도 5 a 에 나타낸 바 와 같이 , 매핑 센서 ( 20 ) 는 , 반도체 웨이퍼 ( W ) 측 을 향하 는 전방 을 향해 촬상용 광 ( La ) 을 조사 하 는 발광 부 ( 50 ) 와 , 발광 부 ( 50 ) 로부터 조사 된 광 ( La ) 의 반사광 ( 발광 부 ( 50 ) 에 의해서 조명 된 조명 영역 ( S ) 내 ) 을 촬상하여 촬상 화상 ( 51 ) ( 도 10 참조 ) 을 취득 하 는 촬상부 ( 52 ) 를 구비 하 고 있 다 . 도 6 a 에 나타낸 바 와 같이 , 광 ( La ) 의 반사광 에 는 , 예 를 들 면 , 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 외주 단 에서 반사 된 반사광 인 기판 반사광 ( Lb ) , 및 용기 본체 ( 3 ) 의 내 벽면 에서 반사 된 반사광 인 내 벽면 반사광 ( Lc ) 이 포함 된다 . 또한 , 도 5 a 에 나타낸 바 와 같이 , 촬상부 ( 52 ) 는 , 광 ( La ) 의 광축 ( Oa ) 에 교차 하 는 가상 의 촬상면 ( V ) 을 촬상해 촬상 화상 ( 51 ) 을 취득 한다 . 따라서 매핑 센서 ( 20 ) 는 , 2 차원 의 촬상 화상 ( 51 ) 을 취득 하 는 화상 취득 센서 ( 혹은 면광 전 센서 ) 로 되 어 있 다 .