CMP 공정 에서 는 , 연마제 를 사용 하 여 기판 을 패드 에 문질러 발라 연마 가 실시 된다 . 연마제 에 는 , 콜로 이달 실리카 ( SiO 2 ) , 퓸드 실리카 ( SiO 2 ) , 알루미나 ( Al 2 O 3 ) , 세리아 ( CeO 2 ) 등 의 연마 입자 가 포함 된다 . 이 와 같 은 연마 입자 는 , 반도체 디바이스 용 기판 의 미립자 오염 의 주 된 요인 이 되 지만 , 본 발명 의 세정제 조성물 은 , 기판 에 부착 된 미립자 를 제거 하 여 세정제 조성물 중 에 분산 시킴 과 함께 재 부착 을 방지 하 는 작용 을 가지 고 있 기 때문 에 , 미립자 오염 의 제거 에 대해 높 은 효과 를 나타낸다 .