반도체 메모리 장치 는 집적도 의 증가 와 더불 어 그 동작 속도 의 향상 을 위하 여 계속 적 으로 개선 되 어 왔 다 . 동작 속도 를 향상 시키 기 위하 여 메모리 칩 외부 에서 주어지 는 클럭 과 동기 되 어 동작 할 수 있 는 소위 동기식 ( Synchronous ) 메모리 장치 가 등장 되 었 다 . 처음 제안 된 것 은 메모리 장치 의 외부 로부터 의 클럭 의 상승 에지 ( rising edge ) 에 동기 되 어 하나 의 데이터 핀 에서 클럭 의 한 주기 에 걸쳐 하나 의 데이터 를 입출력 하 는 이른바 SDR ( single data rate ) 동기식 메모리 장치 이 다 .