상기 충전 전류 입력 단자 ( ISET 1 ) 에 는 저항 값 을 선택 적 으로 설정 하 도록 하나 이상 의 저항 과 스위칭 소자 인 NMOS 트랜지스터 로 이루어진 저항 값 조정부 ( 120 ) 가 연결 된다 . 상기 저항 값 조정부 ( 120 ) 는 충전 전류 입력 단자 ( ISET 1 ) 와 직렬연결 되 는 제 1 저항 소자 ( R 5 ) 및 제 2 저항 소자 ( R 6 ) 와 , 상기 제 1 저항 소자 ( R 5 ) 및 제 2 저항 소자 ( R 6 ) 와 병렬 로 연결 되 고 스위칭 동작 에 따라 저항 값 을 조절 하 도록 구성 되 는 한 쌍 의 NMOS FET ( Q 1 , Q 2 ) 및 , 각 NMOS FET ( Q 1 , Q 2 ) 의 소오 스 단자 에 연결 되 는 제 3 저항 소자 ( R 7 ) 및 제 4 저항 소자 ( R 8 ) 로 구성 된다 . 또한 NMOS FET ( Q 1 ) 의 게이트 단자 는 CPU ( 100 ) 로부터 충전 전류 제어 신호 ( AC _ CHG _ RATE ) 를 인가 받 고 , NMOSFET ( Q 2 ) 의 게이트 단자 는 CPU ( 100 ) 로부터 온도 보상제 어 신호 ( OVER _ TEMP _ PROTECT ) 를 인가 받 아 턴 온 / 턴 오프 되 도 록 구성 된다 .