[ 1 ] ( a ) 화학 증폭 형 레지스 트 조성물 로 막 을 형성 하 는 공정 , ( b ) 상기 막 을 노광 하 는 공정 , ( c ) 상기 노광 된 막 을 유기 용제 를 포함 하 는 현상액 을 사용 해서 현상 하 는 공정 , 및 ( d ) 상기 현상 된 막 을 유기 용제 를 포함 하 고 현상액 의 비중 보다 큰 비중 을 가진 린스 액 을 사용 해서 린 싱하 는 공정 을 포함 하 고 , 상기 현상액 은 부틸 아세테이트 , 이소아 밀 아세테이트 , 에틸 3 - 에 톡 시프 로 피오 네이트 및 2 - 헵탄 온 중 적어도 어느 하나 를 유기 용제 로서 포함 하 고 , 상기 린스 액 은 프로필렌글리콜 모노 메틸에테르 아세테이트 ( PGMEA ) , 아니솔 , 디 이소 아밀 에 테르 및 에 톡 시 벤젠 중 적어도 어느 하나 를 유기 용제 로서 포함 하 는 것 을 특징 으로 하 는 패턴 형성 방법 .