또한 , 제 1 및 제 2 패드 들 ( 41 , 42 ) 의 형성 시 에 제 3 패드 들 ( 43 ) 이 함께 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 분리 패턴 들 ( 39 D ) 내 의 더미 갭 필 절연 패턴 들 ( 40 D ) 을 일부 깊이 식각 하 여 리세 스 영역 들 을 형성 한 후 , 리세 스 영역 들 내 에 분리 패턴 들 ( 39 D ) 과 연결 된 제 3 패드 들 ( 43 ) 을 형성 한다 . 이러 한 경우 , 제 1 내지 제 3 패드 들 ( 41 ~ 43 ) 은 동일 한 공정 에 의해 동일 한 물질 로 형성 될 수 있 다 . 또한 , 제 2 패드 들 ( 42 ) 과 제 3 패드 들 ( 43 ) 은 제 1 방향 ( I - I ') 으로 교대 로 배열 되 며 , 일체 로 연결 된 하나 의 막 일 수 있 다 . 예 를 들 어 , 제 1 내지 제 3 패드 들 ( 41 ~ 43 ) 은 언 도프 드 폴리 실리콘 막 일 수 있 다 .