상기 기술 적 과제 를 이루 기 위하 여 본 발명 의 일 태양 에 따른 발광 다이오드 는 , 질화 갈륨 계열 의 N 형 화합물 반도체 층 및 질화 갈륨 계열 의 P 형 화합물 반도체 층 을 포함 한다 . 활성 층 이 상기 N 형 및 P 형 화합물 반도체 층 사이 에 개재 된다 . 한편 , AlxGa 1 - xN 클래드 층 이 상기 N 형 화합물 반도체 층 과 활성 층 사이 에 개재 되 고 , P 형 AlyGa 1 - yN 클래드 층 이 상기 P 형 화합물 반도체 층 과 활성 층 사이 에 개재 된다 . 여기 서 , 0 < x , y ≤ 1 , x = y 이 고 , 상기 N 형 AlxGa 1 - xN 클래드 층 의 두께 는 상기 P 형 AlyGa 1 - yN 클래드 층 에 비해 상대 적 으로 두껍 다 .