소스 / 드레 인 전극 ( 120 a , b ) 이 형성 된 후 , 유기 반도체 층 ( 140 ) 물질 이 다른 영역 으로 퍼지 는 것 을 방지 하 기 위해 뱅크 ( 130 ) 를 형성 한다 . 소스 / 드레 인 전극 ( 120 a , b ) 의 대향 부분 이 노출 되 도록 뱅크 ( 130 ) 를 형성 한다 . 소스 / 드레 인 전극 ( 120 a , b ) 의 대향 부분 은 추후 유기 반도체 층 ( 140 ) 이 형성 되 어 소스 / 드레 인 전극 ( 120 a , b ) 과 유기 반도체 층 ( 140 ) 사이 에 채널 이 형성 된다 .