또한 , 산화물 반도체 층 ( 644 ) 에 접하 는 절연 층 은 , 구성 하 는 절연 재료 의 화학 양론 적 조성 비 보다 산소 가 많 은 영역 을 갖 는 절연 층 의 적층 으로 해도 좋 다 . 예 를 들 어 , 산화물 반도체 층 ( 644 ) 상층 에 조성 이 Ga 2 OX ( X = 3 + α , 0 < α < 1 ) 인 산화 갈륨 을 형성 하 고 , 그 위 에 조성 이 GaXAl 2 - XO 3 + α ( 0 < X < 2 , 0 < α < 1 ) 인 산화 갈륨 알루미늄 ( 산화알루미늄 갈륨 ) 을 형성 해도 좋 다 . 또한 , 산화물 반도체 층 ( 644 ) 의 하층 을 , 구성 하 는 절연 재료 의 화학 양론 적 조성 비 보다 산소 가 많 은 영역 을 갖 는 절연 층 의 적층 으로 해도 좋 고 , 산화물 반도체 층 ( 644 ) 의 상 층 및 하층 양쪽 을 , 구성 하 는 절연 재료 의 화학 양론 적 조성 비 보다 산소 가 많 은 영역 을 갖 는 절연 층 의 적층 으로 해도 좋 다 .