현재 반도체 웨이퍼 의 오염 파티클 검출 을 위해서 는 스 캐 터 링 방식 의 파티클 검출기 가 나와 있 다 . 스 캐 터 링 ( Scattering ) 방식 의 파티클 검출기 는 Ar ( 488 nm ) , He - Ne ( 633 nm ) 레이저 등 의 광원 을 사용 하 며 기판 상 의 파티클 에 의한 스 캐 터 링 광 을 집광 하 여 광증 배관 ( PMT : Photo Muliplier Tube ) 으로 받 아 파티클 신호 를 검출 하 거나 또는 스 캐 터 링 광 의 분포 패턴 을 분석 하 여 결정 결함 을 검출 한다 . 하지만 이 들 파티클 검출기 는 반도체 웨이퍼 를 대상 으로 하 고 있 으며 포토 마스크 자체 의 헤이즈 검출 을 위한 장치 는 전무 한 실정 이 다 . 반도체 웨이퍼 를 위한 파티클 검출기 의 원리 를 포토 마스크 에 적용 한다고 해도 검출 가능 한 파티클 의 크기 가 마이크로미터 수준 이 므로 헤이즈 성장 초기 단계 에서 의 검출 은 불 가능 하 다 . 그 외 에 포토 마스크 패턴 검사 장비 도 있 으나 역시 오염 파티클 이 검출 감도 를 넘 는 크기 로 성장 한 후 에 야 검출 이 가능 하 여 성장 초기 단계 에서 의 헤이즈 검출 은 불 가능 하 다 .