상기 희생 층 들 및 상기 절연 층 들 ( 120 ) 을 관통 하 여 상기 반도체 기판 ( 100 ) 에 연결 되 는 수직 구 조체 들 ( VS ) 이 형성 될 수 있 다 . 상기 연장 영역 ( ER ) 에 는 상기 수직 구 조체 들 ( VS ) 과 함께 더미 수직 구 조체 들 ( DVS ) 이 형성 될 수 있 다 . 상기 수직 구 조체 들 ( VS ) 은 이방성 식각 공정 에 의하 여 상기 희생 층 들 및 상기 절연 층 들 ( 120 ) 을 관통 하 여 상기 반도체 기판 ( 100 ) 을 노출 하 는 수직 홀 들 을 형성 한 후 , 상기 수직 홀 들 내 에 정보 저장 층 ( DS ) , 채널 패턴 ( CP ) , 매립 절연 층 ( 139 ) 을 차례 로 증착 하 여 형성 될 수 있 다 . 상기 정보 저장 층 ( DS ) , 상기 채널 패턴 ( CP ) , 및 상기 매립 절연 층 ( 139 ) 은 화학 기상 증착 , 원자 층 증착 및 스퍼터링 중 적어도 하나 의 방법 으로 형성 될 수 있 다 . 상기 채널 패턴 ( CP ) 은 상기 정보 저장 층 ( DS ) 을 관통 하 도록 형성 될 수 있 다 . 상기 매립 절연 층 ( 139 ) 은 상기 수직 홀 들 을 완전히 채울 수 있 다 . 상기 매립 절연 층 ( 139 ) 및 상기 채널 패턴 ( CP ) 의 상부 를 제거 한 후 , 이 를 채우 는 패드 패턴 들 ( 128 ) 이 형성 될 수 있 다 . 상기 패드 패턴 들 ( 128 ) 은 도핑 된 폴리 실리콘 또는 금속 으로 형성 될 수 있 다 .