한편 현재 주류 인 포지티브 형 뿐 만 아니 라 알칼리 현상 에 의한 패턴 형성 에 있 어서 의 네거티브 형 화학 증폭 형 레지스 트 조성물 의 개발 도 행해 지 고 있 다 ( 예 를 들 면 , 특허 문헌 1 ∼ 4 참조 ) . 이것 은 반도체 소자 등 의 제조 에 있 어서 는 라인 , 트렌치 , 홀 등 여러 가지 형상 을 갖 는 패턴 형성 의 요청 이 있 는 한편 , 현 상황 의 포지티브 형 레지 스트로 는 형성 하 기 어려운 패턴 이 존재 하 기 때문 이 다 .