지금 까지 도 , 상기 HAZ 의 저온 인성 을 개선 하 기 위해 여러 방법 이 제안 되 어 있 다 . 예컨대 일본 특공 제 1980 - 026164 호 공보 , 일본 특허 제 2950076 호 공보 에 는 , TiN , Al 옥사이드 등 의 핀 고정 ( pinning ) 입자 에 의해 오스테나이트 립 의 조대 화 를 억제 함 으로써 HAZ 인성 을 개선 하 는 방법 이 제안 되 어 있 다 . 또한 , 일본 특공 제 1995 - 068577 호 공보 , 일본 특공 제 1993 - 017300 호 공보 에 는 , 오스테나이트 립 내 에 페라이트 변태 핵 을 다수 존재 시킴 으로써 결정립 의 미세화 를 도모 하 는 기술 이 개시 되 어 있 다 . 구체 적 으로 는 , TiN , MnS , BN , Ti 옥사이드 등 을 페라이트 변태 핵 으로서 이용 함 으로써 결정립 의 미세화 를 달성 하 여 , HAZ 의 저온 인성 의 개선 을 도모 하 고 있 다 .