상기 반도체 봉지 용 기재 가 부착 된 봉 지재 Z 1 과 반도체 소자 탑재기 판 을 닛코 머티 리얼 즈 사 의 진공 프레스 를 이용 하 여 , 진공도 2 , 000 Pa , 압력 1 . 0 MPa , 150 ℃, 300 초 의 조건 으로 압축 성형 함 으로써 경화 봉지 하 였 다 . 경화 봉지 후 , 150 ℃ 에서 4 시간 포스트 큐어 한 후 , 그라인더 ( 장치명 : DAG 810 , 디스코 사제 ) 를 이용 하 여 기판 을 연삭 함 으로써 제거 하 고 , 배선 층 을 노출 시켰 다 . 노출 된 배선 층 에 인쇄기 ( 장치명 : DEK HORIZON APi , DEK 사제 ) 를 이용 하 여 땜납 페이스트 를 소정 의 위치 에 인쇄 하 고 , 리플 로우 장치 ( 장치명 : TNP 40 , 타무라 사제 ) 를 사용 하 여 최고 도달 온도 265 ℃ 에서 리플 로 우 를 행하 였 다 . 다시 , 다 이 서 ( 장치명 : DAD 323 , 디스코 사제 ) 를 이용 하 여 개편 화 를 행하 였 다 . 압축 성형 에서부터 개편 화 까지 일련 의 공정 을 통해 작업 성 은 양호 하 였 다 .