먼저 , 도 3 a 에 도시 된 바 와 같이 , 반도체 기판 ( 200 ) 상 에 실질 적 으로 F - N 터널 링 ( Fouler - Nordheim Tunneling ) 이 일어나 는 터널 링 절 연막 ( 201 ) 을 형성 한다 . 이때 , 터널 링 절 연막 ( 201 ) 은 산화 막 , 예컨대 실리콘 산화 막 ( SiO 2 ) 으로 형성 하 거나 , 산화 막 과 질화 막 , 예컨대 실리콘 질화 막 ( Si 3 N 4 ) 이 적층 된 적층 구조 로 형성 할 수 있 다 . 이러 한 터널 링 절 연막 ( 201 ) 은 건식 산화 , 습식 산화 또는 라디컬 이온 ( radical ion ) 을 이용 한 산화 공정 으로 형성 할 수 있 다 .