다음 의 피 가공 기판 에칭 도 통상 의 방법 에 따라 실시 할 수 있 고 , 예 를 들 면 기판 이 SiO 2 , SiN 이 면 붕소 계 가스 를 주체 로 한 에칭 , p - Si 나 Al , W 에서 는 염소 계 , 브롬 계 가스 를 주체 로 한 에칭 을 실시 한다 . 기판 가공 을 붕소 계 가스 로 에칭 했 을 경우 , 2 층 레지스 트 프로세스 의 규소 함유 레지스 트 와 3 층 프로세스 의 규소 함유 중간층 은 기판 가공 과 동시 에 박리 된다 . 염소 계 , 브롬 계 가스 로 기판 을 에칭 했 을 경우 는 , 규소 함유 레지스 트 층 또는 규소 함유 중간층 의 박리 는 기판 가공 후 에 붕소 계 가스 에 의한 드라이 에칭 박리 를 별도 로 실시 할 필요 가 있 다 .