상기 소스 및 드레 인 전극 , 유기 반도체 층 및 게이트 전극 의 형성 방법 은 공지 된 통상 의 방법 을 이용 한다 . 예 를 들 면 , 통상 의 증착 공정 을 이용 할 수 있 다 . 한편 , 소스 및 드레 인 전극 또는 게이트 전극 은 도전 성 분말 을 포함 한 도전 성 페이스트 를 이용 하 여 공지 된 코팅 법 , 예 를 들 면 잉크젯 프린팅 법 으로 형성 될 수 있 다 . 이 와 같 은 소스 및 드레 인 전극 , 유기 반도체 층 및 게이트 전극 의 형성 방법 은 선택 된 재료 에 따라 당업자 가 용이 하 게 선택 할 수 있 는 것 이 다 .