전자 빔 을 발생 시켜 조사 스캔 하 는 전자 빔 컬럼 부 , 전자 빔 컬럼 부 에서 조사 스캔 되 는 전자 빔 이 입사 되 는 기판 을 지지 하 는 기판 스테이지 ( stage ) , 및 기판 스테이지 상 에 전자 빔 의 크기 를 측정 하 는 기준 으로 설치 되 고 , 링 ( ring ) 형상 의 외측 테두리 부 , 및 외측 테두리 부 내측 에 링 형상 으로 배치 되 고 전자 빔 이 스캔 되 는 방향 으로 내측 벽면 에지 ( edge ) 및 반대쪽 의 외측 벽면 에지 를 가지 는 내측 측정 담장 ( wall ) 부를 포함 하 는 전자 빔 크기 측정 기준 마크 ( mark ) 를 포함 하 는 전자 빔 장치 의 내측 측정 담장 부를 전자 빔 스캔 하 며 발생 되 는 2 차 전자 를 수집 하 여 검출 신호 의 그래프 를 얻 은 후 , 검출 된 신호 의 세기 가 증가 하 게 변화 한 제 1 폭 및 감소 하 게 변화 한 제 2 폭 을 각각 계산 하 여 추출 하 고 , 제 1 및 제 2 폭 을 평균 하 여 전자 빔 의 크기 로 추출 하 는 전자 빔 장치 의 전자 빔 크기 측정 방법 을 제시 한다 .