도 1 및 도 2 를 참조 하 면 , 제 1 재배 선 층 ( 310 ) 과 베이스 층 ( 210 ) 의 경계 상 에서 , 제 1 반도체 칩 ( 300 ) 의 제 1 칩 패드 들 ( 312 ) 은 인터 포저 기판 ( 200 ) 의 제 1 기판 패드 들 ( 220 ) 과 접할 수 있 다 . 이때 , 제 1 기판 패드 들 ( 220 ) 과 제 1 칩 패드 들 ( 312 ) 은 금속 간 하이브리드 본딩 ( hybrid bonding ) 을 이룰 수 있 다 . 본 명세서 에서 , 하이브리드 본딩 이 란 동종 물질 을 포함 하 는 두 구성 물 이 그 들 의 계면 에서 융합 하 는 본딩 을 의미 한다 . 예 를 들 어 , 제 1 기판 패드 들 ( 220 ) 과 제 1 칩 패드 들 ( 312 ) 은 연속 적 인 구성 을 가질 수 있 고 , 제 1 기판 패드 들 ( 220 ) 과 제 1 칩 패드 들 ( 312 ) 사이 의 제 1 경 계면 ( IF 1 ) 은 시각 적 으로 보이 지 않 을 수 있 다 . 예 를 들 어 , 제 1 기판 패드 들 ( 220 ) 과 제 1 칩 패드 들 ( 312 ) 은 동일 한 물질 로 구성 되 어 , 제 1 기판 패드 들 ( 220 ) 과 제 1 칩 패드 들 ( 312 ) 사이 에 계면 ( IF 1 ) 이 없 을 수 있 다 . 즉 , 제 1 기판 패드 들 ( 220 ) 및 제 1 칩 패드 들 ( 312 ) 은 하나 의 구성 요소 로 제공 될 수 있 다 . 제 1 칩 패드 들 ( 312 ) 과 제 1 기판 패드 들 ( 220 ) 을 통해 제 1 반도체 칩 ( 300 ) 과 인터 포저 기판 ( 200 ) 은 서로 전기 적 으로 연결 될 수 있 다 .