또한 , 제 2 실시 형태 에 관한 불휘발성 반도체 기억 장치 에서 , 워드 선 WLm 5 ' 내지 WLm 8 ', 및 소스 측 선택 게이트 선 ( SGSm ') 은 칼럼 방향 으로 서로 인접 한 한 쌍 의 기둥 형 상부 CLm 을 둘러싸 도록 형성 된다 . 즉 , 워드 선 WLm 1 ' 내지 WLm 8 ', 및 소스 측 선택 게이트 선 ( SGSm ') 은 제 1 실시 형태 와 비교 하 여 칼럼 방향 으로 폭 이 넓 게 형성 된다 . 이러 한 구성 에 의해 , 제 2 실시 형태 에 관한 불휘발성 반도체 기억 장치 는 제 1 실시 형태 와 비교 하 여 제 1 플러그 도전 층 ( 86 a ) 과 소스 측 선택 게이트 선 ( SGSm ')( 소스 측 도전 층 ( 421 ) ) 사이 의 접촉 저항 및 제 1 플러그 도전 층 ( 86 a ) 과 워드 선 WLm 1 ' 내지 WLm 8 '( 제 1 내지 제 8 워드 선 도전 층 ( 321 a 내지 321 h ) ) 사이 의 접촉 저항 을 저감 시킬 수 있 다 .