본 발명 의 방법 은 다양 한 제조 업체 로부터 이용 가능 한 다양 한 타입 의 증착 장치 에서 수행 될 수 있 다 . 적합 한 장치 의 예 로 는 , Novellus System , Inc 사 ( 캘리포니아 산호세 소재 ) 의 Novellus Concept 2 Altus , Concept - 2 Altus - S , Concept 3 Altus 증착 시스템 , concept 3 Inova 증착 시스템 , 또는 그 밖 의 다른 임의 의 상업 적 으로 이용 가능 한 CVD 공정 시스템 이 있 다 . 일부 경우 에서 , 예 를 들 어 , US 특허 제 6977014 호 ( 본원 에서 참조 로서 인용 됨 ) 에서 기재 된 바 와 같이 , 공정 은 단일 챔버 에서 수행 될 수 있 다 . 일부 경우 에서 는 공정 이 다수 증착 스테이션 상 에서 순차 적 으로 수행 될 수 있 다 . US 특허 제 6143082 호 ( 본원 에서 참조 로서 인용 됨 ) 를 참조 하 라 . 일부 실시 예 에서 , 텅스텐 - 풍부 장벽 증착 공정 은 , 단일 증착 챔버 내 의 2 개 의 , 또는 4 개 의 , 또는 5 개 의 , 또는 그 이상 의 증착 스테이션 중 하나 인 첫 번 째 스테이션 에서 , 또는 첫 번 째 와 두 번 째 스테이션 에서 수행 된다 . 첫 번 째 스테이션 에서 , 기판 표면 에서 국소 화 된 대기 를 생성 하 는 개별 기체 공급 시스템 을 이용 하 여 환원 기체 와 유기 금속 전구체 가 반도체 기판 의 표면 으로 유입 될 수 있 다 .