일 실시 예 에 따르 면 , 상기 리세 스 영역 을 형성 하 는 것 은 , 적어도 상기 제 1 영역 내 의 금속 함 유막 상 에 감광막 패턴 을 형성 하 는 것 ; 상기 감광막 패턴 을 식각 마스크 로 사용 하 여 상기 제 2 영역 내 의 금속 함 유막 , 고유 전막 및 소자 분리 패턴 을 연속 적 으로 식각 하 여 리세 스 영역 을 형성 하 는 것 ; 및 상기 감광막 패턴 을 산소 - 프리 애 슁 공정 ( oxygen - free ashing process ) 으로 제거 하 는 것 을 포함 할 수 있 다 .