이때 , 도시 한 바 와 같이 상기 기판 ( 201 ) 상하 에 위치 한 교류 자기장 발생 장치 ( 295 ) 가 직선 왕복 운동 을 하 도록 하 는 방식 으로 상기 기판 ( 201 ) 의 표면 이 자기장 에 1 초 내지 60 초 동안 노출 되 도록 하 는 것 이 바람직 하 다 . 즉 , 스캔 형태 로 상기 제 1 순수 비정질 실리콘 층 ( 도 5 b 의 212 ) 이 상기 교류 자기장 ( AMF ) 에 노출 되 도록 한다 . 이러 한 공정 을 진행 하 게 되 면 상기 제 1 순수 비정질 실리콘 층 ( 도 5 b 의 212 ) 이 결정 화 됨 으로써 폴리 실리콘 층 ( 213 ) 으로 변하 게 된다 .