도 4 는 실리콘 웨이퍼 로 제조 한 쇼트 키 다이오드 의 탄소 농도 를 , 활성 화 시간 과 온도 에 따라 DLTS 로 측정 한 결과 를 나타낸 도면 이 다 . DLTS 는 재료 의 깊 은 준위 ( Deep Level ) 를 평가 하 는 기술 로 , 깊 은 준위 는 대부분 전기 적 혹은 광학 적 방법 에 의해 자유 전하 ( free carrier ) 로 채워지 는 데 채워진 자유 전하 의 일련 의 느린 열 적 방출 ( slow thermal emission ) 과정 은 캐 패 시 턴 스 전이 ( capacitance transient ) 를 일으키 고 , 상기 전이 는 온도 가 일정 비율 로 변하 는 동안 신호 처리 에 의한 분석 을 통해 반도체 밴드 갭 의 분광 ( Spectroscopic ) 분석 결과 를 얻 을 수 있 다 .