일 실시 예 에서 , 이러 한 역방향 다이오드 가 갖 는 정류 특성 은 저항 변화 메모리 소자 가 셀프 정류 특성 을 갖 는 경우 저항 변화 메모리 소자 자체 에서 구현 될 수 있 으며 , 이 경우 , 상기 역방향 다이오드 가 생략 됨 으로써 반도체 메모리 소자 의 구성 및 제조 는 더욱 단순 화 될 수 있 다 . 전술 한 실시 예 에 따른 저항 변화 메모리 소자 는 한 층 의 메모리 셀 어레이 를 갖 고 있 지만 , 이 는 예시 적 일 뿐 본 발명 이 이 에 한정 되 는 것 은 아니 다 . 예 를 들 면 , 2 개 이상 의 메모리 셀 어 레이 들 이 적층 되 어 집적 화 될 수 있 다 . 또한 , 도 1 a 에서 는 반도체 기판 에 대해 수평 확장 된 메모리 셀 어레이 를 예시 하 고 있 지만 , 반도체 기판 에 대해 수직 방향 으로 확장 된 3 차원 메모리 셀 어레이 를 가질 수 도 있 다 .