도 16 b 를 참조 하 면 , 상기 제 1 및 제 2 희생 마스크 패턴 ( 446 a , 446 b ) 의 측벽 에 스 페이서 패턴 ( 448 ) 을 형성 한다 . 계속 하 여 , 상기 스 페이서 패턴 ( 448 ) 의 양 측 으로 노출 되 는 상기 예비 하드 마스크 패턴 ( 444 ) 을 식각 한다 . 상기 식각 공정 에 의해 , 상기 스 페이서 패턴 ( 448 ) 및 제 1 희생 마스크 패턴 ( 446 a ) 아래 에 하드 마스크 패턴 ( 444 a ) 이 형성 된다 . 상기 공정 은 도 12 c 에서 설명 한 것 과 동일 하 다 .