상술 한 본 발명 은 F 50 이하 의 IPD 에 고유 전체 물질 의 적용 을 조기 에 셋 업 ( Set - up ) 할 수 있 는 가능 성 을 얻 게 되 었 으며 , 신뢰 성 높 은 IPD 개발 을 통하 여 소자 의 신뢰 성 향상 에 크 게 기여 하 고 , 최소 의 공정 변경 을 통하 여 소자 가 요구 하 는 전기 적 특성 확보 를 통하 여 제조 단가 절감 효과 가 클 것 으로 기대 된다 .