도 4 에서 , 트랜지스터 구조 로서 구성 되 는 본 발명 의 수직 화합물 반도체 구조 ( 100 ) 는 3 D 시스템 ( 1000 ) 의 일부 로서 도시 된다 . 이 를 위해 , 본 발명 의 수직 화합물 반도체 구조 ( 100 ) 는 수직 방향 으로 추가 적 인 별개 의 전자 디바이스 구조 ( 101 ) 로 연결 된다 . 여기 에서 , 3 D 반도체 디바이스 ( 1000 ) 에 배치 되 는 디바이스 구조 들 ( 100 , 101 ) 을 갈 바닉 적 으로 연결 시키 기 위해 수직 채널 개구 ( 13 ) 는 수직 비아 로서 동작 할 수 있 다 .