최초 로 개발 된 COA 제품 의 패 시베이 션 층 비아 와 CF 비아 는 CF 컬러 레지스 트 층 비아 내 에 하나 의 패 시베이 션 층 비아 를 뚫 어 형성 하 였으며 , COA 의 제조 과정 은 컬러 레지스 트 층 을 어레이 기판 상 에 제조 하 는 기술 이 며 , 컬러 레지스 트 층 의 전반 적 인 두께 는 일반 적 으로 2 . 5 ~ 3 ㎛ 로 비교 적 두껍 지만 , PV 건식 식각 의 게이트 층 , 게이트 절연 층 , 소스 · 드레 인 층 을 더 한 두께 는 총 0 . 7 ㎛ 정도 로 , 컬러 레지스 트 층 에 홀 이 없 을 경우 , 전반 적 인 식각 시간 이 지나치 게 길 어 지 며 , 컬러 레지스 트 층 은 모두 물리 적 식각 을 적용 하 므로 , 식각 된 비아 는 기본 적 으로 수직 이 며 , ITO 전극 층 을 커버 하 는 데 불리 하 고 , 파단 리스크 가 있 으므로 , 현재 로써 는 컬러 레지스 트 층 에 홀 을 형성 하 는 방법 을 채택 하 고 있 으며 , 그 다음 패 시베이 션 층 비아 를 컬러 레지스 트 층 내 에 씌우 고 있 다 . 컬러 레지스 트 층 의 비아 와 패 시베이 션 층 의 비아 가 오버랩 되 는 부분 이 있 으면 , 오버랩 된 부분 에 컬러 레지스 트 층 내 의 가스 가 유출 될 수 있 는 통로 가 형성 될 수 있 고 , 이 와 같 은 오버랩 이 부분 적 인 위치 에서 일어나 기 때문 에 가스 석출 이 지속 적 으로 진행 되 어 , 패널 이 셀 로 제조 된 후 에 도 가스 가 석출 되 며 , 즉 공기 기포 가 형성 될 수 있 다 . 이 와 같 은 문제점 을 개선 하 기 위해 , 컬러 레지스 트 층 의 비아 를 비교 적 크 게 형성 하 는 것 이 하나 의 방법 인데 , 이렇게 하 면 컬러 레지스 트 층 의 비아 와 패 시베이 션 층 의 비아 가 오버랩 되 는 문제 는 발생 하 지 않 을 수 있 지만 , 이 개선 대책 은 개구율 을 저하 시킬 수 있 다 . 다른 한 가지 방법 은 , 컬러 레지스 트 층 에 홀 을 형성 하 여 , 가스 가 미리 석출 되 도록 하 는 것 이 지만 , 컬러 레지스 트 층 의 식각 률 과 PV 식각 률 의 차이 가 비교 적 크기 때문 에 , 식각 의 깊이 가 부족 하 여 , 가스 방출 위치 에 도달 하 지 못하 게 된다 .