다음 에 도 1 e 를 참조 하 면 , 제 1 트렌치 ( 112 ) 상 에 산화 막 ( 114 ) 을 배리 어 막 으로 한 제 2 식각 공정 을 진행 하 여 하 단부 가 구 ( bulb ) 형상 으로 이루어지 는 벌브 타입 의 리세 스 채널 용 트렌치 ( 116 ) 를 형성 하 고 , 산화 막 ( 114 ) 은 제거 한다 . 그리고 반도체 기판 ( 100 ) 상 에 비정질 카본 막 ( amorphous carbon ) ( 118 ) 을 형성 한 후 , 상기 비정질 카본 막 ( 118 ) 을 배리 어 막 으로 국부 적 인 채널 이온 주입 ( LCI ; Local Channel Implant ) 을 실시 한다 .