전계 효과 이동도 는 In , Sn , 및 Zn 을 주성분 으로 하 는 산화물 반도체 막 을 형성 한 후 에 가열 처리 를 행함 으로써 더 높일 수 있 다 . 도 21 ( C ) 는 In , Sn , 및 Zn 을 주성분 으로 하 는 산화물 반도체 막 을 200 ℃ 로 스퍼터링 성막 한 후 , 650 ℃ 로 가열 처리 를 행한 경우 의 트랜지스터 특성 을 도시 한 것 이 다 . 이 때 , 전계 효과 이동도 는 34 . 5 cm 2 / Vsec 이 다 .