베이스 다이 웨이퍼 ( 100 ) 상 에 코어 다이 ( 200 ) 들 은 수직 하 게 적층 될 수 있 다 . 베이스 다이 웨이퍼 ( 100 ) 의 제 1 베이스 다 이 영역 ( 101 ) 상 에 제 1 열 의 제 1 층 의 코어 다이 ( 201 ) 가 적층 되 고 , 베이스 다이 웨이퍼 ( 100 ) 의 제 2 베이스 다 이 영역 ( 102 ) 상 에 제 2 열 의 제 1 층 의 코어 다이 ( 202 ) 가 적층 될 수 있 다 . 제 1 열 의 제 1 층 의 코어 다이 ( 201 ) 와 제 2 열 의 제 1 층 의 코어 다이 ( 202 ) 는 동시 에 베이스 다이 웨이퍼 ( 100 ) 의 제 2 표면 ( 112 ) 상 에 적층 ( stack ) 될 수 있 다 . 제 1 열 의 제 1 층 의 코어 다이 ( 201 ) 와 제 2 열 의 제 1 층 의 코어 다이 ( 202 ) 는 실질 적 으로 동일 한 형상 을 가지 는 반도체 다이 일 수 있 다 .