본 발명 은 CMP 공정 후 세정 공정 으로 제거 하 지 못하 거나 세정 공정 이후 에 나타났 던 구리 리메인 및 구리 코 로 젼 을 제거 할 수 있 는 반도체 소자 의 구리 배선 형성 방법 을 제공 하 기 위한 것 으로 , 본 발명 의 구리 배선 형성 방법 은 소정 공정 이 완료 된 하부 구조물 상 에 절연 층 을 형성 하 는 단계 , 절연 층 을 선택 적 으로 식각 하 여 듀얼 다 마신 패턴 을 형성 하 는 단계 , 듀얼 다 마신 패턴 을 채울 때 까지 전면 에 구리 막 을 형성 하 는 단계 , CMP 공정 으로 평탄 화 시켜 듀얼 다 마신 패턴 내부 에 매립 되 는 구리 배선 층 을 형성 하 는 단계 , 구리 배선 층 이 형성 된 절연 층 표면 의 결합력 을 약화 시키 기 위한 플 라즈 마 처리 ( 리모트 플 라즈 마 를 이용 하 여 발생 시킨 H + 를 상기 절연 층 표면 에 반응 시킴 ) 단계 및 전 세정 을 통해 결합력 이 약화 된 절연 층 의 표면 층 을 제거 하 는 단계 를 포함 하 고 , CMP 공정 후 세정 공정 으로 제거 하 지 못하 거나 세정 공정 이후 에 나타났 던 구리 리메인 및 구리 코 로 젼 을 플 라즈 마 처리 를 통해 제거 함 으로써 상위 절연 층 과 의 접착력 을 향상 시키 고 , 구리 레시 듀 에 의한 구리 배선 층간 숏트 를 방지 할 수 있 는 효과 가 있 다 .