다음 공정 으로 는 도 2 ( d ) 에서 처럼 , 표면 처리 를 통한 평탄 화 된 제 1 에피 택 셜 적층 구조 상층부 에 고성능 의 전자 및 광전자 소자 용 박막층 , 즉 제 2 에피 택 셜 적층 구조 를 성장 하 기 앞서 , 화학식 InxAlyGazN ( x , y , z 는 0 이상 의 정수 이 고 , 또한 x , y , z 는 동시 에 0 이 아니 다 ) 및 SixCyNz ( x , y z 는 0 이상 의 정수 이 고 , 또한 x , y 는 동시 에 0 이 아니 다 ) 으로 표기 된 물질 층 으로 구성 된 양질 의 박막 구조 , 즉 제 2 에피 택 셜 적층 구조 를 성장 하 기 위해서 종래 공지 된 패 터닝 공정 을 도입 하 여 ELOG ( epitaxial lateral overgrowth ) 기법 을 사용 한다 ( 도 2 ( e ) ) .