세정 이후 , 반도체 기판 은 교반 수단 을 사용 하 거나 또는 사용 하 지 않 고 , 약 5 초 내지 최대 약 5 분 까지 적합 한 헹굼 용매 를 사용 하 여 헹구 어 질 수 있 다 . 적합 한 헹굼 용매 의 예 는 탈 이온 ( DI ) 수 , 메탄올 , 에탄올 , 이소프로필 알코올 , N - 메틸 피 롤리 돈 , 감마 - 부티 로 락톤 , 디 메틸 설 폭 시드 , 에틸 락 테이트 및 프로필렌 글리콜 모노 메틸 에테르 아세테이트 를 포함 하 지만 , 이 에 한정 되 지 않 는다 . 대안 적 으로 , pH > 8 인 수성 헹굼 액 ( 예컨대 , 묽 은 수성 수산화 암모늄 ) 이 사용 될 수 있 다 . 헹굼 용매 의 바람직 한 예 는 묽 은 수성 수산화 암모늄 , 탈 이온 수 , 메탄올 , 에탄올 및 이소프로필 알코올 을 포함 하 지만 , 이 에 한정 되 지 않 는다 . 용매 는 본원 에 기술 된 세정 조성물 을 적용 하 는 데 사용 되 는 것 과 유사 한 수단 을 사용 하 여 적용 될 수 있 다 . 세정 조성물 은 헹굼 단계 를 시작 하 기 전 에 반도체 기판 으로부터 제거 될 수 있 거나 , 또는 헹굼 단계 의 시작 시 에 여전히 반도체 기판 과 접촉 되 어 있 을 수 있 다 . 바람직 하 게 는 , 헹굼 단계 에 적용 되 는 온도 는 16 ℃ 내지 27 ℃ 이 다 .