마지막 으로 , SIMS ( 이 차 이온 질량 분석법 ) 를 이용 하 여 , 제조 한 탄소 도프 실리콘 단결정 웨이퍼 의 탄소 농도 의 깊이 분포 를 측정 하 였 다 . 그 결과 를 도 4 에 나타낸다 . 탄소 도프 실리콘 단결정 웨이퍼 의 표면 으로부터 0 . 1 μ m 의 깊이 의 범위 의 탄소 농도 는 1 × 1021 atoms / cm 3 였 다 . 또한 , 표면 으로부터 0 . 1 μ m 보다 깊 은 영역 의 탄소 농도 는 3 × 1016 atoms / cm 3 이상 이 고 , 이 는 , 1200 ℃ 의 탄소 고 용도 에 가까운 농도 이 다 . 한편 , SIMS 에 의한 탄소 농도 의 검출 하한 은 약 7 × 1015 atoms / cm 3 이 다 .