그런데 , 반도체 메모리 장치 에 저장 된 데이터 의 변경 횟수 는 제한 된다 . 기입 및 삭제 동작 에 의해 반도체 메모리 장치 가 마모 ( wearing ) 되 기 때문 이 다 . 마 모도 가 증가 하 면 , 데이터 가 변경 ( 기입 또는 소거 ) 되 는데 더 긴 시간 이 걸리 고 , 데이터 가 변경 될 때 오류 가 발생 할 확률 이 증가 한다 . 결국 , 단위 셀 의 데이터 저장 능력 이 완전히 상실 될 수 있 다 .