그런 다음 , 상기 소자 분리 막 ( 102 ) 이 형성 된 기판 ( 100 ) 결과물 상 에 상기 활성 영역 의 게이트 형성 영역 을 노출 시키 는 마스크 패턴 ( 도시 안 됨 ) 을 형성 하 고 , 그리고 나 서 , 상기 마스크 패턴 에 의해 노출 된 기판 ( 100 ) 부분 을 식각 하 여 게이트 용 홈 ( H ) 을 형성 한 후 , 상기 마스크 패턴 을 제거 한다 .