이어서 , 절 연막 ( 201 ) 상 에 연마 정지 막 으로 기능 하 는 질화 막 ( 202 ) 을 형성 한다 . 이때 , 질화 막 ( 202 ) 은 증착 공정 시 스트레스 ( stress ) 를 최소 화 하 기 위해 LPCVD ( Low Pressure Chemical Vapor Deposition ) 또는 PECVD ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ) 공정 으로 형성 한다 . 예컨대 PECVD 공정 은 400 ~ 800 ℃ 에서 실시 한다 . 또한 , 질화 막 ( 202 ) 은 실리콘 질화 막 ( Si 3 N 4 ) 으로 형성 할 수 있 으며 , 이 경우 실리콘 질화 막 ( Si 3 N 4 ) 은 산화 막 , 예컨대 실리콘 산화 막 ( SiO 2 ) 에 대해 유전 상수 가 높 기 때문 에 정전 용량 측면 에서 나쁜 영향 을 줄 수 있 다 . 이 에 따라 , 실리콘 질화 막 ( Si 3 N 4 ) 에서 실리콘 의 함유량 을 가능 한 높여 유전 상수 를 낮추 는 것 이 바람직 하 다 .