다음 에 , 웨이퍼 ( 102 ) 의 에지 영역 만 을 패 터닝 하 여 웨이퍼 ( 102 ) 의 에지 영역 을 제외 한 영역 을 식각 한 후 , 현상액 을 이용 하 여 현상 한다 . 이 에 따라 , 도 2 c 에 도시 한 바 와 같이 웨이퍼 ( 102 ) 에지 부분 에 생성 된 콘 택 홀 ( 비 아홀 ) 은 제 2 포토레지스트 ( 106 ) 에 의해 블록 킹 ( blocking ) 된다 . 여기 에서 , 웨이퍼 ( 102 ) 의 에지 영역 패 터닝 은 웨이퍼 ( 102 ) 의 최외각 에서부터 1 mm - 3 mm 정도 이격 된 거리 까지 패 터닝 하 게 된다 . 또한 , 웨이퍼 ( 102 ) 의 에지 영역 을 제외 한 영역 의 식각 은 제 1 포토레지스트 패턴 ( 104 ) 상부 에 도포 한 제 2 포토레지스트 를 제거 할 때 까지 수행 된다 .