이 와 같 은 방법 으로 형성 한 본 발명 에 따른 반도체 적층 구조 ( 100 ) 는 도 1 의 ( e ) 우측 그림 에서 보 는 바 와 같이 , 질화물 반도체 와 이종인 단결정 기판 ( 10 ) 과 결정 화 된 무기물 박막 ( 30 ') 을 포함 한다 . 기판 ( 10 ) 과 무기물 박막 ( 30 ') 사이 는 서로 분리 된 복수 개 의 빈 공간 ( C ) 이 제어 된 모양 과 크기 및 2 차원 적 인 배열 을 갖 게 정의 되 어 있 다 . 반도체 적층 구조 ( 100 ) 는 또한 빈 공간 ( C ) 위 의 결정 화 된 무기물 박막 ( 30 ') 상 에서부터 성장 하 여 합체 되 면서 빈 공간 ( C ) 사이 의 영역 에 보이드 ( V ) 를 형성 하 는 질화물 반도체 층 ( 50 ) 을 포함 한다 .