최근 , LSI 의 고집 적 화 와 고속도화 에 따라 , 패턴 룰 의 미세화 가 요구 되 고 있 는 가운데 , 차세대 미세 가공 기술 로서 원자외선 리소그래피 및 진공 자외선 리소그래피 가 유망 하 다고 여겨 지 고 있 다 . 그 중 에서 도 ArF 엑 시머 레이저 광 을 광원 으로 한 포토 리소그래피 는 0 . 13 ㎛ 이하 의 초미세 가공 에 불가결 한 기술 이 다 .