이러 한 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 바람직 한 실시 예 에 따르 면 , 반도체 기판 상 에 제 1 도전 층 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 제 1 도전 층 상부 에 대해 선택 적 증착 을 진행 하 여 선택 적 증착 막 을 형성 한 후 층간 절 연막 을 도포 하 는 단계 와 , 상기 결과물 상 에 포토레지스트 를 도포 한 후 포토 공정 을 통해 비 아홀 용 포토레지스트 패턴 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 비 아홀 용 포토레지스트 패턴 을 마스크 로 하 여 상기 층간 절 연막 을 1 차 식각 함 으로써 비 아홀 영역 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 비 아홀 용 포토레지스트 패턴 을 제거 하 고 제거 된 결과물 상 에 포토레지스트 를 도포 한 후 포토 공정 을 통해 트렌치 형성 용 포토레지스트 패턴 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 트렌치 형성 용 포토레지스트 패턴 을 마스크 로 하 여 상기 층간 절 연막 을 2 차 식각 함 으로써 트렌치 배선 영역 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 트렌치 형성 용 포토레지스트 패턴 을 제거 하 고 제거 된 결과물 상 에 제 2 도전 층 을 적층 하 여 비 아홀 영역 및 트렌치 배선 영역 내부 를 충 진하 는 단계 와 , 상기 제 2 도전 층 이 충 진 되 면 연마공 정 을 진행 하 여 상기 제 2 도전 층 이 상기 비 아홀 영역 및 트렌치 배선 영역 에 만 잔존 하 게 함 으로써 비아 접촉 부 및 배 선부 를 각각 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 반도체 다 마신 공정 에서 의 금속 배선 형성 방법 을 제공 한다 .