본 발명 은 오버레이 버니어 ( Overlay Vernier ) 및 반도체 소자 의 형성 방법 에 관한 것 으로 노광 공정 에서 의 초점 변화 를 용이 하 게 측정 할 수 없 는 문제 를 해결 하 기 위하 여 , 오버레이 버니어 의 자 버니어 에 초점 의 변화 에 민감 하 게 반응 하 는 쐐기 패턴 을 추가 로 형성 함 으로써 , 노광 공정 에서 의 초점 의 변화 정도 를 용이 하 게 측정 할 수 있 고 반도체 소자 의 형성 공정 수율 을 증가 시키 고 신뢰 성 을 향상 시킬 수 있 는 발명 에 관한 것 이 다 .