여기 서 , e 는 전기 소량 ( elementary charge ) , N 은 채널 내 의 단위 면적 당 평균 결함 밀도 , ε 은 반도체 의 유전율 , n 은 단위 면적 당 의 채널 에 포함 되 는 캐리 어수 , Cox 은 단위 면적 당 용량 , Vg 은 게이트 전압 , t 는 채널 의 두께 이 다 . 또한 , 두께 30 nm 이하 의 반도체 층 이 면 , 채널 의 두께 는 반도체 층 의 두께 와 동일 하 게 해도 지장 이 없 다 .