도 29 를 참조 하 면 , 도 4 를 참조 로 설명 한 공정 들 과 실질 적 으로 동일 하 거나 유사 한 공정 들 을 수행 한다 . 다만 , 채널 홀 ( 200 ) 하부 를 채우 는 반도체 패턴 ( 210 ) 을 선택 적 에피택시 얼 성장 ( SEG ) 공정 을 통해 형성 할 수 있 으며 , 반도체 패턴 ( 210 ) 상 에 채널 홀 ( 200 ) 을 채우 는 예비 전하 저장 구조물 ( 250 ) , 채널 ( 260 ) , 충전 패턴 ( 270 ) 및 패드 ( 280 ) 를 형성 할 수 있 다 .