본 발명 은 또한 상기 목적 을 달성 하 기 위하 여 , 그룹 3 족 질화물 로 형성 된 제 1 에 피 택 셜 적층 구조 상층부 에 형성 시키 는 고성능 의 전자 및 광전자 소자 용 제 2 에피 택 셜 적층 구조 는 제조 하 고자 하 는 소자 종류 에 따라서 엔 형 도판 트 ( n - type dopant ) 인 4 족 원소 ( Si , Ge , Te , Se ) 및 피형 도판 트 ( p - type dopant ) 인 3 족 원소 ( Mg , Zn , Be ) 등 을 첨가 할 수 있 다 .