이어서 , 상기 상부 전극 용 제 3 도 전막 ( 218 ) 상 에 , 상기 상부 전극 용 제 3 도 전막 ( 218 ) 을 일부 노출 하 는 제 2 포토레지스트 패턴 ( 220 a , 220 b ) 을 형성 한다 . 상기 제 2 포토레지스트 패턴 ( 220 a , 220 b ) 은 사진 식각 공정 을 이용 하 여 형성 한다 . 도 10 a 에 도시 한 상기 제 2 포토레지스트 패턴 ( 220 a ) 은 제 1 및 제 2 상변화 층 스 페이서 ( 212 a , 212 b ) 상부 에 걸쳐 형성 되 며 , 도 10 b 에 도시 한 제 2 포토레지스트 패턴 ( 220 b ) 은 제 1 상변화 층 스 페이서 ( 212 a ) 및 제 2 상변화 층 스 페이서 ( 212 b ) 에 각각 에 분리 되 어 형성 된다 .