에지 층 과 기판 의 구조 된 표면 사이 에 , BiP 의 부식 저항 과 탄소 층 의 접착 을 증진 시키 는 특히 크롬 층 인 , 중간 층 이 존재 할 수 있 다 . 특히 , 균열 , 국부 결함 , 및 / 또는 용접 이 음부 의 영역 에서 , 크롬 중간층 은 안정 한 크롬 패 시베이 션 층 의 형성 을 보장 할 수 있 다 . 이 로써 전기 화학 전지 의 막 어셈블리 를 오염 시킬 수 있 는 철 이온 의 부식 및 출현 을 방지 하 수 있 으며 , 형성 의 적합 성 을 향상 시키 는 것 이 가능 하 다 . 크롬 이온 인 막 어셈블리 의 과도 한 오염 이 발생 한 경우 에 , 크롬 층 은 , 예 를 들 어 티타늄 층 으로 교체 될 수 있 다 . 하지만 , 이 는 크롬 과 티타늄 동시 에 이루어진 중간 층 을 선택 하 는 것 도 가능 하 다 .