본 발명 의 또 다른 실시 예 에 따르 면 , 상기 제 2 산화 공정 은 건식 ( dry ) 산화 공정 을 포함 할 수 있 다 . 상기 건식 산화 공정 에 있 어서 , 상기 공정 챔버 를 약 800 ∼ 1 , 000 ℃ 정도 의 상대 적 으로 높 은 제 3 온도 및 약 5 ∼ 10 Torr 정도 의 상대 적 으로 높 은 제 3 압력 으로 유지 한 후 , 상기 공정 챔버 내 로 산소 를 포함 하 는 제 3 반응 가스 를 도입 한다 . 상기 제 3 반응 가스 는 약 5 ∼ 15 slm 정도 의 유량 으로 상기 공정 챔버 내 로 공급 될 수 있 다 . 상기 제 3 온도 에서 상기 제 3 반응 가스 를 열처리 하 여 형성 된 산소 를 제 2 예비 산화 막 ( 110 ) 에 포함 된 실리콘 과 반응 시킴 에 따라 제 2 예비 산화 막 ( 110 ) 을 하부 산화 막 ( 118 ) 으로 변화 시키 면서 하부 산화 막 ( 118 ) 상 에 상부 산화 막 ( 125 ) 을 형성 한다 .