본 실시 형태 에서 는 , 웨이퍼 ( W ) 로서 실리콘 웨이퍼 를 사용 하 는 것 으로 하 고 , 그 실리콘 웨이퍼 에 는 , 도 9 의 ( a ) 에 도시 한 바 와 같이 트렌치 T 가 형성 되 어 있 다 . 트렌치 T 내 및 웨이퍼 ( W ) 의 표면 S 에 는 질화 실리콘 ( SiN ) 의 하 지 막 이 형성 되 어 있 다 . SiN 막 은 NH 2 구조 를 갖 는 H 기 로 종단 되 어 있 다 . 이것 은 SiN 막 을 성막 할 때 , NH 3 함유 가스 로 질화 되 었 기 때문 이 다 .