도 2 를 참조 하 면 , 본 발명 의 HEMT , 하나 의 필드 플레이트 를 구비 한 HEMT , 필드 플레이트 를 구비 하 지 않 는 HEMT 에 게이트 - 드레 인 전압 ( VGD ) - 100 V 를 인가 한 경우 각각 의 누설 전류 는 287 . 9 ㎂/㎜, 438 . 8 ㎂/㎜, 492 . 0 ㎂/㎜ 이 다 . 즉 , 본 발명 의 HEMT 는 종래 필드 플레이트 를 구비 하 지 않 는 HEMT 에 비해 누설 전류 가 42 % 정도 감소 하 며 , 종래 하나 의 필드 플레이트 를 구비 한 HEMT 는 필드 플레이트 를 구비 하 지 않 는 HEMT 에 비해 누설 전류 가 11 % 정도 감소 한다 . 따라서 , 제 2 필드 플레이트 를 추가 함 으로써 역방향 바이어스 인가 시 공핍 영역 이 더욱 확장 되 고 전계 최고점 이 감소 되 어 게이트 전극 의 전계 집중 이 완화 됨 을 알 수 있 다 . 더욱이 , 제 2 필드 플레이트 는 제 1 필드 플레이트 와 동시 에 제작 되 므로 추가 적 인 필드 플레이트 를 위한 공정 이 요구 되 지 않 는 장점 이 있 다 .