상기 게이트 라인 ( 511 ) , 상기 게이트 전극 ( 511 a ) 및 상기 공통 라인 ( 515 a ) 및 공통 전극 ( 515 ) 은 상기 광학 보상 평탄 화 층 ( 503 ) 에 접하 여 형성 되 며 , 상기 게이트 라인 ( 511 ) 과 상기 게이트 전극 ( 511 a ) 을 포함 한 상기 광학 보상 평탄 화 층 ( 503 ) 전면 에 는 게이트 절 연막 ( 504 ) 이 형성 되 고 , 상기 게이트 전극 ( 511 a ) 의 상부 에 대응 되 는 상기 게이트 절 연막 ( 504 ) 상 에 는 반도체 층 ( 514 ) 이 형성 되 고 , 상기 반도체 층 ( 514 ) 의 상부 양측 에 는 소오 스 전극 ( 512 a ) 과 드레 인 전극 ( 512 b ) 이 형성 된다 . 또한 , 상기 소오 스 전극 ( 512 a ) 과 연결 되 며 동일 층 에 상기 게이트 라인 ( 511 ) 과 교차 하 는 방향 의 데이터 라인 ( 512 ) 이 형성 되 고 , 상기 반도체 층 ( 514 ) 과 , 소오 스 전극 ( 512 a ) 과 , 드레 인 전극 ( 512 b ) 및 데이터 라인 ( 512 ) 을 포함 한 상기 게이트 절 연막 ( 504 ) 전면 에 보호막 ( 505 ) 이 형성 되 며 , 상기 보호막 ( 505 ) 상부 의 상기 화소 영역 에 는 상기 공통 전극 ( 515 ) 과 교번 하 는 형상 의 화소 전극 ( 513 ) 이 형성 된다 . 한편 , 상기 보호막 ( 505 ) 중 상기 드레 인 전극 ( 512 b ) 상부 소정 부위 에 대응 되 어 보호막 홀 이 형성 되 며 , 상기 보호막 홀 을 통해 상기 화소 전극 ( 513 ) 이 상기 드레 인 전극 ( 512 b ) 과 전기 적 으로 연결 된다 .