다음 으로 본 발명 의 제 10 실시 예 에 따른 비휘발성 메모리 를 설명 한다 . 도 38 은 제 10 실시 예 에 따른 비휘발성 메모리 의 메모리 셀 어레이 ( 1 ') 및 이 메모리 셀 어레이 의 주변 회로 들 의 회로도 이 다 . 제 10 실시 예 에 따른 비휘발성 메모리 에서 , 가변 저항기 VR 과 MOS 트랜지스터 TR 은 제 1 실시 예 와 는 달리 , 메모리 셀 MC 를 구성 한다 . 제 1 실시 예 와 동일 한 요소 들 에 는 동일 한 참조 번호 들 을 부여 하 였 다 .