도 4 를 참조 하 면 , 하드 마스크 막 ( 306 ) 을 패 터닝 하 여 트렌치 가 형성 될 영역 을 정의 하 는 하드 마스크 막 패턴 ( 308 ) 을 형성 한다 . 계속 해서 하드 마스크 막 패턴 ( 308 ) 을 식각 마스크 로 제 1 도 전막 ( 304 ) 및 터널 링 막 ( 302 ) 을 식각 하 여 제 1 도 전막 패턴 ( 310 ) 및 터널 링 막 패턴 ( 312 ) 을 형성 한다 . 다음 에 상기 막 들 을 식각 마스크 로 반도체 기판 ( 300 ) 내 에 소정 깊이 를 갖 는 트렌치 ( 314 ) 를 형성 한다 . 여기 서 트렌치 ( 314 ) 는 자 기 정렬 ( self align ) 방법 을 이용 하 여 형성 할 수 있 다 .