이때 , 박막 트랜지스터 ( TR ) 는 게이트 절 연막 ( 106 ) 을 사이 에 두 고 게이트 전 극 ( 104 ) 과 대응 되 게 형성 되 어 채널 을 형성 하 는 활성 층 ( 115 a ) 과 , 활성 층 ( 115 a ) 상 에 형성 되 며 소스 전극 ( 110 ) 및 드레 인 전극 ( 112 ) 과 오 믹 접촉 을 수행 하 는 오 믹 접촉 층 ( 115 b ) 으로 구성 된 반도체 패턴 ( 115 ) 을 더 포함 하 여 구성 된다 .