본 발명자 들 은 이종 기판 위 에 빈 공간 을 형성 한 후 질화물 반도체 층 을 성장 시킴 으로써 , 빈 공간 을 찌그러뜨려 질화물 반도체 층 의 응력 을 해소 하 는 다양 한 연구 결과 들 을 제시 해 왔 다 . 본 출원 에서 는 본 발명자 들 이 제안 한 방법 에 따라 형성 한 반도체 적층 구조 에서 질화물 반도체 층 과 기판 을 분리 하 여 수직 LED 또는 수평 형 LED , 임의 의 기판 에 전사 혹은 이전 된 LED 또는 자유 기립 의 질화물 반도체 또는 질화물 반도체 기판 을 제조 하 는 방법 및 그러 한 방법 을 수행 하 기 위하 여 질화물 반도체 층 을 기판 과 분리 하 는 방법 및 장치 에 대하 여 더 연구 한 결과 에 따른 것 이 다 .