도 2 에 는 트로프 형태 의 하우징 부 ( 24 ) 가 평평 하 게 형성 된 바닥 면 을 포함 하 고 , 이 바닥 면 위 에 회로 지 지체 ( 30 ) 가 위치 하 는 것 이 도시 되 어 있 다 . 트로프 형태 로 형성 된 하우징 부 ( 24 ) 의 바닥 면 에 수직 으로 트로프 형태 의 하우징 부 ( 24 ) 의 내부 면 ( 28 ) 의 경계 를 형성 하 는 측벽 ( 56 ) 이 연장 된다 . 트로프 형태 의 하우징 부 ( 24 ) 의 둘레 를 따라 테두리 ( 34 ) 가 연장 된다 . 도 2 에 사시도 로 도시 된 , 트로프 형태 의 하우징 부 ( 24 ) 는 강철판 으로 구성 된 딥 드로잉 부품 으로서 비용 면 에서 유리 하 고 견고 하 게 형성 된다 . 테두리 ( 34 ) 를 따라서 는 글 래이 징 부 ( 38 ) 내 에 수용 된 접촉 핀 ( 36 ) 이 배치 된다 . 핀 형태 의 외관 을 갖 는 접촉 핀 ( 36 ) 은 수직 으로 연장 되 며 , 즉 트로프 형태 의 하우징 부 ( 24 ) 의 테두리 ( 34 ) 의 평평 한 표면 에 대해 90 ° 각도 로 연장 된다 . 트로프 형태 의 하우징 부 ( 24 ) 의 테두리 ( 34 ) 를 따른 접촉 핀 ( 36 ) 은 테두리 ( 34 ) 를 따른 하나 또는 복수 의 측면 에서 또는 하나 또는 서로 나란히 위치 한 복수 의 위치 에서 배치 된다 . 테두리 ( 34 ) 내 글 래 이징 부 ( 38 ) 내 에 수용 된 접촉 핀 ( 36 ) 의 개수 는 회로 지 지체 ( 30 ) 의 전자 회로 의 요건 에 상응 하 게 변화 한다 . 회로 지 지체 ( 30 ) 는 예 를 들 어 저온 동시 소성 세라믹 ( low temperature co - fired ceramic ) ( LTCC ) 으로서 형성 되 어 , 트로프 형태 의 하우징 부 ( 24 ) 의 바닥 에 접착 된다 . 회로 지 지체 ( 30 ) 는 전자 회로 를 포함 하 며 , 하나 이상 의 전자 소자 ( 52 ) 가 장치 된다 ( 마찬가지 로 도 3 에 따른 단면 도 참고 ) .