한편 , 도 6 d 를 참조 하 면 , 노광 공정 시 , 애 뉼라 ( annular ) 타입 또는 크로스 폴 ( cross pole ) 타입 의 조명계 를 이용 하 게 되 면 , 포토 마스크 의 투광 영역 ( 430 ) 은 제 1 종단 부 ( 435 a ) 와 제 2 종단 부 ( 435 b ) 의 크기 가 상이 한 비대칭 ( asymmetry ) 구조 로 형성 된다 . 이 에 따라 포토레지스트 막 패턴 에 형성 된 노출 영역 또한 비대칭 구조 로 형성 된다 . 이 와 같이 비대칭 구조 의 노출 영역 이 형성 된 포토레지스트 막 패턴 을 이용 할 경우 , 이후 제 2 컨 택 플러그 는 종래 의 경우 ( 도 2 참조 ) 와 동일 한 임계 치수 ( CD ; Critical Dimension ) 를 갖 게 되 고 , 이 에 따라 브릿지 결함 이 나타날 수 있 다 .