한편 , 원료 가스 로서 암모니아 와 디 실란 을 이용 하 는 플 라즈 마 CVD 조건 2 에서 성막 한 시험 구분 J 에서 는 , 막 두께 방향 으로 대략 한결 같 은 모양 으로 전자 점유 결함 이 분포 되 어 있 는 것 이 확인 되 었 다 . 즉 , 시험 구분 J 의 질화규소 막 은 실리콘 의 미드 갭 에 상당 하 는 에너지 위치 에서 의 전자 점유 결함 밀도 가 , 막 의 두께 방향 으로 1 × 1017 ~ 5 × 1017 ㎝- 3 eV - 1 의 범위 내 에서 대략 균등 하 게 분포 되 고 있 다 . 이 와 같이 막 의 두께 방향 으로 균등 한 트랩 밀도 를 갖 는 시험 구분 J 의 질화규소 막 에서 는 , 주입 된 전 하 는 막 의 중앙 부분 에서 도 유지 되 므로 , 계면 측 및 표면 측 에 많 은 트랩 이 존재 하 는 시험 구분 I ( 비교 예 ) 의 질화규소 막 에 비하 여 , 전하 의 빠짐 이 발생 하 기 어려워 , 전하 축적 능력 이 높 다고 생각 된다 . 따라서 , 시험 구분 J 의 질화규소 막 을 SONOS ( MONOS ) 구조 의 반도체 메모리 장치 의 전하 축적 층 으로서 이용 하 는 것 에 의해 , 우수 한 전하 축적 능력 이 기대 할 수 있 다 .