다음 , 도 5 e 에 도시 한 바 와 같이 , 상기 데이터 배선 ( 미 도시 ) 과 금속 패턴 ( 129 ) 이 형성 한 기판 ( 110 ) 에 애 싱 ( ashing ) 공정 을 진행 함 으로써 상기 제 2 두께 의 포토레지스트 패턴 ( 도 5 d 의 190 b ) 을 제거 하 여 그 하부 의 상기 금속 패턴 ( 129 ) 끝단 일부 와 상기 게이트 전극 ( 115 ) 에 대응 하 는 중앙부 를 노출 시킨다 .