하이닉스 , 차세대 DDR 4 D 램 개발 
 하이닉스 반도체 는 4 일 " 국제 반도체 표준 협의 기구 ( JEDEC ) 규격 을 적용 한 30 나노 급 2 기 가 비트 ( Gb ) 차세대 DDR 4 D 램 을 개발 했 다 " 고 밝혔 다 . 
 또한 이 를 사용 해 초 소형 서버 등 에 사용 되 는 2 기가바이트 ( GB ) ECC - SODIMM ( Error Check & Correction Small Outline Dual In - line Memory Module ) 도 개발 을 완료 했 다 . DDR 4 D 램 은 현재 시장 의 주력 제품 인 DDR 3 D 램 보다 전력 소모 가 적 으면서 도 데이터 전송 속도 를 2 배 가량 높인 차세대 D 램 규격 이 다 . 
 하이닉스 는 업계 선두 수준 의 DDR 4 제품 개발 을 통해 차세대 기술 을 확보 하 고 ECC - SODIMM 을 통해 성능 을 확인 함 으로써 향후 DDR 4 표준 화 를 주도 한다는 방침 이 다 . 이번 에 개발 된 DDR 4 D 램 은 1 . 2 V 저전압 에서 업계 최초 로 2400 Mbps 의 초 고속 데이터 전송 속도 를 구현 해 기존 DDR 3 1333 Mbps 제품 대비 처리 속도 가 80 % 가량 향상 됐 다 . 
 2400 Mbps 의 데이터 전송 속도 는 64 개 의 정보 입 출구 ( I / O ) 를 가진 ECC - SODIMM 제품 을 통해 DVD 급 영화 4 ~ 5 편 에 해당 되 는 19 . 2 기가바이트 의 데이터 를 1 초 에 처리 할 수 있 다 . 
 또한 D 램 의 동작 온도 및 명령 신호 전송 상태 에 따라 능동 적 으로 소비 전류 를 감소 시키 는 신규 회로 기술 을 적용 해 1 . 5 V DDR 3 대비 50 % 가량 전력 소모 가 줄어들 었 다 . 
 하이닉스 는 차세대 공정 을 적용 한 세계 최고 수준 의 DDR 4 D 램 을 2012 년 하반기 부터 양산 해 DDR 4 D 램 시장 을 선도 한다는 계획 이 다 . 하이닉스 마케팅 본부 장 김지범 전무 는 " 이번 에 개발 된 DDR 4 제품 은 고객 이 요구 하 는 친환경 · 저 전력 · 고 성능 특성 을 모두 만족 시켰 다 " 며 " 이 를 통해 기존 PC 및 서버 시장 은 물론 급속도 로 성장 하 고 있 는 태블릿 시장 에서 도 경쟁력 있 는 고부 가 가치 솔루션 을 제공 할 수 있 을 것 " 이라고 밝혔 다 . 
 한편 , 아이 서플라이 ( iSuppli ) 는 DDR 4 D 램 비중 이 2013 년 5 % 수준 에서 2015 년 50 % 를 넘 어 시장 의 주력 제품 이 될 것 으로 예상 하 고 있 다 . 
 또한 DDR 3 D 램 비중 은 2012 년 71 % 로 최고 치 를 기록 한 뒤 2013 년 과 2014 년 에 는 각각 68 %, 49 % 로 점차 비중 이 감소 할 것 으로 전망 하 고 있 다 .