이 와 같이 , 본 실시 예 에 의한 자기 메모리 장치 는 , 1 개 의 메모리 셀 이 1 개 의 선택 용 트랜지스터 와 2 개 의 MTJ 소자 에 의해 구성 되 는 1 T 2 MTJ 형 을 갖 고 있 는 점 은 제 1 실시 예 에 의한 자기 메모리 장치 와 동일 하 다 . 본 실시 예 에 의한 자기 메모리 장치 의 주 된 특징 은 기입 워드 선 ( WWL ) 이 X 방향 으로 연장 하 여 형성 되 어 , 또한 디 짓 선 ( DL ) 이 Y 방향 으로 연장 하 여 형성 되 어 있 는 것 이 다 . 이 점 , 제 1 실시 예 에 의한 자기 메모리 장치 에서 는 , 기입 워드 선 ( WWL ) 이 Y 방향 으로 연장 하 여 형성 되 고 , 디 짓 선 ( DL ) 이 X 방향 으로 연장 하 여 형성 되 어 있 으며 , 이 들 배선 의 연장 방향 은 본 실시 예 에 의한 자기 메모리 장치 와 는 반대 이 다 .