도 3 a 내지 도 3 c 를 참조 하 면 , 반도체 채널 부 ( 110 ) , 소스 전극 ( 18 ) , 및 드레 인 전극 ( 19 ) 은 동일 한 포토레지스트 패턴 ( 27 ) 에 의해 형성 된다 . 즉 , 하나 의 포토레지스트 패턴 ( 27 ) 을 마스크 로 반도체 채널 부 ( 110 ) , 소스 전극 ( 18 ) , 및 드레 인 전극 ( 19 ) 을 형성 한다 .