레지스 트 막 형성 용 조성물 에 는 산 발생 제 나 , 필요 에 따라서 염기 성 물질 , 계면 활성제 등 이 더 첨가 되 지만 , 이 들 에 대해서 는 다수 가 공지 되 어 있 고 ( 예 를 들 면 일본 특허 공개 제 2006 - 225476 호 공보 , 일본 특허 공개 제 2006 - 328259 호 공보 ) , 기본 적 으로 는 어떤 것 도 사용 할 수 있 다 . 또한 , 레지스 트 패턴 을 형성 하 는 방법 도 이미 공지 되 어 있 고 , 이 들 을 적용 함 으로써 마스크 가 필요 한 부위 만 을 마스크 할 수 있 다 .