도 6 의 단면도 ( 600 ) 에 의해 예시 된 바 와 같이 , 아이 솔 레 이 션 구조물 ( 106 ) 이 반도체 기판 ( 104 ) 의 경계 영역 ( 104 b ) 에 형성 된다 . 경계 영역 ( 104 b ) 은 반도체 기판 ( 104 ) 의 메모리 영역 ( 104 m ) 을 반도체 기판 ( 104 ) 의 로직 영역 ( 104 l ) 으로부터 분리 한다 . 아이 솔 레 이 션 구조물 ( 106 ) 은 메모리 영역 ( 104 m ) 내 의 반도체 디바이스 와 로직 영역 ( 104 l ) 내 의 반도체 디바이스 사이 의 전기 적 분리 를 제공 한다 . 반도체 기판 ( 104 ) 은 메모리 영역 ( 104 m ) 으로부터 로직 영역 ( 104 l ) 으로 단계 적 으로 올라가 는 ( step up ) 스텝 형 표면 을 가질 수 있 다 . 일부 경우 에 , 아이 솔 레 이 션 구조물 ( 106 ) 은 서로 상이 하 게 각 진 측벽 을 가질 수 있 다 . 이 각도 차이 는 , 아이 솔 레 이 션 구조물 ( 106 ) 을 위해 반도체 기판 ( 104 ) 에 트렌치 를 형성 하 도록 에칭 이 수행 될 때 생길 수 있 다 . 이 에칭 이 수행 될 때 , 트렌치 의 대향 측벽 상 의 도 펀트 농도 차이 로 인해 하나 의 측벽 을 다른 것 보다 더 수직 이 되게 할 수 있 다 . 아이 솔 레 이 션 구조물 ( 106 ) 은 예 를 들 어 STI 구조물 , DTI 구조물 , 또는 또 다른 적합 한 아이 솔 레 이 션 구조물 ( 들 ) 일 수 있 거나 달리 이 를 포함 할 수 있 다 . 반도체 기판 ( 104 ) 은 예 를 들 어 벌크 실리콘 기판 , SOI 기판 , III - V 족 기판 , 또 다른 적합 한 반도체 기판 ( 들 ) 일 수 있 거나 이 를 포함 할 수 있 다 . 반도체 기판 ( 104 ) 은 또한 , 이 원 반도체 기판 ( 예컨대 , GaAs ) , 삼 원 반도체 기판 ( 예컨대 , AlGaAs ) , 고차 반도체 기판 일 수 도 있 다 .