그러나 위 에서 간단히 소개 한 바 와 같이 본 출원인 은 도 2 에서 반도체 웨이퍼 ( 2 ) 를 반도체 잉곳 ( 1 ) 으로부터 슬 라 이싱 할 때 , ( 001 ) 면 에서 9 . 74 ° 틸 트 되게 반도체 웨이퍼 ( 2 ) 를 잘라 내면 ( 001 ) 면은 잘라진 반도체 웨이퍼 표면 에 대해 9 . 74 ° 의 각도 를 유지 하 게 된다 . 이때 , ( 111 ) 면은 ( 001 ) 면 에 대해 54 . 74 ° 의 각도 를 이루 므로 웨이퍼 ( 2 ) 표면 에 대해서 는 정확히 45 . 00 ° 와 64 . 48 ° 의 각도 를 이루 게 된다 .