본 발명 에 따른 광전 소자 에서 , 상기 전이 금속 디 칼 코 게나 이드 박막 ( 140 ) 은 제 1 및 제 2 전극 이 이격 된 방향 으로 연장 된 다른 분자 층수 를 가져서 헤테로 접합 을 형성 하 는 복수 의 영역 들 을 포함 하 고 있 어서 , 우수 한 전기 적 , 광학 적 특성 을 나타낼 수 있 다 . 구체 적 으로 , 전이 금속 디 칼 코 게나 이드 화합물 은 벌크 상태 에서 단분자층 으로 분자 층 수 가 변화 함 에 따라 밴드 갭 이 1 . 2 eV 에서 1 . 9 eV 로 변화 함 과 동시 에 간접 천이 형 ( indirect gap ) 에서 직접 천 이 형 ( direct gap ) 으로 전환 될 수 있 는 물질 로서 , 분자 층 수 의 조절 을 통해 형성 된 헤테로 접합 ( heterojunction ) 부분 에서 는 전자 친화도 ( electron affinity ) 와 일함수 ( work function ) 의 차이 와 서로 다른 밴드 갭 에 의한 내부 층위 갭 ( interlayer gap ) 의 형성 과 헤테로 접합 영역 에 형성 된 공핍 영역 ( depletion region ) 에 의해 형성 된 내부 전기장 ( built - in electric field ) 으로 인하 여 전자 - 정공 쌍 ( electron - hole pair ) 의 분리 를 향상 시켜 광 감응 성 ( photoresponsivity ) 과 광 감응 속도 ( photoresponse time ) 등 의 광전 특성 이 향상 될 수 있 다 . 본 발명 에서 는 이러 한 특성 을 가지 는 헤테로 접합 ( heterojunction ) 의 개수 를 증가 시켜 우수 한 광전 특성 을 가질 뿐 만 아니 라 멀티 헤테로 접합 ( multi - heterojunction ) 을 소스 전극 과 드레 인 전극 의 이격 방향 으로 형성 시킴 으로써 더욱 우수 한 광전 특성 을 가질 수 있 다 .