애 싱 공정 에 의한 강유전체 층 의 손상 을 방지 할 수 있 는 강유전체 커패시터 의 제조 방법 에 있 어서 , 기판 상 에 하부 전극 층 , 강유전체 층 및 상부 전극 층 을 순차 적 으로 형성 한 후 , 상부 전극 층 상 에 제 1 하드 마스크 층 및 제 2 하드 마스크 층 을 순차 적 으로 형성 한다 . 제 2 하드 마스크 층 상 에 포토레지스트 패턴 을 형성 한 다음 , 포토레지스트 패턴 을 이용 하 여 제 2 하드 마스크 층 을 식각 하 여 제 2 하드 마스크 패턴 을 형성 한다 . 이어서 , 애 싱 공정 을 수행 하 여 포토레지스트 패턴 을 제거 한 다음 , 제 2 하드 마스크 패턴 을 이용 하 여 제 1 하드 마스크 층 을 식각 하 여 제 1 하드 마스크 패턴 을 형성 한다 . 제 1 하드 마스크 패턴 및 제 2 하드 마스크 패턴 을 이용 하 여 상부 전극 층 , 강유전체 층 및 하부 전극 층 을 식각 하 여 , 기판 상 에 하부 전극 , 강유전체 층 패턴 및 상부 전극 을 포함 하 는 강유전체 커패시터 를 형성 한다 . 제 1 하드 마스크 층 의 식각 에 앞서 저온 에서 애 싱 공정 을 수행 함 으로써 강유전체 층 의 열화 를 방지 할 수 있 다 .