한편 , SOI 웨이퍼 에 형성 되 는 반도체 소자 의 고집 적 화 , 고속 화 및 저 전력화 에 대한 요구 에 대응 하 여 SOI 웨이퍼 에서 반도체 소자 가 형성 되 는 소자 형성 영역 ( 또는 채널 영역 ) 의 두께 는 점점 작아지 고 있 으며 , 동시 에 메 몰 옥사이드 층 ( BOX ) 의 두께 도 점점 작아지 고 있 는 추세 이 다 . 즉 실리콘 SOI 의 소자 형성 영역 ( 채널 영역 ) 의 두께 가 약 1000 nm 이상 이 되 는 두꺼운 SOI ( Thick SOI ) 웨이퍼 로 는 MEMS , 센서 들 , 포토다이오드 , 바이 폴라 전력 소자 등 을 형성 하 기 위해 사용 될 수 있 으며 , 마이크 로 디스플레이 또는 부분 공핍 ( Partially Depleted ) CMOS 등 은 소자 형성 영역 의 두께 가 약 50 내지 1000 nm 의 얇 은 SOI ( Thin SOI ) 웨이퍼 로 도 생산 할 수 있 지만 , 완전 공핍 ( Fully Depleted ) CMOS , 나노 CMOS 소자 또는 단 전자 소자 등 은 소자 형성 영역 의 두께 가 약 50 nm 이하 의 나노 SOI 웨이퍼 를 요구 하 기 에 이르 렀다 .