구체 적 으로 , 하드 마스크 막 ( 316 ) 을 패 터닝 하 여 하드 마스크 막 패턴 ( 318 ) 을 형성 한다 . 계속 해서 하드 마스크 막 패턴 ( 318 ) 을 마스크 로 하 부막 들 을 식각 하 여 반도체 기판 ( 300 ) 의 제 1 영역 ( A ) 에 는 p 형 폴리 게이트 ( 326 ) 를 형성 하 고 , 제 2 영역 ( B ) 에 는 n 형 폴리 게이트 ( 330 ) 를 형성 한다 .