PECVD 법 에 의해 약 350 ° C 이상 400 ° C 이하 의 고온 에서 질화 실리콘 층 ( 201 ) 을 형성 하 는 메커니즘 은 다음 과 같 다 . 피 증착 체인 플라스틱 기판 ( 50 ) 을 챔버 에 넣 고 플 라즈 마 분위기 하 에 약 350 ° C 이상 400 ° C 이하 의 공정 온도 를 세팅 한다 . 질화 실리콘 층 ( 201 ) 은 실란 ( SiH 4 ) 및 암모니아 ( NH 3 ) 에 의해 형성 된다 . 플 라즈 마 에 의해 실란 ( SiH 4 ) 은 실리콘 원자 ( Si ) 와 수소 원자 ( H ) 로 분해 된다 . 또한 암모니아 ( NH 3 ) 는 질소 원자 ( N ) 와 수소 원자 ( H ) 로 분해 된다 . 이렇게 분해 된 각각 의 원자 는 플라스틱 기판 ( 50 ) 에 떨어지 고 , 떨어진 각각 의 원자 가 플라스틱 기판 ( 50 ) 의 표면 온도 에 의해 반응 한다 . 이 때 , 실리콘 원자 ( Si ) 와 질소 원자 ( N ) 및 수소 원자 ( H ) 가 주로 결합 하 는데 , 실리콘 원자 ( Si ) 와 질소 원자 ( N ) 의 결합 에 비하 여 실리콘 원자 ( Si ) 와 수소 원자 ( H ) 의 결합력 이 약하 기 때문 에 , 고온 에서 실리콘 원자 ( Si ) 와 질소 원자 ( N ) 는 결합 을 유지 하 더라도 실리콘 원자 ( Si ) 와 수소 원자 ( H ) 는 분리 된다 . 결국 , 실리콘 원자 ( Si ) 와 분리 된 수소 원자 ( H ) 는 수소 분자 ( H 2 ) 가 되 어 날아가 게 된다 . 따라서 , 본 발명 과 같이 고온 에서 질화 실리콘 층 ( 201 ) 을 형성 하 는 경우 , 질화 실리콘 층 ( 201 ) 내 의 수소 원자 ( H ) 의 함유량 이 낮 아 진다 . 또한 , 질화 실리콘 층 ( 201 ) 의 수소 원자 ( H ) 함유량 이 낮 아 질수록 다른 의미 로 질소 와 실리콘 의 결합 이 많 아 질수록 질화 실리콘 층 ( 201 ) 의 스트레스 형태 는 인장 ( tensile ) 스트레스 가 된다 . 한편 , 질화 실리콘 층 ( 201 ) 의 수소 원자 ( H ) 함유량 이 낮 아 질수록 막 밀도 는 증가 한다 .