상기 제 1 반도체 패턴 ( 210 ) 은 제 1 소스 영역 , 제 1 드레 인 영역 및 제 1 채널 영역 을 포함 할 수 있 다 . 상기 제 1 채널 영역 은 상기 제 1 소스 영역 과 상기 제 1 드레 인 영역 사이 에 위치 할 수 있 다 . 상기 제 1 채널 영역 은 상기 제 1 소스 영역 및 상기 제 1 드레 인 영역 보다 상대 적 으로 낮 은 전도율 ( conductivity ) 을 가질 수 있 다 . 예 를 들 어 , 상기 제 1 소스 영역 및 상기 제 1 드레 인 영역 은 상기 제 1 채널 영역 보다 도전 형 불순물 의 함량 이 높 을 수 있 다 .