도 2 a , 2 b 및 2 c 에 각각 보인 바 와 같이 증착 직후 의 전극 들 은 리튬 코발트 산화물 , 백금 , 확산 방지 막 , 니켈 금속 기판 등 의 계면 이 명확히 관찰 됨 을 알 수 있 지만 , 이 를 650 ℃ 에서 열처리 하 여 리튬 코발트 산화물 을 결정 화 시킬 경우 도 3 a , 3 b 및 3 c 와 같이 계면 이 크 게 변함 을 알 수 있 다 . 이 중 에서 도 특히 Ti / TiO 2 확산 방지 막 의 경 우 에 는 금속 기판 물질 인 Ni 이 Ti / TiO 2 층 과 Pt 층 을 확산 하 여 리튬 코발트 산화물 내부 로 침투 해 있 음 을 알 수 있 다 . Cr / CrN 확산 방지 막 의 경우 에 는 금속 기판 인 Ni 의 확산 은 방지 할 수 있 었 으나 Cr 이 양극 활물질 내 로 확산 되 어 혼합 상 을 형성 하 고 있 음 을 알 수 있 다 . 그러나 , 본 발명 의 바람직 한 일실 시예 인 ITO 확산 방지 막 의 경우 에 는 비교적 각 물질 간 의 계면 이 뚜렷이 형성 되 어 있 어서 확산 이 크 게 일어나 지 않 았 음 을 간접 적 으로 증명 해 주 고 있 다 . 단지 ITO 를 이루 고 있 는 재료 중 In 층 이 Pt 층 을 넘 어 계면 에서 일부 확산 했으나 , 다른 확산 방지 층 에 비해서 는 우수 한 확산 방지 막 특성 을 보여 주 고 있 다 .