이 와 같이 본 발명 의 실시 예 에서 는 포토다이오드 로서 핀 다이오드 를 사용 하 며 핀 다이오드 의 구조 는 P - I - N 또는 N - I - P 의 구조 로 형성 될 수 있 다 . 특히 , 본 발명 의 실시 예 에서 는 P - I - N 구조 의 핀 다이오드 가 사용 되 는 것 을 예 로 하 며 , 상기 n 형 비정질 실리콘 층 ( n - type amorphous silicon ) 은 제 1 도전 형 전도 층 ( 301 ) , 상기 진성 비정질 실리콘 층 ( intrinsic amorphous silicon ) 은 진성 층 ( 401 ) , 상기 p 형 비 정질 실리콘 층 ( p - type amorphous silicon ) 은 제 2 도전 형 전도 층 ( 501 ) 이 라 칭하 도록 한다 .