예시 적 인 실시 예 들 에 있 어서 , 게이트 스 페이서 구조물 ( 140 ) 은 도 3 a 에 예시 적 으로 도시 된 바 와 같이 , 제 1 내지 제 3 스 페이서 층 들 ( 142 , 144 , 146 ) ( 도 3 a 참조 ) 의 적층 구조 로 구성 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 제 1 및 제 3 스 페이서 층 들 ( 142 , 146 ) 은 실리콘 질화물 을 포함 할 수 있 고 , 제 2 스 페이서 층 ( 144 ) 은 제 1 및 제 3 스 페이서 층 들 ( 142 , 146 ) 보다 유전 상수 가 낮 은 물질 , 예 를 들 어 SiOxCyNz 을 포함 할 수 있 다 . 예 시 적 인 실시 예 들 에 있 어서 , 게이트 스 페이서 구조물 ( 140 ) 은 약 1 내지 30 nm 의 제 1 두께 ( T 1 ) 로 형성 될 수 있 다 .