도 11 에 도시 된 바 와 같이 , Ge 층 ( 120 ) 을 형성 한 후 에 GaAs 층 ( 202 ) 을 형성 한다 . GaAs 층 ( 202 ) 은 전술 한 바 와 같이 500 ℃ 이하 의 온도 에서 형성 되 어도 좋 다 . GaAs 층 ( 202 ) 의 형성 에 는 , 예컨대 MOCVD 법 또는 MBE 법 을 이용 할 수 있 다 . 원료 가스 에 는 TE - Ga ( 트리 에틸 갈륨 ) , AsH 3 ( 아르신 ) 을 이용 할 수 있 다 . 성장 온도 로서 , 예컨대 450 ℃ 를 예시 할 수 있 다 .