일 실시 예 에서 , 상기 제 1 단계 는 , 상기 실리콘 기판 의 일면 상 에 형성 된 산화 막 에 상기 실리콘 나노 와이어 및 상기 센서 구조 체 패턴 을 형상 화 하 는 단계 ; 상기 실리콘 기판 에서 상기 산화 막 과 오버랩 되 지 않 은 영역 을 실리콘 건식 식각 공정 을 통해 식각 하 여 제 1 함몰 영역 을 형성 하 고 상기 실리콘 나노 와이어 및 상기 센서 구조 체의 두께 를 결정 하 는 단계 ; 상기 실리콘 기판 에 열 산화 공정 ( Thermal Oxidation ) 을 수행 하 여 상기 실리콘 나노 와이어 및 상기 센서 구조 체의 폭 을 결정 하 는 단계 ; 상기 열 산화 공정 에 의해 상기 제 1 함몰 영역 의 바닥 면 에 형성 된 산화 막 을 제거 하 는 단계 ; 실리콘 건식 식각 공정 을 더 수행 하 여 , 상기 제 1 함몰 영역 의 수직 영역 을 확장 하 는 단계 ; 및 습식 식각 공정 을 통해 상기 실리콘 나노 와이어 및 센서 구조물 를 부유 시키 는 단계 를 포함 할 수 있 다 .