도 4 e 에 도시 된 바 와 같이 , 실리콘 기판 ( 11 ) 전면 에 걸쳐 형성 된 산화 막 ( 15 ) , 즉 질화 막 ( 12 ) 상 의 산화 막 ( 15 ) 을 평탄 화 시킴 으로써 소자 분리 막 ( 15 a ) 을 형성 한다 . 이 때 , CMP ( Chemical - Mechanical Polishing ) 공정 에 의해 평탄 화 과정 을 진행 하 며 , CMP 공정 의 엔드 포인트 ( end point ) 로 는 질화 막 ( 12 ) 이 사용 됨 으로써 산화 막 ( 15 ) 과 질화 막 ( 12 ) 간 의 마찰력 차이 를 디 텍 팅 ( detecting ) 하 여 폴리 싱 의 완료 를 감지 하 게 된다 .