도 3 c 를 참조 하 면 , 제 2 소오 스 / 드레 인 영역 ( SD 2 ) 이 반도체 막 ( 100 ) 내 에 형성 될 수 있 다 . 일 예 로 , 제 2 소오 스 / 드레 인 영역 ( SD 2 ) 은 활성 패턴 ( 110 ) 아래 에 배치 된 반도체 막 ( 100 ) 내 에 형성 될 수 있 다 . 다른 예 로 , 제 2 소오 스 / 드레 인 영역 ( SD 2 ) 은 활성 패턴 ( 110 ) 아래 에 배치 된 반도체 막 ( 100 ) 및 활성 패턴 ( 110 ) 의 하부 내 에 형성 될 수 있 다 . 제 2 소오 스 / 드레 인 영역 ( SD 2 ) 은 활성 패턴 ( 110 ) 아래 에 배치 된 반도체 막 ( 100 ) 에 이온 주입 공정 을 수행 하 여 형성 될 수 있 다 . 필요 에 따라 , 이온 주입 공정 후 에 불순물 확산 공정 이 추가 로 수행 될 수 있 다 . 제 2 소오 스 / 드레 인 영역 ( SD 2 ) 은 반도체 막 ( 100 ) 과 다른 도전 형 ( 예 를 들 어 , P 형 ) 의 불순물 이 도핑 되 어 형성 될 수 있 다 .