저 저항 상태 를 설정 하 기 위해 , 메모리 셀 ( 105 - b ) 은 메모리 셀 을 통해 전류 를 통과 시킴 으로써 가열 될 수 있 다 . 유한 저항 을 갖 는 물질 을 통해 흐르 는 전류 에 의해 야기 되 는 열 은 줄 ( Joule ) 또는 오 옴 ( Ohmic ) 가열 로서 지칭 될 수 있 다 . 그 에 따라 줄 가열 은 전극 들 또는 상 변화 물질 의 전기 저항 과 관련 될 수 있 다 . 상 변화 물질 을 상승 된 온도 ( 하지만 그것 의 용융 온도 아래 ) 로 가열 시키 는 것 은 상 변화 믈 질 을 결정 화 하 고 저 저항 상태 를 형성 시킬 수 있 다 . 몇몇 경우 , 메모리 셀 ( 105 - b ) 은 줄 가열 이외 의 수단 , 예 를 들 어 , 레이저 를 사용 함 으로써 가열 될 수 있 다 . 고 저항 상태 를 설정 하 기 위해 , 상 변화 물질 은 예 를 들 어 , 줄 가열 에 의해 그것 의 용융 온도 위 로 가열 될 수 있 다 . 용융 된 물질 의 비정질 구조 는 상 변화 물질 을 빠르 게 냉각 시키 기 위해 인가 된 전류 를 급격 하 게 제거 함 으로써 퀀칭 ( quench ) 되 거나 락킹 ( lock ) 될 수 있 다 .