본 실시 형태 에서 , CVD ( Chemical vapor deposition ) 성막 이 라면 , 아미노 실란 가스 와 오존 가스 는 동시 에 처리 용기 ( 10 ) 내 에 공급 된다 . 한편 , ALD ( Atomic Layer Deposition ) 성막 이 라면 , 최초 에 , 아미노 실란 가스 만 을 처리 용기 ( 10 ) 내 에 공급 해서 웨이퍼 ( W ) 의 표면 에 흡착 시킨다 . 그 후 , 퍼지 가스 로 처리 용기 ( 10 ) 내 를 퍼지 한 후 , 오존 가스 만 공급 하 여 , 웨이퍼 ( W ) 의 표면 에 흡착 된 아미노 실란 가스 와 의 반응 에 의해 , 실리콘 산화 막 이 웨이퍼 ( W ) 의 표면 에 형성 된다 . 그 후 , 퍼지 가스 를 처리 용기 ( 10 ) 내 에 공급 한 후 , 또한 아미노 실란 가스 공급 , 퍼지 가스 공급 , 오존 가스 공급 , 퍼지 가스 공급 의 사이클 을 반복 함 으로써 , 부가 적 인 실리콘 산화 막 을 점차 웨이퍼 ( W ) 의 표면 에 퇴적 시킨다 .