소거 실행 구간 ( P 11 ) 소거 된 플래시 메모리 의 전하 저장 층 내 의 전자 / 홀 은 , 지연 시간 구간 ( P 12 ) 동안 에너지 적 으로 안정 화 되 고 , 메모리 셀 의 문턱 전압 ( Vth ) 이 소거 레벨 로 안정 화 된다 . 본 발명 의 소거 방법 은 , 특히 플래시 메모리 가 저온 의 동작 환경 에 있 을 때 수행 되 는 B 타입 의 변형 소거 동작 의 경우 , 지연 시간 구간 ( P 12 ) 동안 카운터 펄스 ( counter pulse ; CP ) 가 소거 될 메모리 블록 의 워드 라인 들 로 인가 될 수 있 다 .