이어서 , 와이더 라인 의 실리콘 산화 막 ( 5 ) 과 유기 재료 막 ( 4 ) , 및 비 결절 실리콘 ( 7 ) 의 측벽 은 제 2 마스크 로서 레지스 트 ( 8 ) 에 의해 선택 적 으로 피복 되 고 ( 도 1 f ) , 플루오르 첨 가산 을 이용 한 습식 에칭 기법 에 의해 라인 - 스페이스 의 실리콘 산화 막 ( 5 ) 만 을 제거 한다 ( 도 1 g ) .