도 5 a 내지 도 5 d 는 본 발명 의 제 5 실시 예 에 따라 반도체 소자 의 제조 방법 을 순서 에 따라 나타낸 측 단면도 이 다 . 도 5 a 를 참조 하 면 , 도 펀트 층 ( 514 ) 을 준비 하 고 상기 도 펀트 층 ( 514 ) 위 에 게이트 절 연막 ( 520 ) 을 형성 한다 . 상기 도 펀트 층 ( 514 ) 은 기판 자체 에 p - 도 펀트 를 고농도 로 주입 한 것 일 수 도 있 고 , 기판 ( 미 도시 ) 위 에 형성 된 별도 의 도 펀트 층 일 수 도 있 다 . 상기 게이트 절 연막 ( 520 ) 은 옥사이드 막 또는 옥시 나이트 라이드 막 일 수 있 으며 절연 특성 이 있 는 한 특별히 한정 되 지 않 는다 . 선택 적 으로 , 상기 게이트 절 연막 ( 520 ) 과 상기 도 펀트 층 ( 514 ) 사이 에 식각 저지 층 ( 미 도시 ) 이 더 구비 될 수 있 다 .