이러 한 상태 에서 , 리 세스 게이트 ( 170 a ) 를 형성 하 기 위하 여 상기 홈 ( H ) 을 포함 한 반도체 기판 ( 110 a , 110 b ) 상 에 게이트 물질 ( 130 a , 130 b , 140 a , 140 b , 150 a , 150 b , 160 a , 160 b ) 의 증착 및 식각 공정 을 진행 하 게 되 는 경우 , 도 1 b 에 도시 된 바 와 같이 , 상기 식각 된 소자 분리 막 ( 120 a ) 상 에 는 기생 게이트 ( 171 a ) 가 형성 하 게 된다 .