이어서 , 도 2 를 참조 하 여 설명 한 것 처럼 , 제 1 마스크 패턴 들 ( 42 ) 을 식각 마스크 로 이용 하 여 제 1 희생 막 을 식각 한다 . 이 때 , 식각 공정 은 제 1 희생 막 은 하 부막 ( 20 ) 이 노출 될 때 까지 식각 될 수 있 다 . 이 에 따라 , 도 10 에 도시 된 것 처럼 , 하 부막 ( 20 ) 상 에 라인 형태 의 제 1 희생 패턴 들 ( 31 ) 이 형성 될 수 있 다 .