본 발명 은 반도체 기판 의 온도 를 상온 으로 유지 하 고 알레인 계열 의 가스 를 주입 하 여 반도체 기판 의 표면 에 흡착 시킨 후 , 자외선 ( Ultra Violet ) 또는 플 라즈 마 처리 등 을 이용 하 여 반응 에너지 를 공급 하 여 열분해 가 이루어지 도록 한다 . 또한 , 가스 주입 과 반응 에너지 공급 을 반복 적 으로 수행 함 으로써 증착 되 는 박막 의 스텝 커버리지 를 향상 시켜 컨 포 멀 한 알루미늄 박막 을 증착 할 수 있 게 한다 .