다음 에 도 1 c 를 참조 하 면 , 상기 감광막 패턴 ( 108 ) 을 마스크 로 하드 마스크 막 ( 106 ) 을 식각 하 여 반도체 기판 ( 100 ) 의 소정 영역 을 노출 시키 는 하드 마스크 막 패턴 ( 110 ) 을 형성 한다 . 그리고 하드 마스크 막 패턴 ( 110 ) 을 마스크 로 한 제 1 식각 공정 을 실시 하 여 반도체 기판 ( 100 ) 상 에 제 1 트렌치 ( 112 ) 를 형성 한 후 , 하드 마스크 막 패턴 ( 110 ) 은 제거 한다 . 여기 서 제 1 트렌치 ( 112 ) 는 벌브 타입 의 리세 스 채널 용 트렌치 의 목 ( neck ) 부분 에 해당 한다 .