먼저 , 도 1 을 참조 하 면 , InP 로 이루어진 반도체 기판 ( 10 ) 상 에 하부 거울 층 ( 20 ) 을 형성 한다 . 상기 하부 거울 층 ( 20 ) 은 굴절 율 이 다른 두 반도체 재료 가 서로 교대 로 성장 된 구조 로 이루어진다 . 바람직 하 게 는 , 상기 하부 거울 층 ( 20 ) 은 III - V 족 반도체 로 구성 되 는 제 1 반도체 층 ( 22 ) 과 , 상기 제 1 반도체 층 ( 22 ) 과 는 다른 성분 의 III - V 족 반도체 로 구성 되 는 제 2 반도체 층 ( 24 ) 이 교대 로 복수 회 적층 된 다중 층 으로 이루어지 는 적층 구조 로 이루어진다 . 상기 제 1 반도체 층 ( 22 ) 및 제 2 반도체 층 ( 24 ) 은 각각 GaAs , AlAs , AlGaAs , InAlAs , InAlGaAs , InGaAs , InGaAsP , InAlGaP , InGaP 및 InP 로 이루어지 는 군 에서 선택 되 는 어느 하나 로 구성 될 수 있 다 . 특히 바람직 하 게 는 , 상기 하부 거울 층 ( 20 ) 에서 상기 제 1 반도체 층 ( 22 ) 및 제 2 반도체 층 ( 24 ) 은 각각 InP 및 InAlGaAs 로 이루어진다 . 1 . 3 μ m 표면 방출 레이저 형성 을 위하 여 는 상기 하부 거울 층 ( 20 ) 은 약 50 쌍 의 상기 제 1 반도체 층 ( 22 ) 및 제 2 반도체 층 ( 24 ) 을 필요 로 한다 .