종래 의 배리스터 는 주로 ZnO 또는 SrTiO 3 로 이루어지 고 , 산화물 을 추가 한 후 소결 함 으로써 완성 된다 . ZnO 배리스터 를 예 로 들 면 , 이 는 ZnO 및 Bi , Sb , Si , Co , Mn , Cr 등 의 산화물 로 이루어진다 . 1 , 000 ℃ 를 넘 는 고온 에서 , Bi 2 O 3 및 Co , Mn , Cr 등 의 산화물 은 그레인 경계 장벽 커패시터 ( grain boundary barrier capacitor ) 와 같 은 미세 구조 를 갖 는 ZnO 입자 들 사이 에서 그레인 경계 를 형성 한다 . 따라서 , 이러 한 재료 로 이루어진 배리스터 는 수십 pF 내지 수천 pF 의 범위 의 높 은 용량 을 갖 는다 . 이 재료 가 다층 칩 배리스터 에 사용 되 는 경우 에 도 , 배리스터 용량 은 1 MHz 에서 약 3 pF 내지 수백 pF 의 범위 내 에 있 다 . 고주파 수용 회로 에서 , 보호 를 제공 하 는 구성 요소 의 용량 이 3 pF 을 초과 하 는 경우 , 신호 가 왜곡 된다 . 따라서 보호 를 제공 하 는 상기 의 구성 요소 는 고주파 수용 회로 에 적합 하 지 않 다 .