이상 과 같이 실시 형태 1 및 실시 형태 2 에서 예시 한 트랜지스터 를 적용 함 으로써 , 신뢰 성 이 높 은 반도체 장치 를 제공 할 수 있 다 . 또한 , 실시 형태 1 및 실시 형태 2 에서 예시 한 트랜지스터 는 상기 의 표시 기능 을 갖 는 반도체 장치 뿐 만 아니 라 , 전원 회로 에 탑재 되 는 파워 디바이스 , LSI 등 의 반도체 집 적 회로 , 대상물 의 정보 를 판독 하 는 이미지 센서 기능 을 갖 는 반도체 장치 등 여러 가지 기능 을 갖 는 반도체 장치 에 적용 하 는 것 이 가능 하 다 .