주변 전자 장치 ( 200 a ) 의 UFP 는 CC 핀 에 걸리 는 전압 에 기초 하 여 DFP 의 VBUS 가 공급 할 수 있 는 전압 을 알 수 있 다 . 예 를 들 어 , 전자 장치 ( 100 ) 의 DFP 가 5 V / 1 . 5 A 으로 설계 된 경우 , 이 는 CC 핀 에 흐르 는 전류 180 μ A 의 대응 할 수 있 다 . 주변 전자 장치 ( 200 a ) 는 풀 - 다운 저항 에 걸리 는 전압 이 0 . 918 V ( 180 μ A * 5 . 1 k Ω = 0 . 918 V ) 라고 판단 할 수 있 다 . 0 . 918 V 는 표 3 에서 임계 값 0 . 66 V 보다 크 고 임계 값 1 . 23 V 보다 작 으므로 , 주변 전자 장치 ( 200 a ) 는 전자 장치 ( 100 ) 가 1 . 5 A 를 공급 할 수 있 는 ( vRd - 1 . 5 ) 장치 라고 판단 할 수 있 다 .