현대 의 반도체 장치 제조 에서 주요 한 단계 중 의 하나 는 가스 의 화학 적 반응 에 의해 기판 상 에 금속 및 유전체 박막 을 형성 하 는 단계 이 다 . 이러 한 증착 공정 은 화학 증착 또는 CVD 로 지칭 된다 . 통상 적 인 열적 CVD 공정 에서 는 기판 표면 에 반응 성 가스 를 제공 하 는데 , " 상기 기판 표면 에서 는 열 유도 화학 반응 이 발생 하 여 소정 의 박막 을 형성 한다 . 소정 의 열적 CVD 공정 이 수행 되 는 고온 은 기판 상 에 형성 된 층 을 갖 는 소자 의 구조물 을 손상 시킬 수 있 다 . 상대 적 으로 저온 에서 금속 및 유전체 박막 을 증착 시키 는 바람직 한 방법 은 "" 규소 산화물 을 증착 하 는 TEOS 를 사용 하 는 플 라즈 마 강화 CVD 공정 "" 이 라는 명칭 의 미국 특허 제 5 ", 362 , 526 호 에 개시 된 플 라즈 마 보강 CVD 방법 ( PECVD ) 이 며 , 본원 에 참조 되 었 다 .