도 12 를 참조 하 면 , n + InGaAs 서브 콜렉터 층 ( 102 ) 의 소정 부분 이 노출 시키 기 위하 여 화합물 반도체 기판 ( 100 ) 결과물 상부 에 포토레지스트 패턴 ( 도시 되 지 않 음 ) 을 형성 한다 . 다음 , 포토레지스트 패턴 을 마스크 로 하 여 노출 된 제 1 식각 정지 층 ( 104 ) 을 식각 하 여 , 서브 콜렉터 층 ( 102 ) 을 노출 시킨다 . 상기 제 1 식각 정지 층 ( 104 ) 은 InP 층 으로 형성 되 었 으므로 , 인산 과 염산 의 혼합 용액 으로 식각 함 이 바람직 하 다 .