최근 DRAM 과 같 은 휘발 성 메모리 를 3 차원 으로 적층 한 HBM ( High Bandwidth Memory ) 와 같 은 메모리 가 사용 되 고 있 으며 , 이러 한 HBM 에 사용 된 DRAM 은 파워 밀도 ( power density ) 증가 로 인해 온도 가 상승 할 수 있 다 . DRAM 의 온도 가 상승 함 에 따라 DRAM 의 데이터 유지 가능 시간 ( data retention time ) 은 짧아질 수 있 다 . DRAM 은 높 은 온도 에서 데이터 를 유지 하 기 위해서 , 짧 은 시간 안 에 리 프레쉬 를 수행 해야 하 므로 리 프레쉬 인터벌 이 짧아질 수 있 다 .