또한 , 피 가공 기판 으로 는 기판 상 에 형성 된다 . 기판 으로 는 특별히 한정 되 는 것 이 아니 고 , Si , α - Si , p - Si , SiO 2 , SiN , SiON , W , TiN , Al 등 으로 피 가 공막 ( 피 가공 기판 ) 과 다른 재질 의 것 이 이용 된다 . 피 가 공막 으로 는 Si , SiO 2 , SiON , SiN , p - Si , α - Si , W , W - Si , Al , Cu , Al - Si 등 여러 가지 의 Low - k 막 및 그 스토퍼 막 이 이용 되 고 , 통상 50 ~ 10 , 000 ㎚, 특히 100 ~ 5 , 000 ㎚ 두께 로 형성 할 수 있 다 .