도 3 에 도시 된 바 와 같이 , 비 교예 에 따른 플래시 메모리 ( 101 ) 에서 , 터널 층 ( 11 ) , 충전 층 ( 12 ) 및 블록 층 ( 13 ) 으로 구성 되 는 ONO 막 ( 14 ) 은 관통 홀 ( 7 ) 의 내 측면 상 에 전체 적 으로 형성 된다 . 즉 , 충전 층 ( 12 ) 은 전 극막 ( 4 ) 마다 분단 되 어 있 지 않 고 , 관통 홀 ( 7 ) 의 내 측면 에 걸쳐 연속 적 으로 형성 된다 . 본 비 교예 에서 의 상기 이외 의 구성 은 상기 제 1 실시 예 와 마찬가지 이 다 .