또한 , 제 2 순서 가 제 1 순서 와 다른 것 은 , 제 2 순서 에 , 제 1 순서 에 있 어서 의 스텝 3 ( SiN 층 상 에 대한 Si 함유층 형성 ) 에 대응 하 는 스텝 이 없 는 점 뿐 이 고 , 기타 의 점 은 제 1 순서 와 동일 하 다 . 즉 , 제 1 순서 에 있 어서 의 스텝 3 ( SiN 층 상 에 대한 Si 함유층 형성 ) 을 없애 고 , 그 대신 에 제 1 순서 에 있 어서 의 스텝 4 ( SiO 층 에 대한 개질 ) 를 스텝 3 으로 하 여 앞당겨서 수행 하 는 순서 가 제 2 순서 에 상당 한다 . 제 2 순서 에 있 어서 의 각 스텝 에서 의 처리 조건 , 사용 하 는 가스 등 도 제 1 순서 와 동일 하 다 . 다만 , 제 2 순서 에서 는 , 스텝 3 에 대해 , SiO 층 으로 개질 하 는 대상 이 제 1 순서 와 는 다르 다 . 제 1 순서 의 스텝 4 에서 는 , Si 함유층 및 SiN 층 을 SiO 층 으로 개질 했 는데 , 제 2 순서 의 스텝 3 에서 는 SiN 층 을 SiO 층 으로 개질 한다 .