제 1 실시 형태 에서 는 , MOS 트랜지스터 TR 4 ∼ TR 9 에 대해서 , 거리 d 를 MOS 트랜지스터 TR 1 ∼ TR 3 보다 도 크 게 하 고 있 다 . 거리 d 1 ∼ d 3 는 0 . 6 ㎛∼ 1 . 6 ㎛ 사이 의 일정 값 으로 설정 되 고 , 거리 d 4 ∼ d 9 는 거리 d 1 ∼ d 3 보다 도 0 . 1 ㎛∼ 0 . 6 ㎛ 의 범위 만큼 크 게 된다 .