본 발명 의 하나 의 양태 는 전부 - 텅스텐 플러그 를 형성 하 기 위한 방법 에 관한 것 이 다 . 상기 방법 은 유전 층 에 접촉 홀 을 포함 하 는 반도체 기판 을 제공 하 기 위한 작업 ( 이때 , 상기 접촉 홀 은 전도성 영역 을 노출 시킴 ) 과 , 상기 기판 을 비 - 할로겐 유기 금속 텅스텐 전구체 와 환원제 에 노출 시켜서 , 상기 노출 된 전도성 영역 상 에 텅스텐 - 풍부 장벽 필름 을 증착 시키 는 작업 ( 이때 , 상기 텅스텐 - 풍부 장벽 필름 은 금속 텅스텐 과 텅스텐 카바이드 의 혼합물 을 포함 ) 과 , 기판 을 텅스텐 - 함유 전구체 에 노출 시켜서 , 상기 텅스텐 - 풍부 장벽 필름 상 에 하나 이상 의 텅스텐 층 을 증착 시키 는 작업 과 , 상기 홀 을 텅스텐 으로 충분히 , 또는 완전히 충전 하 여 텅스텐 플러그 를 형성 하 는 작업 을 포함 한다 . 상기 텅스텐 - 풍부 장벽 층 은 접촉 홀 에 얇 은 등 각 층 ( conformal layer ) 으로서 증착 되 는 것 이 일반 적 이 다 . 특정 실시 예 에서 , 텅스텐 - 풍부 장벽 필름 상 에 텅스텐 층 을 증착 시키 는 작업 은 할로겐 - 함유 텅스텐 전구체 , 가령 WF 6 를 이용 하 는 작업 을 포함 한다 . 또 다른 실시 예 에서 , 텅스텐 - 풍부 층 의 증착 전 에 , 접촉 부 를 세정 하 여 , 그 아래 위치 하 는 층 과 의 옴 접촉 ( ohmic contact ) 을 가능 하 게 하 기 위해 , 물리 적 , 또는 화학 적 선 - 세정 공정 이 사용 된다 .