이후 의 어닐링 프로세스 동안 , 기판 표면 과 샤워 헤드 사이 의 간격 은 약 750 mils 였 다 . 프로세싱 챔버 내 에서 약 1 , 500 sccm 의 유속 으로 아르곤 의 페디 스 털 퍼지 가 이루어지 고 약 500 sccm 의 유속 으로 아르곤 의 에지 퍼지 가 이루 어 졌 다 . 리드 ( lid ) 온도 는 약 120 ℃ 로 가열 되 었 고 기판 은 기판 표면 을 패 시 베이트 하 면서 승화 및 / 또는 분해 에 의해 막 을 제거 하 기 위하 여 약 60 초 동안 어닐링 되 었 다 . 실리콘 자연 산화물 을 함유 하 는 약 50 Å 의 재료 가 각각 의 기판 표면 으로부터 제거 되 었 다 .