종래 에 는 워드 라인 , 비트 라인 , 캐 패 시터 , 금속 배선 등 과 같 은 소정 의 소자 구조 를 형성 하 기 위해 도전 층 상부 에 산화 막 ( SiO 2 ) , 질화 막 ( SiN ) 등 의 재료 를 이용 하 여 하드 마스크 를 형성 한다 . 그런데 , 이러 한 하드 마스크 는 예 를 들 어 , 서브 마이크 론 ( sub - micron ) 이하 의 고집 적 반도체 장치 의 미세 패턴 을 형성 하 기 위한 노광 공정 시 , 감광막 하부 의 재료 층 에 의해 빛 의 난반사 가 발생 하 여 식각 공정 시 감광막 패턴 의 아랫 부분 이 좁 아 지 는 넥 킹 ( necking ) 현상 이 발생 한다 . 이러 한 감광막 패턴 을 사용 하 여 재료 층 의 패턴 을 형성 하 면 패턴 의 단면적 이 감소 하 는데 , 이 는 패턴 의 간격 이 좁 을수록 심하 게 발생 하 고 , 배선 의 저항 을 높 게 하 여 소자 의 속도 를 떨어뜨리 고 , 전자 의 이동 을 촉진 시켜 소자 의 신뢰 성 을 저하 시키 는 문제점 이 있 다 .