가 커져 커플링 비 를 향상 시킬 수 있 으나 , 플 래쉬 메모리 소자 는 디램 과 달리 높 은 바이어스 전압 을 사용 하 므로 게이트 유전 막 두께 가 감소 되 면 누설 전류 가 증가 되 어 프로그램 / 소거 반복 특성 ( endurance ) 및 데이터 저장 특성 ( data retention ) 이 열화 되 어 소자 의 신뢰 성 을 확보 하 기 가 어렵 다 .