또한 , 본 발명 에 따른 반도체 소자 의 제조 방법 은 , 게이트 형성 영역 과 비트 라인 콘 택 영역 및 스토리지 노드 콘 택 영역 을 포함 하 는 활성 영역 및 이 를 한정 하 는 소자 분리 영역 을 갖 는 반도체 기판 상 에 패드 산화 막 및 패드 질화 막 의 적층 막 으로 이루어진 하드 마스크 를 형성 하 는 단계 ; 상기 하드 마스크 를 식각 마스크 로 상기 소자 분리 영역 을 식각 하 여 트렌치 를 형성 하 는 단계 ; 상기 트렌치 를 매립 하 도록 반도체 기판 상 에 소자 분리 용 절 연막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 소자 분리 용 절 연막 , 패드 질 화 막 및 패드 산화 막 을 CMP 하 여 소자 분리 막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 패드 질화 막 을 패드 산화 막 이 노출 될 때 까지 선택 적 으로 제거 하 는 단계 ; 상기 패드 산화 막 을 상기 활성 영역 의 비트 라인 콘 택 영역 이 노출 되 도록 일부 제거 하 는 단계 ; 상기 노출 된 비트 라인 콘 택 영역 을 포함 한 반도체 기판 상 에 실리콘 에 피층 을 성장 시키 는 단계 ; 상기 소자 분리 막 을 식각 해서 활성 영역 의 일부 를 노출 시키 는 핀 패턴 ( Fin Pattern ) 을 형성 하 는 단계 ; 및 상기 핀 패턴 을 감싸 도록 돌출 된 형상 을 갖 는 돌기 형 게이트 를 형성 하 는 단계 ; 를 포함 한다 .