소스 부 ( S ) 는 , 게이트 절 연막 ( 23 ) 및 산화물 반도체 막 ( 24 a ) 의 상층 에 형성 된 소스 메탈 ( 25 s ) 로 형성 되 고 , 드레 인부 ( DR ) 는 , 산화물 반도체 막 ( 24 a ) 중 , 게이트 절 연막 ( 23 ) 측 과 는 반대 측 의 표면 을 포함 한 산화물 반도체 막 ( 24 a ) 의 일부 가 저 ( 低 ) 저항 화 된 저 저항 영역 ( 24 ad ) 에 의해 구성 된다 .