노출 된 오 믹 접촉 층 ( 36 ) 은 도 8 h 에 도시 된 바 와 같이 소스 전극 ( 38 ) 및 드레 인 전극 ( 39 ) 을 포함 한 소스 / 드레 인 도전 패턴 군 을 이용 한 건식 식각 공정 을 통해 제거 된다 . 여기 서 소스 / 드레 인 도전 패턴 군 은 데이터 라인 및 데이터 패드 상부 전극 을 더 포함 한다 . 노출 된 오 믹 접촉 층 ( 36 ) 을 제거 하 면 , 소스 전극 ( 38 ) 과 드레 인 전극 ( 39 ) 사이 에 는 활성 층 ( 35 ) 이 노출 된 반도체 채널 부 ( 30 ) 가 형성 된다 . 그리고 오 믹 접촉 층 ( 36 ) 이 제거 되 는 과정 에서 오 믹 접촉 층 ( 36 ) 상 에 남 은 잔여물 ( P ) 도 함께 제거 되 므로 반도체 채널 부 ( 30 ) 에 는 잔여물 ( P ) 이 남 지 않 는다 . 본 발명 에 따른 건 식식 각 공정 은 Cu 가 노출 된 상태 에서 이루어지 므로 건식 식각 공정 에서 사용 되 는 식각 가스 로 는 Cu 를 손상 시키 지 않 는 것 을 이용 하 는 것 이 바람직 하 다 . 즉 , 건식 식각 가스 로 는 Cu 와 비정질 실리콘 사이 의 선택 식각 비 ( etching selectivity ) 차이 가 큰 것 을 이용 하 는 것 이 바람직 하 다 . 그 예 로 는 헥사 플루오린화 황 가스 ( 이하 , " "" SF 6 가스 "" 라 함 ) 가 있 다 . 여기 서 ", SF 6 가스 에 는 Cu 를 쉽 게 부식 시키 는 염소 ( Cl 2 ) 가 포함 되 지 않 는 것 이 바람직 하 다 .