도 2 , 도 3 a 및 도 4 를 참조 하 면 , 반도체 기판 ( 100 ) 에 활성 영역 ( 103 ) 을 한정 하 는 소자 분리 영역 ( 미 도시 ) 을 형성 할 수 있 다 . 상기 반도체 기판 ( 100 ) 은 실리콘 기판 일 수 있 다 . 상기 소자 분리 영역 은 트렌치 소자 분리 기술 을 이용 하 여 형성 할 수 있 다 . 상기 활성 영역 ( 103 ) 을 갖 는 반도체 기판 에 제 1 유전 막 ( 110 ) 을 형성 할 수 있 다 . 상기 제 1 유전 막 ( 110 ) 은 열 산화 막 으로 형성 할 수 있 다 .