하나 이상 의 반도체 기판 ( 10 ) 상 에 하나 이상 의 반도체 바디 ( 120 ) 가 배치 될 수 있 다 . 적어도 하나 의 반도체 기판 ( 10 ) 상 에 배치 된 각각 의 반도체 바디 ( 120 ) 는 다이오드 , IGBT ( Insulated - Gate Bipolar Transistor ) , MOSFET ( Metal - Oxide - Semiconductor Field - Effect Transistor ) , JFET ( Junction Field - Effect Transistor ) , HEMT ( ( High - Electron - Mobility Transistor ) 및 / 또는 다른 적절 한 반도체 소자 를 포함 할 수 있 다 .