상술 한 바 와 같이 , 미세 한 사이즈 의 최종 비트 라인 패턴 ( 101 ) 형성 시 에 서로 다른 감광막 패턴 을 이용 하 여 1 차 및 2 차 식각 으로 나누 어 식각 공정 을 진행 하 므로써 패턴 붕괴 를 방지 한다 . 더불 어 , 미세 사이즈 의 패턴 식각 시 발생 되 는 식각 되 는 패턴 의 윗부분 의 불 규칙 한 식각 을 감소 시킨다 . 그리고 , 제 1 감광막 패턴 ( 26 ) 과 제 2 감광막 패턴 ( 27 ) 을 형성 하 기 위한 노광 공정 및 현 상공 정시 에 미세 한 사이즈 로 진행 하 지 않 아도 되 므로 포토 리소그래피 공정 이 자유 롭 다 .