이상 에서 와 같이 본 발명 은 , 활성 영역 상 에 성장 된 실리콘 에 피층 및 상기 실리콘 에 피층 하부 와 반도체 기판 의 스토리지 노드 영역 사이 에 형성 된 절 연막 에 의해 상기 스토리지 노드 콘 택 영역 을 실리콘 본체 로부터 고립 시킴 으로써 , 누설 전류 의 경로 를 근본 적 으로 차단 할 수 있 어 , 그 에 따른 트랜지스터 의 리 프레쉬 ( refresh ) 특성 을 개선 할 수 있 다 .