이러 한 본 발명 의 또 다른 실시 예 에 따른 비휘발성 디램 소자 의 제조 방법 은 도 7 에 도시 된 비휘발성 디램 소자 와 유사 하 다 . 차이점 은 부유 바디 셀 ( 802 ) 의 일 측 부 와 타 측 부 에 비휘발성 게이트 구조 체인 터널 링 절 연막 ( 805 a , 805 b ) 을 비롯 한 부유 게이트 ( 806 a , 806 b ) , 제 어 절 연막 ( 807 a , 807 b ) 및 게이트 ( 808 a , 808 b ) 를 형성 한다는 점 이 다 . 여기 서 , 도시 되 지 않 았 지만 단위 셀 은 STI ( Shallow Trench Isolation ) 로 둘러싸 서 인접 한 셀 과 절연 ( Isolation ) 시킨다 .