차광막 을 박막 화 하 여 충분 한 차광 성능 을 얻 기 위해서 는 , 막 의 노광 광 에 대한 흡수 계수 를 크 게 하 기 위해 , 질소 나 산소 등 의 경 원소 의 함유율 을 낮 게 하 여 , 보다 금속 성 이 높 은 막 으로 할 필요 가 있 다 . 노광 장치 내 에서 는 , 상술 한 바 와 같이 포토 마스크 의 차광 패턴 이 설치 되 어 있 는 면 을 , 레지스 트 막 이 성막 된 피 노광 기판 측 을 향하 여 설치 되 는데 , 이 때 차광 패턴 표면 이 금속 성 이 높 은 재료 이 면 , 노광 광 에 대한 반사 율 이 높 아 지 고 , 노광 시 레지스 트 막 이 성막 된 피 노광 기판 으로부터 반사 된 노광 광이 마스크 표면 ( 포토 마스크 패턴 또는 투명 기판 의 표면 ) 에서 재 반사 되 고 , 다시 레지스 트 막 에 조사 되 는 것 에 의한 고스트 패턴 이 형성 될 위험 이 있 다 ( 이 와 같 은 포토 마스크 표면 측 에서 의 반사 를 표면 반사 라 칭함 ) .