최근 , 재 기입 가능 한 불휘발성 메모리 로서 , 자기 저항 효과 소자 를 매트릭스 형상 으로 배열 한 자기 랜덤 액세스 메모리 ( 이하 , MRAM : Magnetic Random Access Memory 라고 함 ) 가 주목 받 고 있 다 . MRAM 은 2 개 의 자성 층 에서 의 자화 방향 의 조합 을 이용 하 여 정보 를 기억 하 고 , 이 들 자성 층 사이 의 자화 방향 이 평행 인 경우 와 반 ( 反 ) 평행 인 경우 에서 의 저항 변화 ( 즉 , 전류 또는 전압 의 변화 ) 를 검지 함 으로써 기억 정보 의 판독 을 행하 는 것 이 다 .