본 발명 의 다른 측면 에 따라 , 기판 의 상면 에 층상 으로 형성 되 며 , 상면 에 는 복수 의 오 목부 들 이 형성 된 GaN 계 의 제 1 에 피부 와 , 상기 오목 부들 내 에서 적어도 부분 적 으로 이루어지 는 횡 방향 성장 을 통해 , 상기 오목 부들 내 에 채워져서 형성 된 GaN 계 의 제 2 에 피부 와 , 서로 인접 하 고 있 는 상기 제 1 에 피부 와 상기 제 2 에 피부 의 상면 에 층상 으로 형성 되 는 GaN 계 의 제 3 에 피부 를 포함 하 는 질화물 반도체 층 을 갖 는 발광 다이오드 가 제공 된다 .