본 발명 은 ReRAM 대신 에 ( PCRAM 이나 PRAM 과 같 은 ) 상변화 메모리 를 기억 소자 로서 이용 해도 된다 . 이러 한 경우 에 , 메모리 가 고 저항 상태 로 전이 한 후 에 도 , 전류 바이어스 를 계속 흐르 도록 제어 하 여 온도 를 상승 시킬 수 있 다 . 따라서 , 메모리 가 저 저항 으로 다시 복귀 하 는 것 을 방지 할 수 있 다 . 본 발명 은 고체 전해질 기억 소자 를 포함 하 는 ( PMC 또는 CBRAM 과 같 은 ) 메모리 를 이용 해도 된다 . 이러 한 경우 에 , 메모리 가 고 저항 으로 된 후 에 도 , 고전압 인가 로 인한 절연 파괴 를 방지 할 수 있 다 .