따라서 , 이러 한 웨이퍼 의 가장자리 에 누적 되 는 물질 층 들 은 반도체 집적회로 의 제조 과정 에서 주기 적 으로 제거 할 필요 가 있 게 된다 . 종래 에 는 습식 방법 에 의하 여 웨이퍼 가장자리 를 처리 하 기 도 하 였 다 . 습식 방법 에 따르 면 , 웨이퍼 의 가장자리 에 적층 된 각 층 별 로 별개 의 케미컬 을 사용 해야 하 기 때문 에 양산 공정 으로서 는 공정 관리 가 매우 어렵 고 , 런타임 이 길 어 지 기 때문 에 생산 성 이 좋 지 않 다는 단점 이 있 다 .