상기 배선 기판 ( 100 c ) 에 , 절연 기재 ( 12 ) 와 동박 12 ㎛ 를 포개 고 , 230 ℃, 5 ㎫, 30 분 간 의 조건 하 에서 적층 시키 고 , 레이저 에 의해 100 ㎛ 의 비 아홀 을 형성 하 였 다 . 다음 으로 , 필드 도금 처리 하 여 층간 배선 을 형성 한 후 , 포토 리소그래프 법 에 의해 동박 에 도체 패턴 ( 20 ) 을 형성 하 였 다 . 또한 , 캐비 티 용 구멍 을 형성 한 절연 기재 와 동박 을 적층 시키 고 비아 가공 한 후 , 필드 도금 처리 하 고 도체 패턴 을 형성 하 여 , 2 장 의 배선 기판 ( 100 c ) , 및 1 장 의 배선 기판 ( 100 C ) 으로 이루어지 는 다층 배선 기판 ( 200 F ) 을 제조 하 였 다 .