후면 전극 의 음각 패턴 이 결정 되 면 , 후면 전극 의 음 각부 가 형성 될 영역 에 는 적 은 양 의 페이스트 ( 405 ) 가 도포 되 어야 하 고 , 후면 전극 의 양 각부 가 형성 될 영역 에 는 음 각부 에 비해 많 은 양 의 페이스트 ( 405 ) 가 도포 되 어야 한다 . 따라서 , 스크린 메 쉬 는 비 인쇄 라인 ( 403 ) 간 의 간격 ( Lb , Lc ) 이 상기 후면 전극 의 음 각부 에 대응 하 는 부분 에서 상기 후면 전극 의 양 각부 에 대응 하 는 부분 에서 보다 더 작 게 형성 되 도록 준비 된다 ( 도 9 a ) . 이 와 같이 준비 된 스크린 메 쉬 ( 402 , 403 ) 를 반도체 기판 ( 401 ) 위 에 위치 시키 고 스크린 프린터 ( 404 ) 를 이동 시키 면 페이스트 ( 405 ) 는 비 인쇄 라인 ( 403 ) 사이사이 의 빈 공간 으로 채워 지 고 ( 도 9 b ) , 스크린 메 쉬 ( 402 , 403 ) 를 제거 하 면 , 비 인쇄 라인 간 의 간격 이 좁 은 영역 에서 는 , 비 인쇄 라인 간 의 간격 이 넓 은 영역 에 비해 , 페이스트 가 더 얇 게 인쇄 된다 ( 9 c ) .