도 8 , 도 9 , 및 도 10 은 본 발명 의 실시 예 들 에 따른 도 7 a 및 도 7 b 의 e 1 , e 2 , e 3 의 확대도 들 이 다 . 도 7 a , 도 7 b 및 도 8 을 참조 하 면 , 상기 제 1 상부 절 연막 ( 11 ) 을 관통 하 여 상기 수직 전극 들 ( 140 ) 을 노출 하 는 제 1 홀 들 ( S 1 ) 이 형성 될 수 있 다 . 상기 제 1 상부 절 연막 ( 11 ) , 상기 상부 층간 절 연막 ( 131 ) 을 관통 하 여 상기 수평 전극 들 ( GP ) 을 노출 하 는 제 2 홀 들 ( S 2 ) 이 형성 될 수 있 다 . 상기 제 1 홀 들 ( S 1 ) 및 상기 제 2 홀 들 ( S 2 ) 은 동일 한 식각 공정 에 의하 여 동시 에 형성 될 수 있 다 .