본 개시 내용 의 실시 예 들 의 추가 양태 에 따르 면 , 음향 감지 디바이스 ( 60 ) 는 , 하우징 ( 61 ) ; 음파 들 을 음향 감지 디바이스 ( 60 ) 의 내부 로 전달 하 기 위한 사운드 포트 입구 ( 54 ) 를 갖 는 사운드 포트 ( 52 ) ; 및 본 명세서 에 개시 된 바 와 같 은 MEMS 트랜스 듀 서 를 포함 한다 . 예 에서 , 음향 감지 디바이스 는 내부 에서 하우징 ( 61 ) 에 결합 된 기판 ; 기판 상 에 위치 된 집 적 회로 ; 및 트윈 구성 으로 결합 된 차동 MEMS 센서 디바이스 들 ( 10 , 20 ) 의 2 개 이상 의 쌍 들 을 더 포함 할 수 있 다 . 차동 MEMS 센서 디바이스 들 ( 10 , 20 ) 의 2 개 이상 의 쌍 들 은 역 평행 방식 으로 기판 상 에 결합 되 고 , 음파 들 을 수신 하 도록 설계 되 며 , 차동 MEMS 센서 디바이스 들 ( 10 , 20 ) 의 하나 이상 의 쌍 은 본 명세서 에 설명 된 바 와 같이 MEMS 트랜스 듀 서 ( 30 ) 에 따라 설계 된다 . 도 4 는 , 예 를 들 어 , 마이크로폰 ( 60 ) 에 의해 구현 될 수 있 는 그러 한 음향 감지 디바이스 ( 60 ) 의 회로도 를 도시 한다 . 음향 감지 디바이스 ( 60 ) 는 트윈 MEMS 트랜스 듀 서 ( 30 ) 의 역 평행 구성 을 갖 는 이중 멤 브레인 또는 이 중 백 플레이트 셋 업 을 이용 하 여 생성 될 수 있 다 . 도 4 의 예시 에 따르 면 , 음향 감지 디바이스 ( 60 ) 또는 마이크로폰 ( 60 ) 에 는 도 2 및 도 3 에 도시 된 바 와 같 은 PGA ( 40 ) 대신 에 ASIC ( 40 ) 이 제공 된다 . ASIC 은 마이크로폰 ( 60 ) 을 동작 하 기 위해 요구 되 는 바 와 같이 구성 될 수 있 고 , 상세히 논의 되 지 않 을 것 이 다 .