도 1 c 를 참조 하 면 , 상기 콘 택 홀 을 포함 하 는 제 2 게이트 층 ( 112 ) 상부 에 게이트 전극 층 ( 116 ) 을 형성 한다 . 이 로써 , 제 1 게이트 층 ( 108 ) 과 제 2 게이트 층 ( 116 ) 이 전기 적 으로 접속 된다 . 게이트 전극 층 ( 116 ) 은 금속 물질 , 예 를 들 면 텅스텐 ( W ) , 텅스텐 실리사이드 ( WSix ) , 텅스텐 질화 막 ( WNx ) , 루테늄 ( Ru ) , 이리듐 ( Ir ) , 산화 루테늄 ( RuO 2 ) , 백금 ( Pt ) 등 을 이용 하 여 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 그리고 게이트 전극 층 ( 116 ) 상부 에 마스크 패턴 ( 118 ) 을 형성 한다 .