본 발명자 들 은 , 상기 과제 를 해결 하 기 위해서 예의 검토 를 행하 였 다 . 이 결과 , Si 함유량 이 0 . 4 질량 ％ 이상 인 경우 , 냉 연판 어닐링 중 에 Si 산화물 이 강판 의 표면 에 형성 되 고 , 이 Si 산화물 이 화성 처리 성 을 저하 시키 고 있 다는 것 이 밝혀졌 다 . Si 산화물 은 산세 에 의해 제거 할 수 있 지만 , 산세 를 행하 면 산세 후 의 수세 중 에 강판 의 표면 에 Fe 산화 막 이 생성 되 어 성장 하 고 , 잔류 하 는 것 도 밝혀졌 다 . 또한 , 강판 의 표면 에 생성 한 Fe 산화 막 이 두 꺼 울 수록 , 화성 처리 성 이 열화 된다는 것 이 밝혀졌 다 . Ni 도금 처리 에 의해 화성 처리 성 을 향상 시키 는 것 은 가능 하 지만 , 상기 한 바 와 같이 Ni 도금 처리 를 실시 하 면 탈지 성 이 열화 되 어 버린다 . 이 와 같이 , 본 발명자 들 에 의한 검토 의 결과 , Si 함유량 이 0 . 4 질량 ％ 이상 인 경우 에 , 화성 처리 성 및 탈지 성 의 양립 이 곤란 하 다는 것 이 밝혀졌 다 .