또한 , 본 실시 형태 에 있 어서 , 조사 장치 ( 81 ) 는 노광 광 ( EL ) 과 다른 파장 ( 예 를 들 면 633 ㎚ 의 파장 ) 의 빛 을 검 출광 ( Ls ) 으로서 조사 하 여도 된다 . 이 경우 도 , 검출 시스템 ( 80 ) 은 조사 장치 ( 81 ) 로부터 사출 한 검 출광 ( Ls ) 을 제 3 조명 영역 ( IA 3 ) 에 조사 함 으로써 , 중간 광학계 ( 30 ) 를 통하 지 않 고 수광 장치 ( 82 ) 에 입사 시킬 수 있 다 . 다만 , 수 광소자 ( 84 ) 의 수 광면 , 제 1 마스크 ( M 1 ) 의 하 면 ( K 1 ) 및 제 2 마스크 ( M 2 ) 의 하 면 ( K 2 ) 은 , 광학 적 으로 서로 공역 인 위치 ( 또는 그 근방 ) 가 되 도록 , 검 출광 ( Ls ) 의 광로 위 에 도시 하 지 않 은 광학계 가 배치 되 어 있 다 . 한편 , 검출 시스템 ( 80 ) 은 , 기판 ( P ) 에 검 출광 ( Ls ) 이 조사 되 는 일 없이 , 조사 장치 ( 81 ) 로부터 의 검 출광 ( Ls ) 을 수광 장치 ( 82 ) 에 입사 시키 고 있 으므로 , 본 실시 형태 와 같이 , 검 출광 ( Ls ) 으로서 노광 광 ( EL ) 과 같 은 파장 의 빛 을 사용 하 여도 , 기판 ( P ) 을 노광 하 는 일 없이 , 제 1 패턴 ( PA 1 ) 과 제 2 패턴 ( PA 2 ) 과 의 위치 관계 에 관한 정보 를 취득 할 수 있 다 .