본 발명 의 일 실시 예 에 의하 면 , 상기 실리콘 ( Si ) 기판 의 두께 는 300 내지 500 ㎛ 이 고 , 상기 양성자 의 에너지 는 5 내지 8 MeV 일 수 있 다 . 이 는 상술 한 바 와 같이 기판 의 두께 에 따라 양성자 에너지 를 조절 해야 하 기 때문 으로 , 통상 실리콘 ( Si ) 기판 의 두께 는 300 내지 500 ㎛ 로 사용 되 므로 , 이 에 따라 대부분 의 양성자 들 이 기판 과 결정 층 사이 계면 의 하부 에 위치 하 게 되 고 일부 의 양성자 들 만 계면 에 다 다르 게 하 는 양성자 의 에너지 를 상기 와 같이 5 내지 8 MeV 로 사용 할 수 있 다 .