도 8 및 도 20 을 함께 참조 하 면 , 복수 의 마스크 패턴 ( MK ) 을 식각 마스크 로 사용 하 여 몰드 층 ( 175 ) 의 일부분 및 예비 베리드 콘 택 물질 층 ( 170 p ) 의 일부분 을 제거 하 여 저면 에 복수 의 매몰 절 연막 ( 124 ) 이 노출 되 는 복수 의 펜스 홀 ( 180 Hb ) 을 형성 한다 . 일부 실시 예 에서 , 복수 의 펜스 홀 ( 180 Hb ) 은 제 1 수평 방향 ( X 방향 ) 및 제 2 수평 방향 ( Y 방향 ) 각각 을 따라 일렬 로 배열 될 수 있 다 .