제 1 커버 웨이퍼 ( 112 ) 는 , 디바이스 ( 170 ) 의 위치 에 상응 하 도록 그 일면 에 캐 비티 ( 130 ) 가 형성 될 수 있 으며 , 캐비 티 ( 130 ) 가 디바이스 ( 170 ) 를 커버 하 도록 디바이스 웨이퍼 ( 180 ) 일면 에 적층 될 수 있 다 . 제 1 커버 웨이퍼 ( 112 ) 와 제 2 커버 웨이퍼 ( 114 ) 는 , 고순 도로 정제 된 재료 용융 액 에 시드 ( seed ) 결정 을 접촉 , 회전 시키 면서 단결 정봉 ( ingot ) 을 성장 시키 고 , 이 를 균일 한 두께 의 얇 은 원판 으로 잘라 낸 후 , 면 을 연마 하 는 과정 을 통하 여 형성 될 수 있 다 .