더불 어 , 본 발명 에 따른 반도체 디바이스 의 제조 방법 은 더미 기판 위 에 재 배선 층 과 유전 층 을 포함 하 는 인터 포저 를 형성 하 는 단계 ; 상기 더미 기판 을 제거 하 되 , 상기 일부 더미 기판 의 적어도 일부 를 잔존 시켜서 상기 인터 포저 에 보강 층 을 형성 하 는 단계 ; 상기 인터 포저 의 상부 를 향하 는 재 배선 층 에 반도체 다이 를 접속 하 는 단계 ; 상기 반도체 다이 를 인 캡슐 란트 로 인 캡슐 레이 션 하 는 단계 ; 및 상기 인터 포저 의 하부 를 향하 는 재 배선 층 에 범프 를 접속 하 는 단계 를 포함 할 수 있 다 .