다른 경우 를 예 로 들 면 , 높 은 높이 의 제 1 반도체 에 피층 패턴 ( 도 5 의 115 a ) 이 낮 은 높이 의 제 2 반도체 에 피층 패턴 ( 120 a ) 보다 낮 은 게르마늄 함량 을 갖 는 경우 , 식각 단계 는 제 1 반도체 에 피층 패턴 ( 115 a ) 을 우선 적 으로 식각 하 기 위해 NH 4 OH 및 H 2 O 의 혼합 케미컬 을 이용 할 수 있 다 . 이러 한 결과 는 도 13 의 실험 예 로부터 뒷받침 될 수 있 다 .