상기 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 에 따른 반도체 소자 의 제조 방법 은 제 1 반도체 기판 상부 에 하부 구조물 이 구비 된 하부 층 및 제 1 접착 층 을 형성 하 는 단계 와 , 제 2 반도체 기판 상부 에 정렬 키 를 포함 하 는 실리콘 층 을 형성 하 는 단계 와 , 정렬 키 및 실리콘 층 상부 에 제 2 접착 층 을 형성 하 는 단계 와 , 제 1 반도체 기판 의 제 1 접착 층 과 제 2 반도체 기판 의 제 2 접착 층 을 본 딩 시키 는 단계 와 , 제 2 반도체 기판 을 제거 하 여 상기 정렬 키 를 오픈 시키 는 단계 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .