반도체 소자 의 고집 적 화 에 따라 트랜지스터 의 채널 길 이 및 접합 영역 ( 소오 스 / 드레 인 영역 ) 의 면적 은 감소 하 고 , 채널 영역 및 접합 영역 으로 의 도핑 농도 는 증가 하 고 있 는 추세 이 다 . 이 에 따라 , 게이트 의 제어 능력 이 저하 되 어 문턱 전압 ( Threshold Voltage : Vt ) 이 급격 하 게 감소 하 는 단채 널 효과 ( Short Channel Effect ) 가 유발 되 고 , 전계 ( Electric field ) 증가 에 따라 접합 누설 전류 가 증가 하 여 리프 레 쉬 특성 이 열화 되 는 등 소자 특성 의 저하 가 야기 된다 .