본 발명 의 다른 측면 에 따른 디램 소자 제조 방법 은 , 반도체 기판 에 게이트 와 제 1 및 제 2 접합 영역 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 반도체 기판 상 에 제 1 절연 층 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 제 1 절연 층 에 상기 제 1 및 제 2 접합 영역 과 각각 연결 되 는 제 1 및 제 2 랜딩 콘 택 플러그 를 형성 하 는 단계 와 . 상기 제 1 랜딩 콘 택 플러그 와 , 상기 제 1 랜딩 콘 택 플러그 및 제 2 랜딩 콘 택 플러그 사이 의 상기 제 1 절연 층 을 식각 하 여 트렌치 를 형성 하 는 단계 와 , 상기 트렌치 를 도전 물질 로 채우 되 , 상기 도전 물질 의 높이 가 상기 제 1 및 제 2 랜딩 콘 택 플러그 높이 보다 낮 게 위치 하 도록 하 여 비트 라인 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 비트 라인 상부 에 식각 정지 막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 식각 정지 막 과 상기 제 1 및 제 2 랜딩 콘 택 플러그 상 에 제 2 절 연막 을 형성 하 는 단계 및 상기 제 2 절 연막 에 상기 제 2 랜딩 콘 택 플러그 와 연결 되 는 스토리지 노드 콘 택 플러그 를 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .