제 1 반도체 막 ( SE 1 ) 은 도프 트 반도체 막 을 포함 하 거나 , 언 도프 트 반도체 막 을 포함 할 수 있 다 . 도프 트 반도체 막 으로서 의 제 1 반도체 막 ( SE 1 ) 는 n 형 도 펀트 또는 p 형 도 펀트 중 적어도 어느 하나 를 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 제 1 반도체 막 ( SE 1 ) 은 반도체 메모리 장치 의 소거 동작 시 , 채널 영역 에 홀 들 을 공급 할 수 있 도록 p 형 도 펀트 를 포함 할 수 있 다 . 일 실시 예 로서 , 제 1 반도체 막 ( SE 1 ) 은 도프 트 실리콘 막 을 포함 할 수 있 다 .