각각 의 상기 제조 된 포지티브 레지스 트 조성물 은 실리콘 웨이퍼 상 에 도포 되 었 고 , 115 ℃ 에서 60 초 동안 베 이킹 을 행하 여 200 nm 의 레지스 트 막 을 형성 하 였 다 . 도 1 에 설명 된 바 와 같이 , 15 ml 의 증류수 가 피펫 으로부터 그 위 에 형성 된 레지스 트 막 을 갖 는 웨이퍼 ( 1 ) 의 중앙부 로 적하 되 었 다 . 이어서 , 연실 ( 2 ) 과 제공 된 10 cm 사각 석영 판 이 상기 증류수 웅덩이 에 위치 되 어 상기 웨이퍼 ( 1 ) 와 상기 석영 판 ( 3 ) 간 의 전체 공간 은 증류수 ( 4 ) 로 채워졌 다 .