도 2 와 같이 , 종래 기술 의 어레이 기판 ( 10 ) 은 서로 평행 하 게 배열 되 는 다수 의 게이트 배선 ( 14 ) 과 다수 의 게이트 배선 ( 14 ) 과 수직 하 며 서로 평행 하 게 배열 되 는 다수 의 데이터 배선 ( 16 ) 과 , 다수 의 게이트 배선 ( 14 ) 및 다수 의 데이터 배선 ( 14 ) 의 각각 이 교차 하 며 정의 되 는 화소 영역 ( P ) 으로 구성 된다 . 또한 게이트 배선 ( 14 ) 과 함께 패 터닝 되 는 화소 영역 ( P ) 의 상부 및 하부 에 는 공통 배선 ( 17 ) 과 스토리지 배선 ( 43 ) 을 포함 한다 . 그리고 다수 의 게이트 배선 ( 14 ) 및 다수 의 데이터 배선 ( 16 ) 의 각각 의 교차 지점 에 , 박막 트랜지스터 ( T ) 가 형성 되 며 , 박막 트랜지스터 ( T ) 는 , 액티브 층 ( 42 ) 과 , 액티브 층 ( 42 ) 과 대응 되 는 게이트 배선 ( 14 ) 에 위치 하 는 게이트 전극 ( 40 ) 과 , 게이트 전극 ( 40 ) 의 양측 과 대응 되 며 , 액티브 층 ( 42 ) 상 에 각각 형성 되 는 소스 전극 ( 45 a ) 및 드레 인 전극 ( 45 b ) 으로 구성 된다 .