본 명세서 에서 논의 된 스위칭 구성 요소 또는 트랜지스터 는 전계 효과 트랜지스터 ( FET ) 를 나타낼 수 있 고 소스 , 드레 인 , 및 게이트 를 포함 하 는 3 단자 디바이스 를 포함 한다 . 단자 는 전도성 물질 , 가령 , 금속 을 통해 타 전자 요소 로 연결 될 수 있 다 . 소스 및 드레 인 은 전도성 일 수 있 고 고농도 로 도핑 된 , 예 를 들 어 축퇴 된 , 반도체 영역 을 포함 할 수 있 다 . 소스 와 드레 인 은 저 농도 반도체 영역 또는 채널 에 의해 분리 될 수 있 다 . 채널 이 n 형 인 경우 ( 즉 , 다수 캐리어 가 전자 인 경우 ) , FET 는 n 형 FET 라고 지칭 될 수 있 다 . 채널 이 p 형 인 경우 ( 즉 , 다수 캐리어 가 정공 인 경우 ) , FET 는 p 형 FET 로 지칭 될 수 있 다 . 채널 은 절연 게이트 옥사이드 에 의해 캡 핑 될 수 있 다 . 채널 전도율 은 게이트 에 전압 을 인가 함 으로써 제어 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 양 의 전압 또는 음 의 전압 을 각각 n 형 FET 또는 p 형 FET 에 인가 함 으로써 , " 채널 이 전도성 이 될 수 있 다 . 트랜지스터 의 문턱 전압 이상 의 전압 이 트랜지스터 게이트 에 인가 될 때 트랜지스터 는 "" 온 ( on ) "" 또는 "" 활성 화 "" 될 수 있 다 . 트랜지스터 의 임계 전압 보다 낮 은 전압 이 트랜지스터 게이트 에 인가 될 때 트랜지스터 는 "" 오프 ( off ) "" 또는 "" 비 활성 화 "" 될 수 있 다 . "