일반 적 으로 반도체 디바이스 는 웨이퍼 표면 상부 에 여러 가지 기능 을 수행 하 는 박막 을 증착 하 고 이 를 패 터닝 하 여 다양 한 회로 기하 구조 를 형성 함 으로써 제조 하 게 된다 . 이러 한 반도체 디바이스 를 제조 하 기 위한 단위 공정 은 , 크 게 반도체 내부 로 3 B 족 ( 예컨대 , B ) 또는 5 B 족 ( 예컨대 , P 또는 As ) 의 불순물 이온 을 주입 하 는 불순물 이온 주입 공정 , 반도체 기판 상 에 물질 막 을 형성 하 는 박막 증착 ( deposition ) 공 정 , 상기 물질 막 을 소정 의 패턴 으로 형성 하 는 식각 공정 , 그리고 웨이퍼 상부 에 층간 절 연막 등 을 증착 한 후 에 일괄 적 으로 웨이퍼 표면 을 연마 하 여 단차 를 없애 는 평탄 화 ( CMP : Chemical Mechanical Polishing ) 공정 을 비롯 하 여 불순물 제거 를 위한 웨이퍼 및 챔버 세정 공정 등 과 같 은 여러 단위 공정 들 로 구분 할 수 있 다 .