따라서 , 후술 되 는 단계 에서 , 상기 원자외선 이 조사 된 예비 산화물 반도체 층 ( 170 ) 에 제 1 광 소결 에너지 ( 1 st IPL ) 를 조사 하 여 산화물 반도체 층 ( 200 ) 을 형성 하 는 경우 , 도 5 에 도시 된 바 와 같이 상기 산화물 반도체 층 ( 200 ) 의 전자 이동도 및 on / off 스위칭 특성 이 나타날 수 있 다 .