소오 스 / 드레 인 전극 ( 321 ) , ( 325 ) 상 의 제 2 오 목부 에 유기 반도체 층 ( 330 ) 이 형성 되 고 , 상기 반도체 층 ( 330 ) 상 에 게이트 절 연막 ( 340 ) 이 형성 된다 . 상기 게이트 절 연막 ( 340 ) 은 벤조 사이클 로 부탄 ( BCB , benzocyclobutene ) , 폴리 이미드 , 파 릴 렌 및 폴 리비 닐 페놀 ( PVP , polyvinylphenol ) 로부터 선택 되 는 유기 절 연막 을 포함 한다 .