본 발명 은 물리 적 ( physical ) 인 퓨즈 컷팅 을 통해 퓨즈 프로그래밍 을 수행 하 는 방식 에서 야기 된 문제점 들 을 해결 하 기 위한 반도체 메모리 장치 , 그 의 제조 방법 및 반도체 퓨즈 프로그래밍 회로 를 제공 하 기 위한 것 으로 , 이 를 위해 본 발명 은 퓨즈 영역 을 갖 는 기판 과 , 기판 상 에 국부 적 인 섬 ( isolated island ) 형태 로 형성 되 며 전기 적 신호 에 의해 전기 저항 이 변하 는 특성 을 갖 는 물질 과 상기 물질 의 양단 에 연결 된 도전 성 라인 으로 구성 되 는 퓨즈 를 포함 하 는 반도체 메모리 장치 를 제공 한다 .