도 5 를 참조 하 면 , 최상층 에 형성 된 제 2 절 연막 ( 210 ) 을 부분 적 으로 커버 하 는 포토레지스트 패턴 ( 도시 되 지 않 음 ) 을 최상층 제 2 절 연막 ( 210 ) 상 에 형성 한 후 , 이 를 식각 마스크 로 사용 하 여 최상층 제 2 절 연막 ( 210 ) 및 그 하부 의 최상층 희생 막 ( 220 ) 을 식각 한다 . 이 에 따라 , 최상층 희생 막 ( 220 ) 하부 에 형성 된 제 2 절 연막 ( 210 ) 의 일부 가 노출 될 수 있 다 . 상기 포토레지스트 패턴 의 면적 을 일정 한 비율 로 축소 시킨 후 , 이 를 식각 마스크 로 사용 하 여 최상층 제 2 절 연막 ( 210 ) , 최상층 희생 막 ( 220 ) , 상기 노출 된 제 2 절 연막 ( 210 ) , 및 그 하부 의 희생 막 ( 220 ) 을 다시 식각 하 는 트리밍 ( trimming ) 공정 을 수행 한다 . 상기 트리밍 공정 을 반복 적 으로 수행 함 으로써 , 기판 ( 100 ) 의 제 1 영역 ( I ) 상 에 는 순차 적 으로 적층 된 제 2 희생 패턴 ( 225 ) 및 제 3 절연 패턴 ( 215 ) 으로 각각 구성 되 는 복수 개 의 계단 들 을 포함 하 는 계단 구조물 이 형성 될 수 있 다 .