상기 술폰화 단계 에서 술폰 화도 ( Degree of Sulponation ) 는 반응 시간 , 강산 기 부여 제 의 농도 , 반응 고분자 의 농도 , 반응 온도 또는 용매 등 에 의해서 변화 시킬 수 있 으며 , 본 발명 에서 는 반응 시간 과 강산 기 부여 제 의 농도 를 변화 시키 는 것 에 의해 술폰 화도 를 조절 하 였 다 . 술폰 화도 가 증가 할수록 고분자 의 함 습량 이 증가 하 기 때문 에 이온 교환 용량 ( Ion Exchange Capacity : IEC ) 도 증가 하 지만 고분자 가 물 을 과도 하 게 함 습 하 는 때 에 는 고분자 사슬 의 붕괴 위험 이 있 기 때문 에 바람직 하 지 않 다 . 상기 이온 교환 용량 은 앞서 언급 한 당량 무게 의 역수 와 비례 한다 .