여기 에서 , 제 2 화합물 반도체 레이어 ( 22 ) 는 전기 적 으로 전도성 레이어 ( 31 ) 맞은편 의 제 1 화합물 반도체 레이어 ( 21 ) 의 측면 상 에 배치 될 수 있 으며 , 그 결과 제 1 화합물 반도체 레이어 ( 21 ) 는 전기 적 으로 전도성 레이어 ( 31 ) 및 제 2 화합물 반도체 레이어 ( 22 ) 사이 에 배치 된다 . 그 에 따라 , 제 1 화합물 반도체 레이어 ( 21 ) 는 제 2 화합물 반도체 레이어 ( 22 ) 보다 수직 채널 개구 ( 13 ) 내 에서 더 바깥쪽 에 방사 방향 으로 배치 될 수 있 다 . 또한 , 전기 적 으로 전도성 레이어 ( 31 ) 는 제 2 화합물 반도체 레이어 ( 22 ) 뿐 만 아니 라 제 1 화합물 반도체 레이어 ( 21 ) 보다 수직 채널 개구 ( 13 ) 내 에서 더 바깥쪽 에 방사 방향 으로 배치 될 수 있 다 . 제 2 화합물 반도체 레이어 ( 22 ) 는 제 1 화합물 반도체 레이어 ( 21 ) 상 에 직접 그리고 바로 옆 에 배치 될 수 있 다 .