게이트 전극 ( 120 ) 을 형성 하 기 위해 예 를 들 어 화학 기상 증착 ( CVD ) 공정 을 이용 하 여 기판 ( 110 ) 상 에 도전 층 을 형성 한 후 소정 의 마스크 를 이용 한 사진 및 식각 공정 으로 도전 층 을 패 터닝 한다 . 여기 서 , 도전 층 은 금속 , 금속 합금 , 금속 산화물 , 투명 도전 막 또는 이 들 의 화합물 중 어느 하나 를 이용 할 수 있 다 . 또한 , 도전 층 은 도전 특성 과 저항 특성 을 고려 하 여 복수 의 층 으로 형성 할 수 도 있 다 .