발광 디바이스 6 - 1 은 발광 디바이스 4 - 1 에서 의 dchPAF 를 상기 구조식 ( vii ) 으로 나타내 어 지 는 N -( 3 , 3 '', 5 , 5 ''- 테트라 - t - 뷰 틸 - 1 , 1 ': 3 ', 1 ''- 터 페닐 - 5 '- 일 ) - N -( 4 - 사이클 로 헥 실 페닐 ) - 9 , 9 - 다이메틸 - 9 H - 플 루 오렌 - 2 - 아민 ( 약칭 : mmtBumTPchPAF ) 으로 바꾼 것 을 제외 하 고 는 발광 디바이스 4 - 1 과 마찬가지 로 제작 하 였 다 . 또한 발광 디바이스 6 - 2 내지 발광 디바이스 6 - 4 는 mmtBumTPchPAF 를 막 두께 가 35 nm 가 되 도록 증착 한 후 에 , DBfBB 1 TP 를 발광 디바이스 6 - 2 에서 는 15 nm 가 되 도록 , 발광 디바이스 6 - 3 에서 는 20 nm 가 되 도록 , 발광 디바이스 6 - 4 에서 는 25 nm 가 되 도록 증착 하 여 정공 수송 층 ( 112 ) 을 형성 한 것 을 제외 하 고는 , 발광 디바이스 6 - 1 과 마찬가지 로 제작 하 였 다 .