화소 전극 ( 9 a ) 은 , TFT 기판 ( 10 ) 상 에 매트릭스 상 으로 복수 형성 되 어 있 고 , 화소 전극 ( 9 a ) 의 가로 세로 경계 를 각각 따라 데이터 선 ( 6 a ) 및 주사선 ( 3 a ) 이 형성 되 어 있 다 . 데이터 선 ( 6 a ) 은 , 후술 하 는 바 와 같이 , 알루미늄 막 등 에 의해 구성 되 고 , 주사선 ( 3 a ) 은 , 예 를 들 어 도전 성 의 폴리 실리콘 막 등 으로 이루어진다 . 또 , 주사선 ( 3 a ) 은 , 후술 하 는 채널 영역 ( 1 a ') 에 대향 하 여 형성 되 어 있 다 . 즉 , 주사선 ( 3 a ) 과 데이터 선 ( 6 a ) 이 교차 하 는 지점 에 는 각각 , 주사선 ( 3 a ) 에 접속 된 게이트 전극 과 채널 영역 ( 1 a ') 이 대향 배치 되 고 , 화소 스위칭 용 의 TFT ( 30 ) 가 구성 되 어 있 다 .