MRAM 셀 에 근접 한 전류 전달 도체 들 로부터 의 자기장 을 사용 한 가장 초기 의 MRAM 셀 들 과 비교 하 여 , STT 전환 기술 은 상대 적 으로 낮 은 전력 을 필요 로 하 고 , 인접 한 비트 교란 들 의 문제 를 사실상 제거 하 고 , 더 높 은 셀 밀도 ( 감소 된 MRAM 셀 크기 ) 에 대한 더 양호 한 스케일링 을 갖 는다 . 후자 의 문제 는 또한 STT - MRAM 에 유리 하 며 , 여기 서 자유 층 및 핀 드 층 자화 는 평면 내 가 아니 라 필름 평면 에 수직 으로 배향 된다 . 그러나 , 실제로 , STT 전환 은 전체 기록 전류 가 터널 장벽 을 통해 흐르 도록 요구 하 며 , 이 는 터널 장벽 을 가로지른 중간 내지 높 은 기록 전압 의 필요 한 응력 으로 인해 STT MRAM 셀 의 장기 적 인 신뢰 성 에 부정 적 으로 영향 을 미친다 .