구체 적 으로 는 , 도 5 의 ( c ) 에 도시 하 는 바 와 같이 , 제 1 포토레지스트 막 ( 54 ) 을 현상 하 고 , 투 광부 ( 10 ) ( 도 1 ) 와 반투 광부 ( 30 ) ( 도 1 ) 에 대응 하 는 위치 에 개구 를 갖 는 레지스 트 패턴 ( 55 ) 을 형성 한다 . 그리고 , 레지스 트 패턴 ( 55 ) 을 에칭 마스크 로 하 여 , 차광막 용 에칭 제 를 사용 하 여 차광막 ( 53 ) 을 에칭 ( 제 1 에칭 ) 하 고 , 차광막 패턴 을 형성 한다 ( 제 1 패 터닝 공정 ) . 또한 , 패 터닝 된 상기 차광막 패턴 을 에칭 마스크 로 하 여 , 림 형성 막 용 에칭 제 를 사용 하 여 림 형성 막 ( 52 ) 을 에칭 ( 제 2 에칭 ) 하 고 , 림 형성 막 패턴 을 형성 한다 ( 제 2 패 터닝 공정 ) . 차광막 ( 53 ) 과 림 형성 막 ( 52 ) 의 각각 의 에칭 에 는 , 재료 에 따라 공지 의 에칭 제 를 사용 한다 . 이때 , 습식 에칭 을 적용 하 는 것 이 바람직 하 다 . 이 에 의해 , 투 광부 ( 10 ) 와 반투 광부 ( 30 ) 에 대응 하 는 부분 에 , 투명 기판 ( 51 ) 이 노출 된다 .