예 를 들 어 , 전송 게이트 ( TG ) 는 폴리 실리콘 , 금속 및 / 또는 금속 화합물 을 사용 하 여 게이트 도전 막 을 적층 한 후 , 적층 된 게이트 도전 막 을 패 터닝 하 여 형성 될 수 있 다 . 콘 택 들 ( C 1 , C 2 ) 및 신호 배선 들 ( L 1 , L 2 ) 은 구리 , 텅스텐 , 티타늄 , 알루미늄 등 과 같 은 금속 을 포함 하 는 도전 물질 을 적층 하 고 패 터닝 하 는 방식 을 통해 형성 될 수 있 다 . 층간 절 연막 들 ( 123 , 125 , 127 ) 은 실리콘 산화물 ( SiOx ) , 실리콘 산질 화물 ( SiOxNy ) , 실리콘 질화물 ( SiNx ) , 게르마늄 산질 화물 ( GeOxNy ) , 게르마늄 실리콘 산화물 ( GeSixOy ) 또는 고유 전 율 을 갖 는 물질 을 사용 하 여 형성 될 수 있 다 . 한편 , 이러 한 고유 전 율 물질 로 는 하프늄 산화물 ( HfOx ) , 지르코늄 산화물 ( ZrOx ) , 알루미늄 산화물 ( AlOx ) , 탄 탈륨 산화물 ( TaOx ) , 하프늄 실리케이트 ( HfSix ) , 지르코늄 실리케이트 ( ZrSix ) 등 을 들 수 있 다 . 또한 , 층간 절 연막 들 ( 123 , 125 , 127 ) 은 전술 한 물질 들 중 에서 2 이상 의 선택 된 물질 로 이루어진 다층 구조 로 형성 될 수 도 있 다 .