본 발명자 들 은 , 이러 한 건식 분급 품 을 , 본 발명 에 관한 상기 공정 ( b ) 에서 처리 하 고 , 또한 상기 공정 ( c ) 및 ( d ) 에서 처리 해 보 았 지만 , 도 5 ( 배율 3000 배 ) 및 도 6 ( 배율 10000 배 ) 의 전자 현미경 사진 ( SEM 사진 ) 에 도시 하 는 바 와 같이 , 입자 의 표면 에 생긴 요철 ( 부착물 과 표면 마모 등 에 의해서 생긴 것 ) 은 수복 할 수 없 는 것 을 알 수 있 었 다 . 따라서 , 표면 평활 성 을 구비 한 다공질 실리카 계 입자 를 제조 하 기 위해서 는 , 건식 분급 장치 를 이용 해서 는 안 되 는 것 을 알 수 있 었 다 .