본 발명 의 일 측면 에 따라 , 기판 의 상면 에 GaN 계 의 제 1 에 피부 ( first epitaxial section ) 를 층상 으로 형성 하 고 , 상기 제 1 에 피부 의 상면 에 복수 의 오 목부 들 을 형성 하 고 , 상기 오목 부들 내 에서 적어도 부분 적 으로 이루어지 는 횡 방향 성장 을 통해 , 상기 오목 부들 내 에 GaN 계 의 제 2 에 피부 를 형성 하 고 , 서로 인접 하 고 있 는 상기 제 1 에 피부 와 상기 제 2 에 피부 의 상면 에 GaN 계 의 제 3 에 피부 를 층상 으로 형성 하 는 방법 이 제공 된다 .