다음 표 1 은 저장 장치 소자 의 페이지 프로그램 동작 당 , 저장 장치 의 개별 적 인 소자 ( device ) 단위 로 아이 들 타임 을 발생 시킬 경우 , 타 겟 성능 을 내 기 위한 아이 들 타임 구간 ( duration ) 표 이 다 . 이 때 , SSD 의 비휘발성 메모리 장치 ( 200 ) 의 구조 ( architecture ) 는 8 채널 , 8 뱅크 , 페이지 - 매핑 구조 를 가지 며 , 비휘발성 메모리 소자 는 NAND 플래시 메모리 로서 , 디자인 룰 32 nm 의 MLC NAND 플래시 타입 인 것 으로 가정 한다 .