도 6 을 참조 하 여 살펴보 면 , 제 3 실시 예 에 따른 반도체 장치 는 주파수 감지 부 ( 100 ) , 제 1 전압 생 성부 ( 500 ) , 제 2 전압 생 성부 ( 600 ) 를 구비 한다 . 주파수 감지 부 ( 100 ) 는 도 1 과 도 2 에 도시 된 회로 를 이용 한다 . 제 1 전압 생 성부 ( 500 ) 는 인 에 이 블 신호 ( ENABLE ) 에 응답 하 여 구동 전압 ( OUT ) 을 생성 하 여 출력 한다 . 제 2 전압 생 성부 ( 600 ) 는 제 1 구동 전압 ( OUT 1 ) 과 같 은 전압 레벨 을 가지 는 보조 구동 전압 ( OUT 2 ) 을 생성 하 여 , 주파수 감 지부 에서 출력 하 는 주파수 비교 신호 에 응답 하 여 보조 구동 전압 ( OUT 2 ) 을 선택 적 으로 출력 한다 .