플라 즈 마 프로세싱 챔버 ( 400 ) 내 에서 , 하부 전극 ( 408 ) 위 에 기판 ( 202 ) 이 위치 된다 . 하부 전극 ( 408 ) 은 기판 ( 202 ) 을 홀딩 하 기 위해 ( 예컨대 , 정전 , 기계 적 인 클램 핑 등 과 같 은 ) 적합 한 기판 처 킹 메커니즘 을 포함 한다 . 리액터 상부 ( 428 ) 는 하부 전극 ( 408 ) 에 직접 적 으로 대향 하 여 위치 된 상부 전극 ( 404 ) 을 포함 한다 . 상부 전극 ( 404 ) , 하부 전극 ( 408 ) , 및 컨 파인먼 트 링 들 ( 402 ) 은 한정 된 플 라즈 마 볼륨 ( 440 ) 을 정의 한다 . 가스 는 가스 소스 ( 410 ) 에 의해 한정 된 플 라즈 마 볼륨 ( 440 ) 으로 공급 되 고 , 배기 펌프 ( 420 ) 에 의해 컨 파인먼 트 링 들 ( 402 ) 및 배기 포트 를 통해 한정 된 플 라즈 마 볼륨 ( 440 ) 으로부터 배기 된다 . 제 1 RF 소스 ( 444 ) 는 상부 전극 ( 404 ) 에 전기 적 으로 접속 된다 . 제 2 RF 소스 ( 448 ) 는 하부 전극 ( 408 ) 에 전기 적 으로 접속 된다 . 챔버 벽 들 ( 452 ) 은 컨 파인먼 트 링 들 ( 402 ) , 상부 전극 ( 404 ) , 및 하부 전극 ( 408 ) 을 둘러싼다 . 제 1 RF 소스 ( 444 ) 및 제 2 RF 소스 ( 448 ) 양자 는 60 ㎒ 전력 소스 , 27 ㎒ 전력 소스 , 및 2 ㎒ 전력 소스 를 포함 할 수 도 있 다 . 전극 에 RF 전력 을 접속 시키 는 다른 조합 들 이 가능 하 다 . 본 발명 의 바람직 한 실시 형태 에서 사용 될 수 도 있 는 , 캘리포니아 , 프리몬트 소재 의 LAM Research CorporationTM 에 의해 제조 된 LAM Research Corporation 의 Exelan ® 시리즈 와 같 은 유전체 에칭 시스템 들 의 경우 에 , 60 ㎒, 27 ㎒, 및 2 ㎒ 전력 소스 들 이 하부 전극 에 접속 된 제 2 RF 전력 소스 ( 448 ) 를 형성 하 고 , 상부 전극 은 접지 된다 .