일 실시 예 에 있 어서 , SOI ( Silicon On Insulator ) 소자 는 , 각각 활성 영역 및 소자 분리 영역 을 갖 는 셀 지역 과 주변 회로 지역 으로 구획 된 실리콘 기판 ; 상기 실리콘 기판 상 에 상기 셀 지역 및 주변 회로 지역 에서 의 각 소자 분리 영역 을 노출 시키 도록 형성 된 산화 막 ; 상기 노출 된 실리콘 기판 의 소자 분리 영역 들 및 산화 막 상 에 형성 된 에 피층 ; 상기 실리콘 기판 의 셀 지역 및 주변 회로 지역 에서 의 각 소자 분리 영역 상 의 에 피층 부분 내 에 형성 된 소자 분리 막 ; 상기 실리콘 기판 의 셀 지역 및 주변 회로 지역 에서 의 각 활성 영역 상 의 에 피층 부분 상 에 형성 된 게이트 ; 및 상기 게이트 양측 의 에 피층 내 에 형성 된 소오 스 / 드레 인 영역 ; 을 포함 하 며 , 상기 산화 막 은 상기 실리콘 기판 의 주변 회로 지역 의 일부 활성 영역 에 형성 된 부분 이 제거 되 어 상기 실리콘 기판 과 에 피층 이 서로 접촉 되 어 있 다 .