본 실시 예의 다른 측면 에 의하 면 , 기판 , 상기 기판 에 형성 되 며 , 하나 이상 의 층수 를 형성 하 는 전도 층 및 상기 전도 층 에 형성 된 전극 을 포함 하 며 , 상기 전도 층 과 상기 전극 의 경계 에서 형성 된 쇼트 키 배리 어 높이 를 기반 으로 가스 의 반응도 를 변화 시켜 상기 가스 를 선택 적 으로 검출 하 는 것 을 특징 으로 하 는 쇼트 키 배리 어 조절 에 기반 한 가스 센서 를 제공 한다 .