제 2 패키지 컴포넌트 ( 200 ) 는 기판 ( 202 ) 및 그 기판 ( 202 ) 에 결합 된 하나 이상 의 다이 를 포함 한다 . 예시 하 는 실시 형태 에서 는 , 다 이 가 스택 형 다이 ( 210 A 및 210 B ) 를 포함 한다 . 일부 실시 형태 에서 , 다이 ( 또는 다 이 스택 ) 은 기판 ( 202 ) 의 동일 표면 에 나란히 결합 되 어 배치 될 수 있 다 . 기판 ( 202 ) 은 실리콘 , 게르마늄 , 다이아몬드 등 의 반도체 재료 로 제조 될 수 있 다 . 일부 실시 형태 에서 는 , 실리콘 게르마늄 , 실리콘 탄화물 , 갈륨 비소 , 인듐 비화물 , 인듐 인화물 , 실리콘 게르마늄 탄화물 , 갈륨 비소 인화물 , 갈륨 인듐 인화물 , 이 들 의 조합 등 의 화합물 재료 도 사용 될 수 있 다 . 추가 로 , 기판 ( 202 ) 은 SOI ( semiconductor - on - insulator ) 기판 일 수 도 있 다 . 일반 적 으로 , SOI 기판 은 , 에피 택 셜 실리콘 , 게르마늄 , 실리콘 게르마늄 , SOI , SGOI ( silicon germanium on insulator ) , 또는 이 들 의 조합 등 의 반도체 재료 로 된 층 을 포함 한다 . 일 대안 실시 형태 에서 는 , 기판 ( 202 ) 이 유리 섬유 강화 수지 코어 등 의 절연 코어 에 기반 한다 . 코어 재료 의 일례 는 FR 4 등 의 유리 섬유 수지 이 다 . 코어 재료 의 대안 은 BT ( bismaleimide - triazine ) 수지 또는 대안 으로 다른 인쇄 회로 기판 ( PCB ) 재료 또는 필름 을 포함 한다 . ABF ( Ajinomoto build - up film ) 또는 다른 라미 네이트 등 의 빌드 업 필름 이 기판 ( 202 ) 에 사용 될 수 도 있 다 .