상술 한 과제 를 해결 하 기 위해 본 발명 의 태양 전지 의 제조 방법 은 400 nm 이하 의 자외선 에서 여기 되 어 400 내지 800 nm 가시광선 대역 에서 발광 하 는 나노 형광체 를 형성 하 는 단계 , 상기 나노 형광체 가 함유 되 도록 투명 전극 층 을 형성 하 는 단계 및 상기 투명 전극 층 을 p 형 반도체 층 과 상기 p 형 반도체 층 상 에 형성 된 n 형 반도체 층 을 포함 하 는 p - n 접합 반도체 층 상 에 형성 하 는 단계 를 포함 한다 .