한편 , 상기 와 같 은 , 회로 면 에 범프 가 형성 된 반도체 웨이퍼 를 사용 하 여 반도체 장치 를 제조 할 경우 에 는 , 반도체 칩 의 회로 면 과 는 반대 측 의 이면 이 노출 되 는 경우 가 있 다 . 이 에 , 이 노출 된 반도체 칩 의 이면 에 는 보호막 으로서 유기 재료 를 함유 하 는 수지 막 이 형성 되 어 보호막 이 형성 된 반도체 칩 으로서 반도체 장치 에 도입 되 는 경우 가 있 다 . 이러 한 보호막 은 , 다 이싱 공정 이나 패 키 징 후 에 , 반도체 칩 에 있 어서 크랙 이 발생 하 는 것 을 방지 하 기 위해 이용 된다 .