도 8 을 참조 하 면 , 이온 주입 공정 직후 측정 한 데이터 ' 300 ' 와 플래시 어 닐 공정 직후 측정 한 데이터 ' 310 ' 의 경우 , 거의 동일 한 도핑 프로 파일 을 구현 하 고 있 어 급속 열처리 ( RTA ) 를 진행 한 후 측정 한 데이터 ' 320 ' 과 비교 하 여 플래시 어 닐 공정 이 SSR 웰 형성 에 우수 한 특성 을 가지 는 것 으로 해석 될 수 있 다 . 그런데 , 플래시 어 닐 공정 을 1150 ℃ 의 온도 에서 진행 하 고 , 반도체 소자 제조 를 위한 전체 열 공정 ( full thermal ) 을 진행 한 측정 데이터 ' 330 ' 의 경우 , 동일 온도 의 급속 열처리 ( RTA ) 보다 넓 어 지 면서 ( broad ) 급속 열처리 후 전체 열 공정 을 진행 한 측정 데이터 ' 340 ' 의 경우 와 비교 할 때 도핑 프로 파일 이 개선 되 지 않 는 것 을 알 수 있 다 . 이러 한 데이터 는 동일 한 온도 에서 급속 열처리 ( RTA ) 대비 플래시 어 닐 공정 을 진행할 경우 에 단 채널 효과 를 개선 시킬 수 없 는 것 으로 해석 될 수 있 다 . 즉 , 전체 열 공정 ( full thermal ) 진행 에 따른 불순물 확산 ( dopant diffusion ) 을 해결 할 수 있 는 방법 이 요구 된다 .