세라믹스 기판 ( 111 ) 과 회로 층 ( 112 ) ( 구리판 ( 122 ) ) 의 접합 계면 에 있 어서 는 , 도 6 에 나타내 는 바 와 같이 , 세라믹스 기판 ( 111 ) 측 에 형성 된 활성 금속 질화물 층 ( 131 ) ( 본 실시 형태 에서 는 질화 티탄 층 ) 과 , Cu 의 모상 중 에 Mg 가 고용 된 Mg 고용 층 ( 132 ) 이 적층 되 어 있 다 .