GaAs / AlAs DBR 의 경우 더 적 은 수 의 브래그 ( Bragg ) 쌍 이 필요 하 기 때문 에 AlAs 가 또 한 일반 적 으로 사용 된다 . 조성 이 변경 될 때 재료 의 격자 상수 가 크 게 변하 지 않 기 때문 에 VCSEL 에서 DBR 을 구성 하 는 데 GaAs - Al ( Ga ) As 시스템 이 선호 된다 . 그러나 , AlGaAs 의 굴절 률 은 Al 분 율 이 증가 함 에 따라 비교 적 강 하 게 변하 여 , 다른 후보 재료 시스템 과 비교 할 때 효율 적 인 DBR 을 형성 하 는 데 필요 한 층 의 수 를 최소 화 한다 .