도 3 j 에 도시 된 바 와 같이 , 포토레지스트 패턴 ( 40 ) 을 제거 한 후 , 텅스텐 게이트 전극 ( 38 ´) 및 질화 막 게이트 하드 마스크 ( 39 ´) 의 상부 면 및 측면 을 덮 는 캡 핑 ( capping ) 질화 막 ( 41 ) 을 형성 한다 . 이 는 후속 공정 으로 게이트 재산 화 공정 을 수행 하 는 경우 , 텅스텐 의 과도 산화 로 텅스텐 게이트 전극 ( 38 ´) 의 측벽 이 산화 로 손실 되 어 그 폭 이 감소 하 는 것 을 방지 하 기 위함 이 다 . 텅스텐 게이트 전극 ( 38 ´) 의 폭 감소 는 저항 을 증가 시키 는 등 소자 의 특성 을 저하 시키 는 문제점 이 있 다 .