본 실시 예 에서 , 6 - 인치 실리콘 웨이퍼 가 기판 ( 11 ) 으로 사용 되 며 , 다층 상호 연결 구조 ( 19 ) 는 상기 기판 ( 11 ) 상 에서 유전 층 ( dielectric layer ) 과 금속 층 을 연속 적 으로 적층 시킴 으로써 형성 되 는데 , 각 유전 층 ( 12 , 14 , 16 , 18 ) 은 저 - 유전 상수 및 8 ㎛ 의 두께 를 갖 는 폴리 이미드 ( polyimide , PI ) 이 고 ; 상부 금속 층 ( 17 ) 및 하부 금속 층 ( 13 ) 은 솔 더 볼 ( solder ball ) 로 의 연속 적 인 전기 연결 을 위하 여 Cr / Cu / Ni / Au 구조 를 구비 한 범프 밑 금속 층 ( under bump metal , UMB ) 이 고 , 중간 금속 층 ( 15 ) 은 Cr / Cu / Cr 의 다층 금속 와이어 이 다 .