이 와 같이 , 분리 판 에 의하 여 도금 조 를 윗 쪽 의 피도 금체 처리 실과 아래쪽 의 도금액 분산 실로 분리 하 고 , 도금액 분 산실 에 차폐 판 을 설치 하 여 , 전장 이 도금액 분산 실 내 를 우회 하 여 애노드 로부터 피도 금체 를 향하 여 형성 되 는 것 을 억제 함 으로써 , 피도 금체 의 하부 에 형성 되 는 전장 이 도금 막 의 면내 균일성 에 영향 을 주 는 것 을 방지 할 수 있 다 . 이 피도 금체 의 하부 에 형성 되 는 전장 의 도금 막 의 면내 균일성 에 대한 영향 은 , 종래 의 저전류 밀도 의 도금 조건 에서 는 문제 가 되 지 않 았 으나 , 종래 보다 고전 류 밀도 의 조건 에서 는 , 도금 막 의 도금 조 바닥 에 가까운 부분 의 막 두께 가 급격 하 게 두꺼워 지 기 때문 에 문제 가 된다 .