본 발명 에 따른 반도체 소자 의 게이트 는 , 반도체 기판 상 에 형성 된 게이트 절 연막 ; 상기 게이트 절 연막 상 에 형성 된 도핑 된 폴리 실리콘 막 ; 상기 도핑 된 폴리 실리콘 막 상 에 형성 된 제 1 확산 방지 막 ; 상기 제 1 확산 방지 막 상 에 형성 된 비정질 의 씨드 막 ( Seed Layer ) ; 상기 씨드 막 상 에 형성 된 제 2 확산 방지 막 ; 상기 제 2 확산 방지 막 상 에 형성 된 금속 막 ; 및 상기 금속 막 상 에 형성 된 하드 마스크 막 ; 을 포함 한다 .