본 발명 에 따른 디램 소자 는 , 게이트 와 제 1 및 제 2 접합 영역 이 형성 된 반도체 기판 과 , 상기 제 1 및 제 2 접합 영역 상 에 각각 형성 된 제 1 및 제 2 랜딩 콘 택 플러그 와 , 상기 제 1 랜딩 콘 택 콘 택 플러그 에 형성 된 트렌치 와 , 상기 제 1 및 제 2 랜 딩 콘 택 플러그 들 사이 에 상기 제 1 및 제 2 랜딩 콘 택 플러그 보다 낮 게 형성 된 절 연막 과 . 상기 트렌치 내부 와 상기 제 2 랜딩 콘 택 플러그 사이 의 상기 절 연막 상 에 일 방향 으로 형성 된 비트 라인 및 상기 제 2 랜딩 콘 택 플러그 상 에 형성 된 스토리지 노드 콘 택 플러그 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .