본 발명 의 전계 효과 형 트랜지스터 는 반도체 층 을 차광 하 는 구조 를 가지 는 것 이 바람직 하 다 . 반도체 층 을 차광 하 는 구조 ( 예컨대 , 차 광층 ) 를 가지 고 있 지 않 으면 , 광이 반도체 층 에 입사 된 경우 에 캐리어 전자 가 여기 되 어 오프 전류 가 높 아 질 우려 가 있 다 . 차 광층 은 300 내지 800 nm 에서 흡수 를 가지 는 박막 이 바람직 하 다 . 차 광층 은 반도체 층 의 상부 , 하부 어느 쪽 이 어도 상관없 지만 , 상부 및 하부 양쪽 에 있 는 것 이 바람직 하 다 . 또한 , 차 광층 은 게이트 절 연막 이나 블랙 매트릭스 등 과 겸용 되 어 있 어도 상관없 다 . 차 광층 이 한쪽 에 만 있 는 경우 , 차 광층 이 없 는 쪽 으로부터 광이 반도체 층 에 조사 되 지 않 도록 구조 상 고안 할 필요 가 있 다 .