502 에서 , 프로그램 전압 을 비트 셀 에 인가 하 기 전 , 기입 전압 이 제 1 MTJ 에 인가 되 어 , 가역 값 을 비트 셀 에 저장 할 수 도 있 으며 , 504 에서 , 기입 전압 을 제 1 MTJ 에 인가 한 후 , 제 1 MTJ 가 판독 되 어 비트 셀 의 동작 을 테스트 할 수 도 있 다 . 특정 실시 형태 에 있 어서 , 비트 셀 은 도 1 의 메모리 셀 ( 102 ) , 도 2 의 제 1 원 타임 프로그램 가능 셀 ( 208 ) , 또는 도 3 의 비트 셀 ( 302 ) 일 수 도 있 다 . 특정 실시 형태 에 있 어서 , 제 1 MTJ 는 도 1 의 제 1 저항 메모리 엘리먼트 ( 106 ) , 도 2 의 제 1 저항 메모리 엘리먼트 ( 212 ) , 또는 도 3 의 제 1 저항 메모리 엘리먼트 ( 310 ) 일 수 도 있 고 , 제 2 MTJ 는 도 1 의 제 2 저항 메모리 엘리먼트 ( 108 ) , 도 2 의 제 2 저항 메모리 엘리먼트 ( 214 ) , 또는 도 3 의 제 2 저항 메모리 엘리먼트 ( 314 ) 일 수 도 있 다 .