하부 절 연막 ( 122 ) 에 정의 된 콘 택 홀 들 ( H ) 은 워드 라인 ( WL ) 의 상면 을 노출 시킬 수 있 다 . 콘 택 홀 ( H ) 내 에 는 다이오드 ( D ) 가 형성 될 수 있 다 . 다이오드 ( D ) 는 차례 로 적층 된 n 형 반도체 막 ( 117 n ) 및 p 형 반도체 막 ( 117 p ) 을 포함 할 수 있 다 . N 형 반도체 막 ( 117 n ) 과 p 형 반도체 막 ( 117 p ) 이 접하 는 계면 은 콘 택 홀 ( H ) 내 에 배치 될 수 있 다 . 또한 , 콘 택 홀 ( H ) 내 에 는 다이오드 ( D ) 와 데이터 자장 소자 를 연결 하 는 하부 전극 ( 310 ) 이 형성 될 수 있 다 .