도 34 의 ( A ) 는 메모리 셀 ( 1611 ) 의 구성 예 를 도시 한 회로도 이 다 . 메모리 셀 ( 1611 ) 은 2 T 형 게인 셀 이 고 , 워드 선 ( WWL ) , 워드 선 ( RWL ) , 비트 선 ( BL ) , 소스 선 ( SL ) , 배선 ( BGL ) 에 전기 적 으로 접속 된다 . 메모리 셀 ( 1611 ) 은 노드 ( SN ) , OS 트랜지스터 ( MO 61 ) , 트랜지스터 ( MP 61 ) , 용량 소자 ( C 61 ) 를 가진다 . OS 트랜지스터 ( MO 61 ) 는 기록 트랜지스터 이 다 . 트랜지스터 ( MP 61 ) 는 판독 트랜지스터 이 고 , 예 를 들 어 p 채널 형 Si 트랜지스터 로 구성 된다 . 용량 소자 ( C 61 ) 는 노드 ( SN ) 의 전압 을 유지 하 기 위한 유지 용량 이 다 . 노드 ( SN ) 는 데이터 의 유지 노드 이 고 , 여기 서 는 트랜지스터 ( MP 61 ) 의 게이트 에 상당 한다 .