단 ， Vinit 는 프로그램 전압 VPGM 의 초기 값 , n 은 NAND 셀 내 의 메모리 셀 트랜지스터 MT 의 수 , α 는 부유 게이트 ( 14 ) 와 제어 게이트 ( 16 ) 와 의 커플링 비이 다 . 기입 특성 을 유지 하 기 위해서 , 설계 룰 의 세대 가 변하 여도 , 커플 링비 α 는 일정 값 을 유지 하 도록 설계 된다 . 따라서 , VPASS 를 스텝업 시킴 으로써 , 비 선택 셀 에서 의 제어 게이트 와 채널 의 전위차 를 작 게 할 수 있 고 , 그 결과 , 비 선택 셀 ( 선택 워드 선 및 비 선택 비트 선 에 접속 된 메모리 셀 트랜지스터 MT ) 에 대한 데이터 의 오기 입 을 억제 할 수 있 다 .