상술 한 본 발명 에 따른 다중 채널 을 갖 는 반도체 소자 및 그 제조 방법 에 의하 면 , 부분 절연 층 에 의해 반도체 기판 과 채널 층 이 전기 적 으로 절연 됨 에 따라 , 반도체 기판 상 에 원하 지 않 는 기생 채널 ( parastic channel ) 이 형성 되 는 것 을 방지 할 수 있 다 . 또한 , 소오 스 영역 및 드레 인 영역 에 희생 물질 층 이 남 아 있 지 않 으므로 , 희생 물질 층 에 기인 하 는 소오 스 영역 및 드레 인 영역 의 측 방향 또는 기판 방향 으로 누설 전류 가 발생 하 는 것 을 방지 할 수 있 다 .