일부 예 에서 , 본 명세서 에 설명 된 장치 는 방법 ( 800 ) 과 같 은 방법 또는 방법 들 을 수행 할 수 있 다 . 장치 는 강유 전 성 메모리 셀 의 제 1 논리 상태 를 판독 하 기 위한 특징 , 수단 , 또는 명령어 ( 예 를 들 어 , 프로세서 에 의해 실행 가능 한 명령어 를 저장 하 는 비 일시 적 컴퓨터 판독 가능 매체 ) 를 포함 할 수 있 고 , 판독 하 는 것 은 감지 회로 를 강유 전 성 메모리 셀 과 연관 된 디 지트 라인 에 결합 하 고 감지 회로 에서 제 1 전압 또는 제 2 전압 을 래 칭 하 는 것 , 제 1 전압 또는 제 2 전압 을 래 칭 하 는 것 에 기초 하 여 감지 회로 를 디 지트 라인 으로부터 분리 하 는 것 , 및 제 2 논리 상태 를 강유 전 성 메모리 셀 에 다시 기록 하 는 것 을 포함 하 며 , 기록 하 는 것 은 제 1 논리 상태 를 판독 한 후 의 라이트 백 동작 을 위해 디 지트 라인 을 제 3 전압 또는 제 4 전압 으로 구동 하 는 것 을 포함 하 고 , 여기 서 제 3 전압 또는 제 4 전압 중 적어도 하나 는 제 1 전압 및 제 2 전압 과 다르 다 .