또한 , 본 발명 에 따른 반도체 소자 의 금속 배선 에서 , 상기 제 2 금속 과 접하 는 결과물 의 계면 에 형성 된 확산 방지 막 을 더 포함 하 는 것 이 바람직 하 며 , 상기 확산 방지 막 은 , Ta 과 TaN 로 이루어진 단일 막 또는 Ta 과 TaN 이 순차 적층 되 어 있 는 이 중막 이 며 , 100 Å 내지 500 Å 범위 의 두께 로 형성 된 것 이 바람직 하 다 .