이하 더 기술 되 는 바 와 같이 , 가역 저항 전환 소자 ( 202 ) 는 메모리 셀 ( 200 ) 의 제조 를 단순 화 하 기 위해 선택 적 으로 형성 된다 . 적어도 일 실시 예 에서 , 가역 저항 전환 소자 ( 202 ) 는 질화 티탄 , 질화 탄탈 , 니켈 , 코발트 , 철 등 과 같 은 CNT 시드 층 상 에 형성 된 CNT 물질 의 적어도 일부 를 포함 한다 . 예 를 들 어 , 질화 티탄 또는 질화 탄탈 CNT 시드 층 ( 210 ) 이 제 1 도체 ( 206 ) 상 에 증착 되 고 , 패 터닝 되 고 에칭 될 수 있 다 ( 예 를 들 면 , 제 1 도체 ( 206 ) 와 함께 ) . 일부 실시 예 에서 CNT 시드 층 ( 210 ) 은 이를테면 화학 기계식 연마 ( CMP ) 에 의해서 요철 표면 이 될 수 있 다 . 다른 실시 예 에서 , 요철 표면 또는 매끈 한 질화 티탄 , 질화 타탄 또는 유사 한 층 에 니켈 , 코발트 , 철 등 과 같 은 금속 촉매 층 ( 별도 로 도시 되 지 않 았 음 ) 이 피복 되 어 CNT 시드 층 ( 210 ) 을 형성 할 수 도 있 다 . 다른 실시 예 에서 , CNT 시드 층 ( 210 ) 은 단순히 CNT 형성 을 촉진 하 는 니켈 , 코발트 , 철 등 과 같 은 금속 촉매 층 일 수 도 있 다 . 어느 경우 이 든 , CNT 제조 공정 은 CNT 시드 층 ( 210 ) 상 에 CNT 물질 ( 212 ) 을 선택 적 으로 성장 및 / 또는 증착 하 기 위해 수행 된다 . 이 CNT 물질 ( 212 ) 의 적어도 일부 는 가역 저항 전환 소자 ( 202 ) 로서 작용 한다 . CNT 물질 ( 212 ) 을 형성 하 기 위해 화학 증기 증착 ( CVD ) , 플라 즈 마 - 강화 CVD , 레이저 증발 , 전기 아크 방전 등 과 같 은 임의 의 적합 한 방법 이 사용 될 수 도 있 다 .