실시 예 들 에 따르 면 , 수직 절연 패턴 ( VP ) 은 기판 ( 10 ) 의 상면 에 대해 수직 하 는 제 3 방향 ( D 3 ) 으로 연장 될 수 있 다 . 즉 , 수직 절연 패턴 ( VP ) 은 , 도 5 에 도시 된 바 와 같이 , 셀 전극 들 ( CE ) 과 수직 구 조체 들 ( VS 1 - VS 8 ) 사이 에서 하부 및 상부 선택 전극 들 ( LSE , USE ) 과 수직 구 조체 들 ( VS 1 - VS 8 ) 사이 로 수직 적 으로 연장 될 수 있 다 . 즉 , 전하 저 장막 ( CIL ) 을 포함 하 는 데이터 저 장막 이 도 1 을 참조 하 여 설명 된 제 1 및 제 2 스트링 선택 트랜지스터 들 ( SST 1 , SST 2 ) 의 게이트 절 연막 으로 사용 될 수 있 다 .