그 후 , 제 1 산화물 반도체 층 에 대해 , 열처리 ( 제 1 열처리 ) 를 행하 고 , 적어도 제 1 산화물 반도체 층 의 표면 을 포함 하 는 영역 을 결정 화 시켜 , 제 1 산화물 반도체 층 ( 403 ) 을 형성 한다 . 또한 , 이 제 1 열처리 에 의해 제 1 산화물 반도체 층 중 의 , 과잉 수소 ( 물 이나 하이드록실기 를 포함 한다 ) 를 제거 하 고 , 제 1 산화물 반도체 층 의 구조 를 갖출 수 있 다 . 또한 , 이 제 1 열처리 에 의해 , 게이트 절연 층 ( 402 ) 중 의 과잉 수소 ( 물 이나 하이드록실기 를 포함 한다 ) 를 제거 하 는 것 도 가능 하 다 . 제 1 열처리 의 온도 는 , 450 ℃ 이상 850 ℃ 이하 로 한다 . 또한 , 가열 시간 은 1 분 이상 24 시간 이하 로 한다 .