한편 본 발명 에 의하 면 , 산화 실리콘 층 ( 101 , 102 ) 각각 은 압축 형태 의 스트레스 를 가지 며 , 질화 실리콘 층 ( 201 ) 은 인장 형태 의 스트레스 를 가지 는 것 이 바람직 하 다 . 그래야 만 , 서로 다른 형태 의 스트레스 를 가지 면서 교대 로 적층 된 막 이 외부 의 충격 이나 휘어짐 에 강인 해진다 . 또한 , 배리 어막 ( 100 ) 상 에 형성 된 박막 트랜지스터 및 전자 소자 에 스트레스 면 에서 영향 을 주 지 않 는 플렉서블 디스플레이 용 기판 ( 1000 ) 을 실현 할 수 있 다 .