전극 층 들 WL 사이 의 유전체 층 ( 64 ) 이 전하 축적 층 ( 실리콘 질화 막 ) ( 76 ) 을 갖 지 않 는 구조 를 얻 기 위한 상기 공정 의 맥락 에서 , 도 13 에 도시 된 바 와 같이 , 본 실시 예 는 실리콘 필러 SP 가 전하 축적 층 ( 76 ) 의 코너 부 를 따라 유전체 층 ( 64 ) 에 대하 여 옆 으로 ( laterally ) 들어간 구조 가 되 기 쉽 다 . 또한 , 실리콘 필러 SP 의 들어간 부분 과 , 제 1 유전체 막 ( 75 ) 과 의 계면 부근 의 전극 층 WL 의 두께 방향 단부 사이 에 는 , 산화 막 만 이 존재 하 고 질화 막 은 없 다 . 따라서 , 여기 에 전계 가 집중 되 면 , 이 부분 에서 게이트 누설 이 발생 할 수 있 다 .