이 와 관련 하 여 본 발명 의 출원인 은 한국 등록 특허 제 495924 호 및 제 495925 호 에서 적절 한 전구체 를 사용 하 는 MOCVD 방법 으로 원 하 는 당량 비 를 갖 는 CuInSe 2 박막 과 같 은 I - Ⅲ - Ⅵ2 화합물 의 박막 을 형성 할 수 있 도록 한 기술 을 선 출원 하 여 등록 받 은 바 있 다 . 이 기술 들 은 먼저 Mo 기판 위 에 In - Se 전구체 를 이용 하 여 InSe 박막 을 형성 하 고 , 여기 에 Cu 를 증착 하 여 Cu 2 Se 박막 으로 변환 시킨 후 다시 InSe 소스 를 공급 하 여 CuInSe 2 박막 을 완성 하 는 것 이 다 . 이 와 같 은 박막 형성 방법 은 공정 단계 가 비교 적 단순 하 고 , 손쉽 게 화학 당량 비 에 근접 한 양질 의 박막 을 제작 할 수 있 는 방법 이 지만 , 공정 과정 에서 In 원소 와 같 은 고가 의 Ⅲ 족 원소 를 불 필요 하 게 과다 소모 하 는 단점 이 있 다 .