상기 마스크 패턴 ( 190 m ) 은 제 1 영역 ( R 1 ) 보다 제 2 영역 ( R 2 ) 에서 더 높 은 패턴 밀도 를 가질 수 있 다 . 도 10 d 에 는 제 2 영역 ( R 2 ) 의 상기 마스크 패턴 ( 190 m ) 에 복수 의 리세 스 패턴 ( RM ) 이 형성 된 것 으로 도시 되 었 다 . 또한 , 도 10 d 에서 제 1 영역 ( R 1 ) 에 가까운 제 2 영역 ( R 2 ) 의 부분 에 형성 되 었 지만 단면 에서 는 보이 지 않 는 리세 스 패턴 ( RM ) 을 점선 으로 표시 하 였 다 .