따라서 , ZnO 를 주성분 으로 하 여 , 첨가물 로서 Pr , Co 및 Al 을 포함 하 는 배리스터 층 과 , ZnO 를 주성분 으로 하 여 , Co 및 Al 을 실질 적 으로 함유 하 지 않 은 인덕 터 층 을 갖 는 적층 형 필터 에서 는 배리스 터부 와 인덕 터부 의 박리 가 극히 생겨 어려운 것 이 확인 되 었 다 . 또한 , 이 적층 형 필터 에 있 어서 인덕 터 도체 부 가 형성 된 인덕 터 층 은 비유전율 이 50 을 하회 하 고 , 또한 , 저항 율 이 1 M Ω 를 초과 하 기 때문 에 , 인덕 터 로서 충분히 실용 가능 한 것 이 확인 되 었 다 .