다음 으로 , 도 8 의 ( a ) 및 ( b ) 에 도시 한 바 와 같이 , 절연 층 ( 33 ) 에 CMP 처리 를 실시 하 여 그 표면 을 평탄 화 한다 . 이 때 , 홈 H 이외 의 영역 에 남겨져 있 는 SiN 막 ( 15 ) 이 CMP 에 대한 스톱 퍼 층 으로서 기능 한다 . 또한 , 리세 스 LOCOS 층 ( 7 ) 의 표면 과 , 벌크 영역 의 Si 기판 ( 1 ) 표면 이 거의 동일 한 높이 로 되 어 있 으므로 , 소자 분리 영역 으로부터 벌크 영역 에 걸쳐서 SiN 막 ( 15 ) 은 평탄 하 게 형성 되 어 있 다 . 그 때문 에 , 이 CMP 공정 에서 는 , SiN 막 ( 15 ) 위 의 절연 층 ( 33 ) 전체 에 연마 패드 를 닿 게 할 수 있 어 , SiN 막 ( 15 ) 위 로부터 절연 층 ( 33 ) 을 거의 완전히 제거 할 수 있 다 . 즉 , 오 목부 에 남 는 형태 로 절연 층 ( 33 ) 이 남 는 일 은 없 다 .