다음 으로 , 제 1 도 전막 ( 42 ) 상 에 가변저항 막 ( 43 ) 을 형성 한다 . 이때 , 가변저항 막 ( 43 ) 은 후속 열처리 공정 시 가변저항 막 ( 33 ) 의 특성 을 향상 시키 기 용이 하 도록 제 1 도 전막 ( 42 ) 의 제 2 원소 가 산화 된 산화 막 으로 형성 한다 . 즉 , 본 발명 의 제 2 실시 예 에서 는 가변저항 막 ( 43 ) 을 제 2 원소 즉 , 망간 이 산화 된 망간산 화 막 ( MnO 2 ) 으로 형성 한다 .