이러 한 FED 장치 에서 , 전압 이 음극 전극 ( 32 a ) 및 양극 전극 ( 31 a ) 에 인가 될 때 , 전자 가 전자 방출 요소 ( 32 b ) 로부터 방출 되 고 , 방출 된 전자 가 화살표 A 에 의해 도시 된 것 과 같이 양극 전극 ( 31 a ) 에 의해 끌어당겨 지 고 , 형광 물질 ( 31 b ) 과 충돌 하 고 , 형광 물질 을 여기 시 킨다 . 여기 된 형광 물질 은 형광 을 방출 한다 . 각각 의 형광 물질 로부터 방출 된 형광 은 혼합 되 어 백색 광 이 되 고 , 화살표 B 에 도시 된 것 과 같이 양극 기판 ( 31 ) 으로부터 외부 측 으로 방출 된다 . 위 에서 언급 된 형광 물질 을 사용 함 으로써 , 휘도 가 상승 될 수 있 고 , 추가 로 전도성 형광 물질 을 사용 함 으로써 , 방출 부 로부터 방출 되 는 과잉 전자 의 충돌 로 인한 형광 물질 의 전기 대전 이 억제 될 수 있 다 . 그러므로 , 형광 물질 의 전기 대전 표면 으로 인한 전자 에 대한 형광 물질 의 충돌 의 저하 가 피해 질 수 있 고 , 탈출 이 차단 되 는 전자 와 방출 부 사이 에서 의 비 정상 방전 이 억제 될 수 있 다 .