다음 에 , 레지스 트 마스크 ( 81 ) 를 애 싱 한다 . 이 결과 , 레지스 트 의 면적 이 축소 하 여 , 두께 가 얇 아 진다 . 이 때 , 막 두께 가 얇 은 영역 의 레지스 트 ( 게이트 전극 ( 51 ) 의 일부 와 중첩 하 는 영역 ) 는 제거 되 고 , 도 17 ( A ) 에 나타내 는 바 와 같이 , 분 리 된 레지스 트 마스크 ( 86 ) 를 형성 할 수 있 다 .