상기 반도체 기판 상 에 잔류 하 는 이 물질 들 을 검출 하 는 방법 의 일 예 로서 , 레이저 빔 등 의 광 을 조사 하 여 상기 반도체 기판 으로부터 산란 또는 반사 되 는 광 을 검출 하 여 상기 반도체 기판 의 결함 을 검출 하 는 방법 이 있 다 . 즉 , 상기 반도체 기판 상 에 광 을 조사 하 는 경우 상기 반도체 기판 상 에서 산란 또는 반사 되 는 광 의 세기 는 상기 반도체 기판 상 에 형성 된 반도체 구조물 및 결함 들 에 의해 변화 된다 . 따라서 , 상기 산란광 또는 반사광 의 세기 를 이용 하 여 상기 반도체 기판 의 검사 이미지 를 획득 할 수 있 으며 , 상기 검사 이미지 를 분석 함 으로써 상기 반도체 기판 상 에 존재 하 는 결함 들 을 검출 할 수 있 다 . 특히 , 상기 결함 들 은 상기 반도체 기판 으로부터 획득 된 다수 의 이미지 들 을 서로 비교 함 으로써 검출 할 수 있 다 .