이어서 저항성 접촉 패턴 ( 164 a , 164 b ) 의 노출 부분 을 건식 식각 하 고 그 하부 에 위치 한 회로 반도체 ( 154 a ) 및 표시 반도체 ( 154 b ) 를 각각 노출 한다 . 이 때 저항성 접촉 패턴 ( 164 a , 164 b ) 하부 에 위치 한 회로 반도체 ( 154 a ) 와 표시 반도체 ( 154 b ) 도 함께 식각 될 수 있 으므로 회로 반도체 ( 154 a ) 및 표시 반도체 ( 154 b ) 의 노출 된 부 분 은 두께 가 어느 정도 얇 아 질 수 있 다 . 이 를 백 채널 에치 ( back channel etch , BCE ) 라고 한다 .