그리고 상기 제 2 실리콘 웨이퍼 ( 181 ) 의 뒷면 에 는 이 플루오르화 크세논 ( XeF 2 ) 에 선택 성 을 가지 는 금속 이나 , 산화 실리콘 ( SiO 2 ) 으로 형성 된 절 연막 등 으로 보호 층 ( protection layer , 190 ) 을 형성 하 고 , 이 보호 층 ( 190 ) 을 패 터닝 하 여 다이어프램 형성 을 위한 공극 ( 191 ) 을 형성 한다 .