상술 한 과정 을 보다 상세 하 게 설명 하 면 , 도 18 에 도시 된 바 와 같이 , 먼저 , 지 지체 ( 120 , 일례 로 α - 알루미나 지 지체 ) 위 에 산화 아연 입자 를 5 회 딥 - 코팅 ( dip - coating ) 하 여 두꺼운 산화 아연 막 ( 110 ) 을 형성 시킨다 . 이 경우 , 산화 아연 입자 의 크기 는 대략 50 ~ 100 nm 일 수 있 다 . 또한 , 산화 아연 막 ( 110 ) 의 두께 는 실험 적 으론 954 nm 로 측정 되 었 으나 , 산화 아연 막 ( 110 ) 의 두께 는 상황 에 따라 변동 가능 하 다 .