식 ( 1 ) 의 두께 「 d 」 는 , 기판 ( W ) 과 제 1 환형 부재 ( 26 a ) 와 의 간격 ( 진공 구간 의 거리 ) 이 다 . 따라서 , 제 1 환형 부재 ( 26 a ) 의 두께 를 조정 함 으로써 도 공간 ( A ) 의 임피던스 를 조정 할 수 있 다 . 예컨대 , 두께 가 다른 복수 의 제 1 환형 부재 ( 26 a ) 중 에서 , 어느 하나 의 제 1 환형 부재 ( 26 a ) 를 공간 ( A ) 에 배치 함 으로써 , 기판 ( W ) 의 외주 부 와 제 1 환형 부재 ( 26 a ) 와 의 간격 을 조정 할 수 있 다 . 예컨대 , 제 1 환형 부재 ( 26 a ) 의 두께 를 두껍 게 함 으로써 간격 ( d ) 이 작아지 고 , 따라서 , 정전 용량 ( C ) 이 커진다 . 이것 에 의해 , 공간 ( A ) 에서 의 임피던스 가 작아져서 , 기판 ( W ) 의 외주 부 의 플 라즈 마 밀도 를 높일 수 있 다 . 반대 로 , 제 1 환형 부재 ( 26 a ) 의 두께 를 얇 게 함 으로써 간격 ( d ) 가 커지 고 , 따라서 , 정전 용량 ( C ) 이 작아진다 . 이것 에 의해 , 공간 ( A ) 에서 의 임피던스 가 커져 , 기판 ( W ) 의 외주 부 의 플 라즈 마 밀도 를 낮출 수 있 다 . 이상 으로부터 , 제 1 환형 부재 ( 26 a ) 의 재질 및 / 또는 두께 를 바꿈 으로써 기판 ( W ) 의 외주 부 의 에칭 특성 을 제어 할 수 있 다 .