이어서 , 상기 제 1 도전 성 패턴 ( 110 a ) 을 갖 는 반도체 기판 상 에 제 2 유전 막 ( 125 ) 을 형성 할 수 있 다 . 상기 제 2 유전 막 ( 125 ) 은 열 산화 막 및 / 또는 CVD 산화 막 으로 형성 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 상기 제 2 유전 막 ( 125 ) 을 형성 하 는 것 은 상기 제 1 도전 성 패턴 ( 110 a ) 을 갖 는 반도체 기판 상 에 열 산화 막 을 형성 하 고 , 상기 열 산화 막 상 에 CVD 산화 막 을 형성 하 는 것 을 포함 할 수 있 다 .