또한 , 상기 스퍼터링 공정 을 이용 하 는 경우 , 산화물 반도체 박막 의 정밀 한 두께 및 조성 조절 을 통해 박막 의 특성 을 제어 하 기 어려운 문제점 이 있 다 . 뿐 만 아니 라 , 박막 내 결합 의 안정 화 를 위한 반도체 공정 의 후 열처리 공정 이 요구 되 어 공정 비용 및 공정 시간 이 증가 되 고 , 저온 공정 이 어려운 단점 이 있 다 .