상기 와 같이 , 최근 의 디바이스 공정 의 저온 화 프로세스 의 진전 에 따라 , 실리콘 단결정 웨이퍼 에 있 어서 점점 산소 석출 이 어려워 지 고 있 으므로 , 이러 한 저온 디바이스 공정 에 있 어서 도 원 하 는 산소 석출 량 으로 제어 할 수 있 는 기술 이 요망 되 고 있 었 다 . 본 발명자 들 은 , 웨이퍼 강도 를 향상 시키 기 위해서 는 , 실리콘 단결정 웨이퍼 에 탄소 를 도프 하 고 , 나아가 , 웨이퍼 표면 으로부터 0 . 1 μ m 의 깊이 의 범위 의 탄소 농도 를 1 × 1017 atoms / cm 3 이상 으로 할 필요 가 있 는 것 을 발견 하 였 다 . 또한 , 본 발명자 들 은 , 또한 , 열처리 단계 에서 탄소 와 공공 을 함께 주입 함 으로써 , 단결정 화 한 결정 위치 의 영향 을 받 지 않 고 공공 의 작용 에 의해 탄소 의 확산 계수 를 크 게 함 으로써 산소 석출 을 균일 하 게 증속 성장 시킬 수 있 는 것 을 발견 하 여 , 본 발명 을 완성 시켰 다 .