이어서 , 도 5 를 참조 하 면 , 실리콘 기판 ( 10 ) 위 에 약 12 nm 두께 의 터널 산화 막 ( 15 ) 을 증착 할 수 있 고 , 이 는 통상 적 인 증착 방법 , 예컨대 CVD ( Chemical Vapor Deposition ) , SACVD ( Sub - Atmospheric CVD ) , LPCVD ( Low Pressure CVD ) 또는 PECVD ( Plasma Enhanced CVD ) 에 의할 수 있 다 . 증착 하 는 대신 에 열 산화 법 으로 단결정 실리콘 층 을 산화 시켜 실리콘 산화 막 을 성장 시킬 수 도 있 다 .