도 12 에 도시 된 바 와 같이 , 워드 라인 ( 16 ) 사이 에 제 2 분리 층 ( 18 ) 이 형성 될 수 있 다 . 제 2 분리 층 ( 18 ) 은 실리콘 산화물 을 포함 할 수 있 다 . 제 2 분리 층 ( 18 ) 은 게이트 분리 트렌치 ( 16 T ) 를 채울 수 있 고 , 워드 라인 ( 16 ) 의 상부 면 이 노출 되 도록 평탄 화 될 수 있 다 .