상술 한 바 와 같이 구성 된 본 발명 에서 는 , 지지 기재 로서 사용 되 는 두께 가 0 . 2 ㎜ 이하 로 얇 은 박막 글래스 기판 은 플렉시블 하 고 또한 경량 이 다 . 또한 , 색소 증감 광전 변환 소자 모듈 또는 광전 변환 소자 모듈 중 적어도 한 쪽 면 에 접착 된 , 박막 글래스 기판 의 크기 이상 의 크기 를 갖 는 수지 계 의 보호 필름 에 의해 , 색소 증감 광전 변환 소자 모듈 또는 광전 변환 소자 모듈 의 기계 적 강도 의 향상 을 도모 할 수 있 다 . 게다가 , 이 박막 글래스 기판 은 500 ℃ 정도 의 온도 에서 의 가열 에 도 견딜 수 있 다 . 이 때문 에 , 색소 증감 광전 변환 소자 에서 는 , 색소 증감 반도체 층 에 사용 하 는 다공질 반도체 층 의 형성 시 에 예 를 들 어 500 ℃ 정도 의 높 은 온도 에서 소성 처리 를 행하 는 것 이 가능 하 게 되 기 때문 에 , 다공질 반도체 층 의 결정 성 이나 입자 의 결합 상태 가 양호 하 게 되 어 , 높 은 전자 전도 성 을 얻 을 수 있 고 , 높 은 발전 효율 을 얻 을 수 있 다 . 또한 , 실리콘 계 광전 변환 소자 에서 는 , 실리콘 막 의 성막 이나 열 처리 등 의 프로세스 를 500 ℃ 정도 까지 의 높 은 온도 에서 행할 수 있 기 때문 에 , 양질 의 실리콘 막 을 얻 을 수 있 어 , 높 은 발전 효율 을 얻 을 수 있 다 .