그러나 , 위 와 같이 90 nm 플 래쉬 공정 에서 구리 배선 공정 을 적용 하 여 구리 배선 상부 에 알루미늄 을 패드 로 쓰 는 경우 에 는 구리 의 강한 확산 성 으로 인해 도 1 의 SEM ( Scanning Electron Microscope ) 사진 에서 보여 지 는 바 와 같이 , 구리 배선 ( 102 ) 막 으로부터 알루미늄 패드 ( 100 ) 위 로 구리 가 확산 되 거나 , 구리 보이드 ( void ) 가 발생 하 는 등 의 문제점 이 발생 함 을 알 수 있 으며 , 이 에 따라 플 래쉬 의 내구 성 ( endurance performance ) 이 크 게 감소 되 어 반도체 소자 의 신뢰 성 이 크 게 떨어지 는 문제점 이 있 었 다 .