한편 , 도 3 에서 , N 형 화합물 반도체 층 ( 57 ) 과 웰 층 ( 59 a ) 이 접촉 하 는 것 으로 도시 되 었 으나 , 도 4 에 도시 된 바 와 같이 상기 N 형 화합물 반도체 층 ( 57 ) 과 웰 층 ( 59 a ) 사이 에 도 3 을 참조 하 여 설명 한 바 와 같 은 초격자 구조 의 장벽층 ( 59 b ) 이 개재 될 수 있 다 . N 형 화합물 반도체 층 ( 57 ) 과 웰 층 ( 59 a ) 사이 에 개재 된 장벽층 ( 59 b ) 은 N 형 화합물 반도체 층 ( 57 ) 과 웰 층 ( 59 a ) 사이 의 격자 부정합 에 따른 스트레인 을 감소 시켜 웰 층 의 결정 결함 발생 을 방지 한다 .