도 4 에서 와 같이 , AAO 템플 릿 내 의 공극 내 에 CNT 를 성장 시키 는 단계 ( S 401 ) 와 , AAO 템플 릿 의 하부 알루미늄 층 을 제거 하 는 단계 ( S 402 ) 와 , 노출 된 CNT 내 에 OLED 물질 층 을 증착 하 는 단계 ( S 403 ) 와 , 상기 CNT 내 에 형성 된 OLED 물질 층 에 연결 되 도록 전극 층 을 형성 하 는 단계 ( S 404 ) 와 , 상기 전극 층 이 형성 된 템플 릿 을 분쇄 또는 AAO 격벽 을 제거 하 여 탄소 나노 튜브 내 에 OLED 물질 층 이 봉입 된 CNT / OLED 를 개별 화 하 는 단계 ( S 405 ) 를 포함 하 고 이루어진다 .