도시 된 바 와 같이 , 도 1 b 의 시스템 ( 20 ) 은 마이크로프로세서 ( 26 ) 와 매트릭스 용량 성 센서 ( 30 ) 에 연결 된 터치 제어기 ( 24 ) 를 포함 하 는 매트릭스 터치 센서 실시 예 를 도시 한다 . 예 시 적 실시 예 에서 , 제어기 ( 24 ) 는 터치 신호 조절 , 데이터 변환 , 및 실시간 처리 와 같 은 기능 을 수행 하 는 반면 , 마이크로프로세서 ( 26 ) 는 필터링 및 터치 좌표 계산 과 같 은 기능 을 수행 한다 . 도 1 b 에 도시 된 바 와 같이 , 설명 을 위해서 제어기 ( 24 ) 는 9 개 의 전류 원 ( 28 a 내지 28 i ) 를 통해서 센서 ( 30 ) 를 구동 하 며 , 각 전류 원 은 서로 다른 센싱 전극 과 연결 된다 . 전극 은 하부 전극 ( 32 ) 과 상부 전극 ( 36 내지 39 ) 을 포함 하 는 선형 바 ( bar ) 의 직교 세트 로 배열 된다 . 기생 커패시턴스 ( 미 도시 ) 는 하부 전극 ( 32 ) 을 접지 에 연결 하 며 상부 전극 ( 36 내지 39 ) 을 접지 에 연결 한다 . 각 하부 전극 ( 32 ) 을 인접 한 하부 전극 과 연결 하 고 각 하부 전극 ( 32 ) 을 각 상부 전극 ( 36 내지 39 ) 과 연결 하 는 상호 커패시턴스 ( 미 도시 ) 가 또 한 존재 할 수 있 다 . 소정 실시 예 에서 , 센서 ( 30 ) 는 그렇 지 않 다면 기생 커패시턴스 로 인해 흐를 수 있 는 전류 를 완화 시키 기 위해 전기 전도성 실드 ( 31 ) 를 포함 한다 . 실드 ( 30 ) 는 고정 전압 ( 미 도시 ) 과 연결 되 거나 또는 AC 전기 신호 Vs 로 구동 될 수 있 으며 , 이 AC 전기 신호 Vs 는 예 를 들 어 전극 ( 32 ) 에 인가 된 전압 신호 와 동일 할 수 있 다 . 실드 ( 31 ) 와 전극 ( 32 ) 및 실드 ( 31 ) 와 전극 ( 36 내지 39 ) 사이 의 AC 전압 차 를 감소 시키 는 것 은 상호 ( 기생 ) 커패시턴스 를 통해 흐를 수 있 는 용량 성 전류 를 감소 시킨다 . 이 는 기생 커패시턴스 가 터치 커패시턴스 의 변화 에 대한 감도 를 줄이 는 경향 이 있 기 때문 에 바람직 하 다 .