이하 에서 는 도 4 a 내지 도 4 g 에 도시 되 어 있 는 공정 단계 별 수직 단면도 들 을 참조 하 면서 본 실시 예 에 따른 반도체 기판 의 제조 방법 에 대해 상세히 설명 하 기 로 한다 . 먼저 , 도 4 a 에 도시 된 바 와 같이 , 원소 재 기판 ( S ) 을 준비 하 는 데 ( P 10 ) , 기판 소재 로 는 구리 ( Cu ) 또는 이 를 주 소재 로 하 여 다른 기능 성 원소 들 이 고용 된 구리 합금 ( Cu - alloy ) 등 의 구리 계열 이나 , 니켈 ( Ni ) 또는 이 를 주 소재 로 하 여 다른 원소 들 이 고용 되 어 있 는 니켈 합금 ( Ni - alloy ) 등 의 니켈 계열 이 선택 될 수 있 으나 , 이 에 한정 되 지 는 않 는다 . 이어서 , 도시 되 지 는 않 았 으나 , 제공 된 원소 재 기판 ( S ) 에 대한 전처리 단계 가 수행 될 수 있 는데 , 예 를 들 어 , 후술 하 는 감광층 ( PR ) 과 의 부착력 을 향상 시킬 목적 으로 , 원소 재 기판 ( S ) 의 표면 에 대해 세정 ( cleaning ) 처리 가 수행 될 수 있 다 .