세 번 째 방식 은 , 컨트롤러 ( 130 ) 에서 메모리 장치 ( 150 ) 에 포함 된 다수 의 메모리 다이 들 ( DIE 0 , DIE 1 ) 중 첫 번 째 메모리 다이 ( DIE 0 ) 의 첫 번 째 플 래인 ( PLANE 00 ) 에 포함 된 임의 의 하나 의 메모리 블록 ( BLOCK 001 ) 과 , 첫 번 째 메모리 다이 ( DIE 0 ) 의 두 번 째 플 래인 ( PLANE 01 ) 에 포함 된 임의 의 하나 의 메모리 블록 ( BLOCK 011 ) 과 , 두 번 째 메모리 다이 ( DIE 1 ) 의 첫 번 째 플 래인 ( PLANE 10 ) 에 포함 된 임의 의 하나 의 메모리 블록 ( BLOCK 101 ) , 및 두 번 째 메모리 다이 ( DIE 1 ) 의 두 번 째 플 래인 ( PLANE 11 ) 에 포함 된 임의 의 하나 의 메모리 블록 ( BLOCK 111 ) 을 그룹 화 하 여 하나 의 슈퍼 메모리 블록 ( C ) 으로 관리 하 는 방식 이 다 .