즉 , 웨이퍼 레벨 에서 상기 기판 ( 110 ) 위 에 상기 반도체 소자 ( 120 ) 와 상기 하우징 ( 130 ) 이 부착 되 고 , 상기 하우징 ( 130 ) 위 에 상기 확산 부 ( 140 ) 가 부착 된 후 에 , 다 이싱 등 에 의한 절단 방법 에 의하 여 상기 기판 ( 110 ) 에 상기 반도체 소자 ( 120 ) , 상기 하우징 ( 130 ) , 상기 확산 부 ( 140 ) 가 결합 된 복수 의 반도체 소자 패키지 가 제공 될 수 있 다 .