본 발명 에 따르 면 , 소자 분리 영역 을 디자인 룰 에 따른 최소 선폭 과 상관 없이 최소 의 폭 으로 형성 할 수 있 다 . 따라서 플래시 메모리 셀 의 고집 적 화 를 꾀할 수 있 다 . 특히 본 발명 에 따른 플래시 메모리 셀 은 이웃 하 는 셀 사이 에 형성 된 소자 분리 막 은 열 산화 방식 으로 형성 되 어 있 으므로 막 질 이 우수 하 다 . 또한 , 플로팅 게이트 은 소자 분리 막 과 동일 공정 을 통해 형성 되 며 , 이 를 통해 플로팅 게이트 의 양 측벽 이 소자 분리 막 에 자기 정렬 된 플로팅 게이트 어레이 를 얻 을 수 있 다 .