상기 기술 적 과제 를 달성 하 기 위한 본 발명 의 실시 예 에 따른 반도체 메모리 장치 는 MRS ( Mode register set ) 코드 를 저장 하 는 MRS 레지스 터부 , 저장 된 MRS 코드 를 이용 하 여 이 퓨즈 ( Electrical fuse ) 의 사용 여부 를 알려 주 는 이 퓨즈 마스터 신호 ( E - fuse master signal ) 를 발생 하 는 이 퓨즈 마스터 신호 발생 부 , 저장 된 MRS 코드 와 상기 이 퓨즈 마스터 신호 를 이용 하 여 로직 신호 를 발생 시키 는 로직 신호 발생 부 , MRS 레지스 터부 의 MRS 활성 화 신호 를 이용 하 여 프리 퓨즈 컷 신호 ( Pre fuse cut signal ) 를 발생 하 는 프리 퓨즈 컷 신호 발생 부 및 상기 로직 신호 와 상기 프리 퓨즈 컷 신호 에 의해 제어 되 어 커팅 되 는 이 퓨즈 부를 구비 하 는 것 을 특징 한다 .