발광 장치 , 이 를 제조 하 기 위한 웨이퍼 , 및 이 의 제조 방법 이 개시 되 어 있 다 . 상기 장치 및 웨이퍼 는 제 1 전도성 타입 의 제 1 층 , 활성 층 , 제 2 전도성 타입 의 제 2 층 을 포함 한다 . 활성 층 은 제 1 층 위 에 놓여 있 다 . 제 2 층 은 활성 층 위 에 놓여 있 고 , 제 2 층 은 활성 층 에 인접 하 여 접촉 하 는 제 1 표면 및 제 2 표면 을 타격 하 는 광 을 산란 시키 는 피처 를 포함 하 는 표면 을 가지 는 제 2 표면 을 구비 한다 . 투명 한 전도성 물질 의 층 은 제 2 표면 에 인접 하 고 활성 층 에 의해 발생 된 광 에 투명 한 유전 물질 의 제 1 층 에 의해 덮여 있 다 . 90 퍼센트 보다 큰 반사 율 을 가지 는 미러 층 은 유전 물질 의 제 1 층 위 에 증착 된다 .