TFT ( 5 a ) 는 , 보텀 게이트 구조 를 가지 며 , 도 3 및 도 4 에 나타내 듯이 , 절연 기판 ( 10 a ) 상 에 형성 된 게이트 전극 ( 11 aa ) 과 , 게이트 전극 ( 11 aa ) 을 피복 하 도록 형성 된 게이트 절연 층 ( 12 ) 과 , 게이트 절연 층 ( 12 ) 상 에서 게이트 전극 ( 11 aa ) 에 겹쳐지 도록 섬 형상 으로 형성 된 채널 영역 ( C ) 을 갖 는 산화물 반도체 층 ( 13 a ) 을 구비 한다 . 또 , TFT ( 5 a ) 는 , 산화물 반도체 층 ( 13 a ) 상 에 , 게이트 전극 ( 11 aa ) 에 겹쳐짐 과 동시 에 채널 영역 ( C ) 을 사이 에 두 고 서로 대치 ( 對峙 ) 하 도록 형성 된 소스 전극 ( 16 aa ) 및 드레 인 전극 ( 16 b ) 을 구비 한다 .