이어서 , 도 3 c 에 도시 된 바 와 같이 , 기판 ( 200 ) 상 에 SAC 절 연막 ( 이하 , SAC 2 라 함 ) ( 215 ) 을 형성 한다 . 이때 , SAC 2 ( 215 ) 는 SAC 1 ( 213 A ) 과 동일 한 물질 로 형성 하 며 , 그 두께 는 게이트 구조물 ( 210 A , 210 B ) 상면 을 기준 으로 잔류 된 SAC 1 ( 213 A ) 의 두께 를 포함 하 여 총 300 Å 미만 이 되 도록 형성 하 며 , 바람직 하 게 는 50 ~ 100 Å 의 두께 로 형성 한다 . 또한 , SAC 2 ( 215 ) 는 DCS 와 NH 3 가스 를 이용 하 여 600 ~ 800 ℃ 의 온도 에서 형성 한다 .