또한 , 본 발명 에 따른 자기 메모리 는 , 비 자성 층 을 사이 에 두 고 고정층 과 자유 층 이 적층 된 메모리 소자 를 구비 하 고 , 고정층 의 자화 방향 에 대한 자유 층 의 자화 방향 에 의해 기록 을 행하 는 자기 메모리 로서 , 고주파 발진 하 는 제 1 보조 소자 와 , 제 1 보조 소자 에 의한 고주파 전류 를 중첩 한 직류 펄스 전류 를 메모리 소자 의 막 면 에 수직 으로 자유 층 으로부터 고정층 의 방향 으로 흘리 는 수단 과 , 고주파 발진 하 는 제 2 보조 소자 와 , 제 2 보조 소자 에 의한 고주파 전류 를 중첩 한 직류 펄스 전류 를 메모리 소자 의 막 면 에 수직 으로 고정층 으로부터 자유 층 의 방향 으로 흘리 는 수단 을 갖 는다 . 제 1 보조 소자 와 제 2 보조 소자 는 자기 메모리 소자 를 사이 에 두 고 직렬 로 접속 되 어 있 다 .