상기 한 종래 의 방법 으로 InGaN 우물 층 을 성장 시키 면 , In 분리 ( In - segregation ) 현상 에 의하 여 실제 성장 된 InGaN 우물 층 ( a ) 의 In 조성 프로 파일 은 도 2 b 와 같이 나타나 게 된다 . 도 2 b 를 참조 하 면 , InGaN 우물 층 성장 단계 에 있 어서 성장 초기 에 형성 되 는 InGaN 내 의 In 함량 보다 성장 말기 에 형성 되 는 InGaN 내 의 In 함량 이 더 높 은 것 을 확인 할 수 있 다 . 즉 , 도 2 b 에 도시 된 바 와 같이 , GaN 장벽층 ( b ) 사이 에 형성 된 InGaN 우물 층 ( a ) 내의 In 함량 은 성장 방향 으로 갈수록 높 게 나타나 있 다 . 이러 한 In 분리 현상 은 활성 층 내의 In 조성 의 재현 성 을 현저 하 게 악화 시킴 으로써 , 소자 특성 의 균일성 을 확보 할 수 없 게 된다 . 또한 , 활성 층 내 의 광학 적 특성 이 현저히 열화 됨 으로써 고품질 발광 소자 를 얻 을 수 없 게 된다 . 특히 , In 함량 이 많 은 InGaN 우물 층 을 성장 시키 거나 좁 은 파장 의 반치 폭 을 성장 시키 기 위해서 는 , In 분리 현상 에 기인 하 는 InGaN 우물 층 및 활성 층 의 열화 를 방지 하 여야 한다 .