또한 , 본 실시 형태 에 관한 박막 트랜지스터 및 표시 장치 의 제작 방법 은 , 상기 설명 한 점 을 제외 하 면 , 실시 형태 1 과 마찬가지 이 다 . 따라서 , 실시 형태 1 에 관한 박막 트랜지스터 및 표시 장치 의 제작 방법 과 같 은 효과 를 가지 는 것 은 물론 이 지만 , 사용 하 는 마스크 의 수 는 1 장 증가 한다 . 즉 , 본 실시 형태 에 따르 면 , 2 장 의 포토 마스크 를 이용 하 여 박막 트랜지스터 를 제작 할 수 있 다 . 또한 , 4 장 의 포토 마스크 를 이용 하 여 화소 트랜지스터 를 가지 는 액티브 매트릭스 기판 을 제작 할 수 있 다 . 따라서 , 이용 하 는 포토 마스크 의 장수 가 저감 되 므로 , 박막 트랜지스터 및 표시 장치 의 제작 공정 수 를 큰 폭 으로 삭감 할 수 있 다 . 또한 , 높 은 수 율 로 제조 할 수 있 어 비용 을 낮 게 억제 하 는 것 도 가능 하 다 .