이 실시 형태 에 있 어서 의 반사율 의 파장 의존 특성 ( 도 9 ) 은 , 게이트 전극 ( 146 ) 의 측벽 을 제외 하 고 SiO 2 막 ( 142 ) 이 완전히 제거 되 어 있 는 상태 , 즉 기판 ( 하지 ( 下地 ) 층 ) 이 노출 되 어 있 는 상태 ( 도 7 의 ( c ) ) 와 등가 인 상태 ) 에서 얻 어 질 때 의 반사 율 을 정규 화 의 기준치 ( 1 . 00 ) 로 하 고 있 다 . 이 와 같이 , 에칭 대상 의 박막 이 완전히 제거 되 어 있 을 때 의 하 지 층 에서 얻 어 지 는 반사 율 을 기준치 로 함 으로써 , 1 nm 정도 의 매우 얇 은 막 두께 라도 고정 밀도 로 모니터링 할 수 있 다 .