그 원인 으로 , 복수 의 열전 소자 ( 100 ) 각각 의 내부 에 는 P 형 , N 형 반도체 가 교대 로 배치 되 는데 , 복수 의 열전 소자 ( 100 ) 의 연결 지점 ( 105 ) 에 는 반도체 가 배치 되 지 않 는 부분 ( 도 3 의 A 부분 참조 ) 이 존재 하 기 때문 이 다 . 이 때문 에 , 복수 의 열전 소자 ( 100 ) 의 연결 지점 ( 105 ) 에서 는 온도 가 낮 게 형성 된다 .