본 명세서 에서 개시 하 는 발명 의 구성 의 다른 일 형태 는 , 제 1 저항 소자 및 제 2 저항 소자 가 직렬 로 설치 된 전원 선 과 , 제 1 저항 소자 와 , 제 2 저항 소자 와 , 게이트 단자 와 소스 단자 가 전기 적 으로 접속 하 는 산화물 반도체 층 을 포함 하 는 트랜지스터 와 , 전원 선 과 산화물 반도체 층 을 포함 하 는 트랜지스터 를 통해 전기 적 으로 접속 하 는 트랜지스터 가 설치 된 전위 분할 회로 를 갖 고 , 산화물 반도체 층 을 포함 하 는 트랜지스터 의 드레 인 단자 와 트랜지스터 의 게이트 단자 가 전기 적 으로 접속 하 는 반도체 장치 이 다 .