본 발명 의 일 실시 예 에 의한 HEMT 및 그 제조 방법 에서 게이트 전극 의 일부 는 소스 전극 위 에 형성 된다 . 이 와 같이 게이트 전극 의 일부 가 소스 전극 과 겹치 므로 게이트 전극 과 소스 전극 사이 의 수평 거리 는 0 이 되 는 바 , 채널 길이 가 줄어든다 . 이 에 따라 채널 저항 이 감소 될 수 있 으므로 , 온 저항 을 줄일 수 있 다 .