하지만 , HDP 산화 막 으로 이루어진 제 1 절 연막 ( 116 ) 을 형성 할 경우 HDP 방식 의 증착 특성 상 반도체 기판 ( 100 ) 의 센터 ( center ) 영역 을 제외 한 나머지 영역 에서 에지 ( edge ) 쪽 에 가까운 트렌치 ( 112 ) 측벽 의 두께 가 낮 아 져 제 1 절 연막 ( 116 ) 이 경사지 게 증착 된다 . 즉 , HDP 증착 시 샤워 헤드 ( shower head ) 를 이용 한 소스 가스 ( source gas ) 의 공급 이 반도체 기판 ( 100 ) 의 중앙 상단 에서 이루어지 기 때문 에 에지 쪽 으로 갈수록 SiO 2 의 떨어지 는 방향 이 약간 경사지 게 트렌치 ( 112 ) 내부 로 들어가 는 방향 을 가져 비대칭 의 불 균형 ( unbalance ) 한 증착 이 이루어진다 . 이 로 인해 , 제 1 절 연막 ( 116 ) 은 트렌치 ( 112 ) 측벽 및 터널 절 연막 ( 102 ) , 도전 막 ( 104 ) 및 소자 분리 마스크 ( 106 ) 의 측벽 에서 보다 트렌치 ( 112 ) 의 저면 및 활성 영역 상부 에서 보다 두껍 게 형성 된다 .