다음 , 도 1 m 에 나타낸 바 와 같이 알루미늄 산화 막 ( 41 ) 위 , 소정 의 위치 에 개구부 를 갖 는 레지스 트 패턴 ( 92 ) 을 형성 한다 . 그리고 , 레지스 트 패턴 ( 92 ) 을 마스크 로 하 여 알루미늄 산화 막 ( 41 ) 등 의 에칭 을 행함 으로써 , 상부 전극 ( 이리듐 산화 막 ( 20 ) ) 까지 도달 하 는 컨 택트 홀 ( 27 t ) 및 하부 전극 ( 백금 막 ( 18 ) ) 까지 도달 하 는 컨 택트 홀 ( 27 b ) 을 형성 한다 .