다음 으로 , 도 9 e 에 도시 된 바 와 같이 , 소스 전극 ( 106 c ) 및 제 1 투명 도전 패턴 ( 108 ) 을 마스크 로 하 여 상기 오 믹 접촉 패턴 ( 118 a ) 및 식각 장벽 패턴 ( 116 a ) 을 일부 건식 식각 함 으로써 상기 박막 트랜지스터 ( TFT ) 의 채널 을 형성 한다 . 이때 , 액 티 브 패턴 ( 114 a ) 이 형성 하 는 채널 의 길이 ( L ) 는 0 . 2 ㎛ 내지 1 . 5 ㎛ 일 수 있 다 .