먼저 , 초음파 분쇄 ( 초음파 출력 : 100 W ) 및 호모 게 나이저 ( 미성 과학사 ) 를 이용 하 여 탈 이온 수 에 그래핀 산화물 ( Angstron Meterials 사 ; 입자 사이즈 : < 1 ㎛) 을 균일 하 게 분산 시켜 2 mg / ml 인 분산 물 ( 분산 액 ) 을 제조 하 였 다 . 이후 , 6 - 아미노 - 4 - 히드록시 - 2 - 나프탈렌 설폰산 ( AHNS ; TCI 사 ) 를 탈 이온 수 에 용해 시켜 AHNS 수용액 ( 농도 : 20 중량 %) 을 제조 하 였 다 . 후속 적 으로 , 암모니아 용액 ( Sigma - Aldrich ) 6 mg 을 AHNS 수용액 5 ml 에 첨가 하 여 제조 된 알칼리 성 AHNS 용액 을 앞서 제조 된 GO 수분 산액 100 ml 에 서서히 첨가 하 여 그래핀 산화물 의 표면 을 개질 하 였 는 바 , 그래핀 산화물 기준 으로 500 중량 % 의 량 으로 그래핀 산화물 - 함유 분산 물 에 첨가 하 였 다 . 이때 , 표면 처리 는 70 ℃ 에서 24 시간 에 걸쳐 수행 하 였 다 .