종래 , 각 메모리 셀 이 2 개 의 전하 축적 부 를 갖 는 , 이른바 1 셀 2 비트 방식 의 불휘발성 반도체 기억 장치 가 존재 한다 . 이런 종류 의 불휘발성 반도체 장치 는 예 를 들 어 , 이하 와 같이 형성 된다 . 우선 , 반도체 기판 상 에 소자 분리 용 필드 산화 막 에 둘러싸인 액티브 영역 을 형성 하 고 , 그 위 에 게이트 산화 막 , 폴리 실리콘 막 , 텅스텐 실리사이드 막 ( WSi 막 ) , 게이트 상 NSG 막 , 게이트 상 질화 막 을 형성 한다 . 그 후 , 레지스 트 를 마스크 로 하 여 , 게이트 산화 막 , 폴리 실리콘 막 , WSi 막 , 게이트 상 NSG 막 , 게이트 상 질화 막 을 가공 하 여 셀 트랜지스터 및 주변 회로 트랜지스터 의 게이트 를 동시 에 형성 한다 . 이 때 , 메모리 셀 영역 에서 는 게이트 는 제 1 방향 을 따라 연장 되 는 복수 의 라인 으로 가공 한다 .