도 4 를 참조 하 면 , 하드 마스크 스 페이서 막 ( 도 3 의 170 ) 을 이방성 식각 하 여 하드 마스크 막 패턴 ( 155 ) 측벽 에 하드 마스크 스 페이서 ( 171 ) 를 형성 한다 . 이방성 식각 은 에치 백 ( etch back ) 과정 으로 수행 될 수 있 다 . 하드 마스크 스 페이서 ( 171 ) 는 하드 마스 막 패턴 ( 155 ) 과 함께 후속 게이트 라인 형성 시 , 식각 에 대한 장벽층 으로 이용 될 수 있 다 .