다른 한편 으로 , 지문 인식 모듈 의 사용 과정 에서 , 압 전 층 ( 40 ) 상하 에 있 는 하부 전극 층 ( 30 ) 과 상부 전극 층 ( 50 ) 에 고정 주파수 전압 을 인가 하 면 , 압 전 변환기 가 진동 하 면서 초음파 가 발생 되 며 , 초음파 가 상부 로 전송 되 어 손가락 의 골 이나 융기 에 도달 할 때 , 음파 는 융기 의 표면 에 닿 은 후 일부 가 반사 되 고 일부 는 투사 되 며 , 골 중 공기 의 음향 인피 던스 가 융기 에 비해 훨씬 높 으므로 , 음파 가 골 에 닿 은 후 거의 전체 가 반사 된다 . 골 및 융기 로부터 반사 된 초음파 가 압 전 변환기 에 전송 될 경우 , 압 전 변환기 는 변형 되 며 , 압 전 층 ( 40 ) 양단 에서 상이 한 진폭 , 위상 또는 주파수 의 전압 이 발생 함 으로써 , 지문 정보 의 수집 이 구현 된다 . 따라서 , 캐비 티 ( 25 ) 에 희생 층 잔여 물질 이 형성 되 면 , 캐비 티 ( 25 ) 의 음향학 성능 이 설계 값 을 쉽 게 벗어나 파동 이 나타남 으로써 , 지문 인식 의 정밀도 를 감소 시킨다 .