또한 , 상기 와 같 은 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 에 따른 고전압 소자 는 , 저전압 영역 과 고전압 영역 및 중간 전압 영역 , 그리고 소자 분리 영역 으로 정의 된 반도체 기판 에 소자 격리 막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 반도체 기판 의 소자 격리 막 을 제외 한 각 영역 에 게이트 절 연막 과 폴리 실리콘 층 을 순차 적 으로 개재 하 여 각각 의 게이트 전극 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 게이트 전극 의 양 측면 에 형성 되 는 절 연막 측벽 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 반도체 기판 에 불순물 이온 주입 공정 을 수행 하 여 형성 된 소오 스 및 드레 인 영역 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 반도체 기판 의 전면 에 층간 절 연막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 층간 절 연막 에 하부 의 소오 스 및 드레 인 영역 과 게이트 전극 이 소정 부분 노출 되 도록 콘 텍 홀 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 콘 텍 홀 에 금속 배선 을 형성 하 는 단계 와 , PCM 테스트 패드 및 PCM 패드 를 보호 하 기 위한 보호막 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 여 이루어진 것 을 특징 으로 한다 .