자유 층 ( FL ) ( 12 ) 에서 의 자화 가 핀 드 층 ( PL ) ( 14 ) 에서 의 자화 에 평행 할 때 , 메모리 셀 에 걸친 저항 은 소수 전자 ( minority electron ) 들 의 스핀 의존 산란 ( spin dependent scattering ) 에 적어도 부분 적 으로 기인 하 여 상대 적 으로 낮 다 . 자유 층 ( FL ) ( 12 ) 에서 의 자화 가 핀 드 층 ( PL ) ( 14 ) 에서 의 자화 에 역 평행 할 때 , " 메모리 셀 ( 10 ) 에 걸친 저항 은 소수 전자 및 다수 전자 ( majority electron ) 의 스핀 의존 산란 에 적어도 부분 적 으로 기인 하 여 상대 적 으로 높 다 . 메모리 셀 ( 10 ) 의 데이터 ( "" 0 "" 또는 "" 1 "") 는 메모리 셀 ( 10 ) 의 저항 을 측정 함 으로써 판독 된다 . 이 와 관련 하 여 ", 메모리 셀 ( 10 ) 에 부착 된 전기 전도체 들 ( 20 / 30 ) 이 MRAM 데이터 를 판독 하 는 데 이용 된다 .