또 , 본 실시 예 에서 는 , MOSFET 와 같 은 트랜지스터 를 예 로 들 어 설명 했 지만 , STT - MRAM 과 같 은 메모리 ( 다른 스위칭 소자 ) 의 동작 시험 에 도 상술 한 바 와 같 은 방법 의 적용 이 가능 하 다 . 구체 적 으로 는 , STT - MRAM 의 자기 ( 磁氣 ) 터널 접합 소자 에 , 복수 의 조사 조건 에서 빔 을 조사 했 을 때 에 얻 어 지 는 컨 택트 플러그 의 명도 의 추이 로부터 , STT - MRAM 의 스위칭 속도 , 드라이브 전 류량 , 혹은 기입 소거 임계 값 등 의 입출력 특성 을 구하 도록 해도 된다 .