일 실시 예 에 있 어서 , 각각 의 메모리 셀 어레이 는 기판 상 에 삼차원 구조 ( 또는 수직 구조 ) 로 형성 되 는 삼차원 ( three dimensional ) 메모리 셀 어레이 일 수 있 다 . 이 경우 , 메모리 셀 어레이 ( 100 ) 는 서로 적층 되 어 형성 되 는 복수 의 메모리 셀 들 을 포함 하 는 수직 메모리 낸드 스트링 들 을 포함 할 수 있 다 .