상기 양자 우물 층 과 양자 장벽층 으로 이루어지 는 활성 층 은 InXGa 1 - XN ( 0 ≤ X ≤ 0 ) 의 일반식 으로 표현 되 며 , 이러 한 활성 층 을 이루 는 물질 의 종류 에 따라 발광 다이오드 의 발광 파장 이 결정 된다 . 활성 층 에 는 하나 의 양자 우물 층 을 갖 는 단일 양자 우물 ( single quantum well : SQW ) 구조 와 약 100 Å 보다 작 은 복수 개 의 양자 우물 층 을 갖 는 다중 양자 우물 ( multi quantum well : MQW ) 구조 가 있 다 . 이 중 에서 특히 다 중양자 우물 구조 의 활성 층 은 단일 양자 우물 구조 의 활성 층 에 비해 전류 대비 광 효율 이 우수 하 고 높 은 발광 출력 을 가지 므로 더욱 바람직 하 게 사용 될 수 있 다 .