한편 , 전술 한 바 와 같이 반도체 기판 에 박막 을 형성 하 기 위하 여 도포 막 을 형성 하 는 경우 도 있 지만 , 통상 의 반도체 소자 의 제조 공정 에 는 , 갭 필 성능 을 우수 하 게 하 기 위하 여 액상 의 물질 로 SOG 산화 막 을 형성 하 거나 포토 레지스 트 와 같이 원래 의 재료 물질 이 액상 인 물질 로 포토 레지스 트 막 을 형성 하 는 등 도포 막 을 형성 하 는 다수 의 공정 을 포함 한다 . 이러 한 도포 막 형성 공정 에서 는 액상 의 재료 물질 에 불순물 이 포함 될 경우 결함 이 발생 되 어 수율 이 저하 되 는데 , 이 는 포토 레지스 트 를 이용 하 여 미세 한 패턴 을 형성 하 는 반도체 소자 의 패턴 형성 공정 에서 더욱 중요 한 이슈 가 되 고 있 다 . 이 를 하 기 에서 더욱 상세 하 게 설명 한다 .