상기 제 1 마스크 패턴 을 식각 마스크 로 상기 기판 ( 200 ) 을 식각 하 여 트렌치 를 형성 하 고 , 상기 트렌치 내부 에 소자 분리 용 절 연막 을 채워 넣 음 으로써 소자 분리 막 패턴 ( 202 ) 을 형성 한다 . 상기 소자 분리 막 패턴 ( 202 ) 은 상기 기판 표면 으로부터 돌출 된 형상 을 갖 는다 . 상기 소자 분리 막 패턴 ( 202 ) 을 형성 함 으로써 , 상기 기판 ( 200 ) 은 액티브 영역 및 소자 분리 영역 으로 구분 된다 .