이 를 좀 더 자세히 설명 하 면 제 1 인산 마그네슘 ( Mg ( H 2 PO 4 ) 2 ) , 제 1 인산 알루미늄 ( Al ( H 2 PO 4 ) 3 ) , 그리고 제 1 인산 아연 ( Zn ( H 2 PO 4 ) 2 ) 을 제조 하 기 위해서 는 순수 한 인산염 에 산화마그네슘 , 산화알루미늄 , 그리고 산화아연 등 을 첨가 해서 제조 하 게 된다 . 이러 한 금속 인 산염 제조 시 본 발명 에서 는 금속 산화물 과 인산염 을 90 ℃ 이상 의 온도 에서 반응 시키 는 과정 에서 붕산 을 첨가 하 고 3 시간 이상 반응 시간 을 유지 함 으로써 금속 인 산염 과 붕산 의 축합 반응 을 유도 하 게 된다 . 그 다음 에 냉각 후 상온 에서 실리카 와 산화 크롬 을 첨가 하 여 코팅 액 을 제조 한다 . 이렇게 제조 된 코팅 제 를 강판 에 도포 후 건조 시 , 낮 은 소부 온도 에서 코팅 제 에 과량 으로 포함 되 어 있 는 자유 인산 은 전기 강판 표면 에 존재 하 는 산화 성 물질 과 결합 해서 표면 에 도면 1 의 A 로 표시 된 상태 로 존재 하 리라 생각 된다 . 한편 제 1 인산 마그네슘 ( Mg ( H 2 PO 4 ) 2 ) 과 제 1 인산 알루미늄 ( Al ( H 2 PO 4 ) 3 ) , 그리고 제 1 인산 아연 ( Zn ( H 2 PO 4 ) 2 ) 은 붕산 과 의 축합 반응 을 통해 도면 2 의 B 와 같 은 형태 로 존재 하 리라 생각 된다 . 따라서 피막 형성 이 진행 됨 에 따라 코팅 제 제조 및 절연 피막 형성 초기 형성 된 A - B 복합 생성물 외 에 A 와 B 의 추가 적 인 반응 을 예상 할 수 있 으며 ( 예 ; A - A 반응 , A - B 반응 , 또는 B - B 반응 ) , 이렇게 생성 된 A - A , A - B , 그리고 B - B 복합 생성물 은 절연 피막 형성 말기 800 ℃ 이상 에서 콜로 이달 실리카 및 콜로 이달 실리카 - 인산 알루미늄 에 의해 생성 된 세라믹 층 에 존재 하 는 - OH 그룹 과 또 다른 축합 반응 을 유도 해 종래 의 방법 으로 유도 할 수 없 었 던 복합 생성물 을 형성 하 리라 생각 된다 . 따라서 상기 에서 제시 된 화학 메카 니즘 으로 인해 생성 된 복합 물질 이 피막 장력 의 밀착 성 을 좋 게 하 고 결과 적 으로 피막 장력 을 향상 시키 는 데 중요 한 역할 을 하 는 것 으로 판단 된다 . 이러 한 판단 에 근거 로서 균일 도포 량 ( 3 . 5 ± 0 . 1 g / m 2 ) 에서 금속 인 산염 이 종류 에 따라 붕산 을 첨가 하 였 때 와 첨가 하 지 않 았 을 때 붕산 이 첨가 된 시료 의 피막 장력 이 우수 하 였으며 ( 표 1 ) 또한 도포 량 에 따른 피막 장력 변화 를 통해 알 수 있 다 ( 상세 한 비교 표 1 과 2 ) .