그리고 , 제 1 워드 선 WLCGy 및 용량 선 CLy 가 선택 되 어 있 는 기간 에서 , 비트 선 BL 1 , BLx 에 , 데이터 를 포함 하 는 신호 의 전위 가 공급 된다 . 도 4 에서 는 , 비트 선 BL 1 에 접 지 전위 ( GND ) 가 공급 되 고 , 비트 선 BLx 에 하이 ( high ) 레벨 의 전위 ( VDD ) 가 공급 되 고 있 는 경우 를 예시 한다 . 비트 선 BL 1 , BLx 에 공급 되 는 전위 는 , 온 ( on ) 의 트랜지스터 ( 101 ) 를 끼우 고 , 용량 소자 ( 102 ) 가 갖 는 전극 의 하나 와 , 트랜지스터 ( 103 ) 의 게이트 전극 에 공급 된다 . 그리고 , 상기 신호 의 전위 에 따라서 , 노드 FG 에 축적 되 는 전하량 이 제어 됨 으로써 , y 행 1 열 째 의 메모리 셀 과 , y 행 x 열 째 의 메모리 셀 으로 의 데이터 의 입력 이 행해진다 .