상기 기술 적 과제 를 해결 하 기 위한 본 발명 의 시모스 이지미 센서 의 제조 방법 은 , 각 픽셀 의 단위 화소 를 구성 하 는 각각 의 포토 다이오드 와 금속 배선 및 컬러 필터 와 마이크 로 렌즈 를 형성 하 는 시모스 이미지 센서 의 제조 방법 에 있 어서 , 상기 포토 다이오드 및 금속 배선 등 의 하부 구조 가 형성 된 반도체 기판 전면 에 보호막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 보호막 에 대한 포토 레지스 트 패턴 을 이용 한 선택 적 사진 식각 공정 으로 각 픽셀 영역 에 트렌치 를 형성 하 여 각 픽셀 의 경계 부위 에 표면 장력 유도 라인 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 포토레지스트 패턴 을 제거 한 후 상기 각각 의 트렌치 에 컬러 필터 를 코팅 하 여 채우 는 단계 및 상기 각각 의 컬러 필터 상부 및 표면 장력 유도 라인 상부 에 마이크 로 렌즈 를 형성 하 는 단계 를 포함 하 여 이루어진다 .