이어서 , 워드 라인 ( 106 ) 들 이 형성 된 기판 ( 100 ) 상 에 실리콘 질화 막 을 형성 한 후 , 이 를 이방성 식각 하 여 워드 라인 ( 106 ) 들 의 양 측벽 에 게이트 스 페이서 ( 미 도시 ) 를 형성 한다 . 이후 , 게이트 스 페이서 가 형성 된 워드 라인 ( 106 ) 들 을 이온 주입 마스크 로 이용 하 여 워드 라인 ( 106 ) 들 사이 에 노출 되 는 기판 ( 100 ) 의 표면 아래 로 불순물 을 이온 주입 한 후 , 열처리 공정 을 수행 함 으로써 기판 ( 100 ) 에 소오 스 / 드레 인 영역 에 해당 되 는 제 1 콘 택 영역 ( 103 ) 및 제 2 콘 택 영역 ( 104 ) 을 형성 한다 .