또한 본 발명 의 다른 실시 예 에 따르 면 , CY 크랄스 키 법 에 의해 실리콘 단결정 을 성장 하 는 공정 에 있 어서 , 제 1 성장 조건 에서 실리콘 단결정 잉곳 의 성장 시뮬레이션 을 수행 하 고 , 상기 실리콘 단결정 잉곳 의 성장 시뮬레이션 단계 에서 종자 결정 유동 의 운동량 과 상기 도가니 의 실리콘 융액 유동 의 운동량 의 비 로 정의 되 는 MsMc 값 을 구하 고 , 상기 MsMc 값 에 대응 하 는 산소 농도 의 값 이 13 ppma 내지 14 ppma 값 이 면 상기 제 1 성장 조건 을 적정 조건 으로 선택 하 고 , 상기 MsMc 값 에 대응 하 는 산소 농도 의 값 이 13 ppma 내지 14 ppma 범위 를 벗어나 면 상기 제 1 성장 조건 의 공정 변수 를 변화 시켜 고품질 실리콘 단결정 잉곳 을 제조 할 수 있 다 .