그리고 , 제 1 리세 스 패턴 ( 105 ) 에 의해 낮 아 진 게이트 ( RG 3 , RG 4 ) 사이 의 기판 ( 101 ) 에 좁 고 깊 은 제 2 리세 스 패턴 ( 106 ) 이 형성 되 고 , 이 제 2 리세 스 패턴 ( 106 ) 내면 의 기판 ( 101 ) 에 접합 영역 ( 104 ) 이 형성 된다 . 결과 적 으로 , 접합 영역 ( 104 ) 은 게이트 ( RG 3 , RG 4 ) 의 저부 만큼 확장 될 수 있 다 .