그런데 , 상술 한 2 . 5 D 패키지 의 인터 포저 는 상부 의 반도체 다이 와 하부 의 반도체 다이 또는 기판 사이 에 전기 적 신호 가 흐를 수 있 도록 , 다수 의 관통 전극 ( Through Silicon Via ) 이 형성 되 어야 한다 . 따라서 , 이러 한 종래 의 반도체 디바이스 는 인터 포저 에 회로 패 턴 뿐 만 아니 라 관통 전극 까지 형성 해야 함 으로써 , 제조 비용 이 고가 일 뿐 만 아니 라 , 두께 가 두꺼워 지 는 문제 가 있 다 .