상기 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 쇼트 키 장벽 관통 트랜지스터 의 제조 방법 은 , 절연물 기판 상 에 반도체 채널 층 을 형성 하 는 단계 ; 상기 반도체 채널 층 에 더미 ( dumy ) 게이트 를 형성 하 는 단계 ; 상기 절연물 기판 상 의 상기 더미 게이트 양쪽 에 각각 접하 는 위치 에 소스 및 드레 인 을 형성 하 는 단계 ; 상기 더미 게이트 를 제거 하 는 단계 ; 상기 더미 게이트 가 제거 된 측벽 에 절 연막 을 형성 하 는 단계 ; 상 기 더미 게이트 가 제거 된 공간 에 액 추 얼 ( actual ) 게이트 를 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .