플라 즈 마 프로세싱 시스템 과 같 은 반도체 진공 프로세싱 장치 가 에칭 , 물리 기상 증착 ( PVD ) , 화학 기상 증착 ( CVD ) , 이온 주입 및 레지스 트 제거 를 포함 한 기술 들 에 의해 기판 을 프로세싱 하 는 데 이용 된다 . 플 라즈 마 프로세싱 에 이용 된 일 타입 의 반도체 진공 프로세싱 장치 는 상부 전극 ( upper electrode ) 및 하부 전극 ( bottom electrode ) 을 포함 하 는 반응 챔버 를 포함 한다 . 반응 챔버 에서 기판 을 프로세싱 하 기 위해 전극 들 간 에 전계 를 확립 하 여 프로세스 가스 를 플 라즈 마 상태 로 여기 시 킨다 .