본 발명 에 적용 되 는 HIT 태양 전지 는 일반 적 인 결정질 실리콘 태양 전지 와 같이 , N 형 결정질 실리콘 기판 ( 1 ) 의 양쪽 표면 을 습식 또는 건식 식각 하 여 표면 텍스처 를 형성 한 뒤 에 , 양면 에 진성 의 a - Si : H 패 시베이 션 층 ( 21 , 22 ) 을 형성 하 고 , 두 개 의 패 시베이 션 층 ( 21 , 22 ) 에 P 형 a - Si : H 층 ( 31 ) 과 N 형 a - Si : H 층 ( 32 ) 을 형성 하 며 , 표면 에 ITO 재질 의 투명 전도 층 ( TCO ) ( 41 , 42 ) 을 형성 한 뒤 에 상부 전극 ( 50 ) 과 하부 전극 ( 60 ) 을 형성 하 여 제조 된 것 을 사용 할 수 있 다 . 그러나 도 7 에 도시 된 바 와 같 은 구조 에 한정 되 는 것 은 아니 고 , 다양 한 기술 발전 에 따라 박 형 화 , 고출력 화 된 HIT 태양 전지 를 사용 할 수 도 있 다 .