상기 기술 적 과제 를 이루 기 위한 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 기판 처리 장치 는 , 기판 을 처리 하 기 위한 반응 공간 을 제공 하 는 공정 챔버 ; 상기 공정 챔버 의 내부 에 설치 되 어 상기 기판 에 대향 하 며 상기 기판 측 으로 공정 가스 를 분사 하 는 가스 분사 부 ; 및 상기 기판 을 지지 및 고정 하 는 진공 척 ; 을 포함 하 되 , 상기 진공 척 은 , 상기 기판 이 안착 되 며 상기 기판 을 진공 흡착 하 여 고정 시키 는 기판 안착 부 ; 상기 기판 안착 부 의 상면 에 소정 간격 으로 형성 되 고 , 상기 기판 과 접촉 하 여 상기 기판 을 지지 하 는 복수 개 의 엠보싱 ; 상기 기판 안착 부 의 하부 에서 상기 기판 을 상기 기판 안착 부 에 로딩 또는 언로 딩 시키 는 리프트 핀 이 삽입 되 는 리프트 핀홀 ; 및 상기 기판 의 중심 으로부터 상기 리프트 핀홀 의 안쪽 영역 인 중심 영역 에 진공 을 형성 하 기 위한 제 1 격벽 ; 을 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .