광전자 반도체 소자 의 적어도 하나 의 실시 예 에 따르 면 , 375 K ( 375 K 포함 ) 내지 450 K 의 온도 범위 에서 산란 입자 의 평균 산란 단면적 ( scattering cross - section ) 은 온도 가 300 K 일 때 산란 입자 의 평균 산란 단면적 의 최대 50 % 또는 최대 25 % 또는 최대 10 % 이 다 . 무엇 보다 도 평균 산란 단면적 은 입자 재료 와 매트릭스 재료 사이 의 굴절 률 차이 에 달려 있 다 . 또한 , 산란 단면적 에 는 산란 입자 의 기하학 적 특성 들 , 특히 산란 입자 의 형태 및 산란 입자 의 크기 가 관계 된다 .