패널 기판 ( 110 ) 상 에 활성 층 ( 120 ) 을 덮 는 게이트 절연 층 ( 130 ) 이 형성 되 며 , 게이트 전극 ( 135 ) 은 게이트 절연 층 ( 130 ) 상 에 형성 될 수 있 다 . 게이트 절연 층 ( 130 ) 은 금속 산화물 , 실리콘 산화물 , 실리콘 질화물 , 실리콘 산질 화물 과 같 은 무기 절연 물질 을 포함 할 수 있 다 .