SiO 2 유전체 층 이 피복 된 2 개 의 실리콘 웨이퍼 들 상 에 탄탈럼 타 겟 및 망가니즈 타켓 을 이용 한 물리 기상 증착 ( PVD ) 공정 을 통해 두께 가 1 . 0 nm 인 Ta 1 - xMnxOy 박막 들 을 각각 형성 하 였 고 , 이 들 의 상부 에 스퍼터링 공정 을 통해 구리 박막 들 을 각각 형성 하 였 다 . 이 때 , 실시 예 3 의 Ta 1 - xMnxOy 박막 에서 의 망간 원자 와 탄탈럼 원자 의 비 는 37 . 4 : 62 . 6 이 었 고 , 실시 예 3 의 Ta 1 - xMnxOy 박막 에서 의 망가니즈 원자 와 탄탈럼 원자 의 비 는 43 . 5 : 56 . 5 이 었 다 .