한편 , 본 발명 에 따른 유기 발광 다이오드 표시 소자 는 실시 예 에서 N 타입 MOS - FET 를 중심 으로 설명 되 었 지만 P 타입 MOS - FET 에 도 적용 될 수 있 다 . 화소 들 내 의 스위치 가 P 타입 MOS - FET 로 구현 되 면 데이터 , 스캔 펄스 , 리셋 펄스 의 극성 이 전술 한 실시 예 와 반 대로 된다 . 또한 , 본 발명 에 따른 유기 발광 다이오드 표시 소자 의 TFT 들 은 비정질 실리콘 또는 폴리 실리콘 의 반도체 층 을 포함 한다 .