본 발명 에 따른 상변화 기억 소자 의 제조 방법 은 , 상기 콘 택 플러그 및 상부 에 하드 마스크 를 구비 한 도전 막 패턴 을 형성 하 는 단계 후 , 상기 하드 마스크 및 도전 막 패턴 을 포함 한 제 1 층간 절 연막 상 에 상기 하드 마스크 를 노출 시키 는 제 2 층간 절 연막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 하드 마스크 및 제 2 층간 절 연막 상 에 절 연막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 절 연막 및 하드 마스크 를 식각 하 여 도전 막 패턴 을 노출 시키 는 홀 을 형성 하 는 단계 ; 상기 홀 내 에 상기 도전 막 패턴 과 콘 택 되 는 하부 전극 을 형성 하 는 단계 ; 및 상기 하부 전극 과 절 연막 상 에 상변화 막 과 상부 전극 을 형성 하 는 단계 ; 를 더 포함 한다 .