또한 , 상기 퓨전 본딩 은 각각 의 실리콘 웨이퍼 를 고온 으로 가열 하 여 그 들 사이 에 실리콘 산화 막 을 형성 하 여 접합 하 기 때문 에 , 웨이퍼 표면 처리 가 필수 적 이 며 , 계면 에 실리콘 산화 막 이 형성 되 어야 하 므로 매우 고온 에서 접합 이 이루어지 며 , 예컨대 , 900 ℃ 이상 의 고온 공정 이 필요 하 므로 공 정상 호환 성 이 작 다 . 또한 , 웨이퍼 의 표면 파티클 ( particle ) 이 본딩 수율 에 미치 는 영향 이 매우 크 며 , 표면 거칠 기 역시 본딩 수율 에 큰 영향 을 미치 는 문제점 이 있 다 .