또한 , 상기 와 같 은 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 에 따른 반도체 소자 의 격리 막 형성 방법 은 반도체 기판 상 에 산화 막 과 질화 막 을 차례 로 형성 하 는 단계 ; 상기 질화 막 상 에 트렌치 를 형성 하 기 위한 감광막 패턴 을 형성 하 는 단계 ; 상기 감광막 패턴 에 따라 소정 의 깊이 로 트렌치 를 형성 하 는 단계 ; 상기 트렌치 부분 의 기판 을 보호 하 기 위한 열 산화 막 을 형성 하 는 단계 ; 1 차 평탄 화 공정 으로 상기 열 산화 막 과 상기 질화 막 을 제거 하 는 단계 ; 상기 트렌치 부분 을 포함 한 상기 산화 막 의 전면 에 산화 실리콘 막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 트렌치 부분 을 포함 한 상기 산화 실리콘 막 의 전면 에 갭 필 공정 으로 산화 절 연막 을 형성 하 는 단계 ; 2 차 평탄 화 공정 으로 상기 산 화 절 연막 을 상기 산화 실리콘 막 부분 까지 제거 하 는 단계 ; 습식 식각 공정 으로 상기 산화 실리콘 막 과 산화 절 연막 을 제거 하 는 단계 를 포함 하 여 이루어지 는 것 을 특징 으로 한다 .