상기 하부 층 ( 102 ) 은 제 1 및 제 2 하부 층 들 을 포함 할 수 있 다 . 상기 제 1 하부 층 은 언 도프 드 질화 갈륨 층 ( undoped - GaN 층 ) ( 이하 , u - GaN 층 ) 일 수 있 고 , 상기 제 2 하부 층 은 n 형 의 도전 형 을 갖 는 반도체 막 ( 예 를 들 면 , n - GaN 층 ) 일 수 있 다 . 상기 u - GaN 층 은 상기 기판 ( 101 ) 을 씨드 층 으로 사용 하 는 ( 액상 성 장법 ( liquid phase epitaxy , LPE ) , 기상 성 장법 ( vapor phase epitaxy , VPE ) , 유기 금속 화학 기상 증착 법 ( metal organic chemical vapor deposition , MOCVD ) 및 분자 빔 성 장법 ( molecular beam epitaxy , MBE ) 등 과 같 은 ) 에피택시 얼 기술 들 중 의 한 가지 를 사용 하 여 형성 될 수 있 다 . 본 발명 의 일 실시 예 에 따르 면 , 상기 u - GaN 층 은 2 내지 3 마이크 로 미터 의 두께 로 형성 될 수 있 다 . 상기 제 2 하부 층 은 상기 제 1 하부 층 을 씨드 층 으로 사용 하 는 에피택시 얼 공정 을 통해 형성 될 수 있 으며 , 본 발명 의 일 실시 예 에 따르 면 , 수 마이크 로 미터 의 두께 로 형성 되 는 실리콘 이 도핑 된 GaN 막 ( Si - doped GaN ) 일 수 있 다 .