또한 , 원자 층 식각 공정 의 사이클 횟수 가 증가 함 에 따라 , 즉 , MoS 2 박막 의 분자 층수 가 감소 함 에 따라 PL 강도 및 직접 갭 에너지 ( direct gap energy ) 가 증가 하 는 것 으로 나타났 고 , 특히 , 5 사이클 원자 층 식각 공정 수행 이후 의 MoS 2 박막 의 직접 갭 에너지 ( direct gap energy ) 는 단분자층 MoS 2 박막 에 대응 되 는 1 . 879 eV 으로 측정 되 었 고 , 원자 층 식각 공정 이 수행 되 기 전 6 분자 층 의 MoS 2 박막 의 간접 갭 에너지 ( indirect gap energy ) 는 1 . 394 eV 이 었 고 , 이 를 통해 단분자층 영역 과 6 분자 층 영역 사이 의 헤테로 접합 은 약 0 . 49 eV 의 층간 갭 ( interlayer gap ) 을 갖 는 스태커 드 갭 얼라인먼트 ( staggered gap alignment ) 가 형성 됨 을 확인 할 수 있 다 .