실시 예 에 따른 상기 반도체 소자 ( 120 ) 는 발광 다이오드 소자 , 레이저 다이오드 소자 를 포함 하 는 발광 소자 중 에서 선택 될 수 있 다 . 예 로서 , 상기 반도체 소자 ( 120 ) 는 수직 캐비 티 표면 방출 레이저 ( VCSEL ; Vertical Cavity Surface Emitting Laser ) 반도체 소자 일 수 있 다 . 수직 캐비 티 표면 방출 레이저 ( VCSEL ) 반도체 소자 는 상부 면 에 수직 한 방향 으로 빔 을 방출 할 수 있 다 . 수직 캐비 티 표면 방출 레이저 ( VCSEL ) 반도체 소자 는 예 를 들 어 15 도 내지 25 도 정도 의 빔 화각 으로 빔 을 상부 방향 으로 방출 할 수 있 다 . 수직 캐비 티 표면 방출 레이저 ( VCSEL ) 반도체 소자 는 원형 의 빔 을 방출 하 는 단일 발광 애 퍼 쳐 ( aperture ) 또는 복수 의 발광 애 퍼 쳐 를 포함 할 수 있 다 . 수직 캐비 티 표면 방출 레이저 ( VCSEL ) 반도체 소자 의 예 는 뒤 에서 다시 설명 하 기 로 한다 .