전술 한 바 와 같이 본 발명 에 따른 비휘발성 메모리 소자 는 액티브 영역 및 전하 저장 패턴 사이 에 비트 라인 연장 방향 으로 에어 갭 이 구비 된다 . 그러므로 , 상기 전하 저장 패턴 들 간 의 기생 커패시턴스 및 전하 저장 패턴 들 과 액티브 영역 간 의 기생 커패시턴스 를 감소 시킬 수 있 다 . 또한 , 본 발명 에 따른 비휘발성 메모리 소자 는 비트 라인 방향 으로 높 은 커플링 율 을 가지 므로 , 메모리 셀 의 동작 특성 이 우수 하 고 높 은 신뢰 성 을 갖 는다 .