실시 예 에 따른 발광 소자 의 제조 방법 은 기판 상 에 버퍼 층 을 형성 하 는 단계 , 상기 버퍼 층 을 식각 하 는 단계 , 상기 버퍼 층 상 에 제 1 도전 형 반도체 층 , 활성 층 및 제 2 도전 형 반도체 층 을 포함 하 는 발광 구조물 을 형성 하 는 단계 및 상기 발광 구조물 상 에 전극 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 고 , 상기 버퍼 층 을 식각 하 는 단계 는 상기 버퍼 층 상 에 패턴 층 을 형성 하 는 단계 , 상기 버퍼 층 의 상면 에 리세 스 를 형성 하 는 단계 및 상기 패턴 층 을 제거 하 는 단계 를 포함 하 고 , 상기 패턴 층 의 두께 는 5 nm 내지 990 nm 이 며 피치 간격 은 10 nm 내지 99 ㎛ 이 고 , 상기 리세 스 를 형성 하 는 단계 는 전기 화학 식각 ( electrochemical etch ) 을 이용 하 는 단계 이 다 .