그 다음 에 는 , 금속 배선 콘 택 홀 ( 135 ) 을 매립 하 는 플러그 금속 층 ( 50 ) 을 형성 하 고 , 반도체 기판 ( 100 ) 전면 에 에치 백 ( Etch Back ) 공정 을 수행 하 여 배리 어 금속 층 ( 140 ) 및 플러그 금속 층 ( 150 ) 을 식각 한다 . 이때 , 플러그 금속 층 ( 150 ) 은 텅스텐 ( W ) 을 이용 하 여 형성 하 는 것 이 바람직 하 며 , 플러그 금속 층 ( 150 ) 과 층간 절 연막 ( 120 ) 의 높이 가 동일 해 지 는 높이 까지 에치 백 공정 을 수행 하 는 것 이 바람직 하 다 .