상기 제 1 도전 형 반도체 층 ( 313 ) 과 상기 활성 층 ( 314 ) 사이 에 는 제 1 클래드 층 이 형성 될 수 있 다 . 상기 제 1 클래드 층 은 GaN 계 반도체 로 형성 될 수 있 으며 , 그 밴드 갭 은 상기 활성 층 ( 314 ) 의 밴드 갭 이상 으로 형성 될 수 있 다 . 이러 한 제 1 클래드 층 은 제 1 도전 형 으로 형성 되 며 , 캐리어 를 구속 시켜 주 는 역할 을 한다 .