일부 아키텍처 에서 , 셀 의 로직 저장 엘리먼트 , 예 를 들 어 , 커패시터 는 선택기 디바이스 에 의해 디 지트 라인 과 전기 적 으로 절연 될 수 있 다 . 워드 라인 ( 110 ) 은 선택기 디바이스 에 연결 될 수 있 고 선택기 디바이스 를 제어 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 선택기 디바이스 는 트랜지스터 일 수 있 고 , 워드 라인 ( 110 ) 은 트랜지스터 의 게이트 에 연결 될 수 있 다 . 또한 , 메모리 셀 ( 예 를 들 어 , FeRAM , RRAM 등 ) 에 따라 , 다른 액세스 라인 , 예 를 들 어 , 플레이트 라인 ( 미 도시 ) 이 셀 의 저장 엘리먼트 에 액세스 하 는 것 에 수반 될 수 있 다 . 워드 라인 ( 110 ) 을 활성 화 는 메모리 셀 ( 105 ) 의 캐 패 시터 와 그것 의 대응 하 는 디 지트 라인 ( 115 ) 사이 의 전기 적 연결 또는 폐회로 로 귀결 된다 . 그런 다음 디 지트 라인 은 메모리 셀 ( 105 ) 을 판독 하 거나 기록 하 기 위해 액세스 될 수 있 다 .