본 발명 은 상기 에서 언급 된 문제 를 완화 하 기 위해 , 그리고 특히 , " 재 접합 의 위험 을 줄여 "" 높 은 온도 "" 에서 분리 어닐링 의 실행 이 가능 하 도록 하 기 위해 제안 되 었 다 . 이러 한 목적 으로 ", 본 발명 은 도너 기판 에서 취해진 반도체 물질 내 층 을 포함 하 는 구조물 을 형성 하 기 위한 방법 을 제공 하 는데 , 상기 방법 은 ( a ) 도너 기판 의 소정 의 깊이 에 취화 대 ( embrittlement zone ) 을 형성 하 기 위한 원자 종 ( atomic species ) 의 주입 , ( b ) 리시버 기판 에 도너 기판 의 조립 , ( c ) 높 은 온도 에서 분리 어닐링 을 수행 하 여 취화 대 에서 도너 기판 으로부터 상기 층 을 분리 하 기 위한 에너지 의 공급 ; ( d ) 표면 조건 을 개선 시기 키 위한 상기 수득 된 층 의 마감 처리 를 포함 하 며 , 상기 단계 ( c ) 에 있 어서 , 상기 높 은 온도 분리 어닐링 은 도달 되 어야 하 는 높 은 온도 까지 온도 가 올라가 는 상승 ( upgrade ) , 즉 정 방향 기울기 ( rising ramp ) 에 따라 전개 되 고 , 상기 최대 분리 어닐링 온도 에 상응 하 는 높 은 온도 및 상기 높 은 온도 에 대한 노출 기간 은 분리 후 얻 어 지 는 구조물 의 표면 에서 심각 한 결함 특성 의 표현 이 방지 되 도록 제한 되 는 것 을 특징 으로 한다 .