상기 와 같 은 목적 들 달성 하 기 위한 본 발명 에 의한 씨 모스 이미지 센서 는 포토 다이오드 영역 과 트랜지스터 영역 으로 정의 된 반도체 기판 과 , 상기 반도체 기판 의 포토다이오드 영역 에 일정 한 간격 을 갖 고 게이트 절 연막 을 개재 하 여 형성 되 는 제 1 게이트 전극 및 제 2 게이트 전극 과 , 상기 제 1 게이트 전극 및 제 2 게이트 전극 양측 의 포토 다이오드 영역 에 형성 되 는 제 1 도전 형 확산 영역 과 , 상기 제 1 게이트 전극 및 제 2 게이트 전극 의 양 측면 에 형성 되 는 절 연막 측벽 과 , 상기 트랜지스터 영역 에 형성 되 는 플로팅 확산 영역 을 포함 하 여 구성 됨 을 특징 으로 한다 .