도 3 k 및 도 4 k 에 도시 된 바 와 같이 , 수평 형 리세 스 ( 13 R ) 를 채우 는 게이트 전극 ( 19 ) 을 형성 할 수 있 다 . 게이트 전극 ( 19 ) 은 저 저항 물질 을 포함 할 수 있 다 . 게이트 전극 ( 19 ) 은 금속 - 베이스 물질 을 포함 할 수 있 다 . 게이트 전극 ( 19 ) 은 금속 , 금속 실리사이드 , 금속 질화물 또는 이 들 의 조합 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 면 , 금속 은 니켈 , 코발트 , 플 래 티 늄 , 타타 늄 , 탄 탈륨 또는 텅스텐 을 포함 할 수 있 다 , 금속 실리사이드 는 니켈 실리사이드 , 코발트 실리사이드 , 플 래 티 늄 실리사이드 , 티타늄 실리사이드 , 탄 탈륨 실리사이드 또는 텅스텐 실리사이드 를 포함 할 수 있 다 . 게이트 전극 ( 19 ) 은 배리어 물질 ( 도시 생략 ) 을 더 포함 할 수 있 다 . 배리 어 물질 은 금속 질화물 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 배리어 물질 은 티타늄 질화물 ( TiN ) 을 포함 할 수 있 다 .