또한 , n 형 콘 택 / 클래드 층 ( 203 ) , 활성 층 ( 204 ) , p 형 클래드 층 ( 205 ) , p 형 블 럭 층 ( 206 ) , p 형 콘 택 층 ( 207 ) 은 n 형 콘 택 / 클래드 층 ( 203 ) 의 일부 가 노출 하 도록 각각 의 일부 가 에칭 에 의해 제거 되 었 다 . 그리고 , 노출 한 n 형 콘 택 / 클래드 층 ( 203 ) 의 표면 에 n 형 전극 ( 210 ) 을 설치 하 였 다 . 또한 , p 형 콘 택 층 ( 207 ) 상 에 는 p 형 전극 ( 220 ) 을 설치 하 였 다 . n 형 전극 ( 210 ) 은 In 을 , p 형 전극 ( 220 ) 은 Ni ( 100 Å ) / Au ( 100 Å ) 를 각각 전자 빔 을 사용 하 여 추적 시키 는 것 으로 형성 된다 . 이 와 같 은 구성 에 따라 LED 를 얻 었 다 .