이 공정 ( 5 ) 에서 는 , 공정 ( 4 ) 에서 형성 한 레지스 트 패턴 을 마스크 ( 에칭 마스크 ) 로 하 여 레지스 트 하층 막 및 기판 을 드라이 에칭 하 여 패턴 을 형성 한다 . 또한 , 하 층막 이 형성 된 기판 을 사용 한 경우 에 는 , 레지스 트 하층 막 및 기판 과 함께 하층 막도 드라이 에칭 한다 . 상기 드라이 에칭 은 공지 된 드라이 에칭 장치 를 사용 하 여 행할 수 있 다 . 또한 , 드라이 에칭 시 의 소스 가스 로서 는 , 피 에칭 물 의 원소 조성 에 따라서 도 상이 하 지만 O 2 , CO , CO 2 등 의 산소 원자 를 포함 하 는 가스 , He , N 2 , Ar 등 의 불활성 가스 , Cl 2 , BCl 4 등 의 염소 계 가스 , H 2 , NH 3 의 가스 등 을 사용 할 수 있 다 . 또한 , 이 들 가스 는 혼합 하 여 사용 할 수 도 있 다 .