본 발명 은 블록 킹 절 연막 을 높 은 유전 상수 와 큰 밴드 갭 을 동시 에 확보 할 수 있 는 란탄 족 원소 를 포함 하 는 물질 로 형성 하 며 , 또한 란탄 족 원소 가 포함 된 절 연막 을 전하 트랩 형 메모리 소자 의 블록 킹 절 연막 에 적용 하 기 위해 꼭 필요 한 계면 반응 을 조절 하 기 하 기 위한 것 이 다 . 여기 서 , 란탄 족 원소 는 , 58 번 원소 인 세슘 ( Ce ) 부터 71 번 원소 인 루테튬 ( Lu ) 까지 의 14 원소 를 말 하 거나 , 란탄 ( La ) 까지 포함 하 는 15 원소 를 말 한다 .