또한 , 상기 와 같 은 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 에 의한 씨 모스 이미지 센서 의 제조 방법 은 포토 다이오드 영역 과 트랜지스터 영역 으로 정의 된 제 1 도전 형 반도체 기판 에 절 연막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 반도체 기판 의 표면 이 소정 부분 노출 되 도록 절 연막 을 선택 적 으로 제거 하 여 게이트 영역 을 정의 하 는 단계 와 , 상기 노출 된 반도체 기판 의 표면 에 게이트 절 연막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 반도체 기판 의 전면 에 도전 층 을 형성 하 고 상기 절 연막 의 상부 표면 을 앤드 포인트 로 평탄 화 하 여 상기 게이트 절연 막상 에 게이트 전극 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 게이트 전극 양측 의 절 연막 두께 를 줄이 는 단계 와 , 상기 게이트 전극 양 측면 에 절 연막 측벽 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 게이트 전극 일 측 의 포토 다이오드 영역 에 저 농도 제 2 도전 형 확산 영역 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 게이트 전극 타 측 의 트랜지스터 영역 에 고농 도 제 2 도전 형 확산 영역 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 여 형성 함 을 특징 으로 한다 .