이하 의 개시 내용 은 일반 적 으로 일부 가 MuGFET 디바이스 들 을 포함 하 는 다중 회로 블록 을 채용 하 는 구조 의 동작 을 위해 제공 하 는 것 에 관한 것 이 다 . MuGFET 디바이스 들 은 단일 기판 의 매립 형 산화물 접촉 영역 상 에 형성 되 며 , 기판 에 의해 지지 된다 . 일반 적 으로 , 이러 한 구조 는 실리콘 의 표면 에서 만 도전 채널 을 갖 는 평면형 ( planar ) CMOS 디바이스 와 는 상이 하 다 . 벌크 형 CMOS 디바이스 는 규모 가 증가 하 면서 증가 된 도핑 레벨 을 필요 로 한다 . 이것 은 캐리어 이동성 ( carrier mobility ) 및 접합 용량 ( junction capacitance ) 에 악영향 을 미친다 . 또한 , 통상 적 으로 평면형 디바이스 는 융기 된 채널 ( raised channel ) 둘레 에 형성 되 는 다중 게이트 를 가질 수 있 는 MuGFET 대응 부품 들 과 는 달리 , 반도체 표면 상 의 채널 을 제어 하 기 위해 실리콘 표면 상 에 단일 게이트 ( single gate ) 만 을 갖 는다 . 나아가 , 다중 게이트 구조 는 도전 채널 의 더 큰 제어 를 제공 하 며 짧 은 채널 효과 ( short channel effects ) 에 기인 한 불리 한 성능 을 감소 시킨다 . 아울러 , 멀티 게이트 반도체 디바이스 는 더 양호 한 턴 온 특성 을 제공 하 며 , 평면형 CMOS 디바이스 에 비해 낮 은 누설 전류 특성 을 갖 는다 .