도 8 을 참조 하 면 , 제 2 마스크 막 패턴 ( 118 a ) 을 식각 마스크 로 사용 하 여 컨트롤 게이트 막 ( 116 ) , 유전 막 ( 114 ) , 예비 제 1 도 전막 패턴 ( 106 a ) 및 예비 플로팅 게이트 ( 104 a ) 를 터널 산화 막 패턴 ( 102 a ) 및 소자 분리 막 패턴 ( 112 a ) 이 노출 될 때 까지 제 2 방향 을 따라 식각 한다 .