본 변형 예 에서 도 , 도 4 의 ( a ) 에 나타내 는 성막 시퀀스 와 마찬가지 의 효과 가 얻 어 진다 . 또한 , 본 변형 예 에서 , BDEAS 가스 를 사용 해서 형성 한 제 1 막 과 , 3 DMAS 가스 를 사용 해서 형성 한 제 2 막 에서 는 조성 이 상이 하 다 . 즉 , 제 1 막 과 제 2 막 은 , C 농도 , N 농도 , N 농도 에 대한 C 농도 의 비 ( C / N 비 ) 중 적어도 어느 것 이 상이 하 다 . 그 때문 에 , 예 를 들 어 상술 한 n 1 , n 2 의 비율 을 변화 시킴 으로써 , 최종 적 으로 형성 되 는 막 ( 적 층막 ) 의 조성 비 , 특히 C 농도 나 N 농도 를 , 변형 예 1 에 비하 여 보다 정확 하 게 미세 조정 하 는 것 이 가능 하 게 된다 . 또한 , 본 변형 예 에 의하 면 , 2 종류 의 아미노 실란 의 상호 반응 을 분리 할 수 있 으므로 , 변형 예 1 에 비해 , 최종 적 으로 형성 되 는 막 의 조성 비 제어 를 보다 정확 하 면서 또 한 안정 적 으로 행하 는 것 이 가능 하 게 된다 .