도 2 a 를 참조 하 면 , 캐 패 시터 형성 영역 을 가지 며 , 소정 의 하부 구조물 ( 도시 안 됨 ) 들 이 형성 된 반도체 기판 ( 200 ) 상 에 상기 하부 구조물 들 을 덮 도록 층간 절 연막 ( 210 ) 을 형성 한 후 , 상기 층간 절 연막 내 에 스토리지 노드 콘 택 플러그 ( 212 ) 를 형성 한다 . 그 다음 , 상기 스토리지 노드 콘 택 플러그 ( 212 ) 를 포함 한 층간 절 연막 ( 210 ) 상 에 산화 막 재질 의 절 연막 ( 220 ) 을 형성 한다 .