도 2 b 를 참조 하 면 , 상기 소자 분리 막 ( 210 ) 을 포함 한 반도체 기판 ( 200 ) 의 전면 에 대해 포 토리 쏘 그라피 ( photo - lithography ) 공정 을 진행 하 여 상기 활성 영역 ( 220 ) 의 스토리지 노드 콘 택 형성 영역 양측 에 인접 하 는 소자 분리 막 ( 210 ) 부분 을 노출 시키 는 마스크 패턴 ( M ) 을 형성 한다 .