그러므로 , 본 발명 은 고집 적 화 로 접합 영역 의 면적 및 비트 라 인용 콘 택 홀 이 축소 하 여 주변 회로 영역 및 코아 영역 에서 구동 능력 이 저하 되 는 문제 를 효과 적 으로 방지 하 고 , 우수 한 구동 능력 을 가져 고속 동작 에 유리 한 반도체 소자 를 제조 할 수 있 다 . 특히 , 본 발명 은 코아 영역 의 증폭 소자 를 종래 보다 저전압 에서 동작 하 도록 만들 수 있 어서 , 증폭 소자 의 구동 능력 저하 에 따른 수율 저하 문제 를 개선 할 수 있 다 .