일반 적 인 반도체 메모리 소자 , 특히 , DRAM 에서 액티브 명령 ( ACT ) 에 의해 발생 하 는 로우 어드레스 스트로브 신호 ( Row Address Strobe : RAS ) 와 리드 명령 ( Read Command ) 또는 라이트 명령 ( Write Command ) 에 의해 발생 하 는 컬럼 어드레스 스트로브 신호 ( Column Address Strobe : CAS ) 사이 에 는 항상 일정 범위 이내 의 지연 시간 을 가져야 한다는 사양 ( SPEC ) 이 존재 하 고 , 이 와 같 은 지연 시간 을 당업자 들 은 tRCD 라 칭해 사용 하 고 있 다 .