다음 으로 , 도 3 g 에 도시 한 바 와 같이 , 상기 리플 로우 공정 ( 106 ) 이 완료 된 Al 본딩 라인 ( 105 a ) 및 Al 본딩 패드 ( 105 b ) 를 포함 한 제 1 하드 마스크 막 ( 101 ) 상 에 보호막 ( 107 ) 을 형성 한다 . 상기 보호막 ( 107 ) 은 , 후속 의 센서 파트 ( 109 ) 형성 공정 시 , 상기 Al 본딩 라인 ( 105 a ) 및 Al 본딩 패드 ( 105 b ) 를 케미 칼 에 천트 ( chemical etchant ) 로부터 보호 할 수 있 도록 , SiC 또는 SiN 등 과 같 은 절연 물질 을 이용 하 여 , 200 내지 5 , 000 Å 의 두께 로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 여기 서 , 상기 보호막 ( 107 ) 으로서 , 상기 한 SiC 및 SiN 대신 에 , TiN , TaN , WN 및 MoN 등 과 같 은 내화 금속 계열 의 나이트 라이드 ( nitride ) 박막 을 이용 할 수 도 있 다 .