따라서 , 상기 CMP 공정 의 컨트롤 을 통해 상기 구리도금 막 ( 140 ) 이 과도 하 게 연마 되 도록 하 여 최종 적 으로 상기 금속 배선 ( 143 ) 은 상기 제 1 층간 절 연막 ( 130 ) 의 높이 보다 낮 게 형성 된다 . 특히 , 상기 CMP 공정 에 의해 상기 금속 배선 ( 143 ) 에 는 디싱 ( dishing ) 현상 이 나타나 게 되 어 이후 전도성 배리 어막 ( 153 ) 증착 시 인접 한 금속 배선 상 의 합선 ( short ) 또는 누설 전류 ( leakage current ) 의 유발 을 방지 할 수 있 게 된다 . 예컨대 , 상기 트렌치 에 형성 된 금속 배선 ( 143 ) 과 제 1 층간 절 연막 ( 130 ) 사이 의 단차 는 10 내지 500 Å 사이 로 형성 될 수 있 다 .