상기 하부 , 중부 및 상부 초격자 들 ( 71 , 73 , 75 ) 내의 InGaN 및 GaN 은 교대 로 적층 되 며 , InGaN 과 GaN 이 쌍 을 이루 어 각각 4 내지 10 회 , 6 내지 20 회 및 4 내지 10 회 반복 적층 될 수 있 다 . 이러 한 적 층수 는 InGaN 및 GaN 의 두께 , InGaN 내 의 In 의 함량 에 따라 변경 될 수 있 으며 , 핀홀 및 힐 락 의 발생 을 제어 하 도록 설정 된다 .