이때 , 제 2 영역 ( AR 12 ) 은 제 1 제어 전극 ( CE 1 ) 과 평면 상 에서 중첩 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 제 2 영역 ( AR 12 ) 의 평면 상 에서 의 형상 은 제 1 제어 전극 ( CE 1 ) 의 평면 상 에서 의 형상 과 동일 할 수 있 다 . 초기 제 1 반도체 패턴 ( SP 1 - A ) 에 소정 의 도 펀트 물질 을 주입 하 는 공정 에서 , 제 1 제어 전극 ( CE 1 ) 은 마스크 역할 을 할 수 있 다 . 이 에 따라 , 제 1 영역 ( AR 11 ) 과 제 2 영역 ( AR 12 ) 의 경계 및 제 2 영역 ( AR 12 ) 과 제 3 영역 ( AR 13 ) 의 경계 는 각각 제 1 제어 전극 ( CE 1 ) 의 가장자리 를 따라 정렬 될 수 있 다 .