다음 으로 , 도 3 b 를 참조 하 면 , 측벽 산화 막 ( 22 ) 의 형성 및 질소 이온 주입 을 수행 한 후 , 제 1 전극 ( 16 ) 이 형성 되 지 않 은 나머지 영역 에 잔존 하 는 전하 저장 층 ( 14 ) 을 스트립 한다 . 그리고 전하 저장 층 ( 14 ) 이 제거 된 기판 ( 10 ) 의 활성 영역 에 게이트 산화 막 ( 24 ) 를 형성 한다 . 이때 , 게이트 산화 막 ( 24 ) 을 형성 하 기 위한 실리콘 산화 공정 동안 에 , 제 1 전극 ( 16 ) 에 형성 된 측벽 산화 막 ( 22 ) 은 미리 주입 된 질소 로 인해 더 이상 성장 하 지 않 으며 , 특히 영역 B 에서 버즈 비크 가 형성 되 는 것 이 억제 될 수 있 다 .