마이크로일렉트로닉스 또는 집적회로 장치 들 의 제조 는 통상 적 으로 반도체 , 절연체 및 전도성 기판 들 상 에서 수행 되 는 수백 의 개별 단계 들 을 요구 하 는 복잡 한 프로세스 시퀀스 를 수반 한다 . 이러 한 프로세스 단계 들 의 예 로 는 산화 , 확산 , 이온 주입 , 박막 증착 , 세정 , 에칭 및 리소그래피 가 포함 된다 . 때로 플 라즈 마 프로세스 는 플 라즈 마 챔버 에서 수행 되 는 박막 증착 및 에칭 을 위해 이용 된다 . 화학 적 기상 증착 에서 , 반응 성 종 들 은 적절 한 프로세스 가스 에 전압 을 인가 함 으로써 생성 되 며 , 순차 적 인 화학 적 반응 으로 인해 기판 상 에 박막 이 형성 된다 . 플 라즈 마 에칭 시 , 이전 에 증착 된 막 은 때로 리소그래피 단계 이전 에 형성 된 패 터닝 된 마스크 층 을 통해 , 플 라즈 마 에 있 는 반응 성 종 들 에 노출 된다 . 반응 성 종 들 과 증착 된 막 간 의 반응 으로 증착 된 막 의 제거 또는 에칭 이 이루어진다 .