다음 으로 도 15 에 도시 된 바 와 같이 유기 막 패턴 ( PR ) 을 에 싱 ( ashing ) 하 여 제 3 도전 물질 층 ( 43 c ) 의 상면 을 노출 시킨다 . 제 3 도전 물질 층 ( 43 c ) 상 에 는 유기 막 잔여 패턴 ( PR 11 ) 이 잔존 할 수 있 다 . 유기 막 잔여 패턴 ( PR 11 ) 은 에 싱 과정 에서 제거 되 지 않 고 잔존 하 는 유기 막 패턴 ( PR ) 의 일부 일 수 있 다 .