보다 구체 적 으로 , 종래 의 스퍼터링 기술 을 사용 하 는 니켈 산화물 의 에칭 이 도 1 의 SEM 사진 에 도시 되 어 있 다 . 이러 한 점 에서 , 디바이스 가 대량 생산 될 때 불리 한 상당 량 의 원 하 지 않 고 바람직 하 지 도 않 은 잔류물 형성 을 볼 수 있 다 . 도 2 는 , 티타늄 질화물 층 사이 에 니켈 산화물 층 을 포함 하 는 에칭 적층 의 단면 을 도시 하 는 SEM 사진 으로 , 열악 한 에칭 프로 파일 을 보여준다 . 이러 한 예 들 은 , 잔류물 이 효과 적 으로 제거 될 수 없 고 , 패 터닝 되 는 재료 에 대한 에칭 화학 물질 이 비휘발성 부산물 을 생성 할 때 결과 적 인 에칭 프로 파일 이 기울어짐 을 입증 한다 . 요약 하 자면 , 이러 한 잔류물 과 기울어진 패턴 프로파일 은 특히 이러 한 구조 를 포함 하 는 회로 의 경우 낮 고 예측 불 가능 한 수율 을 낼 것 이 다 .