발명 의 실시 예 들 에 따르 면 , 필요 에 따라 제 2 반도체 칩 들 ( 500 ) 의 전면 들 ( 500 a ) 상 에 평탄 화 공정 이 수행 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 제 2 반도체 칩 들 ( 500 ) 의 전면 들 ( 500 a ) 및 제 2 몰딩 부 ( 600 ) 의 하 면 상 에 그라인딩 ( grinding ) 공정 또는 화학 적 기계 연마 ( CMP ) 공정 이 수행 될 수 있 다 . 이 에 따라 , 제 2 반도체 칩 들 ( 500 ) 의 전면 들 ( 500 a ) 및 제 2 몰딩 부 ( 600 ) 의 하 면 이 평탄 ( flat ) 해질 수 있 다 . 특히 , 제 2 반도체 칩 들 ( 500 ) 의 제 2 칩 패드 들 ( 512 ) 의 노출 된 하면 들 은 평탄 할 수 있 다 .