즉 , 플런저 ( P ) 가 열경화성 수지 를 포트 블럭 ( PB ) 에 형성 된 홀 ( 11 ) 을 통해 공급 되 고 , 상기 열경화성 수지 가 고온 고압 에 의해 용융 된다 . 이후 , 용융 된 상기 열경화성 수지 는 상부 금형 ( TM ) 에 구비 된 게이트 를 통해 상기 탑 캐 비티 블럭 및 캐 비티 블럭 ( 10 a , 10 b ) 의 내측 으로 충 진 되 어 반도체 칩 을 보호 할 수 있 도록 기판 에 몰딩 되 는 것 이 다 .