상부 트랜지스터 의 채널 길이 ( L ) 는 , 소스 전극 ( 142 a ) , 및 드레 인 전극 ( 142 b ) 하 단부 ( 下端 部 ) 의 간격 에 따라 결정 된다 . 또한 , 채널 길이 ( L ) 가 25 nm 미만 의 트랜지스터 를 형성 하 는 경우 에 사용 하 는 마스크 를 형성 하 기 위한 노광 을 행할 때 에 는 , 수 nm 내지 수십 nm 며 파장 이 짧 은 초 자외선 ( Extreme Ultraviolet ) 을 사용 하 는 것 이 바람직 하 다 . 초 자외선 에 의한 노광 은 해상도 가 높 고 초점 심도 도 크 다 . 따라서 , 이후 형성 되 는 트랜지스터 의 채널 길이 ( L ) 를 10 nm 이상 1000 nm ( 1 ㎛) 이하 로 할 수 도 있 고 , 회로 의 동작 속도 를 높일 수 있 다 . 또한 , 미세 화 함 으로써 반도체 장치 의 소비 전력 을 저감 할 수 도 있 다 .