또한 , 일 실시 형태 의 RuSi 막 의 형성 방법 에 의하 면 , 공정 S 11 에서 기판 을 실리콘 함유 가스 에 폭로 하 여 , 오 목부 에 컨 포 멀 하 게 실리콘 막 을 형성 한다 . 이 에 의해 , 오 목부 에 컨 포 멀 하 게 형성 된 실리콘 막 을 흡착 사이트 로 해서 Ru 함유 전구체 로부터 Ru 막 이 형성 되 므로 , 오 목부 에 Ru 막 을 컨 포 멀 하 게 형성 할 수 있 다 . 즉 , 오 목부 에 양호 한 단차 피복 성 으로 Ru 막 및 RuSi 막 을 형성 할 수 있 다 .