이러 한 제 1 전극 층 ( 160 ) 의 제 1 전극 ( 162 ) 에 는 제 1 도전 성 반도체 층 ( 120 ) 에 오 믹 접촉 되 는 제 1 전극 돌기 ( 163 ) 가 형성 된다 . 이 를 위해 , 상기 절연 층 ( 150 ) , 투명 전극 층 ( 145 ) , 제 2 도전 성 반도체 층 ( 140 ) , 활성 층 ( 130 ) 및 제 1 도전 성 반도체 층 ( 120 ) 의 일부 까지 관통 되 는 비아 홀 ( 125 ) 이 형성 된다 . 상기 비아 홀 ( 125 ) 의 중심부 에 는 상기 제 1 전극 돌기 ( 163 ) 가 각각 배치 되 며 , 상기 제 1 전극 돌기 ( 163 ) 의 둘레 에 는 절연 층 ( 150 ) 의 절연 물질 이 채워 지 므로 , 다른 반도체 층 과 전기 적 으로 절연 된다 . 이 에 따라 제 1 전극 층 ( 160 ) 의 제 1 전극 ( 162 ) 은 제 1 전극 돌기 ( 163 ) 을 통해 제 1 도전 성 반도체 층 ( 120 ) 에 오 믹 접촉 하 는 구조 가 된다 .