도 3 은 , 본 실시 형태 에 있 어서 의 기판 ( 웨이퍼 ) ( 101 ) 에 형성 되 는 복수 의 칩 영역 의 일례 를 도시 하 는 도면 이 다 . 도 3 에 있 어서 , 기판 ( 웨이퍼 ) ( 101 ) 의 검사 영역 ( 330 ) 에 는 , 복수 의 칩 ( 웨이퍼 다이 ) ( 332 ) 이 2 차원 의 어레이 형 으로 형성 되 어 있 다 . 각 칩 ( 332 ) 에 는 , 노광용 마스크 기판 에 형성 된 1 칩 분 의 마스크 패턴 이 도시 하 지 않 은 노광 장치 ( 스 테퍼 ) 에 의해 예 를 들 어 1 / 4 로 축소 되 어 전사 되 고 있 다 . 각 칩 ( 332 ) 내 는 , 예 를 들 어 2 차 원형 의 가로 ( x 방향 ) m 2 열 × 세로 ( y 방향 ) n 2 단 ( m 2 , n 2 는 2 이상 의 정수 ) 개 의 복수 의 마스크 다이 ( 33 ) 로 분할 된다 . 본 실시 형태 에서 는 , 이러 한 마스크 다이 ( 33 ) 가 단위 검사 영역 으로 된다 .