이어서 , 판독 을 행하 는 y 행 째 의 메모리 셀 이 갖 는 , 용량 선 CLy 의 선택 을 행한다 . 구체 적 으로 도 4 에서 는 , 용량 선 CLy 에 접 지 전위 ( GND ) 가 공급 되 고 , 다른 용량 선 CL 1 ∼ CL ( y - 1 ) 에 하이 ( high ) 레벨 의 전위 ( VDD ) 가 공급 된다 . 또한 , 위 에서 설명 한 것 처럼 , 판독 기간 Tr 에서 는 , 모든 제 1 워드 선 WLCG 는 , 접지 전위 ( GND ) 가 공급 됨 으로써 비 선택 의 상태 로 되 어 있 다 . 또한 , 용량 선 CLy 의 선택 이 행해 지 고 있 는 기간 에서 , 모든 소스 선 SL 에 는 하이 ( high ) 레벨 의 전위 ( VR ) 가 공급 된다 .