본 발명 에 있 어서 , 매우 중요 한 발명 의 구성 요건 이 다 . 퀀칭 마르텐 사이트 및 템퍼링 마르텐 사이트 중 의 C 량 은 , 각 조직 의 경도차 와 상관 이 있 다 . 즉 , 퀀칭 마르텐 사이트 중 의 C 량 에 대한 템퍼링 마르텐 사이트 중 의 C 량 의 비 를 적정 하 게 제어 함 으로써 , 소망 하 는 YR 을 확보 하 면서 , 구멍 확장 성 을 향상 시키 는 것 이 가능 하 다 . 여기 에서 , 퀀칭 마르텐 사이트 중 의 C 량 에 대한 템퍼링 마르텐 사이트 중 의 C 량 의 비 가 0 . 2 미만 에서 는 , 퀀칭 마르텐 사이트 와 템퍼링 마르텐 사이트 의 경도차 가 커지 기 때문 에 , 구멍 확장 성 이 저하 한다 . 또한 , YR 이 저하 한다 . 한편 , 퀀칭 마르텐 사이트 중 의 C 량 에 대한 템퍼링 마르텐 사이트 중 의 C 량 의 비 가 1 . 0 이상 에서 는 , 템퍼링 마르텐 사이트 의 경도 가 퀀칭 마르텐 사이트 의 경도 와 동등 하 게 되 기 때문 에 , 페라이트 와 퀀칭 마르텐 사이트 의 사이 의 경도 를 갖 는 상 이 없 어 져 , 구멍 확장 성 이 저하 한다 . 따라서 , 퀀칭 마르텐 사이트 중 의 C 량 에 대한 템퍼링 마르텐 사이트 중 의 C 량 의 비 는 0 . 2 이상 1 . 0 미만 으로 한다 . 바람직 하 게 는 0 . 2 이상 0 . 9 이하 로 한다 . 또한 , 퀀칭 마르텐 사이트 중 의 C 량 및 , 템퍼링 마르텐 사이트 중 의 C 량 은 , 후술 하 는 실시 예 에 기재 된 방법 으로 측정 할 수 있 다 .