반도체 소자 제조 공정 은 웨이퍼 상 에 박막층 을 형성 하 는 증착 공정 과 그 박막층 상 에 미세 한 회로 패턴 을 형성 하 기 위한 식각 공정 을 포함 한다 . 웨이퍼 상 에 요구 되 는 회로 패턴 이 형성 될 때 까지 이 들 공정 은 반복 되 고 , 회로 패턴 이 형성 된 후 웨이퍼 의 표면 에 는 매우 많 은 굴곡 이 생긴다 . 최근 반도체 소자 는 고집 적 화 에 따라 그 구조 가 다층 화 되 며 , 웨이퍼 표면 의 굴곡 의 수 와 이 들 사이 의 단차 는 증가 하 고 있 다 . 그러나 웨이퍼 표면 의 비 평탄 화 는 포토 리소그래피 공정 에서 디 포커스 등 의 문제 를 발생 하 므로 웨이퍼 의 표면 을 평탄 화 하 기 위해 주기 적 으로 연마 하 여야 한다 .