한편 , 본 실시 예 에서 상기 하부 기판 ( 310 ) 은 그 상면 이 굴곡 된 형상 을 가지 도록 형성 되 어 있 다 . 이러 한 하부 기판 ( 310 ) 의 굴곡 된 상면 에 는 여기 가스 를 여기 시키 기 위한 전자 들 을 셀 ( 314 ) 내부 로 방출 시키 는 전자 방출 수단 ( 330 ) 이 셀 ( 314 ) 마다 마련 되 어 있 다 . 상기 전자 방출 수단 ( 330 ) 은 하부 기판 ( 310 ) 의 상면 에 대응 하 는 굴곡 된 형상 으로 형성 된다 . 상기 전자 방출 수단 ( 330 ) 은 원 하 는 다양 한 형태 의 굴곡 된 형상 으로 형성 될 수 있 다 . 상기 전자 방출 수단 ( 330 ) 은 상기 하부 기판 ( 310 ) 의 굴곡 된 상면 에 형성 되 는 제 1 전극 ( 331 ) 과 , 상기 제 1 전극 ( 331 ) 의 상면 에 형성 되 는 전자 가 속 층 ( 332 ) 과 , 상기 전자 가 속 층 ( 332 ) 의 상면 에 형성 되 는 제 2 전극 ( 333 ) 을 포함 한다 . 여기 서 , 상기 전자 가 속 층 ( 332 ) 은 전자 들 을 가속 시켜 셀 ( 314 ) 내부 로 방출 시키 는 물질 로 이루어진다 . 구체 적 으로 , 상기 전자 가 속 층 ( 332 ) 은 산화 된 다공성 실리콘 , 탄소 나노 튜브 ( CNT ) , DLC 또는 나노 와이어 로 이루어질 수 있 다 . 상기 산화 된 다공성 실리콘 은 산화 된 다공성 폴리 실리콘 또는 산화 된 다공성 비정질 실리콘 을 포함 한다 .