도 5 및 도 6 에 도시 된 바 와 같이 , 광 입력 부 ( 300 ) 는 반도체 기판 ( 100 ) 의 전면 에서 광 검출기 ( 200 ) 와 소정 거리 만큼 수평 적 으로 이격 되게 배치 되 어 , 반도체 기판 ( 100 ) 의 전면 에서 광 입력 부 ( 300 ) 로 수직 하 게 입사 한 제 1 광 ( L 1 ) 이 기판 의 후면 에 형성 된 경사 거울 면 ( 401 ) 에서 반사 되 어 기판 의 전면 에 형성 된 광 검출기 ( 200 ) 로 입사 되 도록 한다 . 이때 광 입력 부 ( 300 ) 와 광 검출기 ( 200 ) 의 광 흡수 층 ( 220 ) 사이 의 이격 거리 는 수식 3 으로부터 경사 거울 면 ( 401 ) 이 기판 의 후면 과 이루 는 경사각 θ 와 반도체 기판 ( 100 ) 표면 으로부터 경사 거울 면 ( 401 ) 상 에 제 1 광이 입사 되 는 지점 간 의 깊이 d 에 의해 입사광 의 대부분 이 광 흡수 층 으로 입사 될 수 있 도록 사전 에 설계 및 결정 될 수 있 다 .