예 를 들 어 절연 층 ( 116 ) 은 , 질화 실리콘 을 사용 하 는 경우 에 는 실레인 등 의 실리콘 을 포함 한 가스 와 , 암모니아 나 일산 화 이질소 등 의 질소 를 포함 한 가스 를 포함 하 는 혼합 가스 를 성막 가스 에 사용 한 PECVD 법 으로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 이때 , 성막 되 는 질화 실리콘 내 에 수소 가 포함 되 어 있 는 것 이 바람직 하 다 . 이 에 의하 여 , 절연 층 ( 116 ) 내 의 수소 가 반도체 층 ( 108 ) 으로 확산 됨 으로써 , 반도체 층 ( 108 ) 의 일부 를 저 저항 화 시키 는 것 이 용이 해진다 .