앞서 언급 된 포토 리소그래피 마스크 는 실리콘 웨이퍼 상 에 집적 화 될 회로 구성 요소 에 대응 하 는 기하학 적 인 패턴 들 을 포함 한다 . 이러 한 마스크 를 생성 하 는 데 사용 되 는 패턴 들 은 CAD ( computer - aided design ) 프로그램 들 을 사용 하 여 생성 될 수 있 으며 , 이 프로세스 는 흔히 EDA ( electronic design automation ) 라고 칭해진다 . 대부분 의 CAD 프로그램 은 기능 적 인 마스크 를 생성 하 기 위해 사전 설정 된 설계 규칙 의 세트 를 따른다 . 이러 한 규칙 들 은 처리 및 설계 제한 에 의해 설정 된다 . 예 를 들 어 , 설계 규칙 은 회로 디바이스 들 또는 라인 들 이 바람직 하 지 않 은 방식 으로 서로 상호 작용 하 지 않 을 것 을 보장 하 기 위해 , ( 게이트 , " 캐 패 시터 등 과 같 은 ) 회로 디바이스 들 또는 상호 연결 라인 들 사이 의 간격 공차 ( space tolerance ) 를 정의 한다 . 설계 규칙 제한 들 은 통상 적 으로 "" 임계 치수 ( CD ) "" 라고도 칭해진다 . 회로 의 임계 치수 는 라인 또는 홀 의 최 소폭 ", 또는 두 라인 들 또는 두 홀 들 간 의 최소 간격 으로서 정의 될 수 있 다 . 따라서 , CD 는 설계 된 회로 의 전체 크기 및 밀도 를 결정 한다 . 물론 , 집 적 회로 제작 의 목적 들 중 하나 는 원래 회로 설계 를 ( 마스크 를 통해 ) 웨이퍼 상 에 충실하 게 재현 ( reproduce ) 하 는 것 이 다 .