특히 , 전술 된 에 미터 영역 ( 6 ) , 베이스 콘 택 ( 8 ) 및 콜렉터 콘 택 ( 7 ) 은 이온 주입 에 의해 형성 되 는 도핑 영역 에 해당 하 는 것 으로 , 에 미터 영역 ( 6 ) 과 베이스 콘 택 ( 8 ) 과 콜렉터 콘 택 ( 7 ) 의 각 상부 에 는 실리사이드 막 들 ( 9 , 10 , 11 ) 이 구비 되 며 , 특히 그 실리사이드 막 들 ( 9 , 10 , 11 ) 은 에 미터 영역 ( 6 ) 과 베이스 콘 택 ( 8 ) 과 콜렉터 콘 택 ( 7 ) 의 각 상부 를 완전히 덮 는 식 으로 형성 된다 .