제 2 전도성 유형 의 도핑 된 반도체 재료 의 각각 의 나머지 부분 은 드레 인 영역 ( 63 ) 을 구성 한다 . 드레 인 영역 들 ( 63 ) 내 의 도 펀트 농도 는 5 . 0 × 1019 / ㎤ 내지 2 . 0 × 1021 / ㎤ 범위 내 에 있 을 수 있 지만 , 더 낮 은 도 펀트 농도 및 더 높 은 도 펀트 농도 도 사용 될 수 있 다 . 도핑 된 반도체 재료 는 , 예 를 들 어 도핑 된 폴리 실리콘 일 수 있 다 .