상기 목적 을 달성 하 기 위한 비휘발성 메모리 소자 는 소자 분리 영역 및 활성 영역 이 정의 된 기판 , 상기 활성 영역 상 에 격자 형태 로 배열 되 는 도전 패턴 들 , 상기 도전 패턴 들 사이 에 개재 되 고 상기 소자 분리 영역 을 따라 연장 되 는 쉴 딩 라인 , 상기 쉴 딩 라인 과 교차 하 고 , 상기 도전 패턴 들 과 오버랩 되 는 제 1 라인 , 상기 제 1 라인 과 이격 되 고 상기 쉴 딩 라인 과 전기 적 으로 연결 되 는 제 2 라인 및 상기 제 1 라인 의 하 부면 과 상기 도전 패턴 들 사이 의 유전 막 을 포함 한다 .