상기 의 문제 들 을 해결 하 고자 포토레지스트 의 두께 를 낮추 게 되 면 로딩 효과 와 미세 패턴 의 선형 성 과 피델 리티 가 향상 되 나 포토 마스크 를 건식 식각 하 여 제조 하 는 경우 , 포토레지스트 와 식각 물질 의 식각 비 가 높 지 못하 기 때문 에 식각 중 포토레지스트 가 제거 되 어 그 하부 의 박막층 이 손상 을 받 게 되 므로 포토 마스크 표면 에 결함 이 발생 하 게 되 거나 또는 , 건식 식각 중 얇 은 두께 의 포토레지스트 가 잔류 하 여 그 하부 의 박막층 이 손상 을 받 지 않 더라도 식각 가스 에 의해 포토레지스트 와 박막층 과 의 계면 에 손상 을 주 게 되 어 스트립 공정 시 잔류 하 는 포토레지스트 가 잘 제거 되 지 않 거나 또는 포토레지스트 중 미세 한 공공 ( Pore ) 결함 등 이 건식 식각 에 의해 핀홀 ( Pinhole ) 을 발생 하 여 식각 및 스트립 후 포토 마스크 에 결함 을 발생 시키 는 문제점 이 있 었 다 .