구체 적 으로 , 반도체 기판 ( 300 ) 위 에 마스크 막 , 예 를 들 어 질화 막 을 증착 한다 . 다음 에 마스크 막 을 선택 적 으로 식각 하 여 p 형 도전 막 으로 전환 될 부분 , 예컨대 제 1 영역 ( A ) 의 반도체 층 ( 304 ) 의 표면 을 노출 시키 는 마스크 막 패턴 ( 306 ) 을 형성 한다 . 종래 의 경우 이온 주입 마스크 로 포토레지스트 막 을 이용 한 경우 , 듀얼 폴리 게이트 를 제조 과정 에서 진행 되 는 어 닐 공정 에서 포토레지스트 막 이 경화 되 어 이후 스트립 ( strip ) 공정 에서 완전히 제거 되 지 않 고 잔여물 ( 200 , 도 2 참조 ) 이 남 았 다 . 이러 한 잔여물 은 공정 챔버 의 오염 이나 이 차 오염 의 원인 으로 작용 하 게 된다 . 이 에 본 발명 의 실시 예 에서 는 이온 주입 마스크 로 포토레지스트 막 대신 질화 막 을 이용 하 여 상술 한 포토레지스트 경화 에 따른 문제점 을 근본 적 으로 제거 할 수 있 다 .