도 7 의 각부 동작 파형 도 에서 mode 1 의 시점 t 0 에서 MOSFET Q 11 이 턴 온 되 며 , 공진 인 덕 터 ( L 5 ) 전류 iL 은 MOSFET Q 12 를 통해서 음 방향 으로 mode 1 구간 동안 흐른다 . mode 2 의 시점 t 1 에서 MOSFET Q 12 가 턴 오프 되 면 , 공진 인 덕 터 ( L 5 ) 전류 iL 에 의하 여 MOSFET Q 12 의 커패시터 가 충전 되 어 Tc 구간 동안 MOSFET Q 12 의 드레 인 단자 와 소스 단자 양단간 전압 Vds 2 는 Vs / 2 만큼 상승 한다 . 또한 , 이미 턴 오프 된 MOSFET Q 11 내부 에 설치 되 어 있 는 역방향 다이오드 ( Body Diode ) 는 공진 인 덕 터 ( L 5 ) 전류 iL 에 의해 턴 온 되 고 , MOSFET Q 11 의 드레 인 단자 와 소스 단자 양단간 전압 Vds 1 은 Vs / 2 에서 기준 전압 ( 0 V ) 으로 Tc 구간 동안 감소 하 게 된다 .