특히 , 본 발명 에 따른 상기 화학식 1 로 표현 되 는 염소 계 고분자 전해질 막 , 특정 적 으로 수소 이온 전도성 가지 형 염소 계 고분자 전해질 막 은 제어 된 자유 라디칼 중합 반응 ( controlled free radical polymerization ) 을 통하 여 원 하 지 않 는 단일 중합체 및 사슬 분해 생성물 과 같 은 물질 을 제거 하 면서 하나 의 합성 단계 에서 수행 할 수 있 는 그 래프팅 반응 으로 수행 되 는 바 , 상기 제어 된 자유 라디칼 중합 반응 중 원자 전달 라디칼 중합 ( atomic transfer radical polymerization : ATRP ) 방법 을 통하 여 자유 라디칼 농도 를 낮 게 유지 하 고 , 주로 고분자 주사 슬 상 에 원자 전달 라디칼 중합 이 집중 되 도록 제어 하 여 원 하 지 않 은 반응 이 발생 하 는 것 을 방지 할 수 있 도록 한다 .