본원 의 일 구 현예 에 있 어서 , 상기 입자 를 제거 하 는 단계 는 , 상기 제 1 박막 의 일부 를 에칭 ( etching ) 하 여 복수 의 홀 을 형성 함 으로써 상기 홀 을 통하 여 상기 입자 각각 의 일부 를 노출 시키 고 ; 상기 홀 을 통하 여 상기 노출 된 입자 를 제거 하 는 것 : 을 포함 할 수 있 으나 , 이 에 제한 되 는 것 은 아니 다 . 예 를 들 어 , 상기 제 1 박막 의 일부 를 에칭 ( etching ) 하 는 것 은 , 상기 제 1 박막 을 선택 적 으로 에칭 할 수 있 는 적당 한 에칭 용액 을 이용 하 거나 플 라즈 마 에칭 법 을 이용 할 수 있 으나 , 이 에 제한 되 는 것 은 아니 다 .