제 9 실시 예 에 따른 비휘발성 메모리 에 따르 면 , R / W 회로 ( 8 ) 의 일부 는 셀 어 레이 들 간 의 차 를 야기 하 는 기생 저항 에 의한 영향 에 연관 된 상황 을 제거 하 도록 메모리 셀 어레이 의 근처 에서 분산 배치 된다 . 따라서 , 고 정밀 제어 를 실행 할 수 있 다 . 그 결과 , 신뢰 성 이 개선 된 비휘발성 메모리 를 제공 할 수 있 다 .