기억 소자 ( 11 ) 는 상 변화 물질 ( GST ) 을 포함 한다 . 상 변화 물질 ( GST ) 은 Ge - Sb - Te 와 같이 온도 에 따라 저항 이 변하 는 가변 저항 소자 이 다 . 상 변화 물질 ( GST ) 은 온도 에 따라 2 개 의 안정 된 상태 , 즉 결정 상태 ( crystal state ) 및 비정질 상태 ( amorphous state ) 중 어느 하나 를 갖 는다 . 상 변화 물질 ( GST ) 은 비트 라인 ( BL ) 을 통해 공급 되 는 전류 에 따라 결정 상태 ( crystal state ) 또는 비정질 상태 ( amorphous state ) 로 변한다 . 상 변화 메모리 장치 는 상 변화 물질 ( GST ) 의 이러 한 특성 을 이용 하 여 데이터 를 프로그램 한다 .