상술 한 실리사이드 공정 에서 , 금속 층 으로서 코발트 를 이용 하 는 경우 CoSi 2 가 아닌 미지 의 금속 간 화합물 들 이 형성 될 수 있 는데 , 이러 한 현상 은 웨이퍼 의 가장자리 에서 주로 관측 된다 . 특히 , 도 1 에서 와 같이 원형 의 결함 ( D ) 이 생길 수 있 는데 , 이러 한 결함 은 후속 공정 에서 실리콘 질화 막 등 을 이용 하 여 장벽 절 연막 을 형성 할 때 장벽 절 연막 이 잘 부착 되 지 않 는 문제 를 야기 한다 . 도 2 a 는 원형 결함 ( D ) 의 단면 을 주사 전자 현미경 으로 촬영 한 이미지 를 나타내 고 , 도 2 b 는 도 2 a 에 표시 한 각 지점 들 에서 성분 분석 을 행한 결과 를 나타낸다 . 도 2 b 의 성분 분석 결과 에서 보 듯이 , 원형 결함 은 주로 탄소 ( C ) , 산소 ( O ) , 질소 ( N ) 등 의 성분 을 포함 하 고 있 다 .