일반 적 으로 전기 적 으로 소거 및 프로그램 이 가능 한 불휘발성 메모리 장치 는 , 파울러 - 노드 하임 터널 링 ( Fowler - Nordheim Tunneling ) 이나 채널 핫 엘렉 트론 인젝션 ( Channel Hot Electron Injection ) 원리 에 의해 메모리 셀 ( Memory Cell ) 데 이타 의 소거 ( Erase ) 및 프로그램 ( Program ) 동작 이 수행 되 는 데 , 상기 불휘발성 메모리 장치 의 메모리 셀 에 데 이타 를 소거 하 거나 프로그램 하 는 데 는 수십 μ s 에서 수십 ms 의 상당 한 시간 이 소요 된다 . 특히 , 메가 ( Mega ) 급 이상 의 메모리 셀 을 갖 는 상기 불휘발성 메모리 장치 를 테스트 하 여 양호 및 불량 판정 을 하 는 데 는 상당히 긴 시간 이 요구 되 며 , 이 는 반도체 제조 원가 를 상승 시키 는 큰 요인 으로 작용 한다 .