본 발명 의 일 실시 예 에 따른 반도체 장치 의 제조 방법 에 따르 면 제 1 반도체 패턴 ( SP 1 ) , 제 1 제어 전극 ( CE 1 ) , 제 2 반도체 패턴 ( SP 2 ) , 및 제 2 제어 전극 ( CE 2 ) 이 평면 상 에서 중첩 하 도록 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 바 , 집적도 가 우수 하 여 고해상도 에 유리 한 반도체 장치 를 제조 할 수 있 다 . 또한 , 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 반도체 장치 의 제조 방법 은 제 1 커패시터 를 형성 하 기 위한 단계 가 별도 로 요구 되 지 않 으며 , 제 1 제어 전극 을 형성 하 는 단계 에서 제 1 커패시터 의 제 1 전극 이 동일 한 마스크 를 이용 하 여 동시 에 형성 될 수 있 고 , 제 2 제어 전극 을 형성 하 는 단계 에서 제 1 커패시터 의 제 2 전극 이 동일 한 마스크 를 이용 하 여 동시 에 형성 될 수 있 는 바 , 공정 경제 성 이 우수 하 다 .