도 4 를 참조 하 면 , 다이렉트 콘 택 홀 ( 134 H ) 을 채우 며 절 연막 패턴 ( 112 , 114 ) 을 덮 는 다이렉트 콘 택용 도전 층 을 형성 한다 . 상기 다이렉트 콘 택용 도전 층 은 예 를 들 면 , 실리콘 ( Si ) , 게르마늄 ( Ge ) , 텅스텐 ( W ) , 텅스텐 질화물 ( WN ) , 코발트 ( Co ) , 니켈 ( Ni ) , 알루미늄 ( Al ) , 몰리브덴 ( Mo ) , 루테늄 ( Ru ) , 티타늄 ( Ti ) , 티타늄 질화물 ( TiN ) , 탄 탈륨 ( Ta ) , 탄 탈륨 질화물 ( TaN ) , 구리 ( Cu ) , 또는 이 들 의 조합 으로 이루어질 수 있 다 . 일부 실시 예 들 에서 , 상기 다이렉트 콘 택용 도전 층 은 에피 택 셜 ( epitaxial ) 실리콘 층 으로 이루어질 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 상기 다이렉트 콘 택용 도전 층 은 도핑 된 폴리 실리콘 으로 이루어질 수 있 다 .