도 3 e 에 도시 된 바 와 같이 , 게이트 패턴 ( 23 ) 및 분리 보호막 ( 25 ) 을 이온 주입 배리어 로 기판 ( 21 ) 에 LDD 이온 주입 을 실시 한다 . LDD 이온 주 입시 게이트 패턴 ( 23 ) 의 측벽 에 잔류 하 는 분리 보호막 ( 25 ) 의 두께 에 의해 게이트 패턴 ( 23 ) 의 에지 와 LDD 영역 은 물리 적 으로 서로 분리 됨 으로써 오버랩 캐 패 시턴 스 를 방지 할 수 있 다 .