1101 에 제공 된 기판 은 SnO 2 층 및 제 2 재료 ( 예 를 들 어 , SiO 2 , SiC , SiN , SiOC , SiNO , SiCNO , 및 SiCN 의 임의 의 조합 ) 의 층 의 증착 , 그리고 선택 가능 하 게 패 터닝 후 에 획득 된다 . SnO 2 층 은 임의 의 적합 한 방법 , 예컨대 CVD ( PECVD 를 포함 ) , ALD ( PEALD 를 포함 ) , 스퍼터링 , 등 에 의해 증착 된다 . 일부 실시 예 들 에서 , 기판 상 의 임의 의 돌출부 들 및 리세 스 된 피처 들 의 표면 들 을 포함 하 여 , 기판 의 표면 들 을 따르 도록 , SnO 2 막 을 컨 포 멀 하 게 증착 하 는 것 이 바람직 하 다 . 일부 실시 예 들 에서 SnO 2 층 은 약 20 내지 100 Å 의 두께 로 컨 포 멀 하 게 증착 된다 . 컨 포 멀 한 SnO 2 막 의 적합 한 증착 방법 들 중 하나 는 ALD 이 다 . 열 적 으로 또는 플 라즈 마 강화 된 ALD 가 사용 될 수 있 다 . 통상 적 인 열적 ALD 방법 에서 , 기판 이 ALD 프로세스 챔버 로 제공 되 고 후속 하 여 주석 함유 전구체 , 그리고 산소 함유 반응 물질 에 노출 되 어 , SnO 2 를 형성 하 도록 주석 함유 전구체 및 산소 함유 반응 물질 로 하여금 기판 의 표면 상 에서 반응 하 게 한다 . ALD 프로세스 챔버 는 통상 적 으로 , 프로세스 챔버 의 벌크 내 반응 을 방지 하 기 위해 기판 이 주석 함유 전구체 에 노출 된 후 , 그리고 산소 함유 반응 물질 이 프로세스 챔버 로 들어가 기 전 에 불활성 가스 를 사용 하 여 퍼지 된다 . 더욱이 , ALD 프로세스 챔버 는 통상 적 으로 , 기판 이 산소 함유 반응 물질 을 사용 하 여 처리 된 후 불활성 가스 를 사용 하 여 퍼지 된다 . 순차 적 인 노출 이 몇몇 사이클 들 에 대해 반복 되 고 , 예 를 들 어 , 약 10 내지 100 사이클 들 은 목표 된 두께 를 갖 는 SnO 층 이 증착 될 때 까지 수행 될 수 있 다 . 적합 한 주석 함유 전구체 들 의 예 들 은 할로겐 화 된 주석 함유 전구체 들 ( 예컨대 SnCl 4 , 및 SnBr 4 ) , 및 할로겐 화 되 지 않 은 주석 함유 전구체 들 , 예컨대 알킬 치환 된 주석 아미드 들 등 을 포함 하 는 , 유기 주석 화합물 들 을 포함 한다 . ALD 에 적합 한 알킬 치환 된 주석 아미드 들 의 구체 적 인 예 들 은 테트라 키스 ( 디메틸아미노 ) 주석 , 테트라 키스 ( 에틸 메틸 아미노 ) 주석 , N 2 , N 3 - 디 - tert - 부틸 - 부 테 인 - 2 , 3 - 디 아미노 - 주석 ( II ) 및 ( 1 , 3 - bis ( 1 , 1 - 디 메틸 에틸 ) - 4 , 5 - 디 메틸 -( 4 R , 5 R ) - 1 , 3 , 2 - 디아 자스타 노리 딘 - 2 - 일리 덴 이 다 . 산소 함유 반응 물질 들 은 제한 없이 산소 , 오존 , 물 , 과산화수소 , 및 NO 를 포함 한다 . 산소 함유 반응 물질 들 의 혼합물 들 이 또한 사용 될 수 있 다 . 증착 조건 들 은 ALD 반응 물질 들 의 선택 에 따라 가변 할 것 이 고 , 보다 반응 성 전구체 들 은 일반 적 으로 보다 덜 반응 성 인 전구체 들 보다 낮 은 온도 들 에서 반응 할 것 이 다 . 프로세스 들 은 통상 적 으로 약 20 내지 500 ℃ 의 온도 , 및 부압 ( sub - atmospheric pressure ) 에서 수행 될 것 이 다 . 온도 및 압력 은 응결 을 방지 하 기 위해 반응 물질 들 이 프로세스 챔버 내 에서 가스 형태 로 남 아 있 도록 선택 된다 . 반응 물질 각각 은 단독 으로 또는 캐리어 가스 , 예컨대 아르곤 , 헬륨 , 또는 질소 와 혼합 된 가스 형태 로 프로세스 챔버 로 제공 된다 . 이 들 혼합물 들 의 플로우 레이트 들 은 프로세스 챔버 의 사이즈 에 따를 것 이 고 , 일부 실시 예 들 에서 약 10 내지 10 , 000 sccm 이 다 .