바람직 하 게 , 상기 전자 채널 층 을 형성 하 는 단계 는 , 상기 제 1 전극 상 에 상기 하부 유기물 층 을 형성 하 는 단계 ; 상호 이격 거리 를 두 고 배치 된 소정 크기 의 상기 나노 입자 를 포함 하 는 상기 나노 입자 층 을 상기 하부 유기물 층 상 에 형성 하 는 단계 ; 및 상기 나노 입자 층 상 에 상기 상부 유기물 층 을 형성 하 는 단계 를 포함 한다 . 상기 나노 입자 층 , 상기 상부 유기물 층 및 상기 하부 유기물 층 은 랑 뮤어 - 블러 짓 방법 으로 형성 한다 . 상기 나노 입자 는 Al , Au , Ag , Co , Ni , Fe 또는 이 들 의 조합 으로 이루어지 는 금속 나노 입자 이 다 . 상기 나노 입자 의 크기 는 1 ~ 20 ㎚ 범위 에서 형성 된다 . 상기 나노 입자 간 이격 거리 는 상기 나노 입자 의 크기 와 같 거나 상기 나노 입자 크기 의 50 % 이내 에서 크 거나 작 은 거리 를 갖 는다 . 상기 상부 유기물 층 및 상기 하부 유기물 층 은 반도체 성 또는 절연 성 을 가지 며 밴드 갭 이 2 eV 이상 인 유기물 로 이루어진다 . 상기 제 1 전극 및 제 2 전극 을 형성 하 는 단계 에서 , 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 은 Al , Cu , Au , Pt 또는 도핑 된 실리콘 으로 이루어진다 . 상기 나노 입자 층 을 형성 하 는 단계 에서 , 금속 나노 입자 를 스핀 코팅 방법 으로 형성 한다 .