일 실시 예 에 있 어서 , 상기 트렌치 에 의하 여 노출 된 제 2 희생 막 들 을 제거 하 여 제 2 리세 스 영역 들 을 형성 하 는 것 , 및 상기 제 1 및 제 2 리세 스 영역 들 내 에 수평 구 조체 를 형성 하 는 것 을 포함 하 고 , 상기 수평 구 조체 를 형성 하 는 것 은 , 상기 제 2 리세 스 영역 들 의 내벽 을 덮 는 수평 패턴 , 및 상기 제 2 리세 스 영역 들 의 나머지 공간 을 채우 는 제 1 도전 패턴 을 형성 하 는 것 , 상기 반도체 연결 패턴 상 에 게이트 절 연막 을 형성 하 는 것 , 및 상기 제 1 리세 스 영역 의 나머지 공간 을 채우 는 제 2 도전 패턴 을 형성 하 는 것 을 포함 할 수 있 다 .