도 10 b 를 참조 하 면 , 몰드 스택 ( 303 b ) 을 패 터닝 하 여 수직 채널 들 ( 340 ) 사이 에 워드 라인 컷 ( 332 ) 을 형성 하 고 , 워드 라인 컷 ( 332 ) 을 통해 인산 ( H 3 PO 4 ) 을 제공 하 여 제 2 희생 막 들 ( 321 - 324 ) 을 선택 적 으로 습식 식각 할 수 있 다 . 이 에 따라 , 제 1 희생 막 들 ( 313 - 315 ) 사이 에 제 1 정보 저 장막 ( 355 a ) 을 노출 시키 는 리세 스 영역 들 ( 326 ) 을 형성 할 수 있 다 .