이 와 같 은 구조 의 비휘발성 메모리 소자 ( 1000 c ) 는 도 4 f 를 참조 하 여 상술 한 제조 방법 에서 , 반도체 영역 들 ( 130 ) 의 사이 마다 제 3 개 구부 ( 108 ) 를 형성 한다 . 불순물 을 상기 제 3 개 구부 ( 108 ) 를 통해 기판 ( 100 ) 에 주입 하 여 불순물 영역 ( 102 ) 을 형성 한다 . 이후 , 도 4 j 를 참조 하 여 상술 한 공정 과 동일 한 공정 에 의해 상기 절연 영역 ( 180 ) 을 형성 할 수 있 다 .