도 5 는 본 발명 에 따라 제조 되 는 TFT 제조 방법 에 의하 여 제조 된 것 으로서 금속 판위 에 실리콘 을 도포 하 여 캐 퍼 시터 와 트 렌지 스터 를 형성 한 후 그 위 에 절연체 ( 실리콘 , 41 ) 을 도포 하 며 , 이후 금속 물질 의 베이스 판넬 을 식각 하 고 그 위 에 2 , 3 전극 을 형성 하 고 그 위 에 ITO 전극 과 OLED 층 이 형성 된 것 을 볼 수 있 다 .