본 실시 형태 에서 는 , 산화물 반도체 막 을 채널 형성 영역 에 이용 한 트랜지스터 의 구조 의 일 예 에 대하 여 설명 한다 . 산화물 반도체 막 을 구성 하 는 산화물 반도체 는 , In , Sn , 및 Zn 을 포함 하 는 산화물 반도체 ( In － Sn － Zn 계 산화물 반도체 ) 를 이용 하 여도 좋 으며 , 다른 실시 형태 에서 설명 한 다른 산화물 반도체 를 이용 하 여도 좋 다 .