본 발명 의 실시 예 에 따른 반도체 소자 는 , 비트 라인 콘 택 플러그 영역 및 스토리지 노드 콘 택 플러그 영역 을 가지 며 , 게이트 들 이 구비 된 반도체 기판 ; 상기 게이트 들 을 덮 도록 반도체 기판 상 에 형성 된 층간 절 연막 ; 및 상기 비트 라인 콘 택 플러그 영역 및 스토리지 노드 콘 택 플러그 영역 에 각각 형성 되 며 , 적어도 상기 비트 라인 콘 택 플러그 영역 에서 상기 게이트 보다 높 은 높이 를 갖 도록 형성 된 랜딩 플러그 ; 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .