구체 적 인 실시 양태 에서 , 본 발명 의 항 - FAP 항체 는 Fc 영역 내 에서 증가 된 비율 의 이등분 되 고 비 - 푸코 실화 된 올리 고사카 라이드 를 갖 는다 . 상기 이등분 되 고 비 - 푸코 실화 된 올리 고사카 라이드 는 하이브리드 또는 결합체 일 수 있 다 . 구체 적 으로 , 본 발명 의 방법 은 항원 결합 분자 의 Fc 영역 내 에서 약 10 % 내지 약 100 % 이상 , 구체 적 으로 약 15 % 이상 , 보다 구체 적 으로 약 20 % 내지 약 25 % 이상 , 보다 구체 적 으로 약 30 % 내지 약 35 % 이상 의 올리 고 사카 라이드 가 이등분 되 고 비 - 푸코 실화 되 어 있 는 항 - FAP 항체 를 제조 하 는 데 에 이용 될 수 있 다 . 본 발명 의 항 - FAP 항체 는 항체 의 Fc 영역 내 에서 약 10 % 내지 약 100 % 이상 , 구체 적 으로 약 15 % 이상 , 보다 구체 적 으로 약 20 % 내지 약 25 % 이상 , 보다 구체 적 으로 약 30 % 내지 약 35 % 이상 의 올리 고 사카 라이드 가 이등분 되 고 비 - 푸코 실화 된 하이브리드 인 Fc 영역 도 포함 할 수 있 다 .