또한 , 제 2 IMD ( 43 ) 상 의 소정 위치 ( 즉 , 제 1 메탈 배선 과 대응 하 는 위치 ) 에 는 다수 의 제 2 매 탈 배선 ( M 2 ) 으로 된 제 2 메탈 배선 그룹 이 형성 되 며 , 다수 의 제 2 메탈 배선 ( M 2 ) 들 중 후술 하 는 공정 을 통해 제 1 비정질 실리콘 패턴 에 의해 물리 적 으로 쌍 을 이루 지 않 는 임의 의 제 2 메탈 배선 ( M 2 ) 의 상부 에 제 2 비정질 실리콘 패턴 ( 45 ) 이 형성 되 고 , 이 들 제 2 메탈 배선 ( M 2 ) 그룹 을 완전히 매립 하 는 형태 로 제 3 IMD ( 46 ) 가 형성 되 며 , 제 3 IMD ( 46 ) 상 에 는 제 3 메탈 배선 ( M 3 ) 이 형성 된다 .