또한 , 본 발명 의 반도체 장치 에서 는 , 상기 에 미터 영역 의 농도 는 , 그 농도 구배 에 2 개소 의 변 곡 영역 을 갖 는 것 을 특징 으로 한다 . 따라서 , 본 발명 에서 는 , 에 미터 영역 의 표면 근방 및 심부 에서 , 불순물 농도 가 높 은 영역 을 형성 할 수 있 다 . 이 구조 에 의해 , 반도체 층 의 심부 에 최소 폭 의 베이스 폭 ( Wb ) 을 형성 하 고 , 또한 에 미터 전극 의 컨 택트 저항 을 저감 할 수 있 다 .