이어서 , 도 3 d 에 도시 된 바 와 같이 , 제 3 감광막 패턴 을 제거 한 후 제 1 기판 ( 11 ) 전체 에 금속 도 전 물질 을 증착 한 후 상기 금속 도 전 물질 층상 에 제 4 감광막 ( 미 도시 ) 을 도포 한 후 상기 제 4 감광막 위 에 제 4 마스크 공정 으로 제 4 마스크 ( 미 도시 ) 를 위치 시킨 상태 에서 자외선 과 같 은 광 을 조사 하 고 이어 현상 공정 을 진행 하 여 , 제 4 감광막 패턴 ( 미 도시 ) 을 형성 한다 . 이때 , 상기 제 4 감광막 패턴 ( 미 도시 ) 은 상기 소스 / 드레 인 전극 형성 영역 에 해당 하 는 지역 에 만 존재 한다 . 또한 , 상기 제 4 감광막 패턴 ( 미 도시 ) 은 상기 채널 영역 에 위치 하 는 투명 도 전 물질 층 지역 에 는 존재 하 지 않 는다 .