그러나 상기 식 ( 2 ) 에서 CLC 와 CST 값 은 그 변동 폭 이 적 으며 어느 일정 한 값 을 갖 는 반면 , 게이트 전극 ( 8 ) 과 소오 스 전극 ( 10 ) 간 의 겹침 면적 ( D ) 에 의해 결정 되 는 Cgs 값 은 소오 스 전극 ( 10 ) 이 패 터닝 될 때 좌우 ( 左右 ) 오 정렬 ( misalignment ) 또는 좌우 ( 左右 ) 변동 ( shift ) 에 의해 큰 변동 폭 을 가지 는 것 이 현실 이 다 . 즉 , 포토 공정 의 공정 오차 에 의해 스위칭 소자 의 게이트 전극 ( 8 ) 과 소오 스 전극 ( 10 ) 이 겹치 는 면적 ( D ) 이 설계 치 보다 도 커질 수 있 는데 , 이 로 인해 Cgs 값 이 커져 균일 한 Δ VP 값 을 얻 을 수 없 게 된다 . 이 와 같이 , 상기 Cgs 값 의 변동 으로 인해 Δ VP 값 이 달라질 수 있 다 .