또한 반도체 장치 를 구성 하 는 박막 ( 절 연막 , 반도체 막 , 도전 막 등 ) 은 스퍼터링 법 , CVD 법 , 진공 증착 법 , PLD 법 , ALD 법 등 을 사용 하 여 형성 할 수 있 다 . CVD 법 으로서 는 , PECVD 법 이나 열 CVD 법 등 이 있 다 . 또한 열 CVD 법 의 한 종류 로서 , 유기 금속 화학 기상 퇴적 ( MOCVD : Metal Organic CVD ) 법 이 있 다 .