히트 플레이트 ( 400 ) 에 는 복수 의 전지 셀 ( 100 ) 의 적층 방향 과 수직 인 방향 으로 복수 의 돌기 ( 400 a ) 가 형성 될 수 있 고 , 복수 의 전지 셀 ( 100 ) 은 복수 의 돌기 사이 에 각각 안착 될 수 있 다 . 본 발명 의 일 실시 예 에 따르 면 , 히트 플레이트 ( 400 ) 에 돌기 ( 400 a ) 가 형성 되 므로 , 프레임 ( 300 ) 의 하 면 내부 는 종래 와 다르 게 평평 하 게 형성 될 수 있 다 . 열전도 성 수지 층 ( 500 ) 은 히트 플레이트 ( 400 ) 의 상면 에 열전도 성 수지 가 도포 되 어 형성 될 수 있 다 . 본 발명 의 일 실시 예 에 따르 면 , 열전도 성 수지 층 ( 500 ) 은 써 말 레진 으로 형성 될 수 있 다 . 열전도 성 수지 층 ( 500 ) 이 형성 됨 에 따라 , 전지 셀 적층 체 에서 발생 하 는 열 을 열전도 성 수지 층 ( 500 ) 을 통해 외부 로 방출 할 수 있 다 . 또한 히트 플레이트 ( 400 ) 에 열전도 성 수지 층 ( 500 ) 이 형성 되 어 있 으므로 , 종래 프레임 내부 에 열전도 성 수지 를 주액 하 기 위해 형성 되 었 던 복수 의 홀 은 제거 될 수 있 다 .