도 6 a 에 도시 한 바 와 같이 , 초저주파 바이어스 파워 신호 의 양 의 반주기 동안 제 2 가속 전기장 VDD 는 이온 을 아래 방향 으로 구동 시킬 수 없 고 제 1 가속 전기장 VDC 만 에 의해 이온 이 아래 방향 으로 가속 된다 . 반면 , 음 의 반주기 동안 제 2 가속 전기장 VDD 과 제 1 가속 전기장 VDC 은 동시 에 이온 을 구동 하 여 아래 방향 으로 가속 시킨다 . 제 1 가속 전장 VDC 가 발생 하 는 이유 는 플 라즈 마 에 있 는 전자 의 운동 속도 가 이온 보다 빠르 고 기판 표면 에 음 의 바이어스 전위 가 형성 되 기 때문 이 다 . 이런 원인 에 의해 , 제 1 가속 전기장 VDC 의 음 의 바이어스 전압 분포 가 기판 상부 에 있 는 플 라즈 마의 농도 의 영향 을 받 으며 , 농도 가 높 은 영역 에서 제 1 가속 전기장 VDC 도 높 다 . 또한 , 이온 농도 분포 는 고주파 RF 전력 ( 일반 적 으로 10 MHz 보다 크다 ) 분포 의 영향 을 받 는다 . 상부 전극 과 하부 전극 사이 의 고주파 RF 전력 의 전송 과정 에서 표피 효과 ( skin effect ) 의 영향 으로 인해 , 하부 전극 ( 10 ) 표면 에서 RF 전류 의 분포 가 균일 하 지 않 고 기판 중심 과 가장자리 에 있 는 플 라즈 마의 농도 가 높 고 중간 부분 에서 플 라즈 마의 농도 가 낮 은 분포 형태 가 생긴다 . 그 에 따라 , 제 1 가속 전기장 VDC 의 분포 도 균일 하 지 않 기 때문 에 , 종래 기술 에서 제 1 가속 전기장 VDC 만 을 상용 하 면 가장 균일 한 이온 입사 분포 농도 를 얻 기 가 매우 어렵 다 . 본 발명 에서 제 2 가속 전기장 VDD 은 상부 전극 ( 11 ) 과 하부 전극 ( 10 ) 사이 에 직접 적 으로 공급 되 고 상부 전극 과 하부 전극 은 서로 평행 하 며 서로 가까이 위치 한다 . 또한 , 본 발명 에서 제 2 가속 전기장 VDD 은 표피 효과 가 현저 하 게 적 은 초저주파 ( 300 KHz 보다 적다 ) 를 갖 기 때문 에 상부 전극 과 하부 전극 사이 에 분포 가 매우 균일 한 전기장 이 형성 될 수 있 고 제 2 가속 전기장 VDD 에 의해 구동 되 는 이온 의 입사 에너지 는 더 균일 하 게 분포 한다 . 본 발명 에서 초저주파 RF 바이어스 전원 을 이용 하 기 때문 에 초저주파 바이어스 신호 의 음 의 반주기 동안 두 종류 의 전압 으로 이온 을 아래 방향 으로 구동 시킬 수 있 을 뿐 만 아니 라 이온 의 에너지 도 더 균일 하 게 분포 한다 . 상기 바람직 한 실시 예 를 통해 본 발명 의 내용 을 자세 하 게 설명 하 지만 , 상기 설명 은 본 발명 에 대한 제한 이 되 지 않 는다 . 상기 내용 에 접한 당업자 가 본 발명 에 의해 가능 한 여러 가지 수정 과 대체 가 모두 자명 적 이 다 . 따라서 본 발명 의 범위 는 청구 항 에 의해 제한 되 어야 한다 .