상기 기판 ( 100 ) 전면 상 에 에피택시 얼 방지 막 ( 143 ) 을 형성 할 수 있 다 . 상기 에피택시 얼 방지 막 ( 143 ) 을 패 터닝 하 여 상기 제 2 더미 게이트 패턴 ( 130 b ) 및 절연 스 페이서 ( 138 ) 양측 의 제 2 활 성부 ( 105 b ) 를 노출 시킬 수 있 다 . 상기 노출 된 제 2 활 성부 ( 105 b ) 을 식각 하 여 활성 부 - 리 세스 영역 ( 145 ) 을 형성 할 수 있 다 . 일 실시 예 에 따르 면 , 상기 노출 된 제 2 활 성부 ( 105 b ) 는 선택 성 습식 식각 공정 으로 식각 될 수 있 다 . 상기 선택 성 습식 식각 공정 은 기판 ( 100 ) 의 결정면 들 중 에서 선택 된 결정면 들 을 식각 정지 면 으로 사용 할 수 있 다 . 예컨대 , 상기 선택 된 습식 식각 공정 은 기판 ( 100 ) 의 결정면 의 { 111 } 결정면 들 을 식각 정지 면 으로 사용 할 수 있 다 . 이 에 따라 , 상기 활성 부 - 리 세스 영역 ( 145 ) 은 상기 제 2 더미 게이트 패턴 ( 130 b ) 아래 의 채널 영 열 을 향하 여 뾰족 한 형태 로 형성 될 수 있 다 . 상기 기판 ( 100 ) 이 실리콘 기판 인 경우 에 , 상기 선택 성 습식 식각 공정 은 암모니아 및 / 또는 TMAH ( tetramethyl ammonium hydroxide ) 등 을 포함 하 는 방향 성 식각 용액 을 사용 할 수 있 다 .