본 발명 에서 언급 하 는 플라 즈 마는 다이렉트 플라 즈 마 ( direct plasma ) 방식 에 의하 여 형성 될 수 있 다 . 상기 다이렉트 플라 즈 마 방식 은 , 예 를 들 어 , 전처리 가스 , 공정 가스 및 / 또는 후처리 가스 를 전극 과 기판 사이 의 처리 공간 에 공급 하 고 RF 전력 을 인가 함 으로써 , 전처리 가스 , 공정 가스 및 / 또는 후처리 가스 의 플 라즈 마가 챔버 내부 의 처리 공간 에서 직접 형성 되 는 방식 을 포함 한다 .