전술 한 내용 으로부터 알 수 있 는 바 와 같이 , 도 1 a 및 1 b 에서 의 SJ - MOS 트랜지스터 ( 100 ) 의 PN 칼럼 층 ( 11 ) 은 불순물 양 의 밸런스 가 이미 깨진 2 개 의 칼럼 층 즉 , 제 1 칼럼 층 ( 11 a ) 및 제 2 칼럼 층 ( 11 b ) 으로 구성 된 구조 를 가진다 . 따라서 , 형상 가공 편차 또는 불순물 농도 의 편차 ( 이하 , 공동 으로 형성 편차 라 칭함 ) 에 의해 생기 는 불순물 양 의 임의 의 잉여량 을 제거 할 수 있 다 . 그 결과 , 도 22 a 및 22 b 에 예시 된 종래 의 SJ - MOS 트랜지스터 ( 90 ) 에서 보다 형성 편차 의 더 넓 은 범위 에서 필요 로 하 는 600 V 이상 의 내압 을 확보 할 수 있 다 .