여기 서 , 반도체 소자 의 크기 가 점점 감소 하 므로 활성 영역 ( 20 ) 및 게이트 ( 60 ) 의 크기 가 감소 되 므로 이 에 따라서 트랜지스터 의 동작 특성 도 저하 되 는 것 이 다 . 먼저 게이트 ( 60 ) 의 선폭 이 좁 아 지 면서 채널 영역 에서 움직이 는 캐리어 ( Carrier ) 들 의 이동 공간 이 좁 아 지 게 된다 . 따라서 , 캐리어 ( Carrier ) 의 이동성 ( Mobility ) 이 감소 되 고 , 숏 채널 이펙트 ( Short Channel Efect ) 가 발생 하 고 펀치 쓰루 ( Punchthrough ) 와 같이 게이트 문턱 전압 ( Vt ) 강 하 문제 가 발생 한다 . 또한 , 반도체 소자 의 형성 공정 마진 도 감소 되 어 반도체 소자 의 신뢰 성 이 저하 되 고 , 생산 수율 이 감소 되 는 문제 가 발생 한다 .