도 37 b 에 도시 하 는 트랜지스터 는 , 하 지 절연 층 ( 2101 ) 과 , 산화알루미늄 으로 이루어지 는 매립 절연물 ( 2102 ) 위 에 형성 되 고 , 반도체 영역 ( 2103 a ) , 반도체 영역 ( 2103 c ) 과 , 이 들 사이 에 개재 된 진성 의 반도체 영역 ( 2103 b ) 과 , 폭 33 nm 의 게이트 ( 2105 ) 와 게이트 절연 층 ( 2104 ) 과 측벽 절연물 ( 2106 a ) 및 측벽 절연물 ( 2106 b ) 과 절연물 ( 2107 ) 과 소스 ( 2108 a ) 및 드레 인 ( 2108 b ) 을 갖 는 점 에서 도 37 a 에 도시 하 는 트랜지스터 와 동일 하 다 .