또한 , 본 실시 형태 에 있 어서 는 , 웨이퍼 ( W ) 의 표면 S 및 트렌치 T 의 내면 에 처음 부터 SiN 의 하 지 막 UF 가 형성 되 어 있 는 예 를 들 어 설명 했 지만 , 하 지 막 UF 가 처음 부터 형성 되 어 있 는 것 은 필수 는 아니 고 , Si 기판 상 에 직접 적 으로 SiN 막 의 매립 성막 을 행하 는 것 도 가능 하 다 . 또한 , 하 지 막 UF 를 미리 형성 하 는 경우 라도 , SiN 막 에 한정 되 지 않 고 , 예 를 들 어 SiO 2 막 을 사용 해도 된다 .