도 3 a 에 도시 된 바 와 같이 , 반도체 기판 ( 31 ) 에 활성 영역 을 정의 하 는 소자 분리 막 ( 32 ) 을 형성 한다 . 소자 분리 막 은 LOCOS ( LOCal Oxidation of Silicon ) 공정 또는 STI ( Shallow Trench Isolation ) 공정 을 이용 하 여 형성 할 수 있 다 . 또한 , STI 공정 을 이용 하 여 라이너 질화 막 을 포함 하 는 소자 분리 막 을 형성 할 수 도 있 다 .