" 이하 에서 사용 하 는 "" 증착 """," "" 성장 """," "" 적층 "" 등 의 용어 는 반도체 물질 층 을 형성 한다는 의미 와 같 은 의미 로 쓰이 는 것 이 고 ", 본 발명 의 다양 한 실시 예 들 을 통해 형성 되 는 층 혹은 박막 은 유기 금속기 상 증착 ( metal - organic chamical vapor deposition : MOCVD ) 법 또는 분자선 성장 ( molecular beam epitaxy : MBE ) 법 을 이용 하 여 성장 용 챔버 ( chamber ) 내 에서 성장 될 수 있 으며 , 이 밖 에 도 PECVD , APCVD , LPCVD , UHCVD , PVD , 전자 빔 방식 , 저항 가열 방식 등 다양 한 방식 에 의해 증착 되 어 형성 될 수 있 다 .