예 를 들 어 , P 형 기판 ( 410 ) 은 산화 막 ( 예 를 들 어 , Nitride , Oxide , Carbon 등 ) ( 430 ) 이 증착 된 평면 P 형 기판 이 포토 레지스터 ( Photo Resistor , PR ) 공정 에 의하 여 패턴 ( pattern ) 된 뒤 , 이방성 식각 ( anisotropy etching ) ( 이하 , ' 제 1 차 식각 ' 이 라 칭함 ) 공정 에 의하 여 도 4 b 에 도시 된 바 와 같이 제 1 식각 부 ( 415 ) 가 형성 될 수 있 다 . 여기 서 , 식각 부 는 식각 에 의하 여 P 형 기판 ( 410 ) 에 형성 된 홀 ( hole ) 일 수 있 으며 , 식각 부 는 홀 의 양 측면 및 / 또는 홀 의 저면 을 포함 할 수 있 다 .