그러나 , 주지 한 바 와 같이 채널 길이 를 감소 시키 고 , 채널 폭 을 증가 시켜 트랜지스터 의 동작 전류 를 증가 시키 는 방법 은 , 단 채널 마진 ( short channel margin ) 을 감소 시키 게 되 며 , 또한 100 nm 급 이하 의 소자 에서 는 상기 와 같 은 채널 길이 의 감소 에 따라 모빌리티 ( mobility ) 열화 증가 로 더 이상 동작 전류 를 증가 시키 는 방법 으로 사용 하 기 가 어렵 다 .