이 와 같 은 플라스마 화학 기상 증착 장치 는 증착 공정 이 이루어지 는 챔버 를 구비 한다 . 챔버 의 내부 에 는 웨이퍼 가 로딩 되 며 , 웨이퍼 의 상부 에 는 공정 가스 가 공급 된다 . 공정 가스 가 공급 된 상태 에서 챔버 내 에 전자기장 을 형성 하 면 전자기장 에 의하 여 공정 가스 로부터 플라스마 가 생성 된다 . 웨이퍼 의 상부 에 는 고주파 전원 이 연결 된 상부 전극 이 제공 되 며 , 웨이퍼 의 하부 에 는 하부 전극 이 제공 된다 . 상부 전극 에 고주파 전원 이 인가 되 면 , 상부 전극 과 하부 전극 사이 에 는 전자기장 이 형성 된다 .