도 35 b 에 도시 된 트랜지스터 는 , 기판 ( 8600 ) 과 , 기판 ( 8600 ) 상 에 형성 된 기초 절 연막 ( 8602 ) 과 , 기초 절 연막 ( 8602 ) 상 에 형성 된 산화물 반도체 층 ( 8606 ) 과 , 산화물 반도체 층 ( 8606 ) 과 접하 는 한 쌍 의 전극 ( 8614 ) 과 , 산화물 반도체 층 ( 8606 ) 및 한 쌍 의 전극 ( 8614 ) 상 에 형성 된 게이트 절연 층 ( 8608 ) 과 , 게이트 절연 층 ( 8608 ) 을 개재 하 여 산화물 반도체 층 ( 8606 ) 과 중첩 하 여 형성 된 게이트 전극 ( 8610 ) 과 , 게이트 절연 층 ( 8608 ) 및 게이트 전극 ( 8610 ) 을 덮 어 형성 된 층간 절 연막 ( 8616 ) 과 , 층간 절 연막 ( 8616 ) 에 형성 된 개구부 를 통하 여 한 쌍 의 전극 ( 8614 ) 과 접속 하 는 배선 ( 8618 ) 과 , 층간 절 연막 ( 8616 ) 및 배선 ( 8618 ) 을 덮 어 형성 된 보호막 ( 8620 ) 을 갖 는다 .