트랜지스터 층 ( 315 ) 에 제공 되 는 각종 소자 ( 트랜지스터 , 용량 소자 등 ) 의 디바이스 구조 에 는 특별히 제약 은 없 다 . 화소 어레이 ( 111 ) 및 주변 회로 ( 120 ) 에 적합 한 디바이스 구조 를 선택 하 면 좋 다 . 예 를 들 어 트랜지스터 의 디바이스 구조 로서 는 , 톱 게이트 형 , 보텀 게이트 형 , 게이트 ( 프런트 게이트 ) 와 보텀 게이트 양쪽 을 구비 한 듀얼 게이트 형 , 및 하나 의 반도체 층 에 대하 여 복수 의 게이트 전극 을 가지 는 멀티 게이트 형 을 들 수 있 다 . 트랜지스터 의 활성 층 에 사용 되 는 반도체 로서 는 단결정 반도체 , 비단 결정 반도체 로 크 게 나누 어 진다 . 비단 결정 반도체 로서 는 다 결정 반도체 , 미결정 반도체 , 비정질 반도체 등 을 들 수 있 다 . 반도체 재료 로서 는 Si , Ge , C 등 의 제 14 족 원소 를 1 종류 또는 복수 종류 포함 하 는 반도체 ( 예 를 들 어 실리콘 , 실리콘 저마늄 , 탄소 화 실리콘 등 ) , 금속 산화물 ( 산화물 반도체 라고 도 불림 ) 등 을 들 수 있 다 .