나아가 , 칩 안테나 ( 100 ) 의 세라믹 기판 들 을 소정 의 거리 이격 하 거나 , 세라믹 기판 들 사이 에 세라믹 기판 들 보다 유전 율 이 낮 은 물질 을 배치 하 여 , 칩 안테나 ( 100 ) 의 전체 유전율 을 낮출 수 있 다 . 이 로써 , 칩 안테나 모듈 ( 1 ) 을 소형 화 하 면서 도 , RF 신호 의 파장 을 증가 시켜 , 방사 효율 및 이득 을 향상 시킬 수 있 다 . 여기 서 , 칩 안테나 ( 100 ) 의 전체 유전율 이란 , 칩 안테나 ( 100 ) 의 세라믹 기판 들 및 세라믹 기판 들 사이 의 갭 에 의해 형성 되 는 유전 율 또는 칩 안테나 ( 100 ) 의 세라믹 기판 들 및 세라믹 기판 들 사이 에 배치 되 는 물질 에 의해 형성 되 는 유전 율 로 이해 될 수 있 다 . 따라서 , 칩 안테나 ( 100 ) 의 세라믹 기판 들 이 소정 의 거리 이격 되 거나 , 세라믹 기판 들 사이 에 세라믹 기판 들 보다 유전 율 이 낮 은 물질 이 배치 되 는 경우 , 칩 안테나 ( 100 ) 의 전체 유전율 은 세라믹 기판 들 의 유전 율 보다 낮 을 수 있 다 .