상기 베이스 기판 ( 310 ) 은 x 방향 과 y 방향 으로 연장 되 는 상면 을 가질 수 있 다 . 상기 베이스 기판 ( 310 ) 은 별도 의 소자 분리 층 들 이 형성 되 어 활성 영역 이 정의 될 수 있 다 . 상기 활성 영역 의 일부 에 는 불순물 을 포함 하 는 소스 / 드레 인 영역 들 ( 315 ) 이 배치 될 수 있 다 . 상기 베이스 기판 ( 310 ) 은 반도체 물질 , 예컨대 Ⅳ 족 반도체 , Ⅲ - Ⅴ 족 화합물 반도체 또는 Ⅱ - Ⅵ 족 산화물 반도체 를 포함 할 수 있 다 .