상기 발광 다이오드 는 , 상기 제 2 도전 형 반도체 층 상 에 배치 되 어 상기 제 2 도전 형 반도체 층 에 오 믹 콘 택하 는 오 믹 반사 층 을 더 포함 하 고 , 상기 하부 절연 층 은 상기 오 믹 반사 층 을 노출 시키 는 제 2 개 구부 를 더 포함 하 며 , 상기 하부 절연 층 의 제 2 개 구부 의 측벽 은 상기 제 2 굴절 률 을 갖 는 제 2 재료 층 들 각각 의 노출면 의 폭 ( W ) 이 한 쌍 의 제 1 재료 층 과 제 2 재료 층 의 높이 ( H ) 보다 큰 오프셋 형상 을 가질 수 있 다 .