이어서 , 반도체 기판 ( 110 ) 상 에 보호막 ( 101 ) 을 형성 한다 . 이때 , 보호막 ( 101 ) 은 산화 공정 , 예컨대 습식 , 건식 또는 라디컬 ( radical ) 산화 공정 중 어느 하나 를 이용 하 여 형성 하 거나 , 증착 공정 ( 예컨대 , CVD ( Chemical Vapor Deposition ) 공정 ) 또는 코팅 공정 ( 예컨대 , SOG ( Spin On Glass ) ) 으로 형성 할 수 있 으며 , 바람직 하 게 는 증착 공정 시 반도체 기판 ( 100 ) 에 가해 지 는 스트레스 ( stress ) 를 최소 화 하 기 위해 산화 공정 으로 형성 한다 .