본 발명 의 BiP 생산 에서 의 가능 한 절차 는 가스 - 투과성 요소 와 접하 는 표면 의 구조 화 에서 가스 - 투과성 요소 ( 2 ) 와 접촉 하 는 기판 ( 1 ) 의 표면 은 전기 화학 셀 내 의 가스 - 투과성 요소 ( 2 ) 와 접촉 하 는 구조 가 주어지 며 , 이 표면 상 에 융기부 및 / 또는 함몰 부과 함께 형성 되 고 , 또한 , 물질 의 침식 및 / 또는 엠보싱 방법 에 의해 형성 될 수 있 다 . 구조 화 는 대안 적 으로 유동 필드 ( flow field ) 기하 구조 를 형성 하 기 위한 목적 으로 금속 시트 의 높 은 정도 의 형성 과 표면 처리 의 상호 작용 에 의하 여 야기 될 수 있 다 .