본 발명 에 따른 반도체 소자 는 버퍼 층 ( 130 ) 을 성장 하 는 과정 에서 중간 에 기판 ( 100 ) 을 어닐링 시키 고 다시 버퍼 층 ( 130 ) 을 성장 시켜 기판 ( 100 ) 과 버퍼 층 ( 130 ) 사이 의 공극 의 수 가 적 다 . 공극 의 개수 는 종래 의 기판 ( 100 ) 과 버퍼 층 ( 130 ) 사이 에 배치 된 공극 개수 의 20 ~ 40 % 정도 이 다 . 평균 적 으로 는 , 종래 의 기판 ( 100 ) 과 버퍼 층 ( 130 ) 사이 에 배치 된 공극 개수 의 32 ~ 34 % 정도 이 다 .