현재 고집 적 화 된 반도체 제조 공정 에 있 어서 배선 저항 을 줄이 기 위한 방법 으로 구리 배선 을 이용 한 반도체 소자 제조 방법 에 대한 연구 가 활발히 진행 되 고 있 다 . 상기 구리 배선 을 위해서 는 탄 탈륨 ( Ta ) 및 질화 탄 탈륨 ( TaN ) 을 확산 방지 막 으로 하 여 구리 씨드 ( Seed ) 를 증착 시킨 후 , 구리 전착 ( Electrochemical Chemical Plate ) 법 을 통해서 구리 배선 을 형성 하 는 다마 신 공법 이 널리 사용 되 고 있 다 .