실시 형태 에 관련 된 가공 방법 은 , 도 1 에 나타내 는 가공 장치 ( 절삭 장치 ) ( 1 ) 가 피 가 공물 ( 200 ) 을 절삭 가공 하 는 방법 이 다 . 실시 형태 에서 는 , 피 가 공물 ( 200 ) 은 , 실리콘 , 사파이어 , 갈륨 등 을 기판 ( 204 ) 으로 하 는 원판 상 의 반도체 웨이퍼 나 광 디바이스 웨이퍼 등 의 웨이퍼 이 다 . 피 가 공물 ( 200 ) 은 , 기판 ( 204 ) 의 표면 ( 201 ) 에 격자 상 으로 형성 된 복수 의 분할 예정 라인 ( 202 ) 에 의해 격자 상 으로 구획 된 영역 에 디바이스 ( 203 ) 가 형성 되 어 있 다 .