하지만 , 실시 예 에 따른 반도체 소자 ( 200 ) 에 의하 면 , 이상 에서 설명 된 바 와 같이 , 상기 기판 ( 105 ) 이 전도성 기판 이 아니 어도 되 므로 , 상기 기판 ( 105 ) 에 별도 의 도 펀트 가 첨가 되 지 않 아도 된다 . 이 에 따라 , 실시 예 에 따른 상기 기판 ( 105 ) 에 도 펀트 가 첨가 되 지 않 아도 되 므로 , 상기 기판 ( 105 ) 에서 도 펀트 에 의한 흡수 및 산란 이 발생 되 는 현상 을 줄일 수 있 게 된다 . 따라서 , 실시 예 에 의하 면 , 복수 의 발광 구조물 ( P 1 , P 2 , … ) 에서 발생 된 빛 을 하부 방향 으로 효과 적 으로 제공 할 수 있 게 되 며 , 전력 변환 효율 ( PCE ) 이 향상 될 수 있 게 된다 .