한편 , 오늘날 의 초미세 화 반도체 집 적 회로 장치 에서 는 , 기판 상 에 형성 된 막대 한 수 의 반도체 소자 를 상호 접속 하 기 위해 , 저 저항 금속 을 배선 패턴 으로 한 다층 배선 구조 가 사용 되 고 있 다 . 특히 Cu 를 배선 패턴 으로 한 다층 배선 구조 에서 는 , 실리콘 산화 막 , 또는 보다 비유전율 이 낮 은 , 이른바 저 유전율 ( low - K ) 재료 로 이루어지 는 층간 절 연막 중 에 배선 홈 또는 비아 홀 을 미리 형성 하 여 두 고 , 이것 을 Cu 층 으로 충전 하 고 , 잉여 의 Cu 막 부분 을 화학 기계 연마 ( CMP ) 에 의해 제거 하 는 다 마신 법 또는 듀얼 다마 신법 이 일반 적 으로 사용 되 고 있 다 .