밀리미터파 Transistors 
 밀리미터파 회로 제작 에 필수 적 인 능동소자 인 고 속 Transistor 기술 은 반도체 설계 및 공정 기술 의 발 전 으로 급격히 발달 하 고 있 다 . 주로 GaAs 계 나 InP 계 III - V 화합물 반도체 를 이용 한 고주파 transistor 는 FET 기반 의 MODFET 과 BJT 기반 의 HBT 가 밀 리 미터파 대역 에서 응용 된다 . 전통 적 인 III - V 족 반 도체 이외 에 SiGe 와 GaN 소자 기술 역시 급속 한 발전 을 이루 고 있 다 . 본 논문 에서 는 밀리미터파 transistor 기술 에 대한 기본 적 인 내용 과 응용 예 를 소개 한다 . 
 밀 미리 터파 2 단자 소자 
 염경환 21 
 밀리미터파 는 새로운 민간 통신 서비스 에 있 어 무한 한 주파수 자원 의 보고 로 볼 수 있 다 . 과거 이 의 활용 은 빈약 한 부품 기술 로 인해 군 무기 체계 이외 에 는 도외 시 되 었 으나 , ' 80 년 대 이후 GaAs pHEMT device 개발 과 공정 기술 의 비약 적 인 발전 으로 이 를 민간 서 비스 에 활용 하 는 것 이 가능 하 게 되 었 다 . 특히 GaAs p pHEMT 공정 기술 은 회로 설계 시 필요 한 대다수 의 수동 부품 을 동시 에 집적 할 수 있 어 hybrid 설계 시 발생 하 는 조립 의 문제점 을 대다수 해결 하 고 있 다 . 이 보다 늦 게 시작 된 InP 를 기반 으로 한 pHEMT 의 경우 GaAs 의 앞서 언급 한 속성 을 그대로 지니 며 더 높 은 주파수 에 적용 가능 하 여 밀리미터파 활용 전망 을 더욱 밝 게 하 고 있 다 . 본 논문 에서 는 이 들 의 개발 현황 및 이 들 을 이용 한 집적회로 의 현황 을 살펴보 고 향후 발전 방향 을 예측 하 고자 한다 . 
 테라 헤르 즈 전자파 측정 및 응용 기술 
 밀리미터파 응용 을 위한 부품 기술 
 이동 통신 의 발달 로 가속 화 된 고주파 반도체 소자 기술 중 새로운 가능 성 을 가진 밀리미터파 대역 의 주요 응용 분야 와 이 를 위한 부품 기술 을 살펴보 았 다 . 부품 기술 로 는 LG 종합 기술원 에서 개발 된 최근 의 결과 들 을 소개 하 면서 공정 기술 , 소자 기술 , 회로 설계 기술 , 조립 기술 에 대해 알아보 았 다 . 공정 기술 과 소자 기술 은 밀리미터파 에서 주로 사용 되 는 HBT 와 HEMT 를 기준 으로 살펴보 고 회로 설계 기술 은 기존 의 GHz 대역 의 설계 기술 과 밀리미터파 회로 설계 기술 의 차이점 을 언급 하 였 다 . 조립 기술 에 대해서 는 일반 적 으로 MMIC 회로 를 제작 할 때 사용 하 는 마이크 로 스트립 전송 선로 를 밀리미터파 응용 에서 주로 이용 하 는 도파관 에 연결 하 기 위한 변환 구조 를 중심 으로 설명 하 였 다 . 또한 국내외 타 기관 에서 이루어지 고 있 는 이 분야 에 대한 기술 개발 노력 과 연구 동향 에 대해서 도 간단히 알아보 았 다 . 
 맹성 재 63 
 밀리미터파 및 서브 밀리미터파 우주 전파 수신기 제작 기술