도 18 a ~ 18 c 에서 의 제조 방법 은 도 16 a 에서 예시 된 단계 에서 시작 된다 . 트렌치 형성 마스크 ( M 1 ) 가 박리 된 이후 , 도 18 a 에 예시 된 바 와 같이 , P 형 층 ( 2 c ) 이 에피 택 셜 성장 에 의해 두껍 게 형성 되 어 , 트렌치 ( 2 b ) 를 메운다 . 따라서 , SJ - MOS 트랜지스터 ( 100 ) 의 제 1 칼럼 층 ( 11 a ) 이 형성 되 는 동시 에 , N 형 층 ( 2 a ) 상 에 도 P 형 층 ( 2 c ) 이 남겨진다 . 도 18 b 에 예시 된 바 와 같이 , 소정 의 개구부 를 가지 는 트렌치 형성 마스크 ( M 3 ) 는 포토 리소그래피 에 의해 P 형 층 ( 2 c ) 상 에 형성 된다 . 트렌치 형성 마스크 ( M 3 ) 를 마스크 로서 이용 하 여 , 반응 성 이온 에칭 ( RIE ) 이 수행 되 어 , N 형 층 ( 2 a ) 으로 확장 된 트렌치 ( 2 g ) 를 형성 한다 . 트렌치 형성 마스크 ( M 3 ) 가 박리 된 후 , 도 18 c 에 예시 된 바 와 같이 에피 택 셜 성장 에 의해 N 형 ( n ) 층 ( 2 h ) 이 N 형 층 ( 2 a ) 의 불순물 농도 와 동일 한 불순물 농도 로 형성 되 어 , 트렌치 ( 2 g ) 를 메운다 . 화학 기계 연마 ( CMP ) 를 이용 하 여 , 트렌치 ( 2 g ) 이외 에서 형성 된 N 형 층 ( 2 h ) 이 제거 되 어 가공물 을 평탄 화 한다 . 이것 은 도 17 c 에 예시 된 SJ - MOS 트랜지스터 ( 100 ) 의 PN 칼럼 층 ( 11 ) 을 완성 시킨다 .