도 14 에 나타낸 각 MOS 트랜지스터 는 동일 한 불순물 농도 를 갖 는 p 형 반도체 기판 ( 10 ) 상 에 형성 되 고 , 각각 의 웰 영역 은 웰 단자 에 전기 적 으로 접속 되 어 있 는 것 으로 한다 . 이것 에 의해 , 트랜지스터 의 종류 를 줄일 수 있 고 , 또한 각각 의 트랜 지스 터 에서 채널 농도 를 변경 하 기 위한 공정 증가 를 방지 할 수 있 어 각 트랜지스터 에 대한 웰 저항 을 더 삭감 할 수 있 다 .