도 3 을 참조 하 면 , 별개 의 데이터 판독 및 기록 경로 들 을 구비 한 자기 터널 접합 ( MTJ ) 장치 의 제 3 실시 예의 다이어그램 이 제시 되 며 , 일반 적 으로 300 으로 표시 된다 . 특정 실시 예 에서 , 장치 ( 300 ) 는 STT - MRAM 비트 셀 에 포함 될 수 있 다 . 특정 실시 예 에서 , 장치 ( 300 ) 는 도 1 에 제시 된 장치 ( 100 ) 와 실질 적 으로 유사 하 게 동작 한다 . 자유 계층 ( 302 ) 은 제 1 기준 계층 ( 304 ) 및 제 2 기준 계층 ( 306 ) 사이 에 배치 되 고 이 들 에 자기 적 으로 연결 된다 . 전류 경로 및 저항 과 같 은 장치 ( 300 ) 의 특성 들 은 제 1 기준 계층 ( 304 ) 및 제 2 기준 계층 ( 306 ) 에 의해서 가 아니 라 , 주로 자유 계층 ( 302 ) 의 영역 에 의해 결정 된다 . 따라서 , 제 1 기준 계층 ( 304 ) , 제 2 기준 계층 ( 306 ) , 및 자유 계층 ( 302 ) 의 형태 및 크기 는 설계 및 제조 요건 들 에 따라 조정 될 수 있 다 . 도 3 에 제시 된 바 와 같이 , 제 1 기준 계층 ( 304 ) 은 장치 ( 300 ) 의 폭 에 대해 실질 적 으로 연장 될 수 있 다 .