본 발명 에 따른 반도체 메모리 장치 의 프리 차지 신호 생성 회로 는 오토 프리 차지 신호 와 노멀 프리 차지 신호 를 모두 생성 할 수 있 어 반도체 메모리 장치 의 면적 을 줄이 는 효과 가 있 다 . 또한 노멀 프리 차지 신호 와 오토 프리 차지 신호 를 클럭 에 동기 시킴 으로써 노멀 프리 차지 와 오토 프리 차지 시 TRP , 및 TWR 차이 가 발생 하 지 않 아 반도체 메모리 장치 의 안정 성 을 높일 수 있 는 효과 가 있 다 .