본 발명 의 이러 한 목적 등 을 달성 하 기 위하 여 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 쵸 크랄스 키 법 에 따른 결정 성장 공정 에서 결정 성장 조건 을 예측 하 는 방법 은 결정 성장 조건 의 변화 에 따른 실리콘 단결정 잉곳 의 성장 시뮬레이션 에서 얻 어 진 종자 결정 유동 의 운동량 과 도가니 의 실리콘 융액 유동 의 운동량 의 비 로 정의 되 는 MsMc 값 을 구하 는 단계 와 , 시뮬레이션 결과 구해진 MsMc 값 에 대한 상기 결정 성장 조건 의 관계 를 그래프 로 표시 하 는 단계 와 , 상기 결정 성장 공정 중 MsMc 값 에 의해서 현 결정 성장 조건 을 예측 하 는 단계 를 포함 한다 .