제 2 반도체 층 ( 110 ) 은 표시 면 ( 100 a ) 상 에 배치 되 고 활성 층 ( 120 ) 에 전자 를 제공 할 수 있 다 . 제 2 반도체 층 ( 110 ) 은 n 형 반도체 층 을 포함 할 수 있 다 . 예컨대 , 제 2 반도체 층 ( 110 ) 은 InAlGaN , GaN , AlGaN , InGaN , AlN , InN 중 어느 하나 의 반도체 재료 를 포함 하 며 , Si , Ge , Sn 등 과 같 은 제 2 도전 성 도 펀트 가 도핑 된 반도체 층 을 포함 할 수 있 다 . 제 2 반도체 층 ( 110 ) 을 구성 하 는 물질 이 이 에 한정 되 는 것 은 아니 며 , 이외 에 도 다양 한 물질 이 제 2 반도체 층 ( 110 ) 을 구성 할 수 있 다 .