산화 막 ( 512 ) 은 , 예 를 들 어 산화 실리콘 막 , 산질 화 실리콘 막 등 을 단층 으로 , 또는 적층 시켜 형성 할 수 있 다 . 상기 산화 막 ( 512 ) 의 제작 방법 으로서 는 , 열 산화 법 , CVD 법 , 스퍼터링 법 등 이 있 다 . 또한 , CVD 법 을 이용 하 여 산화 막 ( 512 ) 을 형성 하 는 경우 , 양호 한 접합 을 실현 하 기 위해서 는 , 테트라 에 톡 시 실란 ( 약칭 ; TEOS : 화학식 Si ( OC 2 H 5 ) 4 ) 등 의 유기 실란 을 이용 하 여 산화 실리콘 막 을 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 .