도 8 b 에 도시 한 바 와 같이 , 전기 화학 적 입상 지르코늄 메조 구조 체의 재생 방법 및 인 의 회수 방법 을 구현 하 기 위한 장치 는 일정 거리 이격 되 어 배치 된 음 이온 교환 막 ( AEM ) 과 양이온 교환 막 ( CEM , Cation Exchange Membrane ) 이 구비 된다 . 상기 음 이온 교환 막 및 양 이온 교환 막 에 의해 제 1 , 제 2 및 제 3 반응 실 ( 210 ) ( 220 ) ( 230 ) 의 공간 이 정의 된다 . 구체 적 으로 , 음 이온 교환 막 의 왼쪽 이 제 1 반응 실 ( 210 ) , 음 이온 교환 막 과 양이온 교환 막 사이 가 제 2 반응 실 ( 220 ) , 양 이온 교환 막 의 오른쪽 이 제 3 반응 실 ( 230 ) 로 정의 된다 . 상기 제 1 반응 실 ( 210 ) 에 는 음극 ( -), 제 3 반응 실 ( 230 ) 에 는 양극 ( +) 이 구비 되 며 , 상기 제 1 반응 실 ( 210 ) 내 에 는 인 이 흡착 된 입상 지르코늄 메조 구조 체가 충 진 된다 . 여기 서 , 상기 입상 지르코늄 메조 구조 체 는 도 1 의 제조 방법 에 의해 제조 된 즉 , 아크릴아미드 를 이용 한 입상 지르코늄 메조 구조 체이 다 .