이 수법 의 일례 로서 , 예 를 들 어 피 처리 체인 반도체 웨이퍼 의 표면 에 형성 된 이산화 실리콘 ( SiO 2 ) 막 을 에칭 하 기 위하 여 , 감압 상태 에서 피 처리 체 를 온도 조절 하 면서 , 챔버 내 에 불화 수소 ( HF ) 가스 와 암모니아 ( NH 3 ) 가스 의 혼합 가스 를 공급 하 고 , 이산화 실리콘 과 반응 시켜 플 루오 로 규산 암모늄 ( ( NH 4 ) 2 SiF 6 ) 을 생성 시키 고 , 다음 공정 에서 이 플 루 오로 규산 암모늄 을 가열 하 여 승화 시킴 으로써 , 이산화 실리콘 막 을 표면 측 으로부터 소비 시켜 에칭 하 는 프로세스 가 알려져 있 다 ( 예 를 들 어 , 특허 문헌 1 ∼ 3 참조 ) .