상기 게이트 유전 층 ( 27 ) 은 실리콘 산화물 , 실리콘 질화물 , 실리콘 산질 화물 , 고 - 유전물 ( high - K dielectrics ) , 또는 이 들 의 조합 과 같 은 유전 물질 을 포함 할 수 있 다 . 상기 게이트 전극 ( 28 ) 은 폴리 실리콘 , 금속 , 금속 질화물 , 금속 산화물 , 금속 실리사이드 , 도전 성 카본 , 또는 이 들 의 조합 과 같 은 도전 물질 을 포함 할 수 있 다 . 상기 게이트 캐 핑 층 ( 29 ) 은 실리콘 산화물 , 실리콘 질화물 , 실리콘 산질 화물 , 또는 이 들 의 조합 과 같 은 유전 물질 을 포함 할 수 있 다 . 상기 드레 인 영역 ( 31 ) 및 상기 소스 영역 ( 33 ) 은 상기 활성 영역 ( 23 ) 내 에 불순물 들 을 주입 하 여 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 면 , 상기 활성 영역 ( 23 ) 은 p 형 불순물 들 을 포함 할 수 있 으며 , 상기 드레 인 영역 ( 31 ) 및 상기 소스 영역 ( 33 ) 은 n 형 불순물 들 을 포함 할 수 있 다 .