도 3 a 및 3 b 는 예시 적 인 반도체 디바이스 ( 100 ) 를 제조 하 기 위한 예시 적 인 방법 의 사시도 및 단면도 를 도시 한다 . 도 3 a 및 도 3 b 에 도시 된 예 에서 , 전자 컴 포 넨 트 ( 120 ) 가 캐리어 ( 101 ) 에 구비 된 도전 층 ( 103 ) 에 접착 될 수 있 다 . 일부 예 들 에서 , 전자 컴 포 넨 트 ( 130 ) 는 행 및 / 또는 열 을 갖 는 매트릭스 형태 로 도전 층 ( 103 ) 위 에 배열 및 접착 될 수 있 다 . 일부 예 들 에서 , 전자 컴 포 넨 트 ( 120 ) 는 접착제 , 접착 필름 또는 접착 테이프 를 통해 도전 층 ( 103 ) 에 접착 될 수 있 다 . 전자 컴 포 넨 트 ( 120 ) 는 상면 과 , 상면 의 반 대면 인 하면 과 , 상면 과 하면 을 연결 하 는 측면 을 포함 할 수 있 다 . 일부 예 들 에서 , 상면 은 액티브 영역 을 가질 수 있 고 , 하 면은 난 액티브 영역 을 가질 수 있 다 . 전자 컴 포 넨 트 ( 120 ) 의 하 면 이 캐리어 ( 101 ) 의 도전 층 ( 103 ) 에 접착 될 수 있 다 . 전자 컴 포 넨 트 ( 120 ) 의 상면 은 적어도 하나 의 터미널 ( 121 ) 을 포함 할 수 있 다 . 일부 예 들 에서 , 터미널 ( 121 ) 은 다 이 패드 , 본드 패드 , 또는 솔 더 범프 , 또는 필라 범프 로 지칭 될 수 있 다 . 터미널 ( 121 ) 의 폭 은 대략 2 ㎛ 내지 대략 80 ㎛ 일 수 있 다 . 전자 컴 포 넨 트 ( 120 ) 는 반도체 다이 또는 반도체 칩 으로 지칭 될 수 있 다 . 일부 예 들 에서 , 전자 컴 포 넨 트 ( 120 ) 의 액티브 영역 은 전자 컴 포 넨 트 ( 130 ) 로부터 수신 된 전기 신호 를 처리 하 기 위한 처리 회로 를 포함 할 수 있 다 . 일부 예 들 에서 , 전자 컴 포 넨 트 ( 120 ) 의 액티브 영역 은 주문 형 집 적 회로 , 로직 다이 , 마이크 로 컨트롤 유닛 , 메모리 , 디지털 신호 프로세서 , 아날로그 디지털 컨버터 , 네트워크 프로세서 , 파워 매니지먼트 유닛 , 오디오 프로세서 , RF 회로 또는 와이어리스 베이스 밴드 시스템 온 칩 프로세서 중 에서 적어도 하나 를 포함 할 수 있 다 . 전자 컴 포 넨 트 ( 120 ) 의 두께 는 대략 50 ㎛ 내지 대략 200 ㎛ 일 수 있 다 .