이어서 , 제 2 폴리 실리콘 층 ( 16 ) 상 에 금속 계 도전 층 및 하드 마스크 층 을 패 터닝 하 여 게이트 패턴 을 형성 할 수 있 다 . 패 터닝 된 제 2 폴리 실리콘 전극 ( 16 A ) 과 N 형 및 P 형 제 1 폴리 실리콘 전극 ( 14 C , 14 D ) 는 게이트 패턴 의 제 1 게이트 전극 , 패 터닝 된 금속 계 도전 층 은 게이트 패턴 의 제 2 게이트 전극 ( 17 ) , 패 터닝 된 하드 마스크 층 은 게이트 하드 마스크 ( 18 ) 가 된다 .