로직 다이 ( 700 ) 는 로직 다 이 기판 ( 708 ) 의 후면 표면 상 에 위치 된 후면 절연 층 ( 714 ) 을 포함 할 수 있 다 . 측 방향 으로 - 절연 된 기판 - 관통 비아 구조물 ( laterally - insulated through - substrate via structure ) 들 ( 711 , 712 ) 이 주변 회로 부 의 다양 한 입력 노드 들 및 출력 노드 들 에 대한 전기 적 콘 택 을 제공 하 기 위해 로직 다 이 기판 ( 708 ) 을 통해 형성 될 수 있 다 . 각각 의 측 방향 으로 - 절연 된 기판 - 관통 비아 구조물 ( 711 , 712 ) 은 기판 - 관통 전도성 비아 구조물 ( 712 ) 및 기판 - 관통 전도성 비아 구조물 ( 712 ) 을 측 방향 으로 둘러싸 는 관형 절연 라이너 ( 711 ) 를 포함 한다 . 후면 접합 패드 들 ( 716 ) 은 측 방향 으로 - 절연 된 기판 - 관통 비아 구조물 들 ( 711 , 712 ) 의 표면 부분 들 상 에 형성 될 수 있 다 . 일반 적 으로 , 반도체 기판 ( 예컨대 , 기판 반도체 층 ( 709 ) ) 상 에 위치 된 반도체 디바이스 들 ( 710 ) 을 포함 하 는 반도체 다이 가 제공 된다 . 제 2 접합 구조물 들 ( 788 ) 은 반도체 디바이스 들 ( 710 ) 위 에 놓이 고 그 들 에 전기 적 으로 연결 되 며 , 측 방향 으로 - 절연 된 기판 - 관통 비아 구조물 들 ( 711 , 712 ) 은 반도체 기판 을 통해 연장 될 수 있 다 .