또한 , 상기 플 라즈 마 식각 장치 ( 100 ) 에서 언급 한 제 1 전극 ( 14 ) 은 , 도 3 및 도 4 에서 와 같이 메 쉬 ( mesh ) 타입 의 구조 를 갖 는 것 이 보다 바람직 하 다 . 그 이유 는 , 상기 스테이지 ( 12 ) 와 제 1 전극 ( 14 ) 사이 에 형성 되 는 플 라즈 마가 상기 제 1 전 극 ( 14 ) 상부 에 위치 하 는 반도체 기판 ( W ) 의 이면 으로 용이 하 게 전달 시키 기 위함 이 다 . 즉 , 상기 스테이지 ( 12 ) 와 제 1 전극 ( 14 ) 사이 에 형성 되 는 플 라즈 마 가 상기 메 쉬 타입 의 홀 들 을 통하 여 상기 반도체 기판 ( W ) 의 이면 으로 용이 하 게 전달 하 는 것 이 다 . 아울러 , 상기 메 쉬 타입 의 홀 들 을 통하 여 상기 반도체 기판 ( W ) 의 이면 으로 상기 플 라즈 마 를 보다 많이 전달 하 기 위해서 상기 메 쉬 구조 의 상부 즉 , 반도체 기판 ( W ) 과 마주 보 는 부분 은 모따 기 형태 를 갖 는 것 이 바람직 하 다 . 그리고 , 상기 모따 기 형태 이외 에 도 라운 딩 형태 등 으로 도 형성 할 수 있 다 . 이때 , 상기 메 쉬 구조 의 홀 들 은 그 직경 이 최소 0 . 1 mm 인 것 이 적절 하 다 . 그리고 , 상기 메 쉬 타입 의 구조 를 갖 는 제 1 전극 ( 14 ) 의 직경 은 상기 반도체 기판 ( W ) 의 직경 을 기준 으로 약 95 % 의 범위 로 제한 하 는 것 이 적절 하 다 . 예 를 들 면 , 상기 반도체 기판 ( W ) 이 약 300 mm 의 직경 을 가질 경우 상기 제 1 전극 ( 14 ) 은 약 285 mm 의 직경 을 갖 는 것 이 적절 하 다 . 이 와 같이 , 상기 제 1 전극 ( 14 ) 의 직경 을 언급 한 바 와 같이 제한 하 는 것 은 상기 하부 - 제 2 전극 ( 16 ) 을 사용 하 여 상기 반도체 기판 ( W ) 을 상부 로 용이 하 게 리프팅 시키 기 위함 이 다 . 한편 , 상기 메 쉬 타입 의 구조 를 갖 는 제 1 전극 ( 14 ) 의 두께 는 약 0 . 1 내지 300 mm 를 갖 는 것 이 바람직 하 다 . 또한 , 상기 제 1 전극 ( 14 ) 의 경우 에 는 알루미늄 , 구리 등 과 같 은 전도성 물질 로 형성 하 는 것 이 적절 하 다 .