도 19 에 도시 한 바 와 같이 , 절연 기판 ( 110 ) 위 에 게이트 전극 ( 124 ) 및 끝 부분 ( 129 ) 을 포함 하 는 복수 의 게이트 선 ( 121 ) 과 유지 전극 ( 133 a , 133 b ) 을 포함 하 는 복수 의 유지 전 극선 ( 131 ) 을 형성 하 고 , 그 위 에 질화규소 로 만들 어 진 게이트 절 연막 ( 140 ) 및 비정질 규소 로 만들 어 진 하부 반도체 층 ( 150 ) 을 형성 한다 .