본 발명 의 몇몇 실시 예 에 따른 반도체 장치 에 관한 도면 에서 는 , 예시 적 으로 , 나노 와이어 ( nanowire ) 를 포함 하 는 트랜지스터 ( MBCFETTM ( Multi - Bridge Channel Field Effect Transistor ) ) 및 핀 형 패턴 형상 의 채널 영역 을 포함 하 는 핀 형 트랜지스터 ( FinFET ) 를 도시 하 였으나 , 본 발명 의 기술 적 사상 이 이 에 제한 되 는 것 은 아니 다 . 다른 몇몇 실시 예 에 따른 반도체 장치 는 터널 링 트랜지스터 ( tunneling FET ) 또는 3 차원 ( 3 D ) 트랜지스터 를 포함 할 수 있 음 은 물론 이 다 . 또한 , 또 다른 몇몇 실시 예 에 따른 반도체 장치 는 양극 성 접합 ( bipolar junction ) 트랜지스터 또는 횡 형 이중 확산 트랜지스터 ( LDMOS ) 등 을 포함 할 수 도 있 다 .