또 , 반도체 장치 의 제 조시 의 노광 공정 에서 는 수은 램프 의 i 선 을 이용 한 i 선 스 테퍼 라고 불리 는 축소 투영 노광기 가 주로 사용 되 고 있 다 . 이 스 테퍼 는 매우 고가 의 기계 이 므로 , 감광성 수지 조성물 이 저 감도 이 면 릴리프 패턴 을 형성 하 기 위해 필요 로 하 는 노광 시간 이 길 어 지 고 , 필요 한 스 테퍼 의 대수 가 증가 되 어 노광 프로세스 의 고 비용 화 로 연결 된다 .