생성 된 빛 이 예 를 들 어 , 활성 반도체 층 의 종 방향 으로 비스듬히 진행 하 거나 , 하부 의 기판 방향 으로 비스듬히 진행 할 경우 에 , 그 빛 은 경계 에서 전반사 되 는 등 칩 내부 에 포획 되 어 내부 를 벗어나 지 못할 확률 이 높 다 . 이렇게 전반사 된 빛 은 광 출력 효율 을 낮출 뿐 아니 라 , 결국 칩 내부 에서 흡수 되 어 열 로 변환 될 수 있 다 . 따라서 , 전반사 현상 을 줄이 는 것 은 생성 된 빛 중 외부 로 출력 되 는 빛 의 비율 , 즉 외부 양자 효율 을 높일 뿐 아니 라 , 그만큼 열 발생 인자 가 줄어들 므로 더 높 은 전류 를 공급 받 을 수 있 기 때문 에 빛 의 생성량 자체 를 늘리 는 것 에 도 도움 이 된다 .