실리콘 층 ( 122 ) 을 결정 화 한 후 결정 화 된 실리콘 층 ( 122 ) 표면 상 의 자연 산화 막 을 제거 한다 . 종래 의 실리콘 층 형성 방법 의 경우 실리콘 층 의 면 을 중력 방향 에 수직 하 게 위치 시킨 후 상부 로부터 산화 막 제 거액 을 분사 함 으로써 자연 산화 막 을 제거 하 였 다 . 그러나 이 와 같 은 종래 의 실리콘 층 형성 방법 의 경우 에 는 실리콘 층 으로부터 분리 된 자연 산화 막 이 실리콘 층 상 에 잔존 하 여 다시 실리콘 층 에 부착 되 어 추후 박막 트랜지스터 의 불량 이나 복수 개 의 박막 트랜지스터 들 에 있 어서 의 특성 의 균 일도 를 저하 시킨다는 문제점 이 있 었 다 . 본 실시 예 에 따른 실리콘 층 형성 방법 은 이러 한 문제점 을 해결 하 기 위하 여 , 처음 부터 기판 ( 120 ) 의 면 이 중력 방향 ( - z 방향 ) 과 평행 하 도록 기판 ( 120 ) 을 배치 시키 고 이 기판 ( 120 ) 상 에 실리콘 층 ( 122 ) 을 형성 한 후 , 도 2 에 도시 된 것 과 같이 기판 ( 120 ) 의 면 이 중력 방향 ( - z 방향 ) 과 평행 하 도록 기판 ( 120 ) 이 배치 된 상태 에서 기판 ( 120 ) 의 면 상 의 실리콘 층 ( 122 ) 에 산화 막 제 거액 을 분사 한다 . 사용 가능 한 산화 막 제 거액 으로 는 HF 수 , 초 순수 ( DIW ; deionized water ) 또는 오 존수 등 을 들 수 있 다 . 이러 한 산화 막 제 거액 은 복수 개 의 노즐 을 통해 분출 되 도록 할 수 있 다 .