본 명세서 에 기재 된 방법 ( 1100 ) 및 장치 의 일부 예시 가 플레이트 가 제 2 전압 에 도달 한 후 강유 전 성 메모리 셀 에 대한 타깃 논리 상태 를 가리키 는 쓰 기 커맨드 를 수신 하 고 - 타깃 논리 상태 는 제 1 논리 상태 또는 제 2 논리 상태 중 하나 를 포함 함 - , 타깃 논리 상태 를 래치 에 쓰 고 , 타깃 논리 상태 가 제 1 논리 상태 일 수 있 을 때 , 적어도 워드 라인 을 비 활성 화 할 때 까지 디 지트 라인 및 플레이트 를 제 2 전압 으로 유지 하 며 , 타깃 논리 상태 가 제 2 논리 상태 일 수 있 을 때 래치 에 의해 생성 된 구동 신호 를 기초 로 강유 전 성 메모리 셀 에 타깃 논리 상태 를 쓰 기 위한 동작 , 특징 부 , 수단 , 또는 명령 을 더 포함 할 수 있 다 .