이러 한 구성 을 갖 는 탄소 나노 튜브 ( 30 ) 대량 생산 을 위한 설비 에서 의 공정 진행 은 촉매 도포 단계 ( S 110 ) , 합성 기판 을 반응 로 ( 120 ) 내부 에 로딩 시키 는 단계 ( S 120 ) , 반응 로 내부 전체 의 온도 를 공정 온도 로 조절 시키 는 단계 ( S 130 ) , 탄소 나노 튜브 ( 30 ) 생 성 단계 ( S 140 ) , 냉각 ( 대기 ) 단계 ( S 150 ) , 회수 단계 ( S 160 ) 를 가진다 . 촉매 도포 단계 ( S 110 ) 는 촉매 저장 탱크 ( 520 ) 에서 1 회 도포 량 에 해당 되 는 촉매 ( 20 ) 가 합성 기판 ( 10 ) 상면 으로 공급 되 면 , 브러시 유닛 ( 580 ) 의 도포 용 브러시 ( 587 ) 가 이동 하 면서 합성 기판 ( 10 ) 상면 에 촉매 ( 20 ) 를 고르 게 분포 시킨다 . 이렇게 촉매 ( 20 ) 도포 가 완료 된 합성 기판 ( 10 ) 은 제 2 이송 장치 ( 700 ) 에 의해 스테이션 부 ( 200 ) 에 설치 된 기판 보관 부 ( 400 ) 의 카세트 ( 420 ) 에 수납 된다 . 카세트 ( 420 ) 의 제 1 지지 부 ( 422 a ) 에 수납 된 합성 기판 ( 10 ) 은 반응 챔버 ( 100 ) 로부터 공정 을 마친 합성 기판 ( 10 ) 이 언 로딩 된 직후 제 1 이송 장치 ( 300 ) 에 의해 반응 챔버 ( 100 ) 의 보트 ( 160 ) 로 로딩 된다 ( S 120 ) . 합성 기판 ( 10 ) 의 로딩 이 완료 되 면 , 가 열부 ( 140 ) 가 반응 로 ( 120 ) 내부 전체 의 온도 를 기 설정 된 공정 온도 로 균일 하 게 가열 시킨다 ( S 130 ) . 특히 , 제 1 및 제 3 영역 ( 122 , 126 ) 은 제 1 및 제 2 플랜지 ( 132 , 134 ) 에 설치 되 는 냉각수 라인 에 의해 온도 가 하강 되 므로 , 측 부 가열 부 ( 144 ) 는 반응 로 ( 120 ) 의 제 1 및 제 3 영역 ( 122 , 126 ) 이 실질 적 으로 합성 기판 이 안착 되 어 탄소 나노 튜브 의 생성 공정 이 진행 되 는 제 2 영역 ( 124 ) 의 온도 와 일정 한 온도 를 유지 할 수 있 도록 지속 적 으로 제 1 및 제 3 영역 ( 122 , 126 ) 을 가열 시킨다 . 반응 로 ( 120 ) 내부 전체 의 온도 가 공정 온도 에 부합 되 면 , 반응 챔버 ( 100 ) 에서 탄소 나노 튜브 ( 30 ) 생 성 을 위한 공정 이 진행 된다 ( S 140 ) . 한편 , 반응 챔버 ( 100 ) 로부터 언 로딩 된 합성 기판 ( 10 ) 들 은 카세트 ( 420 ) 의 제 2 지지 부 ( 422 b ) 에 수납 된 후 , 일정 시간 동안 냉각 과정 을 거친다 ( S 150 ) . 일정 시간 이 지나 면 합성 기판 ( 10 ) 들 은 스테이션 부 ( 400 ) 밖 으로 인출 되 어 회수 부 ( 600 ) 로 이동 된다 ( S 160 ) . 회수 부 ( 600 ) 에서 탄소 나노 튜브 ( 30 ) 회수 를 마친 합성 기판 ( 10 ) 은 다시 촉매 도포 부 ( 500 ) 로 이동 되 어 , 촉매 도포 후 카세트 ( 420 ) 의 제 1 지지 부 ( 422 a ) 에 수납 된다 . 반응 챔버 ( 100 ) 에서 공정 을 마친 합성 기판 ( 10 ) 들 은 카세트 의 제 2 지지 부 ( 422 b ) 에 수납 된 후 앞 에서 서술 한 과정 을 반복 하 여 실시 하 게 된다 .