도 16 a 내지 도 16 c 에서 , 제 2 ILD ( 108 ) 가 제 1 ILD ( 88 ) 위 에 퇴적 되 고 , 제 2 ILD ( 108 ) 와 제 1 ILD ( 88 ) 사이 에 에칭 정지 부 ( 150 ) 가 형성 된다 . 일 실시 예 에서 , 에칭 정지 부 ( 150 ) 는 플 라즈 마 강화 화학 적 기상 퇴적 ( plasma enhanced chemical vapor deposition ; PECVD ) , 물리 적 기상 퇴적 ( PVD ) , 원자 층 퇴적 ( atomic layer deposition ; ALD ) , 저압 화학 적 기상 퇴적 ( low pressure chemical vapor deposition ; LPCVD ) , 스핀 온 코팅 등 과 같 은 공정 을 통해 퇴적 된 실리콘 질화물 과 같 은 유전체 물질 로 형성 될 수 있 다 . 그러나 임의 의 적합 한 물질 및 공정 이 사용 될 수 있 다 .