( 1 ) 인듐 아세테이트 ( indium acetate ) 0 . 2 mmol , 팔미트산 ( palmitic acid ) 0 . 6 mmol , 1 - 옥 타 데 센 ( octadecene ) 10 mL 를 반응기 에 넣 고 진공 하 에 120 도씨 로 가열 한다 . 1 시간 후 반응기 내 분위기 를 질소 로 전환 한다 . 280 도씨 로 가열 한 후 트리스 ( 트리 메틸 실릴 ) 포스핀 ( tris ( trimethylsilyl ) phosphine : TMS 3 P ) 0 . 1 mmol 및 트리 옥 틸 포스핀 0 . 5 mL 의 혼합 용액 을 신속히 주입 하 고 20 분 간 반응 시킨다 . 상온 으로 신속 하 게 식힌 반응 용액 에 아세톤 을 넣 고 원심 분리 하 여 얻 은 침전 을 톨루엔 에 분산 시킨다 . 얻 어 진 InP 반도체 나노 결정 은 , UV 제 1 흡수 최대 파장 420 내지 600 nm 를 나타낸다 .