마지막 으로 , 관통 비아 ( 17 ) 와 전기 적 으로 연결 되 는 범프 ( 40 ) 를 형성 한다 ( 150 ) . 그 공정 으로 , 도 4 의 ( t ) 에 도시 된 바 와 같이 , 제 2 패키지 ( 200 ) 의 빌드 업 층 ( 30 b ) 에 노출 되 는 관통 비아 ( 17 ) 의 표면 에 솔 더 볼 ( solder ball ) 등 의 도전 성 범프 ( 40 ) 를 결합 하 여 전자 패키지 와 외부 장치 와 의 전기 적 연결 을 위한 접점 을 형성 한다 .