바람직 한 실시 예 에서 , 다이오드 ( 110 ) 는 3 가지 서로 상이 한 부분 ( 112 , 114 , 116 ) 을 포함 한다 . 상기 설명 에서 , 의도 적 으로 도핑 되 는 반도체 재료 의 한 부분 은 도 2 및 도 3 ( a ) -( b ) 에 도시 된 바 와 같이 고유 부분 ( 114 ) 으로 기술 된다 . 그러나 , 고유 부분 이 사실상 저 농도 의 p - 형 또는 n - 형 도 펀트 를 포함 한다는 점 이 당업자 들 에게 이해 될 것 이 다 . 도 펀트 는 인접 n 또는 p - 도핑 된 부분 ( 도 3 ( a ) 및 3 ( b ) 에서 각각 112 와 116 ) 으로부터 고유 부분 내 로 확산 할 수 있 거나 , 초기 증착 으로부터 의 오염 으로 인해 증착 동안 증착 챔버 내 에 존재 할 수 있 다 . 증착 된 고유 반도체 재료 ( 예 를 들 어 , 규소 ) 는 이 를 약하 게 n - 도핑 되 는 바 와 같이 작용 하 게 하 는 원인 이 되 는 많 은 결함 을 포함 할 수 있 는 것 으로 추가 로 이해 될 것 이 다 . 규소 , 게르마늄 , " 규소 - 게르마늄 합금 또는 일부 다른 반도체 재료 를 설명 하 기 위한 용어 "" 고유 "" 의 사용 은 상기 부분 이 어떠 한 도 펀트 도 함유 하 지 않 거나 ", 이러 한 부분 이 완전히 전기 적 으로 중성 이 지 도 않 음 을 시사 하 는 것 을 의미 하 지 않 는다 . 다이오드 는 기술 된 바 와 같이 p - i - n 설계 로 제한 될 필요 는 없 으며 ; 오히려 , 다이오드 는 도 4 ( a ) - 4 ( d ) 에 도시 된 바 와 같이 각각 상이 한 농도 의 도 펀트 를 갖 는 서로 상이 한 부분 의 조합 을 포함 할 수 있 다 .