기판 ( 3600 ) 으로서 는 유리 기판 을 , 절연 층 ( 3602 ) 으로서 는 산화 실리콘 막 을 , 산화물 반도체 층 ( 3606 ) 으로서 는 In - Sn - Zn - O 막 을 , 한 쌍 의 전극 ( 3614 ) 으로서 는 텅스텐 막 을 , 게이트 절연 층 ( 3608 ) 으로서 는 산화 실리콘 막 을 , 게이트 전극 ( 3610 ) 으로서 는 질화 탄 탈막 과 텅스텐 막 의 적층 구조 를 , 층간 절 연막 ( 3616 ) 으로서 는 산화 질화 실리콘 막 과 폴리 이미드 막 의 적층 구조 를 , 배선 ( 3618 ) 으로서 는 티타늄 막 , 알루미늄 막 , 티타늄 막 이 이 순 으로 형성 된 적층 구조 를 , 보호막 ( 3620 ) 으로서 는 폴리 이미드 막 을 , 각각 사용 했 다 .