이 문제 에 대한 제 1 의 종래 솔루션 은 ESD 보호 MOSFET 의 개별 핑거 들 에 드레 인 안정 저항 ( drain ballasting resistance ) 을 부가 하 는 것 이 다 . 그러나 , 이 접근 법 은 그러 한 드레 인 안정 저항 들 을 위해 큰 영역 의 반도체 기판 을 필요 로 한다 . 더욱이 , 드레 인 안정 저항 들 의 부가 는 회로 에 큰 온 저항 ( on - resistance ) 을 부가 하 며 , ESD 보호 MOSFET 의 전류 용량 을 사실 상 감소 시키 고 , 따라서 , 큰 클램 핑 전압 을 필요 로 한다 .