이 제 1 레지스 트 패턴 ( 21 ) 의 박리 후 , 차광성 막 패턴 ( 22 ) 이 형성 된 마스크 블랭크 ( 20 ) 를 , 크롬 을 함유 하 는 재료 의 에칭 액 에 침지 하 고 , 차광성 막 패턴 ( 22 ) 을 마스크 로 하 여 반 투광 성막 ( 17 ) 을 웨트 에칭 하 여 , 반 투광 성막 패턴 ( 23 ) 을 형성 한다 ( 도 2 의 ( E ) ) . 이 들 차광성 막 패턴 ( 22 ) 및 반 투광 성막 패턴 ( 23 ) 에 의해 투광 부 ( 14 ) 가 형성 된다 .