구리 시드 층 및 장벽 금속 층 은 실리콘 기판 의 개구부 내부 뿐 만 아니 라 실리콘 기판 의 표면 에서 도 형성 되 며 , 저항 이 제거 된 후 에 도 남 아 있 다 . 이런 이유 에서 , 남 아 있 는 구리 시드 층 및 장벽 금속 층 은 에칭 용액 에 의하 여 반드시 제거 되 어야 한다 ( 도 5 및 도 6 ) . 그 들 중 에서 , 구리 시드 층 을 습식 에칭 하 는 방법 으로서 , 산 및 산화제 , 즉 , 황산 과 과산화수소 의 혼합 용액 으로 구성 된 에칭 용액 을 사용 하 는 방법 이 널리 사용 된다 ( 일본 특허 출원 공개 제 2000 - 286531 호 및 제 2009 - 120870 호 ) . 염화 구리 ( Ⅱ ) 또는 염화 철 ( Ⅱ ) 을 포함 하 는 에칭 용액 을 사용 하 는 방법 이 또한 널리 알려져 있 다 ( 일본 특허 출원 공개 제 2008 - 285720 호 ) . 불리 하 게 도 , 이러 한 에칭 방법 은 전자 기판 에서 형성 된 구리 시드 층 을 에칭 할 뿐 만 아니 라 범프 또한 기형 으로 만드 는데 , 이 는 범프 를 형성 하 기 위해 사용 한 니켈 또한 에칭 되 기 때문 이 다 .