본 발명 의 제 2 양태 에 관련 된 기판 처리 장치 는 , 불소 를 함유 하 는 처리 가스 를 도입 하 는 처리 가스 도입부 를 갖 고 , 이 처리 가스 도입부 를 통하 여 상기 불소 를 함유 하 는 처리 가스 를 도입 하 고 , 상기 피 처리 기판 을 , 상기 불소 를 함유 하 는 처리 가스 를 포함 하 는 분위기 하 에서 가스 처리 하 고 , 이 피 처리 기판 의 표면 에 불소 를 함유 하 는 반응 생성물 을 형성 하 는 가스 처 리부 와 , 상기 피 처리 기판 을 가열 하 는 가열 기구 와 , 불소 와 반응 하 는 반응 가스 를 도입 하 는 반응 가스 도입부 를 갖 고 , 상기 가열 기구 를 이용 하 여 상기 가스 처리 후 의 피 처리 기판 을 가열 처리 하 고 , 상기 반응 가스 도입부 를 통하 여 상기 반응 가스 를 도입 하 고 , 상기 피 처리 기판 을 , 상기 불소 와 반응 하 는 반응 가스 를 포함 하 는 분위기 하 에서 가스 처리 하 는 가열 및 가스 처 리부 를 구비 한다 .