독 출 을 용이 하 게 하 고 , 독 출 오류 를 최소 화 하 기 위하 여 , 이진 메모리 소자 의 상기 메모리 상태 들 은 상기 두 상태 들 의 저항 의 대비 가 크 도록 선택 되 는 것 이 바람직 하 다 . 일반 적 으로 상기 설정 상태 ( 또는 상기 설정 상태 부근 의 상태 ) 와 상기 재 설정 상태 ( 또는 상기 재 설정 상태 부근 의 상태 ) 는 이진 메모리 응용 에서 메모리 상태 들 로서 선택 된다 . 상기 저항 대비 는 상기 칼 코 게나 이드 의 화학 적 조성 , 상기 소자 에서 의 칼 코 게나 이드 의 두께 , 및 상기 소자 의 기하학 구조 와 같 은 상세 한 부분 에 의존 한다 . 통상 의 이단자 ( two - terminal ) 소자 구조 에서 Ge 22 Sb 22 Te 56 의 조성 , ∼ 600 Å 의 두께 , 및 ∼ 0 . 1 μ m 미만 의 기공 직경 을 갖 는 상 - 변화 물질 층 에 있 어서 , 예 를 들 면 , 상기 재 설정 상태 의 저항 은 ∼ 100 내지 1000 k Ω 이 고 상기 설정 상태 의 저항 은 ∼ 10 k Ω 미만 이 다 . 일반 적 인 상 - 변화 물질 들 은 재 설정 상태 에서 ∼ 50 내지 ∼ 2000 k Ω 범위 의 저항 들 을 보이 고 , 설정 상태 에서 ∼ 0 . 5 k Ω 내지 ∼ 50 k Ω 의 저항 을 보인다 . 바람직 한 상 - 변화 물질 들 에서 , 상기 재 설정 상태 의 상기 저항 은 상기 설정 상태 의 상기 저항 보다 적어도 2 의 인자 ( factor ) 만큼 , 더욱 일반 적 으로 는 하나 의 차수 크기 ( an order of magnitude ) 또는 그 이상 만큼 크 다 . 이진 ( 소자 당 단일 비트 ) 메모리 응용 뿐 만 아니 라 , 칼 코 게나 이드 물질 들 은 상기 직접 겹쳐 쓰 기 상태 들 중 에서 설정 또는 그 이상 의 상태 들 을 선택 하 고 각 상태 와 정보 값 들 을 연관 지음 으로써 비 - 이 진 또는 소자 당 다중 비트 의 메모리 물질 들 로서 사용 될 수 도 있 다 . 여기 서 , 각 메모리 상태 는 상기 칼 코 게나 이드 의 구별 되 는 구조 적 상태 에 대응 되 고 그 들 이 구별 되 는 저항 값 에 의하 여 특성 화 된다 .