계속 해서 , 도 10 ( a ) , 도 10 ( b ) 에 나타내 듯이 , 산화물 반도체 막 ( 24 a ) 및 에칭 스토퍼 층 ( 24 b ) 중 , 각각 , 화소 콘택트 홀 ( 27 a ) 및 보조 용량 콘택트 홀 ( 27 b ) 의 표면 에 노출 한 영역 에 저 저항 화 처리 를 행함 으로써 , 이 산화물 반도체 막 ( 24 a ) 및 에칭 스토퍼 층 ( 24 b ) 의 노출면 을 포함 한 부분 을 저 저항 화 하 고 , 저 저항 영역 ( 24 ad 및 24 bt ) 을 형성 한다 . 저 저항 화 처리 로 는 , 예 를 들 어 , 플라 즈 마 처리 , 진공 어 닐 처리 등 을 들 수 있 다 . 예 를 들 어 플 라즈 마 처리 에 의해 저 저항 화 처리 를 행하 는 경우 에 는 , 예 를 들 어 , 수소 가스 유량 2000 sc ㎝, 압력 200 ㎩, RF 전력 1000 W , 온도 250 ℃, 및 처리 시간 30 sec 이상 의 플 라즈 마 처리 조건 하 에서 행하 는 것 이 바람직 하 다 . 이 때 , 수소 가스 외 에 , NH 3 이나 SiH 4 등 의 가스 를 이용 할 수 있 다 . 또는 , 예 를 들 어 , CF 4 가스 유량 270 sc ㎝, O 2 가스 유량 30 sc ㎝, 압력 7 ㎩, RF 전력 1000 W , 및 처리 시간 30 sec 이상 의 플 라즈 마 처리 조건 하 에서 플라 즈 마 처리 를 행하 여도 된다 . 또는 , 예 를 들 어 , SF 6 가스 유량 200 sc ㎝, O 2 가스 유량 200 sc ㎝, 압력 8 ㎩, RF 전력 600 W , 처리 시간 30 sec 이상 의 플 라즈 마 처리 조건 하 에서 플라 즈 마 처리 를 행하 여도 된다 . 또는 , 예 를 들 어 , Cl 2 가스 유량 80 sc ㎝, BCl 3 가스 유량 120 sc ㎝, 압력 4 ㎩, RF 전력 1000 W , 및 처리 시간 30 sec 이상 의 조건 하 에서 행하 는 것 이 바람직 하 다 . 또 , 진공 어 닐 에 의해 저 저항 화 처리 를 행하 는 경우 에 는 , 온도 250 ℃ 이상 , 압력 500 ㎩ 이하 , 및 처리 시간 1 분 이상 의 진공 어 닐 조건 하 에서 행하 는 것 이 바람직 하 다 . 이 저 저항 화 처리 에 의해 , 산화물 반도체 막 ( 24 a ) 두께 의 2 분 의 1 이하 의 두께 의 부분 이 , 산화물 반도체 막 ( 24 a ) 보다 저항 이 작 은 저 저항 영역 ( 24 ad ) 에 형성 된다 . 또 , 에칭 스토퍼 층 ( 24 b ) 두께 의 2 분 의 1 이하 의 두께 의 부분 이 , 에칭 스토퍼 층 ( 24 b ) 보다 저항 이 작 은 저 저항 영역 ( 24 bt ) 에 형성 된다 . 산화물 반도체 막 ( 24 a ) 의 일부 가 저 저항 화 됨 에 의해 형성 된 저 저항 화 영역 ( 24 ad ) 은 , 드레 인부 ( DR ) 가 된다 . 또 , 에칭 스토퍼 층 ( 24 b ) 의 일부 가 저 저항 화 됨 에 의해 형성 된 저 저항 영역 ( 24 bt ) 은 , 보조 용량 소자 ( Cs ) 의 상부 전극 부 가 된다 .