도 7 에 나타내 는 적층 구조 를 갖 는 피 처리 체 ( 210 ) 에 대해 , 플라 즈 마 에칭 장치 ( 100 ) 를 사용 하 고 , 에칭 가스 로서 CF 4 / CHF 3 / Ar / O 2 를 이용 해서 에칭 을 실시 하 고 , 레지스 트 ( PR ) ( 206 ) 를 마스크 로 해서 트렌치 ( 207 ) 를 형성 하 였 다 . 여기 서 , 레지스 트 ( PR ) ( 206 ) 로서 는 막 두께 320 ㎚ 이 고 원소 조성 이 C , H , F 및 O 로 이루어지 는 재료 를 이용 하 고 , 산화 규소 ( SiO 2 ) 막 ( 205 ) 은 막 두께 20 ㎚, 산질 화 규소 ( SiON ) 막 ( 204 ) 은 막 두께 32 ㎚, 질화규소 ( Si 3 N 4 ) 막 ( 203 ) 은 막 두께 265 ㎚, 산화 규소 ( SiO 2 ) 막 ( 202 ) 은 막 두께 8 ㎚ 의 것 을 사용 하 였 다 . 또한 , 레지스 트 ( PR ) ( 206 ) 의 패턴 은 라인 폭 0 . 17 ㎛, 트렌치 폭 0 . 18 ㎛ 로 하 였 다 .