도 3 에서 표현 된 스위칭 디바이스 의 동작 모드 는 다음 과 같 다 : 부하 ( 4 ) 가 DC 전압 원 ( 2 ) 으로부터 전류 를 공급 받 아야 하 면 , 스위칭 모듈 들 ( 10 - 1 , 10 - 2 ) ( 일반 적 으로 : 10 - i , 여기 서 , i = 1 내지 2 ) 의 제어 가능 반도체 스위칭 엘리먼트 들 ( 13 - 1 , 13 - 2 ) ( 일반 적 으로 : 13 - i , 여기 서 , i = 1 내지 2 ) 은 전 도 상태 로 스위칭 된다 . 즉시 , 예컨대 부하 - 측 단락 의 이유 로 전류 경로 ( 6 ) 가 중단 되 어야 하 며 , 제 어 가능 반도체 스위칭 엘리먼트 들 ( 13 - i ) 둘 모두 가 먼저 차단 상태 로 스위칭 되 며 , 따라서 전류 ( I ) 는 스위칭 모듈 들 ( 10 - i ) 의 2 개 의 RC 엘리먼트 들 을 통해서 만 계속 흐를 수 있 다 . 개개 의 미리 정의 된 상한 임계 값 에 도달 할 때 까지 , 커패시터 들 ( 15 - 1 , 15 - 2 ) ( 일반 적 으로 : 15 - i , 여기 서 , i = 1 내지 2 ) 은 충전 된다 . 커패시터 들 ( 15 - i ) 둘 모두 에 대해 , 동일 한 또는 상이 한 미리 정의 된 상한 임계 값 이 선택 될 수 있 다 . 초기 에 , 스위칭 모듈 ( 10 - 1 또는 10 - 2 ) 의 제어 가능 반도체 스위칭 엘리먼트 들 ( 13 - 1 또는 13 - 2 ) 중 하나 가 전 도 상태 로 다시 스위칭 되 고 , 따라서 연관 된 커패시터 ( 15 - 1 또는 15 - 2 ) 가 직렬 - 연결 된 저항기 ( 14 - 1 또는 14 - 2 ) 를 통해 방전 된다 . 미리 정의 된 하한 임계 값 에 도달 한 직후 에 , 대응 하 는 제어 가능 반도체 스위칭 엘리먼트 는 차단 상태 로 다시 스위칭 된다 . 동시 에 , 또는 그 후 짧 은 시간 적 오프셋 ( offset ) 을 두 고 , 다른 제어 가능 반도체 스위칭 엘리먼트 ( 13 - 2 또는 13 - 1 ) 가 , 자신 의 미리 정의 된 상한 임계 값 에 도달 했 다면 , 전 도 상태 로 스위칭 된다 . 이 에 따라서 , 2 개 의 제어 가능 반도체 스위칭 엘리먼트 들 ( 13 - 1 , 13 - 2 ) 이 교번 적 인 방식 으로 전 도 상태 로 스위칭 되 어서 , 이 에 따라 , 결합 하 여 제어 가능 반도체 스위칭 엘리먼트 들 ( 13 - i ) 둘 모두 에 걸쳐 총 전압 ( Uges ) 이 존재 하 며 , 이 에 의하 여 , 전류 플럭스 , 및 이 에 따라 인덕턴스 들 ( 3 , 5 ) 에 저장 된 에너지 가 제거 되 는 것 이 보장 된다 .