또한 , 제 1 실시 형태 에 관한 불휘발성 반도체 기억 장치 ( 100 ) 에서 , 소스 선 SLn ( 소스 선 도전 층 ( 65 ) ) 은 티타늄 ( Ti ) , 질화 티타늄 ( TiN ) 및 텅스텐 ( W ) 으로 구성 된다 . 따라서 , 제 1 실시 형태 에 관한 불휘발성 반도체 기억 장치 ( 100 ) 는 소스 선 SLn 을 폴리 실리콘 등 의 반도체 로 구성 한 경우 와 비교 하 여 판독 속도 를 향상 시킬 수 있 다 .