또 다른 실시 예 에 따른 본 발명 의 방사성 동위 원소 전지 는 다수 의 상기 쇼트 키 반도체 층 가운데 , 상면 측 과 하 면 측 모두 에 상기 방사성 동위 원소 층 이 배치 되 는 쇼트 키 반도체 층 은 상면 , 또는 하 면 중 일면 에 만 상기 방사성 동위 원소 층 이 배치 되 는 쇼트 키 반도체 층 보다 더 두껍 게 증착 된 것 을 특징 으로 한다 .