구체 적 으로 , 도 11 a 에 도시 된 바 와 같이 현재 단 게이트 라인 ( GLn ) 의 스캔 기간 동안 제 1 내지 제 3 샘플링 제어 신호 ( MS 1 내지 MS 3 ) 에 응답 하 여 제 1 내지 제 3 샘플링 트랜지스터 ( MT 1 내지 MT 3 ) 는 순차 적 으로 턴 온 된다 . 이 경우 , 제 1 내지 제 3 샘플링 트랜지스터 ( MT 1 내지 MT 3 ) 각각 과 대응 되 는 화소 셀 에 순차 적 으로 데이터 전압 이 공급 된다 . 이 경우 , 제 1 노드 ( N 1 ) 로 공급 되 는 데이터 전압 ( Vdata ) 의 공급 시간 은 제 1 샘플링 트랜지스터 ( MT 1 ) 가 먼저 턴 온 되 므로 제 1 샘플링 트랜지스터 ( MT 1 ) 와 접속 된 화소 셀 의 데이터 전압 ( Vdata ) 의 공급 시간 은 제 2 및 제 3 샘플링 트랜지스터 ( MT 2 , MT 3 ) 와 접속 된 화소 셀 의 데이터 전압 ( Vdata ) 의 공급 시간 보다 길 다 . 따라서 , 소정 시간 에서 제 1 샘플링 트랜지스터 ( MT 1 ) 와 대응 하 는 화소 셀 의 제 1 노드 ( N 1 ) 에 는 정상 적 으로 데이터 전압 ( Vdata ) 이 공급 되 는 반면 에 제 2 및 제 3 샘플링 트랜지스터 ( MT 2 , MT 3 ) 와 대응 하 는 화소 셀 의 제 1 노드 ( N 1 ) 에 는 원 하 는 전압 까지 도달 하 지 못한 데이터 전압 ( Vdata ) 이 공급 되 기 때문 에 화질 이 불 균일 해진다 .