특히 , 언급 한 멤 스 기술 을 적용 한 원 - 터치 프로브 카드 의 제조 에서 는 단일 의 희생 기판 을 사용 하 여 빔 과 팁 을 포함 하 는 프로브 를 형성 하 는 것 이 용이 하 지 않 다 . 이 에 , 종래 에 는 주로 두 장 또는 그 이상 의 희생 기판 을 사용 하 여 빔 과 팁 을 포함 하 는 프로브 를 형성 하 고 , 이 를 원 - 터치 프로브 카드 로 제조 하 고 있 다 . 예 를 들 어 , 피검 사체 가 8 인치 반도체 웨이퍼 로 이루어지 는 반도체 소자 일 경우 , 두 장 또는 그 이상 의 희생 기판 을 사용 하 여 원 - 터치 프로브 카드 로 제조 한다 . 여기 서 , 프로브 카드 로 제조 하 는 희생 기판 은 주로 반도체 웨이퍼 이 다 . 그러므로 , 피검 사체 가 언급 한 8 인치 반도체 웨이퍼 로 이루어지 는 반도체 소자 일 경우 에 는 희생 기판 으로써 두 장 또는 그 이상 의 8 인치 반도체 웨이퍼 를 사용 하 여 원 - 터치 프로브 카드 를 제조 하 고 , 피검 사체 가 12 인치 반도체 웨이퍼 로 이루어지 는 반도체 소자 일 경우 에 는 희생 기판 으로써 두 장 또는 그 이상 의 12 인치 반도체 웨이퍼 를 사용 하 여 원 - 터치 프로브 카드 를 제조 한다 .