희생 층 들 ( 120 ) 은 후속 공정 을 통해 도 2 와 같이 게이트 유전 층 ( 162 ) 및 게이트 전극 ( 165 ) 으로 교체 되 는 층 일 수 있 다 . 희생 층 들 ( 120 ) 은 채널 층 들 ( 141 , 142 , 143 ) 에 대하 여 식각 선택 성 을 갖 는 물질 로 이루어질 수 있 다 . 채널 층 들 ( 141 , 142 , 143 ) 은 희생 층 들 ( 120 ) 과 다른 물질 을 포함 할 수 있 다 . 희생 층 들 ( 120 ) 및 채널 층 들 ( 141 , 142 , 143 ) 은 예 를 들 어 , 실리콘 ( Si ) , 실리콘 게르마늄 ( SiGe ) , 및 게르마늄 ( Ge ) 중 적어도 하나 를 포함 하 는 반도체 물질 을 포함 하 되 , 서로 다른 물질 을 포함 할 수 있 으며 , 불순물 들 을 포함 하 거나 포함 하 지 않 을 수 있 다 . 예 를 들 어 , 희생 층 들 ( 120 ) 은 실리콘 게르마늄 ( SiGe ) 을 포함 하 고 , 채널 층 들 ( 141 , 142 , 143 ) 은 실리콘 ( Si ) 을 포함 할 수 있 다 .