본 발명 의 하나 이상 의 실시 형태 에서 , 인 시 츄 광학 기술 은 웨이퍼 의 절대 위치 또는 웨이퍼 와 ( 척 , 상부 전극 , 또는 심지어 로봇 팔 / 이펙터 와 같 은 ) 프로세싱 모듈 의 다른 컴포넌트 사이 의 오프셋 을 측정 하 기 위해 이용 될 수 도 있 다 . 실시 형태 에서 , 웨이퍼 의 상부 표면 에 의해 형성 된 평면 에 수직 으로 유지 되 는 광 빔 은 웨이퍼 의 상부 표면 을 가로질러 , 그리고 웨이퍼 로부터 이격 되 어 웨이퍼 를 향해 직선 으로 트래버스 할 수 도 있 다 . 광 빔 이 웨이퍼 외연 에 먼저 인카운터 할 때 , 하나 의 반사 율 영역 으로부터 다른 반사 율 영역 으로 의 트랜 지 션 이 존재 하 며 , 광 빔 의 반사율 은 그 에 따라 변화 한다 .