프로세스 유연 성 은 공급 가스 들 의 정확 한 비율 을 사용 함 으로써 달성 될 수 도 있 다 . 예컨대 , 실리콘 기판 ( 212 ) 의 에칭 레이트 는 총 공급 가스 플로우 에 대한 SF 6 의 비율 을 변경 함 으로써 개선 될 수 도 있 다 . 다른 예 에서 , 실리콘 피쳐 의 표면 거칠 기 는 총 가스 공급 플로우 에 대한 HBr 의 비율 을 변경 함 으로써 개선 될 수 도 있 다 . 또 다른 예 에서 , 수직 하 거나 ( 222 ) 또는 테이퍼 된 ( 220 ) 원 하 는 프로파일 각도 는 총 공급 가스 플로우 에 대한 SiF 4 의 비율 을 변경 함 으로써 달성 될 수 도 있 다 . 또한 , 공급 가스 들 의 비율 은 , 예컨대 , 1 미크론 으로부터 200 미크론 까지 의 범위 의 범위 피쳐 사이즈 들 ( 218 ) 에 대한 것 , 또는 유기 - 기반 또는 무기 - 기반 마스크 들 ( 202 ) 에 대한 것 과 같 은 다양 한 웨이퍼 컨디션 들 에 대해 원 하 는 프로세스 성능 을 산출 하 기 위해 최적 화 될 수 도 있 다 . SiF 4 에 대한 바람직 한 범위 는 0 sccm 내지 300 sccm 이 고 , 100 sccm 내지 200 sccm 인 것 이 더 바람직 하 며 , 가장 바람직 한 값 은 150 sccm 이 다 . HBr 에 대해 , 바람직 한 범위 는 0 sccm 내지 50 sccm 이 고 , 20 sccm 내지 40 sccm 인 것 이 더 바람직 하 며 , 가장 바람직 한 값 은 30 sccm 이 다 . O 2 에 대해 , 바람직 한 범위 는 100 sccm 내지 225 sccm 이 고 , 150 sccm 내지 225 sccm 인 것 이 더 바람직 하 며 , 190 sccm 내지 205 sccm 인 것 이 가장 바람직 하 다 . SF 6 에 대한 바람직 한 범위 는 200 sccm 내지 300 sccm 이 다 .