상기 한 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 다른 구 현예 는 : ⅰ ) 일 측 제 1 면 에 에폭시 몰딩 컴 파운드 가 유입 되 는 게이트 가 형성 되 고 , 게이트 의 뒤쪽 에 는 제 1 면 및 제 1 면 의 반 대면 인 제 2 면 의 각 반도체 패 키 징 영역 으로 에폭시 몰딩 컴 파운드 를 분배 하 는 메인 분배 슬롯 이 관통 형성 된 서브 스트레이트 제공 단계 ; ⅱ ) 각 반도체 패 키 징 영역 에 반도체 다이 를 부착 하 는 단계 ; ⅲ ) 서브 스트레이트 의 제 1 면 에 제 1 몰딩 금형 이 밀착 되 는 동시 에 서브 스트레이트 의 제 2 면 에 제 2 몰딩 금형 이 밀착 되 는 몰딩 금형 클램 핑 단계 ; ⅳ ) 서브 스트레이트 의 게이트 를 통하 여 에폭시 몰딩 컴 파운드 를 공급 하 는 단계 ; 및 ⅴ ) 게이트 를 통과 한 에폭시 몰딩 컴 파운드 가 서브 스트레이트 의 제 1 면 으로 공급 되 는 동시 에 메인 분배 슬롯 을 통과 하 여 서브 스트레이트 의 제 2 면 으로 공급 되 어 , 서브 스트레이트 중 제 1 면 및 제 2 면 의 반도체 다이 가 한 번 에 몰딩 되 는 단계 ; 를 포함 한다 .