또한 , 도 11 p 의 공정 에서 , 상기 도 11 o 의 공정 에서 노출 된 상기 층간 절 연막 ( 68 ) 위 에 , 상기 강유전체 커패시터 ( C 1 및 C 2 ) 의 측벽 면 및 상면 을 연속 해서 덮 도록 매우 얇 은 , 막 두께 가 20 nm 이하 의 Al 2 O 3 막 ( 79 ) 이 수소 배리 어막 으로서 스퍼터 법 또는 ALD 법 에 의해 형성 되 고 , 다음 에 도 11 q 의 공정 에서 산소 분위기 중 550 ℃ 내지 750 ℃, 예 를 들 면 650 ℃ 에서 열처리 를 행함 으로써 , 상기 강유전체 커패시터 ( C 1 , C 2 ) 중 의 PZT 막 ( 74 A , 75 A , 및 74 C , 75 C ) 에서 도 11 o 의 드라이 에칭 공정 등 으로 생긴 손상 을 회복 시킨다 .