본 발명 의 일 실시 예 에 따른 반도체 칩 의 제조 방법 은 , 패드 형성 예정 영역 을 포함 한 일면 및 이 에 대향 하 는 타면 을 가지 며 , 상기 일면 으로부터 상기 패드 형성 예정 영역 의 주변 을 식각 하 여 홀 을 포함 하 는 반도체 기판 을 형성 하 는 단계 ; 상기 홀 을 매립 하 여 절연 보호막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 패드 형성 예정 영역 에 패드 를 형성 함 과 아울러 , 상기 일면 에 다수 의 회로 층 을 구비 한 소자 층 을 형성 하 는 단계 ; 상기 반도체 기판 의 상기 타면 으로부터 상기 패드 를 노출 시키 는 비 아홀 을 형성 하 는 단계 ; 및 상기 노출 된 패드 상 에 상기 비 아홀 을 매립 하 여 관통 전극 을 형성 하 는 단계 ; 를 포함 하 는 반도체 칩 의 제조 방법 .