도 2 c 를 참조 하 면 , 상기 게이트 절 연막 ( 238 ) 은 게이트 전극 상 의 제 2 오 목부 에 형성 되 고 , 상기 제 1 오 목부 의 양측 에 각각 배열 되 는 제 3 오 목부 ( 239 ) 및 상기 제 3 오 목부 ( 239 ) 와 단차 를 가지 는 제 4 오 목부 ( 241 ) 을 패 터닝 한다 . 상기 제 3 오 목부 ( 239 ) 는 후속 공정 에서 형성 될 소오 스 / 드레 인 전극 과 동일 한 패턴 을 갖 는다 .