절연 층 들 ( 32 ) 및 희생 재료 층 들 ( 42 ) 의 두께 들 은 20 nm 내지 50 nm 범위 에 있 을 수 있 지만 , 각각 의 절연 층 ( 32 ) 및 각각 의 희생 재료 층 ( 42 ) 에 대해 더 작 은 두께 및 더 큰 두께 가 사용 될 수 있 다 . 절연 층 ( 32 ) 및 희생 재료 층 ( 예컨대 , 제 어 게이트 전극 또는 희생 재료 층 ) ( 42 ) 의 쌍 들 의 반복 수 는 2 내지 1 , 024 , 및 전형 적 으로 8 내지 256 범위 에 있 을 수 있 지만 , 더 많 은 반복수 가 또한 사용 될 수 있 다 . 스택 내 의 상부 및 저부 게이트 전극 들 은 선택 게이트 전극 들 로서 기능 할 수 있 다 . 일 실시 예 에서 , 교번 하 는 스택 ( 32 , 42 ) 내 의 각각 의 희생 재료 층 ( 42 ) 은 각자 의 희생 재료 층 ( 42 ) 각각 내 에서 실질 적 으로 불변 인 균일 한 두께 를 가질 수 있 다 .