저항 스위칭 메모리 소자 ( 12 ) 는 쌍안 정성 저항 을 나타낸다 . 저항 스위칭 메모리 소자 ( 12 ) 가 높 은 저항 상태 에 있 을 때 , 그 저항 스위칭 메모리 소자 ( 12 ) 는 논리 1 을 포함 한다고 할 수 도 있 다 . 저항 스위칭 메모리 소자 ( 12 ) 가 낮 은 저항 상태 에 있 을 때 , 그 저항 스위칭 메모리 소자 ( 12 ) 는 논리 0 을 포함 한다고 할 수 도 있 다 ( 원한다면 , 높 은 저항 이 논리 0 을 나타낼 수 있 고 낮 은 저항 이 논리 1 을 나타낼 수 있 다 ) . 저항 스위칭 메모리 소자 ( 12 ) 의 상태 는 감지 전압 의 인가 에 의해 감지 될 수 도 있 다 . 저항 스위칭 메모리 소자 ( 12 ) 의 상태 를 변경 하 길 원할 때 , 판독 및 기록 회로 는 적절 한 제어 신호 를 적절 한 라인 ( 16 및 18 ) 에 인가 할 수 도 있 다 .