반도체 기판 ( 101 ) 에 광 감지 소자 ( 102 ) 가 형성 되 면 , 트렌치 ( 103 ) 를 형성 하 기 위하 여 반도체 기판 ( 101 ) 상 에 포토레지스트 를 코팅 하 여 포토 리소그래피 공정 에 의하 여 트렌치 ( 103 ) 를 정의 하 는 포토레지스트 패턴 ( 미 도시 ) 을 형성 한 다음 , 포토레지스트 패턴 을 마스크 로 하 여 식각 공정 에 의하 여 STI ( Shallow Trench Isolation ) 구조 를 가지 는 트렌치 ( 103 ) 를 형성 하 고 , 잔존 하 는 포토레지스트 패턴 을 스트립 한다 .