상기 제 2 반도체 층 ( 1115 ) 은 제 2 도전 형 의 도 펀트 가 도핑 된 3 족 - 5 족 또는 2 족 - 6 족 의 화합물 반도체 중 적어도 하나 로 제공 될 수 있 다 . 예컨대 상기 제 2 반도체 층 ( 1115 ) 은 GaAs , GaAl , InP , InAs , GaP 를 포함 하 는 그룹 중 하나 일 수 있 다 . 상기 제 2 반도체 층 ( 1115 ) 은 예컨대 , AlxGa 1 - xAs ( 0 < x < 1 ) / AlyGa 1 - yAs ( 0 < y < 1 ) ( y < x ) 의 조성식 을 갖 는 반도체 재료 로 형성 될 수 있 다 . 상기 제 2 반도체 층 ( 1115 ) 은 제 2 도전 형 의 도 펀트 예컨대 , Mg , Zn , Ca , Sr , Ba 와 같 은 p 형 도 펀트 를 갖 는 p 형 반도체 층 일 수 있 다 . 상기 제 2 반도체 층 ( 1115 ) 은 서로 다른 반도체 층 을 교대 로 배치 하 여 λ / 4 n 두께 를 갖 는 DBR 일 수 있 다 . 상기 제 2 반도체 층 ( 1115 ) 은 상기 제 1 반도체 층 ( 1111 ) 보다 낮 은 반사 율 을 포함 할 수 있 다 . 예컨대 상기 제 1 및 제 2 반도체 층 ( 1111 , 1115 ) 은 90 % 이상 의 반사 율 에 의해 수직 방향 으로 공진 캐비 티 를 형성 할 수 있 다 . 이때 , 광 은 상기 제 1 반도체 층 ( 1111 ) 의 반사 율 보다 낮 은 상기 제 2 반도체 층 ( 1115 ) 을 통해서 외부 로 방출 될 수 있 다 .