다층 구조 의 반도체 장치 를 제조 하 기 위해 , 반도체 기판 상 에 반도체 막 을 형성 해야 한다 . 반도체 막 의 형성 공정 은 트랜지스터 , 저항 및 커패시터 등 의 전자 부품 을 포함 한 반도체 기판 ( 이하 , 억셉터 기판 이 라 함 ) 을 덮 는 층간 절 연막 을 형성 하 고 , 층간 절 연막 상 에 다른 반도체 기판 ( 이하 , 도너 기판 이 라 함 ) 을 붙인 후 상기 도너 기판 의 일부 를 분리 하 는 공정 을 포함 할 수 있 다 . 상기 억셉터 기판 상 에 붙 은 도너 기판 의 표면 을 연마 하 여 반도체 막 을 형성 할 수 있 다 .