트랜지스터 ( 430 ) 에 있 어서 는 , 게이트 절연 층 ( 402 ) 은 절연 층 ( 400 ) 및 게이트 전극 층 ( 401 ) 위 에 접하 여 형성 되 고 , 게이트 절연 층 ( 402 ) 위 에 소스 전극 층 ( 405 a ) , 드레 인 전극 층 ( 405 b ) 이 접하 여 형성 되 어 있 다 . 그리고 , 게이트 절연 층 ( 402 ) 및 소스 전극 층 ( 405 a ) , 드레 인 전극 층 ( 405 b ) 위 에 산화물 반도체 층 ( 403 ) 이 형성 되 어 있 다 .