먼저 , 도 7 a 를 참조 하 면 , 일반 적 으로 잘 알려진 방식 에 따라 기판 ( 101 ) 위 에 차례 로 제 1 전극 ( 102 ) , 정공 주입 층 ( 103 ) , 정공 수송 층 ( 104 ) , 발광 층 ( 105 ) 및 제 1 전자 수송 층 부분 ( 106 a ) 을 형성 한다 . 제 1 전극 ( 102 ) 은 예 를 들 어 스퍼터링 등 의 건식 증착 법 으로 기판 ( 101 ) 위 에 형성 될 수 있 다 . 또한 , 정공 주입 층 ( 103 ) 과 정공 수송 층 ( 104 ) 은 스핀 코팅 등 의 방식 으로 형성 될 수 있 다 . 다수 의 양자 점 들 로 이루어진 발광 층 ( 105 ) 은 예 를 들 어 탄성 스탬프 ( elastomer stamp ) 를 이용 한 전사 프린팅 ( transfer - printing ) 방식 으로 정공 수송 층 ( 104 ) 위 에 형성 될 수 있 다 . 이때 , 탄성 스탬프 의 바닥 면 이 패 터닝 되 어 있 으면 , 도 6 에 도시 된 바 와 같이 , 발광 층 ( 105 ) 은 적색 , 녹색 및 청색 화소 별 로 패 터닝 될 수 있 다 . 그리고 , 산화 티타늄 ( TiOx ) 이나 아 이오노머 수지 로 이루어질 수 있 는 제 1 전자 수송 층 부분 ( 106 a ) 은 발광 층 ( 105 ) 위 에 약 10 ~ 12 nm 의 두께 로 코팅 될 수 있 다 . 이 는 , 이후 에 상기 제 1 전자 수송 층 부분 ( 106 a ) 위 에 형성 될 나노 - 플라 즈 모닉 입자 ( 107 ) 와 발광 층 ( 105 ) 사이 의 거리 가 약 10 ~ 12 nm 정도 가 되 도록 하 기 위한 것 이 다 . 한편 , 앞서 설명 한 바 와 같이 , 정공 주입 층 ( 103 ) 과 정공 수송 층 ( 104 ) 은 선택 적 인 것 으로서 , 도 7 a 에서 형성 되 지 않 을 수 도 있 다 .