또한 , 상기 의 실시 예 1 , 비 교예 1 - 3 의 서 셉 터 및 이 를 구비 하 는 기상 성장 장치 를 사용 하 여 , 직경 200 mm , P 형 , 결정 방위 < 100 >, 이 면 CVD 산화 막 두께 500 μ m 인 웨이퍼 에 , 노듈 처리 를 실시 한 후 , 비 도프 ( non - dope ) 의 에피 택 셜 층 을 두께 70 μ m 성장 시킨 , 에피 택 셜 웨이퍼 를 각각 제조 하 였 다 .