도 1 c 를 참조 하 면 , 기판 분리 층 ( 40 ) 및 제 2 반도체 기판 ( 10 b ) 을 분리 시킨다 . 이렇게 제 2 반도체 기판 ( 10 b ) 을 분리 시키 면 제 1 반도체 기판 ( 10 a ) 상 에 형성 된 정렬 키 ( 25 ) 상부 에 제 1 접착 층 ( 30 a ) 및 제 2 접착 층 ( 30 b ) 이 형성 되 고 , 제 2 접착 층 ( 30 b ) 상부 에 실리콘 층 ( 35 ) 이 남겨진 상태 가 된다 . 이때 , 5000 ~ 15000 Å 의 제 1 접착 층 ( 30 a ) , 제 2 접착 층 ( 30 b ) 및 실리콘 층 ( 35 ) 이 정렬 키 ( 25 ) 를 덮 고 있 으므로 정렬 정도 를 측정 하 는 스캐너 ( Scanner ) 에서 정렬 키 리딩 ( Reading ) 이 어렵 다 . 이 를 해결 하 기 위해서 , 도 1 d 와 같이 제 1 접착 층 ( 30 a ) , 제 2 접착 층 ( 30 b ) 및 실리콘 층 ( 35 ) 을 식각 하 여 정렬 키 ( 25 ) 를 오픈 시키 는 공정 을 진행 한다 .