산화물 반도체 로서 In - Ga - Zn - O 계 의 재료 를 사용 하 는 경우 , 사용 하 는 타 겟 의 조성 비 는 In 2 O 3 : Ga 2 O 3 : ZnO = 1 : x : y [ mol 비 ] ( x 는 0 이상 , y 는 0 . 5 이상 5 이하 ) 를 사용 하 는 것 이 적합 하 다 . 예 를 들 면 , In 2 O 3 : Ga 2 O 3 : ZnO = 1 : 1 : 2 [ mol 비 ] 의 조성 비 를 갖 는 타 겟 등 을 사용 할 수 있 다 . 또한 , In 2 O 3 : Ga 2 O 3 : ZnO = 1 : 1 : 1 [ mol 비 ] 의 조성 을 갖 는 타 겟 이나 , In 2 O 3 : Ga 2 O 3 : ZnO = 1 : 1 : 4 [ mol 비 ] 의 조성 비 를 갖 는 타 겟 을 사용 할 수 도 있 다 .