게이트 전극 ( 150 ) 의 상부 에 는 층간 절 연막 ( 160 ) 이 구비 되 는데 , 이 는 SiO 2 , SiNx 등 의 물질 로 단층 으로 형성 되 거나 또는 다 중층 으로 형성 될 수 도 있 다 . 층간 절 연막 ( 160 ) 의 상부 에 는 소스 / 드레 인 전극 ( 170 ) 이 형성 된다 . 소스 / 드레 인 전극 ( 170 ) 은 층간 절 연막 ( 160 ) 과 게이트 절연 층 ( 140 ) 에 형성 되 는 컨 택 홀 을 통하 여 반도체 층 에 각각 전기 적 으로 연결 된다 .