도 4 a 에서 , 하부 DBR 또는 금속 미러 에 는 실리카 층 과 같 은 투명 한 중간 층 이 제공 되 고 그 위 에 그래핀 층 이 위치 된다 . 이 배열 은 , 그래핀 상의 NW 의 ( 고온 에서 의 ) 추가 에피 택 셜 성장 동안 , 예 를 들 어 GaAs / Al ( Ga ) As DBR 의 반사 율 및 / 또는 보호 ( 캡 핑 ) 의 조정 을 허용 한다 .