일반 적 인 낸드 플래시 메모리 소자 의 제조 방법 에서 는 소자 분리 막 을 형성 하 기 위해 트렌치 를 형성 한 후 트랜 치 내 를 고밀 도 플 라즈 마 ( High Density Plasma ; HDP ) 산화 막 또는 PSZ ( polysilazane ) 물질 을 이용 하 여 채운다 . 그런 다음 , 주변 회로 영역 을 클로즈 하 는 마스크 인 PCL ( Peri Closed Mask ) 를 이용 하 여 셀 영역 의 소자 분리 막 상부 를 제거 하 여 소자 분리 막 의 EFH ( Effective Field Height ) 를 조절 한 후 유전체 막 프리 클리닝 공정 을 실시 한다 .