여기 서 , 제 1 포토 레지스 트 ( PR 1 ) 의 폭 이 제 2 포토 레지스 트 ( PR 2 ) 보다 좁 을 경우 , 제 1 절 연막 ( IL 1 ) 상 에 남 게 되 는 산화물 층 ( OXL ) 의 폭 은 제 2 포토 레지스 트 ( PR 2 ) 의 폭 보다 좁 을 수 있 다 . 이후 의 공정 에서 산화물 층 ( OXL ) 상 에 배치 되 는 도전 성 금속 층 ( CML ) 은 산화물 층 ( OXL ) 의 양 측면 에 도 접촉 할 수 있 고 , 도전 성 금속 층 ( CML ) 이 제 2 포토 레지스 트 ( PR 2 ) 를 따라 식각 되 면 산화물 층 ( OXL ) 의 양 측면 에 접촉 한 부분 은 남 게 된다 . 제 2 포토 레지스 트 ( PR 2 ) 의 폭 이 산화물 층 ( OXL ) 의 폭 보다 넓 기 때문 에 , 제 2 포토 레지스 트 ( PR 2 ) 가 배치 된 영역 은 산화물 층 ( OXL ) 이 배치 되 지 않 은 영역 을 포함 할 수 있 다 . 이 에 따라 , 제 2 포토 레지스 트 ( PR 2 ) 를 따라 제 2 식각 공정 ( 2 nd etch ) 을 수행 한 뒤 에 형성 되 는 제 1 게이트 전극 ( 310 _ 1 ) 은 제 1 산화물 층 ( 370 _ 1 ) 보다 넓 은 폭 을 가질 수 있 다 .