본 발명 의 일 실시 예 에 있 어서 , 상기 부유 게이트 패턴 을 형성 하 는 것 은 상기 반도체 기판 에 활성 영역 을 정의 하 며 , 개구부 를 가지 는 소자 분리 막 을 형성 하 는 것 , 상기 개구부 를 콘 포 멀 하 게 덮 는 부유 게이트 막 을 형성 하 는 것 , 상기 부유 게이트 막 이 형성 된 상기 개구부 를 채우 는 마스크 막 을 형성 하 는 것 , 상기 소자 분리 막 의 상부 면 이 노출 되 도록 상기 마스크 막 및 상기 부유 게이트 막 에 평탄 화 공정 을 진행 하 여 , 예비 부유 게이트 패턴 및 마스크 패턴 을 형성 하 는 것 그리고 상기 소자 분리 막 및 상기 마스크 패턴 을 마스크 로 식각 공정 을 진행 하 여 상기 개구부 의 측면 을 덮 는 상기 예비 부유 게이트 패턴 을 제거 하 는 것 을 포함 할 수 있 다 .