비휘발성 메모리 는 행렬 로 배열 된 복수 의 메모리 셀 어레이 ( 1 ) 를 포함 하 고 , 각 메모리 셀 어레이 는 메모리 셀 로서 사용 되 는 후술 하 는 ReRAM ( 가변 저항기 ) 과 같 은 가변 저항 소자 들 을 포함 한다 . 컬럼 제 어 회로 ( 2 ) 가 비트 선 BL 방향 으로 메모리 셀 어레이 ( 1 ) 에 인접 하 는 위치 에 배치 된다 . 컬럼 제 어 회로 는 메모리 셀 어레이 ( 1 ) 의 비트 선 BL 을 제어 하 여 메모리 셀 로부터 데이터 를 소거 하 고 , 메모리 셀 에 데이터 를 기입 하 고 , 메모리 셀 로부터 데이터 를 판독 한다 . 로우 제 어 회로 ( 3 ) 가 워드 선 WL 방향 으로 메모리 셀 어레이 ( 1 ) 에 인접 하 는 위치 에 배치 된다 . 로우 제 어 회로 는 메모리 셀 어레이 ( 1 ) 의 워드 선 WL 을 선택 하 고 , 메모리 셀 로부터 데이터 를 소거 하 고 메모리 셀 에 데이터 를 기입 하 고 메모리 셀 로부터 데이터 를 판독 하 는 데 필요 한 전압 을 인가 한다 .