반도체 소자 의 금속 배선 으로 는 텅스텐 과 알루미늄 합금 이 사용 되 지만 , 반도체 소자 의 고집 적 화 에 따라 텅스텐 과 알루미늄 합금 은 비저항 이 크 고 , 일렉트로 마이 그레이 션 ( electro migration ) 이나 스트레스 마이 그레이 션 ( stress migration ) 으로 인해 신뢰 성 이 저하 된다 . 이 를 해결 하 기 위해 비저항 이 작 고 신뢰 성 이 우수 한 구리 가 금속 배선 재료 로 등장 하 였 다 . 그런데 , 구리 는 일반 적 인 식각 공정 으로 는 식각 하 기 어렵 기 때문 에 층간 절 연막 을 형성 한 후 플러그 를 형성 하 기 위한 비 아홀 과 배선 을 형성 하 기 위한 트렌치 를 형성 하 고 구리 를 매립 하 는 듀얼 다 마신 공정 을 이용 하 여 구리 배선 을 형성 한다 .