본 발명 의 양극 성 OFET 는 , 예 를 들 면 도 1 에 도시 된 바 와 같이 , SiO 2 등 의 기판 ( 1 ) 상 에 게이트 전극 이 되 는 도전체 층 ( 2 ) 가 형성 되 고 , 그 위 에 절연체 층 ( 3 ) 이 형성 되 고 , 추가 로 그 위 에 반도체 층 ( 4 ) 가 형성 됨 과 동시 에 , 이 반도체 층 ( 4 ) 상 에 소스 전극 ( 5 ) 및 드레 인 전극 ( 6 ) 이 형성 된 것 이 다 . 또한 , 기판 으로 는 유리 나 중합체 시트 등 도 이용 된다 .