이 에 따라 , EEFL 제조 장치 ( 100 ) 는 유리관 ( 30 ) 내부 의 불순물 을 배출 하 고 방전 가스 를 주입 한 후 에 , 제 1 토치 노즐 ( 164 ) 을 이용 하 여 제 1 오 목부 ( 31 ) 를 1 차 적 으로 컷팅 하 여 유리관 ( 30 ) 을 밀봉 한 다음 , 열전 도 막대 ( 170 ) 를 이용 하 여 수은 삽입 공간 ( 35 ) 을 고주파 가열 하 여 수은 을 유리관 ( 30 ) 내부 로 주입 시키 고 마지막 으로 , 제 2 토치 노즐 ( 165 ) 를 이용 하 여 제 2 오 목부 ( 33 ) 를 2 차 적 으로 컷팅 하 여 유리관 ( 30 ) 을 밀봉 함 으로써 외부 전극 형광 램프 를 제조 하 는 것 이 다 . 이때 , 수은 삽입 공간 ( 35 ) 으로 고주파 가열 이 되 면 , 게터 ( 50 ) 내부 에 존재 하 는 고체 수은 ( 60 ) 이 기체 상태 로 변형 이 되 면서 그 압력 으로 인해 게터 ( 50 ) 에 균열 이 생기 게 되 는데 , 이 에 기체 상태 로 변형 된 수 은 이 게터 ( 50 ) 의 균열 진 부분 을 통해 빠져 나와 유리관 ( 30 ) 내부 로 유입 되 는 것 이 다 .