도 5 d 를 참조 하 면 , 제 2 하드 마스크 패턴 ( 185 ) 을 제거 한 후 반도체 기 판 ( 100 ) 의 전체 표면 에 게이트 산화 막 ( 140 ) 을 형성 한다 . 이때 , 돌출부 ( 170 ) 의 측벽 에서부터 측정 되 는 게이트 산화 막 ( 140 ) 의 두께 가 돌출부 ( 170 ) 상부 표면 으로부터 측정 되 는 게이트 산화 막 ( 140 ) 두께 의 1 . 5 ~ 3 배 가 되 도록 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 이때 , 게이트 산화 막 ( 140 ) 은 건식 또는 습식 산화 공정 을 이용 하 여 형성 는 데 돌출부 ( 170 ) 의 단차 에 의해서 측벽 부분 이 더 두껍 게 형성 된다 .