이어서 , P - 에 피층 ( 110 ) 상 에 게이트 산화 막 ( 112 ) 및 게이트 도전 막 ( 113 ) 을 차례 로 형성 한 후 , 이 를 건식 식각 하 여 게이트 전극 ( 114 ; 이하 , 제 1 게이트 전극 이 라 함 ) 을 형성 한다 . 이때 , 제 1 게이트 전극 ( 114 ) 은 베리 어용 게이트 전극 과 트랜스퍼 트랜지스터 용 게이트 전극 을 동시 에 형성 하 기 위한 것 으로서 , 기존 의 도 1 에서 형성 되 는 게이트 전극 ( 14 ) 의 폭 ( W 1 ) 보다 넓 은 폭 ( W 2 ) 으로 형성 한다 .