또한 , 본 발명 에 따르 는 배선 패턴 의 형성 방법 은 기판 위 에 감광성 수지 조성물 층 을 형성 시키 는 공정 , 감광성 수지 조성물 층 위 에 표면 피복층 을 형성 시키 는 공정 , 감광성 수지 조성물 층 을 화상 에 따라 노출 하 는 공정 및 노출 된 영역 의 감광성 수지 조성물 층 과 표면 피복층 을 현상 에 의해 제거 하 는 공정 을 포함 하 며 , 23 ℃ 에서 측정 한 표면 피복층 에 대한 n - 헥사데칸 의 접촉각 이 41 ° 이상임 을 특징 으로 한다 .