또한 , 이러 한 구조 에서 는 P 1 , P 2 , P 3 등 과 같 은 하나 의 화소 영역 상 에 가로 방향 으로 서로 엇갈리 도록 형성 된 화소 전극 ( 130 ) 간 의 데이터 전압 차 를 구동 전압 으로 하 여 액정 이 구동 되 므로 , 인접 한 두 개 의 화소 영역 에 대하 여 화소 전극 ( 130 ) 의 수직 부 ( 131 ) 간 에 발생 되 는 커플링 ( Coupling ) 이나 데이터 라인 ( 120 ) 과 화소 전극 ( 130 ) 간 의 기생 커패시턴스 ( Cdp ) 가 문제 가 될 수 있 는데 , 화소 전극 ( 130 ) 과 데이터 라인 ( 120 ) 을 완전히 오버랩 시켜 화소 영역 내 의 기생 커패시턴스 ( Cdp ) 변동 을 최소 화 할 수 있 도록 형성 시키 고 있 다 .