위 의 양태 들 이 본 발명 의 반도체 소자 구조 ( 100 ) 의 맥락 에서 설명 되 었 지만 , 이러 한 양태 는 또한 장치 의 블록 또는 장치 가 각각 의 방법 단계 또는 방법 단계 의 특징 으로 간주 될 수 있 도록 본 발명 의 반도체 소자 구조 ( 100 ) 를 제조 하 기 위한 각각 의 방법 에 대한 설명 을 나타낸다는 것 이 명백 하 다 . 유사 하 게 , 방법 단계 의 맥락 에서 또는 방법 단계 로서 설명 된 양태 는 또한 각각 의 블록 의 설명 또는 각각 의 장치 의 세부 사항 또는 특징 을 나타낸다 .