일 실시 예 에 따른 발광 다이오드 는 , 기판 ; 기판 상 에 배치 되 고 , 제 1 도전 형 반도체 층 , 활성 층 및 제 2 도전 형 반도체 층 을 포함 하 는 반도체 적층 체 ; 반도체 적층 체 를 덮 되 , 반도체 적층 체의 제 1 도전 형 반도체 층 을 노출 시키 는 제 1 개 구부 를 포함 하 는 하부 절연 층 ; 및 하부 절연 층 상 에 배치 되 고 , 하부 절연 층 의 제 1 개 구부 를 통해 제 1 도전 형 반도체 층 에 전기 적 으로 접속 하 는 제 1 금속 층 을 포함 하 고 , 하부 절연 층 은 제 1 굴절 률 을 갖 는 제 1 재료 층 과 제 2 굴절 률 을 갖 는 제 2 재료 층 이 교대 로 적층 된 적층 구조 를 갖 고 , 하부 절연 층 의 제 1 개 구부 의 측벽 은 제 2 굴절 률 을 갖 는 제 2 재료 층 들 각각 의 노출면 의 폭 ( W ) 이 한 쌍 의 제 1 재료 층 과 제 2 재료 층 의 높이 ( H ) 보다 큰 오프셋 형상 을 가진다 . 이 에 따라 , 제 1 금속 층 이 단선 또는 박리 되 는 것 을 방지 할 수 있 다 .