이러 한 문제점 을 완화 하 기 위해서 는 , 이 미터 층 을 가능 한 한 얇 고 경도 핑 된 상태 로 유지 하 는 것 이 바람직 하 다 . 얕 은 이미터 층 을 생성 하 는 것 은 이 미터 층 에 흡수 되 는 광자 의 개수 를 감소 시킨다 . 심지어 광자 들 이 흡수 되 는 때 에 도 , 얕 은 이미터 층 은 생성 된 전하 캐리어 들 이 인접 한 p - n 접합 에 도달 할 수 있 는 가능 성 을 증가 시킨다 . 그러나 , 이 미터 층 의 두께 및 도 펀트 함량 과 관련 해서 는 제한 사항 이 존재 한다 . 만약 이 미터 층 이 너무 얕 은 경우 에 는 , 이 미터 층 상 의 전기 적 접촉 부 들 이 접촉 부 형성 도중 에 p - n 접합 을 관통 하 여 단락 ( shorting ) 을 야기 할 수 있 다 . 유사 하 게 , 도 펀트 함량 이 너무 작 은 경우 에 는 , 접촉 저항 이 너무 높 아서 기판 에 대한 우수 한 접촉 부들 을 형성 할 수 없 게 된다 . 이러 한 문제점 들 은 특히 접촉 부 들 이 스크린 - 프린팅 에 의해서 형성 되 는 경우 에 문제 가 되 는데 , 이 는 이러 한 방법 이 높 은 도 펀트 농도 및 접촉 소성 을 필요 로 하 기 때문 이 다 .