일 실시 에 에 따르 면 , 상기 게터 링 영역 은 상기 절연 층 내 에 배치 될 수 있 다 . 이 경우 에 , 상기 게터 링 영역 은 상기 절연 층 내 에 배치 된 충전 반도체 패턴 내 에 배치 될 수 있 다 . 상기 충전 반도체 패턴 은 상기 소자 반도체 층 의 하 부면 과 접촉 하 고 , 상기 게터 링 영역 은 상기 충전 반도체 패턴 의 상기 원소 들 이 첨가 된 부분 이 다 .