이 와 같이 , 본 발명 에서 는 , 고밀도 의 실리콘 입자 형성 을 목적 으로 하 는 경우 에 있 어서 , 처리 실 내 에 실리콘 계 가스 를 도입 하 여 실리콘 입자 를 형성 하 는 처리 의 사전 또는 처리 중 , 또는 사전 및 처리 중 에 도 펀트 가스 를 흘리 도록 했 기 때문 에 , 실리콘 의 고밀 도 입자 를 형성 하 는 핵 을 제어 하 기 좋 게 형성 할 수 있 고 , 이 에 따라 안정 된 반도체 장치 의 성능 의 확보 를 실현 할 수 가 있 다 .