다음 에 도 11 을 참조 하 면 , 제 3 포토레지스트 막 패턴 ( 300 ) 을 식각 마스크 로 비 아홀 ( 262 ) 내 의 유전체 막 ( 280 ) 에 대한 식각 을 수행 하 여 비 아홀 ( 262 ) 내 의 유전체 막 ( 280 ) 을 제거 한다 . 이 식각 에 의해 비 아홀 ( 262 ) 하부 의 제 2 금속 막 패턴 ( 242 / 252 ) 은 다시 노출 된다 . 상기 식각 시 식각 대상 은 단지 비 아홀 ( 262 ) 내 의 유전체 막 ( 280 ) 막 이 며 , 이 유전체 막 ( 280 ) 의 두께 는 상대 적 으로 얇 으므로 식각 이 이루어지 는 동안 MIM 커패시터 영역 의 제 3 포토레지스트 막 패턴 ( 300 ) 에 대한 식각 데미지 도 낮 다 . 따라서 제 3 포토레지스트 막 패턴 ( 300 ) 의 두께 가 충분히 얇 더라도 MIM 커패시터 영역 의 제 2 금속 간절 연막 ( 260 ) 모서리 가 손상 되 는 현상 이 억제 된다 .