본 발명 의 목적 은 충분 한 대 마스크 선택 비 와 에칭 레이트 를 확보 하 면서 레지스 트 를 마스크 로 해서 적층 막내 의 실리콘 층 을 에칭 할 수 있 는 플 라즈 마 에칭 방법 을 제공 하 는 것 이 다 . 또한 , 상기 에칭 에 있 어서 패턴 소밀 이나 피 처리 체상 의 위치 에 의해서 에칭 형상 에 차이 가 생기 는 일 이 없 는 플 라즈 마 에칭 방법 을 제공 하 는 것 도 과제 로 한다 .