우선 , 도 2 a 에 도시 된 바 와 같이 , 하부 메탈 배선 ( Metal line ) ( Cu ) ( 204 ) 이 형성 된 반도체 기판 상 에 포토레지스트 막 ( photo - resist ) 를 도포 한 후 , 사진 식각 공정 을 통해 반도체 기판 상 옥사이드 ( oxide ) 막 으로 형성 되 는 층간 절 연막 ( IMD : Inter Metal Dielectrics ) ( 200 , 202 ) 상부 영역 중 MIM 커패시터 의 하부 메탈 을 식각 형성 할 영역 이 드러나 도록 패 터닝 ( patterning ) 하 여 포토레지스트 마스크 ( 206 ) 를 형성 시킨다 .