기판 을 프로세싱 하 기 위해 사용 된 시스템 은 상부 챔버 부분 및 하부 챔버 부분 으로 형성 된 챔버 를 포함 한다 . 상부 챔버 부분 은 플 라즈 마 를 공급 하 도록 구성 된 샤워 헤드 를 포함 한다 . 하부 챔버 부분 은 프로세싱 동안 기판 에 대한 지지 를 제공 하 도록 구성 된 페데 스탈 을 포함 한다 . 프로세싱 영역 이 샤워 헤드 와 페데 스탈 의 지지 표면 사이 에 형성 되 고 , 상단 부 상 의 샤워 헤드 , 하 단부 의 페데 스탈 의 지지 표면 , 및 챔버 의 측벽 들 로 에워싸 인다 . 증착 프로세스 동안 , 프로세싱 영역 으로 제공 되 거나 프로세싱 영역 내 에서 생성 된 플라 즈 마는 플 라즈 마 에 노출 되 는 기판 의 표면 상 에 박막층 을 증착 하 도록 사용 된다 . 증착 프로세스 는 이상 적 인 범위 로 프로세싱 영역 내 의 표면 온도 를 유지 함 으로써 최적 화 될 수 있 다 . 프로세싱 영역 의 표면 온도 는 프로세싱 영역 을 에워싸 고 형성 하 는 다양 한 표면 들 의 온도 에 종속 한다 . 샤워 헤드 표면 및 페데 스탈 의 지지 표면 의 온도 는 플 라즈 마의 온도 에 영향 을 받 는다 . 챔버 의 측벽 들 의 온도 는 보통 보다 낮 은 온도 ( 예 를 들 어 , 약 40 ℃ 내지 50 ℃) 이 다 . 플 라즈 마 입자 퍼포먼스 는 이상 적 인 범위 ( 예 를 들 어 , 약 80 ℃ 내지 약 150 ℃) 내 의 안정 적 인 값 으로 측벽 의 온도 를 유지 함 으로써 향상 될 수 있 다 . 일부 실시 예 들 에서 , 이상 적 인 온도 범위 는 챔버 내 에서 사용 되 는 화학 물질 의 타입 에 종속 할 수 도 있 다 .