본 발명 의 제 1 실시 예 에 따른 이미지 센서 는 하부 배선 ( 120 ) 을 포함 하 는 씨 모스 회로 ( circuitry ) 가 형성 된 기판 ( 110 ) ; 비 아홀 ( V ) ( 도 2 참조 ) 을 개재 하 여 상호 분리 되 며 , 상기 기판 ( 110 ) 상 에 순차 적 으로 형성 된 제 1 전극 ( 140 ) , 진성 층 ( intrinsic layer ) ( 170 ) , 제 2 도전 형 전도 층 ( 180 ) , 제 2 전극 ( 190 ) ; 상기 비 아홀 상 에 형성 된 광 흡수 층 ( 200 ) ; 및 상기 광 흡수 층 ( 200 ) 상 에 형성 된 층간 절연 층 ( 160 ) ; 을 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .