본 명세서 에 기재 된 바 와 같이 , 메모리 셀 은 워드 라인 과 디 지트 라인 의 교차점 에 위치 할 수 있 다 . 일반 적 으로 , 메모리 셀 ( 410 ) 은 워드 라인 ( 425 ) 과 디 지트 라인 ( 430 ) 의 교차점 에 위치 할 수 있 다 . 메모리 셀 ( 410 ) 은 논리 저장 구성 요소 , 가령 , 커패시터 ( 415 ) , 및 트랜지스터 ( 420 ) ( 가령 , 스위칭 또는 선택 구성 요소 ) 를 포함 할 수 있 다 . 커패시터 ( 415 ) 는 강유 전 성 커패시터 의 하나 의 예시 일 수 있 다 . 커패시터 ( 415 ) 의 제 1 노드 는 트랜지스터 ( 420 ) 와 연결 되 고 커패시터 ( 415 ) 의 제 2 노드 는 플레이트 ( 405 ) 와 연결 될 수 있 다 . 메모리 셀 ( 410 ) 을 액세스 하 기 위해 , 다양 한 시점 에서 ( 가령 , 플레이트 ( 405 ) , 디 지트 라인 ( 430 ) , 및 워드 라인 ( 425 ) 의 각자 의 전압 을 조절 함 으로써 ) 플레이트 ( 405 ) , 디 지트 라인 ( 430 ) , 및 워드 라인 ( 425 ) 이 선택 될 수 있 다 . 일부 예시 에서 , 플레이트 라인 ( 435 ) 을 통해 플레이트 ( 405 ) 에 전압 을 인가 함 으로써 , 플레이트 ( 405 ) 가 선택 될 수 있 다 .