본 발명 은 면적 효율 성 을 높이 는 온 칩 인덕 터 의 구조 및 형성 방법 에 관한 것 이 다 . 즉 , 본 발명 에서 는 반도체 기판 상 형성 되 는 온 칩 인덕 터 의 형성 방법 에 있 어서 , 인덕 터 를 위한 금속 배선 을 동일 배 선폭 에서 임의 분리 시키 고 분리 된 배선 중 가운데 배선 을 한 층 아래 에 하부 금속 배선 으로 형성 하 도록 함 으로써 전체 폭 을 유지 하 면서 도 동일 한 단면적 을 형성 하 도록 하 고 , 배선 양 끝단 을 묶 어 배선 폭 의 감소 로 인해 증가 되 는 저항 을 병렬 연결 을 통해 전체 저항 을 동일 하 게 유지 한 체 금속 배선 의 자체 인덕턴스 와 상호 인덕턴스 를 증가 시켜 금속 배선 의 전체 저항 을 증가 시키 게 된다 . 또한 동일 금속 배선 폭 에서 금속 배선 을 임의 분리 시킴 으로써 전체 표면적 을 증가 시켜 금속 배선 에서 의 표피 효과 에 의한 인덕 터 충실 도 저하 를 방지 시키 게 된다 .