본 변형 예 에서 도 , 도 4 의 ( a ) 에 나타내 는 성막 시퀀스 나 변형 예 2 와 마찬가지 의 효과 가 얻 어 진다 . 또한 , 제 1 개질 처리 를 행한 후 의 각 층 에 대하 여 N 2 O 가스 를 공급 함 으로써 , 이 들 층 을 또한 산화 시켜 , 층 으로부터 의 불순물 의 탈리 나 층 의 치밀 화 를 촉진 시키 는 것 이 가능 하 게 된다 .