본 발명 의 금속 - 절연체 - 금속 ( MIM ) 커패시터 의 제조 방법 은 , 반도체 기판 위 의 절연 막상 에 제 1 금속 막 패턴 및 제 2 금속 막 패턴 을 형성 하 는 단계 와 , 절 연막 위 에 제 1 금속 막 패턴 및 제 2 금속 막 패턴 을 덮 는 금속 간절 연막 을 형성 하 는 단계 와 , 제 1 금속 막 패턴 위 에 일정 두께 의 금속 간절 연막 이 남 도록 금속 간절 연막 을 일정 두께 로 식각 하 는 단계 와 , 금속 간절 연막 의 식각 된 부분 및 비 아홀 이 형성 될 부분 을 노출 시키 는 제 1 포토레지스트 막 패턴 을 형성 하 는 단계 와 , 제 1 포토레지스트 막 패턴 을 식각 마스크 로 한 식각 으로 금속 간절 연막 의 노출 부분 을 식각 하 여 제 1 금속 막 패턴 을 노출 시키 는 트랜 치 및 제 2 금속 막 패턴 을 노출 시키 는 비 아홀 을 형성 하 는 단계 와 , 트랜 치 및 비 아홀 이 형성 된 결과물 전면 에 유전체 막 을 형성 하 는 단계 와 , 유전체 막 위 에 비 아홀 내 의 유전체 막 을 노출 시키 는 제 2 포토레지스트 막 패턴 을 형성 하 는 단계 와 , 그리고 제 2 포토레지스트 막 패턴 을 식각 마스크 로 한 식각 으로 비 아홀 내 에서 노출 된 유전체 막 을 제거 하 여 제 2 금속 막 패턴 을 노출 시키 는 단계 를 포함 한다 .