이 구성 에 따르 면 , 웨이퍼 상 에 다층 상호 접속 구조 등 이 만들 어 지 는 경우 , 웨이퍼 표면 에 는 연마 제거 되 는 도전 성막 의 하층 에 , 또 다른 재질 의 도전 성막 , 절연 성막 등 이 다층 으로 적층 되 는 것 이 일반 적 이 다 . 이 와 같 은 다층막 구조 에 있 어서 , 도전 성막 의 연마 가 진행 되 어 , 표피 깊이 로 정의 되 는 극히 얇 은 막 두께 에 달한 이후 의 막 두께 의 변화 에 따라 , 다층막 을 종합 한 유전 율 이 변화 하 고 , 또한 , 유전체 손실 을 포함 하 는 손실 계수 가 변화 한다 . 따라서 , 투과 계수 , 반사 계수 에 더 하 여 유전 율 및 손실 계수 를 측정 하 고 , 이 들 의 투과 계수 , 반사 계수 , 유전 율 및 손실 계수 중 적어도 어느 하나 의 변화 를 기초 로 연마 제거 의 종료 점 및 연마 제거 의 종료 시점 에 대응 한 시점 이 검출 된다 .