도 37 은 개구 의 바닥 면 형상 의 1 변의 방향 과 , Si 웨이퍼 ( 102 ) 의 < 011 > 방향 이 실질 적 으로 평행 해 지 도록 배치 된 개구 의 내부 에 GaAs 결정 을 성장 시킨 경우 의 결과 를 나타낸다 . 본 실시 예 에 있 어서 , 피복 영역 의 평면 형상 은 1 변의 길이 가 400 ㎛ 인 정사각형 이 었 다 . 개구 의 바닥 면 형상 은 1 변의 길이 가 10 ㎛ 인 정사각형 이 었 다 . 도 37 에 있 어서 , 도면 중 의 화살표 는 < 011 > 방향 을 나타낸다 . 도 37 에 도시 된 바 와 같이 , 도 35 및 도 36 에 비하 여 형상 이 흐트러진 결정 을 얻 을 수 있 었 다 . GaAs 결정 의 측면 에 , 비교 적 불 안정 한 ( 111 ) 면 이 드러난 결과 , 결정 의 형상 에 혼란 이 생겼 다고 생각 된다 .