게이트 구조물 ( 320 ) 은 , 트랜지스터 의 채널 에 전압 을 인가 하 기 위한 게이트 전극 ( 320 B ) , 게이트 전극 ( 320 B ) 과 활성 영역 ( 300 A ) 사이 에 개재 되 어 이 들 을 전기 적 으로 분리 하 기 위한 게이트 절 연막 ( 320 A ) , 게이트 전극 ( 320 B ) 및 게이트 절 연막 ( 320 A ) 의 패 터닝 에 이용 되 면서 게이트 전극 ( 320 B ) 상 에서 게이트 전극 ( 320 B ) 의 상면 을 보호 하 기 위한 게이트 하드 마스크 ( 320 C ) , 및 게이트 절 연막 ( 320 A ) , 게이트 전극 ( 320 B ) 및 게이트 하드 마스크 ( 320 C ) 의 적층 구조물 의 측벽 상 에 형성 되 어 게이트 전극 ( 320 B ) 의 측벽 을 보호 하 기 위한 게이트 스 페이서 ( 320 D ) 를 포함 할 수 있 다 . 게이트 전극 ( 320 B ) 은 불순물 이 도핑 된 폴리 실리콘 , 금속 , 금속 화합물 또는 이 들 의 조합 등 과 같 은 도전 물질 을 포함 할 수 있 다 . 게이트 절 연막 ( 320 A ) , 게이트 하드 마스크 ( 320 C ) 및 게이트 스 페이서 ( 320 D ) 는 실리콘 산화물 , 실리콘 질화물 , 카본 계열 물질 또는 이 들 의 조합 등 과 같 은 절연 물질 을 포함 할 수 있 다 . 본 실시 예 에서 , 게이트 구조물 ( 320 ) 은 반도체 기판 ( 300 ) 상 에 위치 하나 , 다른 실시 예 에서 , 게이트 구조물 ( 320 ) 의 적어도 일부 는 반도체 기판 ( 300 ) 내 에 매립 된 형태 를 가질 수 도 있 다 .