반도체 FET 센서 는 매우 작 은 크기 의 와이어 형 또는 박막 형 반도체 구 조체 에 검출 하 고자 하 는 표적 물질 과 결합 하 는 감지 물질 을 부착 하 여 , 표적 물질 이 감지 물질 과 결합 했 을 때 감지 물질 이 부착 된 반도체 구조 체의 전기전도도 의 변화 를 검출 하 는 센서 이 다 . 표적 물질 이 감지 물질 과 결합 할 때 전기 화학 적 인 반응 이 일어나 거나 , 표적 물질 자체 가 전하 를 갖 는 경우 표적 물질 이 감지 물질 과 결합 할 때 그 로 인한 전계 효과 ( field - effect ) 로 반도체 구조 체의 전자 또는 정공 이 축적 ( accumulation ) 되 거나 공핍 ( depletion ) 되 는데 이러 한 변화 는 전기전도도 의 변화 로서 측정 될 수 있 다 . 전술 한 FET 센서 기술 은 기존 의 색 , 형광 등 을 이용 한 비표 지식 센서 와 비교 했 을 때 고감 도 검출 과 표적 물질 의 정량화 가 용이 하 다는 장점 을 가지 고 있 다 .