상기 CNT 시 딩 층 ( 210 ) 이 티타늄 질화물 , 탄탈 질화물 또는 유사 한 재료 를 포함 하 는 실시 예 에서 CMP 또는 유전체 에치 - 백 ( etchback ) 단계 를 사용 하 여 상기 CNT 시 딩 층 ( 210 ) { 및 제 1 전도체 ( 206 ) } 의 패 터닝 및 에칭 이전 에 상기 CNT 시 딩 층 ( 210 ) 의 표면 을 거칠 게 할 수 있 다 . 거친 티타늄 질화물 , 탄탈 질화물 또는 유사 한 표면 을 CNT 제조 용 의 시 딩 층 으로서 사용 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 거친 티타늄 질화물 은 정밀 공학 기술 , Nov . 10 - 15 , " 2001 에 있 어서 미국 소사이어티 16 차 연차 회의 의 절차 에서 의 Smith 등 의 "" 나노 튜브 합성 용 연마 TiN "" 에 기재 된 것 과 같이 수직 정렬 된 CNT 의 형성 을 용이 하 게 하 도록 나타나 있 다 ( 또한 ", Rao 등 의 Appl . Phys . Lett . , Vol . 76 , No . 25 , 19 June 200 , " pp . 3813 - 3815 의 "" 탁월 한 필드 방출 특성 을 갖 는 원위치 성장 탄소 나노 뷰 브 어레이 "" 참조 ) . "