본 발명 에 따른 반도체 장치 의 금속 배선 형성 방법 은 반도체 기판 위 에 금속 막 을 형성 하 는 단계 , 금속 막 위 에 SiCN : H 로 이루어지 는 반사 방지 막 을 형성 하 는 단계 , 반사 방지 막 위 에 감광막 패턴 을 형성 하 는 단계 , 그리고 감광막 패턴 을 마스크 로 반사 방지 막 및 금속 막 을 식각 하 여 금속 배선 을 형성 하 는 단계 , 그리고 감광막 패턴 및 반사 방지 막 을 제거 하 는 단계 를 포함 한다 .