예 를 들 어 , 성막 온도 를 1450 ℃ ∼ 1550 ℃ 로 하 고 , 반응 가스 를 디 클로로 실란 ( SiH 2 Cl 2 ) , 테트라 클로 로 실란 ( SiCl 4 , 약칭 : TCS ) , 메탄 ( CH 4 ) , 수소 ( H 2 ) 및 질소 ( N 2 ) 로 하 고 , 압력 을 1 . 3 × 10 - 4 ㎩ ∼ 9 . 3 × 10 - 4 ㎩ 로 하 여 성막 할 수 있 다 .