본 발명 에 따른 디바이스 의 주요 실시 형태 에 따르 면 , 이 디바이스 는 광학 적 간섭 측정 센서 를 포함 하 고 , 이 센서 는 수십 나노미터 내지 수백 나노미터 의 큰 FSR 을 갖 는 Mach - Zehnder 간섭 측정 ( MZI ) 센서 이 고 , 플라 즈 몬 도파 로 , 특히 박막 또는 하이브리드 슬롯 이 Si 3 N 4 포 토닉 도파 로 에 평평 하 게 통합 되 는 트랜스 듀 서 요소 로서 포함 되 며 , 상기 디바이스 는 ,