이 와 같이 , 산화물 반도체 이외 의 재료 를 사용 한 트랜지스터 ( 보다 넓 은 의미 로 는 충분 한 고속 동작 이 가능 한 트랜지스터 ) 와 , 산화물 반도체 층 을 사용 한 트랜지스터 ( 보다 넓 은 의미 로 는 충분히 오프 전류 가 작 은 트랜지스터 ) 를 일체 로 구비 함 으로써 , 지금 까지 없 는 특징 을 갖 는 반도체 장치 를 실현 할 수 있 다 .