네 가티 브 형 착색 막 에 의해 형성 되 어 있 는 네 가티 브 형 컬러 레지스 트 층 의 표면 은 , 형성 하 고 싶 은 복수 의 광전 변환 소자 에 대응 하 는 복수 의 부분 을 , 포토 마스크 를 사용 해 패턴 노광 한다 . 포토 마스크 는 실제로 형성 하 는 패턴 의 치수 의 4 ~ 5 배 의 치수 를 가지 고 있 고 , 패턴 노광 시 에 1 / 4 ~ 1 / 5 로 축소 해 패턴 노광 을 행한다 .