본 발명 은 비휘발성 반도체 메모리 소자 및 그 제작 방법 에 관한 것 으로서 , 특히 P + 와 N + 를 가지 는 PN 다이오드 구조 와 터널 절 연막 , 전하 트랩 층 , 및 상부 절 연막 구조 를 결합 하 여 형성 되 고 , FN 터널 링 ( Fowler - Nordheim tunneling ) 과 밴드 투 밴드 터널 링 ( Band To Band Tunneling ) 을 이용 하 여 프로그램 ( program ) , 이 레이즈 ( erase ) , 및 리드 ( read ) 동작 을 하 는 새로운 구조 의 비휘발성 반도체 메모리 소자 및 그 제작 방법 에 관한 것 이 다 .