도 4 의 ( Ax ) , 도 4 의 ( Ay ) 에 도시 한 바 와 같이 , 비자 성 기판 위 에 NiFe 등 의 연자성 재료 로 실드 층 ( 1 ) 을 성막 한다 . 실드 층 ( 1 ) 은 전극 을 겸용 할 수 있 다 . 실드 층 ( 1 ) 위 에 Ta 등 의 하지 층 ( 14 ) 을 성막 하 고 , 그 위 에 적층 페리 형 스핀 밸브 소자 를 형성 한다 . 예 를 들 면 , 두께 약 7 ㎚ 의 반강자성 막 ( 2 ) , 두께 약 1 . 6 ㎚ 의 핀 층 ( 3 ) , 두께 약 0 . 9 ㎚ 의 중간층 ( 4 ) , 두께 약 1 . 8 ㎚ 의 레퍼런스 층 ( 5 ) , 두께 약 1 . 0 ㎚ 의 비자 성 중간층 ( 6 ) , 두께 약 4 ㎚ 의 프리 층 ( 7 ) 을 순차 적 으로 적층 한다 . 중간층 ( 4 ) 은 , 핀 층 ( 3 ) 과 레퍼런스 층 ( 5 ) 과 의 사이 에 반강자성 적 결합 ( 반평행 자화 ) 를 생성 시키 는 층 이 다 . 중간층 ( 6 ) 은 , 프리 층 ( 7 ) 과 레퍼런스 층 ( 5 ) 을 자기 적 으로 분리 하 는 층 이 다 . 중간층 ( 6 ) 을 , Al 2 O 3 나 MgO 등 의 절연 층 으로 형성 하 여 , 두께 방향 으로 터널 전류 를 흐르 게 하 는 경우 와 , Cu 등 의 도전 층 으로 형성 하 여 , 두께 방향 으로 도전 전류 를 흐르 게 하 는 경우 가 있 다 . 절 연막 을 사용 하 는 경우 는 , 적층 페리 구조 는 터널 접합 형 의 GMR 소자 가 되 고 , 도전 막 을 사용 하 는 경우 는 CPP - GMR 소자 가 된다 . 반강자성 막 ( 2 ) 은 IrMn , PdPtMn , 등 으로 형성 한다 . 핀 층 ( 3 ) , 레퍼런스 층 ( 5 ) , 프리 층 ( 7 ) 은 , NiFe , CoFeB 등 의 단층 , 또는 적층 의 강자성 막 에서 형성 한다 .