그런 다음 , 상기 제 1 절연 기판 ( 100 ) 전면 에 게이트 절 연막 ( 102 ) 을 형성 하 고 , 계속 해서 비정질 실리콘 막 과 금속 막 을 상기 제 1 절연 기판 ( 100 ) 전면 에 형성 한다 . 그런 다음 , 회절 마스크 또는 하프톤 마스크 공정 에 따라 식각 하 여 소스 / 드레 인 전극 ( 203 a , 203 b ) , 오 믹 콘 택 층 과 채널 층 으로 된 액티브 층 ( 202 ) 및 데이터 배선 ( 미 도시 ) 을 동시 에 형성 한다 . 상기 금속 막 은 Mo 또는 그 합금 , Cu 또는 그 합금 을 사용 할 수 있 다 .