본 발명 의 실시 형태 는 상술 한 설명 에 한정 되 지 않 는다 . 예 를 들 면 , 소자 분리 용 절 연막 형성 방법 은 실리콘 을 실리콘 산화 막 이나 실리콘 질화 막 으로 변환 시키 는 이외 의 방법 을 채택 할 수 도 있 다 . 예 를 들 어 , 산소 이온 을 퇴적 시킨 실리콘 에 주입 하 는 방법 이나 , 퇴적 시킨 실리콘 을 산화 하 는 방법 을 채택 할 수 도 있 다 . 게이트 간 절 연막 ( 15 ) 및 블록 절 연막 ( 44 ) 은 TiO 2 , HfO , Al 2 O 3 , HfAlO , HfSiO , 탄탈 산화 막 , 티탄산스트론튬 , 또는 티탄산 바륨 , 티탄산 지르코늄 납 , 실리콘 산질 화물 , 실리콘 산화물 , 실리콘 질화물 , 또는 이 들 의 적층 막 으로 형성 될 수 도 있 다 .