MRAM ( magnetoresistive RAM ) 과 같 은 몇몇 최신 메모리 디바이스 들 은 DRAM 에 대한 잠재 적 인 대 체제 들 이 다 . 현재 , MRAM 구 조체 들 은 도트 타입 마스크 ( dot type mask ) 를 사용 하 여 패 터닝 된다 . MRAM 스택 재료 들 이 매우 비휘발성 이 기 때문 에 , 이온 빔 에칭 ( IBE : ion beam etching ) 이 구 조체 들 을 에칭 하 도록 사용 된다 . 도트 타입 마스크 들 은 둥근 필러 ( pillar ) 구 조체 들 을 생성 한다 .