이 단계 까지 의 공정 단면도 가 도 3 ( C ) 에 상당 한다 . 제 3 레지스 트 마스크 , 및 제 4 레지스 트 마스크 도 제 3 도전 층 ( 115 ) 의 에칭 시 에 에칭 되 어 제 1 접속 전극 ( 116 ) 위 에 제 3 레지스 트 마스크 ( 414 a ) , 제 2 접속 전극 ( 117 ) 위 에 제 4 레지스 트 마스크 ( 414 b ) 가 잔존 한다 . 제 2 접속 전극 ( 117 ) 은 , 제 4 레지스 트 마스크 의 형상 을 반영 하 여 한쪽 의 측면 만 이 테이퍼 형상 으로 되 어 있 다 . 또한 , 그 레이톤 이 설치 되 지 않 은 영역 의 포토 마스크 로 노광 된 화소 부 에서 는 , 제 1 접속 전극 ( 116 ) 의 면적 이 작아지 도록 에칭 되 어 , 개구율 의 향상 에 기여 할 수 있 다 .