도 28 은 본 발명 의 실시 예 들 에 따른 3 차원 반도체 메모리 장치 의 셀 어레이 를 나타내 는 평면도 이 다 . 도 29 은 도 28 의 VI - VI ' 선 을 따라 자른 단면도 이 다 . 도 30 은 도 28 및 도 29 에 도시 된 3 차원 반도체 메모리 장치 의 셀 어레이 를 나타내 는 개략 적 인 사시도 이 다 . 도 31 은 도 29 의 A 부분 을 확대 한 도면 이 다 . 설명 의 간략 함 을 위해 앞서 설명 된 3 차원 반도체 메모리 장치 와 동일 한 기술 적 특징 들 에 대한 설명 은 생략 될 수 있 다 .