불휘발성 반도체 기억 장치 에서 는 , 제 어 게이트 전극 과 반도체 기판 사이 에 부유 게이트 전극 을 설치 하 고 , 제 어 게이트 전극 에 의해 부유 게이트 전극 에 정보 를 기억 한다 . 부유 게이트 전극 은 층간 절 연막 을 개재 하 여 제어 게이트 전극 과 대향 하 고 있 고 , 부유 게이트 전극 과 반도체 기판 사이 에 는 실리콘 열 산화 막 이 형성 되 어 있 다 . 이 들 제 어 게이트 전극 및 부유 게이트 전극 의 재료 에 는 , 불순물 을 함유 하 는 다결정 실리콘 이 이용 되 어 있 다 . 이 불순물 을 함유 하 는 다결정 실리콘 은 , 예 를 들 면 불순물 을 함유 하 지 않 는 실리콘 막 을 성막 하 고 , 이 에 불순물 을 주입 한 후 , 열처리 함 으로써 형성 된다 ( 예 를 들 면 특허 문헌 1 참조 ) .