표 5 와 표 6 을 참조 하 면 , 열처리 온도 가 올라갈수록 GaP 나노 물질 층 ( 310 ) 은 가시 광 영역 에서 p - Si , 및 c - Si 에 비하 여 매우 우수 한 소멸 계수 특성 을 보인다 . 즉 GaP 나노 물질 층 ( 310 ) 은 , 열처리 온도 450 ℃ 에서 는 p - Si ( GLA ) 보다 우수 한 소멸 계수 특성 을 보이 며 , 열처리 온도 550 ℃ 에서 는 p - Si ( RTA ) 보다 우수 한 소멸 계수 특성 을 보이 며 , 열처리 온도 650 ℃ 에서 는 c - Si 와 대응 한 소멸 계수 특성 을 보인다 . 또한 , GaP 나노 물질 층 ( 310 ) 의 가시 광 영역 에서 의 소멸 계수 는 상대 적 으로 고 비용 인 MOCVD 공정 을 통하 여 얻 어 진 나노 물질 층 ( 310 ) 과 거의 동등 하 다 .