여기 서 , " "" 통전 포 밍 "" 처리 로 형성 되 는 제 1 간극 ( 7 ) 은 ", 전류 가 흐르 는 방향 ( 보조 전극 ( 2 ) 과 보조 전극 ( 3 ) 이 대향 하 는 방향 ) 과 대체로 직교 하 는 방향 으로 연장 되 어 있 다 . 제 1 간극 ( 7 ) 은 직선 형상 뿐 만 아니 라 , 사행 형상 이 어도 된다 . 그리고 , 주로 사행 형상 이 형성 되 어도 된다 . 이 처리 에 의해 , 도전 성막 ( 4 ) 은 , 실질 적 으로 , 간극 ( 7 ) 을 사이 에 두 고 서로 대향 하 는 , 제 1 전극 ( 4 a ) 와 제 2 전극 ( 4 b ) 을 형성 한다 . 즉 , 이상 적 으로 는 , 간극 ( 7 ) 에 의해서 , 도전 성막 ( 4 ) 이 완전히 2 부분 으로 분할 된다 . 여기 서 , 도전 성막 ( 4 ) 은 2 개 로 완전히 분리 되 어 있 지 않 아도 된다 ( 매우 미세 한 영역 에서 제 1 전극 ( 4 a ) 과 제 2 전극 ( 4 b ) 이 접속 되 어 있 어도 된다 ) . 간극 ( 7 ) ( 제 1 전극 ( 4 a ) 과 제 2 전극 ( 4 b ) 의 사이 ) 이 충분히 고저 항인 상태 에 형성 되 어 있 기 만 하 면 , 실효 적 으로 문제 는 없 다 .