이렇게 하 면 , 상기 PSG 막 은 일반 적 인 실리콘 산화 막 과 비교 하 였을 때 , 상기 실리콘 산화 막 보다 습식 식각 율 이 매우 빠르 기 때문 에 , 상기 PSG 막 으로 이루어진 식각 장벽 막 의 제거 에 소요 되 는 시간 을 단축 시킬 수 있 으며 , 이 에 따라 , 본 발명 은 단축 된 시간 에 대응 하 여 소자 분리 막 의 손실 이 증가 되 는 것 을 억제 시킬 수 있 고 , 그래서 , 본 발명 은 소자 분리 막 의 손실 로 인한 이웃 하 는 게이트 들 간 의 신호 간섭 및 쇼트 를 방지 할 수 있 어 반도체 소자 의 특성 및 신뢰 성 을 증대 시킬 수 있 는 효과 를 얻 을 수 있 다 .