종래 의 에칭 방법 에서 는 도 5 의 상태 의 피 처리 체 ( 110 ) 에 대해 , 우선 레지스 트 막 ( PR ) ( 107 ) 을 마스크 로 해서 반사 방지 막 ( 106 ) 및 질화규소 ( Si 3 N 4 ) 막 ( 105 ) 을 에칭 하 고 , 다음 에 , 레지스 트 막 ( PR ) ( 107 ) 을 애 싱에 의해 제거 한 후 , 질화규소 ( Si 3 N 4 ) 막 ( 105 ) 을 하드 마스크 로서 사용 하 여 다결정 실리콘 층 ( 104 ) 을 에칭 하 는 방법 이 채용 되 어 왔 다 . 그리고 , 반사 방지 막 ( 106 ) 및 질화규소 ( Si 3 N 4 ) 막 ( 105 ) 을 에칭 할 때 에 는 절 연막 에칭 전용 의 에칭 장치 를 이용 하 고 , 다 결정 실리콘 층 ( 104 ) 을 에칭 할 때 에 는 실리콘 전용 의 에칭 장치 를 사용 하 고 있 었 다 . 또한 , 레지스 트 막 ( PR ) ( 107 ) 의 애 싱 제거 는 전용 의 애 싱 장치 를 이용 하 여 실행 하 고 있 었 다 .