다음 , 도 5 g 에 도시 한 바 와 같이 , 상기 드라이 에칭 ( dry etching ) 에 의해 상기 게이트 전극 ( 115 ) 에 대응 되 는 부분 의 금속 패턴 ( 도 5 e 의 129 ) 및 그 하부 의 오 믹 콘 택 층 ( 도 5 e 의 125 ) 이 제거 됨 으로써 형성 된 소스 및 드레 인 전극 ( 133 , 136 ) 상부 에 남 아 있 는 제 1 포토레지스트 패턴 ( 도 5 f 의 190 a ) 을 스트립 ( strip ) 함 으로써 제거 한 후 , 상기 소스 및 드레 인 전극 ( 133 , 136 ) 과 데이터 배선 ( 미 도시 ) 위 로 전면 에 무기 절연 물질 예 를 들 면 산화 실리콘 ( SiO 2 ) 또는 질화 실리콘 ( SiNx ) 을 증착 하 여 전면 에 보호 층 ( 140 ) 을 형성 한다 .