도 3 을 참조 하 면 , 본 발명 의 다른 실시 예 에 의한 테스트 모드 신호 발생 장치 는 반도체 메모리 장치 가 탑재 된 칩 에 구비 되 며 테스트 모드 인 에 이 블 신호 가 인 가 되 는 테스트 모드 인 에이블 ( TME ) 패드 ( 310 ) , TME 패드 ( 310 ) 로 인가 되 는 테스트 모드 인 에 이 블 신호 ( TME ) 의 레벨 을 변환 하 여 내부 테스트 모드 인 에 이 블 신호 ( ITME ) 를 출력 하 는 TME 버퍼 ( 320 ) , 내부 테스트 모드 인 에 이 블 신호 ( ITME ) 에 의해 구동 되 어 내부 전압 발생 부 ( 330 ) 에서 생성 한 전압 레벨 을 복수 의 내부 전압 모니터링 패드 를 포함 하 는 내부 전압 모니터링 패드 부 ( 340 ) 로 전달 하 거나 , 내부 전압 모니터링 패드 에 인가 되 는 테스트 제어 신호 ( TM 0 ~ TMn - 1 ) 를 각각 입력 받 아 내부 테스트 제어 신호 ( ITM 0 ~ ITMn - 1 ) 를 출력 하 기 위한 복수 의 신호 선택 회로 를 포함 하 는 신호 선택 부 ( 350 ) 및 내부 테스트 모드 인 에 이 블 신호 ( ITME ) 에 의해 구동 되 어 신호 선택 부 ( 350 ) 에서 출력 되 는 내부 테스트 제어 신호 ( ITM 0 ~ ITMn - 1 ) 를 디 코딩 하 여 테스트 모드 신호 ( TEST ) 를 출력 하 는 테스트 모드 디코더 ( 360 ) 를 포함 한다 .