상기 하부 콘 택 층 ( 53 ) , 활성 층 ( 55 ) 및 상부 콘 택 층 ( 57 ) 은 질화 갈륨 계열 의 화합물 반도체 물질 , 즉 , ( Al , In , Ga ) N 으로 형성 될 수 있 다 . 상기 활성 층 ( 55 ) 은 요구 되 는 파장 의 광 예컨대 자외선 또는 청색광 을 방출 하 도록 조성 원소 및 조성 비 가 결정 되 며 , 하부 콘 택 층 ( 53 ) 및 상부 콘 택 층 ( 57 ) 은 상기 활성 층 ( 55 ) 에 비해 밴드 갭 이 큰 물질 로 형성 된다 .