본 발명 은 상기 와 같 은 문제점 을 해결 하 기 위한 것 으로서 , 특히 엔 모스 ( NMOS ) 영역 과 피 모스 ( PMOS ) 영역 을 구비 한 반도체 기판 에 3 차원 리세 스 채널 구조 를 구비 하 며 , 3 차원 리세 스 채널 구조 를 매립 하 는 불순물 이 도핑 된 도전 층 으로 하부 게이트 전극 을 구비 하 고 , 하부 게이트 전극 과 상부 게이트 전극 사이 에 계면 특성 을 향상 시킬 수 있 는 언 도프 트 비정질 실리콘 층 을 구비 하 도록 반도체 소자 를 설계 함 으로써 , 특성 이 향상 된 듀얼 폴리 게이트 의 제작 이 용이 하 여 소자 의 특성 과 수율 을 증가 시킬 수 있 는 반도체 소자 및 그 제조 방법 을 제공 함 에 있 다 .