도 10 을 참조 하 면 , 실리콘 질화 막 ( 120 ) 의 증착 이 실리콘 기판 상 에 전체 적 으로 수행 될 수 있 다 . 실리콘 질화 막 ( 120 ) 은 실리콘 기판 에 형성 된 패턴 과 습식 식각 된 영역 에 대응 하 여 형성 될 수 있 다 . 도 11 을 참조 하 면 , 실리콘 질화 막 ( 120 ) 의 단차 를 제거 하 여 평탄 화 하 는 단계 는 화학 기계 연마 ( Chemical Mechanical polishing ; CMP ) 방법 을 통해 수행 될 수 있 다 . 소정 의 산화 막 패턴 위 의 실리콘 질화 막 ( 120 ) 을 연마 해 제거 함 으로써 제 1 함몰 영역 ( 132 ) 에 만 실리콘 질화 막 ( 120 ) 이 존재 하 게 할 수 있 다 . 실리콘 질화 막 ( 120 ) 은 실리콘 나노 와이어 ( 100 ) 및 센서 구조물 ( 110 ) 을 모두 포함 할 수 있 다 . 즉 , 실리콘 질화 막 ( 120 ) 은 추후 부유 되 어 , 멤 브레인 으로 기능 할 수 있 으며 , 실리콘 질화 막 ( 120 ) 의 움직임 에 실리콘 나노 와이어 ( 100 ) 는 종속 될 수 있 다 .