이 어 , 반도체 기판 ( 100 ) 상부 구조 전면 에 하부 층간 절 연막 ( 110 ) 의 일부 와 하부 비아 금속 배선 ( 141 , 143 ) 을 각각 노출 하 는 제 1 및 제 2 트렌치 ( 351 , 353 ) 와 하부 층간 절 연막 ( 110 ) 을 노출 하 는 제 3 트렌치 ( 357 ) 를 갖 는 역경 사 패턴 의 제 1 감광막 ( 350 ) 을 형성 하 고 , 이러 한 상부 구조 를 갖 는 반도체 기판 ( 100 ) 을 트리클로로에틸렌 ( tri chloro ethylene , TCE ) 에 수초 간 담궈 제 1 감광막 ( 350 ) 상부 표면 을 경화 시킨다 . 이때 , 제 1 내지 제 3 트렌치 ( 351 , 353 , 357 ) 는 하부 에서 상부 로 갈수록 폭 이 점차 적 으로 좁 아 진다 .