이어서 , Al 2 O 3 와 같 은 높 은 유전 상수 물질 ( 29 ) 과 Ti 또는 TiN 과 같 은 배리어 금속 ( 30 ) 을 연속 으로 증착 하 고 ( 도 3 d ) , 그 위 에 텅스텐 과 같 은 금속 물질 ( 31 ') 을 증착 한 다음 CMP 공정 에 의해 평탄 화 하 여 ( 도 3 e ) , 상기 제 1 콘 택 홀 ( 28 ) 내 에 제어 게이트 ( 31 ) 를 형성 한다 ( 도 3 f ) .