본 발명 에 따른 보텀 게이트 형 TFT 는 , 도 1 의 단면도 에 나타나 있 는 바 와 같이 , 기판 ( 1 ) 위 에 , 게이트 전극 ( 2 ) , 게이트 절연 층 ( 3 ) , 반도체 층 ( 4 ) , 소스 - 드레 인 전극 ( 5 ) 및 보호 층 ( 6 ) 을 적층 해서 형성 된다 . 반도체 층 ( 4 ) 은 , 소스 - 드레 인 전극 ( 5 ) 과 대응 하 는 제 1 의 영역 ( 41 ) 과 , 소스 - 드레 인 전극 과 대응 하 지 않 는 제 2 의 영역 ( 42 ) 으로 구성 된다 .