본 명세서 에 설명 된 방법 ( 800 ) 및 장치 의 일부 예 에서 , 제 1 논리 상태 를 판독 하 는 것 은 강유 전 성 메모리 셀 에 기초 하 여 디 지트 라인 에 생성 된 전압 을 기준 전압 과 비교 하 는 것 을 포함 한다 . 본 명세서 에 설명 된 방법 ( 800 ) 및 장치 의 일부 예 에서 , 제 2 논리 상태 를 기록 하 는 것 은 제 2 논리 상태 를 제 1 논리 상태 와 동일 하 게 선택 하 기 위한 동작 , 특징 , 수단 , 또는 명령어 를 포함 할 수 있 다 . 본 명세서 에 설명 된 방법 ( 800 ) 및 장치 의 일부 예 에서 , 제 2 논리 상태 를 기록 하 는 것 은 제 2 논리 상태 를 얻 기 위해 제 1 논리 상태 를 반전 시키 기 위한 동작 , 특징 , 수단 , 또는 명령어 를 포함 할 수 있 다 .