선택 된 디 지트 라인 ( 430 ) 을 플레이트 ( 405 ) 로 분로 시킨 후 , 타깃 논리 상태 ( 가령 , 액세스 동작 후 메모리 셀 ( 410 ) 에 의해 저장 될 논리 상태 ) 가 ( 가령 , 리 프레시 커맨드 또는 쓰 기 커맨드 를 기초 로 ) 식별 또는 결정 될 수 있 으며 메모리 어레이 ( 400 ) 와 연결 된 래치 에 저장 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 사용 자 데이터 ( 가령 , 메모리 어레이 ( 400 ) 에 써질 데이터 ) 가 메모리 어레이 ( 400 ) 와 연결 된 래치 에 저장 될 수 있 다 . 데이터 를 래치 에 저장 함 으로써 , 데이터 는 특정 환경 ( 가령 , 환경 의 서브 세트 동안 에 만 ) 메모리 셀 에 써질 수 있 다 . 예 를 들 어 , 플레이트 ( 405 ) 를 선택 하 기 전 에 디 지트 라인 ( 430 ) 및 워드 라인 ( 425 ) 을 선택 함 으로써 제 1 논리 상태 가 메모리 셀 ( 410 ) 에 저장 됐 을 수 있 다 . 따라서 타깃 논리 상태 가 제 1 논리 상태 인 경우 , 다음 쓰 기 동작 이 발생 할 필요 가 없 을 수 있 다 ( 즉 , 제 1 논리 상태 가 메모리 셀 ( 410 ) 에 이미 저장 되 어 있 기 때문 이 다 ) . 일부 예 에서 , 타깃 논리 상태 가 제 2 논리 상태 ( 가령 , " 논리 "" 0 "") 일 수 있 다 . 제 2 논리 상태 가 메모리 셀 ( 410 ) 에 써 지 도록 결정 된 경우 ", 제 2 논리 상태 가 래치 에 써질 수 있 고 , 선택 된 디 지트 라인 ( 430 ) 이 ( 가령 , 트랜지스터 ( 432 ) 를 통해 ) 플레이트 ( 405 ) 로부터 분리 될 수 있 으며 , 래치 를 이용해 ( 가령 , 래치 에 의해 생성 된 신호 를 기초 로 ) 제 2 논리 상태 가 메모리 셀 ( 410 ) 로 써질 수 있 다 . 본 명세서 에 언급 된 바 와 같이 , 액세스 동작 동안 메모리 셀 을 저 - 스트레스 ( 가령 , 무 - 스트레스 ) 상태 에 둠 으로써 메모리 셀 을 액세스 하 기 위한 이러 한 방식 이 , 다른 이점 들 중 에서 도 , 메모리 셀 상 의 스트레스 를 감소 시킬 수 있 다 . 예 를 들 어 , 이러 한 접근 법 은 저전압 성분 을 이용 하 고 , 액세스 동작 동안 디 지트 라인 또는 플레이트 라인 중 하나 이상 이 증가 하 여 되 는 전압 이하 의 공급 전압 을 갖 는 래치 의 사용 을 지원 할 수 있 다 .