도 2 f 를 참조 하 면 , 상기 게이트 용 홈 ( H ) 표면 을 포함 한 반도체 기판 ( 200 ) 상 에 게이트 절 연막 ( 210 ) , 게이트 도전 막 ( 212 ) , 및 게이트 하드 마스크 막 ( 214 ) 을 차례 로 형성 한다 . 그런 다음 , 상기 게이트 하드 마스크 ( 214 ) , 게이트 도전 막 ( 212 ) 및 게이트 절 연막 ( 210 ) 을 차례 로 식각 하 여 리 세스 게이트 ( 216 ) 를 형성 한다 .