일부 경우 에 , 기판 작용 화 를 위한 방법 은 기판 의 표면 상 에 실란 분자 의 침착 을 포함 한다 . 실란 분자 는 기판 의 고 에너지 표면 상 에 침착 될 수 있 다 . 일부 경우 에 , 고 표면 에너지 영역 은 수동 적 작용 화 시약 을 포함 한다 . 본원 에 기재 된 방법 은 실란 기 가 표면 에 결합 하 는 것 을 가능 하 게 하 는 한편 , 분자 의 나머지 는 표면 으로부터 거리 를 제공 하 고 생체 분자 가 부착 되 는 말단 에 유리 히드록실기 를 제공 한다 . 일부 경우 에 , 실란 은 유기 작용 성 알 콕 시실 란 분자 이 다 . 유기 작용 성 알 콕 시 실란 의 비 제한 적 인 예 는 디 메틸 클로로 - 옥토 데 실 - 실란 , 메틸 디 클로로 - 옥토 데 실 - 실란 , 트리 클로로 - 옥토 데 실 - 실란 , 트리 메틸 - 옥토 데 실 - 실란 및 트리 에틸 - 옥토 데 실 - 실란 을 포함 한다 . 일부 경우 에 , 실란 은 아미노 실란 이 다 . 아미노 실란 의 예 는 11 - 아세 톡 시운 데 실 트리 에 톡 시실 란 , n - 데 실 트리 에 톡 시실 란 , ( 3 - 아미노 프로필 ) 트리 메 톡 시실 란 , ( 3 - 아미노 프로필 ) 트리 에 톡 시실 란 , 글 리시 딜 옥시 프로필 / 트리 메 톡 시실 란 및 N -( 3 - 트리 에 톡 시 실릴 프로필 ) - 4 - 히드록시 부티르 아미드 를 포함 하나 , 이 들 로 제한 되 지 않 는다 . 일부 경우 에 , 실란 은 11 - 아세 톡 시운 데 실 트리 에 톡 시실 란 , n - 데 실 트리 에 톡 시실 란 , ( 3 - 아미노 프로필 ) 트리 메 톡 시실 란 , ( 3 - 아미노 프로필 ) 트리 에 톡 시실 란 , 글 리시 딜 옥시 프로필 / 트리 메 톡 시실 란 , N -( 3 - 트리 에 톡 시 실릴 프로필 ) - 4 - 히드록시 부티르 아미드 , 또는 이 들 의 임의 의 조합 을 포함 한다 . 일부 경우 에 , 능동 적 작용 화제 는 11 - 아세 톡 시운 데 실 트리 에 톡 시 실란 을 포함 한다 . 일부 경우 에 , 능동 적 작용 화제 는 n - 데 실 트리 에 톡 시 실란 을 포함 한다 . 일부 경우 에 , 능동 적 작용 화제 는 글 리시 딜 옥시 프로필 트리 에 톡 시 실란 ( GOPS ) 을 포함 한다 . 일부 경우 에 , 실란 은 플 루 오로 실란 이 다 . 일부 경우 에 , 실란 은 탄화수소 실란 이 다 . 일부 경우 에 , 실란 은 3 - 요오 도 - 프로필 트리 메 톡 시 실란 이 다 . 일부 경우 에 , 실란 은 옥 틸 클로 로 실란 이 다 .