본 발명 은 엘리 베이 티 드 소스 / 드레 인 을 갖 는 반도체 메모리 소자 및 그 제조 방법 에 관한 것 으로서 , 보다 상세 하 게 는 선택 적 에피택시 얼 성장 ( selective epitaxial growth : SEG ) 을 수행 하 여 획득 하 는 엘리 베이 티 드 소스 / 드레 인 을 갖 는 반도체 메모리 소자 및 그 제조 방법 에 관한 것 이 다 .