이때 , 차 폐부 ( 300 ) 둘레 를 따라 공정 가스 가 균일 하 게 분사 되게 되 고 , 상기 공정 가스 는 플 라즈 마 에 의해 활성 화 된다 . 그리고 , 실드 부 ( 200 ) 내측 표면 에 마련 된 패러데이 실드 ( 600 ) 에 의해 플 라즈 마 화 된 공정 가스 가 기판 ( 10 ) 의 에지 영역 에 집중 된다 . 이때 , 차 폐부 ( 300 ) 둘레 에 마련 된 상부 전극 부 ( 310 ) 와 몸 체부 ( 510 ) 내 의 제 2 전극 ( 530 ) 에 바이어스 전원 을 인가 하 여 기판 에지 영역 의 막 및 파티클 을 제거 한다 . 예 를 들 어 13 . 56 MHz 의 주파수 를 갖 고 , 500 W 의 전력 을 갖 는 바이어스 전 원 을 몸 체부 ( 510 ) 의 제 2 전극 ( 530 ) 에 제공 하 면 바이어스 전원 에 의해 플 라즈 마가 노출 된 기판 에지 영역 이 식각 된다 . 본 실시 예 에서 는 기판 에지 영역 에 금속 막 이 형성 된 경우 에 도 챔버 ( 100 ) 내측 또는 측면 및 몸 체부 ( 510 ) 내측 에 마련 된 가열 수단 에 의해 기판 에 층 착 된 금속 막 을 가열 시킨 다음 활성 화 된 플 라즈 마로 기판 에지 영역 을 식각 하 여 금속 막 을 제거 할 수 있 다 .