상기 다른 기술 적 과제 를 달성 하 기 위하 여 , 본 발명 은 제 1 단위 상변화 메모리 소자 부분 및 제 2 단위 상변화 메모리 소자 부분 으로 한정 된 반도체 기판 상 에 하부 전극 용 제 1 도 전막 및 발열 전극 용 제 2 도 전막 을 순차 적 으로 형성 한다 . 상기 제 1 단위 상변화 메모리 소자 부분 및 제 2 단위 상변화 메모리 소자 부분 의 경계 부분 의 상기 제 2 도 전막 상 에 제 1 절연 층 패턴 을 형성 한다 .