도 5 는 일 실시 예 에서 이용 될 수 도 있 는 플 라즈 마 프로세싱 챔버 의 개략 도 이 다 . 하나 이상 의 실시 예 들 에서 , 플라 즈 마 프로세싱 챔버 ( 500 ) 는 챔버 벽 ( 550 ) 에 의해 둘러싸인 , 프로세싱 챔버 ( 549 ) 내의 , 가스 유입 구 및 ESC ( electrostatic chuck ) ( 508 ) 를 제공 하 는 가스 분배 플레이트 ( 506 ) 를 포함 한다 . 프로세싱 챔버 ( 549 ) 내 에서 , 기판 ( 404 ) 은 ESC ( 508 ) 의 상부 에 위치 된다 . ESC ( 508 ) 는 ESC 소스 ( 548 ) 로부터 바이어스 를 제공 할 수 도 있 다 . 가스 소스 ( 510 ) 는 분배 플레이트 ( 506 ) 를 통해 플 라즈 마 프로세싱 챔버 ( 549 ) 에 연결 된다 . 가스 소스 ( 510 ) 는 복수 의 가스 소스 들 을 포함 한다 . ESC 온도 제어기 ( 551 ) 는 ESC ( 508 ) 에 연결 되 고 , ESC ( 508 ) 의 온도 제어 를 제공 한다 . 이러 한 예 에서 , 제 1 연결부 ( 513 ) 는 ESC ( 508 ) 의 내부 영역 을 가열 하 기 위해 내부 가열기 ( 511 ) 에 전력 을 제공 하 고 , 제 2 연결부 ( 514 ) 는 ESC ( 508 ) 의 외부 영역 을 가열 하 기 위해 외부 가열기 ( 512 ) 에 전력 을 제공 한다 . RF 소스 ( 530 ) 는 하부 전극 ( 534 ) 에 RF 전력 을 제공 한다 . 상부 전극 은 , 이 실시 예 에서 , 가스 분배 플레이트 ( 506 ) 이 고 전기 적 으로 접지 된다 . 바람직 한 실시 예 에서 , 2 MHz , 60 MHz , 및 27 MHz 전력 소스 들 은 RF 소스 ( 530 ) 및 ESC 소스 ( 548 ) 를 구성 한다 . 이러 한 실시 예 에서 , 하나 의 생성기 가 각각 의 주파수 를 위해 제공 된다 . 다른 실시 예 들 에서 , 생성기 들 은 별도 의 RF 소스 들 내 에 있 을 수 도 있 고 , 또는 별도 의 RF 생 성기 들 이 상이 한 전극 들 에 연결 될 수 도 있 다 . 예 를 들 어 , 상부 전극 은 상이 한 RF 소스 들 에 연결 된 내부 및 외부 전극 들 을 가질 수 도 있 다 . 제어기 ( 535 ) 는 RF 소스 ( 530 ) , ESC 소스 ( 548 ) , 배기 펌프 ( 520 ) , 및 에칭 가스 소스 ( 510 ) 에 제어 가능 하 게 연결 된다 . 이러 한 플 라즈 마 프로세싱 챔버 의 예 는 캘리포니아 ( CA ) , 프리몬트 의 램 리서치 코퍼레이션 ( Lam Research Corporation ) 에 의해 제조 된 Exelan FlexTM 에칭 시스템 이 다 . 프로세스 챔버 는 CCP ( capacitive coupled plasma ) 반응기 또는 ICP ( inductive coupled plasma ) 반응기 일 수 있 다 .