PSZ 막 을 이용 하 여 소자 분리 막 을 형성 할 경우 PSZ 막 에 의한 스트레스 로 인하 여 터널 산화 막 계면 및 측벽 에 트랩 차지 ( trap charge ) 및 디 그레데 이 션 ( Degradation ) 으로 ISPP 스텝 변화 가 발생 하 고 , 이 로 인한 메모리 셀 의 문턱 전압 분포 가 넓 어 지 는 문제점 이 발생 할 수 있 다 .