본 발명 의 일 실시 예 에 따른 반도체 메모리 소자 의 소자 분리 막 형성 방법 은 반도체 기판 상 에 터널 절 연막 , 플로팅 게이트 용 도전 막 을 순차 적 으로 형성 하 는 단계 와 , 식각 공정 을 실시 하 여 상기 플로팅 게이트 용 도전 막 , 상기 터널 절 연막 , 및 상기 반도체 기판 을 선택 적 으로 식각 하 여 트렌치 를 형성 하 는 단계 와 , 상기 터널 절 연막 의 계면 및 측벽 에 트랩 차지 및 디 그레데 이 션 을 방지 하 기 위하 여 플 라즈 마 질화 열처리 공정 을 실시 하 는 단계 와 , 상기 트렌치 를 포함 한 전체 구조 상 에 제 1 절 연막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 제 1 절 연막 을 을 포함 한 전체 구조 상 에 제 2 절 연막 을 증착 하 는 단계 와 , 큐어 링 공정 을 실시 하 는 단계 를 포함 한다 .