제 4 절연성 사이드 월 구조 체 는 , 막 구조 를 특별히 한정 하 는 것 이 아니 라 , 제 2 도전 성 사이드 월 구 조체 를 소스 영역 , 구체 적 으로 는 제 4 실리사이드 층 ( 14 - 2 ) 으 로부터 이 간 시키 고 또 한 전기 적 으로 절연 하 는 것 이 면 된다 . 제 4 절연성 사이드 월 구조 체 는 다층 구조 로 구성 하 는 것 도 가능 하 지만 , 전술 한 바 와 같이 단일 층 구조 로 하 는 것 도 가능 하 다 . 제 4 절연성 사이드 월 구조 체 는 , 예 를 들 어 , 제 6 게이트 측벽 절 연막 ( 24 - 2 ) 으로 구성 할 수 있 다 . 제 4 절연성 사이드 월 구조 체 는 절연체 이 면 특별히 한정 되 지 는 않 지만 , 전형 적 으로 는 실리콘 질화물 또는 실리콘 산화물 로 구성 할 수 있 다 . 제 4 절연성 사이드 월 구조 체의 두께 , 즉 게이트 길 이 방향 의 치수 는 , 제 2 도전 성 사이드 월 구 조체 를 게이트 구조 체로 부터 이 간 시키 고 또 한 전기 적 으로 절연 할 수 있 으면 되 고 , 특별히 한정 하 는 것 은 아니 지만 , 전술 한 제 2 절연성 사이드 월 구조 체의 막 두께 보다 얇 게 구성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 또 , 제 4 절연성 사이드 월 구조 체의 폭 , 즉 게이트 폭 방향 의 치수 는 , 전술 한 게이트 구조 체의 게이트 폭 과 동일 한 치수 로 할 수 있 다 .