실시 예 1 의 TDS 분석 결과 에 의하 여 , 시료 2 에 나타내 는 바 와 같이 , 산화물 절 연막 표면 을 산화물 반도체 막 으로 덮 은 상태 로 가열 처리 를 행하 여도 산화물 절 연막 에 포함 되 는 , 가열 에 의하 여 탈리 될 수 있 는 산소량 의 감소 가 적 고 , 산소 가 외부 로 방출 되 기 어렵 다 . 한편 , 시료 4 및 시료 6 에 있 어서 는 , 산화물 절 연막 이 노출 된 상태 로 가열 처리 를 행함 으로써 , 산소 가 외부 로 방출 된다 .