이상 의 구성 으로 이루어지 는 인덕턴스 소자 ( L 1 , L 2 ) 를 포함 하 는 급전 회로 ( 21 ) 는 도 1 에 나타낸 급전 회로 ( 21 ) 와 동일 한 등 가 회로 이 며 , 인덕턴스 소자 ( L 1 , L 2 ) 는 반대 상 으로 자기 결합 하 여 무선 IC 칩 ( 10 ) 이 처리 하 는 주파수 로 공진 하 고 , 또한 방사 판 ( 32 ) 과 전자계 결합 하 고 있 다 . 또한 , 급전 회로 ( 21 ) 는 무선 IC 칩 ( 10 ) 의 임피던스 ( 통상 50 Ω ) 와 방사 판 ( 32 ) 의 임피던스 ( 공간 의 임피던스 377 Ω ) 의 매칭 을 도모 하 고 있 다 .