하부 전극 ( 114 ) 의 윗면 내 에 있 는 제 1 리세 스 ( 115 ) 는 평탄 화 공정 ( 예 를 들 어 , CMP 공정 ) 을 사용 하 지 않 고서 하부 전극 ( 114 ) 이 형성 되 었 다는 것 을 나타낸다 . 평탄 화 공정 을 사용 하 지 않 고서 하부 전극 ( 114 ) 을 형성 함 으로써 , 하부 전극 ( 114 ) 은 CMP 공정 을 사용 하 여 하부 전극 을 형성 하 는 공정 들 에 비해 저렴 한 비용 으로 형성 될 수 있 다 . 또한 , CMP 공정 을 사용 하 여 하부 전극 을 형성 하 는 공정 들 에 비해 위 에 있 는 층 들 의 포토 리소그래피 공정 윈도우 가 또한 개선 될 수 있 다 .