예 를 들 면 , 제 1 도 전막 ( 108 ) 을 덮 도록 채널 형성 영역 ( 106 a ) 의 위쪽 에 보강 막 ( 109 ) 을 형성 하 는 구성 으로 하 여도 좋 다 ( 도 1 c 참조 ) . 또한 , 보강 막 ( 109 ) 의 면적 은 , 보강 막 ( 103 ) 의 면적 보다 도 작 아도 좋 다 . 채널 형성 영역 ( 106 a ) 을 보강 막 ( 103 ) 및 보강 막 ( 109 ) 의 사이 에 두 도록 형성 함 으로써 , 반도체 장치 의 두께 방향 에서 중립면 의 위치 를 , 채널 형성 영역 ( 106 a ) 에 응력 이 생기 는 것 을 억제 할 수 있 는 위치 로 할 수 있 다 . 따라서 , 반도체 장치 에 굴곡 등 의 외력 이 가해진 경우 에 도 , 채널 형성 영역 ( 106 a ) 에 응력 이 생기 는 것 을 억제 할 수 있 다 . 따라서 , 박막 트랜지스터 ( 100 a , 100 b ) 의 손상 이나 파괴 를 저감 할 수 있 다 . 또한 , 반도체 막 ( 106 ) 보다 도 영률 이 높 은 재료 로 형성 된 보강 막 을 반도체 막 ( 106 ) 의 상하 근방 에 형성 함 으로써 , 반도체 막 의 성질 을 바꾸 지 않 고 , 반도체 막 의 기계 적 강도 를 향상 시킬 수 있 다 . 또한 , 절 연막 ( 110 ) 에 개구부 ( 124 ) 를 형성 할 때 에 보강 막 ( 109 ) 을 제거 할 필요 가 없 기 때문 에 , 개구부 ( 124 ) 를 형성 할 때 의 에칭 을 용이 하 게 할 수 있 다 .