도 3 은 일 실시 예 에 따른 , 2 개 의 캐 패 시턴 스 들 을 도시 하 는 , 도 1 의 프로세싱 챔버 의 부분 의 간략 화 된 단면도 이 다 . 전력 이 캐소드 ( 204 ) 로부터 2 개 의 경로 들 을 따라 2 개 의 캐 패 시턴 스 들 ( 302 , 304 ) 을 통해 에지 링 ( 210 ) 으로 커플링 될 수 있 다 . 커플링 되 는 전력 의 양 은 링 ( 210 ) 과 플 라즈 마 사이 의 캐 패 시 턴 스 ( 305 ) 에 비한 이 들 2 개 의 경로 들 을 따르 는 캐 패 시턴 스 에 따라 좌우 된다 . 플 라즈 마 조건 들 에 따라 , 캐 패 시 턴 스 ( 305 ) 가 변화 될 수 있 다 . 예컨대 , 캐 패 시 턴 스 ( 305 ) 는 5 pF 으로부터 150 pF 까지 변화 될 수 있 다 . 다른 예 에서 , 캐 패 시 턴 스 ( 304 ) 는 , 조정 가능 한 튜닝 링 ( 150 ) 이 위 로 그리고 아래 로 이동 됨 에 따른 , 2 개 의 에지 링 컴포넌트 들 ( 214 , 216 ) 사이 의 병렬 평면 캐 패 시터 의 형성 으로 인해 , 약 10 pF 내지 약 500 pF 에서 변화 될 수 있 다 . 캐 패 시 턴 스 ( 302 ) 가 또한 , 조정 가능 한 튜닝 링 ( 150 ) 이 위 로 그리고 아래 로 이동하 는 경우 에 변화 될 수 있 는데 , 이 는 조정 가능 한 튜닝 링 ( 150 ) 과 캐소드 ( 204 ) 사이 에 중첩 의 영역 이 존재 하 기 때문 이 다 . 조정 가능 한 튜닝 링 ( 150 ) 과 캐소드 ( 204 ) 의 포지셔닝 은 병렬 플레이트 캐 패시 터 를 형성 한다 . 조정 가능 한 튜닝 링 ( 150 ) 이 위 로 그리고 아래 로 이동 함 에 따라 , 조정 가능 한 튜닝 링 ( 150 ) 과 캐소드 ( 204 ) 사이 의 중첩 의 영역 이 변화 되 고 , 이 는 캐 패 시 턴 스 ( 302 ) 가 변화 되 게 한다 . 그럼에도 불구 하 고 , 캐 패 시 턴 스 ( 302 ) 변화 는 제한 되 는데 , 이 는 수직 이동의 크기 ( amplitude ) 가 캐소드 ( 204 ) 와 중첩 되 는 조정 가능 한 튜닝 링 ( 150 ) 의 길이 에 비하 여 작 기 때문 이 다 . 예컨대 , 수직 이동의 크기 는 약 0 mm 내지 약 2 mm 일 수 있 는 한편 , 캐소드 와 중첩 되 는 조정 가능 한 튜닝 링 ( 150 ) 의 길이 는 약 3 cm 이 다 . 결과 로서 , 캐 패 시 턴 스 ( 302 ) 는 임의 의 ( some ) 임계량 을 초과 하 는 상태 로 유지 된다 . 예컨대 , 캐 패 시 턴 스 ( 302 ) 는 1000 pF 을 초과 하 는 상태 로 유지 될 수 있 다 . 따라서 , 캐 패 시턴 스 들 ( 302 및 304 ) 의 합인 , 캐소드 ( 204 ) 와 에지 링 ( 210 ) 사이 의 캐 패 시 턴 스 는 항상 , 캐 패 시 턴 스 ( 305 ) 보다 적어도 10 배 만큼 더 높 다 . 그 에 따라 , 에지 링 ( 210 ) 의 전위 ( VDC ) 는 거의 일정 하 게 유지 된다 . 예컨대 , 전위 변화 는 5 % 를 초과 하 지 않 을 수 있 다 . 에지 링 ( 210 ) 에 인가 되 는 전압 ( VDC ) 을 일정 하 게 유지 하 는 것 은 기판 ( 101 ) 및 에지 링 ( 210 ) 주위 의 플 라즈 마 시스 의 제어 를 허용 한다 . 그러 한 플 라즈 마 시스 의 제어 의 효과 는 도 4 와 함께 아래 에서 더 상세히 논의 된다 .