예 를 들 면 , 상기 에서 투명 기판 ( 1 ) 위 에 몰 리브 데 늄 실리사이드 의 위상 반 전막 ( 6 ) , 탄 탈륨 계열 의 차광막 ( 2 ) , 크롬 계열 의 하드 마스크 막 ( 4 ) 이 순서 대로 적층 되 고 그 위 에 얇 은 두께 의 포토레지스트 ( 5 ) 가 코팅 된 위상 반전 블랭크 마스크 인 경우 , 상기 의 단계 에 따라 제조 하 게 되 면 , 상기 차광막 ( 2 ) 이 염소 ( Cl ) 계열 의 식각 가스 로 식각 되 며 식각 불소 ( F ) 계열 의 식각 가스 에 높 은 식 각비 로 식각 되 지 않 기 때문 에 그 하부 의 차광막 ( 2 ) 과 위상 반 전막 ( 6 ) 을 불소 ( F ) 계열 의 식각 가스 로 식각 가능 하 다 . 따라서 하드 마스크 막 ( 4 ) 패턴 형성 후 포토레지스트 ( 5 ) 를 제거 할 수 있 으며 탄 탈륨 계열 의 차광막 ( 2 ) 과 몰 리브 데 늄 실리사이드 의 위상 반 전막 ( 6 ) 을 불소 ( F ) 계열 의 식각 가스 로 식각 하 여 형성 하 고 상기 하드 마스크 막 ( 4 ) 을 제거 한 다음 , 상기 탄 탈륨 이 염소 ( Cl ) 계열 의 식가 가스 에 도 식각 가능 한 물질 이 기 때문 에 차광막 ( 2 ) 패턴 은 염소 ( Cl ) 계열 의 가스 를 사용 하 여 식각 하 게 되 면 상기 위상 반 전막 ( 6 ) 에 손상 을 주 지 않 고 제조 하 는 것 이 가능 하 다 .