메모리 장치 는 비트 셀 에 액세스 하 기 전 에 비트 라인 전압 을 감소 시키 기 위하 여 선택 적 프리 차지 및 전하 공유 를 사용 한다 . 비트 라인 전압 의 감소 는 비트 라인 의 상이 한 섹션 들 을 상이 한 전압 들 ( 예 를 들 어 , 공급 전압 및 접지 ) 로 프리 차징 하 고 이 들 섹션 들 사이 에서 전하 공유 를 사용 하 여 달성 된다 . 판독 안정 성 은 비트 라인 전압 의 감소 의 결과 로서 개선 된다 . 비트 라인 섹션 들 사이 의 상대 적 캐 패 시 턴 스 차 는 전하 공유 후 비트 라인 전압 을 결정 한다 . 따라서 , 메모리 장치 는 프로세스 또는 온도 변화 들 에 대해 관대 하 다 . 비트 라인 전압 은 공급 전압 또는 접지 로 프리 차지 된 섹션 들 을 선택 함 으로써 설계 적 으로 제어 될 수 있 다 .