절 연막 ( 105 ) 은 실리콘 산화물 , 실리콘 산질 화물 , 실리콘 질화물 등 과 같 은 절연 물질 을 이용 하 여 형성 할 수 있 다 . 절 연막 ( 105 ) 을 형성 하 는 데 사용 되 는 실리콘 산화물 의 예 로 는 BPSG ( borophosphosilicate glass ) , PSG ( phosphosilicate glass ) , USG ( undoped silicate glass ) , SOG ( spin - on - glass ) , TEOS ( tetraethyl orthosilicate ) , PE - TEOS ( plasma - enhanced tetraethyl orthosilicate ) , HDP - CVD ( high density plasma chemical vapor deposition ) 산화물 등 을 들 수 있 다 . 또한 , 절 연막 ( 105 ) 은 화학 기상 증착 ( CVD ) 공정 , 저압 화학 기상 증착 ( LPCVD ) 공정 , 플라 즈 마 증대 화학 기상 증착 ( PECVD ) 공정 또는 고밀도 플라 즈 마 화학 기상 증착 ( HDP - CVD ) 공정 을 이용 하 여 형성 될 수 있 다 .