단계 ( 212 ) 를 통해 자유 층 ( 112 ) 이 제공 된다 . 자유 층 ( 212 ) 은 경사진 자화 용 이축 ( EA ) 및 / 또는 적어도 0 . 2 의 증가 된 감쇠 상수 를 갖 는다 . 몇몇 실시 예 에서 , 자유 층 ( 112 ) 은 스핀 궤도 상호 작용 활성 층 ( 130 ) 에 접한다 . 단계 ( 212 ) 는 자유 층 ( 112 , 162 , 162 ' 및 / 또는 162 '') 에 대한 층 ( 들 ) 을 제공 하 는 단계 를 포함 할 수 있 다 . 따라서 , 단계 ( 212 ) 는 높 은 자기장 에서 TbFeCo 층 과 같 은 층 을 증착 하 는 단계 및 / 또는 높 은 자기장 에서 일부 층 을 어닐링 하 는 단계 를 포함 할 수 있 다 . 또한 단계 ( 212 ) 에서 높 은 PMA 층 ( 들 ) , 결합 층 ( 들 ) 및 / 또는 다른 층 들 이 형성 될 수 있 다 . 단계 ( 212 ) 는 또한 자유 층 ( 112 , 162 , 162 ' 및 / 또는 162 '') 의 원 하 는 결정 구조 및 / 또는 자기 특성 을 달성 하 기 위해 적절 한 시드 및 / 또는 캡 핑 층 을 제공 하 는 단계 를 포함 할 수 있 다 . 단계 ( 212 ) 는 또한 층 ( 들 ) 의 감쇠 상수 를 증가 시키 기 위해 백금 ( Pt ) , 이리듐 ( Ir ) , 오스뮴 ( Os ) , 레늄 ( Re ) , 텅스텐 ( W ) , 비스무트 ( Bi ) , 사마륨 ( Sm ) , 홀뮴 ( Ho ) , 디스프로슘 ( Dy ) 및 어븀 ( Er ) 중 하나 이상 의 불순물 을 첨가 하 는 단계 를 포함 할 수 있 다 .