비아 특징 부 ( 214 ) 가 콘 택 특징 부 ( 210 ) 상 에 형성 되 고 콘 택 특징 부 ( 210 ) 를 통해 S / D 특징 부 ( 114 ) 에 전기 적 으로 접속 된다 . 비아 특징 부 ( 214 ) 는 콘 택 특징 부 ( 210 ) 와 유사 한 기하 형상 , 예컨대 하부 표면 의 폭 보다 더 큰 상부 표면 의 폭 을 가질 수 있 다 . 비아 특징 부 ( 214 ) 는 , CVD , ALD 또는 PVD 와 같 은 적합 한 기술 에 의해 퇴적 된 , 텅스텐 ( W ) ; 코발트 ( Co ) ; 루테늄 ( Ru ) ; 지르코늄 ( Zr ) , 주석 ( Sn ) , 은 ( Ag ) , 구리 ( Cu ) , 금 알루미늄 ( AuAl ) , 칼슘 ( Ca ) , 베릴륨 ( Be ) , 마그네슘 ( Mg ) , 로듐 ( Rh ) , 나트륨 ( Na ) , 이리듐 ( Ir ) , 텅스텐 ( W ) , 몰리브덴 ( Mo ) , 아연 ( Zn ) , 니켈 ( Ni ) , 칼륨 ( K ) , 카드뮴 ( Cd ) , 인듐 ( In ) , Ru , Co , 오스뮴 ( Os ) , 실리콘 ( Si ) , 게르마늄 ( Ge ) , 및 망간 ( Mn ) 과 같 은 다른 원소 로 도핑 된 Co , W 또는 Ru - 기반 의 화합물 또는 합금 ; 또는 다른 적합 한 전도성 재료 와 같 은 적합 한 전도성 재료 를 포함 한다 . 비아 특징 부 ( 214 ) 의 형성 은 , 콘 택 에칭 정지 층 ( CESL ; contact - etch - stop layer ) ( 216 ) 을 퇴적 하 고 , 층간 유전체 ( ILD ; interlayer dielectric ) 층 ( 218 ) 을 형성 하 며 , ILD 층 ( 218 ) 에 개구 를 형성 하 고 , 개구 에 비아 특징 부 ( 214 ) 를 형성 하 는 것 을 포함 할 수 있 다 . CESL ( 216 ) 은 실리콘 질화물 ( Si 3 N 4 ) , 실리콘 산화물 ( SiO 2 ) , 실리콘 산질 화물 ( SiON ) , 실리콘 산화 탄화물 ( SiOC ) , 실리콘 산화 탄화 질화물 ( SiOCN ) , 및 / 또는 다른 재료 를 포함 할 수 있 다 . CESL ( 216 ) 은 CVD , ALD 또는 다른 적합 한 퇴적 기술 에 의해 형성 될 수 있 다 . ILD 층 ( 218 ) 은 실리콘 산화물 , 실리콘 질화물 , 실리콘 탄소 산화물 , 실리콘 탄소 산질 화물 , 로우 - k 유전체 재료 또는 다른 적합 한 유전체 재료 를 포함 할 수 있 다 . ILD 층 ( 218 ) 은 퇴적 및 CMP 에 의해 형성 될 수 있 다 . ILD 층 ( 218 ) 의 퇴적 은 유동 가능 CVD ( FCVD ; flowable CVD ) 와 같 은 적합 한 퇴적 기술 을 포함 할 수 있 다 . 비아 특징 부 ( 214 ) 는 , 비아 특징 부 를 주변 ILD 층 으로부터 분리 시키 도록 비아 개구 에 퇴적 된 배리어 층 ( 예컨대 , 탄탈럼 질화물 , 탄탈럼 , 티타늄 질화물 , 티타늄 또는 이 들 의 조합 ) 을 더 포함 할 수 있 다 . 배리 어 층 은 1 nm 내지 5 nm 사이 범위 의 두께 를 가질 수 있 다 . 일부 예 에서 , 비아 특징 부 ( 214 ) 는 5 nm 내지 30 nm 사이 범위 의 비아 높이 및 5 nm 내지 30 nm 사이 범위 의 비아 폭 을 갖 는다 .