반도체 소자 및 그 제조 방법 이 제공 된다 . 기판 상 에 절 연막 , 제 1 도 전막 및 유전체 막 을 적층 하 는 단계 , 상기 유전체 막 의 일부 를 제거 하 여 상기 제 1 도 전막 의 일부 를 노출 시키 는 콘 택 홀 을 형성 하 는 단계 , 상기 콘 택 홀 을 통해 노출 된 상기 제 1 도 전막 을 포함 한 전체 구조 상 에 제 2 도 전막 을 형성 하 는 단계 , 상기 제 2 도 전막 을 식각 하 여 상기 제 2 도 전막 을 상기 제 1 도 전막 과 격리 되 는 제 1 패턴 과 상기 제 1 도 전막 과 접촉 되 는 제 2 패턴 으로 분리 하 는 단계 , 및 상기 제 2 도 전막 의 제 1 패턴 과 연결 되 는 제 1 콘 택 구조 와 상기 제 2 도 전막 의 제 2 패턴 과 연결 되 는 제 2 콘 택 구조 를 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 반도체 소자 의 제조 방법 이 제공 된다 .