한편 , 도 4 와 비교 하 여 설명 하 면 , 복수 개 의 게이트 ( 531 ) , 복수 개 의 절연체 ( 532 ) , 게이트 절연 층 ( 521 ) , 반도체 층 ( 522 ) 및 저항 변화 층 ( 523 ) 은 셀 스트링 들 ( CSs ) 의 구성 요소 이 다 . 구체 적 으로 , 게이트 ( 531 ) , 게이트 절연 층 ( 521 ) 및 반도체 층 ( 522 ) 은 트랜지스터 의 일 구성 요소 가 되 고 , 저항 변화 층 ( 523 ) 은 저항 이 될 수 있 다 .