본 발명 은 반도체 소자 제조 용 마스크 제조 방법 에 관한 것 으로서 , 반도체 소자 를 제조 하 기 위한 마스크 의 제조 방법 에 있 어서 , 반도체 기판 상 에서 마스크 에 의해 노광 되 는 영역 을 다수 의 블록 으로 구획 하 는 블록 화 단계 와 , 반도체 기판 상 에서 블록 마다 존재 하 는 패턴 의 조 밀도 를 산출 하 는 산출 단계 와 , 마스크 를 블록 각각 을 노광 하 는 구역 으로 구획 하 여 구역 내 에 위치 하 는 비아 패턴 의 사이즈 를 대응 하 는 블록 의 패턴 조 밀도 에 따라 원래 보다 크 거나 작 도록 비아 패턴 을 형성 시키 는 보상 단계 를 포함 한다 . 따라서 , 본 발명 은 비아 를 형성 시키 고자 하 는 반도체 기판 의 표면 에 존재 하 는 패턴 의 조 밀도 에 따라 마스크 의 비아 패턴 을 보상 함 으로써 비아 형성 전 에 실시 된 CMP 시 제 거량 의 차이 로 인해서 단차 를 유발 하 더라도 이후 에 형성 되 는 비아 가 원래 설계 된 사이즈 를 가지 도록 하 여 비아 선폭 의 균 일도 를 증대 시키 고 , 이 로 인해 프로세스 마진 ( process margin ) 을 증가 시키 며 , 패턴 의 정확 한 구현 을 가능 하 도록 하 여 반도체 소자 의 신뢰 성 을 향상 시키 는 효과 를 가지 고 있 다 .