복수 의 실시 예 에서 , HTS ( 128 ) 는 희망 전기 속성 을 제공 하 도록 선택 된 물질 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , HTS ( 128 ) 는 실리콘 의 복수 의 볼륨 ( 가령 , 층 ) 으로부터 형성 된 적층 구성 요소 일 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 개별 실리콘 볼륨 이 약 110 　 fF / μ m 2 의 커패시턴스 를 제공 할 수 있 고 개별 HTS ( 128 ) 는 약 2 mm x 13 mm 의 풋 프린트 를 가질 수 있 다 . 특정 실시 예 에서 , HTS 는 약 20 μ F 의 전체 커패시턴스 에 대응 하 는 실리콘 류 의 8 개 의 이러 한 볼륨 을 포함 할 수 있 다 . 또 다른 실시 예 에서 , HTS ( 128 ) 는 2 mm x 13 　 mm 보다 크 거나 작 은 그 밖 의 다른 치수 , 및 20 μ F 보다 크 거나 작 은 전체 커패시턴스 를 포함 할 수 있 다 . 동작 중 에 , HTS ( 128 ) 에 의해 제공 되 는 커패시턴스 가 , 다른 경우 라면 조립 체 ( 100 ) 의 그 밖 의 다른 구성 요소 에 부착 되 거나 그 내부 에 위치 하 는 ( 가령 , 기판 ( 102 ) 에 부착 되 거나 제 1 다이 ( 104 ) 내 에 위치 하 는 ) 커패시터 에 의해 생성 될 비교 적 상당 한 열 을 발생 시킬 수 있 다 .