첫째 , HDP 산화 막 을 이용 한 소자 분리 막 형성 시 , HDP 증착 특성 에 기인 한 모트 ( moat ) 를 LPCVD 방식 을 이용 한 산화 막 으로 균등 하 게 매립 하 여 하부 단차 및 토폴로지 ( topology ) 를 완화 시켜 보이드 ( void ) 유발 요인 을 사전 에 제거 함 으로써 , 후속 한 증착 공정 시 보이 드 생 성 을 억제 하 여 후속 한 습식 식각 시 게이트 용 도전 막 의 측벽 손실 을 방지 할 수 있 다 .