덧붙여 , 도 1 b 의 공정 에서 퇴적 한 금속 및 실리콘 으로 이루어진 막 ( 102 ) 을 , 질화 처리 를 실시 하 기 전 에 산화 되 지 않 게 , 산화 반응 이 생기 기 어려운 분위기 중 에 보유 하 는 것 이 바람직 하 다 . 즉 , 제 1 의 공정 의 종료 로부터 제 2 의 공정 의 개시 까지 , 금속 및 실리콘 으로 이루어진 막 ( 102 ) 을 , 그 산화 반응 이 생기 기 어려운 분위기 중 에 보유 하 는 것 이 바람직 하 다 . 예 를 들 면 , 스퍼터링 처리 를 실시 하 는 처리 장 치 와 질화 처리 를 실시 하 는 처리 장치 를 , 직접 서로 접속 시키 거나 , 혹은 고진공 에 감압 된 로드 락 ( load lock ) 챔버 를 통해서 접속 한다 . 이것 에 의해 , 금속 및 실리콘 으로 이루어진 막 ( 102 ) 이 형성 된 실리콘 기판 ( 101 ) 을 , 산화 분위기 에 노출 되 지 않 게 , 기판 반송 ( 搬送 ) 유닛 에 의해 반송 할 수 가 있 다 . 혹은 , 스퍼터링 처리 와 질화 처리 를 같 은 처리 장치 내 에서 연속 적 으로 실시 해서 , 금속 및 실리콘 으로 이루어진 막 ( 102 ) 이 산화 분위기 에 노출 되 지 않 게 하 는 것 이 바람직 하 다 . 혹은 , 스퍼터링 처리 의 종료 후 에 실리콘 기판 ( 101 ) 을 처리 장치 외부 로 반출 하 는 경우 , 실리콘 기판 이 희가스 나 질소 가스 등 의 불활성 가스 를 충분히 채운 경로 만 을 통과 해도 된다 . 이러 한 예 에 한정 하 지 않 고 , 금속 및 실리콘 으로 이루어진 막 ( 102 ) 이 산화 되 지 않 는 것 이 면 , 어떠 한 유닛 을 이용 해도 괜찮 다 .