본 발명 의 박막 트랜지스터 기판 은 , 기판 과 , 기판 상 에 형성 된 게이트 전극 , 게이트 전극 을 피복 하 도록 형성 된 게이트 절 연막 , 게이트 절 연막 상 에 게이트 전극 에 대향 하 는 위치 에 채널 부 가 형성 된 산화물 반도체 막 , 그리고 , 채널 부를 개재 하 여 서로 이 간 ( 離 間 ) 하 여 형성 된 소스 부 및 드레 인부 를 갖 는 박막 트랜지스터 와 , 박막 트랜지스터 를 피복 하 도록 형성 되 어 , 드레 인부 에 도달 하 는 화소 콘택트 홀 을 갖 는 보호막 과 , 보호막 상 에 형성 되 어 , 화소 콘택트 홀 을 통해 드레 인부 에 전기 적 으로 접속 된 화소 전극 을 구비 하 며 , 소스 부 는 , 게이트 절 연막 및 산화물 반도체 막 의 상층 에 형성 된 소스 메탈 로 형성 되 고 , 드레 인부 는 , 산화물 반도체 막 중 , 게이트 절 연막 측 과 는 반대 측 의 표면 을 포함 하 는 산화물 반도체 막 의 일부 가 저 저항 화 된 저 저항 영역 에 의해 구성 되 는 것 을 특징 으로 한다 .