도 2 를 참조 하 면 , 실리콘 기판 과 같 은 반도체 기판 ( 200 ) 에 소자 분리 막 ( 미 도시 ) 을 형성 하 여 활성 영역 을 한정 한다 . 소자 분리 막 은 얕 은 트랜 치 소자 분리 막 ( STI ) 구조 나 , 또는 로코스 ( LOCOS ) 구조 로 형성 할 수 있 다 . 다음 에 통상 의 웰 형성 공정 을 수행 하 여 , 반도체 기판 ( 200 ) 내 에 웰 을 트윈 웰 ( twin well ) 구조 로 형성 한다 . 그리 고 통상 의 포토레지스트 막 패턴 을 이용 한 이온 주입 을 수행 하 여 셀 문턱 전압 을 조절 한다 . 그리고 깊 은 N ( BN ) 접합 을 형성 한 후 에 , 게이트 절 연막 ( 210 ) 및 게이트 도전 막 ( 220 ) 을 형성 한다 . 게이트 절 연막 ( 210 ) 은 산화 막 으로 형성 할 수 있 고 , 게이트 도전 막 ( 220 ) 은 폴리 실리콘 막 으로 형성 할 수 있 다 .