또한 , 본 발명 의 실시 예 에 따른 이미지 센서 의 제조 방법 은 씨 모스 회로 ( circuitry ) 를 기판 상 에 형성 하 는 단계 ; 상기 기판 상 에 하부 배선 을 형성 하 는 단계 ; 상기 하부 배선 상 에 전도성 고분자 를 형성 하 는 단계 ; 및 상기 전도성 고분자 상 에 투명 전극 을 형성 하 는 단계 ; 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .