본 명세서 에 기재 된 실시 예 들 은 기판 상 에 자연 산화물 표면 들 을 제거 하 면서 , 동시 에 하부 기판 표면 을 패 시베이 팅 하 기 위한 방법 을 제공 한다 . 일 실시 예 에서 , 프로세싱 챔버 내 에 산화물 층 을 포함 하 는 기판 을 위치 시키 는 단계 ; 상기 기판 의 제 1 온도 를 약 80 ℃ 이하 로 조절 하 는 단계 ; 가스 혼합물 이 약 10 이상 의 NH 3 / NF 3 몰 비 를 갖 는 암모니아 및 삼 불화 질소 를 포함 하 도록 상기 프로세싱 챔버 내 에 상기 가스 혼합물 로부터 세정 플 라즈 마 를 생성 하 는 단계 ; 상기 기판 상 에 상기 세정 플 라즈 마 를 응축 시키 는 단계 를 포함 하 는 방법 이 제공 된다 . 암모늄 헥사 플 루 오로 실리케이트 ( ammonium hexafluorosilicate ) 를 포함 하 는 박막 이 플 라즈 마 세정 프로세스 동안 상기 자연 산화물 로부터 부분 적 으로 형성 된다 . 상기 방법 은 상기 박막 을 상기 기판 으로부터 제거 하 고 그 상부 에 패 시베이 션 표면 을 형성 하 면서 , 상기 기판 을 상기 프로세싱 챔버 내 에서 약 100 ℃ 이상 의 제 2 온도 로 가열 하 는 단계 를 더 포함 한다 .