도 6 a 및 도 6 b 에서 , 개구 들 이 금속 캐리어 에 인가 된 포토레지스트 층 에 만들 어 진다 . 그 개구 들 은 금속 패드 들 이 융 착 되 는 영역 을 한정 하 고 , 일단 융 착 이 되 면 , 포토레지스트 층 이 벗겨진다 . 보호 층 ( 46 ) 에 선택 적 인 예비 - 형성 된 비어 들 을 구비 한 반도체 다이 ( 48 ) 는 금속 캐리어 에 아래 로 향하 도록 인가 된다 . 반도체 다이 ( 48 ) 는 패시브 부품 들 ( 52 ) 을 따라서 몰딩 화합물 ( 58 ) 로 캡슐 화 된다 . 금속 캐리어 는 반도체 소자 들 에서 벗겨지 고 절연 층 ( 63 ) 이 접촉 패드 ( 44 ) 및 보호 층 ( 46 ) 에 인가 된다 . 보호 층 ( 46 ) 이 예비 - 형성 되 지 않 은 경우 에 비어 들 이 절연 층 ( 63 ) 및 보호 층 ( 46 ) 에 형성 된다 .