구체 적 으로 , 슬릿 마스크 의 차단 영역 ( S 1 ) 은 대전 방지 막 이 형성 되 어 질 영역 에 위치 하 여 자외선 을 차단 함 으로써 현상 후 제 1 포토레지스트 패턴 ( 172 a ) 이 남 게 한다 . 슬릿 마스크 의 슬릿 영역 ( S 2 ) 은 보호막 ( 118 ) 이 형성 될 영역 에 위치 하 여 자외선 을 회절 시킴 으로써 현상 후 제 1 포토레지스트 패턴 ( 172 a ) 보다 얇 은 제 2 포토레지스트 패턴 ( 172 b ) 이 남 게 한다 . 그리고 , 슬릿 마스크 의 투과 영역 ( S 3 ) 은 화소 컨 택 홀 , 게이트 컨 택 홀 및 데이터 컨 택 홀 이 형성 되 어 질 영역 에 위치 하 여 자외선 을 모두 투과 시킴 으로써 현상 후 포토레지스트 가 제거 되 게 한다 .