또한 , 제 3 발광 층 으로서 , 막 두께 30 ㎚ 로 화합물 L 1 과 화합물 GD 를 화합물 GD 가 10 중량 ％ 가 되 도록 증착 하 여 성막 함 으로써 녹색 계 발광 층 으로 한 후 , 이 막 위 에 전자 수송 층 으로서 막 두께 20 ㎚ 의 화합물 ET 1 을 성막 하 였 다 . 이 후 , 전자 주입 층 으로서 LiF 막 을 1 . 6 ㎚ 형성 하 였 다 . 이 LiF 막 위 에 금속 Al 을 150 ㎚ 증착 시켜 금속 음극 을 형성 함 으로써 유기 EL 발광 소자 를 형성 하 였 다 .