또한 , DRAM 의 고집 적 화 에 수반 하 여 게이트 전극 의 점유 면적 이 작아지 는 경향 이 있 는 가운데 , 게이트 전극 에 있 어서 폴리 실리콘 의 결정 입자 의 가공 불규칙성 이 전기 특성 으로 의 불규칙성 으로 일어날 수 있 는 것 이 우려 되 고 있 다 . 그 때문 에 폴리 실리콘 의 입자 사이즈 를 작 게 함 으로써 , 각 게이트 전극 의 불규칙성 을 완화 시킬 수 있 도록 하 는 방안 이 검토 되 어 있 다 .