배선 ( V 4 ) 및 배선 ( V 5 ) 의 각각 에 는 정전 위 가 공급 된다 . 발광 디바이스 ( EL ) 의 애노드 측 을 고전 위 로 , 캐소드 측 을 애노드 측 보다 저 전위 로 할 수 있 다 . 트랜지스터 ( M 5 ) 는 배선 ( VG ) 에 공급 되 는 신호 에 의하 여 제어 되 고 , 화소 회로 ( PIX 2 ) 의 선택 상태 를 제어 하 기 위한 선택 트랜지스터 로서 기능 한다 . 또한 트랜지스터 ( M 6 ) 는 게이트 에 공급 되 는 전위 에 따라 발광 디바이스 ( EL ) 에 흐르 는 전류 를 제어 하 는 구동 트랜지스터 로서 기능 한다 . 트랜지스터 ( M 5 ) 가 도통 상태 일 때 , 배선 ( VS ) 에 공급 되 는 전위 가 트랜지스터 ( M 6 ) 의 게이트 에 공급 되 고 , 그 전위 에 따라 발광 디바이스 ( EL ) 의 발광 휘도 를 제어 할 수 있 다 . 트랜지스터 ( M 7 ) 는 배선 ( MS ) 에 공급 되 는 신호 에 의하 여 제어 되 고 , 트랜지스터 ( M 6 ) 와 발광 디바이스 ( EL ) 사이 의 전위 를 , 배선 ( OUT 2 ) 을 통하 여 외부 에 출력 하 는 기능 을 가진다 .