도 6 을 참조 하 면 , 도 2 내지 도 5 와 같이 소 잉 이 진행 된 웨이퍼 ( 102 ) 는 반도체 칩 ( 104 ) 이 웨이퍼 ( 102 ) 에 그대로 붙 어 있 는 상태 로 몰딩 된다 . 상기 웨이퍼 ( 102 ) 에 있 는 개별 반도체 칩 ( 104 ) 위 에 는 도면 과 같이 솔 더 볼 혹은 솔 더 범프 와 같 은 연결부 ( 110 ) 가 형성 되 어 있 다 . 먼저 액체 상태 의 봉지 수지 ( 122 ) , 예컨대 액상 에폭시 ( epoxy ) 가 담겨 있 는 베드 ( bath , 120 ) 를 준비 한다 . 그 상태 에서 상기 연결부 ( 110 ) 가 위 로 향한 채 , 상기 웨이퍼 ( 102 ) 를 봉지 수지 ( 122 ) 가 있 는 베드 ( 120 ) 에 침지 시킨다 . 이때 제 1 선폭 의 절단 자국 ( 108 ) 을 통하 여 액체 상태 의 봉지 수지 ( 122 ) 는 웨이퍼 ( 104 ) 의 밑면 , 측면 , 상부 면 까지 6 면 을 감싸 게 된다 . 한편 , 상기 웨이퍼 ( 102 ) 를 액체 상태 의 봉지 수지 ( 122 ) 에 침지 시킬 때 , 연결부 ( 110 ) 의 상부 는 절연체 인 봉지 수지 ( 122 ) 로 덮이 지 않 는 것 이 필요 하 다 . 이 를 위하 여 상기 액상 의 봉지 수지 ( 122 ) 가 담겨 있 는 베드 ( 120 ) 는 , 일정 한 깊이 로 상기 웨이퍼 ( 104 ) 를 침지 시키 기 위해 봉지 수지 ( 122 ) 에 진동 ( vibration ) 을 가할 수 있 는 수단 이 설치 될 수 도 있 다 .