일반 적 으로 , 웨이퍼 레벨 패키지 를 제작 하 기 위하 여 , 통상 적 인 반도체 제조 공정 을 통해 반도체 웨이퍼 상 에 반도체 소자 를 제조 하 고 , 상기 반도체 소자 가 제조 된 반도체 웨이퍼 상 에 재 배선 공정 을 통해 재 배선 라인 들 을 형성 하 며 , 상기 재 배선 라인 들 에 접속 단자 로서 솔 더 볼 등 을 직접 접속 시켜 웨이퍼 상 에 반도체 칩 을 제조 한다 . 이어서 , 다 이싱 공정 을 통해 상기 반도체 웨이퍼 를 개별 반도체 칩 으로 분리 시켜 준다 . 상기 다 이싱 공정 은 다수 의 반도체 칩 이 배열 된 반도체 웨이퍼 에 캐리어 테이프 를 부착 하 고 , 상기 반도체 웨이퍼 를 개별 반도체 칩 으로 절단 하 며 , 개별 반도체 칩 을 상기 캐리어 테이프 로부터 박리 시켜 주 는 것 을 포함 한다 .