특히 , 도 4 에서 는 , 협소 한 행 전도체 ( 420 ) 및 협소 한 열 전도체 ( 430 ) 가 존재 하 고 , 각 행 들 ( 420 ) 사이 및 각 열 들 ( 430 ) 사이 에 넓 은 공간 이 존재 한다 . 터치 센서 ( 400 ) 는 열 전도체 ( 430 ) 위 에 행 전도체 ( 420 ) 를 포함 한다 . 열 전도체 ( 430 ) 아래 에 는 변형 가능 한 유전체 ( 110 ) 가 있 고 그 아래 에 접 지 판 ( 440 ) 이 있 다 . 열 전도체 ( 430 ) 는 행 전도체 ( 420 ) 와 변형 가능 한 유전체 ( 110 ) 사이 에 위치 하 고 , 변형 가능 한 유전체 ( 100 ) 는 열 전도체 ( 430 ) 와 접지 판 ( 440 ) 사이 에 위치 한다 . 도 4 에 도시 되 어 있 는 투시도 에서 , 행 전도체 ( 420 ) 는 센서 에 대해 도시 된 다른 층 들 의 맨 위 에 있 는 것 으로 고려 되 며 , 접지 판 ( 440 ) 은 센서 에 대해 도시 된 다른 층 들 아래 에 있 는 것 으로 고려 된다 . 도 4 의 주 정전 용량 ( dominant capacitance ) 은 각 행 ( 420 ) 및 열 ( 430 ) 사이 의 프린 징 정전 용량 일 수 있 다 . 행 ( 420 ) 및 열 ( 430 ) 은 대략 적 으로 동일 평면 상 에 있 을 수 있 고 ( 예컨대 , 행과 열 사이 의 간격 이 비교 적 작 다 ) , 프린 징 필드 는 대략 대칭 일 수 있 다 .