이상 설명 한 본 실시 형태 의 레지스 트 조성물 에 있 어서 는 , 구성 단위 ( a 0 ) 을 갖 는 고분자 화합물 ( A 1 ) 과 , 특정 한 구조 를 갖 는 산 발생 제 성분 ( B 1 ) 을 조합 하 여 사용 한다 . ( B 1 ) 성분 은 , 아니 온부 로서 , 특정 한 구조 의 술폰산 이온 을 포함 함 으로써 , 노광 에 의해 발생 하 는 산 의 산성도 가 지나치 게 높 아 지 지 않 고 , 미노 광부 에 대한 산 의 작용 이 억제 된다 . 또 , 구성 단위 ( a 0 ) 은 , 상기 식 ( a 01 - r - 1 ) 로 나타내 는 산 해리 성기 를 포함 하 기 때문 에 , 산 에 대한 반응 성 이 높 다 . 그 때문 에 , 노광 에 의해 ( B 1 ) 성분 으로부터 발생 하 는 산 에 의해 , 신속 하 게 상기 산 해리 성기 가 해리 한다 . 이 에 따라 , 노 광부 와 미노 광부 의 콘트 라스트 가 형성 되 기 쉬워져 , CDU 등 의 리소그래피 특성 이 향상 되 는 것 으로 생각 된다 . 또 , 산 해리 성기 로부터 생성 되 는 분자 가 레지스 트 막 중 에 잔존 하 면 , 산 의 확산 이 조장 되 어 , 미노 광부 에 있 어서 산 분해 성기 가 탈 보호 하 는 한 요인 이 된다 . 구성 단위 ( a 0 ) 으로부터 해리 하 여 생성 되 는 분자 는 , 현상액 에 용해 되 기 쉽 고 , 레지스 트 막 에 잔존 하 기 어렵 다는 점 에서 , 산 의 확산 이 억제 되 는 것 으로 추측 된다 . 이 에 따라 , 노 광부 와 미노 광부 의 콘트 라스트 가 보다 커져 , CDU 등 의 리소그래피 특성 이 보다 향상 되 는 것 으로 생각 된다 .