본 발명 에서 최초 성장 기판 인 사파이어 상층부 에 형성 된 제 1 에피 택 셜 적층 구조 는 MOCVD , HVPE , 및 ALD ( atomic level deposition ) 등 과 같 은 CVD 방법 과 강한 에너지원 인 레이저 를 이용 한 PLD ( pulsed laser deposition ) , 그리고 MBE ( molecular beam epitaxy ) 등 과 같 은 PVD 방법 을 사용 한다 .