또한 본 발명 에서 는 , 반도체 장치 제조 공정 에서 적용 되 는 유기 막 의 형성 방법 으로서 , 피 가공 기판 상 에 상기 유기 막 형성 용 조성물 을 회전 도포 하 는 공정 , 상기 유기 막 형성 용 조성물 이 도포 된 피 가공 기판 을 공기 중 에서 50 ℃ 이상 250 ℃ 이하 의 온도 에서 5 초 ∼ 600 초 범위 로 열처리 하 여 도포 막 을 형성 하 는 공정 , 불활성 가스 분위기 하 에서 200 ℃ 이상 600 ℃ 이하 의 온도 에서 10 초 ∼ 7200 초 범위 로 열처리 를 가하 여 경화 막 을 얻 는 공정 을 포함 하 는 유기 막 의 형성 방법 을 제공 한다 .