상기 CdTe 나노 튜브 내부 에 전도성 고분자 나노 튜브 또는 와이어 를 증착 시키 기 위하 여 도 3 과 같 은 CVDP 장치 를 마련 하 였 다 . 석영 튜브 내 의 압력 은 0 . 8 torr 로 조절 하 였으며 매스 플로우 콘트 롤러 ( MKS instrument 사 제조 : 28 ) 를 이용 하 여 아르곤 기체 를 8 SCCM 의 속도 로 흘려 보내 면서 기화 영역 의 온도 를 80 ℃ 로 설정 하 였 다 . 단위체 로 는 α , α '- 디 클로로 크실렌 40 mg 을 사용 하 였 고 , 상기 열분해 영역 의 온도 는 650 ℃ 로 설정 하 였으며 상기 증착 영역 의 온도 는 상온 으로 설정 하 였 다 . 반응 시간 은 1 시간 이 었 다 . 상기 다공성 멤 브레인 에 전구 고분자 증착 이 완료 된 후 에 , 750 ℃ 의 아르곤 분위기 하 에서 1 시간 동안 열처리 함 으로써 탈염 화 수소 화 시켜 , PPV 나노 튜브 를 제조 하 였 다 . 마지막 으로 25 ℃ 의 1 M NaOH 수용액 중 에서 1 시간 동안 상기 멤 브레인 을 용해 시켜 최종 적 으로 전극 상 에 수직 으로 배열 된 CdTe 복합 나노 튜브 및 전도성 고분자 복합체 를 제조 하 였 다 .