본 발명 은 수정 화 학기 상 증착 ( MCVD ) 공정 을 위한 가스 공급 장치 에 관한 것 이 다 . 본 발명 은 , 그 내부 에 길 이 방향 으로 중 공부 가 형성 되 고 , 일 측 이 가스 공급 부 와 연결 되 어 고정 되 며 , 가스 가 이동 되 는 튜브 가 상기 중 공부 에 삽입 된 샤프트 ; 상기 샤프트 의 외각 에 회전 가능 하 도록 장착 되 고 , 그 내부 에 설치 되 는 자성 유체 실 을 구비 하 는 하우징 ; 및 상기 샤프트 와 상기 하우징 사이 에 설치 되 어 분진 을 차단 하 는 분 진막 이 수단 ; 을 포함 한다 . 본 발명 에 따르 면 , 자성 유체 에 분진 이 접촉 되 는 것 을 차단 함 으로써 자성 유체 의 수명 향상 효과 가 있 다 .