도 7 및 도 8 에서 는 , 게이트 전극 ( 148 ) 이 산화물 반도체 층 ( 144 ) 의 하부 에 배치 되 는 구성 을 나타냈 다 . 이 구성 에 있 어서 , 산화물 반도체 층 ( 144 ) 의 전체 가 게이트 전극 ( 148 ) 과 겹치 도록 함 으로써 , 하부 로부터 의 빛 이 산화물 반도체 층 ( 144 ) 에 들어가 는 것 을 억제 할 수 가 있 다 . 이렇게 하 여 , 산화물 반도체 층 ( 144 ) 의 광열 화 를 억제 할 수 가 있 다 . 도 7 이나 도 8 에서 는 나타내 지 않 았 지만 , 게다가 , 산화물 반도체 층 ( 144 ) 의 전체 가 배선 ( 158 ) 과 겹치 는 ( 배선 ( 158 ) 으로 덮이 는 ) 구성 으로 함 으로써 , 위쪽 으로부터 의 빛 이 산화물 반도체 층 ( 144 ) 에 들어가 는 것 을 억제 할 수 도 있 다 . 이렇게 하 여 , 산화물 반도체 층 ( 144 ) 의 광열 화 를 더욱 억제 할 수 가 있 다 .