[ 0022 ] 에피 택 셜 증착 을 위한 목표 온도 는 약 250 ℃ 내지 약 600 ℃, 이를테면 약 300 ℃ 내지 약 500 ℃, 예컨대 약 350 ℃ 내지 약 400 ℃ 일 수 있 다 . 에피택시 챔버 내 의 압력 은 비교 적 낮 게 유지 되 는데 , 예컨대 약 50 Torr 미만 , 이를테면 약 10 Torr 내지 약 40 Torr 로 유지 된다 . 프로세싱 시약 은 하나 이상 의 증착 가스 들 및 적어도 하나 의 도 펀트 가스 를 포함 할 수 있 다 . 증착 가스 는 , III 족 전구체 가스 , V 족 전구체 가스 , VI 족 전구체 가스 , 또는 IV 족 전구체 가스 로부터 선택 되 는 하나 이상 의 전구체 가스 들 을 포함 할 수 있 다 . 실리콘 - 함유 에피 택 셜 층 이 형성 되 는 경우 들 에서 , 증착 가스 는 적어도 실리콘 소스 를 함유 할 수 있 다 . 예 시 적 인 실리콘 소스 들 은 실란 들 , 할로겐화 실란 들 , 실리콘 테트라 클로라이드 ( SiCl 4 ) , 또는 이 들 의 임의 의 조합 들 을 포함 할 수 있 다 ( 그러나 이 에 제한 되 지 는 않 음 ) . 실란 들 은 실란 ( SiH 4 ) , 및 실험식 SixH ( 2 x + 2 ) 를 갖 는 고차 실란 들 , 이를테면 , 디 실란 ( Si 2 H 6 ) , 트리 실란 ( Si 3 H 8 ) , 테트라 실란 ( Si 4 H 10 ) , 펜 타 실란 ( Si 5 H 12 ) 또는 헥사 실란 ( Si 6 H 14 ) 을 포함 할 수 있 다 . 다른 고차 실란 들 , 이를테면 , SinH 2 n ( n 은 3 이상 의 자연 수임 ) 으로서 표현 되 는 실리콘 수소화물 , 예컨대 , 시클 로 트리 실란 ( Si 3 H 6 ) , 시클 로 테트라 실란 ( Si 4 H 8 ) , 시클 로 펜 타 실란 ( Si 6 H 10 ) , 시클 로 헥사 실란 ( Si 6 H 12 ) 또는 시클 로 헵타실란 ( Si 7 H 14 ) 이 또한 사용 될 수 있 다 . 할로겐화 실란 들 은 모노클 로로 실란 ( MCS ) , 디 클로로 실란 ( DCS ) , 트리 클로로 실란 ( TCS ) , 헥사 클로 로디 실란 ( HCDS ) , 옥 타 클로 로 트리 실란 ( OCTS ) , 실리콘 테트라 클로라이드 ( STC ) , 또는 이 들 의 조합 을 포함 할 수 있 다 . 일부 구현 들 에서 , 실란 들 은 , 선택 성 을 가능 하 게 하 기 위해 - F , Cl , Br , 또는 I 가 부착 된 형태 로 다양 한 할로겐화 정도 들 을 갖 는 고차 실란 들 , 예컨대 Si 2 H 4 Cl 2 또는 Si 3 H 5 Cl 3 등 을 포함 할 수 있 다 .