그 후 , 포토레지스트 패턴 ( 30 ) 을 마스크 로 사용 하 여 , 서로 대향 하 고 있 는 스택 게이트 ( 20 ) 의 두 측벽 에 소정 의 깊이 로 불순물 을 이온 주입 한다 . 스택 게이트 ( 20 ) 의 측벽 에 불순물 이 주입 되 면 , 불순물 이 주입 된 영역 에서 의 결정 격자 를 이루 는 원소 들 간 결합 이 파괴 되 어 비정질 화 된다 . 그리하여 , 스택 게이트 의 측벽 부근 에 비정질 층 ( 32 ) 이 형성 된다 . 불순물 로 는 , 기판 을 구성 하 는 물질 , 즉 실리콘 과 동일 한 수 의 원자 가 전자 를 가지 는 원소 ( 주기율표 상 의 4 족 원소 ) 를 사용 하 는 것 이 바람직 하 다 . 기판 물질 과 동일 한 수 의 원자 가 전자 를 주입 하 여야 , 후속 공정 에서 형성 될 소스 확산 영역 의 차지 밸런스 ( Charge Balance ) 에 영향 을 미치 지 않 는다 .