비 교예 에서 설명 한 바 와 같이 , " 종래 의 금속 산화물 의 도전 성막 ( 4 ) 에 "" 통전 포 밍 "" 처리 를 실시 하 는 경우 는 ", 도전 성막 의 환원 ( 또는 응집 ) 을 촉진 하 는 가스 도입 을 수반 함 으로써 , 마침내 50 mW 정도 의 낮 은 Pform 을 실현 할 수 있 다 . 그러나 . 본 발명 의 도전 성막 ( 예 를 들 면 , No . 2 내지 No . 4 의 도전 성막 ) 을 이용 하 면 , 환원성 가스 를 이용 하 지 않 고 낮 은 Pform 을 실현 할 수 있 다 . 그리고 , 또한 , 금속 산화물 로 이루어지 는 도전 성막 을 환원 시킬 필요 는 없 으므로 , 단축 된 Tform 을 실현 할 수 있 다 .