한편 , 실리콘 단결정 웨이퍼 를 탄소 함유 가스 분위기 에서 열처리 함 으로써 , BMD 를 고밀도 로 제어 하 는 것 이 제안 되 어 있 다 ( 특허 문헌 2 참조 ) . 그러나 , 특허 문헌 2 에서 는 , 저항 가열 에 의해 열처리 를 행하 고 있 으므로 , 강온 중 에 탄소 가 외방 확산 하 여 , 웨이퍼 표면 의 탄소 농도 를 충분히 높일 수 없 어 , 웨이퍼 강도 의 점 에서 는 불 충분 하 였 다 .