다음 , 상기 폴리 실리콘 층 ( 미 도시 ) 에 대해 포토레지스트 의 도포 , 노광 마스크 를 이용 한 노광 , " 노광 된 포토레지스트 의 현상 및 식각 등 일련 의 단위 공정 을 포함 하 는 마스크 공정 을 실시 함 으로써 상기 폴리 실리콘 층 ( 미 도시 ) 을 패 터닝 함 으로써 순수 폴리 실리콘 상태 의 반도체 층 ( 110 ) 을 형성 한다 . 이때 상기 반도체 층 ( 110 ) 은 평면 적 으로 는 "" ㄱ "" 자 형태 를 이루 게 된다 . "