상기 1 -( 2 ) 에서 제조 된 술폰 화 된 베이스 폴리머 1 . 0 g 을 아세톤 에 용해 시켜 175 ㎛ 두께 의 양성자 전도 성 고분 자막 을 제조 하 였 다 . 다음 으로 , 상기 양성자 전도성 고분자 막 을 1 M 의 염화 지르코늄 용액 및 1 M 의 인산 용액 에 침지 시키 는 단계 의 최적 온도 를 결정 하 기 위하 여 각 용액 의 반응 온도 를 20 ℃ 에서 60 ℃ 까지 변화 시키 며 각각 4 시간 씩 상기 고분 자막 을 침지 시킨 다음 , 저항 , 이온 전도 도 및 함 습량 을 체크 하 여 그 결과 를 하 기 표 1 에 나타내 었 다 . Zr 20 / P 20 은 염화 지르코늄 용액 에 침지 시키 는 단계 의 온도 가 20 ℃ 이 고 , 인산 용액 에 침지 시키 는 단계 의 온도 가 20 ℃ 라는 것 을 의미 한다 .