제 1 희생 재료 층 들 ( 142 ) 은 절연 재료 , 반도체 재료 , 또는 전도성 재료 를 포함 할 수 있 다 . 제 1 희생 재료 층 들 ( 142 ) 의 제 2 재료 는 , 후속 적 으로 , 예 를 들 어 , 수직 NAND 디바이스 의 제어 게이트 전극 들 로서 기능 할 수 있 는 전기 전도성 전극 들 로 대체 될 수 있 다 . 일 실시 예 에서 , 제 1 희생 재료 층 들 ( 142 ) 은 실리콘 질화물 을 포함 하 는 재료 층 들 일 수 있 다 .