세정 공정 을 습식 식각 공정 으로 실시 하 면 , 보이드 가 노출 되 면서 보이드 표면 의 소자 분리 막 ( 116 ) 도 함께 식각 된다 . 습식 식각 공정 시 소자 분리 막 은 등방 성 으로 식각 되 므로 , 보이드 가 형성 된 영역 에서 는 측 방향 으로 도 소자 분리 막 ( 116 ) 의 식각 이 진행 된다 . 따라서 , 소자 분리 막 ( 116 ) 의 상부 가 빠르 게 식각 되 어 높이 가 낮 아 지 고 , 이 로 인해 터널 절 연막 ( 102 ) 의 가장자리 가 노출 되 면서 터널 절 연막 ( 102 ) 에 식각 손상 이 발생 될 수 있 다 . 이 에 반해 , 세정 공정 을 건식 식각 공정 으로 진행 하 면 , 보이드 가 노출 되 더라도 반도체 기판 ( 100 ) 에 수직 방향 으로 소자 분리 막 ( 116 ) 의 식각 이 진행 되 므로 , 터널 절 연막 ( 102 ) 이 노출 되 는 것 을 방지 할 수 있 다 . 뿐 만 아니 라 , 도전 막 ( 104 ) 의 측벽 에 식각 손상 이 발생 되 는 것 도 방지 할 수 있 다 .