일 실시 예 에서 , 제 1 전극 ( EL 1 ) 에 양 전압 인가 시 , 산소 이온 이 저항 변화 물질 층 ( RE ) 에서 제 1 전극 ( EL 1 ) 으로 이동 하 며 , 음전하 의 성질 을 갖 는 산소 이온 의 이동은 저항 변화 물질 층 ( RE ) 의 표면 에 산소 정공 을 형성 하 게 될 수 있 다 . 이 는 저항 - 전하 물질 의 표면 이 양전하 의 특성 을 갖 도록 할 수 있 다 . 이러 한 , 저항 변화 물질 층 ( RE ) 의 표면 의 양전하 특성 은 저항 변화 물질 층 ( RE ) 으로부터 산소 이온 이 제 1 전극 ( EL 1 ) 으로 이동 하 는 것 을 방지 하 게 된다 . 또한 , 제 1 전극 ( EL 1 ) 에 음 의 전압 을 인가 하 기 전 에 , 제 1 전극 ( EL 1 ) 에서 양 의 전압 값 과 시간 이 증가 함 에 따라 저항 - 전하 물질 에서 제 1 전극 ( EL 1 ) 로 의 산소 이온 이동 을 막 는 에너지 장벽 이 증가 할 수 있 다 . 이후 , 제 1 전극 ( EL 1 ) 에 음 전압 이 인가 될 시 , 산소 이온 은 제 1 전극 ( EL 1 ) 에서 저항 변화 물질 층 ( RE ) 으로 이동 하 고 , 저항 - 전하 물질 의 표면 의 양전하 특성 은 제 1 전극 ( EL 1 ) 에서 저항 변화 물질 층 ( RE ) 으로 산소 이온 이 이동 하 는 것 을 촉진 할 수 있 다 .