본 변형 예 에 따른 수지 성형 장치 는 , 도 30 에 나타내 는 바 와 같이 , 몰드 ( M ) 에 마련 된 얼라인먼트 마크 ( MM 1 a , MM 1 b ) 와 , 기판 ( WT ) 의 수지 부 ( R ) 가 형성 되 는 위치 에 마련 된 얼라인먼트 마크 ( MM 2 a , MM 2 b ) 를 사용 하 여 , 몰드 ( M ) 와 기판 ( WT ) 의 얼라인먼트 동작 을 실행 한다 . 여기 서 , 수지 성형 장치 는 , 실시 예 1 에 따른 칩 실장 시스템 ( 1 ) 과 동일 하 게 하 여 , 몰드 ( M ) 에 마련 된 얼라인먼트 마크 ( MM 1 a ) 의 화상 과 기판 ( WT ) 에 마련 된 얼라인먼트 마크 ( MM 2 a ) 의 화상 을 포함 하 는 화상 데이터 ( Ga ) 를 취득 한다 . 그리고 , 수지 성형 장치 는 , 화상 데이터 ( Ga ) 에 기초 하 여 몰드 ( M ) 와 기판 ( WT ) 에 마련 된 1 세트 의 마크 ( MM 1 a , MM 2 a ) 의 위치 를 인식 하 고 , 이 1 세트 의 마크 ( MM 1 a , MM 2 a ) 의 상호 간 의 위치 어긋남 량 ( Δ xa , Δ ya ) 을 산출 한다 . 또한 , 수지 성형 장치 는 , 동일 하 게 하 여 , 몰드 ( M ) 에 마련 된 얼라인먼트 마크 ( MM 1 b ) 의 화상 과 기판 ( WT ) 에 마련 된 얼라인먼트 마크 ( MM 2 b ) 의 화상 을 포함 하 는 화상 데이터 ( Gb ) 도 취득 한다 . 그리고 , 수지 성형 장치 는 , 전술 한 바 와 마찬가지 로 , 화상 데이터 ( Gb ) 에 기초 하 여 몰드 ( M ) 와 기판 ( WT ) 에 마련 된 1 세트 의 마크 ( MM 1 a , MM 2 a ) 의 위치 를 인식 하 고 , 이 1 세트 의 마크 ( MM 1 b , MM 2 b ) 의 상호 간 의 위치 어긋남 량 ( Δ xb , Δ yb ) 을 산출 한다 . 본 구성 에 의하 면 , 화상 데이터 ( Ga , Gb ) 를 동시 에 촬상 할 수 있 기 때문 에 , 얼라인먼트 에 필요 한 시간 의 단축 을 실현 할 수 있 다 .