제 1 액티브 층 ( 411 ) 및 제 2 액티브 층 ( 321 ) 상 에 제 1 게이트 절연 층 ( 112 ) 이 형성 될 수 있 다 . 그리고 , 제 1 게이트 절연 층 ( 112 ) 상 에 제 1 박막 트랜지스터 ( 410 ) 의 제 1 게이트 전극 ( 414 ) 및 제 2 박막 트랜지스터 ( 320 ) 의 제 2 게이트 전극 ( 324 ) 이 형성 될 수 있 다 . 또한 , 제 1 게이트 전극 ( 414 ) 및 제 2 게이트 전극 ( 324 ) 상 에 제 1 층간 절연 층 ( 113 ) 이 형성 될 수 있 다 .