그리고 화소 발광 층 ( 426 , 428 , 430 , 432 , 454 , 456 , 458 , 460 ) 과 인접 한 위치 에 정공 또는 전자 의 흐름 을 저지 하 는 전자 저지 층 ( Electron Blocking Layer ) 또는 정공 저지 층 ( Hole Blocking Layer ) 을 더 배치 하 여 전자 가 발광 층 에 주입 될 때 발광 층 에서 이동 하 여 인접 한 정공 수송 층 으로 통과 하 거나 정공 이 발광 층 에 주입 될 때 발광 층 에서 이동 하 여 인접 한 전자 수송 층 으로 통과 하 는 현상 을 방지 하 여 발광 효율 을 향상 시킬 수 있 다 .