본 발명 의 권리 는 위 에서 설명 된 실시 예 에 한정 되 지 않 고 청구 범위 에 기재 된 바 에 의해 정의 되 며 , 본 발명 의 기술 분야 에서 통상 의 지식 을 가진 자 가 청구 범위 에 기재 된 권리 범위 내 에서 다양 한 변형 과 개작 을 할 수 있 다는 것 은 자명 하 다 . 즉 , 상기 N 형 반도체 층 ( 200 ) 상의 N 형 전극 ( 220 ) 을 인접 한 P 형 반도체 층 ( 400 ) 상의 P 형 전극 ( 420 ) 과 소정 의 브리지 ( Bridge ) 공정 또는 스탭 커버 ( Step Cerver ) 등 의 공정 을 이용 하 여 전기 적 으로 연결 하 여 교류 형 발광 소자 를 제작 할 수 도 있 다 .