알칼리 현상 프로세스 를 적용 하 는 경우 , 그 ( A 1 ) 성분 을 포함 하 는 기재 성분 은 , 노광 전 에 는 알칼리 현상액 에 대하 여 난용 성 으로 , 예 를 들 어 노광 에 의해 ( B ) 성분 으로부터 산 이 발생 하 면 , 그 산 의 작용 에 의해 극성 이 증대 되 어 알칼리 현상액 에 대한 용해 성 이 증대 된다 . 그 때문 에 , 레지스 트 패턴 의 형성 에 있 어서 , 그 레지스 트 조성물 을 지 지체 상 에 도포 하 여 얻 어 지 는 레지스 트 막 에 대하 여 선택 적 으로 노광 하 면 , 레지스 트 막 노광 부 는 알칼리 현상액 에 대하 여 난용 성 에서 가용성 으로 변화 되 는 한편 , 레지스 트 막 미노 광부 는 알칼리 난용성 인 채 로 변화 되 지 않 기 때문 에 , 알칼리 현상 함 으로써 포지티브 형 레지스 트 패턴 이 형성 된다 .