도 11 f 를 참조 하 면 , 상기 게이트 전극 ( GE ) 및 상기 평탄 화 층 ( 130 ) 상 에 게이트 절연 층 ( 160 ) 을 형성 한다 . 상기 게이트 절연 층 ( 160 ) 은 상기 게이트 전극 ( GE ) 과 상기 소스 전극 ( SE ) 및 상기 드레 인 전극 ( DE ) 을 서로 절연 시킨다 . 상기 게이트 절연 층 ( 160 ) 은 상기 게이트 전극 ( GE ) 과 상기 반도체 층 ( CH ) 을 서로 절연 시킨다 .