나아가 , 본 발명 의 또 다른 측면 에 따른 III 족 질화물 반도체 박막 의 제조 방법 은 C 3 결정축 에 대해 - 0 . 9 °∼- 0 . 1 ° 의 오프 각 을 갖 는 ( 1 - 102 ) 면 의 사파이어 기판 을 어닐링 하 는 기판 어닐링 단계 , 상기 사파이어 기판 의 온도 를 1100 ℃∼ 1400 ℃ 의 범위 내 로 제어 하 면서 , 트리 메틸 갈륨 을 200 ∼ 500 μ mol / min 의 유량 으로 도입 함 으로써 , 상기 사파이어 기판 상 에 ( 11 - 20 ) 면 의 질화 갈륨 을 성장 시키 는 질화 갈륨 형성 단계 를 포함 한다 .