급속 열처리 ( RTP ) 는 반도체 제조 중 에 기판 들 을 어닐링 하 기 위한 프로세스 이 다 . 이러 한 프로세스 중 에 , 열 복사선 을 이용 하 여 기판 을 제어 된 분위기 에서 상온 보다 높 은 900 도 초과 의 최대 온도 까지 급속 하 게 가열 한다 . 이러 한 최대 온도 는 , 프로세스 에 따라서 , 1 초 미만 으로부터 내지 몇 분 까지 유지 된다 . 이어서 , 추가 적 인 처리 를 위해서 기판 을 상온 까지 냉각 시킨다 . 반도체 제조 프로세스 는 몇 가지 RTP 의 적용 예 들 을 가진다 . 그러 한 적용 예 들 은 열 적 산화 ( 기판 이 산소 내 에서 또는 산소 와 수소 의 조합 내 에서 가열 되 며 , 그러 한 가열 은 실리콘 기판 을 산화 시켜 실리콘 이 산화물 이 형성 되 게 한다 ) ; 고온 소크 ( soak ) 어닐링 ( 질소 , 암모니아 , 또는 산소 와 같 은 다른 가스 혼합물 들 이 이용 된다 ) ; 저온 소크 어닐링 ( 전형 적 으로 , 금속 들 이 증착 ( deposit ; 이하 , 편의 상 ' 증착 ' 이 라 함 ) 된 웨이퍼 들 을 어닐링 하 기 위한 것 이 다 ) ; 그리고 스파이크 ( spike ) 어닐링 ( 매우 짧 은 시간 동안 높 은 온도 들 에 대해서 기판 을 노출 시킬 필요 가 있 는 프로세스 들 에서 주로 이용 된다 ) 을 포함 한다 . 스파이크 어닐링 동안 에 , 기판 은 도 펀트 를 활성 화 시키 기 에 충분 한 최대 온도 까지 급속 가열 되 고 그리고 도 펀트 의 실질 적 인 확산 이전 에 활성 화 프로세스 를 종료 시키 기 위해서 급속히 냉각 된다 .