도 9 를 참조 하 면 , 기판 ( 100 ) 상 에 는 순차 적 으로 적층 된 제 1 전극 ( 510 ) , 제 2 전극 ( 520 ) , 및 제 3 전극 ( 530 ) 이 배치 될 수 있 으며 , 이웃 한 전극 들 사이 에 는 절연 층 이 개재 될 수 있 다 . 제 1 전극 ( 510 ) 은 기판 ( 100 ) 상 에 형성 된 버퍼 층 ( 110 ) 및 제 1 절연 층 ( 111 ) 상 에 위치 할 수 있 고 , 제 2 전극 ( 520 ) 은 제 2 절연 층 ( 112 ) 상 에 위치 할 수 있 으며 , 제 3 전극 ( 530 ) 은 제 3 절연 층 ( 113 ) 상 에 위치 할 수 있 다 . 제 1 절연 층 ( 111 ) , 제 2 절연 층 ( 112 ) , 제 3 절연 층 ( 113 ) 은 앞서 도 4 를 참조 하 여 설명 한 바 와 같이 , 실리콘 산화물 , 실리콘 질화물 , 실리콘 산질 화물 과 같 은 무기물 을 포함 할 수 있 다 . 제 3 전극 ( 530 ) 상 에 는 순차 적 으로 적층 된 제 5 절연 층 ( 115 ) , 제 6 절연 층 ( 116 ) , 및 제 7 절연 층 ( 117 ) 이 배치 될 수 있 다 .