본 발명 에 따르 면 , 반도체 소자 와 , 배선 기판 본체 사이 의 간극 에 언더 필 수지 를 형성 할 때 , 언더 필 수지 의 유동 방향 은 댐 의 내벽 에 의해 제어 될 수 있 다 . 그 결과 , 언더 필 수지 가 거의 형성 되 지 않 은 영역 에 배치 된 배선 패턴 을 언더 필 수지 로 양호 한 정밀도 에 의해 덮 을 수 있 어서 , 반도체 소자 가 플립 칩 접속 되 는 배선 패턴 의 신뢰 성 을 향상 시킬 수 있 다 .