먼저 유리 기판 을 세정 한 후 , 유리 기판 위 에 굴절 율 이 1 . 9 인 SiNx 를 PECVD 방식 으로 60 nm 의 두께 로 증착 하 여 , 제 2 층 ( 22 ) 을 형성 하 였 다 . 그리고 난 다음 굴절 율 이 1 . 45 인 SiO 2 를 PECVD 방식 으로 증착 하 여 제 1 층 ( 21 ) 을 형성 하 였 다 . 다음 , 포토레지스트 를 에칭 마스크 로 사용 하 는 통상 의 드라이 에칭 기법 을 사용 하 여 화소 별 로 저 굴절 층 인 제 1 층 ( 21 ) 에 단차 를 형성 하 였 다 . 아래 표 1 은 저 굴절 층 두께 에 따른 적색 , 청색 , 녹색 화소 에서 의 휘도 의 향상 비 를 나타낸 것 이 다 . 표 1 은 동일 한 유기 발광 소자 에서 광 공진 층 을 사용 하 지 않 은 유기 발광 소자 의 휘도 에 따른 휘도 비 를 나타낸 것 이 고 , x , y 는 색 좌표 를 나타낸 것 이 다 .