도 28 b 에 도시 하 는 트랜지스터 는 , 기판 ( 600 ) 과 , 기판 ( 600 ) 위 에 형성 된 하지 절 연막 ( 602 ) 과 , 하 지 절 연막 ( 602 ) 위 에 형성 된 산화물 반도체 막 ( 606 ) 과 , 산화물 반도체 막 ( 606 ) 과 접하 는 한 쌍 의 전극 ( 614 ) 과 , 산화물 반도체 막 ( 606 ) 및 한 쌍 의 전극 ( 614 ) 위 에 형성 된 게이트 절연 층 ( 608 ) 과 , 게이트 절연 층 ( 608 ) 을 사이 에 두 고 산화물 반도체 막 ( 606 ) 과 중첩 하 여 형성 된 게이트 전극 ( 610 ) 과 , 게이트 절연 층 ( 608 ) 및 게이트 전극 ( 610 ) 을 덮 어 형성 된 층간 절 연막 ( 616 ) 과 , 층간 절 연막 ( 616 ) 에 형성 된 개구부 를 통하 여 한 쌍 의 전극 ( 614 ) 과 접속 하 는 배선 ( 618 ) 과 , 층간 절 연막 ( 616 ) 및 배선 ( 618 ) 을 덮 어 형성 된 보호막 ( 620 ) 을 갖 는다 .