따라서 , 본 발명 의 목적 은 금속 ( Metal ) / 절연체 ( Insulator ) / 금속 ( Metal ) 구조 의 커패시터 에서 커 패 서터 상부 및 하부 메탈 형성 을 위한 각각 의 마스크 공정 과 상부 및 하부 메탈 을 정렬 시키 기 위한 키 마스크 등 의 공정 을 줄여 MIM 커패시터 형성 공정 을 간단 화 시킬 수 있 는 MIM 커패시터 를 갖 는 반도체 소자 제조 방법 을 제공 함 에 있 다 .