도 4 a 를 참조 하 면 , 절연 기판 ( 20 ) 상 에 게이트 전극 ( 22 ) 을 형성 한 후 게이트 전극 ( 22 ) 을 포함 하 는 상부 에 게이트 절 연막 ( 23 ) 을 형성 한다 . 이때 게이트 전극 ( 22 ) 을 형성 하 기 전 에 절연 기판 ( 20 ) 상 에 실리콘 산화물 이나 실리콘 질화물 과 같 은 절연물 로 버퍼 층 ( 21 ) 을 형성 할 수 있 다 .