특허 문헌 4 에 기재 된 종래 기술 에 있 어서 는 , 마이크로파 등 을 이용 하 여 기판 상 의 도전 성막 이나 절연 성막 의 막 두께 를 측정 하 도록 하 고 있 다 . 그러나 , 본 발명 은 , 이 특허 문헌 4 에 기재 된 종래 기술 과 는 이하 의 점 에서 분명 하 게 다르 다 . 특허 문헌 4 에 기재 된 종래 기술 은 , 도전 성막 에 대하 여 막 두께 를 측정 을 하 거나 , 또는 측정 할 수 있 는 것 은 아니 다 . 도전 성막 이 존재 하 는 경우 와 그것 을 제거 한 경우 의 분명 하 게 다른 파형 변화 를 이용 하 고 있 는 것 이 다 . 따라서 , 도전 성막 이 제거 되 었 을 경우 를 종점 으로 한 경우 , 그 종점 부분 을 검출 하 는 것 이 다 . 또한 , 이 특허 문헌 4 에 기재 된 마이크로파 는 마이크로파 라고 기재 되 어 있 을 뿐 , 구체 적 인 주파수 를 개시 하 고 있 지 않 다 . 마이크로파 의 특성 이 이용 되 고 있 는지 여부 는 확실 하 지 않 고 , 일반 적 인 광 을 포함 하 는 전자파 와 비교 하 여 어떠 한 특징 을 이용 하 고 , 어떠 한 구성 으로 측정 하 는 지와 같 은 구체 적 인 개시 는 아무것 도 없 다 . 게다가 , 마이크로파 의 반사 라고 하 는 것 이 , 무엇 으로 인하 여 반사 라고 정의 하 고 있 는지 도 확실 하 지 않 다 . 예 를 들 면 , 마이크로파 를 통하 는 고주파 전송 선로 의 형성 이나 그 고주파 전송 선로 의 형성 에 있 어서 , 웨이퍼 상 의 도전 성막 의 유무 에 따라 , 특성 임피던스 ( impedance ) 가 변화 함 으로써 , 투과 반사 의 상황 이 바뀌 는 것 등 을 시사 하 는 개시 는 아무것 도 없 다 . 그 방법 의 하나 로서 본 발명 이 나타내 는 바 와 같 은 웨이퍼 에 따른 고주파 전송 선로 로서 마이크 로 스트립 라인 ( microstrip line ) 을 형성 하 고 , 그 마이크 로 스트립 라인 을 통하 여 빠져나가 는 전자파 를 투과 라고 하 고 , 그 고주파 전송 선로 에 들어가 는 일 없이 , 임피던스 정합 의 점 에서 , 정합 이 되 지 않 고 반사 되 는 전자파 를 반사 라고 정의 한 방법 이나 그 외 , 송신 과 수신 의 안테나 를 준비 하 여 그 사이 의 신호 강도 로 평가 하 는 방법 등 과 같 은 개시 는 어떠 한 것 도 눈 에 띄 지 않 는다 . 따라서 , 이것 은 , 마이크로파 라고 는 기재 되 어 있 지만 , 일반 적 인 광 을 포함 하 는 전자파 라고 이해 해도 지장 이 없 다 . 또한 , 본 발명 에서 는 , 표피 깊이 를 초과 하 여 막 두께 측정 을 하 는 것 은 아니 고 , 도전 성막 과 비 도전 성 막 은 전자파 의 투과 · 반사 등 의 특성 이 크 게 변화 하 는 것 을 이용 하 여 , 웨이퍼 상 의 도전 성막 이 제거 되 는 전후 상태 를 정밀 도 좋 게 검지 하 도록 한 것 으로 , 구성 · 작용 · 효과 상 에서 이 종래 기술 과 는 완전히 다르 다 .