상기 의 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 일 측면 에 따르 면 , 기판 상 에 절 연막 을 형성 하 는 단계 , 상기 절 연막 상 에 희생 막 패턴 을 형성 하 는 단계 , 상기 희생 막 패턴 의 선폭 을 감소 시키 는 단계 및 선폭 이 감소 된 희생 막 패턴 을 식각 장벽 으로 상기 절 연막 을 식각 하 는 단계 를 포함 하 는 반도체 소자 제조 방법 을 제공 한다 .