도 2 에 도시 된 바 와 같이 , 동일 스트링 에 대해 동일 조건 으로 기입 동작 을 진행 하 는 경우 에 도 소스 선택 트랜지스터 와 인접 한 워드 라인 ( WL 0 ) 에 연결 된 메모리 셀 의 문턱 전압 은 다른 워드 라인 ( WL 1 ~ WL 30 ) 그룹 에 비해 상대 적 으로 높 은 문턱 전압 을 갖 고 , 워드 라인 ( WL 31 ) 에 연결 된 메모리 셀 의 문턱 전압 은 낮 은 문턱 전압 을 갖 는 것 을 알 수 있 다 .