실리콘 - 함유 층 ( 40 ) 을 형성 한 후 에 , 단계 54 에서 층 ( 44 ) 이 증착 될 수 도 있 다 . 도 7 , 도 8 및 도 9 와 관련 하 여 설명 한 것 처럼 , 층 ( 44 ) 은 하나 이상 의 도 펀트 재료 및 하나 이상 의 금속 을 함유 할 수 도 있 다 . 층 ( 44 ) 은 PVD , CVD , 원자 층 증착 , 전기 화학 증착 등 에 의해 형성 될 수 도 있 다 . 도 펀트 재료 는 이온 주입 기술 을 이용 하 여 , 금속 과 도 펀트 재료 를 ( 예 를 들 어 , PVD 공동 스퍼터링 , PVD 합금 스퍼터링 또는 무전 해 공동 증착 등 을 이용 하 여 ) 동시 에 증착 시킴 으로써 , 또는 다수 의 상이 한 재료 의 서브 층 을 포함 하 는 층 ( 44 ) 을 증착 시킴 으로써 층 ( 44 ) 으로 통합 될 수 도 있 다 .