한 실시 양태 에서 , 디바이스 는 발광 층 과 제 1 전극 사이 에 정공 수송 층 을 추가 로 포함 한다 . 한 실시 양태 에서 , 디바이스 는 발광 층 과 제 2 전극 사이 에 전자 수송 층 을 추가 로 포함 한다 . 한 실시 양태 에서 , 다층 유전 리플렉터 적층 체 는 제 1 금속 화합물 및 제 2 금속 화합물 의 교호 층 을 포함 한다 . 한 실시 양태 에서 , 제 1 금속 화합물 은 TiO 2 이 며 , 제 2 금속 화합물 은 MgF 2 이 다 . 한 실시 양태 에서 , TiO 2 및 MgF 2 의 교호 층 은 TiO 2 의 2 개 층 및 MgF 2 의 2 개 층 으로 이루어진다 . 한 실시 양태 에서 , 제 1 금속 화합물 의 층 중 적어도 하나 의 층 은 제 1 금속 화합물 의 층 중 적어도 하나 의 다른 층 과 는 상이 한 두께 를 갖 는다 .