상기 구리 산화 막 을 제거 하 는 단계 는 , 상기 구리 산화 막 이 형성 된 반도체 기판 을 CVD ( Chemical Vapor Deposition ) 장비 내부 에 로딩 하 는 단계 ; 상기 CVD 장비 내부 에 NH 3 및 H 2 가 포함 된 He 가스 , 또는 NH 3 및 H 2 가 포함 된 Ar 가스 중 어느 하나 를 주입 하 는 단계 ; 및 , 상기 CVD 장비 내부 에 전압 을 공급 하 여 상기 He 가스 또는 Ar 가스 중 어느 하나 와 상기 구리 산화 막간 에 반응 을 일으키 는 단계 를 포함 하 여 이루어짐 을 특징 으로 한다 .