그러나 , 셀 크기 가 점점 줄어들 면서 SAS 의 저항 이 대폭 증대 하 는 문제점 이 있 다 . 또한 , 플 래쉬 메모리 는 내부 고전압 ( internal high voltage ) 을 사용 하 므로 셀 크기 가 줄어들 면서 트렌치 깊이 가 깊 어 지 는데 , 이 로 인해 SAS 의 저항 이 더욱 증가 한다 . 이 를 해결 하 기 위해서 SAS 에 주입 되 는 불순물 이온 의 농도 를 증가 시킬 경우 , 채널 길이 가 짧아져서 펀치 쓰루 ( punch through ) 가 발생 하 는 등 메모리 장치 의 신뢰 성 이 저하 되 는 문제점 이 있 다 .