다음 으로 , 상기 실리콘 기판 의 n + 도전 층 ( 202 ) 및 p + 도전 층 ( 203 a , 203 b ) 이 함께 형성 된 면 위 에 형성 된 부동층 ( 204 ) 을 관통 하 며 , 각각 n + 도전 층 ( 202 ) 및 p + 도전 층 ( 203 a , 203 b ) 에 연결 되 는 제 1 전극 ( 206 ) 및 제 2 전극 ( 207 ) 을 형성 한다 ( 도 6 및 도 7 참조 ) . 본 단계 는 대표 적 으로 상기 실리콘 기판 의 n + 도전 층 ( 202 ) 및 p + 도전 층 ( 203 a , 203 b ) 이 함께 형성 된 면 위 에 형성 된 부동층 ( 204 ) 위 에 제 1 전극 및 제 2 전극 형성 용 페이스트 를 도포 한 후 열처리 함 에 의해 실시 될 수 있 다 . 상기 전극 형성 용 페이스트 는 일반 적 으로 금속 분말 , 글라스 프릿 , 유기 용매 , 분산제 및 기타 첨가물 을 포함 하 여 이루어지 며 , 상기 열처리 를 통해 전극 형성 용 페이스트 에 함유 된 글라스 프릿 이 상기 부동층 ( 204 ) 을 식각 함 으로써 전극 은 부동층 ( 204 ) 을 관통 하 여 실리콘 기판 의 n + 층 및 p + 층 에 연결 된다 . 상기 제 1 전극 ( 206 ) 및 제 2 전극 ( 207 ) 은 캐리어 들 의 재결합 을 방지 하 기 위하 여 실리콘 기판 과 의 접촉 면적 을 가능 한 한 줄이 는 것 이 바람직 하 다 .