도 5 b 를 참조 하 면 , 게이트 절연 층 ( 122 B ) 이 각각 의 수직 형 사이리스터 ( 100 V ) 의 양측 벽 에 형성 되 고 , 게이트 ( 121 B ) 는 복수 의 수직 형 사이리스터 ( 100 V ) 의 측벽 을 따라 길 게 연장 되 는 라인 형상 일 수 있 다 . 게이트 ( 121 B ) 는 수직 형 사이리스터 ( 100 V ) 의 양측 벽 에 위치 하 는 더블 게이트 구조 일 수 있 으며 , 더블 게이트 구조 는 양측 끝단 이 서로 연결 될 수 있 다 . 게이트 ( 121 B ) 는 폐 루프 ( Closed - loop ) 형상 일 수 있 다 .