[ 디지털 데일리 이수환 기자 ] 퀄컴 ‘ 스냅드래곤 800 ’ 과 엔 비디아 ‘ 테그라 4 ’ 등 TSMC 파운드리 ( 위탁 생산 ) 를 이용 하 는 최신 애플리케이션 프로세서 ( AP ) 가 28 나노 하이 케이 메탈 게이트 ( HKMG ) 고 성능 모바일 ( HPM ) , 고 성능 저 전력 ( HPL ) 미세 공정 을 이용 한 것 으로 나타났 다 . 현재 TSMC 28 나노 미세 공정 은 입력 전압 ( Vcc ) 과 문턱 전압 ( vt ) 등 에 따라 ▲ 28 나노 고 성능 ( HP ) ▲ 28 나노 고성능 저 전력 ( HPL ) ▲ 28 나노 저 전력 ( LP ) ▲ 28 나노 고 성능 모바일 ( HPM ) 등 4 가지 방식 으로 나뉜다 . 일반 적 으로 반도체 는 공정 이 미세화 될수록 늘어나 는 누설 전류 , 그러니까 ‘ 터널 링 현상 ’ 이 늘어난다 . 따라서 같 은 미세 공정 이 라면 입력 전압 이 낮 을수록 더 높 은 성능 을 기대 해 볼 수 있 다 . 적 은 양 의 전기 로 반도체 를 작동 시킬 수 있 어서 다 25 일 관련 업계 에 따르 면 퀄컴 스냅드래곤 800 과 엔 비디아 테그라 4 는 각각 TSMC HPM 과 HPL 미세 공정 을 이용 한다 . HPM 은 입력 전압 이 0 . 9 볼트 ( V ) 이 며 초저 전력 문턱 전압 을 이용 할 수 있 다 . HPL 의 입력 전압 은 1 V 이 다 . TSMC 는 28 나노 HPM , HPL 미세 공정 을 2011 년 에 양산 할 계획 이 었 으나 낮 은 수율 과 기술 적 인 문제 로 인해 LP 와 HP 를 먼저 도입 한 바 있 다 . LP 로 만들 어 진 대표 적 인 제품 은 ‘ 스냅드래곤 S 4 ’ 이 며 HP 의 경우 ‘ AMD 레이디 언 7970 ’ 그래픽 프로세싱 유닛 ( GPU ) 이 있 다 . HPL 의 경우 자일링스 킨텍스 - 7 FPGA 가 첫 번 째 로 테이프 - 아웃 을 시작 한 바 있 다 . 테그라 4 가 두 번 째 양산 고객 이 되 는 셈 이 다 . 엔 비디아 는 ZTE 와 함께 테그라 4 를 이용한 스마트폰 공동 개발 에 합의 한 상태 다 . 이르 면 2 분기 내 에 관련 제품 이 선보일 전망 이 다 . 하 지만 HPM 미세 공정 안정 화 에 는 조금 더 시간 이 필요 할 것 으로 보인다 . LP 미세 공정 을 이용 한 스냅드래곤 600 은 LG 전자 옵티머스 G 프로 에 장착 되 는 등 상용 화 된 제품 이 선보인 상태 지만 스냅드래곤 800 은 아직 까지 관련 모델 이 없 다 . 또한 TSMC HPM 미세 공정 은 ARM ‘ 코어 텍스 A 15 ’ 에 유리 하 도록 설계 되 어 있 다 . ARM 은 코어 텍스 A 15 를 TSMC 28 나노 HPM 미세 공정 에 손쉽 게 적용 할 수 있 는 ‘ 코어 텍스 A 15 MP 4 하드 매크로 ’ 를 작년 초 선보인 바 있 다 . 하드 매크로 는 시스템 온 칩 ( SoC ) 설계 에 필요 한 일종 의 설명서 로 논리 소자 연결 방법 , 물리 적 경로 , 실선 패턴 등 이 명시 되 어 있 다 . 쉽 게 말 해 퀄컴 , 엔 비디아 등 팹 리스 업체 가 코어 텍스 A 15 기반 AP 를 파운드리 할 때 양산 까지 걸리 는 시간 을 단축 시켜 주 는 셈 이 다 . 스냅드래곤 800 은 ‘ 크 레이트 400 ’ 이 라 부르 는 퀄컴 고유 의 반도체 설계 자산 ( IP ) 이 적용 되 어 있 다 . < 이수환 기자 > shulee @ ddaily . co . kr [ 관련 기사 ] ☞ LTE 통합 모바일 AP 경쟁 ‘ 후끈 ’… 퀄컴 아성 에 도전 ☞ 우리 도 ‘ AP + 통신 칩 ’ 더 한 원 칩 , 엔 비디아 테그라 4 i 발표 ☞ LG 전자 , 자체 개발 AP ‘ 오딘 ’ 양산 준비 중 … 8 코어 · 빅 리틀 장착 ☞ [ 삼성전자 컨 콜 ] 통신 원 칩 AP 는 당분간 후 순위 ☞ 브로드컴 TI 빈자리 메꾸 나 ? AP 영향력 확대 [ 핫뉴스 ] IT 정보 의 즐거운 업그레이드 ‘ 딜라이트 닷넷 ’ 클라우드 컴퓨팅 최신 동향 을 한눈 에 ‘ DD 클라우드 ’< 저작권자 ⓒ 디지털 데일리 무단 전재 - 재 배포 금지 >