이때 , 버퍼 층 ( 2120 ) 을 이루 는 정공 주입 층 ( 2130 ) 은 제 1 전극 ( 2110 ) 으로 사용 된 ITO 등 의 물질 과 정공 전달 층 ( 2140 ) 으로 사용 되 는 유기 물질 사이 의 계면 특성 을 개선 할 뿐 만 아니 라 그 표면 이 평탄 하 지 않 은 ITO 의 상부 에 도포 되 어 ITO 의 표면 을 부드럽 게 만들 어 줌 으로써 , 전도 성 내지 는 발광 효율 을 향상 시킬 수 있 도록 기능 한다 . 특히 정공 주입 층 ( 2130 ) 은 제 1 전극 ( 2110 ) 으로 사용 되 는 ITO 등 의 일함수 수준 과 정공 전달 층 ( 2140 ) 의 HOMO 수준 의 차이 를 조절 하 기 위하 여 ITO 의 일함수 수준 과 정공 전달 층 ( 2140 ) 의 HOMO 수준 의 중간 값 을 가지 는 물질 로서 , 특히 적절 한 전도 성 을 갖 는 물질 을 선택 한다 . 본 발명 과 관련 하 여 정공 주입 층 ( 2120 ) 을 이루 는 물질 로 는 copper - phthlalocyanine ( CuPc ) , N , N '- dinaphthyl - N , N '- phenyl -( 1 , 1 '- biphenyl ) - 4 , 4 '- diamine , NPD ) , α - NPD 등 과 같 은 방향 족 아민류 , 전도성 고분자 로서 의 폴리 티오펜 유도체 인 poly ( 3 , 4 - ethylenedixoythiophene ) - poly ( styrene sulfonate ) ( PEDOT ) 를 사용 할 수 있 으며 , 특히 본 발명 의 실시 예 에서 는 PEDOT 를 사 용하 였 다 . 정공 주입 층 ( 2130 ) 은 20 ~ 200 Å 의 두께 로 제 1 전극 ( 2110 ) 의 상부 에 코팅 될 수 있 다 .