도 11 d 를 참조 하 면 , 상기 제 1 절연 층 ( 150 ) 및 상기 단결정 패턴 ( 60 a ) 과 접촉 하 는 보조 반도체 층 ( 85 ) 을 형성 한다 . 상기 보조 반도체 층 ( 85 ) 은 에피 틱 시얼 성장 공정 또는 화학 기상 증착 공정 으로 형성 할 수 있 다 . 이때 , 상기 증착 방지 패턴 ( 75 a ) 의 표면 에 는 상기 보조 반도체 층 ( 85 ) 이 거의 형성 되 지 않 는다 . 이 로써 , 상기 통기 영역 ( 70 ) 을 충분히 확보 하 여 상기 제 1 절연 층 ( 150 ) 상 의 전체 에 걸쳐 상기 보조 반도체 층 ( 85 ) 을 형성 할 수 있 다 .