본 발명 의 일 실시 예 에 따른 발광 다이오드 패키지 의 제조 방법 에 있 어서 , 상기 발광 반도체 칩 으로부터 방출 되 는 광 의 파장 은 웨이퍼 레벨 에서 측정 될 수 있 다 . 또한 , 상기 파장 측정 결과 를 기초 로 , 컨 포 멀 코팅 이 상기 발광 반도체 칩 상 에 도포 되 고 상기 파장 에 기초 한 형광체 배합 비율 이 선정 될 수 있 다 .