이어서 , 상기 계면 TiN 막 상 에 상부 TiN 막 을 형성 함 으로써 본 발명 에 따른 Ti / TiN 막 의 형성 공정 을 완료 할 수 있 다 . 상기 상부 TiN 막 의 형성 ( S 225 ) 은 상기 계면 TiN 막 의 형성 에 사용 한 상기 CVD 반응 챔버 를 사용 하 여 인 시투 로 수행 하 거나 , 또는 이 와 다른 별도 의 CVD 반응 챔버 를 사용 하 여 수행 할 수 있 다 . 구체 적 으로 , 상기 CVD 반응 챔버 에 TiCl 4 가스 , H 2 가스 , Ar 가스 , 및 NH 3 가스 를 공급 하 면서 고주파 방전 을 가하 여 제 4 플 라즈 마 를 발생 시켜 상기 상부 TiN 막 을 형성 할 수 있 다 .