도 5 를 참조 하 면 , 백색 계열 전극 으로 형성 된 제 1 전극 ( 32 ) 을 식각 마스크 로 이용 하 여 제 1 금속 층 ( 20 ) 을 식각 한다 . 이때 , 제 1 전극 ( 32 ) 에 의해 노출 되 지 않 는 제 1 금속 층 ( 20 ) 은 식각 하 지 않 고 , 노출 된 제 1 금속 층 ( 20 ) 만 선택 적 으로 식각 함 으로써 셀프 얼라인 ( self - align ) 방식 으로 제 2 전극 ( 22 ) 을 형성 할 수 있 다 . 제 2 전극 ( 22 ) 은 흑색 계열 의 도전 성 물질 을 포함 함 으로써 명도 가 낮 은 전극 으로 형성 될 수 있 다 . 따라서 전극 형성 을 위한 포토 마스크 를 이용 하 지 않 고 제 1 전극 ( 32 ) 과 제 2 전극 ( 22 ) 을 형성 하 여 전극 들 간 의 정렬 이 자연스레 맞춰 지 도록 형성 할 수 있 다 . 그러므로 본 발명 에 따른 전극 형성 방법 은 이중층 이상 으로 이루어진 전극 을 형성 할 경우 , 전극 형성 을 위한 포토 마스크 를 형성 하 지 않 고 , 셀프 얼라인 ( self - align ) 방식 을 이용 함 으로써 전극 들 간 의 오 정렬 을 방지 하 고 공정 의 단순 화 를 달성 할 수 있 다