도 5 는 본 발명 의 일 실시 예 에 따라 아이 포인트 를 포함 하 기 위해 선택 된 영역 ( 510 ) 을 포함 하 는 반도체 디바이스 ( 500 ) 의 부분 상면 도 이 다 . 반도체 디바이스 ( 500 ) 는 많 은 본드 패드 들 을 포함 한다 . 도 5 에 도시 되 어 있 는 바 와 같이 , 본드 패드 들 의 제 1 그룹 ( 본드 패드 들 500 a , 500 b , 500 c , 500 d , 500 e , 500 f , 500 g , 500 h , 500 i , 500 j , 500 k , 500 l , 500 m , 500 n , 500 o , 500 p , 500 q , 500 r , 500 s , 500 t , 500 u , 500 v 를 포함 ) 은 반도체 디바이스 ( 500 ) 의 주변 에 대하 여 제공 되 며 , 반면 에 본드 패드 들 의 제 2 그룹 ( 본드 패드 들 502 a , 502 b , 502 c , 502 d , 502 e , 502 f , 502 g , 502 h , 502 i , 502 j , 502 k , 502 l , 502 m , 502 n , 502 o , 502 p , 502 q , 502 r , 502 s , 502 t , 502 u , 502 v , 502 w , 502 x , 502 y , 502 z , 502 aa 를 포함 ) 은 제 1 그룹 의 안쪽 에 제공 된다 . 반도체 디바이스 ( 500 ) 는 또한 기점 ( 504 ) 을 포함 한다 .