그리고 , 공극 이 동방 지막 ( 29 A ) 상 에 벌브 형 리세 스 패턴 의 내부 를 모두 매립 하 는 제 2 폴리 실리콘 막 ( 30 ) 이 형성 되 어 있 다 . 여기 서 , 제 2 폴리 실리콘 막 ( 30 ) 은 인시 튜 ( In - situ ) 로 불순물 이 도핑 될 수 있 는데 , 불순물 은 인 ( Ph ) 또는 보론 ( Boron ) 이 며 , 불순물 의 도핑 농도 는 1 × 1020 atoms / cm 3 ∼ 4 × 1020 atoms / cm 3 이 다 .