구체 적 으로 , 기판 ( 100 ) 상 에 게이트 절 연막 , 폴리 실리콘 막 , 금속 막 , 및 게이트 마스크 막 을 순차 적 으로 적층 하 고 이 들 을 패 터닝 함 으로써 , 기판 ( 100 ) 의 제 2 영역 ( II ) 상 에 순차 적 으로 적층 된 게이트 절연 패턴 ( 110 ) , 제 1 폴리 실리콘 패턴 ( 120 ) , 제 1 금속 패턴 ( 130 ) , 및 제 1 게이트 마스크 ( 140 ) 를 포함 하 는 상기 제 1 게이트 구조물 을 형성 할 수 있 으며 , 기판 ( 100 ) 의 제 2 영역 ( II ) 상 에 순차 적 으로 적층 된 제 4 절연 패턴 ( 115 ) , 제 2 폴리 실리콘 패턴 ( 125 ) , 제 2 금속 패턴 ( 135 ) , 및 제 2 게이트 마스크 ( 145 ) 를 포함 하 는 상기 제 2 게이트 구조물 을 형성 할 수 있 다 .