한편 , 일 실시 예 에 따르 면 , 제 1 및 제 2 마스크 패턴 들 ( 42 , 72 ) 은 , 별도 의 식각 공정 없이 , 제 1 및 제 2 희생 패턴 들 ( 32 , 64 ) 을 이용 하 여 하 부막 ( 20 ) 을 패 터닝 하 는 동안 에 제거 될 수 도 있 다 . 다른 실시 예 에 따르 면 , 제 1 및 제 2 마스크 패턴 들 ( 42 , 72 ) 은 , 별도 의 식각 공정 없이 , 제 1 및 제 2 희생 패턴 들 ( 32 , 64 ) 과 함께 하 부막 ( 20 ) 을 패 터닝 하 는 데 이용 될 수 도 있 다 .