도 7 ( a ) 의 투명 기판 ( 55 ) 상 에 형성 된 배향 막 ( 54 ) 은 , X 방향 으로 대략 평행 이 되 도록 수평 배향 처리 되 어 있 고 , 배향 막 ( 54 ) 상 에 는 중합 성 액정 층 ( 53 ) 이 형성 되 어 있 다 . 이 중합 성 액정 층 ( 53 ) 은 메소 겐 기 를 갖 는 아크릴 계 중합 성 액정 등 으로 구성 된다 . 몰드 기판 ( 51 ) 에는 형 ( 型 ) 을 형성 하 는 면 에 회절 격자 형상 을 갖 고 , 이 회절 격자 면 에 대해 수직 배향 처리 가 실시 된 재료 로 이루어지 는 수직 배향 처리 재료 층 ( 52 ) 이 형성 되 어 있 다 . 몰드 기판 은 , 내구 성 의 관점 에서 석영 , 실리콘 등 의 무기 재료 이 면 바람직 하 다 . 수직 배향 처리 재료 층 ( 52 ) 은 , 액정 을 수직 배향 시킬 수 있 음 과 함께 중합 성 액정 층 ( 53 ) 을 중합 후 에 이 형 처리 할 수 있 는 것 이 다 . 수직 배향 재료 층 ( 52 ) 은 , 예 를 들 어 , 퍼플 루오 로기 를 갖 는 실란 제 등 을 들 수 있 다 .