도 2 d 에 도시 된 바 와 같이 , 알루미나 막 ( 21 e ) 패턴 을 습식 또는 건식 스트립 ( strip ) 방식 으로 제거 한다 . 그 결과 , 제 2 SiON 막 ( 21 d ) 상부 에 는 제 1 식각 마스크 패턴 ( 22 a ) 만 이 남 게 되 며 , 전술 한 바 와 같이 제 1 식각 마스크 패턴 ( 22 a ) 은 네 가 티 브 슬로프 를 갖 게 된다 .