상기 제 1 비아 들 ( V 1 ) 및 상기 제 2 상부 도전 층 은 듀얼 다 마신 공정 을 통하 여 동일 한 증착 공정 으로 형성 될 수 있 다 . 즉 , 상기 제 3 상부 절 연막 ( 13 ) 을 관통 하 는 제 1 리세 스 영역 들 및 상기 제 4 상부 절 연막 ( 14 ) 을 관통 하 는 제 2 리세 스 영역 들 을 형성 한 후 , 상기 제 1 및 제 2 리세 스 영역 들 동시 에 채우 는 증착 공정 이 수행 될 수 있 다 . 일 예 로 , 상기 증착 공정 은 제 1 금속 층 , 도전 성 금속 질화물 층 , 및 제 2 금속 층 을 차례 로 형성 하 는 것 을 포함 할 수 있 다 . 상기 제 1 비아 들 ( V 1 ) 및 상기 제 2 상부 도전 층 은 티타늄 층 , 티타늄 질화물 층 , 및 텅스텐 층 의 3 중층 일 수 있 다 . 이 경우 , 상기 제 1 비아 들 ( V 1 ) 및 상기 제 2 상부 도전 층 은 이 중층 으로 구성 된 상기 제 1 상부 도전 층 보다 티타늄 층 을 더 포함 할 수 있 다 . 이 와 는 달리 , 상기 제 1 비아 들 ( V 1 ) 및 상기 제 2 상부 도전 층 은 별개 의 증착 공정 에 의하 여 형성 될 수 있 다 .