그 큰 과제 중 하나 가 어 스펙 트 비 ( aspect ratio ) 의 문제 이 다 . ArF 레지스 트 는 에칭 내성 이 비교 적 작 아 어 스펙 트 비 를 크 게 할 필요 가 있 지만 , 레지스 트 패턴 의 도괴 ( 倒壞 ) 때문 에 어 스펙 트 비 를 크 게 할 수 없 다 . 따라서 , 고 ( 高 ) 어 스펙 트 비 의 패턴 을 형성 하 는 수단 으로서 기판 위 에 하 지 재 형성 재료 를 도포 하 고 , 이것 을 가열 해 성막 함 으로써 하층 막 을 설치 하 고 , 그 위 에 실리카 계 무기 막 으로 이루어진 중간막 을 설치 한 후 , 추가 로 그 위 에 포토레지스트 막 을 설치 하 고 통상 의 포 토리 소그라 피 기술 에 의해 레지스 트 패턴 을 형성 하 고 , 그 레지스 트 패턴 을 마스크 로 해서 중간막 을 에칭 함 으로써 패턴 을 전사 하 고 , 그 다음 에 패턴 화 된 중간막 을 마스크 로 해서 하 층막 을 산소 플 라즈 마 에칭 하 여 기판 위 에 패턴 형성 을 실시 하 는 3 층 레지스 트 법 등 이 제안 되 고 있 다 .