각각 의 제 1 식각 저지 패턴 ( 230 ) 상 에 제 2 식각 저지 패턴 ( 240 ) 이 제공 될 수 있 다 . 제 2 식각 저지 패턴 ( 240 ) 은 제 2 방향 ( D 2 ) 으로 연장 하 는 베이스 부 ( 241 ) 및 상기 베이스 부 ( 241 ) 에서 기판 ( 100 ) 을 향해 돌출 하 는 필링 부들 ( 242 ) 을 포함 할 수 있 다 . 제 1 및 제 3 트렌치 들 ( TR 1 , TR 3 ) 은 필링 부들 ( 242 ) 에 의해 완전히 채워질 수 있 다 . 제 2 트렌치 ( TR 2 ) 는 필링 부들 ( 242 ) 및 후술 하 는 비아 ( VA ) 에 의해 완전히 채워질 수 있 다 . 일 예 로 , 제 2 식각 저지 패턴 ( 240 ) 은 SiOC , SiCN 및 SiCOH 중 적어도 하나 를 포함 할 수 있 다 . 제 2 식각 저지 패턴 ( 240 ) 은 제 1 식각 저지 패턴 ( 230 ) 의 상부 막 들 ( 232 ) 과 동일 한 종류 의 원소 들 을 포함 할 수 있 지만 , 제 2 식각 저지 패턴 ( 240 ) 의 조성 과 제 1 식각 저지 패턴 ( 230 ) 의 상부 막 ( 232 ) 의 조성 은 서로 다를 수 있 다 .