다음 에 는 , 하드 마스크 패턴 ( 140 , 145 ) 을 마스크 로 반도체 기판 ( 100 ) 을 소정 깊이 식각 하 여 제 1 트렌치 ( 125 ) 를 형성 한다 . 이때 , 제 1 트렌치 ( 125 ) 의 깊이 는 반도체 기판 ( 100 ) 의 표면 으로부터 후속 에 형성 되 는 제 2 트렌치 ( 미 도시 ) 의 바닥 까지 의 깊이 에 대하 여 5 ~ 20 % 가 되 는 깊이 로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 .