본 발명 에서 는 반도체 층 을 , 복합 산화물 의 소결 타 겟 을 이용 하 여 , DC 또는 AC 스퍼터링 에 의해 성막 한다 . DC 또는 AC 스퍼터링 을 이용 하 는 것 에 의해 , RF 스퍼터링 의 경우 에 비하 여 성막 시 의 손상 을 저감 할 수 있 다 . 이 때문 에 , 전계 효과 형 트랜지스터 에 있 어서 , 역치 전압 쉬프 트 의 저감 , 이동도 의 향상 , 역치 전압 의 감소 , S 값 의 감소 등 의 효과 를 기대 할 수 있 다 .