발광 셀 들 ( C 1 ~ C 7 ) 의 가장자리 들 중 기판 ( 21 ) 의 가장자리 에 인접 한 가장자리 들 에서 , 제 1 도전 형 반도체 층 ( 23 ) 의 가장자리 와 메사 , 예컨대 활성 층 ( 25 ) 및 제 2 도전 형 반도체 층 ( 27 ) 의 가장자리 들 은 서로 이격 될 수 있 다 . 즉 , 제 1 도전 형 반도체 층 ( 23 ) 의 상면 일부 가 메사 의 외부 에 노출 된다 . 활성 층 ( 25 ) 은 제 1 도전 형 반도체 층 ( 23 ) 보다 기판 ( 21 ) 의 가장자리 로부터 멀리 이격 되 며 , 따라서 , 레이저 에 의한 기판 분리 공정 에서 활성 층 ( 25 ) 이 손상 되 는 것 을 방지 할 수 있 다 .