본 실험 예 에서 는 , 본 발명 의 실시 예 에 따른 플 라즈 마 강화 원자 층 증착 법 ( PEALD ) 에 따른 질화 규소 막 증착 방법 을 이용 하 여 질화 규소 막 을 증착 하 였 는데 , 이때 , 약 300 ℃ 의 증착 온도 , 약 3 torr 의 증착 압력 , 약 400 sccm 의 유량 으로 암모니아 공급 하 고 , 약 600 W 의 전력 을 가하 여 암모니아 플 라즈 마 를 발생 하 였 다 . 이러 한 조건 하 에서 증착 한 질화규소 막 기판 에서 , 0 . 14 마이크로미터 이상 의 오염 입자 측정 결과 를 도 2 에 도시 하 였 다 . 도 2 는 본 발명 의 한 실험 예 에서 , 본 발명 의 실시 예 에 따른 질화 규소 막 증착 방법 에 의하 여 증착 된 질화 규소 막 의 오염 입자 수 는 입자 검출기 ( particle counter ) 를 통하 여 측정 한 결과 이 다 . 본 입자 검출기 ( particle counter ) 는 0 . 14 마이크로미터 크기 이상 의 반응 잔류 입자 ( particle ) 혹은 기판 표면 상 긁 힘 자국 ( scratch ) 등 을 검출 할 수 있 다 .