다음 으로 , 도 8 에 도시 된 바 와 같이 , 금속 층 ( 56 ) 에 는 어닐링 단계 또는 단계 들 ( 복수 의 어닐링 들 ) 이 수행 되 고 , 이 에 의해 실리사이드 영역 들 ( 58 , 60 , 62 ) 을 형성 할 수 있 다 . 실리사이드 영역 들 ( 58 , 60 , 62 ) 은 금속 층 ( 56 ) 내 의 재료 와 Si : C 영역 들 ( 51 , 53 , 55 ) 에 내재 하 는 실리콘 의 반응 때문 에 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 어닐링 단계 는 , 250 ℃ 내지 500 ℃ 의 온도 에서 형성 될 수 있 다 . 실리사이드 영역 들 ( 58 , 60 , 62 ) 은 , 증착 된 금속 층 ( 56 ) 이 니켈 인 경우 , 니켈 실리사이드 카본 ( NiSi : C ) 영역 들 일 수 있 다 . 대안 적 으로 , 실리사이드 영역 들 ( 58 , 60 , 62 ) 은 PtSi : C 영역 들 또는 NiPtSi : C 영역 들 일 수 있 다 . 임의 의 나머지 금속 , 가령 , Ni 는 제거 될 수 있 다 .