또한 , 산화물 반도체 으로서 In - Zn 계 산화물 의 재료 를 이용 하 는 경우 , 이용하 는 타 겟 의 조성 비 는 , 원자 수비 로 , In : Zn = 50 : 1 ∼ 1 : 2 ( 몰수 비 로 환산 하 면 In 2 O 3 : ZnO = 25 : 1 ∼ 1 : 4 ) , 바람직 하 게 는 In : Zn = 20 : 1 ∼ 1 : 1 ( 몰수 비 로 환산 하 면 In 2 O 3 : ZnO = 10 : 1 ∼ 1 : 2 ) , 더욱 바람직 하 게 는 In : Zn = 1 . 5 : 1 ∼ 15 : 1 ( 몰수 비 로 환산 하 면 In 2 O 3 : ZnO = 3 : 4 ∼ 15 : 2 ) 로 한다 . 예 를 들 어 , In - Zn 계 산화물 인 산화물 반도체 막 의 형성 에 이용 하 는 타 겟 은 , 원자 수비 가 In : Zn : O = X : Y : Z 일 때 , Z > 1 . 5 X + Y 로 한다 . Zn 의 비율 을 상기 범위 로 함 으로써 , 이동도 의 향상 을 실현 할 수 있 다 .