본 발명 에 의한 TFT 의 게이트 절연 층 ( 130 ) 상 에 는 질소 - 도핑 그래핀 층 을 포함 하 는 활성 층 ( 140 ) 이 구비 된다 . 이때 상기 질소 - 도핑 그래핀 층 은 , in - situ 성 장법 에 의하 는 것 , 즉 무산소 분위기 에서 그래핀 층 이 증착 되 고 연속 하 여 도핑 되 는 것 , 예 를 들 면 동일 한 장비 내 에서 연속 하 여 그래핀 층 이 증착 되 고 질소 - 도핑 되 는 것 이 바람직 하 다 .