도 2 는 , 상변화 재료 를 이용 한 저항성 기억 소자 의 상변화 에 필요 한 펄스 폭 과 온도 의 관계 를 나타내 는 도면 이 다 . 이 기억 소자 에 기억 정보 ' 0 ' 을 기입 하 는 경우 , 도 2 에 도시 한 바 와 같이 , 소자 를 칼 코 게나 이드 재료 의 융점 Ta 이상 으로 가열 하 고 나 서 급 냉 하 는 리셋 펄스 를 인가 한다 . 냉각 시간 t 1 을 짧 게 , 예 를 들 면 약 1 ㎱ 로 설정 함 으로써 , 칼 코 게나 이드 재료 는 고 저항 의 아몰 퍼스 ( 비정질 ) 상태 로 된다 .