다시 말 하 면 , 상기 복수 의 제 3 프로브 ( 30 c ~ 30 e ) 는 3 행 으로 배열 되 고 ( 제 2 전도성 접점 ( 55 b ~ 55 d ) 과 행수 와 동일 ) , 순서 는 아래 에서 위 로 제 2 전도성 접점 ( 55 b ~ 55 d ) 의 제 1 내지 제 3 행 ( L 1 ~ L 3 ) 에 대응 하 는 순서 이 고 , 위치 가 더 높 은 프로브 층 의 제 3 프로브 가 상기 제 2 프로브 베이스 ( 22 ) 로부터 더 먼 전도성 접점 과 점 접촉 하 고 , 위치 가 더 높 은 프로브 층 의 제 3 프로브 의 켄 틸 레버 부분 이 더 길 다 . 상기 복수 의 제 1 및 제 2 프로브 ( 30 a , 30 b ) 는 도 2 에 도시 된 바 와 같 은 평면도 에서 는 하나 의 행 으로 배열 된 것 으로 보이 지만 , 실질 적 으로 도 3 에 도시 된 바 와 같이 상이 한 높이 에서 2 개 의 행 으로 배열 된다 . 다만 해당 2 개 행 의 제 1 및 제 2 프로브 ( 30 a , 30 b ) 는 동일 한 행 으로 배열 된 제 1 전도성 접점 ( 55 a ) 까지 연장 되 므로 , 상기 복수 의 제 1 및 제 2 프로브 ( 30 a , 30 b ) 의 점 접촉 부분 ( 32 ) 의 끝단 과 상기 제 1 프로브 베이스 ( 21 ) 의 내 측면 ( 211 ) 의 수직 거리 ( d ) 는 실질 적 으로 동일 하 다 .