본 발명 의 실시 예 에 따라 , 상기 제 1 및 제 2 경사면 ( 42 a , 42 b ) 은 측 전방 으로 방출 되 는 광 의 반 사량 을 더욱 높이 기 위해 편평도 가 가장 큰 평면 의 구조 로 형성 된다 . 또한 , 상기 제 1 및 제 2 경사면 ( 42 a , 42 b ) 외측 의 면 들 , 즉 , 제 1 및 제 2 주 발광 면 ( 44 a , 44 b ) 은 광 의 방출 특성 을 향상 시키 기 위한 곡면 의 구조 로 형성 되 어 있 다 . 이때 , 제 1 및 제 2 경사면 ( 42 a , 42 b ) 의 기울기 및 편평도 는 광 의 전반 사량 및 광 의 전반사 각도 를 좌우 하 는 중요 한 인자 가 되 며 , 따라서 , 그 기울기 와 편평도 를 설계 과정 에서 변화 시키 는 것 에 의해 , 측면 발광 소자 의 측 전방 광량 및 / 또는 광 의 지향 각 범위 를 쉽 게 조절 할 수 있 다 .