또 다른 200 - mm 실리콘 소자 웨이퍼 의 표면 이 스핀 - 코팅 에 의해 , COC 본딩 조성물 로 코팅 되 었 다 . 이 웨이퍼 는 80 ℃ 에서 2 분 동안 , 그리고 그 후 , 120 ℃ 에서 2 분 동안 , 그리고 마지막 으로 220 ℃ 에서 2 분 동안 베이 킹 되 었 다 . 가열 진공 및 압력 챔버 에서 , 3 분 동안 220 ℃ 의 진공 하 에서 소자 웨이퍼 와 캐리어 웨이퍼 는 면대 면 으로 본 딩 되 었 다 .