본 발명 의 방법 및 바람직 한 실시 양태 및 단계 b ) 에 대한 추가 의 실시 양태 들 이 특히 유리 한데 , 그 이유 는 사용 된 임의 의 추가 성분 ( I ) 및 1 종 이상 의 금속 ( M ) 의 공침 및 후처리 를 제어 할 수 있 으므로 , 형성 되 는 이종 금속 촉매 ( K ) 의 다공 성 및 이종 금속 촉매 ( K ) 의 표면 상 의 1 종 이상 의 금속 ( M ) 의 촉매 활성 부위 의 형태 를 높 은 수율 및 바람직 한 크기 에 가까운 작 은 입자 크기 분포 로 질소 도핑 된 탄소 나노 튜브 를 얻 을 수 있 도록 설정 할 수 있 기 때문 이 다 .