이어서 , 상기 일 방향 을 등 간격 으로 배열 된 제 4 개 구부 들 을 갖 는 제 4 마스크 패턴 을 상기 기판 ( 110 ) 상 에 형성 한다 . 상기 제 4 개 구부 들 의 제 4 폭 들 은 상기 제 1 폭 ( W 1 ) 과 동일 할 수 있 다 . 상기 제 4 개 구부 들 은 상기 제 3 개 구부 들 이 형성 된 지점 들 로부터 제 3 거리 만큼 이동 된 지점 들 에 각각 형성 된다 . 상기 제 3 거리 는 상기 제 1 거리 ( D ) 와 동일 할 수 있 다 . 상기 제 4 마스크 패턴 을 이온 주입 마스크 로 사용 하 여 제 4 주 입 에너지 로 제 4 원소 이온 주입 공정 을 수행 한다 . 이 로써 , 상기 피복층 ( 102 ) 내 에 상기 일 방향 을 따라 등 간격 으로 배열 된 복수 의 제 4 원소 주입 층 들 ( 124 d ) 을 형성 한다 . 상기 제 4 원소 주입 층 들 ( 124 d ) 은 상기 제 3 원소 주입 층 들 ( 124 c ) 의 일 가장자리 들 상 에 접촉 된다 . 상기 제 4 원소 이온 주입 공정 은 실리콘 이온 등 을 주입 할 수 있 다 . 이어서 , 상기 제 4 마스크 패턴 을 제거 한다 .