본 발명 은 바이 폴라 접합 트랜지스터 및 그 제조 방법 에 관한 것 으로 , P 형 반도체 기판 안 에 매립 층 과 고농도 N 형 컬렉터 영역 이 형성 되 고 , 매립 층 위쪽 의 반도체 기판 안 에 저 농도 P 형 베이스 영역 이 형성 된다 . 저 농도 베이스 영역 의 가장자리 를 따라 제 1 고농도 P 형 베이스 영역 이 형성 되 고 , 저 농도 베이스 영역 의 중앙 에 제 2 고농도 P 형 베이스 영역 이 형성 된다 . 제 1 , 제 2 고농 도 베이스 영역 사이 에 는 고농도 N 형 에 미터 영역 이 형성 되 고 , 이웃 하 는 고농 도 베이스 영역 과 고농 도 에 미터 영역 사이 에 각각 절연 막 스 페이서 가 형성 된다 . 본 발명 은 트렌치 공정 과 절연 막 스 페이서 를 이용 하 여 에 미터 와 베이스 사이 의 간격 을 최대한 가깝 게 구현 할 수 있 고 , 베이스 전압 특성 과 고속 동작 특성 을 향상 시킬 수 있 다 .