본 발명 에서 반도체 공정 부품 ( C ) 은 웨이퍼 와 같 은 기판 의 처리 공간 을 제공 하 는 공정 챔버 ( 미 도시 ) , 처리 공간 의 하부 에 배치 되 어 기판 을 지지 하 는 기판 지지 부 ( 미 도시 ) , 및 처리 공간 의 내부 에 배치 되 어 기판 에 대한 공정 에 이용 할 플 라즈 마 를 발생 시키 는 플 라즈 마 발생 부 ( 미 도시 ) 중 적어도 하나 를 포함 할 수 있 다 . 공정 챔버 에서 플라 즈 마를 이용 한 공정 이 수행 되 면서 반도체 공정 부품 ( C ) 에 플 라즈 마가 침투 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 플라 즈 마는 수소 플 라즈 마일 수 있 다 .