패 시베이 션 층 ( 36 ) 이 구조 적 지지 및 전기 적 분리 를 위해서 패 시베이 션 층 ( 32 ) 및 도전 층 ( 34 ) 위 에 형성 된다 . 패 시베이 션 층 ( 36 ) 은 Si 3 N 4 , SiO 2 , SiON , 폴리 이미드 ( PI ) , 벤조 사이클 로 뷰 텐 ( BCB ) , 폴리 벤 조옥 사졸 ( PBO ) , WPR , 에폭시 , 또는 다른 절연 재료 의 하나 이상 의 층 들 을 가질 수 있 다 . 패 시베이 션 층 ( 36 ) 의 일부 가 도전 층 ( 34 ) 을 노출 시키 도록 마스크 - 디 파인 드 에칭 ( mask - defined etching ) 공정 을 이용 하 여 제거 된다 .