본 발명 에 따른 기판 처리 방법 은 공정 챔버 에 설치 된 기판 지지 부 에 복수 의 기판 들 을 일정 한 간격 으로 안착 시키 는 단계 ( A ) ; 상기 복수 의 기판 들 이 안착 된 기판 지지 부를 회전 시키 는 단계 ( B ) ; 및 상기 챔버 리드 에 방사 형태 로 설치 된 복수 의 가스 분사 모듈 을 통해 가스 를 상기 기판 지지 부 상 에 국부 적 으로 분사 하 는 단계 ( C ) 를 포함 할 수 있 다 . 상기 단계 ( C ) 는 , 상기 복수 의 가스 분사 모듈 중 일부 의 가스 분사 모듈 을 통해 제 1 및 제 2 가스 중 적어도 한 종류 의 가스 를 상기 기판 지지 부 상 에 국부 적 으로 분사 하 는 단계 ; 및 상기 복수 의 가스 분사 모듈 중 나머지 가스 분사 모듈 을 통해 퍼지 가스 를 상기 기판 지지 부 상 에 국부 적 으로 분사 하 는 단계 를 포함 할 수 있 다 . 상기 복수 의 가스 분사 모듈 중 일부 의 가스 분사 모듈 은 상기 제 1 가스 를 분사 하 는 제 1 가스 분사 공간 과 상기 제 2 가스 를 분사 하 는 제 2 가스 분사 공간 을 가지 며 , 상기 제 2 가스 분사 공간 내 에 플 라즈 마 를 형성 할 수 있 다 .