특정 개수 , 즉 m > 0 개 의 펄스 들 이 가해질 때 까지 각각 의 추가 적 인 프로그램 펄스 가 카운트 된다 . 이러 한 개수 는 비휘발성 저장 소자 들 의 전형 적 인 예측 된 자연 Vth 분포 폭 에 근거 하 여 설정 될 수 있 고 , 이 에 따라 타 겟 워드 라인 의 비휘발성 저장 소자 들 의 특정 부분 은 대략 적 으로 , 카운트 가 완료 될 때 VvaL 보다 큰 임계 전압 을 갖 게 된다 . 이러 한 특정 부분 은 1 / 2 부분 일 수 있 고 , 이 에 따라 저장 소자 들 의 1 / 2 은 고속 - 프로그래밍 인 것 으로서 분류 되 고 , 나머지 1 / 2 는 저속 - 프로그래밍 인 것 으로서 분류 되 게 된다 . 특정 부분 은 , " 프로그래밍 성능 측면 에서 이득 을 최대 화 할 수 있 는 적절 한 값 을 획득 하 기 위해 복수 의 로트 ( lot ) 들 에 걸쳐 복수 의 메모리 디바이스 들 에 대해 최적 화 될 수 있 는 수치 값 "" m "" 이 다 . 카운트 가 완료 될 때 ", VvaL 에서 검증 동작 이 수행 되 어 , Vth > VvaL 을 갖 는 것 들 ( 따라서 , 이 들 은 검증 동작 에서 비전 도 상태 에 있 음 ) 은 고속 - 프로그래밍 저장 소자 들 로 식별 되 고 , Vth < VvaL 을 갖 는 것 들 ( 따라서 , 이 들 은 검증 동작 에서 전 도 상태 에 있 음 ) 은 저속 - 프로그래밍 저장 소자 들 로 식별 되 게 된다 . 특정 워드 라인 에 대해 각각 의 저장 소자 의 고속 상태 혹은 저속 상태 를 식별 시키 는 비트 가 데이터 래치 들 의 세트 에 , 예컨대 DL 1 에 ( 도 3 및 도 16 a 1 - 16 e 참조 ) 설정 될 수 있 다 .