전극 기판 ( 2 ) 에 는 제 1 홈 ( 6 a ) 이 예 를 들 면 깊이 0 . 2 ㎛ 로 형성 되 어 있 다 . 제 1 홈 ( 6 a ) 의 내부 에 는 개별 전극 ( 7 ) 이 , 일정 간격 을 가지 고 후술 의 진동판 ( 11 ) 과 대향 하 도록 , 예 를 들 면 ITO ( Indium Tin Oxide ) 를 0 . 1 ㎛ 정도 의 두께 로 스퍼터링 ( sputtering ) 함 으로써 형성 되 어 있 다 . 또한 이 경우 , 전극 기판 ( 2 ) 과 캐비 티 기판 ( 3 ) 을 접합 한 후 의 개별 전극 ( 7 ) 과 진동판 ( 11 ) 의 갭 은 약 0 . 1 ㎛ 가 된다 .