도 14 를 참조 하 면 , 적층 된 반도체 기판 ( 100 ) , 피복층 ( 102 ) 및 반도체 층 ( 105 ) 을 포함 하 는 기판 ( 110 ) 을 준비 한다 . 상기 기판 ( 110 ) 상 에 개구부 ( 219 ) 를 갖 는 마스크 패턴 ( 218 ) 을 형성 한다 . 상기 마스크 패턴 ( 218 ) 을 이온 주입 마스크 로 사용 하 여 원소 이온 주입 공정 을 수행 한다 . 이 로써 , 상기 반도체 기판 ( 100 ) 내 에 원소 주입 층 ( 220 ) 이 형성 된다 . 상기 원소 이온 주입 공정 에 사용 되 는 원소 는 산소 및 질소 중 에서 선택 된 적어도 하나 일 수 있 다 .