상기 베이스 기판 ( 10 ) 을 에칭 하 는 식각 공정 은 습식 식각법 과 건식 식각법 으로 나눌 수 있 다 . 습식 식각법 은 화학 용액 을 이용 해 상기 기판 ( 10 ) 의 표면 과 화학 반응 을 일으켜 상기 기판 ( 10 ) 의 일부분 을 제거 하 는 방법 이 다 . 습식 식각법 은 일반 적 으로 등방성 식각 ( Isotropic etching ) 이 기 때문 에 언더컷 ( undercut ) 이 발생 하 며 , 정확 한 패턴 형성 이 어렵 다 . 또한 , 공정 제어 가 어렵 고 , 식각 할 수 있 는 선폭 이 제한 적 이 며 , 부가 적 으로 생성 되 는 식각 용액 의 처리 문제 가 발생 하 는 단점 을 갖 는다 . 　 따라서 , 습식 식각법 의 단점 을 보완 할 수 있 는 건식 식각법 이 더 많이 사용 되 고 있 다 . 건식 식각법 은 반응 가스 를 진공 챔버 에 주입 시킨 후 파워 를 인가 하 여 플 라즈 마 를 형성 시키 고 , 이 를 기판 ( 10 ) 의 표면 과 화학 적 또는 물리 적 으로 반응 시켜 기판 ( 10 ) 의 일부분 을 제거 하 는 공정 이 다 . 본 실시 예 에서 는 공정 제어 가 용이 하 고 , 이방성 식각 ( Antisotropic ecthing ) 이 가능 하 며 , 정확 한 패턴 을 형성 할 수 있 는 건식 식각법 을 이용 할 수 있 다 . 특히 , 건식 식각법 중 에서 도 물리 적 식각 인 DRIE ( Deep reactive ion etching ) 공정 을 사용 할 수 있 다 . DRIE 공정 은 반응 성 개스 를 진공 챔버 내 에 주입 한 후 에너지원 에 의해 개스 를 해리 함 으로써 플 라즈 마 를 발생 시킨다 . 플 라즈 마 내 에서 발생 한 이온 을 전계 에서 가속 하 여 상기 베이스 기판 ( 10 ) 의 표면 위 에 충돌 시켜 스퍼터링 에 의해 식각 해 내 는 것 이 다 .