구동 트랜지스터 ( T 1 ) , 스위칭 트랜지스터 ( T 2 ) , 보상 트랜지스터 ( T 3 ) , 제 1 초기 화 트랜지스터 ( T 4 ) , 제 1 발광 트랜지스터 ( T 5 ) , 제 2 발광 트랜지스터 ( T 6 ) 및 제 2 초기 화 트랜지스터 ( T 7 ) 중 적어도 제 1 하나 는 PMOS 트랜지스터 로 구현 되 고 , 적어도 제 2 하나 는 NMOS 트랜지스터 로 구현 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 도 2 에 도시 된 바 와 같이 , 보상 트랜지스터 ( T 3 ) , 제 1 초기 화 트랜지스터 ( T 4 ) 및 제 2 초기 화 트랜지스터 ( T 7 ) 는 NMOS 트랜지스터 들 로 구현 될 수 있 고 , 다른 트랜지스터 들 ( T 1 , T 2 , T 5 , T 6 ) 은 PMOS 트랜지스터 들 로 구현 될 수 있 다 . 이 경우 , 보상 트랜지스터 ( T 3 ) 에 인가 되 는 제 2 스캔 신호 ( SSN ) , 제 1 초기 화 트랜지스터 ( T 4 ) 에 인가 되 는 제 1 초기 화 신호 ( SI ) 및 제 2 초기 화 트랜지스터 ( T 7 ) 에 인가 되 는 제 2 초기 화 신호 ( SB ) 는 NMOS 트랜지스터 에 적합 한 액티브 - 하이 ( active - high ) 신호 일 수 있 다 . 한편 , 저장 커패시터 ( CST ) 에 직접 연결 된 트랜지스터 들 ( T 3 , T 4 ) 및 유기 발광 다이오드 ( EL ) 에 직접 연결 된 트랜지스터 ( T 7 ) 가 NMOS 트랜지스터 들 로 구현 됨 으로써 , 저장 커패시터 ( CST ) 및 / 또는 유기 발광 다이오드 ( EL ) 의 기생 커패시터 로부터 의 누설 전류 가 감소 될 수 있 고 , 따라서 화소 ( PX ) 는 저주파 구동 에 적합 할 수 있 다 . 한편 , 도 2 에 는 보상 트랜지스터 ( T 3 ) , 제 1 초기 화 트랜지스터 ( T 4 ) 및 제 2 초기 화 트랜지스터 ( T 7 ) 가 NMOS 트랜지스터 들 로 구현 된 예 가 개시 되 어 있 으나 , 본 발명 의 실시 예 들 에 따른 각 화소 ( PX ) 의 구성 은 도 2 의 예 에 한정 되 지 않 는다 . 또한 , 다른 실시 예 에서 , 표시 패널 ( 110 ) 은 LCD ( Liquid Crystal Display ) 패널 이 거나 , 또는 다른 표시 패널 일 수 있 다 .