반도체 기판 ( 104 ) 의 로직 영역 ( 104 l ) 은 로직 아이 솔 레 이 션 구조물 ( 310 ) 에 의해 물리 적 으로 그리고 전기 적 으로 측 방향 으로 분리 된 제 1 로직 디바이스 ( 110 a ) 및 제 2 로직 디바이스 ( 110 b ) 를 포함 한다 . 로직 아이 솔 레 이 션 구조물 ( 310 ) 은 반도체 기판 ( 104 ) 의 상부 안 으로 연장 하 고 , STI 구조물 , DTI 구조물 , 또는 또 다른 아이 솔 레 이 션 구조물 ( 들 ) 일 수 있 거나 달리 이 를 포함 할 수 있 다 . 제 1 및 제 2 로직 디바이스 ( 110 , 110 b ) 는 예 를 들 어 IGFET 디바이스 , MOSFET 디바이스 , DMOS 디바이스 , 또 다른 적합 한 유형 의 트랜지스터 , 또는 또 다른 유형 의 반도체 디바이스 일 수 있 다 .