본 발명 의 폴리아 믹 산 수지 조성물 은 , 주 쇄 에 탄 소수 5 ~ 20 의 알킬렌 쇄 를 가지 는 폴리아 믹 산 을 포함 하 는 수지 조성물 로서 , 이미드 화 율 이 80 % 이상 으로 되 는 온도 에서 가열 경화 된 두께 20 ㎛ 의 수지 조성물 경화 막 의 인장 탄성 률 이 100 이상 1500 MPa 미만 인 것 을 특징 으로 한다 . 본 발명 에 의하 면 , 폴리 이미드 수지 전구체 ( 폴리아 믹 산 ) 를 이용 하 면서 , 1 회 의 도포 ( 스핀 코트 ) 로 두꺼운 막 형성 ( ~ 200 ㎛) 이 가능 하 고 , 또한 , 저온 작업 성 ( ~ 200 ℃) 을 가지 고 , 저 휨 성 , 내열성 , 절연성 , 저 흡수성 이 뛰어난 경화 막 을 얻 을 수 있 는 , 반도체 기판 의 보호 코트 제 에 이용 하 여 적합 한 폴리아 믹 산 수지 조성물 과 그 수지 조성물 로부터 얻 어 진 경화 막 을 가지 는 반도체 장치 를 제공 할 수 있 다 .