일부 실시 예 들 에서 , 회전 가능 한 마그네트론 ( 미 도시 ) 이 타 겟 ( 166 ) 의 배면 에 근접 하 여 위치 될 수 있 다 . 마그네트론 은 타 겟 ( 166 ) 의 표면 에 대해 전체 적 으로 평행 하 고 근접 한 자기장 을 챔버 ( 100 ) 내부 에 생성 하 도록 구성 된 복수 의 자석 들 을 포함 할 수 있 으며 , 상기 자기장 은 전자 들 을 포획 하 여 국소 적 인 플 라즈 마 밀도 를 높임 으로써 스퍼터링 률 을 또한 증대 시킨다 . 자석 들 은 챔버 ( 100 ) 의 상단 주위 에 전자기장 을 발생 시키 며 , 처리 의 플 라즈 마 밀도 에 영향 을 미치 는 상기 전자기장 을 회전 시켜 타 겟 ( 166 ) 을 더 균일 하 게 스퍼터링 하 도록 회전 된다 .