또한 , 본 발명 에서 는 , 피 가 공체 상 에 탄소 를 주성분 으로 하 는 유기 하드 마스크 를 CVD 법 으로 형성 하 고 , 상기 유기 하드 마스크 상 에 상기 규소 함유 레지스 트 하층 막 형성 용 조성물 을 이용 하 여 규소 함유 레지스 트 하 층막 을 형성 하 며 , 상기 규소 함유 레지스 트 하층 막 상 에 화학 증폭 형 레지스 트 조성물 을 이용 하 여 포토레지스트 막 을 형성 하 고 , 가열 처리 후 에 고 에너지 선 등 으로 상기 포토레지스트 막 을 노광 하 며 , 유기 용제 현상액 을 이용 하 여 상기 포토레지스트 막 의 미노 광부 를 용해 시킴 으로써 네거티브 형 패턴 을 형성 하 고 , 상기 네거티브 형 패턴 이 형성 된 포토레지스트 막 을 마스크 로 하 여 상기 규소 함유 레지스 트 하층 막 에 드라이 에칭 으로 패턴 전사 하 며 , 상기 패턴 이 전사 된 규소 함유 레지스 트 하 층막 을 마스크 로 하 여 상기 유기 하드 마스크 를 드라이 에칭 으로 패턴 전사 하 고 , 또한 상기 패턴 이 전사 된 유기 하드 마스크 를 마스크 로 하 여 상기 피 가 공체 에 드라이 에칭 으로 패턴 을 전사 하 는 것 을 특징 으로 하 는 패턴 형성 방법 을 제공 할 수 있 다 ( 소위 「 다층 레지스 트 법 」 ) .