SRAM 이나 기타 비 메모리 반도체 장치 의 회로 구성 을 위해 한 트랜지스터 의 게이트 전극 과 다른 트랜지스터 의 소오 스 / 드레 인 영역 이 직접 연결 될 수 있 다 . 이 때 , 게이트 전극 과 소오 스 / 드레 인 영역 이 가깝 게 배치 될 수 있 다면 공통 콘 택 ( shared contact ) 을 형성 하 여 전기 적 으로 접속 시킬 수 있 다 .