다음 으로 , 도 6 에 나타낸 바 와 같이 , 제 2 보호막 ( 153 ) 위 로 섀도우 마스크 ( MA ) 를 위치 시켜 제 2 보호막 ( 153 ) 을 가린 상태 에서 산화 규소 ( SiO 2 ) 나 산화 알루미늄 ( Al 2 O 3 ) 과 같 은 물질 을 제 1 보호막 ( 151 ) 위 에 40 ∼ 50 ( nm ) 의 두께 로 증착 하 여 저 굴절 률 의 제 1 방지 막 ( 171 ) 을 형성 한다 . 연속 해서 , 섀도우 마스크 ( MA ) 는 그대로 유지 한 채 , 제 1 방지 막 ( 171 ) 위 로 산화 티타늄 ( TiO 2 ) 이나 산화 지르코늄 ( ZrO 2 ) 과 같 은 물질 을 40 ∼ 50 ( nm ) 의 두께 로 증착 하 여 제 1 방지 막 ( 171 ) 위 에 고 굴절 률 의 제 2 방지 막 ( 173 ) 을 형성 한다 . 이 같 은 방법 으로 제 1 방지 막 ( 171 ) 과 제 2 방지 막 ( 173 ) 을 제 1 보호막 ( 151 ) 위 로 연속 해서 적층 해 반사 방지 막 ( 17 ) 을 형성 하 는데 , 층 의 처음 과 마지막 에 는 각각 제 1 방지 막 ( 171 ) 을 형성 시켜서 반사 방지 막 ( 17 ) 을 완성 한다 . 결과 적 으로 , 반사 방지 막 ( 17 ) 은 제 1 방지 막 ( 171 ) 과 제 2 방지 막 ( 173 ) 이 교대 로 적층 되 고 , 처음 과 마지막 에 는 제 1 방지 막 ( 171 ) 이 위치 한다 .