제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터 들 ( Ts _ 1 , Ts _ 2 ) 각각 이 P 타입 의 트랜지스터 라고 가정 하 고 , 도 5 의 제 1 방향 ( DR 1 ) 을 따른 제 1 누설 전류 ( Ioff _ 1 ) 의 관점 에서 보 면 , 도 4 의 제 1 전도성 영역 ( 120 b 1 ) 및 제 3 전도성 영역 ( 120 b 3 ) 은 각각 제 1 스위칭 트랜지스터 ( Ts _ 1 ) 의 소스 영역 및 드레 인 영역 일 수 있 다 . 따라서 , 제 1 광폭 밴드 - 갭 영역 ( 120 c 1 ) 은 제 1 스위칭 트랜지스터 ( Ts _ 1 ) 의 채널 영역 인 제 1 채널 영역 ( 120 a 1 ) 과 상기 제 1 스위칭 트랜지스터 ( Ts _ 1 ) 의 드레 인 영역 인 제 3 전도성 영역 ( 120 b 3 ) 사이 의 접합부 ( 즉 , Drain - to - Active Junction ) 에 위치 한다 . 제 1 광폭 밴드 - 갭 영역 ( 120 c 1 ) 에 의해 제 1 스위칭 트랜지스터 ( Ts _ 1 ) 의 채널 영역 과 드레 인 영역 의 사이 에서 밴드 - 갭 이 넓 어 질 경우 , 제 1 스위칭 트랜지스터 ( Ts _ 1 ) 의 누설 전류 가 효과 적 으로 저감 또는 방지 될 수 있 다 .