반도체 디바이스 ( 10 ) 는 반도체 층 ( 16 ) 위 에 형성 된다 . 게이트 유전체 층 ( 18 ) 은 반도체 층 위 에 형성 된다 . 게이트 재료 층 ( 20 ) 은 게이트 유전체 층 위 에 형성 된다 . 게이트 재료 층 은 패 터닝 되 어 게이트 구조 ( 20 ) 를 형성 한다 . 게이트 구조 를 마스크 로서 사용 하 여 , 반도체 층 으로 의 임 플랜트 ( 24 ) 가 실행 된다 . 제 1 패 터닝 된 게이트 구조 ( 20 ) 와 , 반도체 층 제 1 부분 ( 28 ) 및 제 2 부분 ( 30 ) 과 게이트 를 둘러싸 는 트렌치 ( 42 ) 를 반도체 층 ( 16 ) 내 에 형성 하 기 위해서 , 게이트 구조 ( 20 ) 및 반도체 층 ( 16 ) 을 통한 에칭 이 실행 된다 . 트렌치 ( 42 ) 는 절연 재료 ( 46 ) 로 채워진다 .