그러나 습식 식각 방법 은 일반 적 으로 공정 제어 가 어려워 원 하 는 형태 의 식각 형상 을 쉽 게 얻 을 수 없 는 단점 을 가진다 . 도 1 은 기판 ( 1 ) 으로 결정면 방위 가 < 100 > 인 실리콘 웨이퍼 ( 이하 '( 100 ) 웨이퍼 ' 라 한다 ) 를 사용 하 고 , 습식 식각 방법 으로 잉크 공 급구 ( 2 ) 를 형성 한 예 를 도시 한 것 인데 , 이 와 같이 ( 100 ) 웨이퍼 를 습식 식각 하 여 잉크 공 급구 ( 2 ) 를 형성 하 면 실리콘 결정 구조 의 특성 상 잉크 공 급구 ( 2 ) 의 내벽 ( 2 a ) 이 대략 54 . 7 ˚ 의 각도 로 경사지 게 형성 된다 . 이러 한 잉크 공 급구 ( 2 ) 에서 기판 ( 1 ) 배면 의 개구 ( 2 b ) 는 기판 ( 1 ) 전면 의 개구 ( 2 c ) 보다 훨씬 크 게 형성 되 는데 , 이 와 같 은 구조 는 여러 가지 측면 에서 불리 하 게 작용 한다 .