도 3 을 참조 하 면 , 제 1 포지티브 전압 ( positive voltage ) ( 304 ) 이 제조 된 바 와 같 은 디바이스 의 제 2 전극 에 인가 될 때 , 국부 전기장 ( local electric field ) 이 발생 되 고 , 특정 실시 예 에서 는 , 원자 들 , 이온 들 , 또는 클러스터 ( cluster ) 들 을 포함 하 는 다양 한 형태 들 의 은 입자 들 이 비정질 실리콘 재료 에서 형성 된다 . 더욱 구체 적 으로 , 은 입자 들 은 비정질 실리콘 재료 의 결함 부위 들 에서 형성 되 고 가두 어 진다 . 국부 전기장 은 비정질 실리콘 재료 에서 은 확산 을 증대 시키 고 , 특정 실시 예 에서 은 입자 들 로 구성 되 는 금속 영역 ( 302 ) 을 형성 한다 . 이 제 1 포지티브 전압 은 비정질 실리콘 재료 의 프로세스 조건 에 따라 4 볼트 내지 약 6 볼트 의 범위 일 수 있 다 . 도시 된 바 와 같이 , 금속 영역 은 제 2 전극 표면 영역 근처 에 형성 되 고 , 제 1 전극 과 는 접촉 하 지 않 는다 . 특정 실시 예 에서 , 제 1 포지티브 전압 은 스위칭 디바이스 를 위한 주조 전압 ( forming voltage ) 또는 전기 주조 전압 ( electroforming voltage ) 이 다 . 스위칭 디바이스 는 이제 오프 상태 이 다 .