이 에 따라 , 종래 에 는 이러 한 문제 를 해결 하 기 위해서 반응 가스 의 유속 을 증가 시키 거나 반응 가스 를 공급 하 는 방법 을 변경 하 여 웨이퍼 에 형성 되 는 성장 층 의 불 균일 을 해결 하 고자 하 였 다 . 그러나 , 이러 한 방법 은 성장 압력 이나 반응 가스 의 공급 비율 , 반응 가스 공급 노즐 형상 을 변화 시키 면 성 장막 의 조성 균일성 이 무너지 기 쉽 고 , 프로세스 윈도우 ( Process Window ) 가 좁 아 지 는 문제 가 있 었 다 .