도 5 d 에 도시 한 바 와 같이 , 상기 제 1 포토레지스트 패턴 ( 109 ) 을 마스크 로 하 여 상기 기판 ( 41 ) 을 패 터닝 하 여 상기 금속 물질 ( 105 ) , 상기 불순물 이 도핑 된 실리콘 물질 ( 103 ) 및 상기 실리콘 물질 ( 101 ) 을 제거 한다 . 이 에 따라 , 데이터 라인 을 형성 하 기 위한 영역 , 소오 스 / 드레 인 전극 을 형성 하 기 위한 영역 , 스토리지 전극 을 형성 하 기 위한 영역 및 데이터 패드 를 형성 하 기 위한 영역 을 제외 한 나머지 영역 에서 상기 금속 물질 ( 105 ) , 상기 불순물 이 도핑 된 실리콘 물질 ( 103 ) 및 상기 실리콘 물 질 ( 101 ) 이 제거 될 수 있 다 .