반도체 디바이스 ( 200 ) 는 이 기술 분야 에서 알려져 있 는 것 과 같이 반도체 회로 들 을 형성 하 기 위해 , 컨 택트 들 / 비어 들 , 상호 접속 금속 층 들 , 층간 절연체 , 패 시베이 션 층 들 등 과 같 은 여러 피 쳐 들 을 형성 하 기 위해 회로 영역 에서 추가 처리 를 받 을 수 있 다는 것 을 알 수 있 다 . 또한 , 몇몇 실시 예 들 에 있 어서 , 반도체 디바이스 ( 200 ) 는 단지 전면 금속 패드 또는 후면 금속 패드 를 포함 하 고 금속 패드 들 모두 는 포함 하 지 않 는 것 을 알 수 있 다 .