제 1 반도체 칩 ( 300 ) 은 전면 ( 300 a ) 및 후면 ( 300 b ) 을 가질 수 있 다 . 이하 본 명세서 에서 , 전면 이 라 함 은 반도체 칩 내 의 집 적 소자 의 활성 면 ( active surface ) 측 의 일면 으로 , 반도체 칩 의 패드 들 이 형성 되 는 면 으로 정의 되 고 , 후면 이 라 함 은 상기 전면 에 대향 하 는 반 대면 으로 정의 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 제 1 반도체 칩 ( 300 ) 은 그 의 전면 ( 300 a ) 에 제공 되 는 제 1 재배 선 층 ( 310 ) 을 포함 할 수 있 다 . 제 1 재배 선 층 ( 310 ) 은 제 1 반도체 칩 ( 300 ) 의 전면 ( 300 a ) 에 배치 되 는 제 1 도전 패턴 ( 314 ) 및 제 1 칩 패드 들 ( 312 ) , 그리고 제 1 도전 패턴 ( 314 ) 및 제 1 칩 패드 들 ( 312 ) 을 덮 는 제 1 절연 층 ( 316 ) 을 포함 할 수 있 다 . 제 1 칩 패드 들 ( 312 ) 은 제 1 도전 패턴 ( 314 ) 통해 제 1 반도체 칩 ( 300 ) 내 의 집 적 소자 또는 집 적 회로 들 과 전기 적 으로 연결 될 수 있 다 . 제 1 절연 층 ( 316 ) 은 제 1 반도체 칩 ( 300 ) 의 전면 ( 300 a ) 에서 제 1 도전 패턴 ( 314 ) 을 덮 을 수 있 다 . 제 1 절연 층 ( 316 ) 은 제 1 칩 패드 들 ( 312 ) 을 노출 할 수 있 다 . 제 1 칩 패드 들 ( 312 ) 의 노출 된 면 과 제 1 절연 층 ( 316 ) 의 일면 은 공면 ( coplanar ) 을 이룰 수 있 다 . 제 1 도전 패턴 ( 314 ) 및 제 1 칩 패드 들 ( 312 ) 은 금속 과 같 은 도전 물질 을 이룰 수 있 다 . 예 를 들 어 , 제 1 도전 패턴 ( 314 ) 및 제 1 칩 패드 들 ( 312 ) 은 구리 ( Cu ) 를 포함 할 수 있 다 . 제 1 절연 층 ( 316 ) 은 산화물 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 제 1 절연 층 ( 316 ) 은 실리콘 산화물 ( SiOx ) 를 포함 할 수 있 다 .