상기 발광 구조물 ( 110 ) 은 제 1 도전 형 반도체 층 ( 111 ) , 활성 층 ( 112 ) , 제 2 도전 형 반도체 층 ( 113 ) 을 포함 할 수 있 다 . 상기 활성 층 ( 112 ) 은 상기 제 1 도전 형 반도체 층 ( 111 ) 과 상기 제 2 도전 형 반도체 층 ( 113 ) 사이 에 배치 될 수 있 다 . 예 로서 , 상기 제 1 도전 형 반도체 층 ( 111 ) 위 에 상기 활성 층 ( 112 ) 이 배치 되 고 , 상기 활성 층 ( 112 ) 위 에 상기 제 2 도전 형 반도체 층 ( 113 ) 이 배치 될 수 있 다 .