일 실시 예 에 따르 면 , LaTiO 3 의 경우 적 은 도핑 량인 약 3 . 5 % 의 홀 ( hole ) 도핑 을 통하 여 절연체 에서 금속 으로 전이 가 가능 하 고 , 도핑 량 이 적 기 때문 에 이러 한 도핑 에 따른 상 ( phase ) 의 변화 가 미미 하 다 . 또한 0 eV 광자 에너지 ( photon energy ) 영역 에서 광학 전도성 ( optical conductivity ) 의 증가 를 통해 LaTiO 3 내 의 밴드 갭 이 감소 하 며 이 는 전계 를 통해 산소 이온 이동의 조절 이 가능 하 다는 것 을 의미 한다 . 이것 을 통해 LaTiO 3 가 모트 메모리 ( mott memory ) 소자 로 적용 하 기 위한 밴드 갭 조절 이 용이 함 을 알 수 있 다 .