예 를 들 면 , 갈륨 을 함유 하 는 산화물 반도체 층 ( 144 ) 에 접하 여 절연 층 을 형성 하 는 경우 에 , 해당 절연 층 에 산화 갈륨 을 포함 하 는 재료 를 이용 함 으로써 산화물 반도체 층 ( 144 ) 과 절연 층 의 계면 특성 을 양호 하 게 유지 할 수 가 있 다 . 예 를 들 면 , 산화물 반도체 층 ( 144 ) 과 산화 갈륨 을 포함 하 는 절연 층 을 접하 여 마련 함 에 의해 , 산화물 반도체 층 ( 144 ) 과 절연 층 의 계면 에 있 어서 의 수소 의 집적 을 저감 할 수 가 있 다 . 또한 , 절연 층 에 산화물 반도체 의 성분 원소 와 같 은 족 의 원소 를 이용 하 는 경우 에 는 , 동일 한 효과 를 얻 는 것 이 가능 하 다 . 예 를 들 면 , 산화 알루미늄 을 포함 하 는 재료 를 이용 하 여 절연 층 을 형성 하 는 것 도 유효 하 다 . 또한 , 산화 알루미늄 은 , 물 을 투과 시키 기 어렵 다는 특성 을 가지 고 있 기 때문 에 , 해당 재료 를 이용 하 는 것 은 , 산화물 반도체 층 ( 144 ) 으로 의 물 의 침입 방지 라는 점 에 있 어서 도 바람직 하 다 .