도 2 c 에 도시 된 바 와 같이 , 측벽 이 노출 된 도전 층 ( 114 ) 및 배리어 금속 층 ( 112 ) 에 식각 공정 ( E ) 을 수행 한다 . 이 로 인해 도전 층 ( 114 ) 및 배리어 금속 층 ( 112 ) 은 하드 마스크 층 ( 116 ) 의 폭 보다 작 은 폭 을 갖 는다 . 또한 , 식각 공정 ( E ) 은 하드 마스크 층 ( 116 ) 의 폭 보다 작 은 폭 을 갖 도록 수행 되 되 , 식각 공정 ( E ) 이 수행 된 이후 의 도전 층 ( 114 ) 및 배리어 금속 층 ( 112 ) 의 표면 은 반도체 기판 에 대하 여 수직 한 프로 파일 을 갖 도록 수행 되 는 것 이 바람직 하 다 .