도 5 를 참조 하 면 , 보호막 패턴 ( 112 a ) 및 하드 마스크 ( 104 a ) 를 식각 마스크 들 로 계속 이용 하 는 제 2 이방성 식각 공정 을 통해 제 2 리세 스 ( 120 ) 의 저면 아래 의 기판 ( 100 ) 을 식각 함 으로써 , 제 2 리세 스 ( 120 ) 아래 에 제 3 리세 스 ( 130 ) 를 형성 한다 . 예 를 들 면 , 상기 제 2 이방성 식각 공정 은 반응 성 이온 식각 ( reactive ion etch ; RIE ) 공정 또는 화학 적 건식 식각 ( chemical dry etch ; CDE ) 공정 을 포함 할 수 있 다 . 상 기 제 2 이방성 식각 공정 을 통해 제 3 리세 스 ( 130 ) 는 기판 ( 100 ) 에 대해 실질 적 으로 수직 한 방향 으로 형성 된다 . 이 에 따라 , 제 1 내지 제 3 리세 스 ( 110 , 120 , 130 ) 를 구비 하 는 리세 스 구조 가 기판 ( 100 ) 에 형성 된다 .