제 1 빔 변환 요소 들 은 z - 방향 으로 서로 거리 를 두 고 배치 될 수 있 다 . 이 들 은 제 1 빔 변환 요소 들 에 할당 된 개별 이미지 층 들 이 서로 약간 만 이격 되 어 있 도록 , 예컨대 서로 5 ㎛ 미만 으로 이격 되 어 있 도록 , z - 방향 으로 서로 작 게 이격 되 어 있 다 . 특히 , 광학 이미 징 장치 의 초점 거리 , 제 1 빔 변환 장치 와 광학 이미 징 장치 사이 의 거리 , 및 처리 될 반도체 재료 층 과 광학 이미 징 장치 사이 의 거리 는 조명 된 반사 요소 들 이 물체 로서 광학 이미 징 장치 에 의해 반도체 재료 층 상의 또는 반도체 재료 층 의 표면 근처 영역 내 의 하나 의 이미지 평면 또는 다수 의 이미지 평면 들 내 로 전달 되 어 거기 서 이미지 로서 이미 징 되 도록 선택 된다 .