도 9 를 참조 하 여 , 상기 식각 공정 에 의하 여 노출 된 상기 제 1 반도체 막 ( 170 ) 및 상기 기판 ( 10 ) 상 에 반도체 연결 층 ( 191 ) 이 형성 될 수 있 다 . 상기 반도체 연결 층 ( 191 ) 은 상기 제 1 반도체 막 ( 170 ) 의 외측 벽 으로부터 돌출 되 어 상기 제 1 반도체 막 ( 170 ) 과 상기 기판 ( 10 ) 을 연결 할 수 있 다 . 상기 반도체 연결 층 ( 191 ) 은 상기 수직 막 ( 150 ) 을 관통 하 여 상기 기판 ( 10 ) 으로 연결 될 수 있 다 . 즉 , 상기 하부 절연 패턴 ( 151 ) 및 상기 예비 상부 절연 패턴 ( 152 ) 은 상기 반도체 연결 층 ( 191 ) 을 노출 할 수 있 다 .