하지만 , 이러 한 종래 의 반도체 칩 접합 장치 는 고온 의 챔버 에 일정 시간 동안 수용 됨 에 따라 도 3 과 같이 상부 금형 ( 20 ) 은 챔버 의 고온 에 의해 중앙 영역 을 제외 한 양측 영역 이 하부금 형 ( 10 ) 의 상부 표면 으로부터 들리 게 되 는 휨 변형 이 발생 되 고 , 이 에 따라 상부 금형 ( 20 ) 의 양측 영역 에서 는 가압 돌기 ( 22 ) 로 하부금 형 ( 10 ) 의 안착 공간 ( 12 ) 에 안착 된 반도체 칩 ( 1 ) 에 일정 한 가압 력 을 제공 할 수 없 는 문제 가 있 다 .