본 발명 은 산화물 반도체 박막 및 그 제조 방법 에 관련 된 것 으로 , 상세 하 게 는 , 인듐 ( In ) 및 산소 ( O ) 를 포함 하 는 제 1 박막 과 아연 ( Zn ) 및 산소 ( O ) 포함 하 는 제 2 박막 이 교대 로 그리고 반복 적 으로 적층 되 되 , 상기 제 1 및 제 2 박막 내 에 탄소 ( C ) 를 포함 하 는 산화물 반도체 박막 및 그 제조 방법 과 관련 된 것 이 다 .