고집 적 반도체 소자 의 디자인 룰 이 100 ㎚ 급 이하 로 급격히 감소 함 에 따라 채널 길 이 및 폭 이 작아지 는 문제 로 인하 여 접합 영역 의 도핑 농도 및 누설 전류 ( Gate Induced Drain Leakage ; GIDL ) 증가 와 핫 캐리어 효과 ( Hot Carrier Effect ) 의 발생 으로 상당 한 어려움 을 겪 고 있 다 . 이 에 , 이 들 의 특성 을 억제 하 기 위해서 리 세스 게이트 ( recess ) 를 갖 는 반도체 소자 에 대한 연구 가 활발히 진행 되 고 있 다 .