전기 전도 성 을 가지 는 것 이 바람직 한 경우 에 첨가제 는 전기 전도성 물질 , 반도체 , 또는 이 들 의 조합 을 포함 할 수 있 다 . 전기 전도성 물질 의 예시 로 는 금속 ( 예 를 들 면 , 은 , 구리 및 금 ) , 금속 합금 , 은 나노 와 이 어 , 구리 나노 와 이 어 , 금 나노 와 이 어 , 탄소 기반 의 조성물 ( 예 를 들 어 , 탄소 나노 튜브 , 그래핀 및 벌키 볼 ) , 금속 산화물 및 선택 적 으로 도핑 ( 예 를 들 어 , ITO , ZnO ( i ) , ZnO : Al , ZnO : B , SnO 2 : F , Cd 2 SnO 4 , CdS , ZnS , 및 다른 도핑 된 금속 산화물 ) 된 칼 코 게나 이드 ( chalcogenides ) , 전기 적 도전 성 폴리머 , 및 이 들 의 임의 의 조합 이 될 수 있 다 . 반도체 재료 의 예시 로 는 도전 성 폴리머 , 그룹 IVB 요소 ( 예 를 들 어 , 탄소 ( C ) , 실리콘 ( Si ) 및 게르마늄 ( Ge ) ) , 그룹 IVB - IVB 의 이원 합금 ( 예 를 들 어 , 탄화 규소 ( SiC ) 및 실리콘 게르마늄 ( SiGe ) , 그룹 IIB - VIB 의 이원 합금 ( 예 를 들 어 , 카드뮴 셀렌 ( CdSe ) , 카드뮴 황화물 ( CdS ) , 카드뮴 텔 루리드 ( CdTe ) , 아연 산화물 ( ZnO ) , 아연 셀렌 ( ZnSe ) , 아연 텔 루 라이드 ( ZnTe ) 및 아연 황화물 ( ZnS ) ) , 그룹 IIB - VIB 의 삼 원 합금 ( 예 를 들 어 , 카드뮴 아연 텔 루 라이드 ( CdZnTe ) , 수은 카드뮴 텔 루 라이드 ( HgCdTe ) , 수은 아연 텔 루 라이드 ( HgZnTe ) , 및 수은 아연 셀렌 ( HgZnSe ) ) , 그룹 IIIB - VB 의 이원 합금 ( 예 를 들 면 , 알루미늄 안티몬 화물 ( AlSb ) , 알루미늄 비화물 ( AlAs ) , 알루미늄 질화물 ( AlN ) , 알루미늄 인화물 ( AlP ) , 붕소 질화물 ( BN ) , 붕소 인화물 ( BP ) , 붕소 비화물 ( BAs ) , 갈륨 안티몬 화물 ( GaSb ) , 갈륨 비화물 ( GaAs ) , 갈륨 질화물 ( GaN ) , 갈륨 인화물 ( GaP ) , 인듐 안티몬 화물 ( InSb ) , 인듐 비화물 ( InAs ) , 인듐 질화물 ( InN ) 및 인듐 인화물 ( InP ) ) , 그룹 IIIB - VB 의 삼 원 합금 ( 예 를 들 면 , 알루미늄 갈륨 비화물 ( AlGaAs 또는 AlxGa 1 - xAs ) , 인듐 갈륨 비화물 ( InGaAs 또는 InxGa 1 - xAs ) , 인듐 갈륨 인화물 ( InGaP ) , 알루미늄 인듐 비화물 ( AlInAs ) , 알루미늄 인듐 안티몬 화물 ( AlInSb ) , 갈륨 비화물 질화물 ( GaAsN ) , 갈륨 비화물 인화물 ( GaAsP ) , 알루미늄 갈륨 질화물 ( AlGaN ) , 알루미늄 갈륨 인화물 ( AlGaP ) , 인듐 갈륨 질화물 ( InGaN ) , 인듐 비화물 안티몬 화물 ( InAsSb ) , 및 인듐 갈륨 안티몬 화물 ( InGaSb ) ) , 그룹 IIIB - VB 의 사원 합금 ( 예 를 들 면 , 알루미늄 갈륨 인듐 인화물 ( AlGaInP ) , 알루미늄 갈륨 비화물 인화물 ( AlGaAsP ) , 인듐 갈륨 비화물 인화물 ( InGaAsP ) , 알루미늄 인듐 비화물 인화물 ( AlInAsP ) , 알루미늄 갈륨 비화물 나이트 라이드 ( AlGaAsN ) , 인듐 갈륨 비화물 나이트 라이드 ( InGaAsN ) , 인듐 알루미늄 비화물 나이트 라이드 ( InAlAsN ) 및 갈륨 비화물 안티몬 화물 나이트 라이드 ( GaAsSbN ) ) , 및 그룹 IIIB - VB 의 5 원 합금 ( 예 를 들 어 , 갈륨 인듐 나이트 라이드 비화물 안티몬 화물 ( GaInNAsSb ) 과 갈륨 인듐 비화물 안티몬 화물 인화물 ( GaInAsSbP ) ) , 그룹 IB - VIIB 의 이원 합금 ( 예 를 들 어 , 염화 구리 ( CuCl ) ) , 그룹 IVB - VIB 의 이원 합금 ( 예 를 들 어 , 납 셀렌 ( PbSe ) , 납 황화물 ( PbS ) , 납 텔 루리드 ( PbTe ) , 주석 황화물 ( SnS ) 및 주석 텔 루리드 ( SnTe ) ) , 그룹 IVB - VIB 의 삼 원 합금 ( 예 를 들 어 , 납 주석 텔 루리드 ( PbSnTe ) , 탈륨 주석 텔 루리드 ( Tl 2 SnTe 5 ) , 및 탈륨 게르마늄 텔 루리드 ( Tl 2 GeTe 5 ) ) , 그룹 VB - VIB 의 이원 합금 ( 예 를 들 어 , 비 스미스 텔 루리드 ( Bi 2 Te 3 ) ) , 그룹 IIB - VB 의 이원 합금 ( 예 를 들 어 , 카드뮴 인화물 ( Cd 3 P 2 ) , 카드뮴 비화물 ( Cd 3 As 2 ) , 카드뮴 안티몬 화물 ( Cd 3 Sb 2 ) , 아연 인화물 ( Zn 3 P 2 ) , 아연 비화물 ( Zn 3 As 2 ) , 및 아연 안티몬 화물 ( Zn 3 Sb 2 ) ) , 및 다른 이원 , 삼 원 , 사원 , 또는 그룹 IB ( 또는 그룹 11 ) 요소 , 그룹 IIB ( 또는 그룹 12 ) 요소 , 그룹 IIIB ( 또는 그룹 13 ) 요소 , 그룹 IVB ( 또는 그룹 14 ) 요소 그룹 VB ( 또는 그룹 15 ) 요소 , 그룹 VIB ( 또는 그룹 16 ) 요소 , 그룹 VIIB ( 또는 그룹 17 ) 등 의 구리 인듐 갈륨 셀렌 ( 또는 CIGS ) 뿐 만 아니 라 , 이 들 의 임의 의 조합 등 의 요소 와 같 은 더 많 은 조합 이 될 수 있 다 .