도 3 j 를 참조 하 면 , 워드 라인 컷 ( 132 ) 을 절연체 로 채워 절 연막 ( 172 ) 을 형성 할 수 있 다 . 일례 로 , SiO 2 와 같 은 산화 막 을 물리 기상 증착 법 으로 증착 하 여 에어 갭 들 ( 116 ) 을 채우 지 아니하 지만 워드 라인 컷 ( 132 ) 을 채우 는 절 연막 ( 172 ) 을 형성 할 수 있 다 . 절 연막 ( 172 ) 은 워드 라인 컷 ( 132 ) 내 에 그리고 스트링 선택 게이트 ( 165 s ) 상 에 형성 될 수 있 어 대체로 T 자 형태 를 가질 수 있 다 . 절 연막 ( 172 ) 은 대체로 스텝 커버리지 ( step coverage ) 가 나쁘 게 형성 될 수 있 으므로 그 내부 에 공동 ( void , 172 a ) 이 더 형성 될 수 있 다 . 더 나아가 공동 ( 172 a ) 이 확장 되 어 에어 갭 들 ( 116 ) 과 연결 될 수 있 다 . 공동 ( 172 a ) 이 더 형성 된 경우 보이드 ( 172 a ) 의 좌우 측 에 배치 된 게이트 들 ( 165 ) 간 의 기생 커패시턴스 가 낮 아 질 수 있 다 .