포토레지스트 패턴 ( PR ) 을 식각 마스크 로 제 1 내지 제 3 절 연막 들 ( IL 1 , IL 2 , IL 3 ) 을 식각 하 여 , 관통 콘 택 홀 ( TCH ) 이 형성 될 수 있 다 . 상기 식각 공정 은 이방성 식각 공정 일 수 있 다 . 상기 식각 공정 은 제 1 내지 제 3 절 연막 들 ( IL 1 , IL 2 , IL 3 ) 을 선택 적 으로 식각 할 수 있 는 식각 레시피 를 이용 할 수 있 다 . 상기 식각 공정 동안 , 제 1 및 제 2 마스크 막 들 ( ML 1 , ML 2 ) 은 실질 적 으로 식각 되 지 않 고 그대로 유지 될 수 있 다 . 다시 말 하 면 , 상기 식각 공정 동안 제 1 및 제 2 마스크 막 들 ( ML 1 , ML 2 ) 은 식각 마스크 로 기능 할 수 있 다 . 상기 식각 공정 은 도전 막 ( CDL ) 의 상면 이 노출 될 때 까지 수행 될 수 있 다 .