도 26 a 에 도시 한 트랜지스터 ( 410 ) 는 , 게이트 전극 ( 401 ) 상 에 게이트 절연 층 ( 402 ) 이 형성 되 고 , 게이트 절연 층 ( 402 ) 상 에 산화물 반도체 층 ( 403 ) 이 형성 되 고 , 산화물 반도체 층 ( 403 ) 과 접속 되 는 소스 전극 ( 405 a ) , 드레 인 전극 ( 405 b ) 이 형성 되 어 있 다 . 또한 , 게이트 전극 ( 401 ) 과 , 산화물 반도체 층 ( 403 ) 과 , 게이트 절연 층 ( 402 ) 과 , 소스 전극 ( 405 a ) 과 , 드레 인 전극 ( 405 b ) 은 , 도 17 에 도시 한 게이트 전극 ( 148 a ) 과 , 산화물 반도체 층 ( 144 ) 과 , 게이트 절연 층 ( 146 ) 과 , 소스 전극 ( 142 a ) 과 , 드레 인 전극 ( 142 b ) 에 상당 한다 .