본 발명 의 실시 예 에 따른 이미지 센서 의 제조 방법 은 회로 영역 이 형성 된 반도체 기판 상 에 복수 의 금속 배선 및 층간 절 연막 을 포함 하 는 금속 배선 층 을 형성 하 는 단계 ; 상기 층간 절 연막 위 에 제 1 픽셀 분리 막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 제 1 픽셀 분리 막 사이 에 금속 배선 과 접촉 하 는 수 광부 를 형성 하 는 단계 ; 및 상기 수 광부 상 에 제 1 상부 전극 을 형성 하 는 단계 를 포함 한다 .