이어서 , 상기 유리 기판 에 에칭 마스크 를 적용 하 고 , 추가 로 에칭 을 행하 여 , 입력 배선 형성 용 홈 ( 지금 까지 설명 해 온 제 2 홈 ( 6 b ) ) 과 , 개별 전극 형성 용 홈 ( 지금 까지 설명 해 온 제 1 홈 ( 6 a ) ) 을 , 그 최종 의 깊이 까지 ( 제 1 홈 ( 6 a ) 은 예 를 들 면 0 . 2 ㎛ 가 될 때 까지 , 제 2 홈 ( 6 b ) 은 예 를 들 면 0 . 4 ㎛ 가 되 기 까지 ) 에칭 한다 ( 제 2 에칭 공정 … S 2 ) . 또한 , S 1 , S 2 에서 의 에칭 에 는 , 예 를 들 면 습식 에칭 을 이용 할 수 있 다 .