수소 를 함유 하 는 질화 실리콘 은 , 실란 가스 와 암모니아 가스 를 사용 하 여 플 라즈 마 CVD 법 에 의해 형성 할 수 있 다 . 또한 상기 가스 에 수소 가 가해져 있 어도 된다 . 산소 와 수소 를 함유 하 는 질화 실리콘 은 , 실란 가스 와 암모니아 가스 와 아산화질소 가스 를 사용 하 여 플 라즈 마 CVD 법 으로 제작 할 수 있 다 . 어떻게 하 든 , 플라 즈 마 CVD 법 , 감압 CVD 법 , 상압 CVD 법 등 의 화학 기상 성 장법 에 의해 , 실란 가스 등 을 원료 가스 로서 사용 하 여 제작 되 는 산화 실리콘 , 산화 질화 실리콘 , 질화 산화 실리콘 으로서 수소 가 포함 되 는 것 이 면 적용 할 수 있 다 . CVD 법 에 의한 성막 으로 는 , 반도체 기판 ( 1101 ) 에 형성 한 수소 를 도핑 한 영역 ( 1103 ) 으로부터 탈 가스 가 일어나 지 않 을 정도 의 온도 를 적용 한다 . 예 를 들 면 성막 온도 를 350 ℃ 이하 로 하 는 것 이 바람직 하 다 . 또한 , 반도체 기판 ( 1101 ) 으로부터 반도체 층 을 쪼개 는 ( cleaving ) 가 열처리 는 , CVD 법 에 의한 성막 온도 보다 도 높 은 가열 처리 온도 가 적용 된다 . 어떻게 하 든 접합 층 ( 1104 ) 으로서 , 평활 면 을 가지 고 , 수산기 가 있 는 표면 을 갖 는 것 이 면 된다 .