결과 적 으로 , 제 1 단위 상변화 메모리 소자 부분 ( c ) 에 는 제 1 발열 전극 ( 206 a ) 및 제 1 하부 전극 ( 204 a ) 이 형성 되 고 , 제 2 단위 상변화 메모리 소자 부분 ( d ) 에 는 제 2 발열 전극 ( 206 b ) 및 제 2 하부 전극 ( 204 b ) 이 형성 된다 . 그리고 , 상기 반도체 기판 ( 200 ) 상 에 는 홀 ( 214 ) 이 형성 된다 .