이러 한 광학 적 특성 을 고려 할 때 , 내부 에폭시 구조물 ( 32 ) 의 내벽 ( 321 ) 은 전반사 현상 이 집중 되 는 칩 ( 31 ) 상면 의 주변 부와 접하 며 , 칩 ( 31 ) 상면 의 중심부 와 는 접하 지 않 는 형상 을 갖 도록 형성 된다 . 즉 , 상기 내부 에폭시 구조물 ( 31 ) 의 내벽 ( 321 ) 은 , 내벽 ( 321 ) 의 아래쪽 은 칩 ( 31 ) 상면 의 주변 부 를 덮 으며 , 이 위치 에서 칩 ( 31 ) 상면 과 대략 수직 이 되 도록 형성 된다 .