본 발명 에 따른 배광 각 가변 반사체 구조 의 제조 방법 은 도 5 a 와 같이 , 반사 박막층 ( 110 ) 에 전기 활성 고분자 층 ( 120 ) 을 형성 한다 . 즉 , 이 공정 으로 반사 박막층 ( 110 ) 은 전기 활성 고분자 층 ( 120 ) 과 일체 화 된다 . 그 후 , 도 5 b 와 같이 , 전기 활성 고분자 층 ( 120 ) 에 전극 패턴 ( 130 ) 을 형성 한다 .