이어서 , 웨이퍼 적 재 대 ( 10 ) 의 제조 예 에 대해서 , 도 3 의 제조 공정도 에 기초 하 여 이하 에 설명 한다 . 먼저 , 세라믹 원료 ( 과립 또는 분말 ) 를 원판 으로 되 도록 프레스 성형 한 세라믹 성 형체 인 베이스 ( 112 ) 의 상면 에 메 쉬 전극 ( 14 ) 을 배치 하 고 , 메 쉬 전극 ( 14 ) 중 소정 영역 ( 14 p ) 에 있 는 메 쉬 개구부 ( 14 a ) 에 도전 성 분말 ( P ) 을 넣 는다 ( 도 3 ( a ) 참조 ) . 소정 영역 ( 14 p ) 은 접속 부재 ( 16 ) 가 배치 되 는 영역 이 다 . 또한 , 베이스 ( 112 ) 의 하 면은 가공 후 에 웨이퍼 적 재 대 ( 10 ) 의 톱 면 으로 되 고 , 최종 적 으로 웨이퍼 적 재면 ( 12 a ) 측 으로 된다 . 이어서 , 메 쉬 전극 ( 14 ) 의 소정 영역 ( 14 p ) 상 에 원주형 접속 부재 ( 16 ) 를 배치 한다 ( 도 3 ( b ) 참조 ) . 이 에 의해 , 접속 부재 ( 16 ) 는 메 쉬 전극 ( 14 ) 및 도전 성 분말 ( P ) 과 접촉 된 상태 로 된다 . 이어서 , 베이스 ( 112 ) 상 에 메 쉬 전극 ( 14 ) 및 접속 부재 ( 16 ) 를 덮 도록 세라믹 원료 ( 과립 또는 분말 ) 를 적층 해 프레스 성형 하 여 적층 체 ( 114 ) 로 한다 ( 도 3 ( c ) 참조 ) . 적층 체 ( 114 ) 는 베이스 ( 112 ) 와 그 위 에 적층 된 세라믹 성 형체 ( 113 ) 을 포함 한다 . 이어서 , 적층 체 ( 114 ) 를 핫 프레스 소성 하 여 베이스 ( 112 ) 및 세라믹 성 형체 ( 113 ) 를 일체 화 하 여 세라믹 부재 ( 12 ) 로 한다 ( 도 3 ( d ) 참조 ) . 이 에 의해 , 소정 영역 ( 14 p ) 에 있 는 메 쉬 개구부 ( 14 a ) 에 넣 어 진 도전 성 분말 ( P ) 은 세라믹 원료 와 혼합 된 상태 로 소결 되 어 소결 도전체 ( 15 ) 로 된다 . 이어서 , 세라믹 부재 ( 12 ) 중 웨이퍼 적 재면 ( 12 a ) 과 는 반대 측 의 면 ( 12 b ) 으로부터 접속 부재 ( 16 ) 에 달하 도록 구멍 ( 12 c ) 을 뚫 고 , 구멍 ( 12 c ) 에 외부 통전 부재 ( 18 ) 의 구성 부품 을 삽입 하 고 , 접속 부재 ( 16 ) 의 노출면 ( 16 a ) 에 외부 통전 부재 ( 18 ) 를 접합 하 여 , 웨이퍼 적 재 대 ( 10 ) 를 얻 는다 ( 도 3 ( e ) 참조 ) . 구멍 ( 12 c ) 을 뚫 을 때 , 구멍 ( 12 c ) 의 저면 과 접속 부재 ( 16 ) 의 노출면 ( 16 a ) 이 동일면 으로 되 도록 가공 한다 . 접속 부재 ( 16 ) 의 노출면 ( 16 a ) 에 외부 통전 부재 ( 18 ) 의 구성 부품 을 접합 할 때 , 구멍 ( 12 c ) 의 저면 에 접합 층 ( 20 ) 으로 되 는 납땜 재 를 깔 고 , 그 위 에 외부 통전 부재 ( 18 ) 의 제 1 부 ( 18 a ) , 중간 접합부 ( 18 c ) 로 되 는 납땜 재 및 외부 통전 부재 ( 18 ) 의 제 2 부 ( 18 b ) 를 이 순 으로 쌓 아 올림 과 함께 , 그 주위 에 가이드 부재 ( 22 ) 를 배치 한 뒤 , 비 산화 성 조건 하 에서 가열 하 여 납땜 재 를 용융 하 고 그 후 고화 시킴 으로써 , 도 1 에 도시 되 는 웨이퍼 적 재 대 ( 10 ) 를 얻 는다 . 비산 화성 조건 이란 , 진공 하 또는 비산 화성 분위기 ( 예 를 들 어 아르곤 분위기 나 질소 분위기 등 의 불활성 분위기 ) 하 를 말 한다 . 이상 의 제법 에 의하 면 , 웨이퍼 적 재 대 ( 10 ) 를 비교 적 용이 하 게 제조 할 수 있 다 .