도 1 및 도 2 를 참조 하 면 , 언급 한 플 라즈 마 식각 장치 ( 100 ) 는 반도체 기판 ( W ) 의 가장자리 상부 , 측면 및 가장 자리 하부 그리고 반도체 기판 ( W ) 의 이면 에 플 라즈 마 를 형성 하 기 위한 것 으로써 , 챔버 ( 10 ) 와 상기 챔버 ( 10 ) 내 에 설치 되 는 스테이지 ( 12 ) 를 포함 한다 . 한편 , 상기 스테이지 ( 12 ) 는 반도체 기판 ( W ) 의 가장자리 상부 , 측면 및 가장 자리 하부 그리고 반도체 기판 ( W ) 의 이면 에 플 라즈 마 를 형성 할 때 고주파 에너지 가 인가 된다 .