실시 예 5 또는 비 교예 5 및 6 에서 얻 어 진 정극 활물질 에 대해 , 입자 내부 에 있 어서 의 붕소 원소 분포 를 평가 하 였 다 . 구체 적 으로 는 , 상기 와 같이 하 여 정극 을 제작 하 고 , 얻 어 진 정극 에 대해서 이온 밀링 장치 IM 400 PLUS ( HITACHI 사 제조 ) 를 이용 해서 진공 조건 하 에서 가공 하 여 정극 활물질 입자 의 단면 샘플 을 얻 었 다 . 가공 에 는 Ar 빔 을 사용 하 고 , 가공 시간 은 1 시간 으로 행하 였 다 . 얻 어 진 단면 샘플 에 있 어서 의 정극 활물질 입자 의 단면 에 있 어서 의 각 원소 의 검출 량 을 , 2 중 수속 섹터 자장 형 질량 분석 장치 ( NanoSIMS 50 L ; CAMECA 사 제조 ) 를 이용 하 여 측정 하 였 다 . 1 차 이온 종 은 Cs +, 1 차 가속 전압 을 8 kV 로 하 여 시료 대에 - 8 kV 인가 하 고 , 샘플 에 Cs + 를 조사 함 으로써 , 2 차 이온 인 BO 2 - ( 질량수 42 . 97 ) 의 시그널 을 측정 하 였 다 . 측정 된 시그널 의 강도 에 기초 하 여 단면 화상 을 작성 하 였 다 . 실시 예 5 로 얻 어 진 정극 활물질 입자 에 있 어서 의 BO 2 - 의 분포 를 나타내 는 화상 의 일 예 를 도 1 에 , 비 교예 5 로 얻 어 진 정극 활물질 입자 에 있 어서 의 BO 2 - 의 분포 를 나타내 는 화상 의 일 예 를 도 2 에 , 비 교예 6 에서 얻 어 진 정극 활물질 입자 에 있 어서 의 BO 2 - 의 분포 를 나타내 는 화상 의 일 예 를 도 3 에 각각 나타낸다 .