도 3 에 도시 한 바 와 같이 , 본 발명 에 따른 방사성 동위 원소 전지 ( 이하 줄여서 , ' 전지 ' 라고도 한다 . ) ( 100 ) 는 전지 생 성시 그 기반 이 되 는 밑판 ( 110 ) ; 이 밑판 ( 110 ) 에 적층 되 는 핀 반도체 ( 150 ) ; 이 에 적층 되 는 절연 층 ( 140 ) ; 마찬가지 로 이 절연 층 ( 140 ) 에 적층 되 어 방사선 을 방출 하 여 핀 반도체 ( 150 ) 에 에너지원 을 제공 하 는 방사선 동위 원소 층 ( 130 ) ; 및 이 에 적층 되 어 방사선 이 외부 로 누출 되 는 것 을 차단 하 기 위한 방사선 누설 방지 층 ( 120 ) 을 포함 하 여 이루어진다 . 여기 서 , 전지 ( 100 ) 는 밑 판 ( 110 ) 의 양면 에 상술 한 핀 반도체 , 절연 층 , 방사선 동위 원소 층 및 방사선 누설 방지 층 을 각각 층층이 적재 한 구조 체로 도 제조 가 가능 할 것 이 다 .