TFT ( 30 ) 를 덮 어 , TFT ( 30 ) 등 에 기인 하 는 기판 상 의 요철 을 평탄 화 하 는 평탄 화 막 ( 13 ) 이 형성 되 어 있 다 . 평탄 화 막 ( 13 ) 상 에 상기 전이 전극 ( 60 ) 이 마련 된다 . 이 전이 전극 ( 60 ) 은 , 상기 화소 전극 ( 15 ) 과 마찬가지 로 ITO 등 의 투명 도전 재료 로 이루어진다 . 이 에 따라 , 전이 전극 ( 60 ) 상 의 액정 분자 도 표시 에 기여 시킬 수 있 어 , 개구율 의 저하 를 방지 하 고 있 다 . 그리고 , 전이 전극 ( 60 ) 을 덮 어 , 유전체 막 ( 14 ) 이 마련 된다 . 이 유전체 막 ( 14 ) 은 실리콘 산화 물막 이나 실리콘 질화 물막 등 으로 이루어지 는 투명 절 연막 이 다 . 이 유전체 막 ( 14 ) 은 적어도 상기 전이 전극 ( 60 ) 을 덮 고 있 는 부분 의 막 두께 W 가 1 ㎛ 이하 로 되 어 있 는 것 이 바람직 하 다 .