제 2 게이트 도 전막 ( 150 ) 은 P 형 불순물 예컨대 , 보론 ( B ) 이온 이 도핑 된 폴리 실리콘 막 으로 600 내지 1200 Å 두께 정도 로 형성 될 수 있 다 . 보론 이온 이 도핑 된 폴리 실리콘 막 은 SiH 4 가스 및 He 이 첨가 된 BCl 3 가스 를 반응 가스 로 이용 하 여 400 내지 450 ℃ 온도 범위 에서 형성 할 수 있 다 . 이때 , He 이 첨가 된 BCl 3 가스 는 BCl 3 의 함유량 이 전체 부피 의 1 내지 2 % 정도 포함 되 도록 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 .