도 4 를 참조 하 면 , 상기 예비 제 1 도전 패턴 ( 102 a ) 들 및 상기 절 연막 패턴 ( 104 ) 의 표면 을 따라 제 2 절 연막 ( 도시 안 됨 ) 을 형성 한다 . 상기 제 2 절연 막 은 실리콘 질화물 을 화학 기상 증착 법 에 의해 증착 시켜 형성 할 수 있 다 . 이 후 , 상기 제 2 절 연막 을 이방성 으로 식각 함 으로써 상기 예비 제 1 도전 패턴 ( 102 a ) 들 및 절 연막 패턴 ( 104 ) 의 측벽 에 스 페이서 ( 110 ) 를 형성 한다 .