도 3 , 도 5 내지 도 8 에서 와 동일 한 참조 부호 는 동일 부재 를 나타내 며 , 따라서 여기 서 는 이 들 에 대한 상세 한 설명 은 생략 한다 . 도 9 를 참조 하 면 , 비휘발성 메모리 소자 ( 1000 e ) 의 불순물 영역 ( 102 ) 이 반도체 영역 ( 130 ) 과 교대 로 기판 ( 100 ) 상 에 형성 된다 . 상기 비휘발성 메모리 소자 ( 1000 e ) 는 연결 전극 ( 165 ) ( 도 3 참조 ) 은 포함 하 지 않 는다 .