패키지 기판 ( 100 ) 상 에 인터 포저 기판 ( 200 ) 이 제공 될 수 있 다 . 인터 포저 기판 ( 200 ) 은 패키지 기판 ( 100 ) 의 상면 상 에 실장 될 수 있 다 . 인터 포저 기판 ( 200 ) 은 베이스 층 ( 210 ) , 베이스 층 ( 210 ) 의 상면 상 으로 노출 되 는 제 1 기판 패드 들 ( 220 ) , 및 베이스 층 ( 210 ) 의 하 면 상 으로 노출 되 는 제 2 기판 패드 들 ( 230 ) 을 포함 할 수 있 다 . 이때 , 제 1 기판 패드 들 ( 220 ) 의 상면 은 베이스 층 ( 210 ) 의 상면 과 공면 ( coplanar ) 을 이룰 수 있 다 . 인터 포저 기판 ( 200 ) 은 후술 되 는 제 1 반도체 칩 ( 300 ) 을 재 배선 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 제 1 기판 패드 들 ( 220 ) 및 제 2 기판 패드 들 ( 230 ) 은 베이스 층 ( 210 ) 내 의 회로 배선 에 의해 전기 적 으로 연결 되 며 , 상기 회로 배선 과 함께 재 배선 회로 를 구성 할 수 있 다 . 제 1 기판 패드 들 ( 220 ) 및 제 2 기판 패드 들 ( 230 ) 은 금속 과 같 은 도전 물질 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 제 1 기판 패드 들 ( 220 ) 및 제 2 기판 패드 들 ( 230 ) 은 구리 ( Cu ) 를 포함 할 수 있 다 .