본 발명 의 제 3 특징 에 따른 SRAM 은 p - 형 멀티 게이트 전계 효과 트랜지스터 엑세스 디바이스 들 과 함께 교차 결합 인버터 들 ( Cross Coupled Inverters ) 을 갖 는 메모리 셀 들 의 어레이 ; 상기 p - 형 멀티 게이트 전계 효과 트랜지스터 엑세스 디바이스 들 에 결합 되 는 워드 라인 들 ; 상기 워드 라인 들 에 결합 된 디 코딩 회로 ; 및 접 지 및 상기 디 코딩 회로 사이 에 결합 되 는 파워 스위치 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .