또한 , 엔 모스 ( NMOS ) 트랜지스터 를 위한 다양 한 선폭 크기 의 시험 제 2 게이트 들 의 레이아웃 을 시험 웨이퍼 상 으로 전사 하 여 제 2 시험 포토레지스트 패턴 을 노광 및 현상 하 여 형성 하 고 , 포토레지스트 패턴 을 식각 마스크 ( etch mask ) 로 이용 하 여 식각 을 수행 하 여 제 2 시험 게이트 들 을 형성 한다 . 제 2 시험 포토레지스트 패턴 의 선폭 및 식각 에 의해 형성 된 제 2 시험 게이트 의 선폭 을 측정 하 고 , 측정 된 결과 로부터 제 2 시험 포토레지스트 패턴 의 선폭 에 대한 식각 에 의해 형성 된 제 2 시험 게이트 의 선폭 의 차이 를 제 2 식각 바이어스 로 측정 한다 . 측정 된 결과 는 도 5 에 제시 된 그래프 에 제시 된 바 와 같 은 경향 의 분포 로 제시 될 수 있 다 .