본 발명 의 패턴 형성 방법 에 있 어서 , 규소 함유 레지스 트 하 층막 을 에칭 마스크 로서 사용 하 는 경우 , 프레온 계 가스 등 의 불소 를 함유 한 가스 를 주성분 으로 한 가스 를 사용 하 여 에칭 을 행할 수 있 다 . 포토레지스트 막 의 막 감소 를 줄이 기 위해 , 규소 함유 레지스 트 하층 막 은 상기 가스 에 대한 에칭 속도 가 빠른 것 이 바람직 하 다 .