도 5 는 상술 한 기판 처리 장치 ( 10 ) 를 사용 하 여 , 상기 실시 형태 에 있 어서 나타낸 처리 조건 에서 웨이퍼 를 처리 했 을 경우 , 웨이퍼 를 처리 하 기 전 에 웨이퍼 표면 ( 절 연막 표면 ) 의 세정 을 했 을 경우 와 , 웨이퍼 를 처리 하 기 전 에 웨이퍼 표면 의 세정 을 하 지 않 았 을 경우 와 는 , 처리 시간 의 경과 와 함께 웨이퍼 표면 에 형성 되 는 실리콘 막 의 막 두께 가 어떻 게 증가 하 는 경향 이 있 는지 나타내 고 있 다 . 도면 중 횡축 은 처리 시간 ( 분 ) , 즉 실리콘 계 가스 의 공급 시간 을 나타내 고 있 으며 , 종축 은 웨이퍼 표면 의 절 연막 상 에 형성 되 는 실리콘 막 의 막 두께 ( nm ) 를 나타내 고 있 다 . 또한 , 전 ( 前 ) 세정 없 음 은 웨이퍼 를 처리 하 기 전 에 웨이퍼 표면 을 세정 하 지 않 은 경우 , 전 ( 前 ) 세정 있 음 은 웨이퍼 를 처리 하 기 전 에 웨이퍼 표면 을 세정 한 경우 를 각각 나타내 고 있 다 . 어느 경우 도 웨이퍼 를 처리 할 때 의 처리 조건 은 동일 하 게 했 다 . 실시 예 1 에서 는 실리콘 계 가스 만 을 사용 해 처리 하 고 , 도 펀트 가스 는 사용 하 지 않 았 다 . 실리콘 계 가스 로서 는 모노 실란 ( SiH 4 ) 을 사용 했 다 .