클러스터 형 반도체 처리 장치 는 다각형 베이스 를 갖 는 웨이퍼 핸들링 챔버 를 포함 하 며 , 상기 다각형 베이스 는 상기 웨이퍼 핸들러 챔버 의 축 방향 으로 관측 되 는 , 웨이퍼 처리 챔버 들 을 위한 복수 의 측면 들 및 웨이퍼 로딩 / 언로 딩 챔버 들 을 위한 2 개 의 인접 하 는 측면 들 을 포함 한다 . 웨이퍼 처리 챔버 들 을 위한 상기 복수 의 측면 들 중 2 개 의 인접 하 는 측면 들 사이 의 각 A 는 360 ° 를 웨이퍼 처리 챔버 를 위한 상기 복수 의 측면 들 및 웨이퍼 로딩 / 언로 딩 챔버 들 을 위한 상기 2 개 의 인접 하 는 측면 들 로 이루어진 측면 들 의 총 개수 로 나누 어 얻 어 진 각 B 보다 더 크 다 .