또한 , 도 21 a 에 , 제 1 보 강막 만 을 형성 한 ( 제 1 보 강막 의 막 두께 100 nm ) 경우 의 채널 형성 영역 에 생기 는 응력 분포 를 도시 한다 . 제 1 보 강막 ( 203 ) 만 을 형성 한 경우 , 반도체 장치 의 중립면 의 위치 가 도 20 b 의 경우 보다 도 , 제 1 보 강막 ( 203 ) 측 으로 이동 하 기 때문 에 , 채널 형성 영역 의 상단 부 에 높 은 응력 이 생겼 다 . 이 때 의 미제스 의 상당 응력 의 최대 값 은 , 56 MPa 가 되 었 다 .