탄소 의 분석법 은 다수 존재 하 지만 , 본 발명 에 따른 스 페이서 표면 에 설치 된 탄소막 을 분석 하 는 데 에 는 , XPS ( X 선 광전자 분광 분석법 ) 가 최적 이 다 . 그 이유 는 , 표면 으로부터 10 nm 정도 까지 의 깊이 정보 를 얻 을 수 있 다는 것 과 , 결합 상태 를 분리 할 수 있 는 것 으로 탄소 상태 를 추측 할 수 있 는 것 과 , 미량 ( 막 두께 환산 으로 3 nm 이 하 정도 ) 의 탄소 를 변질 시키 는 일 없이 측정 할 수 있 다는 것 등 에 의한다 .