도 11 a , 도 11 b 및 도 11 c 에서 , 제 1 층간 유전체 ( interlayer dielectric ; ILD ) ( 88 ) 가 도 10 a , 도 10 b 및 도 10 c 에 도시 된 구조 위 에 퇴적 된다 . 제 1 ILD ( 88 ) 는 유전체 물질 로 형성 될 수 있 으며 , CVD , 플 라즈 마 강화 CVD ( plasma - enhanced CVD ; PECVD ) 또는 FCVD 와 같 은 임의 의 적합 한 방법 에 의해 퇴적 될 수 있 다 . 유전체 물질 은 포스 포 실리케이트 유리 ( phospho - silicate glass ; PSG ) , 보로 실리케이트 유리 ( boro - silicate glass ; BSG ) , 붕소 도핑 된 포스 포 실리케이트 유리 ( boron - doped phospho - silicate glass ; BPSG ) , 비 도핑 된 실리케이트 유리 ( undoped silicate glass ; USG ) 등 을 포함 할 수 있 다 . 임의 의 허용 가능 한 공정 에 의해 형성 된 다른 절연 물질 이 사용 될 수 있 다 . 일부 실시 예 들 에서 , 콘 택 에칭 정지 층 ( contact etch stop layer ; CESL ) ( 87 ) 이 제 1 ILD ( 88 ) 와 에피 택 셜 소스 / 드레 인 영역 ( 82 ) , 마스크 ( 74 ) 및 게이트 스 페이서 ( 86 ) 사이 에 배치 된다 . CESL ( 87 ) 은 위 에 놓인 제 1 ILD ( 88 ) 의 물질 과 는 상이 한 에칭 속도 를 갖 는 실리콘 질화물 , 실리콘 산화물 , 실리콘 산질 화물 등 과 같 은 유전체 물질 을 포함 할 수 있 다 .