이렇게 스택 게이트 ( 20 ) 가 형성 된 기판 ( 10 ) 전체 에 , 공통 소스 영역 을 노출 시키 는 포토레지스트 패턴 ( 30 ) 을 형성 한다 . 그리고 나 서 , 포토레지스트 패턴 ( 30 ) 을 식각 마스크 로 하 여 , 필드 영역 에 형성 된 산화 막 을 제거 한다 . 필드 산화 막 이 제거 되 면 , 도 2 에서 보 듯이 , 공통 소스 영역 에 트랜 치 ( 14 ) 가 형성 된다 . 필드 산화 막 의 선택 적 제거 공정 은 , 게이트 전극 용 폴리 실리콘 층 , 실리콘 기판 및 필드 산화 막 의 식각 선택 비 를 이용 하 여 필드 산화 막 을 선택 적 으로 제거 하 는 SAS 식각 공정 을 이용 할 수 있 다 .