빈 공간 , 그리고 질화물 반도체 층 을 형성 하 면서 만들 수 있 는 보이드 ( void ) 로 인해 기판 과 질화물 반도체 층 사이 는 물리 적 으로 분리 하 기 쉬운 상태 가 된다 . 레이저 와 같 은 큰 에너지 를 가하 지 않 고 도 작 은 물리 적 힘 이나 충격 에 의해 질화물 반도체 층 과 기판 사이 를 기계 적 으로 분리 시킬 수 있 다 . 따라서 , 레이저 리프트 오프 를 사용 하 지 않 더라도 기판 으로부터 질화물 반도체 층 을 분리 하 는 것 이 용이 해져 , 수직 형 LED 또는 자유 기립 의 질화물 반도체 기판 제조 가 용이 해진다 .