반도체 기판 ( 22 ) 의 수 광면 이 되 는 표면 상 에 는 , 산화 막 ( 13 ) 이 형성 되 어 있 고 , 산화 막 ( 13 ) 상 에 는 , 층간 절 연막 ( 36 ) 이 형성 되 어 있 다 . 또한 , 층간 절 연막 ( 36 ) 상 에 는 Ta 2 O 5 로 이루어지 는 금속 산화 막 ( 14 ) 이 형성 되 고 , 그 상층 에 Ti 로 이루어지 는 밀착 층 ( 15 ) 을 통하 여 배선 ( 32 ) 이 형성 되 어 있 다 . 또한 , 층간 절 연막 ( 36 ) 을 통하 여 복수 의 배선 ( 32 ) 이 배치 되 어 있 고 , 이른바 다층 배선 층 이 형성 되 어 있 다 . 또한 , 제 3 의 실시 의 형태 에서 는 , 금속 산화 막 ( 14 ) 은 층간 절 연막 ( 36 ) 상 의 개략 전면 에 형성 되 어 있 다 .