도 3 을 참조 하 면 , 소자 분리 막 ( 210 ) 이 형성 된 반도체 기판 ( 200 ) 위 에 포토레지스트 막 ( 215 ) 을 형성 한다 . 포토레지스트 막 ( 215 ) 은 스핀 코팅 ( spin coating ) 방법 을 이용 하 여 포토레지스트 물질 을 도포 하 여 형성 한다 . 다음 에 포토레지스트 막 ( 215 ) 이 형성 된 반도체 기판 ( 200 ) 상 에 포토 마스크 ( 220 ) 를 배치 한다 . 포토 마스크 ( 220 ) 는 도 4 에 도시 한 바 와 같이 , 투광 영역 ( a ) 및 차광 영역 ( c ) 을 포함 하 여 이루어진다 . 이러 한 포토 마스크 ( 220 ) 는 차광 영역 ( c ) 의 일부 영역 이 투광 영역 ( a ) 방향 으로 소정 길이 ( b ) 만큼 돌출 된 돌출부 를 포함 한다 . 이때 , 차광 영역 ( c ) 의 돌출부 는 활성 영역 과 소자 분리 막 이 인접 하 는 종단 부 와 대응 되 는 위치 에 배치 되 어 있 는 웨이브 타입 ( wave typed ) 의 구조 로 이루어져 있 다 . 이때 , 소자 분리 영역 상 에 배치 되 는 포토 마스크 는 노광 공정 진행시 , 패 터닝 마진 향상 및 임계 치수 ( CD ; Critical Dimension ) 균 일도 를 향상 시키 기 위한 영역 이 다 .