이어서 , 상기 노출 된 바닥 부 ( 122 ) 를 이방성 식각 으로 제거 하 여 상기 노출 된 바닥 부 ( 122 ) 아래 의 식각 대상 막 ( 110 ) 을 노출 시킨다 . 이때 , 상기 식각 대상 막 ( 110 ) 상 에 마스크 패턴 들 ( 120 b , 155 ) 이 형성 된다 . 상기 노출 된 바닥 부 ( 122 ) 를 제거 할 때 , 상기 벽부 ( 121 ) 도 상기 이방성 식각 된다 . 하지만 , 상기 벽부 ( 121 ) 는 상기 바닥 부 ( 122 ) 에 비하 여 높 게 형성 되 기 때문 에 , 상기 이방성 식각 된 벽부 는 남 아 있 다 . 또한 , 상기 충전 마스크 패턴 ( 150 a ) 이 상기 마스크 막 ( 120 ) 과 동일 한 물질 로 형성 되 는 경우 에 , 상기 충전 마스크 패턴 ( 150 a ) 도 상기 이방성 식각 된다 . 도면 에서 는 , 상기 충전 마스크 패턴 ( 150 a ) 과 상기 마스크 막 ( 120 ) 이 동일 한 물질 로 형성 된 경우 에 대해 도시 하 였 다 .