다음 공정 으로 DBR 층 ( 110 ) 를 형성 한다 . 상기 DBR 층 ( 110 ) 은 전자 빔 증발 ( E - beam evaporation ) 방법 또는 스퍼터링 ( Sputtering ) 방법 을 통하 여 증착 할 수 있 으며 , 원 하 는 반사 도 - 파장 의 곡선 을 얻 기 위하 여 적절 한 굴절 율 을 갖 는 두 종류 의 유전체 를 교번 하 여 증착 한다 . 예 로서 높 은 굴절 율 을 갖 는 유전체 로 는 TiO 2 를 사용 하 고 , 낮 은 굴절 율 을 갖 는 유전체 로 는 SiO 2 유전체 를 사용 할 수 있 으며 , 두 층 을 서로 교번 하 여 한 층 이상 의 주기 로 형성 하 여 구할 수 있 다 .