도 6 은 2 개 의 실리콘 웨이퍼 샘플 ( sample 1 , sample 2 ) 를 클린 룸 내 에 12 시간 방치 하 여 보 론 이 웨이퍼 의 표면 에 달라붙 도록 한 후 에 , D - SIMS 방법 으로 보론 농도 를 측정 한 것 이 다 . 상술 한 바 와 같이 웨이퍼 의 표면 0 ~ 20 나노미터 의 영역 에서 의 보론 농도 는 장치 특성 상 신뢰 성 이 매우 작 은 자료 이 고 , 다른 영역 에서 도 보론 의 농도 가 매우 적 게 검출 되 고 있 습니다 . 이 는 실리콘 웨이퍼 의 표면 에 보 론 이 달라붙 은 후 다시 외부 로 이탈 하 였 고 , 또한 강한 1 차 이온 에 의하 여 웨이퍼 의 표면 으로부터 일부 벌크 영역 까지 파이 기 때문 이 며 , 보론 농도 의 패턴 을 제대로 확인 할 수 없 다 .