상술 한 바 와 같이 하 여 계산 된 결함 밀도 등 에 의거 하 여 수학식 6 및 수학식 7 로부터 μ 0 = 120 cm 2 / Vs 가 도출 된다 . 결함 이 있 는 In - Sn - Zn 산화물 에서 측정 되 는 이동도 는 40 cm 2 / Vs 정도 다 . 그러나 , 반도체 내부 및 반도체 와 절 연막 의 계면 의 결함 이 없 는 산화물 반도체 의 이동도 μ 0 은 120 cm 2 / Vs 가 된다고 예측 할 수 있 다 .