한편 , GaN 계열 의 화합물 반도체 에서 전자 의 이동도 는 홀 의 이동도 에 비해 100 배 이상 크기 때문 에 , 동일 한 Al 조성 비 를 갖 는 N 형 AlGaN 클래드 층 과 P 형 AlGaN 클래드 층 을 채택 한 경우 , 전자 가 홀 에 비해 상대 적 으로 빨리 활성 층 을 통과 하 게 되 므로 , 전자 와 홀 의 재결합 율 이 감소 된다 . 이 를 방지 하 기 위해 , N 형 AlGaN 클래드 층 의 Al 조성 비 를 P 형 AlGaN 클래드 층 의 Al 조성 비 에 비해 상대 적 으로 높 게 하 여 전자 의 유입 속도 를 제어 할 수 있 으나 , N 형 AlGaN 클래드 층 의 Al 조성 비 증가 는 Al 과 Ga 및 Al 과 In 의 원자 크기 차이 에 기인 하 여 활성 층 및 다른 반도체 층 들 의 결정질 을 떨어뜨린다 . 또한 , N 형 클래드 층 과 P 형 클래드 층 의 Al 조성 비 를 다르 게 할 경우 , 상기 두 층 을 성장 시키 는 성장 공정 의 공정 파라미터 들 , 예컨대 Al , Ga 및 N 의 소오 스 유량 을 다르 게 하 여야 하 며 , 이 에 따라 발광 다이오드 제조 공정 을 복잡 하 게 할 수 있 다 .