상기 척 ( 100 ) 사이 에 는 하나 또는 복수 개 의 제 1 진공 홀 ( 101 ) 및 제 2 진공 홀 ( 102 ) 을 포함 하 는데 , 상기 제 1 진공 홀 ( 101 ) 은 상기 척 ( 100 ) 상 에 위치 하 는 억셉터 기판 ( 104 ) 을 진공 형성 을 통해서 고정 시키 는 역할 을 하 며 , 제 2 진공 홀 ( 102 ) 은 억셉터 기판 ( 104 ) 의 양 끝단 부상 의 도너 기판 ( 105 ) 을 진공 형성 을 통해서 상기 억셉터 기판 ( 104 ) 에 밀착 하 여 외부 오염물 을 차단 할 수 있 고 , 결국 , 도너 기판 전사 층 ( 70 ) 의 수명 과 특성 이 개선 할 수 있 다 . 상기 억셉터 기판 ( 104 ) 은 유기 전계 발광 소자 일 수 있 으며 , 도 5 를 참조 하 면 , 기판 ( 10 ) 상 의 일정 영역 에 반도체 층 ( 20 ) 이 위치 하 고 , 상기 반도체 층 ( 20 ) 은 비정질 실리콘 막 을 결정 화 한 다결정 실리콘 막 으로 형성 될 수 있 으며 , 상기 반도체 층 ( 20 ) 상 에 게이트 절 연막 ( 25 ) 이 위치 하 고 , 상기 게이트 절 연막 ( 25 ) 상 에 상기 반도체 층 ( 20 ) 과 중첩 하 는 게이트 전극 ( 30 ) 이 위치 한다 . 상기 게이트 전극 ( 30 ) 상 에 상기 반도체 층 ( 20 ) 및 상기 게이트 전극 ( 30 ) 을 덮 는 제 1 층간 절 연막 ( 35 ) 이 위치 하 며 , 상기 제 1 층간 절 연막 ( 35 ) 상 에 상기 제 1 층간 절 연막 ( 35 ) 및 게이트 절 연막 ( 25 ) 을 관통 하 여 상기 반도체 층 ( 20 ) 의 양 단부 와 접속 하 는 소스 / 드레 인 전극 ( 41 a , 41 b ) 을 형성 하 는 박막 트랜지스터 를 구성 한다 .