다음 , 도 6 b 에서 는 격벽 의 높이 ( h ) 를 125 ㎛ 로 고정 하 고 , 스캔 전극 과 서 스테인 전극 간 의 최단 간격 ( d ) 을 조절 하 여 스캔 전극 과 서 스테인 전극 간 의 최단 간격 ( d ) 과 격벽 의 높이 ( h ) 의 비율 을 변경 하 면서 방전 효율 및 스캔 전극 과 서 스테인 전극 간 의 방전 개시 전압 을 측정 한다 . 여기 , 도 6 b 에서 ◎ 표시 는 방전 효율 또는 방전 개시 전압 이 매우 양호 함 을 나타내 고 , ○ 표시 는 상대 적 으로 양호 함 을 나타내 고 , X 표시 는 불량 함 을 나타낸다 .