상기 제 1 안테나 구 조체 ( 601 ) 로부터 방사 된 신호 가 제 1 방향 ( + 711 ) 으로 진행 되 는 동안 , 상기 신호 는 제 1 지지 부재 ( 608 ) 및 제 2 비 도전 성 구조물 ( 612 ) 에 영향 을 받 아 도시 된 바 와 같 은 형상 의 신호 방사 특성 을 나타낼 수 있 다 . 앞서 도 7 에서 설명 한 제 1 비 도전 성 구조물 ( 611 ) 및 제 1 지지 부재 ( 608 ) 에 영향 을 받 은 신호 방사 특성 보다 골 ( 800 a , 800 b ) 영역 이 보다 완만 하 게 형성 될 수 있 다 . 한 실시 예 에 따르 면 , 도시 된 바 와 같 은 빈 공간 ( 830 ) 을 가지 는 전자 장치 는 도 7 에 개시 한 빈 공간 ( 730 ) 을 가지 는 전자 장치 에 대비 하 여 골 영역 의 크기 를 줄이 고 ( 또는 Null 영역 을 해소 하 고 ) 제 1 방향 ( + 711 ) 으로 제 1 안테나 구 조체 ( 601 ) 의 주요 파장 ( 또는 방사 패턴 ) 이 집중 되 도록 지원 할 수 있 다 . 일 실시 예 에 따르 면 , 빈 공간 ( 830 ) 을 가지 는 전자 장치 는 제 1 안테나 구 조체 ( 601 ) 의 신호 방사 방향 ( 세로 방향 의 제 1 안테나 구 조체 ( 601 ) 의 각 지점 에서 제 1 방향 ( + 711 ) 으로 수평 하 게 조사 된 광 ) 에 대하 여 서로 다른 두께 를 가지 는 비 도전 성 구조물 ( 612 ) 을 이용 하 여 안테나 신호 의 주 방사 패턴 방향 을 조절 할 수 있 다 .