일 실시 예 에서 , 상기 저항 변화 물질 층 은 LaTiO 3 , LaNiO 3 , LaCuO 3 , LaScO 3 , LaVO 3 , LaMnO 3 , LaCrO 3 , LaCoO 3 , 그리고 LaCO 3 중 어느 하나 를 포함 할 수 있 다 . 상기 제 1 전극 은 , 산화 가능 한 반응 성 금속 으로서 , 타이타늄 ( Ti ) , 텅스텐 ( W ) , 알루미늄 ( Al ) 또는 이 들 의 합금 을 포함 하 며 , 상기 제 2 전극 은 , 비 반응 성 귀금속 으로서 , 백금 ( Pt ) , 이리듐 ( Ir ) , 팔라듐 ( Pd ) , 금 ( Au ) , 루테늄 ( Ru ) 또는 이 들 의 합금 을 포함 할 수 있 다 . 상기 저항 값 이 조절 은 상기 저항 변화 물질 층 의 밴드 갭 조절 을 통해 수행 될 수 있 다 . 상기 산소 농도 가 증가 하 면 저항 값 이 증가 되 고 , 상기 산소 농도 가 감소 하 면 저항 값 이 감소 될 수 있 다 . 상기 저항 변화 물질 층 의 저 저항 상태 는 프로그램 상태 로 할당 되 고 , 상기 저항 변화 물질 층 의 고저 항 상태 는 소거 상태 로 할당 될 수 있 다 . 상기 금속 절연체 전이 는 모트 전이 ( mott transition ) 를 포함 할 수 있 다 . 상기 제 1 전극 에 양 전압 인가 시 , 상기 제 1 전극 과 상기 저항 변화 물질 층 사이 의 계면 에 에너지 장벽 이 생성 되 고 , 상기 제 1 전극 에 음 전압 인가 시 , 상기 제 1 전극 과 상기 저항 변화 물질 층 사이 의 계면 에 에너지 장벽 이 소멸 됨 으로써 , 다이오드 특성 이 결정 될 수 있 다 . 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 중 적어도 하나 와 상기 저항 변화 물질 층 사이 의 계면 에 쇼트 키 장벽층 이 배치 될 수 있 다 .