또한 , 제 1 결정 성 산화물 반도체 층 및 제 2 결정 성 산화물 반도체 층 은 적어도 Zn 을 갖 는 산화물 재료 이 며 , 4 원계 금속 산화물 인 In - Al - Ga - Zn - O 계 재료 나 In - Si - Ga - Zn - O 계 재료 나 , 3 원계 금속 산화물 인 In - Ga - Zn - O 계 재료 , In - Al - Zn - O 계 재료 , In - Sn - Zn - O 계 재료 , Sn - Ga - Zn - O 계 재료 , Al - Ga - Zn - O 계 재료 , Sn - Al - Zn - O 계 재료 , Hf - In - Zn - O 계 재료 나 , 2 원계 금속 산화물 인 In - Zn - O 계 재료 , Sn - Zn - O 계 재료 , Al - Zn - O 계 재료 , Zn - Mg - O 계 재료 나 , Zn - O 계 재료 등 이 있 다 . 또한 , In - Si - Ga - Zn - O 계 재료 나 In - Ga - B - Zn - O 계 재료 나 , In - B - Zn - O 계 재료 를 사용 하 여도 좋 다 . 또한 , 상술 한 재료 에 SiO 2 를 함유 시켜 도 좋 다 . 여기 서 , 예 를 들 어 In - Ga - Zn - O 계 재료 란 인듐 ( In ) , 갈륨 ( Ga ) , 아연 ( Zn ) 을 갖 는 산화 물막 이 라는 뜻 이 고 , 그 조성 비율 은 특별히 한정 되 지 않 는다 . 또한 , In , Ga , Zn 이외 의 원소 를 함유 하 여도 좋 다 .