도 1 , 도 3 , 및 도 4 부터 도 6 을 참조 하 면 , 프로그램 전압 ( Vpgm ) 이 선택 된 비휘발성 메모리 셀 ( 21 ) 로 공급 된 후 선택 된 비휘발성 메모리 셀 ( 21 ) 의 컨트롤 게이트 로 음 의 디 트랩 핑 전압 ( Vdptn ) 이 공급 된다 . 예컨대 , 상기 음 의 디 트랩 핑 전압 ( Vdtpn ) 은 - 5 V 일 수 있 다 .