셋째 , 제 1 절 연막 을 얇 은 두께 로 형성 하 고 , 반도체 기판 상부 를 제 2 절 연막 인 고밀 도 플 라즈 마 ( High Density Plasma ; HDP ) 산화 막 으로 두껍 게 증착 함 으로써 제 3 절 연막 인 BPSG ( Boron Phosphorus Silicate Glass ) 막 형성 공정 시 BPSG 막 의 보론 ( B ) 또는 인 ( P ) 이 반도체 기판 내 로 침투 하 는 것 을 방지 할 수 있 다 .