이어서 , 리 세스 ( 21 ) 를 포함 하 는 반도체 기판 ( 20 ) 상 에 유전 막 ( 22 ) 을 형성 한다 . 여기 서 , 유전 막 ( 22 ) 은 리세 스 ( 21 ) 가 형성 된 반도체 기판 ( 10 ) 의 표면 프로 파일 을 따라 형성 되 며 , 유전 막 ( 22 ) 의 형성 은 리 세스 게이트 공정 에서 의 게이트 절 연막 형성 공정 과 동시 에 수행 되 는 것 이 바람직 하 다 .