도 2 a 및 2 b 를 참조 하 면 , 공정 ( 200 ) 에서 기판 이 제공 된다 . 상기 기판 은 전술 한 도 1 에서 설명 한 것 일 수 있 다 . 보통 의 경우 , 기판 은 정해진 양 의 n - 타입 도전 성 을 갖 는 것 을 공급 업자 들 로부터 주문 할 수 있 다 . 다양 한 구 현예 들 에 따르 면 , 상기 기판 은 n - 타입 도 펀트 로 도핑 되 어 n - 타입 기저 층 ( 10 ) 을 형성 할 수 있 다 . 상기 도 펀트 농도 는 입방 센티미터 당 1013 내지 1021 원자 ( 원자 들 / cm 3 ) 범위 일 수 있 다 . 상기 기판 의 두께 는 50 내지 500 ㎛ 의 범위 일 수 있 으며 , 다만 50 내지 200 ㎛ 두께 를 갖 는 기판 을 사용 하 는 경우 , 전류 표준 기판 에 비해서 반도체 물질 을 절약 할 수 있 게 된다 . 기판 의 저항 은 1 내지 150 오 옴 - cm 의 범위 일 수 있 으며 , 다만 10 내지 100 오 옴 - cm 의 기판 을 사용 하 는 경우 탁월 한 결과 를 달성 할 수 있 다 . 단결정 또는 다결정 , 또는 스트링 리본 , 박막 또는 다른 타입 의 기판 들 이 사용 될 수 있 다 .