상기 정공 주입 층 위 에 하 기 화합물 A 의 2 wt % 톨루엔 잉크 를 스핀 코팅 하 고 120 ℃ 에서 10 분 간 열처리 하 여 200 Å 두께 의 정공 수송 층 을 형성 하 였 다 . 상기 정공 수송 층 위 에 하 기 화합물 B 와 화합물 C 를 92 : 8 의 중량 비 로 진공 증착 하 여 200 Å 두께 의 발광 층 을 형성 하 였 다 . 상기 발광 층 위 에 하 기 화합물 D 를 진공 증착 하 여 350 Å 두께 의 전자 주입 및 수송 층 을 형성 하 였 다 . 상기 전자 주입 및 수송 층 위 에 순차 적 으로 10 Å 두께 로 LiF 와 1000 Å 두께 로 알루미늄 을 증착 하 여 캐소드 를 형성 하 였 다 .