전하 - 저장 재료 ( 44 ) 는 워드 라인 레벨 ( 20 ) 의 종단 단부 ( 34 ) ( 즉 , 제 어 게이트 영역 ( 35 ) ) 를 따라서 연장 되 고 , 전하 - 차단 재료 ( 32 / 42 ) 에 의해 종단 단부 ( 34 ) 로부터 이격 된다 . 전하 - 저장 재료 ( 44 ) 는 임의 의 적절 한 조성물 또는 조성물 의 조합 을 포함 할 수 있 다 ; 일부 실시 예 들 에서 , 플로팅 게이트 재료 ( 예컨대 , 도핑 되 거나 도핑 되 지 않 은 실리콘 ) 또는 전하 - 트랩 핑 재료 ( 예컨대 , 실리콘 질화물 , 금속 도트 등 ) 를 포함 할 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 전하 - 저장 재료 ( 44 ) 는 실리콘 및 질소 를 포함 하 는 재료 를 포함 하 거나 , 이 들 로 본질 적 으로 구성 되 거나 , 또는 이 들 로 구성 될 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 전하 - 저장 재료 ( 44 ) 는 실리콘 질화물 로 구성 될 수 있 고 , 약 3 nm 내지 약 10 nm 내지 의 범위 내 의 수평 방향 의 두께 T 1 를 가질 수 있 다 . 일부 양태 에서 , " "" 전하 트랩 ( charge trap ) "" 은 전하 캐리어 ( 예 를 들 어 ", 전자 또는 홀 ) 를 가역 적 으로 포획 할 수 있 는 에너지 우물 ( energy well ) 을 지칭 한다 .