활성 층 ( 120 ) 은 제 2 반도체 층 ( 110 ) 과 제 1 반도체 층 ( 130 ) 사이 에 배치 되 어 제 2 반도체 층 ( 110 ) 과 제 1 반도체 층 ( 130 ) 에서 공급 받 은 전자 와 정공 을 재결합 시켜 여분 의 에너지 를 광 으로 변환 시키 는 역할 을 할 수 있 다 . 이러 한 , 활성 층 ( 120 ) 은 통상 의 우물 구조 ( Quantum Well , QW ) 또는 효율 을 높이 기 위해 다 중양자 우물 구조 ( Multiple Quantum Well , MQW ) 를 가질 수 있 으며 , 우물 층 과 장벽층 의 조성 및 두께 를 제어 하 여 필요 한 대역 의 파장 을 얻 을 수 있 도록 할 수 있 다 .