제 1 배리어 층 ( 611 ) 및 제 2 배리어 층 ( 612 ) 은 제 2 박막 트랜지스터 ( 320 ) 의 제 2 액티브 층 ( 321 ) 으로 수소 ( H ) 가 확산 되 는 것 을 방지 할 수 있 다 . 설명 하 면 , 제 2 소스 전극 ( 322 ) 및 제 2 드레 인 전극 ( 323 ) 은 몰리브덴 ( Mo ) , 구리 ( Cu ) 또는 알루미늄 ( Al ) 등 과 같이 제 1 배리어 층 ( 611 ) 및 제 2 배리어 층 ( 612 ) 에 비하 여 수소 ( H ) 결합 이 불 안정 한 금속 으로 이루어질 수 있 다 . 제 2 소스 전극 ( 322 ) 및 제 2 드레 인 전극 ( 323 ) 상 에 제 2 버퍼 층 ( 114 ) 을 형성 하 기 위한 증착 공정 시 , 챔버 내 의 수소 ( H ) 가 제 2 소스 전극 ( 322 ) 및 제 2 드레 인 전극 ( 323 ) 의 금속 물질 과 불 안정 한 상태 로 결합 할 수 있 다 . 그리고 , 제 3 박막 트랜지스터 ( 330 ) 의 제 3 액티브 층 ( 331 ) 을 위한 열처리 공정 에 의하 여 , 제 2 소스 전극 ( 322 ) 및 제 2 드레 인 전극 ( 323 ) 의 금속 물질 과 수소 ( H ) 간 불 안정 한 결합 이 끊 어 질 수 있 다 . 제 2 소스 전극 ( 322 ) 및 제 2 드레 인 전극 ( 323 ) 의 금속 과 수소 ( H ) 의 결합 이 끊 어 지 면서 , 제 2 소스 전극 ( 322 ) 및 제 2 드레 인 전극 ( 323 ) 으로부터 방출 된 수소 ( H ) 는 제 2 박막 트랜지스터 ( 320 ) 의 제 2 액티브 층 ( 321 ) 으로 침투 하 게 된다 . 그리고 , 제 2 액티브 층 ( 321 ) 으로 침투 한 수소 ( H ) 는 제 2 액티브 층 ( 321 ) 에서 재 수소화 가 발생 하 여 , 제 2 박막 트랜지스터 ( 320 ) 의 특성 을 저하 시킬 수 있 다 . 따라서 , 제 2 소스 전극 ( 322 ) 및 제 2 드레 인 전극 ( 323 ) 의 하 부면 과 제 2 액티브 층 ( 321 ) 의 상부 면 사이 에 각각 배치 된 제 1 배리어 층 ( 611 ) 및 제 2 배리어 층 ( 612 ) 은 제 2 소스 전극 ( 322 ) 및 제 2 드레 인 전극 ( 323 ) 으로부터 방출 된 수소 ( H ) 와 결합 할 수 있 다 . 따라서 , 수소 ( H ) 와 안정 적 인 결합 을 할 수 있 는 금속 물질 로 이루어진 제 1 배리어 층 ( 611 ) 및 제 2 배리어 층 ( 612 ) 은 제조 공정 에 의해 발생 된 수소 ( H ) 와 의 안정 적 인 결합 을 통하 여 , 제 2 액티브 층 ( 321 ) 으로 수소 ( H ) 가 확산 되 는 것 을 방지 할 수 있 다 . 또한 , 제 2 액티브 층 ( 321 ) 이 재 수소 화 되 는 것 을 방지 하 여 , 제 2 박막 트랜지스터 ( 320 ) 의 특성 이 저하 되 는 것 을 방지 할 수 있 다 .