일부 실시 예 들 에서 , 복수 의 워드 라인 ( 120 ) 을 형성 한 후 , 복수 의 워드 라인 ( 120 ) 의 양측 의 기판 ( 110 ) 의 활성 영역 ( 118 ) 의 부분 에 불순물 이온 을 주입 하 여 복수 의 활성 영역 ( 118 ) 의 내 에 소스 영역 및 드레 인 영역 을 형성 할 수 있 다 . 다른 일부 실시 예 들 에서 , 복수 의 워드 라인 ( 120 ) 을 형성 하 기 전 에 소스 영역 및 드레 인 영역 을 형성 하 기 위한 불순물 이온 주입 공정 이 수행 될 수 있 다 .