실리콘 산화 막 표면 의 웨이퍼 를 제조 예 4 에서 얻 은 각 반응 액 에 각각 2 시간 , 6 시간 , 12 시간 , 24 시간 , 48 시간 침지 시켜 단분자막 을 형성 하 고 , 그 기판 을 클로로포름 중 , 계속 해서 아세톤 중 에 침지 시켜 각각 5 분 간 , 초음파 세정 을 행한 후 , 각각 단분자막 표면 의 물 에 의한 접촉각 을 측정 하 였 다 .