본 발명 은 게이트 물질 중 의 하나 인 폴리 실리콘 막 을 형성 하 는 것 을 포함 하 는 반도체 소자 의 제조 방법 에 있 어서 , 상기 폴리 실리콘 막 의 형성 은 , 반도체 기판 상 에 비정질 실리콘 막 을 증착 하 는 단계 와 , 상기 비정질 실리콘 막 에 대해 8 족 원소 를 사용 하 여 고농 도 불순물 이온 주입 을 수행 하 는 단계 및 상기 이온 주입 된 비정질 실리콘 막 에 대해 열 공정 을 수행 하 는 단계 로 수행 하 는 것 을 특징 으로 한다 .