다른 실시 예 에서 , 희생 제 1 티어 충전 재료 는 제 1 절연 층 들 ( 132 ) , 제 1 절연 캡 층 ( 170 ) , 및 티어 간 유전체 층 ( 180 ) 의 재료 들 보다 높 은 에칭 속도 를 갖 는 실리콘 산화물 재료 를 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 희생 제 1 티어 충전 재료 는 100 : 1 희석 된 플루오르화 수소산 중 에서 치밀 화 된 TEOS 산화물 ( 즉 , 화학 증착 공정 에서 테트라에틸 오르토 실리케이트 유리 의 분해 에 의해 형성 되 고 후속 적 으로 어닐링 공정 에서 치밀 화 된 실리콘 산화물 재료 ) 의 에칭 속도 보다 적어도 100 배 더 높 은 에칭 속도 를 갖 는 보로 실리케이트 유리 또는 다공 성 또는 비 - 다공성 유기 실리케이트 유리 를 포함 할 수 있 다 . 이러 한 경우 에 있 어서 , 희생 제 1 티어 충전 재료 를 침착 시키 기 전 에 얇 은 에칭 정지 라이너 ( 예컨대 , 1 nm 내지 3 nm 범위 내 의 두께 를 갖 는 실리콘 질화물 층 ) 가 사용 될 수 있 다 . 희생 제 1 티어 충전 재료 는 비 - 컨 포 멀 침착 또는 컨 포 멀 침착 방법 에 의해 형성 될 수 있 다 .