본 발명 에 따른 전압 생성 회로 및 이 를 이용 한 반도체 메모리 장치 의 기준 전압 생성 회로 는 외부 에서 입력 되 는 데이터 의 하이 값 과 로우 값 의 중간 레벨 의 기준 전압 을 생성 한다 . 따라서 이 를 이용 한 반도체 메모리 장치 는 데이터 의 하이 와 로우 의 평균 레벨 인 기준 전압 으로 외부 데이터 를 판별 함 으로써 반도체 메모리 장치 의 데이터 신뢰도 를 높이 는 효과 가 있 다 .