도 1 b 에 도시 된 바 와 같이 , 원자 박막 증착 공정 을 이용 하 여 콘 택 홀 ( 122 ) 만 을 채우 는 것 을 목적 으로 베리 어 층 ( 130 ) 상 에 대략 500 Å 이하 의 두께 로 CVD 질화 티타늄 막 ( 140 ) 을 증착 한다 . 원자 박막 증착 공정 에 의한 CVD 질화 티타늄 막 ( 140 ) 의 증착 은 바람직 하 게 사염 화 티탄 ( TiCL 4 ) 가스 와 암모니아 ( NH 3 ) 가스 를 이용 하 여 열분해 및 치환 의 메카 니즘 으로 증착 한다 . 일반 적 으로 비저항 은 150 ∼ 200 uohm - cm 로서 , 기존 CVD 텅스텐 의 10 ∼ 20 uohm - cm 에 비하 여 10 배 정도 의 차이 가 나 지만 배리 어 층 ( 130 ) 의 두께 를 감안 하 고 그 사이 에 채워지 는 텅스텐 의 비중 을 생각 하 면 , 실제 질화 티타늄 으로 등각 하 게 채우 는 것 과 큰 차이 가 발생 되 지 는 않 는다 .