도 6 을 참조 하 여 , 전하 - 트랩 핑 재료 ( 44 ) 가 표면 ( 67 ) 에 비하 여 처리 된 표면 ( 69 ) 을 따라서 선택 적 으로 형성 된다 . 전하 트랩 핑 재료 ( 44 ) 는 임의 의 적절 한 조성물 을 포함 할 수 있 고 , 일부 실시 예 에서 는 실리콘 질화물 , 실리콘 산화 질화물 및 , 루테늄 산화물 중 하나 이상 을 포함 할 수 있 다 . 일 실시 예 에서 , 전하 - 트랩 핑 재료 는 실리콘 질화물 을 포함 하 거나 , 이 들 로 본질 적 으로 구성 되 거나 , 또는 이 들 로 구성 되 고 , 원자 층 증착 ( ALD ) , 및 / 또는 화학 적 기상 증착 ( CVD ) 및 / 또는 임의 의 다른 적절 한 방법 을 이용 하 여 표면 ( 67 ) 에 비하 여 처리 된 표면 ( 69 ) 상 에 선택 적 으로 형성 된다 . 이러 한 방법 은 표면 ( 67 ) 에 비해 처리 된 표면 ( 69 ) 을 따라 상이 한 핵 형성 속도 를 이용 할 수 있 고 및 / 또는 표면 ( 67 ) 에 비해 처리 된 표면 ( 69 ) 의 물리 적 특성 의 다른 차이 를 이용 할 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 전하 - 트랩 핑 재료 ( 44 ) 의 실리콘 질화물 은 적절 한 온도 ( 예 를 들 어 , 약 900 ℃ 를 초과 하 는 온도 ) 에서 표면 ( 69 ) 의 실리콘 원자 와 질소 - 함유 전구체 ( 즉 , 질소 , 또는 예 를 들 어 , 암모니아 와 같 은 질소 - 함유 화합물 ) 을 반응 시킴 으로써 형성 될 수 있 다 . 전하 - 트랩 핑 재료 ( 44 ) 은 예 를 들 어 , 약 5 nm 내지 약 10 nm 의 범위 내 의 두께 와 같 은 임의 의 적절 한 두께 로 형성 될 수 있 다 .