이 때 , 도통 홀 ( 60 ) 을 기준 으로 제 2 외층 ( 40 ) 의 회로 패턴 ( 45 ) 의 기 설정 된 위치 를 판단 하 여 회로 패턴 ( 45 ) 을 형성 한다 . 즉 , 본 실시 예 에서 는 제 1 외층 ( 10 ) 의 회로 패턴 ( 15 ) 을 기준 으로 도통 홀 ( 60 ) 을 형성 한 후 이 도통 홀 ( 60 ) 을 기준 으로 제 2 외층 ( 40 ) 의 회로 패턴 ( 45 ) 을 형성 한다 . 이 에 따라 , 실질 적 으로 는 제 1 외층 ( 10 ) 의 회로 패턴 ( 15 ) 을 기준 으로 제 2 외층 ( 40 ) 의 회로 패턴 ( 45 ) 의 위치 를 판단 하 게 되 므로 , 따라서 , 제 1 외층 ( 10 ) , 내층 ( 20 ) 및 제 2 외층 ( 40 ) 의 정합성 을 향상 할 수 있 다 .