도 4 A 및 도 4 B 는 , 도 1 B 의 단계 20 이 수행 된 이후 에 부분 적 으로 형성 된 집 적 회로 ( 200 ) 를 예시 한다 . 단계 20 에서 는 , 선택 적 으로 디 파인 가능 한 층 ( 120 ) 및 제 2 하드 마스크 층 ( 112 ) 을 통해 제 1 하드 마스크 층 ( 110 ) 을 이방성 에칭 하 는 것 에 의해 제 1 하드 마스크 층 ( 110 ) 에 기둥 ( 122 ) 을 형성 한다 . 도 4 A 및 도 4 B 에 도시 된 바 와 같이 , 단계 20 에서 형성 되 는 기둥 ( 122 ) 은 선택 적 으로 디 파인 가능 한 층 ( 120 ) 에서 의 패턴 과 실질 적 으로 동일 한 패턴 을 가질 수 있 다 . 선택 적 으로 디 파인 가능 한 층 ( 120 ) 은 에칭 단계 20 동안 에 또는 이후 에 제거 될 수 있 다 . 제 2 하드 마스크 층 ( 112 ) 을 포함 하 는 실시 예 에서 , 제 2 하드 마스크 층 ( 112 ) 은 , 습식 스트립 에칭 ( wet strip etch ) 을 수행 하 는 것 등 에 의해 , 단계 22 에서 제거 될 수 있 다 . 다른 실시 예 에서 , 선택 적 으로 디 파인 가능 한 층 ( 120 ) 은 제 1 하드 마스크 층 ( 110 ) 에 기둥 ( 122 ) 을 디 파인 하 는 데 에 사용 되 는 동일 한 에칭 에 의해 제거 된다 . 도 5 A 및 도 5 B 는 선택 적 으로 디 파인 가능 한 층 ( 120 ) 을 제거 한 후 에 부분 적 으로 형성 된 집 적 회로 ( 200 ) 를 예시 한다 .