본 발명 은 리세 스 게이트 를 갖 는 반도체 소자 및 그 제조 방법 에 관한 것 으로 , 본 발명 에 의한 리세 스 게이트 를 갖 는 반도체 소자 는 상부 에 비해 하부 의 폭 이 확장 된 리세 스 가 형성 된 반도체 기판 ; 상기 리세 스 에 자신 의 일부 가 매립 되 면서 나머지 는 상기 반도체 기판 의 표면 위 로 돌출 된 폴리 실리콘 게이트 전극 ; 및 상기 리세 스 를 포함 하 는 반도체 기판 과 상기 폴리 실리콘 게이트 전극 사이 에 개재 된 게이트 절 연막 을 포함 하 고 , 여기 서 , 상기 폴리 실리콘 게이트 전극 은 상기 리세 스 를 포함 하 는 기판 의 프로 파일 을 따라 형성 된 제 1 폴리 실리콘 막 및 상기 제 1 폴리 실리콘 막 상 의 상기 리세 스 를 매립 하 는 제 2 폴리 실리콘 막 을 포함 하 고 , 상기 제 1 폴리 실리콘 막 은 제 1 농도 로 도핑 되 고 , 상기 제 2 폴리 실리콘 막 은 상기 제 1 농도 보다 높 은 제 2 농도 로 도핑 되 고 , 상술 한 본 발명 의 의한 리세 스 게이트 를 갖 는 반도체 소자 및 그 제조 방법 은 벌브 형 리세 스 와 같이 상부 에 비해 하부 폭 이 확장 된 리세 스 상 에 게이트 를 형성 하 는 공정 에서 발생 하 는 게이트 전극 용 도전 막 의 심 현상 을 방지 하 고 리세 스와 게이트 패턴 간 오 정렬 을 방지 하 며 , 아울러 게이트 패턴 형성 후 게이트 재산 화 공정 시 게이트 전극 측벽 에 발생 하 는 과도 산화 를 방지 함 으로써 소자 의 특성 및 신뢰 성 을 향상 시킬 수 있 다 .