상기 게이트 배선 ( GL ) 이 형성 된 베이스 기판 ( 11 ) 상 에 는 상기 게이트 절연 층 ( 120 ) 이 형성 된다 . 상기 게이트 절연 층 ( 120 ) 은 일례 로 , 질화 실리콘 ( SiNx ) 으로 이루어진다 . 상기 데이터 배선 ( DL ) 은 게이트 절연 층 ( 120 ) 상 에서 게이트 배선 ( GL ) 과 교차 되 도록 제 2 방향 ( Y ) 으로 길 게 연장 되 어 형성 되 고 , 제 1 방향 ( X ) 을 따라 복수 개 가 병렬 로 형성 된다 .