또한 상술 한 전계 효과 는 , P 형 반도체 층 ( 120 ) 의 정공 ( positive hole ) 에 영향 을 미칠 수 있 다 . 예 를 들 면 , 상술 한 전계 효과 는 P 형 반도체 층 ( 120 ) 에 정공 을 더 많이 유도 할 수 있 다 . 따라서 , 유전체 층 ( 160 ) 및 제 3 전극 ( 103 ) 이 없 는 구조 보다 , 본 발명 의 일 실시 예 와 같이 유전체 층 ( 160 ) 및 제 3 전극 ( 103 ) 을 포함 하 는 열전 발전소 자 ( 100 ) 가 더 큰 전류 ( I ) 를 발생 시킬 수 있 다 .