이 와 같이 , 제 1 및 제 2 희생 패턴 들 ( 32 , 64 ) 을 형성 하 는 식각 공정 에서 , 제 1 및 제 2 마스크 패턴 들 ( 42 , 72 ) 은 제 1 및 제 2 희생 패턴 들 ( 32 , 64 ) 에 대해 약 10 : 1 이상 의 높 은 식각 선택 비 를 가질 수 있 다 . 이 에 따라 , 제 1 희생 막 ( 30 ) 의 두께 를 유지 하 면서 미세 한 폭 을 갖 는 홀 들 이 형성 될 수 있 다 . 즉 , 얇 은 두께 의 제 1 및 제 2 마스크 패턴 들 ( 42 , 72 ) 을 이용 하 여 종횡비 가 큰 상부 개구부 들 ( UH ) 을 갖 는 제 1 희생 패턴 ( 32 ) 을 형성 할 수 있 다 . 또한 , 제 1 및 제 2 마스크 패턴 들 ( 42 , 72 ) 은 제 1 및 제 2 희생 패턴 들 ( 32 , 64 ) 에 대해 약 10 : 1 이상 의 높 은 식각 선택 비 를 가지 므로 , 제 1 희생 패턴 ( 32 ) 을 형성 할 때 인접 한 상부 개구부 들 ( UH ) 이 서로 연결 되 거나 , 상부 개구부 ( UH ) 에 의해 하 부막 ( 20 ) 이 노출 되 지 않 는 현상 을 방지 할 수 있 다 .