상기 발광 다이오드 는 빛 의 진행 방향 을 원하 는 방향 으로 조정 하 기 위하 여 반사 층 을 구비 할 수 있 다 . 반사 층 은 활성 층 을 기준 으로 , 원 하 는 빛 의 진행 방향 의 반대쪽 에 형성 된다 . 예 를 들 어 도시 된 발광 다이오드 가 플립 칩 ( Flip - chip ) 형태 로 패 키 징 되 는 경우 에 는 P - GaN 층 과 P - 전극 사이 에 반사 층 을 구비 하 게 된다 . 상기 반사 층 은 반사 율 이 높 은 은 또는 알루미늄 등 의 금속 으로 이루어지 는데 , 상기 금속 들 은 질화 갈륨 과 접착성 이 좋 지 않 아 , 박리 가 일어나 기 쉽 다 . 따라서 , P - GaN 층 과 반사 층 사이 에 는 투명 전도성 산화물 ( Transparent Conducting Oxide ) 등 으로 이루어진 연결 층 을 형성 하 는 것 이 일반 적 이 다 .