각 셀 매트 ( CM ) 에 는 데이터 를 저장 하 기 위한 복수 의 메모리 셀 이 포함 될 수 있 다 . 본 실시 예 에서 , 메모리 셀 은 가변 저항 소자 ( VR ) 를 포함 할 수 있 다 . 가변 저항 소자 ( VR ) 는 양단 에 인가 되 는 전압 또는 전류 에 따라 서로 다른 저항 상태 사이 에서 스위칭 할 수 있 으며 , 그 에 따라 , 서로 다른 데이터 를 저장 할 수 있 다 . 가변 저항 소자 ( VR ) 는 RRAM , PRAM , FRAM , MRAM 등 에 이용 되 는 다양 한 물질 예컨대 , 전이 금속 산화물 , 페로 브 스카이 트 ( perovskite ) 계 물질 등 과 같 은 금속 산화물 , 칼 코 게나 이드 ( chalcogenide ) 계 물질 등 과 같 은 상변화 물질 , 강유 전 물질 , 강자성 물질 등 을 포함 하 는 단일 막 구조 또는 다 중막 구조 를 가질 수 있 다 .