SnO 2 막 의 PEALD 형성 에 적합 한 프로세스 조건 들 의 예 는 본 명세서 에 참조 로서 인용 된 , " 제목 이 "" The Fabrication of Tin Oxide Films by Atomic Layer Deposition using Tetrakis ( ethylmethylamino ) tin Precursor "" 인 Seop 등 의 논문 ( Transactions on Electrical and Electronic Materials ", 2009 , 10 , 5 , 173 - 176 ) 에 제공 된다 . 기판 이 PEALD 프로세스 챔버 내 로 제공 되 고 플 라즈 마 부 재시 4 초 의 노출 과 함께 테트라 키스 ( 에틸 메틸 아미노 ) 주석 에 노출 된다 . 다음 에 , 주석 함유 전구체 는 20 초 동안 프로세스 챔버 를 통해 아르곤 을 흘림 으로써 프로세스 챔버 로부터 퍼지 된다 . 이어서 , O 2 가 2 초 와 100 W 의 RF 전력 을 사용 한 부가 적 인 2 초 동안 주입 된다 . 아르곤 퍼지 가 이어지 고 , 일 PEALD 사이클 이 종료 된다 . 이 예 에서 , 프로세스 는 50 내지 200 ℃ 의 온도 범위 및 0 . 8 Torr 의 압력 에서 수행 된다 .