도 3 과 관련 하 여 기재 된 바 와 같이 , 계산 구성 요소 ( 431 - 0 , 431 - 1 , ..., 431 - X - 1 ) 및 공유 I / O 라인 0 ( 455 - 1 ) 내지 공유 I / O 라인 M - 1 ( 455 - M ) 와 조합 된 감지 증폭기 ( 406 - 0 , 406 - 1 , ..., 406 - X - 1 ) 에 대해 도 4 a 및 4 b 에 도시 된 구성 이 감지 회로 ( 450 ) 의 계산 구성 요소 와 감지 증폭기 의 조합 의 절반 이 메모리 셀 의 컬럼 위 에 형성 되 고 절반 이 접힘 형 DRAM 아키텍처 의 메모리 셀 의 컬럼 ( 422 - 0 , 422 - 1 , ..., 422 - X - 1 ) 아래 에 형성 되 는 것 에 한정 되 지 않 는다 . 예 를 들 어 , 다양 한 실시 예 에서 , 특정 짧 은 디 지트 라인 서브 어레이 ( 425 ) 에 대한 감지 구성 요소 스트라이프 ( 424 ) 가 메모리 셀 의 컬럼 위 및 / 또는 아래 에 형성 되 는 감지 구성 요소 스트라이프 의 임의 의 개수 의 감지 증폭기 및 계산 구성 요소 에 의해 형성 될 수 있 다 . 마찬가지 로 , 특정 긴 디 지트 라인 서브 어레이 ( 426 ) 에 대한 감지 구성 요소 스트라이프 ( 424 ) 가 , 다양 한 실시 예 에서 , 메모리 셀 의 컬럼 위 및 / 또는 아래 에 형성 되 는 감지 구성 요소 스트라이프 의 임의 의 개수 의 감지 증폭기 에 의해 형성 될 수 있 다 . 따라서 도 1 b 및 1 c 에 도시 된 일부 실시 예 에서 , 감지 회로 의 이 들 증폭기 및 / 또는 계산 구성 요소 모두 및 대응 하 는 감지 구성 요소 스트라이프 가 메모리 셀 의 컬럼 위 또는 아래 에 형성 될 수 있 다 .