도 3 c 및 도 3 d 에 도시 된 바 와 같이 , 에피 탁 셜 층 ( 26 ) 상 에 금속 실리사이드 층 ( 27 ) 과 반도체 층 ( 28 ) 의 적층 으로 이루어진 콘 택 층 을 형성 한다 . 이때 , 콘 택 층 은 금속 실리사이드 층 ( 27 ) 과 반도체 층 ( 28 ) 의 적층 외 에 금속 실리사이드 층 와 금속 층 의 적층 도 가능 하 다 . 한편 , 콘 택 층 형성 전 에 는 에피 탁 셜 층 ( 26 ) 의 표면 을 습식 또는 건식 세정 으로 전처리 한다 .