도전 막 ( 101 ) 이 형성 된 기판 ( 202 ) 의 전면 에 Mo 층 과 Si 층 을 교대 로 적층 하 여 40 층 의 다층 반사막 ( 204 ) 을 형성 하 였 다 . 다층 반사막 ( 204 ) 은 이온 빔 증착 - 저밀 도 결함 ( Ion Beam Deposition - Low Defect Density , 이하 , IBD - LDD ) 장비 에 Mo 타 겟 과 Si 타 겟 을 장착 한 후 , Ar 가스 분위기 에서 Mo 층 및 Si 층 을 교대 로 성막 하 여 형성 하 였 다 . 자세 하 게 , 다층 반사막 ( 204 ) 은 Mo 층 을 2 . 8 ㎚ 로 우선 성막 하 고 , Si 층 을 4 . 2 ㎚ 로 성막 하 며 , Mo 층 및 Si 층 을 1 주기 로 하 여 40 주기 를 반복 성막 하 여 형성 하 였 다 . 다층 반사막 ( 103 ) 은 표면 산화 를 억제 하 기 위하 여 최종 표면 에 Si 재질 의 보호막 ( 204 a ) 으로 형성 하 였 다 .