여기 서 , 그라운드 층 ( 40 , 41 ) 의 배열 위치 에 주목 하 면 , 그라운드 층 ( 40 ) 은 반도체 칩 ( 15 ) 의 위 의 위치 에 배치 되 고 , 그라운드 층 ( 41 ) 은 반도체 칩 ( 15 ) 의 아래 에 배치 된다 . 또한 , 그라운드 층 ( 40 , 41 ) 의 형성 영역 은 반도체 칩 ( 15 ) 의 면적 보다 넓 게 형성 ( 평면도 에서 의 전자 장치 ( 1 B ) 의 형상 과 거의 동일 한 형상 을 갖 게 됨 ) 된다 .