복수 개 의 제 1 자석 ( 100 a ) 을 구비 하 는 척 ( 100 ) 이 위치 하 고 , 상기 제 1 자석 은 ( 100 a ) 은 바람직 하 게 전자석 으로 이루어질 수 있 는데 , 상기 전자석 을 이용 하 면 도선 에 전류 가 흘러 도선 주위 에 자기장 이 형성 되 고 이러 한 원리 를 이용 하 여 영구 자석 으로 는 얻 을 수 없 는 매우 강력 한 자기장 및 세기 의 조절 이 가능 하 다 . 더욱이 전류 방향 을 변환 하 면 극성 을 변환 할 수 있 어서 , 상기 제 1 자석 ( 100 a ) 의 극성 을 변환 하 여 제 2 자석 ( 110 a ) 과 극성 을 상이 하 게 할 수 있 고 , 이 때 , 발생 한 인력 에 의해서 제 2 자석 ( 110 a ) 이 도너 기판 ( 105 ) 을 가압 하 여 억셉터 기판 ( 104 ) 과 도너 기판 ( 105 ) 을 밀착 하 는 라미 네이션 ( 112 ) 을 실시 할 수 있 다 . 보다 상세 한 설명 은 도 4 a 내지 도 4 c 의 라미 네이션 공정도 에서 설명 된다 .