본 발명 의 유기 전계 효과 트랜지스터 에 있 어서 의 반도체 층 ( 4 ) 는 이온 화 포 텐 셜 이 5 . 0 eV 이상 인 고분자 화합물 을 함유 한다 . 이것 에 따르 면 , 이러 한 유기 전계 효과 트랜지스터 의 온 전류 및 전류 의 온 ㆍ오프비가 향상 되 고 , 또한 대기 중 에 노출 된 경우 에 도 전류 의 온 ㆍ오프비의 저하 가 충분히 작 다 .