더 하 여 , 본 발명 의 상변화 메모리 소자 는 상기 제 1 상변화 층 스 페이서 ( 212 a ) 및 제 2 상변화 층 스 페이서 ( 212 b ) 가 제 3 매몰 절연 층 ( 216 c ) 을 기준 으로 외측 으로 기울 기 를 갖 기 때문 에 , 상변화 메모리 소자 의 디자인 룰 이 감소 되 어 홀 ( 214 ) 의 크기 가 감소 되 더라도 제 1 상변화 층 스 페이서 ( 212 a ) 및 제 2 상변화 층 스 페이서 ( 212 b ) 의 전기 적 연결 에 의한 쇼트 가 발생 하 지 않 는다 .