한쪽 면 에 두께 약 1 mm 의 패 터닝 된 ITO 전극 이 형성 된 유리 기판 ITO 전극 상 에 , 각 실시 예 또는 비 교예 에서 제조 한 고형분 농도 3 . 5 중량 ％ 의 액정 배향 제 를 스핀 코터 를 이용 하 여 도포 하 고 , 200 ℃ 에서 60 분 간 가열 함 으로써 , 막 두께 약 0 . 06 ㎛ 의 도막 을 갖 는 유리 기판 을 한 쌍 ( 2 장 ) 제조 하 였 다 .