본 개시 의 일 실시 예 에 따른 반도체 패키지 의 제조 방법 은 제 1 캐리어 를 준비 하 는 단계 , 제 1 캐리어 상 에 제 1 재배 선 구 조체 를 형성 하 는 단계 , 제 1 재배 선 구조 체 상 에 전도성 필라 를 형성 하 는 단계 , 제 1 재배 선 구조 체 상 에 제 1 반도체 칩 을 실장 하 는 단계 , 제 1 재배 선 구조 체의 상면 , 복수 의 전도성 필라 및 제 1 반도체 칩 을 덮 는 봉 지재 를 형성 하 는 단계 , 제 1 반도체 칩 의 상면 이 노출 되 도록 복수 의 전도성 필라 및 봉 지재 를 그라인딩 하 는 단계 , 그라인딩 공정 에서 발생 하 는 잔류물 을 제거 하 는 단계 및 제 1 반도체 칩 및 봉 지재 의 상부 에 복수 의 전도성 필라 와 연결 되 는 제 2 재배 선 구 조체 를 형성 하 는 단계 를 포함 할 수 있 다 . 또한 , 본 개시 의 일 실시 예 에 따른 반도체 패키지 의 제조 방법 은 제 2 재배 선 구조 체 상 에 제 2 반도체 칩 을 실장 하 는 단계 및 상기 제 2 재배 선 층 의 상면 과 제 2 반도체 칩 을 덮 는 봉 지재 를 형성 하 는 단계 를 더 포함 할 수 있 다 .