수직 구조 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 을 제공 한다 . 본 발명 에 따른 반도체 발광 소자 는 도전 성 기판 ; 상기 도전 성 기판 상 에 형성 된 p 형 전극 ; 상기 p 형 전극 상 에 순차 적 으로 적층 된 p 형 반도체 층 , 활성 층 및 n 형 반도체 층 ; 및 상기 n 형 반도체 층 상 에 형성 된 n 형 전극 ; 을 포함 하 며 , 상기 n 형 반도체 층 은 그 표면 에 반구형 볼록 패턴 안 에 반구형 함몰 부 를 포함 하 는 요철 패턴 이 형성 된 것 이 특징 이 다 .