또한 , 본 발명 의 제 2 관점 에 따르 면 , 제 1 인버터 와 제 2 인버터 로 구성 한 플 립 플 롭 회로 에서 데이터 를 기억 하 는 SRAM 메모리 셀 의 평가 방법 으로서 , 상기 제 1 인버터 에서 의 입력 전압 에 대한 출력 전압 의 특성 인 제 1 입출력 특성 데이터 를 얻 는 공정 과 , 상기 제 2 인버터 에서 의 입력 전압 에 대한 출력 전압 의 특성 인 제 2 입출력 특성 데이터 를 얻 는 공정 과 , 상기 제 1 입출력 특성 데이터 에 대해 좌표축 을 45 도 회전 시키 는 좌표 변환 을 행하 여 제 1 회전 변환 데이터 를 생성 하 는 공정 과 , 상기 제 2 입출력 특성 데이터 에 대해 좌표축 을 45 도 회전 시키 는 좌표 변환 을 행하 여 제 2 회전 변환 데이터 를 생성 하 는 공정 과 , 상기 제 2 회전 변환 데이터 를 Y 축 에 대해 미러 반전 시킨 Y 축 반전 데이터 를 생성 하 는 공정 과 , 상기 제 1 회전 변환 데이터 를 근사 곡선 으로 피팅 하 여 얻 어 지 는 제 1 근사 곡선 함수 를 특정 하 는 공정 과 , 상기 Y 축 반전 데이터 를 근사 곡선 으로 피팅 하 여 얻 어 지 는 제 2 근사 곡선 함수 를 특정 하 는 공정 과 , 상기 제 1 근사 곡선 함수 와 상기 제 2 근사 곡선 함수 의 차분 으로 한 차분 곡선 함수 를 특정 하 는 공정 과 , 상기 차분 곡선 함수 의 극대 값 과 극소 값 을 특정 함 과 함께 , 극소 값 의 절대값 과 극대 값 중 , 작 은 쪽 의 값 을 평방근 2 로 나누 어 스 태 틱 노이즈 마진 을 산출 하 는 공정 을 갖 는 SRAM 메모리 셀 의 평가 방법 을 제공 하 는 것 으로 하 였 다 .