도 1 은 표면 에피 택 셜 레이어 ( 12 ) 를 포함 하 는 실리콘 기판 ( 10 ) 을 나타내 고 , 표면 에피 택 셜 레이어 ( 12 ) 내 에 는 집 적 회로 의 능동 소자 들 , 특히 이미지 센서 의 감광성 소자 들 이 생성 될 것 이 다 . 예 를 들 어 감광 성 능동 매트릭스 및 주변 회로 들 을 포함 하 는 , 센서 의 전자 회로 는 도전 성 또는 반 도전 성 레이어 들 의 성막 , 식각 , 도핑 , 상이 한 절연 을 포함 하 는 종래 의 공정 들 에 의해 제조 되 고 , 이 들 모든 공정 들 은 기판 의 전면 , 즉 에피 택 셜 레이어 가 위치 되 는 면 으로부터 수행 된다 . 기판 ( 10 ) 은 고체 단결정 실리콘 의 기판 일 수 도 있 고 , 실리콘 산화물 의 미세 한 층 에 의해 기판 으로부터 분리 된 에피 택 셜 레이어 를 포함 하 는 SOI 타입 의 기판 일 수 도 있 다 .