따라서 , Ti 막 과 TiN 막 을 인 시투 ( in - situ ) 로 진행 하 는 상기 종래 의 ALD 기술 의 경우 , 상기 ALD 반응 챔버 내 의 상기 잔류 NH 3 를 극미량 수준 으로 제거 하 는 것 이 필수 불가결 하 다 . 그러나 , 상기 잔류 NH 3 는 Ti / TiN 막 의 형성 반응 에서 의 반응물 또는 부수 생성물 의 형태 로서 상기 ALD 반응 챔버 의 내부 벽면 에 물리 흡착 내지 화학 흡착 된 상태 로 존재 할 수 있 는 바 , 퍼징 ( purging ) 에 의해서 도 쉽 게 제거 되 지 않 아 문제 된다 .