전술 하 였 지만 , 기판 ( 110 ) 상 에 는 먼저 버퍼 층 ( 111 ) 이 형성 될 수 있 다 . 버퍼 층 ( 111 ) 상 에 는 반도체 층 ( 151 ) 이 소정 패턴 으로 형성 된다 . 배선 영역 ( 150 ) 의 상기 반도체 층 ( 151 ) 은 화소 영역 ( 120 ) 의 반도체 활성 층 ( 131 ) 과 동일 한 물질 로 동일 한 층 에 형성 된다 . 따라서 , 상기 반도체 층 ( 151 ) 은 아모 퍼스 실리콘 또는 폴리 실리콘 과 같 은 무기 반도체 나 , 유기 반도체 등 이 사용 될 수 있 다 .