이 와 같이 , 본 실시 예 에 의하 면 , 상기 제 2 실시 예 에 의한 자기 메모리 장치 에서 , 소자 영역 을 V 자형 형상 으로 하 여 비트 선 콘택트 를 어긋나 게 배치 하 기 때문 에 , 제 2 실시 예 에 의한 자기 메모리 장치 와 비교 하 여 비트 선 콘택트 홀 을 얕 게 할 수 있 고 , 제조 를 용이 하 게 할 수 있 다 . 또한 , 비트 선 콘택트 의 콘택트 저항 을 저감 할 수 있 다 . 또한 , 이 에 따라 , 디 짓 선 의 피치 를 좁힐 수 있 고 , 제 2 실시 예 에 의한 자기 메모리 장치 보다 도 고집 적 화 를 도모 할 수 있 다 .