도 7 a 에서 와 같이 , 서로 다른 폭 을 갖 고 형성 된 제 1 게이트 전극 및 제 2 게이트 전극 ( 105 a , 105 b ) 을 이용 하 여 포토다이오드 영역 ( PD ) 을 두 부분 으로 나누 어 적 은 양 의 빛 이 들어오 면 제 1 게이트 전극 및 제 2 게이트 전극 ( 105 a , 105 b ) 에 모두 ON 전압 을 인가 하 여 전달 되 는 전자 의 수 가 많 게 하 고 , 많 은 양 의 빛 이 들어오 면 제 1 게이트 전극 및 제 2 게이트 전극 ( 105 a , 105 b ) 중 하나 의 게이트 전극 에 만 ON 전압 을 인가 하 여 전달 되 는 전자 의 수 를 적 게 하 며 , 이때 이것 의 증폭 을 각각 다르 게 함 으로 많 은 양 의 빛 에 대한 반응 과 적 은 양 의 빛 에 대한 반응 특성 을 개선 할 수 있 다 .