이때 , 적어도 하나 의 압력 감지 부 ( 400 ) 는 도 5 내지 도 6 에서 설명 한 바 와 같이 , 단말기 의 측면 부 의 내부 실장 공간 , 측면 부 의 내 측면 또는 내 측면 에 대향 하 는 격벽 ( B ) 에 , 상부 면 이 단말기 의 측면 과 평행 하 도록 배치 될 수 있 다 . 또한 , 압력 감지 부 ( 400 ) 의 상부 에 측면 커버 가 더 형성 될 수 있 다 . 적어도 하나 의 압력 감지 부 ( 400 ) 는 두 물체 사이 의 상호 작용 하 는 힘 의 크기 를 나타내 는 물리 적 양 을 측정 하 는 센서 로 , 힘 의 변화 에 따른 정전 용량 의 변화 , 재료 의 변위 , 변형 , 진동수 변화 , 열전도율 변화 등 을 감지 하 여 압력 의 크기 를 결정 할 수 있 다 . 압력 센서 는 반도체 소자 제작 기술 과 MEMS ( Micro Electro Mechanical System ) 기술 을 이용 하 여 초 소형 , 저 전력 형 센서 로 제작 될 수 있 다 . 압력 센서 는 압력 감지 방식 에 따라 전기 저항 변화 를 이용 한 압 저항 형 ( Piezoresistive ) 과 정전 용량 변화 를 이용 한 정전 용량 형 ( Capacitive ) 방식 으로 나눌 수 있 다 . 압 저항 형 방식 을 이용 한 압력 센서 는 MEMS 압력 센서 , 스트레인 게이지 ( strain gauge ) 또는 압력 감지 저항 ( force sensing resistor ) 를 포함 하 고 , 정전 용량 형 방식 을 이용 한 압력 센서 는 적어도 하나 의 압력 전극 을 포함 할 수 있 다 . 적어도 하나 의 압력 감지 부 ( 400 ) 는 터치 여부 및 터치 위치 를 포함 하 는 터치 입력 을 더 감지 할 수 있 다 . 즉 , 적어도 하나 의 압력 감지 부 ( 400 ) 는 압력 터치 만 감지 할 수 있 는 구조 로 형성 되 거나 또는 압력 터치 뿐 만 아니 라 , 터치 압력 이 임계 압력 보다 적 은 터치 입력 의 터치 여부 및 터치 위치 도 감지 할 수 있 는 터치 감지 부 의 기능 을 함께 수행 할 수 있 는 구조 로 형성 될 수 있 다 . 적어도 하나 의 압력 감지 부 ( 400 ) 는 도 5 내지 도 6 의 실장 공간 ( R ) 의 일 측면 , 내 측벽 또는 내 측벽 과 대향 하 는 격벽 ( B ) 중 적어도 한 측면 에 접착 시켜 압력 터치 에 의해 다른 측면 이 자유 롭 게 움직일 수 있 도록 형성 할 수 있 다 .