본 발명 의 일 실시 예 에 따르 면 , 복수 의 선형 전극 을 이용 하 여 고밀도 플라 즈 마를 국부 적 으로 형성 하 고 , 다운 스트림 영역 에서 증착 소스 가스 ( 예 를 들 어 SiH 4 ) 를 분사 하 여 실리콘 박막 을 증착 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 전력 이 공급 되 지 않 은 돌출 된 접지 전극 을 통하 여 증착 소스 가스 를 공급 한다 . 이 에 따라 , 증착 소스 가스 의 플 라즈 마 공간 으로 역류 ( back flow ) 를 억제 할 수 있 다 . 따라서 , 플라 즈 마는 증착 소스 가스 를 과분 해 하 지 않 는다 . 따라서 , 양질 의 대면 적 고속 박막 증착 이 가능 하 다 .