이상 의 제 1 및 제 2 실시 형태 로부터 명백 한 바 와 같이 , 상기 특정 의 조합 의 처리 가스 를 사용 하 는 것 에 의해 , 적어도 실리콘 층 과 절 연막 을 포함 하 는 적층 체 를 , 단일 의 에칭 장치 를 사용 하 여 한 번 의 에칭 공정 으로 에칭 처리 할 수 있 으므로 , 공용화 에 의한 장치 의 삭감 과 , 공 정수 및 처리 시간 의 대폭 적 인 삭감 이 실현 된다 .