또한 , 도 9 ( A ) 및 도 9 ( B ) 에서 단결정 실리콘 으로 채널 영역 이 형성 되 는 트랜지스터 및 산화물 반도체 로 채널 영역 이 형성 되 는 트랜지스터 의 양쪽 모두 를 사용 하 여 반도체 장치 를 구성 하 는 레이아웃 의 구체 적 인 예 에 대하 여 기재 하 였 지만 , 상기 반도체 장치 는 산화물 반도체 로 채널 영역 이 형성 되 는 트랜지스터 만 으로 구성 할 수 도 있 다 . 이러 한 반도체 장치 의 레이아웃 의 구체 적 인 예 에 대하 여 도 12 ( A ) 및 도 12 ( B ) 를 참조 하 여 설명 한다 .