도 2 를 참조 하 면 , N 형 반도체 기판 ( 21 ) , N 형 반도체 기판 ( 21 ) 상 에 성장 된 N 형 에 피층 ( 22 ) , N 형 에 피층 ( 22 ) 에 형성 된 P 형 웰 ( 23 ) , P 형 웰 ( 23 ) 을 관통 하 는 깊이 의 트렌치 ( 24 ) , 트렌치 ( 24 ) 의 바닥 과 측면 에 걸쳐 형성 된 게이트 산화 막 ( 25 ) , 트렌치 ( 24 ) 내부 를 채우 면서 게이트 산화 막 ( 25 ) 상 에 형성 된 게이트 전극 ( 28 ) , 게이트 전극 ( 28 ) 에 의해 정의 되 는 채널 이외 지역 의 트렌치 ( 24 ) 의 바텀 부 아래 에 형성 된 두꺼운 산화 막 ( 27 ) , 트렌치 ( 24 ) 에 접하 여 기판 내 에 형성 되 며 소스 / 드레 인 역할 을 하 는 N + 확산 층 ( 29 ) , N + 확산 층 ( 29 ) 에 접하 여 소정 깊이 를 갖 고 형성 된 리 세스 ( 32 ) , 리 세스 ( 32 ) 아래 에 형성 된 P + 확산 층 ( 33 ) , 및 P + 확산 층 ( 33 ) 에 연결 된 금속 배선 ( 34 ) 을 포함 한다 . 여기 서 , 금속 배선 ( 34 ) 은 층간 절 연막 ( 30 ) 을 관통 하 여 P + 확산 층 ( 33 ) 에 연결 된다 . 그리고 , 게이트 산화 막 ( 25 ) 과 게이트 전극 ( 28 ) 사이 에 는 폴리 실리 콘스 페이서 ( 26 a ) 가 위치 한다 .