보다 구체 적 으로 , 희생 인듐 ( sacrificial In ) 층 의 확산 성 , 표면 에너지 , 용융 온도 , 두께 와 희생 인듐 ( sacrificial In ) 층 과 인접 한 박막 층 인 백금 ( Pt ) 박막 층 과 의 관계 에 있 어서 상호 원자 확산 과 같 은 요소 들 에 의해 , 본 발명 에 따른 인듐 - 백금 ( In - Pt ) 이중 층 에 대한 디 웨 팅 공정 은 종래 의 백금 ( Pt ) 단일 층 에 디 웨 팅 공정 을 하 는 경우 에 비하 여 , 전반 적 으로 디 웨 팅 효율 이 향상 된다 .