추가 적 인 실시 예 에 따르 면 , 레이어 스택 은 수직 채널 개구 내 에 ( 그리고 수직 채널 개구 의 연장 방향 을 따라서 ) 배치 되 는 제 3 화합물 반도체 레이어 를 포함 하 고 , 제 3 화합물 반도체 레이어 는 제 2 화합물 반도체 레이어 상 에 배치 되 고 제 2 화합물 반도체 레이어 로 갈바 닉 적 으로 연결 된다 . 여기 에서 , 제 2 화합물 반도체 레이어 가 화합물 반도체 레이어 및 제 3 화합물 반도체 레이어 사이 에 배치 되 도록 , 제 3 화합물 반도체 레이어 는 화합물 반도체 레이어 맞은편 의 제 2 화합물 반도체 레이어 의 측면 상 에 배치 된다 . 이러 한 배치 에 의해 , 예 를 들 어 , 수직 채널 개구 내 에 트랜지스터 구조 가 생성 될 수 있 다 .