도 13 의 단면도 ( 1300 ) 에 의해 예시 된 바 와 같이 , 플로팅 게이트 스 페이서 ( 142 ) 가 플로팅 게이트 전극 ( 134 ) 및 제 어 게이트 스 페이서 ( 140 ) 의 측벽 상 에 형성 될 수 있 다 . 외측 더미 게이트 스 페이서 ( 172 p ) 도 또한 측벽 스 페이서 ( 172 a ) 의 외측 측벽 상 에 형성 될 수 있 다 . 플로팅 게이트 스 페이서 ( 142 ) 및 외측 더미 게이트 스 페이서 ( 172 p ) 는 산화물 또는 또 다른 적합 한 유전체 ( 들 ) 일 수 있 다 . 플로팅 게이트 스 페이서 ( 142 ) 및 외측 더미 게이트 스 페이서 ( 172 p ) 를 형성 하 는 프로세스 는 , 도 12 의 단면도 ( 1200 ) 에 의해 예시 된 구조물 위 에 플로팅 게이트 스 페이서 층 을 퇴적 한 다음 , 수직 에 대하 여 가장 얇 은 곳 의 플로팅 게이트 스 페이서 층 을 선택 적 으로 제거 하 는 플 라즈 마 에칭 또는 임의 의 다른 적합 한 에칭 프로세스 ( 들 ) 를 포함 할 수 있 다 . 플로팅 게이트 스 페이서 층 은 CVD , PVD , 또는 또 다른 적합 한 퇴적 프로세스 ( 들 ) 에 의해 컨 포 멀 하 게 퇴적 될 수 있 다 . 플로팅 게이트 스 페이서 ( 142 ) 및 외측 더미 게이트 스 페이서 ( 172 a ) 는 설명 을 쉽 게 하 기 위해 수직 측벽 으로 도시 되 어 있 다 . 보다 통상 적 으로 , 이 들 측벽 은 상부 에 라운 딩 되 어 있 으며 매끄럽 게 테이퍼 형 측벽 표면 을 형성 한다 .