마지막 으로 , 도 3 d 에 도시 된 바 와 같이 , 마스크 패턴 ( 34 ) 을 제거 한 후 , 게이트 절 연막 ( 36 A ) 과 게이트 전극 ( 36 B ) 을 순차 적 으로 형성 한다 . 이때 , 게이트 절 연막 ( 36 A ) 과 게이트 전극 ( 36 B ) 을 형성 하 는 방법 은 공지 된 반도체 소자 제조 방법 을 사용 하 여 형성 할 수 있 다 .