도 6 를 참조 하 면 , 실시 예 1 과 같이 박막 트랜지스터 를 형성 한 후 , 상기 소오 스 / 드레 인 전극 ( 352 ) 을 포함 하 는 기판 전면 에 걸쳐 보호막 ( 362 ) 을 형성 한다 . 그리고 난 후 , 상기 보호막 ( 362 ) 상 에 비 아홀 ( 미 도시 ) 을 형성 하 여 제 1 전극 ( 372 ) 을 형성 하 고 , 상기 제 1 전극 ( 372 ) 상 에 화소 영역 을 정의 하 는 화소 정의 막 ( 382 ) 을 형성 하 여 제 1 전극 에 개구부 를 형성 한다 .