도 2 의 ( b ) 에 도시 된 바 와 같이 , 절연 층 ( 201 ) 을 기판 ( 200 ) 내 에 형성 한다 . 여기 서 , 부유 바디 셀 ( 202 ) 의 두께 가 채널 의 최대 공핍 폭 보다 두꺼운 PD SOI ( Partially Depleted Silicon On Insulator ) 기판 이 되 도록 절연 층 ( 201 ) 을 기판 ( 200 ) 내 에 형성 한다 . 절연 층 ( 201 ) 을 형성 함 으로써 기판 ( 200 ) 은 세 부분 으로 나뉘 어 지 고 , 이 세 부분 중 에서 절연 층 ( 201 ) 의 상부 영역 은 홀 을 축적 할 수 있 는 부유 바디 셀 ( 202 ) 로 정의 된다 .