또 , 상층 에 메탈 배선 을 확산 층 을 따라 형성 하 여 , 복수 개소 에서 메탈 배선 과 확산 층 사이 에 컨 택트 를 취하 는 경우 에 는 , 컨 택트 형성 의 영역 을 확보 하 기 때문 에 , 반도체 장치 가 대형 화 될 우려 가 있 다 . 한편 , 본 실시 예의 구성 에서 는 매립 도전 막 ( 114 ) 에 의해 확산 층 ( 112 ) 의 도전 율 을 충분히 보상 할 수 있 기 때문 에 , 반도체 장치 ( 1000 ) 가 대형 화 되 는 것 을 방지 할 수 있 다 . 또 , 측벽 부 ( 131 , 113 ) 사이 에 매립 도전 막 ( 114 ) 을 매립 할 뿐 이 므로 , 매립 도전 막 ( 114 ) 을 형성 함 으로써 반도체 장치 ( 1000 ) 가 대형 화 될 우려 는 없 다 .