게르마늄 을 주성분 으로 하 는 반도체 막 ( 61 ) 을 CVD 법 으로 형성 하 는 경우 , 게르 마 늄 을 포함 하 는 퇴적 성 기체 와 함께 , 수소 를 플 라즈 마 CVD 장치 의 반응 실에 도입 하 여 , 고주파 전력 을 인가 하 여 , 플라 즈 마를 발생 시켜 , 게르마늄 을 주성분 으로 하 는 반도체 막 ( 61 ) 으로서 비정질 게르마늄 막 또는 미결정 게르마늄 막 을 형성 한다 . 또한 , 게르마늄 을 포함 하 는 퇴적 성 기체 와 , 수소 와 같이 , 실리콘 을 포함 하 는 퇴적 성 기체 를 사용 하 는 것 으로 , 비정질 실리콘 게르마늄 막 또는 미결정 실리콘 게르마늄 막 을 형성 한다 .