반도체 기억 장치 는 휘발 성 반도체 메모리 로 구성 된 제 1 메모리 영역 ( 11 ) , 비휘발성 반도체 메모리 로 구성 된 제 2 및 제 3 메모리 영역 ( 12 , 13 ) , 및 다음 의 처리 를 실행 하 는 컨트롤러 ( 10 ) 를 포함 한다 . 컨트롤러 ( 10 ) 는 제 1 단위 로 복수 의 데이터 를 제 1 메모리 영역 에 기억 시키 는 제 1 처리 , 제 1 관리 단위 로 제 1 메모리 영역 으로부터 출력 되 는 데이터 를 제 2 메모리 영역 에 기억 시키 는 제 2 처리 , 및 제 2 관리 단위 로 제 1 메모리 영역 으로부터 출력 되 는 데이터 를 제 3 메모리 영역 에 기억 시키 는 제 3 처리 를 실행 한다 .