도 13 은 몇몇 실시 예 에 따른 도 11 의 저항성 메모리 장치 의 R 영역 을 설명 하 기 위한 예시 적 인 회로도 이 다 . 도 13 을 참조 하 여 , 마진 보상 회로 ( 250 ) 가 몇몇 실시 예 에 따른 저항성 메모리 장치 에 연결 되 는 형태 를 도 11 의 R 영역 을 통해 구체 적 으로 설명 한다 . 이하 에서 , 마진 보상 회로 ( 250 ) 내 마진 보상 스위치 는 마진 보상 NMOS 트랜지스터 ( MCNTn ) 임 을 가정 하 여 설명 한다 .