도 3 에 도시 한 바 와 같이 , 먼저 사파이어 기판 ( 100 ) 상 에 N 형 질화 갈륨 층 ( 210 ) , 활성 층 ( 220 ) , P 형 질화 갈륨 층 ( 230 ) , P 형 전극 및 반사 층 ( 240 ) 을 포함 하 여 이루어진 질화 갈륨 계 LED 구조물 ( 200 ) 을 형성 하 고 , 이 위 에 소정 의 패턴 을 갖 는 마스크 ( 300 ) 를 형성 하 게 된다 .