보다 상세 하 게 포토 리소그래피 공정 은 감광제 의 도포 , 소프트 베이 킹 , 노광 , 현상 및 하드 베이 킹 으로 이루어진다 . 감광제 의 도포 를 위해 액상 감광제 를 분사 하 고 높 은 회전수 로 회전 시켜 균일 한 얇 은 막 의 형태 로 기판 전체 를 도포 시킨 후 일정 온도 에서 소프트 베이 킹 ( soft baking ) 하 여 감광제 의 용매 ( solvent ) 를 기화 ㅇ제거시켜 단단 하 게 만들 어 도포 된 감광제 를 안정 화 시킨다 . 소프트 베이 킹 이후 노광 ( photo exposure ) 을 거치 게 되 는데 노광 은 포토 마스크 ( photo mask ) 를 통해 기판 상 의 감광제 에 자외선 영역 의 빛 을 조사 함 으로서 포토 마스크 상 에 형성 된 미세 회로 형상 ( pattern ) 을 감광제 에 전사 하 는 과정 을 말 한다 . 현상 이 란 노광 과정 을 통해 상대 적 으로 결합 이 약해져 있 는 부분 의 감광제 를 용제 를 사용 하 여 녹여내 는 과정 을 말 하 며 이러 한 과정 을 통해 형성 된 감광제 의 형상 을 감광제 패턴 이 라 한다 . 포지티브 감광제 ( Positive PR ) 의 경우 감광 작용 에 의해 풀어진 고분자 사슬 부분 이 , 네거티브 감광제 ( negative PR ) 의 경우 감광 작용 에 의해 결합 이 강 해진 부분 에 비해 상대 적 으로 결합 이 약한 부분 ( 노광 되 지 않 은 부분 ) 이 녹 아 없 어 진다 . 현상액 으로 는 크 게 염기 성 의 수용액 과 솔 벤트 ( solvent ) 류 가 있 다 . 대부분 은 KOH 수용액 과 같 은 염기 수용액 을 사용 하 지만 감광제 의 특성 에 따라 아세톤 이나 특정 솔 벤트 ( solvent ) 를 사용 한다 . 현상 을 거친 감광제 는 남 아 있 는 용매 를 제거 하 여 감광제 를 건조 시키 며 기판 에 대한 감광제 의 접 착도 를 증가 시키 고 , 현상 과정 에서 풀어진 고분자 조직 을 단단 하 게 만들 기 위해 하 드 베 이킹 ( hard baking ) 을 한다 .