그러나 , 집적회로 칩과 인쇄 회로 기판 의 접속 에 사용 되 는 에폭시 재료 는 열팽창 계수 ( CTE ) 가 80 ~ 140 ppm / ℃ 정도 로 집적회로 칩 의 기판 재료 로 주로 사용 되 는 실리콘 ( Si ) 의 열팽창 계수 ~ 2 . 7 ppm / ℃ 와 비교 할 때 현저 한 차이 를 나타낸다 . 이 에 따라 소자 동작 시 발생 되 는 열 의 변화 또는 흡습 으로 인해 집적회로 칩과 인쇄 회로 기판 의 계면 에서 큰 기계 적 응력 이 발생 할 뿐 만 아니 라 에폭시 와 실리콘 의 낮 은 접착력 으로 인해 도 2 에 도시 된 바 와 같이 실리콘 칩 과 에폭시 의 계면 에서 균열 ( delamination ) 이 발생 한다 . 결국 , 집적회로 칩 의 상호 접속 라 인 ( interconnection line ) 들 에 큰 응력 이 걸리 게 되 어 소자 의 전기 적 불량 ( electrical failure ) 을 유발 하 는 문제점 이 있 다 .