도 2 a 에서 , 집 적 패시브 장치 들 은 도전 층 들 ( 42 , 44 ) , 절연 층 ( 38 ) , 저항 층 ( 36 ) 및 도전 층 ( 34 b ) 에 의해 형성 된 캐 패 시터 를 포함 한다 . 집 적 패시브 장치 는 또한 도전 층 ( 34 e ) , 저항 층 ( 36 ) 및 도전 층 ( 34 f ) 에 의해 형성 된 레지스터 를 포함 한다 . 집 적 패시브 장치 는 또한 도전 층 들 ( 42 , 44 , 34 g ) 에 의해 형성 된 인덕 터 를 포함 한다 . 인덕 터 는 웨이퍼 ( 28 ) 상 에 싱글 층 또는 적층 나선 형 인덕 터 부품 으로서 형성 될 수 있 다 . 일반 적 으로 , 적층 나선 형 인덕 터 들 은 단위 면적 당 높 은 인덕턴스 를 제공 하 지만 , 싱글 층 나선 형 인덕 터 는 양호 한 Q 값 을 제공 한다 . 하나 의 나선 형 인덕 터 는 그 사이 에 위치 되 는 하나 의 절연 층 을 구비 한 두 금속 으로서 형성 될 수 있 다 . 먼저 , 나선 형 구조 가 제 1 금속 층 에서 패턴 화 되 고 그 나선형 의 내부 가 절연 층 을 관통 하 여 형성 된 비어 ( via ) 를 사용 하 여 제 2 금속 층 에 전기 적 으로 접속 된다 . 그러 한 인덕 터 에서 , 금속 층 들 은 Cu , Ag 또는 Au 와 같 은 높 은 전도성 금속 으로 형성 될 수 있 다 . 하나 이상 의 집 적 패시브 장치 들 은 장치 의 전기 적 기능 에 따라서 패시브 회로 로서 상호 접속 될 수 있 다 .