실시 형태 에 따른 에칭 처리 방법 에 의하 면 , 적층 막 을 에칭 하 고 있 는 동안 , 도 14 의 ( a ) 에 나타내 는 바 와 같이 , 처리 가스 중 의 C 4 F 6 가스 등 과 같 은 플 루 오로 카본 가스 가 많이 해리 된다 . 그리하여 , CF 2 , CF 3 라디칼 , CF 2 +, CF 3 + 이온 등 과 같 은 전구체 ( 도면 에서 는 CFx , CFx + 라고 표시 ) 와 He 이온 에 의해 , 산화 실리콘 층 ( 140 ) 이 에칭 된다 .