다음 으로 , 이 실시 예 4 의 SOI 웨이퍼 에 , 디바이스 제조 공정 에서 행해 지 는 극단 시간 열처리 ( 레이저 어 닐 ) 를 , 레이저 스파이크 어 닐로 를 이용 하 여 최고 온도 1300 ℃ 의 조건 에서 실시 했 다 . 그 후 에 X 선 토포 그래피 관찰 에 의해 , 웨이퍼 표면 을 향하 여 운동 한 슬립 전위 의 유무 를 관찰 했 지만 , 표 1 에 나타내 는 바 와 같이 슬립 전위 의 발생 은 관찰 되 지 않 았 다 .