메모리 셀 어레이 ( 110 ) 는 복수 의 메모리 블럭 들 ( BLK 1 ~ BLKz ) 을 포함 한다 . 복수 의 메모리 블럭 들 ( BLK 1 ~ BLKz ) 은 워드 라인 들 ( WLs ) 을 통해 어드레스 디코더 ( 120 ) 에 연결 된다 . 복수 의 메모리 블럭 들 ( BLK 1 ~ BLKz ) 은 비트 라인 들 ( BL 1 내지 BLm ) 을 통해 읽 기 및 쓰 기 회로 ( 130 ) 에 연결 된다 . 복수 의 메모리 블럭 들 ( BLK 1 ~ BLKz ) 각각 은 복수 의 메모리 셀 들 을 포함 한다 . 실시 예 로서 , 복수 의 메모리 셀 들 은 불휘발성 메모리 셀 들 이 다 . 복수 의 메모리 셀 들 중 하나 의 워드 라인 에 연결 된 복수 의 메모리 셀 들 을 하나 의 페이지 로 정의 할 수 있 다 . 즉 메모리 셀 어레이 ( 110 ) 는 다수 의 페이지 로 구성 될 수 있 다 .