도 4 e 를 참조 하 면 , 상기 게이트 절 연막 ( 420 ) 의 표면 처리 되 지 않 은 부분 ( 420 b ) 에 소오 스 및 드레 인 전극 ( 431 ) , ( 435 ) 을 잉크젯 또는 스핀코팅 이나 슬릿 코팅 등 의 방식 을 이용 하 여 형성 한다 . 도 4 f 를 참조 하 면 , 상기 소오 스 및 드레 인 전극 ( 431 ) , ( 435 ) 과 콘 택 되 도록 유기 반도체 층 ( 450 ) 을 형성 한다 . 상기 유기 반도체 층 ( 450 ) 은 기판 전면 에 형성 되 거나 또는 상기 소오 스 및 드레 인 전극 ( 431 ) , ( 435 ) 과 이 들 사이 의 게이트 절 연막 ( 420 ) 상 에 만 형성 될 수 도 있 다 .