이러 한 결과 는 간섭 효과 에 의한 것 으로 , 소자 의 신뢰 성 을 향상 시키 기 위해서 는 동일 스트링 내 에서 워드 라인 별 메모리 셀 의 문턱 전압 의 균일성 을 확보 하 여야만 한다 . 더욱이 , 이러 한 문제 는 낸드 플래시 메모리 소자 에 국한 되 는 것 은 아니 며 , 스트링 구조 를 갖 는 모든 메모리 소자 에서 반드시 해결 해야 만 하 는 과제 인 것 이 다 .