상기 듀얼 게이트 전극 ( 330 , 332 ) 형성 시 상기 제 1 스토리지 영역 에 는 스토리지 라인 ( 335 ) 을 형성 하 고 , 제 2 스토리지 영역 에 는 게이트 전극 층 ( 336 ) 을 형성 한다 . 상기 스토리지 라인 ( 335 ) 및 게이트 전극 층 ( 336 ) 은 상기 듀얼 게이트 전극 ( 330 , 332 ) 형성 물질 과 동일 한 물질 로 형성 되 며 , 도전 성 금속 을 증착 후 마스크 를 이용 하 여 패 터닝 하 여 형성 한다 .