또한 , n - μ c - Si 막 의 성막 방법 으로서 , 여기 에서 는 , S 467 에서 원료 가스 에 포스핀 을 사용 하 였 지만 , 이 대신 에 , 코팅 S 466 후 에 , 반응 실 내 에 포스핀 을 흘려 , 반응 실 내벽 에 인 을 흡착 시킨 후 , 대기실 ( 401 ) 에 대기 시킨 기판 을 반응 실 ( 400 a ) 에 반입 하 여 , 실란 , 및 수소 를 원료 가스 를 사용 하 여 , 미결정 실리콘 막 을 성막 하 면 , 반응 실 내 에 흡착 된 인 을 받아들이 면서 성막 되 기 때문 에 , 도너 가 되 는 불순물 원소 를 포함 하 는 미결정 반도체 막 을 성막 할 수 있 다 .