즉 , 본 발명 의 다른 실시 예 에 따라 형성 한 피 모스 트랜지스터 는 소자 분리 막 ( F ') 과 소오 스 영역 ( S ') 이 만나 는 지점 에서 소자 분리 막 ( F ') 일부 와 소오 스 영역 ( S ') 일부 를 동시 에 가리 도록 게이트 라인 ( GL ') 과 수직 한 방향 으로 게이트 라인 ( L ) 으로부터 연장 된 게이트 탭 ( TAB ) 을 포함 한다 . 이 경우 , 소오 스 영역 ( S ') 쪽 으로 형성 된 게이트 탭 ( TAB ) 으로 인해 게이트 탭 ( TAB ) 부분 에서 채널 의 유효 길이 가 증가 하 게 되 고 , 채널 폭 방향 에 따른 양측 부 의 전계 가 낮 아지므로 , 오프 누설 전류 를 더욱 감소 시킬 수 있 는 등 소자 의 특성 이 더욱 개선 된다 .