이어서 , 상기 발열 전극 용 제 2 도 전막 ( 206 ) 상 에 제 1 절연 물질 층 ( 306 ) 을 형성 한 후 패 터닝 하 여 , 도 5 의 제 1 절연 층 패턴 ( 208 a ) 보다 는 넓 은 W 2 의 폭 을 갖 는 제 1 절연 층 패턴 ( 308 ) 을 형성 한다 . 상기 제 1 절연 층 패턴 ( 308 ) 의 형성 으로 인해 발열성 전극 용 제 2 도 전막 ( 206 ) 의 일부 표면 이 노출 된다 . 상기 제 1 절연 층 패턴 ( 308 ) 은 상기 제 1 단위 상변화 메모리 소자 부분 ( c ) 및 제 2 단위 상변화 메모리 소자 부분 ( d ) 의 경계 부분 을 포함 하 여 넓 은 영역 에 걸쳐 형성 한다 . 상기 제 1 절연 층 패턴 ( 308 ) 은 실리콘 산화 막 이나 실리콘 질화 막 등 의 절연 특성 을 갖 는 막 질 로 형성 한다 .