이상 에서 설명 한 바 와 같이 , 게이트 채널 길이 는 게이트 와 활성 영역 이 중첩 된 영역 에 따라서 결정 되 므로 각각 의 특성 에 따라서 게이트 채널 길이 를 상이 하 게 형성 하 려면 반도체 기판 의 면적 도 넓 게 확보 하 여야 하 고 그 형성 공정 도 복잡 해 지 는 문제 가 있 다 . 따라서 , 반도체 소자 의 고집 적 화 를 저해 하 고 반도체 소자 의 형성 수율 을 감소 시키 는 문제 가 발생 한다 .