현재 DRAM ( Dynamic Random Access Memory ) 반도체 소자 가 100 ㎚ 이하 의 크기 로 고집 적 화 됨 에 따라 반도체 기판 내 에 도핑 농도 를 증가 시켜야 함 에 따라 , 전기장 및 접합 리키지 ( Junction leakage ) 의 증가 로 인하 여 충분 한 리 텐션 타임 ( Retention time ) 을 확보 하 기 가 어려워졌 다 .