그러나 예시 적 인 실시 예 들 에 따른 반도체 장치 ( 100 A ) 의 제조 방법 에 따르 면 , 제 1 희생 게이트 ( 222 ) 및 제 2 희생 게이트 ( 226 ) 를 포함 하 는 희생 게이트 스택 ( 220 ) 을 형성 하 는 방법 에 의해 , 희생 게이트 스택 의 초기 높이 ( HS 1 ) 가 종래 의 단일 한 희생 게이트 에 비하 여 현저히 감소 될 수 있 을 뿐 만 아니 라 희생 게이트 스택 ( 220 ) 의 높이 ( HS 2 ) 역시 상기 단일 한 희생 게이트 에 비하 여 감소 될 수 있 다 . 따라서 희생 게이트 스택 ( 220 ) 제거 공정 에서 개구부 의 종횡비 가 현저히 감소 되 고 로딩 효과 가 방지 될 수 있 다 .