그런데 , 식각 공정 에서 파티클 및 폴리머 등 의 식각 부산물 이 유발 되 어 , 반도체 기판 또는 게이트 라인 측벽 에 잔류 될 수 있 다 . 이러 한 잔류물 을 제거 하 기 위하 여 세정 공정 을 수행 한다 . 세정 공정 은 습식 용액 을 이용 한 습식 세정 으로 수행 될 수 있 다 . 세정 과정 에서 하드 마스크 패턴 ( 155 ) 예컨대 , 산화 막 측벽 이 노출 되 어 있 는 경우 , 세정 용액 에 의해 산화 막 이 국부 적 으로 손실 될 수 있 다 . 이 에 반해 , 본 발명 의 실시 예 에서 와 같이 하드 마스크 패턴 ( 155 ) 측벽 에 하드 마스크 스 페이서 ( 171 ) 를 형성 하 면 세정 과정 시 하드 마스크 패턴 을 보호 할 수 있 다 . 이 에 따라 , 세정 과정 에서 하드 마스크 패턴 측벽 프로 파일 이 오목 해 지 는 현상 이나 컨트롤 게이트 전극 이 노출 되 는 것 을 방지 할 수 있 다 .