기본 구성 [ 1 ] 및 [ 2 ] 에 있 어서 는 , 도 4 b , 도 4 c 및 도 1 a , 도 2 a 에 도시 하 는 바 와 같이 , 프로세스 < 3 > 에 의해서 형성 된 분말 층 이 단부 에서 적층 상태 를 유지 할 수 있 을 정도 의 두께 로서 , 프로세스 < 3 > 에 의해서 형성 된 분말 층 중 에서 , 분말 공급 부 ( 5 ) 와 는 반대 측 단부 의 위치 가 , 프로세스 < 4 > 에 의해서 형성 된 벽부 층 ( 4 ) 중 에서 분말 공급 부 ( 5 ) 와 가장 떨어진 위치 에 있 는 단부 의 위치 와 일치 하 고 있 는 것 을 특징 으로 하 고 있 다 .