추가 로 세정 공정 은 기판 으로부터 의 플 루오 라이드 이온 의 완전 한 제거 를 보증 하 기 위하 여 헹굼 단계 를 더 포함 할 수 도 있 다 . 기판 은 웨이퍼 제조 공정 에 유용 한 것 으로 알려진 임의 의 용매 에서 헹굴 수 있 다 . 알코올 이 물 을 제거 하 기 위하 여 당업 계 에서 통상 적 으로 선택 되 지만 , 알코올 의 사용 은 잠재 적 인 화재 위험 을 나타내 며 이전 에 개시 된 것 과 같 은 불연성 플루오르화 용매 로 헹구 는 것 이 바람직 하 다 . 헹굼 에 사용 되 는 플루오르 화 된 용매 는 세정 조성물 에 사용 된 플루오르 화 된 액체 와 동일 하 거나 상이 할 수 있 으며 , 용매 의 혼합물 이 이용 될 수 도 있 다 . 바람직 하 게 는 헹굼 단계 에서 사용 되 는 플루오르 화 된 액체 는 세정 조성물 에 사용 된 것 과 동 일 하 다 .