다음 에 도 4 를 참조 하 면 , 패드 질화 막 패턴 ( 412 ) 표면 이 노출 되 도록 매립 절 연막 ( 440 ) 에 대한 평탄 화 를 수행 한다 . 이 평탄 화 는 고 선택 비 슬러리 ( HSS ; High Selectivity Slurry ) 를 이용 한 화학 적 기계 적 폴리 싱 ( CMP ; Chemical Mechanical Polishing ) 방법 을 사용 하 여 수행 할 수 있 다 . 다음 에 , 도면 에서 화살표 로 나타낸 바 와 같이 , 전면 에 산소 ( O 2 ) 가스 를 이용 한 건 식산 화 ( dry oxidation ) 를 수행 한다 . 이 건 식산 화 에 의해 반도체 기판 ( 400 ) 의 상부 모서리 의 일부 는 산화 된다 .