원자 층 증착 공정 을 이용 하 여 , 200 ℃ 의 공정 온도 에서 제 1 박막 을 형성 하 기 위한 인듐 전구체 [ 1 , 1 , 1 - trimethyl - N -( trimethylsilyl ) silanaminato ] indium ( InCA - 1 ) 및 산소 전구체 hydrogen peroxide ( H 2 O 2 ) 을 제공 하 는 제 1 단위 공정 과 , 제 2 박막 을 형성 하 기 위한 아연 전구체 diethylzinc ( DEZ ) 및 상기 산소 전구체 hydrogen peroxide ( H 2 O 2 ) 를 제공 하 는 제 2 단위 공정 의 비율 을 달리 하 여 ( 3 : 1 , 2 : 1 , 1 : 1 , 1 : 2 , 1 : 3 ) 본 발명 의 제 1 내지 제 5 실시 예 에 따른 산화물 반도체 박막 들 을 제조 하 였 다 . 또한 , 상기 제 1 및 제 2 단위 공정 의 비율 이 1 : 1 인 경우 , 원자 층 증착 공정 의 온도 를 달리 하 여 ( 150 ℃, 175 ℃, 200 ℃, 및 225 ℃) 본 발명 의 제 6 , 제 7 , 제 3 및 제 8 실시 예 에 따른 산화물 반도체 박막 들 을 제조 하 였 다 .