도 7 ( d ) 에 나타내 는 바 와 같이 , 실리콘 질 화 막 으로 이루어지 는 제 1 및 제 2 절연성 커버 막 ( 12 - 1 , 12 - 2 ) 을 마스크 로 하 여 , 게이트 ( 5 ) 의 상면 으로 연장 되 는 게이트 측벽 절 연막 ( 6 ) 및 게이트 산화 막 ( 3 ) 의 노출 부분 을 습식 에칭 으로 제거 한다 . 그 결과 , 게이트 ( 5 ) 의 상면 , 그리고 , 드레 인 ( 11 - 1 ) 의 상면 및 소스 ( 11 - 2 ) 의 상면 이 노출 된다 . 게이트 산화 막 ( 3 ) 의 양 단부 는 , 제 1 및 제 2 게이트 측벽 도전 막 ( 10 - 1 , 10 - 2 ) 의 외측 단부 에 정합 한다 . 또한 , 게이트 ( 5 ) 의 측벽 , 즉 게이트 ( 5 ) 와 제 1 및 제 2 게이트 측벽 도전 막 ( 10 - 1 , 10 - 2 ) 의 사이 에 , 제 1 게이트 측벽 절 연막 ( 6 - 1 ) 과 제 3 게이트 측벽 절 연막 ( 7 - 1 ) 으로 이루어지 는 사이드 월 스 페이서 , 및 제 2 게이트 측벽 절 연막 ( 6 - 2 ) 과 제 4 게이트 측벽 절 연막 ( 7 - 2 ) 으로 이루어지 는 사이드 월 스 페이서 가 형성 된다 .