기존 의 D 1 RIE 의 POR 조건 에서 W - 심의 두께 는 500 Å 이나 추가 된 마스크 를 이용 한 포토 공정 을 통해 W - 심 주변 을 선택 적 으로 SiH 4 ( 150 ) ( 1500 Å ) , FSG ( 145 ) ( 1300 Å ) , SiH 4 ( 130 ) ( 200 Å ) 정도 식각 함 으로써 , W - 심의 두께 를 700 Å 로 만들 어 놓 은 상태 에서 D 1 RIE 진행 시 오버 식각 시간 을 증가 시켜 기존 의 W - 심 POR 조건 인 500 Å 으로 유지 하 면서 트렌치 깊이 는 기존 의 2800 Å 보다 더 낮 은 2400 Å ~ 2500 Å 으로 낮춰 지 므로 이 로 인해 M 1 의 저항 은 개선 될 수 있 다 .