도 3 b 에서 , SOI 구조 의 실리콘 기판 이 준비 되 면 buffer oxide 와 같 은 희생 층 ( 401 ) 을 증착 시키 고 , 도 3 c 에서 와 같이 감광액 도포 , 노광 및 현상 , 식각 ( etching ) 을 포함 한 패 터닝 ( patterning ) 과정 과 이온 주입 ( implantation ) 을 포함 한 도핑 ( doping ) 과정 을 통해 p + isolation 영역 ( 402 ) 을 형성 한다 .