도 7 a 는 본 발명 의 샤워 플레이트 ( 120 ) 및 상기 샤워 플레이트 상 에 연결 된 종래 의 30 mm 세라믹 도관 ( 430 ) 을 가지 는 CVD 장치 ( 425 ) 의 상측 부분 을 도시 한다 . 도관 ( 430 ) 의 상측 부분 은 알루미늄 도관 ( 480 ) 과 연결 되 고 , 이 는 차단 밸브 ( 495 ) 와 더 연결 된다 . 공정 처리 단계 중 에 , 반응 가스 는 상기 반응 챔버 내 로 이송 되 고 , 인 - 싯 츄 플라 즈 마로 활성 화 되 고 , 정상 증착 플 라즈 마 ( 450 ) 가 샤워 플레이트 ( 120 ) 의 하측 에서 발생 하 고 , 반면 기생 플 라즈 마 ( 466 ) 는 도관 ( 430 ) 내 및 샤워 플레이트 및 상기 반응 챔버 의 천정 사이 에서 한정 된 수평 플레 넘 ( plenum ) 내 에서 샤워 플레이트 ( 120 ) 상 에 발달 한다 . 기생 플라 즈 마는 도 2 a 에 도시 된 홀 들 ( 208 ) 과 같 은 비 균일 한 홀 들 을 가지 는 종래 의 샤워 플레이트 들 을 포함 하 는 CVD 반응기 들 내 에서 도 발생 할 수 있 으나 , 기생 플 라즈 마 ( 466 ) 의 양 은 일반 적 으로 상기 반응 챔버 내 에 상기 막 증착 을 열화 시키 지 않 을 정도 의 허용 가능 한 수준 이 다 . 그러나 , 상기 샤워 플 레 이 트 들 을 더 큰 직경 ( 도 2 b 의 홀 들 ( 220 ) 과 같 음 ) 의 홀 들 을 가지 도록 변화 시킴 에 따라 , 기생 플 라즈 마 ( 466 ) 의 양 이 웨이퍼 공정 처리 중 에 원하 지 않 게 증가 될 수 있 다 .