따라서 , 유전 상수 가 낮 은 실리콘 보론 질화 막 ( 54 A ) 과 내산 화성 이 좋 은 실리콘 질화 막 ( 54 B ) 을 적층 하 여 형성 함 으로써 데이터 를 저장 하 는 비휘발성 메모리 소자 에서 같 은 스트링 ( String ) 내 의 게이트 간 의 간섭 ( Interference ) 에 의한 데이터 혼란 ( Data Disturbance ) 를 억제 할 수 있 다 .