이 들 치수 의 패턴 을 가진 선택 적 으로 디 파인 가능 한 층 ( 120 ) 은 , 후속 단계 에서 , 바람직 하 게 는 선택 적 으로 디 파인 가능 한 층 ( 120 ) 에서 의 기둥 패턴 ( 121 ) 과 정렬 되 는 스 페이서 디파 인 홀 패턴 ( pattern of spacer - defined holes ) 을 생성 할 수 있 다 . 특히 , 도 3 A 에 도시 된 선택 적 으로 디 파인 가능 한 층 ( 120 ) 의 패턴 은 열 과 행 으로 형성 되 는 한 세트 의 기둥 ( 121 ) 으로 설명 될 수 있 는데 , 이 경우 , 가장 왼쪽 의 기둥 ( 121 a ) 은 제 1 열 제 2 행 에 배치 되 고 , 가장 위쪽 의 기둥 ( 121 b ) 은 제 2 열 제 1 행 에 배치 되 며 , 가장 아래쪽 기둥 ( 121 d ) 은 제 2 열 제 3 행 에 배치 되 고 , 가장 오른쪽 기둥 ( 121 c ) 은 제 3 열 제 2 행 에 배치 된다 . 앞서 설명 된 치수 를 이용 하 여 마스크 패턴 을 형성 하 는 경우 , 후속 단계 들 에서 형성 되 는 홀 은 바람직 하 게 는 동일 한 열 과 행의 비 어 있 는 위치 ( open positions ) 에 배치 됨 으로써 , 홀 패턴 이 기둥 패턴 과 정렬 된다 . 이하 더 상세 하 게 설명 되 는 도 8 A 는 홀 ( 140 a ) 이 제 1 열 제 1 행 에 배치 되 고 , 다른 홀 ( 140 d ) 이 제 1 열 제 3 행 에 배치 되 며 , 또 다른 홀 ( 140 c ) 이 제 2 열 제 2 행 에 배치 되 고 , 또 다른 홀 ( 140 b ) 이 제 3 열 제 1 행 에 배치 되 며 , 또 다른 홀 ( 140 e ) 이 제 3 열 제 3 행 에 배치 되 는 홀 ( 140 ) 패턴 을 나타낸다 .