강유전체 커패시터 를 덮 는 알루미늄 산화 막 을 형성 한다 . 다음 , 알루미늄 산화 막 에 , 상부 전극 의 일부 를 노출 하 는 개구부 ( 51 t ) 및 하부 전극 의 일부 를 노출 하 는 개구부 ( 5 lb ) 를 형성 한다 . 그 후 , 막 ( 23 ∼ 26 ) 을 형성 하 고 , 레지스 트 패턴 ( 92 ) 을 형성 한다 . 그리고 , 레지스 트 패턴 ( 92 ) 을 마스크 로 하 여 막 ( 23 ∼ 26 ) 의 에칭 을 행함 으로써 컨 택트 홀 ( 27 t , 27 b ) 을 형성 한다 . 이 때 , 알루미늄 산화 막 에 개구부 ( 51 t , 5 lb ) 가 형성 되 어 있 기 때문 에 , 알루미늄 산화 막 을 가공 할 필요 가 없 다 . 따라서 , 용이 하 게 컨 택트 홀 ( 27 t , 27 b ) 을 형성 할 수 있 다 .