도 2 e 는 본 발 며 의 실시 형태 에 따른 근접 헤드 ( 200 ) 를 형성 하 는 방법 동작 ( 250 ) 의 흐름 도 이 다 . 동작 ( 255 ) 에서 , 근접 헤드 블랭크 ( 예 를 들 어 , 단일 블록 의 재료 ) 가 선택 되 고 , 제 1 챔버 ( 204 ) 가 근접 헤드 블랭크 내 에 형성 된다 . 근접 헤드 블랭크 는 처리 환경 및 처리 시 적용 되 는 화학 물질 에 적합 하 고 제조 시 및 처리 에서 의 사용 시 형상 및 크기 를 유지 할 수 있 는 임의 의 적합 한 재료 ( 예 를 들 어 , 플라스틱 , 세라믹 , 금속 , 유리 등 ) 일 수 있 다 . 예 로써 , 근접 헤드 ( 200 ) 는 스테인 레스 스틸 또는 PTFE ( 통상 테플론 으로 지칭 됨 ) 또는 임의 의 다른 적절 한 재료 로 형성 될 수 있 다 .