를 포함 하 고 ; 이때 상기 NW 는 n - 형 도핑 된 영역 과 p - 형 도핑 된 영역 및 임의 적 으로 이 들 사이 의 진성 영역 을 포함 하 고 , 상기 영역 들 중 적어도 하나 는 하나 이상 의 헤테로 구조 ( heterostructure ) 를 포함 하 고 ; 임의 적 으로 , 상기 영역 들 중 적어도 하나 는 전자 또는 정공 차단 층 을 포함 한다 .