상기 게이트 전극 들 ( LSL , WL 1 , WL 2 , USL ) 이 형성 된 후 , 상기 기판 ( 100 ) 에 공통 소스 영역 들 ( CSL ) 이 형성 될 수 있 다 . 상기 공통 소스 영역 들 ( CSL ) 은 이온 주입 공정 을 통해 형성 될 수 있 고 , 상기 트렌치 들 ( TR ) 에 의해 노출 된 상기 기판 ( 100 ) 내 에 형성 될 수 있 다 . 상기 공통 소스 영역 들 ( CSL ) 은 상기 기판 ( 100 ) 과 PN 접합 을 구성 할 수 있 다 . 이어서 , 이온 주입 공정 을 통해 상기 채널 막 들 ( 135 ) 의 상부 에 드레 인 영역 들 ( DR ) 이 각각 형성 될 수 있 다 .