도 2 c 를 참조 하 면 , 상기 게이트 형성 영역 에 대응 하 는 실리콘 층 ( 220 ) 과 산화 막 ( 210 ) 및 실리콘 기판 ( 200 ) 부분 의 일부 두께 를 리세 스 하 여 게이트 용 홈 ( H ) 을 형성 한다 . 이때 , 상기 게이트 용 홈 ( H ) 은 상기 실리콘 기판 ( 200 ) 을 50 ∼ 300 Å 정도 의 두께 만큼 리세 스 하 여 게이트 의 채널 예정 영역 이 상기 산화 막 ( 210 ) 위쪽 에 배치 되 도록 형성 한다 .