본 발명 의 실시 형태 에서 , 선택 회로 ( 110 ) 는 제 1 수광 영역 ( 72 ) 과 제 2 수광 영역 ( 78 ) 이 구성 되 는 반도체 기판 에 형성 되 는 것 이 바람직 하 다 . 그러나 , 선택 회로 ( 110 ) 는 , 제 1 수광 영역 ( 72 ) 과 제 2 수광 영역 ( 78 ) 이 구성 되 는 반도체 기판 과 는 다른 반도체 기판 상 에 구성 할 수 도 있 다 . 선택 회로 ( 110 ) 에 입력 되 는 제어 신호 CTL 은 , 수광 소자 의 외부 로부터 얻 을 수 있 다 . 또한 , 선택 회로 ( 110 ) 가 형성 되 는 반도체 기판 상 에 제어 회로 를 형성 하 고 , 그 제어 회로 가 생성 하 는 제어 신호 CTL 을 선택 회로 ( 110 ) 에 입력 할 수 도 있 다 .