( C ) 기판 의 영역 마다 가한 가압 력 을 , 막 두께 측정 장치 에 의한 이 기판 상 의 막 두께 의 측정 정보 에 따라 조정 하 도록 한 것 으로 , 그 막 두께 측정 장치 는 와전류 ( 渦 電流 ) , 광학 , 온도 , 토크 전류 , 마이크로파 등 을 이용 한 센서 로 하 고 있 다 . 그러나 , 마지막 의 마이크로파 등 의 센서 에 대해서 는 , 마이크로파 등 의 반사 신호 등 의 단독 또는 적절 한 조합 으로부터 , 그 반도체 웨이퍼 등 의 기판 상 에 형성 된 도전 성막 으로서 의 Cu 막 이나 배리 어막 , 또는 절연 성막 으로서 의 산화 막 등 의 막 두께 를 측정 하 는 막 두께 측정 장치 로 하 고 있 다 ( 예 를 들 면 , 특허 문헌 4 참조 )