다음 으로 , 도 8 의 ( b ) 에 도시 한 바 와 같이 , 실리콘 층 ( 101 ) 위 에 미 러면 ( 11 a ) 을 형성 한다 . 미러 면 ( 11 a ) 의 형성 에서 는 , 우선 스퍼터링 법 에 의해 , 실리콘 층 ( 101 ) 에 대해 예 를 들 면 Cr ( 50 ㎚) 및 이 에 계속 해서 Au ( 200 ㎚) 를 성막 한다 . 다음 으로 , 소정 의 마스크 를 통하 여 이 들 금속 막 에 대해 에칭 처리 를 순차 적 으로 행함 으로써 , 미러 면 ( 11 a ) 을 패턴 형성 한다 . Au 에 대한 에칭 액 으로서 는 , 예 를 들 면 요드 화 칼륨 - 요오드 수용액 을 사용 할 수 있 다 . Cr 에 대한 에칭 액 으로서 는 , 예 를 들 면 질산 제 2 세륨 암모늄 수용액 을 사용 할 수 있 다 .