도 5 를 참조 하 면 , 본 발명 의 몇몇 실시 예 에 따른 이미지 센서 는 적외선 필터 에 의해서 적외선 을 전류 로 변환 할 수 있 다 . 원칙 적 으로 적외선 은 다른 가시광선 에 비해서 파장 이 길 어서 실리콘 의 관통 깊이 역시 길 수 있 다 . 따라서 , 다른 RGB 필터 를 이용 하 는 이미지 센서 의 기판 의 길이 는 적외선 필터 에 대해서 는 매우 짧 은 길이 일 수 있 다 . 이 에 따라서 , 적외선 필터 에 따른 제 1 센싱 영역 ( S 1 ) 의 QE ( quantum efficiency , 양자 효율 ) 은 낮 아 질 수 있 다 . 이러 한 QE 손실 을 막 기 위해서 기판 ( 100 ) 의 길이 를 길 게 한다고 하 면 다른 파장 이 짧 은 가시 광 을 센싱 하 는 센싱 영역 에서 는 블루밍 리스크 ( Blooming risk ) 가 높 아 질 수 있 다 .