도 1 을 참조 하 면 , 본 발명 에 따른 AlGaN / GaN 고전 자 이동도 트랜지스터 ( HEMT ) ( 100 ) 는 , AlGaN / GaN 이종 접합 에피 웨이퍼 ( 110 ) 위 에 서로 이격 배치 된 소스 전극 ( 120 ) 및 드레 인 전극 ( 130 ) 과 ; 소스 전극 ( 120 ) 과 드레 인 전극 ( 130 ) 사이 의 상기 에피 웨이퍼 ( 110 ) 위 에 형성 되 며 , 콘 택 홀 을 구비 하 고 있 는 패 시베이 션 층 ( 140 ) 과 ; 패 시베이 션 층 ( 140 ) 에 형성 된 콘 택 홀 을 통해 에피 웨이퍼 ( 110 ) 와 접속 하 고 있 는 게이트 전극 ( 150 ) 과 ; 게이트 전극 ( 150 ) 과 접속 하 도록 패 시베이 션 층 ( 140 ) 위 에 형성 된 제 1 필드 플레이트 ( field plate ) ( 160 ) 와 ; 제 1 필드 플레이트 ( 160 ) 와 이격 하 도록 패 시베이 션 층 ( 140 ) 위 에 형성 된 제 2 필드 플레이트 ( 170 ) 를 포함 한다 .