하 지 막 UF 는 10 ㎚ 의 SiN 막 으로 했 다 . 웨이퍼 ( W ) 의 온도 는 400 ℃ 로 설정 하 고 , 진공 용기 ( 1 ) 내 의 압력 은 0 . 75 Torr 로 설정 했 다 . 플라스마 발생기 ( 80 a ) 의 고주파 전원 의 출력 은 5 ㎾ 로 설정 했 다 . 회전 테이블 ( 2 ) 의 회전 속도 는 10 rpm 으로 설정 했 다 . 원료 가스 에 는 DCS 를 사용 하 고 , 제 1 반응 가스 노즐 ( 31 ) 로부터 는 , 캐리어 가스 를 포함 하 는 DCS / N 2 의 혼합 가스 를 1000 / 500 sccm 의 유량 으로 공급 했 다 . 또한 , 제 2 반응 가스 노즐 ( 32 ) 로부터 는 , Ar / NH 3 의 혼합 가스 를 2000 / 2000 sccm 의 유량 으로 공급 했 다 . 또한 , 제 3 반응 가스 노즐 ( 33 ) 로부터 는 , Ar / Cl 2 의 혼합 가스 를 , 4000 / Xsccm 의 유량 으로 공급 하 고 , Cl 2 의 유량 을 다양 하 게 변화 시켜 실시 했 다 .