본 발명 에 따른 NAND 플래시 메모리 소자 는 메모리 셀 을 구성 하 기 위하 여 메모리 셀 영역 에서 제 1 방향 으로 상호 평행 하 게 연장 되 어 있 는 복수 의 도전 라인 과 , 상기 도전 라인 을 디코더 와 같 은 외부 회로 에 연결 시키 기 위하 여 접속 영역 에서 상기 복수 의 도전 라인 의 일단 에 각각 일체 로 형성 되 어 있 는 복수 의 콘 택 패드 를 포함 한다 . 상기 접속 영역 에서 상기 콘 택 패드 에 는 상기 제 1 방향 과 는 다른 제 2 방향 을 따라 복수 의 더미 도전 라인 이 연장 되 어 있 다 . 상기 복수 의 더미 도전 라인 은 상기 접속 영역 에서 각각 서로 다른 길이 를 가지 고 연장 되 어 있 다 . 따라서 , 메모리 셀 영역 에 비해 패턴 밀도 가 낮 은 접속 영역 에서 상기 더미 도전 라인 에 의해 패턴 밀도 가 증가 된다 . 이 에 따라 , 후속 공정 에서 행해 지 는 층간 절 연막 의 평탄 화 공정 시 CMP ( chemical mechanical polishing ) 의 결과 로서 저밀 도 패턴 영역 에서 발생 될 수 있 는 디싱 ( dishing ) 현상 , 또는 포토 리 소 그레 피 공정 에서 단차 에 의해 발생 될 수 있 는 디 포커스 ( defocus ) 현상 등 의 문제 들 을 방지 할 수 있 다 .