상기 제 1 절 연막 과 상기 제 2 금속 패턴 사이 에 는 박막 트랜지스터 의 형성 을 위하 여 액티브 패턴 이 더 포함 되 는데 , 이 때 , 상기 투명 전극 은 적어도 상기 게이트 라인 , 상기 데이터 라인 및 상기 액티브 패턴 을 커버 하 도록 형성 될 수 있 다 . 보다 구체 적 으로 , 상기 투명 전극 은 상기 제 1 컨 택 홀 에 대응 되 는 영역 을 제외 하 고는 , 상기 베이스 기판 상 에 형성 된 픽셀 영역 을 전부 덮 도록 형성 될 수 있 으며 , 이 경우 , 상기 제 1 컨 택 홀 은 상기 드레 인 전극 의 일부 만 을 드러내 도록 형성 된다 .