이후 , 제 4 층간 절 연막 ( 240 ) 상 에 제 1 마스크 ( 도시 되 지 않 음 ) 를 형성 한 후 , 이 를 식각 마스크 로 사용 하 여 하부 의 제 4 층간 절 연막 ( 240 ) , 제 3 절연 패턴 들 ( 215 ) , 제 2 희생 패턴 들 ( 225 ) , 및 제 1 층간 절 연막 ( 180 ) 을 식각 함 으로써 , 이 들 을 적어도 부분 적 으로 관통 하 여 기판 ( 100 ) 의 제 1 영역 ( I ) 상 에 형성 된 제 1 에피택시 얼 층 ( 202 ) 상면 을 노출 시키 는 채널 홀 ( hole ) ( 250 ) 을 형성 할 수 있 다 .