도 1 a 에 도시 된 바 와 같이 , 실리콘 기판 ( 11 ) 위 에 식각 대상 층 ( 12 ) 을 증착 한 후 , 식각 대상 층 ( 12 ) 상 에 비정질 카본 층 ( Amorphous Carbon Layer , 13 ) 을 증착 한다 . 여기 서 , 식각 대상 층 ( 12 ) 은 1500 Å ∼ 2000 Å 두께 의 질화 막 으로 형성 하 고 , 비정질 카본 층 ( 13 ) 은 1500 Å ∼ 2000 Å 두께 로 형성 한다 .