Ⅲ - Ⅴ 족 질화물 반도체 ( group Ⅲ - Ⅴ nitride semiconductor ) 는 물리 적 , 화학 적 특성 으로 인해 발광 다이오드 ( LED ) 또는 레이저 다이오드 ( LD ) 등 의 발광 소자 의 핵심 소재 로 각광 을 받 고 있 다 . Ⅲ - Ⅴ 족 질화물 반도체 는 통상 InxAlyGa 1 - x - yN ( 0 ≤ x ≤ 1 , 0 ≤ y ≤ 1 , 0 ≤ x + y ≤ 1 ) 의 조성식 을 갖 는 반도체 물질 로 이루어져 있 다 .