상기 한 본 발명 의 목적 을 달성 하 기 위하 여 , 본 발명 의 실시 예 에 따른 비휘발성 메모리 소자 는 , 반도체 기판 상 에 형성 되 는 하부 전극 , 상기 하부 전극 과 대향 하 도록 형성 되 는 상부 전극 , 및 상기 하부 전극 및 상기 상부 전극 사이 에 위치 하 며 스 페이서 형태 를 갖 는 상변 이 물질 을 포함 한다 . 상기 상변 이 물질 은 결정 상태 에 따라 비저항 이 변화 되 는 물질 이 다 .