다른 말 로 하 면 , 본 실시 예 에 따르 면 , 매트릭스 재료 및 입자 재료 의 굴절 률 은 , 반도체 칩 의 정적 작동 온도 범위 , 즉 예컨대 375 K ( 375 K 포함 ) 내지 450 K 의 온도 에서 의 산란 단면적 이 실온 에서 의 산란 입자 의 산란 단면적 에 비해 작 거나 또는 무시 될 수 있 을 정도 인데 한하 여 서로 근접 한다 . 따라서 , 실온 에서 산란 입자 는 산란 작용 하 는 반면 에 , 반도체 칩 의 더 높 은 정적 작동 온도 에서 산란 입자 는 매트릭스 재료 및 경우 에 따라서 는 입자 재료 의 굴절 률 변화 로 인해 산란 작용 하 지 않 거나 또는 두드러지 게 산란 작용 하 지 않 는다 .