상술 한 본 발명 은 후속 어닐링 에 의해 접합 층 내 에 주입 되 어 있 는 불순물 이 외 확산 되 는 것 을 방지 할 수 있 는 반도체 소자 의 제조 방법 을 제공 하 기 위한 것 으로 , 본 발명 의 반도체 소자 의 제조 방법 은 기판 내 에 제 1 불순물 이 주입 된 접합 층 을 형성 하 는 단계 ; 상기 기판 상 에 층간 절 연막 을 형성 하 는 단계 상기 층간 절 연막 을 식각 하 여 상기 접합 층 을 노출 시키 는 콘 택 홀 을 형성 하 는 단계 ; 상기 노출 된 접합 층 에 제 2 불순물 을 이온 주입 하 는 단계 ; 및 활성 화 열처리 ( 급속 열처리 , RTP ) 를 진행 하 면서 상기 접합 층 표면 에 확산 억제 층 ( 질화 층 ) 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 고 , 상술 한 본 발명 은 추가 이온 주입 후 어닐링 시 질소계 가스 를 흘려 주 어 접합 층 의 표면 을 질화 처리 하 므로써 , 후속 공정 의 어닐링 에 의한 불순물 의 외 확산 을 억제 할 수 있 는 효과 가 있 다 . 이 로써 , PMOS 의 콘 택 저항 을 개선 하 여 PMOS 의 전류 특성 을 개선 할 수 있 다 .