단계 310 에 따르 면 , 반도체 기판 또는 웨이퍼 ( 400 ) ( 예컨대 , 도 8 에 예시 되 어 있 음 ) 가 이온 주입 장치 의 챔버 에 제공 된다 . 기판 ( 400 ) 은 예시 적 인 실시 예 에 따라 실리콘 웨이퍼 형태 로 마련 될 수 있 다 . 다른 예시 적 인 실시 예 에 따르 면 , 기판 은 실리콘 - 게르마늄 ( Si - Ge ) 또는 갈륨 비소 ( GaAs ) 와 같 은 다른 적절 한 반도체 재료 를 포함 할 수 있 다 . 추가 로 , 기판 은 BOX 층 등 을 포함 하 는 다른 층 및 / 또는 재료 를 포함 할 수 있 다 .