또 , 파장 변환 층 ( 21 ) 의 두께 는 , 50 ~ 100 μ m 인 것 이 바람직 하 다 . 이 두께 가 지나치 게 얇 은 경우 에 는 , 여기 광원 ( 10 ) 이 파장 변환 층 ( 21 ) 을 통과 할 때 , 흡수 · 파장 변환 될 확률 이 낮 아 져 , 여기 광 L 1 이 필터 부재 ( 40 ) 와 광반사 부재 ( 30 ) 의 사이 에서 상호 반사 를 반복 하 기 때문 에 , 파장 변환 층 ( 21 ) 으로부터 의 방사 영역 이 확산 되 어 버려 , 광원 으로서 의 휘도 가 저하 되 어 , 프로젝터 장치 로서 충분 한 광량 을 얻 을 수 없 게 되 어 버린다 . 한편 , 이 두께 가 지나치 게 두꺼운 경우 에 는 , 파장 변환 부재 ( 20 ) 가 여기 광 L 1 에 의한 열 이력 ( 履 歷 ) 을 받 았 을 때 에 , 투 광판 ( 22 ) 을 구성 하 는 재료 와 파장 변환 층 ( 21 ) 을 구성 하 는 재료 의 열팽창 율 의 차 에 의한 응력 이 생김 으로써 , 파장 변환 층 ( 21 ) 에 크랙 이 발생 하 고 , 이 크랙 에 의해 파장 변환 층 ( 21 ) 이 흡수 하 여 발광 특성 이 저하 될 우려 가 있 다 . 또 , 도 1 에 나타내 는 바 와 같 은 투과 형 의 구성 인 경우 에 는 , 파장 변환 부재 ( 20 ) 를 투과 하 는 광 이 적어지 기 때문 에 , 파장 변환 층 ( 21 ) 으로부터 방사 되 는 장파 장광 L 2 는 광반사 부재 ( 30 ) 와 파장 변환 부재 ( 20 ) 의 사이 에서 상호 반사 를 반복 하 는 양 이 많 아 져 , 광반사 부재 ( 30 ) 나 파장 변환 부재 ( 20 ) 에서 의 흡수량 이 많 아 져 , 역시 광원 으로서 의 휘도 가 저하 되 어 버린다 .