본 발명 의 또 다른 목적 은 1 MHz 에서 0 . 5 pF 보다 작 은 용량 을 갖 는 저 용량 다층 칩 배리스터 를 제공 하 는데 있 다 . 이 배리스터 는 세라믹 본체 , 상기 세라믹 본체 의 두 단부 에 배치 된 한 쌍 의 외부 전극 과 그 내부 에 배치 된 수개 의 내부 전극 을 포함 한다 . 이 세라믹 본체 는 미세 구멍 을 가지 며 , 전기 적 과부하 에 대한 보호 재료 로 이루어진다 . 상기 재료 는 3 ~ 50 중량 % 의 무기 유리 와 0 . 1 ㎛ 보다 큰 입자 크기 를 갖 는 50 ~ 97 중량 % 의 반 도전 성 또는 도전 성 입자 를 포함 한다 . 상기 의 구성 요소 에서 는 , 반 도전 성 또는 도전 성 입자 의 표면 을 무기 유리 막 의 층 이 덮 는다 . 이 무기 유리 막 은 크기 가 1 마이크 론 보다 작 은 서브 마이크 론 또는 나노 미터 입자 의 반 도전 성 또는 도전 성 재료 로 이루어진다 . 이 반 도전 성 또는 도전 성 입자 의 함유량 은 무기 유리 의 함유량 보다 20 중량 % 가 적 도록 한 것 이 다 .