제 2 게이트 절 연막 ( 114 ) 은 제 2 반도체 패턴 ( 310 ) 상 에 배치 될 수 있 다 . 제 2 게이트 절 연막 ( 114 ) 은 질화 실리콘 ( SiNx ) 또는 산화 실리콘 ( SiOx ) 의 단일 층 또는 이 들 의 다중 층 으로 구성 될 수 있 다 . 제 2 게이트 절 연막 ( 114 ) 은 제 2 반도체 패턴 ( 310 ) 의 제 2 채널 영역 ( 310 C ) 과 중첩 하 고 , 제 2 소스 영역 ( 310 S ) 및 제 2 드레 인 영역 ( 310 D ) 을 노출 하 도록 패 터닝 될 수 있 다 .