상기 제 1 상부 도전 막 ( 151 ) 이 형성 된 기판 ( 110 ) 상 에 상기 의 반도체 박막 증착 법 을 통해 산화 막 및 질화 막 계열 의 물질 막 을 형성 하 여 제 1 절 연막 ( 161 ) 을 형성 한다 . 이때 , 평탄 화 를 위해 상기 제 1 절 연막 ( 161 ) 에 화학 적 기계 적 연마 ( Chemical Mechanical Polishing ; CMP , 이하 CMP 라 함 ) 를 실시 하 거나 전면 식각 을 실시 할 수 있 다 . 물론 평탄 화 특성 이 우수 한 물질 막 으로 상기 제 1 절 연막 ( 161 ) 을 형성 할 수 도 있 다 .