또한 , MLC 이외 의 구조 에 대한 프로세스 에 있 어서 , 바탕 층 에 대해 에칭 대상 막 이 높 은 선택 비 를 가져서 바탕 층 의 손실 이 적 을 것 이 요구 되 는 경우 가 있 다 . 이 경우 의 구조 에서 는 , 에칭 대상 막 에 대한 바탕 층 이 금속 층 또는 실리콘 층 과 같 은 도전 층 에 한정 되 지 는 않 는다 . 예 를 들 어 , Self - Aligned Contact ( SAC ) 구조 와 같이 , 에칭 대상 막 이 산화 실리콘 층 , Low - K 막 층 중 적어도 어느 하나 이 며 , 바탕 층 이 탄화 실리콘 층 , 탄질 화 실리콘 층 중 적어도 어느 하나 인 경우 에 도 , 마찬가지 로 바탕 층 의 손실 이 적 을 것 이 요구 된다 .