종래 에 는 결합 웨이퍼 의 수소 이온 주 입부 를 벽개 한 후 벽개 된 표면 을 평탄 화 하 고 , 원 하 는 소자 형성 영역 의 두께 가 될 때 까지 CMP 공정 을 수행 하 여야 한다 . 그러나 , 일반 적 으로 반도체 소자 의 제조 공정 에서 CMP 공정 은 공정 단가 가 매우 비싸 고 공정 시간 이 많이 소요 되 며 , CMP 공정 에 따른 웨이퍼 의 중심부 와 주변 부 의 두께 편차 가 매우 크 며 , CMP 실시 시 크랙 ( crack ) 등 의 결함 이 발생 하 는 단점 이 있 다 .