1000 Å 의 두께 를 가지 며 Au 로 이루어진 소스 및 드레 인 전극 이 형성 된 유리 기판 을 준비 한 다음 , 상기 소스 및 드레 인 전극 상부 에 유기 반도체 층 으로서 펜 타 센 을 700 Å 두께 로 증착 시켜 펜 타 센 층 을 형성 하 였 다 . 상기 펜 타 센 층 상부 에 5 wt % 농도 의 폴리비닐 알콜 수용액 을 스핀 코팅 법 을 이용 하 여 코팅 한 다음 , 80 ℃ 에서 30 분 간 건조 시켜 , 1500 Å 두께 의 절연 층 을 형성 하 였 다 . 상기 절연 층 상부 에 Al 을 2000 Å 두께 로 증착 시켜 , Al 전극 층 을 형성 하 였 다 . 이 로부터 얻 은 유기 박막 트랜지스터 를 샘플 1 이 라고 한다 .