도 17 은 또 다른 일 실시 예 에 따른 변동 저 저항 라인 메모리 소자 ( 400 ) 를 도시 한 단면도 로서 , 기판 ( 430 ) 에 소스 ( 431 ) 와 드레 인 ( 432 ) 이 형성 되 고 , 기판 ( 430 ) 상 에 자발 분극 성 재료 를 포함 하 는 베이스 ( 410 ) 를 배치 할 수 있 다 . 상기 기판 ( 430 ) 은 반도체 웨이퍼 , 일 실시 예 에 따르 면 실리콘 웨이퍼 로 형성 될 수 있 다 . 그리고 상기 소스 ( 431 ) 와 드레 인 ( 432 ) 은 웨이퍼 에 이온 도핑 으로 형성 할 수 있 다 . 물론 , 도면 에 도시 하 지 는 않 았 지만 , 상기 소스 ( 431 ) 와 드레 인 ( 432 ) 에 는 별도 의 비아 를 통해 외부 신호선 이 연결 될 수 있 다 .