종래 기술 들 은 다음 중 하나 이상 을 사용 한다 . DRAM 제조 시 , SiO 2 이 사용 되 고 HF 를 사용 하 여 제거 된다 . 이 화학 물질 은 HF 에 의한 다른 막 들 의 화학 적 공격 및 매우 고 종횡비 구조 들 ( > 15 : 1 ) 에 침투 하 는 문제 들 로 인해 제한 된 용법 을 갖 는다 . 로직 제조 시 종래 의 FinFET 에어 갭 스 페이서 들 의 사용 은 매우 많 은 단계 들 로 인해 매우 복잡 할 수 있 다 . 더욱이 , 재료 조합 들 의 완벽 한 선택 은 가용 하 지 않 다 . 습식 에칭 프로세스 들 의 사용 은 소형 피처 및 / 또는 고 종횡비 피처 프로세싱 문제 를 만든 다 . 이 들 단점 들 은 본 명세서 에서 SnO 2 에어 갭 스 페이서 들 을 도입 하 고 프로세싱 방법 들 에 의해 처리 된다 .