패 시베이 션 층 ( 170 ) 을 형성 하 는 과정 에서 발생 되 어 패 시베이 션 층 ( 170 ) 내 에 잔류 하 는 수소 는 유기 발광 표시 장치 ( 100 ) 내 에서 이동 할 수 있 고 , 반도체 층 ( 131 ) 은 잔류 수소 를 흡수 하 여 박막 트랜지스터 ( 130 ) 의 성능 을 저하 시킬 수 있 다 . 이 에 , 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 유기 발광 표시 장치 ( 100 ) 에서 는 수소 를 흡수 하 는 무기 물질 을 포함 하 는 수소 흡수 층 ( 180 ) 이 패 시베이 션 층 ( 170 ) 의 상면 에 접하 도록 배치 된다 . 이 에 따라 , 수소 흡수 층 ( 180 ) 은 패 시베이 션 층 ( 170 ) 내 의 잔류 수소 와 반응 하 여 수소 화합물 을 형성 함 으로써 패 시베이 션 층 ( 170 ) 으로부터 박막 트랜지스터 ( 130 ) 로 이동하 는 잔류 수소 를 흡수 할 수 있 다 . 이 에 따라 , 유기 발광 표시 장치 ( 100 ) 는 수소 흡수 층 ( 180 ) 을 통해 이동하 는 잔류 수소 에 의한 박막 트랜지스터 ( 130 ) 의 성능 저하 를 방지 할 수 있 다 .