전계 효과 형 트랜지스터 ( 1 ) 에서 는 , 열 산화 막 ( 11 ) 을 갖 는 실리콘 기판 ( 10 ) 상 에 , 게이트 전극 ( 12 ) 이 스트라이프 상 으로 형성 되 어 있 다 . 이 게이트 전극 ( 12 ) 을 덮 도록 게이트 절 연막 ( 13 ) 을 갖 고 , 이 게이트 절 연막 ( 13 ) 상 이 고 , 또한 , 게이트 전극 ( 12 ) 상 에 반도체 층 ( 14 ) ( 활성 층 ) 이 형성 되 어 있 다 .