전도 층 ( 114 ) 상 에 제 2 부착 층 ( 116 ) ( 예 를 들 어 , 1 , 000 A 정도 의 두께 의 TEOS 산화물 층 ) 이 형성 된다 . 제 2 부착 층 ( 116 ) 은 몇몇 실시 예 에서 전도 층 ( 114 ) 을 완전히 둘러 싸서 완전히 캡슐 화 된 구조 를 형성 하 고 , LPCVD 프로세스 , CVD 프로세스 또는 스핀 - 온 유전체 의 디 포지션 을 포함 하 는 임의 의 다른 적합 한 디 포지션 프로세스 를 사용 하 여 형성 될 수 있 다 .