한편 , 광 조사 조건 하 에서 , 게이트 절 연막 으로 유기 화합물 을 적용 하 지 않 은 유기 FET 소자 의 임계 전압 은 - 38 . 7 V 에서 - 36 . 5 V 까지 2 . 2 V 로 소폭 감소 한 반면 , 게이트 절 연막 으로 ME 2 를 적용 한 유기 FET 소자 의 임계 전압 은 - 34 . 8 V 에서 - 29 . 3 V 까지 5 . 5 V 감소 하 였으며 , 게이트 절 연막 으로 ME 3 를 적용 한 유기 FET 소자 의 임계 전압 은 - 30 . 0 V 에서 - 22 . 9 V 까지 7 . 1 V 감소 한 것 으로 확인 되 었 다 . 또한 , 광 조사 조건 하 에서 , 게이트 절 연막 으로 ME 2 및 ME 3 를 각각 적용 한 유기 FET 소자 들 은 게이트 절 연막 으로 유기 화합물 을 적용 하 지 않 은 유기 FET 소자 에 비해 더 큰 드레 인 전류 ( IDS ) 의 증가 를 보여 줬 다 . ( ME 2 : 23 . 6 %, ME 3 : 48 . 3 %)