본 출원인 이 확인 한 또 다른 문제점 은 뱅크 구 조체 내 에 우물 을 형성 한 후 에 O 2 플라스마 처리 와 같 은 클리닝 단계 가 제공 되 는 것 이 요구 된다는 점 이 다 . 이러 한 단계 는 우물 내 의 표면 들 을 정화 하 고 증착 이전 의 표면 또는 내부 의 유기 물질 의 습윤 성 을 증가 시킨다 . 그러나 , 본 출원인 은 이전 에 습윤 성 을 감소 시키 기 위해 플루오르 기반 플라스마 처리 와 같 은 이전 에 사용 하 였 던 처리 가 뱅크 의 표면 의 습윤 성 을 크 게 증가 시킨다는 것 을 발견 하 였 다 . 사실 , 이러 한 처리 된 표면 의 접촉각 은 이러 한 크리 닝 단계 후 에 10 ° 가량 감소 할 수 있 다 . 이렇게 , 우물 내 에 유기 물질 을 포함 하 는 것 이 문제 가 될 때 , 클리닝 단계 를 피해야 한다 . 반면 에 , 본 출원인 은 본질 적 으로 낮 은 습윤 성 의 제 2 층 을 갖 는 더블 뱅크 구 조체 를 사용 할 때 클리닝 단계 가 뱅크 위 의 우수 한 디 웨 팅 ( de - wetting ) 특성 을 유지 하 면서 수행 될 수 있 음 을 알아내 었 다 . 예 를 들 어 , 사이 톱 - 유형 의 물질 에 대한 접촉각 은 O 2 플라스마 처리 후 에 도 100 ° 를 넘 는다 . 따라서 , 본 발명 의 다른 측면 에 따르 면 전자 디바이스 를 제조 하 는 방법 이 제공 되 며 , 이 방법 은 , 기판 을 제공 하 는 단계 와 , 기판 상 에 배치 된 더블 뱅크 우물 정의 구 조체 를 형성 하 는 단계 로서 , 상기 더블 뱅크 우물 정의 구조 체가 제 1 절연 물질 층 과 그 위 의 제 2 절연 물질 층 을 포함 하 고 , 제 2 절연 물질 층 이 제 1 절연 물질 층 보다 낮 은 습윤 성 을 갖 는 더블 뱅크 우물 정의 구 조체 형성 단계 와 , 더블 뱅크 우물 정의 구 조체 에 의해 정의 되 는 우물 내 에 유기 물질 의 용액 을 증착 하 는 단계 를 포함 하 되 , 이 방법 은 더블 뱅크 우물 정의 구 조체 를 형성 하 는 단계 후 이 자 더블 뱅크 우물 정의 구 조체 에 의해 정의 되 는 우물 내 에 유기 물질 의 용액 을 증착 시키 기 전 에 클리닝 단계 를 더 포함 한다 .