상기 반도체 층 ( 300 ) 은 P ( Positive ) 형 반도체 층 , I ( Intrinsic ) 형 반도체 층 및 N ( Negative ) 형 반도체 층 이 순서 대로 적층 된 PIN 구조 로 형성 될 수 있 다 . 이 와 같이 상기 반도체 층 ( 300 ) 이 PIN 구조 로 형성 되 면 , I 형 반도체 층 이 P 형 반도체 층 과 N 형 반도체 층 에 의해 공핍 ( depletion ) 이 되 어 내부 에 전기장 이 발생 하 게 되 고 , 태양광 에 의해 생성 되 는 정공 및 전자 가 상기 전기장 에 의해 드리프트 ( drift ) 되 어 각각 P 형 반도체 층 및 N 형 반도체 층 에서 수집 되 게 된다 .