도 4 를 참조 하 면 , 종래 의 로컬 입출력 라인 ( LIO _ OLD ) 의 전압 레벨 은 코어 영역 에 데이터 를 공급 할 때 낮 아 지 게 된다 . 그런데 , 저 전력 반도체 메모리 소자 를 사용 하 는 경우 , 외부 전압 뿐 만 아니 고 코어 전압 역시 낮 아 져서 코어 영역 에 충분 한 전압 을 공급 하 지 못하 게 된다 . 하지만 본 발명 에 따른 로컬 입출력 라인 ( LIO _ NEW ) 은 저 전력 반도체 메모리 소자 를 사용 하 는 경우 에 도 로컬 입출력 라인 ( LIO _ NEW ) 이 오버 드라이빙 되 기 때문 에 코어 영역 에 충분 한 전압 을 공급 할 수 있 게 된다 . 결국 , 셀 커패시터 에 안정 적 인 전압 레벨 을 충전 시켜 줄 수 있 다 .