후면 차단 유전체 층 은 유전체 분리 영역 들 ( 150 , 250 ) 내 의 유전체 재료 플레이트 들 ( 142 ', 242 ') 의 측벽 들 상 에 그리고 절연 층 들 ( 132 , 232 ) 의 물리 적 으로 노출 된 표면 들 상 에 형성 될 수 있 다 . 후면 차단 유전체 층 은 유전체 재료 , 예컨대 유전체 금속 산화물 , 실리콘 산화물 , 또는 이 들 의 조합 을 포함 한다 . 예 를 들 어 , 후면 차단 유전체 층 은 알루미늄 산화물 을 포함 할 수 있 다 . 후면 차단 유전체 층 은 원자 층 침착 또는 화학 증착 과 같 은 컨 포 멀 침착 공정 에 의해 형성 될 수 있 다 . 후면 차단 유전체 층 의 두께 는 1 nm 내지 20 nm , 예컨대 2 nm 내지 10 nm 범위 내 에 있 을 수 있 지만 , 더 작 은 두께 및 더 큰 두께 도 사용 될 수 있 다 .