도면 으로 도시 하 지 는 않 았 지만 , 제 2 서브 스캔 라인 ( SL 1 ) 과 제 1 데이터 라인 ( DL 1 ) 이 중첩 하 는 부분 또는 제 1 서브 스캔 라인 ( SL 1 ) 과 제 2 데이터 라인 ( DL 2 ) 이 중첩 하 는 부분 상 에 도 반도체 패턴 이 배치 될 수 있 다 . 상기 반도체 패턴 은 제 2 서브 스캔 라인 ( SL 1 ) 과 제 1 데이터 라인 ( DL 1 ) 의 중첩 부분 및 제 1 서브 스캔 라인 ( SL 1 ) 과 제 2 데이터 라인 ( DL 2 ) 의 중첩 부분 을 완전히 커버 할 수 있 다 . 따라서 , 반도체 층 ( 150 ) 과 데이터 도전 층 ( 170 ) 사이 의 얼라인 이 변화 하 더라도 , 제 1 데이터 라인 ( DL 1 ) 및 제 2 데이터 라인 ( DL 2 ) 을 온전히 지지 할 수 있 다 .