도 2 c 는 몰딩 화합물 또는 캡슐 화제 ( 68 ) 의 웨이퍼 ( 28 ) 에 의 첨가 또는 기판 ( 30 ) 의 제거 를 도시 하고 있 다 . 캡슐 화제 ( 68 ) 는 , 패 시베이 션 층 ( 46 ) , 부품 들 ( 48 , 52 , 58 , 64 ) , 그리고 선택 적 인 언더 필 재료 ( 56 , 62 ) 위 에 인가 되 는 에폭시 수지 - 베이스 몰딩 재료 와 같 은 플라스틱 재료 , 또는 다른 고 - 저항성 폴리머 재료 를 포함 할 수 있 다 . 다른 실시 예 에서 , 캡슐 화제 ( 68 ) 는 고저 항성 의 폴리머 매트릭스 복합 재료 로 형성 될 수 있 다 . 캡슐 화제 ( 68 ) 는 프린팅 또는 압축 몰딩 공정 들 을 이용 하 여 인가 된다 . 일반 적 으로 , 캡슐 화제 ( 68 ) 는 부품 들 ( 48 , 52 , 58 , 64 ) , 선택 적 인 언더 필 재료 ( 56 , 62 ) , 그리고 캡슐 화제 ( 68 ) 에 의해 접촉 되 는 어떤 다른 재료 의 열팽창 계수 와 조합 되 도록 조정 되 는 열팽창 계수 ( CTE ) 를 갖 는다 . 캡슐 화제 ( 68 ) 의 CTE 는 분말 , 섬유질 또는 다른 섬유질 부가물 과 같 은 필러 ( filler ) 를 사용 하 여 조정 될 수 있 다 . 적절 한 캡슐 화제 재료 는 일반 적 으로 낮 은 수축 , 고저 항성 , 낮 은 절연 상수 , 그리고 낮 은 로스 탄젠트 ( loss tangent ) 를 특징 으로 한다 . 캡슐 화제 ( 68 ) 의 인가 전 에 , 웨이퍼 는 웨이퍼 표면 에 형성 된 다수 쏘우 스트리트 ( saw street ) 를 따라서 하프 컷팅 ( half cutting ) 에 의해 다 이싱 ( diced ) 될 수 있 다 . 웨이퍼 다 이싱 의 이 선택 적 인 단계 는 웨이퍼 의 휨 ( warpage ) 과 전반 적 인 잔류 응력 을 감소 시킬 수 있 다 .