제 6 실시 예 에서 는 먼저 , 제 1 실시 예 와 마찬가지 로 , 컨 택트 플러그 ( 29 s , 29 d ) 의 형성 까지 의 처리 를 행한다 . 다음 , 도 8 a 에 나타나 있 는 바 와 같이 전체 면 에 , 플라 즈 마 CVD 법 등 에 의해 두께 가 100 nm 정도 인 실리콘 산질 화 막 ( 71 ) 을 , 컨 택트 플러그 ( 29 s , 29 d ) 의 산화 방지 막 으로서 형성 한다 .