도 42 는 예시 적 인 반도체 디바이스 ( 200 ) 를 제조 하 기 위한 예시 적 인 방법 의 단면도 를 도시 한다 . 도 42 에 도시 된 예 에서 , 도전 층 ( 103 ) 이 제거 될 수 있 다 . 일부 예 들 에서 , 도전 층 ( 103 ) 은 기계 적 그라인딩 및 / 또는 화학 적 식각 으로 제거 될 수 있 다 . 이 에 따라 , 전자 컴 포 넨 트 ( 320 , 330 ) 의 하 면 , 서브 스트레이트 인터 커넥트 ( 112 ) 의 하 면 및 서브 스트레이트 인 캡슐 란트 ( 115 ) 의 하면 이 노출 될 수 있 다 . 일부 예 들 에서 , 전자 컴 포 넨 트 ( 320 , 330 ) 의 하 면 , 서브 스트레이트 인터 커넥트 ( 112 ) 의 하 면 및 서브 스트레이트 인 캡슐 란트 ( 115 ) 의 하면 이 대체로 동일 평면 을 이룰 수 있 다 . 일부 예 들 에서 , 전자 컴 포 넨 트 ( 320 , 330 ) 의 하 면 및 서브 스트레이트 인터 커넥트 ( 112 ) 의 하 면 이 인 캡슐 란트 ( 115 ) 의 하면 을 통해 노출 될 수 있 다 .