도 20 의 트랜지스터 ( 164 ) 에서 는 산화물 반도체 층 과 산화물 도전 층 의 적층 을 형성 하 고 , 산화물 반도체 층 과 산화물 도전 층 과 의 적층 을 동일 한 포토 리소그래피 공정 에 의해 형상 을 가공 하 여 섬 형상 의 산화물 반도체 층 ( 140 ) 과 산화물 도전 층 을 형성 한다 . 산화물 반도체 층 및 산화물 도전 층 상 에 소스 층 ( 142 a ) , 드레 인 층 ( 142 b ) 을 형성 한 후 , 소스 층 ( 142 a ) , 드레 인 층 ( 142 b ) 을 마스크 로 하 여 섬 형상 의 산화물 도전 층 을 에칭 하 고 , 소스 영역 및 드레 인 영역 이 되 는 산화물 도전 층 ( 162 a , 162 b ) 을 형성 한다 .