또한 , 제 3 실시 형태 에 관한 불휘발성 반도체 기억 장치 는 연결부 JPmn 의 하 면 및 측면 을 커버 하 고 또 한 연결부 JPmn 의 상면 과 동일 한 높이 까지 형성 된 제 1 백 게이트 선 ( BG 1 '), 및 연결부 JPmn 의 상단 부를 커버 하 는 제 2 백 게이트 선 ( BG 2 ') 을 갖 는다 . 따라서 , 제 1 백 게이트 선 ( BG 1 ') 및 제 2 백 게이트 선 ( BG 2 ') 에 의해 , 연결부 JPmn 의 전체 주변 에 걸쳐서 채널 을 형성 할 수 있 다 . 즉 , 제 3 실시 형태 에 관한 불휘발성 반도체 기억 장치 는 제 1 및 제 2 실시 형태 와 비교 하 여 연결부 JPmn 의 저항 을 감소 시킬 수 있 다 .