그리고 베이스 ( 10 ) 의 상부 에 마련 되 는 제 1 소자 ( 20 ) 는 베이스 ( 10 ) 의 가장자리 를 따라 배치 되 며 , n 형 GaN 으로 되 는 제 1 n 형 반도체 ( 21 ) 와 , 상기 제 1 n 형 반도체 ( 21 ) 에 접하 게 설치 되 며 , p 형 GaN 으로 되 는 제 1 p 형 반도체 ( 22 ) 로 구성 된다 . 그리고 제 1 n 형 반도체 ( 21 ) 와 제 1 p 형 반도체 ( 22 ) 사이 에 는 전자 와 홀 이 결합 되 는 AlGaInN 계 제 1 활성 층 ( 23 ) 을 형성 한다 .