또한 , 산화물 반도체 층 ( 144 ) 에 접하 는 절연 층 으로서 산화 갈륨 알루미늄 ( 산화 알루미늄 갈륨 ) 을 이용 하 였을 경우 , 산소 분위기 하 에 의한 열처리 나 , 산소 도핑 을 실시 함 에 의해 , 산화 갈륨 알루미늄 ( 산화 알루미늄 갈륨 ) 의 조성 을 GaXAl 2 － XO 3 ＋ α ( 0 ＜ X ＜ 2 , 0 ＜ α ＜ 1 ) 로 할 수 가 있 다 .