본 발명 은 수많 은 다양 한 실시 예 를 제공 한다 . 본 발명 의 보다 넓 은 범위 의 형태 중 하나 는 반도체 디바이스 를 포함 한다 . 이 반도체 디바이스 는 , 시일 링 영역 및 회로 영역 을 갖 는 기판 , 시일 링 영역 위 에 배치 된 제 1 시 일 링 구조 체 , 시일 링 영역 위 에서 제 1 시 일 링 구 조체 에 인접 하 게 배치 된 제 2 시 일 링 구조 체 , 및 이 들 제 1 및 제 2 시 일 링 구조 체 위 에 배치 된 제 1 부동태 층 을 포함 한다 .