이상 과 같이 본 발명 의 바람직 한 실시 예 에 따르 면 , 게이트 전극 ( 16 ) 을 얇 은 게이트 메탈 ( 14 a ) 을 적용 하 고 , 게이트 메탈 ( 14 a ) 위 에 캡 핑 실리콘 층 ( 15 a ) 을 적용 하 는 게이트 퍼스트 메탈 게이트 ( Gate First Metal Gate ) 공정 을 적용 한다 . 따라서 , 게이트 에칭 공정 에서 발생 하 는 데미지 ( damage ) 및 메탈 잔류물 ( metal residue ) 을 효과 적 으로 줄이 고 , 기존 의 CMOSFET ( Complementary MOSFET ) 소자 의 제작 공정 을 적용 할 수 있 다는 장점 을 가진다 .