본 발명 은 반도체 소자 의 콘 택 플러그 형성 방법 에 관한 것 으로 , 반도체 기판 상부 에 형성 된 절 연막 내 에 콘 택 홀 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 콘 택 홀 을 포함 한 상기 반도체 기판 상부 에 제 1 확산 정지 막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 콘 택 홀 의 상부 측벽 및 상기 절 연막 상 에 형성 된 상기 제 1 확산 정지 막 을 제거 하 는 단계 와 , 상기 콘 택 홀 내부 의 보우 잉 이 발생 한 영역 까지 상기 절 연막 을 식각 하 는 단계 와 , 상기 콘 택 홀 을 포함 한 상기 반도체 기판 상부 에 제 2 확산 정지 막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 콘 택 홀 내부 에 콘 택 플러그 를 형성 하 는 단계 를 포함 한다 .