도 1 , 도 3 및 도 4 를 같이 참조 하 면 , 기판 을 전처리 하 는 단계 ( S 10 ) 는 공정 챔버 ( 40 ) 내 기판 ( W ) 상 에 전처리 가스 를 공급 하 고 , 제 1 플 라즈 마 를 이용 하 여 전처리 가스 를 활성 화 하 여 수행 할 수 있 다 . 기판 ( W ) 은 반도체 웨이퍼 상 에 소정 의 막 또는 층 들 이 형성 된 구조 를 지칭 할 수 있 다 . 예컨대 , 기판 을 전처리 하 는 단계 ( S 10 ) 는 비정질 실리콘 막 이 형성 되 는 기판 ( W ) 의 하 부막 을 처리 하 기 위해서 수행 될 수 있 다 .