도 2 h 에 도시 한 바 와 같이 , 상기 감광막 ( 40 ) 을 제거 한 후 , 상기 N 형 웰 ( 46 ) 상 에 게이트 절 연막 ( 42 ) 및 게이트 전극 ( 41 ) 을 형성 하 고 , 상기 게이트 전극 ( 41 ) 마스크 로 이용 하 여 상기 게이트 전극 ( 41 ) 양측 의 상기 N 형 웰 ( 46 ) 에 저 농도 n 형 불순물 영역 ( 43 ) 을 형성 한다 .