상기 두 개 의 기판 ( 100 , 200 ) 은 모두 단결정 실리콘 웨이퍼 로 이루어진다 . 이 에 따라 , 포 토리 소그라 피 ( photolithography ) 와 식각 ( etching ) 과 같 은 미세 가공 ( micromachining ) 기술 을 이용 하 여 두 개 의 기판 ( 100 , 200 ) 에 잉크 유로 를 이루 게 되 는 구성 요소 들 을 보다 미세 한 크기 로 정밀 하 고 용이 하 게 형성 할 수 있 다 . 특히 , 상기 상부 기판 ( 100 ) 은 SOI ( Silicon - On - Insulator ) 웨이퍼 로 이루어질 수 있 다 . SOI 웨이퍼 는 일반 적 으로 제 1 실리콘 층 ( 101 ) 과 , 제 1 실리콘 층 ( 101 ) 상 에 형성 된 중간 산화 막 ( 102 ) 과 , 중간 산화 막 ( 102 ) 상 에 접착 되 는 제 2 실리콘 층 ( 103 ) 의 적층 구조 를 가지 고 있 다 .