본 실시 형태 에서 는 실시 형태 1 에서 나타낸 트랜지스터 와 는 상이 한 구조 의 트랜지스터 를 갖 는 표시 장치 를 제작 하 는 예 를 나타낸다 . 도 2 a 내지 도 2 f 에 본 실시 형태 의 표시 장치 의 제작 공정 단면 을 나타낸다 . 본 실시 형태 에 나타내 는 트랜지스터 는 , 반도체 로서 반도체 성 산화물 을 사용 하 는 것 이 며 , 보텀 게이트 형 이 다 . 또한 , 소스 전극 과 드레 인 전극 은 모두 반도체 층 의 하면 에 콘택트 하 는 보텀 콘택트 형 이 다 .