여기 서 , 그래핀 ( 151 ) 은 P 형 반도체 층 ( 160 ) 과 접하 는 전자 장벽층 ( electron blocking layer , EBL ) ( 110 ) 상 에 형성 되 어 있 다 . 이 와 같이 배치 된 그래핀 ( 151 ) 은 전자 장벽층 ( electron blocking layer , EBL ) ( 110 ) 상 에 1000 ℃ 온도 , 500 mTorr 의 압력 조건 에서 2 시간 동안 화학 기상 증착 법 ( CVD , chemical vapor deposition ) 에 의해 그래핀 을 형성 한 후 , 그 위 에 P 형 반도체 층 ( 160 ) 을 형성 하 는 방법 으로 형성 할 수 있 다 .