게이트 절 연막 ( 52 a ) 을 질화 실리콘 막 , 혹은 질산화 실리콘 막 을 사용 하 여 형성 함 으로써 , 기판 ( 50 ) 과 게이트 절 연막 ( 52 a ) 의 밀착력 이 높 아 지 고 , 기판 ( 50 ) 으로서 유리 기판 을 사용 한 경우 , 기판 ( 50 ) 으로부터 의 불순물 이 미결정 반도체 막 에 확산 되 는 것 을 방지 할 수 있 고 , 또한 게이트 전극 ( 51 ) 의 산화 를 방지 할 수 있 다 . 즉 , 막 이 벗겨지 는 것 을 방지 할 수 있 는 것 과 함께 , 이후 형성 되 는 박막 트랜지스터 의 전기 특성 을 향상 시킬 수 있 다 . 또한 , 게이트 절 연막 ( 52 a , 52 b ) 은 각각 두께 50 nm 이상 이 면 게이트 전극 ( 51 ) 의 요철 로 인한 피복 률 의 저감 을 완화 할 수 있 기 때문 에 바람직 하 다 .