제 3 소스 전극 ( SE 3 ) 은 , 도 12 에 도시 된 바 와 같이 , 제 5 저항성 접촉 층 ( 3323 a ) 및 게이트 절 연막 ( 3311 ) 상 에 위치 한다 . 제 3 소스 전극 ( SE 3 ) 은 제 2 드레 인 전극 ( DE 2 ) 과 일체 로 구성 된다 . 제 3 소스 전극 ( SE 3 ) 의 적어도 일부 는 제 3 반도체 층 ( 3322 ) 및 제 3 게이트 전극 ( GE 3 ) 과 중첩 한다 . 제 3 소스 전극 ( SE 3 ) 은 I 자 , C 자 및 U 자 중 어느 하나 의 형태 를 가질 수 있 다 . 제 3 소스 전극 ( SE 3 ) 은 전술 된 데이터 라인 ( DL ) 과 동일 한 물질 및 구조 ( 다 중막 구조 ) 를 가질 수 있 다 . 제 3 소스 전극 ( SE 3 ) 과 데이터 라인 ( DL ) 은 동일 한 공정 으로 동시 에 만들 어 질 수 있 다 .