리소그래피 투영 장치 의 전형 적 인 분해능 한계 보다 작 은 치수 들 을 갖 는 피처 들 이 프린트 되 는 이 공정 은 통상 적 으로 분해능 공식 CD = k 1 × λ / NA 에 따른 저 ( low ) - k 1 리소그래피 로서 알려져 있 으며 , 이때 λ 는 채택 되 는 방사선 의 파장 ( 통상 적 으로 , 대부분 의 경우 248 nm 또는 193 nm ) 이 고 , NA 는 리소그래피 투영 장치 내 의 투영 광 학기 의 개구수 ( numerical aperture ) 이 며 , " CD 는 "" 임계 치수 "" - 일반 적 으로 ", 프린트 되 는 최소 피처 크기 - 이 고 , k 1 은 경험 적 인 분해능 인자 이 다 . 일반 적 으로 , k 1 이 작 을수록 , 특정 한 전기 적 기능 및 성능 을 달성 하 기 위하 여 회로 설계자 에 의해 계획 된 형상 및 치수 들 과 비슷 한 패턴 을 기판 상 에 재현 ( reproduce ) 하 기 가 더 어려워진다 . 이 어려움 을 극복 하 기 위해 , 정교 한 미세 조정 ( fine - tuning ) 단계 들 이 리소그래피 투영 장치 , 디자인 레이아웃 , 또는 패 터닝 디바이스 에 적용 된다 . 이 들 은 , 예 를 들 어 NA 및 광 간섭성 ( optical coherence ) 세팅 들 의 최적화 , 맞춤 조명 방식 ( customized illumination schemes ) , 위상 시프팅 패 터닝 디바이스 들 의 사용 , 디자인 레이아웃 에서 의 광 근접 성 보정 ( optical proximity correction : OPC , " 때로 는 "" 광학 및 공정 보정 "" 이라고 도 칭함 ) "," 또는 일반 적 으로 "" 분해능 향상 기술 들 ""( resolution enhancement techniques : RET ) 로 정의 된 다른 방법 들 을 포함 하 며 "," 이 에 제한 되 지 는 않 는다 . 본 명세서 에서 사용 되 는 바 와 같 은 "" 투영 광 학기 "" 라는 용어 는 ", 예 를 들 어 굴절 광 학기 , 반사 광 학기 , 어퍼 처 ( aperture ) 및 카타 디옵 트릭 ( catadioptric ) 광 학기 를 포함 하 는 다양 한 타입 의 광학 시스템 들 을 포괄 하 는 것 으로서 폭넓 게 해석 되 어야 한다 . 또한 , " "" 투영 광 학기 "" 라는 용어 는 집합 적 으로 또는 개별 적 으로 방사선 투영 빔 을 지향 "," 성형 또는 제어 하 기 위해 이 디자인 타입 들 중 어느 하나 에 따라 작동 하 는 구성 요소 들 을 포함 할 수 있 다 . "" 투영 광 학기 "" 라는 용어 는 ", 광학 구성 요소 가 리소그래피 투영 장치 의 광학 경로 상 의 어디 에 위치 되 든지 , 리소그래피 투영 장치 내 의 여 하한 의 광학 구성 요소 를 포함 할 수 있 다 . 투영 광학 기 는 방사선 이 패 터닝 디바이스 를 지나가 기 전 에 소스 로부터 의 방사선 을 성형 , 조정 및 / 또는 투영 하 는 광학 구성 요소 들 , 및 / 또는 방사선 이 패 터닝 디바이스 를 지나간 후 에 방사선 을 성형 , 조정 및 / 또는 투영 하 는 광학 구성 요소 들 을 포함 할 수 있 다 . 투영 광학 기 는 일반 적 으로 소스 및 패 터닝 디바이스 를 배제 한다 .