이어서 , 박막 을 형성 한 ITO 기판 에 대하 여 , 증착 장치 ( 진공도 1 . 0 × 10 - 5 Pa ) 를 사용 하 여 α - NPD ( N , N '- 디 ( 1 - 나프 틸 ) - N , N '- 디페닐 벤지딘 ) 을 0 . 2 nm / 초로 30 nm 성막 했 다 . 다음 에 칸 토카 가쿠 ( 주 ) 제 의 전자 블록 재료 HTEB - 01 을 10 nm 성막 했 다 . 이어서 , 신 닛테츠스미킨카가쿠 ( 주 ) 제 의 발광 층 호스트 재료 NS 60 과 발광 층 도판 트 재료 Ir ( PPy ) 3 을 공 증착 했 다 . 공 증착 은 Ir ( PPy ) 3 의 농도 가 6 % 가 되 도록 증착 레이트 를 컨트롤 하 여 40 nm 적층 시켰 다 . 이어서 , Alq 3 , 불화 리튬 및 알루미늄 의 박막 을 차례 로 적층 하 여 유기 EL 소자 를 얻 었 다 . 이때 , 증착 레이트 는 Alq 3 및 알루미늄 에 대해서 는 0 . 2 nm / 초 , 불화 리튬 에 대해서 는 0 . 02 nm / 초의 조건 으로 각각 행하 고 , 막 두께 는 각각 20 nm , 0 . 5 nm 및 80 nm 로 했 다 .