첨부 된 도면 들 을 참조 하 면 , 도 1 은 예시 적 인 이온 주입 시스템 ( 10 ) 을 나타낸다 . 이온 주입 시스템 ( 10 ) 은 이온 빔 ( 4 ) 을 생성 하 고 이온 빔 ( 4 ) 을 이온 빔 필터링 ( filtering ) 시스템 ( 5 ) 및 이온 빔 스캐닝 ( scanning ) 시스템 ( 6 ) 을 통해 목표 시스템 ( 8 ) 에 전달 하 는 이온 빔 생성 시스템 ( 2 ) 을 포함 한다 . 이온 빔 생성 시스템 ( 2 ) 은 VSEA ( varian semiconductor equipment associates ) 로부터 얻 을 수 있 는 것 과 같 은 현재 알려진 또는 향후 개발 될 어떠 한 이온 빔 생성기 도 포함 할 수 있 다 . 일반 적 으로 , 목표 시스템 ( 8 ) 은 압 반 ( platen ) ( 14 ) 에 부착 된 하나 이상 의 반도체 목표물 들 ( 12 ) ( 즉 , 웨이퍼 ) 을 포함 한다 . 이온 주입 시스템 ( 10 ) 은 관련 기술 분야 에서 통상 의 지식 을 가진 자 에게 알려진 부가 적 인 구성 요소 들 을 포함 할 수 있 다 . 이온 주입 중 에 이온 빔 ( 4 ) 이 통과 하 는 전체 경로 는 진공 으로 된다 .