본 발명 의 다른 실시 예 내 에서 , 유전체 층 이 상기 전도체 ( 436 ) 를 위한 오프닝 ( opening ) 과 보이드 ( void ) 를 만들 기 위해 형성 되 고 패턴 화 되 고 에칭 되 는 상감 과정 을 이용 해 상기 상부 전도체 ( 436 ) 를 형성 할 수 있 다 . 상기 오프닝 과 보이드 는 접합 층 ( 438 ) 과 전도체 층 ( 440 ) ( 및 / 또는 필요시 전도성 씨드 , 전도성 필 또는 장벽 층 ) 으로 채워질 수 있 다 . 상기 접합 층 ( 438 ) 과 전도 층 ( 440 ) 은 다음 에 평탄면 형성 을 위해 평탄 화 할 수 있 다 .