이런 식각 장비 내 에서 베벨 식각 은 , 먼저 , 웨이퍼 가 하부 전극 위 로 놓인 상태 에서 챔버 내부 의 압력 을 낮추 고 , 온도 를 조절 한 후 , 식각 성분 가스 를 투입 한다 . 식각 성분 가스 는 타 겟 물질 에 따라 달라질 수 있 고 , 가령 , 산화 막 에 대해 SF 6 90 sccm , CF 4 90 sccm , O 2 20 sccm 을 공급 할 수 있 다 . 상대 적 으로 높 은 주파수 고주파 전원 의 스위치 를 닫 아 전력 을 인가 시킨다 . 이때 , 대략 웨이퍼 배면 전반 에 걸친 하부 제 1 전극 에 상대 적 으로 높 은 주파수 의 고주파 전원 이 인가 되 어 소오 스 파워 로서 플라 즈 마 상태 를 촉발 시키 고 유지 시킨다 .