본 실시 예 에서 , 상기 제 1 도전 성 패턴 ( 110 a ) 은 부유 게이트 ( floating gate ) 로 정의 하 고 , 상기 제 2 도전 성 패턴 ( 130 ) 은 제어 게이트 ( control gate ) 로 정의 할 수 있 다 . 그리고 , 상기 제 1 불순물 영역 ( 135 ) 은 소오 스 영역 으로 정의 하 고 , 상기 제 2 불순물 영역 ( 140 ) 은 드레 인 영역 으로 정의 할 수 있 다 . 따라서 , 분리 게이트 구조 를 갖 는 플 래쉬 메모리 소자 를 제공 할 수 있 다 .