최근 디자인 룰 ( design rule ) 이 0 . 25 ㎛ 이상 으로 반도체 소자 가 고집 적 됨 에 따라 반도체 소자 제조 시 다층 의 배선 이 요구 되 고 , 이 에 따라 배리 어 메탈 ( barrier metal ) , 텅스텐 플러그 , CMP , 금속 배선 형성 등 의 공정 조합 으로 이루어진 다층 금속 배선 공정 의 적용 이 대부분 사용 되 고 있 다 .