절 연막 ( 140 ) 및 스위칭 반도체 층 ( 154 ) 위 에 는 스위칭 소스 전극 ( 165 ) , 스위칭 드레 인 전극 ( 166 ) 및 구동 게이트 전극 ( 167 ) 이 형성 된다 . 여기 서 , 구동 게이트 전극 ( 167 ) 과 스위칭 드레 인 전극 ( 166 ) 은 전기 적 으로 연결 된다 . 그리고 스위칭 소스 전극 ( 165 ) 및 스위칭 드레 인 전극 ( 166 ) 의 적어도 일부 는 스위칭 반도체 층 ( 154 ) 과 중첩 된다 .