또한 , 상기 주사선 과 신호선 의 교차 지점 에 는 어 드레싱 엘리먼트 ( addressing element ) 인 스위칭 박막 트랜지스터 ( switching TFT ) 가 형성 되 어 있 고 , 이 스위칭 박막 트랜지스터 및 전력 공급 라인 과 연결 되 어 스토리지 캐 패 시터 ( storage capacitor ; 이하 , Cst 라 칭함 ) 가 형성 되 어 있 으며 , 이 스토리지 캐 패 시터 ( Cst ) 및 전력 공급 라인 과 연결 되 어 , 전류 원 엘리먼트 ( current source element ) 인 구동 박막 트랜지스터 가 형성 되 어 있 고 , 이 구동 박막 트랜지스터 와 연결 되 어 유기 전계 발광 다이오드 ( Electroluminescent Diode ) 가 구성 되 어 있 다 .