이어서 , 상기 레이 저광 의 조사 에 의해 형성 된 산화 막 에 덧붙여 , 오 존수 로 표면 을 120 초 처리 하 여 합계 1 내지 5 nm 의 산화 막 으로 이루어지 는 배리어 층 을 형성 한다 . 이 배리어 층 은 , 결정 화 시키 기 위해서 첨가 한 촉매 원소 , 예 를 들 면 니켈 ( Ni ) 을 막 중 으로부터 제거 하 기 위해서 형성 한다 . 여기 에서 는 오 존수 를 사용 하 여 배리어 층 을 형성 하 였 지만 , 산소 분위기 하의 자외선 의 조사 로 결정 구조 를 갖 는 반도체 막 의 표면 을 산화 하 는 방법 이나 산소 플 라즈 마 처리 에 의해 결정 구조 를 갖 는 반도체 막 의 표면 을 산화 하 는 방법 이나 플라 즈 마 CVD 법 이나 스퍼터 법 이나 증착 법 등 으로 1 내지 10 nm 정도 의 산화 막 을 퇴적 하 여 배리어 층 을 형성 하 여도 좋 다 . 또한 , 배리어 층 을 형성 하 기 전 에 레이 저광 의 조사 에 의해 형성 된 산화 막 을 제거 하 여도 좋 다 .