최근 이 와 같 은 핀 ( FIN ) 형 트랜지스터 구조 를 메모리 분야 의 반도체 소자 에 채용 하 고자 하 는 시도 가 이루어지 고 있 으며 , 특히 스텝 ( step ) 형 구조 와 핀 ( FIN ) 형 구조 를 접목 하 고자 하 는 시도 도 이루어지 고 있 다 . 그러나 핀 - 스텝 ( FIN - step ) 형 트랜지스터 의 경우 , 핀 ( FIN ) 형 구조 로 인한 장점 들 을 얻 을 수 있 지만 , 작 은 영역 내 에서 3 중 채널 ( triple channel ) 이 형성 되 는 구조 이 므로 3 중 채널 형성 을 위한 이온 주입 이 용이 하 지 않 다는 문제 가 있 다 . 즉 이 와 같 은 3 중 채널 형성 을 위해 일반 적 인 채널 이온 주입 방법 을 적용 할 경우 , 측면 이온 주입 ( sidewall implant ) 이 균일 하 게 이 루어 지 지 않 아서 3 중 채널 자체 가 형성 되 지 않 을 수 도 있 다 .