그리고 , 피검 사체 ( 30 ) 가 원형 타입 의 반도체 소자 즉 , 반도체 웨이퍼 일 경우 에 는 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 단일 의 희생 기판 ( 20 ) 도 언급 한 반도체 웨이퍼 를 사용 한다 . 이때 , 단일 의 희생 기판 ( 20 ) 인 반도체 웨이퍼 의 직경 도 피검 사체 ( 30 ) 인 반도체 소자 로 제조 하 는 반도체 웨이퍼 의 직경 보다 약 1 . 07 내지 1 . 12 배 더 큰 것 이 바람직 하 다 .