전술 한 바 와 같이 , 본 명세서 에 설명 된 실시 예 에 따른 위상 변화 메모리 셀 구조 는 여러 장점 을 제공 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 자 가 정렬 된 히터 ( 414 - 1 , 414 - 2 ) 는 메모리 셀 의 활성 영역 ( 420 - 1 , 420 - 2 ) 으로 국부 화 된 열 을 제공 할 수 있 으며 , 이 는 활성 영역 내 에서 구조 적 위상 전이 를 야기 하 는 데 필요 한 전류 를 감소 시킬 수 있 다 . 전류 를 감소 시키 는 것 은 메모리 디바이스 와 연관 된 전력 소비 를 감소 시킬 수 있 고 , 메모리 디바이스 의 장기간 신뢰 성 및 / 또는 보존 성 을 개선 시킬 수 있 다 . 접착 절연체 물질 ( 412 - 1 , 412 - 2 ) 은 이전 의 접근 법 에 비해 위상 변화 물질 ( 416 - 1 , 416 - 2 ) 과 하부 기판 사이 에 접착력 을 개선 시킬 수 있 다 . 또한 , 자 가 정렬 된 히터 ( 414 - 1 / 414 - 2 ) 를 형성 하 도록 가열 공정 을 통해 절연체 물질 ( 412 - 1 / 412 - 2 ) 의 일부 를 변성 시키 는 것 은 제조 공정 의 복잡 성 을 증가 시킴 이 없이 여러 장점 을 제공 할 수 있 다 .