최근 들 어 , 낸드 플래시 메모리 소자 에서 하나 의 메모리 셀 에 2 비트 이상 의 데이터 를 저장 하 는 MLC ( Multi level chip ) 소자 가 개발 되 고 있 다 . 하나 의 메모리 셀 에 1 비트 ( 0 또는 1 ) 의 데이터 가 저장 되 는 경우 , 문턱 전압 이 0 V 보다 높 으면 0 데이터 가 저장 되 고 , 0 V 보다 낮 으면 1 데이터 가 저장 되 는 것 으로 판단 한다 . 하지만 , 2 비트 로 표현 되 는 4 개 의 데이터 ( 예 를 들 어 , 11 , 10 , 00 및 01 ) 가 하나 의 메모리 셀 에 저장 되 는 경우 , 3 개 의 데이터 ( 예 를 들 어 , 10 , 00 및 01 ) 가 0 V 보다 높 은 문턱 전압 들 로 구분 된다 . 즉 , 한정 된 범위 내 에서 3 개 의 데이터 가 0 V 보다 높 은 문턱 전압 으로 표현 되 어야 하 므로 , 각각 의 데이터 들 을 구분 하 기 위한 문턱 전압 들 이 확실 하 게 구분 되 어야 한다 . 이 를 위해 , 각각 의 문턱 전압 들 이 좁 은 범위 로 분포 해야 하 며 , 문턱 전압 들 의 간격 은 넓 게 유지 되 어야 한다 . 만일 , 각각 의 문턱 전압 들 의 분포 가 넓 거나 문턱 전압 들 의 간격 이 좁 은 경우 리드 동작 시 오동작 이 발생 될 수 있 다 .