또한 , 상기 게이트 절 연막 ( 108 ) 위 로 순수 비정질 실리콘 이 교류 자기장 에 의해 결정 화 된 것 을 특징 으로 하 는 폴리 실리콘 의 제 1 실리콘 층 ( 114 ) 과 , 그 상부 로 서로 이격 하 는 순수 비정질 실리콘 의 제 2 실리콘 층 ( 119 ) 과 , 그 상부 로 서로 이격 하 며 형성 된 불순물 비정질 실리콘 의 오 믹 콘 택 층 ( 125 ) 으로 이루어진 3 중층 구조 의 반도체 층 ( 130 ) 이 형성 되 어 있 다 .