도 3 d 에 도시 된 바 와 같이 , 스 페이서 층 ( 25 ) 을 일부 식각 하 여 트렌치 패턴 ( 24 A ) 의 측벽 에 스 페이서 ( 25 A ) 을 잔류 시킨다 . 이때 , 스 페이서 층 ( 25 ) 의 식각 은 수직 식각 을 이용 하 는데 , 그 를 위해 에치 백 ( Etch back ) 을 사용 한다 . 따라서 , 에치 백 에 의해 하드 마스크 패턴 ( 23 A ) 상부 와 트렌치 패턴 ( 25 A ) 의 바닥 이 노출 되 고 , 스 페이서 ( 25 A ) 는 트렌치 패턴 ( 24 A ) 의 측벽 과 하드 마스크 패턴 ( 23 A ) 의 측벽 에 잔류 한다 . 한편 , 스 페이서 층 ( 25 ) 의 에치 백 시 하드 마스크 패턴 ( 23 A ) 이 일부 소모 될 수 있 다 .