이것 은 도 4 a 및 4 b 를 참조 하 여 아래 에서 설명 된다 . 도 4 a 는 본 발명 의 반도체 소자 구조 ( 100 ) 의 실시 예 를 도시 하 며 , 여기 서 화합물 반도체 층 ( 21 ) 은 퇴적 공정 에 의해 금속화 층 ( 31 ) 상 에 퇴적 된다 . 도 4 B 는 화합물 반도체 층 ( 21 ) 이 화학 적 전환 에 의해 금속화 층 ( 31 ) 의 적어도 일부 로부터 형성 된 본 발명 의 반도체 소자 구조 ( 100 ) 의 실시 예 를 도시 한다 .