더 낮 은 산화 온도 에서 , 옥사이드 를 형성 시키 기 위한 산소 와 금속 의 반응 속도 는 느려진다 . 추가 로 , 산화 공정 이 완료 되 고 , 부품 이 실온 으로 회귀 되 면 , 또는 부품 이 주위 반도체 또는 MEMS 처리 조건 ( 전형 적 으로 , 약 400 ℃ 미만 의 온도 ) 하 에 있 는 동안 , 이트륨 옥사이드 는 하부 이트륨 금속 기판 에 의해 적용 된 압축 하 에 있 다 . 이트륨 금속 과 의 계면 영역 에서 이트륨 옥사이드 결정 입도 는 , 압 축량 이 이트리아 결정 으로부터 이트륨 금속 기판 의 표면 으로 이동해 내려가 는 반도체 처리 반응 성 종 을 실질 적 으로 감소 ( 본질 적 으로 방지 ) 시키 기 에 충분 하 도록 조정 될 수 있 다 . 동시 에 , 압 축량 은 이트륨 금속 기판 의 표면 으로부터 이트륨 옥사이드 의 파쇄 또는 분리 를 유발 시킬 만큼 크 지 않 다 .