종래 는 1 종류 의 유기 재료 만 으로 유기 반도체 를 형성 하 였 기 때문 에 수지상 ( 樹枝 狀 ) 구조 가 되 어 초격 자막 구조 의 균일성 이 떨어졌 지만 , 본 발명 에 있 어서 는 , 초격자 가 되 는 제 1 유기 박막 과 비정질 로 이루어진 제 2 유기 박막 또는 무기계 의 절연성 박막 을 적층 하 였 기 때문 에 , 제 1 유기 박막 의 이차원 적 성장 을 확보 하 여 뛰어난 유기 반도체 초격자 구조 가 된다 .