이러 한 측정 기준 마크 ( 10 ) 를 이용 한 전자 빔 ( 20 ) 크기 측정 은 , 먼저 , 전자 빔 ( 20 ) 을 홀 부분 ( 15 ) 으로부터 마크 ( 10 ) 몸체 상 으로 스캔 하고 , 발생 되 는 2 차 전자 를 수집 하 여 수집 된 2 차 전자 의 신호 변화 를 검출 하 는 과정 으로 이루어지 고 있 다 . 예컨대 , 도 2 에 제시 된 바 와 같이 전자 빔 ( 20 ) 이 홀 부분 ( 15 ) 에 조사 될 때 , 신호 ( 40 ) 는 베이스 ( base ) 상태 로 검출 되 고 , 도 3 에 제시 된 바 와 같이 , 스캔 되 는 전자 빔 ( 20 ) 이 마크 ( 10 ) 의 내측 벽면 에지 ( edge : 11 ) 에 도달 함 에 따라 신호 ( 40 ) 는 베이스 상태 에서 그 세기 가 증가 된다 . 도 4 에 제시 된 바 와 같이 전자 빔 ( 20 ) 이 마크 ( 10 ) 의 몸체 상 으로 스캔 되 면서 신호 ( 40 ) 세기 는 계속 증가 하 고 , 전자 빔 ( 20 ) 이 마크 ( 10 ) 의 몸체 상 으로 완전히 옮겨질 때 , 도 5 에 제시 된 바 와 같이 신호 ( 40 ) 의 세기 는 포화 ( saturation ) 되게 된다 . 검출 된 신호 ( 40 ) 의 포화 상태 와 베이스 상태 사이 의 세기 변이 부분 의 폭 ( 45 ) 을 1 차 및 2 차 미분 을 적용 하 여 계산 하 여 전자 빔 ( 20 ) 의 크기 로 측정 한다 .