본 발명 에서 는 , 막 표면 측 에서 ( 110 ) , ( 111 ) 및 ( 100 ) 배향 으로 제어 하 였 다 . 이 와 같 은 구조 로 함 으로써 , 결정립 을 치밀 하 게 성장 시킬 수 있 다 . 이 에 의해 , 게이트 절 연막 계면 의 결함 기준 밀도 를 저감 하 는 것 이 가능 하 게 되 어 , 임계 값 ( Vth ) 시프트 가 적 은 안정 된 특성 의 TFT 를 제공 할 수 있 다 . 또한 , Ge 농도 를 저감 함 으로써 TFT 의 오프 전류 를 저감 할 수 있 다 .