복굴절 률 층 ( 7 ) 은 수직 배향 막 상 에 형성 되 는 경우 , 복굴절 률 층 ( 7 ) 에 함유 되 는 액정 의 분자 는 , 수직 배향 막 에 가까운 위치 에 있 으면 , 강하 게 호 메오 트 로 픽 배향 된 상태 ( 경사각 ( φ ) 의 값 이 거의 0 ) 가 된다 . 또 , 액정 의 분자 가 수직 배향 막 으로부터 멀 어 진 위치 에 있 으면 , 호 메오 트 로 픽 배향 이 약해 지 기 때문 에 , 수직 배향 막 ( 7 ) 으 로부터 멀 어 진 위치 에 있 는 액정 의 분자 에 대해서 도 강하 게 호 메 오트 로 픽 배향 된 상태 가 되 면 , 복굴절 률 층 ( 7 ) 은 액정 분자 의 틸 트 각이 균일화 된 것 이 되 어 , 균일 하 게 액정 분자 가 호 메오 트 로 픽 배향 된 상태 가 된다 .