본 발명 의 실시 예 에 따른 수직 형 반도체 장치 는 , 하부 구조물 ; 상기 하부 구조물 상 에 교번 하 여 적층 된 절연 층 들 과 게이트 전극 들 을 포함 하 는 교번 스택 ; 상기 교번 스택 을 관통 하 는 오프닝 ; 상기 오프닝 의 측벽 에 형성 된 블록 킹 층 ; 상기 블록 킹 층 의 측벽 에 형성 된 전하 저장 층 ; 및 상기 블록 킹 층 과 전하 저장 층 의 계면 에 형성 된 흡착 층 을 포함 할 수 있 다 .