다음 단계 의 공정 으로 , 도 5 c 에 도시 된 바 와 같이 , 상기 소스 / 드레 인 전극 ( 213 a , 213 b ) 을 포함 하 는 기판 위 에 층간 절연 층 ( 217 ) 을 형성 하 고 , 제 1 , 제 2 , 제 3 컨 택트 홀 ( 225 a , 225 b , 225 c ) 을 형성 한다 . 상기 층간 절연 층 ( 217 ) 은 산화 실리콘 ( SiO 2 ) 이나 질화 실리콘 ( SiOx ) 과 같 은 무기 절연 층 일 수 도 있 고 , 포토 아크릴 과 같 은 유기 절연 층 일 수 도 있 다 . 그리고 , 상기 사진 식각 기술 에 는 게이트 전극 ( 203 ) 형성 단계 에서 사용 한 하프톤 마스크 ( 229 ) 나 회절 마스크 가 다시 사용 된다 .