본 발명 에 따른 반도체 소자 의 결함 검출 방법 은 , 단일 공정 이 완료 된 웨이퍼 의 에지 부분 의 표면 에 대한 이미지 를 상기 웨이퍼 에지 부분 의 표면 의 형상 을 따라 획득 하 는 단계 와 , 상기 이미지 를 직사각 형 형태 의 평면 이미지 로 변환 하 는 단계 와 , 상기 평면 이미지 를 단위 면적 으로 분할 하 는 단계 및 상기 단위 면적 의 밝기 값 을 이용 하 여 결함 검사 를 실시 하 는 단계 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .