도 5 a 를 참조 하 면 , 반도체 장치 ( 1000 d ) 는 도 2 를 참조 하 여 상술 한 실시 예 에서 와 달리 , 분리 구조물 ( 200 d ) 의 일부 영역 이 x 방향 을 따라 확장 되 어 배치 될 수 있 다 . 달리 말 해 , 분리 구조물 ( 200 d ) 의 외측 면 들 의 일부 가 인접 하 는 각각 의 소스 / 드레 인 영역 들 ( 150 ) 의 내부 를 향하 여 확장 될 수 있 다 . 이 에 따라 , 분리 구조물 ( 200 d ) 은 절곡 부가 포함 된 형상 을 가질 수 있 다 . 분리 구조물 ( 200 d ) 의 절곡 부 는 분리 스 페이서 층 들 ( 164 d ) 의 측면 으로부터 절곡 되 어 분리 스 페이서 층 들 ( 164 d ) 의 하면 과 접촉 할 수 있 다 . 분리 구조물 ( 200 d ) 의 측면 들 은 서로 인접 하 는 소스 / 드레 인 영역 들 ( 150 ) 의 마주 하 는 측면 들 과 각각 접촉 할 수 있 다 .