베이스 기판 ( 100 ) 상 에 용융 영역 ( 300 ) 이 형성 되 면 , 베이스 기판 상 에서 용융 영역 ( 300 ) 을 이동 시켜 , 용융 영역 ( 300 ) 의 이동 궤적 에 실리콘 결정 층 ( 400 ) 을 형성 하 는 실리콘 결정 화 단계 ( S 300 ) 가 수행 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 용융 영역 ( 300 ) 은 용융 단계 ( S 200 ) 에서 베이스 기판 ( 100 ) 의 일 측 모서리 에 인접 하 게 형성 되 고 , 실리콘 결정 화 단계 ( S 300 ) 에서 베이스 기판 ( 100 ) 상 에서 베이스 기판 ( 100 ) 의 타 측 모서리 를 향해 이동 할 수 있 다 . 용융 영역 ( 300 ) 의 베이스 가판 ( 100 ) 상 에서 의 이동은 열원 ( 500 ) 을 고정 한 상태 로 베이스 기판 ( 100 ) 을 이동 시키 거나 , 베이스 기판 ( 100 ) 을 고정 한 상태 로 열원 ( 500 ) 을 이동 시키 거나 , 베이스 기판 ( 100 ) 과 열원 ( 500 ) 을 서로 반대 방향 으로 이동 시키 는 것 으로 이루어질 수 있 다 . 이때 , 열 원 ( 500 ) 의 이동 방향 은 제 1 방향 이 고 , 베이스 기판 ( 100 ) 의 이동 방향 은 제 1 방향 의 반대 방향 일 수 있 다 . 이 와 같이 , 베이스 기판 ( 100 ) 과 열원 ( 500 ) 의 상대 적 인 위치 변화 에 의해서 용융 영역 ( 300 ) 은 베이스 기판 ( 100 ) 상 에서 제 1 방향 으로 이동 할 수 있 고 , 실리콘 결정 층 ( 400 ) 의 실리콘 결정 은 도 4 a 내지 도 4 c 에 도시 된 D 방향 으로 성장 할 수 있 다 .