상술 한 바 와 같이 , 본 발명 에 따른 반도체 제조 장치 및 이 를 이용 한 제조 방법 은 웨이퍼 에 형성 된 각 층간 식각 공정 또는 하나 의 층 을 식각 하 는 공정 중 에서 도 메인 에치 ( Main Etch ) 및 오버 에치 ( Over Etch ) 로 분류 할 수 있 는 각 식각 단계 마다 웨이퍼 의 방향 을 회전 시킴 으로써 웨이퍼 전면 에 대한 식각 비율 이 균일 하 게 수행 될 수 있 도록 한다 . 이러 한 반도체 제조 방법 을 수행 하 기 위하 여 웨이퍼 가 놓여 지 는 웨이퍼 스테이지 의 중심부 에 진공 회전 핀 을 구비 시키 고 각 식각 단계 마다 진공 회전 핀 을 이용 하 여 웨이퍼 의 방향 을 변환 시킨다 . 여기 서 , 웨이퍼 상부 를 모니터링 하 고 , 플랫 존 을 이용 하 여 웨이퍼 의 위치 를 변경 시키 는 공정 은 종래 의 반도체 제조 장비 를 이용 하 여 용이 하 게 응용 할 수 있 으므로 본 발명 을 수행 하 기 위해서 는 별도 의 장치 나 비용 이 증가 하 지 않 는다 .