또한 , 산화물 반도체 층 ( 140 ) 과 소스 층 ( 142 a ) 의 사이 , 또는 산화물 반도체 층 ( 140 ) 과 드레 인 층 ( 142 b ) 의 사이 에 산화물 도전 층 을 형성 할 수 있 다 . 산화물 도전 층 과 , 소스 층 ( 142 a ) 및 드레 인 층 ( 142 b ) 을 형성 하 기 위한 금속 층 은 연속 해서 형성 하 는 것 ( 연속 성막 ) 이 가능 하 다 . 산화물 도전 층 은 소스 영역 또는 드레 인 영역 으로서 기능 할 수 있 다 . 이러 한 산화물 도전 층 을 설치 함 으로써 , 소스 영역 또는 드레 인 영역 의 저 저항 화 를 도모 할 수 있 기 때문 에 , 트랜지스터 의 고속 동작 이 실현 된다 .