상기 실시 예 및 비 교예 에서 제조 한 각 레지스 트 하층 막 형성 용 조성물 을 8 인치 의 실리콘 웨이퍼 표면 에 스핀 코팅 에 의해 도포 하 고 , " 핫 플레이트 위 에서 205 ℃ 로 60 초간 베이 킹 을 행하 여 막 두께 90 nm 의 레지스 트 하 층막 을 형성 하 였 다 . 레지스 트 하 층막 의 막 두께 는 리소그래피 ? 시뮬레이터 ( 상품명 "" 프로 리스 ( Prolith ) """, KLA 텐 코르 사 제조 ) 를 사용 하 여 계산 하 고 , 반사율 의 제 2 최소 값 이 되 도록 하 였 다 . 이 레지스 트 하층 막 에 대하 여 하 기 평가 방법 에 따라 굴절 률 및 감쇠 계수 를 측정 하 였 다 . 결과 를 표 3 에 나타내 었 다 .