일부 실시 예 에서 , 칩 ( 102 , 104 및 106 ) 은 개별 기판 상 에 형성 된 다음 , 기계 적 및 전기 적 으로 결합 되 어 적층 장치 ( 100 ) 를 형성 한다 . 예 를 들 어 , 칩 ( 102 ) 이 기판 ( 110 ) 상 에 형성 되 고 , 칩 ( 104 ) 이 기판 ( 112 ) 상 에 형성 되 며 , 칩 ( 106 ) 이 기판 ( 114 ) 상 에 형성 된다 . 일부 실시 예 에 따르 면 , 기판 ( 110 , 112 및 114 ) 각각 은 벌크 반도체 웨이퍼 ( 예 , 실리콘 웨이퍼 ) 또는 반도체 - 온 - 인 슐레이터 웨이퍼 ( 예 , 실리콘 - 온 - 인 슐레이터 ( SOI ) ) 일 수 있 다 . 예 를 들 어 , 기판 ( 110 및 112 ) 은 SOI 웨이퍼 일 수 있 고 , 기판 ( 114 ) 은 실리콘 웨이퍼 일 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 기판 ( 110 , 112 및 114 ) 은 ( i ) 실리콘 , ( ii ) 갈륨 비소화물 ( GaAs ) , 갈륨 인화물 ( GaP ) , 인듐 인화물 ( InP ) , 인듐 비소화물 ( InAs ) , 인듐 안티몬 화물 ( InSb ) 및 / 또는 실리콘 게르마늄 ( SiGe ) 과 같 은 화합물 반도체 , ( iii ) 갈륨 비소화물 인화물 ( GaAsP ) , 알루미늄 인듐 비소화물 ( AlInAs ) , 알루미늄 갈륨 비소화물 ( AlGaAs ) , 갈륨 인듐 비소화물 ( GaInAs ) , 갈륨 인듐 인화물 ( GaInP ) 및 / 또는 갈륨 인듐 비소화물 인화물 ( GaInAsP ) 과 같 은 합금 반도체 , 또는 ( iv ) 이 들 의 조합 을 포함 할 수 있 다 .