하 지 막 UF 를 처음 에 성막 하 는 경우 , 웨이퍼 ( W ) 를 진공 용기 ( 1 ) 내 에 반입 한 후 , 제 3 반응 가스 노즐 ( 33 ) 로부터 염소 가스 는 공급 하 지 않 고 , 제 1 반응 가스 노즐 로부터 실리콘 함유 가스 , 제 2 반응 가스 노즐 로부터 질화 가스 를 공급 하 여 SiN 막 을 성막 하 고 , 하 지 막 SiN 막 을 성막 한다 . 하 지 막 UF 는 보텀 업 성 이 높 은 성막 은 아니 고 , 트렌치 T 의 형상 을 따른 컨 포 멀 한 성막 이 요구 되 므로 , 흡착 저해 기 를 형성 하 지 않 고 성막 프로세스 를 실시 하 면 된다 . 그 때 , DCS 이외 의 실리콘 함유 가스 , 질화 가스 가 아니 라 산화 가스 를 공급 하 여 성막 을 행하 는 것 도 가능 하 지만 , 프로세스 의 효율 화 의 관점 에서 , 매립 프로세스 에서 사용 하 는 원료 가스 , 질화 가스 와 동일 한 반응 가스 를 사용 하 여 하 지 막 UF 의 성막 을 행하 는 것 이 바람직 하 다 . 따라서 , 본 실시 형태 의 경우 라면 , 원료 가스 로서 DCS , 질화 가스 로서 암모니아 가스 를 사용 하 는 것 이 바람직 하 다 .