최근 , 전자 재료 분야 에 있 어서 고집 적 화 , 다 기능 화 및 고 성능 화 의 진행 에 따라 회로 저항 및 배 선간 의 콘덴서 용량 이 증대 해서 , 소비 전력 및 지연 시간 의 증대 를 초래 하 고 있 다 . 특히 , 지연 시간 의 증대 는 디바이스 의 신호 스피드 를 저하 시키 고 또 한 크로스 토크 를 발생 시키 는 큰 요인 이 된다 . 따라서 , 이 지연 시간 을 감소 시켜 디바이스 의 고속화 를 실현 하 기 위해서 는 기생 저항 및 기생 용량 의 저감 이 요구 된다 . 이러 한 기생 용량 을 저감 시키 기 위한 구체 적 인 수단 중 하나 로서 , 저 유전 성 층간 절 연막 으로 배선 의 주변 을 피복 하 는 것 이 시도 되 고 있 다 . 상기 층간 절연 막 은 프린트 배 선판 의 제 조시 의 박막 형성 공정 또는 칩 접속 및 핀 접착 과 같 은 후 공정 에 있 어 서 우수 한 내열 성 을 갖 고 , 또한 습식 공정 을 견딜 수 있 는 충분 한 내약품성 을 갖 는 것 이 기대 된다 . 또한 , 최근 에 는 Al 배선 대신 에 저 저항 Cu 배선 이 소개 되 어 있 고 , 이것 에 따라서 평탄 화 를 위해서 CMP ( Chemical Mechanical Polishing : 화학 적 기계 적 연마 ) 가 일반 적 으로 사용 되 고 있 다 . 따라서 , 이러 한 CMP 를 견디 기에 충분 한 높 은 기계 적 강도 를 가진 절 연막 이 요구 된다 .