즉 , 본 발명 의 실시 예 에 따르 면 , 상기 하드 마스크 ( 204 ) 를 적용 하 여 정렬 키 형성 공정 을 수행 함 으로써 , 정렬 키 형성 후 진행 되 는 감광막 패턴 제거 를 위한 애 싱 공정 시 , 상기 유전 막 ( 203 ) 의 표면 이 직접 적 인 손상 을 받 지 않 도록 할 수 있 다 . 따라서 , 상기 MIM 캐 패 시터 의 특성 을 향상 시킬 수 있 다 .