이어서 , 도 8 과 같이 , 관통 구멍 ( 13 ) 이 메워 지 도록 히트 싱크 모재 ( 10 ) 의 표면 에 DLC 층 ( 30 ) 을 형성 한다 . DLC 층 ( 30 ) 은 1 - 20 ㎛ 의 두께 로 형성 한다 . DLC 를 이용 한 피 브 디 ( PVD ; Physical Vapor Deposition ) 공정 이나 피이 시브 디 ( PECVD ; Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ) 공정 으로 DLC 층 ( 30 ) 이 형성 될 수 있 다 . 이 와 같 은 공정 을 거쳐 본 발명 의 히트 싱크 ( 10 ) 가 제조 될 수 있 다 .