다른 구성 에서 는 , 각 행 으로부터 각 열 로 의 정전 용량 을 측정 하 는 대신 에 , 각 행 또는 열 로부터 접지 로 의 정전 용량 을 측정 하 는 것 이 가능 하 다 . m 개 의 행과 n 개 의 열 을 갖 는 이 설계 를 이용 하 는 시스템 에서 는 , m * n 회 가 아니 라 m + n 회의 측정 이 이루어진다 . 이 경우 에 는 , 행 또는 열 과 접 지 판 사이 에 평 행판 정전 용량 이 발생 할 것 이 다 . 이 구성 을 채택 할 경우 , 하나 보다 많 은 지점 에 가해 지 는 힘 은 그 힘 이 가해 지 는 위치 들 에 고유 하 지 않 는 결과 를 발생 할 수 도 있 다 . 예컨대 , 위치 ( 1 , 2 ) 및 ( 3 , 4 ) 에서 의 힘 은 행 1 및 3 과 열 2 및 4 상 에 증가 된 정전 용량 을 생성 할 것 이 지만 , 위치 ( 1 , 4 ) 및 ( 3 , 2 ) 에서 의 힘 또한 이 들 동일 한 행 및 열 상 에 증가 된 정전 용량 을 생성 할 것 이 다 . 그 후 예컨대 , 지점 들 이 터치 되 는 순서 를 고려 함 으로써 , 가해진 힘 에 대해 경합 하 는 잠재 적 소스 위치 들 중 에서 분석 을 시도 하 기 위해 휴리스틱 방법 이 이용 될 수 도 있 다 . 그러나 , 위 에서 논의 된 m * n 구성 은 가해진 힘 에 대해 경합 하 는 잠재 적 소스 위치 들 중 에서 분석 하 기 위해 휴리스틱 방법 을 이용 할 필요 가 없 다 . 후술 하 는 특징 들 은 2 개 의 지점 이 거의 동시 에 터치 될 경우 또는 지점 들 이 이동하 여 이 들 지점 들 이 ( 행과 평행 한 ) 수평선 또는 ( 열 과 평행 한 ) 수직선 을 따라 놓여 있 을 경우 에 정확 한 결과 를 제공 하 는 m * n 구성 을 제공 할 수 있 다 .