이상 설명 한 실시 예 들 에서 게이트 는 베이스 상 에 인접 하 여 형성 되 었 으나 , 본 발명 은 반드시 이 에 한정 되 는 것 은 아니 며 , 도 20 에 도시 된 본 발명 의 또 다른 일 실시 예의 메모리 소자 ( 700 ) 와 같이 , 베이스 ( 710 ) 와 게이트 ( 720 ) 사이 에 다른 막 ( 750 ) 이 더 위치 할 수 있 다 . 상기 막 ( 750 ) 은 절 연막 일 수 있 는 데 , 베이스 ( 710 ) 를 형성 하 는 강유전체 물질 과 다른 물질 일 수 있 다 .