우선 , 도 2 a 는 소자 분리 막 및 웰 을 형성 하 고 게이트 산화 막 을 형성 하 는 단계 를 나타내 는 도면 으로 , 우선 제 1 도전 형 반도체 기판 ( 1 ) 에 플로팅 게이트 영역 을 주변 영역 과 분리 하 기 위하 여 소자 분리 막 ( 12 ) 을 형성 한 후 에 제 2 도전 형 불순물 이온 주입 을 통해 제 2 도 전형 웰 ( 11 ) 을 형성 한다 . 예 를 들 어 , 제 1 도전 형 반도체 기판 ( 1 ) 이 n 타입 일 경우 붕소 ( B ) 와 같 은 3 족 원소 를 주입 하 여 p - 웰 을 형성 한다 . 반대 로 제 1 도전 형 반도체 기판 ( 1 ) 이 p 타입 일 경우 인 ( Ph ) 혹은 비소 ( As ) 와 같 은 5 족 원소 를 주입 하 여 n - 웰 을 형성 한다 .