상술 한 바 와 같이 , 본 실시 예의 기판 처리 장치 는 상부 전극 ( 120 ) 의 처짐 을 방지 하 기 위해 상부 전극 을 인장 하 는 인장 수단 ( 170 ) 을 포함 한다 . 인장 수단 ( 170 ) 은 커버 ( 110 ) 의 상부 에 위치 되 는 지지 부재 ( 160 ) 에 의해 지 지 되 어 , 상부 전극 ( 120 ) 과 결합 됨 으로써 상부 전극 을 인장 한다 . 이러 한 인장 수단 ( 170 ) 에 의해 상부 전극 ( 120 ) 의 처짐 이 방지 됨 으로써 , 상부 전극 ( 120 ) 과 가스 분배 판 ( 130 ) 사이 의 간격 이 일정 하 게 유지 되 어 , 기판 ( S ) 에 증착 되 는 박막 의 품질 을 향상 시킬 수 있 다 . 또한 , 인장 수단 ( 170 ) 에 의해 상부 전극 ( 120 ) 이 위 로 당겨 짐 으로써 , 상부 전극 ( 120 ) 과 연결 된 가스 분배 판 ( 130 ) 의 처짐 도 방지 할 수 있 다 . 또한 , 가스 분배 판 ( 130 ) 에 는 인장 수단 ( 170 ) 이 설치 되 지 않 으므로 , 분사 홀 ( 131 ) 은 가스 분배 판 ( 130 ) 에 일정 한 분포 밀도 로 형성 될 수 있 다 .