도 14 에 도시 되 어 있 는 바 와 같 은 프로세스 ( 304 ) 를 참조 하 면 , 돌출 반도체 핀 ( 126 ', 226 ') 의 폭 ( Wm 1 , Wm 2 ) ( 도 11 ) 이 측정 된다 . 측정 은 임계 치수 주사 전자 현미경 ( Critical Dimension Scanning Electron Microscope : CDSEM ) , 광학 임계 치수 ( Optical Critical Dimension : OCD ) 분광법 등 과 같 은 광학 측 정법 을 사용 하 여 수행 될 수 도 있 다 . 프로세스 ( 306 ) ( 도 14 ) 에서 , 측정 된 폭 ( Wm 1 , Wm 2 ) 은 돌출 반도체 핀 ( 126 ', 226 ') 의 타 겟 폭 ( Wt 1 , Wt 2 ) 과 각각 비교 된다 . 타 겟 폭 ( Wt 1 , Wt 2 ) 은 각각 돌출 반도체 핀 ( 126 ', 226 ') 의 의도 된 폭 이 다 . 예 를 들 어 , 핀 폭 차이 ( Wm 1 - Wt 1 ) 가 0 이거 나 음 의 값 이 면 , 돌출 반도체 핀 ( 126 ') 은 시닝 되 지 않 아야 한다 . 예 를 들 어 , 핀 폭 차이 ( Wm 2 - Wt 2 ) 가 0 이거 나 음 의 값 이 면 , 돌출 반도체 핀 ( 226 ') 은 시닝 되 지 않 아야 한다 . 그렇 지 않 으면 , 차이 [ ( Wm 1 - Wt 1 ) 및 ( Wm 2 - Wt 2 ) ] 중 하나 또는 모두 가 양 의 값 이 면 , 대응 돌출 반도체 핀 ( 126 ', 226 ') 이 시닝 되 고 , 도 14 의 프로세스 ( 308 ) 가 수행 된다 . 예시 된 예 에서 , 양 돌출 반도체 핀 ( 126 ', 226 ') 이 시닝 될 필요 가 있 는 것 으로 가정 된다 . 돌출 반도체 핀 ( 126 ', 226 ') 중 하나 가 시닝 될 필요 가 없 으면 , 대응 핀 에 대한 대응 에칭 - 레시피 생성 프로세스 , 핀 시닝 프로세스 , 시닝 후 재 측정 프로세스 , 및 재 작업 프로세스 등 이 스킵 된다 .