상기 에서 얻 어 진 수지 액 을 , 스핀 코터 를 사용 하 여 실리콘 웨이퍼 상 에 도포 하 였 다 . 도막 이 형성 된 실리콘 웨이퍼 를 , 110 ℃ 에서 90 초간 , 핫 플레이트 상 에서 가열 ( 프리 노광 베 이크 ) 하 여 , 두께 가 3 ㎛ 인 감방 사선 성 수지 막 을 얻 었 다 . 이 감방 사선 성 수지 막 상 에서부터 20 ㎛ 의 라인 & 스페이스 ( L & S ) 패턴 의 마스크 를 사용 하 여 , 노광 장치 ( 캐 논사 제조 , 상품명 「 PLA 501 F 」 , 자외선 광원 , 조사 파장 : 365 ㎚ ~ 436 ㎚) 로 노광 하 였 다 . 노광량 은 라인 과 스페이스 부분 이 1 : 1 이 되 는 에너지 량 으로 했 다 . 노광 후 , 핫 플레이트 상 에서 110 ℃, 60 초간 의 조건 에서 포스트 노광 베 이크 를 실시 하 여 경화 막 을 형성 했 다 .