또한 , 상기 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 에 따른 LTO 층 이 형성 된 pp + 실리콘 에피 택 셜 웨이퍼 는 SiH 4 에 대한 N 2 O 의 혼합조 성 비 10 내지 40 , RF 파워 100 내지 400 watt 에서 p + 기판 의 한 면 에 LTO 층 이 형성 된 pp + 실리콘 에피 택 셜 웨이퍼 로서 , 상기 실리콘 에피 택 셜 웨이퍼 의 휨 ( warpage ) 이 10 내지 30 ㎛ 인 것 을 특징 으로 한다 .