특히 , 도 7 에 도시 된 바 와 같이 , 상기 예비 산화물 반도체 층 ( 170 ) 에 70 J / cm 2 의 상기 제 1 광 소결 에너지 ( 1 st IPL ) 가 조사 되 어 형성 된 산화물 반도체 층 ( 200 ) 을 포함 하 는 박막 트랜지스터 ( 도 7 의 IGZO IPL 70 J / cm 2 ) 는 , on / off 스위칭 특성 이 가장 우수 한 것 을 확인 할 수 있 다 .