상기 단계 ( S 70 ) 를 거쳐 남 은 , Si 실리콘 웨이퍼 ( 10 ) , 이산화규소 ( SiO 2 ) 층 ( 30 ) , 크롬 접착 층 ( 40 ) 및 전극 층 ( 50 ) 이 순차 적 으로 적층 형성 되 어 일체 를 이루 는 센서 부 의 상부 로 센 서막 기능 을 갖 는 산화아연 ( ZnO ) 을 증착 하 여 산화아연 ( ZnO ) 막 층 ( 60 ) 을 형성 하 는 단계 ( S 80 ) 와 ,