상기 결함 이 발생 된 포토레지스트 패턴 의 전면 노광 은 상기 결함 이 발생 된 포토레지스트 패턴 을 노광 마스크 없이 광원 에서 생성 된 광 에 노출 시키 는 공정 이 다 . 상기 전면 노광 공정 에 적용 되 는 광원 의 예 로서 는 ArF 광원 ( laser of ArF ) , KrF 광원 ( laser of KrF ) , F 2 광원 ( laser of F 2 ) , Hg - Xe 광원 ( laser of Hg - Xe ) 등 을 들 수 있 다 . 이 들 은 단독 또는 둘 이상 을 이용 할 수 있 다 . 일 예 로서 , 상기 전면 노광 은 상기 결함 이 발생 된 포토레지스트 패턴 에 포함 된 광산 발생 제 로부터 산 ( H +) 의 생성 을 유도 하 기 위해 수행 된다 .