이어서 , 웨이퍼 보트 ( 80 ) 를 회전 시켜 , 인 젝 터 ( 110 ) 로부터 처리 가스 를 공급 한다 . 처리 가스 는 , 용도 에 따라서 다양 한 가스 를 선택 하 는 것 이 가능 한데 , 예 를 들 어 실리콘 산화 막 을 성막 하 는 경우 , 실리콘 함유 가스 와 , 산화 가스 가 공급 된다 . 실리콘 함유 가스 는 , 예 를 들 어 아미노 실란 가스 이 어도 되 고 , 산화 가스 는 , 예 를 들 어 오존 가스 이 어도 된다 . 아미노 실란 가스 와 오존 가스 가 반응 함 으로써 , 반응 생성물 로서 산화 실리콘 이 웨이퍼 ( W ) 상 에 퇴적 되 어 , 실리콘 산화 막 이 성막 된다 .