반도체 층 에 는 캐리어 밀도 가 낮 은 금속 산화물 을 사용 하 는 것 이 바람직 하 다 . 예 를 들 어 , 반도체 층 은 캐리어 밀도 가 1 × 1017 / cm 3 이하 , 바람직 하 게 는 1 × 1015 / cm 3 이하 , 더 바람직 하 게 는 1 × 1013 / cm 3 이하 , 더욱 바람직 하 게 는 1 × 1011 / cm 3 이하 , 더욱더 바람직 하 게 는 1 × 1010 / cm 3 미만 이 고 , 1 × 10 - 9 / cm 3 이상 인 금속 산화물 이 다 . 이러 한 반도체 층 은 불순물 농도 가 낮 고 결함 준위 밀도 가 낮 기 때문 에 , 안정 적 인 특성 을 갖 는다 . 또한 , 반도체 층 이 금속 산화물 인 경우 , 불순물 의 예 로서 는 물 및 수소 등 이 있 다 .