전압 발생기 ( 150 ) 는 불휘발성 메모리 장치 ( 100 ) 의 내부 동작 에 사용 되 는 전압 을 생성 할 수 있 다 . 전압 발생기 ( 150 ) 에 의해서 생성 된 전압 들 은 메모리 셀 어레이 ( 110 ) 의 메모리 셀 들 에 인가 될 수 있 다 . 예 를 들 면 , 프로그램 동작 시 생성 된 프로그램 전압 은 프로그램 동작 이 수행 될 메모리 셀 들 의 워드 라인 에 인가 될 수 있 다 . 다른 예 로서 , 소거 동작 시 생성 된 소거 전압 은 소거 동작 이 수행 될 메모리 셀 들 의 웰 - 영역 에 인가 될 수 있 다 . 다른 예 로서 , 읽 기 동작 시 생성 된 읽 기 전압 은 읽 기 동작 이 수행 될 메모리 셀 들 의 워드 라인 에 인가 될 수 있 다 .