게이트 전극 층 의 두께 가 균일 하 고 , 누설 전류 와 기생 채널 을 방지 할 수 있 는 다중 채널 을 갖 는 반도체 소자 및 그 제조 방법 을 제공 한다 . 그 소자 및 방법 은 한 쌍 의 도전 성 영역 사이 의 반도체 기판 상 에 배치 되 는 부분 절연 층 과 부분 절연 층 상 에 접촉 되 며 , 제 1 방향 으로 는 서로 이격 되 고 제 1 방향 과 소정 의 각 을 이루 는 제 2 방향 으로 는 도전 성 영역 을 연결 하 는 적어도 둘 이상 의 브릿지 부분 의 채널 층 을 포함 한다 . 채널 층 의 주위 를 둘러싸 는 게이트 절연 층 과 채널 층 을 둘러싸 며 게이트 절연 층 상 에 형성 된 게이트 전극 층 을 포함 한다 .