도 1 ( 종래 기술 ) 은 , 활성 포스트 - 왜곡 기술 을 이용 하 는 차동 LNA ( 1 ) 의 회로도 이 다 . 이러 한 기술 은 , 포화 영역 에 바이어 싱 된 4 개 의 전계 효과 트랜지스터 들 ( FET ) 의 사용 을 포함 한다 . FET 들 ( 2 및 3 ) 은 메인 FET 들 로 지칭 된다 . FET 들 ( 4 및 5 ) 은 소거 FET 들 로 지칭 된다 . 메인 FET 및 소거 FET 의 한 쌍 은 다음 과 같이 동작 한다 . ( 회로 의 이득 및 잡음 지수 를 정의 하 는 ) 메인 FET ( 2 ) 는 입력 리드 ( 5 ) 상 의 입력 신호 를 증폭 시킨다 . 입력 신호 의 증폭 된 버전 은 노드 ( 6 ) 상 에서 생성 된다 . 메인 FET ( 2 ) 가 공통 소스 증폭기 로서 구성 되 기 때문 에 , 증폭 된 신호 는 입력 리드 ( 5 ) 상 의 입력 신호 에 관해 약 180 도 의 위상 시프트 를 갖 는다 . 또한 , 3 차 왜곡 컴포넌트 들 은 , 입력 신호 의 원 하 는 증폭 된 버전 과 함께 노드 ( 6 ) 상 의 신호 에 존재 한다 . 노드 ( 6 ) 상 의 위상 - 시프트 된 신호 는 소거 FET ( 4 ) 의 입력 에 적용 된다 . 소거 FET ( 4 ) 는 포화 영역 에 바이어 싱 되 지만 , 그럼에도 현저 한 비 - 선형 증폭 특성 을 갖 는다 . 소거 FET ( 4 ) 는 , 실질 적 인 양 의 3 차 왜곡 을 생성 하 지만 드레 인 에서 작 은 양 의 원 하 는 신호 만 을 증폭 된 형태 로 공급 한다는 점 에서 조악 한 증폭기 이 도록 설계 된다 . FET ( 4 ) 에 의해 출력 된 왜곡 신호 의 크기 는 , 노드 ( 6 ) 상의 FET ( 2 ) 에 의해 출력 된 왜곡 신호 에 대한 크기 와 동일 하 게 셋 팅 된다 . 소거 FET ( 4 ) 가 포화 영역 에 바이어 싱 되 기 때문 에 , 그것 이 출력 하 는 왜곡 뿐 만 아니 라 그것 이 출력 하 는 증폭 된 원 하 는 신호 양자 는 노드 ( 6 ) 상의 3 차 왜곡 컴포넌트 들 에 관해 180 도 위상 반전 ( out of phase ) 된다 . 메인 FET ( 2 ) 및 소거 FET ( 4 ) 로부터 출력 된 전류 신호 들 은 노드 ( 7 ) 에서 합산 된다 . 이러 한 합산 은 , 양자 의 신호 들 에서 의 3 차 왜곡 의 소거 를 초래 한다 . 불운 하 게 도 , 원치 않 는 3 차 왜곡 을 소거 하 는 것 이외 에 , 이러 한 기술 은 , FET 들 ( 2 및 4 ) 에 의해 출력 된 원 하 는 입력 신호 의 증폭 된 버전 들 이 서로 동위 상 ( in phase ) 이 기 때문 에 원하 는 신호 의 일부 소거 를 또한 초래 한다 . 따라서 , LNA 의 이득 은 열화 된다 . 도 1 의 차동 LNA 에 대한 추가 적 인 세부 사항 에 대해서 는 , 2007 년 10 월 4 일자 로 공개 된 미국 특허 공개 공보 제 2007 / 0229154 를 참조 한다 .