여기 서 , 상기 층간 절 연막 ( 214 ) 은 보론 또는 인 중 어느 하나 의 물질 을 도핑 시킨 BPSG 또는 PSG 막 중 어느 하나 의 막 과 SiH 4 및 H 2 O 2 를 반응 소오 스로 이용 하 는 APL ( advanced planarization layer ) 막 과 , SOG 막 , TEOS 및 O 3 의 적층 막 및 SiH 4 및 O 2 를 반응 소오 스로 이용 하 는 HDP 막 중 에서 어느 하나 의 막 을 20000 ∼ 30000 Å 의 두께 로 형성 하 도록 한다 .