도 4 c 에 도시 된 바 와 같이 , 하드 마스크 층 ( 43 ) 상부 에 포토레지스트 패턴 ( 44 ) 을 형성 한다 . 이때 , 본 발명 은 메모리 소자 의 셀 영역 에 는 새 들 트랜지스터 가 형성 되 고 , 주변 회로 영역 에 는 핀 트랜지스터 가 형성 되 는 것 을 전제 로 하 기 때문 에 , 셀 영역 에서 는 새 들 이 형성 될 부분 을 노출 시키 는 포토레지스트 패턴 ( 44 ) 을 형성 하 고 , 주변 회로 영역 에서 는 핀 이 형성 될 부분 을 노출 시키 는 포토레지스트 패턴 ( 44 ) 을 형성 한다 . 이 를 좀 더 상세히 설명 하 면 다음 과 같 다 .