본 발명 의 다른 실시 예 에 따른 네거티브 포토레지스트 막 을 이용 한 포토 마스크 는 , 미러 층 이 형성 된 투명 기판 상 에 네거티브 타입 의 포토레지스트 막 패턴 을 원자 현미경 을 이용 한 전자 노광 법 으로 형성 하 고 , 흡수 층 을 증착 함 으로써 전자 빔 노광 에 비해 상대 적 으로 낮 은 에너지 , 예컨대 수 내지 수십 V 의 에너지 를 이용 하 여 노광 공정 을 진행할 수 있 다 . 이때 , 흡수 층 패턴 을 증착 하 기 이전 에 포토레지스트 막 패턴 을 형성 함 으로써 포토레지스트 막 의 두께 를 조절 하 여 흡수 층 패턴 의 깊이 를 조절 할 수 있 다 . 또한 , 포토레지스트 막 을 이용 하 여 패턴 을 형성 함 으로써 수십 nm 수준 의 패턴 을 형성 할 수 있 어 좁 은 선폭 의 구조물 을 형성 할 수 있 다 .