본 명세서 의 다른 실시 예 에 다른 표시 장치 ( 100 ) 는 구동 박막 트랜지스터 로 사용 되 는 제 2 박막 트랜지스터 ( 320 ) 의 특성 ( s - factor ) 값 을 저하 시킬 수 있 는 수소 의 확산 을 방지 하 기 위하 여 , 제 2 박막 트랜지스터 ( 320 ) 의 제 2 액티브 층 ( 321 ) 과 중첩 되 는 영역 에 는 산화 실리콘 ( SiOx ) 물질 로 이루어진 제 1 층간 상부 절연 층 ( 113 b ) 만 을 형성 할 수 있 다 . 그리고 , 스위칭 박막 트랜지스터 로 사용 되 는 제 1 박막 트랜지스터 ( 310 ) 의 제 1 액티브 층 ( 311 ) 과 중첩 되 는 영역 에 는 질화 실리콘 ( SiNx ) 물질 로 이루어진 제 1 층간 하부 절연 층 ( 113 a ) 및 수소 함량 이 상대 적 으로 낮 은 산화 실리콘 ( SiOx ) 물질 로 이루어진 제 1 층간 상부 절연 층 ( 113 b ) 이 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 제 1 층간 상부 절연 층 ( 113 b ) 은 이산화 규소 ( SiO 2 ) 물질 로 형성 될 수 있 다 .