미세 패턴 을 형성 하 기 위해 포토 리소그래피 ( photolithography ) 공정 에 대한 요구 가 증대 됨 에 따라 노광 광원 의 파장 이 점차 짧아지 고 있 다 . 즉 , 반도체 소자 의 고집 적 화 에 따라 노광 광원 은 파장 이 436 nm , 365 nm 인 G - line , i - line 으로부터 파장 이 248 ㎚ 인 KrF 레이저 ( laser ) 나 193 ㎚ 인 ArF 레이저 ( laser ) 를 사용 하 며 , 더욱 미세 한 패턴 형성 을 위하 여 X - 선 이나 전자 빔 을 노광 광원 으로 이용 하 기 도 한다 .