이 와 같이 , 본 발명 의 실시 예 에서 는 , 기존 의 나노 임프 린트 리소그래피 방법 과 는 달리 , 템 플레이트 ( 200 ) 와 웨이퍼 ( 100 ) 의 위치 를 서로 바꾸 어 레지스 트 ( 110 ) 가 템 플레이트 ( 200 ) 에 형성 된 패턴 사이 의 공간 으로 완전히 채워 지 도록 함 으로써 , 원 하 는 패턴 을 정확 하 게 구현 할 수 있 게 된다 .