상기 서술 한 방법 에 의해 , 양극 기판 상 에 본 발명 의 전하 수송 성 바니시 를 도포 하 여 소성 하 고 , 전극 상 에 정공 주입 층 을 제작 한다 . 이 정공 주입 층 상 에 정공 수송 층 , 발광 층 , 전자 수송 층 , 전자 주입 층 , 음극 을 이 순서 로 마련 한다 . 정공 수송 층 , 발광 층 , 전자 수송 층 및 전자 주입 층 은 사용 하 는 재료 의 특성 등 에 따라 증착 법 또는 도포 법 ( 웨트 프로세스 ) 의 어느 하나 로 형성 하 면 된다 .