상기 제 1 반도체 층 의 상부 에 결정 화용 구조물 을 접촉 하 거나 또는 소정 간격 으로 배치 하 는 단계 ; 및 상기 결정 화용 구조물 을 상기 제 1 반도체 층 에 적어도 일부 에 액티브 영역 이 형성 될 소정 면적 을 갖 는 복수 개 의 선택 영역 들 의 온도 를 주위 보다 높 게 가열 하 여 는 상기 선택 영역 의 물질 특성 을 변화 시키 는 단계 ;