제 1 층간 절연 층 ( 113 ) 상 에 제 1 금속 패턴 ( 510 ) 및 제 2 금속 패턴 ( 520 ) 이 형성 될 수 있 다 . 제 1 금속 패턴 ( 510 ) 및 제 2 금속 패턴 ( 520 ) 은 몰리브덴 ( Mo ) , 구리 ( Cu ) , 티타늄 ( Ti ) , 알루미늄 ( Al ) 크롬 ( Cr ) , 금 ( Au ) , 니켈 ( Ni ) , 및 네오디뮴 ( Nd ) 중 어느 하나 또는 이 들 의 합금 으로 이루어진 단일 층 또는 다 중층 으로 형성 될 수 있 다 . 제 1 금속 패턴 ( 510 ) 은 표시 영역 ( DA ) 에 배치 되 며 폴리 실리콘 물질 을 포함 하 는 제 2 박막 트랜지스터 ( 320 ) 의 제 2 게이트 전극 ( 324 ) 과 중첩 하 도록 배치 될 수 있 다 . 제 1 금속 패턴 ( 510 ) 은 제 2 박막 트랜지스터 ( 320 ) 의 제 2 게이트 전극 ( 324 ) 과 중첩 하 여 스토리지 커패시터 를 형성 할 수 있 다 .