다음 으로 , 도 11 에 도시 하 는 바 와 같이 , 황산 과 과산화수소수 의 혼합 용액 ( 이하 , 황산 과수 라고 한다 ) 등 의 약액 을 공급 하 여 , 습식 에칭 에 의해 , 제 1 레지스 트 패턴 ( P 1 ) 을 박리 한다 . 단 , 황산 과수 대신 에 , 예컨대 암모니아 와 과산화수소수 의 혼합 용액 ( 이하 , 암모니아 과수 라고 한다 ) 을 사용 해도 좋 다 . 그리고 , 실리콘 기판 ( 1 ) 상 에 , 포토 리소그래피 법 에 의해 , 제 2 레지스 트 패턴 ( P 2 ) 을 형성 한다 . 제 2 레지스 트 패턴 ( P 2 ) 은 n - MOS 트랜지스터 가 형성 되 는 제 1 영역 ( R 1 ) 을 피복 하 고 , p - MOS 트랜지스터 가 형성 되 는 제 2 영역 ( R 2 ) 을 노출 시킨다 . 그리고 , 제 2 레지스 트 패턴 ( P 2 ) 을 마스크 로 해서 , 제 2 영역 ( R 2 ) 에 형성 된 소자 영역 ( 1 B ) 에 , 웰 주입 및 채널 주입 을 순서 대로 실행 한다 .