탄 탈륨 산화 막 ( 23 ) 의 단원자 증착 공정 을 구체 적 으로 살펴보 면 , 0 . 1 Torr ∼ 10 Torr 의 공정 압력 과 250 ∼ 350 ℃ 의 공정 온도 를 유지 하 는 챔버 내 에 전술 한 소스 중 에서 선택 된 어느 하나 의 탄 탈륨 소스 를 1 초 ∼ 10 초 동안 주입 ( flow ) 하 여 지르코늄 소스 를 흡착 시킨다 . 이어서 , 원자 층 형성 을 위한 소스 이외 의 미 반응 탄 탈륨 소스 를 제거 하 기 위해 N 2 가스 를 1 초 ∼ 10 초 동안 주입 하 여 퍼지 시 킨다 . 이어서 , 반응 가스 ( O 3 또는 O 2 플 라즈 마 ) 를 5 초 ∼ 10 초 동안 주입 하 여 흡착 되 어 있 는 탄 탈륨 소스 와 반응 가스 의 반응 에 의한 원자 층 단위 의 Ta 2 O 5 박막 을 증착 한다 . 이어서 , 미 반응 반응 가스 및 반응 부산물 을 제거 하 기 위해 N 2 가스 를 1 초 ∼ 5 초 동안 주입 하 여 퍼지 시 킨다 . 위 와 같 은 탄 탈륨 소스 ( Ta 소스 ) 주입 단계 ( T 9 ) , 퍼지 단계 ( T 10 ) , 반응 가스 주입 단계 ( T 11 ) 및 퍼지 단계 ( T 12 ) 로 이루어진 단위 사이클 을 반복 진행 하 여 40 ∼ 100 Å 두께 의 탄 탈륨 산화 막 ( 23 ) 을 증착 한다 . 그리고 , 저온 에서 증착 하 므로써 단차 피복성 ( Step coverage ) 특성 이 우수 하 다 .