상기 제 1 단위 상변화 메모리 소자 부분 ( a ) 과 제 2 단위 상변화 메모리 소자 부분 ( b ) 은 제 1 상변화 층 스 페이서 ( 112 a ) 및 제 2 상변화 층 스 페이서 ( 112 b ) 에 인접 하 여 홀 에 매몰 된 매몰 절연 층 ( 116 a ) 에 의하 여 절연 되 어 있 다 . 상기 제 1 단위 상변화 메모리 소자 부분 ( a ) 의 제 1 절연 층 패턴 ( 108 a ) 및 제 1 상변화 층 스 페이서 ( 112 a ) 와 , 상기 제 2 단위 상변화 메모리 소자 부분 ( b ) 의 제 2 절연 층 패턴 ( 108 b ) 및 제 2 상변화 층 스 페이서 ( 112 b ) 상 에 는 상부 전극 ( 118 a , 118 b ) 이 형성 되 어 있 다 .