상기 플 라즈 마 질화 공정 에 있 어서 , 질소 를 포함 하 는 제 3 반응 가스 를 상기 공정 챔버 내 에 로딩 된 대 상체 ( 150 ) 상 으로 제공 한 다음 , 상기 제 3 반응 가스 에 약 1 , 000 ∼ 2 , 000 W 정도 의 전력 을 인가 하 여 대 상체 ( 150 ) 상부 에 질소 플 라즈 마 를 형성 한다 . 상기 질소 플 라즈 마 를 제 2 예비 산화 막 ( 160 ) 과 반응 시켜 제 2 예비 산화 막 ( 160 ) 상 에 상부 질화 막 ( 175 ) 을 형성 한다 . 제 2 예비 산화 막 ( 160 ) 이 실리콘 산화물 로 구성 될 경우 , 제 2 예비 산화 막 ( 160 ) 에 포함 된 실리콘 과 상기 질소 플 라즈 마의 반응 에 의하 여 실리콘 질화물 로 이루어진 상부 질화 막 ( 175 ) 이 형성 된다 . 제 2 예비 산화 막 ( 160 ) 의 일부 가 상부 질화 막 ( 175 ) 으로 변화 되 기 때문 에 , 제 2 예비 산화 막 ( 160 ) 은 상부 질화 막 ( 175 ) 의 두께 만큼 감소 된 두께 를 갖 는 산화 막 ( 170 ) 으로 변화 된다 .