이 밖 에 , 위 에서 언급 된 폴리 아닐린 계 주입 층 을 형성 하 는 방법 들 의 일반 적 인 단점 은 다중 픽셀 매트릭스 형태 의 발광 다이오드 를 생산 할 수 없 다는 것 이 다 . 이 는 폴리 아닐린 의 에메랄드 형태 가 상대 적 으로 높 은 측면 전도도 를 가져 개별 픽셀 간 의 크로스 - 토크 가 이미지 의 손상 을 유발 하 기 때문 이 다 . 이러 한 현상 을 해결 하 기 위하 여 , 폴리 아크릴아미드 , 폴리 아크릴산 , 폴리비닐 피 롤리 돈 , 아크릴아미드 공중 합체 , 셀룰로오스 유도체 , 폴리에틸렌 글리콜 등 의 광학 적 으로 투명 한 비 전도 성 의 고분자 와 폴리 아닐린 의 혼합물 로 이루어지 는 박막 을 광학 적 으로 투명 한 전도성 산화물 ( ITO 등 ) 층 과 접촉 하 는 주입 층 으로 사용 하 는 방법 이 제안 되 었 다 . 상기 주입 층 의 두께 는 약 500 내지 5000 Å 이 며 , 전도성 산화물 층 과 더 얇 은 , 약 2 내지 400 Å 의 두께 를 갖 는 전도성 폴리 아닐린 층 사이 에 게재 된다 ( 미국 특허 출원 2005 / 0184306 ) . 그러나 , 위 의 구조 는 본질 적 으로 크로스 - 토크 문제 를 해결 할 수 없 음 이 명백 할 뿐 만 아니 라 , 빛 의 강도 를 감소 시키 고 , 장치 생산 을 복잡 하 게 한다 . 개별 픽셀 들 을 콘트롤 하 기 위한 액티브 박막 트랜지스터 매트릭스 ( 예 를 들 어 , 미국 특허 5 , 550 , 066 또는 6 , 351 , 078 에 기재 된 ) 를 이용 하 더라도 상기 박막 트랜지스터 매트릭스 의 전체 면 을 덮 는 연속 적 인 폴리 아닐린 주입 층 을 이용 하 는 경우 , 위 의 문제점 을 완전히 해결 하 지 못한다 .