본원 에 는 전자기 복사 ( EMR ) 의 사용 을 포함 하 는 바이오 암호 화 및 / 또는 바이오 복호화 를 위한 디바이스 , 조성물 , 시스템 및 방법 이 제공 된다 . 일부 경우 에 , 전자기 복사 는 핵산 서열 의 절단 또는 이미지 캡처 - 기반 검출 을 가능 하 게 한다 . 일부 경우 에 , EMR 은 약 100 nm 내지 약 400 nm , 약 100 nm 내지 약 300 nm , 또는 약 100 nm 내지 약 200 nm 의 파장 으로 표면 을 향해 적용 된다 . 일부 경우 에 , EMR 은 0 . 01 nm 미만 의 파장 으로 표면 을 향해 적용 된다 . 일부 경우 에 , EMR 은 약 10 nm 내지 약 400 nm , 약 400 nm 내지 약 700 nm , 또는 약 700 nm 내지 약 100 , 000 nm 의 파장 으로 표면 을 향해 적용 된다 . 예컨대 , EMR 은 자외선 ( UV ) 파장 또는 깊 은 UV 파장 에서 적용 된다 . 일부 경우 에 , 깊 은 UV 광 은 표면 으로부터 결합 된 제제 를 절단 하 기 위해 약 172 nm 의 파장 으로 표면 에 적용 된다 . 일부 경우 에 , EMR 은 크세논 램프 로 적용 된다 . 노출 거리 는 램프 와 표면 사이 의 측정값 이 다 . 일부 경우 에 , 노출 거리 는 약 0 . 1 내지 5 cm 이 다 . 일부 경우 에 , 노출 거리 는 약 0 . 5 내지 2 cm 이 다 . 일부 경우 에 , 노출 거리 는 약 0 . 5 , 1 , 2 , 3 , 4 또는 5 cm 이 다 . 일부 경우 에 , EMR 은 레이저 로 적용 된다 . 예 시 적 인 레이저 및 그 들 의 파장 은 Ar 2 ( 126 nm ) , Kr 2 ( 146 nm ) , F 2 ( 157 nm ) , Xe 2 ( 172 및 175 nm ) , ArF ( 193 nm ) 를 포함 하나 , 이 들 로 제한 되 지 않 는다 . 일부 경우 에 , 핵산 서열 은 특정 부위 에서 광 절단 가능 한 핵 염기 를 포함 한다 . 일부 경우 에 , 핵산 서열 은 광 절단 가능 한 변형 된 핵 염기 를 포함 한다 . 일부 경우 에 , 핵산 서열 은 특정 광 파장 의 적용 에 의해 광 절단 가능 하 다 . 일부 경우 에 , 핵산 서열 은 다수 의 광 파장 의 적용 에 의해 광 절단 이 가능 하 다 .