미결정 반도체 막 에 포함 되 는 도너 가 되 는 불순물 원소 의 농도 는 , 6 × 1015 cm - 3 이상 3 × 1018 cm - 3 이하 , 바람직 하 게 는 1 × 1016 cm - 3 이상 3 × 1018 cm - 3 이하 , 바람직 하 게 는 3 × 1016 cm - 3 이상 3 × 1017 cm - 3 이하 로 한다 . 미결정 반도체 막 ( 58 ) 에 포함 되 는 도너 가 되 는 불순물 원소 의 농도 를 상기 범위 로 함 으로써 , 게이트 절 연막 ( 52 b ) 및 미결정 반도체 막 ( 58 ) 의 계면 에서 의 결정 성 을 높이 는 것 이 가능 하 고 , 미결정 반도체 막 ( 58 ) 의 저항 율 을 저감 하 는 것 이 가능 하 기 때문 에 , 전계 효과 이동도 가 높 고 , 온 전류 가 높 은 박막 트랜지스터 를 제작 할 수 있 다 . 또 , 미결정 반도체 막 에 포함 되 는 도너 가 되 는 불순물 원소 의 피크 농도 를 6 × 1015 cm - 3 미만 으로 하 면 , 도너 가 되 는 불순물 원소 의 양 이 불 충분 하 고 , 전계 효과 이동도 , 및 온 전류 의 상승 을 바랄 수 없 다 . 또한 , 미결정 반도체 막 에 포함 되 는 도너 가 되 는 불순물 원소 의 피크 농도 를 3 × 1018 cm - 3 보다 크 게 하 면 , 임계 치 전압 이 게이트 전압 의 마이너스 측 으로 시프트 하 여 버려 , 박막 트랜지스터 로서 의 동작 을 하 지 않 기 때문 에 , 도너 가 되 는 불순물 원소 의 농도 는 , 6 × 1015 cm - 3 이상 3 × 1018 cm - 3 이하 , 바람직 하 게 는 1 × 1016 cm - 3 이상 3 × 1018 cm - 3 이하 , 바람직 하 게 는 3 × 1016 cm - 3 이상 3 × 1017 cm - 3 이상 인 것 이 바람직 하 다 .