데이터 저장 매체 ( 140 ) 는 불휘발성 메모리 장치 들 ( NVM 00 ~ NVM 0 k 및 NVMn 0 ~ NVMnk ) 을 포함 한다 . 본 발명 의 실시 예 에 따르 면 , 불휘발성 메모리 장치 들 ( NVM 00 ~ NVM 0 k 및 NVMn 0 ~ NVMnk ) 각각 은 낸드 ( NAND ) 플래시 메모리 장치 로 구성 될 것 이 다 . 하지만 , 불휘발성 메모리 장치 들 ( NVM 00 ~ NVM 0 k 및 NVMn 0 ~ NVMnk ) 각각 이 낸드 플래시 메모리 장치 대신 다른 불휘발성 메모리 장치 로 구성 될 수 있 음 은 잘 이해 될 것 이 다 . 예 를 들 면 , 불휘발성 메모리 장치 들 ( NVM 00 ~ NVM 0 k 및 NVMn 0 ~ NVMnk ) 각각 은 노어 ( NOR ) 플래시 메모리 장치 , 강유전체 커패시터 를 이용 한 강유전체 램 ( Ferroelectric RAM : FRAM ) , 티 엠알 ( tunneling magneto - resistive : TMR ) 막 을 이용한 마그네 틱 램 ( Magnetic RAM : MRAM ) , 그리고 칼코겐 화합물 ( chalcogenide alloys ) 을 이용 한 상 변화 메모리 장치 ( phase change memory device : PRAM ) 등 과 같 은 다양 한 형태 의 불휘발성 메모리 장치 들 중 어느 하나 로 구성 될 수 있 다 .