도 23 에 도시 된 바 와 같이 , 비아 ( 42 ) 에 연결 되 는 상위 레벨 도전 라인 이 형성 될 수 있 다 . 상위 레벨 도전 라인 은 제 2 도전 라인 ( 43 ) 을 포함 할 수 있 다 . 제 2 도전 라인 ( 43 ) 은 콘 택 층 ( 41 ) 및 비아 ( 42 ) 에 직접 접촉 될 수 있 다 . 제 2 도전 라인 ( 43 ) 은 어느 한 방향 으로 연장 되 는 라인 형상 일 수 있 다 . 제 2 도전 라인 ( 43 ) 은 금속 - 베이스 물질 을 포함 할 수 있 다 . 제 2 도전 라인 ( 43 ) 은 텅스텐 , 텅스텐 질화물 , 텅스텐 실리사이드 또는 이 들 의 조합 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 제 2 도전 라인 ( 43 ) 을 형성 하 기 위해 텅스텐 실리사이드 층 증착 및 식각 이 수행 될 수 있 다 . 제 2 도전 라인 ( 43 ) 은 메모리 셀 어레이 ( MCA ) 에 포함 되 는 구성 요소 일 수 있 다 .