본원 에 는 약 600 ℃ 이하 , 또는 약 25 ℃ 내지 약 600 ℃, 및 일부 구체 예 에서 , 25 ℃ 내지 약 300 ℃ 의 하나 이상 의 온도 에서 , 비 제한 적 으로 산화 규소 , 탄소 - 도핑 된 산화 규소 막 , 질산화 규소 , 또는 탄소 - 도핑 된 질산화 규소 막 또는 이 들 의 조합 과 같 은 규소 및 산소 를 포함 하 는 화학 양론 적 또는 비화학 양론 적 막 또는 물질 의 형성 과 관련 된 조성물 및 방법 이 기술 되 어 있 다 . 본원 에 기술 된 막 은 비 제한 적 으로 , 원자 층 증착 ( ALD ) 과 같 은 증착 공정 에서 또는 플 라즈 마 강화 ALD ( PEALD ) 또는 플 라즈 마 강화 사이 클릭 화학 적 증기 증착 공정 ( PECCVD ) , 유동 성 화학 적 증기 증착 ( FCVD ) , 또는 플 라즈 마 강화 유동 성 화학 적 증기 증착 ( PEFCVD ) 과 같 은 ALD - 유사 공정 에서 증착 된다 . 본원 에 기술 된 저온 증착 ( 예 를 들 어 , 약 주변 온도 내지 600 ℃) 범위 의 하나 이상 의 증착 온도 ) 방법 은 약 2 . 1 g / cc 이상 의 밀도 , 낮 은 화학 적 불순물 , 열 원자 층 증착 , 플 라즈 마 강화 원자 층 증착 ( ALD ) 공정 또는 플 라즈 마 강화 ALD - 유사 공정 에서 높 은 콘 포말 성 , 얻 어 진 막 에서 탄소 함량 을 조정 하 는 능력 의 장점 들 중 적어도 하나 이상 을 나타내 는 막 또는 물질 을 제공 하 고 / 거 나 , 막 은 0 . 5 중량 % 묽 은 HF 에서 측정 하 는 경우 초 당 5 옹 스트롱 ( Å / 초 ) 이하 의 에칭 률 을 갖 는다 . 탄소 - 도핑 된 산화 규소 막 에 대하 여 , 비 제한 적 으로 , 약 1 . 8 g / cc 이상 또는 약 2 . 0 g / cc 이상 의 밀도 와 같 은 다른 특징 이외 에 에칭 률 을 0 . 5 중량 % 묽 은 HF 중 에서 2 Å / 초 미만 의 값 으로 조정 하 기 위해 1 % 초과 의 탄소 가 요망 된다 .