바람직 한 구체 례 는 에칭 제 ( etching agent ) 로서 , 모듈 2 에 , 전체 용액 에 대하 여 , 7 중량 % 의 톨루엔 술폰산 ( toluenesulphonic acid ) 및 5 중량 % 의 KOH 용액 을 가진다 . 에칭 시간 은 20 분 이 다 ; 배스 온도 는 110 ℃ 이 다 . 웨이퍼 표면 에서 의 에칭 제 ( etching agent ) 의 속도 는 3 mm 의 필름 두께 에 있 어 약 5 cm / min 이 다 .