본 발명자 들 은 그래핀 과 같 은 흑연 질 기판 상 에서 의 NW 의 성장 을 수반 하 는 NW VCSEL 또는 NW RCLED 를 제안 한다 . 특히 , 본 발명자 들 은 그래핀 상 에서 GaAs , GaN , AlN , InGaN , AlGaN 및 AlInGaN NW 와 같 은 III - V 족 NW 그룹 을 성장 시키 는 것 을 고려 한다 . 이러 한 방식 으로 , 본 발명자 들 은 NW VCSEL / RCLED 에 대한 투명 전도성 접촉 부 로서 뿐 만 아니 라 기판 으로서 그래핀 을 유리 하 게 사용 한다 . 본 발명자 들 은 또한 , 모든 흥미 로운 전자기 광 파장 에 걸친 그래핀 의 투명 성 으로 인해 , 그래핀 이 , NW 로부터 그래핀 아래 에 위치 될 수 있 는 구조물 까지 의 광 경로 를 막 지 않 으면서 ( 예 를 들 면 , 하부 DBR 에 대한 광 경로 를 막 지 않 으면서 ) NW - 기반 발광 장치 에 대한 하부 지 지체 로서 사용 될 수 있 음 을 인식 하 였 다 .