이하 , 상기 결함 이 발생 된 제 1 포토레지스트 패턴 을 제거 하 기 위한 반도체 기판 의 리 워크 공정 을 구체 적 으로 설명 한다 . 먼저 , 상기 결함 이 발생 된 제 1 포토레지스트 패턴 ( 120 ) 의 전면 을 노광 한다 . 상기 전면 노광 은 상기 결함 이 발생 된 포토레지스트 패턴 을 노광 마스크 없이 광원 에서 생성 된 광 에 노출 시키 는 공정 으로 ArF 광원 ( laser of ArF ) , KrF 광원 ( laser of KrF ) , F 2 광원 ( laser of F 2 ) , Hg - Xe 광원 ( laser of Hg - Xe ) 등 을 사용 할 수 있 다 . 이어서 , 상기 전면 노광 된 제 1 포토레지스트 패턴 ( 120 ) 을 열 처리 하 는 베이 킹 공정 을 수행 한다 .