다음 , 마스크 패턴 ( 51 ) 을 마스크 로 하 여 절연 층 ( 140 ) 을 식각 하 여 도 12 와 같이 패 터닝 된 게이트 절 연막 ( 144 a ) 을 형성 한다 . 이 때 의 식각 은 건식 식각 ( dry etch ) 을 이용 할 수 있 다 . 이 과정 에서 마스크 패턴 ( 51 ) 의 두께 도 얇 아 지 고 얇 은 부분 ( 51 b ) 의 폭 도 짧아질 수 있 으며 , 이 에 따라 게이트 절 연막 ( 144 a ) 의 가장자리 부분 도 더 식각 되 어 외곽 부 ( 14 a ) 의 폭 이 앞 에서 설명 한 바 와 같이 작아질 수 있 다 .