도 2 d 를 참조 하 면 , 상기 감광막 패턴 ( 415 - 1 ) 의 비 노광 영역 에 대하 여 도트 형태 의 투광 부 를 가지 는 리세 스 마스크 ( 미 도시 ) 를 이용 한 2 차 노광 공정 을 수행 한 다음 , 현상 하 여 반도체 기판 의 활성 영역 ( 410 a ) 이 노출 된 도트 형태 의 개구부 를 가지 는 감광막 패턴 ( 415 - 2 ) 을 형성 한다 .