도 7 과 같이 , 유기 발광 표시 장치 는 기판 ( 10 a ) 상 에 박막 트랜지스터 ( TFT ) 와 유기 발광 소자 ( EL ) 등 을 형성 된 구조 를 가진다 . 좀 더 자세히 살펴보 면 , 기판 ( 10 a ) 상 의 버퍼 층 ( 11 a ) 상부 에 활성 층 ( 11 f ) 이 형성 되 어 있 고 , 이 활성 층 ( 11 f ) 은 N 형 또는 P 형 불순물 이 고농도 로 도핑 된 소스 및 드레 인 영역 을 갖 는다 . 이 활성 층 ( 11 f ) 을 산화물 반도체 로 형성 할 수 도 있 다 . 예 를 들 어 , 산화물 반도체 는 아연 ( Zn ) , 인듐 ( In ) , 갈륨 ( Ga ) , 주석 ( Sn ) 카드뮴 ( Cd ) , 게르마늄 ( Ge ) , 또는 하프늄 ( Hf ) 과 같 은 12 , 13 , 14 족 금속 원소 및 이 들 의 조합 에서 선택 된 물질 의 산화물 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 면 활성 층 ( 141 f ) 은 G - I - Z - O [ ( In 2 O 3 ) a ( Ga 2 O 3 ) b ( ZnO ) c ] ( a , b , c 는 각각 a ≥ 0 , b ≥ 0 , c ＞ 0 의 조건 을 만족 시키 는 실수 ) 을 포함 할 수 있 다 . 활성 층 ( 11 f ) 의 상부 에 는 게이트 절 연막 ( 11 b ) 을 개재 하 여 게이트 전극 ( 11 g ) 이 형성 되 어 있 다 . 게이트 전극 ( 11 g ) 의 상층 에 는 소스 전극 ( 11 h ) 과 드레 인 전극 ( 11 i ) 이 형성 되 어 있 다 . 게이트 전극 ( 11 g ) 과 소스 전극 ( 11 h ) 및 드레 인 전극 ( 11 i ) 의 사이 에 는 층간 절 연막 ( 11 c ) 이 구비 되 어 있 고 , 소스 전극 ( 11 h ) 및 드레 인 전극 ( 11 i ) 과 유기 발광 소자 ( EL ) 의 애노드 전극 ( 11 j ) 사이 에 는 패 시베이 션 막 ( 11 d ) 이 개재 되 어 있 다 .