본 발명 의 하나 의 실시 형태 에 따른 반도체 메모리 장치 의 승압 전압 발생 방법 은 제 1 전원 전압 을 사용 하 여 제 1 노드 를 프리 차지 하 는 단계 , 제 2 전원 전압 을 사용 하 여 제 2 노드 를 프리 차지 하 는 단계 , 제 1 펄스 신호 에 응답 하 여 상기 제 1 노드 를 부스 팅 하 는 단계 , 부스 팅 인 에 이 블 신호 와 셀프 리 프레쉬 제 어 신호 에 응답 하 여 상기 제 1 노드 를 상기 제 2 노드 에 전기 적 으로 연결 하 는 단계 , 및 제 2 펄스 신호 에 응답 하 여 상기 제 2 노드 를 부스 팅 하 는 단계 를 포함 한다 .