이 에 대해 , 본 실시 형태 에 관한 플 라즈 마 에칭 방법 에서 는 플 라즈 마 에칭 장치 ( 100 ) 를 이용 하 고 , 처리 가스 로서 플 루 오로 카본 가스 , 하이드로 플 루 오로 카본 가스 , 희가스 및 O 2 가스 를 포함 하 는 처리 가스 , 예 를 들 면 CF 4 / CHF 3 / Ar / O 2 를 이용 하 는 것 에 의해 , 산화 규소 ( SiO 2 ) 막 ( 205 ) , 산질 화 규소 ( SiON ) 막 ( 204 ) , 질화규소 ( Si 3 N 4 ) 막 ( 203 ) , 산화 규소 ( SiO 2 ) 막 ( 202 ) 및 실리콘 기판 ( 201 ) 을 단숨에 에칭 한다 . 이 적층 막 일괄 에칭 에 의해 , 1 회 의 에칭 공정 으로 도 8 에 나타내 는 바 와 같이 실리콘 기판 ( 201 ) 에 절 연막 매립 용 의 트렌치 ( 207 ) 를 형성 할 수 있 다 .