그리고 , 반도체 웨이퍼 의 전기 적 특성 검사 를 행하 는 경우 에 는 , 탑 플레이트 ( 1 ) 상 에 반도체 웨이퍼 를 탑재 하 고 , X , Y 및 Z 방향 으로 이동하 여 , 반도체 웨이퍼 에 형성 된 전극 패드 와 프로브 ( 도시 하 지 않 음 ) 를 전기 적 으로 접촉 시켜 소정 의 검사 를 행한다 . 이때 , 프로브 카드 의 프로브 로부터 검사 용 전압 을 인가 함 과 아울러 제 1 전극 ( 1 B ) 에 바이어스 전압 을 인가 하 여 , 예컨대 , C - V 법 등 에 의한 용량 측정 등 을 행한다 .