상기 FET 센서 ( 200 ) 의 측면 부 라 함 은 반도체 제조 공정 중 단위 소자 를 생산 하 기 위해 형성 되 는 소 잉 ( sawing ) 영역 의 양 측벽 을 포함 한다 . 즉 , 도 3 g 를 참조 하 면 , 반도체 제조 공정 특성 상 하나 의 wafer 에서 다수 의 반도체 소자 가 생산 되 는데 , 이때 단위 소자 ( 310 ) 를 분리 하 기 위해 일정 한 영역 ( 320 ) 이 형성 되 게 된다 . 이러 한 영역 을 소 잉 영역 ( 320 ) 이 라고 하 며 , 단위 소자 ( 310 ) 가 분리 되 면 소 잉 영역 ( 320 ) 의 각 측벽 ( 321 ) 은 FET 센서 ( 200 ) 의 측면 부 를 이루 게 되 는 것 이 다 .