도 16 A 를 참조 하 면 , 마스크 층 ( 350 ) 은 층 들 ( 340 ) 의 스택 위 에 형성 된다 . 마스크 층 ( 350 ) 은 예 를 들 어 , 포토레지스트 로 형성 된 선택 적 정의 가능 층 ( 350 ) 일 수 있 다 . 도 16 B 및 16 C 를 참조 하 면 , 층 ( 350 ) 은 그 후 에 패 터닝 됨 으로써 , 가늘 고 긴 스트립 ( 352 - 356 ) 을 형성 한다 . 패 터닝 된 가늘 고 긴 스트립 ( 352 - 356 ) 은 메모리 장치 내 에 다양 한 피처 를 형성 하 기 위해 사용 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 스트립 ( 352 - 355 ) 은 활성 영역 을 형성 하 는 라인 ( 310 ) 을 따라 형성 된 메모리 셀 의 판독 및 그 메모리 셀로 의 기입 을 조절 하 는 선택 게이트 를 형성 하 기 위해 사용 될 수 있 다 . 스트립 ( 356 ) 은 워드 라인 , 및 플로팅 및 제 어 게이트 를 정의 하 기 위해 사용 될 수 있 다 .