본 발명 의 다른 측면 에 따른 실리콘 단결정 잉곳 을 제조 하 는 방법 은 제 1 성장 조건 에서 실리콘 단결정 잉곳 의 성장 시뮬레이션 을 수행 하 는 단계 와 , 상기 실리콘 단결정 잉곳 의 성장 시뮬레이션 단계 에서 종자 결정 유동 의 운동량 과 도가니 의 실리콘 융액 유동 의 운동량 의 비 로 정의 되 는 MsMc 값 을 구하 는 단계 와 , 상기 MsMc 값 에 대응 하 는 산소 농도 의 값 이 13 ppma 내지 14 ppma 값 이 면 상기 제 1 성장 조건 을 선택 하 고 , 상기 MsMc 값 에 대응 하 는 산소 농도 의 값 이 13 ppma 내지 14 ppma 범위 를 벗어나 면 상기 제 1 성장 조건 의 공정 변수 를 변화 시키 는 단계 를 포함 한다 .