상기 도 펀트 원 으로 는 , 주기표 의 제 3 B 족 원소 를 함유 하 는 물질 또는 주기표 의 제 5 B 족 원소 ( 인 , 붕소 , 비소 등 의 원소 ) 를 함유 하 는 물질 을 들 수 있 다 . 본 개시 의 고차 실란 조성물 이 이 와 같 은 물질 을 함유 함 으로써 , 이 들 원소 가 도프 된 비정질 실리콘 또는 다결정 실리콘 을 얻 을 수 있 다 . 도 펀트 원 으로 는 , 예 를 들 어 일본 공개 특허 공보 2000 - 31066 호 에서 거론 되 고 있 는 것 과 같 은 물질 을 예시 할 수 있 다 . 저차 실란 조성물 에 있 어서 의 도 펀트 원 의 농도 는 , 얻 어 지 는 비정질 실리콘 또는 다결정 실리콘 에 있 어서 최종 적 으로 필요 한 도 펀트 농도 에 따라 적절히 선택 된다 .