종래 에 , III 족 - N HEMT MMIC 및 소자 는 III - N 주조 에서 리프트 오프 ( liftoff ) 기반 의 가공 에 의해 제조 되 었 다 . 그러나 , 최근 에 , III 족 - N HEMT 는 Si CMOS 주조 환경 에서 Au 이 없 는 , 감산 적 ( subtractive ) 가공 기술 과 같 은 고수 율 실리콘 ( Si ) 을 사용 하 여 제조 되 기 시작 했 다 . 보다 구체 적 으로 , " "" 리프트 - 오프 "" 공정 은 물질 이 적층 될 표면 의 선택 된 부분 을 노출 시키 기 위해 윈도우 를 갖 는 마스크 이 다 . 물질 은 표면 의 노출 된 선택 된 부분 상 에 윈도우 를 통과 하 는 물질 의 일부 를 갖 는 마스크 상 에 적층 된다 . 마스크 는 마스크 상 의 물질 의 일부 ( 적층 된 물질 의 불 필요 한 부분 ) 와 함께 용매 로 표면 으로부터 리프트 오프 되 면서 "," 표면 의 노출 된 선택 된 부분 상 의 물질 의 목적 하 는 부분 을 남긴다 . "" 감산 적 "" 공정 은 우선 물질 이 전체 표면 상 에 적층 된다 . 그 후 ", 마스크 는 적층 된 물질 의 선택 된 부분 ( 가공 후 에 남 아 있 는 부분 ) 위 에 만 피복 되 도록 형성 된다 ; 적층 된 물질 의 불 필요 한 부분 이 노출 된다 . 그 후 , 에 칭제 는 마스크 와 접촉 하 게 되 어 , 노출 된 불 필요 한 부분 을 제거 하 지만 , 마스크 는 에 칭제 가 물질 의 커버 된 목적 하 는 부분 이 제거 되 는 것 을 억제 한다 .