반도체 층 ( 140 ) 상 에 적층 되 는 투명 도전 층 ( 192 ) 은 ZnO , ZnO : B , ZnO : Al , Ag 와 같 은 투명 한 도전 물질 을 스퍼터링 ( Sputtering ) 법 또는 MOCVD ( Metal Organic Chemical Vapor Deposition ) 법 등 을 이용 하 여 형성 할 수 있 다 . 투명 도전 층 ( 150 ) 은 태양광 을 산란 시켜 다양 한 각 으로 진행 하 도록 함 으로써 제 2 전극 ( 160 ) 에서 반사 되 어 반도체 층 ( 140 ) 으로 재 입사 되 는 광 의 비율 을 증가 시키 는 역할 을 한다 .