본 발명 의 보다 구체 적 인 하나 의 구 현예 는 ( i ) 약 99 . 50 GC area % 이상 의 데카 브로모 디페닐 에 탄 과 , ( ii ) 약 0 . 50 GC area % 를 초과 하 지 않 는 양 의 노나 브로모 디페닐 에 탄 으로 조성 된 반응 - 유도 된 데카 브로모 디페닐 에 탄 생성물 이 다 . 바람직 한 하나 의 구 현예 에서 는 , 그 와 같 은 반응 - 유도 된 데카 브로모 디페닐 에 탄 생성물 이 ( i ) 약 99 . 80 GC area % 이상 의 데카 브로모 디페닐 에 탄 과 , ( ii ) 약 0 . 20 GC area % 를 초과 하 지 않 는 양 의 노나 브로모 디페닐 에 탄 으로 조성 된다 . 특히 , 바람직 한 하나 의 구 현예 는 ( i ) 약 99 . 90 GC area % 이상 의 데카 브로모 디페닐 에 탄 과 , ( ii ) 약 0 . 10 GC area % 를 초과 하 지 않 는 양 의 노나 브로모 디페닐 에 탄 으로 조성 된 반응 - 유도 된 데카 브로모 디페닐 에 탄 생성물 이 다 . 청구 항 들 을 포함 하 여 여기 에서 사용 되 는 모든 백분율 ( GC area %) 은 아래 에 기술 되 는 현대식 기체 크로마토그래피 분석 절차 를 사용 하 여 얻 어 지 는 기체 크로마토그래피 면적 백분율 이 다 .