n - 금속 ( 50 ) 및 p - 금속 ( 24 ) 은 패키지 기판 ( 12 ) 상 의 패드 들 ( 22 ) 에 접합 된다 . LED 를 가로질러 열 구배 ( thermal gradient ) 를 감소 시키 고 , 부착 에 대한 기계 적 강도 를 추가 하 고 , 오염 물질 이 LED 재료 와 접촉 하 는 것 을 막 기 위해 LED 의 아래 의 보이드 들 ( voids ) 에 언더 필 재료 ( 52 ) 가 증착 될 수 있 다 . 접합 기술 은 납땜 , 열 압착 ( thermocompression ) , 상호 확산 ( interdiffusion ) , 또는 초음파 용접 에 의해 접합 된 금 스터 드 범프 어레이 ( gold stud bump array ) 일 수 있 다 . 다 이 금속 화 및 접합 재료 의 조합 은 금속 들 ( 24 및 50 ) 로서 예시 되 어 있 고 반도체 재료 에 인접 한 금속화 층 의 광학 특성 들 을 보호 하 기 위한 확산 장벽 또는 다른 층 들 을 포함 할 수 있 다 . 패키지 기판 ( 12 ) 은 전기 절연 재료 AlN 으로 형성 되 고 , 비 아들 ( vias ) ( 28 ) 및 / 또는 금속 트레이스 들 을 이용 하 여 납땜 가능 한 전극 들 ( 26 ) 에 연결 된 금 콘택트 패드 들 ( 22 ) 을 갖 는다 . 다르 게 는 , 패키지 기판 ( 12 ) 은 , 양극 처리 ( anodize ) 된 AlSiC 와 같이 , 단락 을 막 기 위해 패 시베이 션 된다면 ( passivated ) 전도 재료 로 형성 될 수 있 다 . 패키지 기판 ( 12 ) 은 열 싱크 ( heat sink ) 로서 기능 하 기 위해 또는 열 을 더 큰 열 싱크 로 전도 하 기 위해 열 전도성 일 수 있 다 .