또한 , 메모리 셀 어레이 ( 10 ) 에 메모리 셀 ( 30 ) 이 2 n 행 2 n 열 에 배치 되 어 있 는 경우 에 는 , 제 1 어드레스 신호선 내지 제 n 어드레스 신호선 모두 가 로우 어드레스 래치 ( 21 ) 및 컬럼 어드레스 래치 ( 22 ) 의 양쪽 에 전기 적 으로 접속 될 필요 가 있 지만 , 메모리 셀 어레이 ( 10 ) 의 행수 와 열수 가 상이 한 경우 에 는 그럴 필요 는 없 다 . 즉 , 메모리 셀 어레이 ( 10 ) 에 메모리 셀 ( 30 ) 이 2 n 행 2 m 열 ( m 은 n 미만 의 자연수 ) 에 배치 되 는 경우 에 는 , 컬럼 어드레스 래치 ( 22 ) 에 는 제 1 어드레스 신호선 내지 제 n 어드레스 신호선 의 적어도 m 개 의 어드레스 신호선 이 전기 적 으로 접속 되 면 좋 다 . 마찬가지 로 , 메모리 셀 어레이 ( 10 ) 에 메모리 셀 ( 30 ) 이 2 m 행 2 n 열 에 배치 되 는 경우 에 는 , 로우 어드레스 래치 ( 21 ) 에 는 제 1 어드레스 신호선 내지 제 n 어드레스 신호선 의 적어도 m 개 의 어드레스 신호선 이 전기 적 으로 접속 되 면 좋 다 . 단 적 으로 설명 하 면 , 메모리 셀 어레이 ( 10 ) 에 배치 된 특정 메모리 셀 ( 30 ) 을 디코더 ( 로우 디코더 ( 11 ) 및 컬럼 디코더 ( 12 ) ) 에 의해 선택 할 수 있 도록 어드레스 신호 ( 로우 어드레스 신호 및 컬럼 어드레스 신호 ) 를 공급 하 는 배선 ( 어드레스 신호선 ) 을 적절히 설치 하 면 좋 다 .