p - 타입 콘택트 층 ( 28 ) 이 p - 타입 영역 ( 26 ) 위 에 성장 된다 . p - 타입 콘택트 층 ( 28 ) 은 고농도 로 도핑 되 고 발광 영역 ( 24 ) 에 의해 방출 되 는 광 에 투명 하 다 . 예 를 들 면 , p - 타입 콘택트 층 ( 28 ) 은 일부 실시 예 들 에서 는 적어도 5 x 1018 cm - 3 , 일부 실시 예 들 에서 는 적어도 1 x 1019 cm - 3 의 정공 농도 까지 도핑 될 수 있 다 . p - 타입 콘택트 층 ( 28 ) 은 100 Å 과 1000 Å 사이 의 두께 를 가질 수 있 다 . 일부 실시 예 들 에서 는 , 비 합금 콘택트 ( non - alloyed contact ) 를 형성 하 도록 p - 콘택트 층 ( 28 ) 위 에 반사 층 이 형성 된다 . p - 타입 콘택트 층 ( 28 ) 과 반사 층 사이 의 전기 접촉 은 계면 의 표면 공핍 영역 ( surface depletion region ) 을 통한 캐리어 들 의 터널 링 에 의해 달성 된다 .