먼저 , 1 차 UV 노광 단계 ( S 21 ) 는 트랜스퍼 테이프 ( 3 ) 의 직상 또는 직하 에 UV 광 투 과창 ( 222 ) 이 일정 간격 으로 형성 된 포토 마스크 ( 220 ) 를 배치 한다 . 제 1 UV 광원 ( 230 ) 이 UV 광 투 과창 ( 222 ) 을 통해 트랜스퍼 테이프 ( 3 ) 에 UV 광 을 조사 함 으로써 , 달리 말 하 면 , UV 광 투 과창 ( 222 ) 을 통과 한 제 1 UV 광원 ( 230 ) 으로부터 의 UV 광 에 트랜스퍼 테이프 ( 3 ) 를 노출 시킴 으로써 , UV 광 에 노출 된 트랜스퍼 테이프 ( 3 ) 의 영역 들 의 접착력 을 약화 시킨다 . 이 로 인해 , 접착력 이 약화 된 영역 외 의 영역 들 만 이 접착 영역 ( 32 ) 들 이 되 며 , 이 접착 영역 ( 32 ) 들 은 일정 간격 을 갖 는다 . 제 1 UV 광원 ( 230 ) 은 320 ~ 380 nm 피크 파장 의 UV 광 을 발하 는 것 이 바람직 하 며 , 트랜스퍼 테이프 ( 3 ) 는 UV 광 에 의해 경화 되 어 접착력 이 약화 되 는 UV 경화 성 접착 물질 을 접착 면 에 포함 하 는 것 이 바람직 하 다 . 포토 마스크 ( 220 ) 의 UV 광 투 과창 ( 222 ) 의 간격 에 따라 , 트랜스퍼 테이프 ( 3 ) 의 접착 영역 간격 을 정할 수 있 다 .