상기 기판 ( 100 ) 은 반도체 기판 으로서 , 일 예 로서 , 단결정 질 실리콘 , 실리콘 - 게르마늄 또는 실리콘 카바이드 와 같 은 IV - IV 화합물 , III - V 화합물 , 또는 II - VI 화합물 기판 이 거나 , 임의 의 기판 상 에 실리콘 , 실리콘 - 게르마늄 또는 실리콘 카바이드 와 같 은 IV - IV 화합물 , III - V 화합물 , 또는 II - VI 화합물 등 의 반도체 층 이 형성 된 것 일 수 있 다 . 상기 제어 게이트 막 ( 115 ) 은 반도체 물질 , 일 예 로서 , 도핑 된 폴리 실리콘 ; 또는 금속 일 예 로서 , 텅스텐 , 구리 , 알루미늄 , 탄 탈륨 , 티타늄 , 코발트 , 질화 티탄 또는 이 들 의 합금 들 을 포함 할 수 있 다 .