또한 , 상술 한 양태 에서 는 , SiN 막 을 포함 하 는 하지 ( 200 a ) , SiO 막 을 포함 하 는 하지 ( 200 b ) , 단결정 Si 를 포함 하 는 하지 ( 200 c ) 가 표면 에 노출 된 웨이퍼 ( 200 ) 에 대하 여 , 스텝 A , B , C , D 를 순차 행하 는 예 에 대해서 설명 했 지만 , 본 개시 는 이러 한 양태 에 한정 되 는 것 은 아니 다 . 예 를 들 어 , 웨이퍼 ( 200 ) 의 표면 에 , SiN 막 을 포함 하 는 하지 ( 200 a ) 대신 에 , SiCN 막 , 실리콘 붕 질화 막 ( SiBN 막 ) , 실리콘 붕 탄질 화 막 ( SiBCN 막 ) , 실리콘 붕 탄화 막 ( SiBC 막 ) 을 포함 하 는 하지 가 노출 되 어 있 어도 된다 . 또한 예 를 들 어 , SiO 막 을 포함 하 는 하지 ( 200 b ) 대신 에 , 실리콘 산탄 화 막 ( SiOC 막 ) , 실리콘 산질 화 막 ( SiON 막 ) , 실리콘 산탄 질화 막 ( SiOCN 막 ) 을 포함 하 는 하지 가 노출 되 어 있 어도 된다 . 또한 예 를 들 어 , 단결정 Si 를 포함 하 는 하지 ( 200 c ) 대신 에 , 에피 택 셜 실리콘 막 ( Epi - Si 막 ) , 폴리 실리콘 막 ( poly - Si 막 ( 다결정 Si 막 ) ) , 아몰 퍼스 실리콘 막 ( a - Si 막 ( 비정질 Si 막 ) ) 을 포함 하 는 하지 가 노출 되 어 있 어도 된다 . 또한 예 를 들 어 , SiN 막 을 포함 하 는 하지 ( 200 a ) , SiO 막 을 포함 하 는 하지 ( 200 b ) 및 단결정 Si 를 포함 하 는 하지 ( 200 c ) 에 더 하 여 , 텅스텐 막 ( W 막 ) , 텅스텐 질화 막 ( WN 막 ) , 티타늄 질화 막 ( TiN 막 ) 등 의 도전 성 금속 계 박막 을 포함 하 는 하지 가 노출 되 어 있 어도 된다 . 또한 , SiN 막 을 포함 하 는 하지 ( 200 a ) 대신 에 , 상술 한 금속 계 박막 을 포함 하 는 하지 가 노출 되 어 있 어도 된다 . 이 들 경우 에 있 어서 도 , 상술 한 양태 와 마찬가지 의 효과 가 얻 어 진다 . 즉 , 하 지 ( 200 b , 200 c ) 상 에 의 성막 을 피하 면서 , 하 지 ( 200 a ) 의 표면 상 이나 상술 한 금속 계 박막 의 표면 상 에 선택 적 으로 막 을 형성 하 는 것 이 가능 하 게 된다 .