다음 , 도 3 i 에 도시 한 바 와 같이 , 마스크 공정 을 진행 하 여 상기 금속 층 ( 도 3 i 의 145 ) 을 패 터닝 함 으로써 상기 게이트 절 연막 ( 140 ) 위 로 상기 데이터 배선 ( 130 ) 과 교차 하 여 화소 영역 ( P ) 을 정의 하 는 게이트 배선 ( 미 도시 ) 을 형성 하 고 , 동시 에 상기 스위칭 영역 ( TrA ) 에 는 상기 게이트 배선 ( 미 도시 ) 과 연결 되 며 상기 반도체 층 ( 125 ) 에 대응 하 여 게이트 전극 ( 150 ) 을 형성 한다 .