본 발명 은 워드 라인 의 전체 저항 을 감소 시켜 고속 동작 을 구현 할 수 있 는 수직 트랜지스터 를 구비 하 는 반도체 소자 및 그 제조 방법 을 제공 하 기 위한 것 으로 , 본 발명 의 반도체 소자 의 제조 방법 은 기판 상 에 필라 를 구비 하 는 복수 의 필라 구조물 을 형성 하 는 단계 ; 상기 필라 각각 의 외벽 을 에워싸 는 게이트 전극 을 형성 하 는 단계 ; 상기 게이트 전극 중 이웃 하 는 어느 하나 의 게이트 전극 의 측벽 을 덮 는 절 연막 을 형성 하 는 단계 ; 및 상기 복수 의 필라 구조물 중 인접 한 필라 구조물 사이 에서 어느 방향 으로 연장 되 어 연속 적 인 금속 막 형태 의 단일 막 구조 를 갖 고 , 상기 어느 하나 의 게이트 전극 과 이웃 하 는 다른 하나 의 게이트 전극 에 전기 적 으로 연결 되 는 워드 라인 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 고 , 본 발명 은 금속 막 - 금속 막 형태 의 워드 라인 을 형성 하 므로써 워드 라인 의 시트 저항 을 효과 적 으로 낮출 수 있 고 , 이 로써 고속 소자 의 동작 특성 을 구현 하 는 데 유리 하 다 .