도 12 를 참조 하 면 , 게르마늄 함유량 이 높 아 짐 에 따라 실리콘 - 게르마늄 에 피층 의 식각 속도 가 증가 하 는 것 을 알 수 있 다 . 따라서 , 게르마늄 함량 이 다른 반도체 에 피층 패턴 들 ( 115 a , 120 a ) 을 동시 에 식각 하 면 , 게르마늄 함량 이 높 은 제 1 반도체 에 피층 패턴 ( 115 a ) 이 제 2 반도체 에 피층 패턴 ( 120 a ) 에 비해 우선 적 으로 식각 될 수 있 다 .