다음 , 제 1 제어 전극 ( GE 1 ) 과 제 2 제어 전극 ( GE 2 ) 을 마스크 로 이용 하 여 제 1 예비 반도체 패턴 ( PS 1 - P ) 및 제 2 예비 반도체 패턴 ( PS 2 - P ) 을 도핑 할 수 있 다 . 제 1 제어 전극 ( GE 1 ) 과 제 2 제어 전극 ( GE 2 ) 에 중첩 하 는 영역 ( 이하 , 채널 영역 ) 은 미 도핑 되 고 , 채널 영역 의 양측 영역 들 ( 입력 영역 및 출력 영역 ) 이 도핑 된다 . 본 실시 예 에서 n 타입 도 펀트 , 즉 5 가 원소 를 이용 하 여 도핑 할 수 있 다 .