다음 으로 , 상기 P + 폴리 실리콘 막 과 N + 폴리 실리콘 막 상 에 텅스텐 막 및 하드 마스크 을 형성 한 후 , 상기 하드 마스크 막 , 텅스텐 막 , P + 폴리 실리콘 막 과 N + 폴리 실리콘 막 및 게이트 절 연막 을 패 터닝 하 여 기판 셀 영역 과 피 모스 형성 영역 에 P + 폴리 게이트 를 형성 함 과 아울러 엔 모스 영역 에 N + 폴리 게이트 를 형성 한다 .