다음 에 , 피막 ( 41 a ) 위 에 반도체 막 ( 42 ) 을 형성 한다 . 반도체 막 ( 42 ) 은 피막 ( 41 a ) 표면 의 요철 의 영향 을 받 아 , 반도체 막 ( 42 ) 표면 도 요철 을 가진다 . 다음 에 , 실시 형태 1 과 마찬가지 로 , 결정 성 이 높 은 결정핵 을 밀도 높 게 형성 하 는 공정 을 행한다 . 여기 서 도 마찬가지 로 , 플라 즈 마 CVD 장치 의 반응 실 내 에 , 불소 , 플루오르화물 기체 , 수소 중 의 적어도 하나 이상 을 도입 하 여 고주파 전원 을 인가 하 여 플 라즈 마 ( 43 ) 를 발생 시키 고 , 상기 플 라즈 마 ( 43 ) 를 반도체 ( 42 ) 에 노출 함 으로써 , 반도체 막 ( 42 ) 의 일부분 , 대표 적 으로 는 비정질 반도체 성분 을 에칭 한다 . 또한 , 본 실시 형태 에서 는 , 반도체 막 ( 42 ) 의 표면 이 요철 을 가지 므로 , 반도체 막 ( 42 ) 의 응력 집중 ( stress concentration ) 에 의하 여 결정핵 이 형성 되 기 쉽 게 된다 . 또한 , 반도체 막 ( 42 ) 의 Si 의 결합수 가 ( 110 ) 면 외 의 면 에서 도 결합 하 므로 , 결합 이 더 강고 하 게 되 고 , 피막 과 결정핵 , 또 게이트 절 연막 과 미결정 반도체 막 의 밀착 성 이 향상 된다 .