게이트 전극 구 조체 ( 141 - 14 - 4 ) 의 형성 은 도 10 a - 10 g 와 관련 하 여 더욱 상세히 도시 된다 . 따라서 , 도 2 e 및 2 f 와 관련 하 여 상기 기재 되 는 바 와 같이 , 도 10 a 에 도시 되 는 유전체 층 ( 44 ) , 여기 서 는 SiNx 및 도 10 b 에 도시 되 는 층 ( 44 ) 내 에 개방 부 또는 윈도우 ( 46 ) 를 형성 한 후 , 제 1 게이트 금속 또는 쇼트 키 접촉 금속 층 ( 14 a '), 여기 서 는 예 를 들 어 Ni 또는 TiN 은 유전체 층 ( 44 ) 상 에 , 도 10 c 에 도시 되 는 AlGaN 층 ( 36 ) 의 노 출부 상 의 윈도우 ( 46 ) 를 통해 적층 된다 . 다음 으로 , " 제 2 게이트 금속 층 ( 14 "" a ) 은 ", 예 를 들 어 도 10 c 에 도시 되 는 바 와 같이 제 1 게이트 금속 또는 쇼트 키 접촉 층 , 여기 서 는 TaN , Ta , Mo , 또는 W 상 에 적층 된다 .