예 를 들 면 , 복수 의 워드 라인 ( 120 ) 은 Ti , TiN , Ta , TaN , W , WN , TiSiN , WSiN , 또는 이 들 의 조합 으로 이루어질 수 있 다 . 일부 실시 예 들 에서 , 복수 의 워드 라인 ( 120 ) 각각 은 코어 층 , 및 코어 층 과 게이트 유전 막 ( 122 ) 사이 에 배치 되 는 배리어 층 으로 이루어질 수 있 다 . 예 를 들 면 , 상기 코어 층 은 W , WN , TiSiN , 또는 WSiN 과 같 은 금속 물질 또는 도전 성 금속 질화물 로 이루어질 수 있 고 , 상기 배리 어 층 은 Ti , TiN , Ta , 또는 TaN 과 같 은 금속 물질 또는 도전 성 금속 질화물 로 이루어질 수 있 다 .