도 23 을 참조 하 면 , 산화물 층 ( OXL ) 을 형성 하 는 단계 는 산화물 반도체 층 ( OXL ') 을 부분 적 으로 식각 하 여 제 2 활성 층 ( 450 ) 상 에 배치 되 는 산화물 반도체 층 ( OXL ') 을 제거 하 는 단계 및 일부 제거 된 산화물 반도체 층 ( OXL ') 을 열처리 하 여 산화물 층 ( OXL ) 을 형성 하 는 단계 를 포함 할 수 있 다 . 즉 , 산화물 층 ( OXL ) 은 제 1 절 연막 ( IL 1 ) 상 에 전면 적 으로 배치 되 는 산화물 반도체 층 ( OXL ') 을 부분 적 으로 식각 한 뒤 에 열처리 공정 을 수행 하 여 형성 될 수 있 다 . 이 경우 , 열처리 공정 에서 산화물 층 ( OXL ) 으로부터 공급 되 는 산소 는 제 1 활성 층 ( 350 ) 상 에 배치 된 제 1 절 연막 ( IL 1 ) 에 만 공급 될 수 있 다 . 이 를 통해 제 2 활성 층 ( 450 ) 으로 주입 되 는 산소 의 함량 을 최소 화 할 수 있 고 , 제 2 활성 층 ( 450 ) 을 포함 하 는 제 1 스위칭 트랜지스터 ( SCT ) 는 수소 의 배출 없이 높 은 이동도 를 가질 수 있 다 .