상기 한 목적 을 달성 하 기 위한 일 측면 에 따른 본 발명 은 게이트 라인 이 형성 된 기판 을 제공 하 는 단계 와 , 상기 게이트 라인 을 포함 하 는 전체 구조 상부 면 의 단차 를 따라 캡 핑 막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 캡 핑 막 을 산화 시키 는 단계 와 , 상기 산화 된 캡 핑 막 을 포함 하 는 전체 구조 상부 면 의 단차 를 따라 스 페이서 용 절 연막 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 반도체 소자 제조 방법 을 제공 한다