본 발명 의 실시 예 에 따라 , 상기 접점 홈 ( 294 ) 은 ITO 층 ( 290 ) 으로부터 P 형 반 도 체 층 ( 260 ) 의 표면 까지 이어진다 . 그리고 , 상기 접점 홈 ( 294 ) 에 는 예 를 들 면 , 도금 또는 증착 방식 으로 형성 되 는 배선 ( 400 ) 일단 의 접점 연결부 ( 402 ) 가 채워진다 . 그리고 , 접점 홈 ( 294 ) 내 로 채워진 접점 연결부 ( 402 ) 는 상기 접점 홈 ( 294 ) 형성 에 의해 노출 되 는 P 형 반도체 층 ( 260 ) 의 표면 과 접해 있 고 측면 측 으로 는 접점 홈 ( 294 ) 내측 의 ITO 층 ( 290 ) 의 내 측면 과 접해 있 게 된다 . 이때 , 상기 배선 ( 400 ) 이 도금 또는 증착 방식 으로 일체 형성 되 는 도전 성 금속 층 으로 만 이루어지 지만 , 상기 배선 을 발광 셀 의 위쪽 에 떠 있 는 에어 브리지 ( air bridge ) 배선 으로 하 는 경우 에 , 상기 접점 홈 ( 294 ) 에 채워지 는 접점 연결부 ( 402 ) 는 P 형 의 접점 패드 ( 또는 , 전극 패드 ) 일 수 있 다 .