국제 출원 WO 2004 / 104671 에서 개시 한 종래 기술 의 실시 예 에서 , 전극 ( 44 및 42 ) 에 유사 한 전극 이 제 1 지지 판 에서 동일 한 높이 로 배치 되 었 다 . 두 개 의 전극 사이 의 거리 는 현 제조 기술 에 대해 적어도 6 ㎛ 일 것 이 다 . 제 1 유체 의 층 의 두께 가 대략 4 ㎛ 이 므로 , 전극 사이 의 프린 징 필드 는 상대 적 으로 세 고 , 제 1 유체 의 층 을 파괴 하 는 경향 이 있 다 . 프린 징 필드 는 도 3 에서 도시 한 실시 예 에서 매우 감소 하 며 , 여기 서 전극 ( 44 및 42 ) 은 겹쳐지 며 , 아마도 이 들 사이 의 높이 차 로 인해서 그렇게 될 것 이 다 . 이 실시 예 는 , 겹친 영역 에 커패시터 를 형성 함 으로써 이 높이 차 를 추가 로 사용 한다 . 전극 ( 44 및 46 ) 은 도 3 에서 커패시터 ( 33 ) 의 왼쪽 으로 의 영역 에서 겹친다 . 도 4 는 전극 ( 42 및 46 ) 의 겹침 을 도시 한다 .