도 3 을 참조 하 면 , 패럴 린 막 ( 251 ) 을 1 차 식각 마스크 로 하 여 노출 된 부위 의 실리콘 기판 ( 200 ') 의 상면 을 1 차 습식 식각 함 으로써 다수 의 리스트 릭터 ( 220 ) 를 소정 깊이 를 가진 홈 형상 으로 형성 한다 . 이때 , 실리콘 기판 ( 200 ') 에 대한 습식 식각 은 실리콘 용 에칭 액 ( etchant ) 으로서 , 예컨대 테트라메틸 수산화 암모늄 ( TMAH : Tetramethyl Ammonium Hydroxide ) 또는 수산화 칼륨 ( KOH ) 을 사용 할 수 있 다 . 이때 , 상기 다수 의 리스트 릭터 ( 220 ) 각각 의 측면 은 경사지 게 형성 되 고 , 그 모서리 는 둥글 게 형성 되 는데 , 이 에 대해서 는 뒤 에서 도 7 a 내지 도 7 d 를 참조 하 며 다시 설명 하 기 로 한다 .