또한 , 본 발명 의 일 형태 와 같이 , 기억 소자 에 축적 되 어 있 는 전하량 을 제어 함 으로써 , 데이터 의 기억 을 행하 는 기억 장치 의 경우 , 기억 소자 로 의 전하 의 공급 과 , 이 기억 소자 로부터 의 전하 의 방출 과 , 이 기억 소자 에서 전하 의 유지 를 , 스위칭 소자 로서 기능 하 는 트랜지스터 ( 101 ) 에 의해 제어 한다는 점 을 주목 하 라 . 따라서 , 데이터 의 유지 기간 의 길이 는 , 기억 소자 에 축적 되 어 있 는 전하 가 상기 트랜지스터 ( 101 ) 를 통하 여 누설 하 는 양 에 의존 한다 . 본 발명 의 일 형태 에서 는 , 위 에서 설명 한 것 처럼 트랜지스터 ( 101 ) 의 오프 전류 를 현저 하 게 낮출 수 있 다 . 따라서 상기 전하 의 누설 을 막 을 수 있 고 , 데이터 의 유지 기간 을 길 게 확보 할 수 있 다 .