이 경우 , 전자 공여 화합물 ( ED ) 는 표면 에 흡착 하 여 표면 을 안정 화 시키 고 후속 되 는 제 1 소스 물질 ( SM 1 ) 의 화학 흡착 을 저지 하 여 지연 시키 는 효과 가 있 고 , 산화 막 이 형성 될 피처 ( feature ) 의 표면 ( 즉 기판 ( 100 ) 의 표면 ) 에 걸쳐 제 1 소스 물질 ( SM 1 ) 이 다운 스트림 쪽 으로 더 많이 확산 할 수 있 다 . 따라서 , 산화 막 이 형성 될 피처 표면 에서 제 1 소스 물질 ( SM 1 ) 의 균 일도 가 개선 되 게 된다 . 이 전자 공여 화합물 ( ED ) 은 표면 에 흡착 하 여 있 으므로 제 2 소스 물질 ( SM 2 ) 의 화학 흡착 도 저지 하 는 효과 가 있 게 된다 .