SiO 2 절 연막 을 형성 하 는 경우 , 막 을 형성 할 때 에 사용 하 는 원료 속 에 포함 되 는 실리콘 ( Si ) 및 산소 ( O ) 이외 의 원자 는 형성 온도 의 저온 화 에 따라 , 막 속 에 불순물 로 남 는 경향 이 있 다 . 그 때문 에 , 유기 원료 가스 를 사용 하 여 저온 에서 SiO 2 절 연막 을 형성 한 경우 , 유기 원료 가스 분자 에 포함 되 는 탄소 ( C ) , 수소 ( H ) , 질소 ( N ) 등 이 SiO 2 절 연막 속 에 불순물 로서 남 는다는 문제 가 있 었 다 . 또한 , 무기 원료 가스 를 사용 한 경우 에 있 어서 도 , 원료 에 포함 되 는 수소 ( H ) , 염소 ( Cl ) 등 이 불순물 로서 막 속 에 남 는 문제 가 있 었 다 . 이 들 불순물 은 형성 한 절 연막 의 막 질 을 현저 하 게 열화 ( 劣化 ) 시키 기 때문 에 , 저온 에서 막 속 의 불순물 농도 가 낮 은 양질 의 절 연막 을 형성 하 는 기술 이 필요 했 다 .