또한 , 종래 기준 으로 되 는 칩 을 미리 웨이퍼 위 에 형성 하 여 두 는 방법 이 제안 되 어 있 다 ( 특허 문헌 1 참조 ) . 이 제안 에서 는 , 노광 시 에 , 웨이퍼 위 의 어느 영 역 에 는 레티 클 에 형성 되 어 있 는 패턴 전체 를 노광 하 며 , 다른 영역 에 는 그 레티 클 패턴 의 에 지부 를 일부 차광 하 고 나머지 부분 만 을 노광 한다 . 차광 된 부분 이 포함 되 는 칩 은 그곳 에 형성 되 어 있 는 패턴 이 불 완전 하 기 때문 에 , 프로브 검사 등 에서 전기 적 특성 이 불량 으로 된다 . 이것 을 이용 하 여 , 적당 한 위치 에 의도 적 으로 불량 칩 을 형성 함 으로써 , 그것 을 기준 용 칩 으로서 사용 하 도록 한다 .