본 발명 의 일 실시 예 에 따른 반도체 소자 의 소자 분리 막 형성 방법 은 , 셀 영역 및 주변 회로 영역 내 소자 분리 영역 에 트렌치 가 형성 된 반도체 기판 이 제공 되 는 단계 , 트렌치 를 채우 는 소자 분리 막 을 형성 하 는 단계 , 소자 분리 막 상 에 희생 막 및 포토레지스트 패턴 을 순차 적 으로 형성 하 는 단계 , 포토레지스트 패턴 을 식각 마스크 로 하 여 셀 영역 의 희생 막 이 제거 되 도록 희생 막 을 패 터닝 하 는 단계 , 포토레지스트 패턴 을 제거 하 는 단계 , 및 패 터닝 된 희생 막 을 식각 마스크 로 하 여 셀 영역 의 소자 분리 막 을 식각 하 는 단계 를 포함 한다 .