상술 한 사진 식각 공정 에 있 어서 중요 한 공정 변수 는 상기 포토레지스트 패턴 이 적합 한 프로 파일 을 갖 는가 에 있 다 . 상기 포토레지스트 패턴 의 프로파일 은 포토레지스트 막 을 형성 하 는 스핀코팅 공정 , 베이 킹 공정 , 노광 공정 및 현상 공정 에서 발생 되 는 변수 에 의해 결함 이 발생 될 수 있 다 . 따라서 , 상기 결합 을 갖 는 포토레지스트 패턴 을 식각 공정 에 적용 하 여 반도체 소자 의 미세 패턴 을 형성 할 경우 형성 되 는 패턴 또한 결함 이 발생 되 는 문제점 이 발생 된다 . 또한 , 형성 되 는 포토레지스트 패턴 에 결합 을 발생 될 경우 에 는 상기 포토레지스트 패턴 을 상기 반도체 기판 으로부터 제거 한 후 상기 기판 상 에 다시 포토레지스트 패턴 을 다시 형성 하 는 반도체 기판 의 리 워크 공정 을 수행 해야 한다 .