반면 , O 2 가스 의 비율 이 증가 할수록 트렌치 ( t ) 전면 에 식각 보호막 형성 이 활발 하 여진다 . O 2 가스 의 비율 이 특히 5 % 에서 10 % 정도 인 경우 에 는 보잉 또는 언더컷 발생 이 없 는 우수 한 트렌치 ( t ) 프로파일 의 확보 가 가능 함 을 알 수 있 다 ( ( b ) 및 ( c ) 참조 ) . 이 는 트렌치 ( t ) 의 전면 에 식각 보호막 이 형성 되 면서 동시 에 트렌치 ( t ) 저면 의 식각 보호막 이 이온 스퍼터링 으로 제거 되 기 때문 이 다 . 그 결과 , 트렌치 ( t ) 측면 에 는 식각 보호막 이 잔류 하 여 수직 프로 파일 을 갖 게 되 면서 트렌치 저면 은 등방성 식각 프로 파일 을 갖 게 된다 .