기판 은 , 실리콘 웨이퍼 , 예 를 들 어 , 재료 의 하나 이상 의 층 들 , 예컨대 유전체 , 도전 성 또는 반 도전 성 재료 가 상부 에 증착 된 웨이퍼 들 을 포함 하 여 200 ㎜ 웨이퍼 , 300 ㎜ 웨이퍼 , 또는 450 ㎜ 웨이퍼 일 수 도 있 다 . 하부 층 들 의 비 제한 적 인 예 들 은 유전체 층 들 및 도전 층 들 , 예 를 들 어 , 실리콘 옥사이드 들 , 실리콘 나이트 라이드 들 , 실리콘 카바이드 들 , 금속 옥사이드 들 , 금속 나이트 라이드 들 , 금속 카바이드 들 , 및 금속 층 들 을 포함 한다 . 일부 실시 예 들 에서 , 기판 은 도 2 a 에 도시 된 바 와 같이 , 실리콘 옥사이드 및 실리콘 나이트 라이드 를 포함 한다 . 도 2 a 는 노출 된 실리콘 옥사이드 표면 ( 203 ) 및 노출 된 실리콘 나이트 라이드 표면 들 ( 202 ) 을 갖 는 기판 ( 200 ) 을 도시 한다 . 실리콘 옥사이드 표면 은 주변 공기 ( H 2 O 및 O 2 ) 로부터 또는 H 2 O 내 1 ％ 의 HF ( hydrofluoric acid ) 와 같 은 약한 에 천 트 로부터 형성 될 수 도 있 는 하이드 록 실 말 단기 들 을 포함 한다 . 실리콘 옥사이드 상 의 하이드 록 실 말 단기 들 은 또한 실리콘 옥사이드 ( 203 ) 재료 를 형성 하 도록 사용 된 기법 으로 인해 형성 될 수 도 있 다 . 실리콘 나이트 라이드 표면 들 ( 202 ) 은 질소 원자 들 이 인접 한 질소 원자 에 결합 되 는 , Si - NH 다 이 머들 을 포함 한다 . 이러 한 표면 은 실리콘 나이트 라이드 재료 가 500 ℃ 미만 과 같 은 저온 에서 CVD ( chemical vapor deposition ) 를 사용 하 여 증착 된다면 형성 될 수 도 있 다 . 그러나 , 이러 한 표면 들 은 실리콘 옥사이드 를 증착 하 기 위해 사용 된 실리콘 함유 전구체 들 과 의 반응 에 민감 할 수 도 있 다 .