일반 적 으로 반도체 기판 을 처리 하 는 기판 처리 장치 는 공정 처리 능력 을 향상 시키 기 위하 여 내부 에 반도체 기판 을 복수 로 로딩 하 여 복수 의 기판 을 동시 에 처리 하 는 배 치식 기판 처리 장치 및 한 장 의 반도체 기판 을 챔버 내부 로 로딩 하 여 한 장 마다 기판 을 처리 하 는 매 엽 식 기판 처리 장치 로 구분 된다 . 특히 , 고온 상태 에 기판 을 처리 하 는 고온 공정 에 있 어서 , 챔버 내 의 공정 온도 를 상승 시키 고 하강 시키 는 데 필요 한 시간 이 많 은 시간 이 요구 된다 . 따라서 , 상기 고온 공정 에서 는 배 치식 기판 처리 장치 가 일반 적 으로 이용 된다 .