또한 , 트랜지스터 의 문턱 치 전압 을 제어 하 기 위해서 , 후 에 트랜지스터 ( 160 ) 의 채널 형성 영역 ( 116 ) 이 되 는 영역 에 , 도전 형 을 부여 하 는 불순물 원소 를 첨가 하 여도 좋 다 . 여기 에서 는 , 트랜지스터 ( 160 ) 의 문턱 치 전압 이 양 이 되 도록 도전 성 을 부여 하 는 불순물 원소 를 첨가 한다 . 반도체 재료 가 실리콘 인 경우 , 해당 도전 성 을 부여 하 는 불순물 로서 예 를 들 면 , 붕소 , 알루미늄 , 갈륨 등 을 이용 할 수 가 있 다 . 또한 , 도전 형 을 부여 하 는 불순물 원소 의 첨가 후 에 는 가열 처리 를 실시 하 고 , 불순물 원소 의 활성 화 나 불순물 원소 의 첨 가시 에 기판 ( 100 ) 중 에 생기 는 결함 의 개선 등 을 꾀하 는 것 이 바람직 하 다 .