본 발명 의 제 1 실시 예 에 관한 리드 프레임 ( 1 ) 은 , 리드 프레임 용 의 소재 로 형성 되 는 기재 ( 基 材 ) ( 10 ) 와 , 기재 ( 10 ) 의 표면 상 에 형성 되 는 금속 층 ( 20 ) 과 , 금속 층 ( 20 ) 의 표면 상 의 일부 에 형성 되 는 반사 층 ( 30 ) 과 , 반사 층 ( 30 ) 의 위 및 반사 층 ( 30 ) 이 형성 되 어 있 지 않 은 금속 층 ( 20 ) 의 위 에 형성 되 는 특성 유지 층 ( 40 ) 을 구비 한다 . 또한 본 실시 예 에 관한 금속 층 ( 20 ) 은 , 기재 ( 10 ) 의 표면 상 에 형성 되 는 배리어 층 ( barrier 層 ) ( 22 ) 과 , 배리어 층 ( 22 ) 과 반사 층 ( 30 ) 및 특성 유지 층 ( 40 ) 의 사이 에 형성 되 는 밀착 층 ( 密着 層 ) ( 24 ) 을 구비 한다 . 또한 특성 유지 층 ( 40 ) 은 , 반도체 소자 가 탑재 되 는 소자 탑재 영역 ( 40 a ) 과 , 소자 탑재 영역 ( 40 a ) 의 외측 에 형성 되 는 외부 영역 ( 40 b ) 과 , 와이어 ( wire ) 에 의하 여 반도체 소자 와 전기 적 으로 접속 되 는 접속 영역 ( 40 c ) 을 구비 한다 . 도면 에서 파선 으로 나타내 는 영역 에 는 리플렉터 ( reflector ) ( 50 ) 가 설치 된다 .