도 3 a - 3 c 는 웨이퍼 레벨 칩 스케일 패키지 ( wafer level chip scale package , WLCSP ) 용 의 비 - 전도성 패 시베이 션 층 또는 폴리머 다이 확장 영역 을 형성 하 는 공정 을 도시 하고 있 다 . 전술 한 반도체 웨이퍼 가 다 이싱 되 어 반도체 다이 를 개개 의 유 니트 로 분리 시킨다 . 그 반도체 다이 는 임시 의 칩 캐리어 상 으로 운송 된다 . 도 3 a 는 커버 래이 ( coverlay ) 테이프 ( 50 ) 에 고정 된 몰드 캐 버티 클램프 ( mold cavity clamp , 52 ) 를 도시 하고 있 다 . 반도체 다이 ( 54 ) 는 웨이퍼 로부터 운송 되 고 , 반도체 다이 의 액티브 표면 과 접촉 패드 ( 56 ) 가 몰드 캐 버티 클램프 ( 52 ) 사이 의 테이프 를 아래 로 접하 여 향하 도록 테이프 ( 50 ) 에 고정 된다 . 반도체 다이 ( 54 ) 는 또한 포스트 웨이퍼 쏘우 테이프 운 송체 ( post wafer saw tape transfer ) 를 사용 하 여 커버 래 이 테이프 ( 50 ) 에 장착 될 수 있 다 .