또한 , 상기 게이트 및 스토리지 배선 ( 미 도시 ) 과 제 1 및 제 2 게이트 전 극 ( 123 , 125 ) 과 제 1 스토리지 전극 ( 129 ) 위 로 는 전면 에 층간 절 연막 ( 130 ) 이 형성 되 어 있 다 . 이때 , 상기 반도체 층 ( 110 ) 중 상기 제 1 및 제 2 게이트 전극 ( 123 , 125 ) 과 중첩 하 지 않 는 도핑 된 영역 ( 110 b ) 에 대응 하 는 상기 층간 절 연막 ( 130 ) 과 그 하부 의 게이트 절 연막 ( 113 ) 에 는 상기 반도체 층 ( 110 ) 의 도핑 된 영역 ( 110 b ) 을 각각 노출 시키 는 제 1 및 제 2 반도체 층 콘 택 홀 ( 133 , 135 ) 이 형성 되 어 있 다 .