다음 으로 , 도 1 b 에서 보 듯이 , 게이트 절 연막 ( 24 ) 및 이웃 하 는 두 개 의 제 1 전극 ( 16 ) 위 에 콘 포말 하 게 제 2 도 전막 ( 26 ) 을 형성 한다 . 제 2 도전 막 은 제 1 도 전막 과 같이 폴리 실리콘 을 이용 하 여 형성 된다 . 그리고 , 제 2 도 전막 ( 26 ) 상 에 포토레지스트 패턴 ( 28 ) 을 형성 한다 . 포토레지스트 패턴 ( 28 ) 은 이웃 하 는 제 1 전극 ( 16 ) 사이 의 활성 영역 을 한정 하 는 오프닝 ( 27 ) 을 갖 는다 .