이 경우 , 절연 층 ( 112 ) 은 이산화규소 ( SiO 2 ) , 실리콘 나이트 라이드 ( Si 3 N 4 ) , 산화 알루미늄 ( Al 2 O 2 ) , 및 질화 알루미늄 ( AlN ) 중 적어도 하나 로 형성 될 수 있 으며 , 화학 기상 증착 ( Chemical vapor deposition ) , RF 마그네트론 스퍼터링 ( RF Magnetron Sputtering ) , 및 에바 포레이 션 ( Evaporation ) 중 어느 하나 의 공정 을 통해 형성 될 수 있 다 .