종래 의 기술 에 비해 , 본 발명 의 실시 예의 기술 적 해결 수단 은 하 기 와 같 은 장점 을 갖 는다 . 본 발명 의 실시 예 는 지지 베이스 에 압 전 변환기 를 형성 한 이후 , 캐비 티 를 갖 는 영구 결합 층 을 이용 하 여 상기 지지 베이스 와 기판 을 결합 하 고 , 상기 영구 결합 층 은 상기 캐 비 티 를 커버 하 는 압 전 변환기 와 기판 사이 에 위치 하 며 ; 증착 및 패 터닝 의 방식 을 사용 하 여 기판 에 캐 비 티 를 갖 는 절연 층 을 형성 하 고 , 또한 상기 절연 층 에 압 전 변환기 를 형성 하 는 수단 에 비해 , 본 발명 의 실시 예 는 영구 결합 층 으로 절연 층 을 대체 하 여 , 지지 베이스 에 압 전 변환기 를 형성 하 므로 , 지문 인식 모듈 의 제조 과정 에서 , 상기 캐 비 티 를 풀 충전 하 는 희생 층 을 형성 할 필요 가 없 고 , 대응 되 게 후 속 에 희생 층 해제 동작 을 수행 할 필요 가 없 어 , 희생 층 이 깨끗 하 게 제거 되 지 않 음 으로 인해 캐 비 티 에 희생 층 잔여 물질 이 형성 되 는 문제 를 방지 하 며 , 또한 상기 압 전 변환기 는 상기 캐 비 티 를 커버 하 여 , 캐비 티 가 폐쇄 형태 로 이루어지 도록 함 으로써 , 음향학 성능 에 대한 상기 캐비 티 의 개선 효과 를 향상 시키 는 데 유리 하 며 ; 종합 하 면 , 지문 인식 의 정밀도 를 향상 시킨다 .