도 24 은 본 발명 의 실시 예 들 에 따른 3 차원 반도체 메모리 장치 의 평면도 이 다 . 도 25 는 도 24 의 IV - IV ' 선 을 따라 자른 단면 을 나타내 며 , 도 26 은 도 24 의 V - V ' 선 을 따라 자른 단면 을 나타낸다 . 설명 의 간략 함 을 위해 앞서 도 18 내지 도 21 을 참조 하 여 설명 된 3 차원 반도체 메모리 장치 와 동일 한 기술 적 특징 들 에 대한 설명 은 생략 될 수 있 다 .