초기 에 , 프로세스 챔버 ( 200 ) 의 압력 은 촉매 의 기화 를 용이 하 게 하 기 위해 진공 압력 ( 예 를 들 어 , 약 0 . 5 Torr 내지 약 10 Torr ) 으로 유지 된다 . 화학 증기 공급 시스템 ( 220 A ) 은 기상 촉매 를 프로세스 챔버 ( 200 ) 로 공급 하 여 반도체 기판 ( 100 ) 을 처리 한다 . 반도체 기판 ( 100 ) 은 , 에칭 손상 된 영역 의 실라 놀 기 와 상호 작용 하 는 데 효과 적 인 양 의 기상 촉매 와 접촉 하 여 위치 된다 . 예 를 들 어 , 기상 촉매 는 , 나노 다공성 LKD 재료 ( 110 ) 내 에서 상호 연결 된 기공 의 내부 표면 상 에 그리고 개구 ( 130 ) 의 외부 표면 ( 즉 , 측벽 표면 ) 상 에 촉매 의 서브 - 단층 또는 단층 을 형성 할 수 있 다 . 일 실시 형태 에서 , 플라 즈 마 손상 된 영역 은 개구 ( 130 ) 의 측벽 으로 약 30 ㎚ 까지 의 깊이 로 연장 할 수 있 다 .