본 실시 예 에서 , 그리 형성 된 이 층 전도성 특징 부 ( 126 ) 는 S / D 특징 부 ( 114 ) 에 전기 적 으로 접속 된다 . 대안 으로서 , 이 층 전도성 특징 부 ( 126 ) 는 비아 특징 부 ( 214 ) 를 통해 하이 - k 금속 게이트 스택 의 게이트 전극 ( 110 ) 에 전기 적 으로 접속 되 도록 구성 된다 . 일부 다른 실시 예 에서 , 이 층 전도성 특징 부 ( 126 ) 의 구조물 및 방법 은 , 비아 특징 부 또는 위 의 금속 층 에서 의 금속 라인 과 같 은 상호 접속 구조물 ( 120 ) 의 다른 부분 을 형성 하 도록 적용 될 수 있 다 . 다른 실시 예 에서 , 이 층 전도성 특징 부 ( 126 ) 는 GAA ( gate - all - around ) 구조물 과 같이 수직 적층 채널 을 갖 는 반도체 디바이스 구조물 에 사용 될 수 있 다 .