[ 0023 ] p 형 확산 영역 ( 12 a ) 에 연통 ( 連通 ) 되 도록 반사 방지 층 ( 13 ) 에 형성 된 개구부 ( 開口 部 ) 를 포함 하 는 소정 의 영역 에 , 예컨대 주로 알루미늄 또는 금 을 포함 하 는 전극 재료 가 선택 적 으로 퇴적 되 어 제 1 애노드 전극 ( 14 ) 이 형성 되 어 있 다 . 그리고 , n 형 의 Si 기판 ( 11 ) 의 주면 과 반대 측 인 노출 된 이면 이 제 1 캐소드 전극 ( 15 ) 이 되 어 있 다 . 제 1 애노드 전극 ( 14 ) 은 , 예컨대 금 와이어 ( 5 ) ( 도전 성 와이어 ) 에 의해 지 지 기판 ( 2 ) 의 대응 하 는 배선 ( 3 b ) 에 접속 된다 . 제 1 캐소드 전극 ( 15 ) 은 , 건조 또는 냉각 에 의해 고화 시킨 도전 성 부재 ( 17 ) ( 예컨대 , 은 입자 를 함유 하 는 도전 성 접착제 , 공정 땜납 ( eutectic solder ) , 금 범프 등 ) 에 의해 지 지 기판 ( 2 ) 의 대응 하 는 배선 ( 3 c ) 에 고정 되 고 , 전기 적 으로 도 접속 된다 .