처리 가스 공급 부 ( 80 ) 의 측벽 가스 토출구 ( 86 ) 로부터 챔버 ( 10 ) 안 으로 도입 된 에칭 가스 는 , 유전체 창 ( 52 ) 아래 로 확산 되 고 , 마이크로파 의 전계 에 의해서 가스 입자 가 전리 되 어 표면 여기 의 플 라즈 마가 생성 된다 . 플 라즈 마가 생성 되 면 , 마이크로파 는 유전체 창 ( 52 ) 의 하 면 ( 플 라즈 마 와 대향 하 는 면 ) 과 플 라즈 마 를 따라서 래디 얼 방향 으로 전파 하 는 표면파 로 된다 . 이렇게 해서 , 유전체 창 ( 52 ) 아래 에서 생성 된 플라 즈 마는 아래쪽 으로 확산 되 어 , 반도체 웨이퍼 ( W ) 주 면 ( 主 面 ) 의 피 가 공막 에 대하 여 플 라즈 마 속 의 라디칼 을 이용 한 등방성 에칭 및 이온 조사 를 이용 한 연직 에칭 이 행해진다 .