희생 층 ( 13 ) 은 절연 물질 을 포함 할 수 있 다 . 희생 층 ( 13 ) 은 후속 공정 에서 도전 성 물질 로 치환 될 수 있 다 . 예컨대 , 수직 형 NAND 장치 의 게이트 전극 ( 또는 워드 라인 ) 으로 치환 될 수 있 다 . 희생 층 ( 13 ) 은 실리콘 질화물 , 비정질 실리콘 또는 폴리 실리콘 을 포함 할 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 희생 층 ( 13 ) 은 실리콘 질화물 을 포함 할 수 있 다 .