위 와 같 은 제 1 및 제 2 접합 영역 ( 310 A , 310 B ) 은 , 게이트 구조물 ( 320 ) 을 마스크 로 게이트 구조물 ( 320 ) 양측 의 활성 영역 ( 300 A ) 으로 이온 주입 등 의 방식 에 의하 여 불순물 을 도핑 함 으로써 동일 한 불순물 농도 를 갖 는 초기 제 1 및 제 2 접합 영역 ( 미도 시 됨 ) 을 형성 한 후 , 초기 제 2 접합 영역 을 마스크 패턴 등 으로 덮 은 상태 에서 초기 제 1 접합 영역 으로 불순물 을 추가 도핑 하 는 방식 으로 형성 될 수 있 다 . 또는 , 제 1 및 제 2 접합 영역 ( 310 A , 310 B ) 은 , 게이트 구조물 ( 320 ) 양측 중 제 1 접합 영역 ( 310 A ) 과 대응 하 는 일 측 의 활성 영역 ( 300 A ) 은 노출 시키 고 제 2 접합 영역 ( 310 B ) 과 대응 하 는 타 측 의 활성 영역 ( 300 A ) 은 덮 은 상태 에서 상대 적 으로 고농도 의 불순물 을 도핑 하 고 , 게이트 구조물 ( 320 ) 양측 중 제 1 접합 영역 ( 310 A ) 과 대응 하 는 일 측 의 활성 영역 ( 300 A ) 은 덮 고 제 2 접합 영역 ( 310 B ) 과 대응 하 는 타 측 의 활성 영역 ( 300 A ) 은 노출 시킨 상태 에서 상대 적 으로 저 농도 의 불순물 을 도핑 하 는 방식 으로 수행 될 수 도 있 다 . 제 1 및 제 2 접합 영역 ( 310 A , 310 B ) 의 불순물 의 종류 는 서로 동일 할 수 있 다 .