도 7 a 에 도시 하 는 바 와 같이 , 에피 택 셜 소스 / 드레 인 영역 ( 80 ) 은 핀 ( 64 ) 의 각각 의 표면 으로부터 융기 된 ( 예컨대 , 핀 ( 64 ) 의 리세 싱 되 지 않 은 부분 위 로 융기 된 ) 표면 을 가질 수 있 고 , 패 싯 을 가질 수 있 다 . 인접 한 핀 들 ( 64 ) 의 소스 / 드레 인 영역 들 ( 80 ) 은 병합 하 여 연속 적 인 에피 택 셜 소스 / 드레 인 영역 ( 80 ) ( 도 7 c 참조 ) 을 형성 할 수 있 다 . 일부 실시 형태 에서 는 , 인접 한 핀 들 ( 64 ) 의 소스 / 드레 인 영역 들 ( 80 ) 은 서로 병합 하 지 않 고 분리 된 소스 / 드레 인 영역 ( 80 ) ( 도 7 d 참조 ) 이 다 . 도 7 c 와 도 7 d 는 핀 ( 64 ) 의 양 측벽 을 따른 스 페이서 ( 76 ') 도 도시 하 는데 , 스 페이서 ( 76 ') 는 게이트 스 페이서 ( 76 ) 와 동일 하 거나 유사 한 구조 를 가질 수 있 고 게이트 스 페이서 ( 76 ) 와 동일 한 처리 단계 에서 형성 될 수 있 다 .