한편 , 반도체 활성 층 ( 131 ) 은 다양 한 소자 의 특성 을 수행 할 수 있 도록 소정 의 패턴 으로 패 터닝 되 는데 , 이때 , 배선 영역 ( 150 ) 에 형성 된 반도체 층 ( 151 ) 도 동일 한 마스크 공정 에서 소정 패턴 으로 패 터닝 한다 . 즉 , 본 발명 의 경우 , 후술 할 배선 영역 ( 150 ) 의 도전 성 배선 ( 152 ) 들 이 형성 되 는 사이 사이 에 반도체 층 ( 151 ) 을 패 터닝 하 여 형성 한다 .