도 27 에 도시 된 바 와 같이 , 제 1 분리 층 ( 15 ) 및 하드 마스크 층 ( 14 ) 상 에 복수 의 워드 라인 ( 16 ) 이 형성 될 수 있 다 . 워드 라인 ( 16 ) 을 형성 하 는 방법 은 도 10 및 도 11 을 참조 하 기 로 한다 . 워드 라인 ( 16 ) 은 제 1 반도체 필라 ( 13 N ) 에 각각 대응 하 여 형성 될 수 있 다 .