이어서 , 도 5 의 단계 S 106 에 나타내 는 바 와 같이 , 제 1 및 제 2 유기 트랜 지스 터 ( Tr 1 및 Tr 2 ) 의 유기 반도체 층 ( 66 ) 을 형성 하 고자 하 는 영역 이 개구 ( 개구부 ( 69 ) ) 하 는 뱅크 ( 67 ) 와 , 유기 EL 소자 ( 5 ) 를 형성 하 고자 하 는 영역 이 개구 ( 개구부 ( 69 ) ) 하 는 뱅크 ( 55 ) 를 동시 에 형성 한다 ( 도 6 B ( e ) ) . 구체 적 인 제조법 으로서 는 , 예 를 들 면 불소 함 유 레지스 트 를 스핀 코트 로 성막 한 후 , 포토 리소그래피 법 에 의해 패 터닝 하 여 형성 할 수 있 다 . 한편 , 유기 EL 소자 ( 5 ) 의 양극 ( 52 ) 과 음극 ( 54 ) 의 단락 을 막 기 위해 , 양극 ( 52 ) 의 단부 를 덮 도록 뱅크 ( 55 ) 를 패 터닝 하 는 것 이 바람직 하 다 .