또한 , 워드 라인 ( 110 ) 과 층간 절 연막 ( ILD ) 의 적층 구조물 형성 을 완료 한 후 , 워드 라인 ( 110 ) 사이 의 층간 절 연막 ( ILD ) 을 일괄 적 으로 식각 하 여 홀 ( H ) 을 형성 하 고 이 홀 에 가변 저항 층 ( 150 ) 및 비트 라인 ( 160 ) 을 매립 하 기 때문 에 , 공정 이 용이 하 고 단순 한 효과 가 있 다 .