이때 , 상기 제 2 감광막 은 I - line 용 감광막 을 사용 하 는 것 이 바람직 하 며 , 후속 트리밍 공정 시 상기 제 2 감광막 이 식각 되 어 셀 영역 ( C ) 의 상기 제 3 하드 마스크 층 패턴 ( 110 a ) 이 노출 되 지 않 도록 상기 제 3 하드 마스크 층 패턴 ( 110 a ) 상측 으로 부 터 900 ~ 1100 Å 의 두께 로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 .