도 4 는 본 발명 의 실시 예 에 따른 상 변화 메모리 장치 를 보여 주 는 블록 도 이 다 . 도 4 를 참조 하 면 , 상 변화 메모리 장치 ( 100 ) 는 메모리 셀 어레이 ( 110 ) , 어 드레스 디코더 ( 120 ) , 비트 라인 선택 회로 ( 130 ) , 디스 차지 회로 ( 135 , 136 ) , 클램 핑 회로 ( 140 ) , 프리 차지 회로 ( 150 ) , 바이어스 회로 ( 160 ) , 센스 앰프 ( 170 ) , 제 어 유닛 ( 180 ) , 그리고 승압 회로 ( 200 ) 를 포함 한다 .