도 1 에 있 어서 파선 ( 破線 ) 으로 나타내 는 리플렉터 ( 50 ) 는 , 반도체 소자 가 탑재 되 는 측 ( 리플렉터 ( 50 ) 의 표면 측 ) 에 오목 부를 구비 하 고 또 한 리플렉터 ( 50 ) 의 이면 측 에 바닥 을 구비 하 여 형성 된다 . 리플렉터 ( 50 ) 는 , 소정 의 내열성 ( 耐熱 性 ) 및 소정 의 기계 적 강도 를 구비 하 는 절연성 ( 絶緣 性 ) 의 수지 재료 또는 세라믹 재료 또는 이 들 의 복합 재료 로 형성 된다 . 리플렉터 ( 50 ) 가 수지 재료 로 형성 되 는 경우 , 리플렉터 ( 50 ) 는 수지성 형 에 의하 여 형성 할 수 있 다 .