계속 해서 , 상술 한 산화 막 두께 ( j ) 가 37 Å ( 3 . 7 nm ) 에 상당 하 는 플 라즈 마의 강도 가 되 도록 , 전극 ( 36 a , 36 b ) 간 에 150 W 의 전력 을 공급 한다 . 이 경우 에 도 , 도 13 에 도시 한 바 와 같이 , 플 라즈 마가 웨이퍼 ( W ) 의 표층 에 근접 하 는 위치 까지 도달 하 여 , 반응 생성물 의 적층 체 에 대하 여 막 두께 방향 에 걸쳐서 개질 이 행해 지 는 동시 에 , 웨이퍼 ( W ) 의 표면 의 산화 가 억제 된다 . 계속 해서 또 한 반응 생성물 의 막 두께 가 100 Å ( 10 nm ) 이 될 때 까지 성막 - 개질 처리 를 계속 하 면 , 도 16 에 도시 한 바 와 같이 , 웨이퍼 ( W ) 의 표면 ( 실리콘 ) 의 산화 가 억제 된 상태 에서 , 당해 웨이퍼 ( W ) 의 표면 에 형성 된 볼록 부 ( 90 ) 의 형상 에 따르 도록 , 막 두께 방향 에 걸쳐서 치밀 한 박막 이 성막 된다 . 따라서 , 볼록 부 ( 90 ) 에 대하 여 박막 의 성막 ( 플 라즈 마의 조사 ) 에 의한 폭 ( d ) 의 감소 가 억제 된다 .