현재 , 금속 을 이용 하 여 비정질 실리콘 층 을 결정 화 하 는 방법 은 고상 결정 화 ( Solid Phase Crystallization ) 보다 낮 은 온도 에서 빠른 시간 내 에 결정 화 시킬 수 있 는 장점 을 가지 고 있 기 때문 에 많이 연구 되 고 있 다 . 금속 을 이용 한 결정 화 방법 은 금속 유도 결정 화 ( MIC , Metal Induced Crystallization ) 방법 과 금속 유도 측면 결정 화 ( MILC , Metal Induced Lateral Crystallization ) 방법 으로 구분 된다 . 그러나 , 금속 촉매 를 이용 한 상기 방법 의 경우 는 금속 촉매 에 의한 오염 으로 인하 여 박막 트랜지스터 의 소자 특성 이 저하 되 는 문제점 이 있 다 .