상기 리세 스 ( 6 ) 는 캐스팅 재료 로 완전히 채워져 있 다 . 상기 캐스팅 재료 는 투명 한 몸체 ( 20 ) 그리고 적어도 하나 의 변환기 재료 ( 30 ) 를 함유 하 거나 또는 변환기 재료 로 이루어진 입자 들 로 이루어진다 . 상기 캐스팅 재료 는 4 내지 12 중량 -% 의 , 특히 5 내지 10 중량 -% 의 변환기 재료 ( 30 ) 를 함유 할 수 있 다 . 상기 캐스팅 재료 는 또한 추가 의 물질 들 도 함유 할 수 있 다 . 다시 말 해 , 상기 투명 한 몸체 ( 20 ) 및 상기 변환기 재료 ( 30 ) 는 - 본 경우 에 파선 화살표 로 표시 된 - 빔 경로 ( 11 ) 내부 에 적어도 부분 적 으로 배치 되 어 있 다 . 이 경우 에 빔 경로 ( 11 ) 로서 는 도면 에 대한 개관 을 명확 하 게 할 목적 으로 주 ( 主 ) 송출 방향 이 지시 되 었 다 . 방사선 은 또한 상기 주 송출 방향 에 대하 여 각 ( θ ) 을 형성 하 면서 방출 될 수 도 있 다 . 본 실시 예 에서 상기 캐스팅 재료 는 리세 스 ( 6 ) 의 상단 부 에서 렌즈 ( 40 ) 를 형성 할 수 있 다 .