반도체 성 산화물 층 ( 104 a ) 의 두께 는 3 nm 내지 15 nm 로 하 는 것 이 바람직 하 다 . 반도체 성 산화물 층 ( 104 a ) 의 두께 는 상술 한 바 와 같이 , 가열 시간 , 가열 온도 , 가열 시 압력 에 의해 제어 할 수 있 으며 , 산화 물막 ( 104 ) 의 조성 및 두께 에 의해서 도 제어 할 수 있 다 . 산화 물막 ( 104 ) 의 조성 은 , 타깃 의 조성 에 추가 로 , 성막 시 기판 온도 에 의해 도 제어 할 수 있 으므로 , 이 들 을 적절 하 게 설정 하 면 좋 다 .