도 2 를 참조 하 면 , 터널 유전 막 ( 20 ) 상 에 플로팅 게이트 ( floating gate : 30 ) 와 컨트롤 게이트 ( control gate : 40 ) 를 , 층 의 증착 , 포토 리소그래피 ( photo lithography ) , 선택 적 식각 과정 을 수행 하 여 , 형성 한다 . 이때 , 플로팅 게이트 ( 30 ) 와 컨트롤 게이트 ( 40 ) 사이 에 커플링 유전 층 ( coupling dielectric ) 과 같 은 층간 절연 층 이 ONO 층 등 으로 도입 될 수 도 있 다 .