일부 메모리 아키텍처 에서 , 메모리 셀 ( 205 ) 을 액세스 하 는 것 이 메모리 셀 ( 205 ) 에 저장 된 논리 상태 를 열화 ( degrade ) 또는 파괴 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 강유 전 성 메모리 셀 상 에서 수행 되 는 읽 기 동작 이 강유 전 성 커패시터 에 저장 된 논리 상태 를 파괴 할 수 있 다 . 또 다른 예 를 들 면 , DRAM 아키텍처 에서 수행 되 는 읽 기 동작 이 타깃 메모리 셀 의 커패시터 를 부분 적 으로 또는 완전히 방전 시킬 수 있 다 . 로컬 메모리 제어기 ( 265 ) 는 메모리 셀 을 이 의 본래 논리 상태 로 복귀 시키 기 위해 다시 - 쓰 기 동작 또는 리 프레시 동작 을 수행 할 수 있 다 . 로컬 메모리 제어기 ( 265 ) 는 읽 기 동작 후 논리 상태 를 타깃 메모리 셀 에 다시 쓸 수 있 다 . 일부 경우 , 다시 - 쓰 기 동작 은 읽 기 동작 의 일부 로 간주 될 수 있 다 . 덧붙여 , 단일 액세스 라인 , 가령 , 워드 라인 ( 210 ) 을 활성 화 하 는 것 이 액세스 라인 과 전자 통신 하 는 일부 메모리 셀 에 저장 된 상태 를 교란 시킬 수 있 다 . 따라서 , 다시 - 쓰 기 동작 또는 리 프레시 동작 이 액세스 되 지 않 았 을 수 있 는 하나 이상 의 메모리 셀 상 에서 수행 될 수 있 다 .