마지막 으로 , 도 6 을 참조 하 면 , 도 5 에 도시 된 결과물 에 소정 의 열처리 공정 ( annealing process ) 을 수행 한다 . 이러 한 열처리 공정 에 의하 여 산화물 반도체 로 이루어진 채널 층 ( 116 ) 에 공급 된 산소 는 채널 층 ( 116 ) 내부 에서 산소 결합 을 형성 할 수 있 도록 활성 화 된다 . 이 와 같이 , 채널 층 ( 116 ) 내부 에서 산소 가 활성 화 되 면 산소 결핍 으로 인한 과도 한 캐리어 의 발생 을 억제 할 수 있 으며 , 그 결과 박막 트랜지스터 의 문턱 전압 을 원하 는 범위 내 로 유지 할 수 있 게 된다 . 본 실시 예 에서 , 상기 열처리 공정 은 예 를 들 면 , 대략 150 ℃ ~ 500 ℃, 바람직 하 게 는 150 ℃ ~ 400 ℃ 의 온도 범위 에서 수행 될 수 있 다 .