또한 , 본 발명 에 따른 이미지 센서 의 제조 방법 은 기판 상 에 액티브 영역 과 소자 분리 영역 을 정의 하 는 단계 ; 상기 액티브 영역 상 에 트랜지스터 를 형성 하 는 단계 ; 상기 액티브 영역 에 포토다이오드 영역 과 트랜지스터 영역 을 형성 하 는 단계 ; 및 상기 트랜지스터 의 하측 에 포토다이오드 확장 영역 을 형성 하 는 단계 ; 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .