반도체 웨이퍼 ( W ) 는 헤드 ( 10 ) 에 의하 여 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 표면 이 아래쪽 을 향하 는 상태 로 유지 되 어 도금 조 ( 30 ) 의 도금 용액 ( 35 ) 에 닿 도록 도금 조 ( 30 ) 까지 이동 된다 . 도금 용액 조절 탱크 ( 40 ) 내 의 도금 용액 ( 35 ) 은 도금 용액 분 출관 ( 37 ) 에 의하 여 도금 조 ( 30 ) 의 저부 로부터 위쪽 으로 분출 되 어 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 도금 면 에 도금 용액 ( 35 ) 이 접촉 되 고 양극판 ( 32 ) 과 반도체 웨이퍼 ( W ) 사이 에 전류 가 흐르 는 동안 도금 막 이 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 하면 에 형성 된다 . 이때 , 도금 조 ( 30 ) 를 넘쳐흐르 는 도금 용액 ( 35 ) 은 도금 용액 저장실 ( 38 ) 에 의하 여 회수 되 어 도금 용 액회 송관 ( 39 ) 을 통해 도금 용액 조절 탱크 ( 40 ) 로 회송 된다 .