도 2 에 도시 한 바 와 같이 공급 스택 ( 53 ) 에 스택 되 어 있 는 기판 ( 41 ) 은 입 구 슬롯 ( 51 ) 으로부터 반송 로 ( 14 ) 에 공급 된다 . 기판 ( 41 ) 에 는 앞 공정 에서 반도체 칩 ( 42 ) 이 부착 되 어 있 다 . 제 어부 ( 80 ) 는 반송로 ( 14 ) 에 의해 기판 ( 41 ) 을 불활성 가스 분위기 에 유지 된 챔버 ( 12 ) 의 내부 에 도입 하 고 , 제 1 플 라즈 마 토치 ( 20 ) 가 부착 되 어 있 는 세정 위치 ( 27 ) 까지 이동 시킨다 . 기판 ( 41 ) 을 세정 위치 ( 27 ) 까지 이동 시키 면 , 제 어부 ( 80 ) 는 제 1 표면 처리 공정 을 행한다 . 제 어부 ( 80 ) 는 제 1 플 라즈 마 토치 ( 20 ) 에 플 라즈 마용 가스 공급 부 ( 60 ) 로부터 플 라즈 마용 가스 를 공급 함 과 아울러 , 외부 전극 ( 22 ) 에 고주파 전력 공급 부 ( 70 ) 로부터 고주파 전력 을 공급 하 고 , 제 1 플 라즈 마 토치 ( 20 ) 의 내부 에서 플 라즈 마용 가스 를 플 라즈 마 화 하 고 , 도 3 에 도시 한 바 와 같이 플 라즈 마 화 한 가스 를 기판 ( 41 ) 의 전극 ( 44 ) 의 표면 과 반도체 칩 ( 42 ) 의 패드 ( 43 ) 의 표면 을 향하 여 분출 시켜 , 패드 ( 43 ) 와 전극 ( 44 ) 의 표면 처리 를 행한다 . 이 때 , 상시 플 라즈 마 화 한 가스 를 분출 시켜도 되 고 , 기판 또는 반도체 칩 마다 분출 시키 도록 해도 된다 . 플 라즈 마 화 한 가스 는 챔버 ( 12 ) 내부 의 불활성 가스 분위기 중 에서 패드 ( 43 ) 와 전극 ( 44 ) 의 표면 에 조사 되 어 , 패드 ( 43 ) 와 전극 ( 44 ) 표면 의 오염 , 수분 또는 이 물 을 제거 하 여 청정 표면 으로 한다 . 또 플 라즈 마용 가스 에 는 환원 가스 로서 의 수소 가 혼합 되 어 있 으므로 , 패드 ( 43 ) 와 전극 ( 44 ) 표면 의 산화 막 의 제거 도 동시 에 행한다 . 소정 의 시간 만큼 제 1 플 라즈 마 토치 ( 20 ) 로부터 의 플 라즈 마 화 한 가스 의 조사 를 행하 면 , 제 어부 ( 80 ) 는 제 1 표면 처리 공정 을 종료 한다 .