제 1 양태 에서 , 본 발명 은 상기 센서 구조물 을 바이어 싱 하고 , 상기 센서 구조물 로부터 센서 리드 아웃 신호 또는 센서 리드 아웃 값 을 획득 하 는 방법 을 제공 하 는데 , 저항성 센서 구조물 은 두 개 의 여기 노드 및 두 개 의 리드 아웃 노드 를 포함 하 고 , 바이어 싱 회로 에 의해 저항성 센서 구조물 의 여기 노드 에서 바이어스 될 때 , 저항성 센서 구조물 의 리드 아웃 노드 에 순간 적 리드 아웃 신호 를 제공 하 도록 구성 되 고 , 상기 방법 은 , a ) 제 1 커패시터 의 제 1 상태 를 설정 또는 측정 또는 검출 하 는 단계 - 제 1 상태 는 제 1 양 의 전하 에 해당 함 - 와 , b ) 제 1 시간 간격 동안 에 , 바이어 싱 전류 가 상기 제 1 커패시터 와 상기 저항성 센서 구조물 을 통과 하 도록 하 거나 강제 하 기 위하 여 , 상기 제 1 커패시터 를 포함 하 는 바이어 싱 회로 에 의해 저항성 센서 구조물 을 바이어 싱 하 는 단계 와 , c ) 제 1 시간 간격 의 종점 에서 , 제 1 커패시터 의 제 2 상태 를 결정 또는 측정 또는 검출 하 는 단계 - 제 2 상태 는 제 2 양 의 전하 에 해당 함 - 와 , d ) 제 1 시간 간격 에 대해 미리 정의 된 관계 를 가진 제 2 시간 간격 동안 에 , 리드 아웃 노드 에 걸쳐 순간 적 리드 아웃 신호 를 적분 또는 평균 화 하 여서 , 적분 또는 평균 화 된 리드 아웃 신호 를 획득 하 는 단계 와 , e ) 적분 또는 평균 화 된 리드 아웃 신호 및 적어도 제 1 커패시터 의 상태 변화 에 기초 하 여 센서 리드 아웃 신호 또는 센서 리드 아웃 값 을 결정 하 는 단계 ( 440 ) - 상태 변화 는 적어도 제 1 커패시터 ( C 1 ) 의 제 1 상태 와 제 2 상태 의 전하 차이 와 관련 됨 - 를 포함 한다 .