상기 기술 적 과제 를 달성 하 기 위한 본 발명 의 다른 실시 예 에 따른 서브 워드 라인 드라이버 의 형성 방법 은 P 형 반도체 기판 에 , 제 1 n 형 활성 화 영역 을 형성 하 는 단계 , P 형 반도체 기판 에 , 제 1 n 형 활성 화 영역 의 일 측 에 제 1 n 형 활성 화 영역 과 이격 하 여 제 2 n 형 활성 화 영역 을 형성 하 는 단계 , 제 1 n 형 활성 화 영역 의 상부 에 , 일 방향 으로 제 1 모스 트랜지스터 의 게이트 폴리 를 형성 하 는 단계 , 및 제 2 n 형 활성 화 영역 의 상부 에 , 제 2 내지 제 4 모스 트랜지스터 들 각각 의 게이트 폴리 를 형성 하 는 단계 를 구비 한다 .