선택 소자 층 ( 170 ) 은 비트 라인 ( 160 ) 또는 워드 라인 ( 미도 시 됨 ) 으로부터 가변 저항 층 ( 150 ) 으로 의 접근 을 제어 할 수 있 다 . 이 를 위하 여 선택 소자 층 ( 170 ) 은 선택 소자 특성 즉 , 인가 되 는 전압 또는 전류 의 크기 가 소정 임계 값 이하 인 경우 에 는 전류 를 거의 흘리 지 않 다가 , 소정 임계 값 을 초과 하 면 인가 되 는 전압 또는 전류 의 크기 에 실질 적 으로 비례 하 여 급격히 증가 하 는 전류 를 흘리 는 특성 을 가질 수 있 다 . 이러 한 선택 소자 층 ( 170 ) 으로 는 , NbO 2 , TiO 2 등 과 같 은 MIT ( Metal Insulator Transition ) 소자 , ZrO 2 ( Y 2 O 3 ) , Bi 2 O 3 - BaO , ( La 2 O 3 ) x ( CeO 2 ) 1 - x 등 과 같 은 MIEC ( Mixed Ion - Electron Conducting ) 소자 , Ge 2 Sb 2 Te 5 , As 2 Te 3 , As 2 , As 2 Se 3 등 과 같이 칼 코 게나 이드 ( chalcogenide ) 계열 물질 을 포함 하 는 OTS ( Ovonic Threshold Switching ) 소자 , 기타 실리콘 산화물 , 실리콘 질화물 , 금속 산화물 등 다양 한 절연 물질 로 이루어지 면서 얇 은 두께 를 가짐 으로써 특정 전압 또는 전류 하 에서 전자 의 터널 링 을 허용 하 는 터널 링 절연 층 등 이 이용 될 수 있 다 .