다음 , 도 5 g , 6 g 및 도 7 g 에 도시 한 바 와 같이 , 상기 게이트 및 데이터 패드 전극 ( 118 , 미 도시 ) 을 각각 노출 시키 는 상기 게이트 및 데이터 패드 콘 택 홀 ( 143 , 미 도시 ) 이 형성 된 기판 ( 110 ) 을 애 싱 ( ashing ) 공정 을 진행 함 으로써 상기 제 2 두께 의 제 3 포토레지스트 패턴 ( 도 5 g , 6 g , 7 g 의 181 b ) 을 제거 함 으로써 보호 층 ( 140 ) 을 노출 시킨다 .