도 2 는 기판 ( 50 ) 의 단면도 를 도시 하고 있 다 . 기판 ( 50 ) 은 벌크 반도체 기판 , 반도체 온 절연체 ( semiconductor - on - insulator , SOI ) 기판 등 과 같 은 반도체 기판 일 수 있 으며 , ( 예 , P 타입 또는 N 타입 도 펀트 로 ) 도핑 되 거나 도핑 되 지 않 을 수 도 있 다 . 기판 ( 50 ) 은 실리콘 웨이퍼 등 의 웨이퍼 일 수 있 다 . 일반 적 으로 , SOI 기판 은 절연체 층 상 에 형성 된 반도체 재료 로 된 층 을 포함 한다 . 절연체 층 은 예컨대 매립 산화물 ( BOX , Buried Oxide ) 층 , 실리콘 산화물 층 등 일 수 있 다 . 절연체 층 은 기판 , 통상 실리콘 기판 이나 유리 기판 과 같 은 기판 상 에 제공 된다 . 다층 형 또는 경사 형 기판 등 의 다른 기판 도 사용 될 수 있 다 . 일부 실시 형태 에 있 어서 , 기판 ( 50 ) 의 반도체 재료 는 실리콘 , 게르마늄 , 실리콘 탄화물 , 갈륨 비소 , 갈륨 인화물 , 인듐 인화물 , 인듐 비화물 , 및 / 또는 인듐 안티몬 화물 을 포함 하 는 화합물 반도체 , SiGe , GaAsP , AlInAs , AlGaAs , GaInAs , GaInP , 및 / 또는 GaInAsP 를 포함 하 는 혼정 반도체 , 또는 그 조합 을 포함 할 수 있 다 .