도 6 c 를 참조 하 면 , 도 4 에 도시 된 ST 7 단계 는 도 6 b 에 도시 된 제 3 개 구부 ( 157 A ) 를 통해 노출 된 채널 막 의 일부 를 식각 하 는 단계 를 포함 할 수 있 다 . 이 때 , 제 1 메모리 패턴 ( 123 P 1 ) 및 제 2 메모리 패턴 ( 123 P 2 ) 각각 의 일부 가 식각 되 어 제 3 개 구부 가 확장 될 수 있 다 . 확장 된 제 3 개 구부 ( 157 B ) 는 채널 막 의 일부 가 식각 되 어 정의 된 제 1 홈 ( 159 A 1 ) 및 제 2 홈 ( 159 A 2 ) 에 연결 될 수 있 다 .