한편 , 상기 활성 영역 ( 59 ) 은 웰 층 ( 59 a ) 과 초격자 구조 의 장벽층 ( 59 b ) 을 포함 한다 . 상기 활성 영역 ( 59 ) 은 단일 의 웰 층 ( 59 a ) 을 갖 는 단일 양자 웰 구조 일 수 있 으며 , 이때 , 상기 초격자 구조 의 장벽층 ( 59 b ) 은 상기 웰 층 ( 59 a ) 의 하부 및 / 또는 상부 에 위치 한다 . 또한 , 상기 활성 영역 ( 59 ) 은 , 도시 된 바 와 같이 , 웰 층 ( 59 a ) 및 초격자 구조 의 장벽층 ( 59 b ) 이 교대 로 적층 된 다중 양자 웰 구조 일 수 있 다 . 즉 , N 형 화합물 반도체 층 ( 57 ) 상 에 InGaN 웰 층 ( 59 a ) 및 장벽층 ( 59 b ) 이 교대 로 적층 되 며 , 상기 장벽층 ( 59 b ) 은 InGaN 과 GaN 이 교대 로 적층 된 초격자 구조 를 갖 는다 . 웰 층 ( 59 a ) 의 InGaN 은 360 ~ 410 nm 파장 범위 의 광 을 방출 하 도록 In 함량 이 선택 되 며 , 장벽층 ( 59 b ) 내의 InGaN 에 비해 더 많 은 In 을 포함 하 여 양자 웰 을 형성 한다 .