이 에 따라 , 상기 발광 칩 ( 111 ) 및 금속 와이어 ( 114 a , 114 b ) 를 보호 하 도록 상기 캐 비티 ( 117 ) 에 충 진 되 는 투광 성 투명 수지 ( 116 ) 의 충 진량 을 줄일 수 있 는 한편 , 상기 투광 성 수지 의 충 진 높이 ( H ) 도 상기 발광 칩 ( 111 ) 의 탑재 높이 가 낮 아 진 만큼 낮출 수 있 고 , 이 로 인하 여 상기 발광 칩 의 발광 시 발생 된 빛 의 광 휘도 를 종래 에 비하 여 상대 적 으로 높일 수 있 는 것 이 다 .