일반 적 으로 , 반도체 소자 에 사용 되 는 금속 배선 의 재료 로서 , 전기 전도도 가 매우 우수 한 알루미늄 ( Al ) 이 주로 이용 되 고 있 다 . 그런데 , 반도체 소자 의 고집 적 화 가 진행 됨 에 따라 , 금속 배선 과 하부 구조 물간 , 또는 , 상하 금속 배 선간 의 전기 적 연결 통로 를 제공 하 는 비 아홀 의 크기 도 작아지 고 있 는데 , 이럴 경우 , 상기 Al 을 이용 한 비 아홀 의 완전 매립 에 어려움 이 따르 게 되 고 , 심한 경우 오픈 ( open ) 불량 이 발생 하 기 도 한다 . 따라서 , 이러 한 Al 의 비 아홀 매립 문제 를 해결 하 기 위해 , 종래 에 는 매립 특성 이 우수 한 금속 막 , 예컨데 , 텅스텐 ( W ) 막 으로 비 아홀 을 완전 하 게 매립 시켜 , 이것 을 콘 택 플러그 ( contact plug ) 로서 이용 하 고 있 다 .