게이트 절 연막 ( 144 ) 이 형성 된 후 스퍼터링 등 의 증착 방법 으로 투명 전극 물질 이 전면 증착 된다 . 이어서 마스크 를 이용 한 포 토리 쏘 그래피 공정 과 식각 공정 을 통해 투명 전극 물질 이 패 터닝 됨 으로써 화소 전극 ( 116 ) 이 형성 된다 . 화소 전극 ( 116 ) 은 게이트 절 연막 ( 144 ) 을 사이 에 두 고 게이트 라인 ( 102 ) 과 부분 적 으로 중첩 됨 에 따라 스토리지 캐 패 시터 ( 120 ) 를 형성 한다 .