즉 , 도 24 내지 도 26 을 참조 로 설명 한 공정 을 수행 한 후 , 하 부막 을 식각 하 여 플로팅 게이트 전극 ( 204 b ) , 유전 막 패턴 ( 212 a ) 및 콘트롤 게이트 전극 ( 214 a ) 을 형성 한다 . 상기 식각 공정 에서 , 상기 콘트롤 게이트 전극 ( 214 a ) 사이 에 형성 되 는 개구부 ( 216 a ) 의 저면 이 상기 제 1 절 연막 패턴 ( 220 ) 에 포함 된 에어 터널 형상 의 제 1 에어 갭 ( 220 a ) 과 연통 되 지 않 도록 한다 . 이 후 , 상기 개구부 ( 216 a ) 내부 에 제 2 절 연막 패턴 ( 218 ) 을 형성 한다 . 이 로써 , 도 29 에 도시 된 비휘발성 메모리 소자 를 완성 한다 .