상기 제 2 도전 성 패턴 ( 130 ) 과 상기 제 1 도전 성 패턴 ( 110 a ) 사이 에 개재 됨 과 아울러 , 상기 제 2 도전 성 패턴 ( 130 ) 과 상기 활성 영역 ( 103 ) 사이 에 개재 된 제 2 유전 막 ( 125 ) 이 제공 될 수 있 다 . 상기 제 2 유전 막 ( 125 ) 은 열 산화 막 및 / 또는 CVD 산화 막 으로 이루어질 수 있 다 . 상기 제 2 도전 성 패턴 ( 130 ) 과 상기 제 1 도전 성 패턴 ( 110 a ) 은 상기 제 2 유전 막 ( 125 ) 의 두께 만큼 이격 될 수 있 다 . 즉 , 상기 제 2 도전 성 패턴 ( 130 ) 은 균일 한 거리 만큼 이격 되 도록 상기 제 1 도전 성 패턴 ( 110 a ) 의 측벽 및 상부 표면 을 덮 을 수 있 다 .