도 3 을 참조 하 면 , 반도체 기판 ( 200 ) 위 의 패턴 을 형성 하 고자 하 는 패턴 대상 막 ( 300 ) 위 에 제 1 포토레지스트 막 ( 400 ) 을 형성 한다 . 비록 도면 상 에 는 나타내 지 않 았 지만 , 반도체 기판 ( 200 ) 과 패턴 대상 막 ( 300 ) 사이 에 는 다른 절 연막 들 이 배치 될 수 있 다는 것 은 당연 하 다 . 패턴 대상 막 ( 300 ) 은 알루미늄 ( Al ) 막 ( 310 ) 및 티타늄 / 티타늄 나이트 라이드 ( Ti / TiN ) 막 ( 320 ) 이 순차 적 으로 적층 되 는 구조 를 갖 지만 , 반드시 이 에 한정 되 는 것 은 아니 며 다른 도전 막 이 거나 또는 절 연막 일 수 도 있 다 . 제 1 포토레지스트 막 ( 400 ) 은 하부 반사 방지 막 으로 사용 될 것 이 므로 , 비교 적 얇 은 두께 , 예컨대 대략 300 - 500 Å 의 얇 은 두께 를 갖 도록 형성 한다 .