본 발명 에 의하 면 , 제 1 및 제 2 자기 저항 효과 소자 와 , 제 1 및 제 2 자기 저항 효과 소자 의 접속 노드 에 접속 된 선택 용 트랜지스터 를 갖 는 메모리 셀 과 , 제 1 방향 으로 연장 되 어 제 1 자기 저항 효과 소자 에 접속 된 제 1 신호선 과 , 제 1 방향 으로 연장 되 어 제 2 자기 저항 효과 소자 에 접속 된 제 2 신호선 과 , 제 2 방향 으로 연장 되 는 제 3 신호선 을 갖 는 자기 메모리 장치 에서 , 메모리 셀로 의 정보 의 기입 시 에 , 제 1 및 제 2 신호선 에 흐르 는 기입 전류 의 방향 에 의해 기억 할 정보 를 전환 하 기 때문 에 , 제 3 신호선 에 흐르 는 기입 전류 를 전환 하 는 경우 와 비교 하 여 , 안정 적 이 고 확실 하 게 2 개 의 자기 저항 효과 소자 에 상보 적 ( 相補 的 ) 인 저항 상태 를 기입 할 수 있 다 .