기판 ( 10 ) 은 실리콘 ( Si ) 으로 구성 된다 . 아울러 Si 외 에 , 예 를 들 면 Ge , SiC , GaN , GaAs , GaP , InP , ZnSe , ZnS , ZnO 등 의 반도체 로 구성 되 는 반도체 기판 , 또는 금속 단체 ( 單體 ) 기판 , 또는 서로 비 고용 ( 非 固 溶 ) 혹은 고용 한계 가 작 은 2 종류 이상 의 금속 의 복합체 로 구성 된 금속 기판 을 사용 할 수 있 다 . 이 중 에서 금속 단체 기판 으로서 구체 적 으로 는 Cu 를 사용 할 수 있 다 . 또 금속 기판 의 재료 로서 구체 적 으로 는 Ag , Cu , Au , pt 등 고 도전 성 금속 에서 선택 된 1 종류 이상 의 금속 과 , W , Mo , Cr , Ni 등 고 경도 의 금속 에서 선택 된 1 종류 이상 의 금속 으로 이루어진 것 을 사용 할 수 있 다 . 반도체 재료 의 기판 ( 10 ) 을 사용 할 경우 에 는 거기 에 소자 기능 , 예 를 들 면 제너 다이오드 를 부가 한 기판 ( 10 ) 으로 할 수 도 있 다 . 또한 금속 기판 으로서 는 Cu - W 혹은 Cu - Mo 의 복합체 를 사용 하 는 것 이 바람직 하 다 .