다음 으로 , 도 28 의 S 80 에서 설명 한 바 와 같이 , 단자 부 ( 20 ) 에서 는 몰리브덴 막 의 제거 가 행해진다 . 상기 한 바 와 같이 , 몰리브덴 막 의 제거 , 즉 패 터닝 에 는 , 예 를 들 면 PAN 액 을 이용 하 여 웨트 에칭 기술 에 의해 행할 수 있 다 . 몰리브덴 막 의 제거 는 보호 절 연막 ( 62 ) 을 마스크 로 하 여 행할 수 있 다 . 따라서 , 보호 절 연막 ( 62 ) 의 개구부 의 부분 의 몰리브덴 막 이 제거 되 고 , 그 제거 와 함께 몰리브덴 막 상 의 표면 생성물 이 제거 된다 . 이 에 의해 , 단자 용 접속 배선 ( 124 ) 의 최상층 의 티탄 ( 194 ) 이 노 출 된다 . 그 모습 을 도 37 c 에 도시 한다 . 여기 서 는 , 계면 상태 ( 212 ) 로서 , 몰리브덴 막 과 함께 그 위 의 표면 생성물 이 제거 되 어 , 최상층 의 티탄 ( 194 ) 의 표면 이 노출 되 는 모습 이 도시 되 어 있 다 . 그리고 , 이 위 에 단자 용 투명 도전 막 ( 128 ) 이 형성 되 게 된다 .