최소 식각 및 효과 적 인 세정 의 요구 된 기준 을 고려 하 여 , 제 형물 5 , 6 , 9 , 10 , 11 , 15 , 16 , 및 17 이 유용 함 이 밝혀졌 고 , 표 1 에 나열 된 실시 예 6 , 15 , 및 17 의 제 형물 은 초기 pH 와 10 일 경과 후 pH 를 보여준다 . 이 데이터 는 반도체 디바이스 의 세정 공정 동안 , 노출 된 금속 및 유전체 가 pH 의 변화 에 민감 하 기 때문 에 중요 하 다 . 플 루 오 라 이드 를 함유 하 는 제 형물 의 경우 에 , 식각 율 은 pH 의 함수 이 다 . 보다 낮 은 부유 ( drifting ) pH 를 갖 는 제 형물 은 민감 한 유전체 를 보다 빠르 게 식각 할 것 이 고 , 배치 ( batch ) 로부터 배치 ( batch ) 로 또는 웨이퍼 로부터 웨이퍼 로 일치 하 지 않 거나 바람직 하 지 않 은 결과 를 초래 한다 .