본 발명 은 필드 산화 막 의 물질 인 SOG 절 연막 의 식각 손실 을 방지 할 수 있 는 핀 트랜지스터 제조 방법 을 개시 한다 . 개시 된 본 발명 의 핀 트랜지스터 제조 방법 은 , 반도체 기판 을 식각 하 여 트렌치 를 형성 하 는 단계 ; 액티브 영역 을 한정 하 는 필드 산화 막 을 형성 하 도록 상기 트렌치 내 에 유동 성 절 연막 을 매립 하 는 단계 ; 상기 액티브 영역 에서 의 게이트 형성 영역 이 돌출 되 도록 상기 게이트 형성 영역 과 접한 유동 성 절 연막 부분 을 식각 하 는 단계 ; 상기 식각 된 유동 성 절 연막 부분 을 덮 도록 상기 반도체 기판 상 에 보호막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 반도체 기판 의 액티브 영역 이 노출 되 도록 상기 액티브 영역 상 에 형성 된 보호막 부분 을 제거 하 는 단계 ; 상기 노출 된 반도체 기판 의 액티브 영역 을 세정 하 는 단계 ; 상기 식각 된 유동 성 절 연막 부분 상 에 잔류 되 어 있 는 보호막 을 제거 하 는 단계 ; 및 상기 액티브 영역 의 돌출 된 게이트 형성 영역 상 에 게이트 를 형성 하 는 단계 ; 를 포함 한다 .