도 4 a 및 4 b 를 참조 하 면 , 상기 n 형 전극 패턴 ( 123 ) 및 상기 발광 구조물 ( 110 ) 상 에 제 2 포토레지스트 막 ( 미 도시 ) 이 형성 된다 . 상기 제 2 포토레지스트 막 은 네 가티 브 포토레지스트 ( negative photoresist ) 를 포함 할 수 있 다 . 상기 발광 구조물 ( 110 ) 의 중앙 부분 에 형성 된 상기 제 2 포토레지스트 막 이 선택 적 으로 노광 된 후 , 현상 된다 . 따라서 , 상기 발광 구조물 ( 110 ) 중앙 의 상부 면 및 상기 n 형 전극 패턴 ( 123 ) 의 일부 를 노출 하 는 개구부 ( 140 a ) 를 포함 하 는 포토레지스트 패턴 ( 140 ) 이 형성 될 수 있 다 .