도 1 a 에 도시 된 바 와 같이 , 실리콘 기판 ( 11 ) 내 에 불순물 의 이온 주입 을 통해 접합 층 ( 12 ) 을 형성 한다 . 여기 서 , 접합 층 ( 12 ) 은 트랜지스터 의 소스 / 드레 인 역할 을 하 는 것 으로서 , P 형 도전 형 이 거나 N 형 도전 형 이 다 . 바람직 하 게 , 접합 층 ( 12 ) 에 는 고농도 의 P 형 불순물 또는 N 형 불순물 이 주입 되 어 있 다 . 이때 , P 형 불순물 은 11 B 또는 49 BF 2 를 이용 하 여 주입 한 보론 ( Boron ) 이 며 , N 형 불순물 은 인 ( Ph ) 또는 비소 ( As ) 이 다 .