따라서 , 제 1 박막 트랜지스터 ( 310 ) 의 문턱 전압 이하 에서 의 특성 ( s - factor ) 값 과 제 2 박막 트랜지스터 ( 320 ) 의 문턱 전압 이하 에서 의 특성 ( s - factor ) 값 은 다르 게 형성 될 수 있 다 . 제 2 박막 트랜지스터 ( 320 ) 의 문턱 전압 이하 에서 의 특성 ( s - factor ) 값 이 더 크 게 하 여 소자 의 특성 을 다르 게 가져갈 수 있 는 장점 이 있 다 . 이 와 같이 , 박막 트랜지스터 의 사용 목적 에 따라 , 게이트 전극 상 의 절연 층 의 구조 를 다르 게 구성 하 여 박막 트랜지스터 의 특성 을 다르 게 구성 할 수 있 다 . 도 4 a 내지 도 4 f 는 본 명세서 의 다른 실시 예 에 따른 표시 장치 ( 100 ) 의 공정 을 나타내 는 단면도 이 다 . 도 3 을 참조 하 여 설명 하 며 , 중복 된 설명 은 생략 하 거나 간략히 설명 한다 .