본 발명 은 센스 앰프 제어 장치 를 포함 하 는 반도체 메모리 장치 에 관하 여 개시 한다 . 개시 된 본 발명 은 내부 전압 이 소정 의 목표 전압 보다 낮 으면 활성 화 되 는 검출 신호 를 출력 하 는 전압 검 출부 ; 센스 앰프 인 에 이 블 신호 가 활성 화 되 는 동안 검출 신호 와 뱅크 액티브 신호 에 의해 제어 되 는 복수 의 제어 신호 를 출력 하 는 제어 신호 발생 부 ; 및 제 어 신호 들 에 의하 여 오버드라이브 전압 과 내부 전압 을 선택 하 여 센스 앰프 로 인가 하 는 센스 앰프 구동 부 ; 를 포함 하 여 구성 되 며 , 내부 전압 에 상응 하 여 선택 적 으로 오버드라이브 를 수행 하 여 비트 라인 을 내부 전압 이상 으로 증폭 시켜 셀 데이터 의 전위 를 상승 시킴 으로써 리프 레시 타임 을 보장 하 는 효과 가 있 다 .