일 실시 예 에 있 어서 , 반도체 소자 의 형성 방법 은 , 게이트 예정 영역 의 반도체 기판 을 소정 부분 식각 하 여 제 1 리세 스 게이트 영역 을 형성 하 는 단계 ; 상기 제 1 리세 스 게이트 영역 의 바닥 부분 모서리 에 이온 임 플란트 공정 을 수행 하 는 단계 ; 상기 제 1 리세 스 게이트 영역 의 측벽 을 산화 시켜 산화 막 스 페이서 를 형성 하 는 단 계 ; 상기 산화 막 스 페이서 를 마스크 로 상기 제 1 리세 스 게이트 영역 의 바닥 면 을 등방성 식각 하 여 구형 의 제 2 리세 스 게이트 영역 을 형성 하 는 단계 ; 및 상기 산화 막 스 페이서 를 제거 하 고 , 상기 제 1 및 제 2 리세 스 게이트 영역 표면 에 게이트 산화 막 을 형성 한 후 상기 리 세스 게이트 영역 을 포함 하 는 게이트 를 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .