이렇게 준비 된 ITO 투명 전극 위 에 정공 주입 층 으로 하 기 HI - 1 화합물 을 1150 Å 의 두께 로 형성 하 되 하 기 A - 1 화합물 을 1 . 5 % 농도 로 p - doping 하 였 다 . 상기 정공 주입 층 위 에 하 기 HT - 1 화합물 을 진공 증착 하 여 막 두께 1000 Å 의 정공 수송 층 을 형성 하 였 다 . 이어서 , 상기 정공 수송 층 위 에 막 두께 500 Å 으로 하 기 HT - 2 화합물 을 진공 증착 하 여 정공 수송 보조 층 을 형성 하 였 다 . 정공 수송 보조 층 위 에 막 두께 150 Å 으로 하 기 EB - 1 화합물 을 진공 증착 하 여 전자 차단 층 을 형성 하 였 다 . 이어서 , 상기 EB - 1 증착 막 위 에 하 기 RH - 1 화합물 과 하 기 Dp - 8 화합물 을 98 : 2 의 중량 비 로 진공 증착 하 여 400 Å 두께 의 적색 발광 층 을 형성 하 였 다 . 상기 발광 층 위 에 막 두께 30 Å 으로 하 기 HB - 1 화합물 을 진공 증착 하 여 정공 저지 층 을 형성 하 였 다 . 이어서 , 상기 정공 저지 층 위 에 하 기 ET - 1 화합물 과 하 기 LiQ 화합물 을 2 : 1 의 중량 비 로 진공 증착 하 여 300 Å 의 두께 로 전자 주입 및 수송 층 을 형성 하 였 다 . 상기 전자 주입 및 수송 층 위 에 순차 적 으로 12 Å 두께 로 리튬 플로 라이드 ( LiF ) 와 1 , 000 Å 두께 로 알루미늄 을 증착 하 여 음극 을 형성 하 였 다 .