도 4 a 내지 4 h 는 본 발명 의 일실 시예 에 따른 반도체 집적회로 장치 의 제조 방법 을 도시 한 평면 도 및 단면도 로서 , 특히 반도체 메모리 소자 를 예 로 들 어 나타낸 도면 이 다 . 본 발명 을 좀 더 명확히 표현 하 기 위해 2 차원 적 인 평면 도 및 단면도 를 이용 하 여 메모리 소자 의 제조 방법 을 설명 하 기 로 하 며 , 메모리 소자 의 셀 영역 ( A - B 단면 ) 과 주변 회로 영역 ( C - D 단면 ) 을 구분 하 여 설명 한다 . 이하 , 상측 에 도시 된 도면 이 평면도 이 며 , 하측 에 도시 된 도면 은 이 평면도 의 A - B 단면 도 및 C - D 단면도 이 다 .