그러므로 , 도 3 ( e ) 의 반도체 메모리 장치 와 도 3 ( a ) 의 반도체 메모리 장치 에서 는 는 , 2 개 이상 의 입력 값 이 1 인 경우 저항 변환 소자 ( 230 ) 가 높 은 저항 을 가지 고 , 2 개 이상 의 입력 값 이 0 인 경우 저항 변환 소자 ( 230 ) 가 낮 은 저항 을 가진다 . 따라서 , 도 3 ( e ) 의 반도체 메모리 장치 와 도 3 ( a ) 의 반도체 메모리 장치 는 입력 값 ( A , B , C ) 과 반전 입력 값 ( Ab , Bb , Cb ) 이 공급 되 는 트랜지스터 를 변경 함 으로써 , 서로 동일 한 논리 연산 을 수행 한다 .