한편 , 상기 수직 형 메모리 장치 는 상기 제 1 게이트 구조물 의 표면 상 에 형성 된 식각 저지 패턴 ( 174 ) 을 더 포함 할 수 있 다 . 기판 ( 100 ) 의 제 2 영역 ( II ) 상 에 형성 되 는 식각 저지 패턴 ( 174 ) 은 기판 ( 100 ) 의 제 1 영역 ( I ) 상 에 형성 되 는 제 1 희생 패턴 ( 172 ) 과 동일 한 공정 을 통해 동일 한 두께 로 형성 되 므로 , 제 1 희생 패턴 ( 172 ) 을 제거 하 여 형성 되 는 상기 갭 을 채우 는 제 2 게이트 전극 ( 403 ) 및 이 의 상하 면 을 커버 하 는 제 2 블로킹 패턴 ( 370 ) 의 두께 의 합 은 식각 저지 패턴 ( 174 ) 의 두께 와 실질 적 으로 동일 할 수 있 다 .