도 2 i 를 참조 하 면 , 제 3 실리콘 막 패턴 ( 30 b ) 의 상면 이 제 1 산화 막 패턴 ( 20 a ) 및 제 2 산화 막 패턴 ( 40 b ) 의 상면 과 높이 가 일치 하 도록 제 3 실리콘 막 패턴 ( 30 b ) 의 일부 를 제거 할 수 있 는데 , 바람직 하 게 는 제 3 실리콘 막 패턴 ( 30 b ) 의 연마 속도 가 제 1 산화 막 패턴 ( 20 a ) 및 제 2 산화 막 패턴 ( 40 b ) 의 연마 속도 보다 높 도록 제공 되 는 화학 기계 적 연마 를 통하 여 제거 할 수 있 다 . 한편 , 상기 화학 기계 적 연마 를 더욱 원활 하 게 하 기 위하 여 제 1 산화 막 패턴 ( 20 a ) 및 제 2 산화 막 패턴 ( 40 b ) 을 먼저 리세 스 ( recess ) 시켜 제 3 실리콘 막 패턴 ( 30 b ) 의 상부 를 돌출 시킨 후 화학 기계 적 연마 를 진행할 수 있 다 . 본 발명 의 또 다른 변형 된 실시 예 에서 는 , 상부 가 볼록 한 돌출부 를 가지 는 제 3 실리콘 막 패턴 ( 30 b ) 을 포함 하 는 반도체 기판 의 전면 에 희생 막 ( 예 를 들 어 , SiO 2 막 ) 을 얇 게 증착 한 후 화학 기계 적 연마 를 수행 하 여 상기 돌출부 를 최소 화 하 도록 일부 제거 하 고 , 잔류 하 는 상기 희생 막 을 습식 식각 한 후 표면 거칠 기 를 개선 하 기 위한 또 다른 화학 기계 적 연마 를 추가 로 수행 할 수 있 다 . 상기 변형 된 실시 예 에 의하 면 화학 기계 적 연마 에 의해 제거 되 는 부분 이 필요 이상 제거 되 는 것 을 방지 할 수 있 는 이점 이 있 다 .