소자 분리 막 ( 202 ) 은 서로 이웃 하 는 소자 들 을 전기 적 으로 격리 시키 기 위해 형성 하 는데 , 현재 널리 사용 되 고 있 는 얕 은 트렌치 소자 분리 방식 ( shallow trench isolation ) 으로 형성 한다 . 얕 은 트렌치 소자 분리 방식 은 반도체 기판 의 소정 영역 을 소정 의 깊이 로 식각 하 여 트렌치 를 형성 한 후 , 트렌치 내부 를 절 연막 으로 채우 는 방식 으로 , 반도체 기판 의 소정 영역 에 열 산화 막 으로 형성 하 는 로코스 ( ( LOCOS ; LOCalOxidation of Silicon ) 소자 분리 막 에 비하 여 작 은 면적 을 갖 고 , 절연 특성 이 우수 하 다 .