도 1 c 를 참조 하 면 , 상기 와 같이 p - 형 산화아연 층 ( 제 1 산화아연 층 , 116 ) 을 형성 한 후 그 위 에 앞서 설명 한 증착 방법 을 이용 하 여 제 2 산화아연 층 ( 118 ) 을 형성 할 수 있 다 . 상기 제 2 산화아연 층 ( 118 ) 은 앞서 설명 한 바 와 같이 n - 형 산화아연 층 이 기 때문 에 이 와 같 은 과정 을 통해 산화아연 층 의 p - n 접합 을 얻 을 수 있 고 , p - n 접합 을 필요 로 하 는 여러 가지 반도체 소자 에 응용 될 수 있 다 .