그러나 , CVD 방식 을 이용 한 티타늄 질화 막 ( TiN ) 형성 공정 은 60 % 정도 의 스텝 커버리지 를 나타내 고 있 다 . 즉 , 콘 택 홀 하부 에 증착 되 는 두께 보다 콘 택 홀 상부 에 증착 되 는 두께 가 더 두껍 게 증착 되 어 콘 택 홀 상부 폭 이 급격 하 게 감소 하 게 된다는 것 이 다 . 이 로 인하 여 , 콘 택 홀 내 에 보 우잉 을 갖 는 상태 에서 콘 택 홀 을 채우 기 위한 텅스텐 ( W ) 형성 공정 시 콘 택 홀 하부 영역 이 채워 지 지 않 은 상태 에서 콘 택 홀 상부 영역 이 먼저 텅스텐 ( W ) 으로 채워져 콘 택 홀 갭 필 불량 이 발생 하 게 된다 .