이어서 , 도 15 ( a ) , 도 17 ( a ) 에 나타내 듯이 , 스퍼터링 법 에 의해 , 예 를 들 어 , 산화 인듐 갈륨 아연 ( IGZO ) 에 의해 형성 된 산화물 반도체 막 ( 두께 30 ㎚∼ 100 ㎚ 정도 ) ( 51 ) 을 성막 한다 . 계속 해서 , 도 15 ( b ) , 도 17 ( b ) 에 나타내 듯이 , 산화물 반도체 막 ( 51 ) 이 형성 된 기판 전체 에 , 스퍼터링 법 에 의해 , 예 를 들 어 , 티타늄 막 ( 26 ) ( 두께 30 ㎚~ 150 ㎚ 정도 ) 및 알루미늄 막 ( 27 ) ( 두께 50 ㎚~ 400 ㎚ 정도 ) 등 을 차례 로 성막 한다 .