또한 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 커패시터 리스 디램 에서 제 1 및 제 2 채널 바디 ( C 1 , C 2 ) 와 제 1 및 제 2 드레 인 ( D 1 , D 2 ) 은 기판 ( 200 ) 에 수직 하 기 때문 에 , 단위 면적 당 셀 의 개수 를 증가 시키 기 위해 소자 의 스케일 을 다운 시킨다 하 더라도 , 채널 의 길이 를 길 게 유지 할 수 있 다 . 그러므로 본 발명 을 따르 면 , 리 프레시 ( refresh ) 특성 열화 및 단 채널 효과 ( short channel effect ) 를 억제 하 여 소자 의 동작 특성 을 개선 할 수 있 다 .