스텝 1 에서 , " 프로그래밍 될 메모리 셀 ( MCPG ) 을 포함 하 는 스트링 ( STRpg ) ( 이하 에서 는 "" 프로그래밍 스트링 "" 으로 지칭 한다 ) 에 이 에 연결 된 비트 라인 을 통해 0 V 의 전압 이 인가 된다 . 프로그래밍 스트링 ( STRpg ) 에 연결 되 는 비트 라인 을 제외 한 나머지 비트 라인 에 연결 되 는 스트링 들 ( STRin ) ( 이하 에서 는 "" 인 히 빗 스트링 ( inhibit string ) "") 에 는 비트 라인 을 통해 전원 전압 ( Vcc ) 이 인가 된다 . 모든 워드 라인 ( WL ( Unsel ) ", WL ( Sel ) ) ( 즉 , " 비 선택 된 워드 라인 ( WL ( Unsel ) ) 과 선택 된 워드 라인 ( WL ( Sel ) ) 모두 ) 에 는 패스 전압 ( Vpass ) 이 인가 된다 . 프로그래밍 될 메모리 셀 ( MCPG ) 에 인접 하 게 배치 되 는 바디 게이트 라인 ( BGpg ) ( 이하 에서 는 "" 프로그래밍 바디 게이트 라인 "") 에 0 V 의 전압 이 인가 된다 . 스텝 1 동안 에 프로그래밍 스트링 ( STRpg ) 의 채널 에 전자 ( e ) 의 차지 ( charge ) 가 수행 될 수 있 다 . "