구체 적 으로 는 , 상기 가스 처리 후 의 웨이퍼 ( W ) , 본 실시 형태 에서 는 COR 처리 후 의 웨이퍼 ( W ) 를 가열 처리 , 본 실시 형태 에서 는 PHT 처리 하 면서 , 웨이퍼 ( W ) 를 불소 와 반응 하 는 반응 가스 를 포함 하 는 분위기 하 에서 가스 처리 한다 . 또는 PHT 처리 후 의 웨이퍼 ( W ) 를 불소 와 반응 하 는 반응 가스 를 함유 하 는 분위기 하 에서 가스 처리 한다 . 이 들 과 같이 웨이퍼 ( W ) 를 가스 처리 함 으로써 , 잔사 ( 313 ) 가 발생 하 지 않 도록 , 또는 잔사 ( 313 ) 가 발생 해도 제거 되 도록 하 였 다 .