우선 , 정보 의 기입 및 유지 에 대하 여 설명 한다 . 우선 , 제 4 배선 의 전위 를 , 트랜지스터 ( 162 ) 가 온 상태 로 되 는 전위 로 하 여 , 트랜지스터 ( 162 ) 를 온 상태 로 한다 . 이 에 의해 , 제 3 배선 의 전위 가 , 트랜지스터 ( 160 ) 의 게이트 전극 및 용량 소자 ( 164 ) 에 부여 된다 . 즉 , 트랜지스터 ( 160 ) 의 게이트 전극 에 는 , 소정 의 전하 가 부여 된다 ( 기입 ) . 여기 에서 는 , 다른 둘 의 전위 를 부여 하 는 전하 ( 이하 , 저 전위 를 부여 하 는 전하 를 전하 ( QL ) , 고전 위 를 부여 하 는 전하 를 전하 ( QH ) 라고 한다 ) 중 어느 하나 가 부여 되 는 것 으로 한다 . 또한 , 다른 3 개 또는 그 이상 의 전위 를 부여 하 는 전하 를 적용 하 여 , 기억 용량 을 향상 시켜 도 좋 다 . 그 후 , 제 4 배선 의 전위 를 , 트랜지스터 ( 162 ) 가 오프 상태 로 되 는 전위 로 하 여 , 트랜지스터 ( 162 ) 를 오프 상태 로 함 으로써 , 트랜지스터 ( 160 ) 의 게이트 전극 에 부여 된 전하 가 유지 된다 ( 유지 ) .