이 와 같이 , 도 1 및 2 에 도시 된 박막 트랜지스터 어레이 기판 은 공통 전극 ( 18 ) 이 보호막 ( 50 ) 위 에 형성 됨 으로써 화소 전극 ( 16 ) 과 비 중첩 되 는 영역 에 도 형성 될 수 있 게 된다 . 이 에 따라 , 공통 전극 ( 18 ) 의 면적 을 최대 화 할 수 있 게 됨 에 따라 공통 전극 ( 18 ) 내 의 저항 이 최소 화 될 수 있 게 된다 .