이 와 같 은 반도체 소자 는 증착 공정 , 포토 공정 , 식각 공정 , 확산 공정 을 통하 여 제조 될 수 있 으며 , 이러 한 공정 들 이 수차례 에서 수십 차례 반복 되 어야 적어도 하나 의 반도체 장치 가 탄생 될 수 있 다 . 특히 , 상기 증착 공정 은 반도체 소자 제조 의 재현 성 및 신뢰 성 에 있 어서 개선 이 요구 되 는 필수 적 인 공정 으로 졸 겔 ( sol - gel ) 방법 , 스퍼터링 ( sputtering ) 방법 , 전기 도금 ( electro - plating ) 방법 , 증기 ( evaporation ) 방법 , 화학 기상 증착 ( chemical vapor deposition ) 방법 , 분자 빔 에피 탁 시 ( molecule beam eptaxy ) 방법 , 원자 층 증착 방법 등 에 의하 여 웨이퍼 상 에 상기 가공 막 을 형성 하 는 공정 이 다 .