삼성 김기호 부사장 , 김창현 전무 IEEE Fellow 선정 
 삼성전자 DMC 연구 소장 김기호 부사장 과 삼성전기 기술 총괄 김창현 전무 가 미국 전기 전자 공 학회 ( IEEE : Institute of Electrical and Electronics Engineers ) 의 석학 회원 ( Fellow : 펠로우 ) 으로 선임 됐 다 . 
 ' IEEE Fellow ' 는 IEEE ( 미국 전기 전자 공 학회 ) 회원 최상위 0 . 1 % 내 에 있 는 회원 에게 부여 하 는 최고 등급 으로 반도체 , 전기 , 전자 등 각 분야 에서 10 년 이상 경력 자 인 회원 중 탁월 한 자질 과 연구 개발 업적 으로 사회 발전 에 기여 한 사람 을 대상 으로 매년 선정 된다 . 
 IEEE ( Institute of Electrical and Electronics Engineers ) 는 전기 · 전자 · 컴퓨터 · 통신 등 의 분야 에서 세계 최대 권위 와 규모 의 학회 로 160 여 개국 37 만 5 , 000 명 이상 의 회원 을 보유 하 고 있 으며 , 900 여 개 의 산업 표준 을 제정 하 고 있 다 . 
 삼성전자 DMC 연구 소장 김기호 부사장 은 4 G 안테나 기술 · 수신 기술 개발 과 세계 최초 4 G 시연 등 을 통한 4 G 상용 화 / 표준 화 에 기여 했으며 활발 한 국제 이동 통신 분야 표준 활동 ( IEEE 802 . 11 , IEEE 802 . 16 , 3 GPP ) 으로 WiBro , LTE 에서 다수 의 4 G 표준 기술 확보 했 고 이동 통신 분야 의 해외 우수 학회 기조연설 등 을 통한 4 G 기술 의 확대 에 크 게 기여 했 다 . 
 김기호 부사장 은 디지털 신호 처리 전문가 로 통하 며 통신 시스템 은 물론 멀티미디어 , 시스템 아키텍처 , 소프트웨어 에 정통 한 삼성 의 대표 적 인 기술 리더 다 . 
 1980 년 한양대 전자 공학부 ( 학사 ) 와 1982 년 KAIST 전자 공학 ( 석사 ) 을 졸업 하 고 1991 년 미국 텍사스 주립 대 ( UT Austin ) 에서 박사 학위 를 취득 한 김기호 부사장 은 삼성전자 통신 연구소 와 종합 기술원 을 거쳐 현재 삼성전자 DMC 연구 소장 으로 있 다 . 
 삼성전기 기술 총괄 김창현 전무 는 반도체 분야 의 저 전력 , 고 성능 , 고집 적 메모리 개발 기술 의 업적 으로 IEEE Fellow 에 선정 됐 다 . 김창현 전무 는 세계 최초 1 GHz 동작 의 램 버스 DRAM 개발 로 초고속 DRAM 시대 를 개척 했 고 , DDR 2 / DDR 3 제품 선행 개발 로 고 성능 제품 구현 과 JEDEC ( Joint Electron Device Engineering Council : 국제 반도체 공학 표준 협의 기구 ) 표준 화 를 선도 한 인물 로 유명 하 다 . 또한 3 D Cell 및 Chip Stack 신 기술 개발 로 고집 적 기술 확보 및 메모리 반도체 한계 를 극복 하 는 데 크 게 기여 했 다 . 
 김창현 전무 는 2004 년 에 삼성 의 기술 을 대표 하 는 인력 에게 부여 하 는 최고 의 명예 인 삼성 Fellow 에 선정 된 바 있 다 . 
 김창현 전무 는 1982 년 서울대 전자 공학부 를 졸업 하 고 , 1995 년 미국 미시 건대 학술 연수 를 통해 박사 학위 를 취득 했 고 , 현재 삼성전기 기술 총괄 및 연구 소장 으로 있 다 .