도 1 에 도시 한 바 와 같이 , 반도체 기판 ( 100 ) 위 에 제 1 절 연막 ( 110 ) 및 더미 게이트 막 ( 120 ) 을 차례 대로 증착 한다 . 이 때 , 더미 게이트 막 ( 120 ) 은 폴리 실리콘 으로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 그리고 , 더미 게이트 막 ( 120 ) 위 에 감광 물질 을 도포 하 여 감광막 을 증착 한다 . 다음 , 감광막 을 노광 및 현상 하 여 더미 게이트 막 ( 120 ) 의 일부 를 노출 하 는 감광막 패턴 ( 130 a ) 을 형성 한다 .