또한 , 본 발명 은 , 반도체 기판 의 소자 분리 막 형성 영역 을 식각 하 여 트렌치 를 형성 하 는 단계 ; 상기 트렌치 내 에 다공성 절 연막 을 도포 하 는 단계 ; 상기 도포 된 다공성 절 연막 을 O 2 분위기 에서 1 차 큐어 링 하 는 단계 ; 상기 1 차 큐어 링 된 다공성 절 연막 을 H 20 및 O 2 분위기 에서 2 차 큐어 링 하 는 단계 ; 및 상기 2 차 큐어 링 된 다공성 절 연막 을 에치 - 백 하 는 단계 ; 상기 에치 - 백 된 다공성 절 연막 이 형성 된 트렌치 내 에 HDP 절 연막 을 매립 하 는 단계 ; 를 포함 하 는 반도체 소자 의 소자 분리 막 형성 방법 을 제공 한다 .