대개 게이트 스 페이서 형성 전 에 게이트 ( 304 b ) 를 이온 주입 마스크 로 하 여 소오 스 드레 인 영역 에 이온 주입 을 실시 하 여 소오 스 / 드레 인 ( 304 a ) 영역 을 형성 한다 . 게이트 스 페이서 ( 305 ) 형성 뒤 에 이온 주입 이 이루어질 수 도 있 으며 , 이온 주입 영역 에 대한 어닐링 을 실시 한다 . 반도체 기판 ( 300 ) 위 의 금속 불순물 , 유기 오염물 , 자연 산화 막 과 같 은 다양 한 대상물 을 제거 하 기 위하 여 필요 한 단계 마다 세정 공정 을 실시 할 수 있 다 .