실시 예 로서 , 제 1 내지 제 n 메모리 셀 들 ( MC 1 ~ MCn ) 중 적어도 하나 이상 은 더미 메모리 셀 로서 이용 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 적어도 하나 이상 의 더미 메모리 셀 들 은 소스 선택 트랜지스터 ( SST ) 와 메모리 셀 들 ( MC 1 ~ MCp ) 사이 의 전계 ( electric field ) 를 감소 시키 기 위해 제공 된다 . 또는 , 적어도 하나 이상 의 더미 메모리 셀 들 은 드레 인 선택 트랜지스터 ( DST ) 와 메모리 셀 들 ( MCp + 1 ~ MCn ) 사이 의 전계 를 감소 시키 기 위해 제공 된다 . 더 많 은 더미 메모리 셀 들 이 제공 될수록 , 메모리 블록 ( BLKa ) 에 대한 동작 의 신뢰 성 이 향상 되 는 반면 , 메모리 블록 ( BLKa ) 의 크기 는 증가 한다 . 더 적 은 메모리 셀 들 이 제공 될수록 , 메모리 블록 ( BLKa ) 의 크기 는 감소 하 는 반면 메모리 블록 ( BLKa ) 에 대한 동작 의 신뢰 성 은 저하 될 수 있 다 .