실시 예 로서 , 상기 선택 된 스트링 선택 라인 에 대응 하 는 복수 의 메모리 셀 들 이 소거 패스 되 면 , 상기 저장 된 주소 들 에 기반 하 여 상기 일부 스트링 선택 라인 들 중 상기 제 1 스트링 선택 라인 과 다른 제 2 스트링 선택 라인 이 선택 되 고 , 소거 페일 된 메모리 셀 들 에 대응 하 는 워드 라인 들 의 주소 들 을 저장 하 며 상기 선택 된 스트링 선택 라인 에 대응 하 는 복수 의 메모리 셀 들 을 각 워드 라인 의 단위 로 소거 검증 하 는 단계 , 상기 저장 된 주소 들 이 존재 하 면 상기 선택 된 메모리 블록 의 상기 복수 의 메모리 셀 들 을 소거 하 는 단계 , 그리고 소거 패스 된 메모리 셀 들 에 대응 하 는 워드 라인 들 의 주소 들 을 삭제 하 며 상기 선택 된 스트링 선택 라인 및 상기 저장 된 주소 들 에 대응 하 는 복수 의 메모리 셀 들 을 각 워드 라인 의 단위 로 소거 검증 하 는 단계 가 다시 수행 된다 .