기술 발전 에 따라 높 은 중 횡 비 의 식각 에 관한 응용 과 수요 가 증가 하 고 있 다 . 예 를 들 어 , 메모리 분야 에서 , 3 D NAND 플래시 메모리 ( flash memory ) 는 메모리 칩 의 주요 한 구조 의 하나 이 다 . 3 D NAND 칩 을 제조 하 는 과정 에서 , 먼저 실리콘 산화물 층 과 실리콘 질화물 층 을 교대 로 적층 하 여 형성 하 며 ( 층수 가 64 층 또는 심지어 백층 이상 일 수 있 다 ) , 플라 즈 마 식각 으로써 상기 층 들 모두 를 관통 할 수 있 다 . 상기 층 들 의 전체 적 인 두께 가 매우 크 기 때문 에 ( 5 μ m 보다 크 거나 심지어 8 μ m 이 상이다 ) , 높 은 종횡비 의 식각 에 속한다 . 그러나 , 전술 한 종래 의 플 라즈 마 식각 반응기 에 있 는 RF 에너지 제어 시스템 으로 는 이온 을 식각 할 층 의 홀 의 바닥 까지 구동 할 수 없 기 때문 에 , 홀 을 형성 하 기 위한 식각 을 실행 하 는 것 이 불 가능 하 다 .