도 8 을 참조 하 여 설명 된 바 와 같이 , 제 1 행의 낸드 스트링 들 ( NS 11 ~ NS 13 ) 중 적어도 하나 에서 소거 페일 이 검출 되 면 , 도 9 내지 도 11 을 참조 하 여 설명 된 소거 가 다시 수행 될 것 이 다 . 즉 , 제 1 서브 블록 의 제 1 행의 메모리 셀 들 ( MC 1 ~ MC 3 ) 에서 소거 페일 이 검출 되 면 , 제 1 서브 블록 의 메모리 셀 들 ( MC 1 ~ MC 3 ) 은 다시 소거 된다 .