이 와 같이 , 본 발명 의 제 1 실시 형태 에 따르 면 , SOI 층 ( 13 ) 의 표면 과 , 벌크 영역 의 Si 기판 ( 1 ) 표면 을 동일 한 높이 로 일치 시킬 수 있 어 , 게이트 전극 ( 53 , 54 ) 을 동일 한 높이 로 형성 할 수 있 다 . 따라서 , 게이트 전극 ( 53 , 54 ) 을 형성 할 때 의 포토 리소그래피 공정 에서 는 , SOI 영역 에 대한 초점 심도 와 벌크 영역 에 대한 초점 심도 를 거의 일치 시킬 수 있 어 , SOI 영역 및 벌크 영역 의 양방 에 대하 여 포커스 를 동시 에 맞추 는 것 이 가능 하 게 된다 . 그 때문 에 , SOI 영역 및 벌크 영역 에 대하 여 개개 로 포커스 를 맞추 어서 노광 처리 를 행한 경우 와 비교 하 여 , 포커스 맞춤 의 수고 를 저감 할 수 있 어 , 노광 공정 에서 의 처리 시간 등 의 단축 이 가능 하 게 된다 . 따라서 , 생산 효율 이 좋 은 반도체 장치 의 제조 방법 을 제공 할 수 있 다 .