완충 영역 ( buffer region ) 을 전면 재배 선 구조 ( 122 ) 의 가장자리 영역 ( 122 E ) 에 마련 하 면 , 전면 재배 선 구조 ( 122 ) 의 중심 영역 ( 122 C ) 을 스 크 라 이브 라인 영역 ( 100 S ) 으로부터 분리 하 는 것 을 도울 수 있 다 . 제 1 시 일 링 링 층 ( 140 A ) 은 금속화 패턴 ( 126 ) 의 전도성 피처 로부터 적어도 거리 ( D 2 ) 만큼 분리 되 도록 형성 된다 . 예 를 들 어 , 거리 ( D 2 ) 는 약 20 ㎛ 내지 약 30 ㎛ 의 범위 일 수 있 고 , 예컨대 약 20 ㎛ 이 다 . 마찬가지 로 , 제 1 시 일 링 링 층 ( 140 A ) 은 스 크 라 이브 라인 영역 ( 100 S ) 으로부터 적어도 거리 ( D 3 ) 만큼 분리 되 도록 형성 된다 . 예 를 들 어 , 거리 ( D 3 ) 는 약 10 ㎛ 내지 약 20 ㎛ 의 범위 일 수 있 고 , 예컨대 약 20 ㎛ 이 다 . 시일 링 링 ( 140 ) 을 전면 재배 선 구조 ( 122 ) 의 중심 영역 ( 122 S ) 및 스 크 라 이브 라인 영역 ( 100 S ) 으로부터 각각 거리 ( D 2 및 D 3 ) 만큼 분리 시키 면 , 형성 될 수 있 는 커팅 으로 인한 크랙 을 충분 한 영역 이 흡수 할 수 있 다 .