또한 , 본 발명 에서 는 부양 된 단 열 구조 를 제작 하 기 위해 종래 최소 3 ~ 4 개 이상 의 패턴 마스크 를 요구 하 는 것 과 는 달리 단지 1 개 의 패턴 마스크 만 을 이용 한 반도체 공정 으로 임의 의 모양 과 다양 한 크기 와 깊이 를 가지 는 부양 된 미세 구 조체 들 로 형성 되 는 단 열 구조 를 용이 하 게 제작 할 수 있 다 .