도 3 은 본 발명 에 따른 채널 의 구조 가 감소 하 는 형태 의 웰 유닛 의 평면도 이 다 . 도 3 에 도시 된 바 와 같이 , 주화성 물질 이 주입 된 웰 부분 ( 제 2 웰 ) 으로 갈수록 채널 폭 이 점점 좁 아 지 고 , 최대 감소 지점 의 폭 이 바람직 하 게 는 1 ~ 10 ㎛ 인 형태 의 감소 채널 ( 120 a ) 구조 로 되 어 있 다 . 감소 채널 이 아닌 구조 에 비해 , 상대 적 으로 적 은 몰수 의 주화성 분자 가 주화성 물질 의 웰 입구 에 배열 됨 에 따라 , 이 들 의 확산 을 통한 희석 은 웰 부위 가 넓 어 많 은 몰수 의 분자 가 배열 되 는 구조 에 비해 천천히 이루어지 므로 한쪽 웰 부위 가 좁 아 지 는 구조 의 경우 는 가장 좁 은 위치 에서 는 상대 적 으로 적 은 수 의 분자 가 확산 되 고 , 확산 경로 를 따라 채널 이 넓 어 짐 으로써 더 가파른 농도 기울기 를 형성 하 고 , 따라서 평형 이 되 기 까지 의 시간 이 더 오래 걸린다 . 즉 , 주화성 물질 이 웰 에서 채널 로 이동 할 때 서서히 농도 기울기 를 형성 할 뿐 만 아니 라 오래 유지 하 는 것 도 가능 하 게 한다 .