예 를 들 어 , 갈륨 을 함유 하 는 산화물 반도체 층 에 접해서 게이트 절연 층 을 형성 할 경우 에 , 게이트 절연 층 에 산화 갈륨 을 포함 하 는 재료 를 이용 함 으로써 산화물 반도체 층 과 게이트 절연 층 의 계면 특성 을 양호 하 게 유지 할 수 있 다 . 또한 , 산화물 반도체 층 과 산화 갈륨 을 포함 하 는 절연 층 을 접해서 설치 함 으로써 , 산화물 반도체 층 과 절연 층 의 계면 에서 의 수소 의 파 일업 ( pileup ) 을 저감 할 수 있 다 . 절연 층 에 산화물 반도체 의 성분 원소 와 같 은 족 의 원소 를 이용 할 경우 에 는 , 마찬가지 의 효과 를 얻 는 것 이 가능 하 다는 점 에 주목 한다 . 예 를 들 어 , 산화 알루미늄 을 포함 하 는 재료 를 이용 해서 절연 층 을 형성 하 는 것 도 유효 하 다 . 산화 알루미늄 은 물 을 투과 시키 기 어렵 다고 하 는 특성 을 갖 는다 . 따라서 , 산화 알루미늄 을 포함 하 는 재료 를 이용 하 는 것 은 산화물 반도체 층 에 의 물 의 침입 방지 의 점 에서 도 바람직 하 다 .