추가 적 으로 , 반응 챔버 ( 3 ) 에 는 배기 라인 ( 7 ) 을 갖 는 원형 덕트 ( 13 ) 가 제공 되 고 , 이 를 통해 반응 챔버 ( 3 ) 의 내부 ( 11 ) 에 있 는 가스 가 배기 된다 . 추가 적 으로 , 예 를 들 어 반응 챔버 ( 3 ) 의 상부 부분 ( 45 ) 아래 에 배치 된 반응 챔버 ( 3 ) 의 하부 부분 ( 5 ) 은 , 반응 챔버 ( 3 ) 의 하부 부분 ( 5 ) 의 하부 공간 ( 16 ) 을 경유 해 반응 챔버 ( 3 ) 의 내부 ( 11 ) 로 밀봉 가스 를 도입 하 기 위한 밀봉 가스 라인 ( 24 ) 을 구비 하 되 , 상부 전극 ( 4 ) 과 하부 스테이지 ( 2 ) 및 하부 공간 ( 16 ) 사이 의 반응 구역 을 분리 하 기 위한 분리 판 ( 14 ) 이 제공 된다 ( 웨이퍼 가 반응 챔버 ( 3 ) 의 하부 부분 내 로 또는 반응 챔버 ( 3 ) 의 하부 부분 으로부터 이송 되 는 게이트 밸브 는 이 도면 에서 생략 됨 ) . 반응 챔버 ( 5 ) 의 하부 는 배기 라인 ( 6 ) 을 또한 구비 한다 . 일부 구 현예 에서 , 다중 원소 막 의 증착 및 표면 처리 ( 예 , 단계 104 내지 108 ) 는 동일 한 반응 공간 에서 수행 되 어 , 모든 단계 가 기판 을 공기 또는 다른 산소 함유 대기 에 노출 시키 지 않 고 연속 적 으로 수행 될 수 있 다 . 일부 구 현예 에서 , 원 격식 플 라즈 마 유닛 은 , 예 를 들 어 , 공급원 ( 21 , 22 , 25 , 및 / 또는 26 ) 중 하나 이상 으로부터 가스 를 여기 시키 기 위해 사용 될 수 있 다 .