( 해결 수단 ) 본 발명 의 웨이퍼 생성 방법 은 , 단결정 SiC 에 대해 투과성 을 갖 는 파장 의 레이저 광선 ( LB ) 의 집 광점 ( FP ) 을 잉곳 ( 2 ) 의 제 1 면 ( 4 ) ( 단면 ) 으로부터 생성 해야 할 웨이퍼 의 두께 에 상당 하 는 깊이 에 위치 시키 고 잉곳 ( 2 ) 에 레이저 광선 ( LB ) 을 조사 하 여 SiC 가 Si 와 C 로 분리 된 개질 부 ( 18 ) 와 개질 부 ( 18 ) 로 부터 c 면 에 등방 적 으로 형성 되 는 크랙 ( 20 ) 으로 이루어지 는 박리 층 ( 22 ) 을 형성 하 는 박리 층 형성 공정 과 , 박리 층 ( 22 ) 이 형성 되 는 외주 영역 의 전부 또는 일부 에 더욱 레이저 광선 ( LB ) 을 조사 하 고 크랙 ( 20 ) 을 성장 시켜 박리 의 계기 ( 23 ) 를 형성 하 는 박리 계기 형성 공정 과 , 잉곳 ( 2 ) 을 액체 ( 26 ) 중 에 침지 하 고 잉곳 ( 2 ) 의 고유 진동수 와 근사 한 주파수 이상 의 주파수 를 갖 는 초음파 를 액체 ( 26 ) 를 통하 여 잉곳 ( 2 ) 에 부여 함 으로써 , 박리 층 ( 22 ) 을 계면 으로 하 여 잉곳 ( 2 ) 의 일부 를 박리 하 고 웨이퍼 ( 34 ) 를 생성 하 는 웨이퍼 생성 공정 으로 적어도 구성 된다 .