도 2 를 참조 하 면 , 일반 적 인 소 잉 공정 에서 반도체 칩 ( 104 ) 을 분리 하 는 방법 은 , 다이아몬드 재질 의 블레이드 ( blade ) 를 사용 하 여 스 크라이 브 레인 ( 106 ) 을 절단 하 여 달성 된다 . 그러나 본 발명 에서 는 일반 적 인 소 잉 공정 에서 실시 하 는 절단 방법 을 사용 하 지 않 는다 . 본 발명 에 따라서 반도체 칩 ( 104 ) 을 절단 하 는 방법 은 , 웨 이 퍼 ( 102 ) 를 레이저 ( laser ) 이용 하 여 두께 방향 으로 완전히 절단 하 되 반도체 칩 ( 104 ) 이 웨이퍼 ( 102 ) 에 붙 어 있 도록 일정 부분 을 절단 하 지 않 는 특징 을 갖 는다 .