또한 , 본 발명 의 다른 측면 에 따르 면 , 기판 에 형성 하 고 , 양측 가장자리 에 트렌치 가 형성 된 리세 스 패턴 을 형성 하 는 단계 , 상기 트렌치 에 하부 가 매립 된 게이트 를 형성 하 는 단계 , 상기 게이트 사이 의 상기 리세 스 패턴 의 기판 에 홈 을 형성 하 는 단계 및 상기 홈 의 내면 기판 에 적어도 상기 게이트 의 저부 만큼 확장 된 접합 영역 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 반도체 소자 제조 방법 을 제공 한다 .