그런 다음 , 상기 EBR 공정 이 진행 된 웨이퍼 ( 300 ) 의 플랫 존 부분 에 형성 되 어 있 는 감광막 ( 302 ) 을 제거 하 기 위하 여 WEE 공정 을 진행 한다 . 이때 , 상기 WEE 공정 을 진행 하 기 위한 노광 공정 시 , 노광 영역 을 플랫 존 영역 을 포함 하 여 상기 EBR 공정 으로 형성 된 웨이퍼 가장자리 부분 의 두꺼운 감광막 부분 과 웨이퍼 최외각 부분 사이 , 즉 , 웨이퍼 의 최외각 으로부터 웨이퍼 의 중심 방향 으로 1 ∼ 4 mm 미만 의 영역 을 노광 영역 으로 하 여 노광 공정 을 진행 한다 .