다음 으로 , 제 1 전극 ( 101 ) 이 형성 된 면 이 아래쪽 이 되 도록 , 제 1 전극 ( 101 ) 이 형성 된 기판 을 진공 증착 장치 내 에 제공 된 기판 홀더 에 고정 하 고 , 제 1 전극 ( 101 ) 위 에 , 증착 법 에 의하 여 상기 구조식 ( i ) 으로 나타내 어 지 는 N , N - 비스 ( 4 - 사이클 로 헥 실 페닐 ) - 9 , 9 , - 다이메틸 - 9 H - 플 루 오렌 - 2 - 아민 ( 약칭 : dchPAF ) 과 ALD - MP 001 Q ( Analysis Atelier Corporation 제조 , 재료 일련 번호 : 1 S 20180314 ) 를 중량 비 가 1 : 0 . 1 ( = dchPAF : ALD - MP 001 Q ) 이 되 도록 10 nm 로 공 증착 하 여 정공 주입 층 ( 111 ) 을 형성 하 였 다 . 또한 ALD - MP 001 Q 는 억셉터 성 을 갖 는 유기 화합물 이 다 .