예 를 들 어 , 기존 의 3 차원 플래시 메모리 의 구조 를 나타낸 도 2 를 참조 하 면 , 기존 의 3 차원 플래시 메모리 는 기판 ( 200 ) 상 에 층간 절연 층 들 ( 211 ) 및 수평 구 조체 들 ( 250 ) 이 교대 로 반복 적 으로 형성 된 전극 구 조체 ( 215 ) 가 배치 되 어 제조 된다 . 층간 절연 층 들 ( 211 ) 및 수평 구 조체 들 ( 250 ) 은 제 1 방향 으로 연장 될 수 있 다 . 층간 절연 층 들 ( 211 ) 은 일례 로 실리콘 산화 막 일 수 있 으며 , 층간 절연 층 들 ( 211 ) 중 최 하부 의 층간 절연 층 ( 211 a ) 은 나머지 층간 절연 층 들 ( 211 ) 보다 얇 은 두께 를 가질 수 있 다 . 수평 구 조체 들 ( 250 ) 각각 은 제 1 및 제 2 블로킹 절 연막 들 ( 242 , 243 ) 및 전극 층 ( 245 ) 을 포함 할 수 있 다 . 전극 구 조체 ( 215 ) 는 복수 개 로 제공 되 며 , 복수 개 의 전극 구 조체 들 ( 215 ) 은 제 1 방향 에 교차 하 는 제 2 방향 으로 서로 마주 보 며 배치 될 수 있 다 . 제 1 및 제 2 방향 은 각각 도 2 의 x 축 및 y 축 에 해당 할 수 있 다 . 복수 개 의 전극 구 조체 들 ( 215 ) 사이 에 는 이 들 을 이격 시키 는 트렌치 들 ( 240 ) 이 제 1 방향 으로 연장 될 수 있 다 . 트렌치 들 ( 240 ) 에 의해 노출 된 기판 ( 200 ) 내 에 는 고농도 로 도핑 된 불순물 영역 들 이 형성 되 어 공통 소스 라인 ( CSL ) 이 배치 될 수 있 다 . 도시 하 지 않 았 으나 , 트렌치 들 ( 240 ) 을 채우 는 분리 절 연막 들 이 더 배치 될 수 있 다 .