본 발명 의 일 실시 예 에 있 어서 , 발광 소자 들 ( LD ) 각각 은 원 기둥 형상 을 가질 수 있 다 . 이러 한 경우 , 각 발광 소자 ( LD ) 는 원 기둥 의 하부 및 원 기둥 의 상부 중 어느 하나 에 대응 되 는 제 1 단부 ( EP 1 ) 와 상기 원 기둥 의 하부 및 상기 원 기둥 의 상부 중 나머지 에 대응 되 는 제 2 단부 ( EP 2 ) 를 포함 할 수 있 다 . 각 발광 소자 ( LD ) 의 제 1 단부 ( EP 1 ) 에 는 제 1 도전 성 반도체 층 ( 11 ) 및 제 2 도전 성 반도체 층 ( 13 ) 중 어느 하나 가 배치 될 수 있 고 , 그 의 제 2 단부 ( EP 2 ) 에 는 제 1 도전 성 반도체 층 ( 11 ) 및 제 2 도전 성 반도체 층 ( 13 ) 중 나머지 하나 가 배치 될 수 있 다 .