위 와 같 은 ONO - 1 Pre Cln FN 공정 에 의해 셀 영역 에서 의 최종 EFH 는 240 Å , 주변 회로 영역 에서 의 최종 EFH 는 760 Å 이 되 며 , 이 는 ONO - 1 Pre Cln FN 공정 에 의해 필드 산화 막 ( 29 a , 29 b ) 이 R 21 , R 22 대비 각각 75 Å 리세 스 ( R 31 , R 32 ) 된 것 이 다 .