본 발명 에 따르 면 , 도전체 층 / 절연체 층 / 반도체 층 구조 를 갖 는 TFT 에 있 어서 , 반도체 층 및 절연체 층 재료 를 모두 유기 화합물 로 하 고 , 추가 로 절연체 층 을 형성 하 는 물질 로서 수산기 를 갖 지 않 는 고분자 물질 을 이용 함 으로써 , n 형 트랜지스터 특성 을 저하 시키 지 않 고 , 추가 로 캐리어 이동도 를 높일 수 있 다 .