다음 에 는 , 도 6 c 에 도시 된 바 와 같이 , 실리콘 기판 ( 220 ') 의 저면 에 형성 된 실리콘 산화 막 ( 252 ) 을 3 차 식각 마스크 로 하 여 노출 된 부위 의 실리콘 기판 ( 200 ') 을 관통 되 도록 식각 함 으로써 , 상기 댐퍼 ( 211 ) 와 연통 되 는 잉크 토출구 ( 212 ) 를 형성 한다 . 이때 , 실리콘 기판 ( 200 ') 의 식각 은 ICP RIE 방법 을 이용 한 건식 식각 에 의해 수행 될 수 있 다 .