도 54 는 건식 산화 공정 및 질화 공정 을 동시 에 수행 하 여 형성 된 절연 구조물 내 에 함유 된 원소 들 의 농도 를 측정 한 결과 를 나타내 는 그래프 이 다 . 도 54 에 있 어서 , 상기 절연 구조물 은 약 850 ℃ 정도 의 온도 에서 상기 건식 산화 공정 및 질화 공정 을 동시 에 수행 하 여 반도체 기판 상 에 약 65 Å 정도 의 두께 로 형성 되 었 다 . 이러 한 절연 구조물 내 에 포함 된 실리콘 의 농도 ( T ) , 질화 실리콘 의 농도 ( B ) , 일산 화 실리콘 의 농도 ( C ) 및 이산화 실리콘 농도 ( D ) 를 TOFSIMS 분석 을 통하 여 측정 하 였 다 . 도 54 에 있 어서 , " "" S "" 는 상기 절연 구조물 과 실리콘 기판 사이 의 계면 을 나타낸다 . "