또한 , 현재 멀티 비트 메모리 셀 ( Multi - bit cell ) ( 셀 당 2 비트 이상 을 가지 는 셀 ) 의 제조 가 활발히 연구 되 고 있 는데 , 그 중 소노 스 메모리 소자 가 많 은 관심 과 연구 를 받 고 있 다 . 즉 , 멀티 비트 소노 스 메모리 소자 의 질화 막 에 트랩 된 전자 가 주변 으로 확산 되 지 않 는 특성 을 이용 하 여 드레 인 근처 에 만 국부 적 으로 전자 를 트랩 시켜 2 비트 가 구현 될 수 있 다 .