도 3 은 미국 특허 제 6 , 441 , 403 호 에 개시 된 발광 소자 를 나타내 는 도면 으로서 , 에칭 을 통해 거친 표면 ( 501 ) 을 형성 하 는 경우 에 발광 소자 에 발생 하 는 문제점 ( 추가 의 공정 , 에칭 에 따른 발광 소자 의 손상 등 ) 을 지적 하 면서 , p 형 질화물 반도체 층 ( 500 ) 의 성장 과정 에서 성장 조건 ( 예 : 온도 , V / III ratio ) 을 변경 함 으로써 추가 의 공정 없이 , p 형 질화물 반도체 층 ( 500 ) 에 거친 표면 ( 501 ) 을 형성 하 는 기술 이 제시 되 어 있 다 . 이때 , 거친 표면 ( 501 ) 은 p 형 질화물 반도체 층 의 일반 적 성장 온도 ( 예 : 1000 ℃) 보다 낮 은 온도 ( 예 : 800 ℃) 에서 p 형 질화물 반도체 층 을 성장 시킴 으로써 형성 될 수 있 다 .