도 4 및 도 5 를 참조 하 면 , 본 발명 에 따른 반도체 메모리 장치 는 퓨즈 영역 을 갖 으며 소정 의 하부 구조물 이 형성 된 기판 ( 10 ) , 기판 ( 10 ) 상 에 형성 되 며 열에너지 에 의해 상 ( phase ) 이 변하 는 특성 을 갖 는 상변화 물질 ( 50 ) 과 , 상변화 물질 ( 50 ) 의 양단 에 형성 되 는 도전 성 라인 ( 20 ) 으로 구성 되 는 퓨즈 ( 100 ) 를 포함 한다 . 상변화 물질 ( 34 ) 로 는 예 를 들 어 , 칼 코 제 나 이드 계 물질 ( GeSbTe , GST ) 이 사용 될 수 있 다 .