더 나아가 , 앞서 설명 된 실시 예 는 다른 영역 을 제외 한 집 적 회로 의 일부 영역 에서 더 높 은 밀도 로 패턴 을 선택 적 으로 생성 하 는 데 에 사용 될 수 있 다 . 새로운 더 높 은 밀도 패턴 이 형성 되 어야 하 는 영역 에서 는 , 피처 가 스 페이서 재료 의 두께 에 의해 채워질 수 있 을 정도 로 작 은 간격 으로 피처 들 이 서로 떨어져 있 을 수 있 다 . 더 높 은 밀도 패턴 을 원하 지 않 는 영역 에서 는 , 피처 가 스 페이서 재료 에 의해 채워질 수 없 을 정도 로 큰 간격 으로 서로 떨어져 있 을 수 있 고 , 및 / 또는 선택 적 으로 보호 마스크 를 이용 하 여 스 페이서 재료 에 의해 형성 되 는 패턴 이 기판 ( 110 ) 으로 전사 되 는 것 을 방지 하 거나 스 페이서 재료 ( 130 ) 에 의해 형성 되 는 동일 한 개구부 들 에서 의 퇴적 을 방지 할 수 있 다 . 이런 식 으로 , 고밀도 패턴 이 다른 영역 을 제외 한 집 적 회로 의 일부 영역 에 선택 적 으로 제공 될 수 있 다 .