CNT 재료 ( 409 ) 를 각 전도체 ( 408 ) 상 에 형성 한 후 에 유전체 층 ( 410 ) ( 도 4 d ) 을 CNT 재료 영역 과 전도체 ( 408 ) 사이 에 보이드 ( void ) 를 채우 기 위해서 기재 ( 400 ) 상 에 증착 한다 . 몇몇 실시 예 에서 유전체 층 ( 410 ) 은 화학 적 증기 증착 법 ( CVD ) , 고밀 도 플 라즈 마 ( HDP ) 증착 법 , 아크 플라 즈 마 도움 증착 법 , 스핀 - 코팅 증착 법 등 을 사용 하 여 증착 시킬 수 있 다 . 예 를 들 어 , 약 일 마이크 론 이상 의 실리콘 이 산화물 을 기재 ( 400 ) 상 에 증착 할 수 있 으며 , 에치 백 공정 또는 화학 적 기계 적 연마 를 사용 하 여 평탄 화 하 여 평탄 표면 ( 412 ) 을 형성 할 수 있 다 . 평탄 표면 ( 412 ) 은 도시 되 어 있 는 것 과 같이 유전체 재료 ( 410 ) 에 의해서 분리 된 CNT 재료 ( 409 ) 의 노출 된 개별 영역 을 포함 한다 .