아울러 , 제 1 , 2 최 외곽 배선 ( 210 a , 210 b ) 각각 을 제 1 , 2 내측 배선 ( 210 b , 220 b ) 에 연결 되 도록 하 고 , 제 1 , 2 내측 배선 들 ( 210 b , 220 b ) 만 반도체 기판 ( 110 ) 의 제 1 , 2 측면 ( 100 S 1 , 100 S 2 ) 밖 으로 돌출 되 어 셀 간 커넥터 ( 300 ) 에 접속 되 도록 하 여 , 셀 간 커넥터 ( 300 ) 에 접속 되 는 제 1 , 2 도전 성 배선 들 ( 200 ) 의 개수 를 줄일 수 있 다 .