실시 예 에서 , 플라 즈 마는 EUV 및 UV 광 으로서 광 전력 및 에너지 의 상당 부분 을 방출 한다 . 압력 은 단파장 광 의 감쇠 를 감소 시키 기 위해 광학 적 으로 두껍 지 않 은 조건 에서 플라 즈 마를 유지 하 기 위해 반응 챔버 인 셀 ( 1 ) 에서 진공 을 유지 함 으로써 감소 될 수 있 다 . 실시 예 에서 , 광 - 전기 변환기 는 광 전력 출력 의 적어도 10 % 에 대응 하 는 것 과 같이 셀 로부터 방출 된 광 의 상당 한 파장 영역 에 응답 하 는 광전지 ( PV ) 셀 을 포함 하 는 본 개시 의 광전지 변환기 를 포함 한다 . 실시 예 에서 , 연료 는 포획 된 수소 및 포획 된 H 2 O 중 적어도 하나 를 갖 는 은 샷 을 포함 할 수 있 다 . 발광 은 약 120 nm 내지 300 nm 의 파장 영역 의 광과 같 은 자외선 을 주로 포함 할 수 있 다 . PV 셀 은 약 120 nm 내지 300 nm 의 파장 영역 의 적어도 일부 에 반응 할 수 있 다 . PV 셀 은 InGaN , GaN 및 AlGaN 중 적어도 하나 와 같 은 Ⅲ 족 질화물 을 포함 할 수 있 다 . 실시 예 에서 , PV 셀 은 SiC 를 포함 한다 . 실시 예 에서 , PV 셀 은 복수 의 접합부 를 포함 할 수 있 다 . 접합부 는 직렬 로 적층 될 수 있 다 . 다른 실시 예 에서 , 접합부 는 독립 적 이 거나 전기 적 으로 병렬 이 다 . 독립 접합부 는 기계 적 으로 적층 되 거나 웨이퍼 접합 될 수 있 다 . 예 시 적 인 다중 접합 PV 셀 은 InGaN , GaN 및 AlGaN 의 그룹 으로부터 의 복수 와 같 은 n - p 도핑 된 반도체 를 포함 하 는 적어도 2 개 의 접합부 를 포함 한다 . GaN 의 n 도 펀트 는 산소 를 포함 할 수 있 고 , p 도 펀트 는 Mg 를 포함 할 수 있 다 . 예 시 적 인 삼중 접합 셀 은 InGaN / / GaN / / AlGaN 을 포함 할 수 있 으며 , 여기 서 / / 는 절연성 투명 한 웨이퍼 접합 층 또는 기계 적 인 적층 을 지칭 할 수 있 다 . PV 는 집광 광전지 ( CPV ) 와 동일 한 높 은 광도 로 작동 할 수 있 다 . 기판 은 사파이어 , Si , SiC 및 GaN 중 적어도 하나 일 수 있 으며 , 후자 의 두 개 는 CPV 용례 를 위한 비스트 격자 정합 ( beast lattice matching ) 을 제공 한다 . 층 은 당업 계 에 공지 된 금속 유기물 기상 에피택시 ( MOVPE ) 방법 을 이용 하 여 증착 될 수 있 다 . 셀 은 상업 용 GaN 다이오드 레이저 와 같 은 CPV 또는 다이오드 레이저 에 사용 되 는 것 과 같 은 냉각 판 ( cold plate ) 에 의해 냉각 될 수 있 다 . 격자 접촉 부 는 CPV 셀 의 경우 와 같이 셀 의 전면 및 후면 에 장착 될 수 있 다 . 실시 예 에서 , PV 변환기 는 그것 이 반응 하 는 광 에 실질 적 으로 투명 한 보호 창 을 가질 수 있 다 . 창 은 반응 하 는 빛 에 적어도 10 % 투명 할 수 있 다 . 창 은 UV 빛 에 투명 할 수 있 다 . 창 은 PV 셀 상의 UV 투명 코팅 과 같 은 코팅 을 포함 할 수 있 다 . 코팅 은 사파이어 또는 MgF 2 창과 같 은 본 개시 의 UV 창 의 재료 를 포함 할 수 있 다 . 다른 적합 한 창 은 LiF 및 CaF 2 를 포함 한다 . 코팅 은 기상 증착 과 같 은 증착 에 의해 도포 될 수 있 다 .