게이트 들 ( 165 ) 은 스트링 선택 게이트 ( 165 s ) 와 메모리 게이트 들 ( 165 w ) 및 접지 선택 게이트 ( 165 g ) 로 구분 될 수 있 다 . 스트링 선택 게이트 ( 165 s ) 와 접지 선택 게이트 ( 165 g ) 각각 은 수직 채널 ( 140 ) 및 정보 저 장막 ( 155 ) 과 함께 비 메모리 트랜지스터 를 구성 하 며 , 메모리 게이트 들 ( 165 w ) 각각 은 수직 채널 ( 140 ) 과 정보 저 장막 ( 155 ) 과 함께 메모리 트랜지스터 를 구성 할 수 있 다 . 하나 의 수직 채널 ( 140 ) 을 따라 수직 적층 된 접지 선택 게이트 ( 165 g ) 와 메모리 게이트 들 ( 165 w ) 및 스트링 선택 게이트 ( 165 s ) 는 하나 의 셀 스트링 ( 105 ) 을 구성 할 수 있 다 .