도 3 c 를 참조 하 면 , 상기 마스크 막 ( 336 a ) , 상기 산화 막 ( 334 a ) 및 상기 부유 게이트 막 ( 322 a ) 에 평탄 화 공정 을 진행 하 여 , 소자 분리 막 ( 220 ) 의 상부 면 이 노출 된다 . 이 에 의해 , 제 1 예비 부유 게이트 패턴 ( 332 ) , 제 1 산화 막 패턴 ( 334 ) 및 마스크 패턴 ( 336 ) 이 형성 된다 .