또한 , 실시 예 1 과 마찬가지 로 , 제 7 공정 후 에 , 소자 가 부착 된 망형 직조 기재 ( 1 ) 의 양면 을 가요 성 과 광 투과성 을 구비 한 , 예컨대 , 실란 커플링 제 의 피막 등 의 절연성 보호막 ( 6 ) 으로 피복 하 는 공정 ( 청구 항 5 의 피복 공정 에 상당 함 ) 을 구비 하 여도 무방 하 고 , 실시 예 2 와 마찬가지 로 , 소자 가 부착 된 망형 직조 기재 ( 1 ) 의 양면 에 가요 성 과 광 투과성 을 구비 한 합성 수지 시트 재 ( 40 ) 를 포개 어 가열 가압 함 으로써 반도체 소자 가 부착 된 망형 직조 기재 ( 1 A ) 로 하 는 공정 ( 청구 항 6 의 중합 공정 에 상당 함 ) 을 구비 하 여도 무방 하 다 .