또한 , 기판 에 전도 층 을 형성 하 는 단계 ( S 12 ) 는 원자 현미경 ( Atomic Force Microscopy , AFM ) 을 이용 하 여 화학 기상 증착 법 ( Chemical Vapor Deposition , CVD ) 으로 합성 한 상기 전도 층 의 층수 를 확인 할 수 있 다 . 쇼트 키 배리 어 높이 ( Schottky Barrier Height , SBH ) 의 값 은 상기 전도 층 의 층수 에 따라 변화 하 고 , 전도 층 의 층수 를 기반 으로 상기 가스 에 대한 반응도 를 측정 할 수 있 다 . 반응도 는 상기 전도 층 이 2 층 이상일 경우 에 반응 하 며 , 층수 가 낮 을수록 상기 반응도 가 증가 할 수 있 다 . 전도 층 의 합성 방법 은 화학 기상 증착 법 에 한정 되 지 않 으며 , 물리 기상 증착 법 ( Physical Vapor Deposition , PVD ) 등 박막 공정 과정 에 의해 합성 될 수 있 다 .