먼저 , 도 1 에 나타낸 바 와 같이 , 절연 기판 위 에 보호막 으로 산화 막 ( 110 ) 을 입히 고 , 그 위 에 기판 으로부터 의 오염 을 방지 하 기 위한 버퍼 층 ( 120 ) 을 증착 한다 . 소자 에 따라서 기판 위 에 형성 되 는 버퍼 막 은 생략 될 수 있 다 . 버퍼 층 은 실리콘 산화물 혹은 실리콘 질화물 등 이 사용 될 수 있 다 . 다음 으로 비정질 규소 층 ( 130 ) 을 증착 한다 . 비정질 규소 층 ( 130 ) 의 증착 은 LPCVD ( low temperature chemic al vapor deposition ) , PECVD ( plasma enhanced chemical vapor deposition ) 또는 스퍼터링 ( sputtering ) 으로 진행 할 수 있 다 . 상기 층 에 비정질 규소 층 을 증착 한 후 마스크 를 이용 하 여 이온 도핑 을 한다 . 이어서 , 레이저 에너지 전달 물질 층 으로 ITO ( 인듐 주석 산화 막 - 140 ) 을 100 nm ~ 200 nm 두께 를 지니 도록 증착 한다 . 여기 서 레이저 에너지 전달 물질 로 금 막 이나 , 니켈 막 등 과 같이 사용 되 는 레이저 의 파장 대 에서 레이저 의 에너지 를 흡수 할 수 있 는 물질 이 면 모두 가능 하 다 . 본 실시 예 에서 는 1030 nm 의 큐 레이저 를 이용 하 여 ITO 에 에너지 를 가하 는 방법 을 사용 하 였 다 . ITO 층 ( 140 ) 을 레이저 로 가열 해 주 면 , 하부 의 도핑 된 비 정질 규소 가 다 결정 규소 로 변환 된다 .