다음 , 종래 의 기술 을 사용 하 여 자기 요소 , 즉 자기 멤 브레인 ( 112 ) 및 자기 접촉 부 ( 140 ) 에 에너지 가 가해진다 . 예 를 들 어 , 마이크로프로세서 는 자기 멤 브레인 또는 그 외 전기 컴포넌트 ( 예 를 들 어 , 커패시터 ) 에 에너지 를 가하 는 데 사용 되 는 회로 를 포함 할 수 있 으며 , 이 회로 는 이 두 개 의 자기 요소 에 에너지 를 가하 는 데 사용 될 수 있 다 . 에너지 를 받 은 자기 요소 ( 112 , 140 ) 는 이 둘 사이 의 갭 을 폐쇄 하 고 이 에 따라 랜싯 ( 130 ) 의 예리 한 제 2 단부 ( 134 ) 가 먼저 자기 멤 브레인 ( 112 ) 을 관통 한 다음 셀 또는 멤 브레인 ( 120 ) 의 상부 표면 및 하부 표면 을 관통 하 게 된다 . 자기 요소 ( 112 , 140 ) 는 도 4 에 도시 된 바 와 같이 서로 접촉 하 게 되 고 랜싯 ( 130 ) 의 제 2 단부 ( 134 ) 는 셀 ( 120 ) 의 하부 표면 아래 에 잘 위치 하 게 된다 .