본 발명 에서 는 각 층 의 열 경화 온도 를 조절 하 여 , 제 1 층 의 경우 웨이퍼 이 면 라미 네이션 조건 에서 실리콘 웨이퍼 이면 과 의 접착력 을 향상 시키 고 이 와 동시 에 본딩 와이어 와 반도체 칩과 의 절연 기능 을 향상 시키 고 , 제 2 층 의 경우 120 ∼ 160 ℃ 의 본딩 조건 에서 반도체 칩 상 에 위치 하 는 본딩 와이어 부분 을 충분히 덮 을 수 있 는 와이어 침투 다이 접착 필름 을 제공 한다 .