제 1 소스 재 분배 구조물 ( 45 ) 은 셀 필드 ( 41 ) 의 트렌치 ( 42 ) 상 에 배치 된 복수 개 의 제 1 이 산 전도성 영역 ( 48 ) 을 포함 한다 . 하나 의 제 1 전도성 영역 ( 48 ) 은 각 셀 필드 ( 41 ) 에 제공 될 수 있 다 . 제 1 이 산 전도성 영역 ( 48 ) 은 서로 횡 방향 으로 이격 되 어 있 으며 , 서로 실질 적 으로 평행 하 게 연장 되 는 스트라이프 형태 를 가질 수 있 다 . 제 1 드레 인 재 분배 구조물 ( 46 ) 은 각각 이 2 개 의 인접 하 는 제 1 이 산 전도성 영역 ( 48 ) 사이 에 배치 되 는 복수 의 제 2 이 산 전도성 영역 ( 49 ) 을 포함 한다 . 제 2 이 산 전도성 영역 ( 49 ) 각각 은 , 드레 인 전극 ( 24 ) 에 교대 로 전기 적 으로 결합 되 는 적어도 하나 의 전도성 비아 ( 44 ) 상 에 배치 되 고 , 거기 에 전기 적 으로 결합 된다 . 제 2 이 산 전도성 영역 ( 49 ) 의 각각 은 제 1 전도성 영역 ( 48 ) 으로부터 횡 방향 으로 이격 되 어 있 다 . 제 2 전도성 영역 ( 49 ) 의 각각 은 긴 스트라이프 형 구조물 을 가질 수 있 고 , 제 1 이 산 전도성 영역 ( 48 ) 과 실질 적 으로 평행 하 게 연장 될 수 있 다 .