희생 층 패턴 ( 20 ) 제거 열처리 와 무기물 박막 ( 30 ) 열처리 는 단계 적 으로 온도 를 올려 진행 하 거나 연속 적 인 공정 으로 진행 할 수 있 다 . 기판 ( 10 ) 이 사파이어 기판 이 고 무기물 박막 ( 30 ) 이 알루미나 인 경우 처럼 무기물 박막 ( 30 ) 이 기판 ( 10 ) 과 조성 이 같 은 물질 인 경우 에 , 예 를 들 어 1000 ℃ 부근 으로 가열 을 하 면 열처리 에 의해 무기물 박막 ( 30 ) 은 도 1 의 ( d ) 에서 와 같이 기판 ( 10 ) 과 같 은 결정 구조 로 결정 화 된 무기물 박막 ( 30 ') 이 된다 . 이 에 따라 결정 화 된 무기물 박막 ( 30 ') 과 기판 ( 10 ) 사이 의 계면 ( 도면 에서 는 점선 으로 표시 ) 은 사라지 게 된다 . 그 이유 는 고온 열처리 동안 기판 ( 10 ) 과 직접 접촉 하 고 무기물 박막 ( 30 ) 부분 에서 고체상 에피 성장 ( solid phase epitaxy ) 이 일어나 서 기판 ( 10 ) 의 결정 방향 을 따라 결정화 가 일어나 기 때문 이 다 . 고체상 에피택시 는 기판 ( 10 ) 과 무기물 박막 ( 30 ) 사이 의 계면 에서부터 시작 되 어 무기물 박막 ( 30 ) 이 비정질 로 이루어진 경우 에 는 최종 적 으로 결정 화 된 무기물 박막 ( 30 ') 은 다 결정 이 되 거나 , 미세 한 다결정 은 그 크기 가 더 커 지 거나 가장 바람직 한 경우 에 는 기판 ( 10 ) 과 같 은 단결정 으로 바뀌 게 된다 . 이러 한 결정 화 는 무기물 박막 ( 30 ) 의 적어도 일부 , 특히 전체 에 걸쳐 일어나 도록 함 이 바람직 하 며 , 빈 공간 ( C ) 위 의 결정 화 된 무기물 박막 ( 30 ') 부분 은 추후 질화물 반도체 에 피층 성 장시 씨앗 부분 으로 작용 을 하 게 되 므로 빈 공간 ( C ) 위 의 무기물 박막 ( 30 ') 부분 은 반드시 결정화 가 되 어 있 어야 한다 .