이러 한 포스트 리스 구조 의 반도체 장치 ( 50 ) 는 , 상기 제 1 실시 예 와 마찬가지 의 수순 으로 형성 할 수 있 다 . 즉 , 도 7 내지 도 12 에 도시 한 공정 후 , 포스트 ( 11 ) 의 형성 을 행하 지 않 고 , 포스트 ( 11 ) 가 없 는 상태 에서 , 도 16 에 도시 한 시드 메탈 에칭 공정 으로 진행 하 고 , 이후 , 마찬가지 의 수순 으로 형성 해 가 면 된다 .