기판 ( 600 ) 위 에 는 , TFT ( 628 ) 와 거기 에 접속 하 는 화소 전극 ( 624 ) , 및 보유 용 량부 ( 630 ) 가 형성 된다 . 화소 전극 ( 624 ) 은 , TFT ( 628 ) , 배선 , 및 보유 용량 부 ( 630 ) 를 덮 는 절 연막 ( 620 ) , 절 연막 을 덮 는 제 3 절 연막 ( 622 ) 을 각각 관통 하 는 콘택트 홀 ( 623 ) 과 , 배선 ( 618 ) 에 접속 한다 . 또한 , 다 계조 마스크 를 사용 하 여 , 배선 ( 618 ) 과 TFT ( 628 ) 의 소스 전극 또는 드레 인 전극 을 선택 적 으로 에칭 하 고 , 배선 ( 618 ) 의 측면 각도 는 TFT ( 628 ) 의 소스 전극 또는 드레 인 전극 의 측면 각도 보다 크 게 하 여 개구율 향상 에 기여 하 고 있 다 . TFT ( 628 ) 는 실시 형태 6 에서 설명 하 는 박막 트랜지스터 를 적절히 사용 할 수 있 다 . 또한 , 보유 용량 부 ( 630 ) 는 , 실시 형태 2 에 따라 TFT ( 628 ) 의 게이트 배선 ( 602 ) 과 같 은 다 계조 마스크 로 형성 한 제 1 용량 배선 ( 604 ) 과 , 게이트 절 연막 ( 606 ) 과 , 배선 ( 616 , 618 ) 과 마찬가지 로 형성 한 제 2 용량 배선 ( 617 ) 으로 구성 된다 . 또한 , 제 1 용량 배선 ( 604 ) 의 측면 각도 는 , TFT ( 628 ) 의 배선 ( 616 , 618 ) 의 측면 각도 보다 크 게 하 여 개구율 향상 에 기여 하 고 있 다 .