실시 예 10 . 실시 예 7 에 있 어서 , 상기 제 1 금속 은 루테늄 ( Ru ) 을 포함 하 고 , 상기 바텀 업 퇴적 은 상기 아래 의 전도성 스택 의 전도성 표면 상 에 Ru 를 선택 적 으로 퇴적 하 며 , 상기 아래 의 전도성 스택 은 상기 전계 효과 트랜지스터 상 에 놓이 는 콘 택 특징 부 및 상기 콘 택 특징 부 상 에 놓이 는 비아 특징 부를 포함 하 는 것 인 , 반도체 디바이스 구조물 을 형성 하 는 방법 .