이상 의 구성 으로 이루어지 는 급전 회로 ( 200 ) 의 작용 효과 는 상기 제 1 실시 예 , 제 2 실시 예 에서 의 설명 과 동일 하 다 . 특히 , 도 30 에 나타낸 급전 회로 ( 200 ) 에 있 어서 는 , 2 개 의 인덕턴스 소자 ( L 1 , L 2 ) 의 한쪽 단부 끼리 를 , 적층 체 내 의 최상층 근방 에 있 어서 도통 접속 하 고 , 다른 쪽 단부 를 각각 무선 IC 칩 ( 10 ) 과 접속 시키 고 있 기 때문 에 , 방사 판 ( 212 ) 과 는 떨어진 적층 체 내 의 최상층 근방 에서 도통 접속 되 고 , 방사 판 ( 212 ) 과 전자계 결합 하 는 적층 체의 하층 근방 에 있 어서 서로 반대쪽 으로 감겨 있 기 때문 에 , 에너지 의 수수 효율 이 향상 한다 .