여기 서 사용 하 는 것 과 같이 CNT 재료 는 1 개 이상 의 단일 및 / 또는 다중 - 벽 CNT 를 포함 하 는 재료 를 나타낸다 . 몇몇 실시 예 에서 상기 CNT 재료 의 각 튜브 는 수직 으로 나란히 배열 될 수 있 다 . 수직 정렬 된 CNT 는 측면 전도 가 없 거나 거의 없 는 수직 전류 가 흐르 도록 한다 . 몇몇 실시 예 에서 , " 상기 CNT 재료 의 각 튜브 는 실질 적 으로 수직 으로 나란히 배열 되 어 인접 한 메모리 셀 사이 의 측면 또는 브리 징 전도 경로 의 형성 을 감소 시키 거나 또는 방지 하 도록 제조 될 수 있 다 . 이러 한 수직 의 나란 한 배열 은 인접 한 메모리 셀 의 상태 및 / 또는 프로그래밍 에 의해 메모리 셀 이 영향 을 받 고 / 받 거나 "" 방해 를 받 는 "" 것 을 감소 시키 고 / 시키 거나 방지 한다 . 각 튜브 분리 는 상기 CNT 재료 의 전체 두께 에 걸쳐 연장 되 거나 또는 연장 되 지 않 을 수 있 다는 것 을 주의 해야 한다 . 예 를 들 어 ", 초기 성장 단계 중 에 몇몇 또는 대부분 의 각 튜브 는 수직 으로 나란히 배열 되 고 , 분리 될 수 있 다 . 그러나 각 튜브 들 이 수직 으로 길이 가 증가 하 는 것 과 같이 튜브 중 일부 는 또 다른 것 과 접촉 할 수 있 으며 , 심지어 얽히 거나 뒤엉키 게 될 수 있 다 . CNT 재료 를 형성 하 기 위한 예시 적 인 기술 을 하 기 에 기재 하 였 다 .