벽부 물질 이 경화 되 면 , 다 이싱 공정 을 통해 각 발광 다이오드 칩 을 기준 으로 분리 하 고 , 상면 을 그라인딩 하 여 투명 부 ( 130 ) 의 높이 에 맞 게 제 1 벽부 ( 140 ) 를 형성 할 수 있 다 . 이러 한 공정 을 통해 제 1 벽부 ( 140 ) 는 도 3 의 ( e ) 에 도시 된 바 와 같이 , 발광 다이오드 칩 과 투명 부 ( 130 ) 의 측면 에 접하 고 소정 의 두께 를 가지 도록 배치 될 수 있 다 .