이어서 기본 소자 의 일 면 에 적어도 하나 의 중간층 이 형성 될 수 있 다 ( 203 ) . 이 경우 , 중간층 은 기본 소자 의 소스 및 / 또는 드레 인 의 외부 로 노출 된 면 에 형성 될 수 있 으며 , 실시 예 에 따라서 기본 소자 의 소스 및 드레 인 중 어느 하나 에 형성 될 수 도 있 고 , 또는 소스 및 드레 인 양자 모두 에 형성 될 수 도 있 다 . 중간층 은 , 예 를 들 어 , 원자 층 증착 공정 을 이용 하 여 기본 소자 에 형성 될 수 있 다 . 여기 서 중간층 은 유전체 를 이용 하 여 구현 될 수 있 으며 , 유전체 는 예 를 들 어 , 산화 하프늄 , 산화알루미늄 , 이 산화지르코늄 , 이산화규소 , 질화규소 , 산화아연 및 / 또는 산화 티타늄 등 을 포함 할 수 있 다 . 그러나 , 기본 소자 로 이용 가능 한 유전체 는 이 에 한정 되 는 것 은 아니 며 전도성 필라멘트 가 형성 가능 한 다양 한 물질 이 유전체 로 이용 될 수 있 다 . 중간층 은 대략 2 나노미터 내지 4 나노미터 사이 의 두께 로 형성 될 수 도 있 으나 , 필요 에 따라 이 보다 더 두껍 거나 더 얇 게 중간 층 을 형성 하 는 것 도 가능 하 다 .