이어서 , 콘 택 홀 ( 306 ) 의 측면 에 형성 된 보호 질화 막 ( 308 ) 및 보호 산화 막 ( 310 ) 이 잔류 하 는 반도체 기판 을 습식 세정 하 게 되 는데 , 이러 한 습식 세정 후 에 도 도 3 d 에 도시 한 바 와 같이 콘 택 프로파일 이상 이 발생 하 지 않 게 된다 . 이 후 , 콘 택 플러그 를 형성 하 기 위한 금속 물질 ( 예 를 들 면 , 텅스텐 ( W ) 등 ) 을 매립 하 여 콘 택 플러그 를 형성 하 고 , 그 상부 에 금속 층 을 증착 및 패 터닝 하 여 금속 배선 을 형성 한다 .