제 2 실시 예 에 따르 는 박막 트랜지스터 기판 ( 100 ) 에 형성 된 차 단층 ( 128 ) 은 , 도 5 b 에 도시 된 바 와 같이 , 데이터 배선 ( 141 , 143 , 145 , 148 ) 과 동일 한 층 에 형성 되 어 있 다 . 즉 , 차단 층 ( 128 ) 은 , 도 5 a 에 도시 된 바 와 같이 , 제 1 실시 예 와 달리 데이터 배선 ( 141 , 143 , 145 , 148 ) 과 동시 에 동일 한 물질 로 형성 되 어 있 다 . 그리고 , 차단 층 ( 128 ) 은 데이터 배선 ( 141 , 143 , 145 , 148 ) 과 물리 적 으로 분리 되 어 형성 되 며 , 제 1 실시 예 와 같이 복수 의 차 단배 선 ( 128 ) 을 포함 한다 .