도 4 를 참조 하 면 , 상기 식각 저 지막 ( 122 ) 상면 에 제 1 식각 마스크 를 형성 한 후 상기 제 1 식각 마스크 에 노출 된 식각 저 지막 ( 122 ) 과 제 1 층간 절 연막 ( 115 ) 을 순차 적 으로 패 터닝 한다 . 상기 패 터닝 으로 인해 상기 식각 저지 막 과 제 1 층간 절 연막 을 관통 하 면서 , 상기 제 2 패드 ( 108 ) 의 표면 을 노출 시키 는 제 3 개 구 ( 123 ) 가 형성 된다 . 이후 , 상기 제 1 식각 마스크 는 제거 된다 .