기판 에 높 은 전압 ( 바이어스 전압 ) 을 인가 하 면 , 바람직 하 게 는 10 - 5 mbar 내지 102 mbar 의 압력 범위 에서 진공 챔버 내 에 배치 되 며 , 희귀 가스 를 사용 하 여 저압 플 라즈 마 를 생성 한다 . 여기 된 ( excited ) 금속 이온 과 가스 이온 의 혼합물 로 인해 , 생성 된 고 - 에너지 입자 는 기판 표면 의 방향 으로 인가 된 전기 전류 전위 에 의해 가속 될 수 있 고 , 따라서 물질 은 표면 으로부터 침식 될 수 있 다 . 이러 한 방법 으로 BiP 에 대한 기판 의 표면 의 정밀 한 플 라즈 마 세정 을 실현 하 고 , 영향 을 받 은 표면 의 표면 거칠 기 를 증가 시킬 수 있 다 .