이때 , 상기 표시 부 에 형성 된 소자 들 은 전기 적 특성 이 균일 한 것 이 바람직 하 고 , 회로 부 는 전기 적 특성 이 우수 한 것 이 바람직 하 다 . 이 와 같 은 이유 로 상기 제 3 다결정 실리콘 층 ( 105 ) 을 얼라 인 키 로 이용 하 여 상기 기판 을 정렬 한 후 , 상기 자기장 결정 화법 으로 결정 화 된 제 1 다결정 실리콘 층 ( 103 ) 을 패 터닝 하 여 화소 부 가 형성 될 제 1 결정 화 영역 ( 106 ) 을 형성 하 고 , 상기 레이저 결정 화법 으로 결정 화 된 제 2 다결정 실리콘 층 ( 104 ) 을 패 터닝 하 여 회로 부 가 형성 될 제 2 결정 화 영역 ( 107 ) 을 형성 한다 . 그리고 , 상기 패 터닝 공정 에 의해 제 1 결정 화 영역 ( 106 ) 으로 패 터닝 되 지 않 은 제 1 다결정 실리콘 층 ( 103 ) 이 제거 되 어 버퍼 층 ( 101 ) 의 일부 가 노출 되 고 , 상기 제 3 다결정 실리콘 층 이 제 3 결정 화 영역 ( 108 ) 으로 패 터닝 된다 .