특히 , 화소 영역 에 발생 되 는 결함 은 화소 를 구성 하 는 트랜지스터 가 형성 되 는 영역 의 기판 결함 을 말 한다 . 기판 결함 이 란 식각 공정 시 이용 되 는 플 라즈 마 에 기인 하 여 기판 표면 에 손상 이 발생 함 에 따라 발생 한다 . 특히 , 이러 한 기판 결함 들 은 중성 ( neutral ) 이 아니 라 극성 을 갖 는 것 들 도 있 으므로 트랜지스터 를 이용 한 신호 전달 시 트랩 ( Trap ) 역할 을 하 여 소자 의 오동작 을 유발 한다 .