이상 언급 한 스핀 토크 자화 반전 의 모식도 를 도 1 에 도시 한다 . 도 1 에서 , 비트 선 ( 1 ) 에 , 자화 방향 이 변화 하 는 제 1 강자성 층 ( 자유 층 ) ( 2 ) , 중간층 ( 3 ) , 자화 방향 이 고정 된 제 2 강자성 층 ( 고정층 ) ( 4 ) 으로 이루어지 는 자기 저항 효과 소자 와 , 게이트 전극 ( 5 ) 에 의해 전도 를 제어 받 는 트랜지스터 ( 6 ) 가 접속 되 고 , 트랜지스터 의 다른 한쪽 의 단자 는 소스 선 ( 7 ) 에 접속 되 어 있 다 . 도 1 의 ( a ) 와 같이 , 고정층 ( 4 ) 과 자유 층 ( 2 ) 의 자화 를 반 평행 ( 고 저항 ) 상태 로부터 평행 ( 저 저항 ) 상태 로 변화 시키 는 경우 에 는 , 전류 ( 8 ) 는 비트 선 ( 1 ) 으로부터 소스 선 ( 7 ) 에 흐른다 . 이 때 , 전자 ( 9 ) 는 소스 선 ( 7 ) 으로부터 비트 선 ( 1 ) 에 흐른다 . 한편 , 도 1 의 ( b ) 와 같이 , 고정층 ( 4 ) 과 자유 층 ( 2 ) 의 자화 를 평행 ( 저 저항 ) 상태 로부터 반 평행 ( 고 저항 ) 상태 로 변화 시키 는 경우 에 는 , 전류 ( 8 ) 는 소스 선 ( 7 ) 으로부터 비트 선 ( 1 ) 의 방향 으로 흘리 면 된다 . 이 때 , 전자 ( 9 ) 는 비트 선 ( 1 ) 으로부터 소스 선 ( 7 ) 의 방향 으로 흐른다 .