반도체 장치 는 제 1 제어 전극 및 제 2 반도체 패턴 사이 에 배치 된 제 1 도전 패턴 을 더 포함 할 수 있 다 . 제 2 절연 층 은 제 1 도전 패턴 하측 에 배치 되 고 제 1 제어 전극 을 커버 하 는 제 1 서브 절연 층 및 제 1 도전 패턴 상측 에 배치 되 고 제 1 도전 패턴 을 커버 하 는 제 2 서브 절연 층 을 포함 하 는 것 일 수 있 다 .