도 36 의 제 2 스위칭 트랜지스터 는 제 3 활성 층 ( 550 _ 7 ) 이 다 결정 실리콘 을 포함 하 고 , 제 1 고농 도 도핑 영역 ( 550 a _ 7 ) , 제 2 고농 도 도핑 영역 ( 550 b _ 7 ) , 채널 영역 ( 550 c _ 7 ) , 제 1 저 농도 도핑 영역 ( 550 d _ 7 ) , 및 제 2 저 농도 도핑 영역 ( 550 e _ 7 ) 을 포함 할 수 있 다 . 채널 영역 ( 550 c _ 7 ) 은 불순물 이 도핑 되 지 않 은 다결정 실리콘 으로 이루어지 며 , 제 1 고농 도 도핑 영역 ( 550 a _ 7 ) 과 제 2 고농 도 도핑 영역 ( 550 b _ 7 ) 은 고농 도 불순물 이 도핑 된 다결정 실리콘 으로 이루어지 고 , 제 1 저 농도 도핑 영역 ( 550 d _ 7 ) 과 제 2 저 농도 도핑 영역 ( 550 e _ 7 ) 은 저 농도 불순물 이 도핑 된 다결정 실리콘 으로 이루어질 수 있 다 . 제 1 고농 도 도핑 영역 ( 550 a _ 7 ) 과 제 2 고농 도 도핑 영역 ( 550 b _ 7 ) 은 각각 제 3 소스 전극 ( 530 _ 4 ) 및 제 3 드레 인 전극 ( 540 _ 7 ) 이 접촉 될 수 있 다 .