이어서 , 티타늄 막 ( 26 ) 및 알루미늄 막 ( 27 ) 이 형성 된 기판 전체 에 , 포토 레지스 트 를 형성 하 고 , 이 포토 레지스 트 를 , 제 2 포토 마스크 를 사용 하 여 , 하프 노광 을 이용 하 여 소정 의 형상 으로 패 터닝 하 고 , 도 15 ( c ) , 도 17 ( c ) 에 나타내 듯이 , 포토 레지스 트 ( 52 ) 를 형성 한다 . 계속 해서 , 포토 레지스 트 ( 52 ) 를 이용 하 여 , 알루미늄 막 ( 27 ) 및 티타늄 막 ( 26 ) 에 대해 ? 에칭 , 드라이 에칭 ( 플라 즈 마 에칭 ) 또는 이 들 을 조합 한 에칭 처리 ( 예 를 들 어 , ? 에칭 후 에 드라이 에칭 ) 를 행하 고 , 또한 산화물 반도체 막 ( 51 ) 을 ? 에칭 한다 . 그리고 , 도 15 ( d ) 에 나타내 듯이 , 산화물 반도체 막 ( 51 ) , 티티 늄 막 ( 26 ) 및 알루미늄 막 ( 27 ) 의 일부 를 제거 함 으로써 , 산화물 반도체 층 ( 13 a ) , 및 접속 층 ( 25 ) 이 형성 됨 과 동시 에 , 도 17 ( d ) 에 나타내 듯이 , 게이트 절연 층 ( 12 ) 상 에 접속 층 ( 38 ) 을 형성 하 고 , 또한 접속 층 ( 38 ) 상 에 , 제 1 도전 층 ( 14 a ) 및 제 2 도전 층 ( 15 a ) 의 적층 막 에 의해 구성 된 소스 배선 ( 16 a ) 을 형성 한다 .