본 발명 은 상기 두 번 째 과제 를 이루 기 위하 여 , 반도체 기판 의 활성 영역 과 전기 적 으로 연결 된 하부 전극 을 형성 하 는 단계 ; 상기 하부 전극 의 노출 된 전체 표면 에 대하 여 유전 막 을 형성 하 는 단계 ; 및 상기 유전 막 위 에 상부 전극 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 반도체 소자 의 제조 방법 을 제공 한다 . 이 때 , 상기 유전 막 을 형성 하 는 단계 는 , 상기 하부 전극 의 노출 된 표면 상 에 제 1 소스 물질 을 공급 하 는 단계 ; 상기 제 1 소스 물질 과 반데르발스 ( van der Waals ) 결합 을 할 수 있 는 전자 공여 화합물 을 제공 하 는 단계 ; 상기 전자 공여 화합물 을 제공 하 는 단계 이후 에 , 제 2 소스 물질 을 상기 하부 전극 상 에 제공 하 는 단계 ; 및 상기 하부 전극 상 에 산화제 를 제공 하 는 단계 를 포함 하 는 반도체 소자 의 제조 방법 을 제공 한다 .