플래시 메모리 P / E 사이클링 은 셀 트랜지스터 의 전하 트래핑 층 의 플로팅 게이트 의 터널 옥사이드 에 손상 을 초래 하 여 , 임계 전압 쉬프 트 를 초래 하 게 되 고 , 이 에 메모리 장치 노이즈 마진 을 점차 적 으로 저하 시킨다 . P / E 주기 가 증가 함 에 따라 서로 다른 프로그래밍 된 상태 의 인접 분포 간 마진 이 감소 하 고 결국 분포 가 겹치 기 시작 한다 . 인접 한 분포 의 중첩 범위 에서 임계 전압 으로 프로그래밍 된 메모리 셀 에 저장 된 데이터 비트 는 원래 의 타 겟 값 이외 의 다른 값 으로 잘못 판단 될 수 있 다 .