또한 , 판독 동작 또는 재 기입 동작 에서 는 , 어레이 전압 VARY 는 전원 전압 VDD 로 설정 된다 . 이것 은 , 어레이 전압 을 상변화 메모리 PCM 의 외부 로부터 공급 하 고 , 내부 에 전압 발생 회로 를 형성 하 고 있 지 않 기 때문 이 다 . 그러나 , 판독 동작 에서 는 , 메모리 셀 의 상태 를 재 기입 하 는 일 은 없 으므로 , 어레이 전압 VARY 의 제어 는 불 필요 하 다 . 또한 , 재 기입 동작 에서 는 , 도 10 에 도시 한 재 기입 드라이버 에 의해 최적 의 조건 에서 의 리셋 동작 및 세트 동작 이 가능 하 게 되 므로 , 도 12 에 도시 한 어레이 전압 의 제어 에 의해 , 모든 동작 에서 , 층 마다 최적 의 조건 을 제공 할 수 있 다 .