도 3 을 참조 하 면 , 비휘발성 메모리 장치 ( 30 ) 는 메모리 셀 어레이 및 페이지 버퍼 회로 ( PBC ) 를 각각 포함 하 는 복수 의 메모리 플레인 들 ( 401 , 402 , 403 ) , 로우 디코더 ( 430 ) , 복수 의 컬럼 게이트 ( Y - GATE ) 들 ( 411 , 412 , 413 ) , 데이터 입출력 회로 ( IOC ) , 제 어 회로 ( 450 ) 및 전압 생성기 ( 460 ) 를 포함 할 수 있 다 .