또한 , 상기 제 2 관점 에 있 어서 , 상기 질화규소 막 을 에칭 할 때 의 처리 압력 에 대해 , 상기 실리콘 층 을 에칭 할 때 의 처리 압력 을 저하 시키 거나 혹은 상기 질화규소 막 을 에칭 할 때 의 상기 하이드로 플 루 오로 카본 가스 의 유량 에 대해 , 상기 실리콘 층 을 에칭 할 때 의 상기 하이드로 플 루 오로 카본 가스 의 유량 을 저하 시키 는 것 이 바람직 하 다 .