또한 본 발명 의 반도체 웨이퍼 이 면 연삭 방법 은 , 반도체 웨이퍼 이면 의 연삭 방법 에 있 어서 , 초지 립 팁 이 , 원반 모양 의 몸체 의 원형 모양 측면 에 대략 방사상 이 되 도록 연삭 작용 면 의 장변 이 몸체 의 대략 지름 방향 을 따르 도록 배치 된 컵 모양 숫돌 을 사용 하 여 초벌 연삭 가공 을 한 후 에 , 초지 립 팁 이 , 원반 모양 의 몸체 의 원형 모양 측면 에 대략 링 모양 이 되 도록 연삭 작용 면 의 장변 이 대략 몸체 의 원주 방향 을 대략 따르 도록 배치 된 컵 모양 숫돌 을 사용 하 여 마무리 연삭 가공 을 하 는 것 을 특징 으로 한다 . 본 발명 에 의하 면 , 상기 초지 립 팁 을 대략 방사상 으로 배치 한 컵 모양 숫돌 에 의하 여 베 어 지 는 정도 가 증가 한 초벌 연삭 가공 에 의한 능률 향상 에 더 하 여 , 그 후 의 초지 립 팁 을 대략 링 모양 으로 배치 한 컵 모양 숫돌 에 의한 마무리 연삭 가공 에 있 어서 도 베 어 지 는 정도 가 증가 하 여 연삭 능률 이 향상 된 가공 을 할 수 있 다 . 따라서 연삭 가공 전체 로서 연삭 능률 의 향상 을 도모 할 수 있 음 과 아울러 반도체 웨이퍼 의 연삭 면 을 평탄 하 게 할 수 있 다 .