일 실시 예 에 따르 면 , 제 1 산화물 층 ( 370 ) 은 제 1 활성 층 ( 350 ) 의 채널 영역 ( 350 c ) 에 산소 ( O ) 를 주입 하 는 산소 공급 층 일 수 있 다 . 산화물 반도체 는 증착 공정 에서 산소 분압 에 따라 부분 적 으로 산소 결함 영역 ( Vo ) 이 형성 될 수 있 다 . 산화물 반도체 상 에 절 연막 이 증착 될 때 , 산소 결함 영역 ( Vo ) 으로 수소 ( H ) 가 주입 될 수 있 고 , 이 는 산화물 반도체 의 이동도 를 증가 시킬 수 있 다 . 산화물 반도체 를 갖 는 활성 층 은 높 은 이동도 를 가질 수 있 도록 산소 결함 영역 ( Vo ) 의 수 가 클 수 있 다 . 다만 , 이 경우 과도 한 캐리어 ( carrier ) 농도 의 증가 로 구동 트랜지스터 ( DRT ) 는 각 화소 ( PX ) 를 구동 하 기 위한 구동 전압 의 확보 가 어려워질 수 있 다 . 특히 , 구동 트랜지스터 ( DRT ) 의 제 1 활성 층 ( 350 ) 이 짧 은 길이 의 채널 영역 ( 350 c ) 을 가질 경우 , 구동 전압 이 더 좁 은 범위 를 갖 게 될 수 도 있 다 .