본 발명 의 이미지 센서 는 회로 영역 이 형성 된 반도체 기판 ( 100 ) ; 상기 반도체 기판 ( 100 ) 상 에 형성 된 복수 의 금속 배선 ( 122 ) 및 층간 절 연막 ( 121 ) 을 포함 하 는 금속 배선 층 ( 120 ) ; 상기 층간 절 연막 ( 122 ) 위 에 형성 된 제 1 픽셀 분리 막 ( 131 ) ; 및 상기 제 1 픽셀 분리 막 ( 131 ) 사이 에 형성 되 어 금속 배선 ( 122 ) 과 접촉 하 는 수 광부 를 포함 하 여 이루어진다 .