반도체 층 ( 130 ) 의 상부 에 는 게이트 전극 ( 150 ) 이 구비 되 는데 , 이 게이트 전극 ( 150 ) 에 인가 되 는 신호 에 따라 소스 전극 과 드레 인 전극 ( 170 ) 이 전기 적 으로 소통 된다 . 게이트 전극 ( 150 ) 은 인접 층 과 의 밀착 성 , 적층 되 는 층 의 표면 평탄 성 그리고 가공 성 등 을 고려 하 여 , 예 를 들 어 MoW , Al / Cu 등 과 같 은 물질 로 형성 된다 . 이때 반도체 층 ( 130 ) 과 게이트 전극 ( 150 ) 과 의 절연 성 을 확보 하 기 위하 여 , 예컨대 플 라즈 마 강화 화학 기상 증착 ( PECVD ) 을 통해 SiO 2 등 으로 구성 되 는 게이트 절 연막 ( 140 ) 이 반도체 층 ( 130 ) 과 게이트 전극 ( 150 ) 사이 에 개재 된다 .