트랜지스터 및 저장 커패시터 는 , 예컨대 SiNx 또는 SiOx 로 제조 되 고 200 nm 와 800 nm 사이 의 두께 를 가질 수 있 는 절연 층 ( 59 ) 에 의해 덮인다 . 절연 층 ( 59 ) 은 , 대략 2 내지 4 ㎛ 의 두께 를 갖 는 유기 소재 로 제조 될 수 있 는 층 ( 60 ) 으로 덮인다 . 전극 ( 46 ) 은 층 ( 60 ) 상 에 배치 되 고 곡선 ( 47 ) 에서 종결 된다 . 이 전극 은 전도 소재 로 제조 된다 . 디스플레이 장치 가 투과 형 일 때 , 이 전극 은 바람직 하 게 는 ITO 와 같 은 투명 소재 로 제조 된다 . 디스플레이 장치 가 반사 형 일 때 , 이 전극 은 반사기 기능 을 하 며 , 100 nm 와 150 nm 사이 의 두께 인 알루미늄 네오디뮴 으로 제조 될 것 이 다 . 이 전극 은 , 절연 층 ( 59 및 60 ) 을 통해 관통 - 연결부 ( 61 ) 에 의해 층 ( 58 ) 에 연결 된다 . 관통 - 연결부 는 전극 에서 의 국지 적 디프레션 ( 62 ) 이 어서 , 스트립 ( 58 ) 상 에 배치 된 ITO 와 같 은 전도 소재 층 ( 63 ) 과 접촉 하 게 된다 . 이 국지 적 디프레션 은 층 ( 60 ) 의 두께 에 대응 한다 .