상변화 메모리 장치 의 제조 방법 에 관한 것 으로서 , 제 1 절 연막 패턴 에 형성 된 개구 에 구비 되 고 , 기판 과 전기 적 으로 연결 되 는 콘 택 패드 를 형성 한다 . 상기 제 1 절 연막 패턴 상 에 형성 된 제 2 절 연막 패턴 을 관통 하 는 하부 콘 택 전극 을 형성 한 후 제 2 절 연막 패턴 상 에 상변화 물질 막 을 형성 한다 . 상변화 물질 막 상 에 상부 전 극막 을 형성 한 후 마스크 패턴 을 적용 하 여 상기 상부 전 극막 과 상변화 물질 막 을 순차 적 으로 패 터닝 한다 . 상기 결과물 상 에 제 1 온도 에서 형성 된 제 1 캡 핑 막 을 형성 한 후 제 1 온도 보다 높 은 제 2 온도 에서 형성 된 제 2 캡 핑 막 을 형성 한다 . 이러 한 방법 으로 형성 된 상변환 메모리 장치 는 상변화 물질 막 패턴 에서 손상 이 발생 되 지 않 을 뿐 만 아니 라 상부 전극 과 상변화 물질 막 패턴 사이 에서 의 접합 특성 열화 가 초래 되 지 않 는다 .