도 13 b 및 도 13 c 에 있 어서 는 , 게이트 전극 ( 51 ) 및 드레 인 영역 ( 72 D ) 의 중첩 영역 ( 449 ) 과 , 도너 가 되 는 불순물 원소 를 포함 하 는 미결정 반도체 막 ( 58 ) 및 드레 인 영역 ( 72 D ) 의 중첩 영역 ( 450 ) 을 갖 는다 . 또한 , 중첩 영역 ( 449 , 450 ) 도 겹쳐 있 다 . 또한 , 배선 의 한쪽 은 소스 영역 및 드레 인 영역 의 다른 쪽 을 둘러싸 는 형상 ( 구체 적 으로 는 , U 자형 , C 자형 ) 이 다 . 이 때문 에 , 캐리어 가 이동 하 는 영역 의 면적 을 증가 시 키 는 것 이 가능 하 기 때문 에 , 전 류량 을 늘리 는 것 이 가능 하 고 , 박막 트랜지스터 의 면적 을 축소 할 수 있 다 .