일 실시 예 에서 , 전자 주입 층 ( N 1 ) 은 아연 산화물 ( ZnO ) 같 은 금속 산화물 을 포함 할 수 있 으나 , 본 발명 에서 이 들 에 제한 되 지 않 는다 . 전자 수송 층 ( N 2 ) 은 폴리에틸렌 이민 ( PEI : polyethylenimine ) 과 산화 아연 ( ZnO : zinc oxide ) 의 복합 물 ( ZnO : PEI ) , Alq 3 ( tris ( 8 - hydroxyquinoline ) aluminum ) , Balq ( Bis ( 2 - methyl - 8 - quinolinolate ) - 4 -( phenylphenolato ) aluminium : Balq ) , Bebq 2 ( bis ( 10 - hydroxybenzo [ h ] quinolinato ) - beryllium : Bebq 2 ) , BCP ( 2 , 9 - dimethyl - 4 , 7 - diphenyl - 1 , 10 - phenanthroline ) , Bphen ( 4 , 7 - diphenyl - 1 , 10 - phenanthroline ) , TPBI ( ( 2 , 2 '," 2 ""- ( benzene - 1 ", 3 , 5 - triyl ) - tris ( 1 - phenyl - 1 H - benzimidazole ) , TAZ ( 3 -( 4 - biphenyl ) - 4 - phenyl - 5 - tert - butylphenyl - 1 , 2 , 4 - triazole ) , NTAZ ( 4 -( naphthalen - 1 - yl ) - 3 , 5 - diphenyl - 4 H - 1 , 2 , 4 - triazole ) , NBphen ( 2 , 9 - bis ( naphthalen - 2 - yl ) - 4 , 7 - diphenyl - 1 , 10 - phenanthroline ) , 3 TPYMB ( Tris ( 2 , 4 , 6 - trimethyl - 3 -( pyridin - 3 - yl ) phenyl ) borane : 3 TPYMB ) , POPy 2 ( Phenyl - dipyrenylphosphine oxide ) , BP 4 mPy ( 3 , 3 ', 5 , 5 '- tetra [ ( m - pyridyl ) - phen - 3 - yl ] biphenyl : BP 4 mPy ) , TmPyPB ( 1 , 3 , 5 - tri [ ( 3 - pyridyl ) - phen - 3 - yl ] benzene ) , BmPyPhB ( 1 , 3 - bis [ 3 , 5 - di ( pyridin - 3 - yl ) phenyl ] benzene ) , Bepq 2 ( Bis ( 10 - hydroxybenzo [ h ] quinolinato ) beryllium ) , DPPS ( Diphenylbis ( 4 -( pyridin - 3 - yl ) phenyl ) silane : DPPS ) 및 TpPyPB ( 1 , 3 , 5 - tri ( p - pyrid - 3 - yl - phenyl ) benzene : TpPyPB ) , Bpy - OXD ( 1 , 3 - bis [ 2 -( 2 , 2 '- bipyridine - 6 - yl ) - 1 , 3 , 4 - oxadiazo - 5 - yl ] benzene ) , BP - OXD - Bpy ( 6 , 6 '- bis [ 5 -( biphenyl - 4 - yl ) - 1 , 3 , 4 - oxadiazo - 2 - yl ] - 2 , 2 '- bipyridyl : BP - OXD - Bpy ) , tBu - PBD ( 2 -( 4 - Biphenylyl ) - 5 -( 4 - tert - butylphenyl ) - 1 , 3 , 4 - oxadiazole ) 및 ADN ( 9 , 10 - di ( naphthalene - 2 - yl ) anthrascene ) 중 적어도 하나 의 재료 를 포함 할 수 있 다 . 이 들 재료 는 예시 적 일 뿐 , 본 발명 의 실시 예 가 이 들 에 한정 되 는 것 은 아니 다 .