투명 지지 기판 의 ITO 막 위 에 순차 적 으로 , 하 기 각 층 을 형성 했 다 . 진공 조를 5 × 10 - 4 Pa 까지 압력 을 내리 고 , 먼저 , HI 를 가열 하 여 막 두께 40 nm 로 되 도록 증착 하 고 , 다음 으로 , HAT - CN 을 가열 하 여 막 두께 5 nm 로 되 도록 증착 하 고 , 다음 으로 , HT - 1 을 가열 하 여 막 두께 45 nm 로 되 도록 증착 하 고 , 다음 으로 , HT - 2 를 가열 하 여 막 두께 10 nm 로 되 도록 증착 하 여 , 4 층 으로 이루어지 는 정공 층 을 형성 했 다 . 다음 으로 , 화합물 ( 3 - 181 - O ) 과 화합물 ( 1 - 41 ) 을 동시 에 가열 하 여 막 두께 25 nm 로 되 도록 증착 하 여 발광 층 을 형성 했 다 . 화합물 ( 3 - 181 - O ) 과 화합물 ( 1 - 41 ) 의 질량비 가 약 98 : 2 로 되 도록 증착 속도 를 조절 했 다 . 또한 , ET - 1 을 가열 하 여 막 두께 5 nm 로 되 도록 증착 하 고 , 다음 으로 , ET - 2 와 Liq 를 동시 에 가열 하 여 막 두께 25 nm 로 되 도록 증착 하 여 , 2 층 으로 이루어지 는 전자 층 을 형성 했 다 . ET - 2 와 Liq 의 질량비 가 약 50 : 50 으로 되 도록 증착 속도 를 조절 했 다 . 각 층 의 증착 속도 는 0 . 01 ∼ 1 nm / 초 였 다 . 그 후 , LiF 를 가열 하 여 막 두께 1 nm 로 되 도록 0 . 01 ∼ 0 . 1 nm / 초의 증착 속도 로 증착 하 고 , 이어서 , 알루미늄 을 가열 하 여 막 두께 100 nm 로 되 도록 증착 하 여 음극 을 형성 하 고 , 유기 EL 소자 를 얻 었 다 .