일부 구 현예 들 에서 , SnO 2 층 의 수소 플 라즈 마 에칭 은 적어도 약 50 ％ 의 H 2 를 포함 하 는 프로세스 가스 로 형성 된 플 라즈 마 에 반도체 기판 을 노출 하 는 것 을 포함 한다 . 일부 실시 예 들 에서 , 에칭 은 약 100 ℃ 미만 의 온도 에서 수행 된다 . 기술 된 방법 들 은 좁 은 리세 스 된 피처 들 에 에 어 갭 들 을 형성 하 는데 특히 유용 하 다 . 일 구 현예 에서 , SnO 2 층 의 폭 은 약 20 내지 100 Å 이 다 .