따라서 , 본 발명 의 제 3 실험 예 에서 알 수 있 는 바 와 C 8 H 14 와 아르곤 ( Ar ) 의 혼합물 을 이용 한 비정질 탄소막 은 고주파 전원 에 따라 증착 률 , 스트레스 및 산화 막 과 의 식각 선택 비 를 조절 할 수 있 는데 , 고주파 전원 이 높 을수록 높 은 증착 률 과 높 은 식각 선택 비 를 구현 할 수 있 다 . 그러나 , 스트레스 의 경우 어느 정도 까지 는 감소 하 지만 , 그 이후 오히려 증가 하 게 된다 .