불순물 도프 된 , 제 1 도전 형 인 BDR ( Band Discontinuity Reduction ) 층 형성 을 위한 BDR 층 형성 공정 과 , 상기 BDR 층 에 접하 여 , 상기 BDR 층 성장 후 에 퇴적 되 는 , 전극 형성 을 위한 상기 불순물 과 동일 한 불순물 이 도프 된 , 제 1 도전 형 인 콘 택 층 형성 을 위한 콘 택 층 형성 공정 과 , 상기 콘 택 층 형성 공정 후 에 열처리 를 행하 기 위한 열처리 공정 을 가지 는 것 을 특징 으로 한다 .