상기 구성 에 있 어서 , 기록 회로 또는 제 2 신호선 은 , 복수 의 메모리 셀 이 각각 갖 는 산화물 반도체 를 사용 한 트랜지스터 의 소스 또는 드레 인 의 다른 쪽 에 전기 적 으로 접속 되 어 있 다 . 판독 회로 또는 제 3 신호선 은 , 복수 의 메모리 셀 이 각각 갖 는 산화물 반도체 이외 의 재료 를 사용 한 트랜지스터 의 소스 또는 드레 인 의 한쪽 에 전기 적 으로 접속 되 어 있 다 .