또한 , 제 1 영역 ( R 1 ) 과 제 2 영역 ( R 2 ) 사이 에 발생 하 는 , 산화 막 ( 5 ) 의 높이 의 편차 를 억제 할 수 있 기 때문 에 , 예컨대 , 산화 막 ( 5 ) 을 연마 할 때 의 스토퍼 막 의 막 두께 , 즉 실리콘 질화 막 ( 3 ) 의 막 두께 를 조정 함 으로써 ( 도 8 을 참조 ) , 도 25 에 도시 하 는 바 와 같이 , 제 1 영역 ( R 1 ) 에 형성 된 소자 영역 ( 1 A ) 과 산화 막 ( 5 ) 과 의 단차 와 , 제 2 영역 ( R 2 ) 에 형성 된 소자 영역 ( 1 B ) 과 산화 막 ( 5 ) 과 의 단차 를 동시 에 없애 는 것 도 가능 하 다 .