본원 에서 모든 이점 이 반드시 논의 된 것 은 아니 며 , 모든 실시 예 또는 예 에 대해 특별 한 이점 이 요구 되 지 않 으며 , 다른 실시 예 또는 예 가 다른 이점 을 제공 할 수 있 음 은 물론 이 다 . 예 를 들 면 , 본 발명 에서 , CNT 의 적층 된 구조물 이 핀 구조물 로서 형성 되 기 때문 에 , 하나 의 GAA FET 내 에서 CNT 밀도 를 증가 시키 는 것 이 가능 하 다 . 또한 , CNT 의 소스 / 드레 인 영역 에 내장 된 도핑 구조물 을 사용 함 으로써 , 소스 / 드레 인 영역 에서 이동 가능 한 캐리어 를 증가 시키 고 소스 / 드레 인 영역 에서 접촉 저항 을 감소 시키 는 것 이 가능 하 다 .