일부 실시 예 들 에서 , 화학식 ( 1 ) 의 구조 를 가지 는 본 발명 의 기술 적 사상 에 의한 코발트 화합물 을 사용 하 여 CVD 공정 에 의해 박막 을 형성 하 기 위하 여 , 상기 코발트 화합물 을 원료 용기 ( 212 ) 내 에서 가열 및 / 또는 감압 하 여 기화 시키 고 , 이 와 같이 기화 된 코발트 화합물 을 필요 에 따라 Ar , N 2 , He 등 과 같 은 캐리어 가스 와 함께 반응 챔버 ( 254 ) 내 로 공급 하 는 기체 운송 법 을 이용 할 수 있 다 . 기체 운송 법 을 이용 하 는 경우 , 본 발명 의 기술 적 사상 에 의한 코발트 화합물 자체 가 CVD 공정 에서 의 박막 형성 용 원료 화합물 로 사용 될 수 있 다 .