이 SiGe 막 을 , 포토 리소그래피 를 이용 하 여 섬 형상 으로 가공 하 였 다 . 이 위 에 , 게이트 절연 층 ( 5 ) 으로서 SiO 2 막 을 , TEOS 를 이용 한 PECVD 에 의해 형성 하 였 다 . 막 두께 는 100 ㎚ 로 하 였 다 . 다음 으로 , 스퍼터링 법 에 의해 Nb 막 을 형성 하 고 , 포토 리소그래피 를 이용 하 여 게이트 전극 배선 ( 6 ) 으로 가공 하 였 다 . 이 위 에 , 층간 절연 층 ( 7 ) 으로서 SiO 2 막 을 , TEOS 를 이용 한 PECVD 에 의해 형성 하 고 , 포토 리소그래피 를 이용 하 여 컨 택트 홀 을 형성 하 였 다 . 다음 으로 , CrMo 막 을 스퍼터링 법 에 의해 형성 하 고 , 포토 리소그래피 법 에 의해 소스 전극 배선 ( 9 ) 과 드레 인 전극 배선 ( 10 ) 으로 가공 하 였 다 . 또한 , 이 위 에 , 보호 성 절연 층 ( 11 ) 으로서 SiN 막 을 PECVD 법 으로 형성 하 고 , 포토 리소그래피 를 이용 하 여 컨 택트 홀 을 형성 하 였 다 . 다음 으로 , 화소 전극 ( 12 ) 으로서 Al 막 을 스퍼터링 법 으로 성막 하 고 , 포토 리소그래피 를 이용 하 여 가공 하 였 다 .