전술 한 막 구성 을 제작 하 기 위해서 , 우선 ， GeF 4 와 Si 2 H 6 의 비율 을 , Si 2 H 6 을 1 로 하 고 GeF 4 를 0 . 1 이상 으로 설정 하 여 도입 한 후 , 이 비율 을 저하 하 여 성막 한다 . 막 두께 40 ㎚ 이상 에서 Ge 비율 20 at % 이하 로 하 기 위해서 는 , 이 비율 을 0 . 1 이하 로 한다 . 또한 가스 압력 혹은 유량 을 변경 한다 . 이 와 같 은 2 단 성막 을 적용 함 으로써 , 전술 한 막 구성 의 SiGe 막 을 형성 하 는 것 이 가능 하 게 된다 .