상술 한 바 와 같이 , 본 발명 에 따른 질화물 계 반도체 발광 소자 는 n 형 질화물 반도체 층 내 에 질화물 반도체 층 보다 유전 율 이 큰 유전체 를 삽입 하 여 큰 커패시턴스 를 형성 시킴 으로써 , 순간 적 인 정전기 가 역방향 으로 들어왔 을 때 소자 의 반 등 속도 를 증가 시켜 ESD 레벨 을 수 KV 까지 향상 시킬 수 있 으며 , 상기 유전체 층 은 전류 의 확산 을 증가 시켜 소자 의 특성 을 더욱 향상 시킬 수 있 는 효과 가 있 다 .