예 를 들 어 , 상기 제 1 산화 막 ( 120 ) 은 7 . 5 L / min 의 H 2 가스 , 9 L / min 의 O 2 가스 를 이용 한 습식 산화 ( wet oxidation ) 법 에 의하 여 형성 될 수 있 으며 , 1800 Å 의 두께 로 형성 되 는 경우 750 ℃ 에서 약 10 시간 , 또는 1000 ℃ 에서 약 30 분 간 의 산화 공정 에 의하 여 형성 될 수 있 다 .