한편 , 상기 N 형 화합물 반도체 층 ( 25 ) 과 활성 층 ( 29 ) 사이 에 AlxGa 1 - xN 와 InzGa 1 - zN 이 교대 로 적층 된 초격자 구조 의 N 형 클래드 층 ( 37 ) 이 개재 되 고 , 상기 P 형 화합물 반도체 층 ( 33 ) 과 활성 층 ( 29 ) 사이 에 P 형 AlyGa 1 - yN 클래드 층 ( 31 ) 이 개재 된다 . 여기 서 , 0 < x , y , z ≤ 1 이고 , x = y 이 다 . 즉 , 상기 N 형 클래드 층 ( 37 ) 의 AlxGa 1 - xN 내 의 Al 조성 비 는 P 형 클래드 층 ( 31 ) 의 Al 조성 비 와 동일 하 다 . 또한 , 상기 N 형 클래드 층 ( 37 ) 의 AlxGa 1 - xN 내 의 Al 조성 비 및 P 형 클래드 층 ( 31 ) 의 Al 조성 비 x , y 는 0 . 08 내지 0 . 15 범위 내 일 수 있 다 .