나아가 , 도전 성 영역 인 제 3 반도체 층 이 반도체 기판 과 연결 된 구조 를 가짐 으로써 , 제 3 반도체 층 의 부피 를 충분 하 게 확보 하 여 낮 은 전기 적 인 저항 을 구현 할 수 있 다 . 그리고 , 채널 층 의 하부 에 는 게이트 전극 층 이 형성 되 지 않 으므로 , 트리밍 에 의해 게이트 전극 층 의 폭 을 균일 하 게 줄일 수 있 다 .