상기 와 같이 높 은 일함수 를 갖 는 금속 질화 막 패턴 을 형성 하 는 경우 , 콘트롤 게이트 전극 ( 214 a ) 과 유전 막 패턴 ( 212 a ) 간 의 에너지 장벽 이 커지 게 되 고 , 이 로 인해 상기 콘트롤 게이트 전극 ( 214 a ) 으로부터 상기 유전 막 패턴 ( 212 a ) 으로 전하 들 이 역 터널 링 하 는 것 을 감소 시킬 수 있 다 .