TAC 는 교번 유전체 스택 의 전체 두께 를 통해 에칭 함 으로써 형성 될 수 있 다 . 교번 유전체 스택 은 실리콘 산화물 및 실리콘 질화물 과 같 은 유전체 의 교번 층 을 포함 하 기 때문 에 , TAC 의 개구 는 유전체 재료 의 깊 은 에칭 ( 예컨대 , 깊 은 반응 성 이온 에칭 ( deep reactive - ion etching : DRIE ) 공정 또는 임의 의 다른 적절 한 이방성 에 칭 공정 ) 에 의해 형성 될 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , TAC 는 게이트 교체 후 에 형성 되 지만 , 게이트 교체 공정 에 의해 영향 을 받 지 않 는 ( 교번 전도체 / 유전체 스택 으로 전환 되 지 않 는 ) 교번 유전체 스택 의 영역 을 확보 함 으로써 TAC 는 ( 어떠 한 전도체 층 도 통과 하 지 않 으면서 ) 유전체 층 을 통해 형성 될 수 있 고 , 이 는 제조 공정 을 단순 화 하 고 비용 을 절감 한다 .