이 에 따라 , 상기 제 2 센서 ( 420 ) 는 반도체 특성 을 이용 하 여 적외선 광 을 감지 하 는 포토 다이오드 ( IR photo diode ) 를 포함 할 수 있 다 . 이 와 달리 , 상기 제 2 센서 ( 420 ) 는 광기전력 의 특성 을 이용 하 면서 증폭 작용 을 지닌 포토 트랜지스터 ( photo transistor ) 를 포함 할 수 도 있 다 .