이 어 도 3 c 와 같이 플 라즈 마 강화 화학 기상 증착 법 ( PECVD ) 으로 제 1 배향 막 ( 171 ) 을 형성 하 여 제 1 기판 ( 100 ) 을 완성 한다 . 증착 에서 는 , 이 에 한정 하 지 는 않 으나 , 실리콘 소스 가스 로 는 모노 실란 ( SiH 4 ) 를 사용 하 고 산소 소스 가스 로 는 아산화 질소 ( N 2 O ) 를 사용 한다 .