도 6 에 예시 된 바 와 같이 , 금속 층 ( M 1 - M 4 , M ( top - 1 ) 및 Mtop ) 은 z - 방향 으로 트랜지스터 ( M 2 ) 및 분리 부 ( 480 ) 위 에 배열 된다 . 저항기 ( R ) 는 금속 층 의 위치 에 배치 된다 . 일부 실시 예 에서 , 저항기 ( R ) 는 금속 층 중 적어도 하나 의 금속 층 위 에 배열 된다 . 달리 말 하 면 , 도 6 에 예시 된 바 와 같이 , 저항기 ( R ) 는 후 공정 ( BEOL ) 부분 에 배치 되 며 , 여기 서 BEOL 은 개별 소자 ( 트랜지스터 , 커패시터 , 저항기 등 ) 가 비아 및 도전 트레이스 , 예컨대 , 금속 층 ( M 1 - M 4 , M ( top - 1 ) 및 Mtop ) 에 의해 상호 연결 되 는 IC 제조 공정 의 최종 부분 이 다 .