상기 한 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 일실 시예 에 따른 반도체 메모리 장치 는 , 부분 리 프레쉬 방식 과 파일드 리 프레쉬 방식 이 적용 되 며 , 부분 리 프레쉬 시에 임의 의 어떠 한 뱅크 가 선택 되 더라도 항상 두 개 의 뱅크 중 하나 이상 은 선택 되 는 메모리 장치 에 있 어서 , 리 프레쉬 명령 이 입력 되 면 자동 적 순차 적 으로 각 뱅크 를 리프 레 쉬 하 기 위한 리 프레쉬 신호 를 인 에 이 블 시키 되 , 상기 두 개 의 뱅크 중 하나 이상 은 같이 선택 되 는 뱅크 중 가장 나중 에 리 프레쉬 가 수행 되 게 하 는 리 프레쉬 신호 생 성부 ; 및 가장 나중 에 리프 레 쉬 된 뱅크 가 리프 레 쉬 되 었 음 을 알리 는 신호 를 이용해 셀프 리 프레쉬 완료 신호 를 생성 하 는 리 프레쉬 완료 신호 생 성부 를 포함 한다 .