상기 전극 층 ( 231 ) 은 상기 제 2 도전 형 반도체 층 ( 219 ) 의 상면 에 형성 되 며 , 그 물질 은 ITO ( indium tin oxide ) , IZO ( indium zinc oxide ) , IZTO ( indium zinc tin oxide ) , IAZO ( indium aluminum zinc oxide ) , IGZO ( indium gallium zinc oxide ) , IGTO ( indium gallium tin oxide ) , AZO ( aluminum zinc oxide ) , ATO ( antimony tin oxide ) , GZO ( gallium zinc oxide ) , ZnO , IrOx , RuOx , NiO 등 중 에서 선택 되 며 , 적어도 한 층 으로 형성 될 수 있 다 . 상기 전극 층 ( 231 ) 은 다른 예 로서 , 반사 전극 층 으로 형성 될 수 있 으며 , 그 물질 은 예컨대 , Al , Ag , Pd , Rh , Pt , Ir 와 같 은 금속 물질 중 에서 선택 적 으로 형성 될 수 있 다 .