차지 펌핑 에 의하 여 만들 어 진 내부 전원 중 반도체 메모리 장치 에 가장 보편 적 으로 사용 되 는 전원 으로 는 승압 전압 VPP 과 백 바이어스 전압 VBB 이 있 다 . 승압 전압 VPP 은 셀 트랜지스터 의 게이트 에 인가 되 는 전압 으로서 , 셀 을 액세스 할 때 셀 데이터 의 손실 이 없 도록 전원 전압 VDD 보다 높 은 전위 를 가지 며 , 백 바이어스 전압 VBB 은 셀 트랜지스터 의 벌크 에 인가 되 는 전압 으로서 , 셀 에 저장 되 어 있 는 데이터 의 손실 을 막 기 위해 외부 접지 전압 VSS 보다 낮 은 전위 를 갖 는다 .