복수 의 메모리 소자 들 은 , 직렬 접속 되 도록 또는 각각 의 소자 가 개별 적 으로 액세스 가능 하 도록 구성 될 수 있 다 . 비 제한 적 예 로서 , NAND 구성 의 플래시 메모리 디바이스 ( NAND 메모리 ) 는 통상 적 으로 직렬 접속 된 메모리 소자 들 을 포함 한다 . NAND 메모리 어레이 는 , 어레이 가 복수 의 메모리 스트링 들 로 이루어지 도록 구성 될 수 있 고 , 여기 서 , 스트링 은 단일 비트 라인 을 공유 하 고 그룹 으로서 액세스 되 는 복수 의 메모리 소자 로 구성 된다 . 대안 으로서 , 메모리 소자 들 은 , 예 를 들 어 , NOR 메모리 어레이 처럼 , 각각 의 소자 가 개별 적 으로 액세스 가능 하 도록 구성 될 수 있 다 . NAND 및 NOR 메모리 구성 은 예시 적 인 것 이 고 , 메모리 소자 들 은 기타 의 방식 으로 구성 될 수 도 있 다 .