도 4 a 를 참조 하 면 , P 형 기판 ( 410 ) 하부 에 제 1 N 형 확산 영역 ( 420 ) 이 도핑 되 어 있 는 소노 스 메모리 소자 의 단면도 가 도시 되 고 , P 형 기판 ( 410 ) 은 하나 이상 의 실리콘 기둥 ( 520 ) 을 포함 할 수 있 다 ( 도 4 a 에서 는 3 개 의 실리콘 기둥 ( 520 ) 이 도시 됨 ) . 여기 서 , 제 1 N 형 확산 영역 ( 420 ) 은 P 형 기판 ( 410 ) 의 하부 에 전자 를 도핑 ( 또는 임 플란트 ( implant ) ) 되 어 형성 될 수 있 다 . 또한 , 평면 P 형 기판 ( 410 ) 의 각 실리콘 기둥 ( 520 ) 은 20 nm 의 두께 및 70 nm 의 깊이 를 가질 수 있 다 . 이때 , 실리콘 기둥 을 형성 하 는 방법 은 다양 할 수 있 다 .