본 발명 은 박막 트랜지스터 에 관한 것 으로 , 특히 초 저온 공정 이 가능 하 여 미리 유기 반도체 층 을 형성 하 고 난 후 그 위 에 절 연막 을 형성 할 때 유기 반도체 의 열화 를 방지 하 고 , 또한 매우 짧 은 펄스 형 플 라즈 마 를 이용 하 므로 플 라즈 마 에 의한 열화 를 최소 화 할 수 있 는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법 에 관한 것 이 다 .