상기 한 바 와 같 은 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 다른 일면 에 따라 반도체 메모리 장치 의 프리 차지 제어 방법 은 프리 차지 명령 이 입력 되 면 제 1 및 제 2 노드 의 프리 차지 를 중지 하 는 제 1 단계 ; 전원 이 분압 됨 으로써 상기 전원 보다 낮 은 레벨 을 갖 는 기준 전압 을 제공 하 는 제 2 단계 ; 메모리 의 저장 노드 로 제공 되 는 비교 전압 을 제공 받 고 , 상기 비교 전압 과 상기 기준 전압 을 비교 하 여 그 에 대응 되 는 전압 을 출력 하 는 제 3 단계 ; 및 상기 비교 전압 과 상기 기준 전압 을 비교 한 결과 에 해당 되 는 전압 으로써 소정 로 오 액티브 시간 에 해당 하 는 폭 을 갖 는 펄스 신호 를 생성 하 여 로 오 액티브 신호 로 제공 하 는 제 4 단계 ; 를 구비 함 을 특징 으로 한다 .