일부 구체 예 에서 , 상기 내부 환형 부분 ( 30 ) 은 실리카 를 포함 할 수 있 는데 이 는 실질 적 으로 불소 또는 게르마니아 로 도핑 되 지 않 는다 . 바람직 하 게 는 , 상기 환형 부분 ( 30 ) 은 약 23 마이크 론 내지 27 마이크 론 의 내부 반경 및 28 마이크 론 내지 31 마이크 론 미만 의 외부 반경 을 포함 한다 . 바람직 하 게 는 , 상기 환형 부분 ( 30 ) 은 약 0 . 5 초과 및 약 4 마이크 론 미만 , 더욱 바람직 하 게 는 약 1 . 0 초과 및 약 3 . 0 마이크 론 미만 , 가장 바람직 하 게 는 약 1 . 0 초과 및 약 2 . 0 마이크 론 미만 의 폭 을 포함 한다 . 일부 구체 예 에서 , 실리카 가 굴절 률 을 총괄 적 으로 상당히 변경 하 지 않 는 농도 에서 약간 의 양 의 염소 , 불소 , 게르마니아 , 또는 그 외 다른 도 펀트 를 함유 할 수 있 다고 하 더라도 , 상기 외부 환형 부분 ( 60 ) 은 실질 적 으로 도핑 되 지 않 은 실리카 를 포함 한다 . 일부 구체 예 에서 , 상기 감소 된 - 굴절 형 환형 부분 ( 50 ) 은 불소 로 도핑 된 실리카 를 포함 한다 . 일부 그 외 다른 구체 예 에서 , 상기 감소 된 - 굴절 형 환형 부분 ( 50 ) 은 다수 의 비 - 주기 적 으로 배치 된 보이드 를 포함 하 는 실리카 를 포함 한다 . 보이 드 는 아르곤 , 질소 , 크립톤 , CO 2 , SO 2 , 또는 산소 와 같 은 하나 이상 의 가스 를 함유 할 수 있 거나 , 또는 보이 드 는 실질 적 으로 가스 가 없 는 진공 을 포함 할 수 도 있 으며 ; 어떤 가스 의 존재 또는 부 존재 와 무관 하 게 , 상기 환형 부분 ( 50 ) 에서 의 굴절 률 은 보이드 의 존재 로 인하 여 낮 아 지 게 된다 . 보이 드 는 클래딩 ( 200 ) 의 환형 부분 ( 50 ) 에 무작위 적 으로 또는 비 - 주기 적 으로 배치 될 수 있 고 , 또 다른 구체 예 에서 , 보이드 는 환형 부분 ( 50 ) 에 주기 적 으로 배치 된다 . 대안 적 으로 , 또는 또한 , 환형 부분 ( 50 ) 에서 의 감소 된 굴절 형 은 환형 부분 ( 50 ) ( 예 를 들 면 불소 를 사용 ) 을 다운 도핑 하 여 제공 될 수 있 거나 또는 하나 이상 부분 의 클래딩 및 / 또는 코어 를 업도 핑 에 의해 제공 될 수 있 는데 , 여기 서 , 상기 감소 된 - 굴절 형 환형 부분 ( 50 ) 은 예 를 들 면 , 상기 내부 환형 부분 ( 30 ) 만큼 심하 게 도핑 되 지 않 은 실리카 이 다 . 바람직 하 게 는 , 임의 의 보이드 의 존재 를 고려 하 여 , 감소 된 - 굴절 형 환형 부분 ( 50 ) 의 최소 상대 굴절 률 , 또는 평균 효과 적 인 상대 굴절 률 은 바람직 하 게 는 - 0 . 1 % 미만 , 더욱 바람직 하 게 는 약 - 0 . 2 % 미만 , 더 더욱 바람직 하 게 는 약 - 0 . 3 % 미만 , 및 가장 바람직 하 게 는 약 - 0 . 4 % 미만 이 다 .