상부 전극 ( 400 ) 은 도전 성 물질 을 포함 할 수 있 으며 , 예컨대 , 인듐 ( In ) , 코발트 ( Co ) , 실리콘 ( Si ) , 게르마늄 ( Ge ) , 금 ( Au ) , 팔라듐 ( Pd ) , 백금 ( Pt ) , 루테늄 ( Ru ) , 레늄 ( Re ) , 마그네슘 ( Mg ) , 아연 ( Zn ) , 하프늄 ( Hf ) , 탄 탈륨 ( Ta ) , 로듐 ( Rh ) , 이리듐 ( Ir ) , 텅스텐 ( W ) , 티타늄 ( Ti ) , 은 ( Ag ) , 크롬 ( Cr ) , 몰리브덴 ( Mo ) , 니오브 ( Nb ) , 알루미늄 ( Al ) , 니켈 ( Ni ) , 구리 ( Cu ) 및 티타늄 질화물 ( TiN ) 중 적어도 하나 또는 이 들 의 합금 을 포함 할 수 있 다 . 한편 , 상부 전극 ( 400 ) 은 금속 산화물 을 포함 할 수 있 으며 , 예컨대 , 산화 루테늄 ( RuO 2 ) , 산화 텅스텐 ( WO 2 ) , 산화 몰 리브 데 늄 ( MoO 2 ) , 산화니켈 ( NiO ) , 산화 이리듐 ( IrO 2 ) , 탄 탈륨 이 도핑 된 주석 산화물 ( Ta - doped SnO 2 ) , 산화아연 ( ZnO ) , 인듐 주석산 화물 ( InSnO ) , 및 인듐 갈륨 아연 산화물 ( InGaZnO ) 중 적어도 하나 또는 이 들 의 합금 을 포함 할 수 있 다 . 본 발명 에서 는 상부 전극 ( 400 ) 의 물질 을 상기 의 물질 들 로 한정 하 지 않 는다 .