도 5 a 내지 도 5 c 를 참조 하 면 , 본 실시 예의 메모리 장치 는 , 기판 ( 300 ) 의 표면 에 대해 수직 방향 으로 연장 하 는 기둥 형상 의 비트 라인 ( 360 ) 과 , 제 1 방향 으로 연장 하 여 비트 라인 ( 360 ) 의 제 1 측 에 배치 되 는 제 1 워드 라인 ( 310 ) 과 , 제 1 방향 과 교차 하 는 제 2 방향 으로 연장 하 여 비트 라인 ( 360 ) 의 제 2 측 에 배치 되 면서 제 1 워드 라인 ( 310 ) 과 상이 한 높이 에 위치 하 는 제 2 워드 라인 ( 320 ) 과 , 제 3 방향 으로 연장 하 여 비트 라인 ( 360 ) 의 제 3 측 에 배치 되 면서 제 1 및 제 2 워드 라인 ( 310 , 320 ) 과 상이 한 높이 에 위치 하 는 제 3 워드 라인 ( 330 ) 과 , 비트 라인 ( 360 ) 과 제 1 워드 라인 ( 310 ) 사이 , 비트 라인 ( 360 ) 과 제 2 워드 라인 ( 320 ) 사이 및 비트 라인 ( 360 ) 과 제 3 워드 라인 ( 330 ) 의 사이 에 개재 되 는 가변 저항 층 ( 350 ) 을 포함 할 수 있 다 .