상기 한 바 와 같이 본 발명 은 MIM 커패시터 를 가지 는 반도체 소자 를 제조 함 에 있 어서 , 반도체 기판 상 하부 메탈 배선 과 연결 형성 되 는 MIM 커패시터 를 반도체 기판 상 단차 를 형성 되 도록 구현 함 으로써 , MIM 커패시터 상부 및 하부 메탈 형성 을 위한 각각 의 마스크 공정 을 생략 할 수 있 도록 하 여 MIM 커패시터 공정 을 간략 화 할 수 있 게 된다 .