본 발명 의 바람직 한 실시 예 에 의하 면 , 상기 GaN 나노 막대 템 플레이트 를 형성 시키 는 단계 는 , 반응 원료 로서 , NH 3 , HCl 및 Ga 을 사용 하 며 , 반응 챔버 가 반응 원료 기체 화 영역 , 혼합 가스 반응 영역 및 나노 막대 형성 영역 으로 구분 되 어 있 는 나노 막대 제조 용 HVPE 증착 장치 를 사용 하 여 수행 되 는 것 일 수 있 다 .