다음 에 도 8 에 도시 된 바 와 같이 , 플로팅 게이트 도 전막 ( 220 ) 의 노출면 및 하드 마스크 막 패턴 ( 232 ) 위 에 도전 막 ( 250 ) 을 형성 한다 . 이 도전 막 ( 250 ) 은 후속 의 마스크 산화 막 형성 을 위한 산화 공정 시 함께 산화 될 수 있 는 물질 로 형성 한다 . 도전 막 ( 250 ) 은 폴리 실리콘 막 으로 형성 할 수 있 다 . 이때 도전 막 ( 250 ) 의 두께 는 후속 공정 에서 형성 되 는 도전 성 스 페이서 막 의 두께 를 고려 하 여 결정 한다 .