도 3 과 같이 , 상기 유기 막 형성 용 조성물 ( UDL - 1 ∼ 23 , 비교 UDL - 1 ∼ 14 ) 을 각각 밀집 홀 패턴 ( 홀 직경 0 . 16 ㎛, 홀 깊이 0 . 50 ㎛, 인접 하 는 2 개 의 홀 의 중심 사이 의 거리 0 . 32 ㎛) 을 갖 는 SiO 2 웨이퍼 기판 상 에 도포 하 고 , 핫플레이트 를 이용 하 여 산소 농도 가 0 . 2 % 이하 로 관리 된 질소 기류 하 , 450 ℃ 에서 60 초간 소성 하 여 , 유기 막 ( 8 ) 을 형성 했 다 . 사용 한 기판 은 도 3 의 ( G ) ( 부감도 ) 및 ( H ) ( 단면도 ) 에 도시 하 는 것 과 같 은 밀집 홀 패턴 을 갖 는 하지 기판 ( 7 ) ( SiO 2 웨이퍼 기판 ) 이 다 . 얻 어 진 각 웨이퍼 기판 의 단면 형상 을 주사 형 전자 현미경 ( SEM ) 을 이용 하 여 관찰 하 여 , 홀 내부 에 보이드 ( 공극 ) 없이 유기 막 으로 충전 되 어 있 는지 여부 를 확인 했 다 . 결과 를 표 6 에 나타낸다 . 매립 특성 이 뒤떨어지 는 유기 막 재료 를 이용 한 경우 는 , 본 평가 에 있 어서 홀 내부 에 보이드 가 발생 한다 . 매립 특성 이 양호 한 유기 막 형성 용 조성물 을 이용 한 경우 는 , 본 평가 에 있 어서 , 도 3 의 ( I ) 에 나타내 는 것 과 같이 홀 내부 에 보이 드 없이 유기 막 ( 8 ) 이 충전 된다 .