자동차 용 등 고온 환경 하 에서 사용 되 는 발광 디바이스 에 는 높 은 내열성 이 요구 된다 . 또한 유리 프릿 을 사용 한 밀봉 공정 등 제품 의 제작 공정 중 에 고온 이 가해 지 는 경우 에 도 발광 디바이스 에 는 높 은 내열성 이 요구 된다 . 따라서 , 발광 디바이스 에 사용 되 는 재료 에 는 유리 전이 온도 ( Tg ) 가 100 ℃ 이상 , 나아가 서 는 120 ℃ 이상 인 것 이 요구 되 는 경우 가 있 다 . 본 발명 의 일 형태 에서 는 유기 화합물 의 Tg 를 100 ℃ 이상 , 나아가 서 는 120 ℃ 이상 으로 할 수 있 으므로 높 은 내열성 이 요구 되 는 발광 디바이스 에 적합 한 재료 를 제공 할 수 있 다 . 한편 , 발광 디바이스 의 제작 은 진공 증착 에 의하 여 수행 되 는 경우 가 많 다 . 이 경우 , 발광 디바이스 에 사용 되 는 재료 는 높 은 내열성 과 높 은 승화 성 의 양쪽 모두 를 가질 필요 가 있 고 , 승화 온도 는 500 ℃ 이하 인 것 이 바람직 하 고 , 더 바람직 하 게 는 400 ℃ 이하 이 다 . 본 발명 의 일 형태 에서 는 높 은 내열 성 뿐 만 아니 라 높 은 승화 성 도 가지 는 재료 를 제공 할 수 있 기 때문 에 디바이스 제작 의 관점 에서 높 은 생산 성 을 가지 는 재료 를 제공 할 수 있 다 .