상술 한 바 와 같이 , 본 발명 에 따른 노광 마스크 는 더블 패 터닝 ( Double Patterning ) 공정 을 위하 여 오버 프로세스 ( Over Process ) 를 진행 하 여야 하 는데 이때 바 형 패턴 의 장축 길이 가 균일 하 게 형성 되 지 못하 는 문제 를 해결 하 기 위하 여 , 바 형 패턴 을 정의 하 는 제 1 차 광 패턴 의 네 모서리 부분 에 보조 패턴 형태 의 제 2 차 광 패턴 을 형성 한다 . 제 2 차 광 패턴 은 제 1 차 광 패턴 의 면적 의 1 / 4 이하 의 크기 로 형성 하 며 제 1 차 광 패턴 과 소정 부분 오버랩 되 며 , 제 2 차 광 패턴 에 의해서 제 1 차 광 패턴 의 장축 양단 부가 1 / 2 ~ 3 / 4 만 노출 되 는 형태 로 형성 한다 . 이 와 같이 , 제 1 및 제 2 차 광 패턴 을 포함 하 는 마스크 를 이용 하 여 노광 공정 을 수행 함 으로써 모든 패턴 의 장축 길이 를 균일 하 게 형성 할 수 있 다 .