초 고집 적 반도체 소자 의 경우 에 는 다층 금속 배선 구조 에 존재 하 는 기생 저항 및 기생 캐 패 시 턴 스 성분 들 은 RC ( Resistance Capacitance , 이하 RC ) 에 의해 유도 되 는 지연 ( delay ) 에 의하 여 소자 의 전기 적 특성 을 열화 시키 고 , 더 나아가 반도체 소자 의 전력 소모량 을 증가 시키 고 신호 누 설량 또한 증가 시킨다 .