도 4 를 참조 하 여 본 발명 의 다른 실시 예 에 다른 상변화 메모리 소자 를 설명 한다 . 도 4 의 상변화 메모리 소자 는 도 1 내지 도 3 을 참조 하 여 설명 을 한 상변화 메모리 소자 와 비교 해서 , 씨드 층 ( 130 ) 을 더 구비 한다 . 씨드 층 ( 130 ) 은 상변화 물질 ( 113 ) 과 제 1 도 전체 ( 95 ) 사이 에 제공 될 수 있 다 . 또 , 씨드 층 ( 130 ) 은 상변화 물질 ( 113 ) 과 절 연막 들 ( 60 , 103 ) 사이 에 도 제공 될 수 있 다 . 이 씨드 층 ( 130 ) 은 상변화 물질 ( 113 ) 이 절 연막 들 ( 60 , 103 ) 에 의해 한정 된 좁 은 공간 ( 도 12 의 참조 번호 75 에 대응 ) 에 균일 하 게 잘 형성 될 수 있 도록 한다 . 씨드 층 ( 130 ) 은 예 를 들 어 , 산화 티타늄 , 산화 탄 탈륨 , 산화지르코늄 , 산화 망간 , 산화 하프늄 , 산화마그네슘 , 산화 인듐 , 산화 니오븀 , 산화 게르마늄 , 산화안티몬 , 산화 텔 루리 움 또는 이 들 의 조합 을 포함 할 수 있 다 .