상술 한 바 와 같이 게이트 절연 층 을 얇 게 하 면 , 터널 효과 등 에 기인 하 는 게이트 리크 가 문제 된다 . 게이트 리크 의 문제 를 해소 하 기 위해서 는 , 게이트 절연 층 ( 146 ) 에 , 산화 하프늄 , 산화 탄탈 , 산화 이트륨 , 하프늄 실리케이트 ( HfxOy ( x > 0 , y > 0 ) ) , 질소 가 첨가 된 하프늄 실리케이트 ( HfSixOy ( x > 0 , y > 0 ) ) , 질소 가 첨가 된 하프늄 알 루미 네이트 ( HfAlxOy ( x > 0 , y > 0 ) ) 등 의 고유 전률 ( high - k ) 재료 를 이용 하 는 것 이 바람직 하 다 . high - k 재료 를 게이트 절연 층 ( 146 ) 에 이용 함 으로써 , 전기 적 특성 을 확보 하 면서 , 게이트 리크 를 억제 하 기 위해서 막 두께 를 크 게 하 는 것 이 가능 하 게 된다 . high - k 재료 를 포함 하 는 막 과 , 산화 실리콘 , 질화 실리콘 , 산화 질화 실리콘 , 질화 산화 실리콘 , 산화 알루미늄 등 중 어느 하나 를 포함 하 는 막 과 의 적층 구조 로 해도 된다는 점 에 주목 한다 .