상기 상변화 층 ( 212 ) 을 구성 하 는 칼 코 게나 이드 계열 금속 원소 의 대표 적 인 예 는 , Ge , Se , Sb , Te , Sn , As 등 이 며 , 이 원소 들 의 적절 한 조합 에 의해 상기 칼 코 게나 이드 상변화 재료 가 형성 된다 . 아울러 , 상기 상변화 층 ( 212 ) 의 특성 향상 을 위해서 는 상기 칼 코 게나 이드 계 금속 원소 의 조합 이외 에 , Ag , In , Bi , Pb 등 의 원소 가 혼합 될 수 있 다 . 광 저장 장치 의 응용 예 에서 폭넓 게 사용 되 는 재료 로 는 , Ge , Sb , Te 이 2 : 2 : 5 의 비율 로 조합 된 Ge 2 Sb 2 Te 5 가 가장 일반 적 이 며 , 상변화 메모리 소자 의 제조 에 도 이 재료 를 사용 할 수 있 다 . 상기 상변화 층 ( 212 ) 의 형성 방법 으로 는 다원 계 스퍼터링 성막 법 또는 일원 계 전자 빔 증착 법 등 을 사용 할 수 있 다 .