본 개시 의 일 실시 형태 의 반도체 장치 및 일 실시 형태 의 반도체 장치 의 제조 방법 에 의하 면 , 로직 회로 를 구성 하 는 제 1 트랜지스터 를 제 1 면 에 , 불휘발성 메모리 소자 를 제 1 면 과 는 반대 측 의 제 2 면 에 형성 하 도록 했으므로 , 불휘발성 메모리 소자 를 원하 는 타이밍 에 형성 할 수 있 게 된다 . 따라서 , 불휘발성 메모리 소자 에 가해 지 는 서멀 버짓 이 저감 되 어 , 불휘발성 메모리 소자 의 특성 의 열화 를 방지 하 는 것 이 가능 해진다 .