상기 목적 을 달성 하 기 위하 여 , 본 발명 에 따른 반도체 소자 제조 방법 은 nMOS 형성 영역 과 pMOS 형성 영역 을 갖 는 실리콘 기판 의 적소 에 STI 산화 막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 STI 산화 막 을 포함 한 실리콘 기판 상 에 게이트 절 연막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 STI 산화 막 을 포함 한 실리콘 기판 상 에 형성 된 포토 레지스 트 를 도포 하 여 식각 마스크 로 이용 할 포토 레지스 트 패턴 을 형성 하 는 단계 ; 상기 실리콘 기판 의 nMOS 형성 영역 과 pMOS 형성 영역 에 대응 하 는 각 소스 드레 인 을 형성 할 수 있 도록 N 형 불순물 과 P 형 불순물 을 선택 적 으로 이온 주입 하 는 단계 ; 를 포함 하 며 , N 형 불순물 과 P 형 불순물 의 이온 주입 은 도우즈 를 0 . 5 mKeV 이하 의 이온 주입 에너지 로 이루어지 는 것 을 특징 으로 한다 .