본 발명 의 다른 실시 예 에 따른 HBT 제조 방법 은 다음 과 같 다 . 먼저 , 반 절연 화합물 기판 상 에 서브 콜렉터 층 , 제 1 식각 정지 층 , 콜렉터 층 , 베이스 층 , 제 2 식각 정지 층 , 다층 의 에 미터 층 을 순차 적 으로 적층 한다 . 상기 다층 의 에 미터 층 표면 의 소정 부분 과 콘 택 되 도록 에 미터 전극 을 형성 한 다음 , 상기 에 미터 전극 을 마스크 로 하 여 상기 다층 의 에 미터 층 을 과도 식각 하 여 언더컷 영역 을 형성 한다 . 그리고 나 서 , 상기 에 미터 전극 의 양측 에 위치 하 는 베이스 층 의 소정 부분 이 노출 되 도록 상기 제 2 식각 정지 층 을 소정 부분 식각 한다 . 상기 에 미터 전극 을 기준 으로 그 양측 에 상기 노출 된 베이스 층 과 콘 택 되 도록 베이스 전극 을 선택 적 으로 형성 하 고 , 상기 다층 에 미터 층 의 언더 컷 부분 에 절연 스 페이서 를 형성 하 여 , 상기 베이스 전극 과 상기 패 터닝 된 다층 의 에 미터 영역 을 절연 시킨다 . 그 후 에 , 상기 베이스 전극 을 마스크 로 하 여 상기 베이스 층 및 콜렉터 층 을 패 터닝 하 고 , 상기 베이스 전극 을 마스크 로 하 여 상기 노출 된 제 1 식각 정지 층 을 제거 하 여 서브 콜렉터 층 을 노출 시킨다 . 끝 으 로 상기 노출 된 서브 콜렉터 층 상부 에 선택 적 으로 콜렉터 전극 을 형성 한다 .