더욱 구체 적 으로 , 고 에너지 보론 이온 주입 공정 을 제 1 열처리 공정 으로 진행 하 여 , 제 1 표면 ( FS ) 을 관통 하 여 제 1 깊이 에 도달 하 도록 보 론 을 주입 시킬 수 있 다 . 이 에 따라 , 초기 웨이퍼 ( 100 ) 의 내부 에 는 제 1 보론 농도 를 가지 는 예비 고농 도 보론 층 ( 120 b ) 을 제 1 두께 로 형성 할 수 있 다 . 이 때 , 예비 고농 도 보론 층 ( 120 b ) 의 제 1 두께 는 후술 할 고농 도 보론 층 ( 120 ) 의 두께 보다 작 고 , 예비 고농 도 보론 층 ( 120 b ) 의 보론 농도 의 피크 값 은 고농 도 보론 층 ( 120 ) 의 피크 값 보다 크 게 형성 할 수 있 다 .