위 의 실시 예 의 제 2 , 제 3 , 제 4 , 및 제 5 메모리 영역 은 NAND 메모리 ( 메모리 들 ) ( 10 ) 로 구성 될 수 있 다 . 메모리 영역 각각 은 복수 의 NAND 메모리 ( 10 ) 상 에서 구성 될 수 있 다 . 다른 방법 으로 , 메모리 영역 각각 은 개별 의 NAND 메모리 ( 10 ) 로 구성 될 수 있 다 . 더욱이 , 각 NAND 메모리 ( 10 ) 는 상이 한 성능 을 가질 수 있 다 . 예 를 들 면 , 제 4 메모리 영역 ( 14 ) 은 SLC 형 NAND 메모리 로 구성 될 수 있 으며 , 기타 다른 메모리 영역 은 MLC 형 NAND 메모리 로 구성 될 수 있 다 .