어레이 기판 ( 12 ) 측 및 대향 기판 ( 13 ) 측 의 화소 구조 는 각 기판 ( 12 , 13 ) 의 두께 방향 에 수직 인 가상 의 한 평면 에 투영 한 형상 이 , 직사각 형 형상 으로 또한 같 은 크기 로 형성 된다 . 어레이 기판 ( 12 ) 및 대향 기판 ( 13 ) 에 구비 되 는 각 배선 및 각 전극 중 , 주사 배선 ( 21 ) , 공통 배선 ( 22 ) , 신호 배선 ( 23 ) , 게이트 전극 , 소스 전극 ( 24 ) , 드레 인 전극 ( 25 ) 및 보조 용량 전극 ( 27 ) 은 알루미늄 ( Al ) 및 몰리브덴 ( Mo ) 등 의 불 투명 한 금속 재료 에 의해서 형성 되 어 있 다 . 화소 전극 ( 29 ) 및 대향 전극 ( 44 ) 은 인듐 주석 산화물 ( Indimm Tin 0 xide ; 약칭 : ITO ) 등 의 투명 한 도전 재료 에 의해 형성 되 어 있 다 .