본 발명 은 원자 현미경 ( Atomic Force Microscopy , AFM ) 을 이용 하 여 CVD 기법 으로 합성 한 MoS 2 가 층수 조절 되 는 것 을 확인 할 수 있 다 . 본 발명 의 일 실시 예 로 가스 센서 ( 10 ) 제작 에 있 어 전도 층 ( 200 ) 의 층수 는 단분자층 ( Monolayer ) 에서부터 4 층 ( Four Layer ) 까지 합성 하 였 다 .