In - Ga - Zn - O 계 의 산화물 반도체 결정 에서 는 , In 을 함유 하 는 층 의 , a 축 및 b 축 에 평행 한 방향 에 관한 도전 성 은 양호 하 다 . 이것 은 In - Ga - Zn - O 계 의 산화물 반도체 결정 에서 는 전기 전도 가 주로 In 에 의해 제어 되 는 것 , 및 , 하나 의 In 의 5 s 궤도 가 , 인접 하 는 In 의 5 s 궤도 와 중첩 됨 으로써 , 캐리어 패스 가 형성 되 는 것 에 의한다 .