상기 샤워 헤드 ( 140 ) 는 상기 반응 가스 공급 부 ( 150 ) 에서 공급 되 는 상기 이소프렌 가스 및 질소 가스 를 상기 웨이퍼 의 전면 에 분사 토록 형성 되 어 있 다 . 상기 샤워 헤드 ( 140 ) 는 상기 반응 가스 공급 부 ( 150 ) 에서 공급 되 는 상기 이소프렌 가스 및 상기 질소 가스 의 압력 을 완충 ( buffering ) 하 여 혼합 시키 고 , 상기 웨이퍼 의 전면 에서 균일 한 압력 으로 상기 이소프렌 가스 및 상기 질소 가스 를 토출 하 도록 형성 되 어 있 다 . 예컨대 , 상기 샤워 헤드 ( 140 ) 는 상기 이소프렌 가스 및 상기 질소 가스 를 토출 하 는 다공 이 제조사 별 로 여러 가지 타입 으로 구분 되 어 형성 되 어 있 는데 , 육각형 모양 의 다공 이 형성 되 어 있 거나 , 원형 모양 의 다공 이 형성 되 어 있 다 . 도시 되 지 는 않 았 지만 , 상기 다공 은 상기 샤워 헤드 ( 140 ) 의 중심 에서 가장 자리 까지 동일 또는 유사 한 크기 를 갖 도록 형성 될 수 있 고 , 상기 샤워 헤드 ( 140 ) 의 중심 에서 가장 자리 까지 점진 적 으로 크기 가 증가 되 도록 형성 될 수 있 다 . 또한 , 상기 샤워 헤드 ( 140 ) 는 상기 반응 가스 공급 부 ( 150 ) 에서 상기 반응 챔버 ( 110 ) 에 연결 되 는 공급 배관 ( 도시 되 지 않 음 ) 의 말단 에서 토출 되 는 상기 이소프렌 가스 및 상기 질소 가스 의 흐름 을 가로막 아 상기 이소프렌 가스 및 상기 질소 가스 가 상기 샤워 헤드 ( 140 ) 의 가장자리 로 펼쳐져 상기 다공 으로 분사 되 도록 형성 되 는 패널 디 퓨저 를 더 포함 하 여 이루어질 수 도 있 다 .