MIM 커패시터 를 포함 하 는 반도체 소자 의 제조 방법 은 먼저 도 2 a 와 같이 하부 구리 배선 ( 24 ) 이 형성 된 실리콘 기판 ( 22 ) 위 에 유전 막 ( 26 ) 및 층간 절 연막 ( 28 ) 을 순차 적 으로 형성 한다 . 유전 막 ( 26 ) 은 실리콘 산화 막 ( SiO 2 ) 또는 실리콘 나이트 라이트 ( Si 3 N 4 ) 를 사용 하 여 형성 할 수 있 다 . 또한 , 유전 막 ( 26 ) 은 500 Å ~ 1000 Å 의 두께 로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 .