지금 까지 설명 된 바 와 같이 , 본 발명 에 의해서 제안 / 개발 된 기술 은 고 성능 의 질화 갈륨 계 반도체 에피 택 셜 적층 구조 를 사용 한 전자 및 광전자 소자 를 제조 하 기 위한 그룹 3 족 질화물 계 로 구성 된 에피 택 셜 기판 제조 및 질화물 계 반도체 를 이용 한 전자 및 광전자 소자 용 에피 택 셜 적층 구조 성장 에 적용 될 수 있 다 . 상세 하 게 는 본 발명 에서 고안 된 공정 방법 을 따르 면 , 양질 의 질화물 계 반도체 에피 택 셜 적층 구조 성장 과 이 를 이용 한 전기 , 광학 , 열 적 으로 우수 한 특성 을 지닌 신 개념 의 고 성능 의 고품위 질화물 계 전자 및 광전자 소자 를 제작 할 수 있 을 것 으로 기대 된다 .