본 발명 의 예시 적 실시 예 중 하나 에서 , 상기 반도체 층 의 제 1 의 영역 ( 41 ) 은 , 상기 반도체 층 의 제 2 의 영역 ( 42 ) 의 아모 퍼스 산화물 과 는 조성 이 다른 결정 성분 ( 전형 적 으로 는 , 결정립 ) 을 포함 한다 . 이 경우 에 , 결정 성분 은 아모 퍼스 산화물 보다 전기 저항 이 낮 다 . 이 에 따라 , 상기 제 1 의 영역 은 , 전체 영역 의 평균 으로서 저 저항 이 된다 .