그 다음 에 는 , 열전도 성 물질 패턴 ( 120 ) 을 포함 하 는 반도체 기판 전면 에 열 산발성 제 ( Thermal Acid Generator ) 를 포함 하 는 감광층 ( 130 ) 을 형성 한다 . 이때 , 감광층 은 베이스 폴리머 ( Base Polymer ) 100 중량 부 에 대하 여 열 산 발생 제 0 . 1 ~ 10 중량 부를 포함 하 는 감광 조성물 을 이용 하 여 형성 하 고 , 열전도 성 물질 패턴 ( 120 ) 은 금 ( Au ) , 은 ( Ag ) , 알루미늄 ( Al ) , 철 ( Fe ) , 구리 ( Cu ) , 백금 ( Pt ) , 텅스텐 ( W ) 및 이 들 의 혼합물 중 선택 된 어느 하나 를 사용 하 는 것 이 바람직 하 다 . 또한 , 열전도 성 물질 패턴 ( 120 ) 은 도시 된 바 와 같이 판형 패턴 으로 형성 하 거나 감광층 ( 130 ) 및 피식 각층 ( 110 ) 사이 의 계면 에 선형 패턴 으로 형성 하 거나 감광층 ( 130 ) 의 상부 에 선형 패턴 으로 형성 할 수 있 다 . 아울러 , 별도 의 마스크 에 열전도 성 물질 패턴 을 형성 하 여 사용 할 수 있 다 .