현재 질화 규소 막 을 형성 하 기 위하 여 사용 되 는 주요 기술 은 실란 등 의 규소 원 과 질소 ( N 2 ) , 암모니아 ( NH 3 ) 등 의 질소원 을 혼합 하 여 동시 에 공급 하 고 , 고주파 에너지 를 인가 하 는 플 라즈 마 강화 화학 기상 증착 법 ( PECVD ) 또는 디 클로 로 신 란 ( dichlorosilane : DCS ) , 비스 테라 부틸 아미노 실란 ( bis - tert - butylaminosilane : BTBAS ) , 헥사 클로 로디 실란 ( hexachlorosilane : HCDS ) 등 의 규소 원 과 암모니아 ( NH 3 ) 등 의 질소원 을 혼합 하 여 동시 에 공급 하 여 약 0 . 1 내지 5 torr 의 저압 과 약 800 ℃ 내지 900 ℃ 의 고온 에서 질화 규소 막 을 증착 하 는 저압 화학 기상 증착 법 ( LPCVD ) 등 이 다 .