반도체 디바이스 ( 10 ) 가 반도체 층 ( 16 ) 위 에 형성 된다 . 게이트 유전체 ( 20 ) 는 반도체 층 ( 16 ) 의 상면 위 에 형성 된다 . 게이트 스택 ( 18 ) 은 게이트 유전체 ( 20 ) 위 에 있 다 . 측벽 스 페이서 ( 24 ) 는 게이트 스택 ( 18 ) 주변 에 형성 된다 . 측벽 스 페이서 ( 24 ) 를 마스크 로서 이용 하 여 , 반도체 층 내 에 깊 은 소스 / 드레 인 영역 들 ( 28 , 30 ) 이 형성 되 도록 임 플랜트 가 수행 된다 . 실리콘 카본 영역 들 ( 32 , 36 , 34 ) 은 깊 은 소스 / 드레 인 영역 들 ( 28 , 30 ) 과 게이트 스택 의 상면 상 에 형성 된다 . 실리콘 카본 영역 들 ( 32 , 34 , 36 ) 은 니켈 로 실리사이드 화 된다 .