반도체 기판 ( 531 ) 에 코 일부 ( 532 ) 를 형성 하 기 위한 한 방법 으로 , 반도체 기판 ( 531 ) 의 정해진 위치 에 마스크 ( mask ) 를 위치 시킨 후 식각 동작 을 실시 한다 . 다음 , 식각 된 부분 이 노출 되 도록 마스크 를 위치 시킨 후 도전 성 물질 로 이루어진 코 일부 재료 를 적층 하 여 코 일부 ( 532 ) 를 형성 할 수 있 다 .