본 발명 은 반도체 소자 의 게이트 형성 방법 에 있 어서 , 특히 씨 모스 ( CMOS : complementary metaloxide semi - conductor ) 반도체 소자 의 듀얼 게이트 형성 시 , 게이트 의 도핑 물질 및 도핑 농도 에 따라 달라지 는 식각 속도 로 인해 특정 게이트 의 산화 막 및 액티브 지역 이 손상 되 는 것 을 방지 하 는 방법 에 관한 것 이 다 .