예 를 들 어 , 도 4 의 제 1 절연 층 ( 120 a ) 및 제 3 내지 제 5 절연 층 ( 120 c , 120 d , 120 e ) 과 같이 동일 한 크기 의 절연 층 ( 120 ) 이 복수 개 형성 될 수 있 으며 , 제 1 절연 층 ( 120 a ) 및 제 2 절연 층 ( 120 b ) 과 같이 크기 가 다른 절연 층 ( 120 ) 이 하나 의 반도체 기판 ( 110 ) 상 에 형성 될 수 있 다 . 또한 , 제 1 절연 층 ( 120 a ) 과 제 2 절연 층 ( 120 b ) 이 일정 간격 ( d 1 ) 이격 되 어 형성 되 는 것 과 같이 , 복수 의 절연 층 들 은 서로 일정 간격 ( d 1 ) 이격 되 어 형성 된다 . 절연 층 들 이 이격 되 는 간격 은 다음 단계 에서 형성 되 는 홈 ( 130 ) 의 폭 ( 도 7 의 w 참조 ) 보다 크 게 설정 된다 .