다음 에 , 막 ( 105 ) 을 지닌 실리콘 기판 ( 101 ) 을 스퍼터링 장치 내 에 반송 해서 , 제 1 실시 예 와 같이 스퍼터링 처리 를 실시 하 고 , 실리콘 산화 막 ( 105 ) 위 에 막 두께 1 nm 의 Hf 및 Si 로 이루어진 막 ( 102 ) 을 형성 했 다 . 이때 , 퇴적 한 막 중 에 포함 되 는 Hf 에 대한 Si 의 조성 비 , 즉 Hf 원자 와 Si 원자 와 의 합계 에 대한 Si 원자 의 비율 은 30 % 였 다 .