다음 에 , 시각 t 7 ∼ t 8 에 있 어서 , 전원 단자 ( 2 ) 에 인가 하 는 전원 전압 의 레벨 이 비휘발성 메모리 ( 11 ) 의 기입 에 필요 한 전압 레벨 Vdd 2 로 설정 된다 . 레벨 검출 회로 ( 12 ) 는 전원 전압 의 레벨 이 기입 문턱 값 Vth 보다 커졌 다고 판정 하 고 , 기입 가능 신호 로서 「 1 」 을 출력 한다 . 여기 서 , 「 기입 문턱 값 Vth 」 는 통상 의 전원 전압 Vdd 보다 크 고 , 비휘발성 메모리 ( 11 ) 의 기입 에 필요 한 전압 레벨 Vdd 2 보다 작 은 값 으로 된다 .