전도 층 ( 114 ) 의 존재 는 가공 된 기판 을 반도체 처리 툴 , 예 를 들 어 , 정전 척 ( electrostatic chuck ) ( ESC 또는 e - 척 ) 을 갖 는 툴 에 정전 척 하 는 동안 유용 하 다 . 전도 층 ( 114 ) 은 반도체 프로세싱 툴 에서 처리 후 신속 한 디 척 킹 ( dechucking ) 을 가능 하 게 한다 . 본 발명 의 실시 예 들 에서 , 전도 층 은 결합 ( bonding ) 을 포함 하 는 미래 의 처리 동안 척 과 의 전기 적 접촉 또는 e - 척 으로 의 용량 성 커플링 ( capacitive coupling ) 을 가능 하 게 한다 . 따라서 , 본 발명 의 실시 예 들 은 종래 의 실리콘 웨이퍼 와 함께 사용 되 는 방식 으로 처리 될 수 있 는 기판 구 조체 를 제공 한다 . 당업자 는 많 은 변형 , 수정 및 대안 을 인식 할 수 있 을 것 이 다 . 또한 , ESD 척 킹 과 조합 하 여 높 은 열 전도 성 을 갖 는 기판 구조 체 는 이후 의 디바이스 제조 단계 뿐 만 아니 라 이후 의 가공 된 층 들 및 에피 택 셜 층 들 의 형성 을 위한 보다 양호 한 디 포지션 조건 을 제공 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 이 는 더 낮 은 응력 , 더 균일 한 디 포지션 두께 , 및 후속 층 형성 을 통한 더 양호 한 화학 양론 적 ( stoichiometry ) 제어 를 초래 할 수 있 는 바람직 한 열 프로 파일 을 제공 할 수 있 다 .