또한 본 발명 에서 상기 촉매 층 증착 부 는 , 스퍼터링 ( sputtering ) , 전자 빔 증착 ( E - beam evaporation ) , 열 증착 ( Thermal evaporation ) , 분자 빔 증착 ( Molectular Beam Epitaxy ) , 펄스 레이저 증착 ( Pulsed Laser Deposition ) , 화학 기상 증착 ( Chemical Vapor Deposition ) , 플 라즈 마 화 학기 상 증착 ( Plasma Enhanced CVD ) , 원자 층 증착 ( Atomic Layer Deposition ) , 플 라즈 마원 자 증착 ( PEALD ) 장치 중 에서 선택 되 는 어느 하나 인 것 이 바람직 하 다 .