반도체 물질 에 대해 대안 적 또는 부가 적 으로 , 제 1 필터 부재 는 파장 변환 물질 을 포함 할 수 있 고 , 상기 파장 변환 물질 은 제 2 파장 영역 을 포함 한 비 간섭 성 제 2 전자기 복사 를 제 3 파장 영역 을 포함 한 전자기 복사 로 변환 하 기 에 적합 하 며 , 상기 제 3 파장 영역 은 제 2 스펙트럼 과 상이 하 다 . 파장 변환 물질 은 반도체 물질 과 같이 한계 세기 및 포화 거동 을 포함 할 수 있 다 . 파장 변환 물질 의 한계 세기 는 물질 의 선택 및 두께 에 의해 조절 되 되 , 비 간섭 성 제 2 전자기 복사 가 제 1 필터 부재 를 아직 포화 시킬 수 없 도록 조절 되 며 , 반면 간섭 성 제 1 전자기 복사 의 제 1 세기 는 한계 세기 보다 커서 , 제 1 필터 부재 는 복사 아웃 커플링 면 의 제 1 부분 영역 에 걸쳐 포화 되 며 , 간섭 성 제 1 전자기 복사 의 적어도 일부 에 대해 투명 하 다 . 부가 적 또는 대안 적 으로 , 상기 에 기술 된 반도체 물질 도 여기 된 전자 상태 의 안정 화 시 제 3 스펙트럼 을 가진 전자기 복사 를 방출 하 여 적어도 부분 적 으로 파장 변환 물질 과 같 은 역할 을 할 수 있 다 .