도 5 a 에서 , 하부 전극 ( 101 ) 과 상부 전극 ( 103 ) 은 인 ( P ) 또는 비소 ( As ) 가 도핑 된 폴리 실리콘 막 , TiN , Ru , RuO 2 , Pt , Ir 및 IrO 2 로 이루어진 그룹 중 에서 선택 된 하나 이 며 , 예컨대 , 하부 전극 ( 101 ) 과 상부 전극 ( 103 ) 이 모두 폴리 실리콘 막 으로 구성 되 어 SIS ( Silicon Insulator Silicon ) 캐 패 시터 구조 를 형성 하 거나 , 하부 전극 ( 101 ) 은 폴리 실리콘 막 이 고 상부 전극 ( 103 ) 은 금속 막 또는 금속 산화 막 으로 구성 되 어 MIS ( Metal Insulator Silicon ) 캐 패 시터 구조 를 형성 하 거나 또는 하부 전극 ( 101 ) 과 상부 전극 ( 103 ) 이 모두 금속 막 또는 금속 산화 막 으로 구성 되 어 MIM ( Metal Insulator Metal ) 캐 패 시터 구조 를 형성 할 수 있 다 . 아울러 , 하부 전극 ( 101 ) 은 적층 ( stack ) 구조 , 콘 케이브 ( concave ) 구조 또는 실린더 ( cylinder ) 구조 의 3 차원 구조 일 수 있 다 .