단계 ( S 3 ) 에서 , 플라 즈 마 처리 된 막 은 TS - SiO 를 달성 하 기 위해 습식 식각 된다 . 단계 ( S 2 ) 에 의해 , 불순물 은 막 의 수평 부분 ( 즉 , 막 의 상부 / 하부 부분 ) 으로부터 선택 적 으로 제거 되 고 , 막 의 수평 부분 은 치밀 화 되 고 내 화학 성 을 증가 시킨다 . 플 라즈 마 처리 된 막 을 습식 식각 함 으로써 , 막 의 수평 부분 보다 더 많 은 불순물 을 함유 하 는 막 의 수직 부분 ( 즉 , 막 의 측벽 부분 ) 은 주로 식각 되 거나 제거 되 어 , 상부 / 하부 가 두꺼운 프로 파일 을 형성 한다 . 일부 구 현예 에서 , 단계 ( S 3 ) 는 아래 의 표 2 에 나타난 조건 하 에서 수행 될 수 있 다 .