배양 시간 이 24 시간 이 경과 된 시점 에서 HaCaT 배양 에 사용 된 배지 를 제거 하 고 HaCaT 를 HBSS ( Hanks ' Balanced Salt Solution , Welgene , Korea ) 로 세척 한 후 , 50 μ M DCFDA ( 희석 용매 : HBSS ) 를 100 ㎕ 첨가 하 고 37 ℃/ 5 % CO 2 인큐베이터 에서 약 1 시간 동안 배양 한 다음 , HBSS 로 세척 하 였 다 . 그 다음 , 100 μ M H 2 O 2 ( 희석 용매 : HBSS ) 를 처리 한 후 ( 무 처리 군 : HBSS 만 처리 한 시료 ; 음성 대 조군 : H 2 O 2 만 처리 한 시료 ) , DCFDA 및 H 2 O 2 로 처리 된 HaCaT 로부터 발생 되 는 형광 을 형광 플레이트 리더 ( Tecan plate reader , Switzerland ) 로 Excitation / Emission = 485 nm / 535 nm 에서 형광 강도 를 측정 하 였 다 ( 각 시료 당 3 개 씩 ( triplicate samples ) 측정 하 여 평균값 을 구함 ) .