본 명세서 에 기재 되 는 화합물 은 가능 하 다면 본 발명 이 속하 는 기술 분야 에서 통상 의 기술 을 가진 자 가 통상 적 실험 으로 만들 수 있 는 정도 인 그 의 광학 이성질체 , 예 를 들 어 그 의 거울상 이성질체 및 부분 입체 이성질체 , 라세미체 , 부분 입체 이성질체 의 혼합물 및 그 다른 혼합물 을 포함 하 는 거울상 이성질체 의 혼합물 을 포함 하 되 , 이 에 한정 되 지 는 않 는다 . 상기 상황 에서 , 단일 거울상 이성질체 또는 부분 입체 이성질체 , 즉 광학 적 으로 활성 인 형태 가 비대칭 합성 또는 부분 입체 이성질체 의 혼합물 또는 라세미체 의 분할 에 의해 수득 될 수 있 다 . 부분 입체 이성질체 의 혼합물 또는 라세미체 의 분할 은 가능 하 다면 예 를 들 어 분할 제 의 존재 하의 결정 화 또는 예 를 들 어 키 랄 고압 액체 크로마토그래피 ( HPLC ) 칼럼 을 이용 한 크로마토그래피 와 같 은 종래 의 방법 에 의해 달성 될 수 있 다 . 또한 , 이러 한 화합물 은 탄소 - 탄소 이중 결합 을 갖 는 화합물 의 Z - 및 E - 형태 ( 또는 cis - 및 trans - 형태 ) 를 포함 한다 . 본 명세서 에 기재 된 화합물 이 다양 한 호변 이 형 ( tautomeric form ) 으로 존재 할 때 , " 용어 "" 화합물 "" 은 과도 한 실험 을 하 지 않 고 만들 수 있 는 정도 의 모든 화합물 의 호변 이 형 을 포함 하 는 것 으로 의도 된다 . 이러 한 화합물 은 또한 통상 의 기술자 가 과도 한 실험 을 하 지 않 고 만들 수 있 는 정도 의 다 형체 및 포접 체 를 포함 하 는 결정체 형태 를 포함 한다 . 비슷 하 게 "," 용어 "" 염 "" 은 통상 의 기술자 가 과도 한 실험 을 하 지 않 고 만들 수 있 는 정도 의 화합물 의 염의 모든 이성질체 ", 라세미체 , 다른 혼합물 , Z - 및 E - 형 , 호변 이 형 및 결정체 형태 를 포함 하 는 것 으로 의도 된다 .