계속 해서 , 포토 다이오드 ( PD ) 에 대응 하 는 영역 에 가 시광 도입 개구부 를 형성 하 기 위해 패턴 가공 을 시행 한다 ( 도 4 의 B 참조 ) . 여기 서 의 패턴 가공 은 , 레지스 트 마스크 ( 도시 생략 ) 를 통하 여 밀착 층 ( 15 ) 및 차광막 ( 39 ) 을 선택 적 으로 에칭 제거 하 여 , 각 화소 경계 에 밀착 층 ( 15 ) 및 차광막 ( 39 ) 을 형성 한다 . 또한 , 에칭 은 웨트 에칭 , 또는 드라이 에칭 을 이용 할 수 있 고 , 드라이 에칭 은 차광막 ( 39 ) 의 미세 선 폭 을 정밀 도 좋 게 얻 을 수 있 다 .