게이트 전극 ( 51 ) , 용량 배선 ( 56 ) 은 , 스퍼터링 법 , CVD 법 , 도금 법 , 인쇄 법 , 액 적 토출 법 등 을 사용 하 여 형성 한다 . 여기 에서 는 , 기판 ( 50 ) 위 에 도전 막 으로서 몰리브덴 막 을 스퍼터링 법 에 의해 성막 하 고 , 제 1 포토 마스크 를 사용 하 여 형성 한 레지스 트 마스크 를 사용 하 여 기판 ( 50 ) 위 에 형성 된 도전 막 을 에칭 하 여 게이트 전극 ( 51 ) , 용량 배선 ( 56 ) 을 형성 한다 .