상술 한 식각 공정 을 통해 도 8 c 에 도시 된 바 와 같이 소스 / 드레 인 연결 패턴 ( 140 ) 및 반도체 패턴 ( 37 ) 이 형성 된다 . 도시 하 진 않 았 으나 소스 / 드레 인 연결 패턴 ( 140 ) 은 데이터 라인 및 데이터 패드 하부 전극 과 동시 에 형성 된다 . 반도체 패턴 ( 37 ) 은 데이터 라인 , 데이터 패드 하부 전극 , 및 소스 / 드레 인 연결 패턴 ( 140 ) 하부 에 형성 되 고 , 활성 층 ( 35 ) 및 오 믹 접촉 층 ( 36 ) 을 포함 한다 . 소스 / 드레 인 금속 층 ( 44 ) 을 습식 식각 하 는 과정 에서 소스 / 드레 인 금속 층 ( 44 ) 으로 이용 되 는 Cu 는 포토레지스트 패턴 ( 47 ) 의 에지 와 접하 는 부분 에서 빠르 게 식각 된다 . 이 에 따라 습식 식각 을 통해 형성 된 소스 / 드레 인 연결 패턴 ( 140 ) 의 폭 은 이 와 중첩 된 포토레지스트 패턴 ( 47 ) 의 폭 보다 좁 게 형성 된다 .