금속 스터 드 범프 ( 130 ) 의 압인 가공 된 면 은 압인 수단 ( 200 ) 에 포함 된 양각 패턴 에 대응 하 는 음각 패턴 을 포함 한다 . 즉 , 음 각 패턴 은 양각 패턴 과 서로 동일 한 패턴 을 가지 나 , 음각 으로 형성 되 어 일정 두께 ( 예 를 들 어 , 수 ㎛ 이하 ) 로 파여 진 홈 을 포함 한다 . 이 홈 은 반도체 소자 와 반도체 기판 의 접합 과정 에서 , 솔 더 층 의 일부 를 외부 로 배출 시키 는 통로 로 기능 한다 .