56 nm 기술 에 기초 한 현재 제조 된 칩 에서 , p > 64000 이 며 , 43 nm 32 Gbit x 4 칩 에서 , p > 150000 이 다 . 바람직 한 실시 예 에서 , " 블록 은 셀 의 전체 열 을 실행 한다 . 소위 "" 올 비트 - 라인 ( all bit - line ) "" 구조 라고 하 며 ", 페이지 는 이웃 하 는 비트 라인 에 각각 결합 된 이웃 하 는 메모리 셀 의 열 로 구성 된다 . 또 다른 실시 예 에서 , 블록 은 열 에서 셀 의 서브 세트 이 다 . 예 를 들 어 , 셀 의 서브 세트 는 전체 열 의 1 / 2 또는 전체 열 의 1 / 4 일 수 있 다 . 셀 의 서브 세트 는 이웃 하 는 셀 을 실행 하 거나 또는 하나 의 모든 다른 셀 , 또는 셀 의 하나 의 모든 미리 결정 된 수 를 실행 한다 . 각 감지 모듈 은 비트 라인 을 통해서 메모리 셀 에 결합 되 고 , 메모리 셀 의 전도 전류 를 감지 하 기 위해 감지 증폭기 ( sense amplifier ) 를 포함 한다 . 일반 적 으로 , 판독 / 기록 회로 가 메모리 어레이 의 반대 측 에 분배 된다면 , p 개 의 감지 모듈 의 뱅크 가 2 개 세트 의 판독 / 기록 회로 ( 270 A 및 270 B ) 사이 에 분배 될 것 이 다 .