일례 로서 , 반도체 디바이스 구 조체 의 제조 를 위한 구리 의 순환 증착 이 연구 되 었 으며 , 염화 구리 ( CuCl ) , 아연 ( Zn ) 및 수소 ( H 2 ) 를 포함 하 는 전구체 를 이용 할 수 있 다 . 그러나 , 저온 에서 고품질 구리 막 을 증착 하 는 것 은 도전 적 인 과제 인 것 으로 판명 되 었 다 . 원자 층 증착 공정 과 같 은 순환 증착 에서 응집 을 억제 하 고 구리 의 얇 은 연속 막 의 증착 을 가능 하 게 하 기 위해서 는 낮 은 증착 온도 가 이용 될 수 있 다 . 그러나 , 대다수 의 구리 ALD 공정 은 고온 증착 기술 을 요구 하 며 , 저온 공정 은 기판 의 열화 및 불량 한 등 각 도포 성 ( conformal coverage ) 을 초래 할 수 있 는 플라 즈 마 강화 공정 ( plasma enhanced process ) 에 의해 주로 달성 된다 .