이러 한 문제점 을 해결 하 기 위해 , 절단 될 칩 의 사각 모서리 부분 에 십 자형 절 단선 을 에칭 하 고 , 웨이퍼 에지 ( Edge ) 부분 에 대하 여 스크라이빙 ( Scribing ) 을 수행 한 후 칩 바 브레이킹 작업 을 하 는 방식 의 웨이퍼 절단 방법 이 개시 되 었 다 . 그러나 , 이 기술 의 경우 레이저 다이오드 칩 의 구조 와 절 단선 의 규격 간 의 상관 관계 를 감안 한 최적 의 절 단선 형성 구조 가 아직 제시 된 바 가 없 는 관계 로 실제 브레이킹 작업 이 용이 하 게 수행 되 지 않 을 뿐 만 아니 라 , 절단 되 는 칩 의 사이즈 도 수십 ㎛ 의 오 차 가 발생 하 는 취약점 이 있 다 .