따라서 , 본 발명 에 따른 비트 라인 감지 증폭기 의 프리 차지 제어 회로 는 리 프레쉬 모드 동작 시 메모리 셀 에 연결 된 저장 노드 의 전위 가 프리 차지 동작 을 하 기에 충분 한 레벨 을 가지 도록 기준 신호 ( REF ) 의 전위 레벨 을 미리 설정 해 둠 으로써 , 반도체 메모리 장치 가 메모리 셀 에 연결 된 저장 노드 의 전위 가 충분 한 전위 레벨 을 가진 후 프리 차지 동작 을 수행 할 수 있 는 효과 가 있 다 .