다음 으로 , 도 4 f 에 도시 한 바 와 같이 , 상기 제 2 Cu 본딩 라인 ( 207 a ) 및 제 2 Cu 본딩 패드 ( 207 b ) 를 포함 한 제 3 하드 마스크 막 ( 201 ) 상 에 , 상기 제 2 Cu 본딩 패드 ( 207 b ) 의 내측 일부분 과 대응 하 는 부분 을 노출 시키 는 감광막 패턴 ( 208 ) 을 형성 하 고 나 서 , 상기 감광막 패턴 ( 208 ) 을 식각 마스크 로 이용 하 여 상기 제 3 하드 마스크 막 ( 201 ) 을 식각 한다 . 여기 서 , 상기 감광막 패턴 ( 208 ) 은 , 상기 제 3 하드 마스크 막 ( 201 ) 의 식각 공정 및 후속 의 캐비 티 ( 209 ) 식각 공정 시 , 상기 제 2 Cu 본딩 라인 ( 207 a ) 및 제 2 Cu 본딩 패드 ( 207 b ) 가 손상 받 지 않 도록 , 충분히 두꺼운 두께 로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 .