본 실시 형태 에서 제작 하 는 박막 트랜지스터 의 채널 형성 영역 은 , 미결정 반도체 막 으로 형성 되 어 있 기 때문 에 , 표시 장치 의 구동 주파수 를 높 게 하 는 것 이 가능 하 고 , 패널 사이즈 의 대 면적 화 나 화소 의 고 밀도 화 에 도 충분히 대응 할 수 있 다 . 또한 , 대면 적 기판 에 있 어서 , 상기 박막 트랜지스터 를 제작 할 수 있 다 .