이러 한 절연 층 ( 116 ) 을 저 저항 영역 ( 108 n ) 에 접하 여 제공 함 으로써 , 절연 층 ( 116 ) 이 저 저항 영역 ( 108 n ) 내 의 산소 를 흡인 하 여 저 저항 영역 ( 108 n ) 내 에 산소 결손 을 형성 시킬 수 있 다 . 또한 이러 한 절연 층 ( 116 ) 을 형성 한 후 에 가열 처리 를 수행 함 으로써 , 저 저항 영역 ( 108 n ) 에 더 많 은 산소 결손 을 형성 할 수 있 어 , 저 저항 화 를 촉진 할 수 있 다 . 또한 절연 층 ( 116 ) 에 금속 산화물 을 포함 한 막 을 사용 한 경우 , 절연 층 ( 116 ) 이 반도체 층 ( 108 ) 내 의 산소 를 흡인 한 결과 , 절연 층 ( 116 ) 과 저 저항 영역 ( 108 n ) 사이 에 , 절연 층 ( 116 ) 에 포함 되 는 금속 원소 ( 예 를 들 어 알루미늄 ) 의 산화물 을 포함 한 층 이 형성 되 는 경우 가 있 다 .