전자 수송 층 ( 114 ) 을 형성 한 후 , 플루오린화 리튬 ( LiF ) 을 막 두께 가 1 nm 가 되 도록 증착 하 여 전자 주입 층 ( 115 ) 을 형성 하 고 , 은 ( Ag ) 과 마그네슘 ( Mg ) 의 체적 비 를 1 : 0 . 1 로 하 고 , 막 두께 가 15 nm 가 되 도록 증착 함 으로써 제 2 전극 ( 102 ) 을 형성 하 여 발광 디바이스 7 - 0 을 제작 하 였 다 . 또한 제 2 전극 ( 102 ) 은 광 을 반사 하 는 기능 과 광 을 투과 하 는 기능 을 갖 는 반 투과 · 반 반사 전극 이 고 , 본 실시 예의 발광 디바이스 는 제 2 전극 ( 102 ) 으로부터 광 을 추출 하 는 톱 이 미션 소자 이 다 . 또한 제 2 전극 ( 102 ) 위 에 는 상기 구조식 ( xiv ) 으로 나타내 어 지 는 1 , 3 , 5 - 트라이 ( 다이 벤조 싸이오펜 - 4 - 일 ) - 벤젠 ( 약칭 : DBT 3 P - II ) 을 70 nm 로 증착 하 여 , 광 추출 효율 을 향상 시켰 다 .