칼 코 게나 이드 재료 는 원소 들 S , Se 및 Te 중 적어도 하나 를 포함 하 는 재료 또는 합금 일 수 있 다 . 본 출원 에서 논의 된 상 변화 재료 는 칼 코 게나 이드 재료 일 수 있 다 . 칼 코 게나 이드 재료 들 포함 할 수 있 다 합금 s ofS , Se , Te , Ge , As , Al , Sb , Au , 인듐 ( In ) , 갈륨 ( Ga ) , tin ( Sn ) , 비스무트 ( Bi ) , 팔라듐 ( Pd ) , 코발트 ( Co ) , 산소 ( O ) , 은 ( Ag ) , 니켈 ( Ni ) , 백금 ( Pt ) . 예 를 들 어 , 칼 코 게나 이드 재료 및 합금 은 Ge - Te , In - Se , Sb - Te , Ga - Sb , In - Sb , As - Te , Al - Te , Ge - Sb - Te , Te - Ge - As , In - Sb - Te , Te - Sn - Se , Ge - Se - Ga , Bi - Se - Sb , Ga - Se - Te , Sn - Sb - Te , In - Sb - Ge , Te - Ge - Sb - S , Te - Ge - Sn - O , Te - Ge - Sn - Au , Pd - Te - Ge - Sn , In - Se - Ti - Co , Ge - Sb - Te - Pd , Ge - Sb - Te - Co , Sb - Te - Bi - Se , Ag - In - Sb - Te , Ge - Sb - Se - Te , Ge - Sn - Sb - Te , Ge - Te - Sn - Ni , Ge - Te - Sn - Pd , 또는 Ge - Te - Sn - Pt 를 포함 할 수 있 지만 , 이것 에 한정 되 지 는 않 는다 . 본 출원 에서 하이픈 으로 표시 된 화학 조성 표기법 은 특정 화합물 또는 합금 에 포함 된 원소 를 나타내 며 , 표시 된 원소 를 포함 하 는 모든 화학 양론 을 나타내 도록 의도 된다 . 예 를 들 어 , Ge - Te 는 GexTey 를 포함 할 수 있 고 , 여기 서 , x 및 y 는 임의 의 양 의 정수 일 수 있 다 . 가변 저항 재료 들 의 다른 예 는 이원 금속 산화물 재료 또는 둘 이상 의 금속 , 예 를 들 어 전이 금속 , 알칼리 토금속 및 / 또는 희토류 금속 을 포함 하 는 혼합 된 원자 가 산화물 을 포함 할 수 있 다 . 실시 예 들 은 특정 가변 저항 재료 또는 메모리 셀 의 메모리 소자 와 관련 된 재료 로 제한 되 지 않 는다 . 예 를 들 어 , 가변 저항 재료 의 다른 예 가 메모리 소자 를 형성 하 는 데 사용 될 수 있 고 , 예 를 들 어 , 그 중 에서 도 칼 코 게나 이드 재료 , 거대 자기 저항 재료 또는 폴리머 기반 재료 를 포함 할 수 있 다 .