도 1 c 를 참조 하 면 , 상기 트렌치 를 포함 하 는 반도체 기판 ( 102 ) 상 에 절연 물질 , 예 를 들 면 산화 막 을 형성 하 여 상기 트렌치 를 절연 물질 로 채운다 . 그리고 제 1 금속 장벽층 ( 108 ) 상 에 형성 된 절연 물질 에 대해 화학 기계 적 연마 ( Chemical Mechanical Polishing ; CMP ) 방법 과 같 은 평탄 화 공정 을 실시 한다 . 이 로써 , 상기 도전 층 ( 106 ) 및 제 1 금속 장벽층 ( 108 ) 사이 에 만 버퍼 층 ( 114 ) 이 잔류 된다 .