또한 , 상기 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 과 관련 되 는 SiC 막 구 조체 의 제조 방법 은 기상 성장 형 성막 법 에 의해서 기재 의 외주 에 SiC 막 을 형성 하 고 , 상기 기재 를 제거 함 으로써 SiC 막 에 의한 입체 형상 을 얻 는 SiC 막 구 조체 의 제조 방법 으로 , 상기 기재 의 일부 를 노출 시킨 상태 에서 , 해당 기재 의 외주 에 SiC 막 을 형성 하 는 막 형성 공정 과 , 상기 막 형성 공정 후 , 상기 기재 를 제거 하 는 기재 제거 공정 과 , 기재 를 제거 한 상기 SiC 막 의 개구부 를 덮개 체로 막 아 , 상기 SiC 막 구 조체 를 밀폐 된 봉지 구조 로 하 는 봉지 공정 을 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .