상기 제 1 도전 형 반도체 층 ( 310 ) , 상기 활성 층 ( 320 ) 및 상기 제 2 도전 형 반도체 층 ( 330 ) 은 Ⅱ - Ⅵ 족 또는 Ⅲ - Ⅴ 족 화합물 반도체 재질 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 상기 제 1 도전 형 반도체 층 ( 310 ) , 상기 활성 층 ( 320 ) 및 상기 제 2 도전 형 반도체 층 ( 330 ) 은 AlxGayIn ( 1 - x - y ) N 의 화합물 조성 을 갖 는 화합물 반도체 재질 을 포함 할 수 있 다 . 상기 화합물 반도체 재질 로 는 InAlGaN , GaN , AlGaN , InGaN , AlN , InN 및 AlInN 로 이루어지 는 그룹 으로부터 선택 된 적어도 하나 가 포함 될 수 있 지만 , 이 에 대해서 는 한정 하 지 않 는다 .