게이트 도전체 위 에 는 게이트 절 연막 ( gate insulating layer ) ( 140 ) , 복수 의 섬 형 반도체 ( 154 ) , 복수 쌍 의 섬 형 저항성 접촉 부재 ( ohmic contact ) ( 163 , 165 ) , 복수 의 데이터 선 ( 171 ) 및 복수 의 드레 인 전극 ( drain electrode ) ( 175 ) 이 차례 로 형성 되 어 있 다 .