암모니아 , 과산화수소 및 탈 이 온수 혼합 용액 에 의한 희생 물질 층 패턴 ( 102 a ) , 예컨대 SiGe 층 의 식각 과정 을 살펴보 면 , 1 단계 는 과산화수소 에 의한 표면 산화 막 형성 이 다 . 과산화수소 는 H 2 O 와 O 로 분해 되 어서 강한 산화력 을 가지 게 되 기 때문 에 , Si 와 Ge 을 급속 하 게 산화 시킨다 . 암모니아 는 탈 이온 수 내 에서 NH 4 + 이온 과 OH - 이온 으로 해리 된다 . OH - 이온 은 희생 물질 층 패턴 ( 102 a ) , 예컨대 SiGe 층 의 Si 산화물 과 Ge 산화물 을 SiGe 층 의 표면 으로부터 박리 시킨다 . OH - 이온 에 의한 리프트 오프 ( lift off ) 에 해당 되 는 2 단계 이 다 . 3 단계 에서 , 박리 된 Si 산화물 과 Ge 산화물 이 SiGe 층 에 재 흡착 되 는 것 을 방지 할 수 있 도록 , 3 단계 에서 각각 의 표면 에 OH - 이온 이 흡착 되 어 정전기 적 반발 력 을 준다 . 이것 이 OH - 이온 에 의한 터 미 네이션 ( termination ) 이 다 .