플라 즈 마 식각 공정 을 실행 할 때 , 상기 하부 전극 또는 상기 베이스 에 공급 되 며 RF 전압 을 직접 적 으로 이용 하 는 상기 초저주파 RF 전력 이 상기 플 라즈 마 에 있 는 이온 을 구동 하 고 , 상기 제 2 RF 전원 의 각 출력 주기 가 양 의 반주기 와 음 의 반주기 를 포함 하 며 , 상기 양 의 반주기 동안 상기 제 1 가속 전기장 은 상기 기판 을 향해 가속 하 도록 상기 플 라즈 마 에 있 는 이온 을 구동 하 여 식각 을 실행 하 고 , 상기 음 의 반주기 동안 상기 제 1 가속 전기장 은 상기 기판 을 향해 가속 하 도록 상기 플 라즈 마 에 있 는 이온 을 구동 하 여 식각 을 실행 하 며 동시 에 상기 제 2 가속 전기장 은 상기 기판 을 향해 가속 하 도록 상기 플 라즈 마 에 있 는 이온 을 직접 적 으로 구동 하 여 식각 을 실행 하 고 , 상기 기판 표면 의 직류 바이어스 전위 가 상기 제 1 가속 전기장 을 생성 하 고 , 상기 제 2 RF 전원 이 상기 제 2 가속 전기장 을 생성 한다 . 본 발명 에서 선택 된 RF 주파수 의 조합 을 통해 초저주파 의 출력 전압 을 주기 적 으로 순환 하 도록 변화 시킬 수 있 고 , 각 주기 는 복수 의 시스 붕괴 점 들 을 포함 하 며 , 각 시스 붕괴 점 에서 , 상기 플 라즈 마의 전자 가 식각 홀 에 들어가 고 상기 식각 홀 에서 전하 를 중화 시킨다 .