PD ( 76 - 1 , 76 - 2 , 76 - 3 , 76 - 4 ) 는 그 들 주위 의 반도체 기판 표면 에 형성 되 는 분리 영역 ( 80 ) 에 의해 구획 된다 . 분리 영역 ( 80 ) 으로서 , 예 를 들 면 , 고농도 의 p 형 불순물 이 확산 된 p + 영역 이 형성 된다 . 실리콘 기판 의 수 광부 에 대응 한 부분 에서 는 , 광 의 흡수 에 의해 전자 및 정공 이 생성 된다 . 각 PD ( 76 ) 에 는 , 그 캐소드 로서 , 생성 된 전하 중 전자 를 모으 는 캐소드 영역 ( 82 ) 이 배치 된다 . 캐소드 영역 ( 82 ) 으로서 , 예 를 들 면 , 고농도 의 n 형 불순물 이 확산 된 n + 영역 이 형성 된다 .