다음 으로 , IZO / 티탄 / 알루미늄 / 티탄 의 적층 배선 이 포토 리소그래피 및 드라이 에칭 에 의해 형성 된다 ( S 37 ) . 드라이 에칭 은 , 예 를 들 면 염소 계 의 에칭 가스 를 이용 하 여 행할 수 있 다 . 또한 , IZO 막 을 웨트 에칭 에 의해 패 터닝 한 후 , 티탄 / 알루미늄 / 티탄 의 적층 막 을 염소 계 의 드라이 에칭 가스 에 의해 패 터닝 하 는 것 으로 하 여도 된다 . IZO 막 의 웨트 에칭 에 는 인산 과 질산 을 함유 하 는 적절 한 에칭 액 을 이용 할 수 있 다 . 그 와 같 은 에칭 액 으로서 , 인산 과 질산 과 아세트산 을 함유 하 는 혼합액 인 소위 PAN 액 을 이용 할 수 있 다 .