상기 마그네슘 이 도핑 된 P 형 질화물 반도체 층 은 발광 다이오드 분야 에 널리 적용 되 고 있 는 구성 요소 이나 , 질화물 반도체 제조 과정 에서 반응기 내부 의 여러 가지 수소 원 ( hydrogen source ) 으로 인하 여 P 형 질화물 반도체 층 내부 에 마그네슘 수소화물 ( Mg - H complex ) 를 만들 게 된다 . 이러 한 마그네슘 수소화물 ( Mg - H complex ) 은 P 형 반도체 층 의 활성 을 억제 하 고 질화물 반도체 층 내부 의 홀 ( hole ) 이동도 및 분산도 를 저하 시켜 발광 다이오드 의 광학 적 , 전기 적 특성 을 저하 시키 는 작용 을 한다 .