그 후 에 , 상기 기판 ( 300 ) 전면 에 걸쳐 비정질 실리콘 층 ( 306 ) 을 500 내지 1500 Å 정도 로 PECVD , LPCVD 로 형성 한다 . 그리고 나 서 , 상기 비정질 실리콘 층 ( 306 ) 전면 에 걸쳐 캡 핑 층 ( 310 ) 을 형성 하 고 , 상기 캡 핑 층 상 에 금속 촉매 층 ( 311 ) 을 형성 하 여 상기 캡 핑 층 과 금속 촉매 층 을 패 터닝 하 여 박막 트랜지스터 부 ( a ) 에 금속 촉매 층 패턴 을 형성 한다 .