구체 적 으로 는 , 상기 절 연막 상 에 텅스텐 막 을 형성 한 후 , 반도체 기판 의 셀 영역 에 형성 된 텅스텐 막 을 1 차 CMP 하 여 절 연막 을 노출 시킨다 . 그런 다음 , 상기 노출 된 셀 영역 의 절 연막 을 2 차 CMP 하 여 절 연막 의 평탄 화 를 이루 고 , 상기 주변 영역 의 잔류 된 텅스텐 막 을 3 차 CMP 하 여 제거 한다 .