본 발명 의 일실 시예 에 따른 질화 갈륨 기판 가공 장치 는 , 질화 갈륨 기판 표면 의 높이 차이 를 해소 하 여 평탄 화 하 기 위한 것 으로서 제 1 메 쉬 값 을 가지 는 제 1 그라인더 입자 로 된 제 1 그라인더 ; 상기 제 1 그라인더 로 그라인딩 한 질화 갈륨 기판 표면 에 회전 시켜 질화 갈륨 기판 을 그라인딩 하 여 질화 갈륨 기판 의 표면 에 형성 된 손상 층 을 제거 하 되 , 제 2 메 쉬 값 을 가지 는 제 2 그라인더 입자 로 된 제 2 그라인더 ; 및 상기 제 1 그라인더 및 상기 제 2 그라인더 에 의해 그라인딩 된 질화 갈륨 기판 의 표면 을 후처리 폴리 싱하 는 후처리 폴리 싱 부 ; 를 포함 하 되 , 상기 제 2 메 쉬 값 은 상기 제 1 메 쉬 값 보다 크 다 .