그리고 , 스크린 산화 막 을 제거 한 후 STI ( Shallow Trench Isolation ) 공정 을 이용 하 여 반도체 기판 ( 102 ) 의 소자 분리 영역 에 트렌치 를 형성 한 후 절연 물질 을 채워서 소자 분리 막 ( 도시 하 지 않 음 ) 을 형성 한다 . 이어서 , 반도체 기판 ( 102 ) 상부 에 제 1 절 연막 ( 104 ) 을 형성 한다 . 제 1 절 연막 ( 104 ) 은 비휘발성 메모리 소자 에서 터널 산화 막 으로 이용 될 수 있 으며 , 반도체 기판 ( 102 ) 의 표면 을 산화 시켜 형성 되 는 산화 막 으로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 이 를 위해 , 제 1 절 연막 ( 104 ) 은 반도체 기판 ( 102 ) 에 대해 습식 산화 ( wet oxidation chemical ) 방식 , 래디컬 산화 ( radical oxidation ) 방식 , 스팀 ( steam ) 방식 등 을 사용 하 여 산화 시킨 SiO 2 막 으로 형성 할 수 있 다 .