부동 게이트 전극 을 갖 는 구조 인 메모리 셀 트랜지스터 ( MT ) 는 MONOS ( Metal Oxide Nitride Oxide Silicon ) 타입 과 같 은 전하 축적 층 으로서 의 질화 막 인터페이스 상 의 전자 를 트래핑 하 여 임계 값 의 조정 을 실현 할 수 있 는 구조 를 가질 수 있 다 . 마찬가지 로 , MONOS 구조 를 갖 는 메모리 셀 트랜지스터 ( MT ) 는 1 비트 또는 2 이상 의 비트 를 기억 시키 도록 포함 될 수 있 다 .