도 1 은 본 발명 에 따른 비휘발성 메모리 소자 의 게이트 식각 후 의 레이 아웃 도 이 고 , 도 2 a 내지 도 2 e 는 도 1 을 선 A - A ' 로 절취 한 단면도 의 게이트 식각 공정 을 설명 하 기 위하 여 공정 순서 대로 도시 한 단면도 들 이 며 , 도 3 a 내지 도 3 e 는 도 1 을 선 B - B ' 로 절취 한 단면도 의 게이트 식각 공정 을 설명 하 기 위하 여 공정 순서 대로 도시 한 단면도 들 이 다 .