이 와 같이 , MTJ 소자 를 구비 한 기판 위 에 이미지 센서 가 적층 된 반도체 장치 에서 는 , 이미지 센서 의 적층 공정 에서 의 서멀 버짓 에 의해 MTJ 소자 의 특성 이 열화 될 우려 가 있 다 . 따라서 , MTJ 소자 등 의 불휘발성 메모리 소자 의 특성 의 열화 를 방지 하 는 것 이 가능 한 반도체 장치 의 제조 방법 의 개발 이 요망 되 고 있 다 .