단면도 ( 200 A ) 에서 도시 된 바 와 같이 , 집 적 칩 은 기판 ( 102 ) 위 에 배치 된 하부 유전체 구조물 ( 106 ) 을 포함 한다 . 하부 유전체 구조물 ( 106 ) 은 서로 적층 되 고 에칭 정지 층 들 ( 107 a ~ 107 b ) 에 의해 분리 된 복수 의 하부 레벨 간 유전체 ( inter - level dielectric ; ILD ) 층 들 ( 106 a ~ 106 c ) 을 포함 한다 . 일부 실시 예 들 에서 , 복수 의 하부 ILD 층 들 ( 106 a ~ 106 c ) 은 실리콘 이 산화물 , 도핑 된 실리콘 이 산화물 ( 예컨대 , 탄소 도핑 된 실리콘 이 산화물 ) , 실리콘 산질 화물 , BSG ( borosilicate glass ) , PSG ( phosphoric silicate glass ) , BPSG ( borophosphosilicate glass ) , FSG ( fluorinated silicate glass ) 등 중 하나 이상 을 포함 할 수 있 다 . 일부 실시 예 들 에서 , 에칭 정지 층 들 ( 107 a ~ 107 b ) 은 실리콘 탄화물 , 실리콘 질화물 , 티타늄 질화물 , 탄 탈륨 질화물 등 을 포함 할 수 있 다 .