소자 분리 막 ( 120 a ) 의 EFH ( effective field oxide height ) 를 조절 하 기 위한 식각 공정 을 실시 하 여 소자 분리 막 ( 120 a ) 의 높이 를 낮춘다 . 이때 , 반도체 기판 ( 100 ) 의 활성 영역 상부 에서부터 소자 분리 막 ( 120 a ) 의 상부 까지 의 높이 는 50 Å 내지 200 Å 이 되 도록 하 는 것 이 바람직 하 다 .