여러 개 의 피크 를 가진 부성 미분 저항 소자 를 통해 다수 의 상태 를 가지 는 메모리 / 다 치 로직 소자 의 구현 이 가능 해진다 . 또한 , 여러 개 의 피크 를 가지 는 부성 미분 저항 소자 를 구현 하 기 위한 추가 적 인 전압 의 인가 만 으로 부성 미분 저항 소자 의 특성 을 변화 시키 기 때문 에 시스템 및 회로 설계 상 유연 성 을 가질 수 있 다 .