한편 , 최근 에 는 집적 도 및 기능 의 향상 , 그리고 칩 사이즈 의 왜소화 의 관점 에서 , 반도체 장치 의 프린트 배선 기판 에 대한 실장 방법 도 변화 하 고 있 다 . 종래 의 금속 핀 과 납 - 주석 공정 ( 共晶 ) 핸 더 에 의한 실장 방법 에서부터 , 보다 고밀 도 실장 이 가능 한 BGA ( 볼 그리드 어레이 ) , CSP ( 칩 사이즈 패 키 징 ) 등 과 같이 , 폴리 이미드 피막 이 직접 핸 더 범프 에 접촉 하 는 구조 가 사용 되 게 되 어 오 고 있 다 . 이 와 같 은 범프 구조 를 형성 할 때 , 당해 피막 에 는 높 은 내열 성 과 내약품성 이 요구 된다 . 폴리 이미드 전구체 또는 폴리 벤 조옥 사졸 전구체 를 함유 하 는 조성물 에 열 가교제 를 첨가 함 으로써 , 폴리 이미드 피막 또는 폴리 벤 조옥 사졸 피막 의 내열 성 을 향상 시키 는 방법 이 개시 되 어 있 다 ( 특허 문헌 1 참조 ) .