또한 , 결정 성 을 갖 는 산화물 반도체 는 , 아몰 퍼스 상태 의 산화물 반도체 와 비교 하 여 벌크 내 결함 을 저감 할 수 가 있 으며 , 표면 의 평탄 성 을 높이 면 아몰 퍼스 상태 의 산화물 반도체 이상 의 이동도 를 얻 을 수 있 다 . 표면 의 평탄 성 을 높이 기 위해서 는 , 평탄 한 표면 상 에 산화물 반도체 를 형성 하 는 것 이 바람직 하 고 , 구체 적 으로 는 , 평균 면 거칠 기 ( Ra ) 가 1 nm 이 하 , 바람직 하 게 는 0 . 3 nm 이 하 , 보다 바람직 하 게 는 0 . 1 nm 이하 의 표면 상 에 형성 하 면 좋 다 .