반도체 층 ( 108 ) 으로서 인듐 및 갈륨 을 포함 하 는 금속 산화 물막 을 사용 한 경우 , 금속 산화물 에 포함 되 는 금속 원소 의 원자 수 에 대한 갈륨 의 원자 수 의 비율 ( 원자 수비 ) 을 0 보다 크 고 50 % 미만 , 바람직 하 게 는 0 . 05 % 이상 30 % 이하 , 더 바람직 하 게 는 0 . 1 % 이상 15 % 이하 , 더욱 바람직 하 게 는 0 . 1 % 이상 5 % 이하 로 할 수 있 다 . 또한 반도체 층 ( 108 ) 에 갈륨 을 함유 시킴 으로써 , 산소 결손 이 생기 기 어려워진다는 등 의 효과 가 나타난다 .