본 발명 의 일실 시예 에 따른 발광 다이오드 는 기판 ; 상기 기판 상 에 형성 된 n 형 질화물 반도체 층 ; 상기 n 형 질화물 반도체 층 상 에 형성 된 활성 층 ; 상기 활성 층 상 에 형성 된 p 형 질화물 반도체 층 을 포함 하 고 , 상기 활성 층 과 P 형 질화물 반도체 층 사이 또는 P 형 질화물 반도체 층 에 그래핀 ( graphene ) 을 포함 하 는 발광 다이오드 이 다 .