NAND 플래시 메모리 는 기록 처리 를 수행 하 기 이전 에 소거 처리 를 필요 로 하 는 반도체 메모리 이 다 . 그 서비스 수명 은 재 기록 동작 의 횟수 에 의존 한다 . NAND 플래시 메모리 의 데이터 기록 / 소거 동작 은 , 기판 과 제어 게이트 사이 에 고전압 을 인가 함 으로써 플로팅 게이트 에 대하 여 전자 를 주입 / 방출 시키 는 것 이 다 . 상기 동작 을 복수 회 수행 하 면 , 플로팅 게이트 부근 에 놓여 있 는 게이트 산화 막 이 열화 되 고 , 플로팅 게이트 에 주입 된 전자 가 적출 되 어 데이터 를 파괴 한다 . 즉 , 재 기록 동작 의 횟수 가 증가 되 는 경우 , 데이터 가 기록 된 이후 에 데이터 가 유지 되 는 기간 이 짧 아 지 게 된다 ( 유지 특성 이 저하 됨 ) .