전술 한 구성 에서 , 핀 반도체 ( 150 ) 는 실리콘 박막 의 일면 에 각각 3 가 원소 일 명 , 액 셉 터 ( acceptor ) 및 5 가 원소 일 명 , 도너 ( donor ) 가 주입 된 것 이 다 . 이 에 따라 , 실리콘 박막 에 는 P 형 영역 ( 153 ) 과 N 형 영역 ( 151 ) 이 형성 되 고 , 이 들 영역 과 이온 이 도핑 되 지 않 은 진성 영역 사이 에 공핍 층 ( depletion layer ) ( 155 ) 이 형성 된다 . 이러 한 핀 반도체 ( 150 ) 로 방사선 이 투과 되 어 진성 영역 과 공핍 층 ( 155 ) 에서 전자 / 정공 쌍 이 생성 되 는 것 이 고 , 이렇게 생성 된 전자 / 정공 쌍 이 P 형 영역 ( 153 ) 에서 N 형 영역 ( 151 ) 로 전류 를 흐르 게 하 는 기전력 ( W / mm 3 ) 으로 작용 하 는 것 이 다 .