상기 와 같 은 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 은 반도체 멤 스 ( MEMS ) 공정 으로 웨이퍼 를 식각 하 여 형성 되 어 , 일면 이 평탄 하 고 소정 길이 를 갖 는 사각기둥 형태 로 형성 되 며 , 타면 이 개구 되 어 있 는 제 1 몸 체부 ; 상기 제 1 몸 체부 의 개구 된 면 에 결합 되 어 고주파 가 전송 되 는 전송 공간 을 형성 하 는 제 2 몸 체부 ; 및 상기 제 1 몸 체부 의 내측 상면 에서 돌출 되 어 고주파 가 전송 되 는 길 이 방향 으로 연장 되 는 리 지부 ; 를 포함 하 고 , 상기 제 1 몸 체부 및 상기 리 지부 는 , 상기 웨이퍼 가 식각 되 어 형성 되 는 베이스 층 ; 및 상기 베이스 층 의 일면 에 형성 된 금속 층 ; 을 포함 하 는 것 을 특징 으로 하 는 도파관 을 제공 한다 .