그리고 , 기판 ( 100 ) 상 에 는 제 1 전극 ( 110 ) 및 제 2 전극 ( 130 ) 과 연결 되 는 데이터 배선 ( 140 A ) 및 스캔 배선 ( 140 B ) 을 포함 하 는 배선 ( 140 ) 들 이 위치 한다 . 데이터 배선 ( 140 A ) 및 스캔 배선 ( 140 B ) 은 제 1 전극 ( 110 ) 과 같 은 공정 에 의해 형성 될 수 있 다 . 즉 , 기판 상 에 금속 층 을 형성 한 다음 , 이 를 패 터닝 함 으로써 , 제 1 전극 ( 110 ) , 제 1 전극 ( 110 ) 에서 연장 되 는 데이터 배선 ( 140 A ) 및 제 1 전극 ( 110 ) 과 이격 되 도록 형성 되 는 스캔 배선 ( 140 B ) 을 형성 할 수 있 다 .