단계 ( 1407 ) 에서 , 메모리 컨트롤러 는 , 제 2 최 적 리드 전압 을 이용 하 여 메모리 셀 들 에 대한 리드 동작 을 수행 할 수 있 다 . 단계 ( 1405 ) 에서 제 1 문턱 전압 분포 의 타 측 에 위치 하 는 문턱 전압 분포 들 간 의 최적 리드 전압 이 더 추정 된 경우 , 추정 된 최적 리드 전압 을 이용 한 리드 동작 이 더 수행 될 수 있 다 .