그 후 , 도 1 c 에 나타낸 바 와 같이 NSG 막 ( 12 ) 위 에 , TEOS 를 사용 한 플 라즈 마 CVD 법 등 에 의해 두께 가 100 nm 정도 인 NSG 막 ( 16 ) 을 형성 하 고 , 그 탈수 처리 를 행한다 . 탈수 처리 에서 는 , 예 를 들 면 반도체 기판 ( 1 ) 의 온도 를 650 ℃ 로 하 고 , 처리 시간 을 30 분 간 으로 하 고 , 질소 가스 의 공급량 을 2 l ( liter ) / 분 으로 한다 . 다음 , NSG 막 ( 16 ) 위 에 PVD 법 등 에 의해 두께 가 20 nm 정도 인 알루미늄 산화 막 ( 17 ) 을 형성 하 고 열처리 를 행한다 . 열처리 에서 는 , 예 를 들 면 반도체 기판 ( 1 ) 의 온도 를 650 ℃ 로 하 고 , 처리 시간 을 60 초간 으로 하 고 , 산소 가스 의 공급량 을 2 l ( liter ) / 분 으로 하 는 RTA 를 행한다 .