또한 , 제 1 결정 성 산화물 반도체 층 위 에 제 2 결정 성 산화물 반도체 층 을 형성 하 는 2 층 구조 에 한정 되 지 않 고 , 제 2 결정 성 산화물 반도체 층 을 형성 한 후 에 결정 성 산화물 반도체 층 을 형성 하 기 위한 성막 처리 와 가열 처리 의 프로세스 를 반복 하 여 행함 으로써 , 3 층 이상 의 적층 구조 로 하 여도 좋 다 .