도 10 a 및 도 10 b 를 참조 하 면 , 제 3 절연 층 ( 135 ) 상 에 마스크 패턴 ( MP ) 을 형성 한다 . 예 를 들 어 , 제 3 절연 층 ( 135 ) 상 에 감광성 물질 막 을 도포 하 고 , 상기 감광성 물질 막 에 대한 노광 공정 및 현상 공정 을 수행 하 여 상기 감광성 물질 막 을 패 터닝 할 수 있 다 . 상기 감광성 물질 막 에 대한 패 터닝 결과 , 마스크 오프닝 ( MOP ) 을 포함 하 는 마스크 패턴 ( MP ) 을 형성 할 수 있 다 . 상기 마스크 패턴 ( MP ) 의 마스크 오프닝 ( MOP ) 은 후속 공정 을 통해 형성 되 는 외부 범프 패드 ( 도 11 a 의 150 ) 가 형성 될 영역 을 정의 할 수 있 다 .