실시 예 5 에서 얻 어 진 양성자 전도 제막 은 고분자 재료 로 복합 강화 되 어 있 지 않 은 실시 예 1 , 2 , 3 과 동등 정도 의 양성자 전도 성 을 나타내 고 , 실시 예 4 , 6 , 7 에 비해 보다 높 은 전도 성 을 나타내 었 다 . 이것 은 양성자 부가 가 가능 한 헤테로 원자 의 비 공유 전자쌍 에 양성자 가 부가 되 어 있 고 , 보다 효율 적 인 양성자 전도 패스 가 형성 되 어 있 기 때문 이 라고 생각 되 었 다 .