상 , 하층 에 서로 비아 를 통해 연결 되 는 구리 패턴 을 형성 함 에 있 어서 , 상층 구리 층 을 형성 하 는 전기 도금 을 실시 할 때 도금 분위기 를 100 도씨 내지 200 도씨 의 고온 으로 유지 하 면서 도금 을 실시 하 는 것 을 특징 으로 하 는 반도체 장치 형성 방법 과 이 방법 을 실시 하 기 위한 도금 장치 가 개시 된다 . 이때 , 도금 장치 는 양 이온 교환 막 ( cationic membrane ) , 양 이온 교환 막 으로 분리 되 는 양극 전해질 ( catholyte ) 과 음극 전해질 ( anolyte ) , 양 이온 교환 막 으로 분리 된 양극 전해질 과 음극 전해질 을 수용 하 는 전해질 액 조 ( electrolyte chamber ) , 음극 전해질 에 접하 도록 설치 되 는 구리 음극 ( anode ) , 양극 전해질 에 공정 기판 ( wafer ) 표면 이 접하 도록 설치 되 며 공정 기판 에 음전하 ( electron ) 를 공급 하 는 양극 ( cathode ) 및 전해질 에 열 을 공급 하 기 위해 설치 되 는 히터 를 구비 하 여 이루어질 수 있 다 .