도 1 a 는 본 발명 에 따른 비휘발성 메모리 소자 를 설명 하 기 위하 여 도시 한 소자 의 단면도 이 다 . 도 1 b 는 본 발명 에 따른 비휘발성 메모리 소자 를 이용 하 는 프로그램 방법 을 설명 하 기 위하 여 도시 한 순서도 이 다 . 도 2 는 워드 라인 ( WL 31 ) 에 간섭 효과 가 없 을 때 워드 라인 ( WL 0 내지 WL 31 ) 의 문턱 전압 분포 를 나타낸 도면 이 다 . 도 3 은 본 발명 에 따른 비휘발성 메모리 소자 를 이용 한 프로그램 방법 을 설명 하 기 위하 여 도시 한 개략 도 이 다 .