그리고 , 상기 실리콘 기판 ( 100 ) 의 주변 회로 지역 에서 는 일부 활성 영역 에 만 선택 적 으로 산화 막 ( 110 ) 이 형성 되 고 소자 분리 영역 에 소자 분리 막 ( 130 ) 이 형성 되 며 , 상기 에 피층 ( 120 ) 은 상기 산화 막 ( 110 ) 과 소자 분리 막 ( 130 ) 으로 둘러싸여 실리콘 기판 ( 100 ) 과 접촉 되 지 않 도록 형성 됨 과 아울러 상기 산화 막 ( 110 ) 이 형성 되 지 않 은 나머지 활성 영역 에서 는 상기 실리콘 기판 ( 100 ) 과 에 피층 ( 120 ) 이 서로 접촉 되 어 있 다 .