상 변화 메모리 는 칼 코 게나 이드 물질 들 일 수 있 는 상 변화 물질 들 의 결정질 과 비정질 상태 들 사이 의 큰 저항 대비 를 활용 한다 . 결정질 상태 의 물질 은 주기 적 인 구조 로 배열 된 원자 들 을 가질 수 있 으며 , 이 는 상대 적 으로 낮 은 전기 저항 을 야기 할 수 있 다 . 그 에 반해 , 주기 적 원자 구조 가 없 거나 상대 적 으로 작 은 주기 적 원자 구조 를 갖 는 비정질 상태 의 물질 은 상대 적 으로 높 은 전기 저항 을 가질 수 있 다 . 물질 의 비정질 과 결정질 상태 들 사이 저항 값 들 의 차이 는 상당 할 수 있 다 ; 예 를 들 어 , 비정질 상태 의 물질 은 그것 의 결정질 상태 에서 의 물질 의 저항 보다 한 자릿수 이상 더 큰 저항 을 가질 수 있 다 . 몇몇 경우 , 물질 은 부분 적 으로 비정질 그리고 부분 적 으로 결정질 일 수 있 고 , 저항 은 전적 으로 결정 질 또는 전적 으로 비정질 상태 에서 의 물질 의 저항 사이 의 어떤 값 을 가질 수 있 다 . 따라서 물질 은 2 진 로직 적용 분야 이외 의 용도 로 사용 될 수 있 다 ― 즉 , 물질 에 저장 될 수 있 는 상태 들 의 수 가 2 보다 많 을 수 있 다 .