상기 전자 전달 촉진 층 ( 14 ) 은 상기 전도성 부여 층 ( 13 ) 의 하측 또는 / 및 상측 에 위치 하 며 전이 금속 티칼 코 게 아니 드 ( Transition metal dichalcogenide ) 로 이루어져 전자 전달 을 촉진 하 게 된다 . 상기 전이 금속 티칼 코 게 아니 드 는 공지 된 다양 한 물질 이 사용 될 수 있 으나 , 바람직 하 게 는 이 황화몰리브덴 이 사용 되 는 것 이 바람직 하 다 . 상기 전자 전달 촉진 층 ( 14 ) 의 형성 시 다양 한 코팅 방법 이 사용 될 수 있 으나 , 스핀코팅 을 이용 하 여 전자 전달 촉진 층 ( 14 ) 을 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 최적 의 실시 예 로 , 상기 전극 ( 1 ) 은 상기 플렉서블 지 지체 ( 11 ) 상면 에 금 으로 이루어진 제 1 의 전도성 부여 층 ( 131 ) 과 , 상기 제 1 의 전도성 부여 층 ( 131 ) 의 상면 에 몰리브덴 화합물 ( 예컨대 , 이 황화몰리브덴 ) 로 이루어진 전자 전달 촉진 층 ( 14 ) 과 , 상기 전자 전달 촉진 층 ( 14 ) 의 상면 에 금 으로 이루어진 제 2 의 전도성 부여 층 ( 132 ) 를 포함 하 도록 형성 되 는 것 이 , 센싱 의 민 감도 를 더욱 향상 시킬 수 있 다 .