에피 택 셜 재료 또는 에피 택 셜 구조 ( 예컨대 , 헤테로 에 피 택 셜 구조 또는 호모 에 피 택 셜 구조 ) 가 성장 하 는 실시 형태 에 있 어서 , 성장 한 재료 또는 구조 는 성장 중 에 인시 츄 도핑 되 어 이전 및 이후 의 주입 을 피할 수 있 지만 , 인시 츄 및 주입 도핑 이 함께 사용 될 수 도 있 다 . 또한 , PMOS 영역 의 재료 와 는 상이 한 재료 를 NMOS 영역 에 에피 택 셜 성장 시키 는 것 이 유리 할 수 있 다 . 다양 한 실시 형태 에서 , 핀 ( 64 ) 은 실리콘 게르마늄 ( SixGe 1 - x , 여기 서 x 는 0 내지 1 사이 일 수 있 음 ) , 실리콘 탄화물 , 순수 또는 실질 적 으로 순수 한 게르마늄 , III - V 화합물 반도체 , II - VI 화합물 반도체 등 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , III - V 화합물 반도체 의 형성 에 사용 가능 한 재료 는 InAs , AlAs , GaAs , InP , GaN , InGaAs , InAlAs , GaSb , AlSb , AlP , GaP 등 을 포함 하나 , 이 들 에 한정 되 지 는 않 는다 .