동작 모드 ( MD 5 ) 에서 는 , 모든 설정 값 ( HVZ , HFZ , LT 4 Z , TYPZ ) 은 저 레벨 ( L ) 로 설정 된다 . 전원 전압 ( VDDQ ) 은 1 . 2 V 로 설정 되 며 , 클록 신호 ( CLK ) 의 주파수 는 50 ㎒ 로 설정 되 고 , " 레이턴 시 ( LAT ) 는 "" 2 "" 로 설정 되 며 ", 입출력 회로 ( MI / O , CI / O ) 의 구동 능력 ( DRV ) 은 강 ( STG ) 으로 설정 된다 . 이때 , DRAM 의 소비 전류 ( IDD ) 는 50 ㎃ 이 며 , 액세스 시간 ( tAC ) 은 6 ㎱ 이 다 . 동작 모드 ( MD 5 ) 에서 도 , 레이턴 시 ( LAT ) 가 작 기 때문 에 , 동작 모드 ( MD 4 ) 와 마찬가지 로 , 소비 전력 ( PWR ) 은 동작 모드 ( MD 3 ) 에 비해서 더 낮 아 진다 ( = 60 ㎽). 입출력 회로 ( MI / O , CI / O ) 의 구동 능력 ( DRV ) 을 강 ( STG ) 으로 설정 함 으로써 , 액세스 시간 ( tAC ) 이 단축 되 기 때문 에 , 데이터 의 수신 마진 ( tAC / tCK ) 은 동작 모드 ( MD 3 - 4 ) 에 비해서 향상 된다 ( = 0 . 3 ) . 즉 , 구동 능력 ( DRV ) 을 강 ( STG ) 으로 설정 함 으로써 , 전원 전압 ( VDDQ ) 을 낮 게 함 으로써 저하 하 는 트랜지스터 를 흐르 는 전류 를 보충 할 수 있 다 .