반도체 웨이퍼 는 일반 적 으로 그곳 에 놓이 는 반도체 소자 를 갖 는 액티브 표면 과 , 실리콘 과 같 은 벌크 ( bulk ) 반도체 재료 로 형성 된 백사이드 표면 을 갖 는다 . 그 액티브 사이드 표면 은 다수 반도체 다이 를 포함 한다 . 그 액티브 표면 은 적층 , 패 터닝 , 도핑 및 열처리 를 포함 하 는 다수 반도체 공정 들 에 의해 형성 된다 . 그 적층 공정 에서 , 반도체 재료 는 열 적 산화 , 질화 , 화학 적 증착 , 증발 및 스퍼터링 을 포함 하 는 기술 들 에 의해 기판 상 에서 성장 되 거나 또는 융 착 된다 . 포토 리 소 그래 피 ( phtolithograpy ) 는 표면 영역 을 마스킹 하 고 바람직 하 지 않 은 재료 를 에칭 제거 하 여 특수 한 구조 를 형성 하 는 것 을 포함 한다 . 도핑 공정 은 도 펀트 ( dopant ) 재료 농축물 을 열 확산 또는 이온 주입 에 의해 주입 한다 .