본 발명 의 제 5 양태 에 관련 된 기판 처리 방법 은 , 상기 제 3 양태 에 관련 된 기판 처리 장치 를 사용 한 기판 처리 방법 으로서 , 상기 피 처리 기판 을 상기 가스 처 리부 로 반송 하 고 , 이 가스 처 리부 에 상기 불소 를 함유 하 는 처리 가스 를 도입 하 고 , 상기 피 처리 기판 을 , 상기 불소 를 함유 하 는 처리 가스 를 포함 하 는 분위기 하 에서 가스 처리 하 고 , 상기 피 처리 기판 의 표면 에 불소 를 함유 하 는 반응 생성물 을 형성 하 는 제 1 공정 과 , 상기 가스 처리 후 의 피 처리 기판 을 상기 가스 처 리부 로부터 상기 가 열 처 리부 로 반송 하 고 , 이 가열 처 리부 에 있 어서 , 상기 가스 처리 후 의 피 처리 기판 을 가열 처리 하 고 , 상기 불소 를 함유 하 는 반응 생성물 을 분해 하 는 제 2 공정 과 , 상기 가열 처리 후 의 피 처리 기판 을 상기 가열 처 리부 로부터 상기 가스 처 리부 로 반송 하 고 , 이 가스 처 리부 에 상기 불소 와 반응 하 는 반응 가스 를 도입 하 여 상기 피 처리 기판 을 상기 불소 와 반응 하 는 반응 가스 를 포함 하 는 분위기 하 에서 가스 처리 하 고 , 상기 가열 처리 후 의 피 처리 기판 의 표면 으로부터 불소 및 / 또는 불소 를 함유 하 는 화합물 의 잔사 를 제거 하 는 제 3 공정 을 구비 한다 .