하지만 , 기판 과 , GaN 막 의 결정 부정합 때문 에 종래 의 질화 갈륨 계 화합물 반도체 의 에피 택 셜 층 을 발광 소자 로 사용 하 기 위해서 는 결정 성 을 향상 시켜야 하 는 문제 가 발생 하 였 다 . 즉 , MOCVD 법 을 사용 하 여 사파이어 기판 위 에 직접 성장 한 , 예 를 들 면 AlGaN 의 에피 택 셜 층 의 표면 은 6 각 피 라 미트 상 , 내지 는 6 각 기둥 상 의 성장 패턴 으로 되 어 그 표면 에 요철 이 발생 한다 . 따라서 , 표면 에 무수 한 요철 이 있 고 , 표면 토폴로지 가 불량 한 에피 택 셜 층 을 사용 하 여 발광 소자 를 제작 할 경우 에 는 소자 의 효율 이 낮 아 지 게 되 는 문제 가 발생 하 였 다 .