이어서 , 상기 서브 스트레이트 ( 10 ) 의 각 반도체 패 키 징 영역 ( 19 ) 에 반도체 다이 ( 21 , 22 ) 를 부착 하 는 바 , 서브 스트레이트 ( 10 ) 의 제 1 면 에 제 1 반도체 다이 ( 21 ) 가 도전 성 범프 와 같 은 도전 성 연결 부재 ( 13 ) 를 매개 로 도전 가능 하 게 부착 되 고 , 서브 스트레이트 를 뒤집 은 상태 에서 서브 스트레이트 ( 10 ) 의 제 2 면 에 제 2 반도체 다이 ( 22 ) 가 도전 성 연결 부재 ( 13 ) 를 매개 로 도전 가능 하 게 부착 된다 .