IC ( 200 ) 는 도 1 a 에 도시 된 바 와 같 은 더미 로직 게이트 ( 189 ) 를 포함 할 수 있 지만 , 이 예 에서 IC ( 200 ) 는 그렇 지 않 다 . 반면 에 , IC ( 200 ) 는 아이 솔 레 이 션 구조물 ( 106 ) 상 에 형성 되 는 더미 선택 게이트 전극 ( 162 B ) 을 포함 하 는 반면 , 도 1 a 의 IC ( 100 ) 는 아이 솔 레 이 션 구조물 ( 106 ) 에 인접 해 있 는 더미 선택 게이트 전극 ( 162 A ) 을 포함 한다 . 아이 솔 레 이 션 구조물 ( 106 ) 상 에 더미 선택 게이트 전극 ( 162 B ) 을 형성 하 는 것 은 화학 기계 적 연마 ( CMP ; chemical mechanical polishing ) 동안 디싱 을 감소 시킬 수 있 다 . 더미 선택 게이트 전극 ( 162 A ) 및 더미 로직 게이트 ( 189 ) 둘 다 아이 솔 레 이 션 구조물 ( 106 ) 상 에 형성 될 수 있 다 .