일반 적 으로 더 긴 파장 은 더 큰 침투 능력 을 나타내 며 , 이러 한 응용 에서 더 높 은 파장 은 970 nm 이상 , 1090 nm 이상 , 1130 nm 이상 , 심지어 1270 nm 이상 에서 금형 또는 일부 모델 이나 컨테이너 를 제조 하 는 데 사용 되 는 재료 를 경화 시키 는 데 사용 된다 . 일부 용도 의 경우 생성 된 형상 에서 높 은 유연 성 을 갖 는 것 이 흥미 롭 다 . 이러 한 관점 에서 방사성 시스템 의 국부 변조 에 기초 한 시스템 이 CD 또는 DLP 와 같 은 계층 별 생산 시스템 과 계층 별 노출 수준 과 같 은 다른 장소 에서 서로 다른 노출 수준 을 갖 기 위해 매우 유리 할 수 있 음 을 발견 했 다 . 빛 이 변조 되 면 특정 응용 에 필요 한 정의 또는 렌즈 에 따라 발광 물질 이 있 는 시스템 변환 , 거울 또는 기타로 의 전환 , 회절 , 집중 , 분산 또는 방사선 을 편리 하 게 수정 하 기 위해 광학 또는 전자 시스템 을 사용 하 여 수행 될 수 있 다 . 가장 중요 한 것 은 선택 된 파장 에서 경화 되 는 재료 를 갖 는 것 이 다 . 일부 경우 에 , 본 발명 의 다른 실시 예 에서 1390 nm 이하 , 1030 nm 이하 , 990 nm 이하 및 810 nm 이하 의 파장 에서 경화 되 는 재료 가 바람직 하 다 . 광경 의 장점 중 하나 는 고 에너지 광원 , 예 를 들 어 레이저 를 사용 하 여 선택 적 으로 수행 될 수 있 지만 , 대부분 의 시스템 은 광 에 의해 쉽 게 활성 화 되 지 않 으며 , 이 경우 광 개시제 가 필요 하 다는 것 이 다 . 다른 구현 에서 , 광 개시제 는 금형 , 모델 또는 모델 의 일부 유형 이나 컨테이너 를 제조 하 는 데 사용 되 는 재료 의 총 중량 백분율 을 기준 으로 0 . 1 ~ 1 . 5 % 로 첨가 되 고 0 . 1 ~ 1 . 3 %, 0 . 1 ~ 0 . 9 %, 0 . 1 ~ 0 . 6 % 심지어 0 . 1 ~ 0 . 4 % 까지 첨가 된다 . 다른 구현 에서 상기 개시 된 백분율 은 부피 기준 이 다 .