제 1 무기 층 ( 131 ) 은 화학 기상 증착 ( CVD : Chemical Vapor Deposition ) 법 을 사용 하 여 형성 될 수 있 다 . 제 1 층 ( 1311 ) , 제 2 층 ( 1312 ) 및 제 3 층 ( 1313 ) 이 실리콘 을 포함 하 는 재료 를 포함 하 는 경우 , 제 1 층 ( 1311 ) , 제 2 층 ( 1312 ) 및 제 3 층 ( 1313 ) 은 동일 한 선구물질 을 사용 하 여 형성 될 수 있 는 바 , 제 1 무기 층 ( 131 ) 형성 단계 의 공정 경제 성 이 우수 하 다는 효과 가 있 다 .