도 1 및 도 2 를 참조 하 면 , 제 2 컨 택 플러그 ( 105 ) 및 동심원 형상 의 스토리지 노드 패턴 ( 110 ) 이 중첩 ( overlap ) 하 여 배치 되 어 있 다 . 여기 서 제 2 컨 택 플러그 ( 105 ) 는 표면적 이 넓 어 동심원 형상 의 스토리지 노드 패턴 ( 110 ) 과 컨 택 플러그 가 접촉 하 는 접촉 면적 을 확보 할 수 있 다 . 그러나 포토 마스크 를 이용 하 여 제 2 컨 택 플러그 ( 105 ) 를 형성 하 는 과정 에서 임계 치수 균일 도 ( Critical Dimension uniformity ) 불량 이 발생 하 거나 , 패턴 의 브릿지 성 ( bridge ) 불량 이 발생 하 는 문제점 이 발생 할 수 있 다 . 이 는 제 2 컨 택 플러그 ( 105 ) 의 설계 레이아웃 이 비대칭 ( asymmetry ) 한 형상 으로 설계 되 고 , 비 대칭 한 형상 의 레이아웃 이 패 터닝 되 는 과정 에서 마스크 오 차 강화 계수 ( MEEF ; Mask Error Enhancement Factor ) 값 이 크 게 되 기 때문 이 다 . 이 와 같이 마스크 오 차 강화 계수 값 이 큰 값 을 갖 게 되 면 스토리지 노드 용 컨 택 홀 과 인접 하 는 컨 택 홀 사이 의 공간 마진 ( hole to hole bridge margin ) 이 취약 하 여 인접 하 는 스토리지 노드 패턴 끼리 연결 되 는 브릿지 결함 ( A , 도 2 참조 ) 이 발생 할 수 있 다 .