이때 , 실리콘 웨이퍼 의 표면 에 실리콘 산화 막 을 증착 하 기 전 에 클린 룸 에 1 ~ 3 시간 , 예 를 들 면 2 시간 정도 실리콘 웨이퍼 를 방치 할 수 도 있 고 , 1 ~ 3 시간 은 클린 룸 내 에서 보론 이 웨이퍼 의 표면 으로 달라 불 을 수 있 는 시간 일 수 있 으며 방치 시간 이 너무 짧 으면 보 론 의 농도 가 너무 작 아서 검출 이 어려울 수 있 고 방치 시간 이 너무 크 면 보 론 의 농도 증가량 이 미미 하 여 , 공정 시간 이 증가 하 는 문제점 이 발생 할 수 있 다 . 보론 은 외부 공기 로부터 유입 되 거나 또는 클린 룸 ( clean room ) 내 의 필터 ( filter ) 등 으로부터 배출 되 어 클린 룸 내 에 보론 이 존재 하 게 되 고 , 따라서 실리콘 웨이퍼 의 벌크 영역 의 표면 에 보 론 이 달라붙 을 수 있 다 . 그리고 , 상술 한 CVD 방법 으로 실리콘 산화 막 을 증착 할 때 는 고온 에 의한 보론 의 이동 을 최소 화 하 기 위하 여 500 ℃ 미만 의 온도 에서 진행 될 수 있 다 .