본 발명 에 따른 상 변화 메모리 장치 의 다른 일면 은 메모리 셀 , 클램 핑 회로 , 프리 차지 회로 , 바이어스 회로 , 센스 앰프 , 그리고 승압 회로 를 포함 한다 . 상기 메모리 셀 은 상 변화 물질 및 다이오드 를 포함 하 고 , 비트 라인 에 연결 된다 . 상기 클램 핑 회로 는 상기 비트 라인 과 센싱 노드 사이 에 연결 되 며 , 상기 비트 라인 의 전압 을 클램 핑 전압 으로 클램 핑 한다 . 상기 프리 차지 회로 는 상기 센싱 노드 에 연결 되 며 , 프리 차지 전압 을 사용 하 여 상기 비트 라인 을 프리 차지 한다 . 상기 바이어스 회로 는 상기 센싱 노드 에 연결 되 며 , 상기 프리 차지 전압 보다 높 은 승압 전압 을 사용 하 여 상기 비트 라인 에 읽 기 전류 를 제공 한다 . 상기 센스 앰프 는 상기 승압 전압 을 사용 하 여 상기 비트 라인 의 전압 과 기준 전압 을 비교 하 고 , 상기 메모리 셀 에 저장 된 데이터 를 읽 어 낸다 . 그리고 상기 승압 회로 는 전원 전압 을 입력 받 고 , 상기 프리 차지 전압 또는 상기 승압 전압 을 발생 한다 .