선택 적 에칭 은 하부 층 또는 상부 층 의 에칭 또는 손상 없이 웨이퍼 의 표면 으로부터 층 을 화학 적 으로 제거 하 는 미세 제조 공정 에서 사용 된다 . 특히 , 박리 층 은 웨이퍼 또는 다른 기판 으로부터 1 개 이상 의 층 을 분리 하 는 데 사용 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 미국 특허 출원 공개 제 2009 / 0321881 호 및 미국 특허 제 4 , 846 , 931 호 는 알루미늄 고함 량 의 알루미늄 갈륨 비소화물 ( AlGaAs ) 층 또는 순수 한 알루미늄 비소화물 ( AlAs ) 을 박리 층 으로 사용 하 고 박리제 에 대해 플루오르화 수소산 - 기재 의 습윤 에칭 법 을 사용 하 여 갈륨 비소화물 ( GaAs ) 기판 으로부터 화합물 반도체 장치 및 구조물 을 박리 하 는 방법 을 기재 한다 .