게이트 절연 층 ( 230 ) , 반도체 층 ( 241 ) , 및 저항 접촉 층 ( 242 ) 위 에 는 데이터 배선 ( 250 , 251 , 252 , 253 , 255 , 256 , 257 ) 이 형성 되 어 있 다 . 데이터 배선 ( 250 , 251 , 252 , 253 , 255 , 256 , 257 ) 역시 금속 층 으로 이루어진 단일 층 또는 다 중층 일 수 있 다 . 예 를 들 어 , 데이터 배선 ( 250 , 251 , 252 , 253 , 255 , 256 , 257 ) 은 Ni , Co , Ti , Ag , Cu , Mo , Al , Be , Nb , Au , Fe , Se , Mn 또는 Ta 등 으로 이루어진 단일 막 또는 다층 의 도전 막 을 포함 하 는 다 중막 구조 를 가질 수 있 다 . 다층 의 도전 막 을 포함 하 는 다 중막 구조 의 예 로 는 Ta / Al , Ta / Al , Ni / Al , Co / Al , Mo ( Mo 합금 ) / Cu , Mo ( Mo 합금 ) / Cu , Ti ( Ti 합금 ) / Cu , TiN ( TiN 합금 ) / Cu , Ta ( Ta 합금 ) / Cu , TiOx / Cu , Al / Nd , Mo / Nb , Mn ( Mn 합금 ) / Cu 등 과 같 은 이 중막 구조 를 가질 수 있 다 .