이때 , 활성 영역 ( 303 ) 과 인접 하 는 소자 분리 막 ( 304 ) 의 일부 를 함께 제거 한다 . 또는 별도 의 식각 공정 을 진행 하 여 활성 영역 ( 303 ) 과 인접 하 는 소자 분리 막 ( 304 ) 의 일부 를 리세 스 시 킨다 . 이때 의 리세 스 깊이 는 활성 영역 ( 303 ) 의 표면 을 경계 로 100 ~ 1000 Å 이 고 , 건식 식각 및 습식 식각 을 단독 혹은 조합 하 여 진행 할 수 있 다 .