또한 , 본 발명 의 제 2 관점 은 플 라즈 마 처리 장치 의 처리 실내 에서 , 실리콘 을 주성분 으로 하 는 실리콘 층 과 , 해당 실리콘 층 보다 상층 에 적어도 산화 규소 막 , 질화규소 막 및 미리 패턴 형성 된 레지스 트 막 이 적층 형성 된 피 처리 체 에 대해 , 플 루 오로 카본 가스 , 하이드로 플 루 오로 카본 가스 , 희가스 및 O 2 가스 를 포함 하 는 처리 가스 로부터 생성 되 는 플 라즈 마 를 이용 하 고 , 상기 레지스 트 막 을 마스크 로 해서 상기 질화규소 막 , 상기 산화 규소 막 및 상기 실리콘 층 을 일괄 하 여 에칭 하 는 것 을 특징 으로 하 는 플 라즈 마 에칭 방법 을 제공 한다 .