도 19 b 에 도시 한 트랜지스터 는 하 지 절 연막 ( 101 ) 과 , 산화알루미늄 으로 이루어진 매립 절연물 ( 102 ) 위 에 형성 되 고 , 반도체 영역 ( 103 a ) , 반도체 영역 ( 103 c ) , 반도체 영역 ( 103 a ) 과 반도체 영역 ( 103 c ) 에 끼워진 진성 반도체 영역 ( 103 b ) , 폭 이 33 nm 인 게이트 전극 ( 105 ) , 게이트 절연 층 ( 104 ) , 사이드 월 절연물 ( 106 a ) , 사이드 월 절연물 ( 106 b ) , 절연물 ( 107 ) , 소스 전극 ( 108 a ) , 및 드레 인 전극 ( 108 b ) 을 갖 는 점 에서 도 19 a 에 도시 한 트랜지스터 와 같 다 .