도 6 a 및 도 6 b 를 참조 하 면 , 본 실시 예의 메모리 장치 는 , 하나 이상 의 층 예컨대 , 2 층 으로 적층 되 고 제 1 방향 으로 연장 하 면서 제 2 방향 에서 서로 이격 하 여 배열 되 는 제 1 워드 라인 ( 410 ) 과 , 하나 이상 의 층 , 예컨대 , 2 층 으로 적층 되 고 제 2 방향 으로 연장 하 면서 제 1 방향 에서 서로 이격 하 여 배열 되 는 제 2 워드 라인 ( 420 ) 과 , 제 1 및 제 2 워드 라인 ( 410 , 420 ) 을 관통 하 여 수직 방향 으로 연장 하 는 기둥 형상 의 비트 라인 ( 460 ) 과 , 제 1 워드 라인 ( 410 ) 과 비트 라인 ( 460 ) 사이 및 제 2 워드 라인 ( 420 ) 과 비트 라인 사이 에 개재 되 는 가변 저항 층 ( 450 ) 을 포함 할 수 있 다 .