한편 , 60 nm 급 이상 의 반도체 소자 의 경우 에 는 상기 도전 성 물질 로서 텅스텐 을 주로 사용 해 왔 다 . 그러나 , 반도체 소자 의 고집 적 화 추세 에 따라 미세 해진 52 nm 급 이하 의 소자 의 제 조시 , RC 딜레이 ( RC Delay ) 현상 이 심화 되 어 기존 의 텅스텐 으로 는 원 하 는 성능 을 얻 을 수 없 으므로 상기 텅스텐 보다 비저항 측면 에서 우수 한 알루미늄 을 도전 성 물질 로 적용 하 게 되 었 다 .