과 도 한 열 로 인해 게이트 산화 막 쪽 으로 공극 ( Seam ) 이 이동 하 면서 부분 적 으로 게이트 산화 막 이 두꺼워 지 는 것 처럼 인식 되 고 있 기 때문 에 공극 이동 이 발생 한 부분 의 경우 셀 문턱 전압 ( Cell Vt ) 의 이상 증가 현상 이 발생 하 고 , 전 류강하 ( Current Drop ) 가 발생 하 여 셀 트랜지스터 의 특성 이 열화 되게 된다 .