이 산 감지 전압 보다 는 경사 전압 ( voltage ramp ) 을 이용 하 는 그 밖 의 다른 감지 동작 이 , 프로세스 순환 및 온도 변화 와 함께 발생 할 수 있 는 경사 값 의 왜곡 및 경사 율 ( ramp rate ) 의 변동 으로 인해 잘못 된 결과 를 초래 할 수 있 다 . 선택 된 메모리 셀 의 제어 게이트 에 전압 이 인가 되 기 때문 에 , 셀 이 전도 하 도록 하 기 위해서 는 상당 한 시간 이 요구 된다 . 경사 전압 이 지나치 게 빨리 증가 하 는 경우 , 선택 된 셀 은 , 경사 전압 이 더 높 은 프로그램 상태 에 대응 하 는 더 높 은 레벨 에 도달 하 기 전 에 감지 증폭기 를 트립 ( trip ) 하 기 에 충분 한 전하 를 운반 할 시간 을 갖 지 못할 수 도 있 다 . 이러 한 경우 , 감지 동작 이 , 셀 이 더 높 은 상태 로 프로그램 되 었 다는 잘못 된 보고 를 할 수 있 다 .