한편 , 상기 이온 주입 단계 에 앞서 상기 포토레지스트 패턴 ( 106 ) 및 반사 방지 막 ( 105 ) 을 먼저 제거 하 고 , 이후 상기 터널 산화 막 ( 111 ) , 플로팅 게이트 ( 112 ) , 유 전체 막 ( 113 ) , 및 콘트롤 게이트 ( 114 ) 로 이루어진 게이트 전극 을 마스크 로 하 여 상기 기판 ( 100 ) 에 이온 을 주입 하 여도 무방 하 다 .