데이터 배선 ( 250 , 251 , 252 , 253 , 255 , 256 , 257 ) 은 상 에 는 보호 층 ( 245 ) 이 형성 될 수 있 다 . 보호 층 ( 245 ) 내 에 는 컨 택 홀 ( 291 , 293 ) 이 형성 될 수 있 다 . 본 실시 예 에 따른 보호 층 ( 245 ) 은 예 를 들 어 , 유기 막 , 무기 막 또는 유기 막 과 무기 막 의 다 중막 으로 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 도면 에 도시 하 지 는 않 았 으나 , 데이터 배선 ( 250 , 251 , 252 , 253 , 255 , 256 , 257 ) 및 게이트 절연 층 ( 230 ) 의 프로 파일 을 따라 컨 포말 하 게 형성 된 무기물 층 과 , 상기 무기물 층 상 에 형성 된 유기물 층 을 포함 할 수 있 다 . 유기물 층 은 평탄 화 특성 이 높 은 물질 을 사용 할 수 있 다 .