슈퍼 스트레이트 ( SS ) 는 , 예 를 들 어 석영 또는 유리 로 이루어진 박판 이 며 , 몰드 보유 지지 부 ( 303 ) 에 의해 보유 지지 된다 . 조성물 은 디 스펜서 ( 309 ) 에 의해 프로세스 웨이퍼 ( W ) 상 에 배치 되 며 , 프로세스 웨이퍼 ( W ) 는 기판 구동 기구 ( 308 ) 에 의해 슈퍼 스트레이트 ( SS ) 아래 에 위치 결정 된다 . 그 후 , 몰드 구동 기구 ( 305 ) 는 , 슈퍼 스트레이트 ( SS ) 가 프로세스 웨이퍼 ( W ) 상 의 조성물 과 접촉 할 수 있 도록 , 슈퍼 스트레이트 ( SS ) 를 하방 으로 구동 한다 . 프로세스 웨이퍼 ( W ) 상 의 조성물 과 접촉 한 슈퍼 스트레이트 ( SS ) 는 모 관력 에 의해 프로세스 웨이퍼 ( W ) 를 흡착 하 고 , 조성물 은 프로세스 웨이퍼 ( W ) 와 슈퍼 스트레이트 ( SS ) 사이 의 공간 에 확산 될 수 있 다 . 조성물 이 프로세스 웨이퍼 ( W ) 와 슈퍼 스트레이트 ( SS ) 사이 의 공간 에 확산 된 후 에 , 경화 유닛 ( 307 ) 은 미러 ( 310 ) 및 슈퍼 스트레이트 ( SS ) 를 통해서 경화 에너지 를 조성물 에 조사 할 수 있 다 . 이 에 의해 , 조성물 이 경화 되 고 , 경화 된 조성물 로 이루어지 는 초점 보상 막 이 형성 될 수 있 다 . 경화 유닛 ( 307 ) 은 , 경화 에너지 로서 , 예 를 들 어 약 310 nm 또는 약 365 nm 부근 의 파장 피크 를 갖 는 자 외광 을 조성물 에 조사 할 수 있 다 . 경화 에너지 는 , 프로세스 웨이퍼 ( W ) 의 전역 에 조사 될 수 있 거나 , 또는 프로세스 웨이퍼 ( W ) 에 대하 여 부분 적 으로 조사 될 수 있 다 .