상기 제 1 내지 제 4 상부 도전 성 플러그 ( 181 , 191 , 201 , 211 ) 을 형성 하 는 공정 은 우선 패 터닝 공정 을 실시 하 여 상기 제 1 하부 도전 막 ( 131 ) 의 일부 를 노출 하 는 제 2 내지 제 5 콘 택 홀 ( 미 도시 ) 을 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 이 는 제 6 절 연막 ( 166 ) 상 에 감광막 을 도포 한 다음 마스크 를 이용 한 사진 현상 공정 을 통해 감광막 패턴 을 형성 하 고 , 이 를 식각 마스크 로 하 는 식각 공정 을 실시 하 여 제 2 내지 6 절 연막 ( 162 , 163 , 164 , 165 , 166 ) 및 제 2 내지 제 4 유전체 막 ( 142 , 143 , 144 ) 을 제거 하 여 제 1 내지 제 4 상부 도전 막 ( 151 , 152 , 153 , 154 ) 을 노출 하 는 제 2 내지 제 5 콘 택 홀 ( 미 도시 ) 을 형성 한다 . 이때 , 상기 제 2 내지 제 5 콘 택 홀 은 제 1 내지 제 4 상부 도전 막 ( 151 , 152 , 153 , 154 ) 상측 영역 에 각각 형성 되 는 것 이 바람직 하 다 .