도 6 d 를 참조 하 면 , 상기 제 1 , 제 2 , 제 3 및 제 4 원소 주입 층 들 ( 124 a , 124 b , 124 c , 124 d ) 을 갖 는 기판 ( 110 ) 에 어닐링 공정 을 수행 하 여 상기 피복층 ( 102 ) 내 에 복수 의 반사체 들 ( 125 ) 을 형성 한다 . 상기 어닐링 공정 은 도 5 b 를 참조 하 여 설명 한 어닐링 공정 과 같이 기판 ( 110 ) 에 수행 되 는 다른 어 널 링 공정 으로 대체 될 수 있 다 . 상기 어닐링 공정 에 의하 여 상기 제 1 , 제 2 , 제 3 및 제 4 원소 주입 층 들 ( 124 a , 124 b , 124 c , 124 d ) 내 원소 들 이 결합 되 어 상기 복수 의 반사체 들 ( 125 ) 을 형성 한다 . 이때 , 상기 제 1 , 제 2 , 제 3 및 제 4 원소 주입 층 들 ( 124 a , 124 b , 124 c , 124 d ) 내 원소 들 은 상기 어닐링 공정 에 의하 여 이동 되 어 상기 반사체 들 ( 125 ) 은 플랫 ( flat ) 하 고 상기 반도체 기판 ( 100 ) 의 상부 면 에 대하 여 경사진 반사면 을 가질 수 있 다 .