박막 트랜지스터 ( TFT , thin film transistor ) 는 디스플레이 에서 백 플레인 ( backplane ) 에 탑재 되 어 전력 등 을 공급 하 는 주회 로 기판 으로 디스플레이 구동 의 핵심 역할 을 담당 한다 . 따라서 차세대 디스플레이 의 핵심 기술 인 초 고해상도 , 높 은 화면 전환 속도 , 대화 면 특성 등 을 구현 하 기 위해서 는 박막 트랜지스터 의 기술 이 발전 되 어야 한다 . 종래 활성 층 으로 비정질 실리콘 을 이용 한 박막 트랜지스터 , LTPS ( Low Temperature Poly Si ) 박막 트랜지스터 , IGZO 박막 트랜지스터 등 이 개발 되 거나 주목 받 고 있 다 . 그러나 이 들 은 여전히 제작 공정 이 복잡 하 고 생산 비용 이 높 을 뿐 아니 라 , 가요 성 은 높 지만 유리 기판 등 의 무기 기판 에 비해 열 안정 성 이 낮 은 수지 기판 에 적용 되 기 어려워 유연 성 디스플레이 용 으로 활용 하 기 에 는 어려움 이 있 다 .