또한 , 하부 트렌치 금속 배선 ( 151 , 153 , 157 ) 과 상부 트렌치 금속 배선 ( 271 , 273 , 275 ) 이 중첩 되 는 부분 에 는 기생 커패시턴스 ( C 6 , C 7 , C 8 ) 가 존재 한다 . 그러나 앞서 설명 한 바 와 같이 , 하부 트렌치 금속 배선 ( 151 , 153 , 157 ) 과 상부 트렌치 금속 배선 ( 271 , 273 , 275 ) 사이 에 존재 하 며 기생 커패시턴스 ( C 6 , C 7 , C 8 ) 의 유전체 인 상부 층간 절 연막 ( 160 ) 이 1 , 000 Å 이상 의 두께 를 가짐 에 따라 하부 트렌치 금속 배 선 ( 151 , 153 , 157 ) 과 상부 트렌치 금속 배선 ( 271 , 273 , 275 ) 사이 의 거리 가 멀 어 지 므로 기생 커패시턴스 ( C 6 , C 7 , C 8 ) 는 반도체 소자 동작 시 무시 할 수 있 다 .