상술 한 바 와 같이 본 발명 에 의한 반도체 소자 의 층간 절연 층 형성 방법 에 의하 면 , 보이드 ( void ) 없 는 층간 절연 층 을 형성 할 수 있 어서 , 콘 택 ( contact ) 의 브리지 ( bridge ) 를 방지 할 수 있 다 . 또한 고온 공정 에서 발생 할 수 있 는 실리사이드 의 분해 등 에 의한 반도체 소자 의 수율 감소 도 막 을 수 있 다 .