본 발명 의 일 실시 예 에서 , 상기 하부 절 연막 및 상기 하부 도전 성 패턴 을 형성 하 는 것 은 상기 반도체 기판 상 에 초기 절 연막 을 형성 하 는 것 을 포함 한다 . 상기 초기 절 연막 의 소정 영역 을 패 터닝 하 여 콘 택 홀 을 형성 할 수 있 다 . 상기 콘 택 홀 을 채우 는 하부 도전 성 패턴 을 형성 할 수 있 다 . 상기 초기 절 연막 을 리세 스 시키 어 상기 하부 도전 성 패턴 을 상대 적 으로 돌출 시킬 수 있 다 .