반도체 장치 가 개시 된다 . 반도체 장치 는 , 기판 상 에 배치 되 며 , 상기 기판 의 상면 에 수직 한 제 1 방향 으로 연장 되 는 채널 구조물 ; 상기 기판 상 에 배치 되 며 , 상기 채널 구조물 의 측벽 상 에서 상기 제 1 방향 으로 이격 되 어 배치 되 는 복수 의 게이트 전극 ; 및 상기 복수 의 게이트 전극 각각 과 상기 채널 구조물 사이 에 배치 되 는 게이트 절연 층 을 포함 하 고 , 상기 채널 구조물 은 상기 제 1 방향 으로 연장 되 는 바디 게이트 층 ; 상기 바디 게이트 층 의 측벽 을 둘러싸 는 전하 저장 구조물 ; 및 상기 전하 저장 구조물 의 측벽 을 둘러싸 는 채널 층 을 포함 한다 .