다음 에 는 , 피모 오스 ( PMOS ) 트랜지스터 영역 의 활성 영역 에 대하 여 후속 공정 에서 형성 될 피모 오스 ( PMOS ) 트랜지스터 의 길이 ( Length ) 방향 쪽 에 위치 한 질화 막 스 페이서 ( 155 ) 를 제거 한다 . 본 도면 은 트랜지스터 의 너비 ( Width ) 방향 에 따른 단면 을 도시 한 것 으로 상술 한 질화 막 스 페이서 ( 155 ) 의 제거 단면 이 도시 되 지 않 는다 . 따라서 , 이 에 대한 설명 은 하 기 도 4 및 도 5 에서 상술 하 는 것 으로 한다 .