이 와 같이 , 제 1 버퍼 절 연막 ( 110 ) 이 산화 실리콘 ( SiOx ) 과 질화 실리콘 ( SiNx ) 이 교번 으로 형성 된 다중 층 으로 이루어진 경우 , 제 1 버퍼 절 연막 ( 110 ) 의 최 상부 층 및 최 하부 층 은 산화 실리콘 ( SiOx ) 물질 로 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 면 , 복수 개 의 층 으로 이루어진 제 1 버퍼 절 연막 ( 110 ) 은 제 1 박막 트랜지스터 ( 200 ) 의 제 1 반도체 패턴 ( 210 ) 과 접촉 하 는 상부 층 , 기판 ( 100 ) 과 접촉 하 는 하부 층 , 및 상부 층 과 하부 층 사이 에 위치 하 는 중간층 을 포함 할 수 있 다 . 그리고 , 상부 층 및 하부 층 은 산화 실리콘 ( SiOx ) 물질 로 형성 될 수 있 다 . 그리고 , 다 중층 으로 이루어진 제 1 버퍼 절 연막 ( 110 ) 의 상부 층 은 하부 층 및 중간층 의 두께 보다 더 두껍 게 형성 될 수 있 다 .