도 3 에 도시 된 바 와 같이 , 본 실시 예 에 따른 CVD 장치 는 , 반응 공간 ( 150 ) 을 구획 하 는 공정 챔버 ( 100 ) ; 상기 반응 공간 ( 150 ) 의 상측 에 위치 하 며 , 중앙 에 가스 도입부 ( 210 ) 가 구비 되 는 백 플레이트 ( 200 , back plate ) ; 상기 가스 도입부 ( 210 ) 의 하측 에 이격 되 어 배치 되 며 , 상기 가스 도입부 ( 210 ) 를 통해 공급 되 는 공정 가스 를 확산 시키 는 가스 확산 부재 ( 300 ) ; 상기 백 플레이트 ( 200 ) 및 상기 가스 확산 부재 ( 300 ) 의 하측 에 이격 되 어 배치 되 며 , 복수 개 의 분사 홀 ( 410 ) 이 천공 된 샤워 헤드 ( 400 ) ; 상기 샤워 헤드 ( 400 ) 의 하측 에 이격 되 어 배치 되 며 , 기판 ( 800 ) 을 지지 하 는 서 셉 터 ( 500 , susceptor ) 를 포함 한다 .