이때 , 상기 제 1 기판 ( 11 ) 에 형성 되 는 박막 트랜지스터 나 화소 전극 은 포토레지스트 와 마스크 를 이용 한 포토 공정 ( photolithography process ) 에 의해 형성 된다 . 일 반 적 으로 , 액정 표시 소자 나 박막 트랜지스터 의 제조 공정 이 복잡도 는 포토 공정 의 횟수 , 즉 사용 되 는 마스크 의 횟수 에 의해 결정 된다 .