먼저 , 도 2 a 에 도시 된 바 와 같이 , 반도체 기판 ( 100 ) , 예컨대 p 형 기판 상 에 완충 막 ( 101 ) 을 형성 한다 . 이때 , 완충 막 ( 101 ) 은 후속 하드 마스크 ( 102 ) 증착 공정 및 제 거공 정시 가해 지 는 스트레스 ( stress ) 로부터 기판 ( 100 ) 을 보호 하 기 위한 것 으로 , 산화 막 , 예컨대 실리콘 산화 막 ( SiO 2 ) 으로 형성 한다 . 이러 한 완충 막 ( 101 ) 은 하드 마스크 ( 102 ) 의 증착 및 제거 공정 에 따라 생략 될 수 있 으며 , 이때 , 중요 한 점 은 기판 ( 102 ) 의 손상 을 최소 화 하 는 범위 내 에서 완충 막 ( 101 ) 형성 공정 채택 여부 가 결정 될 것 이 다 . 예컨대 , 완충 막 ( 101 ) 은 건식 , 습식 또는 라디컬 이온 ( radical ion ) 을 이용 한 산화 공정 으로 실시 한다 . 이러 한 완충 막 ( 101 ) 은 80 ~ 120 Å 정도 의 두께 로 형 성할 수 있 다 .