그래서 , 입력 배선 ( 25 ) 을 ITO 에 비해 저항 치가 작 은 금속 재료 로 형성 하 는 것 으로 한다 . 예 를 들 면 , 입력 배선 ( 25 ) 을 크롬 , 크롬 과 금 의 적층 , 또는 ITO 와 크롬 과 금 의 적층 으로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 크롬 은 ITO 에 비해 저항 치가 작 고 , 유리제 의 전극 기판 과 의 밀착 성 도 좋 기 때문 이 다 . 또한 , 금 은 크롬 보다 도 저항 치가 작 기 때문 에 , 크롬 과 금 의 적층 , 또는 ITO 와 크롬 과 금 의 적층 에 의해 입력 배선 을 형성 해도 , 입력 배선 전체 로서 저항 치가 작아진다 . 또한 , 입력 배선 ( 25 ) 을 , 티탄 과 금 의 적층 또는 은 , 구리 , 알루미늄 등 으로 형성 해도 , ITO 에 비해 배선 전체 로서 저항 치 를 작 게 할 수 있 다 . 따라서 , 이러 한 금속 재료 에 의해 입력 배선 ( 25 ) 을 형성 함 으로써 , 액 츄 에 이터 를 동시 에 다수 구동 시키 는 경우 에 도 , 그 동작 의 응답 지연 을 저감 하 여 , 응답 성 을 좋 게 하 는 것 이 가능 해진다 .