본 발명 의 방법 은 공정 에서 표준 지점 에서 피독 - 저해 조성물 을 도포 하 는 것 을 포함 한다 . 즉 , 통상 적 인 공정 에서 , 절연 층 은 실리콘 , 알루미늄 , 텅스텐 , 텅스텐 실리사이드 , 갈륨 아르세 나 이드 , 갈륨 니트 라이드 , 게르마늄 , 탄탈럼 , 탄탈럼 니트 라이트 , SiGe , 실리콘 디 옥사이드 , 실리콘 니트 라이드 , 알루미늄 옥사이드 , 유리 및 석영 으로 이루어진 그룹 에서 선택 된 마이크 로 전자 기판 에 형성 된다 . 절연 층 은 기판 에 직접 형성 될 수 있 거나 , 먼저 기판 상 에 형성 된 다른 층 ( 예 를 들 어 , 게이트 ( gate ) , 컨 택트 ( contact ) , 식각 정지 층 ) 에 형성 될 수 있 다 . 절연 층 및 다른 임의 의 층 이 통상 적 인 공정 에 따라 형성 된다 .