또한 , 이미지 센서 는 각각 의 픽셀 에 대하 여 , 신호 노드 와 , 접지 와 같 은 제 1 기준 전압 에서 유지 되 는 노드 와 의 사이 에 배열 된 포토다이오드 를 더 포함 할 수 있 다 . 각각 의 픽셀 은 포토다이오드 에 의해 생성 된 광전류 로 인한 전하 를 축적 하 도록 구성 된 저장 커패시터 , 및 포토다이오드 와 제 2 기준 전압 사이 에 결합 되 고 , 행 제어기 에 의해 출력 된 재 설정 신호 에 따라 신호 노드 상 의 전압 을 제 2 기준 전압 으로 설정 하 도록 구성 되 는 재 설정 트랜지스터 를 더 포함 할 수 있 다 . 일부 실시 예 들 에서 , 저장 커패시터 는 포토다이오드 의 내부 커패시턴스 에 의해 전적 으로 형성 되 는 반면 , 다른 실시 예 들 에서 는 , 추가 적 인 커패시터 가 포토다이오드 와 병렬 로 배열 된다 . 이러 한 추가 적 인 커패시터 는 포토다이오드 의 내부 커패시턴스 가 희망 된 풀 웰 용량 ( full well capacity ) 을 달성 하 기 에 너무 작 을 경우 에 유리 할 수 있 다 .