이 들 도면 을 참조 하 면 , 발광 다이오드 의 활성 층 ( 240 , 340 ) 주변 구조 ( 200 , 300 ) 는 N 형 반도체 층 ( 270 , 370 ) 과 P 형 반도체 층 ( 260 , 360 ) 사이 에 활성 층 ( 240 , 340 ) 이 배치 되 어 있 고 , 활성 층 ( 240 , 340 ) 과 P 형 반도체 층 ( 260 , 360 ) 사이 에 는 전자 장벽층 ( electron blocking layer , EBL ) ( 220 , 320 ) 이 형성 되 어 있 다 . 또한 , 활성 층 ( 240 , 340 ) 은 복수 개 의 양자 우물 층 을 갖 는 다중 양자 우물 ( multi quantum well : MQW ) 구조 로 이루어져 있 다 .