외광 센서 의 기본 구성 은 , 도 5 ( a ) 및 ( b ) 와 같 은 등 가 회로 나 평면 패턴 이 적용 할 수 있 다 . 단 , 외광 센서 의 포토다이오드 는 , 광센서 로서 의 포토다이오드 ( PD ) 와 박막 반도체 층 의 재료 등 이 상이 하 게 되 어도 된다 . 예 를 들 면 , 외광 센서 는 , 350 [ nm ] 에서 700 [ nm ] 의 파장 범위 에 의해 규정 되 는 가시 광 에 감도 피크 를 가지 도록 , 외광 센서 의 박막 반도체 층 을 , 에너지 밴드 갭 이 넓 게 분포 되 어 있 는 비정질 실리콘 또는 미결정 실리콘 으로 형성 하 면 된다 . 예 를 들 면 , 외광 센서 의 박막 반도체 층 으로서 는 , 그 에너지 밴드 갭 이 1 . 6 [ eV ] 의 것 을 사용 할 수 있 다 .