전자 주개 가 도핑 된 제 1 및 제 2 루테늄 산화 막 ( 401 B , 403 A ) 의 전자 주개 는 바나듐 ( V ) , 니오브 ( Nb ) , 몰리브덴 ( Mo ) , 란탄 ( La ) , 세륨 ( Ce ) , 프라세오디뮴 ( Pr ) , 네오디뮴 ( Nd ) , 사마륨 ( Sm ) , 유 러 퓸 ( Eu ) , 가돌리늄 ( Gd ) , 테르븀 ( Tb ) , 디스프로슘 ( Dy ) , 호리 륨 ( Ho ) , 에르븀 ( Er ) , 탄탈 ( Ta ) 및 텅스텐 ( W ) 으로 이루어진 그룹 중 에서 선택 된 적어도 어느 하나 로 , 5 ~ 30 % 의 몰 분 율 로 도핑 된다 . 또한 , 전자 주개 가 도핑 된 제 1 루테늄 산화 막 ( 401 B ) 의 두께 는 20 ~ 100 Å 인 것 이 바람직 하 다 .