이 와 같 은 종래 의 반도체 장치 용 정전기 보호 회로 는 방 전부 ( 107 ) 의 NMOS 트 랜지 스터 ( N 2 ) 의 정 션 브레이크 다운 ( Junction Breakdown ) 시점 보다 빠르 게 동작 한다 . 즉 , 제 어부 ( 105 ) 에서 전압 강하 가 빠르 게 일어나 므로 빠른 동작 속도 를 갖 는다 . 그러나 , 제 어부 ( 105 ) 에서 의 전압 강하 가 정전기 전류 의 라이징 ( Rising ) 구간 에서 만 발생 하 므로 스위치 부 ( 106 ) 또한 정전기 전류 의 라이징 구간 에서 만 동작 되 어 정전기 전류 를 방전 한다 . 그러므로 정전기 전류 의 라이징 이외 의 구간 , 예 를 들 어 , 정전기 전류 의 피크 구간 또는 폴링 구간 에서 는 내부 회로 ( 108 ) 가 보호 되 지 못하 는 문제점 이 있 다 .