상기 에서 의 실시 형태 에서 는 , 웨이퍼 ( W ) 에 소정 의 막 을 형성 하 는 경우 를 예 로 들 어 설명 했 지만 , 이것 에 한정 되 는 것 은 아니 다 . 예 를 들 어 , 웨이퍼 ( W ) 에 성막 가스 를 공급 하 여 , 웨이퍼 ( W ) 에 소정 의 막 을 성막 하 는 성막 스텝 과 , 에칭 가스 를 공급 하 여 , 소정 의 막 을 에칭 하 는 에칭 스텝 을 반복 하 는 처리 에 대해서 도 적용 가능 하 다 .