상기 와 같이 포토레지스트 패턴 을 마스크 로 하 여 n 형 불순물 의 이온 주입 에 의해 상기 제 1 반도체 층 ( 200 ) 은 금속 배선 ( 120 ) 과 연결 되 는 제 1 도전 형 전도 층 ( 201 ) 과 상기 제 1 도전 형 전도 층 ( 201 ) 사이 에 형성 되 고 금속 배선 ( 120 ) 과 연결 되 지 않 는 픽셀 분리 층 ( 202 ) 으로 구분 되 어 져 , 상기 금속 배선 ( 120 ) 과 제 1 도전 형 전도 층 ( 201 ) 은 픽셀 별로 분리 된 상태 가 된다 .