이것 에 의해 , 본 실시 형태 3 에서 는 수평 전하 전송 부 ( 1 ) 에서 가장 먼 측 의 메탈 배선 ( 32 ) 인 출부 ( 32 b ) 로서 의 제 2 배선 층 부 가 가까운 측 의 메탈 배선 ( 4 , 5 및 22 ) 인 출부 ( 4 b , 5 b 및 22 b ) 로서 의 각 제 2 배선 층 부 및 패드 ( 7 , 8 및 23 ) 보다 평면 으로 볼 때 동일 평면 상 에서 외측 을 지나 도록 돌 아서 우회 되 고 있 고 , 패드 ( 7 , 8 , 23 및 33 ) 로부터 각각 각 메탈 배선 ( 4 , 5 , 22 및 32 ) 까지 의 배선 을 단층 금속 배선 층 에 의해 구성 할 수 있 다 . 이 때문 에 , 이 금속 배선 층 에 있 어서 , 도 2 ( b ) 의 경우 와 같이 패드 ( 7 , 8 , 23 및 33 ) 로부터 각각 각 메탈 배선 ( 4 , 5 , 22 및 32 ) 까지 의 배선 을 단층 금속 층 으로 구성 할 수 있 기 때문 에 , 디바이스 구성 부 의 높이 구조 의 불 균일 을 시정 할 수 있 어서 촬상 불량 이나 광학 특성 의 열화 를 보다 한층 억제 할 수 있 고 , 또한 제조 공정 의 간략 화 도 꾀할 수 있 다 .