이어서 , 1325 ℃ 의 고온 으로 , Ar 및 O 2 의 혼합 분위기 중 에서 8 시간 , 단결정 실리콘 웨이퍼 를 열처리 한다 . 이 고온 열처리 에 의해 , 단결정 실리콘 웨이퍼 로부터 매입 SiO 2 층 이외 의 석출 물 이 제거 되 고 , 단결정 실리콘 웨이퍼 의 표면 부 에 , 실리콘 원자 를 재 배열 시킨 단결정 실리콘 층 ( 활성 층 ) 이 형성 된다 . 형성 된 활성 층 의 두께 및 매입 SiO 2 층 의 두께 를 투과 전자 현미경 으로 관찰 한 바 활성 층 의 두께 는 200 nm , 매입 SiO 2 층 의 두께 는 125 nm 이 었 다 .