도 1 내지 도 3 을 참조 하 면 , 상기 박막 트랜지스터 ( TFT ) 의 게이트 전극 ( 116 ) , 상기 게이트 전극 ( 116 ) 에 전기 적 으로 연결 되 는 상기 게이트 라인 ( 137 ) 및 상기 게이트 라인 ( 137 ) 에 전기 적 으로 연결 되 는 상기 게이트 패드 ( 132 ) 는 상기 베이스 기판 ( 120 ) 상 에 배치 된다 . 상기 게이트 전극 ( 116 ) , 상기 게이트 라인 ( 137 ) 및 상기 게이트 패드 ( 132 ) 는 알루미늄 , 몰리브덴 , 구리 등 의 금속 , 이 들 의 합금 또는 이 들 이 적층 된 구조 를 갖 는다 . 예 를 들 어 , 상기 게이트 전극 ( 116 ) , 상기 게이트 라인 ( 137 ) 및 상기 게이트 패드 ( 132 ) 는 알미늄 층 및 상기 알미늄 층 상 에 배치 된 몰리브덴 층 을 갖 는 2 중층 구조 이 다 .