도 2 또는 도 3 의 난수 생성 메모리 에 대하 여 입력 데이터 를 기록 하 는 방법 으로서 , 각 비트 라인 단위 로 데이터 를 기록 하 는 방법 을 고려 할 수 있 다 . 즉 , 선택 된 메모리 층 에서 각 비트 라인 ( 110 ~ 113 ) 별로 순차 적 으로 , 각 비트 라인 에 형성 된 제 1 메모리 소자 들 ( 150 ) 및 제 2 메모리 소자 들 ( 152 ) 에 입력 데이터 가 기록 되 도록 하 되 , 제 j 번 째 ( j 는 N 보다 작 거나 같 은 자연수 ) 비트 라인 에 접촉 한 상부 워드 라인 들 ( 120 ~ 123 ) 및 하부 워드 라인 들 ( 124 ~ 127 ) 과 제 j 번 째 비트 라인 에 쓰 기 전압 을 인가 하 여 , 제 1 메모리 소자 들 및 제 2 메모리 소자 들 에 입력 데이터 가 기록 되 도록 한다 . 예 를 들 면 , 비트 라인 ( 110 ) 에 연결 된 총 8 개 의 메모리 소자 에 동시 에 입력 데이터 를 기록 하 기 위해 , 비트 라인 ( 110 ) 의 상부 워드 라인 들 ( 120 ~ 123 ) 및 하부 워드 라인 들 ( 124 ~ 127 ) 에 쓰 기 전압 을 모두 인가 할 수 있 다 .