이 어 , 도 3 d 에 도시 된 바 와 같이 , 사진 식각 공정 으로 하드 마스크 막 ( 15 A , 15 B ) 을 패 터닝 하 고 , 패 터닝 된 하드 마스크 막 ( 15 A , 15 B ) 을 마스크 로 부유 게이트 막 ( 14 ) 과 터널 절 연막 ( 13 ) 과 기판 ( 10 ) 을 일정 깊이 식각 하 여 트렌치 를 형성 하 고 , 트렌치 에 절 연막 을 매립 하 여 소자 분리 막 ( 16 ) 을 형성 한다 .