도 8 을 참조 하 면 , 본 실시 예 는 AlGaN / GaN 이종 접합 에피 웨이퍼 ( 210 ) 위 에 서로 이격 배치 된 캐소드 전극 ( 230 ) 및 애노드 전극 ( 250 , 260 , 270 ) 과 ; 캐소드 전극 ( 230 ) 과 애노드 전극 ( 250 , 260 , 270 ) 사이 의 상기 에피 웨이퍼 ( 210 ) 위 에 형성 된 패 시베이 션 층 ( 240 ) 을 포함 한다 .