본 발명 의 다른 실시 예 에 따르 면 , 상기 제 2 산화 공정 은 제 2 건 식 산화 공정 을 포함 할 수 있 다 . 상기 제 2 건 식 산화 공정 에 있 어서 , 상기 공정 챔버 를 약 800 ∼ 1 , 000 ℃ 정도 의 상대 적 으로 높 은 제 2 온도 및 약 5 ∼ 15 Torr 정도 의 상대 적 으로 높 은 제 2 압력 으로 유지 시킨 다음 , 상기 공정 챔버 내 로 산소 를 포함 하 는 약 5 ∼ 15 slm 정도 의 유량 으로 제 3 반응 가스 를 공급 할 수 있 다 . 상기 제 2 온도 에서 상기 제 3 반응 가스 를 열처리 함 에 따라 형성 되 는 산소 를 예비 하부 산화 막 ( 305 ) 에 포함 된 실리콘 과 반응 시켜 예비 하부 산화 막 ( 305 ) 상 에 상부 산화 막 ( 325 ) 을 형성 하 는 동시 에 예비 하부 산화 막 ( 305 ) 을 하부 산화 막 ( 320 ) 으로 변화 시킨다 .