단계 ( 262 ) 에서 , 캡 핑 층 을 에칭 하 기 위해 이용 되 는 에 천트 는 기판 ( 200 ) 의 도핑 된 층 ( 206 ) 의 표면 에서 또는 바로 그 아래 에서 도 펀트 원자 들 과 반응 하 여 휘발 성 화합물 들 을 형성 한다 . 이러 한 화합물 들 은 수소 화 비소 ( AsH 3 ) , 수소 화인 ( PH 3 ) , 보란 ( BH 3 ) , 디보란 ( B 2 H 6 ) , 보 라 진 ( B 3 N 3 H 6 ) , 및 할로겐화 붕소 ( BX 3 또는 B 2 X 4 ) 를 포함 할 수 있 다 . 도 펀트 의 유형 에 따라 , 에 천트 는 도 펀트 들 과 반응 하 여 하나 이상 의 휘발 성 화합물 들 을 형성 하 도록 선택 되 어야 한다 . 휘발 성 화합물 들 ( 214 ) 은 도 2 h 에서 기판 ( 200 ) 으로부터 전개 ( evolve ) 되 고 도 2 i 에서 진공 에 의해 제거 된다 . 도 펀트 는 바람직 하 게 는 기판 표면 아래 약 10 옹스트롬 까지 제거 되 지만 , 반응 성 혼합물 에 더 오랫동안 노출 되 면 기판 내 에서 더 깊이 , 예 를 들 어 기판 표면 아래 약 30 옹스트롬 까지 도 펀트 를 제거 할 수 있 다 . 이러 한 실시 예 에서 는 , 하나 의 반응 성 혼합물 이 예시 된다 . 그러나 , 캡 핑 층 을 제거 하 는 데 이용 되 는 혼합물 은 도 펀트 들 을 제거 하 는 데 이용 되 는 것 과 는 상이 할 수 있 음 을 주목 해야 한다 .