그런데 , 패 터닝 을 위한 식각 과정 에서 파티클 및 폴리머 등 의 식각 부산물 이 유발 되 어 반도체 기판 또는 게이트 라인 측벽 에 잔류 될 수 있 다 . 이때 , 잔류물 을 제거 하 기 위한 세정 공정 을 수행 하 게 되 는데 , 이러 한 세정 공정 시 , 하드 마스크 ( hard mask ) 패턴 에 부분 식각 이 발생 될 수 있 다 . 예컨대 , 하드 마스크 로 이용 되 는 절 연막 이 국부 적 으로 손실 되 어 , 하드 마스크 패턴 의 측벽 프로 파일 이 오목 해 지 는 현상 이 발생 되 거나 , 하드 마스크 패턴 이 쓰러질 수 있 다 . 또한 , 하드 마스크 패턴 은 후속 게이트 공정 에서 하부 의 컨트롤 게이트 전극 을 보호 하 는 역할 을 하 는데 , 세정 공정 시 발생 된 하드 마스크 패 터 의 부분 식각 으로 인해 컨트롤 게이트 전극 이 노출 되 어 손상 될 수 있 다 . 컨트롤 게이트 전극 의 손상 으로 컨트롤 게이트 전극 의 단면적 이 감소 하 게 되 면 , 게이트 저항 을 증가 시켜 소자 의 특성 이 열화 될 수 있 다 .