본 발명 은 반도체 소자 및 이 의 제조 방법 에 관한 것 으로 , 보다 상세 하 게 는 , 제 1 기판 및 상기 제 1 기판 상 의 배선 들 을 포함 하 는 제 1 서브 칩 ; 제 2 기판 및 상기 제 2 기판 상 의 배선 들 을 포함 하 는 제 2 서브 칩 , 상기 제 2 서브 칩 은 상기 제 1 서브 칩 상 에 적층 되 고 , 상기 제 1 서브 칩 의 상기 배선 들 과 상기 제 2 서브 칩 의 상기 배선 들 은 상기 제 1 및 제 2 기판 들 사이 에 개재 되 며 ; 및 상기 제 2 기판 으로부터 상기 제 1 서브 칩 을 향해 연장 되 며 , 상기 제 1 및 제 2 서브 칩 들 을 서로 전기 적 으로 연결 하 는 관통 콘 택 을 포함 한다 . 상기 제 2 서브 칩 의 상기 배선 들 은 , 제 1 개 구부 를 갖 는 제 1 배선 및 제 2 개 구부 를 갖 는 제 2 배선 을 포함 하 고 , 상기 제 2 개 구부 의 중심 은 상기 제 1 개 구부 의 중심 으로부터 수평 적 으로 오프셋 되 며 , 상기 관통 콘 택 은 , 상기 제 1 개 구부 와 상기 제 2 개 구부 를 통과 하 여 상기 제 1 서브 칩 을 향해 연장 되 는 보조 콘 택 을 포함 하 고 , 상기 보조 콘 택 의 바닥 면 의 레벨 은 , 상기 제 1 서브 칩 의 상기 배선 들 중 최 상부 의 배선 의 상면 의 레벨 보다 높 다 .