본 발명 의 그리드 ( 38 ) 는 RF 바이어스 된 기판 지 지체 와 양립 가능 하 다 . 기판 지 지체 에 대한 RF 바이어스 를 변화 시킴 으로써 , 막 의 절대 응력 은 유리 하 게 조정 될 수 있 다 . 200 mm Si 웨이퍼 상 에 50 sccm Ar 로 6 kW , 200 ℃ 에서 증착 된 220 nm Mo 막 에 대해 , 도 7 a 는 평균 응력 대 플 래 튼 RF 바이어스 를 도시 하고 , 도 7 b 는 웨이퍼 내 응력 범위 대 플 래 튼 RF 바이어스 를 도시 한다 . 도 7 은 플 래 튼 RF 전력 의 추가 로 220 nm Mo 막 의 막 응력 이 - 50 에서 - 350 MPa 까지 선형 적 으로 어떻게 변하 는지 를 도시 하 지만 , 중요 하 게 도 , 웨이퍼 내 응력 범위 는 전체 응력 범위 에서 약 100 MPa 로 비교 적 일정 하 게 유지 되 는 것 을 도시 한다 . 이론 에 구속 되 지 않 고 , 발생 하 는 이온 충격 의 양 은 기판 지 지체 에 가속 RF 바이어스 를 적용 함 으로써 제어 될 수 있 는 반면 , 회전 마그네트론 에 응답 하 여 타 겟 에서 발생 된 이온 분포 는 웨이퍼 에서 보여 지 는 바 와 같이 플럭스 를 평평 하 게 하 는 그리드 의 종횡비 에 의해 제어 되 는 것 으로 여겨진다 . 결과 적 으로 , 증착 된 막 의 절대 응력 은 웨이퍼 지 지체 에 대한 RF 바이어스 를 변화 시킴 으로써 유리 하 게 조정 될 수 있 는 한편 , 웨이퍼 내 응력 범위 는 비교 적 일정 한 낮 은 수준 으로 유지 된다 .