외광 센서 의 기본 구성 은 , 도 5 와 같 은 등 가 회로 나 평면 패턴 이 적용 할 수 있 다 . 단 , 외광 센서 의 포토 다이오드 는 , 광센서 로서 의 포토 다이오드 ( PD ) 와 는 , 박막 반도체 층 의 재료 등 이 달라도 좋 다 . 예 를 들 면 , 외광 센서 는 , 350 ㎚ 부터 700 ㎚ 의 파장 범위 로 규정 되 는 가시 광 에 감도 를 갖 도록 , 외광 센서 의 박막 반도체 층 을 , 에너지 밴드 갭 이 브로드 하 게 분포 하 고 있 는 어모퍼스 실리콘 또는 미결정 실리콘 으로 형성 하 면 좋 다 . 예 를 들 면 , 외광 센서 의 박막 반도체 층 으로서 는 , 그 에너지 밴드 갭 이 1 . 6 eV 의 것 을 이용 할 수 있 다 .