본 발명 의 NW 는 바람직 하 게 는 , 각각 육방정 또는 입방정 결정 구조 를 갖 는 NW 에 대해 [ 0001 ] 또는 [ 111 ] 방향 으로 성장 되 어야 한다 . NW 가 육방정 ( 입방정 ) 결정 구조 를 갖 는 경우 , NW 와 흑연 질 기판 사이 의 ( 0001 ) [ 111 ] 계면 은 축 성장 이 일어나 는 표면 을 나타낸다 . NW 는 바람직 하 게 는 MBE 또는 MOVPE 에 의해 성장 된다 . MBE 방법 에서 는 , 기판 에 각각 의 반응물 ( 예컨대 III 족 원소 및 V 족 원소 ) 의 분자 빔 이 제공 되 며 , 바람직 하 게 는 이 들 이 동시 에 공급 된다 . 흑연 질 기판 상의 NW 의 핵 화 및 성장 의 더 높 은 수준 의 제어 는 이동 - 개선 된 에피택시 ( migration - enhanced epitaxy ; MBE ) 또는 원자 층 MBE ( ALMBE ) 를 사용 함 으로써 MBE 기술 로 달성 될 수 있 으며 , 여기 서 는 III 족 및 V 족 원소 가 교대 로 공급 될 수 있 다 .