도 2 및 도 25 를 참조 하 면 , 상기 제 3 포토레지스트 패턴 ( PR 3 ) 을 식각 마스크 로 상기 제 2 콘 택 영역 ( CTR 2 ) 의 최상층 의 상기 절 연막 ( 110 ) 및 최상층 의 상기 제 2 희생 막 ( HL 2 ) 을 순차 적 으로 식각 할 수 있 다 . 식각 된 상기 절 연막 ( 110 ) 및 식각 된 상기 제 2 희생 막 ( HL 2 ) 은 , 이 들 아래 의 다른 절 연막 ( 110 ) 및 다른 제 2 희생 막 ( HL 2 ) 을 노출 시킬 수 있 다 .