트랜지스터 의 게이트 , 소스 , 및 드레 인 , 및 표시 장치 에 포함 된 배선 및 전극 등 의 도전 층 에 사용 될 수 있 는 재료 로서 는 , 알루미늄 , 타이타늄 , 크로뮴 , 니켈 , 구리 , 이트륨 , 지르코늄 , 몰리브데넘 , 은 , 탄탈럼 , 및 텅스텐 등 의 금속 중 임의 의 것 , 또는 이 들 금속 중 임의 의 것 을 주성분 으로 포함 하 는 합금 을 사용 할 수 있 다 . 이 들 재료 중 임의 의 것 을 포함 하 는 막 을 포함 하 는 단층 구조 또는 적층 구조 를 사용 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 실리콘 을 포함 하 는 알루미늄 막 의 단층 구조 , 타이타늄 막 위 에 알루미늄 막 이 적층 된 2 층 구조 , 텅스텐 막 위 에 알루미늄 막 이 적층 된 2 층 구조 , 구리 - 마그네슘 - 알루미늄 합금 막 위 에 구리 막 이 적층 된 2 층 구조 , 타이타늄 막 위 에 구리 막 이 적층 된 2 층 구조 , 텅스텐 막 위 에 구리 막 이 적층 된 2 층 구조 , 타이타늄 막 또는 질화 타이타늄 막 , 알루미늄 막 또는 구리 막 , 및 타이타늄 막 또는 질화 타이타늄 막 이 이 순서 대로 적층 된 3 층 구조 , 및 몰리브데넘 막 또는 질화 몰리브데넘 막 , 알루미늄 막 또는 구리 막 , 및 몰리브데넘 막 또는 질화 몰리브데넘 막 이 이 순서 대로 적층 된 3 층 구조 를 들 수 있 다 . 또한 , 산화 인듐 , 산화 주석 , 또는 산화 아연 등 의 산화물 을 사용 하 여도 좋 다 . 망가니즈 를 포함 한 구리 를 사용 하 면 에칭 에 의한 형상 의 제 어성 이 높 아 지 기 때문 에 바람직 하 다 .