또한 , 보호 영역 ( 153 ) 은 , 피에조 저항 영역 ( 152 ) 이 형성 되 어 있 는 영역 의 상부 를 덮 어 반도체 층 ( 151 ) 에 형성 된 n 형 의 불순물 이 도입 된 영역 이 다 . 피에조 저항 영역 ( 152 ) 은 , 실리콘 을 포함 하 는 반도체 층 ( 151 ) 에 , n 형 불순물 인 인 ( p ) 이 도입 된 n 형 의 영역 이 다 . 또한 , 피에조 저항 영역 ( 152 ) 의 불순물 농도 ＜ 보호 영역 ( 153 ) 의 불순물 농도 ＜ 컨 택트 영역 ( 154 a , 154 b ) 의 불순물 농도 로 되 어 있 다 .