본 실시 예 는 이미지 센서 의 제조 방법 은 , 반도체 기판 상 의 포토다이오드 형성 예정 영역 에 살리 사이드 방지 층 을 형성 하 는 단계 ; 상기 반도체 기판 상 에 산화 막 및 폴리 실리콘 을 증착 하 고 패 터닝 하 여 게이트 전극 및 게이트 절 연막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 게이트 전극 의 측벽 에 스 페이서 를 형성 하 는 단계 ; 상기 게이트 전극 일 측 의 상기 반도체 기판 내 에 포토다이오드 를 형성 하 는 단계 ; 상기 게이트 전극 의 타 측 에 플로팅 확산 부 를 형성 하 는 단계 ; 상기 게이트 전극 의 상부 표면 및 플로팅 확산 부 상부 표면 에 살리 사이드 층 을 형성 하 는 단계 를 포함 한다 .