본 발명 의 하나 이상 의 실시 형태 에서 , 광학 인 - 시 츄 기술 은 또한 , 베벨 에칭 프로세스 의 효율 을 평가 하 기 위해 이용 될 수 도 있 다 . 상술 하 면 , " 웨이퍼 는 일반 적 으로 적어도 2 개 의 영역 : 웨이퍼 의 중심 영역 대부분 을 점유 하 는 웨이퍼 형성 영역 및 일반 적 으로 디바이스 가 형성 되 지 않 는 웨이퍼 의 외부 주변 에 존재 하 는 "" 링 "" 또는 "" 베벨 "" 영역 을 갖 는다 . 디바이스 수율 을 최대 화 하 기 위해 임의 의 소정 의 웨이퍼 에서 웨이퍼 형성 영역 을 최대 화 하 는 것 이 매우 바람직 하 지만 ", 그럼에도 불구 하 고 , 링 또는 베벨 영역 이 존재 하 며 , 다양 한 프로세스 균일성 및 다른 이유 로 인해 디바이스 를 형성 하 는 데 통상 적 으로 이용 되 지 않 는다 .