다음 , 도 2 를 참조 하 면 , 완충 층 ( 11 ) 상 에 는 높 은 일함수 와 전도도 를 갖 는 제 1 전극 ( 12 ; anode ) 이 증착 된다 ( S 3 ) . 제 1 전극 ( 12 ) 은 ITO ( indium tin oxide ) 및 IZO ( indium zinc oxide ) 등 을 이용 할 수 있 으며 , ITO 또는 IZO 에 다양 한 물질 ( 예 를 들 면 , In 2 O 3 등 ) 을 첨가 할 수 있 다 . 제 1 전극 ( 12 ) 역시 다양 한 증착 방법 으로 증착 할 수 있 으며 , 본 실시 예 에서 는 스퍼터링 방법 을 이용 하 며 , 구체 적 으로 , 진공 상태 의 작업 분위기 를 유지 하 는 마그네트론 스퍼터링 을 이용 하 여 아르곤 가스 와 산소 를 다양 한 비율 로 증착 할 수 있 으며 , 이 경우 아르곤 : 산소 의 주 입량 은 200 ~ 400 sccm : 0 ~ 20 sccm 이 가장 적합 하 다 . 제 1 전극 ( 12 ) 을 형성 할 때 , 처음 부터 높 은 파워 를 이용 하 는 경우 에 는 미세 결정 이 형성 될 수 있 으므로 , 낮 은 파워 ( 50 ~ 100 W 범위 ) 에서 증착 을 시작 한다 . 제 1 전극 ( 12 ) 은 완충 층 ( 11 ) 형성 과 마찬가지 로 100 ~ 500 ℃ 의 온도 범위 에서 스퍼터링 방법 으로 연속 공정 으로 형성 된다 .