도 5 를 참조 해 보 면 , 메모리 셀 어레이 ( 302 ) 의 예시 적 구조 가 도시 되 어 있 다 . 하나 의 예 로서 , NAND 플래시 EEPROM 은 1024 블 럭 들 로 구분 되 어 설명 된다 . 각 블럭 에 저장 된 데이터 는 동시 에 소거 된다 . 일 실시 예 에서 , 블럭 은 동시 에 소거 되 는 셀 들 의 최소 유닛 이 다 . 이러 한 예 에서 , 각 블럭 에서 , 짝수 칼럼 들 과 홀수 칼럼 들 로 나누 어 지 는 8512 개 의 칼럼 들 이 존재 한다 . 비트 라인 들 또한 짝수 비트 라인 들 ( BLe ) 과 홀수 비트 라인 들 ( BLo ) 로 나누 어 진다 . 도 5 는 직렬 로 연결 되 어 NAND 스트링 을 형성 하 는 4 개 의 메모리 셀 들 을 도시 하고 있 다 . 비록 4 개 의 셀 들 이 각 NAND 스트링 에 포함 되 도록 도시 되 었 지만 , 4 개 보다 많 거나 적 은 메모리 셀 들 이 사용 될 수 도 있 다 . NAND 스트링 의 하나 의 터미널 은 선택 트랜지스터 ( SGD ) 를 통해 상응 하 는 비트 라인 에 연결 되 어 있 으며 , 또 다른 터미널 은 제 2 선택 트랜지스터 ( SGS ) 에 의해 c - 소스 에 연결 되 어 있 다 .