여기 에서 , 액정 층 내 의 액정 분자 가 , 투과 되 는 광 의 편광 방향 에 대해 이상광 굴절 률 이 되 는 방향 으로 거의 일정 하 게 배향 되 고 있 음 과 함께 , 회절 격자 의 액정 의 상광 굴절 률 과 대략 동등 한 굴절 률 ( ns ) 을 갖 는 등방성 재료 로 충전 되 어 있 는 ( no = ns ) 도시 되 지 않 은 회절 소자 를 생각 한다 . 이 경우 , 오목 부를 투과 하 는 광 의 광로 길이 와 볼록 부를 투과 하 는 광 의 광로 길이 의 차인 광로 길 이 차 는 , 격자 깊이 d ( 도 4 ( a ) 에서 말 하 는 d 1 - d 2 에 상당 ) 에 비례 하 여 커진다 . 따라서 , 회절 격자 에 충전 하 도록 배치 되 는 액정 층 에 동일 한 액정 재료 를 사용 하 여 구성 하 는 경우 , 광로 길 이 차 를 크 게 하 기 위해서 는 격자 깊이 d 를 크 게 할 필요 가 있 다 .