즉 , 상기 와 마찬가지 로 인버터 용 피 씨 비 ( 20 ) 중 에서 잉여 공간 으로 존재 하 는 트랜스포머 부 ( 24 ) 영역 의 피 씨 비 를 필요 한 넓이 만큼 절단 하 고 , 그 절단 된 영역 에 도 3 b 에서 와 같이 가로 세로 방향 으로 다수 의 통공 ( H 1 ) 을 형성 함 과 아울러 , 그 들 의 중간 에 상기 트랜지스터 ( FET ) 는 돌출 시키 기 위한 또 다른 통공 ( H 2 ) 을 형성 한 방열 부재 ( 23 B ) 를 제작 한 후 이 를 상기 스위칭 트랜지스터 부 ( 22 ) 영역 의 기판 상부 에 밀착 결합 하 여 그 트랜스포머 부 ( 24 ) 와 일체 로 형성 하 였 다 .