도 4 r 및 도 4 s 에서 , ILD 층 ( 166 ) 및 에칭 정지 층 ( 164 ) 이 기판 ( 100 ) 의 부분 들 ( 192 ) 의 아래 에 놓인 층 들 을 선택 적 으로 노출 하 도록 에칭 된다 . 도 4 s 에서 , 추가 프로세싱 을 위해 에어 갭 시일 링 ( 157 ) , 금속 층 들 ( 155 ) 및 ILD 층 ( 132 ) 의 상이 한 부분 들 이 개방 된다 .