본 명세서 의 실시 예 에 따르 면 , 제 1 버퍼 층 ( 111 ) 은 이산화 규소 ( SiO 2 ) 와 질화 실리콘 ( SiNx ) 이 교번 으로 형성 된 다중 층 으로 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 면 , 제 1 버퍼 층 ( 111 ) 은 n + 1 개 의 층 으로 이루어질 수 있 다 . 여기 에서 n 은 0 , 2 , 4 , 6 , 8 과 같 은 0 을 포함 하 는 짝수 일 수 있 다 . 따라서 , n = 0 인 경우 , 제 1 버퍼 층 ( 111 ) 은 단일 층 으로 형성 된다 . 그리고 , 제 1 버퍼 층 ( 111 ) 은 질화 실리콘 ( SiNx ) 또는 산화 실리콘 ( SiOx ) 일 수 있 다 . n = 2 인 경우 , 제 1 버퍼 층 ( 111 ) 은 3 중층 으로 형성 될 수 있 다 . 제 1 버퍼 층 ( 111 ) 이 3 중층 으로 형성 되 는 경우 , 상부 층 및 하부 층 은 산화 실리콘 ( SiOx ) 일 수 있 으며 , 상부 층 과 하부 층 사이 에 배치 되 는 중간층 은 질화 실리콘 ( SiNx ) 일 수 있 다 . 그리고 , n = 4 인 경우 , 제 1 버퍼 층 ( 111 ) 은 5 중층 으로 형성 될 수 있 다 . 제 1 버퍼 층 ( 111 ) 이 5 중층 으로 형성 되 는 경우 , 도 1 에 도시 된 바 와 같이 , 제 1 - a 버퍼 층 ( 111 a ) 은 기판 ( 110 ) 상 에 형성 될 수 있 다 . 또한 , 제 1 - a 버퍼 층 ( 111 a ) 은 이산화 규소 ( SiO 2 ) 물질 로 형성 될 수 있 다 . 그리고 , 제 1 - b 버퍼 층 ( 111 b ) 은 질화 실리콘 ( SiNx ) 물질 로 형성 될 수 있 으며 , 제 1 - a 버퍼 층 ( 111 a ) 상 에 배치 될 수 있 다 . 그리고 , 제 1 - c 버퍼 층 ( 111 c ) 은 이산화 규소 ( SiO 2 ) 물질 로 형성 될 수 있 으며 , 제 1 - b 버퍼 층 ( 111 b ) 상 에 배치 될 수 있 다 . 그리고 , 제 1 - d 버퍼 층 ( 111 d ) 은 질화 실리콘 ( SiNx ) 물질 로 형성 될 수 있 으며 , 제 1 - c 버퍼 층 ( 111 c ) 상 에 배치 될 수 있 다 . 그리고 , 제 1 - e 버퍼 층 ( 111 e ) 은 이산화 규소 ( SiO 2 ) 물질 로 형성 될 수 있 으며 , 제 1 - d 버퍼 층 ( 111 d ) 상 에 배치 될 수 있 다 . 이 와 같이 , n 이 2 보다 크 거나 같 은 짝수 인 경우 , 제 1 버퍼 층 ( 111 ) 은 산화 실리콘 ( SiOx ) 과 질화 실리콘 ( SiNx ) 이 교번 으로 형성 된 다중 층 으로 형성 될 수 있 다 . 그리고 , 다 중층 으로 이루어진 제 1 버퍼 층 ( 111 ) 의 최 상부 층 및 최 하부 층 은 산화 실리콘 ( SiOx ) 물질 로 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 면 , 복수 개 의 층 으로 이루어진 제 1 버퍼 층 ( 111 ) 은 제 1 박막 트랜지스터 ( 310 ) 의 제 1 액티브 층 ( 311 ) 과 접촉 하 는 상부 층 , 기판 ( 110 ) 과 접촉 하 는 하부 층 , 및 상부 층 과 하부 층 사이 에 위치 하 는 중간층 을 포함 할 수 있 다 . 그리고 , 상부 층 및 하부 층 은 산화 실리콘 ( SiOx ) 물질 로 형성 될 수 있 다 . 그리고 , 다 중층 으로 이루어진 제 1 버퍼 층 ( 111 ) 의 상부 층 은 하부 층 및 중간층 의 두께 보다 더 두껍 게 형성 될 수 있 다 . 복수 개 의 층 으로 이루어진 제 1 버퍼 층 ( 111 ) 에서 제 1 박막 트랜지스터 ( 310 ) 의 제 1 액티브 층 ( 311 ) 및 제 2 박막 트랜지스터 ( 320 ) 의 제 2 액티브 층 ( 321 ) 과 접촉 하 는 상부 층 의 두께 는 제 1 버퍼 층 ( 111 ) 의 하부 층 및 중간층 의 두께 보다 클 수 있 다 . 예 를 들 면 , 도 1 과 같이 제 1 버퍼 층 ( 111 ) 이 5 중층 인 경우 , 제 1 액티브 층 ( 311 ) 및 제 2 액티브 층 ( 321 ) 과 접촉 하 고 있 는 제 1 - e 버퍼 층 ( 111 e ) 이 상부 층 일 수 있 다 . 그리고 , 기판 ( 110 ) 과 접촉 하 고 있 는 제 1 - a 버퍼 층 ( 111 a ) 은 하부 층 일 수 있 다 . 또한 , 제 1 - a 버퍼 층 ( 111 a ) 와 제 1 - e 버퍼 층 ( 111 e ) 사이 에 배치 되 는 제 1 - b 버퍼 층 ( 111 b ) , 제 1 - c 버퍼 층 ( 111 c ) , 및 제 1 - d 버퍼 층 ( 111 d ) 은 중간층 일 수 있 다 . 여기 에서 , 상부 층 인 제 1 - e 버퍼 층 ( 111 e ) 의 두께 는 하부 층 인 제 1 - a 버퍼 층 ( 111 a ) 의 두께 그리고 중간층 인 제 1 - b 버퍼 층 ( 111 b ) , 제 1 - c 버퍼 층 ( 111 c ) , 및 제 1 - d 버퍼 층 ( 111 d ) 의 각각 의 두께 보다 더 클 수 있 다 . 예 를 들 면 , 제 1 - e 버퍼 층 ( 111 e ) 의 두께 는 3000 Å 일 수 있 으며 , 제 1 - a 버퍼 층 ( 111 a ) 은 1000 Å 로 형성 될 수 있 다 . 그리고 , 제 1 - b 버퍼 층 ( 111 b ) , 제 1 - c 버퍼 층 ( 111 c ) , 및 제 1 - d 버퍼 층 ( 111 d ) 의 두께 도 각각 1000 Å 로 형성 될 수 있 다 .