모드 밀도 및 전기장 은 OLED 의 광학 캐비 티 의 차원 을 변경 시킬 뿐 아니 라 , 기판 및 / 또는 접촉 에 대한 TDM 의 배향 에 의하 여 변형 되 었 다 . 이 는 2 개 의 금속 접촉 , 캐소드 ( 501 ) 및 애노드 ( 505 ) 를 갖 는 예시 의 청색 발광 PHOLED ( λ = 450 ㎚ 에서 ) 에 대하 여 도 5 의 디바이스 ( 500 ) 에 예시 된다 . 발광 측 은 예시 의 다이아 그램 이 TiO 2 및 MgF 2 의 교호 층 ( 506 - 509 ) 을 포함 하 는 다층 유전 리플렉터 ( 511 ) 의 표면 에 인접 한다 . 금속 캐비 티 는 표면 플라스몬 폴 라리 톤 ( SPP ) 모드 에 대한 커플링 을 촉진 하 여 통상 의 OLED 에 비하 여 ρ ph 를 크 게 증가 시킨다 . 유전체 적층 체 는 발광 방향 ( 512 ) 으로 추출 되 는 횡단 전기 도파관 모드 를 지지 한다 . 도 5 의 한 예시 의 실시 양태 에서 , 층 은 하 기 두께 를 갖 는다 : 전자 수송 층 ( 502 ) 은 45 ㎚ 의 두께 를 가지 며 , 정공 수송 층 ( 504 ) 은 40 ㎚ 의 두께 를 가지 며 , 은 애노드 ( 505 ) 는 15 ㎚ 의 두께 를 가지 며 , 금속 층 ( 506 ) 은 변경 될 수 있 는 두께 를 가지 며 , 도 7 의 그래프 에 도시 된 효과 로 , 금속 층 ( 507 ) 은 80 ㎚ 의 두께 를 가지 며 , 금속 층 ( 508 ) 은 49 ㎚ 의 두께 를 가지 며 , 금속 층 ( 509 ) 은 80 ㎚ 의 두께 를 갖 는다 . 한 실시 양태 에서 , 층 의 두께 는 하나 이상 의 발광 층 에서 전기장 을 최대 화 하 며 , ρ ph 를 최대 화 하 도록 선택 된다 .