광 발전 파티클 유닛 ( 100 ) 은 도핑 공정 을 수행 하 여 제작 될 수 있 다 . P 형 실리콘 재질 의 실리콘 베이스 파티클 ( 110 ) 에 5 족 원소 를 포함 하 는 POCl 3 , H 3 PO 4 등 을 고온 에서 확산 시킨다 . N 형 확산 층 인 제 1 층 ( 120 ) 이 이 로 인해 형성 될 수 있 다 . 또한 베이스 파티클 ( 110 ) 은 그 자체 가 실리콘 으로 형성 된 구조 를 가질 수 있 을 뿐 아니 라 절연성 볼 에 실리콘 이 코팅 된 구조 를 갖 는 것 도 가능 하 다 . 절연성 볼 은 유리 , 세라믹 등 다양 한 재질 로 구성 될 수 있 다 .