이후 , 상기 절연 층 ( 162 ) 상 에 제 1 단위 화소 ( 100 ) 의 제 1 플로팅 디 퓨전 영역 ( 125 ) 상 의 일부 절연 층 을 노출 하 는 감광막 패턴 ( 164 ) 을 형성 하 고 , 상기 감광막 패턴 ( 164 ) 을 식각 마스크 로 하 여 상기 노출 된 절연 층 ( 162 ) 을 식각 하 여 컨 택 홀 ( 166 ) 을 형성 한다 .