도 8 로 돌아가 , 스택 된 칩 의 두 개 의 쌍 을 가진 멀티 - 칩 장치 를 제조 하 는 방법 에서 추가 단계 를 도시 한다 . 단계 ( 802 ) 에서 , 절연 층 을 집적회로 칩 의 제 1 스택 된 쌍 상부 에 퇴적 한다 . 단계 ( 804 ) 에서 , 접촉 구멍 을 절연 층 에 형성 하 여 , 다른 칩 이 후 에 상부 에 배치 될 때 특정 한 인접 신호 패드 사이 를 연결 하 게 한다 . 단계 ( 806 ) 에서 , 도체 가 , 이전 단계 에서 형성 된 접촉 구멍 내 에 채워진다 , 즉 퇴적 된다 . 단계 ( 808 ) 에서 , 도체 층 이 에칭 되 어 , 초과 분 의 도체 소재 가 접촉 구멍 외부 의 부분 으로부터 제거 된다 . 단계 ( 810 ) 에서 , 도 7 에서 단계 ( 702 - 710 ) 에 따라 제조 된 두 개 의 이전 에 결합 한 칩 을 집적회로 칩 의 제 1 스택 된 쌍 상부 에 부착 하 여 멀티 - 칩 패키지 를 위한 멀티 - 칩 회로 를 만든 다 .