도 4 c 에 도시 된 바 와 같이 , 실리콘 보론 질화 막 ( 45 A ) 상 에 실리콘 질화 막 ( Si 3 N 4 , 45 B ) 을 형성 한다 . 여기 서 , 실리콘 질화 막 ( 45 B ) 은 실리콘 보론 질화 막 ( 45 A ) 이 대기 중 의 O 2 / H 2 O 와 반응 하 여 산화층 이 형성 되 는 것 을 방지 하 기 위한 것 으로 , 실리콘 보론 질화 막 ( 45 A ) 의 유전 상수 를 낮추 기 위해 보 론 을 더 많이 첨가 할 경우 산화층 형성 이 더 쉽 게 되 는데 실리콘 질화 막 ( 45 B ) 은 내산 화성 이 우수 하 여 산화 를 최대한 억제 함 으로써 유전 상수 를 낮추 면서 도 산화층 형성 을 방지 할 수 있 다 .