본 실시 예 에 의한 자기 메모리 장치 의 주 된 특징 으로서 , 1 개 의 행 어드레스 ( 디 짓 선 ) 와 복수 의 열 어드레스 ( 기입 워드 선 ) 를 선택 하 여 , 복수 의 메모리 셀로 의 패럴렐 기입 을 행할 수 있 는 점 을 들 수 있 다 . 이러 한 기입 · 판독 시퀀스 는 일반 적 인 메모리 장치 에 적용 되 고 있 고 , 주변 회로 나 기입 프로그램 등 과 의 정합성 ( 整合 性 ) 이 우수 하 다 .