다음 에 , 제 2 실시 형태 에 관한 불휘발성 반도체 기억 장치 의 제조 방법 을 설명 한다 . 제 2 실시 형태 에 관한 불휘발성 반도체 기억 장치 의 제조 공정 에서 는 , 제 1 실시 형태 의 도 25 및 도 26 에 나타내 는 공정 에서 칼럼 방향 으로 서로 인접 하 는 각각 의 U 자 형상 반도체 층 ( 63 ) 사이 에 메모리 분리 홈 ( 94 ) 을 형성 하 지 않 는다 . 환언 하 면 , 제 2 실시 형태 에 관한 불휘발성 반도체 기억 장치 의 제조 공정 에서 는 각각 의 U 자 형상 반도체 층 ( 63 ) 의 칼럼 방향 의 중심 에 만 메모리 분리 홈 ( 94 ) 을 형성 한다 . 이 후 , 제 1 실시 형태 와 같 은 공정 을 거쳐 , 제 2 실시 형태 에 관한 불휘발성 반도체 기억 장치 가 제조 된다 .