여기 에서 , 어떤 파장역 의 광 에 대한 구성 단위 의 굴절 률 특성 의 변화 는 , 당해 파장역 의 광 에 대한 구성 단위 의 흡수 스펙트럼 의 변화 와 상관 이 있 다고 생각 된다 . 구체 적 으로 말 하 면 , 어떤 파장역 에 있 어서 의 구성 단위 의 흡수 스펙트럼 의 변화 가 큰 경우 , 당해 파장역 에 있 어서 의 구성 단위 의 굴절 률 특성 의 변화 가 커져 , 당해 구성 단위 에 있 어서 의 복굴절 의 파장 분산 성 이 증대 한다 . 이것 은 , 굴절 률 n 과 당해 굴절 률 을 나타내 는 물질 의 비유전율 ε e 의 관계 를 나타내 는 식 n 2 = ε e ( 이 식 은 , 맥스웰 의 전자 방정식 으로부터 도출 된 전자파 의 파동 방정식 을 기초 로 얻 어 진다 ) , 비유전율 ε e 와 전기 감수 율 χ 의 관계식 ( ε e = 1 + χ ) , 및 전기 감수 율 χ 가 식 χ = P / ε 0 E ( P : 분극 , E : 전기장 , ε 0 : 진공 유전율 ) 로 표시 되 고 , 분극 P 가 단위 체적 당 의 쌍극자 모멘트 로 정의 되 며 , 쌍극자 모멘트 의 2 승 이 진동자 강도 ( 오실 레이터 스트렝스 ) 에 비례 하 며 , 진동자 강도 가 몰 흡광 계수 의 합인 적분 흡수 계수 에 비례 하 는 것 으로부터 도출 된다 .