본 발명 에서 제안 하 는 발광 소자 패키지 를 사용 할 경우 , 기존 의 반도체 패키지 의 BOC ( Board on Chip ) 구조 와 비슷 하 게 LED 패키지 구조 에 응용 하 여 LED 의 양 전극 을 모두 같 은 방향 이 되 도록 형성 하 여 사용 하 는 방식 의 높 은 광 효율 을 얻 으면서 , 와이어 본딩 방식 을 그대로 적용 하 여 칩 단가 를 줄이 는 효과 를 가져올 수 있 다 . 나아가 , 본 발명 에 따르 면 발광 소자 의 GaN 층 이 기판 면 과 접촉 하 도록 하 는 구조 를 채용 하 여 열 방출 효율 이 우수 한 발광 소자 패키지 를 얻 을 수 있 다 .