플로팅 게이트 타입 의 불휘발성 메모리 장치 에서 플로팅 게이트 의 상부 면 에 선택 적 으로 유전 막 이 형성 되 는 경우 , 요구 되 는 커플링 비율 을 얻 기 위하 여 유전 막 의 등가 산화 막 두께 를 낮추 는 것 이 필요 하 다 . 그러나 등 가 산화 막 두께 를 낮추 는 경우 누설 전류 가 증가 하 여 불휘발성 메모리 장치 의 신뢰 성 을 악화 시키 는 원인 이 된다 . 따라서 유전 막 의 등가 산화 막 두께 를 낮추 면서 동시 에 누설 전류 를 감소 시킬 수 있 는 새로운 불휘발성 메모리 장치 가 절실히 요구 되 고 있 다 .