Cr 은 탈탄 소둔 시 치밀 한 산화물 을 형성 하 며 , 이후 그라스 피막 형성 시 견고 한 밀착 성 확보 에 필요 한 성분 이 지만 본 발명 에서 는 고온 소둔 시 Si 성분 의 내부 확산 속도 를 제어 하 는 데 필요 하 다 . 이때 0 . 10 % 미만 으로 첨 가시 에 는 제어 효과 가 적 으며 , 0 . 32 % 를 초과 하 면 탈탄 소둔 에 방해 를 하 므로 본 발명 에서 제외 한다 .