전술 한 양태 ( 공급 회로 ( 50 ) , 분압기 ( R 1 , R 2 ) 로부터 사전 자화 회로 ( 60 ) 의 분리 ) 를 제외 하 고 , 도 4 의 플라이 백 변환기 의 1 차 측 은 도 4 의 이전 예 와 실질 적 으로 동일 하 며 , 상술 한 설명 을 참조 한다 . 2 차 측 에서 , 정류기 회로 ( 30 ) 는 이전 예 와 다르 게 구현 된다 . 도 4 의 예 에서 , 간단 한 다이오드 가 정류 소자 ( 도 4 의 다이오드 ( DR ) 참조 ) 로서 사용 되 지만 , 도 5 의 정류기 회로 ( 30 ) 는 기본 적 으로 트랜지스터 ( TSR ) ( 예 를 들 어 , MOSFET ) 및 제어기 회로 ( 31 ) 로 구성 된 소위 동기식 정류기 를 포함 한다 . 동기식 정류기 는 MOSFET ( TSR ) ( 켜 졌을 때 ) 이 실리콘 다이오드 에 비해 훨씬 낮 은 순방향 전압 을 발생 시켜 전력 소모 를 개선 하 기 때문 에 일반 실리콘 다이오드 를 대체 하 는 데 사용 된다 . 그러나 , " 동기식 정류기 는 정확 한 시간 인 스턴스 에서 MOSFET 을 켜 고 끄 는 제어기 회로 ( 도 5 의 "" SR 제어기 "" 라고 표시 된 제어기 회로 ( 31 ) ) 가 필요 하 다 . 동기식 정류기 용 제어기 회로 는 알려진 바 와 같이 다양 한 제조 업체 ( 예 를 들 어 ", 온 세미 컨 덕 터 ( ON Semiconductor ) 의 동기식 정류기 제어기 NCP 4304 ) 로부터 이용 가능 하 다 . 제어기 회로 ( 31 ) 는 트랜지스터 ( TSR ) 의 부하 전류 경로 ( 즉 , MOSFET 의 경우 드레 인 - 소스 전압 ) 양단 의 전압 ( VSR ) 을 모니터링 하 고 , 전압 ( VSR ) 이 0 으로 떨어질 때 MOSFET ( TSR ) 을 스위칭 온 하 도록 구성 될 수 있 다 . 바꾸 어 말 하 면 , 전압 ( VSR ) 의 하강 에지 가 검출 될 때 MOSFET ( TSR ) 이 스위칭 온 된다 . 제어기 회로 ( 31 ) 는 전압 ( VSR ) 이 양수 가 되 기 직전 에 MOSFET 을 다시 스위칭 오프 시킨다 .