도 5 는 본 발명 의 일 실시 예 에 따라 2 차 성장 된 반 극성 질화물 단결정 박막 의 OM 사진 이 다 . 구체 적 으로 , 도 5 에 도시 된 반 극성 질화물 단결정 박막 ( 12 b ) 은 제 1 측면 성장 속도 로 1 차 측 방향 성장 된 후 , 제 2 측면 성장 속도 로 2 차 측 방향 성장 된 것 이 다 . 이 경우 , 도 4 a 에 도시 된 것 과 같이 , 제 1 측면 성장 속도 가 수직 성장 속도 보다 빠르 지만 , 일부 성 장면 이 a 면 을 갖 게 되 어 성 장면 이 평탄 하 지 못하 다 . 따라서 , 반 극성 질화물 단결정 박막 ( 12 b ) 을 1 차 성장 시키 고 난 후 , 제 2 측면 성장 속도 로 2 차 성장 시킨다 . 이 경우 , 2 차 측 방향 성 장시 , 반 극성 질화물 단결정 박막 ( 12 b ) 의 수직 성장 속도 는 제 2 측면 성장 속도 보다 빠르 다 . 이 에 따라 , a 면 방향 으로 성장 된 부분 이 빠르 게 수직 성장 되 어 표면 평탄 화 를 이루 며 , 반 극성 질화물 단결정 박막 ( 12 b ) 의 측면 이 서서히 성장 되 어 합체 된다 . 그 결과 , 반 극성 질화물 단결정 박막 ( 12 b ) 은 ( 11 - 22 ) 면 을 갖 는 형태 로 성장 되 며 , 고품위 의 결정 성 을 가질 수 있 게 된다 . 이 와 같 은 질화물 단결정 박막 ( 12 ) 상 에 발광 구조물 을 제조 하 는 경우 , 반 극성 특성 에 의해 내부 전기장 발생 을 방지 하 여 발광 에 필요 한 전자 및 전공 의 재결합 률 을 증가 시킬 수 있 게 되 어 발광 소자 의 발광 효율 을 향상 시킬 수 있 게 된다 .