구체 적 으로 , 도 4 a 및 도 4 b 에서 , 도 3 a 및 도 3 b 와 동일 한 참조 번호 는 동 일 한 부재 를 나타낸다 . 도 4 a 및 도 4 b 의 제 2 실시 예의 상변화 메모리 소자 는 도 3 a 및 도 3 b 의 제 1 실시 예의 상변화 메모리 소자 와 비교 하 여 , 제 1 상변화 층 스 페이서 ( 212 a ) 및 제 2 상변화 층 스 페이서 ( 212 b ) 가 각각 제 2 절연 층 패턴 ( 308 a ) 및 제 3 절연 층 패턴 ( 308 b ) 의 외측 벽 에 형성 된 것 을 제외 하 고 는 동일 하 다 .