본 발명 의 실시 예 에 따른 소거 검증 은 워드 라인 단위 로 수행 된다 . 따라서 , 선택 된 워드 라인 의 전압 및 비 선택 된 워드 라인 들 의 전압 은 상이 하 게 제어 된다 . 선택 된 메모리 블록 ( BLKa ) 의 선택 된 워드 라인 에 제 1 검증 전압 ( Vvfy 1 ) 이 인가 된다 . 예 를 들 면 , 제 1 소거 검증 전압 ( Vvfy 1 ) 은 소거 상태 의 메모리 셀 들 에 요구 되 는 문턱 전압 의 상한 으로 설정 될 것 이 다 . 예 를 들 면 , 제 1 소거 검증 전압 ( Vvfy 1 ) 은 접지 전압 ( Vss ) 일 것 이 다 .