도 3 b 에 도시 된 바 와 같이 , 전면 에 제 1 캡 핑 막 ( Capping layer , 35 ) 을 형성 한다 . 이때 , 제 1 캡 핑 막 ( 35 ) 은 질화 막 을 단독 으로 사용 하 거나 또는 산화 막 과 질화 막 을 순차 적 으로 증착 할 수 있 다 . 산화 막 은 실리콘 산화 막 ( SiO 2 ) 일 수 있 고 , 질화 막 은 실리콘 질화 막 ( Si 3 N 4 ) 일 수 있 다 . 이어서 , 직진 성 의 식각 공정 , 예컨대 에치 백 ( Etchback ) 을 진행 하 여 헤드 필라 ( 34 A ) 의 측벽 에 제 1 캡 핑 막 ( 35 ) 을 잔류 시키 고 , 헤드 필라 ( 34 A ) 사이 의 기판 ( 31 ) 표면 을 노출 시킨다 . 여기 서 , 직진 성 의 식각 공정 에 의해 제 1 캡 핑 막 ( 35 ) 은 하드 마스크 패턴 ( 33 ) 과 버퍼 막 패턴 ( 32 ) 의 측벽 에 도 잔류 한다 . 상술 한 제 1 캡 핑 막 ( 35 ) 은 헤드 필라 ( 34 A ) 의 측벽 을 후속 공정 으로부터 보호 하 는 캡 핑 막 ( Capping layer ) 역할 을 하 는데 , 두께 는 50 ∼ 100 Å 으로 할 수 있 다 .