본 발명 에 따른 발광 소자 의 제조 방법 은 도 3 a 내지 도 3 g 를 참조 하 면 , 우선 사파이어 기판 ( 100 b ) 의 일 측 에 알루미늄 ( Al ) , 은 ( Ag ) , 레늄 ( Re ) , 루테늄 ( Ru ) , 금 ( Au ) 등 과 같이 광 반 사특 성 이 우수 한 물질 을 독립 적 으로 사용 하 거나 다층 을 형성 하 여 100 ~ 450 ㎚ 의 두께 로 접촉 특성 이 우수 한 반사막 을 형성 한다 .