제 1 홈 부 ( 48 ) 는 반도체 장치 ( 12 ) 의 모서리 ( 12 B ) 로부터 반도체 장치 ( 12 ) 의 모서리 ( 12 C ) 를 향해 가 는 위치 에서 , 제 1 홈 부 ( 48 ) 의 폭 이 연속 적 으로 협소 해 지 도록 형성 된다 . 모서리 ( 12 B ) 는 반도체 장치 ( 12 ) 의 측면 ( 12 - 2 ) 과 , 반도체 장치 ( 12 ) 의 측면 ( 12 - 3 ) 사이 로 규정 된다 . 모서리 ( 12 C ) 는 반도체 장치 ( 12 ) 의 측면 ( 12 - 3 ) 과 , 반도체 장치 ( 12 ) 의 측면 ( 12 - 4 ) 사이 로 규정 된다 .