한편 , 이하 에서 는 기판 의 일례 로 웨이퍼 ( W ) 를 들 어 설명 하나 , 본 발명 의 기술 적 사상 과 범위 는 이 에 한정 되 지 않 는다 . 또한 , 이하 에서 는 본 발명 을 설명 하 기 위하 여 플라스마 에칭 장치 를 예 로 들 어 설명 하나 , 본 발명 은 웨이퍼 를 플레이트 에 올려놓 은 상태 에서 공정 을 진행 하 는 다양 한 반도체 제조 장치 에 응용 될 수 있 다 . 또한 , 이하 에서 는 유도 결합 플라스마 ( Inductively Coupled Plasma : ICP ) 타입 의 플라스마 장치 를 예 로 들 어 설명 하 고 있 으나 , 전자 사이클로트론 공명 ( Electron Cyclotron Resonance : ECR ) 타입 을 포함 하 는 다양 한 플라스마 장치 에 응용 될 수 있 다 .