본 발명 의 제 6 측면 은 기판 상 에 게이트 전극 과 게이트 절연 층 을 형성 하 는 단계 ; 상기 반도체 활성 층 을 형성 하 는 단계 ; 상기 활성 층 상부 에 게이트 절 연막 을 형성 하 는 단계 ; 및 상기 게이트 절 연막 상부 에 게이트 전극 , 상기 활성 층 에 접속 되 는 소오 스 , 드레 인 전극 을 형성 하 는 단계 를 구비 하 는 박막 트랜지스터 제조 방법 을 제공 한다 .