본 발명 의 실시 예 에 따른 반도체 장치 는 , 오프셋 보상 구간 에서 연결 제어 신호 에 대응 하 여 비트 라인 쌍 과 센싱 비트 라인 쌍 사이 의 연결 을 선택 적 으로 제어 하 고 , 오프셋 보상 구간 에서 풀 다운 전원 라인 을 비트 라인 프리 차지 전압 레벨 로 프리 차지 시키 는 센스 앰프 ; 및 오프셋 보상 구간 에서 풀다운 제어 신호 에 대응 하 여 풀 다운 전원 라인 의 전압 을 일정 레벨 상승 시키 는 풀 다운 전압 제 어부 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .