선택 된 메모리 블럭 ( BLK 1 ) 의 채널 은 메모리 셀 ( C 0 내지 Cn ) 들 의 프로그램 상태 에 따라 전기 적 으로 고립 될 수 있 다 . 이 에 선택 된 메모리 블럭 ( BLK 1 ) 의 워드 라인 들 ( WLs ) 의 전위 레벨 을 디스 차지 할 때 채널 의 전위 레벨 이 음 의 레벨 로 하강 하 여 다음 프로그램 동작 시 채널 부스 팅 레벨 이 낮 아 프로그램 디 스터브 현상 이 발생 할 수 있 다 . 본 발명 의 일 실시 예 에서 는 선택 된 메모리 블럭 ( BLK 1 ) 의 워드 라인 들 ( WLs ) 의 전위 레벨 을 디스 차지 하 기 이전 에 비트 라인 들 ( BL 1 내지 BLm ) 을 통해 선택 된 메모리 블럭 ( BLK 1 ) 의 채널 에 설정 전압 을 인가 하 여 채널 전위 레벨 을 상승 시킴 으로써 , 워드 라인 들 ( WLs ) 의 디스 차지 동작 시 채널 의 전위 레벨 이 음 의 레벨 로 하강 하 는 현상 을 개선 할 수 있 다 .