상기 CMP 공정 에 의해 질화규소 기판 을 연마 한 후 , 당해 질화규소 기판 을 연마 정반 ( 플 래 턴 ) 상 에서 분리 하 였 다 . 계속 해서 , 동일 한 연마 장치 내 에서 , 상기 에서 조제 한 표면 처리 조성물 a - 1 내지 a - 2 및 A - 1 내지 A - 2 를 사용 하 여 , 세정 브러시 인 폴리비닐 알코올 ( PVA ) 제 스펀지 로 압력 을 가하 면서 , 하 기 조건 에서 연마 완료 연마 대상물 ( 연마 완료 질화규소 기판 ) 을 문지르 는 세정 방법 에 의해 , 연마 완료 연마 대상물 을 세정 하 였 다 :