본 발명 의 반도체 장치 의 제조 방법 은 , 상기 서술 한 기판 을 제거 하 는 공정 후 에 , 기판 의 제거 에 의해 노출 된 면 ( 즉 , 배선 층 ) 상 에 범프 등 의 전극 을 형성 하 는 공정 을 갖 는 것 이 바람직 하 다 . 이 에 따라 , 기판 이 제거 되 고 , 전극 이 형성 된 반도체 장치 집합체 ( 복수 의 반도체 소자 가 일괄 봉지 된 반도체 장치 ) 가 제작 된다 .