비휘발성 메모리 장치 의 초기 화 제어 를 위해 , 제 1 메모리 플레인 의 제 1 메모리 셀 들 에 저장 된 기입 설정 데이터 를 센싱 하 여 상기 제 1 메모리 플레인 의 제 1 페이지 버퍼 회로 에 제 1 독 출 설정 데이터 를 저장 하 는 제 1 센싱 동작 을 수행 하 고 , 제 2 메모리 플레인 의 제 2 메모리 셀 들 에 저장 된 상기 기입 설정 데이터 를 센싱 하 여 상기 제 2 메모리 플레인 의 제 2 페이지 버퍼 회로 에 제 2 독 출 설정 데이터 를 저장 하 는 제 2 센싱 동작 을 수행 한다 . 상기 제 1 독 출 설정 데이터 및 상기 제 2 독 출 설정 데이터 에 기초 하 여 상기 기입 설정 데이터 에 상응 하 는 복구 설정 데이터 를 버퍼 에 저장 한다 .