논의 된 바 와 같이 , MRAM 셀 은 , 예 를 들 어 , 전류 소스 ( 375 ) 로부터 디바이스 ( 300 ) 의 PSC 자기 구조 ( 350 ) , 자기 터널 접합 ( 330 ) 및 잔여 구조 들 을 통해 직류 를 통과 시킴 으로써 프로그래밍 된다 . 프로그래밍 ( 예 를 들 어 , 기록 동작 ) 에 대해 사용 되 는 전류 는 판독 동작 들 에 대해 사용 되 는 전류 들 보다 훨씬 높 을 수 있 다 . 디바이스 기록 동작 동안 사용 된 더 높 은 DC 전류 들 을 위해 , 제 2 PSC 강자성 층 ( 347 ) 의 자기 벡터 의 세차 운동 각도 가 커진다 . 게다가 , 제 2 PSC 강자성 층 ( 347 ) 의 자기 벡터 의 수평 컴포넌트 는 스핀 펌핑 에 의해 제 1 PSC 강자성 층 ( 343 ) 으로 전달 되 고 , 이 는 이제 , 자유 층 ( 336 ) 에 직교 하 며 , 이 에 따라 자유 층 ( 336 ) 의 스위칭 에 필요 한 에너지 장벽 을 낮춘다 . 결과 적 으로 , 자유 층 ( 336 ) 을 스위칭 하 는데 필요 한 스위칭 전류 의 양 은 , 고정 된 분극 층 들 , 예 를 들 어 , 분극 기 층 ( 150 ) 또는 다른 PSC 자기 층 들 을 사용 하 는 다른 MRAM 디바이스 들 과 비교 할 때 감소 된다 .