이 를 위해 본 발명 은 커맨드 에 응답 하 여 제 1 모드 신호 를 생성 하 되 , 제 1 모드 신호 는 제 1 MOS 트랜지스터 의 전류 특성 에 따라 결정 되 는 제 1 구간 이 제 1 수동소자 에 의해 결정 되 는 제 2 구간 보다 큰 경우 인 에 이 블 되 는 제 1 모 드신 호생 성 회로 ; 및 상기 커맨드 에 응답 하 여 제 2 모드 신호 를 생성 하 되 , 제 2 모드 신호 는 제 2 수동소자 에 의해 결정 되 는 제 3 구간 이 제 2 MOS 트랜지스터 의 전류 특성 에 따라 결정 되 는 제 4 구간 보다 큰 경우 인 에 이 블 되 는 제 2 모 드신 호생 성 회로 를 포함 하 는 반도체 장치 를 제공 한다 .