비휘발성 메모리 들 ( 104 , 404 및 1304 ) 은 , 저 항식 랜덤 액세스 메모리 ( ReRAM ) , 플래시 메모리 ( 예 를 들 어 , NAND 메모리 , NOR 메모리 , 단일 - 레벨 셀 ( SLC ) 플래시 메모리 , 멀티 - 레벨 셀 ( MLC ) 플래시 메모리 , 분할 된 비트 라인 NOR ( DINOR ) 메모리 , AND 메모리 , 고용량 커플링 비 ( HiCR ) 디바이스 , 비대칭 비 접촉 트랜지스터 ( ACT ) 디바이스 , 또는 다른 플래시 메모리 ) , 소거 가능 하 고 프로그램 가능 한 판독 전용 메모리 ( EPROM ) , 전기 적 으로 소거 가능 하 고 프로그램 가능 한 판독 전용 메모리 ( EEPROM ) , 판독 전용 메모리 ( ROM ) , 1 회 프로그램 가능 한 메모리 ( OTP ) , 다른 타입 의 메모리 또는 이 들 의 조합 을 포함 할 수 있 다 . 비휘발성 메모리 들 ( 104 , 404 및 1304 ) 은 반도체 메모리 디바이스 를 포함 할 수 있 다 .