반도체 소자 중 플래시 메모리 ( flash memory ) 는 전원 이 차단 되 었 을 때 데이터 를 보관 할 수 있 는 불휘발성 메모리 중 의 하나 이 다 . 플래시 메모리 는 전기 적 으로 프로그램 ( program ) 과 소거 ( erase ) 가 가능 하 며 일정 주기 로 데이터 ( data ) 를 재 작성 하 는 리 프레쉬 ( refresh ) 기능 이 필요 없 는 특징 이 있 다 . 이러 한 플래시 메모리 소자 는 셀 의 구조 및 동작 조건 에 의해서 크 게 NOR 플래시 메모리 와 NAND 플래시 메모리 로 나뉜다 . NOR 플래시 메모리 는 복수 의 워드 라인 ( word line ) 이 병렬 로 연결 되 어 임의 의 주소 에 대한 프로그램 및 소거 가 가능 하 여 고속 의 동작 을 요구 하 는 응용 분야 에 주로 사용 되 고 있 다 . 반면 NAND 플래시 메모리 는 복수 의 메모리 셀 트랜지스터 ( memory cell transistor ) 가 직렬 로 연결 되 어 한 개 의 스트링 ( string ) 을 구성 하 고 , 한 개 의 스트링 이 소스 ( source ) 및 드레 인 ( drain ) 영역 에 연결 되 어 있 는 구조 로서 고집 적 데이터 보관 응용 분야 에서 주로 사용 된다 .