본 발명 은 대기압 에서 화학 증착 ( CVD ) 을 이용 하 여 평탄 화 된 기판 상 에 균일 한 대형 그라핀 층 을 성장 시키 기 위한 방법 을 제공 하 고 ; 이러 한 방법 에 따라 생성 된 그라핀 은 95 ％ 초과 의 단일 층 함량 을 가질 수 있 다 . 본 발명 의 방법 에 의해 제조 된 전계 효과 트랜지스터 는 시판 되 는 구리 호일 기판 상 에 성장 한 샘플 에 대해 측정 된 것 보다 2 내지 5 의 인수 만큼 더 큰 실온 정공 이동도 를 갖 는다 .