이 후 , 소스 적 층 체 ( 200 ) 상 에 제 1 물질 막 들 ( 221 ) 및 제 2 물질 막 들 ( 223 ) 을 교대 로 적층 한다 . 제 1 물질 막 들 ( 221 ) 및 제 2 물질 막 들 ( 223 ) 은 하부 절 연막 ( 211 ) 을 덮 도록 연장 된다 . 제 1 물질 막 들 ( 221 ) 은 도 3 a 및 도 3 b 를 참조 하 여 상술 한 층간 절 연막 들 ( ILD ) 및 더미 층간 절 연막 들 ( ILD ') 을 구성 할 수 있 다 . 제 2 물질 막 들 ( 223 ) 은 제 1 물질 막 들 ( 221 ) 과 다른 식각 률 을 갖 는 물질 로 형성 된다 . 예 를 들 어 , 제 1 물질 막 들 ( 221 ) 은 실리콘 산화물 을 포함 하 고 , 제 2 물질 막 들 ( 223 ) 은 실리콘 질화물 을 포함 할 수 있 다 . 제 2 물질 막 들 ( 223 ) 은 도 3 a 를 참조 하 여 상술 한 희생 절 연막 들 ( SC ) 을 구성 할 수 있 다 . 제 1 물질 막 들 ( 221 ) 및 제 2 물질 막 들 ( 223 ) 은 도 3 a 를 참조 하 여 설명 한 더미 적층 체 ( STd ) 의 제 1 적층 체 ( STd 1 ) 를 구성 할 수 있 다 .