종래 의 반도체 장치 의 제조 방법 에서 는 , 도 4 에 나타나 는 바 와 같이 , 언더 필 공정 과 봉지 공정 을 다른 공정 에서 행했었 다 . 통상 , 언더 필 과 소자 탑 재면 의 일괄 봉지 를 동시 에 행하 는 경우 에 는 , 봉지 수지 에 배합 하 는 필러 ( 충전제 ) 의 사이즈 ( 입경 ) 를 작 게 할 필요 가 있 다 . 그러나 , 필러 의 사이즈 를 작 게 하 면 필러 의 비표 면적 이 올라가 고 , 봉지 수지 의 용융점 도 가 올라가 므로 , 필러 를 고 배합 하 기 는 어렵 다 . 또한 , 봉지 수지 의 팽창 계수 가 높 아 지 기 때문 에 , 봉지 후 의 휨 이 큰 문제 가 된다 . 이 와 같이 , 일반 적 인 봉지 수지 를 이용 하 여 언더 필 과 소자 탑 재면 의 일괄 봉지 를 동시 에 행하 는 것 과 , 휨 의 억제 를 양립 하 기 는 어렵 다 . 이 에 반해 , 도 1 에 나타내 는 바 와 같 은 본 발명 의 반도체 장치 의 제조 방법 에서 는 , 반도체 봉지 용 기재 가 부착 된 봉 지재 를 사용 함 으로써 , 기재 에 의해 휨 을 억제 할 수 있 다 . 이 에 따라 , 봉지 수지 층 의 물 성 의 자유도 가 올라가 고 , 봉지 공정 에서 언더 필 과 소자 탑 재면 의 일괄 봉지 를 동시 에 행하 는 것 이 가능 해진다 . 이 와 같이 , 본 발명 이 면 , 종래 법 에 있 어서 별도 행할 필요 가 있 었 던 언더 필 공정 을 생략 할 수 있 다 .