메모리 셀 이 쓰 기 모드 에 있 을 때 , 초기 에 스위치 ( S 1 ) 가 닫혀 있 고 스위치 ( S 2 ) 가 열려 있 어 입력 신호 에 제 1 및 제 2 인버터 ( INV 1 및 INV 2 ) 각각 의 출력 이 결정 되게 된다 . 이후 비교기 의 출력 에 의해 쓰 기 인 에 이 블 신호 ( WriteEn ) 가 로우 가 되 고 쓰 기 인 에 이블 바 신호 ( WriteEnb ) 신호 가 하이 가 되 며 , 스위치 ( S 1 ) 가 열려 입력 신호 는 제 1 인버터 ( INV 1 ) 에 전달 되 지 않 은 상태 에서 스위치 ( S 2 ) 가 닫혀 있 어 , 제 1 인버터 ( INV 1 ) 와 제 2 인버터 ( INV 2 ) 가 크로스 커플 드 되 어 이전 값 을 계속 유지 하 게 된다 . 한편 , 기존 방식 과 같이 제안 된 회로 에서 도 프리 차지 신호 ( PREB ) 클록 을 필요 로 한다 . 프리 차지 신호 ( PREB ) 가 로우 일 때 , PMOS 트랜지스터 ( M 57 및 M 58 ) 스위치 를 통해 메모리 버스 라인 ( Memory Bus M 및 Memory Bus P ) 각각 이 공급 전압 ( VDD ) 으로 충전 된다 .