교번 전도체 / 유전체 스택 ( 580 ) 의 전도체 층 ( 580 A ) 및 유전체 층 ( 580 B ) 은 Y - 방향 을 따라 교번 한다 . 도 5 a 에 도시 된 바 와 같이 , 교번 전도체 / 유전체 스택 ( 580 ) 의 상단 또는 하단 층 을 제외 하 고 , 각각 의 전도체 층 ( 580 A ) 은 2 개 의 유전체 층 ( 580 B ) ( 즉 , 전도체 층 ( 580 A ) 의 위 및 아래 에 하나 씩 ) 에 수직 으로 인접 할 수 있 고 , 각각 의 유전체 층 ( 580 B ) 은 2 개 의 전도체 층 ( 580 A ) ( 즉 , 유전체 층 ( 580 B ) 의 위 및 아래 에 하나 씩 ) 에 수직 으로 인접 할 수 있 다 . 전도체 층 ( 580 A ) 은 각각 동일 한 두께 또는 상이 한 두께 를 가질 수 있 다 . 유사 하 게 , 유전체 층 ( 580 B ) 은 각각 동일 한 두께 또는 상이 한 두께 를 가질 수 있 다 . 전도체 층 ( 580 A ) 은 텅스텐 ( W ) , 코발트 ( Co ) , 구리 ( Cu ) , 알루미늄 ( Al ) , 다 결정 실리콘 ( 폴리 실리콘 ) , 도핑 된 실리콘 , 실리사이드 , 또는 이 들 의 임의 의 조합 을 포함 하 지만 이 에 제한 되 지 않 는 전도성 재료 를 포함 할 수 있 다 . 유전체 층 ( 580 B ) 은 실리콘 산화물 , 실리콘 질화물 , 실리콘 산질 화물 , 또는 이 들 의 임의 의 조합 을 포함 하 지만 이 에 제한 되 지 않 는 유전체 재료 를 포함 할 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 전도체 층 ( 580 A ) 은 W 와 같 은 금속 층 을 포함 하 고 , 유전체 층 ( 580 B ) 은 실리콘 산화물 을 포함 한다 .