구체 적 으로 , 제 1 감광막 ( 20 ) 의 단일 핀 은 두께 ( T ) 가 30 ∼ 180 ㎚ 일 수 있 고 , 높이 ( H ) 가 50 ∼ 300 ㎚ 일 수 있 다 . 제 1 감광막 ( 20 ) 의 단일 핀 과 단일 핀 사이 의 간격 ( G ) 이 10 ∼ 50 ㎚ 일 수 있 다 . 이 처럼 , 제 1 감광막 ( 20 ) 의 단일 핀 과 단일 핀 사이 의 간격 ( G ) 이 수십 나노미터 이하 이 므로 , HEMT 소자 의 게이트 영역 에 는 수십 나노미터 이하 인 핀 구조 가 형성 될 수 있 다 .