이러 한 문제 를 해결 하 기 위하 여 , 고출력 레이저 의 고밀 도 에너지 를 이용 하 여 사파이어 기판 과 질화물 계 화합물 반도체 층 사이 의 경 계면 을 분해 하 여 사파이어 기판 과 질화물 계 화합물 반도체 층 부분 을 분리 하 는 레이저 리프트 오프 ( laser lift off ) 공법 을 이용 해 수직 구조 의 반도체 발광 소자 를 제조 하 고 있 다 .