공극 형성 은 리세 스 깊이 를 감소 시키 고 / 감소 시키 거나 , 리세 스 측벽 을 테 이 퍼지 게 함 으로써 완화 될 수 있 어서 , 리세 스 의 개구 는 리세 스 의 하부 보다 상부 에서 더 넓 을 수 있 다 . 리세 스 깊이 를 줄이 는 트레이드 오프 는 소자 분리 의 효과 성 을 감소 시킬 수 있 는 반면 에 , 테이퍼 가 진 측벽 을 갖 는 리세 스 의 더 큰 상부 개구 는 IC 면적 을 추가 적 으로 소모 할 수 있 다 . 이러 한 문제 는 소자 치수 를 감소 시키 려 하 는 경우 , 점점 문제 가 될 수 있 다 . 또한 , 비교 적 높 은 품질 의 막 , 예 를 들 어 불 산 및 / 또는 인산 에서 비교 적 높 은 식각 속도 를 갖 는 막 을 형성 하 는 것 을 일반 적 으로 요구 할 수 있 다 . 따라서 , 고품질 막 을 형성 하 고 / 형성 하 거나 리세 스 를 충 진하 기 위한 개선 된 방법 및 장치 가 요구 된다 .