도 4 는 본 발명 의 제 3 실시 예 에 따른 수평 형 질화물 반도체 발광 소자 의 전극 패턴 을 도시 한 예 시도 로서 , 수평 형 질화물 반도체 발광 소자 의 p 형 질화물 층 ( 도시 하 지 않 음 ) 의 상부 면 에 형성 된 p 측 전극 패턴 ( 380 , 381 ) 과 n 형 질화물 층 의 노출 영역 에 형성 된 n 측 전극 패턴 ( 370 , 371 , 372 , 373 , 374 ) 을 도시 하 여 설명 한다 .