상술 한 반도체 소자 의 형성 방법 에 따르 면 , 상술 한 바 와 같이 , 상기 워드 라인 ( WL ) 을 정의 하 는 셀 마스크 패턴 ( 220 c ) 의 선폭 은 상기 마스크 막 ( 220 ) 의 두께 에 의하 여 결정 됨 으로써 , 종래 의 노광 공정 에 의한 문제점 들 을 방지 할 수 있 다 . 또한 , 상기 충전 마스크 패턴 들 ( 250 a , 250 b ) 을 이용 하 여 상대 적 은 넓 은 폭 의 스트링 선택 및 접지 선택 마스크 패턴 들 ( 255 a , 255 b ) 을 자기 정렬 적 으로 형성 할 수 있 다 .