일 실시 예 에서 , 양극 층 ( 101 ) 자체 는 다층 구조 를 가지 며 , 일반 적 으로 다층 양극 의 상부 층 으로서 , 본 발명 에 따른 중합체 막 의 층 , 및 각각 이 금속 , 혼합 금속 , 합금 , 금속 산화물 , 또는 혼합산 화물 을 포함 하 는 하나 이상 의 추가 층 ( additional layer ) 을 포함 한다 . 적합 한 물질 은 그룹 2 원소 들 ( 즉 , 베릴륨 , 마그네슘 , 칼슘 , 스트론튬 , 바륨 , 라듐 ) , 그룹 11 원소 들 , 그룹 4 , 5 및 6 의 원소 들 , 및 그룹 8 - 10 전이 원소 들 의 혼합산 화물 을 포함 한다 . 양극 층 ( 101 ) 이 광 전송 하 는 것 이 라면 , 인듐 주석산 화물 ( indium - tin - oxide ) 과 같 은 그룹 12 , 13 및 14 원소 들 의 혼합산 화물 이 사용 될 수 도 있 다 . 여기 서 사용 된 바 와 같이 , " 용어 "" 혼합산 화물 "" 은 그룹 2 원소 들 또는 그룹 12 ", 13 , 또는 14 로부터 선택 된 두 개 이상 의 다른 양이온 을 갖 는 산화물 을 가리킨다 . 양극 층 ( 101 ) 용 물질 의 다소 의 무한 적 이 고 구체 적 인 예 는 인듐 주석산 화물 , 인듐 아연 산화물 , 알루미늄 주석산 화물 , 금 , 은 , 구리 및 니켈 을 포함 하 지만 , " 이 에 한정 되 는 것 은 아니 다 . 혼합산 화물 층 은 화학 적 또는 물리 적 증착 공정 또는 스핀 캐스트 ( spin - cast ) 공정 으로 형성 될 수 도 있 다 . 화학 증착 은 플 라즈 마 - 향상 화학 증착 ( "" PECVD "") 또는 금속 유기 화학 증착 ( "" MOCVD "") 으로 실행 될 수 있 다 . 물리 증착 은 "," 전자 빔 증발 법 ( e - beam evaporation ) 및 저항 증발 법 뿐 만 아니 라 이온 빔 스퍼터링 을 포함 하 는 모든 형태 의 스퍼터링 을 포함 할 수 있 다 . 구체 적 인 형태 의 물리 증착 은 무선 주파수 마그네트론 스퍼터링 및 유도 결합 형 플 라즈 마 물리 증착 ( "" IMP - PVD "") 을 포함 한다 . 이 증착 기법 은 반도체 제조 기술 내 에 공지 되 어 있 다 . "