또한 , 실리콘 기둥 ( 520 ) 의 양 측면 에 5 nm 의 두께 를 가지 는 마스크 ( 또는 스 페이서 ) 가 형성 된 후 , 다시 이방성 식각 ( 이하 , ' 제 2 차 식각 ' 이 라 칭함 ) 공정 이 수행 되 면 도 5 a 에 도시 된 바 와 같이 제 2 식각 부 ( 515 ) 가 형성 될 수 있 고 , 이 에 따라 도 5 b 에 도시 된 모양 의 실리콘 기둥 ( 520 ) 이 형성 될 수 있 다 . 즉 , 제 2 차 식각 공정 후 에 형성 되 는 실리콘 기둥 ( 520 ) 은 철 ( 凸 ) 자 형상 의 실리콘 기둥 일 수 있 고 , 측면 에 단 턱 ( 440 ) 을 포함 할 수 있 다 .