도 4 b 를 참조 하 면 , 게이트 전극 ( 22 ) 을 포함 하 는 게이트 절 연막 ( 23 ) 상 에 채널 영역 ( 24 a ) , 소스 영역 ( 24 b ) 및 드레 인 영역 ( 24 c ) 을 제공 하 는 반도체 층 ( 24 ) 을 형성 한다 . 반도체 층 ( 24 ) 은 산소 이온 을 포함 하 는 화합물 반도체 로서 , 산화아연 ( ZnO ) 이나 , 갈륨 ( Ga ) , 인듐 ( In ) , 스 태 늄 ( Sn ) 등 이 도핑 된 산화아연 ( ZnO ) 을 주성분 으로 하 는 화합물 반도체 등 으로 형성 할 수 있 다 .