매우 선택 적 인 에칭 방법 들 이 DRAM ( dynamic random - access memory ) 의 형성 , FinFET 들 ( fin field effect transistors ) 의 제 조시 , 및 BEOL ( back end of line ) 프로세싱 시 패 터닝 을 포함 하 는 다양 한 애플리케이션 들 에서 의 패 터닝 에 필요 하 다 .