식각 공정 은 박막 이 증착 된 웨이퍼 에 포토레지스트 ( photoresist ) 또는 하드 마스크 ( hard mask ) 를 부착 한 후 , 포토레지스트 또는 하드 마스크 에 의해 형성 된 패턴 을 따라서 박막 을 제거 하 는 공정 을 말 한다 . 이러 한 식각 공정 은 , 최근 에 반도체 소자 의 집적 도 증가 에 따라 단차 ( AR : aspect ratio ) 가 높 고 선폭 의 미세 조절 이 우수 하 며 습식 식각 ( wet etching ) 에 비해서 환경 친화 적 이 고 비등방성 식각 이 가능 한 플 라즈 마 를 이용 한 건식 식각 장치 에 의해 주로 이루어지 고 있 다 . 여기 서 , 플라 즈 마를 이용 한 식각 공정 은 , 진공 챔버 내 에 고주파 전원 을 인가 하 여 식각 가스 를 플 라즈 마 상태 로 유동 하 고 이 때 형성 된 고 에너지 전자 또는 라디칼 에 의해 박막 을 제거 하 는 공정 을 말 한다 .