상기 와 같 은 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 에 따른 씨 모스 이미지 센서 의 제조 방법 은 , 센싱 부 , 주변 구 동부 및 패드 부 로 정의 된 반도체 기판 에 다 수개 의 포토다이오드 및 각종 트랜지스터 를 형성 하 는 단계 ; 상기 반도체 기판 의 전면 에 다 수개 층 의 층간 절 연막 과 상기 각 층간 절 연막 에 다 수개 의 금속 배선 을 형성 하 는 단계 ; 상기 금속 배선 을 포함 한 기판 전면 에 보호막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 센싱 부상 의 상기 보호막 위 에 칼라 필터 층 및 마이크 로 렌즈 를 형성 하 는 단계 ; 상기 마이크 로 렌즈 를 포함 한 기판 전면 에 마이크 로 렌즈 보호용 보호막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 반도체 기판 의 배면 을 그라인딩 하 고 다 이 소 잉 공정 을 진행 하 는 단계 를 포함 하 여 이루어짐 에 그 특징 이 있 다 .