도 3 을 참조 하 면 , 상기 도전 막 패턴 ( 102 ) 및 절 연막 패턴 ( 104 ) 상 에 상기 제 1 방향 과 수직 한 방향 으로 연장 되 는 라인 형상 을 갖 는 제 2 마스크 패턴 ( 106 ) 을 형성 한다 . 상기 제 2 마스크 패턴 ( 106 ) 을 식각 마스크 로 하 여 상기 도전 막 패턴 ( 102 ) 을 식각 함 으로써 예비 제 1 도전 패턴 ( 102 a ) 들 을 형성 한다 . 상기 예비 제 1 도전 패턴 ( 102 a ) 들 사이 에 는 콘 택 형성 영역 이 노출 된다 .