도 12 및 13 에 도시 된 처리 후 에 , 처리 에서 의 선택 이 다양 해질 수 있 다 . 일 실시 예 에서 , 도 24 를 참조 하 면 , 질화물 층 ( 41 ) 은 실리사이드 층 ( 32 , 34 , 36 ) 위 에 놓이 도록 피착 될 수 있 다 . 대안 적 인 실시 예 에서 , 질화물 층 ( 41 ) 은 , 질화물 ( 41 ) 이 선택 된 영역 위 에 는 압축 적 으로 ( compressive ) 놓이 고 다른 영역 들 위 에 는 신장 성 있 게 ( tensile ) 놓일 수 있 도록 다 단계 로 피착 될 수 있 다 . 또 다른 대안 적 인 실시 예 에서 , 산화물 층 ( 도 15 의 층 ( 38 ) 에 유사 함 ) 및 질화물 층 ( 도 15 의 층 ( 40 ) 에 유사 함 ) 이 피착 될 수 있 다 . 다음 으로 , 하나 이상 의 포토 리소그래피 및 에칭 단계 들 은 영역 ( 47 ) 내 의 트렌치 들 을 에칭 하 도록 실행 될 수 있 다 . 트렌치 분리 를 위해서 질화물 / 산화물 / 실리콘 적층 을 통해서 에칭 하 는 것 이 잘 알려져 있 다 . 폴리 실리콘 은 실리콘 과 동일 하 게 에칭 하 거나 실리콘 과 상당히 유사 하 게 에칭 할 수 있 다 . 실리사이드 층 은 화학 작용 을 약간 변경 함 으로써 쉽 게 에칭 될 수 있 다 . 일 예 로서 , 니켈 실리사이드 의 경우 , 통상 의 할로겐 기반 트렌치 에칭 화학 작용 에 CO 를 부가 하 는 것 은 실리사이드 가 적절 하 게 에칭 되 도록 허용 할 것 이 다 . 다른 실리사이드 들 은 유사 한 에칭 화학 작용 변경 을 사용 할 수 있 다 . 대안 적 인 실시 예 들 은 트렌치 영역 내 의 특정 구조 와 재료 들 에 가장 적합 한 다른 에칭 들 및 화학 작용 을 사용 할 수 있 다 . 대안 적 인 실시 예 들 은 , 화학 적 에칭 , 물리 적 스퍼터 에칭 ( sputter etch ) , 시간 설정 에칭 ( timed etch ) , 종료 점 에칭 ( endpoint etch ) 등 으로부터 하나 이상 의 임의 의 조합 을 사용 할 수 있 다 .