상술 한 실시 예 에 따르 면 , 본 발명 은 릴 락스 물질 을 두 번 에 걸쳐서 도입 하 고 , DEET 기술 및 비정질 카본 층 , 질화 막스 페이서 기술 을 연합 하 여 25 nm 이하 의 미세 라인 선폭 을 갖 는 산화 막 패턴 을 형성 할 수 있 다 . 따라서 , 본 발명 은 현 노광 기술 을 그래도 이용 하 면서 도 해상도 이상 의 초미세 산화 막 패턴 을 형성 할 수 있 는 바 , 고집 적 반도체 소자 의 제조 에 매우 유리 하 게 적용 할 수 있 다 .