이 어 , 도 3 h 에 도시 된 바 와 같이 , 게이트 ( 100 ) 를 마스크 로 LDD ( Light Doped Drain ) 이온 을 주입 하 여 LDD 영역 ( 미 도시 ) 을 형성 하 고 , 게이트 ( 100 ) 양 측면 에 스 페이서 ( 20 ) 를 형성 한다 . 스 페이서 ( 20 ) 는 게이트 ( 100 ) 를 포함 한 전면 에 절 연막 , 예 를 들 어 , 산화 막 을 형성 하 고 산화 막 을 전면 식각 하 여 형성 할 수 있 다 .