상기 와 같 은 목적 을 달성 하 기 위하 여 본 발명 은 , 기판 상 에 유기 금속 화학 기상 증착 을 이용 하 여 I - Ⅲ - Ⅵ2 화합물 박막 을 제조 하 는 방법 에 있 어서 , 기판 상 에 Ⅲ 족 및 Ⅵ 족 원소 를 포함 하 는 단일 전구체 와 , I 족 금속 을 포함 하 는 전구체 및 , Ⅵ 족 원소 를 포함 하 는 전구체 또는 Ⅵ 족 원소 를 함유 하 는 가스 를 함께 공급 하 면서 증착 시켜 단일 유기 금속 화학 기상 증착 공정 으로 Ⅰ - Ⅲ - Ⅵ2 화합물 박막 을 형성 하 는 것 을 특징 으로 하 는 단일 유기 금속 화학 기상 증착 공정 에 의한 Ⅰ - Ⅲ - Ⅵ2 화합물 박막 의 제조 방법 을 제공 한다 .