불순물 로 도핑 되 어 있 는 폴리 실리콘 박막 은 스위칭 트랜지스터 ( 3 ) 및 리셋 트랜지스터 ( 4 ) 의 드레 인 단자 를 신장 함 으로써 형성 되 고 , 제 1 저장 커패시터 ( 6 ) 의 게이트 금속 은 트랜지스터 의 게이트 전극 과 동일 한 공정 에 의해 형성 되 지만 , 그러나 이 들 은 전기 적 으로 졀 연 되 어 있 다 . 폴리 실리콘 박막 의 중심부 는 기본 적 으로 불순물 로 도핑 되 지 않 은 채널 영역 이 고 , 불순물 로 도핑 되 어 있 는 양 측 에 드레 인 영역 및 소스 영역 이 존재 하 며 , 게이트 절 연막 을 통해 채널 영역 위 에 게이트 전극 을 배열 함 으로써 트랜지스터 가 형성 된다 .