상기 와 같 은 공정 으로 소오 스 및 드레 인 ( 9 ) 의 실리사이드 가 완성 되 면 , 상기 더미 게이트 ( 1 ) 를 제거 해야 한다 . 더미 게이트 ( 1 ) 를 제거 하 는 방법 으로 는 일반 적 인 포토 리소그래피 공정 을 사용 하 는 방법 과 , 구조물 의 높이차 를 이용 한 선택 적 식각 을 이용 한 방법 이 있 다 . 이중 전자 의 방법 은 일반 적 인 반도체 공정 의 포토 리소그래피 공정 을 이용 가능 하 나 , 후자 의 방법 이 보다 저렴 하 고 간편 하 다 . 종래 기술 로 유추 가능 한 전자 의 방법 은 설명 을 생략 하 고 , 이하 에서 는 후자 의 방법 에 대하 여 설명 하 겠 다 . 이 경우 상기 더미 게이트 제거 단계 는 , 상기 도 5 의 결과물 의 상부 표면 에 반응 차 단막 ( 13 ) 을 형성 하 는 단계 ; 상기 반응 차 단막 을 덮 은 결과물 에 HSQ ( 10 ) 를 코팅 하 는 단계 ; 및 상기 HSQ ( 10 ) 가 코팅 된 결과물 을 식각 하 여 상기 더미 게이트 ( 1 ) 를 제거 하 는 단계 로 이루어질 수 있 다 . 이하 , 도면 을 참조 하 여 상기 단계 들 을 설명 하 겠 다 .