다음 에 , 레지스 트 마스크 ( 86 ) 를 사용 하 여 , 도전 막 ( 85 a ∼ 85 c ) 을 에칭 하 여 분리 한다 . 이 결과 , 도 17 ( B ) 에 나타내 는 바 와 같 은 , 한 쌍 의 소스 전극 및 드레 인 전극 ( 92 a ∼ 92 c ) 을 형성 할 수 있 다 . 레지스 트 마스크 ( 86 ) 를 사용 하 여 도전 막 ( 89 a ∼ 89 c ) 을 습식 에칭 하 면 , 도전 막 ( 89 a ∼ 89 c ) 의 단부 가 선택 적 으로 에칭 된다 . 이 결과 , 레지스 트 마스크 ( 86 ) 보다 면적 이 작 은 소스 전극 및 드레 인 전극 ( 92 a ∼ 92 c ) 을 형성 할 수 있 다 .