도 11 : 광학 및 전기 시뮬레이션 . a ) 정공 디바이스 ( 파란 동그라미 ) , 전자 디바이스 ( 빨간 네모 ) , 양극 ( bipolar ) 디바이스 ( 검 은 세모 ) 의 실험 ( 기호 ) 및 시뮬레이션 ( 실선 ) J - V 곡선 . 도 4 의 단극 ( unipolar ) 디바이스 에 피팅 하 여 추출 한 모델 패러 미터 를 양극 디바이스 의 시뮬레이션 에 적용 하 였 다 . b ) 주지 의 이동율 ( mobility ) 41 ( 기호 ) 을 가지 는 단극 디바이스 ( 실선 ) 으로부터 추출 한 패러 미터 를 적용 하 여 BSBCz 의 정공 ( 파란색 ) 및 전자 ( 빨간색 ) 에 대해 산출 한 이동율 의 비교 . c ) OSLD 구조 의 실험 ( 기호 ) 및 시뮬레이션 ( 실선 ) J - V 곡선 . d ) 산출 에 쓰이 는 OSLD 구조 의 개략 도 . e ) 재조합 율 ( recombination rate ) 프로필 R 의 공간 적 분포 . 여기 서 , J 에서 의 OSLD 는 500 mA cm - 2 이 다 . f ) DFB 디바이스 에 대하 여 y 가 0 . 11 μ m 일 때 ( e ) 의 단면도 . g ) OSLD 및 OLED 의 전류 밀도 의 함수 로 나타낸 평균 여기자 밀도 .