하부 전극 ( 200 ) 은 기판 ( 100 ) 상 에서 배치 되 며 , 하부 가 막힌 실린더 또는 기둥 형상 을 가질 수 있 다 . 예컨대 , 하부 전극 ( 200 ) 은 ' U ' 자형 의 단면 을 가질 수 있 다 . 이 는 커패시터 ( 1000 ) 를 포함 하 는 소자 의 크기 가 지속 적 으로 감소 함 에 따라 커패시터 ( 1000 ) 의 면적 도 작아진다 . 전하량 은 면적 에 비례 하 기 때문 에 충분 한 정전 용량 을 확보 하 기 위하 여 , 종횡비 ( aspect ratio ) 가 큰 실린더 또는 기둥 구조 의 하부 전극 ( 200 ) 을 채택 할 수 밖 에 없 다 . 이 처럼 종횡비 가 큰 실린더 구조 의 하부 전극 ( 200 ) 은 원자 층 적층 공정 ( Atomic Layer Deposition : ALD ) 으로 형성 될 수 있 다 .