도 7 a 및 도 7 b 에 관련 하 여 설명 된 바 와 같이 , 채널 반도체 층 ( 102 ) 및 버퍼 반도체 층 ( 101 ) 의 소스 / 드레 인 영역 을 에칭 함 으로써 트렌치 ( 90 ) 가 형성 된다 . 그 다음 , 도 11 a ( 평면도 ) , 도 11 b ( 도 11 a 의 Y 1 - Y 1 에 대응 하 는 단면도 ) , 및 도 11 c ( 도 11 a 의 X 2 - X 2 에 대응 하 는 단면도 ) 에 도시 된 바 와 같이 , 베이스 소스 / 드레 인 에피 텍 셜 층 ( 108 ') 이 형성 된다 . 이 들 실시 예 에서 , 인접 한 베이스 에피 텍 셜 층 은 다이아몬드 형 형상 을 가지 며 , 병합 된 ( merged ) 베이스 에피 텍 셜 층 ( 108 ') 을 형성 하 도록 합쳐 진다 . 일부 실시 예 에서 , 병합 된 에피 텍 셜 층 ( 108 ') 과 아이 솔 레 이 션 절연 층 ( 104 ) 사이 에 갭 ( 112 ) 이 형성 된다 . 베이스 에피 텍 셜 층 ( 108 ') 의 재료 , 구성 및 / 또는 구조물 은 베이스 에피 텍 셜 층 ( 108 ) 의 것 들 과 동일 하 다 .