그리고 , 게이트 ( 140 ) 의 측 부 를 둘러싸 면서 기판 ( 100 ) 위 로 제 1 산화 막 ( 161 ) , 제 2 산화 막 ( 162 ) 및 질화 막 ( 163 ) 이 순차 적 으로 적층 된 구조 의 층간 절 연막 ( 160 ) 이 형성 되 고 , 층간 절 연막 ( 160 ) 에 개구부 ( 160 a ) 가 형성 되 어 포토 다이오드 가 노출 된다 . 이때 , 제 1 산화 막 ( 161 ) 은 실리콘 산화물 ( SiO 2 ) 로 이루어지 고 , 제 2 산화 막 ( 162 ) 은 TEOS 막 으로 이루어지 며 , 질화 막 ( 163 ) 은 실리콘 질화물 ( SixNy ) 로 이루어질 수 있 다 .