도 3 을 참고 하 면 , 제 1 물질 에 포함 되 는 이터븀 ( Yb ) 과 제 2 물질 에 포함 되 는 RbI 를 사용 하 여 하나 의 막 을 형성 할 수 있 다 . 이터븀 ( Yb ) 과 RbI 가 반응 하 여 전도체 를 형성 할 수 있 고 , 구체 적 으로 Rb 와 Yb 가 서로 치환 되 어 결과 적 으로 반응물 어딘가 에 자유 전자 가 형성 되 고 , YbI 2 또는 YbI 3 화합물 을 형성 함 에 따라 발생 하 는 아이오딘 공공 ( vacancy ) 에 의해 자유 전자 가 형성 될 수 있 다 . 이 처럼 금속 할 라이드 의 한 종류 인 RbI 에 의해 형성 되 는 자유 전자 및 / 또는 아이오딘 공공 ( vacancy ) 에 의해 형성 되 는 자유 전자 및 금속 이온 때문 에 본 실시 예 에 따른 전자 주입 층 ( 180 ) 이 전자 주입 속도 를 빠르 게 하 는 특성 을 가질 수 있 다 . 비록 도 3 에서 금속 할 라이드 로서 RbI 를 설명 하 였으나 , KI 또는 CsI 등 에 도 동일 하 게 적용 가능 하 다 .