도 2 e 에 도시 된 바 와 같이 , 적어도 식각 된 실리콘 산화 막 ( 23 a ) 을 식각 베리어 로 제 1 하드 마스크 ( 22 ) 를 식각 한다 . 여기 서 , 제 1 하드 마스크 ( 22 ) 의 식각 은 H 2 / N 2 가스 를 이용 하 여 수행 된다 . 따라서 실리콘 산화 막 ( 23 a ) 에 대한 식각 선택 비 확보 가 가능 함 과 동시 에 O 2 / N 2 가스 를 이용 한 식각 시 발생 되 는 스 트라이 에 이 션 ( striation ) 및 패턴 씨 닝 ( pattern thining ) 등 의 패턴 불량 을 방지 할 수 있 다 .