이 와 같이 구성 된 상기 제 1 내지 제 4 커서 성분 제거 회로 ( 21 - 2 , 21 - 3 , 21 - 4 , 21 - 5 ) 각각 은 입력 되 는 각각 의 가중치 적용 신호 ( W 1 , W 2 , W 3 , W 4 ) 의 전압 레벨 에 따라 접 지단 ( VSS ) 으로 흘리 는 싱크 전류 의 양 을 결정 할 수 있 다 . 또한 상기 제 1 내지 제 4 커서 성분 제거 회로 ( 112 , 113 , 114 , 115 ) 는 피드백 되 는 상기 제 1 내지 제 4 샘플링 출력 신호 ( DQ _ I , DQ _ IB , DQ _ Q , DQ _ QB ) 에 응답 하 여 상기 싱크 전류 를 접 지 단 ( VSS ) 으로 흘림 으로서 , 상기 제 1 내지 제 4 포스트 커서 ( 1 st post cursor , 2 nd post cursor , 3 rd post cursor , 4 th post cursor ) 의 제거 타이밍 을 결정 할 수 있 다 .