반도체 칩 을 가지 고 있 는 기판 으로서 의 웨이퍼 ( 200 ) 에 는 , 본 프로세스 처리 를 하 기 전 의 공정 에서 는 , 실리콘 산화 막 등 박막 의 절 연막 이 형성 된다 . 이 절 연막 의 막 두께 는 전기 특성 으로서 성능 이 좌우 되 기 때문 에 , 박막 의 막 두께 의 제 어 , 관리 는 대단히 중요 하 다 . 그 때문 에 , 종래 , 박막 의 절 연막 형성 후 , 본 프로세스 , 즉 실리콘 입자 를 형성 하 는 처리 를 하 기 전 에 세정 하 는 일 은 없 었 다 .