또한 US 6 020 252 를 통해 알려진 것 처럼 , 도너 기판 으로부터 반도체 물질 의 박막 을 얻 는 방법 이 있 다 . 이 방법 은 소정 의 온도 에서 소정 의 주 입량 인 희유 가스 ( rare - gas ) 또는 수소 이온 을 도너 기판 에 주입 하 여 거기 에 연 약대 ( weakened zone ) 를 만들 고 상기 기판 이 각각 의 연약 한 면 에서 두 부분 으로 분리 되 도록 충분히 높 은 온도 로 열처리 하 는 방법 으로 구성 된다 .