도 7 b 를 참조 하 면 , 기판 ( 200 ) 과 제 1 및 제 2 돌출부 ( 210 a , 210 b ) 및 제 3 산화물 층 ( 31 ) 상 에 컨 포 멀 하 게 ( conformally ) 제 6 산화물 층 ( 61 ) 을 형성 한다 . 그 다음 , 제 1 및 제 2 돌출부 ( 210 a , 210 b ) 사이 의 기판 ( 200 ) 의 상부 와 제 1 및 제 2 돌출부 ( 210 a , 210 b ) 의 상부 에 제 1 도전 형 불순물 을 도핑 한다 . 그 결과 , 기판 ( 200 ) 의 상부 에 제 3 도핑 영역 ( d 3 ) 이 형성 되 고 , 제 1 및 제 2 돌출부 ( 210 a , 210 b ) 의 상부 에 제 4 도핑 영역 ( d 4 ) 이 형성 된다 . 이때 , 제 1 및 제 2 돌출부 ( 210 a , 210 b ) 의 폭 이 좁 기 때문 에 , 제 4 도핑 영역 ( d 4 ) 의 도핑 농도 가 제 3 도핑 영역 ( d 3 ) 의 도핑 농도 보다 낮 을 수 있 다 . 이러 한 도핑 농도 차이 를 없애 기 위해 , 도 6 a 단계 에서 제 1 산화물 층 ( 11 ) 을 형성 하 기 전 에 , 기판 ( 200 ) 상부 에 제 1 도전 형 불순물 을 도핑 할 수 도 있 다 .