제 1 절 연막 ( 170 ) 은 실리콘 산화물 , 실리콘 질화물 혹은 실리콘 산질 화물 을 사용 하 여 화학 증착 공정 ( CVD ) , 원자 층 증착 공정 ( ALD ) , 물리 증착 공정 ( PVD ) 등 을 통해 형성 할 수 있 다 . 예 시 적 인 실시 예 에 따르 면 , 제 1 절 연막 ( 170 ) 은 고온 산화물 ( HTO ) 혹은 중온 산화물 ( MTO ) 을 사용 하 여 대략 50 옹 스트롱 의 두께 를 갖 도록 형성 된다 .