도 3 a 에 는 , 도 2 a 에서 의 기판 과 동일 하 게 , 제 1 박막 ( 12 ) , 제 1 마스크 막 ( 14 ) 및 제 2 마스크 막 ( 20 ) 이 적층 되게 표면 에 형성 된 기판 ( 10 ) 이 도시 되 어 있 다 . 제 1 및 제 2 마스크 막 ( 14 , 20 ) 은 식각 장벽 물질 로 도 사용 된다 . 제 2 마스크 막 ( 20 ) 은 도 2 a 에서 와 마찬가지 로 제 1 마스크 막 ( 14 ) 의 안쪽 가장자리 를 대략 3 ~ 10 ㎛ ( 바람직 하 게 는 , 4 ~ 7 ㎛) 정도 의 폭 만큼 노출 시켜 제 1 마스크 막 ( 14 ) 에 의하 여 결정 되 는 패턴 형성 영역 의 용적량 을 1 차 적 으로 확장 시킨다 . 다시 말 하 여 , 제 2 마스크 막 ( 20 ) 은 상기 의 패턴 형성 영역 의 상부 에 제 1 잉여 의 공간 을 추가 로 마련 한다 .