활성 층 ( 122 ) 은 기판 ( 110 ) 위 에 배치 된다 . 활성 층 ( 122 ) 은 무기 반도체 , 규소 반도체 , 산화물 반도체 , 유기 반도체 등 을 패 터닝 함 으로써 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 면 , 활성 층 ( 122 ) 은 규소 를 사용 하 되 , 비정질 규소 층 을 기판 ( 110 ) 의 표면 에 형성 하 고 그것 을 결정 화 하 여 다결정 규소 층 을 형성 함 으로써 , 형성 될 수 있 다 . 다 결정 규소 층 은 패 터닝 되 어 활성 층 ( 122 ) 을 형성 하 되 , 불순물 들 ( impurities ) 로 도핑 되 어 소스 영역 과 드레 인 영역 을 형성 할 수 있 다 . 활성 층 ( 122 ) 은 소스 영역 , 드레 인 영역 , 및 소스 영역 과 드레 인 영역 사이 의 채널 영역 을 포함 한다 .