제 4 의 실시 의 형태 에 관한 표면 조사 형 의 고체 촬상 장치 ( 85 ) 는 , 산화 막 ( 13 ) 을 구성 하 는 SiO 2 의 산화 엔탈피 보다 도 작 은 산화 엔탈피 를 나타내 는 Ta 2 O 5 로 이루어지 는 금속 산화 막 ( 14 ) 이 산화 막 ( 13 ) 과 밀착 층 ( 15 ) 의 사이 에 배치 되 어 있 다 . 그리고 , 산화 막 ( 13 ) 으로부터 산소 원자 를 빼앗 는 것 보다 도 , 금속 산화 막 ( 14 ) 으로부터 산소 원자 를 빼앗 는 쪽 이 화학 반응 상 , 에너지 적 으로 안정 되 어 있 다 . 그 때문 에 , 밀착 층 ( 15 ) 을 구성 하 는 Ti 로부터 , 반도체 기판 ( 22 ) 과 산화 막 ( 13 ) 의 계면 층 이 산소 원자 를 빼앗기 는 것 을 억제 하 고 , 반도체 기판 ( 22 ) 과 산화 막 ( 13 ) 의 계면 층 이 보호 되 어 데미지 를 받 는 일 이 없 어 짐 에 의해 , 계면 준위 의 형성 에 의한 암전 류 의 발생 을 억제 할 수 있 다 .