[ 0052 ] 도 6 b 는 프로세싱 되 고 있 는 기판 의 상단 표면 보다 더 낮 은 에지 표면 에 의해 기판 지지 를 갖 는 플 라즈 마 리액터 에서 수행 된 질화 반응 프로세스 들 후 에 기판 의 직경 에 걸친 질소 투 여량 을 도시 한 스캐닝 차트 이 다 . 이러 한 특정 경우 들 에서 , 기판 의 에지 표면 과 상단 표면 사이 의 높이 차이 는 대략 0 . 5 inch 이 다 . 도 6 b 는 200 sccm , 400 sccm , 600 sccm , 800 sccm , 및 1000 sccm 의 질소 유속 들 을 갖 는 질화 반응 프로세스 들 로부터 의 투 여량 결과 들 을 도시 한다 . 도 6 a 에서 의 결과 들 과 비교 하 여 , 도 6 b 에서 의 결과 들 은 기판 의 에지 가까이 에서 증가 된 투 여량 을 갖 는다 . 더욱이 , 도 6 b 의 결과 들 은 기판 에 걸친 평균 투 여량 에 실질 적 으로 근접 한 에지 투 여량 들 을 갖 는다 .