p 채널 형 트랜지스터 에 대해서 는 , 도 12 b 에 나타나 있 는 바 와 같이 레지스 트 마스크 ( 758 내지 760 ) 를 형성 하 고 , p 채널 형 트랜지스터 를 형성 하 는 섬 형상 반도체 층 에 p 형 의 불순물 ( 억셉터 ) 을 도핑 한다 . 도핑 에 의해 섬 형상 반도체 층 에 는 , 제 3 불순물 영역 ( 767 a , 767 b , 767 c , 768 a , 768 b , 768 c ) 을 형성 한다 . p 형 의 불순물 ( 억셉터 ) 은 13 족 에 속하 는 원소 로부터 선택 되 고 , 전형 적 으로 는 붕소 ( B ) 를 사용 한다 .