그것 에 대하 여 , 본 발명 에서 는 , 다 계조 마스크 를 사용 함 으로써 공통 전극 상방 의 게이트 절 연막 의 노출 과 채널 영역 의 형성 을 1 장 의 마스크 로 행할 수 있 다 . 이 때문 에 , 종래 보다 도 포토 마스크 를 1 장 삭감 할 수 있 고 , 레지스 트 형성 공정 이나 노광 공정 등 을 포함 하 는 포토 리소그래피 공정 을 1 회 적 게 할 수 있 으므로 , 소자 의 제조 공정 이 간략 화 된다 . 또한 , 채널 형성 은 매우 좁 은 개소 를 패 터닝 하 기 때문 에 , 다 계조 마스크 를 사용 함 으로써 포토 마스크 의 위치 맞춤 에 어긋남 이 일어나 기 어렵 게 되 어 , 미세 가공 이 용이 하 게 된다 .