다음 으로 , Z 방향 ( 적층 방향 ) 으로 연장 되 어 셀 소스 CS 에 도달 하 는 관통 홀 이 에칭 에 의해 적층 체 ML 1 에 형성 된다 . 그 후 , 실리콘 산화 막 또는 실리콘 질화 막 과 같 은 유전체 막 이 적층 체 ML 1 상 에 전체 적 으로 형성 된다 . 유전체 막 은 적층 체 ML 1 의 상면 뿐 만 아니 라 , 관통 홀 의 저면 및 측면 에 도 형성 된다 . 그 후 , 예 를 들 어 , RIE 에 의해 , 적층 체 ML 1 의 상면 및 관통 홀 의 저면 에 형성 된 유전체 막 이 제거 된다 . 따라서 , 관통 홀 의 측면 에 는 유전체 막 이 남 게 되 어 , 게이트 유전체 막 GD 로서 기능 한다 . 다음 으로 , 관통 홀 의 내부 에 실리콘 을 매립 하 여 , 관통 홀 내 에 실리콘 필러 SP 를 형성 한다 . 이 에 의해 , 하부 선택 트랜지스터 LST 가 형성 된다 .