반도체 기판 의 제조 방법 은 , 상기 의 공정 에 한정 되 는 것 은 아니 다 . 예 를 들 면 이온 의 도입 을 , 절 연막 ( 405 ) 의 형성 전 이 아닌 , 절 연막 ( 405 ) 을 형성 한 후 에 절 연막 ( 402 ) 및 절 연막 ( 405 ) 을 통해 행함 으로써 , 단결정 반도체 기판 ( 401 ) 의 표면 으로부터 소정 깊이 의 영역 에 손상 영역 ( 404 ) 을 형성 해도 좋 다 .