이후 에 , 셀 부분 을 제외 한 다른 영역 , 예컨대 , 주변 회로 영역 의 ONO 층 ( 200 ) 을 제거 하 고 , 고전압 트랜지스터 소자 를 위한 고전압 용 게이트 산화층 을 위한 산화 과정 을 건식 산화 과정 으로 수행 한다 . 건식 산화 과정 은 종래 의 습식 산화 과정 에 비해 버즈 비크 발생 이 억제 되 는 과정 이 다 . 예컨대 , 고온 산화층 ( HTO : High Temperature Oxide ) 을 증착 하 여 상기 한 고전압 용 게이트 산화층 으로 이용 한다 .