한편 , 본 발명 은 마그네트론 스퍼터링 , 진공 증착 , 전해 증착 , 물리 적 기상 증착 또는 화학 적 기상 증착 등 박막 생성 방법 중 의 하나 를 이용 하 여 , 서브 스트레이트 에 대해 박막 성장 처리 를 진행 하 여 , 본 발명 의 희토류 영구 자석 박막 을 성장 시키 는 단계 를 포함 하 는 복합 희토류 영구 자석 박막 제조 방법 을 제공 한다 .