상기 기판 ( 100 ) 상 에 식각 대상 막 ( 102 ) 을 형성 한다 . 상기 셀 영역 에 위치 하 는 식각 대상 막 ( 102 ) 상 에 제 1 내지 제 3 희생 마스크 패턴 ( 104 a , 104 b , 104 c ) 을 각각 형성 한다 . 상기 제 1 내지 제 3 희생 마스크 패턴 ( 104 a ~ 104 c ) 의 측벽 에 스 페이서 패턴 을 형성 한다 . 상기 공정 은 도 2 a 및 도 2 b 를 참조 로 설명 한 것 과 동일 하 게 수행 한다 . 상기 페리 영역 에 는 희생 마스크 패턴 이 형성 되 지 않 는다 .