제작 시 , 디바이스 는 EL 및 JVL 을 측정 하 기 위해 테스트 되 었 다 . 이 를 위해 , 샘플 은 10 mA / cm 2 의 전류 밀도 에서 2 채널 Keysight B 2902 A SMU 에 의해 에너지 를 공급 받 고 Photo Research PR 735 분광 방사 계 에 의해 측정 되 었 다 . 380 nm 내지 1080 nm 의 광휘 ( W / str / cm 2 ) , 및 전체 적분 된 광자 수 를 수집 하 였 다 . 그리고 나 서 디바이스 를 JVL 스 위프 용 대면 적 규소 포토다이오드 아래 에 놓 았 다 . 10 mA / cm 2 에서 의 디바이스 의 적분 된 장자 수 를 사용 하 여 포토다이오드 전류 를 광자 수 로 전환 하 였 다 . 전압 은 0 에서 200 mA / cm 2 에 해당 하 는 전압 으로 스 위프 되 었 다 . 디바이스 의 EQE 는 전체 적분 된 광자 수 를 사용 하 여 계산 되 었 다 . PMMA 필름 에서 광 발광 양자 수율 ( PLQY ) 을 측정 하 였 다 . 모든 결과 를 하 기 표 2 에 요약 하 였 다 .