메모리 디바이스 ( 112 ) 가 개구 내 에 그리고 하부 절연 구조물 ( 110 ) 의 윗면 ( 110 u ) 위 에 배치 된다 . 메모리 디바이스 ( 112 ) 는 하부 전극 ( 114 ) 과 상부 전극 ( 118 ) 사이 에 배열 된 데이터 저장 구조물 ( 116 ) 을 포함 한다 . 데이터 저장 구조물 ( 116 ) 은 하부 전극 ( 114 ) 및 상부 전극 ( 118 ) 에 인가 된 바이어스 전압 들 에 따라 제 1 데이터 상태 ( 예 를 들 어 , ' 0 ') 또는 제 2 데이터 상태 ( 예 를 들 어 , ' 1 ') 를 저장 하 도록 구성 된다 . 예 를 들 어 , 데이터 저장 구조물 ( 116 ) 내 에 제 1 데이터 상태 를 저장 하 기 위해 , 제 1 세트 의 바이어스 조건 들 이 하부 전극 ( 114 ) 및 상부 전극 ( 118 ) 에 인가 될 수 있 다 . 대안 적 으로 , 데이터 저장 구조물 ( 116 ) 내 에 제 2 데이터 상태 를 저장 하 기 위해 , 제 2 세트 의 바이어스 조건 들 이 하부 전극 ( 114 ) 및 상부 전극 ( 118 ) 에 인가 될 수 있 다 .