제 1 실시 예 에서 는 , 먼저 도 1 a , 도 2 a 및 도 3 a 에 나타나 있 는 바 와 같이 , 실리콘 기판 등 의 반도체 기판 ( 1 ) 의 표면 에 소자 분리 절 연막 ( 2 ) 을 , 예 를 들 면 STI ( shallow trench isolation ) 법 에 의해 형성 한다 . 이 때 , 복수 의 nMOS 영역 을 열 ( 列 ) 모양 으로 제 1 방향 으로 배열 하 고 , 복수 의 pMOS 영역 을 nMOS 영역 의 열 로부터 이 간 시키 면서 열 ( 列 ) 모양 으로 제 1 방향 으로 배열 한다 . 또한 , 제 2 방향 에 관해서 도 , pMOS 영역 을 nMOS 영역 으로부터 엇갈리 게 위치 시킨다 . 다음 으로 , 불순물 의 유입 에 의해 nMOS 영역 내 에 p 웰 ( 3 p ) 을 형성 하 고 , pMOS 영역 내 에 n 웰 ( 3 n ) 을 형성 한다 .