이어서 , 기판 처리 장치 ( 1 ) 를 이용 하 여 실시 하 는 에칭 처리 방법 에 있 어 , 산화 실리콘 층 ( 140 ) 의 에칭 율 유지 와 바탕 층 인 텅스텐 층 ( 130 ) 과 의 선택 비 향상 의 양립 을 도모 할 수 있 는 처리 가스 의 적정 화 에 대해 설명 한다 . 본 실시 형태 에서 는 , 실리콘 층 ( 110 ) , 텅스텐 층 ( 130 ) , 산화 실리콘 층 ( 140 ) , 마스크 층 ( 100 ) 의 순서 로 적층 된 적 층막 이 형성 된 기판 ( W ) 을 처리 한다 ( 도 8 a 및 도 8 b 참조 ) .