도 1 a , 도 1 b , 도 1 c 및 도 2 는 본 발명 에 의한 반사 부 의 형성 예 를 도시 한 확대 모식 단면도 으로 , 도 1 a 는 페이스트 도포 전 의 회로 형성 을 마친 기판 을 도시 하고 , 도 1 b 는 도 1 a 에 도시 한 기판 에 도전 성 페이스트 를 도포 한 것 을 도시 하고 , 도 1 c 는 도 1 b 에 도시 한 페이스트 를 도포 한 기판 에서 페이스트 경화 후 , 드릴 에 의해 천공 하 고 있 는 상태 를 도시 한다 . 또한 , 도 2 는 도 1 의 드릴 에 의한 천공 후 페이스트 경화물 표면 에 도금 층 ( Ag 또는 Ni 도금 층 ) 을 형성 하 고 , 발광 다이오드 칩 을 부착 하 여 기판 을 완성 시킨 상태 를 나타낸다 .