상술 한 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 유기 박막 트랜지스터 는 기판 상 에 형성 된 게이트 전극 과 , 상기 게이트 전극 을 포함 한 기판 상 에 형성 된 게이트 절 연막 과 , 상기 게이트 전극 양측 의 상기 게이트 절 연막 상 에 형성 되 는 소스 / 드레 인 전극 과 , 상기 소스 / 드레 인 전극 을 포함 한 게이트 절 연막 상 에 형성 된 유기 반도체 층 과 , 상기 유기 반도체 층 과 접촉 되 는 상기 소스 / 드레 인 전극 의 소정 영역 에 형성 된 저항성 접착 층 을 포함 한다 .