먼저 , 도 1 a 에 도시 된 바 와 같이 , 반도체 기판 ( 100 ) 상 에 절연 층 ( 110 ) 을 형성 한 후 , 절연 층 ( 110 ) 의 표면 이 소정 부분 노출 되 도록 듀얼 다 마신 ( dual damascene ) 공정 에 의해 절연 층 ( 110 ) 을 선택 적 으로 제거 하 여 콘 택 홀 ( 122 ) 및 트렌치 ( 124 ) 를 형성 한다 . 여기 서 , 포토 및 식각 공정 을 이용 하 여 콘 택 홀 ( 122 ) 과 트렌치 ( 124 ) 를 각각 형성 한다 . 이때 , 콘 택 홀 ( 122 ) 을 형성 한 후 그 인접 영역 을 선택 적 으로 제거 하 여 트렌치 ( 124 ) 를 형성 하 거나 트렌치 ( 124 ) 를 형성 한 후 트렌치 ( 124 ) 폭 보다 좁 게 콘 택 홀 ( 122 ) 을 형성 한다 .