도 1 에 도시 된 바 와 같이 , 기판 ( 11 ) 에 소자 분리 막 ( 12 ) 이 형성 되 어 활성 영역 이 정의 되 고 , 기판 ( 11 ) 상 에 게이트 패턴 ( 13 ) 이 형성 된다 . 여기 서 , 게이트 패턴 ( 13 ) 은 폴리 실리콘 전극 ( 13 A ) , 텅스텐 전극 ( 13 B ) 및 게이트 하드 마스크 ( 13 C ) 의 적층 구조 로 형성 된다 . 그리고 , 게이트 패턴 ( 13 ) 을 포함 하 는 전면 에 절 연막 ( 14 ) 이 형성 되 고 , 게이트 패턴 ( 13 ) 의 측벽 의 절 연막 ( 14 ) 상 에 스 페이서 ( 15 ) 이 형성 된다 . 그리고 , 스 페이서 ( 15 ) 과 소자 분리 막 ( 12 ) 사이 의 기판 이 일부 리세 스 되 고 , 실리콘 게르마늄 ( 16 ) 이 형성 된 소스 / 드레 인 영역 이 형성 된다 .