본 발명 의 제 3 관점 에 따르 면 , 플라 즈 마 처리 장치 의 처리 실 내 에 질소 함유 화합물 과 규소 함유 화합물 을 포함 하 는 원료 가스 를 도입 하 고 , 복수 의 슬롯 을 갖 는 평면 안테나 에 의해 상기 처리 실 내 에 마이크로파 를 도입 하 여 상기 원료 가스 의 플 라즈 마 를 발생 시켜 , 상기 플 라즈 마 에 의해 피 처리 체 에 질화규소 막 을 퇴적 시키 는 플 라즈 마 CVD 법 에 의해 형성 되 는 것 을 특징 으로 하 는 , 비휘발성 반도체 메모리 장치 의 전하 축적 층 으로서 이용 되 는 질화규소 막 이 제공 된다 .