부스트 커패시터 ( Cbt ) 는 제 3 전극 ( CE 3 ) 및 제 4 전극 ( CE 4 ) 을 포함 한다 . 제 3 전극 ( CE 3 ) 은 구동 제어 전극 ( G 1 ) 과 동일 층 인 제 1 게이트 절연 층 ( 112 ) 상 에 배치 될 수 있 다 . 제 4 전극 ( CE 4 ) 는 제 1 초기 화 반도체 층 ( AO 4 ) 또는 보상 반도체 층 ( AO 3 ) 으로 부 터 연장 되 여 구비 될 수 있 다 . 즉 , 제 4 전극 ( CE 4 ) 는 산화물 반도체 로 구비 되 며 , 제 1 층간 절연 층 ( 114 ) 상 에 배치 될 수 있 다 . 제 3 전극 ( CE 3 ) 및 제 4 전극 ( CE 4 ) 사이 에 는 제 2 게이트 절연 층 ( 113 ) 및 제 1 층간 절연 층 ( 114 ) 이 배치 되 며 , 상기 제 2 게이트 절연 층 ( 113 ) 및 제 1 층간 절연 층 ( 114 ) 은 부스트 커패시터 ( Cbt ) 의 유전체 층 으로 기능 할 수 있 다 .