구체 적 으로 는 , 회전 테이블 ( 2 ) 을 회전 시켜서 성막 스텝 과 개질 스텝 을 교대 로 행함 에 있 어서 , 도 20 및 도 23 에 도시 한 바 와 같이 , 반응 생성물 의 막 두께 가 30 Å ( 3 nm ) 에 이르 기 까지 는 , 산화 막 두께 ( j ) 가 53 Å ( 5 . 3 nm ) 에 상당 하 는 제 2 강도 로 [ 전극 ( 36 a , 36 b ) 에 공급 하 는 전력 을 400 W 로 설정 해서 ) 개질 스텝 을 행한다 . 이 플 라즈 마는 , 반응 생성물 을 뚫 고 나 가 하층 측 의 웨이퍼 ( W ) 에 도달 하 여 , 당해 웨이퍼 ( W ) 의 표면 을 산화 한다 .