다음 으로 , 도 8 a 및 도 8 b 에 도시 된 바 와 같이 , 보호 층 ( 150 ) 이 형성 될 수 있 다 . 도 8 a 는 실시 예 에 따른 반도체 소자 제조 방법 에 따라 형성 된 보호 층 ( 150 ) 의 형상 을 나타낸 평면도 이 고 , 도 8 b 는 도 8 a 에 도시 된 반도체 소자 의 A - A 선 에 따른 공정 단면도 를 나타낸 것 이 다 .