도 20 a 에 , 제 1 보 강막 ( 203 ) 및 제 2 보 강막 ( 209 ) 을 형성 하 지 않 는 ( 제 1 보 강막 의 막 두께 0 nm , 제 2 보 강막 의 막 두께 0 nm ) 경우 의 채널 형성 영역 에 생기 는 응력 분포 를 도시 한다 . 채널 형성 영역 에서 , 채널 형성 영역 의 하측 중앙 에 높 은 응력 이 생긴 것 을 알 수 있 다 . 이것 은 , 반도체 장치 의 중립면 의 위치 가 게이트 전극 측 에 존재 하 는 것 을 나타내 고 있 다 . 이 때 의 미제스 의 상당 응력 의 최대 값 은 , 44 MPa 가 되 었 다 .