상기 제 1 화소 ( P 1 ) 의 상기 제 2 스토리지 전극 ( 319 b ) 은 , 상기 제 1 스토리지 전극 ( 319 a ) 의 일부 와 중첩 되 어 형성 됨 으로써 , 상기 제 1 스토리지 전극 ( 319 a ) 과 함께 상기 제 1 화소 ( P 1 ) 의 스토리지 커패시터 를 형성 한다 . 특히 , 상기 제 2 스토리지 전극 ( 319 b ) 은 상기 제 1 스토리지 전극 ( 319 a ) 의 일부 와 상기 제 1 스토리지 전극 ( 319 a ) 의 좌우 에 전단 의 스토리지 라인 ( 312 n - 1 ) 을 따라 일정 크기 만큼 중첩 되 어 형성 된다 . 여기 서 , 상기 제 2 스토리지 전극 ( 319 b ) 은 상기 제 1 화소 ( P 1 ) 에 인가 되 는 데이터 전압 을 공급 받 기 위하 여 제 1 화소 의 화소 전극 ( 318 ) 과 컨 택 홀 ( 317 b ) 을 통해 연결 된다 . 상기 제 2 스토리지 전극 ( 319 b ) 의 재질 은 활성 폴리 실리콘 ( active poly Si ) 인 것 이 바람직 하 다 .