본 발명 의 제 8 형태 에 있 어서 는 , Si 기판 의 주면 에 결정 성장 을 저해 하 는 저해 층 을 형성 하 고 , 상기 기판 의 주면 에 대하 여 거의 수직 인 방향 으로 관통 하 여 상기 기판 을 노출 시켜 이루어지 는 개구 를 상기 저해 층 에 형성 하 며 , 상기 개구 내부 의 상기 기판 에 접하 여 Ge 층 을 결정 성장 시키 고 , 상기 Ge 층 상 에 기능 층 을 결정 성장 시키 며 , 상기 기능 층 에 전자 소자 를 형성 하 여 얻 어 지 는 전자 디바이스 를 제공 한다 .