다음 으로 , 미리 적색 착색 화소 에 대응 하 는 위치 에 대응 하 도록 조정 한 적색 ( R ) 의 안료 분산 형 포토레지스트 를 상기 BM 형성 기재 상 에 스핀 코트 법 으로 도포 하 고 , 80 ℃, 3 분 간 의 조건 에서 프리 베 이크 하 고 , 각 색 패턴 에 따른 소정 의 착색 패턴 용 포토 마스크 를 이용 하 여 , 자외선 노광 ( 300 mJ / ㎠) 하 였 다 . 또한 , 0 . 1 ％ KOH 수용액 을 이용 한 스프레이 현상 을 60 초 실시 한 후 , 200 ℃, 60 분 간 포스트 베 이크 ( 소성 ) 하 여 , BM 패턴 에 대하 여 소정 의 위치 에 막 두께 2 . 6 ㎛ 의 적색 ( R ) 착색 화소 의 패턴 을 형성 하 였 다 .