본 발명 에 따르 면 , 제 1 레이저 빔 을 이용 하 여 디 본딩 대상 영역 주변 을 충분히 예열 한 상태 에서 출력 이 더 낮 은 제 2 레이저 빔 을 이용 하 여 디 본당 대상 전자 부품 에 조사 하 기 때문 에 , 싱글 빔 에 의해 한 번 에 레이저 를 조사 하 는 경우 보다 레이저 빔 의 온도 프로파일 의 미세 한 제어 가 훨씬 용이 한 레이저 디 본딩 장치 와 방법 이 제공 된다 .