도 8 을 참고 하 면 , 질화 갈륨 기판 이 3 . 4 내지 3 . 5 eV 에서 극 적 으로 높 은 발광 세기 를 보여 주 고 있 음 을 확인 할 수 있 다 . 특히 , 질화 갈륨 기판 의 두께 가 두 꺼 울 수록 최대 발광 세기 가 더 높 음 을 알 수 있 다 . 그런데 , 도 8 의 그래프 의 좌측 을 보 면 낮 은 광자 에너지 방출 위치 인 약 2 . 0 내지 2 . 4 eV 에서 도 발광 세기 가 약간 높 게 측정 되 는 것 을 확인 할 수 있 다 . 이러 한 물 성 은 원료 인 질화 갈륨 에 존재 하 는 불순물 로 인하 여 발광 세기 가 높 게 나오 는 것 으로서 , 이 와 같이 약 2 . 0 내지 2 . 4 eV 에서 발광 세기 가 높 게 나오 는 것 은 피 측 정체 인 질화 갈륨 의 비 정상 성 을 나타내 는 지표 가 된다 . 따라서 , 광자 에너지 방출 위치 가 2 . 0 내지 2 . 4 eV 인 구간 에서 는 발광 세기 가 낮 게 나오 는 것 이 유리 한 지표 가 된다 .