산화물 반도체 층 ( 644 ) 의 형성 시 에 는 , 예 를 들 어 감압 상태 로 유지 된 처리 실 내 에 피 처리 물 을 유지 하 고 , 피 처리 물 의 온도 가 100 ℃ 이상 550 ℃ 미만 , 바람직 하 게 는 200 ℃ 이상 , 400 ℃ 이하 로 되 도록 피 처리 물 을 뜨겁 게 한다 . 또는 , 산화물 반도체 층 ( 644 ) 의 형성 시 의 피 처리 물 의 온도 는 , 실온 ( 25 ℃± 10 ℃) 으로 해도 좋 다 . 그리고 , 처리 실 내 의 수분 을 제거 하 면서 , 수소 나 물 등 이 제거 된 스퍼터 가스 를 도입 하 여 , 상기 타깃 을 사용 하 여 산화물 반도체 층 ( 644 ) 을 형성 한다 . 피 처리 물 을 뜨겁 게 하 면서 산화물 반도체 층 ( 644 ) 을 형성 함 으로써 , 산화물 반도체 층 ( 644 ) 에 포함 되 는 불순물 을 저감 시킬 수 있 다 . 또한 , 스퍼터 에 의한 산화물 반도체 층 ( 644 ) 의 손상 을 경감 시킬 수 있 다 . 처리 실 내 의 수분 을 제거 하 기 위해서 는 흡착 형 의 진공 펌프 를 사용 하 는 것 이 바람직 하 다 . 예 를 들 어 , 크라이 오 펌프 ( cryopump ) , 이온 펌프 , 티타늄 사브리 메이 션 펌프 등 을 사용 할 수 있 다 . 또한 , 터보 펌프 에 콜드 트랩 을 구비 한 것 을 사용 해도 좋 다 . 크라이 오 펌프 등 을 사용 하 여 배기 함 으로써 , 처리 실 로부터 수소 나 물 등 을 제거 할 수 있 기 때문 에 , 산화물 반도체 층 ( 644 ) 중 의 불순물 농도 를 저감 시킬 수 있 다 .