본 명세서 에서 , 적어도 부분 적 으로 투명 한 그래핀 층 은 그래핀 에서 발생 하 는 유리 한 이방성 전하 캐리어 수송 특성 으로 인해 평면 내 에서 양호 한 전기 전도도 를 달성 하 는데 특히 적합 한 것 으로 나타난다 . 그러므로 , 기능 적 이 지만 얇 은 그래핀 층 을 얻 을 수 있 으며 , 여기 서 이하 에 상세히 설명 하 는 바 와 같이 , 그래핀 층 은 적어도 전자기 스펙트럼 의 한 구획 에서 , 바람직 하 게 는 감광층 내 의 물질 이 광 빔 에 의해 제공 되 고 , 투명 한 전도 층 을 통해 전송 되 는 전자기 방사선 과 상호 작용 함 으로써 전하 캐리어 를 제공 할 수 있 는 전자기 스펙트럼 의 구획 에서 적어도 부분 적 으로 투명 할 수 있 다 . 더 구체 적 으로 , 이하 에 예시 된 바 와 같이 , 그래핀 층 이 0 . 38 ㎛ 내지 3 ㎛ 의 파장 범위 에서 80 % 초과 의 투과율 을 나타낼 수 있 다는 것 이 실험 적 으로 입증 될 수 있 다 . 결과 적 으로 , 본 검출기 는 광 빔 이 , 특히 , 380 nm 내지 15 ㎛ 의 파장 범위 , 특히 , 380 nm 내지 3 ㎛ 의 파장 범위 , 구체 적 으로 1 ㎛ 내지 3 ㎛ 의 파장 범위 에서 , 380 nm 내지 760 nm 의 가시 스펙트럼 범위 또는 760 nm 초과 1 , 000 ㎛ 의 적외선 스펙트럼 범위 에서 적어도 하나 의 파장 을 나타낼 수 있 는 경우 에 적용 가능 할 수 있 다 . 특히 , 제 1 전도 층 을 통한 높 은 투과율 을 달성 하 기 위하 여 , 그래핀 층 으로 수송 하 기 위해 적응 될 수 있 는 기판 은 적외선 스펙트럼 범위 , 특히 380 nm 내지 3 ㎛ 의 동일 한 파장 범위 , 구체 적 으로 1 ㎛ 내지 3 ㎛ 의 파장 범위 에서 적어도 부분 적 으로 투명 할 수 있 다 . 따라서 , 본 발명 의 목적 을 위해 , 그래핀 층 을 수송 하 기 에 적합 한 기판 은 석영 유리 , 사파이어 , 융합 실리카 , 실리콘 , 게르마늄 , 셀렌 화 아연 , 황화 아연 , 탄화 규소 , 산화 알루미늄 , 불화 칼슘 , 불화 마그네슘 , 염화 나트륨 또는 브롬화 칼륨 으로 이루어진 그룹 으로부터 선택 될 수 있 는 재료 를 포함 하 는 것 이 바람직 하 다 . 이러 한 유리 한 특성 은 , 특히 , ITO ( Indium Tin Oxide ) 또는 FTO ( SnO 2 : F ; Fluorine - doped Tin Oxide ) 와 같이 , 일반 적 으로 사용 되 는 다른 부분 적 으로 투명 한 재료 와 는 대조 적 인데 , 이 부분 적 으로 투명 한 재료 의 층 은 본 발명 의 목적 을 위해 요구 되 는 적외선 ( IR ) 스펙트럼 범위 내 에서 충분 한 투명 성 을 제공 하 지 않 기 때문 에 광 검출기 에서 부적합 한 것 임 을 유의 해야 한다 .