상기 스테이지 는 아몰 퍼스 실리콘 ( a - Si ) 이 형성 된 기판 을 지지 한다 . 상기 레이저 는 상기 기판 의 상부 에 배치 되 어 레이저 빔 을 발생 시키 고 , 상기 레이저 빔 은 상기 기판 에 조사 되 어 상기 아몰 퍼스 실리콘 을 다 결정 실리콘 ( poly - Si ) 으로 변경 시킨다 . 상기 실리콘 결정 화 마스크 는 상기 기판 및 상기 레이저 사이 에 배치 되 어 , 상기 기판 으로 조사 되 는 레이저 빔 중 일부 를 투과 및 차단 시킨다 . 상기 실리콘 결정 화 마스크 는 길 이 방향 을 따라 순차 적 으로 3 등분 된 제 1 , 제 2 및 제 3 패턴 부을 포함 하 고 , 상기 제 1 , 제 2 및 제 3 패턴 부 각각 에 는 상기 레이저 빔 중 일부 를 투과 및 차 단 시키 는 복수 의 단위 블 럭 들 이 형성 되 며 , 상기 제 1 , 제 2 및 제 3 패턴 부 중 적어도 둘 은 서로 대응 되 는 패턴 을 갖 는다 .