빔 의 위치 이탈 보정 을 패턴 시프트 로 행하 지만 , 이 때 , 화소 의 조사량 의 최대 값 은 거의 변화 하 지 않 으므로 , 묘화 스루풋 의 열화 를 방지 하 면서 , 묘화 정밀도 를 향상 시킬 수 있 다 . 패턴 시프트 시 에 , 패턴 또는 패턴 을 분할 한 분 할 패턴 이 중첩 되 는 경우 , 중첩 이 발생 하 는 위치 에서 상기 패턴 면적 밀도 ( ρ ) 가 증가 하 지만 , 인접 하 는 패턴 또는 분할 패턴 에서 의 위치 이탈 량 의 차이 는 충분히 작 으므로 , 중첩 의 양 은 작 고 , 중첩 에 의한 빔 의 조사 시간 의 증가량 은 미소 ( 微小 ) 하 며 , 이 에 따른 묘화 스루풋 의 열화 도 미소 하 다 .