다음 으로 , 패키지 ( 100 ) 는 예 를 들 면 , UV 광 또는 레이저 빔 을 릴리스 층 ( 22 ) 상 에 투사 함 으로써 캐리어 ( 20 ) 로부터 디본 딩 되 어 , 릴리스 층 ( 22 ) 이 UV 광 또는 레이저 빔 의 열 하 에서 분해 되 게 된다 . 따라서 , 패키지 ( 100 ) 가 캐리어 ( 20 ) 로부터 디 본딩 ( de - bond ) 된다 . 그 결과 의 구조 체 ( 100 ) 가 도 13 에 도시 된다 . 본 개시 의 일부 실시 예 에 따라 , 산출 되 는 패키지 ( 100 ) 에서 , 유전체 층 ( 28 ) 은 패키지 ( 100 ) 의 하단 부분 으로서 남 아 있 고 , 관통 비아 ( 32 ) 를 보호 한다 . 그런 다음 , 개구 ( 72 ) 를 형성 하 도록 유전체 층 ( 28 ) 의 일부 부분 을 제거 하 기 위해 레이저 드릴 이 수행 되 어 , 활성 관통 비아 ( 32 A ) 와 더미 관통 비아 ( 32 B ) 가 노출 된다 . 다음 으로 , 싱 귤 레이 션 ( 다이 - 쏘 ( die - saw ) ) 프로세스 가 합성 웨이퍼 ( 100 ) 를 개별 패키지 ( 100 ’) 내 로 분리 시키 기 위해 수행 된다 . 각각 의 단계 는 도 22 에 도시 된 프로세스 흐름 내 의 단계 ( 218 ) 로서 예증 된다 .