조성물 은 단계 126 및 / 또는 130 에서 기화 되 어 ALD , CVD 등 과 같 은 증기 증착 을 허용 함 으로써 요망 되 는 두께 의 코팅 또는 박막 을 형성 한다 . 동일 하 거나 상이 한 PMHNC 제형 의 전구체 들 의 일련 의 증착 및 ALD 에서 의 필름 의 처리 는 필름 성장 의 원자 층 제어 를 허용 함 으로써 , 두께 가 일부 경우 에 약 1 nm 내지 약 500 nm 인 , 기판 에 화학 적 으로 결합 된 등각 ( conformal ) 무 - 결함 단층 을 초래 한다 . ALD 는 패턴 화 되 거나 패턴 화 되 지 않 은 다공 성 또는 비 다공성 기판 상 에 도체 , 절연체 등 을 포함 하 는 다양 한 박막 을 형성 하 기 에 적합 하 다 . 코팅 의 조성 및 두께 는 유전 상수 , 전도성 , 굴절 율 , 투명 도 , 반응 성 등 과 같 은 특성 에 적합 한 값 을 달성 하 도록 선택 될 수 있 다 . 특히 , 탄소 ( 유기 ) 오염 또는 이산화규소 오염 이 본질 적 으로 없 는 순수 한 높 은 유전 상수 코팅 이 본원 에 개시 된 조성물 로 달성 될 수 있 다 . 단계 128 에서 제조 된 조성물 의 작 은 입자 크기 는 이 들 조성물 이 증기 증착 공정 에 특히 적합 하 도록 한다 .