도시 된 것 과 같이 , 상기 게이트 패턴 들 ( GSL , SSL , WLn ) 및 상기 활성 영역 들 ( 12 ) 이 비스듬히 교차 하 기 때문 에 , 상기 트랜지스터 들 의 채널 영역 들 은 상기 게이트 패턴 과 상기 활성 영역 이 수직 으로 교차 하 는 종래 에 비해 넓 은 채널 폭 및 긴 채널 길이 를 가질 수 있 다 . 즉 , 종래 의 채널 길이 는 L 1 인 것 에 비해 본 발명 의 채널 길이 는 L 2 로 길 어 질 수 있 고 , 종래 의 채널 폭 이 W 1 에 비해 본 발명 의 채널 폭 은 W 2 로 넓 어 질 수 있 다 . 따라서 , 동일 한 폭 의 활성 영역 및 게이트 패턴 을 가지 더라도 종래 에 비해 본 발명 에서 채널 길 이 및 폭 이 증가 하 는 효과 를 얻 을 수 있 다 . 그 결과 , 본 발명 은 종래 에 비해 단 채널 효과 의 영향 이 감소 하 고 전 류량 은 상대 적 으로 많 아 질 수 있 다 .