본 발명 에서 는 양극 전극 층 ( 103 ) , 유기 층 ( 110 ) 및 음극 전극 층 ( 114 ) 의 인 캡슐 레이 션 을 위해 , 제 1 산화 ? 산란 방지 층 ( 102 ) 및 제 2 산화 ? 산란 방지 층 ( 106 ) 으로 형성 되 는 홈 을 형성 하 게 된다 . 이 때 , 상기 홈 에 의해 제 1 산화 ? 산란 방지 층 ( 102 ) 과 접촉 하 는 유기 층 ( 110 ) 의 외측 에지 ( edge ) 는 직선형 또는 아치형 으로 형성 될 수 있 다 . 다만 , 반드시 직선형 또는 아치형 에 만 한정 되 는 것 은 아니 고 발명 의 필요 에 따라 , 반원형 , 마름모형 등 다양 한 형태 의 에지 를 형성 하 는 것 도 가능 할 것 이 다 .