투명 하 고 유연 한 질소 - 도핑 그래핀 트랜지스터 를 제작 한 제조 예 3 의 소자 안정 성 을 NBS ( Negative Bias Stress ) 와 NBIS ( Negative Bias Illumination Stress ) 측정 을 통하 여 확인 하 였 다 ( 도 10 참조 ) . NBS 측정 결과 , 제 조예 3 은 3600 초 이후 에 도 측정값 이 변하 지 않 는 매우 안 정한 소자 특성 을 보여 주 었 고 Illumination 을 1500 lux 로 설정 한 NBIS 측정 에서 도 매우 안 정한 소자 특성 을 보여 주 었 다 . 이 는 매우 안정 하 다고 보 고 된 ZnON - F ( 산화물 반도체 , ACS Applied Materials & Interfaces , 2017 , 9 , 24688 ) 과 비슷 한 안정 성 으로 매우 우수 한 특성 이 다 .