도 11 b 의 하우징 ( 1100 b ) 은 본 발명 의 실시 예 에 따른 제품 상단 에 인접 한 외벽 ( 1122 - 1 ) 이 제품 하단 에 인접 한 외벽 ( 1122 - 2 ) 보다 낮 은 높이 를 갖 는 하우징 의 예 를 도시 한다 . 도 11 b 에 도시 된 바 와 같이 , 1141 - b 는 하우징 ( 1110 b ) 의 베이스 ( 1140 ) 에서 발생 하 는 열 이 하우징 내부 공간 ( 1130 ) 으로 확산 하 는 것 을 도시 한다 . 냉매 ( 1104 b ) 는 중력 의 영향 으로 인하 여 하우징 하단 에 인접 한 외벽 ( 1122 - 2 ) 에 인접 하 여 위치 한다 . 냉매 ( 1104 b ) 는 도 11 a 에 도시 된 냉매 ( 1104 a ) 과 비교 할 때 , 베이스 ( 1140 ) 과 접촉 하 는 면적 이 핀 커버 ( 1110 ) 의 경사 로 인하 여 상대 적 으로 넓 다 . 1121 - b 는 냉매 ( 1104 b ) 가 베이스 ( 1140 ) 로부터 열 을 전달 받 아 , 기화 하 여 하우징 내부 공간 ( 1130 ) 으로 확산 되 는 것 을 도시 한다 . 1111 - b 은 확산 된 냉매 ( 1106 b ) 가 상대 적 으로 저온 인 핀 커버 ( 1110 ) 과 접촉 하 여 , 차가워진 후 , 중력 의 영향 으로 인해 아래 로 이동 하 는 것 을 도시 한 것 이 다 .