본원 의 다른 측면 은 , 제 1 음각 또는 제 1 양각 이 표면 에 형성 된 제 1 기재 를 준비 하 는 단계 ; 상기 제 1 기재 상 에 복수 의 입자 를 올린 후 물리 적 압력 에 의하 여 상기 입자 들 의 일부 또는 전부 를 상기 제 1 음각 또는 상기 제 1 양각 에 의해 형성 된 공극 ( 孔隙 ) 에 삽입 시켜 상기 제 1 기재 상 에 상기 입자 의 정렬 층 을 형성 하 는 단계 ; 상기 입자 들 의 정렬 층 이 형성 된 상기 제 1 기재 와 제 2 기재 를 접촉 시켜 상기 상기 입자 의 정렬 층 을 상기 제 2 기재 로 전사 ( transfer ) 하 는 단계 ; 상기 제 2 기재 상 에 전사 된 상기 입자 들 의 정렬 층 을 고분자 로 코팅 하 여 입자 - 고 분자 복합체 박막 을 형성 하 는 단계 ; 및 상기 입자 - 고 분자 복합체 박막 중 상기 코팅 된 고분자 의 일부 를 제거 하 여 복수 의 홀 ( hole ) 을 형성 한 후 상기 홀 을 통하 여 상기 입자 를 제거 하 는 단계 : 를 포함 하 는 , 홀 ( hole ) 을 가지 는 박막 의 제조 방법 을 제공 한다 .