이때 , 상기 제 1 리세 스 ( 16 ) 의 임계 선폭 ( CD ) 은 후속 공정 에서 형성 될 게이트 와 접촉 하 는 면적 을 확보 하 기 위해 , 종래 리세 스 의 임계 선폭 ( CD ) 보다 10 ~ 30 % 더 큰 임계 선폭 ( CD ) 으로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 예컨대 , 종래 리세 스 의 임계 선폭 ( CD ) 이 47 nm ~ 53 nm 인 경우 상기 제 1 리세 스 ( 16 ) 의 임계 선폭 ( CD ) 은 57 nm ~ 63 nm 인 것 이 바람직 하 다 .