도 10 에 나타낸 공정 에서 는 , 실리콘 기판 ( 11 ) 위 의 필요 한 부분 에 산화 막 을 매립 하 는 동시 에 , 실리콘 기판 위 를 평탄 화 한다 . 우선 , SOI 소자 를 전기 적 으로 절연 시키 기 위해 , 실리콘 기판 ( 11 ) 의 상방 전체 에 실리콘 산화 막 으로 이루어지 는 절 연막 ( 32 ) 을 형성 한다 . 절 연막 ( 32 ) 은 예 를 들 어 CVD 법 에 의해 형성 된다 . 다음 으로 , 제 2 실리콘 층 ( 16 b ) 을 스톱 퍼 층 으로 하 여 CMP 연마 에 의해 실리콘 기판 ( 11 ) 위 의 전면 ( 全面 ) 을 평탄 화 한다 ( 평탄 화 처리 ) . 이것 에 의해 , 절 연막 ( 32 ) 의 일부 , 지 지체 ( 26 ) 의 일부 , 및 지 지체 형성 막 ( 27 ) 의 일부 가 제거 된다 . 또한 , 상기 한 CMP 연마 에 있 어서 , 실리콘 기판 ( 11 ) 위 에 오염 의 원인 인 게르마늄 이 없 기 때문 에 , 게르마늄 에 의한 오염 이 발생 하 기 어려워진다 .