이 들 재료 중 의 어느 하나 의 막 은 일반 적 으로 스퍼터링 법 에 의해 형성 된다 . 예 를 들 면 , 산화 인듐 아연 ( IZO ) 은 산화 인듐 에 1 내지 20 중량 % 의 산화아연 을 첨가 한 표적 을 사용 하 는 스퍼터링 법 에 의해 형성 될 수 있 으며 , 산화 텅스텐 및 산화아연 을 함유 하 는 산화 인듐 은 산화 인듐 에 0 . 5 내지 5 중량 % 의 산화 텅스텐 과 0 . 1 내지 1 중량 % 의 산화아연 을 첨가 한 표적 을 사용 하 는 스퍼터링 법 에 의해 형성 될 수 있 다 . 대안 으로 , 상기 제 1 층 ( 111 ) 은 진공 증착 법 , 잉크젯 법 , 스핀 피복 법 등 에 의해 형성 시킬 수 있 다 .