가공 은 도 6 a - 6 d 와 관련 하 여 상기 기재 되 는 바 와 같이 후 측 가공 이 시작 된 후 도 2 m - 2 r 과 관련 하 여 상기 기재 되 는 바 와 같이 계속 된다 . 더욱 구체 적 으로 , 웨이퍼 는 도시 되 지 않 는 일시 적 인 캐리어 상 에 아래 를 향해 장착 되 고 , 웨이퍼 는 여기 서 예 를 들 어 50 또는 100 미크론 으로 박 형 화 된다 . 이러 한 구조 체의 노출 된 하부 면은 소스 전극 구조 체 하 에서 기판 ( 32 ) 의 하부 의 일부 를 노출 시키 기 위해 마스킹 된다 . 다음 으로 , 비아 ( 90 ) 는 기판 층 ( 32 ) 을 통해 , Ti 또는 Ta 의 하부 층 ( 42 a ) 을 통해 비아 ( 90 ) 를 에칭 하 기 위해 건식 불소 계 에칭 , 여기 서 는 예 를 들 어 SF 6 을 이용 하 여 에칭 된 후 , 불 소계 에칭 부산물 이 비휘발성 인 알루미늄 계층 ( 42 b ) 의 내측 부분 에서 저지 된다 . 따라서 , 여기 서 는 추가 적 인 ( 절연 된 ) 에칭 저지 층 ( 42 ES ) 이 존재 하 지 않 고 ; 대신 층 ( 42 b ) 이 도 8 g 에 도시 되 는 바 와 같이 에칭 저지 층 으로서 기능 을 한다 .