본 발명 에 따른 마이크로파 자외선 플라스마 발생 장치 는 , 발생 된 마이크로파 를 무전극 자외선램프 가 다수 배치 된 금속 공진기 에 공급 하 여 고출력 의 자외선 을 여기 시켜 , 가압 된 청정 공기 나 산소 가 전량 주입 되 고 있 는 공진기 의 내부 의 이산화 티타늄 그리드 망 에 조사 한 후 , 내부 고리 노즐 에 고속 으로 주입 하 여 고속 플라스마 제트 를 내부 원통 고리 형 으로 분사 하 여 , 외부 원통 고리 형 노즐 에서 분사 된 오염 유체 와 상호 교차 시켜 고 효율 로 접촉 시킨다 . 종래 의 필라멘트 전극 형 자외선램프 의 저 수명 및 저 출력 으로 인한 과다 한 시설 비용 과 잦 은 유지 보수 운전 경비 로 인한 문제점 을 본 발명 으로 개선 하 는 특징 이 있 다 .