도 12 에 도시 한 트랜지스터 ( 160 ) 는 , 반도체 재료 를 포함 하 는 기판 ( 100 ) 에 설치 된 채널 영역 ( 116 ) 과 , 채널 영역 ( 116 ) 을 끼우 도록 설치 된 한 쌍 의 불순물 영역 ( 114 a , 114 b ) 및 한 쌍 의 고농 도 불순물 영역 ( 120 a , 120 b ) ( 이 들 을 합쳐 단순히 불순물 영역 이 라고 도 칭함 ) 과 , 채널 영역 ( 116 ) 상 에 설치 된 게이트 절 연막 ( 108 a ) 과 , 게이트 절 연막 ( 108 a ) 상 에 설치 된 게이트 층 ( 110 a ) 과 , 불순물 영역 ( 114 a ) 과 전기 적 으로 접속 하 는 소스 층 ( 130 a ) 과 , 불순물 영역 ( 114 b ) 과 전기 적 으로 접속 하 는 드레 인 층 ( 130 b ) 을 갖 는다 .