상기 TFT 에 사용 되 는 액티브 층 을 폴리 실리콘 박막 으로 형성 하 기 위해서 는 순수 비정질 실리콘 ( Intrinsic amorphous silicon ) 을 소정 의 방법 즉 , 절연 기판 에 플 라즈 마 화 학기 상 증착 법 ( plasma enhanced chemical vapor deposition ; PECVD ) 이나 저압 화 학기 상 증착 법 ( low pressure chemical vapor deposition ; LPCVD ) 방법 으로 비정질 실리콘 막 을 증착 한 후 , 이 를 다시 결정 화 하 는 방법 을 사용 했 다 .