이 로써 , 도 2 e 와 같이 제 1 도 전막 ( 104 ) 이 패 터닝 되 어 수직 한 프로 파일 을 갖 는 플로팅 게이트 ( 104 a ) 가 형성 되 어 , 게이트 하드 마스크 ( 126 ) 가 형성 되 는 영역 에 는 터널 절 연막 ( 102 ) , 제 1 도 전막 ( 104 ) 으로 이루어지 는 플로팅 게이트 ( 104 a ) , 유전체 막 ( 110 ) 및 제 2 도 전막 ( 116 ) 으로 이루어지 는 컨트롤 게이트 ( 116 a ) 가 적층 된 게이트 ( 미 도시 ) 가 형성 된다 .