또 다른 양태 에서 , 반도체 기판 을 프로세싱 하 는 방법 은 : ( a ) 주석 옥사이드 의 노출 된 층 을 갖 는 반도체 기판 을 제공 하 는 단계 ; ( b ) 에칭 동안 주석 하이드라이드 를 형성 하 기 위해 HBr , 탄화수소 , NH 3 , 및 H 2 O 로 구성 된 그룹 으로부터 선택 된 수소 - 함유 반응 물질 을 포함 하 는 프로세스 가스 로 형성 된 플 라즈 마 에 반도체 기판 을 노출 함 으로써 , 실리콘 ( Si ) , 실리콘 - 함유 화합물 , 포토레지스트 , 탄소 ( C ) , 탄소 - 함유 재료 , 금속 , 금속 옥사이드 및 금속 나이트 라이드 로 구성 된 그룹 으로부터 선택 된 재료 의 존재 하 에 주석 옥사이드 를 선택 적 으로 에칭 하 는 단계 를 포함 한다 .