반도체 웨이퍼 는 일반 적 으로 반도체 장치 가 그곳 에 위치 되 는 액티브 프론트 사이드 면 과 실리콘 과 같 은 벌크 ( bulk ) 반도체 재료 로 형성 된 백사이드 면 을 갖 는다 . 그 액티브 사이드 면은 다수 반도체 다이 를 포함 한다 . 액티브 면은 적층 , 패 터닝 , 도핑 및 가열 과정 을 포함 하 는 다수 반도체 공정 에 의해 형성 된다 . 적층 공정 에서 , 반도체 재료 는 열 산화 , 질화 , 화학 적 증착 , 증발 및 스퍼터링 을 포함 하 는 기술 에 의해서 기판 상 에서 성장 하 거나 융 착 된다 . 패 터닝 은 특수 한 구조 체 를 형성 하 기 위해서 표면 영역 들 을 마스크 하 여 바람직 하 지 않 은 재료 를 에칭 하 는 포토 리소그래피 ( photolithograpy ) 의 사용 을 포함 한다 . 도핑 공정 은 도 펀트 ( dopant ) 응축물 을 열 확산 또는 이온 주입 에 의해 주입 한다 . 액티브 면은 본드 패드 와 같이 전기 적 상호 접속 부 에 대해서 평면 이 고 균일 하 다 .