반도체 장치 의 동작 방법 은 , 상기 출력 단의 상기 적어도 하나 의 제어 가능 반도체 소자 중 적어도 하나 의 제어 가능 반도체 소자 를 스위치 온 하 는 단계 를 포함 하 며 , 여기 서 , 상기 제 1 유도 성 소자 는 상기 적어도 하나 의 제어 가능 반도체 소자 의 스위치 온 동작 동안 충전 되 고 , 상기 스위치 온 동작 동안 상기 제 1 유도 성 소자 에 저장 된 에너지 는 , 상기 스위치 온 동작 이 완료 되 면 상기 제 1 다이오드 소자 를 통해 상기 제 1 용량 성 소자 로 정류 된다 . 이 방법 은 , 상기 출력 단의 상기 적어도 하나 의 제어 가능 반도체 소자 중 상기 적어도 하나 의 제어 가능 반도체 소자 를 스위치 오프 하 는 단계 를 포함 하 되 , 제 1 제어 가능 반도체 소자 는 적어도 하나 의 제어 가능 반도체 소자 의 동작 을 스위치 온 하 는 동안 차단 상태 로 된다 .