도 1 에 도시 된 바 와 같이 , 상기 제 1 변 ( 11 ) 및 상기 제 2 변 ( 12 ) 이 서로 평행 하 고 대칭 구조 를 갖 는 경우 상기 측정 윈도우 ( 20 ) 의 폭 ( W 1 ) 은 상기 측정 정확도 를 확보 할 수 있 는 크기 로 설정 할 수 있 다 . 즉 , 상기 측정 정확도 를 높일 수 있 다 . 그 러 나 반도체 기판 내 에 는 대칭 구조 및 비대칭 구조 를 갖 는 패턴 들 이 동시 에 형성 된다 . 상기 제 1 변 ( 11 ) 및 상기 제 2 변 ( 12 ) 이 비대칭 구조 를 갖 는 경우 상기 측정 윈도우 ( 20 ) 의 폭 ( W 1 ) 은 상기 측정 정확도 를 확보 할 수 있 는 크기 로 설정 하 는 것 이 어렵 게 된다 . 이 경우 에 , 상기 측정 정확도 는 감소 한다 .