그리고 , 전체 표면 상부 에 제 3 층간 절 연막 ( 19 ) 과 SWP ( Stable Surface Wave Plasma ) 막 ( 20 ) 을 형성 하 고 , SWP 공정 으로 퓨즈 박스 영역 의 SWP 막 ( 20 ) 및 층간 절 연막 들 ( 19 , 16 , 13 ) 을 식각 하 여 퓨즈 박스 ( 21 ) 를 형성 한다 . 이때 , SWP 막 ( 20 ) 및 층간 절 연막 들 ( 19 , 16 , 13 ) 의 식각 공정 은 퓨즈 ( 12 ) 상측 에 소정 두께 의 제 1 층간 절연 막 ( 13 ) 이 남 도록 실시 한다 .