주석 옥사이드 중간 층 하드 마스크 를 사용 하 는 또 다른 프로세스 플로우 가 도 5 l 내지 도 5 o 의 단면도 들 로 예시 된다 . 이 예 에서 , 도 5 l 에 도시 된 바 와 같이 , 포토레지스트 ( 57 ) 의 패 터닝 된 층 이 주석 옥사이드 층 ( 55 ) ( 예 를 들 어 , 9 내지 12 ㎚ 두께 ) 위 에 형성 된다 . 이 예시 에서 , 주석 옥사이드 층 바로 아래 의 재료 의 층 은 비정질 실리콘 ( Si ) 층 ( 53 ) ( 35 내지 55 ㎚ 두께 ) 이 다 . 이 예시 에서 층 ( 51 ) 은 실리콘 옥사이드 에칭 정지 층 이 다 . 이 예시 에서 포토레지스트 는 상단 부 에서 보다 하 단부 에서 넓 도록 증착 된다 . 이 는 H 2 / 탄화수소 플 라즈 마 에칭 의 사용 으로 도시 되 었 고 , 포토레지스트 폭 의 차 를 감소 시키 고 단면 을 실질 적 으로 직사각 형 으로 만드 는 것 이 가능 하 다 . 먼저 , 주석 옥사이드 가 포토레지스트 및 비정질 실리콘 의 존재 시 매우 선택 적 인 H 2 / CH 4 플 라즈 마 에칭 을 사용 하 여 선택 적 으로 에칭 된다 . 도 5 m 에 도시 된 바 와 같이 포토레지스트 의 기하 구조 가 개선 되 는 동안 , 리세 스 된 피처 들 이 형성 되 고 비정질 실리콘 층 이 노출 된다 . 다음 에 , 실리콘 은 주석 옥사이드 의 존재 시 선택 적 으로 에칭 되 어 , 아래 에 놓인 에칭 정지 층 을 노출 시킨다 . 예 를 들 어 , 실리콘 은 본 명세서 에 기술 된 NF 3 / Cl 2 플 라즈 마 에칭 을 사용 하 여 주석 옥사이드 에 상대 적 으로 선택 적 으로 에칭 될 수 있 다 . 40 보다 큰 ( 주석 옥사이드 에 대한 실리콘 ) 에칭 선택도 가 이 에칭 으로 달성 될 수 있 다 . 포토레지스트 는 또한 이 단계 동안 부분 적 으로 제거 될 수 도 있 다 . 발생 되 는 구조 체 는 도 5 n 에 도시 된다 . 다음 에 , 주석 옥사이드 는 실리콘 에 선택 적 인 에칭 을 사용 하 여 기판 으로부터 제거 된다 . 일부 실시 예 들 에서 , H 2 플 라즈 마 를 사용 하 여 주석 옥사이드 를 제거 하 는 것 이 바람직 하 다 . 남 아 있 는 포토레지스트 ( 57 ) 는 H 2 플 라즈 마 처리 동안 제거 될 수 있 다 . 발생 되 는 구조 체 는 도 5 o 에 도시 되 었 다 .