한편 , 도 2 b 에서 는 상기 결과물 에 포토 공정 을 위한 제 1 포토레지스트 ( 도시 생략 됨 ) 를 도포 한 후 , 포토 공정 을 통해 상기 도 2 a 의 결과물 상 에 제 1 포토레지스트 패턴 , 즉 비 아홀 용 포토레지스트 패턴 ( 도시 생략 됨 ) 을 형성 하 고 , 이 비 아홀 용 포토레지스트 패턴 을 마스크 로 하 여 제 2 절 연막 ( 204 ) 을 1 차 식각 함 으로써 비 아홀 영역 ( 206 ) 을 형성 한다 . 도면 부호 ( 204 a ) 는 식각 처리 된 제 2 절 연막 을 나타낸다 .