도 5 는 본 발명 의 일 실시 형태 에 따른 반도체 웨이퍼 프로세싱 방법 의 플로우 챠트 를 나타낸다 . 방법 은 가스 분배 유닛 에 대해 실질 적 으로 평행 배향 으로 반도체 웨이퍼 를 홀딩 하 는 동작 ( 501 ) 을 포함 하 여 , 반도체 웨이퍼 와 가스 분배 유닛 사이 에 플 라즈 마 프로세싱 체적 이 형성 된다 . 일 실시 형태 에 있 어서 , 가스 분배 유닛 은 플 라즈 마 프로세싱 체적 의 전체 상부 에서 연장 하 는 플레이트 로서 정의 된다 . 또한 , 일 실시 형태 에 있 어서 , 반도체 웨이퍼 는 척 의 상부 표면 상 에 홀딩 된다 . 방법 은 또한 반도체 웨이퍼 에 대해 실질 적 으로 수직 인 방향 으로 가스 분배 유닛 내 로부터 플 라즈 마 프로세싱 체적 내부 로 플 라즈 마 프로세싱 가스 를 플로우 하 는 동작 ( 503 ) 을 포함 한다 . 부가 적 으로 , 동작 ( 505 ) 은 반도체 웨이퍼 에 대해 실질 적 으로 수직 인 방향 으로 플 라즈 마 프로세싱 체적 내 로부터 가스 분배 유닛 을 통해 플 라즈 마 프로세싱 가스 의 배출 플로우 를 지향 시키 도록 수행 된다 . 가스 분배 유닛 을 통한 플 라즈 마 프로세싱 가스 의 배출 플로우 는 플 라즈 마 프로세싱 체적 내 로부터 의 플 라즈 마 프로세싱 가스 의 유일 한 배출 플로우 이 다 .