예시 적 인 실시 예 들 에 있 어서 , 제 1 및 제 2 활성 영역 ( RX 1 , RX 2 ) 은 각각 다른 종류 의 트랜지스터 가 형성 되 는 영역 일 수 있 다 . 예 를 들 어 , 제 1 활성 영역 ( RX 1 ) 은 PMOS 트랜지스터 가 형성 되 는 영역 이 고 제 2 활성 영역 ( RX 2 ) 은 NMOS 트랜지스터 가 형성 되 는 영역 일 수 있 다 . 다른 실시 예 들 에 있 어서 , 제 1 및 제 2 활성 영역 ( RX 1 , RX 2 ) 은 같 은 종류 의 트랜지스터 가 형성 되 는 영역 일 수 도 있 다 . 예 를 들 어 , 제 1 활성 영역 ( RX 1 ) 은 제 1 문턱 전압 을 갖 는 제 1 NMOS 트랜지스터 가 형성 되 는 영역 이 고 , 제 2 활성 영역 ( RX 2 ) 은 제 1 문턱 전압 과 다른 제 2 문턱 전압 을 갖 는 제 2 NMOS 트랜지스터 가 형성 되 는 영역 일 수 있 다 .