제 4 액티브 패턴 ( ACT 4 ) , 제 4 소스 전극 ( SE 4 ) 및 제 4 드레 인 전극 ( DE 4 ) 은 불순물 이 도핑 되 지 않 거나 불순물 이 도핑 된 반도체 층 으로 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 면 , 제 4 소스 전극 ( SE 4 ) 및 제 4 드레 인 전극 ( DE 4 ) 은 불순물 이 도핑 된 반도체 층 으로 이루어지 며 , 제 4 액티브 패턴 ( ACT 4 ) 은 불순물 이 도핑 되 지 않 은 반도체 층 으로 이루어질 수 있 다 . 제 4 액티브 패턴 ( ACT 4 ) 은 제 4 게이트 전극 ( GE 4 ) 과 중첩 된 부분 에 해당 한다 .