이후 , 도 3 e 에 도시 된 바 와 같이 , 양자 점층 ( 306 ) 들 이 형성 된 결과물 상 에 질화 막 ( 308 ) 및 산화 막 ( 310 ) 을 순차 적 으로 형성 하 는데 , 질화 막 ( 308 ) 은 플로팅 게이트 인 양자 점층 ( 306 ) 들 이 이후 형성 되 는 제어 게이트 와 완전히 격리 시키 기 위해 양자 점층 ( 306 ) 들 이 매립 되 는 구조 로 형성 된다 .