이 경우 , 광소자 모듈 ( 101 ) 은 반도체 제조 공정 을 이용 한 FOWLP 방식 으로 SIP ( System In Package ) 패키지 를 형성 함 에 따라 몰드 몸체 ( 111 ) 와 배선 층 ( 120 ) 이 각각 200 ㎛, 100 ㎛ 두께 로 박막 으로 형성 될 수 있 게 되 었 고 , 광 서브 어셈블리 ( OSA ) ( 190 ) 는 직경 이 400 ㎛ 인 광섬유 ( 300 ) 를 수용 하 면서 700 ㎛ 로 제작 되 어 , 그 결과 본 발명 의 커넥터 플러그 ( 100 ) 는 1 ㎜ 두께 를 구현 할 수 있 으며 , 전체 적 으로 가로 × 세로 × 높이 가 8 . 20 × 9 . 30 × 1 ㎜ 의 소형 크기 로 제작 된다 .