따라서 , 현재 는 포 토리 소그라 피 공정 중 코팅 및 현상 시스템 에서 감광막 ( 204 ) 을 코팅 한 후 , EBR 공정 을 진행 하 여 웨이퍼 ( 200 ) 가장자리 지역 의 감광막 ( 204 ) 일부분 을 제거 하 고 WEE 공정 을 진행 함 으로써 웨이퍼 ( 200 ) 가장자리 에서 의 패 터닝 이 깨끗 하 게 유지 되 도록 하 고 있 다 . 즉 , EBR 공정 으로 웨이퍼 ( 200 ) 가장자리 의 감광막 ( 204 ) 을 제거 하 는 폭 보다 WEE 공정 으로 웨이퍼 ( 200 ) 가장자리 의 감광막 ( 204 ) 을 제거 하 는 폭 을 웨이퍼 ( 200 ) 의 안쪽 으로 조정 하 여 진행 함 으로써 웨이퍼 ( 200 ) 가장자리 에서 의 감광막 을 깨끗 하 게 유지 되 도록 하 고 있 다 .