상기 에 언급 했 듯이 , 콘 택 홀 하부 에 적정 두께 의 확산 방지 막 을 증착 하 기 위해 스텝 커버리지 특성 을 고려 하 고 있 으며 , 확산 방지 막 증착 공정 시 원자 층 증착 ( Atomic Layer Deposition ; ALD ) 방법 을 제외 한 스텝 커버리지 특성 이 우수 한 CVD 방법 을 이용 하 여 티타늄 질화 막 ( TiN ) 을 형성 하 고 있 다 .