이때 , 식각 공정 은 건식 식각 ( dry etch ) 으로 진행 할 수 있 으며 , 식각 가스 로 는 비활성 가스 예컨대 , 아르곤 ( Ar ) 가스 와 Cl 2 , HBr , CH 3 OH 및 CO 로 이루어진 그룹 으로부터 선택 된 어느 하나 또는 이 들 이 혼합 된 혼합 가스 를 사용 하 여 실시 할 수 있 다 . 바람직 하 게 는 상술 한 다양 한 식각 가스 의 조합 에서 CH 3 OH 또는 CO 를 포함 하 는 혼합 가스 를 식각 가스 로 사용 하 는 것 이 좋 다 . 이 는 식각 가스 로 CH 3 OH 또는 CO 를 포함 하 는 혼합 가스 를 사용 할 경우 , 식각 속도 를 향상 킬 수 있 으며 , 식각 과정 에서 발생 된 식각 부산물 이 자기 터널 접합 셀 의 측벽 에 재 증착 되 는 현상 을 완화 시킬 수 있 기 때문 이 다 .