포토레지스트 층 ( 도시 되 지 않 음 ) 이 제 1 콘택트 레벨 유전체 층 ( 280 ) 위 에 적용 될 수 있 고 , 메모리 개구 충전 구조물 들 ( 58 ) 및 지지 필라 구조물 들 ( 20 ) 이 존재 하 지 않 는 영역 들 내 에 세장형 개구 들 을 형성 하 도록 리소그래피 로 패턴 화 될 수 있 다 . 세장형 개구 들 은 , 제 1 수평 방향 ( hd 1 ) 을 따라 연장 되 는 길 이 방향 세그먼트 들 , 및 제 1 수평 방향 ( hd 1 ) 에 평행 하 지 않 은 수평 방향 을 따라 연장 되 는 경사진 ( angled ) 세그먼트 들 을 포함 한다 . 일 실시 예 에서 , 경사진 세그먼트 들 은 제 1 수평 방향 ( hd 1 ) 에 대해 15 도 내지 75 도 범위 내 의 각도 로 있 는 적어도 하나 의 수평 방향 을 따라 연장 될 수 있 다 . 포토레지스트 층 내 의 세장형 개구 들 은 메모리 어레이 영역 ( 100 ) 내 의 메모리 개구 충전 구조물 들 ( 58 ) 의 클러스터 들 사이 에서 그리고 계단 영역 ( 200 ) 내 의 지지 필라 구조물 들 ( 20 ) 의 클러스터 들 사이 에서 연장 될 수 있 다 .