도 11 의 실리콘 노 출부 ( 116 B ) 는 소 잉 공정 에서 도 3 과 같이 웨이퍼 를 절단 하 고 , 몰딩 공정 및 2 차 절단 공정 ( 도 9 ) 을 진행 하 였을 때 의 구조 로서 실리콘 노 출부 ( 116 B ) 가 반도체 칩 의 모서리 에서 4 곳 이 형성 되 는 구조 이 다 . 도 12 의 실리콘 노 출부 ( 116 C ) 는 소 잉 공정 에서 도 4 와 같이 웨이퍼 를 절단 하 고 , 몰딩 공정 및 2 차 절단 공정 ( 도 9 ) 을 진행 하 였을 때 의 구조 로서 실리콘 노 출부 ( 116 C ) 가 반도체 칩 의 중앙부 에서 2 곳 이 형성 되 는 구조 이 다 . 마지막 으로 도 13 의 실리콘 노 출부 ( 116 D ) 는 소 잉 공정 에서 도 5 와 같이 웨이퍼 를 절단 하 고 , 몰딩 공정 및 2 차 절단 공정 ( 도 9 ) 을 진행 하 였을 때 의 구조 로서 실리콘 노 출부 ( 116 D ) 가 반도체 칩 의 측면 에서 오직 한 곳 만 형성 되 는 구조 이 다 .