제 7 의 양태 에 의하 면 , 감광성 수지 막 을 노광 및 현상 함 으로써 형성 되 어 있 는 패턴 으로 의 추가 노광 을 , 발광 다이오드 에 의해 행할 수 있 다 . 추가 노광 은 , 그 에 앞서 행해 지 는 , 감광성 수지 막 에 대해 패턴 을 부여 하 기 위한 패 터닝 노광 에 비해 , 통상 , 높 은 광 강도 를 필요 로 하 지 않 는다 . 따라서 , 방전 램프 에 비해 광 강도 를 얻 기 어려운 광원 인 발광 다이오드 이 어도 , 통상 , 충분 한 광 강도 가 확보 된다 . 또한 발광 다이오드 는 방전 램프 에 비해 , 온 된 후 에 광 강도 가 단시간 에 안정 된다 . 따라서 , 광 조사 의 온 오프 의 , 단시간 으로 의 전환 을 , 광원 으로서 의 발광 다이오드 자체 의 온 오프 에 의해 행할 수 있 다 . 따라서 추가 노광 장치 는 , 광 조사 의 온 오프 를 위한 셔터 를 필요 로 하 지 않 는다 . 따라서 , 셔터 로부터 의 발진 에 의한 기판 의 오염 을 피할 수 있 다 .