이상 으로 설명 한 도 6 의 ( a ) ∼( d ) 에 도시 된 제어 를 행함 으로써 , 예컨대 , 초기 상태 [ 제 2 환형 부재 ( 26 b ) 의 소모 없음 ] 에서 , 제 2 환형 부재 ( 26 b ) 보다 유전 율 이 작 은 적절 한 유전율 을 갖 는 제 1 환형 부재 ( 26 a ) 를 조합 한다 . 이것 에 의해 , 제 2 환형 부재 ( 26 b ) 상 의 시스 와 기판 ( W ) 상 의 시스 의 두께 를 균일 하 게 할 수 있 다 . 제 2 환형 부재 ( 26 b ) 가 소모 됨 에 따라 제 2 환형 부재 ( 26 b ) 상 의 시스 의 두께 는 얇 아 지 지만 , 틸팅 각도 가 어느 임계 치 를 넘 기 전 에 제 1 환형 부재 ( 26 a ) 를 이미 설치 되 어 있 는 것 보다 고유 전 율 의 적절 한 유전율 을 갖 는 제 1 환형 부재 ( 26 a ) 로 변경 한다 . 이것 에 의해 , 상기 시스 의 두께 를 균일 하 게 되돌려 틸팅 을 개선 할 수 있 다 . 일체 형 의 경우 와 비교 하 여 , 제 1 환형 부재 ( 26 a ) 를 바꾸 는 것 만 으로 장기간 에 걸쳐 틸팅 을 허용치 의 범위 내 로 억제 할 수 있 어 , 에칭 특성 의 면내 균일성 이 장기간 유지 된다 .