절연 층 ( 178 ) 이외 에 , 본 발명 에 따른 용량 성 소자 ( 134 ) 는 추가 적 으로 변조 입사 광 빔 ( 132 ) 의 영향 을 받 기 쉬운 적어도 하나 의 재료 를 포함 하 는 적어도 하나 의 감광층 ( 180 ) 을 포함 한다 . 본 명세서 의 다른 곳 에서 설명 된 바 와 같이 , 변조 입사 광 빔 ( 132 ) 에 의해 감광층 ( 180 ) 을 조명 할 때 , 전하 캐리어 가 감광층 ( 180 ) 에서 소 정량 생성 되 고 , 이 방식 으로 생성 되 는 전하 캐리어 의 양 은 감광층 ( 180 ) 의 조명 및 변조 입사 광 빔 ( 132 ) 의 변조 주파수 에 따라 달라진다 . 여기 서 , 변조 입사 광 빔 ( 132 ) 은 전하 캐리어 를 교대 로 발생 시킬 수 있 는 교대 광 빔 으로 간주 될 수 있 고 , 따라서 , 용량 성 소자 ( 134 ) 내 에 교류 전류 ( ac ) 를 발생 시킨다 . 결과 적 으로 , 여기 에 설명 된 감광층 ( 180 ) 이 포함 된 용량 성 소자 ( 134 ) 는 종 방향 광학 센서 ( 114 ) 가 센서 영역 ( 130 ) 의 조명 및 변조 입사 광 빔 ( 132 ) 의 변조 주파수 에 따라 적어도 하나 의 ac 종 방향 센서 신호 를 생성 하 도록 허용 한다 . 따라서 , 용량 성 소자 ( 134 ) 를 포함 하 는 검출기 ( 110 ) 는 FiP 효과 를 나타내 는 데 , 이 는 용량 성 소자 ( 134 ) 가 제공 하 는 종 방향 센서 신호 가 , 변조 입사 광 빔 ( 132 ) 이 종 방향 광학 센서 ( 114 ) 의 센서 영역 ( 130 ) 과 같이 감광층 ( 180 ) 상 에 포 커싱 될 때 , 감소 하 는 ac 광 전류 의 형태 로 존재 할 수 있 음 을 의미 한다 . 본 명세서 의 다른 곳 에서 상세히 설명 된 바 와 같이 , 즉 , 도 3 a , 도 3 b , 도 4 a , 도 5 a , 도 5 b , 도 6 a , 도 7 a , 도 7 b , 도 9 a , 도 10 a , 도 10 b 또는 도 10 c , 또는 이 들 의 조합 중 어느 하나 에 개략 적 으로 도시 된 실시 예 와 같이 , 상기 감광층 ( 180 ) 은 다양 한 구성 을 이용 하 여 구현 될 수 있 다 .