종래 , 전자 기기 재료 에 사용 되 는 은 미립자 의 제조 방법 으로서 , 은 염의 암민 착 물 을 환원 하 여 은 미립자 를 침전 시키 고 , 이것 을 세정 건조 시켜 평균 입경 이 수 ㎛ 정도 인 은 미립자 를 얻 는 방법 이 알려져 있 다 ( 특허 문헌 1 ∼ 3 ) . 예 를 들 어 , 특허 문헌 1 에 는 , 은 암민 착 물 을 환원 하 여 은 미립자 를 석출 시킬 때 에 , 환원 시 의 액 온 을 25 ∼ 60 ℃ 로 조정 하 여 미세 한 은 입자 를 제조 하 는 방법 이 기재 되 어 있 다 . 또한 , 특허 문헌 3 에 는 , 질산 은 용액 과 암모니아수 를 혼합 하 여 얻 은 은 암민 착 물 용액 과 환원제 를 첨가 시간 20 초 이내 에서 혼합 함 으로써 , BET 비표 면적 0 . 25 ㎡/ g 이상 의 미 세 은 입자 를 석출 시키 는 방법 이 기재 되 어 있 다 . 그러나 , 이 들 제조 방법 에서 는 , 석출 된 은 입자 의 입 도 분포 가 넓 고 , 또한 입자 가 응집 되 기 쉽 기 때문 에 , 입경 이 균일 하 며 입경 이 0 . 2 ∼ 2 . 5 ㎛ 또는 1 ㎛ 이하 인 미세 한 은 미립자 를 제조 하 는 것 이 곤란 하 다는 문제 가 있 었 다 .