도시 한 바 와 같이 , 제 1 , 2 기판 ( 11 , 51 ) 이 서로 일정 간격 이격 되게 배치 되 어 있 고 , 상기 제 1 기판 ( 11 ) 의 내부 면 에 는 제 1 전극 ( 13 ) 이 형성 되 어 있 고 , 제 1 전극 ( 13 ) 하 부면 에 는 화소 영역 ( P ) 별 경계 영역 ( CA ) 에 버퍼 패턴 ( 17 ) 및 격벽 ( 20 ) 이 순차 적층 되 어 형성 되 어 있 고 , 상기 격벽 ( 20 ) 에 의해 별도 의 패 터닝 공정 진행 없이 상기 격벽 ( 20 ) 으로 둘러싸인 영역 으로 정의 되 는 화소 영역 ( P ) 에 유기 발광 층 ( 25 ) 및 제 2 전극 ( 30 ) 이 상기 제 1 전극 ( 13 ) 하부 로 순차 적 으로 형성 되 어 있 다 . 이때 , 상기 제 1 , 2 전극 ( 13 , 30 ) 및 이 들 전극 사이 에 개재 된 유기 발광 층 ( 25 ) 은 유기 전계 발광 다이오드 ( E ) 를 이룬다 .