본 발명 의 방법 을 사용 할 때 , 고정화 를 행하 기 위한 재료 의 최 외측 표면 이 금속 산화 막인 경우 에 는 , 표면 의 수산기 가 충분 하 여 , 직접 후술 하 는 규소 화합물 로 표면 처리 를 해 줌 으로써 산화 규소 쇄 를 갖 는 단분자막 을 형성 할 수 있 다 . 또한 , 최 표층 이 금속 막인 경우 에 는 , 최 표층 의 자연 산화 막 을 사용 할 수 도 있 고 , 표층 부 근만 을 오존 , 과산화수소수 , 물 , 산소 플 라즈 마 등 의 방법 으로 산화 시킴 으로써 적용 할 수 있 다 . 또한 , 전기 적 방법 에 의하 지 않 는 검출 방법 에서 는 , 수지 기판 상 에 적용 하 는 케이스 도 생각 할 수 있 지만 , 그 와 같 은 경우 에 는 표면 을 산소 분위기 중 에서 전자선 이나 이온 빔 으로 처리 함 으로써 , 산화 규소 쇄 를 갖 는 단분자막 을 형성 할 수 있 는 것 이 일본 특허 공개 ( 평 ) 4 - 221630 호 공보 에 개시 되 어 있 다 .