도 4 e 를 참조 하 면 장벽 층 ( 414 ) 의 형성 이후 에 많 은 양 이 도핑 된 n + 실리콘 층 ( 416 ) 은 장벽 층 ( 414 ) 상 에 증착 된다 . 몇몇 실시 예 에서 n + 실리콘 층 ( 416 ) 은 증착 된 것 과 같이 비결정성 상태 이 다 . 다른 실시 예 에서 , n + 실리콘 층 ( 416 ) 은 증착 된 것 과 같이 다결정 성 상태 이 다 . 화학 적 증기 증착 법 또는 또 다른 적당 한 공정 을 이용 하 여 n + 실리콘 층 ( 416 ) 을 증착 할 수 있 다 . 적어도 하나 의 실시 예 에서 n + 실리콘 층 ( 416 ) 이 예 를 들 어 , 약 ( 100 ) 내지 약 1000 옹스트롬 , 바람직 하 게 는 약 100 옹스트롬 의 도핑 농도 가 약 1021 cm - 3 인 인 또는 비소 도핑 실리콘 으로 형성 될 수 있 다 . 다른 층 두께 , 도 펀트 및 / 또는 도핑 농도 가 사용 될 수 있 다 . n + 실리콘 층 ( 416 ) 은 예 를 들 어 , 증착 중 에 도너 가스 를 흐르 게 함 으로써 원 위치 에서 도핑 될 수 있 다 . 다른 도핑 방법 을 사용 할 수 있 다 ( 예 를 들 어 , 주입 법 ) .