기입 전류 값 이 작 은 스핀 토크 자화 반전 을 응용 한 자기 랜덤 액세스 메모리 를 제공 한다 . 게이트 전극 ( 5 ) 에 의해 전도 를 제어 받 는 스위칭 소자 ( 6 ) 와 , 그것 에 직렬 접속 된 3 개 의 자기 저항 효과 소자 ( 44 , 48 , 52 ) 를 갖 는다 . 각 자기 저항 효과 소자 는 고정 층 , 비 자성 층 , 자유 층 으로 이루어지 는 다층막 을 포함 하 는 TMR 소자 혹은 GMR 소자 로 할 수 있 고 , 중앙 의 소자 가 기억 소자 로 된다 . 양단 의 자기 저항 효과 소자 중 적어도 하나 의 자기 저항 효과 소자 의 자화 방향 을 변화 시키 는 데 에 필요 한 전류 의 절대값 이 , 중앙 의 자기 저항 효과 소자 ( 48 ) 의 자화 방향 을 변화 시키 는 데 에 필요 한 전류 의 절대값 보다 커 지 도록 한 자기 저항 효과 소자 를 제작 한다 .