일부 실시 형태 에서 , 셀 렉터 엘리먼트 는 메모리 셀 이 저 저항 상태 를 가질 경우 에 턴 온 되 고 메모리 셀 이 고저 항 상태 를 가질 때 에 턴 오프 되 도록 구성 된다 . 메모리 셀 이 고저 항 상태 일 때 셀 렉터 엘리먼트 가 턴 오프 됨 에 따라 , 더 높 은 저항 이 유도 되 어 메모리 셀 에 대해 행해 지 는 판독 동작 의 판독 마진 이 개선 된다 . 일부 실시 형태 에서 , 셀 렉터 엘리먼트 의 동작 전압 ( 도시 생략 ) 은 유지 전압 ( Vhold ) 부터 임계 전압 ( Vth ) 까지 의 범위 에서 선택 된다 . 셀 렉터 엘리먼트 의 동작 전압 은 셀 렉터 엘리먼트 의 특성 곡선 ( OTS _ ON ) 에 기초 하 여 결정 될 수 있 는 동작 전류 ( 도시 생략 ) 에 대응 한다 . 전술 한 바 와 같이 , 셀 렉터 엘리먼트 의 특성 곡선 ( OTS _ ON ) 은 특성 선 ( HRS _ IV ) 과 교차 하 지 않 는다 . 일부 실시 형태 에서 , 특성 선 ( HRS _ IV ) 은 셀 렉터 엘리먼트 의 특성 곡선 ( OTS _ ON ) 아래 에 위치 한다 . 이 와 같이 , 고저 항 상태 를 가진 메모리 셀 에 전압 이 인가 될 때 에 , 특성 선 ( HRS _ IV ) 에 기초 하 여 얻 어 지 는 메모리 셀 의 관통 전류 는 셀 렉터 엘리먼트 의 동작 전류 보다 작 다 . 그 결과 , 고저 항 상태 를 가진 메모리 셀 의 셀 렉터 엘리먼트 가 비 도통 상태 로 유지 되 고 , 그럼 으로써 더 높 은 저항 값 을 유도 하 여 메모리 셀 에 대한 판독 동작 의 판독 마진 을 더 증가 시킨다 .