본 발명 은 상기 네 번 째 과제 를 이루 기 위하 여 , 기판 상 에 형성 된 둘 이상 의 하부 전극 ; 상기 하부 전극 의 표면 에 형성 되 고 2 종 이상 의 금속 원소 또는 준금속 원소 를 함유 하 는 유전 막 ; 및 상기 유전 막 상 에 형성 되 고 상기 둘 이상 의 하부 전극 과 전기 적 으로 절연 되 는 상부 전극 을 포함 하 고 , 상기 하부 전극 의 종횡비 가 약 30 내지 약 200 이 고 , 상기 유전 막 의 가장 두꺼운 두께 에 대한 가장 얇 은 두께 의 비 가 0 . 93 이상 인 것 을 특징 으로 하 는 반도체 소자 를 제공 한다 .