전술 한 기술 적 과제 를 달성 하 기 위한 본 발명 에 따른 기판 처리 장치 는 공정 챔버 ; 상기 공정 챔버 에 설치 되 어 적어도 하나 의 기판 을 지지 하 는 기판 지지 부 ; 상기 기판 지지 부 에 대향 되 도록 상기 공정 챔버 의 상부 를 덮 는 챔버 리드 ; 및 상기 챔버 리드 에 방사 형태 로 설치 되 어 상기 기판 지지 부 에 국부 적 으로 대향 되 며 , 적어도 한 종류 의 가스 를 상기 기판 지지 부 상 에 국부 적 으로 분사 하 는 복수 의 가스 분사 모듈 을 가지 는 가스 분사 부를 포함 하 고 , 상기 복수 의 가스 분사 모듈 중 적어도 하나 의 가스 분사 모듈 은 상기 적어도 한 종류 의 가스 를 활성 화 시켜 분사 하 는 것 을 특징 으로 한다 .