실리사이드 억제 층 은 반도체 기판 상 에 산화 막 , 질화 막 또는 이 들 의 복합 막 을 증착 하 고 , 포 토리 소그라 피 공정 및 식각 공정 에 의해 실리사이드 층 이 형성 되 지 않 는 비 실리사이드 ( non - silicide ) 영역 에 만 선택 적 으로 형성 하 여 샐리 사이드 공정 시 이 부분 에서 실리사이드 반응 이 일어나 지 않 도록 한다 .