종래 기술 에 따라 증착 된 텅스텐 막 ( 14 ) 은 도 1 a 와 같이 컬럼 ( column ) 구조 의 성장 격자 로 이루어진다 . 따라서 , " 하드 마스크 패턴 ( 15 ) 형성 을 위한 식각 시 사용 되 는 플로린 계열 의 가스 와 과도 식각 등 의 영향 으로 텅스텐 막 ( 14 ) 의 컬럼 구조 의 성장 격자 사이 에 부분 적 으로 어택 ( attack ) 이 발생 하 게 된다 ( 도 1 a 의 "" A "" 참조 ) . "