배리 어성 이 높 은 재료 를 이용 한 절 연막 과 , 질소 의 함유 비율 이 낮 은 산화 규소 막 , 산화 질화규소 막 등 의 절 연막 을 적층 시킨 구조 를 갖 는 게이트 절 연막 ( 715 ) 을 형성 해도 좋 다 . 이 경우 , 산화 규소 막 , 산화 질화규소 막 등 의 절연 막 은 , 배리 어성 이 높 은 절 연막 과 산화물 반도체 막 ( 716 ) 의 사이 에 형성 된다 . 배리 어성 이 높 은 절 연막 으로서 , 예 를 들 어 질화규소 막 , 질화 산화 규소 막 , 질화알루미늄 막 , 또는 질화 산화알루미늄 막 등 을 들 수 있 다 . 배리 어성 이 높 은 절 연막 을 이용 함 으로써 , 수분 또는 수소 등 의 분위기 내 의 불순물 , 또는 기판 내 에 포함 되 는 알칼리 금속 , 중금속 등 의 불순물 이 , 산화물 반도체 막 ( 716 ) 내 , 게이트 절 연막 ( 715 ) 내 , 또는 , 산화물 반도체 막 ( 716 ) 과 다른 절 연막 의 계면 과 그 근방 에 들어가 는 것 을 막 을 수 있 다 . 또한 , 산화물 반도체 막 ( 716 ) 에 접하 도록 질소 의 함유 비율 이 낮 은 산화 규소 막 , 산화 질화규소 막 등 의 절 연막 을 형성 함 으로써 , 배리 어성 이 높 은 절 연막 이 직접 산화물 반도체 막 ( 716 ) 에 접하 는 것 을 막 을 수 있 다 .