ITO 투명 도전 막 을 165 ㎚ 퇴적 시킨 유리 기판 ( 지 오마 테크 ( 주 ) 제 , 11 Ω / □, 스퍼터 품 ) 을 38 × 46 ㎜ 의 크기 로 절단 하 고 , " 에칭 을 행하 였 다 . 얻 어 진 기판 을 "" 세미 코 클린 56 ""( 상품명 ", 후 르 우찌 가 가꾸 ( 주 ) 제 ) 으로 15 분 간 초음파 세정 하 고 나 서 , 초 순수 로 세정 하 였 다 . 이 기판 을 , 발광 소자 를 제작 하 기 직전 에 1 시간 , UV - 오존 처리 하 고 , 진공 증착 장치 내 에 설치 하 고 , 장치 내 의 진공도 가 5 × 10 - 4 Pa 이하 로 될 때 까지 배기 하 였 다 . 저항 가열 법 에 의해 , 먼저 정공 주입 층 으로서 , HAT - CN 6 을 5 ㎚ 증착 하 고 , 이어서 정공 수송 층 으로서 , HT - 1 을 40 ㎚ 증착 하 였 다 . 이어서 , 청색 용 정공 수송 층 으로서 , HT - 2 를 10 ㎚ 증착 하 였 다 . 이어서 , 발광 층 으로서 , 호스트 재료 H - 1 , 도 펀트 재료 D - 1 의 혼합 층 을 , 도프 농도 가 5 중량 ％ 가 되 도록 하 여 20 ㎚ 의 두께 로 증착 하 였 다 . 이어서 , 제 1 전자 수송 층 으로서 , 화합물 [ 1 ] 을 25 ㎚ 의 두께 로 증착 하 였 다 . 또한 , 제 2 전자 수송 층 으로서 , 전자 수송 재료 에 화합물 E - 14 를 , 도너 성 재료 로서 2 E - 1 을 사용 하 고 , E - 14 와 2 E - 1 의 증착 속도 비 가 E - 14 : 2 E - 1 = 1 : 1 이 되 도록 하 고 , 10 ㎚ 의 두께 로 적층 하 였 다 . 이어서 , 불화 리튬 을 0 . 5 ㎚ 증착 한 후 , 알루미늄 을 1000 ㎚ 증착 하 여 음극 으로 하 여 , 5 × 5 ㎜ 크기 의 사각형 의 소자 를 제작 하 였 다 . 이 발광 소자 를 휘도 1000 cd / ㎡ 로 점등 시켰 을 때 의 특성 은 , 구동 전압 4 . 21 V , 외부 양자 효율 7 . 52 ％ 였 다 . 또한 초기 휘도 를 1000 cd / ㎡ 로 설정 하 고 , 정전 류 구동 시킨 바 , 휘도 가 20 ％ 저하 되 는 시간 은 2050 시간 이 었 다 . 또한 , E - 14 는 이하 에 나타내 는 화합물 이 다 .