본 발명 의 실시 예 들 에 따르 면 , AlGaInP 발광 장치 는 고농도 로 도핑 된 얇 은 p - 타입 콘택트 층 을 포함 한다 . 그 장치 가 박막 플립 칩 으로서 구성 될 수 있 도록 p - 타입 콘택트 층 위 에 반사 층 이 형성 될 수 있 다 . n - 타입 Ⅲ - Ⅴ 층 들 은 일반 적 으로 p - 타입 층 들 보다 높 은 캐리어 이동도 를 갖 고 , 따라서 대부분 의 측면 으로 의 전류 분포 가 p - 타입 층 보다 는 n - 타입 층 에서 일어나 도록 장치 를 설계 함 으로써 전류 분포 층 의 두께 는 감소 될 수 있 다 . 그러 한 장치 에서 , n - 타입 층 의 특성 은 적절 한 전류 분포 를 제공 하 고 , 장치 의 직렬 저항 을 최소 화 하 고 , 흡수 손실 을 최소 화 하 도록 선택 된다 .