임시 접착 층 ( 102 ) 의 표면 에 도전 층 ( 103 ) 이 형성 될 수 있 다 . 도전 층 ( 103 ) 은 시드 층 또는 베이스 층 으로 지칭 될 수 있 다 . 일부 예 들 에서 , 도전 층 ( 103 ) 은 , 한정 하 는 것 은 아니 지만 , 티타늄 , 텅스텐 , 티타늄 / 텅스텐 , 구리 , 금 , 은 , 팔라듐 또는 니켈 로 형성 될 수 있 다 . 일부 예 들 에서 , 도전 층 ( 103 ) 은 , 한정 하 는 것 은 아니 지만 , 스퍼터링 , 무전 해 도금 , 전해 도금 , 물리 기상 증착 ( PVD ) , 화학 기상 증착 ( CVD ) , 금속 유기 화 학기 상 증착 ( MOCVD ) , 원자 층 증착 ( ALD ) , 저압 화 학기 상 증착 ( LPCVD ) 또는 플 라즈 마강 화화 학기 상 증착 ( PECVD ) 으로 형성 될 수 있 다 . 도전 층 ( 103 ) 의 두께 는 대략 500 Å 내지 3000 Å 일 수 있 다 . 이러 한 도전 층 ( 103 ) 은 추후 형성 될 서브 스트레이트 인터 커넥트 ( 112 ) 가 용이 하 게 형성 되 도록 할 수 있 다 . 도전 층 ( 103 ) 은 본 개시 의 다른 예 에서 공유 될 수 있 다 .