스 페이서 ( 212 ) 의 수직 컴포넌트 는 스 페이서 ( 212 ) 의 내측 측벽 ( 212 a ) 과 하부 챔버 부분 ( 101 ) 내 에 배치 된 페데 스탈 ( 204 ) 의 지지 부 의 외측 에지 사이 에 갭 ( 232 ) 을 형성 하 도록 배치 된다 . 갭 ( 232 ) 은 가스 화학 물질 로 하여금 프로세싱 영역 ( 234 ) 으로부터 갭 ( 232 ) 을 통해 하부 챔버 부분 ( 101 ) 내 에 형성 된 드레 인 ( 미 도시 ) 을 향해 흐르 게 하 도록 형성 된다 . 일부 실시 예 들 에서 , 페데 스탈 이 프로세스 위치 에 있 을 때 갭 ( 232 ) 은 약 0 . 20 인치 내지 약 0 . 5 인치 이 다 . 특정 한 실시 예 에서 , 갭 ( 232 ) 은 약 0 . 35 인치 이 다 .