도 2 b 및 도 3 b 를 참조 하 면 , 포토레지스트 패턴 ( 128 ) 을 이용 한 식각 공정 으로 게이트 하드 마스크 ( 126 ) 의 난반사 방지 막 ( 124 ) 및 실리콘 산화 질화 막 ( 122 ) 을 패 터닝 하 고 , 포토레지스트 패턴 ( 128 ) 을 제거 한다 . 계속 해서 , 패 터닝 된 난반사 방지 막 ( 124 ) 및 실리콘 산화 질화 막 ( 122 ) 을 식각 마스크 로 하 여 아모 퍼스 카본 막 ( 120 ) 및 산화 막 ( 118 ) 을 패 터닝 한다 . 이 과정 에서 난반사 방지 막 ( 124 ) 및 실리콘 산화 질 화 막 ( 122 ) 이 제거 될 수 있 으며 , 제거 되 지 않 은 경우 식각 공정 을 이용 하 여 제거 한다 . 이때 , 패 터닝 된 게이트 하드 마스크 ( 126 ) 가 형성 되 지 않 은 영역 에서 는 제 2 도 전막 ( 116 ) 의 금속 실리사이드 층 ( 114 ) 의 표면 이 노출 된다 .