급 전부 ( 35 ) 는 제 3 방 사부 ( 34 ) 내측 끝단 에 는 급 전부 ( 35 ) 가 형성 된다 . 본 발명 의 실시 예 에 따른 광 대역 내장 형 안테나 는 중앙부 에 급 전부 가 형성 됨 에 따라 접 지 면 에 전류 를 좌우 대칭 으로 흐르 게 하 여 표면 전류 밀도 ( Current density distribution ) 의 왜곡 을 감소 시키 게 된다 . 표면 전류 밀도 는 방사 패턴 에 직접 적 으로 영향 을 미치 며 , 좌우 대칭 적 으로 고른 전류 분포 는 전자파 인체 흡수율 ( SAR ) 을 낮출 수 있 으므로 , 이 로 인하 여 본 발명 에 따른 안테나 는 고주파 대역 에서 얻 기 가 어려운 전방 향성 방사 패턴 을 얻 을 수 있 고 , 그 와 더불 어 전자파 인체 흡수율 ( SAR ) 을 저감 시킬 수 있 게 된다 . 한편 , 급 전부 ( 35 ) 는 제 1 방 사부 ( 30 ) 의 중앙 에 위치 하 여도 동일 한 효과 를 얻 을 수 있 다 .