도 8 이나 도 9 에 도시 된 예시 와 같이 , 터치 더미 전극 ( TDE ) 이 연결 전극 ( CE ) 과 중첩 된 구조 로 배치 됨 에 따라 , 연결 전극 ( CE ) 과 터치 더미 전극 ( TDE ) 사이 에 형성 되 는 기생 캐 패 시턴 스 CCD 는 증가 할 수 있 다 . 그리고 , 연결 전극 ( CE ) 에 의한 기생 캐 패 시 턴 스 가 거의 일정 하 다고 가정 할 때 , 연결 전극 ( CE ) 과 터치 더미 전극 ( TDE ) 사이 에 형성 되 는 기생 캐 패 시턴 스 CCR ' 는 감소 할 수 있 다 .