상기 에서 , 더미 게이트 패턴 형성 후 , 메모리 셀 과 더미 게이트 패턴 사이 하부 의 상기 반도체 기판 에 접합 영역 이 형성 되 도록 이온 주입 공정 을 실시 하 는 단계 , 및 메모리 셀 과 더미 게이트 패턴 사이 의 홀 을 채우 는 절 연막 을 형성 하 는 단계 를 더 포함 한다 . 제 1 및 제 2 도 전막 각각 은 폴리 실리콘 막 , 금속 막 또는 이 들 의 적층 막 으로 형성 된다 . 캡 핑 용 도전 막 은 폴리 실리콘 막 으로 형성 된다 .