본 발명 의 또 다른 양태 는 마이크 로 - 트렌치 및 마이크 로 - 트렌치 의 측벽 에 매립 된 프로브 를 구비 한 마이크 로 - 디바이스 를 제조 하 기 위한 방법 을 제공 한다 . 마이크 로 - 트렌치 는 폐쇄 되 지 않 은 터널 ( 예 를 들 어 , 도 2 ( i ) , 2030 참조 ) 로서 , 또 다른 거꾸로 된 대칭 적 인 트렌치 ( 예 를 들 어 , 도 2 ( k ) , 2031 참조 ) 와 결합 되 어 폐쇄 된 터널 ( 예 를 들 어 , 도 2 ( l ) , 2020 참조 ) 을 형성 할 수 있 다 . 방법 은 기판 상 에 다양 한 재료 를 증착 하 기 위해 화학 기상 증착 , 물리 기상 증착 또는 원자 층 증착 단계 ; 리소그래피 , 에칭 및 화학 기계 적 연마 를 포함 하 는 방법 을 이용 하 여 증착 된 층 ( 들 ) 을 패 터닝 하 여 원 하 는 특징 ( 예 를 들 어 , 트렌치 ) 을 형성 하 는 단계 ; 표면 평탄 화 를 위한 화학 기계 적 평탄 화 단계 ; 입자 제거 를 위한 화학 적 세정 단계 ; 특정 층 에 원소 를 도핑 하 기 위한 확산 또는 이온 주입 단계 ; 또는 결정 결함 을 줄이 고 확산 된 이온 을 활성 화 시키 기 위한 열 어닐링 단계 를 포함 한다 . 이러 한 방법 의 예 는 : 기판 상 에 제 1 재료 를 증착 하 는 단계 ; 제 1 재료 상 에 제 2 재료 를 증착 하 고 , 마이크 로 전자 공정 ( 예 를 들 어 , 리소그래피 , 에칭 ) 에 의해 제 2 재료 를 패 터닝 하 여 검출 팁 ( detecting tip ) 을 형성 하 는 단계 ; 제 2 재료 상 에 제 3 재료 를 증착 한 다음 , 연마 공정 에 의해 제 3 재료 를 평탄 화 하 는 단계 ; 제 3 재료 상 에 제 4 재료 를 증착 하 고 , 마이크 로 전자 공정 ( 예 를 들 어 , 리소그래피 , 에칭 ) 에 의해 제 4 재료 를 패 터닝 한 다음 , 마이크 로 전자 공정 ( 예 를 들 어 , 또 다른 에칭 ) 에 의해 제 3 재료 의 일부 및 선택 적 으로 는 제 1 재료 의 일부 를 제거 하 고 , 여기 서 이 에칭 은 통상 적 으로 제 2 재료 에 대해 선택 적 이 며 ( 제 2 재료 에 대해 에칭 율 이 낮 음 ) , " 제 4 재료 는 경질 마스크 ( hard mask ) 의 역할 을 한다 . 경질 마스크 는 일반 적 으로 중합체 또는 다른 유기 "" 연질 "" 재료 대신 에 에칭 마스크 로서 반도체 공정 에서 사용 되 는 재료 ( 예 를 들 어 ", 무기 유전체 또는 금속 화합물 ) 를 의미 한다 .