이때 , 상기 SiH 4 와 N 2 O 는 1 : 10 ~ 40 로 혼합 하 는 것 이 바람직 한데 , 이 는 상기 반응 가스 의 혼합 조성 비 가 1 : 10 이 하인 경우 에 는 SiH 4 가스 혼합비 가 증가 하 고 N 2 O 가스 와 반응 하 여 증착 속도 ( Deposition Rate ) 가 증가 하 는 장점 은 있 으나 SiO 2 산화 막 전체 의 균일성 ( Uniformity ) 이 떨어지 는 단점 이 있 고 , 극소량 의 미소 반응 화학 성분 들 이 함유 될 가능 성 이 커 에피 택 셜 공정 진행 중 에지 부근 의 헤이즈 를 일으키 는 단점 이 있 다 .