그러나 , CMP 공정 은 그 특성 상 패턴 밀도 ( pattern density ) 에 많 은 영향 을 받 는다 . 이 에 따라 , 패턴 밀도 가 높 은 셀 어레이 영역 - 반도체 메모리 소자 에서 복수 개 의 메모리 셀 이 형성 되 는 영역 - 의 중앙부 에 비해 상대 적 으로 패턴 밀도 가 낮 은 셀 어레이 영역 의 가장자리 부 에서 연 마량 이 많 기 때문 에 CMP 공정 후 셀 어레이 영역 의 중앙부 와 가장자리 부 간 의 단차 가 더욱 심화 된다 . 이 와 같이 , 한 다이 ( die ) 내 에서 유발 된 단차 는 후속 공정 으로 까지 그대로 전사 되 어 셀 어레이 영역 의 중앙부 와 가장자리 부 사이 에서 EFH ( Effective Field oxide Height ) 간 의 차이 가 발생 된다 .