상기 디렉 셔 널 결정 화법 은 마스크 없이 레이저 빔 을 비정질 실리콘 층 상 에 직접 조사 한다 . 이때 , 레이저 빔 은 비정질 실리콘 을 용융 시키 고 고상 화 시키 기 위하 여 최적 화 하 여 길이 가 365 nm 내지 1100 nm 이 고 , 폭 이 5 ㎛ 내지 20 ㎛ 인 면적 을 가지 고 , 상기 레이저 는 비정질 실리콘 을 순간 적 으로 용융 시켜야 하 는 세기 를 가져야 하 므로 완전 용융 영역 에너지 또는 완전 용융 근접 영역 에너지 여야 한다 . 더 바람직 하 게 상기 레이저 의 에너지 밀도 는 150 내지 1000 mJ / ㎠ 이 고 , 비정질 실리콘 을 충분히 용융 시킬 수 있 는 강도 를 갖 는다 .