전자 수송 층 ( N 2 ) 상부 에 발광 층 ( EL ) 이 배치 될 수 있 다 . 발광 층 ( EL ) 은 전자 수송 층 ( N 2 ) 을 통해 전자 주입 층 ( N 1 ) 으로부터 주입 된 전자 에 의해 발광 할 수 있 다 . 예컨대 , 전자 주입 층 ( N 1 ) 으로부터 주입 된 전자 는 발광 층 ( EL ) 내 의 전계 에 의해 가속 될 수 있 고 , 가속 에 의해 발광 층 ( EL ) 내 의 발광 원자 와 충돌 하 게 되 고 , 충돌 에 의해 발광 원자 의 전자 들 이 기저 상태 에서 여기 상태 로 천 이 되 고 , 상기 발광 원자 의 전자 들 이 여기 상태 에서 기저 상태 로 되돌아감 으로써 발광 이 발광 층 ( EL ) 내 에서 발생 될 수 있 다 . 다른 실시 예 에서 , 전자 주입 층 ( N 1 ) 으로부터 주입 된 전자 가 발광 층 ( EL ) 의 기저 대역 의 정공 과 재결합 함 으로써 발광 이 일어날 수 있 다 . 또한 , 도 1 b 를 참조 하 여 후술 하 는 것 과 같이 , 발광 층 ( EL ) 과 유전체 층 ( D ) 사이 에 정공 발생 층 ( P ) 이 배치 된 경우 , 발광 층 ( EL ) 내부 에서 전자 주입 층 ( N 1 ) 으로부터 주입 된 일부 전자 와 정공 발생 층 ( P ) 으로부터 주입 된 정공 의 재결합 에 의해 발광 이 일어날 수 있 다 .