슬러리 등 의 영향 을 받 지 않 고 도전 성막 이 표피 깊이 로 정의 되 는 극히 얇 은 막 두께 에 달한 이후 의 막 두께 의 변화 를 모니터 하 여 이 도전 성막 의 연마 종점 을 높 은 정밀도 로 확실히 검출 한다고 하 는 목적 을 달성 하 기 위해서 , 웨이퍼 표면 의 도전 성막 을 연마 제거 하 면서 평탄 화 가공 공정 을 행하 는 가공 장치 에 있 어서 의 웨이퍼 연마 모니터 방법 으로서 , 상기 웨이퍼 표면 에 대향 하 는 부위 에 마이크 로 스트립 라인 으로 이루어지 는 고주파 전송로 를 형성 하 고 , 이 고주파 전송로 를 통하 여 빠져 나가 는 투과 전자파 혹은 상기 고주파 전송로 를 통과 하 지 않 고 반사 하 는 반사 전자파 중 적어도 어느 하나 로부터 상기 도전 성막 의 연마 제거 상태 를 평가 하 고 , 연마 제거 의 종료 점 및 연마 제거 의 종료 시점 에 대응 한 시점 을 검출 함 으로써 실현 되 었 다 .