상기 제 1 게이트 전극 ( GE 1 ) 은 상기 스토리지 커패시터 ( Cst ) 의 상기 하부 전극 ( LE ) 이 될 수 있 다 . 상기 제 2 및 제 3 게이트 전극 ( GE 2 , GE 3 ) 은 상기 i 번 째 제 2 스캔 배선 ( S 2 i ) 에 일체 로 형성 될 수 있 고 , 상기 제 5 및 제 6 게이트 전극 ( GE 5 , GE 6 ) 은 상기 발광 제어 배선 ( E 2 i ) 에 일체 로 형성 될 수 있 고 , 상기 제 4 게이트 전극 ( GE 4 ) 은 상기 i - 1 번 째 제 2 스캔 배선 ( S 2 i - 1 ) 에 일체 로 형성 될 수 있 으며 , 상기 제 7 게이트 전극 ( GE 7 ) 은 상기 i + 1 번 째 제 2 스캔 배선 ( S 2 i + 1 ) 에 일체 로 형성 될 수 있 다 .