PH 3 처리 의 바람직 한 처리 온도 로서 , 500 ℃ 이상 900 ℃ 이하 를 예시 할 수 있 다 . 500 ℃ 보다 낮 으면 처리 효과 가 나타나 지 않 고 , 900 ℃ 보다 높 으면 Ge 층 ( 302 ) 이 변질 되 기 때문 에 바람직 하 지 못하 다 . 더욱 바람직 한 처리 온도 로서 , 600 ℃ 이상 800 ℃ 이하 를 예시 할 수 있 다 . 노출 처리 는 플 라즈 마 등 에 의해 PH 3 를 활성 화 하 여도 좋 다 . 그 후 의 공정 은 , 반도체 기판 ( 101 ) 의 경우 와 동일 한 공정 이 어도 좋 다 .