상기 제 1 반도체 층 ( 1111 ) 은 제 1 도전 형 의 도 펀트 가 도핑 된 3 족 - 5 족 또는 2 족 - 6 족 의 화합물 반도체 중 적어도 하나 로 제공 될 수 있 다 . 예컨대 상기 제 1 반도체 층 ( 1111 ) 은 GaAs , GaAl , InP , InAs , GaP 를 포함 하 는 그룹 중 하나 일 수 있 다 . 상기 제 1 반도체 층 ( 1111 ) 은 예컨대 , AlxGa 1 - xAs ( 0 < x < 1 ) / AlyGa 1 - yAs ( 0 < y < 1 ) ( y < x ) 의 조성식 을 갖 는 반도체 물질 로 제공 될 수 있 다 . 상기 제 1 반도체 층 ( 1111 ) 은 제 1 도전 형 의 도 펀트 예컨대 , Si , Ge , Sn , Se , Te 등 의 n 형 도 펀트 가 도핑 된 n 형 반도체 층 이 될 수 있 다 . 상기 제 1 반도체 층 ( 1111 ) 은 서로 다른 반도체 층 을 교대 로 배치 하 여 λ / 4 n 두께 를 갖 는 DBR ( Distributed Bragg Reflector ) 일 수 있 다 .