또한 , 본 발명 에서 는 광소자 를 플립 칩 ( flip chip ) 형태 로 광소자 모듈 에 장착 함 에 의해 와이어 - 본딩 ( wire - bonding ) 없이 패 키 징 이 이루어질 수 있 어 신호 저항 계수 및 전기 저항 계수 가 감소 되 어 고주파 특성 이 좋 아 지 게 된다 . 그 결과 , 수십 Giga ~ 100 G 이상 의 고속 상호 접속 ( interconnection ) 이 이루어지 는 광소자 ( PD / VCSEL ) 의 와이어 본딩 때문 에 발생 하 는 성능 저하 를 해결 할 수 있 다 .