전류 차단 층 ( 445 ) 은 오 믹 층 ( 430 ) 과 발광 구조물 ( 450 ) 사이 에 배치 될 수 있 다 . 전류 차단 층 ( 445 ) 의 상면 은 제 2 반도체 층 ( 452 ) 과 접촉 하 고 , 전류 차단 층 ( 445 ) 의 하 면 , 또는 하면 과 측면 은 오 믹 층 ( 430 ) 과 접촉 할 수 있 다 . 전류 차단 층 ( 445 ) 은 수직 방향 으로 제 1 전극 부 ( 470 ) 와 적어도 일부 가 오버랩 되 도록 배치 될 수 있 다 .