다음 으로 , 도 3 h 에서 , 상부 기판 ( 201 ) 상 에 센싱 게이트 영역 ( G ) 이 헝 성 되 도록 일정 영역 을 식각 한 후 , 소 잉 영역 ( 320 ) 을 포함 한 전 영역 이 둘러싸이 도록 실리콘 산화 막 ( 221 ) 을 증착 시키 고 , 다시 그 위 에 실리콘 질화 막 ( 222 ) 을 증착 시켜서 보호막 ( 208 ) 이 형성 되 도록 한다 . 상기 보호막 ( 208 ) 은 백사이드 절연 층 ( 207 ) 에서 연장 되 어 소 잉 영역 ( 320 ) 의 측벽 ( 321 ) 을 포함 한 FET 센서 의 측면 부 및 상부 를 둘러싸 도록 형성 된다 .