상기 와 같 은 목적 을 달성 하 기 위하 여 , 본 발명 의 실시 예 는 , 자발 분극 성 재료 를 포함 하 는 베이스 와 , 상기 베이스 에 인접 하 도록 배치 된 게이트 와 , 상기 게이트 를 통하 여 상기 베이스 에 전기장 을 인가 하 여 상기 베이스 에 형성 되 고 서로 다른 방향 의 분극 을 갖 는 적어도 두 개 의 분극 영역 과 , 선택 적 으로 상기 서로 다른 방향 의 분극 을 갖 는 분극 영역 들 의 경계 에 대응 하 는 변동 저 저항 라인 과 , 상기 변동 저 저항 라인 에 접하 도록 위치 하 는 소스 와 , 상기 변동 저 저항 라인 에 접하 도록 위치 하 는 드레 인 을 포함 하 고 , 상기 변동 저 저항 라인 은 상기 베이스 의 영역 중 상기 변동 저 저항 라인 과 인접 한 다른 영역 보다 전기 적 저항 이 낮 은 영역 으로 형성 되 는 비휘발성 메모리 소자 를 개시 한다 .