이 와 같이 식각 마스크 ( 70 ) 를 형성 한 다음 도 4 h 와 같 은 상태 의 가공물 을 식각 액 에 담가 식각 마스크 ( 70 ) 에 의해 노출 된 기판 ( 10 ) 의 배면 ( 10 b ) 으로부터 기 판 ( 10 ) 이 관통 되 어 트렌치 ( 50 ) 가 노출 될 때 까지 기판 ( 10 ) 을 식각 한다 . 그러면 도 4 i 와 같이 잉크 공 급구 ( 40 ) 가 형성 된다 . 이 때 기판 ( 10 ) 으로 사용 된 ( 110 ) 웨이퍼 의 식각 특성 상 잉크 공 급구 ( 40 ) 의 길 이 방향 벽면 ( 41 ) 은 수직 하 게 형성 된다 . 식각 액 으로 는 수산화 칼륨 ( KOH ) , 수산화 나트륨 ( NaOH ) 또는 테트라메틸 암모늄 하이드 록 시드 ( TMAH , Tetramethyl Ammonium Hydroxide ) 가 사용 될 수 있 다 .