희생 층 들 ( 120 ) 및 채널 층 들 ( 141 , 142 , 143 ) 은 기판 ( 101 ) 을 시드 로 이용 하 여 에피 텍 셜 성장 ( epitaxial growth ) 공정 을 수행 함 으로써 형성 될 수 있 다 . 희생 층 들 ( 120 ) 및 채널 층 들 ( 141 , 142 , 143 ) 각각 은 약 1 Å 내지 100 nm 의 범위 의 두께 를 가질 수 있 다 . 희생 층 ( 120 ) 과 교대 로 적층 되 는 채널 층 들 ( 141 , 142 , 143 ) 의 층 수 는 실시 예 들 에서 다양 하 게 변경 될 수 있 다 .