본 발명 은 또한 , 금속 전극 을 형성 하 는 단계 , 상기 금속 전극 상 에 산소 를 포함 하 지 않 는 제 1 실리콘 절 연막 을 형성 하 는 단계 , 상기 제 1 실리콘 절 연막 상 에 산소 를 포함 하 는 제 2 실리콘 절 연막 을 형성 하 는 단계 , 및 상기 제 2 실리콘 절 연막 상 에 산소 를 포함 하 지 않 는 제 3 실리콘 절 연막 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 반도체 소자 의 제조 방법 을 제공 한다 .