도 1 e 를 참조 하 면 , 제 1 도 전막 ( 104 ) 사이 에 노출 된 반도체 기판 ( 100 ) 을 식각 하 여 트렌치 ( 117 a ) 를 형성 한다 . 트렌치 를 형성 하 기 위한 식각 공정 시 , 폴리머 ( 118 ) 의 발생 으로 인하 여 트렌치 ( 117 a ) 도 깊이 가 깊 어 질수록 측벽 간 의 폭 이 점차 좁 아 지 는 오벨리스크 ( obelisk ) 타입 으로 형성 된다 .