도 9 를 참조 하 면 , 실리콘 기둥 ( 520 ) 사이 에 게이트 ( 910 ) 가 형성 될 수 있 다 . 즉 , 상부 절 연막 ( 810 ) 이 증착 된 실리콘 기둥 ( 520 ) 사이 에 게이트 물질 이 증착 된 후 , 증착 된 게이트 물질 의 상부 가 CMP ( Chemical Mechanical Polishing ) 공정 에 의하 여 평탄 화 되 면 게이트 ( 910 ) 가 형성 될 수 있 다 . 이때 , 게이트 물질 은 폴리 실리콘 ( Poly - SI ) 일 수 있 다 .