도 1 a 는 소스 , 드레 인 사이 의 게이트 영역 상 에 감지 물질 을 부착 한 FET 센서 를 나타내 는 것 으로 이러 한 평면형 구조 를 갖 는 FET 센서 에서 는 표적 물질 과 결합 하 는 감지 물질 이 반도체 구조 체의 상부 에 만 존재 하 게 되 므로 , 전하 를 갖 는 표적 물질 이 감지 물질 과 결합 했 을 때 상부 측 한 쪽 표면 에서 만 전자 나 정공 의 축적 또는 공핍 이 일어나 게 된다 .