디램 ( DRAM ) 소자 가 집적 된 반도체 칩 을 기판 상 에 실장 할 때 , 디램 소자 가 집적 된 활성 면 ( active surface ) 이 기판 표면 에 향하 게 페이스 다운 ( face down ) 방식 으로 반도체 칩 이 기판 표면 상 에 실장 되 는 경우 가 있 다 . 이러 한 경우 , 반도체 칩 의 활성 면 과 기판 표면 사이 에 접착제 나 접착 테이프 가 개지 되 므로 , 접착제 나 접착 테이프 에 함유 되 거나 흡습 되 어 있 는 수분 이 반도체 칩 의 활성 면 과 접촉 하 여 활성 면 으로 흡습 될 수 있 다 . 이러 한 반도체 칩 의 활성 면 으로 수분 흡습 이 유발 될 경우 , 반도체 칩 의 활성 면 에 형성 되 어 있 는 퓨즈 ( fuse ) 부 에 산화 또는 크랙 ( crack ) 과 같 은 손상 ( damage ) 이 유발 될 수 있 다 . 반도체 칩 의 퓨즈 가 구리 ( Cu ) 성분 의 금속 층 을 포함 하 여 형성 된 경우 , 이러 한 구리 퓨즈 는 산화 에 상당히 취약 하 여 수분 흡습 에 따른 손상 이 보다 쉽 게 야기 될 수 있 다 .