따라서 스위칭 소자 ( TR 1 ) 의 게이트 커패시턴스 ( Cgs ) 는 변화 하 지 않 을 수 있 다 . 드레 인 전극 ( DE ) 이 게이트 전극 ( GE ) 의 외측 으로 특정 길 이 이상 으로 돌출 되 어 배치 되 며 , 데이터 도전 층 ( 170 ) 이 제 2 방향 ( d 2 ) 타 측 으로 시프트 되 더라도 , 제 2 방향 ( d 2 ) 타 측 에서 상실 되 는 중첩 면적 과 제 2 방향 ( d 2 ) 일 측 에서 새로이 생겨나 는 중첩 면적 이 동일 하 여 상쇄 되 기 때문 이 다 .