처리 실 ( 201 ) 내 로 도입 된 F 2 가스 , 또는 희석 된 F 2 가스 는 , 처리 실 ( 201 ) 내 를 상승 하 고 , 이너 튜브 ( 204 ) 의 상단 개구 로부터 통 형상 공간 ( 250 ) 내 로 유출 하 고 , 통 형상 공간 ( 250 ) 내 를 유출 한 후 , 배기관 ( 231 ) 으로부터 배기 된다 . F 2 가스 , 또는 희석 된 F 2 가스 는 , 처리 실 ( 201 ) 내 를 통과 할 때 , 처리 실 ( 201 ) 내 에 부착 한 미소 한 석영 가루 나 질화 실리콘 의 잔존 막 등 의 부착물 이나 , 처리 실 ( 201 ) 내 의 석영 부재 [ 프로세스 튜브 ( 203 ) 나 보트 ( 217 ) 등 ] 의 표면 등 과 접촉 한다 . 이 때 , 열화학 반응 에 의해 석영 가루 나 질화 실리콘 의 잔존 막 등 의 부착물 이 제거 되 고 , 처리 실 ( 201 ) 내 의 석영 부재 표면 이 약간 에칭 됨 으로서 평활 화 된다 . 즉 , F 2 가스 의 열분해 에 의해 생기 는 활성 종 과 부착물 , 나아가 서 는 석영 부재 표면 과 의 에칭 반응 에 의해 , 부착물 이 제거 되 고 , 석영 부재 의 표면 이 평활 화 된다 .