또 다른 실시 예의 반도체 메모리 장치 의 비트 라인 프리 차지 전압 제어 회로 는 반도체 메모리 장치 의 액티브 완료 시간 을 줄이 기 위해 제어 신호 가 인 에 이 블 되 면 타 겟 레벨 보다 낮 은 비트 라인 프리 차지 전압 을 생성 하 는 비트 라인 프리 차지 전압 생성 수단 , 및 오버 드라이빙 동작 수행 여부 에 따라 상기 제어 신호 를 생성 하 는 제어 신호 생성 수단 을 포함 한다 .