또한 , 오 목부 가 형성 된 희생 기판 상 에 버퍼 층 및 제 1 화합물 반도체 층 을 형성 한 다음 , 오 목부 의 바닥 을 제외 한 상기 희생 기판 의 전역 에 절 연막 을 형성 하 고 , 희생 기판 의 각 오 목부 에 형성 된 제 1 화합물 반도체 상 에 제 1 화합물 반도체 층 을 더 형성 하 고 , 제 1 화합물 반도체 층 상 에 활성 층 , 제 2 화합물 반도체 층 을 형성 하 는 변형 예 가 가능 하 다 .