( 1 ) 우선 , n 형 GaAs 층 으로 이루어지 는 기판 ( 101 ) 의 표면 에 , 조성 을 변조 시키 면서 에피 택 셜 성장 시킴 으로써 , 도 3 에 도시 한 바 와 같이 , 반도체 다층막 이 형성 된다 . 여기 에서 , 반도체 다층막 은 , 예 를 들 면 , n 형 Al 0 . 9 Ga 0 . 1 As 층 과 n 형 Al 0 . 1 Ga 0 . 9 As 층 을 교대 로 적층 한 38 . 5 페어 의 제 1 미러 ( 102 a ) , GaAs 웰 층 과 Al 0 . 3 Ga 0 . 7 As 배리어 층 으로 이루어지 고 , 웰 층 이 3 층 으로 구성 되 는 양자 웰 구조 를 포함 하 는 활성 층 ( 103 a ) , p 형 AlAs 층 또는 p 형 AlGaAs 층 으로 이루어지 는 저 굴절 율 층 ( 105 a ) , p 형 Al 0 . 1 Ga 0 . 9 As 층 으로 이루어지 는 고 굴절 율 층 ( 106 a ) 으로 될 수 있 다 .