일반 적 으로 화학 기상 증착 ( Chemical Vapor Deposition ; CVD ) 은 여러 가지 기판 상 에 다양 한 결정 막 을 성장 시키 는 데 주요 한 방법 으로 사용 되 고 있 으며 , ㅇ이는 액상 성 장법 에 비해 , 성장 시킨 결정 의 품질 이 뛰어나 지만 , 결정 의 성장 속도 가 상대 적 으로 느린 단점 이 있 다 . 이것 을 극복 하 기 위해 한 번 의 성장 싸이클 에서 여러 장 의 기판 상 에 동시 에 성장 을 실행 하 는 방법 이 널리 채택 되 고 있 다 .