소스 기체 가 기판 ( 101 ) 의 상면 에 흡착 한다 . 그리고 나 서 배기 부 ( 121 ) 를 통한 배기 공정 을 진행 하 고 나 면 기판 ( 101 ) 의 상면 에 소스 기체 의 단일 층 의 원자 층 또는 복수 층 의 원자 층 이 형성 된다 . 즉 , 알루미늄 ( Al ) 원자 의 단일 층 또는 복수 층 이 형성 된다 . 이 때 배기 공정 은 퍼지 기체 를 이용 하 여 형성 할 수 있 다 . 퍼지 기체 는 제 2 주 입부 ( 142 ) 를 통하 여 주입 될 수 있 다 . 또한 측면 부재 ( 131 ) 에 형성 된 배기 포트 ( 180 ) 를 이용 하 여 공정 진행 후 잔존 하 는 소스 기체 및 퍼지 기체 를 용이 하 게 제거 할 수 있 다 . 특히 배기 포트 ( 180 ) 를 측면 부재 ( 131 ) 의 상단 에 위치 하 도록 하 여 상측 부재 ( 132 ) 부근 의 잔존 기체 를 용이 하 게 배기 할 수 있 다 .