도 9 g 를 참조 하 면 , 더미 게이트 전극 층 ( 60 ) 및 희생 층 들 ( 70 , 도 9 f 참조 ) 이 제거 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 습식 식각 이 사용 될 수 있 다 . 이 로써 제 1 게이트 스 페이서 ( 30 a ) 의 내 측벽 , 제 2 게이트 스 페이서 ( 30 b ) 의 내 측벽 , 채널 의 최 하단 부분 ( 11 a ) 의 상면 , 및 채널 의 나머지 부분 들 ( 11 a 내지 11 d ) 의 상면 및 하면 을 노출 시키 는 게이트 트렌치 ( GT ) 가 형성 될 수 있 다 .