상기 와 같 은 종래 발광 소자 는 그물망 오 믹 형성 구조 와 반사막 을 이용 하 여 전면 오 믹 구조 형성 시 보다 향상 된 광 효율 을 얻 을 수 있 다 . 이 에 사용 된 기술 은 P 형 질화 갈륨 ( GaN ) 과 같 은 전도 대 가 큰 물질 의 경우 에 는 전극 에 의한 전류 의 확산 만 으론 어렵 기 때문 에 금속 투명 전 극막 을 전면 에 증착 시킨다 . 그러나 대부분 의 금속 이 광 을 흡수 하 거나 반사 하 기 때문 에 광 효율 은 금속 오 믹 형성 막 의 특성 에 상당 부분 좌우 된다 . 이 에 금속 오 믹 형성 막 을 그물망 구조 로 만들 어 오 믹 형성 막 에 의해 발광 소자 P 형 반도체 층 쪽 으로 방출 되 는 광 의 흡수 를 최소 화 시킨다 . 또한 , 오 믹 형성 막 을 반 사도 가 높 은 물질 로 사용 하 여 하부 사파이어 기판 쪽 과 동시 에 반사 시켜 광 을 외부 로 방출 시켜 광 효율 을 향상 시킨다 .