이때 , 제 1 쓰기 전압 ( VW ( 1 ) ) 은 전자 ( 20 ) 가 제 1 절연성 반도체 박막 ( 120 - 1 ) 만 을 터널 링 할 수 있 고 , 제 2 절연성 반도체 박막 ( 120 - 2 ) 은 터널 링 할 수 없 을 정도 의 크기 를 갖 도록 설정 될 수 있 다 . 따라서 , 제 1 쓰기 전압 ( VW ( 1 ) ) 이 인가 된 경우 에 는 전자 ( 20 ) 가 제 1 양자 점층 ( 132 ) 을 구성 하 는 반도체 양자 점 ( 130 ) 에 만 포획 되 고 , 제 2 양자 점층 ( 134 ) 및 제 3 양자 점층 ( 136 ) 을 구성 하 는 반도체 양자 점 ( 130 ) 에 는 포획 되 지 않 게 된다 . 이 와 같이 전자 ( 20 ) 가 제 1 양자 점층 ( 132 ) 을 구성 하 는 반도체 양자 점 ( 130 ) 에 만 포획 되 도록 게이트 전압 을 인가 하 는 것 이 본 발명 의 플래시 기억 소자 에서 의 상태 ' 1 ' 의 쓰 기 동작 에 해당 한다 .