비트 라인 ( 36 ) 및 COM 1 노드 ( 481 ) , SEN 노드 ( 631 ) 는 감지 에 각각 적합 한 미리 결정 된 전압 으로 예비 충전 회로 ( 640 ) 에 의해 예비 충전 된다 . NAND 체인 ( 50 ) 에 워드 라인 과 비트 라인 전압 의 인가 와 함께 선택 된 메모리 셀 이 턴 온 될 것 이 다 . 소스 - 드레 인 전도 전류 가 메모리 셀 로 유동 될 것 이 다 . 전도 전류 는 메모리 셀 의 소스 와 드레 인 사이 에 명목 전압 차이 가 존재 할 때 선택 된 워드 라인 에 인가 된 VT ( i ) 및 선택 된 메모리 셀 로 프로그램 된 충전 의 함수 이 다 .