여기 서 , 상기 부유 게이트 는 폴리 실리콘 층 , SONOS ( Silicon - Oxide - Nitride - Oxide - Silicon ) 또는 MNOS ( Metal - Nitride - Oxide - Silicon ) 구조 를 형성 하 는 질화 막 층 , 비정질 실리콘 층 , 금속 산화물 층 , 실리콘 질화 막 층 , 실리콘 나노 결정 층 , 금속 나노 결정 층 또는 금속 산화물 나노 결정 층 중 어느 하나 일 수 있 다 .