단결정 ( monocrystalline ) 실리콘 웨이퍼 의 표면 텍 스쳐 링 ( texturing ) 에 있 어서 , 태양 전지 생산 에서 일반 적 으로 수산화 칼륨 및 2 - 프로판올 ( 2 - propanol ) 을 포함 하 는 알칼리제 ( alkaline agent ) 가 이용 된다 . 소 잉 손상 ( sawing damage ) 을 제거 하 기 위해 에칭 제거 ( etching removal ) 를 충분히 보장 하 기 위해 , 15 내지 25 분 의 에칭 시간 이 보통 이 며 , 그 이유 는 생산 시설 이 배치 프로세스 에서 독점 적 으로 이용 되 기 때문 이 다 . 텍 스쳐 링 ( texturing ) 의 경우 , " 소위 "" 무작위 로 분배 된 피라미드 ( randomly distributed pyramids ) """," "" 무작위 피라미드 ( random pyramids ) "" 를 생성 하 기 위하 여 실리콘 의 다른 결정 방향 의 에칭 거동 ( etching behaviour ) 에서 알칼리 성 에칭 제 ( alkaline etching agent ) 의 이방성 이 이용 된다 . KOH ", 또한 수산화 나트륨 이외 의 다른 알칼리 성 에칭 제 ( alkaline etching agent ) 로서 , 테트라메틸 암모늄 하이드 록 사이드 ( t e t ramethylammoniumhydroxide ) 및 에틸렌디아민 피 로 카테콜 ( ethylenediamine pyrocatechol ) 이 있 으며 , 여기 서 언급 되 는 유기 에칭 제 ( etching agent ) 는 두 무기 에칭 체 ( etching agent ) 와 달리 더 긴 프로세싱 시간 을 가지 지만 , 대신 에 유기 에칭 제 ( etching agent ) 는 금속 양이온 을 가지 지 않 는다 . 실리콘 웨이퍼 의 표면 산화물 에서 이동 가능 한 전하 운반체 로서 , 더 큰 칼륨 이온 에 비하 여 나트륨 이온 의 확산 속도 가 빨라서 , 텍 스쳐 링 ( texturing ) 후 에 표면 에 남 아 있 는 나트륨 이온 이 작용 할 수 있 기 때문 에 , 무기 에칭 체 ( etching agent ) 의 경우 수산화 칼륨 이 수산화 나트륨 에 비해 더 바람직 하 다 . 이것 은 상기 모든 산화물 - 부동태 화 된 ( oxide - passivated ) 실리콘 기판 의 전기 적 성질 에 대해 부정 적 효과 를 가진다 .