본 발명 은 쉐 어 드 비트 라인 구조 의 반도체 메모리 장치 에서 비트 라인 과 센스 앰프 를 연결 하 기 위한 연결부 의 저항 값 을 줄일 수 있 는 반도체 메모리 장치 를 제공 하 기 위한 것 으로 , 이 를 위해 본 발명 은 데이터 신호 를 감지 증폭 하 기 위한 센스 앰프 ; 입력 된 어드레스 에 대응 하 는 다수 의 제 1 워드 라인 과 , 상기 다수 의 제 1 워드 라인 중 선택 된 워드 라인 에 대응 하 는 데이터 신호 를 상기 센스 앰프 로 전달 하 기 위한 제 1 연결부 를 구비 한 제 1 셀 어레이 ; 및 상기 어 드레스 에 대응 하 는 다수 의 제 2 워드 라인 과 , 상기 다수 의 제 2 워드 라인 중 선택 된 워드 라인 에 대응 하 는 데이터 신호 를 상기 센스 앰프 로 전달 하 기 위한 제 2 연결부 를 구비 한 제 2 셀 어레이 를 구비 하 는 반도체 메모리 장치 를 제공 한다 .