도 1 을 참조 하 면 , 발광 다이오드 는 N 형 반도체 층 ( 17 ) 과 P 형 반도체 층 ( 21 ) 을 포함 하 고 , 상기 N 형 및 P 형 반도체 층 들 ( 17 , 21 ) 사이 에 활성 영역 ( 19 ) 이 개재 된다 . 상기 N 형 반도체 층 및 P 형 반도체 층 은 III 족 원소 의 질화물 반도체 층 , 즉 ( Al , In , Ga ) N 계열 의 화합물 반도체 층 으로 형성 된다 . 한편 , 활성 영역 ( 19 ) 은 하나 의 웰 층 을 갖 는 단일 양자 웰 구조 이 거나 , 도시 한 바 와 같이 , 복수 개 의 웰 층 을 갖 는 다중 양자 웰 구조 로 형성 된다 . 다중 양자 웰 구조 의 활성 영역 은 InGaN 웰 층 ( 19 a ) 과 GaN 장벽층 ( 19 b ) 이 교대 로 적층 되 어 형성 된다 . 상기 웰 층 ( 19 a ) 은 N 형 및 P 형 반도체 층 들 ( 17 , 19 ) 및 장벽층 ( 19 b ) 에 비해 밴드 갭 이 작 은 반도체 층 으로 형성 되 어 전자 와 정공 이 재결합 되 는 양자 웰 을 제공 한다 .