채널 층 ( 102 ) 상 에 게이트 유전 층 구조물 ( 110 ) 이 배치 될 수 있 다 . 구체 적 으로 , 게이트 유전 층 구조물 ( 110 ) 은 , 채널 층 ( 102 ) 상 에 순차 적 으로 배치 되 는 전하 터널 링 층 ( 112 ) , 전하 트랩 층 ( 114 ) 및 전하 장벽층 ( 116 ) 을 포함 할 수 있 다 . 일 실시 예 에서 , 게이트 유전 층 구조물 ( 110 ) 은 양 의 캐 패 시턴 스 를 가질 수 있 다 . 양 의 캐 패 시 턴 스란 , 도 2 에 도시 되 는 것 과 같이 , 유전 층 의 양단 에 전압 ( V ) 이 인가 될 때 , 유전 층 내부 에 발생 하 는 분극 ( P ) 이 인가 전압 ( V ) 에 대해 양 의 기울기 를 가지 는 경우 를 말 한다 . 또한 , 상유 전 층 ( paraelectric layer ) 이 란 , 상기 양 의 캐 패 시턴 스 를 가지 는 유전 층 중 에서 , 상기 유전 층 으로부터 상기 인가 전압 ( V ) 을 제거 할 때 ( 즉 , 인가 전압 ( V ) 이 O V 일 때 ) , 상기 유전 층 내부 의 분극 ( P ) 이 소멸 되 는 특성 을 가지 는 물질 층 을 의미 할 수 있 다 . 따라서 , 도 2 에 도시 되 는 분극 특성 을 가지 는 유전 층 은 상기 상유 전 층 일 수 있 다 .