포트 리소그래피 기술 을 사용 하 여 반도체 디바이스 를 제조 하 기 위해 투영 노광 장치 가 종래 부터 사용 되 고 있 다 . 투영 노광 장치 는 레티 클 ( 마스크 ) 에 형성 된 회로 패턴 을 , 예 를 들 면 , 투영 광학계 에 의해 웨이퍼 에 투영 해서 전사 한다 . 최근 의 반도체 디바이스 의 미세화 에 수반 해서 , 웨이퍼 에 전사 되 는 패턴 의 선폭 균일성 의 요구 가 엄격 해 지 고 있 다 . 이 때문 에 , 종래 는 무시 할 수 있 었 던 , 투영 광학계 에 의해 발생 되 는 플레어 ( flare ) 에 의한 선폭 균일성 의 열화 가 문제 가 되 고 있 다 . 여기 서 , 플레어 란 , 레티 클 의 패턴 의 결상 에 악영향 을 주 는 미광 ( 迷 光 ) ( 예 를 들 면 , 각종 장소 에서 다중 반사 후 의 웨이퍼 에 도달 하 는 광 ) 이 다 .