도 1 c 및 도 3 을 참조 하 면 , 게이트 식각 진행시 어드밴스 드 STI 구조 에서 는 셀 영역 과 주변 회로 영역 의 동일 한 EFH ( Effective Field oxide Height ) 로 인해 게이트 식각 진행시 주변 회로 영역 의 터널 산화 막 및 활성 영역 의 어택 이 발생 한다 . 이 는 게이트 식각 공정 시 제 2 폴리 실리콘 막 과 제 1 폴리 실리콘 막 까지 식각 함 에 따라 제 1 폴리 실리콘 막 식각 시 노출 되 는 터널 산화 막 및 터널 산화 막 아래 의 활성 영역 이 어택 받 는 것 이 다 .