여기 서 , 상기 배리 어막 ( 104 ) 을 형성 한 다음 , 500 내지 900 ℃ 의 온도 에서 인시 튜 ( in - situ ) 로 RTA ( rapid thermal anneal ) 공정 을 수행 하 여 , 상기 배리 어막 ( 104 ) 과 제 1 실리콘 기판 ( 100 ) 사이 의 계면 에 , 안정 적 인 콘 택 저항 의 확보 를 위한 Ti 실리사이드 층 ( 미 도시 ) 을 형성 할 수 있 다 .