도 5 g 를 참조 하 면 , 층간 절연 층 ( 135 ) 상 에 트랜지스터 ( T 1 ) 의 소스 전극 ( 146 S ) , 드레 인 전극 ( 146 D ) 및 도전 선 ( CL ) 을 형성 할 수 있 다 . 도전 선 ( CL ) 은 데이터 신호 를 전달 하 는 데이터 선 일 수 있 으며 , 티타늄 ( Ti ) 을 포함 하 는 제 1 층 , 알루미늄 ( Al ) 을 포함 하 는 제 2 층 및 티타늄 ( Ti ) 을 포함 하 는 제 3 층 을 포함 할 수 있 다 . 그러나 , 본 발명 은 이 에 한정 되 지 않 으며 , 도전 선 ( CL ) 은 다양 한 물질 로 단층 또는 다층 으로 형성 될 수 있 다 . 또한 , 도전 선 ( CL ) 은 소스 전극 ( 146 S ) 및 드레 인 전극 ( 146 D ) 과 동일 공정 이 아닌 , 게이트 전극 ( 144 ) 과 동일 한 공정 을 통해 형성 될 수 도 있 으며 , 도전 선 ( CL ) 은 데이터 선 이 아닌 스캔 선 등 다양 한 신호 를 전달 하 는 배선 일 수 있 다 .