도 36 은 개구 의 바닥 면 형상 의 1 변의 방향 과 , Si 웨이퍼 ( 102 ) 의 < 010 > 방향 이 실질 적 으로 평행 해 지 도록 배치 된 개구 의 내부 에 GaAs 결정 을 성장 시킨 경우 의 결과 를 나타낸다 . 도 36 은 위쪽 에서 45 ° 각도 로 비스듬 하 게 관찰 한 경우 의 결과 를 나타낸다 . 본 실시 예 에 있 어서 , 피복 영역 의 평면 형상 은 1 변의 길이 가 50 ㎛ 인 정사각형 이 었 다 . 개구 의 바닥 면 형상 은 1 변의 길이 가 10 ㎛ 인 정사각형 이 었 다 . 도 36 에 있 어서 , 도면 중 의 화살표 는 < 010 > 방향 을 나타낸다 . 도 36 에 도시 된 바 와 같이 , 형상 이 가지런 해진 결정 을 얻 을 수 있 었 다 .