상기 제 2 반도체 층 식각 단계 ( S 33 ) 에서 사용 되 는 식각 가스 는 염소 ( Cl ) 계 가스 , 불소 ( F ) 계 가스 , 브롬 ( Br ) 계 가스 및 산소 ( O 2 ) 계 가스 중 적어도 어느 하나 의 가스 를 사용 하 여 수행 될 수 있 으며 , SF 6 / O 2 , SF 6 / N 2 및 NF 3 , CF 4 , NF 3 , ClF 3 , F 2 및 그 혼합물 이 사용 될 수 있 다 . 이때 식각 시간 은 약 수초 에서 수분 정도 이 다 .