구체 적 으로 , 상기 데이터 금속 패턴 을 형성 하 기 위해 상기 데이터 금속 막 ( 106 ) 을 습식 식각 할 수 있 다 . 이 경우 , 습식 식각 의 등방성 식각 특성 에 기인 한 습식 식각 임계 치수 ( Critical Dimension : CD ) 바이어스 는 0 . 2 ㎛ 내지 1 . 5 ㎛( 또는 , 이 와 유사 한 값 ) 일 수 있 으므로 , 예 를 들 어 , 소스 전극 ( 106 c ) 은 상기 습식 식각 임계 치수 바이어스 만큼 제 3 포토레지스트 패턴 ( 122 a ) 의 내측 에 형성 될 수 있 다 . 상기 습식 식각 임계 치수 바이어스 는 데이터 금속 막 ( 106 ) 의 두께 및 재질 , 식각 액 의 종류 등 에 따라 달라질 수 있 으므로 , 상술 한 바 에 국한 되 지 않 는다 . 여기 서 , 습식 식각 임계 치수 바이어스 의 수치 는 편측 의 수치 를 의미 한다 .