또한 , 제 1 액티브 영역 ( 110 ) 상 에 형성 된 제 2 실리사이드 막 ( 416 ) 상부 에 는 상부 도전 영역 과 제 2 실리사이드 막 ( 416 ) 을 전기 적 으로 연결 하 는 제 2 콘 택 ( 530 ) 이 형성 된다 . 제 2 콘 택 ( 530 ) 은 층간 절 연막 ( 510 ) 을 관통 하 여 형성 된 제 2 콘 택 홀 ( 532 ) 내부 가 제 2 도 전막 ( 536 ) 으로 매립 되 어 형성 되 는데 , 제 2 콘 택 홀 ( 532 ) 과 제 2 도 전막 ( 536 ) 의 경계 영역 에 는 제 2 배리 어막 ( 534 ) 이 형성 될 수 도 있 다 .