전형 적 으로 , 이러 한 시스템 은 플루오르화 수소산 이 알루미늄 저 함량 의 비소화물 에 비해 알루미늄 고함 량 의 비소화물 에 대한 에칭 선택 성 이 양호 하 기 때문 에 성공 적 이 다 . 이러 한 시스템 의 몇 가지 단점 은 박리 층 의 공기 중 안정 성 이 불량 할 수 있 다는 점 , 및 두꺼운 ( > 20 마이크로미터 ) 중합체 코팅 물 또는 다른 차폐물 없이 는 박리 공정 동안 에 전사 가능 한 장치 및 구조물 의 최 상부 및 측 부를 플루오르화 수소산 으로부터 보호 하 기 어려울 수 있 다는 점 을 포함 한다 . 또한 , 이러 한 시스템 은 화합물 반도체 장치 ( 예 를 들 어 미국 특허 제 7 , 622 , 367 호 에 기재 된 바 와 같 음 . 상기 문헌 의 개시 내용 은 본원 에 그 전문 이 참고 로 포함 됨 ) , 예컨대 표면 ( 특히 최 상부 표면 ) 에 유의 한 비율 의 알루미늄 ( 예 를 들 어 , 태양 전지 의 윈도우 층 ) 또는 많 은 유전체 ( 예 를 들 어 , 이산화규소 반사 방지 코팅 물 ) 를 함유 하 는 화합물 반도체 의 에피 택 셜 층 을 포함 하 는 태양 전지 의 미세 전사 ( micro - transfer ) 인쇄 와 는 거의 또는 전혀 상용 가능 하 지 않 을 수 있 는데 , 이 는 박리 공정 동안 상기 장치 의 표면 을 플루오르화 수소산 으로부터 보호 하 기 어렵 거나 불 가능 할 수 있 기 때문 이 다 .