상기 버퍼 층 ( 200 ) 은 Ⅱ 족 내지 Ⅵ 족 화합물 반도체 를 이용 하 여 적어도 한 층 으로 형성 될 수 있 다 . 상기 버퍼 층 ( 200 ) 은 Ⅲ 족 내지 Ⅴ 족 화합물 반도체 를 이용 한 반도체 층 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 상기 버퍼 층 ( 200 ) 은 GaN , AlN , AlGaN , InGaN , InN , InAlGaN , AlInN , AlGaAs , GaP , GaAs , GaAsP , AlGaInP , ZnO 중 적어도 하나 를 포함 할 수 있 다 . 바람직 하 게 상기 발광 소자 ( 1000 ) 가 자외선 파장 의 광 을 방출 할 경우 , 자세 하 게 , 상기 발광 소자 ( 1000 ) 가 자외선 파장 대역 의 광 을 방출 하 는 자외선 발광소 자일 경우 상기 버퍼 층 ( 200 ) 은 열전도율 및 기계 적 특성 을 고려 하 여 AlN 을 포함 할 수 있 다 .