본 발명 에 따르 면 , " "" 졸 - 겔 공정 "" 은 초기 졸 상태 에서 배치 ( batch ) 에서 정지 되 고 ", 즉시 기상 공정 으로 전환 되 는 방식 으로 , " 반응기 내 에서 일종 의 "" 졸 - 겔 공정 "" 을 행한 다음 CVD 를 행하 는 것 을 조합 하 는 것 을 제안 한다 . 본원 에서 는 졸 이나 겔 상태 가 모두 형성 되 는 것 을 허용 하 지 않 는다 . 화합물 의 기화 가 일어나 지 않 는 경우 에 만 졸 - 겔 형성 반응 이 이루어질 수 있 다 . 따라서 ", 상응 하 는 화합물 을 기화 하 여 , 응집 하 기 이전 상태 인 화학 적 유도체 화 의 초기 상태 에서 반응 을 정지 시킨다 . 본 발명 에 따르 면 , 상응 하 는 화합물 을 기화 하 여 응집 하 기 이전 상태 로 시간 을 충분히 일찍 선택 하 여 여전히 전 구체 의 형태 인 중간 생성물 이 준 - 졸 반응 혼합물 로부터 기상 으로 전이 할 수 있 다 . 졸 반응 혼합물 은 복수 의 생성물 및 중간 생성물 ( 일반 적 으로 알려 지 지 않 은 유형 ) 을 갖 지만 , 기상 으로부터 층 을 형성 하 기 위해서 는 , 층 을 또한 빠르 게 형성 하 는 중간 생성물 만 이 효율 적 이 라는 것 이 본 발명 이 고려 하 는 기초 이 다 . 다른 ( 비 효율 적 인 ) 물질 은 CVD 반응기 에서 배출 될 것 이 다 .