상변화 물질 층 패턴 ( 385 ) 및 절 연막 ( 375 ) 상 에 제 1 상부 도전 막 ( 도시 되 지 않 음 ) 을 형성 한다 . 사진 식각 공정 을 통해 상기 제 1 상부 도전 막 을 패 터닝 하 여 상변화 물질 층 패턴 ( 385 ) 상 에 상부 전극 ( 390 ) 을 형성 한다 . 상부 전극 ( 390 ) 을 덮 으면서 절 연막 ( 375 ) 상 에 상부 층간 절 연막 ( 393 ) 을 형성 하 고 , 상부 층간 절 연막 ( 393 ) 을 사진 식각 공정 을 통해 부분 적 으로 식각 하 여 상부 층간 절 연막 ( 393 ) 에 상부 전극 ( 390 ) 을 노출 시키 는 상부 콘 택 홀 ( 도시 되 지 않 음 ) 을 형성 한다 . 상기 상부 콘 택 홀 을 채우 면서 노출 된 상부 전극 ( 390 ) 과 상부 층간 절 연막 ( 393 ) 상 에 상부 패드 ( 396 ) 및 상부 배선 ( 399 ) 을 형성 한다 . 상부 전극 ( 390 ) , 상부 층간 절 연막 ( 393 ) , 상부 패드 ( 396 ) 및 상부 배선 ( 399 ) 을 형성 하 는 공정 들 은 도 3 e 및 도 3 f 를 참조 하 여 설명 한 바 와 실질 적 으로 동일 하 다 .