본 발명 에 따른 반도체 소자 의 제조 방법 은 , 질화 막 하드 마스크 를 갖 는 수 개 의 게이트 및 접합 영역 이 형성 된 실리콘 기판 상 에 산화 막 재질 의 제 1 층간 절 연막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 질화 막 하드 마스크 를 연마 정지 막 으로 하 여 상기 제 1 층간 절 연막 을 CMP 하 는 단계 ; 상기 CMP 가 수행 된 기판 결과물 상 에 랜딩 플러그 콘 택 형성 용 하드 마스크 를 형성 하 는 단계 ; 상기 랜딩 플러그 콘 택 형성 용 하드 마스크 를 이용 해서 제 1 층간 절 연막 을 식각 하 여 게이트 들 및 접합 영역 을 노출 시키 는 콘 택 홀 을 형성 하 는 단계 ; 상기 콘 택 홀 을 매립 하 도록 폴리 실리콘 막 을 증착 하 는 단계 ; 상기 질화 막 하드 마스크 가 노출 되 도록 상기 폴리 실리콘 막 을 질화 막 대비 산화 막 의 연마 속도 가 빠른 산화 막 용 슬러리 를 사용 해서 1 차 CMP 하 는 단계 ; 및 상기 1 차 CMP 된 폴리 실리콘 막 을 산화 막 대비 질화 막 의 연마 속도 가 빠른 질화 막 용 슬러리 를 사용 해서 2 차 CMP 하 는 단계 ; 를 포함 한다 .