본 발명 은 복수 의 기판 들 이 안착 된 기판 지지 부 상 에 공간 적 으로 분리 된 제 1 가스 분사 영역 , 제 2 가스 분사 영역 , 제 3 가스 분사 영역 , 및 제 4 가스 분사 영역 에 가스 를 분사 하 는 단계 ; 및 상기 기판 지지 부 에 안착 된 기판 들 이 상기 제 1 가스 분사 영역 , 상기 제 2 가스 분사 영역 , 상기 제 3 가스 분사 영역 , 및 상기 제 4 가스 분사 영역 을 통과 하 도록 1 회전 하 는 공정 싸이클 주기 에 따라 상기 기판 지지 부를 회전 시키 는 단계 를 포함 하 고 , 상기 가스 를 분사 하 는 단계 는 상기 공정 싸이클 주기 에서 소정 구간 마다 상기 제 1 가스 분사 영역 과 상기 제 3 가스 분사 영역 에 가스 를 동시 에 분사 하 는 단계 ; 및 상기 공정 싸이클 주기 에서 지속 적 으로 상기 제 2 가스 분사 영역 과 상기 제 4 가스 분사 영역 에 가스 를 분사 하 는 단계 를 포함 하 는 기판 처리 방법 에 관한 것 이 다 .