본 발명 에 쓰이 는 유기 반도체 화합물 은 , 광 여기 유기 반도체 레이저 의 유기 레이저 발광 층 에 이용 할 경우 , 레이저 발진 이 가능 한 레이저 이득 유기 반도체 화합물 류 로부터 선택 해도 좋 다 . 가장 바람직 한 유기 반도체 화합물 로 는 4 , 4 ’- 비스 [ ( N - 카바졸 ) 스티 릴 ] 비페닐 ( BSBCz ) ( 도 1 ( a ) 도시 의 화학 구조 ) 15 을 들 수 있 는데 , 박막 에서 의 낮 은 증폭 자발 방출 ( ASE ) 역치 ( 800 - ps 펄스 광 여기 에서 0 . 30 μ J cm - 2 ) 16 및 최대 전계 발광 ( EL ) 외부 양자 효율 ( η EQE ) 이 2 % 13 가 넘 는 OLED 의 5 - μ s 펄스 운전 에서 의 2 . 8 kA cm - 2 가량 의 높 은 전류 밀도 주입 에 견디 는 능력 과 같 은 , 광학 적 및 전기 적 성질 의 조합 이 매우 양호 하 기 때문 이 다 . 아울러 80 MHz 의 높 은 반복 율 ( repetition rate ) 과 30 ms 의 긴 펄스 광 여기 에서 의 발진 ( lasing ) 은 근년 에 광펌핑 BSBC 계 DFB 레이저 17 에서 실증 되 었 는데 , BSBCz 필름 은 발진 파장 ( lasing wavelength ) 에서 의 삼 중항 흡수 손실 이 지극히 적 기 때문 일 가능 성 이 매우 높 다 . BSBCz 외 에 도 사용 가능 한 물질 로 는 , 예 를 들 어 , 문헌 16 과 동일 한 박막 을 형성 하 고 800 - ps 펄스 광 여기 조건 하 에서 측정 했 을 때 , ASE 역치 가 바람직 하 게 는 0 . 60 mJ cm - 2 이하 , 더욱 바람직 하 게 는 0 . 50 mJ cm - 2 이하 , 보다 바람직 하 게 는 0 . 40 mJ cm - 2 인 화합물 을 들 수 있 다 . 또한 , 문헌 13 과 동일 한 디바이스 를 형성 하 고 5 - ms 펄스 운전 조건 하 에서 측정 했 을 때 , 내 구성 이 바람직 하 게 는 1 . 5 kA cm - 2 이상 , 보다 바람직 하 게 는 2 . 0 kA cm - 2 이상 , 더욱 바람직 하 게 는 2 . 5 kA cm - 2 이상 인 화합물 도 사용 할 수 있 다 .