상기 제 1 절연 층 ( 150 ) 상 에 소자 반도체 층 을 형성 한다 . 상기 소자 반도체 층 은 제 6 실시 예 의 제 1 소자 반도체 층 과 동일 한 방법 으로 형성 될 수 있 다 . 상기 소자 반도체 층 을 패 터닝 하 여 서로 옆 으로 이격 된 제 1 소자 반도체 패턴 ( 200 b 1 ) 및 제 2 소자 반도체 패턴 ( 200 b 2 ) 을 형성 한다 . 상기 제 1 소자 반도체 패턴 ( 200 b 1 ) 은 상기 스트링 근접 플러그 ( 137 a ) 와 접촉 하 고 , 상기 제 2 소자 반도체 패턴 ( 200 b 2 ) 은 상기 접지 근접 플러그 ( 137 b ) 와 접촉 한다 . 또한 , 상기 게터 링 영역 들 ( 265 ) 도 상기 제 1 및 제 2 소자 반도체 패턴 들 ( 200 b 1 , 200 b 2 ) 에 각각 접촉 된다 .