하부 기판 위 에 는 복수 의 게이트 선 ( gate line ) 이 형성 되 어 있 다 . 게이트 선 위 에 는 게이트 절 연막 ( gate insulating layer ) , 반도체 , 저항성 접촉 부재 ( ohmic contact ) 가 차례 로 형성 되 어 있 고 , 그 위 에 는 데이터 선 및 드레 인 전극 이 형성 되 어 있 다 . 게이트 선 은 복수 의 게이트 전극 을 포함 하 고 , 데이터 선 은 복수 의 소스 전극 을 포함 하 며 , 게이트 전극 , 반도체 , 소스 전극 , 드레 인 전극 이 박막 트랜지스터 를 이룬다 . 반도체 , 데이터 선 , 드레 인 전극 및 게이트 절 연막 위 에 는 보호막 ( passivation layer ) 이 형성 되 어 있 으며 , 보호막 위 에 는 복수 의 화소 전극 ( pixel electrode ) 이 형성 되 어 있 다 . 화소 전극 은 보호막 에 뚫린 접촉 구멍 ( contact hole ) 을 통하 여 드레 인 전극 과 연결 된다 .