이때 상기 에 설명 한 포 토리 지스 트 의 부분 에 싱 ( partial ashing ) 은 , 소스 전극 ( 208 ) , 드레 인 전극 ( 209 ) 및 공통 전극 ( 207 ) 위 에 도포 된 포 토리 지스 트 는 부분 에 싱 ( partial ashing ) 단계 이후 에 소정 의 두께 를 유지 하 며 남 아 있 고 , 활성 층 ( 203 ) 의 채널 을 형성 하 는 영역 위 에 도포 된 포 토리 지스 트 는 부분 에 싱 ( partial ashing ) 단계 이후 에 완전히 제거 되 어야 한다 .