도 3 c 를 참조 하 면 , 포토레지스트 패턴 ( 230 a ) 을 식각 마스크 로 하 여 상부 막 부터 차례 로 이방성 식각 을 수행 하 여 원 하 는 막 의 패턴 으로 얻 도록 한다 . 얻 어 지 는 패턴 을 보 면 상부 에서부터 포토레지스트 패턴 ( 230 a ) 이 있 고 , 금속 막 패턴 ( 226 a ) , TiN 패턴 ( 224 a ) 및 Ti 패턴 ( 222 a ) 이 차례 로 형성 되 어 있 다 . 이러 한 패턴 을 형성 하 면 도면 에 나타난 바 와 같이 각 패턴 의 측벽 즉 , Ti 패턴 의 측벽 , TiN 패턴 의 측벽 , 금속 막 패턴 의 측벽 이 노출 된다는 것 을 알 수 있 다 .