상술 한 방법 에 따르 면 , 제 2 절 연막 ( 103 ) 이 형성 된 이후 에 상변화 물질 막 ( 110 ) 이 형성 될 수 있 어 , 제 2 절 연막 ( 103 ) 형성 공정 이 상변화 물질 막 ( 110 ) 형성 에 영향 을 미치 는 것 을 피할 수 있 다 . 즉 , 상변화 물질 막 ( 110 ) 이 고려 될 필요 가 없 기 때문 에 , 제 2 절 연막 ( 103 ) 형성 공정 의 조건 을 다양 하 게 설정 할 수 있 다 . 상변화 물질 막 ( 110 ) 에 영향 을 미치 지 않 는 저온 공정 ( 예 를 들 어 300 ℃ 미만 ) 으로 제 2 절 연막 ( 103 ) 을 형성 할 필요 는 없 다 . 간극 매립 특성 ( gap filling ) 이 우수 한 조건 하 에서 ( 예 를 들 어 고온 공정 하 에서 ) 제 2 절 연막 ( 103 ) 을 형성 할 수 있 어 개구부 ( 70 ) 에 보이드 등 의 발생 없이 제 2 절 연막 ( 103 ) 을 개구부 ( 70 ) 를 채우 도록 형성 할 수 있 다 . 예 를 들 어 우수 한 단차 도포 성 ( step coverage ) 을 나타내 도록 300 ℃ 이상 의 고온 증착 공정 을 사용 하 여 제 2 절 연막 ( 103 ) 을 형성 할 수 있 다 .