선택 된 디 지트 라인 ( 805 ) 의 전압 이 제 1 전압 에 도달 한 후 , ( t 4 에서 ) 선택 된 디 지트 라인 ( 805 ) 은 플레이트 ( 815 ) 로 연결 ( 가령 , 분로 ) 될 수 있 다 . 일부 예시 에서 , 이 는 메모리 셀 양단 의 0 전압 을 도출 할 수 있 다 . 그런 다음 , t 4 와 t 5 사이 에 , 선택 된 워드 라인 ( 810 ) 이 비 활성 화 되 고 , 그 후 플레이트 ( 815 ) 가 비활성 화 될 수 있 다 . 선택 된 디 지트 라인 ( 805 ) 및 비 선택 디 지트 라인 이 플레이트 ( 815 ) 와 연결 될 수 있 기 때문 에 , 선택 된 디 지트 라인 ( 805 ) 의 전압 및 비 선택 디 지트 라인 ( 806 ) 의 전압 이 플레이트 ( 815 ) 의 전압 과 함께 감소 될 수 있 다 . 일부 예시 에서 , 메모리 셀 양단 의 0 전압 이 유지 됨 을 보장 하 는 , 선택 된 디 지트 라인 ( 805 ) 과 플레이트 ( 815 ) 간 분로 때문 에 플레이트 ( 815 ) 의 전압 이 비교 적 빠르 게 감소 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 플레이트 ( 815 ) 의 전압 이 도 7 의 t 1 과 t 2 사이 에서 증가 할 수 있 는 것 보다 t 5 와 t 6 사이 에서 더 빠르 게 ( 가령 , 더 큰 슬루 율 로 ) 플레이트 ( 815 ) 의 전압 이 감소 될 수 있 다 . 일부 예시 에서 , 모든 전압 이 로우 일 때 , 제 3 페이즈 는 t 6 에서 또는 그 근처 에서 종료 될 수 있 다 .