본 발명 의 기술 적 사상 에 따르 면 , 제 1 및 제 2 희생 게이트 들 을 포함 하 는 T - 형상 을 갖 는 희생 게이트 스택 을 형성 함 으로써 상대 적 으로 작 은 높이 의 희생 게이트 들 을 사용 할 수 있 고 , 개구부 의 상부 가 확장 될 수 있 다 . 따라서 개구부 의 종횡비 가 감소 될 수 있 고 , 희생 게이트 제거 공정 , 소스 / 드레 인 영역 형성 공정 , 및 / 또는 게이트 전극 의 형성 공정 의 정밀도 가 향상 될 수 있 다 . 상기 방법 에 의해 제조 된 반도체 장치 는 전기 적 특성 편차 가 감소 될 수 있 다 .