일 실시 예 에 따른 표시 장치 ( 1 ) 는 복수 의 산화물 반도체 를 포함 하 는 구동 트랜지스터 ( DRT ) 와 하나 의 산화물 반도체 를 포함 하 는 제 1 스위칭 트랜지스터 ( SCT ) 를 포함 할 수 있 다 . 구동 트랜지스터 ( DRT ) 는 제 1 활성 층 ( 350 ) 및 제 1 산화물 층 ( 370 ) 을 포함 하 고 , 제 1 스위칭 트랜지스터 ( SCT ) 는 제 2 활성 층 ( 450 ) 을 포함 할 수 있 다 . 구동 트랜지스터 ( DRT ) 는 제 1 활성 층 ( 350 ) 과 제 1 게이트 전극 ( 310 ) 사이 에 제 1 산화물 층 ( 370 ) 이 배치 되 어 넓 은 범위 의 구동 전압 을 확보 할 수 있 다 . 반면 에 제 1 스위칭 트랜지스터 ( SCT ) 는 제 2 활성 층 ( 450 ) 과 제 2 게이트 전극 ( 410 ) 사이 에 제 1 산화물 층 ( 370 ) 이 배치 되 지 않 고 , 채널 영역 ( 450 c ) 에서 높 은 전자 이동도 를 확보 할 수 있 다 .