이때 , 보호막 ( 50 ) 에 는 마스크 를 이용 한 포토 리소그래피 공정 을 통해 제 1 내지 제 4 콘 택 홀 ( 51 , 52 , 53 , 54 ) 이 형성 된다 . 여기 서 , 제 1 콘 택 홀 ( 51 ) 은 보호막 ( 50 ) 을 관통 하 여 드레 인 전극 ( 33 ) 을 노출 시키 고 , 제 2 콘 택 홀 ( 52 ) 은 보호막 ( 50 ) 및 게이트 절 연막 ( 25 ) 을 관통 하 여 게이트 패드 하부 전극 ( 81 ) 을 노출 시키 고 , 제 3 콘 택 홀 ( 53 ) 은 보호막 ( 50 ) 을 관통 하 여 데이터 패드 하부 전극 ( 91 ) 을 노출 시키 고 , 제 4 콘 택 홀 ( 54 ) 은 보호막 ( 50 ) 을 관통 하 여 스토리지 전극 ( 65 ) 을 노출 시킨다 .