일부 실시 예 에서 , MuGFET 디바이스 들 은 매립 형 산화물 접촉 영역 상 에 형성 됨 으로써 기판 및 서로 에 대해 전기 적 으로 절연 되 기 때문 에 , 개별 디바이스 들 은 상이 한 소스 의 기준 전위 를 구비 한 별개 의 회로 및 별개 의 전원 공급 장치 에 연결 될 수 있 다 . 기타 다른 반도체 디바이스 들 은 또한 매립 형 산화물 접촉 영역 에 의해 절 연 되 지 않 는 기판 의 접촉 영역 에서 , 기판 상 에 형성 될 수 있 으며 기판 에 의해 지지 될 수 있 다 . 다양 한 회로 블록 들 은 상이 한 소스 의 기준 전위 에 동작 가능 하 게 결합 됨 에 도 불구 하 고 , 적합 한 결합 소자 또는 결합 네트워크 에 의해 서로 결합 될 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 회로 블록 들 은 상이 한 전력 소스 로부터 구동 된다 .