상기 카드뮴 ( Cd ) 을 포함 하 지 않 는 II 족 원소 및 III 족 원소 중 에서 선택 되 는 1 종 이상 을 포함 하 는 양이온 전구체 로 는 아연 아세테이트 ( zinc acetate ) , 디 메틸 아연 ( dimethylzinc ) , 디 에틸 아연 ( diethyl zinc ) , 아연 카르복실 레이트 ( zinc carboxylate ) , 아연 아세틸 아 세토 네이트 ( zinc acetylacetonate ) , 아연 아이 오다 이드 ( zinc iodide ) , 아연 브로마이드 ( zinc bromide ) , 아연 클로라이드 ( zinc chloride ) , 아연 플 루오 라이드 ( zinc fluoride ) , 아연 카보 네이트 ( zinc carbonate ) , 아연 시아나이드 ( zinc cyanide ) , 아연 나이트 레이트 ( zinc nitrate ) , 아연 옥사이드 ( zinc oxide ) , 아연 퍼 옥사이드 ( zinc peroxide ) , 아연 퍼 클로 레이트 ( zinc perchlorate ) , 아연 설 페이트 ( zinc sulfate ) , 아연 올 레이트 ( zinc oleate ) , 수은 아이 오다 이드 ( mercury iodide ) , 수은 브로마이드 ( mercury bromide ) , 수은 플 루오 라이드 ( mercury fluoride ) , 수은 시아나이드 ( mercury cyanide ) , 수은 나이트 레이트 ( mercury nitrate ) , 수은 퍼 클로 레이트 ( mercury perchlorate ) , 수은 설 페이트 ( mercury sulfate ) , 수은 옥사이드 ( mercury oxide ) , 수은 카보 네이트 ( mercury carbonate ) , 수은 카르복실 레이트 ( mercury carboxylate ) , 알루미늄 포스 페이트 ( aluminum phosphate ) , 알루미늄 아세틸 아 세토 네이트 ( aluminum acetylacetonate ) , 알루미늄 클로라이드 ( aluminum chloride ) , 알루미늄 플 루오 라이드 ( aluminum fluoride ) , 알루미늄 옥사이드 ( aluminum oxide ) , 알루미늄 나이트 레이트 ( aluminum nitrate ) , 알루미늄 설 페이트 ( aluminum sulfate ) , 갈륨 아세틸 아 세토 네이트 ( gallium acetylacetonate ) , 갈륨 클로라이드 ( gallium chloride ) , 갈륨 플 루오 라이드 ( gallium fluoride ) , 갈륨 옥사이드 ( gallium oxide ) , 갈륨 나이트 레이트 ( gallium nitrate ) , 갈륨 설 페이트 ( gallium sulfate ) , 인듐 클로라이드 ( indium chloride ) , 인듐 옥사이드 ( indium oxide ) , 인듐 나이트 레이트 ( indium nitrate ) , 인듐 설 페이트 ( indium sulfate ) , 인듐 아세테이트 ( indium acetate ) , 인듐 카르복실 레이트 ( indium carboxylate ) 및 상기 전구체 들 을 기반 으로 한 전구체 화합물 들 로 이루어진 군 에서 선택 되 는 1 종 이상 이 사용 될 수 있 다 .