이렇게 준비 된 양극 위 에 하 기 HI - 1 을 50 Å 의 두께 로 열 진공 증착 하 여 정공 주입 층 을 형성 하 고 , 그 위 에 정공 을 수송 하 는 물질 인 하 기 HT 1 을 1 , 150 Å 의 두께 로 진공 증착 하 여 정공 수송 층 을 형성 하 였 다 . 그 다음 에 하 기 HT 2 ( 150 Å ) 를 이용 하 여 정공 조절 층 을 형성 하 고 , 호스트 로서 하 기 BH 1 과 도 펀트 로서 하 기 BD 1 ( 2 중량 %) 을 360 Å 의 두께 로 진공 증착 하 여 발광 층 을 형성 하 였 다 . 그 후 ETM 1 을 50 Å 의 두께 로 증착 하 여 전자 조절 층 을 형성 하 고 , 상기 제조 예 7 에서 제조 한 화합물 1 과 하 기 Liq 를 7 : 3 의 질량비 로 혼합 하 여 두께 250 Å 의 전자 수송 층 을 형성 하 였 다 . 순차 적 으로 50 Å 두께 의 마그네슘 과 리튬 플 루오 라이드 ( LiF ) 을 전자 주입 층 으로 성막 한 후 음극 으로 마그네슘 과 은 을 1 : 4 의 두께 비 로 하 여 200 Å 가 되 도록 형성 시킨 후 하 기 CP 1 을 음극 의 CPL ( Capping layer ) 로서 600 Å 의 두께 로 증착 하 여 소자 를 완성 하 였 다 . 상기 의 과정 에서 유기물 의 증착 속도 는 1 Å / sec 를 유지 하 였 다 .