본 발명 의 일 실시 예 에 의한 HEMT 는 2 DEG 채널 과 , 소스 전극 , 게이트 전극 및 드레 인 전극 을 포함 하 는 HEMT 에서 , 상기 2 DEG 채널 을 포함 하 는 채널 형성 층 및 상기 채널 형성 층 상 에 적층 된 채널 공급 층 을 포함 하 고 , 상기 게이트 전극 의 일부 는 상기 소스 전극 과 겹치 고 , 상기 소스 전극 과 상기 게이트 전극 사이 에 절연 층 이 존재 하 고 , 상기 게이트 전극 은 상기 절연 층 상 에 형성 되 어 있 고 , 상기 게이트 전극 과 상기 소스 전극 사이 의 상기 절연 층 은 상기 소스 및 드레 인 전극 을 덮 고 , 상기 소스 전극 과 상기 드레 인 전극 사이 의 채널 공급 층 을 덮 는다 .