슬릿 ( 36 ) 은 , 비 활물질 영역 ( 46 ) 으로부터 활물질 영역 ( 40 ) 까지 연장 되 어 있 기 때문 에 , 이 차 전지 ( 10 ) 의 충 방전 시 에 비 활물질 영역 ( 46 ) 과 활물질 영역 ( 40 ) 의 신축 치수 차 에 의해 부극 ( 30 ) 에 발생 되 는 응력 을 , 확실 하 게 완화 시키 는 것 이 가능 하 다 . 그 때문 에 , 부극 활물질 층 ( 34 ) 에 포함 되 는 실리콘 의 체적 변화 가 커도 , 비 활물질 영역 ( 46 ) 과 활물질 영역 ( 40 ) 의 경계 를 기점 으로 한 주름 이 생기 는 것 이 억제 된다 . 슬릿 폭 은 , 부극 집 전체 ( 32 ) 의 전기 전도 성 및 강도 에 대한 영향 ( 간섭 ) 을 억제 하 는 관점 에서 , 최대한 좁 은 것 이 바람직 하 다 . 슬릿 ( 36 ) 의 형성 방법 은 , 특별히 한정 되 지 않 고 예 를 들 어 , 프레스 가공 이나 기계 가공 을 적용 하 는 것 이 가능 하 다 .