본 발명 의 일 실시 예 에 따른 메모리 시스템 은 , 소거 상태 및 복수 의 프로그램 상태 들 중 어느 하나 의 상태 를 각각 갖 는 메모리 셀 들 을 포함 하 는 비휘발성 메모리 장치 ; 및 상기 복수 의 프로그램 상태 들 중 적어도 하나 의 프로그램 상태 에 대응 하 는 문턱 전압 분포 를 기반 으로 , 상기 소거 상태 및 복수 의 프로그램 상태 들 중 적어도 하나 의 상태 에 대응 하 는 최적 리드 전압 을 추정 하 는 메모리 컨트롤러 를 포함 하 되 , 상기 메모리 컨트롤러 는 , 상기 복수 의 프로그램 상태 들 중 제 1 프로그램 상태 에 대응 하 는 제 1 문턱 전압 분포 를 확인 하 고 , 상기 제 1 문턱 전압 분포 의 평균 문턱 전압 을 결정 하 는 문턱 전압 분포 확인 부 ; 및 상기 제 1 문턱 전압 분포 의 평균 문턱 전압 과 상기 제 1 문턱 전압 분포 의 일 측 에 대응 하 는 제 1 최 적 리드 전압 을 기반 으로 , 상기 제 1 문턱 전압 분포 의 타 측 에 대응 하 는 제 2 최 적 리드 전압 을 추정 하 는 최적 리드 전압 추정 부 를 포함 할 수 있 다 .