다음 에 , 도 15 ( B ) 에 나타내 는 바 와 같이 , 마스크 ( 712 ) 를 애 싱 등 에 의해 제거 한 후 , 게이트 절 연막 ( 709 ) 및 전극 ( 710 ) 을 덮 도록 절 연막 을 형성 한다 . 그 절연 막 은 플 라즈 마 CVD 법 이나 스퍼터링 법 등 에 의해 규소 막 , 산화 규소 막 , 산화 질화규소 막 또는 질화 산화 규소 막 이나 , 유기 수지 등 의 유기 재료 를 함유 하 는 막 을 단층 또는 적층 하 여 형성 한다 . 본 실시 예 에서 는 , 막 두께 100 ㎚ 의 산화 규소 막 을 플 라즈 마 CVD 법 에 의해 형성 한다 .