제 3 리세 스 ( 230 ) 저면 에 형성 되 는 게이트 절 연막 의 두께 ( a ) 가 얇 기 때문 에 , 제 3 리세 스 ( 230 ) 에 매립 되 는 게이트 전극 ( 270 ) ( 도 9 참조 ) 의 면적 이 증가 되 며 , 이 와 같 은 게이트 전극 ( 270 ) 을 포함 하 는 트랜지스터 의 제어 속도 가 증가 하 여 , 고속 으로 동작 하 는 트랜지스터 를 구현 할 수 있 다 .