십 자형 절 단선 은 칩 단위 영역 들 의 사각 모서리 가 인접 하 는 지점 마다 형성 된다 . 바람직 하 게 , 십 자형 절 단선 은 도 1 에 도시 된 에칭 작업 에 의해 형성 된다 . 즉 , 십 자형 절 단선 은 웨이퍼 의 활성 면 에 포토레지스트 ( Photo resist ) 를 도포 하 는 공 정 ( S 10 ) 과 , 자외선 과 마스크 를 이용 한 노광 작업 을 통해 칩 단위 영역 들 의 사각 모서리 가 인접 하 는 경계 지점 마다 십 자형 절 단선 패턴 으로 웨이퍼 를 노출 시키 는 공정 ( S 20 ) 과 , 습식 식각 을 수행 하 여 십 자형 절 단선 패턴 을 선택 적 으로 에칭 하 는 공정 ( S 30 ) 을 통해 형성 된다 .