기계 화학 적 연마 후 표면 의 연마 정도 는 반도체 디바이스 의 수율 과 소자 의 신뢰 성 에 큰 영향 을 미치 기 때문 에 가공 율 이 높 으면서 표면 긁 힘 현상 을 낮출 필요 가 있 다 . 또한 연마 된 실리콘 웨이퍼 표면 에 흡착 된 잔류 입자 들 의 배출 및 제거 는 제조 공정 의 관점 에서 매우 중요 하 다 . 이 는 반도체 디바이스 들 이 최근 점점 더 조밀화 되 기 때문 에 아주 미량 의 잔류 입자 및 긁 힘 현상 이 메모리 성능 에 영향 을 미치 고 막대 한 공정 손실 을 야기 한다 . 더욱이 연마제 가 세정 시설 로 이 송시 작업 환경 과 장치 들 이 오염 될 수 있 고 세정액 들 이 짧 은 시간 내 에 불 안정 해 지 거나 환경 및 장치 의 관리 가 복잡 해질 수 있 다 . 그리고 연마제 로부터 분산 된 연마제 들 은 용액 내 에서 분리 , 침전 또는 응집 이 일어날 수 있 고 저장 관리 를 위한 노동력 이 요구 된다 . 종래 의 반도체 연마 패드 는 연마제 가 응집 되 거나 더 큰 입자 직경 을 형성 할 때 표면 을 긁힐 수 있 고 그 경우 에 연마제 는 고유 의 기능 을 발휘 할 수 없 다 .