일 실시 예 에 따른 원자 층 적층 공정 에서 탄 탈륨 의 농도 최고점 이 기존 의 원자 층 적층 공정 에서 탄 탈륨 농도 최고점 보다 낮 은 이유 는 하 기 와 같 다 . 기존 의 원자 층 적층 공정 의 제 2 서브 사이클 에서 제공 되 는 탄 탈륨 전구체 주 입량 과 , 일 실시 예 에 따른 원자 층 적층 공정 의 제 2 서브 사이클 에서 제공 되 는 탄 탈륨 전구체 주 입량 과 동일 하 지만 , 일 실시 예 에 따른 원자 층 적층 공정 의 제 2 서브 사이클 을 수행 하 여 도핑 되 는 탄 탈륨 의 양 은 기존 의 원자 층 적층 공정 의 제 2 서브 사이클 을 수행 하 여 도핑 되 는 탄 탈륨 의 양 보다 작 을 수 있 다 . 이 는 일 실시 예 에 따른 원자 층 적층 공정 의 제 2 서브 사이클 을 수행 하 는 동안 주석 전구체 의 주석 이 탄 탈륨 과 의 반응 성 이 작 아 탄 탈륨 의 결합 을 방해 함 으로써 , 기존 과 동일 한 양 의 탄 탈륨 전구체 양 을 제공 하 더라도 더 적 은 양 의 탄 탈륨 이 도핑 될 수 있 다 .