도 3 의 ( B ) 에 나타낸 바 와 같이 , 발광 디바이스 ( 203 R ) 에서 도전 층 ( 212 R ) 을 제 1 전극 ( 211 ) 위 에 형성 하 고 , 발광 디바이스 ( 203 G ) 에서 도전 층 ( 212 G ) 을 제 1 전극 ( 211 ) 위 에 형성 함 으로써 광학 조정 을 수행 할 수 있 다 . 또한 발광 디바이스 ( 203 B ) 에서 도전 층 ( 212 R ) 및 도전 층 ( 212 G ) 과 는 두께 가 다른 도전 층 을 제 1 전극 ( 211 ) 위 에 형성 하 고 , 광학 거리 ( 220 B ) 를 조정 하 여도 좋 다 . 또한 도 3 의 ( A ) 에 나타낸 바 와 같이 , 제 1 전극 ( 211 ) , 도전 층 ( 212 R ) , 및 도전 층 ( 212 G ) 의 단부 는 절연 층 ( 204 ) 으로 덮인다 .