삼성전자 는 17 일 10 나노미터 ( ㎚, 1 ㎚= 10 억 분 의 1 m ) 급 8 기 가 비트 ( Gb ) LPDDR 5 D 램 을 세계 최초 로 개발 했 다고 발표 했 다 . 고 사양 스마트폰 과 자율 주행 자동차 등 에 특화 한 D 램 이 다 . 2014 년 8 Gb LPDDR 4 D 램 을 개발 한 지 약 4 년 만 에 한 단계 진화 한 D 램 을 내놨 다 . 반도체 업계 에서 는 SK 하이닉스 , 미국 의 마이크 론 등 경쟁사 보다 최소 1 년 이상 앞선 기술 로 평가 했 다 . 10 나노 1 세대 기술 로 개발 됐 지만 양산 단계 에선 좀 더 미세 한 작업 이 가능 한 10 나노 2 세대 공정 기술 로 발전 돼 생산 성 이 더 높 아 질 수 있 다는 분석 도 나온다 .