도 6 에 도시 된 바 와 같이 , 립 판 ( 211 ) 및 이 너 데 클 판 ( 223 ) 은 단 부면 ( 211 b , 223 b ) 을 각각 갖 는다 . 립 판 ( 211 ) 의 접촉면 ( 211 a ) 과 단부 면 ( 211 b ) 은 리지 ( 211 c ) 를 형성 하 고 , 이너 데 클 판 ( 223 ) 의 접촉면 ( 223 a ) 과 단부 면 ( 223 b ) 은 리지 ( 223 c ) 를 형성 한다 . 이상 적 으로 , 이너 데 클 판 ( 223 ) 의 하단 은 이상 적 인 면 에 배치 되 고 , 이 는 캐스팅 다이 ( 81 ) 의 다이 유출 구 에 하단 의 돌출부 가 존재 하 지 않 는다는 것 을 의미 한다 . 그러나 , 립 판 ( 211 ) 과 이너 데 클 판 ( 223 ) 을 이상 적 인 방식 으로 배치 하 는 것 은 매우 어렵 다 . 실제 다 이 제조 에서 , 이너 데 클 판 ( 223 ) 의 하단 은 통상 다 이 유출 구 에 돌출부 를 형성 한다 . 따라서 , 본 발명 에서 , 돌출부 는 소정 값 이하 로 로 감소 된 다 . 구체 적 으로 , 리지 ( 211 c ) 와 리지 ( 223 c ) 의 거리 ( CL 1 ) 는 9 ㎛ 이하 이 다 . 유출 구 ( 41 a ) 의 축 에서 , 립 판 ( 210 ) 과 이너 데 클 판 ( 224 ) 은 캐스팅 도프 ( 51 ) 의 통로 에서 가장 하 류 면 인 단부 면 ( 210 b ) 과 접촉면 ( 224 b ) 을 각각 갖 는다 . 또한 , 립 판 ( 210 ) 의 접촉면 ( 210 a ) 과 단부 면 ( 210 b ) 은 리지 ( 210 c ) 를 형성 하 고 , 이너 데 클 판 ( 224 ) 의 접촉면 ( 224 a ) 과 단부 면 ( 224 b ) 은 리지 ( 224 c ) 를 형성 한다 . 또한 , 립 판 ( 210 ) 과 이너 데 클 판 ( 223 ) 의 하단 을 위치 시키 는 것 이 매우 어렵 다 . 실제 다 이 제조 에서 , 이너 데 클 판 ( 223 ) 의 하단 은 다 이 유출 구 에 돌출부 를 형성 한다 . 따라서 , 본 발명 에 있 어서 , 돌출부 는 소정 값 으로 감소 된다 . 구체 적 으로 , 리지 ( 210 c ) 와 리지 ( 223 c ) 의 거리 ( CL 2 ) 는 9 ㎛ 이하 이 다 . 또한 , 리지 ( 211 c ) 와 리지 ( 224 c ) 의 거리 ( CL 3 ) , 및 리지 ( 210 c ) 와 리지 ( 224 c ) 의 거리 ( CL 4 ) 도 9 ㎛ 이하 이 다 .