상기 기술 적 과제 들 을 해결 하 기 위한 반도체 장치 의 제조 방법 이 제공 된다 . 이 방법 은 제 1 희생 막 및 상기 제 1 희생 막 상 의 제 2 희생 막 들 을 포함 하 는 주형 구 조체 를 형성 하 는 것 , 상기 주형 구 조체 를 관통 하 여 상기 기판 을 노출 하 는 개구부 를 형성 하 는 것 , 상기 개구부 내 에 수직 패턴 및 반도체 패턴 을 차례 로 형성 하 는 것 , 상기 주형 구 조체 를 패 터닝 하 여 상기 개구부 로부터 이격 되 고 상기 제 1 희생 막 을 노출 하 는 트렌치 를 형성 하 는 것 , 상기 노출 된 제 1 희생 막 및 상기 제 1 희생 막 과 접하 는 수직 패턴 의 일부 를 제거 하 여 상기 기판 및 상기 반도체 패턴 의 측벽 을 노출 하 는 제 1 리세 스 영역 을 형성 하 는 것 , 및 상기 노출 된 반도체 패턴 으로부터 돌출 되 어 상기 반도체 패턴 과 상기 기판 을 연결 하 는 반도체 연결 층 을 형성 하 는 것 을 포함 할 수 있 다 .