또한 상술 한 발광 장치 는 , FET 가 형성 된 기판 ( 1001 ) 측 으로 광이 추출 되 는 구조 ( 보텀 이 미션 형 ) 의 발광 장치 이 지만 , 밀봉 기판 ( 1031 ) 측 으로 광이 추출 되 는 구조 ( 톱 이 미션 형 ) 의 발광 장치 이 어도 좋 다 . 톱 이 미션 형 발광 장치 의 단면도 를 도 4 에 도시 하 였 다 . 이 경우 , 기판 ( 1001 ) 으로서 는 광 을 투과 시키 지 않 는 기판 을 사용 할 수 있 다 . FET 와 발광 디바이스 의 양극 을 접속 하 는 접속 전극 을 제작 하 는 단계 까지 는 보텀 이 미션 형 발광 장치 와 같 은 식 으로 형성 한다 . 그 후 , 전극 ( 1022 ) 을 덮 어 제 3 층간 절 연막 ( 1037 ) 을 형성 한다 . 이 절연 막 은 평탄 화 의 역할 을 가져도 좋 다 . 제 3 층간 절 연막 ( 1037 ) 은 제 2 층간 절 연막 과 같 은 재료 를 사용 하 여 형성 할 수 있 고 , 다른 공지 의 재료 를 사용 하 여 형성 할 수 도 있 다 .