도 1 내지 도 2 c 를 참조 하 면 , 수직 형 반도체 장치 ( 100 ) 는 기판 ( 201 ) , 기판 ( 201 ) 상 에 절연 층 ( 202 ) 과 게이트 전극 ( 203 ) 이 교대 로 번갈 아 적층 된 메모리 셀 스택 ( 211 L , 211 U ) 및 메모리 셀 스택 ( 211 L , 211 U ) 을 관통 하 는 필라 구조물 ( 213 L , 213 U ) 을 포함 할 수 있 다 . 필라 구조물 ( 213 L , 213 U ) 은 메모리 셀 스택 ( 211 L , 211 U ) 을 관통 하 는 오프닝 을 채우 는 필라 형상 일 수 있 다 . 메모리 셀 스택 ( 211 L , 211 U ) 및 필라 구조물 ( 213 L , 213 U ) 은 메모리 셀 영역 ( MC ) 에 형성 될 수 있 다 .