제 3 도관 ( 116 A ) 및 대응 하 는 이산 홀 ( 116 B ) 의 각각 은 근접 헤드 ( 100 ) 가 헤드 표면 ( 110 A ) 과 기판 표면 ( 108 A ) 사이 에 메니스커스 를 포함 할 수 있 도록 제 1 이산 홀 ( 112 B ) 을 적어도 부분 적 으로 둘러쌀 수 있 다 . 소 정량 의 제 1 액체 ( 112 ) 가 메니스커스 를 통해 흘러 기판 표면 ( 108 A ) 의 매우 제어 된 처리 를 제공 할 수 있 다 . 예 로서 , 제 1 액체 ( 112 ) 는 기판 표면 ( 108 A ) 을 에칭 하 는 에칭 화학 물질 일 수 있 다 . 에칭 화학 물질 이 기판 표면 ( 108 A ) 과 반응 함 에 따라 반응 잔류물 이 에칭 화학 물질 에 포함 되게 되 고 , 결과 로 생성 되 는 오염물 은 에칭 화학 물질 의 농도 및 에칭 능력 을 감소 시킬 수 있 다 . 에칭 화학 물질 ( 112 A ) 이 제 3 도관 ( 116 A ) 을 통해 메니스커스 ( 102 ) 로부터 멀리 끌 어 당겨 짐 에 따라 , 반응 잔류물 및 다른 오염물 은 메니스커스 로부터 휩쓸려 간다 . 동시 에 , 부가 적 인 비 오염 된 에칭 화학 물질 이 제 1 도관 ( 112 A ) 을 통해 메니스커스 ( 102 ) 로 공급 된다 .