여기 서 , 제 1 내측 배선 들 은 반도체 의 측면 중 제 2 방향 과 나란 한 제 1 측면 밖 으로 돌출 되 고 , 제 2 내측 배선 들 은 제 1 측면 의 반대편 의 위치 하 는 제 2 측면 밖 으로 돌출 되 고 , 제 1 , 2 최 외곽 배선 의 양 끝단 은 반도체 기판 의 측면 밖 으로 돌출 되 지 않 고 , 반도체 기판 의 제 1 , 2 측면 각각 에서 사선 방향 으로 연장 되 는 제 1 , 2 모 따 기 된 측면 ( chamfered side surface ) 각각 에 인접 한 에지 부분 에 위치 할 수 있 다 .