본 발명 의 반도체 소자 의 리세 스 채널 용 트렌치 형성 방법 은 , 반도체 기판 상 에 패드 산화 막 및 패드 질화 막 을 형성 하 는 단계 ; 패드 질화 막 을 이용 하 여 반도체 기판 에 트렌치 소자 분리 막 을 형성 하 는 단계 ; 패드 질화 막 을 패 터닝 하 여 반도체 기판 의 제 1 영역 을 노출 하 는 패드 질화 막 패턴 을 형성 하 는 단계 ; 패드 질화 막 패턴 을 배리 어 막 으로 제 1 식각 공정 을 실시 하 여 제 1 트렌치 를 형성 하 는 단계 ; 패드 질화 막 패턴 을 배리 어 막 으로 제 1 트렌치 하부 의 반도체 기판 내 에 불순물 을 주입 하 는 국부 적 셀 채널 이온 주입 을 수행 하 고 , 패드 질화 막 패턴 을 제거 하 는 단계 ; 패드 질화 막 패턴 이 제거 된 결과물 전면 에 산화 막 을 형성 하 는 단계 ; 산화 막 을 배리 어 막 으로 한 제 2 식각 공정 으로 트렌치 하단 부 에 구형 의 제 2 트렌치 를 형성 하 여 , 제 1 트렌치 및 제 2 트렌치 로 이루어지 는 벌브 타입 의 리세 스 채널 용 트렌치 를 형성 하 는 단계 ; 및 산화 막 을 제거 하 는 단계 를 포함 한다 .