본 발명 의 일 실시 예 에 따른 발광 다이오드 는 , 기판 ; 상기 기판 상 에 배치 되 고 , 제 1 도전 형 반도체 층 , 활성 층 및 제 2 도전 형 반도체 층 을 포함 하 는 반도체 적층 체 ; 상기 반도체 적층 체 를 덮 되 , 상기 반도체 적층 체의 제 1 도전 형 반도체 층 을 노출 시키 는 제 1 개 구부 를 포함 하 는 하부 절연 층 ; 및 상기 하부 절연 층 상 에 배치 되 고 , 상기 하부 절연 층 의 제 1 개 구부 를 통해 상기 제 1 도전 형 반도체 층 에 전기 적 으로 접속 하 는 제 1 금속 층 을 포함 하 고 , 상기 하부 절연 층 은 제 1 굴절 률 을 갖 는 제 1 재료 층 과 제 2 굴절 률 을 갖 는 제 2 재료 층 이 교대 로 적층 된 적층 구조 를 갖 고 , 상기 하부 절연 층 의 제 1 개 구부 의 측벽 은 상기 제 2 굴절 률 을 갖 는 제 2 재료 층 들 각각 의 노출면 의 폭 ( W ) 이 한 쌍 의 제 1 재료 층 과 제 2 재료 층 의 높이 ( H ) 보다 큰 오프셋 형상 을 가진다 .