마지막 으로 , 도 8 에 도시 된 바 와 같이 , 상기 에 미터 영역 ( 28 ) 과 베이스 영역 ( 21 ) 이 정의 된 기판 전면 에 층간 절 연막 ( 30 ) 을 형성 한다 . 이 어 , 상기 층간 절 연막 ( 30 ) 상 에 포토레지스트 패턴 ( 미 도시 ) 을 형성 하 고 , 이 를 마스크 로 이용 하 여 식각 공정 을 수행 하 여 , 상기 에 미터 영역 ( 28 ) 과 연결 된 에 미터 전극 ( 26 ) , 베이스 영역 ( 21 ) 및 콜렉터 영역 ( 16 ) 을 노출 하 는 콘 택 홀 을 형성 한다 .