메모리 셀 ( 205 ) 을 액세스 하 는 것 이 로우 디코더 ( 225 ) , 컬럼 디코더 ( 230 ) , 및 플레이트 드라이버 ( 235 ) 를 통해 제어 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 로우 디코더 ( 225 ) 는 로컬 메모리 제어기 ( 265 ) 로부터 로우 어드레스 를 수신 할 수 있 고 수신 된 로우 어드레스 를 기초 로 워드 라인 ( 210 ) 을 활성 화 할 수 있 다 . 컬럼 디코더 ( 230 ) 는 로컬 메모리 제어기 ( 265 ) 로부터 컬럼 어드레스 를 수신 하 고 수신 된 컬럼 어드레스 를 기초 로 디 지트 라인 ( 215 ) 을 활성 화 한다 . 일부 경우 , 컬럼 디코더 ( 230 ) 는 각자 의 디 지트 라인 을 선택 적 으로 연결 되 고 플레이트 로부터 분리 하 도록 각각 동작 가능 할 수 있 는 하나 이상 의 분로 ( 가령 , 트랜지스터 ) 를 포함 할 수 있 다 . 플레이트 드라이버 ( 235 ) 는 로컬 메모리 제어기 ( 265 ) 로부터 플레이트 어드레스 를 수신 하 고 수신 된 플레이트 어드레스 를 기초 로 플레이트 라인 ( 220 ) 을 활성 화 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 메모리 다이 ( 200 ) 는 WL _ 1 내지 WL _ M 로 라벨 링 된 복수 의 워드 라인 ( 210 ) , DL _ 1 내지 DL _ N 로 라벨 링 된 복수 의 디 지트 라인 ( 215 ) , 및 PL _ 1 내지 PL _ P 로 라벨 링 된 복수 의 플레이트 라인 을 포함 할 수 있 으며 , M , N 및 P 는 메모리 어레이 의 크기 에 따라 달라진다 . 따라서 , 워드 라인 ( 210 ) , 디 지트 라인 ( 215 ) , 및 플레이트 라인 ( 220 ) , 가령 , WL _ 1 , DL _ 3 , 및 PL _ 1 을 활성 화 함 으로써 , 이 들 의 교차점 에서 의 메모리 셀 ( 205 ) 이 액세스 될 수 있 다 . 워드 라인 ( 210 ) 과 디 지트 라인 ( 215 ) 의 교차점 는 , 2 차원 또는 3 차원 구성 에서 , 메모리 셀 ( 205 ) 의 어드레스 로 지칭 될 수 있 다 . 일부 경우 , 워드 라인 ( 210 ) , 디 지트 라인 ( 215 ) , 및 플레이트 라인 ( 220 ) 의 교차점 가 메모리 셀 ( 205 ) 의 어드레스 로 지칭 될 수 있 다 .