도 5 를 참조 하 면 , 티탄 및 구리 시드 층 ( 500 ) 이 패 터닝 된 포토레지스트 층 ( 400 ) 위 에 퇴적 되 어 ( 예컨대 , PVD 공정 에 의해 ) 개구부 ( 410 , 420 , 및 430 ) 의 측벽 및 바닥 면 을 덮 는다 . 일부 실시 형태 에서 , 도 5 에 도시 하 는 바 와 같이 , 시드 층 스택 ( 500 ) 이 포토레지스트 층 ( 400 ) 위 에 퇴적 된다 . 일부 실시 형태 에서 , 티탄 층 은 약 1000 Å 일 수 있 고 구리 시드 층 은 약 5000 Å 일 수 있 다 . 도 6 에서 , 구리 층 ( 600 ) 이 티탄 및 구리 시드 층 스택 ( 500 ) 상 에 전기 도금 되 어 개구부 ( 410 , 420 , 및 430 ) 를 충전 하 고 각각 의 TIV ( 610 , 620 , 및 630 ) 를 형성 한다 . 일부 실시 형태 에서 , 퇴적 된 구리 층 ( 600 ) 은 시드 층 스택 ( 500 ) 상 의 포토레지스트 층 ( 400 ) 위 에서 성장 할 수 있 다 . 구리 층 ( 600 ) 은 후속 해서 포토레지스트 층 ( 400 ) 의 상부 표면 위 에서 구리 층 ( 600 ) 의 일부 를 제거 하 기 위해 화학 적 기계 연마 ( CMP ) 공정 에 의해 평탄 화 및 연마 될 수 있 다 . 일부 실시 형태 에서 는 구리 CMP 공정 동안 에 , 도 5 에 도시 하 는 바 와 같이 시드 층 ( 500 ) 은 포토레지스트 층 ( 400 ) 의 상부 표면 에서 도 제거 된다 . 일부 실시 형태 의 경우 약 180 ㎛ 내지 약 250 ㎛ 의 범위 일 수 있 는 포토레지스트 층 ( 400 ) 의 두께 는 이 단계 의 제조 공정 에서 TIV ( 610 , 620 , 및 630 ) 의 높이 를 규정 한다 .