도 5 에 예시 적 으로 도시 된 것 과 같이 , 라인 컷 영역 ( CT ) 에 는 게이트 스 페이서 구조물 ( 140 ) 및 절연 라이너 ( 160 ) 가 배치 될 수 있 고 , 게이트 라인 ( GL ) 이 제거 된 위치 에 라인 매립 절연 층 ( 190 ) 이 배치 될 수 있 다 . 라인 매립 절연 층 ( 190 ) 은 예 를 들 어 실리콘 질화물 을 포함 할 수 있 다 . 라인 매립 절연 층 ( 190 ) 측벽 상 에 배치 되 는 게이트 스 페이서 구조물 ( 140 ) 부분 은 게이트 전극 ( 120 ) 측벽 상 에 배치 된 게이트 스 페이서 구조물 ( 140 ) 부분 과 연결 될 수 있 다 . 즉 , 게이트 스 페이서 구조물 ( 140 ) 이 제 1 활성 영역 ( RX 1 ) 상 에서부터 제 2 방향 ( 도 4 의 Y 방향 ) 을 따라 라인 컷 영역 ( CT ) 상 에 까지 연장 되 며 , 또한 제 2 활성 영역 ( RX 2 ) 상 에 까지 연장 될 수 있 다 .