도 33 및 도 34 에 도시 한 바 와 같이 , 산소 가스 및 염화수소 가스 를 사용 하 는 산화 공정 을 통해 수득 된 절연 구조물 ( XV ) 내 의 수소 농도 가 산소 가스 만 을 사용 하 는 산화 공정 을 통해 얻 어 진 절연 구조물 ( XIV ) 에 비하 여 상당히 낮 게 나타남 을 볼 수 있 다 . 또한 , 산소 가스 및 염화수소 가스 를 사용 하 는 산화 공정 을 통해 수득 된 절연 구조물 ( XVI ) 내 의 염소 농도 가 산소 가스 만 을 사용 하 는 산화 공정 을 통해 얻 어 진 절연 구조물 ( XVII ) 에 비하 여 높 게 나타남 을 확인 할 수 있 다 . 이 는 산소 가스 및 염화수소 가스 를 사용 하 는 산화 공정 을 적용 할 경우 , 염소 가 절연 구조물 내 에 존재 하 는 수소 를 치환 하 기 때문 에 절연 구조물 로부터 수소 를 보다 효과 적 으로 제거 할 수 있 다는 점 을 의미 한다 . 또한 , 실리콘 - 수소 의 결합 에너지 가 3 . 10 eV 정도 임 에 비하 여 실리콘 - 염소 의 결합 에너지 는 약 4 . 21 eV 정도 이 기 때문 에 , 결합력 이 비교 적 약한 실리콘 - 수소 결합 의 경우 프로그래밍 동작 및 소거 동작 이 반복 되 는 동안 수소 가 해리 되 어 절연 구조물 내 에 전하 트랩 사이트 들 을 형성 할 가능 성 이 매우 높 아 진다 . 그러나 염소 가 수소 를 치환 하 여 실리콘 - 염소 결합 을 형성 할 경우 에 는 결합 에너지 가 크 기 때문 에 프로그래밍 동작 및 소거 동작 시 에 절연 구조물 내 에 전하 트랩 사이트 들 이 형성 되 는 것 을 억제 할 수 있 다 .