본 발명 의 적어도 하나 의 실시 예 에서 하드 마스크 는 , 예 를 들 어 , 이 의 전문 이 본 명세서 에 참 고 문헌 으로 포함 되 어 있 는 미국 특허 출원 일련 번호 11 / 444 , " 936 "" 트렌치 에칭 중 패턴 화 특성 을 보호 하 기 위한 전도성 하드 마스크 "" 라는 제목 으로 2006 년 5 월 13 일자 출원 ( 이후 에 ""' 936 출원 "" 이 라 함 ) 에서 기술 한 대로 상기 다이오드 ( 428 ) 위 에 형성 할 수 있 다 . 예 를 들 어 ", 상기 고유 실리콘 층 ( 418 ) 과 n + 실리콘 층 ( 416 ) 의 패턴 화 와 에칭 에 앞서 p + 실리콘 층 은 고유 층 ( 418 ) 도핑 에 의해 ( 예 를 들 어 , 이온 주입 또는 또 다른 도핑 방법 을 이용 하 여 ) 형성 될 수 있 다 . 상기 규소 화합물 - 형성 금속 층 ( 430 ) 은 상기 P + 실리콘 층 , 이후 에 장벽 층 및 / 또는 전도성 층 상 에 형성 될 수 있 다 . 상기 장벽 과 전도성 층 은 다이오드 ( 428 ) 의 패턴 화 와 에칭 화 동안 하드 마스크 로 제공 되 고 , 상부 전도체 ( 436 ) 형성 중 에 발생 할 수 있 는 과 에칭 을 완화 시킬 수 있 다 ( ' 936 출원 에 기재 한 것 과 같 음 ) .