본 발명 에 따르 면 , 레이저 다이오드 의 제조 를 위한 MOCVD 공정 과 , 메사 형성 공정 과 , 전극 형성 공정 이 완료 된 , 가상 의 사각형 으로 구획 되 는 칩 단위 영역 이 반복 적 으로 배열 된 웨이퍼 를 구비 하 는 단계 ; 칩 단위 영역 들 의 사각 모서리 가 인접 하 는 지점 마다 십 자형 절 단선 을 형성 하 는 단계 ; 및 상기 십 자형 절 단선 을 이용 해 웨이퍼 를 브레이킹 하 는 단계 ; 를 포함 하 고 , 상기 십 자형 절 단선 에 있 어서 , 메사 패턴 에 대하 여 수직 으로 위치 하 게 되 는 가로 절 단선 을 , 상기 가로 절 단선 이 놓여진 상기 사각형 의 변의 길이 에 대하 여 33 % 초과 87 % 이하 로 형성 하 는 것 을 특징 으로 하 는 레이저 다이오드 제조 를 위한 웨이퍼 절단 방법 이 개시 된다 .