본 발명 에 따르 면 , 목적 하 는 다양 한 형태 의 마스크 패턴 이 형성 된 상태 에서 원자 층 식각 을 통해 상기 전이 금속 디 칼 코 게나 이드 박막 을 선택 적 으로 식각 함 으로써 , 다양 한 분자 층수 를 갖 는 복수 의 영역 들 이 다양 한 패턴 및 헤테로 접합 을 이루 는 본 발명 의 전이 금속 디 칼 코 게나 이드 박막 을 형성 할 수 있 다 .