본 개시 내용 은 다 단계 제조 공정 에서 중간 단계 로서 반도체 기판 으로부터 잔류물 ( 예 를 들 어 , 플라스마 에칭 및 / 또는 플라스마 애 싱 잔류물 ) 을 제거 하 는 데 유용 한 비 부식성 세정 조성물 에 관한 것 이 다 . 이 들 잔류물 은 잔류 포토레지스트 와 같 은 유기 화합물 ; 유기 금속 화합물 ; 알루미늄 산화물 ( AlOx ) , 티타늄 산화물 ( TiOx ) , 지르코늄 산화물 ( ZrOx ) , 탄탈럼 산화물 ( TaOx ) 및 하프늄 산화물 ( HfOx ) 과 같 은 금속 산화물 ( 노출 된 금속 으로부터 반응 부산물 로서 형성 될 수 있 음 ) ; 알루미늄 ( Al ) , 알루미늄 / 구리 합금 , 구리 ( Cu ) , 티타늄 ( Ti ) , 탄탈럼 ( Ta ) , 텅스텐 ( W ) 및 코발트 ( Co ) 와 같 은 금속 ; 알루미늄 질화물 ( AlN ) , 산화 알루미늄 질화물 ( AlOxNy ) , 티타늄 질화물 ( TiN ) , 탄탈럼 질화물 ( TaN ) 및 텅스텐 질화물 ( WN ) 과 같 은 금속 질화물 ; 이 들 의 합금 ; 및 기타 재료 의 다양 한 비교 적 불용성 인 혼합물 을 포함 한다 . 본원 에 기술 된 세정 조성물 의 이점 은 직면 한 광범위 한 잔류물 을 세정 할 수 있 으며 , 일반 적 으로 노출 된 기판 재료 ( 예 를 들 어 , 노출 된 금속 ( 예컨대 , 알루미늄 , 알루미늄 / 구리 합금 , 구리 , 티타늄 , 탄탈럼 , 텅스텐 및 코발트 ) , 금속 질화물 ( 예컨대 , 티타늄 , 탄탈럼 및 텅스텐 질화물 ) 및 이 들 의 합금 ) 에 대해 비 부식성 일 수 있 다는 점 이 다 .