예시 적 인 실시 예 들 에서 , 패키지 간 연결 단자 ( 600 ) 는 하부 몰딩 층 ( 250 ) 의 리세 스 부 ( 도 2 의 257 참조 ) 를 채우 도록 형성 될 수 있 다 . 패키지 간 연결 단자 ( 600 ) 는 하부 몰딩 층 ( 250 ) 의 내 측벽 ( 253 ) 을 덮 고 , 도전 성 포스트 ( 160 ) 의 상면 ( 161 ) 을 덮 을 수 있 다 . 도전 성 포스트 ( 160 ) 의 상면 ( 161 ) 은 전체 적 으로 오목 한 형상 을 가지 므로 도전 성 포스트 ( 160 ) 의 상면 ( 161 ) 과 패키지 간 연결 단자 ( 600 ) 사이 의 접촉 면적 이 증가 될 수 있 고 , 그 에 따라 도전 성 포스트 ( 160 ) 와 패키지 간 연결 단자 ( 600 ) 사이 의 접촉 저항 이 감소 되 어 반도체 패키지 ( 10 c ) 의 전기 적 특성 이 향상 될 수 있 다 .