도 3 a 를 참조 하 면 , 상부 기판 ( 100 ) 의 화소 부 와 외곽 부 를 구비 한 제 1 기판 ( 310 ) 을 준비 하 고 , 상기 제 1 기판 ( 310 ) 의 화소 부 에 도전 성 금속 물질 을 스퍼터링 ( Sputtering ) 또는 진공 증착 법 ( Evaporation ) 을 수행 하 여 증착 후 사진 식각 ( Photolithography ) 공정 에서 형성 된 마스크 ( mask ) 를 이용 하 여 패 터닝 하 여 일정 간격 이격 된 게이트 전극 ( 320 ) 을 형성 한다 .