도 1 a 를 참조 하 면 , 상술 한 과정 을 통해 형성 된 게이트 전극 ( 102 ) 을 포함 하 는 반도체 기판 상 에 층간 절 연막 ( 104 ) 으로서 , BPSG 등 의 산화 막 을 증착 하 고 , 이러 한 층간 절 연막 ( 104 ) 상부 에 캡 핑 산화 막 ( 미도 시 됨 ) 을 형성 하 게 되 고 , 층간 절 연막 ( 104 ) 및 캡 핑 산화 막 이 형성 된 반도체 기판 상부 에 콘 택 홀 ( 106 ) 을 형성 하 기 위한 포토레지스트 패턴 에 따라 식각 하 여 콘 택 홀 ( 106 ) 을 형성 한 후 , 이러 한 식각 에 따른 잔류물 ( residue ) 을 제거 하 기 위한 습식 세정 ( wet cleaning ) 공정 을 수행 한다 .