이상 에서 와 같이 , 본 발명 은 금속 배 선간 매립 을 위해 저유 전막 을 형성 하 는 반도체 소자 의 제 조시 , 상기 금속 배선 과 콘 택 되 는 콘 택 플러그 의 측벽 에 베리 어 막 으로서 상기 저유 전막 보다 유전 상수 값 이 큰 고강도 의 절 연막 을 형성 함 으로써 , 보이드 ( Void ) 및 크랙 ( Crack ) 과 같 은 저유 전막 의 변형 을 방지 할 수 있 다 .