상기 발광 칩 ( 41 ) 은 제 1 금속 층 ( 11 ) 과 제 1 와이어 ( 51 ) 로 연결 되 고 , 제 2 금속 층 ( 13 ) 과 제 2 와이어 ( 53 ) 로 연결 될 수 있 다 . 여기 서 , 상기 발광 칩 ( 41 ) 은 80 ㎛ 의 두께 이상 으로 형성 될 수 있 으며 , 상기 와이어 ( 51 , 52 ) 중 어느 하나 의 고점 은 상기 발광 칩 ( 41 ) 의 상면 으로부터 40 ㎛ 이상 으로 높 게 형성 될 수 있 다 .