스택 게이트 ( 20 ) 의 측벽 에 형성 된 비정질 층 ( 32 ) 은 공통 소스 라인 을 형성 하 기 위한 도 펀트 ( As 또는 P ) 이온 주입 공정 에서 도 펀트 가 스택 게이트 에 깊이 주입 되 는 것 을 방지 한다 . 즉 , 공통 소스 라인 을 형성 하 기 위해 주입 되 는 도 펀트 는 대부분 비정질 층 ( 32 , 34 ) 에 억류 되 어 , 스택 게이트 ( 20 ) 의 내부 로 깊이 침투 하 지 못한다 . 따라서 , 도 펀트 의 이온 주입 공정 에서 불가피 하 게 스택 게이트 에 도 펀트 가 주입 되 더라도 , 도 펀트 의 주입 이 플로팅 게이트 ( 24 ) 및 콘트롤 게이트 ( 28 ) 사이 의 정전 용량 에 미치 는 영향 을 최소한 으로 줄일 수 있 다 .