도 4 를 참조 하 면 , 기판 ( 100 ) 이 제공 된다 . 상기 기판 ( 100 ) 상 에 마스크 패턴 ( 101 ) 이 형성 된다 . 상기 마스크 패턴 ( 101 ) 은 산화물 및 질화물 을 포함 할 수 있 다 . 상기 마스크 패턴 ( 101 ) 을 이용 하 여 상기 기판 ( 100 ) 을 식각 함 으로써 트렌치 ( 102 ) 가 형성 된다 . 이어서 , 절 연막 형성 공정 및 평탄 화 공정 을 수행 함 으로써 상기 트렌치 ( 102 ) 를 매립 하 는 소자 분리 패턴 ( 105 ) 이 형성 된다 . 상기 소자 분리 패턴 ( 105 ) 에 의해 상기 마스크 패턴 ( 101 ) 하부 에 활성 영역 ( 115 ) 이 정의 된다 .