그리고 , 도 12 a 에 나타나 있 는 바 와 같이 제 3 에칭 처리 를 행하 고 , 게이트 절 연막 의 에칭 처리 를 행한다 . 그 결과 , 제 2 형상 의 도전 막 ( 728 a 내지 733 a ) 도 에칭 되 어 , 단부 가 후퇴 하 여 작아지 고 , 제 3 형상 의 도전 막 ( 740 내지 745 ) ( 제 1 도 전막 ( 740 a 내지 745 a ) 과 제 2 도 전막 ( 740 b 내지 745 b ) ) 이 형성 된다 . 746 은 잔존 하 는 게이트 절 연막 이 며 , 에칭 을 더 진행 시켜서 반도체 층 의 표면 을 노출 시켜도 된다 .