본 방법 에서 기본 몸체 를 준비 하 고 , 상기 기본 몸체 는 제조 해야 할 발광 다이오드 칩 을 위한 층 시퀀스 를 포함 하 며 , 상기 층 시퀀스 는 전자기 복사 를 방출 하 는 데 적합 하 다 . 기본 몸체 의 적어도 하나 의 주요 면 에 커버 층 을 도포 한다 . 커버 층 에 적어도 하나 의 캐비 티 를 삽입 한다 . 적어도 하나 의 발광체 를 커버 층상 에 도포 하 고 , 이 는 특히 캐 비 티 의 형성 이전 또는 이후 에 수행 할 수 있 다 .