예 를 들 어 , 하부 레벨 금속 상호 접속 구조물 ( 780 ) 은 제 1 유전체 재료 층 들 ( 764 ) 내 에 형성 될 수 있 다 . 제 1 유전체 재료 층 들 ( 764 ) 은 하부 레벨 금속 상호 접속 구조물 들 ( 780 ) 의 다양 한 요소 들 이 순차 적 으로 형성 되 는 복수 의 유전체 재료 층 들 일 수 있 다 . 제 1 유전체 재료 층 들 ( 764 ) 로부터 선택 되 는 각각 의 유전체 재료 층 은 도핑 된 실리케이트 유리 , 도핑 되 지 않 은 실리케이트 유리 , 유기 실리케이트 유리 , 실리콘 질화물 , 실리콘 산질 화물 , 및 유전체 금속 산화물 들 ( 예컨대 , 알루미늄 산화물 ) 중 임의 의 것 을 포함 할 수 있 다 . 일 실시 예 에서 , 제 1 유전체 재료 층 들 ( 764 ) 은 3 . 9 의 도핑 되 지 않 은 실리케이트 유리 ( 실리콘 산화물 ) 의 유전 상수 를 초과 하 지 않 는 유전 상수 들 을 갖 는 유전체 재료 층 들 을 포함 할 수 있 거나 , 또는 본질 적 으로 이 들 로 이루어질 수 있 다 . 하부 레벨 금속 상호 접속 구조물 들 ( 780 ) 은 다양 한 디바이스 콘택트 비아 구조물 들 ( 782 ) ( 예컨대 , 디바이스 또는 게이트 접속 콘택트 들 의 각자 의 소스 및 드레 인 노드 들 과 접촉 하 는 소스 및 드레 인 전극 들 ) , 중간 하부 레벨 금속 라인 구조물 들 ( 784 ) , 하부 레벨 금속 비아 구조물 들 ( 786 ) , 및 후속 적 으로 형성 될 스루 - 메모리 레벨 콘택트 비아 구조물 들 을 위한 랜딩 패드 들 로서 기능 하 도록 구성 된 랜딩 패드 레벨 금속 라인 구조물 들 ( 788 ) 을 포함 할 수 있 다 .