도 10 을 참조 하 면 , 금속 포스트 ( 111 ) 와 접속 부 ( 203 ) 의 범프 가 대향 되게 실장 하 고 , 가열 압착 하 여 금속 포스트 ( 111 ) 에 접속 부 ( 203 ) 범프 가 가열 압착 되 게 한다 . 접속 부 ( 203 ) 범프 가 솔 더 층 을 포함 하 여 이루어지 므로 , 가열 압착 에 의해 금속 포스트 ( 111 ) 와 접속 부 ( 203 ) 범프 가 구조 적 및 물리 적 으로 연결 된다 . 이때 , 금속 포스트 ( 111 ) 의 높이 에 의해 반도체 칩 ( 200 ) 은 기판 ( 101 ) 과 이격 간격 ( 205 ) 을 가지 게 플로팅 ( floating ) 되 고 , 이 에 따라 , 반도체 칩 ( 200 ) 과 기판 ( 101 ) 사이 에 이격 공간 이 확보 된다 .