( c ) 보호막 ( 200 e ) 의 막 두께 는 10 Å 정도 로 얇 으므로 , 선택 성장 이 종료 된 후 에 , 보호막 ( 200 e ) 을 제거 하 는 공정 을 행할 필요 가 없 는 경우 가 있 다 . 이 경우 , 반도체 디바이스 의 제조 공정 을 간소 화 시킬 수 있 어 , 반도체 디바이스 의 생산 성 을 향상 시켜 , 제조 비용 을 저감 시키 는 것 이 가능 하 게 된다 . 단 , 보호막 ( 200 e ) 으로서 형성 한 SiO 막 이 디바이스 의 특성 등 에 영향 을 미칠 경우 에 는 , 보호막 ( 200 e ) 을 제거 하 는 것 이 바람직 하 고 , 그 경우 , 예 를 들 어 DHF 세정 등 에 의해 제거 할 수 있 다 .