제 1 게이트 절연 층 ( 112 ) 상 에 제 1 박막 트랜지스터 ( 310 ) 의 제 1 게이트 전극 ( 314 ) , 제 2 박막 트랜지스터 ( 320 ) 의 제 2 게이트 전극 ( 324 ) , 및 스토리지 커패시터 ( 140 ) 의 제 1 커패시터 전극 ( 141 ) 이 형성 될 수 있 다 . 제 1 박막 트랜지스터 ( 310 ) 의 제 1 게이트 전극 ( 314 ) 은 제 1 액티브 층 ( 311 ) 의 제 1 채널 영역 ( 311 a ) 과 중첩 하 도록 배치 될 수 있 다 . 그리고 , 제 2 박막 트랜지스터 ( 320 ) 의 제 2 게이트 전극 ( 324 ) 은 제 2 액티브 층 ( 321 ) 의 제 2 채널 영역 ( 321 a ) 과 중첩 하 도록 배치 될 수 있 다 .