본 발명자 들 은 산화제 및 가수 분 해제 가 SiO 2 막 퇴적 에 필요 하 지 않 음 을 발견 했 다 . 일부 예 에서 , 공정 가스 는 아르곤 과 같 은 불활성 가스 를 더 함유 할 수 도 있 다 . 일 실시 형태 에 있 어서 , 공정 가스 는 실 라 놀 가스 및 불활성 가스 로 이루어질 수 도 있 다 . 또한 , 일 실시 형태 에 따르 면 , 기판 온도 는 노출 중 에 약 150 ℃ 이하 일 수 있 다 . 다른 실시 형태 에 있 어서 , 기판 온도 는 약 120 ℃ 이하 일 수 도 있 다 . 또 다른 실시 형태 에 있 어서 , 기판 온도 는 약 100 ℃ 이하 일 수 도 있 다 .