반도체 기판 ( 100 ) 은 임의 의 보수 및 / 또는 밀봉 프로세스 이전 에 기상 촉매 와 접촉 하 여 위치 된다 . 전술 한 바 와 같이 , 루이스 염기 아민 또는 유기산 촉매 는 루이스 염기 아민 촉매 의 경우 주요 가수 분해 단계 없이 그리고 유기산 의 경우 가수 분해 를 가속 화 함 으로써 알 콕 시 실란 과 Si - OH 기 사이 의 응축 레이트 를 활동 적 으로 강화 시키 도록 기능 한다 . 프로세스 챔버 ( 200 ) 와 기판 지 지체 ( 210 ) 의 온도 는 약 60 ℃ 내지 약 275 ℃, 바람직 하 게 는 약 100 ℃ 내지 약 200 ℃ 의 제 1 온도 까지 가열 될 수 있 다 . 임의 의 기상 에이전트 의 응축 을 방지 하 기 위해 , 반도체 기판 ( 100 ) 의 온도 는 전체 프로세스 에 걸친 기상 에이전트 의 온도 보다 더 높 은 온도 로 유지 되 는 것 이 바람직 하 다 .