상기 게이트 절 연막 ( 214 ) 은 실리콘 산화물 ( SiOx ) 또는 실리콘 질화물 ( SiNx ) 등 의 무기 절연 물질 을 형성 하 거나 또는 BCB ( Benzocyclobutene ) , 아크릴 계 물질 , 폴리 이미드 와 같 은 유기 절연 물질 을 형성 한다 . 다만 , 이후 형성 될 유기 반도체 층 과 의 접촉 특성 을 위해 무기 절연 물질 보다 는 유기 절연 물질 을 사용 하 여 게이트 절 연막 ( 214 ) 을 형성 하 는 것 이 바람직 할 것 이 다 .