도 3 에 나타내 는 에칭 을 포함 하 는 제품 처리 공정 이 개시 되 면 , 우선 , 도 2 ( a ) 의 막 구조 의 기판 ( 제품 기판 ) 이 재 치대 ( 12 ) 상 에 제공 된다 ( 스텝 S 1 ) . ITO 막 ( 52 ) 은 , 금속 함 유막 의 일례 이 다 . 실리콘 산화 막 ( 51 , 53 ) 은 , 실리콘 함 유막 의 일례 이 다 . 그리고 , 최초 에 CF 4 등 의 CF 계 가스 의 플 라즈 마 에 의해 실리콘 산화 막 ( 53 ) 이 에칭 되 어 , 도 2 ( b ) 의 상태 가 된다 . 에칭 공정 중 에 CF 계 가스 로부터 생긴 폴리머 의 C 함 유막 ( 이하 , 「 폴리머 」 라고 도 한다 . ) ( R 1 ) 이 ITO 막 ( 52 ) 상 의 잔사 가 되 는 경우 가 있 다 . 따라서 , 다음 에 O 2 가스 의 플 라즈 마 에 의해 폴리머 ( R 1 ) 와 유기 막 ( 54 ) 을 애 싱하 여 , 제거 함 으로써 도 2 ( c ) 에 나타내 는 상태 가 된다 .