장치 를 마운트 ( 40 ) 에 연결 한 후 에 , 성장 기판 ( 10 ) 은 예 를 들 면 에칭 정지 층 ( 20 ) 에서 끝 나 는 에칭 에 의해 제거 된다 . 에칭 정지 층 ( 20 ) 은 n - 타입 영역 ( 22 ) 에서 끝 나 는 에칭 또는 건식 에칭 에 의해 제거 될 수 있 다 . n - 타입 영역 ( 22 ) 의 노출 된 표면 은 광 추출 을 개선 하 기 위해 텍스처 링 될 수 있 다 ( 즉 , 예 를 들 면 광 결정 ( photonic crystal ) 으로 패 터닝 되 거나 러프 닝 될 수 있 다 ) . 예 를 들 면 , n - 타입 영역 ( 22 ) 은 건식 에칭 , 광화학 에칭 , 또는 광전기 화학 에칭 에 의해 러프 닝 될 수 있 다 . 다르 게 는 , 에칭 정지 층 ( 20 ) 이 텍스처 링 되 고 , 그 후 그 패턴 이 건식 에칭 에 의해 n - 타입 영역 ( 22 ) 에 전사 될 수 있 다 . 일부 실시 예 들 에서 는 , 장치 에서 의 전류 분포 를 개선 하 기 위해 n - 타입 영역 ( 22 ) 의 텍스처 링 된 표면 위 에 추가 적 인 투명 한 전도성 산화물 층 이 증착 된다 .