가스 라인 ( 38 ) 을 통하 여 이온 화 가스 ( 또는 소스 가스 ) 가 챔버 ( 30 ) 내부 로 공급 되 고 , 바이어스 고주파 발생기 ( 40 ) 를 통하 여 전 극판 들 ( 42 와 44 ) 로 고주파 바이어스 전원 이 공급 되 고 , 적어도 하나 의 안테나 ( 32 , 34 , ..., 36 ) 를 통하 여 RF 가 입력 되 면 , 챔버 ( 30 ) 내부 에 강력 한 산화력 을 가지 는 플 라즈 마가 형성 되 며 , 이렇게 생성 된 플 라즈 마 중 에서 양 이온 들 은 챔버 ( 30 ) 내 에 위치 하 는 반응물 의 표면 에 입사 , 충돌 함 으로서 상기 반응물 과 반응 , 예컨대 식각 및 / 또는 증착 공정 을 수행 한다 . 여기 서 소스 가스 는 반응물 과 반응 , 예컨대 식각 및 / 또는 증착 을 위해 적정 비율 로 혼합 된 공정 기체 를 말 한다 . 적어도 하나 의 안테나 ( 32 , 34 , ..., 36 ) 전단 에 는 챔버 ( 30 ) 에 의한 반사파 에 의한 간섭 을 줄이 기 위한 서큘레이터 ( circulator ) 또는 아이솔레이터 ( isolator ) 가 접속 될 수 있 다 . 서큘레이터 ( circulator ) 또는 아이솔레이터 ( isolator ) 는 신호 를 한 방향 으로 만 전송 하 기 위한 장치 의 일 예 이 다 .