이러 한 플 라즈 마 를 사용 한 처리 에 의해 , 1 내지 20 nm , 대표 적 으로 는 5 내지 10 nm 의 절 연막 이 반도체 막 위 에 형성 된다 . 이 경우 의 반응 은 , 고상 반응 이 기 때문 에 , 상기 절 연막 과 반도체 막 의 계면 준위 밀도 는 극히 낮 게 할 수 있 다 . 이러 한 , 플라 즈 마 처리 는 , 반도체 막 ( 결정 성 실리콘 , 또는 다결정 실리콘 ) 을 직접 산화 ( 또는 질화 ) 하 기 때문 에 , 형성 되 는 절 연막 의 두께 의 격차 를 극히 작 게 할 수 있 다 . 덧붙여 , 결정 성 실리콘 의 결정립계 에서 도 산화 가 강해 지 지 않 기 때문 에 , 대단히 바람직 한 상태 가 된다 . 즉 , 여기 에서 나타내 는 플 라즈 마 처리 로 반도체 막 의 표면 을 고상 산화 함 으로써 , 결정립계 에 있 어서 산화 반응 을 시키 지 않 고 , 균일성 이 좋 고 , 계면 준위 밀도 가 낮 은 절 연막 을 형성 할 수 있 다 .