SiO 2 막 이 형성 된 실리콘 웨이퍼 조각 을 대상 으로 각각 상기 실시 예 1 내지 3 및 비 교예 1 내지 3 의 연마 슬러리 들 을 사용 하 여 Rodel IC 1400 패드 로 10 psi 의 압력 및 120 rpm 의 속도 조건 에서 1 분 동안 연마 를 수행 하 였 다 . 연마 공정 후 , SiO 2 막 의 두께 변화 를 엘 립 소 미터 ( Plasmos SD 2002 LA ) 로 측정 하 여 연마 속도 를 측정 하 였으며 , Tamcor KLA 를 이용 하 여 웨이퍼 표면 상 의 흠집 의 개수 를 광학 적 으로 측정 하 여 , 그 결과 를 하 기 표 1 에 나타내 었 다 .