트랜지스터 의 특성 안정 화 등 을 위하 여 하 지 막 을 제공 하 는 것 이 바람직 하 다 . 하 지 막 으로서 는 산화 실리콘 막 , 질화 실리콘 막 , 산화 질화 실리콘 막 , 질화 산화 실리콘 막 등 의 무기 절 연막 을 사용 하 고 , 단층 으로 또는 적층 하 여 제작 할 수 있 다 . 하 지 막 은 스퍼터링 법 , CVD ( Chemical Vapor Deposition ) 법 ( 플라스마 CVD 법 , 열 CVD 법 , MOCVD ( Metal Organic CVD ) 법 등 ) , ALD ( Atomic Layer Deposition ) 법 , 도포 법 , 인쇄 법 등 을 사용 하 여 형성 할 수 있 다 . 또한 하 지 막 은 필요 에 따라 제공 하 면 된다 .