상기 제 1 캡 핑 층 ( 30 ) 은 Si 또는 금속 으로 도핑 된 탄화물 박막 으로 이루어질 수 있 으며 , 약 0 . 5 ∼ 2 nm 두께 로 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 면 , 상기 제 1 캡 핑 층 ( 30 ) 은 M 1 - y ( ( ZnS ) 1 - x ( SiC ) x ) y , M 1 - y ( W 1 - xCx ) y , M 1 - y ( Ta 1 - xCx ) y 및 M 1 - y ( Mo 1 - xCx ) y ( 식 들 에서 , 각각 0 < x < 1 , 0 < y < 1 , M 은 각각 Si , Ta , W 또는 Mo ) 로 이루어지 는 군 에서 선택 되 는 적어도 하나 의 도핑 된 탄화물 로 이루어질 수 있 다 .