3 차원 메모리 어레이 장치 에서 , 블 리더 다이오드 들 ( 300 ) , 특별 워드 라인 들 ( 360 , 362 ) , 비트 라인 들 , 및 NMOS 트랜지스터 ( 314 ) 는 이것 이 도 4 a 및 도 4 b 에 도시 된 것 과 같 은 배열 로 구성 될 수 있 다 . 도 4 a 및 도 4 b 는 두 실시 예 들 에 따른 3 차원 메모리 어레이 장치 의 부분 의 개념 적 측 단면도 들 이 다 . 도 4 a 에 도시 된 실시 예 에서 , 블 리더 다이오드 들 ( 300 ) 은 더미 저장 소자 들 ( 302 ) ( 도 3 a 를 참조 로 위 에 기술 된 바 와 같 은 ) 에 결합 된 전류 스티어링 소자 들 ( 301 ) 로서 구성 되 고 , 도 4 b 에 도시 된 실시 예 에서 , 블 리더 다이오드 들 은 더미 저장 소자 들 ( 도 3 b 를 참조 로 위 에 기술 된 바 와 같 은 ) 이 없이 전류 스티어링 소자 들 ( 301 ) 의 형태 이 다 .