도 1 과 도 2 e 의 예시 적 인 구조 200 e 를 참조 하 면 , 예시 적 인 방법 100 은 블록 S 5 에서 , 블록 S 4 에서 인 캡슐 레이트 된 어셈블리 를 박화 ( 예 를 들 어 , 제 1 박 화 동작 등 을 수행 ) 하 는 것 하 는 것 을 포함 할 수 있 다 . 예 들 들 어 , 블록 S 5 는 원 하 는 두께 로 제 1 인 캡슐 레이팅 물질 ( 140 ) 을 박화 ( 예 를 들 어 , 기계 적 그라인딩 , 화학 적 에칭 , 쉐 이빙 ( shaving ) 또는 전단 가공 ( shearing ) , 필링 ( peeling ) , 그 어느 조합 등 ) 하 는 것 을 포함 할 수 있 다 . 도 2 e 에 도시 된 예시 적 인 구 현예 에서 , 블록 S 5 는 예 를 들 어 , 제 1 반도체 다이 ( 130 ) ( 또는 그 다수 ) 및 / 또는 제 2 금속 필러 ( 120 ) ( 또는 그 다수 ) 를 박화 ( 예 를 들 어 , 기계 적 그라인딩 , 화학 적 에칭 , 쉐 이빙 ( shaving ) , 필링 ( peeling ) , 그 어느 조합 등 ) 하 는 것 을 포함 할 수 있 다 . 따라서 , 반도체 다이 ( 130 ) 및 제 1 금속 필러 ( 120 ) 의 적어도 각 상면 은 제 1 인 캡슐 레 ? 물질 ( 140 ) 의 상면 으로부터 ( 또는 그 상 에 ) 노출 된다 . 비록 예시 적 인 구 현예 는 제 1 인 캡슐 레이팅 물질 ( 140 ) 로부터 노출 된 제 1 반도체 다이 ( 130 ) 의 상측 을 도시 하 였 지만 , 이러 한 노출 은 필요 하 지 않 음 을 주지 하 여야 한다 . 예 를 들 어 , 다양 한 구 현예 에서 , 제 1 반도체 다이 ( 130 ) 의 상측 을 커버 하 는 제 1 인 캡슐 레이팅 물질 ( 140 ) 의 얇 은 층 은 잔존 할 수 있 다 .