제 1 식각 마스크 층 ( 103 ) 과 제 2 식각 마스크 층 ( 106 ) 을 사용 하 는 본 발명 에 따르 면 최종 식각 깊이 가 3 ~ 4 ㎛ 이 며 메사 폭 이 1 . 3 ~ 1 . 5 ㎛ 인 메사 구조 를 제작 할 수 있 다 . 여기 서 , 1 . 3 ~ 1 . 5 ㎛ 의 메사 폭 은 분포 귀환 레이저 다이오드 에 있 어서 5 ~ 6 ㎃ 의 문턱 전류 를 제공 할 수 있 는 메사 폭 1 . 35 ~ 1 . 45 ㎛( 도 9 의 DOE 시뮬레이션 참조 ) 와 허용 오차 를 감안 하 여 최적 화 된 범위 이 며 , 3 ~ 4 ㎛ 의 식각 깊이 는 언더 컷 비율 을 1 이상 의 큰 값 으로 확보 할 수 있 는 범위 를 감안 하 여 최적 화 된 범위 이 다 . 도 10 에 도시 된 분포 귀환 레이저 다이오드 를 참조 할 때 , 언더 컷 비율 은 D / ( w 2 - w 1 ) 로 정의 된다 . 여기 서 , D 는 식각 깊이 , w 2 - w 1 은 언더 컷 의 폭 , w 1 은 메사 폭 을 나타낸다 .