이때 , 상기 실리콘 산화 막 을 형성 하 는 바람직 한 방법 은 산소 플 라즈 마 를 이용 하 여 형성 하 는 방법 인데 , 공정 파워 ( power ) 는 100 내지 1000 W 를 사용 하 고 , 공정 시간 은 10 내지 1000 초 , 공정 압력 은 70 내지 400 Pa 인 공정 조건 을 갖 는 산소 플 라즈 마 를 이용 하 여 열 산화 막 을 형성 한다 . 또 다른 실리콘 산화 막 을 형성 하 는 바람직 한 방법 은 상기 비정질 실리콘 층 ( 120 ) 상 을 산소 를 포함 하 는 대기 나 진공 중 에 노출 시켜 비정질 실리콘 층 ( 120 ) 상 에 자연 산화 막 이 자연 스럽 게 생성 하 도록 하 는 방법 이 다 .