저장 커패시터 ( 6 ) 는 또한 중간층 절 연막 을 거쳐 , 뿐 만 아니 라 게이트 절 연막 을 거치 고 , 또한 불순물 로 도핑 된 폴리 실리콘 을 거쳐 형성 될 수 있 고 , 저장 커패시터 의 단자 로서 기능 하 는 금속 은 게이트 금속 등 을 사용 할 수 있 다 . 더 구체 적 으로 는 , 도 2 b 에 도시 된 바 와 같이 게이트 금속 과 데이터 라인 사이 의 콘 택 을 형성 하 지 않 는 것 에 의해 , 그리고 스위칭 트랜지스터 ( 3 ) 및 리셋 트랜지스터 ( 4 ) 에 대한 드레 인 전극 으로 사용 되 며 불순물 로 도핑 되 어 있 는 폴리 실리콘 박막 에 게이트 금속 을 연결 하 는 것 에 의해 , 데이터 라인 ( 8 ) 및 게이트 금속 이 중간층 졀 연 막 을 통해 대향 하 는 영역 은 저장 커패시터 ( 6 ) 로 기능 한다 .