한편 , 소자 가 고집 적 화 되 어 감 에 따라 소자 분리 막 형성 공정 이 더욱더 어려워 지 고 있 다 . 이 에 따라 , 낸드 플래시 메모리 제조 공정 에서 개선 된 자기 정렬 STI ( Advanced Self Aligned Shallow Trench Isolation ; ASA - STI ) 스킴 ( scheme ) 을 이용 하 여 소자 분리 막 을 형성 하 고 있 다 .