그리고 , 상기 게이트 산화 막 ( 116 ) 은 도 3 j 에 도시 된 바 와 같이 , 상기 리세 스 ( 114 ) 측벽 과 바닥 면 의 실리콘 ( Si ) 결정 격자 면 이 서로 달라 상기 리세 스 ( 114 ) 의 측벽 에 형성 되 는 상기 게이트 산화 막 ( 116 ) 의 두께 가 바닥 면 에 형성 되 는 상기 게이트 산화 막 ( 116 ) 보다 0 . 5 ~ 2 배 의 두께 만큼 형성 된다 .