스텝 S 101 에서 , 기판 W 를 준비 한다 . 도 4 의 ( a ) 에 도시 하 는 바 와 같이 , 기판 W 에 는 , 실리콘 기체 ( 401 ) 에 절 연막 ( 402 ) 이 형성 되 고 , 절 연막 ( 402 ) 에 소정 패턴 으로서 트렌치 ( 403 ) 가 형성 되 어 있 다 . 트렌치 ( 403 ) 저부 의 실리콘 부분 에 는 , 자연 산화 막 ( 404 ) 이 형성 되 어 있 다 . 또한 , 절 연막 ( 402 ) 은 , 주로 SiO 2 막 으로 구성 되 어 있 지만 , 일부 가 SiN 막 이 어도 된다 . 기판 W 는 , 예 를 들 어 대기 분위기 의 캐리어 C 에 수용 된다 . 기판 W 는 , 반송 기구 ( 306 , 308 ) 에 의해 , 캐리어 C 로부터 대기 반 송실 ( 303 ) , 로드 로크 실 ( 302 ) , 진공 반 송실 ( 301 ) 을 지나 , 제 1 전처리 장치 ( 100 ) 로 반송 된다 .