따라서 , 본 발명 은 상기 한 종래 기술 의 문제점 을 해결 하 기 위해 제안 된 것 으로서 , STI 공정 을 통해 형성 된 소자 분리 막 을 포함 하 는 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법 에 있 어서 , STI 공정 시 트렌치 상부 의 모서리 부위 와 접하 는 터널 링 산화 막 및 활성 영역 의 손상 을 보상 하 여 소자 의 반복 적 인 기입 및 소거 동작 특성 을 개선 시킬 수 있 는 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법 을 제공 하 는데 그 목적 이 있 다 .