이하 , 도 1 내지 도 3 을 참고 하 여 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 웨이퍼 를 설명 한다 . 도 1 은 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 웨이퍼 를 설명 하 기 위한 단면도 이 다 . 도 2 는 도 1 의 웨이퍼 의 깊이 에 따른 불순물 의 농도 변화 를 나타낸 그래프 이 다 . 도 3 은 도 1 의 웨이퍼 상 에 반도체 소자 의 구성 요소 가 형성 된 경우 를 예시 적 으로 설명 하 기 위한 단면도 이 다 .