도 3 내지 도 4 f 를 참조 하 면 , 상기 제 1 포토레지스트 패턴 ( PR 13 ) 을 제거 하 는 스트립 공정 을 진행 한다 . 상기 스트립 공정 에 의해 상기 제 3 패턴 ( PR 13 ) 위 에 형성 된 제 1 보호 절연 층 ( 140 ) 은 상기 제 3 패턴 ( PR 13 ) 이 제거 됨 에 따라서 동시 에 제거 된다 . 상기 채널 패턴 ( 131 a , 132 a ) 위 에 는 제 1 보호 절연 층 ( 140 ) 이 형성 되 지 않 고 , 나머지 다른 영역 에 는 제 1 보호 절연 층 ( 140 ) 이 형성 된다 .