특정 R 7 c 및 R 7 d 기 는 바람직 하 다 . 일부 실시 양태 에서 R 7 c 및 R 7 d 기 중 적어도 하나 , 및 바람직 하 게 는 각각 은 독립 적 으로 ( C 1 - C 40 ) 히 드로 카르빌 , 더 바람직 하 게 는 ( C 2 - C 40 ) 히 드로 카르빌 , 더욱더 바람직 하 게 는 ( C 4 - C 40 ) 히 드로 카르빌 , 훨씬 더 바람직 하 게 는 ( C 4 - C 10 ) 히 드로 카르빌 , 훨씬 더욱더 바람직 하 게 는 ( C 4 - C 8 ) 히 드로 카르빌 이 고 , 당해 실시 양태 는 본 발명 의 촉매 를 본 발명 의 방법 의 높 은 반응 온도 의 실시 양태 에서 사용 할 경우 특히 바람직 하 다 . 일부 실시 양태 에서 적어도 하나 , 및 일부 이러 한 실시 양태 에서 , R 7 c 및 R 7 d 각각 은 독립 적 으로 ( C 1 - C 40 ) 헤테로 히 드로 카르빌 ; 또는 할로겐 원자 , 더 바람직 하 게 는 ( C 1 - C 40 ) 헤테로 히 드로 카르빌 , 더욱더 바람직 하 게 는 ( C 4 - C 40 ) 헤테로 히 드로 카르빌 , 훨씬 더 바람직 하 게 는 ( C 4 - C 8 ) 헤테로 히 드로 카르빌 이 다 . 일부 실시 양태 에서 R 7 c 및 R 7 d 각각 은 독립 적 으로 할로겐 원자 또는 ( C 2 - C 40 ) 알킬 , 더 바람직 하 게 는 ( C 2 - C 12 ) 알킬 , 더욱더 바람직 하 게 는 ( C 4 - C 10 ) 알킬 , 훨씬 더 바람직 하 게 는 ( C 4 - C 10 ) 알킬 이 다 . 일부 실시 양태 에서 R 7 c 및 R 7 d 각각 은 독립 적 으로 브로모 ; 시아노 ; 메틸 ; 에틸 ; 또는 프로필 ( 바람직 하 게 는 이소프로필 ) 이 다 . 일부 실시 양태 에서 R 7 c 및 R 7 d 각각 은 독립 적 으로 부틸 ( 바람직 하 게 는 1 - 부틸 또는 , 더 바람직 하 게 는 3 급 - 부틸 ) ; 펜틸 ( 바람직 하 게 는 1 , 1 - 디 메틸 프로판 - 1 - 일 ) ; 헥 실 ( 바람직 하 게 는 1 , 1 - 디 메틸 부탄 - 1 - 일 ) ; 헵틸 ( 바람직 하 게 는 1 , 1 - 디 메틸 펜탄 - 1 - 일 ) ; 옥 틸 ( 바람직 하 게 는 1 , 1 - 디 메틸 헥산 - 1 - 일 또는 2 , 4 , 4 - 트리 메틸 펜탄 - 2 일 , 또는 더 바람직 하 게 는 2 , 4 , 4 - 트리 메틸 펜탄 - 2 일 ( 즉 , 3 급 - 옥 틸 , ( CH 3 ) 3 CCH 2 C ( CH 3 ) 2 -)) 이 다 . 일부 실시 양태 에서 R 7 c 및 R 7 d 각각 은 독립 적 으로 메틸 , 3 급 - 부틸 , 또는 2 , 4 , 4 - 트리 메틸 펜탄 - 2 일 ( 즉 , ( CH 3 ) 3 CCH 2 C ( CH 3 ) 2 -) 이 다 . 일부 실시 양태 에서 R 7 c 및 R 7 d 는 서로 동일 하 다 . 바람직 하 게 는 R 7 c 및 R 7 d 각각 은 2 , 4 , 4 - 트리 메틸 펜탄 - 2 일 이 다 . 일부 실시 양태 에서 R 7 c 및 R 7 d 는 서로 상이 하 다 . 더 바람직 하 게 는 R 7 c 및 R 7 d 는 독립 적 으로 본 발명 의 실시 예 섹션 에서 후술 된 실시 예 중 어느 하나 에서 와 같이 그 에 관해 정의 된다 .