반면 에 , 본 발명 의 실시 예 에 따른 비휘발성 메모리 장치 ( 100 ) 는 프로그램 동작 시 금지 스트링 들 로 동일 한 초기 채널 전압 을 인가 한 뒤 , 채널 부 스팅 을 수행 한다 . 이 에 본 발명 의 비휘발성 메모리 장치 ( 100 ) 는 일반 적 인 비휘발성 메모리 장치 와 비교 할 때 패스 전압 윈도우 를 확보 하 는 데 어려움 이 없 다 . 그 결과 로써 , 본 발명 의 비휘발성 메모리 장치 ( 100 ) 는 최적 의 패스 전압 을 쉽 게 결정 할 수 있 다 .