반도체 기판 ( 110 ) 의 전면 은 표면 조직 화 되 어 있 을 수 있 으며 , 표면 조직 화 에 의해 빛 의 흡수율 을 높이 고 반 사도 를 줄여 태양 전지 의 효율 을 개선 할 수 있 다 . 반도체 기판 ( 110 ) 위 에 는 절 연막 ( 112 ) 이 형성 되 어 있 다 . 절 연막 ( 112 ) 은 빛 을 적 게 흡수 하 고 절연성 이 있 는 물질 로 만들 어 질 수 있 으며 , 예컨대 질화규소 ( SiNx ) , 산화 규소 ( SiO 2 ) , 산화 티타늄 ( TiO 2 ) , 산화알루미늄 ( Al 2 O 3 ) , 산화마그네슘 ( MgO ) , 산화 세륨 ( CeO 2 ) 및 이 들 의 조합 일 수 있 으며 , 단일 층 또는 복수 층 으로 형성 될 수 있 다 . 절 연막 ( 112 ) 은 예컨대 약 200 Å 내지 약 1500 Å 의 두께 를 가질 수 있 다 .