일례 로서 도 12 에 모식 적 으로 나타내 는 바 와 같이 , 예 를 들 면 기판 ( 1 ) 상 에 복수 의 도트 ( 10 ) 가 형성 되 고 , 또한 1 개 의 도트 ( 10 ) 에 2 개 의 트랜지스터 ( Tr 1 , Tr 2 ) 가 배치 된 구성 을 생각 하 면 , 트랜지스터 ( Tr 1 , Tr 2 ) 의 양쪽 에 액상 재료 를 도포 하 기 위해서 는 , 먼저 토출 구멍 ( 11 ) 을 가지 는 노즐 헤드 ( 12 ) 를 주사 하 여 트랜지스터 ( Tr 1 ) 에 액상 재료 를 도포 한 후 , 다시 노즐 헤드 ( 12 ) 를 주사 하 여 트랜지스터 ( Tr 2 ) 에 도포 하 는 방법 과 , 트랜지스터 ( Tr 1 과 Tr 2 ) 에 1 회 의 주사 로 동시 에 도포 하 는 방법 을 생각 할 수 있 다 . 전자 에서 는 적어도 노즐 헤드 ( 12 ) 를 2 번 주사 해야 하 므로 생산 효율 이 저하 한다 . 또한 후자 에서 는 트랜지스터 의 배치 에 따라서 는 노즐 헤드 ( 12 ) 를 크 게 경사 시켜야 하 고 , 결국 몇 번 이 고 주사 하 게 되 어 생산 효율 이 저하 한다 . 이 과제 는 도트 당 유기 트랜지스터 수 가 많 아 지 면 특히 현저 해진다 .