특정 디바이스 가 제공 된다 . 디바이스 실시 예 1 과 2 의 유기 스택 ( stack ) 을 ITO 표면 에서 정공 분사 층 ( HIL ) 으로서 100 Å 의 E 1 , 정공 수송 층 ( HTL ) 으로서 300 Å 의 4 , 4 '- 비스 [ N -( 1 - 나프 틸 ) - N - 페닐 아미노 ] 비페닐 ( α - NPD ) , 발광 층 ( EML ) 으로서 300 Å 의 E 1 도핑 된 호스트 , 차단 층 ( BL ) 으로서 100 Å 의 H 2 , 및 전자 수송 층 ( ETL ) 으로서 400 Å 의 Alq 로 연속 하 여 구성 하 였 다 .