시간 구간 t 02 ~ t 04 ( 선택 된 비트 라인 프리 차지 단계 ) 에서 , 선택 된 비트 라인 ( BL 5 ) 의 프리 차징 을 위해 , 선택 된 비트 라인 ( BL 5 ) 에 연결 된 트랜지스터 들 ( Tpb 5 , Tnb 5 ) 의 게이트 들 에 인가 되 는 전압 들 은 로직 로우 ( ' 0 ') 레벨 일 수 있 다 . 선택 된 비트 라인 ( BL 5 ) 의 전압 ( VBL 5 ) 은 전압 레벨 ( Vbr 1 ) 로부터 전압 레벨 ( Vbr 2 ) 까지 변화 ( 만일 Vbr 2 > Vbr 1 라면 , 증가 ) 할 수 있 다 . 따라서 , 선택 된 비트 라인 ( BL 5 ) 은 시간 t 04 에서 전압 레벨 ( Vbr 2 ) 로 프리 차지 될 수 있 다 . 전압 레벨 ( Vbr 2 ) 은 , 선택 된 메모리 셀 ( MC 35 ) 에 저장 된 데이터 를 판독 하 기 위해 선택 된 비트 라인 ( BL 5 ) 에 인가 되 는 선택 컬럼 전압 의 레벨 로 지칭 될 수 있 다 . 선택 된 비트 라인 ( BL 5 ) 이 프리 차징 되 는 적어도 일부 시간 구간 t 03 ~ t 04 동안 , 트랜지스터 ( Tpw 3 ) 의 게이트 에 인가 되 는 전압 ( Gpw 3 ) 은 로직 하이 ( ' 1 ') 레벨 일 수 있 고 , 그리고 트랜지스터 ( Tnw 3 ) 의 게이트 에 인가 되 는 전압 ( Gnw 3 ) 은 로직 로우 ( ' 0 ') 레벨 일 수 있 다 . 따라서 , 선택 된 비트 라인 ( BL 5 ) 이 프리 차징 되 는 적어도 일부 시간 구간 t 03 ~ t 04 동안 , 선택 된 워드 라인 ( WL 3 ) 은 전압 레벨 ( Vwr 2 ) 에서 플로팅 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 시간 t 03 이 시간 t 02 와 같 은 경우 , 선택 된 워드 라인 ( WL 3 ) 은 , 선택 된 비트 라인 ( BL 5 ) 이 프리 차징 되 는 시간 구간 t 02 ~ t 04 동안 , 전압 레벨 ( Vwr 2 ) 에서 플로팅 될 수 있 다 . 시간 구간 t 03 ~ t 04 에서 의 선택 된 워드 라인 ( WL 3 ) 의 전압 ( VWL 3 ) 은 도 9 의 시간 구간 t 22 ~ t 26 에서 의 워드 라인 ( WL 3 ) 의 전압 들 ( VWLon , VWLoff . ideal ) 과 동일 할 수 있 고 , 따라서 도 9 에서 후술 될 것 이 다 .