본 발명 에 따르 면 , 탄화물 - 반금속 또는 탄화물 - 금속 , 즉 ( MC ) 1 - xMx ( M 은 Si , Ta , W 또는 Mo 이 고 , 0 < x < 1 ) 로 이루어지 는 광 산란 박막 을 사용 하 여 소형 의 집적 화 된 전자 소자 를 구현 한다 . 나노 입자 를 생성 하 는 광 산란 박막 재료 인 탄화물 - 반금속 또는 탄화물 - 금속 으로 이루어지 는 광 산란 박막 에서 Si , Ta , W 또는 Mo 원자 는 탄소 와 의 결합성 이 우수 하 여 적절 한 정량 비 를 쉽 게 만들 수 있 으며 , 균일성 및 재현 성 이 우수 한 박막 을 제공 함 으로써 접합 구조 를 구현 하 기 가 비교 적 용이 하 다 . 상기 광산 란 박막 을 이용 하 여 보호막 - 광산 란 박막 - 보호막 으로 이루어지 는 삼 층막 구조 의 접합 을 제조 하 는 데 있 어서 , 인시 츄 방식 에 의해 연속 적 으로 각각 의 박막 을 성장 시킴 으로써 , 공기 에 노출 됨 으로써 야기 될 수 있 는 박막 오염 문제 를 피할 수 있 으므로 보다 재현 성 있 는 접합 제작 이 가능 하 다 . 또한 , 보호막 - 캡 핑 층 - 광산 란 박막 - 캡 핑 층 - 보호막 으로 이루어지 는 오 층막 구조 의 접합 구조 를 형성 함 으로써 광 산란 박막 에서 의 나노 입자 생성 을 더욱 용이 하 게 할 수 있 으며 , 보호막 - 캡 핑 층 - 광산 란 박막 내 의 각 계면 에서 발생 할 수 있 는 불 균일 접합 이 방지 될 수 있 다 . 이 는 , 보호막 과 캡 핑 층 과 의 사이 에 성분 불 균일 을 방지 하 여 화학 양론 적 인 박막 을 형성 할 수 있 기 때문 이 다 . 본 발명 에 따른 광 산란 박막 을 포함 하 는 접합 구조 를 이용 하 여 광 산란 박막 트랜지스터 를 제조 하 면 , 기존 의 바이 폴라 트랜지스터 의 경우 에 비해 약 60 배 이상 의 큰 신호 증폭 효과 를 얻 을 수 있 다 . 또한 , 접합 구조 의 총 두께 가 약 10 ∼ 수 백 nm 에 불과 하 여 소형 의 집적 화 된 전자회로 제작 이 가능 하 다 .