도 6 j 를 참조 하 면 , 게이트 물질 층 ( 220 ) 을 제 4 산화물 층 ( 41 ) 이 노출 될 때 까지 CMP 한다 . 계속 해서 게이트 물질 층 ( 220 ) 을 이방성 식각 하 여 , 제 4 산화물 층 ( 41 ) 의 높이 를 제 1 및 제 2 돌출부 ( 210 a , 210 b ) 보다 낮춘다 . 이 결과 , 제 1 및 제 2 돌출부 ( 210 a , 210 b ) 양측 에 제 1 내지 제 3 게이트 ( 220 a ∼ 220 c ) 가 형성 된다 . 제 1 및 제 2 돌출부 ( 210 a , 210 b ) 사이 에 제 1 게이트 ( 220 a ) 가 존재 한다 .