상기 기술 적 과제 를 달성 하 기 위하 여 , 본 발명 에 따른 불휘발성 메모리 소자 의 제조 방법 은 , 반도체 기판 의 소정 영역 을 노출 시키 는 터널 층 패턴 , 제 1 도 전막 패턴 및 하드 마스크 막 패턴 을 형성 하 는 단계 ; 상기 막 들 을 마스크 로 상기 반도체 기판 내 에 트렌치 를 형성 하 는 단계 ; 상기 트렌치 를 매립 하 는 소자 분리 막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 소자 분리 막 및 하드 마스크 막 패턴 의 측면 일부 를 덮 는 윙 스 페이서 를 형성 하 는 단계 ; 상기 윙 스 페이서 를 매립 하 는 절 연막 패턴 을 형성 하 는 단계 ; 상기 하드 마스크 막 패턴 을 제거 하 여 상기 제 1 도 전막 패턴 을 노출 시키 는 단계 ; 상기 절 연막 패턴 과 동일 한 높이 의 제 2 도 전막 패턴 을 형성 하 여 제 1 도 전막 패턴 및 제 2 도 전막 패턴 을 포함 하 는 플로팅 게이트 전극 을 형성 하 는 단계 ; 상기 절 연막 패턴 을 제거 하 여 상기 윙 스 페이서 를 노출 시키 는 단계 ; 상기 윙 스 페이서 및 플로팅 게이트 전극 위 에 차폐층 을 형성 하 는 단계 ; 및 상기 차폐층 위 에 컨트롤 게이트 전극 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .