상기 제 1 도전 형 반도체 층 ( 222 ) 은 제 1 도전 형 도 펀트 가 도핑 된 반도체 예컨대 , n 형 반도체 층 으로 구현 될 수 있 다 . 상기 제 1 도전 형 반도체 층 ( 222 ) 은 InxAlyGa 1 - x - yN ( 0 ≤ x ≤ 1 , 0 ≤ y ≤ 1 , 0 ≤ x + y ≤ 1 ) 의 조성식 을 포함 한다 . 상기 제 1 도전 형 반도체 층 ( 115 ) 은 III 족 - V 족 원소 의 화합물 반도체 예컨대 , GaN , AlN , AlGaN , InGaN , InN , InAlGaN , AlInN , AlGaAs , GaP , GaAs , GaAsP , AlGaInP 중 에서 선택 될 수 있 다 . 상기 제 1 도전 형 도 펀트 는 n 형 도 펀트 로서 , Si , Ge , Sn , Se , Te 등 과 같 은 도 펀트 를 포함 한다 . 상기 활성 층 ( 223 ) 은 제 1 도전 형 반도체 층 ( 222 ) 아래 에 배치 되 고 , 단일 양자 우물 , 다중 양자 우물 ( MQW ) , 양자 선 ( quantum wire ) 구조 또는 양자 점 ( quantum dot ) 구조 를 선택 적 으로 포함 하 며 , 우물 층 과 장벽층 의 주기 를 포함 한다 . 상기 우물 층 / 장벽층 의 주기 는 예컨대 , InGaN / GaN , GaN / AlGaN , AlGaN / AlGaN , InGaN / AlGaN , InGaN / InGaN , AlGaAs / GaA , InGaAs / GaAs , InGaP / GaP , AlInGaP / InGaP , InP / GaAs 의 페어 중 적어도 하나 를 포함 한다 . 상기 제 2 도전 형 반도체 층 ( 224 ) 은 활성 층 ( 223 ) 아래 에 배치 된다 . 상기 제 2 도전 형 반도체 층 ( 119 ) 은 제 2 도전 형 도 펀트 가 도핑 된 반도체 예컨대 , InxAlyGa 1 - x - yN ( 0 ≤ x ≤ 1 , 0 ≤ y ≤ 1 , 0 ≤ x + y ≤ 1 ) 의 조성식 을 포함 한다 . 상기 제 2 도전 형 반도체 층 ( 119 ) 은 , GaN , InN , AlN , InGaN , AlGaN , InAlGaN , AlInN , AlGaAs , GaP , GaAs , GaAsP , AlGaInP 와 같 은 화합물 반도체 중 적어도 하나 로 이루어질 수 있 다 . 상기 제 2 도전 형 반도체 층 ( 119 ) 이 p 형 반도체 층 이 고 , 상기 제 1 도전 형 도 펀트 는 p 형 도 펀트 로서 , Mg , Zn , Ca , Sr , Ba 을 포함 할 수 있 다 . 상기 발광 구조물 ( 225 ) 은 다른 예 로서 , 상기 제 1 도전 형 반도체 층 ( 222 ) 이 p 형 반도체 층 , 상기 제 2 도전 형 반도체 층 ( 224 ) 은 n 형 반도체 층 으로 구현 될 수 있 다 . 상기 제 2 도전 형 반도체 층 ( 224 ) 위 에 는 상기 제 2 도전 형 과 반대 의 극성 을 갖 는 제 3 도전 형 반도체 층 이 형성 할 수 도 있 다 . 또한 상기 발광 구조물 ( 225 ) 은 n - p 접합 구조 , p - n 접합 구조 , n - p - n 접합 구조 , p - n - p 접합 구조 중 어느 한 구조 로 구현 할 수 있 다 .