웨이퍼 에 딥 반응 성 이온 에칭 ( Deep reactive ion etching ) 공정 을 수행 하 는 단계 ( S 322 ) 에서 , 상기 웨이퍼 ( 310 ) 에 는 딥 반응 성 이온 에칭 공정 이 이루어질 수 있 다 . 이때 , 상기 딥 반응 성 이온 에칭 공정 은 상기 감광 마스크 층 ( 330 ) 으로 덮인 부분 을 제외 한 부분 에 만 가공 홀 ( 340 ) 이 형성 되 도록 수행 될 수 있 다 .