상기 실시 형태 에서 는 립 판 ( 210 , 211 ) 및 이 너 데 클 판 ( 223 , 224 ) 의 면 ( 210 b , 211 b , 223 b , 224 b ) 이 평행 하 고 , 이러 한 조건 하 에서 설명 이 이루어진다 . 그러나 , 실제 면 가공 을 고려 하 면 , 립 판 ( 210 , 211 ) 과 이너 데 클 판 ( 223 , 224 ) 의 면 ( 210 b , 211 b , 223 b , 224 b ) 이 평행 한 경우 는 드물 다 . 그러나 , 본 발명 은 립 판 ( 210 , 211 ) 과 이너 데 클 판 ( 223 , 224 ) 의 면 ( 210 b , 211 b , 223 b , 224 b ) 이 평행 한 경우 에 도 적용 이 가능 하 다 . 이러 한 경우 , 출구 ( 41 a ) 를 구성 하 는 부재 중 하나 의 측면 과 접촉면 에 의해 형성 된 제 1 리지 와 다른 부재 의 제 2 리지 를 고려 하 면 유출 방향 ( A 1 ) 으로 의 제 1 리지 와 제 2 리지 사이 의 차이 는 최대 9 ㎛ 이 다 . 따라서 , 본 발명 의 효과 가 발현 된다 . 따라서 , 립 판 ( 210 , 211 ) 으로부터 유출 방향 ( A 1 ) 으로 이너 데 클 판 ( 223 , 224 ) 이 돌출 되 거나 이너 데 클 판 ( 223 , 224 ) 으로부터 유출 방향 ( A 1 ) 으로 립 판 ( 210 , 211 ) 이 돌출 되 면 본 발명 의 효과 는 돌출 길이 가 최대 9 ㎛ 인 조건 하 에서 발현 된다 . 다 이 립상 에 돌출부 가 형성 될 수 없 는 경우 에 도 최대 9 ㎛ 의 조건 을 만족 한다 . 따라서 , 이러 한 경우 에 도 본 발명 의 효과 가 발현 된다 .