도 4 의 ( Cx ) , 도 4 의 ( Cy ) 에 나타난 바 와 같이 , 포토레지스트 패턴 ( PR 1 ) 을 삭제 하 지 않 고 , 자구 제 어막 ( 8 ) , 비자 성 절 연막 ( 12 ) 을 순차 적 으로 적층 한다 . 자 구 제 어막 ( 8 ) 으로서 는 , CoCrPt 등 의 고보 자력 막 ( 高 保 磁力 膜 ) , IrMn , PdPtMn 등 의 반강자성 막 과 NiFe , CoFeB 등 의 연자성 ( 강자성 ) 막 의 적층 등 을 사용 한다 . 비자 성 절 연막 ( 12 ) 으로서 는 , Al 2 O 3 등 을 사용 한다 . 그 후 , 포토레지스트 패턴 ( PR 1 ) 을 제거 한다 .