상기 어레이 기판 ( 100 ) 은 제 1 베이스 기판 ( 101 ) 을 포함 하 며 , 상기 제 1 베이스 기판 ( 101 ) 위 에 는 게이트 금속 층 으로 게이트 배선 들 ( GLn - 1 , GLn ) , 게이트 패드 전극 ( 113 ) , 스토리지 공통 전극 ( 115 ) 및 게이트 전극 ( 111 ) 을 포함 하 는 게이트 금속 패턴 이 형성 된다 . 상기 게이트 금속 층 은 구리 ( Cu ) 나 구리 합금 등 의 구리 계열 금속 , 알루미늄 ( Al ) 또는 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열 의 금속 , 은 ( Ag ) 이 나 은 합금 계열 의 금속 , 몰리브덴 ( Mo ) 이나 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열 의 금속 , 크롬 ( Cr ) , 탄 탈륨 ( Ta ) 또는 티타늄 ( Ti ) 을 포함 하 는 금속 을 포함 하 는 금속 물질 로 형성 된다 . 상기 게이트 금속 층 은 저 저항 금속 층 구조 인 예컨대 , Mo / Al 와 같 은 다중 금속 층 구조 를 가질 수 있 다 . 도시 되 지 는 않 았 으나 , 상기 게이트 배선 들 ( GLn - 1 , GLn ) 위 에 는 제 1 보호 절연 층 ( 140 ) 및 제 2 보호 절연 층 ( 170 ) 이 순차 적 으로 적층 된다 .