도 5 를 참조 하 면 , 게이트 전 극막 ( 35 ) 상 에 게이트 마스크 ( 도시 되 지 않 음 ) 를 형성 한 후 , 상기 게이트 마스크 를 식각 마스크 로 이용 하 여 게이트 전 극막 ( 35 ) 및 절 연막 ( 30 ) 을 순차 적 으로 식각 함 으로써 , 반도체 기판 ( 5 ) 상 에 절 연막 패턴 ( 55 ) 및 게이트 전극 ( 60 ) 을 구비 하 는 게이트 구조물 ( 65 ) 을 형성 한다 . 여기 서 , 절 연막 패턴 ( 55 ) 은 반도체 기판 ( 5 ) 상 에 순차 적 으로 형성 된 제 1 질소 함 유막 패턴 ( 40 ) , 열 산화 막 패턴 ( 45 ) 및 제 2 질소 함 유막 패턴 ( 50 ) 을 포함 한다 .