그리고 , 상기 비 교부 ( 400 ) 는 상기 촬상부 ( 300 ) 에서 출력 되 는 영상 신호 를 이미지 화 하 여 상기 복수 개 의 오버레이 패턴 에 대응 되 는 오버레이 패턴 영상 을 나타낼 수 있 다 . 또한 , 상기 비 교부 ( 400 ) 는 데이터 베이스 에서 미리 저장 되 어 상기 복수 개 의 오버레이 패턴 중 어느 하나 에 대응 되 는 오버레이 패턴 영상 을 입력 받 을 수 있 다 . 따라서 , 상기 비 교부 ( 400 ) 는 상기 촬상부 ( 300 ) 에서 출력 된 영상 신호 로부터 이미지 화 된 상기 오버레이 패턴 영상 에서 복수 개 의 오버레이 패턴 중 어느 하나 의 오버레이 패턴 에 대응 되 는 오버레이 패턴 영상 과 , 상기 데이터 베이스 에서 입력 된 오버레이 패턴 영상 을 서로 비교 하 여 상기 오버레이 패턴 영상 들 이 유사 한 부분 을 선택 하 여 취 출 할 수 있 다 . 여기 서 , 상기 복수 개 의 오버레이 패턴 은 선행 되 는 공정 에 의해 상기 웨이퍼 ( 100 ) 상 에 먼저 형성 된 어미자 ( 130 ) 와 , 후속 되 는 공정 을 위해 상기 어미자 ( 130 ) 의 내부 또는 상기 어미자 ( 130 ) 의 외곽 을 둘러싸 도록 형성 된 아들자 ( 140 ) 를 포함 하 여 도 2 에서 와 같이 이루어진다 . 예컨대 , 상기 어미자 ( 130 ) 는 선행 되 는 단위 공정 에 의해 상기 웨이퍼 ( 100 ) 표면 으로부터 소정 의 단차 를 갖 고 정사각형 의 외곽 을 둘러싸 는 복수 개 의 바 모양 으로 형성 될 경우 , 상기 아들자 ( 140 ) 는 후속 되 는 단위 공정 에 의해 상기 어미자 ( 130 ) 의 내부 에 상기 어미자 ( 130 ) 보다 한 변의 길이 가 작 은 정사각형 모양 으로 형성 될 수 있 다 . 도 3 에 도시 된 바 와 같이 , 상기 어미자 ( 130 ) 는 실리콘 산화 막 과 같 은 층간 절 연막 , 또는 도전 성 불순물 이 도핑 된 폴리 실리콘 막 과 같 은 도전 층 와 같 은 박막 ( 102 ) 에 소정 선폭 을 갖 는 트렌치 또는 양각 ( block ) 의 상기 바 모양 으로 형성 된다 . 상기 단위 공정 은 웨이퍼 ( 100 ) 또는 상기 웨이퍼 ( 100 ) 상 에 형성 된 박막 ( 102 ) 상 에 포토레지스트 패턴 을 형성 하 는 사진 공정 과 , 상기 사진 공정 으로 형성 된 상기 포토레지스트 패턴 에 의해 노출 되 는 상기 웨이퍼 ( 100 ) 또는 상기 웨이퍼 ( 100 ) 표면 을 제거 하 여 트렌치 ( trench , 106 ) 또는 양각 ( block ) 을 형성 하 는 식각 공정 과 , 상기 웨이퍼 ( 100 ) 또는 상기 웨이퍼 ( 100 ) 상 에 형성 된 상기 포토레지스트 패턴 을 제거 하 는 에 싱 공정 과 , 상기 웨이퍼 ( 100 ) 또는 상기 웨이퍼 ( 100 ) 상 에 형성 된 박막 ( 102 ) 을 평탄 화 하 는 화학 적 기계 적 연마 공정 등 을 포함 하 여 이루어진다 . 이때 , 다층 구조 의 웨이퍼 ( 100 ) 표면 을 평탄 화 하 기 위해 화학 적 기계 적 연마 ( chemical mechanical polishing ) 공정 으로 상기 박막 ( 102 ) 을 평탄 화 하 는 과정 에서 상기 트렌치 ( 106 ) 의 내부 또는 상기 양각 의 주변 에 슬러리 ( 150 ) 가 일부 유입 되 어 고착 될 수 있 다 . 이후 , 후속 의 공정 을 위해 상기 어미자 ( 130 ) 가 형성 된 상기 웨이퍼 ( 100 ) 표면 에 소정 두께 의 포토레지스트 ( 104 ) 가 형성 되 고 , 상기 어미자 ( 130 ) 의 내부 에 상기 정사각형 모양 으로 패 터닝 된 포토레지스트 ( 104 ) 로 이루어진 아들자 ( 140 ) 가 형성 된다 . 예컨대 , 상기 어미자 ( 130 ) 는 상기 가시 광 의 파장 보다 큰 크기 의 선폭 을 갖 는 트렌치 ( 106 ) 의 바 모양 으로 형성 되 더라도 , 상기 트렌치 ( 106 ) 내부 에 유입 되 어 고착 된 슬러리 ( 150 ) 에 의해 상기 가시 광 의 파장 과 유사 한 크기 의 선폭 을 갖 도록 형성 될 수 있 다 . 이때 , 상기 슬러리 ( 150 ) 가 내부 에서 고착 된 트렌치 ( 106 ) 에서 상기 가시 광이 회절 또는 산란 되 어 상기 어미자 ( 130 ) 의 영상 을 왜곡 시킬 수 있 다 . 도 4 a 에 도시 된 바 와 같이 , 상기 촬상부 ( 300 ) 를 통해 상기 어미자 ( 130 ) 및 아들자 ( 140 ) 의 영상 신호 가 획득 되 면 , 상기 비 교부 ( 400 ) 는 상기 촬상부 ( 300 ) 에서 획득 된 영상 신호 에 의해 나타나 는 제 1 어미자 영상 ( 132 ) 과 , 상기 데이터 베이스 에 미리 저장 된 제 2 어미자 영상 ( 134 ) 을 비교 할 수 있 다 . 이때 , 상기 제 2 어미자 영상 ( 134 ) 은 상기 트렌치 ( 106 ) 또는 양각 을 형성 하 기 위해 상기 박막 ( 102 ) 상 에 형성 되 는 어미자 ( 130 ) 의 포토레지스트 패턴 영상 ( 도시 하 지 않 음 ) , 또는 상기 어미자 ( 130 ) 를 형성 하 기 위해 포토레지스트 를 노광 시키 는 노광 설비 의 레티 클 에 형성 된 어미자 패턴 ( 도시 되 지 않 음 ) 의 영상 으로 이루어질 수 있 다 . 상기 비 교부 ( 400 ) 는 상기 제 1 어미자 영상 ( 132 ) 과 제 2 어미자 영상 ( 134 ) 을 서로 오버랩 시키 거나 , 서로 다른 위치 에서 각각 일 대 일 대 응 시켜 비교 시킬 수 있 다 . 예컨대 , 상기 비 교부 ( 400 ) 는 상기 제 1 어미자 영상 ( 132 ) 위 에 상기 제 2 어미자 영상 ( 134 ) 을 오버랩 시키 면서 상기 제 1 어미자 영상 ( 132 ) 의 우수 한 부분 에서 상기 제 1 어미자 영상 ( 132 ) 과 제 2 어미자 영상 ( 134 ) 의 선폭 을 동일 또는 유사 하 게 설정 ( setting ) 한다 .