도 3 에 나타내 는 피 가 공물 ( W 1 ) 은 , 예컨대 , 실리콘 을 모재 로 하 는 원형 의 반도체 웨이퍼 이 고 , 상측 을 향하 고 있 는 표면 ( W 1 a ) 에 는 , 복수 의 분할 예정 라인 ( S ) 에 의해 구획 된 격자 형 의 영역 에 디바이스 ( D ) 가 형성 되 어 있 다 . 또한 , 피 가 공물 ( W 1 ) 의 하측 을 향하 고 있 는 이면 ( W 1 b ) 은 다 이싱 테이프 ( T ) 가 접착 되 어 보호 되 어 있 다 . 예컨대 , 피 가 공물 ( W 1 ) 의 두께 는 , 종래 의 배 인 1 ㎜ 로 되 어 있 다 . 또한 , 피 가 공물 ( W 1 ) 은 실리콘 이외 로 갈륨비소 , 사파이어 , 세라믹스 , 수지 , 질화 갈륨 , 또는 실리콘 카바이드 등 으로 구성 되 어 있 어도 좋 고 , 그 외형 도 원 형상 이 아니 라 , 예컨대 , 직사각 형상 으로 형성 되 어 있 어도 좋 다 . 또한 , 피 가 공물 ( W 1 ) 은 , 도시 하 지 않 는 환형 프레임 에 의해 다 이싱 테이프 ( T ) 를 통해 핸들링 가능 하 게 지 지 되 어 있 어도 좋 다 .