도 11 a 를 참조 하 면 , 상기 베이스 기판 ( 110 ) 의 제 1 면 상 에 게이트 전극 ( GE ) 을 형성 한다 . 상기 게이트 전극 ( GE ) 은 제 1 마스크 를 이용 하 여 포토레지스트 공정 에 의해 형성 될 수 있 다 . 이 와 는 달리 , 상기 게이트 전극 ( GE ) 은 상기 게이트 전극 ( GE ) 의 형상 에 대응 하 는 제 1 트렌치 를 포함 하 는 유기 층 을 이용 하 여 형성 될 수 있 다 . 상기 제 1 트렌치 는 상기 유기 층 내 에 드라이 에칭 을 통해 형성 될 수 있 다 .