또한 , 산화물 반도체 층 을 스퍼터링 법 에 의해 형성 하 기 전 에 , 아르곤 가스 를 도입 하 여 플 라즈 마 를 발생 시키 는 역 스퍼터 를 행하 고 , 산화물 반도체 층 의 피 형성 표면 에 부착 되 어 있 는 분말 형상 물질 ( 파티클 , 먼지 라고 도 함 ) 을 제거 하 는 것 이 바람직 하 다 . 역 스퍼터 란 , 기판 에 전압 을 인가 하 고 , 기판 근방 에 플 라즈 마 를 형성 하 여 , 기판 측 의 표면 을 개질 하 는 방법 이 다 . 또한 , 아르곤 대신 에 , 질소 , 헬륨 , 산소 등 의 가스 를 이용 하 여도 된다 .