도 7 을 참조 하 면 , 실리콘 이동 이 이루어질 수 있 는 온도 와 수소 및 염소 또는 실리콘 을 포함 하 는 가스 의 혼합 가스 분위기 에서 상기 결과물 을 열처리 하 여 상기 게이트 리 세스 ( 120 ) 의 측벽 에 형성 된 실리콘 펜스 ( F ) 를 제거 한다 . 구체 적 으로 , 상기 열처리 는 500 내지 800 ℃ 의 온도 에서 5 내지 10 분 동안 수행 될 수 있 다 . 상기 수소 및 염소 또는 실리콘 을 포함 하 는 가스 의 혼합 가스 분위기 에서 의 열처리 에 의해 상기 기판 ( 100 ) 의 실리콘 이 이동 되 어 원자 재배열 에 의해 상기 게이트 리 세스 ( 120 ) 의 내부 는 평탄 한 표면 을 갖 는다 . 즉 , 상기 실리콘 이동 에 의해 상기 게이트 리 세스 ( 120 ) 의 측벽 의 실리콘 펜스 ( F ) 가 제거 될 수 있 다 .