본 발명 의 하나 는 , 게이트 전극 위 에 , 게이트 절 연막 을 개재 하 여 상기 게이트 전극 의 단부 에 도달 하 지 않 는 내측 영역 에 형성 되 고 , 또한 도너 가 되 는 불순물 원소 가 첨가 된 미결정 반도체 막 과 , 미결정 반도체 막 의 상면 및 측면 을 피복 하 는 비정질 반도체 막 과 , 비정질 반도체 막 위 에 , 소스 영역 또는 드레 인 영역 을 형성 하 는 1 도전 형 의 불순물 원소 가 첨가 된 불순물 반도체 막 과 , 불순물 반도체 막 에 접하 는 배선 과 , 공통 선 을 갖 고 , 게이트 전극 및 배선 은 도전 막 으로 접속 되 는 다이오드 이 다 .