본 발명 은 웨이퍼 ( wafer ) 의 성능 테스트 용 프로브 카드 를 구성 하 는 스페이스 트랜스포머 ( space transformer ) 제조 방법 으로서 , ⒜ 반 소결 상태 의 세라믹 시트 ( ceramic sheet ) 에 드릴 ( drill ) 가공 을 하 여 비아 홀 ( via hole ) 을 형성 하 는 과정 과 , ⒝ 비아 홀 이 형성 된 세라믹 시트 를 소결 하 는 과정 , 및 ⒞ 소결 된 세라믹 시트 에 도전 성 금속 으로 패 터닝 ( patterning ) 하 여 상면 과 하면 에 회로 패턴 을 형성 하 고 비아 홀 에 도전 성 금속 이 채워진 비아 ( via ) 를 형성 하 는 과정 을 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 . 이 에 따르 면 , 스페이스 트랜스포머 의 제조 시간 이 획기적으로 단축 되 고 제조 공정 이 단순 해질 수 있 다 . 또한 웨이퍼 구경 증가 에 대응 한 크기 증가 가 용이 하 고 제조 비용 이 저렴 해진다 .