상기 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 반도체 소자 의 제조 방법 은 기판 상부 에 게이트 절 연막 을 형성 하 는 단계 ; 및 플 라즈 마질 화 공정 을 통해 상기 게이트 절 연막 의 일부 를 질화 시키 는 단계 를 포함 하 고 , 상기 플 라즈 마질 화 공정 시 상기 기판 에 양극 전압 ( positive bias ) 을 인가 하 는 것 을 특징 으로 한다 . 바람직 하 게 , 상기 양극 전압 은 상기 플 라즈 마질 화 공정 시 동시 에 인가 하 는 것 을 특징 으로 한다 .