도 29 ( B ) 에 도시 한 트랜지스터 는 기판 ( 1600 ) 과 , 기판 ( 1600 ) 위 에 제공 된 하지 절 연막 ( 1602 ) 과 , 하 지 절 연막 ( 1602 ) 위 에 제공 된 산화물 반도체 막 ( 1606 ) 과 , 산화물 반도체 막 ( 1606 ) 과 접촉 되 는 한 쌍 의 전극 ( 1614 ) 과 , 산화물 반도체 막 ( 1606 ) 및 한 쌍 의 전극 ( 1614 ) 위 에 제공 된 게이트 절 연막 ( 1608 ) 과 , 게이트 절 연막 ( 1608 ) 을 사이 에 두 고 산화물 반도체 막 ( 1606 ) 과 중첩 하 여 제공 된 게이트 전극 ( 1610 ) 과 , 게이트 절 연막 ( 1608 ) 및 게이트 전극 ( 1610 ) 을 덮 어 제공 된 층간 절 연막 ( 1616 ) 과 , 층간 절 연막 ( 1616 ) 에 형성 된 개구부 를 통하 여 한 쌍 의 전극 ( 1614 ) 과 접속 되 는 배선 ( 1618 ) 과 , 층간 절 연막 ( 1616 ) 및 배선 ( 1618 ) 을 덮 어 제공 된 보호막 ( 1620 ) 을 갖 는다 .