상기 와 같 은 본 발명 에 따르 면 , 제 1 소스 및 제 2 소스 를 우선 반응 시켜 제 1 반응물 을 형성 한 후 , 제 3 소스 및 제 4 소스 를 상기 제 1 반응물 과 반응 시켜 기판 상 에 제 2 반응물 즉 , 티타늄 알루미늄 질화 막 을 형성 함 으로써 , 원자 층 적층 방법 으로 티타늄 알루미늄 질화 막 을 형성 할 때 보다 공정 을 보다 간략 화 할 수 있 어 공정 시간 을 단축 시켜 쓰루 풋 을 향상 시킬 수 있 다 . 또한 , 본 발명 에 따른 티타늄 알루미늄 질화 막 의 스탭 커버리지 는 원자 층 적층 방법 으로 형성 된 티타늄 알루미늄 질화 막 보다 우수 하 며 , 챔버 오염 도 감소 시킬 수 있 다 .