도 1 b 는 , 도 1 에 도시 된 구조 를 더욱 상세히 나타내 기 위한 것 으로서 , 도 1 a 의 A - A ' 선 에 따른 단면도 이 다 . 도 1 b 를 참조 하 면 , 예컨대 P - 형 반도체 기판 ( 10 ) 상 에 제 1 절연체 층 ( 20 ) 이 형성 되 어 있 고 , 제 1 절연체 층 ( 20 ) 위 에 소정 의 폭 을 가지 는 하부 금속 선 ( 100 ) 이 형성 되 어 있 다 . 또한 , 하부 금속 선 ( 100 ) 과 상부 금속 선 ( 101 ) 을 연결 하 는 비아 콘 택 ( 102 ) 이 형성 된 제 2 절연체 층 ( 30 ) 위 에 나선 형 의 형상 을 가지 는 상부 금속 선 ( 101 ) 이 인덕 터 코일 로서 형성 되 어 있 다 . 이러 한 구조 를 가지 는 종래 기술 의 나선 형 인덕 터 는 아날로그 회로 에서 사용 되 는 3 차원 구조 에 비하 여 인덕턴스 값 이 작 고 , 큰 기생 저항 성분 을 가진다는 단점 이 있 다 . 특히 손실 이 큰 반도체 기판 의 특성 에 의하 여 , 반도체 기판 위 에서 형성 된 나선 형 인덕 터 는 고주파 회로 에서 매우 큰 전력 의 손실 을 야기 한다 .