이어서 실온 에서 상기 알루미늄 기판 ( 11 ) 을 0 . 3 M 의 옥살산 용액 에 넣 고 알루미늄 기판 ( 11 ) 을 양극 에 , 옥살산 용액 을 음극 으로 연결 하 여 50 V 의 전압 을 약 4 시간 동안 가하 여 제 1 양극 산화 처리 공정 을 수행 하 면 도 4 ( a ) 에 도시 된 바 와 같이 전해 시 처음 생성 된 산화알루미늄 ( Al 2 O 3 ) 의 얇 은 층 인 활성 층 과 다수 의 포어 가 형성 된 다공 층 으로 이루어진 제 1 산화 피막 ( 10 ) 이 형성 된다 ( 도 3 의 단계 S 11 ) .