여기 서 , 본 발명 은 상기 제 1 , 제 2 , 제 3 및 제 4 테스트 패턴 으로 부 터 측정 된 캐 패 시턴 스 를 통해 활성 영역 의 CD , 평판 형 및 리세 스 형 게이트 의 CD , 리 세스 게이트 의 깊이 및 소오 스 / 드레 인 영역 의 CD 와 같 은 반도체 소자 의 물리 적 인 CD 를 전기 적 인 방법 을 통해 인 - 라인 으로 모니터링 할 수 있 으며 , 이 를 통해 , 반도체 소자 의 제조 수율 을 향상 시킬 수 있 다 .