이어서 , 도 1 c 에 도시 된 바 와 같이 , 트렌치 ( 103 ) 를 포함 하 는 반도체 기 판 ( 100 A ) 상 의 단차 면 을 따라 게이트 절 연막 ( 104 ) 을 형성 한다 . 이때 , 게이트 절 연막 ( 104 ) 은 소자 특성 을 고려 하 여 가급적 얇 게 형성 하 는 것 이 바람직 하 며 , 예컨대 , 5 ~ 50 Å 두께 로 형성 한다 . 또한 , 게이트 절 연막 ( 104 ) 은 보호막 ( 101 A ) 보다 얇 게 형성 할 수 있 으며 , 또한 , 보호막 ( 101 A ) 과 동일 물질 로 형성 할 수 있 다 .