한편 , 도시 하 지 는 않 았 지만 , 도 2 a 의 비트 라인 스위칭 소자 ( BL _ SW ) 및 / 또는 워 드라인 스위칭 소자 ( WL _ SW ) 에 있 어서 , 제 1 및 제 2 접합 영역 내 에 제 1 및 제 2 추가 도핑 영역 이 형성 될 수 있 다 . 여기 서 , 제 1 및 제 2 추가 도핑 영역 의 불순물 농도 는 본 실시 예 의 제 2 추가 도핑 영역 ( 450 B ) 의 불순물 농도 보다 크 면서 제 1 추가 도핑 영역 ( 450 A ) 의 불순물 농도 와 동일 및 / 또는 유사 한 값 을 가질 수 있 고 , 실질 적 으로 서로 동일 할 수 있 다 .