실리콘 기판 에 형성 된 절 연막 표면 에 실리콘 입자 를 형성 하 는 처리 를 하 기 전 , 또는 처리 중 , 또는 처리 를 하 기 전 및 처리 중 에 도 펀트 가스 를 흘리 는 경우 , 도 펀트 가스 가 절 연막 표면 에서 절 연막 표면 의 결합수 와 결합 한다 . 도 11 ( b ) 에서 는 , 붕소 ( B ) 를 포함 하 는 도 펀트 가스 가 분해 하 여 도 펀트 원자 즉 붕소 원자 가 절 연막 표면 의 결합수 와 결합 한 상태 를 나타내 고 있 다 . 이 에 따라 , 실리콘 입자 의 형성 이 , 도 펀트 가스 나 도 펀트 원자 의 절 연막 표면 으로 의 흡착 상태 에 의존 하 게 된다 .