상기 플 래쉬 메모리 소자 는 플로팅 게이트 를 포함 하 는 반도체 소자 로써 , 전기 적 으로 데 이타 를 프로그램 ( program ) 및 삭제 ( erase ) 할 수 있 다 . 상기 프로그램 및 삭제 는 전기 적 으로 격리 된 플로팅 게이트 내 에 전하 들 을 유입 하 거나 플로팅 게이트 로부터 전하 들 을 방출 하 여 수행 된다 . 전하 들 이 플로팅 게이트 및 반도체 기판 사이 에 개재 된 절 연막 을 통과 하 는 방식 은 핫 캐리어 주입 방식 또는 F - N 터널 링 ( Fowler - Nordheimtunneling ) 방식 을 사용 한다 . 일반 적 으로 , 플로팅 게이트 를 갖 는 플 래쉬 메모리 소자 는 플로팅 게이트 상부 에 위치 하 는 제어 게이트 전극 에 동작 전압 ( 프로그램 전압 또는 소거 전압 ) 이 인가 되 고 , 이 동작 전압 에 따른 플로팅 게이트 에 유기 되 는 전압 에 의하 여 전하 들 이 플로팅 게이트 로 유입 되 거나 , 플로팅 게이트 로 부 터 방출 된다 .