반도체 웨이퍼 생산 공정 으로 주로 CVD ( Chemical Vapor Deposition , 화학 기상 증착 ) , 사진 ( photo ) , 식각 ( etching ) 등 의 공정 이 있 다 . 이러 한 공정 을 수행 하 기 위해서 는 공정 챔버 내 에 Cl 2 및 HCl 등 의 부식성 이 강한 액화 성 반응 가스 가 투입 되 어야 만 한다 . 이 반응 가스 는 실린더 라 불리 는 용기 내 에 충 진 된 상태 로 보관 되 며 , 밸브 의 작동 에 의해 충 진 된 반응 가스 가 항상 일정 한 압력 으로 공정 챔버 내 에 공급 되 거나 차단 된다 .