본 발명 에 의하 면 , 전원 배선 과 접지 배선 사이 에 끼워 지 고 , 전원 배선 및 접지 배선 의 배선 방향 으로 설치 된 하나 또는 복수 의 사이트 로서 , 칩 위 의 영역 인 하나 또는 복수 의 사이트 위 에 , 셀 을 배치 하 기 위해 설정 되 는 평면 사각형 상 의 셀 프레임 에서 의 전원 배선 위치 및 접지 배선 위치 까지 , 또는 , 전원 배선 위치 또는 접지 배선 위치 까지 , 정전 용량 을 축적 하 기 위한 게이트 폴리 를 확대 하 므로 , 칩 사이즈 의 확대 , 큰 별도 의 사이트 의 준비 , 리크 전류 가 많 은 트랜지스터 의 사용 을 필요 로 하 지 않 고 , 용량 셀 의 단위 면적 당 의 용량 을 크 게 할 수 있 고 , 큰 디 커플링 용량 을 확보 하 는 것 이 가능 하 다 .