" 본 명세서 에서 사용 되 는 용어 "" 패 터닝 디바이스 "" 는 기판 의 타 겟 부분 에 패턴 을 부여 하 기 위해서 사용 될 수 있 는 임의 의 디바이스 를 지칭 하 는 것 으로 폭넓 게 해석 되 어야 한다 . 실시 예 에서 ", 패 터닝 디바이스 는 기판 의 타 겟 부분 에 패턴 을 생성 하 기 위하 여 방사선 빔 의 횡단면 에 패턴 을 부여 하 기 위해 사용 될 수 있 는 임의 의 디바이스 이 다 . 예 를 들 어 , 패턴 이 위상 - 시프팅 피처 또는 소위 어시스트 피처 를 포함 하 는 경우 , 방사선 빔 에 부여 된 패턴 은 기판 의 타 겟 부분 내 의 원 하 는 패턴 과 정확 하 게 대응 하 지 않 을 수 있 다는 점 이 주목 되 어야 한다 . 일반 적 으로 , 방사선 빔 에 부여 된 패턴 은 집 적 회로 와 같 은 타 겟 부분 에 생성 될 디바이스 내 의 특정 기능 층 에 대응 할 것 이 다 .