이 와 마찬가지 로 , 상기 제 2 고유 전 패턴 ( 110 b ) 은 상기 제 2 게이트 전극 ( 175 b ) 의 양측 벽 에 자기 정렬 된 양측 벽 을 가질 수 있 다 . 즉 , 상기 제 2 고유 전 패턴 ( 110 b ) 은 평판 형태 일 수 있 으며 , 상기 제 2 게이트 전극 ( 175 b ) 및 제 2 활 성부 ( 105 b ) 사이 에 한정 적 으로 배치 될 수 있 다 . 상기 제 2 금속 함유 패턴 ( 115 a ) 은 상기 제 2 고유 전 패턴 ( 110 b ) 의 양측 벽 에 자기 정렬 된 양측 벽 을 가질 수 있 다 . 상기 제 2 식각 배리 어 도전 패턴 ( 162 b ) 의 양단 은 위 로 연장 되 어 상기 제 2 금속 패턴 ( 170 b ) 의 양 측벽 을 덮 을 수 있 으며 , 상기 확산 배리 어 도전 패턴 ( 164 b ) 의 양단 은 위 로 연장 되 어 상기 제 1 금속 패턴 ( 170 b ) 의 양측 벽 및 상기 제 2 식각 배리 어 도전 패턴 ( 162 b ) 의 연장 부 사이 에 개재 될 수 있 다 . 상기 제 2 식각 배리 어 도전 패턴 ( 162 b ) 의 연장 부 는 상기 제 2 금속 패턴 ( 170 b ) 의 측벽 에 인접 한 내면 및 이 에 대향 된 외면 을 가질 수 있 다 . 상기 제 2 고유 전 패턴 ( 110 b ) 및 제 2 금속 함유 패턴 ( 115 a ) 의 측벽 들 은 상기 제 2 식각 배리 어 도전 패턴 ( 162 b ) 의 상기 연장 부 의 상기 외면 에 자기 정렬 될 수 있 다 .