인버터 부 ( 144 ) 및 금속 라인 ( 252 ) 은 플 라즈 마 공정 에 의해 반도체 기판 상 에 형성 되 는데 , 상기 플 라즈 마 공정 에 의해 반도체 기판 으로 이온 들 이 유입 되 어 반도체 장치 에 손상 을 주 게 되 는 경우 가 있 다 . 그래서 , 본 발명 은 플 라즈 마 공정 후 에 바이어스 제 공부 ( 142 ) 에 기 설정 된 시간 동안 전원 을 인가 하 여 상기 인버터 부 ( 144 ) 및 금속 라인 ( 252 ) 가 형성 된 반도체 기판 으로 바이어스 를 인가 함 으로써 , 칩 상 에 쌓여 있 는 이온 들 을 디스 차징 ( discharging ) 시킨다 .