반도체 소자 ( 200 ) 는 제 1 게이트 구 조체 ( 120 ) 의 측벽 상 의 제 1 게이트 스 페이서 ( 130 ) 및 제 2 게이트 구 조체 ( 220 ) 의 측벽 상 의 제 2 게이트 스 페이서 ( 230 ) 를 더 포함 할 수 있 다 . 제 1 게이트 스 페이서 ( 130 ) 및 제 2 게이트 스 페이서 ( 230 ) 각각 은 도 1 내지 도 3 을 참조 하 여 설명 한 게이트 스 페이서 ( 30 ) 에 대한 설명 과 동일 할 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 제 1 게이트 스 페이서 ( 130 ) 및 제 2 게이트 스 페이서 ( 230 ) 는 동일 한 물질 을 포함 할 수 있 다 .