한편 , 상부 방사 온도계 ( 25 ) 는 , 서 셉 터 ( 74 ) 에 재치 된 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 상면 으로부터 방사 된 적 외광 을 챔버 측 부 ( 61 ) 의 관통 구멍 ( 61 a ) 에 장착 된 투명 창 ( 26 ) 을 통과 시켜 수광 하 여 , 당해 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 상면 의 온도 를 측정 한다 . 상부 방사 온도계 ( 25 ) 가 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 온도 측정 에 사용 하 는 적 외광 의 파장 범위 , 즉 상부 방사 온도계 ( 25 ) 의 측정 파장역 은 5 μ m ~ 6 . 5 μ m 이 다 . 석영 의 상측 챔버 창 ( 63 ) 은 파장 5 μ m 이상 의 광 을 차광 한다 . 따라서 , 플래시 램프 ( FL ) 로부터 출사 된 플래시 광 중 파장 5 μ m 이상 의 광 은 상측 챔버 창 ( 63 ) 에 의해 커트 되 어 , 프로세스 챔버 ( 6 ) 내 의 열처리 공간 ( 65 ) 에 는 파장 5 μ m 미만 의 광이 도달 하 게 된다 . 말 하 자면 석영 의 상측 챔버 창 ( 63 ) 이 필터 로서 기능 하 게 되 어 , 플래시 램프 ( FL ) 로부터 출사 된 플래시 광이 상부 방사 온도계 ( 25 ) 의 외란 광 이 될 우려 는 없 으며 , 상부 방사 온도계 ( 25 ) 는 반도체 웨이퍼 ( W ) 로부터 방사 된 적 외광 만 을 수 광 하 여 그 웨이퍼 온도 를 측정 할 수 있 다 . 또 , 상부 방사 온도계 ( 25 ) 의 측정 간격 은 예 를 들 면 40 마이크 로 세컨드 이 며 , 플래시 광 조사 시 의 반도체 웨이퍼 ( W ) 상면 의 순간 적 인 온도 변화 에 도 추종 하 는 것 이 가능 하 다 .