1 ) ArF PR 및 BARC 을 사용 한 후 식각 공정 진행시 축소 기술 ( Trim technology ) 를 이용 한 결과 CD 편차 는 20 nm - 35 nm 까지 조절 이 자유 로우 며 , ID 편차 는 5 nm 이하 의 결과 를 얻 을 수 있 다 . 이것 은 PR 패턴 형성 시 라인 CD 를 크 게 사용 할 수 있 으므로 , DOF 마진 을 확보 할 수 있 는 장점 이 있 다 .