본 발명 에서 는 상기 전해 용액 으로 암모늄 붕산염 , 암모늄 인산염 , 암모늄 주석 산염 등 의 중성 전해 용액 을 사용 함 에 의해 , 후막 의 장벽층 ( barrier layer ) 을 형 성할 수 있 다 . 정량 적 으로 , 아노 다 이 징시 대략 700 V 의 전압 을 인가 함 으로써 , 대략 1 μ nm 두께 의 장벽 층 을 형성 할 수 있 다 . 도 14 는 개선 된 아노 다 이징 공법 을 적용 하 여 얻 어 진 산화 피막 의 수직 단면 구조 를 전자 현미경 으로 촬영 한 것 이 다 . 도면 을 통하 여 , 장벽층 ( barrier layer ) 두께 가 상대 적 으로 많이 증가 된 것 을 확인 할 수 있 으며 , 개선 된 아노 다 이징 공법 을 통해 , 최고 1 μ m 에 이르 는 경계층 을 형성 할 수 있 다 .