그러나 화합물 반도체 를 반도체 층 으로 이용 하 면 공기 중 에 노출 되 는 경우 수소 ( H ) 의 침투 에 의해 비저항 이 감소 되 는 문제점 이 있 다 . 화합물 반도체 층 의 표면 부 로 침투 된 수소 는 도너 ( shallow donor ) 로 작용 하 기 때문 에 반도체 층 의 비저항 을 감소 시키 며 , 이 와 같 은 비저항 감소 는 노출 시간 에 따라 심화 된다 . 따라서 채널 영역 의 비저항 감소 에 의해 누설 전류 ( leakage current ) 가 증가 되 는 등 박막 트랜지스터 의 전기 적 특성 이 저하 된다 .