본 발명 에 따른 트랜지스터 및 그 의 제조 방법 은 , 활성 영역 표면 에 채널 폭 방향 을 따라 라인 앤 스페이스 형태 로 형성 된 다수 의 홈 을 갖 는 반도체 기판 과 , 상기 다수 의 홈 을 갖 는 활성 영역 을 포함 한 반도체 기판 상 에 요철 형상 의 채널 을 갖 도록 상기 홈 들 에 수직 하 는 방향 으로 형성 된 게이트 와 , 상기 게이트 양측 의 기판 표면 내 에 형성 된 접합 영역 을 포함 한다 .