따라서 , 상술 한 바 와 같이 , 벌브 형 리세 스 게이트 를 형성 하 되 벌브 형 모양 의 목 부분 에 대응 되 는 제 1 리세 스 게이트 영역 을 형성 4 하 고 , 제 1 리세 스 게이트 의 측벽 에 이온 주입 공정 을 수행 한 후 , 측벽 에 스 페이서 용 산화 막 을 형성 하 고 , 이 를 산화 시키 는 방법 으로 벌브 형 모양 의 목 부분 과 몸통 부분 사이 경계 부분 에서 의 게이트 절 연막 을 두껍 게 형성 하 여 목 부분 과 몸통 부분 사이 의 곡률 반경 을 증가 시킴 으로써 전기장 이 집중 되 는 문제 를 해결 한다 .