복수 개 의 워드 라인 ( WL ) 각각 은 평면 구조 를 가지 며 셀 스트링 ( 105 ) 에 대해 실질 적 으로 수직 일 수 있 다 . 복수 개 의 워드 라인 ( WL ) 에 는 복수 개 의 메모리 셀 ( 28 ) 이 3 차원 적 으로 분포 될 수 있 다 . 복수 개 의 스트링 선택 라인 ( SSL ) 은 복수 개 의 비트 라인 ( BL ) 을 X 방향 으로 가로질러 배치 될 수 있 다 . Y 방향 으로 배향 된 복수 개 의 스트링 선택 라인 ( SSL ) 각각 은 X 방향 으로 배향 된 복수 개 의 비트 라인 ( BL ) 각각 과 전기 적 으로 연결 되 므로 하나 의 셀 스트링 ( 105 ) 이 독립 적 으로 선택 될 수 있 다 . 접 지 선택 라인 ( GSL ) 은 평면 구조 를 가지 며 셀 스트링 ( 105 ) 에 대해 실질 적 으로 수직 일 수 있 다 . 접 지 선택 라인 ( GSL ) 은 수직 채널 ( 140 ) 과 기판 ( 101 ) 사이 의 전기 적 연결 을 제어 할 수 있 다 .