도 25 a 및 25 b 는 예시 적 인 반도체 디바이스 ( 200 ) 를 제조 하 기 위한 예시 적 인 방법 의 사시도 및 단면도 를 도시 한다 . 어셈블리 의 방향 이 이전 단계 에서 반전 되 었 다 . 도 25 a 및 25 b 에 도시 된 예 에서 , 인터페이스 필름 ( 280 ) 에 오프닝 ( 280 A ) 이 형성 될 수 있 다 . 오프닝 ( 280 A ) 은 서브 스트레이트 인터 커넥트 ( 112 ) 와 대응 되 는 인터페이스 필름 ( 280 ) 의 영역 에 형성 될 수 있 다 . 이 에 따라 , 서브 스트레이트 인터 커넥트 ( 112 ) 의 상면 이 인터페이스 필름 ( 280 ) 의 오프닝 ( 280 A ) 을 통해 노출 될 수 있 다 . 오프닝 ( 280 A ) 은 레이저 드릴링 , 기계 적 드릴링 및 / 또는 화학 적 식각 에 의해 형성 될 수 있 다 .