상기 단계 에서 상기 절연 층 은 상기 제 2 도전 형 반도체 층 ( 330 ) 의 상면 , 상기 투광 성 전극 ( 405 ) 의 측면 및 상면 , 상기 제 2 전극 ( 420 ) 의 측면 상 에 배치 될 수 있 다 . 또한 , 상기 단계 에서 상기 절연 층 은 상기 노출 된 상기 제 1 도전 형 반도체 층 ( 310 ) 의 상면 및 상기 제 1 전극 ( 410 ) 의 측면 상 에 배치 될 수 있 다 . 또한 , 상기 단계 에서 상기 절연 층 은 상기 메사 식각 에 의해 노출 된 상기 제 1 도전 형 반도체 층 ( 310 ) 의 측면 , 상기 활성 층 ( 320 ) 의 측면 상기 제 2 도전 형 반도체 층 ( 330 ) 의 측면 상 에 배치 될 수 있 다 .