상술 한 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 은 반도체 소자 제조 시 오버레이 키 정렬 방법 으로서 , ( a ) 다층 의 반도체 기판 중 하부 레이어 의 스 크 라 이브 영역 에 반도체 기판 층간 정렬 을 위한 오버레이 키 를 n 각 형 ( n 은 5 - 12 의 자연수 ) 형태 의 바 타입 으로 형성 시키 는 단계 와 , ( b ) 상기 n 각 형 형태 의 바 타입 으로 형성 된 오버레이 키 를 이용 하 여 X , Y 축 에서 측정 되 는 두 개 의 키 의 센터 값 을 측정 하 여 오버레이 정렬 을 수행 하 는 단계 와 , ( c ) 상기 X , Y 축 의 오버레이 키 중 어느 하나 가 손상 되 는 경우 , X , Y 축 의 측정 방향 을 손상 되 지 않 은 오버레이 키 방향 으로 일정 각도 회전 하 여 오버레이 정렬 을 재차 수행 하 는 단계 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .