예 로서 , 고밀도 동적 랜덤 액세스 메모리 ( high density dynamic random access memory ( DRAM ) ) 의 제조 는 정보 를 저장 하 기 위해 콘덴서 ( capacitor ) 를 활용 한다 . 충전 주기 사이 에 전하 를 저장 하 기 위한 전기 용량 의 극치 수준 이 각 콘덴서 에 요구 된다 . 각 장치 의 수축 은 이 극치 수준 의 유지 를 도전 으로 만든 다 . 일 콘덴서 구조 는 긴 ( tall ) 실린더 의 생산 을 포함 한다 , 이 실린더 는 , 각 장치 수축 시 얇 아 져야 한다는 사실 에 대한 보상 으로 더 길 어 질 수 있 다 . 이러 한 타입 의 콘덴서 의 모양 은 , 부정 적 영향 을 만들 수 있 는 측면 배치 에 취약 하 게 된다 .