다음 에 레지스 트 마스크 ( 522 ) 를 제거 한 후 , 포토다이오드 ( 214 ) 의 p 형 불순물 영역 및 p 형 트랜지스터 의 소스 영역 및 드레 인 영역 을 형성 한다 . 이 를 위해 , 단결정 반도체 층 ( 506 및 509 ) 의 일부 및 단결정 반도체 층 ( 505 , 507 , 및 508 ) 을 피복 하 는 레지스 트 마스크 ( 530 ) 를 형성 한다 . 그리고 , 레지스 트 마스크 ( 530 ) 를 마스크 로 삼 아 , 이온 도핑 법 또는 이온 주 입법 에 의해 , 단결정 반도체 층 ( 506 및 509 ) 에 억셉터 불순물 원소 를 첨가 하 여 , p 형 저 저항 불순물 영역 ( 531 ) 을 형성 한다 ( 도 19 c 참조 ) .