한편 , 2 단 베 이크 에 의한 성막 은 , 1 번 째 단의 베 이크 로서 , 공기 중 의 산소 에 의한 기판 부식 의 영향 을 생각 하 면 , 공기 중 에서 의 처리 온도 의 상한 은 , 예컨대 250 ℃ 이하 , 바람직 하 게 는 200 ℃ 이하 50 ℃ 이상 에서 5 ∼ 600 초 동안 의 범위 로 행한다 . 2 번 째 단의 베 이크 온도 로서 는 , 1 번 째 단의 베 이크 온도 보다 높 고 , 600 ℃ 이하 , 바람직 하 게 는 500 ℃ 이하 200 ℃ 이상 의 온도 에서 10 ∼ 7200 초 동안 의 범위 로 행한다 . 다층 레지스 트 법 에서 는 , 이 얻 어 진 막 상 에 도포 형 규소 중간막 이나 CVD 하드 마스크 를 형성 하 는 경우 가 있 다 . 도포 형 규소 중간막 을 적용 하 는 경우 는 , 규소 중간막 을 성막 하 는 온도 보다 높 은 온도 에서 의 성막 이 바람직 하 다 . 통상 규소 중간막 은 100 ℃ 이상 400 ℃ 이하 , 바람직 하 게 는 150 ℃ 이상 350 ℃ 이하 에서 성막 된다 . 이 온도 보다 높 은 온도 에서 유기 막 을 성막 하 면 , 규소 중간막 형성 용 조성물 에 의한 유기 막 의 용해 를 막 아 , 상기 조성물 과 믹 싱하 지 않 는 유기 막 을 형성 할 수 있 다 .