이러 한 방식 으로 형성 된 주변 부 전도성 하우징 구조물 들 ( 16 ) 의 세그먼트 들 은 디바이스 ( 10 ) 내 의 안테나 들 의 부분 들 을 형성 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 영역 ( 20 ) 내의 2 개 의 갭 들 ( 18 ) 사이 에 위치 된 주변 부 전도성 하우징 구조물 들 ( 16 ) 의 세그먼트 는 하부 안테나 ( 40 L ) 를 위한 안테나 공진 소자 의 일부 또는 전부 ( 예컨대 , 하부 안테나 ( 40 L ) 가 역 - F 안테나 인 시나리오 들 에서 역 - F 안테나 공진 소자 의 하나 이상 의 공진 소자 아 암 들 , 하부 안테나 ( 40 L ) 가 루프 안테나 인 시나리오 들 에서 루프 안테나 공진 소자 의 부분 , 하부 안테나 ( 40 L ) 가 슬롯 안테나 인 시나리오 들 에서 슬롯 안테나 공진 소자 의 에지 를 정의 하 는 전도성 부분 , 이 들 의 조합 들 , 또는 임의 의 다른 원 하 는 안테나 공진 소자 구조물 들 ) 를 형성 할 수 있 다 . 유사 하 게 , 영역 ( 22 ) 내의 2 개 의 갭 들 사이 에 위치 된 주변 부 전도성 하우징 구조물 들 ( 16 ) 의 세그먼트 는 상부 안테나 ( 40 U ) 를 위한 안테나 공진 소자 의 일부 또는 전부 를 형성 할 수 있 다 . 이 예 는 단지 예시 적 인 것 이 다 . 원 하 는 경우 , 안테나 들 ( 40 L 및 40 U ) 이 주변 부 전도성 하우징 구조물 들 ( 16 ) 의 어느 부분 도 포함 하 지 않 거나 구조물 들 ( 16 ) 의 세그먼트 들 이 안테나 들 ( 40 L 및 40 U ) 을 위한 안테나 접지 평면 의 부분 을 형성 할 수 있 다 .