반도체 장치 의 형성 방법 이 제공 된다 . 이 방법 은 제 1 반도체 기판 을 덮 는 층간 절 연막 을 형성 하 는 것 , 층간 절 연막 상 에 층간 절 연막 과 근접 한 제 1 영역 및 제 1 영역 상 의 제 2 영역 을 갖 는 제 2 반도체 기판 을 붙이 는 것 , 제 2 영역 의 제 2 반도체 기판 를 잘라 내 어 분리 하 는 것 , 분리 된 제 2 영역 의 제 2 반도체 기판 모서리 부 를 제 1 연마 하 는 것 , 그리고 제 1 연마 된 모서리 부 를 갖 는 상기 제 2 영역 의 제 2 반도체 기판 의 전면 을 제 2 연마 하 는 것 을 포함 한다 .