유지 기간 Ts 에서 , 모든 제 1 워드 선 WLCG 에 는 , 트랜지스터 ( 101 ) 가 오프 ( off ) 가 되 는 레벨 의 전위 , 구체 적 으로 는 접지 전위 ( GND ) 가 공급 된다 . 그리고 , 본 발명 의 일 형태 에서 는 , 유지 기간 Ts 에서 , 제 2 워드 선 WLBG 의 모두 에 접 지 전위 ( GND ) 보다 도 낮 은 로우 ( low ) 레벨 의 전위 ( VSS ) 가 공급 된다 . 따라서 , 트랜지스터 ( 101 ) 는 , 그 문턱 전압 이 플러스 측 에 이동 하 기 때문 에 , 오프 전류 가 저감 된다 . 트랜지스터 ( 101 ) 의 오프 전류 가 낮 으면 , 노드 FG 에 축적 된 전 하 는 누설 되 기 어려워 지 기 때문 에 , 오랜 기간 에 걸쳐 데이터 의 유지 를 행할 수 있 다 .