MOFs 의 합성 동안 , 표면 결함 이 생성 된다 . MOF 물질 의 표면 결함 은 이 들 이 염 음 이온 을 배위 결합 할 수 있 는 더 많 은 불포화 금속 중심 을 노출 시킨다는 점 에서 공극 과 유사 하 다 . 따라서 , MOF 물질 의 패킹 으로 인한 결함 뿐 만 아니 라 , MOF 물질 내부 의 공극 이 이온 수송 채널 이 될 수 있 다 . UiO - 66 시리즈 MOFs 의 경우 , 금속 대 리간드 비 , 합성 온도 , 염산 및 모노 / 디 - 카르복실 산 의 혼입 이 조작 되 어 MOF 결함 부위 를 조정 하 였 다 . 예 를 들 어 , 트리플 루 오로 아세트산 , 트리클로로아세트산 , 포름산 , 아세트산 , 피 발산 , 벤조산 , 및 스테아르산 등 은 테레프탈산 의 대체 및 활성 화 시 분해 에 의해 대 규모 결손 리간드 를 생성 하 는 데 효과 적 이 므로 , 생성 된 MOFs 는 음 이온 배위 결합 을 위한 결함 구조 및 풍부 한 부위 를 가진다 . 골격 전체 에 걸친 이러 한 결함 은 또한 음 이온 을 위한 고정 부위 및 양 이온 에 대한 수송 촉진제 로서 분류 된다 .