트랜지스터 기술 들 의 특성 편차 의 큰 증가 는 메모리 장치 들 및 상기 메모리 장치 들 의 판독 안정 성 에 악영향 을 끼쳤 다 . 판독 안정 성 은 잡음 의 존재 시 액세스 될 때 올바른 데이터 를 유지 하 기 위한 메모리 장치 의 능력 이 다 . 일반 적 으로 , 판독 안정 성 은 정적 잡음 마진 ( SNM : static noise margin ) 을 사용 하 여 측정 된다 . 제조 된 트랜지스터 들 에서 큰 특성 편차 들 은 메모리 장치 의 정적 잡음 마진 을 감소 시킨다 . 이런 정적 잡음 마진 의 감소 는 비트 셀 강건 성 및 잡음 에 대한 허용 오차 를 낮추 고 , 따라서 증가 된 결함 들 로 인해 메모리 양품 율 을 낮춘다 .