상기 제 1 상변화 층 스 페이서 ( 212 a ) 및 제 2 상변화 층 스 페이서 ( 212 b ) 는 포토 리소그래피 및 식각 공정 에 의하 여 형성 하 지 않 고 스 페이서 형태 로 형성 한다 . 이 에 따라 , 본 발명 의 상변화 메모리 소자 는 소자 가 고집 적 화 되 더라도 일반 적 인 상변화 메모리 소자 와 다르 게 상변화 층 스 페이서 ( 212 a , 212 b ) 의 미스 얼라인 을 방지 할 수 있 다 . 더 하 여 , 상기 제 1 상변화 층 스 페이서 ( 212 a ) 및 제 2 상변화 층 스 페이서 ( 212 b ) 는 상기 제 1 절연 층 패턴 ( 308 ) 의 외측 벽 에 형성 되 기 때문 에 소자 가 고집 적 화 되 더라도 상기 제 1 상변화 층 스 페이서 ( 212 a ) 및 제 2 상변화 층 스 페이서 ( 212 b ) 는 서로 쇼트 되 지 않 는다 .