또한 , 본 실시 형태 에서 는 , 에 미터 영역 으로서 이용 하 는 P 형 의 확산 층 ( 6 , 7 ) 및 콜렉터 영역 으로서 이용 하 는 P 형 의 확산 층 ( 8 , 9 ) 을 형성 할 때 에 , 컨 택트 홀 ( 16 , 17 ) 을 통하 여 , 가속 전압 이 서로 다른 2 회 의 이온 주입 공정 에 의해 형성 하 는 경우 에 대해서 설명 했 지만 , 이 경우 에 한정 되 는 것 은 아니 다 . 예 를 들 면 , 컨 택트 홀 ( 16 , 17 ) 을 통하 여 , 3 회 , 4 회 등 , 복수 회의 이온 주입 공정 에 의해 P 형 의 확산 층 ( 6 , 7 ) 및 P 형 의 확산 층 ( 8 , 9 ) 을 형성 하 는 경우 이 어도 된다 . 또한 , 적어도 에 미터 영역 으로서 이용 하 는 P 형 의 확산 층 ( 6 , 7 ) 을 형성 할 때 에 만 , 컨 택트 홀 ( 16 ) 을 이용 하 는 경우 에 도 , 전술 한 효과 를 얻 을 수 있 다 . 그 밖 에 , 본 발명 의 요지 를 일탈 하 지 않 는 범위 에서 , 다양 한 변경 이 가능 하 다 .