도 5 와 함께 , 도 6 을 참조 하 면 제 5 및 제 6 다이오드 ( D 5 , D 6 ) 를 이용 하 여 입력 교류 전원 의 위상 을 검출 하 게 된다 . 검출 된 위상 은 복수 의 분할 저항 ( R 1 내지 R 4 ) 를 통해 분할 되 어 제 1 및 제 2 비교 유닛 ( U 1 , U 2 ) 에 입력 된다 . 입력 전압 이 양 ( +) 의 위상 을 가지 면 제 1 비교 유닛 ( U 1 ) 의 출력 이 ' 1 ' 로 나오 게 되 고 ( 도 6 의 V +), 입력 전압 이 음 ( -) 의 위상 을 가지 게 되 면 제 2 비교 유닛 ( U 2 ) 의 출력 이 ' 1 ' 로 나오 게 된다 ( 도 6 의 V -). 상술 한 비교 결과 는 각각 제 1 및 제 2 반전 유닛 ( U 3 , U 4 ) 에 의해 반전 되 어 제 1 및 제 2 논리 소자 ( U 5 , U 6 ) 에 전달 되 고 제 1 및 제 2 논리 소자 ( U 5 , U 6 ) 는 MOS - FET 으로 구성 된 스위치 를 제어 하 기 위해 게이트 신호 생성기 ( So ) 로부터 의 사전 에 설정 된 게이트 신호 와 반전 된 비교 결과 를 곱하 여 제 1 및 제 2 스위칭 신호 를 제공 한다 .