그러나 , 상기 제 1 및 제 2 게이트 라인 ( GL 1 , GL 2 ) 은 제 1 및 제 2 쉬프 트 레지스터 ( SR 1 , SR 2 ) 로부터 의 스캔 펄스 를 공급 받 지만 , 상기 제 3 게이트 라인 ( GL 3 ) 부터 제 n 게이트 라인 ( GLn ) 은 제 2 쉬프 트 레지스터 ( SR 2 ) 로부터 의 스캔 펄스 만 을 공급 받 기 때문 에 , 제 1 및 제 2 게이트 라인 ( GL 1 , GL 2 ) 과 제 3 내지 제 n 게이트 라인 ( GL 3 내지 GLn ) 간 은 충전 속도 에서 편차 를 나타낸다 . 따라서 , 제 1 및 제 2 게이트 라인 ( GL 1 , GL 2 ) 들 에 접속 된 화소 셀 들 과 상기 제 3 내지 제 n 게이트 라인 ( GL 3 내지 GLn ) 에 접속 된 화소 셀 들 간 에 휘도 편차 가 발생 할 수 있 다 .