이 처럼 , 모스 펫 소자 의 고집 적 화 에 따른 채널 길이 의 감소 는 , 반도체 기판 의 도핑 ( Doping ) 농도 를 증가 시키 고 있 는데 , 그 결과 , 소자 의 누설 전류 ( Leakage Current : LC ) 증가 및 문턱 전압 ( Threshold Voltage : Vt ) 이 급격히 낮 아 지 는 , 이른바 단 채널 효과 ( short channel effect ) 현상 이 더욱 심화 되 고 있 다 .