실리콘 웨이퍼 상 에 , 신 에츠카 가 쿠 고교 ( 주 ) 제조 스핀 온 카본 막 ODL - 301 ( 카본 함유량 88 질량 %) 을 막 두께 200 nm 로 형성 하 였 다 . 그 위 에 규소 함유 레지스 트 하층 막 형성 용 조성물 Sol . 1 ∼ 17 을 도포 하 여 240 ℃ 에서 60 초간 가열 하 여 , 막 두께 35 nm 의 규소 함 유막 필름 1 ∼ 17 을 제작 하 였 다 .