이 들 과제 에 대해서 , 본 개시 에 따른 성막 장치 에 있 어서 는 O 링 ( 62 ) 의 주위 에 다공질 부재 ( 6 ) 를 배치 함 으로써 , 제 1 배관 부재 ( 4 A ) 및 제 2 배관 부재 ( 4 B ) 의 사이 를 흐르 는 가스 의 컨덕턴스 를 높 게 하 고 있 다 . 그 결과 , 주위 의 대기 가 제 1 배관 부재 ( 4 A ) 와 제 2 배관 부재 ( 4 B ) 의 간극 에 진입 했 다고 하 여도 , O 링 ( 62 ) 이 마련 되 어 있 는 다공질 부재 ( 6 ) 의 중심 측 의 영역 에 도달 하 기 어려워진다 . 이 와 같이 O 링 ( 62 ) 주위 의 대기 의 농도 를 저하 시키 는 것 에 의해 , O 링 ( 62 ) 을 투과 하 여 진공 챔버 ( 10 ) 로 의 대기 의 진입 을 억제 할 수 있 다 . 또한 , 공지 된 개스킷 과 는 상이 하 게 , 다공질 부재 ( 6 ) 자체 가 제 1 배관 부재 ( 4 A ) 의 단부 면 이나 제 2 배관 부재 ( 4 B ) 의 대향 면 에 밀착 하 여 가스 의 흐름 형성 을 저해 하 는 기능 을 가질 필요 는 없 다 .