몇몇 실시 예 에서 , 제 1 적층 구 조체 ( SS 1 ) 는 기판 ( 100 ) 상 에 교대 로 적층 되 는 복수 의 제 1 절연 패턴 ( 110 ) 들 및 복수 의 제 1 반도체 패턴 ( 120 ) 들 을 포함 할 수 있 다 . 즉 , 복수 의 제 1 반도체 패턴 ( 120 ) 들 은 제 1 절연 패턴 ( 110 ) 에 의해 서로 이격 될 수 있 다 . 또한 , 몇몇 실시 예 에서 , 제 2 적층 구 조체 ( SS 2 ) 는 기판 ( 100 ) 상 에 교대 로 적층 되 는 복수 의 제 2 절연 패턴 ( 210 ) 및 복수 의 제 2 반도체 패턴 ( 220 ) 을 포함 할 수 있 다 . 즉 , 복수 의 제 2 반도체 패턴 ( 220 ) 들 은 제 2 절연 패턴 ( 210 ) 에 의해 서로 이격 될 수 있 다 .