상기 한 목적 을 달성 하 기 위한 일 측면 에 따른 본 발명 은 , 기판 을 챔버 내 로 로딩 시키 는 단계 와 , 상기 챔버 내 에 플 라즈 마 를 발생 시켜 상기 기판 처리 를 수행 하 는 단계 와 , 상기 챔버 내 에 코로나 를 발생 시키 는 단계 와 , 상기 기판 을 상기 챔버 외부 로 언 로딩 시키 는 단계 를 포함 하 는 반도체 소자 의 제조 방법 을 제공 한다 .