일부 예시 에서 , 강유 전 성 메모리 셀 은 액세스 절차 의 제 1 부분 을 기초 로 제 1 논리 상태 에 써 지 도록 구성 될 수 있 고 , 제어기 는 장치 로 하여금 , 제 2 논리 상태 가 제 1 논리 상태 와 동일 할 수 있 을 때 , 워드 라인 이 비 활성 화 될 때 까지 디 지트 라인 및 플레이트 를 제 2 전압 으로 유지 하 게 하 며 , 제 2 논리 상태 가 제 1 논리 상태 와 상 이 할 때 , 디 지트 라인 을 제 1 전압 으로 바이어스 하 게 하 고 , 그 후 워드 라인 이 비 활성 화 되 기 전 에 제 2 전압 으로 디 지트 라인 을 바이어스 하 게 하 며 , 워드 라인 이 비 활성 화 되 고 하나 의 지속 시간 후 에 디 지트 라인 과 플레이트 를 제 2 전압 으로 유지 하 게 하 도록 더 구성 될 수 있 다 .