이 때 , 제 1 및 제 2 경계 영역 ( BA 1 , BA 2 ) 중 어느 하나 에 선택 적 으로 에지 마크 층 ( 160 ) 이 형성 된다 . 예 를 들 어 , 도 5 a 에 도시 된 바 와 같이 제 1 경계 영역 ( BA 1 ) 에 형성 되 고 , 도 5 b 에 도시 된 바 와 같이 제 2 경계 영역 ( BA 2 ) 에 형성 되 지 않 는다 . 제 1 경계 영역 ( BA 1 ) 에 배치 되 는 제 1 및 제 2 터치 전극 ( 152 e , 154 e ) 은 단락 되 면 터치 센싱 동작 이 이루어지 지 않 는 반면 에 , 제 2 경계 영역 ( BA 2 ) 에 배치 되 는 1 및 제 2 터치 전극 ( 152 e , 154 e ) 각각 과 , 플로팅 상태 의 더미 도전 층 ( 150 ) 은 단락 되 더라도 터치 센싱 동작 에 영향 을 미치 지 않 는다 . 따라서 , 에지 마크 층 ( 160 ) 은 단락 불량 으로 인해 리페 어 공정 이 필요 한 제 1 경계 영역 ( BA 1 ) 에 형성 되 고 , 단락 불량 이 발생 하 더라도 리페 어 공정 이 불 필요 한 제 2 경계 영역 ( BA 2 ) 에 형성 되 지 않 는다 . 한편 , 에지 마크 층 ( 160 ) 이 제 1 경계 영역 ( BA 1 ) 에 형성 되 더라도 , 제 1 경계 영역 ( BA 1 ) 에 배치 되 는 제 1 및 제 2 돌출부 들 ( PP 1 , PP 2 ) 의 이격 거리 가 변동 되 지 않 으므로 , 제 1 및 제 2 돌출부 들 ( PP 1 , PP 2 ) 사이 에 형성 되 는 상호 정전 용량 이 변동 되 는 것 을 방지 할 수 있 다 .