측벽 보호막 ( 13 ) 을 형성 하 기 위한 에치 백 또는 전면 식각 시 콘 택 면적 을 증가 시키 기 위해 기판 ( 11 ) 을 추가 식각 할 수 있 는데 , 이때 기판 의 추가 식각 깊이 는 적어도 200 Å 이 하 ( 식각 하 지 않 거나 , 1 Å ∼ 200 Å ) 로 실시 한다 . 게이트 패턴 ( 12 ) 과 수평 한 방향 에 도 절 연막 이 형성 되 지만 에치 백 또는 전면 식각 시 모두 제거 되 어 게이트 패턴 ( 12 ) 의 측벽 에 만 잔류 한다 .