도 3 c 를 참조 하 면 , 상기 패드 ( 104 ) 및 상기 소자 층 ( 106 ) 을 포함 한 상기 반도체 기판 ( 100 ) 의 상기 일면 ( a ) 상 에 캐리어 기판 ( 108 ) 을 부착 한다 . 상기 반도체 기판 ( 100 ) 의 상기 타면 ( b ) 을 소망 하 는 두께 가 잔류 되 도록 백 그라인딩 ( Back grinding ) 하 거나 , 또는 , 상기 반도체 기판 ( 100 ) 의 두께 를 감소 시키 기 위하 여 웨이퍼 시닝 ( Wafer Thining ) 공정 을 수행 한다 .