이어서 , 상기 트렌치 가 매립 되 도록 소자 분리 막 용 절 연막 ( 203 ) 을 형성 한다 . 이때 , 절 연막 ( 203 ) 은 단층 또는 적층 구조 로 형성 할 수 있 으며 , 바람직 하 게 는 종횡비 를 고려 하 여 적층 구조 로 형성 한다 . 예컨대 , 단층 구조 로 형성 하 는 경우 에 는 높 은 종횡비 에 대해 매립 특성 이 우수 한 HDP ( High Density Plasma ) 막 으로 형성 하 는 것 이 바람직 하 며 , 그 외 에 도 절연 성 을 갖 는 산화 막 계열 의 물질 은 모두 사용 가능 하 다 . 적층 구조 로 형성 하 는 경우 에 는 HDP 막 - SOG ( Spin On Glass ) 막 - HDP 막 의 적층 구조 로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 여기 서 , SOG 막 으로 는 PSZ ( polisilazane ) 막 을 사용 한다 . 또한 , 절연 성 을 갖 는 산화 막 계열 의 물질 로 는 BPSG ( Boron Phosphorus Silicate Glass ) , PSG ( Phosphorus Silicate Glass ) , USG ( Un - doped Silicate Glass ) , TEOS ( Tetra Ethyle Ortho Silicate ) 또는 이 들 의 적층 막 으로 형성 할 수 도 있 다 .