본 발명 에 따른 반도체 메모리 장치 의 온 다이 터 미 네이션 회로 는 도 2 에 도시 된 바 와 같이 , ODT 입력 드라이버 ( 10 ) , 제 1 비교 부 ( 20 ) , 제 1 제 어부 ( 100 ) , 제 1 코드 조정부 ( 200 ) , ODT 출력 드라이버 ( 40 ) , 제 2 비교 부 ( 50 ) , 제 2 제 어부 ( 500 ) , 및 제 2 코드 조정부 ( 600 ) 를 구비 한다 .