이 에 의해 상기 제 1 베이스 기판 ( 101 ) 위 에 는 게이트 배선 들 ( GLn - 1 , GLn ) , 소스 배선 들 ( DLm , DLm + 1 ) 이 형성 되 고 , 게이트 전극 ( 111 ) , 채널 부 ( CH ) , 소스 전극 ( SE ) , 및 드레 인 전극 ( DE ) 을 포함 하 는 스위칭 소자 ( TFT ) 가 형성 되 고 , 상기 드레 인 전극 ( DE ) 과 일체 로 형성 되 어 전기 적 으로 연결 된 화소 전극 ( 155 ) 이 형성 된다 .