도 7 a 및 7 b 에 도시 한 바 와 같이 , 이 는 Ti 확산 과정 을 위해 사용 된 1 nm 두께 의 Ti 층 과 550 ℃ 에서 의 4 분 RTA 처리 로 TFT 소자 ( 소자 A ) 의 전기 특성 을 나타낸다 . 이러 한 TFT 소자 들 은 n - 채널 인 핸 스먼 트 모드 ( enhancement - mode ) 특성 을 보이 는데 , 핀치 오프 ( pinch - off ) 와 포화 특성 이 잘 나타내 고 있 다 . 특히 , 전류 포화 ( current saturation ) 특성 은 , AMOLED ( active - matrix organic display ) 내 에 집적 된 구동 TFT 와 같이 전류 소스 로 사용 되 는 경우 에 매우 중요 하 다 . 다시 한 번 강조 하 자면 트랜지스터 특성 을 얻 기 위해서 중요 한 것 은 전술 한 바 와 같 은 Ti 확산 처리 가 필수 적 이 라는 점 이 다 . 그러 한 Ti 확산 공정 을 거치 지 않 고 순수 한 TiO 2 로 만 되 어 있 는 활성 층 채널 을 갖 는 TFT 소자 들 은 게이트 전압 변화 에 따른 모듈레이션 ( gate modulation ) 특성 을 나타내 지 않 았 다 .