상기 활성 영역 ( 203 ) 상 에 차례 로 적층 된 터널 절 연막 ( 205 ) 및 전 하저 장막 ( 207 ) 을 형성 한다 . 상기 터널 절 연막 ( 205 ) 은 산화 막 , 특히 , 열 산화 막 으로 형성 될 수 있 다 . 상기 전 하저 장막 ( 207 ) 은 언 도프 트 ( undoped ) 또는 도프 트 ( doped ) 다결정 실리콘 으로 형성 될 수 있 다 . 이 경우 에 , 상기 전 하저 장막 ( 207 ) 은 상기 활성 영역 ( 203 ) 에 한정 적 으로 형성 되 는 것 이 바람직 하 다 .