즉 , 이동도 가 낮 고 , on - off 비 가 낮 고 , 누설 전류 가 크 고 , 핀치 오프 ( pinch off ) 가 불 명료 , 노 멀리 온 ( normally on ) 으로 되 기 쉬운 등 , TFT 의 성능 이 낮 게 될 우려 가 있 었 다 . 또한 , 내약품성 이 뒤떨어지 기 때문 에 , 습식 에칭 이 어려운 등 제조 프로세스 나 사용 환경 의 제한 이 있 었 다 . 또한 , 성능 을 높이 기 위해서 는 높 은 압력 으로 성막 할 필요 가 있 어 성막 속도 가 느리 거나 , 700 ℃ 이상 의 고온 처리 가 필요 한 등 공업화 에 문제 도 있 었 다 . 또한 , 바텀 게이트 구성 에서 의 전해 이동도 등 의 TFT 성능 이 낮 아 , 성능 을 높이 기 위해서 는 탑 게이트 구성 으로 막 두께 를 50 nm 이상 으로 할 필요 가 있 는 등 TFT 소자 구성 상 의 제한 도 있 었 다 .