본 발명 에 따른 트랜지스터 는 금속 산화물 반도체 로 된 MOS 트랜지스터 로서 , 폭 이 W 0 이 고 길이 가 L 0 인 채널 과 , 폭 이 W 0 이 고 길이 가 L 0 인 채널 과 , 상기 채널 을 중심 으로 양쪽 에 형성 된 소스 영역 과 드레 인 영역 을 포함 하 는 활성 영역 과 , 상기 채널 위 에 형성 된 게이트 절 연막 과 , 상기 게이트 절 연막 위 에 형성 되 며 상기 활성 영역 과 교차 하 는 게이트 도체 를 포함 하 며 , 상기 게이트 도체 는 ( 1 ) 게이트 도체 를 외부 와 전기 적 으로 연결 하 는 게이트 접속 부 를 형성 하 는 접속 패턴 과 , ( 2 ) 이 접속 패턴 과 연결 되 며 상기 활성 영역 과 일정 한 거리 로 떨어져 있 고 , 소스 영역 과 드레 인 영역 모두 에 걸쳐 상기 활성 영역 과 평행 하 게 배열 되 는 부 가 패턴 과 , ( 3 ) 이 부 가 패턴 과 T 자형 으로 연결 되 며 상기 채널 의 길이 를 정의 하 는 채널 패턴 을 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 . 여기 서 부가 패턴 과 활성 영역 이 떨어진 거리 는 채널 의 길이 와 거의 동일 한 거리 로 할 수 있 다 .