스토리지 커패시터 ( Cst ) 의 상부 전극 ( CE 2 ) 은 제 2 게이트 절연 층 ( 113 ) 을 사이 에 두 고 하부 전극 ( CE 1 ) 과 중첩 한다 . 이 경우 , 제 2 게이트 절연 층 ( 113 ) 은 스토리지 커패시터 ( Cst ) 의 유전체 층 의 기능 을 할 수 있 다 . 상부 전극 ( CE 2 ) 은 몰리브덴 ( Mo ) , 알루미늄 ( Al ) , 구리 ( Cu ) , 티타늄 ( Ti ) 등 을 포함 하 는 도전 물질 을 포함 할 수 있 고 , 상기 의 재료 를 포함 하 는 다층 또는 단층 으로 형성 될 수 있 다 . 일 예 로 , 상부 전극 ( CE 2 ) 은 Mo 의 단층 이 거나 또는 Mo / Al / Mo 의 다층 일 수 있 다 .