제 1 , 제 2 , 및 제 3 실시 예 에 따른 반도체 기억 장치 는 갱신 주파수 가 낮 은 데이터 를 콤 팩션 처리 시키 므로 , 비휘발성 반도체 메모리 에서 의 블록 의 소거 횟수 를 감소 시킨다 . 또한 , 반도체 기억 장치 는 단락 I . 에서 설명 한 바 와 같이 2 개 의 데이터 관리 단위 , " 즉 "" 큰 단위 "" 및 "" 작 은 단위 "" 를 사용 하 므로 ", 기입 효율 의 향상 을 실현 한다 .