도 5 을 참조 하 면 , 본 발명 에 따른 메모리 시스템 ( 2000 ) 은 메모리 컨트롤러 ( 2200 ) 및 저항 변화 메모리 소자 ( 2100 ) 를 포함 할 수 있 다 . 저항 변화 메모리 소자 ( 2100 ) 는 도 1 b 를 참조 하 여 개시 한 저항 변화 메모리 소자 ( 1000 ) 를 포함 할 수 있 다 . 저항 변화 메모리 소자 ( 2100 ) 는 타깃 상태 들 을 검증 할 때 비 정상 속도 를 갖 는 메모리 셀 들 을 검출 할 수 있 어 고속 의 신뢰 성 있 는 프로그램 성능 을 가질 수 있 다 .