도 3 의 ( a ) 를 참조 하 면 , 제조 기판 ( 110 a ) 상 에 제 1 청색 발광 다이오드 칩 ( 122 ) 을 소정 의 간격 이 이격 된 상태 로 배치 한다 . 그리고 도 3 의 ( b ) 에 도시 된 바 와 같이 , 제조 기판 ( 110 a ) 상 에 배치 된 제 1 청색 발광 다이오드 칩 ( 122 ) 을 모두 덮 도록 투명 물질 을 도포 한다 . 투명 물질 은 실리콘 이나 에폭시 등 일 수 있 으며 , 점성 이 높 은 액상 의 형태 일 수 있 다 . 도포 된 투명 물질 이 경화 된 다음 , 각 발광 다이오드 칩 을 기준 으로 다 이싱 ( dicing ) 공정 을 통해 발광 다이오드 칩 들 사이 에 위치 한 투명 물질 을 제거 한다 . 그리고 다 이싱 공정 이후 발광 다이오드 칩 상 에 남 은 투명 물질 을 그라인딩 ( grinding ) 하 여 도 3 의 ( c ) 에 도시 된 바 와 같이 , 발광 다이오드 칩 상 에 투명 부 ( 130 ) 를 형성 한다 .