한편 , 사파이어 기판 층 의 하부 에 발광 다이오드 층 을 형성 하 는 단계 를 더 포함 하 며 , 복수 의 패드 를 마련 하 는 단계 ( S 810 ) 는 발광 다이오드 층 을 기 설정 된 복수 의 영역 으로 구분 하 고 , 복수 의 영역 각각 에 복수 의 패드 를 마련 하 며 , 제조 방법 은 발광 다이오드 층 으로부터 사파이어 기판 층 을 제거 하 는 단계 ; 및 발광 다이오드 층 을 복수 의 영역 으로 다 이싱 ( dicing ) 하 여 복수 의 발광 다이오드 를 형성 하 는 단계 를 더 포함 하 고 , 발광 다이오드 를 상기 기판 층 에 적층 하 는 단계 ( S 820 ) 는 복수 의 발광 다이오드 가 기 설정 된 간격 으로 이격 되 도록 기판 층 에 적층 할 수 있 다 .