P - I - N 포토다이오드 ( 100 ) 는 , 도 1 에 도시 된 바 와 같이 , 보통 의 P - I - N 층 으로 구성 되 어 있 어서 구조 가 간단 하 고 , 가격 도 상대 적 으로 저렴 하 다 . 또한 , 잡음 ( noise ) 특성 이 좋 으며 , I - 영역 ( 130 ) 으로 인해 일반 적 인 P - N 다이오드 보다 넓 은 공핍 영역 을 얻 을 수 있 어서 , 광 검출기 ( Light Detector ) 나 X - ray 센서 로 널리 사용 된다 .