도 1 및 도 2 에 도시 된 바 와 같이 , 고농 도 보론 층 ( 120 ) 은 웨이퍼 의 전면 ( FS ) 으로부터 약 3 내지 10 um 의 깊이 에 형성 될 수 있 다 . 상술 한 바 와 같이 , 고농 도 보론 층 ( 120 ) 은 보론 - 산소 복합체 및 보론 - 구리 복합체 등 을 포함 하 고 있 을 뿐 만 아니 라 , 고농도 의 보론 불순물 을 포함 하 고 있 으므로 , 웨이퍼 의 전면 ( FS ) 에 형성 되 는 소자 특성 에 영향 을 주 지 않 을 정도 의 깊이 에 형성 되 는 것 이 바람직 하 다 .