판독 동작 과 프로그래밍 동작 의 일 실시 예 동안 에 , 4256 개 의 메모리 셀 들 이 동시 에 선택 된다 . 선택 된 메모리 셀 들 은 동일 한 워드 라인 과 동일 한 종류 의 비트 라인 ( 예컨대 짝수 비트 라인 들 또는 홀수 비트 라인 들 ) 을 갖 는다 . 그러므로 , 532 바이트 의 데이터 가 동시 에 판독 되 거나 프로그램 될 수 있 다 . 이 동시 에 판독 되 거나 프로그램 되 는 532 바이트 의 데이터 는 하나 의 논리 페이지 를 형성 한다 . 그러므로 , 하나 의 블럭 은 적어도 8 개 의 논리 페이지 들 을 저장 할 수 있 다 ( 각각 홀수 페이지 및 짝수 페이지 를 갖 는 4 개 의 워드 라인 들 ) . 각 메모리 셀 이 2 비트 의 데이터 를 저장 하 는 때 에 ( 예컨대 다중 - 상태 메모리 셀 들 ) , 이 2 비트 들 각각 은 다른 페이지 에 저장 되 고 , 하나 의 블럭 이 16 개 의 논리 페이지 를 저장 한다 . 다른 사이즈 의 블 럭 들 과 페이지 들 또한 본 발명 에 사용 될 수 있 다 . 추가 로 , 도 4 와 도 5 의 아키텍처 와 다른 아키텍처 들 도 본 발명 을 구현 하 기 위해 사용 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 일 실시 예 에서 모든 비트 라인 들 이 동시 에 프로그램 되 고 판독 되 게 하 기 위하 여 ( 또는 동시 에 프로그램 , 판독 되 지 않 도록 ) , 비트 라인 들 이 홀수 비트 라인 과 짝수 비트 라인 으로 나누 어 지 지 않 는다 .