도 9 는 본 발명 에 따른 반도체 메모리 시스템 의 제 3 실시 예 를 보여 주 는 블록 도 이 다 . 도 9 를 참조 하 면 , 반도체 메모리 시스템 ( 300 ) 은 불휘발성 메모리 장치 ( 310 ) 와 메모리 컨트롤러 ( 320 ) 를 포함 한다 . 불휘발성 메모리 장치 ( 310 ) 는 메모리 셀 어레이 ( 330 ) , 행 선택 회로 ( 340 ) , 입 / 출력 회로 ( 350 ) , 전압 발생기 ( 370 ) , 그리고 제 어 로직 회로 ( 360 ) 를 포함 한다 .