도 2 a 를 참조 하 면 , 기판 ( 21 ) 상 에 게이트 절 연막 ( 22 ) 이 형성 된다 . 게이트 절 연막 ( 22 ) 상 에 는 폴리 실리콘 막 패턴 ( 23 A ) 이 형성 되 고 , 폴리 실리콘 막 패턴 ( 23 A ) 상 에 는 텅스텐 질화 막 ( 27 ) , 텅스텐 막 ( 28 ) 및 게이트 하드 마스크 막 ( 29 ) 이 순차 적 으로 적층 된다 . 그리고 , 텅스텐 질화 막 ( 27 ) , 텅스텐 막 ( 28 ) 및 게이트 하드 마스크 막 ( 29 ) 의 적층 구 조 의 양측 벽 에 는 산화 방지 패턴 ( 26 A ) 이 구비 된다 .