본 발명 에 따른 박막 트랜지스터 는 , 게이트 전극 과 ; 상기 게이트 전극 위 로 형성 된 게이트 절 연막 과 ; 상기 게이트 절 연막 위 로 상기 게이트 전극 에 대응 하 여 순차 적층 되 며 , 폴리 실리콘 의 제 1 실리콘 층 과 , 서로 이격 하 는 순수 비정질 실리콘 의 제 2 실리콘 층 과 , 서로 이격 하 는 불순물 비정질 실리콘 의 오 믹 콘 택 층 으로 구성 된 반도체 층 과 ; 상기 오 믹 콘 택 층 위 로 이격 하 며 형성 된 소스 및 드레 인 전극 과 ; 상기 소스 및 드레 인 전극 의 끝단 및 상기 오 믹 콘 택 층 의 끝단 과 접촉 하 며 형성 된 보 호층 을 포함 한다 .