다음 에 , 웨이퍼 는 각각 의 장치 ( 1 ) 의 제 1 도전 층 ( 20 ) 을 제공 하 도록 금속 화 된다 . 단계 ( S 4 ) 에서 , 포토레지스트 는 웨이퍼 상 에 스핀 ( spin ) 되 고 , 웨이퍼 는 이후 에 UV 광 에 노광 되 어 소망 의 패턴 을 형성 한다 . 단계 ( S 5 ) 에서 , 도전 층 ( 20 ) 이 침착 되 는데 , 이것 은 예 를 들 면 Cr 및 Au 의 연속 적 인 층 들 로 이루어진다 . 그것 의 통상 적 인 개별 두께 는 50 nm 및 300 nm 이 다 . 단계 ( S 6 ) 에서 레지스 트 는 예 를 들 어 아세톤 에 담금 으로써 제거 된다 .