본 실시 예 에 의하 면 , 사이드 월 ( 131 , 113 ) 사이 에 매립 도전 막 ( 114 ) 을 매립 하 여 , 매립 도전 막 ( 114 ) 을 확산 층 ( 112 ) 을 따라 확산 층 ( 112 ) 상 에 형성 하 는 구성 이 기 때문 에 , 매립 도전 막 ( 114 ) 에 의해 확산 층 ( 112 ) 의 도전 율 을 충분히 보상 할 수 있 다 . 바꿔 말 하 면 , 매립 도전 막 ( 114 ) 과 확산 층 ( 112 ) 으로 구성 되 는 배선 ( 비트 라인 ) 의 저항 값 을 저감 할 수 있 다 .