이어서 , 도 5 를 참조 하 면 , 제 2 배선 층 ( 212 a ) 이 노출 될 때 까지 제 2 마스크 층 ( 도 4 의 222 a 참조 ) 을 일부 식각 하 여 제 2 마스크 패턴 ( 222 ) 을 형성 한다 . 이 때 , 식 각 공정 은 에치 백 등 의 공정 으로 진행 할 수 있 다 . 제 2 마스크 패턴 ( 222 ) 은 제 1 마스크 패턴 ( 221 ) 의 양 측벽 에 형성 하 며 , 제 1 마스크 패턴 ( 221 ) 과 제 2 마스크 패턴 ( 222 ) 을 포함 하 는 마스크 패턴 ( 220 ) 은 후속 공정 에서 배선 을 형성 하 는 식각 마스크 로 사용 된다 .