예시 적 인 실시 예 들 에 따른 수직 형 메모리 장치 의 제조 방법 에서 , 수직 방향 으로 연장 되 는 예비 전하 트래핑 패턴 에 질화 공정 및 산화 공정 과 같 은 화학 적 공정 을 통해 상기 수직 방향 으로 서로 이격 되 는 복수 의 전하 트래핑 패턴 들 을 용이 하 게 형성 할 수 있 다 . 이 에 따라 , 각 전하 트래핑 패턴 들 에 저장 된 전하 가 다른 층 에 형성 된 게이트 전극 들 에 의해 상기 수직 방향 으로 이동 하 지 않 으므로 그 리 텐션 특성 이 개선 될 수 있 다 . 따라서 상기 전하 트래핑 패턴 들 을 포함 하 는 상기 수직 형 메모리 장치 는 개선 된 신뢰 성 을 가질 수 있 다 .