액세스 동작 들 로 지칭 될 수 있 는 판독 및 기록 과 같 은 동작 들 은 예 를 들 어 , 워드 라인 ( 110 ) 및 디 지트 라인 ( 115 ) 과 같 은 공통 도전 성 라인 들 의 적절 한 조합 을 활성 화 또는 선택 함 으로써 메모리 셀 들 ( 105 ) 에 관해 수행 될 수 있 다 . 워드 라인 들 ( 110 ) 은 액세스 라인 들 또는 로우 라인 들 로 지칭 될 수 도 있 고 디 지트 라인 들 ( 115 ) 은 비트 라인 들 또는 컬럼 라인 들 로 지칭 될 수 도 있 다 . 일부 예 에서 , 감지 구성 요소 는 워드 라인 들 또는 로우 라인 들 중 어느 하나 에 접속 될 수 있 다 . 워드 라인 들 ( 110 ) 및 비트 라인 들 ( 115 ) 은 서로 수직 ( 또는 거의 수직 ) 하 여 어레이 를 생성 할 수 있 다 . 워드 라인 들 및 비트 라인 들 , 또는 그것 들 의 유사 체 들 에 대한 언급 은 이해 또는 운용 을 잃 지 않 고 호환 가능 하 다 . 메모리 소자 의 유형 ( 예 를 들 어 , FeRAM , RRAM 등 ) 에 따라 , 예 를 들 어 , 플레이트 라인 들 과 같 은 그 외 다른 액세스 라인 들 이 존재 할 수 있 다 ( 도시 되 지 않 음 ) . 메모리 소자 의 정확 한 동작 이 메모리 소자 및 / 또는 메모리 소자 에 사용 되 는 구체 적 인 액세스 라인 들 의 유형 에 기초 하 여 대체 될 수 있 음 이 이해 되 어야 한다 .