본 실시 형태 에 따르 는 반도체 장치 에서 는 , 메모리 셀 ( 202 ) 을 구성 하 는 트랜지스터 의 임계 값 전압 에 변동 이 있 어도 , 기록 후 의 복수 의 메모리 셀 ( 202 ) 의 임계 값 전압 의 변동 ( 분포 폭 ) 을 작 게 할 수 있 어 반도체 장치 의 동작 전압 을 저감 할 수 있 다 . 또는 , 동작 전압 을 증대 시키 지 않 고 , 또한 메모리 셀 의 면적 을 증대 시키 지 않 고 , 메모리 를 다 값 화 할 수 있 어 반도체 장치 의 단위 면적 당 기억 용량 을 증대 시킬 수 있 다 . 또는 , 기록 , 유지 , 판독 등 의 동작 을 확실 하 게 행할 수 있 는 반도체 장치 를 제공 할 수 있 다 .