광전지 들 , 위 에서 언급 한 종류 의 것 들 은 양 접속 들 사이 의 기생 전기 전도 경로 를 표현 하 는 소위 션트 저항 을 가진다 . 이러 한 션트 저항 은 우세 하 게 는 기판 의 솔러 면 과 접속 면 사이 의 전기 접속 들 에 그리고 주위 에 존재 한다 . 실제로 , 기판 의 솔러 면 위 에서 발생 된 전위 는 관통 개구 들 내 의 전기 전도 플러그 들 을 통해 기판 의 접속 면 에 전달 되 고 , 여기 서 이러 한 전위 는 접속 을 위해 이용 가능 하 다 . EP - A - 1 985 233 에 기재 된 것 과 같이 , 이러 한 션트 저항 에 대한 보호 는 , 종래 기술 에서 , 관통 개구 를 둘러싸 는 양면 들 에 그리고 양면 들 위 에 제 1 극성 의 낮 은 오 믹 균질 및 연속 도핑 ( low ohmic homogeneous and continuous doping ) 을 형성 하 여 실현 된다 . EP - A - 2 068 369 는 개구 들 의 접속 면 및 벽 들 위 의 , 전형 적 으로 200 nm 보다 두꺼운 , 두꺼운 패 시베이 션 층 을 개시 한다 .