이때 , 포토레지스트 패턴 ( 11 ) 에 의해 오픈 된 영역 ( 12 ) - 하부 층 을 식각 하 기 위해 오픈 된 영역 - 은 목표 로 하 는 현상 공정 후 의 선폭 ( develop inspection critical dimension ; 이하 DICD 라 함 ) 보다 크 게 패 터닝 ( patterning ) 된다 . 즉 , 목표 로 하 는 DICD 가 CD ' A ' 일 경우 이 CD ' A ' 보다 CD 가 큰 CD ' B ' 로 패 터닝 하 는 것 이 다 .