또한 , 게이트 전극 ( 38 ) 의 일부 가 소스 전극 ( 34 S ) 과 겹치 므로 , 게이트 전극 ( 38 ) 의 유효 게이트 길이 ( d 1 ) 는 기존 의 HEMT 보다 짧아진다 . 게이트 전극 ( 38 ) 에서 소스 전극 ( 34 S ) 과 겹치 는 부분 을 조절 함 으로써 , 유효 게이트 길이 ( d 1 ) 는 게이트 전극 ( 38 ) 을 형성 하 는 데 적용 될 수 있 는 최소 패턴 선폭 ( minimum design rule ) 보다 작 을 수 있 다 . 예 를 들 어 , 리프트 오프 공정 을 이용 하 여 게이트 전극 ( 38 ) 을 형성 하 는 데 적용 될 수 있 는 최소 선폭 이 1 ㎛ 라면 , 게이트 전극 ( 38 ) 의 유효 게이트 길이 ( d 1 ) 는 1 ㎛ 보다 작 을 수 있 다 .