도 10 d 를 참조 하 면 , 상기 제 2 몰드 막 ( 140 m 2 ) 상 에 마스크 패턴 ( 190 m ) 을 형성 할 수 있 다 . 일부 실시 예 들 에 있 어서 , 상기 마스크 패턴 ( 190 m ) 은 하드 마스크 패턴 일 수 있 다 . 일부 실시 예 들 에 있 어서 , 상기 마스크 패턴 ( 190 m ) 은 폴리 실리콘 , 실리콘 질화물 , 실리콘 산화물 , 실리콘 산질 화물 , SOH ( spin - on - hardmask ) , ACL ( amorphous carbon layer ) , 또는 이 들 의 조합 일 수 있 다 .