한편 , 제 1 활성 층 ( 350 ) 과 제 1 산화물 층 ( 370 ) 은 서로 동일 한 산화물 반도체 를 갖 더라도 부분 적 으로 다른 조성 비 를 가질 수 있 다 . 제 1 활성 층 ( 350 ) 상 에 제 1 산화물 층 ( 370 ) 이 배치 됨 에 따라 제 1 활성 층 ( 350 ) 에 는 제 1 산화물 층 ( 370 ) 의 과잉 산소 ( O ) 가 주입 되 고 , 산소 결함 영역 ( Vo ) 에 존재 하 던 수소 ( H ) 가 배출 될 수 있 다 . 이 에 따라 , 일 실시 예 에 따르 면 , 구동 트랜지스터 ( DRT ) 의 제 1 활성 층 ( 350 ) 은 제 1 산화물 층 ( 370 ) 보다 높 은 산소 함량 을 가질 수 있 고 , 제 1 산화물 층 ( 370 ) 은 제 1 활성 층 ( 350 ) 보다 높 은 수소 함량 을 가질 수 있 다 . 다만 이 에 제한 되 지 않 는다 . 제 1 반도체 층 과 제 2 반도체 층 이 서로 다른 산화물 반도체 를 갖 는 경우 , 제 1 활성 층 ( 350 ) 과 제 1 산화물 층 ( 370 ) 은 서로 다른 조성 비 를 가질 수 있 으므로 , 제 1 산화물 층 ( 370 ) 의 산소 함량 이 더 많 을 수 도 있 다 .