상기 구성 의 본 발명 의 표시 장치 의 제작 방법 에 있 어서 , 상기 보호 절연 막 은 , CVD 법 또는 스퍼터링 법 에 의해 형성 한 절 연막 과 , 스핀 코트 법 에 의해 형성 한 절 연막 을 적층 하 여 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 특히 바람직 하 게 는 질화규소 막 을 CVD 법 또는 스퍼터링 법 에 의해 형성 하 고 , 유기 수지 막 을 스핀 코트 법 에 의해 형성 한다 . 보호 절 연막 을 이 와 같이 형성 함 으로써 , 박막 트랜지스터 의 전기 적 특성 에 영향 을 미칠 수 있 는 불순물 원소 등 으로부터 박막 트랜지스터 를 보호 하 고 , 또한 , 화소 전극 의 피형 성면 의 평탄 성 을 향상 시켜 수율 의 저하 를 방지 할 수 있 다 .