상기 영역 은 NW 내 의 층 또는 NW 를 생성 하 기 위한 코어 상 의 쉘 로 표현 될 수 있 다 . 따라서 , 본 발명 은 , n - 형 도핑 된 코어 와 진성 다중 양자 우물 / 양자 점 / 초격자 , 전자 차단 층 ( EBL ) 및 p - 형 도핑 된 쉘 을 포함 하 는 쉘 을 이 순서 로 포함 하 는 흑연 질 기판 상 에 에피 택 셜 성장 된 복수 의 반경 방향 III - V 족 NW 를 추가 로 제공 한다 . n - 형 도핑 된 영역 은 , 소수 의 전하 캐리어 ( 정공 ) 가 n - 형 도핑 된 영역 으로 오버 플로우 되 는 것 을 방지 하 기 위해 , 정공 차단 층 ( 원자 가 밴드 내 의 단일 또는 다중 장벽 ) 을 포함 / 함유 할 수 있 다 .