그러나 , 이미 언급 한 바 와 같이 , Si 주조 기반 시설 및 백그라운드 Si CMOS 웨이퍼 체적 의 이점 을 이용 하 기 위해서 는 , 개발 된 III 족 - N 공정 이 Au 이 없 어야 한다 . 금 은 Si 에서 딥 레벨 의 트랩 도 펀트 ( deep level trap dopant ) 이 다 . 따라서 , 재해 적 인 수율 문제 를 일으킬 수 있 는 심각 한 오염 문제 때문 에 , Au 는 Si CMOS 주조 제조 라인 의 프론트엔드 ( front end ) 및 백 엔드 ( back end ) 에서 허용 되 지 않 는다 .