이어서 , 게이트 절 연막 ( 36 ) 이 형성 된 바디 필라 ( 34 C ) 의 측벽 을 감싸 는 게이트 전극 ( 37 ) 을 형성 한다 . 게이트 전극 ( 37 ) 은 기판 ( 31 A ) 전면 에 도전 막 을 증착 한 후 필라 구조물 ( 101 ) 사이 기판 ( 31 A ) 상부 의 게이트 절 연막 ( 36 ) 이 노출 될 때 까지 에치 백 ( Etchback ) 하 여 얻 어 진다 . 게이트 전극 ( 37 ) 으로 는 N 형 불순물 이 도핑 된 폴리 실리콘 막 또는 P 형 불순물 이 도핑 된 폴리 실리콘 막 이 이용 될 수 있 다 . 또한 , 게이트 전극 ( 37 ) 은 Ta , W 또는 Ti 중 에서 선택 된 어느 하나 또는 TaN , WN 또는 TiN 중 에서 선택 된 어느 하나 를 이용 할 수 도 있 다 . 바람직 하 게 , 게이트 전극 ( 37 ) 은 바디 필라 ( 34 C ) 의 측벽 을 에워싸 는 형태 가 되 도록 하 기 위해 단차 피복성 이 우수 한 것 으로 알려진 폴리 실리콘 막 을 사용 하 는 것 이 좋 다 .