패키지 컴포넌트 ( 24 ) 는 또한 고 대역폭 메모리 ( HBM : High - Bandwidth Memory ) 스택 ( 108 ) 을 포함 할 수 있 으며 , 각각 의 HBM 스택 ( 108 ) 은 , 함께 적층 되 어 메모리 스택 을 형성 하 는 복수 의 메모리 다이 ( 110 ) 를 포함 한다 . 메모리 다이 ( 110 ) 는 DRAM 다이 , SRAM 다이 또는 그 밖 의 유형 의 메모리 다이 일 수 있 다 . SoC 다이 ( 100 ) 내 의 장치 다이 는 상세 하 게 도시 되 지 않 았 다 . HBM 스택 ( 108 ) 은 표면 에 금속 범프 ( 112 ) 를 포함 할 수 있 고 , 금속 범프 ( 112 ) 는 봉 지재 ( 122 ) 또는 HBM 스택 ( 108 ) 의 표면 유전체 층 ( 114 ) 에 임 베 딩 될 수 있 다 . 본 개시 의 일부 실시 예 에 따르 면 , 표면 유전체 층 ( 114 ) 은 PBO , 폴리 이미드 , BCB 등 과 같 은 폴리머 로 형성 된다 . 금속 범프 ( 112 ) 는 또한 구리 , 니켈 , 팔라듐 , 금 , 이 의 복합 층 및 / 또는 이 의 합금 으로 형성 될 수 있 다 .