선행 기술 질소 전처리 및 활성 화 기술 에 단점 이 존재 한다 . 활성 화 프로세스 는 탄소질 차르 또는 다른 흡착제 물질 의 표면 부분 을 기화 시키 고 , 이 는 탄소 또는 흡착제 입자 의 표면 상 다른 물질 이 증발 됨 에 따라 작 은 기공 을 형성 시킨다 . 이러 한 기공 은 흡착제 물질 의 높 은 총 표면 적 , 및 이 에 따라 이 의 높 은 성능 의 원인 이 된다 . 그러나 , 활성 화 프로세스 동안 이러 한 가스 화 는 증발 을 통해 표면 으로부터 제거 되 는 물질 에 대해 선택 적 ( selective ) 이 지 않 다 . 결과 적 으로 , 촉매 활성 의 원인 이 되 고 , 흡착제 물질 의 표면 주 쇄 의 부분 인 포함 된 질소 대부분 이 활성 화 프로세스 동안 제거 된다 . 이 는 역효과 를 낳 고 ( counterproductive ) , 흡착제 물질 의 촉매 적 성질 을 감소 시키 고 , 이 에 따라 , 물 로부터 유해 한 화합물 의 제거 및 분해 에서 이 의 성능 을 저하 시킨다 .