이 와 같이 , 언급 한 본 발명 의 플 라즈 마 식각 장치 및 방법 을 이용 할 경우 반도체 기판 의 가장자리 상부 , 측면 및 가장 자리 하부 와 반도체 기판 의 이면 에 흡착 또는 증착 된 이 물질 을 동일 공간 에서 용이 하 게 식각 할 수 있 다 . 그러므로 , 본 발명 의 플 라즈 마 식각 장치 및 방법 은 반도체 소자 의 제조 에 적극 적 으로 활용 할 수 있 다 .