이러 한 단점 을 극복 하 여 고출력 GaN 계 발광 소자 를 구현 하 기 위해 플립 칩 패키지 ( flip - chip package ) 방법 을 이용한 플립 칩 형 발광 소자 가 제안 되 었 다 . 플립 칩 형 발광 소자 는 수평 형 발광 소자 의 전극 을 솔 더 를 이용 하 여 히트 싱크 ( heat sink ) 와 연결 한 것 이 다 . 이러 한 플립 칩 형 발광 소자 의 경우 활성 층 에서 나온 빛 이 사파이어 기판 을 통해 밖 으로 빠져 나가 기 때문 에 투명 전극 대신 두꺼운 p 형 오 믹 전극 의 사용 이 가능 하 게 되 어 전류 확산 저항 을 낮출 수 있 다 . 그러나 , 플립 칩 형태 로 패키지 를 해야 하 므로 제조 공정 이 복잡 하 고 , 활성 층 에서 나온 빛 이 사파이어 기판 을 통해 밖 으로 빠져 나가 는 동안 많 은 양 의 빛 입자 들 이 사파이어 에 흡수 되 므로 광 효율 특성 이 감소 하 는 단점 이 있 다 .