[ 0003 ] 웨이퍼 또는 기판 상 에 의 금속 재료 들 의 형성 동안 , 기판 이 도금 욕 ( plating bath ) 내 에 침지 된 후 에 기판 상 에 금속 이 형성 될 수 있 다 . 이어서 , 웨이퍼 가 상승 되 거나 다른 방식 으로 이동 된 후 에 , 챔버 ( chamber ) 에서 헹궈 질 수 있 다 . 헹굼 은 물 을 사용 할 수 있 으며 , 물 은 기판 의 표면 을 가로질러 분무 될 수 있 다 . 이러 한 프로세스 동안 에 몇 가지 문제 들 이 일어날 수 있 다 . 예 를 들 어 , 물 이 도금 욕 내 로 떨어져서 희석 을 유발 할 수 있 으며 , 이 는 희석 을 감소 시키 려는 시도 로 , 헹굼 시간 들 이 단축 되 거나 상이 하 게 수행 되 게 할 수 있 다 . 추가 적 으로 , 이러 한 헹굼 동안 , 욕 으로부터 의 도금 용액 이 웨이퍼 또는 챔버 컴포넌트 들 상 으로 튀겨서 , 화학 물질 로부터 웨이퍼 또는 챔버 가 오염 될 수 있 다 . 일부 프로세싱 에서 , 헹굼 은 또한 기판 상 의 잔류 욕 유체 ( residual bath fluid ) 를 배출 시킬 수 있 으며 , 이 는 각각 의 기판 과 함께 도금 욕 의 일부 를 제거 함 으로써 처리 동작 들 과 연관 된 비용 들 을 증가 시킬 수 있 다 .