이어서 , 도 4 m 에 도시 한 바 와 같이 , 상기 도포 된 제 2 PR 막 ( 581 ) 을 마스크 로 하 여 , 상기 제 2 PR 패턴 ( 571 ) 상부 의 보호막 ( 580 ) 을 제거 하 고 , 상기 보호막 ( 580 ) 이 노출 되 도록 상기 제 2 PR 막 ( 581 ) 을 제거 한다 . 여기 서 , 상기 제 2 PR 패턴 ( 571 ) 상부 의 보호막 ( 580 ) 을 제거 하 기 위해서 건식 식각 을 사용 하 고 , 상기 보호막 ( 580 ) 이 노출 되 도록 상기 제 2 PR 막 ( 581 ) 을 제거 하 기 위해서 에 싱 공정 을 사용 한다 . 이때 , 상기 관통 홀 ( 573 ) 에 도포 된 제 2 PR 막 ( 581 ) 도 일부 제거 되 고 , 남겨진 제 2 PR 막 ( 581 ) 이 보호 패턴 ( 582 ) 을 형성 하 게 된다 .