전술 한 실시 예 각각 은 안테나 스위치 의 회로 설계 를 변경 하 지 않 고 공정 기술 을 기초 로 안테나 스위치 의 IL 성능 을 향상 시킬 수 있 다 . 전술 한 실시 예 는 독립 적 으로 또는 임의 의 조합 으로 적용 될 수 있 다 . 이 들 실시 예 는 추가 비용 이나 추가 의 공정 복잡 성 또는 칩 면적 저하 를 발생 시키 지 않 고 IL 성능 을 향상 시킨다 . 본 개시 내용 은 한정 되 는 것 은 아니 지만 , 28 GHz 5 G 무선 네트워크 를 위한 차세대 기술 인 핀 형 전계 효과 트랜지스터 ( FinFET ) 를 포함 하 는 안테나 스위치 를 위한 임의 의 반도체 공정 기술 에 적용 가능 하 다 .