본 발명 의 기술 적 사상 의 일 실시 예 에 의한 반도체 소자 는 제 1 영역 및 제 2 영역 을 가지 는 기판 , 상기 기판 의 상기 제 1 영역 상 의 제 1 게이트 구 조체 를 포함 하 는 제 1 트랜지스터 , 및 상기 기판 의 상기 제 2 영역 상 의 제 2 게이트 구 조체 를 포함 하 는 제 2 트랜지스터 를 포함 하 고 , 상기 제 1 게이트 구조 체 는 상기 기판 의 상기 제 1 영역 상 에 차례 로 적층 된 제 1 계면 층 , 제 1 강유 전 층 , 제 1 안정 화 층 , 및 제 1 문턱 전압 제어 층 을 포함 하 고 , 상기 제 2 게이트 구조 체 는 상기 기판 의 상기 제 2 영역 상 에 차례 로 적층 된 제 2 계면 층 , 및 제 2 강유 전 층 , 및 상기 제 2 강유 전 층 바로 위 에 위치 하 는 제 2 문턱 전압 제어 층 을 포함 할 수 있 다 .