이때 , 상기 액티브 패턴 ( 124 ) 상부 에 는 n + 비정질 실리콘 박막 으로 이루어진 상기 제 1 n + 비정질 실리콘 박막 패턴 ( 125 ') 이 그대로 남 아 있 게 되 어 후술 할 화소 전극 을 형성 하 기 위해 상기 어레이 기판 ( 110 ) 전면 에 제 3 도 전막 을 증착 할 경우 에 상기 액티브 패턴 ( 124 ) 의 채널 영역 , 구체 적 으로 는 백 채널 ( back channel ) 이 상기 제 3 도 전막 에 의해 오염 되 는 것 을 방지 할 수 있 게 된다 .