본 발명 의 실시 형태 에서 , 포스 프로브 들 ( 2 및 2 A ) 및 센스 프로브 ( 3 ) 는 , 반도체 디바이스 ( 4 ) 의 전 극면 에 대하 여 수직 인 방향 으로부터 봤 을 때 실질 적 으로 동일 한 선상 에 배열 된다 . 그러나 , 배열 이 이 에 제한 되 는 것 은 아니 다 . 프로브 들 은 반도체 디바이스 ( 4 ) 에 대하 여 바람직 한 위치 에 배열 될 수 있 다 .