금속 질화물 로서 , 질화 알루미늄 을 사용 한 경우 , 상기 질화 알루미늄 을 포함 한 절연 층 의 두께 를 5 ㎚ 이상 으로 하 는 것 이 바람직 하 다 . 이 와 같이 얇 은 막 이 어도 , 수소 및 산소 에 대한 높 은 차단성 과 , 반도체 층 의 저 저항 화 의 기능 을 양립 할 수 있 다 . 또한 상기 절연 층 의 두께 는 얼마나 두꺼워 도 되 지만 , 생산 성 을 고려 하 여 , 500 ㎚ 이하 , 바람직 하 게 는 200 ㎚ 이하 , 더 바람직 하 게 는 50 ㎚ 이하 로 하 는 것 이 바람직 하 다 .