반면 에 , 상기 표면 텍스처 링 에 사용 되 는 화학 적 식각 방법 은 반도체 기판 의 결정 방향 , 구성 원소 의 종류 , 조성 비 및 도핑 에 따라 각기 다른 표면 형태 와 식각 속도 를 가질 수 있 으며 , 미세 한 구조 를 만들 기 어렵 다는 단점 이 있 지만 , 화학 적 식각 방법 은 물리 적 식각 방법 보다 상대 적 으로 간단 한 공정 단계 와 짧 은 공정 시간 이 요구 되 고 , 저 비용 으로 대량 생산 이 가능 하 며 , 공정 관리 가 수월 하 다는 장점 때문 에 반도체 표면 텍스처 링 을 위한 목적 으로 연구 되 고 있 다 .