포함 하 는 반도체 기판 ( 210 ) 상부 에 패드 절 연막 ( 212 ) 을 형성 한 후 , 소자 분리 용 마스크 로 패드 절 연막 ( 212 ) 및 반도체 기판 ( 210 ) 을 소정 깊이 식각 하 여 활성 영역 을 정의 하 는 트렌치 ( 미 도시 ) 를 형성 한다 . 다음 으로 , 전체 구조물 상부 에 소자 분리 용 절 연막 ( 미 도시 ) 을 형성 하 여 트렌치 를 매립 한 후 , 패드 절 연막 ( 212 ) 가 노출 될 때 까지 소자 분리 용 절 연막 을 평탄 화 식각 하 여 소자 분리 구조 ( 220 ) 를 형성 한다 . 이후 , 소자 분리 구조 ( 220 ) 가 구비 된 반도체 기판 ( 210 ) 에 불순물 이온 을 주입 하 여 웰 및 채널 이온 주입 영역 ( 미 도시 ) 을 형성 한다 . 본 발명 의 일 실시 예 에 따르 면 , 패드 절 연막 ( 212 ) 은 산화 막 , 질화 막 및 이 들 의 조합 으로 이루어진 일군 으로부터 선택 된 어느 하나 로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 또한 , 패드 절 연막 ( 212 ) 은 50 ~ 100 Å 의 두께 로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 .