이때 , 상기 폴리 실리콘 층 은 그 상부 에 형성 되 는 서로 이격 하 는 상기 오 믹 콘 택 층 과 중첩 하 는 영역 은 제 1 두께 를 가지 며 , 그 외 의 영역 은 상기 제 1 두께 보다 얇 은 제 2 두께 를 갖 는 것 이 특징 이 며 , 상기 소스 및 드레 인 전극 각각 은 상기 3 중층 구조 의 반도체 층 의 측면 을 덮 으며 형성 된 것 이 특징 이 다 .