한편 , 산화 실리콘 층 ( 140 ) 을 에칭 하 여 텅스텐 층 ( 130 ) 이 노출 된 직후 부터 텅스텐 층 ( 130 ) 상 에 보호막 이 형성 될 때 까지 , 텅스텐 층 ( 130 ) 은 희가스 이온 에 의해 스퍼터링 된다 . 그러나 , 보호막 이 형성 될 때 까지 는 순간 적 이 면서 또 한 과도 적 으로 증가 하 므로 , 그 동안 텅스텐 층 ( 130 ) 의 스퍼터링 일 드 를 정확 하 게 계측 하 는 것 은 용이 하 지 가 않 다 . 이 에 , 도 9 의 선 E 및 선 F 의 y 절편 이 , 스퍼터링 에 의한 텅스텐 층 ( 130 ) 의 손 실량 으로서 , 스퍼터링 일 드 에 비례 하 는 것 으로 생각 한다 .