현재 , 반도체 소자 위 의 전극 과 외부 단자 사이 를 접합 하 는 본딩 와이어 로서 선 직경 20 내지 50 ㎛ 정도 의 세선 ( 본딩 와이어 ) 이 주로 사용 되 고 있 다 . 본딩 와이어 의 접합 에 는 초음파 병 용 열 압착 방식 이 일반 적 인데 , 범용 본딩 장치 , 본딩 와이어 를 그 내부 에 통과 시켜 접속 에 사용 하 는 캐 필러 리 지그 등 이 사용 된다 . 본딩 와이어 의 와이어 선단 을 아크 입 열 로 가열 용융 하 고 , 표면 장력 에 의해 볼 을 형성 시킨 후 에 , 150 내지 300 ℃ 의 범위 내 에서 가열 한 반도체 소자 의 전극 위 에 , 이 볼 부 를 압착 접합 시킨 후 에 , 직접 본딩 와이어 를 외부 리드 측 에 초음파 압착 에 의하 여 접합 시킨다 .