불순물 영역 들 ( 102 ) 이 상기 기판 ( 100 ) 의 주면 에 인접 하 여 y 방향 으로 연장 되 면서 x 방향 으로 이격 하 여 배열 될 수 있 다 . 상기 불순물 영역 은 ( 102 ) x 방향 으로 상기 반도체 영역 ( 130 ) 2 개 마다 하나 씩 배열 될 수 있 다 . 상기 불순물 영역 ( 102 ) 은 소스 영역 이 될 수 있 고 , 기판 ( 100 ) 의 다른 영역 과 PN 접합 을 형성 할 수 있 다 . 도 1 및 도 2 의 공통 소스 라인 ( CSL ) 은 도시 되 지 않 은 영역 상 에서 상기 불순물 영역 ( 102 ) 과 연결 될 수 있 다 . 상기 불순물 영역 ( 102 ) 은 기판 ( 100 ) 의 주면 에 인접 하 고 중앙 에 위치 하 는 고농 도 불순물 영역 ( 미 도시 ) , 및 상기 고농 도 불순물 영역 의 양 단 에 배치 되 는 저 농도 불순물 영역 ( 미 도시 ) 을 포함 할 수 있 다 . 상기 불순물 영역 들 ( 102 ) 상 에 는 절연 층 ( 170 ) 이 형성 될 수 있 다 .