도 1 a 를 참조 하 면 , 반도체 기판 ( 100 ) 상부 에 층간 절 연막 ( 102 ) 및 베리 어 메탈 막 ( 104 ) 을 형성 한다 . 이때 , 베리어 메탈 막 ( 104 ) 은 티타늄 ( Ti ) 막 으로 형성 한다 . 베리 어 메탈 막 ( 104 ) 형성 공정 시 베리 어 메탈 막 ( 104 ) 을 형성 하 는 장비 내 에 대기 의 침투 가 발생 하 거나 장비 의 챔버 ( chamber ) 가 완전 한 진공 상태 가 되 지 않 는다 . 이 로 인하 여 베리 어 메탈 막 ( 104 ) 은 대기 중 의 산소 와 반응 하 여 산화 가 일어나 베리 어 메탈 막 ( 104 ) 상부 에 산화 막 ( 106 ) 이 형성 된다 .