또한 , 산화물 반도체 층 에 사용 하 는 재료 로서 는 , 4 원계 금속 산화물 인 In - Sn - Ga - Zn - O 계 재료 나 , 3 원계 금속 산화물 인 In - Ga - Zn - O 계 재료 , In - Sn - Zn - O 계 재료 , In - Al - Zn - O 계 재료 , Sn - Ga - Zn - O 계 재료 , Al - Ga - Zn - O 계 재료 , Sn - Al - Zn - O 계 재료 , 2 원계 금속 산화물 인 In - Zn - O 계 재료 , Sn - Zn - O 계 재료 , Al - Zn - O 계 재료 , Zn - Mg - O 계 재료 , Sn - Mg - O 계 재료 , In - Mg - O 계 재료 , In - Ga - O 계 재료 나 , 또는 1 원계 금속 산화물 인 In - O 계 재료 , Sn - O 계 재료 , Zn - O 계 재료 등 을 사용 할 수 있 다 . 또한 , 상술 한 재료 에 SiO 2 를 포함 시켜 도 좋 다 . 여기 서 , 예 를 들 어 In - Ga - Zn - O 계 재료 란 인듐 ( In ) , 갈륨 ( Ga ) , 아연 ( Zn ) 을 갖 는 산화 물막 을 의미 하 고 , 그 조성 비율 은 특별히 불문 한다 . 또한 , In , Ga , 및 Zn 이외 의 원소 를 함유 하 여도 좋 다 .