상기 에리스 리 톨 계 화합물 및 펜 타 에리스 리 톨 계 화합물 로 이루어진 군 으로부터 선택 되 는 1 종 이상 은 조성물 총 중량 에 대하 여 0 . 3 내지 3 . 0 중량 % 로 포함 되 고 , 바람직 하 게 는 0 . 3 내지 2 . 0 중량 %, 더욱 바람직 하 게 는 0 . 5 내지 1 . 0 중량 %, 로 포함 된다 . 상술 한 범위 미만 으로 포함 되 면 , 상부 층 Tip 제어 , 발열 억제 효과 가 저하 되 며 , 상술 한 범위 를 초과 하 여 포함 되 면 , Cu E / R 대비 상 , 하부 E / R 의 변화 율 이 감소 하 여 일정 한 Etch 효과 , Side Etch 제어 가 힘든 현상 이 발생 한다 .