또한 , 전극 부재 ( 203 ) 에 는 홈 부 ( 205 ) 의 저부 에 절 결부 ( 205 b ) 가 형성 되 어 있 다 . 이 절 결부 ( 205 b ) 는 프로브 선 단부 ( 3 a ) 의 만곡 형상 에 맞추 어 형성 되 어 있 다 . 이 절 결부 ( 205 b ) 에 는 절연체 , 예 를 들 면 폴리테트라플루오로에틸렌 등 의 수지 재료 의 패드 부재 ( 207 ) 가 배설 되 어 있 다 . 패드 부재 ( 207 ) 는 , 도 18 에 도시 한 바 와 같이 프로브 선 단부 ( 3 a ) 가 당 접하 는 프로브 당 접 부재 이 다 . 이 패드 부재 ( 207 ) 에 프로브 선 단부 ( 3 a ) 가 당 접함 으로써 , 전극 부재 ( 203 ) 의 제 1 전극 부 와 프로브 선 단부 ( 3 a ) 사이 에 클리어런스 를 확보 하 도록 되 어 있 다 .