전술 한 바 와 같이 , Si 기판 의 주면 에 결정 성장 을 저해 하 는 저해 층 을 형성 하 는 단계 와 , 저해 층 을 패 터닝 하 여 기판 의 주면 에 대하 여 거의 수직 인 방향 으로 관통 하 여 기판 을 노출 시켜 이루어지 는 개구 를 저해 층 에 형성 하 는 단계 와 , 개구 의 내부 의 상기 기판 에 접하 여 Ge 층 을 결정 성장 시키 는 단계 와 , Ge 층 상 에 기능 층 을 결정 성장 시키 는 단계 를 포함 하 는 반도체 기판 의 제조 방법 에 의해 반도체 기판 을 제작 할 수 있 었 다 . Si 기판 상 에 개구 를 가지 며 , 결정 성장 을 저해 하 는 저해 층 을 형성 하 는 단계 와 , 개구 내 에 Ge 층 을 형성 하 는 단계 와 , Ge 층 을 형성 한 후 에 , 기능 층 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 반도체 기판 의 제조 방법 에 의해 반도체 기판 을 제작 할 수 있 었 다 .