다른 측면 으로 , E 형 지연 형광 은 2 개 의 삼 중항 상태 의 충돌 에 의존 하 지 않 고 삼 중항 상태 와 일 중항 여기 상태 ( singlet - excited state ) 사이 의 전이 에 의존 한다 . E 형 지연 형광 을 생성 할 수 있 는 화합물 은 에너지 상태 간 의 전환 을 진행할 수 있 도록 매우 작 은 일 중항 - 삼 중항 갭 ( gap ) 을 구비 해야 한다 . 열에너지 는 삼 중항 상태 에서 일 중항 상태 로 의 전이 ( transition ) 를 활성 화 할 수 있 다 . 이러 한 유형 의 지연 형광 은 또한 열 활성 지연 형광 ( TADF ) 이 라 한다 . TADF 의 현저 한 특징 으로 는 지연 요소 는 온도 가 높 아 짐 에 따라 증가 하 는 것 이 다 . 역계 간 교차 ( reverse intersystem crossing ) ( RISC ) 의 속도 가 충분히 빨라 삼 중항 상태 에 의한 비 방사성 감쇠 를 최소 화 한다면 , 백 필링 ( back - filling ) 된 일 중항 여기 상태 의 비율 은 75 % 에 도달 할 수 있 다 . 일 중항 상태 의 총 비율 은 100 % 일 수 있 으며 이 는 전계 가 생성 한 엑시톤 의 스핀 통계 의 25 % 를 훨씬 초과 한다 .