발광 다이오드 의 광 효율 은 상기 활성 층 내 에서 의 전자 와 홀 의 재결합 확률 인 내부 양자 효율 에 의해 결정 되 므로 , 상기 활성 층 과 P 형 질화물 반도체 층 사이 또는 P 형 질화물 반도체 층 에 그래핀 이 포함 된 상기 발광 다이오드 는 활성 층 으로 의 홀 이 동도 가 개선 되 어 더욱 우수 한 광학 적 , 전기 적 특성 을 나타낼 수 있 다 .