도 2 에 도시 된 바 와 같이 제 1 반도체 기판 ( 100 ) 상 에 활성 영역 과 필드 영역 을 정의 하 는 소자 분리 막 을 형성 한 후 에 포토다이오드 ( 120 ) 를 비롯 한 단위 화소 를 기판 내 의 일정 영역 에 형성 한다 . 도 2 에서 는 포토다이오드 ( 120 ) 만 도시 하 였으며 , 단위 화소 를 구성 하 는 각각 의 트랜지스터 로 구성 된 회로 영역 은 도시 하 지 않 았 다 .