도 7 은 본 발명 의 또 다른 실시 예 에 따른 비휘발성 디램 소자 의 입체 도 이 다 . 도면 에 도시 된 바 와 같이 본 발명 의 또 다른 실시 예 에 따른 비휘발성 디램 소자 는 전술 한 도 5 의 비휘발성 디램 소자 와 비교 해 볼 때 부유 바디 셀 ( 702 ) 의 두께 가 채널 의 최대 공핍 폭 보다 작 고 ( FD SOI 구조 ) , 부유 바디 셀 ( 702 ) 의 상부 가 아닌 일 측 부 에 게이트 구 조체 ( 705 , 706 , 707 , 708 a ) 가 형성 되 며 , 타 측 부 에 백 게이트 ( 708 b ) 가 형성 된 구조 이 다 . 이러 한 구조 도 전술 한 도 5 의 비휘발성 디램 소자 와 같이 , 백 게이트 ( 708 b ) 에 의한 홀 의 축적 / 축출 을 통한 디램 모드 동작 과 비휘발성 게이트 구 조체 에 주입 / 소거 되 는 전자 를 통한 비휘발성 메모리 모드 동작 이 가능 하 다 .