종래 의 불휘발성 메모리 는 리드 캐쉬 혹은 라이트 캐쉬 로서 사용 한 경우 , 그 재 기입 내성 이 낮 기 때문 에 , 캐쉬 로서 의 효과 의 지속 성 이 짧 거나 , 혹은 , 그 리드 속도 혹은 라이트 속도 가 느리 기 때문 에 속도 향상 효과 가 낮 거나 , 혹은 또한 리드 시 혹은 라이트 시 의 소비 전력 이 크 기 때문 에 전력 절약 효과 가 낮 은 등 의 문제 가 있 었 다 . 리드 캐쉬 및 라이트 캐쉬 를 , 특성 이 상이 한 2 종류 의 불휘발성 메모리 로 구성 한다 . 예 를 들 면 , 라이트 캐쉬 에 재 기입 내성 이 높 은 불휘발성 메모리 를 , 리드 캐쉬 에 재 기입 내성 이 낮 은 불휘발성 메모리 를 할당 하 고 , 그 들 캐 쉬 에서 의 데이터 의 관리 테이블 을 재 기입 내성 이 높 은 불휘발성 메모리 에 기억 한다 . 혹은 또한 , 라이트 캐쉬 에 는 라이트 속도 가 빠르 고 리드 속도 가 느린 불휘발성 메모리 를 , 리드 캐쉬 에 는 리드 속도 가 빠르 고 , 라이트 속도 가 느린 불휘발성 메모리 를 채용 한다 .