제 2 층간 절 연막 ( 120 ) 은 제 1 영역 ( R 1 ) 의 비트 라인 들 ( BL ) 및 제 2 영역 ( R 2 ) 의 주변 게이트 전극 ( PG ) 을 덮 을 수 있 다 . 상기 제 2 층간 절 연막 ( 120 ) 은 고밀도 플라스마 ( HDP ) 산화 막 , TEOS , PE - TEOS , O 3 - TEOS , USG , PSG , BSG , BPSG , FSG , SOG , TOSZ 또는 이 들 의 조합 으로 이루어질 수 있 다 . 또는 상기 제 2 층간 절 연막 ( 120 ) 은 실리콘 질화물 , 실리콘 산질 화물 또는 저 유전율 을 갖 는 로우 ( low ) - k 물질 로 이루어질 수 도 있 다 .