제어 장치 ( 60 ) 는 , 준비 공정 에 있 어서 , 주입 처리 실 ( 16 ) 내 에 마련 되 는 각종 패러데이 컵 에 의하 여 측정 되 는 빔 전류 측정값 을 취득 한다 . 구체 적 으로 는 , 사이드 컵 ( 42 L , 42 R ) , 제 1 프로파일러 컵 ( 44 a ) 및 복수 의 튜닝 컵 ( 47 ) 에 의하 여 측정 되 는 빔 전류 측정값 을 각각 취득 한다 . 제 어 장치 ( 60 ) 는 , 취득 한 빔 전류 측정값 간 의 비율 을 기억 하 고 , 주입 공정 에 있 어서 사이드 컵 ( 42 L , 42 R ) 에 의하 여 측정 되 는 빔 전류 측정값 으로부터 주입 위치 ( 70 ) ( 즉 , 웨이퍼 처리 면 ( WS ) ) 에 있 어서 의 빔 전 륫 값 을 산출 할 수 있 도록 한다 . 통상 , 각종 패러데이 컵 에 의하 여 측정 되 는 빔 전류 측정값 간 의 비율 은 , 빔 라인 장치 ( 14 ) 의 빔 광학계 의 설정 에 의존 하 고 , 이온 생성 장치 ( 12 ) 로부터 인출 되 는 이온 빔 ( B ) 의 빔 전류 가 다소 변동 했 다고 하 더라도 , 빔 전류 측정값 의 비율 은 대략 일정 하 다 . 즉 , 준비 공정 에 있 어서 빔 광학계 의 설정 이 정해 지 면 , 그 후 의 주입 공정 에 있 어서 의 빔 전류 측정값 간 의 비율 도 변하 지 않 는다 . 따라서 , 준비 공정 에 있 어서 빔 전류 측정값 간 의 비율 을 기억 해 두 면 , 그 비율 과 , 사이드 컵 ( 42 L , 42 R ) 에 의하 여 측정 되 는 빔 전류 측정값 에 근거 하 여 , 주입 공정 에 있 어서 웨이퍼 ( W ) 에 이온 이 주입 되 는 주입 위치 ( 70 ) ( 즉 , 웨이퍼 처리 면 ( WS ) ) 에서 의 빔 전 륫 값 을 산출 할 수 있 다 .