본 발명 의 SOI 기판 의 제조 방법 의 하나 는 , 단결정 반도체 기판 의 표면 을 통해서 이온 을 도입 함 으로써 상기 단결정 반도체 기판 안 에 박리 층 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 단결정 반도체 기판 의 상기 표면 위 에 실리콘 을 포함 하 는 제 1 절 연막 을 형성 하 는 단계 와 , 평탄 화 처리 가 행하 여 지 는 동안 , 베이스 기판 위 에 산화 알루미늄 을 포함 하 는 제 2 절 연막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 단결정 반도체 기판 과 상기 베이스 기판 을 대향 시켜 , 상기 제 1 절 연막 의 표면 과 상기 제 2 절 연막 의 표면 을 본 딩 하 는 단계 와 , 상기 박리 층 에서 분리 함 으로써 , 상기 베이스 기판 위 에 상기 제 2 절 연막 및 상기 제 1 절 연막 을 사이 에 두 고 단결정 반도체 막 을 형성 하 는 단계 를 구비 한다 .