예 를 들 어 , 미세 피치 전기 도금 된 솔 더 범프 는 패 터닝 된 포토레지스트 층 의 개구부 를 통해 노출 된 시드 층 상 에 형성 된다 . 이어서 , 포토레지스트 층 이 제거 된다 . 그런 다음 , 웨이퍼 는 솔 더 의 용융점 을 초과 하 는 온도 에서 리플 로우 되 어 , 하부 의 금속 패드 와 의 마이크 로 범프 의 금속 상호 접속 을 완료 하 고 , 마이크 로 범프 를 증착 된 형상 에서 볼 형상 으로 변환 하 며 , 이 볼 형상 은 마이크 로 범프 의 형성 이 완료 되 었 음 을 나타낸다 . 마이크 로 범프 가 형성 된 후 , 웨이퍼 는 개별 칩 으로 절단 된 후 , 도 2 의 본딩 절차 와 같 은 후속 패 키 징 공정 을 거치 게 된다 . 일부 예시 적 인 리 플로우 절차 는 웨이퍼 를 플럭스 로 덮 은 다음 질소 환경 에서 웨이퍼 를 리플 로우 한다 . 이러 한 플럭스 함유 리플 로우 절차 는 플럭스 세정 동작 을 포함 할 수 있 는데 , 그 이유 는 유기 플럭스 의 분해 물 이 잔류물 을 남겨 , 웨이퍼 상 의 오염물 이 되 는 휘발 성 물질 을 생성 할 수 있 기 때문 이 다 . 일부 리플 로우 절차 에 는 플럭스 가 포함 되 어 있 지 않 으며 플럭스 세정 동작 은 존재 하 지 않 는다 . 패 터닝 된 포토레지스트 층 에 기반 하 여 마이크 로 범프 를 형성 하 기 위한 다른 절차 가 또한 가능 하 고 , 본 개시 내용 의 범위 내 에 포함 된다 .