게이트 전극 ( 121 ) 상 에 게이트 절연 층 ( 112 ) 이 배치 된다 . 게이트 절연 층 ( 112 ) 은 게이트 전극 ( 121 ) 과 액티브 층 ( 122 ) 을 전기 적 으로 절연 시키 기 위한 층 으로 , 절연 물질 로 이루어질 수 있 다 . 예 를 들 어 , 게이트 절연 층 ( 112 ) 은 무기물 인 질화 실리콘 ( SiNx ) 또는 산화 실리콘 ( SiOx ) 의 단일 층 또는 질화 실리콘 ( SiNx ) 또는 산화 실리콘 ( SiOx ) 의 다중 층 으로 구성 될 수 있 으나 , 이 에 제한 되 는 것 은 아니 다 .