도 7 및 도 8 을 참조 하 면 , 배선 층 ( 110 ) 과 연결 범프 들 ( 140 ) 을 덮 는 보호 층 ( 400 ) 이 형성 될 수 있 다 . 웨이퍼 캐리어 ( 500 ) 에 접착 층 ( 420 ) 이 형성 되 고 , 보호 층 ( 400 ) 이 형성 된 실리콘 웨이퍼 ( 100 ) 를 뒤집 어 져 보호 층 ( 400 ) 의 상면 을 접착 층 ( 420 ) 에 부착 될 수 있 다 . 웨이퍼 캐리어 ( 500 ) 는 반도체 칩 적층 및 몰딩 부재 형성 공정 등 을 용이 하 게 수행 하 기 위해서 이용 되 는 임시 캐리어 ( Temporary carrier ) 일 수 있 다 . 연삭기 ( 440 ) 를 사용 하 여 노출 된 실리콘 기판 ( 100 ) 의 표면 을 연삭 하 여 TSV ( 120 ) 를 노출 시킬 수 있 다 .