반도체 기판 ( 101 ) 의 전면 에 걸쳐서 실리콘 산화 막 으로 이루어지 는 매립 절 연막 ( 115 ) 을 형성 한다 . 매립 절 연막 ( 115 ) 은 메모리 셀 영역 ( 1001 ) 에서 도 5 ( b ) 에 나타내 는 바 와 같이 , 게이트 , 사이드 월 ( 131 , 113 ) 및 매립 도전 막 ( 114 ) 을 덮 고 , 주변 회로 영역 ( 1002 ) 에서 실리콘 질화 막 ( 105 ) 을 덮 는다 . 특히 , 매립 절 연막 ( 115 ) 은 사이드 월 ( 131 , 113 ) 사이 에 매립 되 고 , 매립 도전 막 ( 114 ) 을 덮 도록 형성 된다 .