제 2 박막 트랜지스터 ( TFT 2 ) 의 제 1 게이트 전극 ( GEa ) 과 제 2 반도체 층 ( AO ) 사이 에 제 3 절연 층 ( 123 ) 이 배치 될 수 있 다 . 제 2 박막 트랜지스터 ( TFT 2 ) 의 제 1 게이트 전극 ( GEa ) 은 스토리지 커패시터 ( Cst ) 의 제 2 전극 ( CE 2 ) 과 동일 층 에 동일 물질 로 형성 될 수 있 다 . 제 2 반도체 층 ( AO ) 의 채널 영역 ( C 2 ) 이 제 2 박막 트랜지스터 ( TFT 2 ) 의 제 1 게이트 전극 ( GEa ) 에 중첩 할 수 있 다 .