그러나 , 이러 한 일반 적 인 구조 의 SONOS 형 메모리 소자 는 실리콘 질화 막 과 실리콘 산화 막 들 의 유전 율 이 낮 고 , 실리콘 질화 막 내 에 트랩 사이트 ( trap site ) 밀도 가 충분 치 못하 여 , 동작 전압 이 높 고 , 데이터 를 기록 하 는 속도 ( 프로그램 속도 ) 와 , 수직 , 수평 방향 의 전하 리 텐션 ( retension ) 시간 이 원 하 는 만큼 충분 치 못하 다는 문제 가 있 다 .