여기 에서 는 , 진공 상태 의 챔버 에 불활성 가스 ( 예 를 들 면 아르곤 ( Ar ) 가스 ) 및 / 또는 반응 성 가스 ( 예 를 들 면 , 산소 ( 02 ) 가스 , 질소 ( N 2 ) 가스 ) 를 도입 하 고 , 피처 리 면 ( 여기 에서 는 , 베이스 기판 ( 120 ) 의 표면 ) 에 바이어스 전압 을 인가 하 여 플 라즈 마 상태 로서 행한다 . 플라 즈 마 안 에 는 전자 와 Ar 의 양이온 이 존재 하 고 , 음극 방향 ( 베이스 기판 ( 120 ) 측 ) 에 Ar 의 양이온 이 가속 된다 . 가속 된 Ar 의 양이온 이 베이스 기판 ( 120 ) 표면 에 충돌 함 으로써 , 베이스 기판 ( 120 ) 표면 이 스퍼터 에칭 된다 . 이때 , 베이스 기판 ( 120 ) 표면 의 볼록 부 로부터 우선 적 으로 스퍼터 에칭 되 고 , 이 베이스 기판 ( 120 ) 표면 의 평탄 성 을 향상 시킬 수 있 다 . 반응 성 가스 를 도입 할 경우 , 베이스 기판 ( 120 ) 표면 이 스퍼터 에칭 됨 으로써 생기 는 결손 을 , 보수 할 수 있 다 .