본 발명 은 상변환 기억 소자 및 그 제조 방법 을 개시 한다 . 개시 된 본 발명 의 상변환 기억 소자 는 , 다수 의 상변환 셀 영역 을 갖 는 반도체 기판 ; 반도체 기판 상 에 형성 된 하부 전극 과 , 상기 하부 전극 상 에 콘 택 홀 이 구비 된 층간 절 연막 과 , 상기 콘 택 홀 의 전면 에 형성 된 하부 전극 콘 택 과 , 상기 하부 전극 콘 택 이 구비 된 콘 택 홀 내 에 형성 된 절 연막 및 상기 하부 전극 콘 택 과 콘 택 되 며 , 상기 절 연막 및 하부 전극 콘 택 상 에 형성 된 상변환 막 과 상부 전극 의 적층 패턴 을 포함 한다 .