상기 제 2 반도체 층 ( 315 ) 상 에 는 게이트 절 연막 ( 320 ) 이 형성 되 며 , 상기 게이트 절 연막 ( 320 ) 상 에 는 상기 제 2 반도체 층 ( 315 ) 과 소정 영역 중첩 되 는 스토리지 라인 ( 335 ) 이 형성 된다 . 상기 스토리지 라인 ( 335 ) 은 상기 듀얼 게이트 전극 ( 330 ) 및 게이트 라인 ( 325 n , 325 n - 1 ) 과 동일 층 에 형성 된다 .