메모리 셀 트랜지스터 ( MT ) 의 임계 분포 는 다중 - 레벨 데이터 저장 시스템 이 적용 되 는 경우 에 미세 제어 되 는 것 이 요구 된다 . 임계 분포 는 메모리 셀 트랜지스터 ( MT ) 의 열화 에 영향 이 미친다 . 따라서 , 반도체 기억 장치 에서 의 비휘발성 반도체 메모리 가 다중 - 레벨 데이터 저장 시스템 을 채택 하 는 경우 , 기입 효율 의 향상 과 소거 횟수 의 감소 는 본질 적 으로 효과 적 이 다 .