피막 위 에 반도체 막 을 형성 하 고 , 상기 반도체 막 에 플 라즈 마 를 조사 하 여 반도체 막 을 부분 적 으로 에칭 함 으로써 결정 성 이 높 은 결정핵 을 밀도 좋 게 형성 한다 . 다음 에 , 실리콘 혹은 게르마늄 을 함유 하 는 퇴적 성 기체 , 플루오르화물 기체 혹은 불소 , 및 수소 를 원료 가스 로서 사용 한 플 라즈 마 CVD 법 에 의하 여 피막 위 에 피막 과 의 계면 에서 의 밀착 성 이 높 고 또 결정립 사이 의 밀착 성 도 높 고 또 결정 성 이 높 은 미결정 반도체 막 을 형성 한다 .