상기 에서 설명 한 웨이퍼 연마 모니터 방법 에서 는 , 연마 제거 의 종료 점 을 검출 하 는 지표 로서 , 마이크 로 스트립 라인 ( 9 ) 을 구비 한 전송로 에 관한 투과 계수 및 반사 계수 를 사용 하 였 다 . 그런데 , 상기 Cu 막 / Ta 막 / SiO 2 막 / Si 기판 과 같이 Si 기판 상 에 도전 성막 및 절연 성막 이 다층 으로 적층 된 웨이퍼 ( W ) 에 있 어서 는 , Cu 막 등 의 도전 성막 의 연마 가 진행 되 어 , 표피 깊이 ( δ ) 로 정의 되 는 극히 얇 은 막 두께 에 달한 이후 의 막 두께 의 변화 에 따라 , 상기 투과 계수 및 반사 계수 의 각 변화 에 더 하 여 이 다층막 을 종합 한 유전 율 이 변화 하 고 , 또한 유전체 손실 을 포함 하 는 손실 계수 도 변화 한다 .