다음 으로 , 상기 마스크 블랭크 ( 20 ) 의 차광성 막 ( 18 ) 위 에 , 레지스 트 막 ( 포지티브 형 레지스 트 막 이나 네 가티 브 형 레지스 트 막 ) 을 형성 하 고 , 이 레지스 트 막 을 전자선 또는 레이저 묘화 장치 를 이용 하 여 노광 하 고 , 레지스 트 의 현상액 에 의해 현상 하 여 , 제 1 레지스 트 패턴 ( 21 ) 을 형성 한다 ( 도 2 의 ( B ) ) . 이 제 1 레지스 트 패턴 ( 21 ) 은 , 제조 되 는 그 레이톤 마스크 ( 30 ) 의 투광 부 ( 14 ) ( 도 2 의 ( H ) ) 를 개구 영역 으로 하 는 형상 으로 형성 된다 . 또한 , 제 1 레지스 트 패턴 ( 21 ) 을 형성 하 는 레지스 트 로서 는 , 노볼락 계 레지스 트 를 이용 할 수 있 다 .