본 발명 에 따르 면 , 기생 저항 들 ( 47 A - 47 E ) 의 저항 값 에서 의 편차 들 에 기인 한 영향 들 은 반도체 디바이스 의 각각 의 핑거 ( 40 A - 40 E ) 에 대해 균일 한 트리거 전압 을 제공 하 기 위해 보상 된다 . 멀티 핑거 반도체 디바이스 에서 의 핑거 들 각각 의 바디 ( 46 A - 46 E ) 에서 의 전압 이 드레 인 들 ( 42 ) 에서 의 주어진 전압 에 대해 멀티 핑거 들 전체 에 걸쳐 실질 적 으로 동일 하 게 유지 되 도록 하 기 위해 , 그 보상 의 량 은 기생 저항 의 값 에 의존 한다 . 예 를 들 어 , 만약 특정 핑거 에서 기생 저항 값 이 높 다면 , 그 특정 핑거 에 연결 된 외부 전류 주입 소스 는 더 작 은 외부 전류 를 공급 하 거나 외부 전류 를 공급 하 지 않 는다 . 만약 또 다른 핑거 에서 기생 저항 값 이 낮 다면 , 그 특정 핑거 에 연결 된 외부 전류 주입 소스 는 더 많 은 외부 전류 를 공급 한다 .