그리고 , N 타입 의 웰 영역 ( 40 ) 에 는 도 1 의 각 서브 워드 라인 드라이 버 ( 10 , 12 , 14 , 16 ) 에 구비 되 는 PMOS 트랜지스터 들 ( P 1 ~ P 4 ) 이 일렬 로 형성 되 고 , P 타입 의 웰 영역 ( 42 ) 에 는 각 PMOS 트랜지스터 ( P 1 ~ P 4 ) 에 대응 되게 연결 되 는 NMOS 트랜지스터 들 ( N 1 ~ N 8 ) 이 배선 영역 ( 44 ) 을 기준 으로 PMOS 트랜지스터 들 ( P 1 ~ P 4 ) 과 대칭 되게 일렬 로 형성 된다 .