또한 , 실시 예 5 에 나타낸 발광 소자 1 의 또 다른 구조 로서 , 제 1 층 ( 1511 ) 형성 시 사용 되 는 NPB ( 약칭 ) 대신 에 PCBA 1 BP ( 약칭 ) 를 사용 하 고 , 산화 몰리브덴 ( VI ) 과 공 증착 하 여 제 1 층 ( 1511 ) 을 형성 하 였 다 . 발광 소자 1 의 효율 , 휘 도 약 1000 cd / m 2 에서 의 구동 전압 및 신뢰 성 을 사용 하 여 , 발광 소자 8 의 값 들 에 상응 하 는 바람직 한 값 이 수득 되 었 다 . 발광 소자 8 은 실시 예 10 에서 NPB 와 산화 몰리브덴 ( VI ) 의 공 증착 막 을 정공 주입 층 에 사용 하 고 PCBBiNB ( 약칭 ) 를 정공 수송 층 에 사용 하 여 형성 하 였 다 . 상기 발광 소자 1 의 구동 전압 이 3 . 8 V 인 경우 , 휘도 는 949 cd / m 2 이 고 , 전류 값 은 0 . 65 mA 이 며 , 상기 발광 소자 1 은 1500 시간 구 동시 초기 휘도 의 64 % 를 유지 하 였 다 .