도 3 b 및 도 4 b 를 참조 하 면 , 상기 액티브 영역 ( A / R ) 에서 의 게이트 형성 영역 ( G / R ) 이 돌출 되 도록 상기 게이트 형성 영역 ( G / R ) 과 접 한 SOG 절 연막 ( 206 ) 부분 을 식각 한다 . 상기 SOG 절 연막 ( 206 ) 을 식각 함 에 따라 핀 형상 을 갖 는 게이트 형성 영역 을 얻 을 수 있 으며 , 이러 한 핀 형상 의 게이트 형성 영역 은 트랜지스터 의 채널 폭 을 증가 시킬 수 있 다 .