본 발명 의 실시 예 에 따라 형성 된 발광 다이오드 는 제 2 기판 ( 170 , 270 ) 상 의 합금 층 ( 150 , 250 ) 및 발광 구 조체 ( 120 , 220 ) 를 포함 한다 . 상기 합금 층 ( 150 , 250 ) 은 인듐 ( In ) 및 금 ( Au ) 을 포함 할 수 있 다 . 상기 합금 층 ( 150 , 250 ) 은 접합 력 이 우수 하 여 , 발광 다이오드 는 외부 충격 에 의하 여 손상 되 지 않 을 수 있 다 .