톤 반전 마스크 구현 예의 또 다른 실시 예 가 도 10 의 프로세스 흐름 도 에 도시 되 고 도 9 a 내지 도 9 c 의 프로세싱 된 기판 의 개략 적 인 단면도 에 의해 예시 된다 . 프로세스 는 패 터닝 된 주석 옥사이드 층 및 복수 의 리세 스 된 피처 들 을 갖 는 기판 을 제공 함 으로써 1001 에서 시작 된다 . 이 는 , 패 터닝 된 주석 옥사이드 층 ( 903 ) 이 서브 층 ( 901 ) ( 예 를 들 어 , 금속 나이트 라이드 , 또는 금속 층 ) 상 에 존재 하 는 , 도 9 a 에 예시 된다 . 서브 층 ( 901 ) 은 주석 옥사이드 층 ( 903 ) 에 형성 된 리세 스 된 피처 들 의 하단 부 들 에서 노출 된다 . 다음 에 , 동작 1003 에서 , 리세 스 된 피처 들 이 실리콘 - 함유 재료 에 의해 , 예 를 들 어 , CVD 에 의해 충 진 된다 . 적합 한 실리콘 - 함유 재료 들 의 예 들 은 실리콘 ( 예 를 들 어 , 비정질 실리콘 또는 폴리 실리콘 ) 및 실리콘 - 함유 화합물 들 , 예컨대 실리콘 옥사이드 , 실리콘 나이트 라이드 , 및 실리콘 카바이드 를 포함 한다 . 주석 옥사이드 층 위 의 오버 버든 이 이 증착 동안 형성 될 수 도 있 다 . 발생 되 는 구조 체 는 실리콘 - 함유 재료 ( 905 ) 가 패 터닝 된 주석 옥사이드 층 의 갭 들 을 충 진하 고 오버 버든 을 형성 하 는 , 도 9 b 에 도시 된다 . 다음 에 , 오버 버든 은 CMP 에 의해 또는 플 라즈 마 에칭 ( 예 를 들 어 , 불소 - 기반 에칭 , 예컨대 플루오르화 탄소 플 라즈 마 에칭 ) 에 의해 제거 되 고 주석 옥사이드 ( 903 ) 가 노출 된다 . 다음 동작 1005 에서 , 실리콘 - 함유 재료 를 제거 하 지 않 고 주석 옥사이드 가 제거 되 어 , 실리콘 - 함유 재료 의 패 터닝 된 층 ( 톤 반전 또는 주석 옥사이드 패턴 에 대해 상보 적 인 패턴 ) 을 형성 한다 . 주석 옥사이드 는 예 를 들 어 , 수소 - 기반 에칭 ( 예 를 들 어 , H 2 플 라즈 마 에칭 , 또는 HBr 플 라즈 마 에칭 ) 또는 염소 - 기반 에칭 ( 예 를 들 어 , BCl 3 / Cl 2 에칭 ) 을 사용 하 여 실리콘 - 함유 재료 에 선택 저 으로 에칭 된다 . 에칭 후 에 획득 된 구조 체 는 , 패 터닝 된 실리콘 - 함유 층 ( 905 ) 이 도시 되 는 , 도 9 c 에 도시 된다 . 서브 층 ( 901 ) 은 실리콘 - 함유 재료 ( 905 ) 내 에 형성 된 리세 스 된 피처 들 의 하단 부 들 에서 노출 된다 .