또한 , 도 3 f 의 공정 에서 , 에 싱 공정 을 통해 상기 화소 영역 에 해당 하 는 제 2 절 연막 ( 380 ) 이 노출 되 도록 상기 제 4 PR 패턴 ( 391 ) 전부 를 제거 할 때 , 상기 제 2 절 연막 ( 380 ) 의 표면 이 손상 됨 으로써 투명 전 도막 을 균일 하 게 증착 할 수 없 어 얼룩 이 발생 될 가능 성 이 있 고 , 또한 제 3 PR 패턴 의 일부분 이 식각 됨 으로써 도포 되 는 제 2 절 연막 ( 380 ) 의 면적 이 영향 을 받 는다 .