상기 신규 의 다마 신 - 개구 - 형성 공정 에서 , 상기 플 라즈 마 에칭 공정 은 트렌치 에칭 공정 , 비아 에칭 공정 , 및 불완전 배리 어 오픈 공정 을 포함 한다 . 상기 불완전 배리 어 오픈 공정 은 비아 바닥 으로부터 비아 에칭 중단 층 ( Via ESL : Via Etch Stop Layer ) 이 완전히 제거 되 지 않 는 플 라즈 마 에칭 공정 을 의미 한다 . 상기 스 트리핑 공정 은 에 슁 ( Ashing ) 공정 또는 습식 세정 ( Wet Clean ) 공정 중 의 하나 이상 을 포함 한다 . 상기 습식 세정 공정 은 에칭 후 의 잔여물 ( PER : Post Etch Residue ) 또는 에 슁 후 의 잔여물 ( PAR : Post Ashing Residue ) 을 제거 하 기 위해 하나 이상 의 습식 부식제 를 이용 하 여 수행 된다 . 상기 신규 의 다마 신 - 개구 - 형성 공정 은 상기 신규 의 다 마신 인터 커넥트 제조 공정 ( 신규 의 다마 신 공정 ) 중 의 일부 이 다 .