또한 , 반도체 층 ( 231 ) 에 포함 되 는 소스 영역 ( 231 s ) 및 드레 인 영역 ( 231 d ) 의 각각 은 산소 결손 을 형성 하 는 원소 또는 산소 결손 과 결합 되 는 원소 를 포함 하 는 것 이 바람직 하 다 . 산소 결손 을 형성 하 는 원소 또는 산소 결손 과 결합 되 는 원소 의 대표 적 인 예 에 는 , 수소 , 붕소 , 탄소 , 질소 , 플루오린 , 인 , 황 , 염소 , 타이타늄 , 및 희가스 가 포함 된다 . 희가스 원소 의 대표 적 인 예 에 는 헬륨 , 네온 , 아르곤 , 크립톤 , 및 제논 이 포함 된다 . 산소 결손 을 형성 하 는 상기 원소 중 하나 이상 이 절연 층 ( 215 ) 에 포함 되 는 경우 , 상기 원소 중 하나 이상 은 절연 층 ( 215 ) 으로부터 소스 영역 ( 231 s ) 및 드레 인 영역 ( 231 d ) 으로 확산 , 및 / 또는 불순물 첨가 처리 에 의하 여 소스 영역 ( 231 s ) 및 드레 인 영역 ( 231 d ) 에 첨가 될 수 있 다 .