일 실시 예 에서 , 실시 예 들 에서 기재 된 바 와 같 은 건식 식각 프로세스 가 수성 식각 프로세스 ( aqueous etching process ) 와 결합 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 적어도 두 개 의 산화물 들 을 가지 는 산화물 구조 에 있 어서 , 건식 식각 프로세스 가 제 1 산화물 을 선택 적 으로 제거 하 는 데 이용 될 수 있 으며 , 제 2 산화물 에 대해 제 1 산화물 피쳐 를 완전히 또는 부분 적 으로 감소 시키 기 위해서 이용 될 수 있 다 . 수성 HF 식각 프로세스 가 제 2 산화물 을 제거 하 기 위해 후속 될 수 있 다 .