도 1 을 참조 하 면 , 본 발명 의 반도체 소자 의 제조 장치 ( 100 ) 는 포토 리소그래피 장치 일 수 있 다 . 반도체 소자 의 제조 장치 ( 100 ) 는 기판 ( W ) 상 에 포토레지스트 패턴 을 형성 할 수 있 다 . 일 예 에 따르 면 , 반도체 소자 의 제조 장치 ( 100 ) 는 스피너 장치 ( 10 ) , 노광 장치 ( 20 ) , 레티 클 제조 장치 ( 30 ) , 레티 클 검사 장치 ( 40 ) 및 레티 클 보관 장치 ( 50 ) 를 포함 할 수 있 다 .