일 실시 예 에 의하 면 , 상기 제 1 트랜지스터 는 nMOS ( N - channel metaloxidesemiconductor ) 트랜지스터 일 수 있 다 . 상기 제 1 전원 은 제 1 전압 레벨 , 상기 제 1 전압 레벨 보다 큰 제 2 전압 레벨 , 및 상기 제 2 전압 레벨 보다 큰 제 3 전압 레벨 중 하나 를 가질 수 있 다 . 상기 제 3 전원 은 제 4 전압 레벨 및 상기 제 4 전압 레벨 보다 큰 제 5 전압 레벨 중 하나 를 가질 수 있 다 .