상기 기판 을 연마 하 여 , 두께 를 얇 게 하 는 공정 은 , 유리 연마기 , 유리 감삭 기 등 을 적합 하 게 조합 하 여 사용 할 수 있 다 . 이 연마 하 는 공정 에 의해 다 이싱 블레이드 의 소모 를 저감 할 수 있 다 . 또한 , 상기 수지 층 을 형성 하 는 것 으로 , 두께 가 얇 은 기판 을 핸들링 할 때 , 및 분단 하 는 공정 시 에 , 원 하 는 소자 에 균열 이 생기 는 것 을 저감 할 수 있 다 . 또 , 분단 후 의 소자 를 취급 할 때 에 소자 끼리 가 충돌 한 경우 의 , 상처 , 균열 을 저감 하 여 , 소자 의 외관 검사 에 있 어서 의 수율 을 향상 시킬 수 있 다 . 또 , 분단 후 의 기판 의 두께 가 얇 기 때문 에 , 본 발명 의 반도체 장치 가 탑재 되 는 장치 의 사이즈 를 작 게 할 수 있 다 .