이후 , 상기 보호 층 ( 140 ) 위 로 포토레지스트 를 도포 하 여 포토레지스트 층 ( 181 ) 을 형성 한다 . 이때 , 상기 포토레지스트 층 ( 181 ) 은 빛 을 받 은 부분 이 현상 시 제거 되 는 특성 을 갖 는 포지티브 타입 ( positive type ) 의 포토레지스트 를 사용 한 것 을 예 로서 설명 한다 . 하지만 이 와 반대 의 특성 을 갖 는 즉 , 빛 을 받 은 부분 이 현상 시 남 게 되 는 네 가티 브 타입 ( negative ) 포토레지스트 의 경우 도 이후 설명 할 마스크 의 투과 영역 과 차단 영역 을 뒤바꾼 마스크 를 이용 할 경우 동일 한 결과 를 얻 을 수 있 다 .