이하 에서 는 , 트랜지스터 ( 234 ) 의 적용 가능 한 예 로서 GST 를 포함 하 는 정 스테거 드 형 ( normal staggered type ) 박막 트랜지스터 및 CIS 를 포함 하 는 역 스테거 드 형 ( inverted staggered type ) 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 에 대하 여 설명 하 기 로 한다 . 또한 , 이 는 예시 적 이 며 , 반드시 이 에 한정 되 는 것 은 아니 며 , 따라서 CIS 를 포함 하 는 정 스테거 드 형 박막 트랜지스터 및 GST 를 포함 하 는 역 스테거 드 형 박막 트랜지스터 도 하 기 에 기술 하 는 형성 방법 에 의하 여 구현 가능 하 며 , 또한 본 발명 의 사상 적 범위 에 포함 됨 은 명백 할 것 이 다 . 여기 서 정 스테거 드 형 은 기판 에 대하 여 광전도 층 상 에 게이트 전극 이 형성 된 것 이 며 , 역 스테거 드 형 은 기판 에 대하 여 게이트 전극 상 에 광전도 층 이 형성 된 것 이 다 .