게이트 절 연막 ( 124 ) 은 실리콘 산화 막 , 고유 전막 , 또는 이 들 의 조합 으로 이루어질 수 있 다 . 상기 고유 전막 은 실리콘 산화 막 보다 유전 상수 가 더 큰 물질 로 이루어질 수 있 다 . 예 를 들 면 , 게이트 절 연막 ( 124 ) 은 약 10 내지 25 의 유전 상수 를 가질 수 있 다 . 상기 고유 전막 은 금속 산화물 또는 금속 산화 질화물 로 이루어질 수 있 다 . 예 를 들 면 , 상기 고유 전막 은 하프늄 산화물 , 하프늄 산질 화물 , 하프늄 실리콘 산화물 , 란타늄 산화물 , 란타늄 알루미늄 산화물 , 지르코늄 산화물 , 지르코늄 실리콘 산화물 , 탄 탈륨 산화물 , 티타늄 산화물 , 및 이 들 의 조합 중 에서 선택 되 는 물질 로 이루어질 수 있 으나 , 상기 예시 한 바 에 한정 되 는 것 은 아니 다 . 일부 실시 예 들 에서 , 핀 형 활성 영역 ( FA ) 과 게이트 절 연막 ( 124 ) 과 의 사이 에 인터페이스 층 ( 도시 생략 ) 이 개재 될 수 있 다 . 상기 인터페이스 층 은 산화 막 , 질화 막 , 또는 산화 질화 막 과 같 은 절연 물질 로 형성 될 수 있 다 .