상기 역방향 다이오드 는 제너 다이오드 일 수 있 다 . 상기 역방향 다이오드 의 문턱 전압 Vth 은 기록 전압 보다 작 은 값 을 가질 수 있 다 . 이 경우 , 선택 된 메모리 셀 에 기록 하 는 동안 은 역방향 다이오드 와 메모리 셀 은 전류 를 흐르 게 되 고 , 인접 하 는 메모리 셀 들 에 인가 되 는 전압 에 의해서 는 역방향 으로 흐르 는 전류 가 차단 된다 . 읽 기 전압 의 크기 는 역방향 다이오드 의 문턱 전압 Vth 보다 작 을 수 있 다 . 예 를 들 면 , 읽 기 전압 의 크기 는 역방향 다이오드 의 문턱 전압 Vth 의 절반 일 수 있 다 . 그러나 , 크로스 포인트 구조 에서 메모리 셀 을 선택 하 는 것 은 하프 셀렉 트 방식 ( half selection method ) 에 의해 수행 될 수 있 으며 , 본 발명 이 이러 한 예 에 한정 되 는 것 은 아니 다 .