에칭 선택 비 를 갖 는 조건 하 에서 , 실리콘 산화 막 ( 5 ) , 비결정 실리콘 ( 7 ) 및 실리콘 질화 막 ( 3 ) 상 에 에 싱 ( ashing ) 이 수행 될 때 , 라인 - 스페이스 의 유기 재료 막 ( 4 ) 과 레지스 트 ( 8 ) 는 제거 되 어 , 비결정 실리콘 ( 7 ) , 실리콘 산화 막 ( 5 ) 및 유기 재료 막 ( 4 ) 을 조합 함 으로써 얻 어 지 는 와이더 라인 과 , 비결정 실리콘 ( 7 ) 의 라인 - 스페이스 패턴 이 공존 하 는 패턴 을 형성 한다 ( 도 1 h ) . 에 싱 가스 의 예 로 는 산소 ( O 2 ) 가스 , 질소 ( N 2 ) 가스 , 수소 ( H 2 ) 가스 및 암모니아 ( NH 3 ) 가스 를 들 수 있 다 . 이때 , 라인 - 스페이스 의 각각 의 피치 는 노출 기법 을 이용해 레지스 트 ( 6 a ) 에서 라인 - 스페이스 패턴 을 형성 할 때 ( 도 1 a ) 의 절반 이 어서 , 소형 화 가 실현 될 수 있 다 .