제 1 전극 ( 101 ) 과 제 2 전극 ( 102 ) 은 P 형 반도체 층 ( 120 ) 의 일 측 의 양 단 에서 P 형 반도체 층 ( 120 ) 과 접촉 하 면서 , P 형 반도체 층 ( 120 ) 의 외부 에서 회로 로 연결 될 수 있 다 . 즉 , 제 2 전극 ( 102 ) , P 형 반도체 층 ( 120 ) , 및 제 1 전극 ( 101 ) 은 폐회로 를 구성 할 수 있 다 . 따라서 , 예 를 들 어 , P 형 반도체 층 ( 120 ) 의 제 2 전극 ( 102 ) 이 배치 된 측 에서 열 ( H ) 을 가하 면 제 2 전극 ( 102 ) 은 고온 이 되 고 제 1 전극 ( 101 ) 은 저온 이 되 어 , P 형 반도체 층 ( 120 ) 의 정공 ( positive hole ) 이 제 2 전극 ( 102 ) 측 에서 제 1 전극 ( 101 ) 측 으로 흐르 게 되 어 , 상기 폐회로 를 통해 전류 ( I ) 가 흐를 수 있 다 . 즉 , 제 2 전극 ( 102 ) 에서 P 형 반도체 층 ( 120 ) 을 통해 제 1 전극 ( 101 ) 을 향하 는 방향 으로 전류 가 흐를 수 있 다 .