제 1 및 제 2 게이트 를 위한 층 및 소오 스 및 드레 인 전도체 층 은 동일 한 도전 층 , 예컨대 , 폴리 실리콘 층 을 포함 하 여 형성 될 수 있 다 . 또한 , 샐리 사이드 막 ( 307 , 907 ) 은 티타늄 ( Ti ) 계 , 코발트 ( Co ) 계 , 탄 탈륨 ( Ta ) 계 , 니켈 ( Ni ) 계 의 샐리 사이드 를 포함 하 여 형성 될 수 있 다 .