절연 층 ( 330 ) 의 두께 는 게이트 전극 ( 320 ) 의 두께 보다 두껍 게 형성 될 수 있 다 . 절연 층 ( 330 ) 의 두께 는 문턱 전압 조절 층 ( 340 ) 의 두께 보다 두껍 게 형성 될 수 있 다 . 절연 층 ( 330 ) 의 두께 는 게이트 전극 ( 320 ) 의 두께 와 문턱 전압 조절 층 ( 340 ) 의 두께 의 합 과 대응 될 수 있 다 . 절연 층 ( 330 ) 은 이산화규소 ( SiO 2 ) , 산화알루미늄 ( Al 2 O 3 ) , 산화 하프늄 ( HfO 2 ) 중 적어도 하나 를 포함 할 수 있 으나 , 이 에 한정 되 지 않 는다 .