본 기술 은 집적도 를 개선 할 수 있 는 수직 형 반도체 장치 및 그 제조 방법 에 관한 것 으로 , 본 기술 에 따른 수직 형 반도체 장치 의 제조 방법 은 하부 구조물 상 에 절 연막 들 과 희생 층 들 이 교번 하 여 적층 된 교번 스택 을 형성 하 는 단계 ; 상기 교번 스택 을 식각 하 여 채널 홀 을 형성 하 는 단계 ; 상기 채널 홀 상 에 비 - 컨 포 멀 한 블록 킹 층 을 형성 하 는 단계 ; 상기 비 - 컨 포 멀 한 블록 킹 층 을 컨 포 멀 블록 킹 층 으로 컨 버팅 시키 는 단계 ; 및 상기 컨 포 멀 블록 킹 층 상 에 전하 저장 층 을 형성 하 는 단계 를 포함 할 수 있 다 .