상기 밀집 층 ( 232 ) 은 오목 부 의 바닥 중 에서 발광 다이오드 칩 ( 210 ) 의 주변 에서 는 여전히 상대 적 으로 두껍 게 형성 되 지만 , 상기 단 ( 221 ) 과 그 위 의 상기 발광 다이오드 칩 ( 210 ) 윗면 및 옆면 에서 는 비교 적 균일 한 두께 로 형성 된다 . 상기 단 ( 221 ) 이 상기 발광 다이오드 칩 ( 210 ) 의 밑면 면적 보다 상대 적 으로 넓 게 형성 될 경우 에 는 상기 발광 다이오드 칩 ( 210 ) 의 주변 에서 밀집 층 ( 232 ) 의 두께 가 더 균일 하 게 형성 될 수 있 다 .