이상 에서 설명 한 본 발명 의 실시 예 에서 제 2 물질 층 ( 20 ) 의 산소 농도 는 그 증착 방향 ( 즉 , 두께 방향 ) 으로 균일 할 수 있 다 . 그러나 본 발명 의 다른 실시 예 에 따르 면 , 증착 방향 ( 즉 , " 두께 방향 ) 으로 산소 농도 가 변하 는 제 2 물질 층 을 사용 할 수 도 있 다 . 그 예 가 도 8 및 도 9 에 도시 되 어 있 다 . 도 8 및 도 9 에서 M 1 ' 및 M 1 "" 는 메모리 층 을 "," ME 1 ' 및 ME 1 "" 는 메모리 요소 를 나타낸다 . "