기억 회로 ( 251 a 및 261 a ) 에서 는 , 데이터 의 기록 에 높 은 전압 을 필요 로 하 지 않 으므로 소자 의 열화 가 일어나 기 어렵 다 . 예 를 들 어 , 종래 의 비휘발성 메모리 와 는 달리 , 플로팅 게이트 로 의 전자 의 주입 및 플로팅 게이트 로부터 의 전자 의 추출 이 필요 하 지 않 기 때문 에 , 절연체 의 열화 등 의 문제 가 일어나 지 않 는다 . 즉 , 본 발명 의 일 형태 에 따른 기억 소자 는 종래 의 비휘발성 메모리 의 문제 인 데이터 를 재 기록 할 수 있 는 횟수 에 제한 이 없 으며 , 그 신뢰 성 이 대폭 으로 향상 되 어 있 다 . 또한 , 트랜지스터 의 상태 ( 온 또는 오프 ) 에 따라 데이터 가 기록 되 기 때문 에 , 고속 동작 을 쉽 게 실현 할 수 있 다 .