이어서 , 패턴 이 전사 된 유기 막 을 마스크 로 하 여 피 가 공체 에 에칭 으로 패턴 을 전사 한다 . 다음 피 가 공체 ( 피 가공 층 ) 의 에칭 은 통상 의 방법 에 의해서 행할 수 있 으며 , 예컨대 피 가 공체 가 SiO 2 , SiN , 실리카 계 저 유전율 절 연막 이 라면 프론 계 가스 를 주체 로 한 에칭 , p - Si 나 Al , W 라면 염소 계 , 브롬 계 가스 를 주체 로 한 에칭 을 행한다 . 기판 가공 을 프론 계 가스 에 의한 에칭 으로 행한 경우 , 규소 함유 레지스 트 중간막 패턴 은 기판 가공 과 동시 에 박리 된다 . 한편 , 기판 가공 을 염소 계 , 브롬 계 가스 에 의한 에칭 으로 행한 경우 는 , 규소 함유 레지스 트 중간막 패턴 을 박리 하 기 위해서 , 기판 가공 후 에 프론 계 가스 에 의한 드라이 에칭 박리 를 별도 로 행할 필요 가 있 다 .