메모리 셀 어레이 ( 160 ) 는 복수 개 의 낸드 형 셀 스트링 ( NAND Cell String ) 을 포함 할 수 있 다 . 각각 의 스트링 은 수직 또는 수평 방향 으로 채널 을 형성 할 수 있 다 . 메모리 셀 어레이 ( 160 ) 에 는 복수 개 의 워드 라인 들 이 수직 방향 으로 적층 될 수 있 다 . 각각 의 워드 라인 들 은 스트링 에 포함 되 는 메모리 셀 들 의 제어 게이트 를 구성 할 수 있 다 . 이 경우 , 메모리 셀 의 채널 은 수직 방향 으로 형성 될 수 있 다 .