또한 , 의도 적 으로 기판 을 가열 한 성막 및 / 또는 성막 후 에 열 처리 를 함 으로써 , 게이트 바이어스 ㆍ스트레스에 대한 안정 성 을 높일 수 있 다 . 예 를 들 어 , 2 MV / ㎝, 150 ℃, 1 시간 인가 의 조건 에 있 어서 , 드리프트 가 각각 ± 1 . 5 V 미만 , 바람직 하 게 는 1 . 0 V 미만 을 얻 을 수 있 다 .