상기 색 변환 층 ( 120 ) 은 상기 기판 ( 110 ) 상 에 배치 되 고 , 수소 이온 또는 수소 원자 와 반응 하 여 색 이 변화 하 는 산화물 반도체 물질 로 형성 될 수 있 다 . 일 실시 예 로 , 상기 색 변환 층 ( 120 ) 은 텅스텐 산화물 ( WO 3 ) 로 형성 될 수 있 다 . 상기 텅스텐 산화물 은 특정 한 광학 적 , 화학 적 자극 에 의해 산화물 자체 의 색 변화 가 발생 한다 . 예 를 들 면 , 상기 색 변환 층 ( 120 ) 에 수소 이온 또는 수소 원자 가 공급 되 는 경우 , 상기 텅스텐 산화물 이 상기 수소 이온 또는 수소 원자 와 반응 하 여 상기 색 변환 층 ( 120 ) 내부 에 산소 공공 이 형성 되 고 , 그 결과 상기 텅스텐 산화물 은 근적외선 영역 의 광 을 흡수 할 수 있 게 되 어 상기 텅스텐 산화물 의 색 이 짙 은 회색 에서 검푸른 색 으로 변화 할 수 있 다 . 한편 , 반응 한 상기 수소 이온 또는 수소 원자 가 상기 텅스텐 산화물 로부터 탈착 된 경우 , 상기 색 변환 층 ( 120 ) 은 다시 짙 은 회색 의 초기 색깔 로 변환 될 수 있 다 .