또한 , 각각 의 상기 이미지 픽업 유닛 은 , 상기 분리 구역 과 상기 전하 전달 소자 사이 에 형성 된 제 1 슬릿 영역 ( slit region ) 및 상기 분리 구역 과 상기 전하 축적 소자 사이 에 형성 된 제 2 슬릿 영역 중 적어도 하나 를 포함 하 며 , 상기 제 1 슬릿 영역 은 상기 제 1 불순물 확산 층 보다 더 큰 불순물 농도 를 가지 도록 상기 반도체 기판 에 형성 된 제 3 불순물 확산 층 이 며 , 상기 제 2 슬릿 영역 은 상기 제 2 불순물 확산 층 보다 더 큰 불순물 농도 를 가지 도록 상기 반도체 기판 에 형성 된 제 4 불순물 확산 층 이 다 . 이 경우 , 전달 어레이 로부터 축적 어 레이로 의 전하 이동은 , 전하 전달 소자 및 / 또는 전하 축적 소자 에 전위 경사 ( potential gradient ) 가 형성 되 어 더욱 가속 화 될 수 있 다 . 또한 , 전하 전달 소자 와 전하 축적 소자 사이 에 형성 된 전위 장벽 으로 인해 , 전하 전달 소자 와 전하 축적 소자 사이 에서 전하 가 혼합 되 는 것 을 방지 할 수 있 다 .