도 2 a 를 참조 하 면 , 본 명세서 의 실시 예 에 따른 표시 장치 ( 100 ) 는 제 1 버퍼 층 ( 111 ) 의 제 1 - e 버퍼 층 ( 111 e ) 상 에 제 1 박막 트랜지스터 ( 310 ) 의 제 1 액티브 층 ( 311 ) 및 제 2 박막 트랜지스터 ( 320 ) 의 제 2 액티브 층 ( 321 ) 이 형성 될 수 있 다 . 제 1 액티브 층 ( 311 ) 및 제 2 액티브 층 ( 321 ) 은 폴리 실리콘 ( Poly - Si ) 을 포함 할 수 있 다 . 제 1 - e 버퍼 층 ( 111 e ) 상 에 아몰 퍼스 실리콘 ( a - Si ) 물질 을 증착 한 후 에 , 결정 화 공정 으로 폴리 실리콘 이 형성 될 수 있 다 . 그리고 , 폴리 실리콘 을 패 터닝 하 여 제 1 액티브 층 ( 311 ) 및 제 2 액티브 층 ( 321 ) 이 형성 될 수 있 다 .