도 5 b 를 참조 하 면 , 제 1 마이크 로 렌즈 패턴 ( 130 ) 을 포함 하 는 반도체 기판 ( 100 ) 상 에 제 1 마이크 로 렌즈 패턴 ( 130 ) 을 마스크 로 에치 백 ( Etch Back ) 공정 을 수행 하 여 화소 부 에 반구형 의 제 1 마이크 로 렌즈 패턴 ( 130 ) 과 동일 형태 로 굴곡 을 갖 는 제 2 마이크 로 렌즈 패턴 ( 140 a ) 이 형성 된다 . 이때 , 제 2 마이크 로 렌즈 패턴 ( 140 a ) 이 형성 된 화소 부 는 에치 백 공정 ( Etch Back ) 으로 제 2 마이크 로 렌즈 ( 140 a ) 의 두께 인 300 ∼ 700 ㎚ 만큼 로직 회로 부 보다 낮 게 형성 된다 .