테이퍼 형 측벽 구조물 은 적어도 더미 게이트 유전체 층 의 부분 두께 위 에 형성 되 고 , 따라서 아이 솔 레 이 션 구조물 위 에 이격 되 어 있 다 . 그 간격 은 더미 게이트 유전체 층 의 두께 정도 일 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 간격 은 더미 게이트 전극 층 의 두께 와 동일 하 다 . 일부 실시 예 에서 , 간격 은 더미 게이트 전극 층 의 두께 보다 더 작 다 . 테이퍼 형 측벽 구조물 은 , 하이 k 유전체 가 퇴적 되 는 중 인 단계 와 같 은 프로세싱 단계 동안 매끄러운 표면 을 제공 한다 . 더미 게이트 유전체 층 의 상부 또는 이 의 부분 두께 상 의 테이퍼 형 측벽 구조물 의 형성 은 , 더미 게이트 유전체 층 이 테이퍼 형 측벽 구조물 을 형성 하 는 데 사용 되 는 에칭 동안 로직 영역 을 보호 하 는 프로세싱 과 관련 된다 . 이 보호 는 로직 영역 에 손상 을 입힐 우려 없이 공격 적 인 에칭 프로세스 의 사용 을 가능 하 게 한다 .