상기 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 리세 스 게이트 를 갖 는 반도체 소자 의 제조 방법 은 , 반도체 기판 상부 에 제 1 버퍼 막 및 제 2 버퍼 막 을 순차 적 으로 형성 하 는 단계 ; 상기 제 1 버퍼 막 및 상기 제 2 버퍼 막 을 선택 적 으로 식각 하 여 리세 스 를 위한 제 1 버퍼 막 패턴 및 제 2 버퍼 막 패턴 을 형성 하 는 단계 ; 상기 제 1 버퍼 막 패턴 및 상기 제 2 버퍼 막 패턴 을 식각 베리어 로 상기 반도체 기판 을 식각 하 여 리세 스 를 형성 하 는 단계 ; 상기 제 2 버퍼 막 패턴 의 개구부 를 확장 시키 는 단계 ; 상기 리세 스 를 포함 하 는 결과물 의 전면 에 게이트 절 연막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 리세 스 및 상기 제 2 버퍼 막 패턴 의 내부 에 게이트 전극 용 제 1 도 전막 을 매립 시켜 제 1 게이트 전극 을 형성 하 는 단계 ; 상기 제 2 버퍼 막 패턴 및 상기 제 1 게이트 전극 상부 에 게이트 전극 용 제 2 도 전막 및 게이트 하드 마스크 용 절 연막 을 순차 적 으로 형성 하 는 단계 ; 및 상기 제 2 버퍼 막 패턴 이 드러날 때 까지 상기 게이트 하드 마스크 용 절 연막 및 상기 게이트 전극 용 제 2 도 전막 을 선택 적 으로 식각 하 여 상기 제 1 게이트 전극 상부 에 제 2 게이트 전극 및 게이트 하드 마스크 를 형성 하 는 단계 를 포함 한다 .