이어서 , 도 1 d 에 도시 된 바 와 같이 , 고전압 영역 ( HVN ) 에서 채널 영역 의 도핑 농도 를 보상 하 기 위하 여 이온 주입 공정 ( 105 ) 을 실시 할 수 있 다 . 이때 , 이온 주입 공정 ( 105 ) 은 붕소 ( B ) 를 이용 하 여 20 ~ 40 KeV 이온 주입 에너지 , 바람직 하 게 는 30 KeV 이온 주입 에너지 에서 , 0 . 5 E 11 ~ 1 . 5 E 12 ions / cm 2 의 도즈 , 바람직 하 게 는 0 . 5 E 12 ions / cm 2 의 도즈 로 실시 할 수 있 다 . 이때 , 이 온주 입각 ( tilt ) 은 10 ~ 30 °, 바람직 하 게 는 15 ° 에서 실시 한다 . 이러 한 조건 으로 기판 을 45 °, 135 °, 225 °, 315 ° 로 회전 시켜 총 4 번 을 실시 한다 .