영역 ( 50 N ) , 예 를 들 어 , NMOS 영역 의 에피 택 셜 소스 / 드레 인 영역 ( 82 ) 은 영역 ( 50 P ) , 예 를 들 어 , PMOS 영역 을 마스킹 하 고 , 영역 ( 50 N ) 에서 핀 ( 52 ) 의 소스 / 드레 인 영역 을 에칭 함 으로써 형성 되 어 핀 ( 52 ) 에 리세 스 를 형성 할 수 있 다 . 그런 다음 , 영역 ( 50 N ) 의 에피 택 셜 소스 / 드레 인 영역 ( 82 ) 은 리세 스 에서 에피 택 셜 성장 된다 . 에피 택 셜 소스 / 드레 인 영역 ( 82 ) 은 n 형 FinFET 에 적합 한 것 과 같 은 임의 의 허용 가능 한 물질 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 핀 ( 52 ) 이 실리콘 인 경우 , 영역 ( 50 N ) 의 에피 택 셜 소스 / 드레 인 영역 ( 82 ) 은 채널 영역 ( 58 ) 에 인장 변형 을 가하 는 물질 , 예 를 들 어 , 실리콘 , 실리콘 탄화물 , 인 도핑 된 실리콘 탄화물 , 실리콘 인화물 등 과 같 은 물질 을 포함 할 수 있 다 . 영역 ( 50 N ) 의 에피 택 셜 소스 / 드레 인 영역 ( 82 ) 은 핀 ( 52 ) 의 각각 의 표면 으로부터 상승 된 표면 을 가질 수 있 고 패 싯 을 가질 수 있 다 .