도 14 c 를 참조 하 면 , 금속 입자 ( 125 , 도 14 b 참조 ) 를 포함 한 버퍼 층 ( 200 ) 에 예컨대 , 금속 입자 ( 125 ) 가 화학 반응 의 촉진제 로써 금속 입자 ( 125 ) 가 있 는 부분 에서 만 식각 이 일어나 거나 , 다른 부분 보다 빠른 식각 속도 를 갖 도록 하 는 역할 의 식각 공정 을 수행 함 으로써 , 기판 ( 100 ) 의 상면 에 광파 장 이하 ( Subwavelength ) 의 주기 를 갖 는 나노 구조 버퍼 층 ( 200 ') 을 형성 할 수 있 으며 , 경우 에 따라 잔여 금속 입자 ( 125 ') 가 화학 적 식각 후 기판 ( 100 ) 상면 에 남 아 있 을 수 있 으며 , 필요 시 추가 적 화학 적 식각 공정 을 통하 여 도 14 d 와 같이 제거 할 수 있 다 .