전술 한 바 와 같이 통상 적 으로 종래 의 박막 트랜지스터 의 소스 전극 및 드레 인 전극 은 Ti 층 및 Al 층 을 포함 한 다층 으로 형성 되 거나 Mo 층 및 Al 층 을 포함 한 다 층 으로 형성 되 었 다 . 그러나 Ti 층 이 최 상부 에 위치 할 경우 소스 전극 및 드레 인 전극 을 형성 한 후 의 후속 공정 이 질소 분위기 에서 이루어질 경우 Ti 층 이 질화 되 거나 , 후속 공정 중 식각 등 의 공정 을 거칠 경우 Ti 층 이 산화 된다는 문제점 이 있 었 다 . 또한 Mo 층 이 최 상부 에 위치 할 경우 소스 전극 및 드레 인 전극 을 형성 할 시 동시 에 형성 하 는 배선 의 최 상부 층 역시 Mo 층 이 되 는 바 , 이 는 배선 을 형성 한 후 후속 공정 에서 화소 전극 등 을 형성 하 면서 거치 게 되 는 식각 공정 중 쉽 게 손상 된다는 문제점 이 있 었 다 .