상술 한 바 와 같 은 반도체 기판 의 리 워크 방법 은 결함 이 발생 된 포토레지스트 패턴 에 전면 노광 및 현상 공정 을 순차 적 으로 수행 함 으로서 하부 에 존재 하 는 유기 반사 방지 막 의 손상 없이 상기 결함 발생 된 포토레지스트 패턴 을 제거 할 수 있 다 . 이 에 따라 , 유기 방사 방지 막 하부 에 존재 하 고 , 비정질 탄소 로 이루어진 얼라 인 키 는 상기 산소 플 라즈 마 에 노출 되 지 않 아 손상 이 발생 되 지 않 는다 . 또한 , 포토레지스트 패턴 의 재 형성 시 상기 기판 상 에 상기 유기 반사 방지 막 을 다시 형성 하 기 위한 별도 의 공정 이 요구 되 지 않 기 때문 에 비용 적 측면 과 시간 적 측면 에서 높 은 효율 성 을 얻 을 수 있 다 .