상기 절연 층 ( 131 ) 은 제 1 방전 전극 ( 135 ) 과 수직 단차 를 형성 하 면서 상대 적 으 로 얇 은 두께 ( Ti ) 로 형성 된다 . 예 를 들 어 , 상기 절연 층 ( 131 ) 은 제 1 방전 전극 ( 135 ) 과 상하 양면 으로 단차 ( d 1 , d 2 ) 를 형성 하 면서 얇 은 두께 ( Ti ) 로 형성 될 수 있 다 . 상기 절연 층 ( 131 ) 의 두께 ( Ti ) 는 구체 적 인 아노 다 이징 의 공정 조건 에 따라 결정 될 수 있 는데 , 아노 다 이징 을 통해 그 표면 으로부터 내부 로 산화 가 진행 되 는 과정 에서 , 절연 층 ( 131 ) 에 대응 되 는 부분 이 완전히 산화 될 정도 로 충분히 얇 게 마련 되 는 것 이 바람직 하 다 . 만일 , 절연 층 ( 131 ) 의 두께 ( Ti ) 가 이 보다 두껍 게 형성 된다면 , 제 1 방전 전극 ( 135 ) 들 을 상호 연결 하 는 절연 층 ( 131 ) 의 내부 가 산화 되 지 않 고 그대로 전기 전도 성 을 유지 하 게 되 어 , 서로 다른 전기 적 인 신호 가 소통 되 는 방전 전극 ( 135 ) 들 이 절연 층 ( 131 ) 을 통해 단락 될 것 이 므로 , 공정 마진 을 포함 하 여 충분히 얇 은 두께 로 마련 되 는 것 이 필요 하 다 . 두께 가 서로 다른 방전 전극 ( 135 ) 및 절연 층 ( 131 ) 구조 를 형성 하 기 위해 , 예 를 들 어 , 원 소재 가 되 는 알루미늄 전극 시트 에서 상기 절연 층 ( 131 ) 부분 을 양면 으로 에칭 하 여 , 방전 전극 ( 135 ) 과 양면 으로 단 차진 구조 를 만들 게 된다 . 이때 , 일면 과 타면 에서 절연 층 ( 131 ) 과 방전 전극 ( 135 ) 사이 의 단차 ( d 1 , d 2 ) 가 동등 하 게 설계 되 면 , 양면 에칭 작업 이 대칭 적 으로 이루어질 수 있 으며 , 특별히 일면 과 타면 을 구별 할 필요 가 없 게 되 어 작업 의 편이 성 이 도모 될 수 있 을 것 이 다 .