그 후 , 반도체 성 산화 물막 ( 105 ) 에 대하 여 , 열처리 ( 제 1 열처리 ) 를 행한다 . 이 제 1 열처리 에 의해 , 반도체 성 산화물 층 ( 104 a ) 의 결정 을 핵 으로 하 여 , 반도체 성 산화 물막 ( 105 ) 이 결정 성장 하 고 , 도 1 d 에 도시 한 바 와 같이 c 축 배향 한 반도체 성 산화 물막 ( 105 a ) 이 된다 .