여기 서 , 리세 스 LOCOS 층 ( 107 ) 표면 과 , Si 기판 ( 1 ) 표면 사이 의 단차 L ( 도 11 의 ( b ) 참조 ) 은 Si 층 ( 13 ) 의 두께 와 동일 한 정도 의 크기 로 되 어 있 다 . 따라서 , 도 11 의 ( d ) 에 도시 한 바 와 같이 , Si 층 ( 13 ) 을 형성 한 후 에 는 , 리세 스 LOCOS 층 ( 107 ) 의 표면 과 , 벌크 영역 의 Si 층 ( 13 ) 표면 이 거의 동일 한 높이 로 맞추 어 지 는 것 으로 된다 . 즉 , SBSI 영역 의 Si 층 ( 13 ) 표면 과 , 벌크 영역 의 Si 층 ( 13 ) 표면 과 , 리세 스 LOCOS 층 ( 107 ) 의 표면 이 거의 동일 한 높이 로 맞추 어 지 는 것 으로 된다 ( 엄밀 하 게 말 하 면 , SBSI 영역 의 Si 층 ( 13 ) 표면 은 벌크 영역 의 Si 층 ( 13 ) 표면 보다 도 SiGe 층 ( 11 ) 의 두께 분 만큼 높 은 위치 에 존재 한다 . SiGe 층 ( 11 ) 의 두께 는 예 를 들 면 30 ㎚ 정도 임 ) .