구체 적 으로 상기 MIT 박막 ( 300 ) 은 , Al 2 O 3 , VO 2 , V 2 O 3 , ZrO 2 , ZnO , HfO 2 , CuO , Ta 2 O 5 , La 2 O 3 , Fe 2 O 3 , NiO , 및 MgO 중 에서 적어도 하나 가 함유 된 산화 막 물질 , AlxTiyO , ZnxTiyO , ZrxTiyO , TaxTiyO , VxTiyO , LaxTiyO , BaxTiyO , 및 SrxTiyO 중 에서 적어도 하나 가 함유 된 산화 막 물질 , 및 GaAS , GaSb , InP , InAs , GST ( GeSbTe ) , Si , 및 Ge 중 에서 적어도 하나 가 함유 된 반도체 물질 중 에서 적어도 하나 의 물질 을 포함 할 수 있 다 .