도 4 를 참조 하 면 , 기준 웨이퍼 ( 20 ) 와 결합 웨이퍼 ( 10 ) 를 세정 하 여 표면 의 오염물 을 제거 한 후 이 들 두 웨이퍼 를 수직 적 으로 접착 시킨다 ( S 16 ) . 본 발명 에서 는 종래 의 수평 접착 식 과 달리 기준 웨이퍼 ( 20 ) 와 결합 웨이퍼 ( 10 ) 의 실리콘 산화 막 ( 12 ) 의 적어도 일부 가 먼저 접촉 되 면서 그 접촉면 적 이 한 쪽 방향 으로 증가 하 면서 접착 되 도록 한다 . 이 는 기준 웨이퍼 ( 20 ) 와 결합 웨이퍼 ( 10 ) 의 표면 이 모두 굴곡 이 있 다는 점 과 실리콘 웨이퍼 가 탄성체 라는 점 을 고려 하 여 한쪽 방향 으로 가압 하 면서 접착 함 으로써 접촉 표면 이 평탄 해 지 면서 이 들 사이 에 형성 될 수 있 는 수분 등 의 보이드 성분 을 외측 으로 밀어내 어 제거 하 면서 접착 하 는 형태 이 기 때문 에 접착 면 에서 의 보이드 가 현저히 감소 되 어 접착력 이 향상 될 수 있 도록 해준다 .