상기 과제 를 해결 하 기 위한 본 발명 의 반도체 메모리 장치 의 일 태양 ( aspect ) 은 기판 상 의 주변 회로 를 포함 하 는 주변 로직 구조 체 , 주변 로직 구조 체의 상면 을 따라 연장 되 는 수평 반도체 층 , 수평 반도체 층 상 에 , 제 1 방향 으로 배열 된 복수 의 적층 구 조체 들 , 및 각각 의 적층 구 조체 내 에 배치 되 고 , 제 1 방향 과 다른 제 2 방향 으로 연장 되 는 복수 의 전극 분리 영역 들 을 포함 하 고 , 각각 의 적층 구조 체 는 제 1 전극 패드 와 , 제 1 전극 패드 상 의 제 2 전극 패드 를 포함 하 고 , 제 1 전극 패드 는 제 2 전극 패드 보다 제 1 방향 으로 제 1 폭 만큼 돌출 되 고 , 제 1 전극 패드 는 제 2 전극 패드 보다 제 2 방향 으로 제 1 폭 과 다른 제 2 폭 만큼 돌출 된다 .