보호막 ( 101 ) 은 후속 게이트 식각 공정 시 반도체 기판 ( 100 ) 을 보호 하 는 기능 을 수행 한다 . 이 에 따라 , 게이트 식각 공정 시 반도체 기판 ( 100 ) 을 보호 할 수 있 는 절 연막 은 모두 사용 가능 하 다 . 예컨대 , 게이트 절 연막 과 동일 물질 인 실리콘 산화 막 ( SiO 2 ) 으로 형성 한다 . 이 외 에 도 , BPSG ( BoroPhospho Silicate Glass ) , PSG ( Phospho Silicate Glass ) , USG ( Un - doped Silicate Glass ) , TEOS ( Tetra Ethyle Ortho Silicate ) 또는 SOD 막 중 선택 된 어느 하나 로 형성 할 수 도 있 다 . 또한 , 고유 전막 , 예컨대 SiON , Al 2 O 3 , HfO 2 , ZrO 2 등 과 같이 7 이상 의 유전율 을 갖 는 물질 로 형성 할 수 도 있 다 .