하 기 에 추가 로 설명 하 는 것 과 같이 , 가역 저항 전환 소자 ( 202 ) 는 상기 메모리 셀 ( 200 ) 의 제조 를 간단 하 게 하 기 위해서 선택 적 으로 형성 된다 . 적어도 하나 의 실시 예 에서 가역 저항 전환 소자 ( 202 ) 는 티타늄 질화물 , 탄탈 질화물 , 니켈 , 코발트 , 철 등 과 같 은 CNT 시 딩 층 상 에 형성 된 CNT 재료 의 적어도 일부 를 포함 한다 . 예 를 들 어 , 티타늄 또는 탄탈 질화물 CNT 시 딩 층 ( 210 ) 은 패 터닝 되 고 에칭 된 ( 예 를 들 어 , 상기 제 1 전도체 ( 206 ) 으로 ) 제 1 전도체 ( 206 ) 상 에 증착 될 수 있 다 . 몇몇 실시 예 에서 상기 CNT 시 딩 층 ( 210 ) 은 예 를 들 어 화학 기계 적 연마 ( CMP ) 에 의해서 표면 이 거칠 수 도 있 다 . 다른 실시 예 에서 , 표면 이 거칠 거나 매끄러운 티타늄 질화물 , 탄탈 질화물 또는 이 와 유사 한 층 은 , CNT 시 딩 층 ( 210 ) 을 형성 하 기 위해서 , 니켈 , 코발트 , 철 등 과 같 은 금속 촉매 층 ( 별도 도시 되 지 않 음 ) 으로 코팅 될 수 있 다 . 또 다른 실시 예 에서 상기 CNT 시 딩 층 ( 210 ) 은 간단 하 게 CNT 형성 을 촉진 시키 는 금속 촉매 층 , 예 를 들 어 니켈 , 코발트 , 철 등 일 수 있 다 . 어느 한 가지 경우 , CNT 제조 공정 은 상기 CNT 시 딩 층 ( 210 ) 상 에 CNT 재료 ( 212 ) 를 선택 적 으로 성장 및 / 또는 증착 시키 기 위해서 실행 된다 . 상기 CNT 재료 ( 212 ) 의 적어도 일부 는 가역 저항 전환 소자 ( 202 ) 로서 제공 된다 . 임의 의 적당 한 방법 을 사용 하 여 CNT 재료 ( 212 ) 를 형성 할 수 있 으며 , 예 를 들 어 화학 적 증기 증착 법 ( CVD ) , 플 라즈 마 강화 CVD , 레이저 증착 법 ( laser vaporization ) , 전기 아크 방 전식 등 이 있 다 .