실린더 형 스토리지 전극 을 형성 할 때 혼 ( horn ) 모양 의 잔류물 이 발생 되 지 않 도록 함 으로써 누설 전류 의 발생 을 방지 하 고 소자 의 신뢰 성 을 향상 시킬 수 있 는 반도체 메모리 소자 의 캐 패 시터 형성 방법 은 , 반도체 기판 상 에 층간 절 연막 을 형성 하 는 단계 와 , 층간 절 연막 을 관통 하 여 반도체 기판 과 접속 된 컨 택 을 형성 하 는 단계 와 , 컨 택 이 형성 된 반도체 기판 상 에 , 컨 택 을 포함 하 는 영역 을 노출 시키 는 몰드 절 연막 패턴 을 형성 하 는 단계 와 , 몰드 절 연막 패턴 이 형성 된 반도체 기판 상 에 제 1 도 전막 을 형성 하 는 단계 와 , 몰드 절 연막 패턴 의 상측 모서리 에 오버행 ( overhang ) 되 도록 제 2 도 전막 을 형성 하 는 단계 와 , 제 1 및 제 2 도 전막 을 식각 하 여 셀 단위 로 분리 된 스토리지 전극 을 형성 하 는 단계 , 및 스토리지 전극 상 에 유전체 막 및 플레이트 전극 을 형성 하 는 단계 로 이루어진다 .