국부 적 압력 구배 는 반응 공간 내 의 가스 교환 을 개선 시키 고 , 반응 공간 의 기판 표면 과 가스 상 사이 의 분자 의 교환 을 개선 시킨다 . 단계 별 로 동일 한 가스 의 다중 펄스 는 , 퍼지 단계 또는 반응물 단계 에 상관없이 , 반도체 기판 내 에 깊 고 좁 은 트렌치 또는 비아 등 의 고 종횡비 특징 부 를 갖 는 웨이퍼 를 처리 ( 예 를 들 어 , 에칭 ) 하 는 경우 에 특히 유리 하 다는 것 이 밝혀졌 다 . 따라서 , 동일 한 증기 의 연속 적 다중 펄스 공정 및 결과 적 인 압력 변동 은 , 20 : 1 초과 의 종횡비 , 보다 구체 적 으로 는 40 : 1 초과 의 종횡비 인 비아 와 트렌치 를 포함 한 표면 을 에칭 하 기 위해 특히 유리 하 다 . 압력 변동 은 , 단일 장시간 펄스 보다 더 작 은 전체 시간 이내 에 이러 한 비아 및 트렌치 내 의 표면 의 보다 균일 한 분배 및 / 또는 커버리지 를 가능 하 게 한다 . 따라서 , 전체 공정 시간 ( 또는 주기 적 처리 를 위한 사이클 시간 ) 이 감소 된다 .