한편 ， 선택 워드 선 및 비 선택 비트 선 에 접속 된 메모리 셀 트랜지스터 MT ( 비 선택 셀 ) 에서 는 , 채널 은 전기 적 으로 플로팅 이 다 . 따라서 , 채널 의 전위 Vch 는 , 선택 워드 선 에 인가 된 프로그램 전압 VPGM 및 비 선택 워드 선 에 인가 된 전압 VPASS 와 의 커플링 에 의해 , 기입 금지 전압 Vinhibit 까지 상승 한다 ( 도 6 에서 의 시각 t 3 이후 참조 ) . 기입 금지 전압 Vinhibit 의 값 은 , 대략 VPASS 이 다 . 그 결과 , 제 어 게이트 ( 16 ) 와 채널 사이 의 전위차 는 , FN 터널 링 에 충분 한 값 은 아니 며 , 전 하 는 전하 축적 층 ( 14 ) 에 주입 되 지 않 는다 . 또는 주입 되 었 다고 하 여도 , 데이터 를 프로그램 할 정도 로 임계 값 이 변화 하 는 일 이 없 다 . 이것 에 의해 , 데이터 의 프로그램 이 금지 된다 .