제 3 단계 에서 , 선택 된 메모리 셀 에 데이터 를 프로그램 하 거나 읽 기 위해 , 제 1 및 제 2 셀 스트링 들 ( CS 1 , CS 2 ) 중 하나 가 선택 될 수 있 다 . 여기 서 , 앞서 도 7 내지 도 10 를 참조 하 여 설명 한 것 처럼 , 제 1 셀 스트링 ( CS 1 ) 의 제 1 스트링 선택 트랜지스터 ( SST 1 ) 는 제 1 문턱 전압 을 가질 수 있 으며 , 제 1 셀 스트링 ( CS 1 ) 의 제 2 스트링 선택 트랜지스터 ( SST 2 ) 와 제 2 셀 스트링 ( CS 2 ) 의 제 1 스트링 선택 트랜지스터 ( SST 1 ) 는 제 1 문턱 전압 보다 큰 제 2 문턱 전압 을 가질 수 있 다 . 다시 말 해 , 제 1 및 제 2 셀 스트링 들 ( CS 1 , CS 2 ) 의 제 1 스트링 선택 트랜지스터 들 ( SST 1 ) 은 서로 다른 문턱 전압 을 가질 수 있 다 . 또한 , 제 1 셀 스트링 들 ( CS 1 ) 각각 에서 , 제 1 및 제 2 스트링 선택 트랜지스터 들 ( SST 1 , SST 2 ) 은 서로 다른 문턱 전압 을 가질 수 있 다 .