투명 지지 기판 의 ITO 막 상 에 순차 , 하 기 각 층 을 형성 하 였 다 . 진공 조를 5 × 10 - 4 ㎩ 까지 감압 하 고 , HI , HAT - CN , HT - 1 및 HT - 2 의 순서 로 증착 하 여 , 정공 주입 층 1 ( 막 두께 40 ㎚), 정공 주입 층 2 ( 막 두께 5 ㎚), 정공 수송 층 1 ( 막 두께 15 ㎚) 및 정공 수송 층 2 ( 막 두께 10 ㎚) 를 형성 하 였 다 . 다음 으로 , 화합물 ( 2 - 301 ) 과 화합물 ( 1 - 2619 ) 를 동시 에 가열 하 여 막 두께 25 ㎚ 가 되 도록 증착 하 여 발광 층 을 형성 하 였 다 . 화합물 ( 2 - 301 ) 과 화합물 ( 1 - 2619 ) 의 중량 비 가 대략 98 대 2 가 되 도록 증착 속도 를 조절 하 였 다 . 다음 으로 , ET - 1 을 가열 하 여 막 두께 5 ㎚ 가 되 도록 증착 하 여 전자 수송 층 1 을 형성 하 였 다 . 다음 으로 , ET - 3 과 Liq 를 동시 에 가열 하 여 막 두께 25 ㎚ 가 되 도록 증착 하 여 전자 수송 층 2 를 형성 하 였 다 . ET - 3 과 Liq 의 중량 비 가 대략 50 대 50 이 되 도록 증착 속도 를 조절 하 였 다 . 각 층 의 증착 속도 는 0 . 01 ∼ 1 ㎚/ 초 이 었 다 .