본 발명 은 , 상기 종래 의 사정 을 감안 하 여 이루어진 것 이 고 , 그 과제 는 , 폴리 이미드 수지 전구체 ( 폴리아 믹 산 ) 를 이용 하 면서 , 1 회 의 도포 ( 스핀 코트 ) 로 두꺼운 막 형성 ( ~ 200 ㎛) 이 가능 하 고 , 또한 , 저온 작업 성 ( ~ 200 ㎛) 을 가지 고 , 저 휨 성 , 내열성 , 절연성 , 저 흡수성 이 뛰어난 경화 막 을 얻 을 수 있 는 , 반도체 기판 의 보호 코트 제 에 이용 하 여 적합 한 폴리아 믹 산 수지 조성물 을 제공 하 는 것 에 있 다 .