Bentham PVE 300 PV 특징화 시스템 을 사용 하 여 , 5 ㎚ 간격 으로 , 300 ㎚ 내지 1100 ㎚ 의 단색광 으로 스펙트럼 반응 을 측정 하 였 다 . 조명 된 영역 은 1 . 5 * 3 ㎜ 였 다 . 조명 된 영역 이 측정 도중 Si - 셀 핑거 사이 에 있 도록 1 - 셀 모듈 을 위치 시켜 , 핑거 로부터 의 반사 가 결과 에 영향 을 미치 는 것 을 방지 하 였 다 . 총 스펙트럼 반응 의 3 회 측정 을 각 모듈 의 중앙 에서 수행 하 였 다 . Bentham 소프트웨어 는 스펙트럼 반응 을 외부 양자 효율 로 자동 전환 시켰 고 , EQE 에 대해 보 고 된 값 은 600 - 800 ㎚ 사이 에서 평균 값 이 고 , 여기 서 EQE 는 최대치 에 도달 한다 .