상기 불휘발성 메모리 장치 는 거의 무기한 의 축 적 용량 을 갖 는데 , EEPROM 과 같이 전기 적 으로 데이터 입출력 이 가능 한 플래시 메모리 에 대한 수요 가 늘 고 있 다 . 상기 장치 의 메모리 셀 은 일반 적 으로 실리콘 기판 상 에 형성 된 플로팅 게이트 를 구비 하 는 수직 적층 형 의 게이트 구조 를 갖 는다 . 다층 게이트 구조 는 전형 적 으로 하나 이상 의 터널 산화 막 또는 층간 절 연막 과 , 상기 플로팅 게이트 위 또는 주변 에 형성 된 컨트롤 게이트 를 포함 한다 .