일부 실시 예 에서 , 프로세스 는 제 2 에칭 프로세스 후 에 일어나 는 제 3 에칭 프로세스 를 이용 해 로직 영역 에서 의 게이트 유전체 층 을 통한 에칭 을 더 포함 한다 . 일부 실시 예 에서 , 제 1 및 제 3 에칭 프로세스 는 건식 에칭 프로세스 이 다 . 일부 실시 예 에서 , 프로세스 는 제 4 에칭 프로세스 를 이용 해 측벽 을 에칭 하 는 것 을 더 포함 한다 . 제 4 에칭 프로세스 는 제 1 에칭 프로세스 를 이용 해 캐 핑 층 및 하드 마스크 를 패 터닝 한 후 에 그리고 스 페이서 재료 층 을 형성 하 기 전 에 일어난다 . 제 4 에칭 프로세스 는 선택 적 이 며 , 그 에 의해 하드 마스크 의 일부 가 캐 핑 층 에 대해 측벽 안 으로 리세 싱 되게 된다 . 일부 실시 예 에서 , 제 4 에칭 프로세스 는 습식 에칭 이 다 . 일부 실시 예 에서 , 측벽 은 스 페이서 재료 층 이 퇴적 되 기 전 에 게이트 전극 층 을 통해 에칭 함 으로써 연장 된다 .