도 7 a , 도 7 b 및 도 7 c 의 실시 예 에서 , 기 저부 ( 92 ) 는 강성 기 저부 ( 92 ) 를 제공 하 도록 경화 되 거나 응고 된 , 액체 기재 ( substrate ) 를 사용 한 사출 성형 공정 에 의해 형성 될 수 있 다 . 기 저부 ( 92 ) 는 폴리에테르 이미드 ( PEI ) , 폴리에스테르 테레프탈 레이트 ( PET ) , 폴리 부틸렌 테레프탈 레이트 ( PBT ) , 나일론 또는 파나소닉 ( Panasonic ) 의 ECOM 시리즈 와 같 은 그러나 이 에 제한 되 지 않 는 재료 또는 공정 으로부터 형성 될 수 있 다 . 이 실시 예 에서 제 1 TM 전도체 ( 100 ) , 제 2 TM 전도체 ( 102 ) , 및 / 또는 하단 층 ( 98 ) 은 이러 한 층 들 및 전 도체 들 이 기 저부 ( 92 ) 의 부분 에 의해 캡슐 화 또는 유지 될 수 있 는 한 다른 실시 예 에 비해 더 두 꺼 울 수 있 다 . 제 1 및 제 2 TM 전도체 ( 100 , 102 ) 및 / 또는 하단 층 ( 98 ) 의 크기 및 / 또는 두께 를 증가 시키 는 것 은 열전 모듈 ( 90 ) 의 열 성능 을 최적 화 하 고 열전 모듈 ( 90 ) 과 유연 회로 패널 ( 56 ) 사이 , 그리고 열전 모듈 ( 90 ) 과 임의 의 히트 싱크 ( 52 ) 사이 의 물리 적 연결 을 최적 화 하 도록 수행 될 수 있 다 . 하단 층 ( 98 ) 과 제 1 및 제 2 TM 전도체 ( 100 , 102 ) 는 기 저부 ( 92 ) 에 그리고 각각 의 회로 전도체 ( 58 ) 또는 히트 싱크 ( 52 ) 에 상술 한 바 와 같 은 납땜 연결 및 / 또는 다른 접착제 로 부착 될 수 있 다 .