제 1 콘 택 플러그 ( CP 1 ) 가 제 1 및 제 2 층간 절 연막 들 ( 130 , 132 ) 을 관통 하 는 제 1 홀 ( H 1 ) 내 에 제공 될 수 있 다 . 제 1 콘 택 플러그 ( CP 1 ) 는 게이트 도전 패턴 ( 125 ) 과 전기 적 으로 연결 될 수 있 다 . 제 2 콘 택 플러그 ( CP 2 ) 는 제 1 및 제 2 층간 절 연막 들 ( 130 , 132 ) , 및 절 연막 ( 120 ) 을 관통 하 는 제 2 홀 ( H 2 ) 내 에 제공 될 수 있 다 . 제 2 콘 택 플러그 ( CP 2 ) 는 제 2 소오 스 / 드레 인 영역 ( SD 2 ) 과 전기 적 으로 연결 될 수 있 다 . 제 1 및 제 2 콘 택 플러그 들 ( CP 1 , CP 2 ) 은 예 를 들 어 , 도핑 된 반도체 물질 ( 예 를 들 어 , 도핑 된 실리콘 ) , 금속 ( 예 를 들 어 , 텅스텐 ( W ) , 티타늄 ( Ti ) , 탄 탈륨 ( Ta ) ) , 도전 성 금속 질화물 ( 예 를 들 어 , 티타늄 질화물 , 탄 탈륨 질화물 , 텅스텐 질화물 ) , 금속 - 반도체 화합물 ( 예 를 들 어 , 금속 실리사이드 ) , 또는 이 들 의 조합 을 포함 할 수 있 다 .