본 발명 의 실시 예 에 따른 반도체 메모리 ( 100 ) 는 테스트 리드 동작 시 다수 의 메모리 블록 들 ( BLK 1 내지 BLKz ) 중 선택 된 메모리 블록 ( 예 를 들 어 BLK 1 ) 의 테스트 리드 동작 시 , 선택 된 메모리 블록 ( BLK 1 ) 에 저장 된 데이터 들 을 리드 하 여 도 1 의 컨트롤러 ( 1200 ) 로 출력 한다 . 예 를 들 어 제어 회로 ( 120 ) 는 테스트 리드 동작 에 대응 하 는 커맨드 ( CMD ) 및 선택 된 메모리 블록 ( BLK 1 ) 에 대응 하 는 어드레스 ( ADD ) 에 응답 하 여 테스트 리드 동작 을 수행 하 도록 전압 공급 회로 ( 130 ) , 페이지 버퍼 그룹 ( 140 ) , 컬럼 디코더 ( 150 ) 및 입출력 회로 ( 160 ) 를 제어 한다 .