도 3 은 본 발명 의 실시 예 에 따른 활성 경계 퀼트 아키텍처 메모리 를 지원 하 는 메모리 어레이 ( 300 ) 의 일 예 를 도시 한다 . 메모리 어레이 ( 300 ) 은 도면 들 1 및 2 를 참조 하 여 설명 된 메모리 어레이 들 ( 102 ) 및 ( 205 ) 의 일 예 가 될 수 있 다 . 도 3 에 도시 된 바 와 같이 , 메모리 어레이 ( 300 ) 는 메모리 셀 들 ( 105 - b ) 을 구성 하 기 위한 다수 의 재료 들 을 포함 한다 . 각각 의 메모리 셀 ( 105 - b ) 은 수직 방향 ( 예 를 들 어 , 기판 에 수직 ) 으로 적층 되 어 메모리 셀 스택 을 생성 한다 . 메모리 셀 들 ( 105 - b ) 은 도 1 를 참조 하 여 설명 된 메모리 셀 ( 105 ) 의 예 일 수 있 다 . 메모리 어레이 ( 300 ) 는 따라서 , 입체 또는 3 D 메모리 어레이 로 지칭 될 수 있 다 .