또한 , 다이오드 D 1 , D 2 는 제 1 배선 층 ( 100 b ) 이 연결 되 는 방향 과 동일 한 방향 으로 게이트 패턴 과 가장 인접 한 위치 에 N + 정 션 과 P + 정 션 이 추가 로 형성 된다 . 이 에 따라 , 제 1 배선 층 ( 100 b ) 이 게이트 단자 와 연결 된 이후 의 경로 에 정 션 이 형성 되 는 것 을 방지 하 도록 한다 . 즉 , 제 1 배선 층 ( 100 b ) 으로부터 인가 되 는 플 라즈 마 이온 이펙트 ( Effect ) 가 PMOS 트랜지스터 P 4 와 NMOS 트랜지스터 N 4 의 게이트 에 전달 되 기 이전 에 먼저 다이오드 D 1 , D 2 의 P +, N + 정 션 에 연결 되 도록 한다 .