반도체 막 ( 42 ) 은 스퍼터링 법 이나 CVD 법 에 의하 여 형성 할 수 있 다 . 반도체 막 ( 42 ) 을 스퍼터링 법 으로 형성 하 는 경우 , 수소 , 혹은 희소 가스 를 사용 하 여 실리콘 타깃 을 스퍼터링 하 여 , 상기 피막 위 에 상기 반도체 막 으로서 비정질 반도체 막 을 형성 한다 . 반도체 막 ( 42 ) 을 CVD 법 에 의하 여 형성 하 는 경우 , 실리콘 혹은 게르마늄 을 함유 하 는 퇴적 성 기체 와 함께 수소 를 플 라즈 마 CVD 장치 의 반응 실에 도입 하 고 , 고주파 전력 을 인가 하 여 플 라즈 마 를 발생 시킴 으로써 , 피막 위 에 반도체 막 ( 42 ) 으로서 비정질 반도체 막 혹은 미결정 반도체 막 을 형성 한다 .