상기 첨단부 ( 216 ) 가 실리콘 재질 로 형성 된 경우 , 첨단부 ( 216 ) 의 전기 전도도 를 개선 하 기 위하 여 첨단부 ( 216 ) 에 1 ~ 150 ㎛ 의 깊이 , 1 ~ 50 ㎛ 의 홈 ( Groove ) 이 형성 된 상태 에서 전해 또는 무전 해 도금 이 될 수 있 다 . 상기 홈 을 형성 하 는 것 은 프로브 카드 사용 중 에 첨단부 ( 216 ) 에 형성 된 금속 층 이 마모 되 더라도 전기 전도도 를 계속 유지 시켜 주 기 위함 이 다 .