Si 단체 ( 순도 : 99 . 999 %) 와 , Ge 단체 와 , Na 단체 ( 순도 99 . 5 %) 를 , Si 단체 : Ge 단체 : Na 단체 = 0 . 999 : 0 . 001 : 1 . 1 의 몰 비 로 칭량 하 여 혼합물 로 하 고 , 질화 붕소 제 도가니 에 투입 하 여 , Ar 분위기 하 에서 밀폐 했 다 . 혼합물 에 있 어서 , Si 단체 및 Ge 단체 의 합계 에 대한 , Ge 단체 의 비율 은 0 . 1 atm % 로 했 다 . 그 후 , 700 ℃, 20 시간 의 조건 으로 열처리 를 행했 다 . 이 에 따라 , 괴상 의 NaGeSi 화합물 ( Ge 원소 로 치환 된 NaSi 화합물 이 며 , 진 틀 상 을 가지 는 화합물 ) 을 얻 었 다 . 얻 어 진 NaGeSi 화합물 을 분쇄 하 여 , 진공 하 ( 약 0 . 1 Pa ) , 340 ℃, 15 시간 으로 열처리 를 행하 고 , 계속 해서 430 ℃, 6 시간 으로 열처리 를 함 으로써 Na 탈리 반응 을 시켰 다 . 이상 의 순서 에 의해 실리콘 클라스 레이트 분말 을 얻 었 다 . 얻 어 진 상기 실리콘 클라스 레이트 분말 을 유발 로 분쇄 했 다 . 이상 의 순서 에 의해 입자 상 의 부극 활물질 을 얻 었 다 .