본 발명 은 질소 - 도핑 된 그래핀 층 을 활성 층 으로 포함 하 는 고품질 , 고기능성 의 그래핀 기반 의 TFT 에 관한 것 으로서 , 보다 상세 하 게 는 게이트 전극 ; 상기 게이트 전극 위 에 위치 한 게이트 절연 층 ; 상기 게이트 절연 층 위 의 일부 영역 에 위치 하 며 질소 - 도핑 그래핀 층 을 포함 하 는 활성 층 ; 상기 활성 층 의 일 측 영역 위 에 위치 한 제 1 전극 ; 상기 활성 층 의 타 측 영역 위 에 위치 한 제 2 전극 ; 을 포함 하 는 그래핀 기반 의 TFT 에 관한 것 이 다 .