다음 으로 , 도 4 를 참조 하 면 , 전도성 층 ( 130 A ) 이 패턴 화 된다 . 일 실시 예 에 있 어서 , 전도성 층 ( 130 A ) 은 구리 층 이 다 . 이러 한 단계 에서 , 포토레지스트 층 ( 150 ) 은 구리 층 을 패턴 화 하 기 위한 에칭 마스크 로서 역할 한다 . 특정 일 실시 예 에 있 어서 , 구리 에칭 제 ( 즉 , 제 1 에칭 제 ) 의 주요 성분 들 은 CH 3 COOH 및 NH 4 OH 이 며 , 그럼 으로써 이러 한 에칭 단계 에서 주변 영역 ( PA ) 내 에 위치 된 구리 층 으로부터 주변 회로 ( 130 ) 를 형성 하 고 ; 추가 적 으로 , 시각 적 영역 ( VA ) 의 구리 층 은 후속 단계 에서 제거 될 것 이 다 . 이 에 더 하 여 , 멤 브레인 층 ( 120 ) 은 부분 적 으로 노출 되 며 , 이 는 구리 층 이 패턴 화 되 고 , 노출 된 멤 브레인 층 ( 120 ) 은 후속 단계 에서 현상액 과 접촉 시킴 으로써 제거 될 수 있 기 때문 이 다 .