이상 에서 설명 한 바 와 같이 본 발명 에 따른 반도체 소자 의 제조 방법 과 그 에 사용 되 는 노광 장치 는 일반 적 인 이 머 젼 리소그래피 방식 의 노광 방법 과 장치 에 비해 이 머 젼 부 의 이 머 젼 액 과 웨이퍼 상 에 도포 된 감광막 과 의 접합 력 을 효과 적 으로 줄임 으로써 , 스캔 속도 를 높여 생산 성 의 향상 효과 를 얻 을 수 있 다 .