도 7 e 를 참조 하 면 , 제 1 및 제 2 채널 홀 들 ( 714 a , 714 b ) 과 파이프 게이트 도전 층 ( 704 ) 의 트렌치 ( 706 ) 의 내부 가 채워 지 도록 전체 구조 상 에 채널 층 을 형성 한다 . 채널 층 은 폴리 실리콘 층 으로 형성 할 수 있 다 . 이어서 , 화학 적 기계 적 연마 공정 , 에치 백 공정 또는 두 공정 을 모두 실시 하 여 절연 층 들 ( 710 a ~ 710 e ) 중 최 상부 절연 층 ( 710 e ) 의 상부 에 형성 된 채널 층 및 다층막 을 제거 한다 .