한편 , 굴절 율 이 높 은 물질 에서 굴절 율 이 낮 은 물질 로 빛 이 전파 될 때 에 는 입사각 에 따라 그 경계 면 에서 전반사 현상 이 일어난다 . 반도체 층 의 굴절 율 은 반도체 층 을 이루 는 물질 의 종류 에 따라 다르 지만 , 질화물 계열 의 반도체 라면 약 2 . 5 정도 의 값 을 가진다 . 이 정도 의 굴절 율 은 공기 보다 상당히 높 은 값 이 다 . 따라서 , 발광 다이오드 칩 이 공기 중 에 그냥 사용 될 경우 , 생성 된 빛 중 에 상당 비율 의 빛 이 전반사 현상 으로 인해 외부 로 출력 되 지 못한다 . 이렇게 전반사 된 빛 은 광 출력 효율 을 낮출 뿐 아니 라 , 결국 칩 내부 에서 흡수 되 어 열 로 변환 될 수 있 다 . 따라서 , 전반사 현상 을 줄이 는 것 은 생성 된 빛 중 외부 로 출력 되 는 빛 의 비율 , 즉 외부 양자 효율 을 높일 뿐 아니 라 , 그만큼 열 발생 인자 가 줄어들 므로 더 높 은 전류 를 공급 받 을 수 있 기 때문 에 빛 의 생성량 자체 를 늘리 는 것 에 도 도움 이 된다 .