본 발명 에 따른 질화물 반도체 층 분리 방법 에서 는 질화물 반도체 와 이종인 단결정 기판 상 에 희생 층 패턴 을 형성 한 다음 , 상기 희생 층 패턴 상 에 무기물 박막 을 형성 한다 . 상기 기판 과 무기물 박막 으로 정의 되 는 빈 공간 이 형성 되 도록 , 상기 무기물 박막 이 형성 된 상기 기판 으로부터 상기 희생 층 패턴 을 제거 한다 . 이후 , 상기 기판 과 같 은 결정 구조 로 상기 무기물 박막 을 적어도 일부 결정 화 시키 고 , 상기 빈 공간 위 의 상기 결정 화 된 무기물 박막 상 에서부터 질화물 반도체 층 을 성장 시킨다 . 그리고 나 서 , 상기 기판 과 상기 질화물 반도체 층 사이 를 기계 적 으로 분리 시키 는 단계 를 수행 한다 .