먼저 , 기판 온도 를 25 ℃ 로 하 고 , Vds 를 10 V 로 하 고 , 트랜지스터 의 Vg - Id 특성 의 측정 을 행했 다 . 또한 , Vds 는 드레 인 전압 ( 드레 인과 소스 의 전위차 ) 를 나타낸다는 점 을 주목 하 라 . 다음 으로 , 기판 온도 를 150 ℃ 로 하 고 , Vds 를 0 . 1 V 로 했 다 . 다음 으로 , 게이트 절연 층 에 인가 되 는 전계 강도 가 2 MV / cm 가 되 도록 Vg 에 20 V 를 인가 하 고 , 그대로 1 시간 유지 했 다 . 다음 으로 , Vg 을 0 V 로 했 다 . 다음 으로 , 기판 온도 25 ℃ 로 하 고 , Vds 를 10 V 로 하 고 , 트랜지스터 의 Vg - Id 측정 을 행했 다 . 이것 을 플러스 BT 시험 이 라고 한다 .