본 발명 에 따른 반도체 장치 는 항상 제 1 전류 조 절부 ( 200 ) 와 제 2 전류 조 절부 ( 300 ) 를 포함 하 여 실시 해야 하 는 것 이 아니 다 . 이 는 풀 업 전압 공급 부 ( VDD ) 로부터 공급 되 는 전 류량 만 을 조절 하 던지 풀 다운 전 압부 ( VSS ) 로 빠지 는 전 류량 만 을 조절 하 여도 반도체 장치 에서 소모 되 는 전류 는 상당 부분 조절 하 는 것 이 가능 해 지 기 때문 이 다 . 따라서 , 본 발명 은 제 1 전류 조 절부 ( 200 ) 또는 제 2 전류 조 절부 ( 300 ) 만 을 포함 하 여 실시 될 수 도 있 다 .