상기 와 같 은 종래 기술 의 문제점 을 해결 하 기 위하 여 본 출원인 은 특허 출원 제 2007 - 38177 호 에서 알터 네 이터 - 다이오드 실리콘 웨이퍼 의 표면 처리 공정 중 전처리 마지막 단계 의 열처리 시 생성 된 SiO 2 산화 막 을 제거 하 는데 용이 하 게 사용 하 여 이후 도금 되 는 금속 층 인 니켈 층 과 하 지 층 인 실리콘 부분 의 접촉면 적 을 최대한 확장 시켜 웨이퍼 의 인장 강도 를 강화 할 수 있 는 표면 처리 액 인 에칭 액 을 제공 하 고 , 전처리 가 끝난 알터 네 이터 - 다이오드 실리콘 웨이퍼 상 에 전기 니켈 도금 을 하 기 위한 표면 처리 용 도금액 을 제공 하 기 위한 전해 니켈 층 형성 방법 및 이 에 사용 되 는 표면 처리 액 을 개시 한 바 있 다 .