본 발명 은 ( a ) 화학 증폭 형 레지스 트 조성물 로 막 을 형성 하 는 공정 , ( b ) 상기 막 을 광 에 노광 하 는 공정 , ( c ) 상기 노광 된 막 을 유기 용제 를 포함 하 는 현상액 을 사용 해서 현상 하 는 공정 , 및 ( d ) 상기 현상 된 막 을 유기 용제 를 포함 하 고 현상액 의 비중 보다 큰 비중 을 갖 는 린스 액 을 사용 해서 린 싱하 는 것 을 포함 하 는 패턴 형성 방법 이 다 .