본 발명 의 박막 트랜지스터 기판 은 , 게이트 절 연막 및 산화물 반도체 막 의 상층 이 며 , 보호막 하층 에 는 추가 로 층간 절 연막 이 형성 되 고 , 소스 부를 구성 하 는 소스 메탈 은 , 층간 절 연막 의 상층 에 형성 되 며 , 층간 절연 막 은 , 층간 절 연막 표면 에서부터 산화물 반도체 막 에 도달 하 는 소스 콘택트 홀 이 형성 됨 과 동시 에 , 소스 콘택트 홀 의 표면 에 소스 메탈 이 형성 됨 으로써 소스 메탈 과 산화물 반도체 막 이 전기 적 으로 접속 되 고 , 산화물 반도체 막 중 , 소스 메탈 과 접촉 하 는 표면 을 포함 한 산화물 반도체 막 의 일부 는 , 저 저항 화 된 저 저항 영역 에 의해 형성 되 어도 된다 .