도 1 은 본 발명 이 적용 된 상하 전극 을 가지 는 압 전 소자 마이크 로 스피커 의 측면도 이 다 . 도 1 을 참조 하 면 실리콘 기판 층 ( 101 ) , 탄성 박막층 ( 103 ) , 하부 전극 층 ( 105 ) , 압전체 층 ( 107 ) , 차폐층 ( 109 ) , 상부 전극 층 ( 111 ) 및 상하부 전극 ( 113 ) 으로 구성 되 는 압 전 소자 스피커 에서 , 탄성 박막층 ( 103 ) 의 하부 에 공진 변경 부 ( 110 ) 를 추가 한 형태 로 구성 된다 .