아울러 , 추가 적 인 열처리 공정 은 Air 와 H 2 O 분위기 에서 수행 될 수 있 다 . 이 때 , 열처리 되 는 온도 와 시간 을 조절 함 으로써 , 산화 막 층 ( 300 ) 은 원 하 는 두께 로 형성 될 수 있 다 . 예컨대 산화 막 층 ( 300 ) 은 10 ㎚ 내지 1000 ㎚ 사이 에서 의 두께 로 형성 될 수 있 으며 , 다만 수치 가 이 에 한정 되 는 것 은 아니 다 .