본 발명 에서 는 베이스 필름 이나 , 유리 또는 플라스틱 표면 에 GaN 분말 을 코팅 하 거나 , 또는 내부 에 GaN 분말 을 분산 시킴 으로써 자외선 을 효과 적 으로 차단 할 수 있 고 , 자외선 이 조사 됨 으로써 야기 되 는 제품 의 열화 를 방지 할 수 있 으며 자외선 흡수 로 인하 여 열 이 발생 하 더라도 GaN 분말 의 높 은 열전도도 로 인하 여 효과 적 인 방열 이 가능 하 다 . 사용 된 GaN 분말 의 크기 는 수 나노미터 에서 수십 마이크로미터 범위 가 가능 하 다 .