상기 기술 적 과제 를 달성 하 기 위하 여 , 본 발명 의 도파 로 형 p - i - n 포토다이오드 는 기판 상 에 형성 된 하부 광 가이드 층 과 , 상기 하부 광 가이드 층 상 에 형성 된 광 흡수 층 과 , 상기 광 흡수 층 상 에 형성 된 상부 광 가이드 층 과 , 상기 상부 광 가이드 층 상 에 형성 된 클래드 층 을 포함 하 여 이루어진다 .