본 발명 의 실시 예 들 에 따르 면 , 평탄 한 상면 을 갖 는 제 1 관통 전극 들 은 제 2 칩 패드 들 의 하이브리드 본딩 이 용이 하 게 이루어질 수 있 다 . 또한 , 일체 로 결합 되 는 제 1 관통 전극 들 과 제 2 칩 패드 들 내 에 기공 등 이 형성 되 지 않 을 수 있 으며 , 제 2 반도체 칩 들 은 결합력 이 강한 금속 간 접합 을 이용 하 여 제 1 반도체 칩 들 상 에 실장 될 수 있 다 .