SOI 영역 과 벌크 영역 의 양방 에 대한 소자 형성 의 용이 함 이나 , 그 가공 정밀도 의 향상 을 가능 하 게 한 반도체 장치 의 제조 방법 및 반도체 장치 를 제공 한다 . SOI 영역 의 Si 기판 ( 1 ) 을 에칭 하 여 오목 부를 형성 하 는 공정 과 , SOI 영역 의 Si 기판 ( 1 ) 위 에 SiGe 층 ( 11 ) 및 Si 층 ( 13 ) 을 순차 적 으로 형성 하 여 오목 부를 매립 하 는 공정 과 , Si 층 ( 13 ) 과 SiGe 층 ( 11 ) 을 부분 적 으로 에칭 하 여 , SOI 영역 의 SiGe 층 ( 11 ) 의 측면 을 노출 시키 는 홈 을 형성 하 는 공정 과 , 이 홈 을 통하 여 SiGe 층 ( 11 ) 을 선택 적 으로 에칭 함 으로써 , SOI 영역 의 Si 기판 ( 1 ) 과 Si 층 ( 13 ) 사이 에 공동 부 를 형성 하 는 공정 과 , 공동 부 내 에 BOX 층 을 형성 하 는 공정 을 포함 하 고 , 오 목부 를 형성 하 는 공정 에서 는 , 오 목부 의 깊이 가 SiGe 층 ( 11 ) 및 Si 층 ( 13 ) 의 막 두께 의 합계 값 과 동일 한 크기 로 되 도록 Si 기판 ( 1 ) 을 에칭 한다 .