도 11 을 참조 하 여 , 구조 ( 10 c ) 는 도 9 의 단계 를 따르 는 프로세싱 단계 에서 도시 된다 . 보이드 ( 80 ( 도 9 ) 가 절연성 재료 ( 32 ) 로 라이닝 된 후 에 구성 ( 10 c ) 가 도시 된다 . 이어서 , 희생 재료 ( sacrificial material ) ( 82 ) 가 라이닝 된 보이드 내 에 형성 된다 . 희생 재료 ( 80 ) 는 임의 의 적합 한 조성물 또는 조성물 의 조합 을 포함 할 수 있 고 ; 예 를 들 어 실리콘 , 게르마늄 등 을 포함 할 수 있 다 .