도 12 및 도 19 를 참조 하 면 , 계속 해서 상기 포토레지스트 패턴 ( 263 b ) 을 식각 마스크 로 이용 하 여 상기 패 시베이 션 막 ( 128 ) 을 부분 적 으로 식각 하 여 상기 포토레지스트 패턴 ( 263 b ) 의 하부 에 언더컷 ( 263 c ) 을 형성 한다 . 또한 , 상기 커버 패턴 ( 128 a ) 을 식각 하 여 상기 드레 인 전극 ( 119 ) 의 상기 측면 을 노출 시킨다 .