본 발명 은 내부 동작 에 소비 되 는 전류 를 줄여 저 전력 환경 에 도 적합 하 게 동작 할 수 있 는 반도체 메모리 장치 를 제공 한다 . 본 발명 의 일 측면 에 따르 면 , 워드 라인 활성 화 신호 와 제 1 어드레스 정보 신호 를 인가 받 아 제 1 워드 라인 구동 신호 를 출력 하 기 위한 제 1 구동 신호 생 성부 ; 상기 워드 라인 활성 화 신호 와 제 2 어드레스 정보 신호 를 인가 받 아 제 2 워드 라인 구동 신호 를 출력 하 기 위한 제 2 구동 신호 생 성부 ; 액티브 신호 에 응답 하 여 제어 신호 를 출력 하 기 위한 액티브 제 어부 ; 상기 제 2 워드 라인 구동 신호 및 상기 제어 신호 에 응답 하 여 액티브 구간 초기 에 일정 시간 동안 전원 전압 을 구동 전원 신호 로서 공급 하 고 , 이후 승압 전압 을 상기 구동 전원 신호 로서 공급 하 기 위한 전압 공급 부 ; 및 상기 제 1 및 2 워드 라인 구동 신호 에 응답 하 여 선택 된 워드 라인 을 상기 구동 전원 신호 를 사용 하 여 활성 화 구동 하 기 위한 워드 라인 제 어부 를 구비 하 는 반도체 메모리 장치 가 제공 된다 . 따라서 , 본 발명 은 단위 셀 에 연결 된 워드 라인 을 전원 전압 과 전원 전압 보다 높 은 승압 전압 을 순차 적 으로 사용 하 여 활성 화 함 으로써 반도체 메모리 장치 에서 소비 되 는 전력 을 줄이 고 내부 승압 전압 의 레벨 을 안정 화 할 수 있 다 .