여기 서 , 복수 회 폴리 실리콘 을 피착 시켜서 U 자 형상 반도체 층 ( 63 ) 을 형성 하 는 비 교예 를 고려 해 보 기 로 한다 . 비교 예의 제조 공정 에서 는 예 를 들 어 , 제 1 메모리 홀 ( 35 a ) 내 에 희생 층 ( 91 ) 대신 폴리 실리콘 을 형성 한다 . 계속 해서 , 폴리 실리콘 의 상부 에 제 5 내지 제 8 워드 선 도전 층 ( 32 e 내지 32 h ) 을 형성 하 고 , 제 2 메모리 홀 ( 35 b ) 을 형성 하 고 , 제 2 메모리 홀 ( 35 b ) 내 에 메모리 게이트 절연 층 ( 32 ) 을 형성 한다 .