도 7 에 도시 된 바 와 같이 , 에피 택 셜 성장 시킨 Ge 층 ( 120 ) 에 열 어닐링 을 행한다 . 열 어닐링 은 , 예컨대 Ge 의 융점 에 도달 하 지 않 는 온도 에서 의 고온 어닐링 을 실시 한 후 , 고온 어닐링 의 온도 보다 낮 은 온도 에서 의 저온 어닐링 을 실시 하 는 2 단계 어닐링 으로 할 수 있 다 . 그리고 , 2 단계 어닐링 은 복수 회 반복 할 수 있 다 . 고온 어닐링 의 온도 및 시간 으로서 900 ℃, 10 분 을 예시 할 수 있 고 , 저 온 어닐링 의 온도 및 시간 으로서 780 ℃, 10 분 을 예시 할 수 있 다 . 반복 횟수 로서 10 회 를 예시 할 수 있 다 .