5 ) 제 5 스텝 에서 는 노출 된 전극 상 의 무기 막 을 뱅크 를 마스크 로 하 여 에칭 한다 . 본 스텝 에 의해 정공 주입 층 상 의 무기 막 이 에칭 된다 . 정공 주입 층 상 의 무기 막 을 에칭 함 으로써 , 평탄 하 면서 도 또 표면 거칠 기 가 작 은 표면 을 가지 는 정공 주입 층 이 얻 어 진다 . 또 , 정공 주입 층 상 의 무기 막 을 에칭 함 으로써 , 뱅크 찌꺼기 등 에 의해 오염 되 어 있 지 않 은 청정 한 표면 을 가지 는 정공 주입 층 을 얻 을 수 있 다 . 한편 , 뱅크 와 기판 사이 의 무기 막 은 에칭 되 지 않 고 남 아 , 뱅크 와 함께 유기 발광 재료 가 도포 되 는 영역 을 규정 한다 .