SiO 2 기판 상 에 두께 500 nm 이 고 직경 이 160 nm 인 밀집 홀 패턴 이 형성 되 어 있 는 SiO 2 단차 기판 상 에 , UDL - 1 ∼ 17 을 350 ℃ 에서 60 초간 베 이크 에 의해 평탄 한 기판 상 에서 80 nm 의 막 두께 가 되 는 조건 으로 도포 하 여 유기 막 을 형성 하 였 다 . 유기 막 을 형성 한 기판 을 할단 하 고 , 홀 의 바닥 까지 유기 막 이 매립 되 어 있 는지 여부 를 주사 형 전자 현미경 ( SEM ) 으로 관찰 한 결과 를 표 8 에 나타낸다 .