이어서 , 도 1 c 에 도시 된 바 와 같이 , 하드 마스크 ( 103 A , 도 1 b 참조 ) 를 제거 한다 . 예컨대 , 하드 마스크 ( 103 A ) 제거 공정 은 하드 마스크 ( 103 A ) 가 실리콘 질화 막 ( Si 3 N 4 ) 으로 형성 된 경우 인산 ( H 3 PO 4 ) 용액 을 이용 하 여 실시 한다 . 이 과정 에서 소자 분리 막 ( 104 A ) 또한 일부 식각 될 수 있 다 .