상기 규소 화합물 - 형성 금속 층 ( 430 ) 의 형성 이후 에 전도체 ( 436 ) 의 제 2 세트 는 전도체 ( 408 ) 의 하부 세트 형성 과 유사 한 방식 으로 다이오드 ( 428 ) 위쪽 에 형성 될 수 있 다 . 몇몇 실시 예 에서 하나 이상 의 장벽 층 및 / 또는 접합 층 ( 438 ) 은 전도체 ( 436 ) 의 상부 의 제 2 세트 를 형성 하 기 위해서 사용 되 는 전도체 층 ( 440 ) 의 증착 이전 에 상기 규소 화합물 - 형성 금속 층 ( 430 ) 위 에 배치 될 수 있 다 .