여기 서 , 도 2 의 ( i ) 을 참조 하 면 리 세스 게이트 영역 에 의해서 게이트 채널 길이 를 확장 시키 고 이 에 따른 게이트 문턱 전압 의 상승 효과 를 기대 할 수 있 으나 , 리 세스 게이트 영역 을 형성 하 는 공정 마진 이 점점 감소 하 고 있 어 이 에 는 한계 가 있 는 실정 이 다 . 또한 , 도 2 의 ( ii ) 를 참조 할 때 핀 셀 ( 25 ) 에 의해서 게이트 채널 면적 이 증가 하 므로 게이트 의 전류 구동 능력 증가 및 리 프레쉬 ( Refresh ) 특성 향상 의 효과 를 기대 할 수 있 으나 , 소스 / 드레 인 영역 ( 70 ) 의 불순물 이온 주입 농도 가 증가 할 경우 핀 셀 에 의한 효과 가 감소 되 는 문제 가 있 다 .