본 발명 기술 적 사상 의 실시 예 들 에 따른 전자 장치 는 가변저항 소자 를 갖 는 반도체 메모리 또는 반도체 소자 를 포함 할 수 있 다 . 일 실시 예 에서 , 상기 가변저항 소자 는 하부 전극 , 자기 터널 접합 ( Magnetic Tunnel Junction ; MTJ ) , 및 상부 전극 을 포함 할 수 있 다 . 상기 반도체 메모리 또는 상기 반도체 소자 는 STT - RAM ( Spin Transfer Torque Random Access Memory ) 또는 MRAM ( Magnetic Random Access Memory ) 을 포함 할 수 있 다 .