소거 가능 또는 다중 상태 셀 을 달성 하 기 위한 일부 해결책 은 복잡 하 다 . 부동 게이트 및 SONOS 메모리 셀 은 예 를 들 어 저장 된 전하 의 존재 , 부재 또는 양 이 트랜지스터 임계 전압 변동 시키 는 경우 에 전하 를 저장 함 으로써 작동 한다 . 이 들 메모리 셀 은 현대 의 집 적 회로 에서 경쟁 성 을 위해 필요 한 매우 작 은 치수 에서 제작 하 고 작동 시키 기 가 비교 적 어려운 삼차원 소자 이 다 .