도 1 에 나타낸 바 와 같이 두 개 의 타 겟 ( target ) 이 서로 대향 하 고 있 는 언밸런스 드 마그네트론 스퍼터링 ( unbalanced magnetron sputtering ) 장치 를 사용 하 여 코팅 하 였 다 . 상기 장치 의 하나 의 타 겟 ( target ) 은 알루미늄 함량 을 조절 할 수 있 는 TiAl 합금 으로 하 고 , 다른 하나 는 BN 으로 하 였 다 . TiAl 타 겟 내 의 알루미늄 의 함량 은 50 원자 % 이 었 다 .