측정 에 사용 한 트랜지스터 는 , 채널 길 이 L 이 3 ㎛, 채널 폭 W 가 10 ㎛, Lov 가 0 ㎛, dW 가 0 ㎛ 이 다 . 또한 , Vd 는 10 V 로 하 였 다 . 또한 , 기판 온도 는 - 40 ℃, - 25 ℃, 25 ℃, 75 ℃, 125 ℃, 및 150 ℃ 로 하 여 행하 였 다 . 여기 서 , 트랜지스터 에 있 어서 게이트 전극 과 한 쌍 의 전극 이 중첩 하 는 폭 을 Lov 라고 부르 고 , 산화물 반도체 막 과 중첩 하 지 않 는 부분 의 한 쌍 의 전극 의 폭 을 dW 라고 부른다 .