이어서 , 규소 함유 레지스 트 중간막 상 에 포토레지스트 조성물 로 이루어지 는 레지스 트 상 층막 재료 를 이용 하 여 레지스 트 상 층막 을 형성 한다 . 레지스 트 상 층막 재료 로서 는 , 포지티브 형 이 라도 네거티브 형 이 라도 어느 쪽 이 라도 좋 으며 , 통상 이용 되 고 있 는 포토레지스트 조성물 과 같 은 것 을 이용 할 수 있 다 . 레지스 트 상 층막 재료 를 스핀 코트 한 후 , 60 ∼ 180 ℃ 에서 10 ∼ 300 초 동안 의 범위 로 프리 베 이크 를 행하 는 것 이 바람직 하 다 . 그 후 통상 의 방법 에 따라서 노광 을 행하 고 , 추가 로 포스트 익스포져 베 이크 ( PEB ) , 현상 을 행하 여 , 레지스 트 상 층막 패턴 을 얻 는다 . 또한 , 레지스 트 상 층막 의 두께 는 특별히 제한 되 지 않 지만 , 30 ∼ 500 nm 가 바람직 하 고 , 특히 50 ∼ 400 nm 가 바람직 하 다 .