게이트 절 연막 ( 107 ) 은 , 플라 즈 마 처리 에 의해서 형성 되 는 절 연막 만 을 사용 하 여도 좋 고 , 이것 에 플 라즈 마나 열 반응 을 이용 한 CVD 법 으로 산화 실리콘 , 산질 화 실리콘 , 질화 실리콘 등 의 절 연막 을 퇴적 하 여 , 적층 시켜 도 좋 다 . 어떻든 간 에 , 플 라즈 마로 형성 한 절 연막 을 게이트 절 연막 의 일부 또는 전부 에 포함 하 여 형성 되 는 트랜지스터 는 , 특성 의 격차 를 작 게 할 수 있 다 .