다음 으로 , 도 9 ( f ) 에 도시 된 바 와 같이 감광막 ( 140 ) 및 비정질 탄소막 ( 130 ) 을 식각 마스크 로 재료 층 ( 120 ) 을 식각 한다 . 이때 , 재료 층 ( 120 ) 에 따라 다양 한 방법 을 이용 하 여 식각 한다 . 그리고 , 감광막 ( 140 ) 및 비정질 탄소막 ( 130 ) 을 제거 하 여 재료 층 ( 120 ) 을 이용 한 패턴 형성 을 완료 한다 .