다음 , 도 5 h 에 도시 한 바 와 같이 , 상기 소스 및 드레 인 전극 ( 244 , 246 ) 과 데이터 배선 ( 240 ) 상부 에 남 아 있 는 제 1 포토레지스트 패턴 ( 도 5 g 의 281 a ) 을 스트립 ( strip ) 또는 애 싱 ( ashing ) 을 진행 하 여 제거 한 후 , 상기 박막 트랜지스터 ( Tr ) 가 노출 된 형성 된 기판 ( 201 ) 을 플 라즈 마 발생 장치 예 를 들 면 화학 기상 증착 장치 의 챔버 ( 미 도시 ) 로 이동 시킨 후 , 수소 ( H 2 ) 가스 분위기 에서 플 라즈 마 에 300 초 내지 600 초 정도 노출 시키 는 수소 화 공정 을 진행 시킨다 .