이제 본 실시 예 에 따른 FBC 메모리 의 제조 방법 이 설명 된다 . 도 2 a 내지 도 7 b 는 본 실시 예 에 따른 제조 방법 을 나타내 는 상면 도 및 단면도 이 다 . 도 2 a , 3 a , 4 a , 5 a , 6 a , 및 7 a 는 상면 도 이 고 , 도 2 b , 3 b , 4 b , 5 b , 6 b , 및 7 b 는 단면도 이 다 . 우선 , 벌크 기판 ( 10 ) 이 준비 된다 . 도 2 a 및 도 2 b 에 도시 된 바 와 같이 , 실리콘 게르마늄 층 ( 25 ) 이 벌크 기판 ( 10 ) 의 표면 상 에 에피 택 셜 형 으로 성장 된다 . 그 다음 , 실리콘 층 ( 31 ) 이 제 1 실리콘 단결정 층 으로서 실리콘 게르마늄 층 ( 25 ) 상 에 에피 택 셜 형 으로 성장 된다 . 실리콘 게르마늄 층 ( 25 ) 은 벌크 기판 ( 10 ) 의 실리콘 의 결정 배향 에 따라 단결정 상태 로 성장 된다 . 실리콘 층 ( 31 ) 은 실리콘 게르마늄 층 ( 25 ) 의 결정 배향 에 따라 단결정 상태 로 성장 된다 .