도 8 b 는 보호막 ( 120 ) 을 제거 하 고 , 제 1 불순물 반도체 층 ( 107 ) 위 에 제 1 전극 ( 103 ) 을 형성 하 고 있 다 . 제 1 전극 ( 103 ) 은 내열성 금속 으로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 내열성 금속 으로서 는 티타늄 , 몰리브덴 , 텅스텐 , 탄탈 , 크롬 , 니켈 등 의 금속 재료 가 적용 된다 . 또한 , 이 들 의 금속 재료 의 질화물 을 제 1 불순물 반도체 층 ( 107 ) 에 접하 여 형성 하 고 , 제 1 전극 ( 103 ) 을 적층 구조 로 하 여도 좋 다 . 금속 질화물 을 형성 함 으로써 , 제 1 전극 ( 103 ) 과 제 1 불순물 반도체 층 ( 107 ) 의 밀착 성 을 향상 시킬 수 있 다 . 제 1 전극 ( 103 ) 은 진공 증착 법 또는 스퍼터링 법 으로 형성 한다 .