상술 한 제 2 실시 예 에 따른 ZAT 유전 막 ( 101 ) 에서 , 1 차 로 탄 탈륨 산화 막 ( 31 ) 을 적절 한 두께 로 증착 한 후 탄 탈륨 산화 막 ( 31 ) 의 증착 온도 보다 높 은 온도 에서 2 차 로 알루미늄 산화 막 ( 32 ) 을 증착 한다 . 이때 , 알루미늄 산화 막 ( 32 ) 형성 을 위한 반응 가스 로 O 3 또는 O 2 플 라즈 마 를 사용 하 면 탄 탈륨 산화 막 ( 31 ) 의 막 질 개선 을 구현 할 수 있 으며 , 공정 온도 가 높 아서 탄 탈륨 산화 막 ( 31 ) 의 결정 성 을 강화 시킬 뿐 만 아니 라 결정 구조 도 등축 정계 ( Cubic ) 구조 에서 정방 정계 ( Tetragonal ) 구조 로 변화 시킴 으로써 비정질 이나 다른 결정상 일 때 에 비해 유전율 과 누설 전류 특성 을 우수 하 게 한다 . 그리고 2 차 로 비결정질 인 알루미늄 산화 막 ( 32 ) 을 증착 함 으로써 지르코늄 산화 막 ( 33 ) 및 탄 탈륨 산화 막 ( 31 ) 과 같 은 고유 전 물질 을 적용 함 에 따라 열화 될 수 있 는 누설 전류 특성 을 안정 적 으로 유지 하 게 한다 . 그리고 , 3 차 로 고유 전물 질 인 지르코늄 산화 막 ( 33 ) 을 탄 탈륨 산화 막 ( 31 ) 보다 더 두껍 게 증착 하 여 두께 증가 에 의한 결정 성 향상 및 상부 전극 ( 캐 패 시터 의 상부 전극 ) 과 의 계면 특성 을 향상 시켜 유전율 증가 및 상부 전극 과 지르코늄 산화 막 ( 33 ) 과 의 누설 전류 를 개선 시킬 수 있 다 . 즉 , 탄 탈륨 산화 막 ( 31 ) 은 알루미늄 산화 막 ( 32 ) 증착 시 의 높 은 온도 에 의해 결정 성 을 강화 시키 고 , 지르코늄 산화 막 ( 33 ) 은 증착 두께 를 증가 시켜 결정 성 을 강화 시킨다 .