반도체 층 ( SCL ) 은 비정질 실리콘 또는 결정질 실리콘 을 포함 할 수 있 다 . 또한 , 반도체 층 ( SCL ) 은 금속 산화물 반도체 를 포함 할 수 있 다 . 오 믹 컨 택 층 ( OCL ) 은 반도체 층 보다 고밀도 로 도핑 된 도 펀트 를 포함 할 수 있 다 . 오 믹 컨 택 층 ( OCL ) 은 이격 된 2 개 의 부분 을 포함 할 수 있 다 . 본 발명 의 일 실시 예 에서 오 믹 컨 택 층 ( OCL ) 은 일체 의 형상 을 가질 수 있 다 . 다만 , 이 에 한정 되 는 것 은 아니 며 , 반도체 층 ( SCL ) 의 종류 에 따라 오 믹 컨 택 층 ( OCL ) 은 생략 될 수 있 으며 , 어느 하나 의 실시 예 로 한정 되 지 않 는다 .