본 발명 의 또 다른 측면 에 따르 면 , 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드 는 InP 기판 상 에 형성 되 는 하부 DBR 구조물 과 , 상기 하부 DBR 구조물 상 에 형성 되 는 캐비 티 와 , 상기 캐 비 티 상 에 형성 되 는 상부 DBR 구조물 을 포함 하 며 , 상기 하부 DBR 구조물 및 상기 상부 DBR 구조물 중 적어도 하나 는 , 제 1 굴절 률 을 갖 는 InAlGaAs 층 ; 상기 제 1 굴절률 보다 낮 은 굴절 률 을 가지 며 , 상기 InAlGaAs 층 상 에 형성 되 는 제 1 InAlAs 층 ; 상기 제 1 굴절률 보다 낮 은 굴절 률 을 가지 며 , 상기 제 1 InAlAs 층 상 에 형성 되 는 InP 층 ; 및 상기 제 1 굴절률 보다 낮 은 굴절 률 을 가지 며 , 상기 InP 층 상 에 형성 되 는 제 2 InAlAs 층 을 포함 한다 .