본 발명 은 이종 재료 기판 위 에 있 어서 , 계면 및 막 중 의 결정 성 이 높 은 미결정 반도체 막 의 형성 방법 을 제안 한다 . 또한 , 결정 성 이 높 은 미결정 반도체 막 을 갖 는 박막 트랜지스터 의 제작 방법 을 제안 한다 . 또한 , 결정 성 이 높 은 미결정 반도체 막 을 갖 는 광전 변환 장치 의 제작 방법 을 제안 한다 . 피막 위 에 밀도 가 높 고 또 결정 성 이 높 은 결정핵 을 형성 한 후 , 결정핵 으로부터 반도체 의 결정립 을 결정 성장 시킴 으로써 , 피막 과 의 계면 에서 의 결정 성 , 인접 하 는 결정립 의 밀착 성 , 및 결정립 의 결정 성 의 각각 을 향상 시킨 미결정 반도체 막 을 형성 한다 .