이상 에서 설명 한 에칭 을 포함 하 는 제품 처리 공정 에서 는 , 도 2 ( a ) ∼( e ) 에 나타내 는 바 와 같이 , 챔버 ( 11 ) 내 에서 기판 상 의 복수 종류 의 막 재료 를 반복 하 여 에칭 한다 . 이 때문 에 , 챔버 ( 11 ) 내벽 에 부착 되 는 퇴적물 에 는 , 기판 상의 적 층막 을 구성 하 는 반도체 및 금속 원소 ( Si , In , 주석 ( Sn ) 등 ) 및 각 공정 에서 사용 하 는 가스 에 포함 되 는 원소 ( F , O , C , H 등 ) 가 혼합 된 혼합 막 이 잔사 가 되 어 챔버 ( 11 ) 내 에 퇴적 된다 . 이 와 같 은 혼합 막 에 포함 되 는 복수 의 원소 의 잔사 를 모두 제거 할 수 있 는 클리닝 방법 은 종래 존재 하 지 않 았 다 . 이 결과 , 챔버 ( 11 ) 내벽 에 부착 한 퇴적물 로부터 의 파티클 발생 이나 , 프로세스 의 재현 성 이 얻 어 지 지 않 는다고 하 는 과제 가 있 었 다 .