본 발명 에 있 어서 , 애노드 홀더 ( 63 ) 와 기판 홀더 ( 18 ) 사이 에 , 복수 의 시프 터널 을 설치 해도 된다 . 시프 터널 과 기판 홀더 ( 18 ) 사이 의 거리 가 가까운 경우 , 기판 에지 부분 의 도금 막 두께 분포 를 제어 가능 하 고 , 시프 터널 과 기판 홀더 사이 의 거리 가 먼 경우 에 는 , 기판 전체 의 막 두께 분포 를 제어 할 수 있 다 . 따라서 , 예 를 들 어 제 1 시프 터널 을 기판 홀더 ( 18 ) 근방 에 설치 하 고 , 제 2 시프 터널 을 애노드 홀더 ( 63 ) 근방 에 설치 하 여 , 각각 독립 적 으로 전류 를 제어 함 으로써 , 보다 엄밀 하 게 도금 막 두께 분포 를 제어 할 수 있 다 .