식 ( 4 ) 에서 , k 는 이온 성 탈리 의 반응 확률 , Ei 는 이온 화 에너지 , Г ion 은 이온 입사 량 이 며 , " kEi · Г ion 은 "" 이온 충돌 에 의한 탈리 "" 를 나타내 는 항 이 다 . 또한 ", 식 ( 4 ) 에서 , s 는 표면 으로 의 흡착 확률 , Г radical 은 라디칼 공급량 이 며 , " s · Г radical 은 "" 라디칼 표면 흡착 "" 을 나타내 는 항 이 다 . 한편 ", nc 는 에칭 대상 막 의 재질 을 나타낸다 .