이하 , 본 발명 의 SiC 막 구 조체 및 SiC 구 조체 의 제조 방법 과 관련 되 는 실시 형태 에 대해서 , 도면 을 참조 하 여 상세 하 게 설명 한다 . 또한 , 이하 에 나타내 는 실시 형태 는 본 발명 을 실시 함 에 있 어서 의 적합 한 형태 의 일부 이 며 , 발명 특정 사항 을 구비 하 는 범위 에서 , 구성 의 일부 를 변경 했 다 하 더라도 본 발명 의 일부 로 간주 할 수 있 다 .