이 와 같 은 본 발명 의 실시 예 에 의하 면 트랜지스터 회로 ( circuitry ) 와 포토다이오드 의 수직 형 집 적 및 포토다이오드 내 에 디 펙 트 를 방지 함 으로써 필 팩터 ( fill factor ) 및 센 서티 버티 ( sensitivity ) 등 의 향상 과 소자 의 소형 화 및 제조 비용 을 절감 을 획득 할 수 있 는 장점 이 있 다 .