에칭 공정 의 일례 를 이제 설명 한다 . 전 구체 ( A ) 의 노출 중 에 , 웨이퍼 ( 6 ) 와 샤워 헤드 장치 ( 10 ) 사이 의 갭 은 약 3 mm 일 수 있 고 반응물 ( A ) 를 전달 하 기 위해 최적 화 될 수 있 다 . 퍼지 중 에 , 웨이퍼 ( 6 ) 와 샤워 헤드 장치 ( 10 ) 사이 의 갭 은 이 에 따라 조절 될 수 있 다 . 반응물 ( B ) 의 노출 시간 동안 , 갭 은 반응물 ( B ) 을 전달 하 기 위해 적당 하 게 조절 될 수 있 다 . 따라서 , 개시 된 구 현예 는 공정 의 각 단계 에 유연 성 을 제공 한다 . 본원 에 기술 된 장치 는 에칭 공정 에 사용 될 수 있 고 , 플라 즈 마 에칭 공정 을 포함 한다 . 플 라즈 마 공정 의 경우 , 플 라즈 마 시스 폭 , 이온 충돌 , 체류 시간 , 플라 즈 마 밀도 등 을 , 공정 의 임의 의 단계 에 대해 조절 하 고 최적 화 시킬 수 있 다 .