이 중 표면 산화층 을 형성 하 는 공정 에 는 , 전술 한 자성 층 ( 200 ) 의 일 표면 을 마스킹 하 는 공정 과 , 마스킹 된 자성 층 ( 200 ) 에 H 2 O 2 용액 을 가해서 자성 층 ( 200 ) 상 에 표면 산화층 을 형성 하 는 공정 이 포함 될 수 있 다 . 이 때 H 2 O 2 용액 이 가해질 때 의 반응 온도 와 반응 시간 을 조절 함 으로써 , 표면 산화층 은 원 하 는 두께 로 형성 될 수 있 다 .