본 발명 에 의한 자기 메모리 장치 및 그 기입 방법 은 1 T 2 MTJ 형 의 자기 메모리 장치 에서 , 자기 저항 효과 소자 의 특성 편차 에 대한 충분 한 판독 마진 을 확보 하 고 , 기입 동작 시 의 노이즈 에 대한 내성 이나 확실 성 을 향상 할 수 있 는 것 이 며 , 자기 메모리 장치 의 신뢰 성 을 향상 시킬 뿐 만 아니 라 매우 유용 하 다 .