다음 에 , 실리콘 기판 ( 101 ) 을 ( 도시 하 지 않 는 ) RF 마그네트론 방식 의 스퍼터링 장치 내 에 반송 ( 搬送 ) 했 다 . 덧붙여 , 스퍼터링 장치 의 타 겟 으로 는 Hf 및 Si 를 이용 했 다 . 실리콘 기판 을 스퍼터링 장치 내 에 반송 한 후 , 스퍼터링 장치 내 의 배기 를 실시 해서 2 × 10 - 6 Pa 까지 감압 했 다 . 또 , 실리콘 기판 ( 101 ) 을 , 가열 유닛 에 의해 가열 해서 , 300 ℃ 로 유지 했 다 . 이 들 에 의해 , 막 퇴적 중 에 Hf 및 Si 를 산화 시킬 우려 가 있 는 산소 나 수분 등 을 스퍼터링 장치 외부 로 배기 했 다 . 다음 에 , 스퍼터링 장치 내 에 5 sccm 의 유량 으로 Ar 가스 를 도입 해서 , 스퍼터링 장치 내부 를 0 . 2 Pa 로 유지 했 다 . 계속 해서 , 각각 의 타 겟 에 고주파 전압 을 인가 해서 플 라즈 마 를 생성 하 고 , 타 겟 을 구성 하 는 Hf 및 Si 의 원자 의 스퍼터링 를 실시 했 다 . 각각 의 타 겟 에서 스퍼터링 된 Hf 및 Si 의 원자 는 , 타 겟 에 대향 하 는 위치 에서 지지 되 는 실리콘 기판 ( 101 ) 쪽 으로 비산 해서 , 실리콘 기판 ( 101 ) 위 에 퇴적 되 었 다 . 이 처리 에 의해 , 막 두께 1 nm 의 Hf 및 Si 로 이루어진 막 ( 102 ) 이 형성 되 었 다 . 이때 , 퇴적 한 막 중 에 포함 되 는 Hf 에 대한 Si 의 조성 비 , 즉 Hf 원자 와 Si 원자 와 의 합계 에 대한 Si 원자 의 비율 은 30 % 였 다 .