본 개시 의 하나 의 또 다른 양상 에 따르 면 , 반도체 디바이스 를 제조 하 는 방법 에 있 어서 , 기판 위 에 배치 된 제 1 아이 솔 레 이 션 절연 층 으로부터 돌출 하 는 핀 구조물 들 이 형성 되 고 , 상기 핀 구조물 들 의 상부 부분 들 위 에 더미 게이트 구조물 이 형성 되 고 , 상기 제 1 아이 솔 레 이 션 절연 층 위 에 제 2 아이 솔 레 이 션 절연 층 이 형성 되 고 , 상기 핀 구조물 들 의 소스 / 드레 인 영역 들 을 에칭 함 으로써 트렌치 들 이 형성 되 고 , 상기 트렌치 들 에 베이스 반도체 에피 텍 셜 층 이 형성 되 고 , 상기 베이스 반도체 에피 텍 셜 층 상 에 캡 반도체 에피 텍 셜 층 이 형성 된다 . 상기 캡 반도체 에피 텍 셜 층 은 상기 베이스 반도체 에피 텍 셜 층 과 는 상이 한 격자 상수 를 갖 는다 . 상기 베이스 반도체 에피 텍 셜 층 은 상기 핀 구조물 들 에 연결 된 병합 된 에피 텍 셜 층 이 다 . 상기 캡 반도체 에피 텍 셜 층 의 격자 상수 는 상기 베이스 반도체 에피 텍 셜 층 의 격자 상수 보다 더 작 다 . 소스 - 드레 인 방향 을 따른 상기 캡 반도체 에피 텍 셜 층 의 표면 거칠 기 는 , 상기 소스 - 드레 인 방향 을 따른 상기 베이스 반도체 에피 텍 셜 층 의 표면 거칠 기 보다 더 작 다 . 전술 한 실시 예 또는 다음 의 실시 예 중 의 하나 이상 에 있 어서 , 상기 베이스 반도체 에피 텍 셜 층 은 SiGe , Ge 및 GeSn 중 의 하나 이상 의 층 으로 제조 되 고 , 상기 캡 반도체 에피 텍 셜 층 은 SiGe 및 Ge 중 의 하나 로 제조 된다 . 전술 한 실시 예 또는 다음 의 실시 예 중 의 하나 이상 에 있 어서 , 상기 캡 반도체 에피 텍 셜 층 상 에 , 상기 캡 반도체 에피 텍 셜 층 보다 더 작 은 격자 상수 를 갖 는 추가 의 캡 반도체 에피 텍 셜 층 이 형성 된다 . 상기 추가 의 캡 반도체 에피 텍 셜 층 은 Si 및 SiGe 중 의 하나 로 제조 된다 .