반도체 기판 들 을 프로세싱 하 기 위한 방법 들 및 장치 들 이 본 명세서 에 제공 된다 . 일 양태 는 노출 된 실리콘 옥사이드 표면 상 에 실리콘 옥사이드 를 선택 적 으로 증착 하 는 방법 을 수반 하 고 , 방법 은 : 노출 된 실리콘 옥사이드 표면 및 노출 된 실리콘 나이트 라이드 표면 을 갖 는 기판 을 제공 하 는 단계 로서 , 노출 된 실리콘 나이트 라이드 표면 은 1 차 아민 기 들 을 포함 하 는 , 기판 을 제공 하 는 단계 ; 노출 된 실리콘 옥사이드 표면 에 아미노 실란 을 흡착 시키 도록 기판 을 아미노 실란 에 노출 하 는 단계 ; 및 기판 을 산화제 에 노출 하 는 것 을 포함 하 는 열적 ALD ( atomic layer deposition ) 반응 을 수행 하 는 단계 로서 , 열적 ALD 반응 은 , 선택 적 으로 , 노출 된 실리콘 나이트 라이드 표면 에 상대 적 으로 노출 된 실리콘 옥사이드 표면 상 에 실리콘 옥사이드 를 형성 하 는 , 열적 ALD 반응 을 수행 하 는 단계 를 포함 한다 .