제 1 반응물 이 연속 적 으로 공급 되 었 다는 점 과 도 2 , 4 , 5 또는 6 에 도시 된 시퀀스 를 사용 하 여 촉매 가 첨가 되 었 다는 점 을 제외 하 면 , 실시 예 1 내지 5 와 실질 적 으로 동일 한 방식 으로 비정질 탄소막 상 에 실리콘 산화 막 을 형성 하 였 고 , 이 ? 한 사이클 은 하 기 표 9 ( 공정 사이클 ) 에 나타나 있 는 공통 조건 하 에서 표 10 에 나타낸 특정 조건 및 시퀀스 를 갖 고서 수행 되 었 다 . 촉매 는 도 7 에 도시 된 상이 한 가스 경로 를 경유 하 여 샤워 헤드 를 통해 반응 챔버 에 공급 되 었 다 .