본 발명 은 패턴 형성 방법 에 관한 것 이 다 . 보다 상세 하 게 는 본 발명 은 예 를 들 면 IC 등 의 반도체 제조 공정 , 액정 및 서멀 헤드 ( thermal head ) 등 의 회로 기판 의 제조 , 또한 그 밖 의 포토패브리케이션 리소그래피 공정 에 적용 가능 한 패턴 형성 방법 에 관한 것 이 다 . 특히 , 본 발명 은 파장 이 300 ㎚ 이하 인 원자외선 광 을 광원 으로 하 는 ArF 노광 장치 및 액 침식 투영 노광 장치 를 사용 한 리소그래피 에 바람직 한 패턴 형성 방법 에 관한 것 이 다 .