한편 , 상기 제 2 반도체 층 ( 150 ) 과 제 2 전극 부 ( 170 ) 의 사이 에 는 투명 도 전 성막 ( 160 ) 이 더 구비 될 수 있 다 . 이 는 입사 하 는 태양광 이 투과 되 어야 하 는 특성 상 , 박 막 ( thin film ) 으로 형성 될 수 있 고 또한 , 제 2 반도체 층 ( 150 ) 과 제 2 전극 부 ( 170 ) 와 의 부착력 향상 및 전기 적 특성 을 고려 하 여 구비 될 수 있 는 것 이 다 . 상기 투명 도 전 성막 ( 160 ) 으로 사용 될 수 있 는 재료 로 는 인듐 틴 옥사이드 ( ITO ) , 인듐 진 크 옥 사이드 ( IZO ) , 산화 인듐 ( In 2 O 3 ) , 이산화주석 , 플로린 도핑 된 인듐 틴 옥사이드 ( FTO ) 등 을 들 수 있 는데 , 특히 산화아연 ( ZnO ) 이 바람직 하 다 . 상기 산화아연 은 n 반도체 인 CdS 와 결합력 이 우수 하 고 제조 원가 가 낮 은 특징 을 갖 는다 . 이러 한 투명 도 전 성막 ( 160 ) 은 스퍼터링 ( sputtering ) , 화학 기상 증착 ( CVD ) , 증기 증착 ( evaporation ) , 열 산화 ( thermal oxidation ) , 전해 증착 , 전기 화학 적 증착 ( electrochemical anodization ( deposition ) ) 중 의 어느 한 방법 에 의해 형성 할 수 있 으며 , 일 예 로 는 스퍼터링 방법 에 의해 상온 내지 400 ℃ 의 온도 에서 다양 한 두께 로 형성 할 수 있 다 . 또한 , 도 1 에 는 상기 투명 도 전 성막 ( 160 ) 이 상기 제 2 반도체 층 의 상부 전면 에 적층 된 구조 를 나타내 고 있 으나 이 에 한정 하 는 것 은 아니 며 후술 할 제 2 전극 부 ( 170 ) 의 형상 에 대응 되 게 구비 될 수 있 음 은 물론 이 다 .