히스테리시스 곡선 ( 300 - a 및 300 - b ) 이 커패시터 의 단일 단자 의 관점 에서 이해 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 강유 전 성 물질 이 음 의 분극 을 갖 는 경우 , 양 전하 가 단자 에 누적 된다 . 마찬가지 로 , 강유 전 성 물질 이 양 의 분극 을 갖 는 경우 , 음 의 전하 가 단자 에 누적 된다 . 덧붙여 , 히스테리시스 곡선 ( 300 - a 및 300 - b ) 에서 의 전압 이 커패시터 양단 의 전압 차이 를 나타내 고 지향 성 이 다 . 예 를 들 어 , 양 전압 은 , 양 전압 을 관심 단자 ( 가령 , 셀 플레이트 ) 에 인가 하 고 제 2 단자 ( 가령 , 셀 바텀 ) 를 접 지 ( 또는 영 볼트 ( 0 V ) ) 로 유지 함 으로써 구현 될 수 있 다 . 음 전압 은 , 관심 단자 를 접지 로 유지 하 고 양 전압 을 제 2 단자 로 인가 함 으로써 적용 될 수 있 는데 , 즉 , 양 전압 이 인가 되 어 관심 단자 를 음 으로 분극 시킬 수 있 다 . 마찬가지 로 , 2 개 의 양 전압 , 2 개 의 음 전압 , 또는 양 전압 과 음 전압 의 임의 의 조합 이 적절 한 커패시터 단자 에 인가 되 어 히스테리시스 곡선 ( 300 - a 및 300 - b ) 에서 나타난 전압 차이 를 생성 할 수 있 다 .