희생 층 ( 13 ) 은 절연 층 ( 12 ) 에 대해 선택 적 으로 제거 될 수 있 는 희생 물질 을 포함 할 수 있 다 . 여기 서 , 희생 층 ( 13 ) 의 제거 는 절연 층 ( 12 ) 에 대해 선택 적 일 수 있 다 . 희생 층 ( 13 ) 의 제거 속도 와 절연 층 ( 12 ) 의 제거 속도 비율 은 절연 층 ( 12 ) 에 대한 희생 층 ( 13 ) 의 제거 공정 의 선택 비 라고 지칭 될 수 있 다 . 희생 층 ( 13 ) 은 절연 물질 을 포함 할 수 있 다 . 희생 층 ( 13 ) 은 후속 공정 에서 도전 성 물질 로 치환 될 수 있 다 . 예컨대 , 수직 형 NAND 장치 의 게이트 전극 ( 또는 워드 라인 ) 으로 치환 될 수 있 다 . 희생 층 ( 13 ) 은 실리콘 질화물 , 비정질 실리콘 또는 폴리 실리콘 을 포함 할 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 희생 층 ( 13 ) 은 실리콘 질화물 을 포함 할 수 있 다 . 본 실시 예 에서 , 절연 층 ( 12 ) 은 실리콘 산화물 을 포함 할 수 있 고 , 희생 층 ( 13 ) 은 실리콘 질화물 을 포함 할 수 있 다 . 절연 층 ( 12 ) 은 화학 기상 증착 법 ( CVD ) 또는 원자 층 증착 법 ( ALD ) 에 의해 증착 될 수 있 다 . 희생 층 ( 13 ) 은 화학 기상 증착 법 또는 원자 층 증착 법 에 의해 증착 될 수 있 다 . 하부 교번 스택 ( 11 L ) 의 최 하부 층 과 최 상부 층 은 절연 층 ( 12 ) 일 수 있 다 . 절연 층 ( 14 ) 과 희생 층 ( 13 ) 은 동일 두께 일 수 있 다 .