본 발명 은 상기 와 같 은 제 1 목적 을 달성 하 기 위해서 , 기판 상 에 포토레지스트 층 을 형성 하 는 공정 ( 제 1 공정 ) ; 상기 기판 의 배면 에 투 과부 , 반투 과부 및 차 광부 를 구비 한 소정 패턴 의 마스크 를 위치 시키 는 공정 ( 제 2 공정 ) ; 상기 기판 의 배면 에 광 을 조사 하 는 공정 ; 상기 포토레지스트 층 을 현상 하 여 패 터닝 하 는 공정 ( 제 3 공정 ) ; 상기 패 터닝 된 포토레지스트 층 상 에 패턴 물질 층 을 형성 하 는 공정 ( 제 4 공정 ) ; 상기 포토레지스트 층 을 제거 하 는 공정 ( 제 5 공정 ) 을 포함 하 여 이루어지 는 것 을 특징 으로 하 는 패턴 형성 방법 을 제공 한다 .