다음 으로 도 34 에 도시 된 바 와 같이 유기 막 잔여 패턴 ( PR 21 a ) 을 마스크 로 하 여 노출 된 제 2 도전 물질 층 ( 44 b ) 을 제거 한다 . 제 2 도전 물질 층 ( 44 b ) 의 제거 과정 은 드라이 에칭 공정 으로 이루어질 수 있 다 . 몇몇 실시 예 에서 제 2 도전 물질 층 ( 44 b ) 의 제거 과정 에서 유기 막 잔여 패턴 ( PR 21 a ) 의 의해 마스킹 되 지 않 은 제 1 도전 물질 층 ( 44 a ) 의 일부 도 함께 제거 될 수 있 다 . 이 에 따라 제 1 도전 물질 층 ( 44 a ) 중 발광 영역 ( LA ) 에 위치 하 는 부분 의 두께 는 , 제 1 도전 물질 층 ( 44 a ) 중 비 발광 영역 ( NLA ) 내 에 위치 하 는 부분 의 두께 보다 얇 아 질 수 있 다 .