본 발명 은 상기 와 같 은 문제점 을 해결 하 기 위해 안출 한 것 으로 , 트렌치 에 절연 물질 을 갭 필 ( gap fill ) 하 기 전 에 1 차 평탄 화 공정 을 수행 하 여 반도체 기판 의 두께 를 낮춤 으로써 , 격리 막 형성 시 갭 필 마진 ( gap fill margin ) 을 확보 할 수 있 는 반도체 소자 의 격리 막 형성 방법 을 제공 하 는데 그 목적 이 있 다 .