트랜지스터 ( 162 ) 는 절연 층 ( 128 ) 등 위 에 형성 된 산화물 반도체 층 ( 144 ) 과 , 산화물 반도체 층 ( 144 ) 과 전기 적 으로 접속 되 어 있 는 소스 전극 또는 드레 인 전극 ( 142 a ) , 및 소스 전극 또는 드레 인 전극 ( 142 b ) 과 , 산화물 반도체 층 ( 144 ) , 소스 전극 또는 드레 인 전극 ( 142 a ) , 및 소스 전극 또는 드레 인 전극 ( 142 b ) 을 덮 는 게이트 절연 층 ( 146 ) 과 , 게이트 절연 층 ( 146 ) 위 에 산화물 반도체 층 ( 144 ) 과 중첩 되 도록 형성 된 게이트 전극 ( 148 a ) 을 가진다 .