그러므로 , 장시간 의 에칭 시간 에 있 어 텅스텐 층 ( 130 ) 에 대한 산화 실리콘 층 ( 140 ) 의 선택 비 를 높 게 할 필요 가 있 다 . 특히 , 복수 개 의 텅스텐 층 ( 130 ) 중 얕 은 곳 에 위치 하 는 텅스텐 층 ( 130 ) 에서 는 , 텅스텐 이 노출 된 후 의 오버 에칭 ( over - etching ) 시간 이 길 어 진다 . 따라서 , 텅스텐 층 ( 130 ) 에 대한 산화 실리콘 층 ( 140 ) 의 높 은 선택 비 가 요구 된다 . 또한 , MLC 이외 의 구조 에서 도 , 바탕 층 에 대해 에칭 대상 막 이 높 은 선택 비 를 가져서 바탕 층 의 손실 이 적 은 프로세스 가 바람직 하 다 .