상기 다른 과제 를 달성 하 기 위한 본 발명 에 실시 예 들 에 따른 반도체 장치 의 제조 방법 은 , 반도체 기판 을 패 터닝 하 여 반도체 기판 의 표면 으로부터 돌출 된 활성 기둥 을 형성 하 는 단계 ; 상기 활성 기둥 아래 의 상기 반도체 기판 에 제 1 소오 스 / 드레 인부 를 형성 하 는 단계 ; 상기 반도체 기판 상 에 제 1 절 연막 을 형성 하 여 상기 활성 기둥 을 덮 는 단계 ; 상기 제 1 절 연막 에 대하 여 에치 백 공정 을 진행 하 여 상기 활성 기둥 의 상부 를 노출 시키 는 단계 ; 상기 노출 된 상기 활성 기둥 의 상부 에 상기 활성 기둥 보다 넓 은 폭 을 가지 되 상기 제 1 절 연막 과 이격 된 제 2 소오 스 / 드레 인부 를 형성 하 는 단계 ; 상기 제 2 소오 스 / 드레 인부 의 측벽 과 하 부면 을 덮 는 스 페이서 를 형성 하 는 단계 ; 상기 제 1 절 연막 을 제거 하 여 상기 스 페이서 의 하 부면 과 상기 활성 기둥 의 측벽 을 노출 시키 는 단계 ; 및 적어도 상기 스 페이서 의 하 부면 과 상기 활성 기둥 의 측벽 을 덮 는 게이트 전극 을 형성 하 는 단계 를 포함 한다 .