마이크 로 전자 디바이스 제조 분야 에서 , 다공성 저 유전 ( low - k ) , 층간 절 연막 ( interlayer dielectrics ( ILD ) ) 을 디바이스 에 집 적 ( integration ) 하 는 것 은 재료 또는 가공 잔류물 이 염기 성 아민 을 방출 하 는 상황 을 초래 한다 . 이러 한 아민 은 포토레지스트 의 광 발생 된 산 ( photogenerated acid ) 을 중화 시키 고 , 이 는 포토 리소그래피 이미 징 ( photolithographic imaging ) 후 에 , 현상 되 지 않 은 영역 또는 현상 부족 한 영역 을 남긴다 . 이러 한 낮 은 충실 도 ( fidelity ) 의 이미지 는 디바이스 성능 또는 안정 성 을 저하 시키 고 , 일부 경우 에 는 디바이스 를 쓸 수 없 게 만들 것 이 므로 디바이스 의 생 성 에 매우 유해 하 다 . 제어 되 지 않 은 채 로 는 , ILD 집적 이 가능 하 더라도 어렵 게 된다 . 아민 이 레지스 트 에 들어가 는 것 을 방지 하 는 것 은 가장 발전 한 집적회로 의 경제 적 생산 에 주요 하 다 .