도 4 a 에 도시 한 바 와 같이 , 빛 에 의해 포토다이오드 영역 ( PD ) 인 저 농도 n - 형 확산 영역 ( 67 ) 에서 생성 된 전자 들 은 트랜스퍼 트랜지스터 의 게이트 전극 ( 65 ) 에 ON 신호 가 인가 되 면 , 도 4 b 에서 와 같이 , 플로팅 확산 영역 ( FD ) 인 고농도 n 형 확산 영역 ( 69 ) 으로 전달 되 어 진다 .