본 발명 의 실시 예 에 따른 반도체 소자 는 , 제 2 전극 층 중 의 제 1 금속 층 과 에피 택 셜 층 사이 에 전위 장벽 의 높이 가 상이 한 쇼트 키 접촉 을 형성 하 며 , 쇼트 키 접촉 전위 장벽 의 높이 가 비교 적 높 은 부분 은 반도체 소자 가 더욱 높 은 전기장 강도 를 견딜 수 있 도록 하 고 , 쇼트 키 접촉 전위 장벽 의 높이 가 비교 적 낮 은 부분 은 반도체 소자 가 순방향 도통 시 의 작동 전압 을 감소 시킬 수 있 으며 , 이 에 따라 순방향 도통 능력 은 향상 되 나 , 역방향 차단 능력 에 는 영향 을 미치 지 않 는다 .