고 효율 단전 자 트랜지스터 나온다 . ... 신현석 UNIST 교수 팀 ' 그래핀 양자 점 ' 제조 기술 개발 
 초미세 반도체 입자 인 ' 그래핀 양자 점 ' 을 불순물 없이 원 하 는 크기 로 만들 수 있 는 기술 이 개발 됐 다 . 차세대 전자 기기 소자 로 주목 받 는 ' 단전 자 트랜지스터 ' 의 상용 화 에 기여 할 전망 이 다 . 
 UNIST ( 총장 정무영 ) 는 신현석 자연 과 학부 교수 팀 이 단 전자 트랜지스터 에 적용 가능 한 ' 그래핀 양자 점 ' 을 불순물 이 없 는 상태 로 만들 어 낼 수 있 는 ' 2 차원 평면 복합체 제조 기술 ' 을 개발 했 다고 16 일 밝혔 다 . 
 신 교수 팀 은 복합체 에서 얻 은 그래핀 양자 점 을 이용 , 전자 하나 만 을 제어 해 신호 를 전달 하 는 ' 수직 터널 링 단 전자 트랜지스터 ' 도 구현 했 다 . 이 연구 성과 를 담 은 논문 은 네이처 커뮤니케이션 즈 16 일자 온라인 판 에 실렸 다 . 
 ' 그래핀 양자 점 ' 은 단 전자 트랜지스터 를 구현 할 수 있 는 나노미터 ( ㎚) 크기 의 핵심 물질 이 다 . 전류 를 흘리 거나 빛 을 쪼이 면 발광 특성 을 나타내 차세대 디스플레이 , 바이오 이미 징 , 센서 등 소재 로 각광 받 고 있 다 . 에너지 소비 는 적 고 , 정보 처리 속도 는 빨라 차세대 양자 정보 통신 소재 로 도 활용 할 수 있 다 . 
 지금 까지 는 흑연 덩어리 를 얇 게 벗겨 내 는 화학 적 박리 법 으로 만들 었 는데 , 원 하 는 크기 의 그래핀 양자 점 을 얻 기 힘들 고 , 가장 자리 에 는 각종 불순물 이 묻 어 전자 의 흐름 을 방해 한다 . 
 신 교수 팀 은 백금 ( Pt ) 나노 입자 를 배열 한 실리카 ( SiO ₂ ) 기판 위 에 그래핀 과 구조 적 으로 유사 한 ' 육방정계 질화붕소 ( h - BN ) ' 를 전사 하 고 , 이 를 메탄 ( CH ₄ ) 기체 속 에서 열처리 하 는 방법 으로 이 문제 를 해결 했 다 . 
 백금 나노 입자 의 크기 를 제어 해 7 ~ 13 ㎚ 정도 에서 그래핀 양자 점 배열 크기 를 선택 적 으로 조절 하 는 데 성공 , 가장 자리 까지 질화붕소 와 화학 결합 을 이뤄 불순물 을 최소 화 했 다 . 
 이 그래핀 양자 점 으로 구현 한 ' 수직 터널 링 단 전자 트랜지스터 ' 는 2 차원 물질 을 층층이 쌓 은 구조 에서 전자 가 이동하 는 ' 터널 링 ( Tunneling ) ' 현상 을 이용 해 만든 트랜지스터 다 . 전자 를 1 개 씩 잡 아 두 거나 보낼 수 있 어 단 전자 트랜지스터 의 상용 가능 성 을 한층 높인 것 으로 평가 받 고 있 다 . 
 신현석 교수 는 “ 그래핀 과 육방정계 질화붕소 로 그래핀 양자 점 을 만들 고 , 이 를 층층이 쌓 아 수직 터널 링 단 전자 트랜지스터 를 구현 한 것 을 세계 처음 ” 이 라면서 “ 그래핀 양자 점 기반 단전 자 트랜지스터 개발 과 이 를 이용 한 차세대 전자 기기 상용 화 에 기여 할 것 ” 이 라 말 했 다 .