위 와 같이 LDD 영역 ( 22 a ) 을 형성 한 후 에 는 , 기판 ( 10 ) 의 전면 에 걸쳐 예컨대 저압 화학 기상 증착 법 ( LPCVD ) 을 이용 하 여 산화 막 을 형성 한 후 게이트 ( 30 ) 의 측벽 부분 의 산화 막 만 을 남기 고 제거 한다 . 이렇게 게이트 ( 30 ) 의 측벽 부분 에 남겨진 산화 막 은 스 페이서 ( Spacer ; 32 ) 로서 후술 하 는 샐리 사이드 공정 에서 게이트 및 소스 / 드레 인 확산 영역 사이 의 단락 을 방지 하 는 역할 을 하 게 된다 . 도 3 c 에 는 스 페이서 ( 32 ) 가 형성 된 상태 를 도시 하 였 다 .