상기 와 같이 단일 코팅 층 내 에 UV 조사 로 인한 가교 반응 이 진행 되 어 다 이 본딩 온도 에서 ( 100 ∼ 150 ℃) 점도 가 10 내지 100 KPa . s 인 고점 도 영역 과 가교 반응 이 진행 되 지 않 아 다 이 본딩 온도 에서 ( 100 ∼ 150 ℃) 점도 가 10 내지 10 , 000 Pa . s 인 저점 도 영역 을 동시 에 가지 고 있 는 본 발명 의 다이 접착 필름 중 가교 반응 이 진행 된 영역 은 실리콘 웨이퍼 이면 에 라미네 이 션 되 고 , 가교 반응 이 진행 되 지 않 은 영역 은 다이 본 딩시 본딩 와이어 를 덮 게 된다 .