다음 에 , 도 5 c 에 도시 하 는 바 와 같이 , 도전 막 ( 65 a 내지 65 c ) 을 부분 적 으로 에칭 하 여 한 쌍 의 배선 ( 71 a 내지 71 c ) ( 소스 전극 및 드레 인 전극 으로서 기능 함 ) 을 형성 한다 . 여기 서 는 , 제 3 포토 마스크 를 사용 한 포토 리소그래피 공정 에 의하 여 형성 한 레지스 트 마스크 ( 66 ) 를 사용 하 여 도전 막 ( 65 a 내지 65 c ) 을 웨트 에칭 하 면 도전 막 ( 65 a 내지 65 c ) 이 등방 적 으로 에칭 된다 . 결과 적 으로 , 레지스 트 마스크 ( 66 ) 보다 면적 이 작 은 배선 ( 71 a 내지 71 c ) 을 형성 할 수 있 다 .