통상 적 으로 반도체 소자 는 수많 은 패턴 들 로 이루어진다 . 이 와 같 은 패턴 들 은 노광 및 현상 을 포함 하 는 포 토리 소그라 피 공정 과 , 이 포 토리 소그라 피 공정 에 의해 만들 어 진 포토레지스트 막 패턴 을 식각 마스크 로 한 식각 공정 에 의해 만들 어 진다 . 특히 노광 은 포토 마스크 상 의 패턴 을 웨이퍼 위 의 포토레지스트 막 에 전사 하 는 공정 이 며 , 따라서 포토 마스크 상 의 패턴 이 정확 하 게 형성 되 지 않 거나 , 스크래치 ( scratch ) 와 같 은 손상 이 있 는 경우 원 하 는 프로파일 의 포토레지스트 막 패턴 을 얻 을 수 없 게 된다 .