비정질 카본 막 패턴 ( 161 ) 을 식각 마스크 로 노출 된 하드 마스크 층 을 선택 적 으로 식각 하 여 실리콘 질화 산화 막 패턴 ( 157 ) 및 산화 막 패턴 ( 159 ) 으로 이루어진 하드 마스크 패턴 ( 155 ) 을 형성 한다 . 비정질 카본 막 패턴 ( 161 ) 은 하드 마스크 층 과 의 식각 선택 비 가 높 아 하드 마스크 층 이 식각 되 는 동안 비정질 카본 막 패턴 ( 161 ) 이 식각 되 는 속도 를 늦춰 하드 마스크 패턴 ( 155 ) 측벽 이 버티컬 ( vertical ) 한 프로 파일 을 갖 도록 할 수 있 다 .