상기 반도체 기판 ( 210 ) 상 에 형성 된 하부 금속 패턴 ( 211 ) 상 에 금속 패턴 사이 의 공간 을 채울 수 있 는 갭 - 필 ( gap fill ) 능력 이 우수 한 고밀 도 플 라즈 마 화학 기상 증착 법 ( High Density Plasma - Chemical Vapor Deposition ; 이하 HDP - CVD 라 함 ) 에 제 1 절 연막 ( 221 ) 을 형성 한다 .