본 발명 은 LAM Kiyo 플 라즈 마 에칭 챔버 를 이용 하 여 실현 되 도록 단순 화 되 었 다 . 에칭 중 일례 의 압력 은 약 1 mTorr 내지 50 mTorr 범위 에 있 고 , 기판 을 지지 하 게 되 는 지 지체 ( susceptor ) 에 대한 일례 의 온도 범위 는 약 섭씨 0 도 내지 50 도 범위 에 있 다 . 일례 의 전력 공급원 전력 범위 는 약 100 W 내지 1000 W 사이 이 고 , 일례 의 바이어스 전압 은 - 20 볼트 내지 - 1000 볼트 범위 에 있 다 . 가령 , SF 6 , O 2 , N 2 , 그리고 , HBr 이 프리 커서 기체 일 경우 , 일례 의 유속 은 SF 6 의 경우 1 내지 100 sccm , O 2 의 경우 약 10 sccm 내지 500 sccm , HBr 의 경우 0 내지 500 sccm , N 2 의 경우 1 sccm 내지 500 sccm 이 다 . LAM Kiyo 플 라즈 마 에칭 챔버 에서 의 특정 예 는 5 mTorr , 섭씨 7 도 , - 500 V 바이어스 전압 , 400 W 전력 공급원 파워 , 350 sccm 의 SF 6 , 45 sccm 의 O 2 , 60 sccm 의 N 2 , 그리고 , 20 sccm 의 HBr 을 포함 한다 . 사용 되 는 특정 플 라즈 마 에칭 장치 는 바이어스 전압 과 바이어스 파워 중 하나 가 셋 포인트 에 놓이 도록 그리고 나머지 는 플로팅 ( floating ) 되 도록 동작 할 수 있 다 . 일 실시 예 에서 는 바이어스 전압 이 세팅 되 고 바이어스 파워 가 플로팅 될 수 있 고 , 일 실시 예 에서 는 바이어스 파워 가 세팅 되 고 바이어스 전압 이 플로팅 될 수 있 다 .