[ 0067 ] 프로세싱 유닛 ( 624 ) 은 프로세스 구역 ( 602 ) 을 에워싸 는 챔버 ( 636 ) 를 포함 한다 . 챔버 ( 636 ) 는 스테인리스 강 , 알루미늄 , 또는 다른 적합 한 재료 들 로 제조 될 수 있 다 . 챔버 ( 636 ) 는 또한 , 가스 배출구 ( 618 ) , 및 가스 배출구 ( 618 ) 와 대향 하 는 제 1 가스 유입 구 ( 616 ) 를 포함 할 수 있 다 . 챔버 ( 636 ) 는 그 챔버 ( 636 ) 에 배치 된 기판 지지 부 ( 642 ) 를 포함 할 수 있 으며 , 기판 지지 부 ( 642 ) 는 프로세스 구역 ( 602 ) 에서 의 프로세싱 동안 그 기판 지지 부 ( 642 ) 상 에 기판 ( 201 ) 을 지지 한다 . 기판 지지 부 ( 642 ) 는 프로세싱 동안 기판 ( 201 ) 을 회전 시키 는 석영 지지 원통 ( 622 ) 및 자기 부상 형 로터 ( 620 ) 를 포함 할 수 있 다 . 복사선 소스 ( 646 ) 는 기판 ( 201 ) 상 으로 복사선 을 지향 시키 고 , 그리고 기판 ( 201 ) 아래 에서 , 복사선 투과성 윈도우 ( 644 ) 아래 의 , 챔버 ( 636 ) 의 바닥 표면 ( 638 ) 근방 에 포지셔닝 될 수 있 다 . 일 구 현 에서 , 복사선 소스 ( 646 ) 는 복수 의 열 엘리먼트 들 ( 606 ) 을 포함 할 수 있 다 . 복수 의 열 엘리먼트 들 ( 606 ) 은 , 기판 ( 201 ) 에 걸쳐 온도 들 을 제어 하 기 위해 독립 적 으로 조절 될 수 있 는 하나 이상 의 대략 방사상 인 가열 구역 들 을 포함 할 수 있 다 .