또한 , 본 실시 형태 의 반도체 장치 는 초기 상태 에서 는 V 1 내지 Vn 은 플로팅 이 되 어 있 고 , 전위 가 부정 으로 되 어 있 다 . 도 4 에 는 도시 하 지 않 았 지만 , 용량 소자 ( 223 _ 1 ) 내지 ( 223 _ n ) 의 출력 측 의 각 말단 , 즉 V 1 내지 Vn 이 공급 되 는 각 배선 의 말단 에 는 , 산화물 반도체 층 을 포함 하 는 스위치 트랜지스터 A 1 내지 An 의 각 드레 인 단자 가 전기 적 으로 접속 되 어 있 다 . 스위치 트랜지스터 A 1 내지 An 의 각 게이트 단자 는 제 어선 에 접속 되 고 , 각 소스 단자 는 VSS 에 접속 되 어 있 다 . 그리고 , 제 어선 을 제어 함 으로써 , 산화물 반도체 층 을 포함 하 는 스위치 트랜지스터 A 1 내지 An 의 게이트 단자 를 제어 하 여 , 스위치 트랜지스터 A 1 내지 An 을 도통 상태 로 하 고 , V 1 내지 Vn 이 공급 되 는 각 배선 을 VSS 와 동일 한 전위 로 하 도록 되 어 있 다 . 그리고 , V 1 내지 Vn 이 공급 되 는 각 배선 이 VSS 와 동일 한 전위 가 되 면 , 다시 제 어선 을 제어 함 으로써 , 산화물 반도체 층 을 포함 하 는 스위치 트랜지스터 A 1 내지 An 의 게이트 단자 를 제어 하 여 , 스위치 트랜지스터 A 1 내지 An 을 비 도통 상태 ( 오프 상태 ) 로 한다 . 그리고 , 선택 선 SW 에 전위 를 부여 함 으로써 , 스위치 트랜지스터 ( 202 _ 1 ) 내지 ( 202 _ n ) 이 도통 상태 ( 온 상태 ) 가 되 어 , FN 1 내지 FNn 의 전위 가 확정 하 고 , 용량 소자 ( 223 _ 1 ) 내지 ( 223 _ n ) 을 통해 각 배선 에 V 1 내지 Vn 이 공급 된다 .