또한 , 플라 즈 마 처리 를 행한 후 , 도 11 ( B ) 에 도시 한 것 처럼 , 도전 막 ( 719 ) 및 도전 막 ( 720 ) 과 , 산화물 반도체 막 ( 716 ) 을 덮 도록 , 게이트 절 연막 ( 721 ) 을 형성 한다 . 그리고 , 게이트 절 연막 ( 721 ) 위 에서 , 산화물 반도체 막 ( 716 ) 과 중첩 하 는 위치 에 게이트 전극 ( 722 ) 을 형성 하 고 , 도전 막 ( 719 ) 과 중첩 하 는 위치 에 도전 막 ( 723 ) 을 형성 한다 .