플라 즈 마 다 이싱 방식 은 , 마스크 로 덮 지 않 은 개소 를 플 라즈 마로 선택 적 으로 에칭 하 는 것 으로 , 반도체 웨이퍼 를 분할 하 는 방법 이 다 . 이 다 이싱 방법 을 이용 하 면 , 선택 적 으로 칩 의 분단 이 가능 하 고 , 스 크 라 이브 라인 이 만곡 되 어 있 어도 문제 없이 분단 할 수 있 다 . 또한 , 에칭 레이트 가 매우 높 은 것 으로부터 최근 에 는 칩 의 분단 에 최 적 인 프로세스 의 하나 로 여겨져 왔 다 .