서브 화소 ( SP ) 들 각각 은 구동 트랜지스터 , 적어도 하나 의 트랜지스터 , 발광 소자 , 및 커패시터 를 포함 할 수 있 다 . 트랜지스터 는 스캔 라인 ( SL ) 으로부터 스캔 신호 가 인가 되 는 경우 턴 - 온 되 며 , 이 로 인해 데이터 라인 ( DL ) 의 데이터 전압 은 구동 트랜지스터 ( DT ) 의 게이트 전극 에 인가 될 수 있 다 . 구동 트랜지스터 ( DT ) 는 게이트 전극 에 인가 된 데이터 전압 에 따라 발광 소자 에 구동 전류 를 공급 함 으로써 발광 할 수 있 다 . 구동 트랜지스터 ( DT ) 와 적어도 하나 의 스위칭 트랜지스터 는 박막 스위칭 트랜지스터 ( thin film transistor ) 일 수 있 다 . 발광 소자 는 구동 트랜지스터 ( DT ) 의 구동 전류 에 따라 발광 할 수 있 다 . 발광 소자 는 제 1 전극 , 유기 발광 층 , 및 제 2 전극 을 포함 하 는 유기 발광 다이오드 ( organic light emitting diode ) 일 수 있 다 . 커패시터 는 구동 트랜지스터 ( DT ) 의 게이트 전극 에 인가 된 데이터 전압 을 일정 하 게 유지 하 는 역할 을 할 수 있 다 .