다음 으로 , 상기 게이트 패턴 ( 110 ) 을 이온 주입 마스크 로 사용 하 여 상기 활성 영역 ( 103 a ) 내 의 소정 영역 에 불순물 이온 들 예 를 들 면 , N 형 불순물 이온 들 을 주입 하 여 불순물 영역 들 ( 113 ) 을 형성 한다 . 상기 게이트 패턴 ( 110 ) 및 상기 게이트 절 연막 패턴 ( 105 ) 의 측벽 들 상 에 게이트 스 페이서 들 ( 111 ) 을 형성 한다 .