또한 , 개시 하 는 발명 의 반도체 장치 에 있 어서 는 , 종래 의 플로팅 게이트 형 트랜지스터 에 있 어서 지적 되 는 게이트 절연 층 ( 터널 절 연막 ) 의 열화 라는 문제 가 존재 하 지 않 는다 . 즉 , 전자 를 플로팅 게이트 에 주입 할 때 게이트 절연 층 이 열화 된다는 종래 의 문제 를 해소 할 수 있 다 . 이것 은 원리 상 기록 횟수 의 제한 이 없 다는 것 을 의미 한다 . 또한 , 종래 의 플로팅 게이트 형 트랜지스터 에서 기록 하 거나 소거 할 때 필요 한 고전압 도 불 필요 하 다 .