도 8 은 또한 하위 페이지 ( lower page ) 와 상위 페이지 ( upper page ) 의 2 개 의 다른 페이지 들 에 대한 데이터 를 저장 하 는 다중 - 상태 메모리 셀 을 프로그래밍 하 는 투 - 패스 기술 의 일 예 를 예시 하 고 있 다 . 4 개 의 상태 들 이 도시 되 어 있 다 . 상태 E ( 11 ) , 상태 A ( 10 ) , 상태 B ( 00 ) , 상태 C ( 01 ) 이 그것 이 다 . 상태 E 에서 는 , " 두 페이지 들 모두 "" 1 "" 을 저장 한다 . 상태 A 에서 는 "," 하위 페이지 는 "" 0 "" 을 저장 하 고 "," 상위 페이지 는 "" 1 "" 을 저장 한다 . 상태 B 에서 는 "," 두 페이지 들 모두 "" 0 "" 을 저장 한다 . 상태 C 에서 는 "," 하위 페이지 는 "" 1 "" 을 저장 하 고 "," 상위 페이지 는 "" 0 "" 을 저장 한다 . 비록 특정 비트 패턴 들 이 상태 들 각각 에 할당 되 었 지만 ", 다른 방식 의 비트 패턴 들 이 할당 될 수 도 있 다 . 제 1 프로그래밍 패스 에서 , " 메모리 셀 의 문턱 전압 레벨 은 하위 논리 페이지 로 프로그램 될 비트 에 따라 정해진다 . 그 비트 가 논리 값 "" 1 "" 이 라면 ", 이전 에 소거 된 결과 로서 문턱 전압 이 이미 적절 한 상태 에 있 기 때문 에 문턱 전압 은 변하 지 않 을 것 이 다 . 그러나 , " 프로그램 될 비트 가 논리 값 "" 0 "" 이 라면 ", 셀 의 문턱 전압 은 화살표 ( 530 ) 에 도시 된 것 처럼 상태 A 가 되 도록 증가 한다 . 이 로써 제 1 프로그래밍 패스 가 종결 된다 .