본 발명 의 실시 예 들 은 일반 적 으로 도핑 된 기판 표면 근처 의 영역 들 로부터 도 펀트 들 을 제거 하 기 위한 방법 들 및 장치 를 제공 한다 . 하나 이상 의 챔버 들 에서 , 도 펀트 들 로부터 휘발 성 화합물 들 을 형성 하 는 물질 들 에 기판 을 노출 시킴 으로써 도 펀트 들 은 손쉽 게 제거 될 수 있 음 이 발견 되 었 다 . 휘발 성 화합물 은 그 후 하나 이상 의 프로세스 챔버 들 로부터 제거 될 수 있 다 . 도 펀트 스 트리핑 ( stripping ) 은 , 도 펀트 들 의 증착 또는 주입 , 또는 어닐링 이후 임의 의 시점 에서 플라 즈 마를 이용 하 여 또는 플라 즈 마 없이 수행 될 수 있 다 . 우선 캡 핑 층 을 에칭 하 고 , 그 후 수소 ( H 2 ) , 질소 ( N 2 ) , 산소 ( O 2 ) , 암모니아 ( NH 3 ) , 3 불화 질소 ( NF 3 ) , 4 불화 실리콘 ( SiF 4 ) , 습한 공기 , 또는 이 들 의 조합 물 들 과 같 은 , 선택 적 으로 용량 성 또는 유도 성 커플링 에 의해 생성 된 원격 의 또는 인 시튜 플라 즈 마를 포함 하 는 , 도 펀트 제거 혼합물 과 잔존 하 는 도 펀트 들 을 반응 시킴 으로써 , " "" 드라이브 - 인 "" 주입 프로세스 동안 기판 표면 상 에 증착 된 도 펀트 들 이 프로세스 챔버 로부터 제거 되 는 실시 예 들 이 기술 된다 . "