일반 적 으로 질화 갈륨 ( GaN ) , 질화알루미늄 ( AlN ) , 질화 인듐 갈륨 ( InGaN ) 등 과 같 은 Ⅲ 족 원소 의 질화물 은 열 적 안정 성 이 우수 하 고 직접 천 이 형 의 에너지 밴드 ( band ) 구조 를 갖 고 있 어 , 최근 청색 및 자외선 영역 의 발광 다이오드 용 물질 로 많 은 각광 을 받 고 있 다 . 특히 , 질화 인듐 갈륨 ( InGaN ) 화합물 반도체 는 좁 은 밴드 갭 에 기인 하 여 많 은 주목 을 받 고 있 다 . 이러 한 질화 갈륨 계열 의 화합물 반도체 를 이용 한 발광 다이오드 는 대 규모 천연색 평판 표시 장치 , 백라이트 광원 , 신호등 , 실내 조명 , 고밀도 광원 , 고해상도 출력 시스템 과 광 통신 등 다양 한 응용 분야 에 활용 되 고 있 다 . 또한 , 근자외선 을 방출 하 는 발광 다이오드 는 위폐 감식 , 수지 경화 및 자외선 치료 등 에 사용 되 고 있 으며 , 또한 형광체 와 조합 되 어 다양 한 색상 의 가시광선 을 구현 할 수 있 다 .