반면 에 , 본 발명 은 상기 식각 공정 또는 표면 연마 공정 을 전혀 사용 하 지 않 으면서 도 상기 투명 전극 ( 51 ) 의 표면 거칠 기 를 낮출 수 있 으므로 상기 식각 공정 또는 표면 연마 공정 의 사용 으로 인하 여 발생 할 수 있 었 던 , 상기 투명 전극 ( 51 ) 아래 의 트랜지스터 를 위한 박막층 들 의 파티클 오염 을 방지 할 수 있 을 뿐 만 아니 라 , 상기 투명 전극 ( 51 ) 상 에 증착 되 는 유기 발광 층 ( 61 ) 의 증착 안정 성 을 향상 할 수 있 고 나아가 상기 유기 발광 소자 의 발광 때 에 상기 투명 전극 ( 51 ) 을 위한 ITO 층 의 스 파이크 부분 에서 상기 투명 전극 ( 51 ) 과 캐소드 전극 ( 63 ) 간 의 진행 성 단락 및 암점 ( dark spot ) 이 발생 하 는 것 을 방지 할 수 있 다 . 따라서 , 본 발명 의 능동형 유기 발광 소자 의 동작 특성 이 향상 될 수 있 다 .