도 5 에 도시 된 바 와 같이 , 본 실시 예 에 따른 반도체 메모리 장치 는 다수 의 명령어 신호 ( / CS , / RAS , / CAS , / WE ) 와 함께 추가 적 으로 테스트 인 에 이 블 신호 ( TESTE ) 와 , 테스트 제어 신호 ( COM [ i ] ) 를 입력 받 는다 . 본 실시 예 에 따른 반도체 메모리 장치 는 테스트 인 에 이 블 신호 ( TESTE ) 가 로우 레벨 인 경우 에 는 도 4 에 도시 된 도표 와 같 은 동작 을 수행 한다 . 테스트 인 에 이 블 신호 ( TESTE ) 가 하이 레벨 인 경우 에 는 본 실시 에 에 따른 반도체 메모리 장치 가 특별히 가지 고 있 는 테스트 동작 모드 에 진입 한다 . 테스트 인 에 이 블 신호 ( TESTE ) 가 하이 레벨 인 경우 에 다수 의 명령어 신호 ( / CS , / RAS , / CAS , / WE ) 와 클럭 인 에 이 블 신호 ( CKE ) 의 로직 조합 에 의해 다양 한 테스트 동작 을 수행 할 수 있 게 되 는 것 이 다 . 예 를 들 어 테스트 인 에 이 블 신호 ( TESTE ) 가 하이 레벨 인 경우 에 는 클럭 인 에 이 블 신호 ( CKE ) 가 하이 레벨 이 고 , 명령어 신호 ( / CS , / RAS ) 가 로우 레벨 이 며 , 명령어 신호 ( / CAS , / WE ) 가 하이 레벨 인 경우 에 테스트 를 위한 액티브 모드 ( ACT ) 에 진입 하 는 것 이 다 . 본 실시 예 에 따른 반도체 메모리 장치 는 테스트 인 에 이 블 신호 ( TESTE ) 가 하이 레벨 인 경우 에 는 내부 적 으로 로우어 드레스 를 증가 시키 거나 ( ACT INC ) , 로우어 드레스 를 감소 시키 는 ( ACT DEC ) 액티브 동작 모드 를 가질 수 있 다 . 리드 명령 상태 와 라이트 명령 상태 도 각각 3 가지 인데 , 각각 의 명령 상태 는 명령 상태 에 진입 하 는 모드 와 내부 적 으로 컬럼 어드레스 를 증가 시키 거나 감소 시키 는 모드 를 각각 3 가지 씩 가 기 고 있 는 것 이 다 .