먼저 , 도 9 a 에 나타낸 바 와 같이 실리콘 등 으로 이루어진 반도체 기판 ( 101 ) 의 표면 에 소자 분리 절 연막 ( 102 ) 을 형성 한다 . 다음 , 소자 분리 절 연막 ( 102 ) 에 의해 획정 된 소자 영역 의 표면 에 B ( 붕소 ) 이온 주입 을 행함 으로써 , P 웰 ( 103 ) 을 형성 한다 . 그 다음 , P 웰 ( 103 ) 위 에 게이트 절 연막 ( 104 ) 및 게이트 전극 ( 105 ) 을 형성 한다 . 그 후 , P 웰 ( 103 ) 의 표면 에 P ( 인 ) 이온 주입 을 행함 으로써 , 얕 은 불순물 확산 층 ( 106 ) 을 형성 한다 . 계속 해서 , 게이트 전극 ( 105 ) 의 옆쪽 에 사이드 월 ( side wall ) 절 연막 ( 107 ) 을 형성 한다 . 다음 , P 웰 ( 103 ) 의 표면 에 As ( 비소 ) 이온 주입 을 행함 으로써 , 깊 은 불순물 확산 층 ( 108 ) 을 형성 한다 . 이 에 따라 , 트랜지스터 ( Tr ) 를 형성 한다 . 또한 , 1 개 의 트랜지스터 ( Tr ) 에 는 2 개 의 불순물 확산 층 ( 108 ) 이 포함 되 어 있 지만 , 그 중 의 한쪽 은 다 른 트랜지스터 ( Tr ) 와 공유 되 어 있 다 . 공유 된 불순물 확산 층 ( 108 ) 이 드레 인 을 구성 하 고 , 공유 되 지 않 은 불순물 확산 층 ( 108 ) 이 소스 를 구성 한다 .