도 3 a 를 참조 하 면 , 소자 분리 영역 및 활성 영역 으로 구획 된 실리콘 기판 ( 300 ) 에 대해 1 차 선택 적 에피 택 셜 성장 ( Selective Epitaxial Growth : 이하 , " "" SEG "" 라 칭함 ) 공정 을 수행 하 여 상기 실리콘 기판 ( 300 ) 상 에 에피 실리콘 게르마늄 ( EpiSiGe ) 막 ( 302 ) 을 형성 한다 . "