그 다음 도 6 b 내지 도 6 c 와 같이 상기 제 4 실시 예 와 동일 한 방법 으로 노광 및 현상 하 여 포토레지스트 ( 5 ) 패턴 을 형성 하 고 하드 마스크 막 ( 4 ) 을 식각 하 여 하드 마스크 막 ( 4 ) 패턴 을 형성 하 였 다 . 그 다음 도 6 e 내지 도 6 f 와 같이 포토레지스트 ( 5 a ) 를 제거 하 고 상기 하드 마스크 막 ( 4 ) 패턴 을 식각 마스크 로 하 고 차광막 ( 2 b ) 과 위상 반전 막 ( 6 ) 을 순차 적 으로 식각 하 였 다 . 이 때 차광막 ( 2 b ) 식각 은 상기 하드 마스크 막 ( 4 ) 이 염소 ( Cl ) 계열 의 식각 가스 에 식각 되 므로 불소 ( F ) 계열 의 식각 가스 로 식각 하 였으며 , 위상 반 전막 ( 6 ) 또한 불소 ( F ) 계열 의 식각 가스 로 식각 하 였 다 . 그 다음 도 6 g 내지 도 6 h 와 같이 상기 하드 마스크 막 ( 4 ) 패턴 을 습식 식각 으로 제거 하 여 투과 패턴 및 차광 패턴 의 정의 된 포토 마스크 를 제조 하 였으며 세정 및 검사 를 실시 하 고 포토레지스트 ( 5 a ) 를 코팅 하 였 다 . 그 다음 도 6 i 내지 도 6 l 과 같이 상기 제 4 실시 예 와 동일 한 방법 으로 노광 및 현상 을 실시 하 고 차광막 ( 2 b ) 을 식각 한 다음 포토레지스트 ( 5 a ) 를 제거 하 면 본 실시 예 에 의한 위상 반전 포토 마스크 가 제조 된다 . 상기 에서 탄 탈륨 계열 의 차광막 ( 2 b ) 은 불소 ( F ) 계열 의 식각 가스 로 식각 하 는 것 도 가능 하 나 그 하부 의 위상 반 전막 ( 6 ) 이 손상 되 지 않 도록 하 기 위하 여 염소 ( Cl ) 계열 의 식각 가스 로 식각 하 였 다 .