본 발명 의 또 다른 실시 예 에 따른 비휘발성 메모리 장치 는 복수 의 비휘발성 메모리 셀 들 을 포함 하 는 셀 스트링 과 , 프로그램 동작 시 상기 복수 의 비휘발성 메모리 셀 들 중 에서 선택 된 제 1 비휘발성 메모리 셀 에 접속 된 제 1 워드 라인 으로 프로그램 전압 을 공급 하 고 상기 복수 의 비휘발성 메모리 셀 들 중 에서 나머지 제 2 비휘발성 메모리 셀 들 에 접속 된 제 2 워드 라인 들 로 패스 전압 을 공급 하 고 , 디 트랩 동작 시 상기 제 1 워드 라인 으로 접 지 전압 을 공급 하 고 상기 제 2 워드 라인 들 로 상기 패스 전압 보다 높 은 양 의 전압 을 공급 하 고 , 프로그램 검증 동작 시 상기 선택 된 워드 라인 으로 검증 전압 을 공급 하 는 동작 제어 블록 을 포함 한다 .