도 3 에 나타낸 바 와 같이 , 희생 층 ( 16 ) 을 제거 하 여 미소 한 공간 ( 틈 이나 공동 ( 空洞 ) ) ( 20 ) 을 형성 한다 . 예 를 들 어 수지 층 은 산소 플라스마 에 의해 제거 할 수 있 다 . 또한 , 레지스 트 박리제 나 열 황산 등 에 의해서 도 제거 할 수 있 다 . 또한 , 희생 층 ( 16 ) 으로서 산화 실리콘 을 사용 한 경우 에 는 , 불 산 , 질산 등 을 사용 하 여 제거 할 수 있 다 .