통상 의 이미지 센서 는 센서 픽셀 안 에 수집 되 는 광자 를 전자 로 변환 하 여 빛 을 센싱 한다 . 통합 사이클 의 완료 후 에 , 수집 된 전 하 는 전압 으로 변환 되 어 , 센서 의 출력 단자 로 인가 된다 . CMOS 이미지 센서 에서 , 전하 - 전압 변환 은 픽셀 자체 에서 직접 수행 되 고 , 아날로그 픽셀 전압 은 다양 한 픽셀 어 드레싱 및 스캐닝 방식 을 통해 출력 단자 로 전달 된다 . 또한 아 날로 그 신호 는 칩 의 출력 에 도달 하 기 전 에 등가 의 디지털 값 으로 변환 될 수 있 다 . 픽셀 들 은 그 안 에 , 통상 적 으로 적절 한 어 드레싱 트랜지스터 에 의해 픽셀 에 연결 된 센스 라인 을 구동 하 는 소스 폴 로워 ( source follower ) 인 버퍼 증폭기 를 포함 한다 . 전하 - 전압 변환 이 완료 되 고 , 그 결과 로서 생성 되 는 신호 가 픽셀 로부터 전달 된 후 에 , 픽셀 들 은 새로운 전하 를 축적 하 기 위한 준비 를 하 기 위해 리셋 된다 . 전하 검출 노드 로서 FD ( Floating Diffusion ) 를 사용 하 는 픽셀 에서 , 리셋 은 FD 노드 를 기준 전압 에 순간 적 으로 도전 접속 시키 는 리셋 트랜지스터 를 턴 온 함 으로써 수행 된다 . 이 단계 는 수집 된 전하 를 제거 하 지만 , 이 기술 분야 에서 는 잘 알려져 있 는 kTC - 리셋 노이즈 를 생성 한다 . 요구 된 낮 은 노이즈 성능 을 달성 하 기 위해 , CDS ( Correlated Double Sampling ) 신호 처리 기술 을 이용 하 여 kTC 노이즈 는 신호 로부터 제거 되 어야 한다 . CDS 개념 을 이용 하 는 통상 의 CMOS 센서 는 대개 픽셀 안 에 4 개 의 트랜지스터 ( 4 T ) 를 필요 로 한다 . 4 T 픽셀 회로 의 일례 는 Guidash 에 의한 미국 특허 제 5 , 991 , 184 호 에서 찾아볼 수 있 다 .