다른 바람직 한 구 현예 들 에서 , 반응 챔버 내 의 기판 위 에 실리콘 이 산화물 박막 을 원자 층 증착 에 의하 여 형성 하 기 위한 방법 들 이 제공 된다 . 상기 방법 은 증착 사이클 을 포함 하 며 , 상기 증착 사이클 은 상기 기판 위 에 오직 하나 의 단일 층 ( monolayer ) 을 형성 하 도록 , 제 1 실리콘 소스 전구체 를 포함 하 는 제 1 반응물 의 증기 상 펄스 를 상기 반응 챔버 에 제공 하 는 단계 ; 상기 반응 챔버 로부터 과잉 의 제 1 반응물 을 제거 하 는 단계 ; 산소 소스 를 포함 하 는 제 2 반응물 의 증기 상 펄스 를 상기 반응 챔버 에 제공 하 는 단계 ; 및 상기 반응 챔버 로부터 과잉 의 제 2 반응물 및 반응 부산물 들 을 제거 하 는 단계 ; 를 포함 한다 . 여기 서 , 상기 제공 및 제거 단계 들 은 원 하 는 두께 의 실리콘 이 산화물 박막 이 얻 어 질 때 까지 반복 되 고 , 상기 실리콘 화합물 은 헥사 키스 ( 모노 알킬 아미노 ) 디 실란