도 1 a 를 참조 하 면 , 반도체 기판 에 제 1 내지 제 n 필드 영역 들 ( F 1 내지 Fn ) 이 형성 되 고 , 제 1 내지 제 n 필드 영역 들 ( F 1 내지 Fn ) 과 교호 적 으로 제 1 내지 제 n + 1 액티브 영역 들 ( A 1 내지 An + 1 ) 이 형성 된다 . 이때 , 제 1 내지 제 n + 1 액티브 영역 들 ( A 1 내지 An + 1 ) 은 양 끝 단부 ( E 1 ) 에서 적어도 둘 이상 이 연결 되 어 필드 영역 들 ( F 1 내지 Fn ) 을 적어도 하나 이상 폐쇄 시킨다 . 여기 서 , 필드 영역 들 ( F 1 내지 Fn ) 은 트렌치 ( 110 ) 구조 를 갖 는다 .