도 1 b 를 참조 하 면 , 상기 도 펀트 층 ( 114 ) 및 제 1 산화아연 층 ( 116 ) 을 열처리 한 결과 를 나타낸다 . 상기 열처리 는 일반 적 인 가열 열처리 에 의할 경우 200 ℃ 내지 900 ℃ 의 온도 에서 20 분 내지 2 시간 동안 수행 될 수 있 으며 , 상기 열처리 과정 을 통해 도 펀트 층 ( 114 ) 내 에 집중 되 어 있 던 p - 도 펀트 가 제 1 산화아연 층 ( 116 ) 으로 충분히 확산 되 고 활성 화 되 게 된다 . 상기 열처리 를 급속 열처리 ( RTA : rapid thermal annealing ) 에 의할 경우 에 는 수 초 내지 수 분 , 보다 구체 적 으로 는 10 초 내지 5 분 동안 수행 될 수 있 다 . 상기 열처리 를 거친 후 에 는 p - 도 펀트 의 농도 프로파일 은 도 1 b 에 나타낸 바 와 같이 제 1 산화아연 층 ( 116 a ) 의 상부 까지 확산 되 어 상기 제 1 산화아연 층 ( 116 a ) 전체 를 p - 형 산화아연 층 으로 전환 시킨다 .