다음 으로 , 제 어 게이트 전극 을 형성 하 기 위해 , 도 4 의 ( a ) 에 도시 한 바 와 같이 , 층간 절 연막 ( 60 ) 상 에 , 논 도프 의 아몰 퍼스 실리콘 막 ( 70 ) 을 화학 기상 성 장법 에 의해 성막 하 고 , 그 위 에 불순물 을 함유 한 아몰 퍼스 실리콘 막 ( 80 ) 을 화학 기상 성 장법 에 의해 더 성막 한다 . 여기 서 는 , 불순물 로서 , 인 ( P ) 을 이용 한다 . 이 때 , 아몰 퍼스 실리콘 막 ( 70 ) 의 막 두께 는 T 7 , 아몰 퍼스 실리콘 막 ( 80 ) 의 막 두께 는 T 8 이 며 , 양쪽 아몰 퍼스 실리콘 막 의 합계 막 두께 는 T 6 이 다 .