통상 , 간접 방식 의 X 선 검출기 에서 는 구조 상 , 신 틸레 이터 층 의 특성 이 중요 해 지 고 , 입사 한 X 선 에 대한 출력 신호 강도 를 향상 시키 기 위해 , 예 를 들 면 신 틸레 이터 층 에 는 요드 화 세슘 ( CsI ) 등 의 할로겐 화합물 이나 가돌리늄 ( gadolinium ) 황산화물 ( GOS ) 등 의 산화물 계 화합물 등 으로 구성 되 는 고 휘도 형광 물질 이 이용 되 고 있 는 경우 가 많 다 . 또한 , 일반 적 으로 고밀도 의 신 틸레 이터 층 은 진공 증착 법 , 스퍼터링 법 , CVD 법 등 의 기상 성 장법 에 의해 복수 의 광전 변환 소자 가 형성 된 회로 기판 상 에 동일 하 게 형성 되 어 있 는 것 이 많 다 .