B - B ′ 단면도 를 참조 하 면 , 반도체 기판 ( 31 ) 으로부터 수직 으로 돌출 된 활성 영역 ( 31 a ) 을 갖 고 그 양측 에 필드 산화 막 ( 32 ) 이 형성 되 어 있 으며 , 새 들 핀 의 표면 에 형성 된 게이트 절 연막 ( 34 ) 및 전체 구조 상부 에 형성 된 게이트 전극 ( 33 ) 을 갖 는 핀 트랜지스터 구조 가 형성 된다 . 이때 , 필드 산화 막 ( 32 ) 의 표면 위 로 돌출 된 활성 영역 ( 31 a ) 부분 즉 , 새 들 핀 의 높이 ( h 2 ) 는 제 2 요 홈 부 의 깊이 ( d 2 ) 에서 제 1 요 홈 부 의 깊이 ( d 1 ) 를 뺀 값 이 된다 .