본 발명 은 상기 소자 가 휘발 을 촉구 하 는 온도 에 노출 되 기 이전 에 봉쇄 층 을 포함 하 여 보호 함 으로써 , 상기 활물질 의 휘발 을 방지 하 거나 금지 하 는 방안 을 모색 한다 . 상기 봉쇄 층 은 상기 활물질 을 공간 적 으로 국한 시키 는 밀봉 부분 을 제공 하 며 , 상기 소자 가 높 은 공정 온도 에 노출 되 거나 동작 동안 에 고온 에 유기 된 경우 , 상기 활물질 의 이탈 을 차단 한다 . 바람직 한 실시 예 에 있 어서 , 상기 봉쇄 층 은 , 상기 활물질 의 증착 이후 이 면서 , 상기 소자 가 상기 활물질 을 휘발 을 촉진 하 는 온도 에 노출 되 도록 하 는 공정 단계 , 또는 동작 단계 에 놓이 기 이전 에 형성 된다 . 상기 봉쇄 층 그 자체 는 상기 활성 층 이 주목 할 만큼 휘발 되 기 충분 치 않 을 정도 의 온도 에서 형성 된다 . 일 실시 예 에 있 어서 , 상기 봉쇄 층 은 상기 활성 층 의 상기 휘발 온도 의 80 % 보다 작 거나 같 은 온도 에서 형성 된다 . 다른 실시 예 에 있 어서 , 상기 봉쇄 층 은 상기 활성 층 의 상기 휘발 온도 의 65 % 보다 작 거나 같 은 온도 에서 형성 된다 . 또 다른 실시 예 에 있 어서 , 상기 봉쇄 층 은 상기 활성 층 의 상기 휘발 온도 의 50 % 보다 작 거나 같 은 온도 에서 형성 된다 . 많 은 칼 코 게나 이드 상 - 변화 물질 들 은 300 ℃ 에서 400 ℃ 사이 의 온도 에서 휘발 된다 . 350 ℃ 에서 휘발 되 는 칼 코 게나 이드 상 - 변화 물질 에 대하 여 , 일 실시 예 에서 상기 봉쇄 층 은 280 ℃ 보다 작 거나 같 은 온도 에서 형성 된다 . 다른 실시 예 에 있 어서 , 상기 봉쇄 층 은 228 ℃ 보다 작 거나 같 은 온도 에서 형성 된다 . 또 다른 실시 예 에 있 어서 , 상기 봉쇄 층 은 175 ℃ 보다 작 거나 같 은 온도 에서 형성 된다 . 400 ℃ 에서 휘발 되 는 칼 코 게나 이드 상 - 변화 물질 에 대하 여 , 상기 봉쇄 층 은 일 실시 예 에 있 어서 320 ℃ 보다 작 거나 같 은 온도 에서 형성 된다 . 다른 실시 예 에 있 어서 , 상기 봉쇄 층 은 260 ℃ 보다 작 거나 같 은 온도 에서 형성 된다 . 또 다른 실시 예 에 있 어서 , 상기 봉쇄 층 은 200 ℃ 보다 작 거나 같 은 온도 에서 형성 된다 .