또한 상기 각 실시 형태 에서 는 , 노광 장치 의 조명 광 ( IL ) 으로 는 파장 100 ㎚ 이상 의 광 에 한정 되 지 않 고 , 파장 100 ㎚ 미만 의 광 을 사용 해도 되 는 것 은 말 할 필요 도 없 다 . 예 를 들 어 노광 파장 5 ∼ 15 ㎚ 의 파장역 , 예 를 들 어 13 . 5 ㎚ 하 에서 설계 된 전반사 축소 광학계 , 및 반사 형 마스크 를 사용 한 EUV 노광 장치 에 도 본 발명 을 바람직 하 게 적용 할 수 있 다 . 이 밖 에 , 전자선 또는 이온 빔 등 의 하전 입자선 을 사용 하 는 노광 장치 에 도 본 발명 은 적용 할 수 있 다 .