방법 ( 1000 ) 은 , 교번 전도체 / 유전체 스택 을 적어도 하나 의 메모리 핑거 로 분할 하 기 위해 , 복수 의 슬릿 구조 가 각각 교번 전도체 / 유전체 스택 을 통해 수직 으로 연장 되 고 워드 라인 방향 을 따라 측 방향 으로 연장 되 는 동작 ( 1004 ) 으로 진행 한다 . 공정 은 도 6 a 에 도시 된 방법 ( 600 A ) 에서 설명 된 것 과 유사 하 다 .