다음 으로 , 도 2 의 ( B ) 에 나타내 는 바 와 같이 , 기상 성장 형 성막 법 에 의해서 , 기재 ( 50 ) 의 표면 에 본체 ( 12 ) 를 구성 하 는 SiC 막 을 성막 한다 . 또한 , 기상 성장 형 성막 법 이란 , 예 를 들 면 CVD 법 에 의한 것 으로 하 면 좋 지만 , 이것 에 한정 하 는 것 이 아니 라 , 진공 증착 형 PVD ( Physical Vapor Deposition : 물리 기상 성장 ) 법 이나 , MBE ( Molecular Beam Epitaxy : 분자선 에피택시 ) 법 등 이 어도 된다 . SiC 막 의 막 두께 는 특별히 한정 하 는 것 은 아니 지만 , 기재 ( 50 ) 를 제거 했 을 때 , 입체 구조물 로서 자립 가능 한 강도 를 가질 정도 의 막 두께 를 구비 할 필요 는 있 다 .