한편 , 최근 소자 의 고집 적 화 에 따라 반도체 소자 의 특성 을 향상 시키 기 위해 게이트 절 연막 의 두께 를 감소 하 고 있 는 실정 이 다 . 더욱이 보론 이 도핑 된 폴리 실리콘 을 적용 하 는 경우 보론 침투 의 억제 및 유전율 증가 를 위해 산화 막 질 의 게이트 절 연막 을 일부 두께 질화 처리 하 여 게이트 절 연막 을 산화 막 과 질화 막 의 적층 구조 로 형성 하 고 있 다 .