이후 , 상기 소스 전극 영역 ( SEA ) , 드레 인 전극 영역 ( DEA ) , 화소 전극 영역 ( PEA ) 및 소스 패드 영역 ( DPA ) 에 형성 된 제 2 포토레지스트 패턴 ( PR 21 , PR 22 ) 을 에치 백 공정 을 통해 일정 두께 만큼 제거 한다 . 상기 제거 된 두께 는 상기 제 1 두께 ( t 1 ) 이상 이 며 제 2 두께 ( t 2 ) 보다 작 다 .