전술 한 목적 을 달성 하 기 위해 본 발명 에 따른 방사성 동위 원소 전지 는 실리콘 박막 에 액 셉 터 와 도너 가 주입 되 어 이루어진 핀 반도체 ; 방사선 을 방출 하 여 , 상기 핀 반도체 에 형성 된 공핍 층 과 진성 영역 에서 전자 와 정공 이 생성 되 도록 하 는 방사성 동위 원소 층 ; 및 상기 핀 반도체 와 상기 방사성 동위 원소 층 사이 에 형성 되 는 절연 층 을 포함 하 되 , 상기 공핍 층 이 상기 방사성 동위 원소 층 과 상기 핀 반도체 의 P 형 및 N 형 영역 사이 에 형성 되 는 것 을 특징 으로 하 는 방사성 동위 원소 전지 를 제공 한다 .