도 7 을 참조 하 면 , ITO 박막 은 532 ㎚ 파장 대역 의 흡수 는 매우 낮 고 , 900 ㎚ 이상 의 장파장 대역 의 흡수 는 높 은 편 이 다 . 따라서 532 ㎚ 파장 대역 의 레이저 를 조사 할 경우 , CGSe 광 흡수 층 에 비해 흡수도 가 현저히 낮 으므로 , 레이저 가열 에 의해 CGSe 광 흡수 층 물질 이 기화 되 는 가공 방식 에서 ITO 박막 이하 에 존재 하 는 실리콘 태양 전지 의 손실 이 억제 될 수 있 음 을 알 수 있 다 . 이 에 비해 장파장 대역 의 레이저 는 CGSe 광 흡수 층 에 비해 ITO 박막 및 그 하부 의 실리콘 태양 전지 에서 의 흡수도 가 더 높 으므로 레이저 에 의한 계면 가열로 CGSe 광 흡수 층 / 버퍼 층 / AZO 박막 을 제거 할 수 있 다 .