먼저 , 본 발명 은 도 6 a 에서 와 같이 스토리지 노드 ( SN ) 마스크 를 풀 필드 ( Full Field ) 로 하 여 웨이퍼 전면 을 노광 하 고 현상 ( Develop ) 한다 . 이 에 따라 , 반도체 기판 ( 100 ) 의 상부 에 스토 로지 노드 ( SN ) 를 정의 하 는 감광막 패턴 ( 102 ) 이 형성 된다 . 이때 , 노광 공정 은 넷 - 다 이 영역 ( A ) 을 노출 시키 는 풀 필드 로 실시 하 게 된다 .