플라 즈 마 식각 장치 는 챔버 , 챔버 내 에 설치 되 고 , 플 라즈 마 를 생성 하 기 위한 고주파 에너지 가 인가 되 는 스테이지 , 스테이지 상 에 위치 하 면서 그 상부 에 는 반도체 기판 의 이면 의 중심부 를 지지 하 는 제 1 전극 , 제 1 전극 에 놓여 지 는 반도체 기판 을 상부 로 리프팅 하 여 반도체 기판 의 이면 의 주변 부 를 지지 할 수 있 게 스테이지 를 둘러싸 는 하부 - 제 2 전극 및 스테이지 와 마주 보 는 상부 - 제 2 전극 을 포함 한다 . 그러면 , 반도체 기판 의 이면 에 플 라즈 마가 생성 되 고 , 그 결과 반도체 기판 의 이면 에 흡착 또는 증착 된 이 물질 의 식각 이 이루어진다 .