본 실시 예 에서 는 본 발명 의 일 형태 의 발광 디바이스 인 발광 디바이스 1 과 , 비교 용 발광 디바이스 인 비교 발광 디바이스 1 의 제작 방법 및 특성 을 나타낸다 . 발광 디바이스 1 은 전자 수송 성 을 가지 는 제 1 골격 과 , 정공 을 수용 하 는 제 2 골격 과 , 단일 고리 이 며 π 전자 부족 형 인 헤테로 방향 족 고리 인 제 3 골격 을 가지 는 전자 수송 재료 로서 2 - 페닐 - 3 -{ 4 -[ 10 -( 3 - 피리 딜 ) - 9 - 안 트릴 ] 페닐 } 퀴녹살린 ( 약칭 : PyA 1 PQ ) 을 전자 수송 층 에 가지 는 발광 디바이스 이 다 . 또한 비교 용 발광 디바이스 는 PyA 1 PQ 대신 에 2 -{ 4 -[ 9 , 10 - 다이 ( 나프탈렌 - 2 - 일 ) - 2 - 안 트릴 ] 페닐 }- 1 - 페닐 - 1 H - 벤즈 이미다졸 ( 약칭 : ZADN ) 을 사용 한 발광 디바이스 이 다 . 본 실시 예 에서 사용 된 재료 의 구조식 을 아래 에 나타낸다 .