정공 주입 층 ( 111 ) 에 는 유기 억셉터 재료 ( 전자 수용성 재료 ) 및 정공 수송 성 재료 를 사용 할 수 있 다 . 이 경우 의 유기 억셉터 재료 는 정공 수송 성 재료 에 대하 여 전자 수용성 을 나타내 는 물질 이 다 . 구체 적 으로 는 몰리브데넘 산화물 이나 바나듐 산화물 , 루테늄 산화물 , 텅스텐 산화물 , 망가니즈 산화물 등 의 전이 금속 산화물 을 들 수 있 다 . 그 외 에 프탈 로 사이아닌 ( 약칭 : H 2 Pc ) 이나 , 구리 프탈 로 사이아닌 ( 약칭 : CuPc ) 등 의 프탈 로 사이아닌 계 화합물 , 또한 저 분자 화합물 뿐 만 아니 라 고분자 화합물 등 도 사용 할 수 있 다 . 또한 정공 수송 성 재료 로서 는 HOMO 가 깊 은 재료 가 바람직 하 고 , 구체 적 으로 는 HOMO 준위 가 - 5 . 7 eV 이상 - 5 . 4 eV 이하 로 , 비교 적 깊 은 HOMO 준위 를 가지 는 물질 인 것 이 바람직 하 다 . 이 와 같이 정공 수송 성 재료 가 비교 적 깊 은 HOMO 준위 를 가짐 으로써 , 정공 수송 층 ( 112 ) 에 정공 을 주입 하 기 쉬워진다 .