제 1 층간 절연 층 ( 114 ) 상 에 는 산화물 반도체 를 포함 하 는 보상 반도체 층 ( AO 3 ) 및 제 1 초기 화 반도체 층 ( AO 4 ) 이 배치 될 수 있 다 . 보상 반도체 층 ( AO 3 ) 은 도전 성 을 가지 며 서로 이격 되 어 있 는 보상 소스 영역 ( S 3 ) 과 보상 드레 인 영역 ( D 3 ) , 및 보상 소스 영역 ( S 3 ) 과 보상 드레 인 영역 ( D 3 ) 사이 에 배치 된 보상 채널 영역 ( A 3 ) 을 포함 할 수 있 다 .