본원 발명 은 반도체 제조 공정 에서 유기 탄소막 을 이용 하 여 미세 패턴 을 형성 하 는 공정 에서 폴리머 건식 식각 시 하부 에 잔존 하 는 이 물질 을 제거 하 여 패턴 의 리프팅 ( Lifting ) 을 방지 하 기 위하 여 세정액 을 이용 한 세정 방법 을 포함 하 는 실리콘 또는 실리콘 화합물 패턴 을 형성 하 기 위한 신규 한 방법 에 관한 것 이 다 .