하지만 상기 와 같이 패턴 의 형성 을 위해 광 을 조사 하 는 노광 공정 이 이루어질 경우 , 아직 광경 화 가 이루어지 지 않 은 노광 부 에 대기 중 의 산소 가 접촉 함 으로써 패턴 층 의 성능 이 저하 되 는 문제 가 발생 하 고 있 는데 , 이 와 같이 노광 공정 중 산소 로 인해 발생 하 는 문제 에 대한 인식 이 부족 한 상황 이 며 , 상기 공개 특허 역시 이 에 대한 문제 를 전혀 인지 하 지 못하 고 있 어 , 이 에 대한 해결 방 안 에 대한 연구 가 필요 한 실정 이 다 .