절연 층 에 더 하 여 , 본 발명 에 따른 용량 성 소자 는 추가 적 으로 적어도 하나 의 감광층 을 포함 한다 . 본 명세서 에 사용 되 는 바 와 같이 , " "" 감광층 "" 이 라는 용어 는 입사 광 빔 의 영향 을 받 기 용이 한 재료 에 관한 것 이 다 . 특히 ", 입사 광 빔 에 의해 감광층 을 조명 할 때 , 감광층 에 는 소 정량 의 전하 캐리어 가 생성 되 고 , 생성 되 는 소 정량 의 전하 캐리어 는 입사 광 빔 에 의한 감광층 의 조명 에 따라 변화 한다 . 이론 에 구애 됨 이 없이 , 감광층 내 에서 생성 된 전하 캐리어 는 후속 하 여 , 전하 캐리어 의 각 유형 , 즉 , 전자 또는 정공 을 수집 하 도록 설계 된 대응 하 는 전극 에 의해 수집 될 수 있 다 . 그러나 , 전술 한 바 와 같이 , 용량 성 소자 는 유전체 재료 를 전극 사이 에 매립 하 여 커패시터 의 특성 을 나타내 므로 , 진폭 이 일정 한 직접 입사 광 빔 을 제공 하 는 것 은 모든 전극 에 의해 발생 된 전하 캐리어 의 수집 을 달성 하 기 에 충분 하 지 않 을 수 있 는 데 , 이 는 유전체 로 작용 하 는 절연 층 이 입사 광 빔 에 의해 발생 되 는 감광층 으로부터 해당 전극 으로 전하 가 전달 되 는 것 을 차단 할 수 있 기 때문 이 다 . 그러나 , 커패시터 로부터 알려진 바 와 같이 , 변조 된 광 빔 이 감광층 에 적용 될 때 , 이러 한 상황 은 본질 적 으로 변할 수 있 다 . 따라서 , 결과 적 으로 , 변조 입사 광 빔 은 용량 성 소자 에서 교류 전류 를 발생 시킬 수 있 는 대체 방식 ( alternating fashion ) 으로 전하 캐리어 를 생성 할 수 있 는 대체 광 빔 으로 간주 될 수 있 다 . 따라서 , 센서 영역 의 활성 부분 으로 간주 될 수 있 는 감광층 을 갖 는 용량 성 소자 는 종 방향 광학 센서 가 변조 입사 광 빔 에 의한 센서 영역 의 조명 에 의존 하 는 방식 으로 적어도 하나 의 종 방향 센서 신호 를 생성 하 게 한다 . 결과 적 으로 , 용량 성 소자 를 포함 하 는 검출기 는 FiP 효과 를 나타낸다 . 따라서 , 용량 성 소자 에 의해 제공 되 는 종 방향 센서 신호 는 , 입사 변조 된 입사 광 빔 이 종 방향 광학 센서 에 포함 된 센서 영역 의 활성 부분 으로서 감광층 상 에 집속 될 때 , 감소 하 는 교류 광전류 의 형태 일 수 있 다 .