이러 한 원리 를 기반 으로 , 서로 다른 폭 을 갖 는 복수 의 활성 층 ( 130 ) 을 형성 하 게 되 면 , InGaN 양자 우물 층 의 두께 가 달라지 게 되 고 , 이어 따라 InGaN 양자 우물 층 에서 의 조성 비 도 바뀌 게 됨 과 동시 에 밴드 갭 및 파장 을 변화 시킬 수 가 있 어 동시 에 여러 가지 색상 의 광 을 방출 하 는 다 색광 의 나노 와 이 어 발광 구조물 ( 150 ) 을 형성 할 수 있 게 된다 .