상기 배리 어막 ( 160 ) 은 상기 소자 분리 트랜 치 ( 147 ) 를 통해 상기 포토다이오드 패턴 ( 145 ) 의 측면 에 형성 된다 . 따라서 , 상기 포토다이오드 패턴 ( 145 ) 의 손상 영역 은 상기 BF 2 이온 에 의하 여 복원 될 수 있 다 . 따라서 , 상기 배리 어막 ( 160 ) 이 상기 포토다이오드 ( 140 ) 의 측면 에 형성 되 어 댕 글 링 본드 와 같 은 디 펙 트 를 개선 하 여 다크 커런트 발생 을 방지 하 고 저조 도 특성 을 개선 할 수 있 게 된다 .