이러 한 온도 범위 에서 열처리 를 행하 는 것 으로 , 반도체 기판 ( 100 ) 에 대하 여 할로겐 원소 에 의한 게터 링 효과 를 얻 을 수 있 다 . 게터 링 효과 로서 는 , 금속 불순물 을 제거 하 는 효과 를 얻 을 수 있 다 . 즉 , 염소 의 작용 에 의해 , 금속 등 의 불순물 이 휘발 성 의 염화물 이 되 어 기상 ( 氣相 ) 중 으로 이탈 하 여 제거 된다 . 반도체 기판 ( 100 ) 의 표면 을 화학 적 기계 연마 ( CMP ) 처리 한 것 에 대해서 는 효과 적 이 다 . 또한 수소 는 반도체 기판 ( 100 ) 과 산화 막 ( 106 ) 계면 의 결함 을 보상 하 여 계면 의 국재 준위 밀도 를 저감 하 는 작용 을 발휘 한다 .