게이트 패턴 ( G ) 의 최 상부 층 인 게이트 하드 마스크 막 ( 25 ) 은 비트 라인 콘 택 홀 ( 31 ) 이 오픈 되 는 지역 에서 매우 두껍 게 형성 되 어 있 고 , 이 로써 비트 라인 콘 택 홀 ( 31 ) 형성 을 위한 식각 공정 시 게이트 전극 물질 이 노출 되 는 것 을 방지 한다 . 한편 , C - C ' 선 에 따르 면 , 게이트 하드 마스크 막 ( 25 ) 은 A - A ' 선 에 따른 게이트 하드 마스크 막 ( 25 ) 보다 더 얕 게 형성 되 어 있 다 . 후술 하 겠 지만 , 이 는 별도 의 식각 공정 을 통해 비트 라인 ( BL ) 이 지나가 는 부분 의 게이트 텅스텐 막 ( 24 ) 에 요 홈 ( 24 A ) 을 형성 하 기 때문 이 다 .