이 를 해결 하 기 위한 수단 으로 , " "" 사파이어 기판 상 에 N 형 질화 갈륨 층 ", 활성 층 , P 형 질화 갈륨 층 을 순차 적 으로 형성 하 고 그 위 에 p 형 전극 을 형성 하 여 질화 갈륨 계 LED 구조물 을 형성 하 는 단계 ; 상기 질화 갈륨 계 LED 구조물 상 에 소정 의 두께 로 패 터닝 된 금속 구조 지지층 을 형성 하 는 단계 ; 및 상기 패 터닝 된 금속 구조 지지층 을 마스크 로 하 여 상기 질화 갈륨 계 LED 구조물 을 각 단위 칩 으로 식각 하 는 단계 를 포함 하 여 이루어짐 으로써 , " 상기 한 분리 공정 시 금속 구조 지지층 을 분리 할 필요 가 없 어서 휘 말림 현상 이 근본 적 으로 해소 되 도록 한 수직 구조 질화 갈륨 계 LED 소자 의 제조 방법 "" 이 한국 등록 특허 제 631129 호 ( 이하 ' 인용 발명 ') 에 제안 되 어 있 다 . "