본 실시 예 에서 , 상기 기둥 형 범프 ( 150 ) 는 동시 에 상기 커버 층 ( 130 ) 의 상기 측면 ( 134 ) 및 상기 지지층 ( 120 ) 의 상기 측면 ( 125 ) 에 노출 되 므로 , 상기 전극 유닛 ( 113 ) 으로 인한 고온 의 제거 에 더 유리 하 여 , 상기 표면 탄성파 장치 ( 100 ) 의 안정 성 에 대한 온도 변화 의 영향 을 효과 적 으로 감소 시키 고 , 또한 상기 표면 탄성파 장치 ( 100 ) 의 패 키 징 후 의 면적 은 상기 전극 유닛 ( 113 ) 이 위치 하 는 상기 공간 ( S ) 의 면적 과 크기 가 더욱 근사 하 여 , 성능 향상 에 유리 하 다 .