상기 패 시베이 션 층 ( 180 ) 은 상기 압 전 변환기 ( 200 ) ( 도 10 에 도시 된 바 와 같 음 ) 에 대해 보호 작용 을 일으켜 , 외부 불순물 ( 예 를 들 어 , 나트륨 이온 ) , 이온 전하 및 수증기 등 이 압 전 변환기 ( 200 ) 에 미치 는 영향 을 방지 할 수 있 음 으로써 , 지문 인식 모듈 의 성능 및 안정 성 을 향상 시키 며 , 지문 인식 모듈 의 지문 인식 정밀도 를 향상 시킨다 .