본 개시 내용 의 더 넓 은 형태 들 중 다른 하나 는 반도체 디바이스 를 제조 하 는 방법 을 포함 한다 . 상기 방법 은 밀봉 링 영역 및 회로 영역 을 가진 기판 을 제공 하 는 단계 , 밀봉 링 영역 위 에 밀봉 링 구조 를 형성 하 는 단계 , 밀봉 링 구조 위 에 제 1 의 전면 패 시베이 션 층 을 형성 하 는 단계 , 밀봉 링 구조 의 외측 부분 에 인접 한 제 1 의 전면 패 시 베이 션 층 에 전면 개구 를 에칭 하 는 단계 , 및 밀봉 링 구조 의 외측 부분 에 전면 금속 패드 를 결합 하 기 위해 전면 개구 에 전면 금속 패드 를 형성 하 는 단계 를 포함 한다 . 상기 방법 은 밀봉 링 구조 아래 에 제 1 의 후면 패 시베이 션 층 을 형성 하 는 단계 , 밀봉 링 구조 의 외측 부분 에 인접 한 제 1 의 후면 패 시 베이 션 층 에 후면 개구 를 에칭 하 는 단계 , 및 밀봉 링 구조 의 외측 부분 에 후면 금속 패드 를 결합 하 기 위해 후면 개구 에 후면 금속 패드 를 형성 하 는 단계 를 더 구비 한다 .