본 발명 은 기판 을 준비 하 는 단계 와 , 상기 기판 상 에 하부 반도체 층 , 활성 층 및 상부 반도체 층 을 포함 하 는 화합물 반도체 층 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 화합물 반도체 층 이 형성 된 기판 을 칩 단위 로 다 이싱 하 는 단계 와 , 상기 다 이싱 된 기판 의 측벽 표면 을 초경질 분말 을 이용 하 여 거칠 게 처리 하 는 단계 를 포함 하 는 발광 다이오드 제조 방법 을 제공 한다 .