일 실시 예 에 의하 면 , 기본 소자 ( 110 ) 는 트랜지스터 를 포함 할 수 있 다 . 트랜지스터 는 전계 효과 트랜지스터 ( FET , Field Effect Transistor ) 를 포함 할 수 있 다 . 또한 , 전계 효과 트랜지스터 는 금속 산화 막 반도체 전계 효과 트랜지스터 ( 모스 펫 , MOSFET , Metal - Oxide - Semiconductor Field Effect Transistor ) , 핀 펫 ( FinFET , Fin Field Effect Transistor ) , 고 전자 이동성 트랜지스터 ( HEMT , High Electron Mobility Transistor ) 및 / 또는 구조 접합 전계 효과 트랜지스터 ( JFET , Junction Field Effect Transistor ) 등 을 포함 할 수 있 으나 , 본 발명 의 권리 범위 가 이 에 한정 되 는 것 은 아니 다 . 후술 하 는 바 와 같이 소스 ( 112 ) 와 드레 인 ( 113 ) 등 을 필요 로 하 는 여타 의 반도체 소자 들 역시 기본 소자 ( 110 ) 의 일례 가 될 수 있 다 .