이 와 같 은 시장 요구 를 만족 시키 기 위해서 는 연자성 재료 는 높 은 포화 자속 밀도 및 낮 은 자기 손실 을 가져야 한다 . 일예 로 자심 의 출력 은 식 전압 ( E ) = 자속 밀도 ( Bm ) × 4 . 44 주파수 ( f ) × 권 선수 ( N ) × 자심 단면적 ( S ) 으로 계산 될 수 있 고 , 상기 전압 ( E ) 을 높이 기 위해서 는 각각 의 인자 가 높 아 져야 한다 . 상기 인자 중 자심 의 자성 재료 에 의존 하 는 것 은 자속 밀도 ( Bm ) 및 주파수 ( f ) 인데 , 상기 자속 밀도 를 높이 기 위해서 는 자성 재료 의 포화 자속 밀도 가 높 고 , 동시 에 낮 은 자기 손실 을 갖 는 재료 가 요구 된다 . 상기 자기 손실 은 히스테리시스 손실 , 와전류 손실 및 이상 손실 의 총합 으로 계산 되 는데 , 상기 와전류 손실 및 이상 손실 의 경우 자심 자성 재료 의 자구 크기 , 비저항 , 자심 의 두께 에 의존 하 며 , 자구 의 크기 가 낮 고 , 비저항 이 높 으며 , 얇 은 두께 의 자심 일수록 자기 손실 에서 는 유리 할 수 있 다 . 또한 , 상기 주파수 를 높이 기 위해서 는 자성 재료 의 고주파 손실 이 적 어야 하나 , 주파수 ( f ) 를 높이 는 것 은 회로 적 접근 이 요구 됨 에 따라서 재료 적 접근 으로 는 한계 가 있 다 .