본 발명 의 한 실시 형태 에서 는 , 트랜지스터 의 오프 전류 를 충분히 작 게 할 수 있 는 재료 , 예 를 들 어 , 와이드 갭 반도체 인 산화물 반도체 재료 를 이용 해서 반도체 장치 를 구성 한다 . 트랜지스터 의 오프 전류 를 충분히 작 게 할 수 있 는 반도체 재료 를 이용 함 으로써 , 반도체 장치 는 장기간 에 걸쳐 데이터 를 보유 하 는 것 이 가능 하 다 .