예 를 들 면 인 을 첨가 할 경우 에 는 , n 형 트랜지스터 ( 201 , 211 , 231 ) 의 고저 항 영역 을 형성 하 기 위해 , 이 n 형 고저 항 불순물 영역 ( 521 ) 에 , 1 × 1017 atoms / cm 3 내지 5 × 1018 atoms / cm 3 정도 의 농도 로 인 이 포함 되 도록 한다 . 도너 불순물 원소 의 첨가 공정 이 종료 된 후 , 레지스 트 마스크 ( 520 ) 를 제거 한다 .