즉 , 상기 제 1 폭 ( a ) 을 상기 제 2 폭 ( b ) 보다 좁 은 폭 으로 형성 함 으로써 빛 의 회절 에 의한 영향 을 감소 시킨다 . 이 에 따라 , 본 발명 의 제 3 실시 예 에 따른 마스크 를 이용 하 여 사진 공정 을 수행 할 경우 , 제 1 개 구 영역 ( A 1 ) 에 대응 하 는 포토레지스트 막 과 상기 제 2 개 구 영역 ( A 2 ) 에 대응 하 는 포토레지스트 막 을 동일 한 폭 및 두께 로 잔류 시킬 수 있 다 .