도 4 e 를 참조 하 면 , 이어서 , 상기 제 1 절연 층 ( 150 ) 및 상기 반도체 패턴 ( 60 a ) 에 접촉 하 는 보조 반도체 층 ( 85 ) 을 형성 한다 . 상기 보조 반도체 층 ( 85 ) 은 에피택시 얼 성장 공정 또는 화학 기상 증착 공정 으로 형성 될 수 있 다 . 상기 보조 반도체 층 ( 85 ) 의 증착 시 , 상기 증착 방지 패턴 ( 75 a ) 의 표면 에 는 상기 보조 반도체 층 ( 85 ) 이 거의 형 성 되 지 않 아 , 상기 통기 영역 ( 70 ) 이 충분히 확보 된다 . 그 결과 , 상기 보조 반도체 층 ( 85 ) 의 증착 시 , 증착 가스 가 상기 통기 영역 ( 70 ) 을 통하 여 상기 제 1 절연 층 ( 150 ) 의 상부 면 전체 에 걸쳐 공급 될 수 있 다 . 그 결과 , 상기 보조 반도체 층 ( 85 ) 은 상기 제 1 절연 층 ( 150 ) 의 전체 상 에 형성 된다 .