또한 , 본 발명 의 식별 마크 의 판독 방법 에 있 어서 는 광축 을 웨이퍼 의 주면 에 대해 비스듬히 교차 시키 면서 적 외광선 을 조사 함 으로써 , 예 를 들 어 레이저 마커 등 으로 주면 에 오목 형상 으로 형성 된 식별 마크 의 선명 화상 을 취득 할 수 있 다 . 즉 , 식별 마크 를 제외 한 위치 의 주면 은 대략 평면 형상 을 이루 므로 조사 한 적 외광선 이 대략 정반사 하 는 데 반해 , 오목 형상 의 도트 의 집합체 인 식별 마크 에서 는 조사 한 적 외광선 이 그 오목 형상 에 따라서 난반사 하 는 것 이 된다 . 이 로 인해 , 예 를 들 어 적 외광선 을 주면 에 직교 하 는 방향 으로부터 조사 한 경우 에 는 , 그 반사광 이 주면 에 직교 하 는 방향 으로 반사 하 고 , 이것 을 수 광 하 여 촬상한 화상 에 는 식별 마크 와 함께 주면 에 형성 된 예 를 들 어 IC 의 패턴 등 이 찍혀나온다 . 한편 , 적 외광선 을 주면 에 대해 비스듬히 조사 한 경우 에 는 식별 마크 를 제외 한 위치 에서 정반사 한 반사광 을 인식 하 지 않 고 , 식별 마크 의 오목 형상 에 따른 난 반사광 만 을 인식 할 수 있 어 , 이 난 반사광 을 수 광 하 여 촬상 함 으로써 거의 식별 마크 만 을 찍 어 낸 화상 을 취득 하 는 것 이 가능 해진다 .