클립 배선 ( CLIP 1 ) 은 , 도면 의 우측 에 도시 하 는 바 와 같이 , 제 2 금속 배선 층 을 이용 하 여 형성 된다 . 더미 메모리 셀 ( DMC 3 ) 을 구성 하 는 래치 의 입출력 노드 의 한 쪽 을 , 전원 전압 ( VDD ) 에 클립 함 으로써 , 래치 의 입출력 노드 의 전압 을 고정 할 수 있 다 . 이 에 따라 , 데이터 를 유지 하 지 않 는 더미 메모리 셀 ( DMC 3 ) 의 래치 의 각 노드 가 플로팅 상태 가 되 는 것 을 방지 할 수 있 다 . 따라서 , 래치 를 구성 하 는 트랜지스터 의 게이트 가 차 지업 하 는 것 을 방지 할 수 있 다 . 이 결과 , 게이트 가 차 지업 에 의해 절연 불량 을 일으키 는 것 을 방지 할 수 있 거나 , 또는 , 차 지업 에 의해 래치 업 이 발생 하 는 것 을 방지 할 수 있 다 .