상기 소자 층 에 포함 된 상기 트랜지스터 는 , 상기 기판 상 에 칼코젠 ( chalcogen ) 물질 을 포함 하 여 형성 된 액티브 층 ( active layer ) ; 상기 액티브 층 의 양측 에 형성 된 소스 전극 및 드레 인 전극 ; 상기 액티브 층 상 에 형성 된 게이트 절 연막 ; 및 상기 게이트 절 연막 상 에 형성 된 게이트 전극 을 포함 한다 . 상기 액티브 층 에 포함 된 칼코젠 물질 은 Ge 2 Sb 2 Te 5 ( GST ) 또는 CuInSe 2 ( CIS ) 를 포함 할 수 있 다 .