대안 적 으로 , 다른 유전체 화합물 , 특히 , 이산화 지르코늄 ( ZrO 2 ) , 실리콘 산화물 ( SiOx , 예컨대 , SiO 2 ) , 이산화 티타늄 ( TiO 2 ) , 산화 하프늄 ( HfO 2 ) , 오산 화 탄탈 ( Ta 2 O 5 ) , 산화 란탄 ( La 2 O 3 ) , 또는 산화 이트륨 ( Y 2 O 3 ) 과 같 은 투명 한 절연성 금속 산화물 뿐 만 아니 라 , 예컨대 , 티 탄산염 ( SrTiO 3 ) , 탄산 세슘 ( CsCO 3 ) , 하프늄 규산염 ( HfSiO 4 ) , 또는 질화 규소 ( Si 3 N 4 ) 또는 상기 유전체 화합물 들 의 조합 과 같 은 또 다른 유전체 화합물 이 또한 용량 성 소자 용 절연 층 을 제공 하 는 데 적합 할 수 있 다 . 또 다른 적합 한 유전체 화합물 은 J . Robertson 의 , High dielectric constant oxides ( Eur . Phys . J . Appl . Phys . 28 , 265 - 291 ( 2004 ) ) 또는 J . A . Kittl 등 의 , High - k Dielectrics for Future Generation Memory Devices ( Microelectronic Engineering 86 ( 2009 ) 1789 - 1795 ) 에서 또한 찾 을 수 있 다 . 대안 적 으로 , 절연 층 은 , 특히 , 폴리에틸렌 이민 에 톡 실 레이트 ( PEIE ) , 폴리에틸렌 이민 ( PEI ) , 2 , 9 - 디 메틸 - 4 , 7 - 디페닐 페난트롤린 ( BCP ) , 폴리비닐 알코올 ( PVA ) , 폴리 ( 메틸 메타 글 릴 레이트 ) ( PMMA ) , 트리스 -( 8 - 하이드 록 시 퀴놀린 ) 알루미늄 ( Alq 3 ) , 또는 ( 3 -( 4 - 비 - 페닐 릴 ) - 4 - 페닐 - 5 -( 4 - 4 급 - 부틸 페닐 ) - 1 , 2 , 4 - 트리아졸 ( TAZ ) 로부터 선택 된 투명 유기 유전 성 재료 의 필름 을 포함 할 수 있 다 . 그러나 , 다른 재료 도 또한 가능 할 수 있 다 . 특히 , 절연 층 에 사용 되 는 유전체 재료 의 전기 저항 률 및 유전체 재료 의 증착 방법 에 따라서 , 절연 층 은 일반 적 으로 1 nm 내지 1000 nm , 바람직 하 게 는 10 nm 내지 250 nm , 특히 , 20 nm 내지 150 nm 의 두께 를 가질 수 있 다 .