이 와 같 은 트랜 치 소자 분리 막 에 있 어서 , 라이너 질화 막 ( 130 ) 은 후속 공정 , 예컨대 매립 절 연막 형성 공정 에서 반도체 기판 ( 100 ) 이 산화 되 는 것 을 방지 하 는 데 큰 효과 가 있 다 . 그러나 라이너 질화 막 ( 130 ) 은 후속 공정 인 패드 질화 막 을 제거 할 때 에 상부 일부 가 함께 제거 되 는 모트 ( moat ) 현상 을 유발 한다 . 모트 현상 이 발생 하 게 되 면 , 모트 ( moat ) 와 인접 한 영역 에서 반도체 기판 ( 100 ) 의 상부 모서리 부분 이 날카로운 곡 률 을 가지 면서 노출 된다 . 반도체 기판 ( 100 ) 의 각 진 프로파일 의 상부 모서리 가 노출 됨 에 따라 , 여기 에 전계 집중 ( electric field crowding ) 이 발생 되 고 , 이 로 인하 여 누설 전류 에 의한 험프 ( hump ) 현상 이 나타난다 . 더욱이 후속 의 컨 택 형성 을 위한 식각 시 컨 택 스파이크 ( contact spike ) 발생 이나 게이트 절 연막 두께 감소 등 의 원인 에 의해 전류 테스트 ( IDDQ ; quiescent powersupply current monitoring ) 에서 불량 으로 나오 는 등 의 문제 들 이 발생 된다 .