일 실시 예 에서 , 메모리 장치 는 더미 워드 라인 ( DWL 1 ) 및 복수 의 워드 라인 들 ( WL 1 ~ WL 7 ) 중 적어도 일부 의 라인 에 선택 적 으로 프리 - 프로그램 전압 을 인가 함 으로써 , 더미 홀 ( DH 1 ) 에 형성 되 는 더미 셀 들 ( DC , DCa ) 중 적어도 일부 의 더미 셀 을 프리 - 프로그램 할 수 도 있 다 . 더미 워드 라인 ( DWL 1 ) 및 복수 의 워드 라인 들 ( WL 1 ~ WL 7 ) 중 선택 적 으로 프리 - 프로그램 전압 이 인가 되 는 경우 에 대해 도 10 b 및 도 10 c 에서 후술 하 겠 다 .