본 발명 의 베타 인형 산 발생 제 를 함유 한 규소 함유 레지스 트 하층 막 형성 용 조성물 은 , LWR 이나 CDU 가 우수 한 상층 의 레지스 트 패턴 의 형성 이 가능 해질 뿐 만 아니 라 , 유기 재료 ( 유기 하 층막 , 유기 하드 마스크 ) 와 의 사이 에서 높 은 에칭 선택 성 을 얻 을 수 있 기 때문 에 , 형성 된 포토레지스트 패턴 을 , 규소 함유 레지스 트 하 층막 , 유기 하층 막 또는 CVD 유기 하드 마스크 로 차례 로 드라이 에칭 프로세스 를 이용 하 여 전사 가능 하 다 . 특히 , 미세화 가 진행 되 고 있 는 최근 의 반도체 장치 제조 프로세스 에서 는 , 다중 노광 프로세스 가 다용 되 고 있 고 , 현상 후 의 패턴 에 있 어서 의 LWR 이나 CDU 는 디바이스 성능 에 미치 는 영향 이 크 다 . 그 때문 에 , LWR 이나 CDU 성능 의 향상 은 중요 하 다 . 본 발명 의 규소 함유 레지스 트 하층 막 형성 용 조성물 을 이용 하 면 LWR 이나 CDU 가 우수 한 상층 레지스 트 패턴 을 형성 할 수 있 다 . 또한 본 발명 의 규소 함유 레지스 트 하층 막 형성 용 조성물 은 드라이 에칭 선택 비 가 양호 하 기 때문 에 , 해당 규소 함유 레지스 트 하 층막 을 드라이 에칭 마스크 로서 사용 하 여도 , 드라이 에칭 중 의 상층 레지스 트 패턴 의 변형 을 억제 하 고 , 우수 한 LWR 이나 CDU 를 유지 한 채 로 기판 에 높 은 정밀도 로 전사 할 수 있 다 .