약간 의 선택 가능 한 실시 예 에서 , 트렌치 가 블라인드 홀 보다 더 깊 거나 또는 개구 가 더 넓 으면 , 반도체 소자 가 순방향 으로 서지 전류 를 도통 시 트렌치 에 대응 하 는 우물 영역 이 더 일찍 개방 될 수 있 어 , 반도체 소자 의 서지 전류 도통 능력 이 향상 된다 . 또한 , 트렌치 가 더 깊 으면 , 트렌치 에 대응 하 는 우물 영역 이 역방향 항복 ( Reverse Breakdown ) 시 , 애벌 런 치 ( Avalanche ) 점 이 트렌치 의 모서리 부위 에 발생 할 수 있 어 반도체 소자 가 견딜 수 있 는 애벌 런 치 에너지 가 높 아 질 수 있 다 .