상기 제 2 도전 형 반도체 층 ( 315 ) 은 초격자 구조 를 포함 할 수 있 으며 , 상기 초격자 구조 는 InGaN / GaN 초격자 구조 또는 AlGaN / GaN 초격자 구조 를 포함 할 수 있 다 . 상기 제 2 도전 형 반도체 층 ( 315 ) 의 초격자 구조 는 비 정상 적 으로 전압 에 포함 된 전류 를 확산 시켜 주 어 , 활성 층 ( 314 ) 을 보호 할 수 있 다 .