수직 채널 구조 의 비휘발성 메모리 소자 가 제공 된다 . 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 비휘발성 메모리 소자 는 , 기판 상 으로 수직 신장 하 는 반도체 영역 ; 상기 반도체 영역 의 측벽 을 따라서 상기 기판 상 으로 수직 신장 하 고 , 복수 의 메모리 셀 들 및 상기 복수 의 메모리 셀 들 의 일 측 에 배치 된 적어도 하나 의 선택 트랜지스터 를 포함 하 며 서로 인접 하 는 복수 의 메모리 셀 스트링 들 ; 상기 메모리 셀 스트링 의 상기 복수 의 메모리 셀 들 에 결합 된 복수 의 워드 라인 들 ; 상기 메모리 셀 스트링 의 상기 적어도 하나 의 선택 트랜지스터 에 결합 된 선택 라인 ; 및 서로 인접 한 상기 메모리 셀 스트링 들 의 상기 선택 트랜지스터 들 사이 에 공기 간극 ( air gap ) 으로 이루어지 는 절연 영역 을 포함 한다 .