제 1 게이트 도 전막 ( 130 ) 은 N 형 불순물 과 함께 주입 하 면서 형성 하 거나 , 불순물 이 도핑 되 지 않 은 폴리 실리콘 막 을 형성 한 다음 N 형 불순물 을 이온 주입 하 여 형성 할 수 있 다 . 이때 , 주입 되 는 N 형 불순물 은 포스 포 러스 ( P ) 또는 아세 닉 ( As ) 등 과 같 은 5 가 원소 중 에서 선택 하 여 주입 할 수 있 다 . 셀 영역 의 경우 , 리세 스 채널 용 트렌치 ( 111 ) 는 게이트 절 연막 ( 120 ) 및 제 1 게이트 도 전막 ( 130 ) 에 의해 매립 된다 .