먼저 에스오 아이 기판 의 단결정 실리콘 을 리소그래피 를 이용 하 여 절 연막 ( 21 ) 위 에 실리콘 단결정 나노 선 ( 30 , 30 ’) 을 정의 한다 . 도 1 과 같이 나노 선 구조 위 에 하드 마스크 인 실리콘 질화 막 을 증착 및 패턴 한 후 열 산화 공정 을 수행 한다 . 실리콘 질화 막 은 딱딱 한 마스크 의 역할 을 수행 하 므로 , 실리콘 질화 막 으로 덮인 나노 선 영역 은 산소 의 주입 이 어려워 산화 막 의 성장 속도 가 매우 느리 고 실리콘 질화 막 이 없 는 노출 된 영역 은 산화 막 의 성장 속도 가 빨라서 나노 선 위 에 선택 적 으로 산화 막 이 성장 한다 . 두껍 게 성장 된 산화 막 은 ( 30 ’) 자발 적 으로 에스오 아이 나노 선 이 협 색 된 영역 으로 포 텐 셜 에너지 장벽 으로 기능 하 는 반면 , 두꺼운 산화 막 사이 에 있 는 적 게 자라난 산화 막 ( 30 ) 아래 의 실리콘 에 전자 가 머무를 수 있 고 이 는 양자 점 기능 을 가진다 . 질화 막 을 제거 후 , 다 결정 실리콘 ( 10 ) 을 정의 하 고 이온 주입 과 열 확산 을 이용 하 여 소스 ( 40 ) , 드레 인 ( 41 ) , 게이트 ( 10 ) 를 형성 한다 . 도 2 와 같이 게이트 가 양자 점 영역 만 을 덮 을 때 양자 점 의 포 텐 셜 조절 이 가장 용이 하 지만 , 게이트 가 포 텐 셜 에너지 장벽 을 덮 더라도 소자 의 작동 에 는 큰 문제 가 없 다 . 게이트 하부 의 적 게 산화 된 영역 이 소자 의 양자 점 영역 이 된다 . 게이트 와 소스 및 드레 인 이 전기 적 으로 연결 되 어 전도 가 이루어지 는 것 을 방지 하 기 위해서 는 형성 된 게이트 아래 실리콘 산화물 또는 이 와 유사 한 전기 적 절연 물질 로 구성 되 는 절연체 ( 20 ) 를 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 .