원료 가 되 는 산화 인듐 ( In 2 O 3 ) , 산화 갈륨 ( Ga 2 O 3 ) , 산화아연 ( ZnO ) 의 각 분말 을 각 금속 원소 의 조성 비 가 In : Ga : Zn = 1 : 1 : 1 이 되 도록 칭량 하 였 다 . 칭량 한 원료 분말 을 슈퍼 믹서 로 , 대기 중 에서 회전수 3000 rpm , 회전 시간 4 분 혼합 하 였 다 . 혼합 분말 을 전기로 로 , 대기 분위기 중 에서 1000 ℃ 에서 , 5 시간 정도 유지 시켰 다 . 하소 분말 을 애 트라이 터 에 지르 코니아 비드 와 함께 투입 하 여 , 회전수 300 rpm , 회전 시간 3 시간 미세 분쇄 를 실시 하 였 다 . 미세 분쇄 는 원료 분말 의 입경 이 평균 입경 ( D 50 ) 0 . 59 ㎛ 가 되 었 다 . 미세 분쇄 한 원료 분말 을 고형분 50 ％ 의 슬러리 가 되 도록 수분 량 을 조정 하 고 , 입구 온도 를 200 ℃, 출구 온도 를 120 ℃ 로 설정 하 여 조립 을 실시 하 였 다 . 조립 분말 을 400 kgf / ㎠ 의 면 압 , 1 분 유지 라는 조건 으로 프레스 성형 한 후 , 정수압 가압 장치 ( CIP ) 로 1800 kgf / ㎠ 의 면 압 으로 , 1 분 유지 라는 조건 으로 성형 하 였 다 . 다음 으로 전기로 로 산소 분위기 중 에서 승 온 속도 1 . 0 ℃/ min 으로 800 ℃ 까지 승 온 한 후 , 5 시간 유지 , 그 후 , 승 온 속도 1 . 0 ℃/ min 으로 1450 ℃ 까지 승 온 한 후 , 20 시간 유지 , 그 후 , 노 냉 에 의해 강온 하 였 다 . 얻 어 진 소 결체 의 밀도 는 , 상대 밀도 로 약 98 ％, 비저항 은 3 . 2 × 10 - 3 Ω ㎝ 였 다 . 또 , X 선 회절 의 결과 , 조성 InGaZnO 4 로 나타내 는 결정 성 의 산화물 이 었 다 .