도 4 에서 , 절연 물질 ( 54 ) 이 기판 ( 50 ) 위 에 그리고 이웃 하 는 핀 ( 52 ) 사이 에 형성 된다 . 절연 물질 ( 54 ) 은 실리콘 산화물 , 질화물 , 또는 이 들 의 조합 등 과 같 은 산화물 일 수 있 고 , 고밀도 플라 즈 마 화학 적 기상 퇴적 ( high density plasma chemical vapor deposition ; HDP - CVD ) , 유동 성 CVD ( flowable CVD ; FCVD ) ( 예컨대 , 산화물 과 같 은 다른 물질 로 변환 시키 기 위해 원격 플 라즈 마 시스템 에서 의 CVD 기반 물질 퇴적 및 후 경화 ) 또는 이 들 의 조합 등 에 의해 형성 될 수 있 다 . 임의 의 허용 가능 한 공정 에 의해 형성 된 다른 절연 물질 이 사용 될 수 있 다 . 도시 된 실시 예 에서 , 절연 물질 ( 54 ) 은 FCVD 공정 에 의해 형성 된 실리콘 산화물 이 다 . 일단 절연 물질 이 형성 되 면 , 어닐링 공정 이 수행 될 수 있 다 . 일 실시 예 에서 , 절연 물질 ( 54 ) 은 초과 절연 물질 ( 54 ) 이 핀 ( 52 ) 을 커버 하 도록 형성 된다 . 절연 물질 ( 54 ) 이 단일 층 으로서 도시 되 어 있 지만 , 일부 실시 예 들 은 다수 의 층 을 사용 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 일부 실시 예 들 에서 , 라이너 ( 도시 되 지 않 음 ) 가 먼저 기판 ( 50 ) 의 표면 및 핀 ( 52 ) 을 따라 형성 될 수 있 다 . 그 후 에 , 위 에서 논의 된 것 과 같 은 충전 물질 이 라이너 위 에 형성 될 수 있 다 .