또한 , 마스크 설계 시 에 가장 자리 부를 삼각형 형태 로 변경 시킴 과 동시 에 상하 로 배치 되 는 마스크 패턴 의 가장자리 부 의 일부 를 기준선 을 중심 으로 오버랩 되게 설계 하 므로써 가장 자리 부 의 상하 간 간섭 에 의해 인위 적 으로 회절 현상 에 의한 완전 녹 은 영역 ( near complete melting region ) 을 생성 시키 므로써 기판 에 형성 된 실리콘 박막 의 결정화 를 위해 진행 하 는 기판 의 스테이지 이동 에 의한 레이저 빔 오버랩 시 에 불 균일 도 를 제거 할 수 있 다 .