상기 한 다른 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 반도체 소자 의 배선 구조물 의 제조 방법 으로 , 먼저 기판 상 에 콘 택 영역 들 을 노출 시키 는 예비 제 1 도전 패턴 들 을 형성 한다 . 상기 예비 제 1 도전 패턴 들 의 양측 벽 에 스 페이서 를 형성 한다 . 상기 스 페이서 사이 에 상기 기판 의 콘 택 영역 들 과 접속 하 는 콘 택 플러그 들 을 형성 한다 . 상기 제 1 예비 도전 패턴 들 및 상기 콘 택 플러그 상 에 도전 막 을 형성 한다 . 상기 도전 막 을 패 터닝 하 여 , 상기 제 1 예비 도전 패턴 들 상 에 제 2 도전 패턴 과 상기 콘 택 플러그 상 에 제 3 도전 패턴 을 형성 한다 . 다음 에 , 상기 제 2 도전 패턴 사이 의 제 1 예비 도전 패턴 을 식각 하 여 제 1 도전 패턴 을 형성 한다 .