이제 도 10 을 참조 하 면 , IBE 를 사용 하 여 MRAM 스택 들 을 포함 하 는 기판 을 프로세싱 하 기 위한 방법 ( 300 ) 이 도시 된다 . 304 에서 , 라인 및 공간 마스크 가 제 1 방향 으로 기판 을 패 터닝 하 도록 사용 된다 . 308 에서 , IBE 가 제 1 방향 으로 마스크 라인 들 사이 의 공간 들 에서 에칭 을 수행 하 도록 사용 된다 . 312 에서 , ( 예 를 들 어 SiN 및 / 또는 SiO 2 와 같 은 ) 실리콘 - 함유 재료 가 MRAM 스택 들 사이 의 갭 충 진 을 위해 사용 된다 . 314 에서 , 오버 버든 이 제거 된다 . 318 에서 , 라인 및 공간 마스크 가 제 1 방향 을 가로지르 는 제 2 방향 으로 기판 을 패 터닝 하 도록 사용 된다 .