도 3 a 를 참조 하 면 , 반도체 기판 에 제 1 내지 제 n 필드 영역 들 ( F 1 내지 Fn ) 이 형성 되 고 , 제 1 내지 제 n 필드 영역 들 ( F 1 내지 Fn ) 과 교호 적 으로 제 1 내지 제 n + 1 액티브 영역 들 ( A 1 내지 An + 1 ) 이 형성 된다 . 이때 , 제 1 및 제 n + 1 액티브 영역 ( A 1 , An + 1 ) 의 양 끝단 ( E 2 ) 은 일단 은 제 1 내지 제 n + 1 액티브 영역 들 ( A 1 내지 An + 1 ) 에 대해 수직 한 제 n + 2 액티브 영역 ( An + 2 ) 에 연결 되 고 , 타단 은 제 n + 2 액티브 영역 의 맞은편 에 위치 한 제 n + 3 액티브 영역 ( An + 3 ) 과 연결 되 어 필드 영역 들 ( F 1 내지 Fn ) 을 폐쇄 시킨다 . 여기 서 , 필드 영역 들 ( F 1 내지 Fn ) 은 트렌치 ( 310 ) 구조 를 갖 는다 . 한편 , 폐쇄 된 필드 영역 들 ( F 1 내지 Fn ) 에 의해 제 2 내지 제 n 액티브 영역 들 ( A 2 내지 An ) 은 고립 된다 .