포토레지스트 의 역 ( reverse ) 패턴 은 우선 기판 상 에 구성 된다 . 포토레지스트 패턴 은 스텐실 층 으로서 작용 한다 . 그 후 , 표면 을 촉매 화 하 기 위해 다양 한 용액 ( 예 를 들 어 , 주석 ( tin ) 및 팔라듐 용액 ) 들 에 기판 을 담근다 . 이러 한 프로세스 는 기판 표면 상 의 입자 형 촉매제 ( catalysis ) 를 흡착 ( adsorb ) 하 는 것 이 다 . 그 후 , 절연 층 ( 예 를 들 어 , NiP ) 은 무전 해 도금 된다 . 층 은 촉매제 위 에 도금 된다 . 그 후 , 포토레지스트 패턴 은 포토레지스트 상 의 절연 층 과 함께 제거 용액 을 이용 하 여 제거 되 고 , 베이스 기판 상 에 바로 있 는 층 은 제거 되 지 않 는다 . 그 후 , 표면 을 다시 촉매 화 하 기 위해 용액 ( 예 를 들 어 , 은 또는 팔라듐 용액 ) 에 기판 을 담근다 . 이러 한 프로세스 는 기판 표면 상 의 입자 형 촉매제 를 흡착 하 는 데 목적 이 있 다 . 제 2 촉매 화 단계 이후 , 구리 ( Cu ) 층 이 무전 해 도금 된다 . 여기 서 , 유리 위 의 구리 도금 은 절연 층 위 의 도금 보다 훨씬 덜 효과 적 이 기 때문 에 , 구리 ( Cu ) 도금 은 절연 층 상 에서 만 볼 수 있 다 . 결과 로서 , 원 하 는 구리 패턴 이 얻 어 질 수 있 다 . 포토레지스트 는 알칼리 용액 에 접촉 되 지 않 고 , 방법 은 다 마신 프로세스 와 같 은 복잡 한 배선 프로세스 도 필요 없 고 , 본 명세서 에 상술 한 바 와 같이 , 일부 이슈 들 을 일으키 는 건식 / 습식 에칭 의 이용 도 필요 없 다 . 또한 , 포토레지스트 층 은 90 ℃ 이상 의 동작 온도 로 1 분 이상 접촉 하 지 않 는다 .