이 로써 , 일 실시 형태 에 따른 에칭 처리 방법 에서 는 , He 가스 를 사용 함 으로써 , Ar 가스 를 사용 한 경우 에 비해 , 흡착 계수 가 높 은 폴리머 가 감소 하 고 , 흡착 계수 가 낮 은 폴리머 가 증가 한다 . 그러므로 , 에칭 할 홀 개구 의 폐색 을 억제 하 면서 바탕 층 에 폴리머 를 많이 공급 하 여 바탕 층 에 대한 에칭 대상 막 의 선택 비 를 향상 시킬 수 가 있 다 .