이때 , 플라 즈 마 강도 를 상술 한 바 와 같이 설정 하 고 있 으므로 , 도 12 의 좌측 에 모식 적 으로 도시 한 바 와 같이 , 플라 즈 마는 , 상층 측 의 반응 생성물 로부터 웨이퍼 ( W ) 의 표층 ( 실리콘 층 ) 에 근접 하 는 위치 에 까지 걸쳐서 진입 ( 투과 ) 한다 . 그 로 인해 , 웨이퍼 ( W ) 상 에 적층 된 반응 생성물 에 대해서 는 개질 이 막 두께 방향 에 걸쳐 행해 지 고 , 즉 플 라즈 마의 강도 를 제로 로 설정 해서 성막 한 상술 한 반응 생성물 에 대해서 개질 이 행해 지 고 , 한편 웨이퍼 ( W ) 의 표면 에 대해서 는 산화 가 억제 된다 . 이렇게 해서 반응 생성물 의 막 두께 가 예 를 들 어 20 Å ( 2 nm ) 이 될 때 까지 회전 테이블 ( 2 ) 을 회전 시킴 으로써 성막 스텝 과 개질 스텝 으로 이루어지 는 성막 - 개질 처리 를 예 를 들 어 복수 회 반복 한다 . 성막 스텝 을 반복 함 으로써 , 반응 생성물 의 막 두께 가 점차 증가 하 기 때문 에 , 각각 의 개질 스텝 에서 플 라즈 마가 도달 하 는 깊이 위치 는 , 점차 웨이퍼 ( W ) 의 표면 으로부터 상방 측 으로 이동 해 간다 . 또한 , 도 12 에서 , 상하 방향 으로 신장 되 는 화살표 는 플 라즈 마의 강도 를 모식 적 으로 도시 하고 있 다 . 후술 하 는 도 13 에 대해서 도 마찬가지 이 다 .