다음 단계 는 피크 영역 , 예 를 들 어 , 청색 테이프 상 에 절단 된 웨이퍼 ( 프레임 폼 ) 를 피 킹 하 는 것 이 다 ; 이후 원 하 는 칩 이 절단 된 웨이퍼 로부터 피 킹 되 어 자 가 칩 재배 선 툴 의 배치 영역 상 에 위치 된다 ; 여기 서 칩 들 은 DI 워터 상 에 부양 되 며 , 단편 들 ( chippings ) , 즉 실리콘 입자 들 은 제거 되 어 트렌치 에 의해 모아 진다 ; 여기 서 대부분 의 경우 에 단편 [ 실리콘 입자 ] 의 크기 는 200 ㎛ 보다 작 다 ; 이후 유체 에 의해 이동 된 칩 들 은 인덱스 바 의 앞면 에 의해 차단 될 때 까지 재 배선 영역 으로 흘러간다 . 플레이트 및 인덱스 바 는 낮 은 진동 주파수 로 진동 한다 ; 여기 서 인덱스 바 는 일차원 적 으로 진동 , 예 를 들 어 왼쪽 / 오른쪽 방향 으로 진동 하 여 칩 들 이 칩 캐비 티 들 로 떨어지 도록 한다 . 본 발명 의 일 실시 예 에 있 어서 , 플레이트 의 진동 주파수 는 1 Hz 및 60 Hz 사이 이 며 인덱스 바 의 진동 주파수 는 1 Hz 및 60 Hz 사이 이 다 .