상기 종래 기술 에 따른 문제점 을 해결 하 기 위한 본 발명 의 목적 은 마이크 로 렌즈 사이 의 공간 부 를 최소 화 하 여 입사 되 는 광자 ( photon ) 의 산란 을 방지 하 여 최대한 으로 해당 포토다이오드 에 도달 할 수 있 도록 하 고 인접 하 는 포토 다이오드 들 사이 의 크로스 토크 현상 을 방지 할 수 있 는 시모스 이미지 센서 의 제조 방법 을 제공 함 에 있 다 .