도 10 은 본 발명 의 실시 형태 에 따른 프로세스 를 예시 하 는 흐름 도 이 다 . 도 10 의 프로세스 는 본 발명 에 따라 구성 된 임의 의 챔버 와 활용 될 수 도 있 다 . 단계 1000 에서 , 기판 은 챔버 로 이동 된다 . 단계 1005 에서 , 이동 가능 한 전극 은 기판 에 인접 하 지만 기판 을 터치 하 지 않 는 위치 로 이동 된다 . 단계 1010 에서 , 가스 가 챔버 로 도입 되 며 , 단계 1015 에서 , 전력 이 이동 가능 한 전극 또는 정지 전극 에 커플링 되 어서 , 단계 1020 에서 , 플 라즈 마가 점 화 된다 . 이러 한 조건 에서 , 기판 은 예 를 들 어 , 물리 적 및 / 또는 반응 성 이온 에칭 함 으로써 프로세싱 된다 . 종점 을 검출 하 거나 타이밍 에 의해 프로세싱 단계 가 완료 될 때 , RF 전력 은 단계 1025 에서 턴 오프 되 고 , 전극 은 단계 1030 에서 말단 위치 로 후퇴 하 며 , 챔버 는 단계 1035 에서 배기 된다 . 단계 1040 에서 , 기판 이 제거 되 고 , 프로세스 는 다른 기판 을 위해 자체 반복 한다 . 하나 의 기판 을 제거 하 고 다른 기판 을 도입 하 는 것 이 2 개 의 개별 단계 로서 도시 되 어 있 지만 , 이 들 은 동시 에 행해질 수 있 고 , 즉 , 하나 의 기판 이 이동 해 나갈 때 제 2 기판 이 이동해 들어올 수 도 있 다 .