본 발명 은 임의 종류 의 컨 덕 터 를 가지 는 기판 상 에 인터 커넥트 물질 로서 구리 컨 덕 터 를 가지 는 이중 다 마신 인터 커넥트 시스템 의 제조 를 위한 다마 신 공정 에 관하 여 주된 내용 으로 하 는 바람직 한 실시 예 를 참조 하 여 설명 된다 . 본 발명 은 또한 디바이스 영역 ( Device Area ) 상 에 접속 금속 으로서 형성 된 텅 스탠 스터 드 ( Stud ) 에 기반 한 단일 다 마신 컨 텍 트 ( Contact ) 와 같 은 다른 다마 신 인터 커넥트 시스템 에 도 적용 될 수 있 다 . 본문 에 기술 되 는 실시 예 는 본 발명 을 설명 하 기 위한 단지 예시 적 인 것 으로서 , 본 발명 의 범위 를 제한 하 여서는 아니 된다 .