예 를 들 어 , 분자 빔 성 장법 ( MBE , Molecular Beam Epitaxy ) 을 이용 하 여 절연성 GaAs ( gallium arsenide ) 를 약 80 초 동안 성장 시키 는 방법 으로 P 형 기판 상 에 약 13 nm 두께 의 절연성 GaAs 박막 을 형성 시킬 수 있 다 . 이 와 같이 성장 ( 형성 ) 된 제 1 절연성 반도체 박막 ( 120 - 1 ) 은 본 발명 의 플래시 기억 소자 에 있 어서 터널 절 연막 으로서 의 기능 을 수행 할 수 있 다 .