비등방성 식각 으로 는 반응 성 이온 식각 ( reactive ion etching ) 과 같 은 대부분 의 건식 식각 을 들 수 있 다 . 반응 성 이온 식각 에서 는 반응 가스 가 공정 챔버 에서 이온 화 되 고 전기 적 으로 가속 됨 으로써 주로 전계 방향 을 따라 식각 이 이루어지 게 된다 . 이러 한 건식 식각 에서 는 대부분 반응 가스 에 활성 을 주 기 위해 플 라즈 마 를 형성 하 게 되 는데 , 플 라즈 마 를 형성 하 기 위하 여 주로 고주파 ( RF ) 전계 를 반응 가스 에 인가 하 는 방식 이 사용 되 고 있 다 . 그런데 , 최근 에 는 전자 부품 이 점점 미세 해짐 에 따라 , RF 파워 가 계속 증가 하 고 있 는 추세 이 어서 공정 장비 용 부품 들 의 플 라즈 마 에 대한 내식성 이 중요 하 게 되 었 다 . 예 를 들 어 , 이전 에 는 약 1 , 000 W 의 RF 파워 가 대체 적 으로 사용 되 었 으나 , 최근 에 는 약 2 , 500 W 의 파워 가 요구 되 기 도 한다 .