또한 , 제 2 시트 ( 127 ) 를 형성 하 는 동시 또는 형성 한 후 에 , 제 1 시트 ( 126 ) 를 박리 하 여도 좋 다 . 제 1 시트 ( 126 ) 를 제거 함 으로써 , 반도체 장치 를 더욱 얇 게 형성 할 수 있 다 . 또 , 이 경우 , 제 1 시트 ( 126 ) 로서 는 , 예 를 들 면 열 을 가함 으로써 점착력 이 약해 지 는 열 박리 테이프 를 사용 할 수 있 다 . 또한 , 제 1 시트 및 제 2 시트 를 기판 이 라고 부르 는 경우 도 있 고 , 제 2 시트 ( 127 ) 는 , 도 1 의 기판 ( 101 ) 에 상당 한다 .