또한 , 도 18 의 예 에서 는 , 제 1 , 제 2 얼라이먼트 마크 ( RM 1 , RM 2 ) 가 , 제 1 마스크 ( MI ) , 제 2 마스크 ( M 2 ) 의 패턴 형성 영역 ( SA 1 , SA 2 ) 내 에 형성 되 어 있 으나 , 제 3 조명 영역 ( IA 3 ) 의 적어도 일부 를 패턴 형성 영역 ( SA 1 ) 의 외측 으로 설정 할 수 있 다 , 예 를 들 면 제 3 조명 영역 ( IA 3 ) 을 X 축 방향 으로 확대 할 수 있 는 경우 에 는 , 도 14 에 나타낸 바 와 같이 , 제 1 , 제 2 얼라이먼트 마크 ( RM 1 , RM 2 ) 를 , 제 1 마스크 ( MI ) , 제 2 마스크 ( M 2 ) 의 패턴 형성 영역 의 외측 에 형성 할 수 도 있 다 .