봉지 공정 개발 중 한 가지 방법 으로 는 박막 필름 ( Thin Film ) 을 이용 하 는 공정 이 다 . 미국 등록 특허 제 5 , 952 , 778 호 ( Encapsulated organic light emitting device , 1997 . 3 . 18 ) 에 는 박막 필름 을 이용 하 여 제작 된 소자 의 마지막 단계 에 증착 을 시켜 소자 를 산소 와 수분 으로부터 노출 되 는 것 을 방지 하 는 기술 에 관하 여 기재 되 어 있 다 . 상기 기술 은 유기 발광 소자 의 음극 전극 상 에 수분 이나 산소 에 상대 적 으로 덜 민감 한 금속 , 예 를 들 면 알루미늄 또는 전이 금속 등 을 음극 전극 과 같 은 마스크 를 이용 하 여 진공 상태 에서 연속 적 으로 증착 한 후 에 다시 이온 빔 증착 법 ( Ion Beam Deposition ) , 전자 빔 증착 법 ( Electron Beam Deposition ) , 플라 즈 마 증착 법 ( Plasma Beam Deposition ) 또는 화학 증착 법 ( Chemical Vapor Deposition ) 등 을 이용 하 여 SiO 2 ( Silicon Oxide ) , SiNx ( Silicon Nitride ) , SiON ( Silicon oxynitride ) 등 의 무기 절 연막 을 형성 하 고 , 그 상 에 폴리 실옥 세인 , 폴리테트라플루오로에틸렌 등 의 친유기 ( Hydrophobic ) 폴리머 를 형성 하 여 유기 발광 소자 를 인 캡슐 레이 션 ( encapsulation ) 시키 는 방법 이 다 . 이 와 같이 박막 필름 의 제작 에 있 어서 무기 층만 을 사용 하 거나 유무 기층 으로 인 캡슐 레이 션 을 진행 하 기 도 하 며 , 박막 필름 과 유리 를 이용 하 는 방법 을 사용 하 기 도 한다 . 이때 금속 마스크 ( Metal Mask ) 를 사용 하 여 선택 한 부분 만 산화 막 및 / 또는 질화 막 을 증착 시키 는 방법 이 사용 되 는 경우 가 있 다 . 이때 소자 위 에 도 증착 이 되 지만 마스크 위 에 도 증착 이 되 기 때문 에 마스크 위 의 산화 막 및 / 또는 질화 막 을 제거 하 는 공정 이 필요 하 다 .