제 2 반도체 층 ( 32 ) 은 후술 하 는 활성 층 ( 33 ) 상 에 배치 된다 . 제 2 반도체 층 ( 32 ) 은 제 2 도 전형 을 갖 는 , 예컨대 p 형 반도체 일 수 있 으며 일 예 로 , 발광 소자 ( 30 ) 가 청색 또는 녹색 파장 대 의 광 을 방출 하 는 경우 , 제 2 반도체 층 ( 32 ) 은 AlxGayIn 1 - x - yN ( 0 ≤ x ≤ 1 , 0 ≤ y ≤ 1 , 0 ≤ x + y ≤ 1 ) 의 화학식 을 갖 는 반도체 재료 를 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , p 형 으로 도핑 된 AlGaInN , GaN , AlGaN , InGaN , AlN 및 InN 중 에서 어느 하나 이상 일 수 있 다 . 제 2 반도체 층 ( 32 ) 은 제 2 도전 형 도 펀트 가 도핑 될 수 있 으며 , 일 예 로 제 2 도전 형 도 펀트 는 Mg , Zn , Ca , Se , Ba 등 일 수 있 다 . 예 시 적 인 실시 예 에서 , 제 2 반도체 층 ( 32 ) 은 p 형 Mg 로 도핑 된 p - GaN 일 수 있 다 . 제 2 반도체 층 ( 32 ) 의 길이 는 0 . 05 ㎛ 내지 0 . 10 ㎛ 의 범위 를 가질 수 있 으나 , 이 에 제한 되 는 것 은 아니 다 .