게이트 - 올 - 어 라운드 전계 효과 트랜지스터 ( GAA FET ) 를 형성 하 는 방법 에서 , 핀 구조물 이 형성 된다 . 핀 구조물 은 유전체 층 , 유전체 층 위 의 CNT , CNT 위 의 지지 층 을 각각 포함 하 는 복수 의 적층 된 구조물 을 포함 한다 . 희생 게이트 구조물 이 핀 구조물 위 에 형성 되 며 , 격리 절연 층 이 형성 되 며 , 격리 절연 층 을 패턴 화 함 으로써 소스 / 드레 인 개구부 가 형성 되 며 , 소스 / 드레 인 개구부 에서 복수 의 적층 된 구조물 각각 으로부터 지지 층 이 제거 되 며 , 소스 / 드레 인 개구부 에 소스 / 드레 인 접촉 층 이 형성 된다 . 소스 / 드레 인 접촉 부 는 소스 / 드레 인 접촉 부가 CNT 의 일부 에 만 직접 접촉 하 고 유전체 층 의 일부 가 소스 / 드레 인 접촉 부와 CNT 사이 에 배치 되 도록 형성 된다 .