상기 한 바 와 같이 이루어지 는 본 발명 의 질화물 계 반도체 발광 소자 는 , n 형 질화물 반도체 층 내 에 유전체 층 을 별도 로 구성 하 고 , 상기 유전체 층 은 커패시턴스 의 역할 을 하 여 순간 적 인 정전기 가 역방향 으로 들어왔 을 때 , 소자 의 반 등 속도 를 길 어 지 게 함 으로써 , 정전기 로 인한 소자 의 파괴 를 방지 한다 . 이때 , 상기 유전체 층 의 두께 는 전자 가 터널 링 이 가능 한 두께 로 형성 되 어 있 어 , 전자 의 흐름 을 방해 하 지 않 으며 , 이 와 같 은 본 발명 은 , ESD 레벨 을 1 KV 이상 수 KV 까지 정전기 파괴 특성 을 개선 할 수 있 다 .