컨트롤 게이트 전극 층 ( 140 ) 상 에 게이트 라인 을 패 터닝 하 기 위한 하드 마스크 층 ( 150 ) 을 형성 한다 . 하드 마스크 층 ( 150 ) 은 실리콘 산화 질화 ( SiON ) 막 ( 151 ) 및 산화 막 ( 153 ) 을 적층 하 여 형성 한다 . 산화 막 ( 153 ) 은 원자 층 증착 방법 또는 화학 기상 증착 방법 을 이용 하 여 TEOS ( Tetra - Ethyl OrthoSilicate ) 막 으로 형성 할 수 있 다 . 이때 , 하드 마스크 층 ( 150 ) 상 에 비정질 카본 ( amorphous carbon ) 막 ( 160 ) 을 더 포함 하 여 형성 할 수 있 다 . 하드 마스크 층 ( 150 ) 은 후속 수반 되 는 식각 공정 에서 하부 의 게이트 라인 을 보호 하 는 역할 을 한다 . 비정질 카본 막 ( 160 ) 은 하드 마스크 패턴 형성 시 , 하드 마스크 패턴 의 선폭 을 보다 더 신뢰 성 있 게 하 는 역할 을 한다 .