다음 에 , 도 4 e 에 도시 하 는 바 와 같이 , 미결정 반도체 막 ( 45 ) 위 에 , 버퍼 층 ( 54 ) 및 일 도 전형 을 부여 하 는 불순물 원소 가 첨가 된 반도체 막 ( 55 ) 을 형성 한다 . 다음 에 , 일 도 전형 을 부여 하 는 불순물 원소 가 첨가 된 반도체 막 ( 55 ) 위 에 레지스 트 마스크 ( 56 ) 를 형성 한다 .