전술 한 바 와 같이 제 2 및 제 4 TFT ( T 2 , T 4 ) 는 근접 배치 되 어 있 어 반도체 특성 과 문턱 전압 이 실질 적 으로 동일 하 다 . 따라서 , 수학식 1 에서 알 수 있 는 바 제 2 TFT ( T 2 ) 의 문턱 전압 만큼 제 4 TFT ( T 4 ) 의 문턱 전압 이 변동 하 게 되 고 , 제 2 TFT ( T 2 ) 의 게이트 전압 을 공급 하 는 스토리지 커패시터 ( Cst ) 의 전압 이 ( 데이터 전압 ( Vdata ) + 제 4 TFT 의 문턱 전압 ) 을 저장 하 므로 제 4 TFT ( T 4 ) 의 문턱 전압 이 보상 된다 .