모든 예시 디바이스 를 고 진공 ( < 10 - 7 Torr ) 열 증발 로 제작 하 였 다 . 애노드 전극 은 1 , 150 Å 의 인듐 주석 산화물 ( ITO ) 이 었 다 . 캐소드 는 10 Å 의 Liq ( 8 - 히드록시 퀴놀린 리튬 ) 다음 에 1 , 000 Å 의 Al 으로 이루 어 졌 다 . 모든 디바이스 는 제작 직후 질소 글로브 박스 ( < 1 ppm 의 H 2 O 및 O 2 ) 에 에폭시 수지 로 밀봉 된 유리 뚜껑 으로 캡슐 화 되 었 고 , 수분 게터 는 패키지 내 에 통합 되 었 다 . 디바이스 예의 유기 스택 은 순차 적 으로 , ITO 표면 으로부터 , 정공 주입 층 ( HIL ) 으로서 의 100 Å 의 HAT - CN ; 정공 수송 층 ( HTL ) 으로서 의 400 Å 의 HTM ; 전자 차단 층 ( EBL ) 으로서 의 50 Å 의 EBM ; 적색 호스트 로서 의 RH 1 및 0 . 2 % 의 NIR 이미터 를 함유 하 는 400 Å 의 발광 층 ( EML ) , 차단 층 ( BL ) 으로서 의 50 Å 의 BM ; 및 전자 수송 층 ( ETL ) 으로서 의 35 % 의 ETM 으로 도핑 된 300 Å 의 Liq ( 8 - 히드록시 퀴놀린 리튬 ) 으로 이루 어 졌 다 . 도 31 은 대략 적 인 디바이스 구조 를 나타낸다 . 하 기 표 1 은 디바이스 층 및 물질 의 두께 를 나타낸다 .