예 를 들 어 , JP - A 2004 - 343073 에 개시 되 어 있 는 종래 의 결정 화 기술 에 따르 면 , 비 단결정 반도체 막 에서 결정 성장 이 비 용융 영역 의 일단 부 로부터 방사 적 으로 이루 어 질지라도 , 그 순간 결정 성장 의 분산 각 , 즉 , 방사 적 으로 확장 되 는 결정 입계 의 쌍 에 의해 정의 되 는 방 사각 은 상대 적 으로 좁 아 진다 . 결과 적 으로 , 결정 입계 가 박막 트랜지스터 의 채널 영역 으로 침투 할 확률 은 높 아 지 고 , 전계 효과 이동도 는 채널 영역 에서 의 결정 입계 로 인한 캐리어 분산 에 의해 낮 아 진다 .