그래핀 버퍼 를 사용 하 여 GaAs / AlAs DBR 상 에 GaAsSb / GaAs 축 방향 양자 헤테로 구조 화 된 활성 게인 매질 을 갖 는 진성 GaA 를 성장 시킨다 . 핵 화 스템 ( nucleation stem ) 으로서 AlAsSb 버퍼 를 사용 하 여 핵 화 한 후 , GaAs NW 를 그래핀 / DBR 구조 상 에 직접 에피 택 셜 성장 시키 고 , 그 후 60 주기 의 진성 GaAsSb / GaAs 양자 헤테로 구조 화 된 활성 게인 매질 을 각 세그먼트 에 대해 두께 100 nm 로 성장 시킨다 . 활성 게인 매질 의 성장 후 , 향상 된 광 성능 을 위해 표면 을 부동태 화 하 기 위해 , 두께 15 nm 의 AlGaAs 쉘 을 성장 시킨다 .