본 발명 의 또 다른 형태 에 따른 수직 구조 의 비휘발성 메모리 소자 가 제공 된다 . 상기 수직 구조 의 비휘발성 메모리 소자 는 , 기판 상 으로 수직 신장 하 는 반도체 영역 ; 상기 반도체 영역 의 측벽 을 따라서 상기 기판 상 으로 수직 하 게 배열 되 는 복수 의 트랜지스터 들 을 포함 하 며 서로 인접 하 는 복수 의 메모리 셀 스트링 들 메모리 셀 스트링 ; 서로 인접 한 상기 메모리 셀 스트링 들 의 상기 복수 의 트랜지스터 들 사이 에 공기 간극 ( air gap ) 으로 이루어지 는 절연 영역 을 포함 한다 .