도 5 를 참조 하 면 , 제 1 리 세스 트렌치 ( 131 ) 에 의해 노출 된 반도체 기판 ( 100 ) 및 패드 기판 ( 130 ) 을 선택 적 으로 산화 시켜 희생 라이너 막 ( 160 ) 을 형성 한다 . 상세 하 게 는 , 습식 산화 또는 건식 산화 를 이용 해 노출 된 반도체 기판 및 패드 기판 의 실리콘 ( si ) 과 반응 시켜 실리콘 산화 ( SiOx ) 막 이 대략 20 ~ 200 Å 두께 정도 로 형성 되 게 한다 . 그러면 , 날카로운 식각 프로 파일 을 가진 제 1 리 세스 트렌치 ( 131 ) 에 실리콘 산화 막 이 형성 되 면서 완만 한 굴곡 의 식각 프로 파일 이 만들 어 진다 .