좀 더 설명 하 면 , 도 3 ( e ) 의 반도체 메모리 장치 에서 는 , 입력 값 들 ( A , B , C ) 중 에서 2 개 이상 의 입력 값 이 1 인 경우 , 자성 유도 레이어 ( 210 ) 에 는 - I 전류 가 흐르 고 , 저항 변환 소자 ( 230 ) 는 높 은 저항 을 가진다 . 반면 에 , 입력 값 들 ( A , B , C ) 중 에서 2 개 이상 의 입력 값 이 1 인 경우 , 자성 유도 레이어 ( 210 ) 에 는 + I 전류 가 흐르 고 , 저항 변환 소자 ( 230 ) 는 낮 은 저항 을 가진다 . 이 에 대해 , 도 3 ( a ) 의 반도체 메모리 장치 에서 는 , 입력 값 들 ( A , B , C ) 중 에서 2 개 이상 의 입력 값 이 1 인 경우 , 자성 유도 레이어 ( 210 ) 에 는 + I 전류 가 흐르 고 , 저항 변환 소자 ( 230 ) 는 높 은 저항 을 가진다 . 반면 에 , 입력 값 들 ( A , B , C ) 중 에서 2 개 이상 의 입력 값 이 1 인 경우 , 자성 유도 레이어 ( 210 ) 에 는 - I 전류 가 흐르 고 , 저항 변환 소자 ( 230 ) 는 낮 은 저항 을 가진다 .