본 발명 은 전원 의 소신 호 특성 에 강한 반도체 장치 의 저장 캐 패시 터 를 개시 하 며 , 이 는 게이트 ; 및 게이트 에 대응 한 접합 영역 이 형성 되 고 , 접합 영역 의 캐리어 와 동일 한 타입 의 캐리어 를 갖 는 제 1 웰 ; 을 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 . 이중 , 제 1 웰 과 기판 사이 에 제 2 웰 이 형성 되 어서 제 1 웰 과 기판 간 의 전기 적 도통 을 방지 함 을 특징 으로 한다 .