또 다른 구 현예 에 따르 면 , 재료 층 위 에 상기 하드 마스크 조성물 을 도포 하 고 열처리 하 여 하드 마스크 층 을 형성 하 는 단계 , 상기 하드 마스크 층 위 에 포토레지스트 층 을 형성 하 는 단계 , 상기 포토레지스트 층 을 노광 및 현상 하 여 포토레지스트 패턴 을 형성 하 는 단계 , 상기 포토레지스트 패턴 을 사용 하 여 상기 하드 마스크 층 을 선택 적 으로 제거 하 고 상기 재료 층 의 일부 를 노출 하 는 단계 , 그리고 상기 재료 층 의 노출 된 부분 을 식각 하 는 단계 를 포함 하 는 패턴 형성 방법 을 제공 한다 .