도 1 c 를 참조 하 면 , 제 1 절 연막 ( 116 ) 상부 에 제 2 절 연막 ( 118 ) 을 형성 한다 . 이때 , 제 2 절 연막 ( 118 ) 은 고밀 도 플 라즈 마 ( High Density Plasma ; HDP ) 산화 막 을 이용 하 여 30 Å 내지 200 Å 의 두께 로 형성 한다 . 고밀 도 플 라즈 마 ( HDP ) 산화 막 은 공정 특성 상 게이트 ( 110 ) 상부 와 게이트 ( 110 ) 사이 의 반도체 기판 ( 100 ) 상부 에 는 증착 이 두껍 게 이루 어 지 나 , 게이트 ( 110 ) 측벽 에 는 게이트 ( 110 ) 상부 와 게이트 ( 110 ) 사이 의 반도체 기판 ( 100 ) 상부 에 비해 증착 이 거의 이루어지 지 않 는다 . 제 2 절 연막 ( 118 ) 으로 고밀 도 플 라즈 마 ( HDP ) 산화 막 을 이용 하 는 것 은 고밀 도 플 라즈 마 ( HDP ) 산화 막 특성 으로 후속 공정 인 BPSG 막 형성 공정 시 게이트 ( 110 ) 사이 를 채우 기 위한 갭 필 ( gap - fill ) 마진 을 확보 하 고 BPSG 막 의 보론 ( B ) 또는 인 ( P ) 이 반도체 기판 ( 100 ) 내 로 침투 하 는 것 을 방지 하 기 위해서 이 다 .