도 9 b 를 참조 하 면 , 이어서 , 상기 패 터닝 된 마스크 막 ( 175 ) 을 이온 주입 마스크 로 사용 하 여 원소 이온 들 을 상기 제 1 절연 층 ( 150 ) 에 주입 하 여 제 1 게터 링 영역 ( 265 ) 을 형성 한다 . 이때 , 상기 주입 된 원소 들 은 상기 제 1 게터 링 영역 ( 265 ) 내 분산질 을 형성 하 는 원소 도 는 상기 제 1 게터 링 영역 ( 265 ) 내 베이컨 시 및 / 또는 디스 로케이션 을 형성 하 는 원소 일 수 있 다 .