제 2 하드 마스크 텅스텐 패턴 ( 25 b ) 의 스트립 이 완료 된 후 에 , 도 2 g 에 도시 된 바 와 같이 , ARC TiN ( 24 ) 을 식각 장벽 으로 하 여 비정질 카본 층 ( 23 ) 을 식각 한다 . 이때 , 비정질 카본 층 ( 23 ) 은 30 ∼ 50 nm 의 라인 선폭 과 50 ∼ 70 nm 의 스페이스 선폭 을 갖 는다 . 즉 , 제 2 하드 마스크 텅스텐 패턴 ( 25 b ) 을 식각 장벽 으로 하 여 식각 된 ARC TiN ( 24 ) 이 30 ∼ 50 nm 의 라인 선폭 과 50 ∼ 70 nm 의 스페이스 선폭 을 갖 기 때문 에 ARC TiN ( 24 ) 을 식각 장벽 으로 하 여 식각 된 비정질 카본 층 ( 23 ) 도 30 ∼ 50 nm 의 라인 선폭 과 50 ∼ 70 nm 의 스페이스 선폭 을 갖 는다 .