도 8 d 를 참조 하 면 , 제 2 전도성 유형 의 도핑 을 갖 는 도핑 된 반도체 재료 가 유전체 코어 들 ( 62 ) 위 에 놓인 공동 들 내 에 침착 될 수 있 다 . 제 2 전도성 유형 은 제 1 전도성 유형 과 반대 이 다 . 예 를 들 어 , 제 1 전도성 유형 이 p - 형 인 경우 , 제 2 전도성 유형 은 n - 형 이 고 , 그 역도 성립 한다 . 제 2 절연 캡 층 ( 270 ) 의 상단 표면 을 포함 하 는 수평 평면 위 에 놓인 , 침착 된 도핑 된 반도체 재료 , 반도체 채널 재료 층 ( 60 L ) , 터널 링 유전체 층 ( 56 ) , 전하 저장 층 ( 54 ) , 및 차단 유전체 층 ( 52 ) 의 부분 들 은 화학 적 기계 적 평탄 화 ( CMP ) 공정 과 같 은 평탄 화 공정 에 의해 제거 될 수 있 다 .