또한 베이스 기판 으로서 유리 등 의 내열성 이 낮 은 재료 를 사용 할 경우 에 는 , 저 온 프로세스 로 행할 필요 가 있 다 . 그러나 , 저 온 프로세스 에 의해 반도체 기판 과 베이스 기판 의 본딩 을 행할 경우 , 반도체 기판 측 에 형성 된 절 연막 ( 산화 규소 막 등 의 Si 계 절 연막 ) 과 베이스 기판 의 표면 ( Si 계 절 연막 ) 을 본 딩 시켜도 , 충분 한 밀착 성 을 얻 을 수 없 어 접합 불량 이 생길 우려 가 있 다 .