기판 처리 장치 ( 1 ) 에 의해 처리 되 는 기판 ( W ) 은 예 를 들 면 , 적층 막 ( 32 ) 의 패턴 ( P ) 이 형성 된 기판 ( W ) 이 다 . 적층 막 ( 32 ) 은 예 를 들 면 , 제 1 막 ( 32 a ) , 제 2 막 ( 32 b ) , 및 제 3 막 ( 32 c ) 을 포함 한다 . 이 들 의 막 ( 32 a , 32 b , 32 c ) 은 기판 ( W ) 자체 의 표면 에 가까운 측 으로부터 제 3 막 ( 32 c ) , 제 2 막 ( 32 b ) , 제 1 막 ( 32 a ) 의 순번 대로 적층 되 어 있 다 . 즉 , 제 1 막 ( 32 a ) 은 제 2 막 ( 32 b ) 및 제 3 막 ( 32 c ) 에 대하 여 상층 막 에 상당 하 고 , 제 2 막 ( 32 b ) 및 제 3 막 ( 32 c ) 은 제 1 막 ( 32 a ) 에 대하 여 하층 막 에 상당 한다 . 또한 , 제 2 막 ( 32 b ) 은 제 3 막 ( 32 c ) 에 대하 여 상층 막 에 상당 하 고 , 제 3 막 ( 32 c ) 은 제 2 막 ( 32 b ) 에 대하 여 하층 막 에 상당 한다 . 제 1 막 ( 32 a ) 은 예 를 들 면 , 실리콘 을 포함 하 는 막 , 질화 막 , 및 금속 막 중 어느 하나 이 다 . 제 2 막 ( 32 b ) 및 제 3 막 ( 32 c ) 에 대하 여도 마찬가지 이 다 .