실리콘 풍부 층 ( SRL ) 을 형성 하 기 위하 여 , 모 기재 ( MS ) 는 염 처리 될 수 있 다 . 염 처리 란 모 기재 ( MS ) 표면 에 고온 의 염 ( Salt ) 을 도포 하 는 것 을 의미 한다 . 모 기재 ( MS ) 표면 에 고온 의 염 을 도포 하 면 모 기재 ( MS ) 와 염 간 에 반응 이 일어나 , 모 기재 ( MS ) 표면 및 표면 으로부터 제 1 깊이 ( D 1 ) 내 에 있 는 실리콘 을 제외 한 원소 들 이 모 기재 ( MS ) 로부터 빠져 나간다 . 모 기재 ( MS ) 로부터 빠져나가 는 원소 는 1 족 , 2 족 원소 일 수 있 다 . 예컨대 , 모 기재 ( MS ) 의 표면 및 표면 으로부터 제 1 깊이 ( D 1 ) 내 에 있 는 칼륨 , 칼슘 , 마그네슘 , 나트륨 과 같 은 알칼리 금속 및 알칼리 토류 금속 은 염 처리 시 제거 될 수 있 다 . 따라서 , 염 처리 후 모 기재 ( MS ) 의 표면 및 표면 으로부터 제 1 깊이 ( D 1 ) 내 에 는 모 기재 ( MS ) 의 다른 영역 에 비하 여 실리콘 ( Si ) 이 상대 적 으로 많이 포함 되게 된다 .