발광 소자 16 과 동일 기판 을 사용 하 여 , 전자 의 이동 을 제어 하 는 제어 층 ( 2114 ) 의 막 두께 를 변화 시켰 다 . 즉 , Ａｌｑ 와 ＤＰＱｄ 와 의 중량 비 는 1 : 0 . 005 ( = Ａｌｑ : ＤＰＱｄ ) 로 고정 한 상태 에서 , 제어 층 ( 2114 ) 의 막 두께 는 10 nm 로 했 다 . 이 때 , 본 발광 소자 17 에 있 어서 는 , 전자 수송 층 ( 2115 ) 의 Ａｌｑ 의 막 두께 를 30 nm 로 하 고 , 제어 층 ( 2114 ) 과 전자 수송 층 ( 2115 ) 의 토털 막 두께 가 발광 소자 16 과 같이 40 nm 가 되 도록 조절 했 다 . 제 어 층 ( 2114 ) 및 전자 수송 층 ( 2115 ) 의 막 두께 이외 에 는 발광 소자 16 과 마찬가지 로 제조 했 다 .