기록 동작 은 행 별 로 제 m 행 에서부터 순차 적 으로 이루어진다 . 제 i 행 ( i = 1 내지 m ) 의 기록 을 행하 는 경우 에 는 , 기록 을 행하 는 행 ( 제 i 행 ) 의 제 2 신호선 ( S 2 ) ( i ) 에 트랜지스터 ( 510 ) ( i ) 가 온 상태 가 되 는 전위 를 부여 하 고 , 기록 을 행하 는 행의 트랜지스터 ( 510 ) ( i ) 를 온 상태 로 한다 . 여기 에서 , 트랜지스터 ( 510 ) ( i ) 와 제 1 신호선 ( S 1 ) 사이 에 트랜지스터 ( 510 ) ( 1 ) 내지 트랜지스터 ( 510 ) ( i - 1 ) 가 존재 하 는 경우 에 는 , 기록 을 행하 는 행 까지 의 트랜지스터 ( 510 ) ( 1 ) 내지 트랜지스터 ( 510 ) ( i - 1 ) 도 온 상태 로 하 고 , 기록 을 행하 는 행의 메모리 셀 ( 550 ) ( i ) 에 제 1 신호선 ( S 1 ) 의 전위 가 부여 되 도록 한다 . 이것 에 의해 , 지정 한 행의 트랜지스터 ( 500 ) ( i ) 의 게이트 전극 에 제 1 신호선 ( S 1 ) 의 전위 가 부여 되 고 , 상기 게이트 전극 에 소정 의 전하 가 부여 된다 . 그리고 나 서 , 제 2 신호선 ( S 2 ) ( i ) 의 전위 를 GND 로 고정 시키 면 , 트랜지스터 ( 500 ) ( i ) 의 게이트 전극 에 축적 된 전하 가 유지 된다 . 이 와 같이 하 여 , 지정 한 행 ( 제 i 행 ) 의 메모리 셀 에 데이터 를 기록 할 수 있 다 .