본 발명 은 , 전체 를 지지 하 는 실리콘 기판 과 소자 가 형성 되 는 실리콘 층 및 상기 실리콘 기판 과 실리콘 층 사이 에 산화 막 이 개재 되 어 있 는 구조 의 SOI 기판 을 적용 하 는 SOI ( Silicon On Insulator ) 소자 의 제 조시 , 상기 산화 막 은 셀 지역 및 주변 회로 지역 에서 부분 적 으로 형성 하 고 상기 실리콘 층 은 선택 적 에피 택 셜 ( Selective Epitaxial ) 방식 을 통해 성장 된 에 피층 으로 형성 한다 .