본 실시 예 에서 의 반도체 장치 의 제조 방법 은 , 소자 분리 영역 에 형성 되 는 패턴 중 , 하프톤 형 마스크 로 형성 될 제 2 패턴 과 레벤 손 형 마스크 의 개구부 를 통해서 노광 되 는 영역 과 의 거리 가 , 실질 적 으로 제 2 패턴 의 치수 변동 에 영향 을 미치 는 거리 인 경우 에 , 제 2 패턴 의 부분 을 레벤 손 형 마스크 에 의해 형성 하 는 공정 을 포함 한다 .