트렌치 들 ( T ) 을 형성 하 는 것 은 , 제 1 마스크 패턴 들 ( 42 ) 을 식각 마스크 로 이용하 여 , 제 1 희생 막 ( 30 ) 의 일부분 을 식각 하 는 것 을 포함 한다 . 트렌치 들 ( T ) 을 형성 하 기 위해 제 1 희생 막 ( 30 ) 을 식각 하 는 공정 은 에치 백 ( etch back ) 공정 과 같 은 이방성 식각 공정 이 수행 될 수 있 다 . 이 때 , 플로린 계열 의 식각 가스 를 이용 하 여 , 제 1 희생 막 ( 30 ) 이 식각 될 수 있 다 . 상세 하 게 , 제 1 희생 막 ( 30 ) 을 이방성 식각 하 는 공정 은 플로린 계열 의 식각 가스 와 O 2 의 혼합 가스 , 또는 플로린 계열 의 식각 가스 와 , O 2 및 Ar 의 혼합 가스 가 이용 될 수 있 다 . 여기 서 , 플로린 계열 의 식각 가스 로 는 C 3 F 6 , C 4 F 6 , C 4 F 8 , 또는 C 5 F 8 가 이용 될 수 있 다 . 또한 , 플로린 계열 의 식각 가스 와 함께 공급 되 는 O 2 - 가스 는 식각 공정 중 에 발생 되 는 폴리머 부산물 을 제거 할 수 있 으며 , Ar 가스 는 캐리어 가스 로서 이온 충돌 을 발생 시킨다 . 또한 , 제 1 희생 막 ( 30 ) 을 건식 식각 하 는 공정 은 약 50 V 내지 200 V 의 DC 전압 조건 , 약 60 ℃ 이하 의 온도 조건 및 약 2000 sccm 이하 의 유량 조건 에서 수행 될 수 있 다 . 일 실시 예 에 따르 면 , 제 1 희생 막 ( 30 ) 을 건식 식각 하 는 공정 은 식각 가스 의 플 라즈 마 를 발생 시켜 플 라즈 마 분위기 에서 식각 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 건식 플 라즈 마 식각 공정 은 ICP ( inductively coupled plasma ) 방식 또는 이중 주파수 CCP ( dual frequency capacitively coupled plasma ) 방식 의 플 라즈 마 식각 설비 를 이용 하 여 수행 될 수 있 다 .