반도체 집 적 회로 를 제조 하 는 방법 은 , 반도체 웨이퍼 를 할단 처리 에 의해 칩 ( 다이 ) 으로 가공 하 기 위해 반도체 웨이퍼 에 홈 을 형성 하 고 , 또한 반도체 웨이퍼 를 연삭 하 여 두께 를 얇 게 하 는 하프 컷 공정 과 , 하프 컷 공정 후 의 반도체 웨이퍼 를 연삭 하 여 두께 를 얇 게 하 는 백 그라인 드 공정 과 , 백 그라인 드 공정 후 의 반도체 웨이퍼 의 일면 ( 예 를 들 어 , 회로 면 과 는 반대 측 의 면 ) 을 다 이 본드 층 ( 3 ) 에 첩부 하 여 , 다 이싱 테이프 ( 10 ) 에 반도체 웨이퍼 를 고정 하 는 마운트 공정 과 , 하프 컷 가공 된 반도체 칩 끼리 의 간격 을 넓히 는 익스 팬 드 공정 과 , 반도체 칩 끼리 의 간격 을 유지 하 는 커 프 유지 공정 과 , 다 이 본드 층 ( 3 ) 과 점착제 층 ( 2 ) 사이 를 박리 하 여 다 이 본드 층 ( 3 ) 이 첩부 된 상태 에서 반도체 칩 ( 다이 ) 을 취 출하 는 픽업 공정 과 , 다 이 본드 층 ( 3 ) 이 첩부 된 상태 의 반도체 칩 ( 다이 ) 을 피 착체 에 접착 시키 는 다이 본드 공정 을 갖 는다 . 이 들 의 공정 을 실시 할 때 에 , 본 실시 형태 의 다 이싱 테이프 ( 다 이싱 다이 본드 필름 ) 가 제조 보조 용구 로서 사용 된다 .