재 배선 절연 층 ( 110 ) 은 복수 의 절연 층 ( 111 , 113 , 115 ) 을 포함 할 수 있 다 . 상기 복수 의 절연 층 ( 111 , 113 , 115 ) 각각 은 예 를 들 어 , 유기 화합물 로 구성 된 물질 막 으로부터 형성 될 수 있 다 . 예 시 적 인 실시 예 들 에서 , 복수 의 절연 층 ( 111 , 113 , 115 ) 각각 은 유기 고분자 물질 로 구성 된 물질 막 으로부터 형성 될 수 있 다 . 예 시 적 인 실시 예 들 에서 , 복수 의 절연 층 ( 111 , 113 , 115 ) 각각 은 포토 레지스 트 공정 이 가능 한 PID ( Photo Imageable Dielectic ) 소재 의 절연 물질 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 복수 의 절연 층 ( 111 , 113 , 115 ) 각각 은 감광성 폴리 이미드 ( photosensitive polyimide , PSPI ) 로 형성 될 수 있 다 . 예 시 적 인 실시 예 들 에서 , 복수 의 절연 층 ( 111 , 113 , 115 ) 각각 은 산화물 또는 질화물 을 포함 할 수 도 있 다 . 예 를 들 어 , 복수 의 절연 층 ( 111 , 113 , 115 ) 각각 은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물 을 포함 할 수 도 있 다 .