비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법 이 개시 된다 . 상기 비휘발성 메모리 소자 는 고유 전 율 물질 을 포함 하 는 게이트 층간 유전 막 을 갖 는 소자 이 다 . 상기 소자 의 플로팅 게이트 간 에 , 바이어스 가 인가 되 는 쉴 딩 라인 이 개재 된다 . 상기 비휘발성 메모리 소자 의 제조 방법 은 절 연막 으로 둘러싸인 쉴 딩 라인 을 형성 하 는 것 을 포함 한다 . 워드 라인 등 의 패 터닝 시 에 상기 쉴 딩 라인 의 손상 이 방지 될 수 있 다 .