제 3 게이트 절 연막 ( 403 ) 은 강유 전 성 물질 을 포함 할 수 있 다 . 강유 전 성 물질 은 외부 로부터 의 전기 자극 이 없 어도 다이폴 ( dipole ) 을 가질 수 있 는 물질 을 의미 한다 . 예 를 들 어 , 강유 전 성 물질 을 포함 하 는 제 3 게이트 절 연막 ( 403 ) 에 소정 의 전기 자극 이 가해 지 면 , 제 3 게이트 절 연막 ( 403 ) 은 소정 의 분극 상태 를 띄 게 된다 . 이 후 , 제 3 게이트 절 연막 ( 403 ) 에 가해졌 던 전기 자극 이 사라지 더라도 , 제 3 게이트 절 연막 ( 403 ) 은 잔류 분극 ( remanent polarization ) 상태 를 띄 게 된다 . 이 처럼 소정 의 분극 상태 를 가지 게 된 제 3 게이트 절 연막 ( 403 ) 에 의해서 제 3 게이트 절 연막 ( 403 ) 과 접하 고 있 는 제 3 게이트 전극 ( 503 ) 의 문턱 전압 이 변화 될 수 있 다 . 이러 한 제 3 게이트 절 연막 ( 403 ) 의 분극 상태 에 대응 되 는 정보 는 제 3 트랜지스터 ( Tr 3 ) 에 저장 될 수 있 다 . 이 에 따라 , 제 3 트랜지스터 ( Tr 3 ) 는 비휘발성 메모리 소자 로 동작 할 수 있 다 .