기재 ( 2 a ) 에 는 제 1 정합 기 ( 11 a ) 를 개재 하 여 제 1 RF 전원 ( 10 a ) 이 접속 되 어 있 다 . 또한 , 기재 ( 2 a ) 에 는 제 2 정합 기 ( 11 b ) 를 개재 하 여 제 2 RF 전원 ( 10 b ) 이 접속 되 어 있 다 . 제 1 RF 전원 ( 10 a ) 은 플라 즈 마 발생 용 의 것 이 다 . 제 1 RF 전원 ( 10 a ) 은 정해진 주파수 의 고주파 전력 을 배치 대 ( 2 ) 의 기재 ( 2 a ) 에 공급 한다 . 제 2 RF 전원 ( 10 b ) 은 이온 인입 용 ( 바이어스 용 ) 의 것 이 다 . 제 2 RF 전원 ( 10 b ) 은 제 1 RF 전원 ( 10 a ) 보다 낮 은 정해진 주파수 의 고주파 전력 을 배치 대 ( 2 ) 의 기재 ( 2 a ) 에 공급 한다 . 이 와 같이 , 배치 대 ( 2 ) 는 제 1 RF 전원 ( 10 a ) 및 제 2 RF 전원 ( 10 b ) 으로부터 주파수 가 상이 한 2 개 의 고주파 전력 의 인가 가 가능 하 게 구성 되 어 있 다 . 한편 , 배치 대 ( 2 ) 의 상방 에 는 , 배치 대 ( 2 ) 와 평행 하 게 대향 하 도록 , 상부 전극 으로서 의 기능 을 가지 는 샤워 헤드 ( 16 ) 가 마련 되 어 있 다 . 샤워 헤드 ( 16 ) 와 배 치대 ( 2 ) 는 한 쌍 의 전극 ( 상부 전극 과 하부 전극 ) 으로서 기능 한다 .