바람직 하 게 는 , 본 발명 의 일부 실시 예 에 따르 면 , 반도체 루프 의 상이 한 레그 는 루프 에칭 을 실행 하 지 않 아도 전기 적 으로 분리 된다 . 오히려 , 분리 트랜지스터 가 루프 내 에 형성 되 어 상이 한 레그 를 서로 전기 적 으로 분리 시킨다 . 게이트 는 반도체 재료 의 루프 위 에 형성 되 고 , 게이트 근처 의 루프 영역 은 소스 및 드레 인 영역 을 형성 하 기 위해 도핑 된다 . 게이트 바로 아래 의 루프 영역 은 활성 영역 으로서 기능 을 한다 . 게이트 는 활성 영역 을 통해 전류 가 흐르 지 못하 게 하 기 위해 오프 상태 로 바이어 싱 되 고 , 이 로 인해 게이트 의 양측 에 놓여 있 는 루프 의 부분 을 서로 전기 적 으로 분리 시킨다 . 일부 실시 예 에서 , 분리 트랜지스터 는 루프 의 각 레그 의 단부 에 형성 되 는데 , 루프 당 총 4 개 의 이러 한 트랜지스터 가 형성 된다 . 분리 트랜지스터 는 각 트랜지스터 쌍 사이 에 반도체 재료 의 2 개 의 전기 적 으로 분리 된 레그 를 정의 한다 .