상기 다른 기술 적 과제 를 달성 하 기 위하 여 , 본 발명 에 따른 미세 패턴 형성 방법 은 , 미세 패턴 을 형성 하 고자 하 는 패턴 대상 막 위 에 제 1 포토레지스트 막 을 코팅 하 는 단계 ; 상기 제 1 포토레지스트 막 패턴 에 대한 n 형 불순물 이온 주입 으로 상기 제 1 포토레지스트 막 패턴 의 점도 를 변화 시키 는 단계 ; 점도 가 변화 된 상기 제 1 포토레지스트 막 위 에 제 2 포토레지스트 막 을 코팅 하 는 단계 ; 상기 제 1 포토레지스트 막 을 하부 반사 방지 막 으로 상기 제 2 포토레지스트 막 에 대한 노광 및 현상 을 수행 하 여 제 2 포토레지스트 막 패턴 을 형성 하 는 단계 ; 상기 제 2 포토레지스트 막 패턴 을 식각 장벽층 으로 한 식각 으로 상기 제 1 포토레지스트 막 및 패턴 대상 막 의 노출 부분 을 제거 하 여 미세 패턴 을 형성 하 는 단계 ; 및 상기 제 2 포토레지스트 막 패턴 및 제 1 포토레지스트 막 을 제거 하 는 단계 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .