다음 으로 , 트랜지스터 를 덮 는 보호 절연 층 으로서 두께 약 300 ㎚ 의 산화 질화 실리콘 막 을 플라스마 CVD 법 에 의하 여 형성 하 였 다 . 그 후 , 에칭 에 의하 여 보호 절연 층 의 일부 에 개구 를 형성 하 고 , 몰리브데넘 막 을 스퍼터링 법 에 의하 여 성막 한 후 , 이 를 가공 하 여 소스 전극 및 드레 인 전극 을 얻 었 다 . 그 후 , 평탄 막 으로서 두께 약 1 . 5 ㎛ 의 아크릴 막 을 형성 하 고 , 질소 분위기 하 , 온도 250 ℃, 1 시간 의 조건 에서 가열 처리 를 수행 하 였 다 .