반도체 소자 의 고집 적 화 에 따라 소자 내 에서 데이터 의 입 · 출력 경로 를 제공 하 는 반도체 소자 의 DRAM ( Dynamic Random Access Memory ) 에서 비트 라인 은 텅스텐 ( W ) 등 의 고 융점 금속 을 비트 라인 의 재질 로 이용 하 는 기술 이 진행 되 고 있 다 . 상기 텅스텐 과 같 은 고 융점 금속 은 기존 의 비트 라인 의 재질 에 비해 상대 적 으로 낮 은 비저항 을 갖 기 때문 에 , 상기 고 융점 금속 재질 의 비트 라인 은 고집 적 소자 에서 요구 하 는 동작 속도 를 만족 시킬 수 있 다 .