예 를 들 어 , 그래핀 반도체 박막 형성 단계 ( S 130 ) 에서 는 기판 ( 110 ) 이 유리 기판 이나 실리콘 계 웨이퍼 와 같 은 경성 기판 으로 구비 되 는 경우 , 그래핀 산화물 박막 ( 131 ) 을 그래 핀 반도체 박막 ( 132 ) 으로 변환 시키 기 위해 , 그래핀 산화물 박막 ( 131 ) 에 조사 되 는 극 단파 백색광 의 조사 에너지 를 30 J / ㎠ ~ 90 J / ㎠ 로 제어 할 수 있 다 .