또한 , BCMD 와 같이 , 앞면 조사 형 으로 n － 층 상 에 포토 게이트 형 MOS 형 트랜지스터 를 형성 한 경우 , 광 조사 에 의한 캐리어 생성 이 반도체 표면 근처 에서 행해 지 므로 , 반도체 - 절 연막 계면 에 존재 하 는 트랩 에 캐리어 가 포획 되 어 축적 캐리어 가 리셋 전압 을 인가 해도 바로 는 배출 되 지 않 고 , 디바이스 특성 에 영향 을 주 는 문제점 이 있 다 .