또한 , 특허 문헌 2 ∼ 특허 문헌 4 에 기재 된 반도체 장치 도 , 트랜스퍼 몰드 법 을 사용 한 수지 봉지 시 에 , 봉지 수지 로부터 노출 된 최 상부 가 금형 과 직접 접촉 한다 . 이 때문 에 , 수지 봉지 시 에 있 어서 상기 최 상부 의 상면 에 봉지 수지 를 침입 시키 지 않 기 위해서 , 상기 최 상부 를 포함 하 는 적층 구조 에 는 , 금형 으로부터 강한 힘 이 가해진다 . 그리고 , 방열 성 을 향상 시키 기 위해서 방열판 상면 에 요철 이 형 성 되 어 있 으나 , 금형 과 의 접촉 면적 을 작 게 하 기 위해서 는 충분 하 다고 는 할 수 없 다 . 따라서 , 수지 봉지 시 에 발생 하 는 반도체 칩 의 깨 짐 을 회피 할 수 없 다 .