실리사이드 형성 금속 층 ( 430 ) 의 형성 에 이어 , 하부 에 한 세트 의 도체 들 ( 408 ) 의 형성 과 유사 한 방법 으로 제 2 세트 의 도체 들 ( 436 ) 이 다이오드 들 ( 428 ) 위 에 형성 될 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 제 2 의 한 세트 의 상부 도체 들 ( 436 ) 을 형성 하 기 위해 사용 되 는 도전 층 ( 440 ) 의 증착 에 앞서 실리사이드 형성 금속 층 ( 430 ) 위 에 하나 이상 의 장벽층 들 및 / 또는 부착 층 들 ( 438 ) 이 놓여 질 수 있 다 .