반도체 장치 는 데이터 를 저장 하 기 위한 다수 의 메모리 셀 을 구비 하 고 있 다 . 메모리 셀 각각 은 셀 커패시터 ( capacitor ) 와 셀 트랜지스터 ( transistor ) 로 구성 된다 . 반도체 장치 는 셀 커패시터 에 전하 를 충전 하 거나 방전 하 는 동작 을 통해 데이터 를 저장 하 며 , 셀 커패시터 에 저장 된 전하량 은 이상 적 으로 항상 일정 해야 한다 . 그러나 주변 회로 와 의 전압 차이 로 인하 여 셀 커패시터 에 저장 된 전하량 이 변하 게 된다 . 이 와 같이 셀 커패시터 의 전하량 이 변화 된다는 것 은 셀 커패시터 에 저장 된 데이터 가 변화 됨 을 의미 하 며 , 이 는 저장 된 데이터 의 유실 을 의미 한다 . 반도체 장치 는 이 와 같이 데이터 가 유실 되 는 현상 을 방지 하 기 위하 여 리 프레시 ( refresh ) 동작 을 수행 한다 .