이어서 , 도 8 내지 도 9 , 및 도 10 b 에 도시 된 바 와 같이 , 핀 마스크 ( 112 ) 를 이용 한 핀 식각 공정 을 실시 하 여 새들 형 핀 ( 114 ) 을 형성 한다 . 이때 , 식각 공정 은 먼저 실리콘 기판 ( 110 ) 을 식각 한 후 소자 분리 막 ( 111 ) 을 식각 하 거나 , 소자 분리 막 ( 111 ) 을 먼저 식각 한 후 실리콘 기판 ( 110 ) 을 식각 할 수 도 있 다 . 이 와 같이 , 핀 식각 공정 은 동일 한 핀 마스크 ( 112 ) 를 사용 하 여 실시 함 에 따라 산화 막 ( 소자 분리 막 물질 ) 과 실리콘 ( 기판 ) 간 의 높 은 선택 비 를 갖 는 공정 조건 으로 실시 하 는 것 이 바람직 하 다 .