오늘날 , 반도체 디바이스 는 고집 적 화 되 고 있 고 반도체 패키지 는 소형 화 되 고 있 으며 , 이 는 전극 패드 의 사이즈 및 전극 피치 가 감소 되 고 있 음 을 의미 한다 . 한편 , 전극 패드 의 영역 또는 전극 들 간 의 피치 는 프로브 를 전극 패드 와 높 은 정확도 로 접촉 시킬 수 있 을 정도 로 클 필요 가 있 다 . 종래 의 기술 에서 는 , 프로브 들 을 디바이스 부근 의 협소 한 피치 들 에서 배열 하 는 것 이 어렵 다 . 따라서 , 고집 적 화 및 소형 화 된 반도체 디바이스 의 전극 패드 를 프로브 와 높 은 정확도 로 접촉 시키 는 것 은 더욱 어려워 지 고 있 다 .