본 발명 의 일실 시예 에 따르 면 , 고체 촬상 장치 는 , 광이 조사 되 는 제 1 기판 면 측 과 소자 가 형성 되 는 제 2 기판 면 측 을 가지 는 기판 에 형성 되 고 , 1 화소 셀 마다 또는 복수 화소 셀 을 단위 로 하 여 인접 셀 그룹 과 소자 분리 층 에 의해 분리 된 화소 셀 을 포함 하 고 , 상기 화소 셀 은 , 상기 제 1 기판 면 측 에 형성 된 제 1 도 전형 웰 과 상기 제 2 기판 면 측 에 형성 된 제 2 도 전형 웰 을 가지 고 , 상기 제 1 도 전형 웰 은 , 상기 제 1 기판 면 측 으로부터 의 광 을 수광 하고 , 수광 된 광 의 광전 변환 기능 및 전하 축적 기능 을 가지 고 , 상기 제 2 도 전형 웰 에 는 , 상기 제 1 도 전형 웰 에서 의 축 적 전하 를 검출 하 고 , 임계 값 변조 기능 을 가지 는 트랜지스터 가 형성 되 어 있 다 .