도 5 a 을 참조 하 면 , 기판 ( 110 ) 상 에 제 1 전극 ( 120 ) 및 시드 층 ( 130 ) 을 형성 한 후 , 시드 층 ( 130 ) 상 에 성장 선택 층 ( 210 ) 을 형성 한다 . 제 1 전극 ( 120 ) 을 갈륨 ( Ga ) 이 도핑 된 산화아연 ( ZnO ) 으로 형성 하 는 경우 , 제 1 전극 ( 120 ) 이 산화아연 을 성장 시키 기 위한 핵 생 성층 으로 기능 할 수 있 기 때문 에 , 별도 로 시드 층 ( 130 ) 을 형성 하 지 않 을 수 있 다 .