산화물 도전 층 을 산화물 반도체 층 과 소스 전극 및 드레 인 전극 의 사이 에 형성 함 으로써 , 소스 영역 및 드레 인 영역 의 저 저항 화 를 도모 할 수 있 고 , 트랜지스터 가 고속 동작 을 행할 수 있 다 . 또한 , 산화물 반도체 층 ( 144 ) , 산화물 도전 층 , 금속 재료 로 이루어지 는 드레 인 전극 의 구성 으로 함 으로써 보다 트랜지스터 의 내압 을 향상 시킬 수 있 다 .