상기 구조 를 갖 는 본 발명 에 따른 반도체 소자 의 제조 방법 은 기판 의 일영 역상 에 적층 된 게이트 절 연막 과 게이트 전극 을 형성 하 는 제 1 단계 ; 상기 게이트 전극 양 측면 에 제 1 측벽 절 연막 을 형성 하 는 제 2 단계 ; 상기 제 1 측벽 절 연막 의 측면 에 상 기 기판 과 일정 간격 이격 형성 되 어 측벽 나 칭 구조 를 갖 는 제 2 측벽 절 연막 을 형성 하 는 제 3 단계 ; 상기 제 1 , 제 2 측벽 절 연막 및 상기 게이트 전극 양 측면 에 저 농도 이온 을 주입 하 는 제 4 단계 ; 상기 제 1 , 제 2 측벽 절 연막 을 포함 한 상기 게이트 전극 측면 에 제 3 측벽 절 연막 을 형성 하 는 제 5 단계 ; 상기 게이트 전극 양측 의 상기 기판 에 소오 스 / 드레 인 영역 을 형성 하 는 제 6 단계 를 특징 으로 한다 .