먼저 , 상기 와 같이 일 측 제 1 면 의 에폭시 몰딩 컴 파운드 가 유입 되 는 게이트 ( 18 ) 가 형성 되 고 , 게이트 ( 18 ) 의 바로 뒤쪽 에 는 제 1 면 및 제 2 면 의 각 반도체 패 키 징 영역 ( 19 ) 으로 에폭시 몰딩 컴 파운드 를 분배 하 는 메인 분배 슬롯 ( 20 ) 이 관통 형성 된 서브 스트레이트 ( 10 ) 가 반도체 다이 부착 공정 ( 미도 시 됨 ) 에 제공 된다 .