본 발명 은 MIM 구조 의 커패시터 에서 나이트 라이드 막 잔존물 을 제거시키 는 MIM 커패시터 제조 방법 에 관한 것 이 다 . 즉 , 본 발명 에서 는 MIM 구조 의 커패시터 제조 에 있 어서 , 금속 RIE 공정 시 MIM 구조 의 절연 층 으로 형성 되 는 나이트 라이드 막 의 잔존물 을 제거 시킴 으로써 MIM 구조 커패시터 의 특성 을 향상 시킬 수 있 으며 , 금속 식각 공정 의 안정 성 을 확보 할 수 있 어 생산 성 을 도모 할 수 있 고 , 또한 후속 공정 의 공정 마진 을 증대 시킬 수 있 다 .