일부 실시 예 들 에 있 어서 , 우선 CMP 를 수행 함 으로써 제 1 영역 ( R 1 ) 과 제 2 영역 ( R 2 ) 사이 의 마스크 패턴 ( 190 ) 의 높이 차이 를 감소 시킬 수 있 다 . 이 때 하부 전극 물질 막 ( 151 m ) 이 부분 적 으로 제거 됨 으로써 서로 분리 된 하부 전극 ( 151 ) 이 형성 될 수 있 다 . 또한 상기 CMP 에 의하 여 상부 표면 이 대체로 평탄 한 마스크 패턴 ( 190 p ) 을 얻 을 수 있 다 . CMP 에 의하 여 평탄 화 가 수행 되 는 경우 , 조밀 한 패턴 이 형성 된 제 2 영역 ( R 2 ) 에서 보다 패턴 의 밀도 가 낮 은 제 1 영역 ( R 1 ) 에서 마스크 패턴 ( 190 p ) 의 상부 표면 의 레벨 이 상대 적 으로 더 낮 을 수 있 다 . 이 는 로딩 효과 ( loading effect ) 에 기인 하 는 것 일 수 있 다 . 마스크 패턴 ( 190 p ) 의 상부 표면 에서 의 위치 에 따른 이러 한 레벨 변화 는 점진 적 으로 일어날 수 있 으며 , 특히 제 1 영역 ( R 1 ) 과 제 2 영역 ( R 2 ) 이 인접 하 는 영역 과 그 근처 에서 이러 한 변화 가 있 을 수 있 다 .