메모리 개구 충전 구조물 ( 58 ) 이 각각 의 메모리 개구 내 에 형성 될 수 있 다 . 메모리 개구 충전 구조물 ( 58 ) 은 메모리 필름 및 메모리 필름 과 접촉 하 는 수직 반도체 채널 을 포함 할 수 있 다 . 메모리 필름 은 차단 유전체 , 터널 링 유전체 , 및 차단 유전체 와 터널 링 유전체 사이 에 위치 된 전하 저장 재료 를 포함 할 수 있 다 . 전하 저장 재료 는 실리콘 질화물 층 과 같 은 전하 트래핑 층 , 또는 전하 트래핑 층 의 개별 부분 들 또는 플로팅 게이트 들 과 같 은 복수 의 개별 전하 트래핑 영역 들 을 포함 할 수 있 다 . 이 경우 , 각각 의 메모리 개구 충전 구조물 ( 58 ) 및 전기 전도성 층 들 ( 46 ) 의 인접 한 부분 들 은 수직 NAND 스트링 을 구성 한다 . 대안 적 으로 , 메모리 개구 충전 구조물 들 ( 58 ) 은 저항성 메모리 요소 들 , 강유 전 성 메모리 요소 들 , 상 변화 메모리 요소 들 등 과 같 은 임의 의 유형 의 비휘발성 메모리 요소 들 을 포함 할 수 있 다 . 메모리 디바이스 는 각각 의 수직 반도체 채널 의 저부 단부 에 연결 된 선택 적 인 수평 반도체 채널 층 ( 10 ) , 및 제 1 기판 ( 908 ) 과 수평 반도체 채널 층 ( 10 ) 사이 에 전기 적 격리 를 제공 하 는 선택 적 인 유전체 스 페이서 층 ( 910 ) 을 포함 할 수 있 다 .