도 2 b 에 도시 된 바 와 같이 , 하드 마스크 ( 25 ) 패턴 을 식각 마스크 로 드러난 텅스텐 막 ( 24 ) , 폴리 실리콘 막 ( 23 ) 및 게이트 절 연막 ( 22 ) 을 순차 적 으로 식각 하 여 게이트 패턴 ( 200 ) 을 형성 한다 . 전술 한 바 와 같이 텅스텐 막 ( 24 ) 의 손실 부분 이 미리 보상 되 어 있 기 때문 에 게이트 패턴 ( 200 ) 형성 을 위한 식각 이 수행 되 더라도 반도체 기판 ( 21 ) 의 어택 을 방지 할 수 있 다 .