몇몇 실시 예 에서 의도 적 으로 상기 CNT 재료 ( 212 ) 에 결함 이 발생 하 여 CNT 재료 ( 212 ) 의 가역 저항 전환 특성 을 개선 하 거나 , 그렇 지 않 으면 조율 시킬 수 있 다 . 예 를 들 어 , 상기 CNT 재료 ( 212 ) 를 CNT 시 딩 층 ( 210 ) 상 에 형성 한 후 에 아르곤 , O 2 또는 이 와 다른 종류 를 CNT 재료 ( 212 ) 에 심 어 CNT 재료 ( 212 ) 에 결함 이 생길 수 있 다 . 두 번 째 예 에서 CNT 재료 ( 212 ) 는 아르곤 또는 O 2 플 라즈 마 ( 바이어스 또는 화학 적 인 ) 에 넣 거나 노출 시켜 의도 적 으로 CNT 재료 ( 212 ) 에 결함 을 생성 한다 .