또한 , 본 발명 은 , 도 3 b 에 파선 으로 나타낸 바 와 같이 , 도전 성 산화 막 ( 17 ) 중 의 산소 농도 프로 파일 이 상기 표면층 ( 17 A ) 으로부터 하방 으로 서서히 감소 하 는 경우 도 포함 하 는 것 이 다 . 이러 한 경우 에서 도 , 상기 도전 성 산화 막 ( 17 ) 의 표면 에서 는 화학량론 조성 을 갖 는 영역 ( 17 A ) 이 형성 되 어 있 다고 생각 된다 .