도 25 a 는 , 도 24 에 도시 하 는 플 라즈 마 CVD 장치 를 간이 적 으로 도시 한 것 으로 , 도 25 b 는 , 게이트 전극 이 형성 된 기판 위 에 , 게이트 절 연막 과 , 도너 가 되 는 불순물 원소 를 포함 하 는 미결정 반도체 막 ( 여기 에서 는 , n - μ c - Si 막 으로 나타냄 ) 을 연속 적 으로 성막 하 는 공정 을 도시 하 는 모식도 이 다 . 파선 의 화살 표시 는 기판 의 흐름 을 도시 하고 , 실선 의 화살 표시 는 성막 공정 의 흐름 을 도시 한다 .