도 5 a 에서 , 반도체 다이 ( 54 ) 는 전도 되 어 접촉 패드 및 다이 의 액티브 프론트 사이드 가 상향 으로 된다 . 다수 의 관통 홀 비어 ( through hole via , THV ) ( 64 ) 이 에칭 또는 드릴 닝 에 의해 반도체 다이 ( 54 ) 사이 의 다이 확장 영역 ( 68 ) 에 형성 된다 . 전기 적 도전 재료 가 증발 , 전해 도금 , 무전 해 도금 , 또는 스크린 프린팅 공정 을 사용 하 여 THV ( 64 ) 에 융 착 된다 . 그 도전 재료 는 알루미늄 ( Al ) , 구리 ( Cu ) , 주석 ( Sn ) , 니 켈 ( Ni ) , 금 ( Au ) 또는 은 ( Ag ) 일 수 있 다 . 도 5 a 는 다 이 확장 영역 ( 58 ) 의 에지 에 형성 된 하프 - 비어 ( half - via ) THV ( 64 ) 를 도시 하고 있 다 . 리디 스트리 뷰 션 층 ( redistribution layer , RDL ) ( 62 ) 이 THV ( 64 ) 및 반도체 다이 ( 52 ) 의 접촉 패드 ( 56 ) 사이 에 형성 된다 . RDL ( 62 ) 은 알루미늄 ( Al ) , 알루미늄 구리 합금 ( AlCu ) , 구리 ( Cu ) 또는 구리 ( Cu ) 합금 으로 이루어질 수 있 다 . RDL ( 62 ) 은 THV ( 64 ) 및 접촉 패드 ( 56 ) 사이 에서 전기 적 신호 를 루팅 하 기 위한 중간 도전 층 으로서 작용 한다 . 광학 적 액티브 영역 ( 70 ) 이 반도체 다이 ( 54 ) 의 내부 영역 에 위치 된다 .