본 발명 의 기술 적 사상 의 일 실시 예 에 따른 반도체 소자 를 제공 한다 . 이 반도체 소자 는 기판 상 에 교대 로 반복 적 으로 적층 된 제 1 층간 절연 층 들 및 제 1 게이트 층 들 을 포함 하 는 제 1 적층 그룹 ; 상기 제 1 적층 그룹 상 에 교대 로 반복 적 으로 적층 된 제 2 층간 절연 층 들 및 제 2 게이트 층 들 을 포함 하 는 제 2 적층 그룹 ; 상기 제 1 및 제 2 적층 그룹 을 관통 하 는 분리 구조물 들 ; 상기 분리 구조물 들 사이 에서 상기 제 1 및 제 2 적층 그룹 을 관통 하 는 수직 구조물 ; 및 상기 제 2 적층 그룹 상 에서 상기 수직 구조물 과 전기 적 으로 연결 되 는 도전 성 라인 을 포함 하 되 , 상기 분리 구조물 들 의 각각 은 제 1 분리 영역 및 상기 제 1 분리 영역 상 의 제 2 분리 영역 을 포함 하 고 , 상기 수직 구조물 은 제 1 수직 영역 및 상기 제 1 수직 영역 상 의 제 2 수직 영역 을 포함 하 고 , 상기 제 1 수직 영역 은 상기 제 2 수직 영역 과 인접 한 제 1 상부 수직 영역 및 상기 기판 과 인접 한 제 1 하부 수직 영역 을 포함 하 고 , 상기 제 2 수직 영역 은 상기 제 1 수직 영역 과 인접 하 고 상기 제 1 상부 수직 영역 의 폭 보다 작 은 폭 을 갖 는 제 2 하부 수직 영역 및 상기 도전 성 라인 에 인접 한 제 2 상부 수직 영역 을 포함 하 고 , 상기 제 1 분리 영역 은 상기 제 2 분리 영역 과 인접 한 제 1 상부 분리 영역 및 상기 기판 과 인접 한 제 1 하부 분리 영역 을 포함 하 고 , 상기 제 2 분리 영역 은 상기 제 1 분리 영역 과 인접 하 고 상기 제 1 상부 분리 영역 의 폭 보다 작 은 폭 을 갖 는 제 2 하부 분리 영역 및 상기 도전 성 라인 과 인접 한 제 2 상부 분리 영역 을 포함 하 고 , 상기 제 1 수직 영역 의 상단 과 상기 기판 의 상면 사이 의 거리 는 상기 제 1 분리 영역 의 상단 과 상기 기판 의 상기 상면 사이 의 거리 보다 크 다 .