전술 한 열 질화 공정 에 있 어서 , 도 8 에 화살표 로 도시 한 바 와 같이 상기 제 2 반응 가스 에 포함 된 질소 원자 들 이 제 1 예비 산화 막 ( 105 ) 의 하부 에 축적 되 어 대 상체 ( 100 ) 와 제 1 예비 산화 막 ( 105 ) 사이 에 는 예비 질화 막 ( 115 ) 이 형성 된다 . 제 1 예비 산화 막 ( 105 ) 이 실리콘 산화물 로 이루어질 경우 , 예비 질화 막 ( 115 ) 은 실리콘 질화물 로 구성 된다 . 즉 , 제 1 예비 산화 막 ( 105 ) 의 하부 에 상기 질소 원자 들 이 축적 됨 에 따라 제 1 예비 산화 막 ( 105 ) 의 하부 가 실리콘 질화물 을 포함 하 는 예비 질화 막 ( 115 ) 으로 변화 된다 . 예비 질화 막 ( 115 ) 은 제 1 예비 산화 막 ( 105 ) 의 하부 가 변화 되 어 형성 되 기 때문 에 예비 질화 막 ( 115 ) 의 상면 은 여전히 대 상체 ( 100 ) 의 최초 의 표면 ( S 1 ) 아래 에 위치 한다 . 제 1 예비 산화 막 ( 105 ) 의 하부 가 예비 질화 막 ( 115 ) 으로 전환 됨 에 따라 제 1 예비 산화 막 ( 105 ) 은 제 2 예비 산화 막 ( 110 ) 으로 변화 된다 . 이 에 따라 , 제 2 예비 산화 막 ( 110 ) 의 두께 는 제 1 예비 산화 막 ( 105 ) 의 두께 에 비하 여 실질 적 으로 예비 질화 막 ( 115 ) 의 두께 만큼 감소 된다 .