TS AlGaInP 장치 구조 의 대안 은 반도체 - 반도체 접합 이 제거 되 는 박막 구조 이 다 . 대신 에 , 전형 적 으로 Si , Ge 또는 금속 기판 인 , 핸들 기판 ( handle substrate ) 에 , 부분 적 으로 가공 된 웨이퍼 가 접합 된다 . 핸들 기판 에 의 접합 후 에 , 성장 기판 이 제거 되 고 웨이퍼 가공 이 완료 된다 . 그러 한 장치 들 은 종종 GaAs 와 같 은 흡수 하 는 n - 콘택트 층 , 및 도 2 에서 와 같이 반도체 구조 의 맞은편 측면 들 에 n - 및 p - 콘택트 들 이 형성 되 는 수직 주입 구조 ( vertical injection structure ) 를 포함 한다 .