또 , 기판 위 에 제 1 GaN 층 , 활성 층 , 제 2 GaN 층 , 연결 층 , 도전 성 접착 층 , 반사 층 을 순서 대로 형성 하 여 발광 구조물 을 형성 하 는 단계 ; 상기 발광 구조물 을 열처리 하 여 , 상기 연결 층 을 수축 시킴 으로써 , 상기 연결 층 의 상면 으로부터 하 면 까지 관통 되 는 홈 또는 홀 ( Hole ) 을 형성 하 는 단계 ; 상기 반사 층 위 에 전도성 지지 부 를 형성 하 는 단계 ; 상기 기판 을 제거 하 는 단계 ; 및 상기 기판 이 제거 된 제 1 GaN 층 의 아래 에 제 1 전극 을 형성 하 고 , 상기 전도성 지지 부 위 에 제 2 전극 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 여 이루어지 는 질화 갈륨 계 발광 다이오드 의 제조 방법 이 다 .