이어서 , 식각 정지 층 ( 307 ) 상 에 텅스텐 층 ( 308 ) 을 형성 한다 . 여기 서 , 텅스텐 층 ( 308 ) 은 텅스텐 자체 의 비저항 값 을 낮추 기 위해 CVD 또는 ALD 으로 형성 한다 . 즉 , CVD 또는 ALD 으로 B 2 H 6 , ＷF 6 및 NH 3 처리 ( Treatment ) 에 의한 시드 층 ( Seed - Layer , 비정질 상태 ) 을 형성 하 여 큰 그레인 ( Large Grain ) 의 벌크 텅스텐 ( Bulk Ｗ ) 을 성장 시킴 으로써 하부 의 배리어 물질 의 종류 와 상관없이 텅스텐 의 시트 저항 값 을 낮출 수 가 있 다 . 이러 한 텅스텐 을 낮 은 저항 텅스텐 ( LRＷ : Low Resistivity Tungsten ) 이 라고 한다 .