본 발명 의 일 구체 예 에서 , 기판 은 증착 챔버 로 전달 된다 ( 단계 204 ) . 플라스마 는 개시 되 고 ( 단계 208 ) 질소 함유 전구체 는 단계 ( 212 ) 에서 흐른다 . 단계 ( 208 및 212 ) 후 에 , 실리콘 함유 전구체 는 흐르 고 ( 단계 216 ) 필름 성장 은 발생 된다 ( 220 ) . 질소 함유 전구체 ( 단계 230 ) 및 플라스마 의 흐름 이 종결 ( 단계 238 ) 되 기 전 에 실리콘 함유 전구체 의 흐름 은 그 다음 에 종결 된다 ( 단계 226 ) . 질소 전구체 의 흐름 을 종결 하 기 전 에 실리콘 전구체 의 흐름 을 종결 하 는 것 은 , 일 구체 예 에서 , 필름 성장 ( 220 ) 중 존재 한 것 과 같 은 높 은 N : Si 원자 흐름 비율 이상 으로 유지 하 기 위해 , 바람직 하 다 , 이 방식 으로 높 은 N : Si 원자 흐름 을 유지 하 는 것 은 , 높 은 수소 함량 및 낮 은 WER 을 가질 수 있 는 성장 과장 의 말미 에 실리콘 질화물 의 얇 은 층 의 생산 을 피한다 . 외각 약간 의 단일 층 을 단지 탐지 하 는 특성 화 단계 를 수행 할 때 바람직 하 다 . 마지막 일부 단일 층 이 상이 한 물리 적 특성 을 가진다면 , 벌크 특성 에 대한 잘못 된 추론 이 이뤄질 수 있 다 . 예 를 들 어 에칭 - 정치 ( etch - stop ) 과 같 은 필름 활용 성 을 최대 화 하 기 위해 필름 을 통한 낮 은 에칭 률 을 유지 하 는 것 이 또한 바람직 하 다 . 일 구체 예 에서 , 실제로 균일 한 낮 은 습윤 에칭 률 은 , 실리콘 - 함유 전구체 가 존재 할 때 마다 , 플라스마 에 충분 한 질소 가 있 도록 함 에 의해 , 가능 하 게 된다 .