여기 서 , STI 공정 을 이용 한 소자 분리 막 형성 방법 을 간략 하 게 설명 하 면 , 반도체 기판 상 에 패드 산화 막 과 패드 질화 막 을 차례 로 증착 한 후 , 상기 소자 분리 영역 에 해당 하 는 기판 부분 을 노출 시키 도록 상기 패드 질화 막 을 식각 한 후 , 연이 어 , 상기 패드 산화 막 과 노출 된 실리콘 기판 부분 을 식각 하 여 트렌치 를 형성 한다 .