이러 한 이온 주 입공 정시 , 이온 주입 에너지 를 줄이 게 되 면 , 퍼짐 편차 ( Δ Rp : standard deviation of spread ) 도 감소 하 게 되 므로 , 보다 가파른 이온 주입 프로 파일 을 얻 을 수 있 게 되 며 , 특히 , 후속 열 확산 공정 에서 보다 많 은 도 펀트 가 폴리 실리콘 바닥 까지 확산 될 수 있 어서 전반 적 인 도핑 효율 을 증가 시킬 수 있 게 된다 .