또한 , 도 17 b 의 플로 차트 에 나타낸 각각 의 단계 는 다수 의 공정 단계 를 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 제 1 유리판 상 에 TFT 전극 ( 일반 적 으로 , " "" 픽셀 전극 "" 이라고 함 ) 을 형성 하 는 과정 에 는 많 은 여러 공정 단계 가 포함 될 수 있 다 . 마찬가지 로 ", 제 2 유리판 상 에 컬러 필터 를 형성 하 는 과정 에 는 많 은 공정 단계 가 포함 될 수 있 다 . 통상 적 으로 , 픽셀 전극 을 형성 하 는 과정 에 는 , 예 를 들 어 TFT , ITO 전극 , 및 TFT 에 대한 다양 한 버스 라인 을 형성 하 기 위한 다수 의 공정 단계 가 포함 될 수 있 다 . 사실상 , TFT 전극 층 을 형성 하 는 공정 은 , 실질 적 으로 대 규모 집적회로 를 형성 하 는 공정 이 며 , 종래 의 집적회로 제조 에 사용 된 것 과 같 은 많 은 증착 및 포 토리 소 그래픽 패 터닝 공정 단계 를 포함 한다 . 예 를 들 어 , TFT 전극 층 의 많 은 부분 을 , 재료 층 ( 예 를 들 어 , 반도체 , 도체 , 또는 유전체 ) 을 증착 하 고 , 재료 층 위 에 포토레지스트 층 을 형성 하 며 , 포토레지스트 를 패턴 화 방사선 에 노출 시킴 으로써 구성 될 수 있 다 . 포토레지스트 층 을 성장 시키 면 , 패턴 화 된 포토레지스트 층 이 된다 . 다음 으로 , 패턴 화 된 포토레지스트 층 의 아래 에 위치 하 는 재료 층 의 일부 를 에칭 공정 으로 제거 하 고 , 포토레지스트 의 패턴 을 재료 층 에 전사 한다 . 마지막 으로 , 남 은 포토레지스트 를 기판 으로부터 벗겨 내 고 , 패턴 화 된 재료 층 을 남긴다 . 이 들 공정 단계 는 TFT 전극 층 의 여러 컴포넌트 를 배치 하 기 위해 여러 번 반복 할 수 있 으며 , 유사 한 증착 및 패 터닝 단계 를 사용 해서 컬러 필터 를 형성 할 수 있 다 .