제 1 실시 예 에서 는 , 핀 층 ( 3 ) 을 프리 층 ( 7 ) , 레퍼런스 층 ( 5 ) 보다 소자 높이 방향 으로 돌출 했 다 . 돌출 량 을 제어 함 으로써 도 1 의 ( C ) 에 나타난 합성 누설 자계 저감 효과 가 얻 어 진다 . 돌출 량 을 1 ㎚ 에서부터 15 ㎚ 로 설정 함 으로써 정확 한 누설 자계 저감 효과 가 얻 어 질 것 이 다 .