표 9 에 나타내 는 것 과 같이 , 본 발명 의 유기 막 형성 용 조성물 ( 실시 예 6 - 1 ∼ 6 - 23 ) 모두 레지스 트 상 층막 패턴 이 최종 적 으로 기판 까지 양호 하 게 전사 되 고 있 어 , 본 발명 의 유기 막 형성 용 조성물 은 다층 레지스 트 법 에 의한 미세 가공 에 적합 하 게 이용 되 는 것 이 확인 되 었 다 . 한편 , 비 교예 6 - 1 ∼ 6 - 7 에서 는 , 가교제 의 첨가 에 의해 용제 내성 이 얻 어 져 경화 막 으로 되 었 지만 , 내열성 이 부족 하 여 패턴 의 매립 이 불량 을 일으키 고 있 기 때문 에 , 패턴 가공 시 에 패턴 붕괴 가 발생 하 여 , 최종 적 으로 양호 한 패턴 을 얻 을 수 없 었 다 .