본 발명 은 도 펀트 의 손실 을 최소 화 할 수 있 는 반도체 소자 의 제조 방법 을 제공 하 기 위한 것 으로 , 본 발명 은 기판 상 에 폴리 실리콘 층 을 형성 하 는 단계 , 상기 폴리 실리콘 층 에 플 라즈 마 도핑 을 실시 하 는 단계 , 상기 폴리 실리콘 층 을 열처리 하 는 단계 , 상기 폴리 실리콘 층 에 세정 공정 을 진행 하 는 단계 , 상기 폴리 실리콘 층 상 에 금속 계 도전 층 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 여 도 펀트 의 손실 을 최소 화 함 으로써 소자 의 신뢰 성 을 확보 할 수 있 는 효과 가 있 다 .