제 1 패턴 ( 104 ) 및 제 2 패턴 ( 106 ) 은 각기 기판 ( 100 ) 에 대해 식각 선택 비 를 갖 는 물질 을 이용 하 여 형성 할 수 있 다 . 예 를 들 면 , 제 1 패턴 ( 104 ) 및 제 2 패턴 ( 106 ) 은 각기 질화물 , 산화물 또는 탄화물 을 이용 하 여 형성 될 수 있 다 . 본 발명 의 실시 예 들 에 있 어서 , 제 1 패턴 ( 104 ) 및 제 2 패턴 ( 106 ) 은 전술 한 물질 중 적어도 하나 를 포함 하 는 단층 구조 또는 상술 한 물질 들 로 이루어진 다층 구조 를 가질 수 있 다 .