파장 변환 층 ( 21 ) 을 형성 하 는 방법 으로서 는 , 바인더 및 형광체 를 함유 하 여 이루어지 는 혼합액 을 투광 판 ( 22 ) 의 표면 에 도포 하 여 건조 한 후 , 예 를 들 면 650 ~ 700 ℃ 의 온도 로 소결 하 는 방법 이 일반 적 이 지만 , 형광체 입자 가 표면 에 노출 되 어 있 어 요철 의 산란 면 이 된다 . 또 , 실리콘 수지 등 에 분산 시키 는 방법 도 광학 적 으로 평탄 한 표면 을 얻 는 것 은 어렵 다 . 이 때문 에 , 파장 변환 층 ( 21 ) 을 형성 하 는 방법 으로서 는 , 금속 알 콕 시드 및 형광체 를 함유 하 는 졸 을 투광 판 ( 22 ) 의 표면 에 도포 한 후 , 가수 분해 · 중축합 반응 을 행함 으로써 겔 막 을 형성 하 여 , 이 겔 막 을 소성 하 는 졸 겔 법 , 형광체 를 투광 판 ( 22 ) 의 표면 에 증착 하 는 증착 법 등 이 적합 하 다 . 이러 한 방법 에 의해 형성 된 파장 변환 층 ( 21 ) 은 , 광학 적 으로 평탄 한 표면 을 가지 며 , 그 표면 상 에 직접 , 필터 부재 ( 40 ) 를 형성 할 수 있 으므로 바람직 하 다 . 이것 에 의해 , 두께 가 균일 한 파장 변환 층 ( 21 ) 을 얻 을 수 있 음 과 함께 , 상기 파장 변환 층 ( 21 ) 상 에 다른 광학 층 을 형성 하 는 것 이 가능 해진다 .