AlxGa 1 - xN / AlyGa 1 - yN 다중 양자 우물 층 은 본 분야 의 일반 수단 에 의해 형성 될 수 있 는 바 , 예 를 들 어 반응 챔버 내 의 온도 를 1000 ～ 1350 ℃ 로 제어 하 고 , 압력 을 100 ～ 400 torr 로 제어 하 고 , 반응 챔버 내부 로 갈륨 소스 , 알루미늄 소스 , 질소 소스 , 캐리어 가스 로서 의 수소 가스 및 실리콘 소스 를 유입 시켜 , AlxGa 1 - xN 배리 어 층 을 얻 을 수 있 다 . 여기 서 AlxGa 1 - xN 배리 어 층 의 두께 는 구체 적 으로 5 ~ 25 nm , 예 를 들 어 5 ~ 15 nm 일 수 있 고 ; 실리콘 원자 의 도핑 농도 는 구체 적 으로 1 × 1017 cm - 3 ~ 5 × 1019 cm - 3 일 수 있 다 . AlyGa 1 - yN 우물 층 의 제조 에 있 어서 , 반응 챔버 내 의 온도 를 1000 ~ 1350 ℃ 로 제어 하 고 , 압력 을 100 ~ 400 torr 로 제어 하 며 , 반응 챔버 내부 로 갈륨 소스 , 알루미늄 소스 , 질소 소스 및 캐리어 가스 로서 의 수소 가스 를 유입 시켜 , AlyGa 1 - yN 우물 층 을 얻 을 수 있 다 . 여기 서 AlyGa 1 - yN 우물 층 의 두께 는 구체 적 으로 1 ~ 5 nm , 예 를 들 어 2 ~ 3 nm 일 수 있 다 . 또한 , AlyGa 1 - yN 우물 층 에서 의 Al 의 함량 이 AlxGa 1 - xN 배리어 층 에서 의 Al 의 함량 보다 낮 도록 제어 할 수 있 으며 , 즉 y ＜ x 일 수 있 다 .