본 발명 에 따른 하부 전극 은 , ITO 와 같이 , 주위 온도 에서 증착 될 수 있 고 , 정확 한 전기 전도 성 을 얻 는 데 열 어닐링 을 요구 하 지 않 는 물질 을 특히 스택 의 물질 로 선택 함 으로써 용이 하 게 제조 한다 . 더욱 바람직 하 게 는 , 스택 의 층 대부분 또는 심지어 전부 는 바람직 하 게 는 상당 한 생산 성 상승 을 가능 하 게 하 는 스퍼터링 , 임의 로 마그네트론 스퍼터링 에 의해 ( 바람직 하 게 는 연속 적 으로 ) 진 공하 에서 증착 된다 .