따라서 , 이러 한 렌즈 의 특성 변화 는 결국 패턴 상 ( image ) 을 전사 하 는 노광 과정 의 지연 을 유발 할 수 있 어 , 반도체 소자 제조 수율 및 생산 성 을 저하 시키 는 요인 으로 작용 할 수 있 다 . 따라서 , 비대칭 변형 조명계 를 채용 하 는 노광 장비 에서 렌즈 의 국부 적 히팅 을 억제 할 수 있 는 방법 이 요구 되 고 있 다 .