일부 예 들 에서 , 도전 성 구조 ( 211 ) 는 재 배선 층 ( Redistribution layer : RDL ) , 배선 패턴 또는 회로 패턴 으로 지칭 될 수 있 다 . 일부 예 들 에서 , 도전 성 구조 ( 211 ) 는 , 예 를 들 면 , 한정 하 는 것 은 아니 지만 , 구리 , 알루미늄 , 금 , 은 또는 니켈 로 형성 될 수 있 다 . 도전 성 구조 ( 211 ) 는 , 예 를 들 면 , 한정 하 는 것 은 아니 지만 , 스퍼터링 , 무전 해 도금 , 전해 도금 , PVD , CVD , MODVD , ALD , LPCVD 또는 PECVD 로 형성 될 수 있 다 . 도전 성 구조 ( 211 ) 의 두께 및 폭 은 대략 2 ㎛ 내지 대략 10 ㎛ 일 수 있 다 . 일부 도전 성 구조 ( 211 ) 는 전자 컴 포 넨 트 ( 120 ) 의 터미널 ( 121 ) 에 전기 적 으로 연결 될 수 있 다 . 일부 도전 성 구조 ( 211 ) 는 서브 스트레이트 인터 커넥트 ( 112 ) 에 전기 적 으로 연결 될 수 있 다 . 일부 도전 성 구조 ( 211 ) 는 전자 컴 포 넨 트 ( 120 ) 의 터미널 ( 121 ) 과 서브 스트레이트 인터 커넥트 ( 112 ) 에 전기 적 으로 연결 될 수 있 어 , 전자 컴 포 넨 트 ( 120 ) 의 터미널 ( 121 ) 과 서브 스트레이트 인터 커넥트 ( 112 ) 가 상호 간 전기 적 으로 연결 될 수 있 다 . 일부 예 들 에서 , 유전 성 구조 ( 212 ) 는 패 시베이 션 층 , 절연 층 또는 보호 층 을 포함 하 거나 이 들 로 지칭 될 수 있 다 . 유전 성 구조 ( 212 ) 는 , 예 를 들 면 , 한정 하 는 것 은 아니 지만 , Si 3 N 4 , SiO 2 , SiON , PI , BCB , PBO , BT , 에폭시 수지 , 페놀 수지 , 실리콘 수지 또는 아크릴 레이트 폴리머 로 형성 될 수 있 다 . 또한 , 유전 성 구조 ( 212 ) 는 , 예 를 들 면 , 한정 하 는 것 은 아니 지만 , PVD , CVD , MOCVD , ALD , LPCVD , PECVD , 인쇄 , 스핀 코팅 , 분사 코팅 , 소결 또는 열 적 산화 로 형성 될 수 있 다 . 일부 예 에서 , 유전 성 구조 ( 212 ) 는 전자 컴 포 넨 트 ( 120 ) , 서브 스트레이트 인 캡슐 란트 ( 115 ) 및 서브 스트레이트 인터 커넥트 ( 112 ) 의 상면 을 덮 지만 , 패 터닝 공정 을 통하 여 전자 컴 포 넨 트 ( 120 ) 의 터미널 ( 121 ) 및 서브 스트레이트 인터 커넥트 ( 112 ) 가 노출 될 수 있 다 . 유전 성 구조 ( 212 ) 의 두께 는 대략 10 ㎛ 내지 대략 15 ㎛ 일 수 있 다 . 일부 예 에서 , 도전 성 구조 ( 211 ) 의 일부 영역 이 유전 성 구조 ( 212 ) 를 통하 여 노출 될 수 있 다 .