다음 으로 , 도 2 의 ( d ) 에 도시 한 바 와 같이 , 막 두께 T 2 의 다결정 실리콘 막 ( 200 ) 을 , 표면 ( 상면 ) 으로부터 에치 백 하 여 그 막 두께 를 줄이 고 , 다 결정 실리콘 막 ( 200 ) 을 , 막 두께 T 1 의 다결정 실리콘 막 ( 100 ) 으로 한다 . 상기 의 에치 백 은 , 예 를 들 면 리 액티브 이온 에칭 ( RIE ) 에 의해 에칭 하 고 , 그 후 웨트 에칭 을 이용 하 여 , 최종 적 인 막 두께 를 원하 는 막 두께 T 1 로 한다 .