이 와 같이 , 듀얼 폴리 실리콘 게이트 에서 식각 바이어스 가 MOS 형태 에 따라 달라지 므로 , OPC 를 통해 포토레지스트 패턴 ( 41 , 43 ) 의 선폭 을 균일 하 게 조절 또는 제 어함 에 도 불구 하 고 , 실제 게이트 패턴 ( 31 , 33 ) 의 선폭 은 설계 된 원본 레이아웃 의 선폭 에 대해 차이 를 가지 게 될 수 있 다 . 따라서 , 서로 다른 MOS 트랜지스터 에 따라 게이트 선폭 이 달라지 는 것 을 고려 하 여 이러 한 차이 발생 을 억제 하 고 , 이 와 함께 OPC 를 수행 하 여 패턴 전사 의 정확도 를 보다 개선 시킬 수 있 는 방법 의 개발 이 요구 되 고 있 다 .