일부 구 현예 에서 , 플 라즈 마 강화 ALD ( PEALD ) 에 의해 기판 상 의 패턴 에 증착 된 SiO 2 막 에 불순물 을 도입 하 여 , HF ( 불 산 ) 에 대한 막 의 습식 식각 속도 를 조작 함 으로써 선택 적 으로 기판 상 에 형성 된 패턴 수직 부분 만 또는 수평 부분 만 을 실질 적 으로 또는 주로 남긴다 . 일부 구 현예 에서 , 할로겐 원자 및 / 또는 탄소 원자 는 불순물 로서 사용 된다 . 일부 구 현예 에서 , 기판 의 패 터닝 된 표면 에 존재 하 는 불순물 의 농도 를 지형 적 으로 조작 하 는 것 에 의해 , 불순물 이 패턴 의 수직 부분 에 선택 적 으로 남 거나 불순물 이 패턴 의 수평 부분 에 선택 적 으로 이방성 있 게 도입 됨 으로써 토폴로지 - 선택 적 막 의 형성 을 실현 하 도록 불순물 의 분포 를 조정 한다 . 일부 구 현예 에서 , SiO 2 막 에 함유 된 불순물 은 , 전 구체 로부터 기원 하 거나 유도 될 수 있 고 / 있 거나 비 실리콘 가스 를 사용 하 는 추가 적 인 표면 처리 또는 추가 적 인 막 형성 을 통해 SiO 2 막 의 표면 에 후속 으로 도입 될 수 있 다 . 일부 구 현예 에서 , 불순물 의 후속 도입 을 PECVD 또는 PEALD 로 달성 하 되 , 후속 도입 사이클 은 하나 의 증착 사이클 마다 또는 다수 의 증착 사이클 마다 수행 된다 .