기판 처리 장치 ( 10 ) 는 밀폐 공간 을 제공 하 는 공정 챔버 ( 12 ) , 공정 챔버 ( 12 ) 내부 의 상부 에 위치 하 며 , 플라 즈 마 전극 으로 사용 되 는 후방 플레이트 ( 14 ) , 후방 플레이트 ( 14 ) 와 연결 되 며 공정 챔버 ( 12 ) 의 내부 에 소스 가스 를 공급 하 는 가스 공급 관 ( 36 ) , 후방 플레이트 ( 14 ) 의 하부 에 위치 하 며 , 다수 의 분사 홀 ( 16 ) 을 가지 는 알루미늄 재질 의 가스 분배 판 ( 18 ) , 플라 즈 마 전극 과 대향 전극 으로 사용 되 며 기판 ( 20 ) 이 안치 되 는 기판 안 치대 ( 22 ) , 공정 챔버 ( 12 ) 의 내부 에서 사용 되 는 반응 가스 및 부산물 을 배출 하 기 위한 배출구 ( 24 ) 로 포함 하 여 구성 된다 . 그리고 후방 플레이트 ( 14 ) 는 RF 전원 ( 30 ) 과 연결 되 고 , 후방 플레이트 ( 14 ) 와 RF 전원 ( 30 ) 사이 에 는 임피던스 정합 을 위한 매 처 ( 32 ) 가 설치 된다 .