또한 , 상기 도전 성 물질 은 상기 실리콘 에 0 . 5 % 이하 의 농도 로 도핑 되 는 것 이 바람직 하 다 . 즉 , 상기 실리콘 막 ( 200 ) 내 에 도전 성 도핑 물질 을 0 . 5 % 이하 의 낮 은 농도 로 유지 하 여 , 상기 실리콘 막 ( 200 ) 내부 에 상호 연결 성 을 갖 는 결정 및 비결정 구조 의 생 성 을 방지 할 수 있 게 된다 . 그리하여 , 상기 실리콘 막 ( 200 ) 의 전기 전도 성 을 국부 적 으로 한정 시켜 , 절연성 , 무 통전 성 및 대전 방지 성 등 을 향상 시키 고 전 기 전자 소재 에 대한 전기 충격 을 감소 시킬 수 있 게 된다 . 상기 도전 성 도핑 물질 이 0 . 5 % 를 초과 하 는 농도 로 실리콘 에 도핑 되 는 경우 , 상기 실리콘 막 ( 200 ) 의 내부 에 도전 성 물질 사이 의 거리 가 좁혀 지 게 되 고 , 내부 에서 자유 전자 의 이동성 이 증가 함 에 따라 전기 전도도 가 상승 하 게 되 어 , 상기 실리콘 막 ( 200 ) 이 전기 통전 성 을 가지 는 문제 가 발생 할 수 있 다 .