보호막 ( 60 ) 은 n 형 반도체 층 ( 41 ) 보다 도 굴절 율 이 낮 고 투명 한 재료 로 구성 되 어 , n 측 전극 ( 50 ) 윗 표면 의 와이어 본딩 되 는 영역 을 제외 한 표면 과 n 형 반도체 층 ( 41 ) 의 표면 및 측면 을 피복 하 였 다 . 보호막 ( 60 ) 은 절 연막 으로 이루어진 것 으로서 , 특히 산화 막 으로 이루어진 것 이 바람직 하 다 . 보호막 ( 60 ) 은 , 예 를 들 면 이산화규소 ( SiO 2 ) 나 Zr 산화 막 ( ZrO ) 으로 이루어진다 .