이어서 , 완충 막 ( 101 ) 상 에 하드 마스크 ( hard mask ) ( 102 ) 를 형성 한다 . 이때 , 하드 마스크 ( 102 ) 를 트렌치 형성 공정 시 식각 마스크 로 사용 되 는 감광막 패턴 의 두께 부족 을 보상 하 기 위한 것 으로서 , 완충 막 ( 101 ) 과 높 은 식각 선택 비 를 갖 는 물질 로 형성 한다 . 예컨대 , 완충 막 ( 101 ) 이 산화 막 으로 형성 된 경우 질화 막 으로 형성 한다 . 구체 적 으로 , 완충 막 ( 101 ) 이 실리콘 산화 막 으로 형성 된 경우 실리콘 질화 막 ( Si 3 N 4 ) 으로 형성 한다 .