산화 규소 쇄 를 갖 는 단분자막 을 형성 하 기 위한 공정 은 일본 특허 공개 ( 소 ) 62 - 50657 호 공보 , 일본 특허 공개 ( 평 ) 4 - 221630 호 공보 에 상세 하 게 개시 되 어 있 지만 , 예 를 들 면 상기 방법 에 의해 인식 용 재료 를 고정 화 시키 는 장소 이외 의 면 을 보호 하 는 레지스 트 패턴 을 형성 한 비 피막 기판 상 에 , 하 기 화학식 5 로 표시 되 는 규소 화합물 을 포함 하 는 처리 액 으로 처리 함 으로써 단분자막 을 형성 한다 .