아래 실시 예 에서 확인 되 었 듯이 , 본 발명 에 의한 박막 트랜지스터 는 Ion / Ioff 가 109 이상 , mobility 300 이상 , Vth ( 문턱 전압 ) 0 . 3 V 이하 , Subthreshold Swing 0 . 1 V 이하 로 매우 우수 한 특성 을 나타낸다 . 따라서 본 발명 에 의한 박막 트랜지스터 는 능동 행렬 ( active matrix ) 디스플레이 예컨대 , 액정 디스플레이 나 유기 발광 디스플레이 , UHD ( ultra high definition ) 영상 을 제공 하 는 차세대 고해상도 AMLCD ( active matrix liquid crystal display ) , AMOLED ( active matrix organic light emitting diode ) 등 디스플레이 의 화소 스위칭 소자 나 구동 소자 로 사용 될 수 있 을 것 이 다 . 이 외 에 도 본 발명 에 의한 박막 트랜지스터 는 메모리 소자 및 논리 소자 등 다른 전자 소자 분야 에 다양 한 용도 로 활용 될 수 있 음 은 당연 하 다 .