상기 박막 트랜지스터 어레이 기판 ( B 1 ) 제조 에 대해 보다 상세히 설명 하 면 , 절연 기판 ( 200 ) 상 에 게이트 금속 층 ( 미 도시 ) 을 형성 하 고 패 터닝 ( patterning ) 하 면 , 일 방향 으로 게이트 배선 ( 미 도시 ) 과 , 상기 게이트 배선 ( 미 도시 ) 에서 연장 된 게이트 전극 ( 125 ) 이 형성 된다 .