상기 에칭 조건 에서 는 , 레지스 트 마스크 의 형상 과 , 기판 측 에 인가 하 는 바이어스 전압 의 효과 에 의해 단부 를 테이퍼 형상 으로 할 수 있 다 . 또한 게이트 절 연막 위 에 잔사 를 남기 지 않 고 에칭 하 므로 , 오버코트 에칭 처리 에 의해 , 게이트 절 연막 ( 708 ) 이 노출 한 면 은 일부 에칭 된다 . 이 와 같이 하 여 , 제 1 에칭 처리 에 의해 제 1 도 전막 과 제 2 도 전막 으로 이루어지 는 제 1 형상 의 도전 막 ( 716 내지 721 ) ( 제 1 도 전막 ( 716 a 내지 721 a ) 과 제 2 도 전막 ( 716 b 내지 721 b ) ) , 게이트 절 연막 ( 722 ) 을 형성 한다 .