가스켓 ( 700 ) 이 형성 되 는 표면적 이 넓 을수록 외부 의 전자파 를 더 효율 적 으로 차폐 할 수 있 다 . 따라서 , 제 2 상단 측벽 ( 232 ) 에 제 1 방향 ( + z 방향 ) 으로 리세 스 되 는 상단 측벽 수 용부 ( 242 ) 및 제 2 방향 ( - z 방향 ) 으로 돌출 되 는 상단 측벽 돌출부 ( 244 ) 가 형성 될 수 있 다 . 또한 , 제 2 하단 측벽 ( 432 ) 에 제 2 방향 ( - z 방향 ) 으로 리세 스 되 는 하단 측벽 수 용부 ( 442 ) 및 제 1 방향 ( + z 방향 ) 으로 돌출 되 는 하단 측벽 돌출부 ( 444 ) 가 형성 될 수 있 다 .