일부 실시 에서 , 효과 적 인 에지 이완 은 두 트렌치 사이 의 실리콘 표면 층 의 스팬 상부 의 일정 지점 에서 적어도 200 메가 파스칼 의 응력 수준 을 유발 하 는 것 으로 평가 될 수 있 다 . 또 다른 재료 시스템 이 서로 다른 바람직 한 응력 수준 을 가질 것 이 다 . 효과 적 인 에치 이완 은 그 대신 일부 환경 에서 표면 층 의 트래버스 ( traverse ) 횡 방향 영역 의 주요 부분 전반 에서 표면 층 에 바람직 한 수준 의 응력 을 생성 시키 는 것 으로 평가 될 수 있 다 . 일부 실시 에서 , 주요 부분 은 50 % 또는 50 % 초과 로 평가 될 수 있 다 . 특히 바람직 한 실시 에서 , 여기 에 기재 된 구체 예 또는 다른 구체 예 에서 , 효과 적 인 에지 이완 은 실리콘 표면 층 의 트래버스 횡 방향 영역 너비 의 50 % 초과 의 트래버스 횡 방향 영역 에 200 메가 파스칼 초과 의 표면 실리콘 층 내 응력 을 유발 하 는 것 으로 평가 될 수 있 다 . 또 다른 고려 사항 은 면내 응력 성분 이 캐리어 이동도 를 갖 는 서로 다른 영향 이 다 . ( n - MOSFET 내 ) 전자 에 대하 여 , 일반 적 으로 ( 100 ) 배향 기판 의 < 110 > 축 을 따라 정렬 된 n - MOSFET 의 길 이 및 너비 둘 모두 를 따르 는 인장 변형 이 바람직 하 다는 것 이 이해 된다 . 즉 , n - MOSFET 에 대하 여 , 이동도 가 2 축 인장 변형 에 따라 증가 되 도록 압 전 계수 가 형성 된다 . 그렇지만 , 정공 에 대하 여 , 인장 변형 은 유사 하 게 배향 된 p - MOSFET 에 대하 여 단지 너비 축 을 따르 는 것 이 바람직 하 며 1 축 압축 변형 은 이러 한 p - MOSFET 에서 길 이 축 을 따르 는 것 이 바람직 하 다 . 실리콘 채널 영역 내 에 바람직 한 1 축 압축 변형 을 유발 하 기 위하 여 p - MOSFET 의 소스 및 드레 인 영역 에서 선택 적 으로 성장 된 SiGe 응력 기 의 사용 을 초래 하 였 다 .