본 실시 형태 에 있 어서 는 , 세라믹스 기판 ( 111 ) 과 회로 층 ( 112 ) ( 구리판 ( 122 ) ) 사이 에 있 어서 , 세라믹스 기판 ( 111 ) 의 접합면 으로부터 회로 층 ( 112 ) ( 구리판 ( 122 ) ) 측 으로 50 ㎛ 까지 의 영역 에 있 어서 의 Cu 2 Mg 상 의 면적 률 이 15 ％ 이하 로 제한 되 어 있 으므로 , 예 를 들 어 초음파 접합 등 을 실시 한 경우 라도 , 접합 계면 에 있 어서 의 균열 등 의 발생 을 억제 하 는 것 이 가능 해진다 .