챔버 내 에 존재 하 는 오염 물질 들 은 웨이퍼 상 으로 의 실제 퇴적 을 위해 챔버 에 주입 되 는 화학 물질 들 과 함께 , 플라 즈 마 환경 을 생성 하 는 데 사용 되 는 화학 물질 들 과 함께 , 또는 챔버 의 부분 들 을 세정 하 는 데 사용 되 는 초 순수 내 의 불순물 들 로서 주변 분위기 로부터 챔버 내 로 침투 할 수 있 다 ( 예 를 들 어 , 제조 의 준비 단계 들 동안 ) . 오염 물질 들 은 제조 동안 화학 물질 들 의 유동 과 함께 퇴적 영역 에 전달 될 수 있 다 . 오염 물질 들 은 프로세싱 모듈 들 및 전달 채널 들 의 벽 에 부착 될 수 있 으며 , 의사 인 - 시튜 성장 을 위한 시드 들 ( 핵 형성 중심 들 ) 의 역할 을 한다 . 후속 하 여 , 그러 한 인 - 시튜 성 장물 은 분리 되 고 , " 웨이퍼 재료 내 로 "" 탈락 "" 되 고 ", 거기 에서 결함 이 될 수 있 다 .