게이트 전극 ( 106 ) 은 게이트 라인 ( 102 ) 으로부터 의 스캔 신호 가 공급 되 도록 게이트 라인 ( 102 ) 과 접속 된다 . 소스 전극 ( 108 ) 은 데이터 라인 ( 104 ) 으로부터 의 화소 신호 가 공급 되 도록 데이터 라인 ( 104 ) 과 접속 된다 . 드레 인 전극 ( 110 ) 은 활성 층 ( 114 ) 의 채널 부 를 사이 에 두 고 소스 전극 ( 108 ) 과 마주 하 도록 형성 되 어 데이터 라인 ( 104 ) 으로부터 의 화소 신호 를 화소 전극 ( 122 ) 에 공급 한다 . 활성 층 ( 114 ) 은 게이트 절 연막 ( 112 ) 을 사이 에 두 고 게이트 전극 ( 106 ) 과 중첩 되 어 소스 및 드레 인 전극 ( 108 , 110 ) 사이 의 채널 부 를 형성 한다 . 오 믹 접촉 층 ( 116 ) 은 소스 전극 ( 108 ) 및 드레 인 전극 ( 110 ) 각각 과 활성 층 ( 114 ) 사이 , 즉 채널 부 를 제외 한 활성 층 ( 114 ) 위 에 형성 된다 . 이 오 믹 접촉 층 ( 116 ) 은 소스 및 드레 인 전극 ( 108 , 110 ) 각각 과 활성 층 ( 114 ) 사이 의 전기 접촉 저항 을 감소 시키 는 역할 을 한다 . 이러 한 활성 층 ( 114 ) 및 오 믹 접촉 층 ( 116 ) 을 포함 하 는 반도체 패턴 은 공 정상 소스 및 드레 인 전극 ( 108 , 110 ) 뿐 만 아니 라 데이터 라인 ( 104 ) 및 데이터 하부 전극 ( 162 ) 을 포함 하 는 데이터 금속 패턴 과 중첩 되 게 형성 된다 .