일 실시 예 에 따르 면 , 상기 소자 는 상기 게이트 전극 양측 의 상기 활성 부 내 에 형성 된 소오 스 / 드레 인 영역 ; 상기 소오 스 / 드레 인 영역 의 상부 면 상 에 형성 된 표면 금속 - 반도체 화합물 패턴 ; 및 상기 수동 소자 패턴 의 상부 면 의 일부분 상 에 형성 된 콘 택 금속 - 반도체 화합물 패턴 을 더 포함 할 수 있 다 . 이때 , 상기 콘 택 금속 - 반도체 화합물 패턴 은 상기 표면 금속 - 화합물 패턴 과 동일 한 금속 을 포함 하 는 반도체 소자 .