본 발명 의 제 4 특징 은 , 표면 에 절 연막 이 형성 된 기판 을 처리 하 는 처리 실과 , 상기 처리 실 내 에 실리콘 계 가스 를 공급 하 는 실리콘 가스 공급계 와 , 상기 처리 실 내 에 도 펀트 가스 를 공급 하 는 도 펀트 가스 공급계 와 , 상기 처리 실 내 를 배기 하 는 배 기계 와 , 상기 처리 실 내 의 상기 기판 을 가열 하 는 히터 와 , 상기 처리 실 내 에 실리콘 계 가스 를 공급 하 여 상기 기판 의 표면 에 형성 된 상기 절 연막 상 에 아일랜드 상 의 실리콘 입자 를 형성 하 는 처리 를 하 도록 제어 함 과 동시 에 , 상기 실리콘 계 가스 를 공급 하 기 전 및 / 또는 상기 실리콘 계 가스 를 공급 할 때 , 상기 처리 실 내 에 도 펀트 가스 를 흘리 도록 제어 하 는 컨트롤러 를 갖 는 기판 처리 장치 에 있 다 .