플래시 광 조사 가 개시 된 시각 ( t 2 ) 이후 도 방사 온도계 ( 140 ) 에 의해 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 표면 의 온도 가 측정 됨 과 더불 어 , 방사 온도계 ( 120 ) 에 의해 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 이면 의 온도 가 측정 되 어 있 다 . 그리고 , 적산 부 ( 31 ) 는 , 플래시 광 의 조사 가 개시 된 시각 ( t 2 ) 으로부터 할로겐 램프 ( HL ) 에 의한 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 예비 가열 이 종료 되 는 시각 ( t 4 ) 까지 의 기간 에 방사 온도계 ( 140 ) 에 의해 측정 된 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 표면 온도 를 적산 하 여 표면 온도 적 산치 ( FS ) 를 산정 한다 ( 단계 S 4 ) . 구체 적 으로 는 , 방사 온도계 ( 140 ) 는 소정 의 샘플링 간격 으로 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 표면 온도 를 측정 하 고 있 으며 , 시각 ( t 2 ) 으로부터 시각 ( t 4 ) 까지 의 기간 에 당해 샘플링 간격 으로 측정 된 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 표면 온도 의 전부 를 순차 적 으로 가산 함 으로써 표면 온도 적 산치 ( FS ) 는 산정 된다 . 또한 , 적산 부 ( 31 ) 는 , 시각 ( t 2 ) 으로부터 시각 ( t 4 ) 까지 의 기간 에 방사 온도계 ( 120 ) 에 의해 측정 된 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 이면 온도 를 적산 하 여 이면 온도 적 산치 ( BS ) 를 산정 한다 . 구체 적 으로 는 , 방사 온도계 ( 120 ) 도 소정 의 샘플링 간격 으로 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 이면 온도 를 측정 하 고 있 으며 , 시각 ( t 2 ) 으로부터 시각 ( t 4 ) 까지 의 기간 에 당해 샘플링 간격 으로 측정 된 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 이면 온도 의 전부 를 순차 적 으로 가산 함 으로써 이면 온도 적 산치 ( BS ) 는 산정 된다 .