본 발명 은 상기 와 같 은 문제점 을 해소 하 기 위한 것 으로서 일정 온도 이상 ( 약 34 ℃ 이상 ) 의 열 이 인가 되 면 게르마늄 ( 진상 반도체 ) 이 반도체 로 변환 되 어 4 개 의 안정 된 최 외곽 전자 중 한 개 가 떨어져 나와 자유 전자 가 되 어 미세 전류 를 발생 시키 고 , 이 발생 된 자유 전자 를 튀김 유 에 공급 하 여 튀김 유 의 산화 를 억제 하 는 즉 , 전자 를 받 아 드려 음 이온 이 발생 되 는 음 이온 발생 부 와 , 상기 음 이온 발생 부 로부터 생성 되 는 음 이온 을 전자 기유 도 현상 에 의해 자계 를 발생 하 여 음 이온 의 유동 을 원활 하 게 하 여 산화 억제력 을 증대 시키 는 자기 장발 생부 와 , 상기 음 이온 발생 부 및 자기 장발 생부 를 외부 로부터 보호 하 고 은폐 시키 는 전 . 후면 커버 로 이루어진 튀김 유 의 산화 방지 연명 장치 를 제공 하 는 것 이 다 .