상기 트리밍 공정 은 , 상기 제 3 포토레지스트 패턴 ( PR 3 ) 을 선택 적 으로 제거 할 수 있 는 식각 액 을 이용 하 여 수행 될 수 있 다 . 한편 , 본 발명 의 실시 예 들 에 따른 PHS 기반 의 상기 포토레지스트 조성물 을 이용 할 경우 , 상기 제 3 포토레지스트 패턴 ( PR 3 ) 의 높이 가 줄어드 는 것 을 최소 화 할 수 있 다 . 구체 적 으로 , 상기 트리밍 공정 동안 줄어든 상기 제 4 길이 ( T 4 ) 는 , 상기 제 3 길이 ( T 3 ) 보다 크 고 상기 제 3 길이 ( T 3 ) 의 1 . 5 배 보다 작 을 수 있 다 . 이 는 앞서 도 10 을 참조 하 여 설명 한 상기 제 1 하부 패턴 ( UL 1 ) 의 트리밍 공정 결과 와 유사 할 수 있 다 .