이러 한 구조 를 갖 는 메모리 셀 어레이 구조 에 대해 순차 적 기입 방식 을 이용 하 여 워드 라인 ( WL 31 ) 부터 워드 라인 ( WL 0 ) 까지 기입 동작 을 수행 하 는 경우 , 첫 번 째 기입 동작 이 수행 된 워드 라인 ( WL 31 ) 과 연결 된 메모리 셀 의 문턱 전압 이 2 V 라고 가정 하 면 , 워드 라인 ( WL 30 ~ WL 1 ) 과 각각 연결 된 메모리 셀 의 문턱 전압 은 간섭 효과 에 기인 하 여 2 . 5 V 로 상승 하 게 된다 . 하지만 , 마지막 으로 기입 동작 이 수행 되 는 워드 라인 ( WL 0 ) 과 연결 된 메모리 셀 의 문턱 전압 은 적어도 2 . 5 V 보다 높 게 된다 . 그 이유 는 워드 라인 ( WL 0 ) 의 선폭 이 다른 워드 라인 ( WL 1 ~ WL 30 ) 의 선폭 보다 크 기 때문 이 다 . 즉 , 워드 라인 의 선폭 이 크 다는 것 은 데이터 를 저장 하 는 플로팅 게이트 의 선폭 ( 면적 ) 또한 크 다는 것 - 동일 공정 으로 패 터닝 되 기 때문 - 을 의미 하 며 , 이 는 곧 동일 바이어스 조건 하 에서 더 많 은 전자 들 이 주입 되 어 그 만큼 문턱 전압 이 상승 한다는 것 을 의미 한다 .