본 발명 의 반도체 소자 ( 100 ) 는 안정 화 층 ( 23 ) 을 포함 함 으로써 향상 된 강유 전 특성 을 가지 는 강유 전 층 ( 22 ) 을 포함 할 수 있 다 . 따라서 본 발명 의 반도체 소자 ( 100 ) 의 트랜지스터 ( TR ) 는 비교 적 작 은 문턱 전압 이하 스윙 을 가질 수 있 다 . 예 를 들 어 , 반도체 소자 ( 100 ) 의 트랜지스터 ( TR ) 는 이론 적 한계 인 60 mV / dec 보다 작 은 문턱 전압 이하 스윙 을 가질 수 있 다 . 또한 , 본 발명 의 반도체 소자 ( 100 ) 는 산소 확산 배리 어 층 ( 24 ) 을 포함 함 으로써 강유 전 층 ( 22 ) 을 어닐링 하 는 동안 계면 층 ( 21 ) 의 두께 증가 를 방지 할 수 있 다 . 따라서 , 본 발명 의 반도체 소자 ( 100 ) 의 트랜지스터 ( TR ) 의 게이트 구 조체 ( 20 ) 의 게이트 절연 층 의 등가 산화물 두께 의 증가 를 방지 할 수 있 다 .