도 4 를 참조 하 면 , 본 발명 의 실시 예 에 따른 오버 드라이빙 신호 생 성부 를 포함 한 반도체 메모리 소자 는 , 비트 라인 에 실린 데이터 를 감지 증폭 하 기 위한 비트 라인 감지 증 폭부 ( 430 ) 과 , 감지 증폭 인 에이블 신호 ( SAENV ) 에 응답 하 여 오버 드라이빙 신호 ( SAOVDP ) 를 생성 하 며 , 오버 드라이빙 신호 ( SAOVDP ) 는 병렬 테스트 모드 인 에 이 블 신호 ( PT _ CON ) 에 응답 하 여 활성 화 구간 이 변동 되 는 오버 드라이빙 신호 생 성부 ( 400 ) 와 , 오버 드라이빙 신호 ( SAOVDP ) 의 활성 화 구간 에 대응 하 는 오버 드라이빙 구간 에서 비트 라인 감지 증 폭부 ( 430 ) 의 전원 라인 ( RTO , SB ) 을 오버 드라이빙 하 는 오버 드라이빙 부 ( 410 ) , 및 감지 증폭 인 에이블 신호 ( SAENV ) 의 활성 화 구간 에서 오버 드라이빙 구간 이후 에 비트 라인 감지 증 폭부 ( 430 ) 의 전원 라인 ( RTO , SB ) 을 코어 전압 으로 드라이빙 하 는 노 말 드라이빙 부 ( 420 ) 를 구비 하 며 , 코어 전압 인 에이블 신호 ( VCOREN ) 에 응답 하 여 코어 전압 ( VCORE ) 를 생성 하 여 코어 전압 단 에 공급 하 는 코어 전압 생 성부 ( 440 ) 을 더 구비 한다 .