도 16 을 참조 하 면 , 열처리 장치 ( 900 ) 는 열처리 장치 ( 900 ) 의 하부 에서 열처리 유닛 ( 950 ) 과 중첩 되 는 영역 에 열 ( H ) 을 조사 할 수 있 다 . 도면 에 도시 된 바 와 같이 , 대상 기판 ( SUB ) 상 에서 열처리 유닛 ( 950 ) 과 중첩 된 영역 에 만 열 ( H ) 이 조사 된다 . 대상 기판 ( SUB ) 상 에 분사 된 잉크 ( I ) 중 , 열처리 유닛 ( 950 ) 과 중첩 하 는 영역 에 는 열 ( H ) 이 동시 에 조사 될 수 있 다 . 반면 에 열처리 유닛 ( 950 ) 과 제 1 방향 ( DR 1 ) 으로 이격 되 어 이 와 중첩 하 지 않 는 잉크 ( I ) 는 전계 형성 유닛 ( 100 ) 이 열처리 유닛 ( 950 ) 을 통과 함 에 따라 열 ( H ) 이 순차 적 으로 조사 될 수 있 다 . 전계 형성 유닛 ( 100 ) 이 제 1 방향 ( DR 1 ) 으로 이동 하 며 열처리 장치 ( 900 ) 를 통과 하 는 경우 , 전계 형성 유닛 ( 100 ) 이 이동 함 에 따라 대상 기판 ( SUB ) 상 에 분사 된 잉크 ( I ) 의 용매 ( SV ) 는 순차 적 으로 제거 될 수 있 다 . 도면 과 같이 , 열처리 유닛 ( 950 ) 과 중첩 되 는 영역 에 는 대상 기판 ( SUB ) 상 의 용매 ( SV ) 에 열 ( H ) 이 조사 되 고 , 열처리 유닛 ( 950 ) 을 통과 한 영역 에 는 용매 ( SV ) 가 제거 ( 점선 영역 ) 되 어 쌍극자 ( DP ) 만 이 존재 할 수 있 다 .