도 8 은 도 7 에 도시 된 반도체 패키지 의 일부 확대도 이 다 . 도 8 을 참조 하 면 , 그라인딩 공정 에 의해 제거 된 전도성 필라 ( 122 ) 의 잔류물 ( 123 ) 이 도 7 의 결과물 상 에 배치 될 수 있 다 . 일 실시 예 에서 , 잔류물 ( 123 ) 은 응력 에 의해 전도성 필라 ( 122 ) 가 밀려서 형성 될 수 있 으며 , 상기 잔류물 ( 123 ) 은 전도성 필라 ( 122 ) 상 에 배치 될 수 있 다 . 일 실시 예 에서 , 잔류물 ( 123 ) 은 전도성 필라 ( 122 ) 가 떨어져 나 가 제 1 반도체 칩 ( 130 ) 또는 봉 지재 ( 142 ) 의 상면 에 배치 될 수 있 다 . 잔류물 ( 123 ) 이 생기 는 경우 , 소자 의 신뢰 성 저하 또는 오염 ( contamination ) 문제 가 발생 할 수 있 다 . 또한 , 상방 에서 보 았 을 때 , 전도성 필라 ( 122 ) 의 단면 이 일정 하 지 않 게 되 어 전도성 필라 ( 122 ) 의 얼라 인 키 로서 의 활용 이 제한 될 수 있 다 .