도 2 는 제 1 기재 상 에 입자 의 정렬 층 을 형성 하 는 단계 ( S 1 ) 를 구체 적 으로 설명 하 기 위한 공정도 이 다 . 본원 의 입자 의 정렬 층 을 형성 하 는 방법 은 용매 의 사용 및 자기 조립 이 필수 구성 요소 인 종래 입자 의 정렬 방법 과 달리 , 문지르 기 와 같 은 물리 적 압력 을 입자 에 가하 여 상기 입자 를 기재 상 에 배치 시키 는 것 이 특징 이 다 . 따라서 , 용매 내 입자 들 의 자기 조립 을 위해 필요 한 정밀 한 온도 조절 및 습도 조절 이 필요 없 다 . 또한 , 원 하 는 방향 으로 기재 표면 상 에 입자 를 빠르 게 이동 시키 기 때문 에 , 기재 상 에서 입자 들 이동 이 표면 특성 ( 예컨대 , 소수성 , 전하 및 roughness ) 에 의해 영향 을 받 는 것 을 막 아 준다 . 또한 , 기재 에 패턴 이 되 어 있 는 경우 , 용매 에 분산 된 입자 를 사용 하 는 종래 기술 은 용매 의 모세관 현상 에 의해 패턴 에 의해 형성 된 미세 공극 내 에 입자 가 잘 삽입 되 지 아니하 여 입자 삽입 여부 가 불 규칙 하나 , 이 를 해결 하 기 위해 본원 은 입자 에 물리 적 압력 을 가하 여 미세 공극 내 입자 를 직접 삽입 시키 므로 모든 공극 에 입자 를 삽입 시킬 수 있 다 . 나아가 , 본원 의 입자 의 정렬 방법 은 패턴 된 기재 상 에 입자 를 정렬 하 는 과정 에서 입자 의 크기 및 모양 에 대하 여 자기 조립 에 의한 정렬 보다 허용 범위 ( tolerance ) 가 더 크 다