전형 적 인 CMOS 회로 에서 , 다수 의 핑거 들 을 갖 는 반도체 디바이스 들 은 다양 한 목적 들 을 위해 이용 되 며 칩 영역 전체 에 걸쳐 분산 된다 . 멀티 핑거 반도체 디바이스 들 로 는 , 싸이 리스터 ( thyristor ) 또는 트랜지스터 의 게이트 와 같 은 공통 제어 컴포넌트 를 갖 는 다수 의 병렬 디바이스 들 이 될 수 있 다 . 칩 전체 에 걸쳐 분산 되 는 병렬 연결 로 MOSFET 의 다수 의 핑거 들 의 배치 를 요하 는 정전기 방전 ( electrostatic discharge , ESD ) 보호 회로 가 전형 적 인 예 이 다 . 이 경우 , 칩 영역 전체 에 걸쳐 ( across ) 다수 의 핑거 들 을 분산 시키 는 것 은 , 칩 상 의 어느 곳 에서 든지 일어날 수 있 는 잠재 적 인 정전기 방전 이벤트 에 대비 하 여 최대한 보호 를 제공 하 기 에 유리 할 뿐 만 아니 라 필수 적 이 다 . 큰 멀티 핑거 게이트 접지 NMOSFET ( gate - grounded NMOSFET , GGNMOSFET ) 를 형성 하 기 위해 개별 핑거 들 의 소스 들 과 드레 인 들 을 병렬 연 결함 으로써 , ESD 디바이스 는 어떤 개별 핑거 보다 더 높 은 량 의 정전기 를 처리 할 수 있 다 .