그런데 , 다수 의 메모리 셀 은 하나 의 워드 라인 을 공유 하 기 때문 에 , 워드 라인 을 공유 하 는 다른 메모리 셀 을 프로그램 할 때 소거 되 어야 하 는 메모리 셀 이 원치 않 게 프로그램 되 는 프로그램 디 스터 번스 가 발생 될 수 있 다 . 특히 , 프로그램 디 스터 번스 는 스트링 을 구성 하 는 셀 중 에서 드레 인 선택 트랜지스터 및 소오 스 선택 트랜지스터 에 인접 한 두 셀 [ 이하 에서 는 에지 셀 ( edge cell ) 이 라고 한다 ] 에서 드레 인 선택 트랜지스터 및 소스 선택 트랜지스터 사이 의 전압 차이 가 클 때 주로 발생 된다 . 이때 드레 인 선택 트랜지스터 및 소스 선택 트랜지스터 의 접합 영역 에서 GIDL ( Gate Induced Drain leakage ) 가 발생 하 여 핫 일렉트론 ( hot electron ) 이 생성 되 고 , 핫 일렉트론 이 드레 인 선택 트랜지스터 와 소스 선택 트랜지스터 의 접합 영역 을 통과 하 여 상기 에지 셀 의 전하 저장 층 으로 주입 되 어 상기 에지 셀 이 원치 않 게 프로그램 된다 . 이 와 같 은 프로그램 디 스터 번스 는 문턱 전압 을 변동 시켜 프로그램 속도 또는 소거 속도 를 저하 시키 게 된다 .