다시 말 해 , 일실 시예 에 따른 박막 의 결정 성장 거동 조절 방법 은 결정질 이 황화주석 ( SnS 2 ) 시드 층 ( 112 ) 및 비결정질 결정질 시드 층 ( 113 ) 에 대한 열처리 공정 을 통해 , 결정 방향 이 기판 ( 111 ) 에 수직 한 방향 으로 정렬 된 결정질 일 황화주석 ( SnS ) 박막 ( 114 ) 을 형성 할 수 있 다 .