상기 목적 을 달성 하 기 위해 , 본 발명 은 , 탄소 도프 가 되 어 있 지 않 은 실리콘 단결정 웨이퍼 를 준비 하 는 공정 과 , 상기 실리콘 단결정 웨이퍼 에 대해 , 탄소 원자 함유 화합물 가스 를 포함 하 는 분위기 에 있 어서 , 제 1 의 RTA 처리 를 행하 는 공정 과 , 상기 제 1 의 RTA 처리 보다 높 은 온도 에서 , 상기 제 1 의 RTA 처리 에 연속 하 는 제 2 의 RTA 처리 를 행하 는 공정 을 갖 고 , 상기 제 1 및 제 2 의 RTA 처리 에 의해 , 상기 실리콘 단결정 웨이퍼 에 대해 , 공공 을 주입 함 과 함께 탄소 를 도프 하 고 , 상기 실리콘 단결정 웨이퍼 의 표면 으로부터 0 . 1 μ m 의 깊이 의 범위 에 있 어서 , 탄소 농도 를 1 × 1017 atoms / cm 3 이상 으로 하 는 것 을 특징 으로 하 는 탄소 도프 실리콘 단결정 웨이퍼 의 제조 방법 을 제공 한다 .