이 어 , 반도체 기판 ( 100 ) 위 에 비소 ( As ) 과 같 은 불순물 이온 ( 61 , 72 ) 을 고농도 로 주입 하 여 공통 소스 영역 ( 12 ) 을 형성 하 고 , 도 6 에 도시 한 바 와 같이 , 자기 정렬 마스크 ( 160 ) 를 제거 하 고 비소 ( As ) 과 같 은 불순물 이온 ( 61 , 72 ) 을 고농도 로 주입 하 여 드레 인 영역 ( 15 ) 을 형성 한다 . 이때 , 앞서 서술 한 바 와 같이 , 노출 된 반도체 기판 ( 100 ) , 즉 , 공통 소스 영역 ( 12 ) 위 에 부산물 ( 180 ) 이 도 2 를 예 로 전술 한 바 와 같이 균일 하 게 잔류 함 에 따라 높 은 에너지 로 주입 되 는 불순물 이온 에 의해 반도체 기판 ( 100 ) 의 일부 가 손실 ( loss ) 되 는 것 을 방지 함 으로써 공통 소스 영역 ( 12 ) 의 표면 저항 이 증가 하 는 것 을 방지 하 여 반도체 소자 의 특성 을 향상 시킬 수 있 다 .