그리고 , 게이트 전극 ( 53 ) 및 측벽 ( 55 a , 55 b ) 을 마스크 로 하 여 As , P , B 등 의 불순물 을 제 1 실리콘 층 ( 16 a ) 내 에 이온 주입 한다 . 이것 에 의해 , 제 1 실리콘 층 ( 16 a ) 에서 의 측벽 ( 55 a , 55 b ) 의 측방 에 고농 도 불순물 도입 층 으로 이루어지 는 소스 / 드레 인 전극 층 ( 56 a , 56 b ) 이 형성 되 고 , 그 결과 , 트랜지스터 가 완성 된다 . 또한 , 벌크 소자 형성 영역 ( 14 ) 에 벌크 소자 를 형성 함 으로써 , 실리콘 기판 ( 11 ) 위 에 SOI 소자 와 벌크 소자 가 혼재 하 는 반도체 장치 ( 51 ) 가 완성 된다 .