상기 반도체 기판 의 제조 방법 에 있 어서 , 상기 Ge 층 을 , 0 . 1 Pa 이상 100 Pa 이하 의 압력 하 에서 CVD 법 에 의해 상기 개구 에 선택 적 으로 결정 성장 시켜 도 좋 다 . 상기 반도체 기판 의 제조 방법 에 있 어서 , 상기 Ge 층 을 , 할로겐 원소 를 함유 하 는 가스 를 원료 가스 에 포함 시키 는 분위기 내 에서 CVD 법 에 의해 상기 개구 에 선택 적 으로 결정 성장 시켜 도 좋 다 . 상기 반도체 기판 의 제조 방법 에 있 어서 , 상기 Ge 층 을 형성 한 후 , 상기 기능 층 을 형성 할 때 까지 , 600 ℃ 이하 의 온도 에서 GaAs 층 을 형성 하 는 단계 를 더 포함 하 여도 좋 다 .