종래 의 불휘발성 반도체 장치 의 터널 절 연막 의 제조 방법 에 있 어서 , 수소 가스 를 이용 하 여 생성 된 산소 라디칼 을 사용 하 는 라디칼 산화 공정 을 통해 실리콘 기판 상 에 실리콘 산화물 로 이루어진 터널 절 연막 을 형성 할 경우 , 상기 터널 절 연막 내 에 전하 를 트랩 하 는 트랩 사이트 들 에 해당 되 는 실리콘 - 수소 ( Si - H ) 결합 들 이 생성 된다 . 종래 의 불휘발성 반도체 장치 의 프로그래밍 및 소거 동작 시 에 다수 의 전하 들 이 이 와 같 은 터널 절 연막 내 의 트랩 사이트 들 에 포획 되 기 때문 에 상기 불휘발성 반도체 장치 의 신뢰 성 및 내 구성 을 크 게 저하 시키 게 된다 .