다음 에 , 도 8 b 에 도시 하 는 바 와 같이 , 레지스 트 마스크 ( 86 ) 를 사용 하 여 , 1 도 전형 을 부여 하 는 불순물 원소 가 첨가 된 불순물 반도체 막 ( 63 ) 을 에칭 하 여 , 한 쌍 의 소스 영역 및 드레 인 영역 ( 88 ) 을 형성 한다 . 또 , 상기 에칭 공정 에 있 어서 , 제 2 버퍼 층 ( 42 ) 의 일부 도 에칭 된다 . 일부 에칭 된 제 2 버퍼 층 을 제 2 버퍼 층 ( 87 ) 으로 나타낸다 . 또 , 제 2 버퍼 층 ( 87 ) 에 는 오목 부가 형성 된다 . 소스 영역 및 드레 인 영역 의 형성 공정 과 , 제 2 버퍼 층 의 오 목부 를 동일 공정 에서 형성 할 수 있 다 . 여기 에서 는 , 제 2 버퍼 층 ( 87 ) 의 일부 가 , 레지스 트 마스크 ( 81 ) 와 비교 하 여 면적 이 축 소 된 레지스 트 마스크 ( 86 ) 로 일부 에칭 되 었 기 때문 에 , 소스 영역 및 드레 인 영역 ( 88 ) 의 외측 에 제 2 버퍼 층 ( 87 ) 이 돌출 한 형상 이 된다 . 또한 , 배선 ( 92 a 내지 92 c ) 의 말 단부 와 , 소스 영역 및 드레 인 영역 ( 88 ) 의 말 단부 는 일치 하 지 않 고 어긋나 있 고 , 배선 ( 92 a 내지 92 c ) 의 말 단부 의 외측 에 , 소스 영역 및 드레 인 영역 ( 88 ) 의 말 단부 가 형성 된다 . 이 후 , 레지스 트 마스크 ( 86 ) 를 제거 한다 . 또 , 도 8 b 는 , 도 9 b 의 U - V 의 단면도 에 상당 한다 .