또한 , 게르마늄 을 주성분 으로 하 는 반도체 막 ( 61 ) 으로서 미결정 게르마늄 막 을 형성 하 는 1 형태 로서 , 반응 실 내 에서 , 게르마늄 을 포함 하 는 퇴적 성 기체 , 여기 에서 는 게르마늄 과 , 수소 및 / 또는 희가스 를 혼합 하 여 , 글 로 방전 플 라즈 마 에 의해 , 미결 정 게르마늄 막 을 형성 한다 . 게르만 은 수소 및 / 또는 희가스 로 10 배 부터 2000 배 로 희석 된다 . 이 때문 에 다량 의 수소 및 / 또는 희가스 가 필요 하 게 된다 . 기판 의 가열 온도 는 100 ℃ 내지 400 ℃, 바람직 하 게 는 250 ℃ 내지 350 ℃ 에서 행한다 . 또 , 게르마늄 을 포함 하 는 퇴적 성 기체 , 수소 와 함께 , 실리콘 을 포함 하 는 퇴적 성 기체 를 사용 하 는 것 으로 , 게르마늄 을 주성분 으로 하 는 반도체 막 ( 61 ) 으로서 미결정 실리콘 게르마늄 ( SiyGe 1 - y , 0 < y < 0 . 5 ) 막 을 형성 할 수 있 다 .