따라서 , 간접 방식 의 X 선 검출기 에서 는 균일 한 신 틸레 이터 층 을 형성 하 는 것 을 목적 으로 하 고 있 지만 , 회로 기판 의 광전 변환 소자 가 배열 된 표면 에 폴리 이미드 의 투명 층 을 형성 하 고 , 이 투명 층상 에 신 틸레 이터 층 을 형성 함 으로써 신 틸레 이터 층 에 의한 부식 도 방지 하 고 있 다 . 또한 , 신 틸레 이터 층 을 덮 어 밀봉 하 는 폴리 파라 크 실 일렌 의 보호 층 을 형성 하 고 , 대기 중 의 수분 에 의한 신 틸레 이터 층 의 조해 에 대해 보호 하 고 있 다 ( 예 를 들 면 , 일본 공개 특허 공보 제 2002 - 48872 호 ( 제 3 페이지 , 도 1 내지 도 3 ) .