다른 특징 들 에서 , 방법 은 오버 버든 및 제 2 마스크 패턴 을 제거 하 는 단계 를 포함 한다 . 오버 버든 및 제 2 마스크 패턴 은 CMP ( chemical mechanical polishing ) 를 사용 하 여 제거 된다 . 방법 은 직사각 형 MRAM 스택 들 의 어레이 사이 에서 트리밍 하 도록 ( trim ) 이온 빔 에칭 을 사용 하 는 단계 를 포함 한다 .