일 양태 에서 , 반도체 기판 을 프로세싱 하 는 방법 이 제공 된다 . 일부 실시 예 들 에서 , 방법 은 ( a ) 복수 의 돌출 하 는 피처 들 을 갖 는 반도체 기판 을 제공 하 는 단계 로서 , 돌출 하 는 피처 들 은 수평 표면 들 및 측벽 들 을 갖 는 , 반도체 기판 을 제공 하 는 단계 ; ( b ) 돌출 하 는 피처 들 의 수평 표면 들 및 측벽 들 상 에 주석 옥사이드 층 을 형성 하 는 단계 ( 예 를 들 어 , 약 5 내지 30 ㎚ 의 두께 로 주석 옥사이드 를 컨 포 멀 하 게 증착 ) ; ( c ) 돌출 하 는 피처 들 의 측벽 들 에서 주석 옥사이드 층 위 에 패 시베이 션 층 을 형성 하 는 단계 ; 및 ( d ) 패 시베이 션 층 이 형성 된 후 , 돌출 하 는 피처 들 의 수평 표면 들 로부터 주석 옥사이드 를 에칭 하 고 제거 하 고 이 에 따라 돌출 하 는 피처 들 의 측벽 들 에 존재 하 는 주석 옥사이드 를 제거 하 지 않 고 , 돌출 하 는 피처 들 의 재료 를 노출 하 는 단계 를 포함 한다 . 일부 실시 예 들 에서 , 패 시베이 션 층 은 1 내지 5 ㎚ 의 두께 를 갖 는다 . 일부 실시 예 들 에서 , 단계 ( d ) 에서 노출 된 돌출 하 는 피처 들 의 재료 는 실리콘 - 함유 재료 ( 예 를 들 어 , 실리콘 옥사이드 또는 또 다른 실리콘 - 함유 화합물 ) , 탄소 - 함유 재료 ( 예 를 들 어 , 비정질 탄소 또는 포토레지스트 ) , 및 금속 옥사이드 ( 예 를 들 어 , 티타늄 옥사이드 ) 로 구성 된 그룹 으로부터 선택 된다 . 일부 실시 예 들 에서 , 단계 ( a ) 에서 제공 된 반도체 기판 은 돌출 하 는 피처 들 사이 에 실리콘 옥사이드 , 티타늄 옥사이드 , 지르코늄 옥사이드 , 및 텅스텐 옥사이드 로 구성 된 그룹 으로부터 선택 된 재료 를 포함 한다 .