또한 , 상기 제 2 열처리 시 공정 챔버 내부 를 상기 실리콘 함유 가스 분위기 대신 에 Zn 함유 가스 분위기 로 만들 어 주 는 것 도 가능 하 며 , 이 경우 에 는 , 상기 실리콘 막대 ( 108 ) 대신 상기 금속 파티클 ( 106 ) 과 접촉 된 기판 ( 100 ) 부분 으로부터 상기 기판 ( 100 ) 과 수직 하 는 방향 으로 나노 사이즈 의 ZnO 막대 가 성장 된다 .