도 4 c 는 , 웨이퍼 ( 203 ) 의 자세 를 XY 평면 에 대하 여 기울이 고 , 복수 의 검출기 91 a 와 91 b 의 검출 영역 및 초점 심도 내 에 놓이 도록 마크 201 a 와 201 b 를 정렬 하 는 경우 의 , 웨이퍼 ( 203 ) 의 자세 와 그것 의 파형 212 a , 212 b 를 도시 한 도면 이 다 . 도 4 d 는 , 복수 의 검출기 91 b 와 91 c 의 검출 영역 및 초점 심도 내 에 놓이 도록 마크 201 b 와 마크 201 c 를 정렬 하 는 경우 의 , 웨이퍼 ( 203 ) 의 자세 와 그것 의 파형 222 b , 222 c 를 도시 한 도면 이 다 . 도 4 c 와 도 4 d 에 있 어서 의 웨이퍼 ( 203 ) 의 자세 를 각각 제 1 상태 와 제 2 상태 로 부르 면 , 제 1 상태 와 제 2 상태 사이 에서 웨이퍼 에 대한 조명 광 및 검 출광 의 적어도 한쪽 의 각도 가 변화 하 여 , 마크 로부터 의 반사광 의 강도 분포 가 변화 한다 . 이 에 따라 , 파형 212 b 와 222 b 는 다른 형상 을 갖 고 , 검출기 91 b 의 검출 영역 에 대한 마크 201 b 의 계측 값 214 b 와 224 b 는 다르 다 . 이때 , 지금 까지 는 검출기 91 b 에 대한 웨이퍼 ( 203 ) 의 제 1 상태 와 제 2 상태 사이 에서 의 계측 값 의 변화 에 대해 설명 했 지만 , 검출기 91 a 와 91 c 에 있 어서 도 마찬가지 로 , 웨이퍼 ( 203 ) 의 자세 변화 에 따라 계측 값 의 변화 가 생긴다 . 종래 기술 에 따르 면 , 어떤 1 개 의 검출기 에 의해 얻 어 지 는 어떤 1 개 의 마크 의 계측 값 에 는 , 웨이퍼 의 자세 변화 에 상관없이 같 은 계측 오프셋 값 이 부가 된다 . 즉 , 웨이퍼 의 자세 변화 에 기인 한 계측 값 의 시프트 가 고려 되 어 있 지 않 기 때문 에 , 계측 오프셋 값 에 오 차 가 생겨 , 노광 광과 웨이퍼 의 얼라인먼트 정밀도 가 저하 한다고 하 는 문제 를 일으킨다 .