처리 실 ( 201 ) 내 에 도입 된 처리 가스 는 , 처리 실 ( 201 ) 내 를 상승 하 고 , 이너 튜브 ( 204 ) 의 상단 개구 로부터 통 형상 공간 ( 250 ) 으로 유출 하 고 , 통 형상 공간 ( 250 ) 을 흘러내린 후 , 배기관 ( 231 ) 으로부터 배기 된다 . 처리 가스 는 , 처리 실 ( 201 ) 내 를 통과 할 때 웨이퍼 ( 200 ) 의 표면 과 접촉 한다 . 이 때 , 열 CVD 반응 에 의해 웨이퍼 ( 200 ) 의 표면 상 에 박막 , 즉 질화 실리콘 ( Si 3 N 4 ) 막 이 퇴적 ( deposition ) 된다 .