활성 층 ( 324 ) 은 반도체 화합물 , 예컨대 , 3 족 - 5 족 , 2 족 - 6 족 의 화합물 반도체 일 수 있 으며 , 단일 우물 구조 , 다중 우물 구조 , 양자 선 ( Quantum - Wire ) 구조 , 또는 양자 점 ( Quantum Dot ) 구조 등 으로 형성 될 수 있 다 . 활성 층 ( 324 ) 이 양자 우물 구조 인 경우 에 는 InxAlyGa 1 - x - yN ( 0 ≤ x ≤ 1 , 0 ≤ y ≤ 1 , 0 ≤ x + y ≤ 1 ) 의 조성식 을 갖 는 우물 층 과 InaAlbGa 1 - a - bN ( 0 ≤ a ≤ 1 , 0 ≤ b ≤ 1 , 0 ≤ a + b ≤ 1 ) 의 조성식 을 갖 는 장벽 층 을 갖 는 단일 또는 양자 우물 구조 를 가질 수 있 다 . 우물 층 은 장벽층 의 에너지 밴드 갭 보다 낮 은 밴드 갭 을 갖 는 물질 일 수 있 다 .