이상 에서 설명 한 바 와 같이 , EUV 용 마스크 를 형성 하 는데 있 어서 흡 수체 층 을 가공 하 면서 발생 할 수 있 는 패턴 의 결함 부분 을 일반 적 인 검출 장비 로 검출 하 고 , 원자 힘 현미경 을 이용 하 여 결함 부분 만 금속 산화물 형태 로 변화 시키 고 습식 또는 건식 식각 공정 으로 결함 부분 만 을 제거 함 으로써 , 용이 하 게 EUV 용 마스크 를 제작 할 수 있 다 . 따라서 반도체 제조 공정 수율 을 높이 면서 도 우수 한 EUV 용 마스크 를 제작 할 수 있 는 효과 를 제공 한다 .