따라서 , 이 를 극복 하 기 위한 기술 중 하나 로 SOI 기술 이 제안 되 었 다 . SOI 기술 은 실리콘 , 절 연막 및 실리콘 의 3 층 구조 로 형성 된 SOI 기판 을 이용 하 여 반도체 소자 를 제조 하 는 기술 이 다 . 이 와 같 은 SOI 기판 상 에 트랜지스터 를 형성 하 게 되 면 , 실리콘 사이 에 매몰 된 절 연막 ( 이하 , 매몰 절 연막 ) 과 소자 분리 막 에 의해 트랜지스터 의 바디 층 이 고립 되 어 속도 및 집적도 가 우수 하 고 전력 소모 가 작 은 트랜지스터 의 형성 이 가능 하 다 . 특히 , 트랜지스터 의 동작 시 이러 한 매몰 절 연막 에 의하 여 소스 / 드레 인 의 공핍 ( depletion ) 성장 이 억제 되 므로 트랜지스터 의 유효 채널 길이 ( effective channel length ) 가 증가 되 어 단 채널 효과 를 개선 할 수 있 다 .