비휘발성 기억 장치 의 제조 방법 이 개시 된다 . 본 방법 은 , ( a ) 반도체 기판 위 에 전하 저장 층 을 형성 하 는 단계 와 , ( b ) 상기 전하 저장 층 위 에 제 1 도 전막 을 형성 하 는 단계 와 , ( c ) 상기 제 1 도 전막 을 패 터닝 하 여 제 1 전극 을 형성 하 는 단계 와 , ( d ) 상기 제 1 전극 의 측벽 에 불순물 을 이온 주입 하 는 단계 와 , ( e ) 상기 제 1 전극 이 형성 되 지 않 은 상기 전하 저장 층 의 일부 를 제거 하 는 단계 와 , ( f ) 상기 전하 저장 층 의 일부 가 제거 된 상기 활성 영역 위 에 게이트 산화 막 을 형성 하 는 단계 와 , ( g ) 상기 제 1 전극 위 에 제 2 전극 을 형성 하 는 단계 를 포함 한다 .