이어서 , N 형 폴리 실리콘 층 ( 303 A ) 상 에 제 2 감광막 패턴 ( 305 ) 을 형성 한다 . 여기 서 , 제 2 감광막 패턴 ( 305 ) 은 N 형 폴리 실리콘 층 ( 303 A ) 및 폴리 실리콘 층 ( 303 ) 상 에 감광막 을 코팅 한 후 노광 및 현상 으로 PMOS 영역 의 폴리 실리콘 층 ( 303 ) 이 오픈 되 도록 패 터닝 하 여 형성 할 수 있 다 .