상기 제 2 전극 ( 420 ) 은 제 2 반도체 층 ( 400 ) 상 에 형성 되 어 외부 전원 을 질화물 반도체 층 으로 인가 하 는 금속 층 으로서 , 본 발명 에서 는 오 믹 형성 전 도막 과 투명 전도성 산화 막 을 포함 한다 . 본 발명 의 발광 소자 에서 빛 은 제 2 반도체 층 ( 400 ) 을 향하 는 상향 으로 방출 된다 . 이때 , 활성 층 ( 300 ) 에서 제 2 반도체 층 ( 400 ) 으로 방출 되 는 빛 과 제 1 반도체 층 ( 200 ) 으로 방출 된 빛 이 하부 의 반사막 ( 100 a ) 에 의해 상부 로 반사 되 어 및 이 제 2 전극 ( 420 ) 을 투과 하 여 외부 로 방출 된다 . 따라서 , 제 2 전극 ( 420 ) 은 빛 이 투과 될 수 있 도록 투명 해야 된다 . 즉 , 상기 제 2 전극 ( 420 ) 은 투명 한 오 믹 형성 전도 막인 제 1 막 층 ( 420 a ) 과 , 상기 제 1 막 층 ( 420 a ) 상 에 형성 된 투명 전도성 산화 막인 제 2 막 층 ( 420 b ) 을 포함 하 는 다층 구조 로 광 투과율 을 높이 고 발광 소자 의 구동 전압 을 낮춤 으로써 , 고 효율 의 발광 소자 를 제공 하 고자 한다 .