화학 기상 증착 반응기 ( 10 ) 및 웨이퍼 처리 방법 이 제공 된다 . 반응기 ( 10 ) 는 내부 ( 26 ) 를 구비 하 는 반응 챔버 ( 12 ) , 챔버 내부 와 통신 하 는 기체 인입 매니폴드 ( 14 ) , 통로 ( 78 ) 및 하나 이상 의 포트 들 ( 76 ) 을 구비 하 는 배기 매니폴드 ( 72 ) 를 포함 하 는 배기 시스템 ( 70 ) , 및 챔버 내 에 장착 된 하나 이상 의 세 척 소자 ( 80 ) 를 포함 한다 . 기체 인입 매니폴드 ( 14 ) 는 내부 ( 26 ) 내 에 유지 되 는 기판 들 ( 58 ) 상 에 증착 을 형성 하 기 위해 프로세스 기체 들 을 허용 할 수 있 다 . 통로 ( 78 ) 는 하나 이상 의 포트 들 ( 76 ) 을 통해 챔버 ( 12 ) 의 내부 ( 26 ) 와 통신 할 수 있 다 . 하나 이상 의 세 척 소자 들 ( 80 ) 은 ( i ) 세척 소자 들 이 하나 이상 의 포트 들 로부터 이격 되 는 런 위치 ( run position ) 와 ( ii ) 하나 이상 의 세 척 소자 들 이 하나 이상 의 포트 들 ( 76 ) 에 인 게이징 되 는 세척 위치 사이 에서 이동 가능 하 다 .