도 3 내지 도 6 은 상기 피넨 기체 의 센싱 을 위한 트랜지스터 를 이용 하 여 , 이 황화몰리브덴 과 피넨 의 전자 적 인 구조 와 자기 적 인 상호 작용 을 확인 하 기 위해 밀도 범함수 이론 ( Density Function Theory ) 법 과 반도체 시뮬레이션 을 조합 하 여 얻 은 결과 이 다 . 구체 적 으로 , 밀도 범함수 이론 을 이용 하 여 밴드 갭 및 전자 양공 이동도 ( electron hole mobility ) 를 계산 하 여 수득 된 결과 값 을 이용 하 여 반도체 시뮬레이션 을 수행 하 여 I - V 곡선 을 계산 하 여 나타내 었 다 . 도 3 의 ( a ) 는 피넨 분자 흡착 전 이 황화몰리브덴 의 밴드 구조 이 며 , ( b ) 는 피넨 분자 흡착 후 이 황화몰리브덴 의 밴드 구조 이 다 .