이상 의 결과 로부터 , 본 발명 과 같이 1 ~ 5 GHz 의 저속 도파 로 형 p - i - n 포토 다 이 오드 는 도파 로 길 이 100 ㎛∼ 300 ㎛, 바람직 하 게 는 100 ∼ 250 ㎛ 이 고 , 광도 파로 의 폭 은 8 내지 30 ㎛, 바람직 하 게 는 20 ㎛ 이 고 , 광 흡수 층 의 두께 가 0 . 1 ∼ 1 ㎛ 인 대칭 의 경사 형 굴절 율 분포 가 최적 의 설계 범위 이 다 . 특히 , 본 발명 의 도파 로 형 p - i - n 포토다이오드 의 도파 로 구조 는 대칭 의 경사 형 굴절 율 분포 와 도파 로 길 이 200 ㎛, 광 흡수 층 두께 0 . 1 ∼ 0 . 5 ㎛ 가 최적 의 구조 임 을 알 수 있 다 .