그래서 , 본 변형 예 에서 는 , 도 34 에 도시 하 는 바 와 같이 , 실리콘 산화 막 ( 20 ) 을 형성 하 기 전 에 , 저 내압 트랜지스터 가 형성 되 는 제 1 영역 ( R 1 ) 을 레지스 트 패턴 ( 19 ) 으로 덮 고 , 불화 수소산 등 의 약액 을 공급 함 으로써 , 제 2 영역 ( R 2 ) 에 형성 되 는 산화 막 ( 5 ) 을 사전 에 후퇴 시키 기 로 하 였 다 . 예컨대 , 불화 수소산 등 의 약액 에 의한 1 회 의 처리 로 , 제 1 영역 ( R 1 ) 에 형성 된 산화 막 ( 5 ) 이 δ 만큼 후퇴 하 는 것 이 판명 되 고 있 으면 , 제 2 영역 ( R 2 ) 에 형성 된 산화 막 ( 5 ) 을 사전 에 δ 만큼 후퇴 시킨다 . 이렇게 하 면 , 저 내압 트랜지스터 및 고 내압 트랜지스터 의 형성 과정 에서 , 제 1 영역 ( R 1 ) 에 만 불화 수소산 등 의 약액 을 공급 해도 , 도 35 에 도시 하 는 바 와 같이 , 제 1 영역 ( R 1 ) 과 제 2 영역 ( R 2 ) 에서 의 , 산화 막 ( 5 ) 의 높이 의 편차 를 억제 할 수 있 다 . 즉 , 본 실시 형태 에서 는 , 제 1 영역 ( R 1 ) 과 제 2 영역 ( R 2 ) 에서 , 불화 수소산 등 의 약액 에 의한 처리 횟수 가 다른 것 까지 를 고려 하 여 , 사전 에 산화 막 ( 5 ) 을 후퇴 시키 고 있 는 것 이 다 .