본 발명 의 다섯 번 째 측면 에서 복수 의 비휘발성 메모리 셀 은 ( 1 ) 제 1 방향 으로 연장 되 는 실질 적 으로 평행 이 며 , 실질 적 으로 동일 평면 상 의 제 1 복수 의 전도체 ; ( 2 ) 복수 의 다이오드 들 ; ( 3 ) 복수 의 가역 저항 전환 소자 들 ( 상기 각 가역 저항 전환 소자 는 가역 저항 전환 소자 의 평면 의 표면 으로 복수 의 CNT 들 이 노출 되 도록 CNT 사이 에 배치 된 유전체 재료 및 복수 의 탄소 나노 튜브 ( CNT ) 를 포함 함 ) ; 및 ( 4 ) 상기 제 1 방향 으로부터 상이 한 제 2 방향 으로 연장 되 는 제 2 복수 의 실질 적 으로 평행 하 며 , 실질 적 으로 동일 평면 상 의 전도체 들 을 포함 하 여 제공 된다 . 각 메모리 셀 에서 , 다이오드 중 하나 는 , 제 1 전도체 중 하나 와 제 2 전도체 중 하나 사이 에 배치 된 가역 저항 전환 소자 중 하나 와 직렬 로 형성 된다 . 각각 의 가역 저항 전환 소자 는 상기 제 1 전도체 중 하나 위 에 형성 된 탄소 나노 튜브 ( CNT ) 재료 를 포함 한다 .