도 14 의 ( a ) 를 참조 하 면 , 기판 ( 810 ) 상 에 포토레지스트 층 ( 830 ) 을 형성 ( 포토레지스트 층 형성 단계 ) 하 고 , 포토레지스트 층 ( 830 ) 상 에 마스크 패턴 ( 855 ') 이 형성 된 마스크 ( 850 ') 를 형성 ( 마스크 형성 단계 ) 한다 . 그리고 , 마스크 ( 855 ') 로 자외선 ( UV light ) 과 같 은 소정 의 빛 을 조사 하 여 포토레지스트 층 ( 830 ) 에 마스크 패턴 ( 855 ') 에 대응 되 는 복수 의 공동 ( void , 835 ') 을 형성 ( 공동 형성 단계 ) 한다 .