도 1 을 참조 하 면 , 반도체 기판 ( 1 ) 상 에 상기 반도체 기판 ( 1 ) 의 소정 영역 을 노출 시키 는 콘 택 홀 ( 5 ) 을 갖 는 층간 절 연막 ( 3 ) 을 형성 한다 . 상기 층간 절 연막 ( 3 ) 은 실리콘 옥사이드 막 일 수 있 고 , 그리고 통상 의 공정 을 사용 해서 형성 될 수 있 다 . 상기 콘 택 홀 ( 5 ) 을 채워 폴리 실리콘 패턴 ( 7 ) 을 형성 한다 . 상기 폴리 실리콘 패턴 ( 7 ) 은 화학 기상 증착 ( chemical vapor deposition ; CVD ) 공정 을 사용 하 여 형성 할 수 있 다 .