이어서 , 도전 막 의 상면 이 소자 분리 막 ( 104 A ) 의 돌출부 에 의해 고립 되 도록 평탄 화 공정 을 실시 한다 . 이 로써 , 플로팅 게이트 ( 106 ) 는 소자 분리 막 ( 104 A ) 에 의해 X 축 방향 과 Y 축 방향 으로 고립 되 어 섬 ( island ) 형태 로 형성 된다 . 이때 , 평탄 화 공정 은 CMP 공정 또는 전면 식각 공정 , 예컨대 블랑켓 ( blanket ) 또는 에치 백 공정 으로 실시 할 수 있 다 .