제 1 금속 필러 ( 120 ) 를 형성 한 이후 , 만약 마스크 가 사용 되 었 다면 , 블록 ( S 2 ) 은 마스크 를 벗겨 내 거나 제거 하 는 것 ( 예 를 들 어 , 화학 적 스트리 핑 , 에 싱 등 ) 을 포함 할 수 있 다 . 추가 적 으로 , 블록 S 2 은 UBM 시드 층 의 적어도 일부 를 제거 ( 예 를 들 어 , 제 1 금속 필러 ( 120 ) 에 의해 커버 되 지 않 은 적어도 일부 ) ( 화학 적 에칭 등 에 의해 ) ) 하 는 것 을 포함 할 수 있 다 . UBM 시드 층 의 에칭 동안 , UBM 층 의 하부 의 적어도 UBM 시드 층 의 측 부 가장자리 영역 은 예 를 들 어 에칭 될 수 있 다 . 이러 한 에칭 은 예 를 들 어 , 제 1 금속 필러 ( 120 ) 및 UBM 구조 ( 110 a ) 의 UBM 층 의 하부 에 언더컷 을 유발 할 수 있 다 .