최근 의 반도체 패키지 디바이스 는 , 고 밀도 화 및 고집 적 화 의 진전 에 의해 , 반도체 패키지 디바이스 의 실사 용 온도 가 고온 으로 되 기 쉬워 지 고 있 으므로 , 방열 대책 이 중요 시 되 고 있 다 . 특히 전기 자동차 , 하이브리드 자동차 , 산업 기기 등 에 사용 되 는 파워 디바이스 의 분야 에 있 어서 는 , 실리콘 을 대신 하 여 , 보다 고출력 화 가 가능 한 탄화 규소 ( SiC ) 의 적용 이 검토 되 고 있 고 , 우수 한 내열 성 및 높 은 열전 도 특성 을 가지 는 주변 재료 의 개발 이 요구 되 고 있 다 . 또한 , 탄화 규소 의 적용 개소 ( 箇 所 ) 에 따라서 는 , 주변 재료 는 높 은 절연성 이 필요 하 게 된다 .