구체 적 으로 , 반응 챔버 의 온도 를 900 ~ 1300 ℃ 로 제어 하 고 , 압력 을 100 ~ 400 torr 로 제어 하 며 , 반응 챔버 내부 로 갈륨 소스 , 알루미늄 소스 , 질소 소스 , 수소 가스 및 마그네슘 소스 를 유입 시켜 , P 형 AlvGa 1 - vN 층 을 형성 하 고 ; 이어서 , 반응 챔버 내부 로 의 알루미늄 소스 의 유입 을 중지 하 고 , 기타 갈륨 소스 , 질소 소스 , 수소 가스 및 마그네슘 소스 의 유량 등 을 조절 하 여 , P 형 GaN 층 을 형성 하 여 , 서브 층 을 형성 할 수 있 다 . 상기 방식 에 따라 P 형 AlvGa 1 - vN 층 및 P 형 GaN 층 을 교대 로 형성 하 여 정공 주입 층 을 얻 는다 .