다음 으로 , 도 7 a 에 도시 하 는 바 와 같이 , 소스 / 드레 인 영역 ( 80 ) 이 형성 된다 . 소스 / 드레 인 영역 ( 80 ) 은 , ( 예컨대 , LDD 영역 ( 65 ) 에서 ) 핀 ( 64 ) 을 에칭 하 여 리세 스 를 형성 하 고 , 금속 - 유기 CDV ( MOCVD ) , 분자 빔 에피택시 ( MBE ) , 액상 에피택시 ( liquid phase epitaxy , LPE ) , 기상 에피택시 ( vapor phase epitaxy , VPE ) , 선택 적 에피 택 셜 성장 ( SEG ) 등 , 또는 이 들 의 조합 과 같 은 적절 한 방법 을 사용 하 여 , 리 세스에 재료 를 에피 택 셜 성장 시킴 으로써 형성 된다 .