본 발명 의 다른 실시 예 에 따르 면 , 상기 상부 산화 막 은 산소 및 염화수소 를 포함 하 는 제 3 반응 가스 를 열처리 하 여 생성 된 산소 와 상기 제 2 예비 산화 막 에 포함 된 실리콘 사이 의 반응 에 따라 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 면 , 상기 산소 는 상기 제 3 반응 가스 를 약 800 ∼ 1 , 000 ℃ 정도 의 온도 및 약 0 . 1 ∼ 0 . 5 Torr 정도 의 압력 하 에서 열처리 하 여 형성 될 수 있 다 .