도 17 을 참조 하 면 , 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 반도체 디바이스 의 제조 방법 에서 도 8 에 도시 된 단계 이후 , 상기 금속 플레이트 ( 10 ) 및 절연 부재 ( 30 ) 를 하부 로부터 그라인딩 하 여 하부 영역 을 제거 하 는 단계 가 이루어질 수 있 다 . 이 에 따라 , 상기 금속 플레이트 ( 10 ) 의 패턴 ( 11 ) 은 상기 절연 부재 ( 30 ) 의 하면 을 통해 노출 될 수 있 다 .