본 발명 의 발광 소자 는 위 에서 언급 된 형광 물질 을 사용 하 기 만 하 면 임의 의 소자 일 수 있 다 . 본 발명 의 발광 소자 로서 , 250 내지 450 ㎚ 의 파장 의 광 을 방출 하 는 반도체 를 갖 는 발광 다이오드 등 의 발광 요소 ; 전계 발광 요소 ; 여기 광 으로 서 의 수은 으로부터 방출 되 는 자외선 광 을 사용 하 는 냉 음극 형광 램프 및 열 전극 형광 램프 등 의 형광 램프 ; 전계 발광 디스플레이 ( FED ) ; 진공 형광 디스플레이 ( VFD ) 등 이 인용 될 수 있 다 . FED 및 VFD 는 음극 으로부터 의 전자 가 형광 물질 에 대해 직접 적 으로 충돌 하 여 광 을 방출 하 게 한다 .