도 2 b 를 참조 하 면 , 상기 금속 함 유막 ( 115 ) 상 에 보호막 ( 117 ) 을 형성 할 수 있 다 . 상기 보호막 ( 117 ) 은 반도체 물질 로 형성 될 수 있 다 . 예컨대 , 상기 보호막 ( 117 ) 은 실리콘 막 , 게르마늄 막 및 / 또는 실리콘 - 게르마늄 막 등 으로 형성 될 수 있 다 . 상기 보호막 ( 117 ) 상 에 상기 수동 소자 영역 ( 70 ) 내 의 리세 스 영역 을 정의 하 는 마스크 패턴 ( 119 ) 을 형성 할 수 있 다 . 상기 마스크 패턴 ( 119 ) 은 상기 제 1 및 제 2 트랜지스터 영역 들 ( 50 , 60 ) 내 의 보호막 ( 117 ) 을 덮 을 수 있 다 . 이때 , 상기 수동 소자 영역 ( 70 ) 내 의 보호막 ( 117 ) 의 적어도 일부분 은 노출 된다 . 상기 마스크 패턴 ( 119 ) 은 감광 물질 로 형성 될 수 있 다 .