여기 서 , 상호 사잇각 ( θ t ) 은 90 ˚ 이상 150 ˚ 이하 로 형성 되 는 것 이 바람직 하 다 . 상호 사잇각 ( θ t ) 이 90 ˚ 미만 일 경우 각 스퍼터링 증착 원 ( 41 , 42 ) 의 타 겟 ( 41 t , 42 t ) 에서 스퍼터링 된 원자 간 에 간섭 이 발생 될 수 가 있 고 어느 한 타 겟 ( 41 t , 42 t ) 에서 스퍼터링 된 원자 가 다른 한 타 겟 ( 42 t , 41 t ) 을 향하 게 되 어 스퍼터링 효율 이나 공정 안정 도 등 이 저하 될 수 있 기 때문 이 며 , 150 ˚ 를 초과 하 게 되 면 스퍼터링 증착 원 ( 41 , 42 ) 간 에 형성 되 는 , 더 정확 하 게 는 인접 된 위치 의 반대 방향 즉 상호 사잇각 ( θ t ) 에서 최 외측 간 에 형성 되 는 구속 자계 가 미약 하 여 자계 구속 효과 가 미미 하 게 되 어 플 라즈 마 생 성 효율 이 저하 되 며 , 사실상 지면 과 수평 한 평판 형 의 단일 증착 원만 을 설치 한 것 과 유사 하 게 되 므로 증착 효용 성 이 감소 하 기 때문 이 다 .