이후 , 충전 패턴 ( 270 ) , 채널 ( 260 ) , 및 예비 전하 저장 구조물 ( 250 ) 의 상부 를 제거 하 여 제 2 리세 스 를 형성 하 고 , 상기 제 2 리세 스 를 채우 는 패드 막 을 제 1 층간 절 연막 ( 190 ) 상 에 형성 한 후 , 상기 제 1 층간 절 연막 ( 190 ) 의 상면 이 노출 될 때 까지 상기 패드 막 을 평탄 화 함 으로써 , 패드 ( 280 ) 를 형성 할 수 있 다 .