본 발명 < 2 > 에 관한 에칭 제 에 있 어서 는 상기 ( c - 1 ) 무기 알칼리 및 ( c - 2 ) 유기 아민 으로부터 선택 되 는 적어도 1 종 이상 의 염기 성 화합물 이 면 좋 으나 , 그 중 에서 도 수산화 나트륨 및 테트라메틸 암모늄 히드록시 드 ( TMAH ) 로부터 선택 되 는 적어도 1 종 이상 의 염기 성 화합물 이 바람직 하 고 , 그 중 에서 도 수산화 나트륨 또는 테트라메틸 암모늄 히드록시 드 ( TMAH ) 중 어느 하나 를 단독 으로 사용 하 는 것 이 보다 바람직 하 다 . 수산화 나트륨 이나 테트라메틸 암모늄 히드록시 드 ( TMAH ) 는 수용액 중 에서 나트륨 이온 또는 4 급 암모늄 이온 과 같 은 몰 전기 전도도 가 작 은 ( 수화 반경 ( hydrated radius ) 이 큰 ) 이온 이 발생 하 고 , 상기 이온 이 텅스텐 보다 도 이온 화 경향 이 낮 은 금속 ( 저 이온 화 경향 금속 ) 에 접촉 함 으로써 , 상기 금속 표면 에서 의 수소 이온 에 대한 전자 의 수도 ( 受渡 , handover ) 가 억제 되 고 , 더 나아가 서 는 텅스텐 의 용해 ( Galvanic 부식 ) 가 쉽 게 억제 된다는 점 에서 바람직 하 다 .