상기 기술 적 과제 를 달성 하 기 위한 본 발명 의 몇몇 실시 예 에 따른 저항성 메모리 장치 는 , 저항성 메모리 셀 , 저항성 메모리 셀 과 로컬 워드 라인 노드 를 공유 하 는 로컬 워드 라인 트랜지스터 , 로컬 워드 라인 트랜지스터 와 글로벌 워드 라인 노드 를 공유 하 는 글로벌 워드 라인 트랜지스터 , 및 글로벌 워드 라인 노드 와 연결 되 는 마진 보상 회로 를 포함 하 되 , 마진 보상 회로 는 로컬 워드 라인 노드 와 글로벌 워드 라인 노드 에 연결 되 는 마진 보상 스위치 를 포함 한다 .