또한 , 전자 의 이동도 를 향상 시키 기 위한 방법 중 에 는 스 페이서 질화 막 에 의한 인장 응력 ( tensile stress ) 을 인가 하 여 이동도 증가 에 기여 하 는 방법 ( nMOS 에 해당 ) 과 에피 탁 셜 실리콘 저마늄 ( Epitaxial - SixGe 1 - x ) 을 소스 / 드레 인 영역 에 적용 하 여 압축 응력 ( compressive stress ) 을 인가 하 므로써 이동도 증가 에 기여 하 는 방법 ( pMOS 에 해당 ) 이 있 다 .