실시 예 에 따른 반도체 소자 ( 200 ) 는 수직 캐비 티 표면 방출 레이저 ( VCSEL ) 일 수 있 으며 , 복수 의 발광 구조물 ( P 1 , P 2 , P 3 , P 4 , … ) 에서 생성 된 빛 을 예 를 들 어 5 도 내지 30 도 의 빔 화각 으로 방출 할 수 있 다 . 상기 복수 의 발광 구조물 ( P 1 , P 2 , P 3 , P 4 , … ) 각각 은 제 1 도전 형 DBR ( Distributed Bragg Reflector ) 층 , 활성 층 , 제 2 도전 형 DBR 층 을 포함 할 수 있 다 . 상기 복수 의 발광 구조물 ( P 1 , P 2 , P 3 , P 4 , … ) 각각 은 유사 한 구조 로 형성 될 수 있 으며 , 도 1 에 표시 된 A - A 선 에 따른 단면 을 이용 하 여 실시 예 에 따른 반도체 소자 ( 200 ) 를 설명 한다 .