상기 한 종래 기술 이외 에 도 , 고품위 그룹 3 족 질화물 계 에피 택 셜 후막 층 을 형성 하 기 위해서 전기 적 으로 절연성 인 사파이어 기판 과 는 달리 전기 적 으로 우수 한 전도 성 을 띠 며 결정격자 상수 값 및 온도 에 따른 열팽창 계수 가 유사 하 고 , 무엇 보다 도 습식 에칭 에 의해서 비교 적 용이 하 게 녹여서 제거 될 수 있 는 아연 산화물 ( zinc oxide : ZnO ) 을 질화 갈륨 계 반도체 에피 택 셜 적층 구조 를 성장 할 때 최초 성장 기판 으로 또는 사파이어 기판 상부 에 희생 층 으로 도입 시켜 양질 의 질화 갈륨 계 반도체 에피 택 셜 적층 구조 를 성장 시킨 후 에 습식 에칭 을 통해서 사파이어 를 제거 한 다음 , 질화 갈륨 계 반도체 에피 택 셜 적층 구조 를 제조 하 기 위한 그룹 3 족 질화물 계 에피 택 셜 기판 을 제 작 하 는 기술 도 보고 된 바 있 다 .