활성 층 ( 24 ) 은 - Ⅴ 족 원소 의 화합물 반도체 재료 를 이용 하 여 우물 층 과 장벽층 , 예 를 들 면 AlGaN / AlGaN , InGaN / GaN , InGaN / InGaN , AlGaN / GaN , InAlGaN / GaN , GaAs ( InGaAs ) / AlGaAs , GaP ( InGaP ) / AlGaP 중 어느 하나 이상 의 페어 구조 로 형성 될 수 있 으나 이 에 한정 되 지 는 않 는다 . 우물 층 은 장벽층 의 에너지 밴드 갭 보다 작 은 에너지 밴드 갭 을 갖 는 물질 로 형성 될 수 있 다 .