장벽 층 ( 414 ) 의 증착 후 에 반도체 재료 의 증착 법 을 사용 하 여 각 메모리 셀 의 다이오드 형성 을 시작 한다 ( 예 를 들 어 , 도 2 a ~ 3 c 에서 의 다이오드 ( 204 ) ) . 각 다이오드 는 이전 에 기재 한 것 과 같이 수직 p - n 또는 p - i - n 다이오드 일 수 있 다 . 몇몇 실시 예 에서 각 다이오드 는 다 결정 성 반도체 재료 , 예 를 들 어 폴리 실리콘 , 폴리 실리콘 - 게르마늄 합금 , 게르마늄 또는 임의 의 다른 적당 한 재료 로 형성 된다 . 편의 를 위해서 폴리 실리콘 , 이래 쪽 - 포인팅 다이오드 의 형성 을 여기 에 기재 한다 . 다른 재료 및 / 또는 다이오드 구조 를 사용 할 수 있 다는 것 을 알 수 있 을 것 이 다 .