연마 공정 이후 , 제 2 함몰 영역 ( 111 ) 을 형성 하 기 위해 감광제 ( 133 ) 가 도 12 와 같이 , 실리콘 기판 ( 130 ) 상 에 패 터닝 될 수 있 다 . 여기 서 , 제 2 함몰 영역 ( 111 ) 에 대응 하 는 영역 은 개방 된 상태 일 수 있 다 . 개방 된 영역 은 센서 구조물 에 대응 될 수 있 다 . 즉 , 본 실시 예 에 따른 압 저항 방식 의 마이크로폰 의 벤트 홀 은 센서 구조물 ( 110 ) 을 통과 하 도록 형성 될 수 있 다 . 센서 구조물 ( 110 ) 은 복수 의 나노 와이어 를 이어주 는 가교 역할 뿐 만 아니 라 , 벤트 홀 이 형성 되 어 입력 음압 에 대한 멤 브레인 ( 120 ) 의 스트레스 를 제어 할 수 도 있 다 . 다만 , 벤트 홀 이 형성 되 는 위치 는 이 에 한정 되 는 것 은 아니 며 , 다른 실시 예 에서 벤트 홀 은 나노 와이어 ( 100 ) 및 센서 구조물 ( 110 ) 을 둘러싸 는 고정 구조물 ( 140 ) 에 형성 될 수 도 있 다 . 즉 , 제 3 단계 에서 감광제 ( 133 ) 는 개방 된 영역 이 나노 와이어 및 센서 구조물 을 둘러싸 는 고정 구조물 ( 140 ) 에 대응 되 도록 패 터닝 될 수 도 있 다 .