단계 ( 204 ) 에서 , 포토레지스트 - 적층 된 기판 이 그 후 소성 된다 . 소성 은 일반 적 으로 , 다른 경우 에 포토레지스트 표면 을 뒤틀리 게 하 거나 가스 를 방출 할 수 도 있 는 , 노출 된 포토레지스트 막 ( 102 ) 내 의 용매 들 의 일부 를 제거 한다 . 본 예 에서 적합 한 소성 파라미터 는 대략 10 분 동안 90 ℃ 내지 150 ℃ 의 온도 범위 에 의 노출 을 포함 하 지만 , 임의 의 적합 한 소성 파라미터 가 사용 될 수 있 다 .