이상 에서 설명 한 바 와 같이 본 발명 에 따른 노광 마스크 의 제조 방법 및 이 를 이용 하 여 형성 한 반도체 소자 는 , 위상 반전 용 식각 층 을 별도 의 산화 막 층 에 구비 하 되 , 그 하부 에 는 산화 막 과 식각 선택 비 를 갖 는 실리콘 질화 막 을 더 형성 하 고 그 상부 에 는 루테늄 산화 막 과 같 은 정전기 방지 막 을 더 형성 함 으로써 , 정형 화 된 위상 반전 패턴 을 용이 하 게 형성 하 고 , 노광 마스크 제조 공정 의 수율 을 향상 시키 고 , 반도체 소자 의 동작 신뢰 성 을 향상 시킬 수 있 는 효과 를 제공 한다 .