일부 실시 예 에서 , 반도체 재료 , 예 를 들 어 도핑 된 반도체 재료 의 루프 는 피치 배 가 프로세스 에 의해 형성 된다 . 스 페이서 루프 는 기판 위 의 레벨 상 에 형성 된다 . 마스킹 재료 의 블록 은 각 루프 의 구간 위 에 놓이 는데 , 예 를 들 어 마스킹 재료 의 상이 한 블록 은 루프 가 그 단부 에서 함께 연결 된 재료 의 실질 적 으로 평행 한 라인 인 실시 예 에서 루프 의 각 단부 위 에 놓인다 . 스 페이서 루프 및 마스킹 재료 의 블록 에 의해 정의 된 패턴 은 기판 으로 전사 되 고 , 이 로 인해 반도체 재료 의 블록 에서 끝나 고 그러 한 블록 과 접촉 하 는 반도체 재료 의 라인 을 형성 한다 . 트랜지스터 게이트 는 반도체 재료 의 각 라인 상 에 그리고 반도체 재료 의 각 블록 에 인접 하 여 형성 된다 . 반도체 재료 의 블록 및 이 블록 맞 은 편의 게이트 측 상 의 라인 의 일부 는 소스 / 드레 인 영역 을 형성 하 기 위해 도핑 된다 . 블록 및 게이트 는 전기 적 으로 함께 연결 되 고 , 반도체 재료 의 라인 을 블록 과 전기 적 으로 분리 시키 기 위해 오프 상태 로 바이어 싱 된다 . 그러므로 , 블록 들 사이 에 배치 된 각 라인 은 루프 에칭 을 실행 하 지 않 아도 다른 라인 과 전기 적 으로 분리 된다 .