상기 단결정 의 그래 파이트 화 금속 촉매 는 상술 한 바 와 같이 단독 으로 사용 되 거나 , 기판 위 에 적층 되 어 사용 될 수 있 으며 , 이때 사용 가능 한 기판 으로서 는 Si 기판 , 글래스 기판 , GaN 기판 , 실리카 기판 등 의 무기물 기판 과 Ni , Cu , W 등 의 금속 기판 등 을 사용 할 수 있 으며 , 상기 그래 파이트 화 금속 촉매 와 의 불 필요 한 반응 을 억제 하 기 위하 여 상기 실리카 기판 의 표면 을 블록 층 으로 미리 도포 하 는 것 도 가능 하 다 . 이 와 같 은 블록 층 은 기판 과 그래 파이트 화 촉매 층 사이 에 존재 함 으로써 , 상기 그래 파이트 화 촉매 가 기판 과 반응 함 으로써 그라 펜 생성 효율 이 저하 되 는 것 을 억제 하 게 된다 . 이 와 같 은 블록 층 으로서 는 SiOx , TiN , Al 2 O 3 , TiO 2 , Si 3 N 4 등 의 소재 를 사용 할 수 있 으며 , 스퍼터링 등 의 방법 으로 상기 기판 상 에 형성 할 수 있 다 . 이 와 같 은 블록 층 은 소정 두께 를 가질 수 있 는 바 , 0 . 1 nm 내지 1000 ㎛ 이 바람직 하 며 , 상기 블록 층 의 두께 가 0 . 1 nm 미만 이 면 목적 하 는 효과 를 얻 기 가 곤란 하 고 , 1000 ㎛ 을 초과 하 는 경우 경제 성 이 저하 되 어 바람직 하 지 않 다 .