계속 해서 , 도 2 의 ( c ) 에 도시 된 바 와 같이 , 염소 ( 204 ) 가 흡착 된 오 목부 ( 203 ) 에 Ru 함유 전구체 를 공급 해서 오 목부 ( 203 ) 에 루테늄 막 ( 205 ) 을 형성 한다 . 이때 , 염소 ( 204 ) 는 , Ru 함유 전구체 의 흡착 을 저해 하 는 흡착 저해 층 으로서 기능 하 기 때문 에 , 오 목부 ( 203 ) 에서 의 염소 ( 204 ) 가 흡착 된 표면 에 는 루테늄 막 ( 205 ) 이 형성 되 기 어렵 다 . 그 때문 에 , 성막 초기 의 단계 에서 는 , 염소 ( 204 ) 가 흡착 되 어 있 지 않 은 오 목부 ( 203 ) 의 측면 ( 203 b ) 의 하부 및 저면 ( 203 c ) 에 루테늄 막 ( 205 ) 이 두껍 게 형성 된다 . 한편 , 염소 ( 204 ) 가 흡착 되 어 있 는 오 목부 ( 203 ) 의 상면 ( 203 a ) 및 측면 ( 203 b ) 의 상부 에 는 루테늄 막 ( 205 ) 은 거의 형성 되 지 않 거나 , 또는 오 목부 ( 203 ) 의 측면 ( 203 b ) 의 하부 및 저면 ( 203 c ) 보다 도 얇 게 형성 된다 . 그 결과 , 오 목부 ( 203 ) 내 에 루테늄 막 ( 205 ) 이 V 자상 으로 형성 된다 . Ru 함유 전구체 는 , 예 를 들 어 상술 한 도 1 에 도시 되 는 루테늄 막 의 형성 방법 에서 사용 되 는 Ru 함유 전구체 와 동일 해도 된다 .