기판 ( 110 ) 의 메모리 셀 영역 ( MCR ) 상 에 는 복수 의 제 1 절연 층 ( 120 ) 과 복수 의 게이트 전극 ( 130 ) 이 기판 ( 110 ) 의 주면 ( 110 M ) 에 수직 한 제 3 방향 ( Z 방향 ) 을 따라 교대 로 배치 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 기판 ( 110 ) 상 에 는 제 1 절연 층 ( 120 ) 과 게이트 전극 ( 130 ) 이 교대 로 및 반복 적 으로 배치 될 수 있 다 . 최 상부 의 게이트 전극 ( 130 ) 상 에 는 제 2 절연 층 ( 122 ) 이 배치 될 수 있 다 .