본 발명 에서 는 노광 에 의해 패턴 인식 이 가능 한 감광층 ( PR ) 과 원소 재 기판 ( S ) 에 대한 에칭 마스크 로 작용 하 는 금속 피막 ( M 1 ) 을 활용 하 여 , 종래 와 같 은 노광 - 현상 방식 에 의해 패턴 형성 이 가능 하 면서 도 에칭 마스크 의 부착력 을 재고 하 여 미세 패턴 에 대한 가공 정밀도 를 향상 시키 고 있 다 . 특히 , 본 발명 에서 는 상기 와 같 은 효과 를 달성 하 면서 도 에칭 마스크 ( 금속 피막 , M 1 ) 의 패턴 화 를 감광층 ( PR ) 의 리프트 - 오프 ( lift - off ) 로 구현 하 므로 , 마스크 패턴 을 형성 하 기 위한 목적 의 추가 적 인 에칭 이 필요 하 지 않 다 .