이어서 , 도 6 과 같이 패 터닝 된 감광막 ( 2 ) 을 마스크 로 히트 싱크 모재 ( 1 ) 를 습식 식각 하 여 히트 싱크 베이스 ( 11 ) 의 상부 에 돌기 ( 12 ) 가 형성 된 히트 싱크 형상 으로 가공 한다 . 이때 습식 식각 과정 은 히트 싱크 베이스 ( 11 ) 를 관통 하 는 관통 구멍 ( 13 ) 이 형성 되 게 진행 된다 . 관통 구멍 ( 13 ) 은 패 터닝 된 감광막 ( 2 ) 에 따라 돌기 ( 12 ) 사이 의 히트 싱크 베이스 ( 11 ) 부분 에 1 - 500 ㎛ 직경 을 가지 게 형성 될 수 있 다 . 여기 서 , 히트 싱크 모재 ( 1 ) 에 대한 식각 은 히트 싱크 모재 ( 1 ) 의 상부 와 하부 에 대하 여 각각 진행 될 수 있 다 .