여기 서 , 본 발명 은 게이트 의 채널 이 형성 되 는 게이트 용 홈 의 하부 에 일 함수 가 큰 고농도 의 P 형 폴리 실리콘 막 을 형성 함 으로써 , 상기 채널 내 의 표면 전위 ( Surface Potential ) 변화 를 통해 낮 은 채널 도우즈 ( Dose ) 로 도 문턱 전압 ( Vt ) 을 확보 하 여 반도체 소자 의 구동 전류 를 증가 시킬 수 있 다 .