이러 한 사진 식각 공정 은 크 게 웨이퍼 상 에 포토레지스트 를 도포 하 여 포토레지스트 ( photoresist , PR ) 층 을 형성 하 는 도포 공정 ( PR coating ) , 웨이퍼 에 도포 된 포토레지스트 층 에 회로 패턴 이 형성 된 마스크 를 통해 빛 을 조사 하 여 회로 패턴 을 현상 하 는 노광 공정 ( exposure ) 및 포토레지스트 패턴 을 건식 또는 습식 방법 을 통하 여 제거 함 으로써 원 하 는 패턴 을 반도체 웨이퍼 상 에 형성 하 는 식각 공정 ( etching ) 으로 구성 된다 .