전술 한 바 와 같이 , 채널 영역 의 전 방향 에서 결정핵 으로부터 의 확실 한 결정 성장 을 위해서 는 , 결정핵 으로부터 결정 이 성장 하 는 영역 에서 , 방사 광 강도 가 , 비 단결정 반도체 막 의 용융 온도 에 대응 하 는 광 강도 의 등강 도 선 ( 비용 융 영역 의 가장자리 에 대응 하 는 등강 도 선 ) 에 대한 최소 곡률 반지름 을 갖 는 영역 으로부터 외곽 방향 을 향해 증가 되 는 변화 율 을 생성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 또한 , 결정 입계 가 채널 영역 으로 침투 하 는 확률 을 감소 시키 기 위해 , 변화 율 분포 는 , 용융 온도 에 대응 하 는 광 강도 의 등강 도 선 에 대한 최소 곡률 반지름 을 갖 는 영역 에서부터 방사 방향 을 따른 광 강도 의 변화 가 주변 영역 으로부터 방사 방향 을 따른 광 강도 의 변화 보다 완만 한 것 이 바람직 하 다 . 즉 , 용융 온도 에 대응 하 는 광 강도 의 등강 도 선 에 대한 최소 곡률 반지름 을 갖 는 영역 으로부터 특정 방향 을 따른 광 강도 의 변화 가 상기 특성 방향 주위 의 방향 을 따른 광 강도 의 분포 보다 완만 한 변화 율 분포 이 다 .