본 실시 예 에 따른 박막 트랜지스터 는 상기 게이트 절연 층 ( 160 ) 을 포함 하 지 않 는 것 을 제외 하 면 도 12 의 박막 트랜지스터 와 실질 적 으로 동일 하 므로 , 중복 되 는 설명 은 생략 한다 . 본 실시 예 에 따른 박막 트랜지스터 의 제조 방법 은 상기 게이트 절연 층 ( 160 ) 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 지 않 는 것 을 제외 하 면 도 13 a 내지 도 13 k 의 박막 트랜지스터 와 실질 적 으로 동일 하 므로 , 중복 되 는 설명 은 생략 한다 .