즉 , 종래 기술 에 의한 수평 형 씨 모스 이미지 센서 에 의하 면 포토다이오드 와 트랜지스터 가 기판 상 에 상호 수평 으로 인접 하 여 형성 된다 . 이 에 따라 , 포토다이오드 형성 을 위한 추가 적 인 영역 이 요구 되 며 , 이 에 의해 필 팩터 ( fill factor ) 영역 을 감소 시키 고 레 졀 루 션 ( Resolution ) 의 가능 성 을 제한 하 는 문제 가 있 다 .