또한 , 상기 한 실시 형태 에 있 어서 의 플 라즈 마 처리 장치 ( 1 ) 는 , 처리 용기 ( 10 ) 와 , 정 전척 ( 40 ) 과 , 리프트 핀 ( 81 ) 과 , 하중 센서 ( 84 ) 와 , 구동 부 ( 85 ) 와 , 제 어 장치 ( 200 ) 를 구비 한다 . 정 전척 ( 40 ) 은 , 처리 용기 ( 10 ) 내 에 마련 되 고 , 반도체 웨이퍼 ( W ) 를 보 지 한다 . 리프트 핀 ( 81 ) 은 , 정 전척 ( 40 ) 을 관통 하 고 , 정 전척 ( 40 ) 에 보 지 된 반도체 웨이퍼 ( W ) 를 정전 척 ( 40 ) 으로부터 들 어 올린다 . 구동 부 ( 85 ) 는 리프트 핀 을 승강 시킨다 . 하중 센서 ( 84 ) 는 , 정 전척 ( 40 ) 으로부터 반도체 웨이퍼 ( W ) 가 들 어 올려질 때 에 , 리프트 핀 ( 81 ) 에 걸리 는 하중 값 을 측정 한다 . 제 어 장치 ( 200 ) 는 , 제 1 측정 공정 과 , 제 1 산출 공정 과 , 제 1 플 라즈 마 처리 공정 을 실행 한다 . 제 1 측정 공정 에서 는 , 하중 센서 ( 84 ) 를 이용 하 여 , 반도체 웨이퍼 ( W ) 를 보 지 하 는 정전 척 ( 40 ) 으로부터 처리 후 의 반도체 웨이퍼 ( W ) 를 리프트 핀 ( 81 ) 에 의해 들 어 올릴 때 에 리프트 핀 ( 81 ) 에 걸리 는 하중 값 ( L ) 이 측정 된다 . 제 1 산출 공정 에서 는 , 측정 된 하중 값 ( L ) 과 , 정 전척 ( 40 ) 과 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 사이 에 잔류 흡착 력 이 없 는 상태 에 있 어서 반도체 웨이퍼 ( W ) 를 리프트 핀 ( 81 ) 에 의해 들 어 올릴 때 에 리프트 핀 ( 81 ) 에 걸리 는 초기 하중 값 ( L 0 ) 에 기초 하 여 하중 값 ( L ) 의 변화 량 ( Δ L ) 이 산출 된다 . 제 1 플 라즈 마 처리 공정 에서 는 , 하중 값 ( L ) 의 변화 량 ( Δ L ) 이 미리 정해진 하중 문턱 값 ( Lth ) 이상일 경우 , 정 전척 ( 40 ) 의 표면 이 제 1 플 라즈 마 에 노출 된다 . 이 에 의해 , 정 전척 ( 40 ) 과 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 사이 에 잔류 하 는 분자간력 에 기초 한 흡착 력 을 저감 할 수 있 다 .