도 8 a 및 도 8 b 에서 , 마스크 층 ( 64 ) ( 도 7 참조 ) 은 마스크 ( 74 ) 를 형성 하 기 위해 허용 가능 한 포토 리소그래피 및 에칭 기술 을 사용 하 여 패턴 화 될 수 있 다 . 그런 다음 , 마스크 ( 74 ) 의 패턴 은 더미 게이트 층 ( 62 ) 으로 전사 될 수 있 다 . 일부 실시 예 들 ( 도시 되 지 않 음 ) 에서 , 마스크 ( 74 ) 의 패턴 은 또한 더미 게이트 ( 72 ) 를 형성 하 기 위해 허용 가능 한 에칭 기술 에 의해 더미 유전체 층 ( 60 ) 으로 전사 될 수 있 다 . 더미 게이트 ( 72 ) 는 핀 ( 52 ) 의 각각 의 채널 영역 ( 58 ) 을 커버 한다 . 마스크 ( 74 ) 의 패턴 은 각각 의 더미 게이트 ( 72 ) 를 인접 한 더미 게이트 로부터 물리 적 으로 분리 하 는 데 사용 될 수 있 다 . 더미 게이트 ( 72 ) 는 또한 각각 의 에피 택 셜 핀 ( 52 ) 의 길 이 방향 에 실질 적 으로 수직 인 길 이 방향 을 가질 수 있 다 .