일부 실시 예 들 에 있 어서 , CMP 대신 에치 백 ( etch - back , EB ) 에 의하 여 상기 마스크 패턴 ( 190 ) 의 평탄 화 가 이루어지 는 경우 에 는 도 10 g 에 도시 한 바 와 반대 의 레벨 변화 가 발생 할 수 있 다 . 즉 , 제 2 영역 ( R 2 ) 에서 보다 제 1 영역 ( R 1 ) 에서 마스크 패턴 의 상부 표면 의 레벨 이 상대 적 으로 더 높 을 수 있 다 .