식각 가스 혼합물 이 기판 ( 110 ) 의 표면 상 의 다양 한 산화물 들 을 선택 적 으로 제거 하 기 위해서 프로세싱 챔버 ( 100 ) 에 도입 된다 . 일 실시 예 에서 , 암모니아 가스 및 삼 불화 질소 가스 가 프로세싱 챔버 ( 100 ) 내측 으로 도입 되 어 식각 가스 혼합물 을 형성 한다 . 챔버 내측 으로 도입 되 는 각각 의 가스 의 양 은 , 가변 적 이 며 예 를 들 어 , 제거 될 산화물 층 의 두께 , 세정 되 는 기판 의 기하 구조 , 플 라즈 마의 용적 용량 ( volume capacity ) , 챔버 바디 ( 112 ) 의 용적 용량 뿐 만 아니 라 챔버 바디 ( 112 ) 에 연결 되 는 진공 시스템 의 용량 들 을 수용 하 기 위해서 조절 될 수 있 다 .