도 4 에 도시 된 장치 에서 , 제 1 제어 가능 반도체 소자 ( T 1 ) 가 스위치 오프 되 는 동안 ( T 1 은 차단 상태 ) 출력 단 ( 22 ) 의 제어 가능 반도체 소자 ( T 2 , T 3 ) 중 하나 를 스위치 온 할 경우 , 부유 인덕턴스 는 비교 적 높 다 . 이것 은 , 이 제 1 경우 의 정류 경로 가 제 1 유도 성 소자 ( L 1 ) 를 통과 하 기 때문 이 다 . 제 1 제어 가능 반도체 소자 ( T 1 ) 가 스위치 온 되 는 동안 ( T 1 이 도통 상태 ) 출력 단 ( 22 ) 의 제어 가능 반도체 소자 ( T 2 , T 3 ) 중 하나 를 스위치 오프 할 경우 , 제 1 인덕턴스 는 비교 적 낮 다 . 이 는 , 후자 의 경우 에 정류 경로 가 추가 커패시터 ( Cs ) 를 통과 하 기 때문 이 다 . 즉 , 유효 부유 인덕턴스 는 제 1 제어 가능 반도체 소자 의 스위치 온 또는 오프 에 따라 변한다 . 이것 은 출력 단 ( 22 ) 의 제어 가능 반도체 소자 ( T 2 , T 3 ) 의 빠른 스위칭 을 가능 하 게 한다 . 회로 장치 는 공진 또는 유사 공진 ( quasi resonantly ) 으로 동작 하 지 않 는다 . 또한 , 회로 장치 는 출력 단 ( 22 ) 의 제어 가능 반도체 소자 ( T 2 , T 3 ) 에 병렬 로 연결 된 추가 용량 성 소자 를 필요 로 하 지 않 는다 .