상기 실시 형태 1 내지 실시 형태 5 에서 나타낸 In , Sn , 및 Zn 을 주성분 으로 하 는 산화물 반도체 를 채널 영역 으로 하 는 트랜지스터 는 , 상기 산화물 반도체 를 형성 할 때 에 기판 을 가열 하 여 형성 하 거나 또는 산화물 반도체 막 을 형성 한 후 에 열 처리 를 행함 으로써 양호 한 특성 을 얻 을 수 있 다 . 또한 , " "" 주성분 "" 이 란 ", 조성 비율 로 5 at . % 이상 포함 되 는 원소 를 가리킨다 .