일단 포토 레지스 트 층 ( 207 ) 이 패턴 화 되 면 , 포토 레지스 트 층 ( 207 ) 은 영역 ( 50 N ) 에서 산화 장벽 층 ( 203 ) 및 제 1 이중 물질 실리사이드 전구체 층 ( 201 ) 의 일부 를 제거 하 면서 영역 ( 50 P ) 에서 제 1 이중 물질 실리사이드 전구체 층 ( 201 ) 의 일부 를 보호 하 기 위해 마스크 로서 사용 될 수 있 다 . 일 실시 예 에서 , 제거 는 , 예 를 들 어 , 영역 ( 50 N ) 내 에서 산화 장벽 층 ( 203 ) 및 제 1 이중 물질 실리사이드 전구체 층 ( 201 ) 의 노출 된 부분 을 제거 하 기 위해 반응 성 이온 에칭 과 같 은 하나 이상 의 이방성 에칭 공정 을 사용 하 여 수행 될 수 있 다 . 그러나 임의 의 적합 한 공정 이 사용 될 수 있 다 .