종래 의 경우 , 게이트 스택 을 매립 하 는 절 연막 을 비피 에 스지 막 의 단일 증착 공정 을 이용 하 여 진행 하 였 다 . 이 경우 , 비피 에 스지 막 의 유동 성 증가 를 위해 일정 온도 에서 열처리 를 수행 함 으로써 불순물 의 과도 확산 으로 인해 박막 내 전기 적 채널 이 발생 하 였 다 . 이 와 같이 형성 된 전기 적 채널 은 이후 단위 소자 가 작동 할 때 일정량 의 전류 가 손실 되 는 원인 이 되 어 왔 다 . 이 에 본 발명 의 실시 예 에서 는 게이트 스택 ( 210 ) 을 매립 하 는 절 연막 을 증착 시 증착 공정 을 3 단계 로 나누 어 진행 함 으로써 증착 되 는 박막 의 물 성 은 그대로 유지 한 채 하부 전극 간 의 전류 손실 을 최소 화 할 수 있 다 .