도 4 는 본 개시 의 일 구 현예 에 따라 레지스 트 없 는 패 터닝 방법 을 나타낸다 . 패널 1 ) 은 기판 ( 430 ) 상 에 증착 된 복사선 개질 가능 층 ( 410 ) 을 나타낸다 . 나타낸 바 와 같이 , 선택 적 인 하부 층 ( 420 ) 이 기판 ( 430 ) 과 복사선 개질 가능 층 ( 410 ) 사이 에 제공 될 수 있 다 . 일부 구 현예 에서 , 복사선 개질 가능 층 ( 410 ) 은 하부 층 ( 420 ) 의 표면 으로 구성 될 수 있 다 . 다른 구 현예 에서 , 복사선 개질 가능 층 ( 410 ) 이 기판 상 에 직접 증착 될 수 있 고 , 따라서 하부 층 ( 420 ) 에 대한 필요 성 이 없 음 을 이해 해야 한다 . 패널 2 ) 는 복사선 개질 가능 층 ( 410 ) 이 극자외선 ( EUV ) 에 노광 될 수 있 는 방법 을 보여 주 고 , 이 에 따라 복수 의 복사선 개질 층 부분 ( 411 ) 및 복수 의 비 개질 층 부분 ( 412 ) 을 생성 할 수 있 다 . 이어서 , 희생 마스킹 층 은 , 패널 3 a ) 에 나타낸 바 와 같이 복사선 개질 층 부분 ( 411 ) 상 에 , 또는 패널 3 b ) 에 나타낸 바 와 같이 비 개질 층 부분 ( 412 ) 상 에 선택 적 으로 증착 될 수 있 다 . 후속 하 는 에칭 단계 는 패널 ( 4 a 및 4 b ) 에 나타낸 바 와 같이 , 오 목부 ( 450 ) 의 형성 을 초래 한다 . 특히 , 패널 4 a ) 은 , 희생 마스킹 층 ( 440 ) 이 복사선 개질 층 부분 ( 411 ) 상 에 증착 되 었 을 경우 , 오 목부 ( 450 ) 가 비 개질 층 부분 ( 412 ) 아래 에 에칭 되 는 방법 을 나타낸다 . 패널 4 b ) 는 , 희생 마스킹 층 ( 440 ) 이 비 개질 층 부분 ( 412 ) 상 에 증착 되 는 경우 , 오 목부 ( 450 ) 가 복사선 개질 층 부분 ( 411 ) 아래 에 에칭 되 는 방법 을 나타낸다 . 선택 적 으로 , 희생 마스킹 층 증착 단계 및 에칭 단계 는 하나 및 동일 한 반응 챔버 에서 수행 될 수 있 다 . 선택 적 으로 , 임의 의 희생 마스킹 층 제거 단계 가 동일 한 반응 챔버 에서 도 수행 될 수 있 다 .