이어서 , 층간 절 연막 ( 22 ) 상 에 하드 마스크 ( 23 ) 를 형성 한다 . 여기 서 , 하드 마스크 ( 23 ) 는 산화 막 , 실리콘 질 화 막 , 폴리 실리콘 또는 실리콘 이 다량 함유 된 산화 질화 막 ( Si - Rich OxyNitride ; SRON ) 중 에서 선택 된 어느 하나 로 형성 하 는데 , 바람직 하 게 는 실리콘 이 다량 함유 된 산화 질화 막 을 사용 한다 . 실리콘 이 다량 함유 된 산화 질화 막 은 산화 막 또는 실리콘 질화 막 ( Si 3 N 4 ) 보다 실리콘 이 다량 함유 됨 에 따라 자기 정렬 콘 택 식각 특성 ( SNC Self Aligned Contact Etch ) 이 더 우수 하 다 . 또한 , 실리콘 이 다량 함유 된 산화 질화 막 은 폴리 실리콘 보다 는 층간 절 연막 과 의 선택 비 조절 이 용이 하 여 후속 의 제거 공정 시 에 층간 절 연막 의 손실 을 최소 화 할 수 있 다 .