도 2 a 를 참조 하 면 , 소자 분리 막 ( 도시 안 됨 ) 에 의해 정의 된 반도체 기판 ( 200 ) 의 활성 영역 에 게이트 ( 202 ) 를 형성 한 후 , 상기 게이트 ( 202 ) 양측 의 반도체 기판 ( 200 ) 표면 내 에 이온 주입 을 통해 소오 스 영역 ( 204 b ) 및 드레 인 영역 ( 204 a ) 과 같 은 접합 영역 을 형성 하 여 트랜지스터 를 형성 한다 .