다른 바람직 한 실시 예 에서 , 콜렉터 전극 ( 110 ) 이 애노드 ( 115 ) ( 도 5 , 측면도 에서 소스 ( 105 ) 를 도시 ) 의 외측 에 위치 되 면서 , 시드 전자 들 을 발생 시키 고 시드 전자 들 ( 105 ) 을 증가 시키 기 위한 소스 는 애노드 ( 115 ) 에 위치 될 수 있 다 . 도 5 에 도시 도니 다른 실시 예 에서 , 이온 화 게이지 ( 100 ) 는 콜렉터 전극 ( 110 ) 이 애노드 ( 115 ) 외측 에 위치 되 면서 애노드 ( 115 ) 내측 에 위치 되 고 있 는 전자 발생 어레이 ( 105 ) 를 갖 는 트리 오드 게이지 로서 구성 될 수 있 다 . 다양 한 이온 화 게이지 구성 들 이 가능 하 며 , 본 개시 는 임의 의 특정 구성 에 제한 되 지 않 는다 . 몇몇 실시 예 에서 , 애노드 ( 115 ) 내측 또는 외측 한쪽 에 소스 ( 105 ) 에 더 밀접 하 게 형성 된 이온 들 의 캡 처 를 위해 전극 ( 110 ) 에 대해 상이 한 위치 에 있 는 제 2 이온 콜렉터 ( 110 b ) ( 도 6 ) 를 사용 하 여 더 높 은 압력 이 측정 될 수 있 다 .