도 17 및 도 18 을 참조 하 면 , 채널 구조물 ( C 140 C ) 의 바닥 부 는 제 1 반도체 층 ( 174 ) 및 제 2 반도체 층 ( 176 ) 에 의해 둘러싸 일 수 있 다 . 제 1 반도체 층 ( 174 ) 은 불순물 이 도핑 된 폴리 실리콘 또는 도핑 되 지 않 은 폴리 실리콘 을 포함 할 수 있 고 , 제 2 반도체 층 ( 176 ) 은 불순물 이 도핑 된 폴리 실리콘 또는 도핑 되 지 않 은 폴리 실리콘 을 포함 할 수 있 다 . 제 1 반도체 층 ( 174 ) 은 공통 소스 라인 연장 영역 ( common source line extension region ) 으로 작용 하 며 , 도 1 의 공통 소스 라인 ( CSL ) 에 대응 되 는 일부분 일 수 있 다 . 제 2 반도체 층 ( 176 ) 은 제 1 반도체 층 ( 174 ) 형성 을 위한 희생 층 의 제거 공정 에서 몰드 스택 의 무너짐 또는 쓰러짐 을 방지 하 기 위한 지지층 으로 작용 할 수 있 다 .