도 2 a 내지 도 2 d 는 본 발명 의 하나 이상 의 실시 예 에 따른 위상 변화 메모리 구조 의 형성 을 예시 하 는 단면도 이 다 . 도 2 a 내지 도 2 d 에 도시 된 메모리 셀 구조 는 유전 물질 ( 204 ) 에 형성 된 전도성 접촉 부 ( 206 ) 를 구비 하 는 기판 ( 202 ) 을 포함 하 는 베이스 반도체 구조 를 포함 한다 . 기판 ( 202 ) 은 특히 실리콘 기판 , 실리콘 온 절연체 ( SOI ) 기판 또는 실리콘 온 사파이어 ( SOS ) 기판 일 수 있 다 . 유전 물질 ( 204 ) 은 다른 유전 물질 중 에서 실리콘 이 산화물 ( SiO 2 ) 또는 실리콘 질화물 ( SiN ) 과 같 은 질화물 또는 산화물 일 수 있 다 . 전도성 접촉 부 ( 206 ) 는 텅스텐 ( W ) 또는 다른 적절 한 전도성 물질 과 같 은 금속 ( 도 2 a 내지 도 2 d 에 도시 됨 ) 으로 만들 어 질 수 있 고 , 예 를 들 어 마스킹 및 에칭 공정 을 통해 유전 물질 ( 204 ) 에 형성 될 수 있 다 . 도 2 a 내지 도 2 d 에 도시 되 지 는 않 았 지만 , 접촉 부 ( 206 ) 는 특정 메모리 셀 ( 예 를 들 어 , 도 1 에 도시 된 것 과 같 은 PCRAM 셀 ) 에 대응 하 는 액세스 디바이스 ( 예 를 들 어 , 액세스 트랜지스터 ) 에 연결 될 수 있 다 .