다음 에 , 상기 제 1 및 제 2 선택 트랜지스터 가 형성 될 부위 의 예비 제 1 도전 패턴 과 상기 제 1 및 제 2 콘 택 플러그 상 에 형성 되 어 있 는 유전 막 을 사진 식각 공정 을 통해 제거 하 여 예비 유전 막 패턴 ( 218 ) 을 형성 한다 . 상기 예비 유전 막 패턴 ( 218 ) 은 단위 셀 을 이루 는 셀 트랜지스터 가 형성 될 부위 의 예비 제 1 도전 패턴 ( 206 a ) 상 에 위치 하 게 된다 .