여기 서 , 상기 제 1 및 제 2 지지 절연 층 과 , 상기 제 1 및 제 2 돌출부 를 형성 하 는 단계 는 , 기판 상 에 제 1 산화물 층 , 제 1 질화물 층 및 제 2 산화물 층 을 차례 로 형성 하 는 단계 ; 상기 제 2 산화물 층 상 에 마스크 층 을 형성 하 는 단계 ; 상기 마스크 층 양측 의 상기 제 2 산화물 층 , 상기 제 1 질화물 층 , 상기 제 1 산화물 층 및 일부 두께 의 상기 기판 을 식각 하 는 단계 ; 상기 마스크 층 을 제거 하 는 단계 ; 상기 기판 및 상기 제 2 산화물 층 상 에 상기 식각 에 의해 노출 된 면 을 덮 는 제 3 산화물 층 을 형성 하 는 단계 ; 상기 제 3 산화물 층 및 상기 제 2 산화물 층 을 상기 제 1 질화물 층 이 노출 될 때 까지 식각 하 는 단계 ; 상기 제 1 질화물 층 및 상기 제 1 산화물 층 을 제거 하 여 기판 을 노출 시키 는 트렌치 를 형성 하 는 단계 ; 상기 트렌치 의 내벽 에 제 2 질화물 층 을 형성 하 는 단계 ; 상기 제 2 질화물 층 을 식각 마스크 로 이용 해서 상기 기판 을 식각 하 는 단계 ; 및 상기 제 2 질화물 층 을 제거 하 는 단계 ; 를 포함 할 수 있 다 .