상기 ITO 전극 상 에 m - MTDATA 를 증착 속도 1 Å / sec 로 진공 증착 하 여 600 Å 두께 의 정공 주입 층 을 형성 하 고 , 상기 정공 주입 층 상 에 상기 α - NPB 를 증착 속도 1 Å / sec 로 진공 증착 하 여 300 Å 두께 의 정공 수송 층 을 형성 하 였 다 . 이어서 , 상기 정공 수송 층 상 에 Ir ( ppy ) 3 ( 도 펀트 ) 화합물 813 ( 호스트 ) 을 각각 증착 속도 0 . 1 Å / sec 와 1 Å / sec 로 공 증착 하 여 400 Å 의 두께 의 발광 층 을 형성 하 였 다 . 상기 발광 층 상 에 BAlq 을 증착 속도 1 Å / sec 로 진공 증착 하 여 50 Å 의 두께 의 정공 저지 층 을 형성 한 후 , 상기 정공 저지 층 상 에 Alq 3 를 진공 증착 하 여 300 Å 두께 의 전자 수송 층 을 형성 하 였 다 . 상기 전자 수송 층 상 에 LiF 10 Å ( 전자 주입 층 ) 과 Al 2000 Å ( 캐소드 ) 을 순차 적 으로 진공 증착 하 여 , 유기 발광 소자 를 제작 하 였 다 .