상기 의 광변조 층 ( 1 ) 전사 의 제조 방법 은 구체 적 으로 다음 과 같 다 . 즉 , 우선 도 5 에 도시 된 구조 에 따라 마이크 로 나노 가공 을 통하 여 기판 에 홀 을 만들 어 사전 제조 되 는 광변조 층 ( 1 ) 을 획득 한다 . 그 다음 상기 사전 제조 된 광변조 층 ( 1 ) 을 이미지 감지 층 ( 1 ) 으로 전사 한다 . 구체 적 으로 , 광변조 층 ( 1 ) 전사 방법 의 과정 은 다음 과 같 다 . 즉 , 우선 상기 파라미터 에 근거 하 여 실리콘 판 혹은 SOI ( 실리콘 - 절연체 - 실리콘 판 구조 ) 상 에 광변조 층 ( 1 ) 을 제조 하 여 획득 한 후 , 전사 방법 을 통하 여 이미지 감지 층 ( 2 ) 으로 전사 하 며 , 마지막 으로 광변조 층 ( 1 ) 과 이미지 감지 층 ( 2 ) 전체 를 전기 적 연결 을 통하 여 신호 처리 회로 층 ( 3 ) 에 연결 하 면 된다 .