수십 나노미터 두께 의 박막 내 에서 유기 화합물 분자 들 이 전기장 에 의해 유도 쌍극자 모멘트 를 가지 는지 는 유기 화합물 을 게이트 유전체 에 삽입 한 유기 FET 의 성능 개선 여부 를 확인 함 으로써 증명 할 수 있 다 . 게이트 전압 조건 하 에서 유전 층 을 구성 하 는 유기 극성 분자 들 이 배향 된 쌍극자 모멘트 를 가질 경우 반도체 와 절연체 사이 의 계면 에서 의 추가 적 인 전하 축적 에 의해 유기 FET 의 임계 전압 ( VT ) 을 감소 시키 고 , 드레 인 전류 ( IDS ) 를 증가 시킨다 .