또한 , 상기 제 1 박막 및 상기 제 2 박막 을 형성 하 는 단계 의 공정 온도 를 조절 함 으로써 , 상기 제 2 박막 에 포함 된 아연 ( Zn ) 의 비율 및 상기 제 2 박막 이 형성 되 는 속도 가 용이 하 게 조절 될 수 있 다 . 이 에 따라 , 상기 공정 의 온도 조절 을 통해 , 상기 제 2 박막 내 아연 ( Zn ) 의 비율 및 상기 제 2 박막 이 형성 되 는 속도 를 조절 하 여 상기 산화물 반도체 박막 의 막 특성 을 향상 시킬 수 있 다 .