한편 , 본원 에 따르 면 제 1 기재 상 의 공극 에 삽입 된 입자 가 모여 1 D , 2 D , 3 D 의 특정 패턴 또는 모양 을 형성 할 수 있 다 . 비 제한 적 인 예 로 는 1 D 와이어 ( wires ) , 1 D 줄무늬 ( stripes ) 와 같 은 1 차원 패턴 , 2 D 스퀘어 네트 ( square net ) 배열 과 같 은 2 차원 패턴 및 크리스탈 격자 구조 와 유사 한 3 차원 패턴 을 형성 할 수 있 다 . 이때 , 제 1 기재 상 에 형성 된 입자 들 의 상기 패턴 또는 모양 은 1 또는 2 이상 일 수 있 다 . 상기 입자 에 의해 형성 되 는 패턴 의 크기 는 제한 되 지 않 으나 , ( 길 이 / 폭 / 높이 상 ) 1 mm 내지 15 cm , 또는 5 mm 내지 5 cm , 또는 8 mm 내지 2 cm 일 수 있 다 . 본원 에 따르 면 상기 입자 들 은 기재 상 에 fcc ( 100 ) 정렬 , fcc ( 111 ) 정렬 또는 이 들 의 혼합 정렬 로 배치 될 수 있 다 . 즉 , 본원 은 하나 의 기재 상 에 동일 한 정렬 또는 대칭 성 이 다른 2 이상 의 정렬 로 도 동시 에 입자 들 을 배치 시킬 수 있 다 .