또한 , 앞서 서술 한 바 와 같이 , 하부 비아 금속 배선 ( 141 , 143 ) 을 둘러싸 지지 하 는 하부 층간 절 연막 ( 110 ) 을 산화 규소 ( SiO 2 ) 또는 FSG 등 과 같 은 물질 로 형성 하 고 , 하부 트렌치 금속 배선 ( 181 , 183 , 187 ) 을 둘러싸 지지 하 는 하부 배선 절 연막 ( 200 ) 을 low - k 물질 로 형성 하 므로 low - k 물질 은 1 회 노출 되 어 1 회 애 쉬 어 공정 이 진행 된다 . 그러나 종래 에 듀얼 다 마신 공정 에 의해 비 아홀 및 트렌치 를 패 터닝 하 여 금속 배선 을 형성 하 는 공정 에 는 공기 중 에 노출 되 는 low - k 물질 은 3 회 의 애 쉬 어 공정 을 진행 해야 한다 . 따라서 , 본 발명 과 같 은 공정 을 통해 애 쉬 어 ( asher ) 공정 을 진행 함 따라 low - k 물질 이 애 쉬 어 액 과 화학 적 으로 반응 하 여 유전율 ( k ) 이 증가 하 는 것 을 억제 하 여 반도체 소자 의 동작 속도 가 감소 하 는 것 을 방지 할 수 있 다 .