이 와 같이 , 본 발명 에서 제공 되 는 질화물 단결정 박막 ( 12 ) 상 에 발광 소자 를 제조 하 는 경우 , 질화물 단결정 박막 ( 12 ) 의 결정 결함 이 감소 하 여 발광 구조물 의 성능 을 향상 시킬 수 있 게 된다 . 또한 , 질화물 단결정 박막 ( 12 ) 이 반 극성 특성 을 갖 는 것 으로 , 내부 전기장 발생 을 감소 시켜 전자 및 전공 의 재결합 률 을 증가 시킴 으로써 , 발광 효율 을 향상 시킬 수 있 게 된다 .