상기 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 실시 예 에 따른 이미지 센서 의 제조 방법 은 화소 가 형성 된 반도체 기판 상 에 금속 배선 을 포함 하 는 층간 절 연막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 층간 절 연막 상 에 컬러 필터 및 평탄 화 층 을 형성 하 는 단계 ; 상기 평탄 화 층 상 에 제 1 절 연막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 제 1 절 연막 상 에 마이크 로 렌즈 마스크 를 형성 하 는 단계 ; 상기 마이크 로 렌즈 마스크 을 이용 하 여 상기 제 1 절 연막 을 식각 하 여 시드 마이크 로 렌즈 를 형성 하 는 단계 ; 상기 시드 마이크 로 렌즈 상 에 제 2 절 연막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 제 2 절 연막 상 에 패드 마스크 를 형성 하 여 상기 금속 배선 을 노출 시키 는 단계 ; 상기 패드 마스크 를 제거 하 는 단계 를 포함 하 며 , 상기 시드 마이크 로 렌즈 의 형성 조건 은 소스 파워 는 27 MHz 에서 600 ~ 1400 W 공급 되 고 바이어스 파워 는 2 MHz 에서 0 ~ 500 W 공급 되 는 것 을 특징 으로 한다 .