플라 즈 마 처리 B 란 , 플라 즈 마 처리 의 과정 에서 정 전척 ( 40 ) 과 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 사이 에 퇴적 한 퇴적물 에 대전 하 는 전하 에 기초 한 흡착 력 을 저감 하 기 위한 처리 이 다 . 플 라즈 마 처리 B 에서 는 , 반도체 웨이퍼 ( W ) 가 반출 된 후 에 , 처리 용기 ( 10 ) 내 에 플 라즈 마가 생성 되 고 , 플 라즈 마 에 포함 되 는 이온 이나 전자 에 의해 , 정 전척 ( 40 ) 과 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 사이 에 퇴적 한 퇴적물 에 대전 한 전하 가 제거 된다 . 이 에 의해 , 퇴적물 의 대전 에 의한 정전기력 에 기초 한 정전 척 ( 40 ) 과 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 사이 의 흡착 력 이 저감 된다 .