본 발명 의 일 실시 예 에 따르 면 , 상기 제 1 산화 공정 은 제 1 건 식 산화 공정 을 포함 할 수 있 으며 , 상기 제 1 질화 공정 은 열 질화 공정 을 포함 할 수 있 다 . 상기 제 1 건 식 산화 공정 및 열 질화 공정 에 있 어서 , 대 상체 ( 300 ) 가 로딩 된 공정 챔버 를 약 800 ∼ 1 , 000 ℃ 정도 의 상대 적 으로 높 은 제 1 온도 및 약 5 ∼ 10 Torr 정도 의 상대 적 으로 높 은 제 1 압력 으로 유지 한 후 , 상기 공정 챔버 내 로 산소 를 포함 하 는 제 1 반응 가스 및 질소 를 포함 하 는 제 2 반응 가스 를 1 . 0 : 0 . 1 ∼ 0 . 5 정도 의 유량 비 로 공급 할 수 있 다 . 도 24 에 화살표 로 도시 한 바 와 같이 , 상기 제 1 반응 가스 에 포함 된 산소 가 대 상체 ( 300 ) 에 포함 된 실리콘 과 반응 하 는 동시 에 상기 제 2 반응 가스 에 포함 된 질소 원자 들 이 대 상체 ( 300 ) 의 최초 의 표면 아래 로 축적 된다 . 따라서 도 25 에 도 시 한 바 와 같이 대 상체 ( 300 ) 상 에 예비 하부 질화 막 ( 310 ) 및 예비 하부 산화 막 ( 305 ) 이 동시 에 형성 된다 . 예비 하부 질화 막 ( 310 ) 과 예비 하부 산화 막 ( 305 ) 이 동시 에 형성 되 기 때문 에 예비 하부 산화 막 ( 305 ) 은 대 상체 ( 200 ) 의 최초 의 표면 으로부터 소정 의 깊이 로 형성 되 며 , 예비 하부 질화 막 ( 310 ) 은 예비 산화 막 ( 305 ) 아래 에 형성 된다 .