저전압 구동 , 경량 박형 , 광 시야각 그리고 고속 응답 등 의 장점 으로 인하 여 차세대 표시 장치 로 기대 되 고 있 는 유기 E L ( organic electroluminescence ) 표시 장치 는 화소 영역 내 의 스위칭 소자 인 박막 트랜지스터 의 소자 특성 의 균일성 ( uniforminty ) 이 최우선 조건 으로 요구 되 고 있 다 . 또한 TFT 액정 소자 의 경우 구동 칩 의 실장 을 기판 위 에 함 으로써 제조 공정 의 단순 화 와 제조 비용 의 낮추 기 위한 이유 로 비정질 실리콘 에서 다결정 실리콘 으로 의 변화 가 요구 된다 . 그러나 , 종래 의 다결정 실리콘 을 형성 함 에 있 어서 박막 트랜지스터 의 소자 특성 이 위치 별 로 차이 를 보이 며 , 동일 한 화상 신호 에 대하 여 위치 별 로 서로 다른 휘도 를 나타내 게 되 어 , 결국 전체 화면 의 휘도 불 균일 을 유발 하 기 때문 에 균일 한 구동 을 위하 여 균일 한 다결정 성 장막 이 요구 된다 . 현재 유기 EL 표시 장치 의 박막 트랜지스터 로 사용 되 고 있 는 LTPS ( Low Temperature Poly Silicon ) 박막 트랜지스터 의 제조 과정 에서 는 규소 층 의 결정화 를 위하 여 엑 시머 레이저 열처리 ( ELA : Eximer Laser Annealing ) 를 사용 하 는 경우 가 많 다 . 그런데 ELA 를 이용 하 여 결정 화 된 다결정 규소 층 은 결정 상태 가 위치 에 따라 불 균일 하 여 박막 트랜지스터 의 특성 이 불 균일 하 게 되 어 유기 EL 표시 장치 및 구동 회로 가 내장 된 TFT 액정 팬 널 의 요구 조건 을 만족 시키 지 못한다 . 또한 마스크 를 이용 한 레이저 어닐링 방법 역시 부분 적 인 불 균일 성 을 해결 하 지 못하 여 , 균일 한 화상 을 지니 는 대화면 의 유기 이엘 디스플레이 를 제조 하 지 못한다 .