또한 , 상기 구조 를 실현 하 기 위한 제작 방법 에 관한 발명 의 구성 은 기판 위 에 도전 층 을 형성 하 고 , 다 계조 마스크 를 사용 하 여 , 1 회 의 노광 을 행하 고 , 단면 에서 의 측면 과 기판 주 평면 이 이루 는 각 이 다른 제 1 레지스 트 마스크 와 제 2 레지스 트 마스크 를 현상 하 고 , 제 1 레지스 트 마스크 와 제 2 레지스 트 마스크 를 마스크 로 하 여 도전 층 을 에칭 하 여 각각 배선 을 형성 하 고 , 현상 후 의 제 1 레지스 트 마스크 의 측 단면 의 각도 와 제 2 레지스 트 마스크 의 측 단면 의 각도 와 의 차이 는 10 ° 보다 큰 반도체 장치 의 제작 방법 이 다 .