도 1 을 참조 하 면 , 반도체 기판 ( 10 ) 에 STI ( Shallow Trench Isolation ) 공정 으 로 소자 분리 막 ( 11 ) 을 형성 하 여 활성 영역 ( 10 A ) 을 정의 하 고 , 산화 ( oxidation ) 공정 으로 활성 영역 ( 10 A ) 의 반도체 기판 ( 10 ) 에 산화 막 을 성장 시키 어 게이트 산화 막 ( 12 ) 을 형성 한다 .