다음 에 , 제 2 성막 조건 에서 의 미결정 실리콘 의 성막 이 종료 한 후 , 실란 , 수소 등 의 재료 가스 및 고주파 전력 의 공급 을 멈추 고 , 기판 반출 ( 1205 ) 을 행한다 . 계속 하 여 , 다음 의 기판 에 대하 여 성막 처리 를 행하 는 경우 에 는 , 기판 반입 ( 1202 ) 의 단계 로 복귀 하 여 같 은 처리 를 한다 . 진공 체임버 내 에 부착 한 피막 이나 분말 을 제거 하 기 위해서 는 , 클리닝 ( 1206 ) 을 행한다 .