도 7 을 참조 하 면 , 본 실시 예의 스위칭 소자 예컨대 , 트랜지스터 는 , 소자 분리 막 ( 미도 시 됨 ) 에 의해 정의 된 활성 영역 ( 700 A ) 을 포함 하 는 반도체 기판 ( 700 ) , 반도체 기판 ( 700 ) 상 에 위치 하 고 활성 영역 ( 700 A ) 을 가로지르 도록 형성 된 게이트 구조물 ( 720 ) , 및 게이트 구조물 ( 720 ) 양측 의 활성 영역 ( 700 A ) 내 에 형성 된 제 1 및 제 2 접합 영역 ( 710 A , 710 B ) 을 포함 할 수 있 다 .