먼저 , 제조 하 고자 하 는 광소자 가 발광 소자 인 경우 , 도 19 a 를 참조 하 면 , 예컨대 , n 형 도핑 층 ( 500 ) , 활성 층 ( 510 ) 및 p 형 도핑 층 ( 520 ) 을 순차 적 으로 적층 한 후 , p 형 도핑 층 ( 520 ) 의 상부 에 투명 전극 ( 530 ) 및 접촉 패드 ( 540 ) 를 순차 적 으로 적층 하 고 , n 형 도핑 층 ( 500 ) 의 하면 에 n 형 하부 전극 ( 550 ) 을 적층 함 으로써 형성 할 수 있 으며 , 이 에 국한 하 지 는 않 는다 .