이하 에서 는 3 차원 메모리 셀 어레이 ( 20 ') 에 구현 된 복수 의 레이어 들 ( 21 - 1 - 21 - k ) 중 에서 로우 디코더 ( 40 ') 에 의하 여 어느 하나 의 레이어 , 예컨대 제 1 레이어 ( 21 - 1 ) 에 구현 된 셀 스트링 ( 20 '- 1 ) 이 선택 된 경우 를 가정 하 여 비휘발성 메모리 장치 ( 10 ) 의 동작 을 설명 하 기 로 한다 .