반도체 장치 의 고성능 화 에 따라 ， 반도체 장치 의 배선 재료 로서 저항 치가 작 은 Cu 을 이용 하 는 것 이 널리 보급 되 고 있 다 . 그러나 , Cu 는 산화 되 기 쉬운 성질 을 가지 고 있 기 때문 에 , 예컨대 다마 신법 에 의해 Cu 의 다층 배선 구조 를 형성 하 는 공정 에 있 어서 , 층간 절연 층 으로부터 노출 된 Cu 배선 이 산화 해 버리 는 경우 가 있 다 . 이 때문 에 ， 산화 된 Cu 를 환원 에 의해 제거 하 기 위해 , NH 3 나 H 2 등 의 환원성 을 가지 는 가스 가 이용 되 는 경우 가 있 었 다 .