그리고 , 패턴 밀도 가 낮 은 영역 ( 이하 , A 영역 이 라 함 ) 만 을 노출 시키 도록 패턴 밀도 가 높 은 영역 ( 이하 , B 영역 이 라 함 ) 에 감광막 패턴 ( 30 ) 을 형성 한 후 이 를 식각 마스크 로 이용 한 선택 적 인 습식 식각 공정 을 진행 하 여 A 영역 상부 의 제 2 하드 마스크 ( 28 ) 만 선택 적 인 제거 한다 .