그런 다음 희생 마스킹 층 증착 은 , 예 를 들 어 패널 ( 5 a 및 5 b ) 에 나타낸 바 와 같이 희생 마스킹 층 이 증착 되 지 않 은 영역 에서 오 목부 ( 450 ) 의 형성 을 초래 하 는 에칭 단계 가 뒤따를 수 있 다 . 특히 , 패널 5 a ) 는 , 희생 마스킹 층 ( 440 ) 이 복사선 개질 층 부분 ( 411 ) 상 에 증착 되 었 을 경우 , 오 목부 ( 450 ) 가 비 개질 층 부분 ( 412 ) 의 위치 에서 에칭 되 는 방법 을 나타낸다 . 패널 5 b ) 는 , 희생 마스킹 층 ( 440 ) 이 하부 층 ( 420 ) 상 에 증착 되 었 을 경우 , 오 목부 ( 450 ) 가 복사선 개질 층 부분 ( 411 ) 의 위치 에서 에칭 되 는 방법 을 나타낸다 . 물론 , 동일 한 원리 가 다른 구 현예 에 적용 된다 : 희생 마스킹 층 이 증착 되 지 않 은 영역 은 에칭 단계 동안 에칭 되 지 않 고 , 희생 마스킹 층 이 증착 된 영역 은 에칭 단계 동안 에칭 되 지 않 거나 실질 적 으로 에칭 되 지 않 는다 . 원 하 는 경우 , 희생 마스킹 층 은 에칭 단계 후 에 제거 될 수 있 다 . 선택 적 으로 , 희생 마스킹 층 증착 단계 및 에칭 단계 는 하나 및 동일 한 반응 챔버 에서 수행 될 수 있 다 . 선택 적 으로 , 임의 의 희생 마스킹 층 제거 단계 가 동일 한 반응 챔버 에서 도 수행 될 수 있 다 .