먼저 , 제조 하 고자 하 는 광소자 가 발광 소자 인 경우 , 도 18 a 를 참조 하 면 , 예컨대 , n 형 도핑 층 ( 400 ) , 활성 층 ( 410 ) 및 p 형 도핑 층 ( 420 ) 을 순차 적 으로 적층 한 후 , p 형 도핑 층 ( 420 ) 의 발광 부 를 제외 한 상면 에 p 형 상부 전극 ( 430 ) 을 적층 하 고 , n 형 도핑 층 ( 400 ) 의 하면 에 n 형 하부 전극 ( 440 ) 을 적층 함 으로써 형성 할 수 있 으며 , 이 에 국한 하 지 는 않 는다 .