또 , 반응 장치 본 체부 ( 20 ) 의 반응 온도 가 600 ℃ 을 넘 으면 , 복사 밀도 의 증가 가 현저 하 게 된다 ( 도 6 참조 ) . 따라서 열 반사막 ( 32 a ) 이 1 중 ( single layer ) 에서 는 충분 하 지 않 게 되 며 , 2 중 으로 하 는 구성 을 생각 할 수 있 다 . 즉 , 도 12 에 나타내 는 바 와 같이 , 외측 의 열 반사막 ( 32 a ) 의 내측 에 공극 ( 33 ) 을 열 어 제 2 열 반사막 ( 34 ) 을 설치 한다 . 공극 ( 33 ) 은 예 를 들 면 케이스 ( 31 ) 와 같 은 재료 로 이루어지 는 지지 부재 ( 36 ) 에 의해 형성 된다 . 공극 ( 33 ) 을 여 는 것 으로 , 제 2 열 반사막 ( 34 ) 으로부터 제 1 열 반사막 ( 32 a ) 으로 의 열전도 를 막 고 , 단 열 효율 을 높일 수 있 다 .