메모리 셀 들 을 3 차원 적 으로 배치 한 종래 의 반도체 기억 장치 의 하나 로서 , 기둥 형 구조 의 트랜지스터 를 사용 한 반도체 기억 장치 가 있 다 ( 일본 특허 출원 공개 제 2007 - 266143 호 및 미국 특허 제 5599724 호 , 제 5707885 호 참조 ) . 기둥 형 구조 의 트랜지스터 를 사용 한 반도체 기억 장치 는 게이트 전극 으로 기능 하 는 다층 의 도전 층 및 필러 형상 의 기둥 형상 반도체 를 구비 한다 . 기둥 형상 반도체 는 트랜지스터 의 채널 ( 바디 ) 부 로서 기능 한다 . 기둥 형상 반도체 의 주변 에 는 메모리 게이트 절연 층 이 배치 된다 . 도전 층 , 기둥 형상 반도체 및 메모리 게이트 절연 층 을 포함 하 는 구성 은 메모리 스트링 이 라고 불린다 .