제 1 반도체 패턴 ( 210 ) 은 제 1 박막 트랜지스터 ( 200 ) 의 구동 시 채널 이 형성 되 는 제 1 채널 영역 ( 210 C ) , 그리고 제 1 채널 영역 ( 210 C ) 양 측 의 제 1 소스 영역 ( 210 S ) 및 제 1 드레 인 영역 ( 210 D ) 을 포함 할 수 있 다 . 제 1 소스 영역 ( 210 S ) 은 제 1 소스 전극 ( 250 ) 과 연결 된 제 1 반도체 패턴 ( 210 ) 의 부분 이 며 , 제 1 드레 인 영역 ( 210 D ) 은 제 1 드레 인 전극 ( 360 ) 과 연결 된 제 1 반도체 패턴 ( 210 ) 의 부분 일 수 있 다 . 제 1 소스 영역 ( 210 S ) 및 제 1 드레 인 영역 ( 210 D ) 은 제 1 반도체 패턴 ( 210 ) 의 이온 도핑 ( 불순물 도핑 ) 에 의해 구성 될 수 있 다 . 제 1 소스 영역 ( 210 S ) 및 제 1 드레 인 영역 ( 210 D ) 은 폴리 실리콘 물질 에 이온 도핑 하 여 생성 될 수 있 으며 , 제 1 채널 영역 ( 210 C ) 은 이온 도핑 되 지 않 은 폴리 실리콘 물질 로 남겨진 부분 일 수 있 다 .