다음 으로 , 워드 라인 들 ( WL ) 을 가로지르 는 비트 라인 들 ( BL ) 이 반도체 기판 ( 100 ) 상 에 형성 될 수 있 다 . 비트 라인 들 ( BL ) 은 반도체 기판 ( 100 ) 상 에 절 연막 을 개재 하 여 형성 될 수 있 으며 , 활성 영역 ( ACT ) 과 비트 라인 ( BL ) 사이 에 는 소오 스 및 드레 인 영역 들 ( 101 ) 과 비트 라인 ( BL ) 을 전기 적 으로 연결 하 는 도전 패턴 들 ( 113 ) 이 형성 될 수 있 다 .