먼저 , 도 4 및 도 5 a 에 도시 한 바 와 같이 , 표면 에 반도체 층 ( 202 ) 이 구비 된 결정질 실리콘 기판 을 준비 한다 ( S 401 ) . 상기 실리콘 기판 의 하부 는 p 형 의 결정질 실리콘 기판 ( 201 ) 일 수 있 으며 , 상기 반도체 층 ( 202 ) 은 p 형 실리콘 기판 ( 201 ) 이 준비 된 상태 에서 상기 p 형 실리콘 기판 ( 201 ) 의 상층부 에 n 형 불순물 이온 을 주입 , 확산 ( diffusion ) 시켜 형성 한 n 형 반도체 층 ( 202 ) 일 수 있 다 .