반도체 소자 가 고집 적 화 가 높 아 지 면서 디자인 룰 ( Design rule ) 이 점점 작 아 짐 에 따라 , 도전 막 패턴 들 간 의 간격 도 점점 좁 아 지 고 있 다 . 이 와 같이 도전 막 패 턴 들 간 의 간격 이 좁 아 지 면서 하부 도전 막 패턴 과 상부 전극 사이 또는 도전 막 패턴 들 사이 를 절연 시키 는 방법 이 중요 한 이슈 로 대두 되 고 있 다 . 이 가운데 유동 성 물질 을 층간 절 연막 으로 이용 하 여 도전 막 패턴 을 절연 시키 는 방법 이 있 다 .