본 실시 형태 에서 는 , 실시 형태 3 ∼ 실시 형태 4 에서 설명 한 복수 의 상변화 메모리 칩 을 이용 하 여 형성 한 상변화 메모리 모듈 을 설명 한다 . 도 30 은 , 본 실시 형태 에 따른 상변화 메모리 모듈 PM 의 구성 을 도시 하고 있 다 . 도 30 에서 는 , 일례 로서 , 4 개 의 상변화 메모리 칩 PCM 0 ∼ PCM 3 과 , 불 휘발 메모리 제어 칩 NVCTL 을 이용 한 구성 이 도시 되 어 있 다 .