본 발명 에 매우 적합 하 게 이용 되 는 도전 성막 ( 4 ) 은 , " "" 통전 포 밍 "" 처리 시 에 전계 ( 또는 전류 ) 가 집중 하 는 영역 을 ", 다수 포함 한다 . 그 때문 에 , 도전 성막 ( 4 ) 은 , 불 균질 인 막 ( 특별 한 주기성 이나 규칙 성 이 실질 적 으로 없 는 막 ) 일수록 , 본 발명 의 효과 가 현저 하 게 된다 . 이러 한 불 균질 인 막 을 얻 기 위해서 , 본 발명 의 도전 성막 ( 4 ) 은 , 다수 의 제 1 입자 와 다수 의 제 2 입자 가 혼재 된 상태 의 막 으로 구성 된다 .