그 후 n 측 전극 ( 50 ) ( 전극 형성 예정 영역 ) 을 마스크 하 고 습식 식각 에 의해 반도체 적층 체 ( 40 ) 의 비 마스크 부를 식각 한다 . 여기 에서 차 양부 ( 50 a ) 가 형성 되 지 않 은 영역 쪽 에 는 이미 볼록 부가 형성 된다 . 이 때 차 양부 ( 50 a ) 에서 는 서서히 얇 은 전극 이 제거 되 어 반도체 적층 체 ( 40 ) 의 상면 이 노출 되 고 나 서 볼록 부 가 뒤이 어 형성 된다 . 이 로써 높이 가 다른 2 종류 의 볼록 부 ( 제 1 볼록 부 , 제 2 볼록 부 ) 를 형성 할 수 있 다 . 즉 , 차 양부 ( 50 a ) 가 형성 되 지 않 은 영역 은 제 1 볼록 영역 ( 80 ) 이 되 고 , 차 양부 ( 50 a ) 는 제 2 볼록 영역 ( 90 ) 이 된다 . 그 결과 , 제 1 볼록 영역 ( 80 ) 및 제 2 볼록 영역 ( 90 ) 을 형성 하 기 위해 2 번 의 식각 을 할 필요 가 없 기 때문 에 제조 공정 을 단축 할 수 있 다 . 아울러 식각 후 의 공정 은 제 1 제조 방법 과 동일 하 기 때문 에 설명 을 생략 한다 .