최근 정보 통신 장치 의 다기능 화 에 따라 메모리 장치 의 대용량 화 및 고집 적 화 가 요구 되 고 있 다 . 고집 적 화 를 위하 여 3 차원 으로 수직 배열 되 는 메모리 셀 들 을 구비 하 는 수직 형 메모리 장치 들 이 제안 되 고 있 다 . 메모리 장치 의 고집 적 화 로 인해 메모리 장치 의 스케일 이 감소 하 고 구조 가 변화 하 면서 , 기존 에 발견 되 지 않 은 다양 한 문제 들 이 발견 되 고 있 다 . 새롭 게 발견 되 는 다양 한 문제 들 은 메모리 장치 에 포함 된 스트링 들 을 손상 시킬 수 있 고 , 메모리 장치 에 저장 된 데이터 를 손상 시킬 수 있 다 .