따라서 , 상층 패드 와 함께 형성 되 는 상층 구리 비아 의 하단 에 집중 되 는 스트레스 를 최소 화 하 기 위하 여 상층 구리 패드 형성 온도 를 변경 하 면서 관찰 한 결과 , 상층 구리 패드 형성 시 구리 도금 온도 를 100 ℃ 내지 200 ℃, 특히 150 ℃ 내지 200 ℃ 사이 에서 실시 하 는 것 이 향후 공정 이나 반도체 장치 의 사용 에서 비아 하부 에 인가 되 는 스트레스 를 줄일 수 있 었 고 , 상층 패드 와 일체 로 연결 되 는 다수 의 구리 비아 의 하단 과 하층 구리 패드 의 계면 에서 보이드 의 형성 이 가장 억제 되 는 것 을 알 고 , 통상 의 구리 도금 온도 보다 고온 에서 구리 도금 을 행하 는 반도체 장치 형성 방법 과 , 이러 한 구리 도금 을 실시 하 기 에 적합 한 장치 를 제안 한다 .