도 6 a 에 도시 하 는 반도체 장치 에서 는 , 행 별 로 기록 동작 및 판독 동작 을 행한다 . 기록 동작 은 다음 과 같이 행해진다 . 기록 을 행하 는 행 ( 예 를 들 면 제 i 행 ) 의 제 2 신호선 ( S 2 ) ( i ) 에 트랜지스터 ( 510 ) ( i ) 가 온 상태 가 되 는 전위 를 부여 하 고 , 기록 을 행하 는 행의 트랜지스터 ( 510 ) ( i ) 를 온 상태 로 한다 . 이것 에 의해 , 지정 한 행의 트랜지스터 ( 500 ) ( i ) 의 게이트 전극 에 제 1 신호선 ( S 1 ) 의 전위 가 부여 되 고 , 상기 게이트 전극 에 소정 의 전하 가 부여 된다 . 이 와 같이 하 여 , 지정 한 행의 메모리 셀 에 데이터 를 기록 할 수 있 다 .