A , C 의 위치 가 본 발명 에 따른 표면 소수 화 막 이 절 연막 과 접촉 된 면 과 는 반대 측 의 면 에서 배선 과 접촉 하 고 있 는 예 이 다 . B 에서 는 표면 소수 화 막 에 해당 하 는 막 이 절 연막 위 에 설치 되 어 있 고 , 그 위 에 배선 이 설치 되 면 본 발명 에 따른 표면 소수 화 막 으로서 기능 할 수 있 지만 , 일반 적 으로 는 CMP ( 화학 적 기계 연마법 : Chemical Mechanical Polishing ) 에 의한 표면 평탄 화 처리 가 실시 되 며 , B 자체 가 제거 되 어 버린다 . 또한 , 이 예 는 배선 층 ( 111 ) 위나 배리어 메탈 층 ( 112 ) 위 에 는 표면 소수 화 막 이 형성 되 어 있 지 않 은 상태 를 나타내 고 있 다 .