도 7 는 도 4 의 A - A ' 라인 을 따라 자른 단면 을 도시 한 도면 이 다 . 셀 영역 ( 300 ) 에 는 기판 ( 10 ) 상부 에 플로팅 게이트 ( FG , 110 a , 110 b , 110 c ) 가 형성 된다 . 플로팅 게이트 ( FG , 110 a , 110 b , 110 c ) 와 기판 ( 10 ) 의 사이 에 터널 링 산화 막 ( 미 도시 ) 이 형성 된다 . 터널 링 산화 막 ( 미 도시 ) 은 플로팅 게이트 ( FG , 110 a , 110 b , 110 c ) 와 기판 ( 10 ) 을 전기 적 으로 분리 시킨다 . 따라서 , 플로팅 게이트 ( FG , 110 a , 110 b , 110 c ) 에 주입 된 전자 의 이동 이 터널 링 산화 막 ( 미 도시 ) 에 의하 여 차단 됨 으로써 정보 를 플로팅 게이트 ( FG , 110 a , 110 b , 110 c ) 에 저장 할 수 있 다 . 다만 , 임계 전압 이 인가 되 는 등 경우 에 따라서 는 터널 링 현상 을 통하 여 전자 등 이 터널 링 산화 막 ( 미 도시 ) 을 통과 할 수 있 다 . 플로팅 게이트 ( FG , 110 a , 110 b , 110 c ) 상 에 는 하드 마스크 층 ( 180 ) 이 형성 된다 . 하드 마스크 층 ( 180 ) 은 플로팅 게이트 폴리 실리콘 을 식각 하 기 위해 필요 하 다 . 그리고 플로팅 게이트 ( FG , 110 a , 110 b , 110 c ) 의 측면 을 둘러싸 는 유전 막 ( 170 ) 이 형성 된다 . 상기 유전 막 ( 170 ) 을 둘러싸 는 컨트롤 게이트 ( CG , 120 ) 가 형성 된다 . 플로팅 게이트 ( FG , 110 a , 110 b , 110 c ) 와 컨트롤 게이트 ( CG , 120 ) 는 전기 적 으로 분리 되 나 , 경우 에 따라서 는 터널 링 현상 을 통하 여 전자 등 이 이동 할 수 도 있 다 .