도 3 d 을 참조 하 면 , 세라믹 적층 체 ( 100 ) 상 에 외부 전극 패드 형성 층 ( 120 a , 120 b ) 을 적층 한다 . 외부 전극 패드 형성 층 ( 120 a , 120 b ) 이 형성 된 세라믹 적층 체 ( 100 ) 는 저온 소성 된다 . 저 온 소성 하 는 단계 는 600 ℃ 내지 950 ℃ 에서 수행 되 는 것 이 바람직 하 다 .