상기 게이트 전극 구조물 은 기판 ( 100 ) 상 에 상기 제 1 방향 을 따라 서로 이격 된 복수 개 의 층 들 에 각각 형성 된 복수 개 의 게이트 전극 들 을 포함 할 수 있 다 . 또한 , 상기 게이트 전극 구조물 은 상기 제 2 방향 으로 연장 될 수 있 으며 , 상기 제 3 방향 을 따라 복수 개 로 형성 될 수 있 다 . 한편 , 동일 한 층 에서 상기 제 2 방향 으로 각각 연장 되 는 상기 게이트 전극 구조물 들 은 상기 제 3 방향 으로 연장 되 는 제 1 개 구 ( 260 , 도 12 및 13 참조 ) 내 에 형성 된 제 2 스 페이서 ( 300 ) 및 CSL ( 310 ) 에 의해 서로 이격 될 수 있 다 . 또한 , 상기 각 게이트 전극 구조물 들 에 포함 된 게이트 전극 들 중 적어도 최상층 게이트 전극 은 상기 제 3 방향 으로 연장 되 는 제 2 개 구 ( 320 , 도 16 및 17 참조 ) 내 에 형성 된 절연성 분리 패턴 ( 335 ) 의해 서로 이격 될 수 있 다 .