반도체 디바이스 구조물 ( 100 ) 은 , 핀 구조물 ( 104 ) 의 채널 영역 과 맞물리 는 ( engage ) 게이트 스택 구조물 을 더 포함 한다 . 게이트 스택 구조물 은 게이트 유전체 층 ( 108 ) 및 게이트 전극 ( 110 ) 을 포함 한다 . 스 페이서 ( 112 ) 가 게이트 스택 구조물 의 대향 측벽 상 에 형성 된다 . 하나 의 예 에서 , 게이트 전극 ( 110 ) 은 금속 함유 게이트 전극 이 고 , 게이트 유전체 층 ( 108 ) 은 높 은 하이 - k 유전체 재료 이 다 .