도 12 b 의 트랜지스터 에서 는 , 산화물 반도체 층 ( 743 ) 위 에 산화물 도전 막 을 형성 하 고 , 그 위 에 금속 도전 막 을 형성 하 고 , 산화물 도전 막 및 금속 도전 막 을 같 은 포토 리소그래피 공정 에 의하 여 가공 하 여 , 소스 영역 및 드레 인 영역 으로서 기능 하 는 산화물 도전 층 ( 1602 ) 및 산화물 도전 층 ( 1604 ) , 소스 및 드레 인 으로서 기능 하 는 도전 층 ( 745 ) 및 도전 층 ( 746 ) 을 형성 한다 .