경계 측벽 스 페이서 ( 185 C ) 는 더미 게이트 스택 ( 166 C ) 의 로직 영역 측 측 부 의 형상 과 인접 하 고 이 를 덮 으며 이 에 따른다 ( conform ) . 도 3 a 를 참조 하 면 , 이 들 측벽 은 , 더미 게이트 전극 층 ( 181 ) 의 측벽 ( 331 ) , 하부 하드 마스크 층 ( 324 ) 의 측벽 ( 333 ) , 및 상부 하드 마스크 층 ( 326 ) 의 측벽 ( 335 ) 을 포함 한다 . 일부 실시 예 에서 , 더미 게이트 전극 층 ( 181 ) 은 더미 게이트 유전체 층 ( 183 ) 에 대해 후퇴 된다 ( set back ) ( 메모리 영역 ( 104 m ) 을 향해 ) . 일부 실시 예 에서 , 하부 하드 마스크 층 ( 324 ) 및 상부 하드 마스크 층 ( 326 ) 의 측벽 인 , 측벽 ( 333 ) 과 측벽 ( 335 ) 중 의 하나 또는 둘 다 는 , " 더미 게이트 전극 층 ( 181 ) 의 측벽 ( 331 ) 에 대해 거리 "" d "" 만큼 후퇴 된다 . 일부 실시 예 에서 "," 후퇴 거리 "" d "" 는 100 내지 5000 옹스트롬 이 다 . 일부 실시 예 에서 ", 상부 하드 마스크 층 ( 326 ) 의 측벽 ( 335 ) 의 적어도 일부 가 상부 하드 마스크 층 ( 326 ) 의 측벽 ( 335 ) 에 대해 후퇴 된다 . 일부 실시 예 에서 , 더미 게이트 스택 ( 166 C ) 의 상부 에 있 는 측벽 ( 335 ) 의 상부 코너 ( 337 ) 가 가장 멀리 후퇴 된다 . 이 들 측벽 이 평평 하 였 다면 , 상부 코너 ( 337 ) 가 경계 측벽 스 페이서 ( 185 C ) 를 형성 하 기 위한 에칭 동안 노출 될 가능 성 이 가장 클 것 이 다 .