다음 으로 , 제 1 포토레지스트 패턴 들 ( 54 ) 및 제 1 반사 방지 패턴 들 ( 52 ) 을 이용 하 여 제 1 희생 막 ( 30 ) 상 의 제 1 마스크 층 을 식각 한다 . 이 에 따라 , 소정 간격 이격 되 어 배치 되 며 서로 평행 하 는 라인 형태 의 제 1 마스크 패턴 들 ( 42 ) 이 제 1 희생 막 ( 30 ) 상 에 형성 될 수 있 다 . 일 실시 예 에 따르 면 , 제 1 마스크 패턴 들 ( 42 ) 사이 의 간격 은 제 1 마스크 패턴 들 ( 42 ) 의 폭 보다 클 수 있 다 . 다른 실시 예 에 따르 면 , 제 1 마스크 패턴 들 ( 42 ) 사이 의 간격 은 제 1 마스크 패턴 들 ( 42 ) 의 폭 의 약 2 배 이하 일 수 있 다 .