본 실시 형태 에서 는 상기 한 기술 사상 을 사용 해서 트랜지스터 를 갖 는 표시 장치 를 제작 하 는 예 를 나타낸다 . 도 1 a 내지 도 1 f 에 본 실시 형태 의 표시 장치 의 제작 공정 단면 을 나타낸다 . 본 실시 형태 에 나타내 는 트랜지스터 는 , 반도체 로서 반도체 성 산화물 을 사용 하 는 것 이 며 , 게이트 전극 이 기판 측 에 위치 하 는 보텀 게이트 형 이 며 , 소스 전극 과 드레 인 전극 이 모두 반도체 층 의 상면 에 콘택트 하 는 톱 콘택트 형 이 다 .