본 발명 의 플랫 노아 마스크 롬 ( flat NOR maskrom ) 의 제조 방법 은 , 반도체 기판 위 에 게이트 절 연막 을 개재 하 여 게이트 도전 막 을 형성 하 는 단계 와 , 게이트 도전 막 이 형성 된 결과물 전면 에 산화 막 을 형성 하 는 단계 와 , 산화 막 위 에 스 페이서 용 절 연막 을 형성 하 는 단계 와 , 스 페이서 용 절 연막 에 의해 덮인 게이트 도전 막 사이 가 매립 되 도록 전면 에 절 연막 을 형성 하 는 단계 와 , 절 연막 에 대한 이온 주입 을 수행 하 여 절 연막 중 에서 게이트 도전 막 위 의 스 페이서 용 절 연막 표면 까지 의 절 연막 과 아래 의 절 연막 사이 의 선택 비 를 갖 도록 하 는 단계 와 , 그리고 습식 식각 으로 이온 주입 된 절 연막 을 제거 하 여 게이트 도전 막 위 의 스 페이서 용 절 연막 표면 을 노출 시키 는 단계 를 포함 한다 .