상기 반도체 칩 ( 120 ) 은 접속 전극 들 ( 120 P ) 이 배치 되 는 활성 면 과 상기 활성 면 의 반 대면 인 비활성 면 을 가질 수 있 다 . 상기 반도체 칩 ( 120 ) 은 로직 ( Logic ) 칩 또는 메모리 ( Memory ) 칩 일 수 있 다 . 예 를 들 어 , 상기 반도체 칩 ( 120 ) 은 시스템 LSI ( Large scale integration ) , 로직 ( Logic ) 회로 , CIS ( CMOS imaging sensor ) , 또는 디램 ( DRAM ) , 에스램 ( SRAM ) , 플래시 ( flash ) , 피 램 ( PRAM ) , 알 이 램 ( ReRAM ) , 에프 이 램 ( FeRAM ) , 엠 램 ( MRAM ) HBM ( High bandwidth memory ) , HMC ( Hybrid memory cubic ) 등 과 같 은 메모리 소자 , 또는 MEMS ( Microelectromechanical system ) 소자 등 을 포함 할 수 있 다 .