반도체 메모리 장치 ( 110 ) 는 불휘발성 메모리 를 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 반도체 메모리 장치 ( 110 ) 는 플래시 메모리 를 포함 할 수 있 다 . 그러나 , 반도체 메모리 장치 ( 110 ) 는 플래시 메모리 를 포함 하 는 것 으로 한정 되 지 않 는다 . 반도체 메모리 장치 ( 110 ) 는 PRAM ( Phase - change RAM ) , MRAM ( Magnetic RAM ) , RRAM ( Resistive RAM ) , FeRAM ( Ferroelectric RAM ) 등 과 같 은 다양 한 불휘발성 메모리 들 중 적어도 하나 를 포함 할 수 있 다 .