이 에 비해 , 4 , 9 - 디아 만 탄 디 올 화합물 을 원료 로서 사용 하 여 중합 성 히드록시 디아 만 틸 에스테르 화합물 을 제조 하 는 경우 , 분자 내 의 2 개 의 수산기 는 멀리 떨어져 있 다 . 따라서 , 두 번 째 에스테르 기 가 도입 될 때 의 입체 장애 가 작 다 . 또한 , 첫 번 째 에스테르 기 가 도입 됨 에 따른 상기 전자 적 영향 도 작 다 . 상술 한 바 와 같이 , 디 아만 탄 유도체 와 아 다만 탄 유도체 는 입체 적 , 전자 적 인 환경 이 상이 하 다 . 따라서 장시간 반응 시키 면 , 반응 공정 에서 선택 률 을 높이 는 것 이 곤란 해진다 . 그 결과 , 디 에스테르 화합물 의 생성량 이 증가 되 어 , 특허 문헌 1 에 기재 된 바 와 같이 칼럼 크로마토그래피 에 의한 정제 를 행할 필요 가 있 다 . 또한 , 장시간 의 반응 은 , 디 에스테르 화합물 이외 에 도 다양 한 부반응 을 발생 시킬 가능 성 이 있 기 때문 에 , 정제 가 복잡 해져 바람직 하 지 않 다 .