상기 한 목적 을 달성 하 기 위한 일 측면 에 따른 본 발명 은 , 기판 상 에 보호막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 보호막 과 상기 기판 을 식각 하 여 트렌치 를 형성 하 는 단계 와 , 상기 기판 의 단차 면 을 따라 게이트 절 연막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 게이트 절 연막 상 에 도전 막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 도전 막 을 식각 하 는 단계 를 포함 하 는 반도체 소자 의 게이트 형성 방법 을 제공 한다 .