또한 , 대한민국 공개 특허 공보 ( A ) 제 10 - 2018 - 0127124 호 ( 2018 . 11 . 28 ) 의 스 트레 처 블 전자 소자 및 그 의 제조 방법 에 의하 면 , “ 전극 ( 350 ) 은 게이트 도전 막 을 증착 하 고 , 게이트 도전 막 상 에 포토레지스트 패턴 을 형성 한 후 , 포토레지스트 패턴 을 마스크 로 하 여 게이트 도전 막 을 선택 적 으로 식각 ( 패 터닝 ) 함 으로써 형성 될 수 있 고 , 패 시베이 션 ( Passivation , 390 ) 층 을 형성 시켜 전극 을 보호 한다 . ” 라고 개시 되 어 있 다 ( 도 1 의 ( 나 ) 항 참조 ) .