기판 ( 110 ) 은 실리콘 재질 을 이용 한 웨이퍼 레벨 패키지 ( wafer level package ; WLP ) 로 형성 될 수 있 다 . 기판 ( 110 ) 의 상면 에 는 캐 비티 ( cavity ) ( C ) 가 형성 된다 . 캐 비티 ( C ) 에 의해 기판 ( 110 ) 의 상면 에 는 바닥 면 과 경사면 이 형성 된다 . 캐 비티 ( C ) 는 너무 깊 게 형성 되 면 , 기판 ( 110 ) 이 깨어질 수 있 으므로 이 를 방지 할 수 있 는 적절 한 깊이 로 형성 된다 . 캐 비티 ( C ) 는 건식 식각 또는 습식 식각 을 이용 하 여 다각형 , 원형 , 타원 형 등 으로 형성 될 수 있 다 .