도 7 에 도시 한 것 처럼 반도체 적층 체 ( 40 ) 의 상면 ( n 형 반도체 층 ( 41 ) 의 표면 ) 의 전극 비형 성부 에 레지스터 ( 120 ) 를 마련 한다 . 여기 에서 반도체 적층 체 ( 40 ) 상면 의 전극 형성 예정 영역 을 둘러싸 도록 개구 를 가진 레지스터 ( 120 ) 를 , 그 개구 가 레지스터 ( 120 ) 의 적층 방향 을 향해 폐색 되 도록 형성 한다 . 다음 으로 레지스터 ( 120 ) 위 에서 반도체 적층 체 ( 40 ) 상면 의 전면 에 전극 재료 ( 130 ) 를 적층 한다 . 따라서 개구 에서 주입 되 는 전극 재료 ( 130 ) 는 반도체 적층 체 ( 40 ) 의 상면 에서 레지스터 ( 120 ) 쪽 으로 얇 게 돌아들 어 가 개구 의 크기 보다 도 넓 은 차양 모양 의 영역 을 형성 한다 . 다음 으로 전극 재료 ( 130 ) 가 적층 된 레지스터 ( 120 ) 를 제거 함 으로써 전극 형성 예정 영역 에 n 측 전극 ( 50 ) 이 형성 된다 . 이 때 , n 측 전극 ( 50 ) 을 둘러싸 도록 차 양부 ( 50 a ) 가 형성 된다 .