반도체 집 적 회로 장치 의 형성 방법 은 반도체 웨이퍼 의 외측 에지 에 인접 하 여 연장 하 는 마스크 패턴 의 영역 들 을 선택 적 으로 확장 하 는 단계 를 포함 한다 . 마스크 패턴 의 영역 들 을 선택 적 으로 확장 하 는 단계 는 마스크 패턴 이 하부 층 들 ( 예 를 들 어 , 절 연막 , 반사 방지 코팅 막 , 기타 등등 ) 의 포토 리소그래피 패 터닝 을 지지 하 도록 사용 될 때 , 더욱 균일 한 중앙 대 에지 패턴 크기 ( Critical Dimensions ; CD ) 가 달성 될 수 있 도록 수행 된다 .