게이트 바이어스 스트레스 란 도 3 과 같이 TFT 의 게이트 전압 이 지속 적 으로 정극성 전압 으로 인가 되 거나 ( positive gate bias stress ) , 도 4 와 같이 지속 적 으로 부극 성 전압 으로 인가 될 때 ( negative gate bias stress ) , 문턱 전압 ( Vth ) 이 쉬프 트 되 는 현상 을 의미 한다 . 도 3 및 도 4 에 있 어서 , 횡축 은 TFT 의 게이트 전극 에 인가 되 는 게이트 전압 ( Vg ) 이 고 종축 은 TFT 의 드레 인 - 소스 간 전류 ( Ids ) 이 다 . 도 3 의 포지티브 게이트 바이어스 스트레스 에 의해 TFT 의 문턱 전압 은 최초 문턱 전압 보다 높 은 정극성 전압 으로 이동 하 며 , 도 4 의 네거티브 게이트 바이어스 스트레스 에 의해 TFT 의 문턱 전압 은 최초 문턱 전압 보다 낮 은 은 부극 성 전압 으로 이동 한다 . 이러 한 게이트 바이어스 스트레스 는 TFT 의 전극 들 사이 에 형성 된 절연 막 에서 전하 가 충전 되 는 차지 트래핑 ( charge trapping ) 과 , TFT 의 반도체 층 에서 실리콘 분자 의 연결 이 끊 어 져 전하 이 동특성 이 열화 되 는 디 펙 트 크리 에 이 션 ( defect creation ) 에 의해 영향 을 받 는다 .