따라서 , 본 발명 은 낮 은 일함수 를 가지 는 전도성 유기 물질 을 bottom 음 의 전극 으로 사용 함 으로써 전자 주입 효율 울 향상 시키 고 상술 한 단점 을 해결 할 뿐 만 아니 라 , bottom 음극 이 a - Si TFT 의 드레 인 ( drain ) 끝단 에 바로 연결 되 기 때문 에 OLED 에 영향 받 지 않 고 좀 더 안정 적 이 게 되 어 대 면적 이 가능 한 a - Si TFT AMOLED 를 제작 할 수 있 게 한다 . 이때 , 게이트 ( gate ) 와 소스 ( source ) 전압 은 직접 게이트 ( gate ) 와 데이터 ( data ) 라인 에 바로 연결 된다 .