도 1 d 를 참조 하 면 , 상부 전극 층 ( 140 ) 상 에 제 1 하드 마스크 층 ( 145 ) 을 형성 한다 . 제 1 하드 마스크 층 ( 145 ) 은 상부 전극 층 ( 140 ) , 강유전체 층 ( 135 ) 및 하부 전극 층 ( 130 ) 에 대하 여 식각 선택 비 를 갖 는 물질 을 사용 하 여 형성 된다 . 예 를 들 면 , 제 1 하드 마스크 층 ( 145 ) 은 스트론튬 루테늄 산화물 ( SRO ) , 스트론튬 티타늄 산화물 ( STO ) , 란탄 니켈 산화물 ( LNO ) , 칼슘 루테늄 산화물 ( CRO ) 실리콘 질화물 또는 실리콘 산질 화물 을 사용 하 여 형성 될 수 있 다 . 또한 , 제 1 하드 마스크 층 ( 145 ) 은 스퍼터링 공정 , 화학 기상 증착 ( CVD ) 공정 , 원자 층 적층 ( ALD ) 공정 또는 펄스 레이저 증착 ( ALD ) 공정 을 이용 하 여 형성 된다 .