그러나 , 상기 애 노 딕 본딩 의 경우 , 실리콘 과 글래스 의 이종 접합 을 이용 하 여 패 키 징 을 진행 하 고 있 으므로 , 비록 실리콘 과 열 계수 ( thermal coefficient ) 특성 이 유사 한 글 래스 를 사용 한다 하 더라도 , 웨이퍼 의 사이즈 가 대구경 화 될수록 스트레스 문제 에 따른 소자 의 열화 현상 이 유발 될 수 있 으며 , 상기 글래스 는 반도체 팹 공정 에서 금기시 되 는 Na 성분 을 함유 하 고 있 어 , 반도체 팹 일괄 라인 에서 의 적용 이 불 가능 한 단점 이 있 다 .