또한 , 본 발명 은 , 활성 영역 및 소자 분리 영역 으로 구획 된 반도체 기판 의 소자 분리 영역 내 에 소자 분리 막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 활성 영역 의 스토리지 노드 콘 택 형성 영역 양측 에 인접 하 는 소자 분리 막 부분 을 식각 하 여 홀 을 형성 하 는 단계 ; 상기 홀 내 에 도전 막 을 매립 하 여 차폐막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 차폐막 이 형성 된 반도체 기판 의 게이트 형성 영역 을 식각 하 여 홈 을 형성 하 는 단계 ; 상기 홈 상 에 메인 게이트 와 상기 소자 분리 막 상 에 패 싱 게이트 를 포함 하 는 게이트 라인 을 형성 하 는 단계 ; 및 상기 메인 게이트 양측 의 반도체 기판 표면 내 에 접합 영역 을 형성 하 는 단계 ; 를 포함 하 는 모스 펫 소자 의 제조 방법 을 제공 한다 .