그런데 이 와 같 은 종래 의 MIM 커패시터 형성 방법 에 있 어서 , 도 4 에 나타낸 바 와 같이 , 제 2 포토레지스트 막 패턴 ( 190 ) 을 제거 하 고 난 후 에 트랜 치 ( 161 ) 바닥 에 남 아 있 는 잔류물 ( 192 ) 을 제거 하 기 위하 여 , 오랜 시간 에 걸쳐 애 싱 공정 을 수행 하 고 또 한 별도 의 세정 을 수행 하 였 다 . 그러나 단차 가 큰 MIM 커패시터 영역 에서 는 비 아홀 ( 162 ) 형성 을 위한 식각 시 발생 한 폴리머 로 인하 여 오랜 시간 에 걸친 애 싱 및 세정 만 으로 는 잔류물 ( 192 ) 이 완전히 제거 되 지 않 는 경우 가 많 다 . 따라서 추가 로 플루오르 ( Fluorine ) 계열 의 가스 를 이용한 플라 즈 마 처리 를 수행 하 여 잔류물 ( 192 ) 이 모두 제거 되 도록 한다 .