도 3 b 를 참조 하 면 , 게이트 구조물 ( 230 ) 들 을 마스크 들 로 이용 하 는 이온 주입 공정 을 통해 상기 액티브 영역 의 소정 부분 들 에 불순물 들 을 주입 하 여 , 게이트 구조물 ( 230 ) 들 에 인접 하 는 제 1 콘 택 영역 ( 235 ) 및 제 2 콘 택 영역 ( 240 ) 을 형성 한다 . 제 1 콘 택 영역 ( 235 ) 에 는 후속 하 여 형성 되 는 하부 전극 ( 260 ) ( 도 3 d 참조 ) 이 전기 적 으로 연결 되 며 , 제 2 콘 택 영역 ( 240 ) 에 는 하부 배선 ( 265 ) ( 도 3 d 참조 ) 이 전기 적 으로 연결 된다 .