다음 에 , 동작 4407 을 참조 하 면 , 프로세스 는 맨드릴 의 측벽 들 에서 주석 옥사이드 를 완전히 제거 하 지 않 고 맨드릴 의 수평 표면 들 로부터 주석 옥사이드 를 완전히 제거 하 는 것 으로 이어진다 . 이 에칭 은 본 명세서 에 기술 된 임의 의 적합 한 주석 옥사이드 에칭 화학 물질 들 을 사용 하 여 , 예컨대 수소 - 기반 에칭 ( 예 를 들 어 , H 2 플 라즈 마 ) , 염소 - 기반 에칭 ( 예 를 들 어 , 플 라즈 마의 Cl 2 및 / 또는 BCl 3 ) , HBr 플 라즈 마 에칭 또는 이 들 에칭 들 의 임의 의 조합 을 사용 하 여 , 수행 될 수 있 다 . 도 3 d 및 도 3 e 에 도시 된 실시 예 에서 , 이러 한 에칭 은 2 단계 들 로 수행 된다 . 제 1 단계 에서 , 맨드릴 의 상단 부 에 노출 된 실리콘 옥사이드 외측 맨드릴 재료 및 맨드릴 의 하단 코너 부 들 에서 과도 한 주석 옥사이드 를 갖 는 , 도 3 c 에 도시 된 구조 체 를 제공 하 기 위해 , 염소 - 기반 에칭 ( 예 를 들 어 , 플 라즈 마의 BCl 3 및 Cl 2 ) 을 사용 하 여 수평 표면 들 로부터 대부분 의 주석 옥사이드 가 에칭 된다 . 다음 에 , 과도 한 주석 옥사이드 는 수소 - 기반 오버 에칭 화학 물질 ( 예 를 들 어 , 플 라즈 마의 H 2 ) 로 에칭 되 어 , 도 3 d 에 도시 된 구조 체 를 제공 한다 . 다음 에 맨드릴 재료 는 도 1 a 내지 도 1 f 를 참조 하 여 이전 에 기술 된 바 와 같이 , 스 페이서 들 307 을 남기 면서 , 선택 적 으로 에칭 되 고 제거 된다 . 도시 된 실시 예 에서 맨드릴 에칭 화학 물질 은 또한 패 시베이 션 층 ( 309 ) 을 제거 하 여 , 도 3 e 에 도시 된 구조 체 를 유도 한다 . 도 1 d 및 도 1 f 를 참조 하 여 이전 에 기술 된 바 와 같이 ESL 의 후속 하 는 프로세싱 이 이어질 수 있 다 .