본 발명자 가 확인 한 바 에 따르 면 , 800 ℃ 에서 열처리 시 에 는 SiN 층 이 약간 남 아 있 다 . 하지만 , 전하 트랩 형 메모리 소자 제조 를 위해서 는 소스 / 드레 인 영역 형성 시 열처리 를 예 를 들 어 , 대략 850 ℃ 에서 20 분 정도 진행 하 므로 , SiN 층 이 La 원소 와 의 반응 에 의해 없 어 지 거나 거의 남 지 않 게 된다 .