박막 트랜지스터 를 구성 하 는 게이트 절 연막 및 활성 층 은 소스 원료 와 반응 원료 를 상호 반응 시키 는 화학 기상 증착 ( Chemical Vapor Deposition ; CVD ) 방법 으로 형성 한다 . 그런데 , 화학 기상 증착 ( CVD ) 방법 으로 박막 을 형성 하 면 , 박막 내 에 수소 ( H ) 가 이온 상태 로 존재 하 게 된다 . 이 수소 는 누설 전류 ( Leakage current ) 를 발생 시키 고 , 박막 간 의 계면 특성 을 악화 시켜 , 박막 트랜지스터 의 특성 을 저하 시키 는 요인 이 된다 .