이후 , 증착 된 금속 이 실리콘 과 반응 하 여 금속 실리사이드 를 형성 하 도록 650 ~ 650 ℃ 에서 열처리 한다 . 열처리 공정 에 의하 여 드레 인 ( 14 ) 영역 의 실리콘 ( Si ) 원자 와 금속 ( 예컨대 , Ti ) 이 반응 하 게 되 고 , 도 4 와 같이 드레 인 ( 14 ) 영역 에 는 금속 실리사이드 ( 쇼트 키 장벽 ) , 예컨대 TiSi 2 를 형성 한다 .