이후 , 불 산 ( HF ) 용액 으로 폴리 실리콘 ( 24 ) 표면 상 의 표면 산화 막 ( 27 ) 을 제거 한다 . 이때 , 잔류 하 는 폴리 실리콘 ( 24 ) 의 두께 는 50 Å 이내 로 제어 되 어야 하 며 , 전술 한 바 와 같이 I / O 영역 에 사용 되 는 게이트 산화 막 의 두께 및 이 를 고려 하 여 초기 폴리 실리콘 증착 두께 를 설정 하 게 된다 .