그 후 , 도 2 c 에서 볼 수 있 는 바 와 같이 , 복수 개 의 범프 ( 150 ) 의 상면 에 형성 된 제 3 포토레지스트 층 ( 151 ) 을 각 범프 ( 150 ) 의 중심부 가 제외 되 도록 패 터닝 하 여 제 2 마스크 층 ( 152 ) 를 형성 한다 . 본 발명 의 실시 예 에서 는 각 범프 ( 150 ) 의 형상 이 위 에서 내려다 보 았 을 때 직사각 형 으로 하 며 , 이 경우 제 2 마스크 층 ( 152 ) 는 각 직사각 형 형상 의 범프 ( 150 ) 내 에 4 변 에 대한 테두리 만 을 제외 하 고 제 3 포토레지스트 층 ( 151 ) 을 식각 제거 하 여 형성 된다 .