여기 서 , 트랜지스터 ( 162 ) 에 는 , 예 를 들 어 산화물 반도체 를 사용 한 트랜지스터 가 적용 된다 . 산화물 반도체 를 사용 한 트랜지스터 는 , 오프 전류 가 매우 작 다고 하 는 특징 을 갖 고 있 다 . 이 로 인해 , 트랜지스터 ( 162 ) 를 오프 상태 로 함 으로써 , 트랜지스터 ( 160 ) 의 게이트 전극 의 전위 를 매우 장시간 에 걸쳐 유지 하 는 것 이 가능 하 다 . 그리고 , 용량 소자 ( 164 ) 을 가짐 으로써 , 트랜지스터 ( 160 ) 의 게이트 전극 에 부여 된 전하 의 유지 가 용이 해 지 고 , 또한 , 유지 된 정보 의 판독 이 용이 해진다 . 또한 , 트랜지스터 ( 160 ) 에 대해서 는 특별히 한정 되 지 않 는다 . 정보 의 판독 속도 를 향상 시킨다는 관점 에서 는 , 예 를 들 어 단결정 실리콘 을 사용 한 트랜지스터 등 , 스위칭 속도 가 높 은 트랜지스터 를 적용 하 는 것 이 적합 하 다 .