또한 , 대한민국 등록 특허 제 10 - 60367 호 에 는 실리콘 표면 상 의 실리콘 산화 막 의 제거 방법 으로 , CHF 3 기체 또는 CmFn 과 H 2 의 혼합 기체 가 실리콘 산화 막 을 제거 하 기 위한 기체 로서 사용 되 는 방법 에 관하 여 기재 되 어 있 다 . 그러나 , 이러 한 방법 은 실리콘 산화 막 의 제거 방법 이 기 는 하 지만 , 액체 가 아닌 기체 를 사용 하 였으며 하부 막 질 또한 금속 이 아닌 실리콘 으로 이루어져 있 다 .