도 7 를 참조 하 면 , 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 칩 안테나 의 제조 방법 은 제 1 세라믹 기판 ( 110 a ) 및 제 2 세라믹 기판 ( 110 b ) 을 마련 하 는 것 으로 시작 한다 ( 도 7 ( a ) ) . 이어서 , 제 1 세라믹 기판 ( 110 a ) 을 두께 방향 으로 관통 하 는 비아 홀 ( VH ) 을 형성 하 고 ( 도 7 ( b ) ) , 비아 홀 ( VH ) 의 내부 에 전도성 페이스트 를 도포 또는 충 진하 여 ( 도 7 ( c ) ) , 급전 비아 ( 131 ) 를 형성 한다 . 전도성 페이스트 는 비아 홀 의 내부 전체 에 충 진 되 거나 , 비아 홀 ( VH ) 의 내부 면 에 일정 한 두께 로 도포 될 수 있 다 .