도 4 에서 , 쓰루 비아 ( 116 ) 가 개구부 ( 114 ) 에 형성 되 며 , 후면 재배 선 구조 ( 106 ) 의 최 상부 유전체 층 ( 예컨대 , 유전체 층 ( 112 ) ) 로부터 떨어져서 연장 될 수 있 다 . 쓰루 비아 ( 116 ) 은 선택 사항 이 며 , 예컨대 후면 재배 선 구조 ( 106 ) 가 생략 되 는 실시 형태 에서 는 생략 될 수 도 있 다 . 쓰루 비아 ( 116 ) 를 형성 하 기 위한 일례 로서 , 시드 층 이 후면 재배 선 구조 ( 106 ) 위 에 , 예컨대 개구부 ( 114 ) 에 의해 노출 되 는 금속화 패턴 ( 106 ) 의 부분 및 유전체 층 ( 112 ) 상 에 형성 된다 . 일부 실시 형태 에서 는 , 시드 층 이 금속 층 이 며 , 이것 은 단일 층 이 거나 , 상이 한 재료 로 형성 된 복수 의 서브 층 을 포함 하 는 복합 층 일 수 있 다 . 특정 실시 형태 에 있 어서 , 시드 층 은 티탄 층 과 , 그 티탄 층 위 에 구리 층 을 포함 할 수 있 다 . 시드 층 은 예컨대 PVD 등 을 이용 하 여 형성 될 수 있 다 . 포토레지스트 가 시드 층 상 에 형성 되 어 패 터닝 된다 . 포토레지스트 는 스핀 코팅 등 으로 형성 될 수 있 고 패 터닝 을 위해 노광 될 수 있 다 . 포토레지스트 의 패턴 은 전도성 비아 에 대응 한다 . 시드 층 을 노출 시키 기 위해 패 터닝 은 포토레지스트 를 관통 하 는 개구부 를 형성 한다 . 포토레지스트 의 개구부 내 에 그리고 시드 층 의 노 출부 상 에 전도성 재료 가 형성 된다 . 전도성 재료 는 전기 도금 이나 무전 해 도금 등 의 도금 에 의해 형성 될 수 있 다 . 전도성 재료 는 금속 , 동종 구리 , 티탄 , 텅스텐 , 알루미늄 , 등 을 포함 할 수 있 다 . 전도성 재료 가 형성 되 지 않 은 시드 층 의 부분 과 포토레지스트 가 제거 된다 . 포토레지스트 는 예컨대 산소 플라 즈 마 또는 동류 를 이용 하 여 , 조건 에 맞 는 애 싱 또는 박리 공정 에 의해 제거 될 수 있 다 . 포토레지스트 가 제거 되 면 , 시드 층 의 노 출부 는 , 예컨대 습식 또는 건식 에칭 등 의 조건 에 맞 는 에칭 공정 을 사용 하 여 제거 된다 . 시드 층 의 잔여 부분 과 전도성 재료 가 쓰루 비아 ( 116 ) 를 형성 한다 .