메모리 ( 120 ) 는 DDR 에 스 디 렘 이 므로 데이터 ( Q 0 , Q 1 , Q 2 , Q 3 ) 를 데이터 스트로브 신호 ( DQS ) 의 라이징 엣지 및 폴링 엣지 에 동기 되 어 출력 한다 . 그러나 메모리 컨 트 롤러 ( 110 ) 의 라이징 엣지 샘플링 레지스터 ( 112 ) 및 폴링 엣지 샘플링 레지스터 ㄷ 드 들 ( 113 , 114 ) 은 데이터 스트로브 신호 ( DQSin ) 의 라이징 엣지 또는 폴링 엣지 중 어느 하나 에서 데이터 ( Q 0 , Q 1 , Q 2 , Q 3 ) 를 샘플링 한다 .