국부 적 인 영향 을 캡 처하 기 위하 여 ( 즉 , 더 높 은 공간 주파수 를 얻 기 위하 여 ) , 필드 내 정렬 방식 이 사용 될 수 있 다 . 그러나 , 이 는 하나 이상 의 단점 을 가질 수 있 다 . 예 를 들 어 , 상대 적 으로 치밀 한 정렬 마크 의 측정 이 수행 될 필요 가 있 으며 , 이 는 처리 량 에 영향 을 주 지 않 으면서 달성 될 수 없 을 것 이 다 . 또한 , 가치 있 는 다이 내 ( in - die ) 공간 은 정렬 마크 로 점유 되 어야 할 것 이 다 . 그리고 ( 처리 량 과 같 은 ) 제약 으로 인해 , 필드 내 정렬 은 디바이스 제조 공정 에서 장치 ( 예 를 들 어 , 리소그래피 장치 ) 에 의해 보정 될 수 있 는 것 보다 적 은 매개변수 로 제한 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 리소그래피 장치 가 디바이스 패턴 전사 당 더 높 은 차수 를 보정 할 수 있 을지라도 , 필드 내 정렬 을 위한 모델 은 필드 당 6 개 의 매개변수 ( 예 를 들 어 , 패 터닝 디바이스 패턴 ( M ) 의 확대 , z 축 ( R ) 을 중심 으로 하 는 회전 , x 및 y 에서 의 변환 ( Cx , Cy ) , y 방향 으로 의 확대 ( My ) , 및 스캔 스큐 ( RI ) ) 에 대해 한정 될 수 있 다 .