더 하 여 , 상기 제 3 단계 는 , 상기 열매체 를 통해 상기 지그 를 80 내지 180 ℃ 로 30 내지 60 분 동안 1 차 가열 하 는 , 1 차 단계 ; 상기 열매체 를 통해 상기 지그 를 100 내지 220 ℃ 로 50 내지 100 분 동안 2 차 가열 하 는 , 2 차 단계 ; 온수 를 통해 상기 지그 를 50 내지 100 ℃ 로 50 내지 100 분 동안 3 차 가열 하 여 태양광 패널 을 곡면 처리 하 는 , 3 차 단계 ; 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .