다음 , 도 27 에 도시 한 바 와 같이 , 데이터 선 ( 171 ) 및 드레 인 전극 ( 175 ) 위 에 보호막 ( 180 ) 을 적층 한 후 사진 식각 하 여 복수 의 접촉 구멍 ( 181 , 182 , 183 a , 183 b , 185 ) 을 형성 하 고 , 그 위 에 도전 물질 을 적층 하 고 사진 식각 하 여 화소 전극 ( 191 ) , 접촉 보조 부재 ( 81 , 82 ) 및 연결 다리 ( 83 ) 를 형성 한다 .