종래 부터 광 리소그래피 기술 에서 는 웨이퍼 위 에 미세 한 회로 패턴 을 전사 하 여 집 적 회로 를 제조 하 기 위한 노광 장치 가 널리 이용 되 고 있 다 . 집 적 회로 의 고집 적 화 및 고 기능 화 경향 으로 , 집 적 회로 의 미세화 가 진행 되 고 있 다 . 따라서 , 노광 장치 에 는 깊 은 초점 심도 에서 웨이퍼 면 위 에 고해상도 의 회로 패턴 을 결상 시키 는 것 이 요구 되 고 있 으며 , 노광 광원 의 단 파장 화 가 진행 되 고 있 다 . 노광 광원 은 종래 의 g 선 ( 파장 436 nm ) , i 선 ( 파장 365 nm ) 또는 KrF 엑 시머 레이저 ( 파장 248 nm ) 로부터 더 나아가 ArF 엑 시머 레이저 ( 파장 193 nm ) 가 채용 되 기 시작 하 고 있 다 . 또한 , 회로 패턴 의 선 폭 이 70 nm 이하 가 되 는 차세대 의 집 적 회로 에 대응 하 기 위해 , 각각 ArF 엑 시머 레이저 를 사용 하 는 액침 리소그래피 기술 이나 이중 노광 기술 이 유력시 되 고 있 지만 , 이 기술 들 조차 도 선 폭 이 45 nm 인 세대 까지 밖 에 다룰 수 없 는 것 으로 보인다 .