( 2 ) 단결정 의 육성 속도 가 늦 고 깨 지기 쉽 기 때문 에 슬라이스 하 기 어렵 고 , Li 나 Ta 등 의 원료 가 희소 하 며 고가 이 기 때문 에 , LiTaO 3 기판 이나 LiNbO 3 기판 , 수정 기판 등 의 압전체 기판 은 고가 이 다 . 단결정 박막 을 형성 한 복합 압 전 기판 을 얻 는 수단 으로서 Si 기판 과 압 전 기판 을 맞 붙인 후 에 , CMP ( chemical - mechanical polishing ; 화학 기계 연마 ) 로 압전체 를 연마 해서 박 화 하 는 수단 도 생각 할 수 있 으나 , 이 경우 , 1 장 의 복합 압 전 기판 을 얻 기 위해서 1 장 의 Si 기판 과 1 장 의 압전체 기판 이 필요 하 기 때문 에 고가 인 압전체 의 재료 효율 이 나쁘 다 .