예컨대 , p - 웰 ( 11 B ) 의 경우 에 는 게이트 전극 ( 18 ) 과 독립 적 으로 패드 ( PAD 3 ) , 금속 배선 ( 23 D ) 및 p + 접합 영역 ( 또는 , 픽 - 업 ( pick up ) 영역 ) ( 22 ) 으로 연결 되 는 경로 를 통해 플 라즈 마 이온 들 이 충전 된다 . 이 때문 에 시간 이 경과 할 수록 p - 웰 ( 11 B ) 과 게이트 전극 ( 18 ) 간 의 전위 차 는 증가 하 게 된다 . 즉 , 게이트 전극 ( 18 ) 은 n + 접합 영 역 ( 21 ) 과 p - 웰 ( 11 A ) 로 이루어진 보호 회로 를 통해 전하 가 방전 되 어 전위 가 낮 아 지 지만 , p - 웰 ( 11 B ) 은 n - 웰 ( 12 ) 에 의해 고립 되 어 있 기 때문 에 충전 된 전하 가 빠져 나갈 경로 가 없 어 패드 ( PAD 3 ) 를 통해 유입 되 는 플 라즈 마 이온 들 이 계속 누적 되 어 전위 가 상승 할 수 밖에 없 다 . 이러 한 이유 로 게이트 전극 ( 18 ) 과 p - 웰 ( 11 B ) 간 에 는 전위 차 가 증가 하 게 되 고 , 이러 한 전위 차 에 의해 게이트 산화 막 ( 14 ) 에 는 전하 가 포획 되 게 된다 .