다음 에 , 도 7 내지 도 46 을 참조 하 여 , 제 1 실시 형태 에 관한 불휘발성 반도체 기억 장치 ( 100 ) 의 제조 방법 을 설명 한다 . 도 7 내지 도 45 중 홀수 번 으로 나타낸 도면 은 메모리 트랜지스터 영역 ( 12 ) 을 도시 하 는 단면도 이 다 . 도 7 내지 도 45 중 홀수 번 으로 나타낸 도면 은 로우 방향 ( 제 2 방향 ) 의 단면 도 및 칼럼 방향 ( 제 1 방향 ) 의 단면도 이 다 . 도 8 내지 도 45 중 짝수 번 으로 나타낸 도면 은 메모리 트랜지스터 영역 ( 12 ) 의 종단 부 및 주변 영역 ( Ph ) 을 나타내 는 칼럼 방향 의 단면도 이 다 .