본 발명 의 일 형태 의 트랜지스터 ( 10 D ) 는 반도체 층 ( 108 ) 에 갈륨 의 함유량 이 작 은 금속 산화 물막 , 또는 갈륨 을 포함 하 지 않 은 금속 산화 물막 을 적용 하 는 것 이 바람직 하 다 . 또한 반도체 층 ( 108 ) 의 상면 에 접하 는 절 연막 ( 110 a ) 으로서 , 반도체 층 ( 108 ) 에 주 는 대미지 가 저감 된 성막 방법 으로 형성 한 막 을 사용 하 는 것 이 바람직 하 다 . 이 로써 , 반도체 층 ( 108 ) 과 절연 층 ( 110 ) 의 계면 에서 의 결함 준위 밀도 가 저감 되 고 , 높 은 신뢰 성 을 가지 는 트랜지스터 ( 10 D ) 로 할 수 있 다 .