예 를 들 면 , 읽 기 회로 로서 는 , 도 4 에 나타내 는 구성 을 이용 할 수 가 있 다 . 도 4 에 있 어서 , 읽 기 회로 는 트랜지스터 ( 401 ) 과 센스 증폭 회로 ( 402 ) 를 갖 는다 . 읽 기 시 에 는 , 단자 ( A ) 는 읽 기 를 실시 하 는 메모리 셀 ( 190 ) 이 전기 적 으로 접속 된 비트 선 ( BL ＿ q ) 에 전기 적 으로 접속 된다 . 또한 , 트랜지스터 ( 401 ) 의 게이트 전극 에 는 바이어스 전위 ( Vbias ) 가 인가 된다 .