더미 채널 패턴 들 ( 15 B ) 은 분리 패턴 들 ( 15 D ) 에 의해 상호 연결 된다 . 예 를 들 어 , 제 1 방향 ( I - I ') 으로 배열 된 더미 채널 패턴 들 ( 15 B ) 의 사이 에 분리 패턴 들 ( 15 D ) 이 위치 되 고 , 교대 로 배열 된 더미 채널 패턴 들 ( 15 B ) 과 분리 패턴 들 ( 15 D ) 이 상호 연결 되 어 제 1 방향 ( I - I ') 으로 확장 된다 . 분리 패턴 들 ( 15 D ) 은 더미 채널 패턴 들 ( 15 B ) 에 비해 얕 은 깊이 로 적층 물 을 관통 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 분리 패턴 들 ( 15 D ) 은 최 상부 적어도 하나 의 도전 막 ( 12 ) 을 관통 하 거나 , 각 메모리 스트링 의 드레 인 선택 트랜지스터 의 게이트 전극 을 관통 하 는 깊이 를 가질 수 있 다 . 따라서 , 분리 패턴 들 ( 15 D ) 에 의해 양 측 의 도전 막 들 ( 12 ) , 예 를 들 어 , 제 2 방향 ( Ⅱ - Ⅱ ') 으로 이웃 한 드레 인 선택 트랜지스터 들 의 게이트 전극 들 이 상호 전기 적 으로 분리 된다 .