제 2 마스크 패턴 ( PR 2 ) 및 하드 마스크 패턴 ( HM ) 을 식각 마스크 로 이용 하 여 적층 체 ( ML ) 를 식각 하 는 함몰 식각 공정 이 수행 될 수 있 다 . 함몰 식각 공정 의 식각 깊이 는 제 2 깊이 ( d 2 ) 를 가질 수 있 다 . 제 2 깊이 ( d 2 ) 는 제 2 물질 막 들 ( 24 ) 의 수직 적 피치 의 M ( 여기 서 , M 는 2 이상 의 자연수 ) 배 일 수 있 다 . 제 2 깊이 ( d 2 ) 는 제 1 깊이 ( d 1 ) 보다 클 수 있 다 . 제 2 마스크 패턴 ( PR 2 ) 은 포토 리소그래피 공정 을 이용 하 여 형성 될 수 있 으며 , 함몰 식각 공정 이후 에 제거 될 수 있 다 .