예 를 들 어 , 소프트 몰드 ( 134 ) 와 유리 기판 ( 131 ) 사이 의 압력 으로 발생 하 는 모세관 힘 ( Capillary force ) 과 , 소프트 몰드 ( 134 ) 와 에치 레지스 트 용액 ( 132 a ) 사이 의 반발력 에 의해 에치 레지스 트 용액 ( 133 a ) 이 도 3 과 같이 소프트 몰드 ( 134 ) 의 홈 ( 134 a ) 내 로 이동 한다 . 그 결과 , 소프트 몰드 ( 134 ) 의 홈 ( 134 a ) 의 형상 과 반전 전사 된 패턴 형태 로 에치 레지스 트 패턴 ( 133 b ) 이 박막 ( 132 a ) 상 에 형성 된다 . 이후 , 소프트 몰드 ( 134 ) 와 기판 ( 131 ) 이 분리 된 후 , 습식 식각 공정 ( Wet etching process ) 이나 건식 식각 공정 ( Dry etching process ) 이 실시 된다 . 이 때 에치 레지스 트 패턴 ( 133 b ) 은 마스크 로 작용 하 므로 그 에치 레지스 트 패턴 ( 133 b ) 의 하부 에 위치 한 박막 ( 132 a ) 만 이 기판 ( 131 ) 상 에 잔류 하 고 그 이외 의 박막 ( 132 a ) 은 제거 된다 . 이어서 , 에치 레지스 트 패턴 ( 134 b ) 은 스트립 공정 에 의해 제거 되 고 박막 패턴 ( 132 b ) 에 대한 전기 적 , 광학 적 검사 를 통해 박막 패턴 ( 132 b ) 의 쇼트 ( short ) , 단선 등 이 검사 된다 .