본 발명 은 반도체 소자 의 금속 배선 형성 용 구리 전해 도금 용액 에 유기 첨가제 로서 저 농도 의 N , N - 디 메틸 디 티오 카르바 믹 산 ( 3 - 설 포프 로 필 ) 에스테르 ( N , N - Dimethyldithiocarbamic acid ( 3 - sulfopropyl ) ester ) ( DPS ) 를 첨가 함 으로써 추가 공정 없이 단일 공정 에서 수퍼 필링 과 레벨 링 이 이루어지 도록 하 는 것 을 특징 으로 한다 . 본 용액 을 금속 배선 을 형성 하 는 방법 은 다음 과 같 다 .