또한 , 도 4 에서 는 , 입력 기간 Ta , 유지 기간 Ts , 판독 기간 Tr 의 모든 기간 을 통해 , 제 2 워드 선 WLBG 의 모두 에 로우 ( low ) 레벨 의 전위 ( VSS ) 가 공급 되 어 있 는 경우 를 예시 하 고 있 다 . 그러나 , 본 발명 의 일 형태 에서 는 , 적어도 유지 기간 Ts 에서 제 2 워드 선 WLBG 에 로우 ( low ) 레벨 의 전위 ( VSS ) 가 공급 되 어 있 으면 좋 다 . 예 를 들 어 , 메모리 셀로 의 데이터 의 입력 을 고속 화 시키 기 위해서 , 데이터 의 입력 을 행하 는 행 에서 , 제 2 워드 선 WLBG 의 전위 를 전위 ( VSS ) 보다 도 높 게 해서 , 트랜지스터 ( 101 ) 의 문턱 전압 을 낮추 도록 해도 좋 다 .