도 5 에 나타내 는 적층 구조 를 갖 는 피 처리 체 ( 110 ) 에 대해 , 플라 즈 마 에칭 장치 ( 100 ) 를 사용 하 고 , 에칭 가스 로서 CF 4 / CHF 3 / Ar / O 2 를 이용 해서 에칭 을 실시 하 며 , 레지스 트 막 ( PR ) ( 107 ) 을 마스크 로 해서 오 목부 ( 108 ) 를 형성 하 였 다 . 여기 서 , 레지스 트 막 ( PR ) ( 107 ) 으로서 는 막 두께 400 ㎚ 이 고 원소 조성 이 C , H , F 및 O 로 이루어지 는 재료 를 이용 하 고 , 반사 방지 막 ( Barc ) ( 106 ) 의 막 두께 는 58 ㎚, 질화규소 ( Si 3 N 4 ) 막 ( 105 ) 의 막 두께 는 60 ㎚, 다결정 실리콘 층 ( 104 ) 의 막 두께 65 ㎚ 의 것 을 사용 하 였 다 . 또한 , 레지스 트 막 ( PR ) ( 107 ) 의 패턴 은 라인 0 . 6 ㎛, 스페이스 0 . 24 ㎛ 의 라인 앤드 스페이스 로 하 였 다 .