본 발명 의 플래시 기억 소자 에 소정 의 게이트 전압 이 인가 됨 에 따라 인가 된 게이트 전압 과 플로팅 게이트 ( 본 발명 에서 는 내부 에 반도체 양자 점 ( 130 ) 이 형성 되 어 있 는 절연성 반도체 박막 ( 120 ) 을 의미 함 ) 에 축적 되 는 정전 용량 ( electric capacity ) 간 의 관계 는 도 4 의 그래프 와 같 은 히스테리시스 곡선 ( hysterisis curve , 추이 ( 推移 ) 곡선 또는 이력 ( 履 歷 ) 곡선 ) 특성 을 나타내 고 있 다 . 즉 , 소자 에 제 1 쓰기 전압 ( VW ( 1 ) ) 을 인가 한 경우 본 발명 의 플래시 기억 소자 에서 플로팅 게이트 에 축적 되 는 정전 용량 은 제 1 상태 곡선 ( 11 ) 을 따라 증가 하 며 , 제 2 쓰기 전압 ( VW ( 2 ) ) 을 인가 한 경우 플로팅 게이트 에 축적 되 는 정전 용량 은 제 2 상태 곡선 ( 12 ) 을 따라 증가 하 고 , 제 3 쓰기 전압 ( VW ( 3 ) ) 을 인가 한 경우 플로팅 게이트 에 축적 되 는 정전 용량 은 제 3 상태 곡선 ( 13 ) 을 따라 증가 한다 . 그리고 소자 에 소거 전압 ( VE ) 을 인가 한 경우 플로팅 게이트 의 정전 용량 은 초기 상태 곡선 ( 10 ) 을 따라 감소 하 게 된다 . 또한 이때 , 소자 에 인가 되 는 제 1 쓰기 전압 ( VW ( 1 ) ) 내지 제 3 쓰기 전압 ( VW ( 3 ) ) 에 따른 플로팅 게이트 의 정전 용량 의 변화 에 상응 하 여 본 발명 의 플래시 기억 소자 에서 의 문턱 전압 ( VTH , Threshold Voltage ) 도 초기 상태 에서 의 문턱 전압 ( VTH ( 0 ) ) 으로부터 VTH ( 1 ) , VTH ( 2 ) , VTH ( 3 ) 으로 순차 증가 하 게 되 며 ( 후술 할 도 6 내지 도 8 참조 ) , 소자 에 소거 전압 ( VE ) 이 인가 되 면 문턱 전압 은 다시 VTH ( 0 ) 으로 복귀 된다 ( 후술 할 도 9 참조 ) . 여기 서 , VTH ( 1 ) 은 상태 ' 1 ' 에서 의 소자 의 문턱 전압 을 의미 하 고 , VTH ( 2 ) 는 상태 ' 2 ' 에서 의 소자 의 문턱 전압 을 의미 하 며 , VTH ( 3 ) 은 상태 ' 3 ' 에서 의 소자 의 문턱 전압 을 의미 한다 .