보다 구체 적 으로 , 증착 된 질화 규소 막 내 에 포함 된 총 불순물 은 2 atomic % 이내 로 존재 하 고 , 경우 에 따라 1 . 6 atomic % 이내 로 존재 함 을 알 수 있 다 . 또한 , 증착 된 질화 규소 막 내 에 는 1 . 2 atomic % 이내 의 염소 원자 를 포함 한다는 것 을 알 수 있 다 . 이 에 의하 여 , 기존 의 화학 기상 증착 방법 에 의한 질화 규소 막 에 비하 여 , 불순물 의 발생 률 이 낮 은 고품질 의 질화 규소 막 이 형성 됨 을 알 수 있 다 . 즉 , 화학량 적 으로 순수 한 질화 규소 막 ( Si 3 N 4 ) 에 가까운 질화 규소 막 이 증착 됨 을 알 수 있 었 고 , 이러 한 질화 규소 막 은 계면 산화 와 같 은 문제점 이 발생 하 지 않 는다 .