상기 실시 예 에서 는 , 충전 전압 이 규정 전압 을 초과 하 여 보호 전압 에 근접 하 면 , 보호 회로 ( 13 ) 가 동작 하 지 않 는 범위 로 충전 전류 를 저하 시켜 충전 을 계속 하 게 하 는 처리 를 설명 했 다 . 이 경우 , 일단 보호 회로 ( 13 ) 의 과 충전 보호 처리 가 기능 하 고 , 스위치 ( 12 ) 가 오프 가 되 면 , 히스테리시스 특성 에 의해 , 소정 한도 까지 충전 전압 이 저하 될 때 까지 , 스위치 ( 12 ) 는 온 으로 되 지 않 는다 . 그래서 , 일단 과 충전 보호 처리 가 실행 되 어도 , 마이크로컴퓨터 ( 22 ) 가 셀 블록 ( BLK 1 , BLK 2 ) 의 전압 을 감시 하 고 , 충전 전압 이 보호 전압 으로부터 저하 된 경우 에 는 , 보호 회로 ( 13 ) 를 리셋 하 여 , 히스테리시스 특성 을 초기 상태 로 되돌리 도록 할 수 도 있 다 .