또한 , 액티브 층 ( 630 ) 과 노출 된 절연 층 ( 620 ) 을 덮 는 도전 층 ( 650 ) 이 형성 되 어 있 다 . 도전 층 ( 650 ) 은 도전 성 을 가지 는 물질 , 예 를 들 어 , 도전 성 폴리 실리콘 , ITO ( indium - tin oxide ) , 또는 금 ( Au ) 이나 알루미늄 ( Al ) 등 의 금속 등 을 증착 하 여 형성 할 수 있 다 . 또한 , 도전 층 ( 650 ) 의 두께 는 500 내지 4000 Å 의 범위 일 수 있 다 . 그러나 , 도전 층 ( 650 ) 을 형성 하 는 재료 와 그 두께 는 예시 적 이 며 , 반드시 이 에 한정 되 는 것 은 아니 다 . 게이트 전극 ( 610 ) 에 대응 하 는 위치 에 액티브 층 ( 630 ) 을 노출 하 도록 트렌치 ( 655 ) 가 형성 된다 . 트렌치 ( 655 ) 에 의하 여 , 도전 층 ( 650 ) 은 분리 되 어 소스 / 드레 인 전극 ( 650 ) 을 형성 한다 .