제 1 기판 ( 100 ) 내 에 제 1 활성 영역 들 ( ACT 1 ) 을 가로지르 는 게이트 라인 들 ( GL ) 이 제공 될 수 있 다 . 게이트 라인 들 ( GL ) 은 제 1 기판 ( 100 ) 내 에 매립 될 수 있 다 . 게이트 라인 들 ( GL ) 은 도전 물질 을 포함 할 수 있 다 . 일 예 로 , 도전 물질 은 도핑 된 반도체 물질 ( 도핑 된 실리콘 , 도핑 된 게르마늄 등 ) , 도전 성 금속 질화물 ( 질화 티타늄 , 질화 탄 탈륨 등 ) , 금속 ( 텅스텐 , 티타늄 , 탄 탈륨 등 ) , 및 금속 - 반도체 화합물 ( 텅스텐 실리사이드 , 코발트 실리사이드 , 티타늄 실리사이드 등 ) 중 어느 하나 일 수 있 다 .