본 발명 에서 사용 할 수 있 는 오늄 염 으로 는 , 테트라 플 루오 로보 레이트 ( BF 4 -), 헥사 플 루 오 로 포스 페이트 ( PF 6 -), 헥사 플 루오 로안 티모 네이트 ( SbF 6 -), 헥사 플 루 오 로 아르세 네이트 ( AsF 6 -), 헥사 클로르 안 티모 네이트 ( SbCl 6 -), 테트라 페닐 보레 이트 , 테트라 키스 ( 트리플 루 오로 메틸 페닐 ) 보레 이트 , 테트라 키스 ( 펜 타 플 루오 로 메틸 페닐 ) 보레 이트 , 과염소산 이온 ( ClO 4 -), 트리플 루 오로 메탄 술폰산 이온 ( CF 3 SO 3 -), 플 루 오로 술폰산 이온 ( FSO 3 -), 톨루엔 술폰산 이온 , 트리니트로벤젠 술폰산 아니온 , 트리니트로톨루엔 술폰산 아니온 등 의 아니온 을 갖 는 술포 늄 염 또는 요오드 늄 염 을 사용 할 수 있 다 .