본 발명 의 과제 는 , 미세 하 고 정밀 한 패턴 을 안정 되게 형성 하 는 패턴 형성 방법 및 전자 소자 의 제조 방법 을 제공 하 는 것 이 다 . 제 1 판 ( 10 ) 상 에 액체 조성물 을 도포 하 고 , 도전 성 막 ( D ) 을 형성 하 는 공정 과 , 제 2 판 ( 20 ) 을 제 1 판 ( 10 ) 의 도전 성 막 ( D ) 의 형성 면 측 으로 압박 하 여 , 제 2 판 ( 20 ) 의 볼록 부 ( 20 a ) 의 정상 면 에 도전 성 막 ( D ) 의 불 필요 한 패턴 을 전사 하 여 제거 함 으로써 , 제 1 판 ( 10 ) 상 에 도전 성 패턴 ( D ') 을 형성 하 는 공정 과 , 제 1 판 ( 10 ) 의 도전 성 패턴 ( D ') 의 형성 면 측 을 피 전사 기판 의 표면 으로 압박 함 으로써 도전 성 패턴 ( D ') 을 전사 하 는 공정 을 갖 고 , 제 1 판 ( 10 ) 에 있 어서 의 액체 조성물 이 도포 되 는 표면 의 표면 장력 을 α , 최대 기 포압 법 에 의한 100 msec 시 의 액체 조성물 의 동적 표면 장력 을 β , 제 2 판 ( 20 ) 에 있 어서 의 볼록 부 ( 20 a ) 의 정상면 의 표면 장력 을 γ 로 한 경우 , γ ＞ α ≥ β 가 되 도록 , 액체 조성물 의 조성 또는 제 1 판 ( 10 ) 혹은 제 2 판 ( 20 ) 의 표면 의 재질 을 설정 하 는 패턴 형성 방법 및 전자 소자 의 제조 방법 이 다 .