상기 비휘발성 메모리 장치 의 셀 트랜지스터 는 데이터 저장 하 기 위한 전하 저 장막 을 포함 한다 . 상기 전하 저 장막 과 기판 사이 에 터널 링 절 연막 이 배치 되 고 , 상기 셀 트랜지스터 의 프로그램 및 소거 는 파울러 - 노드 하임 ( FN : Fouler - Nodheim ) 터널 링 에 의해 수행 될 수 있 다 . 예컨대 , 프로그램 동작 시 기판 의 전하 들 은 상기 FN 터널 링 에 의해 상기 터널 링 절 연막 을 통과 하 여 상기 전하 저장 막 에 저장 되 고 , 상기 셀 트랜지스터 는 오프 상태 가 될 수 있 다 . 소거 동작 시 상기 전하 저 장막 의 전하 들 은 상기 FN 터널 링 에 의해 터널 링 절 연막 을 통과 하 여 상기 기판 으로 배출 되 고 , 상기 셀 트랜지스터 는 온 상태 가 될 수 있 다 .