본 개시 내용 의 실시 예 들 에서 , MEMS 트랜스 듀 서 ( 30 ) 는 이중 멤 브레인 구성 을 포함 하 고 , 여기 서 제 1 전극 구 조체 ( 14 , 24 ) 는 제 1 멤 브레인 이 고 , 제 2 전극 구 조체 ( 16 , 26 ) 는 제 2 멤 브레인 이 고 , 제 3 전극 구 조체 ( 12 , 22 ) 는 백 플레이트 이 다 . 그러 한 실시 예 는 , 예 를 들 어 , " 고 성능 실리콘 마이크로폰 들 에서 실현 될 수 있 다 . 고 성능 실리콘 마이크로폰 들 은 음향 성능 및 외부 환경 에 대한 강건 성 둘 다를 달성 하 도록 요구 된다 . 신호 대 잡음 비 및 전체 고조파 왜곡 은 "" 음향 성능 "" 이 라는 용어 하 에서 이해 될 수 있 다 . 본 명세서 에 제안 된 바 와 같 은 역 평행 판독 구성 을 갖 는 MEMS 트랜스 듀 서 ( 30 ) 를 제공 함 으로써 ", 높 은 음향 성능 및 높 은 강건 성 이 달성 된다 .