도 1 a 내지 도 1 g 는 종래 의 반도체 소자 의 제조 방법 을 도시 한 단면도 이 다 . 먼저 , 도 1 a 에 도시 된 바 와 같이 반도체 기판 상 에 형성 된 반도체 소자 ( 미 도시 ) 에 전기 적 신호 를 인가 하 기 위하 여 제 1 메탈 층 ( 2 ) 을 형성 한다 . 제 1 메탈 층 ( 2 ) 이 형성 된 반도체 기판 상 에 층간 절 연막 ( 4 ) 을 형성 하 고 , 형성 된 층간 절 연막 ( 4 ) 에 기계 화학 적 연마 ( Chemical Mechanical Polishing : CMP ) 공정 을 적용 하 여 층간 절 연막 ( 2 ) 을 평탄 화 시킨다 .