도 10 과 같이 , 제 2 버퍼 층 ( 114 ) 의 제 2 하부 버퍼 층 ( 114 a ) 은 제 1 금속 패턴 ( 510 ) 및 제 2 금속 패턴 ( 520 ) 상 에 형성 될 수 있 다 . 제 2 하부 버퍼 층 ( 114 a ) 은 질화 실리콘 ( SiNx ) 또는 산화 실리콘 ( SiOx ) 의 단일 층 또는 이 들 의 다중 층 으로 형성 될 수 있 다 . 그리고 , 제 2 하부 버퍼 층 ( 114 a ) 상 에 제 1 소스 전극 ( 412 ) , 제 1 드레 인 전극 ( 413 ) , 제 2 소스 전극 ( 322 ) 및 제 2 드레 인 전극 ( 323 ) 이 형성 될 수 있 다 .