도 3 ( A ) 에 나타내 는 바 와 같이 , 기판 ( 301 ) 위 에 제 1 투명 도전 막 ( 302 ) 을 스퍼터링 법 에 의해 전면 ( 全面 ) 에 성막 하 고 , 제 1 투명 도전 막 ( 302 ) 위 에 제 1 금속 막 ( 303 ) 을 스퍼터링 법 에 의해 성막 하 여 적층 한다 . 기판 ( 301 ) 은 아모르 퍼스 실리콘 TFT 의 제조 에 종래 부터 사용 되 는 유리 를 사용 하 면 좋 다 . 제 1 투명 도전 막 ( 302 ) 의 재료 로서 는 인듐 주석 산화물 ( ITO ) 이 바람직 하 다 . 또한 , 제 1 금속 막 ( 303 ) 은 게이트 전극 및 게이트 배선 이 되 는 것 이 다 . 상기 제 1 금속 막 ( 303 ) 의 재료 로서 는 , Al , Mo , W , Ti 등 의 저 저항 금속 재료 가 바람직 하 지만 , Mo 등 의 고 융점 금속 을 Al 등 의 저 융점 금속 의 배리 어막 으로서 사용 한 적층 구조 로 하 여도 좋 다 . 제 1 금속 막 을 적층 구조 로 함 으로써 , Al 의 힐 록 발생 을 억제 할 수 있 다 .