이 때 , 최상층 의 단자 용 몰리브덴 막 ( 196 ) 의 표면 의 산화 막 또는 수산화 막 은 일부 제거 된다 . 그러나 , 보호 절 연막 ( 62 ) 을 구성 하 는 SixNy 와 에칭 가스 사이 의 반응 및 그 후 의 애 싱 프로세스 에 의해 생기 는 표면 생성물 이 최상층 의 단자 용 몰리브덴 막 ( 196 ) 의 표면 에 형성 된다 . 도 13 b 에 관련 하 여 설명 한 바 와 같이 , 이 표면 생성물 의 상세 한 성분 은 아직 완전 하 게 해명 되 어 있 지 않 지만 , F 성분 을 포함 하 는 막 이 며 , 그 두께 는 , 예 를 들 면 약 10 ㎚ 내지 약 30 ㎚ 이 다 . 도 14 b 에서 계면 상태 ( 208 ) 로서 도시 되 어 있 는 것 은 , 도 14 a 의 상태 외 에 , 이 표면 생성물 이 더 형성 된 상태 이 다 .