본 발명 의 실시 예 들 에 따르 면 , 스침 입사 각도 들 에서 방출 되 는 광 의 추출 을 증가 시킬 수 있 는 구조 들 이 Ⅲ - 질화물 박막 플립 칩 발광 장치 에 통합 된다 . 일부 실시 예 들 에서 , 장치 는 전반사 에 의해 금속 콘택트 들 로부터 다른 곳 으로 광 을 유도 하 는 구조 를 포함 한다 . 일부 실시 예 들 에서 , 장치 는 스침 각도 광 을 직접 추출 하 거나 , 또는 스침 각도 광 을 장치 로부터 더 용이 하 게 추출 되 는 보다 작 은 입사 각도 들 로 유도 할 수 있 는 반도체 구조 내 의 추출 피처 들 을 포함 한다 .