제 14 실시 예 인 무선 IC 디바이스 는 , 도 28 ( A ) 의 등가 회로 에 나타내 는 바 와 같이 , 서로 반대 방향 으로 감긴 나선형 상 으로 형성 된 인덕턴스 소자 ( L 1 , L 2 ) 를 직렬 로 접속 한 급전 회로 ( 200 ) 를 구비 하 고 , 인덕턴스 성분 ( L 10 ) 을 가지 는 루프 형상 전극 으로 구성 한 방사 판 ( 212 ) 의 양 단부 에 형성 한 나선 형상 의 인덕턴스 성분 ( L 11 , L 12 ) 을 상기 인덕턴스 소자 ( L 1 , L 2 ) 와 전자계 결합 시킨 것 이 다 . 또한 , 급전 회로 ( 200 ) 의 양 끝 에 는 상기 무선 IC 칩 ( 10 ) 의 입력 단자 전극 및 출력 단자 전극 에 접속 되 는 급전 단자 전극 ( 201 a , 201 b ) 이 형성 되 어 있 다 .