이어서 , 식각 저 지막 ( 201 ) 상 에 제 1 희생 절 연막 ( 202 ) 을 형성 한다 . 이때 , 제 1 희생 절 연막 ( 202 ) 은 불순물 이온 이 도핑 되 지 않 는 절 연막 으로 형성 하 거나 , 후속 공정 을 통해 형성 될 제 3 희생 절 연막 ( 208 , 도 2 d 참조 ) 보다 불순물 이온 이 저 농도 로 도핑 된 절 연막 으로 형성 한다 . 여기 서 , 불순물 이온 은 인 , 붕소 또는 이 들 모두 를 포함 한다 .