본 발명 은 반응 챔버 내 에 기판 을 준비 하 는 단계 와 , 상기 기판 위 에 SiN 섬 들 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 기판 위 에 형성 된 SiN 섬 들 을 새 도우 마스크 로 하 여 상기 기판 의 일부 를 식각 하 여 상기 기판 의 상부 에 서로 이격 되 어 돌출 된 패턴 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 발광 소자 용 기판 제조 방법 을 제공 한다 .