상기 수동 소자 패턴 ( 125 r ) 과 상기 리세 스 영역 ( 122 ) 의 바닥 면 사이 에 잔여 도전 패턴 ( 115 r ) 이 배치 될 수 있 으며 , 상기 잔여 도전 패턴 ( 115 r ) 과 상기 리세 스 영역 ( 122 ) 사이 에 잔여 유전 패턴 ( 110 r ) 이 배치 될 수 있 다 . 상기 잔여 도전 패턴 ( 115 r ) 은 제 2 트랜지스터 영역 ( 60 ) 내 의 제 2 금속 함유 패턴 ( 115 b ) 과 동일 한 물질 을 포함 할 수 있 다 . 상기 잔여 유전 패턴 ( 110 r ) 은 제 1 및 제 2 트랜지스터 영역 들 ( 50 , 60 ) 내 의 제 1 및 제 2 고유 전 패턴 들 ( 110 a , 110 b ) 과 동일 한 물질 을 포함 할 수 있 다 . 일 실시 예 에 따르 면 , 상기 잔여 도전 패턴 ( 115 r ) 의 상 에 배치 된 수동 소자 패턴 ( 125 r ) 의 하부 면은 제 1 및 제 2 게이트 전극 들 ( 175 a , 175 b ) 의 하 부면 들 보다 낮 은 레벨 에 위치 할 수 있 다 . 일 실시 예 에 따르 면 , 상기 잔여 도전 패턴 ( 115 r ) 상 에 위치 한 수동 소자 패턴 ( 125 r ) 의 하부 면은 상기 제 1 및 제 2 활성 부들 ( 105 a , 105 b ) 의 상부 면 들 보다 낮 을 수 있 다 .