상기 기판 ( 211 ) 위 에 는 버퍼 층 ( 213 ) 이 형성 되 며 , 상기 버퍼 층 ( 213 ) 은 2 족 내지 6 족 화합물 반도체 를 이용 하 여 적어도 한 층 으로 형성 될 수 있 다 . 상기 버퍼 층 ( 213 ) 은 III 족 - V 족 화합물 반도체 를 이용 한 반도체 층 을 포함 하 며 , 예컨대 , InxAlyGa 1 - x - yN ( 0 ≤ x ≤ 1 , 0 ≤ y ≤ 1 , 0 ≤ x + y ≤ 1 ) 의 조성식 을 갖 는 반도체 로서 , GaN , InN , AlN , InGaN , AlGaN , InAlGaN , AlInN 등 과 같 은 화합물 반도체 중 적어도 하나 를 포함 한다 . 상기 버퍼 층 ( 213 ) 은 서로 다른 반도체 층 을 교대 로 배치 하 여 초 격자 구조 로 형성 될 수 있 다 .