도 5 b 를 참조 하 면 , 워드 라인 컷 ( 132 ) 을 통해 인산 ( H 3 PO 4 ) 을 제공 하 여 제 2 희생 막 들 ( 121 - 124 ) 을 선택 적 으로 습식 식각 할 수 있 다 . 이 에 따라 , 제 1 희생 막 들 ( 111 - 114 ) 사이 에 그리고 캡 핑 절 연막 ( 171 ) 과 최 상부 제 1 희생 막 ( 114 ) 사이 에 수직 채널 ( 140 ) 의 측벽 들 을 노출 시키 는 리세 스 영역 들 ( 126 ) 이 형성 될 수 있 다 . 상기 습식 식각 공정 에 의해 기판 ( 101 ) 상 에 는 수직 채널 ( 140 ) 을 따라 수직 이격 된 제 1 희생 막 들 ( 111 - 114 ) 과 캡 핑 절 연막 ( 171 ) 이 잔존 할 수 있 다 .