도 2 a 에 도시 된 바 와 같이 , p 형 반도체 기판 ( 21 ) 내 에 숏 키 다이오드 가 형성 될 숏 키 다이오드 용 웰 ( SD - well , 22 ) 을 형성 한다 . 이때 , 숏 키 다이오드 용 웰 ( SDwell , 22 ) 은 포토레지스트 패턴 을 이온 주입 배리어 로 사용 한 이온 주입 에 의해 형성 된다 . 상술 한 숏 키 다이오드 용 웰 ( SDwell , 22 ) 의 농도 는 40 V 이상 의 역방향 항복 전압 을 가지 게 하 기 위해 평가 를 통해 결정 할 수 있 으며 , 종래 고전압 40 V 용 웰 보다 낮 은 농도 가 필요 하 다 . 그리고 , 드라이브 인 조건 은 종래 조건 을 그대로 유지 할 수 있 다 . 예컨대 , 숏 키 다이오드 용 웰 ( SDwell , 22 ) 을 형성 하 기 위한 이온 주입 은 인 ( Ph ) 을 125 keV 의 에너지 로 1 . 0 E 12 atoms / cm 2 의 도즈 량 을 갖 도록 실시 한다 . 이 처럼 , 숏 키 다이오드 용 웰 ( SDwell , 22 ) 은 낮 은 도즈 의 n 형 불순물 을 이온 주입 하 고 , 드라이브 인 ( drive - in ) 을 길 게 ( long drive - in ) 하 여 깊 은 깊이 까지 형성 한다 .