그러나 , 종래 의 폴리 이미드 수지 는 , 탄성 률 이 높 고 기계 강도 는 있 지만 무르 기 때문 에 , 그대로 전자 부품 에 적용 한 경우 , 경화 후 의 기재 의 휨 이나 열 충격 시험 에 있 어서 의 수지 크랙 의 발생 등 의 불량 이 발생 할 가능 성 이 있 다 . 또한 , ( 1 ) 수지 의 각종 용제 에 대한 용해 성 이 낮 기 때문 에 , 휘발분 이 많 아 , 후막 화 에 는 스핀 코트 2 회 도포 등 , 작업 성 이 나쁘 고 , ( 2 ) 막 두께 를 너무 두껍 게 하 면 , 기재 가 휘 고 , ( 3 ) 고온 에서 의 경화 가 필요 하 기 때문 에 저온 작업 성 이 부족 하 고 , 반도체 장치 에 부하 가 걸린다는 문제 가 있 다 . 따라서 , 종래 의 폴리 이미드 수지 로 는 충분 한 충격 흡수 효과 가 얻 어 지 지 않 고 , 반도체 장치 의 실장 공정 에 있 어서 의 문제 로 되 고 있 었 다 .