일부 경우 , 로컬 메모리 제어기 ( 265 ) 는 메모리 다이 ( 200 ) 의 하나 이상 의 메모리 셀 ( 205 ) 상 의 읽 기 동작 ( 가령 , 감지 동작 ) 을 수행 하 도록 구성 될 수 있 다 . 읽 기 동작 동안 , 메모리 다이 ( 200 ) 의 메모리 셀 ( 205 ) 에 저장 된 논리 상태 가 결정 될 수 있 다 . 일부 경우 , 복수 의 메모리 셀 ( 205 ) 은 단일 읽 기 동작 동안 감지 될 수 있 다 . 로컬 메모리 제어기 ( 265 ) 는 읽 기 동작 을 수행 하 는 타깃 메모리 셀 ( 205 ) 을 식별 할 수 있 다 . 로컬 메모리 제어기 ( 265 ) 는 타깃 메모리 셀 ( 205 ) ( 가령 , 타깃 메모리 셀 ( 205 ) 의 어드레스 ) 과 전자 통신 하 는 타깃 워드 라인 ( 210 ) , 타깃 디 지트 라인 ( 215 ) , 및 / 또는 타깃 플레이트 라인 ( 220 ) 을 식별 할 수 있 다 . 로컬 메모리 제어기 ( 265 ) 는 타깃 워드 라인 ( 210 ) , 타깃 디 지트 라인 ( 215 ) 및 / 또는 타깃 플레이트 라인 ( 220 ) 을 활성 화 ( 가령 , 워드 라인 ( 210 ) , 디 지트 라인 ( 215 ) , 또는 플레이트 라인 ( 220 ) 으로 전압 을 인가 ) 하 여 , 타깃 메모리 셀 ( 205 ) 을 액세스 할 수 있 다 . 타깃 메모리 셀 ( 205 ) 은 액세스 라인 의 바이어 싱에 응답 하 여 감지 구성 요소 ( 250 ) 로 신호 를 전달 할 수 있 다 . 감지 구성 요소 ( 250 ) 는 신호 를 증폭 할 수 있 다 . 로컬 메모리 제어기 ( 265 ) 는 감지 구성 요소 ( 250 ) 를 파이 어 링 ( 가령 , 감지 구성 요소 를 래 칭 ) 하고 이 에 따라 메모리 셀 ( 205 ) 로부터 수신 된 신호 를 참조 신호 ( 255 ) 에 비교 할 수 있 다 . 이 비교 를 기초 로 , 감지 구성 요소 ( 250 ) 는 메모리 셀 ( 205 ) 상 에 저장 된 논리 상태 를 결정 할 수 있 다 . 로컬 메모리 제어기 ( 265 ) 는 읽 기 동작 의 일부 로서 메모리 셀 ( 205 ) 상 에 저장 된 논리 상태 를 외부 메모리 제어기 ( 105 ) ( 또는 디바이스 메모리 제어기 ) 로 통신 할 수 있 다 .