DRAM 과 는 달리 플 래쉬 메모리 는 캐 패 시터 소자 가 없 지만 , 데 이타 를 읽 고 쓰 기 위해서 는 전하 의 저장 공간 이 필요 하 게 되 고 , 플 래쉬 소자 의 동작 을 위해서 는 터널 산화 막 에서 형성 되 는 캐 패 시턴 스 를 포함 한 전체 캐 패 시 턴 스와 IPO ( Inter Poly Oxide ) 또는 IPD ( Inter Poly Dielectric ) 라고 불리 는 즉 , 플로팅 게이트 와 컨트롤 게이트 사이 에 존재 하 는 유전체 의 캐 패 시 턴 스 비율 을 충족 시켜야 하 는데 , 결국 소자 의 슈 링크 ( Shrink ) 로 인한 면적 감소 로 기존 의 유전 율 이 낮 은 ONO ( Oxide / Nitride / Oxide ) 막 을 유전 막 으로 사용 한다 .