도 2 c 를 참조 하 면 , 상기 감광막 패턴 을 식각 마스크 로 이용 하 여 상기 반사 방지 막 , 하드 마스크 폴리 실리콘 막 , 패드 산화 막 ( 206 ) 및 반도체 기판 ( 200 ) 의 활성 영역 ( 202 ) 부분 을 순차 적 으로 식각 하 여 800 ~ 1200 Å 깊이 로 제 1 리세 스 게이트 영역 ( T ) 을 형성 한 후 , 상기 감광막 패턴 , 반사 방지 막 및 하드 마스크 폴리 실리콘 층 을 제거 한다 .