전극 부분 ( 5 c ) 에 포함 된 제 2 전극 층 ( E 2 ) 은 제 1 전극 층 ( E 1 ) 상 에 그리고 측면 ( 3 c ) 상 에 배치 된다 . 전극 부분 ( 5 c ) 에서 , 제 2 전극 층 ( E 2 ) 은 제 1 전극 층 ( E 1 ) 의 한 부분 을 커버 한다 . 전극 부분 ( 5 c ) 에서 , 제 2 전극 층 ( E 2 ) 은 측면 ( 3 c ) 의 한 부분 및 제 1 전극 층 ( E 1 ) 의 한 부분 과 접촉 한다 . 전극 부분 ( 5 c ) 에 포함 된 제 2 전극 층 ( E 2 ) 은 측면 ( 3 c ) 상 에 위치 된 부분 ( E 22 ) 을 포함 한다 . 전극 부분 ( 5 c ) 에 포함 되 는 제 2 전극 층 ( E 2 ) 은 리지 부분 ( 3 i ) 의 한 부분 과 측면 ( 3 c ) 의 한 부분 을 커버 하 도록 형성 된다 . 리지 부분 ( 3 i ) 의 한 부분 은 , 예 를 들 어 , 리지 부분 ( 3 i ) 에서 , 주 표면 ( 3 a ) 에 가까운 부분 영역 이 다 . 즉 , 리지 부분 ( 3 i ) 의 한 부분 은 주 표면 ( 3 a ) 에 가깝 다 . 측면 ( 3 c ) 의 한 부분 은 , 예 를 들 어 , 측면 ( 3 c ) 에서 , 주 표면 ( 3 a ) 및 단부 표면 ( 3 e ) 에 가까운 코너 영역 이 다 . 즉 , 측면 ( 3 c ) 의 한 부분 은 주 표면 ( 3 a ) 및 단부 표면 ( 3 e ) 에 가깝 다 . 전극 부분 ( 5 c ) 에 포함 된 제 2 전극 층 ( E 2 ) 은 제 1 전극 층 ( E 1 ) 이 제 2 전극 층 ( E 2 ) 과 요소 바디 ( 3 ) 사이 에 위치 되 는 방식 으로 리지 부분 ( 3 i ) 의 한 부분 을 간접 적 으로 커버 한다 . 전극 부분 ( 5 c ) 에 포함 된 제 2 전극 층 ( E 2 ) 은 리지 부분 ( 3 i ) 의 한 부분 을 간접 적 으로 커버 한다 . 전극 부분 ( 5 c ) 에 포함 된 제 2 전극 층 ( E 2 ) 은 측면 ( 3 c ) 의 한 부분 을 직접 커버 한다 . 전극 부분 ( 5 c ) 에 포함 된 제 2 전극 층 ( E 2 ) 은 리지 부분 ( 3 i ) 상 에 형성 된 제 1 전극 층 ( E 1 ) 의 부분 의 일부 를 직접 커버 한다 . 전극 부분 ( 5 c ) 에 포함 된 제 1 전극 층 ( E 1 ) 이 측면 ( 3 c ) 상 에 배치 되 는 경우 , 제 2 전극 층 ( E 2 ) 의 부분 ( E 22 ) 은 측면 ( 3 c ) 과 접촉 하 는 부분 및 제 1 전극 층 ( E 1 ) 과 접촉 하 는 부분 을 포함 한다 .