상기 제 1 도 전막 ( 도 3 a 의 110 ) 을 식각 하 는 것 은 건식 식각 공정 을 이용 하 여 진행 할 수 있 다 . 좀 더 구체 적 으로 , 상기 제 1 도 전막 ( 도 3 a 의 110 ) 을 식각 하 는 것 은 HBr 가스 , Cl 2 가스 및 HeO 2 가스 를 포함 하 는 공정 분위기 의 건식 식각 공정 을 이용 할 수 있 다 . 상기 건식 식각 공정 동안 에 , 상기 제 1 도 전막 ( 도 3 a 의 110 ) 의 중간 부분 에 대한 식각 률 이 상기 제 1 도 전막 ( 도 3 a 의 110 ) 의 상부 표면 부분 또는 바닥 영역 부분 보다 크 기 때문 에 , 상기 제 1 도전 성 패턴 ( 110 a ) 은 오목 하 게 라운 딩 된 측벽 을 갖 도록 형성 될 수 있 다 . 그 이유 는 상기 제 1 도 전막 ( 도 3 a 의 110 ) 의 중간 부분 ( B ) 에서 불순물 농도 가 가장 높 기 때문 이 다 . 즉 , 상기 제 1 도 전막 ( 도 3 a 의 110 ) 의 중간 부분 ( B ) 에서 임 플 런 트 된 원자 들 의 농도 가 가장 높 기 때문 에 , 상기 제 1 도 전막 ( 도 3 a 의 110 ) 의 중간 부분 ( B ) 이 상기 제 1 도 전막 ( 도 3 a 의 110 ) 의 상부 표면 부분 ( A ) 및 바닥 영역 부분 ( C ) 에 비하 여 보다 빠르 게 식각 될 수 있 다 .