그리고 , 상기 하부 전극 층 ( 40 ) 상 에 제 1 도전 형 전도 층 ( 50 ) 을 형성 한다 . 상기 제 1 도전 형 전도 층 ( 50 ) 은 n 도핑 된 비정질 실리콘 ( n - doped amorphous silicon ) 을 이용 하 여 형성 될 수 있 으나 이 에 한정 하 는 것 은 아니 다 . 즉 , 상기 제 1 도전 형 전도 층 ( 50 ) 은 비정질 실리콘 에 게르마늄 , 탄소 , 질소 , 또는 산소 등 을 첨가 하 여 a - Si : H , a - SiC , a - SiN : H , a - SiN : H a - SiO : H 등 으로 형성 될 수 도 있 다 .