그런데 , 특허 문헌 2 에 는 , SBSI 법 을 이용 하 여 , BULK ( 벌크 ) 소자 와 SOI 소자 를 동일 기판 에 혼재 하 는 방법 이 개시 되 어 있 다 . 이 방법 에 따르 면 , 저 소비 전력 이 면서 고속 동작 이 가능 하 며 , 저전압 구동 이 용이 한 SOI 트랜지스터 와 , 전류 구동력 이 커서 , 고 내압 의 벌크 트랜지스터 를 동일 기판 에 혼재 하 는 것 이 가능 하 며 , 코스트 증가 를 억제 하 면서 , SOC ( System On Chip ) 를 실현 하 는 것 이 가능 하 다 . 이러 한 고기능 을 갖 는 반도체 장치 의 제조 방법 에서 도 , 저 코스트 화 · 고 신뢰성 화 의 요구 는 점점 더 강해 지 고 있 고 , 제조 공정 의 단축 이나 수율 의 향상 등 , 한층 더 개량 이 기대 되 고 있 다 .