CVD 장치 들 은 통상 적 으로 실리콘 산화물 ( SiO ) , 실리콘 질화물 ( SiN ) , 실리콘 탄화물 ( SiC ) , 및 실리콘 산탄 화물 ( SiOC ) 과 같 은 절 연막 들 및 텅스텐 실리사이드 ( WSi ) , 티타늄 질화물 ( TiN ) 및 알루미늄 ( Al ) 합금 과 같 은 전도성 막 들 을 실리콘 기판 들 또는 유리 기판 들 상 에 형성 하 기 위하 여 이용 되 어 왔 다 . 이러 한 막 들 을 형성 하 기 위하 여 , 다양 한 구성 물 들 을 가지 는 다중 반응 가스 들 이 반응 챔버 내 에 주입 된다 . 플라 즈 마 CVD 장치 에 있 어서 , 이러 한 반응 가스 들 은 라디오 주파수 에너 지 또는 마이크 로 웨이브 에너지 에 의하 여 플 라즈 마로 활성 화 되 고 , 서 셉 터 에 의하 여 지지 되 는 기판 상 에 원하 는 박막 을 형성 하 기 위하 여 화학 적 으로 반응 한다 .