도 9 a 에 도시 한 메모리 셀 ( 30 ) 에서 는 노드 ( 32 ) 의 전위 에 따라 트랜지스터 ( 33 ) 의 스위칭 을 제어 하 는 것 이 가능 하 다 . 게다가 , 노드 ( 32 ) 의 전위 는 판독 워드 선 ( 36 ) 과 의 용량 결합 에 의해 제어 하 는 것 이 가능 하 다 . 그 로 인해 , 도 9 a 에 도시 한 메모리 셀 ( 30 ) 에서 는 다 치 의 정보 를 기억 하 는 것 이 가능 하 다 . 즉 , 판독 워드 선 ( 36 ) 의 전위 가 상이 한 복수 의 조건 에 있 어서 트랜지스터 ( 33 ) 의 상태 ( 온 상태 또는 오프 상태 ) 을 판별 함 으로써 , 노드 ( 32 ) 의 전위 가 다 치화 되 어 있 더라도 판독 을 행하 는 것 이 가능 하 다 . 또한 , 당해 판독 은 트랜지스터 ( 33 ) 를 이용 하 여 구성 된 분압 회로 의 출력 신호 를 판별 하 는 것 등 에 의해 행할 수 있 다 . 또한 , 도 9 a 에 도시 한 메모리 셀 ( 30 ) 은 2 치 의 정보 를 유지 하 는 메모리 셀 로서 사용 할 수 도 있 다 .