도 38 을 참조 하 면 , 워드 라인 컷 개구부 ( 180 H ) ( 도 35 참조 ) 및 하부 개구부 ( 174 H ) 내부 에 제 1 반도체 층 ( 174 ) 을 채울 수 있 다 . 제 1 반도체 층 ( 174 ) 은 기판 ( 110 ) 과 제 2 반도체 층 ( 176 ) 사이 의 하부 개구부 ( 174 H ) 내부 를 채우 며 , 채널 구조물 ( C 140 C ) 의 측벽 ( C 140 S ) 과 접촉 하 도록 형성 될 수 있 다 .