전하 저 장막 ( 106 ) 상부 에 제 1 게이트 층 ( 108 ) 을 형성 한다 . 제 1 게이트 층 ( 108 ) 은 WSi , TiN , TaN , Ti , WN 등 과 같 은 금속 으로 형성 할 수 도 있 고 폴리 실리콘 으로 형성 할 수 도 있 다 . 하지만 , 후속 하 는 공정 에서 형성 되 는 선택 라인 을 n 형 불순물 이 주입 된 게이트 로 형성 하 기 위하 여 제 1 게이트 층 ( 108 ) 은 n 형 폴리 실리콘 으로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 하지만 , 이 에 한정 하 지 않 고 제 1 게이트 층 ( 108 ) 은 p 형 폴리 실리콘 으로 형성 하 는 것 도 가능 하 다 .