상기 격벽 ( 108 ) 을 형성 한 후 에 는 , 도 4 e 에 도시 된 바 와 같이 , 상기 화소 개구부 ( 106 ) 의 양전극 층 ( 102 ) 위 에 유기 발광 층 등 을 포함 하 는 유기 박막층 ( 110 ) 을 형성 하 고 , 계속 하 여 , 상기 유기 박막층 ( 110 ) 위 에 음전극 층 ( 112 ) 을 형성 함 으로서 , 최종 적 으로 유기 발광 소자 를 제조 한다 . 상기 유기 박막층 ( 110 ) 은 상기 유기 발광 층 외 에 정공 주입 층 , 정공 수송 층 , 전자 주입 층 또는 전자 수송 층 등 을 더 포함 할 수 있 으며 , 상기 음전극 층 ( 112 ) 은 , 예 를 들 어 , 알루미늄 과 같 은 저 저항 금속 물질 로 이루어질 수 있 다 . 그리고 , 상기 유기 박막층 ( 110 ) 및 음전극 층 ( 112 ) 의 형성 공정 에서 는 , 이 들 을 패 터닝 하 기 위한 별도 의 마스크 를 사용 할 필요 없이 , 투명 기판 ( 100 ) 의 전면 에 상기 유기 박막층 ( 110 ) 및 음전극 층 ( 112 ) 을 증착 형성 하 면 , 상기 역경 사 프로 파일 을 가지 는 격벽 ( 110 ) 에 의해 서로 인접 하 는 음전극 층 ( 112 ) 등 의 단락 이 방지 되 면서 상기 화소 개구부 ( 106 ) 의 양전극 층 ( 102 ) 위 에 상기 유기 박막층 ( 110 ) 및 음전극 층 ( 112 ) 이 형성 될 수 있 다 .