도 2 a 및 도 2 b 에 나타낸 바 와 같이 , 고체 촬상 장치 ( 1 ) 는 , 기판 ( 실리콘 기판 ) ( 100 ) 의 제 1 기판 면 ( 101 ) 측 ( 배면 측 ) 으로부터 광 을 입사 시켜 , 제 2 기판 면 ( 102 ) 측 ( 앞면 측 ) 에 MOS 형 트랜지스터 가 형성 되 는 소자 영역 부 EAP 를 형성 한 이면 ( 배면 ) 조사 형 디바이스 로서 형성 되 어 있 다 .