또한 , 본 발명 의 다른 실시 예 에 따른 플 래쉬 메모리 소자 의 제조 방법 은 ( a ) 반도체 기판 의 제 1 영역 에 터널 산화 막 및 제 1 도전 층 을 적층 하 여 플로팅 게이트 패턴 을 형성 하 고 , 상기 반도체 기판 의 제 2 영역 에 트렌치 형 소자 분리 막 을 형성 하 는 단계 ; ( b ) 상기 소자 분리 막 을 1 차 로 소정 두께 식각 하 는 단계 ; ( c ) 상기 제 1 도전 층 측벽 에 도전 층 스 페이서 를 형성 하 는 단계 ; ( d ) 상기 소자 분리 막 을 2 차 로 소정 두께 식각 하 는 단계 ; 및 ( c ) 전체 구조 상부 에 유전체 막 및 제 2 도전 층 을 형성 한 후 패 터닝 하 여 플로팅 게이트 및 콘트롤 게이트 를 형성 하 는 단계 를 포함 한다 .