다음 앞 에서 설명 한 도 3 을 참조 하 면 , 게이트 전극 ( 154 a ) 및 게이트 절 연막 ( 144 a ) 이 형성 된 기판 ( 110 ) 위 에 질화규소 ( SiNx ) , 산화 규소 ( SiOx ) , 산질 화 규소 ( SiON ) 등 의 무기 절연 물질 을 적층 하 여 절연 층 ( 160 ) 을 형성 한다 . 이 때 절연 층 ( 160 ) 의 적층 공정 중 사용 되 는 SiH 4 , NH 3 등 의 가스 가 포함 하 는 수소 와 같 은 성분 이 절연 층 ( 160 ) 과 접촉 하 는 액티브 패턴 ( 131 a ) 에 주입 되 어 , 도전 성 의 소스 영역 ( 133 a ) 및 드레 인 영역 ( 135 a ) 이 형성 되 거나 이미 형성 된 소스 영역 ( 133 a ) 및 드레 인 영역 ( 135 a ) 의 캐리어 농도 가 더 높 아 질 수 있 다 . 절연 층 ( 160 ) 의 형성 이후 에 도 절연 층 ( 160 ) 이 포함 하 는 수소 등 의 성분 이 소스 영역 ( 133 a ) 및 드레 인 영역 ( 135 a ) 으로 확산 되 어 저 저항 을 가질 수 있 게 할 수 있 다 .