도 3 은 본 발명 의 다른 일 구 현예 에 따른 이미지 센서 의 제조 방법 에 따라 제조 된 상보성 금속 산화물 반도체 ( CMOS ) 형 이미지 센서 ( 300 ) 의 구조 를 개략 적 으로 나타낸 단면 모식도 이 다 . 도 3 을 참조 하 면 , 외부 로부터 들 어 오 는 광 은 마이크 로 렌즈 ( 310 ) , 및 오버 코팅 막 ( 330 ) 을 통하 여 컬러 필터 ( 350 ) 에 이르 고 , 상기 컬러 필터 ( 350 ) 에서 각각 의 R , G , B 로 분리 된 후 , 패 시베이 션 층 ( 390 ) 을 거쳐 층간 절 연막 ( 315 ) 위 의 메탈 층 ( 380 ) 사이 에 형성 된 각각 의 픽셀 에 해당 되 는 포토 다이오드 ( 313 ) 에 전송 된다 . 상기 이미지 센서 ( 300 ) 에서 의 신호 를 인출 하 기 위하 여 패드 ( 360 ) 가 상기 포토 다이오드 ( 313 ) 와 연결 되 어 형성 된다 .