상세 하 게 는 제 2 기판 ( 70 ) 상 에 질화 실리콘 ( SiNx ) 과 산화 실리콘 ( SiO 2 ) 을 포함 하 는 실리콘 절연 물질 그룹 중 선택 된 어느 하나 로 버퍼 층 을 형성 한다 . 그 형성 된 버퍼 층 상 에 비정질 실리콘 ( a - Si ) 을 증착 한 후 탈수소 화 과정 과 열 을 이용 한 결정 화 공정 을 진행 하 여 다결정 실리콘 활성 층 을 형성 한 후 패 터닝 하 여 , 활성 층 ( 72 a ) 을 형성 한다 .