소자 층 ( 230 ) 은 기판 ( 240 ) 상 에 형성 된 복수 의 단위 셀 ( 235 ) 을 포함 한다 . 도 3 에서 점선 으로 도시 된 단위 셀 ( 235 ) 은 하나 의 캐 패 시터 ( 232 ) 와 하나 의 트랜지스터 ( 234 ) 를 포함 한다 . 그러나 , 이 는 예시 적 이 며 , 반드시 이 에 한정 되 는 것 은 아니 다 . 즉 , 하나 의 단위 셀 ( 235 ) 은 트랜지스터 , 캐 패 시터 , 또는 저항 등 의 전기 적 단위 소자 를 더 포함 할 수 도 있 다 . 또한 , 트랜지스터 ( 234 ) 는 박막 트랜지스터 ( thin film transistor , TFT ) 일 수 있 다 . 이러 한 트랜지스터 ( 234 ) 는 Ge 2 Sb 2 Te 5 ( GST ) 또는 CuInSe 2 ( CIS ) 를 포함 하 는 박막 트랜지스터 일 수 있 으며 , 이 에 대한 형성 방법 은 하 기에 상세 하 게 설명 하 기 로 한다 . 또한 , 상술 한 단위 셀 ( 235 ) 은 기판 ( 240 ) 의 평면 상 에서 가로 및 세로 방향 으로 복수 개 배열 한 2 차원 어레이 ( array ) 를 구성 하 도록 형성 될 수 있 다 . 또한 , 상술 한 2 차원 어레이 는 반드시 모든 단위 셀 ( 235 ) 이 동일 한 평면 상 에 형성 되 는 것 으로 한정 되 는 것 은 아니 다 .