즉 , 원 하 는 CD 를 갖 는 대상 막 패턴 ( 110 ) 사이 의 영역 을 통해 투과 하 는 광 은 식각 대상 막 ( 210 ) 이 형성 된 웨이퍼 ( 200 ) 의 레지스 트 에 그대로 전사 되 고 , 불량 패턴 ( 111 ) 에 의해 다른 영역 에 비해 넓 은 영역 을 통해 투과 하 는 광 은 투과율 저하 막 ( 130 ) 으로 인해 광량 이 줄어들 면서 보다 좁 은 간격 을 가지 게 전사 된다 . 이 에 따라 , 웨이퍼 상 에 구현 되 는 레지스 트 패턴 의 균 일도 를 향상 시킬 수 있 다 .