이 와 같 은 구성 으로 함 으로써 반도체 층 ( 108 ) 을 한 쌍 의 게이트 전극 에 의하 여 생기 는 전계 로 전기 적 으로 둘러쌀 수 있 다 . 이때 특히 도전 층 ( 106 ) 과 도전 층 ( 112 ) 에 같 은 전위 를 공급 하 는 것 이 바람직 하 다 . 이 로써 , 채널 을 유발 시키 기 위한 전계 를 반도체 층 ( 108 ) 에 효과 적 으로 인가 할 수 있 기 때문 에 트랜지스터 ( 100 A ) 의 온 전류 를 증대 시킬 수 있 다 . 그러므로 트랜지스터 ( 100 A ) 를 미세 화 할 수 도 있 게 된다 .