여기 에서 , 도 3 , 도 4 에 나타내 는 바 와 같이 , 상기 경계 영역 중 , 표시 패널 ( 10 , 절연성 기판 ( 11 ) ) 의 열 방향 에 는 상기 트랜지스터 ( Tr 12 ) 가 연재 해서 형성 되 어 있 으며 , 뱅크 ( 17 ) 는 , 예 를 들 면 해당 트랜지스터 ( Tr 12 ) 를 대략 피복 하 고 , 각 화소 형성 영역 ( Rpx ) 의 화소 전극 ( 15 ) 간 에 형성 되 는 층간 절 연막 ( 16 ) 상 에 , 절연성 기판 ( 11 ) 표면 으로부터 높이 방향 으로 연속 적 으로 돌출 하 도록 형성 되 어 있 다 . 이 에 따라 , 뱅크 ( 17 ) 에 의해 둘러싸인 영역 , 즉 , 열 방향 ( 도 1 의 상하 방향 ) 에 배열 된 복수 의 표시 화소 ( PIX ) 의 화소 전극 ( 15 ) 을 포함 하 는 영역 이 후술 하 는 제조 방법 에 있 어서 , 유기 EL 층 ( 18 , 예 를 들 면 정공 수송 층 ( 18 a ) 및 전자 수송 성 발광 층 ( 18 b ) ) 을 형성 할 때 의 유기 화합물 재료 를 포함 하 는 용액 혹은 현탁액 의 용매 ( 유기 화합물 함 유액 ) 의 도포 영역 ( 즉 , EL 소자 형성 영역 ( Rel ) ) 으로서 규정 된다 .