본 발명 은 플 래쉬 메모리 소자 의 제조 방법 에 관한 것 으로 , 플로팅 게이트 패턴 이 형성 된 반도체 기판 상부 에 제 1 산화 막 , 고유 전막 및 제 2 산화 막 으로 구성 된 유전체 막 및 컨트롤 게이트 용 도전 층 을 순차 적 으로 형성 하 는 단계 와 , 건식 식각 공정 을 실시 하 여 상기 컨트롤 게이트 용 도전 층 및 제 2 산화 막 의 소정 영역 을 식각 하 는 단계 와 , 습식 식각 공정 을 실시 하 여 상기 고유 전막 의 소정 영역 을 식각 하 는 단계 와 , 건식 식각 공정 을 실시 하 여 상기 제 1 산화 막 의 소정 영역 을 식각 하 는 단계 를 포함 함 으로써 , 플로팅 게이트 측면 에 고유 전막 잔류물 이 남 아 있 지 않 게 되 어 안정 적 인 소자 를 구현 할 수 있 다 .