공정 A ∼ 공정 D 에 의해 , SOI 기판 을 제조 할 수 있 다 . ( 도 4 ( f - 1 ) 참조 ) . 또한 , SOI 기판 의 표면 에 요철 이 있 을 경우 에 는 , 이 SOI 기판 을 사용 하 여 디바이스 를 형성 하 기 전 에 표면 의 평탄 화 처리 를 행하 는 것 이 바람직 하 다 ( 도 3 ( f ) , 도 4 ( f - 2 ) 참조 ) . 평탄 화 처리 는 , 상기 실시 의 형태 1 에서 도시 한 바 와 같이 레이 저광 을 조사 함 으로써 행할 수 있 다 .