다음 , 도 44 및 도 45 에서 도시 한 바 와 같이 , 게이트 절 연막 ( 140 ) , 스위칭 반도체 ( 154 a ) 및 저항성 접촉 층 ( 164 a ) 위 에 금속 층 을 적층 하 고 사진 식각 하 여 스위칭 입력 전극 ( 173 a ) 및 끝 부분 ( 179 ) 을 포함 하 는 데이터 선 ( 171 ) 및 스위칭 출력 전극 ( 175 a ) 을 형성 한다 .