본 발명 에 따른 이종 접합 구조 반도체 소자 의 전기 적 특성 을 향상 시키 는 방법 은 , 이 종접 합 반도체 소자 기판 후면 에 고 에너지 양성자 를 조사 함 으로써 전극 과 소자 에 큰 영향 을 주 지 않 으면서 도 소자 내 의 결함 들 과 기판 과 화합물 반도체 간 의 계면 에 존재 하 는 결함 들 이 양성자 와 재결합 하 여 소멸 되 어 전자 의 흐름 이 원활 해 지 고 실질 적 인 전자 의 수 가 증가 하 므로 전체 소자 의 전기 적 특성 이 향상 되 는 효과 가 있 다 .