도 2 a 및 2 b 에 도시 된 실시 예 에서 , 다수 의 기준 셀 ( 가령 , 211 - 0 - R , ..., 211 - 15 - R , ..., 211 - 31 - R ) 이 다수 의 상태 각각 에 대하 여 프로그래밍 될 수 있 고 , 메모리 셀 ( 가령 , 211 - 0 - M , ..., 211 - 15 - M , ..., 211 - 31 - M ) 이 상기 다수 의 상태 각각 에 대하 여 프로그래밍 될 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 기준 셀 의 각각 의 스트링 상 의 기준 셀 들 이 동일 한 상태 로 프로그래밍 될 수 있 다 . 이러 한 실시 예 들 은 각각 의 프로그래밍 가능 한 상태 에 대하 여 기준 셀 들 의 하나 이상 의 스트링 을 포함 할 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 각각 의 상태 에 대해 프로그래밍 된 기준 셀 이 메모리 셀 의 어레이 전체 에 걸쳐 인터 리브 ( interleave ) 될 수 있 다 ( 가령 , 각각 의 기준 셀 이 메모리 셀 의 서로 다른 스트링 상 에 위치 될 수 있 다 ) . 일부 실시 예 에서 , 기준 셀 은 메모리 셀 의 어레이 내 에 위치 될 수 있 다 ( 가령 , 기준 셀 전용인 감지 라인 에 연결 되 고 , 메모리 셀 및 기준 셀 모두 의 전용 인 선택 라인 에 연결 됨 ) . 일부 실시 예 에서 , 기준 셀 은 , 개별 기준 스트링 내 의 메모리 셀 의 어레이 전체 에 걸쳐 인터 리브 될 수 있 고 , 또는 메모리 셀 의 스트링 상 에 위치 된 개개 의 기준 셀 로서 메모리 셀 의 어레이 전체 에 걸쳐 인터 리브 될 수 도 있 다 . 메모리 셀 의 어레이 에서 인터 리브 된 기준 셀 이 2007 . 05 . 02 . 에 출원 하 여 함께 계류 중 인 공동 으로 양도 된 미국 특허 출원 제 11 / 799 , " 658 호 ( 발명 의 명칭 : "" Non - Volatile Multilevel Memory Cells with Data Read of Reference Cells "")( 한 사람 이상 의 발명자 포함 ) 에 더욱 자세히 설명 되 어 있 다 . 도 2 a ", 2 b , 및 3 과 관련 해 사용 되 는 바 와 같이 , " "" 스트링 "" 은 감지 라인 ( 가령 ", 207 - R ) 에 연결 되 는 다수 의 셀 들 을 의미 한다 . 셀 들 의 스트링 은 , 가령 NAND 플래시 어레이 에서 , 감지 라인 ( 가령 , 비트 - 라인 ) 상 에 직렬 로 연결 되 는 다수 의 비휘발성 메모리 셀 을 포함 할 수 있 다 .