제 1 실시 형태 에 따른 기판 적 재 대 ( 5 ) 는 , 기판 ( 3 ) 을 지지 하 는 시일 밴드 ( 22 ) 와 , 적 재면 ( 21 a ) 을 외측 영역 ( F 1 ) 과 내측 영역 ( F 2 ) 으로 나누 는 컨덕턴스 밴드 ( 23 ) 와 , 컨덕턴스 밴드 ( 23 ) 와 기판 ( 3 ) 사이 에 공극 ( G ) 을 두 고 기판 ( 3 ) 을 지지 하 는 복수 의 제 2 돌기 ( 25 ) 와 , 전열 가스 가 흐르 는 외측 유로 ( 26 ) 및 내측 유로 ( 27 ) 와 , 전열 가스 를 컨덕턴스 밴드 ( 23 ) 의 둘레 방향 을 따라 확산 시키 는 환상 의 확산 부 ( 28 ) 를 구비 한다 . 확산 부 ( 28 ) 에 의해 , 전열 가스 가 컨덕턴스 밴드 ( 23 ) 의 둘레 방향 으로 원활 하 게 확산 됨 으로써 , 외측 영역 ( F 1 ) 및 내측 영역 ( F 2 ) 의 컨덕턴스 가 향상 되 어 , 컨덕턴스 밴드 ( 23 ) 와 상대 적 으로 큰 컨덕턴스 비 가 되 므로 , 컨덕턴스 밴드 ( 23 ) 에 의해 나누 어 진 외측 영역 ( F 1 ) 과 내측 영역 ( F 2 ) 의 압력 차 를 크 게 확보 할 수 있 다 . 이 에 의해 , 전열 가스 에 의해 온도 가 제어 되 는 기판 ( 3 ) 의 온도 분포 ( 압력 분포 ) 를 외측 영역 ( F 1 ) 과 내측 영역 ( F 2 ) 에서 급 준하 게 변화 하 도록 제어 할 수 있 다 . 따라서 , 전열 가스 를 사용 해서 기판 ( 3 ) 의 온도 를 제어 하 는 정밀도 를 높일 수 있 다 . 특히 , 기판 ( 3 ) 의 프로세스 특성 의 제어 에서 는 , 기판 ( 3 ) 의 국소 적 인 온도 분포 에 대하 여 제어 하 는 것 이 필요 한 경우 가 있 으므로 , 컨덕턴스 밴드 를 경계 로 해서 급 준 한 압력 차 를 부여 할 수 있 음 으로써 , 프로세스 특성 의 제어 의 범위 를 확장 할 수 있 다 .