한편 , 본 발명 의 일 형태 의 발광 디바이스 에서 는 , 전자 수송 층 ( 124 ) 의 전자 수송 성 을 낮 게 함 으로써 , 발광 층 ( 123 ) 에서 의 발광 영역 ( 123 - 1 ) 의 폭 을 넓힐 수 있 다 ( 도 19 의 ( B ) , ( C ) 참조 ) . 발광 영역 ( 123 - 1 ) 의 폭 을 넓힘 으로써 , 발광 층 ( 123 ) 에서 의 전자 와 홀 의 재결합 영역 을 분산 시킬 수 있 다 . 따라서 , 수명 이 길 고 발광 효율 이 양호 한 발광 디바이스 를 제공 할 수 있 다 .