실시 예 1 의 박막 형성 공정 에서 는 , 처리 가스 로서 SiH 2 Cl 2 ( DCS ) 가스 및 NH 3 가스 를 이용 하 여 , 상술 한 실시 형태 와 동일 한 방법 , 조건 으로 질화 실리콘 막 을 형성 했 다 . 1 회 의 박막 형성 공정 에서 성막 하 는 질화 실리콘 막 의 막 두께 는 500 Å 으로 했 다 . 그리고 , 이러 한 박막 형성 공정 을 16 회 실시 한 후 에 ( 누적 막 두께 8000 Å 마다 ) , 클리닝 ( 박막 의 에칭 , 트리트 먼 트 ) 공정 을 실시 했 다 . 한편 , 16 회 의 박막 형성 공정 의 완료 후 [ 처리 후 의 웨이퍼 ( 200 ) 를 반출 했 을 때 ] 의 처리 실 ( 201 ) 의 온도 는 650 ℃ 이 고 , 처리 실 ( 201 ) 내 의 압력 은 대기압 으로 했 다 .