본 발명 은 반도체 소자 의 제조 방법 에 관한 것 으로 , 다 마신 공정 으로 층간 절 연막 을 식각 하 여 비 아홀 및 트렌치 를 형성 하 는 공정 에서 유전 상수 가 낮 은 물질 을 이용 하 여 식각 정지 막 을 형성 함 으로써 기존 의 유전 상수 가 높 은 물질 을 이용 한 식각 정지 막 에 의한 캐 패 시 턴 스 의 증가 를 방지 할 수 있 어 RC 딜레이 를 감소 시킬 수 있 고 , 이 에 따라 소자 의 동작 속도 를 고속 화 할 수 있 는 반도체 소자 의 제조 방법 이 제시 된다 .