도 6 의 ( c ) 에 도시 된 바 와 같이 , 이온 주입 층 ( 601 ) 의 형성 으로 인하 여 정의 된 기판 ( 600 ) 의 상부 영역 을 패 터닝 ( patterning ) 하 여 핀 ( Fin ) 구조 ( 삼차원 수직 형 ) 의 부유 바디 셀 ( 602 ) 을 형성 한다 . 부유 바디 셀 ( 602 ) 은 상부 면 및 측면 을 가지 고 , 이 면 들 은 채널 영역 으로 사용 된다 . 부유 바디 셀 ( 602 ) 의 외측 의 하단 부 는 STI ( Shallow Trench Isolation , 611 ) 로 둘러싸 서 인접 한 다른 셀 과 절연 ( Isolation ) 시킨다 . 이어서 , 기판 ( 600 ) 및 부유 바디 셀 ( 602 ) 상 에 터널 링 절 연막 ( 605 ) 을 형성 한다 . 터널 링 절 연막 ( 605 ) 은 실리콘 산화 막 , 실리콘 질화 막 , 실리콘 산 화질 화 막 또는 금속 산화 막 중 어느 하나 로 형성 할 수 있 다 .