본 실시 형태 에서 설명 하 는 트랜지스터 ( 162 ) 에서 는 산화물 반도체 층 ( 144 ) 이 고 순도 화 되 어 있 기 때문 에 , 그 수소 농도 는 , 5 × 1019 원자 / cm 3 이하 , 바람직 하 게 는 5 × 1018 원자 / cm 3 이하 , 보다 바람직 하 게 는 5 × 1017 원자 / cm 3 이하 이 다 . 또한 , 산화물 반도체 층 ( 144 ) 에서 는 수소 나 물 등 이 저감 되 어 , 산소 결손 이 저감 됨 으로써 , 산화물 반도체 층 ( 144 ) 의 캐리어 밀도 가 일반 적 인 실리콘 웨이퍼 에서 의 캐리어 밀도 ( 1 × 1014 / cm 3 정도 ) 와 비교 하 여 , 충분히 작 은 값 ( 예 를 들 어 , 1 × 1012 / cm 3 미 만 , 보다 바람직 하 게 는 , 1 . 45 × 1010 / cm 3 미만 ) 을 취한다 . 그리고 , 트랜지스터 ( 162 ) 의 오프 전류 도 충분히 작아진다 . 예 를 들 어 , 실온 ( 25 ℃) 에서 의 오프 전류 ( 여기 에서 는 , 단위 채널 폭 ( 1 μ m ) 당 값 ) 은 100 zA ( 1 zA ( 젭토 암페어 ) 는 1 × 10 - 21 A ) 이하 , 바람직 하 게 는 10 zA 이하 가 된다 .