제 1 가열 처리 의 온도 에 따라 다르 지만 , 제 1 가열 처리 에 의해 막 표면 으로부터 결정 화 되 고 막 표면 으로부터 내부 로 향하 여 결정 성장 되 고 , C 축 배향 한 결정 이 얻 어 진다 . 제 1 가열 처리 에 의해 아연 과 산소 가 막 표면 에 다수 모여서 상평면 이 육각형 인 아연 과 산소 로 이루어진 그라핀 ( graphene ) 형 2 차원 결정 이 최 표면 에 한 층 또는 복수 층 형성 되 고 , 이것 이 제 1 산화물 반도체 막 의 막 두께 방향 으로 성장 하 여 겹쳐 적층 된다 . 제 1 가열 처리 의 온도 를 상승 시키 면 , 표면 으로부터 내부 , 그리고 내부 로부터 하부 로 결정 성장 이 진행 된다 .