상기 정공 주입 층 ( HIL ) 은 상기 제 1 전극 상부 에 진공 증착 법 , 스핀코팅 법 , 캐스트 법 , LB ( Langmuir - Blodgett ) 법 등 과 같 은 다양 한 방법 을 이용 하 여 형성 될 수 있 으며 , 사용 될 수 있 는 정공 주입 층 의 재료 는 일 예 로 , CuPc ( copper phthalocyanine ) , NPD ( N , N '- dinaphthyl - N , N '- phenyl -( 1 , 1 '- biphenyl ) - 4 , 4 '- diamine ) , m - MTDATA ( 4 , 4 '," 4 ""- tris ( 3 - Methylphenylphenylamino ) triphenylamine ) ", 1 - TNATA ( 4 , 4 ', 4 ''- tris [ 1 - naphthyl ( phenyl ) amino ] triphenylamine ) , 2 - TNATA ( 4 , 4 ', 4 ''- tris [ 2 - naphthyl ( phenyl ) amino ] triphenylamine ) , p - DPA - TDAB ( 1 , 3 , 5 - tris [ N -( 4 - diphenylaminophenyl ) phenylamino ] benzene ) 등 과 같 은 방향 족 아민류 , 전도성 고분자 로서 의 폴리 티오펜 유도체 인 poly ( 3 , 4 - ethylenedioxythiophene ) - poly ( styrnesulfonate ) ( PEDOT : PSS ) 등 이 사용 될 수 있 다 . 본 발명 의 실시 예 에서 는 PEDOT : PSS 를 정공 주입 층 으로 사용 하 였으며 , 정공 주입 층 은 10 내지 60 nm 의 두께 로 제 1 전극 의 상부 에 코팅 될 수 있 다 .