구동 회로 에서 의 트랜지스터 가 n - 채널 트랜지스터 인 상기 실시 예 들 을 구성 하 였 다 . 트랜지스터 가 p - 채널 트랜지스터 이 거나 , n - 채널 및 p - 채널 의 소정 의 조합 인 실시 예 들 이 , 회로 에 대한 적절히 주지 된 수정 으로 , 본 발명 에서 또한 유용 할 수 있 음 을 당업자 는 이해 할 것 이 다 . 또한 , 전술 한 실시 예 는 비 - 반전 ( 공통 - 캐소드 ) 에서 의 OLED 를 나타낸다 ; 본 발명 은 또한 반전 ( 공통 - 애노드 ) 구성 에 적용 된다 . 구동 회로 에서 의 트랜지스터 가 a - Si 트랜지스터 인 상기 실시 예 들 을 더 구성 하 였 다 . 상기 실시 예 들 은 시간 의 함수 로서 안정 적 이 지 않 은 임의 액티브 매트릭스 백 플레인 에 적용 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 유기 반도체 물질 및 아연 산화물 로부터 형성 된 트랜지스터 는 시간 의 함수 로서 변한다고 알려져 있 으며 그러므로 이 동일 한 접근 은 이 들 트랜지스터 에 적용 될 수 있 다 . 또한 , 본 발명 이 트랜지스터 노화 에 상관 없이 EL 디바이스 노화 를 보상 할 수 있 음 에 따라 , 본 발명 은 또한 LTPS TFT 와 같 은 , 노화 하 지 않 은 트랜지스터 를 가지 는 액티브 - 매트릭스 백 플레인 에 적용 될 수 있 다 . 본 발명 은 또한 OLED 이외 의 EL 디바이스 에 적용 된다 . 다른 EL 디바이스 유형 의 저하 모드 가 전술 한 저하 모드 와 다를 수 있 더라도 , 본 발명 의 측정 , 모델 링 및 보상 기술 은 여전히 적용 될 수 있 다 .