그리고 , 상기 전선택 비 화학 용액 으로 웨이퍼 를 세정 하 고 , 탈 이온 수 로 세정 한 후 , IPA ( Isopropyl Alcohol ) 로 건조 하 는 과정 을 한 번 에 진행 할 수 있 는 FRD 방법 을 적용 하 여 종래 반도체 기판 활성 영역 의 중심부 에 발생 하 는 센터 ( center ) 형 과 코너 부 에 발생 하 는 코너 ( corner ) 형 그리고 큰 크기 를 가지 는 확산 형 의 3 가지 형태 의 수분 마크 ( water mark ) 의 발생 을 방지 할 수 있 다 .