도 23 에 나타내 듯이 , 하부 전극 ( 22 b ) 은 , 게이트 절 연막 ( 23 ) 에 의해 피복 되 고 , 게이트 절 연막 ( 23 ) 상 에 는 하부 전극 ( 22 b ) 에 대향 하 는 위치 에 , 산화물 반도체 로 이루어진 에칭 스토퍼 층 ( 24 b ) 이 배치 된다 . 에칭 스토퍼 층 ( 24 b ) 상층 에 는 상부 메탈 ( 25 b ) 이 형성 된다 . 그리고 , 에칭 스토퍼 층 ( 24 b ) 을 피복 하 는 보호막 ( 26 ) 에 는 , 상부 메탈 ( 25 b ) 을 관통 하 여 에칭 스토퍼 층 ( 24 b ) 에 도달 하 는 보조 용량 콘택트 홀 ( 27 b ) 이 형성 되 고 , 에칭 스토퍼 층 ( 24 b ) 중 보조 용량 콘택트 홀 ( 27 b ) 표면 에 노출 하 는 부분 을 포함 하 는 영역 은 , 그 이외 의 부분 보다 저 저항 화 되 어 저 저항 영역 ( 24 bt ) 에 형성 되 고 , 이 들 이 보조 용량 소자 ( Cs ) 를 구성 한다 .