하지 ( 200 b ) 및 보호막 ( 200 e ) 각각 의 표면 에 Si 를 흡착 시킨 후 의 웨이퍼 ( 200 ) 에 대하 여 불소 함유 가스 로서 F 2 가스 를 공급 함 으로써 , 하 지 ( 200 b ) 및 보호막 ( 200 e ) 각각 의 표면 에 흡착 시킨 Si 와 F 2 가스 를 반응 시켜서 , 하 지 ( 200 b ) 및 보호막 ( 200 e ) 의 표면 을 개질 시키 는 스텝 C 와 ,