상기 와 같 은 과정 을 통해 , GaN 층 / 제 2 완충 층 / 스터핑 층 / 제 1 완충 층 / Si 기판 구조 의 광 / 전자 소자 를 얻 을 수 있 게 된다 . 이러 한 본 발명 에 따르 면 , 단일 완충 층 을 이용 하 는 종래 방법 에 비해 높 은 고온 에서 도 Si 의 확산 이 방지 되 어 GaN 막 과 제 1 완충 층 사이 의 경계 에서 되 녹 임 현상 이 발생 하 지 않 는다 . 따라서 GaN 층 과 제 2 완충 층 사이 의 계면 에서 의 다결정 GaN 의 형성 을 방지 하 여 따라서 양질 의 GaN 층 을 얻 을 수 있 게 된다 . 또한 , 본 발명 에 따라 GaN 층 이 성장 된 Si 기판 을 사용 하 여 제조 된 GaN 광 / 전자 소자 용 기판 은 사파이어 ( sapphire ) 기판 에서 제조 된 GaN 소자 보다 가격 이 낮 은 장점 을 가진다 .