위상 변화 메모리 구조 와 연관 된 방법 , 디바이스 및 시스템 이 기술 된다 . 위상 변화 메모리 구조 를 형성 하 는 하나 의 방법 은 위상 변화 메모리 셀 의 제 1 전도성 요소 위 에 그리고 유전 물질 ( dielectric material ) 위 에 절연체 물질 을 형성 하 는 단계 , 상기 제 1 전도성 요소 와 자 가 정렬 된 ( self - aligned ) 히터 를 형성 하 는 단계 , 상기 유전 물질 위 에 형성 된 절연체 물질 의 적어도 일부 와 상기 히터 위 에 위상 변화 물질 을 형성 하 는 단계 및 상기 위상 변화 물질 위 에 상기 위상 변화 메모리 의 제 2 전도성 요소 를 형성 하 는 단계 를 포함 한다 .