도 3 은 세 가지 다른 근적외선 조사 강도 에 대해서 근적외선 조사 시간 에 따른 PSi / Si ( 100 ) 및 CNT / Si ( 100 ) 시편 표면 온도 의 변화 를 나타낸 것 이 다 . 도 3 에 나타난 바 와 같이 , 근적외선 조사 시 PSi 의 열 생성 거동 이 CNT 의 열 생성 거동 과 매우 유사 함 을 알 수 있 었 다 . 근적외선 조사 시간 이 증가 함 에 따라 PSi 의 온도 도 CNT 의 온도 만큼 높 고 빠르 게 올라갔 고 , 240 초 조사 후 의 두 나노 재료 의 온도 는 놀랍 게 도 유사 하 였 다 . PSi 및 CNT 시편 모두 근적외선 조사 시간 이 증가 함 에 따라 포물선 적 으로 증가 함 을 보였 다 . 근적외선 조사 강도 가 높 을수록 PSi 및 CNT 의 온도 는 더 높 아 지 고 , 근적외선 조사 후 의 조사 강도 1 . 7 과 3 . 5 W / Cm 2 에 대한 온도 차이 는 PSi 및 CNT 양쪽 모두 5 ℃ 정도 에 불과 하 였 다 .