도 4 a 를 참조 하 면 , 제 1 하부 층간 절 연막 ( 345 ) 을 사진 식각 공정 으로 부분 적 으로 식각 하 여 제 2 콘 택 영역 ( 340 ) 을 노출 시키 는 하부 콘 택 홀 ( 도시 되 지 않 음 ) 을 형성 한다 . 이 경우 , 제 1 콘 택 영역 ( 335 ) 은 노출 되 지 않 는다 . 상기 하부 콘 택 홀 을 채우 면서 제 1 하부 층간 절 연막 ( 345 ) 상 에 제 1 하부 도전 막 ( 도시 되 지 않 음 ) 을 형성 한다 . 제 1 하부 도전 막 은 불순물 이 도핑 된 폴리 실리콘 , 금속 또는 금속 질화물 을 사 용 하 여 형성 된다 .