다음 으로 , 도 2 g 에 도시 된 바 와 같이 , 비 아홀 ( 28 ) 내부 의 제 1 베리어 메탈 ( 30 b ) 및 제 2 메탈 ( 32 b ) 상 에 실리콘 층 ( 34 ) 을 형성 한다 . 이때 , 실리콘 층 ( 34 ) 은 비결정 실리콘 ( Amorphous Silicon ) 으로 형성 하 고 , 실리콘 층 ( 34 ) 의 높이 는 층간 절 연막 ( 24 a ) 의 높이 보다 낮 게 형성 한다 . 바람직 한 실시 예 에 있 어서 , 실리콘 층 ( 34 ) 은 제 2 메탈 ( 32 b ) 의 움푹 패인 형상 을 커버 할 수 있 도록 충분 한 두께 로 형성 함 으로써 , 실리콘 층 ( 34 ) 표면 이 플랫 해 지 도록 한다 .