제 1 의 방법 중 압축 상태 를 구현 하 기 위해 , 구동 부 ( 230 ) 는 하방 으로 제 2 분리 부재 ( 220 ) 를 구동 시켜 압축력 을 제공 한다 . 도 10 의 ( a ) 는 압축 상태 에 의해 질화물 반도체 층 ( 50 ) 과 기판 ( 10 ) 을 분리 하 는 경우 를 도시 한다 . 도 10 의 ( b ) 는 무기물 박막 ( 30 ') 을 파괴 시킴 으로써 질화물 반도체 층 ( 50 ) 과 기판 ( 10 ) 이 분리 된 경우 를 도시 한다 . 이 때 무기물 박막 ( 30 ') 의 파괴 로 질화물 반도체 층 ( 50 ) 과 기판 ( 10 ) 이 분리 된 직후 에 는 제 2 분리 부재 ( 220 ) 가 아래 로 눌려 지 는 힘 이 해제 되 어야 질화물 반도체 층 ( 50 ) 의 파손 을 막 을 수 있 다 . 파괴 된 무기물 박막 ( 30 ') 의 일부 는 질화물 반도체 층 ( 50 ) 에 붙 어 있 을 수 있 다 .