최근 포토레지스트 의 두께 가 더욱 감소 하 면서 포토레지스트 의 식각 마진 부족 으로 인하 여 , 하드 마스크 질화 막 의 식각 시 하드 마스크 질화 막 의 탑 ( top ) 부분 이 어택 ( attack ) 을 받 아 손실 ( loss ) 된다 . 게다가 , 후속 공정 으로 식각 된 하드 마스크 질화 막 을 이용 하 여 하부 의 막 들 , 즉 , 비트 라인 도전 막 및 비트 라인 베리 어막 을 식각 하 는 경우 , 하드 마스크 질화 막 의 탑 부분 어택 및 손실 은 더욱 증가 한다 .