도 4 a , " 도 4 b 및 도 4 c 는 SOI 구조물 상 에서 분리 후 관찰 된 결함 의 지 도 ( map ) 를 나타낸 것 이 다 . 상기 결함 은 30 분 에 해당 되 는 기간 동안 "" 높 은 온도 "" 에 노출 시키 는 공지 된 타입 의 분리 어닐링 을 실시 함 으로써 얻 어 진 것 이 며 "," 상기 "" 높 은 온도 "" 는 각각 500 ℃( 4 a ) ", 600 ℃( 4 b ) 및 675 ℃( 4 c ) 에 해당 한 것 이 다 .