또한 , 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 비휘발성 메모리 장치 는 게이트 구조물 ( 25 ) 의 측벽 , 소오 스 라인 ( 18 ) , 및 드레 인 영역 ( 19 ) 을 덮 는 보호막 ( 27 ) 과 , 게이트 구조물 ( 25 ) 의 측벽 및 소오 스 라인 ( 18 ) 을 덮 는 스 페이서 ( 29 ) 를 더 포함 할 수 있 다 . 예컨대 , 보호막 ( 27 ) 은 실리콘 산화물 로 이루어질 수 있 고 , 스 페이서 ( 29 ) 는 실리콘 질화물 로 이루어질 수 있 다 .