따라서 , 여기 의 설명 으로부터 , 본 발명 은 다양 한 실시 예 를 포함 한다는 것 을 알 수 있 을 것 이 다 . 예 를 들 어 , 본 발명 의 실시 예 에 따르 면 , 한 방법 이 제공 된다 . 이 방법 은 반도체 재료 로 형성 된 루프 를 갖 는 기판 을 제공 하 는 단계 를 포함 한다 . 루프 는 적어도 하나 의 루프 단부 에서 연결 된 한 쌍 의 실질 적 으로 평행 하 고 수평 으로 가늘 고 긴 부분 에 의해 정의 된다 . 루프 를 따르 는 제 1 트랜지스터 는 제 1 의 가늘 고 긴 부분 의 연장 부분 을 제 2 의 가늘 고 긴 부분 의 연장 부분 으로부터 전기 적 으로 분리 시키 기 위해 형성 된다 . 루프 의 일부분 은 제 1 트랜지스터 의 활성 영역 을 형성 한다 .