도 17 b 의 트랜지스터 에서 는 , 섬 형상 의 산화물 반도체 층 ( 644 ) 을 형성 하 고 , 그 위 에 산화물 도전 막 을 형성 하 고 , 당해 산화물 도전 막 상 에 금속 도전 막 을 형성 하 고 , 산화물 도전 막 및 금속 도전 막 을 동일 한 포토 리소그래피 공정 에 의해 가공 하 여 , 소스 영역 및 드레 인 영역 이 되 는 산화물 도전 층 ( 404 a ) , 산화물 도전 층 ( 404 b ) , 전극 ( 642 a ) 및 전극 ( 642 b ) 을 형성 한다 .