이 와 같 은 벌브 형 리세 스 ( 15 ) 형성 과정 을 좀 더 상세히 설명 하 면 , 노출 된 반도체 기판 ( 11 ) 을 비등방성 식각 하 여 실질 적 으로 수직 프로 파일 을 갖 는 벌브 형 리세 스 ( 15 ) 의 넥 패턴 ( 15 a ) 을 형성 한다 . 이어서 , 넥 패턴 ( 15 a ) 의 측벽 에 스 페이서 절 연막 ( 미도 시 됨 ) 을 형성 한 후 , 이 스 페이서 절 연막 을 베리 어 로 넥 패턴 ( 15 a ) 하부 의 반도체 기판 ( 11 ) 을 등방성 식각 하 여 실질 적 으로 구형 프로 파일 을 갖 는 벌브 형 리세 스 ( 15 ) 의 벌브 패턴 ( 15 b ) 을 형성 한다 . 따라서 , 벌브 패턴 ( 15 b ) 의 폭 은 넥 패턴 ( 15 a ) 의 폭 보다 넓 게 형성 된다 .