두께 의 전역 에 걸친 영역 의 적합 한 코팅 조성 은 유기 , 무기 또는 세라믹 재료 이 다 . 이 들 재료 는 전형 적 으로 반응 하 는 플 라즈 마 종 의 반응 또는 재조합 생성물 이 며 , 기판 표면 상 에 침착 된다 . 유기 코팅 재료 에 는 반응물 의 종류 에 따라 , 전형 적 으로 , 탄소 , 수소 , 산소 및 선택 적 으로 기타 미량 원소 , 이를 테 면 , 황 , 질소 , 규소 등 이 포함 된다 . 코팅 에서 유기 조성 이 되 는 적합 한 반응물 에 는 탄소 원자 수 15 개 이하 의 직쇄 또는 분기 형 알칸 , 알켄 , 알킨 , 알코올 , 알데하이드 , 에테르 , 알킬렌 옥사이드 , 방향 족 등 이 있 다 . 무기 및 세라믹 코팅 재료 에 는 전형 적 으로 , 산화물 ; 질화물 ; 탄화물 ; 붕소 화물 ; 이 들 의 IIA , IIIA , IVA , VA , VIA , VIIA , IB 및 IIB 족 원소 의 조합 물 ; IIIB , IVB 및 VB 족 의 금속 ; 및 희토류 금속 이 포함 된다 . 예 를 들 어 , 탄화규소 는 실란 ( SiH 4 ) 및 유기 재료 , 이를 테 면 메탄 또는 자일렌 으로부터 생성 된 플 라즈 마의 재조합 에 의해 기판 상 에 침착 될 수 있 다 . 산 탄화규소 ( Silicon oxycarbide ) 는 실란 , 메탄 및 산소 또는 실란 및 프로필렌 옥사이드 로부터 생성 된 플 라즈 마로 부터 침착 될 수 있 다 . 산 탄화규소 는 또한 유기 실리콘 전구체 , 이를 테 면 테트라 에 톡 시 실란 ( TEOS ) , 헥사 메틸 다 이 실록 산 ( HMDSO ) , 헥사 메틸 다 이실 라잔 ( HMDSN ) 또는 옥 타 메틸 사이클 로 테트라 실록 산 ( D 4 ) 으로부터 생성 된 플 라즈 마로 부터 침착 될 수 도 있 다 . 질화규소 는 실란 및 암모니아 로부터 생성 된 플 라즈 마로 부터 침착 될 수 있 다 . 알루미늄 옥시 카보니 트라이 드 는 알루미늄 타르트 레이트 및 암모니아 의 혼합물 로부터 생성 된 플 라즈 마로 부터 침착 될 수 있 다 . 반응물 의 기타 조합 이 원 하 는 코팅 조성 을 수득 하 기 위해 선택 될 수 있 다 . 특정 반응물 을 선택 하 는 것 은 숙련자 의 기술 범위 내 에 있 다 . 조성 적 으로 경사진 코팅 은 반응 생성물 의 침착 중 에 반응기 챔버 에 공급 되 는 반응물 의 조성 을 변화 시켜 코팅 을 형성 하 거나 , 또는 예컨대 웹 공정 ( web process ) 에서 오버랩 핑 ( overlapping ) 침착 구역 을 사용 함 으로써 수득 될 수 있 다 .