주지 된 바 와 같이 , 상변화 메모리 소자 란 특정 재료 의 결정상 ( crystalline phase ) 과 비결정상 ( amorphous phase ) 의 전기 적 인 전도성 차이 를 이용 하 여 정보 를 저장 하 는 메모리 소자 를 의미 한다 . 상변화 메모리 장치 ( device ) 는 어 드레싱 ( addressing ) 및 읽 기 / 쓰 기 ( read / write ) 구동 을 위한 트랜지스터 ( transistor ) 소자 또는 다이오드 ( diode ) 소자 가 반도체 기판 상 에 구비 되 고 , 이러 한 소자 들 과 전기 적 으로 상변화 영역 이 연결 되 어 구성 된다 . 상변화 에 따른 전도성 차이 를 이용 하 여 정 보 를 저장 하 므로 , 상변화 영역 을 포함 하 여 구성 되 는 상변화 메모리 소자 ( element ) 부분 에 실질 적 으로 데이터 가 저장 되 게 된다 .