유리 기체 상 에 ITO 층 ( 15 ㎚) 및 Cu 층 ( 400 ㎚) 을 이 순서 대로 적층 한 기체 에 , 포지티브 형 액상 레지스 트 를 사용 하 여 폭 30 ㎛, 개구부 30 ㎛ 의 레지스 트 패턴 을 형성 하 였 다 . 레지스 트 패턴 을 형성 한 기체 를 세로 20 ㎜ × 가로 20 ㎜ 로 절단 하 여 테스트 피스 를 얻 었 다 . 얻 어 진 테스트 피스 에 대하 여 실시 예 1 내지 11 의 에칭 액 조성물 을 사용 하 여 , 35 ℃, 1 분 간 , 교반 하 에서 딥 식 에 의한 에칭 처리 를 행하 여 세선 을 형성 하 였 다 .