또한 , " 현재 미국 특허 출원 공개 2006 - 0250836 인 S . Brad Herner 등 에 의한 "" Rewritable Memory Cell Comprising a Diode and a Resistance Switching Material "" 명칭 의 2005 년 5 월 9 일 에 출원 된 미국 출원 11 / 125 ", 939 은 니켈 산화물 과 같 은 산화물 과 직렬 의 다이오드 를 탑재 한 유용 한 재 기록 가능 한 메모리 셀 을 개시 하 고 있 고 , " 여기 서 메모리 셀 의 저항 은 로우 에서 하이 로 하이 에서 로우 저항 상태 들 로 반복 하 여 변환 될 수 있 다 . 현재 미국 특허 출원 공개 2006 - 0250837 인 S . Brad Herner 등 에 의한 "" Nonvolatile Memory Cell Comprising a Diode and a Resistance Switching Material "" 명칭 의 2006 년 3 월 31 일 에 출원 된 미국 출원 11 / 395 ", 995 는 , 순방향 바이어스 를 사용 하 여 설정 되 고 역 바이어스 를 사용 하 여 리셋 되 는 OTP 다중 - 레벨 메모리 셀 을 개시 한다 . 위 에 참조 된 개시 들 각각 은 그 전체 기재 내용 이 본 명세서 에 참조 로 포함 되 어 있 다 .