최근 반도체 산업 의 급격 한 발전 으로 인해 단위 소자 의 소형 화 및 고 성능 화 를 위한 초고 집적화 를 추구 하 고 있 다 . 이 에 따라 , 전자 기기 등 의 동작 전압 은 점점 낮 아 지 는 추세 인데 반해 , 서지 ( surge ) 전압 의 유입 에 대한 대처 능력 이 현격히 떨어지 고 있 다 . 따라서 , 반도체 소자 를 내장 한 장비 들 은 서지 전압 에 매우 약해서 과도 전압 유입 시 에 도 소자 가 파괴 되 거나 열화 되 어 수명 단축 내지 기능 이 저하 된다 .