여기 서 , 산화물 반도체 층 ( 140 ) 은 수소 등 의 불순물 이 충분히 제거 되 어 고 순도 화 되 어 있 다 . 구체 적 으로 는 , 산화물 반도체 층 ( 140 ) 의 수소 농도 는 5 × 1019 ( atoms / cm 3 ) 이하 이 다 . 또한 , 산화물 반도체 층 ( 140 ) 의 수소 농도 는 5 × 1018 ( atoms / cm 3 ) 이하 인 것 이 바람직 하 고 , 5 × 1017 ( atoms / cm 3 ) 이하 인 것 이 보다 바람직 하 다 . 수소 농도 가 충분히 저감 되 어 고 순도 화 된 산화물 반도체 층 ( 140 ) 을 사용 함 으로써 , 극히 우수 한 오프 전류 특성 의 트랜지스터 ( 164 ) 를 얻 을 수 있 다 . 예 를 들 어 , 드레 인 전압 Vd 가 + 1 V 또는 + 10 V 인 경우 , 누설 전류 는 1 × 10 - 13 [ A ] 이하 가 된다 . 이 와 같이 , 수소 농도 가 충분히 저감 되 어 고 순도 화 된 산화물 반도체 층 ( 140 ) 을 적용 함 으로써 , 트랜지스터 ( 164 ) 의 누설 전류 를 저감 할 수 있 다 . 또한 , 상술 한 산화물 반도체 층 ( 140 ) 중 의 수소 농도 는 2 차 이온 질량 분석법 ( SIMS : Secondary Ion Mass Spectroscopy ) 으로 측정 한 것 이 다 .