결합 층 ( 120 ) ( 예 를 들 어 , 실리콘 산화물 층 ) 은 배리어 층 ( 118 ) 의 일부 , 예 를 들 어 , 배리어 층 ( 118 ) 의 상부 표면 상 에 디포짓 되 고 , 그 후 실질 적 으로 단결정 인 층 ( 125 ) ( 예 를 들 어 , 박리 된 실리콘 ( 111 ) 층 과 같 은 단결정 실리콘 층 ) 의 결합 중 에 사용 된다 . 결합 층 ( 120 ) 은 몇몇 실시 예 에서 두께 가 약 1 . 5 ㎛ 일 수 있 다 . 몇몇 실시 예 에서 , 결합 층 ( 120 ) 의 두께 는 결합 - 유도된 ( bond - induced ) 보이드 ( void ) 완화 를 위해 20 nm 또는 그 이상 이 다 . 몇몇 실시 예 에서 , 결합 층 ( 120 ) 의 두께 는 0 . 75 - 1 . 5 ㎛ 범위 이 다 .