본 개시 의 일 실시 형태 의 반도체 장치 는 , 능동 소자 가 형성 되 어 있 는 제 1 기판 과 , 제 1 기판 과 적층 됨 과 함께 , 제 1 기판 과 전기 적 으로 접속 되 어 있 는 제 2 기판 을 구비 한 것 이 며 , 제 2 기판 에 는 , 제 1 면 에 로직 회로 를 구성 하 는 제 1 트랜지스터 가 형성 되 고 , 제 1 면 과 는 반대 측 의 제 2 면 에 불휘발성 메모리 소자 가 형성 되 어 있 다 .