상기 제 1 및 제 2 HDP 증착 공정 각각 은 10 ~ 200 sccm 유량 의 SiH 4 , 10 ~ 500 sccm 유량 의 O 2 , 10 ~ 1000 sccm 유량 의 He , 10 ~ 1000 sccm 유량 의 H 2 가스 를 사용 하 여 실시 하 며 , 상기 제 1 및 제 2 HDP 증착 공정 은 각각 은 LF ( Low Frequency ) Power 를 10 ~ 10000 Watt , HF ( High Frequency ) Power 를 10 ~ 10000 Watt 사용 하 여 실시 한다 . 상기 HDP 산화 막 은 5000 Å 내지 8000 Å 두께 로 형성 한다 . 상기 습식 식각 공정 은 HF 를 이용 하 여 실시 한다 .