이 어 도 2 b 에서 와 같이 , 포토레지스트 마스크 ( 206 ) 를 이용 하 여 하부 의 IMD 부분 ( 202 ) 을 식각 시키 는데 , 이때 MIM 커패시터 가 형성 된 완료 된 두께 를 고려 하 여 식각 두께 를 결정 한다 . 즉 , 예 를 들 어 , 상기 IMD 부분 ( 202 ) 을 상기 하부 메탈 배선 형성 위치 를 넘 지 않 는 깊이 로 식각 시키 고 , 추후 완성 된 MIM 커패시터 상부 로 형성 되 는 비 아홀 의 마진 을 위해 MIM 커패시터 를 상기 하부 메탈 라인 ( 204 ) 과 동일 한 높이 로 형성 시킨다 . 위 와 같이 , 하부 IMD 부분 ( 202 ) 을 식각 한 후 에 는 포토레지스트 마스크 ( 206 ) 를 제거 한 후 , MIM 커패시터 의 하부 메탈 ( 208 ) 과 절연체 ( Insulator ) ( 210 ) 상부 메탈 ( 212 ) 을 순차 적 으로 적층 하 여 형성 시킨다 .