도 3 c 에 도시 된 바 와 같이 , 제 1 리세 스 ( 34 ) 의 측벽 에 스 페이서 ( 35 ) 를 형성 한다 . 여기 서 , 스 페이서 ( 35 ) 는 후속 제 2 리세 스 식각 시 희생 산화 막 ( 33 a ) 과 함께 반도체 기판 ( 31 ) 의 어택 을 방지 하 기 위한 것 으로 산화 막 으로 형성 하 되 , 500 ℃∼ 700 ℃ 의 중온 에서 형성 한다 .