다음 으로 , 도 8 c 를 참조 하 면 , 오 믹 접촉 구조 체 ( 42 OC ) 의 층 ( 42 a , 42 b 및 42 c ) 을 갖 는 전기 접촉 구조 체 ( 42 ') 는 도 2 d 와 관련 하 여 상기 기재 되 는 바 와 같이 종래 의 리소그래피 - 에칭 공정 을 사용 하 여 도시 되 는 바 와 같이 순차 적층 및 패 터닝 되 고 , 오 믹 접촉 구조 체 ( 42 OC ) 는 티타늄 ( Ti ) 또는 탄탈럼 ( Ta ) 의 하부 층 ( 42 a ) ; 층 ( 42 a ) 상 의 층 ( 42 b ) , 예 를 들 면 알루미늄 또는 Si 도핑 된 알루미늄 Al 1 - xSix ( 식 중 , Si 도핑 , x 는 일반 적 으로 ≤ 0 . 05 임 ) ; 및 층 ( 42 c ) , 예 를 들 면 탄탈럼 ( Ta ) 또는 금속 질화물 , 여기 서 는 예 를 들 면 티타늄 질화물 ( TiN ) . 다음 으로 , 상기 기재 된 어닐링 공정 은 오 믹 접촉 구조 체 ( 42 OC ) 와 AlGaN 층 ( 36 ) 의 측벽 사이 에 오 믹 접촉 영역 ( 110 ) ( 도 8 c ) 을 형성 하 는 데 사용 된다 . 다음 으로 , 유전체 층 ( 44 및 48 ) 은 도 2 f 내지 2 h 와 관련 하 여 상기 기재 되 는 바 와 같이 도 8 d 에 도시 되 는 바 와 같이 형성 된다 .