일반 적 으로 , 실드 판 에 둘러싸이 지 않 는 단자 부분 은 임피던스 가 구조 상 크 게 되 지만 , 이 미스 매칭 부분 을 GND 면 에 가까이 함 으로써 임피던스 를 작 게 할 수 있 다 . 따라서 , 도 16 에서 분명 한 것 처럼 , GND 로부터 의 거리 가 멀 면 단자 ( P 2 ) 의 임피던스 가 크 게 되 고 , 그 에 연결 되 는 고정 접점 ( 16 ) 과 가동 접점 ( 14 ) 의 경계 에서 큰 반사 가 생기 는 데 대해 , GND 로부터 의 거리 가 가까우 면 도 15 에서 나타내 듯이 , 반사 가 작 고 , 임피던스 의 큰 차이 도 없 어 진다 . 이렇게 하 고 , 어댑터 기판 ( 152 ) 의 릴레이 ( 1 ) 측 의 면 에 가능 한 한 GND 패턴 ( L 4 , L 5 ) 을 형성 함 으로써 , VSWR , 인서션 로스 , 아이 솔 레 이 션 , 임피던스 매칭 등 의 고주파 특성 을 향상 시킬 수 있 고 , 고주파 릴레이 에 상당히 적합 하 다 .