도 6 은 실시 형태 2 에 관한 III 족 질화물 반도체 발광 소자 ( LED ) 의 모식 단면도 이 다 . 도 6 에 나타내 는 III 족 질화물 반도체 발광 소자 ( 200 ) 는 실시 형태 1 에 나타낸 사파이어 기판 ( 110 ) 및 a 면 GaN 층 ( 202 ) 에 각각 대응 하 는 사파이어 기판 ( 201 ) 및 언 도프 a 면 GaN 층 ( 202 ) 을 베이스 로 하 고 , 그 a 면 GaN 층 ( 202 ) 상 에 n 형 콘 택 / 클래드 층 ( 203 ) , 활성 층 ( 204 ) , p 형 클래드 층 ( 205 ) , p 형 블 럭 층 ( 206 ) , p 형 콘 택 층 ( 207 ) 이 순서 대로 적층 된 구조 를 갖 는다 .