게이트 절 연막 , 예컨대 산화 막 ( gate oxide ) 의 신뢰 성 확보 를 위해서 게이트 절 연막 상부 에 게이트 전 도막 으로서 금속 전극 대신 , 폴리 실리콘 ( poly silicon ) 전극 을 형성 시키 고 있 다 . 그리고 , 폴리 실리콘 전극 만 으로 는 게이트 저항 이 높 기 때문 에 , 폴리 실리콘 전극 위 에 비저항 이 매우 낮 은 금속 전극 예컨대 , 텅스텐 실리사이드 ( WSix ) 또는 텅스텐 ( W ) 을 형성 시킨다 . 최근 에 는 열 적 안정 성 ( thermal stability ) 이 매우 우수 하 면서 도 저항 이 매우 낮 은 텅스텐 을 주로 사용 한다 . 이 경우 폴리 실리콘 막 과 텅스텐 막 사이 에 확산 방지 막 ( diffusion barrier metal ) 의 삽입 이 필요 하 다 . 그리고 , 확산 방지 막 은 티타늄 , 텅스텐 , 실리콘 및 질화 막 중 어느 하나 또는 이 들 의 적층 막 으로 형성 한다 .