도 9 를 참조 하 면 , 위상 반 전막 패턴 ( 211 ) 및 광차 단막 패턴 ( 222 ) 이 형성 된 투명 한 기판 ( 200 ) 상 에 레지스 트 막 을 형성 한다 . 레지스 트 막 에 전자 빔 을 이용 한 노광 공정 을 수행 한 후 , 현상 하 여 위상 반 전막 패턴 ( 211 ) 및 광차 단막 패턴 ( 222 ) 의 일부 를 노출 시키 는 레지스 트 패턴 ( 241 ) 을 형성 한다 . 레지스 트 패턴 ( 241 ) 을 식각 마스크 로 사용 하 여 일부 노출 된 광차 단막 패턴 ( 222 ) 을 식각 한다 .