" 본 개시 내용 은 반도체 웨이퍼 상 에 형성 된 피처 의 평탄 화 를 관리 하 기 위한 기술 을 설명 하 고 있 다 . 개시 된 기술 의 발명자 는 "" 패턴 밀도 "" 로 지칭 되 는 주어진 표면 샘플링 영역 내 에 형성 된 마이크 로 범프 구조물 의 밀도 와 주어진 표면 영역 내 에 형성 된 마이크 로 범프 의 높이 사이 의 상관 관계 를 관찰 하 였 다 . 패턴 밀도 는 표면 영역 내 에 형성 된 마이크 로 범프 의 총 표면 적 과 표면 샘플링 영역 의 표면 적 간 의 비율 을 지칭 한다 . 개시 된 기술 은 웨이퍼 표면 상 의 다양 한 영역 내 에 형성 된 마이크 로 범프 의 패턴 밀도 를 조정 함 으로써 웨이퍼 표면 상 에 형성 된 마이크 로 범프 구조물 의 상대 적 평탄 화 를 달성 한다 . 패턴 밀도 는 다양 한 방식 으로 조정 된다 . 예 를 들 어 ", 주어진 웨이퍼 표면 영역 내 에 형성 된 마이크 로 범프 의 표면 적 크기 는 확대 되 거나 축소 되 어 패턴 밀도 를 변경 할 수 있 다 . 다른 예 에서 , 더미 마이크 로 범프 가 주어진 웨이퍼 표면 영역 에 삽입 되 어 패턴 밀도 를 증가 시킬 수 있 다 .