다음 , 도 7 c 에 나타나 있 는 바 와 같이 제 1 실시 예 와 마찬가지 로 , NSG 막 ( 23 ) 의 표면 의 질화 로부터 레지스 트 패턴 ( 93 ) 의 형성 까지 의 처리 를 행한다 . 그리고 , 레지스 트 패턴 ( 93 ) 을 마스크 로 하 여 NSG 막 ( 26 ) 등 의 에칭 을 행함 으로써 , 컨 택트 홀 ( 28 s , 28 d ) 을 형성 한다 . 이 때 , 제 3 실시 예 와 마찬가지 로 알루미늄 산화 막 ( 21 , 22 ) 에 개구부 ( 61 s , 61 d ) 가 형성 되 어 있 기 때문 에 , 알루미늄 산화 막 ( 21 , 22 ) 을 가공 할 필요 가 없 고 , 제 1 실시 예 보다 용이 하 게 컨 택트 홀 ( 28 s , 28 d ) 을 형성 할 수 있 다 .