일예 로 , 실리콘 산화 막 등 의 기판 을 가공 할 때 , 레지스 트 패턴 을 마스크 로 사용 하 지만 미세화 와 함께 레지스 트 의 두께 도 박막 화 하 였 기 때문 에 레지스 트 의 마스크 성 이 부족 하 여 손상 을 주 지 않 고 산화 막 을 가공 하 는 것 이 곤란 하 였 다 . 따라서 레지스 트 패턴 을 우선 산화 막 가공 용 하층 막 에 전사 한 후 , 이 막 을 마스크 로서 산화 막 에 드라이 에칭 가공 하 는 공정 이 취해진다 . 산화 막 가공 용 하층 막 이 란 하층 반사막 을 겸하 면서 반사 방지 막 의 하층 에 형성 되 는 막 을 뜻 한다 . 이 공정 에서 는 레지스 트 와 산화 막 가공 용 하층 막 의 에칭 속도 가 비슷 하 기 때문 에 레지스 트 와 상기 하층 막 사이 에 이 하층 막 을 가공 할 수 있 는 마스크 를 형성 할 필요 가 있 다 . 즉 , 산화 막 상 에 산화 막 가공 용 하층 막 - 하 층막 가공 용 마스크 - 레지 스트로 이루어진 다층막 이 구성 되게 된다 .