고유 트랜지스터 는 얇 은 - 게이트 산화물 두께 ( 즉 , 저 - 전압 고유 트랜지스터 ) 또는 두꺼운 - 게이트 산화물 두께 ( 즉 , 고 - 전압 고유 트랜지스터 ) 를 갖 는 산화물 로 제조 될 수 있 다 . 고유 트랜지스터 는 전형 적 으로 표준 향상 모드 트랜지스터 보다 크 며 ( 예 를 들 어 , 고유 트랜지스터 는 동일 한 산화물 두께 를 갖 는 표준 트랜지스터 ( 고 전압 또는 저 전압 ) 의 최소 길이 의 3 내지 6 배 인 최소 길이 를 가질 수 있 으며 ) , 전형 적 으로 표준 트랜지스터 보다 낮 은 상호 컨덕턴스 를 갖 는다 . 저 - 전압 고유 트랜지스터 및 고 - 전압 고유 트랜지스터 는 표준 트랜지스터 의 문턱 전압 보다 작 은 크기 들 의 문턱 전압 들 을 갖 는다 . 일반 적 으로 , 고유 트랜지스터 는 대략 0 V 의 문턱 전압 을 갖 는다 . 표준 저 - 전압 트랜지스터 의 문턱 전압 은 표준 고 - 전압 트랜지스터 의 문턱 전압 보다 작 은 크기 를 갖 는다 . 고 - 전압 고유 트랜지스터 는 고 - 전압 트랜지스터 의 문턱 전압 보다 작 은 크기 를 갖 는 문턱 전압 을 갖 는다 . 예 시 적 집 적 회로 제조 공정 에서 , 저 - 전압 트랜지스터 의 문턱 전압 은 고 - 전압 트랜지스터 의 문턱 전압 보다 적어도 200 mV 낮 다 ( 예 를 들 어 , 저 - 전압 트랜지스터 의 문턱 전압 은 대략 350 내지 400 mV 이 고 고 - 전압 트랜지스터 는 대략 600 내지 650 mV 이 다 ) .