장치 가 설명 된다 . 장치 는 행 라인 및 디 지트 라인 과 결합 된 강유 전 성 메모리 셀 , 디 지트 라인 과 결합 되 고 강유 전 성 메모리 셀 의 판독 동작 을 위해 제 1 전압 또는 제 2 전압 을 래 칭함 으로써 강유 전 성 메모리 셀 의 제 1 논리 상태 를 결정 하 도록 구성 된 감지 회로 , 및 디 지트 라인 및 감지 회로 와 결합 된 기록 회로 를 포함 할 수 있 고 , 기록 회로 는 감지 회로 에 의해 래 칭 된 제 1 전압 또는 제 2 전압 에 기초 하 여 제 2 논리 상태 를 강유 전 성 메모리 셀 에 기록 하 고 판독 동작 후 의 라이트 백 동작 을 위해 제 3 전압 또는 제 4 전압 을 디 지트 라인 에 인가 함 으로써 제 2 논리 상태 를 기록 하 도록 구성 되 며 , 여기 서 제 3 전압 또는 제 4 전압 중 적어도 하나 는 제 1 전압 및 제 2 전압 과 다르 다 .