또 , 도 8 내지 도 14 를 참조 하 여 설명 한 방법 에서 , 개구부 ( 70 ) 를 형성 한 후 에 제 3 도 전체 ( 80 ) 를 형성 하 기 전 에 개구부 ( 70 ) 의 측벽 에 절연 성 스 페이서 ( 77 ) 를 형성 할 수 있 다 . 이 같 은 실시 예 에 따르 면 도 7 에 도시 된 것 같 은 상변화 메모리 소자 가 형성 될 것 이 다 . 또는 제 3 도 전체 ( 80 ) 를 형성 한 후 에 절연 성 스 페이서 가 형성 될 수 도 있 다 .