플라 즈 몬 도파 로 가 또한 그 에 더 포함 되 고 , 이 도파 로 는 , 커플링 을 통과 하 는 빛 의 진행 을 금속 - 피분 석물 계면 에 있 는 표면 플 라즈 몬 폴 라리 톤 ( SPP ) 에 국한 시키 는 제 1 MZI 의 상측 분 지부 ( 103 ) 에 형성 된다 . 플라 즈 몬 도파 로 는 금 ( Au ) 또는 은 ( Ag ) 과 같 은 귀금속 , 및 구리 ( Cu ) , 알루미늄 ( Al ) , 질화 티타늄 ( TiN ) 또는 다른 CMOS 호환 금속 과 같 은 저렴 한 금속 으로 만들 어 질 수 있 다 . 플라 즈 몬 도 퍼 로 는 다음 과 같 은 2 개 의 도파 로 중 의 하나 로 만들 어 질 수 있 다 : 첫째 , 도 5 에 나타나 있 는 바 와 같이 , " 그 부분 에서 만 정상 산화물 클래딩 및 포 토닉 도파 로 의 질화규소 코어 를 에칭 하 여 형성 되 는 공동 부 의 도움 으로 산화물 상층 위 에 직접 배치 되 는 얇 은 금속 스트립 을 포함 하 는 소위 박막 도파 로 ( TFW ) ; 또는 도파 로 는 또한 소위 "" 하이브리드 플 라즈 모 - 포 토닉 슬롯 도파 로 ""( HPPSW ) 로 이루어질 수 있 고 ", 도 2 에 나타나 있 는 바 와 같이 , 이 도파 로 는 공동 부 또는 추가 적 인 처리 단계 에 대한 필요 없이 도파 로 의 미리 정해진 부분 위 에 직접 배치 되 는 2 개 의 평행 한 금속 와이어 를 포함 한다 . 이 경우 , 금속 스트립 아래 에 있 는 포 토닉 도파 로 는 추가 적 인 마스크 또는 처리 단계 를 필요 로 함 이 없이 리소그래피 동안 에 차단 된다 . 도 4 에 나타나 있 는 바 와 같이 , 플라 즈 몬 슬롯 및 위상 변위 기 는 단일 단계 에서 포 토닉 도파 로 위 에 직접 배치 될 수 있 어 , 훨씬 더 저렴 한 버 젼 의 센서 를 제공 할 수 있 고 따라서 포 토닉 도파 로 의 에칭 이 필요 없 고 단일 금속 층 증착 단계 가 얻 어 진다 . 단일 마스크 에서 HPPSW 및 열 광학 적 위상 변 이 기 ( 가열기 ) 둘 다를 설계 하 기 위해 , 거리 ( Wsiot ) 로 표현 되 는 금속 스트립 의 분리 값 , 금속 스트립 길 이 및 폭 이 센서 의 마스크 설계 동안 에 규정 될 수 있 다 . 방향 커플링 을 이용 하 여 , 포 토닉 도파 로 에서 나온 빛 을 플 라즈 몬 슬롯 에 연결 하 고 또한 다시 포 토닉 도파 로 에 연결 한다 . 도 2 의 플 라즈 몬 슬롯 의 전방 및 후방 단부 에 있 는 플라 즈 몬 테이퍼 가 개선 된 연결 효율 을 위해 사용 될 수 있 다 .