반도체 기판 에 는 소자 를 분리 하 는 소자 분리 막 이 형성 되 어 있 다 . 그리고 , 반도체 기판 의 소자 영역 에 는 게이트 산화 막 과 게이트 폴리 로 이루어지 는 게이트 가 형성 되 어 있 으며 , 게이트 폴리 의 측벽 에 는 절 연막 으로 이루어진 스 페이서 가 형성 되 어 있 다 . 또한 , 게이트 산화 막 하부 의 반도체 기판 에 는 반도체 기판 과 반대 도전 형 의 불순물 이 저 농도 로 매입 된 엘 디디 ( LDD : lightly doped drain ) 가 형성 되 어 있 으며 , LDD 에 접하 는 반도체 기판 의 접합 영역 에 는 엘 디디 와 동일 도전 형 의 불순물 이 고농도 로 매입 된 소스 / 드레 인 이 형성 되 어 있 다 .