도 8 d 는 제 1 전극 ( 103 ) 위 에 절연 층 ( 102 ) 을 형성 하 는 단계 를 도시 한다 . 절연 층 ( 102 ) 은 , 산화 실리콘 , 산화 질화 실리콘 , 질화 산화 실리콘 , 질화 실리콘 등 의 절 연막 으로 형성 한다 . 절연 층 ( 102 ) 은 절연 성 의 피막 이 라면 형성 재료 에 한정 되 지 는 않 지만 , 평활 하 고 친수성 의 표면 을 갖 는 것 이 면 좋 다 . 절연 층 ( 102 ) 의 평활 성 으로 말 하 면 , 평균 면 거칠 기 ( Ra ) 치가 1 nm 이하 , 바람직 하 게 는 0 . 5 nm 이하 인 것 이 바람직 하 다 . 또 , 여기 에서 말 하 는 평균 면 거칠 기 는 , JIS BO 601 로 정의 되 어 있 는 중심선 평균 거칠 기 를 면 에 대하 여 적용 할 수 있 도록 삼차원 으로 확장 한 것 이 다 .