상기 방법 은 상기 복수 의 메모리 셀 을 프로그래밍 하 기 위해 복수 의 프로그램 동작 을 수행 하 는 단계 , 각각 의 상기 복수 의 프로그램 동작 후 에 , 상기 복수 의 메모리 셀 의 임계 전압 이 적어도 하나 의 검증 전압 보다 큰 지 를 결정 하 기 위해 적어도 하나 의 임계 전압 테스트 를 수행 하 는 단계 , 제 1 메모리 셀 의 임계 전압 이 미리 정해진 프로그래밍 상태 보다 낮 은 프로그래밍 상태 에 대응 하 는 검증 전압 보다 더 크 다고 결정 될 때 , 다음 프로그램 동작 동안 상기 제 1 메모리 셀 이 프로그래밍 되 는 것 을 방지 하 는 단계 , 및 상기 제 2 메모리 셀 의 임계 전압 이 미리 정해진 프로그래밍 상태 보다 낮 지 않 은 프로그래밍 상태 에 대응 하 는 검증 전압 보다 새롭 게 더 커진다고 결정 될 때 , 다음 프로그램 동작 동안 상기 제 2 메모리 셀 을 계속 프로그래밍 하 는 단계 를 포함 한다 .