도 1 에 도시 된 바 와 같이 , 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 전자 소자 제조 방법 은 , 그래핀 산화물 을 베이스 로 하 는 코팅 액 을 준비 하 는 코팅 액 준비 단계 ( S 110 ) , 기판 ( 도 2 의 110 ) 상 에 코팅 액 을 코팅 하 여 , 기판 ( 도 2 의 110 ) 상 에 그래핀 산화물 박막 ( 도 3 의 131 ) 을 형성 하 는 그래핀 산화물 박막 형성 단계 ( S 120 ) 및 극 단파 백색광 을 통해 그래핀 산화물 박막 ( 도 3 의 131 ) 을 광 소결 하 여 , 절연 특성 을 가지 는 그래핀 산화물 박막 ( 도 3 의 131 ) 을 , 그래핀 반도체 박막 ( 도 4 의 132 ) 으로 변환 시키 는 그래핀 반도체 박막 형성 단계 ( S 130 ) 을 포함 하 여 이루어질 수 있 다 . 이하 , 각 단계 에 대하 여 설명 하 기 로 한다 .