상기 에서 , 산화물 반도체 를 포함 하 는 트랜지스터 를 구성 하 는 경우 가 있 지만 , 본 발명 은 이것 에 한정 되 지 않 는다는 점 에 주목 한다 . 산화물 반도체 와 동등 한 오프 전류 특성 이 실현 되 는 재료 , 예 를 들 어 , 탄화 실리콘 을 비롯 한 와이드 갭 재료 ( 구체 적 으로 는 , 예 를 들 어 , 에너지 갭 Eg 이 3 eV 보다 큰 반도체 재료 ) 등 을 적용 할 수 있 다 .