본 실시 예 에서 와 같이 , 전송 게이트 ( 140 ) 가 종 형태 로 광전 변환 소자 ( 130 ) 의 상부 면 뿐 만 아니 라 측면 까지 덮 도록 넓 게 확장 되 게 형성 됨 으로써 , 제 1 불순물 영역 ( 130 N ) 의 하부 영역 에 생성 된 광전 하 ( 전자 ) 들 도 쉽 게 플로팅 디 퓨전 ( FD ) 으로 전달 되 도록 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 도 3 에서 점선 의 화살표 로 표시 된 것 과 같이 , 제 1 불순물 영역 ( 130 N ) 의 하부 영역 에 있 는 전자 들 도 수직 게이트 전극 ( 142 b ) 에 의해 광전 변환 소자 ( 130 ) 의 측면 에서 수직 방향 형성 된 채널 영역 을 통해 쉽 게 위쪽 으로 이동 할 수 있 게 된다 . 즉 , 광전 변환 소자 ( 130 ) 의 하부 영역 에 있 는 광전 하 들 까지 빠르 게 플로팅 디 퓨전 ( FD ) 으로 전송 될 수 있 도록 함 으로써 , 광전 변환 소자 ( PD ) 에서 플로팅 디 퓨전 ( FD ) 으로 의 전송 능력 이 크 게 향상 될 수 있 다 . 따라서 , 이미지 센싱 장치 의 레그 ( lag ) 특성 이 향상 될 수 있 다 .