그런데 , 이 와 같 은 제조 공정 에 있 어서 , 생산 성 향상 의 관점 에서 고감도 화 가 요구 되 고 있 다 . 한편 으로 , 노광 방식 도 용도 에 따라 다양 화 하 고 있 어 , 레이저 에 의한 직접 묘화 에 의해 포토 마스크 를 필요 로 하 지 않 는 , 마스 크리스 노광 이 최근 급격 한 확대 를 보이 고 있 다 . 마스크 리스 노광 의 광원 으로 는 파장 350 ∼ 410 nm 의 광 , 특히 i 선 또는 h 선 ( 405 nm ) 이 사용 되 는 경우 가 많 다 . 따라서 , 이 들 파장역 , 특히 h 선 의 광원 에 대해 고감도 , 또한 고해상도 의 레지스 트 패턴 을 형성 할 수 있 는 것 이 중요 시 되 고 있 다 . 또한 , 전자 기기 의 소형 화 , 경량 화 에 수반 하 여 , 프린트 배 선판 의 미세화 , 고밀도 화 가 진행 되 고 있 어 , 해 상성 등 이 우수 한 고 성능 DF 가 요구 되 고 있 다 .