바람직 하 게 , 상기 제 1 포토레지스트 패턴 과 상기 제 2 포토레지스트 패턴 은 , 피치 를 140 ∼ 150 nmm 으로 하 되 , 간격 을 40 nm 로 하 는 것 을 특징 으로 하 며 , 상기 하드 마스크 패턴 은 , 피치 를 60 ∼ 80 nmm 으로 하 되 , 피치 에서 간격 을 20 ∼ 30 nmm , 라인 을 40 ∼ 50 nmm 으로 하 는 것 을 특징 으로 하 고 , 상기 식각 대상 층 은 , 피치 를 60 ∼ 80 nmm 으로 하 되 , 간격 을 20 ∼ 30 nmm , 라인 을 40 ∼ 50 nmm 으로 하 는 것 을 특징 으로 하 며 , 상기 제 1 패턴 은 , 피치 를 60 ∼ 80 nmm 으로 하 되 , 간격 을 40 ∼ 50 nmm , 라인 을 20 ∼ 30 nmm 으로 하 며 , 상기 스 페이서 의 폭 을 10 ∼ 15 nmm 으로 하 는 것 을 특징 으로 하 고 , 상기 제 2 패턴 은 , 피치 를 30 ∼ 40 nmm 으로 하 되 , 간격 을 10 ∼ 15 nmm , 라인 을 20 ∼ 25 nmm 으로 하 며 , 상기 제 1 패턴 및 제 2 패턴 은 , 산화 막 으로 형성 하 는 것 을 특징 으로 한다 .