도 2 B 는 제 1 몰드 재료 ( 140 ) 로 반도체 기판 ( 130 ) 캡슐 화 한 후 반도체 디바이스 ( 200 ) 를 도시 한다 . 다양 한 실시 형태 에서 , 반도체 기판 ( 130 ) 은 몰딩 장치 의 몰드 공동 ( 도시 생략 ) 으로 수용 될 수 있 다 . 제 1 몰드 재료 ( 140 ) 는 제 1 몰드 재료 ( 140 ) 가 액화 되 고 반도체 기판 ( 130 ) 을 통해 흐르 도록 공동 에서 가열 되 고 압축 될 수 있 다 . 제 1 몰드 재료 ( 140 ) 는 그 후 냉각 되 고 경화 되 도록 허용 될 수 있 다 . 일단 경화 되 면 , 제 1 몰드 재료 ( 140 ) 는 도 2 C 에 도시 된 바 와 같이 , 제 1 몰드 재료 ( 140 ) 상 에서 제 1 외부 표면 ( 225 a ) 을 획정 하 기 위해 ( 예 로서 , 백 그라인딩 을 통해 ) 세선 화 될 수 있 다 . 제 1 몰드 재료 ( 140 ) 를 세선 화 하 는 것 은 또한 대응 하 는 반도체 기판 ( 130 ) 의 제 2 외부 표면 ( 225 b ) ( 예 로서 , 뒷면 표면 ) 을 노출 시킨다 . 제 1 몰드 재료 ( 140 ) 및 반도체 기판 ( 130 ) 은 세선 화 후 대체로 동일 평면 상 에 있 을 수 있 다 .