이어서 , 텅스텐 막 ( 24 ) 의 부분 적 손실 부분 을 보상 하 기 위하 여 하드 마스크 ( 25 ) 패턴 에 의해 드러난 텅스텐 막 ( 24 ) 의 표면 을 산소 ( oxygen ) 처리 함 으로써 텅스텐 막 ( 24 ) 표면 에 산화물 계열 의 물질 로 이루어진 보호막 ( 26 ) 을 형성 한다 . 이 와 같 은 산소 처리 공정 은 하드 마스크 ( 25 ) 의 식각 이 수행 되 는 챔버 와 동일 챔버 또는 다른 챔버 에서 수행 될 수 있 다 . 또한 , 산소 처리 공정 은 챔버 의 압력 이 5 ~ 150 mT 정도 이 고 RF 전력 이 500 ~ 3000 W 정도 로 인가 된 상태 에서 수행 되 는 것 이 바람직 하 고 , 사용 되 는 산소 가스 의 유량 은 50 ~ 1000 sccm 정도 가 됨 이 바람직 하 다 .