1 ) 먼저 탄소 및 / 또는 할로겐 을 함유 한 전구체 를 사용 하 여 SiO 2 막 을 증착 한 다음 , SiO 2 막 을 비교 적 낮 은 압력 과 비교 적 높 은 RF 전력 으로 생성 된 플 라즈 마 에 노출 시킴 으로써 , SiO 2 막 내 에 함유 된 불순물 의 이방성 분포 를 형성 하 되 , SiO 2 막 내 에 함유 된 불순물 은 패턴 의 수직 부분 보다 패턴 의 수평 부분 으로부터 상당히 더 많이 제거 된다 . 불순물 제거 사이클 은 하나 의 증착 사이클 마다 또는 다수 의 증착 사이클 마다 수행 된다 .