또한 , 트랜지스터 ( 162 ) 에서 는 , 미세화 에 기인 하 여 소자 간 에 발생 하 는 누설 을 억제 하 기 위해서 , 섬 형상 으로 가공 된 산화물 반도체 층 을 사용 하 고 있 지만 , 섬 형상 으로 가공 되 지 않 은 산화물 반도체 층 을 채용 해도 좋 다 . 산화물 반도체 층 을 섬 형상 으로 가공 하 지 않 는 경우 에 는 , 가공 시 의 에칭 에 의한 산화물 반도체 층 의 오염 을 방지 할 수 있 다 .