전기 적 으로 열화 되 는 장치 의 경우 , 그림 1 에서 Q 로 표시 되 는 퀀쳐 ( quencher ) 가 EML 을 포함 하 는 장치 전체 에 걸쳐서 생성 된다 . OLED 의 전기 작동 동안 , 단 일 삼 중항 비율 ( singlet - triplet ratio ) ( 1 : 3 ) , 방사성 붕괴 율 , 호스트 엑시톤 에서 도 펀트 로 의 에너지 전달 율 , EML 에서 의 흡수 계수 , 굴절 률 및 Purcell 계수 는 일정 하 다고 가정 된 것 이 다 . 퀀쳐는 딥 전하 트랩 ( deep charge trap ) , 하전 입자 , 비 방사성 재결합 센터 , 및 휘 도 퀀쳐 ( luminance quencher ) 로 작용 할 수 있 다 . 유기 발광 표시 장치 에서 생성 된 퀀쳐는 전하 를 트랩 하 고 구동 전압 을 증가 시킬 수 있 다 . 수송 층 의 퀀쳐는 EML 의 전기 적 균형 및 방출 영역 에 영향 을 줄 수 있 지만 , EML 의 퀀쳐는 그 외 에 도 휘도 손실 에 상당 한 영향 을 미친다 . 휘도 손실 과정 의 속도 ( rate ) 는 EML 에서 퀀쳐의 밀도 에 의해 크 게 영향 을 받 을 수 있 다 . 호스트 엑시톤 은