이 와 같이 , 상기 제 1 간섭 제거 회로 ( 21 ) 는 상기 제 4 클럭 ( CLK _ QB ) 이 특정 레벨 즉 , 하이 레벨 로 천 이 할 때 상기 제 1 샘플링 회로 ( 31 ) 의 샘플링 타이밍 에 따른 상기 제 1 내지 제 4 포스트 커서 성분 ( 1 st post cursor , 2 nd post cursor , 3 rd post cursor , 4 th post cursor ) 을 제거 한 상기 제 1 간섭 제거 신호 ( S _ icA ) 를 생성 할 수 있 다 . 이때 , 상기 제 1 내지 제 4 가중치 적용 신호 ( W 1 , W 2 , W 3 , W 4 ) 각각 의 전압 레벨 은 제거 될 커서 성분 의 양 에 대한 정보 를 포함 할 수 있 으며 , 상기 제 1 내지 제 4 가중치 적용 신호 ( W 1 , W 2 , W 3 , W 4 ) 는 컨트롤러 또는 커서 성분 의 양 에 대한 정보 를 저장 하 는 저장 회로 를 통해 출력 될 수 있 다 .