" 기판 면적 당 "" W "" 는 "" W / cm 2 로 변환 될 수 있 고 ", W / cm 2 로 변환 된 값 은 200 mm 기판 과 450 mm 기판 과 같 은 다른 크기 의 기판 에 적용 될 수 있 다 . 처리 의 효과 가 플 라즈 마의 이온 에너지 에 의존 하 기 때문 에 , 증착 후 처리 를 위해 반응 공간 에 인가 되 는 적절 한 RF 전력 은 반응 공간 의 압력 에 따라 결정 된다 . 따라서 , 예 를 들 어 통상 적 으로 압력 은 약 400 Pa 이하 ( 바람직 하 게 는 약 100 Pa 이하 ) 이 고 , RF 전력 은 약 600 W 이상 ( 예 , 400 Pa ) 이 되 , 압력 이 낮 을수록 낮 은 RF 전력 이 인가 될 수 있 다 . SiO 2 막 의 증착 은 일반 적 으로 사용 되 는 RF 전력 을 사용 하 여 수행 될 수 있 기 때문 에 , 증착 후 처리 가 시작 되 는 경우 에 일반 적 으로 RF 전력 은 증가 된다 . 증착 후 처리 에서 , 일반 적 으로 증가 된 RF 전력 이 인가 되 는 경우 , 막 의 수평 부분 의 내 화학 성 은 더 높 아 지 고 , 예 를 들 어 습식 식각 속도 를 감소 시키 는데 , 그 이유 는 더 많 은 불순물 이 막 의 수평 부분 으로부터 제거 될 수 있 기 때문 이 다 . 그러나 , RF 전력 이 너무 높 아 지 면 , 막 의 수평 부분 은 손상 되 고 그 의 내 화학 성 이 낮 아 져서 , 예 를 들 어 습식 식각 속도 를 증가 시킨다 . 즉 , RF 전력 ( 수평축 으로 표시 됨 ) 과 내 화학 성 ( 수직 축 으로 표시 됨 ) 간 의 관계 는 , 최적 의 RF 전력 을 나타내 는 최소 값 을 갖 는 하향 곡선 으로 표현 될 수 있 다 . 따라서 , 최적 의 RF 전력 은 본 개시 의 관점 에서 통상 적 인 실험 을 통해 미리 선택 된 압력 ( 최적 의 RF 전력 은 압력 에 따라 다름 ) 에 대해 결정 될 수 있 다 .