본 발명 은 상기 와 같 은 문제점 을 해결 하 기 위한 것 으로서 , 특히 노광 마스크 의 결합 을 검출 하 여 좌표 를 얻 은 후 , 건식 필름 포토레지스트 ( DFPR : Dry film photoresist ) 를 결함 이 있 는 노광 마스크 패턴 에 붙이 고 , 이 를 노광 및 현상 하 여 결함 이 있 는 노광 마스크 를 치유 하 도록 노광 마스크 의 리페 어 공정 을 수행 함 으로써 , 노광 마스크 의 재 제작 을 방지 하 여 소자 의 개발 비용 및 시간 을 절감 할 수 있 는 노광 마스크 의 리페 어 방법 및 이 를 이용 한 반도체 소자 를 제공 함 에 있 다 .