제 2 처리 영역 ( P 2 ) 에 필요 에 따라 설치 되 는 플라스마 발생기 ( 80 a ) 는 플라스마 발생기 ( 80 ) 와 마찬가지 로 구성 해도 된다 . 질화 가스 를 활성 화 할 수 있 으면 , 다양 한 구성 의 플라스마 발생기 ( 80 a ) 를 사용 할 수 있 지만 , 플라스마 발생기 ( 80 ) 와 동일 한 구성 의 플라스마 발생기 ( 80 a ) 를 사용 한 쪽 이 배치 도 용이 하 고 , 비용 의 저감 도 가능 하 다 . 또한 , 본 실시 형태 에 의한 성막 장치 에 는 , 도 1 에 도시 한 바 와 같이 장치 전체 의 동작 의 컨트롤 을 행하 기 위한 컴퓨터 로 이루어지 는 제 어부 ( 100 ) 가 설치 되 어 있 고 , 이 제 어부 ( 100 ) 의 메모리 내 에 는 제 어부 ( 100 ) 의 제 어 하 에 , 후술 하 는 성막 방법 을 성막 장치 에 실시 시키 는 프로그램 이 저장 되 어 있 다 . 이 프로그램 은 후술 하 는 성막 방법 을 실행 하 도록 스텝 군 이 짜여져 있 고 , 하드 디스크 , 콤팩트 디스크 , 광자기 디스크 , 메모리 카드 , 플렉시블 디스크 등 의 매체 ( 102 ) 에 기억 되 어 있 고 , 소정 의 판독 장치 에 의해 기억 부 ( 101 ) 로 판독 되 고 , 제 어부 ( 100 ) 내 에 인 스톨 된다 .