상기 의 불화물 제거 공정 을 이용 한 반도체 장치 의 제조 방법 에서 는 , 절연 층 ( 21 ) 으로부터 노출 된 배 선부 ( 12 ) ( 금속 ) 표면 의 금속 불화물 을 효율 적 으로 제거 하 는 것 이 가능 해져 , 해당 금속 의 부식 을 억제 하 는 것 이 가능 해진다 . 또한 , 예컨대 이후 의 공정 에 있 어서 해당 금속 상 에 다른 금속 ( 예컨대 확산 방지 막 층 이나 배 선부 등 ) , 또는 절연 층 등 을 성막 했 을 경우 에 , 배 선부 ( 12 ) 와 해당 금속 또는 해당 절연 층 의 사이 에서 의 밀착 성 이 좋 아 진다 .