한편 , 본 발명 에 따른 필드 플레이트 구조 는 HEMT 뿐 만 아니 라 쇼트 키 금속 콘 택 ( Schottky metal contact ) 이 이용 되 는 소자 ( device ) 예 를 들 면 , 쇼트 키 장벽 다이오드 , 금속 반도체 전계 효과 트랜지스터 ( MESFET ) , AlGaN / GaN 이종 접합 웨이퍼 위 에 제작 된 수평 형 GaN 쇼트 키 장벽 다이오드 , 수직 형 GaN 벌크 ( bulk ) 쇼트 키 장벽 다이오드 등 에 적용 할 수 있 다 .