무기 절연 층 ( 122 e ) 은 , 임의 의 구성 이 며 , 트랜지스터 ( 108 ) 등 의 반도체 소자 를 보호 하 는 기능 을 갖 는다 . 또한 , 발광 소자 ( 114 ) 의 제 1 전극 ( 116 ) 과 , 무기 절연 층 ( 122 e ) 의 하층 에 , 제 1 전극 ( 116 ) 과 무기 절연 층 ( 122 e ) 을 끼우 도록 형성 되 는 전극 ( 도 2 에서 는 도시 생략 ) 의 사이 에서 용량 을 형성 할 수 있 다 .