도 1 a 내지 도 1 c 는 본 발명 의 일부 실시 양태 에 따른 화합물 반도체 장치 구조물 및 제조 방법 을 예시 한다 . 도 1 a 에 나타낸 바 와 같이 , 인쇄 가능 한 화합물 반도체 장치 구조물 ( 100 ) 은 웨이퍼 또는 기판 ( 101 ) , 기판 ( 101 ) 위 의 박리 층 ( 105 ) , 박리 층 ( 105 ) 위 의 지지층 ( 110 ) , 및 지지층 ( 110 ) 위 의 1 개 이상 의 인쇄 가능 한 또는 전사 가능 한 장치 층 ( 115 ) 를 포함 한다 . 박리 층 ( 105 ) 는 지지층 ( 110 ) 을 기판 ( 101 ) 에 접촉 및 결합 시킨다 . 도 1 a 내지 도 1 c 의 실시 양태 에서 , 박리 층 ( 105 ) 는 인듐 알루미늄 인화물 ( InAlP ) 층 이 고 , 기판 ( 101 ) 및 지지층 ( 110 ) 은 비소화물 - 기재 의 물질 로 형성 된다 . InAlP 박리 층 ( 105 ) 는 약 0 . 02 마이크로미터 ( 또는 마이크 론 ( ㎛)) 내지 약 1 마이크로미터 의 두께 를 가질 수 있 다 .