본 개시 내용 은 반도체 기판 을 위한 신규 한 세정 조성물 및 반도체 기판 을 세정 하 는 방법 에 관한 것 이 다 . 보다 상세 하 게 는 , 본 개시 내용 은 기판 상 에 증착 된 금속 층 또는 유전체 재료 층 을 플라스마 에칭 ( plasma etching ) 후 및 플라스마 애 싱 ( plasma ashing ) 공정 을 통한 벌크 레지스 트 ( bulk resist ) 제거 후 기판 상 에 남겨진 잔류물 을 제거 한 후 의 반도체 기판 을 위한 세정 조성물 에 관한 것 이 다 .