위 와 같이 , 제 1 플러그 ( 14 ) 를 미리 형성 한 후 분리 막 ( 15 ) 을 형성 하 면 제 1 플러그 ( 14 ) 의 높이 만큼 분리 막 ( 15 ) 의 갭 필마 진과 콘 택 식각 마진 을 확보 할 수 있 다 . 또한 , 분리 막 ( 15 ) 형성 후 제 2 플러그 ( 17 ) 형성 전 에 한 번 의 세정 공정 만 진행 되 기 때문 에 세정 공정 에 의한 분리 막 ( 15 ) 의 손실 을 최소 화 하 면서 도 제 1 플러그 ( 14 ) 를 선택 적 에피 택 셜 실리콘 증착 방법 으로 형성 하 여 측면 과 성장 등 에 의한 활성 영역 ( 11 B ) 과 의 접촉 면적 증가 로 콘 택 저항 을 감소 시킬 수 있 다 .