본 발명 의 또 다른 양태 에 따르 면 , 반도체 기판 ; 반도체 기판 상 에 제공 되 고 , 복수 의 전극 층 및 복수 의 유전체 층 이 교대 로 적층 되 는 적층 체 ; 적층 체 를 관통 하 여 형성 되 는 홀 의 내부 에 제공 되 고 , 전극 층 과 유전체 층 의 적층 방향 으로 연장 되 는 반도체 층 ; 및 전극 층 과 반도체 층 사이 에 만 제공 되 고 , 적층 방향 으로 분단 되 는 전하 축적 층 을 포함 하 는 반도체 기억 장치 가 제공 된다 .