즉 , 본 발명 에 따르 면 , 도 3 a 와 같이 , 도전 성 소재 ( ITO ) 또는 반도 성 소재 ( Si ) 증착 에 의해 기판 ( 110 ) 상면 에 형성 된 비정질 상태 의 베이스 박막 ( 120 ) , 상기 베이스 박막 ( 120 ) 상면 에 형성 된 결정 화 된 Au 박막 ( 130 ) 및 상기 Au 박막 ( 130 ) 상면 에 도전 성 소재 ( ITO ) 또는 반도 성 소재 ( Si ) 가 증착 되 는 동안 상기 도전 성 소재 ( ITO ) 또는 반도 성 소재 ( Si ) 의 원자 가 상기 Au 박막 ( 130 ) 의 Au 원자 배열 을 따라 형성 되 어 자기 결정 화 된 상태 의 상부 박막 ( 140 ) 의 구성 을 가질 수 있 다 .