또한 , 본 발명 의 제 1 실시 예 에 따른 기판 처리 장치 ( 100 ) 는 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈 ( 130 a , 130 b , 130 c , 130 d ) 각각 을 통해 제 1 및 제 2 가스 ( G 1 , G 2 ) 를 공간 적 으로 분리 하 여 회전 되 는 기판 지지 부 ( 120 ) 상 에 분사 함 으로써 각 기판 ( W ) 에 증착 되 는 박막 의 증착 균 일도 를 증가 시키 고 , 박막 의 막 질 제어 를 용이 하 게 할 수 있 으며 , 공정 챔버 ( 110 ) 내 에 증착 되 는 누적 두께 를 최소 화 하 여 파티클 을 개선 할 수 있 다 .