이때 , 상기 제 1 , 제 2 마스크 공정 은 하프톤 마스크 또는 회절 마스크 를 통해 이루어지 고 , 상기 화소 전극 을 상기 게이트 라인 과 중첩 하 여 형성 할 수 있 고 , 상기 화소 전극 을 상기 드레 인 전극 의 일부 와 접촉 하 여 형성 할 수 있 다 . 그리고 , 상기 투명 한 전도 성 막 은 ITO ( indium tin oxide ) 또는 IZO ( indium zinc oxide ) 를 사용 할 수 있 다 .