본 발명 의 다른 측면 에 따른 비휘발성 메모리 소자 의 프로그램 방법 은 , 플로팅 게이트 와 콘트롤 게이트 가 전기 적 으로 연결 된 소스 선택 라인 과 , 플로팅 게이트 와 콘트롤 게이트 가 전기 적 으로 격리 된 다수 의 워드 라인 및 드레 인 선택 라인 을 제공 하 는 단계 와 , 상기 워드 라인 들 에 대한 프로그램 동작 을 실시 하 는 단계 및 상기 드레 인 선택 라인 에 프로그램 동작 을 실시 하 는 단계 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .