도 13 에서 , 프로세싱 대상 기판 ( 4 ) 에서 비 단결정 반도체 막 의 용융 온도 에 대응 하 는 광 강도 는 a 이 고 , 광 강도 ( a ) 의 등강 도 선 ( 비 단결정 반도체 막 에서 비 용융 영역 의 가장자리 및 결정 화 시작점 에 대응 하 는 등강 도 선 ) ( 11 ) 은 도면 에서 수직 방향 으로 긴 타원 형태 를 갖 으며 , 그 의 곡률 반지름 은 도면 에서 상단 및 하단 ( 미 도시 ) 각 지점 에서 최소 값 0 . 2 ㎛ 를 갖 는다 . 이러 한 방식 으로 , 도 12 에 도시 되 는 광 변조 소자 ( 1 ) 는 프로세싱 대상 기판 ( 비 단결정 반도체 막 ) ( 4 ) 에 대해 , 비 용융 영역 의 가장자리 에 대응 하 는 등강 도 선 ( 11 ) 의 일부 가 0 . 3 ㎛ 또는 그 이하 의 곡률 반지름 을 갖 는 광 강도 분포 를 갖 는 광 을 조사 할 수 있 도록 설계 된다 . 광 강도 ( 0 . 92 a ) 에 대한 등강 도 선 의 일부 및 광 강도 ( 1 . 08 a ) 에 대한 등강 도 선 의 일부 는 각각 0 . 3 ㎛ 또는 그 이하 의 곡률 반지름 을 갖 는다 .