상기 기술 적 과제 를 달성 하 기 위한 본 발명 에 따른 구리 전해 도금 용액 은 : 반도체 소자 의 금속 배선 형성 용 구리 전해 도금 용액 에 있 어서 , 단일 공정 에서 수 퍼 필링 과 레벨 링 이 이루어지 도록 상기 용액 에 는 1 μ M ~ 30 μ M 농도 의 N , N - 디 메틸 디 티오 카르바 믹 산 ( 3 - 설 포프 로 필 ) 에스테르 ( N , N - Dimethyldithiocarbamic acid ( 3 - sulfopropyl ) ester ) ( DPS ) 가 포함 되 는 것 을 특징 으로 한다 .