도 6 b 를 참조 하 면 , 이어서 , 상기 마스크 패턴 ( 119 ) 을 제거 할 수 있 다 . 이어서 , 상기 제 1 및 제 2 활성 부들 ( 105 a , 105 b ) 상 에 각각 제 1 계면 층 ( 107 a ) 및 제 2 계면 층 ( 107 b ) 을 형성 할 수 있 다 . 상기 제 1 및 제 2 계면 층 들 ( 107 a , 107 b ) 은 산화 공정 에 의하 여 형성 될 수 있 다 . 상기 제 1 및 제 2 계면 층 ( 107 a , 107 b ) 을 형성 하 기 전 에 , 상기 버퍼 막 ( 104 ) 을 제거 할 수 있 다 . 이 와 는 다르 게 , 상기 버퍼 막 ( 104 ) 을 갖 는 기판 ( 100 ) 에 산화 공정 을 수행 하 여 상기 제 1 및 제 2 계면 층 들 ( 107 a , 107 b ) 을 형성 할 수 도 있 다 .