또한 , 종래 의 반도체 장치 의 제조 방법 에서 는 , 실리콘 기판 에 에 미터 확산 층 , 콜렉터 확산 층 을 형성 하 는 때 에 , 1 회 의 이온 주 입법 , 혹은 , 고상 확산 법 을 이용 한다 . 통상 적 으로 , 1 회 의 이온 주 입법 에 의해 확산 층 을 형성 하 는 경우 에 는 , 실리콘 기판 표면 이 고농도 로 되 는 주입 조건 에서 행해진다 . 그리고 , 실리콘 기판 표면 에서 는 가로 방향 의 확산 넓이 도 커서 , 실리콘 기판 표면 에서 의 베이스 폭 ( Wb ) 이 가장 좁 아 지 게 된다 . 또한 , 고상 확산 법 의 경우 도 마찬가지 로 , 실리콘 기판 표면 에서 의 베이스 폭 ( Wb ) 이 가장 좁 아 지 게 된다 . 그 결과 , 에피 택 셜 층 표면 에 형성 된 결정 결함 등 의 계면 상태 에 의해 , 베이스 영역 에 주입 된 자유 캐리어 ( 정공 ) 의 대부분 은 , 에피 택 셜 층 표면 에서 재결합 하 여 , 원 하 는 hfe 값 을 얻 기 어렵 다고 하 는 문제 가 있 다 .