본 발명 의 실시 예 에서 반도체 소자 용 박막 은 데카 메 실 사이클 로 펜 타실 옥제 인과 사이클 로 헥산 을 전구체 로 하 여 플 라즈 마 보강 CVD ( PECVD : plasma enhanced chemical vapor deposition ) 방법 으로 증착 된다 . 도 1 a 에 도시 한 바 와 같이 , 본 발명 의 실시 예 에서 는 PECVD 장치 의 일종 인 축전기 형 PECVD 장치 를 사용 한다 . 그러나 도 1 a 의 도시 된 PECVD 장치 외 에 다른 모든 종류 의 PECVD 장치 도 사용 할 수 있 다 .