실시 예 에 따른 반도체 소자 의 제조 방법 은 기판 위 에 제 1 절연 층 이 형성 되 고 제 1 절연 층 에 트랜 치가 형성 되 는 단계 ; 상기 트랜 치 에 금속 층 이 형성 되 는 단계 ; 상기 금속 층 과 단차 를 이루 도록 상기 제 1 절연 층 의 표면 이 식각 되 는 단계 ; 상기 단차 를 얼라인먼트 키 ( alignment key ) 로 이용 하 여 상기 제 1 절연 층 위 에 소자 층 이 형성 되 는 단계 를 포함 한다 .