또 , 반도체 를 이용 한 디바이스 는 고집 적 화 되 는 경향 이 있 다 . 반도체 를 이용 한 디바이스 의 제조 시 에 는 , 배선 의 미세화 ( 미세 가공 기술 이 라고 도 함 ) 나 3 D 화 ( 3 차원 실장 기술 이 라고 도 함 ) 가 필요 시 되 고 있 다 . 이 로 인하 여 , 반도체 제조 장치 및 반도체 제조 장치 에서 사용 하 는 정전 척 장치 의 사용 조건 이 엄격 해 지 고 있 다 . 이 와 같 은 사용 조건 의 변경 에 따라 , 양호 한 수 율 로 웨이퍼 를 처리 가능 한 정전 척 장치 가 요구 되 고 있 다 . 반도체 제조 장치 에 는 , ( i ) 웨이퍼 의 면내 온도 분포 ( 온도 차 ) 를 저감 시킬 것 이 나 , ( ii ) 심굴 ( 深 堀 ) 가공 기술 을 확실히 실시 가능 할 것 이 요구 된다 .