또한 , 실리콘 반도체 기판 ( 10 ) 의 두께 변동 은 평균값 ± 5 ㎛ 의 범위 내 에 있 어야 한다 . 실리콘 반도체 기판 의 두께 가 평면 에서 가변 되 면 , 다음 RIE 단계 에서 , 실리콘 이 두꺼운 부분 에서 는 식각 이 충분 하 지 못하 게 되 며 실리콘 이 얇 은 부분 에서 는 노 칭 ( notching ) 이 라 불리 는 스쿠프 ( scoop ) 가 형성 된다 .