도 8 a 에 도시 된 바 와 같이 , 본 발명 의 실시 예 에 따른 , 모델링 값 ( E _ SCgs ) 은 예비 모델링 값 ( P _ SCgs ) 과 보정 값 ( C _ SCgs ) 으로 도출 되 어 , 실측값 ( M _ SCgs ) 과 비교 적 작 은 오차 로 정합 됨 을 알 수 있 다 . 또한 , 도 5 a 와 도 8 a 를 비교 해 보 면 , 채널 이 형성 되 기 시작 하 는 게이트 전압 ( 도 5 a 및 도 8 a 에서 , 약 - 4 V 이상 에 해당 됨 ) 에서 , 본 발명 의 실시 예 에 따른 모델링 결과 ( E _ SCgs ) 와 실측값 ( M _ SCgs ) 사이 의 오 차 는 , 종래 보다 작 게 나타나 는 것 을 알 수 있 다 .