선택 게이트 유전체 ( 156 ) 는 예 를 들 어 산화물 , 질화물 , 또 다른 적합 한 유전체 ( 들 ) , 전술 한 바 의 조합 등 일 수 있 거나 달리 이 를 포함 할 수 있 다 . 선택 게이트 전극 ( 150 ) 은 예 를 들 어 도핑 된 폴리 실리콘 , 금속 , 또는 또 다른 적합 한 전도성 재료 ( 들 ) , 전술 한 바 의 조합 등 일 수 있 거나 달리 이 를 포함 할 수 있 다 . 소거 게이트 유전체 층 ( 146 ) 은 , 공통 메모리 소스 / 드레 인 영역 ( 128 ) 으로부터 소거 게이트 전극 ( 144 ) 을 수직 으로 이격 시키 도록 그리고 플로팅 게이트 전극 ( 134 ) 및 제 어 게이트 스 페이서 ( 140 ) 로부터 소거 게이트 전극 ( 144 ) 을 측 방향 으로 이격 시키 도록 소거 게이트 전극 ( 144 ) 의 하측 을 감싼다 ( cup ) . 소거 게이트 전극 ( 144 ) 은 오목 한 상부 표면 을 가질 수 있 고 , 도핑 된 폴리 실리콘 , 금속 , 또 다른 적합 한 전도성 재료 ( 들 ) , 전술 한 바 의 조합 등 일 수 있 다 . 소거 게이트 유전체 층 ( 146 ) 은 예 를 들 어 산화물 , 질화물 , 또는 또 다른 적합 한 유전체 ( 들 ) , 전술 한 바 의 조합 등 일 수 있 거나 달리 이 를 포함 할 수 있 다 .