성분 의 제어 를 용이 하 게 하 기 위하 여 , CrN 층 위 에 CrSiN 층 과 AlTiSiN 층 을 교대 로 반복 적층 한다 . 이때 , CrN 과 인접 한 하부 층 은 각 층 의 두께 를 100 nm 이하 로 형성 하 면서 1 내지 3 μ m 정도 형성 하 고 , 그 위 에 CrSiN 층 과 AlTiSiN 층 의 각 두께 를 50 nm 이하 로 형성 하 면서 1 내지 2 μ m 정도 형성 한다 .