도 2 에 도시 한 바 와 같이 , 본 실시 예 에 따른 반도체 장치 ( 200 ) 는 리세 스 ( R ') 의 코너 ( corner ) 부 가 라운 딩 ( rounding ) 처리 된다 . 이러 한 라운 딩 리 세스 ( R ') 는 반도체 기판 ( 10 ') 을 식각 하 여 통상 의 리세 스 를 형성 한 후 에 라운 딩 장비 를 이용 하 여 라운 딩 처리 되 어 형성 된다 . 라운 딩 되 는 부분 의 곡률 반경 은 리세 스 의 깊이 에 따라 변경 되 는 데 300 내지 500 Å 의 범위 로 형성 되 는 것 이 바람직 하 다 . 또한 , 리세 스 의 라운 딩 에 대응 하 여 도 펀트 층 ( 20 '), 산화 막 ( 30 ') 및 폴리 실리콘 막 ( 40 ') 도 라운 딩 되 어 형성 된다 . 이 와 같 은 라운 딩 처리 에 의해 인덕 터 의 곡률 부분 에 생기 는 전계 와 자계 를 효과 적 으로 억제 시켜 인덕 터 의 품질 을 더욱 향상 시킬 수 있 다 .