이 와 같 은 특성 을 가지 는 본 발명 에 의한 인덕 터 의 특성 을 확인 하 기 위하 여 컴퓨터 모사 ( simulation ) 를 하 여 도 8 에 나타내 었 다 . 컴퓨터 모사 에 사용 된 종래 기술 에 의한 인덕 터 와 본 발명 에 의한 인덕 터 는 공정 한 비교 를 위하 여 동일 한 면적 을 가지 도록 설계 되 었 으며 , 종래 기술 에 의한 인덕 터 는 도 4 의 ( A ) 에 도시 된 구조 를 선택 하 였 고 , 본 발명 에 의한 인덕 터 는 도 4 의 ( B ) 에 도시 된 구조 를 선택 하 였 다 . 컴퓨터 모사 에 사용 된 금속 선 및 기판 은 현재 상용 으로 흔히 사용 되 고 있 는 RFCMOS 0 . 25 ㎛ 의 것 을 이용 하 였 다 . 금속 선 은 알루미늄 으로 형성 하 였으며 , 두께 는 1 . 5 ㎛ 이 다 . 두 가지 인덕 터 의 특성 을 살피 기 위하 여 인덕 터 의 Q - 인자 ( Quality factor ) 를 서로 비교 하 였 는데 , 이러 한 Q - 인자 의 값 이 클수록 인덕 터 의 기생 저항 성분 에 비하 여 인덕턴스 값 이 크 다는 의미 가 되 어 , 높 은 Q - 인자 를 가지 는 인덕 터 가 더 특성 이 좋 은 인덕 터 라고 할 수 있 다 . 컴퓨터 모사 의 결과 로부터 , 약 5 ㎓ 이하 의 주파수 영역 에서 는 종래 기술 에 의한 인덕 터 와 본 발명 에 의한 인덕 터 의 Q - 인자 는 서로 비슷 한 값 을 가졌 다 . 하지만 , 5 ㎓ 이상 의 주파수 영역 에서 는 본 발명 에 의한 인덕 터 가 종래 기술 에 의한 인덕 터 에 비하 여 높 은 Q - 인자 를 유지 함 을 확인 할 수 있 다 . 이 로부터 본 발명 에 의한 인덕 터 는 고주파 회로 의 특성 을 향상 시킬 수 있 음 을 알 수 있 다 .