각 감지 모듈 ( 480 ) 은 도 12 a 및 도 12 b 에 도시 된 종래 의 감지 모듈 ( 480 ') 과 유사 하 다 . 하나 의 차이 는 메모리 셀 의 감지 된 결과 에 따른 세트 인 신호 INV 에 의해 제어 된 트랜스퍼 게이트 ( 750 ) 가 통합 된 것 이 다 . 바람직 한 실시 예 에서 , 트랜스퍼 게이트 ( 750 ) 는 p - 트랜지스터 ( 752 ) 와 n - 트랜지스터 ( 754 ) 를 포함 한다 . 트랜스퍼 게이트 의 제 1 노드 는 n - 트랜지스터 ( 754 ) 의 드레 인 에 결합 된 p - 트랜지스터 ( 752 ) 의 소스 를 갖 는다 . 트랜스퍼 게이트 의 제 2 노드 는 n - 트랜지스터 ( 754 ) 의 소스 에 결합 된 p - 트랜지스터 의 드레 인 을 갖 는다 . 2 개 의 노드 는 COM 1 노드 ( 481 ) 과 노드 ( 483 ) 를 교차 하 여 연결 된다 . 노드 ( 483 ) 는 신호 COM 2 를 운반 하 고 , 트랜스퍼 게이트 ( 750 ) 과 비트 라인 전압 클램프 ( 610 ) 사이 에 위치 한다 . p - 트랜지스터 ( 752 ) 는 신호 INV 에 의해 게이트 되 고 n - 트랜지스터 ( 754 ) 는 INV * 에 의해 게이트 되 며 , 이 는 INV 의 반전 이 다 .