다음 으로 , 도 3 e 에 도시 된 바 와 같이 , 상기 소오 스 전극 ( 22 ) 과 드레 인 전극 ( 23 ) 및 데이터 라인 ( 17 ) 이 형성 된 어레이 기판 ( 10 ) 전면 에 보호막 ( 15 b ) 을 증착 한 후 , 포토 리소그래피 공정 ( 제 5 마스크 공정 ) 을 통해 상기 보호막 ( 15 b ) 의 일부 영역 을 제거 하 여 상기 드레 인 전극 ( 23 ) 의 일부 를 노출 시키 는 콘 택 홀 ( 40 ) 을 형성 한다 .