도 36 내지 도 41 은 본 발명 의 실시 예 들 에 따른 반도체 메모리 장치 의 제조 방법 을 설명 하 기 위한 단면도 들 이 다 . 도 36 내지 도 41 에 있 어서 , 플래시 메모리 장치 와 같 은 불휘발성 반도체 장치 의 제조 방법 을 예시 적 으로 도시 및 설명 하 지만 , 해당 기술 분야 에서 통상 의 지식 을 가진 자 라면 본 발명 의 특징 들 및 이 점 들 은 DRAM 장치 또는 SRAM 장치 와 같 은 휘발 성 반도체 장치 에 도 적용 가능 함 을 이해 할 수 있 을 것 이 다 .