공동 형성 은 오목 부 깊이 를 감소 시키 고 / 감소 시키 거나 오 목부 측벽 을 점점 가늘 게 함 으로써 완화 될 수 있 어서 , 오 목부 의 개구 는 오목 부 의 하부 보다 상부 에서 더 넓 을 수 있 다 . 오 목부 깊이 를 줄이 는 트레이드 오프 는 소자 분리 의 효과 성 을 감소 시킬 수 있 는 반면 에 , 점점 가늘 게 한 측벽 을 갖 는 오 목부 의 더 큰 상부 개구도 IC 면적 을 추가 적 으로 소모 할 수 있 다 . 이러 한 문제 는 소자 치수 를 감소 시키 려 하 는 경우 , 점점 문제 가 될 수 있 다 . 따라서 , 오목 부를 충 진하 기 위한 개선 된 방법 및 장치 가 바람직 하 다 .