다음 으로 , 도 7 c 를 참조 하 면 , 소스 기판 ( 10 ) 에 형성 된 금속 나노 도트 ( 20 ) 들 위 로 탄성 스탬프 ( patterned stamp ) ( 30 ) 를 위치 시킨다 . 소스 기판 ( 10 ) 으로부터 탄성 스탬프 ( 30 ) 로 의 금속 나노 도트 ( 20 ) 들 의 픽업 이 용이 하 도록 , 탄성 스탬프 ( 30 ) 는 예 를 들 어 실록 산 ( siloxane ) 계 , 아크릴 ( acryl ) 계 , 에폭시 ( epoxy ) 계열 의 탄성체 또는 이 들 의 복합체 로 이루어지 거나 , 또는 상기 재료 에 다른 강화 재료 들 을 혼합 하 여 이루어질 수 있 다 . 탄성 스탬프 ( 30 ) 를 사용 하 면 , 금속 나노 도트 ( 20 ) 들 의 픽업 을 위한 가압 시 금속 나노 도트 ( 20 ) 들 에 가해 지 는 물리 적 인 스트레스 등 을 줄일 수 있 으며 , 탄성 스탬프 ( 30 ) 를 금속 나노 도트 ( 20 ) 들 에 밀착 시킬 수 있 어서 픽업 이 용이 하 게 이루어질 수 있 다 . 비록 도시 되 지 는 않 았 지만 , 금속 나노 도트 ( 20 ) 들 과 접촉 하 는 탄성 스탬프 ( 30 ) 의 바닥 면은 패 터닝 되 어 있 을 수 있 다 . 예 를 들 어 , 도 6 에 도시 된 바 와 같이 , 이후 에 형성 될 나노 - 플라 즈 모닉 입자 ( 107 ) 가 적색 , 녹색 및 청색 화소 별 로 패 터닝 되 어 있 는 경우 , 상기 탄성 스탬프 ( 30 ) 의 바닥 면은 적색 , 녹색 및 청색 화소 에 대응 하 는 패턴 을 가질 수 있 다 . 또한 , 상기 탄성 스탬프 ( 30 ) 의 바닥 면은 메시 구조 와 같 은 격자 구조 의 패턴 을 가질 수 도 있 다 . 그러면 , 이후 에 제 1 전자 수송 층 부분 ( 106 a ) 위 에 형성 될 나노 - 플라 즈 모닉 입자 ( 107 ) 들 이 격자 구조 의 패턴 으로 배열 될 수 있 다 .