단 , 플로팅 게이트 에 유지 가능 한 전하량 은 한정 되 어 있 어 , 당해 전하량 을 미세 하 게 제어 하 는 것 은 곤란 하 다 . 또한 , 동일 공정 에 의해 제작 한 트랜지스터 이 더라도 임계 값 전압 등 의 특성 에 편차 가 존재 한다 . 그 로 인해 , 메모리 셀 에 있 어서 유지 데이터 의 다 치화 를 도모 하 는 경우 , 정확 한 데이터 를 유지 할 수 없 을 개연 성 이 높 아 진다 .