이 로써 희생 막 패턴 ( 24 A ) 사이 의 오픈 영역 ( 24 B ) 을 일부 매립 하 는 두께 의 텅 스 텐 막 ( 28 ) 을 형성 할 수 있 다 . 다른 방법 으로서 , 텅스텐 막 ( 28 ) 을 PVD ( Pysical Vapor Deposition ) 혹은 CVD ( Chemical Vapor Deposition ) 로 증착 한 후 , 건식 에 치 백 ( Dry Etchback ) 으로 리세 스 ( Recess ) 시켜 원 하 는 두께 만큼 의 텅스텐 막 ( 28 ) 이 남 도록 할 수 도 있 다 .