도 1 ( d ) 를 참조 하 면 , 제 3 언 도프 트 폴리 실리콘 막 ( 17 ) 상부 에 도프 트 폴리 실리콘 막 ( 18 ) 을 형성 한다 . 도프 트 폴리 실리콘 막 ( 18 ) 은 500 ∼ 550 ℃ 의 온도 와 0 . 1 ∼ 3 Torr 의 압력 에서 SiH 4 또는 Si 2 H 6 와 PH 3 가스 를 이용 한 LPCVD 방법 으로 200 ∼ 2000 Å 의 두께 로 형성 한다 . 이 에 따라 도프 트 폴리 실리콘 막 ( 18 ) 은 제 1 그레인 사이즈 보다 큰 제 2 그레인 사이즈 를 갖 게 된다 . 여기 서 , 도프 트 폴리 실리콘 막 ( 18 ) 의 인 농도 는 1 . 0 E 20 ∼ 3 . 0 E 20 atoms / cc 정도 로 유지 되 도록 한다 . 이후 열처리 공정 에 의해 도프 트 폴리 실리콘 막 ( 18 ) 의 인 이온 이 하부 의 제 1 내지 제 3 언 도프 트 폴리 실리콘 막 ( 13 , 15 및 17 ) 로 확산 되게 된다 .