도 24 b 의 트랜지스터 ( 442 ) 에서 는 , 산화물 반도체 층 ( 144 ) 상 에 산화물 도전 막 을 형성 하 고 , 그 위 에 금속 도전 막 을 형성 하 고 , 산화물 도전 막 및 금속 도전 막 을 동일 한 포토 리소그래피 공정 에 의해서 가공 하 여 , 소스 영역 및 드레 인 영역 으로 되 는 산화물 도전 층 ( 404 a , 404 b ) , 소스 전극 ( 142 a ) , 드레 인 전극 ( 142 b ) 을 형성 한다 .