적어도 하나 의 내부 디 스펜서 ( 411 ) 는 반도체 기판 ( 403 ) 상 에 화학 물질 을 전달 하 기 위해 밀 봉실 ( 410 ) 내 에 배치 된다 . 상이 한 프로세스 요건 에 따라 , 화학 물질 은 온도 가 90 ℃ 보다 높 은 고온 SPM 일 수 있 다 . SPM 은 이 와 같 은 고온 하 에서 산 흄 을 생성 할 것 이 다 . SPM 이외 에 , 증기 또는 흄 을 생성 할 수 있 는 다른 화학 물질 이 상기 장치 에 적용 된다 . 산 흄 을 시기 적절 하 게 배기 하 기 위해 , 바람직 하 게 , 내부 디 스펜서 ( 411 ) 는 공기 추출기 와 연결 되 는 배기 파이프 ( 412 ) 와 결합 된다 . 내부 디 스펜서 ( 411 ) 는 반도체 기판 ( 403 ) 상 에 화학 물질 을 전달 하 는 한편 , 배기 파이프 ( 412 ) 를 통해 화학 물질 흄 이 배출 된다 . 일 실시 예 에서 , 배기 파이프 ( 412 ) 의 단면 프로파일 은 원 이 고 , 내부 디 스펜서 ( 411 ) 는 배기 파이프 ( 412 ) 의 외벽 에 대해 위치 된다 . 또 다른 실시 예 에서 , 배기 파이프 ( 412 ) 의 단면 프로파일 은 반원 이 고 , 내부 디 스펜서 ( 411 ) 는 배기 파이프 ( 412 ) 의 중심 에 위치 한다 . 또 다른 실시 예 에서 , 배기 파이프 ( 412 ) 의 단면 프로파일 은 원 이 고 , 내부 디 스펜서 ( 411 ) 는 배기 파이프 ( 412 ) 내부 에 위치 된다 . 내부 디 스펜서 ( 411 ) 및 배기 파이프 ( 412 ) 를 회전 구동 시키 기 위해 회전 액추에이터 ( 414 ) 가 이용 된다 . 고온 SPM 세정 공정 을 수행 하 기 위해 반도체 기판 ( 403 ) 상 에 고온 SPM 을 전달 하 는 데 내부 디 스펜서 ( 411 ) 가 이용 되 면 , 회전 액추에이터 ( 414 ) 는 내부 디 스펜서 ( 411 ) 및 배기 파이프 ( 412 ) 를 구동 하 여 아이 들 위치 ( 413 ) 로부터 반도체 기판 ( 403 ) 으로 회전 하 며 , 내부 디 스펜서 ( 411 ) 및 배기 파이프 ( 412 ) 는 반도체 기판 ( 403 ) 의 중심 과 에지 사이 에서 회전 하 도록 구동 된다 . 회전 액추에이터 ( 414 ) 는 내부 디 스펜서 ( 411 ) 및 배기 파이프 ( 412 ) 를 구동 하 여 반도체 기판 ( 403 ) 으로부터 아이 들 위치 ( 413 ) 로 회전 하 며 , 내부 디 스펜서 ( 411 ) 및 배기 파이프 ( 412 ) 는 고온 SPM 세정 공정 이 완료 된 후 에 아이 들 위치 ( 413 ) 에 머문 다 .