기판 과 질화물 반도체 층 사이 의 열팽창 계수 차이 로 인해 질화물 반도체 층 에 응력 이 발생 되 더라도 국부 적 인 응력 이완 이 되 고 이 로 인한 기판 휘어짐 현상 이 감소 될 수 있 다 . 기판 과 질화물 반도체 층 의 열팽창 계수 가 달라도 빈 공간 이 질화물 반도체 층 에 의해 압축 이 되 거나 신장 이 될 수 있 으므로 , 질화물 반도체 층 에 걸리 는 응력 은 감소 된다 . 이 에 따라 , 대면 적 기판 에서 도 상대 적 으로 얇 은 기판 을 사용 하 는 것 이 가능 해진다 .