여기 에서 의 미결정 반도체 막 이란 , 비정질 과 결정 구조 ( 단결정 , 다 결정 을 포함 함 ) 의 중간 적 인 구조 의 반도체 를 포함 하 는 막 이 다 . 이 반도체 는 , 자유 에너지 적 으로 안정 된 제 3 상태 를 갖 는 반도체 이 고 , 단거리 질서 를 갖 고 격자 변형 을 갖 는 결정질 의 것 이 고 , 입경 이 0 . 5 내지 20 nm 의 기둥 형 또는 바늘 형 결정 이 기판 표면 에 대하 여 법선 방향 으로 성장 하 고 있 다 . 또한 , 복수 의 미결정 반도체 의 사이 에 비단 결정 반도체 가 존재 하 고 있 다 . 미결정 반도체 의 대표 적 인 예 인 미결정 실리콘 은 , 그 라만 스펙트럼 이 단결정 실리콘 을 나타내 는 520 cm - 1 보다 도 저 파수 측 으로 시프트 하 고 있 다 . 즉 , 단결정 실리콘 을 나타내 는 520 cm - 1 과 어모퍼스 실리콘 을 나타내 는 480 cm - 1 의 사이 에 미결정 실리콘 의 라만 스펙트럼 의 피크 가 있 다 . 또한 , 미 결합수 ( 댕 글 링 본드 ) 를 종단 하 기 위해서 수소 또는 할로겐 을 적어도 1 원자 % 또는 그 이상 포함 시키 고 있 다 . 흔히 , 헬륨 , 아르곤 , 크립톤 , 네온 등 의 희가스 원소 를 포함 시켜 격자 변형 을 더욱 조장 시키 는 것 으로 , 안정 성 이 증가 하 여 양호 한 미결정 반도체 막 을 얻 을 수 있 다 . 이러 한 미결정 반도체 막 에 관한 기술 은 , 예 를 들 면 , 미국 특허 4 , 409 , 134 호 에서 개시 되 어 있 다 .