상기 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 반도체 집적회로 장치 의 제조 방법 은 , 제 1 영역 및 제 2 영역 을 갖 는 반도체 기판 에 필드 산화 막 을 형성 하 여 상기 제 1 영역 및 상기 제 2 영역 에 각각 활성 영역 을 형성 하 는 단계 ; 게이트 전극 이 통과 하 게 될 상기 필드 산화 막 부분 을 선택 적 식각 하 여 소정 깊이 의 1 차 요 홈 부 를 형성 하 는 단계 ; 상기 제 1 영역 의 상기 활성 영역 내 의 채널 영역 을 선택 적 식각 하 여 상기 1 차 요 홈 부 보다 얕 은 깊이 를 갖 는 2 차 요 홈 부 를 형성 하 는 단계 ; 및 상기 1 차 및 상기 2 차 요 홈 부 와 중첩 되 면서 상기 활성 영역 의 상면 을 가로지르 는 게이트 전극 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 여 , 상기 제 1 영역 에 는 새 들 트랜지스터 를 형성 하 고 상기 제 2 영역 에 는 핀 트랜지스터 를 형성 한다 .