상기 의 표 1 을 살펴보 면 , ESD 로부터 엘이디 칩 을 보호 하 기 위해서 는 바리스 터 의 전압 이 낮 고 어느 정도 의 정전 용량 을 가진 것 이 유효 하 다는 것 을 알 수 있 다 . 따라서 , 바리스 터 가 효과 적 인 ESD 대책 용 으로 사용 되 기 위해서 는 바리스 터 의 항복 전압 이 8 ∼ 14 V ( 정격 전압 은 5 . 5 ∼ 8 V ) 정도 가 효과 적 이나 , 엘이디 칩 의 방열 에 의한 바 리스터 재료 의 온도 상승 ( 60 ∼ 70 도 이상 ) 으로 IV 기울기 가 느슨 해질 때 유입 되 는 ESD 에 대하 여 효과 적 으로 대처 하 기 어렵 다 .