상기 InAlGaAs / InP DBR 구조물 ( 120 , 140 ) 의 경우 에 는 , GaAs 와 AlAs 가 격자 정합 되 고 , In 0 . 52 Ga 0 . 48 As 가 InP 기판 에 격자 정합 되 기 때문 에 , InAlGaAs 물질 에서 In 의 조성 비 를 약 52 % 를 유지 시키 면서 [ Ga + Al ] 의 조성 을 약 48 % 이내 에서 선택 적 으로 용도 에 따라 바꿔 주 면 InP 기판 에 격자 정합 될 수 있 다 . 상기 DBR 구조물 ( 120 , 140 ) 을 1 . 55 ㎛ 의 발진 파장 을 갖 는 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드 에 이용 하 는 경우 에 는 , In 0 . 52 AlGaAs 에서 Ga 의 조성 이 커지 면 커질수록 InP 와 격자 정합 을 유 지 하 면서 발광 파장 이 길 어 지 고 InP 와 의 굴절 률 이 커지 기 때문 에 , InAlGaAs 조성 선택 에 어려움 이 없 다 . 이 에 , InAlGaAs ( 121 ) / InP ( 122 ) DBR 구조물 은 35 주기 정도 만 적층 하 더라도 높 은 반사 율 을 가질 수 있 다 .