이어서 , 도시 하 지 는 않 았 지만 , 상기 게이트 리 세스 ( 120 ) 를 형성 한 후 , 상기 게이트 리 세스 ( 120 ) 의 측면 에 만 존재 하 는 보호막 패턴 ( 미 도시 ) 을 형성 한 다음 상기 보호막 패턴 을 식각 마스크 로 이용 하 여 등방성 식각 공정 을 수행 하 여 상기 게이트 리 세스 ( 120 ) 의 하부 를 타원 형태 로 확장 시킬 수 있 다 . 이 와 같이 , 상기 게이트 리 세스 ( 120 ) 의 저면 을 확장 시킬 수 있 어 채널 길이 가 증가 됨 으로써 단 채널 효과 를 차단 할 수 있 다 . 그러나 , 상기 등방성 식각 공정 을 수행 한 후 에 상기 게이트 리 세스 ( 120 ) 의 하부 로 갈수록 폭 이 증가 되 므로 입 구 부분 에서 첨 점 이 형성 되 고 있 다 .