제 2 도 전체 ( 120 ) 및 비트 라인 ( BL ) 은 상변화 물질 ( 113 ) 을 형성 한 후 에 금속 성 박막 을 형성 하 고 이 를 패 터닝 하 는 것 에 의해 형성 될 수 있 다 . 또는 다 마신 공정 을 이용 하 여 제 2 도 전체 및 비 드라인 ( BL ) 이 형성 될 수 있 다 . 셀 어레이 영역 에서 비트 라인 ( BL ) 이 형성 될 때 주변 회로 영역 에서 는 제 1 금속 배선 ( M 1 ) 이 형성 될 수 있 다 . 여기 서 , 제 1 금속 배선 ( M 1 ) 과 게이트 ( G ) 그리고 / 또는 소스 / 드레 인 ( S / D ) 사이 의 연결 을 위한 콘택트 플러그 ( 200 ) 는 제 1 절 연막 ( 60 ) 및 제 3 절 연막 ( 180 ) 을 패 터닝 하 여 콘택트 홀 을 형성 한 후 여기 에 금속 성 박막 을 채우 는 것 에 의해 형성 될 수 있 다 . 경우 에 따라서 는 콘택트 플러그 ( 200 ) 와 제 1 금속 배선 ( M 1 ) 이 한 번 의 공정 으로 형성 될 수 있 다 . 즉 , 제 1 절 연막 ( 60 ) 및 제 3 절 연막 ( 180 ) 을 패 터닝 하 여 콘택트 홀 을 형성 한 후 금속 성 박막 을 콘택트 홀 및 제 3 절 연막 ( 130 ) 상 에 형성 한 후 이 를 패 터닝 하 는 것 에 의해서 콘택트 플러그 ( 200 ) 와 제 1 금속 배선 ( M 1 ) 이 동시 에 형성 될 수 있 다 .