이 경우 , 단결정 반도체 층 ( 106 ) 의 에너지 갭 이 1 . 12 eV 이 기 때문 에 , 제 1 유 닛 셀 ( 104 ) 보다 도 광 입사 측 에 위치 하 는 제 3 유닛 셀 ( 115 ) 의 비단 결정 반도체 층 ( 116 ) 의 에너지 갭 은 1 . 1 2 eV 이상 으로 하 고 , 제 2 유닛 셀 ( 105 ) 의 유기 반도체 재료 를 포함 하 는 i 층 ( 109 ) 의 에너지 갭 은 제 3 유닛 셀 ( 115 ) 의 비단 결정 반도체 층 ( 116 ) 의 에너지 갭 보다 도 큰 구성 으로 하 는 것 이 바람직 하 다 . 각각 의 유닛 셀 로 흡수 하 는 빛 의 파장 대역 을 다르 게 함 으로써 , 태양광 을 효율 좋 게 흡수 할 수 있 기 때문 이 다 .