본 발명 의 또 다른 실시 예 에 따른 불휘발성 메모리 장치 의 동작 방법 은 소거 커맨드 및 어 드레스 를 수신 하 는 단계 ; 상기 수신 된 어드레스 에 대응 하 는 복수 의 스트링 선택 라인 들 의 어드레스 들 을 저장 하 는 단계 ; 상기 수신 된 소거 커맨드 및 어 드레스 에 응답 하 여 , 상기 복수 의 스트링 선택 라인 들 에 대응 하 는 복수 의 메모리 셀 들 을 소거 하 는 단계 ; 그리고 소거 패스 된 메모리 셀 들 에 대응 하 는 스트링 선택 라인 의 어드레스 를 삭제 하 며 , 상기 저장 된 어드레스 들 에 대응 하 는 복수 의 메모리 셀 들 을 각 스트링 선택 라인 의 단위 로 소거 검증 하 는 단계 를 포함 하 고 , 상기 불휘발성 메모리 장치 는 기판 및 상기 기판 과 교차 하 는 방향 으로 적층 된 복수 의 메모리 셀 들 을 포함 한다 .