도 1 을 참조 하 면 , 측벽 에 게이트 스 페이서 ( 12 A ) 가 구비 된 게이트 패턴 ( 12 ) 이 형성 된 반도체 기판 ( 11 ) 위 에 ESD ( elevated source / drain ) 이 라는 공정 을 적용 하 여 에피 탁 셜 실리콘 층 ( 13 ) 을 성장 시킨다 . 이때 , 에피 탁 셜 실리콘 층 ( 13 ) 은 선택 적 에 피 탁 셜 성장 ( SEG ) 을 통해 성장 시킨 것 으로서 , 반도체 기판 ( 11 ) 과 동일 한 단결정 ( single - crystal ) 실리콘 이 다 .