상기 고유 전 율 재료 로서 , 하프늄 산화물 ( HfO 2 ) , 지르코늄 산화물 ( ZrO 2 ) , 및 SrTiO 3 막 과 같 은 단일 막 구조 , 또는 ZrO 2 / Al 2 O 3 / ZrO 2 와 같 은 복합 산화 막 과 같 은 유전체 재료 가 제안 되 고 있 다 . 전술 한 재료 들 중 하프늄 산화물 은 등 가 산화 막 두께 가 4 Å 미만 이 어서 , 20 nm 이하 의 디자인 룰 에 적합 하 여 차세대 DRAM 커패시터 의 구현 을 위한 유력 한 후보 물질 이 다 .