비휘발성 메모리 장치 ( 10 ) 는 선택 된 메모리 셀 ( 21 ) 에 데이터 ' 0 ' 을 프로그램 할 때 증가 형 스텝 펄스 프로그램 스킴 ( incremental step pulse programming ( ISPP ) scheme ) 을 이용 하 여 프로그램 할 수 있 다 . 즉 , 선택 된 메모리 셀 ( 21 ) 에 성공 적 으로 데이터 ' 0 ' 이 프로그램 될 때 까지 ( 또는 정해진 프로그램 회수 에 이 를 때 까지 ) 프로그램 동작 과 검증 동작 을 반복 하 여 수행 할 수 있 다 .