비 자기 스 페이서 ( 1340 ) 는 PSC 층 ( 1350 ) 위 에 배치 된다 . 비 자기 스 페이서 ( 1340 ) 는 위 에서 논의 된 비 자기 스 페이서 층 ( 340 및 540 ) 과 동일 한 성질 들 , 구조물 및 특성 들 을 갖 는다 . MTJ ( 1330 ) 가 비 자기 스 페이서 ( 1340 ) 위 에 배치 된다 . MTJ ( 1330 ) 는 일반 적 으로 자유 층 ( 1336 ) ( 이 는 비 자기 스 페이서 ( 1340 ) 위 에 배치 됨 ) 및 기준층 ( 1332 ) 으로 구성 된다 . 자유 층 ( 1336 ) 과 기준층 ( 1332 ) 은 MgO 와 같 은 절연 재료 로 제조 된 터널 링 배리 어 층 ( 1334 ) 에 의해 서로 공간 적 으로 분리 된다 . 위 에서 와 같이 , MTJ ( 1330 ) 는 기준 층 및 자유 층 둘 모두 의 자기 방향 이 그 들 각각 의 평면 들 에 수직 이 란 점 에서 수직 MTJ 이 다 . 다른 실시 예 들 과 관련 하 여 논의 된 바 와 같이 , 자유 자기 층 ( 1336 ) 설계 는 자유 층 ( 1336 ) 의 수직 축 으로부터 몇 도 떨어진 곳 을 가리키 는 그 의 자화 를 포함 할 수 있 다 . 자유 층 자화 의 경사각 은 PSC 자기 층 ( 1350 ) 과 의 상호 작용 또는 자기 결정 이방성 ( magnetocrystalline anisotropy ) 에 기인 할 수 있 으며 , 스위칭 의 개시 를 개선 함 으로써 자유 층 자화 의 스위칭 을 부가 적 으로 도울 것 이 다 . 강자성 커플링 층 ( 1328 ) 이 기준층 ( 1332 ) 위 에 배치 된다 . 합성 반강자성 ( SAF ) 층 ( 1326 ) 은 강자성 커플링 층 ( 1328 ) 위 에 배치 된다 . 반강자성 커플링 층 ( 1324 ) 이 SAF 층 ( 1326 ) 위 에 배치 된다 . 다른 합성 반강자성 층 ( 1322 ) 이 반강자성 커플링 층 ( 1324 ) 위 에 배치 된다 . 또한 , SAF 층 ( 1326 ) 은 기술 적 으로 강자성 커플링 층 ( 1328 ) 및 기준층 ( 1332 ) 을 포함 하 지만 , 설명 의 목적 으로 여기 서 별개 로 도시 된다는 것 에 주의 한다 . SAF 층 들 ( 1326 및 1322 ) 은 또한 수직 자기 방향 들 이 다 . 마지막 으로 , 캡 핑 층 ( 1320 ) 이 SAF 층 ( 1320 ) 위 에 배치 된다 . 전류 는 전류 소스 ( 1374 ) 에 의해 제공 될 수 있 다 . 층 들 의 순서 외 에 , 자기 디바이스 는 도 5 및 도 7 에 도시 된 실시 예 와 관련 하 여 설명 된 것 과 동일 한 방식 으로 동작 한다 . 따라서 , 도 5 및 도 7 에 도시 된 것 처럼 , PSC 자기 층 ( 1350 ) 은 스핀토크 전가 ( 310 ) 가 자유 층 ( 1336 ) 의 전체 세차 운동 사이클 전반 에 걸쳐 유리 한 방식 으로 인가 되 도록 회전 한다 .