게이트 도전 층 ( 130 ) 상 에 는 층간 절 연막 ( 163 ) 이 배치 된다 . 층간 절 연막 ( 163 ) 은 게이트 도전 층 ( 130 ) 이 형성 된 층간 절 연막 ( 163 ) 은 실리콘 산화물 , 실리콘 질화물 , 실리콘 산질 화물 , 하프늄 산화물 , 알루미늄 산화물 , 티타늄 산화물 , 탄 탈륨 산화물 , 아연 산화물 등 의 무기 절연 물질 을 포함 할 수 있 다 . 일 실시 예 에서 , 층간 절 연막 ( 163 ) 은 SiON 을 포함 하 여 이루어질 수 있 다 .