다음 으로 , 층간 막 ( 13 ) 상 에 제 1 전극 ( 21 ) 을 형성 한다 . 즉 , 층간 막 ( 13 ) 상 에 도전 막 ( 전 극막 ) 을 성막 한다 . 계속 해서 , 도전 막 상 에 포토레지스트 를 도포 하 고 , 포토 리소그래피 기술 을 사용 해서 패 터닝 을 행한 후 , 염화 제 2 철 을 에칭 액 으로 해서 , 도전 막 을 에칭 한다 . 그 후 , 레지스 트 박리 액 을 사용 해서 포토레지스트 를 박리 하 고 , 또한 기판 세정 을 행한다 . 이 에 의해 , 층간 막 ( 13 ) 상 에 매트릭스 형상 의 제 1 전극 ( 21 ) 이 얻 어 진다 .