예시 적 인 실시 예 예서 , 제 1 반도체 층 과 제 2 반도체 층 의 산화물 반도체 는 인듐 ( In ) , 갈륨 ( Ga ) , 아연 ( Zn ) , 주석 ( Sn ) 및 하프늄 ( Hf ) 중 적어도 어느 하나 를 포함 할 수 있 다 . 일 예 로 , 제 1 반도체 층 과 제 2 반도체 층 의 산화물 반도체 는 인듐 - 주석 산화물 ( Indium - Tin Oxide , ITO ) , 인듐 - 갈륨 - 주석 산화물 ( Indium - Tin - Gallium Oxide , ITGO ) , 인듐 - 갈륨 - 아연 산화물 ( Indium - Gallium - Zinc Oxide ; IGZO ) 또는 인듐 - 갈륨 - 아연 - 주석 산화물 ( Indium - Gallium - Zinc - Tin Oxide ; IGZTO ) 을 포함 할 수 있 다 . 제 1 반도체 층 과 제 2 반도체 층 은 상기 한 산화물 반도체 들 중 어느 하나 를 포함 할 수 있 고 , 이 들 은 서로 동일 하 거나 다른 산화물 반도체 를 포함 할 수 있 다 . 다만 , 이 에 제한 되 는 것 은 아니 다 . 이하 에서 는 제 1 반도체 층 과 제 2 반도체 층 이 갖 는 재료 에 대한 설명 은 생략 하 기 로 하 고 , 배치 구조 에 대하 여 자세히 설명 하 기 로 한다 .