단계 323 은 , 도 4 의 ( 13 ) 에 도시 된 것 처럼 , 분무 전극 ( 115 ) 을 형성 하 기 위한 전처리 로써 , 제작 된 몰드 의 표면 에 금속 을 이용 하 여 금속 씨드 층 ( 45 ) 을 형성 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 금속 씨드 층 ( 45 ) 은 , 인접 한 물질 과 의 접착성 과 , 도금 효율 을 동시 에 향상 시키 기 위해 두 가지 이상 의 금속 을 이용 하 여 3 개 의 층 으로 형성 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 몰드 에 직접 닿 아 금속 씨드 층 ( 45 ) 을 형성 하 는 제 1 금속 층 은 , 제 2 금속 층 보다 몰드 에 대한 접착성 이 높 은 금속 으로 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 몰드 베이스 ( 40 ) 를 실리콘 으로 구성 한 경우 , 제 1 금속 층 은 티타늄 ( Ti ) 으로 형성 될 수 있 다 . 제 1 금속 층 위 에 적층 되 는 제 2 금속 층 은 , 제 1 금속 층 보다 전기 전도성 이 높 은 금속 으로 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 제 2 금속 층 으로 는 , 구리 ( Cu ) 또는 은 ( Ag ) 등 과 같 은 금속 이 증착 될 수 있 다 . 제 2 금속 층 위 에 적층 되 는 제 3 금속 층 은 , 제 2 금속 층 보다 어레이 베이스 ( 46 ) 에 대한 접착성 이 높 은 재료 로 선정 될 수 있 다 . 예 를 들 어 어레이 베이스 ( 46 ) 를 SU - 8 감광제 로 구성 한 경우 , 제 3 금속 층 은 티타늄 ( Ti ) 으로 형성 될 수 있 다 . 여기 서 , 각 금속 의 증착 은 열 증착 이나 스퍼터링 ( sputtering ) 방식 으로 수행 될 수 있 다 . 이상 의 3 개 의 금속 층 구조 에 의하 면 , 몰드 및 / 또는 어레이 베이스 ( 46 ) 로부터 금속 씨드 층 ( 45 ) 이 원치 않 게 탈락 되 는 문제 를 방지 하 면서 도 , 단계 33 에서 의 도금 효율 을 향상 시켜 분무 전극 ( 115 ) 형성 속도 를 향상 시킬 수 있 다 .