또 , 케이스 ( 31 ) 의 내 벽면 에 는 반응 장치 본 체부 ( 20 ) 로부터 의 복사 에 의한 열 손실 을 억제 하 기 위해서 적외선 ( 열선 ) 을 반사 하 는 열 반사막 ( 32 a ) 이 형성 되 어 있 다 . 열 반사막 ( 32 a ) 에 는 후술 하 는 도 7 에 나타내 는 바 와 같이 , 예 를 들 면 금 ( Au ) , 알루미늄 , 은 또는 동 등 의 적외선 반사 율 이 높 은 금속 을 이용 할 수 있 다 . 열 반사막 ( 32 a ) 은 이 들 금속 을 스퍼터 법 이나 진공 증착 법 등 의 기상법 에 의해 성막 함 으로써 형성 할 수 있 다 . 또한 열 반사막 ( 32 a ) 을 금 으로 형성 하 는 경우 에 는 밀착 층 으로서 크롬 이나 티탄 등 의 층 을 밑바탕 에 설치 하 도록 해도 좋 다 .