본 발명 < 2 > 에 관한 에칭 제 를 사용 하 는 공정 에 관련 되 는 텅스텐 보다 도 이온 화 경향 이 낮 은 금속 범프 또는 금속 배선 을 구성 하 는 금속 으로 는 금 ( Au ) , 은 ( Ag ) , 팔라듐 ( Pd ) , 주석 ( Sn ) 또는 이 들 합금 또는 , 이 들 금속 을 주성분 으로 하 는 합금 이 고 , 텅스텐 보다 도 이온 화 경향 이 낮 기 때문 에 이종 금속 접촉 부식 ( Galvanic 부식 ) 의 원인 이 되 는 금속 범프 또는 금속 배선 을 구성 하 는 것 이 다 . 또 , 이 들 금속 범프 또는 금속 배선 중 에서 도 금 ( Au ) 범프 또는 금 ( Au ) 배선 이 바람직 하 다 .