도 7 에 도시 한 구성 에 있 어서 , 전극 ( 642 a ) 및 전극 ( 642 b ) 의 단부 는 , 테이퍼 형상 인 것 이 바람직 하 다 . 전극 ( 642 a ) 및 전극 ( 642 b ) 의 단부 를 테이퍼 형상 으로 함 으로써 , 산화물 반도체 층 ( 644 ) 의 피복 성 을 향상 시켜 , 절단 ( disconnection ) 을 방지 할 수 있 기 때문 이 다 . 여기 서 , 테이퍼 각 은 , 예 를 들 어 30 ° 이상 60 ° 이하 로 한다 . 또한 , 테이퍼 각 이란 , 테이퍼 형상 을 갖 는 층 ( 예 를 들 어 , 전극 ( 642 a ) ) 을 , 그 단면 ( 기판 의 표면 과 직교 하 는 면 ) 에 수직 인 방향 으로부터 관찰 했 을 때 에 , 당해 층 의 측면 과 저면 이 이루 는 경사각 을 나타낸다 .