일 양태 에서 , III 족 - N 반도체 층 을 제공 하 는 단계 ; 및 상기 III 족 - N 반도체 층 상 에 게이트 전극 을 형성 하 는 단계 로 , 상기 게이트 전극 은 니켈 ( Ni ) , 티타늄 질화물 ( TiN ) , 니켈 / 탄탈럼 질화물 ( Ni / TaN ) , 니켈 / 탄탈럼 ( Ni / Ta ) , 니켈 / 탄탈럼 / 탄탈럼 질화물 ( Ni / Ta / TaN ) , 니켈 / 몰리브덴 ( Ni / Mo ) , 티타늄 질화물 / 텅스텐 ( TiN / W ) , 또는 도핑 된 금속 규화물 ( doped metal silicide ) 을 포함 하 는 단일 물질 또는 복수 의 물질 을 포함 하 는 복수 의 층 들 을 포함 하 고 , 상기 게이트 전극 을 형성 하 는 단계 는 , 티타늄 질화물 ( TiN ) , 티타늄 질화물 / 텅스텐 ( TiN / W ) , 또는 도핑 된 금속 규화물 을 포함 하 는 , 상기 복수 의 층 들 중 하나 이상 을 염소 또는 불소 계 에칭 또는 이 의 조합 을 포함 하 는 건식 에칭 제 로 에칭 하 는 것 을 포함 하 는 , 단계 ; 를 포함 하 는 반도체 구 조체 의 제조 방법 이 제공 된다 .