스위칭 소자 ( TR ) 의 게이트 커패시턴스 ( Cgs ) 와 관련 하 여 도 10 과 도 11 을 참조 하 여 설명 한 바 와 같이 , 데이터 도전 층 ( 170 ) 이 제 2 방향 ( d 2 ) 타 측 으로 시프트 되 더라도 , 시프트 후 에 드레 인 전극 ( DE 1 , DE 2 ) 이 게이트 전극 ( GE ) 과 중첩 하 는 총 면적 ( A 1 _ 1 + A 1 '_ 1 및 A 2 _ 1 + A 2 '_ 1 ) 은 시프트 전 의 드레 인 전극 ( DE 1 , DE 2 ) 이 게이트 전극 ( GE ) 과 중첩 하 는 총 면적 ( A 1 + A 1 ' 및 A 2 + A 2 ') 과 동일 할 수 있 다 .