메모리 부분 ( 1500 ) 에서 , 각 영역 은 특정 수 의 액세스 동작 을 수행 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 메모리 부분 ( 1500 ) 의 실례 가 되 는 예 에서 , 영역 0 내지 영역 3 은 각각 76 개 의 액세스 동작 을 수행 할 수 있 을 수 있 다 . 영역 0 내지 영역 3 내 일부 셀 은 셀 들 이 가장 자리 부근 에 있 기 때문 에 액세스 가능 하 지 않 을 수 있 다 ( 예 를 들 어 , 단지 디 코딩 된 로우 라인 들 이 도시 되 는 도 13 에 도시 된 바 와 같이 ) . 또한 , 경계 부분 의 가장자리 부근 에 위치 되 는 것 들 과 같이 경계 부분 위 에 위치 되 는 일부 셀 도 액세스 가능 하 지 않 을 수 있 다 . 그러나 , 영역 0 내지 영역 3 내 경계 부분 위 에 위치 되 는 그 외 다른 메모리 셀 들 은 이용 가능 할 수 있 다 . 액세스 동작 들 의 수 를 예시 하 기 위해 , 영역 3 의 상세 한 설명 이 제시 된다 . 그러 한 설명 이 또한 영역 0 , 영역 1 및 영역 2 에 도 대응 함 이 이해 되 어야 한다 . 영역 3 내 제일 왼쪽 컬럼 라인 은 제 1 덱 을 위한 교차 로우 라인 들 을 통해 제 1 덱 상의 14 개 의 셀 에 액세스 할 수 있 고 제 2 덱 을 위한 교차 로우 라인 들 을 통해 제 2 덱 상의 14 개 의 셀 에 액세스 할 수 있 다 . 영역 3 내 중앙 컬럼 라인 은 제 1 덱 을 위한 교차 로우 라인 들 을 통해 제 1 덱 상의 16 개 의 셀 에 액세스 할 수 있 고 제 2 덱 을 위한 교차 로우 라인 들 을 통해 제 2 덱 상의 16 개 의 셀 에 액세스 할 수 있 다 . 영역 3 내 제일 오른쪽 컬럼 라인 은 제 1 덱 을 위한 교차 로우 라인 들 을 통해 제 1 덱 상의 8 개 의 셀 에 액세스 할 수 있 고 제 2 덱 을 위한 교차 로우 라인 들 을 통해 제 2 덱 상의 8 개 의 셀 에 액세스 할 수 있 다 . 영역 3 내 컬럼 라인 들 ( 예 를 들 어 , 제일 왼쪽 , 중앙 및 제일 오른쪽 ) 은 총 76 개 의 메모리 셀 에 액세스 할 수 있 다 . 도 15 는 메모리 어레이 의 일 부분 만 을 나타낼 수 있 다는 것 이 이해 되 어야 한다 . 그 에 따라 , 개요 된 원리 들 은 추가 및 / 또는 더 큰 구현 예 들 을 커버 하 도록 확장 될 수 있 다 .