이어서 , 제 1 결정 성 산화물 반도체 층 ( 450 a ) 위 에 10 ㎚ 보다 두꺼운 제 2 산화물 반도체 층 을 형성 한다 . 제 2 산화물 반도체 층 의 형성 은 , 스퍼터링 법 을 사용 하 고 , 그 성막 시 에 있 어서 의 기판 온도 는 200 ℃ 이상 400 ℃ 이하 로 한다 . 성막 시 에 있 어서 의 기판 온도 를 200 ℃ 이상 400 ℃ 이하 로 함 으로써 , 제 1 결정 성 산화물 반도체 층 의 표면 위 에 접하 여 성막 하 는 산화물 반도체 층 에 전구체 의 정렬 이 일어나 고 , 소위 , 질서 성 을 갖 게 할 수 있 다 .