많 은 응용 에서 , 출력 단 ( 22 ) 의 적어도 하나 의 제어 가능 반도체 소자 의 빠른 스위칭 이 바람직 할 수 있 다 . 전력 반도체 모듈 장치 의 고 성능 이 요구 되 는 경우 , DC 링크 커패시터 ( CDC _ link ) 와 출력 단 ( 22 ) 의 적어도 하나 의 제어 가능 반도체 소자 사이 에서 발생 하 는 부유 인덕턴스 ( stray inductance ) 가 높 을 수 있 고 , 이 는 제어 가능 반도체 소자 의 스위칭 속도 에 부정 적 인 영향 을 줄 수 있 다 . 이 는 다시 전력 반도체 모듈 장치 의 전체 손실 에 부정 적 인 영향 을 줄 수 있 다 . 높 은 부유 인덕턴스 는 또한 제 어 가능 반도체 소자 들 중 적어도 하나 를 스위치 오프 하 는 순간 에 고전압 오버 슈트 를 야기 할 수 있 다 . 이것 은 반도체 장치 의 반도체 바디 ( 120 ) 의 충분히 높 은 전기 강도 를 요구 한다 .