도 12 a 를 참조 하 면 , 스트링 선택 트랜지스터 들 ( SST 1 , SST 2 ) 의 게이트 전극 들 ( 160 ) 은 콘 택 플러그 들 ( 230 ) 을 통해서 배선 라인 ( 260 ) 에 연결 될 수 있 다 . 메모리 셀 들 ( MC 1 , MC 2 , MCn - 1 , MCn ) 의 게이트 전극 들 ( 160 ) 은 콘 택 플러그 들 ( 235 ) 을 통해서 워드 라인 공 유부 ( 240 ) 에 연결 될 수 있 다 . 상기 워드 라인 공 유부 ( 240 ) 는 비아 ( 250 ) 에 의해 배선 라인 ( 265 ) 에 연결 될 수 있 다 . 접 지 선택 트랜지스터 들 ( GST 1 , GST 2 ) 은 콘 택 플러그 들 ( 230 ) 을 통해서 배선 라인 ( 260 ) 에 연결 될 수 있 다 . 상기 콘 택 플러그 들 ( 230 , 235 ) 은 게이트 유전 막 ( 150 ) 을 통과 하 여 게이트 전극 ( 160 ) 으로 이어진다 . 배선 라인 들 ( 260 , 265 ) 및 콘 택 플러그 들 ( 230 , 235 ) 의 사이 에 는 절연 물질 이 채워질 수 있 다 .