상기 하부 초격자 ( 71 ) , 중부 초격자 ( 73 ) 및 상부 초격자 ( 75 ) 내의 InGaN 및 GaN 은 각각 800 ~ 900 ℃ 에서 MOCVD 기술 을 사용 하 여 형성 될 수 있 으며 , 상기 장벽층 ( 59 b ) 내의 InGaN 및 GaN 은 각각 2 . 5 Å 내지 20 Å 의 두께 를 가질 수 있 으며 , 거의 동일 한 두께 를 갖 도록 형성 될 수 있 다 .