한편 , 상기 전이 금속 디 칼 코 게나 이드 박막 ( 140 ) 은 N + M 개 의 분자 층 으로 이루어진 전이 금속 디 칼 코 게나 이드 필름 에서 , 마스크 등 을 이용 한 건식 또는 습식 식각 공정 , 예 를 들 면 , 원자 층 식각 ( atomic layer etching , ALE ) 공정 을 통해 상기 제 2 영역 에 대응 되 는 부분 에서 M 개 의 분자 층 을 제거 함 으로써 형성 될 수 있 다 .