본 발명 은 반도체 소자 의 구리 금속 배선 형성 방법 에 관한 것 이 다 . 구리 금속 배선 에서 층간 절연물 질 로 사용 되 는 저 유전 물질 은 대기 중 에 있 는 수분 및 암모니아 를 포함 한 기체 를 흡착 하 는 성질 이 있 다 . 저 유전 물질 내 에 흡착 된 수분 및 암모니아 는 공정 중 에 외부 로 방출 되 어 패 터닝 을 방해 하 는 문제 를 발생 한다 . 본 발명 은 층간 절연물 질 로 사용 되 는 저 유전 물질 을 질소 플 라즈 마 처리 하 여 질소 이온 을 층간 절 연막 의 표면 에 주입 함 으로써 질화 막 계열 의 변질 된 표면 층 을 형성 하 여 수분 및 암모니아 를 포함 한 기체 의 흡착 을 방지 할 수 있 다 . 이 에 따라 , 수분 및 암모니아 의 흡착 을 방지 할 수 있 는 고가 의 감광막 을 사용 할 필요 가 없 기 때문 에 비용 을 절감 할 수 있 고 , 공정 에 사용 될 감광막 선택 의 폭 이 넓 어 진다 .