도시 된 바 와 같이 , 피 처리 유전체 기판 ( 110 ) ( 예컨대 , 반도체 웨이퍼 ) 가 , ( 예컨대 , 반도체 웨이퍼 처리 를 위해 ) 통상 적 인 웨이퍼 척 의 일부 를 포함 할 수 있 는 지 지부 ( 108 ) 에 의해 적어도 부분 적 으로 지지 된다 . 상기 지지 부 ( 108 ) 는 , 이 지지 부 ( 108 ) 와 기판 ( 110 ) 간 에 절연 층 을 갖 도록 형성 될 수 있 으며 , 이때 상기 기판 ( 110 ) 은 플랫폼 에 용량 적 으로 결합 될 수 있 으나 지 지 부 ( 108 ) 와 상이 한 전압 으로 부동 화 ( float ) 될 수 도 있 다 .