섬 모양 의 산화물 반도체 막 ( 716 ) 은 , 게이트 절 연막 ( 715 ) 위 에 형성 된 산화물 반도체 막 을 소망 의 형상 으로 가공 함 으로써 , 형성 할 수 있 다 . 상기 산화물 반도체 막 의 막 두께 는 , 2 nm 이상 200 nm 이하 , 바람직 하 게 는 3 nm 이상 50 nm 이하 , 더욱 바람직 하 게 는 3 nm 이상 20 nm 이하 로 한다 . 산화물 반도체 막 은 , 산화물 반도체 를 타 겟 으로서 이용 하 고 , 스퍼터링 법 에 의해 성막 한다 . 또한 , 산화물 반도체 막 은 , 희 가스 ( 예 를 들 어 아르곤 ) 분위기 하 , 산소 분위기 하 , 또는 희 가스 ( 예 를 들 어 아르곤 ) 및 산소 혼합 분위기 하 에서 스퍼터링 법 에 의해 형성 할 수 있 다 .