도 11 b 는 본 발명 의 예시 적 인 실시 예 에 따라 제 1 내지 제 4 메모리 모듈 들 ( 701 ~ 704 ) 로부터 출력 되 는 데이터 ( DATA ) 의 아이 윈도우 의 일 예 를 나타낸다 . 예컨대 , 제 1 내지 제 4 메모리 모듈 들 ( 701 ~ 704 ) 의 OCD 회로 의 출력 세기 가 서로 동일 한 경우 에 는 , 메모리 컨트롤러 ( 750 ) 와 상대 적 으로 짧 은 거리 에 위치 하 는 제 1 메모리 모듈 ( 701 ) 로부터 의 데이터 ( DATA ) 의 신호 스윙 폭 은 상대 적 으로 큰 반면 에 , 제 4 메모리 모듈 ( 704 ) 로부터 의 데이터 ( DATA ) 의 신호 스윙 폭 은 상대 적 으로 작 은 아이 윈도우 특성 을 가질 수 있 다 . 반면 에 , 본 발명 의 예시 적 인 실시 예 들 에 따르 면 , 캘 리브레 이 션 동작 을 통해 제 4 메모리 모듈 ( 704 ) 의 메모리 장치 ( 740 ) 는 OCD 회로 의 저항 값 이 제 1 메모리 모듈 ( 701 ) 의 메모리 장치 ( 710 ) 의 OCD 회로 의 저항 값 보다 작 게 설정 되 고 , 이 에 따라 제 1 내지 제 4 메모리 모듈 들 ( 701 ~ 704 ) 로부터 의 신호 스윙 폭 이 서로 동일 또는 유사 한 형태 를 가질 수 있 을 것 이 다 .