상기 한 목적 을 달성 하 기 위한 일 측면 에 따른 본 발명 은 , 반도체 기판 상 에 게이트 절 연막 과 제 1 게이트 도전 막 을 순차 형성 하 는 단계 와 , 상기 제 1 게이트 도전 막 과 상기 게이트 절 연막 및 상기 반도체 기판 을 선택 적 으로 식각 하 여 트렌치 를 형성 하 는 단계 와 , 상기 트렌치 에 소자 분리 막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 제 1 게이트 도전 막 을 포함 한 전면 에 제 2 게이트 도전 막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 제 2 게이트 도전 막 과 상기 제 1 게이트 도전 막 과 상기 게이트 절 연막 을 패 터닝 하 여 게이트 라인 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 반도체 소자 의 제조 방법 을 제공 한다 .