이러 한 경우 에서 , 반사 율 에서 의 변화 는 불 연속 을 인식 하 기 위해 기록 되 고 분석 될 수 도 있 다 . 광 빔 이 웨이퍼 의 베벨 영역 을 가로질러 이동한 이후 에 , 광 빔 은 디바이스 형성 영역 의 시작 에 인카운터 한다 . 이 때 , 하나 의 반사 율 영역 으로부터 또 다른 반사 율 영역 으로 의 트랜 지 션 이 존재 하 며 , 광 빔 의 반사율 은 그 에 따라 다시 변화 한다 . 반사 율 에서 의 변화 는 다른 불연속 을 인식 하 기 위해 기록 되 고 분석 될 수 도 있 다 .