또한 , 제 1 홈 부 ( 48 , 52 ) 를 구성 하 는 댐 ( 37 ) 의 부분 의 내벽 과 , 개구부 ( 43 ) 의 측면 에 대응 하 는 솔 더 레지스 트 ( 35 ) 의 부분 의 측벽 사이 의 거리 ( 제 2 거리 ) 는 연속 적 으로 작아지 도록 구성 된다 . 따라서 , 종래 , 언더 필 수지 ( 13 ) 를 형성 하 는 것 이 곤란 하 였 던 반도체 소자 ( 12 ) 의 모서리 ( 12 C ) ( 반도체 소자 ( 12 ) 의 측면 ( 12 - 1 ) 과 반도체 소자 ( 12 ) 의 측면 ( 12 - 2 ) 사이 의 모서리 ( 12 A ) 의 반대 측 에 위치 되 는 모서리 ) 근방 에 위치 되 는 배선 패턴 ( 33 ) 의 영역 으로 언더 필 수지 ( 13 ) 가 향하 도록 , 언더 필 수지 ( 13 ) 의 유동 방향 을 제어 할 수 있 다 . 그 결과 , 배선 패턴 ( 33 ) 의 신뢰 성 을 더 향상 시킬 수 있 다 . 특히 , 상술 한 구성 은 상부 로부터 보 았 을 때 , 반도체 소자 ( 12 ) 의 외부 형상 크기 가 큰 경우 ( 상부 로부터 보 았 을 때 , 반도체 소자 ( 12 ) 의 외부 형상 크기 가 10 ㎜ 2 보다 큰 경우 ) , 효과 적 이 다 .