이 와 같이 본 발명 의 일실 시예 에 따르 면 , 패턴 밀도 가 높 은 영역 과 패턴 밀도 가 낮 은 영역 에서 식각 공정 시 폴리머 발생 율 이 차이 나 는 특성 을 이용 하 여 하드 마스크 형성 공정 을 2 회 에 걸쳐 진행 하 되 , 패턴 밀도 가 낮 은 영역 에 만 질화 막 스 페이서 를 형성 시킴 으로써 소자 분리 영역 과 액티브 영역 의 CD 차이 를 줄일 수 있 는 것 이 다 .