변환기 는 ( i ) GaN , ( ii ) AlGaN 또는 AlN p - n 접합 , 및 ( iii ) n - 형 AlGaN 또는 AlN 기 저부 영역 상의 GaN 에서 p - 형 2 차원 홀 가스 를 각각 포함 하 는 얕 은 초 박형 p - n 이질 접합 광전지 셀 중 적어도 하나 를 포함 할 수 있 다 . 각각 은 Al 박막층 , n - 형 층 , 공핍 층 , p - 형 층 및 단파장 빛 및 진공 작동 으로 인해 패 시베이 션 층 이 없 는 Al 박막층 과 같 은 금속 박막층 에 대한 납 과 같 은 금속 박막층 의 납 을 포함 할 수 있 다 . AlGaN 또는 AlN n - 형 층 을 포함 하 는 광전지 의 실시 예 에서 , 적절 한 일 함수 의 금속 은 Schottky 장벽 금속 / 반도체 광전지 를 포함 하 는 Schottky 정류 장벽 을 포함 하 도록 p - 층 을 대체 할 수 있 다 .