공정 의 분리 된 파트 에서 , 보호 층 이 다수 반도체 다이 들 을 포함 하 는 반도체 웨이퍼 의 액티브 표면 에 예비 - 인가 된다 . 그 보호 층 은 스핀 코팅 또는 스크린 프린팅 에 의해 인가 된 적층 물 또는 코팅 부 착체 일 수 있 다 . 그 보호 층 은 절연체 이 고 , 20 ppm / ℃ 이하 정도 의 낮 은 열팽창 계수 ( CTE ) 를 갖 는 폴리 이미드 ( PI ) 필름 , 또는 200 Mpa 미만 의 압력 하 에 낮 은 모듈 러스 ( modulus ) 실리콘 베이스 엘라스토머 ( silicon base elastomer ) 로 제조 될 수 있 다 .