도 2 d 에 유전 층 ( 112 ) 을 형성 하 는 단계 에서 는 , 재 배선 층 ( 111 ) 의 주변 에 유전 층 ( 112 ) 이 형성 된다 . 더불 어 , 이 와 같이 재 배선 층 ( 111 ) 및 유전 층 ( 112 ) 의 형성 단계 는 반복 하 여 다 수회 진행 될 수 있 다 . 즉 , 더미 기판 ( 10 ) 위 에 재 배선 층 ( 111 ) 및 유전 층 ( 112 ) 이 다 수회 빌드 업 ( build up ) 된다 . 다르 게 설명 하 면 , 재 배선 층 ( 111 ) 및 유전 층 ( 112 ) 이 한층 씩 쌓 아 올려 짐 으로써 , 필요 한 재 배선 층 ( 111 ) 이 완성 된다 . 따라서 , 본 발명 에 따른 인터 포저 ( 110 ) 는 작 은 사이즈 및 작 은 두께 로 형성 될 뿐 만 아니 라 인터 포저 ( 110 ) 에 패시브 구조 도 임 베드 될 수 있 다 .