도 1 에 , 본 실시 예 에서 의 피 처리 물 의 표면 에 배치 된 패턴 의 개략 평면도 를 도시 한다 . 본 실시 예 에서 는 , 피 처리 물 로서 의 기판 ( 9 ) 의 표면 에 레지스 트 패턴 ( 10 ) 이 형성 되 어 있 다 . 본 실시 예 에서 의 기판 ( 9 ) 은 , 실리콘 웨이퍼 의 표면 에 폴리 실리콘 막 등 의 도전 막 을 배치 하 고 있 다 . 또한 , 폴리 실리콘 막 의 표면 에 유기 반사 방 지막 을 막 두께 80 ㎚ 로 성막 하 고 있 다 . 본 실시 예 에서 는 , 이 유기 반사 방지 막 위 에 배치 되 는 레지스 트 의 패 터닝 을 행한다 . 레지스 트 패턴 ( 10 ) 은 , 기판 ( 9 ) 의 표면 에 형성 된 포토레지스트 이 다 . 본 실시 예 에서 는 , 포지티브 형 레지스 트 를 이용 하 고 있 다 .