서 셉 터 ( S ) 를 반출 하 는 타이밍 은 , 서 셉 터 ( S ) 에 부착 된 SiC 막 에서 기인 하 는 파티클 이 발생 하 기 시작 할 때 보다 이전 에 실시 할 필요 가 있 다 . 파티클 의 발생 과 서 셉 터 ( S ) 에 부착 된 SiC 막 의 두께 사이 의 관계 성 을 미리 파악 할 수 있 으면 , 서 셉 터 ( S ) 의 표면 에 부착 된 SiC 막 의 두께 에 따라 결정 할 수 도 있 다 . 예 를 들 어 , 서 셉 터 ( S ) 상 에 부착 된 SiC 막 의 두께 가 100 ㎛ 가 된 시점 에서 웨이퍼 ( W ) 와 함께 꺼내 어 , 서 셉 터 ( S ) 를 클리닝 할 수 있 다 . 본 발명 에 의하 면 , 서 셉 터 ( S ) 를 어느 타이밍 에서 반출 해도 성막 처리 의 효율 에 거의 영향 을 주 지 않 는다 .