전술 한 바 와 같이 , 리 스터스 ( Wristers ) 등 의 미국 특허 6 , 372 , 609 는 압축 응력 하의 매립 실리콘 질화물 층 을 개시 하 지만 압축 응력 받 은 매립 실리콘 질화물 층 상부 의 실리콘 활성 영역 에서 변형 을 유발 하 기 위한 메커니즘 은 제공 하 지 않 는다 . 대조 적 으로 , 본 발명 의 바람직 한 구체 예 는 바람직 하 게 트렌치 분리 구조 체 또는 또 다른 트 렌 칭 을 형성 함 으로써 에지 이완 을 제공 한다 . 트렌치 분리 구조 체 또는 트 렌 칭 의 또 다른 형태 를 형성 하 는 것 은 , 소자 제조 를 위한 출발점 이 웨이퍼 전반 에서 응력 기 층 을 포함 하 는 매립 절연 구 조체 를 함유 하 는 웨이퍼 일 때 , 반도체 소자 내 개별 트랜지스터 에서 변형 을 유발 하 기 에 바람직 하 다 .