이후 , 비트 라인 노드 ( NB ) 와 로컬 워드 라인 노드 ( NW ) 사이 의 전압 이 저항성 메모리 셀 ( 220 ) 의 문턱 전압 이상 이 걸리 게 되 는 경우 , 비트 라인 노드 ( NB ) 의 전하 들 이 로컬 워드 라인 노드 ( NW ) 에 전달 될 수 있 다 . 이 과정 에서 , 로컬 워드 라인 노드 ( NW ) 에 쌓인 전하 들 은 전하 충전 커패시터 에 쌓일 수 있 다 . 시간 에 따른 동작 은 이후 , 도 9 및 도 10 을 통해 자세히 설명 한다 .