보호막 ( 215 ) 은 데이터 라인 ( DL ) 을 포함 하 는 제 2 기판 ( 201 ) 의 전면 에 위치 할 수 있 다 . 보호막 ( 215 ) 은 질화 규소 ( SiNx ) 또는 산화 규소 ( SiOx ) 와 같 은 무기 절연물 로 만들 어 질 수 있 다 . 이 와 달리 , 보호막 ( 215 ) 은 무기 절연물 로 만들 어 질 수 도 있 는 바 , 이 와 같 은 경우 그 무기 절연물 로서 감광성 ( photosensitivity ) 을 가지 며 유전 상수 ( dielectric constant ) 가 약 4 . 0 인 것 이 사용 될 수 있 다 . 보호막 ( 215 ) 은 또한 , 유기 막 의 우수 한 절연 특성 을 가지 면서 도 노출 된 반도체 층 ( SM ) 부분 에 해 가 가 지 않 도록 하부 무기 막 과 상부 유기 막 의 이 중막 구조 를 가질 수 도 있 다 . 보호막 ( 215 ) 의 두께 는 약 5000 Å 이상 일 수 있 고 , 약 6000 Å 내지 약 8000 Å 일 수 있 다 .