상기 반도체 층 ( 300 ) 은 비정질 실리콘 과 같 은 실리콘 계 반도체 물질 을 플 라즈 마 CVD 법 등 을 이용 하 여 형성 하 며 , 상기 후면 반사 층 ( 400 ) 상 에 N 형 반도체 층 을 형성 하 고 , 그 후 상기 N 형 반도체 층 상 에 I 형 반도체 층 을 형성 하 고 , 그 후 상기 I 형 반도체 층 상 에 P 형 반도체 층 을 형성 함 으로써 PIN 구조 로 형성 할 수 있 다 .