본 발명 에 따른 반도체 소자 의 스토리지 노드 형성 방법 은 포토 마스크 의 투광 영역 을 대칭 구조 로 형성 함 으로써 MEEF 값 을 감소 시킬 수 있 어 패 터닝 에 유리 한 포토레지스트 막 패턴 을 형성 할 수 있 다 . 또한 , 이 와 같이 형성 된 포토 마스크 와 함께 노광 조명계 를 다이폴 조명계 로 적용 함 으로써 투광 영역 사이 의 공간 임계 치수 ( CD ) 를 더 큰 값 으로 확보 할 수 있 다 . 이 에 따라 향후 식각 공정 에서 브릿지 성 결함 이 발생 하 는 것 을 방지 할 수 있 다 .