일부 실시 예 에서 , 상호 접속 구조 는 임의 의 적절 한 공지 된 MEOL ( mid - end - of - line ) 방법 을 사용 하 여 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 상호 접속 구조 를 형성 하 기 위한 제조 공정 은 유전체 층 에 개구 를 형성 한 후 개구 를 전도성 재료 로 충 진하 는 것 을 포함 할 수 있 다 . 유전체 층 의 개구 는 ALD , CVD , PVD , 임의 의 다른 적절 한 공정 , 또는 이 들 의 임의 의 조합 에 의해 전도성 재료 로 충 진 될 수 있 다 . 또한 , 상호 접속 구조 를 형성 하 기 위한 제조 공정 은 유전체 층 내 에 하나 이상 의 전도체 층 및 하나 이상 의 접촉 층 을 형성 하 는 것 을 포함 할 수 있 다 . 전도체 층 및 접촉 층 은 CVD , PVD , ALD , 전기 도금 , 무전 해 도금 , 또는 이 들 의 임의 의 조합 을 포함 하 지만 이 에 제한 되 지 않 는 하나 이상 의 박막 증착 공정 에 의해 증착 된 전도체 재료 를 포함 할 수 있 다 . 전도체 층 및 접촉 층 을 형성 하 기 위한 제조 공정 은 포토 리소그래피 , CMP , 습식 / 건식 에칭 또는 이 들 의 임의 의 조합 을 포함 할 수 있 다 .