쵸 크랄스 키 ( Czochralski ; CZ ) 법 으로 성장 된 순수 실리콘 의 경우 , 산소 석출 과 관련 한 결함 이 주 를 이루 며 , COP 는 거의 없 지만 영역 별 로 공공 ( Vacancy ) 들 이 존재 하 며 , 공공 이 우세 한 영역 을 Pv 영역 , 인터 스티 셜 ( interstitial ) 이 우세 한 영역 을 Pi 영역 으로 구분 한다 . 이러 한 특성 ( Pi , Pv ) 은 결정 성장 열 이력 ( Thermal History ) 및 결정 성장 속도 에 따라 범위 가 결정 되 고 , 산소 석출 거동 또한 불 균일 한 특성 을 나타내 고 있 다 . 급속 열처리 는 이러 한 불 균일 한 디누 드 존 또는 BMD 를 제어 할 목적 으로 많이 사용 되 고 있 다 .