일 실시 예 에 있 어서 , 기판 ( 230 ) 은 밀봉 링 영역 에 저부 층 ( bottom layer ) 으로서 하부 의 제 1 의 후면 패 시베이 션 층 을 구비 할 수 있 다 . 일 예 에서 , 제 1 의 후면 패 시베이 션 층 은 고 종횡비 공정 ( HARP ) 및 / 또는 고밀 도 플 라즈 마 ( HDP ) CVD 공정 에 의해 산소 도 펀트 의 증착 또는 패 시베이 션 층 의 증착 에 의해 형성 될 수 있 다 . 일 예 에서 , 제 1 의 후면 패 시베이 션 층 은 유전체 ( ILD 또는 IMD ) 를 구비 하 고 산화물 이 다 . 더욱이 , 일 예 에서 , 기판 ( 230 ) 은 제 1 의 후면 패 시베이 션 층 의 형성 전 에 에칭 에 의해 시닝 된다 .