발광 다이오드 의 효율 은 활성 반도체 층 에서 주어진 에너지 를 얼마 만큼 빛 으로 변환 시키 느냐 의 문제 인 내부 양자 효율 ( interna quantum efficiency ) 과 , 일단 생성 된 빛 을 얼마나 외부 로 방출 시키 느냐 의 문제 인 광추 출 효율 ( light extraction efficiency ) 로 결정 된다 . 내부 양자 효율 은 결정질 ( crystal quality ) 및 에 피층 구조 에 의해 결정 되 는데 , 현재 의 기술 수준 에서 70 ~ 80 % 에 이르 고 있 어 개선 의 여지 는 많 지 않 다 . 광 추출 효율 은 반사 , 굴절 , 전반사 등 구조 적 인 요인 으로 인해 칩 외부 로 빛 이 빠져나가 지 못하 거나 , 소자 를 이루 는 물질 에 의해 재흡수 되 어 손실 되 는 빛 을 줄이 는 등 의 방법 으로 개선 할 여지 가 상대 적 으로 많 다 .