일 실시 예 에 따르 면 , 상기 제 1 게이트 전극 ( 175 a ) 은 차례 로 적층 된 제 1 금속 함유 패턴 ( 115 a ) , 제 1 식각 배리 어 도전 패턴 ( 162 a ) 및 제 1 금속 패턴 ( 170 a ) 을 포함 할 수 있 다 . 상기 제 2 게이트 전극 ( 175 b ) 은 차례 로 적층 된 제 2 금속 함유 패턴 ( 115 b ) , 제 2 식각 배리 어 도전 패턴 ( 162 b ) , 확산 배리 어 도전 패턴 ( 164 b ) 및 제 2 금속 패턴 ( 170 b ) 을 포함 할 수 있 다 . 일 실시 예 에 따르 면 , 상기 제 2 금속 함유 패턴 ( 115 b ) 은 도전 성 금속 질화물 을 포함 할 수 있 다 . 상기 제 1 금속 함유 패턴 ( 115 a ) 은 상기 제 2 금속 함유 패턴 ( 115 b ) 내 원소 들 과 동일 한 원소 들 , 및 상기 제 1 금속 패턴 ( 170 a ) 내 금속 원소 와 동일 한 금속 원소 를 포함 할 수 있 다 . 이 에 따라 , 상기 제 1 금속 함유 패턴 ( 115 a ) 및 제 2 금속 함유 패턴 ( 115 b ) 은 서로 다른 일함수 를 가질 수 있 다 . 일 실시 예 에 따르 면 , 상기 제 1 금속 패턴 ( 170 a ) 내 금속 원소 가 상기 제 1 금속 함유 패턴 ( 115 a ) 내 로 확산 되 어 , 상기 제 1 금속 함유 패턴 ( 115 a ) 이 상기 제 1 금속 패턴 ( 170 a ) 내 금속 원소 와 동일 한 금속 원소 를 포함 할 수 있 다 . 상기 제 1 금속 패턴 ( 170 a ) 은 상기 제 1 금속 함유 패턴 ( 115 a ) 에 비하 여 낮 은 비저항 을 갖 는 금속 을 포함 할 수 있 다 . 이 에 더 하 여 , 상기 제 1 금속 패턴 ( 170 a ) 은 상기 제 2 금속 함유 패턴 ( 115 b ) 과 다른 일함수 를 갖 는 금속 을 포함 할 수 있 다 . 예컨대 , 상기 기판 ( 100 ) 이 실리콘 기판 이 고 , 상기 제 1 트랜지스터 가 엔 모스 트랜지스터 이 며 , 상기 제 2 트랜지스터 가 피 모스 트랜지스터 인 경우 에 , 상기 제 2 금속 함유 패턴 ( 115 b ) 은 질화 티타늄 을 포함 할 수 있 으며 , 상기 제 1 금속 패턴 ( 170 a ) 은 알루미늄 을 포함 할 있 으며 , 상기 제 1 금속 함유 패턴 ( 115 a ) 은 질소 , 티타늄 및 알루미늄 을 포함 할 수 있 다 . 이 로써 , 상기 제 1 금속 함유 패턴 ( 115 a ) 의 일함수 는 상기 제 2 금속 함유 패턴 ( 115 b ) 의 일함수 에 비하 여 실리콘 의 전 도 대 가장자리 의 에너지 준위 에 근접 하 고 , 상기 제 2 금속 함유 패턴 ( 115 b ) 의 일함수 는 상기 제 1 금속 함유 패턴 ( 115 a ) 의 일함수 에 비하 여 실리콘 의 가전 자대 의 에너지 준위 에 근접 할 수 있 다 .