In - Sn - Zn - O 막 은 스퍼터링 장치 를 이용 하 고 , 산소 분위기 에서 전력 을 100 Ｗ ( DC ) 로 하 여 성막 했 다 . 타 겟 은 In ： Sn ： Zn ＝ 1 ： 1 ： 1 ［ 원자 수비 ］ 의 In - Sn - Zn - O 타 겟 을 이용 했 다 . 또한 , 성막 시 의 기판 가열 온도 는 200 ℃ 로 했 음 을 주목 하 라 . 이 와 같이 하 여 제작 한 시료 를 시료 A 라고 했 다 .