상기 블랭크 마스크 의 포토레지스트 ( 5 a ) 에 노광 및 현상 을 실시 한다 . 노광 은 50 keV 의 가속 전압 을 가지 는 전자 빔 노광 장치 를 사용 하 여 노광 하 였으며 곧바로 PEB ( Post Exposure Bake ) 공정 을 수행 하 였 다 . 그 다음 2 . 38 % TMAH 가 포함 된 현상액 으로 60 초간 현상 을 실시 하 여 포토레지스트 ( 5 a ) 패턴 을 형성 하 였 다 . 그 다음 ICP ( Inductive Coupled Plasma ) 건 식식 각 방법 으로 상기 포토레지스트 ( 5 a ) 패턴 을 식각 마스크 로 하 여 도 2 b 와 같이 하드 마스크 막 ( 4 ) 을 식각 하 여 하드 마스크 막 ( 4 ) 패턴 을 형성 하 였 다 . 이 때 식각 가스 로 염소 ( Cl 2 ) 와 산소 ( O 2 ) 및 헬륨 ( He ) 가스 를 사용 하 여 식각 하 였 다 . 상기 에서 하드 마스크 막 ( 4 ) 패턴 의 단독 패턴 ( 100 a ) 과 조밀 패턴 ( 100 b ) 의 CD 차이 는 얇 은 포토레지스트 ( 5 a ) 패턴 의 두께 가 종래 의 포토레지스트 ( 5 a ) 패턴 두께 보다 얇 고 또한 , 하드 마스크 막 ( 4 ) 의 두께 가 얇 고 식각 속도 가 빠르 기 때문 에 종래 의 차광막 ( 2 ) 패턴 의 단독 패턴 ( 100 a ) 과 조밀 패턴 ( 100 b ) CD 차이 보다 매우 작 다 . 그 다음 도 2 c 와 같이 포토레지스트 ( 5 a ) 패턴 을 제거 한다 .