반도체 처리 는 종종 , 반도체 웨이퍼 들 자체 , 또는 다른 처리 관련 물질 들 ( 예 를 들 어 , 포토레지스트 ) 과 의 상호 작용 을 위해 이온 화 되 고 / 거 나 에너지 적 으로 여기 된 종 들 을 생성 하 기 위해 플 라즈 마들 을 생성 한다 . 플 라즈 마 를 생성 하 고 / 거 나 유지 하 기 위해 , 하나 이상 의 무선 주파수 ( RF ) 및 / 또는 마이크로파 생 성기 들 이 전형 적 으로 , 진동 하 는 전기장 및 / 또는 자기장 을 생성 하 는 데 에 활용 된다 . 동일 한 필드 들 , 및 / 또는 DC 필드 들 이 또한 , 이온 화 되 고 / 거 나 에너지 적 으로 여기 된 종 들 을 처리 되 고 있 는 반도체 웨이퍼 ( 들 ) 로 지향 시키 는 데 에 활용 될 수 있 다 . 필드 들 은 , 플 라즈 마가 생성 되 는 챔버 내 에 다양 한 방식 들 로 생성 되 고 / 거 나 결합 될 수 있 다 . RF 생성기 로부터 의 전력 이 , RF 생성기 로 의 전력 의 상당 한 재 반사 없이 플 라즈 마 에 전달 되 도록 , 다양 한 알려진 방법 들 이 전원 ( RF 생성기 ) 의 임피던스 를 부하 ( 플 라즈 마 ) 에 정합 하 는 데 에 종종 활용 된다 . 이 는 에너지 효율 의 이유 들 뿐 만 아니 라 RF 생성기 의 전기 구성 요소 들 을 손상 으로부터 보호 하 기 위한 것 이 다 . 특히 , 마이크로파 에너지 가 활용 될 때 , 반사 된 전력 은 보통 , 열 로서 소산 되 는 의사 부하 로 지향 되 는데 , 이 는 반드시 제거 되 어야 한다 . 따라서 , 반사 된 전력 은 2 배 의 에너지 낭비 : 전력 을 생성 하 는 데 에 활용 되 는 에너지 , 및 폐열 을 제거 하 는 데 에 활용 되 는 에너지 를 초래 한다 .