그런데 , TiN 을 에치 백 하 는 과정 에서 , 도 4 에 도시 된 것 처럼 스토리지 전극 상부 쪽 에 혼 ( horn ) 모양 으로 TiN 잔류물 이 발생 하 게 된다 ( 동그라미 로 표시 된 부분 ) . 풀 딥 아웃 공정 을 사용 할 경우 에 , 도시 된 것 처럼 몰드 산화 막 이 존재 하 지 않 기 때문 에 TiN 잔류물 이 공정 진행 과정 에서 잘 부러지 거나 떨어져 나갈 수 있 다 . 부러진 TiN 잔류물 은 셀 사이 에 누설 전류 의 통로 가 되 어 듀얼 비트 불량 ( dual bit fail ) 을 유발 하 게 된다 . 또한 , TiN 잔류물 이 부러지 거나 떨어지 지 않 더라도 , 스토리지 전극 상부 쪽 에 존재 하 는 혼 ( horn ) 에 는 전계 ( electric field ) 가 많이 집중 되 기 때문 에 캐 패 시터 의 누설 전류 의 통로 가 되 는 문제 가 있 다 .