여기 서 , 쇼트 방지 막 ( 31 ) 은 산화 막 , 질화 막 및 산화 질화 막 ( oxynitride ) 으로 이루어진 그룹 으로부터 선택 된 어느 하나 또는 이 들 이 적층 된 적 층막 으로 형성 할 수 있 다 . 이때 , 산화 막 으로 는 실리콘 산화 막 ( SiO 2 ) , BPSG ( Boron Phosphorus Silicate Glass ) , PSG ( Phosphorus Silicate Glass ) , TEOS ( Tetra Ethyle Ortho Silicate ) , USG ( Un - doped Silicate Glass ) , SOG ( Spin On Glass ) , 고밀 도 플 라즈 마산 화 막 ( High Density Plasma , HDP ) 또는 SOD ( Spin On Dielectric ) 를 사용 할 수 있 고 , 질화 막 으로 는 실리콘 질화 막 ( Si 3 N 4 ) 을 사용 할 수 있 다 .