상기 제 2 게이트 절 연막 ( 320 ) 은 상기 제 2 반도체 패턴 ( 310 ) 의 상기 소스 영역 및 상기 드레 인 영역 을 노출 할 수 있 다 . 상기 제 2 반도체 패턴 ( 310 ) 의 상기 소스 영역 및 상기 드레 인 영역 은 상기 제 2 게이트 절 연막 ( 320 ) 과 중첩 하 지 않 을 수 있 다 . 예 를 들 어 , 상기 제 2 반도체 패턴 ( 310 ) 의 상기 소스 영역 및 상기 드레 인 영역 은 상기 제 2 게이트 절 연막 의 패 터닝 공정 에 사용 되 는 식각 용액 ( etchant ) 에 의해 도체 화 될 수 있 다 .