먼저 , 글라스 기판 ( 100 ) 은 에지 영역 중 에서 측면 배선 ( 240 ) 이 형성 될 에지 영역 에 제 1 및 제 2 챔퍼면 ( 121 , 123 ) 이 형성 될 수 있 다 . 제 1 및 제 2 챔퍼면 ( 121 , 123 ) 은 전술 한 바 와 같이 그라인딩 장치 ( 미 도시 ) 로 에지 영역 ( 120 , 도 1 참조 ) 의 모서리 를 그라인딩 ( grinding ) 가공 하 여 형성 될 수 있 다 ( S 21 ) . 이 경우 , 제 1 및 제 2 챔퍼면 ( 121 , 123 ) 은 추후 제 1 및 제 2 챔퍼면 ( 121 , 123 ) 에 형성 될 측면 배선 ( 240 ) 이 제 1 및 제 2 챔퍼면 ( 121 , 123 ) 으로부터 분리 되 지 않 고 양호 하 게 밀착 될 수 있 도록 폴리 싱 공정 을 거쳐 표면 이 매끄럽 게 형성 될 수 도 있 다 .