이 때 , 보호막 ( 180 ) 을 형성 한 후 또는 도전체 ( 192 , 193 ) 및 화소 전극 ( 191 ) 을 형성 한 후 에 기판 을 어닐링 ( annealing ) 할 수 있 다 . 어닐링 은 질소 분위기 하 에서 약 300 도 의 온도 에서 수행 할 수 있 다 . 어닐링 은 회로 반도체 ( 154 a ) 와 표시 반도체 ( 154 b ) 의 규소 들 을 재 배열 함 으로써 규소 들 결합 사이 에 존재 하 는 결함 을 줄여 누설 전류 를 줄일 수 있 다 .