그리고 , 반도체 메모리 장치 는 불량 셀 인 리 페어 대상 메모리 셀 에 대응 하 는 어드레스 를 프로그래밍 ( programing ) 할 수 있 는 퓨즈 회로 를 구비 한다 . 여기 서 , 프로그래밍 은 리페 어 대상 메모리 셀 을 대신 하 여 리페 어 어 드레스 정보 를 리 던 던 시 메모리 셀 에 저장 하 기 위해 리페 어 대상 메모리 셀 에 대응 하 는 어드레스 정보 를 저장 하 는 동작 을 의미 한다 .