상기 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 에 의한 반도체 소자 의 MIM 캐 패 시터 제조 방법 은 , 반도체 기판 상 에 , 하부 구리 배선 이 형성 되 어 있 는 제 1 층간 절 연막 , 유전 막 및 하드 마스크 를 차례 로 형성 하 는 단계 ; 상기 하드 마스크 상 에 정렬 키 형성 영역 을 정의 하 는 감광막 패턴 을 형성 하 는 단계 ; 상기 감광막 패턴 을 식각 마스크 로 상기 하드 마스크 , 유전 막 및 제 1 층간 절 연막 을 식각 하 여 , 정렬 키 를 형성 하 는 단계 ; 상기 감광막 패턴 을 제거 하 는 단계 ; 상기 하드 마스크 를 제거 하 는 단계 ; 및 상기 하부 구리 배선 과 대응 하 는 유전 막 상 에 상부 전극 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 되 , 상기 하드 마스크 는 실리콘 카바이드 계열 의 물질 을 이용 하 는 것 이 다 .