워드 라인 들 ( WL ) , 비트 라인 들 ( BL ) 및 주변 게이트 전극 들 ( PG ) 이 형성 된 반도체 기판 ( 100 ) 상 에 는 제 1 층간 절 연막 ( 120 ) 이 형성 될 수 있 다 . 또한 , 제 1 층간 절 연막 ( 120 ) 을 형성 하 기 전 에 , 비트 라인 들 ( BL ) 및 주변 게이트 전극 들 ( PG ) 이 형성 된 반도체 기판 ( 100 ) 을 컨 포말 하 게 덮 는 식각 정지 막 ( 115 ) 이 형성 될 수 있 다 .