본 발명 의 실시 예 에 의하 면 , 소거 검증 이 워드 라인 단위 ( WL ) 로 수행 된다 . 모든 워드 라인 들 ( WL ) 에 소거 검증 전압 이 인가 되 는 종래 의 소거 검증 방법 과 비교 하 면 , 본 발명 의 실시 예 에 따른 소거 검증 방법 에서 소거 검증 전압 이 인가 되 는 대상 인 워드 라인 ( WL ) 의 RC 로딩 이 감소 한다 . 따라서 , 소거 검증 전압 이 워드 라인 ( WL ) 에 인가 될 때 , 워드 라인 ( WL ) 의 소거 검증 전압 의 레벨 로 더 정확 하 게 제어 될 수 있 다 . 즉 , 소거 되 는 메모리 셀 들 의 문턱 전압 이 목표 값 으로 더 정확 하 게 제어 될 수 있 다 . 따라서 , 불휘발성 메모리 장치 ( 100 a ) 의 신뢰 성 이 향상 된다 .