또한 , 보강 막 ( 103 ) 위 에 보강 막 ( 114 ) 을 적층 하 는 구성 으로 하 여도 좋 다 ( 도 2 참조 ) . 이 경우 , 보강 막 ( 114 ) 은 , 보강 막 ( 103 ) 및 절 연막 ( 102 ) 을 덮 도록 형성 한다 . 이 와 같이 , 보강 막 ( 114 ) 을 형성 함 으로써 , 반도체 막 ( 106 ) 의 하측 이 불순물 이나 수분 에 노출 되 는 것 을 막 을 수 있 다 . 또한 , 반도체 막 ( 106 ) 의 아래쪽 의 기계 적 강도 를 향상 시킬 수 있 다 . 또 , 절 연막 ( 102 ) 의 위 에 보강 막 ( 114 ) 을 형성 하 는 구조 로 하 여도 좋 다 . 또 , 보강 막 ( 103 ) 및 보강 막 ( 114 ) 을 적층 하 는 경우 에 는 , 보강 막 ( 103 ) 의 막 두께 와 보강 막 ( 114 ) 의 막 두께 를 합쳐서 50 nm 이상 200 nm 이하 로 하 는 것 이 바람직 하 다 . 또한 , 보강 막 ( 109 ) 의 면적 은 , 보강 막 ( 103 ) 의 면적 보다 도 큰 것 이 바람직 하 다 .