여기 서 , 터널 산화 막 ( 24 A ) 은 850 내지 950 ℃ 의 온도 에서 라디칼 ( radical ) 산화 공정 으로 셀 영역 의 반도체 기판 ( 20 ) 과 제 1 게이트 도전 막 ( 23 ) 에 35 내지 45 Å 의 두께 로 산화 막 을 성장 시키 고 , 850 내지 950 ℃ 의 N 2 O 가스 분위기 에서 8 내지 12 분 간 어닐링 ( annealing ) 한 다음 , 850 내지 950 ℃ 의 N 2 가스 분위기 에서 8 내지 12 분 간 어닐링 하 여 형성 할 수 있 다 .