이상 과 같이 , 본 실시 예 에서 는 , 트랜지스터 에 의해 발광 소자 의 구동 을 제어 하 는 액티브 매트릭스 형 발광 장치 에 관하 여 설명 했 지만 , 그 밖 에 , 패시브 매트릭스 형 발광 장치 에 도 본 발명 을 적용 할 수 있 다 . 도 7 에 는 본 발명 을 적용 해서 제조 한 패시브 매트릭스 형 발광 장치 를 나타낸다 . 이 때 , 도 7 a 는 , 발광 장치 를 나타내 는 사시도 , 도 7 b 는 도 7 a 를 X - Y 로 절단 한 단면도 다 . 도 7 에 있 어서 , 기판 ( 951 ) 위 에 는 , 전극 ( 952 ) 과 전극 ( 956 ) 과 의 사이 에 는 ＥＬ 층 ( 955 ) 이 설치 된다 . 전극 ( 952 ) 의 단부 는 절연 층 ( 953 ) 으로 덮여 있 다 . 그리고 , 절연 층 ( 953 ) 위 에 는 분리 벽 층 ( 954 ) 이 설치 된다 . 분리 벽 층 ( 954 ) 의 측벽 은 , 기판 면 에 가까워짐 에 따라 , 한 쪽 벽 과 다른 쪽 벽 과 의 간격 이 좁 아 져 가 는 경사 를 갖 는다 . 즉 , 분리 벽 층 ( 954 ) 의 짧 은 변 방향 의 단면 은 , 사다리꼴 형상 이 며 , 아랫변 ( 절연 층 ( 953 ) 의 면 방향 과 같 은 방향 을 향하 고 , 절연 층 ( 953 ) 과 접하 는 변 ) 이 윗변 ( 절연 층 ( 953 ) 의 면 방향 과 같 은 방향 을 향하 고 , 절연 층 ( 953 ) 과 접하 지 않 는 변 ) 보다 짧 다 . 이렇게 , 분리 벽 층 ( 954 ) 을 설치 함 으로써 , 음극 을 패 터닝 할 수 있 다 . 또한 패시브 매트릭스 형 발광 장치 에 있 어서 도 , 열화 가 적 고 , 수명 이 긴 본 발명 의 발광 소자 를 포함 함 으로써 , 수명 이 긴 발광 장치 를 얻 을 수 있 다 .