다음 으로 , 금속 시트 ( 110 ) 를 양극 산화 ( anodizing ) 하 는 단계 이 다 . 즉 , 상기 금속 시트 ( 110 ) 를 양극 산화 하 여 일 방향 으로 연장 되 며 폐곡선 을 이루 는 복수 의 방 전부 와 상기 방 전부 를 전기 적 으로 연결 하 는 연결부 를 포함 하 는 방전 전극 ( 115 ) 과 , 상기 방 전부 의 폐곡선 내부 를 통과 하 는 방전 홀 을 구비 하 면서 상기 방전 전극 ( 115 ) 을 매립 하 고 상기 방전 전극 ( 115 ) 의 재료 가 상기 방전 홀 ( 112 ) 내부 의 폭 이 외부 의 폭 보다 더 넓 게 형성 되 도록 양극 산화 되 어 이루어진 유전체 층 ( 113 ) 을 포함 하 는 복수 의 내부 라인 ( 111 ) , 및 상기 내부 라인 ( 111 ) 의 단부 들 이 연결 되 어 상기 전극 시트 의 테두리 를 형성 하 는 테두리 라인 ( 119 ) 을 포함 하 는 전극 시트 ( 111 ) 를 형성 하 는 단계 이 다 . 이때 , 상기 방전 홀 ( 112 ) 내부 의 폭 보다 외부 의 폭 이 더 넓 도록 양극 산화 시키 기 위해 방전 홀 의 내부 에 DFR ( Dry Film Resistor ) 등 의 보호 필름 을 일정 시간 부착 하 였 다 떼 내 어 , 보호 필름 이 부착 되 지 않 은 외부 의 양극 산화 된 폭 을 더 넓 게 형성 할 수 있 다 .