그리고 , 낮 은 전압 에서 동작 할 수 있 는 2 . 0 um 또는 그 보다 작 은 픽셀 을 제조 할 수 있 다 . 성층 형 도핑 배열 이 실리콘 벌크 안 에 완전히 포함 되 고 , 포토다이오드 의 새로운 영역 이 경계 면 상태 에 노출 되 지 않 기 때문 에 , 핀 드 포토다이오드 픽셀 개념 의 본래 의 낮 은 암 전류 성능 이 이 배열 에서 도 유지 된다 . 또한 , 종래 구조 에 비해 새로운 구조 에서 높 은 전계 를 더욱 최적 화 할 수 있 고 , 이 에 따라 암 전류 를 보다 낮출 수 있 으며 , 양호 한 픽셀 간 균질 성 및 양호 한 처리 제어 를 달성 할 수 있 다 .