상술 한 검사 장치 에서 는 , 레이 저광 을 검사 대상 기판 에 조사 하 고 , 이 투과 상 혹은 반 사상 을 촬상 함 으로써 , 광학 화상 을 취득 한다 . 레이 저광 등 을 사용 한 검사 장치 는 , 수십 나노미터 이하 의 정밀도 로 패턴 형상 이나 결함 을 검출 하 기 가 어려워 , 근년 의 초미세 패턴 의 검사 를 행하 는 측면 에서 는 해상도 가 불 충분 해 지 고 있 다 . 이 에 비해 , 직선 상 에 동일 피치 로 배열 되 는 빔 열 이 복수열 배열 되 는 어레이 배열 의 복수 의 전자 빔 을 포함 하 는 멀티 빔 을 검사 대상 기판 에 조사 하 여 , 검사 대상 기판 으로부터 방출 되 는 각 빔 에 대응 하 는 2 차 전자 를 검출 하 고 , 패턴 상 을 취득 하 는 검사 장치 의 개발 도 진행 되 고 있 다 . 이러 한 멀티 빔 을 포함 하 는 전자 빔 을 사용 한 검사 장치 에서 는 , 검사 대상 기판 의 소 영역 마다 주사 하 여 2 차 전자 를 검출 한다 . 전자 빔 을 사용 함 으로써 해상도 가 향상 되 고 , 나노미터 오더 의 정밀도 로 패턴 형상 이나 결함 을 검출 하 는 것 이 가능 하 게 되 는 반면 , 전자 빔 을 사용 하 여 얻 어 지 는 패턴 상 은 노이즈 가 많 아 , 패턴 의 에지 형상 이 명료 한 고품질 의 화상 을 얻 기 위해서 는 , 멀티 빔 화 를 도모 하 였 다고 해도 , 검사 시간 이 매우 길 어 진다고 하 는 문제 가 있 었 다 .