이 후 , 도 2 b 에 도시 된 바 와 같이 , 발광 구조물 중 일부 면 을 식각 하 여 , 제 1 질화물 반도체 층 ( 14 ) 이 노출 될 수 있 도록 한다 . 그리고 , 노출 된 제 1 질화물 반도체 층 ( 14 ) 상 에 제 1 전극 ( 17 ) 을 형성 하 고 , 발광 구조물 상부 , 즉 , 제 2 질화물 반도체 층 ( 16 ) 상 에 제 2 전극 ( 18 ) 을 형성 한다 . 이 경우 , 제 1 전극 ( 17 ) 은 n - 전극 이 될 수 있 으며 , 제 2 전극 ( 18 ) 은 p - 전극 이 될 수 있 다 .