본 발명 의 한 실시 형태 에 관한 반도체 장치 에서 , 상술 한 바 와 같이 또 하나 의 데이터 의 기입 에 의해 직접 적 으로 데이터 를 재 기입 하 는 것 이 가능 하 다 . 이것 때문 에 , 플래시 메모리 등 에서 필요 해 지 는 고전압 을 이용 한 플로팅 게이트 로부터 의 전하 의 추출 이 불 필요 해서 , 소거 동작 에 기인 하 는 동작 속도 의 저하 를 억제 할 수 있 다 . 즉 , 반도체 장치 의 고속 동작 이 실현 될 수 있 다 .