이 와 같이 하 여 얻 어 지 는 결정 성 반도체 성 산화물 층 을 트랜지스터 에 사용 함 으로써 , 안정 된 전기 적 특성 을 가지 며 , 신뢰 성 이 높 은 트랜지스터 를 실현 할 수 있 다 . 또한 , 가열 처리 온도 를 450 ℃ 이하 로 함 으로써 , 큰 유리 기판 을 사용 하 여 , 신뢰 성 이 높 은 반도체 장치 의 대량 생산 을 행할 수 도 있 다 .