도 3 d 를 참조 하 여 , 소자 분리 용 절 연막 ( 125 ) , 페데 스탈 절 연막 패턴 ( 115 ) 및 스 페이서 ( 121 ) 를 소정 두께 만큼 화학 적 기계 적 연마 방식 에 의해 평탄 화 시킨다 . 이 에 따라 , 잔류 하 는 소자 분리 용 절 연막 ( 125 ) 및 페데 스탈 절 연막 패턴 ( 115 ) 에 의해 인접 하 는 스 페이서 ( 121 ) 들 이 분리 된다 . 그 후 , 소자 분리 용 절 연막 ( 125 ) , 페데 스탈 절 연막 패턴 ( 115 ) 및 스 페이서 ( 121 ) 상부 에 상부 전극 ( 130 ) 을 형성 한다 . 상부 전극 ( 130 ) 은 하부 전극 ( 110 ) 과 마찬가지 로 반도체 제조 공정 에서 널리 사용 되 고 있 는 알루미늄 막 및 TiN 박막 과 같 은 금속 막 ; 도핑 된 실리콘 막 , 도핑 된 폴리 실리콘 막 및 도핑 된 실리콘 게르마늄 막 ( SiGe ) 과 같 은 실리콘 포함 막 ; 또는 상기 막 들 중 선택 되 는 하나 이상 의 막 의 적층 막 으로 형성 될 수 있 다 . 도면 에 는 도시 되 지 않 았 지만 , 상부 전극 ( 130 ) 과 상기 소자 분리 용 절 연막 ( 125 ) , 페데 스탈 절 연막 패턴 ( 115 ) 및 스 페이서 ( 121 ) 로 된 결과물 사이 에 확산 방지 막 이 더 개재 될 수 도 있 다 .