도 1 b 는 도 1 a 에 나타낸 예시 적 인 시스템 ( 100 ) 을 사용 한 탄소 나노 튜브 및 그래핀 탄소 형태 를 생산 하 기 위한 상이 한 기술 의 예시 적 인 다이아 그램 이 다 . 도 1 b 는 캐소드 ( 114 ) 에서 탄소 나노 튜브 탄소 형태 를 생산 하 는 제 1 공정 ( 120 ) 및 제 2 공정 ( 130 ) 을 나타낸다 . 도 1 b 는 캐소드 ( 114 ) 에서 그래핀 탄소 형태 를 생산 하 는 제 1 공정 140 , 제 2 공정 150 및 제 3 공정 160 을 나타낸다 . 공정 120 , 130 , 140 , 150 및 160 은 임의 의 이론 또는 도 1 a 에서 의 시스템 을 사용 한 이러 한 메카 니즘 에 얽 메이 지 않 고 나타나 있 다 . 도 1 b 에서 공정 120 및 130 을 참고 로 알 수 있 는 바 와 같이 , 특정 의 전이 금속 을 사용 하 는 것 과 같 은 핵 화 씨드 ( nucleation seed ) 의 존재 하 에서 , 수득 되 는 반응 은 카보 네이트 로부터 탄소 를 분리 하 여 핵 화 부위 로부터 캐소드 ( 114 ) 상 에 탄소 생성물 , 예컨대 , 탄소 나노 튜브 를 방치 한다 . 이러 한 성장 은 공정 120 에 나타낸 바 와 같이 팁 ( tip ) 성장 메카 니즘 으로서 또는 도 1 b 에서 공정 130 에 나타낸 바 와 같 은 루트 성장 메카 니즘 ( root growth mechanism ) 으로서 발생 한다 . 물론 , 다른 성장 메카 니즘 도 가능 할 수 있 다 . 도 1 b 에서 공정 140 , 150 및 160 을 참고 로 알 수 있 는 바 와 같이 , 특정 의 전이 금속 및 펄스 된 전기분 해 전류 를 사용 하 는 것 과 같 은 핵 화 씨드 의 존재 의 부 재하 에서 , 수득 되 는 반응 은 카보 네이트 로부터 탄소 를 분리 하 고 예시 된 그래핀 생성물 과 같이 , 탄소 나노 튜브 형태 으로 조립 하 는 탄소 생성물 을 형성 한다 . 제 1 공정 140 은 비 편향 ( unbiased ) 캐소드 ( 114 ) 를 사용 한다 . 캐소드 ( 114 ) 는 제 2 공정 150 에서 전방 으로 편향 될 수 있 다 . 탄소 나노 튜브 형태 는 교류 의 역 사이클 동안 도 1 a 에서 공정 160 중 캐소드 ( 114 ) 로부터 밀 어 진다 . 수득 되 는 탄소 생성물 은 수집 기 ( 106 ) 내 에 수집 되 지만 산소 는 애노드 ( 112 ) 에서 생산 된다 . 분리 된 탄소 나노 물질 은 용매 로 세정 될 수 있 거나 상 의 고온 분리 또는 여과 에 의해 용융 된 전해질 로부터 분리 될 수 있 다 .