즉 , 제 1 및 제 2 모스 트랜지스터 ( die 1 , die 2 ) 의 게이트 ( 4 , 4 ') 에 동일 한 측정 전압 을 공급 하 는 상태 에서 전류 가 제 1 모스 트랜지스터 ( die 1 ) 의 소스 ( 5 ) , 채널 층 ( 3 ) , 단결정 성장 층 ( 2 ) , 기판 ( 1 ) 을 통해 드레 인 ( 6 ) 에 이르 고 , 다시 제 2 모스 트랜지스터 ( die 2 ) 의 기판 ( 1 '), 단결정 성장 층 ( 2 '), 채널 층 ( 3 ') 및 소스 ( 5 ') 에 이르 는 전류 패스 를 형성 한 후 , 웨이퍼 의 상부 에서 프로브 를 이용 하 여 두 소스 ( 5 , 5 ') 간 의 저항 을 측정 하 면 제 1 및 제 2 모스 트랜지스터 ( die 1 , die 2 ) 의 온 저항 합산 치 를 측정 할 수 있 게 된다 .