도 5 b 는 , 적합 한 도 펀트 원자 들 로 적합 한 영역 을 도핑 시킴 으로써 형성 될 수 있 는 소오 스 ( 570 A ) 및 드레 인 ( 570 B ) 을 도시 한다 . 예 를 들 어 , p 형 기판 들 ( 525 ) 상 에서 비소 또는 인 을 포함 하 는 n 형 도 펀트 종 들 이 이용 된다 . 통상 적 으로 , 도핑 이 이온 주입기 에 의해 수행 되 며 예 를 들 어 , 약 30 Kev 내지 약 80 Kev 의 에너지 레벨 에서 약 1013 atoms / ㎠ 의 농도 인 인 , 또는 10 Kev 내지 약 100 Kev 의 에너지 레벨 및 약 1 × 1015 atoms / ㎠ 내지 1 × 1017 atoms / ㎠ 도즈 의 비소 를 포함 할 수 있 다 . 주입 프로세스 후 에 , 도 펀트 가 예 를 들 어 , 급속 열처리 ( RTP ) 장치 내 에서 기판 을 가열 시킴 으로써 기판 ( 525 ) 내측 으로 유입 ( driven ) 된다 . 그 후 , 소오 스 ( 570 A ) 및 드레 인 ( 570 B ) 의 영역 들 을 덮 는 박막 게이트 산화물 층 ( 550 ) 이 박막 게이트 산화물 층 ( 550 ) 내 에 포착 된 주입 프로세스 에 의해 야기 되 는 임의 의 불순물 들 을 제거 하 도록 전술 된 건식 식각 프로세스 에 의해 제거 된다 . 쉘로우 트렌치 분리 ( 545 A 및 545 B ) 내 의 두 개 또는 그 이상 의 산화물 이 식각 될 수 도 있 다 . 식각 가스 혼합물 은 다른 산화물 들 을 위해 필요 한 다양 한 식각 률 들 을 수용 하 기 위해서 조절 될 수 있 다 .