게이트 전극 ( 165 ) 은 활성 영역 ( 105 ) 의 상부 에서 복수 의 채널 층 들 ( 141 , 142 , 143 ) 의 사이 를 채우 며 채널 구조물 ( 140 ) 의 상부 로 연장 되 어 배치 될 수 있 다 . 게이트 전극 ( 165 ) 은 게이트 유전 층 ( 162 ) 에 의해 복수 의 채널 층 들 ( 141 , 142 , 143 ) 로부터 이격 될 수 있 다 . 게이트 전극 ( 165 ) 은 도전 성 물질 을 포함 할 수 있 으며 , 예 를 들 어 , 티타늄 질화 막 ( TiN ) , 탄 탈륨 질화 막 ( TaN ) , 또는 텅스텐 질화 막 ( WN ) 과 같 은 금속 질화물 , 및 / 또는 알루미늄 ( Al ) , 텅스텐 ( W ) , 또는 몰리브덴 ( Mo ) 등 의 금속 물질 또는 도핑 된 ( doped ) 폴리 실리콘 과 같 은 반도체 물질 을 포함 할 수 있 다 . 게이트 전극 ( 165 ) 은 2 개 이상 의 다중 층 으로 구성 될 수 도 있 다 .