이어서 , 콘 택 마스크 ( 31 ) 를 식각 마스크 로 이용 하 여 층간 절 연막 ( 30 ) 을 식각 하 여 콘 택 영역 을 개방 시키 고 , 연속 해서 콘 택 영역 아래 의 N + 확산 층 ( 29 ) 의 일부 를 제거 하 여 리세 스 ( 32 ) 를 형성 한다 . 이때 , 리 세스 ( 32 ) 의 깊이 는 N + 확산 층 ( 29 ) 의 깊이 와 동일 하 거나 더 깊 고 , 리 세스 ( 32 ) 는 이웃 한 트랜지스터 의 N + 확산 층 ( 29 ) 사이 를 분리 시키 기 위한 것 이 다 .