본 발명 에 따른 고강 도 강판 에서 는 수학식 ( 1 ) 로 Si 과 Al 의 상한 을 제한 하 는 것 에 의해 면적 분 율 로 1 % 이상 수준 의 세멘타이트 가 석출 하 게 되 지만 , 그럼에도 불구 하 고 일부 Si 과 Al 의 존재 로 인해 오스테나이트 가 잔류 하 게 되 고 잔류 오스테나이트 내부 에 탄소 가 분포 하 기 때문 에 세멘타이트 석출 량 은 3 면적 % 보다 는 작 다 . 또한 Si 과 Al 이 어느 정도 는 첨가 되 기 때문 에 잔류 오스테나이트 가 1 면적 % 초과 4 면적 % 이하 의 수준 으로 존재 하 지만 , Si 및 Al 함량 이 매우 높 은 전형 적 인 TRIP 강 에서 처럼 높 은 분 율 의 잔류 오스테나이트 가 분포 하 지 는 않 는다 .