그리고 , 메모리 장치 ( 150 ) 의 전압 공급 부 ( 310 ) 는 , 동작 모드 에 따라서 각각 의 워드 라인 들 로 공급 될 워드 라인 전압 들 ( 예 를 들 면 , 프로그램 전압 , 리드 전압 , 패스 전압 등 ) 과 , 메모리 셀 들 이 형성 된 벌크 ( 예 를 들 면 , 웰 영역 ) 로 공급 될 전압 을 제공 할 수 있 으며 , 이때 전압 공급 회로 ( 310 ) 의 전압 발생 동작 은 제어 회로 ( 도시 하 지 않 음 ) 의 제어 에 의해 수행 될 수 있 다 . 또한 , 전압 공급 부 ( 310 ) 는 , 다수 의 리드 데이터 를 생성 하 기 위해 복수 의 가변 리드 전압 들 을 생성 할 수 있 으며 , 제 어 회로 의 제어 에 응답 하 여 메모리 셀 어레이 의 메모리 블록 들 ( 또는 섹터 들 ) 중 하나 를 선택 하 고 , 선택 된 메모리 블록 의 워드 라인 들 중 하나 를 선택 할 수 있 으며 , 워드 라인 전압 을 선택 된 워드 라인 및 비 선택 된 워드 라인 들 로 각각 제공 할 수 있 다 .