상기 부유 게이트 패턴 ( 140 ) 의 측면 상 에 전하 트랩 패턴 ( 165 ) 이 배치 된다 . 상기 전하 트랩 패턴 ( 165 ) 은 상기 터널 절 연막 ( 125 ) 에 접하 며 , 실리콘 질화 막 을 포함 할 수 있 다 . 이 에 의해 , 상기 비휘발성 메모리 소자 의 전하 저장 패턴 ( 155 ) 은 상기 부유 게이트 패턴 ( 140 ) 및 상기 전하 트랩 패턴 ( 165 ) 을 포함 한다 .