그러나 , 특허 문헌 1 에 기재 된 고강 도 냉연 강판 에서 는 , 냉간 압연 전 에 강판 표면 의 Si 농도 를 저감 시켜도 , 냉간 압연 후 의 어닐링 에 의해 강판 표면 에 Si 함유 산화물 이 형성 되 기 때문 에 , 도장 후 내식 성 의 개선 은 기대 할 수 없 다 . 또 , 특허 문헌 2 에 기재 된 고강 도 냉연 강판 에서 는 , JIS Z 2371 에 규정 된 염수 분무 시험 과 같 은 부식 환경 에서 는 내식성 이 문제 가 되 는 경우 는 없 지만 , 염 온수 침지 시험 이나 복합 사이클 부식 시험 과 같 은 가혹 한 부식 환경 에서 는 , 충분 한 도장 후 내식성 이 얻 어 지 지 않 는다 . 즉 , 열간 압연 후 의 강판 표면 의 Si 농도 를 저감 시키 거나 , Si 를 함유 하 는 선상 산화물 을 저감 시키 거나 하 는 것 만 으로 는 , 도장 후 내식성 이 우수 한 고강 도 냉연 강판 이 얻 어 지 지 않 는다 .