N - 액티브 레이어 ( 118 b ) 와 게이트 폴리 레이어 ( 116 b ) 는 NMOS 트랜지스터 ( 130 ) 를 구성 한다 . N - 액티브 레이어 ( 118 b ) 위 에 콘 택 레이어 ( 120 b ) 를 감싸 는 비트 폴리 레이어 ( 122 b ) 가 배치 된다 . N - 액티브 레이어 ( 118 b ) 위 다른 하나 의 비트 폴리 레이 어 ( 122 b ) 는 비아 레이어 ( 124 b ) 를 통하 여 메탈 레이어 ( 126 b ) 와 연결 되 고 , 콘 택 레이어 ( 120 e ) 를 통하 여 P - 액티브 레이어 ( 114 b ) 와 연결 된다 . 메탈 레이어 ( 126 b ) 에 는 접지 전압 ( VSS ) 이 연결 된다 . 접지 전압 ( VSS ) 에 연결 되 는 P - 액티브 레이어 ( 114 b ) 는 P - 서브 스트레이트 바이어스 가 된다 .