반도체 소자 의 집적도 가 증가 함 에 따라 , 모스 트랜지스터 는 얕 은 접합 의 소오 스 / 드레 인 영역 을 가지 게 된다 . 상기 모스 트랜지스터 의 신뢰 성 을 향상 시키 기 위하 여 엘 디디 형 소오 스 / 드레 인 영역 을 형성 하 는 기술 이 사용 되 고 있 다 . 엘 디디 형 소오 스 / 드레 인 영역 을 형성 하 기 위해서 는 게이트 전극 의 측벽 에 스 페이서 를 형성 하 게 된다 .