금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터 ( MOSFET ; metal - oxide - semiconductor ) 와 같 은 MOS 트랜지스터 가 일반 적 으로 집적회로 의 제조 에 사용 되 고 있 다 . MOS 트랜지스터 는 게이트 전극 , 게이트 유전체 층 , 스 페이서 , 그리고 소스 및 드레 인 확산 영역 과 같 은 여러 컴포넌트 들 을 포함 한다 . 층간 유전체 ( ILD ; interlayer dielectric ) 가 통상 적 으로 MOS 트랜지스터 위 에 형성 되 고 확산 영역 을 덮 는다 .