즉 , 능동 소자 의 종류 에 관계없이 , 트랜지스터 ( 20 ) 와 함께 기억 소자 ( 40 ) 를 포함 하 는 회로 와 , 능동 소자 ( 예 를 들 어 , 촬상 소자 ( 10 ) 나 통신 용 플랫 폼 ) 를 별도 의 기판 ( 제 1 기판 ( 100 ) ( , 400 ) 및 제 2 기판 ( 200 ) ) 에 마련 하 고 , 또한 , 트랜지스터 ( 20 ) 를 포함 하 는 회로 와 기억 소자 ( 40 ) 를 기판 ( 제 2 기판 ( 200 ) ) 의 서로 상이 한 면 ( 면 S 1 , 면 S 2 ) 에 마련 하 도록 함 으로써 , 기억 소자 ( 40 ) 의 소자 특성 이 저감 된 반도체 장치 를 제공 하 는 것 이 가능 해진다 .