프로세스 챔버 ( 102 ) 의 벽 들 및 배기 통로 와 같 은 주변 구조물 들 의 온도 는 , 프로세스 챔버 ( 102 ) 의 벽 들 의 채널 들 ( 도시 되 지 않 음 ) 을 통해 열제 어 액체 를 순환 시킴 으로써 추가 로 제어 될 수 있 다 . 열제 어 액체 는 희망 하 는 효과 에 따라 챔버 본체 ( 202 ) 를 가열 또는 냉각 시키 는 데 사용 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 뜨거운 액체 는 열 증착 프로세스 중 균일 한 열구 배 ( thermal gradient ) 를 유지 하 는 것 을 도울 수 있 는 반면 에 , 차가운 액체 는 세 척 가스 의 해리 ( dissociation ) 를 위해 인시 튜 ( in - situ ) 플라 즈 마 프로세스 중 시스템 으로부터 열 을 제거 하 거나 , 또는 챔버 의 벽 들 상 에 증착 산물 ( product ) 들 의 형성 을 제한 하 는 데 사용 될 수 있 다 . 가스 분배 샤워 헤드 조립 체 ( 204 ) 를 통해 열 교환 시스템 ( 270 ) 으로부터 열제 어 유체 에 의해 제공 되 는 가열 또는 냉각 및 / 또는 챔버 본체 ( 202 ) 의 벽 들 로 의 열제 어 액체 의 전달 에 의한 가열 또는 냉각 뿐 아니 라 , 램프 들 ( 221 A , 221 B ) 에 의해 제공 된 가열 은 약 500 ℃ 내지 약 1300 ℃, 보다 구체 적 으로 약 700 ℃ 내지 약 1300 ℃ 의 프로세싱 체적 ( 208 ) 내 의 프로세싱 온도 를 유지 시킨다 . 일 실시 예 에 있 어서 , 프로세스 챔버 ( 102 ) 의 프로세싱 체적 ( 208 ) 에서 약 900 ℃ 내지 약 1 , 050 ℃, 또는 그 초과 의 프로세싱 온도 를 발생 시키 기 위해 , 램프 들 ( 221 A 및 221 B ) 로 의 입력 전력 은 약 45 kW 내지 약 90 kW 이 다 . 일 실시 예 에 있 어서 , 프로세싱 온도 는 하나 또는 둘 이상 의 열전쌍 들 과 같 은 , 기판 캐리어 플레이트 ( 112 ) 의 후방 측 의 온도 를 측정 하 는 센서 들 을 사용 함 으로써 모니터링 된다 ( 도 1 ) .