일 구 현예 에서 , 제 1 표면 은 원소 금속 또는 금속 합금 과 같 은 금속 성 표면 을 포함 하 고 , 제 2 표면 은 저 유전율 재료 와 같 은 무기 유전체 표면 을 포함 한다 . 예 시 적 인 저 유전율 재료 는 성장 되 거나 증착 된 이산화규소 , 도핑 된 산화물 및 / 또는 다공성 산화물 , 실리콘 상 의 자연 산화물 등 을 포함 하 는 실리콘 산화물 계 재료 를 포함 한다 . 중합체 패 시베이 션 층 은 무기 유전체 표면 에 상대 적 인 금속 표면 상 에 선택 적 으로 증착 된다 . 이어서 , 관심 층 이 무기 유전체 표면 상 에 선택 적 으로 증착 된다 . 관심 층 은 금속 원소 를 포함 할 수 있 다 . 예 시 적 인 관심 층 은 산화 지르코늄 ( 예 : ZrO 2 ) , 산화 하프늄 ( 예 : HfO 2 ) 및 산화 티타늄 ( 예 : TiO 2 ) 과 같 은 유전체 를 포함 한다 . 중합체 층 에 대해 산화 규소 계 표면 상 에 이러 한 재료 를 선택 적 으로 증착 하 는 방법 이 제공 된다 .