상기 와 같이 구성 되 는 NAND 형 플 래쉬 메모리 소자 는 전기 적 인 프로그램 / 소거 ( Program / Erase ) 가 가능 한 소자 로써 얇 은 터널 산화 막 을 통해 강한 전기장 에 의해 전자 가 이동 하 면서 문턱 전압 을 변화 시켜 프로그램 및 소거 기능 을 수행 한다 . 즉 , 터널 산화 막 을 통한 전자 의 이동 으로 프로그램 과 소거 를 실시 하 게 되 는데 , 이 로 인한 터널 산화 막 의 열화 는 피할 수 없 다 . 따라서 , 일정 한 전압 조건 으로 프로그램 및 소거 를 반복 하 게 되 면 프로그램 및 소거 문턱 전압 이 반복 횟수 ( cycling ) 에 따라 변하 게 된다 . 도 1 에 프로그램 횟수 에 따른 문턱 전압 의 변화 ( A ) 와 소거 횟수 에 따른 문턱 전압 변화 ( B ) 를 나타내 었 는데 , 프로그램 횟수 및 소거 횟수 가 증가 함 에 따라 문턱 전압 이 상승 하 게 된다 .