도 2 a 에 도시 되 는 전도성 라이너 층 ( 205 ) 과 아래 의 컨 덕 터 ( 101 ) 사이 의 상기 경계선 ( 207 ) 을 따르 는 비아 바닥 영역 에 존재 하 는 손상 및 오염 물질 이 , 이상 적 인 임베디드 비아 의 형성 동안 에 물리 적 으로 제거 되 므로 , 상기 된 빈약 한 전기 적 성능 의 문제 는 제거 될 수 있 다 . 또한 , 비아 ( 203 b ) 의 팁 ( tip ) ( 211 ) 을 Mx 내 로 3 차원 적 으로 임 베드 시키 기 위해 연장 시키 는 것 은 , 아래 의 컨 덕 터 와 2 차원 적 으로 접촉 하 는 평면 적 비아 와 비교 하 여 , 비아 의 기계 적 인 취약 성 을 현저히 감소 시킨다 . 또한 , 상기 비아 또는 컨 덕 터 ( 미 도시 ) 내 에 큰 보이드 ( 213 ) ( 도 2 b 에 도시 된 보이드 ( 209 ) 와 동일 한 크기 의 ) 가 있 을 경우 에 도 , 도 2 d 에 도시 되 는 바 와 같이 상기 임베디드 비아 는 전류 를 이동 시킬 수 있 어 , 집 적 회로 장치 의 신뢰 성 을 향상 시킨다 . 또한 , 도 2 e 에 도시 되 는 바 와 같이 평면 적 비아 가 언 랜디 드 ( Unlanded ) 되 는 경우 에 는 평면 적 비아 의 전기 전도 를 위한 영역 ( 215 ) 이 현저히 감소 될 수 있 다 . 비아 를 임 베 딩 시킴 으로써 , 도 2 f 에 도시 되 는 바 와 같이 전기 전도 를 위한 영역 ( 217 ) 이 확장 될 수 있 다 .