몰드 형성 은 포토 리소그래피 ( Photolithography ) 공정 을 이용 하 여 형성 할 수 있 다 . 포토 리소그래피 는 원 하 는 회로 설계 를 유리판 위 에 금속 패턴 으로 만들 어 놓 은 마스크 ( mask ) 라는 원판 에 빛 을 쬐 어 생기 는 그림자 를 웨이퍼 상 에 전사 시켜 복사 하 는 기술 이 며 , 반도체 의 제조 공정 에서 설계 된 패턴 을 웨이퍼 상 에 형성 하 는 가장 중요 한 공정 이 다 . 더욱 구체 적 으로 는 웨이퍼 의 표면 에 감광제 조성물 을 균일 하 게 도포 하 는 도포 ( coating ) 공정 , 도포 된 감광막 으로부터 용매 를 증발 시켜 감광막 이 웨이퍼 의 표면 에 부착 하 게 하 는 소프트 베이 킹 ( soft baking ) 공정 , 자외선 등 의 광원 을 이용 하 여 마스크 상 의 회로 패턴 을 반복 적 , 순차 적 으로 축소 투영 하 면서 감광막 을 노광 시켜 마스크 의 패턴 을 감광막 상 으로 전사 하 는 노광 ( 露 光 , light exposure ) 공정 , 광원 에 대한 노출 에 의한 감광 에 따라 용해도 차 와 같 은 물리 적 성질 이 다르 게 된 부분 들 을 현상액 을 사용 하 여 선택 적 으로 제거 하 는 현상 ( 現像 , development ) 공정 , 현상 작업 후 웨이퍼 상 에 잔류 하 는 감광막 을 웨이퍼 에 보다 긴밀 하 게 고착 시키 기 위한 하드 베이 킹 ( hard baking ) 공정 , 현상 된 감광막 의 패턴 에 따라 일정 부위 를 에칭 하 는 식각 ( 蝕刻 , etch ) 공정 및 상기 공정 후 불 필요 하 게 된 감광막 을 제거 하 는 스트립 ( strip ) 공정 등 으로 진행 된다 . 반도체 소자 에 사용 되 는 물질 들 은 빛 에 노출 되 어도 그 특성 이 변화 되 지 않 아 , 노광 공정 을 통해 마스크 원판 의 회로 설계 를 웨이퍼 로 전사 하 기 위해서 는 매개체 가 필요 한데 그 매개체 를 포토 레지스 트 ( photoresist , 감광제 ) 라 한다 . 포토 레지스 트 는 특정 파장 의 빛 을 받 아 현상액 에서 의 용해도 가 변하 는 특성 을 이용 해 후속 현상 처리 과정 중 빛 을 받 은 부분 과 그렇 지 않 은 부분 을 선택 적 으로 제거 할 수 있 는 물질 을 말 한다 . 일반 적 으로 포토 레지스 트 는 현상액 을 이용 하 여 빛 에 의하 여 선택 적 으로 변화 된 부분 을 제거 하 게 되 는데 , 빛 을 받 은 부위 가 현상액 에 의해 잘 녹 는 경우 를 파지 티 브 레지스 트 ( positive resist ) , 그 반대 를 네거티브 레지스 트 ( negative resist ) 라고 한다 .