하부 교번 스택 ( 11 L ) 은 제 1 물질 층 과 제 2 물질 층 이 교번 하 여 적층 될 수 있 다 . 제 1 물질 층 은 제 1 물질 을 포함 할 수 있 고 , 제 2 물질 층 은 제 2 물질 을 포함 할 수 있 다 . 제 1 물질 과 제 2 물질 은 서로 다른 물질 일 수 있 다 . 제 1 물질 층 과 제 2 물질 층 은 각각 절연 층 ( 12 ) 과 희생 층 ( 13 ) 을 포함 할 수 있 다 . 절연 층 ( 12 ) 은 절연 물질 을 포함 할 수 있 고 , 희생 층 ( 13 ) 은 희생 물질 을 포함 할 수 있 다 . 여기 서 , ' 희생 물질 ' 은 후속 공정 에서 제거 되 는 물질 을 지칭 할 수 있 다 . 절연 층 ( 12 ) 은 실리콘 산화물 , 실리콘 질화물 , 실리콘 산화 질화물 , 스핀 온 절연 물질 , 절연성 금속 산화물 , 실리케이트 및 절연성 금속 산화 질물 중 적어도 하나 의 절연 물질 을 포함 할 수 있 다 .