도 2 a 및 도 2 b 는 종래 의 반도체 장치 제조 방법 을 설명 하 기 위한 단면도 이 다 . 종래 의 방법 에서 는 , 실리콘 산화 막 ( 5 a ) 이 실리콘 질화 막 ( 3 ) 상 에 형성 된다 ( 도 2 a ) . 실리콘 산화 막 ( 5 a ) 의 건식 에칭 을 위해 , 탄화 플루오르 와 같 은 할로겐 을 함유 한 에칭 가스 가 이용 되 는 것 이 필요 하 다 . 이 경우 , 하부 층 에 대한 선택 비 는 높 아야 하 는데 , 이 는 실리콘 산화 막 ( 5 a ) 아래 에 있 는 실리콘 질화 막 ( 3 ) 을 깎 지 않 아야 하 기 때문 이 다 . 그러나 , 실리콘 산화 막 ( 5 a ) 을 수직 처리 하 기 위해서 는 , 탄화 플루오르 가스 의 C / F ( 탄소 / 플루오르 ) 비율 이 줄어들 필요 가 있 다 .