자기 메모리 ( 150 ) 는 향상 된 성능 을 가질 수 있 다 . 자유 층 ( 162 ) 은 스핀 궤도 상호 작용 토크 및 스핀 궤도 상호 작용 활성 층 ( 170 ) 을 통해 면 - 내 로 구동 되 는 전류 를 사용 하 여 프로그래밍 될 수 있 다 . 따라서 , 자기 접합부 ( 160 ) 를 통해 면 - 수직 으로 구동 된 전류 로 인해 발생 할 수 있 는 자기 접합부 ( 160 ) 의 손상 을 방지 할 수 있 다 . 자유 층 ( 162 ) 은 더 높 은 감쇠 상수 를 갖 는다 . 결과 적 으로 , 스핀 궤도 상호 작용 토크 를 이용한 스위칭 은 빠를 수 있 다 . 그러나 , 자유 층 ( 162 ) 이 경사진 자화 용 이축 을 갖 지 않 는 경우 , 외부 자기장 이 자유 층 ( 112 ) 이 스위칭 하 는 최종 상태 를 선택 하 도록 인가 될 수 있 다 . 따라서 , 자기 메모리 ( 150 ) 의 성능 이 향상 될 수 있 다 .