도 2 d 및 3 d 를 참조 하 면 , 상기 하드 마스크 패턴 ( 10 ) 및 비트 라인 ( 8 ) 의 전면 에 스 페이서 용 막 을 증착 한다 . 상기 스 페이 서용 막 은 LPCVD 방식 에 따라 Si 3 N 4 로 증착 한다 . 그런 다음 , 상기 스 페이서 용 막 을 전면 건식 식각 ( blanket dry etch ) 하 여 상기 하드 마스크 패턴 ( 10 ) 을 포함 한 비트 라인 ( 8 ) 의 측벽 에 스 페이서 ( 13 ) 를 형성 한 다 . 다음 으로 , 상기 스 페이서 ( 13 ) 가 형성 된 기판 결과물 에 대해 희석 된 HF 또는 NH 4 F 용액 을 이용 하 여 세정 한 후 , 상기 홀 ( 12 ) 이 매립 되 도록 기판 결과물 상 에 도전 막 ( 14 ) 을 증착 한다 .