이어서 , 플로팅 게이트 전극 ( 305 ) 을 덮 도록 , 예 를 들 면 , 실리콘 산화 막 ( SiO 2 막 ) / 실리콘 질화 막 ( Si 3 N 4 막 ) / 실리콘 산화 막 ( SiO 2 막 ) 의 적층 구조 를 갖 는 절연체 등 으로 이루어지 는 절연 층 ( 306 ) 을 형성 한다 . 절연 층 ( 306 ) 을 구성 하 는 SiO 2 막 은 , 예 를 들 면 SiH 2 Cl 2 가스 와 N 2 O 가스 를 사용 해 CVD 법 에 의하 여 , Si 3 N 4 막 은 , 예 를 들 면 SiH 2 Cl 2 가스 와 NH 3 가스 를 사용 해 CVD 법 에 의하 여 형성 한다 .