이하 에 , 도 13 도 참조 하 면서 미결정 반도체 막 ( 53 ) 을 형성 하 는 수순 에 대하 여 설명 한다 . 도 13 의 설명 은 진공 체임버 를 대기압 으로부터 진공 배기 ( 200 ) 하 는 단계 로부터 나타내 고 있 고 , 그 후 에 행해 지 는 프리 코트 ( 1201 ) , 기판 반입 ( 1202 ) , 하 지 전처리 ( 1203 ) , 성막 처리 ( 1204 ) , 기판 반출 ( 1205 ) , 클리닝 ( 1206 ) 의 각 처리 가 시계열 적 으로 나타나 있 다 . 단 , 대기압 으로부터 진공 배기 하 는 것 에 한정 되 지 않 고 , 상시 어느 정도 의 진공도 로 진공 체임버 를 유지 해 두 는 것 이 , 양산 의 관점 에서 바람직 하 고 , 또는 단시간 에 도달 진공도 를 낮추 는데 있 어서 바람직 하 다 .