도 4 ( a ) 의 구성 은 , 저항 ( RSIG ) 이 직렬 로 각각 저항 치가 상이 하 거나 , 또는 동일 한 복수 의 저항 으로 형성 되 고 , 복수 의 프로세스 공정 에서 의 배선 공정 에 있 어서 , 배선 을 형성 하 는 메탈 마스크 에 의해 소정 의 저항 의 양단 을 쇼트 ( 바이패스 ) 시켜 , 사용 용도 에 대응 하 는 원 하 는 저항 치 로 조정 한다 . 이것 에 의해 , 대상 이 되 는 명도 레벨 이나 동작 속도 에 대응 시키 는 것 이 가능 해지므로 , 하나 의 종류 의 반도체 소자 를 각종 용도 에 사용 할 수 있 어 , 제조 비용 을 삭감 할 수 있 다 .