다음 으로 본 발명 은 제 3 단계 ( 도 4 과 5 에 도시 ) : 상기 하부 챔버 ( 20 ) 를 더 가온 시켜 챔버 내 의 도가니 ( 70 ) 온도 를 1100 - 1400 ℃ 로 가온 시키 되 , 도가니 ( 70 ) 하단 기준점 ( 85 ) 상부 만 으로 한정 시키 는 2 차 승 온의 단계 를 거친다 . 즉 , 도시 된 도면 에서 처럼 씨드 ( 71 ) 바로 상부 를 기준점 으로 하 여 그 상단 의 온도 를 상승 시켜 주 는 것 이 다 . 따라서 갈륨비소 ( 4 ) 합성물 ( 4 ) 인 씨드 ( 71 ) 는 액화 되 지 않 고 고체 로 남 아 있 으며 , 그 상부 의 갈륨 ( 2 ) 만 액상 으로 존재 한다 . 물론 상기 갈륨 ( 2 ) 의 상부 에 는 산화 붕소 ( 3 ) 액체 가 층 을 이루 면서 덮여 있 다 . 여기 서 본 발명 에서 는 갈륨 은 도면 의 부호 2 , 비소 는 1 갈륨 과 비소 가 화합 된 갈륨비소 는 4 로 표시 하 되 , 갈륨비소 는 합성물 이 라고 칭하 기 도 한다 .