여기 에서 , 본 발명 의 레지스 트 패턴 형성 방법 에 있 어서 , 상기 포스트 현상 베 이크 의 온도 가 400 ℃ 이하 인 것 이 바람직 하 다 . 포스트 현상 베 이크 의 온도 가 400 ℃ 이하 이 면 , 얻 어 지 는 레지스 트 패턴 의 잔류 수분 을 충분히 저감 하 는 동시 에 , 당해 레지스 트 패턴 의 열 수축 을 억제 하 여 , 그 단면 에 양호 한 역 테이퍼 형상 을 유지 시킬 수 있 다 .