다음 에 , 평탄 화 막 ( 114 ) 을 형성 한다 . 평탄 화 막 ( 114 ) 은 유기 수지 막 으로 형성 한다 . 다음 에 , 제 4 포토 마스크 를 사용 하 여 형성 한 레지스 트 마스크 를 사용 하 여 절 연막 ( 111 ) 및 평탄 화 막 ( 114 ) 을 선택 적 으로 에칭 하 여 화소 부 에 소스 전극 또는 드레 인 전극 ( 109 ) 을 노정 하 는 제 1 콘택트 홀 을 형성 하 고 , 게이트 절 연막 ( 102 ) , 절 연막 ( 111 ) , 및 평탄 화 막 ( 114 ) 을 선택 적 으로 에칭 하 여 단자 부 에 제 2 배선 층 ( 107 b ) 을 노정 하 는 제 2 콘택트 홀 을 형성 한다 .