도 4 에 나타내 는 바 와 같이 , 회로 층 ( 12 ) 이 되 는 구리판 ( 22 ) 과 세라믹스 기판 ( 11 ) 사이 , 및 , 금속 층 ( 13 ) 이 되 는 구리판 ( 23 ) 과 세라믹스 기판 ( 11 ) 사이 에 , 각각 Ti , Zr , Nb , Hf 에서 선택 되 는 1 종 또는 2 종 이상 의 활성 금속 의 단체 ( 본 실시 형태 에서 는 Ti 단체 ) 및 Mg 단체 를 배치 한다 ( 활성 금속 및 Mg 배치 공정 S 01 ) . 본 실시 형태 에서 는 , 활성 금속 ( Ti ) 및 Mg 를 증착 함 으로써 , 활성 금속 막 ( 24 ) ( Ti 막 ) 및 Mg 막 ( 25 ) 이 형성 되 어 있 고 , Mg 막 ( 25 ) 은 구리판 ( 22 ) 과 는 비 접촉 상태 로 적층 되 어 있 다 .