다음 에 , 도 11 ( B ) 에 나타내 는 바 와 같이 , 소스 전극 및 드레 인 전극 ( 71 a ∼ 71 c ) , 소스 영역 및 드레 인 영역 ( 72 ) , 버퍼 층 ( 73 ) , 미결정 반도체 막 ( 61 ) , 및 게이트 절 연막 ( 52 c ) 을 덮 는 절 연막 ( 76 ) 을 형성 한다 . 절 연막 ( 76 ) 은 , 게이트 절 연막 ( 52 a , 52 b , 52 c ) 과 같 은 성막 방법 을 이용 하 여 형성 할 수 있 다 . 또한 , 절 연막 ( 76 ) 은 , 대기 중 에 부유 하 는 유기물 이나 금속 물 , 수증기 등 의 오염 불순물 의 침입 을 막 기 위한 것 으로 , 치밀 한 막 이 바람직 하 다 . 또한 , 절 연막 ( 76 ) 에 질화규소 막 을 사용 함 으로써 , 버퍼 층 ( 73 ) 중 의 산소 농도 를 5 × 1019 atoms / cm 3 이하 , 바람직 하 게 는 1 × 1019 atoms / cm 3 이하 로 할 수 있 다 .