제 2 도전 물질 층 ( 43 b ) 이 ? 에칭 공정 으로 패 터닝 되 는 바 , 도 13 에 도시 된 바 와 같이 제 3 방향 ( Z ) 을 따라 제 3 도전 물질 층 ( 43 c ) 의 하 면 ( 43 c 1 ) 과 제 2 도전 물질 층 ( 43 b ) 사이 에 는 공간 ( SP ) 이 형성 될 수 있 다 . 즉 , 제 3 도전 물질 층 ( 43 c ) 에 는 돌출 패턴 ( 43 ct ) 이 형성 될 수 있 다 . 돌출 패턴 ( 43 ct ) 은 제 3 도전 물질 층 ( 43 c ) 의 하 면 ( 43 c 1 ) 이 제 2 도전 물질 층 ( 43 b ) 과 접촉 하 지 않 는 부분 으로 정의 될 수 있 다 .