본 발명 에 따른 다마 신 공정 을 이용 한 구리 금속 배선 의 형성 방법 은 , 반도체 기판 위 의 층간 절 연막 에 전기 화학 도금 법 을 이용 하 여 구리 도금 층 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 구리 도금 층 상면 에 구리 이외 의 금속 을 포함 하 는 캐 핑 막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 구리 도금 층 및 상기 캐 핑 막 을 열처리 하 는 단계 와 , 상기 기판 을 평탄 화 하 여 상기 층간 절 연막 에 구리 금속 배선 을 형성 하 는 단계 를 포함 한다 .