종래 기술 에서 는 미세 사이즈 의 라인 패턴 을 형성 하 기 위해 하나 의 감광막 패턴 만 으로 한 번 에 식각 하 여 형성 하 였으나 , 후술 하 는 본 발명 은 미세 사이즈 의 라인 패턴 을 형성 하 기 위해 두 개 의 감광막 패턴 을 사용 한다 . 즉 , 원 하 는 사이즈 의 미세 라인 패턴 을 형성 할 때 , 라인 패턴 의 일 측 식각 면은 제 1 감광막 패턴 을 식각 마스크 로 하 여 식각 하 여 형성 하 고 , 타 측 식각 면은 제 2 감광막 패턴 을 식각 마스크 로 하 여 식각 하 여 형성 한다 . 그리고 , 제 1 및 제 2 감광막 패턴 을 미세 한 사이즈 로 노광 및 현상 하 지 않 으면서 도 미세 한 사이즈 의 라인 패턴 을 형성 할 수 있 다 .