그리고 나 서 , 상기 게이트 형성 영역 을 포함 하 는 반도체 기판 ( 300 ) 활성 영역 ( 302 ) 의 게이트 형성 영역 을 식각 하 여 게이트 용 홈 을 형성 한 후 , 상기 게이트 용 홈 을 포함 한 기판 ( 300 ) 전면 상 에 게이트 절 연막 ( 306 ) , 게이트 도전 막 ( 308 ) 및 하드 마스크 막 ( 도시 안 됨 ) 을 차례 로 증착 한 다음 , 상기 하드 마스크 막 과 게이트 도전 막 ( 308 ) 및 게이트 절 연막 ( 306 ) 을 게이트 형태 로 패 터닝 한다 .