이때 , 본 발명 의 다른 실시 예 에서 는 상기 플로팅 게이트 를 먼저 형성 하 고 MIM 캐 패 시터 형태 의 컨트롤 게이트 를 후속 공정 에서 형성 하 였으나 , 공정 순서 는 변경 될 수 있 으며 MIM 캐 패 시터 는 일반 적 인 로직 공정 의 아날로그 소자 의 적층 형 MIM 형태 로 제작 하 는 것 으로 도시 하 였 지만 , 이 와 다른 별도 의 다른 구조 를 채택 할 수 있 다 .