이때 , 알루미나 막 ( 21 e ) 패턴 은 포지티브 슬로프 ( positive slope ) 를 갖 도록 형성 되 며 , 그 에 따라 알루미나 막 ( 21 e ) 패턴 의 스페이스 폭 ( S ) 은 하부 로 갈수록 감소 하 게 되 어 알루미나 막 ( 21 e ) 패턴 의 최종 적 인 스페이스 폭 ( S ) 은 예 를 들 어 , 20 nm 이하 로 감소 할 수 있 다 . 이 와 같이 , 알루미나 막 ( 21 e ) 패턴 이 포지티브 슬로프 를 갖 기 때문 에 , 후속 제 1 식각 마스크 패턴 이 네 가티 브 슬로프 ( negative slope ) 를 갖 게 할 수 있 고 그 에 따라 제 1 식각 마스크 패턴 을 이용 하 여 형성 된 패턴 의 라인 폭 을 감소 시킬 수 있 다 .