상기 스 트랩 핑 콘 택 들 ( 171 , 175 ) 은 동일 스 트랩 핑 영역 에서 상기 비트 라인 길 이 방향 으로 일직선 상 으로 배열 되 되 , 이웃 하 는 2 개 의 액티브 패턴 ( 111 - 126 ) 마다 하나 씩 배열 된다 . 한편 , 상기 스 트랩 핑 콘 택 들 ( 171 , 175 ) 은 워드 라인 길 이 방향 으로 상기 단위 셀 그룹 들 ( 160 a , 160 b , 160 c ) 중 2 개 의 단위 셀 그룹 마다 하나 씩 배열 된다 . 따라서 , 상기 스 트랩 핑 콘 택 들 ( 171 , 175 ) 은 상기 워드 라인 길 이 방향 으로 2 i 개 의 메모리 셀 즉 , 16 개 의 메모리 셀 단위 로 배열 된다 .