하지만 , 사파이어 기판 과 그 위 에 형성 된 질화물 반도체 층 은 , 열팽창 계수 와 격자 상수 에 있 어서 큰 차이 가 있 으므로 , 높 은 결함 밀도 를 야기 한다 . 이러 한 밀도 높 은 결함 들 은 전파 전위 또는 크랙 ( clack ) 의 형태 로 존재 하 며 , 그 위 로 다른 질화물 반도체 층 을 성장 시킬 때 그 성장 되 는 층 으로 전파 된다 . 위 와 같 은 전파 전위 는 전자 이동도 를 저하 시키 며 , 또한 , 발광 다이오드 의 비 발광 부위 또는 전류 누설 의 통로 가 된다는 점 에서 발광 다이오드 의 성능 을 저하 시키 는 원인 이 된다 . 이 에 , 질화물 기판 상 에 질화물 반도체 층 들 을 형성 하 는 것 도 고려 된 바 있 지만 , 현재 의 기술 로 , 질화물 단결정 으로 이루어진 대 면적 의 기판 을 제작 하 는 데 에 는 큰 한계 가 있 다 .