상기 기술 적 과제 를 달성 하 기 위한 본 발명 의 일 실시 예 에 따르 면 , 실리사이드 막 을 포함 하 는 트랜지스터 의 제조 방법 을 제공 한다 . 이 방법 에 의하 면 , 반도체 기판 상 에 폴리 실리콘 패턴 을 형성 한다 . 상기 폴리 실리콘 패턴 의 측벽 상 에 과잉 질소 영역 을 갖 는 게이트 스 페이서 를 형성 한다 . 상기 폴리 실리콘 패턴 의 양측 에 인접 한 상기 반도체 기판 에 소스 / 드레 인 영역 들 을 형성 한다 . 상기 폴리 실리콘 패턴 및 상기 소스 / 드레 인 영역 들 상 에 실리사이드 막 을 형성 한다 .