본 발명 에 따른 다중 플라스마 발생 방법 에서 발생 되 는 하전 입자 들 은 주로 전자 , 산소 원자 , 산소 분자 , 오존 , 질소원 자 , 질소 분자 , 과산화수소 , OH 라디칼 및 자외선 광자 ( photon ) 등 으로서 , 오염 유체 중 으로 접촉 혼합 시켜 줌 으로써 유체 내 에 있 는 오염 물질 들 이 다중 고리 형 노즐 의 고밀 도 플라스마 포켓 에서 고속 으로 접촉 되 어 분해 및 산화 됨 으로서 오염 처리 효율 이 향상 되 는 특징 이 있 다 . 예 를 들 어 대기 의 악취 성분 인 HCHO 는 플라스마 ( UV , O , O －, O 3 -, OH ) 와 접촉 하 여 H 와 HCO 로 분해 된 후 산소 와 결합 하 여 HO 2 와 CO 로 되 고 , 이 HO 2 는 NO 와 반응 하 여 OH 와 NO 2 로 된다 . 다시 HCHO 와 OH 가 반응 하 여 HCO 와 물 로 되 고 , CO 와 OH 가 반응 하 여 H 와 CO 2 로 분해 된다 . 즉 HCHO 는 플라스마 와 고 효율 로 접촉 하 여 이산화 탄소 와 물 로 안정 화 되 어 악취 가 저감 된다 . 마찬가지 로 수질 및 대기 오염 물질 인 페놀류 , 에틸렌 류 , 암모니아 및 질소 산화물 , 황산화물 등 의 악취 성분 및 수질 오염 물질 인 유기 염소 화합물 , 시안 화합물 , 중금속 류 , 페놀류 , 크레졸 류 , 계면 활성제 등 이 대용량 플라스마 와 의 고속 접촉 으로 분해 되 고 안정 화 되 어 COD 가 저감 되 거나 대기 오염 성분 과 악취 가 저감 된다 .