그 후 , 도 7 의 ( c ) 에 도시 되 는 공정 에 있 어서 , 에칭 처리 를 실시 함 으로써 , 노출 된 전극 ( 190 ) 이 제거 된다 . 또한 유전체 기판 ( 105 ) 의 표면 에 급전 소자 ( 121 ) 가 배치 되 는 경우 에 는 , 에칭 처리 에 앞서 레지스 트 등 에 의하 여 급전 소자 ( 121 ) 의 부분 에 마스크 처리 가 실시 된다 .