도 7 의 실시 예 는 실제 정전 용량 방식 터치 센서 의 최 상부 에 힘 감지 센서 를 적층 하 는 일실 시예 를 도시 하고 있 다 . 도 7 의 실제 정전 용량 방식 센서 부분 은 서로 넓 게 이격 되 어 있 는 협소 한 행 전도체 ( 720 ) 를 포함 하 며 , 이 는 넓 은 열 전도체 ( 730 ) 의 위 에 위치 한다 . 도 7 의 힘 감지 센서 부분 은 변형 가능 한 유전체 ( 110 ) 상 에 위치 하 는 넓 은 열 전도체 ( 730 ) 을 포함 하 고 , 유전체 는 넓 은 행 전도체 ( 740 ) 상 에 위치 하 며 , 이 를 위해 넓 은 행 전도체 ( 740 ) 는 조밀 해 있 다 ( dense ) . 하이브리드 터치 센서 ( 700 ) 의 힘 감지 센서 부분 은 넓 은 열 전도체 ( 730 ) 와 행 전도체 ( 740 ) 사이 의 힘 을 측정 하 는 데 사용 될 수 있 고 , 하이브리드 터치 센서 ( 700 ) 의 실제 정전 용량 방식 터치 센서 부분 은 행 전도체 ( 720 ) 와 넓 은 열 전도체 ( 730 ) 사이 의 프린 징 필드 를 측정 하 는 데 사용 될 수 있 다 . 넓 은 열 전도체 ( 730 ) 는 힘 감지 센서 와 실제 정전 용량 방식 터치 센서 간 에 공유 된다 . 하이브리드 터치 센서 ( 700 ) 의 힘 감지 센서 및 실제 정전 용량 방식 터치 센서 부분 에 대해 , 제각기 의 행 전도체 ( 720 , 740 ) 와 열 전도체 의 각각 의 교차점 에서 2 개 의 별개 의 측정 이 있 을 수 있 다 .