도 4 c 는 쉘로우 트렌치 ( 406 ) 가 건식 플 라즈 마 식각 과 같 은 식각 프로세스 를 이용 하 여 기판 ( 401 ) 내 에 형성 되 는 것 을 도시 하고 있 다 . 쉘로우 트렌치 ( 406 ) 는 이후 유전체 재료 들 로 충 진 될 것 이 며 , 기판 ( 401 ) 상 에 구성 되 는 , MOSFET ( metal on substrate field effect transistors ) 과 같 은 전자 소자 들 사이 에 분리 재료 들 로서 기능 한다 .