그런데 최근 반도체 장치 의 고집 적 화 와 미세화 가 점점 진전 하 고 있 어 , 이것 에 따라 반도체 장치 의 제조 공정 의 복잡화 하 고 필요 한 마스크 패턴 이 증가 해 , 제조 코스트 가 증가 한다 . 이 때문 에 , 제조 코스트 를 큰 폭 으로 저감 하 기 위하 여 , 포트 리소그래피 를 위한 마스크 패턴 의 형성 공정 을 통합 시켜 전체 의 공 정수 를 단축 시키 는 것 이 검토 되 고 있 다 .