반면 , 앞서 설명 한 실시 예 들 에서 와 같이 각각 의 채널 영역 과 드레 인 영역 의 사이 에 광폭 밴드 - 갭 영역 을 형성 한 스위칭 트랜지스터 ( Ts , Ts ') 는 , 활성 층 패턴 ( 120 , 120 ') 의 길이 가 짧 아 지 더라도 LDD 영역 을 적용 한 트랜지스터 에 비해 훨씬 우수 한 누설 전류 특성 을 나타낼 수 있 다 . 즉 , 본 발명 의 다양 한 실시 예 들 에 따르 면 , 각각 의 채널 영역 과 드레 인 영역 의 사이 에 광폭 밴드 - 갭 영역 을 형성 함 으로써 , 누설 전류 를 보다 효과 적 으로 저감 할 수 있 다 .