본 발명 은 상기 에서 언급 한 종래 기술 의 문제점 을 해결 함 으로써 반도체 디바이스 가공 에 있 어서 실리콘 산화 막 의 습식 에칭 에 유용 한 에칭 액 을 제공 하 는 것 을 목적 으로 한다 . 보다 구체 적 으로 , 본 발명 은 취급 및 사용 상 안 전하 고 , 산화 막 에 대한 식각 속도 를 조절 하 여 적절 한 공정 조건 을 유지 하 며 , 식각 시 실리콘 산화 막 과 동시 에 드러나 는 질화 막 또는 티탄 나이트 라이드 막 에 대한 식각 선택 비 가 높 은 에칭 액 을 제공 하 는 것 을 목적 으로 한다 .