그 다음 , 도 5 f 에 도시 된 바 와 같이 , 노광 마스크 에 의한 포 토리 소그라 피 공정 기술 을 이용 하 여 상기 유기 보호 층 ( 113 ) 을 노광 및 현상 한 후 상기 유기 보호 층 ( 113 ) 을 선택 적 으로 식각 하 여 상기 화소 영역 부분 을 노출 시키 는 유기 보호 층 패턴 ( 113 a ) 과 돌기 형성 부분 ( 113 b ) 를 형성 한다 . 이때 , 상기 TFT 영영 과 화소 영역 의 돌기 영역 및 데이터 라인 부분 상 에 만 유기 보호 층 패턴 이 잔류 하 게 된다 .