터널 산화 막 ( 102 ) 은 실리콘 산화물 과 같 은 절연성 물질 을 사용 하 여 형성 할 수 있 다 . 이 경우 반도체 기판 ( 100 ) 의 표면 에 열 산화 공정 ( thermal oxidation process ) 을 수행 하 여 터널 산화 막 ( 102 ) 을 형성 할 수 있 다 . 플로팅 게이트 막 ( 104 ) 은 도핑 되 지 않 은 폴리 실리콘 또는 도프 트 폴리 실리콘 과 같 은 도전 성 물질 을 사용 하 여 형성 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 플로팅 게이트 ( 104 b ) 는 비소 ( As ) , 인 ( P ) , 안티몬 ( Sb ) 과 같 은 N 타입 의 불순물 이 도핑 된 폴리 실리콘 또는 보론 ( B ) , 갈륨 ( Ga ) 과 같 은 P 타입 의 불순물 이 도핑 된 폴리 실리콘 을 포함 할 수 있 다 . 상기 도핑 된 폴리 실리콘 은 인시 튜 ( in - situ ) 공정 을 통해 형성 될 수 있 다 .