상부 도체 들 ( 438 ) 의 형성 에 이어 , 결과 적 인 구조물 은 다이오드 들 ( 430 ) 의 증착 된 반도체 물질 을 결정 화 하 기 위해서 ( 및 / 또는 p + 영역 ( 420 ) 에 실리사이드 형성 금속 층 ( 422 ) 의 반응 에 의해 실리사이드 영역 들 을 형성 하 기 위해서 ) 어닐링 될 수 있 다 . 적어도 일 실시 예 에서 , 어닐링 은 약 600 내지 800 ℃, 더 바람직 하 게 는 약 650 내지 750 ℃ 의 온도 에서 질소 에서 약 10 초 내지 약 2 분 동안 수행 될 수 있 다 . 이외 의 어닐링 시간 들 , " 온도 들 및 / 또는 환경 들 이 사용 될 수 있 다 . 각각 의 실리사이드 형성 금속 층 영역 ( 422 ) 및 p + 영역 ( 420 ) 이 반응 하 여 형성 된 실리사이드 영역 들 은 실리사이드 영역 들 은 다이오드 ( 430 ) 를 형성 하 는 하지 의 증착 된 반도체 물질 에 대한 어닐링 동안 "" 결정 화 템 플레이트 "" 또는 "" 시드 "" 로 작용 할 수 있 다 ( 예 를 들 어 ", 임의 의 비정질 반도체 물질 을 다 결정질 반도체 물질 로 변경 하 고 / 하 거나 다이오드 들 ( 430 ) 의 전체 결정 특성 들 을 개선 한다 ) . 그럼 으로써 더 낮 은 저항률 의 다이오드 물질 이 제공 된다 .