상기 한 기술 적 과제 를 달성 하 기 위한 본 발명 에 따른 반도체 장치 의 박막 형성 방법 은 반도체 기판 위 에 원자 층 증착 법 으로 Ta 와 F 가 혼합 되 어 있 는 예 비막 을 형성 하 는 단계 , 예 비막 을 B 2 H 6 와 반응 시켜 Ta 막 을 형성 하 는 단계 , 그리고 Ta 막 을 질소 분위기 에서 열처리 하 여 TaN 막 을 형성 하 는 단계 를 포함 한다 .