도 5 b 에서 , 인듐 갈륨 아연 산화물 ( IGZO ) 층 ( 570 ) 이 패 시베이 션 층 ( 560 ) 상 에 형성 되 어 동작 제어 를 위한 트랜지스터 들 의 제조 를 허용 한다 . 예 를 들 어 , IGZO 층 ( 570 ) 은 박막 트랜지스터 들 ( TFT 들 ) 을 제조 하 는 데 이용 될 수 있 다 . IGZO 층 ( 570 ) 은 , 예 를 들 어 스퍼터링 기술 들 을 이용 하 여 제조 될 수 있 다 . IGZO 층 ( 570 ) 은 또한 비정질 규소 또는 임의 의 다른 금속 산화물 반도체 들 로 대체 될 수 있 다 .