그리고 도 3 e 에 도시 된 바 와 같이 각 모스 트랜지스터 ( 13 , 14 ) 의 전극 연결 을 위해 금속 막 과 각 모스 트랜지스터 ( 13 , 14 ) 의 폴리 실리콘 ( 또는 소스 / 드레 인 영역 ) 이 연결 될 부위 를 정의 하 기 위하 여 포토 리소그래피 ( photo lithography ) 공정 에 의해 PMD 절 연막 ( 25 ) 을 식각 하 여 콘택트 홀 ( 17 ) 을 형성 한다 .