전하 공급 부 ( 22 ) 는 n + 영역 으로 이루어지 고 , 입력 다이오드 ( ID ) 가 접속 되 어 있 다 . 전하 공급 조 절부 ( 23 ) 는 센싱 부 ( 21 ) 와 전하 공급 부 ( 22 ) 사이 에 있 어서 , 반도체 기판 ( 11 ) 에서 절 연막 ( 13 ) 을 사이 에 두 고 입력 조절 게이트 전극 ( ICG ) 을 마주 보 게 하 여 , 이 게이트 전극 ( ICG ) 에 소정 의 전압 을 가함 으로써 전하 공급 부 ( 22 ) 와 센싱 부 ( 21 ) 사이 에 포 텐 셜 벽 을 형성 한다 .