제 1 PR 마스크 ( 208 ) 는 , 예컨대 193 ㎚ 물 이 머 전 리소그래피 와 같 은 포토 리소그래피 프로세스 를 사용 하 여 패 터닝 될 수 도 있 다 . 그러나 , 본 발명 은 다른 리소그래피 프로세스 들 에 도 또한 적용 가능 하 다 . 제 1 PR 마스크 ( 208 ) 를 형성 하 는 것 은 , ( 예컨대 , 스핀 코팅 에 의해 ) 웨이퍼 상 에 PR 재료 의 액체 도포 , 제 1 레티 클 을 사용 하 여 광 에 노출 ( 스캐닝 ) , 베 이크 , 및 현상 을 포함 할 수 도 있 다 . 현상 이후 에 수용성 PR 재료 는 세척 될 수 도 있 다 . 제 1 PR 마스크 피 쳐 들 ( 210 ) 은 , 종래 의 포토 리소그래피 프로세스 들 을 사용 하 여 , 약 55 ㎚ 내지 100 ㎚ 인 , 인접 한 마스크 피쳐 패턴 ( 210 ) 사이 의 스페이스 ( 212 ) 의 폭 일 수 도 있 는 통상 적 인 임계 치수 ( CD ) 를 가질 수 도 있 다 .