예 를 들 면 , 제 1 대전 층 ( 350 ) 은 대전 된 양전 하 는 N 형 반도체 층 ( 310 ) 에 전계 효과 를 줄 수 있 다 . 이러 한 전계 효과 는 , N 형 반도체 층 ( 310 ) 에 더 많 은 전자 를 유도 할 수 있 다 . 따라서 , 제 1 대전 층 ( 350 ) 및 제 2 대전 층 ( 303 ) 이 없 는 구조 보다 , 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 열전 발전소 자 ( 300 ) 가 더 큰 전류 ( I ) 를 발생 시킬 수 있 다 .