NMOS 영역 에 는 다중 채널 을 가지 며 제 1 게이트 전극 ( 50 ) 과 제 1 소오 스 / 드레 인 영역 ( 23 ) 을 구비 한 NMOS 트랜지스터 , PMOS 영역 에 는 다중 채널 을 가지 며 제 2 게이트 전극 ( 52 ) 과 제 2 소오 스 / 드레 인 영역 ( 24 ) 을 구비 한 PMOS 트랜지스터 가 형성 되 어 CMOS 트랜지스터 를 구현 할 수 있 다 .