상기 PDV 기술 에 비하 여 , 상기 CVD 기술 은 단차 피복성 이 우수 한 박막 을 형성 할 수 있 으므로 최근 에 도 널리 쓰이 고 있 다 . 그러나 , 반도체 소자 의 고성능 화 에 대한 요구 가 커져 0 . 1 ㎛ 이하 의 디자인 룰 이 일반 화 된 현재 에 는 상기 CVD 기술 에 의해 형성 된 박막 의 모 폴 로지 ( morphology ) 의 불 균일 성 이 부각 되 고 있 다 .