일체 형 핀 - 기반 전계 효과 트랜지스터 ( FinFET ) 와 , STI 영역 위 에 EPI - 형성 핀 높이 를 갖 는 벌크 웨이퍼 상 에 이러 한 소자 를 제작 하 는 방법 이 제공 된다 . FinFET 채널 은 반도체 벌크 내 의 STI 영역 위 에 놓이 고 , 핀 은 반도체 벌크 내 에 주입 되 는 소스 및 드레 인 영역 내 로 STI 영역 너머 로 연장 된다 . 벌크 소스 및 드레 인 영역 을 이용 하 여 , 감소 된 외부 FinFET 저항 이 제공 되 고 , 핀 이 벌크 소스 및 드레 인 영역 내 로 연장 되 어 , 종래 의 SOI 소자 에 비해 개선 된 열 성질 이 제공 된다 .