도 1 을 참조 하 면 , 제 1 실시 예 에 따른 메모리 셀 서브 어레이 ( 100 ) 의 평면도 가 도시 된다 . 메모리 셀 서브 어레이 ( 100 ) 는 단일 다 이 위 에 형성 될 수 있 는 더 크 메모리 어레이 ( 도시 되 지 않 음 ) 의 부분 이 다 . 메모리 셀 서브 어레이 ( 100 ) 의 서브 어레이 경계 ( 105 ) 는 실질 적 으로 평행사변형 이 다 . 즉 , " 서브 어레이 ( 100 ) 는 하나 의 비 정방 형 코너 를 갖 는 적어도 두 개 의 평행 한 면 을 구비 한 ( 바람직 하 게 는 두 세트 의 평행 한 면 을 구비 한 ) 4 면 형상 을 갖 는다 . "" 실질 적 으로 "" 평행사변형 형상 이 라는 단어 는 경계 에서 의 작 은 돌출 또는 함몰 및 / 또는 비 - 직선 경계선 과 같 은 평행 사변형 형상 에서 작 은 변형 을 포함 한다 . 바람직 하 게 ", 비 정방 형 코너 에서 두 인접 면 사이 의 각도 는 20 내지 80 이 다 . 일 실시 예 에서 , 평행사변형 은 각각 거의 약 60 도인 한 세트 의 마주 보 는 각 을 갖 는다 . 메모리 셀 서브 어레이 ( 100 ) 는 메모리 셀 ( 102 ) 로 채워진다 . 메모리 셀 ( 102 ) 은 바람직 하 게 직렬 로 배치 된 저항 스위칭 소자 및 필러 형상 전류 조종 소자 를 각각 포함 하 는 비휘발성 메모리 셀 이 다 . 그러나 , 다른 타입 의 휘발 성 또는 비휘발성 메모리 셀 이 또한 사용 될 수 있 다 . 셀 은 유전체 물질 ( 107 ) 로 둘러싸인다 . 유전체 물질 ( 107 ) 은 예 를 들 어 이산화 규소 와 같 은 절연체 이 다 . 질화 규소 등 과 같이 다른 절연 물질 이 또한 사용 될 수 있 다 . 필러 형상 전류 조종 소자 는 바람직 하 게 다이오드 이 다 . 예 를 들 어 , 실질 적 으로 필러 형상 다이오드 타입 이 전체 에서 참조 로 포함 되 는 미국 특허 제 6 , 951 , 780 호 에서 설명 된다 .