도 23 을 참조 하 면 , 채널 홀 ( C 140 H ) 의 내벽 상 에 채널 층 ( 142 ) , 터널 링 유전 막 ( 144 A ) , 전하 저 장막 ( 144 B ) , 블로킹 유전 막 ( 144 C ) , 및 바디 게이트 층 ( 146 ) 을 순차 적 으로 형성 할 수 있 다 . 이후 제 2 절연 층 ( 122 ) 상 에 형성 된 채널 층 ( 142 ) , 터널 링 유전 막 ( 144 A ) , 전하 저 장막 ( 144 B ) , 블로킹 유전 막 ( 144 C ) , 및 바디 게이트 층 ( 146 ) 부분 을 제거 하 기 위하 여 평탄 화 공정 을 더 수행 할 수 있 다 . 여기 서 , 터널 링 유전 막 ( 144 A ) , 전하 저 장막 ( 144 B ) , 및 블로킹 유전 막 ( 144 C ) 은 전하 저장 구조물 ( 144 ) 로 지칭 될 수 있 다 . 상기 평탄 화 공정 의 결과 로 , 바디 게이트 층 ( 146 ) 은 전하 저장 구조물 ( 144 ) , 채널 층 ( 142 ) 및 제 2 절연 층 ( 122 ) 의 상면 들 과 실질 적 으로 동일 평면 에 배치 되 는 상면 을 가질 수 있 다 .