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 발명 의 명칭 : 광학 렌즈 , 조명 모듈 및 이 를 구비 한 라이트 유닛 
 본 발명 은 광학 렌즈 , 조명 모듈 및 이 를 구비 한 라이트 유닛 에 관한 것 이 다 . 
 발광 소자 , 예컨대 발광 다이오드 ( Light Emitting Device ) 는 전기 에너지 를 빛 으로 변환 하 는 반도체 소자 의 일종 으로 , 기존 의 형광 등 , 백 열 등 을 대체 하 여 차세대 광원 으로서 각광 받 고 있 다 . 
 발광 다이오드 는 반도체 소자 를 이용 하 여 빛 을 생성 하 므로 , 텅스텐 을 가열 하 여 빛 을 생성 하 는 백열등 이나 , 또는 고압 방전 을 통해 생성 된 자외선 을 형광체 에 충돌 시켜 빛 을 생성 하 는 형광 등 에 비해 매우 낮 은 전력 만 을 소모 한다 . 
 또한 , 발광 다이오드 는 반도체 소자 의 전위 갭 을 이용 하 여 빛 을 생성 하 므로 기존 의 광원 에 비해 수명 이 길 고 응답 특성 이 빠르 며 , 친환경 적 특징 을 갖 는다 . 
 이 에 따라 , 기존 의 광원 을 발광 다이오드 로 대체 하 기 위한 많 은 연구 가 진행 되 고 있 으며 , 발광 다이오드 는 실 내외 에서 사용 되 는 각종 램프 , 표시 장치 , 전광판 , 가로등 등 의 조명 장치 의 광원 으로서 사용 이 증가 하 고 있 다 . 
 실시 예 는 회로 기판 상 에 광학 렌즈 의 바닥 면 으로 진행 하 는 일부 광 을 흡수 하 는 층 을 배치 한 조명 모듈 을 제공 한다 . 
 실시 예 는 회로 기판 상 에 광학 렌즈 의 바닥 면 으로 진행 하 는 광 의 휘 부 영역 에 광 을 흡수 하 는 층 을 배치 한 조명 모듈 을 제공 한다 . 
 실시 예 는 광학 렌즈 를 지지 하 는 돌기 부 및 상기 돌기 부 의 둘레 에 흡수 층 을 배치 하 여 , 휘 부 영역 의 광 을 흡수 토록 한 조명 모듈 을 제공 한다 . 
 실시 예 는 회로 기판 으로 진행 하 는 광학 렌즈 로부터 반사 된 광 에 대한 휘 부 영역 에 흡수 층 을 분산 배치 하 여 중심 휘도 를 낮추 어 줄 수 있 도록 한 조명 모듈 을 제공 한다 . 
 실시 예 는 적어도 5 면 으로 발광 하 는 발광 소자 로부터 입사 된 광 의 출사 각 을 변화 시켜 주 는 광학 렌즈 및 이 를 갖 는 조명 모듈 을 제공 한다 . 
 실시 예 는 광 의 지향 각 을 벗어난 영역 으로 방출 되 는 광 의 출사 각이 입사각 보다 작 은 광학 렌즈 및 이 를 갖 는 조명 모듈 을 제공 한다 . 
 실시 예 에 의하 면 , 상기 제 1 리세 스 와 상기 돌기 부 사이 에 접착 부재 를 포함 할 수 있 다 . 
 실시 예 에 의하 면 , 상기 흡수 층 은 상기 돌기 부 의 중심 으로부터 상기 돌기 부 의 반경 의 1 . 3 배 내지 2 . 5 배 의 범위 에 배치 될 수 있 다 . 
 실시 예 에 의하 면 , 상기 돌기 부 의 중심 은 상기 제 1 출사 면 을 기점 으로 상기 바닥 면 의 바닥 중심 과 의 각도 가 45 도 내지 85 도 의 범위 에 위치 하 는 조명 모듈 . 
 실시 예 에 의하 면 , 상기 돌기 부 의 중심 은 상기 제 1 출사 면 을 기점 으로 상기 발광 소자 의 중심 과 의 각도 가 45 도 내지 85 도 의 범위 에 위치 될 수 있 다 . 
 실시 예 에 의하 면 , 상기 돌기 부 를 감싸 는 상기 흡수 층 의 상면 면적 은 상기 돌기 부 의 바닥 면적 보다 작 을 수 있 다 . 
 실시 예 에 의하 면 , 상기 돌기 부 를 감싸 는 상기 흡수 층 의 상면 면적 은 상기 돌기 부 의 바닥 면적 보다 크 고 2 . 6 배 이하 일 수 있 다 . 
 실시 예 에 의하 면 , 상기 광학 렌즈 의 바닥 면 과 대면 하 는 상기 흡수 층 의 상면 면적 은 렌즈 바닥 면적 의 11 % 의 이하 로 배치 될 수 있 다 . 
 실시 예 에 의하 면 , 상기 흡수 층 은 상기 복수 의 돌기 부 각각 의 둘레 에 링 형상 으로 배치 될 수 있 다 . 
 실시 예 에 의하 면 , 상기 접착 부재 는 상기 흡수 층 과 상기 돌기 부 사이 에 배치 될 수 있 다 . 
 실시 예 에 의하 면 , 상기 흡수 층 은 상기 돌기 부 의 둘레 를 따라 복수 의 흡수 영역 및 상기 복수 의 흡수 영역 사이 에 스페이스 를 포함 할 수 있 다 . 
 실시 예 에 의하 면 , 상기 돌기 부 및 상기 흡수 층 은 상기 발광 소자 로부터 방출 된 광이 상기 제 1 출사 면 에 의해 반사 되 어 전달 되 는 휘 부 영역 상 에 배치 되 며 , 상기 휘 부 영역 은 상기 광학 렌즈 의 바닥 면 의 영역 중 에서 상기 바닥 면 으로 진행 하 는 광 의 광도 가 피크 치의 80 % 이상 인 영역 을 포함 할 수 있 다 . 
 실시 예 에 의하 면 , 상기 광학 렌즈 는 상기 회로 기판 상 에 제 1 방향 으로 복수 로 배열 되 며 , 상기 광학 렌즈 는 제 2 방향 의 길이 가 상기 회로 기판 의 제 2 방향 의 길이 보다 더 길 며 , 상기 광학 렌즈 의 제 1 , 2 방향 의 길이 는 상기 광학 렌즈 의 두께 보다 클 수 있 다 . 
 실시 예 에 의하 면 , 상기 접착 부재 는 상기 돌기 부 와 상기 흡수 층 사이 에 배치 되 며 , 상기 접착 부재 는 상기 광학 렌즈 의 바닥 면 과 상기 회로 기판 의 상면 사이 에 배치 될 수 있 다 . 
 실시 예 에 의하 면 , 상기 흡수 층 은 상기 접착 부재 와 상기 회로 기판 사이 의 영역 으로 연장 되 며 , 상기 접착 부재 는 상기 흡수 층 과 상기 광학 렌즈 의 바닥 면 사이 에 배치 될 수 있 다 . 
 실시 예 에 의하 면 , 상기 흡수 층 은 하나 또는 복수 의 영역 이 링 형상 을 가질 수 있 다 . 
 실시 예 에 의하 면 , 상기 흡수 층 은 상기 돌기 부 의 둘레 를 따라 배치 된 복수 의 흡수 영역 및 상기 복수 의 흡수 영역 사이 에 스페이스 를 포함 할 수 있 다 . 
 실시 예 에 의하 면 , 상기 복수 의 흡수 영역 은 서로 동일 한 원호 길이 를 갖 거나 , 적어도 2 개 는 서로 다른 원호 길이 를 가질 수 있 다 . 
 실시 예 에 의하 면 , 상기 흡수 층 의 상면 면적 은 상기 스페이스 의 면적 보다 클 수 있 다 . 
 실시 예 에 의하 면 , 상기 휘 부 영역 은 상기 광학 렌즈 의 바닥 면 의 영역 중 에서 상기 바닥 면 으로 진행 하 는 광 의 광도 가 피크 치의 80 % 이상 인 영역 을 포함 할 수 있 다 . 
 실시 예 에 의하 면 , 상기 광학 렌즈 는 상기 회로 기판 상 에 제 1 방향 으로 복수 로 배열 되 며 , 상기 광학 렌즈 는 제 2 방향 의 길이 가 상기 회로 기판 의 제 2 방향 의 길이 보다 더 길 게 배치 되 며 , 상기 광학 렌즈 의 제 1 , 2 방향 의 길이 는 상기 광학 렌즈 의 두께 보다 클 수 있 다 . 
 실시 예의 라이트 유닛 은 상기 조명 모듈 상 에 광학 시트 를 포함 할 수 있 다 . 
 실시 예 는 광학 렌즈 의 바닥 에 위치 한 휘 부 영역 으로부터 반사 된 광 을 흡수 할 수 있 어 , 광학 렌즈 의 휘도 분포 를 개선 시켜 줄 수 있 다 . 
 실시 예 는 광학 렌즈 의 휘 부 영역 에 배치 된 상기 회로 기판 의 흡수 층 에 의해 광학 렌즈 의 중심 중역 의 휘도 밝기 를 낮추 어 줄 수 있 다 . 
 실시 예 는 광학 렌즈 의 휘 부 영역 에 배치 된 상기 회로 기판 의 흡수 층 에 의해 상기 광학 렌즈 로 출사 된 광 의 반치 폭 을 개선 시켜 줄 수 있 다 . 
 실시 예 는 광학 렌즈 로부터 추출 된 광 에 의한 핫 스팟 과 같 은 노이즈 를 줄일 수 있 다 . 
 실시 예 는 인접 한 광학 렌즈 간 의 광 간섭 을 줄여줄 수 있 다 . 
 실시 예 는 인접 한 광학 렌즈 간 의 간섭 을 최소 화 하 여 화상 을 개선 할 수 있 다 . 
 실시 예 는 서로 다른 회로 기판 상 의 광학 렌즈 간 의 간섭 을 줄여줄 수 있 다 . 
 실시 예 는 광학 렌즈 에 의해 발광 소자 간 의 간격 을 넓 게 제공 하 여 , 광학 렌즈 간 의 간섭 을 줄여줄 수 있 다 . 
 실시 예 는 라이트 유닛 내 에 배치 되 는 발광 소자 의 개수 를 줄일 수 있 다 . 
 실시 예 는 광학 렌즈 를 갖 는 조명 모듈 의 신뢰 성 을 개선 시켜 줄 수 있 다 . 
 실시 예 는 광학 렌즈 를 갖 는 라이트 유닛 의 신뢰 성 을 개선 시켜 줄 수 있 다 . 
 실시 예 는 조명 모듈 을 갖 는 조명 시스템 의 신뢰 성 을 개선 시켜 줄 수 있 다 . 
 도 1 은 실시 예 에 따른 조명 모듈 의 평면도 이 다 . 
 도 2 는 도 1 의 광학 렌즈 의 측 단면도 이 다 . 
 도 3 은 도 2 의 광학 렌즈 의 저 면도 이 다 . 
 도 4 는 도 1 의 조명 모듈 의 B - B 측 단면도 이 다 . 
 도 5 는 도 1 의 조명 모듈 의 C - C 측 단면도 이 다 . 
 도 6 은 도 1 의 조명 모듈 의 A - A 측 단면도 로서 , 광 의 경로 를 설명 하 기 위한 도면 이 다 . 
 도 7 은 도 6 의 광 경로 에 의한 휘 부 영역 을 나타낸 평면도 이 다 . 
 도 8 은 실시 예 에 따른 조명 모듈 의 광학 렌즈 의 투시도 로서 , 회로 기판 상 의 흡수 층 및 광학 렌즈 의 돌기 부 를 나타낸 평면도 이 다 . 
 도 9 는 도 8 의 회로 기판 의 흡수 층 및 광학 렌즈 의 돌기 부 의 부분 확대도 이 다 . 
 도 10 은 도 9 의 조명 모듈 에서 회로 기판 의 흡수 층 , 광학 렌즈 의 돌기 부 및 회로 기판 의 제 1 리세 스 를 나타낸 확대도 이 다 . 
 도 11 은 도 10 에서 흡수 층 의 다른 예 이 다 . 
 도 12 는 도 10 에서 돌기 부 의 다른 예 이 다 . 
 도 13 은 도 10 에서 돌기 부 의 다른 예 이 다 . 
 도 14 는 도 7 의 조명 모듈 에서 흡수 층 의 제 1 변형 예 이 다 . 
 도 15 는 도 7 의 조명 모듈 에서 흡수 층 의 제 2 변형 예 이 다 . 
 도 16 은 도 7 의 조명 모듈 에서 흡수 층 의 제 3 변형 예 이 다 . 
 도 17 은 도 7 의 조명 모듈 에서 흡수 층 의 제 4 변형 예 이 다 . 
 도 18 은 도 7 의 조명 모듈 에서 흡수 층 의 제 5 변형 예 이 다 . 
 도 19 는 도 7 의 조명 모듈 에서 흡수 층 의 제 6 변형 예 이 다 . 
 도 20 은 도 7 의 조명 모듈 에서 흡수 층 의 제 7 변형 예 이 다 . 
 도 21 은 도 4 의 조명 모듈 에서 광학 렌즈 의 변형 예 이 다 . 
 도 22 는 도 6 의 조명 모듈 에서 광학 렌즈 의 돌기 부 개수 를 변형 한 예 이 다 . 
 도 23 은 실시 예 에 따른 조명 모듈 에서 회로 기판 상 에 광학 렌즈 가 배열 된 예 를 나타낸 도면 이 다 . 
 도 24 는 실시 예 에 따른 조명 모듈 상 에 광학 시트 가 배치 된 예 를 나타낸 도면 이 다 . 
 도 25 는 실시 예 에 따른 조명 모듈 을 갖 는 라이트 유닛 을 나타낸 평면도 이 다 . 
 도 26 은 실시 예 에 따른 회로 기판 상 에 배치 된 발광 소자 의 상세 구성 을 나타낸 제 1 예 이 다 . 
 도 27 은 실시 예 에 따른 회로 기판 상 에 배치 된 발광 소자 의 제 2 예 이 다 . 
 도 28 은 실시 예 및 비교 예 에 따른 광학 렌즈 로부터 출사 된 광 의 중심 휘도 를 비교 한 그래프 이 다 . 
 도 29 는 실시 예 및 비교 예 에 따른 광학 렌즈 로부터 출사 된 광 의 반치 폭 을 비교 한 그래프 이 다 . 
 이하 , 발명 의 실시 예 들 은 첨부 된 도면 및 실시 예 들 에 대한 설명 을 통하 여 명백 하 게 드러나 게 될 것 이 다 . 실시 예 들 의 설명 에 있 어서 , 각 층 ( 막 ) , 영역 , 패턴 또는 구조물 들 이 기판 , 각 층 ( 막 ) , 영역 , 패드 또는 패턴 들 의 " 상 / 위 ( on ) " 에 또는 " 하 / 아래 ( under ) " 에 형성 되 는 것 으로 기재 되 는 경우 에 있 어 , " 상 / 위 ( on ) " 와 " 하 / 아래 ( under ) " 는 " 직접 ( directly ) " 또는 " 다른 층 을 개재 하 여 ( indirectly ) " 형성 되 는 것 을 모두 포함 한다 . 또한 각 층 의 상 / 위 또는 하 / 아래 에 대한 기준 은 도면 을 기준 으로 설명 한다 . 
 이하 , 첨부 된 도면 을 참조 하 여 발명 의 실시 예 에 따른 광학 렌즈 , 회로 기판 및 이 를 구비 한 조명 모듈 을 설명 한다 . 
 도 1 은 발명 의 실시 예 에 따른 조명 모듈 의 평면도 이 며 , 도 2 는 도 1 의 광학 렌즈 의 측 단면도 이 고 , 도 3 은 도 2 의 광학 렌즈 의 저 면도 이 고 , 도 4 는 도 1 의 조명 모듈 의 B - B 측 단면도 이 며 , 도 5 는 도 1 의 조명 모듈 의 C - C 측 단면도 이 고 , 도 6 은 도 1 의 조명 모듈 의 A - A 측 단면도 로서 , 광 의 경로 를 설명 하 기 위한 도면 이 며 , 도 7 은 도 6 의 광 경로 에 의한 휘 부 영역 을 나타낸 평면도 이 고 , 도 8 은 발명 의 실시 예 에 따른 조명 모듈 의 광학 렌즈 의 투시도 로서 , 회로 기판 상 의 흡수 층 및 광학 렌즈 의 돌기 부 를 나타낸 평면도 이 며 , 도 9 는 도 8 의 회로 기판 의 흡수 층 및 광학 렌즈 의 돌기 부 의 부분 확대도 이 고 , 도 10 은 도 9 의 조명 모듈 에서 회로 기판 의 흡수 층 , 광학 렌즈 의 돌기 부 및 회로 기판 의 제 1 리세 스 를 나타낸 확대도 이 다 . 
 도 1 내지 도 5 를 참조 하 면 , 조명 모듈 ( 301 ) 은 발광 소자 ( 100 ) , 상기 발광 소자 ( 100 ) 상 에 배치 된 광학 렌즈 ( 300 ) , 및 상기 발광 소자 ( 100 ) 아래 에 배치 된 회로 기판 ( 400 ) 을 포함 한다 . 이하 의 설명 에서 , 제 1 방향 은 X 축 방향 또는 가로 방향 이 며 , 제 2 방향 은 제 1 방향 과 직교 하 는 Z 축 방향 또는 세로 방향 이 며 , 제 3 방향 은 제 1 , 2 방향 과 직교 하 는 Y 축 방향 , 높이 방향 또는 중심 축 방향 일 수 있 다 . 
 상기 발광 소자 ( 100 ) 는 상기 광학 렌즈 ( 300 ) 의 아래 에 적어도 하나 또는 2 개 이상 이 배치 될 수 있 다 . 상기 발광 소자 ( 100 ) 는 상기 광학 렌즈 ( 300 ) 와 상기 회로 기판 ( 400 ) 사이 에 배치 될 수 있 다 . 상기 발광 소자 ( 100 ) 는 상기 회로 기판 ( 400 ) 으로부터 전원 을 공급 받 아 구동 하 며 광 을 방출 하 게 되 며 , 상기 방출 된 광 은 상기 광학 렌즈 ( 300 ) 을 통해 굴절 되 어 출사 될 수 있 다 . 
 상기 발광 소자 ( 100 ) 는 화합물 반도체 를 갖 는 LED 칩 예컨대 , UV ( Ultraviolet ) LED 칩 , 청색 LED 칩 , 녹색 LED 칩 , 백색 LED 칩 , 적색 LED 칩 , 적외선 중 적어도 하나 를 포함 할 수 있 다 . 상기 발광 소자 ( 100 ) 는 II 족 - VI 족 화합물 반도체 및 III 족 - V 족 화합물 반도체 중 적어도 하나 또는 모두 를 포함 할 수 있 다 . 상기 발광 소자 ( 100 ) 는 청색 , 녹색 , 청색 , UV , 적외선 또는 백색 의 광 중 적어도 하나 를 발광 할 수 있 다 . 상기 발광 소자 ( 100 ) 는 광원 으로 정의 될 수 있 다 . 상기 발광 소자 ( 100 ) 는 상기 회로 기판 ( 400 ) 상 에 플립 칩 , 수평 형 또는 수직 형 칩 으로 배치 될 수 있 으며 , 이 에 대해 한정 하 지 는 않 는다 . 
 도 4 를 참조 하 면 , 상기 발광 소자 ( 100 ) 는 상면 ( S 1 ) 및 복수 의 측면 ( S 2 ) 을 포함 할 수 있 다 . 상기 발광 소자 ( 100 ) 는 상면 ( S 1 ) 및 복수 의 측면 ( S 2 ) 을 통해 광 을 방출 하 게 된다 . 상기 발광 소자 ( 100 ) 는 표면 에 형광체 층 ( 미 도시 ) 을 포함 할 수 있 다 . 상기 형광체 층 은 적색 , 녹색 , 청색 , 황색 형광체 중 적어도 하나 또는 둘 이상 을 포함 할 수 있 다 . 상기 발광 소자 ( 100 ) 는 상면 ( S 1 ) 및 다수 의 측면 ( S 2 ) 을 통해 광 을 방출 하 게 되 며 , 예컨대 5 면 또는 그 이상 의 발광 면 을 갖 는다 . 상기 발광 소자 ( 100 ) 의 다수 의 측면 ( S 2 ) 은 적어도 4 개 의 측면 을 포함 한 구조 로서 , 발광 면 일 수 있 다 . 
 상기 발광 소자 ( 100 ) 는 5 면 이상 의 발광 면 을 제공 할 수 있 고 광 의 지향 각 분포 를 증가 시켜 줄 수 있 다 . 상기 발광 소자 ( 100 ) 로부터 방출 된 광 의 지향 각 분포 는 130 도 이상 예컨대 , 140 도 이상 일 수 있 다 . 상기 발광 소자 ( 100 ) 의 지향 각 분포 의 반치 폭 은 65 도 이상 , 예컨대 70 도 이상 일 수 있 다 . 이러 한 발광 소자 ( 100 ) 로부터 방출 된 광 의 지향 각 분포 를 넓 게 제공 해 줌 으로써 , 광학 렌즈 ( 300 ) 를 이용 한 광 의 확산 이 보다 용이 할 수 있 다 . 
 도 2 및 도 3 과 같이 , 상기 광학 렌즈 ( 300 ) 는 상기 발광 소자 ( 100 ) 로부터 방출 된 광 ( light ) 의 경로 를 변경 한 후 외부 로 추출 시켜 줄 수 있 다 . 상기 광학 렌즈 ( 300 ) 의 제 1 및 제 2 방향 의 길이 ( D 5 , D 4 ) 는 상기 광학 렌즈 ( 300 ) 의 두께 ( D 3 ) 보다 클 수 있 다 . 상기 길이 ( D 5 , D 4 ) 의 값 은 상기 두께 ( D 3 ) 의 값 의 2 . 5 배 이상 예컨대 , 3 배 이상 이 될 수 있 다 . 상기 광학 렌즈 ( 300 ) 의 제 1 , 2 방향 의 길이 ( D 5 , D 4 ) 는 14 mm 이상 일 수 있 다 . 상기 광학 렌즈 ( 300 ) 는 제 1 , 2 방향 의 길이 ( D 5 , D 4 ) 가 같 은 등방성 렌즈 이 거나 , 어느 한 방향 의 길이 가 다른 비등방성 렌즈 일 수 있 다 . 이러 한 광학 렌즈 ( 300 ) 의 제 1 , 2 방향 의 길이 ( D 5 , D 4 ) 가 두께 ( D 3 ) 보다 상기 의 범위 로 넓 게 배치 될 수 있 다 . 이러 한 광학 렌즈 는 라이트 유닛 예컨대 , 백라이트 유닛 의 전 영역 에 균일 한 휘도 분포 를 제공 할 수 있 고 , 라이트 유닛 의 두께 를 줄여줄 수 있 다 . 상기 광학 렌즈 ( 300 ) 의 몸체 는 폴리카보네이트 ( PC ) , 폴리 메타크릴산메틸 ( PMMA ) , 실리콘 또는 에폭시 수지 , 또는 글래스 ( Glass ) 중 적어도 하나 를 포함 할 수 있 다 . 상기 광학 렌즈 ( 300 ) 는 굴절 률 이 1 . 4 내지 1 . 7 범위 의 투명 재료 를 포함 할 수 있 다 . 
 상기 광학 렌즈 ( 300 ) 는 렌즈 몸체 의 바닥 에 배치 된 바닥 면 ( 310 ) , 상기 바닥 면 ( 310 ) 의 센터 영역 에 상부 방향 으로 오목 한 제 2 리세 스 ( recess ) ( 315 ) , 상기 제 2 리세 스 ( 315 ) 의 둘레 에 입사 면 ( 320 ) , 및 렌즈 몸체 의 외측 표면 에 출 사면 ( 330 , 335 ) 을 포함 한다 . 예컨대 , 상기 출사 면 ( 330 , 335 ) 은 볼록 한 곡면 을 갖 는 제 1 출사 면 ( 330 ) 과 외측 둘레 에 배치 된 제 2 출사 면 ( 335 ) 을 포함 한다 . 
 상기 광학 렌즈 ( 300 ) 의 바닥 면 ( 310 ) 은 수평 한 면 , 경사진 면 , 평평 한 면 , 곡면 또는 곡면 과 플랫 한 면 을 포함 할 수 있 다 . 상기 바닥 면 ( 310 ) 은 상기 회로 기판 ( 400 ) 의 상면 에 대해 경사진 면 또는 / 및 곡면 을 포함 할 수 있 다 . 상기 바닥 면 ( 310 ) 은 회로 기판 ( 400 ) 의 상면 에 수평 한 직선 ( X 0 ) 을 기준 으로 경사진 면 또는 / 및 곡면 으로 제공 될 수 있 다 . 상기 바닥 면 ( 310 ) 은 반사면 을 포함 할 수 있 다 . 상기 바닥 면 ( 310 ) 은 요철 면 이나 표면 이 거친 헤이즈 ( Haze ) 면 으로 형성 되 어 , 광 의 재 반사 를 방지 하 거나 , 광 을 산란 시켜 줄 수 있 다 . 
 상기 광학 렌즈 ( 300 ) 의 바닥 면 ( 310 ) 은 제 1 에 지부 ( 23 ) 및 제 2 에 지부 ( 25 ) 를 포함 한다 . 상기 제 1 에 지부 ( 23 ) 는 상기 입사 면 ( 320 ) 과 상기 바닥 면 ( 310 ) 사이 의 경계 지점 이 며 , 상기 바닥 면 ( 310 ) 의 저점 이 될 수 있 다 . 상기 제 1 에 지부 ( 23 ) 는 바닥 면 ( 310 ) 의 영역 중 에서 가장 낮 은 지점 이 될 수 있 다 . 상기 제 1 에 지부 ( 23 ) 의 위치 는 상기 제 1 에 지부 ( 23 ) 를 지나 는 수 평한 직선 이 제 2 에 지부 ( 25 ) 보다 낮 게 위치 될 수 있 다 . 상기 제 1 에 지부 ( 23 ) 는 상기 입사 면 ( 320 ) 의 하부 둘레 가 될 수 있 다 . 상기 제 2 에 지부 ( 25 ) 는 상기 바닥 면 ( 310 ) 의 외곽 에지 일 수 있 다 . 상기 제 2 에 지부 ( 25 ) 는 상기 바닥 면 ( 310 ) 과 제 2 출사 면 ( 335 ) 사이 의 경계 지점 일 수 있 다 . 상기 제 1 에 지부 ( 23 ) 와 제 2 에 지부 ( 25 ) 는 상기 바닥 면 ( 310 ) 의 양 끝단 일 수 있 다 . 상기 제 1 에 지부 ( 23 ) 를 연결 한 바텀 뷰 형상 은 원 형상 또는 타원 형상 일 수 있 으며 , 상기 제 2 에 지부 ( 25 ) 를 연결 한 바텀 뷰 형상 은 원 형상 또는 타원 형상 일 수 있 다 . 상기 제 1 에 지부 ( 23 ) 의 바텀 뷰 형상 과 상기 제 2 에 지부 ( 25 ) 의 바텀 뷰 형상 은 서로 동일 하 거나 다를 수 있 다 . 
 도 5 와 같이 , 상기 광학 렌즈 ( 300 ) 의 바닥 면 ( 310 ) 의 제 1 에 지부 ( 23 ) 는 상기 회로 기판 ( 400 ) 의 상면 에 대해 상기 제 2 에 지부 ( 25 ) 보다 더 인접 하 게 배치 될 수 있 다 . 상기 바닥 면 ( 310 ) 의 제 1 에 지부 ( 23 ) 는 상기 회로 기판 ( 400 ) 의 상면 에 접촉 될 수 있 고 , 상기 제 2 에 지부 ( 25 ) 는 회로 기판 ( 400 ) 의 상면 으로부터 최대 간격 ( T 0 ) 으로 이격 될 수 있 다 . 상기 제 2 에 지부 ( 25 ) 는 발광 소자 ( 100 ) 내 의 활성 층 의 위치 보다 낮 은 위치 에 배치 될 수 있 어 , 광 의 손실 을 방지 할 수 있 다 . 도 2 와 같이 , 상기 제 1 에 지부 ( 23 ) 는 상기 제 2 에 지부 ( 25 ) 의 수평 한 직선 ( X 6 ) 보다 는 더 낮 게 배치 될 수 있 어 , 상기 입사 면 ( 320 ) 의 하부 영역 이 상기 발광 소자 ( 100 ) 의 측면 들 과 대면 할 수 있 다 . 도 4 및 도 5 와 같이 , 중심 축 ( Y 0 ) 을 기준 으로 상기 회로 기판 ( 400 ) 의 상면 과 광학 렌즈 ( 300 ) 에서 바닥 면 ( 310 ) 에 수평 한 직선 ( X 0 ) 사이 의 각도 ( θ 5 ) 는 5 도 이내 일 수 있 으며 , 예컨대 0 . 5 도 내지 4 도 범위 일 수 있 다 . 상기 각도 ( θ 5 ) 는 중심 축 ( Y 0 ) 을 기준 으로 상기 회로 기판 ( 400 ) 의 상면 과 상기 양 에 지부 ( 23 , 25 ) 를 연결 한 직선 ( X 0 ) 사이 의 각도 일 수 있 다 . 상기 바닥 면 ( 310 ) 이 경사진 각도 ( θ 5 ) 를 갖 는 면 또는 곡면 으로 배치 됨 으로써 , 상기 바닥 면 ( 310 ) 은 발광 소자 ( 100 ) 의 측면 ( S 2 ) 을 통해 입사 된 광 을 반사 하 여 제 2 출사 면 ( 335 ) 을 통해 투과 시키 거나 다른 방향 으로 반사 시켜 줄 수 있 다 . 상기 제 2 출사 면 ( 335 ) 으로부터 출사 된 광 의 출사 각 은 반사면 ( 310 ) 을 통해 입사 된 입사각 보다 작 게 출사 될 수 있 다 . 이 에 따라 인접 한 다른 회로 기판 상 에 배치 된 광학 렌즈 ( 300 ) 간 의 광 간섭 을 줄여줄 수 있 다 . 또한 광학 렌즈 ( 300 ) 의 제 2 출사 면 ( 335 ) 을 통해 방출 된 광량 을 개선 시켜 줄 수 있 다 . 
 상기 제 2 리세 스 ( 315 ) 는 상기 바닥 면 ( 310 ) 의 소정 영역 예컨대 , 센터 영역 으로부터 제 1 출사 면 ( 330 ) 방향 또는 중심 축 ( Y 0 ) 의 상부 방향 으로 함몰 된 형태 이 다 . 상기 제 2 리세 스 ( 315 ) 는 중심 또는 제 1 출사 면 ( 330 ) 에 가까울수록 더 깊 은 깊이 를 가질 수 있 다 . 여기 서 , 상기 중심 축 ( Y 0 ) 은 상기 바닥 면 ( 310 ) 의 수평 한 직선 에 대해 연직 한 방향 이 거나 , 광축 방향 일 수 있 다 . 상기 중심 축 ( Y 0 ) 방향 은 상기 회로 기판 ( 400 ) 의 상면 에 직교 하 는 제 3 방향 일 수 있 다 . 상기 중심 축 ( 도 5 의 Y 0 ) 방향 은 제 1 , 2 방향 ( X , Z ) 과 직교 한 방향 일 수 있 다 . 
 도 2 를 참조 하 면 , 상기 제 2 리세 스 ( 315 ) 의 제 1 방향 또는 제 2 방향 의 너비 는 상기 제 2 리세 스 ( 315 ) 의 제 1 정점 ( 21 ) 에 인접 할수록 점차 좁 아 질 수 있 다 . 상기 제 2 리세 스 ( 315 ) 의 바닥 너비 ( D 1 ) 는 상기 제 2 리세 스 ( 315 ) 내 에서 가장 넓 은 너비 를 가질 수 있 다 . 상기 제 2 리세 스 ( 315 ) 의 측 단면 형상 은 반구 형상 또는 반 타원 형상 을 포함 할 수 있 으며 , 상기 제 2 리세 스 ( 315 ) 의 표면 의 하부 형상 은 원 형상 또는 다각형 형상 을 포함 할 수 있 다 . 상기 제 2 리세 스 ( 315 ) 의 바닥 너비 ( D 1 ) 는 제 1 방향 ( X ) 과 제 2 방향 ( Z ) 이 서로 동일 하 거나 , 다를 수 있 다 . 상기 제 2 리세 스 ( 315 ) 는 입사 면 ( 320 ) 을 포함 할 수 있 으며 , 상기 상기 입사 면 ( 320 ) 은 상기 제 2 리세 스 ( 315 ) 의 둘레 에 배치 된다 . 상기 입사 면 ( 320 ) 은 곡면 을 포함 할 수 있 다 . 상기 입사 면 ( 320 ) 은 베 지 어 ( Bezier ) 곡선 을 갖 는 회전체 로 형성 될 수 있 다 . 상기 입사 면 ( 320 ) 의 곡선 은 스플라인 ( Spline ) 예컨대 , 큐빅 ( cubic ) , B - 스플라인 , T - 스플라인 으로 구현 될 수 있 다 . 상기 입사 면 ( 320 ) 의 곡선 은 베 지 어 곡선 ( Bezier curve ) 로 구현 될 수 있 다 . 
 상기 발광 소자 ( 100 ) 의 적어도 일부 는 상기 제 2 리세 스 ( 315 ) 에 배치 될 수 있 다 . 상기 발광 소자 ( 100 ) 는 상기 제 2 리세 스 ( 315 ) 내 에 삽입 될 수 있 다 . 상기 입사 면 ( 320 ) 은 상기 제 2 리세 스 ( 315 ) 의 표면 으로서 , 상기 발광 소자 ( 100 ) 의 상면 ( S 1 ) 및 측면 ( S 2 ) 의 외측 에 배치 될 수 있 다 . 상기 광학 렌즈 ( 300 ) 의 입사 면 ( 320 ) 은 상기 발광 소자 ( 100 ) 의 상면 ( S 1 ) 및 다수 의 측면 ( S 2 ) 과 대면 할 수 있 다 . 상기 발광 소자 ( 100 ) 의 측면 ( S 2 ) 으로부터 방출 된 광 은 상기 입사 면 ( 320 ) 으로 조사 되 므로 , 광 의 손실 을 줄여줄 수 있 다 . 상기 입사 면 ( 320 ) 은 상기 제 2 리세 스 ( 315 ) 로 입사 된 광 을 소정 각도 로 굴절 시켜 출사 면 ( 330 , 335 ) 으로 제공 한다 . 
 여기 서 , 상기 광학 렌즈 ( 300 ) 의 입사 면 ( 320 ) 의 바닥 너비 ( D 1 ) 또는 직경 은 상기 제 2 리세 스 ( 315 ) 의 하부 너비 또는 직경 일 수 있 으며 , 상기 발광 소자 ( 100 ) 의 너비 ( W 1 ) 보다 는 넓 게 배치 될 수 있 다 . 이러 한 입사 면 ( 320 ) 및 제 2 리세 스 ( 315 ) 는 상기 발광 소자 ( 100 ) 로부터 방출 된 광 이 용이 하 게 입사 될 수 있 는 크기 를 갖 는다 . 
 상기 제 2 리세 스 ( 315 ) 의 깊이 ( D 2 ) 는 바닥 중심 으로부터 제 2 리세 스 ( 315 ) 의 정점 까지 의 거리 로서 , 상기 제 2 리세 스 ( 315 ) 의 바닥 너비 ( D 1 ) 와 같 거나 더 크 게 배치 될 수 있 다 . 상기 제 2 리세 스 ( 315 ) 의 깊이 ( D 2 ) 는 광학 렌즈 ( 300 ) 의 두께 ( D 3 ) 의 75 % 이상 예컨대 , 80 % 이상 의 깊이 를 가질 수 있 다 . 상기 제 2 리세 스 ( 315 ) 의 깊이 ( D 2 ) 는 상기 제 1 출사 면 ( 330 ) 의 정점 과 바닥 면 ( 310 ) 또는 제 1 에 지부 ( 23 ) 사이 의 거리 의 80 % 이상 일 수 있 다 . 상기 제 2 리세 스 ( 315 ) 의 깊이 ( D 2 ) 가 깊 게 배치 됨 으로써 , 제 1 출사 면 ( 330 ) 의 센터 영역 ( 31 ) 이 전 반사면 또는 음 의 곡 률 을 갖 지 않 더라도 , 센터 영역 ( 31 ) 에서 는 입사 된 광 을 측 방향 으로 방출 할 수 있 다 . 즉 , 상기 입사 면 ( 320 ) 은 정점 ( 21 ) 에 인접 한 센터 영역 ( 31 ) 을 통해 광 을 굴절 시키 고 상기 센터 영역 ( 31 ) 을 통해 굴절 된 광 들 은 중심 축 을 기준 으로 멀 어 지 는 외측 방향 으로 방출 될 수 있 다 . 상기 제 2 리세 스 ( 315 ) 의 깊이 ( D 2 ) 는 바닥 중심 에서 입사 면 ( 320 ) 의 정점 ( 21 ) 까지 의 깊이 이 다 . 상기 입사 면 ( 320 ) 의 정점 ( 21 ) 의 깊이 가 깊 게 배치 됨 으로써 , 정점 ( 21 ) 및 그 주변 영역 으로 입사 된 광 에 대해 측 방향 으로 굴절 시켜 줄 수 있 다 . 
 상기 제 2 리세 스 ( 315 ) 의 바닥 너비 ( D 1 ) 와 상기 발광 소자 ( 100 ) 의 너비 ( W 1 ) 의 비율 ( D 1 : W 1 ) 은 1 . 8 : 1 내지 3 . 0 : 1 범위 일 수 있 다 . 상기 제 2 리세 스 ( 315 ) 의 바닥 너비 ( D 1 ) 는 상기 발광 소자 ( 100 ) 의 너비 ( W 1 ) 의 3 배 이하 로 배치 된 경우 , 상기 발광 소자 ( 100 ) 로부터 방출 된 광이 입사 면 ( 320 ) 을 통해 효과 적 으로 입사 될 수 있 다 . 
 상기 제 1 출사 면 ( 330 ) 의 센터 영역 ( 31 ) 은 중심 축 ( Y 0 ) 을 기준 으로 소정 거리 이내 의 영역 으로서 , 위 로 볼록 한 곡면 이 거나 평탄 한 면 일 수 있 다 . 상기 제 1 출사 면 ( 330 ) 의 센터 영역 ( 31 ) 과 제 2 출사 면 ( 335 ) 사이 의 사이드 영역 ( 32 ) 은 볼록 한 곡면 형상 으로 제공 될 수 있 다 . 상기 사이드 영역 ( 32 ) 의 곡률 반경 은 상기 센터 영역 ( 31 ) 의 곡률 반경 보다 는 작 을 수 있 다 . 여기 서 , 상기 센터 영역 ( 31 ) 은 상기 제 2 리세 스 ( 315 ) 와 수직 방향 으로 중첩 된 영역 이 며 , 상기 사이드 영역 ( 32 ) 은 상기 제 1 출사 면 ( 330 ) 중 에서 센터 영역 ( 31 ) 의 외측 영역 으로서 , 상기 바닥 면 ( 310 ) 과 수직 방향 으로 중첩 된 영역 일 수 있 다 . 
 도 2 와 같이 , 상기 제 2 리세 스 ( 315 ) 와 상기 제 1 출사 면 ( 330 ) 사이 의 최소 거리 ( D 6 ) 는 상기 제 2 리세 스 ( 315 ) 의 정점 ( 21 ) 과 제 1 출사 면 ( 330 ) 의 정점 사이 의 간격 일 수 있 다 . 상기 거리 ( D 6 ) 는 예컨대 1 . 5 mm 이하 일 수 있 으며 , 예컨대 , 0 . 6 mm 내지 1 mm 범위 일 수 있 다 . 상기 제 2 리세 스 ( 315 ) 의 정점 ( 21 ) 과 제 1 출사 면 ( 330 ) 의 정점 사이 의 거리 ( D 6 ) 가 1 . 5 mm 초과 인 경우 상기 제 1 출사 면 ( 330 ) 의 센터 영역 ( 31 ) 으로 진행 하 는 광량 이 증가 하 여 핫 스팟 현상 이 발생 될 수 있 다 . 상기 제 2 리세 스 ( 315 ) 의 정점 ( 21 ) 과 제 2 출사 면 ( 31 ) 사이 의 거리 ( D 6 ) 가 0 . 6 mm 미만 인 경우 광학 렌즈 ( 300 ) 의 센터 측 강 성 이 약해 지 는 문제 가 있 다 . 이러 한 제 2 리세 스 ( 315 ) 및 제 1 출사 면 ( 330 ) 사이 의 거리 ( D 6 ) 를 상기 범위 로 배치 함 으로써 , 제 2 출사 면 ( 335 ) 의 센터 영역 ( 31 ) 이 전 반사면 또는 음 의 곡 률 을 갖 지 않 더라도 , 센터 영역 ( 31 ) 의 주변 에서 광 의 방출 경로 를 수평 방향 으로 확산 시켜 줄 수 있 다 . 이 는 제 2 리세 스 ( 35 ) 의 정점 ( 21 ) 이 상기 제 1 출사 면 ( 330 ) 의 볼록 한 정점 에 인접 할수록 상기 입사 면 ( 320 ) 을 통해 제 1 출사 면 ( 330 ) 의 측 방향 으로 진행 하 는 광 의 광량 이 증가 될 수 있 다 . 따라서 , 광학 렌즈 ( 300 ) 의 센터 영역 ( 31 ) 에서 측 방향 으로 확산 하 는 광량 을 증가 시켜 줄 수 있 다 . 상기 제 2 리세 스 ( 315 ) 의 정점 ( 21 ) 은 상기 제 2 출사 면 ( 335 ) 의 제 3 에 지부 ( 35 ) 로부터 수평 하 게 연장 한 직선 ( X 5 ) 보다 는 제 1 출사 면 ( 330 ) 의 센터 영역 ( 31 ) 의 정점 에 더 인접 하 게 배치 될 수 있 다 . 
 상기 제 1 출사 면 ( 330 ) 은 곡면 을 포함 하 며 , 상기 제 2 출사 면 ( 335 ) 는 평탄 한 수직 면 을 포함 한다 . 상기 제 1 및 제 2 출사 면 ( 330 , 335 ) 은 상기 입사 면 ( 320 ) 을 통해 입사 된 광 을 소정 각도 로 굴절 시켜 출사 하 게 된다 . 상기 제 1 및 제 2 출사 면 ( 330 , 335 ) 은 상기 입사 면 ( 320 ) 으로 입사 된 광 을 굴절 시켜 확산 된 광 으로 방출 할 수 있 다 . 
 상기 제 1 출사 면 ( 330 ) 은 전 영역 으로 광이 출사 되 는 곡면 으로 형성 될 수 있 다 . 상기 제 1 출사 면 ( 330 ) 의 센터 영역 ( 31 ) 은 정점 또는 고점 을 가질 수 있 으며 , 상기 센터 영역 ( 31 ) 의 정점 으로부터 연속 적 으로 연결 되 는 곡면 형상 을 포함 한다 . 상기 제 1 출사 면 ( 330 ) 은 상기 제 2 리세 스 ( 315 ) 의 바닥 중심 과 의 거리 가 중심 축 ( 도 5 의 Y 0 ) 으로부터 멀 어 질수록 점차 커질 수 있 다 . 상기 제 1 출사 면 ( 330 ) 은 상기 제 2 리세 스 ( 315 ) 의 바닥 중심 과 의 거리 가 상기 제 1 출사 면 ( 330 ) 의 정점 으로부터 멀 어 질수록 점차 커질 수 있 다 . 상기 제 1 출사 면 ( 330 ) 은 입사 되 는 광 을 반사 하 거나 굴절 시켜 출사 하 게 되 며 , 이때 중심 축 ( 도 5 의 Y 0 ) 을 기준 으로 , 제 1 출사 면 ( 330 ) 에서 광 의 굴절 후 의 방출 각도 는 굴절 전 에 입사 된 입사 각도 보다 클 수 있 다 . 상기 제 1 출사 면 ( 330 ) 은 베 지 어 ( Bezier ) 곡선 을 갖 는 회전체 로 형성 될 수 있 다 . 상기 제 1 출사 면 ( 330 ) 의 곡선 은 스플라인 ( Spline ) 예컨대 , 큐빅 ( cubic ) , B - 스플라인 , T - 스플라인 으로 구현 될 수 있 다 . 상기 제 1 출사 면 ( 330 ) 의 곡선 은 베 지 어 곡선 ( Bezier curve ) 로 구현 될 수 있 다 . 이러 한 광학 렌즈 ( 300 ) 는 측면 돌출부 ( 360 ) 을 제외 한 경우 , 중심 축 ( Y 0 ) 을 기준 으로 회전 대칭 형상 으로 제공 될 수 있 다 . 
 상기 입사 면 ( 320 ) 및 제 1 출사 면 ( 330 ) 은 양 의 곡률 반경 을 가질 수 있 다 . 상기 제 1 출사 면 ( 330 ) 의 센터 영역 ( 31 ) 및 그 사이드 영역 ( 32 ) 은 음 의 곡 률 을 갖 지 않 고 서로 다른 양 의 곡 률 을 가질 수 있 다 . 상기 제 1 출사 면 ( 330 ) 의 센터 영역 ( 31 ) 은 곡 률 이 0 인 영역 을 포함 할 수 있 다 . 상기 제 1 출사 면 ( 330 ) 의 곡률 반경 은 상기 입사 면 ( 320 ) 의 곡률 반경 보다 클 수 있 다 . 다른 예 로서 , 상기 제 1 출사 면 ( 330 ) 의 기울기 는 상기 입사 면 ( 320 ) 의 기울기 보다 작 을 수 있 다 . 상기 입사 면 ( 320 ) 과 상기 제 1 출사 면 ( 330 ) 의 센터 영역 ( 31 ) 사이 의 수직 한 직선 거리 는 상기 입사 면 ( 32 ) 의 정점 ( 21 ) 로부터 멀 어 질수록 점차 커질 수 있 다 . 상기 제 1 출사 면 ( 330 ) 과 바닥 면 ( 310 ) 사이 의 수직 한 직선 거리 는 상기 센터 영역 ( 31 ) 로부터 멀 어 질수록 점차 작아질 수 있 다 . 
 상기 제 2 출사 면 ( 335 ) 은 상기 제 1 출사 면 ( 330 ) 의 하부 둘레 에 배치 되 어 입사 된 광 을 굴절 시켜 방출 하 게 된다 . 상기 제 2 출사 면 ( 335 ) 은 수직 하 거나 경사진 면 을 갖 는 평면 일 수 있 다 . 상기 제 2 출사 면 ( 335 ) 은 예컨대 상기 회로 기판 ( 400 ) 의 상면 에 대해 수직 한 면 이 거나 경사진 면 일 수 있 다 . 상기 제 2 출사 면 ( 335 ) 이 경사진 면 으로 형성 될 경우 , 사출 성형 시 분리 가 용이 한 효과 가 있 다 . 상기 제 2 출사 면 ( 335 ) 은 상기 제 1 출사 면 ( 330 ) 에 인접 한 제 3 에 지부 ( 35 ) 를 포함 할 수 있 다 . 제 3 에 지부 ( 35 ) 는 제 2 출사 면 ( 335 ) 의 상단 이 거나 제 1 및 제 2 출사 면 ( 330 , 335 ) 사이 의 경계 지점 일 수 있 다 . 상기 제 2 출사 면 ( 335 ) 은 상기 제 2 에 지부 ( 25 ) 와 제 3 에 지부 ( 35 ) 를 가질 수 있 다 . 
 상기 제 2 출사 면 ( 335 ) 은 발광 소자 ( 100 ) 의 측면 ( S 2 ) 으로 방출 된 일부 광 ( 도 6 의 L 2 ) 을 입사 받 아 굴절 시켜 추출 하 게 된다 . 이때 제 2 출사 면 ( 335 ) 은 중심 축 ( Y 0 ) 을 기준 으로 , 방출 된 광 의 출사 각이 굴절 전 의 입사각 보다 작 을 수 있 다 . 이 에 따라 인접 한 광학 렌즈 간 의 광 간섭 거리 ( 도 23 의 G 1 ) 를 길 게 제공 할 수 있 다 . 상기 제 2 출사 면 ( 335 ) 을 통해 출사 된 일부 광 과 제 1 출사 면 ( 330 ) 으로 출사 된 광이 광학 렌즈 의 주변 에서 서로 혼색 될 수 있 다 . 실시 예 로서 , 상기 제 2 출사 면 ( 335 ) 에 는 요철 면 을 구비 할 수 있 다 . 상기 요철 면 은 표면 이 거친 헤이즈 ( Haze ) 면 으로 형성 될 수 있 다 . 상기 요철 면 은 산란 입자 가 형성 된 면 일 수 있 다 . 
 상기 광학 렌즈 ( 300 ) 는 최 외측 으로 돌출 된 측면 돌출부 ( 360 ) 를 포함 한다 . 상기 측면 돌출부 ( 360 ) 는 상기 광학 렌즈 ( 300 ) 의 제 2 출사 면 ( 335 ) 의 일부 영역 으로부터 외측 방향 으로 돌출 된다 . 상기 측면 돌출부 ( 360 ) 는 제 2 방향 ( Z ) 상 에 배치 되 거나 , 제 1 방향 ( X ) 상 에 배치 될 수 있 다 . 상기 측면 돌출부 ( 360 ) 이 제 2 방향 ( Z ) 상 에 배치 된 경우 , 상기 측면 돌출부 ( 360 ) 는 상기 회로 기판 ( 400 ) 의 영역 보다 외측 으로 돌출 될 수 있 고 상기 회로 기판 ( 400 ) 과 수직 방향 으로 중첩 되 지 않 는 영역 에 배치 될 수 있 다 . 상기 측면 돌출부 ( 360 ) 는 사 출시 게이트 ( Gate ) 를 위한 영역 이 커팅 된 부분 으로서 , 게이트 부 , 절 단부 , 돌기 , 또는 마크 부 로 정의 될 수 있 다 . 상기 측면 돌출부 ( 360 ) 는 광학 렌즈 ( 300 ) 에 하나 또는 2 개 이상 이 배치 될 수 있 다 . 상기 측면 돌출부 ( 360 ) 는 외 측면 이 러프 한 면 으로 형성 될 수 있 다 . 여기 서 , 상기 측면 돌출부 ( 360 ) 의 러프 한 면 은 상기 제 1 출사 면 ( 330 ) 의 표면 거칠 기 보다 더 높 은 표면 거칠 기 를 가질 수 있 다 . 상기 러프 한 면 은 상기 제 1 출사 면 ( 330 ) 의 투과율 보다 낮 은 투과 율 로 제공 되 므로 , 다른 광학 렌즈 와 의 광 간섭 을 줄여줄 수 있 다 . 
 도 3 및 도 5 와 같이 , 상기 광학 렌즈 ( 300 ) 는 하부 에 배치 된 복수 의 돌기 부 ( 350 ) 를 포함 한다 . 상기 돌기 부 ( 350 ) 는 상기 광학 렌즈 ( 300 ) 의 바닥 면 ( 310 ) 으로부터 하 방향 즉 , 회로 기판 ( 400 ) 방향 으로 돌출 된다 . 상기 돌기 부 ( 350 ) 는 복수 개 가 회로 기판 ( 400 ) 의 상 에 고정 되 어 상기 광학 렌즈 ( 300 ) 를 지지 하 고 상기 광학 렌즈 ( 300 ) 가 틸 트 되 는 것 을 방지 할 수 있 다 . 상기 회로 기판 ( 400 ) 상 에 는 상기 돌기 부 ( 350 ) 의 삽입 을 위한 제 1 리세 스 ( 416 ) 가 배치 될 수 있 다 . 상기 제 1 리세 스 ( 416 ) 는 소정 깊이 를 갖 고 상기 돌기 부 ( 350 ) 와 각각 대응 될 수 있 다 . 상기 제 1 리세 스 ( 416 ) 에 는 접착 부재 ( 414 ) 가 배치 되 어 , 상기 돌기 부 ( 350 ) 를 접착 시켜 줄 수 있 다 . 상기 접착 부재 ( 414 ) 는 실리콘 또는 에폭시 와 같 은 투명 한 재질 이 거나 , 흑색 또는 반 투명 한 접착제 일 수 있 다 . 상기 돌기 부 ( 350 ) 는 렌즈 몸체 와 일체 로 형성 되 어 , 상기 바닥 면 ( 310 ) 보다 하 방향 으로 돌출 되 어 , 상기 광학 렌즈 ( 300 ) 를 지지 하 게 된다 . 상기 돌기 부 ( 350 ) 의 하부 는 상기 회로 기판 ( 400 ) 의 상면 보다 낮 게 배치 되 어 , 상기 제 1 리세 스 ( 416 ) 내 에 삽입 될 수 있 다 . 
 도 3 과 같이 , 상기 돌기 부 ( 350 ) 는 상기 광학 렌즈 ( 300 ) 의 제 1 에 지부 ( 23 ) 보다 제 2 에 지부 ( 25 ) 에 더 인접 하 게 배치 될 수 있 다 . 상기 돌기 부 ( 350 ) 는 바닥 중심 ( P 0 ) 으로부터 동일 한 거리 ( r 1 ) 로 이격 되 거나 , 적어도 하나 의 돌기 부 ( 350 ) 는 바닥 중심 ( P 0 ) 으로부터 다른 거리 를 갖 고 이격 될 수 있 다 . 여기 서 , 상기 거리 ( r 1 ) 는 광학 렌즈 ( 300 ) 의 반경 또는 바닥 면 ( 310 ) 의 반경 ( r 0 ) 의 0 . 3 내지 0 . 95 의 범위 이 거나 , 0 . 82 내지 0 . 85 범위 내 에 배치 될 수 있 다 . 상기 돌기 부 ( 350 ) 들 이 상기 거리 ( r 1 ) 가 상기 범위 보다 작 은 경우 , 광학 렌즈 ( 300 ) 의 틸 트 문제 가 발생 될 수 있 다 . 상기 거리 ( r 1 ) 가 상기 범위 보다 큰 경우 제 2 에 지부 부근 에서 강도 저하 가 발생 될 수 있 다 . 상기 반경 ( r 0 ) 은 14 mm 이하 예컨대 , 7 mm 내지 14 mm 의 범위 일 수 있 으며 , 렌즈 의 사이즈 에 따라 달라질 수 있 다 . 
 상기 복수 의 돌기 부 ( 350 ) 는 바닥 중심 ( P 0 ) 을 경유 하 는 제 1 방향 ( X ) 의 직선 ( X 1 ) 과 제 2 방향 의 직선 ( Z 1 ) 에 의해 분할 되 는 각 영역 ( Q 1 , Q 2 , Q 3 , Q 4 ) 상 에 위치 할 수 있 다 . 즉 , 상기 복수 의 돌기 부 ( 350 ) 는 제 1 영역 ( Q 1 ) 상 에 제 1 돌기 부 ( 51 ) , 제 2 영역 ( Q 2 ) 상 에 제 2 돌기 부 ( 52 ) , 제 3 영역 ( Q 3 ) 상 에 제 3 돌기 부 ( 53 ) , 제 4 영역 ( Q 4 ) 상 에 제 4 돌기 부 ( 54 ) 를 포함 할 수 있 다 . 상기 제 1 돌기 부 ( 51 ) 는 제 3 돌기 부 ( 53 ) 와 대각선 방향 에 위치 하 고 제 2 돌기 부 ( 52 ) 와 제 1 방향 ( X ) 상 에 위치 하 고 제 4 돌기 부 ( 54 ) 와 제 2 방향 ( Z ) 상 에 위치 할 수 있 다 . 여기 서 , 제 1 방향 상 에 배치 된 제 1 , 2 돌기 부 ( 51 , 52 ) 또는 제 3 , 4 돌기 부 ( 53 , 54 ) 사이 의 거리 ( D 31 ) 는 제 2 방향 상 에 배치 된 제 2 , 3 돌기 부 ( 52 , 53 ) 또는 제 1 , 4 돌기 부 ( 51 , 54 ) 사이 의 거리 ( D 32 ) 와 같 거나 , D 31 > D 32 의 관계 를 가질 수 있 다 . 상기 제 2 방향 ( Z ) 의 거리 ( D 32 ) 는 회로 기판 ( 400 ) 의 폭 과 비례 하 여 회로 기판 ( 400 ) 의 크기 가 증가 될 수 있 기 때문 에 , 제 1 방향 ( X ) 의 거리 ( D 31 ) 보다 는 작 게 제공 할 수 있 다 . 여기 서 , 바닥 중심 ( P 0 ) 을 기준 으로 , 상기 제 1 돌기 부 ( 51 ) 와 제 1 직선 ( X 1 ) 사이 의 각도 는 90 도 미만 일 수 있 다 . 여기 서 , 바닥 중심 ( P 0 ) 을 기준 으로 , 상기 제 1 돌기 부 ( 51 ) 와 제 2 직선 ( Z 1 ) 사이 의 각도 는 상기 제 1 돌기 부 ( 51 ) 와 제 1 직선 ( X 1 ) 사이 의 각도 보다 클 수 있 다 . 상기 돌기 부 ( 350 ) 는 상기 제 2 리세 스 ( 315 ) 보다 외곽 에 배치 된 제 2 출사 면 ( 335 ) 에 더 인접 하 게 배치 될 수 있 다 . 상기 돌기 부 ( 350 ) 는 상기 제 1 에 지부 ( 23 ) 보다 는 제 2 에 지부 ( 25 ) 에 더 인접 하 게 배치 될 수 있 다 . 이 에 따라 분산 된 돌기 부 ( 350 : 51 , 52 , 53 , 54 ) 는 광학 렌즈 ( 300 ) 를 효과 적 으로 지지 할 수 있 다 . 
 상기 회로 기판 ( 400 ) 은 표시 장치 , 단말기 , 조명 장치 와 같 은 라이트 유닛 내 에 배열 될 수 있 다 . 상기 회로 기판 ( 400 ) 은 상기 발광 소자 ( 100 ) 와 전기 적 으로 연결 되 는 회로 층 을 포함 할 수 있 다 . 상기 회로 기판 ( 400 ) 은 수지 재질 의 PCB , 금속 코어 를 갖 는 PCB ( MCPCB , Metal Core PCB ) , 비 연성 PCB , 연성 PCB ( FPCB , Flexible PCB ) 중 적어도 하나 를 포함 할 수 도 있 으며 , 이 에 대해 한정 하 지 는 않 는다 . 상기 회로 기판 ( 400 ) 은 광학 렌즈 ( 300 ) 를 지지 할 수 있 는 수지 재질 PCB , MCPCB , 또는 비 연성 PCB 중 어느 하나 일 수 있 다 . 
 도 1 과 같이 , 상기 회로 기판 ( 400 ) 은 탑 뷰 에서 제 1 방향 ( X ) 으로 제 2 방향 ( Z ) 의 길이 ( D 13 ) 보다 긴 길이 를 가질 수 있 다 . 상기 회로 기판 ( 400 ) 의 제 1 방향 ( X ) 으로 는 하나 의 광학 렌즈 ( 300 ) 가 배치 되 거나 , 도 23 및 도 24 와 같이 2 개 이상 의 광학 렌즈 ( 300 ) 가 배열 될 수 있 다 . 상기 회로 기판 ( 400 ) 은 제 1 방향 의 길이 가 광학 렌즈 ( 300 ) 의 제 1 방향 의 길이 ( D 5 ) 의 2 배 이상 일 수 있 으며 , 제 2 방향 의 길이 ( D 13 ) 은 광학 렌즈 ( 300 ) 의 제 2 방향 의 길이 ( D 4 ) 의 1 배 이하 또는 1 배 미만 일 수 있 다 . 상기 회로 기판 ( 400 ) 의 제 2 방향 ( Z ) 의 길이 ( D 13 ) 는 상기 광학 렌즈 ( 300 ) 의 제 2 방향 의 길이 ( D 13 ) 이하 또는 미만 으로 배치 되 므로 , 상기 회로 기판 ( 400 ) 의 면적 을 최소 화 시켜 줄 수 있 다 . 상기 제 1 , 2 방향 의 광학 렌즈 간 의 간격 ( G 1 , G 2 ) 은 상기 흡수 층 에 의해 반치 폭 의 증가 만큼 제 1 방향 의 간격 이 더 커질 수 있 다 . 여기 서 , G 1 > G 2 의 관계 를 가질 수 있 으며 , 상기 G 1 은 55 mm 내지 75 mm 의 범위 이 며 , 상기 간격 ( G 1 ) 과 간격 ( G 2 ) 간 의 거리 차이 는 5 mm 이상 일 수 있 다 . 이러 한 간격 ( G 1 , G 2 ) 은 라이트 유닛 의 화상 품질 이나 적용 제품 의 사이즈 에 따라 달라질 수 있 다 . 
 도 10 과 같이 , 상기 회로 기판 ( 400 ) 은 복수 의 층 ( 401 , 403 , 404 , 407 ) 을 포함 할 수 있 다 . 상기 복수 의 층 ( 401 , 403 , 405 , 407 ) 은 바닥 의 제 1 층 ( 401 ) , 상기 제 1 층 ( 401 ) 위 에 제 2 층 ( 403 ) , 상기 제 2 층 ( 403 ) 위 에 제 3 층 ( 405 ) 및 제 3 층 ( 405 ) 위 에 제 4 층 ( 407 ) 을 포함 할 수 있 다 . 상기 제 1 층 ( 401 ) 은 금속 재질 예컨대 , Al , Cu , Fe 중 적어도 하나 또는 이 들 의 선택 적 인 합금 을 포함 할 수 있 으며 , 방열 플레이트 로 사용 될 수 있 다 . 상기 제 1 층 ( 401 ) 의 두께 는 방열 효율 을 위해 다른 층 보다 더 두껍 게 형성 되 며 , 예컨대 0 . 8 mm 내지 1 . 5 mm 의 두께 로 형성 될 수 있 다 . 다른 예 로서 , 상기 제 1 층 ( 401 ) 은 세라믹 재질 을 포함 할 수 있 다 . 상기 제 2 층 ( 403 ) 은 절연 재질 로서 , 예컨대 프리 프레 그 ( Preimpregnated Materials ) 를 포함 할 수 있 다 . 상기 제 2 층 ( 403 ) 은 에폭시 수지 , 페놀 수지 , 불포화 폴리에스터 수지 등 을 포함 할 수 있 다 . 상기 제 2 층 ( 403 ) 은 그래핀 과 같 은 재질 을 실리콘 또는 에폭시 와 같 은 절연 물질 내 에 첨가 하 여 사용 할 수 있 으며 , 이 에 대해 한정 하 지 는 않 는다 . 상기 제 2 층 ( 403 ) 은 아 노다 이징 ( anodizing ) 된 영역 일 수 있 으며 , 상기 아 노다 이징 된 영역 은 Al 2 O 3 와 같 은 재질 로 배치 될 수 있 다 . 상기 제 3 층 ( 405 ) 은 배선 층 으로서 , 회로 패턴 을 포함 할 수 있 으며 , 상기 발광 소자 와 전기 적 으로 연결 될 수 있 다 . 상기 제 3 층 ( 405 ) 은 Cu , Au , Al , Ag 중 적어도 하나 또는 이 들 의 선택 적 인 합금 을 포함 하 며 , 예컨대 Cu 를 이용 할 수 있 다 . 상기 제 4 층 ( 407 ) 은 상기 회로 패턴 을 보호 하 는 층 으로서 , 절연 재질 일 수 있 다 . 상기 제 4 층 ( 407 ) 은 솔 더 레지스 트 ( solder resist ) 를 포함 하 며 , 상기 솔 더 레지스터 는 상기 회로 기판 ( 400 ) 의 상면 에 패드 이외 의 영역 을 보호 하 게 된다 . 상기 발광 소자 는 복수 로 배치 된 경우 , 상기 제 3 층 ( 405 ) 의 회로 패턴 에 의해 직렬 , 병렬 , 직병렬 혼합 구조 로 배치 될 수 있 다 . 상기 제 3 층 ( 405 ) 의 일부 는 제 1 리세 스 ( 416 ) 에 노출 되 거나 이격 될 수 있 다 . 
 도 6 및 도 7 을 참조 하 면 , 상기 조명 모듈 에서 발광 소자 ( 100 ) 로부터 방출 된 광 은 입사 면 ( 320 ) 을 거쳐 제 1 출사 면 ( 330 ) 및 제 2 출사 면 ( 335 ) 으로 진행 된다 . 상기 제 1 출사 면 ( 330 ) 은 상기 입사 면 ( 320 ) 으로부터 입사 된 광 ( L 1 , L 5 ) 을 굴절 시켜 출사 하 게 된다 . 상기 제 2 출사 면 ( 335 ) 은 상기 입사 면 ( 320 ) 을 통해 입사 된 광 ( L 2 ) 이나 상기 바닥 면 ( 310 ) 에 의해 반사 된 광 을 굴절 시켜 출사 하 게 된다 . 
 상기 제 1 출사 면 ( 330 ) 은 곡면 으로 배치 되 므로 , 입사 된 광 의 일부 ( L 6 ) 가 바닥 면 ( 310 ) 방향 으로 반사 될 수 있 다 . 상기 제 1 출사 면 ( 330 ) 에 의해 반사 된 광 ( L 6 ) 은 상기 제 1 출사 면 ( 330 ) 의 곡률 에 의해 바닥 면 ( 310 ) 을 통해 전달 된 영역 ( 휘 부 영역 ) ( R 0 ) 을 형성 하 게 된다 . 상기 휘 부 영역 ( R 0 ) 은 상기 바닥 면 ( 310 ) 의 영역 중 에서 상기 바닥 면 ( 310 ) 으로 전달 되 는 광 의 광도 가 피크 치의 80 % 이상 인 영역 일 수 있 다 . 상기 바닥 면 ( 310 ) 으로 진행 하 는 광 의 일부 는 센터 영역 ( 31 ) 으로 반사 ( L 8 ) 될 수 있 다 . 
 상기 휘 부 영역 ( R 0 ) 은 제 1 출사 면 ( 330 ) 을 기준 으로 렌즈 의 바닥 중심 또는 제 2 리세 스 ( 315 ) 의 바닥 중심 ( P 0 ) 과 의 각도 ( θ 1 ) 가 예각 예컨대 , 45 도 내지 85 도 의 범위 일 수 있 다 . 상기 제 1 출사 면 ( 330 ) 을 기점 으로 돌기 부 ( 350 ) 의 중심 과 바닥 중심 ( P 0 ) 을 연결 한 삼각 형상 의 내각 은 45 도 내지 85 도 의 범위 를 가질 수 있 으며 , 이러 한 범위 에 위치 한 돌기 부 ( 350 ) 주변 에 흡수 층 ( 410 ) 을 배치 하 여 , 상기 휘 부 영역 ( R 0 ) 에서 의 광 흡수 를 제어 할 수 있 다 . 
 도 7 과 같이 , 상기 휘 부 영역 ( R 0 ) 은 탑 뷰 에서 볼 때 , 원형 링 ( ring ) 또는 타원 형 링 형상 으로 형성 될 수 있 다 . 이러 한 휘 부 영역 ( R 0 ) 이 존재 할 경우 , 상기 휘 부 영역 ( R 0 ) 으로 전달 된 광 ( L 6 ) 이 상기 회로 기판 ( 400 ) 상 에서 재 반사 되 어 상기 제 1 출사 면 ( 330 ) 의 센터 영역 ( 31 ) 을 통해 진행 하 며 ( L 8 ) , 상기 센터 영역 ( 31 ) 으로 진행 된 광 ( L 8 ) 이 중심 휘도 ( 도 28 의 비교 예 ) 를 증가 시키 는 문제 가 있 다 . 상기 광학 렌즈 ( 300 ) 의 중심 휘도 가 증가 하 게 되 면 광 의 균 일도 를 저하 시키 고 , 핫 스팟 이 발생 될 수 있 고 , 균일 한 분포 의 휘도 제어 가 어려울 수 있 다 . 발명 의 실시 예 에 따른 흡수 층 이 도 5 와 같이 상기 휘 부 영역 ( R 0 ) 의 적어도 일부 에 배치 되 므르 , 중심 휘도 의 증가 는 억제 되 고 광 의 균일 도 는 개선 될 수 있 다 . 실시 예의 흡수 층 은 회로 기판 ( 400 ) 상 에서 광도 가 높 은 돌기 부 ( 350 ) 의 주변 에 배치 하 여 , 돌기 부 ( 350 ) 에 의한 반사 , 산란 , 굴절 로 인한 광이 센터 영역 ( 31 ) 으로 진행 하 는 것 을 억제 시켜 줄 수 있 다 . 
 도 5 및 도 8 과 같이 , 상기 흡수 층 ( 410 ) 은 회로 기판 ( 400 ) 상 에 배치 될 수 있 다 . 상기 흡수 층 ( 410 ) 은 상기 회로 기판 ( 400 ) 의 제 4 층 ( 도 10 의 407 ) 상 에 배치 될 수 있 다 . 상기 회로 기판 ( 400 ) 은 상기 흡수 층 ( 410 ) 을 포함 할 수 있 다 . 상기 흡수 층 ( 410 ) 은 상기 광학 렌즈 ( 300 ) 의 바닥 면 ( 310 ) 과 수직 방향 으로 중첩 된 영역 에 배치 될 수 있 다 . 상기 흡수 층 ( 410 ) 은 상기 광학 렌즈 ( 300 ) 의 제 1 출사 면 ( 330 ) 의 사이드 영역 ( 32 ) 과 수직 방향 으로 중첩 될 수 있 다 . 상기 흡수 층 ( 410 ) 은 예컨대 , 서로 분산 된 영역 에 배치 될 수 있 다 . 상기 흡수 층 ( 410 ) 은 반사 율 보다 흡수 율 이 높 은 물질 예컨대 , 흑색 잉크 이 거나 , 흑색 레지스 트 물질 을 포함 한다 . 상기 흡수 층 ( 410 ) 은 실크 스크린 재질 로 형성 될 수 있 다 . 상기 흡수 층 ( 410 ) 의 두께 는 20 ㎛ 이하 예컨대 , 10 ㎛ 내지 20 ㎛ 의 범위 로 배치 될 수 있 고 , 상기 범위 내 에서 광 흡수 율 이 높 고 , 상기 범위 보다 작 은 경우 광 흡수 율 이 낮 아 지 고 상기 범위 보다 두꺼운 경우 흡수 효율 의 증가 가 미미 할 수 있 다 . 
 상기 흡수 층 ( 410 ) 은 상기 광학 렌즈 ( 300 ) 의 복수 의 돌기 부 ( 350 ) 중 적어도 하나 의 주변 또는 모두 의 주변 에 배치 될 수 있 다 . 상기 돌기 부 ( 350 ) 가 렌즈 몸체 와 동일 한 재질 이 므로 , 상기 제 1 출사 면 ( 330 ) 으로부터 반사 된 광 이 휘 부 영역 ( R 0 ) 으로 진행 하 게 되 고 , 상기 휘 부 영역 ( R 0 ) 에 위치 하 는 상기 돌기 부 ( 350 ) 에 의해 반사 또는 산란 되 거나 굴절 될 수 있 다 . 이러 한 휘 부 영역 ( R 0 ) 에 위치 한 돌기 부 ( 350 ) 에 의해 광이 산란 되 거나 반사 되 어 그 주변 영역 의 광도 가 증가 되 어 , 중심 휘도 에 영향 을 줄 수 있 다 . 발명 의 실시 예 에 따른 흡수 층 ( 410 ) 이 상기 돌기 부 ( 350 ) 주변 에 배치 되 므로 , 상기 흡수 층 ( 410 ) 은 상기 돌기 부 ( 350 ) 주변 으로 입사 된 광 을 흡수 하 며 , 상기 돌기 부 ( 350 ) 주변 에 의해 중심 휘도 에 영향 을 주 는 것 을 억제 시켜 줄 수 있 다 . 상기 돌기 부 ( 350 ) 의 주변 영역 의 크기 는 상기 돌기 부 ( 350 ) 의 중심 을 기준 으로 상기 돌기 부 ( 350 ) 의 직경 의 2 배 이하 의 영역 일 수 있 다 . 
 상기 각 돌기 부 ( 350 ) 는 바닥 이 원 형성 인 경우 , 그 직경 ( B 1 ) 은 1 . 4 mm 이상 예컨대 , 1 . 4 mm 내지 1 . 8 mm 의 범위 일 수 있 다 . 상기 돌기 부 ( 350 ) 의 바닥 직경 ( B 1 ) 이 상기 범위 보다 작 은 경우 성형 이 어렵 거나 파손 될 수 있 고 , 상기 범위 보다 큰 경우 광 손실 이 커지 거나 광 경로 제어 가 어려울 수 있 다 . 상기 돌기 부 ( 350 ) 의 바닥 직경 ( B 1 ) 이 상기 범위 보다 큰 경우 , 상기 회로 기판 ( 400 ) 의 제 1 리세 스 ( 416 ) 로 삽입 시키 기 위한 정렬 이 어려울 수 있 고 난반사 된 광이 증가 되 어 광 분포 제어 가 어려울 수 있 다 . 상기 돌기 부 ( 350 ) 는 외측 높이 와 내측 높이 가 같 거나 다를 수 있 다 . 상기 돌기 부 ( 350 ) 는 외측 높이 와 내측 높이 가 다를 경우 , 상기 내측 높이 가 외측 높이 보다 낮 을 수 있 다 . 상기 돌기 부 ( 350 ) 의 최대 높이 는 상기 회로 기판 ( 400 ) 과 상기 광학 렌즈 ( 300 ) 의 바닥 면 ( 310 ) 사이 의 최대 간격 ( T 0 ) 보다 클 수 있 어 , 상기 돌기 부 ( 350 ) 가 회로 기판 ( 400 ) 의 상면 보다 낮 은 제 1 리세 스 ( 416 ) 내 로 삽입 될 수 있 다 . 
 도 8 및 도 9 와 같이 , 상기 흡수 층 ( 410 ) 은 상기 돌기 부 ( 350 ) 의 둘레 를 따라 각각 배치 될 수 있 다 . 이러 한 흡수 층 ( 410 ) 은 상기 돌기 부 ( 350 ) 주변 으로 입사 된 광 , 상기 돌기 부 ( 350 ) 에 의해 산란 되 거나 반사 된 광 을 흡수 하 게 되 며 , 상기 돌기 부 ( 350 ) 및 그 주변 에 의해 중심 휘도 에 영향 을 주 는 것 을 억제 할 수 있 다 . 
 상기 흡수 층 ( 410 ) 은 상기 돌기 부 ( 350 ) 의 바닥 형상 이 원 형상 인 경우 , 상기 돌기 부 ( 350 ) 의 둘레 를 따라 링 형상 또는 원 호 형상 으로 형성 될 수 있 다 . 상기 흡수 층 ( 410 ) 의 선 폭 또는 링 폭 ( B 4 ) 은 0 . 2 mm 이상 예컨대 , 0 . 2 mm 내지 0 . 6 mm 의 범위 일 수 있 다 . 상기 흡수 층 ( 410 ) 이 상기 폭 ( B 4 ) 의 범위 를 갖 게 되 므로 , 중심 휘도 를 낮추 고 중심 휘도 이외 의 영역 의 휘도 는 낮추 지 않 도록 할 수 있 다 . 상기 흡수 층 ( 410 ) 의 폭 ( B 4 ) 이 상기 범위 보다 작 으면 광 의 흡수 면적 이 줄어들 어 중심 휘도 를 낮추 는 효과 가 미미 할 수 있 으며 , 상기 범위 보다 큰 경우 중심 휘도 이외 의 광도 에 영향 을 줄 수 있 다 . 상기 흡수 층 ( 410 ) 의 폭 ( B 4 ) 이 증가 할수록 흡수 면적 은 증가 되 고 , 중심 휘도 의 감소량 은 증가 될 수 있 다 . 상기 흡수 층 ( 410 ) 의 폭 ( B 4 ) 에 의해 중심 휘도 는 비교 예 에 비해 2 % 내지 7 % 정도 감소 될 수 있 다 ( 도 28 참조 ) . 
 상기 흡수 층 ( 410 ) 의 직경 또는 너비 ( B 3 ) 는 상기 돌기 부 ( 350 ) 의 직경 또는 너비 ( B 1 ) 보다 는 클 수 있 다 . 상기 흡수 층 ( 410 ) 이 링 형상 이 고 , 상기 돌기 부 ( 350 ) 의 측 단면 이 원 형상 인 경우 , 상기 흡수 층 ( 410 ) 의 직경 또는 최대 너비 인 외경 ( B 3 ) 은 상기 흡수 층 ( 410 ) 의 최대 직선 거리 일 수 있 다 . 상기 흡수 층 ( 410 ) 의 외경 ( B 3 ) 은 4 mm 이하 예컨대 , 2 mm 내지 4 mm 의 범위 일 수 있 다 . 상기 흡수 층 ( 410 ) 의 링 폭 또는 선폭 ( B 4 ) 은 상기 돌기 부 ( 350 ) 의 직경 ( B 1 ) 의 0 . 4 배 이하 , 예컨대 0 . 12 배 내지 0 . 4 배 의 범위 일 수 있 다 . 상기 흡수 층 ( 410 ) 의 폭 은 상기 직경 ( B 3 ) 의 0 . 17 배 이하 예컨대 , 0 . 05 배 내지 0 . 17 배 범위 일 수 있 다 . 상기 흡수 층 ( 410 ) 의 폭 이 상기 범위 보다 작 은 경우 , 중심 휘도 의 감소 폭 이 적 거나 육안 상 변화 를 감지 할 수 없 으며 , 상기 범위 보다 큰 경우 렌즈 상 에서 암부 가 발생 될 수 있 다 . 
 상기 흡수 층 ( 410 ) 은 상기 돌기 부 ( 350 ) 의 외곽 으로부터 0 . 5 mm 이상 예컨대 , 0 . 5 mm 내지 0 . 7 mm 의 범위 의 거리 로 이격 될 수 있 어 , 상기 돌기 부 ( 350 ) 의 주변 으로 입사 된 광 을 흡수 할 수 있 다 . 
 여기 서 , 도 9 와 같이 , 상기 광학 렌즈 ( 300 ) 의 반경 또는 바닥 면 ( 310 ) 의 반경 은 r 0 이 고 , 상기 바닥 중심 ( P 0 ) 에서 돌기 부 ( 350 ) 의 중심 또는 흡수 층 ( 410 ) 의 중심 사이 의 거리 는 r 1 이 며 , 상기 돌기 부 ( 350 ) 의 반경 은 r 2 이 며 , 상기 흡수 층 ( 410 ) 의 외경 의 반경 또는 돌기 부 ( 350 ) 의 중심 에서 흡수 층 ( 410 ) 의 외경 까지 의 거리 는 r 3 이 다 . 여기 서 , 상기 r 1 / r 0 는 1 미만 이 며 , 예컨대 0 . 3 내지 0 . 95 범위 로 배치 될 수 있 다 . 이러 한 외경 을 갖 는 상기 흡수 층 ( 410 ) 은 휘 부 영역 에 배치 된 돌기 부 ( 350 ) 주변 의 광 흡수 를 통해 중심 휘도 를 낮출 수 있 다 . 또한 상기 r 3 는 돌기 부 ( 350 ) 의 반경 ( r 2 ) 의 2 . 5 배 이하 예컨대 , 1 . 3 배 이상 2 . 5 배 이하 의 영역 에 위치 시켜 , 돌기 부 ( 350 ) 주변 에서 의 흡수 층 ( 410 ) 의 흡수 면적 ( 즉 , 상면 면적 ) 을 조절 하 여 중심 휘도 를 낮추 어 줄 수 있 다 . 
 상기 흡수 층 ( 410 ) 은 각 돌기 부 ( 350 ) 를 감싸 게 되 는 데 , 상기 각 돌기 부 ( 350 ) 를 감싸 는 개별 흡수 층 ( 410 ) 의 면적 ( 즉 , 상면 면적 ) 은 각 돌기 부 ( 350 ) 의 바닥 면적 ( 또는 부분 측 단면 의 면적 ) 보다 작 거나 클 수 있 다 . 상기 각 흡수 층 ( 410 ) 의 면적 은 각 돌기 부 ( 340 ) 의 바닥 면적 보다 작 은 경우 , 상기 흡수 층 ( 410 ) 은 상기 각 돌기 부 ( 350 ) 의 둘레 전체 에 배치 될 수 있 다 . 도 14 내지 도 20 과 같이 , 상기 각 흡수 층 ( 410 ) 의 면적 은 각 돌기 부 ( 340 ) 의 바닥 면적 보다 작 은 경우 , 상기 흡수 층 ( 350 ) 은 각 돌기 부 ( 350 ) 의 일부 영역 에 배치 될 수 있 다 . 상기 각 흡수 층 ( 410 ) 의 면적 은 각 돌기 부 ( 350 ) 의 바닥 면적 보다 큰 경우 , 상기 흡수 층 ( 410 ) 은 각 돌기 부 ( 350 ) 의 둘레 전체 에 배치 될 수 있 다 . 도 14 내지 도 20 과 같이 , 상기 각 흡수 층 ( 410 ) 의 면적 은 각 돌기 부 ( 340 ) 의 바닥 면적 보다 큰 경우 , 상기 흡수 층 ( 410 ) 은 상기 각 돌기 부 ( 340 ) 의 일부 영역 에 배치 될 수 있 다 . 
 여기 서 , 상기 렌즈 의 바닥 면적 이 100 % 라고 할 경우 , 상기 렌즈 의 바닥 면적 을 기준 으로 상기 돌기 부 의 전체 의 하 면 면적 은 5 % 이하 예컨대 , 3 % 내지 5 % 범위 이 며 , 상기 흡수 층 의 전체 상면 면적 은 2 % 내지 11 % 의 범위 일 수 있 다 . 상기 흡수 층 ( 410 ) 의 전체 면적 이 상기 범위 보다 작 은 경우 중심 휘도 의 감소 폭 이 적 거나 육안 상 변화 를 감지 할 수 없 으며 , 상기 범위 보다 큰 경우 렌즈 상 에서 암부 가 발생 될 수 있 다 . 따라서 , 상기 중심 휘도 의 감소 폭 내 에서 상기 흡수 층 ( 410 ) 의 면적 을 상기 렌즈 바닥 면적 대비 2 % 내지 11 % 의 범위 로 조절 할 수 있 다 . 
 상기 돌기 부 ( 350 ) 의 개수 에 따라 상기 흡수 층 ( 410 ) 의 개수 도 비례 하 여 증가 될 수 있 다 . 따라서 , 상기 돌기 부 ( 350 ) 및 각 돌기 부 ( 350 ) 의 주변 에 위치 한 흡수 층 ( 410 ) 의 개수 가 n : n 일 때 ( 각 n 은 3 이상 ) , 상기 n 개 의 흡수 층 ( 410 ) 의 면적 은 n 개 의 돌기 부 ( 350 ) 의 바닥 면적 대비 2 . 6 배 이하 예컨대 , 0 . 75 배 내지 2 . 6 배 의 범위 로 배치 될 수 있 다 . 상기 흡수 층 ( 410 ) 의 면적 이 상기 범위 보다 작 은 경우 중심 휘도 의 감소 폭 이 적 거나 육안 상 변화 를 감지 할 수 없 으며 , 상기 범위 보다 큰 경우 렌즈 상 에서 암부 가 발생 될 수 있 다 . 
 도 9 및 도 10 을 참조 하 면 , 상기 흡수 층 ( 410 ) 은 상기 회로 기판 ( 400 ) 의 제 1 리세 스 ( 416 ) 의 둘레 에 배치 될 수 있 다 . 상기 흡수 층 ( 410 ) 은 상기 회로 기판 ( 400 ) 의 제 4 층 ( 407 ) 위 에 배치 될 수 있 다 . 상기 흡수 층 ( 410 ) 의 두께 ( T 1 ) 는 상기 제 2 층 ( 403 ) 의 두께 보다 얇 은 두께 로 형성 될 수 있 다 . 
 상기 돌기 부 ( 350 ) 와 상기 흡수 층 ( 410 ) 사이 에 는 접착 부재 ( 414 ) 가 배치 될 수 있 다 . 상기 접착 부재 ( 414 ) 의 일부 ( 414 A ) 는 상기 회로 기판 ( 400 ) 의 제 1 리세 스 ( 416 ) 내 에 배치 되 어 , 상기 돌기 부 ( 350 ) 의 하부 를 접착 시켜 줄 수 있 다 . 상기 제 1 리세 스 ( 416 ) 의 너비 또는 직경 ( B 0 ) 은 상기 돌기 부 ( 350 ) 의 너비 또는 직경 ( B 1 ) 보다 는 크 고 상기 접착 부재 ( 414 ) 의 너비 또는 직경 ( B 2 ) 보다 는 작 을 수 있 다 . 상기 접착 부재 ( 414 ) 는 상기 돌기 부 ( 350 ) 의 둘레 에 배치 되 고 상기 회로 기판 ( 400 ) 의 상면 으로 연장 될 수 있 다 . 상기 접착 부재 ( 414 ) 는 상기 돌기 부 ( 350 ) 를 회로 기판 ( 400 ) 에 고정 시켜 줄 수 있 으며 , 상기 돌기 부 ( 350 ) 의 틸 트 나 유동 을 방지 할 수 있 다 . 상기 접착 부재 ( 414 ) 는 상기 흡수 층 ( 410 ) 과 접촉 될 수 있 다 . 상기 흡수 층 ( 410 ) 은 상기 돌기 부 ( 350 ) 를 접착 하 는 과정 에서 상기 접착 부재 ( 414 ) 가 넘치 는 것 을 방지 하 는 댐 역할 을 할 수 있 다 . 상기 접착 부재 ( 414 ) 는 실리콘 또는 에폭시 와 같 은 재질 을 포함 할 수 있 다 . 
 상기 접착 부재 ( 414 ) 중 에서 상기 회로 기판 ( 400 ) 의 상면 위 에 연장 되 는 영역 의 두께 ( T 1 ) 는 상기 흡수 층 ( 410 ) 의 두께 ( T 2 ) 보다 두 꺼 울 수 있 다 . 이러 한 접착 부재 ( 414 ) 는 상기 흡수 층 ( 410 ) 에 의해 상기 돌기 부 ( 350 ) 와 의 접촉 면적 이 증가 될 수 있 다 . 즉 , 상기 접착 부재 ( 414 ) 의 상면 이 상기 회로 기판 ( 400 ) 의 상면 보다 높 게 배치 되 어 , 상기 돌기 부 ( 350 ) 의 둘레 와 접촉 되 는 면적 이 증가 될 수 있 다 . 
 발명 의 실시 예 에 따른 조명 모듈 은 회로 기판 상 에 광학 렌즈 의 돌기 부 주변 에 흡수 층 을 배치 함 으로써 , 중심 휘도 를 낮추 고 광 의 반치 폭 을 더 개선 시켜 줄 수 있 다 . 즉 , 도 28 과 같이 , 흡수 층 이 없 는 비교 예 와 비교 하 여 , 실시 예의 중심 휘도 는 비교 예의 중심 휘도 보다 낮 아 질 수 있 어 , 중심 휘도 의 제어 가 가능 함 을 알 수 있 다 . 도 28 의 가로 방향 은 렌즈 중심 ( 0 ) 으로부터 의 거리 ( mm ) 이 며 , 세로 방향 은 중심 휘도 세기 를 나타낸다 . 또한 도 29 와 같이 , 흡수 층 이 없 는 비교 예 에 비해 , 실시 예의 반치 폭 은 비교 예 보다 증가 될 수 있 어 , 광 균 일도 가 개선 됨 을 알 수 있 다 . 도 29 에서 가로 방향 은 렌즈 중심 ( 0 ) 으로부터 거리 ( mm ) 이 며 , 세로 방향 은 파장 세기 를 나타낸 그래프 이 다 . 
 도 11 은 도 10 의 흡수 층 의 다른 예 이 다 . 도 11 을 참조 하 면 , 흡수 층 ( 410 ) 의 내측 부 ( 410 A ) 는 상기 회로 기판 ( 400 ) 위 로 연장 된 상기 접착 부재 ( 414 ) 와 수직 방향 으로 중첩 될 수 있 다 . 상기 흡수 층 ( 410 ) 의 내측 부 ( 410 A ) 는 상기 접착 부재 ( 414 ) 와 상기 회로 기판 ( 400 ) 의 상면 사이 에 배치 되 어 , 상기 접착 부재 ( 414 ) 를 통해 입사 된 광 을 흡수 할 수 있 다 . 이러 한 흡수 층 ( 410 ) 의 상면 면적 이 더 넓 게 제공 되 므로 , 상기 돌기 부 ( 350 ) 을 통해 입사 되 거나 , 상기 돌기 부 ( 350 ) 의 표면 을 통해 입사 된 광 을 흡수 할 수 있 다 . 이 에 따라 상기 흡수 층 ( 410 ) 은 상기 돌기 부 ( 350 ) 및 그 주변 에서 의 광 흡수 를 통해 중심 휘도 를 억제 시켜 줄 수 있 다 . 
 도 12 는 도 10 의 돌기 부 의 다른 예 이 다 . 도 12 를 참조 하 면 , 광학 렌즈 의 돌기 부 ( 350 A ) 는 상부 너비 또는 직경 ( B 11 ) 이 하부 너비 또는 직경 ( B 1 ) 보다 클 수 있 다 . 상기 돌기 부 ( 350 A ) 의 상부 너비 또는 직경 ( B 11 ) 이 하부 너비 또는 직경 ( B 1 ) 보다 더 넓 게 제공 됨 으로써 , 상기 돌기 부 ( 350 A ) 를 상기 회로 기판 ( 400 ) 의 제 1 리세 스 ( 416 ) 상 에서 안정 되게 지지 할 수 있 다 . 상기 돌기 부 ( 350 ) 의 상부 너비 ( B 11 ) 가 더 넓 게 제공 됨 으로써 , 상기 접착 부재 ( 414 ) 와 의 접착 면적 은 더 증가 될 수 있 다 . 상기 돌기 부 ( 350 A ) 의 상부 너비 또는 직경 ( B 11 ) 은 상기 제 1 리세 스 ( 416 ) 의 너비 또는 직경 ( B 0 ) 보다 작 을 수 있 다 . 상기 돌기 부 ( 350 A ) 가 하부 로 갈수록 점차 좁 은 직경 을 갖 게 되 므로 , 제 1 리세 스 ( 416 ) 로 삽입 이 용이 할 수 있 다 . 
 도 13 은 도 10 의 돌기 부 의 다른 예 이 다 . 도 13 를 참조 하 면 , 광학 렌즈 의 돌기 부 ( 350 ) 는 상부 너비 가 하부 너비 보다 넓 을 수 있 다 . 상기 돌기 부 ( 350 ) 는 바닥 에 오목 한 영역 ( 351 A ) 이 배치 되 어 , 접착 부재 ( 414 ) 의 일부 ( 414 A ) 와 의 접착 면적 이 증가 될 수 있 다 . 상기 돌기 부 ( 350 ) 는 둘레 에 볼록 한 돌기 ( 352 ) 및 상기 돌기 ( 352 ) 내측 의 오목 한 홈 ( 353 ) 을 구비 하 며 , 상기 돌기 ( 352 ) 는 상기 돌기 부 ( 350 ) 의 둘레 를 따라 링 ( ring ) 형상 으로 배치 되 며 상기 돌기 부 ( 350 ) 의 높이 보다 낮 은 높이 로 돌출 될 수 있 다 . 상기 돌기 ( 352 ) 는 상기 회로 기판 ( 400 ) 상 에 연장 된 접착 부재 ( 414 ) 와 접착 될 수 있 다 . 상기 돌기 부 ( 350 ) 와 상기 돌기 ( 352 ) 사이 의 오목 한 홈 ( 353 ) 에 는 상기 접착 부재 ( 414 ) 가 부분 접착 될 수 있 다 . 
 도 14 는 도 7 의 흡수 층 의 제 1 변형 예로 이 다 . 도 14 를 참조 하 면 , 흡수 층 ( 410 A ) 은 돌기 부 ( 350 ) 의 둘레 를 따라 배치 된 복수 의 흡수 영역 ( 41 ) 및 스페이스 ( 42 ) 를 포함 할 수 있 다 . 상기 흡수 영역 ( 41 ) 과 스페이스 ( 42 ) 는 교대 로 배치 될 수 있 다 . 상기 흡수 층 ( 410 ) 에서 상기 흡수 영역 ( 41 ) 의 상면 면적 은 상기 스페이스 ( 42 ) 의 면적 보다 크 게 배치 되 어 , 광 의 흡수율 저하 를 방지 할 수 있 다 . 상기 스페이스 ( 42 ) 는 인접 한 두 흡수 영역 ( 41 ) 사이 에 일정 각도 ( C 2 ) 로 배치 되 어 , 흡수 영역 ( 41 ) 들 이 일정 한 크기 및 일정 한 형상 으로 배열 시켜 줄 수 있 다 . 상기 스페이스 ( 42 ) 가 이루 는 각도 ( C 2 ) 는 15 도 이하 예컨대 , 5 도 내지 15 도 의 범위 일 수 있 다 . 상기 각 흡수 영역 ( 41 ) 이 이루 는 각도 ( C 1 ) 는 상기 각도 ( C 2 < C 1 ) 보다 크 며 , 45 도 이하 예컨대 , 35 도 내지 45 도 의 범위 로 배치 될 수 있 다 . 여기 서 , 상기 스페이스 ( 42 ) 가 이루 는 각도 ( C 2 ) 가 상기 범위 보다 크 거나 작 으면 흡수 영역 ( 41 ) 의 개수 가 줄어들 거나 흡수 영역 ( 41 ) 의 크기 가 달라질 수 있 어 , 중심 휘도 분포 를 고려 하 여 상기 스페이스 ( 42 ) 의 각도 ( C 2 ) 를 조절 할 수 있 다 . 상기 스페이스 ( 42 ) 에 는 상기 접착 부재 ( 414 ) 가 배치 될 수 있 으며 , 이 에 대해 한정 하 지 는 않 는다 . 
 도 15 는 도 7 의 흡수 층 의 제 2 변형 예 이 다 . 도 15 를 참조 하 면 , 흡수 층 ( 410 B ) 은 흡수 영역 ( 43 ) 과 스페이스 ( 44 ) 를 포함 하 며 , 상기 흡수 영역 ( 43 ) 과 스페이스 ( 44 ) 는 교대 로 배치 될 수 있 다 . 상기 흡수 영역 ( 43 ) 의 원호 길이 ( C 3 ) 는 상기 스페이스 ( 44 ) 의 원호 길이 ( C 4 ) 와 같 을 수 있 다 . 예컨대 , 스페이스 ( 44 ) 의 원호 길이 ( C 4 ) 가 흡수 영역 ( 43 ) 의 원호 길이 ( C 3 ) 와 동일 할 경우 , 돌기 부 ( 350 ) 주변 에서 의 광 반사 및 흡수 를 균일 하 게 할 수 있 다 . 
 도 16 은 도 7 의 흡수 층 의 제 3 변형 예 이 다 . 도 16 을 참조 하 면 , 흡수 층 ( 410 C ) 은 돌기 부 ( 350 ) 의 양측 에 스페이스 ( 46 ) 로 분리 된 제 1 , 2 흡수 영역 ( 44 , 45 ) 을 포함 하 며 , 상기 제 1 , 2 흡수 영역 ( 44 , 45 ) 의 원호 길이 는 동일 할 수 있 다 . 상기 제 1 , 2 흡수 영역 ( 44 , 45 ) 의 원호 길이 는 상기 흡수 층 ( 410 ) 의 원호 길이 의 1 / 3 이상 1 / 2 미만 일 수 있 다 . 상기 스페이스 ( 46 ) 의 위치 는 링 형상 의 휘도 영역 을 따라 상기 돌기 부 ( 350 ) 의 서로 반대 측 에 배치 될 수 있 다 . 
 도 17 은 도 7 의 흡수 층 의 제 4 변형 예 이 다 . 도 17 을 참조 하 면 , 흡수 층 ( 410 D ) 은 돌기 부 ( 350 ) 의 크기 가 다른 흡수 영역 ( 61 , 62 , 63 ) 과 , 상기 흡수 영역 ( 61 , 62 , 63 ) 들 사이 에 스페이스 ( 64 ) 를 포함 한다 . 상기 크기 가 다른 흡수 영역 ( 61 , 62 , 63 ) 들 은 제 1 원호 길이 ( C 13 ) 를 갖 는 제 1 및 제 2 흡수 영역 ( 61 , 63 ) 과 , 상기 제 1 , 2 흡수 영역 ( 61 , 63 ) 사이 에 제 1 원호 길이 ( C 13 ) 보다 작 은 제 2 원호 길이 ( C 12 ) 를 갖 는 제 3 흡수 영역 ( 62 ) ) 을 포함 한다 . 상기 제 1 원호 길이 ( C 13 ) 는 상기 제 2 원호 길이 ( C 12 ) 의 1 . 5 배 이상 예컨대 , 1 . 5 배 내지 3 배 사이 일 수 있 어 , 흡수 면적 의 감소 를 최소 화 할 수 있 다 . 상기 스페이스 ( 64 ) 가 이루 는 각도 ( C 11 ) 는 5 도 이상 예컨대 , 5 도 내지 15 도 의 범위 일 수 있 다 . 상기 스페이스 ( 64 ) 들 의 위치 는 위부 영역 에 배치 될 수 있 으며 , 이 에 대해 한정 하 지 는 않 는다 . 
 도 18 은 도 7 의 흡수 층 의 제 5 변형 예 이 다 . 도 18 을 참조 하 면 , 흡수 층 ( 411 ) 은 돌기 부 ( 350 ) 의 둘레 에서 3 / 5 이상 의 원호 길이 를 갖 는 영역 을 포함 하 며 , 상기 흡수 영역 사이 에 스페이스 ( 411 A ) 가 배치 된다 . 상기 스페이스 ( 411 A ) 는 돌기 부 ( 350 ) 보다 광학 렌즈 의 중심 ( P 0 ) 에 더 인접 하 게 배치 될 수 있 다 . 상기 흡수 층 ( 411 ) 의 링 폭 은 다른 흡수 영역 의 너비 ( 도 9 의 B 4 ) 와 같 거나 더 넓 게 제공 되 어 , 면적 차이 에 따른 흡수율 의 저하 를 방지 할 수 있 다 . 
 도 19 는 도 7 의 흡수 층 의 변형 예 이 다 . 도 19 를 참조 하 면 , 흡수 층 ( 412 ) 은 돌기 부 ( 350 ) 의 둘레 에서 원호 길이 의 1 / 2 길이 를 갖 는 영역 을 포함 하 며 , 상기 흡수 층 ( 412 ) 의 영역 사이 에 스페이스 ( 412 A ) 가 배치 된다 . 상기 흡수 층 ( 412 ) 의 영역 폭 은 다른 변형 예의 흡수 영역 의 너비 ( 도 9 의 B 4 ) 와 같 거나 더 넓 게 제공 될 수 있 다 . 이 에 따라 돌기 부 ( 350 ) 주변 에서 의 흡수 면적 이 줄어드 는 것 을 최소 화 시켜 줄 수 있 다 . 상기 스페이스 ( 412 ) 는 상기 흡수 층 ( 412 ) 보다 렌즈 의 바닥 중심 ( P 0 ) 에 더 인접 하 게 배치 될 수 있 어 , 돌기 부 ( 350 ) 외측 에서 의 광 흡수 를 효과 적 으로 수행 할 수 있 다 . 
 도 20 은 도 7 의 흡수 층 의 변형 예 이 다 . 도 20 을 참조 하 면 , 흡수 층 ( 413 ) 은 돌기 부 ( 350 ) 의 둘레 에서 원호 길이 의 1 / 2 길이 를 갖 는 영역 을 포함 하 며 , 상기 흡수 층 ( 413 ) 의 영역 사이 에 스페이스 ( 413 A ) 가 배치 된다 . 상기 흡수 층 ( 413 ) 의 영역 폭 은 다른 변형 예의 흡수 영역 의 너비 ( 도 9 의 B 4 ) 와 같 거나 더 넓 게 제공 될 수 있 다 . 이 에 따라 돌기 부 ( 350 ) 주변 에서 의 흡수 면적 이 줄어드 는 것 을 최소 화 시켜 줄 수 있 다 . 상기 스페이스 ( 413 A ) 는 상기 흡수 층 ( 413 ) 보다 렌즈 의 바닥 중심 ( P 0 ) 으로부터 더 멀리 배치 될 수 있 어 , 상기 흡수 층 ( 413 ) 이 돌기 부 ( 350 ) 내측 에서 의 광 흡수 를 효과 적 으로 수행 할 수 있 다 . 
 다른 예 로서 , 상기 흡수 층 이 하나 또는 2 개 이상 의 흡수 영역 을 갖 고 배치 될 경우 , 상기 흡수 영역 의 두께 는 서로 동일 하 거나 다를 수 있 다 . 예컨대 , 상기 흡수 영역 의 두께 가 다를 경우 , 상기 돌기 부 의 외측 에 배치 된 흡수 영역 의 두께 가 내측 에 배치 된 흡수 영역 의 두께 보다 더 얇 을 수 있 다 . 따라서 , 내측 흡수 영역 에 의해 반사 된 광 을 차단 하 여 , 중심 휘도 에 영향 을 주 는 것 을 차단 할 수 있 다 . 
 실시 예 는 광학 렌즈 의 제 1 출사 면 이 볼록 한 곡면 을 갖 는 센터 영역 에 대해 설명 하 였으나 , 상기 제 1 출사 면 의 곡면 을 갖 되 , 상기 센터 영역 이 오목 한 상부 를 가질 경우 , 상기 한 광학 렌즈 의 바닥 에서 의 휘 부 영역 이 존재 하 게 된다 . 
 도 21 은 도 2 의 광학 렌즈 의 다른 예 이 다 . 도 21 를 참조 하 면 , 광학 렌즈 ( 300 A ) 의 제 1 출사 면 ( 330 ) 은 센터 영역 ( 31 ) 이 오목 한 영역 ( 31 A ) 을 포함 할 수 있 다 . 상기 센터 영역 ( 31 ) 가 오목 하 게 배치 되 므로 , 상기 센터 영역 ( 31 ) 방향 으로 입사 된 광 은 오목 한 영역 ( 31 A ) 의 전 반사면 에 의해 측 방향 으로 반사 될 수 있 다 . 상기 광학 렌즈 ( 300 A ) 의 돌기 부 ( 350 ) 의 위치 및 흡수 층 의 예 는 상기 한 실시 예의 설명 을 참조 하 기 로 한다 . 
 도 22 는 실시 예 에 따른 광학 렌즈 의 돌기 부 ( 350 ) 개수 를 변형 한 예 이 다 . 도 22 와 같이 , 돌기 부 ( 350 ) 의 개수 를 3 개 로 배치 할 수 있 으며 , 상기 돌기 부 ( 350 ) 의 주변 에 흡수 층 ( 410 ) 을 배치 할 수 있 다 . 상기 돌기 부 ( 350 ) 는 렌즈 중심 ( P 0 ) 을 기준 으로 등각 으로 배치 되 거나 , 100 도 내지 140 도 의 범위 로 이격 될 수 있 다 . 상기 돌기 부 ( 350 ) 및 흡수 층 ( 410 ) 은 휘 부 영역 을 따라 배치 되 며 , 상기 흡수 층 ( 410 ) 은 상기 돌기 부 ( 350 ) 주변 에서 중심 휘도 에 영향 을 주 는 광 들 을 흡수 할 수 있 다 . 
 도 23 및 도 24 를 실시 예 에 따른 조명 모듈 이 다 . 도 23 및 도 24 를 참조 하 면 , 조명 모듈 ( 301 ) 은 복수 의 광학 렌즈 ( 300 ) 가 회로 기판 ( 400 ) 상 에서 X 축 방향 으로 소정 간격 ( G 1 ) 을 갖 고 배열 된 예 이 다 . 이러 한 조명 모듈 ( 301 ) 상 에서 광학 렌즈 ( 300 ) 간 의 간격 ( G 1 ) 은 도 2 와 같 은 광학 렌즈 의 제 1 , 2 출사 면 ( 330 , 335 ) 에 의해 인접 한 광학 렌즈 간 의 광 간섭 이 줄어들 수 있 어 , 광학 렌즈 ( 300 ) 의 배치 개수 를 줄여줄 수 있 다 . 도 24 와 같이 , 상기 조명 모듈 ( 301 ) 상 에 는 광학 부재 ( 175 ) 가 배치 될 수 있 다 . 상기 광학 부재 ( 175 ) 는 확산 판 을 포함 할 수 있 다 . 상기 광학 부재 ( 175 ) 는 상기 회로 기판 ( 400 ) 으로부터 소정 간격 ( H 1 ) 으로 이격 될 수 있 다 . 상기 높이 ( H 1 ) 는 상기 광학 렌즈 ( 300 ) 의 확산 광 에 의해 광 분포 가 20 mm 이하 예컨대 , 13 mm 내지 20 mm 범위 에서 균일 한 분포 로 제공 할 수 있 어 , 조명 모듈 ( 301 ) 을 갖 는 라이트 유닛 의 두께 를 줄여줄 수 있 다 . 이 경우 상기 회로 기판 ( 400 ) 과 광학 부재 ( 175 ) 사이 의 간격 ( H 1 ) 이 좁 아 지 더라도 , 상기 광학 렌즈 ( 300 ) 상 으로 방출 된 광 의 휘도 분포 를 제어 할 수 있 다 . 
 도 25 는 실시 예 에 따른 조명 모듈 을 갖 는 라이트 유닛 의 평면도 이 다 . 도 25 를 참조 하 면 , 상기 라이트 유닛 ( 500 ) 은 바텀 커버 ( 512 ) , 상기 바텀 커버 ( 512 ) 내 에 조명 모듈 ( 301 ) 로서 복수 의 회로 기판 ( 400 ) , 발광 소자 ( 100 ) 및 상기 회로 기판 ( 400 ) 상 에 배치 된 광학 렌즈 ( 300 ) 를 포함 한다 . 상기 회로 기판 ( 400 ) 은 바텀 커버 ( 512 ) 내 에 배열 될 수 있 다 . 실시 예 에 따른 광학 렌즈 ( 300 ) 및 이 를 갖 는 조명 모듈 ( 301 ) 을 채용 함 으로써 , 인접 한 회로 기판 ( 400 ) 간 의 간격 ( G 2 ) 가 이격 될 수 있 다 . 상기 바텀 커버 ( 512 ) 는 방열 을 위한 금속 또는 열 전도성 수지 재질 을 포함 할 수 있 다 . 상기 바텀 커버 ( 512 ) 는 수납부 ( 510 ) 를 구비 할 수 있 으며 , 상기 수납부 ( 510 ) 의 바닥 ( 511 ) 상 에 는 상기 조명 모듈 ( 301 ) 이 배치 될 수 있 고 , 상기 수납부 ( 510 ) 의 둘레 에 는 측면 커버 를 구비 할 수 있 다 . 
 도 26 은 실시 예 에 따른 발광 소자 의 제 1 예 를 나타낸 도면 이 다 . 도 19 를 참조 하 여 발광 소자 및 회로 기판 을 설명 하 기 로 한다 . 
 도 26 및 도 19 를 참조 하 면 , 상기 발광 소자 ( 100 ) 는 발광 칩 ( 100 A ) 을 포함 한다 . 상기 발광 소자 ( 100 ) 는 발광 칩 ( 100 A ) 과 상기 발광 칩 ( 100 A ) 상 에 배치 된 형광체 층 ( 150 ) 을 포함 할 수 있 다 . 상기 형광체 층 ( 150 ) 은 청색 , 녹색 , 황색 , 적색 형광체 중 적어도 하나 또는 복수 를 포함 하 며 , 단층 또는 다층 으로 배치 될 수 있 다 . 상기 형광체 층 ( 150 ) 은 투광 성 수지 재료 내 에 형광체 가 첨가 된다 . 상기 투광 성 수지 재료 는 실리콘 또는 에폭시 와 같 은 물질 을 포함 하 며 , 상기 형광체 는 YAG , TAG , Silicate , Nitride , Oxy - nitride 계 물질 중 에서 선택 적 으로 형성 될 수 있 다 . 
 상기 형광체 층 ( 150 ) 은 상기 발광 칩 ( 100 A ) 의 상면 에 배치 되 거나 , 상기 발광 칩 ( 100 A ) 의 상면 및 측면 에 배치 될 수 있 다 . 상기 형광체 층 ( 150 ) 은 상기 발광 칩 ( 100 A ) 의 표면 중 에서 광이 방출 되 는 영역 상 에 배치 되 어 , 광 의 파장 을 변환 시켜 줄 수 있 다 . 다른 예 로서 , 상기 형광체 층 ( 150 ) 은 필름 타입 을 포함 할 수 있 다 . 상기 필름 타입 의 형광체 층 은 균일 한 두께 를 제공 함 으로써 , 파장 변환 에 따른 색 분포 가 균일 할 수 있 다 . 
 상기 발광 칩 ( 100 A ) 에 대해 설명 하 면 , 상기 발광 칩 ( 100 A ) 은 기판 ( 111 ) , 제 1 반도체 층 ( 113 ) , 발광 구조물 ( 120 ) , 전극 층 ( 131 ) , 절연 층 ( 133 ) , 제 1 전극 ( 135 ) , 제 2 전극 ( 137 ) , 제 1 연결 전극 ( 141 ) , 제 2 연결 전극 ( 143 ) , 및 지지층 ( 140 ) 을 포함 할 수 있 다 . 
 상기 기판 ( 111 ) 은 투광 성 , 절연 성 또는 도전 성 기판 을 이용 할 수 있 으며 , 예컨대 , 사파이어 ( Al 2 O 3 ) , SiC , Si , GaAs , GaN , ZnO , Si , GaP , InP , Ge , Ga 2 O 3 중 적어도 하나 를 이용 할 수 있 다 . 상기 기판 ( 111 ) 의 탑 면 및 바닥 면 중 적어도 하나 또는 모두 에 는 복수 의 볼록 부 ( 미 도시 ) 가 형성 되 어 , 광 추출 효율 을 개선 시켜 줄 수 있 다 . 각 볼록 부 의 측 단면 형상 은 반구형 형상 , 반 타원 형상 , 또는 다각형 형상 중 적어도 하나 를 포함 할 수 있 다 . 여기 서 , 상기 기판 ( 111 ) 은 발광 칩 ( 100 A ) 내 에서 제거 될 수 있 으며 , 이 경우 상기 제 1 반도체 층 ( 113 ) 또는 제 1 도전 형 반도체 층 ( 115 ) 이 발광 칩 ( 100 A ) 의 탑 층 으로 배치 될 수 있 다 . 
 상기 기판 ( 111 ) 아래 에 는 제 1 반도체 층 ( 113 ) 및 발광 구조물 ( 120 ) 이 형성 될 수 있 다 . 상기 제 1 반도체 층 ( 113 ) 및 발광 구조물 ( 120 ) 은 II 족 내지 V 족 원소 의 화합물 반도체 를 이용 하 여 형성 될 수 있 으며 , 예컨대 , III 족 - V 족 원소 의 화합물 반도체 를 이용 한 반도체 층 예컨대 , GaN , InN , AlN , InGaN , AlGaN , InAlGaN , AlInN , AlGaAs , GaP , GaAs , GaAsP , AlGaInP , GaP 중 적어도 하나 를 포함 할 수 있 다 . 상기 발광 구조물 ( 120 ) 은 자외선 대역 부터 가시 광선 대역 의 파장 범위 내 에서 소정 의 피크 파장 을 발광 할 수 있 다 . 
 상기 발광 구조물 ( 120 ) 은 제 1 도전 형 반도체 층 ( 115 ) , 제 2 도전 형 반도체 층 ( 119 ) , 상기 제 1 도전 형 반도체 층 ( 115 ) 과 상기 제 2 도전 형 반도체 층 ( 119 ) 사이 에 형성 된 활성 층 ( 117 ) 을 포함 하 며 , 상기 각 층 ( 115 , 117 , 119 ) 의 위 및 아래 중 적어도 하나 에 는 다른 반도체 층 이 더 배치 될 수 있 으며 , 이 에 대해 한정 하 지 는 않 는다 . 
 상기 제 1 도전 형 반도체 층 ( 115 ) 은 제 1 반도체 층 ( 113 ) 아래 에 배치 되 며 , 제 1 도전 형 도 펀트 가 도핑 된 반도체 예컨대 , n 형 반도체 층 으로 구현 될 수 있 다 . 상기 제 1 도전 형 반도체 층 ( 115 ) 은 In xAl yGa 1 - x - yN ( 0 ≤ x ≤ 1 , 0 ≤ y ≤ 1 , 0 ≤ x + y ≤ 1 ) 의 조성식 을 포함 한다 . 상기 제 1 도전 형 반도체 층 ( 115 ) 은 III 족 - V 족 원소 의 화합물 반도체 예컨대 , GaN , AlN , AlGaN , InGaN , InN , InAlGaN , AlInN , AlGaAs , GaP , GaAs , GaAsP , AlGaInP 중 에서 선택 될 수 있 다 . 상기 제 1 도전 형 도 펀트 는 n 형 도 펀트 로서 , Si , Ge , Sn , Se , Te 등 과 같 은 도 펀트 를 포함 한다 . 
 상기 활성 층 ( 117 ) 은 제 1 도전 형 반도체 층 ( 115 ) 아래 에 배치 되 고 , 단일 양자 우물 , 다중 양자 우물 ( MQW ) , 양자 선 ( quantum wire ) 구조 또는 양자 점 ( quantum dot ) 구조 를 선택 적 으로 포함 하 며 , 우물 층 과 장벽층 의 주기 를 포함 한다 . 상기 우물 층 / 장벽층 의 주기 는 예컨대 , InGaN / GaN , GaN / AlGaN , AlGaN / AlGaN , InGaN / AlGaN , InGaN / InGaN , AlGaAs / GaA , InGaAs / GaAs , InGaP / GaP , AlInGaP / InGaP , InP / GaAs 의 페어 중 적어도 하나 를 포함 한다 . 
 상기 제 2 도전 형 반도체 층 ( 119 ) 은 활성 층 ( 117 ) 아래 에 배치 된다 . 상기 제 2 도전 형 반도체 층 ( 119 ) 은 제 2 도전 형 도 펀트 가 도핑 된 반도체 예컨대 , In xAl yGa 1 - x - yN ( 0 ≤ x ≤ 1 , 0 ≤ y ≤ 1 , 0 ≤ x + y ≤ 1 ) 의 조성식 을 포함 한다 . 상기 제 2 도전 형 반도체 층 ( 119 ) 은 , GaN , InN , AlN , InGaN , AlGaN , InAlGaN , AlInN , AlGaAs , GaP , GaAs , GaAsP , AlGaInP 와 같 은 화합물 반도체 중 적어도 하나 로 이루어질 수 있 다 . 상기 제 2 도전 형 반도체 층 ( 119 ) 이 p 형 반도체 층 이 고 , 상기 제 1 도전 형 도 펀트 는 p 형 도 펀트 로서 , Mg , Zn , Ca , Sr , Ba 을 포함 할 수 있 다 . 
 상기 발광 구조물 ( 120 ) 은 다른 예 로서 , 상기 제 1 도전 형 반도체 층 ( 115 ) 이 p 형 반도체 층 , 상기 제 2 도전 형 반도체 층 ( 119 ) 은 n 형 반도체 층 으로 구현 될 수 있 다 . 상기 제 2 도전 형 반도체 층 ( 119 ) 위 에 는 상기 제 2 도전 형 과 반대 의 극성 을 갖 는 제 3 도전 형 반도체 층 이 형성 할 수 도 있 다 . 또한 상기 발광 구조물 ( 120 ) 은 n - p 접합 구조 , p - n 접합 구조 , n - p - n 접합 구조 , p - n - p 접합 구조 중 어느 한 구조 로 구현 할 수 있 다 . 
 상기 제 2 도전 형 반도체 층 ( 119 ) 아래 에 는 전극 층 ( 131 ) 이 형성 된다 . 상기 전극 층 ( 131 ) 은 반사 층 을 포함 할 수 있 다 . 상기 전극 층 ( 131 ) 은 상기 발광 구조물 ( 120 ) 의 제 2 도전 형 반도체 층 ( 119 ) 에 접촉 된 오 믹 접촉 층 을 포함 할 수 있 다 . 상기 반사 층 은 반사 율 이 70 % 이상 인 물질 예컨대 , Al , Ag , Ru , Pd , Rh , Pt , Ir 의 금속 과 상기 의 금속 중 둘 이상 의 합금 중 에서 선택 될 수 있 다 . 상기 반사 층 의 금속 은 상기 제 2 도전 형 반도체 층 ( 119 ) 아래 에 접촉 될 수 있 다 . 상기 오 믹 접촉 층 은 투광 성 재질 , 금속 또는 비 금속 재질 중 에서 선택 될 수 있 다 . 
 상기 전극 층 ( 131 ) 은 투광 성 전극 층 / 반사 층 의 적층 구조 를 포함 할 수 있 으며 , 상기 투광 성 전극 층 은 예컨대 ITO ( indium tin oxide ) , IZO ( indium zinc oxide ) , IZTO ( indium zinc tin oxide ) , IAZO ( indium aluminum zinc oxide ) , IGZO ( indium gallium zinc oxide ) , IGTO ( indium gallium tin oxide ) , AZO ( aluminum zinc oxide ) , ATO ( antimony tin oxide ) , GZO ( gallium zinc oxide ) , Ag , Ni , Al , Rh , Pd , Ir , Ru , Mg , Zn , Pt , Au , Hf 및 이 들 의 선택 적 인 조합 으로 구성 된 물질 중 에서 형성 될 수 있 다 . 상기 투광 성 전극 층 의 아래 에 는 금속 재질 의 반사 층 이 배치 될 수 있 으며 , 예컨대 Ag , Ni , Al , Rh , Pd , Ir , Ru , Mg , Zn , Pt , Au , Hf 및 이 들 의 선택 적 인 조합 으로 구성 된 물질 중 에서 형성 될 수 있 다 . 상기 반사 층 은 다른 예 로서 , 서로 다른 굴절 률 을 갖 는 두 층 이 교대 로 배치 된 DBR ( distributed bragg reflection ) 구조 로 형성 될 수 있 다 . 
 상기 제 2 도전 형 반도체 층 ( 119 ) 및 상기 전극 층 ( 131 ) 중 적어도 한 층 의 표면 에 는 러프 니스 와 같 은 광 추출 구조 가 형성 될 수 있 으며 , 이러 한 광 추출 구조 는 입사 되 는 광 의 임계각 을 변화 시켜 주 어 , 광 추출 효율 을 개선 시켜 줄 수 있 다 . 
 상기 절연 층 ( 133 ) 은 상기 전극 층 ( 131 ) 아래 에 배치 되 며 , 상기 제 2 도전 형 반도체 층 ( 119 ) 의 하 면 , 상기 제 2 도전 형 반도체 층 ( 119 ) 및 상기 활성 층 ( 117 ) 의 측면 , 상기 제 1 도전 형 반도체 층 ( 115 ) 의 일부 영역 에 배치 될 수 있 다 . 상기 절연 층 ( 133 ) 은 상기 발광 구조물 ( 120 ) 의 하부 영역 중 에서 상기 전극 층 ( 131 ) , 제 1 전극 ( 135 ) 및 제 2 전극 ( 137 ) 을 제외 한 영역 에 형성 되 어 , 상기 발광 구조물 ( 120 ) 의 하부 를 전기 적 으로 보호 하 게 된다 . 상기 절연 층 ( 133 ) 은 서로 다른 굴절 률 을 갖 는 제 1 층 과 제 2 층 이 교대 로 배치 된 DBR ( distributed Bragg reflector ) 구조 로 형성 될 수 있 다 . 
 상기 제 1 도전 형 반도체 층 ( 115 ) 의 일부 영역 아래 에 는 제 1 전극 ( 135 ) 이 배치 되 며 , 상기 전극 층 ( 131 ) 의 일부 아래 에 는 제 2 전극 ( 137 ) 이 배치 될 수 있 다 . 상기 제 1 전극 ( 135 ) 아래 에 는 제 1 연결 전극 ( 141 ) 이 배치 되 며 , 상기 제 2 전극 ( 137 ) 아래 에 는 제 2 연결 전극 ( 143 ) 이 배치 된다 . 상기 제 1 전극 ( 135 ) 은 상기 제 1 도전 형 반도체 층 ( 115 ) 과 상기 제 1 연결 전극 ( 141 ) 에 전기 적 으로 연결 되 며 , 상기 제 2 전극 ( 137 ) 은 상기 전극 층 ( 131 ) 을 통해 상기 제 2 도전 형 반도체 층 ( 119 ) 과 제 2 연결 전극 ( 143 ) 에 전기 적 으로 연결 될 수 있 다 . 상기 제 1 연결 전극 ( 141 ) 및 상기 제 2 연결 전극 ( 143 ) 은 전원 을 공급 하 는 리드 ( lead ) 기능 과 방열 경로 를 제공 하 게 된다 . 상기 제 1 연결 전극 ( 141 ) 및 상기 제 2 연결 전극 ( 143 ) 은 원 형상 , 다각 형상 , 원 기둥 또는 다각 기둥 과 같 은 형상 중 적어도 하나 를 포함 할 수 있 다 . 상기 제 1 연결 전극 ( 141 ) 및 제 2 연결 전극 ( 143 ) 은 금속 파우더 의 재질 예컨대 , Ag , Al , Au , Cr , Co , Cu , Fe , Hf , In , Mo , Ni , Si , Sn , Ta , Ti , W 및 이 들 금속 의 선택 적 합금 중 어느 하나 로 형성 될 수 있 다 . 상기 제 1 연결 전극 ( 141 ) 및 제 2 연결 전극 ( 143 ) 은 상기 제 1 전극 ( 135 ) 및 제 2 전극 ( 137 ) 과 의 접착력 향상 을 위하 여 In , Sn , Ni , Cu 및 이 들 의 선택 적 인 합금 중 의 어느 한 금속 으로 도금 될 수 있 다 . 
 상기 지지층 ( 140 ) 은 열 전도성 재질 을 포함 하 며 , 상기 제 1 전극 ( 135 ) , 상기 제 2 전극 ( 137 ) , 상기 제 1 연결 전극 ( 141 ) 및 상기 제 2 연결 전극 ( 143 ) 의 둘레 에 배치 될 수 있 다 . 상기 지지층 ( 140 ) 의 하면 에 는 상기 제 1 및 제 2 연결 전극 ( 141 , 143 ) 의 하면 이 노출 될 수 있 다 . 
 상기 지지층 ( 140 ) 은 발광 소자 ( 100 ) 를 지지 하 는 층 으로 사용 된다 . 상기 지지층 ( 140 ) 은 절연성 재질 로 형성 되 며 , 상기 절연성 재질 은 예컨대 , 실리콘 또는 에폭시 와 같 은 수지 층 으로 형성 된다 . 다른 예 로서 , 상기 절연성 재질 은 페이스트 또는 절연성 잉크 를 포함 할 수 있 다 . 상기 지지층 ( 140 ) 내 에 는 Al , Cr , Si , Ti , Zn , Zr 중 적어도 하나 를 갖 는 산화물 , 질화물 , 불화물 , 황화물 과 같 은 화합물 들 중 적어도 하나 가 첨가 될 수 있 다 . 상기 발광 칩 ( 100 A ) 은 상기 회로 기판 ( 400 ) 상 에 플립 방식 으로 탑재 된다 . 상기 회로 기판 ( 400 ) 은 상기 에 개시 된 층 들 을 포함 할 수 있 다 . 
 상기 제 1 및 제 2 리드 전극 ( 473 , 474 ) 은 발광 칩 ( 100 A ) 의 제 1 및 제 2 연결 전극 ( 141 , 143 ) 과 전기 적 으로 연결 된다 . 상기 제 1 및 제 2 리드 전극 ( 473 , 474 ) 과 상기 발광 칩 ( 100 A ) 의 연결 전극 ( 141 , 143 ) 사이 에 는 전도성 접착제 ( 461 , 462 ) 가 배치 될 수 있 다 . 상기 전도성 접착제 ( 461 , 462 ) 는 솔 더 재질 과 같 은 금속 재질 을 포함 할 수 있 다 . 상기 제 1 리드 전극 ( 473 ) 및 제 2 리드 전극 ( 474 ) 은 회로 패턴 으로서 , 전원 을 공급 해 주 게 된다 . 
 도 27 을 참조 하 여 조명 모듈 의 발광 소자 의 제 2 예 를 설명 하 기 로 한다 . 
 도 27 을 참조 하 면 , 발광 소자 ( 100 ) 는 회로 기판 ( 400 ) 에 연결 된 발광 칩 ( 200 A ) 을 포함 한다 . 상기 발광 소자 ( 100 ) 는 발광 칩 ( 200 A ) 의 표면 에 배치 된 형광체 층 ( 250 ) 을 포함 할 수 있 다 . 상기 형광체 층 ( 250 ) 은 입사 되 는 광 의 파장 을 변환 하 게 된다 . 상기 발광 소자 ( 100 ) 상 에 는 도 4 와 같이 광학 렌즈 ( 도 4 의 300 ) 가 배치 되 어 상기 발광 칩 ( 200 A ) 으로부터 방출 된 광 의 지향 특성 을 조절 하 게 된다 . 
 상기 발광 칩 ( 200 A ) 은 발광 구조물 ( 225 ) , 및 복수 의 패드 ( 245 , 247 ) 를 포함 한다 . 상기 발광 구조물 ( 225 ) 은 II 족 내지 VI 족 원소 의 화합물 반도체 층 예컨대 , III 족 - V 족 원소 의 화합물 반도체 층 또는 II 족 - VI 족 원소 의 화합물 반도체 층 으로 형성 될 수 있 다 . 상기 복수 의 패드 ( 245 , 247 ) 는 상기 발광 구조물 ( 225 ) 의 반도체 층 에 선택 적 으로 연결 되 며 , 전원 을 공급 하 게 된다 . 
 상기 발광 구조물 ( 225 ) 은 제 1 도전 형 반도체 층 ( 222 ) , 활성 층 ( 223 ) 및 제 2 도전 형 반도체 층 ( 224 ) 을 포함 한다 . 상기 발광 칩 ( 200 A ) 은 기판 ( 221 ) 을 포함 할 수 있 다 . 상기 기판 ( 221 ) 은 상기 발광 구조물 ( 225 ) 위 에 배치 된다 . 상기 기판 ( 221 ) 은 예컨대 , 투광 성 , 절연성 기판 , 또는 전도성 기판 일 수 있 다 . 이러 한 구성 은 도 4 의 발광 구조물 및 기판 에 대한 설명 을 참조 하 기 로 한다 . 
 상기 발광 칩 ( 200 A ) 은 하부 에 패드 ( 245 , 247 ) 가 배치 되 며 , 상기 패드 ( 245 , 247 ) 는 제 1 및 제 2 패드 ( 245 , 247 ) 를 포함 한다 . 상기 제 1 및 제 2 패드 ( 245 , 247 ) 는 상기 발광 칩 ( 200 A ) 의 아래 에 서로 이격 되 어 배치 된다 . 상기 제 1 패드 ( 245 ) 는 상기 제 1 도전 형 반도체 층 ( 222 ) 과 전기 적 으로 연결 되 며 , 상기 제 2 패드 ( 247 ) 는 제 2 도전 형 반도체 층 ( 224 ) 과 전기 적 으로 연결 된다 . 상기 제 1 및 제 2 패드 ( 245 , 247 ) 은 바닥 형상 이 다각 형 또는 원 형상 이 거나 , 회로 기판 ( 400 ) 의 제 1 및 제 2 리드 전극 ( 415 , 417 ) 의 형상 과 대응 되 도록 형성 될 수 있 다 . 상기 제 1 및 제 2 패드 ( 245 , 247 ) 각각 의 하 면 면적 은 예컨대 , 제 1 및 제 2 리드 전극 ( 415 , 417 ) 각각 의 상면 크기 와 대응 되 는 크기 로 형성 될 수 있 다 . 
 상기 발광 칩 ( 200 A ) 은 상기 기판 ( 221 ) 과 상기 발광 구조물 ( 225 ) 사이 에 버퍼 층 ( 미 도시 ) 및 언 도프 드 반도체 층 ( 미 도시 ) 중 적어도 하나 를 포함 할 수 있 다 . 상기 버퍼 층 은 상기 기판 ( 221 ) 과 반도체 층 과 의 격자 상수 차이 를 완화 시켜 주 기 위한 층 으로서 , II 족 내지 VI 족 화합물 반도체 중 에서 선택 적 으로 형성 될 수 있 다 . 상기 버퍼 층 아래 에 는 언 도핑 된 III 족 - V 족 화합물 반도체 층 이 더 형성 될 수 있 으며 , 이 에 대해 한정 하 지 는 않 는다 . 상기 기판 ( 221 ) 은 제거 될 수 있 다 . 상기 기판 ( 221 ) 이 제거 된 경우 형광체 층 ( 250 ) 은 상기 제 1 도전 형 반도체 층 ( 222 ) 의 상면 이나 다른 반도체 층 의 상면 에 접촉 될 수 있 다 . 
 상기 제 1 및 제 2 전극 층 ( 241 , 242 ) 은 서로 다른 물질 로 형성 될 수 있 다 . 상기 제 1 전극 층 ( 241 ) 은 투광 성 재질 로 형성 될 수 있 으며 , 예컨대 금속 산화물 또는 금속 질화물 로 형성 될 수 있 다 . 상기 제 1 전극 층 은 예컨대 ITO ( indium tin oxide ) , ITON ( ITO nitride ) , IZO ( indium zinc oxide ) , IZON ( IZO nitride ) , IZTO ( indium zinc tin oxide ) , IAZO ( indium aluminum zinc oxide ) , IGZO ( indium gallium zinc oxide ) , IGTO ( indium gallium tin oxide ) , AZO ( aluminum zinc oxide ) , ATO ( antimony tin oxide ) , GZO ( gallium zinc oxide ) 중 에서 선택 적 으로 형성 될 수 있 다 . 상기 제 2 전극 층 ( 242 ) 은 상기 제 1 전극 층 ( 241 ) 의 하면 과 접촉 되 며 반사 전극 층 으로 기능 할 수 있 다 . 상기 제 2 전극 층 ( 242 ) 은 금속 예컨대 , Ag , Au 또는 Al 를 포함 한다 . 상기 제 2 전극 층 ( 242 ) 은 상기 제 1 전극 층 ( 241 ) 이 일부 영역 이 제거 된 경우 , 상기 발광 구조물 ( 225 ) 의 하면 에 부분 적 으로 접촉 될 수 있 다 . 
 다른 예 로서 , 상기 제 1 및 제 2 전극 층 ( 241 , 242 ) 의 구조 는 무 지향 성 반사 ( ODR : Omni Directional Reflector layer ) 구조 로 적층 될 수 있 다 . 상기 무 지향 성 반사 구조 는 낮 은 굴절 률 을 갖 는 제 1 전극 층 ( 241 ) 과 , 상기 제 1 전극 층 ( 241 ) 과 접촉 된 고 반사 재질 의 금속 재질 인 제 2 전극 층 ( 242 ) 의 적층 구조 로 형성 될 수 있 다 . 상기 전극 층 ( 241 , 242 ) 은 , 예컨대 , ITO / Ag 의 적층 구조 로 이루어질 수 있 다 . 이러 한 상기 제 1 전극 층 ( 241 ) 과 제 2 전극 층 ( 242 ) 사이 의 계면 에서 전 방위 반사각 을 개선 시켜 줄 수 있 다 . 
 상기 제 3 전극 층 ( 243 ) 은 상기 제 2 전극 층 ( 242 ) 의 아래 에 배치 되 며 , 상기 제 1 및 제 2 전극 층 ( 241 , 242 ) 과 전기 적 으로 절연 된다 . 상기 제 3 전극 층 ( 243 ) 은 금속 예컨대 , 티타늄 ( Ti ) , 구리 ( Cu ) , 니켈 ( Ni ) , 금 ( Au ) , 크롬 ( Cr ) , 탄탈 늄 ( Ta ) , 백금 ( Pt ) , 주석 ( Sn ) , 은 ( Ag ) , 인 ( P ) 중 적어도 하나 를 포함 한다 . 상기 제 3 전극 층 ( 243 ) 아래 에 는 제 1 패드 ( 245 ) 및 제 2 패드 ( 247 ) 가 배치 된다 . 상기 절연 층 ( 231 , 233 ) 은 제 1 및 제 2 전극 층 ( 241 , 242 ) , 제 3 전극 층 ( 243 ) , 제 1 및 제 2 패드 ( 245 , 247 ) , 발광 구조물 ( 225 ) 의 층 간 의 불 필요 한 접촉 을 차단 하 게 된다 . 상기 절연 층 ( 231 , 233 ) 은 제 1 및 제 2 절연 층 ( 231 , 233 ) 을 포함 한다 . 상기 제 1 절연 층 ( 231 ) 은 상기 제 3 전극 층 ( 243 ) 과 제 2 전극 층 ( 242 ) 사이 에 배치 된다 . 상기 제 2 절연 층 ( 233 ) 은 상기 제 3 전극 층 ( 243 ) 과 제 1 / 2 패드 ( 245 , 247 ) 사이 에 배치 된다 . 상기 제 1 및 제 2 패드 ( 245 , 247 ) 는 상기 제 1 및 제 2 리드 전극 ( 415 , 417 ) 과 동일 한 물질 을 포함 할 수 있 다 . 
 상기 제 3 전극 층 ( 243 ) 은 상기 제 1 도전 형 반도체 층 ( 222 ) 과 연결 된다 . 상기 제 3 전극 층 ( 243 ) 의 연결부 ( 244 ) 는 상기 제 1 , 2 전극 층 ( 241 , 242 ) 및 발광 구조물 ( 225 ) 의 하부 를 통해 비아 구조 로 돌출 되 며 제 1 도전 형 반도체 층 ( 222 ) 과 접촉 된다 . 상기 연결부 ( 244 ) 는 복수 로 배치 될 수 있 다 . 상기 제 3 전극 층 ( 243 ) 의 연결부 ( 244 ) 의 둘레 에 는 상기 제 1 절연 층 ( 231 ) 의 일부 ( 232 ) 가 연장 되 어 제 3 전극 층 ( 243 과 상기 제 1 및 제 2 전극 층 ( 241 , 242 ) , 제 2 도전 형 반도체 층 ( 224 ) 및 활성 층 ( 223 ) 간 의 전기 적 인 연결 을 차단 한다 . 상기 발광 구조물 ( 225 ) 의 측면 에 는 측면 보호 를 위해 절연 층 이 배치 될 수 있 으며 , 이 에 대해 한정 하 지 는 않 는다 . 
 상기 제 2 패드 ( 247 ) 는 상기 제 2 절연 층 ( 233 ) 아래 에 배치 되 고 상기 제 2 절연 층 ( 233 ) 의 오픈 영역 을 통해 상기 제 1 및 제 2 전극 층 ( 241 , 242 ) 중 적어도 하나 와 접촉 되 거나 연결 된다 . 상기 제 1 패드 ( 245 ) 는 상기 제 2 절연 층 ( 233 ) 의 아래 에 배치 되 며 상기 제 2 절연 층 ( 233 ) 의 오픈 영역 을 통해 상기 제 3 전극 층 ( 243 ) 과 연결 된다 . 이 에 따라 상기 제 1 패드 ( 247 ) 의 돌기 ( 248 ) 는 제 1 , 2 전극 층 ( 241 , 242 ) 을 통해 제 2 도전 형 반도체 층 ( 224 ) 에 전기 적 으로 연결 되 며 , 제 2 패드 ( 245 ) 의 돌기 ( 246 ) 는 제 3 전극 층 ( 243 ) 을 통해 제 1 도전 형 반도체 층 ( 222 ) 에 전기 적 으로 연결 된다 . 
 상기 제 1 및 제 2 패드 ( 245 , 247 ) 는 상기 발광 칩 ( 200 A ) 의 하부 에 서로 이격 되 며 , 상기 회로 기판 ( 400 ) 의 제 1 및 제 2 리드 전극 ( 415 , 417 ) 와 대면 하 게 된다 . 상기 제 1 및 제 2 패드 ( 245 , 247 ) 에 는 다각형 형상 의 리세 스 ( 271 , 273 ) 를 포함 할 수 있 으며 , 상기 리세 스 ( 271 , 273 ) 는 상기 발광 구조물 ( 225 ) 의 방향 으로 볼록 하 게 형성 된다 . 상기 리세 스 ( 271 , 273 ) 는 상기 제 1 및 제 2 패드 ( 245 , 247 ) 의 두께 와 같 거나 작 은 깊이 를 갖 고 형성 될 수 있 다 . 이러 한 리 세스 ( 271 , 273 ) 의 깊이 는 상기 제 1 및 제 2 패드 ( 245 , 247 ) 의 표면적 을 증가 시켜 줄 수 있 다 . 
 상기 제 1 패드 ( 245 ) 및 제 1 리드 전극 ( 415 ) 사이 의 영역 및 상기 제 2 패드 ( 247 ) 및 제 2 리드 전극 ( 417 ) 사이 의 영역 에 는 접합 부재 ( 255 , 257 ) 가 배치 된다 . 상기 접합 부재 ( 255 , 257 ) 는 전기 전도성 물질 을 포함 할 수 있 으며 , 일부 는 상기 리세 스 ( 271 , 273 ) 에 배치 된다 . 상기 제 1 및 제 2 패드 ( 215 , 217 ) 는 상기 접합 부재 ( 255 , 257 ) 가 리세 스 ( 271 , 273 ) 에 배치 되 므로 , 상기 접합 부재 ( 255 , 257 ) 와 제 1 및 제 2 패드 ( 245 , 247 ) 간 의 접착 면적 은 증가 될 수 있 다 . 이 에 따라 제 1 및 제 2 패드 ( 245 , 247 ) 와 제 1 및 제 2 리드 전극 ( 415 , 417 ) 가 접합 되 므로 발광 칩 ( 200 A ) 의 전기 적 인 신뢰 성 및 방열 효율 을 개선 시켜 줄 수 있 다 . 
 상기 접합 부재 ( 255 , 257 ) 는 솔 더 페이스트 재질 을 포함 할 수 있 다 . 상기 솔 더 페이스트 재질 은 금 ( Au ) , 주석 ( Sn ) , 납 ( Pb ) , 구리 ( Cu ) , 비스무트 ( Bi ) , 인듐 ( In ) , 은 ( Ag ) 중 적어도 하나 를 포함 한다 . 상기 접합 부재 ( 255 , 257 ) 는 열 전달 을 회로 기판 ( 400 ) 에 직접 전도 하 기 때문 에 열 전도 효율 이 패키지 를 이용 한 구조 보다 는 개선 될 수 있 다 . 또한 상기 접합 부재 ( 255 , 257 ) 는 발광 칩 ( 200 A ) 의 제 1 및 제 2 패드 ( 245 , 247 ) 와 의 열 팽창 계수 의 차이 가 적 은 물질 이 므로 , 열 전도 효율 을 개선 시켜 줄 수 있 다 . 상기 접합 부재 ( 255 , 257 ) 는 다른 예 로서 , 전도성 필름 을 포함 할 수 있 으며 , 상기 전도성 필름 은 절연성 필름 내 에 하나 이상 의 도전 성 입자 를 포함 한다 . 상기 도전 성 입자 는 예컨대 , 금속 이나 , 금속 합금 , 탄소 중 적어도 하나 를 포함 할 수 있 다 . 상기 도전 성 입자 는 니켈 , 은 , 금 , 알루미늄 , 크롬 , 구리 및 탄소 중 적어도 하나 를 포함 할 수 있 다 . 상기 전도성 필름 은 이방성 ( Anisotropic ) 전도 필름 또는 이방성 도전 접착제 를 포함 할 수 있 다 . 
 상기 발광 칩 ( 200 A ) 은 회로 기판 ( 400 ) 의 표면 및 발광 구조물 ( 225 ) 의 측면 및 상면 을 통해 광 을 방출 함 으로써 , 광 추출 효율 을 개선 시켜 줄 수 있 다 . 이러 한 회로 기판 ( 400 ) 상 에 발광 칩 ( 200 A ) 을 직접 본 딩 할 수 있 어 공정 이 간소 화 될 수 있 다 . 또한 발광 칩 ( 200 A ) 의 방열 이 개선 됨 으로써 , 조명 분야 등 에 유용 하 게 활용 될 수 있 다 . 
 이러 한 라이트 유닛 은 , 각 종 휴대 단말기 , 노트북 컴퓨터 의 모니터 , 랩탑 컴퓨터 의 모니터 , TV 와 같 은 표시 장치 에 적용 되 거나 , 3 차원 디스플레이 , 각종 조명 등 , 신호등 , 차량 전조등 , 후미 등 , 전광판 에 적용 될 수 있 다 . 
 실시 예 는 광학 렌즈 를 갖 는 조명 모듈 을 이용 하 여 디스플레이 , 각종 조명 등 , 신호등 , 차량 전조등 , 전광판 과 같 은 조명 장치 에 적용 될 수 있 다 . 
 제 1 항 에 있 어서 , 상기 흡수 층 은 복수 의 흡수 층 을 포함 하 며 , 상기 복수 의 흡수 층 은 상기 돌기 부 각각 의 둘레 에 배치 되 며 , 상기 제 1 리세 스 와 상기 돌기 부들 각각 의 사이 에 접착 부재 를 포함 하 는 조명 모듈 . 
 제 1 항 또는 제 2 항 에 있 어서 , 상기 흡수 층 각각 의 외경 은 상기 돌기 부들 각각 의 중심 으로부터 상기 돌기 부 의 반경 의 1 . 3 배 내지 2 . 5 배 의 범위 에 배치 되 는 조명 모듈 . 
 제 1 항 또는 제 2 항 에 있 어서 , 상기 돌기 부 의 중심 은 상기 제 1 출사 면 을 기점 으로 상기 바닥 면 의 바닥 중심 과 의 각도 가 45 도 내지 85 도 의 범위 에 배치 되 는 조명 모듈 . 
 제 1 항 또는 제 2 항 에 있 어서 , 상기 돌기 부 를 감싸 는 상기 각 흡수 층 의 상면 면적 은 상기 돌기 부 의 바닥 면적 보다 작 거나 , 상기 돌기 부 의 바닥 면적 의 2 . 6 배 이하 인 조명 모듈 . 
 제 1 항 또는 제 2 항 에 있 어서 , 상기 광학 렌즈 의 바닥 면 과 대면 하 는 상기 흡수 층 의 상면 면적 은 상기 광학 렌즈 의 바닥 면 면적 의 11 % 의 이하 로 배치 되 는 조명 모듈 . 
 제 2 항 에 있 어서 , 상기 흡수 층 각각 은 상기 복수 의 돌기 부 각각 의 둘레 에 링 형상 으로 배치 되 며 , 상기 접착 부재 는 상기 흡수 층 과 상기 돌기 부 사이 에 배치 되 는 조명 모듈 . 
 제 7 항 에 있 어서 , 상기 흡수 층 중 적어도 하나 는 상기 돌기 부 의 둘레 를 따라 복수 의 흡수 영역 및 상기 복수 의 흡수 영역 사이 에 스페이스 를 포함 하 는 조명 모듈 . 
 제 1 항 또는 제 2 항 에 있 어서 , 상기 돌기 부 및 상기 흡수 층 은 상기 발광 소자 로부터 방출 된 광이 상기 제 1 출사 면 에 의해 반사 되 어 전달 되 는 휘 부 영역 상 에 배치 되 며 , 상기 휘 부 영역 은 상기 광학 렌즈 의 바닥 면 의 영역 중 에서 상기 바닥 면 으로 진행 하 는 광 의 광도 가 피크 치의 80 % 이상 인 영역 을 포함 하 는 조명 모듈 . 
 제 1 항 또는 제 2 항 에 있 어서 , 상기 광학 렌즈 는 상기 회로 기판 상 에 제 1 방향 으로 복수 로 배열 되 며 , 상기 광학 렌즈 는 제 2 방향 의 길이 가 상기 회로 기판 의 제 2 방향 의 길이 보다 더 길 며 , 상기 광학 렌즈 의 제 1 , 2 방향 의 길이 는 상기 광학 렌즈 의 두께 보다 큰 조명 모듈 .