본 발명 은 또한 , 기판 위 의 레지스 트 도막 에 노광 및 현상 을 실시 하 여 리소그래피 를 위한 레지스 트 패턴 을 형성 하 고 , 얻 어 진 레지스 트 패턴 을 이용 하 여 기판 을 에칭 하 는 공정 을 거쳐 , 반도체 소자 를 제조 하 는 방법 으로서 , 하 기 처리 [ 1 ] 및 / 또는 [ 2 ] 를 실시 하 는 것 을 특징 으로 하 는 반도체 소자 의 제조 방법 을 제공 한다 .