제 3 실시 예 에서 는 , 도 18 의 각 비트 에 대한 각각 2 개 의 라이트 용 글로벌 비트 선 , 리드 용 글로벌 비트 선 대신 에 필요 로 되 는 장거리 배선 의 수 가 늘어나 , 배선 에 필요 한 면적 은 커지 지만 , 일반 적 으로 RAM 의 면적 은 셀 의 사이즈 에 의해 결정 되 고 , 배선 개수 를 늘려도 RAM 의 사이즈 는 그 보다 커 지 지 않 는 경우 가 많 으며 , 제 3 실시 예 를 이용 함 으로써 소비 전력 삭감 효과 가 매우 큰 SRAM 을 제공 하 는 것 이 가능 하 게 된다 .