또한 , 예컨대 , 제 2 환형 부재 ( 26 b ) 의 높이 에 따라 , 도 4 의 ( c ) 에 도시 된 바 와 같이 제 1 환형 부재 ( 26 a ) 의 두께 를 바꾸 어도 좋 다 . 제 1 환형 부재 ( 26 a ) 의 두께 를 두꺼운 상태 에서 얇 은 상태 로 변경 한다 . 그렇게 하 면 , 도 4 의 ( c ) 에 도시 된 기판 ( W ) 의 하면 과 제 1 환형 부재 ( 26 a ) 의 상면 과 의 간격 ( d ) 은 커진다 . 따라서 , 식 ( 1 ) 및 식 ( 2 ) 에 기초 하 여 정전 용량 ( C ) 이 작아지 고 , 임피던스 는 낮 은 상태 에서 높 은 상태 가 된다 . 이 경우 에 도 시스 가 두꺼운 상태 에서 얇 은 상태 가 되 고 , 플라 즈 마 밀도 가 높 은 상태 에서 낮 은 상태 가 된다 .