본 발명 은 자기 저항 효과 소자 ( MTJ 1 , MTJ 2 ) 와 , 자기 저항 효과 소자 ( MTJ 1 , MTJ 2 ) 의 접속 노드 에 접속 된 선택 용 트랜지스터 를 갖 는 메모리 셀 과 , 제 1 방향 으로 연장 되 어 자기 저항 효과 소자 ( MTJ 1 ) 에 접속 된 제 1 신호선 과 , 제 1 방향 으로 연장 되 어 자기 저항 효과 소자 ( MTJ 2 ) 에 접속 된 제 2 신호선 과 , 제 2 방향 으로 연장 되 어 자기 저항 효과 소자 ( MTJ 1 ) 가 형성 된 영역 에서 제 1 신호선 과 교차 되 고 , 자기 저항 효과 소자 ( MTJ 2 ) 가 형성 된 영역 에서 제 2 신호선 과 교차 되 는 제 3 신호선 을 갖 는 자기 메모리 장치 에서 , 메모리 셀로 의 정보 의 기입 시 에 , 제 1 및 제 2 신호선 에 흐르 는 기입 전류 의 방향 에 의해 기억 할 정보 를 전환 한다 .