비트 선 BL 을 선택 함 으로써 메모리 셀 의 X 좌표 가 선택 된다 . 상부 선택 게이트 USG 을 선택 하 여 상부 선택 트랜지스터 UST 를 도통 또는 비 도통 상태 로 되게 함 으로써 메모리 셀 의 Y 좌표 가 선택 된다 . 워드 선 으로서 기능 하 는 전극 층 WL 을 선택 함 으로써 메모리 셀 의 Z 좌표 가 선택 된다 . 그 후 , 선택 된 메모리 셀 의 전하 축적 층 ( 76 ) 에 전자 를 주입 함 으로써 정보 가 기억 된다 . 이 메모리 셀 을 통과 하 는 실리콘 필러 SP 를 통해 감지 전류 를 흘림 으로써 이 메모리 셀 에 기억 된 정보 가 판독 된다 .