다음 으로 , 진공 증착 장비 의 기판 폴더 에 ITO 기판 을 설치 하 고 , 진공 증착 장비 내 의 셀 에 하 기 구조 의 4 , 4 '," 4 ""- tris ( N ", N -( 2 - naphthyl ) - phenylamino ) triphenylamine ( 2 - TNATA ) 을 넣 고 , 챔버 내 의 진공도 가 10 - 6 torr 에 도달 할 때 까지 배기 시킨 후 , 셀 에 전류 를 인가 하 여 2 - TNATA 를 증발 시켜 ITO 기판 상 에 60 nm 두께 의 정공 주입 층 을 증착 하 였 다 .