반사막 ( 104 ) 상 에 DC 마그네트론 스퍼터링 설비 를 이용 하 여 하부 층 과 상부 층 2 층막 구조 로 이루어진 흡수 막 ( 106 ) 을 형성 하 였 다 . 구체 적 으로 는 , 반사막 ( 104 ) 상 에 Ta 타 겟 을 이용 하 여 , 공정 가스 로 Ar : N 2 = 18 : 2 sccm 주입 하 고 , 공정 파워 는 0 . 62 ㎾ 를 사용 하 여 52 ㎚ 두께 의 TaN 막 으로 이루어진 하부 층 을 형성 하 였 다 . 이후 , 동일 타 겟 을 이용 하 여 , 공정 가스 로 Ar : N 2 : O 2 = 3 sccm : 20 sccm : 4 . 5 sccm 주입 하 고 , 공정 파워 는 0 . 62 ㎾ 를 사용 하 여 10 ㎚ 두께 의 TaON 재질 로 이루어진 상부 층 형성 하 였 다 . 이 층막 구성 을 통하 여 총 52 nm 두께 인 흡수 막 ( 106 ) 을 형성 하 였 다 .