SunCell ® 은 복수 의 전극 을 포함 할 수 있 다 . 실시 예 에서 , 하이드 리노 반응 은 양극 편광 전극 과 같 은 편광 전극 에서 선택 적 으로 발생 한다 . 반응 선택도 는 양 으로 바이어스 된 전극 에서 하이드 리노 반응 의 훨씬 더 높 은 동역학 에 기인 할 수 있 다 . 실시 예 에서 , 반응 셀 챔버 ( 5 b 31 ) 벽 과 같 은 SunCell ® 의 적어도 하나 의 구성 요소 는 하이드 리노 반응 속도 를 증가 시키 기 위해 양 으로 바이어스 될 수 있 다 . SunCell ® 은 흑체 방열기 의 하부 반구 ( 5 b 41 ) 에 연결 된 전도 성 저 장소 ( 5 c ) 를 포함 할 수 있 으며 , 저 장소 는 양 으로 바이어스 된다 . 바이어스 는 저 장소 ( 5 c ) 의 용융 금속 과 양 으로 바이어스 된 EM 펌프 튜브 ( 5 k 6 및 5 k 61 ) 의 적어도 하나 의 사이 의 접촉 에 의해 달성 될 수 있 다 . EM 은 점 화 전자기 펌프 버스 바 ( 5 k 2 a ) 를 전력 공급원 ( 2 ) 의 양극 단자 에 연결 함 으로써 양극 으로 바이어스 될 수 있 다 .