본 발명 의 반도체 소자 의 제조 방법 에 따르 면 , 금속 배선 사이 에 식각 정지 막 이 잔류 하 는 종래 기술 에 비하 여 금속 배선 사이 의 캐 패 시턴 스 를 감소 시킬 수 있 다 . 또한 금속 배선 사이 의 캐 패 시 턴 스가 감소 되 는 만큼 금속 배선 의 저항 을 감소 시키 기 위하 여 금속 배선 의 높이 나 폭 을 증가 시킬 수 있 는 마진 을 확보 할 수 있 다 . 따라서 RC 에 의해 유도 되 는 지연 을 방지 하 고 전력 소모량 을 감소 시킬 수 있 기 때문 에 소자 의 특성 을 향상 시킬 수 있 다 .