상기 버퍼 층 ( 340 ) 의 일부 및 상기 버퍼 마스크 패턴 ( 332 a ) 을 제거 하 기 위하 여 습식 또는 건식 식각 공정 을 이용 할 수 있 다 . 예 를 들 면 , 상기 제 1 마스크 패턴 ( 330 a ) 및 버퍼 마스크 패턴 ( 332 a ) 이 각각 산화 막 계열 의 막 으로 이루어진 경우 , 이 들 을 제거 하 기 위하 여 동일 한 식각 조건 을 적용 할 수 있 다 .