하지만 , 이 와 같 은 종래 기술 은 폴리 실리콘 내 의 도 펀트 를 활성 화 하 기 위한 후속 열 공정 중 에 상기 폴리 실리콘 층 내부 에 도핑 된 도 펀트 인 붕소 ( boron ) 가 폴리 실리콘 사이 에 증착 된 도전 층 인 메탈 실리사이드 층 을 통과 하 여 메탈 실리사이드 층 의 측벽 으로 외 확산 되 거나 , 후속 산화 막 현상 시 에 게이트 산화 막 으로 침투 하 여 격리 ( segregation ) 되 는 등 폴리 실리콘 층 의 외부 로 확산 하 는 외 확산 ( out diffusion ) 현상 이 발생 한다 .