상기 패드 산화 막 ( 114 ) 상 에 리 세스 게이트 전극 을 형성 하 기 위한 하드 마스크 막 ( 116 ) 이 형성 된다 . 하드 마스크 막 ( 116 ) 은 기판 ( 100 ) 및 패드 산화 막 ( 114 ) 에 대하 여 식각 선택 비 를 갖 는 물질 로서 실리콘 질화물 과 같 은 질화물 이나 실리콘 산질 화물 등 의 산질 화물 을 사용 하 여 형성 된다 . 또한 , 하드 마스크 막 ( 116 ) 은 화학 기상 증착 ( CVD ) 공정 , 플라 즈 마 증대 화학 기상 증착 공정 ( PE - CVD ) 또는 원자 층 적층 ( ALD ) 공정 을 이용 하 여 패드 산화 막 ( 114 ) 상 에 형성 된다 .