예 를 들 어 , 질소 산화물 ( NO x ; x 는 0 보다 크 고 2 이하 , 바람직 하 게 는 1 이상 2 이하 ) , 대표 적 으로 는 NO 2 또는 NO 는 절연 층 ( 212 a ) 에 준위 를 형성 한다 . 이 준위 는 반도체 층 ( 231 ) 의 에너지 갭 에 위치 한다 . 그러므로 , 질소 산화물 이 절연 층 ( 212 a ) 과 반도체 층 ( 231 ) 의 계면 으로 확산 되 면 , 전자 가 절연 층 ( 212 a ) 측 의 준위 에 의하 여 트랩 되 는 경우 가 있 다 . 이 결과 , 트랩 된 전자 가 절연 층 ( 212 a ) 과 반도체 층 ( 231 ) 의 계면 근방 에 남 기 때문 에 , 트랜지스터 의 문턱 전압 이 양 의 방향 으로 변동 된다 .