소거 실행 구간 ( P 21 ) 동안 , 제 어 로직 ( 700 ) 은 행 선택 회로 ( 200 ) 및 전압 발생 회로 ( 300 ) 를 제어 하 여 , 선택 된 메모리 블록 의 워드 라인 들 로 0 V 보다 낮 은 음 의 전압 ( Negative Voltage ; NV ) 을 인가 하 고 , 메모리 셀 들 이 형성 되 어 있 는 벌크 로 소거 전압 ( Verase ) ( 예 를 들 면 , 20 V ) 이 인가 되 도록 한다 . 이러 한 바이어스 조건 하 에서 선택 된 메모리 블록 의 메모리 셀 들 이 소거 된다 .