도 9 j 를 참조 하 면 , 언더 필 물질 층 ( 240 ) 을 형성 한 이후 , 하부 반도체 칩 ( 200 ) 을 몰딩 하 는 하부 몰딩 층 ( 250 ) 을 형성 한다 . 하부 몰딩 층 ( 250 ) 은 하부 반도체 칩 ( 200 ) 및 도전 성 포스트 ( 160 ) 를 덮 도록 형성 될 수 있 다 . 하부 몰딩 층 ( 250 ) 은 하부 반도체 칩 ( 200 ) 의 측면 및 상면 을 덮 고 , 도전 성 포스트 ( 160 ) 의 측면 및 상면 을 덮 도록 형성 될 수 있 다 .