기존 의 STT - MRAM 구조 들 에서 , 주입 된 전류 는 기준 계층 에서 의 고정 된 자화 로 인해 스핀 편광 되 어 , 자유 계층 의 자화 에서 의 스핀 전달 토크 ( STT ) 를 초래 한다 . 주입 된 전류 의 전류 밀도 가 임계 치 를 초과 하 는 경우 , 자유 계층 의 자화 오리엔테이션 은 스핀 전달 토크 에 의해 스위칭 될 수 있 다 . 최종 메모리 상태 ( 즉 , 0 또는 1 ) 는 전류 방향 에 의해 결정 된다 .