이어서 , 터널 링 절 연막 ( 105 ) 상 에 플로팅 게이트 ( 106 ) 로 기능 하 는 도전 막 을 증착 한다 . 이때 , 도전 막 은 도전 성 을 갖 는 물질 은 모두 사용 가능 하 며 , 예컨대 폴리 실리콘 , 전이 금속 또는 희토류 금속 중 선택 된 어느 하나 의 물질 로 형성 할 수 있 다 . 예컨대 , 폴리 실리콘 막 은 불순물 이 도핑 되 지 않 은 언 - 도프 트 ( un - doped ) 폴리 실리콘 막 또는 불순물 이 도핑 된 도프 트 ( doped ) 폴리 실리콘 막 모두 사용 가능 하 며 , 언 - 도프 트 폴리 실리콘 막 의 경우 후속 이온 주입 공정 을 통해 별도 로 불순물 이온 을 주입 한다 . 이러 한 폴리 실리콘 막 은 LPCVD ( Low Pressure Chemical Vapor Deposition ) 방식 으로 형성 하 고 , 이때 소스 가스 로 는 SiH 4 을 사용 하 며 , 도핑 가스 로 는 PH 3 , PH 3 , BCl 3 또는 B 2 H 6 가스 사용 한다 . 전이 금속 으로 는 철 ( Fe ) , 코발트 ( Co ) , 텅스텐 ( W ) , 니켈 ( Ni ) , 팔라듐 ( Pd ) , 백금 ( Pt ) , 몰리브덴 ( Mo ) 또는 티타늄 ( Ti ) 등 을 사용 하 고 , 희토류 금속 으로 는 어븀 ( Er ) , 이터 륨 ( Yb ) , 사마륨 ( Sm ) , 이트륨 ( Y ) , 란탄 ( La ) , 세륨 ( Ce ) , 테르븀 ( Tb ) , 디스프로슘 ( Dy ) , 홀뮴 ( Ho ) , 톨 륨 ( Tm ) 및 루테튬 ( Lu ) 등 을 사용 한다 .