도 13 을 참조 하 면 , 이러 한 배치 밀도 의 변화 를 위해 , 상기 전류 분산 홀 들 ( 200 ) 의 크기 ( W ) 또는 이 들 사이 의 간격 들 ( D 1 또는 D 2 ) 이 변경 될 수 있 다 . 이때 , 상기 전류 분산 홀 들 ( 200 ) 사이 의 간격 ( D 1 또는 D 2 ) 은 1 내지 20 um 의 범위 내 의 한 값 일 수 있 으며 , 상기 전류 분산 홀 ( 200 ) 의 일 변의 길이 ( W ) 는 대략 3 um 내지 30 um 의 범위 에서 선택 된 적어도 한 가지 값 일 수 있 다 . 본 발명 에 따르 면 , 도 8 에 도시 된 것 처럼 , 상기 전류 분산 홀 들 ( 200 ) 의 배치 밀도 는 상기 하부 전극 영역 ( 10 ) 으로부터 의 거리 가 증가 할수록 감소 할 수 있 다 .