상술 한 스텝 4 와 같이 , 활성 화 된 NO 가스 를 사용 하 여 실리콘 질화 층 및 실리콘 함유층 을 실리콘 산화층 으로 개질 하 는 개질 공정 을 수행 함 으로써 , 활성 화 된 NO 가스 가 갖 는 에너지 가 실리콘 질화 층 이나 실리콘 함유층 속 에 포함 되 는 Si － N , Si － Cl , Si － H 결합 을 분리 한다 . Si － O 결합 을 형성 하 기 위한 에너지 는 , Si － N , Si － Cl , Si － H 의 결합 에너지 보다 높 기 때문 에 , Si － O 결합 형성 에 필요 한 에너지 를 산화 처리 대상 의 실리콘 질화 층 및 실리콘 함유층 에 부여 함 으로써 , 실리콘 질화 층 이나 실리콘 함유층 속 의 Si － N , Si － Cl , Si － H 결합 은 분리 된다 . Si 와 의 결합 을 분리 된 N , H , Cl 은 막 속 으로부터 제거 되 고 N 2 , H 2 , Cl 2 , HCl 등 으로서 배출 된다 . 또한 , N , H , Cl 과 의 결합 이 끊김 으로써 남 은 Si 의 결합수 ( 結 合手 ) 는 , 활성 화 된 NO 가스 에 포함 되 는 O 와 결합 되 어 SiO 2 층 으로 개질 된다 . 이 방법 에 의해 형성 한 SiO 2 막 은 , 막 속 의 질소 , 수소 , 염소 농도 가 극히 낮 고 , Si / O 비율 은 화학량론 조성 인 0 . 5 에 극히 가까운 , 양질 의 막 이 됨 을 확인 했 다 .