다른 일 양태 에서 , 본 발명 은 행렬 로 배열 된 복수 의 메모리 셀 을 구비 하 는 셀 어레이 - 복수 의 메모리 셀 의 각각 은 소정 의 전압 이나 전류 공급 에 응답 하 여 가역 적 으로 변하 는 저항 을 갖 는 가변 저항기 를 포함 하 여 가변 저항기 의 저항 에 대응 하 는 데이터 를 기억 함 - 와 , 셀 어레이 중 에서 데이터 가 소거 되 거나 기입 될 메모리 셀 을 선택 하 도록 동작 하 는 선택 회로 와 , 선택 회로 에 의해 선택 된 메모리 셀로 의 소정 의 전압 이나 전류 공급 을 실행 하 여 선택 된 메모리 셀 의 가변 저항기 의 저항 을 가변 시켜 데이터 를 소거 하 거나 기입 하 도록 동작 하 는 기입 회로 를 포함 하 는 비휘발성 반도체 메모리 장치 를 제공 하 며 , 상기 기입 회로 는 메모리 셀 에 인가 되 는 전압 이 데이터 의 소 거나 기입 후 나타나 는 소정 의 레벨 에 도달 하 면 , 선택 된 메모리 셀 의 가변 저항기 의 저항 변화 상황 에 따라 그 선택 된 메모리 셀로 의 전압 이나 전류 공급 을 종료 한다 .