상기 PSG 막 ( 206 ) 은 식각 장벽 막 으로서 , 열적 CVD 방식 , PECVD 방식 및 O 3 - TEOS CVD 방식 중 어느 하나 의 방식 에 따라 상기 홈 ( H ) 깊이 의 5 ∼ 15 ％ 두께 로 형성 한다 . 또한 , 상기 PSG 막 은 SiO 2 막 내 에 P 2 O 3 가 함유 되 도록 형성 하 거나 , 또는 , SiO 2 막 내 에 P 2 O 3 와 P 2 O 5 가 함유 되 도록 형성 하 고 , 인 ( P ) 이 5 ∼ 30 wt ％ 농도 로 함유 되 도록 형성 한다 . 이때 , 상기 인 ( P ) 은 PH 3 가스 , POCl 4 가스 , TMP ( Tri - Methyl Phosphate ) 및 TEP ( Tri - Ethyl Phosphate ) 중 어느 하나 의 가스 로 사용 하 여 막 내 에 함유 되 도록 한다 . 상기 비정질 카본 막 ( 208 ) 은 PECVD 방식 에 따라 200 ∼ 550 ℃ 의 온도 에서 1000 ∼ 5000 Å 두께 로 형성 한다 .