다음 에 , 도 5 e 에 나타낸 공정 에 있 어서 , 금속 실리케이트 막 ( 204 ) 을 질화 해서 , 질화 금속 실리케이트 막 ( 205 ) 을 형성 한다 . 금속 실리케이트 막 ( 204 ) 을 질화 함 으로써 , 열 적 안정 성 이 개선 되 고 , 또 게이트 절 연막 위 에 형성 되 는 전극 으로부터 의 불순물 의 확산 을 억제 하 는 것 이 가능 해진다 . 금속 실리케이트 막 ( 204 ) 을 질화 하 는 경우 , 질소 플 라즈 마 를 이용 하 는 것 이 가능 하 다 . 질소 플 라즈 마 를 이용 하 는 것 으로 , 열 질화 에 비해 낮 은 온도 에서 금속 실리케이트 막 을 질화 할 수 가 있 다 . 그러나 , 열 질화 를 행하 는 경우 에 는 , 질소 원자 가 기판 ( 201 ) 의 표면 의 근방 또는 실리콘 과 의 계면 의 근방 에 까지 확산 하 여 , 채널 이동도 의 저하 등 의 성능 열화 를 일으킬 우려 가 있 다 . 이것 에 대해 , 플라 즈 마 질화 에서 는 , 실리케이트 막 의 표면 근방 만 을 선택 적 으로 질화 하 는 것 이 가능 하 기 때문 에 , 그러 한 열화 를 일으키 기 어렵 다 .