이 와 같이 설명 된 본 발명 의 일실 시예 에 따르 면 , 게이트 재산 화 공정 을 수행 하 더라도 기 수행 된 플 라즈 마 산화 공정 에 의하 여 형성 된 얇 은 산화 막 이 게이트 전극 의 측면 에서 게이트 전극 의 이상 산화 현상 을 방지 한다 . 따라서 , 게이트 전극 의 저항 감소 및 안정 적 인 게이트 프로파일 의 확보 가 가능 하 고 후속 랜딩 플러그 콘 택 형성 공정 시 의 오픈 마진 을 증가 시킬 수 있 다 .