또는 산화아연 , 실리콘 게르마늄 , 갈륨비소 , 산화주석 , IZO ( 산화 인듐 산화아연 ) , ITO ( 산화 인듐 · 주석 ) , a - InGaZnO 등 의 화합물 반도체 또는 산화물 반도체 를 갖 는 트랜지스터 나 , 또 , 이 들 의 화합물 반도체 또는 산화물 반도체 를 박막 화 한 박막 트랜지스터 등 을 사용 할 수 있 다 . 이 들 에 의해 , 제조 온도 를 낮 게 할 수 있 고 , 예 를 들 면 , 실온 으로 트랜지스터 를 제조 하 는 것 이 가능 해진다 . 그 결과 , 내열성 이 낮 은 기판 , 예 를 들 면 플라스틱 기판 이나 필름 기판 에 직접 트랜지스터 를 형성 할 수 있 다 .