하지만 , 전술 한 종래 의 Wright 에칭 액 , Secco 에칭 액 및 Schimmel 에칭 액 을 이용 한 화학 적 습식 식각 방법 , 및 Guilinger 에 의한 전기 화학 적 인 방법 은 화학 약품 을 이용 하 여 이루어진다 . 따라서 , 이러 한 에칭 액 을 이용 한 화학 적 인 또는 전기 화학 적 인 방법 들 은 반도체 에 피층 을 형성 하 는 반도체 제조 장치 에서 인 - 시 츄 로 이용 될 수 없 고 , 별도 의 습식 장치 에서 수행 된다 .