실험 2 의 결과 로부터 , 박리 층 을 계면 으로 하 여 단결정 SiC 잉곳 으로부터 웨이퍼 를 박리 하 기 위한 초음파 의 주파수 는 단결정 SiC 잉곳 의 고유 진동수 ( 본 실험 에서 사용 한 단결정 SiC 잉곳 에 있 어서 는 25 ㎑) 에 의존 하 고 , 단결정 SiC 잉곳 의 고유 진동수 와 근사 하 는 20 ㎑ ( 단결정 SiC 잉곳 의 고유 진동수 의 0 . 8 배 의 주파수 ) 인 것 을 확인 할 수 있 었 다 . 또 , 단결정 SiC 잉곳 의 고유 진동수 의 근방 의 20 ∼ 30 ㎑ ( 단결정 SiC 잉곳 의 고유 진동수 의 0 . 8 ∼ 1 . 5 배 의 주파수 ) 에서 , 박리 층 을 계면 으로 하 여 단결정 SiC 잉곳 으로부터 웨이퍼 가 효과 적 으로 ( 비교 적 짧 은 시간 에 ) 박리 되 는 것 을 확인 할 수 있 었 다 . 또 , 실험 3 의 결과 로부터 , 단결정 SiC 잉곳 의 고유 진동수 의 근방 의 20 ∼ 30 ㎑ 를 초과 하 는 주파수 여도 , 초음파 의 출력 을 높이 는 것 에 의해 , 박리 층 을 계면 으로 하 여 단결정 SiC 잉곳 으로부터 웨이퍼 가 효과 적 으로 박리 되 는 것 을 확인 할 수 있 었 다 . 또한 , 실험 4 의 결과 로부터 , 박리 장치 의 액 조 에 수용 하 는 액체 가 물 인 경우 에 , 물 의 온도 가 25 ℃ 를 초과 하 면 초음파 의 에너지 가 캐비테이션 으로 변환 되 어 버리 기 때문 에 , 박리 층 을 계면 으로 하 여 단결정 SiC 잉곳 으로부터 웨이퍼 를 효과 적 으로 박리 할 수 없 는 것 을 확인 할 수 있 었 다 .