위상 반 전막 ( 104 ) 을 구성 하 는 각 박막 들 이 몰 리브 데 늄 실리사이드 ( MoSi ) 또는 그 의 화합물 형태 로 구성 되 는 경우 , 위상 반 전막 ( 104 ) 은 몰 리브 데 늄 실리사이드 ( MoSi ) 의 단일 타 겟 또는 몰 리브 데 늄 ( Mo ) 과 실리콘 ( Si ) 으로 각각 이루어진 복수 의 타 겟 을 이용한 스퍼터링 공정 으로 형성 할 수 있 다 . 이때 , 상기 몰 리브 데 늄 실리사이드 ( MoSi ) 단일 타 겟 은 Mo : Si = 2 at % ∼ 30 at % : 70 at % ∼ 98 at % 인 조성 비 를 가지 며 , 예 를 들 어 , Mo : Si = 10 at % : 90 at %, Mo : Si = 15 at % : 85 at %, Mo : Si = 20 at % : 80 at %, Mo : Si = 30 at % : 70 at % 등 다양 한 조성 비 를 갖 는 타 겟 을 사용 할 수 있 으며 , 상기 타 겟 의 조성 비 는 요구 되 는 위상 반 전막 ( 104 ) 의 조건 에 따라 자유 롭 게 조절 할 수 있 다 .