다른 실시 예 들 에서 , 과잉 도 펀트 는 기판 의 열처리 후 에 제거 될 수 있 다 . 도 5 a 는 이러 한 실시 예 를 도시 하 는 프로세스 흐름 다이어그램 이 다 . 이러 한 실시 예 에서 , 기판 의 열처리 는 단계 ( 552 ) 에서 수행 된다 . 도 5 d 는 흡착 된 도 펀트 층 ( 504 ) 에 대한 열처리 ( 552 ) 의 압축 ( compressive ) 효과 를 도시 한다 . 열처리 가 진행 됨 에 따라 , 원래 기판 ( 500 ) 의 표면 상 으로 흡착 된 도 펀트 층 ( 504 ) 은 기판 ( 500 ) 내 로 부분 적 확산 및 기체 로 의 승화 에 의해 압축 되 어 훨씬 얇 은 과잉 층 을 남겨 놓 는다 . 과잉 도 펀트 제거 는 단계 ( 554 ) 에 의해 도시 된 것 처럼 열처리 와 는 상이 한 온도 에서 수행 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 200 ℃ 미만 의 온도 와 같이 , 열처리 온도 보다 낮 은 온도 에서 도 펀트 제거 를 수행 하 는 것 이 유리 할 수 있 다 . 보다 낮 은 온도 는 기판 에서 확산 프로세스 들 을 중단 시키 고 , 따라서 실질 적 으로 무 - 도 펀트 ( dopant - free ) 실리콘 의 매우 얇 은 표면 층 을 제공 한다 .