계속 해서 , 도 9 d 에 나타낸 바 와 같이 레지스 트 패턴 ( 191 ) 을 제거 한다 . 다음 , 전체 면 에 배리 어 메탈 막 ( 미 도시 ) 을 형성 하 고 , 그 위 에 , 텅스텐 막 ( 미 도시 ) 을 형성 한다 . 그리고 , 텅스텐 막 및 배리어 메탈 막 을 NSG 막 ( 112 ) 이 노출 될 때 까지 연마 한다 . 그 결과 , 컨 택트 홀 ( 113 s ) 내 에 컨 택트 플러그 ( 114 s ) 가 형성 되 고 , 컨 택트 홀 ( 113 d ) 내 에 컨 택트 플러그 ( 114 d ) 가 형성 된다 . 그 다음 , 질소 분위기 중 에서 플라 즈 마 어닐링 ( plasma annealing ) 을 행함 으로써 , NSG 막 ( 112 ) 의 표면 을 질화 한다 . 그 후 , NSG 막 ( 112 ) 위 에 실리콘 산질 화 막 ( 115 ) 을 형성 한다 .