또한 , 개시 하 는 발명 의 반도체 장치 가 갖 는 메모리 셀 에 있 어서 는 , 종래 의 플로팅 게이트 형 트랜지스터 에 있 어서 지적 되 고 있 는 게이트 절연 층 ( 터널 절 연막 ) 의 열화 라는 문제 가 존재 하 지 않 는다 . 즉 , 종래 문제 가 되 고 있 던 , 전자 를 플로팅 게이트 에 주입 할 때 의 게이트 절연 층 의 열화 라는 문제 를 해소 할 수 있 다 . 이것 은 원리 적 인 기록 횟수 의 제한 이 존재 하 지 않 는 것 을 의미 하 는 것 이 다 . 또한 , 종래 의 플로팅 게이트 형 트랜지스터 에 있 어서 기록 이나 소거 시 에 필요 했 던 고전압 도 불 필요 하 다 .