실시 예 에 사용 되 는 기판 은 탑 에 미션 ( Top emission ) 방식 이 고 , 애노드 전극 ( anode ) 의 구성 은 금속 / ITO 층 ( layer ) 으로 형성 했 다 . 이때 , 금속 으로 는 은 ( Ag ) 을 사용 했으며 , ITO ( Indium Tin Oxide ) 의 두께 는 10 nm 로 형성 하 였 다 . ITO 전극 위 에 는 정공 주입 층 , 정공 수송 층 , 전자 차단 층 , 유기 발광 층 , 전자 수송 층 및 전자 주입 층 순 으로 증착 했 다 .