이때 , 제 2 양자 점층 ( 134 ) , 제 3 절연성 반도체 박막 ( 120 - 3 ) , 제 3 양자 점층 ( 136 ) 및 제 4 절연성 반도체 박막 ( 120 - 4 ) 의 순차 형성 과정 은 상술 한 도 2 의 단계 ( b ) 내지 도 2 의 단계 ( d ) 의 원리 와 같 다 . 예 를 들 어 , 제 2 양자 점층 ( 134 ) 과 제 3 양자 점층 ( 136 ) 은 상술 한 도 2 의 단계 ( b ) 및 도 2 의 단계 ( c ) 의 제 1 양자 점층 ( 134 ) 의 형성 방법 및 형성 물질 과 동일 한 방법 , 물질 등 이 이용 될 수 있 으며 , 제 3 절연성 반도체 박막 ( 120 - 3 ) 과 제 4 절연성 반도체 박막 ( 120 - 4 ) 은 상술 한 도 2 의 단계 ( d ) 의 제 2 절연성 반도체 박막 ( 120 - 2 ) 의 형성 방법 및 형성 물질 과 동일 한 방법 , 물질 등 이 이용 될 수 있 다 . 다만 , 제 3 양자 점층 ( 136 ) 상 에 형성 되 는 제 4 절연성 반도체 박막 ( 120 - 4 ) 의 두께 는 제 2 절연성 반도체 박막 ( 120 - 2 ) 또는 제 3 절연성 반도체 박막 ( 120 - 3 ) 보다 두껍 게 형성 되 는 것 이 바람직 하 다 . 이 는 제 4 절연성 반도체 박막 ( 120 - 4 ) 의 경우 본 발명 의 플래시 기억 소자 에 있 어 게이트 전극 ( 150 ) 과 플로팅 게이트 간 의 절연 을 위한 게이트 절 연막 으로서 의 역할 을 담당 하 기 때문 이 다 . 따라서 , 제 4 절연성 반도체 박막 ( 120 - 4 ) 은 분자 빔 성 장법 을 이용 하 여 약 120 초 동안 박막 을 성장 시키 는 방법 으로 약 19 . 5 nm 의 두께 로 형성 될 수 있 다 .