본 발명 은 , 전기 적 으로 소거 가능 한 프로그램 가능 판독 전용 메모리 ( electrically erasable programmable read - only memory , EEPROM ) 와 플래시 EEPROM 과 같 은 비휘발성 반도체 메모리 에 관한 것 이 고 , 보다 구체 적 으로 는 , 감지 회로 가 전도성 이 큰 메모리 셀 을 확인 및 록 아웃 한 후 병렬 로 작동 하 는 그룹 중 에서 감지 회로 로부터 노이즈 가 억제 되 는 감지 회로 ( sensing circuits ) 와 메모리 동작 ( memory operations ) 에 관한 것 이 다 .