상기 제 1 개 구부 저면 에 노출 되 어 있 는 상기 기판 ( 200 ) 에 터널 산화 막 ( 204 ) 을 형성 한다 . 상기 터널 산화 막 ( 204 ) 상 에 는 상기 제 1 개 구부 의 내부 를 매립 하 는 제 1 도 전막 ( 도시 안 됨 ) 을 형성 한다 . 상기 제 1 도전 막 은 후속 공정 을 통해 플로팅 게이트 패턴 으로 사용 된다 . 그러므로 , 상기 제 1 도전 막 은 불순물 이 도핑 된 폴리 실리콘 을 화학 기상 증착 법 으로 증착 시켜 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 .