전측 가공 이 완료 된 후 , 도 2 s 를 참조 하 면 , 후 측 가공 이 시작 된다 . 더욱 구체 적 으로 , 웨이퍼 는 도시 되 지 않 는 일시 적 인 캐리어 상 에 아래 를 향해 장착 되 고 , 그 후 웨이퍼 는 예 를 들 어 50 또는 100 미크론 으로 얇 아 진다 . 이러 한 구조 체의 노출 된 하부 면은 전극 접촉 ( 541 및 5411 ) 하 에서 기판 ( 32 ) 의 하부 의 일부 를 노출 하 기 위해 마스킹 된다 . 다음 으로 , 건식 불소 계 에칭 , 여기 서 는 예 를 들 어 황 헥사 플 루오 라이드 ( SF 6 ) 를 이용 하 여 SiC 또는 Si 기판 ( 32 ) 의 하부 로부터 에칭 함 으로써 노출 된 부분 에 비아 홀 ( 72 ) 이 형성 된다 .