한편 , 제 1 전극 부 ( 110 ) 의 외주 면 에 는 제 1 반도체 층 ( 140 ) 이 구비 되 어 후술 한 제 2 반도체 층 ( 150 ) 과 함께 태양광 을 전기 에너지 로 변환 하 게 된다 . 상기 제 1 반도체 층 ( 140 ) 은 p 형 반도체 로 구성 되 는 것 이 바람직 한데 , 특히 CuInSe 2 일 수 있 다 . 상기 CuInSe 2 는 구리 가 인듐 보다 풍부 하 면 p 형 반도체 성질 을 가지 며 , 구조 적 으로 안정 한 특성 이 내 구성 이 우수 하 다 . 여기 서 , 상기 제 1 전극 부 ( 110 ) 의 외주 면 에 형성 되 는 제 1 반도체 층 ( 140 ) 은 스퍼터링 ( sputtering ) , 화학 기상 증착 ( CVD ) , 증기 증착 ( evaporation ) , 열 산화 ( thermal oxidation ) , 전기 화학 적 증착 ( electrochemical anodization ( deposition ) ) 중 의 어느 한 방법 에 의해 형성 할 수 있 으나 , 특히 전해 증착 방법 ( electrodeposition ) 이 바람직 하 다 . 상기 전해 증착 방법 은 본 발명 에 따른 와이어 부재 의 제 1 전극 부 를 형성 하 는 데 효과 적 인 적층 방법 이 다 .