제 1 중간층 ( 120 ) 및 / 또는 제 2 중간층 ( 130 ) 은 기본 소자 ( 110 ) 의 일 면 에 유전체 를 적당 한 두께 로 , 예 를 들 어 얇 게 도포 및 형성 시킴 으로써 기본 소자 ( 110 ) 에 설치 될 수 있 다 . 이 경우 , 제 1 중간층 ( 120 ) 및 / 또는 제 2 중간층 ( 130 ) 은 원자 층 증착 ( ALD , Atomic Layer Deposition ) 공정 을 이용 하 여 기본 소자 ( 110 ) 에 형성 될 수 도 있 다 . 또한 , 제 1 중간층 ( 120 ) 및 / 또는 제 2 중간층 ( 130 ) 은 물리 적 기상 증착 ( PVD , Physical Vapor Deposition ) 공정 이나 화학 적 기상 증착 ( CVD , Chemical Vapor Deposition ) 공정 을 이용 하 여 기본 소자 ( 110 ) 에 형성 되 는 것 도 가능 하 다 . 이 들 공정 을 통해 제 1 중간층 ( 120 ) 및 / 또는 제 2 중간층 ( 130 ) 을 기본 소자 ( 110 ) 의 소스 ( 112 ) 및 드레 인 ( 113 ) 에 증착 시키 는 경우 에 는 새로운 마스크 공정 등 을 요구 하 지 않 으므로 , 용이 하 게 기본 소자 ( 110 ) - 중간층 ( 120 , 130 ) - 금속 층 ( 141 , 142 ) 의 구조 를 구현 할 수 있 게 된다 .