" MRAM 셀 비트 값 을 "" 설정 ""( 즉 ", 자유 층 자화 방향 을 선택 ) 하 기 위해 , 기록 전류 ( 62 ) 가 전도체 ( 60 ) 로부터 전도체 ( 70 ) 에 인가 된다 . 핀 드 층 ( 52 ) 은 강자성 금속 이 기 때문 에 , 기록 전류 내 의 전자 는 핀 드 층 ( 52 ) 을 통과 할 때 스핀 - 편광 된다 . 강자성 금속 내 의 전도 전자 는 자화 방향 과 동일 선상 에 있 는 스핀 배향 을 가질 것 이 지만 , 이 들 중 실질 적 으로 대부분 은 자화 방향 에 평행 한 특정 배향 을 가져서 네트 스핀 편광 전류 ( net spin polarized current ) 를 생성 할 것 이 다 . ( 전자 스핀 은 전자 의 자기 모멘트 에 정비례 하 지만 방향 으로 는 역 평행 한 각운동량 ( angular momentum ) 을 지칭 하 지만 , 이러 한 방향 차이 는 논의 의 용이 함 을 위해 앞 으로 사용 되 지 않 을 것 이 다 . ) 스핀 - 편광 된 전자 가 터널 장벽 ( 56 ) 을 가로질러 터널 링 할 때 , 각운동량 의 보존 이 자유 층 ( 54 ) 및 핀 드 층 ( 52 ) 둘 모두 에 토크 가 부여 되 게 할 수 있 지만 , 이러 한 토크 가 핀 드 층 의 자화 방향 에 영향 을 주 기 에 는 ( 설계 에 의해 ) 부적절 하 다 . 대조 적 으로 , 자유 층 ( 54 ) 의 초기 자화 배향 이 핀 드 층 ( 52 ) 에 역 평행 한 경우 , 이러 한 토크 는 자유 층 ( 54 ) 에서 의 자화 배향 을 핀 드 층 ( 52 ) 의 자화 배향 에 평행 하 게 전환 시키 기에 ( 설계 에 의해 ) 충분 한 것 이 다 . 이어서 , 평행 한 자화 는 그러 한 기록 전류 가 턴 오프 되 기 전후 에 안정 하 게 유지 될 것 이 다 . 대조 적 으로 , 자유 층 ( 54 ) 및 핀 드 층 ( 52 ) 자화 가 초기 에 평행 한 경우 , 자유 층 자화 는 , 전술 된 경우 와 반대 방향 의 기록 전류 의 인가 에 의해 핀 드 층 ( 52 ) 에 역 평행 하 게 되 도록 STT - 전환 될 수 있 다 . 따라서 , 동일 한 STT 물리학 에 의해 , 자유 층 ( 54 ) 의 자화 방향 은 기록 전류 방향 ( 극성 ) 의 신중 한 선택 에 의해 2 개 의 안정 된 배향 들 중 어느 하나 로 결정 론 적 으로 설정 될 수 있 다 .