따라서 , 제 4 마스크 ( 500 ) 를 이용 한 포토 리소그래피 공정 을 통해 보호막 상 에 형성 된 포토레지스트 패턴 ( 650 ) 은 , 보호막 ( 150 ) 상 에 콘 택 홀 ( 151 , 152 , 153 ) 을 형성 시키 기 위한 오픈 홀 ( 650 a ) , 제 3 도전 성 패턴 이 형성 될 영역 에 형성 된 포토레지스트 패턴 ( 650 b ) 및 그 이외 의 영역 에 형성 된 포토레지스트 패턴 ( 650 c ) 으로 형성 된다 .