본 발명 의 추가 의 실시 양태 에 따라 , 화합물 반도체 장치 구조물 은 기판 , 기판 위 의 인듐 알루미늄 인화물 을 포함 하 는 박리 층 , 박리 층 위 의 지지층 , 및 지지층 위 의 1 개 이상 의 전사 가능 한 반도체 장치 층 을 포함 한다 . 기판 및 지지층 은 박리 층 이 그 에 대한 에칭 선택 성 을 갖 도록 하 는 각각 의 물질 을 포함 한다 .