도 2 a 및 도 2 b 에 도시 하 는 반도체 장치 에 있 어서 , 데이터 의 기록 , 유지 , 및 판독 은 , 도 1 aa , 도 1 ab , 및 도 1 b 의 경우 와 마찬가지 이 고 , 상기 기재 를 참작 ( 參 酌 ) 할 수 있 다 . 또한 , 예 를 들 어 , 노드 FG 에 전원 전위 VDD 또는 접지 전위 GND 의 어느 쪽 을 공급 하 는 경우 이 며 , " 노드 FG 에 전원 전위 VDD 를 공급 한 경우 에 유지 되 는 데이터 를 데이터 "" 1 """," 노드 FG 에 접 지 전위 GND 를 공급 한 경우 에 유지 되 는 데이터 를 데이터 "" 0 "" 으로 하 는 경우 에 있 어서 구체 적 인 기록 동작 은 이하 와 같 다 . 먼저 ", 메모리 셀 ( 170 ) 에 접속 되 는 기록 및 판독 워드 선 C 의 전위 를 GND 로 하 고 , 기록 워드 선 OSG 를 VDD 로 하 여 메모리 셀 ( 170 ) 을 선택 한다 . 이 로써 , 비트 선 BL 의 전위 가 선택 된 메모리 셀 ( 170 ) 의 노드 FG 에 공급 된다 .