전술 한 벌브 형 리세 스 게이트 트랜지스터 의 벌브 형 리세 스 게이트 영역 의 형성 방법 은 , 우선 , 활성 영역 을 한정 하 는 소자 분리 막 이 형성 되 어 있 는 반도체 기판 의 활성 영역 에 게이트 형성 영역 을 부분 식각 하 여 제 1 리세 스 게이트 영역 을 형성 한 후 , 상기 제 1 리세 스 게이트 영역 의 측벽 에 열 산화 막 을 형성 하 고 , 상기 열 산화 막 을 식각 마스크 로 이용 하 여 제 1 리세 스 게이트 영역 의 하부 를 소정 의 깊이 로 등방성 식각 하 여 제 2 리세 스 게이트 영역 을 형성 하 는 것 으로 이루어진다 .