반도체 소자 가 고집 적 화 됨 에 따라 미세 패턴 을 보다 정교 하 게 웨이퍼 ( wafer ) 상 으로 전사 하 기 위해서 , 다이폴 ( dipole ) 과 같 은 비대칭 변형 조명계 가 도입 되 고 있 다 . 변형 조명 계 는 노광 장비 의 렌즈 ( lens ) 부 , 예컨대 , 투영 렌즈 부 ( projection lens ) 에 입사 되 는 광의 1 차 광 성분 을 보다 증대 시켜 보다 정교 한 패턴 상 ( pattern image ) 을 웨이퍼 상 에 전사 하 고자 도입 되 고 있 다 . 디램 ( DRAM ) 소자 나 플래시 ( FLASH ) 소자 와 같 은 메모리 ( memory ) 소자 의 셀 트랜지스터 ( cell transistor ) 를 구성 하 는 라인 및 스페이스 ( line & space ) 패턴 을 웨이퍼 상 으로 전사 할 때 , 이러 한 변형 조명계 들 중 다이폴 조명 계 와 같 은 비대칭 변형 조명계 가 보다 유효 하 게 이용 되 고 있 다 .