또한 , 캐 패 시터 하부 전극 으로 사용 되 는 반도체 기판 ( 110 ) 의 측면 에 도전체 층 ( 150 ) 이 형성 되 고 , 절연 층 ( 120 ) 상 에 캐 패 시터 상부 전극 ( 140 ) 이 형성 된 후 에 , 반도체 기판 ( 110 ) 에 형성 된 홈 ( 130 ) 의 하면 까지 반도체 기판 ( 110 ) 의 후면 을 연마 는 방법 으로 반도체 기판 ( 110 ) 을 분리 하 여 , 하나 의 반도체 기판 ( 110 ) 에서 복수 의 엠아이에스 캐 패시 터 를 제조 하 므로 생산 성 이 향상 되 는 효과 가 있 다 .