제 3 유닛 셀 ( 115 ) 의 비단 결정 반도체 층 ( 116 ) 은 , 대표 적 으로 는 비정질 실리 콘 이 적용 된다 . 또한 , 비정질 반도체 층 대신 에 미결정 반도체 층 ( 대표 적 으로 는 미결정 실리콘 ) 을 적용 하 는 것 도 가능 하 다 . 한 도전 형 의 제 3 불순물 반도체 층 ( 117 ) 과 , 한 도전 형 과 는 반대 인 도전 형 의 제 4 불순물 반도체 층 ( 118 ) 은 , 소정 의 불순물 을 포함 하 여 형성 된 비정질 반도체 층 또는 미결정 반도체 층 으로 제작 된다 . 대표 적 으로 는 , 비정질 실리콘 또는 미결정 실리콘 이 고 , 그 외 비정질 실리콘 카바이드 가 적용 된다 . 제 3 불순물 반도체 층 ( 117 ) 을 p 형 으로 하 는 경우 , 제 4 불순물 반도체 층 ( 118 ) 은 n 형 이 고 , 그 반대 의 선택 도 가능 하 다 .