하나 의 실시 예 에 따르 면 , 방법 은 , 유전체 층 표면 및 금속 함유 표면 을 포함 하 는 평탄 화 된 기판 을 제공 하 는 단계 , 제 1 금속 함유 촉매 층 으로 상기 유전체 층 표면 을 코팅 하 는 단계 , 및 상기 유전체 층 표면 상 에 SiO 2 층 을 그리고 상기 금속 함유 표면 상 에 더 얇 은 추가 의 SiO 2 층 을 퇴적 하 는 기간 동안 실 라 놀 가스 를 함유 하 는 공정 가스 에 상기 평탄 화 된 기판 을 노출 시키 는 단계 를 포함 하 며 , 상기 노출 은 대략 150 ℃ 이하 의 기판 온도 에서 어떠 한 산화제 및 가수 분 해제 없이 수행 된다 . 방법 은 , 에칭 프로세스 에서 상기 금속 함유 표면 으로부터 상기 추가 의 SiO 2 층 을 제거 하 는 단계 , 및 상기 유전체 층 표면 상 의 상기 SiO 2 층 의 두께 를 증가 시키 기 위하 여 상기 코팅 하 는 단계 , 상기 노출 시키 는 단계 및 상기 제거 하 는 단계 를 적어도 한 번 반복 하 는 단계 를 더 포함 한다 .