한편 , 이면 조사 형 고체 촬상 장치 ( 131 ) 는 , 도 21 의 모식 적 구성 도로 도시 하 는 바 와 같이 , 반도체 기판 ( 112 ) 에 광전 변환 부 가 되 는 포토 다이오드 ( PD ) 와 복수 의 화소 트랜지스터 로 이루어지 는 단위 화소 ( 116 ) 가 복수 형성 된 화소 영역 ( 113 ) 을 갖 고서 구성 되 어 있 다 . 화소 트랜지스터 는 , 도시 하 지 않 지만 , 기판 표면 측 에 형성 되 고 , 도 21 에서 는 게이트 전극 ( 114 ) 을 도시 하 여 , 모식 적 으로 화소 트랜지스터 의 존재 를 나타내 고 있 다 .