이어서 , 도 4 t 에 도시 한 바 와 같이 , 상기 제 3 PR 패턴 ( 600 ) 을 마스크 로 하 여 상기 투명 전 도막 ( 590 ) 을 패 터닝 함 으로써 , 상기 게이트 패드 ( 501 ) 의 상부 에 형성 된 투명 전도 층 ( 591 ) 및 화소 전극 ( 592 ) 을 형성 한다 . 여기 서 , 상기 화소 전극 ( 592 ) 을 상기 게이트 라인 ( 502 ) 과 중첩 하 여 형성 하 고 , 또한 , 상기 드레 인 전극 ( 562 ) 의 일부 와 접촉 하 여 형성 한다 .