도시 한 바 와 같이 본 발명 에 따른 High Pin QFN 패키지 ( 100 ) 의 제작 과정 은 , 동박 의 리드 프레임 ( 120 ) 에 절연성 재질 의 필름 ( 110 ) 을 부착 한 회로 기판 ( 10 ) 을 준비 하 는 ( a ) 단계 ; 상기 필름 ( 110 ) 에 레이저 드릴링 을 하 여 레이저 홀 ( 111 ) 을 형성 하 는 ( b ) 단계 ; 상기 동박 의 리드 프레임 ( 120 ) 을 에칭 하 여 다 이 패드 ( 121 ) 와 다수 의 와이어 본딩 패드 ( 130 ) 를 형성 하 는 ( c ) 단계 ; 상기 다 이 패드 ( 121 ) 에 반도체 칩 ( 140 ) 을 부착 하 여 상기 와이어 본딩 패드 ( 130 ) 와 전도 성 의 와이어 ( 170 ) 를 연결 하 고 에폭시 몰딩 컴 파운드 로 몰딩 ( 150 ) 을 형성 하 는 ( d ) 단계 ; 및 상기 레이저 홀 ( 111 ) 에 솔 더 페이스트 를 채워 솔 더 랜드 ( 161 ) 를 형성 하 는 ( e ) 단계 ; 를 포함 하 여 이루어진다 .