상기 마스크 패턴 들 ( 31 ) 및 상기 하드 마스크 패턴 들 ( 25 ') 을 식각 마스크 로 사용 하 여 상기 노출 된 기판 ( 21 ) 을 식각 하 여 제 4 개 구부 ( 21 H ) 를 형성 할 수 있 다 . 상기 노출 된 기판 ( 21 ) 의 식각 에 는 이방성 식각 공정 이 적용 될 수 있 다 . 이 경우 에 , 상기 제 4 개 구부 ( 21 H ) 의 크기 는 상기 제 3 개 구부 ( 25 H ) 에 의하 여 결정 될 수 있 다 . 즉 , 상기 제 4 개 구부 ( 21 H ) 는 상기 사진 공정 의 한계 해상도 보다 작 은 크기 로 형성 될 수 있 다 .