이러 한 SLS 공정 에 이용 되 는 조사 장치 는 마스크 를 사용 하 여 좁 은 영역 에 빔 을 집중 시키 게 되 므로 넓 은 면적 의 기판 에 적층 된 비정질 실리콘 층 을 동시 에 다 결 정질 로 변화 시킬 수 없 다 . 따라서 , 기판 의 조사 위치 를 변경 시키 도록 , 비정질 실리콘 층 이 적층 된 기판 을 스 테 에 장착 한 후 , 소정 면적 에 조사 가 이루어진 후 , 기판 을 이동 시켜 다음 면적 을 조사 시키 는 방식 으로 기판 의 전 영역 에 조사 가 이루어지 도록 한다 .