일반 적 으로 , 반도체 소자 에 는 소자 와 소자 간 , 또는 , 배선 과 배선 간 을 전기 적 으로 연결 하 기 위해 금속 배선 이 형성 되 며 , 상기 금속 배선 의 형성 공정 으로서 다 마신 공정 이 제안 된 바 있 다 . 상기 다 마신 공정 은 절 연막 을 식각 하 여 트렌치 를 형성 한 다음 , 상기 트렌치 를 텅스텐 , 알루미늄 , 구리 등 의 도전 성 물질 로 매립 하 여 금속 배선 을 형성 하 는 기술 이 며 , 싱글 - 다 마신 ( Single - Damascene ) 공정 과 듀얼 - 다 마신 ( Dual - Damascene ) 공정 으로 나눌 수 있 다 .