도 2 와 같이 패 터닝 된 기판 층 위 에 유기 탄소막 인 SOC ( spin on carbon ; 주로 탄소 로 이루어진 중합체 수용액 ) 층 을 1 , 000 Å 으로 코팅 하 고 , 400 ℃ 의 온도 에서 3 분 간 베 이크 공정 을 진행 하 며 , 무기 막인 SiON 층 을 화학 기상 증착 법 으로 300 Å 두께 로 증착 한 후 , KrF 용 포토레지스트 를 2 , 000 Å 두께 로 코팅 한 다음 , 니콘 204 B KrF 노광 장비 로 24 mj 에서 노광 하 여 200 nm 크기 의 패턴 을 가지 는 마스크 를 형성 하 였 다 . 상기 형성 된 마스크 를 이용 하 여 증착 된 막 을 식각 가스 를 이용 하 여 기판 층 인 옥사이드 층 까지 1 차 건식 식각 을 실시 한 다음 , 1 차 건식 식각 된 기판 에 아이소프로필 알콜 80 %, 에틸렌글리콜 17 . 9 %, 테트라에틸 암모늄 하이드 록 사이드 2 %, 폴리 옥시 에틸렌 라 우릴 에스터 0 . 1 % 가 함유 된 세정액 으로 표 1 에 기재 된 분 사량 으로 도포 하 여 공정 을 진행 한 후 에 , Poly 층 을 화학 기상 증착 법 으로 300 Å 두께 로 증착 한 후 2 차 건식 식각 을 실시 하 여 패턴 형성 공정 을 완성 하 였 다 .