상기 제 1 막 층 ( 420 a ) 상 에 투명 전도성 산화 막 ( Transparent Conductive Oxide , TCO ) 인 ITO ( In , Sn , O ) , ZnO , InCe 산화물 , InGa 산화물 등 을 두께 100 ~ 400 ㎚ 로 증착 한 후 산소 분위기 에서 열처리 하 여 제 1 막 층 ( 420 a ) 과 제 2 막 층 ( 420 b ) 을 포함 하 는 P 형 전극 ( 420 ) 을 형성 한다 .