교번 유전체 스택 은 3 D 메모리 장치 의 기판 의 표면 에 수직 인 수직 방향 ( 아래 에 상세히 설명 되 는 도 5 a 및 도 5 b 와 관련 하 여 단면도 에서 도시 됨 ) 을 따라 배열 되 는 복수 의 유전체 층 쌍 을 포함 할 수 있 다 . 각각 의 유전체 층 쌍 은 제 1 유전체 층 및 제 1 유전체 층 과 상이 한 제 2 유전체 층 을 포함 한다 . 일부 실시 예 에서 , 제 1 유전체 층 및 제 2 유전체 층 은 각각 실리콘 질화물 및 실리콘 산화물 을 포함 한다 . 교번 유전체 스택 의 제 1 유전체 층 은 위 에서 설명 한 교번 전도체 / 유전체 스택 의 유전체 층 과 동일 할 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 교번 유전체 스택 의 유전체 층 쌍 의 수 는 교번 전도체 / 유전체 스택 의 전도체 / 유전체 층 쌍 의 수 와 동일 하 다 .