도시 되 지 는 않 았 지만 , 본 발명 은 P 형 반도체 층 과 N 형 반도체 층 을 모두 포함 하 는 열전 발전 모듈 을 포함 할 수 있 다 . 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 열전 발전 모듈 은 , 서로 이격 되 어 배치 된 P 형 반도체 와 N 형 반도체 를 포함 하 고 , 상기 P 형 반도체 와 N 형 반도체 의 일 측 에서 상기 P 형 반도체 와 N 형 반도체 를 연결 하 는 상부 전극 과 , 상기 상부 전극 의 반대 측 에서 상기 N 형 반도체 와 접촉 하 는 제 1 하부 전극 과 , 상기 상부 전극 의 반대 측 에서 상기 P 형 반도체 와 접촉 하 는 제 2 하부 전극 과 , 상기 N 형 반도체 의 적어도 일 면 에 접촉 하 는 양전하 대전체 와 , 상기 P 형 반도체 의 적어도 일 면 에 접촉 하 는 음전하 대전체 를 포함 할 수 있 다 .