다시 말 해 , 쇼트 키 장벽 관통 트랜지스터 의 제조 는 연구 는 주로 게이트 전극 을 형성 한 후 최종 적 으로 소오 스 와 드레 인 에 금속 을 증착 한 후 열처리 공정 을 통해 소오 스 와 드레 인 을 실리사이드 화 하 는데 , 반응 성 이 매우 강한 희토류 금속 의 경우 는 열처리 온도 가 증가 함 에 따라 게이트 측벽 절 연막 과 반응 하 여 게이트 누설 전류 를 증가 시켜 소자 의 특성 을 열화 시키 게 된다 . 본 발명 에서 는 이 를 방지 하 기 위해 더미 게이트 를 이용 하 여 소오 스 와 드레 인 에 실리사이드 를 먼저 성장 시킨 후 , 액 추 얼 게이트 및 이 에 후속 되 는 게이트 절 연막 , 금속 게이트 를 형성 하 는 방법 을 제안 한다 .