계속 하 여 , 도 2 a 를 참조 하 면 , 또 다른 전기 적 절 연막 ( 14 ) 이 하부 의 전기 적 절 연막 ( 12 ) 상 에 컨 포말 하 게 증착 된다 . 전기 적 절 연막 ( 14 ) 은 실리콘 질화 막 ( SiN ) 또는 하부 의 전기 적 절 연막 ( 12 ) 에 대하 여 선택 적 으로 식각 될 수 있 는 다른 유전체 물질 막 일 수 있 다 . 이어서 , 전기 적 절 연막 ( 14 ) 상 에 선택 적 인 바텀 반사 방지 코팅 ( Bottom Anti - Reflective Coating ; BARC ) 막 및 포토레지스트 막 이 차례 로 형성 된다 . 이어서 , 일반 적 인 마스크 현상 및 포토 리소그래피 패 터닝 공정 이 수행 되 어 포 토 레지스 트 막 으로부터 마스크 패턴 ( 18 ) 이 생성 될 수 있 다 . 마스크 패 터닝 공정 을 수행 하 는 동안 , 반사 방지 코팅 막 또한 선택 적 으로 식각 되 어 반사 방지 코팅 막 패턴 ( 16 ) 이 정의 될 수 있 다 . 포토레지스트 막 을 현상 하 는 단계 는 반도체 웨이퍼 ( 10 ) 의 에지 에 대한 반도체 웨이퍼 ( 10 ) 의 중앙 에 인접 하 는 영역 이 더 넓 은 , 불 균일 한 패턴 크기 ( critical dimensions ) 를 포함 하 는 불 균일 한 외측 디멘션 ( lateral dimensions ) 에 상응 하 는 형상 을 갖 는 마스크 패턴 ( 18 ) 의 생 성 을 야기 할 수 있 다 .