종래 의 기술 들 을 가지 고 , 반도체 집 적 회로 들 내 에 논리 프로세스 와 호환 되 는 방식 으로 MRAM 셀 들 을 형성 하 는 프로세스 를 통합 하 는 것 이 곤란 하 다는 것 이 인식 될 것 이 다 . 예 시 적 인 실시 형태 들 은 , 감소 된 두께 의 금속 배선 을 MTJ 에 연결 된 공통 IMD 층 에 제공 함 으로써 MTJ 셀 들 이 금속 배선 들 안 으로 실질 적 으로 침범 하 는 문제 를 유익 하 게 방지 하 며 , 이 로써 MRAM 셀 들 의 논리 엘리먼트 들 과 의 비교 적 용이 한 통합 을 제공 한다 .