상기 버퍼 막 ( 412 ) 은 이후 형성 될 유기 반도체 층 의 결정 성장 을 좋 게 하 기 위해 증착 되 고 , 실리콘 산화물 ( SiOx ) , 실리콘 질화물 ( SiNx ) 및 실리콘 산화물 ( SiOx ) 과 실리콘 질화물 ( SiNx ) 이 적층 된 이 중막 중 어느 하나 의 무기 절연 물질 을 형성 하 거나 또는 BCB ( Benzocyclobutene ) , 아크릴 계 물질 , 폴리 이미드 와 같 은 유기 절연 물질 을 형성 한다 .