상기 전자 주입 및 수송 층 은 전자 주입 층 및 전자 수송 층 과 같 은 별개 의 층 으로 도 형성 될 수 있 다 . 이 와 같 은 경우 , 전자 수송 층 은 상기 발광 층 또는 상기 정공 억제 층 상 에 형성 되 고 , 상기 전자 수송 층 에 포함 되 는 전자 수송 물질 로 는 상술 한 전자 주입 및 수송 물질 이 사용 될 수 있 다 . 또한 , 전자 주입 층 은 상기 전자 수송 층 상 에 형성 되 고 , 상기 전자 주입 층 에 포함 되 는 전자 주입 물질 로 는 LiF , NaCl , CsF , Li 2 O , BaO , 플 루오 레논 , 안 트 라 퀴노다이메탄 , 다 이 페노 퀴논 , 티오피 란 다 이 옥사이드 , 옥 사졸 , 옥사 다이아졸 , 트리아졸 , 이미다졸 , 페릴렌테트라카복실산 , 플 루 오레 닐리 덴 메탄 , 안 트론 등 과 그 들 의 유도체 , 금속 착체 화합물 및 질소 함유 5 원환 유도체 등 이 사용 될 수 있 다 .