다음 에 , 도 10 b 에 도시 하 는 바 와 같이 , 중간층 ( 141 ) , p 층 ( 110 ) , i 층 ( 109 ) 및 n 층 ( 111 ) 을 형성 한다 . 각각 의 층 의 두께 는 , 중간층 ( 141 ) 을 , 막 두께 1 nm 내지 100 nm , p 층 ( 110 ) 으로서 p 형 반도체 층 을 10 nm 내지 30 nm , i 층 ( 109 ) 으로서 p 형 반도체 와 n 형 반도체 를 혼합 한 층 을 10 nm 내지 100 nm , n 층 ( 111 ) 으로서 n 형 반도체 층 을 10 nm 내지 30 nm 형성 한다 .