복수 의 커패시터 구조 ( 200 ) 를 형성 하 기 전 에 , 리세 스 부 ( 190 R ) 를 채우 는 절연 구조물 ( 195 ) 을 형성 할 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 절연 구조물 ( 195 ) 은 층간 절연 층 및 식각 정지 막 으로 이루어질 수 있 다 . 예 를 들 면 , 상기 층간 절연 층 은 산화 막 으로 이루어지 고 , 상기 식각 정지 막 은 질화 막 으로 이루어질 수 있 다 . 도 13 에 는 절연 구조물 ( 195 ) 의 상면 과 하부 전극 ( 210 ) 의 하 면 이 동일 레벨 에 위치 하 는 것 으로 도시 되 었 으나 , 이 에 한정 되 지 않 는다 . 예 를 들 면 , 절연 구조물 ( 195 ) 의 상면 의 레벨 은 하부 전극 ( 210 ) 의 하면 의 레벨 보다 높 게 위치 할 수 있 으며 , 하부 전극 ( 210 ) 은 절연 구조물 ( 195 ) 내 로 기판 ( 110 ) 을 향하 여 연장 될 수 있 다 .