상기 결정 화 방법 에 있 어서 , 폭 이 좁 은 레이저 빔 ( 30 c ) 으로 넓 은 면적 의 비정질 실리콘 층 ( 30 a ) 을 결정 화 하 기 위해서 는 , 비정질 실리콘 층 ( 30 a ) 의 일 영역 에 레이저 빔 ( 30 c ) 을 조사 한 후 도 1 에 도시 된 화살표 방향 의 측 방향 으로 일정 거리 만큼 쉬프 트 ( shift ) 하 기 를 반복 한다 . 이 때 쉬프 트 되 는 거리 는 레이저 빔 ( 30 c ) 의 폭 ( w ) 보다 좁 으며 , 통상 적 으로 레이저 빔 ( 30 c ) 의 폭 의 1 % 내지 15 % 정도 쉬프 트 되 므로 , 80 % 내지 99 % 의 영역 은 오버랩 ( overlap ) 되 어 결정 화 된다 . 이 와 같 은 방식 으로 일 영역 에 수회 에 걸쳐서 레이저 빔 ( 30 c ) 을 조사 하 여 비정질 실리콘 층 ( 30 a ) 을 다 결정 실리콘 층 ( 30 b ) 으로 결정 화 한다 .