또한 , 플래시 메모리 는 단위 셀 의 구조 에 따라 , 스택 게이트 형 과 스플릿 트 게이트 형 으로 나뉠 수 있 으며 , 전하 저장 층 의 형태 에 따라 플로팅 게이트 소자 및 SONOS ( Silicon - Oxide - Nitride - Oxide - Silicon ) 소자 로 구분 될 수 도 있 다 . 이 중 에서 플로팅 게이트 소자 는 통상 그 주위 가 절연체 로 둘러 싸여진 다결정 실리콘 으로 형성 된 플로팅 게이트 를 포함 하 고 , 이 플로팅 게이트 에 채널 핫 캐리어 주입 ( Channel Hot Carrier Injection ) 또는 F - N 터널 링 ( Fowler - Nordheim Tunneling ) 에 의해 전하 가 주입 또는 방출 됨 으로써 데이터 의 저장 및 소거 가 이루어진다 .