그리고 전자 만 이 n 형 의 제 1 웰 ( 110 ) 에 축적 되 어 MOS 트랜지스터 로서 의 트랜지스터 ( 130 ) 의 소스 와 드레 인 사이 의 게이트 영역 반도체 표면 근방 에 형성 되 는 전위 웰 ( potential well ) 내 에 축적 된다 . 트랜지스터 ( 130 ) 를 통하 여 , 축 적 전하 의 신호 가 증폭 되 어 검출 되 고 , 축 적 전하 가 적당히 배출 되 고 , 색 혼합 이나 포화 전하량 의 제어 가 행해진다 .