먼저 , 도 3 a 에 도시 한 바 와 같이 , 제 1 실리콘 기판 ( 100 ) 상 에 제 1 하드 마스크 막 ( 101 ) 을 형성 한다 . 상기 제 1 하드 마스크 막 ( 101 ) 은 , 후속 의 센서 파트 ( 109 ) 형성 공정 시 , 실리콘 기판 ( 100 ) 이 손상 받 지 않 도록 , TEOS ( tetra ethyl ortho silicate ) 등 과 같 은 핀홀 - 프리 ( pin hole - free ) 한 옥사이드 물질 을 이용 하 여 , 0 . 1 내지 3 ㎛ 정도 의 두께 로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 .