또 , 액정 배향 성 을 개선 하 기 위해서 , 액정 배향 막 이 도막 된 기판 을 50 ∼ 250 ℃ 에서 가열 하 면서 , 방사선 을 조사 해도 된다 . 또 , 상기 방사선 의 조사량 은 , 1 ∼ 10 , 000 mJ / ㎠ 가 바람직 하 다 . 그 중 에서 도 , 100 ∼ 5 , 000 mJ / ㎠ 가 바람직 하 다 . 이 와 같이 하 여 제작 한 액정 배향 막 은 , 액정 분자 를 일정 한 방향 으로 안정 적 으로 배향 시킬 수 있 다 .