이러 한 불순물 의 도핑 공정 은 이온 화 된 원자 를 가속 해서 실리콘 내 에 강제 적 으로 주입 하 는 이온 주입 법 ( implant ) 과 , 고상 이나 기상 의 원자 를 열 확산 방식 으로 주입 하 는 방법 등 이 이용 될 수 있 다 . 여기 서 , 이온 주입 법 은 고 에너지 이온 주 입법 , 약 ~ keV 정도 의 가속 에너지 로 이온 주입 을 할 수 있 는 저 에너지 이온 주 입법 , 무거운 원자 를 이용 하 여 불순물 주입 깊이 를 제어 하 는 이온 주 입법 , 그리고 소규모 실험실 에서 비교 적 쉽 게 사용 할 수 있 는 플 라즈 마 이온 주 입법 등 일 수 있 다 .