도 2 a 는 도 1 a 내지 도 1 d 에 도시 된 방법 ( 100 ) 을 통해 제조 될 수 있 는 수직 으로 적층 된 LED 디바이스 ( 200 ) 의 개략 도 를 도시 한다 . 이 디바이스 ( 200 ) 는 LED 적층 을 형성 하 도록 수직 으로 적층 된 3 개 의 LED 층 들 ( 210 , 220 및 230 ) 을 포함 한다 . 제 1 LED 층 ( 210 ) 은 제 1 파장 ( 예 를 들 어 , 약 580 nm 내지 약 760 nm ) 에서 의 광 을 방출 하 도록 구성 되 고 , 제 2 LED 층 ( 220 ) 은 제 2 파장 ( 예 를 들 어 , 약 490 nm 내지 약 580 nm ) 에서 의 광 을 방출 하 도록 구성 되 며 , 제 3 LED 층 ( 230 ) 은 제 3 파장 ( 예 를 들 어 , 약 390 nm 내지 약 490 nm ) 에서 의 광 을 방출 하 도록 구성 된다 . 3 개 의 LED 층 들 ( 210 내지 230 ) 에 의해 방출 된 광 은 멀티 플렉 싱 되 어 , 디바이스 ( 200 ) 의 광축 을 따라 ( 즉 , 도 2 a 에 도시 된 바 와 같이 y 방향 을 따라 ) 전파 하 는 출력 광 ( 205 ) 을 형성 한다 . 디바이스 ( 200 ) 는 또한 디바이스 ( 200 ) 로 하여금 하나 의 방향 ( 예 를 들 어 , 도 2 a 에서 와 같 은 y 방향 ) 만 을 따라 광 을 방출 하 게 하 도록 ( 예 를 들 어 , 제 1 LED 층 ( 210 ) 에 결합 된 ) LED 적층 의 하나 의 단부 상 에 배치 된 반사기 ( 240 ) ( 예 를 들 어 , 니켈 반사기 ) 를 포함 한다 .