급속 열처리 장비 내 의 온도 가 목표 하 는 제 1 온도 ( T 1 ) 까지 상승 하 면 제 1 온도 ( T 1 ) 에서 일정 시간 ( t 1 , 예컨대 , 0 . 1 ~ 10 초 ) 동안 유지 하 여 제 1 열처리 를 실시 한다 . 제 1 온도 ( T 1 ) 로 유지 하 여 제 1 열처리 를 실시 하 는 동안 에 는 아르곤 ( Ar ) 가스 를 계속 적 으로 공급 하 면서 암모니아 ( NH 3 ) 가스 또는 질소 ( N 2 ) 가스 도 공급 하 여 준다 . 아르곤 ( Ar ) 가스 는 2 ∼ 6 slm 정도 의 유량 으로 공급 하 고 , 암모니아 ( NH 3 ) 가스 또는 질소 ( N 2 ) 가스 는 0 . 01 ∼ 4 slm 정도 의 유량 으로 공급 한다 . 더욱 바람직 하 게 는 , 암모니아 ( NH 3 ) 가스 를 공급 하 는 경우 에 제 1 온도 ( T 1 ) 는 1100 ℃~ 1150 ℃ 로 설정 하 고 , 암모니아 ( NH 3 ) 가스 의 공급 유량 은 0 . 01 ∼ 1 slm 정도 로 설정 하 는 것 이 바람직 하 다 . 또한 , 질 소 ( N 2 ) 가스 를 공급 하 는 경우 에 제 1 온도 ( T 1 ) 는 1150 ℃~ 1200 ℃ 로 설정 하 고 , 질소 ( N 2 ) 가스 의 공급 유량 은 0 . 1 ∼ 4 slm 정도 로 설정 하 는 것 이 바람직 하 다 . 제 1 열처리 를 실시 함 으로서 , 실리콘 웨이퍼 에 대하 여 베이컨 시 를 주입 시켜 산소 석출 물 의 핵 형성 이 용이 한 분위기 를 만들 어 주 게 된다 .