또 다른 양태 에서 , 반도체 기판 상 에 에 어 갭 을 형성 하 기 위한 시스템 이 제공 된다 . 시스템 은 하나 이상 의 증착 프로세스 챔버 들 ; 하나 이상 의 에칭 프로세스 챔버 들 ; 및 제어기 를 포함 한다 . 제어기 는 본 명세서 에 기술 된 임의 의 에어 갭 형성 방법 들 을 구현 하 기 위한 프로그램 인스트 럭 션 들 을 포함 한다 . 예 를 들 어 , 제어기 는 ( i ) 제 1 재료 의 노출 된 층 , 제 2 재료 의 노출 된 층 , 및 제 1 재료 의 층 과 제 2 재료 의 층 사이 에 위치 된 SnO 2 의 노출 된 층 을 갖 는 반도체 기판 상 에서 , 수소 플 라즈 마 에칭 화학 물질 을 사용 하 여 제 1 재료 및 제 2 재료 모두 에 대하 여 노출 된 SnO 2 를 선택 적 으로 에칭 하 여 , 제 1 재료 와 제 2 재료 사이 에 리세 스 된 피처 를 형성 하 는 단계 ; 및 ( ii ) 리세 스 된 피처 를 완전히 충 진하 지 않 고 리세 스 된 피처 위 에 제 3 재료 를 증착 하 여 , 제 1 재료 의 층 과 제 2 재료 의 층 사이 에 에 어 갭 을 형성 하 는 단계 를 유발 하 는 프로그램 인스트 럭 션 들 을 포함 할 수 도 있 다 .