다음 으로 , 도 7 e 에 도시 된 바 와 같이 , 소정 의 마스크 패턴 ( 도시 되 지 않 음 ) 을 사용 하 여 감광성 레지스 트 ( 180 ) 를 노광 한다 . 이때 노광량 은 동도금 층 ( 160 ) 위 로 형성 된 감광성 레지스 트 ( 180 ) 의 두께 ( t ) 에 대응 하 는 깊이 로 조절 됨 을 특징 으로 한다 . 이 는 , 감광성 레지스 트 에 대한 노광량 을 조절 함 으로써 관통 홀 내부 에 충 진 된 감광성 레지스 트 가 현상 이후 에 도 잔류 하 도록 하 기 위한 본원 발명 의 특징 중 하나 이 다 .