상기 단결정 층 ( 60 ) 상 에 절 연막 을 형성 하 고 , 사이트 들 ( 370 ) 을 형성 하 는 원소 들 을 이온 주입 방식 으로 상기 절 연막 에 주입 하 여 상기 게터 링 층 ( 365 ) 을 형성 할 수 있 다 . 이 경우 에 상기 게터 링 층 ( 365 ) 내 에 는 다수 의 분산질 이 형성 되 거나 , 다수 의 베이컨 시 및 / 또는 디스 로케이션 이 형성 되 어 상기 사이트 들 ( 370 ) 이 형성 될 수 있 다 .