플로팅 게이트 에 저장 된 전자 는 여러 원인 에 의해 도 1 의 화살표 방향 으로 누설 ( leakage ) 될 수 있 다 . 먼저 , 플로팅 게이트 에 저장 된 전자 는 외부 자극 ( 예 를 들 어 , 열 ) 에 의해 누설 될 수 있 다 . 또한 , 플로팅 게이트 에 저장 된 전자 는 메모리 셀 의 마모 ( wearing ) 에 의해 누설 될 수 있 다 . 플래시 메모리 장치 에 대한 액세스 ( access ) 동작 의 반복 은 채널 영역 과 플로팅 게이트 사이 의 절 연막 을 마모 시킨다 . 액세스 동작 에 는 프로그램 , 소거 , 및 독 출 동작 이 포함 된다 . 절 연막 이 마모 되 면 플로팅 게이트 에 저장 된 전자 가 쉽 게 누설 된다 .