우선 , 사파이어 기판 이나 산화아연 기판 등 의 반도체 기판 ( 21 ) 상 에 , 2 차원 전자가스 층 ( 22 ) 을 형성 하 는 것 같 은 밴드 구조 의 조합 을 선택 하 고 , 예 를 들 면 , 산화아연 마그네슘 / 산화아연 / 산화아연 마그네슘 으로 구성 되 는 다층막 ( 23 ) 을 MBE 법 이나 MO ( metal organic ) CVD 법 , PLD ( pulsed laser deposition ) 법 등 에 의해 결정 성장 ( 結晶 成長 ) 한다 . 기판 재료 에 의한 영향 이나 극성 면 ( 極性 面 ) 의 제어 를 행하 는 경우 에 는 반도체 기판 표면 상 에 200 ℃ 이하 의 저온 조건 에서 성장 한 산화아연 층 이나 산화아연 마그네슘 층 등 의 버퍼 층 을 상기 의 다층 구조 ( 23 ) 와 기판 ( 21 ) 의 중간 에 설치 하 는 경우 도 있 다 . 이 다층 구조 결정 ( 23 ) 상 에 CVD 법 이나 스퍼터 법 , 반응 성 증착 법 등 에 의해 게이트 절 연막 ( 24 ) 을 성막 하 고 , 또한 게이트 전극 ( 25 ) 을 증착 법 이나 스퍼터 법 등 에 의해 형성 하 고 , 포토레지스트 등 을 마스크 ( 26 ) 로서 드라이 에칭 법 또는 밀링 ( milling ) 법 ( 27 ) 에 의해 게이트 전극 ( 25 ) 으로부터 게이트 절 연막 ( 24 ) 까지 를 가공 한다 . 그 후 , 포토레지스트 마스크 ( 28 ) 를 형성 한 후 , 소스 · 드레 인 전극 층 ( 29 ) 을 증착 법 이나 스퍼터 법 등 에 의해 성막 하 고 , 리프트 오프 법 ( 30 ) 에 의해 소스 · 드레 인 전극 가공 을 행하 여 ( 또는 , 포토 공정 을 후 에 행하 고 , 에칭 에 의해 소스 · 드레 인 전 극 가공 을 행해 도 좋 다 ) , HEMT 소자 가 완성 되 지만 , 상기 게이트 절 연막 ( 24 ) 을 형성 하 기 직전 에 , 본 발명 의 산화물 반도체 표면 처리 방법 ( 31 ) 을 적용 한다 . 처리 의 방법 은 , 실시 형태 1 의 a ) , b ) 에 기재 되 어 있 는 처리 방법 과 기본 적 으로 동일 하 지만 , MBE 법 이나 MOCVD 법 , PLD 법 에 의한 다층 구조 결정 ( 22 ) 성장 ( 成長 ) 후 에 동일 한 초고진공 조 내 또는 다른 초고진공 조 내 에서 연속 하 여 본 발명 의 기상 ( 氣相 ) 처리 법 , 특히 분자 빔 법 을 이용 하 여 처리 하 면 처리 공정 도 적 고 보다 효과 적 이 다 .