상기 제 2 게이트 절 연막 ( 320 ) 은 상기 제 2 반도체 패턴 ( 310 ) 상 에 위치 할 수 있 다 . 상기 제 2 게이트 절 연막 ( 320 ) 은 절연성 물질 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 상기 제 2 게이트 절 연막 ( 320 ) 은 실리콘 산화물 계 ( SiOx ) 물질 , 실리콘 질화물 계 ( SiNx ) 물질 및 / 또는 고유 전 율 을 갖 는 물질 ( High - K 물질 ) 을 포함 할 수 있 다 . 상기 제 2 게이트 절 연막 ( 320 ) 은 다 중층 구조 일 수 있 다 .