산화 막 ( 106 ) 에 할로겐 을 함유 시킴 으로써 , 외인성 불순물 인 중금속 을 포집 하 여 단결정 반도체 막 이 오염 되 는 것 을 방지 하 는 효과 를 나타낸다 . 이러 한 중금속 으로서 , Fe , Cr , Ni , Mo 등 이 있 으며 , 이것 들 은 단결정 반도체 막 에 대하 여 , 질량 분리 되 지 않 은 이온 을 도핑 하 여 박리 층 을 형성 하 는 과정 에서 도입 된다 . 즉 , HCl 산화 등 에 의해 산화 막 ( 106 ) 의 막 안 에 할로겐 을 포함 시킴 으로써 , 중금속 등 단결정 반도체 막 에 악영향 을 주 는 불순물 을 게터 링 할 수 있 다 . 예 를 들 면 산화 막 ( 106 ) 을 형성 한 후 에 열처리 를 행함 으로써 , 단결정 반도체 막 에 포함 되 는 불순물 로서 의 금속 이 산화 막 ( 106 ) 에 석출 하 고 , 할로겐 ( 예 를 들 면 염소 ) 과 반응 하 여 포획 되 게 된다 . 그것 에 의해 산화 막 ( 106 ) 안 에 포집 한 이 불순물 을 고정 하 여 반도체 기판 ( 100 ) 의 오염 을 막 을 수 있 다 . 즉 , 산화 막 ( 106 ) 은 , 반도체 의 라이프타임 킬러 가 되 는 금속 원소 를 포획 하 여 재 확산 시키 지 않 는 것 에 의해 , 트랜지스터 의 고성 능화 를 도모 할 수 있 다 .