제품 의 고집 직 화 에 따른 광 리소그래피 ( Photo - Lithography ) 기술 발전 은 해상도 ( Resolution ) 을 향상 시키 기 위해 436 nm 의 g - line , 365 nm 의 i - line , 248 nm 의 KrF , 193 nm 의 ArF 로 발전 해 왔으며 , 포토 마스크 기술 또한 바이너리 인 텐 서티 ( Binary Intensity ) 블랭크 마스크 에서 위상 반전 ( Phase Shift ) 블랭크 마스크 와 같 은 구조 개발 이 이루어져 왔 다 . 먼저 바이너리 인 텐 서티 블랭크 마스크 의 경우 투명 기판 위 에 차광막 , 반사 방지 막 , 레지스 트 막 이 순차 적 으로 형성 된 구조 를 가지 며 위상 반전 블랭크 마스크 의 경우 투명 기판 위 에 위상 반 전막 , 차광막 , 반사 방지 막 , 레지스 트 막 이 형성 된 구조 로 이루어진다 .