도 11 은 본 발명 의 실시 예 에 따른 활성 경계 퀼트 아키텍처 메모리 를 지원 하 는 활성 경계 타일 구성 ( 1100 ) 의 일 예 를 예시 한다 . 도 11 은 명확 성 을 위해 기판 층 의 컴포넌트 만 을 예시 한다 . 활성 경계 타일 구성 ( 1100 ) 은 제 1 구성 ( 1160 ) 및 제 2 구성 ( 1170 ) 을 포함 할 수 있 다 . 활성 경계 부분 ( 910 ) 의 기판 층 내 컴포넌트 들 위 에 위치 된 메모리 셀 들 에 액세스 를 가능 하 게 하 기 위해 , 활성 경계 타일 구성 ( 1100 ) 은 컬럼 라인 디코더 ( 1115 ) 를 포함 할 수 있 다 . 컬럼 라인 디코더 ( 1115 ) 는 활성 경계 부분 의 기판 층 내 컴포넌트 들 위 에 위치 된 메모리 셀 들 과 관련 된 컬럼 라인 들 에 결합 될 수 있 다 . 활성 경계 타일 구성 들 ( 1100 ) 은 도 9 및 도 10 을 참고 로 하 여 설명 된 활성 경계 타일 ( 915 ) 의 예 일 수 있 다 . 활성 경계 타일 구성 들 ( 1100 ) 은 도 8 을 참고 로 하 여 설명 된 구성 들 ( 800 ) 의 예 일 수 있 다 .