도 6 을 참조 하 면 , CGSe 광 흡수 층 의 양자 효율 ( QE ; Quantum Efficiency ) 특성 은 최대 80 % 수준 이 고 , 실리콘 태양 전지 의 최대 값 도 80 % 수준 이 지만 강한 반사 간섭 에 의한 손실 이 발생 하 고 있 다 . 표면 의 반사 도 결과 와 비교 해 보 면 , CGSe 광 흡수 층 에 흡수 되 는 파장 대역 의 반사 도 는 매우 낮 게 유지 되 고 있 으나 , CGSe 밴드 갭 이하 의 파장 대역 에서 는 반사 손실 이 매우 크 게 증가 하 였 다 .