그러나 , 이 는 소자 가 축소 화 되 어 감 으로 인하 여 구현 이 어렵 다 . 게다가 , 게이트 에 수직 한 방향 의 플로팅 게이트 간 발생 하 는 간섭 현상 이 게이트 와 게이트 간 의 면적 에 가장 큰 영향 을 미친다 . 이 를 해결 하 기 위해 현재 게이트 와 게이트 사이 를 절연 시키 기 위해 게이트 스 페이서 로 산화 막 을 사용 하 고 있 다 .