본 발명 의 실시 예 에 따른 반도체 메모리 장치 ( 400 ) 에서 는 이 들 미 사용 셀 들 ( 415 , 435 ) 을 활용 하 는 방법 , 특히 미 사용 셀 들 을 이용 하 여 노 말 메모리 셀 들 과 상기 ECC 메모리 셀 들 중 의 불량 셀 을 대체 하 는 방법 을 제안 한다 . 즉 , 통상 적 으로 반도체 메모리 장치 에 는 메모리 셀 들 중 불량 셀 을 대체 하 기 위한 대체 셀 들 이 별도 로 제공 되 는데 , EDS 라이트 구조 를 이용 하 는 경우 에 는 메모리 셀 어레이 에 미 사용 셀 들 이 존재 하 므로 , 본 발명 의 실시 예 에 따른 반도체 메모리 장치 는 미 사용 셀 들 을 대체 셀 로 이용 함 으로써 반도체 메모리 장치 의 사용 효율 을 극대 화 할 수 있 다 .