도 1 e 를 참조 하 면 , 상기 게이트 용 홈 ( H ) 의 상부 를 포함 한 기판 ( 100 ) 전면 상 에 산화 막 ( 108 ) 을 형성 한 다음 , 상기 산화 막 ( 108 ) 을 식각 하 여 상기 P 형 폴리 실리콘 막 ( 106 ) 및 게이트 절 연막 ( 104 ) 이 잔류 되 지 않 은 게이트 용 홈 ( H ) 상부 의 측벽 부분 에 만 상기 산화 막 ( 108 ) 을 잔류 시킨다 .