이 와 같이 본 발명 은 저 용량 다층 칩 배리스터 에 따르 면 , 정전기 쇼크 또는 서지 전기 과부하 를 억제 하 는 경우 생성 되 는 열 에 견디 기 위한 세라믹 본체 의 반 도 전 성 또는 도전 성 입자 중 에 내 고온 성 을 가진 무기 유리 막 을 가지 므로 무엇 보다 도 , 2 차 분산 용 의 0 . 1 마이크 론 또는 나노미터 의 반 도전 성 또는 도전 성 입자 를 포함 하 고 , 입자 간 갭 이 매우 작 아서 , 비 정상 적 인 전기 과부하 가 발생 한 경우 터널 효과 가 있 으며 , 저 용량 다층 칩 배리스터 는 전기 과부하 를 억제 하 고 , 정전기 쇼크 에 내성 을 가지 며 , 수명 시간 이 길 은 효과 를 갖 는다 .