전극 부분 ( 5 a ) 에 포함 된 제 2 전극 층 ( E 2 ) 은 제 1 전극 층 ( E 1 ) 상 에 그리고 주 표면 ( 3 a ) 상 에 배치 된다 . 전극 부분 ( 5 a ) 에서 , 제 2 전극 층 ( E 2 ) 은 전체 제 1 전극 층 ( E 1 ) 을 커버 한다 . 전극 부분 ( 5 a ) 에서 , 제 2 전극 층 ( E 2 ) 은 전체 제 1 전극 층 ( E 1 ) 과 접촉 한다 . 전극 부분 ( 5 a ) 에 포함 된 제 2 전극 층 ( E 2 ) 은 주 표면 ( 3 a ) 의 한 부분 과 접촉 한다 . 주 표면 ( 3 a ) 의 한 부분 은 , 예 를 들 어 , 주 표면 ( 3 a ) 에서 , 단부 표면 ( 3 e ) 에 가까운 부분 영역 이 다 . 즉 , 주 표면 ( 3 a ) 의 한 부분 은 단부 표면 ( 3 e ) 에 가깝 다 . 전극 부분 ( 5 a ) 에 포함 된 제 2 전극 층 ( E 2 ) 은 주 표면 ( 3 a ) 상 에 위치 된 부분 ( E 21 ) 을 포함 한다 . 전극 부분 ( 5 a ) 은 리지 부분 ( 3 g ) 상 에서 4 층 이 고 , 주 표면 ( 3 a ) 상 에서 3 층 이 다 . 전극 부분 ( 5 a ) 에 포함 된 제 2 전극 층 ( E 2 ) 은 주 표면 ( 3 a ) 의 한 부분 및 전체 리지 부분 ( 3 g ) 을 커버 하 도록 형성 된다 . 위 에 설명 된 바 와 같이 , 주 표면 ( 3 a ) 의 한 부분 은 , 예 를 들 어 , 주 표면 ( 3 a ) 에서 , 단부 표면 ( 3 e ) 에 가까운 부분 영역 이 다 . 전극 부분 ( 5 a ) 에 포함 된 제 2 전극 층 ( E 2 ) 은 제 1 전극 층 ( E 1 ) 이 제 2 전극 층 ( E 2 ) 과 요소 바디 ( 3 ) 사이 에 위치 되 는 방식 으로 주 표면 ( 3 a ) 의 한 부분 및 전체 리지 부분 ( 3 g ) 을 간접 적 으로 커버 한다 . 전극 부분 ( 5 a ) 에 포함 된 제 2 전극 층 ( E 2 ) 은 주 표면 ( 3 a ) 의 한 부분 을 직접 커버 한다 . 전극 부분 ( 5 a ) 에 포함 된 제 2 전극 층 ( E 2 ) 은 리지 부분 ( 3 g ) 상 에 형성 된 제 1 전극 층 ( E 1 ) 의 전체 부분 을 직접 커버 한다 . 전극 부분 ( 5 a ) 에 포함 된 제 1 전극 층 ( E 1 ) 이 주 표면 ( 3 a ) 상 에 배치 되 는 경우 , 전극 부분 ( 5 a ) 은 주 표면 ( 3 a ) 및 리지 부분 ( 3 g ) 상 에서 4 층 이 다 . 전극 부분 ( 5 a ) 에 포함 된 제 1 전극 층 ( E 1 ) 이 주 표면 ( 3 a ) 상 에 배치 되 는 경우 , 제 2 전극 층 ( E 2 ) 의 부분 ( E 21 ) 은 주 표면 ( 3 a ) 과 접촉 하 는 부분 및 제 1 전극 층 ( E 1 ) 과 접촉 하 는 부분 을 포함 한다 .