본 발명 은 소모 되 는 전류 를 최대한 줄이 기 위해 파워 다운 모드 에 지연 고정 루프 회로 를 제어 할 수 있 는 반도체 메모리 장치 를 제공 하 기 위한 것 으로 , 이 를 위해 본 발명 은 시스템 클럭 을 입력 받 아 지연 고정 동작 을 통해 지연 고정 된 클럭 을 생성 하 기 위한 지연 고정 클럭 생성 회로 ; 액티브 프리 차지 파워 다운 모드 에서 활성 화 되 는 액티브 프리 차지 파워 다운 모드 신호 를 생성 하 기 위한 모드 신호 생 성부 ; 및 상기 액티브 프리 차지 파워 다운 모드 신호 에 응답 하 여 , 예정 된 주기 마다 지연 고정 클럭 생성 회로 의 지연 고정 동작 이 활성 화 되 도록 상기 지연 고정 클럭 생성 회로 를 제어 하 기 위한 지연 고정 동작 제 어부 를 구비 하 는 반도체 메모리 장치 를 제공 한다 .