본 발명 에서 비 페로 브 스카이 트 계 파장 변환 체 는 양자 점 과 형광체 로 구분 할 수 있 다 . 상기 양자 점 은 수 나노미터 이하 의 크기 의 반도체 입자 로서 , 보어 반경 보다 작 은 직경 을 가져 양자 구속 효과 를 보이 는 것 을 특징 으로 한다 . 따라서 양자 점 의 크기 가 작 을수록 큰 밴드 갭 에너지 를 가지 며 , 양자 점 의 크기 에 따라서 발광 파장 을 조절 할 수 있 다 . 반면 형광체 는 보 어 반경 보다 큰 직경 을 가지 므로 입자 또는 결정 의 크기 에 따라서 밴드 갭 에너지 가 변화 하 지 않 으며 , 결정 구조 또는 분자 구조 에 의존 하 는 발광 을 하 는 물질 을 말 한다 .