산화물 반도체 층 의 가공 은 , 원 하 는 형상 의 마스크 를 산화물 반도체 층 위 에 형성 한 후 , 상기 산화물 반도체 층 을 에칭 함 으로써 행할 수 있 다 . 상기 의 마스크 는 , 포토 리소그래피 등 의 방법 을 사용 하 여 형성 할 수 있 다 . 또는 , 잉크젯 법 등 의 방법 을 사용 하 여 마스크 를 형성 해도 좋 다 . 또한 , 산화물 반도체 층 의 에칭 은 , 드라이 에칭 이 라도 웨트 에칭 이라도 좋 다 . 물론 , 이 들 을 조합 하 여 사용 해도 좋 다 .