본 발명 에 따른 반도체 결정 성장 방법 은 먼저 기판 ( 310 ) 상부 에 버퍼 층 ( 320 ) 을 형성 한다 ( S 201 ) . 상기 기판 ( 310 ) 은 다 결정 기판 또는 비정질 기판 이 사용 될 수 있 다 . 상기 기판 ( 310 ) 으로 비정질 의 유리 를 사용 하 는 경우 상기 버퍼 층 ( 320 ) 은 확산 방지 막 ( diffusion barrier ) 으로 SiN 을 사용 할 수 있 고 , 금속 과 같 은 다결정 의 기판 을 사용 하 는 경우 비정질 의 확산 방지 막 을 상기 버퍼 층 ( 320 ) 으로 사용 하 는 것 이 바람직 하 다 .