다음 에 , 질화 산화 규소 막 ( 102 ) 위 에 , TEOS 가스 와 산소 가스 의 혼합 가스 를 사용 해서 화학 기상 성 장법 ( CVD ) 법 또는 플 라즈 마 화학 기상 성 장법 ( 플라 즈 마 CVD 법 ) 에 의해 산화 규소 막 ( 105 ) 을 성막 한다 ( 도 14 b ) . 산화 규소 막 ( 105 ) 은 단결정 반도체 기판 ( 100 ) 에 이온 주입 을 행하 기 전 에 형성 해도 된다 . 이때 , TEOS 가스 와 산소 가스 의 혼합 가스 를 사용 해서 CVD 법 또는 플라 즈 마 CVD 법 에 의해 산화 규소 막 을 성막 하 는 경우 , 산화 규소 막 은 10 nm 이상 800 nm 이하 의 막 두께 로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 .