이해 할 수 있 는 것 은 , 본 실시 예의 상기 광 에 대한 변조 를 실현 할 수 있 는 광 변조 마이크 로 나노 구조 는 1 차원 , 2 차원 광 결정 , 표면 플 라즈 몬 , 메타 물질 및 메타 표면 을 포함 하 되 이 에 한정 되 지 않 는다 . 구체 적 으로 , 재료 는 실리콘 , 게르마늄 , 게르마늄 실리콘 재료 , 실리콘 화합물 , 게르마늄 화합물 , 금속 및 III - V 족 재료 등 을 포함 할 수 있 다 . 이중 , 실리콘 화합물 은 질화 규소 , 이산화규소 및 탄화규소 등 을 포함 하 되 이 에 한정 되 지 않 는다 . 투광 층 재료 는 이산화규소 및 고분자 화합물 등 저 굴절 률 재료 를 포함 할 수 있 다 . 광전 검출기 는 실리콘 검출기 ( 검출 범위 : 780 nm ~ 1100 nm ) , III - V 족 반도체 ( 예 를 들 면 , InGaAs / InAlAs , GaAs / AlGaAs ) 검출기 ( 검출 범위 : 1000 nm ~ 2600 nm ) , 안티몬 화물 ( 예 를 들 면 , InSb ) 검출기 ( 검출 범위 : 1 μ m ~ 6 . 5 μ m ) 및 HgCdTe 검출기 ( 검출 범위 : 0 . 7 ~ 25 μ m ) 등 을 선택 할 수 있 다 .