본 발명 < 2 > 에 관한 에칭 제 에 있 어서 의 에칭 방법 은 적어도 ( A ) 과산화수소 , ( B ) 히드록실기 를 가지 는 포스폰산 계 킬레이트제 , ( C ) ( c - 1 ) 무기 알칼리 및 ( c - 2 ) 유기 아민 으로부터 선택 되 는 적어도 1 종 이상 의 염기 성 화합물 및 ( D - 2 ) 히드록실기 를 가지 는 포스폰산 계 킬레이트제 이외 의 산화력 을 갖 지 않 는 2 종 이상 의 음 이온 종 0 . 01 중량 %~ 3 중량 % 를 포함 하 는 용액 으로 이루어지 는 에칭 제 와 반도체 기판 상 의 W 계 금속 막 을 접촉 시키 는 등 에 의해 , 상기 기판 을 본 발명 의 에칭 제 로 처리 하 면 좋 다 .