이어서 , 도 6 d 에 도시 된 바 와 같이 , 워드 라인 ( WL 0 ) 과 워드 라인 ( WL 1 ) 사이 에 노출 된 기판 이 매립 되 도록 기판 ( 100 ) 상 에 스 페이서 용 절 연막 을 증착 한 후 에치 백 공정 을 실시 하 여 노출 된 기판 이 매립 된 스 페이서 ( 116 , 이하 , 제 2 스 페이서 라 함 ) 를 형성 한다 . 이때 , 제 2 스 페이서 ( 116 ) 는 질화 막 보다 유전 율 이 낮 은 산화 막 으로 형성 한다 .