이하 , 발명 의 실시 형태 를 통해 본 발명 의 일 측면 을 설명 하 지만 , 이하 의 실시 형태 는 청구 범위 에 따른 발명 을 한정 하 는 것 은 아니 며 , 또한 실시 형태 내 에서 설명 되 고 있 는 특징 의 조합 전체 가 발명 의 해결 수단 에 필수 적 이 라고 는 할 수 없 다 . 도 1 은 본 실시 형태 의 반도체 기판 ( 101 ) 의 평면 예 를 나타낸다 . 본 실시 형태 의 반도체 기판 ( 101 ) 은 , Si 웨이퍼 ( 102 ) 상 에 소자 가 형성 되 는 영역 ( 103 ) 을 구비 한다 . 영역 ( 103 ) 은 , 도시 한 바 와 같이 , Si 웨이퍼 ( 102 ) 의 표면 에 복수 형성 되 어 등 간격 으로 배치 된다 . Si 웨이퍼 ( 102 ) 는 Si 기판 의 일례 여도 좋 다 . Si 웨이퍼 ( 102 ) 는 시판 되 고 있 는 Si 웨이퍼 를 이용 할 수 있 다 .