일 실시 예 에서 , 제 2 포토레지스트 패턴 들 ( 84 ) 은 제 1 마스크 패턴 들 ( 42 ) 을 가로지르 는 라인 형태 의 패턴 들 일 수 있 다 . 제 2 포토레지스트 패턴 들 ( 84 ) 의 피치 는 제 1 포토레지스트 패턴 ( 54 ) 의 피치 와 동일 할 수 있 다 . 이러 한 제 2 포토레지스트 패턴 들 ( 84 ) 은 제 2 마스크 층 상 에 레지스 트 물질 을 도포 하 여 제 2 포토레지스트 층 을 형성 하 고 , 제 2 포토레지스트 층 에 대해 노광 ( Exposure ) 및 현상 ( development ) 공정 을 수행 하 여 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 면 , 제 2 포토레지스트 패턴 ( 84 ) 은 불화 크립톤 ( KrF ) 레이저 , 불화 아르곤 ( ArF ) 레이저 , 불소 ( F 2 ) 레이저 또는 EUV ( extreme ultraviolet ) 를 이용 하 는 노광 공정 을 통해 형성 될 수 있 다 .