상기 와 같 은 목적 을 달성 하 기 위하 여 본 발명 은 , 반도체 소자 의 양자 점층 형성 방법 으로서 , 반도체 기판 상부 에 터널 산화 막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 터널 산화 막 을 표면 을 HF 로 소수성 화 처리 하 는 단계 와 , 상기 소수성 화 된 터널 산화 막 의 상부 에 비 결정 형 물질 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 비 결정 형 물질 을 어닐링 시켜 양자 점층 을 형성 하 는 단계 를 포함 한다 .