본 발명 의 나일론 원 착 사 의 제조 방법 은 A ) 상대 점도 ( RV ) 가 2 . 80 내지 3 . 80 , 수분 률 이 800 ppm 이하 인 나일론 칩 을 얻 는 단계 ; B ) 상기 나일론 칩 및 블랙 마스터 배치 를 일정 중량 비 로 혼합 하 는 단계 ; C ) 상기 혼합 된 나일론 칩 을 255 내지 280 ℃ 의 방사 온도 로 용융 방사 한 후 고화 하 여 미연 신사 를 제조 하 는 단계 ; D ) 상기 미연 신사 를 방사 작업 성 이 용이 하 게 하 고 제사 된 원 착 사 가 높 은 마찰 계수 특성 을 나타낼 수 있 도록 0 . 5 % 내지 0 . 1 % 의 방사 유제 를 부여 하 고 부착 된 유제 를 미 연신 필라멘트 내 에 균일 분산 될 수 있 도록 유제 분 산기 를 적용 하 는 단계 ; E ) 상기 유제 가 부착 된 미연 신사 를 고데트 롤러 상 에서 연신 배율 4 . 00 내지 5 . 50 및 이완 율 3 . 5 내지 5 . 5 % 의 조건 에서 고데트 롤러 ( GR 4 ) 의 온도 를 195 내지 225 ℃ 로 조절 하 여 연신 및 이완하 는 단계 를 포함 한다 .