티타늄 ( Ti ) 박막 층 ( 20 ) 은 1000 ~ 10000 Å 의 두께 로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 티타늄 ( Ti ) 박막 층 ( 20 ) 은 , 이미 알려진 다양 한 방법 으로 형성 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 스퍼터링 방법 으로 형성 할 수 있 다 . 티타늄 ( Ti ) 박막 층 ( 20 ) 형성 단계 는 세라믹 기판 ( 10 ) 을 250 내지 350 ℃ 로 가열 한 상태 에서 진행 하 는 것 이 , 티타늄 ( Ti ) 박막 층 ( 20 ) 과 세라믹 기판 ( 10 ) 사이 의 접착력 을 향상 시킬 수 있 다는 점 에서 바람직 하 다 . 도 2 는 세라믹 기판 위 에 티타늄 ( Ti ) 박막 층 이 형성 된 상태 를 나타낸 도면 이 다 .