방법 ( 600 A ) 은 PVD , CVD , ALD , 임의 의 다른 적절 한 공정 , 또는 이 들 의 임의 의 조합 에 의해 슬릿 에 전도성 재료 를 충 진 ( 예컨대 , 증착 ) 함 으로써 슬릿 구조 가 형성 되 는 동작 ( 612 ) 으로 진행 한다 . 슬릿 구조 는 W , Co , Cu , Al , 폴리 실리콘 , 실리사이드 , 또는 이 들 의 임의 의 조합 을 포함 하 지만 이 에 제한 되 지 않 는 전도성 재료 를 포함 할 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 는 , 절연 목적 으로 교번 전도체 / 유전체 스택 에서 슬릿 구조 의 전도성 재료 와 슬릿 구조 를 둘러싸 는 전도체 층 사이 에 유전체 층 ( 예컨대 , 실리콘 산화물 층 ) 이 먼저 형성 된다 . 슬릿 구조 의 하단 부 는 도핑 된 영역 과 접촉 할 수 있 다 .