일 실시 예 에 있 어서 , 이상 에서 언급 된 에칭 프로세스 는 비 - 전도성 영역 ( 136 ) 내 의 금속 성 나노 와이어 들 ( 140 ) 을 완전히 제거 하 지 않 는다 . 다시 말 해서 , 금속 성 나노 와이어 들 ( 140 ) 이 비 - 전도성 영역 ( 136 ) 내 에 남 아 있 지만 , 남 아 있 는 금속 성 나노 와이어 들 ( 140 ) 의 농도 는 침투 ( percolation ) 임계 보다 더 낮 다 . 이러 한 에칭 단계 는 불 완전 에칭 또는 부분 적 에칭 으로서 지칭 될 수 있 다 . 금속 성 나노 와이어 들 ( 140 ) 의 전도율 은 주로 다음 의 인자 들 에 의해 제어 될 수 있 다 : a ) 단일 금속 성 나노 와이어 ( 140 ) 의 전도율 , b ) 금속 성 나노 와이어 들 ( 140 ) 의 수 , 및 c ) 이러 한 금속 성 나노 와이어 들 ( 140 ) 의 연결 성 ( 접촉 으로 도 지칭 됨 ) ; 금속 성 나노 와이어 들 ( 140 ) 의 농도 가 침투 임계 보다 더 낮 은 경우 , 금속 성 나노 와이어 들 ( 140 ) 사이 의 간격 이 너무 멀 기 때문 에 , 나노 와이어 층 의 전체 전도 율 이 매우 낮 거나 , 또는 심지어 0 이 며 , 이 는 , 연속 적 인 전류 경로 가 비 - 전도성 영역 ( 136 ) 의 금속 성 나노 와이어 들 ( 140 ) 내 에 제공 되 지 않 는다는 것 을 의미 하 고 ; 따라서 , 전도성 네트워크 가 형성 될 수 없 고 ; 즉 , 비 - 전도성 영역 ( 136 ) 의 금속 성 나노 와이어 들 ( 140 ) 내 에 형성 되 는 것 은 비 - 전도성 네트워크 이 다 . 일 실시 예 에 있 어서 , 영역 또는 구조 체의 시트 저항 은 다음 의 범위 들 내 에서 비 - 전도성 으로서 간주 될 수 있 다 : 시트 저항 은 108 옴 / 스퀘어 ( ohm / square ) 보다 더 높 거나 , 104 옴 / 스퀘어 보다 더 높 거나 , 3000 옴 / 스퀘어 보다 더 높 거나 , 1000 옴 / 스퀘어 보다 더 높 거나 , 350 옴 / 스퀘어 보다 더 높 거나 , 또는 100 옴 / 스퀘어 ( 옴 / 스퀘어 ) 보다 더 높 다 . 다시 말 해서 , 이러 한 실시 예 에 있 어서 , 인접 한 전도성 회로 들 ( 예컨대 터치 센싱 전극 들 ( TE ) 또는 주변 회로 ( 130 ) ) 사이 의 비 - 전도성 영역 ( 136 ) 은 침투 임계 보다 더 낮 은 농도 를 갖 는 금속 성 나노 와이어 들 ( 140 ) 로 충전 될 수 있 으며 , 이 는 비 - 전도성 네트워크 를 형성 하 여 인접 한 전도성 회로 들 사이 의 절연 을 달성 한다 .