따라서 , 제 2 실시 예의 반도체 장치 제조 방법 에 따르 면 , 노출 기법 에서 달성 가능 한 해상도 의 하한 보다 미세 한 라인 - 스페이스 패턴 피치 를 갖 는 라인 - 스페이스 패턴 과 와이더 라인 을 갖 는 패턴 이 동시 에 형성 될 수 있 다 . 이 에 따라 , 노출 기법 에서 달성 가능 한 해상도 의 하한 보다 미세 한 미세 패턴 과 와이더 패턴 을 갖 는 게이트 전극 이 동시 에 형성 될 수 있 다 .