홈 부 ( 45 ) 는 상부 로부터 보 았 을 때 , 사각형 으로 된 반도체 소자 ( 12 ) 의 측면 ( 12 - 1 ) 과 , 반도체 소자 ( 12 ) 의 측면 ( 12 - 1 ) 에 대향 하 는 댐 ( 37 ) 의 부분 의 내벽 사이 에 형성 된다 . 이러 한 홈 부 ( 45 ) 의 일부 는 언더 필 수지 ( 13 ) 를 공급 하 는 언더 필 수지 공급 영역 ( B ) 에 대응 한다 . 거리 ( D 1 ) ( 제 1 거리 ) 는 반도체 장치 ( 12 ) 의 측면 ( 12 - 1 ) 에 대향 하 는 댐 ( 37 ) 의 부분 의 내벽 과 , 개구부 ( 43 ) 의 측면 에 대향 하 는 솔 더 레지스 트 ( 35 ) 의 부분 의 측벽 사이 로 규정 된다 . 이 거리 ( D 1 ) 는 언더 필 수지 ( 13 ) 가 형성 될 때 , 언더 필 수지 공급 용 노즐 ( 도시 생략 ) 이 홈 부 ( 45 ) 에 언더 필 수지 ( 13 ) 를 공급 할 수 있 는 거리 로 세팅 된다 . 구체 적 으로 , 거리 ( D 1 ) 는 예 를 들 면 , 0 . 7 ㎜ 내지 2 . 5 ㎜ 로 세팅 될 수 있 다 .