도 3 에 도시 한 바 와 같이 본 발명 에 따른 진공 척 을 포함 하 는 기판 처리 장치 ( 300 ) 는 , 기판 처리 공정 을 위한 반응 공간 을 제공 하 는 공정 챔버 ( 310 ) 와 , 상기 공정 챔버 ( 310 ) 의 상부 에 형성 되 어 상기 기판 을 지지 하 는 진공 척 ( 320 ) 과 , 상기 공정 챔버 ( 310 ) 의 상부 를 덮 는 챔버 리드 ( 330 ) 와 상기 공정 챔버 ( 310 ) 의 상부 에 형성 되 어 상기 반응 공간 으로 공정 가스 를 분사 하 는 가스 분사 부 ( 340 ) 를 구비 한다 .