제 2 및 제 1 콘택트 레벨 유전체 층 들 ( 282 , 280 ) 및 아래 에 놓인 유전체 재료 부분 들 을 관통 하 여 포토레지스트 층 내 의 패턴 을 전사 시키 도록 이방성 에칭 공정 이 수행 된다 . 드레 인 영역 들 ( 63 ) , 전기 전도성 층 들 ( 146 , 246 ) , 랜딩 패드 레벨 금속 라인 구조물 들 ( 788 ) , 및 선택 적 전도성 플레이트 층 ( 6 ) 또는 소스 콘택트 층 ( 114 ) 은 이방성 에칭 공정 동안 에칭 정지 구조물 들 로서 채용 될 수 있 다 . 다양 한 비아 공동 들 이 포토레지스트 층 내 의 개구 들 아래 에 형성 된다 . 다양 한 비아 공동 들 은 , 드레 인 영역 들 ( 63 ) 바로 위 에 형성 된 드레 인 콘택트 비아 공동 들 , 전기 전도성 층 들 ( 146 , 246 ) 바로 위 에 형성 된 계단 영역 콘택트 비아 구조물 들 , 유전체 재료 플레이트 들 ( 142 ', 242 ') 의 각자 의 세트 를 관통 하 여 어레이 유전체 분리 영역 들 ( 150 ) 내 에 그리고 랜딩 패드 레벨 금속 라인 구조물 들 ( 788 ) 의 제 1 서브 세트 바로 위 에 형성 된 제 1 접속 비아 공동 들 , 유전체 재료 플레이트 들 ( 142 ', 242 ') 의 각자 의 세트 를 관통 하 여 어레이 유전체 분리 영역 들 ( 150 ) 내 에 그리고 전도성 플레이트 층 ( 6 ) 바로 위 에 또는 소스 레벨 재료 층 들 ( 10 ) 중 하나 의 소스 레벨 재료 층 상 에 형성 된 소스 콘택트 비아 공동 들 , 유전체 재료 플레이트 들 ( 142 ') 의 각자 의 세트 를 관통 하 여 계단 유전체 분리 영역 들 ( 250 ) 내 에 그리고 랜딩 패드 레벨 금속 라인 구조물 들 ( 788 ) 의 제 2 서브 세트 바로 위 에 형성 된 제 2 접속 비아 공동 들 , 및 선택 적 으로 , 주변 디바이스 영역 ( 400 ) 내 의 제 2 및 제 1 역 단차 형 유전체 재료 부분 들 ( 265 , 165 ) 을 관통 하 여 형성 된 주변 접속 비아 공동 들 을 포함 할 수 있 다 . 포토레지스트 층 은 , 예 를 들 어 애 싱에 의해 후속 적 으로 제거 될 수 있 다 .