본 실시 형태 에서 는 종래 기술 과 달리 , 긴 변의 길이 는 짧 을수록 바람직 하 다 . 긴 변의 길이 를 종래 기술 보다 짧 게 할 수 있 다 . 이 때문 에 , 웨이퍼 상 의 하나 의 직경 에 대해 수직 이 아닌 방향 으로 ( 즉 비스듬히 ) , 가늘 고 긴 직사각 형 의 코어 가 웨이퍼 에 들어가 거나 , 혹은 나오 는 경우 에 , 코어 가 웨이퍼 상 에 완전히 들어가 거나 혹은 모두 가 나올 때 까지 의 코어 의 이동 거리 는 , 종래 기술 보다 짧아진다 . 종래 기술 보다 짧 아 지 는 이유 는 후술 한다 . 결과 적 으로 , 센서 의 검출 신호 가 부정확 하 며 웨이퍼 의 에지 영역 에서 의 막 두께 의 검출 정밀도 가 저하 되 는 범위 가 , 종래 기술 보다 좁 아 진다 . 따라서 웨이퍼 의 에지 영역 에서 의 막 두께 의 검출 정밀도 를 , 종래 기술 보다 개선 한 와전류 센서 를 제공 할 수 있 다 .