그리고 , 다 결정 실리콘 막 ( 500 ) 을 , 리소그래피 공정 및 에칭 공정 에 의해 패 터닝 하 여 , 다 결정 실리콘 막 ( 500 ) 으로 이루어지 는 복수 의 제어 게이트 전극 ( 500 a ) 을 형성 한다 . 또한 , 다 결정 실리콘 막 ( 500 ) 상 에 실리사이드 막 을 형성 하 고 ， 이 실리사이드 막 및 다결정 실리콘 막 ( 500 ) 을 패 터닝 함 으로써 , 제 어 게이트 전극 ( 500 a ) 을 폴리 사이드 구조 로 하 여도 된다 .