도 11 을 참조 하 면 , 본 발명 에 따른 수직 형 GaN 쇼트 키 장벽 다이오드 ( 500 ) 는 GaN 벌크 ( 510 ) 위 에 콘 택 홀 을 구비 하 여 형성 된 패 시베이 션 층 ( 540 ) 과 , 패 시베이 션 층 을 통해 GaN 벌크 ( 510 ) 와 쇼트 키 접합 하 도록 형성 된 애노드 전극 ( 550 ) 과 ; 에 노드 전극 의 양쪽 가장자리 로부터 연장 되 어 패 시베이 션 층 ( 540 ) 위 에 형성 된 필드 플레이트 와 , 상기 필드 플레이트 와 이격 하 여 패 시베이 션 층 위 에 형성 된 제 2 필드 플레이트 ( 570 ) 와 제 3 필드 플레이트 ( 580 ) GaN 벌크 ( 510 ) 의 하부 에 오 믹 접합 하 도록 형성 된 캐소드 전극 ( 530 ) 을 포함 한다 .