정공 을 주입 하 는 층 으로서 는 , 산화 몰리브덴 , 산화바나듐 , 산화 레늄 , 산화 루테늄 등 의 반도체 나 절연체 를 사용 할 수 있 다 . 또는 , 정공수 송성 이 높 은 물질 에 , 억셉터 물질 이 첨가 된 구성 이 어도 된다 . 정공 수송 성 이 높 은 물질 과 억셉터 성 물질 을 포함 한 층 은 , 실시 예 2 에 나타낸 복합 재료 이 며 , 억셉터 물질 로서 , 7 , 7 , 8 , 8 - 테트라 시아노 - 2 , 3 , 5 , 6 - 테트라 플 루 오 로 퀴노디메탄 ( 약칭 : F 4 - ＴＣＮＱ ) 이나 , 산화바나듐 이나 산화 몰리브덴 이나 산화 텅스텐 등 의 금속 산화물 을 포함 한다 . 정공 수송 성 이 높 은 물질 로서 는 , 방향 족 아민 화합물 , 카르바졸 유도체 , 방향 족 탄화수소 , 고분자화합물 , 올리고머 , 덴 드리머 , 폴리머 등 , 여러 가지 화합물 을 사용 할 수 있 다 . 이 때 , 정공수 송성 이 높 은 물질 로서 는 , 정공 이 동도 가 10 - 6 cm 2 / Vs 이상 인 것 을 적용 하 는 것 이 바람직 하 다 . 단 , 전자 보다 정공 의 수송 성 이 높 은 물질 이 면 , 이것 들 이외 의 것 을 사용 해도 된다 . 정공 수송 성 이 높 은 물질 과 억셉터 성 물질 을 포함 한 복합 재료 는 , 캐리어 주입 성 , 캐리어 수송 성 이 뛰어나 기 때문 에 , 저전압 구동 , 저전류 구동 을 실현 할 수 있 다 .