이어서 , 건조 및 제어 된 대기 조건 ( 예 를 들 어 , He 또는 질소 기체 ) 하 에서 챔버 또는 반응기 에 전해질 용액 을 부 어 넣 는다 . 애노드 로서 금속 포일 이 사용 될 수 있 고 , 캐소드 로서 다공질 그래핀 구조 체 층 ( 공극 벽 내 에 팽창 된 면간 간격 을 갖 거나 가지 지 않 음 ) 이 사용 될 수 있 으며 , 둘 다 전해질 용액 에 침지 되 어 있 다 . 전기 화학 캐소드 층 은 바인더 수지 에 의해 결합 된 흑연 / 탄소 입자 층 ( 팽창 된 d 간격 을 가짐 ) 으로부터 선택 될 수 있 다 . 이러 한 구성 은 전기 화학 함침 및 증착 시스템 을 구성 한다 . 황 을 팽창 된 면간 공간 에 전기 화학 함침 하 는 단계 는 , 다공질 그래핀 구조 체의 층 ( layer ) 중량 을 기준 으로 바람직 하 게 는 1 mA / g 내지 10 A / g 범위 의 전류 밀도 로 수행 된다 .