본 발명 에 따른 공통 소스 라인 이 형성 된 노어 형 플래시 메모리 소자 는 , 전하 저장 용 플로팅 게이트 , 구동 전원 이 인가 되 는 콘트롤 게이트 및 상기 플로팅 게이트 와 상기 콘트롤 게이트 사이 에 개재 된 게이트 간 유전 막 을 포함 하 는 스택 게이트 를 포함 하 고 , 복수 의 메모리 셀 이 SAS 공정 을 통해 형성 된 공통 소스 라인 에 의해 병렬 접속 되 는 노어 형 플래시 메모리 소자 로서 , 상기 공통 소스 라인 을 따라 상기 스택 게이트 의 측벽 에 형성 된 비정질 층 을 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 . 여기 서 , 비정질 층 은 상기 스택 게이트 의 측벽 에 불순물 을 이온 주입 하 여 형성 되 며 , 상기 불순물 은 상기 공통 소스 라인 이 형성 된 반도체 기판 을 구성 하 는 물질 과 동일 한 수 의 원자 가 전자 를 가지 는 원소 인 것 이 바람직 하 다 . 특히 , 반도체 기판 으로서 실 리 콘 기판 을 이용 하 는 경우 , 상기 불순물 로 는 게르마늄 ( Ge ) 을 이용 할 수 있 다 .