본 발명 은 반도체 소자 의 금속 배선 형성 방법 에 관한 것 으로 , 반도체 기판 상부 에 다수 의 선택 라인 과 다수 의 워드 라인 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 선택 라인 및 상기 워드 라인 을 포함 하 는 상기 반도체 기판 상부 에 절 연막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 선택 라인 사이 의 상기 절 연막 을 제거 하 여 상기 반도체 기판 의 일부 가 노출 되 는 콘 택 홀 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 절 연막 의 상부 에 반사 방지 막 을 형성 하 되 , 상기 반사 방지 막 은 상기 콘 택 홀 주변 에서 의 두께 가 더욱 얇 도록 형성 되 는 단계 와 , 상기 콘 택 홀 주변 의 상기 반사 방지 막 및 상기 절 연막 을 식각 하 여 상기 콘 택 홀 의 상부 를 확장 하 는 단계 및 상기 콘 택 홀 에 전도 물질 을 형성 하 여 콘 택 플러그 를 형성 하 는 단계 를 포함 하 기 때문 에 , 금속 배선 의 저항 이 감소 되 어 보다 고 성능 의 반도체 소자 를 제조 할 수 있 다 .