본 발명 의 레지스 트 재료 를 사용 하 여 패턴 을 형성 하 기 위해서 는 , 공지 의 리소그래피 기술 을 채택 하 여 행할 수 있 으며 , 예 를 들 어 , 집 적 회로 제조 용 기판 ( Si , SiO 2 , SiN , SiON , TiN , WSi , BPSG , SOG , 유기 반사 방지 막 등 ) , 또는 마스크 회로 제조 용 기판 ( Cr , CrO , CrON , MoSi 등 ) 에 스핀 코팅 등 의 방법 으로 막 두께 가 0 . 05 ∼ 2 . 0 ㎛ 가 되 도록 도포 하 고 , 이것 을 핫 플레이트 상 에서 60 ∼ 150 ℃, 1 ∼ 10 분 간 , 바람직 하 게 는 80 ∼ 140 ℃, 1 ∼ 5 분 간 예비 베 이 킹 한다 . 이어서 , 목적 으로 하 는 패턴 을 형성 하 기 위한 마스크 를 상기 레지스 트 막 상 에 가리 고 , 원자외선 , 엑 시머 레이저 , X 선 등 의 고 에너지 선 또는 전자선 을 노광량 1 ∼ 200 mJ / ㎠, 바람직 하 게 는 10 ∼ 100 mJ / ㎠ 가 되 도록 조사 한다 . 또는 , 패턴 형성 을 위한 마스크 를 통하 지 않 고 전자선 을 직접 묘화 한다 . 노광 은 통상 의 노광 법 외 에 , 경우 에 따라서 는 마스크 와 레지스 트 의 사이 를 액침 하 는 액침 ( Immersion ) 법 을 이용 하 는 것 도 가능 하 다 . 그 경우 에 는 물 에 불용 인 보호막 을 이용 하 는 것 도 가능 하 다 . 이어서 , 핫 플레이트 상 에서 , 60 ∼ 150 ℃, 1 ∼ 5 분 간 , 바람직 하 게 는 80 ∼ 140 ℃, 1 ∼ 3 분 간 노광 후 베이 킹 ( PEB : post - exposure baking ) 한다 . 또한 , 0 . 1 ∼ 5 질량 %, 바람직 하 게 는 2 ∼ 3 질량 % 의 테트라메틸 암모늄 히드록시 드 ( TMAH ) 등 의 알칼리 수용액 의 현상액 을 이용 하 고 , 0 . 1 ∼ 3 분 간 , 바람직 하 게 는 0 . 5 ∼ 2 분 간 , 침지 ( dip ) 법 , 퍼 들 ( puddle ) 법 , 스프레이 ( spray ) 법 등 의 통상 의 방법 으로 현상 하 여 , 기판 상 에 목적 으로 하 는 패턴 이 형성 된다 . 본 발명 의 레지스 트 재료 는 , 특히 고 에너지 선 중 에서 도 250 ∼ 190 nm 의 원자외선 또는 엑 시머 레이저 , X 선 및 전자선 에 의한 미세 패 터닝 에 최적 이 다 . 또 , 상기 범위 가 상한 또는 하한 에서 벗어나 는 경우 는 , 목적 으로 하 는 패턴 을 얻 을 수 없 는 경우 가 있 다 .