도 2 c 를 참조 하 면 , 제 1 패턴 ( 110 ) 상 에 제 2 패턴 ( 130 ) 을 형성 한다 . 제 2 패턴 ( 130 ) 은 PECVD ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ) 법 을 이용 하 여 성장 시킨 2 내지 3 ㎛ 두께 의 실리콘 산화 막 으로 하 는 것 이 바람직 하 다 . 제 2 패턴 ( 130 ) 은 향후 도 2 o 에서 의 프로브 ( 200 ) 플로팅 공정 의 원활 한 진행 을 위해 필요 하 다 .