다음 에 , 레지스 트 마스크 ( 81 ) 에 의하 여 , 미결정 반도체 막 ( 45 ) , 버퍼 층 ( 54 ) , 일 도 전형 을 부여 하 는 불순물 원소 가 첨가 된 반도체 막 ( 55 ) , 및 도전 막 ( 65 a 내지 65 c ) 을 에칭 하 여 분리 한다 . 결과 적 으로 , 도 11 a 에 도시 하 는 바 와 같 은 , 미결정 반도체 막 ( 58 ) , 버퍼 층 ( 62 ) , 일 도 전형 을 부여 하 는 불순물 원소 가 첨가 된 반도체 막 ( 63 ) , 및 도전 막 ( 85 a 내지 85 c ) 을 형성 할 수 있 다 . 또한 , 도 11 a ( 레지스 트 마스크 ( 81 ) 를 제외 함 ) 는 도 15 a 의 A - B 의 단면도 에 상당 한다 .