도 3 ( a ) 의 반도체 메모리 장치 의 동작 이 설명 된다 . 도 3 ( a ) 의 반도체 메모리 장치 는 복수 개 의 입력 값 ( A , B , C ) 에 따라 서로 다른 크기 와 방향 을 가지 는 전류 를 형성 한다 . 이렇게 형성 된 전류 는 자성 유도 레이어 ( 210 ) 에 흐르 고 , 자성 유도 레이어 ( 210 ) 에 흐르 는 전류 의 방향 에 따라 저항 변환 소자 ( 230 ) 의 저항 값 이 결정 된다 .