트랜지스터 ( 201 ) , 트랜지스터 ( 205 ) , 및 트랜지스터 ( 206 ) 는 게이트 로서 기능 하 는 도전 층 ( 221 ) , 게이트 절연 층 으로서 기능 하 는 절연 층 ( 211 ) , 소스 및 드레 인 으로서 기능 하 는 도전 층 ( 222 a ) 및 도전 층 ( 222 b ) , 반도체 층 ( 231 ) , 게이트 절연 층 으로서 기능 하 는 절연 층 ( 213 ) , 그리고 , 게이트 로서 기능 하 는 도전 층 ( 223 ) 을 가진다 . 여기 서 는 , 동일 한 도전 막 을 가공 하 여 얻 어 지 는 복수 의 층 에 같 은 해치 패턴 을 부여 하 였 다 . 절연 층 ( 211 ) 은 도전 층 ( 221 ) 과 반도체 층 ( 231 ) 사이 에 위치 한다 . 절연 층 ( 213 ) 은 도전 층 ( 223 ) 과 반도체 층 ( 231 ) 사이 에 위치 한다 .