도 8 의 구성 은 , 단자 부 의 노광 공정 에서 의 해상도 의 문제 를 극복 할 수 있 지만 , 단자 부 의 배선 을 2 층 구조 로 하 는 것 이 필수 적 이 다 . 2 층 구조 의 경우 에 는 , 포토 공정 에서 , 포토 마스크 끼리 의 정렬 의 문제 가 생긴다 . 또한 , 2 층 배선 에서 , 마스크 가 어긋나 제 1 층 의 게이트 메탈 ( 50 ) 과 제 2 층 의 SD 메탈 ( 60 ) 이 오버랩 하 는 경우 도 생긴다 . 이 경우 , IC 드라이버 ( 300 ) 의 범프 ( 310 ) 를 압착 할 때 에 , 절 연막 이 파괴 되 면 , 게이트 메탈 ( 50 ) 과 SD 메탈 ( 60 ) 과 의 접촉 의 위험 이 생긴다 . 이 와 같 은 접촉 에 의한 단락 은 , 동일 한 신호 가 인가 되 는 단자 배선 끼리 ( 단자 배선 k 의 게이트 메탈 ( 50 ) 의 부분 과 단자 배선 k 의 SD 메탈 ( 60 ) 사이 ) 이 면 문제 없 지만 , 서로 다른 신호 가 인가 되 는 단자 배선 끼리 ( 예 를 들 면 단자 배선 k 와 단자 배선 l 사이 ) 의 경우 에 는 문제 로 된다 . 이 때문 에 , 도 8 에서 의 패 시베이 션 막 ( 65 ) 을 2 층 구조 로서 막 강도 를 올리 는 경우 도 있 다 . 그러나 , 그 경우 에 는 제조 공정 수 가 증가 하 게 된다고 하 는 문제 가 생긴다 .