또한 , 기판 ( 120 ) 으로부터 소자 형성 층 ( 134 ) 을 박리 하 기 전 에 , 소자 형성 층 ( 134 ) 에 개구부 를 형성 하 고 , 에 칭제 를 도입 하 여 , 박리 층 ( 121 ) 을 제거 하 여도 좋 다 . 에 칭제 는 , 플루오르화 할로겐 또는 할로겐 간 화합물 을 포함 하 는 기체 또는 액체 를 사용 할 수 있 다 . 예 를 들 면 , 플루오르화 할로겐 을 포함 하 는 기체 로서 3 플루오르화 염소 ( ClF 3 ) 를 사용 할 수 있 다 .