상기 수직 막 ( 150 ) 의 분리 는 이하 설명 될 상기 수직 막 ( 150 ) 의 물질 에 따라 , 또는 상기 수직 막 ( 150 ) 이 복수 의 막 을 포함 하 는 경우 상기 복수 의 막 의 물질 에 따라 복수 회의 식각 공정 으로 수행 될 수 있 다 . 상기 수직 막 ( 150 ) 의 측벽 의 제거 에 의하 여 상기 제 1 반도체 막 ( 170 ) 의 측벽 의 일부 가 노출 될 수 있 다 . 상기 수직 막 ( 150 ) 의 제거 시 , 상기 최하층 절 연막 ( 121 ) 이 함께 제거 되 어 상기 기판 ( 10 ) 을 노출 할 수 있 다 . 일 예 로 , 상기 최하층 절 연막 ( 121 ) 및 상기 수직 막 ( 150 ) 이 모두 실리콘 산화물 을 포함 하 는 경우 상기 수직 막 ( 150 ) 과 상기 최하층 절 연막 ( 121 ) 은 동시 에 식각 될 수 있 다 . 상기 수직 막 ( 150 ) 의 식각 공정 시 , 상기 제 1 반도체 막 ( 170 ) 의 일부 가 함께 식각 될 수 있 다 . 상기 제 1 희생 막 ( 111 ) 및 상기 수직 막 ( 150 ) 의 식각 은 별도 의 공정 에 의해 수행 되 는 것 으로 언급 하 였으나 , 이 와 는 달리 동시 에 수행 될 수 있 다 .