본 발명 에 따른 비휘발성 메모리 소자 에서 제 1 층 도전 막 패턴 및 제 2 층 도전 막 패턴 의 저면 이 동일 한 평면 상 에 위치 하 지 않 고 서로 다른 높이 에서 위치 한다 . 때문 에 , 상기 제 1 층 도전 막 패턴 과 제 2 층 도전 막 패턴 이 실질 적 으로 대향 하 는 면적 이 넓 지 않 게 되 고 , 이 로 인해 상기 제 1 층 도전 막 패턴 및 제 2 층 도전 막 패턴 사이 의 기생 커패시턴스 가 감소 된다 .