전극 패턴 들 ( CP 1 내지 CPn ) 은 각층 에서 제 1 슬릿 ( SI 1 ) 에 의해 서로 분리 될 수 있 다 . 전극 패턴 들 ( CP 1 내지 CPn ) 중 드레 인 셀렉 트 라인 들 ( DSL ) 로 이용 되 는 패턴 들 은 각층 에서 제 1 슬릿 ( SI 1 ) 뿐 아니 라 , 제 2 슬릿 ( SI 2 ) 에 의해 서로 분리 될 수 있 다 . 본 발명 은 이 에 제한 되 지 않 는다 . 도면 에 도시 되 진 않 았 으나 , 일 실시 예 로서 , 전극 패턴 들 ( CP 1 내지 CPn ) 중 소스 셀렉 트 라인 들 ( SSL ) 로 이용 되 는 패턴 들 은 각층 에서 제 1 슬릿 ( SI 1 ) 뿐 아니 라 , 제 3 슬릿 ( 미 도시 ) 에 의해 서로 분리 될 수 있 다 .