에피 탁 셜 실리콘 저마늄 층 ( 29 ) 이 pMOS 에 적용 될 경우 , pMOS 의 채널 영역 이 스트레인 드 채널 ( Strained channel ) 이 된다 . 즉 , 에피 탁 셜 실리콘 저마늄 층 이 압축 응력 ( Compressive stress ) 을 가하 여 채널 내 에서 도 일종 의 격자 변형 ( Strained ) 이 일어나 고 , 이 것 이 pMOS 의 캐리어 의 이동도 를 증가 시킬 뿐 만 아니 라 소자 의 동작 전류 도 향상 시킨다 .