따라서 결정 의 크기 를 증가 시키 고 저온 에서 의 공정 이 가능 한 방법 으로 사용 되 는 금속 유도 결정 화 ( Metal induced crystallization : 이하 ' MIC ' 라 한다 . ) 에 관한 연구 가 활발 하 게 진행 되 고 있 으나 금속 유도 결정 화 ( MIC ) 에 의해 결정 성장 된 실리콘 내부 에 는 금속 불순물 이 높 은 밀도 로 존재 하 게 되 어 회로 특성 이 떨어지 는 문제점 이 있 다 .