이 어 , 도 1 d 에 도시 하 는 바 와 같이 건식 식각 방법 으로 로직 부 Cu - 메탈 ( 3 ) 영역 의 제 1 커패시터 절 연막 ( 5 ) , 상기 커패시터 Cu - 하부 메탈 ( 4 ) 영역 의 제 1 커패시터 절 연막 ( 5 ) , 상기 선택 적 으로 제거 된 제 2 커패시터 절 연막 ( 9 ) 및 상기 선택 적 으로 제거 된 질화 막 ( 13 ) 이 노출 되 게 하 는 트렌치 들 을 형성 한다 .