다른 하나 의 실시 예 에서 , 본 발명 은 반도체 소자 의 후면 에 있 는 제 1 기판 을 제공 하 는 단계 와 , 제 1 기판 상 에 제 1 절연 층 을 형성 하 는 단계 , 제 1 절연 층상 에 제 1 전도 층 을 형성 하 는 단계 , 제 1 전도 층상 에 제 1 패 시베이 션 층 을 형성 하 는 단계 , 제 1 전도 층 과 전기 적 으로 접촉 되 어 있 는 제 1 패 시베이 션 층상 에 제 2 전도 층 을 형성 하 는 단계 , 제 1 패 시베이 션 층상 에 제 2 패 시베이 션 층 을 형성 하 는 단계 , 제 2 패 시베이 션 층 에 캐리어 를 부착 하 는 단계 , 제 1 기판 을 제거 하 는 단계 , 반도체 소자 의 후면 에 있 는 제 1 절연 층상 에 논 - 실리콘 기판 을 형성 하 는 단계 와 상기 캐리어 를 제거 하 는 단계 를 포함 하 는 반도체 소자 의 제조 방법 이 다 .