제 2 절연 층 ( 150 ') 이 상기 제 1 소자 반도체 층 ( 200 ) 상 에 배치 되 고 , 제 2 소자 반도체 층 ( 200 ') 이 상기 제 2 절연 층 ( 150 ') 내 에 배치 될 수 있 다 . 상기 제 2 절연 층 ( 150 ') 내 에 제 2 게터 링 영역 ( 265 ') 이 배치 된다 . 상기 제 2 게터 링 영역 ( 265 ') 은 상기 제 2 소자 반도체 층 ( 200 ') 의 하 부면 과 접촉 한다 . 상기 제 2 게터 링 영역 ( 265 ') 은 다수 의 사이트 ( 270 ') 및 상기 사이트 ( 270 ') 를 생성 시키 는 원소 들 을 포함 한다 . 상기 제 2 게터 링 영역 ( 265 ') 은 상기 원소 들 이 첨가 된 상기 제 2 절연 층 ( 150 ') 의 일부 이 다 . 상기 제 2 게터 링 영역 ( 265 ') 에 포함 된 원소 들 은 상기 제 1 게터 링 영역 ( 265 ) 에 포함 된 원소 들 과 동일 할 수 있 다 .