본 발명 은 질화 갈륨 ( GaN ) 기판 을 가공 하 는 방법 및 그 방법 에 대한 것 이 다 . 보다 자세 하 게 는 , 본 발명 은 성장 된 질화 갈륨 기판 의 표면 을 그라인딩 하 고 폴리 싱하 는 과정 에서 , 손상 층 ( damage layer ) 의 생성 두께 를 최소 화 하 여 전체 공정 을 촉진 시킬 수 있 는 질화 갈륨 기판 의 가공 장치 및 그 가공 방법 에 대한 것 이 다 .