이 를 위해 , 제 1 도전 형 질화물 층 ( 120 ) 은 분자선 에피 텍 셜 법 ( Molecular Beam Epitaxy ) 또는 유기 금속 화학 증착 법 ( Metal Organic Chemical Vapor Deposition ) 을 이용 하 여 850 ~ 1 , 000 ℃ 의 제 1 증착 온도 조건 에서 증착 하 여 형성 할 수 있 다 . 이때 , 제 1 도전 형 질화물 층 ( 120 ) 은 20 ~ 200 nm 의 폭 및 20 nm ~ 5 ㎛ 의 높이 로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 .