단 글 링 본드 ( 203 ) 의 반응 성 은 매우 높 아 , 결정 성장 등 의 현상 에 대하 여 강 하 게 작용 하 기 때문 에 , 물질 표면 에 존재 하 는 단 글 링 본드 ( 203 ) 는 , 근접 하 는 이분자 에 대해서 도 흡착 을 재촉 하 는 것 으로 생각 된다 . 또한 , 도 2 의 ( b ) 에 나타내 는 바 와 같이 , 단 글 링 본드 ( 203 ) 에 기체 를 구성 하 는 이분자 ( 204 ) 등 이 흡착 함 으로써 , 물질 표면 이 재 구성 되 어 , 안정 된 상태 로 되 는 경우 가 많 다 . 단 , 물질 표면 이 노출 되 는 환경 이 , 진공 상태 등 의 부압 이 거나 , 온도 가 오르 거나 하 는 경우 , 흡착 한 분자 가 이탈 하 여 , 물질 표면 에 는 재차 단 글 링 본드 ( 203 ) 가 나타나 , 활성 의 표면 이 될 가능 성 이 높 다 .