애노드 ( AN ) 는 평탄 화 층 ( 116 ) 상 에서 각각 의 화소 ( PXL ) 별로 분리 되 어 배치 된다 . 애노드 ( AN ) 는 평탄 화 층 ( 116 ) 에 형성 된 컨 택 홀 ( CT ) 을 통해 트랜지스터 ( TFT ) 의 드레 인 전극 ( DE ) 에 전기 적 으로 연결 된다 . 애노드 ( AN ) 는 발광 층 ( EM ) 에 정공 을 공급 할 수 있 는 도전 성 물질 로 이루어진다 . 예 를 들 어 , 주석 산화물 ( Tin Oxide ; TO ) , 인듐 주석 산화물 ( Indium Tin Oxide ; ITO ) , 인듐 아연 산화물 ( Indium Zinc Oxide ; IZO ) , 인듐 주석 아연 산화물 ( Indium Zinc Tin Oxide ; ITZO ) 등 과 같 은 투명 도전 성 물질 및 은 ( Ag ) , 은 합금 ( Ag alloy ) 과 같 은 반사 성 이 우수 한 물질 로 이루어지 는 반사 층 으로 이루어질 수 있 으며 , 이 에 제한 되 지 않 는다 . 도 3 에서 는 애노드 ( AN ) 가 트랜지스터 ( TFT ) 의 드레 인 전극 ( DE ) 과 전기 적 으로 연결 되 는 것 으로 도시 하 였으나 , 애노드 ( AN ) 는 트랜지스터 ( TFT ) 의 타입 에 따라 트랜지스터 ( TFT ) 의 소스 전극 ( SE ) 과 전기 적 으로 연결 될 수 도 있 다 .