저 저항 상태 를 설정 하 기 위해 , 메모리 셀 ( 105 - b ) 은 메모리 셀 을 통해 전류 를 통과 시킴 으로써 가열 될 수 있 다 . 유한 저항 을 갖 는 재료 를 통해 흐르 는 전류 에 의해 발생 하 는 가열 은 줄 ( Joule ) 또는 오 옴 가열 으로 지칭 될 수 있 다 . 줄 가열 은 따라서 전극 들 또는 상 변화 재료 의 전기 저항 에 연관 될 수 있 다 . 상 변화 재료 상승 된 온도 ( 하지만 그것 의 용융 온도 아래 ) 로 가열 하 는 것 은 상 변화 재료 결정질 화 및 저 - 저항 상태 형성 으로 귀결 될 수 있 다 . 일부 경우 들 에서 , 메모리 셀 ( 105 - b ) 은 줄 가열 이외 의 수단 , 예 를 들 어 , 레이저 를 이용 함 으로써 가열 될 수 있 다 . 고 저항 상태 를 설정 하 기 위해 , 상 변화 재료 는 예 를 들 어 , 줄 열 ( Joule heating ) 에 의해 그것 의 용융 온도 보다 높 게 가열 될 수 있 다 . 용융 된 재료 의 아몰 퍼스 구조 는 상 변화 재료 를 빠르 게 냉각 시키 기 위해 인가 된 전류 를 급격 하 게 제거 함 으로써 급 냉 ( quench ) 되 거나 락킹 ( lock ) 될 수 있 다 .