도면 에 는 표시 하 지 않 았 으나 , 상기 평탄 화 후 에 , 반도체 기판 의 액티브 영역 또는 전도성 패턴 ( 200 ) 0 과 이후 에 형성 할 금속 패턴 간 의 전기 적 연결 을 위한 콘 택 홀 ( contact hole ) 의 식각 공정 을 할 수 있 다 . 바람직 하 게 는 , 상기 콘 택 홀 의 식각 공정 에서 는 산화 방지 막 ( 300 ) 을 식각 정지 막 으로 사용 하 여 식각 을 할 수 있 다 .