실리콘 기판 상 에 화학 기상 증착 공정 을 수행 하 여 게르마늄 ( Ge ) - 안티몬 ( Sb ) - 텔루르 ( Te ) ( GST ) 를 포함 하 는 상변화 물질 층 을 형성 하 였 다 . 제조 된 상변화 물질 층 의 두께 는 약 800 Å 으로 측정 되 었 다 . 또한 , 실리콘 기판 상 에 화학 기상 증착 공정 을 수행 하 여 실리콘 산화물 을 포함 하 는 절 연막 을 형성 하 였 다 . 제조 된 절 연막 의 두께 는 약 5 , 000 Å 으로 측정 되 었 다 .