도전 층 ( 134 ) 을 형성 한 후 에 는 에칭 처리 나 CMP 와 같 은 방법 을 이용 하 여 도전 층 ( 134 ) 의 일부 를 제거 하 고 , 절연 층 ( 132 ) 을 노출 시켜서 , 전극 층 ( 136 a ) , 전극 층 ( 136 b ) , 전극 층 ( 136 c ) , 게이트 층 ( 136 d ) 을 형성 한다 ( 도 14 의 ( c ) 참조 ) . 또한 , 상기 도전 층 ( 134 ) 의 일부 를 제거 하 여 전극 층 ( 136 a ) , 전극 층 ( 136 b ) , 전극 층 ( 136 c ) , 게이트 층 ( 136 d ) 을 형성 할 때 에 는 , 표면 이 평탄 해 지 도록 가공 하 는 것 이 바람직 하 다 . 이 와 같이 절연 층 ( 132 ) , 전극 층 ( 136 a ) , 전극 층 ( 136 b ) , 전극 층 ( 136 c ) , 게이트 층 ( 136 d ) 의 표면 을 평탄 화 함 으로써 , 후속 공정 에 있 어서 양호 한 전극 , 배선 , 절연 층 , 반도체 층 등 을 형성 하 는 것 이 가능 해진다 .