이어서 , 보호막 ( 109 ) 과 하드 마스크 패턴 ( 103 A ) 을 식각 장벽층 으로 이용 한 식각 공정 ( 이하 , 제 2 식각 공정 이 라 함 ) 을 실시 하 여 제 1 도 전막 ( 102 B ) 을 식각 한다 . 이때 , 제 2 식각 공정 은 ICP ( Inductively Coupled Plasma ) , DPS ( Decoupled Plasma Source ) , ECR ( Electron Cyclotron Resonance ) 등 과 같 은 HDP ( High Density Plasma ) 식각 장치 를 사용 하 며 , 단면 모양 을 조절 하 기 위해 이방성 ( anisotropic ) 식각 공정 으로 실시 한다 .