또한 , 제 3 씨드 층 ( 145 ) 은 제 3 절연 층 ( 115 ) 의 상면 , 제 3 도전 성 비아 패턴 ( 143 ) 과 제 3 비아 오프닝 ( VO 3 ) 에 의해 제공 된 제 3 절연 층 ( 115 ) 의 내 측벽 , 및 상기 제 3 비아 오프닝 ( VO 3 ) 을 통해 노출 된 제 2 도전 성 라인 패턴 ( 131 ) 의 일부 를 덮 도록 형성 될 수 있 다 . 제 3 도전 성 라인 패턴 ( 141 ) 은 제 3 절연 층 ( 115 ) 의 상면 을 따라 연장 될 수 있 고 , 제 3 도전 성 비아 패턴 ( 143 ) 은 제 3 비아 오프닝 ( VO 3 ) 을 채울 수 있 다 . 제 3 씨드 층 ( 145 ) , 제 3 도전 성 라인 패턴 ( 141 ) , 및 제 3 도전 성 비아 패턴 ( 143 ) 은 제 3 하부 재배 선 패턴 ( 140 ) 을 구성 할 수 있 다 .