상기 단계 에 의하 면 , 이종기 판 ( 21 ) 상 에 GaN 결정 구조 상 C 축 ( 0001 ) 방향 으로 우선 배향 하 여 육방정계 의 모양 의 GaN 나노 막대 ( 43 ) 가 성장 되 며 , 성장 된 GaN 나노 막대 ( 43 ) 의 길 이 및 밀도 가 균일 하 다는 특징 이 있 다 . 상기 GaN 나노 막대 ( 43 ) 는 스트레인 의 영향 없이 형성 되 기 때문 에 , 이종기 판 으로부터 의 격자 상수 차 에 의한 스트레인 이 GaN 후막 층 ( 60 ) 으로 전달 되 지 않 도록 하 는 역할 을 한다 .