서 스테인 전극 쌍 ( 9 ) 각각 은 인듐 틴 옥사이드 ( Indium - Tin - Oxide : ITO ) 등 의 투명 전극 ( 9 a ) 과 , 투명 전극 ( 9 a ) 의 선폭 보다 작 은 선폭 을 가지 며 , 투명 전극 ( 9 a ) 의 일 측 가장 자리 에 형성 되 는 금속 버스 전극 ( 9 b ) 을 포함 한다 . 금속 버스 전극 ( 9 b ) 은 Cr / Cu / Cr 을 증착 법 으로 적층 한 후 에 에 싱 공정 ( ashing ) 을 거쳐 형성 된다 . 서 스테인 전극 쌍 ( 9 ) 이 스크린 인 쇄나 진공 증착 법 으로 형성 된 제 1 기판 ( 1 ) 에 는 제 1 유전체 ( 6 ) 과 보호막 ( 7 ) 이 적층 된다 . 제 1 유전체 ( 6 ) 에 는 플 라즈 마 방 전시 발생 된 벽 전하 가 축적 되 어 방전 을 유지 시키 며 , 플라 즈 마 방 전시 이온 의 스퍼터링 의 확산 방지 막 의 역할 을 함 으로써 이온 스퍼터링 으로 인한 서 스테인 전극 쌍 ( 9 ) 의 전극 손상 을 방지 하 게 된다 . 보호 층 ( 7 ) 은 대략 5000 Å 정도 의 두께 로 제 1 유전체 층 ( 6 ) 상 에 형성 되 어 플 라즈 마 방 전시 발생 된 스퍼터링 으로 인한 제 1 유전체 층 ( 6 ) 과 서 스테인 전극 쌍 ( 9 ) 의 손상 을 방지 함 과 아울러 2 차 전자 의 방출 효율 을 높이 게 된다 . 보호 층 ( 7 ) 으로 는 통상 산화마그네슘 ( MgO ) 이 이용 된다 .