상기 과제 를 해결 하 기 위해서 이루어진 발명 은 , 감광성 수지 조성물 을 사용 해서 형성 된 레지스 트 막 의 일부 에 , 250 ㎚ 이하 의 파장 을 갖 는 제 1 방사선 을 조사 하 는 공정 과 , 상기 일부 조사 공정 후 의 레지스 트 막 의 전체 면 에 , 250 ㎚ 를 초과 하 는 파장 을 갖 는 제 2 방사선 을 조사 하 는 공정 과 , 상기 전체 면 조사 공정 후 의 레지스 트 막 을 가열 하 는 공정 과 , 상기 가열 공정 후 의 레지스 트 막 을 현상액 에 의해 현상 하 는 공정 을 구비 하 는 리소그래피 프로세스 에 있 어서 , 상기 감광성 수지 조성물 로서 사용 되 는 화학 증폭 형 레지스 트 재료 로서 , ( 1 ) 산 의 작용 에 의해 상기 현상액 에 가 용 또는 불용 이 되 는 베이스 성분 과 , ( 2 ) 방사선 조사 에 의해 감방 사선 성 증 감체 및 산 을 발생 하 는 성분 을 포함 하 고 , 상기 ( 2 ) 성분 이 , 하 기 ( a ) 및 ( b ) 성분 , 하 기 ( b ) 및 ( c ) 성분 , 또는 하 기 ( a ) 내지 ( c ) 성분 모두 를 함유 하 고 , 상기 ( b ) 성분 이 , 산 의 작용 에 의해 분해 하 고 하 기 식 ( A ) 로 표시 되 는 화합물 을 발생 하 는 전구체 를 포함 하 는 화학 증폭 형 레지스 트 재료 이 다 .