도 9 의 ( c ) 는 원료 가스 흡착 공정 의 일례 를 도시 한 도면 이 다 . 도 9 의 ( c ) 에 도시 된 바 와 같이 , 웨이퍼 ( W ) 가 분리 영역 ( D ) 을 통과 하 고 퍼지 가스 가 공급 되 어 퍼지 된 후 , 제 1 처리 영역 ( P 1 ) 을 통과 함 으로써 , DCS 가 공급 된다 . DCS 는 흡착 저해 기인 Cl 기 가 존재 하 는 영역 에 는 그다지 흡착 하 지 않 고 , 흡착 저해 기 가 존재 하 지 않 는 영역 에 많이 흡착 한다 . 따라서 , 트렌치 T 내 의 저면 부근 에 DCS 가 많이 흡착 하 고 , 웨이퍼 ( W ) 의 표면 S 및 트렌치 T 의 상부 에 는 그다지 DCS 가 흡착 하 지 않 는다 . 즉 , 트렌치 T 의 저부 부근 에 원료 가스 인 DCS 가 고밀도 로 흡착 하 고 , 트렌치 T 의 상부 및 웨이퍼 ( W ) 의 표면 상 에 는 DCS 가 저밀도 로 흡착 한다 .