여기 서 , 트랜지스터 ( 162 ) 의 드레 인 전극 ( 또는 소스 전극 ) 과 , 트랜지스터 ( 160 ) 의 게이트 전극 과 , 용량 소자 ( 164 ) 의 한쪽 의 전극 이 전기 적 으로 접속 된 노드 ( 노드 FG ) 는 , 비휘발성 메모리 소자 로서 사용 되 는 플로팅 게이트 형 트랜지스터 의 플로팅 게이트 와 동등 한 작용 을 갖 는다 . 트랜지스터 ( 162 ) 가 오프 상태 인 경우 에 는 , 상기 노드 FG 는 절연체 중 에 매설 되 어 있 다고 볼 수 있 고 , 노드 FG 에 는 전하 가 유지 된다 . 산화물 반도체 를 사용 한 트랜지스터 ( 162 ) 의 오프 전류 는 실리콘 반도체 등 에 의하 여 형성 되 는 트랜지스터 의 1 / 100000 이하 이 기 때문 에 , 트랜지스터 ( 162 ) 의 리크 에 의하 여 노드 FG 에 축적 된 전하 가 소실 ( 消失 ) 하 는 것 을 무시 할 수 있 다 . 즉 , 산화물 반도체 를 사용 한 트랜지스터 ( 162 ) 를 사용 함 으로써 전력 이 공급 되 지 않 아도 정보 를 유지 할 수 있 는 비휘발성 기억 장치 를 실현 할 수 있 다 .