청구 항 7 에 기재 된 발명 은 , 상기 가공 장치 는 , 화학 기계 연마 장치 이 며 , 상기 마이크 로 스트립 라인 은 상기 화학 기계 연마 장치 에 있 어서 의 플 래 튼 의 상면 부 에 매설 되 어 있 는 웨이퍼 연마 모니터 방법 으로 하 였으므로 , 도전 성막 의 연마 제거 작업 에 지장 을 초래 하 는 일 없이 , 전자파 의 투과 특성 등 의 지표 의 변화 를 적절히 얻 을 수 있 다는 이점 이 있 다 .