상기 에서 , 파이프 채널 층 ( 530 c ) 이 형성 된 후 에 트렌치 ( 516 ) 가 형성 되 기 때문 에 트렌치 ( 516 ) 에 는 도전 층 이 형성 되 지 않 는다 . 따라서 , 트렌치 ( 516 ) 를 형성 하 기 위한 식각 공정 시 최 하부 의 절연 층 ( 510 a ) 이 함께 식각 되 더라도 , 파이프 채널 층 ( 530 c ) 이 다른 도전 층 과 연결 되 는 것 을 방지 할 수 있 다 . 또한 , 다층막 ( 528 ) 과 절연성 베리 어막 ( 520 ) 이 트렌치 ( 506 ) 의 스페이스 ( 518 ) 에서 노출 되 는 최 하부 절연 층 ( 510 a ) 의 하부 표면 에 도 형성 되 기 때문 에 , 트렌치 ( 516 ) 는 트렌치 ( 506 ) 의 스페이스 ( 518 ) 와 연결 되 지 않 고 적어도 절연성 베리 어막 ( 520 ) 에 의해 격리 된다 . 이 로써 , 파이프 채널 층 ( 530 c ) 이 트렌치 ( 516 ) 를 통해 노출 되 는 것 을 방지 할 수 있 으며 , 트렌치 ( 516 ) 를 형성 하 기 위한 식각 공정 시 파이프 채널 층 ( 530 c ) 이 손상 되 는 것 을 방지 할 수 있 다 .