선택 셀 과 이웃 하 는 주변 셀 의 동작 , 특히 데이터 를 저장 하 는 기입 ( program ) 동작 으로 인해 선택 셀 의 문턱 전압 이 변하 게 되 는 현상 을 간섭 효과 ( interference effect ) 라 한다 . 즉 , 간섭 효과 란 데이터 를 독 출 ( read ) 하 기 위해 선택 된 제 1 셀 과 이웃 하 는 제 2 셀 에 대해 기입 동작 을 수행 하 는 경우 , 제 2 셀 의 플로팅 게이트 ( floating gate ) 로 주입 되 는 전자 에 의해 제 1 셀 과 제 2 셀 간 의 정전 용량 ( capacitance ) 이 변동 하 게 되 고 , 이러 한 정전 용량 의 변동 에 의해 제 1 셀 의 독 출시 제 1 셀 의 문턱 전압 보다 높 은 전압 이 독 출 되 는 현상 이 발생 되 는데 이러 한 현상 을 일컫 는 것 으로 , 선택 셀 의 플로팅 게이트 에 주입 된 전하량 은 변화 하 지 않 지만 , 이웃 한 인접 셀 의 상태 변화 에 의해 선택 셀 의 문턱 전압 이 왜곡 되 는 현상 을 일컫 는다 .