하나 의 메모리 셀 스트링 내 의 스트링 선택 트랜지스터 들 ( SST 1 , SST 2 ) 의 게이트 전극 들 ( 160 ) 은 연결 전극 ( 165 ) 에 의해 전기 적 으로 연결 되 어 있 다 . 따라서 , 한 쌍 의 스트링 선택 트랜지스터 들 ( SST 1 , SST 2 ) 은 하나 의 콘 택 플러그 ( 230 ) 에 의해 배선 라인 ( 260 ) 에 연결 될 수 있 다 . 이 에 따라서 , 콘 택 플러그 ( 230 ) 의 수 를 줄일 수 있 어서 콘 택 및 배선 공정 이 단순 화 될 수 있 으며 , 소자 의 신뢰 성 도 향상 될 수 있 다 .