도 5 a 를 참조 하 면 , 차례 로 적층 된 반도체 기판 ( 100 ) , 피복층 ( 102 ) 및 반도체 층 ( 105 ) 을 포함 하 는 기판 ( 110 ) 을 준비 한다 . 상기 반도체 기판 ( 100 ) 은 실리콘 , 게르마늄 , 실리콘 - 게르마늄 및 화합물 반도체 등 에서 선택 된 적어도 하나 로 형성 될 수 있 다 . 상기 반도체 층 ( 105 ) 은 실리콘 , 게르마늄 , 실리콘 - 게르마늄 및 화합물 반도체 등 에서 선택 된 적어도 하나 로 형성 될 수 있 다 . 상기 피복층 ( 102 ) 은 상기 반도체 층 ( 105 ) 과 다른 굴절 률 을 갖 는 절연 물질 로 형성 될 수 있 다 . 상기 피폭 층 ( 102 ) 은 산화물 로 형성 될 수 있 다 . 예컨대 , 상기 기판 ( 110 ) 은 SOI 기판 일 수 있 다 . 이 와 는 다르 게 , 상기 기판 ( 110 ) 은 벌크 반도체 기판 의 소정 깊이 에 산소 를 이온 주입 하 여 형성 될 수 있 다 . 이때 , 산소 가 주입 된 영역 은 상기 피복층 ( 102 ) 으로 형성 될 수 있 다 . 이때 , 상기 산소 가 주입 된 영역 아래 에 위치 한 벌크 반도체 기판 은 상기 반도체 기판 ( 100 ) 에 해당 되 며 , 상기 산소 가 주입 된 영역 위 에 배치 된 벌크 반도체 기판 의 일부 는 상기 반도체 층 ( 105 ) 에 해당 된다 .