또한 , 폴리 실리콘 막 을 N 형 불순물 또는 P 형 불순물 이 도핑 된 폴리 실리콘 막 으로 사용 하 는 경우 불순물 이 상부 또는 하부 층 으로 확산 되 는 문제점 이 있 다 . 특히 , PMOS 에서 사용 되 는 P 형 불순물 이 도핑 된 폴리 실리콘 막 에서 문제점 이 심화 된다 . 하부 층 으로 확산 되 는 문제점 은 게이트 산화 막 의 표면 을 질화 시켜서 줄일 수 있 지만 상부 층 으로 확산 되 는 문제점 은 여전히 존재 한다 .