리모트 플 라즈 마 ( remote plasma ) CVD 공정 에서 , SiH 4 가스 가 역 흐름 ( back flow ) 에 의하 여 플 라즈 마 에 과도 하 게 노출 되 면 , SiH 4 가스 는 SiH 2 , SiH , SiH 3 +, SiH 2 +, SiH + 등 이 될 수 있 다 . 역 흐름 을 억제 하 기 위하 며 , 단원자 성 수소 라디칼 ( H *) 등 을 포함 한 라디칼 을 메 쉬 ( mesh ) 등 을 사용 하 여 추출 하 고 , 추출 된 단원자 성 수소 라디칼 ( H *) 과 주입 된 SiH 4 가스 와 상호 작용 하 면 , 에너지 효율 이 현저히 저하 된다 . 또한 , 리모트 플 라즈 마 ( remote plasma ) 는 대 면적 화 에 어려움 이 있 다 .