또한 , 제 1 결정 성 산화물 반도체 층 위 에 제 2 결정 성 산화물 반도체 층 을 형성 하 는 2 층 구조 에 한정 되 지 않 고 , 제 2 결정 성 산화물 반도체 층 의 형성 후 에 제 3 결정 성 산화물 반도체 층 을 형성 하 기 위한 성막 과 가열 처리 의 프로세스 를 반복 하 여 , 3 층 이상 의 적층 구조 로 해도 좋 다 . 상기 제작 방법 으로 형성 된 산화물 반도체 적층 으로 이루어지 는 산화물 반도체 층 ( 453 ) 을 , 본 명세서 에 개시 하 는 반도체 장치 에 적용 할 수 있 는 트랜지스터 ( 예 를 들 어 , 실시 형태 1 및 실시 형태 2 에 있 어서 의 트랜지스터 ( 162 ) , 실시 형태 3 에 있 어서 의 트랜지스터 ( 410 , 420 , 430 , 440 , 441 , 442 ) 에 적절히 사용 할 수 있 다 .