공정 ( 210 ) 에서 , 도 펀트 원자 들 은 n - 타입 기저 층 ( 10 ) 의 전면 으로 도입 될 수 있 다 . 다양 한 구 현예 들 에 따르 면 , 도 펀트 원자 들 은 이온 주 입법 에 의해서 도입 될 수 있 다 . 도 펀트 원자 들 은 n - 타입 기저 층 ( 10 ) 의 도전 성 과 같 은 n - 타입 도전 성 을 가질 수 있 다 . 특정 구 현예 들 에서 , n - 타입 도 펀트 는 인 이온 , 예 를 들 어 P 31 + 등 일 수 있 다 . 다양 한 구 현예 들 에 따르 면 , 선택 적 영역 들 ( 15 ) 및 필드 영역 들 ( 20 ) 의 패 터닝 은 2 개 의 이온 주입 단계 들 에 의해서 달성 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 선택 적 전면 필드 층 은 n - 타입 기저 층 ( 10 ) 의 전면 위 에 제 1 이온 주입 단계 를 균일 하 게 수행 한 다음 , 선택 적 영역 들 ( 15 ) 에 만 제 2 이온 주입 단계 를 수행 함 으로써 형성 될 수 있 다 . 다른 한편 으로 는 , 2 가지 필드 모두 에 대한 패 터닝 을 단일 이온 주입 단계 에서 달성 할 수 도 있 다 . 예 를 들 어 , 선택 적 영역 들 ( 15 ) 을 지나갈 때 에 는 이온 주입기 가 더 높 은 양 ( dose ) 으로 이온 을 주입 하 거나 또는 더 느린 빔 속도 를 갖 게 함 으로써 단일 이온 주입 단계 가 수행 될 수 있 다 .