상기 발광 칩 ( 200 A ) 은 상기 기판 ( 221 ) 과 상기 발광 구조물 ( 225 ) 사이 에 버퍼 층 ( 미 도시 ) 및 언 도프 드 반도체 층 ( 미 도시 ) 중 적어도 하나 를 포함 할 수 있 다 . 상기 버퍼 층 은 상기 기판 ( 221 ) 과 반도체 층 과 의 격자 상수 차이 를 완화 시켜 주 기 위한 층 으로서 , II 족 내지 VI 족 화합물 반도체 중 에서 선택 적 으로 형성 될 수 있 다 . 상기 버퍼 층 아래 에 는 언 도핑 된 III 족 - V 족 화합물 반도체 층 이 더 형성 될 수 있 으며 , 이 에 대해 한정 하 지 는 않 는다 . 상기 기판 ( 221 ) 은 제거 될 수 있 다 . 상기 기판 ( 221 ) 이 제거 된 경우 형광체 층 ( 250 ) 은 상기 제 1 도전 형 반도체 층 ( 222 ) 의 상면 이나 다른 반도체 층 의 상면 에 접촉 될 수 있 다 .