그러면 상기 n 형 도핑 영역 ( 40 ) 을 포함 하 는 포토다이오드 쪽 의 문턱 전압 이 상기 플로팅 확산 영역 ( 100 ) 의 문턱 전압 보다 높 게 형성 되 어 채널 영역 을 전하 가 포토다이오드 로 역유 입 되 는 것 을 방지 할 수 있 다 . 따라서 , 이미지 센서 의 노이즈 특성 및 이미지 래 깅 특성 을 개선 하 여 품질 을 향상 시킬 수 있 다 .