상기 제 1 전극 ( 141 ) 은 상기 제 1 도전 형 반도체 층 ( 111 ) 에 전기 적 으로 연결 될 수 있 다 . 상기 제 1 전극 ( 141 ) 은 상기 제 1 도전 형 반도체 층 ( 111 ) 위 에 배치 될 수 있 다 . 예 로서 , 실시 예 에 따른 반도체 소자 ( 100 ) 에 의하 면 , 상기 제 1 전극 ( 141 ) 은 상기 제 2 도전 형 반도체 층 ( 113 ) , 상기 활성 층 ( 112 ) 을 관통 하 여 상기 제 1 도전 형 반도체 층 ( 111 ) 의 일부 영역 까지 배치 되 는 리 세스 ( recess ) 내 에서 상기 제 1 도전 형 반도체 층 ( 111 ) 의 상면 에 배치 될 수 있 다 .