다음 으로 , 제 1 실리콘 층 ( 106 a ) 을 지지 하 도록 지 지체 ( 107 ) 를 형성 하 기 위한 지 지체 구멍 ( 107 a ) 을 형성 한다 . 그 위 로부터 지 지체 ( 107 ) 를 형성 하 기 위한 산화 막 을 성막 ( 成 膜 ) 하 고 , 소자 영역 형상 을 얻 도록 주변 의 산화 막 , 실리콘 층 ( 106 ) , 실리콘 게르마늄 층 ( 105 ) 을 건식 에칭 한다 ( 지 지체 형성 ) . 그 후 , 제 1 실리콘 층 ( 106 a ) 의 하측 에 있 는 제 1 실리콘 게르마늄 층 을 불 질산 에 의해 선택 적 으로 에칭 하 여 제거 하 면 , 제 1 실리콘 층 ( 106 a ) 이 지 지체 ( 107 ) 에 의해 지 지 되 고 제 1 실리콘 층 ( 106 a ) 아래 에 공동 부가 형성 된다 . 그리고 , 이 공 동부 에 SiO 2 등 의 절연 층 을 매립 함 으로써 벌크 실리콘 기판 ( 101 ) 과 제 1 실리콘 층 ( 106 a ) 사이 에 BOX ( Buried Oxide ) 층 ( 108 ) 을 형성 한다 ( BOX 층 형성 ) . 그 후 , 벌크 실리콘 기판 ( 101 ) 표면 을 평탄 화 처리 하 여 실리콘 층 ( 106 a ) 을 표면 에 노출 시킴 으로써 벌크 실리콘 기판 ( 101 ) 위 의 SOI 영역 ( 102 ) 에 SOI 구조 가 형성 된다 .