또한 , 상기 게이트 에 인가 되 는 전압 에 의해 전계 ( electic field ) 가 상기 반도체 기판 으로 전달 되 어 정 션 누설 전류 가 발생 하 거나 , 후속 공정 인 랜딩 플러그 콘 택 형성 공정 에서 상기 게이트 가 치우친 쪽 의 랜딩 플러그 콘 택 이 오픈 ( open ) 되 지 않 는 문제 가 발생 하 여 트랜지스터 의 동작 특성 이 저하 되 는 문제점 이 있 다 .