도 7 에 도시 된 것 처럼 본 발명 에 의한 제작 예 1 트랜지스터 는 열처리 이전 에 도 4 . 23 × 107 의 매우 높 은 온 / 오프 비 를 나타내 었 고 72 cm 2 / V . s 모빌리티 1 . 5 V 의 문턱 전압 , 0 . 50 V / decade 의 기존 질소 - 도핑 그래핀 과 비교 하 였을 때 매우 우수 한 특성 을 나타내 었 다 . 제작 예 1 트랜지스터 를 200 , 250 , 300 ℃ 로 열처리 했 을 때 , 트랜지스터 의 성능 이 점차 적 으로 우수 해 지 는 것 을 확인 할 수 있 다 . 이 는 , 제 1 전극 과 제 2 전극 을 DC 스퍼터링 으로 Au , Ti 를 증착 할 때 발생 하 는 활성 층 과 전극 층 계면 사이 에 발생 하 는 결함 과 전극 층 이 증착 될 때 발생 하 는 물리 적 스트레스 가 열처리 로 인해 완화 , 해소 됨 으로써 질소 - 도핑 그래핀 트랜지스터 의 본연 의 특성 이 발현 된 것 으로 해석 된다 .