도 2 에 나타내 는 본 실시 예의 반도체 레이저 는 , p - BDR 층 에 도프 된 도 팬 트 의 공정 기인 열 에 기인 하 는 확산 을 방지 할 수 있 다 . 이 확산 방지 는 p - 콘 택 층 에 C 와 함께 도프 되 는 도 팬 트 ( 이후 , 확산 억제 도 팬 트 라고 칭한다 ) 인 Zn 에 의한 효과 이 다 . 즉 , 공정 기인 열 에 기인 하 는 p - BDR 층 에 도프 된 Zn 의 p - 콘 택 층 으로 의 확산 은 , 확산 억제 도 팬 트인 Zn 에 의해 억제 된다 . 이러 한 효과 를 얻 기 위해서 는 , 확산 억제 도 팬 트 는 , p - BDR 층 에 도프 되 는 도 팬 트 와 동일 할 필요 가 있 다 . 따라서 , 본 실시 예 에서 확산 억제 도 팬 트 로서 Zn 이 도프 되 어 있 다 .