절연 층 ( 120 ) ( Insulator ) 은 반도체 기판 ( 110 ) 의 상면 에 형성 되 며 , 절연 층 ( 120 ) 의 두께 는 반도체 기판 ( 110 ) 의 두께 에 비하 여 매우 작 게 형성 될 수 있 다 . 절연 층 ( 120 ) 은 SiO 2 , SiNx , Al 2 O 3 등 의 물질 을 이용 하 여 낮 은 캐 패 시터 정전 용량 을 구현 할 수 있 고 , HfO 2 , BST , STO ZrO , Ta 2 O 5 등 의 물질 을 이용 하 여 높 은 캐 패 시터 정전 용량 을 구현 할 수 있 다 .