표 1 에서 언급 된 유전 막 이외 에 도 , 절 연막 으로서 그 본연 의 절연 특성 을 확보 하 는 범위 내 에서 다양 한 물질 이 사용 될 수 있 다 . 절 연막 을 사용 하 는데 있 어서 중요 한 것 은 워드 라인 ( WL 0 ) 과 워드 라인 ( WL 1 ) 사이 의 절 연막 과 다른 워드 라인 ( WL 1 ~ WL 31 ) 사이 의 절 연막 과 의 상대 적 인 유전 율 차이 다 . 즉 , 이러 한 상대 적 인 유전율 차 를 만족 시킬 수 있 다면 어떠 한 절 연막 도 사용 할 수 있 다 . 이때 , 고려 해야 할 점 은 유전 율 이 너무 높 은 절 연막 을 사용 하 는 경우 , 간섭 효과 가 크 게 증대 되 어 메모리 셀 의 문턱 전압 이 크 게 상승 - 즉 , 대략 2 ~ 5 V 범위 내 에서 존재 하 는 문턱 전압 분포 가 그 이상 으로 상승 - 하 기 때문 에 소자 특성 을 고려 하 여 적절히 선택 하 는 것 이 바람직 하 다 .