다양 한 유형 의 메모리 디바이스 가 존재 하 는데 , 가령 , 자기 하드 디스크 , RAM ( random access memory ) , ROM ( read - only memory ) , DRAM ( dynamic RAM ) , SDRAM ( synchronous dynamic RAM ) , FeRAM ( ferroelectric RAM ) , MRAM ( magnetic RAM ) , RRAM ( resistive RAM ) , 플래시 메모리 , PCM ( phase change memory ) 등 이 있 다 . 메모리 디바이스 는 휘발 성 또는 비 - 휘발 성 일 수 있 다 . 비 - 휘발 성 메모리 , 가령 , FeRAM 은 외부 전원 이 부재 할 때 에 도 긴 시간 동안 자신 의 저장 된 논리 상태 를 유지 할 수 있 다 . 휘발 성 메모리 디바이스 , 가령 , DRAM 은 외부 전원 으로부터 분리 될 때 자신 의 저장 된 상태 를 소실 할 수 있 다 . FeRAM 은 휘발 성 메모리 와 유사 한 밀도 를 달성 할 수 있 지만 , 저장 디바이스 로서 강유 전 성 커패시터 를 사용 하 기 때문 에 비휘발성 속성 을 가질 수 있 다 .