따라서 본 발명 에 따르 면 , 열전 바이어스 전압 생성기 ( thermoelectric bias voltage generator ) 가 제공 된다 . 열전 바이어스 전압 생성기 는 기판 , 상기 기판 의 반도체 영역 에 형성 되 는 액티브 디바이스 및 상기 기판 상 에 위치 하 고 상기 액티브 디바이스 를 위한 상기 바이어스 전압 을 제공 하 기 위하 여 상기 액티브 디바이스 에 연결 되 는 열전 접합 을 포함 한다 .