도 11 과 도 12 를 참조 하 면 , 본 실시 예의 히트 싱크 ( 310 ) 는 전술 한 실시 예 들 과 달리 반도체 모듈 ( 500 ) 에 적용 되 는 덮개 형 히트 싱크 이 다 . 본 실시 예의 히트 싱크 ( 310 ) 는 전술 한 실시 예 들 과 같이 히트 싱크 베이스 ( 311 ) 에 전체 적 으로 복수 의 관통 구멍 ( 13 ) 이 형성 되 어 있 다 . 그리고 그 관통 구멍 ( 13 ) 이 메워 지 게 도금 층 ( 40 ) 과 DLC 층 ( 30 ) 이 순차 적 으로 코팅 되 어 있 다 .