여기 서 , 상기 스택 게이트 패턴 은 , 터널 산화 막 ; 소정 의 간격 으로 이격 된 복수 의 플로팅 게이트 ; 상기 복수 의 플로팅 게이트 각각 의 상부 및 측벽 을 감싸 는 게이트 간 유전 막 ; 및 상기 게이트 간 유전 막 위 에 형성 된 콘트롤 게이트 ; 를 포함 하 여 구성 된다 . 또한 , 필드 산화 막 의 선택 적 제거 는 SAS 식각 공정 에 의해 수행 될 수 있 다 . 나아가 , 비정질 층 은 상기 기판 을 구성 하 는 물질 과 동일 한 원자 가 전자 를 가지 는 불순물 을 이온 주입 하 여 형성 되 며 , 바람직 하 게 는 , 게르마늄 ( Ge ) 을 이온 주입 하 여 형성 된다 . 불순물 로서 , 게르마늄 ( Ge ) 을 이용 하 는 경우 , 1 ~ 100 ( KeV ) 의 이온 주입 에너지 , 1 E + 12 ~ 1 E + 16 ( ions / ㎠) 의 도우즈 , 및 상기 기판 표면 에 수직 한 수선 을 기준 으로 할 때 0 ~ 70 도 의 이온 주 입각 으로 이온 주입 하 는 것 이 바람직 하 다 .