개시 자 에 의한 검증 에 의하 면 , 250 ℃ 이상 , 400 ℃ 이하 의 조건 하 에서 , 적어도 8 mm 이상 , 바람직 하 게 는 12 mm 이상 , 스테인리스 로 구성 되 는 부재 와 Si 웨이퍼 의 간격 을 확보 함 으로써 , 스테인리스 에 기인 하 는 Si 웨이퍼 의 금속 오염 을 억제 할 수 있 는 것 이 확인 되 었 다 . 따라서 , 지주 ( 15 ) 의 표면 으로부터 소정 거리 만큼 이격 되 도록 웨이퍼 ( 200 ) 를 지지 핀 ( 16 ) 상 에 적재함 으로써 , 지주 ( 15 ) 의 표면 을 금속 산화 막 이나 비금 속막 으로 코팅 하 지 않 고 , 지지 핀 ( 16 ) 의 표면 을 금속 산화 막 과 비금 속막 의 적어도 한쪽 으로 구성 함 으로써 , 지주 ( 15 ) 나 지지 핀 ( 16 ) 을 구성 하 는 금속 에 기인 하 는 웨이퍼 ( 200 ) 등 에 대한 금속 오염 을 억제 할 수 있 다 . 또한 , 당해 소정 거리 는 , 예 를 들 어 400 ℃ 이하 의 조건 하 에서 보트 ( 217 ) 가 사용 되 는 경우 , 8 mm 이상 , 보다 바람직 하 게 는 12 mm 이상 으로 하 는 것 이 바람직 하 다 . 이 와 같이 , 지주 ( 15 ) 의 표면 에 대하 여 코팅 처리 를 행하 지 않 음 으로써 , 코팅 처리 를 행하 는 경우 에 비해서 , 보트 ( 217 ) 의 제작 을 용이 하 게 할 수 있 다 .