상기 레지스 트 재료 는 2 단 노광 리소그래피 프로세스 에 적합 하 게 사용 된다 . 즉 , 본 실시 형태 에 따른 리소그래피 프로세스 ( 레지스 트 패턴 형성 방법 ) 는 , 상기 레지스 트 재료 를 기판 에 도공 하 는 공정 ( 이하 , 「 도공 공정 」 이 라고 도 한다 ) 과 , 상기 도공 공정 에 의해 형성 된 레지스 트 막 의 일부 에 250 ㎚ 이하 의 파장 을 갖 는 방사선 ( 제 1 방사선 ) 을 조사 하 는 공정 ( 이하 , 「 일부 조사 공정 」 이 라고 도 한다 ) 과 , 상기 일부 조사 공정 후 의 레지스 트 막 의 전체 면 에 250 ㎚ 를 초과 하 는 파장 을 갖 는 방사선 ( 제 2 방사선 ) 을 조사 하 는 공정 ( 이하 , 「 전체 면 조사 공정 」 이 라고 도 한다 ) 과 , 상기 전체 면 조사 공정 후 의 레지스 트 막 을 가열 하 는 공정 ( 이하 , 「 가열 공정 」 이 라고 도 한다 ) 과 , 상기 가열 공정 후 의 레지스 트 막 을 현상 하 는 공정 ( 이하 , 「 현상 공정 」 이 라고 도 한다 ) 을 구비 한다 .