본 기술 은 또한 반도체 기판 을 식각 하 는 방법 들 을 포함 한다 . 방법 들 은 반도체 공정 처리 챔버 의 원격 플 라즈 마 구역 에서 산소 함유 전구체 의 플 라즈 마 유출물 들 을 형성 하 는 단계 를 포함 할 수 있 다 . 방법 들 은 반도체 기판 을 수납 하 는 기판 공정 처리 구역 내 로 플 라즈 마 유출물 들 을 유동 시키 는 단계 를 포함 할 수 있 다 . 일부 실시 예 들 에서 , 반도체 기판 은 노출 된 금속 함유 물질 을 포함 할 수 있 다 . 기판 공정 처리 구역 은 원격 플 라즈 마 구역 과 유체 적 으로 ( fluidly ) 결합 될 수 있 다 . 방법 들 은 약 1 초 또는 그 초과 의 제 1 시간 기간 동안 유지 하 는 단계 를 포함 할 수 있 다 . 방법 들 은 또한 , 기판 공정 처리 구역 내 로 질소 함유 전구체 를 유동 시키 는 단계 를 포함 할 수 있 다 . 방법 들 은 약 1 초 또는 그 초과 의 제 2 시간 기간 동안 유지 하 는 단계 를 더 포함 할 수 있 다 . 방법 들 은 또한 , 소정 의 양 의 금속 함유 물질 을 제거 하 는 단계 를 포함 할 수 있 다 .