투명 지지 기판 의 ITO 막 상 에 순차 적 으로 , 하 기 각 층 을 형성 했 다 . 진공 조를 5 × 10 - 4 ㎩ 까지 감압 하 고 , 먼저 , HI 가 들 어 있 는 증착 용 보트 를 가열 하 여 막 두께 40 ㎚ 가 되 도록 증착 하 여 정공 주입 층 을 형성 하 고 , 이어서 , NPD 가 들 어 있 는 증착 용 보트 를 가열 하 여 막 두께 30 ㎚ 가 되 도록 증착 하 여 정공 수송 층 을 형성 했 다 . 다음 으로 , 화합물 ( A ) 가 들 어 있 는 증착 용 보트 와 화합물 ( B ) 가 들 어 있 는 증착 용 보트 를 동시 에 가열 하 여 막 두께 35 ㎚ 가 되 도록 증착 하 여 발광 층 을 형성 했 다 . 화합물 ( A ) 와 화합물 ( B ) 의 중량 비 가 대략 95 대 5 가 되 도록 증착 속도 를 조절 했 다 . 다음 으로 , 화합물 ( 1 - 6 ) 이 들 어 있 는 증착 용 보트 를 가열 하 여 막 두께 15 ㎚ 가 되 도록 증착 하 여 전자 수송 층 을 형성 했 다 . 각 층 의 증착 속도 는 0 . 01 ∼ 1 ㎚/ 초 였 다 .