도 10 은 , 다른 실시 형태 의 반도체 기판 ( 201 ) 에서 의 단면 예 를 나타낸다 . 반도체 기판 ( 201 ) 은 , 반도체 기판 ( 101 ) 과 거의 동일 하 지만 , 500 ℃ 이하 의 온도 에서 형성 된 GaAs 층 ( 202 ) 을 포함 하 는 점 이 반도체 기판 ( 101 ) 의 경우 와 다르 다 . 이하 의 설명 에서 는 , 반도체 기판 ( 101 ) 의 경우 와 다른 점 에 대해서 설명 한다 .