상기 해결 하 려는 또 다른 과제 를 달성 하 기 위한 본 발명 의 기술 적 사상 에 의한 반도체 패키지 제조 방법 은 , 웨이퍼 상태 에서 반도체 회로 와 상기 반도체 회로 의 입출력 기능 을 하 는 칩 패드 들 을 형성 하 고 , 상기 반도체 회로 상 에 상기 칩 패드 들 을 노출 시키 는 제 1 버퍼 층 을 형성 하 며 , 상기 제 1 버퍼 층 상 에 도금 방법 혹은 증착 방법 에 의하 여 방열 용 패드 들 을 형성 하 며 , 상기 제 1 버퍼 층 상 에 상기 칩 패드 들 과 상기 방열 용 패드 들 을 노출 시키 는 제 2 버퍼 층 을 형성 하 고 , 상기 반도체 회로 , 상기 칩 패드 들 , 상기 제 1 버퍼 층 , 상기 방열 용 패드 들 및 상기 제 2 버퍼 층 을 포함 하 는 반도체 칩 을 배선 기판 상 에 실장 하 고 , 상기 배선 기판 과 상기 칩 패드 들 을 와이어 본딩 하 며 , 상기 반도체 칩 과 상기 칩 패드 들 을 EMC 몰딩 하 며 , 상기 EMC 를 관통 하 며 상기 방열 용 패드 들 을 노출 시키 는 비아 홀 들 을 형성 하 고 , 상기 비아 홀 들 사이 의 상기 EMC 에 상기 비아 홀 들 보다 내부 직경 이 작 고 깊이 가 낮 은 서브 홀 들 을 형성 하 며 , 상기 비아 홀 들 과 상기 서브 홀 들 에 제 1 및 제 2 솔 더 볼 들 을 각각 마운트 하 고 , 상기 제 1 및 제 2 솔 더 볼 들 을 리플 로 우하 여 상기 비아 홀 들 과 상기 서브 홀 들 내부 에 열전도 성 비아 플러그 들 과 열전도 성 서브 플러그 들 을 각각 충 진하 는 것 을 포함 한다 .