본 발명 은 반도체 소자 의 제조 방법 과 그 에 사용 되 는 노광 장치 에 관한 것 으로 , 이 머 젼 리소그래피 방식 과 장치 에 있 어서 , 매질 에 전하 를 가할 수 있 는 투명 전극 층 을 구비 하 여 매질 과 웨이퍼 상 에 도포 된 감광막 사이 의 접합 력 을 줄여 스캔 속도 를 높일 수 있 다 . 이 로 인해 반도체 소자 의 생산 성 을 높이 는 효과 를 얻 을 수 있 다 .