단순 한 공정 으로 트렌치 를 형성 하 는 방법 및 이 를 이용 한 반도체 소자 의 제조 방법 이 개시 된다 . 트렌치 를 형성 하 는 방법 에 있 어서 , 기판 상 에 제 1 폭 으로 이격 된 제 1 패턴 들 과 제 1 폭 보다 넓 은 제 2 폭 으로 이격 된 제 2 패턴 들 을 형성 한다 . 제 1 및 제 2 패턴 들 을 식각 마스크 들 로 이용 하 여 기판 을 식각 하 여 , 제 1 깊이 를 갖 는 제 1 트렌치 와 제 2 깊이 를 갖 는 예비 제 2 트렌치 를 형성 한다 . 제 1 패턴 들 상부 사이 를 폐쇄 시키 는 희생 막 을 형성 한다 . 희생 막 , 제 1 및 제 2 패턴 들 을 식각 마스크 들 로 이용 하 여 기판 을 식각 하 여 , 제 2 깊이 보다 깊 은 제 3 깊이 를 갖 는 제 2 트렌치 를 형성 한다 . 제 1 패턴 들 상부 사이 에 형성 된 희생 막 을 식각 마스크 로 사용 함 으로써 , 보다 단순 한 공정 으로 트렌치 를 형성 할 수 있 다 .