도 13 은 , 500 ℃ 이하 의 온도 에서 GaAs 층 ( 202 ) 을 형성 한 후 의 표면 을 관찰 한 SEM 상 을 나타낸다 . 중앙 부분 의 개구 영역 에 는 GaAs 층 ( 202 ) 이 형성 되 어 있 고 , 주변 의 저해 층 의 표면 에 는 형성 물 이 석출 되 고 있 었 다 . 단 , 석출 된 형성 물 은 상기 한 바 와 같이 에칭 등 에 의해 제거 할 수 있 다 .