도 26 을 참조 한다 . 제 1 처리 블록 ( 3 ) 은 , 3 개 의 처리 층 ( A 1 ~ A 3 ) 을 구비 하 고 있 다 . 제 1 처리 층 ( A 1 ) 의 각 도포 유닛 ( SC ) 은 , 하 층막 을 형성 한다 . 하 층막 은 , 예 를 들 면 , SOC ( Spin On Carbon ) 막 을 들 수 있 다 . 제 2 처리 층 ( A 2 ) 의 각 도포 유닛 ( SC ) 은 , 중간막 을 형성 한다 . 중간막 은 , 예 를 들 면 SOG ( Spin On Glass ) 막 을 들 수 있 다 . 제 3 처리 층 ( A 3 ) 의 각 도포 유닛 ( SC ) ( RESIST ) 은 , 포토레지스트 막 ( 상 층막 ) 을 형성 한다 . 한편 , 제 2 처리 블록 ( 5 ) 은 , 2 개 의 처리 층 ( B 1 , B 2 ) 을 구비 하 고 있 다 . 제 1 처리 층 ( B 1 ) 의 각 도포 유닛 ( SC ) 은 , 하 층막 을 형성 한다 . 제 2 처리 층 ( B 2 ) 의 각 도포 유닛 ( SC ) 은 , 중간 층 을 형성 한다 .