보다 구체 적 으로 , 도 1 을 참조 하 면 , 종래 기술 에 따른 MCVD 공정 은 석영 튜브 ( 1 ) 를 선반 의 주축대 ( 미 도시 ) 에 거치 시킨 후 일정 한 속도 로 회전 시킨다 . 그리고 , 회전 하 는 석영 튜브 ( 1 ) 내부 에 SiCl 4 , GeCl 4 등 할 라이드 ( halide ) 계열 의 수트 형성 가스 를 산소 가스 와 함께 유입 시킨다 . 동시 에 산소 / 수소 토치 ( 2 ) 등 을 이용 하 여 석영 튜브 ( 1 ) 를 1600 도 이상 의 온도 로 가열 하 면서 석영 튜브 ( 1 ) 의 축 방향 을 따라 왕복 운동 시켜 준다 . 그러면 토치 ( 2 ) 가 한 번 왕복 할 때 마다 반응 온도 에 도달 한 튜브 ( 1 ) 내 영역 에서 는 하 기 반응식 과 같 은 열 산화 반응 이 유발 되 어 유리 미분체 ( 3 a ) ( fine glass particle , 이하 수트 ( soot ) 라고 한다 ) 가 생성 된다 .