탄소 나노 튜브 ( CNT ) 는 원통형 형상 , 우수 한 전기 적 및 기계 적 특성 으로 인해 축척 된 FET 디바이스 를 제조 하 기 위한 선택 된 재료 로 고려 된다 . 게이트 길이 가 대략 10 nm 이하 인 CNT 를 사용 한 전계 효과 트랜지스터 ( FET ) 는 우수 한 전기 적 특성 을 나타낸다 . 그러나 , CMOS 제조 기술 과 호환 가능 한 제조 기술 이 확립 되 지 않 았었 다 . 본 발명 에서 , 정렬 된 CNT 의 층 을 기판 상 에 적층 하 고 적층 된 CNT 로부터 핀 구조물 을 형성 함 으로써 , CMOS 기술 과 호환 가능 한 수평 게이트 올 어 라운드 프로세스 가 제공 된다 .