본 발명 은 SOI 구조 를 갖 는 반도체 소자 및 그 제조 방법 에 관한 것 으로 , 본 발명 에 의한 반도체 소자 의 제조 방법 은 , 반도체 기판 의 SOI 영역 을 선택 적 으로 식각 하 여 리세 스 를 형성 하 는 단계 ; 상기 리세 스 내부 에 상기 리세 스 의 일부 를 매립 하 는 두께 의 매몰 절 연막 을 형성 하 는 단계 ; 에피 택 셜 성장 공정 을 수행 하 여 상기 매몰 절 연막 상 에 상기 리세 스 의 나머지 를 매립 하 는 에피 택 셜 층 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 여 , 상기 SOI 영역 에 부분 적 으로 SOI 구조 를 형성 하 고 , 상술 한 본 발명 에 의한 SOI 구조 를 갖 는 반도체 소자 및 그 제조 방법 은 , 반도체 기판 의 일부 에 만 매몰 절 연막 이 형성 된 구조 , 즉 , 부분 적 ( partial ) SOI 구조 를 갖 는 반도체 소자 를 형성 함 으로써 , 종래 의 SOI 기판 을 이용 하 는 경우 에 비하 여 공정 과정 의 단순 화 및 비용 절감 이 가능 하 고 아울러 소자 의 동작 시 열 방출 을 용이 하 게 할 수 있 다 .