도 9 a 를 참조 하 면 , 반도체 기판 ( 100 ) 상 에 제 1 절연 층 ( 150 ) 을 형성 하 고 , 상기 제 1 절연 층 ( 150 ) 상 에 마스크 막 ( 175 ) 을 형성 한다 . 상기 마스크 막 ( 175 ) 을 패 터닝 하 여 상기 제 1 절연 층 ( 150 ) 을 노출 시키 는 개구부 ( 177 ) 를 형성 한다 . 상기 마스크 막 ( 175 ) 에 는 복수 의 개구부 ( 177 ) 가 형성 되 고 , 상기 개구부 들 ( 177 ) 은 서로 이격 되 어 배치 될 수 있 다 .