또한 , 산화물 반도체 층 ( 144 ) 에 접하 는 절연 층 ( 본 실시 형태 에서 는 게이트 절연 층 ( 146 ) ) 은 제 13 족 원소 및 산소 를 포함 하 는 절연 재료 로 하 여도 좋 다 . 산화물 반도체 재료 에 는 제 13 족 원소 를 포함 하 는 것 이 많 고 , 제 13 족 원소 를 포함 하 는 절연 재료 는 산화물 반도체 와 성질 이 잘 맞 기 때문 에 , 상기 제 13 족 원소 를 포함 하 는 절연 재료 를 산화물 반도체 층 에 접하 는 절연 층 에 사용 함 으로써 , 산화물 반도체 층 과 의 계면 의 상태 를 양호 하 게 유지 할 수 있 다 .