도 4 를 참조 하 여 살펴보 면 , 본 실시 예 에 따른 반도체 메모리 장치 는 반도체 메모리 장치 는 제 어 클럭 생 성부 ( 50 ) , DLL 제 어부 ( 100 ) , 클럭 버퍼 부 ( 200 ) , 버퍼 제 어부 ( 300 ) , 제 1 딜레이 부 ( 400 A ) , 제 2 딜레이 부 ( 400 B ) , 모드 제 어부 ( 500 ) , 위상 비 교부 ( 600 ) , 지연 모델 ( 700 ) , 듀티 보정 회로 ( 800 ) , 클럭 드라이버 ( 900 ) 를 구비 한다 . 제 어 클럭 생 성부 ( 50 ) , DLL 제 어부 ( 100 ) , 제 1 딜레이 부 ( 400 A ) , 제 2 딜레이 부 ( 400 B ) , 모드 제 어부 ( 500 ) , 위상 비 교부 ( 600 ) , 지연 모델 ( 700 ) , 듀티 보정 회로 ( 800 ) , 클럭 드라이버 ( 900 ) 는 도 1 에 도시 된 반도체 메모리 장치 에서 도시 된 같 은 명칭 의 블 럭 들 과 실질 적 으로 같 은 동작 을 수행 한다 .