본 발명 은 상술 한 문제점 을 해결 하 기 위하 여 안출 된 것 으로서 , 반도체 메모리 장치 의 딥 파워 다운 모드 시 그라운드 전압 ( VSS ) 을 공급 함 으로써 레벨 쉬프 터 내 에 존재 하 는 전압 을 그라운드 전압 ( VSS ) 레벨 로 싱크 시켜 누설 전류 를 감소 시키 는 반도체 메모리 장치 의 내부 전압 제어 회로 및 방법 을 제공 하 는 데 에 그 기술 적 과제 가 있 다 .