본 발명 은 확산 방지 막 ( 14 ) 및 금속 계 전극 ( 15 ) 까지 형성 한 후 , 제 1 열 공정 을 추가 로 실시 하 여 확산 방지 막 ( 14 ) 의 반응 을 미리 완료시 켜 서 후속 열 공정 에 의해 확산 방지 막 ( 14 ) 의 반응 에 의한 스트레스 를 방지 하 여서 , 게이트 하드 마스크 ( 16 ) 의 치밀 화 에 의한 스트레스 가 발생 하 여도 게이트 절 연막 ( 12 ) 에 동시 에 두 가지 스트레스 가 인가 되 어 게이트 절 연막 ( 12 ) 의 신뢰 성 이 열화 되 는 것 을 방지 할 수 있 는 장점 이 있 다 .