도 2 내지 도 8 을 참조 하 면 , 본 발명 에 따른 기판 처리 장치 ( 1 ) 는 , 기판 ( 10 ) 에 대해 화학 기계 적 연마 ( CMP ) 공정 을 수행 하 는 연마 파트 ( 100 ) 와 , 연마 공정 이 완료 된 기판 ( 10 ) 을 세정 및 건조 하 는 세정 파트 ( 300 ) 와 , 세정 및 건조 가 완료 된 기판 ( 10 ) 에서 반점 ( watermark ) 을 검출 하 는 반 점검 출부 ( 320 ) 를 포함 한다 .