잘 알려진 바 와 같이 , 반도체 메모리 소자 의 일종 인 에스램 ( SRAM ) 소자 는 디램 ( DRAM ) 소자 와 달리 전원 이 공급 되 는 동안 에 는 저장 된 정보 가 그대로 남 아 있 어 주기 적 인 재충전 ( refresh ) 이 필요 없 고 , 디램 에 비해 집적도 는 작 지만 소비 전력 이 적 고 처리 속도 가 빠르 다 . 에스램 셀 ( cell ) 은 일반 적 으로 모두 여섯 개 의 트랜지스터 , 즉 두 개 의 풀 - 다운 ( pull - down ) 트랜지스터 , 두 개 의 풀 - 업 ( pull - up ) 트랜지스터 , 두 개 의 액세스 ( access ) 트랜지스터 로 이루어진다 .