본 발명 은 노광 마스크 에 관한 것 으로서 , 더블 패 터닝 ( Double Patterning ) 공정 을 위하 여 오버 프로세스 ( Over Process ) 를 진행 하 여야 하 는데 이때 바 형 패턴 의 장축 길이 가 균일 하 게 형성 되 지 못하 는 문제 를 해결 하 기 위하 여 , 바 형 패턴 을 정의 하 는 제 1 차 광 패턴 의 네 모서리 부분 에 보조 패턴 형태 의 제 2 차 광 패턴 을 형성 하 되 , 제 2 차 광 패턴 에 의해서 제 1 차 광 패턴 의 장축 양단 부가 일부 만 노출 되 는 형태 로 형성 함 으로써 , 노광 공정 을 수행 후 바 형 패턴 의 장축 및 단축 길이 를 균일 하 게 확보 할 수 있 도록 하 는 발명 에 관한 것 이 다 .