상기 에서 설명 한 본 발명 의 실시 예 에 따른 새들 형 핀 트랜지스터 제조 방법 은 핀 트랜지스터 의 제조 방법 에 도 그대로 적용 할 수 있 다 . 즉 , 소자 분리 막 의 내부 에 이종 의 물질 을 개재 시킨 후 핀 을 형성 하 기 위한 소자 분리 막 리세 스 공정 시 상기 이종 물질 을 식각 정지 층 으로 이용 함 으로써 핀 의 높이 를 안정 적 으로 제어 하 는 것 이 가능 하 다 .