희생 게이트 구조물 들 ( 170 ) 은 , 후속 공정 을 통해 도 2 와 같이 , 채널 구조물 들 ( 140 ) 의 상부 에서 게이트 유전 층 ( 162 ) 및 게이트 전극 ( 165 ) 이 배치 되 는 영역 에 형성 되 는 희생 구조물 일 수 있 다 . 희생 게이트 구조물 ( 170 ) 은 순차 적 으로 적층 되 는 제 1 및 제 2 희생 게이트 층 들 ( 172 , 175 ) , 및 게이트 마스크 패턴 층 ( 176 ) 을 포함 할 수 있 다 . 제 1 및 제 2 희생 게이트 층 들 ( 172 , 175 ) 은 게이트 마스크 패턴 층 ( 176 ) 을 이용 하 여 패 터닝 될 수 있 다 . 제 1 및 제 2 희생 게이트 층 들 ( 172 , 175 ) 은 각각 절연 층 및 도전 층 일 수 있 으나 , 이 에 한정 되 지 는 않 으며 , 제 1 및 제 2 희생 게이트 층 들 ( 172 , 175 ) 이 하나 의 층 으로 이루어질 수 도 있 다 . 예 를 들 어 , 제 1 희생 게이트 층 ( 172 ) 은 실리콘 산화물 을 포함 하 고 , 제 2 희생 게이트 층 ( 175 ) 은 폴리 실리콘 을 포함 할 수 있 다 . 게이트 마스크 패턴 층 ( 176 ) 은 실리콘 산화물 및 / 또는 실리콘 질화물 을 포함 할 수 있 다 . 희생 게이트 구조물 들 ( 170 ) 은 상기 활성 구조물 들 과 교차 하 여 일 방향 으로 연장 되 는 라인 형태 를 가질 수 있 다 . 희생 게이트 구조물 들 ( 170 ) 은 예 를 들 어 , y 방향 으로 연장 되 며 , x 방향 에서 서로 이격 되 어 배치 될 수 있 다 .