" 전체 기재 내용 이 본 명세서 에 참조 로 포함 되 는 "" Memory Cell Comprising a Semiconductor Junction Diode Crystallized Adjacent to a Silicides "" 명칭 의 미국 특허 7 ", 176 , 064 에 기술 된 바 와 같이 , 티탄 및 코발트 와 같 은 실리사이드 형성 물질 은 어닐링 동안 , 증착 된 실리콘 과 반응 하 여 실리사이드 층 을 형성 한다 . 티탄 실리사이드 및 코발트 실리사이드 의 격자 간격 들 은 실리콘 의 격자 에 가깝 고 , " 이것 은 이러 한 실리사이드 층 들 은 증착 된 실리콘 이 결정 화 될 때 이웃 한 증착 된 실리콘 에 대해 "" 결정 화 템 플레이트 들 "" 또는 "" 시드 들 "" 로서 작용 할 수 있 다 ( 예 를 들 어 ", 실리사이드 층 ( 310 ) 은 어닐링 동안 실리콘 다이오드 ( 204 ) 의 결정 구조 를 향상 시킨다 ) . 그럼 으로써 더 낮 은 저항률 의 실리콘 이 제공 된다 . 유사 한 결과 들 이 실리콘 - 게르마늄 합금 및 / 또는 게르마늄 다이오드 들 에 대해 달성 될 수 있 다 .