앞서 잠시 언급 하 였 지만 , 공정 기판 의 영역 별 로 단차 가 형성 되 는 예 로서 , 플로팅 게이트 ( floating gate ) 를 사용 하 는 플 래쉬 메모리 ( flash memory ) 제품 의 제조 공정 을 살펴볼 수 있 다 . 플로팅 게이트 를 사용 하 는 플 래쉬 메모리 의 경우 데 이타 를 저장 하 는 셀 ( Cell ) 부분 과 셀 부분 에 전원 공급 및 데 이타 입출력 을 담당 하 는 페리 부분 에서 의 게이트 의 층 구조 가 다르 다 . 즉 , 셀 부분 에서 는 전하 를 저장 하 기 위한 플로팅 게이트 와 셀 을 조절 ( control ) 하 기 위하 여 콘트롤 게이트 가 절 연막 을 사이 에 두 고 적층 된 형태 를 보인다 . 그러나 , 페리 ( peri ) 부분 은 콘트롤 게이트 만 존재 한다 .