발광 구조물 ( 220 ) 내 에서 상기 제 1 도전 형 과 상기 제 2 도전 형 의 전도성 타입 은 상기 의 구조 와 반 대로 형성 될 수 있 으며 , 예컨대 상기 제 2 도전 형 의 반도체 층 ( 219 ) 은 N 형 반도체 층 , 상기 제 1 도전 형 반도체 층 ( 215 ) 은 P 형 반도체 층 으로 구현 될 수 있 다 . 또한 상기 제 2 도전 형 반도체 층 ( 219 ) 위 에 는 상기 제 2 도전 형 과 반대 의 극성 을 갖 는 제 3 도전 형 반도체 층 인 N 형 반도체 층 이 더 형성 할 수 도 있 다 . 발광 소자 ( 200 ) 는 상기 제 1 도전 형 반도체 층 ( 215 ) , 활성 층 ( 217 ) 및 상기 제 2 도전 형 반도체 층 ( 219 ) 을 발광 구조물 ( 220 ) 로 정의 될 수 있 으며 , 상기 발광 구조물 ( 220 ) 은 N - P 접합 구조 , P - N 접합 구조 , N - P - N 접합 구조 , P - N - P 접합 구조 중 어느 한 구조 로 구현 할 수 있 다 . 상기 N - P 및 P - N 접합 은 2 개 의 층 사이 에 활성 층 이 배치 되 며 , N - P - N 접합 또는 P - N - P 접합 은 3 개 의 층 사이 에 적어도 하나 의 활성 층 을 포함 하 게 된다 .