도 121 및 도 122 에 따르 면 , 본 발명 의 일 형태 에 따른 굴절 률 이 낮 은 재료 를 사용 한 발광 디바이스 는 , 비교 발광 디바이스 보다 외부 양자 효율 이 높 은 EL 디바이스 이 다 . 디바이스 의 효율 이 향상 된 것 은 , 발광 디바이스 11 , 발광 디바이스 12 에서 사용 한 정공 수송 층 의 굴절 률 이 낮 기 때문 에 , 광 추출 효율 이 개선 된 것 에서 유래 한다 .