도 9 를 참조 하 여 설명 된 바 와 같이 , 유연 기판 인 상기 폴리아미드 ( PI ) 기판 상 에 본 발명 의 제 3 실시 예 에 따른 산화물 반도체 박막 을 제조 하 였 다 . 상기 폴리아미드 ( PI ) 기판 상 에 제조 된 본 발명 의 제 3 실시 예 에 따른 산화물 반도체 박막 에 mechanical stress ( bending radii : 2 nm , 5 nm ) 를 가하 면서 상기 산화물 반도체 박막 의 전기 적 특성 ( △ Vth , △ μ , △ S . S . ) 을 측정 하 였 다 .