일반 적 으로 플래시 메모리 장치 는 낸드 형 플래시 메모리 장치 와 노어 형 플래시 메모리 장치 가 있 다 . 노어 형 플래시 메모리 장치 는 단위 기억 소자 로 사용 되 는 하나 의 모스 트랜지스터 에 워드 라인 과 비트 라인 이 각각 연결 되 는 구조 이 다 . 일반 적 인 디램 과 같이 , 다수 의 비트 라인 과 다수 의 워드 라인 이 교차 하 며 배치 되 고 , 교차점 마다 단위 기억 소자 로 사용 되 는 모스 트랜지스터 가 배치 되 는 구조 이 다 . 낸드 형 플래시 메모리 장치 는 메모리 장치 의 고집 적 화 를 위해 단위 기억 소자 로 사용 되 는 모스 트랜지스터 들 이 직렬 로 접속 즉 , 인접 한 셀 끼리 드레 인 또는 소오 스 를 서로 공유 하 는 구조 로 되 어 한 개 의 스트링 ( string ) 을 구성 한다 . 따라서 노어 형 플래시 메모리 장 치 는 데이터 를 쓰 고 , 판독 하 는 속도 가 빠르 나 고집 적 화 에 불리 하 며 , 낸드 형 플래시 메모리 데이터 의 쓰 고 판독 속도 는 느리 나 , 고집 적 화 에 유리 하 다 . 최근 에 는 많 은 데이터 를 저장 하 고 이동 할 수 있 는 반도체 메모리 장치 에 대한 요구 가 높 아 지 고 있 기 때문 에 , 낸드 형 플래시 메모리 장치 의 사용 처 가 증가 되 고 있 다 .