채널 층 ( 30 ) 은 폴리 실리콘 혹은 단결정 실리콘 을 포함 할 수 있 으며 , 일부 영역 에 붕소 ( B ) 와 같 은 P 형 불순물 을 포함 할 수 도 있 다 . 채널 층 ( 30 ) 은 그 중심 영역 까지 완전히 채워진 필라 혹은 속 이 찬 원기둥 현상 을 가질 수 있 다 . 채널 층 ( 30 ) 은 중심 영역 이 오픈 된 튜브 형상 을 가질 수 있 다 . 이러 한 경우 , 채널 층 ( 30 ) 의 오픈 된 중심 영역 에 는 매립 절 연막 이 형성 될 수 있 다 . 게이트 절연 층 ( 32 ) 은 채널 층 ( 30 ) 의 외벽 를 감싸 는 스트로 우 ( straw ) 또는 실린더 쉘 ( cylinder shell ) 형상 을 가질 수 있 다 . 게이트 절연 층 ( 32 ) 은 도시 하 지 않 았 지만 채널 층 ( 30 ) 의 외측 벽 으로부터 순차 적 으로 적층 된 터널 절 연막 , 전하 저 장막 및 블록 킹 막 을 포함 할 수 있 다 . 터널 절연 막 은 실리콘 산화물 , 하프늄 산화물 , 알루미늄 산화물 , 지르코늄 산화물 , 탄탄 륨 산화물 등 을 포함 할 수 있 다 . 전하 저장 막 은 실리콘 질화물 , 보론 질화물 , 실리콘 보론 질화물 또는 불순물 이 도핑 된 폴리 실리콘 층 을 포함 할 수 있 다 . 블록 킹 막 은 실리콘 산화물 , 실리콘 질화물 , 하프늄 산화물 , 알루미늄 산화물 , 지르코늄 산화물 , 탄탄 륨 산화물 등 의 단일 막 또는 적층 막 을 포함 할 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 게이트 절연 층 ( 32 ) 은 산화 막 - 질화 막 - 산화 막 이 순차 적 으로 적층 된 ONO ( Oxide - Nitride - Oxide ) 적층 구조 를 가질 수 있 다 . 전 극막 들 ( 20 ) 이 수직 채널 들 ( CH ) 을 감싸 는 부분 들 에 는 소스 선택 트랜지스터 들 , 메모리 셀 들 , 드레 인 선택 트랜지스터 들 이 구성 될 수 있 다 .