제 3 트랜지스터 ( Tr 33 ) 는 도 1 의 제 3 트랜지스터 ( Tr 3 ) 와 달리 , 탑 게이트 형 구조 를 가질 수 있 다 . 예 를 들 어 , 제 3 게이트 전극 ( 513 ) 은 제 3 게이트 절 연막 ( 413 ) 의 상부 에 마련 되 고 , 제 3 채널 층 ( 16 ) 은 제 3 게이트 절 연막 ( 413 ) 의 하부 에 마련 될 수 있 다 . 탑 게이트 형 인 제 3 트랜지스터 ( Tr 33 ) 의 제 3 채널 층 ( 16 ) 은 제 2 절연 층 ( 710 ) 상 에 마련 될 수 있 다 . 제 3 채널 층 ( 16 ) 양측 부 각각 에 는 제 3 소스 전극 ( 213 ) 및 제 3 드레 인 전극 ( 313 ) 이 마련 될 수 있 다 . 바텀 게이트 형 구조 와 비교 하 여 , 탑 게이트 형 구조 는 , 제 3 트랜지스터 ( Tr 33 ) 에 포함 된 제 3 게이트 절 연막 ( 413 ) 의 강유 전 성 특징 이 더욱 용이 하 게 발현 될 수 있 다는 이점 을 가진다 . 다시 말 해 , 제 3 게이트 절 연막 ( 413 ) 을 열처리 하 는 과정 에서 제 3 게이트 전극 ( 513 ) 이 제 3 게이트 절 연막 ( 413 ) 의 하부 에 마련 된 경우 보다 상부 에 마련 된 경우 에 , 제 3 게이트 절 연막 ( 413 ) 의 강유 전 성 특징 이 더욱 두드러지 게 나타날 수 있 다 .