상기 게이트 전극 층 은 전도성 금속 을 도금 공정 을 이용 하 여 형성 되 고 , 상기 유기 절연체 층 은 유기 절연체 를 스핀 코팅 을 이용 하 여 형성 되 고 , 상기 반도체 층 은 진공 증착 법 또는 스핀 코팅 법 등 의 액상 공정 으로 형성 된다 . 상기 삽입 층 은 소스 - 드레 인 전극 과 같 은 패턴 으로 이루어진 쉐 도우 마스크 를 이용 하 여 진공 증착 법 공정 으로 형성 된다 .