메모리 장치 ( 100 ) 의 판독 동작 또는 기입 동작 에서 , 비트 라인 ( BL 5 ) 및 워드 라인 ( WL 3 ) 은 , 각각 , 선택 된 비트 라인 및 선택 된 워드 라인 일 수 있 다 . 비트 라인 ( BL 4 ) 은 , D 1 방향 에서 , 선택 된 비트 라인 ( BL 5 ) 에 인접 할 수 있 다 . 비트 라인 ( BL 6 ) 은 , D 2 방향 에서 , 선택 된 비트 라인 ( BL 5 ) 에 인접 할 수 있 다 . 워드 라인 ( WL 2 ) 은 , D 3 방향 에서 , 워드 라인 ( WL 3 ) 에 인접 할 수 있 다 . 워드 라인 ( WL 4 ) 은 , D 4 방향 에서 , 워드 라인 ( WL 3 ) 에 인접 할 수 있 다 .