스핀 축적 토크 에 기초 한 MRAM 메모리 셀 이 제안 된다 . 일 실시 예 는 자기 터널 접합 ( magnetic tunnel junction ) , 자기 터널 접합 에 연결 된 스핀 축적 층 ( spin accumulation layer ) , 및 스핀 축적 층 에 연결 된 편광 층 을 포함 한다 . 편광 층 및 스핀 축적 층 은 스핀 축적 을 사용 하 여 자기 터널 접합 의 자유 자기 층 상 에 스핀 축적 토크 를 제공 하 여 자유 자기 층 의 자화 방향 을 변화 시킨다 .