도 5 d 에서 알 수 있 듯이 , 제 4 변형 예 에 따른 기판 처리 방법 은 각 공정 싸이클 마다 제 1 및 제 3 가스 분사 모듈 ( 130 a , 130 c ) 을 통해 플 라즈 마 화 된 제 1 가스 ( PG 1 ) 를 제 1 및 제 3 가스 분사 영역 에 지속 적 으로 동시 에 분사 하 고 , 제 2 및 제 4 가스 분사 모듈 ( 130 b , 130 d ) 을 통해 플 라즈 마 화 된 제 2 가스 ( PG 2 ) 를 상기 제 2 및 제 4 가스 분사 영역 에 소정 구간 마다 동시 에 분사 할 수 있 다 .