본 실시 형태 에서 는 , Ge 층 ( 120 ) 을 예컨대 에피 택 셜 성장 시킨 후 , 2 단계 의 어닐링 을 복수 회 반복 한다 . 이 때문 에 , 에피 택 셜 성장 의 단계 에서 존재 하 는 결정 결함 을 , 어닐링 에 의해 Ge 층 ( 120 ) 의 주변 부 로 이동 시킬 수 있 고 , 그 결정 결함 을 Ge 층 ( 120 ) 의 가장자리 부 에 배제 시킴 으로써 , Ge 층 ( 120 ) 의 결정 결함 밀도 를 매우 낮 은 레벨 로 할 수 있 다 . 이 에 따라 , 이후 에 형성 하 는 예컨대 에피 택 셜 박막 의 기판 재료 에 기인 한 결함 을 저감 시킬 수 있 고 , 결과 적 으로 소자 형성 층 ( 124 ) 에 형성 되 는 전자 소자 의 성능 을 향상 시킬 수 있 다 . 또한 , 격자 부정합 에 기인 하 여 실리콘 기판 에 는 직접 결정 성장 시킬 수 없 는 종류 의 박막 이 라도 , 결정 성 이 우수 한 Ge 층 ( 120 ) 을 기판 재료 로 하 여 양질 의 결정 박막 을 형성 할 수 있 다 .