본 발명 에 따르 면 , 상이 한 치수 로 형성 된 리세 스 들 을 구비 하 여 확장 된 내부 면적 을 갖 는 리세 스 구조 를 마련 하 여 , 이 와 같 은 리세 스 구조 를 매립 하 는 리세 스 게이트 를 형성 하 여 이 를 포함 하 는 트랜지스터 를 형성 함 으로써 , 상기 리 세스 게이트 전극 의 면적 의 증가 를 통해 채널 길이 를 충분 하 게 확보 할 수 있 으며 , 이러 한 게이트 전극 을 구비 하 는 트랜지스터 의 몸체 효과 를 감소 시킬 수 있 다 .