또한 , 본 실시 형태 에 기재 하 는 반도체 장치 에서 는 , 정보 의 기입 에 높 은 전압 을 필요 로 하 지 않 아 , 소자 의 열화 의 문제 도 없 다 . 예 를 들 어 , 종래 의 불휘발성 메모리 와 같이 , 플로팅 게이트 에 의 전자 의 주입 이나 , 플로팅 게이트 로부터 의 전자 의 방출 을 행할 필요 가 없 기 때문 에 , 게이트 절연 층 의 열화 와 같 은 문제 가 전혀 발생 하 지 않 는다 . 즉 , 개시 하 는 발명 에 관한 반도체 장치 에서 는 , 종래 의 불휘발성 메모리 에서 문제 가 되 고 있 는 재 기입 가능 횟수 에 제한 은 없 어 , 신뢰 성 이 비약 적 으로 향상 된다 . 또한 , 트랜지스터 의 온 상태 , 오프 상태 에 따라 , 정보 의 기입 이 행해 지 기 때문 에 , 고속 의 동작 도 용이 하 게 실현 할 수 있 다 . 또한 , 정보 를 소거 하 기 위한 동작 이 불 필요 하 다는 장점 도 있 다 .