고상 결정 방법 은 고온 ( 600 도 ) 에서 비정질 실리콘 을 결정 화 하 는 방법 이 다 . 이 방법 은 고상 에서 결정화 가 이루어지 기 때문 에 결정립 내 에 결함 이 많 아서 결정도 가 떨어지 며 , 이 를 보완 하 기 위하 여 고온 ( ~ 1000 도 ) 의 열 산화 막 을 게이트 절 연막 으로 사용 한다 . 따라서 , 1000 ℃ 이상 에서 견딜 수 있 는 수정 과 같 은 고 가격대 의 소재 를 사용 해야 만 하 는 단점 이 있 다 .