그리고 , 도 5 e 및 도 6 e 에 도시 된 바 와 같이 , 상기 제 1 콘 택 홀 ( 140 a ) 과 제 2 콘 택 홀 ( 140 b ) 이 형성 된 상기 보호막 ( 115 b ) 전면 에 투명 한 도전 물질 로 이루어진 제 4 도 전막 을 형성 한 후 , 포토 리소그래피 공정 ( 제 5 마스크 공정 ) 을 이용 하 여 선택 적 으로 패 터닝 함 으로써 상기 화소 영역 내 에 다 수개 의 슬릿 ( 108 s ) 을 가진 공통 전극 ( 108 ) 을 형성 한다 .