다음 에 , 도 10 ( D ) 에 나타내 는 바 와 같이 , 도전 막 ( 65 a ∼ 65 c ) 위 에 제 3 포토 마스크 를 사용 하 여 레지스 트 마스크 ( 66 ) 를 형성 하 고 , 도전 막 ( 65 a ∼ 65 c ) 의 일부 를 에칭 하 여 한 쌍 의 소스 전극 및 드레 인 전극 ( 71 a ∼ 71 c ) 을 형성 한다 . 도전 막 ( 65 a ∼ 65 c ) 을 습식 에칭 하 면 , 선택 적 으로 에칭 된다 . 이 결과 , 도전 막 ( 65 a ∼ 65 c ) 을 등방 적 으로 에칭 하 기 때문 에 , 레지스 트 마스크 ( 66 ) 보다 면적 이 작 은 소스 전극 및 드레 인 전극 ( 71 a ∼ 71 c ) 을 형성 할 수 있 다 .