이어서 , CVD 를 이용 하 여 실리콘 질화 막 ( 3 ) 상 에 유기 재료 막 ( 4 ) 을 피착 한다 . 유기 재료 막 ( 4 ) 위 에 는 , 실리콘 을 함유 한 제 2 실리콘 함 유막 으로서 코팅 형 실리콘 산화 막 ( SOG ( Spin On Glass ) ) ( 5 ) 과 , 제 1 마스크 로서 포토레지스트 가 스핀 코팅 기법 을 이용 해 연속 적층 된다 . 이어서 , 노출 기법 을 이용 해 포토레지스트 에 대해 원 하 는 와이더 라인 과 라인 - 스페이스 패턴 을 패 터닝 한다 . 이 패 터닝 은 , 실리콘 산화 막 ( 5 ) 또는 제 2 실리콘 함 유막 상 에 , 좁 은 폭 패턴 과 넓 은 폭 패턴 을 갖 는 제 1 마스크 로서 , 레지스 트 ( 6 a ) 또는 좁 은 레지스 트 패턴 및 레지스 트 ( 6 b ) 또는 넓 은 레지스 트 패턴 을 형성 하 게 한다 . 이때 , 포토레지스트 가 남 은 라인 ( 레지스 트 ( 6 a ) ) 과 , 포토레지스트 가 제거 된 스페이스 간 의 치수 비 는 1 : 1 로 설정 된다 ( 도 1 a ) .