본 개시 의 기술 적 사상 에 따른 3 차원 메모리 셀 어레이 를 포함 하 는 비휘발성 메모리 장치 의 소프트 이 레이즈 방법 은 , 선택 된 제 1 비트 라인 에 연결 된 선택 스트링 에 포함 되 고 , 선택 워드 라인 에 연결 된 제 1 메모리 셀 을 제 N 프로그램 상태 로 프로그램 하 기 위하 여 복수 회의 프로그램 루프 들 을 수행 할 때 에 , 상기 프로그램 루프 들 중 적어도 하나 는 , 상기 제 1 메모리 셀 에 프로그램 전압 을 인가 하 는 단계 및 제 1 구간 에서 상기 제 1 메모리 셀 의 프로그램 상태 를 검증 하 기 위한 리드 전압 을 상기 선택 워드 라인 에 인가 하 고 , 상기 제 1 비트 라인 에 연결 된 복수 개 의 비 선택 스트링 들 및 비 선택 된 제 2 비트 라인 에 연결 된 복수 개 의 비 선택 스트링 들 각각 의 스트링 선택 트랜지스터 의 게이트 에 제 1 프리 펄스 를 인가 함 으로써 상기 제 2 비트 라인 에 연결 된 선택 스트링 에 포함 되 고 , 상기 선택 워드 라인 에 연결 된 제 2 메모리 셀 을 소프트 이레 이즈하 는 단계 를 포함 한다 .