이 와 같 은 이동도 를 갖 는 산화물 반도체 를 이용 하 여 미세 한 트랜지스터 를 제작 한 경우 의 특성 을 계산 한 결과 를 도 31 내지 도 33 에 나타낸다 . 또한 , 계산 에 이용 한 트랜지스터 의 단면 구조 를 도 34 에 나타낸다 . 도 34 에 도시 한 트랜지스터 는 산화물 반도체 층 에 n + 의 도전 형 을 나타내 는 반도체 영역 ( 1103 a ) 및 반도체 영역 ( 1103 c ) 을 갖 는다 . 반도체 영역 ( 1103 a ) 및 반도체 영역 ( 1103 c ) 의 저항률 은 2 × 10 - 3 Ω ㎝ 로 한다 .