또한 , 희가스 에 Ar 가스 만 을 또는 Ar 가스 에 대한 He 가스 의 비율 이 제 1 비율 로 혼합 된 혼합 가스 를 사용 한 단계 와 , 희가스 에 Ar 가스 에 대한 He 가스 의 비율 이 제 1 비율 보다 큰 제 2 비율 로 혼합 된 혼합 가스 를 또는 He 가스 만 을 사용 한 단계 를 , 적어도 1 회 이상 반복 하 며 에칭 할 수 도 있 다 . Ar 가스 만 을 또는 He 가스 에 대한 Ar 가스 의 비율 이 높 은 혼합 가스 를 사용 한 단계 에서 는 , 적 게 해리 되 어 흡착 계수 가 큰 전구체 가 형성 되 어 , 마스크 층 ( 100 ) 표면 에 폴리머 ( 105 ) 가 두껍 게 퇴적 된다 . 그 후 , Ar 가스 에 대한 He 가스 의 비율 이 높 은 혼합 가스 를 또는 He 가스 만 을 사용 한 단계 에서 , 퇴적 된 폴리머 ( 105 ) 가 보호막 으로서 작용 하 여 , 마스크 층 ( 100 ) 에 대한 산화 실리콘 층 ( 140 ) 의 선택 비 를 높여서 에칭 할 수 가 있 다 . 즉 , 희가스 로서 Ar 가스 와 He 가스 의 비율 이 서로 다른 단계 를 반복 하 여 제어 함 으로써 , 산화 실리콘 층 ( 140 ) 의 에칭 속도 와 , 텅스텐 층 ( 130 ) 및 마스크 층 ( 100 ) 에 대한 선택 비 의 양립 이 가능 하 게 된다 . 이 때 , Ar 가스 만 을 또는 He 가스 에 대한 Ar 가스 의 비율 이 높 은 혼합 가스 를 사용 한 단계 에서 는 , 마스크 층 ( 100 ) 의 상면 뿐 아니 라 측면 에 도 폴리머 ( 105 ) 가 퇴적 되 므로 , 홀 의 개구 가 폐색 되 지 않 게끔 처리 시간 등 을 조정 하 는 것 이 바람직 하 다 .