도 5 b 에 나타낸 홀 ( h 1 ) 내부 에 산화 공정 을 실시 한다 . 예 를 들 어 열 산화 공정 을 실시 할 수 있 다 . 산화 공정 에 의해 홀 ( h 1 ) 측면 의 핀 들 ( 21 a , 21 b ) 은 예 를 들 어 실리콘 산화물 이 형성 되 며 핀 들 ( 21 a , 21 b ) 의 폭 이 감소 한다 . 따라서 , 도 3 d 를 참조 하 면 , 홀 ( h ) 이 형성 된 부위 의 핀 들 ( 21 a , 21 b ) 및 제 2 절연 층 ( 23 ) 의 폭 이 좁 아 진 것 을 알 수 있 다 . 제 2 절연 층 ( 23 ) 의 폭 이 좁 은 영역 은 도 5 b 에 나타낸 홀 ( h 1 ) 측면 의 핀 들 ( 21 a , 21 b ) 이 산화 되 어 산화물 ( 25 ) 이 형성 된 영역 이 다 .