도 8 및 도 10 을 참조 하 면 , 본 발명 의 제 3 실시 예 에 따른 인듐 - 백금 ( In - Pt ) 이중 층 은 , 두께 4 . 5 nm 의 인듐 박막 층 ( 11 ) 및 두께 1 . 5 nm 의 백금 박막 층 ( 12 ) 으로 구성 되 며 , 이러 한 이중 층 이 증착 된 사파이어 ( 10 ) 기판 을 온도 범위 500 ℃ ~ 900 ℃ 내 에서 어닐링 공정 이 진행 되 도록 하 여 백금 나노 입자 를 형성 하 는 과정 을 볼 수 있 다 .