앞 에서 설명 한 바 와 같이 , 본 발명 에 따른 반도체 소자 의 금속 배선 형성 방법 에 의하 면 , 디 개 싱 , 냉각 처리 및 저 온 배리 어막 증착 공정 을 통해 , 상기 배리 어막 의 증착 시 , 비 아홀 에서 의 아웃 개 싱 을 방지 하 여 , 배리 어막 의 커버리지 특성 을 향상 시킬 수 있 다 . 또한 , 상기 저온 배리 어막 증착 공정 시 , Ar 을 이용 한 스퍼터 에치 공정 을 수행 함 으로써 , 비 아홀 내 에서 의 배리 어막 의 커버리지 특성 을 더욱 향상 시킬 수 있 다 .