먼저 , " 전반사 를 줄이 는 가장 이상 적 인 형태 는 도 4 의 ( a ) 와 같 은 반구형 이 다 . 그러나 이상 적 인 형태 로 만들 지 못하 기 때문 에 현재 까지 는 도 2 의 사진 에서 도 보인 바 와 같 은 ( b ) 의 콘 타입 형태 로 n 형 반도체 층 표면 에 거칠 기 를 만든 다 . ( b ) 의 경우 에 는 입사각 을 임계각 ( θ c ) 이하 로 낮추 어 주 지만 전반사 로 인해 손실 되 는 빛 은 여전히 많이 존재 하 게 된다 . 본 발명 의 형태 인 ( c ) 는 구형 형태 로 만들 지 는 못하 지만 반구 형태 를 취하 면서 반경 이 다른 두 개 의 구형 이 겹쳐지 도록 한 것 이 어서 효율 을 더 높일 수 있 다 . ( c ) 의 경우 기존 패턴 과 본 발명 에 따른 패턴 의 빛 의 경로 과정 을 비교 할 수 있 다 . ( c ) 에서 "" 경로 1 "" 의 경로 와 같이 빛 이 진행 을 하 게 되 면 2 경로 모두 빛 이 밖 으로 나가 지만 본 발명 패턴 의 경우 빛 이 나가 는 경로 가 줄어들 어 경로 상 에서 손실 되 는 양 이 줄어들 게 된다 . "" 경로 2 "" 의 경로 와 같이 낮 은 입사각 으로 빛 이 입사 하 게 되 면 본 발명 패턴 의 경우 낮 은 입사각 으로 입사 되 는 빛 이 법선 에 가깝 게 되 어서 밖 으로 나갈 수 있 다 . 하지만 기존 패턴 은 다시 내부 안 으로 전반사 가 일어나 게 된다 . 이 와 같이 본 발명 에 따른 반도체 발광 소자 에서 반구형 볼록 패턴 안 에 반구형 함몰 부 를 포함 하 는 요철 패턴 은 기존 패턴 보다 광 추출 효율 향상 을 가져온다 . "