상술 한 바 와 같이 , 본 실시 예 에서 는 , 도 5 c 에 도시 된 공정 에서 , 선택 질화 처리 에 의해 충전 층 ( 12 ) 이 형성 되 고 , 도 6 a 에 도시 된 공정 에서 , 고압 산화 처리 에 의해 블록 층 ( 13 ) 이 형성 된다 . 따라서 , 본 실시 예 에서 , 충전 층 ( 12 ) 및 블록 층 ( 13 ) 은 CVD 와 같 은 성막 기술 에 의해서 가 아니 라 , 질화 / 산화 처리 에 의해 형성 된다 . 따라서 , 블록 층 ( 13 ) 및 충전 층 ( 12 ) 은 제어 게이트 전극 으로서 역할 을 하 는 전 극막 ( 4 ) 의 표면 상 에 만 형성 되 고 , 유전체 막 ( 3 ) 의 표면 상 에 는 형성 되 지 않 을 수 있 다 . 이 결과 , 충전 층 ( 12 ) 을 전 극막 ( 4 ) 마다 분리 하 여 형성 할 수 있 다 . 또한 , 본 실시 예 에 따르 면 , 관통 홀 ( 7 ) 의 직경 은 블록 층 ( 13 ) 및 충전 층 ( 12 ) 의 형성 에 의해 작아지 지 않 는다 . 따라서 , 그만큼 , 관통 홀 ( 7 ) 내 에 여유 가 생긴다 .