본 실시 예 에서 , 기판 ( 10 ) 은 제 2 도전 형 ( 예 를 들 어 , " "" n "" 형 ) 의 반도체 재료 에 의해 형성 된다 . 웰 ( 12 ) 에서 ", 웰 ( 12 ) 보다 더 높 은 불순물 농도 를 가지 는 제 2 도전 형 ( 즉 , " "" n ++"" 형 ) 의 웰 이 전하 유지 웰 ( 14 ) 로서 형성 된다 . 연결 라인 ( 26 ) 의 단부 ( end portion ) ( 25 ) 는 절연 층 ( 13 ) 을 통해 전하 유지 웰 ( 14 ) 보다 높 은 위치 에 연결 되 고 ", 연결 라인 ( 26 ) 의 다른 단부 는 장벽 전극 ( 24 ) 에 연결 된다 . 대안 적 으로 , 전하 유지 웰 ( 14 ) 과 연결 라인 ( 26 ) 의 단부 ( 25 ) 사이 에 오 믹 접속 ( ohmic connection ) 이 형성 될 수 있 다 .