전력 애플리케이션 을 위한 일반 적 인 트랜지스터 장치 는 Si CoolMOS , Si 전력 MOSFET 및 Si 절연 게이트 바이 폴라 트랜지스터 ( IGBT : Insulated Gate Bipolar Transistors ) 를 포함 한다 . 트랜지스터 장치 와 같 은 반도체 장치 가 일반 적 으로 패키지 로 제공 된다 . 패키지 는 전자 부품 을 인쇄 회로 보드 와 같 은 재 분배 보드 상 에 장착 하 는 데 사용 되 는 외부 접촉 부 를 제공 하 는 기판 또는 리드 프레임 을 포함 할 수 있 다 . 패키지 는 또한 , 트랜지스터 장치 로부터 기판 또는 리드 프레임 으로 의 내부 전기 연결부 와 , 반도체 장치 및 내부 전기 연결부 를 덮 는 플라스틱 몰딩 화합물 을 포함 한다 .