도 2 f 에 도시 된 바 와 같이 , 스 페이서 용 물질 막 ( 23 ) 에 대해 스 페이서 식각 ( spacer etch ) 공정 을 수행 하 여 제 1 식각 마스크 패턴 ( 22 a ) 의 양 측벽 에 스 페이서 ( 23 a ) 를 형성 한다 . 스 페이서 식각 에 의해 형성 되 는 스 페이서 는 일반 적 으로 포지티브 슬로프 를 가지 나 , 본 명세서 에서 의 제 1 식각 마스크 패턴 ( 22 a ) 은 네 가 티 브 슬로프 를 갖 기 때문 에 스 페이서 ( 23 a ) 도 이 영향 으로 포지티브 슬로프 가 완화 된다 . 질화 막 으로 이루어진 스 페이서 용 물질 막 ( 23 ) 를 스 페이서 식각 하 는 경우 에 는 그 하부 의 제 2 SiON 막 ( 21 d ) 이 함께 식각 될 수 도 있 다 .