초전도체 는 부스러지 기 쉬운 물 성 을 가지 고 있 다 . 따라서 열처리 를 수행 하 여 제조 한 초전도체 를 자석 형태 로 감 게 되 면 굽힘 반경 , 권선 장력 , 전자기력 등 의 문제 로 초전도체 가 부스러져 초전 도 특성 이 크 게 감소 되 는 문제점 이 있 다 . 상기 문제점 을 해결 하 기 위하 여 권선 후 반응법 ( wind and react method ) 이 사용 된다 . 상기 권선 후 반응법 은 초전 도 선 을 우선 자석 모양 으로 감 은 후 열처리 하 는 방법 으로 초전도체 를 제조 하 는 방법 이 다 . 상기 권선 후 반응법 에 적용 되 는 접합 방법 은 인시 츄 ( in - situ ) 접합 방법 이 다 . 상기 인시 츄 접합 방법 은 접합 과 초전도체 변환 을 동시 에 수행 하 는 방법 이 다 . 그러나 인시 츄 ( in - situ ) 방법 으로 접합 된 MgB 2 초전 도 선 의 경우 , 15 K 에서 1 . 3 x 10 - 10 Ω 의 접합 저항 을 보여 MRI 용 초전 도 자기장 공급 장치 에 사용 하 기 어려운 문제점 이 있 었 다 .