이러 한 할로겐 램프 ( HL ) 에 의한 예비 가열 을 행함 으로써 , 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 전체 를 예비 가열 온도 ( T 1 ) 로 균일 하 게 승 온 하 고 있 다 . 할로겐 램프 ( HL ) 에 의한 예비 가열 의 단계 에 있 어서 는 , 보다 방열 이 발생 하 기 쉬운 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 주연 부 의 온도 가 중앙부 보다 저하 하 는 경향 이 있 는데 , 할로겐 가 열부 ( 4 ) 에 있 어서 의 할로겐 램프 ( HL ) 의 배치 밀도 는 , 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 중앙부 에 대향 하 는 영역 보다 주연 부 에 대향 하 는 영역 이 높 아 져 있 다 . 이 때문 에 , 방열 이 발생 하 기 쉬운 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 주연 부 에 조사 되 는 광량 이 많 아 져 , 예비 가열 단계 에 있 어서 의 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 면내 온도 분포 를 균일 한 것 으로 할 수 있 다 .