본 발명 은 상기 와 같 은 종래 기술 의 제반 단점 과 문제점 을 해결 하 기 위한 것 으로 , 높 은 전자 이동도 를 요구 하 는 부분 은 레이저 를 이용한 디렉 셔 널 결정 화 방법 으로 결정 화 하 여 높 은 전자 이동도 를 갖 는 반도체 층 을 형성 하 고 , 반도체 층 특성 의 균일성 이 요구 되 는 화소 부 는 SGS 결정 화법 으로 결정 화 하 여 높 은 전자 이동도 및 특 성 의 균일성 을 동시 에 만족 시키 는 박막 트랜지스터 를 제조 하 여 우수 한 특성 을 갖 는 평판 디스플레이 소자 및 그 의 제조 방법 을 제공 하 고 , 반도체 소자 및 그 의 제조 방법 을 제공 하 는데 본 발명 의 목적 이 있 다 .