이 로 인해 , 좁 은 게이트 채널 길이 를 갖 는 CMOS 소자 공정 시 PMOS 소자 의 게이트 전극 을 P 형 불순물 이 도핑 된 폴리 실리콘 막 으로 형성 하 여 PMOS 소자 를 서피스 채널 특성 을 갖 도록 하 는 이중 게이트 ( Dual Gate ) 구조 가 제안 되 었 다 . 이러 한 , 이 중 게 이트 구조 는 단 채널 효과 를 줄이 는 효과 가 있 다 .