또한 , 10 μ sec 의 오프 시간 후 , IGBT 소자 ( 25 ) 를 제 2 구동 신호 로 구동 하 고 , 이 게이트 신호 의 온 시간 을 1 msec 로 길 게 한다 . 이 에 의해 , 콘덴서 의 내부 에 축적 된 에너지 모두 를 플래시 램프 ( 5 ) 의 방전 을 위해 방출 하 고 , 이 반도체 웨이퍼 ( 3 ) 의 극 최 표면 온도 를 1300 ℃ 까지 상승 시킨다 .