유전체 재료 층 들 이 반도체 디바이스 들 ( 710 ) 위 에 형성 되 며 , 이 는 본 명세서 에서 로직 - 측 유전체 층 들 ( 760 ) 로 지칭 된다 . 선택 적 으로 , 유전체 라이너 ( 762 ) ( 예컨대 , 실리콘 질화물 라이너 ) 가 다양 한 전계 효과 트랜지스터 들 에 기계 적 응력 을 인가 하 기 위해 그리고 / 또는 로직 - 측 유전체 층 들 ( 760 ) 로부터 반도체 디바이스 들 ( 710 ) 내로 의 수소 또는 불순물 의 확산 을 방지 하 기 위해 형성 될 수 있 다 . 로직 - 측 금속 상호 연결 구조물 들 ( 780 ) 이 로직 - 측 유전체 층 들 ( 760 ) 내 에 포함 된다 . 로직 - 측 금속 상호 연결 구조물 들 ( 780 ) 은 다양 한 디바이스 콘 택 비아 구조물 들 ( 782 ) ( 예컨대 , 디바이스 의 각자 의 소스 및 드레 인 노드 들 과 접촉 하 는 소스 및 드레 인 전극 들 또는 게이트 전극 콘 택 들 ) , 상호 연결 - 레벨 금속 라인 구조물 들 ( 784 ) , 상호 연결 - 레벨 금속 비아 구조물 들 ( 786 ) , 및 접합 패드 들 로서 기능 하 도록 구성 될 수 있 는 제 2 접합 구조물 들 ( 788 ) ( 예컨대 , 금속 성 패드 구조물 들 ) 을 포함 할 수 있 다 .