다음 으로 , 도 4 에서 보 듯이 , 기판 ( 10 ) 의 전면 에 산화 막 ( 20 , 20 a ) 을 적절 한 두께 로 증착 한다 . 이때 , 제 1 질화 막 패턴 ( 18 a ) 의 상부 및 측벽 에 는 각각 산화 막 ( 20 ) 및 산화 막 ( 20 a ) 이 형성 된다 . 그리고 나 서 , 기판 ( 10 ) 의 전면 에 대하 여 마스크 를 사용 하 지 않 은 채 이방성 식각 공정 을 진행 하 면 , 도 5 에서 와 같이 제 1 질화 막 패턴 ( 18 a ) 의 측벽 에 형성 된 제 1 산화 막 스 페이서 ( 20 a ) 만 남 게 된다 . 제 1 산화 막 스 페이서 ( 20 a ) 를 제외 한 나머지 영역 에서 의 산화 막 ( 20 ) 및 제 1 질화 막 패턴 ( 18 a ) 을 동시 에 제거 할 수 도 있 으며 , 산화 막 ( 20 ) 을 제거 한 후 , 별도 의 공정 을 통해 제 1 질화 막 패턴 ( 18 a ) 을 선택 적 으로 제거 하 는 것 도 가능 하 다 .