그러나 , 고유 전막 은 게이트 식각 공정 시 인시 튜 ( in - situ ) 로 건식 식각 공정 을 적용 하 는데 , 이때 , 고유 전막 이 질화 막 또는 산화 막 에 비해 식각 속도 가 현격히 떨어져 게이트 식각 공정 시 플로팅 게이트 측면 에 잔류 하 게 되 어 후속 공정 진행시 악영향 을 미치 게 되 고 , 이 로 인하 여 소자 의 특성 이 저하 된다 .