반도체 기판 의 제 조시 , 패턴 및 배선 은 사진 공정 및 식각 공정 에 의해 형성 된다 . 통상 , 패턴 또는 배선 형성 은 포토레지스트 에 마스크 패턴 을 전사 하 는 노광 공정 과 플 라즈 마 기체 를 이용 하 여 마스크 패턴 을 따라 막 을 에칭 하 는 식각 공정 과 상기 포토레지스트 제거 공정 및 다음 단계 를 위한 세정 공정 으로 크 게 대별 된다 .