따라서 , 본 발명 에 따른 반도체 소자 의 제조 방법 은 웨이퍼 를 노광 장치 에 정렬 시킨 후 초점 높이 분석 ( Focus Level Analysis ) 장치 를 이용 하 여 웨이퍼 의 레벨 맵 을 작성 하 고 이 에 따라 노광 렌즈 의 초점 을 정확 하 게 보정 한 후 노광 공정 을 수행 함 으로써 , 웨이퍼 의 배면 에 발생 하 는 이 물질 들 에 의해서 웨이퍼 표면 의 높이 가 상이 해 지 고 이 에 따라 노광 공정 이 정상 적 으로 수행 되 지 못하 는 문제 를 해결 할 수 있 다 .