따라서 , 본 발명 은 상기 의 문제점 을 해결 하 기 위하 여 유기 금속 만 을 이용 하 여 버퍼 층 을 제작 함 으로써 기판 과 , GaN 막간 의 격자 결함 을 감소 시키 고 , 버퍼 층 상 에 형성 되 는 GaN 계 단 결정 층 의 결정 결함 을 감소 시키 고 결정 성 을 향상 시킬 수 있 으며 , 이 를 반사 방지 층 으로 사용 하 여 발광 소자 의 빛 의 밝기 를 향상 시킬 수 있 으며 , 신뢰 성 을 향상 시킬 수 있 는 고품질 의 질화 갈륨 계 화합물 반도체 를 제공 함 을 그 목적 으로 한다 .