다음 으로 , 도 7 과 같이 , 제 1 포토 레지스 트 패턴 ( 165 ) 을 마스크 로 노출 되 어 있 는 리드 부 ( 100 ) 의 수 평부 , 수직 부를 씨드 층 으로 도금 하 여 이너 리드 ( 122 ) , 아 우터 리드 ( 100 b ) 및 별도 의 리드 ( 도시 하 지 않 음 ) 를 형성 하 고 , 제 1 포토 레지스 트 패턴 ( 165 ) 을 제거 한다 .