상기 지 지체 로 실리콘 ( Si ) 웨이퍼 등 의 반도체 성 물질 을 사용 하 는 경우 , 상기 지 지체 위 에 절연 및 열팽창 버퍼 층 으로서 이산화규소 ( SiO 2 ) , 질화규소 ( Si 3 N 4 ) , 산화알루미늄 ( Al 2 O 3 ) , 이산화 티타늄 ( TiO 2 ) , 산화마그네슘 ( MgO ) , 지르 코니아 ( ZrO 2 ) 및 상기 재료 들 의 도핑 상 으로부터 선택 되 는 어느 하나 를 더 포함 할 수 있 다 .