이어서 , 도 1 d 에 도시 된 바 와 같이 , 하드 마스크 패턴 ( 104 A ) 과 제 2 도 전막 패턴 ( 103 A ) 의 양측 벽 , 그리고 과도 식각 공정 에 의해 일부 가 식각 된 제 1 도 전막 ( 102 A ) 의 양측 벽 에 보호막 ( 109 ) 을 형성 한다 . 이때 , 보호막 ( 109 ) 은 후속 재산 화 공정 시 제 2 도 전막 패턴 ( 103 A ) 이 이상 산화 되 는 것 을 방지 하 기 위해 질화 막 , 예컨대 실리콘 질화 막 ( Si 3 N 4 ) 으로 형성 한다 .