예 를 들 어 , 상기 결정 형 반도체 층 ( 210 a ) 하부 에 제 2 도전 형 전도 층 ( 216 ) 을 형성 한다 . 예 를 들 어 , 상기 결정 형 반도체 층 ( 210 a ) 하부 에 마스크 없이 블랭킷 으로 제 2 기판 ( 200 ) 전면 에 이온 주입 하 여 고농도 P 형 전도 층 ( 216 ) 을 형성 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 상기 제 2 도전 형 전도 층 ( 216 ) 은 약 0 . 5 ㎛ 이내 의 졍 션 뎁 스 ( junction depth ) 로 형성 될 수 있 다 .