이상 에서 설명 한 바 와 같이 , 본 발명 에 따른 실리콘 습식 식각 방법 에 있 어서 는 , 상온 에서 증착 이 가능 한 패럴 린 마스크 를 이용 하 여 1 차 습식 식각 공정 을 수행 하 므로 , 실리콘 기판 에 대한 열 산화 공정 의 회수 가 줄어들 게 되 어 열 산화 공정 에 의해 발생 될 수 있 는 실리콘 기판 내부 의 열 적 결함 이 최소 화 될 수 있 다 . 따라서 , 습식 식각 공정 에 의해 형성 되 는 요소 들 의 형상 균 일도 가 향상 되 는 장점 이 있 다 .