이 와 같이 구성 되 는 본 발명 의 능동형 유기 발광 소자 의 제조 방법 을 설명 하 면 , 도 3 에 도시 된 바 와 같이 , 먼저 공지 된 방법 을 이용 하 여 투명 기판 ( 10 ) 상 의 트랜지스터 형성 영역 에 능동형 유기 발광 소자 를 위한 트랜지스터 를 형성 한다 . 이 를 좀 더 상세히 언급 하 면 , 상기 투명 기판 ( 10 ) 의 전역 상 에 버퍼 절 연막 ( 21 ) 을 증착 하 고 , 상기 버퍼 절 연막 ( 21 ) 상 에 소스 / 드레 인 영역 ( 23 ) , ( 25 ) 과 상기 소스 / 드레 인 영역 ( 23 ) , ( 25 ) 사이 의 반도체 층 ( 22 ) 을 형성 하 고 , 상기 소스 / 드레 인 영역 ( 23 ) , ( 25 ) 과 반도체 층 ( 22 ) 을 포함 하 여 상기 버퍼 절 연막 ( 21 ) 상 에 게이트 절 연막 ( 27 ) 을 증착 하 고 , 상기 게이트 절 연막 ( 27 ) 상 의 게이트 전극 형성 영역 에 게이트 전극 ( 29 ) 을 형성 하 고 , 상기 게이트 전극 ( 29 ) 을 포함 하 여 상기 게이트 절 연막 ( 27 ) 상 에 층간 절 연막 ( 31 ) 을 증착 하 고 , 상기 소스 / 드레 인 영역 ( 23 ) , ( 25 ) 의 콘 택 영역 을 노출 하 기 위하 여 상기 층간 절 연막 ( 31 ) 과 게이트 절 연막 ( 27 ) 을 관통 하 는 비 아홀 을 형성 한 후 상기 비 아홀 을 통하 여 상기 소스 / 드레 인 영역 ( 23 ) , ( 25 ) 과 각각 전기 적 으로 접촉 하 도록 상기 층간 절 연막 ( 31 ) 상 의 소스 / 드레 인 전극 형성 영역 에 소스 / 드레 인 전극 ( 33 ) , ( 35 ) 을 형성 하 고 , 상기 소스 / 드레 인 전극 ( 33 ) , ( 35 ) 을 포함 하 여 상기 층간 절 연막 ( 31 ) 상 에 보호막 ( 37 ) 을 증착 한다 .