먼저 , 도 1 a 에 도시 된 바 와 같이 , 반도체 기판 ( 10 ) 의 활성 영역 을 정의 하 는 소자 분리 막 ( 20 ) 을 형성 한다 . 소자 분리 막 은 STI ( Shallow Trench Isolation ) 공정 을 통해 제작 한다 . 즉 , 먼저 반도체 기판 ( 10 ) 상 에 트랜 치 ( Trench ) 를 형성 하 고 , 트랜 치 내부 를 HDP ( High Density Plasma ) 산화 막 으로 매립 하 여 소자 분리 막 ( 20 ) 을 제작 한다 .