도 1 및 도 2 를 참조 하 면 , 기판 처리 장치 ( 1 ) 는 제 1 장치 ( 10 ) 및 가스 공급 유닛 ( 20 ) 을 포함 할 수 있 다 . 제 1 장치 ( 10 ) 는 기판 ( W ) 에 대해 공정 을 수행 하 고 , 가스 공급 유닛 ( 20 ) 을 제 1 장치 ( 10 ) 로 공정 가스 들 을 공급 할 수 있 다 . 공정 가스 들 은 제 1 내지 제 3 공정 가스 들 을 포함 할 수 있 다 .