본 발명 의 막 형성 조성물 을 사용 할 수 있 는 막 은 스핀 도포 , 롤 도포 , 딥 도포 , 스캔 도포 , 분무 또는 바 도포 등 의 소망 의 방법 에 의하 여 규소 웨이퍼 , SiO 2 웨 이 어 , SiN 웨이퍼 , 유리 또는 플라스틱 필름 등 의 기판 상 에 막 형성 조성물 을 도포 한 후 , 필요 에 따라서 상기 용매 를 가열 하 여 제거 함 으로써 형성 할 수 있 다 . 상기 기판 에 상기 조성물 을 도포 하 는 방법 으로서 , 스핀 도포 및 스캔 도포 가 바람직 하 고 , 특히 , 스핀 도포 가 바람직 하 다 . 스핀 도포 에 대하 여 , " "" Clean Track Series ""( 상품명 ; Tokyo Electron 제품 ) "," "" D - spin 시리즈 ""( 상품명 ; Dainippon Screen 제품 ) 또는 "" SS 시리즈 "" 또는 "" CS 시리즈 ""( 각각 ", 상품명 ; Tokyo Oka Kogyo 제품 ) 등 의 시판 장치 가 바람직 하 게 사용 된다 . 상기 스핀 도포 는 임의 의 회전 속도 로 행해질 수 있 지만 , 막 의 면내 균일성 의 관점 에서 는 300 mm 규소 기판 에 대하 여 약 1300 rpm 의 회전 속도 가 바람직 하 다 . 상기 조성물 의 용액 이 토출 될 때 , 상기 조성물 의 용액 이 회전 기판 상 에 토출 되 는 동적 토출 이나 상기 조성물 의 용액 이 정지 기판 상 에 토출 되 는 정적 토출 중 어느 하나 가 사용 되 어도 좋 다 . 그러나 , 상기 동적 토출 이 막 의 면내 균일성 의 점 에서 바람직 하 다 . 또한 , 상기 조성물 의 소모량 을 감소 시키 는 관점 에서 , 미리 기판 상 에 상기 조성물 의 주요 용매 만 을 토출 시켜 액체 막 을 형성 시킨 후 , 상기 조성물 을 토출 하 는 방법 이 사용 될 수 있 다 . 상기 스핀 도포 시간 에 대한 특별 한 제한 은 없 지만 , 스루풋 ( throughput ) 의 관점 에서 180 초 이내 가 바람직 하 다 . 상기 기판 수송 의 관점 으로부터 , 상기 기판 의 에지 에 상기 막 이 잔존 하 는 것 을 방지 하 기 위하 여 상기 기판 이 처리 ( 에지 린스 ( edge rinse ) 또는 백 린스 ( back rinse ) ) 되 는 것 이 바람직 하 다 . 상기 열처리 방법 은 특별히 제한 되 지 않 지만 , 크세논 램프 등 으로 기판 을 노광 시키 기 위해서 핫플레이트 가열 , 로 ( furnace ) 에 의한 가열 , RTP ( Rapid Theraml Processor ) 에서 의 가열 등 의 일반 적 으로 사용 되 는 방법 이 사용 될 수 있 다 . 이 들 중 , 핫플레이트 가열 또는 로 에 의한 가열 이 바람직 하 다 . 상기 핫플레이트 로서 , 시판 품 , 예컨대 , " "" Clean Track 시리즈 ""( 상품명 ; Tokyo Electron 제품 ) "," "" D - spin 시리즈 ""( 상품명 ; Dainippon Screen 제품 ) 및 "" SS 시리즈 "" 또는 "" CS 시리즈 ""( 상품명 ; Tokyo Oka Kogyo 제품 ) 가 바람직 하 고 "," 상기 로 로서 는 "" α 시리즈 ""( 상품명 ; Tokyo Electron 제품 ) 가 바람직 하 다 . "