반도체 나노 입자 의 밴드 단 발광 은 , 반도체 나노 입자 의 형상 및 / 또는 평균 입경 , 특히 평균 입경 을 변화 시킴 으로써 , 그 피크 위치 를 변화 시킬 수 있 다 . 예 를 들 어 , 반도체 나노 입자 의 평균 입경 을 보다 작 게 하 면 , 양자 사이즈 효과 에 의해 , 밴드 갭 에너지 가 보다 커져 , 밴드 단 발광 의 피크 파장 을 단파장 측 으로 시프트 시킬 수 있 다 .