도 2 의 ⓓ 부분 은 패드 프로 빙 공정 시 탐 침부 가 전극 패드 ( 210 ) 에 접촉 할 때 탐 침부 ( ⓓ) 가 칩 ( 200 ) 의 내측 으로 밀려 보조 전극 패드 ( 230 ) 에 걸쳐 위치 한 것 으로 , 보조 전극 패드 ( 230 ) 는 칩 ( 200 ) 의 내측 에 위치 한 금속 배선 ( 220 ) 과 소정 거리 이격 되 어 형성 되 고 , 탐 침부 는 보조 전극 패드 ( 230 ) 및 전극 패드 ( 210 ) 에 100 퍼센트 중첩 되 도록 위치 한다 .