상기 층간 절 연막 ( 102 ) 의 일부분 을 식각 하 여 상기 기판 ( 100 ) 을 부분 적 으로 노출 하 는 콘 택 홀 ( 104 ) 을 형성 한다 . 상기 콘 택 홀 ( 104 ) 을 채우 면서 상기 층간 절 연막 ( 102 ) 을 덮 는 제 1 도 전막 ( 미 도시 ) 을 형성 한다 . 상기 제 1 도전 막 은 인 ( P ) 으로 도핑 된 폴리 실리콘 을 이용 하 여 형성 할 수 있 다 .