다음 으로 , 도 4 ( b ) 의 구성 은 , 도 4 ( a ) 와 마찬가지 로 , 저항 ( RSIG ) 이 직렬 로 각각 저항 치가 상이 하 거나 , 또는 동일 한 복수 의 저항 으로 형성 되 고 , 각 저항 의 사이 가 퓨즈 에 의해 쇼트 되 어 구성 되 어 있 다 . 이 때문 에 , 도 4 ( b ) 의 구성 에 따르 면 , 각각 프로세스 공정 이 종료 된 후 , 임의 로 퓨즈 를 절단 하 여 저항 ( RSIG ) 을 원하 는 저항 치 로 조정 할 수 있 다 . 이 때문 에 , 반도체 소자 의 출하 후 에 , 이용자 자신 이 라도 사용 하 는 용도 에 대응 하 여 저항 ( RSIG ) 의 저항 치 를 조정 할 수 있 어 , 도 4 ( a ) 에 대하 여 범용 성 을 높일 수 있 고 , 메탈 마스크 를 변경 할 필요 가 없 어 , 제조 비용 을 보다 삭감 할 수 있 다 .