스위칭 드레 인 전극 ( DE 1 ) 은 상기 소스 전극 ( SE 1 ) 과 동일 층 에 형성 되 며 , 스위칭 소스 전극 ( SE 1 ) 과 마주 보 도록 스위칭 소스 전극 ( SE 1 ) 으로부터 소정 거리 이격 되 어 형성 된다 . 이때 , 상기 스위칭 드레 인 전극 ( DE 1 ) 은 스위칭 게이트 전극 ( GE 1 ) 의 일부 와 중첩 되 도록 형성 된다 .