도 5 를 참조 하 면 , 상기 금속 아일랜드 ( 162 ) 부터 제 1 반도체 층 ( 151 ) 의 소정 두께 까지 건식 에칭 을 수행 하 게 된다 . 여기 서 , 건식 에칭 은 예컨대 , ICP ( Inductively Coupled Plasma ) , RIE ( Reactive Ion Etching ) , CCP ( Capacitively Coupled Plasma ) , ECR ( Electron Cyclotron Resonance ) 등 의 장비 를 선택 적 으로 이용 할 수 있 다 . 이때 금속 아일랜드 ( 162 ) 의 재질 과 제 1 반도체 층 ( 151 ) 의 재질 차이 ( 즉 , 강도 차이 ) 에 의해 건식 에칭 되 는 정도 의 차이 로 도 6 과 같 은 러프 니스 ( 152 ) 가 형성 된다 . 이때 의 러프 니스 ( 152 ) 는 상대 적 으로 얇 은 금속 아일랜드 영역 은 제 1 반도체 층 ( 151 ) 의 표면 에서 골 이 되 고 , 가장 두꺼운 금속 아일랜드 영역 은 제 1 반도체 층 ( 151 ) 의 표면 에서 산 이 되 는 구조 로 형성 된다 .