이 와 같이 , 본 발명 의 실시 예 에 따른 반도체 공정 진단 센서 장치 는 열팽창 계수 가 비교 적 작 은 제 1 접착 층 ( 121 ) 을 안착 홈 ( 110 ) 및 삽입 홈 ( 310 ) 사이 에 배치 함 으로써 , 온도 상승 에 따른 제 1 접착 층 ( 121 ) 팽창 으로 인해 발생 하 는 센서 장치 휨 ( Warpage ) 현상 을 방지 할 수 있 다 .