캐비 티 ( 330 ) 가 형성 된 다음 , 캐비 티 ( 330 ) 상 에 는 상부 DBR 구조물 ( 340 ) 이 형성 된다 . 상부 DBR 구조물 ( 340 ) 은 InAlGaAs 층 ( 341 ) , InAlAs 층 ( 342 , 344 ) , 및 InP 층 ( 343 ) 을 포함 한다 . 이하 , 도 4 a 및 도 4 b 를 참조 하 여 , 보다 구체 적 으로 상부 DBR 구조물 ( 340 ) 구조 및 제작 방법 을 설명 한다 .