또한 , 본 발명 의 일실 시예 에 따른 반도체 장치 의 외부 전압 생성 방법 은 , 외부 의 전압 을 전압 분배 하 여 복수 의 전압 을 생성 하 는 제 1 단계 ; 선택 코드 를 입력 하 여 상기 복수 의 전압 중 하나 를 내부 전압 으로 설정 하 는 제 2 단계 ; 및 테스트 시 테스트 모드 신호 인 테스트 선택 코드 를 입력 하 여 상기 복수 의 전압 에서 내부 전압 을 선택 하 되 그 선택 의 기준 이 되 는 초기 값 은 상기 제 2 단계 에서 설정 된 내부 전압 을 기준 으로 하 는 것 을 특징 으로 하 는 제 3 단계 를 포함 한다 .