상기 에서 살펴본 바 와 같이 , 본 발명 에 따른 GaN 후막 의 제조 방법 은 이종기 판상 에 말 도 , 크기 및 길이 가 균일 한 GaN 나노 막대 를 형성 할 수 있 으며 , 후 공정 에서 GaN 후막 을 형성 한 다음 에 도 상기 GaN 나노 막대 가 그 형상 을 여전히 유지 하 고 있 기 때문 에 GaN 후막 에 , 이종기 판 으로부터 의 격자 부정합 및 열팽창 계수 차 에 의하 여 발생 할 수 있 는 결함 이 발생 되 지 않 으며 , 고품위 의 GaN 후막 을 제조 할 수 있 고 , 상기 GaN 후막 을 기판 으로 사용 하 여 GaN 박막 을 에피 택 셜 성장 시킬 수 있 어 , 특성 이 우수 한 소자 를 제조 할 수 있 다 . 또한 , 본 발명 에 따른 GaN 후막 의 제조 방법 은 그 제조 공정 이 단순 하 기 때문 에 공정 효율 이 우수 하 다는 장점 이 있 다 .