반도체 소자 등 의 전자 디바이스 는 , 디바이스 의 기능 · 성능 설계 를 실시 하 는 단계 , 이 설계 단계 에 기초 한 레티 클 을 제조 하 는 단계 , 실리콘 재료 로 웨이퍼 를 제조 하 는 단계 , 상기 각 실시 형태 의 노광 장치 ( 패턴 형성 장치 ) 에 의해 레티 클 의 패턴 을 웨이퍼 에 전사 하 는 리소그래피 단계 , 노광 된 웨이퍼 를 현상 하 는 현상 단계 , 레지스 트 가 잔존 하 고 있 는 부분 이외 의 부분 의 노출 부재 를 에칭 에 의해 제거 하 는 에칭 단계 , 에칭 이 완료 되 어 불 필요 해진 레지스 트 를 제거 하 는 레지스 트 제거 단계 , 디바이스 조립 단계 ( 다 이싱 공정 , 본딩 공정 , 패 키 징 공정 을 포함 한다 ) , 검사 단계 등 을 거쳐 제조 된다 . 이 경우 , 리소그래피 단계 에서 , 상기 각 실시 형태 의 노광 장치 를 사용 하 여 전술 한 노광 방법 이 실행 되 고 , 웨이퍼 상 에 디바이스 패턴 이 형성 되 기 때문 에 , 고집 적도 의 디바이스 를 양호 한 생산 성 으로 제조 할 수 있 다 .