상기 실시 예 1 과 동일 한 방법 으로 정공 주입 층 , 정공 전달 층 을 형성 시킨 후 , 상기 진공 증착 장비 내 의 다른 셀 에 발광 호스트 재료 인 tris ( 8 - hydroxyquinoline ) - aluminum ( III ) ( Alq ) 를 넣 고 , 또 다른 셀 에 는 하 기 구조 의 Coumarin 545 T ( C 545 T ) 를 각각 넣 은 후 , 두 물질 을 다른 속도 로 증발 시켜 도핑 함 으로써 상기 정공 전달 층 위 에 30 nm 두께 의 발광 층 을 증착 하 였 다 . 이 때 의 도핑 농도 는 Alq 기준 으로 1 내지 3 mol % 가 바람직 하 다 .