상술 한 바 와 같이 본 발명 의 배선 형성 방법 에 의하 면 , 도전 성 패턴 을 형성 할 시 에 상기 도전 성 패턴 들 사이 에 구비 되 는 콘 택 플러그 의 하부 도 함께 형성 한다 . 따라서 , 깊 고 좁 은 폭 을 갖 는 콘 택 플러그 를 용이 하 게 형성 할 수 있 다 . 또한 , 상기 배선 을 포함 하 는 비휘발성 메모리 소자 를 형성 하 는 경우 , 공정 이 단순 해 지 고 하부 의 콘 택 영역 과 콘 택 플러그 가 미스 얼라인 되 면서 발생 되 는 불량 을 감소 시킬 수 있 다 . 따라서 , 상기 비휘발성 메모리 소자 의 제조 수율 이 향상 되 는 효과 를 기대 할 수 있 다 .