도 1 및 도 2 에 도시 한 바 와 같이 , 선행 발명 에서 의 설명 에 따르 면 , " "" 먼저 실리콘 기판 ( 10 ) 위 에 N - 반도체 영역 ( 20 ) 을 도핑 하 고 ", P - 반도체 영역 ( 30 ) 을 도핑 형성 하 고 , 상기 N - 반도체 영역 ( 20 ) 과 상기 P - 반도체 영역 ( 30 ) 사이 에 I - 반도체 영역 즉 , 진성 반도체 ( 40 ) 을 형성 한다 . 여기 서 PIN 소자 층 ( 20 , 30 , 40 ) 의 두께 는 방사성 동위 원소 에서 방출 된 알파선 또는 베타선 에 의한 재료 손상 및 경화 가 적 게 일어나 도록 정지 비정 보다 는 얕 게 설계 하 여야 한다 . 그리고 PIN 소자 와 소자 사이 는 부도체 로 남겨둔다 . 상기 와 같이 형성 된 PIN 소자 의 상부 에 도체 로 양전극 ( 60 ) 과 음전극 ( 70 ) 을 설치 하 며 상기 양전극 ( 60 ) 과 음전극 ( 70 ) 사이 에 는 방사성 동위 원소 층 ( 50 ) 을 형성 한다 . 상기 방사성 동위 원소 층 ( 50 ) 에 는 낮 은 에너지 의 베타선 과 감마선 을 방출 하 는 Sr - 90 또는 기체상 의 H - 3 등 을 포함 하 는 재료 로 구성 한다 . 상기 전극 ( 60 , 70 ) 과 방사성 동위 원소 층 ( 50 ) 의 두께 는 대부분 의 알파선 또는 베타선 이 충분히 빠져 나올 수 있 도록 실험 에 의해 미리 설정 된 값 으로 형성 한다 . 상기 전극 ( 60 , " 70 ) 과 방사성 동위 원소 층 ( 50 ) 의 상부 에 는 방사선 의 누설 을 막 기 위한 전기 부도체 ( 80 ) 를 피복 한다 . 상기 전기 부도체 ( 80 ) 는 상기 방사성 동위 원소 층 ( 50 ) 에서 발생 하 는 열 은 충분히 빠져 나올 수 있 도록 열전도도 가 좋 은 재료 를 사용 한다 . 또한 방사성 동위 원소 층 ( 50 ) 에서 발생 하 는 방사선 이 외부 로 빠져 나오 지 못하 도록 미리 설정 된 두께 로 형성 한다 . "" 라고 기술 하 고 있 다 . "