상기 고형 산 성 지 지체 를 도핑 하 는 인 화합물 은 오르 코인 산 , 인산암모늄 과 같 은 에스테르 및 염 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 면 , 암모니아수 , 1 차 및 2 차 아민 , 환식 아민 , 피리딘 류 및 키 놀린 류 화합물 및 피롤 린 류 화합물 과 같 은 질소 함유 염기 성 유기 화합물 과 인산 의 혼합물 형태 로 도입 될 수 있 으나 , 바람직 하 게 는 인산 , 인산암모늄 , 인산 이 수소 암모늄 등 의 수용성 인 화합물 을 사용 하 는 것 이 다 . 고형 산 성 지 지체 상 에 P 2 O 5 형태 로 산출 되 는 인 함량 은 바람직 하 게 는 5 중량 % 이하 이 다 . 인 화합물 이 고형 산 성 지 지체 에 도핑 되 어 내 황성 이 개선 되 는 것 에 대하 여 는 분명 하 지 는 않 지만 , 고형 산 성 지 지체 산점 조절 에 의한 것 으로 보이 며 , 이러 한 추론 은 지 지체 가 산 성 이 지 아니한 경우 인 화합물 도핑 효과 가 전혀 나타나 지 않 는다는 것 으로부터 추론 될 수 있 다 . 즉 , 본 발명 에 의한 개질 지 지체 는 고형 산 성 지 지체 가 산 성 화합물 , 바람직 하 게 는 인 화합물 로 도핑 된 실리카 - 알루미나 포스 페이트 변형 된 지 지체 이 다 .