본 명세서 에 제시 된 데이터 저 장부 ( 예 를 들 면 , 메모리 ( 1108 ) ) 는 휘발 성 메모리 , 또는 비휘발성 메모리 일 수 있 으며 , 또는 휘발 성 및 비휘발성 메모리 모두 를 포함 할 수 있 다 . 제한 되 지 않 는 예 로서 , 비휘발성 메모리 는 판독 전용 메모리 ( ROM ) , 프로그램 어 블 ROM ( PROM ) , 전기 적 프로그램 어 블 ROM ( EPROM ) , 전기 적 소거 가능 PROM ( EEPROM ) , 또는 플 래쉬 메모리 를 포함 할 수 있 다 . 휘발 성 메모리 는 외부 캐시 메모리 로 동작 하 는 랜덤 액세스 메모리 ( RAM ) 를 포함 할 수 있 다 . 제한 되 지 않 는 예 로서 , RAM 은 동기 화 RAM ( SRAM ) , 동적 RAM ( DRAM ) , 동기 화 DRAM ( SDRAM ) , 더블 데이터 레이트 SDRAM ( DDR SDRAM ) , 향상 된 SDRAM ( ESDRAM ) , 싱크 링크 DRAM ( SLDRAM ) , 및 다이렉트 램버스 RAM ( DRRAM ) 과 같 은 다양 한 형태 로 이용 가능 할 수 있 다 . 본 시스템 들 및 방법 들 의 메모리 ( 1108 ) 는 제한 없이 이 들 과 임의 의 다른 적절 한 타입 들 의 메모리 를 포함 하 고자 한다 .