다음 으로 , 하드 마스크 패턴 ( 33 ) 을 식각 장벽 으로 하 여 기판 ( 31 ) 을 일정 깊이 ( 1100 Å ) 식각 하 는 1 차 식각 ( 이하 ' 1 차 필라 식각 ' 이라고 약칭 함 ) 을 진행 한다 . 이 와 같 은 1 차 필라 식각 에 의해 활성 영역 으로 기능 하 는 헤드 필라 ( Head Pillar , 34 A ) 가 형성 된다 . 바람직 하 게 , 헤드 필라 ( 34 A ) 형성 을 위한 기판 ( 31 ) 의 식각 은 비등방성 ( Anisotropic ) 건식 식각 이 며 , Cl 2 또는 HBr 가스 를 단독 으로 사용 하 거나 , 또는 Cl 2 와 HBr 가스 의 혼합 가스 를 이용 하 여 식각 한다 .