게이트 구동 부 ( 120 ) 는 제 1 방향 ( DR 1 ) 에서 표시 패널 ( 110 ) 의 일 측 에 인접 한 표시 패널 ( 110 ) 의 소정 의 영역 에 배치 된다 . 게이트 구동 부 ( 120 ) 는 화소 들 ( PX ) 의 트랜지스터 들 과 동일 한 공정 으로 동시 에 형성 되 어 ASG ( Amorphous Silicon TFT Gate driver circuit ) 형태 또는 OSG ( Oxide Silicon TFT Gate driver circuit ) 형태 로 표시 패널 ( 110 ) 에 실장 될 수 있 다 .