도 6 및 도 7 을 참조 하 면 , 제 1 산화 ( first oxidation ) 공정 을 통하 여 대 상체 ( 100 ) 상 에 제 1 예비 산화 막 ( 105 ) 을 형성 한다 ( 단계 S 100 ) . 대 상체 ( 100 ) 는 실리콘 기판 . 게르마늄 기판 , 실리콘 게르마늄 기판 또는 SOI ( Silicon - On - Insulator ) 기판 과 같 은 반도체 기판 을 포함 할 수 있 다 . 또한 , 대 상체 ( 100 ) 는 알루미늄 산화물 기판 또는 스트론튬 루테늄 산화물 기판 과 같 은 금속 산화물 기판 을 포함 할 수 있 다 .