단계 ( A ) 에서 , 폴리에틸렌 나 프탈 레이트 칩 은 팩 및 노즐 을 통해 300 내지 320 ℃ 의 온도 에서 20 내지 200 의 방사 드래프트 비 ( 최초 권 취 롤러 위 에서 의 선속도 / 노즐 에서 의 선속도 ) 로 용융 방사 될 수 있 고 이 로 인하 여 열분해 및 가수 분해 에 의한 중합체 의 점도 의 저하 가 방지 될 수 있 다 . 위 에서 방사 드래프트 비 가 20 보다 작 으면 필라멘트 단면 균일성 이 나빠져 연신 작업 성 이 현저히 떨어지 고 , 200 을 초과 하 면 방사 중 필라멘트 파손 이 발생 하 여 정상 적 인 원사 를 생산 하 기 어렵 게 된다는 단점 을 가진다 .