본 발명 은 상기 한 종래 기술 의 문제점 을 해결 하 기 위한 것 으로서 , 본 발명 의 목적 은 , 전극 측면 부근 미세 수평면 의 원 하 는 위치 에서 촉매 를 얇 은 두께 로 용 이 하 게 형성 할 수 있 고 , 특히 고정 밀도 의 얼라인먼트 없이 도 원 하 는 위치 에서 촉매 를 형성 할 수 있 으며 , 이 로부터 탄소 나노 튜브 가 수평 성장 하 여 탄소 나노 튜브 성장 위치 의 정밀 한 조절 과 소자 제작 시 의 채널 길 이 제어 가 용이 하 고 대 면 적용 에 도 적합 한 , 전극 , 전자 소자 , 전계 효과 트랜지스터 , 그 제조 방법 및 탄소 나노 튜브 성장 방법 을 제공 하 는 것 이 다 .