개시 된 본 발명 은 FET 센서 및 FET 센서 의 제조 방법 에 관한 것 이 다 . 기존 의 FET 센서 는 센서 주변 부 를 에폭시 수지 로 두껍 게 패 시베이 션 을 하 기 때문 에 마이크 로 한 환경 에 부적합 하 다 . 본 발명 에서 는 FET 센서 의 제조 공 정상 발생 하 는 소 잉 공정 을 하 기 전 에 소정 의 보호 박막 을 FET 센서 의 lateral side 를 포함 한 주변 부 에 증착 시켰 다 . 즉 , FET 센서 의 하 면 부 의 실리콘 기판 상 에 형성 된 백사이드 절연 층 과 백사이드 절연 층 에서 연장 되 어 FET 센서 의 측면 부 및 상부 를 둘러싸 며 패 시베이 션 하 는 보호막 을 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 . 이 에 의하 면 , 패 시베이 션 층 이 매우 얇 기 때문 에 마이크 로 한 환경 을 보다 효율 적 으로 감지 할 수 있 고 , 외부 환경 으로부터 의 데미지 또한 최소 화 할 수 있 는 장점 이 있 다 .