다음 , 연속 하 여 상기 제 2 순수 비정질 실리콘 층 ( 115 ) 이 형성 된 기판 ( 101 ) 을 상기 화학 적 기상 증착 장비 의 챔버 ( 190 ) 내 에 그대로 위치 시킨 상태 에서 상기 챔버 내 분위기 를 SiH 4 / PH 3 / H 2 의 혼합 가스 분위기 로 바꾼 후 , 플 라즈 마 를 형성 함 으로써 상기 제 2 순수 비정질 실리콘 층 ( 115 ) 위 로 그 내부 에 불순물 로써 예 를 들 어 인 ( P ) 이 섞인 것 을 특징 으로 하 는 불순물 비정질 실리콘 층 ( 120 ) 을 300 Å 내지 500 Å 정도 의 제 4 두께 ( t 4 ) 를 갖 도록 형성 한다 .