예시 적 인 실시 예 에 따르 면 , 얕 은 도핑 구역 은 ( 예컨대 , 반도체 디바이스 를 위한 얕 은 접합 을 생성 하 기 위해 ) 복수 개 의 도 펀트 종 을 반도체 기판 에 동시 주입 하 는 것 에 의해 반도체 기판 에 형성 된다 . 제 1 실시 예 에 따르 면 , 복수 의 소스 가스 가 우선 , 이온 주입 장치 에 커플링 되 어 있 는 컨테이너 에서 혼합 된 다음 , 각각 의 도 펀트 가 이온 소스 를 퍼지 할 필요 없이 - 다른 예시 적 인 실시 예 에 따르 면 , 이온 소스 는 하나 이상 의 주입 단계 사이 에서 퍼지 될 수 있 음 - 연속 하 여 주입 된다 . 예 시 적 인 제 2 실시 예 에 따르 면 , 각각 의 도 펀트 종 은 반도체 기판 에 직접 주입 되 는 단일 분자 로 포함 된다 . 후자 의 실시 예 에서 , 주입 파라 메터 는 다양 한 종이 적절 한 깊이 와 부위 에 주입 되 도록 선택 된다 .