방법 은 반도체 기판 내 로 연장 되 는 격리 영역 을 형성 하 는 단계 를 포함 한다 . 반도체 스트립 이 격리 영역 사이 에 있 다 . 방법 은 격리 영역 을 리세 싱하 여 반도체 스트립 의 상부 가 격리 영역 의 상면 보다 높 게 돌출 되 어 반도체 핀 을 형성 하 는 단계 , 반도체 핀 의 핀 폭 을 측정 하 는 단계 , 핀 폭 에 기초 하 여 에칭 레시피 를 생성 하 는 단계 , 및 에칭 레시피 를 사용 하 여 반도체 핀 상 에 시닝 프로세스 를 수행 하 는 단계 를 더 포함 한다 .