본 발명 은 반도체 소자 제조 에 있 어서 , 특히 소노 스 ( Silicon - Oxide - Nitride - Oxide - Silicon ) 소자 의 제조 를 위한 반도체 소자 제조 방법 에 관한 것 으로 , 데이터 유지 특성 ( Retention ) 개선 및 플 라즈 마 손상 의 개선 을 위해 플 래쉬 메모리 셀 의 형성 이후 DPN ( Decoupled Plasma Nitridation ) 공정 시 에 질소 를 주입 하 여 소노 스 ( SONOS ) 소자 를 제공 하 는 방법 에 관한 것 이 다 .