3 층 레지스 트 프로세스 의 경우 , 도 1 의 ( A ) 에 도시 된 바 와 같이 , 기판 ( 1 ) 상 에 적층 된 피 가공 층 ( 2 ) 상 에 본 발명 의 유기 막 형성 용 조성물 을 이용 하 여 유기 막 ( 3 ) 을 형성 한 후 , 규소 함유 레지스 트 하층 막 ( 4 ) 을 형성 하 고 , 그 위 에 레지스 트 상 층막 ( 5 ) 을 형성 한다 .