한편 , 형광 층 ( 130 ) 은 도 3 에서 도시 하 는 바 와 같이 , 와이어 와 와이어 본딩 되 는 발광 소자 ( 20 ) 의 전극 ( 21 ) 을 수용 하 는 수용 홀 ( 136 ) 을 구비 할 수 있 다 . 상기 수용 홀 ( 136 ) 은 상기 발광 소자 ( 20 ) 의 전극 ( 21 ) 의 위치 및 구조 와 대응 하 여 상기 형광 층 ( 130 ) 을 관통 하 는 구조 로 형성 될 수 있 다 . 이 를 통해 , 패 키 징 공정 시 상기 형광 층 ( 130 ) 을 상기 발광 소자 ( 20 ) 위 에 얹 더라도 상기 발광 소자 ( 20 ) 의 전극 ( 21 ) 은 상기 수용 홀 ( 136 ) 내 에 수용 되 어 상기 형광 층 ( 130 ) 에 의해 커버 되 지 않 고 외부 로 노출 되 게 된다 . 이 후 , 와이어 와 안정 적 으로 와이어 본딩 될 수 있 으며 , 따라서 , 패 키 징 공정 시 와이어 의 변형 이 발생 할 염려 를 배제 할 수 있 다 . 즉 , 도 1 에서 도시 하 는 형광 층 구조 는 와이어 본딩 된 발광 소자 ( 20 ) 를 와이어 와 함께 눌러 코팅 하 는 구조 인 반면 , 도 3 에서 도시 하 는 형광 층 의 구조 는 발광 소자 ( 20 ) 만 을 코팅 한 상태 에서 와이어 본딩 이 이루어지 는 구조 인 점 에서 차이 가 있 다 . 도면 에서 와 같이 상기 형광 층 ( 130 ) 에 수용 홀 ( 136 ) 이 구비 되 는 경우 , 상기 베이스 필름 ( 110 ) 에 는 상기 수용 홀 ( 136 ) 과 대응 하 는 쓰루 홀 ( 111 ) 이 구비 되 어 상기 형광체 필름 ( 100 ') 을 전체 적 으로 관통 하 는 구조 를 이룰 수 있 다 . 도면 에서 는 발광 소자 ( 20 ) 상 에 하나 의 전극 ( 21 ) 이 형성 된 경우 를 예시 하 고 있 으나 , 이러 한 전극 구조 는 이 에 한정 되 지 않 고 복수 개 로 구비 되 는 것 도 가능 하 며 , 이 경우 상기 수용 홀 ( 136 ) 은 복수 의 전극 에 대응 하 여 형성 될 수 있 다 . 상기 수용 홀 ( 136 ) 과 쓰루 홀 ( 111 ) 은 펀칭 이나 레이저 조사 를 통해 형성 하 거나 식각 또는 에칭 을 통해 형성 할 수 있 다 . 여기 서 , 상기 발광 소자 ( 20 ) 는 반도체 층 및 활성 층 을 구비 하 는 LED 칩 을 포함 하 며 , 상기 발광 소자 의 상면 에 는 전극 적어도 하나 구비 될 수 있 다 .