다음 에 , 레지스 트 마스크 를 사용 하 여 1 도 전형 을 부여 하 는 불순물 원소 가 첨가 된 불순물 반도체 막 ( 63 ) 을 에칭 하 여 분리 한다 . 이 결과 , 도 2 c 에 도시 하 는 바 와 같 은 , 한 쌍 의 소스 영역 및 드레 인 영역 ( 72 ) 을 형성 할 수 있 다 . 또 , 상기 에칭 공정 에 있 어서 , 제 2 버퍼 층 ( 42 ) 의 일부 도 에칭 한다 . 일부 에칭 된 , 오 목부 가 형성 된 제 2 버퍼 층 을 제 2 버퍼 층 ( 43 ) 으로 개시 한다 . 소스 영역 및 드레 인 영역 의 형성 공정 과 , 제 2 버퍼 층 의 오 목부 를 동일 공정 에서 형성 할 수 있 다 . 제 2 버퍼 층 ( 43 ) 의 오 목부 의 깊이 를 , 제 2 버퍼 층 ( 43 ) 의 가장 막 두께 가 두꺼운 영역 의 1 / 2 내지 1 / 3 으로 하 는 것 으로 , 소스 영역 및 드레 인 영역 의 거리 를 떨어뜨리 는 것 이 가능 하 기 때문 에 , 소스 영역 및 드레 인 영역 의 사이 에서 의 리크 전류 를 저감 할 수 있 다 . 이 후 , 레지스 트 마스크 를 제거 한다 .