도 9 는 노출 된 더미 게이트 ( 1 ) 를 실리콘 식각 액 이나 인산 으로 제거 하 여 실리콘 채널 영역 이 드러난 상태 의 도면 이 다 . 상기 HQS ( 10 ) 는 더미 게이트 를 식각 할 때 소오 스 및 드레 인 ( 9 ) 의 실리사이드 를 보호 하 기 위한 것 으로 , 소정 의 식각 액 에 따라 식각 되 지만 , 상기 실리콘 식각 액 또는 인산 에 는 식각 이 곤란 한 물질 로서 , 상기 실리콘 식각 액 또는 인산 에 대해서 는 식각 차단물 질 로 기능 한다 .