이상 , 본 발명 의 실시 형태 를 설명 했 지만 , 본 발명 은 상기 실시 형태 에 제약 되 지 않 고 , 여러 가지 의 변형 이 가능 하 다 . 예컨대 , 상기 실시 형태 에서 는 , 본 발명 의 질화규소 막 을 비휘발성 반도체 메모리 장치 의 전하 축적 층 의 형성 에 적용 하 여 전하 유지 성능 을 향상 시키 는 예 를 들 었 다 . 그러나 , 본 발명 의 질화규소 막 은 비휘발성 반도체 메모리 장치 에 한정 되 지 않 고 , 여러 가지 의 반도체 장치 의 제조 에 적용 가능 하 다 .