본 개시 의 다양 한 양태 는 반도체 디바이스 의 제조 방법 을 제공 하 고 , 제조 방법 은 제 1 서브 스트레이트 를 구비 하 고 ; 제 1 서브 스트레이트 의 제 1 측 상 에 제 1 금속 필러 를 형성 하 고 ; 제 1 서브 스트레이트 의 제 1 측 에 제 1 반도체 다이 를 결합 하 고 ; 제 1 금속 필러 상 에 제 2 금속 필러 를 형성 하 고 ; 제 1 반도체 다이 에 제 2 반도체 다이 를 결합 하 고 ; 제 2 금속 필러 와 제 2 반도체 다 이 상 에 제 2 서브 스트레이트 를 형성 하 고 ; 제 1 서브 스트레이트 와 제 2 서브 스트레이트 의 사이 에 제 1 금속 필러 , 제 1 반도체 다이 , 제 2 금속 필러 및 제 2 반도체 다 이 각각 의 적어도 측 부를 인 캡슐 레이트 하 는 인 캡슐 레이팅 물질 을 형성 하 는 것 을 포함 한다 .