그 다음 에 , 배선기 판 과 제 2 기판 ( 112 ) 을 열 압착 한다 . 예 를 들 어 , 배선기 판 과 제 2 기판 ( 112 ) 은 ACF press head 를 적용 하 여 열 압착 될 수 있 다 . 상기 열 압착 에 의하 여 배선기 판 과 제 2 기판 ( 112 ) 은 본딩 ( bonding ) 된다 . 열 압착 에 의하 여 전도 성 을 갖 는 이방성 전도성 필름 의 특성 에 의해 반도체 발광 소자 ( 150 ) 와 보조 전극 ( 170 ) 및 제 2 전극 ( 140 ) 의 사이 의 부분 만 전도 성 을 가지 게 되 며 , 이 를 통하 여 전극 들 과 반도체 발광 소자 ( 150 ) 는 전기 적 으로 연결 될 수 있 다 . 이 때 에 , 반도체 발광 소자 ( 150 ) 가 상기 이방성 전도성 필름 의 내부 로 삽입 되 며 , 이 를 통하 여 반도체 발광 소자 ( 150 ) 사이 에 격벽 이 형성 될 수 있 다 .