층간 절 연막 ( 26 A ) 및 보호막 ( 26 B ) 에 는 보조 용량 콘택트 홀 ( 27 b ) 이 형성 되 고 , 보호막 ( 26 B ) 표면 에서부터 에칭 스토퍼 층 ( 24 b ) 의 저 저항 영역 ( 24 bt ) 에 도달 한다 . 보조 용량 콘택트 홀 ( 27 b ) 의 표면 은 화소 전극 ( 28 ) 에 의해 피복 되 며 , 화소 전극 ( 28 ) 은 , 저 저항 영역 ( 24 bt ) 과 전기 적 으로 접속 된다 .