일부 실시 예 들 에서 , SnO 2 막 들 은 PEALD 에 의해 증착 된다 . 열적 ALD 에 대해 기술 된 바 와 같 은 동일 한 타입 들 의 주석 함유 전구체 들 및 산소 함유 반응 물질 들 이 사용 될 수 있 다 . PEALD 에서 ALD 장치 는 프로세스 챔버 내 에서 플 라즈 마 를 생성 하 기 위한 , 그리고 플 라즈 마 를 사용 하 여 기판 을 처리 하 기 위한 시스템 을 구비 한다 . 통상 적 인 PEALD 프로세스 시퀀스 에서 , 기판 이 PEALD 프로세스 챔버 에 제공 되 고 기판 의 표면 에 흡착 하 는 주석 함유 전구체 에 노출 된다 . 프로세스 챔버 는 프로세스 챔버 로부터 전 구체 를 제거 하 기 위해 불활성 가스 ( 예 를 들 어 , 아르곤 또는 헬륨 ) 를 사용 하 여 퍼지 되 고 , 기판 은 프로세스 챔버 내 로 도입 되 는 산소 함유 반응 물질 에 노출 된다 . 산소 함유 반응 물질 의 도입 과 동시 에 또는 지연 후 에 , 플 라즈 마가 프로세스 챔버 내 에서 형성 된다 . 플라 즈 마는 SnO 2 의 형성 을 발생 시키 는 기판 의 표면 상 에서 주석 함유 전구체 와 산소 함유 반응 물질 간 의 반응 을 용이 하 게 한다 . 다음 에 , 프로세스 챔버 는 불활성 가스 를 사용 하 여 퍼지 되 고 , 주석 전구체 도 징 , 퍼지 , 산소 함유 반응 물질 도 징 , 플라 즈 마 처리 , 및 제 2 퍼지 를 포함 하 는 사이클 이 목표 된 두께 의 막 을 형성 하 기 위해 필요 한 만큼 여러 번 반복 된다 .