제 1 트랜지스터 ( Tr 1 ) 및 제 2 트랜지스터 ( Tr 2 ) 는 기판 ( 100 ) 상 에 마련 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 기판 ( 100 ) 은 실리콘 기판 을 포함 할 수 있 다 . 나아가 , 기판 ( 100 ) 은 p 형 불순물 ( 예 를 들 어 , 붕소 ( B ) ) 을 도핑 함 으로써 p 형 도전 성 을 가질 수 있 다 . 이 에 따라 , 기판 ( 100 ) 에 는 정공 의 밀도 가 전자 의 밀도 보다 높 을 수 있 다 .