다음 에 하 층막 형성 재료 의 용액 ( 실시 예 6 ) 을 막 두께 300 ㎚ 의 SiO 2 기판 위 에 도포 하 고 , 300 ℃ 에서 120 초간 베 이크 하 여 막 두께 80 ㎚ 의 하층 막 을 형성 했 다 . 그 위 에 , ArF 용 레지스 트 용액 을 도포 하 고 130 ℃ 에서 60 초간 베 이크 하 여 막 두께 150 ㎚ 의 포토레지스트 층 을 형성 했 다 . 또한 , ArF 레지스 트 용액 은 하 기 식 ( 110 ) 의 화합물 : 5 부 , 트리 페닐 술포 늄 노나 플 루오 로 메탄 술포 네이트 : 1 부 , 트리 부틸 아민 : 2 부 , PGMEA : 92 부 를 배합 해 조정 했 다 .