산화물 반도체 층 을 스퍼터링 법 으로 제작 하 기 위한 타깃 으로서 는 , 예 를 들 어 산화아연 등 을 주성분 으로 하 는 금속 산화물 의 타깃 을 사용 할 수 있 다 . 또한 , In , Ga 및 Zn 을 포함 하 는 금속 산화물 타깃 ( 조성 비 로서 In 2 O 3 : Ga 2 O 3 : ZnO = 1 : 1 : 1 [ 몰 비 ] , In : Ga : Zn = 1 : 1 : 0 . 5 [ 원 자비 ] ) 등 을 사용 할 수 도 있 다 . 또한 , In , Ga 및 Zn 을 포함 하 는 금속 산화물 타깃 으로서 In : Ga : Zn = 1 : 1 : 1 [ 원 자비 ] 또는 In : Ga : Zn = 1 : 1 : 2 [ 원 자비 ] 의 조성 비 를 갖 는 타깃 등 을 사용 할 수 있 다 . 금속 산화물 타깃 의 충전율 은 90 ％ 이상 100 ％ 이하 , 바람직 하 게 는 95 ％ 이상 ( 예 를 들 어 99 . 9 ％) 이 다 . 충전율 이 높 은 금속 산화물 타깃 을 사용 함 으로써 , 치밀 한 산화물 반도체 층 이 형성 된다 .