다음 , 도 5 b 는 녹색 서브 화소 에서 반사 패턴 ( RP ) 의 깊이 ( RPD ) 에 따른 파장 ( Wavelength ) 과 광 세기 ( Intensity ) 를 나타낸 것 으로 , 가로 축 이 파장 이 고 , 세로 축 이 광 세기 를 나타낸다 . 그리고 , 도 5 b 에서 제 2 절연 층 ( 5 ) 의 두께 ( SDLT ) 는 100 nm 이 고 , 반사 패턴 ( RP ) 의 주기 ( RPP ) 는 450 nm 이 며 , 서브 화소 의 발광 영역 의 폭 ( EAW ) 은 260 nm 로 고정 이 다 . 이러 한 상태 에서 도 5 b 의 우측 상단 에 표시 된 바 와 같이 , 반사 패턴 ( RP ) 의 깊이 ( RPD ) 가 0 nm , 30 nm , 50 nm , 70 nm , 및 90 nm 로 달라짐 에 따라 파장 과 광 세기 가 달라진다 . 여기 서 , 반사 패턴 ( RP ) 의 깊이 ( RPD ) 가 0 nm 인 그래프 는 굵 은 실선 이 고 , 30 nm 인 그래프 는 일 점 쇄선 이 고 , 50 nm 인 그래프 는 이 점 쇄선 이 고 , 70 nm 인 그래프 는 점선 이 며 , 90 nm 인 그래프 는 얇 은 실선 이 다 . 도 5 b 에서 는 반사 패턴 ( RP ) 의 깊이 ( RPD ) 가 0 nm 인 굵 은 실선 을 L 3 로 하 고 , 반사 패턴 ( RP ) 의 깊이 ( RPD ) 가 30 nm 인 점선 을 L 4 로 표시 하 였 다 . 도시 되 지 않 았 지만 , L 3 는 반사 패턴 ( RP ) 의 깊이 ( RPD ) 가 0 nm 이 므로 , 도 4 와 달리 반사 패턴 ( RP ) 이 없 고 반사판 ( 4 ) 이 평탄 한 형태 로 구비 될 수 있 다 . L 4 는 반사 패턴 ( RP ) 의 깊이 ( RPD ) 가 30 nm 이 므로 , 도 4 에서 반사 패턴 ( RP ) 의 깊이 ( RPD ) 가 30 nm 인 홈 형태 로 구비 될 수 있 다 . 다시 도 5 b 를 참조 하 면 , L 3 는 파장 이 약 0 . 53 um 일 때 광 세기 가 약 0 . 34 정도 이 다 . 반면 , L 4 는 파장 이 약 0 . 53 um 일 때 광 세기 가 약 0 . 62 이 다 . 즉 , 거의 동일 한 파장 에서 L 4 의 광 세기 가 L 3 의 광 세기 보다 더 높 은 것 을 알 수 있 다 . 그리고 , L 4 의 광 세기 가 반사 패턴 ( RP ) 의 깊이 ( RPD ) 가 30 nm , 50 nm , 90 nm 로 구비 될 경우 의 광 세기 에 비해 가장 높 은 것 을 알 수 있 다 . 따라서 , 본 출원 의 일 실시 예 에 따른 표시 장치 ( 1 ) 는 녹색 서브 화소 에서 L 4 와 같이 반사 패턴 ( RP ) 의 깊이 ( RPD ) 를 30 nm 로 구비 함 으로써 , 제 1 전극 ( 6 ) 으로부터 260 nm 이격 된 위치 에 배치 된 제 3 발광 층 ( 73 ) 의 광 세기 즉 , 녹색 의 광 추출 효율 이 가장 높 도록 구비 될 수 있 다 .