화학 기계 적 연마 공정 에서 는 기판 전체 면 에 대한 평탄 화 ( global CMP ) 또는 기판 의 특정 부분 에 대한 선택 적 연마 ( partial CMP ) 가 가능 하 다 . 이러 한 화학 기계 적 연마공 정은 CMP 장비 에 대한 평탄 화 의존 성 이 매우 높 다 . 특히 , 슬러리 및 연마 패드 의 물질 및 패드 의 모양 에 따라 평탄 화 정도 와 시간 당 연 마량 등 이 다르 게 나타나 게 된다 .