도 1 을 참조 하 면 , 기판 ( 110 ) 을 준비 한 다음 , 상기 기판 ( 110 ) 상 에 게이트 ( 112 ) 를 형성 한다 . 상기 기판 ( 110 ) 으로 는 일반 적 으로 실리콘 기판 이 사용 되 나 이외 에 도 유리 기판 또는 플라스틱 기판 이 사용 될 수 있 다 . 상기 게이트 ( 112 ) 는 상기 기판 ( 110 ) 상 에 소정 금속 을 증착 하 고 , 이 를 패 터닝 함 으로써 형성 될 수 있 다 . 이어서 , 상기 게이트 ( 112 ) 를 덮 도록 상기 기판 ( 110 ) 상 에 게이트 절 연막 ( gate insulator , 114 ) 를 형성 한다 . 여기 서 , 상기 게이트 절 연막 ( 114 ) 은 예 를 들 면 , 실리 콘 산화물 또는 실리콘 질화물 로 이루어질 수 있 다 .