다음 으로 , 도 9 h 에 나타낸 바 와 같이 NSG 막 ( 154 ) 위 에 하 부전 극막 ( 158 ) , PZT 막 ( 159 ) 및 상부 전 극막 ( 160 ) 을 순차 적 으로 형성 한다 . 하 부전 극막 ( 158 ) 의 형성 에서 는 티 탄막 , 티탄 알루미늄 질화 막 및 이리듐 막 을 순차 적 으로 형성 한다 . 또한 , 상부 전 극막 ( 160 ) 의 형성 에서 는 이리듐 산화 막 을 형성 한 후 열처리 ( RTA ) 를 행하 고 , 두 번 째 이리듐 산화 막 을 형성 하 고 그 후 에 도 열처리 ( RTA ) 를 행한다 .