도 3 을 참조 하 면 , 본 발명 의 제 1 실시 예 에 따른 반도체 장치 는 다 이 패드 ( 301 ) 를 구비 한다 . 상기 다 이 패드 ( 301 ) 는 도전 성 물질 막 으로 형성 될 수 있 다 . 상기 다 이 패드 ( 301 ) 의 측면 에 는 긴 직사각 형 의 형태 로 상기 다 이 패드 ( 301 ) 로부터 신장 되 어 형성 된 접지 단자 들 ( 302 ) 이 위치 할 수 있 다 .