간접 방식 디지털 방사선 디텍터 는 X - 선 등 방사선 을 흡수 하 여 가시광선 을 발생 하 는 섬광체 , 및 발생 한 가시광선 을 전기 적 신호 로 읽 기 위한 포토다이오드 ( PD ) 를 포함 하 는 CMOS ( Complementary Metal Oxide Semiconductor ) 및 CCD ( Charge Coupled Device ) 등 의 이미지 센서 로 구성 된다 . 간접 방식 의 방사선 디텍터 에 사용 되 는 섬광체 로서 수십 내지 수백 μ m 의 두께 를 가지 는 Gd 2 O 2 S ( Tb ) , Gd 2 O 2 ( Eu ) 물질 등 다양 한 분 말 형 섬광체 ( powdered phosphor ) 가 시도 되 고 있 으며 , 또한 , 빛 의 퍼짐 을 줄여 공간 분해능 을 향상 시키 기 위한 섬광체 로서 물리 적 기상 증착 장비 ( physical vapor deposition , PVD ) 를 통하 여 바늘 기둥 형태 ( columnar or needle shape ) 로 형성 되 는 미세 구조 형 섬광체 ( structured phosphor ) 가 시도 되 고 있 다 .