공통 소스 영역 을 포함 하 는 플래시 메모리 셀 의 제조 방법 에 있 어서 , 소자 분리 막 을 가지 는 반도체 기판 위 에 게이트 라인 을 형성 하 는 단계 , 상기 공통 소스 영역 을 제외 한 상기 반도체 기판 및 상기 게이트 라인 위 에 자기 정렬 마스크 를 형성 하 는 단계 , 상기 자기 정렬 마스크 또는 상기 게이트 라인 을 마스크 로 삼 아 상기 공통 소스 영역 에 존재 하 는 상기 소자 분리 막 을 제거 하 고 그 에 따른 부산물 을 균일 하 게 증착 하 는 단계 , 그리고 상기 노출 된 공통 소스 영역 위 에 불순물 이온 을 주입 하 는 단계 를 포함 하 며 , 상기 소자 분리 막 제거 는 플라스마 장치 내 에 C 5 F 8 가스 , CH 2 F 2 가스 , 그리고 Ar 가스 를 유입 하 여 진행 할 수 있 다 .