따라서 , 본 발명 의 반도체 메모리 장치 는 승압 전압 VPP 의 레벨 이 타 겟 레벨 인 ' B ' 로 유지 되 기 를 원하 는 경우 , 파워 업 이후 전원 전압 VDD 이 ' B ' 까지 상승 했 을 때 레벨 제 어부 ( 30 ) 를 통해 제어 신호 CTRL 를 디스 에 이 블 시킴 으로써 , 승압 전압 VPP 의 레벨 이 타 겟 레벨 인 ' B ' 로 유지 될 수 있 다 .