III - V 족 화합물 과 관련 하 여 , 이러 한 종류 의 반 전도성 재료 는 안티몬 화 인듐 ( InSb ) , 질화 붕소 ( BN ) , 인화 붕소 ( BP ) , 비소 화 붕소 ( BAs ) , 질화 알루미늄 ( AlN ) , 인화 알루미늄 ( AIP ) , 비소 화 알루미늄 ( AlAs ) , 안티몬 화 알루미늄 ( AlSb ) , 질화 인듐 ( InN ) , 인화 인듐 ( InP ) , 비소 화 인듐 ( InAs ) , 안티몬 화 인듐 ( InSb ) , 질화 갈륨 ( GaN ) , 인화 갈륨 ( GaP ) , 비소 화 갈륨 ( GaAs ) 및 안티몬 화 갈륨 ( GaSb ) 을 포함 하 는 그룹 으로부터 선택 될 수 있 다 . 또한 , 상술 한 화합물 또는 이런 종류 의 다른 화합물 의 고용체 및 / 또는 도핑 된 변형체 도 가능 할 수 있 다 .