방법 ( 1000 ) 은 적어도 하나 의 메모리 핑거 에 채널 홀 의 제 1 열 및 채널 홀 의 제 2 열 이 형성 되 는 동작 ( 1006 ) 으로 진행 한다 . 공정 은 도 6 a 에 도시 된 방법 ( 600 A ) 에서 설명 된 것 과 유사 하 다 . 그러나 , 제 1 열 및 제 2 열 의 채널 홀 은 워드 라인 방향 을 따라 서로 에 대해 변위 된다 . 각 채널 홀 은 교번 전도체 / 유전체 스택 을 통해 연장 될 수 있 다 .