도 38 에 도시 된 바 와 같이 , 게이트 전극 ( 320 ) 에 가해 지 는 바이어스 전압 에 의해 트랩 층 ( 390 ) 은 게이트 전극 ( 320 ) 에 인접 하 도록 ( -),(+) 전하 를 가지 도록 형성 될 수 있 다 . 도 39 에 도시 된 바 와 같이 , 게이트 전극 ( 320 ) 에 가해 지 는 바이어스 전압 에 의해 트랩 층 ( 390 ) 은 ( +),(-) 전하 를 가질 수 있 다 .