도 1 h 에서 는 식각 후 에 도 소스 / 드레 인 영역 ( 150 a ) 이 게이트 전극 ( 110 a ) 과 접촉 하 지 않 는 절연 층 ( 120 ) 의 일부 영역 상 에 존재 하 는 것 으로 도시 되 어 있 으나 , 이 는 예시 적 이 며 , 반드시 이 에 한정 되 는 것 은 아니 다 . 즉 , 게이트 전극 ( 110 a ) 과 접촉 하 지 않 는 절연 층 ( 120 ) 의 일부 영역 상 에 소스 / 드레 인 영역 ( 150 a ) 이 식각 에 의하 여 제거 되 어 존재 하 지 않 을 수 있 다 .