절연 층 은 후 의 게이트 절연 층 이 되 는 것 이 며 , CVD 법 이나 스퍼터링 법 등 을 이용 하 여 얻 어 지 는 산화 실리콘 , 질화 산화 실리콘 , 질화 실리콘 , 산화 하프늄 , 산화 알루미늄 , 산화 탄탈 등 을 포함 하 는 막 의 단층 구조 또는 적층 구조 로 하 면 좋 다 . 이외 에 , 고밀도 플라 즈 마 처리 나 열 산화 처리 에 의하 여 , 반도체 영역 ( 104 ) 의 표면 을 산화 , 질화 함 으로써 , 상기 절연 층 을 형성 해도 좋 다 . 고밀 도 플 라즈 마 처리 는 , 예 를 들 어 , He , Ar , Kr , Xe 등 의 희가스 와 , 산소 , 산화질소 , 암모니아 , 질소 등 과 혼합 가스 를 이용 하 여 행할 수 있 다 . 또 , 절연 층 의 두께 는 특별히 한정 되 지 않 지만 , 예 를 들 어 , 1 nm 이상 100 nm 이하 로 할 수 있 다 .