실시 예 에 따른 이미지 센서 의 제조 방법 은 , 반도체 기판 내부 의 깊 은 영역 에 n 형 도핑 영역 을 형성 하 는 단계 ; 상기 n 형 도핑 영역 상부 에 형성 되 도록 상기 반도체 기판 의 얕 은 영역 에 제 1 p 형 도핑 영역 을 형성 하 는 단계 ; 상기 제 1 p 형 도핑 영역 타 측 의 반도체 기판 의 얕 은 영역 에 제 2 p 형 도핑 영역 을 형성 하 는 단계 ; 상기 제 1 p 형 도핑 영역 및 제 2 p 형 도핑 영역 의 상부 에 게이트 를 형성 하 는 단계 ; 상기 제 1 p 형 도핑 영역 일 측 의 반도체 기판 의 얕 은 영역 에 제 3 p 형 도핑 영역 을 형성 하 는 단계 ; 상기 제 3 p 형 도핑 영역 일 측 의 반도체 기판 의 얕 은 영역 에 제 4 p 형 도핑 영역 을 형성 하 는 단계 ; 상기 제 2 도핑 영역 의 타 측 에 플로팅 확산 영역 을 형성 하 는 단계 를 포함 한다 .