다음 으로 , 하부 반사 방지 코팅 ( BARC ) 층 ( 86 ) 및 상부 포토레지스트 ( 88 ) 를 포함 하 는 포토레지스트 가 도 13 의 FinFET 디바이스 ( 100 ) 위 에 형성 된다 . 포토레지스트 는 중간층 ( 도시 생략 ) 을 추가 로 포함 할 수 도 있 다 . 형성 된 후 에 , 포토레지스트 는 도 14 에 도시 하 는 바 와 같이 핀 들 ( 64 ) 사이 의 공간 을 충전 한다 . 이어서 상부 포토레지스트 ( 88 ) 가 패 터닝 되 어 개구부 ( 73 ) 를 형성 하 며 , 개구부 ( 73 ) 는 핀 ( 64 B ) 의 부분 ( 예컨대 , 좌측 부분 ) 위 에 ( 예컨대 , 바로 위 에 ) 그리고 핀 ( 64 A ) 위 에 있 다 .