코팅 ( 291 ) 의 사용 에 의해 , 프로세스 챔버 ( 102 ) 와 같 은 LED 프로세싱 챔버 의 프로세싱 체적 ( 208 ) 에 적용 된 그리고 이 로부터 제거 된 열 은 , 보다 종래 의 프로세스 챔버 디자인 들 에 비해 더욱 용이 하 게 유지 될 수 있 는 것 으로 밝혀졌 다 . 코팅 된 챔버 부품 들 은 감소 된 복사율 변화 들 로 나타나 며 , 이 는 일반 적 으로 웨이퍼 - 웨이퍼 및 웨이퍼 내 온도 균일 도 결과 들 의 개선 으로 이어지 며 , 따라서 개선 된 LED 디바이스 성능 반복 성 으로 이어진다 . 여기 에 서술 된 바 와 같 은 가스 분배 샤워 헤드 조립 체 ( 204 ) 의 사용 에 의해 , 희망 하 는 기판 프로세싱 온도 , 예 를 들 어 가열 요소 ( 223 ) 로부터 의 도전 성 가열 또는 램프 들 ( 221 A , 221 B ) 로부터 의 복사 열 을 유지 하 기 위해 , 기판 가열 소스 ( 들 ) 에 의해 기판 들 에 제공 된 열 에너지 와 같 은 입력 에너지 는 , 희망 하 는 설정 점 온도 를 유지 하 기 위해 약 0 . 5 % 미만 의 , 예 를 들 어 약 0 . 12 % 미만 과 같 은 약 0 . 5 % 내지 약 0 . 2 % 미만 의 가열 소스 ( 들 ) 에 적용 된 전력 의 변화 와 같 은 비교 적 작 은 범위 로 유지 되 는 것 으로 밝혀졌 다 . 예 를 들 어 , 약 1 , 000 ℃ 의 설정 점 온도 를 유지 하 기 위해 , 램프 들 ( 221 A , 221 B ) 과 같 은 기판 가열 소스 ( 들 ) 에 적용 된 전력 은 100 와트 미만 까지 변한다 . 일 예 에 있 어서 , 약 1 , 000 ℃ 의 온도 설정 점 을 유지 하 기 위해 , 일정 하 게 유지 된 열 교환 시스템 ( 270 ) 을 통한 유체 에 의한 열 제거 에 의해 , 기판 가열 소스 ( 들 ) 에 의해 기판 들 에 제공 된 열 에너지 는 100 와트 미만 까지 변하 며 , 이 는 기판 프로세싱 온도 를 달성 하 는 데 사용 된다 . 다른 예 에 있 어서 , 약 80 , 000 와트 의 전력 설정 점 을 유지 하 기 위해 , 기판 가열 소스 ( 들 ) 에 의해 기판 들 에 제공 된 열 에너지 는 100 와트 미만 까지 변하 며 , 이 는 약 1 , 000 ℃ 의 기판 프로세싱 온도 를 달성 하 는 데 사용 된다 . 램프 들 ( 221 A , 221 B ) 에 적용 된 전력 의 변화 들 , 및 / 또는 복사율 드리프트 를 보상 하 기 위해 열 제 어 유체 의 온도 또는 유량 의 변화 들 은 여기 에 서술 된 실시 예 들 에 따라 크 게 감소 된다 .