실리콘 필라 ( 420 ) 의 형성 후 에 , p + 실리콘 영역 ( 426 ) 이 실리콘 필라 ( 420 ) 의 상부 표면 가까이 에 각각 의 실리콘 필라 ( 420 ) 내 에 형성 된다 . 예 를 들 어 , 실리콘 필라 ( 420 ) 내 에 소정 깊이 에 보론 을 주입 하 기 위해 블랭킷 p + 주입 이 사용 될 수 있 다 . 바람직 한 주입 가능 한 분자 이온 은 BF 2 , BF 3 , B 등 을 포함 한다 . 일부 실시 예 에서 , 약 1 내지 5 × 1015 ions / cm 2 의 주입 도우즈 가 사용 될 수 있 다 . 이외 주입 종 들 및 / 또는 도우즈 가 사용 될 수 있 다 . 또한 , 일부 실시 예 에서 , 실리콘 필라 ( 420 ) 의 상측 부분 을 도핑 하 기 위해 확산 공정 이 사용 될 수 도 있 다 . 적어도 일 실시 예 에서 , p + 실리콘 영역 ( 426 ) 은 약 100 내지 700 옹스트롬 의 깊이 를 갖 는데 , 그러나 다른 p + 실리콘 영역 크기 가 사용 될 수 도 있 다 . ( 형성 될 다이오드 가 상향 p - n 또는 p - i - n 다이오드 라면 , 실리콘 필라 ( 420 ) 의 상측 부분 은 n 형 으로 도핑 될 것 에 유의 한다 ) . 그럼 으로써 각각 의 실리콘 필라 ( 420 ) 는 하향 p - i - n 다이오드 ( 428 ) 를 포함 한다 .