이후 , 반도체 칩 ( 100 ) 과 기판 ( 110 ) 을 얼라 인 시켜 도 6 a 에 도시 된 바 와 같이 반도체 칩 ( 100 ) 의 제 1 범프 ( 124 ) 를 기판 의 제 2 범프 ( 126 ) 상 에 위치 시킨다 . 그리고 , 반도체 칩 ( 100 ) 에 250 ℃ 의 온도 를 가하 고 , 기판 ( 110 ) 에 120 ℃ 의 온도 를 가한 후 , 반도체 칩 ( 100 ) 을 15 초간 10 N 의 힘 으로 가압 하 여 도 6 b 에 도시 된 바 와 같이 반도체 칩 ( 100 ) 의 제 1 범프 ( 124 ) 및 기판 ( 110 ) 의 제 2 범프 ( 126 ) 를 상호 접속 시킨다 . 그러면 , 제 2 범프 ( 126 ) 를 이루 는 금 이 제 1 범프 ( 124 ) 를 이루 는 주석 의 내부 로 확산 하 여 들어가 고 , 주석 은 금 으로 형성 된 제 2 범프 ( 126 ) 쪽 으로 확산 하 여 들어가 게 된다 . 이때 , 주석 에 포함 된 반응 억제제 인 코발트 가 금과 주석 이 상호 확산 되 어 이동하 는 경로 ( interdiffusion path ) 를 방해 한다 . 이 로 인해 금과 주석 의 반응 이 억제 되 어 금과 주석 의 금속 간 화합물 생성 시간 이 지연 되 고 , 제 1 범프 ( 124 ) 및 제 2 범프 ( 126 ) 의 경계 면 에 형성 되 던 금속 화합물 즉 , AuSn , AuSn 2 의 두께 가 얇 아 지 며 , 금속 화합물 들 중 가장 취성 이 나빠 약한 충격 에 도 쉽 게 깨지 는 AuSn 4 는 도 5 의 SEM 사진 에 나타난 바 와 같이 거의 생성 되 지 않 는다 .