이후 , 도 3 e 에 도시 된 바 와 같이 , 상기 기판 ( 200 ) 의 전면 에 절 연막 을 형성 하 고 , 상기 절 연막 을 마스크 없이 식각 하 여 상기 포토레지스트 패턴 ( 202 ) 의 양측 에 스 페이서 ( 206 ) 를 형성 한다 . 이때 , 상기 스 페이서 ( 206 ) 는 상기 제 1 게이트 산화 막 ( 203 ) 및 제 1 전극 층 ( 204 ) 을 가리 도록 형성 된다 .