상기 제 1 에피 성 장막 ( 152 ) 은 , 보론 ( Boron ) 도핑 소스 가 첨가 된 실리콘 게르마늄 ( SiGe ) 을 500 ℃ 내지 1000 ℃ 의 온도 및 5 Torr 내지 500 Torr 의 압력 에서 선택 적 에피 성장 ( SEG ) 시켜 형성 한다 . 이때 , 상기 보론 도핑 소스 로 는 B 2 H 6 가스 를 사용 하 고 , 실리콘 게르마늄 은 , 실리콘 소스 로 SiH 4 또는 DCS 가스 를 사용 하 며 , 게르마늄 소스 로 GeH 4 가스 를 사용 하 여 형성 한다 .