도 9 는 본 발명 의 Cu 2 + 이온 이 함침 된 TPN 박막 이 그래핀 으로 성장 하 는 매 커 니즘 을 나타낸 개략 도 이 다 . 도 9 를 참조 하 면 , UV / Ozone 노출 에 의해 PI / Al 2 O 3 기판 에 강하 게 결합 된 TPN 박막 에 담지 된 Cu 2 + 이온 이 그래핀 성장 조건 에서 Cu 나노 입자 로 환원 되 며 , TPN 박막 은 Cu 나노 입자 의 도움 을 받 아 그래핀 으로 전환 된다 . 그래핀 의 Cu 용해도 가 제한 되 어 있 기 때문 에 Cu 나노 입자 는 증발 되 고 PI / Al 2 O 3 기판 상 에 직접 성장 된 4 층 의 그래핀 만 남 게 된다 .