마스크 층 은 포토 리소그래피 기술 을 사용 하 여 패 터닝 될 수 있 다 . 일반 적 으로 , 포토 리소그래피 기술 은 포토레지스트 재료 를 퇴적 한 다음 에 , 조사 ( 노광 ) 및 현상 한 다음 포토레지스트 재료 의 일부 를 제거 하 는 방식 을 사용 한다 . 잔여 포토레지스트 재료 는 에칭 등 의 후속 처리 단계 로부터 본 예의 경우 에 는 마스크 층 과 같 은 하부 재료 를 보호 한다 . 본 예 에서 는 , 도 3 에 도시 하 는 바 와 같이 , 포토레지스트 재료 를 사용 해서 패드 산화물 층 ( 52 ) 과 패드 질화물 층 ( 56 ) 을 패 터닝 하 여 패 터닝 된 마스크 ( 58 ) 를 형성 한다 .