본 발명 은 제 1 폴리아 믹 산 구조 로부터 유도 되 는 폴리 이미드 로 필름 을 제조 하 여 , 표면 전하 축적 에 의한 표면 전하 밀도 를 증가 시키 고 정전하 감쇠 에 의한 유출 전류 를 최소 화 함 으로써 , 유출 전류 로부터 기인 하 는 잔상 발생 과 같 은 문제 들 을 효과 적 으로 억제 할 수 있 어 , 이 를 사용 하 여 제조 된 TFT 소자 가 안정 적 인 구동 을 할 수 있 도록 한다 .