표면 에 구리 ( Cu ) 전극 층 이 형성 되 어 있 는 실리콘 웨이퍼 상 에 그래핀 산화물 박막 을 형성 한 다음 , 제논 램프 를 통하 여 극 단파 백색광 을 그래 핀 산화물 박막 에 조사 하 여 , 그래핀 산화물 박막 을 광소 결하 였 다 . 이때 , 조사 되 는 극 단파 백색 과 의 펄스 수 는 20 회 , 펄스 폭 은 10 ms , 펄스 갭 은 490 ms , 조사 에너지 는 60 J / ㎠ 로 제어 하 였 다 . 이 를 통해 , 그래핀 산화물 박막 을 그래 핀 반도체 박막 으로 변환 시켰 다 . 그 다음 , 그래핀 반도체 박막 상 에 은 ( Ag ) 전극 층 을 형성 하 여 , 메모리 소자 를 제작 하 여 그 특성 을 평가 하 였 다 .