상기 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 베벨 식각 방법 은 웨이퍼 의 표면 측 에 웨이퍼 표면 과 인접 하 게 대향 하 되 웨이퍼 에 지부 를 노출 시키 는 상부 전극 을 설치 하 고 , 웨이퍼 의 배면 쪽 에 웨이퍼 하부 전극 을 설치 하 여 상부 전극 과 하부 전극 사이 에 고주파 전력 을 인가 함 으로써 노출 된 웨이퍼 에 지부 를 식각 하 는 베벨 식각 방법 에서 , 웨이퍼 의 에 지부 에 대응 되 는 영역 에 는 상기 고주 판 전력 인가 와 별개 로 상대 적 으로 낮 은 주파수 의 고주파 전력 이 인가 되 는 단계 를 가지 는 것 을 특징 으로 한다 .