다수 의 경우 들 에서 , 피쳐 ( 218 ) 는 실리콘 기판 ( 212 ) 에 비교 적 깊 게 에칭 될 수 도 있 다 . 예컨대 , 피쳐 들 ( 220 및 222 ) 은 5 미크론 으로부터 400 미크론 까지 의 범위 의 깊이 ( 224 ) 까지 에칭 될 수 도 있 고 , 반면 에 완성 된 CMOS 디바이스 의 모든 층 들 의 통상 적 인 두께 는 단지 3 미크론 내지 5 미크론 일 수 도 있 다 . 통상 적 으로 , 이러 한 타입 의 딥 피 쳐 들 은 , " 플라 즈 마 에칭 및 증착 의 교번 하 는 싸이클 들 의 빠른 반복 을 이용 하 는 "" 신속 하 게 교번 하 는 "" 플라 즈 마 에칭 프로세스 들 의 사용 에 의해 실리콘 기판 들 에서 형성 된다 . 즉 ", 플라 즈 마 프로세싱 리액터 에 공급 되 는 프로세스 가스 들 은 신속 하 게 토글 ( toggle ) 온 및 오프 되 어 , " 프로세스 가 웨이퍼 로부터 실리콘 이 제거 되 는 "" 에칭 "" 컨디션 으로부터 웨이퍼 상 에 재료 가 증착 되 고 실리콘 은 제거 되 지 않 는 "" 증착 "" 컨디션 으로 빠르 게 변화 하 고 ", 그 후 , 에칭 컨디션 으로 다시 되돌 아 가 게 한다 . 통상 적 으로 , 교번 하 는 싸이클 들 의 지속 기간 은 비교 적 짧 고 , 통상 적 으로 , 실리콘 기판 으로 의 원 하 는 깊이 ( 224 ) 를 달성 하 기 위해 다수 의 싸이클 들 이 요구 된다 . 그러나 , 신속 하 게 교번 하 는 프로세스 들 은 비교 적 낮 은 에칭 효율 과 같 은 특정 한 결점 들 을 가질 수 도 있 다 . 예컨대 , 통상 적 으로 , 신속 하 게 교번 하 는 프로세스 들 은 , 빠른 - 스위칭 , 고 - 정확도 의 가스 플로우 제어기 들 과 같 은 특화 된 하드웨어 에 대한 요구 조건 들 로 인해 , 시스템 비용 및 복잡도 를 증가 시킨다 .