먼저 , 도 1 a 에 도시 한 바 와 같이 , 반도체 기판 ( 10 ) 에 PMOS 트랜지스터 가 형성 될 n - 웰 ( 미 도시 ) 을 형성 하 고 , 반도체 기판 ( 10 ) 에 STI ( Shallow Trench Isolation ) 공정 을 실시 하 여 NMOS 및 PMOS 트랜지스터 의 활성 영역 과 소자 분리 영역 을 구분 하 는 소자 분리 막 ( 20 ) 을 형성 한다 .