구조 ( 514 ) 의 에칭 은 세 단계 로 이루어진다 . 먼저 , 산화물 에칭 제 가 적층 ( 514 ) 내 의 티타늄 질화물 층 ( 508 ) 을 에칭 하 기 위해 플루오르 플 라즈 마 를 제공 하 고 , 다음 으로 적층 ( 514 ) 의 니켈 산화물 층 ( 508 ) 을 에칭 하 기 위해 일산 화 탄소 플 라즈 마 를 제공 하 기 위해 사용 된다 . 마지막 으로 , 에칭 화학 물질 은 티타늄 질화물 층 ( 506 ) 을 에칭 하 기 위해 플루오르 계 화학 물질 로 다시 바뀐다 . 포토레지스트 에 의해 보호 되 지 않 은 웨이퍼 표면 의 영역 이 에칭 단계 중 에칭 되 고 , 보호 된 영역 이 유지 된다 . 이러 한 식 으로 도 3 에 도시 한 구조 가 형성 된다 . 상술 한 바 와 같이 , CO 가스 에칭 으로 인한 부산물 은 에칭 동안 형성 되 면 신속 하 게 바로 배출 된다 .