또한 , 상기 한 목적 을 달성 하 기 위한 다른 측면 에 따른 본 발명 은 , 비트 라인 과 , 공통 소스 라인 과 , 상기 비트 라인 과 연결 된 드레 인 선택 트랜지스터 와 , 상기 공통 소스 라인 과 연결 된 소스 선택 트랜지스터 와 , 상기 드레 인 선택 트랜지스터 와 상기 소스 선택 트랜지스터 사이 에 직렬 연결 된 복수 의 메모리 셀 과 , 상기 메모리 셀 과 연결 된 복수 의 워드 라인 과 , 상기 워드 라인 의 선폭 에 따라 서로 다른 유전율 을 갖 고 상기 워드 라인 사이 에 개재 된 복수 의 스 페이서 를 포함 하 는 비휘발성 메모리 소자 를 제공 한다 .