이 경우 , 본 발명 은 게이트 실리사이드 막 을 형성 하 기 위해 스퍼터링 방식 으로 금속 막 을 증착 하 여 금속 실리사이드 막 을 구성 하 는 종래 의 방법 과 달리 , 화학 증착 법 을 이용 하 여 금속 막 을 증착 시켜 금속 실리사이드 막 을 구성 함 으로써 , 그 에 따른 단차 피복 성 을 향상 시켜 , 핀 - 펫 구조 를 갖 는 트랜지스터 의 측면 부위 게이트 및 소오 스 / 드레 인 영역 에 균일 하 게 금속 실리사이드 막 을 형성 시킬 수 있 으므로 그 에 따른 단차 피복 성 을 개선 할 수 있 다 .