이 에 따르 면 , 상술 한 바 와 같이 형광 층 ( 114 ) 이 형성 된 후면 패널 ( 110 ) 에 는 상술 한 네거티브 서 스테인 펄스 ( - sus ) 에 의해 상대 적 으로 전자 들 이 쌓이 게 된다 . 따라서 , 형광 층 ( 114 ) 에 가해 지 는 충격 이 감소 된다 . 반면 , 전면 패널 ( 100 ) 에 는 양 이온 이 쌓이 는 과정 에서 , 상기 전면 패널 ( 100 ) 상 에 형성 된 산화마그네슘 ( MgO ) 층 ( 105 ) 에 이온 충격량 을 증가 시켜 2 차 전자 ( secondary electron ) 발생 률 을 향상 시키 게 된다 .