구체 적 으로 는 , 도 31 에 도시 한 바 와 같이 기판 온도 가 125 ℃ 인 경우 에 는 1 aA / ㎛( 1 × 10 - 18 A / ㎛) 이하 , 85 ℃ 인 경우 에 는 100 zA / ㎛( 1 × 10 - 19 A / ㎛) 이하 , 실온 ( 27 ℃) 인 경우 에 는 1 zA / ㎛( 1 × 10 - 21 A / ㎛) 이하 로 할 수 있 다 . 바람직 하 게 는 , 125 ℃ 에서 0 . 1 aA / ㎛( 1 × 10 - 19 A / ㎛) 이하 로 , 85 ℃ 에서 10 zA / ㎛( 1 × 10 - 20 A / ㎛) 이하 로 , 실온 에서 0 . 1 zA / ㎛( 1 × 10 - 22 A / ㎛) 이하 로 할 수 있 다 . 이 들 오프 전류 값 은 , Si 를 반도체 막 으로서 사용 한 트랜지스터 에 비하 여 , 지극히 낮 다는 것 은 명확 하 다 .