다음 , 도 3 d 에 도시 한 바 와 같이 , 상기 순차 적층 된 제 1 교류 자기 실리콘 층 ( 110 ) 과 제 2 순수 비정질 실리콘 층 ( 115 ) 과 불순물 비정질 실리콘 층 ( 120 ) 을 포토레지스트 의 도포 , 노광 마스크 를 이용 한 노광 , 현상 및 식각 등 일련 의 단위 공정 을 포함 하 는 마스크 공정 을 진행 하 여 패 터닝 함 으로써 스위칭 영역 ( TrA ) 에 폴리 실리콘 특성 을 갖 는 제 1 실리콘 층 ( 111 ) 과 순수 비정질 실리콘 의 제 2 실리콘 층 ( 116 ) 과 불순물 비정질 실리콘 의 제 3 실리콘 층 ( 121 ) 으로 이루어진 3 중층 구조 의 반도체 층 ( 125 ) 을 형성 한다 .