도 6 a 와 유사 하 게 , 바닥 지지 층 ( 15 ) 이 기판 ( 10 ) 위 에 형성 되 고 , 그 후 에 도 21 a 에 도시 된 바 와 같이 , 유전체 층 ( 200 ) 이 바닥 지지 층 ( 15 ) 위 에 형성 된다 . 일부 실시 예 에서 , 유전체 층 ( 200 ) 은 제 1 및 제 2 유전체 층 ( 210 및 220 ) 또는 제 3 및 제 4 유전체 층 ( 230 및 240 ) 의 단일 층 또는 이중층 이 다 . 그 후 에 , 도 6 b 와 유사 하 게 , 하나 이상 의 탄소 나노 튜브 ( CNT ) ( 100 ) 가 유전체 층 ( 200 ) 위 에 배열 된다 . 또한 , 도 6 c 와 유사 하 게 , 지지 층 ( 20 ) 이 도 21 c 에 도시 된 바 와 같이 CNT ( 100 ) 위 에 형성 된다 . 유전체 층 ( 200 ) 의 형성 , CNT ( 100 ) 의 배치 및 지지 층 ( 20 ) 의 형성 은 도 21 d 에 도시 된 바 와 같이 반복 된다 . 일부 실시 예 에서 , 지지 층 ( 20 ) 이 바닥 지지 층 ( 15 ) 상 에 형성 되 고 , 유전체 층 ( 200 ) 이 지지 층 ( 20 ) 상 에 형성 된다 .