제어 로직 ( 300 ) 은 커맨드 ( CMD ) 및 어 드레스 ( ADD ) 에 응답 하 여 동작 신호 ( OP _ CMD ) , 로우 어드레스 ( RADD ) , 페이지 버퍼 제어 신호 들 ( PBSIGNALS ) 및 허용 비트 ( VRY _ BIT <#>) 를 출력 하 여 주변 회로 들 ( 200 ) 을 제어 할 수 있 다 . 또한 , 제 어 로직 ( 300 ) 은 패스 또는 페일 신호 ( PASS 또는 FAIL ) 에 응답 하 여 검증 동작 이 패스 또는 페일 되 었 는지 를 판단 할 수 있 다 . 특히 , 검증 동작 또는 리드 동작 시 , 제 어 로직 ( 300 ) 은 소스 라인 에 인가 되 는 소스 라인 전압 , 소스 셀렉 트 라인 들 및 드레 인 셀렉 트 라인 들 에 인가 되 는 패스 전압 들 을 조절 할 수 있 고 , 워드 라인 들 이 그룹 별로 순차 적 으로 디스 차지 될 수 있 도록 주변 회로 들 ( 200 ) 을 제어 할 수 있 다 . 예 를 들 면 , 제 어 로직 ( 300 ) 은 메모리 셀 들 을 검증 한 후 , 선택 된 워드 라인 에 연결 된 메모리 셀 들 을 모두 턴 온 ( turn on ) 하 기 위하 여 선택 된 워드 라인 의 전압 이 높 아 지 도록 주변 회로 들 ( 200 ) 을 제어 할 수 있 다 . 예 를 들 면 , 제 어 로직 ( 300 ) 은 선택 된 워드 라인 과 , 선택 된 워드 라인 을 제외 한 나머지 비 선택 된 워드 라인 들 , 제 1 및 제 2 셀렉 트 라인 들 의 전위 가 서로 유사 해 지 도록 주변 회로 들 ( 200 ) 을 제어 하 고 , 선택 된 워드 라인 들 및 비 선택 된 워드 라인 들 이 디스 차지 된 후 에 제 1 및 제 2 셀렉 트 라인 들 중 적어도 하나 이상 의 라인 이 디스 차지 되 도록 상기 주변 회로 들 ( 200 ) 을 제어 할 수 있 다 .