이어서 , 셀 영역 에 형성 된 소자 분리 막 용 절 연막 ( 203 ) 의 EFH 를 조절 하 기 위한 식각 공정 을 실시 한다 . 즉 , 주변 회로 영역 - 셀 을 구동 시키 기 위한 구동회 로 , 예컨대 디코더 ( decoder ) , 페이지 버퍼 ( page buffer ) 등 이 형성 될 영역 - 은 덮이 고 , 셀 영역 은 개방 된 감광막 패턴 을 이용 하 고 , 상기 패드 질화 막 을 식각 장벽층 으로 이용 한 식각 공정 을 실시 하 여 절 연막 ( 203 ) 을 선택 적 으로 상기 트렌치 의 내부 로 후퇴 시킨다 . 이때 , 식각 공정 은 질화 막 에 대한 높 은 식각 선택 비 를 갖 는 BHF ( Buffered HF ) 또는 BOE ( Buffered Oxide etch ) 용액 - 탈 이온 수에 HF 가 혼합 된 용액 - 을 사용 하 는 것 이 바람직 하 다 .