특히 , 반도체 메모리 소자 의 집적도 의 증가 로 소자 크기 가 점차 감소 함 에 따라 , 충분 한 정전 용량 을 확보 할 수 있 는 커패시터 를 제조 하 는 것 이 점점 어려워졌 다 . 이 에 , 커패시턴스 값 을 증가 시키 기 위하 여 유전 상수 가 높 은 물질 을 사용 하 거나 , 저장 전극 의 높이 를 높이 거나 , 커패시터 의 표면적 을 증가 시키 는 등 저장 전극 의 구조 를 개선 하 려는 연구 가 꾸준히 이루어지 고 있 다 . 그 해결책 으로 , 최근 에 는 커패시터 의 내부 면적 만 노드 면적 으로 사용 하 는 컨 케이브 형 ( concave type ) 형 커패시터 구조 에서 내부 면적 은 물론 외부 면적 까지 도 노드 면적 으로 사용 하 는 실린더 형 ( cylinder type ) 커패시터 구조 를 보다 선호 하 고 있 다 .