또한 , 이러 한 3 중층 구조 를 갖 는 반도체 층 ( 130 ) 의 상기 오 믹 콘 택 층 ( 125 ) 상부 로 상기 3 중층 구조 의 반도체 층 ( 130 ) 의 측면 을 덮 으며 서로 이격 하 여 상기 제 1 실리콘 층 ( 114 ) 을 노출 시키 며 소스 및 드레 인 전극 ( 144 , 146 ) 이 형성 되 어 있 으며 , 상기 게이트 절 연막 ( 108 ) 위 로 는 상기 3 중층 구조 반도체 층 ( 130 ) 상부 에 형성 된 상기 소스 전극 ( 144 ) 과 연결 되 며 상기 게이트 배선 ( 미 도시 ) 과 교차 하 여 화소 영역 ( P ) 을 정의 하 며 데이터 배선 ( 142 ) 이 형성 되 어 있 다 . 이때 , 상기 게이트 전극 ( 105 ) 과 게이트 절 연막 ( 108 ) 과 제 1 , 2 실리콘 층 ( 114 , 119 ) 및 오 믹 콘 택 층 ( 125 ) 으로 이루어진 3 중층 구조 의 반도체 층 과 , 상기 소스 및 드레 인 전극 ( 144 , 146 ) 은 스위칭 소자 의 역할 을 하 는 박막 트랜지스터 ( Tr ) 를 이룬다 .