예시 적 인 실시 예 들 에서 , 터널 링 유전 막 ( 144 A ) 은 실리콘 산화물 , 하프늄 산화물 , 알루미늄 산화물 , 지르코늄 산화물 , 탄 탈륨 산화물 등 을 포함 할 수 있 다 . 전하 저 장막 ( 144 B ) 은 채널 층 ( 142 ) 으로부터 터널 링 유전 막 ( 144 A ) 을 통과 한 전자 들 이 저장 될 수 있 는 영역 으로서 , 실리콘 질화물 , 보론 질화물 , 실리콘 보론 질화물 , 또는 불순물 이 도핑 된 폴리 실리콘 을 포함 할 수 있 다 . 블로킹 유전 막 ( 144 C ) 은 실리콘 산화물 , 실리콘 질화물 , 또는 실리콘 산화물 보다 유전 율 이 더 큰 금속 산화물 로 이루어질 수 있 다 . 상기 금속 산화물 은 하프늄 산화물 , 알루미늄 산화물 , 지르코늄 산화물 , 탄 탈륨 산화물 , 또는 이 들 의 조합 으로 이루어질 수 있 다 .