본 발명 의 양태 에 따르 면 , 반도체 장치 는 , 제 1 도 전형 을 가지 는 제 1 반도체 층 , 제 1 반도체 층 상 에 배치 되 어 있 는 PN 칼럼 층 및 제 2 도 전형 을 가지 고 , PN 칼럼 층 상 에 배치 된 제 2 반도체 층 을 포함 한다 . PN 칼럼 은 제 1 칼럼 층 및 제 2 칼럼 층 을 포함 한다 . 제 1 칼럼 층 은 제 1 반도체 층 상 에 배치 되 어 있 고 , 제 2 칼럼 층 은 제 1 칼럼 층 과 제 2 반도체 층 사이 에 배치 되 어 있 다 . 제 1 칼럼 층 과 제 2 칼럼 층 각각 은 제 1 도 전형 을 가지 는 제 1 칼럼 및 제 2 도 전형 을 가지 는 제 2 칼럼 을 포함 한다 . 제 1 칼럼 층 에서 의 제 1 칼럼 및 제 2 칼럼 은 PN 칼럼 층 과 제 1 반도체 층 사이 의 제 1 경계 에 평행 한 수평 방향 으로 교대 로 배열 되 어 있 다 . 제 2 칼럼 층 에서 의 제 1 칼럼 및 제 2 칼럼 은 PN 칼럼 층 과 제 2 반도체 층 사이 의 제 2 경계 에 평행 한 수평 방향 으로 교대 로 배열 되 어 있 다 . 제 1 칼럼 층 은 제 1 칼럼 에서 의 불순물 양 으로부터 제 2 칼럼 에서 의 불순물 양 을 공제 ( subtract ) 함 으로써 제 1 경계 로부터 소정 의 깊이 에서 정의 된 제 1 불순물 양 의 차이 를 가진다 . 제 2 칼럼 층 은 제 1 칼럼 에서 의 불순물 양 으로부터 제 2 칼럼 에서 의 불순물 양 을 공제 함 으로써 PN 칼럼 층 과 제 2 반도체 층 사이 의 제 2 경계 로부터 소정 의 깊이 에서 정의 된 제 2 불순물 양 의 차이 를 가진다 . 제 1 불순물 양 의 차 이 는 일정 하 고 양 ( positive ) 이 며 , 제 2 불순물 양 의 차이 는 일정 하 고 음 ( negative ) 이 다 .