다음 으로 , 도 17 및 도 18 을 참조 하 면 , 제 2 포토 레지스 트 ( PR 2 ) 및 제 3 포토 레지스 트 ( PR 3 ) 를 따라 제 1 절 연막 ( IL 1 ) 을 식각 하 는 제 3 식각 공정 ( 3 rd etch ) 을 수행 하 여 제 1 게이트 절 연막 ( 130 ) 을 형성 한다 . 제 1 게이트 절 연막 ( 130 ) 은 제 1 활성 층 ( 350 ) 과 제 1 산화물 층 ( 370 ) 사이 , 및 제 2 활성 층 ( 450 ) 과 제 2 게이트 전극 ( 410 ) 사이 에 배치 될 수 있 다 .