제 1 높이 를 갖 는 제 1 도전 물질 들 ( 211 , 212 , 213 ) 에 특정 전압 이 인가 되 면 , 제 1 도전 물질 들 ( 211 , 212 , 213 ) 에 인접 한 채널 막 ( 114 ) 의 영역 에 채널 이 형성 된다 . 즉 , 접지 선택 트랜지스터 들 ( GST ) 에 채널 이 형성 된다 . 또한 , 제 1 도전 물질 들 ( 211 , 212 , 213 ) 에 특정 전압 이 인가 되 면 , 제 1 도전 물질 들 ( 211 , 212 , 213 ) 에 인접 한 기판 ( 111 ) 의 영역 에 채널 들 이 형성 된다 . 예 를 들 면 , 제 2 및 제 3 도핑 영역 들 ( 312 , 313 ) 사이 에 제공 되 는 낸드 스트링 들 ( NS 21 ~ NS 23 ) 의 경우 , 제 2 및 제 3 도핑 영역 들 ( 312 , 313 ) 과 의 사이 에 채널 들 이 형성 될 것 이 다 .