도 24 a , 도 24 b 의 트랜지스터 ( 441 , 442 ) 는 , 산화물 반도체 층 ( 144 ) 과 소스 전극 ( 142 a ) , 드레 인 전극 ( 142 b ) 과 의 사이 에 , 소스 영역 및 드레 인 영역 으로서 기능 하 는 산화물 도전 층 ( 404 a , 404 b ) 이 형성 되 어 있 다 . 도 24 a , 도 24 b 의 트랜지스터 ( 441 , 442 ) 는 제작 공정 에 의해 산화물 도전 층 ( 404 a , 404 b ) 의 형상 이 다른 예 이 다 .