그 다음 으로 , 산화물 반도체 층 ( 144 ) 상 에 도전 층 을 형성 하 고 , 해당 도전 층 을 선택 적 으로 에칭 하 여 , 전극 ( 142 a ) , 전극 ( 142 b ) , 전극 ( 504 ) 을 형성 한다 ( 도 12 ( B ) 참조 ) . 또한 , 전극 ( 142 a ) 은 전극 ( 503 ) 과 접속 하 도록 마련 된다 . 전극 ( 504 ) 은 전극 ( 502 ) 과 접하 도록 마련 된다 .