도 3 g 를 참조 하 면 , 상기 부유 게이트 패턴 ( 340 ) 을 덮 는 전하 트랩 막 ( 360 ) 이 형성 된다 . 상기 전하 트랩 막 ( 360 ) 에 이방성 식각 공정 을 진행 하 여 상기 전하 트랩 패턴 ( 365 ) 이 형성 된다 . 상기 전하 트랩 패턴 ( 365 ) 은 상기 부유 게이트 패턴 ( 340 ) 의 측면 상 에 형성 된다 . 이 에 의해 , 전하 저장 패턴 ( 355 ) 은 상기 부유 게이트 패턴 ( 340 ) 및 상기 전하 트랩 패턴 ( 365 ) 을 포함 한다 .