저항체 ( 17 ) 로서 는 , 예 를 들 면 박막 형성 기술 ( 예 를 들 면 , 스퍼터링 법 또는 증착 법 ) 에 의해 형성 된 박막 을 이용 할 수 있 다 ( 기판 본체 ( 31 ) 는 실리콘 기판 이 기 때문 에 , 박막 형성 기술 을 적용 할 수 있 음 ) . 저항체 ( 17 ) 로서 는 , 예 를 들 면 Ta 2 N 막 을 이용 할 수 있 다 . 저항체 ( 17 ) 로서 Ta 2 N 막 을 이용 하 는 경우 에 , 저항체 ( 17 ) 의 두께 ( M 2 ) 는 , 예 를 들 면 0 . 1 ㎛ 내지 1 ㎛ 로 설정 될 수 있 다 .