특히 , 제 1 플러그 ( 24 ) 형성 전 에 자연 산화 막 제거 를 위해 습식 또는 건식 세정 공정 을 실시 할 수 있 다 . 이때 , 세정 공정 은 상온 부터 600 ℃ 이하 에서 실시 할 수 있 고 , 측벽 보호막 ( 23 ) 의 손실 을 최소 화 할 수 있 도록 측벽 보호막 ( 23 ) 에 선택 비 가 좋 은 가스 또는 용액 을 사용 하 여 실시 할 수 있 다 . 예컨대 , 습식 세정 의 경우 BOE ( Buffered Oxide Etchant ) 또는 HF 로 실시 할 수 있 다 . 이 와 같 은 세정 공정 은 분리 막 이 형성 되 기 전 에 실시 되 기 때문 에 분리 막 의 손실 에 영향 을 주 지 않 는다 .