게이트 절 연막 에 시아노 에틸 풀 루 란 을 이용 한 비 교예 1 에 나타내 는 소자 에서 는 n 형 의 트랜지스터 특성 을 얻 기 위해서 폴링 처리 가 필요 하 고 , 폴링 처리 후 의 이동도 와 비교 하 여도 , 본 발명 에서 나타내 는 n 형 에서 의 전계 효과 이동도 는 약 100 배 가까이 빠른 이동도 가 얻 어 지 고 , 전자 이동도 가 극 적 인 향상 이 보였 다 . 또한 , │ VSD │= 50 V 에서 의 p 형 , n 형 의 온 / 오프 ( On / Off ) 비 는 모두 100 정도 이 고 , VT 는 각각 - 44 V , 73 V 였 다 .