그리고 이 와 같이 탑재 대 ( 2 ) , 진공 챔버 ( 10 ) , 가스 공급 배관 ( 4 ) 의 가열 , 다공질 부재 ( 6 ) 로 의 Ar 가스 의 공급 이 실행 되 고 있 는 성막 장치 에 있 어서 , 게이트 밸브 ( 15 ) 를 개방 하 고 , 진공 챔버 ( 10 ) 내 에 웨이퍼 ( W ) 를 반입 하 여 탑재 대 ( 2 ) 에 탑재 하 고 가열 한다 . 그 후 , 게이트 밸브 ( 15 ) 를 폐쇄 하 고 , 진공 챔버 ( 10 ) 내 를 소정 의 압력 으로 조절 한 후 , TiCl 4 가스 공급원 ( 54 ) 및 Ar 가스 공급원 ( 56 ) 으로부터 각각 TiCl 4 가스 및 Ar 가스 를 공급 한다 . TiCl 4 가스 및 Ar 가스 는 가스 공급 배관 ( 4 ) 을 거쳐서 혼 합부 ( 5 ) 에 공급 되 고 혼합 되 며 , 샤워 헤드 ( 3 ) 를 거쳐서 진공 챔버 ( 10 ) 내 에 공급 된다 . 이 에 의해 웨이퍼 ( W ) 의 표면 에 TiCl 4 가 흡착 된다 .