열 제 어 판 ( 134 ) 은 적어도 부분 적 으로 열 전도성 물질 로 제조 될 수 있 으며 , 사용 중 에 디스크 ( 122 ) 로 의 및 / 또는 디스크 ( 122 ) 로부터 의 열 전달 률 의 제어 를 용이 하 게 하 기 위하 여 , 예컨대 유체 공급원 ( 142 ) 에 커플링 된 도관 ( 158 ) 을 통해 , 열 전달 유체 가 관통 하 여 흐르 도록 그 내부 에 배치 된 하나 또는 그 초과 의 채널 들 을 가질 수 있 다 . 열 제 어 판 ( 134 ) 은 또한 적어도 부분 적 으로 전기 전도성 물질 로 제조 될 수 있 으며 , 사용 중 에 처리 체적 ( 119 ) 내부 의 플 라즈 마 에 대해 RF 전력 을 커플링 하 기 위한 전극 으로서 작용 하 도록 , 예컨대 , 전도체 ( 156 ) 를 통해 , RF 전력 공급원 ( 117 ) 에 커플링 될 수 있 다 . RF 전력 공급원 ( 117 ) 은 , 예컨대 , 약 2 ㎒ 내지 약 60 ㎒ 의 적합 한 주파수 로 , 예컨대 , 최대 약 2000 W 의 전력 을 제공 할 수 있 다 .