일반 적 으로 , 유기 금속 화합물 의 분해 온도 가 낮 기 때문 에 저온 공정 이 가능 하 며 , 원료 물질 의 도입 량 과 수송 가스 량 을 조절 하 여 박막 의 조성 과 증착 속도 를 제어 할 수 있 고 , 대면 적 균일 도 ( large area uniformity ) 가 좋 아 대단위 공정 에 적용 할 수 있 으며 기판 표면 에 손상 이 없이 단차 피복성 ( step coverage ) 이 우수 한 박막 을 얻 을 수 있 다 . 이 때문 에 , MOCVD , ALD 공정 은 반도체 공정 에서 우수 한 박막 제조 를 위해 관심 이 집중 되 고 있 다 .