일 양태 에 따라 , 반도체 처리 장치 가 개시 된다 . 상기 장치 는 , 반응 챔버 , 및 상기 반응 챔버 로부터 증기 를 제거 하 도록 구성 되 는 제 1 배기 포트 를 포함 할 수 있 다 . 상기 장치 는 또한 샤워 헤드 장치 를 포함 할 수 있 고 , 이 는 상기 반응 챔버 에 연결 되 고 반응물 증기 를 상기 반응 챔버 에 전달 하 도록 구성 된다 . 상기 샤워 헤드 장치 는 , 상기 반응물 증기 를 상기 샤워 헤드 장치 안 으로 공급 하 도록 구성 된 가스 유입 구 ; 상기 가스 유 입구 에 유체 연통 하 고 복수 의 개구 를 포함 하 는 제 1 샤워 헤드 플레이트 ; 및 제 2 샤워 헤드 플레이트 를 포함 할 수 있 고 , 상기 제 2 샤워 헤드 플레이트 는 , 상기 복수 의 개구 와 유체 연통 하 고 상기 반응 챔버 에 상기 반응 증기 를 전달 하 도록 구성 된 복수 의 유입 구 포트 ; 및 상기 반응 챔버 로부터 증기 를 제거 하 도록 구성 된 복수 의 제 2 배기 포트 를 포함 한다 . 상기 장치 는 , 상기 제 1 배기 포트 와 상기 복수 의 제 2 배기 포트 에 연결 된 하나 이상 의 펌프 를 또한 포함 할 수 있 고 , 상기 하나 이상 의 펌프 는 상기 제 1 배기 포트 및 상기 복수 의 제 2 배기 포트 를 통해 상기 반응 챔버 로부터 증기 를 제거 하 도록 구성 된다 .