본 발명 이 이루 고자 하 는 기술 적 과제 는 상술 한 종래 기술 의 문제점 을 개선 하 기 위한 것 으로서 , 0 . 1 ㎛ 이하 의 디자인 룰 에서 도 적용 될 수 있 을 정도 로 안정 적 인 모 폴 로지 를 가지 면서 도 , Ti 막 이 질소 화합물 에 의해 오염 되 지 아니하 는 Ti / TiN 막 을 형성 하 는 박막 형성 방법 을 제공 하 는데 있 다 .