도 5 f 및 도 5 g 는 본 발명 의 일 실시 예 와 다른 재료 로 배리 어 패턴 을 형성 하 였을 때 의 제 1 절연 층 , 배리어 패턴 , 제 어 전극 , 및 제 2 절연 층 의 상태 를 확대 한 확대도 이 다 . 도 5 f 및 도 5 g 에서 는 본 발명 의 일 실시 예 와 달리 , 인듐 을 포함 하 는 재료 로 배리 어 패턴 ( BR 1 ') 을 형성 한 경우 의 상태 를 도시 하 였 다 .