그런 다음 , 식각 된 반도체 기판 ( 110 ) 의 식각 대미지 를 제거 하 기 위하 여 열 산화 를 수행 하 여 트렌치 표면 에 측벽 산화 막인 제 2 산화 막 ( 116 ) 을 형성 하 고 ( 도 2 c 참조 ) , 패드 질화 막 ( 114 ) 을 제거 한 다음 , 트렌치 를 포함 하 는 반도체 기판 표면 에 라이너 질화 막 ( 118 ) 을 형성 한다 ( 도 2 d 참조 ) .