즉 , 비 노광 된 포토레지스트 부위 와 노광 된 포토레지스트 부위 간 에 물 에 대한 친화력 이 서로 다른 성질 을 갖 기 때문 에 상기 노광 된 포토레지스트 부위 는 상기 현상액 에 용해 되 어 제거 될 수 있 다 . 이어서 , 세정 및 건조 등 의 공정 을 수행 함 으로써 포토레지스트 패턴 이 완성 된다 . 본 실시 예서 는 설명 되 는 포토레지스트 패턴 은 주 골격 이 탄소 와 탄소 의 단일 결합 으로 이루어진 아크릴 레이트 수지 또는 메타 아크릴 레이트 수지 를 포함 하 는 ArF 용 포토레지스트 패턴 이 다 .