도 3 ( a ) 및 도 3 ( b ) 는 본 발명 에 따라 형성 된 비정질 탄소막 의 고주파 파워 에 따른 굴절 률 ( N ) 및 광 흡수 계수 ( K ) 의 변화 를 도시 한 그래프 이 다 . 도 3 ( a ) 및 도 3 ( b ) 에 도시 된 바 와 같이 고주파 파워 가 500 W , 600 W , 700 W , 800 W 및 1000 W 로 증가 할수록 굴절 률 ( N ) 이 증가 하 며 , 광 흡수 계수 ( K ) 는 감소 한다 . 그런데 , 도 3 ( a ) 에 도시 된 바 와 같이 파장 에 따라 굴절 률 ( N ) 은 400 ㎚ 까지 는 점차 증가 하 다 그 이후 로 감소 하 며 , 도 3 ( b ) 에 도시 된 바 와 같이 파장 에 따라 광 흡수 계수 ( K ) 는 점차 감소 한다 . 특히 , 633 nm 파장 에서 는 고주파 파워 가 증가 할수록 굴절 율 ( N ) 이 약 1 . 93 에서 약 2 . 2 까지 증가 하 며 , 광 흡수 계수 ( K ) 는 약 0 . 06 에서 약 0 . 16 까지 증가 한다 . 이때 , 고주파 파워 가 증가 함 에 따라 증착 두께 는 증가 하 게 된다 .