한편 , 도 4 의 S 130 단계 , 및 도 8 을 참조 하 면 , 강유 전 성 구조물 ( 1230 ) 상 에 게이트 전극 층 ( 130 ) 을 형성 한다 . 게이트 전극 층 ( 150 ) 은 일 예 로서 , 텅스텐 ( W ) , 티타늄 ( Ti ) , 구리 ( Cu ) , 알루미늄 ( Al ) , 텅스텐 질화물 , 티타늄 질화물 , 탄 탈륨 질화물 , 텅스텐 카바이드 , 티타늄 카바이드 , 텅스텐 실리사이드 , 티타늄 실리사이드 , 탄 탈륨 실리사이드 또는 이 들 의 둘 이상 의 조합 을 포함 할 수 있 다 . 게이트 전극 층 ( 150 ) 은 일 예 로서 , 스퍼터링 , 화학 기상 증착 법 , 증발 법 , 또는 원자 층 증착 법 에 의해 형성 될 수 있 다 .