선택 라인 들 및 워드 라인 들 사이 의 활성 영역 내 에 는 불순물 영역 들 이 형성 될 수 있 다 . 이때 , 접지 선택 라인 ( GSL ) 의 일 측 에 형성 되 는 불순물 영역 들 ( 11 S , 21 S ) 은 , 공통 소오 스 라인 ( CSL ) 에 의해 연결 되 는 소오 스 전극 들 로 사용 될 수 있 고 , 스트링 선택 라인 ( SSL ) 의 일 측 에 형성 되 는 불순물 영역 들 ( 11 D , 21 D ) 은 비트 라인 플러그 들 ( 40 ') 을 통해 비트 라인 들 ( BL ) 에 연결 되 는 드레 인 전극 들 로 사용 될 수 있 다 . 또한 , 워드 라인 들 ( WL ) 의 양측 에 형성 되 는 불순물 영역 들 ( 11 I , 21 I ) 은 , 메모리 셀 들 을 직렬 로 연결 시키 는 내부 불순물 영역 들 로 사용 될 수 있 다 .