상술 한 포토 리소그래피 공정 에서 의 해 상 한계 를 극복 하 기 위하 여 이중 패 터닝 기술 을 이용 한 미세 패턴 형성 방법 이 제안 되 었 다 . 이중 패 터닝 기술 을 이용 한 미세 패턴 형성 방법 은 노광 및 현상 공정 에 의하 여 라인 형태 로 복수 의 제 1 라인 패턴 들 을 형성 하 고 , 반도체 제조 공정 에 의해 제 1 라인 패턴 들 이 사이 에 제 2 라인 패턴 들 을 형성 한다 . 그러나 상기 이중 패 터닝 기술 은 복잡 한 증착 공정 및 식각 공정 을 반복 하 여 사용 하 여야 하 므로 공정 에 부담 이 되 고 있 다 . 본 발명 은 , 특히 반도체 소자 의 얕 은 트렌치 절연 ( STI ) 구조 에 이중 패 터닝 기술 을 적용 하 고자 하 는 경우 에 복잡 한 증착 공정 및 식각 공정 의 부담 을 최소 화 하 는 방법 을 제공 하 고자 한다 .