도 5 는 본 발명 의 방법 에 따라 Cl 2 , Ar , CH 4 및 H 2 를 포함 하 는 혼합 가스 의 플 라즈 마 를 이용 하 여 InP / InAlGaAs 다층막 적층 구조 ( 100 ) 를 식각 한 결과물 을 보여 주 는 SEM ( scanning electron microscope ) 사진 이 다 . 상기 InP / InAlGaAs 다층막 을 식각 하 기 위하 여 평가 예 1 에서 와 동일 한 식각 분위기 를 조성 하 였 다 . 도 5 의 결과물 은 33 쌍 ( pair ) 의 InP / InAlGaAs 적층 구조 ( 100 ) 를 그 상면 으로부터 약 5 μ m 이상 의 두께 만큼 식각 한 단면 구조 를 보여준다 . 이 때 , 식각 에 의해 노출 되 는 측벽 ( 102 ) 의 경사 는 약 80 ˚ 이 었 으며 , 식각 면 ( 104 ) 은 매우 깨끗 하 고 원활 하 였 다 .