일부 실시 예 들 에서 , 반도체 구조 에 의 저 굴절 률 층 의 부착 을 강화 하 고 산화물 과 p - 타입 반도체 재료 사이 의 계면 에서 의 고유 접촉 저항 을 향상 시키 기 위해 다른 재료 의 박 층 ( thin layer ) ( 예 를 들 면 , 수 옹스트롬 의 Ni 와 같 은 금속 ) 이 반도체 구조 와 저 굴절 률 층 ( 40 ) 의 사이 에 배치 된다 .