이어서 , 도 1 b 에 도시 된 바 와 같이 , 산화 공정 을 실시 하 여 STI 식각 공정 시 손상 된 부위 를 치유 하 기 위해 보호막 으로서 트렌치 ( 105 , 도 1 a 참조 ) 내 부면 을 따라 측벽 산화 막 ( wall oxide , 106 ) 을 형성 한다 . 이때 , 산화 공정 은 건식 , 습식 또는 라디컬 이온 을 이용 한 산화 공정 중 선택 된 어느 하나 의 산화 공정 으로 실시 할 수 있 다 .