전술 한 바 와 같이 , 둘 이상 의 반도체 바디 ( 120 ) 가 적어도 하나 의 반도체 기판 ( 10 ) 상 에 반도체 장치 를 형성 할 수 있 다 . 일 예 에 따르 면 , 둘 이상 의 반도체 바디 ( 120 ) 는 하프 브리지 배열 로 구성 될 수 있 다 . 하나 또는 둘 이상 의 제어 가능 반도체 소자 를 포함 하 는 임의 의 다른 반도체 장치 가 일반 적 으로 가능 하 며 , 각각 의 제어 가능 반도체 소자 는 제 1 부하 전극 ( 예컨대 , 소스 전극 또는 이 미터 전극 ) 과 제 2 부하 전극 ( 예컨대 , 드레 인 전극 또는 컬렉터 전극 ) 사이 의 부하 경로 및 제 어 전극 ( 예컨대 , 게이트 또는 베이스 전극 ) 을 갖 는다 .