본 발명 에 의한 플라스틱 기판 ( 50 ) 은 약 350 ° C 이상 500 ° C 이하 의 유리 전이 온도 ( transition temperature ; TG ) 를 갖 는 것 이 바람직 하 다 . 왜냐하면 , 플라스틱 기판 ( 50 ) 상 에 배리 어 막 ( 100 ) , 박막 트랜지스터 및 전자 소자 를 형성 하 는 과정 이 고온 에서 진행 되 더라도 변형 되 지 않 고 기판 의 역할 을 안정 적 으로 수행 해야 하 기 때문 이 다 . 구체 적 으로 배리 어막 ( 100 ) 을 형성 하 는 과정 은 약 350 ° C 이상 400 ° C 이하 의 고온 에서 진행 된다 . 따라서 만약 플라스틱 기판 ( 50 ) 의 유리 전이 온도 가 약 350 ° C 미만 인 경우 , 약 350 ° C 의 고온 공정 중 플라스틱 기판 ( 50 ) 이 탄성 을 가진 고무 처럼 변하 여 디스플레이 용 기판 의 역할 을 수행 할 수 없 다 . 또한 유리 전이 온도 가 약 500 ° C 를 초과 하 는 플라스틱 기판 ( 50 ) 은 플라스틱 기판 ( 50 ) 자체 의 가공 성 이 나쁘 기 때문 에 사용 하 지 않 는다 .