본 발명 의 일 실시 예 에 따른 반도체 소자 의 패턴 형성 방법 은 , 유기 반사 방지 막 조성물 을 피식 각층 상부 에 도포 하 는 단계 , 도포 된 조성물 을 베 이킹 공정 을 통해 경화 시키 고 , 가교 결합 을 형성 시켜 유기 반사 방지 막 을 형성 하 는 방지 막 형성 단계 , 유기 반사 방지 막 상부 에 포토레지스트 를 도포 하 고 , 노광 후 현상 하 여 포토레지스트 패턴 을 형성 하 는 단계 및 포토레지스트 패턴 을 식각 마스크 로 하 여 유기 반사 방지 막 을 식각 한 후 , 피식 각층 을 식각 하 여 피식 각층 의 패턴 을 형성 하 는 단계 를 포함 한다 .