그 후 , 도 2 j 와 같이 , 폴리 실리콘 막 ( 300 ) 의 상면 측 에 존재 하 는 이온 주입 층 ( 700 ) 을 하드 마스크 로 이용 하 여 메인 식각 함 으로써 이온 주입 층 ( 700 ) 영역 이외 의 폴리 실리콘 막 ( 300 ) 및 게이트 산화 막 ( 200 ) 을 제거 하 여 잔류 하 는 폴리 실리콘 막 에 의해 게이트 전극 ( 300 ') 이 형성 된다 .