본 발명 의 반도체 소자 의 듀얼 폴리 게이트 형성 방법 은 , 제 1 영역 및 제 2 영역 을 갖 는 반도체 기판 상 에 게이트 절 연막 을 형성 하 는 단계 ; 게이트 절 연막 위 에 반도체 층 을 증착 하 는 단계 ; 제 1 영역 의 반도체 층 을 노출 시키 는 마스크 막 패턴 을 형성 하 는 단계 ; 마스크 막 패턴 을 이온 주입 마스크 로 단일 소스 물질 을 이용 한 이온 확산 공정 을 수행 하 여 제 1 반도체 층 내 에 불순물 영역 을 형성 하 는 단계 ; 반도체 기판 상 에 열처리 공정 을 수행 하 여 제 1 영역 에 는 제 1 도전 형 의 반도체 층 을 형성 하 고 , 제 2 영역 에 는 제 2 도전 형 의 반도체 층 을 형성 하 는 단계 ; 반도체 층 위 에 게이트 금속 막 및 하드 마스크 막 을 형성 하 는 단계 ; 및 적층 막 들 을 패 터닝 하 여 게이트 스택 을 형성 하 는 단계 를 포함 한다 .