상기 급전 회로 ( 150 ) 는 도 22 에 나타내 는 공정 에 의해 제작 된다 . 먼저 , 도 22 ( a ) 에 나타내 는 바 와 같이 , 무선 IC 칩 ( 10 ) 의 이면 에 절연 층 ( 152 ) 을 입출력 단자 전극 부분 을 제외 하 고 형성 한다 . 다음 으로 도 22 ( b ) 에 나타내 는 바 와 같이 , 전극 층 ( 153 ) 을 절연 층 ( 152 ) 상 에 도금 등 으로 형성 하 고 , 소정 의 형상 으로 에칭 한다 ( 도 22 ( c ) 참조 ) . 이 상태 를 도 23 ( A ) 에 나타낸다 .