이때 상기 게이트 전극 ( 211 ) 및 화소 전극 ( 212 ) 은 인듐 틴 옥사이드 ( ITO : Indium Tin Oxide ) 나 틴 옥사이드 ( TO : Tin Oxide ) 와 같이 투명 한 도전 층 으로 형성 될 수 있 으며 , 전도도 가 높 은 구리 ( Cu ) 나 알루미늄 ( Al ) 과 같 은 금속 층 과 인듐 틴 옥사이드 ( ITO : Indium Tin Oxide ) 나 틴 옥사이드 ( TO : Tin Oxide ) 와 같 은 도전 층 이 차례 로 적층 된 다 중막 으로 형성 될 수 도 있 다 . 상기 금속 층 위 에 인듐 틴 옥사이드 ( ITO : Indium Tin Oxide ) 나 틴 옥사이드 ( TO : Tin Oxide ) 와 같 은 도전 층 을 증착 하 는 이유 는 , 박막 트랜지스터 어레이 패널 의 화소 부 외측 에 형성 되 는 패드 단자 ( 도면 에 미 도시 ) 부위 가 FPC ( Flexible Printed Circuit ) 와 의 열 압착 에 의하 여 연결 된 후 , 불량 발생 에 의한 재 작업 시 에 패드 단자 ( 도면 에 미 도시 ) 의 손상 없이 떨어질 수 있 도록 하 기 위함 이 다 .