나노 선 전계 효과 트랜지스터 의 일반 적 인 제작 방법 은 기판 에 나노 선 을 성장 시키 고 이 를 화학 적 으로 안정 한 휘발 성 용액 에 넣 고 음파 진동 으로 떼 어 내 어 나노 선 이 들 어 있 는 용액 을 소자 제작 에 사용 될 기판 에 떨어뜨리 고 포토 리소그래피 방법 으로 전극 을 형성 하 는 공정 을 포함 한다 . 이러 한 반도체 나 노선 으로 는 Si , Ge , GaAs , InAs , GaN , InSb , GaP , GaMnN , GaMnP , ZnO , ZnMnO 등 이 이용 될 수 있 다 . 이 때 나노 선 이 무작위 로 배열 된다면 나노 선 양 끝 에 전극 이 형성 되 었 는지 를 알 기 어렵 고 , 전극 에 연결 되 는 나노 선 의 개수 가 일정 하 지 않 아 소자 의 전기 적 특성 을 제어 하 기 어려워 지 며 소자 수율 또한 극히 낮 다 .