패 시베이 션 층 ( 44 ) 은 상기 에 설명 되 었 듯 구조 적 지지 와 물리 적 및 전기 적 독립 을 위한 구조 상 에 형성 된다 . 패 시베이 션 층 ( 44 ) 은 실리콘 에 천트 ( etchant ) 에 높 은 선택도 ( selectivity ) 를 가지 고 있 어 그것 은 에칭 스탑 층 ( etching stop layer ) 으로 이용 될 수 있 다 . 패 시베이 션 층 ( 44 ) 은 실리콘 질화물 ( SixNy ) , 실리콘 질화규소 ( Si 3 N 4 ) , 실리콘 질화물 ( SiN ) , 실리콘 다 이 옥사이드 ( SiO 2 ) , 실리콘 산화 질화물 ( SiON ) , 폴리 이미드 ( PI ) , 벤조 싸이클 로 부틴 ( BCB ) , 납산 화물 ( PBO ) 또는 다른 절 연 재료 의 하나 또는 그 이상 의 층 으로 제조 될 수 있 다 . 패 시베이 션 층 ( 44 ) 의 일부 는 전도 층 ( 40 ) 과 전도 층 ( 42 ) 를 노출 하 도록 마스크 - 디 파인 드 ( mask - defined ) 에칭 을 이용 해 제거 된다 .