도 6 A 에 따르 면 , 상기 플로팅 게이트 ( 110 a , 110 b , 110 c ) 는 장축 및 단축 을 가지 며 , 상기 장축 의 방향 은 X 축 방향 을 기준 으로 위 또는 아래 로 틸 트 ( tilt ) 된 모양 을 갖 는 , 비휘발성 메모리 소자 이 다 . 첫 번 째 행 ( r 1 ) 에 있 는 플로팅 게이트 ( 110 b ) 를 참조 하 면 , 장축 의 방향 은 X 축 방향 을 기준 으로 위 로 틸 트 ( tilt ) 된 각도 를 갖 는다 . 두 번 째 행 ( r 2 ) 에 있 는 플로팅 게이트 ( 110 b ) 를 참조 하 면 , 장축 의 방향 은 X 축 방향 을 기준 으로 아래 로 틸 트 ( tilt ) 된 각도 를 갖 는다 . 그리고 소스 라인 컨 택 ( SL 0 - SL 2 ) 을 기준 으로 첫 번 째 행 ( r 1 ) 과 두 번 째 행 ( r 2 ) 가 서로 대칭 된 플로팅 게이트 구조 를 갖 는다 . 마찬가지 로 비트 라인 컨 택 ( BL 0 - BL 2 ) 을 기준 으로 두 번 째 행 ( r 2 ) 과 세 번 째 행 ( r 3 , 미 도시 ) 가 서로 대칭 된 구조 를 갖 는다 .