상술 한 본 발명 의 화소 ( PXL ) 에서 제 11 트랜지스터 ( M 11 ) 내지 제 17 트랜지스터 ( M 17 ) 는 P 타입 의 폴리 실리콘 반도체 트랜지스터 로 형성 된다 . 특히 , 유기 발광 다이오드 ( OLED ) 로 전류 를 공급 하 기 위한 전류 공급 경로 에 위치 된 트랜지스터 들 ( M 11 , M 16 , M 17 ) 은 P 타입 의 폴리 실리콘 반도체 트랜지스터 로 형성 된다 . 트랜지스터 들 ( M 11 내지 M 17 ) 이 폴리 실리콘 반도체 트랜지스터 로 형성 되 면 빠른 구동 특성 을 확보 할 수 있 다 .