인광 도판 트 를 포함 하 는 발광 층 은 저전압 , 고 효율 과 장수명 을 위하 여 발광 층 재료 의 정공 및 전자 전류 특성 이 우수 하 며 , 수명 향상 을 위해 재료 의 열 적 안정 성 이 뛰어난 것 이 유리 하 다 . 이 와 함께 발광 층 의 호스트 에서 도판 트 로 의 효율 적 인 에너지 전달 을 위해서 는 좁 은 에너지 밴드 갭 을 가지 는 발광 재료 를 사용 함 으로써 전하 트랩 을 최소 화 하 여 구동 전압 및 발광 효율 에 기여 할 수 있 다 . 본원 의 소자 에 포함 되 는 아 줄 렌 유도체 는 본래 S 2 → S 1 의 내부 전환 ( internal conversion ) 전이 상수 가 7 * 10 - 8 s 로 느린 반면 , S 1 → S 0 의 내부 전환 전이 상수 는 7 * 10 - 12 s 로 빨라 S 2 → S 0 의 형광 양자 수율 ( fluorescence quantumyield ) 이 증가 하 여 카샤 의 법칙 ( kasha ' s rule ) 을 위반 하 는 대표 적 인 재료 중 의 하나 이 다 . 비 특허 문헌 [ Phys . Chem . Chem . Phys . 2015 , 17 , 23573 , J . Phys . Chem . A , Vol . 103 , No . 15 , 1999 2529 ] 에 의하 면 아 줄 렌 의 S 2 와 S 1 준위 는 각각 3 . 565 eV 및 1 . 771 eV 인 반면 , T 1 - S 0 전이 는 1 . 711 eV 로 매우 작 은 T 1 과 S 0 의 준위 차이 를 보이 고 있 을 뿐 만 아니 라 , 치환 재료 및 용매 의 극성 조건 에 따라 S 2 → Tn 로 의 계간 교차 ( intersystem crossing ) 전이 가 향상 되 어 , 삼 중항 으로 의 전이 가 증가 하 여 인광 발광 특성 향상 에 이 점 이 있 을 수 있 다는 보고 가 있 었 다 . 이러 한 아 줄 렌 유도체 는 S 1 → T 1 에너지 갭 이 작 은 특성 을 보이 며 카바졸 이나 벤조 카바졸 류 화합물 대비 상대 적 으로 높 은 HOMO 특성 을 보여 좁 은 에너지 밴드 갭 을 가질 수 있 다 . 본 발명자 들 은 본원 의 융합 된 아 줄 렌 유도체 를 발광 층 에 포함 하 고 , 본원 의 아진 류 를 포함 하 는 헤테로 사이 클릭 유도체 를 전자 전달 대역 에 포함 함 으로써 , 빠른 구동 전압 , 높 은 효율 및 / 또는 장수명 의 특성 을 나타낼 수 있 음 을 발견 하 였 다 . 구체 적 으로 , 제 1 전극 ; 상기 제 1 전극 에 대향 하 는 제 2 전극 ; 상기 제 1 전극 과 상기 제 2 전극 사이 의 발광 층 ; 및 상기 발광 층 과 상기 제 2 전극 사이 의 전자 전달 대역 을 포함 하 고 , 상기 발광 층 은 하 기 화학식 1 로 표시 되 는 화합물 을 포함 하 고 , 상기 전자 전달 대역 은 하 기 화학식 11 로 표시 되 는 화합물 을 포함 하 는 유기 전계 발광 소자 가 상술 한 목적 을 달성 할 수 있 다 .