차광막 ( 차광막 을 구성 하 는 각 층 ) 을 형성 하 는 방법 으로 는 , 스퍼터링 에 의한 방법 이 가장 용이 하 게 균질성 이 우수 한 막 을 얻 기 때문 에 바람직 하 고 , DC 스퍼터링 , RF 스퍼터링 등 중 어느 방법 도 사용 할 수 있 으며 , 특히 DC 스퍼터링 이 바람직 하 다 . 스퍼터링 에 의한 상술 한 바 와 같 은 전이 금속 과 규소 를 함유 하 고 , 추가 로 질소 및 / 또는 산소 를 함유 하 는 막 의 성막 방법 은 잘 알려져 있 으며 , 기본 적 으로 는 공지 된 방법 ( 예 를 들 면 , 특허 문헌 3 : 일본 특허 공개 제 2007 - 241060 호 공보 ) 에 따라 성막 할 수 있 다 .