포토 다이오드 ( PD ) 및 화소 트랜지스터 ( Tr ) 로 이루어지 는 각 화소 ( 24 ) 는 , p 형 반도체 영역 으로 형성 된 소자 분리 영역 ( 27 ) 에 의해 분리 되 어 있 다 . 화소 트랜지스터 ( Tr ) 는 , 반도체 기판 ( 22 ) 의 표면 ( 22 A ) 측 에 형성 된 p 형 반도체 웰 영역 ( 28 ) 에 , 도시 하 지 않 지만 n 형 의 소스 영역 및 드레 인 영역 을 형성 하 고 , 양 영역 사이 의 기판 표면 에 게이트 절 연막 을 통하 여 게이트 전극 ( 29 ) 을 형성 하 여 구성 되 어 있 다 . 또한 , 동 도면 에서 는 , 복수 의 화소 트랜지스터 를 하나 의 화소 트랜지스터 ( Tr ) 로 대표 하 여 도시 함 과 함께 , 게이트 전극 ( 29 ) 으로 모식 적 으로 나타내 고 있 다 .