도 2 b 를 참조 하 면 , 제 1 산화 막 ( 20 ) 을 하드 마스크 막 패턴 ( 미 도시 ) 을 사용 하 여 식각 하 여 임의 의 피치 사이즈 ( P ) 만큼 서로 이격 되 어 있 으며 제 1 피처 사이즈 ( F 1 ) 를 가지 는 제 1 산화 막 패턴 ( 20 a ) 을 형성 한다 . 상기 하드 마스크 막 패턴 은 제 1 산화 막 ( 20 ) 상 에 ACL ( Amorphous carbon layer ) , SiON 및 포토레지스트 가 순차 적 으로 적층 된 패턴 일 수 있 다 .