한편 , 도면 으로 는 표시 하 지 않 았 으나 , 정공 주입 층 ( 2130 ) 및 정공 전달 층 ( 2140 ) 을 경유 하 여 유입 된 정공 이 발광 층 ( 2150 ) 을 지나 제 2 전극 ( 2180 ) 으로 진행 하 는 경우 에 소자 의 수명 과 효율 에 감소 를 가져올 수 있 으므로 , 상기 발광 층 ( 2150 ) 과 전자 전달 층 ( 2160 ) 사이 에 는 HOMO 수준 이 매우 낮 은 정공 차단 층 ( hole blocking layer , HBL ) 을 구성 할 수 있 다 . 본 발명 과 관련 하 여 정공 차 단층 에 사용 될 수 있 는 물질 로 는 2 , 9 - dimethyl - 4 , 7 - diphenyl - 1 , 10 - phenanthroline ( BCP ) 을 포함 하 며 , 대략 5 ~ 150 ㎚ 의 두께 로 발광 층 ( 2150 ) 의 상부 에 증착 될 수 있 다 .