컨트롤 게이트 전극 층 ( 140 ) 을 형성 하 기 이전 에 , 전하 의 차단 을 보다 더 신뢰 성 있 게 하 기 위한 장벽층 이 형성 될 수 도 있 다 . 장벽층 은 소거 동작 시 , 컨트롤 게이트 전극 층 ( 140 ) 으로부터 반도체 기판 ( 100 ) 쪽 으로 전자 가 이동 하 는 것 을 방지 하 기 위한 층 으로 티타늄 질화 ( TiN ) 막 및 탄 탈륨 질화 ( TaN ) 막 등 과 같 은 금속 질 화 막 으로 형성 할 수 있 다 .