상기 컴포넌트 ( 160 ) 는 반도체 다이 , 능동 또는 수동 소자 ( 예 를 들 어 Integrated Passive Device , IPD ) 의 형태 로 구비 될 수 있 다 . 상기 컴포넌트 ( 160 ) 는 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 반도체 디바이스 ( 100 ) 의 다양 한 기능 을 수행 하 기 위해 구성 되 며 , 도면 에서 는 상기 절연 층 ( 130 ) 의 상부 에 형성 된 구성 만 도시 되 어 있 으나 , 필요 에 따라 상기 절연 층 ( 130 ) 의 내부 에 위치 할 수 도 있 다 . 특히 , 상기 컴포넌트 ( 160 ) 가 IPD 로 구성 된 경우 , 두께 가 약 50 [ um ] 이하 로 얇 게 형성 될 수 있 기 때문 에 상기 절연 층 ( 130 ) 의 내부 에 위치 하 여도 반도체 디바이스 ( 100 ) 의 두께 를 크 게 증가 시키 지 않 는 장점 이 있 다 .