본 발명 의 또 다른 양상 은 적어도 하나 의 MOSFET 를 포함 하 는 반도체 소자 를 제공 하 며 , 상기 반도체 소자 는 , 실리콘 을 포함 하 며 기판 내 로 부분 적 으로 연장 되 는 하나 이상 의 트렌치 분리 구조 체의 제 1 및 제 2 벽 을 갖 는 상기 기판 을 가진다 . 기판 경계 영역 은 제 1 및 제 2 벽 사이 로 연장 되 고 매립 절연 구조 체가 상기 기판 경계 영역 상 에 제공 된다 . 매립 절연 구조 체가 제 1 및 제 2 벽 사이 에서 횡 방향 영역 에 대하 여 연장 된다 . 매립 절연 구조 체 는 응력 의 최초 - 형성 된 상태 로부터 부분 적 으로 이완 된 물질 을 포함 하 며 , 매립 절연 구조 체 는 절연 상부 층 을 가진다 . 표면 반도체 층 이 매립 절연 구조 체 상 에 형성 되 며 , 상기 표면 반도체 층 은 제 1 및 제 2 벽 사이 에 연장 되 며 제 1 및 제 2 벽 사이 에 연장 된 표면 반도체 층 의 적어도 일부분 에서 유발 된 변형 을 가지 며 , 상기 변형 은 매립 절연 구조 체 내 응력 의 에지 이완 에 의해 유발 된다 . 표면 반도체 층 상 의 게이트 유전 층 ( 게이트 유전체 층 ) 이 표면 반도체 층 을 게이트 전극 으로부터 분리 시켜 이 에 따라 표면 반도체 층 은 MOSFET 소자 의 채널 영역 의 적어도 일부 를 제공 한다 .