상기 기술 적 과제 를 달성 하 기 위한 본 발명 에 따른 MTCMOS 회로 에서 의 리 텐션 플립플롭 감소 방법 은 , ( a ) MTCMOS ( Multi - Threshold Complementary Metal Oxide Semiconductor ) 회로 에서 리 텐션 플립플롭 을 사용 하 는 블록 들 과 일반 플립플롭 을 사용 하 는 블록 들 을 분할 하 는 단계 ; ( b ) 소정 의 블록 들 에 대해 원본 레지스터 전송 수준 ( Register - Transfer Level ) 코드 를 입력 받 아 MTCMOS 시뮬레이션 모델 을 생성 하 는 단계 ; ( c ) 상기 레지스터 전송 수준 코드 를 이용 하 여 레지스터 전송 수준 의 시뮬레이션 을 수행 하 는 단계 ; ( d ) 상기 시뮬레이션 결과 , 상기 레지스터 전송 수준 코드 와 다른 동작 을 하 는 경우 에 는 상기 ( a ) 단계 를 다시 수행 하 는 단계 ; ( e ) 상기 시뮬레이션 결과 , 상기 레지스터 전송 수준 코드 와 동일 하 게 정상 적 인 동작 을 하 는 경우 에 는 상기 리 텐션 플립플롭 을 사용 하 는 블록 들 과 상기 일반 플립플롭 을 사용 하 는 블록 들 에 대해 합성 스크립트 ( Synthesis script ) 를 생성 하 는 단계 ; 및 ( f ) 상기 레지스터 전송 수준 코드 를 이용 하 여 논리합 성 을 수행 하 는 단계 를 구비 하 는 것 을 특징 으로 한다 .