또한 효율 적 으로 삼 중항 여기 에너지 로부터 역항 간 교차 에 의하 여 단일 항 여기 에너지 가 생성 되 도록 하 기 위해서 는 TADF 재료 에서 캐리어 의 재결합 이 일어나 는 것 이 바람직 하 다 . 또한 TADF 재료 에서 생성 된 삼 중항 여기 에너지 가 형광 발광 물질 의 삼 중항 여기 에너지 로 이동 하 지 않 는 것 이 바람직 하 다 . 따라서 형광 발광 물질 은 형광 발광 물질 이 가지 는 발광단 ( 발광 의 원인 이 되 는 골격 ) 의 주위 에 보호기 를 가지 는 것 이 바람직 하 다 . 상기 보호기 로서 는 π 결합 을 가지 지 않 는 치환기 및 포화 탄화수소 가 바람직 하 고 , 구체 적 으로 는 탄 소수 3 내지 10 의 알킬기 , 치환 또는 비 치환 된 탄소 수 3 내지 10 의 사이클 로 알킬기 , 탄 소수 3 내지 10 의 트라이 알 킬 실릴 기 를 들 수 있 고 , 보호기 가 복수 개 있 으면 더 바람직 하 다 . π 결합 을 가지 지 않 는 치환기 는 캐리어 를 수송 하 는 기능 이 부족 하 기 때문 에 캐리어 수송 이나 캐리어 재결합 에 영향 을 거의 주 지 않 고 , TADF 재료 와 , 형광 발광 물질 의 발광단 사이 의 거리 를 떨어지 게 할 수 있 다 . 여기 서 발광단 이 란 형광 발광 물질 에서 발광 의 원인 이 되 는 원자단 ( 골격 ) 을 가리킨다 . 발광단 은 π 결합 을 가지 는 골격 이 바람직 하 고 , 방향 족 고리 를 포함 하 는 것 이 바람직 하 고 , 축합 방향 족 고리 또는 축합 헤테로 방향 족 고리 를 가지 는 것 이 바람직 하 다 . 축합 방향 족 고리 또는 축합 헤테로 방향 족 고리 로서 는 페난트렌 골격 , 스틸벤 골격 , 아크리 돈 골격 , 페녹 사진 골격 , 페노 싸이 아 진 골격 등 을 들 수 있 다 . 특히 나프탈렌 골격 , 안트라센 골격 , 플 루 오렌 골격 , 크리 센 골격 , 트라이 페닐 렌 골격 , 테트라 센 골격 , 피렌 골격 , 페릴렌 골격 , 쿠마린 골격 , 퀴나크리돈 골격 , 나프 토비스 벤조 퓨란 골격 을 가지 는 형광 발광 물질 은 형광 양자 수율 이 높 아 바람직 하 다 .