본 실시 형태 에서 는 , 개시 하 는 발명 의 한 실시 형태 에 관한 반도체 장치 의 구성 및 그 제작 방법 에 대해서 도 17 a 및 17 b , 도 18 의 ( a ) 내지 ( g ) , 도 19 의 ( a ) 내지 ( e ) , 도 20 의 ( a ) 내지 ( d ) , 도 21 의 ( a ) 내지 ( d ) , 및 도 22 의 ( a ) 내지 ( c ) 를 참조 하 여 설명 한다 .