그 후 , 주변 회로 영역 ( 1002 ) 의 실리콘 질화 막 ( 204 ) 상 의 매립 절 연막 ( 115 ) 을 제거 하 고 , 매립 절 연막 ( 115 ) 을 메모리 셀 영역 ( 1001 ) 에 만 남긴다 . 매립 절 연막 ( 115 ) 은 예 를 들 어 , 드라이 에칭 으로 제거 할 수 있 다 . 이 드라이 에칭 은 예 를 들 어 , CHF 3 / CO = 30 / 170 sccm , 압력 40 mTorr ( 5 . 33 Pa ) , RF 파워 800 W 의 조건 으로 실시 할 수 있 다 .