여기 서 , 상기 제 1 유리 기판 ( TFT 어레이 기판 ) 에 는 , 일정 간격 을 갖 고 일 방향 으로 배열 되 는 복수 개 의 게이트 라인 과 , 상기 각 게이트 라인 과 수직 한 방향 으로 일정 한 간격 으로 배열 되 는 복수 개 의 데이터 라인 과 , 상기 각 게이트 라인 과 데이터 라인 이 교차 되 어 정의 된 각 화소 영역 에 매트릭스 형태 로 형성 되 는 복수 개 의 화소 전극 과 , 상기 게이트 라인 의 신호 에 의해 스위칭 되 어 상기 데이터 라인 의 신호 를 상기 각 화소 전극 에 전달 하 는 복수 개 의 박막 트랜지스터 가 형성 된다 .