도 5 의 ( D ) 에 나타낸 트랜지스터 ( 330 ) 는 게이트 로서 기능 하 는 도전 층 ( 331 ) , 게이트 절연 층 으로서 기능 하 는 절연 층 ( 338 ) , 소스 및 드레 인 으로서 기능 하 는 도전 층 ( 332 a ) 및 도전 층 ( 332 b ) , 반도체 층 ( 337 ) , 게이트 절연 층 으로서 기능 하 는 절연 층 ( 335 ) , 및 게이트 로서 기능 하 는 도전 층 ( 333 ) 을 가진다 . 절연 층 ( 338 ) 은 도전 층 ( 331 ) 과 반도체 층 ( 337 ) 사이 에 위치 한다 . 절연 층 ( 335 ) 은 도전 층 ( 333 ) 과 반도체 층 ( 337 ) 사이 에 위치 한다 . 트랜지스터 ( 330 ) 는 절연 층 ( 334 ) 으로 덮이 는 것 이 바람직 하 다 . 절연 층 ( 334 ) 은 트랜지스터 ( 330 ) 의 구성 요소 에 포함 되 어도 좋 다 .