본 발명 의 실시 예 에 따른 이미지 센서 의 제조 방법 은 회로 영역 이 형성 된 반도체 기판 상 에 금속 배선 층 을 형성 하 는 단계 ; 상기 금속 배선 층 상 에 제 1 반도체 층 을 형성 하 는 단계 ; 상기 제 1 반도체 층 에 제 1 불순물 을 주입 하 여 제 1 도전 형 전도 층 을 형성 하 는 단계 ; 상기 제 1 도전 형 전도 층 상 에 진성 층 을 형성 하 는 단계 ; 상기 진성 층 상 에 제 2 도전 형 전도 층 을 형성 하 는 단계 ; 및 상기 제 2 도전 형 전도 층 상 에 상부 전극 을 형성 하 는 단계 를 포함 한다 .