본 발명 은 저항 변화 를 이용 한 반도체 장치 에서 도전 성 부산물 에 기인 한 전극 간 전기 적 쇼트 를 방지 할 수 있 는 반도체 장치 제조 방법 을 제공 하 기 위한 것 으로 , 이 를 위해 , 본 발명 은 기판 상 에 제 1 원소 와 상기 제 1 원소 의 탈리 를 방지 하 는 제 2 원소 가 혼합 된 제 1 도 전막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 제 1 도 전막 상 에 가변저항 막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 가변저항 막 상 에 제 2 도 전막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 제 2 도 전막 , 상기 가변저항 막 및 상기 제 1 도 전막 을 선택 적 으로 식각 하 여 패턴 을 형성 하 는 단계 ; 및 열처리 를 실시 하 여 상기 제 1 도 전막 내 상기 제 2 원소 를 제거 하 는 단계 를 포함 하 는 반도체 장치 제조 방법 을 제공 한다 .