전술 한 바 와 같이 , 본 발명 의 퓨즈 프로그래밍 은 상변화 물질 ( 50 ) 의 상변화 ( 전기 저항 변화 ) 를 통해 이루어지 므로 , 퓨즈 ( 100 ) 의 컷팅 이 필요 하 지 않 아 , 퓨즈 프로그래밍 이후 에 퓨즈 ( 100 ) 가 외부 에 노출 되 지 않 는다 . 따라서 , 고온 다습 의 신뢰 성 평가 ( HAST ) 시 퓨즈 ( 100 ) 산화 의 가능 성 및 정도 를 줄일 수 있 으며 , 퓨즈 산화 로 인해 유발 되 는 크래킹 가능 성 및 정도 를 줄일 수 있 다 . 이러 한 이유 로 , 본 발명 에서 는 종래 기술 에서 와 같이 HAST 폐 일 ( fail ) 을 유발 하 는 크랙 ( crack ) 을 방지 하 기 위해 TiN 의 두께 를 줄일 필요 가 없이 캐 패 시터 ( CAPACITOR ) 의 용량 필요 치 에 맞추 어 TiN 의 두께 를 조절 할 수 있 다 . 따라서 , 반도체 메모리 장치 의 리프 레시 특성 을 확보 할 수 있 다 .