상기 구 조체 ( 100 ) 에 대해서 는 다양 한 구 현예 가 가능 하 다 . EUV 리소그래피 펠리 클 박막 으로 사용 되 는 실리콘 막 은 상대 적 으로 기계 적 강도 가 낮 아 두께 가 상대 적 으로 두꺼워야 하 는 반면 에 실리콘 질화 막 은 상대 적 으로 기계 적 강도 가 높 아 두께 가 상대 적 으로 얇 아도 되 는 이점 을 가지 지만 , 실리콘 질화 막 은 실리콘 막 대비 투과도 가 상대 적 으로 낮 은 바 , 이 를 해결 하 기 위하 여 , 실리콘 막 에 질소 를 이온 주입 하 고 열처리 하 여 실리콘 막 의 적어도 일부 에 실리콘 질화 막 을 형성 함 으로써 상대 적 으로 얇 은 두께 를 가지 면서 도 투과도 와 기계 적 강도 를 동시 에 효과 적 으로 확보 할 수 있 는 EUV 리소그래피 펠리 클 박막 을 구현 할 수 있 다 .