읽 기 동작 이 수행 되 는 메모리 소자 를 제외 한 나머지 메모리 소자 에 는 도 20 의 도시 와 같이 , 워드 라인 과 비트 라인 에 각각 VR / 2 전압 이 인가 된다 . 이때 , 겹치 는 부분 이 없 는 메모리 셀 들 의 경우 양단 전압 이 0 V 가 되 어 전류 가 흐르 지 않 게 된다 . 본 실시 예 에 따른 기억 장치 의 쓰 기 , 삭제 , 읽 기 동작 은 이상 에서 언급 된 바 에 의하 여 제한 되 지 않 는다 .