반도체 소자 가 고집 적 화 되 면서 디자인 룰 ( Design rule ) 이 점점 작아지 고 있 다 . 특히 , 소자 분리 공정 ( Isolation ) 중 의 하나 인 STI ( Shallow Trench Isolation ) 공정 시 트렌치 를 매립 하 는 경우 에 있 어서 점점 작아지 는 CD ( Critical Dimension ) 로 인해 트렌치 의 종횡비 ( Aspect ratio ) 가 점점 커지 고 있 다 . 따라서 , 이러 한 높 은 종횡비 를 갖 는 트렌치 를 채우 기 위한 다양 한 갭 - 필 ( Gap fill ) 방법 들 과 물질 들 이 제안 되 고 있 다 .