플래시 메모리 는 절 연막 으로 차단 된 전도성 부유 게이트 ( Floating Gate ) 에 전하 를 주입 하 여 비트 정보 를 저장 할 수 있 다 . 그러나 , 메모리 셀 간 또는 메모리 셀 과 선택 트랜지스터 ( SSL , GSL ) 간 존재 하 는 용량 성 커플링 ( Capacitive Coupling ) 문제 로 인해 , 전도성 부유 게이트 구조 가 고집 적 화 에 물리 적 한계 를 가진 구조 로서 인식 되 고 있 다 . 전도성 부유 게이트 간 의 용량 성 커플링 문제 를 해결 하 기 위한 대안 으로 , 기존 의 전도성 부유 게이트 대신 에 Si 3 N 4 , Al 2 O 3 , HfAlO , HfSiO 등 과 같 은 전하 저장 층 , 특히 전하 포획 사이트 를 가질 수 있 는 막 을 이용 한 구조 가 대두 되 고 있 다 . 이러 한 막 을 전하 저장 층 으로 이용 하 는 플래시 메모리 구조 를 전하 트랩 형 플래시 ( Charge Trap Flash , " "" CTF "" 라 불림 ) 메모리 라 부른다 . "