도 1 d 에 도시 된 바 와 같이 , 폴리 실리콘 층 ( 13 , 13 A ) 에 열처리 를 실시 한다 . 여기 서 , 열처리 는 폴리 실리콘 층 ( 13 A ) 내 에 도핑 된 도 펀트 ( Dopant ) 의 활성 화 를 위한 것 으로 , 급속 열처리 ( Rapid Thermal Process ) 로 실시 할 수 있 다 . 특히 , 급속 열처리 는 850 ℃∼ 1100 ℃ 의 온도 에서 1 초 ∼ 60 초 동안 실시 할 수 있 다 .