본 발명 에 따른 발광 소자 는 도 2 에 도시 된 바 와 같이 , 기판 ( 100 ) 과 , 상기 기판 ( 100 ) 상 에 형성 된 제 1 반도체 층 ( 200 ) 과 상기 제 1 반도체 층 상 의 일부 영역 에 형성 된 활성 층 ( 300 ) 과 , 상기 활성 층 ( 300 ) 상 에 형성 된 제 2 반도체 층 ( 400 ) 과 , 상기 제 2 반도체 ( 400 ) 층 상 에 형성 된 다층 구조 의 제 2 전극 ( 420 ) 을 포함 한다 . 이때 , 상기 기판 ( 100 ) 은 사파이어 기판 ( 100 b ) 과 상기 사파이어 기판 ( 100 b ) 의 하부 에 형성 된 반사막 ( 100 a ) 을 포함 하 고 , 상기 제 1 반도체 층 ( 200 ) 과 제 2 반도체 층 ( 400 ) 상 에 는 제 1 패드 ( 240 ) 와 제 2 패드 ( 440 ) 가 형성 될 수 있 다 .