또한 , 상기 와 같 은 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 에 의한 씨 모스 이미지 센서 의 제조 방법 은 센 서부 와 주변 구 동부 로 정의 된 반도체 기판 에 다 수개 의 포토다이오드 와 트랜지스터 들 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 각 포토다이오드 및 트랜지스터 를 포함 한 반도체 기판 의 전면 에 제 1 층간 절 연막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 제 1 층간 절연 막상 의 센서 부 와 주변 구 동부 에 제 1 금속 배선 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 제 1 금속 배선 을 포함 한 반도체 기판 의 전면 에 제 2 층간 절 연막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 제 2 층간 절연 막상 의 센서 부 와 주변 구 동부 에 제 2 금속 배선 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 제 2 금속 배선 을 포함 한 반도체 기판 의 전면 에 제 3 층간 절 연막 및 식각 스톱 층 을 차례 로 형성 하 는 단계 와 , 상기 식각 스톱 층상 의 주변 구 동부 에 제 3 금속 배선 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 제 3 금속 배선 을 포함 한 반도체 기판 의 전면 에 제 4 층간 절 연막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 제 4 층간 절연 막상 의 주변 구 동부 에 제 4 금속 배선 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 반도체 기판 의 센 서부 에 형성 된 제 4 층간 절 연막 을 제거 하 는 단계 와 , 상기 반도체 기판 의 전면 에 평탄 화 층 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 평탄 화 층 의 센 서부 에 컬러 필터 층 및 마이크 로 렌즈 를 차례 로 형성 하 는 단 계 를 포함 하 여 형성 함 을 특징 으로 한다 .