반도체 층 ( 108 ) 과 접하 는 절연 층 ( 110 ) 은 산화물 절 연막 의 적층 구조 를 가지 는 것 이 바람직 하 다 . 또한 절연 층 ( 110 ) 은 화학량론 적 조성 보다 과잉 으로 산소 를 포함 한 영역 을 가지 는 것 이 더 바람직 하 다 . 바꿔 말 하 면 , 절연 층 ( 110 ) 은 산소 를 방출 할 수 있 는 절 연막 을 가진다 . 예 를 들 어 산소 분위기 하 에서 절연 층 ( 110 ) 을 형성 하 거나 , 절연 층 ( 110 ) 성막 후 에 산소 분위기 하 에서 열 처리 를 수행 하 거나 , 절연 층 ( 110 ) 성막 후 에 산소 분위기 하 에서 플라스마 처리 등 을 수행 하 거나 , 또는 절연 층 ( 110 ) 위 에 산소 분위기 하 에서 산화 물막 을 형성 함 으로써 절연 층 ( 110 ) 내 에 산소 를 공급 할 수 도 있 다 . 또한 상기 산소 를 공급 하 는 각 처리 에서 , 산소 대신 에 , 또는 산소 에 더 하 여 , 산화 성 가스 ( 예 를 들 어 일산 화 이질소 나 오존 등 ) 를 사용 하 여도 좋 다 .