유기 반도체 소자 ( 200 ) 의 동작 은 전압 의 인가 방향 이 0 에서 양 의 전압 으로 인 가할 때 , 임계 전압 ( Vt , threshold voltage ) 까지 는 저전 도 상태 에 존재 하 다가 임계 전압 ( Vt ) 이상 의 전압 이 인가 되 면 고전 도 상태 로 변하 게 된다 . 임계 전압 ( Vt ) 이상 의 전압 이 인가 되 면 유전체 인 유기물 장벽 을 관통 하 여 금속 나노 입자 에 전자 가 주입 되 기 시작 하 고 , 금속 나노 입자 에 주입 된 전자 에 의해 전자 채널 층 ( 230 ) 이 고전 도 상태 로 바뀌 게 된다 . 한편 , 고전 도 상태 를 저전 도 상태 로 바꾸 어 주 기 위해서 는 , 반대 방향 의 전압 을 인가 해 주 어야 하 는데 , - Vt 정도 의 전압 을 인가 하 면 고전 도 상태 에서 저전 도 상태 로 바뀌 게 되 며 , 이 과정 을 반복 적 으로 수행 할 수 있 고 각 전 도 상태 가 일정 시간 이상 유지 되 기 때문 에 비휘발성 메모리 로 사용 할 수 있 다 .