제 1 보호막 ( 203 ) , 희생 소스 막 ( 205 ) 및 제 2 보호막 ( 207 ) 은 도 3 a 및 도 4 를 참조 하 여 설명 한 더미 소스 적층 체 ( DS ) 를 구성 할 수 있 다 . 제 1 보호막 ( 203 ) 및 제 2 보호막 ( 207 ) 은 제 1 도프 트 반도체 막 ( 201 ) , 희생 소스 막 ( 205 ) 및 식각 정지 막 ( 209 ) 과 다른 식각 률 를 갖 는 물질 로 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 제 1 보호막 ( 203 ) 및 제 2 보호막 ( 207 ) 은 산화 막 을 포함 할 수 있 다 . 희생 소스 막 ( 205 ) 은 제 1 도프 트 반도체 막 ( 201 ) 및 식각 정지 막 ( 209 ) 과 다른 식각 률 을 갖 는 물질 로 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 식각 정지 막 ( 209 ) 은 언 도프 트 실리콘 을 포함 할 수 있 다 .