마이크 로 p - n 다이오드 층 으로 된 수 많 은 마이크 로 LED 화소 ( 26 ) 들 을 갖 는 반도체 디바이스 ( 24 ) 가 마이크 로 전사 인 쇄 기술 방식 에 의해서 투명 가요 성 기판 ( 22 ) 에 이식 형성 됨 에 의해서 본 발명 의 마이크 로 LED 디스플레이 스킨 ( 20 ) 이 마련 된다 . 이때 전사 인 쇄 기술 을 행함 에 있 어서 도 롤 전사 기술 을 이용 하 여 초 당 1 만 여 개 이상 의 마이크 로 LED 화소 ( 26 ) 들 을 투명 가요 성 기판 ( 22 ) 에 전사 부착 될 수 있 도록 함 이 바람직 하 다 .