1 개 의 증착 원 개구 ( 61 ) 로부터 방출 된 , 피막 ( 90 ) 의 형성 에 기여 하 는 증착 입자 는 , 실시 형태 1 에서 는 1 개 의 제 어 공간 ( 81 ) 만 을 통과 한 데 반해 , 본 실시 형태 2 에서 는 복수 의 제 어 공간 ( 81 ) ( 실시 예 2 에서 는 3 개 의 제 어 공간 ( 81 ) ) 으로 나뉘 어 통과 한다 . 즉 , 실시 형태 1 에 비하 여 , 본 실시 형태 에서 는 , 제어판 ( 80 ) 에 의해 소구분 된 보다 다수 의 증착 입자 류 가 형성 되 고 , 기판 ( 10 ) 상 에서 는 , 보다 다수 의 증착 입자 류 가 서로 겹쳐서 피막 ( 90 ) 이 형성 된다 . 따라서 , 증착 입자 류 ( 92 ) 사이 에서 의 증착 입자 밀도 의 편차 등 이 평균 화 되 어 , 피막 ( 90 ) 의 두께 균일성 이 향상 된다 .