제 1 의 RTA 처리 와 제 2 의 RTA 처리 에 대하 여 , RTA 처리 의 온도 프로파일 의 개략 을 도 2 에 나타내 었 다 . 제 1 의 RTA 처리 는 , 600 ℃ 이상 850 ℃ 이하 의 온도 에서 , 5 초 이상 60 초 이하 의 시간 유지 함 으로써 탄화수소 가스 를 탄화 하 지 않 도록 실리콘 단결정 웨이퍼 표면 전체 에 부착 시키 는 것 이 바람직 하 다 . 또한 , 제 2 의 RTA 처리 를 , 1100 ℃ 이상 실리콘 융점 이하 의 온도 에서 , 10 초 이상 150 초 이하 의 시간 유지 함 으로써 실리콘 단결정 웨이퍼 표면 에 부착 한 탄소 를 내방 확산 시키 는 것 이 바람직 하 다 . 이러 한 RTA 처리 의 조건 에 의해 , 보다 효과 적 으로 탄소 와 함께 공공 을 주입 할 수 있 다 .