제 2 절연성 사이드 월 구조 체 는 절연체 이 면 특별히 한정 되 지 는 않 지만 , 전형 적 으로 는 실리콘 질화물 로 구성 할 수 있 다 . 제 2 절연성 사이드 월 구조 체의 두께 , 즉 게이트 길 이 방향 의 치수 는 제 2 도전 성 사이드 월 구 조체 를 게이트 구조 체로 부터 이 간 시키 고 또 한 전기 적 으로 절연 할 수 있 으면 되 고 , 특별히 한정 하 는 것 은 아니 지만 , 전형 적 으로 는 20 ㎚ 여도 된다 . 또한 , 제 2 절연성 사이드 월 구조 체의 폭 , 즉 게이트 폭 방향 의 치수 는 전술 한 게이트 구조 체의 게이트 폭 과 동일 한 치 수 로 할 수 있 다 . 제 2 절연성 커버 막 ( 12 - 2 ) 은 절연체 로 구성 할 수 있 고 , 특별히 물질 을 한정 하 는 것 은 아니 지만 , 예 를 들 어 , SiN ( 실리콘 질화물 ) 으로 구성 할 수 있 다 . 제 2 절연성 커버 막 ( 12 - 2 ) 의 막 두께 는 특별히 한정 되 지 는 않 지만 , 예 를 들 어 , 30 ㎚ 여도 된다 . 제 2 절연성 커버 막 ( 12 - 2 ) 의 폭 , 즉 게이트 길 이 방향 의 치수 는 제 2 사이드 월 구조 체의 게이트 길 이 방향 의 치수 와 동일 한 것 이 바람직 하 다 .