또 , 상기 제 1 공정 에서 는 , 상기 제 1 전극 으로서 양극 이 형성 되 고 , 상기 제 2 공정 은 , 상기 제 1 기능 층 으로서 , 상기 양극 상 에 투명 도전 층 을 형성 하 고 , 상기 투명 도전 층 상 에 정공 주입 층 을 형성 하 고 , 상기 정공 주입 층 상 에 정공 수송 층 을 형성 하 는 공정 이 며 , 상기 투명 도전 층 은 , 굴절 률 이 1 . 9 이상 2 . 3 이 하인 재료 를 이용 하 여 , 두께 가 14 . 4 ㎚ 이상 17 . 6 ㎚ 이하 로 형성 되 고 , 상기 정공 주입 층 은 , 굴절 률 이 1 . 8 이상 2 . 2 이 하인 재료 를 이용 하 여 , 두께 가 4 . 5 ㎚ 이상 5 . 5 ㎚ 이하 로 형성 되 고 , 상기 정공 수송 층 은 , 굴절 률 이 1 . 5 이상 1 . 9 이 하인 재료 를 이용 하 여 , 두께 가 9 ㎚ 이상 11 ㎚ 이하 로 형성 되 고 , 상기 제 3 공정 에서 는 , 상기 유기 발광 층 은 , 굴절 률 이 1 . 6 이상 2 . 0 이 하인 재료 를 이용 하 여 , 두께 가 36 ㎚ 이상 44 ㎚ 이하 로 형성 되 고 , 상기 제 4 공정 에서 는 , 상기 제 2 기능 층 으로서 , 상기 유기 발광 층 에 전자 를 수송 하 는 전자 수송 층 이 , 굴절 률 이 1 . 7 이상 2 . 1 이 하인 재료 를 이용 하 여 , 두께 가 31 . 5 ㎚ 이상 38 . 5 ㎚ 이하 로 형성 되 고 , 상기 제 5 공정 에서 는 , 상기 제 2 전극 으로서 , 상기 전자 수송 층 상 에 음극 이 , 굴절 률 이 2 . 0 이상 2 . 4 이 하인 재료 를 이용 하 여 , 두께 가 31 . 5 ㎚ 이상 38 . 5 ㎚ 이하 이 며 , 또한 , 광학 적 인 두께 가 63 ㎚ 이상 92 . 4 ㎚ 이하 가 되 도록 형성 되 고 , 상기 제 6 공정 은 , 상기 피복층 으로서 , 상기 음극 상 에 제 1 시 일 링 층 을 형성 하 고 , 상기 제 1 시 일 링 층 상 에 제 2 시 일 링 층 을 형성 하 는 공정 이 며 , 상기 제 1 시 일 링 층 은 , 굴절 률 이 1 . 7 이상 2 . 1 이 하인 재료 를 이용 하 여 , 두께 가 558 ㎚ 이상 682 nm 이하 로 형성 되 고 , 상기 제 2 시 일 링 층 은 , 굴절 률 이 1 . 3 이상 1 . 7 이 하인 재료 를 이용 하 여 , 두께 가 5400 ㎚ 이상 6600 ㎚ 이하 로 형성 되 는 것 으로 해도 된다 .