도 5 를 참조 하 면 , 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 플립 칩 본딩 방법 은 솔 더 층 ( 330 ) 에 금속 스터 드 범프 ( 130 ) 의 압인 가공 면 이 마주 하 도록 반도체 소자 ( 110 ) 를 반도체 기판 ( 310 ) 에 실장 하 여 반도체 소자 ( 110 ) 및 반도체 기판 ( 310 ) 을 본 딩 하 는 과정 을 포함 할 수 있 다 .