상기 패드 패턴 들 ( 128 ) 을 덮 는 최상층 절연 층 ( 121 ) 이 형성 될 수 있 다 . 이 후 , 상기 최상층 절연 층 ( 121 ) 은 상기 절연 층 들 ( 120 ) 의 일부 로 설명 된다 . 상기 희생 층 들 및 상기 절연 층 들 ( 120 ) 은 상기 연장 영역 ( ER ) 에서 계단 형상 을 갖 도록 패 터닝 될 수 있 다 . 이후 , 상기 셀 어레이 영역 ( CR ) 및 상기 주변 회로 영역 ( PR ) 을 덮 는 상부 층간 절 연막 ( 131 ) 이 형성 될 수 있 다 . 상기 상부 층간 절 연막 ( 131 ) 은 실리콘 산화물 을 포함 할 수 있 다 .