도 20 ( A ) 에 도시 한 트랜지스터 와 도 20 ( B ) 에 도시 한 트랜지스터 의 차이 점 은 측벽 절연 층 ( 1106 a ) 및 측벽 절연 층 ( 1106 b ) 아래 의 반도체 영역 의 도전 형 이 다 . 도 20 ( A ) 에 도시 한 트랜지스터 에서 는 측벽 절연 층 ( 1106 a ) 및 측벽 절연 층 ( 1106 b ) 아래 의 반도체 영역 은 n + 의 도전 형 을 나타내 는 반도체 영역 ( 1103 a ) 및 반도체 영역 ( 1103 c ) 이 지만 , 도 20 ( B ) 에 도시 한 트랜지스터 에서 는 진성 의 반도체 영역 ( 1103 b ) 이 다 . 즉 , 도 20 ( B ) 에 도시 한 반도체 층 에서 반도체 영역 ( 1103 a ) ( 반도체 영역 ( 1103 c ) ) 과 게이트 전극 ( 1105 ) 가 Loff 만큼 겹치 지 않 는 영역 이 생긴다 . 이 영역 을 오프 셋 영역 이 라고 하 고 , 그 폭 Loff 를 오프 셋 길 이 라고 한다 . 도면 에서 알 수 있 는 바 와 같이 , 오프 셋 길이 는 측벽 절연 층 ( 1106 a ) ( 측벽 절연 층 ( 1106 b ) ) 의 폭 과 같 다 .