다른 실시 예 들 에서 , 상기 ALD 기술 을 이용 하 여 상기 Ti 막 을 형성 하 기 위하 여 , 다음 과 같 은 4 개 의 단계 들 로 구성 된 ALD 단위 반응 을 1 회 이상 반복 할 수 있 다 . 상기 ALD 단위 반응 은 , 상기 ALD 반응 챔버 에 TiCl 4 가스 를 주입 하 여 상기 반도체 기판 상 에 Ti 원자 를 함유 하 는 흡착 층 을 형성 하 는 제 1 단계 , 상기 ALD 반응 챔버 를 퍼징 ( purging ) 하 는 제 2 단계 , 상기 ALD 반응 챔버 에 H 2 가스 를 주입 하 여 상기 흡착 층 과 반응 시켜 Ti 박막 을 형성 하 는 제 3 단계 , 및 상기 ALD 반응 챔버 를 퍼 징하 는 제 4 단계 로 구성 될 수 있 다 .