( 7 ) 레귤레이션 플레이트 ( 시프 터널 ) ( 61 ) 를 링 형 으로 하 고 , 레귤레이션 플레이트 ( 61 ) 와 도금 셀 ( 38 ) 의 조벽 ( 60 ) 사이 에 간극 을 마련 하 여 , 레귤레이션 플레이트 ( 61 ) 의 외측 에 있 어서 도 애노드 ( 62 ) 로부터 기판 ( W ) 을 향하 는 전기장 ( 전류 ) 이 흐르 는 구성 으로 해도 된다 . 이 경우 , 일부 의 보조 전극 ( 72 ) 이 레귤레이션 플레이트 ( 61 ) 의 내측 의 전기장 의 흐름 을 제어 하 고 , 일부 의 보조 전극 ( 72 ) 이 레귤레이션 플레이트 ( 61 ) 의 외측 의 전기장 의 흐름 을 제어 하 도록 , 각 보조 전극 을 배치 해도 된다 . 또한 , 모든 보조 전극 ( 72 ) 이 레귤레이션 플레이트 ( 61 ) 의 내측 및 외측 의 전기장 의 흐름 을 제어 하 도록 , 각 보조 전극 을 배치 해도 된다 . 이 구성 에서 는 , 레귤레이션 플레이트 내측 의 개구부 의 전기장 의 흐름 을 제 어함 과 함께 , 시프 터널 외측 의 전기장 의 흐름 도 제어 할 수 있 다 . 이 에 의해 , 기판 의 각 부 에 대한 전기장 ( 전류 ) 의 흐름 의 조정 의 자유도 를 더욱 향상 시킬 수 있 다 . 또한 , 모든 보조 전극 ( 72 ) 이 레귤레이션 플레이트 ( 61 ) 의 내측 의 전기장 의 흐름 을 제어 하 도록 , 각 보조 전극 을 배치 해도 된다 .