한편 , 제 1 희생 막 ( 104 ) 은 도전 막 ( 102 ) 상 에 제 1 완충 막 ( 103 ) 이 형성 되 지 않 는 경우 를 대비 하 여 도전 막 ( 102 ) 의 손상 을 최소 화 하 기 위하 여 LPCVD 공정 으로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 또한 , 제 1 희생 막 ( 104 ) 은 폴리 실리콘 막 과 식각 선택 비 가 높 은 질화 막 으로 형성 할 수 있 으나 , 이 는 일례 로서 도전 막 ( 102 ) 을 후속 식각 공정 과 CMP 공정 에 대한 충분 한 내구력 을 가지 면서 도전 막 ( 102 ) 과 식각 선택 비 를 갖 는 물질 이 면 족하 다 .