또한 , 본 발명 에 따른 반도체 소자 의 게이트 구조 제조 방법 은 , ( a ) 실리콘 기판 위 에 산화 막 을 형성 하 는 단계 와 , ( b ) 실리콘 기판 의 채널 영역 을 노출 시키 도록 산화 막 을 식각 하 여 개구부 를 형성 하 는 단계 와 , ( c ) 개구부 안 에 노출 된 실리콘 기판 에 게이트 절 연막 을 형성 하 는 단계 와 , ( d ) 개구부 를 채우 도록 충분 한 두께 로 게이트 전 도막 을 증착 하 는 단계 와 , ( e ) 게이트 전 도막 을 식각 하 여 게이트 를 형성 하 고 산화 막 을 식각 하 여 게이트 절 연막 의 양쪽 가장자리 에 보호 산화 막 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 여 구성 된다 .