하지만 , 반도체 소자 의 고집 적 화 에 따라 선폭 이 0 . 15 ㎛ 이하 까지 미세화 가 진행 됨 에 따라 폴리 실리콘 게이트 전극 은 그 자체 의 높 은 비저항 특성 으로 인해 동작 지연 시간 이 길 어 , 고속 동작 을 요구 하 는 소자 에 적용 하 기 가 어려운 문제점 이 있 었 다 . 이러 한 문제점 은 반도체 소자 의 고집 적 화 에 따라 더욱 심각 한 문제 로 대두 되 고 있 으며 , 이 를 개선 하 기 위하 여 텅스텐 ( W ) 과 같 은 고 융점 금속 을 폴리 실리콘 상 에 적층 시켜 게이트 전극 으로 사용 하 는 기술 에 대한 많 은 연구 및 개발 이 진행 되 고 있 다 .