반도체 디바이스 의 미세화 에 수반 하 여 , 배선 의 미세화 도 진행 되 고 있 다 . 그래서 , 배선 재료 로서 , 루테늄 실리사이드 ( RuSi ) 막 이 검토 되 어 있 다 . RuSi 막 은 , 구리 ( Cu ) 막 과 달리 절 연막 으로 확산 하 기 어렵 기 때문 에 , RuSi 막 의 하 지 막 에 는 배리 어성 은 요구 되 지 않 는다 . 그러나 , 절 연막 상 에 직접 , 밀착 성 좋 게 RuSi 막 을 형성 할 것 이 요구 된다 .