전술 한 바 와 같이 게이트 ( 520 ) 에 인가 되 는 전압 을 제 1 두께 ( t 1 ) 에 대하 여 분극 스위칭 이 이뤄지는 전압 으로 셋 팅 할 수 있 으므로 , 베이스 ( 510 ) 에 제 2 두께 ( t 2 ) 로 형성 되 는 영역 을 만듦으로써 , 게이트 ( 520 ) 에 인가 되 는 전압 의 세기 , 시간 에 의해서 도 제 2 두께 ( t 2 ) 에 는 변동 저 저항 라인 ( 540 ) 이 형성 되 지 않 고 , 제 1 두께 ( t 1 ) 로 이루어진 영역 에 만 변동 저 저항 라인 ( 540 ) 이 형성 되 도록 할 수 있 다 .