이어서 , 도 6 e 에 도시 된 바 와 같이 , 산소 플 라즈 마 를 이용 한 애 싱 ( ashing ) 공정 을 이용 하 여 , 제 2 연결 패턴 들 이 형성 될 위치 에 배치 된 제 1 - 1 포토레지스트 패턴 ( 1000 ) 을 제거 하 여 제 2 도전 성 패턴 ( 104 ') 을 노출 시킨다 . 이 때 , 라우팅 배 선부 ( B ) 와 패드 부 ( C ) 상 의 제 1 - 2 포토레지스트 패턴 ( 1010 ) 은 h 1 의 높이 만큼 낮 아 져 h 2 - h 1 의 높이 를 갖 는 제 1 - 3 포토레지스트 패턴 ( 1010 ') 으로 된다 .