도 14 ( a ) 를 참조 하 면 , 사파이어 기판 ( 50 ) 상부 에 n 형 반도체 층 ( 100 ) , 활성 층 ( 200 ) 및 p 형 반도체 층 ( 300 ) 을 순차 적 으로 형성 한다 . 그리고 , p 형 반도체 층 ( 300 ) 상부 에 p 형 전극 층 ( 400 ) 을 형성 한다 . p 형 전극 층 ( 400 ) 은 투명 전도성 물질 , 예 를 들 어 투명 전도성 산화물 을 진공 증착 법 을 이용 하 여 형성 한다 . 투명 전도성 산화물 은 ITO , IZO , AZO , ZnO 등 이 포함 되 며 , 진공 증착 법 은 스퍼터 , 전자선 증착 , 열 증착 법 등 이 포함 된다 . 그리고 , 투명 전도성 산화물 을 10 % 이상 의 산소 를 포함 하 는 분위기 가스 에서 200 ∼ 800 ℃ 의 온도 에서 1 분 이상 열처리 공정 을 실시 하 여 전도성 투명 산화 막이 오 믹 특성 을 갖 도록 한다 . p 형 전극 층 ( 400 ) 상부 의 소정 영역 에 반사 층 ( 450 ) 을 형성 한다 . 반사 층 ( 450 ) 은 Ag 또는 Al 등 의 반사 금속 을 이용 하 여 형성 한다 . 그리고 , p 형 전극 층 ( 400 ) 상부 에 반사 층 ( 450 ) 과 소정 간격 이격 되 도록 에칭 스탑 층 ( 500 ) 을 형성 한다 .