상술 한 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 일 측면 에 따른 반도체 소자 는 반도체 기판 상 에 형성 되 는 제 1 메탈 층 ; 상기 제 1 메탈 층 상 에 형성 되 며 , 그 내부 에 비 아홀 이 형성 되 는 층간 절 연막 ; 상기 비 아홀 의 내부 에 소정 의 높이 로 충 진 되 며 , 그 표면 이 선택 적 으로 식각 되 어 있 는 제 2 메탈 ; 상기 비 아홀 의 내벽 과 상기 제 2 메탈 사이 및 상기 제 1 메탈 층 과 상기 제 2 메탈 사이 에 형성 되 는 제 1 베리어 메탈 ; 상기 제 2 메탈 상 에 소정 높이 로 형성 되 며 , 비결정 실리콘 으로 형성 되 는 실리콘 층 ; 상기 층간 절 연막 상 에 형성 되 는 제 2 베리어 메탈 패턴 ; 및 상기 제 2 베리어 메탈 상 에 형성 되 는 제 3 메탈 층 패턴 ; 을 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .