상기 의 각 수순 , 각 구조도 에서 설명 한 바 와 같이 , 여기 서 는 IZO / 티탄 / 알루미늄 / 티탄 의 적층 막 으로 구성 되 는 적층 배선 층 이 성막 된다 . 그리고 , 포토 리 소 그래 피 와 드라이 에칭 에 의해 , 단자 용 접속 배선 ( 124 ) 과 단자 용 IZO 막 ( 198 ) 이 패 터닝 되 어 형성 된다 . 패 터닝 에 드라이 에칭 을 이용 할 때 에 는 , 상기 한 바 와 같이 염소 계 의 에칭 가스 를 이용 할 수 있 다 . 그 모습 이 도 24 a 에 도시 된다 . 이 때 , 드라이 에칭 의 분위기 등 에 의해 , 단자 용 IZO 막 ( 198 ) 의 표면 에 도 산화 막 등 이 형성 된다 . 도 24 a 에서 계면 상태 ( 206 ) 로서 도시 되 어 있 는 것 은 , 이 산화 막 등 이 형성 된 상태 이 다 .