그런 후 에 , 도 5 의 ( e ) 와 같이 , 위상 반전 패턴 ( 104 ) 을 형성 할 영역 만 을 폐쇄 하 도록 즉 , 형성 된 차광 패턴 ( 106 ) 의 하부 측 에 보다 넓 은 크기 로 형성 될 위상 반전 패턴 ( 104 ) 영역 만 을 폐쇄 하 도록 차광 패턴 ( 106 ) 를 포함 하 는 위상 반 전막 ( 104 a ) 상부 에 제 2 감광막 패턴 ( 110 ) 을 포토 리소그래프 공정 을 통해 형성 한다 .