기판 ( 15 ) 은 , 실리콘 ( Si ) , 게르마늄 ( Ge ) , 게르마늄 주석 ( GeSn ) , 실리콘 게르마늄 ( SiGe ) , 실리콘 게르마늄 주석 ( SiGeSn ) , 실리콘 카바이드 ( SiC ) , 또는 예 를 들 어 갈륨 아세 나 이드 ( GaAs ) , 갈륨 포스 파이 드 ( GaP ) , 또는 갈륨 나이트 라이드 ( GaN ) 와 같 은 III - V 족 반도체 물질 을 포함 하나 이 에 제한 되 지 않 는 하나 이상 의 물질 을 포함 할 수 있 다 . 본 개시 의 일부 구 현예 에서 , 기판 ( 15 ) 은 엔지니어링 된 기판 을 포함 할 수 있 으며 , 여기 서 표면 반도체 층 은 그 사이 에 배치 된 중간 매립 옥사이드 ( BOX ) 를 갖 는 벌크 지 지체 위 에 배치 된다 .