제 1 기판 ( 100 ) 의 상부 에 제 1 활성 영역 들 ( ACT 1 ) 을 가로지르 는 게이트 라인 들 ( GL ) 이 형성 될 수 있 다 . 각각 의 게이트 라인 들 ( GL ) 과 제 1 활성 영역 ( ACT 1 ) 사이 에 게이트 절연 패턴 ( GI ) 이 형성 될 수 있 다 . 게이트 라인 들 ( GL ) 및 게이트 절연 패턴 들 ( GI ) 을 형성 하 는 것 은 , 제 1 활성 영역 들 ( ACT 1 ) 및 소자 분리 막 ( ST ) 을 식각 하 여 라인 형태 의 트렌치 들 을 형성 하 는 것 , 각각 의 상기 트렌치 들 의 일부 를 채우 는 게이트 절 연막 을 형성 하 는 것 , 및 각각 의 상기 트렌치 들 을 완전히 채우 는 도전 막 을 형성 하 는 것 을 포함 할 수 있 다 . 게이트 라인 들 ( GL ) 상 에 제 1 캐 핑 패턴 들 ( CP 1 ) 이 형성 될 수 있 다 .