도 1 은 수평 격자 라인 ( 34 A ) 및 수직 격자 라인 ( 34 B ) 으로 형성 되 는 디자인 격자 ( 35 ) 를 도시 한다 . 격자 라인 ( 34 A ) 은 이웃 하 는 격자 라인 ( 34 A ) 간 의 거리 인 균일 한 격자 간격 을 가질 수 있 다 . 격자 라인 ( 34 B ) 도 이웃 하 는 격자 라인 ( 34 B ) 간 의 거리 인 균일 한 격자 간격 을 가질 수 있 다 . 격자 라인 ( 34 A ) 의 격자 간격 은 격자 라인 ( 34 B ) 의 격자 간격 과 동일 할 수 있 다 . 본 개시 의 일부 실시 형태 에 따르 면 , SRAM 매크로 ( 22 ) , SRAM 어레이 ( 24 ) , 필러 셀 영역 ( 28 ) , 및 표준 셀 영역 ( 21 ) 등 의 모든 회로 영역 및 회로 영역 내 의 셀 은 디자인 정렬 을 위해 격자 라인 ( 34 A , 34 B ) 상 에 떨어지 는 경계 를 가질 필요 가 있 다 . 따라서 , 표준 셀 , SRAM 셀 , 및 필러 셀 의 셀 높이 및 길이 는 , 실시 예 로서 도 2 내지 도 11 에 도시 된 바 와 같이 , 격자 간격 ( GS : grid spacing ) 의 정수 배 와 동일 하 도록 디자인 된다 .