도 5 는 본 발명 의 또 다른 실시 예 에 따른 비휘발성 디램 소자 의 입체 도 이 다 . 도 5 에 도시 된 바 와 같이 , 본 발명 의 또 다른 실시 예 에 따른 비휘발성 디램 소자 는 전술 한 도 1 의 비휘발성 디램 소자 와 비교 해 볼 때 , 부유 바디 셀 ( 502 ) 이 평면형 ( Planar ) 구조 가 아닌 핀 ( Fin ) 구조 ( 또는 삼 차원 수직 형 구조 ) 로 형성 하 고 , 이러 한 핀 ( Fin ) 구조 는 게이트 ( 508 ) 가 삼면 에서 입체 적 으로 채널 영역 을 둘러싸 고 있 기 때문 에 게이트 ( 508 ) 의 채널 제어 능력 을 향상 시킬 수 있 다 . 따라서 , 평면형 소자 의 한계 인 단채 널 효과 ( Short - Channel Effect ) 를 효과 적 으로 감소 시킬 수 있 으며 , 소자 의 물리 적 인 크기 를 더욱 줄일 수 있 다 . 또한 전술 한 도 1 의 비휘발성 디램 소자 와 같이 디램 모드 동작 과 비휘발성 게이트 구 조체 에 주입 / 소거 되 는 전자 를 통한 비휘발성 메모리 모드 동작 이 가능 하 다 .