제 1 도 전체 ( 95 ) 는 기판 ( 50 ) 으로부터 멀 어 질 수 록 , 즉 상변화 물질 ( 113 ) 또는 제 2 도 전체 ( 120 ) 에 가까워질 수 록 , 그 비저항 이 증가 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 기판 ( 50 ) 에 인접 한 제 1 도 전체 ( 95 ) 의 제 1 부분 ( 90 b ) 의 폭 은 상변화 물질 ( 113 ) 에 인접 한 제 1 도 전체 ( 95 ) 의 제 2 부분 ( 93 s ) 의 폭 보다 넓 을 수 있 다 . 예 를 들 어 상변화 물질 ( 113 ) 에 인접 한 제 1 도 전체 ( 95 ) 의 제 2 부분 ( 93 s ) 의 전류 밀도 는 기판 ( 50 ) 에 인접 한 제 1 도 전체 ( 95 ) 의 제 1 부분 ( 90 b ) 에서 의 전류 밀도 보다 높 을 수 있 다 . 따라서 , 좁 은 폭 의 제 2 부분 ( 93 s ) 으로 인해서 상변화 물질 ( 113 ) 에 인접 한 부분 에서 전류 밀도 를 증가 시킬 수 있 고 상변화 물질 ( 113 ) 을 가열 하 는 효율 을 향상 시킬 수 있 다 . 한편 , 제 1 부분 ( 90 b ) 는 폭 이 넓 어 하부 의 도전 물질 과 의 콘택트 저항 특성 을 향상 시킬 수 있 다 .