첫째 로 , 란탄 계열 원소 들 : La , Ce , Nd , Sm 및 Eu 로 이루어진 그룹 으로부터 선택 된 도핑 원소 들 은 상호 작용 영역 의 3 - 차원 범위 와 관련 하 여 충돌 하 는 Ar 이온 들 에 존재 하 는 에너지 를 보다 효율 적 으로 이용 하 는 것 을 돕 는다 . 선택 된 도핑 원소 들 은 , 그것 들 의 크기 및 질량 으로 인해 , ( 분말 - 야금 제조 된 타깃 들 의 경우 와 같이 , " 그것 들 이 타깃 내 에 적절히 균일 하 게 분포 되 어 있 는 경우 ) 원자 "" 타격 램 ( battering ram ) "" 들 로서 작용 하 며 ", 이 는 이용 가능 한 충격 에너지 또는 운동량 을 타깃 표면 상 의 보다 작 은 상호 작용 영역 에 집중 시킨다 . 이렇게 함 으로써 , 전달 된 운동 에너지 는 보다 적 은 원자 층 들 에 집중 되 고 , 충돌 하 는 Ar 이온 들 의 총 에너지 는 보다 작 은 영역 에 집중 될 수 있 다 . 이 는 충돌 하 는 Ar 이온 들 의 일정 한 에너지 에서 스퍼터링 속도 를 증가 시키 고 , 보다 효율 적 인 스퍼터링 공정 이 얻 어 진다 . 이 는 2 차 전자 방출 에서 의 증가 와 도 또한 관련 이 있 으며 , 이 는 결국 작동 가스 의 보다 높 은 정도 의 이온 화 로 이어진다 .