60 ㎛ 두께 의 열가소성 고분자 필름 을 반도체 전극 과 대향 전극 사이 에 두 고 100 ℃ 에서 9 초간 압착 시킴 으로써 두 전극 을 접합 시켰 다 . 대향 전극 에 형성 된 미세 구멍 을 통하 여 산화 - 환원 전해질 을 주입 시키 고 , 커버 글라스 와 열 가소 성 고분자 필름 을 이용 하 여 미세 구멍 을 막 음 으로써 염료 감응 태양 전지 를 제작 하 였 다 . 이때 이용 된 산화 - 환원 전해질 은 0 . 62 M 의 1 , 2 - 디 메틸 - 3 - 헥 실 이미 다 졸리움 아이 오 다 이드 ( 1 , 2 - dimethyl - 3 - hexylimidazolium iodide ) , 0 . 5 M 의 2 - 아미노 피리미딘 ( 2 - aminopyrimidine ) , 0 . 1 M 의 LiI 와 0 . 05 M 의 I 2 를 아 세토 나이트릴 ( acetonitrile ) 용매 에 용해 시킨 것 을 이용 하 였 다 .