본 발명 의 일 형태 인 반도체 장치 는 채널 영역 이 산화물 반도체 로 형성 되 는 트랜지스터 의 소스 또는 드레 인 에 만 전기 적 으로 접속 되 는 노드 에서 전하 를 유지 ( 정보 를 기억 ) 할 수 있 다 . 따라서 , 상기 노드 에서 는 게이트 리크 전류 에 기인 하 여 전하 가 유출 되 는 일 이 없 다 . 이 로써 , 특정 의 트랜지스터 의 게이트 의 전위 에 따라 기억 정보 가 판별 되 는 반도체 장치 에서 상기 트랜지스터 의 게이트 리크 전류 에 기인 하 여 정보 가 소실 되 는 경우 라도 상기 노드 에서 상기 트랜지스터 의 게이트 에 전하 를 보충 함 으로써 정보 를 복원 할 수 있 다 . 결과 적 으로 , 상기 반도체 장치 에서 상기 트랜지스터 의 임계 값 전압 의 편차 의 저감 과 , 장기간 에 걸친 정보 의 유지 를 양립 할 수 있 다 . 즉 , 정보 의 유지 특성 이 뛰어난 반도체 장치 를 제공 할 수 있 다 .