본 실시 예 에 따른 디스플레이 패널 은 연결 배선 층 ( 215 c ) 외 에 추가 연결 배선 층 ( 213 a , 213 b ) 도 구비 할 수 있 다 . 이러 한 추가 연결 배선 층 ( 213 a , 213 b ) 은 연결 배선 층 ( 215 c ) 이 위치 한 층 과 상이 한 층 에 위치 하 도록 제 1 영역 ( 1 A ) 또는 제 2 영역 ( 2 A ) 에 배치 되 며 , 연결 배선 층 ( 215 c ) 에 전기 적 으로 연결 될 수 있 다 . 도 2 에서 는 추가 연결 배선 층 ( 213 a , 213 b ) 이 박막 트랜지스터 ( 210 ) 의 게이트 전극 ( 213 ) 과 동일 한 물질 로 동일 층 에 , 즉 게이트 절 연막 ( 120 ) 상 에 위치 하 는 것 으로 도시 하고 있 다 . 연결 배선 층 ( 215 c ) 은 층간 절연 층 ( 130 ) 에 형성 된 컨 택 홀 을 통해 추가 연결 배선 층 ( 213 a , 213 b ) 에 컨 택 하 는 것 으로 도시 하고 있 다 . 아울러 추가 연결 배선 층 ( 213 a ) 이 제 1 영역 ( 1 A ) 에 위치 하 고 추가 연결 배선 층 ( 213 b ) 이 제 2 영역 ( 2 A ) 에 위치 하 는 것 으로 도시 하고 있 다 . 참고 로 , 제 2 도전 층 ( 720 ) 은 추가 연결 배선 층 ( 213 a , 213 b ) 과 동일 물질 로 동시 에 형성 될 수 있 다 . 나아가 , 제 2 도전 층 ( 720 ) 과 추가 연결 배선 층 ( 213 a , 213 b ) 이 일체 ( 一體 ) 일 수 도 있 다 .