트랜지스터 ( 160 ) 의 금속 화합물 영역 ( 124 ) 의 일부 에 는 , 전극 ( 126 ) 이 접속 되 어 있 다 . 여기 에서 , 전극 ( 126 ) 은 트랜지스터 ( 160 ) 의 소스 전극 이나 드레 인 전극 으로서 기능 한다 . 또한 , 기판 ( 100 ) 위 에 는 트랜지스터 ( 160 ) 를 둘러싸 듯이 소자 분리 절연 층 ( 106 ) 이 형성 되 어 있 고 , 트랜지스터 ( 160 ) 에 접하 여 절연 층 ( 128 ) 이 형성 되 어 있 다 . 또한 , 고집 적 화 를 실현 하 기 위해서 는 , 도 7 에 도시 하 는 바 와 같이 , 트랜지스터 ( 160 ) 가 사이드 월 절연 층 을 갖 지 않 는 구성 으로 하 는 것 이 바람직 하 다 . 한편 , 트랜지스터 ( 160 ) 의 특성 을 중시 하 는 경우 에 는 , 게이트 전극 ( 110 ) 의 측면 에 사이드 월 절연 층 을 형성 하 고 , 그 사이드 월 절연 층 과 중첩 되 는 영역 에 형성 된 불순물 농도 가 상이 한 영역 을 포함 하 여 불순물 영역 ( 120 ) 을 형성 해도 좋 다 .