주변 회로 ( 120 ) 는 제어 로직 ( 130 ) 의 제어 에 따라 메모리 셀 어레이 ( 110 ) 의 선택 된 영역 에 프로그램 동작 , 리드 동작 또는 소거 동작 을 수행 하 도록 구성 될 수 있 다 . 주변 회로 ( 120 ) 는 메모리 셀 어레이 ( 110 ) 를 구동 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 주변 회로 ( 120 ) 는 제어 로직 ( 130 ) 의 제어 에 따라 행 라인 들 ( RL ) 및 비트 라인 들 ( BL 1 ~ BLn ) 에 다양 한 동작 전압 들 을 인가 하 거나 , 인가 된 전압 들 을 디스 차지 할 수 있 다 .