실시 예 5 와 동일 하 게 하 여 Si 웨이퍼 ( 102 ) 와 , 저해 층 ( 104 ) 과 , Ge 층 ( 120 ) 과 , 중간층 과 , 소자 형성 층 ( 124 ) 의 일례 로서 의 GaAs 층 을 구비 한 반도체 기판 을 제작 한 후 , 얻 어 진 반도체 기판 을 이용 하 여 HBT 소자 구조 를 제작 하 였 다 . HBT 소자 구조 는 이하 의 순서 에 의해 제작 하 였 다 . 우선 , 실시 예 5 의 경우 와 마찬가지 로 하 여 반도체 기판 을 제작 하 였 다 . 또한 , 본 실시 예 에서 는 , 피복 영역 의 평면 형상 은 1 변의 길이 가 50 ㎛ 인 정사각형 이 었 다 . 개구 의 바닥 면 형상 은 1 변이 20 ㎛ 인 정사각형 이 었 다 . 그 이외 의 조건 에 대해서 는 , 실시 예 5 의 경우 와 동일 한 조건 으로 반도체 기판 을 제작 하 였 다 .