[ 0002 ] 이온 충격 은 대개 , 반도체 워크 피스 , 예컨대 웨이퍼 를 프로세싱 하 기 위한 에칭 및 화학 기상 증착 ( CVD ) 프로세스 들 에서 화학 적 및 물리 적 프로세스 들 을 위한 활성 화 에너지 의 소스 로서 사용 된다 . 현재 , 웨이퍼 바이어 싱 기술 은 무선 주파수 ( RF ) 바이어 싱 기법 을 사용 한다 . 이 들 RF 기법 들 은 일반 적 으로 , 웨이퍼 내 에 주입 될 이온 들 을 가속 시키 기 위해 단일 주파수 RF 바이어 싱 을 사용 하 며 , 이 는 웨이퍼 에 걸쳐 상당히 잘 알려져 있 는 이온 에너지 분포 를 발생 시킨다 . 그러나 , 특정 이온 에너지 ( eV ) 에서 의 이온 들 의 밀도 는 항상 , 잘 알려져 있 는 양 들 로 분포 되 며 , 그 분포 는 RF 바이어 싱 을 사용 하 여 튜닝 가능 하 지 않 다 . 주어진 이온 에너지 에서 의 이온 들 의 집단 의 신중 한 제어 에 의한 에칭 프로세스 의 최적 화 는 현재 가능 하 지 않 으며 , 프로세스 결과 들 에 대한 상이 한 이온 에너지 들 의 영향 은 상세히 알려져 있 지 않 다 .