도 9 를 참조 하 여 , 개구부 ( 70 ) 의 바닥 에 제 3 도 전체 ( 80 ) 를 형성 한다 . 제 3 도 전체 ( 80 ) 는 예 를 들 어 제 3 도 전체 를 위한 도전 물질 을 개구부 ( 70 ) 를 채우 도록 제 1 절 연막 ( 60 ) 상 에 형성 한 후 에 , 화학 적 기계 적 연마 ( CMP ) 같 은 평탄 화 공정 , 에치 백 공정 또는 이 들 의 조합 을 이용 하 여 , 제 3 도 전체 를 위한 도전 물질 의 일부분 을 제거 하 는 것 에 의해서 형성 될 수 있 다 . 제 3 도 전체 ( 80 ) 는 예 를 들 어 텅스텐 으로 형성 될 수 있 다 .