상술 한 SiCAlN 막 과 SiCN : H 막 은 육방정계 형태 로 기판 상 에 성장 된다 . 이러 한 육방정계 는 GaN 과 같 은 형태 이 기 때문 에 SiCAlN 막 과 SiCN : H 막 을 기판 과 GaN 층 사이 의 버퍼 층 으로 사용 하 게 되 면 이 들 간 의 결정격자 차이 에서 발생 하 는 스트레인 을 줄일 수 있 다 . 또한 , SiCAlN 막 은 빛 의 반사 방지 층 으로 작용 하 게 되 어 웰 즉 , 활성 층 에서 생성 된 빛 이 SiCAlN 막 을 통하 여 효과 적 으로 방출 될 수 있 어 외부 효율 을 증가 시킬 수 있 다 .