게이트 절 연막 ( 144 a ) 의 패 터닝 과정 에서 식각 용 가스 의 성분 이 게이트 절 연막 ( 144 a ) 으로 덮이 지 않 은 액티브 패턴 ( 131 a ) 으로 도핑 되 어 저 저항 의 소스 영역 ( 133 a ) 및 드레 인 영역 ( 135 a ) 이 형성 될 수 있 다 . 이 와 달리 , 게이트 절 연막 ( 144 a ) 의 패 터닝 이후 에 게이트 절 연막 ( 144 a ) 으로 의해 덮이 지 않 고 드러난 액티브 패턴 ( 131 a ) 을 처리 하 여 소스 영역 ( 133 a ) 및 드레 인 영역 ( 135 a ) 을 형성 할 수 도 있 다 . 이 때 의 처리 방법 으로 는 환원 분위기 에서 의 열처리 방법 , 수소 ( H 2 ) , 헬륨 ( He ) 등 과 같 은 환원성 물질 을 포함 하 는 기체 플 라즈 마 를 이용한 플라 즈 마 처리 방법 등 을 이용 할 수 있 다 .