예시 적 인 실시 예 들 에 있 어서 , 하드 마스크 패턴 ( 210 ) 은 순차 적 으로 적층 된 하부 캡 핑 층 ( 212 ) , 식각 정지 층 ( 214 ) 및 상부 캡 핑 층 ( 216 ) 을 포함 할 수 있 다 . 하부 캡 핑 층 ( 212 ) 과 상부 캡 핑 층 ( 216 ) 은 식각 정지 층 ( 214 ) 에 대하 여 식각 선택 비 를 갖 는 물질 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 하부 캡 핑 층 ( 212 ) 과 상부 캡 핑 층 ( 216 ) 은 실리콘 질화물 을 포함 할 수 있 고 , 식각 정지 층 ( 214 ) 은 폴리 실리콘 을 포함 할 수 있 다 . 그러나 , 본 발명 의 기술 적 사상 이 이 에 한정 되 는 것 은 아니 다 .