게이트 절연 패턴 ( 110 ) 은 예 를 들 어 , 실리콘 산화물 과 같 은 산화물 을 포함 하 도록 형성 될 수 있 고 , 제 1 폴리 실리콘 패턴 ( 120 ) 은 p 형 불순물 혹은 n 형 불순물 이 도핑 된 폴리 실리콘 을 포함 하 도록 형성 될 수 있 으며 , 제 1 금속 패턴 ( 130 ) 은 예 를 들 어 , 텅스텐 , 탄 탈륨 , 티타늄 등 의 금속 을 포함 하 도록 형성 될 수 있 고 , 제 1 게이트 마스크 ( 140 ) 는 예 를 들 어 , 실리콘 산화물 과 같 은 산화물 을 포함 하 도록 형성 될 수 있 다 . 한편 , 게이트 스 페이서 ( 150 ) 는 예 를 들 어 , 실리콘 산화물 과 같 은 산화물 을 포함 하 도록 형성 될 수 있 으며 , 이 에 따라 제 1 게이트 마스크 ( 140 ) 및 / 또는 게이트 절연 패턴 ( 110 ) 에 병합 될 수 도 있 다 .