본 발명 은 벌브 리세 스 게이트 공정 진행시 야기 되 는 플 라즈 마 대미지 같 은 문제점 을 해결 하 기 위한 벌브 리세 스 게이트 를 갖 는 반도체 소자 의 제조 방법 을 제공 하 기 위한 것 으로 , 본 발명 은 반도체 기판 상 에 국부 적 으로 산화 막 을 형성 하 는 단계 , 상기 산화 막 을 덮 도록 상기 반도체 기판 상 에 실리콘 을 형성 하 는 단계 , 상기 실리콘 상 에 리세 스 마스크 를 형성 하 는 단계 , 상기 리세 스 마스크 를 식각 마스크 로 상기 실리콘 을 식각 하 여 상기 산화 막 의 표면 을 오픈 시키 는 제 1 리세 스 를 형성 하 는 단계 , 상기 산화 막 을 습식 식각 하 여 제 2 리세 스 를 형성 하 는 단계 , 상기 제 1 리세 스 와 제 2 리세 스로 이루어진 리세 스 상 에 게이트 패턴 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 고 , 상기 한 본 발명 은 벌브 리세 스 게이트 공정 시 플 라즈 마 대미지 를 방지 하 고 , 프로파일 의 균 일도 를 확보 하 여 소자 의 신뢰 성 을 향상 시키 는 효과 가 있 다 .