본 발명 에 따른 리튬 프리 도핑 된 리튬 이 차 전지 음극 소재 용 SiOx 입자 의 제조 방법 은 ( a ) 실리콘 ( Si ) 을 유도 용융 하 여 용탕 상태 의 실리콘 을 형성 하 는 단계 ; 및 ( b ) 상기 용탕 상태 의 실리콘 에 리튬 소스 와 산화 소스 를 공급 하 여 , SiOx 입자 에 리튬 을 프리 도핑 하 는 단계 ; 를 포함 하 고 , 상기 SiOx 입자 에 리튬 을 프리 도핑 하 는 단계 에서 리튬 산화물 또는 / 및 리튬 실리콘 산화물 을 포함 하 는 비 가 역상 이 형성 되 는 것 을 특징 으로 한다 .