8 인치 구경 의 실리콘 웨이퍼 상 에 유기 반사 방지 막 ARC 29 A ( Nissan Chemical Industries , Ltd . 제품 ) 를 도포 하 고 , 205 ℃ 에서 60 초 동안 베이 킹 함 으로써 두께 84 ㎚ 의 반사 방지 막 을 형성 했 다 . 그 위 에 레지스 트 조성물 Ar - 16 을 도포 하 고 , 100 ℃ 에서 60 초 동안 베이 킹 함 으로써 두께 100 ㎚ 의 레지스 트 막 을 형성 했 다 . 얻 어 진 웨이퍼 를 ArF 엑 시머 레이저 스캐너 ( ASML 제품 , PAS 5500 / 1100 , NA 0 . 75 , Dipole , 아 우터 시그마 0 . 89 , 이너 시그마 0 . 65 ) 를 사용 해서 노광 마스크 ( 6 % HTPSM , 라인 / 스페이스 = 75 ㎚/ 75 ㎚) 를 통해서 라인 패턴 의 선폭 이 75 ㎚ 가 되 는 노광량 으로 패턴 노광 을 행했 다 . 그 후 , 노광 된 웨이퍼 를 105 ℃ 에서 60 초 동안 베이 킹 했 다 . 이렇 게 베 이 킹 된 웨이퍼 를 표 4 에 기재 된 현상액 에 30 초 동안 퍼들 해서 현상 하 고 , 500 rpm 의 회전수 로 웨이퍼 를 회전 하 면서 웨이퍼 상 에 표 4 에 기재 된 린스 액 을 흘려 보내 서 30 초 동안 린스 했 다 . 린스 된 웨이퍼 를 2000 rpm 의 회전수 로 30 초 동안 회전 시키 고 , 90 ℃ 에서 60 초 동안 베이 킹 했 다 . 따라서 , 75 ㎚( 1 : 1 ) 의 라인 앤드 스페이스 레지스 트 패턴 을 얻 었 다 .