영역 Ⅰ 은 부분 용융 영역 ( partial melting region ) 으로 , 비정질 실리콘 층 의 표면 만 이 용융 될 정도 의 세기 로 레이저 에너지 가 비정질 실리콘 층 에 조사 되 는 영역 이 며 , 상기 제 1 영역 에서 는 이러 한 조사 후 비정질 실리콘 층 의 표면 의 부분 용융 이 이뤄지고 , 고상 화 ( solidification ) 과정 을 거쳐 상기 실리콘 층 표면 에 작 은 결정 입자 가 형성 된다 .