도 2 k 는 제조 공정 중 , 제조 후기 단계 의 반도체 디바이스 ( 100 ) 를 도시 한 것 이 다 . 도 2 k 에 도시 된 예 에서 , 서브 스트레이트 ( 110 ) 의 상면 ( 110 x ) 과 전자 소자 ( 120 ) 를 모두 덮 도록 인 캡슐 란트 ( 130 ) 를 형성 할 수 있 다 . 일부 예 에서 인 캡슐 란트 ( 130 ) 는 에폭시 몰딩 컴 파운드 , 에폭시 몰딩 레진 , 실 런 트 로 지칭 될 수 있 다 . 또한 , 일부 예 에서 , 인 캡슐 란트 ( 130 ) 는 몰딩 부 , 실링 부 , 인 캡슐 레 이 션 부 , 보호 부 , 패키지 또는 몸체 로 지칭 될 수 있 다 . 일부 예 에서 , 인 캡슐 란트 ( 130 ) 는 , 한정 하 는 것 은 아니 지만 , 유기 레진 , 무기 필러 , 경화제 , 촉매제 , 커플링 제 , 착색제 또는 난 연제 를 포함 할 수 있 다 . 인 캡슐 란트 ( 130 ) 에 의한 몰딩 은 임의 의 다양 한 방식 들 로 형성 될 수 있 다 . 일부 예 에서 , 인 캡슐 란트 ( 130 ) 는 , 한정 하 는 것 은 아니 지만 , 컴 프레 션 몰딩 , 트랜스퍼 몰딩 , 액상 인 캡슐 란트 몰딩 , 배 큠 라미 네이션 , 페이스트 프린팅 또는 필름 어시스트 몰딩 방식 으로 형성 될 수 있 다 . 인 캡슐 란트 ( 130 ) 의 두께 는 대략 50 um 부터 300 um 까지 의 범위 일 수 있 다 . 인 캡슐 란트 ( 130 ) 는 전자 소자 ( 120 ) 를 덮 음 으로써 , 전자 소자 ( 120 ) 를 외부 요소 나 환경 으로부터 보호 하 는 역할 을 한다 .