일반 적 으로 , 구리 다마스 커스 전극 접촉 ( 541 - 5411 ) 은 제 2 유전체 층 에 형성 되 는 트렌치 로 구리 도금 을 용이 하 게 하 기 위해 우선 박형 금속 씨드 층 ( 일반 적 으로 Ta / Cu , Ta / TaN , 또는 TaN / Cu 및 ≤ 100 nm ) 을 스퍼터링 함 으로써 형성 된다 . 또한 , 씨드 층 은 구리 확산 배리 어 및 유전체 에 의 접착 층 으로서 기능 하 는 것 에 주목 한다 . 그 후 , 트렌치 의 과도 한 구리 과 충전 은 화학 기계 적 연마 ( CMP ) 로 제거 되 고 , 이 는 트렌치 뒤 에 배치 되 는 금속 만 을 남김 으로써 금속 상호 접속 을 정의 한다 . 다른 구리 다마스 커스 층 이 첨가 됨 에 따라 , 이러 한 공정 은 이하 에 논의 되 는 바 와 같이 반복 된다 . 따라서 , 다마스 커스 전극 접촉 ( 541 - 5411 ) 은 동일 평면 상 의 상부 면 을 갖 는다 .