화학 적 기상 증착 ( CVD ) 챔버 들 은 전형 적 으로 반도체 디바이스 들 의 제조 에 사용 된다 . CVD 챔버 들 은 단일 의 기판 들 또는 웨이퍼 들 상 에 하나 또는 둘 이상 의 증착 프로세스 들 을 수행 하 거나 , 또는 기판 들 또는 웨이퍼 들 의 배치 ( batch ) 상 에 하나 또는 둘 이상 의 증착 프로세스 들 을 수행 하 도록 구성 될 수 있 다 . 가스 분배 샤워 헤드 는 기판 ( 들 ) 상 에 박막 들 과 같 은 물질 들 을 증착 하 기 위해 챔버 에 위치 된 기판 또는 기판 들 에 인접 한 , 통상 적 으로 는 위 에 있 는 , 프로세싱 지역 으로 전구체 ( precursor ) 들 을 전달 한다 . 열 CVD 증착 프로세스 들 의 프로세스 온도 는 막 ( film ) 형성 률 및 막 특성 들 에 영향 을 끼친다 . 기판 의 전체 표면 또는 기판 들 의 배치 의 각각 의 기판 은 , 기판 표면 위 의 증착 균 일도 를 보장 하 기 위해 합리 적 인 공차 ( tolerance ) 내 에서 동일 한 온도 로 노출 되 어야 만 한다 . 프로세싱 지역 의 온도 에 영향 을 끼치 는 하나 의 요소 는 챔버 하드웨어 의 복사율 이 다 .