하부 전극 ( 161 ) 은 제 4 방향 ( DR 4 ) 으로 연장 될 수 있 다 . 하부 전극 ( 161 ) 은 예 를 들 어 , 도핑 된 반도체 물질 , 도전 성 금속 질화물 ( 예 를 들 어 , 티타늄 질화물 , 탄 탈륨 질화물 또는 텅스텐 질화물 등 ) , 금속 ( 예 를 들 어 , 루세 늄 , 이리듐 , 티타늄 또는 탄 탈륨 등 ) , 및 도전 성 금속 산화물 ( 예 를 들 어 , 산화 이리듐 등 ) 등 을 포함 할 수 있 지만 , 본 발명 의 기술 적 사상 이 이 에 제한 되 는 것 은 아니 다 .