이상 의 결과 로부터 , 실시 예 1 과 같이 , 웨이퍼 재치 면 인 우묵 한 부분 의 바닥 면 의 외주 부 의 홈 깊이 가 중앙부 보다 얕 게 형성 된 기상 성 장용 서 셉 터 라면 , 웨이퍼 외 주부 온도 저하 에 따른 막 두께 저하 , 웨이퍼 재치 시 의 휨 , 웨이퍼 이 면 외주 부로 의 실리콘 의 퇴적 을 개선 할 수 있 다 . 또한 , 실시 예 1 과 같이 , 우묵 한 부분 의 바닥 면 의 중앙부 로부터 외주 부 에 걸쳐 홈 깊이 를 연속 적 으로 얕 아 지 도록 변화 시킴 으로써 , 나노 토폴로지 와 같 은 평탄 성 품질 에 영향 을 끼칠 우려 가 없 어 , 고품질 의 에피 택 셜 웨이퍼 를 제조 할 수 있 다는 것 이 명백 해졌 다 .