불휘발성 메모리 장치 ( 100 d ) 는 도 17 을 참조 하 여 설명 된 바 와 마찬가지 로 동작 할 것 이 다 . 예 를 들 면 , 불휘발성 메모리 장치 ( 100 d ) 의 선택 된 메모리 블록 이 소거 된 후 에 , 워드 라인 단위 로 소거 검증 이 수행 될 것 이 다 . 소거 페일 이 발생 하 면 , 선택 된 메모리 블록 이 소거 되 고 그리고 소거 페일 된 워드 라인 으로부터 소거 검증 이 재개 될 것 이 다 . 소거 및 소거 검증 은 낸드 스트링 들 ( NS ) 의 행 을 단위 로 수행 될 것 이 다 . 예 를 들 면 , 낸드 스트링 들 ( NS ) 의 특정 행이 소거 패스 된 후 에 , 다른 행 에서 소거 검증 이 수행 될 것 이 다 .