도 3 c 를 참조 하 면 , 상기 활성 영역 ( 300 ) 상 에 형성 된 돌기 형 패턴 ( 308 ) 을 포함 한 반도체 기판 전면 상 에 게이트 절 연막 ( 310 ) 을 형성 한다 . 이어서 , 상기 게이트 절 연막 ( 310 ) 상 에 게이트 도전 막 ( 312 ) 을 형성 한 다음 , 상기 게이트 도전 막 ( 312 ) 및 게이트 절 연막 ( 310 ) 을 상기 층간 절 연막 ( 318 ) 이 노출 될 때 까지 CMP 하 여 평탄 화 시킨다 .