도 13 을 참조 하 면 , 본 발명 의 실시 예 들 에 따른 박막 트랜지스터 들 에 온도 스트레스 가 가해 지 는 경우 , △ S . S 값 의 큰 변화 가 없 음 에 도 불구 하 고 , △ Vth 값 이 양 ( +) 의 방향 으로 shift 되 는 것 을 확인 하 였 다 . 이 로부터 , 본 발명 의 실시 예 에 따른 트랜지스터 들 의 내구 성 이 우수 한 것 을 알 수 있 었 다 . ,