패시 베이 션 층 ( 203 ) 의 재질 은 p 형 결정질 실리콘 기판 ( 201 ) 표면 을 보호 하 여 전자 - 정공 의 재결합 원인 이 되 는 결함 을 최소 화 할 수 있 는 재질 로 하 는 것 이 바람직 하 다 . 이러 한 물질 로서 는 , 산화 실리콘 ( SiO 2 ) , 탄화 실리콘 ( SiC ) , 질화 실리콘 ( SiNx ) , 또는 인 트린 식 ( intrinsic ) 비정질 실리콘 등 을 예 로 들 수 있 다 . 한편 , 이러 한 재질 을 가지 며 n 형 으로 도핑 된 패 시베이 션 층 ( 203 ) 이 n 형 비정질 실리콘 층 으로 기능 하 게 됨 에 따라 종래 이 종접 합 태양 전지 의 비정질 실리콘 층 에 비해 직렬 저항 이 감소 되 어 , 이 종접 합 태양 전지 ( 200 ) 의 안정 성 과 재연 성 이 높 아 지 게 된다 .