여기 서 , 제 2 콘 택 구조물 ( CB ) 은 제 1 콘 택 구조물 ( CA ) 에 비하 여 비저항 이 더 높 은 물질 을 포함 할 수 있 다 . 예컨대 , 제 1 콘 택 구조물 ( CA ) 이 W 을 포함 하 는 경우 , 제 2 콘 택 구조물 ( CB ) 의 적어도 일부 는 W 보다 비저항 이 높 은 TiN 및 / 또는 TiAlN 을 포함 할 수 있 다 . 또한 , 제 1 및 제 2 콘 택 구조물 ( CA , CB ) 이 각각 복수 의 도전 패턴 의 적층 구조 를 포함 하 는 경우 , 제 2 콘 택 구조물 ( CB ) 중 적어도 하나 의 도전 패턴 은 제 1 콘 택 구조물 ( CA ) 중 상기 적어도 하나 의 도전 패턴 과 대응 하 는 도전 패턴 에 비하 여 비저항 이 더 높 은 물질 을 포함 할 수 있 다 . 예컨대 , 제 2 콘 택 구조물 ( CB ) 중 최 상부 의 제 2 콘 택 플러그 ( 780 B ) 는 제 1 콘 택 구조물 ( CA ) 중 최 상부 의 제 1 콘 택 플러그 ( 780 A ) 보다 비저항 이 더 높 은 물질 을 포함 할 수 있 다 . 이때 , 최 상부 의 제 2 콘 택 플러그 ( 780 B ) 를 제외 한 제 2 콘 택 구조물 ( CB ) 의 나머지 ( 740 B , 750 B , 760 B , 770 B ) 는 최 상부 의 제 1 콘 택 플러그 ( 780 A ) 를 제외 한 제 1 콘 택 구조물 ( CA ) 의 나머지 ( 740 A , 750 A , 760 A , 770 A ) 와 동일 한 비저항 을 갖 거나 , 또는 , 제 2 콘 택 구조물 ( CB ) 의 나머지 ( 740 B , 750 B , 760 B , 770 B ) 중 적어도 하나 는 제 1 콘 택 구조물 ( CA ) 의 나머지 ( 740 A , 750 A , 760 A , 770 A ) 중 대응 하 는 하나 보다 더 높 은 비저항 을 가질 수 있 다 . 결과 적 으로 , 제 2 콘 택 구조물 ( CB ) 의 저항 이 증가 하 므로 , 도 2 b 의 제 1 저항 성분 ( R 1 ) 및 / 또는 제 2 저항 성분 ( R 2 ) 형성 이 가능 하 다 .