이후 , 상기 활성 층 ( 320 ) 상 에 상기 제 2 도전 형 반도체 층 ( 330 ) 을 형성 하 는 단계 를 진행할 수 있 다 . 상기 제 2 도전 형 반도체 층 ( 330 ) 은 유기 금속 화학 증착 법 ( MOCVD ; Metal Organic Chemical Vapor Deposition ) , 화학 증착 법 ( CVD ; Chemical Vapor Deposition ) , 플라 즈 마 화학 증착 법 ( PECVD ; Plasma - Enhanced Chemical Vapor Deposition ) , 분자선 성 장법 ( MBE ; Molecular Beam Epitaxy ) , 수소화물 기상 성 장법 ( HVPE ; Hydride Vapor Phase Epitaxy ) , 스퍼터링 ( Sputtering ) 등 의 방법 을 이용 하 여 형성 될 수 있 으며 , 이 에 대해 한정 하 지 는 않 는다 .