상기 제 1 부 재 및 상기 제 2 부재 의 계면 사이 의 이격 거리 가 10 ㎛ 내지 35 ㎛ 일 수 있 다 . 종래 에 는 계면 사이 의 이격 거리 가 40 ㎛ 이상 으로 갭 이 상당히 많이 벌어져 있 었 으나 , 제 1 열처리 를 통해서 주 철재 의 표면 을 산화 시킴 으로써 이종간 극 을 줄일 수 있 었 다 . 이 는 매우 중요 한 요소 인데 , 주 철재 의 표면 을 선택 적 으로 산화 시킨 후 다이 캐스팅 중 에 알루미늄 과 반응 함 으로써 , 상기 제 1 부 재 및 상기 제 2 부 재 사이 의 계면 에 산소 를 함유 하 는 화합물 을 생성 하 여 간극 을 작 게 제어 할 수 있 고 , 계면 접합 성 을 향상 시킨다 . 제 2 열처리 를 통해서 원자 의 확산 을 유도 하 여 금속 간 화합물 을 형성 시키 게 되 며 , 이종 간극 이 줄어들 게 된다 .