복수 의 플래시 메모리 장치 들 ( 4100 ) 각각 은 , 프로그램 동작 시 금지 스트링 들 의 초기 채널 전압 들 을 동일 하 게 만든 후 에 채널 부 스팅 을 수행 하 도록 구현 된다 . 실시 예 에 있 어서 , 플래시 메모리 장치 ( 4100 ) 는 도 1 에 도시 된 비휘발성 메모리 장치 ( 100 ) 와 동일 한 구현 및 동작 으로 구현 된다 .