산화 아연 입자 가 획득 되 면 , 지 지체 ( 120 , 일례 로 , 다공성 α - 알루미나 원판 지 지체 등 ) 위 에 산화 아연 막 ( 110 ) 이 형성 된다 . 예 를 들 어 , 산화 아연 입자 를 포함 하 는 산화 아연 슬러리 ( 예 를 들 어 , 0 . 0625 wt % 로 산화 아연 입자 가 투입 된 N , N - 디 메틸 포름 아미드 등 ) 를 지 지체 ( 120 ) 의 일 면 에 딥 - 코팅 시킴 으로써 지 지체 ( 120 ) 의 일 면 에 산화 아연 막 ( 110 ) 을 형성 시킬 수 있 다 . 산화 아연 막 ( 110 ) 이 형성 된 이후 , 산화 아연 막 ( 110 ) 은 고온 ( 대략 450 ℃) 에서 2 시간 동안 하소 될 수 있 다 .