3 차원 반도체 장치 가 제공 된다 . 이 장치 는 기판 상 에 적층 된 도전 패턴 들 을 구비 하 는 전극 구 조체 를 구비 하 고 , 상기 도전 패턴 들 에 인접 하 는 채널 영역 들 및 상기 채널 영역 들 사이 의 수직 인접 영역 들 을 포함 하 면서 , 상기 전극 구 조체 를 관통 하 는 반도체 패턴 을 구비 하 고 , 상기 반도체 패턴 의 외측 벽 으로부터 돌출 되 고 상기 반도체 패턴 과 상기 기판 을 연결 하 는 반도체 연결 층 ( semiconductor connecting layer ) 을 구비 한다 .