히터 ( 206 ) 의 내측 에 는 , 히터 ( 206 ) 와 동심원 형상 으로 반응 관 으로서 의 프로세스 튜브 ( 203 ) 가 배설 되 어 있 다 . 프로세스 튜브 ( 203 ) 는 내부 반응 관 으로서 의 이너 튜브 ( 204 ) 와 , 그 외측 에 설치 된 외부 반응 관 으로서 의 아 우터 튜브 ( 205 ) 로 구성 되 어 있 다 . 이너 튜브 ( 204 ) 는 , 예 를 들 면 석영 ( SiO 2 ) 또는 탄화 실리콘 ( SiC ) 등 의 내열성 재료 로 이루어지 고 , 상단 및 하단 이 개구 한 원통 형상 으로 형성 되 어 있 다 . 이너 튜브 ( 204 ) 의 통 중 공부 ( 中空 部 ) 에 는 , 기판 으로서 의 웨이퍼 ( 200 ) 상 에 박막 을 형성 하 는 처리 를 수행 하 는 처리 실 ( 201 ) 이 형성 되 어 있 다 . 처리 실 ( 201 ) 은 , 웨이퍼 ( 200 ) 를 후술 하 는 보트 ( 217 ) 에 의해 수평 자세 에서 수직 방향 으로 다단 으로 정렬 한 상태 로 수용 가능 하 게 구성 된다 . 아 우터 튜브 ( 205 ) 는 , 예 를 들 면 석영 또는 탄화 실리콘 등 의 내열성 재료 로 이루어지 고 , 내경 이 이너 튜브 ( 204 ) 의 외경 보다 크 고 , 상단 이 폐색 ( 閉 塞 ) 하 고 하단 은 개구 한 원통 형상 으로 형성 되 어 있 고 , 이너 튜브 ( 204 ) 에 동심원 형상 으로 설치 된다 .