반도체 재료 의 라인 ( 310 ) 및 블록 ( 320 , 322 ) 의 노출 된 부분 은 스트립 ( 342 - 346 ) 의 양측 에서 라인 ( 310 ) 및 블록 ( 320 , 322 ) 내 에 소스 / 드레 인 영역 을 형성 하 기 위해 ( 예 를 들 어 , n 형 도 펀트 로 ) 도핑 된다는 것 을 알 수 있 을 것 이 다 . 일부 실시 예 에서 , 피처 ( 320 ) 는 소스 를 형성 하 고 , 피처 ( 342 ) 는 라인 ( 310 ) 의 각각 에 대해 분리 트랜지스터 의 게이트 를 형성 한다 . 이 와 유사 하 게 , 라인 ( 310 ) 의 대향 단부 에서 , 피처 ( 322 ) 는 소스 를 형성 하 고 , 피처 ( 343 ) 는 라인 ( 310 ) 의 각각 에 대해 추가 분리 트랜지스터 의 게이트 를 형성 한다 .