더욱 특히 , 도 1 b 에 나타낸 바 와 같이 , 박리 층 ( 105 ) 는 지지층 ( 110 ) , 장치 층 ( 들 ) ( 115 ) 및 / 또는 기판 ( 101 ) 의 실질 적 에칭 없이 선택 적 으로 에칭 될 수 있 다 . 따라서 , 기판 ( 101 ) 및 지지층 ( 110 ) 각각 은 박리 층 ( 105 ) 와 관련 하 여 에칭 선택 성 을 갖 는 물질 을 포함 한다 . 특히 , 도 1 b 는 염산 을 포함 하 는 용액 ( 120 ) 중 InAlP 박리 층 ( 105 ) 의 선택 적 인 횡 방향 에칭 에 의해 장치 층 ( 들 ) ( 115 ) 내 에 또는 그 위 에 형성 된 인쇄 가능 한 장치 를 비소화물 - 기재 의 기판 ( 101 ) 로부터 박리 하 여 비소화물 - 기재 의 지지층 ( 110 ) 및 그 위 의 장치 층 ( 들 ) ( 115 ) 를 기판 ( 101 ) 로부터 분리 하 는 공정 을 도시 한다 . 일부 실시 양태 에서 , 기판 ( 101 ) 및 / 또는 지지층 ( 110 ) 은 III 족 비소화물 물질 ( 예 를 들 어 , 갈륨 비소화물 ( GaAs ) 및 인듐 갈륨 비소화물 ( InGaAs ) ) 및 / 또는 III 족 - V 족 비소화물 물질 ( 예 를 들 어 , 인듐 갈륨 질화 비소화물 ( InGaNAs ) 및 인듐 갈륨 질화 비소 화 안티몬 화물 ( InGaNAsSb ) ) 을 포함 할 수 있 다 . 일부 실시 양태 에서 , ( 예 를 들 어 , 상기 기재 된 밀봉 층 이 사용 되 는 경우 에 ) 장치 층 ( 들 ) ( 115 ) 는 인듐 알루미늄 인화물 ( InAlP ) , 알루미늄 갈륨 비소화물 ( AlGaAs ) , 및 / 또는 박리 층 ( 105 ) 와 는 다르 게 에칭 되 는 기타 물질 로 형성 될 수 있 다 .