소자 가 축소 화 되 어 감 에 따라 66 nm 소자 에서 는 절 연막 을 143 Å 의 두께 로 증착 하 고 , 54 nm 소자 에서 는 절 연막 을 135 Å 의 두께 로 증착 하 여 절 연막 증착 두께 를 줄이 고 있 으나 , 랜딩 플러그 콘 택 ( LPC ) 홀 오픈 공정 시 반도체 기판 ( 100 ) 이 제대로 오픈 되 지 않 고 있 는 실정 이 다 . 따라서 , 본 발명 에서 는 제 1 절 연막 ( 116 ) 을 10 Å 내지 50 Å 의 두께 로 형성 하 였 다 .