또한 , 본 발명 은 상기 SEG 공정 에 의해 형성 된 실리콘 에 피층 으로 인해 홈 상 에 형성 되 는 게이트 들 간 의 거리 와 , 상기 홈 상 에 형성 된 게이트 와 상기 소자 분리 막 상 에 형성 된 게이트 간 의 거리 는 종래 의 벌브 형상 의 홈 상 에 형성 된 게이트 들 간 의 거리 와 종래 의 벌브 형상 의 홈 상 에 형성 된 게이트 와 소자 분리 막 상 에 형성 된 게이트 간 의 거리 에 비해 증가 하 게 된다 .