이상 에서 설명 한 바 와 같이 , 본 발명 에 의하 면 , 서로 다른 비저항 을 갖 는 제 1 및 제 2 도 전막 이 적층 된 게이트 전극 형성 방법 에 있 어서 , 제 2 도 전막 을 식각 하 고 그 양측 벽 에 보호막 을 형성 한 후 , 상기 보호막 을 식각 장벽층 으로 이등방성 식각 공정 을 실시 하 여 제 1 도 전막 을 식각 한 다음 , 등방성 식각 공정 을 실시 하 여 상기 보호막 하부 에서 제 1 도 전막 의 돌출부 를 식각 함 으로써 균일 한 수직 패턴 을 갖 는 게이트 전극 을 형성 할 수 있 다 .