즉 , 본 발명 에 따르 면 , 산화 인듐 계층 을 에칭 하 기 위한 에칭 액 조성물 로서 , ( A ) 과산화수소 0 . 01 내지 15 질량 ％; ( B ) 황산 1 내지 40 질량 ％; ( C ) 하 기 일반식 ( 1 ) 로 표시 되 는 아미드 화합물 0 . 01 내지 10 질량 ％; ( D ) 할로겐화물 이온 공급원 ( 단 , 불화물 이온 공급원 을 제외 함 ) 0 . 00001 내지 0 . 1 질량 ％; ( E ) 불화물 이온 공급원 0 . 001 내지 1 질량 ％; 및 물 을 함유 하 는 에칭 액 조성물 이 제공 된다 .