차동 증폭기 ( 311 ) 는 제 1 내지 제 2 NMOS 트랜지스터 ( N 1 , N 2 ) 및 제 1 내지 제 3 PMOS 트랜지스터 ( P 1 , P 2 , P 3 ) 로 구성 된다 . 제 1 NMOS 트랜지스터 ( N 1 ) 는 센싱 노드 ( NSA ) 의 전압 에 응답 하 여 제 1 노드 ( Na ) 와 접지 사이 에 전류 통로 를 형성 한다 . 제 2 NMOS 트랜지스터 ( N 2 ) 는 기준 전압 ( Vref ) 에 응답 하 여 제 2 노드 ( Nb ) 와 접지 사 이 에 전류 통로 를 형성 한다 . 제 1 PMOS 트랜지스터 ( P 1 ) 는 제 2 노드 ( Nb ) 의 전압 에 응답 하 여 제 3 노드 ( Nc ) 와 제 1 노드 ( Na ) 사이 에 전류 통로 를 형성 한다 . 제 2 PMOS 트랜지스터 ( P 2 ) 는 제 1 노드 ( Na ) 의 전압 에 응답 하 여 제 3 노드 ( Nc ) 와 제 2 노드 ( Nb ) 사이 에 전류 통로 를 형성 한다 . 제 3 PMOS 트랜지스터 ( P 3 ) 는 제어 신호 ( nPSA ) 에 응답 하 여 전원 단자 와 제 3 노드 ( Nc ) 사이 에 전류 통로 를 형성 한다 . 제 3 PMOS 트랜지스터 ( P 3 ) 는 전원 단자 를 통해 승압 전압 ( VSA ) 을 입력 받 는다 .