다음 으로 , 제 1 식각 공정 을 통해 화소 영역 의 데이터 금속 층 을 식각 하 고 , 제 2 식각 공정 으로 불순물 도핑 된 아몰 포스 실리콘 층 및 아몰 포스 실리콘 층 을 식각 한다 . 그리고 , 애 싱 공정 을 통해 동일 한 깊이 로 포토레지스트 를 제거 한다 . 그리고 , 제 3 식각 공정 을 통해 채널 영역 의 불순물 도핑 된 아몰 포스 실리콘 을 제거 하 고 , 남겨진 포토 레지스 트 를 제거 하 여 데이터 라인 , 제 1 내지 제 3 소스 전극 ( 161 , 163 , 165 ) 및 제 1 내지 제 3 드레 인 전극 ( 162 , 164 , 166 ) 을 포함 하 는 데이터 패턴 을 형성 한다 . 이때 , 데이터 패턴 의 하부 에 는 제 1 내지 제 3 반도체 층 ( 141 , 142 , 143 ) 및 제 1 내지 제 3 오 믹 콘 택 층 ( 151 , 152 , 153 ) 이 형성 된다 .