본 발명 의 한 양태 에 따르 면 , 기판 ; 기판 상 에 교대 로 적층 되 고 , 적층 방향 으로 연장 되 는 관통 홀 을 갖 는 복수 의 유전체 막 및 전 극막 ; 관통 홀 의 내 측면 상 에 형성 되 고 , 유전 재료 로 구성 되 는 터널 층 ; 터널 층 과 전 극막 사이 에 형성 되 고 , 터널 층 과 는 상이 한 재료 로 구성 되 는 충전 층 ; 충전 층 과 전 극막 사이 에 형성 되 고 , 충전 층 과 는 상이 한 유전 재료 로 구성 되 는 블록 층 ; 및 관통 홀 의 내부 에 매립 되 는 도전체 를 포함 하 고 , 충전 층 은 전 극막 마다 분단 되 어 있 는 반도체 기억 장치 가 제공 된다 .