본 발명 의 제 1 실시 예 에 따른 이미지 센서 및 그 제조 방법 에 의하 면 트랜지스터 회로 ( circuitry ) 와 포토다이오드 의 수직 형 집적 을 제공 할 수 있 으며 , 또한 , 본 발명 의 제 1 실시 예 에 의하 면 전도성 고분자 를 이용 해 포토다이오드 를 기판 상측 에 형성 함 으로써 마이크 로 렌즈 ( Micro Lens ) 의 포커스 ( focus ) 에 따른 색 편차 또는 메탈 ( Metal ) 에 의한 빛 반사 로 인한 노이즈 ( noise ) 발생 등 의 문제 를 해결 할 수 있 는 효과 가 있 다 .