제 1 컬럼 스 페이서 ( 93 ) 는 단차 패턴 ( 77 ) 과 중첩 되 고 절연 층 ( 73 ) 상 에 위치 할 수 있 다 . 즉 , 제 1 컬럼 스 페이서 ( 93 ) 는 단차 패턴 ( 77 ) 과 중첩 되 는 절연 층 ( 73 ) 의 상부 표면 상 에 위치 할 수 있 다 . 한편 , 제 2 컬럼 스 페이서 ( 95 ) 는 단차 패턴 ( 77 ) 과 중첩 되 지 않 는 절연 층 ( 73 ) 의 상부 표면 상 에 위치 할 수 있 다 . 이 에 의해 , 제 1 컬럼 스 페이서 ( 93 ) 의 상부 표면 의 높이 ( h 1 ) 가 제 2 컬럼 스 페이서 ( 95 ) 의 상부 표면 의 높이 ( h 2 ) 보다 높 다 . 이때 , 제 1 컬럼 스 페이서 ( 93 ) 와 제 2 컬럼 스 페이서 ( 95 ) 간 의 단차 ( d 1 ) 는 단차 패턴 ( 77 ) 과 중첩 되 는 절연 층 ( 73 ) 의 상부 표면 과 단차 패턴 ( 77 ) 과 중첩 되 지 않 는 절연 층 ( 73 ) 의 상부 표면 간 의 단차 와 실질 적 으로 동일 할 수 있 다 . 즉 , 절연 층 ( 73 ) 하부 의 단차 패턴 ( 77 ) 에 의해 제 1 컬럼 스 페이서 ( 93 ) 와 제 2 컬럼 스 페이서 ( 95 ) 가 수직 방향 으로 동일 한 길이 를 갖 더라도 , 제 1 컬럼 스 페이서 ( 93 ) 와 제 2 컬럼 스 페이서 ( 95 ) 간 에 단차 ( d 1 ) 가 형성 될 수 있 다 . 한편 , 제 1 컬럼 스 페이서 ( 93 ) 와 상기 제 2 컬럼 스 페이서 ( 95 ) 간 의 단차 ( d 1 ) 는 0 . 5 ㎛ 내지 0 . 7 ㎛ 일 수 있 다 . 이 에 대해서 는 후술 하 도록 한다 .