본 발명 은 반도체 소자 의 소자 분리 막 형성 방법 에 관한 것 으로 , 소자 분리 마스크 를 이용 한 식각 공정 으로 반도체 기판 의 소자 분리 영역 에 트렌치 를 형성 하 는 단계 , 트렌치 의 하부 에 제 1 절 연막 을 형성 하 는 단계 , 제 1 절 연막 을 포함 한 소자 분리 마스크 상 에 제 2 절 연막 을 형성 하 는 단계 , 및 제 2 절 연막 을 형성 하 는 단계 에서 제 2 절 연막 에 발생 된 모트 ( moat ) 가 채워 지 도록 제 2 절 연막 의 상부 에 제 3 절 연막 을 형성 하 는 단계 를 포함 한다 .