예 를 들 어 , 퓨즈 영역 외부 에 존재 하 는 셀 영역 ( 미 도시 ) 의 캐 패 시터 상부 전극 또는 하부 전극 용 전 극막 , 메탈 - 1 , 메탈 - 1 , 메탈 - 3 등 의 금속 배선 을 이용 하 여 형성 할 수 있 다 . 즉 , 퓨즈 영역 외부 에 존재 하 는 셀 영역 에 캐 패 시터 의 상부 전극 또는 하부 전극 용 전 극막 ( TiN ) 형성 시 퓨즈 영역 까지 연장 되게 형성 하 고 , 전 극막 을 라인 형태 로 패 터닝 하 여 형성 하 거나 , 셀 영역 에 금속 배선 형성 시 금속 배선 을 퓨즈 영역 까지 연장 되게 형성 하 고 금속 배선 을 라인 형태 로 패 터닝 할 수 있 다 .