도 37 을 참조 하 면 , 마스크 층 ( 410 ) 상 에 포토레지스트 패턴 ( 도시 되 지 않 음 ) 을 형성 한 다음 , 상기 포토레지스트 패턴 을 식각 마스크 로 이용 하 여 마스크 층 ( 410 ) 과 패드 산화 막 ( 405 ) 을 부분 적 으로 식각 한다 . 이 에 따라 , 반도체 기판 ( 400 ) 상 에 는 패드 산화 막 패턴 ( 420 ) 및 마스크 패턴 ( 415 ) 을 포함 하 는 마스크 구조물 ( 425 ) 이 형성 된다 . 상기 포토레지스트 패턴 은 애 싱 공정 및 / 또는 스 트리핑 공정 을 통하 여 마스크 구조물 ( 425 ) 로부터 제거 될 수 있 다 .