본 발명 은 IC 등 의 반도체 의 제조 단계 , 액정 , 써 멀 헤드 등 의 회로 기판 의 제조 , 및 그 밖 의 포토 어플리케이션 의 리소그래피 단계 에서 사용 되 는 포지티브 레지스 트 조성물 , 및 상기 조성물 을 사용 하 는 패턴 형성 방법 에 관한 것 이 다 . 특히 , 본 발명 은 노광 으로서 300 nm 이하 의 파장 을 갖 는 원자외선 광 을 사용 하 는 침지 형 투영 노광 장치 로 의 노광 에 바람직 한 포지티브 레지스 트 조성물 , 및 상기 조성물 을 사용 하 는 패턴 형성 방법 에 관한 것 이 다 .