" 본 발명 의 "" 통전 포 밍 "" 처리 에 의해 ", 도전 성막 ( 4 ) 의 저항 값 을 2 자리 수 이상 성공 적 으로 상승 시킨 후 에 는 , 보조 전극 ( 2 ) 과 보조 전극 ( 3 ) 이 서로 대향 하 는 방향 과 실질 적 으로 수직 인 방향 에 있 어서 의 도전 성막 ( 4 ) 의 한쪽 단부 에서 다른 쪽 단부 까지 실효 적 으로 , 간극 ( 7 ) 이 형성 된다 . 그리고 , 보조 전극 ( 2 ) 과 보조 전극 ( 3 ) 의 사이 에 흐르 는 전류 ( If ) 와 보조 전극 ( 2 ) 과 보조 전극 ( 3 ) 의 사이 에 인가 하 는 전압 ( Vf ) 의 관점 에서 는 , 도 9 에 도시 된 바 와 같이 비 선형 특성 을 얻 을 수 있 다 . 여기 서 , " 양호 한 간극 ( 7 ) 을 형성 을 하 지 않 는 경우 ( "" 저항 값 이 2 자리 수 이상 상승 하 지 않 는 경우 "" 라고 환언 할 수 도 있 음 ) 에 는 ", 보조 전극 ( 2 ) 과 보조 전극 ( 3 ) 의 사이 에 저항 인 전류 성분 이 남 기 때문 에 비 선형 성 이 충분히 발현 하 지 않 는다 .