도 2 는 비휘발성 메모리 셀 을 개략 적 으로 나타낸다 . 메모리 셀 ( 10 ) 은 전하 저장 유닛 ( charge storage unit , 20 ) , 가령 플로팅 게이트 또는 유전체 층 을 갖 는 전계 효과 트랜지스터 에 의해 실시 될 수 있 다 . 메모리 셀 ( 10 ) 은 또한 소스 ( 14 ) , 드레 인 ( 16 ) 및 제 어 게이트 ( 30 ) 를 포함 한다 .