도 5 는 도 4 를 보다 셀 어레이 ( 300 ) 을 확대 한 그림 이 다 . 복수 의 셀 ( cell , 100 ) 에서 플로팅 게이트 ( 110 a , 110 b , 110 c ) 각각 은 장축 과 단축 을 갖 도록 형성 한다 . 플로팅 게이트 ( 110 a , 110 b , 110 c ) 각각 , 장축 / 단축 을 가지 게 된 것 은 동일 한 면적 에 보다 많 은 복수 의 셀 ( cell , 100 ) 을 포함 하 기 위함 이 다 . 그래서 여기 서 , 플로팅 게이트 전극 은 긴 타원 형 의 구조 가 나온 것 이 다 . 상기 장축 은 상기 워드 라인 ( WL ) 의 방향 인 X 축 과 어긋나 는 방향 으로 형성 된다 . 이 와 같이 , 상기 장축 이 상기 워드 라인 ( WL ) 과 어긋나 는 방향 으로 형성 됨 으로써 , 본 발명 에 따른 비휘발성 메모리 소자 는 동일 한 면적 에 보다 많 은 복수 의 셀 ( cell , 100 ) 을 포함 할 수 있 게 된다 .