다음 에 , 본 실시 예 에서 는 도 5 f 의 공정 에서 상기 도 4 의 스텝 15 에 대응 하 여 , 상기 도 5 e 의 구조 위 에 상기 제 2 산화 이리듐 막 ( 17 ) 을 스퍼터 법 에 의해 50 ℃ 이상 , 80 ℃ 이하 의 기판 온도 에서 100 nm 내지 150 nm 의 두께 로 , 성막 시 에 미결정 상태 로 형성 한다 . 이 와 같이 하 여 형성 된 산화 이리듐 막 ( 17 ) 은 계속 되 는 공정 에서 결정 화 열처리 가 실시 되 지만 , 그 때 에 상기 산화 이리듐 막 ( 17 ) 이 아모 퍼스 상태 이 면 , 결정 화 후 에 불 균일 한 막 으로 되 어 , 도 2 에서 설명 한 보이드 가 발생 하 기 쉽 다 . 또한 , 상기 산화 이리듐 막 ( 17 ) 의 성막 이 150 ℃ 이상 의 온도 에서 행해 지 면 , 산화 이리듐 막 ( 17 ) 은 결정 화 된 상태 로 얻 어 지 지만 , 그 때 에 결정립 의 일부 에 이상 성장 이 생겨서 , 평탄 한 표면 형태 가 얻 어 지 지 않 는다 . 또한 , 상기 성막 온도 가 100 ℃ 이하 에서 는 미결정 과 결정 이 혼재 하 고 있 지만 , 80 ℃ 이하 에서 는 얻 어 지 는 산화 이리듐 막 ( 17 ) 은 미결정 만 으로 구성 된다 . 이 때문 에 , 본 실시 예 에서 는 상기 도 5 f 의 스퍼터 에 의한 성막 공정 을 50 ℃ 이상 , 80 ℃ 이하 의 온도 , 예 를 들 면 60 ℃ 에서 실행 한다 .