이후 , 비정질 카본 층 ( 13 ) 을 산소 플 라즈 마 를 이용 하 여 스트립 하 면 , 식각 대상 층 패턴 ( 12 a ) 은 제 2 하드 마스크 폴리 실리콘 패턴 ( 17 b ) 과 동일 하 게 60 ∼ 80 nm 의 피치 ( P ) 를 갖 는다 . 즉 , 식각 대상 층 패턴 ( 12 a ) 은 제 2 하드 마스크 폴리 실리콘 패턴 ( 17 b ) 의 피치 , 간격 및 라인 을 그대로 따라가 므로 , 간격 ( SN ) 은 20 nm ∼ 30 nm , 라인 ( LN ) 은 40 nm ∼ 50 nm 정도 가 된다 .