삼성 · TSMC 파운드리 미세 공정 ' 超 접전 ' 
 입력 2019 . 12 . 09 17 : 32 : 48 수정 2019 . 12 . 09 17 : 32 : 48 
 TSMC " 2022 년 3 나노 제품 양산 " 
 내년 설비 투자 에 150 억 弗 쏟 을 듯 
 삼성 , 7 나노 EUV 공정 부턴 추월 
 " 2030 년 까지 글로벌 1 위 로 도약 " 
 9 일 업계 에 따르 면 JK 왕 TSMC 부사장 은 지난 5 일 ( 현지 시간 ) 대만 에서 열린 공급 망 관리 포럼 에서 “ 내년 상반기 에 5 나노 공정 으로 제작 한 칩 을 시장 에 공급 할 예정 이 며 3 나노 공정 을 활용 한 칩 은 2022 년 께 양산 에 나설 계획 ” 이 라고 밝혔 다 . 업계 에서 는 TSMC 가 2024 년 에 는 2 나노 공정 기반 의 반도체 양산 이 가능 할 것 으로 보 고 있 다 . 
 왕 부사장 은 삼성전자 가 앞서 도입 한 EUV 공정 과 관련 해서 는 “ TSMC 는 EUV 공정 을 통해 반도체 칩 을 대량 양산 할 수 있 는 세계 최초 의 반도체 회사 가 될 것 ” 이 라고 강조 했 다 . TSMC 는 대만 신주 시 에 3 나노 연구 를 위한 센터 건립 에 나섰으며 2021 년 부터 가동 에 나선다 . 내년 설비 투자 규모 는 올해 와 같 은 140 억 ~ 150 억 달러 가 될 것 으로 전망 된다 . TSMC 는 올 상반기 까지 만 해도 설비 투자액 을 100 억 ~ 110 억 달러 로 제시 했 지만 3 · 4 분기 실적 발표 때 투자액 을 최대 50 % 가량 늘린 후 공격 적 투자 기조 를 유지 하 고 있 다 . 
 TSMC 는 올 들 어 출하 된 ASML 의 EUV 노광 장비 를 싹쓸이 하 는 등 기술 고도 화 로 후발 업체 와 의 격차 를 벌린다 는 계획 이 다 . ASML 의 사업 보고서 를 보 면 올 3 · 4 분기 매출 에서 대만 업체 의 기여 도 는 54 % 에 달하 며 이 중 1 대당 1 , 500 억 ~ 2 , 000 억 원 수준 인 EUV 장비 가 대부분 을 차지 하 는 것 으로 전해졌 다 . TSMC 의 이 같 은 투자 확대 덕분 에 대만 의 반도체 장비 투자액 은 올 3 · 4 분기 39 억 달러 로 전년 동기 대비 34 % 늘 었 다 . 같 은 기간 한국 의 반도체 장비 투자액 이 22 억 달러 로 전년 대비 36 % 가량 줄 었 다는 점 에서 TSMC 의 공격 적 투자 가 눈 에 띈다는 분석 이 다 . TSMC 는 중국 난징 에 위치 한 12 인치 웨이퍼 월 1 만장 규모 의 16 나노 기반 반도체 생산 라인 을 올해 말 까지 1 만 5 , 000 개 생산 이 가능 하 도록 확대 하 는 등 중저가 반도체 라인 에서 도 경쟁력 을 확대 하 고 있 다 . 
 삼성전자 는 아직 파운드리 시장 점유 율 20 % 의 벽 을 넘 지 못하 고 있 다 . 시장 조사 기관 트렌드 포스 에 따르 면 삼성전자 의 전 세계 파운드리 시장 점유 율 은 2017 년 7 . 3 % 에서 이듬해 14 . 9 % 로 껑충 뛴 후 올 1 · 4 분기 에 는 19 . 1 % 까지 뛰어올랐 다 . 다만 올 3 · 4 분기 점유 율 은 18 . 5 % 로 연초 대비 하락 하 는 등 TSMC 의 두터운 벽 을 실감 하 고 있 다 . 퀄컴 은 자사 모바일 애플리케이션 프로세서 ( AP ) 중 보급 형 모델 인 스냅드래곤 765 · 765 G 는 삼성전자 에 위탁 생산 을 맡긴 반면 플래그 십 모델 인 스냅드래곤 865 는 TSMC 에 물량 을 주 며 삼성전자 가 다시금 쓴 맛 을 다시 게 했 다 . 
 이외 에 도 삼성전자 가 넘 어야 할 산 은 많 다 . 일본 의 수출 규제 로 적신호 가 들어온 EUV 용 포토레지스트 수급 은 지금 은 문제 가 없 지만 두고두고 발목 을 잡 을 수 있 다 . 종합 반도체 기업 이 자 글로벌 1 위 스마트폰 제조사 인 삼성전자 를 견제 하 려는 움직임 과 강 화 되 고 있 는 중국 과 대만 의 반도체 협업 구조 도 넘 어야 할 산 이 다 . 
 이 에 삼성 측 은 미세 공정 향상 을 위해 핀 펫 ( FinFET ) → GAA ( Gate - All - Around ) → MBCFET ( Multi Bridge Channel FET ) 로 이어지 는 신 기술 을 잇따라 공개 하 며 TSMC 를 뛰어넘 겠 다는 계획 이 다 . 각사 의 파운드리 로드맵 을 보 면 7 나노 EUV 공정 부터 는 삼성전자 가 미세 하 게 앞서 는 모습 이 다 . 반도체 업계 의 한 관계자 는 “ EUV 도입 시 원가 부담 이 커지 고 소재 등 도 많이 바꿔야 하 기 때문 에 결국 수율 과 가격 경쟁력 이 중요 하 다 ” 며 “ 메모리 반도체 에서 보여준 삼성 특유 의 ‘ 초 격차 ’ 전략 이 파운드리 시장 에서 도 얼마나 잘 발휘 될 지 가 관건 ” 이 라고 밝혔 다 . 
 中 묻 지 마 투자 로 . . 韓 의 ' 플렉시블 OLED ' 왕좌 노린다