핵 생성 이후 이어지 는 , 배위 용매 내 양자 점 의 제어 된 성장 및 어닐링 공정 은 또한 균일 한 표면 유도체 화 ( derivatization ) 및 규칙 적 인 코어 구조 의 결과 를 낳 을 수 있 다 . 크기 분포 가 예리 해짐 에 따라 , 일정 한 성장 을 유지 하 기 위해 온도 를 상승 시킬 수 있 다 . 좀 더 많 은 M 도너 또는 X 도너 를 추가 함 으로써 , 성장 기간 을 단축 시킬 수 있 다 . M 도너 는 무기 화합물 , 유기 금속 화합물 또는 원소 금속 일 수 있 다 . 예 를 들 어 , M 도너 는 카드뮴 , 아연 , 마그네슘 , 수은 , 알루미늄 , 갈륨 , 인듐 또는 탈륨 을 포함 할 수 있 으며 , X 도너 는 M 도너 와 반응 하 여 일반식 MX 를 갖 는 재료 를 형성 할 수 있 는 화합물 을 포함 할 수 있 다 . X 도너 는 포스핀 칼코겐 화물 , 비스 ( 실릴 ) 칼코겐 화물 , 이 산소 ( dioxygen ) , 암모늄염 또는 트리스 ( 실릴 ) 닉 타이드 ( pnictide ) 와 같 은 칼코겐 화물 도너 또는 닉 타이드 도너 를 포함 할 수 있 다 . 적절 한 X 도너 는 , 예 를 들 어 , 이 에 제한 되 지 않 지만 , 이 산소 , 비스 ( 트리 메틸 실릴 ) 셀렌화물 ( ( TMS ) 2 Se ) , ( 트리 - 녹 틸 포스핀 ) 셀렌화물 ( TOPSe ) 또는 ( 트리 - n - 부틸 포스핀 ) 셀렌화물 ( TBPSe ) 와 같 은 트리 알킬 포스핀 셀렌화물 , ( 트리 - n - 옥 틸 포스핀 ) 텔루르 화물 ( TOPTe ) 또는 헥사 프로필 포스 포 러스 트리 아미드 텔루르 화물 ( HPPTTe ) 와 같 은 트리 알킬 포스핀 텔루르 화물 , 비스 ( 트리 메틸 실릴 ) 텔루르 화물 ( TMS ) 2 Te ) , 비스 ( 트리 메틸 실릴 ) 황화물 ( ( TMS ) 2 S ) , ( 트리 - 녹 틸 포스핀 ) 황화물 ( TOPS ) 와 같 은 트리 알킬 포스핀 황화물 , 암모늄 할로겐화물 ( 예 를 들 어 , NH 4 Cl ) 과 같 은 암모늄염 , 트리스 ( 트리 메틸 실릴 ) 인 화물 ( ( TMS ) 3 P ) , 트리스 ( 트리 메틸 실릴 ) 비소화물 ( ( TMS ) 3 As ) , 또는 트리스 ( 트리 메틸 실릴 ) 안티몬 화물 ( ( TMS ) 3 Sb ) 을 포함 한다 . 특정 실시 예 에서 , M 도너 및 X 도너 는 동일 한 분자 내 의 일부분 일 수 있 다 .