이어서 , 마스크 공정 및 이온 주입 공정 을 실시 하 여 제 1 게이트 전극 ( 114 ) 과 소자 분리 막 ( 111 ) 사이 의 P - 에 피층 ( 110 ) 내 에 포토 다이오드 용 N - 확산 영역 ( 115 ) 을 형성 한다 . 예컨대 , 5 족 물질 인 인 ( P ) 또는 비소 ( As ) 를 주입 하 여 N - 확산 영역 ( 115 ) 을 형성 한다 .