미세 패턴 을 형성 하 기 위하 여 주로 에칭 ( etching ) 법 을 사용 하 였 다 . 상기 에칭 법 은 금속 박막 에 감광제 를 도포 한 후 필름 에 의하 여 상기 감광제 에 감광 부 를 형성 한 다음 , 에칭 용액 에 침지 하 여 에칭 가공법 을 통하 여 금속 극 미세 패턴 을 형성 하 는 방법 이 다 . 이렇게 에칭 법 을 사용 할 경우 수십 미크론 ( ㎛) 이상 의 크기 를 갖 는 미세 패턴 을 형성 할 수 있 다 . 하지만 종래 의 에칭 법 으로 는 미세 패턴 에서 금속 부 사이 의 간격 을 수 미크론 의 크기 로 형성 하 기 가 어렵 다 . 즉 , 종래 의 에칭 법 은 건식 또는 습식 방법 에 의해 에칭 대상물 을 부식 시켜 형성 하 기 때문 에 그 정밀도 의 한계 를 가질 수 밖 에 없 었 다 . 그 이유 는 에칭 을 행하 게 되 면 , 가공 되 는 소재 가 수직 뿐 만 아니 라 측면 도 동시 에 부식 되 기 때문 에 가공 을 할 수 가 있 는 피치 의 한계 를 분명히 가지 게 된다 .