도 1 은 본 발명 에 따르 는 패턴 형성 방법 의 일례 를 설명 하 기 위한 것 이 다 . 우선 , 기판 ( 1 ) 위 에 감광성 수지 조성물 층 을 형성 시킨다 [ 도 1 ( a ) ] . 여기 서 사용 할 수 있 는 기판 은 임의 이 며 , 유리 , Si 또는 GaAs 등 의 반도체 재료 등 을 사용 할 수 있 다 . 또한 , 감광성 수지 조성물 층 을 형성 시키 기 전 에 표면 을 연마 하 는 등 의 전처리 를 실시 하 거나 , 하 기 하 는 전기 전도성 재료 를 포함 하 는 액체 에 대한 친화성 이 높 은 재료 , 즉 친액성 재료 로 피복 할 수 있 다 .