박막 트랜지스터 는 게이트 전극 , 소스 전극 , 드레 인 전극 및 반도체 층 을 포함 한다 . 소스 전극 및 드레 인 전극 은 반도체 층 과 접하 고 , 게이트 전극 은 반도체 층 과 중첩 하 도록 배치 된다 . 박막 트랜지스터 의 게이트 전극 에 일정 전압 이상 의 게이트 전압 이 인가 되 면 소스 전극 과 드레 인 전극 사이 에 전류 가 흐르 도록 반도체 층 에 채널 이 형성 된다 . 이 와 같이 , 박막 트랜지스터 는 스위칭 ( switching ) 특성 을 가지 며 , 다양 한 요인 에 의해 스위칭 특성 이 결정 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 반도체 층 의 물질 이 변형 되 는 경우 박막 트랜지스터 의 이동도 가 변경 되 어 박막 트랜지스터 의 스위칭 특성 이 변경 될 수 있 다 .