이 에 따라 , 상기 소오 스 / 드레 인 전극 을 형성 하 기 위한 영역 에 노출 된 금속 물질 ( 105 ) 과 상기 불순물 이 도핑 된 실리콘 물질 ( 103 ) 이 차례 로 제거 되 어 , 오 믹 콘 택 층 ( 51 ) , 소오 스 전극 ( 57 a ) 과 드레 인 전극 ( 57 b ) 이 형성 될 수 있 다 . 상기 오 믹 콘 택 층 ( 51 ) , 상기 소오 스 전극 ( 57 a ) 및 상기 드레 인 전극 ( 57 b ) 은 상기 TFT 영역 ( 91 ) 에 형성 될 수 있 다 .