도 22 는 , 도 24 ( B ) 에 나타나 는 구조 의 트랜지스터 로서 , 옵 셋 길이 ( Loff ) 를 5 nm 로 하 였 지만 드레 인 전류 ( Id ) ( 실선 ) 및 이동도 ( μ ) ( 점선 ) 의 게이트 전압 ( Vg ) 의존 성 을 나타낸다 . 드레 인 전류 ( Id ) 는 , 드레 인 전압 을 ＋ 1 V 로 하 고 , 이동도 ( μ ) 는 드레 인 전압 을 ＋ 0 . 1 V 로 하 여 계산 한 것 이 다 . 도 22 ( A ) 는 게이트 절연 층 의 두께 를 15 nm 로 한 것 이 며 , 도 22 ( B ) 는 10 nm 로 한 것 이 며 , 도 22 ( C ) 는 5 nm 로 한 것 이 다 .