이 에 , 기존 에 사용 되 고 있 는 부유 게이트 ( floating gate ) 라 지칭 하 는 고립 된 도전 막 에 전하 를 저장 하 는 부유 게이트 구조 의 메모리 대신 에 절연성 벌크 트랩 ( bulk trap ) 에 전하 를 저장 하 는 SONOS ( Silicon / Oxide / Nitride / Oxide / Silicon ) 구조 의 메모리 를 상용 화 하 려는 노력 이 집중 되 고 있 다 . 이러 한 SONOS 구조 를 사용 할 경우 , 소자 의 집적 도 증가 에 유리 할 것 이 며 , 저전압 , 저 소비 전력 및 고속 동작 을 실현 한 비휘발성 메모리 소자 의 제조 가 가능 할 것 이 다 .