다음 으로 , 본 실시 예 에 의한 반도체 장치 ( 1000 ) 의 제조 방법 을 도면 과 함께 상세 하 게 설명 한다 . 도 2 내지 도 12 는 반도체 장치 ( 1000 ) 의 제조 방법 을 나타내 는 프로세스 도 이 다 . 또한 , 이하 에서 는 적절 하 게 도 1 에서 의 A - A 단면 과 B - B 단면 과 C - C 단면 에 기초 하 여 각 공정 을 설명 한다 . 여기 서 , 도 2 내지 도 7 은 도 1 에서 의 A - A 단면 에서 의 제조 프로세스 도 이 며 , 도 8 은 도 1 에서 의 C - C 단면 에서 의 제조 프로세스 도 이 며 , 도 9 내지 도 12 는 도 1 의 B - B 단면 에서 의 제조 프로세스 도 이 다 . A - A 단면 및 C - C 단면 은 메모리 셀 영역 ( 1001 ) 에서 의 단면 이 며 , 한편 B - B 단면 은 주변 회로 영역 ( 1002 ) 에서 의 단면 이 다 .