도 2 b 를 참조 하 면 , 원거리 플 라즈 마 원자 층 증착 법 을 이용 하 여 유전체 막 을 형성 하 는 단계 로 , 챔버 외부 에 원거리 장치 를 함 으로써 이온 ( ion ) 에 영향 을 적 게 주 는 원거리 플 라즈 마 를 발생 시켜 제 1 유전체 막 ( 24 ) 으로 실리케이트 가 형성 된다 . 이때 300 내지 400 ℃ 의 증착 온도 에서 고유 전체 물질 을 주입 하 여 초기 싸이클 에서 실리케이트 가 형성 되 고 싸이클 수 , 플라 즈 마 파워 와 가스 종류 및 유량 에 따라 두께 를 조절 하 게 된다 .