" 본 출원 은 현재 계류 중 인 발명 의 명칭 "" Method of Reducing The Erosion Rate Of Semiconductor Processing Apparatus Exposed To Halogen - Containing Plasmas "" 의 2007 년 4 월 27 일자 출원 된 선 ( Sun ) 등 의 미국 출원 제 11 / 796 "," 210 호 ; 현재 계류 중 인 발명 의 명칭 "" Method And Apparatus Which Reduce The Erosion Rate Of Surfaces Exposed To Halogen - Containing Plasmas "" 의 2007 년 4 월 27 일자 출원 된 선 등 의 미국 출원 제 11 / 796 "," 211 호 ; 및 현재 계류 중 인 발명 의 명칭 "" Plasma - resistant Ceramics With Controlled Electrical Resistivity "" 의 2007 년 8 월 2 일자 출원 된 선 등 의 미국 출원 제 11 / 890 ", 156 호 와 관련 되 어 있 다 . 이 들 특허 및 출원 의 모든 내용 이 본원 에 참고 로 포함 된다 .