언급 한 바 와 같이 , 상대 적 으로 고온 인 상기 제 1 온도 에서 상기 제 1 선택 적 에피택시 얼 성장 을 수행 할 경우 에 는 획득 하 는 제 1 박막 ( 27 ) 의 품질 이 우수 하 다 . 즉 , 계면 특성 이 우수 한 제 1 박막 ( 27 ) 의 획득 이 가능 하 다 . 다만 , 상대 적 으로 고온 인 상기 제 1 온도 에서 상기 제 1 선택 적 에피택시 얼 성장 을 수행 하 면 깍 인 면 이 다소 발생 하 는 단점 이 있 다 .