더욱 구체 적 으로 , 오 믹 접촉 구조 체 ( 42 OC ) 각각 은 3 가지 금속 스택 이 고 , ( a ) Ti 또는 Ta 의 하부 층 ( 42 a ) ( 층 ( 42 a ) 을 적층 하 기 전 에 염소 플 라즈 마계 건식 에칭 에 의해 구조 체 ( 422 - 426 ) ( 도 2 d ' 에 도시 되 는 바 와 같이 ) 에 대한 III 족 - N 반도체 층 ( 36 ) 의 상부 로 리세 스 될 수 있 는 ) ; ( b ) 알루미늄 계층 ( 42 b ) , 여기 서 는 예 를 들 어 알루미늄 또는 Si 도핑 된 알루미늄 Al 1 - xSix 층 ( 42 b ) ( 여기 서 , x 는 1 미만 이 고 , 여기 서 x 는 일반 적 으로 ≤ 0 . 05 임 ) ; 및 ( c ) 상부 금속 층 ( 42 c ) , 예 를 들 어 탄탈럼 또는 금속 질화물 층 ( 42 c ) , 여기 서 는 예 를 들 어 알루미늄 계층 ( 42 b ) 상 의 티타늄 질화물 ( TiN ) ; 을 포함 한다 . 층 ( 42 a ) 및 층 ( 42 c ) 의 일반 적 인 두께 는 5 - 30 nm 이 지만 , 층 ( 42 b ) 은 오 믹 접촉 3 개 층 구 조체 ( 42 OC ) 스택 으로 선택 되 는 금속 층 에 따라 50 - 350 nm 의 범위 일 수 있 다 .