반대 로 , 우선 초기 상태 로서 , 소자 에 - 0 . 5 ㎃ 의 전류 를 흘려 , 3 개 의 TMR 소자 를 전부 평행 상태 로 할 수 도 있 다 . 이 경우 , + 0 . 15 ㎃ 의 전류 를 흘리 면 , 제 1 TMR 소자 및 제 2 TMR 소자 의 자화 상태 가 , 평행 상태 로부터 반 평행 상태 로 변화 한다 . 그 다음 에 - 0 . 12 ㎃ 의 전류 를 흘리 면 , 제 2 TMR 소자 의 자화 상태 만 이 반 평행 상태 로부터 평행 상태 로 변화 한다 . 이하 , 이 동작 을 반복 함 으로써 , 메모리 로서 기능 시킬 수 있 다 . 그 경우 , 제 1 TMR 소자 의 자화 상태 는 반 평행 상태 로 , 제 3 TMR 소자 의 자화 상태 는 평행 상태 로 고정 된 채 로 , 메모리 인 제 2 TMR 소자 의 자화 상태 만 이 , 평행 상태 와 반 평행 상태 에서 절환 되게 된다 .