화학 적 방법 에 기계 적 입자 방법 이 부가 되 지 않 을 때 , 이 에 따라 입자 제거 가 단지 화학 적 접촉 에 의해 달성 되 는 경우 에 , 접촉 화학 은 입자 의 하부 에 칭 ( underetching ) 으로 인하 여 입자 를 간단히 제거 하 는 것 이 널리 인정 되 고 있 다 . 하부 에 칭 이론 은 하 기 와 같 다 : 세정 될 기판 표면 , 대개 하드 디스크 기판 또는 임프 린트 몰드 또는 해 드 어셈블리 부품 위 의 조절 된 양 의 표면층 이 균질 하 게 제거 되 거나 모두 에칭 된다 . 이러 한 표면 층 을 에칭 할 때 , 입자 아래 의 물질 이 또한 에칭 되 며 이러 한 에칭 은 표면 으로부터 입자 를 방출 시킨다 . 이후 에 , 입자 는 세척 된다 .