Ge 층 ( 120 ) 은 이하 의 절차 에 의해 형성 되 어도 좋 다 . 우선 , 저온 에서 시드 결정 을 형성 한다 . 시드 결정 은 SixGe 1 - x ( 식 중 , 0 ≤ x < 1 ) 여도 좋 다 . 시드 결정 의 성장 온도 는 330 ℃ 이상 450 ℃ 이하 여도 좋 다 . 그 후 , 시드 결정 이 형성 된 Si 웨이퍼 ( 102 ) 의 온도 를 미리 정해진 온도 까지 승 온 시킨 후 , Ge 층 ( 120 ) 을 형성 하 여도 좋 다 .