본 개시 내용 에 따른 반도체 구 조체 의 제조 방법 은 기판 상 에 배치 되 는 III 족 - N 반도체 층 을 갖 는 기판 을 제공 하 는 단계 ; 상기 III 족 - N 반도체 층 과 접촉 하 는 다중 층 의 전기 접촉 구조 체 를 형성 하 는 단계 로 , 상기 전기 접촉 구조 체 는 상기 III 족 - N 반도체 층 과 접촉 하 는 금 이 없 는 접촉 층 ; 상기 접촉 층 과 전기 적 으로 연결 되 는 금 이 없 는 전기 전도성 에칭 저지 층 ; 을 포함 하 는 , 단계 ; 및 기판 을 통해 상기 에칭 저 지층 으로 통과 하 는 전기 전도성 비아 를 형성 하 는 단계 ; 를 포함 하 는 것 으로 이해 해야 한다 . 상기 방법 은 다음 특징 중 하나 이상 을 독립 적 으로 또는 다음 을 포함 하 는 다른 특징 과 조합 하 여 포함 할 수 있 다 : 상기 다 중층 의 전기 접촉 구조 체 는 상기 금 이 없 는 접촉 층 상 에 배치 되 는 알루미늄 계층 을 포함 하 고 , 상기 금 이 없 는 접촉 층 은 상기 III 족 - N 반도체 층 과 직접 접촉 하 여 형성 되 고 , 상기 접촉 층 및 알루미늄 계층 은 상기 III 족 - N 반도체 층 과 오 믹 접촉 을 형성 하 기 위해 660 도 미만 의 온도 에서 어닐링 되 고 , 상기 다 중층 의 전기 접촉 구조 체 는 다 중층 의 전기 접촉 구조 체 와 전기 적 으로 연결 되 는 전극 접촉 을 포함 하 고 , 상기 다 중층 의 전기 접촉 구조 체 및 전극 접촉 은 소스 , 드레 인 또는 게이트 전극 구 조체 를 포함 하 고 , 전극 접촉 은 금 이 없 는 전극 접촉 으로 형성 된다 .