상기 하부 초격자 및 상부 초격자 의 InyGa ( 1 - y ) N ( 71 a , 75 a ) 은 중부 초격자 의 InzGa ( 1 - z ) N ( 73 a ) 에 비해 적 은 함량 의 In 조성 을 갖 는다 . 따라서 , 하부 초격자 ( 71 ) 를 형성 한 단계 에서 미세 한 핀홀 들 이 형성 될 수 있 다 . 그러나 , 그 후 에 형성 되 는 중부 초격자 ( 73 ) 는 여분 의 In 을 함유 하 여 상기 핀홀 들 을 채워 핀홀 을 제거 한다 . 한편 , 상기 중부 초격자 ( 73 ) 의 여분 의 In 은 힐 락 을 생성 시킬 수 있 으며 , 이러 한 여분 의 In 은 상부 초격자 ( 75 ) 에 의해 제거 된다 . 본 실시 예 에 따르 면 , In 함량 이 적 은 InGaN 들 을 포함 하 는 초격자 구조 와 In 함량 이 많 은 InGaN 들 을 포함 하 는 초격자 를 채택 하 여 핀홀 과 힐 락 을 억제 할 수 있 다 .