다음 으로 , 이 메모리 의 기입 동작 에 대해 설명 한다 . 도 5 는 , 도 4 의 제 2 자기 저항 효과 소자 ( 44 ) 의 자유 층 ( 45 ) 의 자화 방향 이 고정층 ( 47 ) 의 자화 방향 에 대해 반 평행 ( 고저 항 상태 ) 인 경우 의 기입 동작 의 설명도 이 다 . 우선 , 게이트 전극 ( 5 ) 에 전압 을 인가 하 여 트랜지스터 ( 6 ) 를 온 상태 로 한다 . 다음 으로 , 비트 선 ( 1 ) 을 승압 하 여 , 제 1 자기 저항 효과 소자 ( 44 ) 에 전류 - Idc 00 을 흘린다 . 이 경우 , - Idc 00 의 값 은 , 제 1 자기 저항 효과 소자 ( 44 ) 의 자유 층 ( 41 ) 의 자화 가 반전 하 는 전류 - Idc 11 보다 절대 값 이 작 은 값 으로 설정 한다 . 이 - Idc 00 에 의해 제 1 자기 저항 효과 소자 ( 44 ) 의 자유 층 ( 41 ) 의 자화 는 , 스핀 토크 의 영향 을 받 아 세차 운동 을 행한다 . 세차 운동 에 의해 자유 층 ( 41 ) 의 자화 의 방향 이 변화 하 면 , 자기 저항 효과 에 의해 저항 이 시간 변화 하 고 , 그 저항 변화 에 비례 한 교류 전류 가 발생 한다 . 이 전류 는 원래 인가 된 Idc 00 에 중첩 되 고 , 제 2 자기 저항 효과 소자 ( 48 ) 에 유입 된다 . 제 2 자기 저항 효과 소자 ( 48 ) 의 원래 의 임계 전류 값 - Idc 21 의 절대값 은 , - Idc 00 의 절대값 보다 크 다 . 그러나 , 제 1 자기 저항 효과 소자 ( 44 ) 에서 발생 한 교류 전류 Irf 에 의해 제 2 자기 저항 효과 소자 ( 48 ) 의 자유 층 ( 45 ) 의 세차 운동 이 증폭 되 므로 , - Idc 21 보다 절대 값 이 작 은 전류 - Idc 00 에 의해 자화 반전 이 일어난다 . 즉 , 메모리 로서 이용 하 는 제 2 자기 저항 효과 소자 ( 48 ) 의 임계 전류 값 을 실효 적 으로 내리 는 효과 가 있 다 .