상기 제 1 전극 ( 11 ) 은 예 를 들 면 , 기판 상부 에 , 제 1 전극 용 물질 을 증착 법 또는 스퍼터링 법 등 을 이용 하 여 제공 함 으로써 형성 될 수 있 다 . 상기 제 1 전극 ( 11 ) 은 애노드 일 수 있 다 . 상기 제 1 전극 용 물질 은 정공 주입 이 용이 하 도록 높 은 일함수 를 갖 는 물질 중 에서 선택 될 수 있 다 . 상기 제 1 전극 ( 11 ) 은 반사 형 전극 , 반투 과형 전극 또는 투과 형 전극 일 수 있 다 . 제 1 전극 용 물질 로 는 산화 인듐 주석 ( ITO ) , 산화 인듐 아연 ( IZO ) , 산화주석 ( SnO 2 ) , 산화아연 ( ZnO ) 등 을 이용 할 수 있 다 . 또는 , 마그네슘 ( Mg ) , 알루미늄 ( Al ) , 알루미늄 - 리튬 ( Al - Li ) , 칼슘 ( Ca ) , 마그네슘 - 인듐 ( Mg - In ) , 마그네슘 - 은 ( Mg - Ag ) 등 과 같 은 금속 을 이용 할 수 있 다 .