( A ) 에틸렌 - 2 , 6 - 나 프탈 레이트 단위 를 85 몰 % 이상 함유 하 고 고유 점도 가 0 . 80 내지 1 . 20 범위 인 고상 중합 폴리에틸렌 - 2 , 6 - 나 프탈 레이트 칩 을 20 내지 200 의 방사 드래프트 비 로 용융 방사 하 여 용융 방 출사 를 생성 하 는 단계 ; ( B ) 상기 용융 방 출사 를 지연 냉각 구역 및 고속 의 저온 에어 젯 을 가하 는 급속 냉각 구역 을 통과 시켜 고화 시키 는 단계 ; ( C ) 미연 신사 의 복굴절 율 이 0 . 001 내지 0 . 015 가 되 도록 하 는 방사 속도 로 사 를 권 취하 는 단계 ; 및 ( D ) 권 취 된 사 를 총 연신 비 를 4 . 0 이상 으로 하 여 다 단연 신 시키 는 단계 .