이때 , 상술 한 바 와 같 은 제 2 도전 층 ( 206 ) 을 형성 하 는 과정 에서 , 도 2 에 도시 한 바 와 같이 칩 내 에 사용 되 는 일반 배선 영역 과 리페 어용 퓨즈 를 구비 한 퓨즈 영역 이 듀얼 다 마신 공정 에 의해 동시 에 형성 되 며 , 배선 영역 에서 의 제 2 도전 층 ( 206 ) 과 퓨즈 영역 에서 의 제 2 도전 층 ( 206 ) 은 동일 하 게 구리 ( Cu ) 재료 로 형성 됨 을 특징 으로 한다 .