전자 를 주입 하 는 층 으로서 는 , 산화 리튬 , 불화 리튬 , 탄산 세슘 등 의 절연체 나 반도체 를 사용 할 수 있 다 . 또는 , 전자 수송 성 이 높 은 물질 에 , 도너 성 물질 이 첨가 된 구성 이 어도 된다 . 도너 성 물질 로서 는 , 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 또는 희토류 금속 또는 원소 주기율표 에 있 어서 의 13 족 에 속하 는 금속 및 그 산화물 , 탄산염 을 사용 할 수 있 다 . 구체 적 으로 는 , 리튬 ( Ｌｉ ) , 세슘 ( Ｃｓ ) , 마그네슘 ( Ｍｇ ) , 칼슘 ( Ｃａ ) , 이테르븀 ( Ｙｂ ) , 인듐 ( Ｉｎ ) , 산화 리튬 , 탄산 세슘 등 을 사용 하 는 것 이 바람직 하 다 . 또한 테트라 티아나 프타 센 과 같 은 유기 화합물 을 도너 성 물질 로서 사용 해도 된다 . 전자 수송 성 이 높 은 물질 로서 는 , 실시 예 2 에 나타낸 재료 를 사용 할 수 있 다 . 이 때 , 전자 수송 성 이 높 은 물질 로서 는 , 전자 이동도 가 10 - 6 cm 2 / Vs 이상 인 것 을 적용 하 는 것 이 바람직 하 다 . 단 , 정공 보다 전자 의 수송 성 이 높 은 물질 이 면 , 이것 들 이외 의 것 을 사용 해도 된다 . 전자 수송 성 이 높 은 물질 과 도너 성 물질 을 갖 는 복합 재료 는 , 캐리어 주입 성 , 캐리어 수송 성 이 뛰어나 기 때문 에 , 저전압 구동 , 저전류 구동 을 실현 할 수 있 다 .