한편 , 상기 스위칭 영역 에 는 상기 제 1 및 제 2 게이트 전극 ( 123 , 125 ) 과 중첩 하 며 끊김 없이 폴리 실리콘 의 반도체 층 ( 110 ) 이 연결 되 며 형성 되 고 있 으며 , 상기 반도체 층 ( 110 ) 의 양 끝단 은 각각 데이터 배선 ( 140 ) 과 상기 제 1 스토리지 전극 ( 129 ) 의 요부 까지 연장 형성 되 고 있 으며 , 이때 , 상기 반도체 층 ( 110 ) 의 양 끝단 은 각각 반도체 층 콘 택 홀 ( 133 , 135 ) 을 통해 소스 전극 ( 142 ) 및 드레 인 전극 ( 144 ) 과 접촉 하 며 연결 되 고 있 다 . 이때 상기 데이터 배선 ( 140 ) 은 그 자체 로서 그 일부 가 상기 소스 전극 ( 142 ) 을 이루 고 있 으며 , 상기 소스 전극 ( 142 ) 은 이 를 통해 신호 전압 이 인가 되 는 화소 전극 ( 160 ) 이 형성 된 화소 영역 ( P 2 ) 의 상부 에 위치 한 이웃 한 화소 영역 ( P 1 ) 에 형성 되 고 있 는 것 이 특징 이 다 .