도 10 에 도시 된 바 와 같이 , 제 1 분리 층 ( 15 ) 및 제 1 반도체 필라 ( 13 N ) 상 에 도전 물질 ( 16 A ) 이 형성 될 수 있 다 . 도전 물질 ( 16 A ) 은 제 1 반도체 필라 ( 13 N ) 의 높이 보다 작 은 두께 를 가질 수 있 다 . 도전 물질 ( 16 A ) 은 금속 , 금속 질화물 , 금속 실리사이드 또는 이 들 의 조합 을 포함 할 수 있 다 . 도전 물질 ( 16 A ) 은 텅스텐 , 티타늄 질화물 , 텅스텐 질화물 , 티타늄 실리사이드 , 텅스텐 실리사이드 또는 이 들 의 조합 을 포함 할 수 있 다 . 본 실시 예 에서 , 도전 물질 ( 16 A ) 은 텅스텐 실리사이드 를 포함 할 수 있 다 .