플래시 기억 소자 는 일반 적 인 모스 트랜지스터 ( MOS transistor ) 구조 에 전하 를 축적 할 수 있 는 플로팅 게이트 ( floating gate ) 를 더 포함 하 여 구성 된다 . 플래시 기억 소자 는 상태 ' 0 ' 또는 상태 ' 1 ' 만 을 프로그래밍 ( 기억 ) 할 수 있 는 단일 준위 플래시 기억 소자 와 그 보다 많 은 상태 ( 준위 ) 를 프로그래밍 할 수 있 는 다중 준위 플래시 기억 소자 로 나뉜다 . 예 를 들 어 , 데이터 비트 가 2 인 다중 준위 플래시 기억 소자 에서 는 플로팅 게이트 에 축적 된 전하량 에 상응 하 여 ' 00 ',' 01 ',' 10 ' 및 ' 11 ' 의 네 가지 상태 에 대한 프로그래밍 이 가능 하 다 . 이러 한 다중 준위 플래시 기억 소자 에 있 어 플로팅 게이트 에 축적 된 전하량 에 상응 하 는 각각 의 기억 상태 의 확인 ( 읽 기 ) 에 는 플래시 기억 소자 에 구비 된 콘트롤 게이트 에 각각 상이 한 크기 를 갖 는 전압 을 수회 인가 하 는 방법 이 이용 된다 .