다양 한 실시 형태 에서 , 본 명세서 에 개시 된 방법 및 장치 는 패 터닝 된 기판 및 마찬가지 로 패 터닝 되 지 않 은 기판 으로부터 오염물 입자 를 세정 하 는 데 이용 될 수 있 다 . 패 터닝 된 기판 의 경우 에서 , 세정 될 패 터닝 된 기판 표면 상 의 돌출 한 구조 는 폴리 실리콘 라인 또는 금속 라인 과 같 은 돌출 한 라인 에 대응 할 수 도 있 다 . 또한 , 세정 될 패 터닝 된 기판 표면 은 화학 기계 적 연마 ( CMP ) 프로세스 로부터 생기 는 오목 한 비아 ( via ) 와 같 은 오목 한 피처 ( feature ) 들 을 포함 할 수 도 있 다 .