구동 트랜지스터 ( TDR ) , 제 1 스위칭 트랜지스터 ( TSW 1 ) , 제 2 스위칭 트랜지스터 ( TSW 2 ) 및 발광 제어 트랜지스터 ( TEM ) 중 적어도 제 1 하나 는 PMOS 트랜지스터 로 구현 되 고 , 적어도 제 2 하나 는 NMOS 트랜지스터 로 구현 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 도 3 에 도시 된 바 와 같이 , 구동 트랜지스터 ( TDR ) , 제 1 스위칭 트랜지스터 ( TSW 1 ) 및 제 2 스위칭 트랜지스터 ( TSW 2 ) 는 NMOS 트랜지스터 들 로 구현 될 수 있 고 , 발광 제어 트랜지스터 ( TEM ) 는 PMOS 트랜지스터 로 구현 될 수 있 다 .