도 5 에 나타낸 바 와 같이 , 하측 게이트 전극 ( 14 a ) 에 대응 한 게이트 절연 층 ( 22 b ) 위 의 위치 에 상측 게이트 전극 ( 14 b ) 을 형성 한다 . 상측 게이트 전극 ( 14 b ) 은 하측 게이트 전극 ( 14 a ) 과 동일 하 게 형성 할 수 있 다 . 예 를 들 어 상술 한 바 와 같이 , 스퍼터링 법 에 의해 고 융점 금속 을 퇴적 하 고 , 패 터닝 을 행하 여 하측 게이트 전극 ( 전극 배선 ) ( 14 a ) 에 접속 되 는 상측 게이트 전극 ( 14 b ) 을 형성 한다 . 상측 게이트 전극 ( 14 a ) 의 재료 로서 는 , 하측 전극 ( 14 a ) 과 동종 ( 同種 ) 재료 의 텅스텐 , 몰리브덴 , 알루미늄 , 폴리 실리콘 등 이 적절히 선택 된다 .