50 - mer 서열 의 합성 에 대해 실시 예 2 에 기재 된 바 와 동일 한 공정 을 , 2 개 의 상이 한 실리콘 칩 ( 제 1 실리콘 칩 은 N -( 3 - 트리 에 톡 시 실릴 프로필 ) - 4 - 히드록시 부티르 아미드 로 균일 하 게 작용 화 되 었 고 , " 제 2 실리콘 칩 은 11 - 아세 톡 시운 데 실 트리 에 톡 시 실란 과 n - 데 실 트리 에 톡 시 실란 의 5 / 95 혼합물 로 작용 화 됨 ) 상 에서 100 - mer 올리 고 뉴클레오티드 ( "" 100 - mer 올리 고 뉴클레오티드 ""; 5 ' C G G G A T C C T T A T C G T C A T C G T C G T A C A G A T C C C G A C C C A T T T G C T G T C C A C C A G T C A T G C T A G C C A T A C C A T G A T GATGATGATGATGAGAACCCCGCAT ## TTTTTTTTTT 3 '", 여기 서 # 는 티미 딘 - 숙시 닐 헥사 미드 CED 포스 포르 아미 다 이트 ( ChemGenes 로부터 의 CLP - 2244 ) 를 나타냄 ; 서열 번호 : 2 ) 를 합성 하 는 데 이용 하 였으며 , 표면 으로부터 추출 된 올리 고 뉴클레오티드 를 바이 오 분 석기 장비 상 에서 분석 하 였 다 ( 데이터 는 나타내 지 않 음 ) .