종래 , 이러 한 SiC 막 단체 구조 체 는 특허 문헌 1 에 개시 되 어 있 는 바 와 같 은 성막 공정 과 , 기재 제거 공정 에 의해서 형성 되 었었 다 . 구체 적 으로 는 다음 과 같 다 . 우선 , 성막 공정 에서 는 , 카본 ( 그라 파이트 ) 등 으로 구성 된 기재 의 표면 에 CVD ( Chemical Vapor Deposition : 화학 기상 성장 ) 법 에 의해서 SiC 막 을 형성 하 는 것 으로 , 성막 시간 이나 성막 의 적층 횟수 등 에 의해 그 두께 를 제어 한다 .