터널 링 절 연막 ( 101 A ) 과 전하 이동 방지 막 ( 106 ) 은 플로팅 게이트 ( 102 ) 와 반도체 기판 ( 100 ) 의 활성 영역 사이 에 형성 된다 . 터널 링 절 연막 ( 101 A ) 은 플로팅 게이트 ( 102 ) 의 중앙부 와 중첩 되 는 부위 에 형성 되 고 , 전하 이동 방지 막 ( 106 ) 은 플로팅 게이트 ( 102 ) 의 가장자리 부위 , 즉 터널 링 절 연막 ( 101 A ) 의 양측 부 에 형성 된다 . 또한 , 터널 링 절 연막 ( 101 A ) 은 소자 의 기입 및 소거 동작 시 F - N 터널 링 이 일어나 도록 비교 적 얇 게 형성 되 는 데 반해 , 전하 이동 방지 막 ( 106 ) 은 소자 의 기입 및 소거 동작 시 F - N 터널 링 이 일어나 지 않 도록 하 기 위해 터널 링 절 연막 ( 101 A ) 보다 두껍 게 형성 된다 .