본 발명 의 픽셀 에서 , n 형 도핑 영역 ( 309 , 310 ) 은 트랜스퍼 게이트 ( 312 ) 의 일 측 에지 의 하부 영역 에서 n 형 도핑 영역 ( 208 ) 에 의해 상호 연결 된다 . 또한 , 본 발명 의 픽셀 은 STI 영역 ( 304 ) 의 트렌치 바닥 면 및 측면 의 에피 택 셜 층 표면 하부 에 형성 된 고농도 p 형 의 필드 스탑 도핑 영역 ( 305 ) 을 더 포함 하 고 있 으며 , 상기 필드 스탑 도핑 영역 ( 305 ) 은 피닝 층 ( 306 ) 및 n 형 도핑 영역 ( 309 , 310 ) 과 상호 연결 되 도록 인접 되 어 형성 된다 . 이 에 의해 p 형 도핑 영역 ( ( 406 , 407 ) 에 바이어스 전달 이 이루어진다 .