셀 적층 체 ( STc ) 를 형성 하 는 공정 은 들 제 1 슬릿 ( SI 1 ) 을 통해 도전 물 을 유입 하 는 공정 을 포함 할 수 있 다 . 수직 베리어 ( VB ) 는 제 1 슬릿 들 ( SI 1 ) 을 통해 유입 되 는 도전 물 이 더미 적층 체 ( STd ) 로 유입 되 지 않 도록 차단 할 수 있 다 . 수직 베리어 ( VB ) 는 셀 플러그 들 ( CPL ) 과 동시 에 형성 될 수 있 다 . 이 에 따라 , 본 발명 의 실시 예 는 제조 공정 을 단순 화 할 수 있 다 .