상기 전자 보조 층 은 , 예 를 들 어 , 전자 의 주입 을 용이 하 게 하 는 전자 주입 층 ( EIL ) , 전자 의 수송 을 용이 하 게 하 는 전자 수송 층 ( ETL ) , 정공 의 이동 을 저지 하 는 정공 차단 층 ( HBL ) 또는 이 들 의 조합 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 전자 수송 층 과 캐소드 사이 에 전자 주입 층 이 배치 될 수 있 다 . 예컨대 정공 차단 층 은 발광 층 과 전자 수송 ( 주입 ) 층 사이 에 배치 될 수 있 으나 이 에 제한 되 지 않 는다 . 각 층 의 두께 는 적절히 선택 할 수 있 다 . 예컨대 , 각 층 의 두께 는 1 nm 이상 , 5 nm 이상 , 10 nm 이상 , 15 nm 이상 , 20 nm 이상 , 또는 25 nm 이상 및 500 nm 이하 , 400 nm 이하 , 300 nm 이하 , 200 nm 이하 , 100 nm 이하 , 90 nm 이하 , 80 nm 이하 , 70 nm 이하 , 60 nm 이하 또는 50 nm 이하 일 수 있 으나 이 에 제한 되 지 않 는다 . 전자 주입 층 은 증착 에 의해 형성 되 는 유기 층 일 수 있 다 . 전자 수송 층 은 무기 산화물 나노 입자 를 포함 하 거나 혹은 증착 에 의해 형성 되 는 유기 층 일 수 있 다 .