본 발명 에서 굴절 률 보정 층 ( 104 ) 는 상기 산화 ? 산란 방지 층 과 마찬가지 로 티타늄 옥사이드 ( TiO 2 ) 및 실리콘 옥사이드 ( SiO 2 ) 를 이용 하 여 형성 될 수 있 고 , 바람직 하 게 는 티타늄 옥사이드 ( TiO 2 ) 층 의 상부 에 실리콘 옥사이드 ( SiO 2 ) 층 이 적층 된 구조 를 채택 할 수 있 을 것 이 다 .