본 발명 의 다른 관점 에 따르 면 , 반도체 기판 에 트렌치 를 형성 하 여 , 복수 의 소자 영역 을 획정 하 는 공정 과 , 상기 트렌치 에 제 1 산화 막 을 매립 하 는 공정 과 , 상기 복수 의 소자 영역 의 표면 에 제 2 산화 막 을 형성 하 는 공정 과 , 상기 복수 의 소자 영역 에 이온 을 주입 하 는 공정 과 , 상기 복수 의 소자 영역 에 이온 을 주입 한 후 에 , 상기 제 1 산화 막상 에 제 3 산화 막 을 형성 하 는 공정 과 , 상기 제 1 산화 막상 에 상기 제 3 산화 막 을 형성 한 후 에 , 상기 제 2 산화 막 을 약액 에 의해 제거 하 는 공정 을 포함 하 는 반도체 장치 의 제조 방법 이 제공 된다 .