도 4 에 는 본 발명 의 또 다른 실시 예 에 따른 GaN 계 발광 다이오드 에서 P 형 반도체 층 내부 에 그래핀 이 형성 되 어 있 는 모습 을 나타낸 단면도 가 도시 되 어 있 고 , 도 5 에 는 본 발명 의 또 다른 실시 예 에 따른 GaN 계 발광 다이오드 에서 P 형 반도체 층 내부 에 2 개 의 그래핀 이 형성 되 어 있 는 모습 을 나타낸 단면도 가 도시 되 어 있 다 .