상기 의 예 가 소망 되 는 소스 위치 에서 SXR 방사선 을 생성 하 기 위해 HHG 를 사용 하 는 방사선 소스 장치 를 언급 하 지만 , x 선 및 / 또는 EUV 방사선 은 또한 , 역 콤프턴 산란 ( ICS ) 소스 를 사용 하 여 생성 될 수 있 다 . 이 타입 의 소스 장치 의 더 많 은 세부 사항 은 도입부 에서 언급 되 는 계류 중 인 국제 특허 출원 PCT / EP 2016 / 068479 에서 제공 된다 . 그 출원 의 내용 은 참조 에 의해 본원 에 통합 된다 . 간단히 말 해서 , ICS 방사선 소스 에서 , 고 에너지 전자 빔 은 공동 내 에서 레이저 빔 과 상호 작용 하 여 , x 선 또는 더 긴 파장 에서 출력 방사선 을 생성 한다 . 역 콤프턴 산란 소스 를 사용 하 면 , 높 은 밝기 및 빠른 주파수 스위칭 을 갖 는 X 선 , EUV , UV 및 VIS 방사선 이 생성 될 수 있 다 . 동일 한 방사선 생성 공간 에서 두 개 의 소스 위치 에서 방사선 을 생성 하 기 위해 , 레이저 방사선 은 동일 한 전자 빔 에서 , 또는 별개 의 전자 빔 에서 두 개 의 위치 에 포 커싱 될 수 있 다 . 제 1 및 / 또는 제 2 방사선 은 0 . 1 nm 내지 125 nm 의 EUV 범위 내 의 파장 을 가질 수 도 있 다 . 동일 한 소스 를 사용 하 고 전자 에너지 를 제어 하 면 , 구조 체 는 EUV 범위 내 의 상이 한 파장 으로 , 및 / 또는 더 짧 은 ( x 선 ) 파장 으로 및 / 또는 더 긴 ( UV , 가시 ) 파장 으로 다수 회 조사 될 수 도 있 다 . 역 콤프턴 산란 소스 에서 의 전자 에너지 의 빠른 스위칭 에 의해 , 상이 한 파장 에서 의 조사 가 초당 수 회 수행 될 수 있 다 .