도 2 a 및 도 2 b 는 전환 하 기 위해 스핀 축적 토크 를 사용 하 는 MRAM 메모리 셀 ( 200 ) 의 일 실시 예 를 도시 한다 . MRAM 메모리 셀 ( 200 ) 은 3 개 의 단자 들 ( T 1 , T 2 , T 3 ) ; 자기 터널 접합 ( MTJ ) ( 101 ) ; 스핀 축적 층 ( 202 ) ; 및 편광 층 ( 204 ) 을 포함 한다 . 일 구 현예 에서 , MTJ ( 101 ) 는 자유 층 , 터널 장벽 및 핀 드 층 을 포함 할 수 있 다 . 일 구 현예 에서 , 도 2 a 에 도시 된 바 와 같이 , MTJ ( 101 ) 는 스핀 축적 층 ( SAL ) ( 202 ) 의 상부 상 에 위치 되 고 그 와 전기 적 으로 접촉 하 고 , 핀 드 층 ( PL ) ( 102 ) , 층간 결합 ( ILC ) 층 ( 104 ) , 기준층 ( RL ) ( 106 ) , 터널 장벽 ( TB ) ( 108 ) 및 자유 층 ( FL ) ( 110 ) 을 포함 한다 . 도 2 a 에 그래프 로 도시 된 실시 예 에서 , 자유 층 ( 110 ) 은 SAL ( 202 ) 의 상부 상 에 위치 되 고 , 터널 장벽 ( 108 ) 은 자유 층 ( 110 ) 의 상부 상 에 위치 되 고 , 기준층 ( 106 ) 은 터널 장벽 ( 108 ) 의 상부 상 에 위치 되 고 , ILC 층 ( 104 ) 은 기준층 ( 106 ) 의 상부 상 에 위치 되 고 , 핀 드 층 ( 102 ) 은 ILC 층 ( 104 ) 의 상부 상 에 위치 된다 . 다양 한 층 들 의 다른 위치 설정 이 또한 구현 될 수 있 다 .