도 3 i 를 참조 하 면 , 제 1 희생 막 들 ( 111 - 115 ) 을 선택 적 으로 제거 할 수 있 다 . 일례 로 , 제 1 희생 막 들 ( 111 - 115 ) 이 게르마늄 실리콘 막인 경우 워드 라인 컷 ( 132 ) 을 통해 식각 액 가령 불 산 ( hydrofluoric acid , HF ) , 혹은 불 산 ( HF ) 과 질산 ( nitric acid , HNO 3 ) 혼합액 을 제공 하 여 제 1 희생 막 들 ( 111 - 115 ) 을 선택 적 으로 제거 할 수 있 다 . 상기 습식 식각 공정 에 의하 면 게이트 들 ( 165 ) 사이 에 에 어 갭 들 ( 116 ) 이 형성 될 수 있 다 . 따라서 , 기판 ( 101 ) 상 에 는 수직 채널 ( 140 ) 을 따라 상하 이격 되 고 에어 갭 들 ( 116 ) 에 의해 서로 절연 되 는 게이트 들 ( 165 ) 이 수직 적층 된 게이트 스택 ( 104 ) 이 형성 될 수 있 다 . 에어 의 유전율 은 대략 1 정도 이 므로 에어 갭 ( 116 ) 의 상하 에 배치 된 게이트 들 ( 165 ) 간 의 기생 커패시턴스 가 대체로 낮 아 질 수 있 다 .