도 3 a 내지 3 j 는 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 반도체 메모리 소자 의 제조 방법 을 도시 한 워드 라인 연장 방향 의 단면도 들 이 다 . 도 4 a 내지 4 c 는 본 발명 의 실시 예 에 따른 반도체 메모리 소자 의 제조 방법 을 도시 한 비트 라인 연장 방향 의 단면도 들 이 다 . 도 4 a 는 도 3 c 를 , 도 4 b 은 도 3 h 를 , 도 4 c 은 도 3 j 를 비트 라인 연장 방향 에서 본 단면도 들 이 다 .