도 1 은 본 개시 의 일 실시 예 에 따르 는 비휘발성 메모리 장치 ( 1 ) 를 개략 적 으로 나타내 는 단면도 이 다 . 도 2 는 양 의 캐 패 시턴 스 를 구비 하 는 게이트 유전 층 구조물 에 대한 전압 대비 분극 을 나타내 는 그래프 이 다 . 도 3 은 음 의 캐 패 시턴 스 를 구비 하 는 강유 전 층 에 대한 전압 대비 분극 을 나타내 는 그래프 이 다 . 도 4 는 본 개시 의 일 실시 예 에 따르 는 비휘발성 메모리 장치 ( 1 ) 에서 , 게이트 유전 층 구조물 과 강유 전 층 이 각각 캐 패시 터 로서 직렬 연결 되 는 회로도 이 다 .