본 개시 의 적어도 하나 의 구 현예 에 따라 , 기판 표면 내 에 형성 된 오목 부를 충 진하 는 방법 은 , 상기 기판 을 반응 챔버 에 제공 하 는 단계 ; 상기 오 목부 의 표면 상 에 제 1 주 입량 으로 제 1 반응물 을 상기 기판 에 도입 하 는 단계 ; 상기 오 목부 의 표면 상 에 제 2 주 입량 으로 제 2 반응물 을 상기 기판 에 도입 하 되 , 상기 제 1 및 상기 제 2 주 입량 은 중첩 영역 에서 중첩 하 고 , 상기 제 1 및 상기 제 2 주 입량 이 중첩 하 지 않 는 영역 을 남기 는 단계 ; 제 3 주 입량 으로 제 3 반응물 을 상기 기판 에 도입 하 고 , 상기 제 3 반응물 은 상기 제 1 및 상기 제 2 주 입량 이 중첩 하 지 않 는 영역 에서 상기 제 1 또는 제 2 반응물 과 반응 함 으로써 재료 를 증착 하 는 단계 ; 및 상기 오 목부 내 에 상기 증착 된 재료 를 에칭 하 는 단계 를 포함 한다 . 다양 한 양태 에 따라 , 상기 중첩 영역 내 의 제 1 반응물 의 농도 는 , 상기 제 1 및 제 2 영역 이 중첩 되 지 않 는 영역 에서 의 제 1 반응물 농도 와 상이 하 다 . 제 1 반응물 을 기판 에 도입 하 는 단계 , 제 2 반응물 을 기판 에 도입 하 는 단계 , 및 제 3 반응물 을 기판 에 도입 하 는 단계 를 포함 하 는 증착 사이 클 수 는 , 증착 된 재료 를 에칭 하 는 단계 를 진행 하 는 방법 이전 에 1 회 이상 반복 될 수 있 다 . 또한 , 증착 된 재료 를 에칭 하 는 단계 와 조합 한 하나 이상 의 증착 사이클 은 여러 회 반복 되 어 오목 부를 충 진할 수 있 다 . 또 다른 양태 에 따라 , 상기 제 1 및 제 2 반응물 중 하나 는 포화 주 입량 으로 도입 되 고 , 상기 제 1 및 제 2 반응물 중 다른 하나 는 아포 화 주 입량 으로 도입 된다 . 또 다른 예시 에 따라 , 증착 된 재료 를 에칭 하 는 단계 중 에 , 상기 재료 의 에칭 속도 는 상기 제 1 및 제 2 영역 이 중첩 되 지 않 는 영역 에 비해 중첩 영역 에서 더 높 을 수 있 다 . 반응물 이 오 목부 상부 의 중첩 영역 에서 중첩 하 도록 상기 제 1 및 제 2 반응물 의 주 입량 을 가짐 으로써 , 상기 제 1 및 제 2 반응물 은 오목 부 상부 에서 반응 하 여 오 목부 상부 에서 추가 반응 을 차단 또는 완화 시킬 수 있 다 . 상기 제 1 및 제 2 반응물 이 중첩 하 지 않 는 오 목부 하부 의 초기 미 반응 영역 에서 , 상기 제 1 및 제 2 반응물 은 제 3 반응물 과 여전히 반응 할 수 있 고 , 이 에 따라 오목 부를 하부 에서 상향 으로 충 진할 수 있 다 .