상기 ITO 전극 위 에 헥사 니트릴 헥사 아자 트리 페닐 렌 ( 500 Å ) , 4 , 4 '- 비스 [ N -( 1 - 나프 틸 ) - N - 페닐 아미노 ] 비페닐 ( NPB ) ( 400 Å ) , Alq 3 ( 300 Å ) , 화합물 ( 2 - 34 ) ( 50 Å ) 및 하 기 구조식 의 전자 수송 물질 ( 200 Å ) 을 순차 적 으로 열 진공 증착 하 여 정공 주입 층 , 정공 수송 층 , 발광 층 , 정공 차단 층 , 전자 수송 층 을 차례 로 형성 시켰 다 .