또한 , 본 발명 은 100 ℃ 이하 의 저온 에서 무기 절 연막 인 알루미나 박막 을 형성 함 으로써 , 투습 도 , 투 산 소도 를 높임 으로써 대향 전극 이 산화 됨 으로써 발생 하 는 발광 픽셀 의 면적 줄어듦 ( edge shrinkage ) 을 막 을 수 있 으며 , 무기 절 연막 의 화학 적 안정 성 을 증가 시킴 으로써 저온 에서 무기 절 연막 상 에 유기물 격벽 을 형성 하 여도 격벽 하층 의 절 연막 이 손상 되 는 것 을 방지 할 수 있 다 .