본 개시 내용 의 실시 예 들 에서 , 제안 된 MEMS 트랜스 듀 서 ( 30 ) 의 제 1 및 제 2 차동 MEMS 센서 디바이스 들 ( 10 , 20 ) 은 제조 편차 들 을 제외 하 고 는 동일 하 게 구성 되 며 , 제 1 및 제 2 차동 MEMS 센서 디바이스 들 ( 10 , 20 ) 은 트윈 구성 으로 배열 된다 . MEMS 센서 디바이스 들 의 구성 은 , 단일 차동 MEMS 센서 디바이스 ( 10 , 20 ) 의 제조 프로세스 동안 발생 할 수 있 는 제조 편차 들 때문 에 서로 약간 상이 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 제조 프로세스 는 멤 브레인 을 퇴적 하 는 단계 , 에 어 갭 ( air gap ) 을 형성 하 는 단계 , 전극 구 조체 들 을 퇴적 하 는 단계 , 에칭 및 / 또는 금속 화 하 는 단계 를 포함 할 수 있 다 . 제조 단계 들 동안 , " 각각 의 제조 단계 의 정확도 가 약간 떨어져서 제조 편차 들 을 초래 할 수 있 다 . "" 트윈 구성 "" 이 라는 용어 하 에서 ", 2 개 의 개별 차동 MEMS 센서 디바이스 들 이 쌍 을 이루 는 것 에 대해 이해 될 것 이 다 .