본 발명 의 락 토 바실 러스 사 케이 IFT - 002 균주 를 배양 하 기 위한 천연 배지 를 제조 하 였 다 . 통상 적 인 방법 에 따라 김치 를 제조 한 후 , 24 시간 동안 4 ℃ 에서 저온 숙성 시켰 다 . 산도 0 . 25 %, pH 5 . 84 , 염도 2 . 3 % 인 김치 를 분쇄 하 고 착즙 한 후 멸균 하 여 배지 로 사용 하 였 다 . 본 발명 의 락 토 바실 러스 사 케이 IFT - 002 균주 와 대 조군 인 락 토 바실 러스 사 케이 IFT - 237 , 락 토 바실 러스 사 케이 IFT - 255 및 류 코노 스톡 메 센트로이드 DRC 0211 균주 를 MRS 브로스 5 ㎖ 에 접종 하 고 , 25 ℃ 에서 20 시간 1 차 전배 양 을 하 였 다 . 이후 , 상기 1 차 전배 양액 을 상기 준비 된 김치 배지 에 1 . 0 % 의 농도 로 각각 접종 하 고 , 25 ℃ 에서 20 시간 동안 2 차 전배 양 을 하 였 다 . 상기 2 차 전배 양액 을 다시 새로운 김치 배지 에 1 . 0 % 의 농도 로 접종 하 여 25 ℃ 에서 20 시간 동안 각각 본 배양 하 였 다 . 본 배양액 을 다시 새로운 김치 배지 에 1 . 0 % 의 농도 로 접종 하 여 4 ℃ 및 20 ℃ 에서 각각 배양 하 면서 각 균주 의 생육 을 비교 관찰 하 였 다 .