본 개시 내용 의 실시 예 들 에서 , 트윈 구성 으로 결합 된 차동 MEMS 센서 디바이스 들 ( 10 , 20 ) 의 2 개 이상 의 쌍 들 은 역 평행 방식 ( 도면 에 도시 되 지 않 음 ) 으로 서로 결합 되 고 , 제 1 및 제 2 차동 MEMS 센서 디바이스 ( 10 , 20 ) 의 커패시턴스 비대칭 들 로부터 초래 되 는 감소 된 신호 비대칭 을 갖 는 센서 출력 신호 를 제공 하 도록 구성 된다 . 역 평행 구성 으로 결합 된 2 개 의 차동 MEMS 센서 디바이스 들 의 하나 의 쌍 이 도시 되 어 있 는 도 2 및 도 3 에 도시 된 실시 예 들 은 트윈 MEMS 디바이스 들 의 2 개 이상 의 쌍 들 을 갖 도록 쉽 게 확장 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , MEMS 트랜스 듀 서 는 MEMS 트랜스 듀 서 의 고 성능 을 제공 하 는 역 평행 으로 결합 되 는 4 쌍 의 트윈 MEMS 센서 디바이스 들 을 포함 할 수 있 다 . 차동 MEMS 센서 디바이스 들 의 2 개 이상 의 쌍 들 을 결합 함 으로써 , 특히 , 큰 진폭 을 갖 는 큰 신호 들 의 충격 복원 이 개선 된다 .