도 2 는 솔 더 보이드 ( Solder Void ) 율 측정 결과 사진 으로서 Ni , Co 표면 처리 가 완료 된 웨이퍼 를 일정 크기 칩 ( Chip ) 으로 분리 시킨 후 다 이 본딩 ( Die Bonding ) 성 , 즉 칩 과 솔 더 ( Solder ) 와 의 접착력 의 상관 성 을 파악 하 기 위해 3 D 금속 현미경 을 통해 육안 으로 보이드 를 측정 하 였 다 . 실질 적 으로 보이드 율 이 높 을 경우 , 즉 칩 과 솔 더 와의 웨 팅 ( Wetting ) 성 이 잘 이루어지 지 않 을 경우 알터 네 이터 - 다이오드 의 Vf 특성 치가 높 거나 혹은 인장 강도 가 낮 은 것 으로 나타났 다 . 따라서 보이드 율 이 최대 5 % 이상일 경우 칩 과 솔 더 의 웨 팅 이 잘 이루어지 지 않 음 으로 인한 밀착 불량 의 원인 으로 판 단 된다 . 보이드 율 로 판단 시 솔 더 웨 팅 성 부분 은 상대 적 으로 진공 증착 으로 처리 된 국내 K 社 및 대만 S 社 품 보다 양호 한 수준 인 것 으로 확인 되 었 다 . 도 2 는 본 발명품 , 국내 K 社 의 제품 및 대만 S 社 의 제품 을 비교 분석 한 보이드 평가 자료 로서 A 는 본 발명 의 기술 개발 을 통해 Ni / Co 도금 된 웨이퍼 를 측정 한 이미지 이 고 , B 는 국내 K 社 에서 건식 표면 처리 법인 Evaporation 으로 생산 되 어 지 고 있 는 웨이퍼 를 측정 한 이미지 이 며 , C 는 대만 S 社 에서 무전 해 Ni / Au 도금 된 웨이퍼 를 측정 한 이미지 이 다 .