다음 으로 , 본 발명 의 제 4 실시 예 에 관하 여 설명 하 겠 지만 , 여기 서 는 , 주로 제 2 실시 예 와 상이 한 점 에 관하 여 설명 한다 . 도 9 a 내지 도 9 b 는 본 발명 의 제 4 실시 예 에 따른 반도체 장치 의 제조 방법 을 공 정순 으로 나타낸 단면도 이 고 , 도 10 a 내지 도 10 b 도 본 발명 의 제 4 실시 예 에 따른 반도체 장치 의 제조 방법 을 공 정순 으로 나타낸 단면도 이 다 . 또한 , 도 9 a 내지 도 9 b 는 도 4 a 중 의 I - I 선 에 따른 단면 을 나타내 고 , 도 10 a 내지 도 10 b 는 도 4 a 중 의 II - II 선 에 따른 단면 을 나타내 고 있 다 .