상기 절연 층 ( 111 , 111 ') 은 도 5 a 에 도시 된 바 와 같이 , 웨이퍼 ( 110 ) 상 에 폴리 실리콘 층 을 새로이 형성 하 거나 도핑 에 의해 단결정 실리콘 웨이퍼 의 표면 을 다 결정 실리콘 층 을 형성 함 으로써 가능 하 다 . 상기 절연 층 ( 111 , 111 ') 은 발열 층 ( 112 , 112 ') 에서 발생 된 열 이 기판 ( 110 a , 110 a ') 으로 손실 되 는 것 을 어느 정도 방지 할 수 있 는 열저장 층 일 수 있 다 .