제 1 소스 막 ( SL 1 ) 은 채널 구조 들 ( CH ) 각각 의 하단 을 감쌀 수 있 다 . 제 1 소스 막 ( SL 1 ) 은 소스 도 펀트 를 포함 하 는 도프 트 반도체 막 으로 형성 될 수 있 다 . 소스 도 펀트 는 n 형 불순물 을 포함 할 수 있 다 . 제 1 소스 막 ( SL 1 ) 은 도 3 a 를 참조 하 여 상술 한 소스 막 과 동일 한 물질 로 형성 될 수 있 다 .