이 때 , 상기 실리콘 기판 ( 100 ) 을 탈 이온 수 ( DI water ) 또는 공기 중 에 장 시간 노출 시킬 경우 산화 가 많이 진행 되 어 산화물 층 이 SiOx ( 단 , 0 < x < 2 ) 가 아니 라 SiO 2 로 형성 될 가능 성 이 있 기 때문 에 , 상기 노출 시간 은 10 분 내지 1 시간 이 바람직 하 고 , 상기 와 같 은 방법 에 의해 형성 된 산화물 층 의 두께 는 2 nm 이하 가 바람직 하 다 .