본 발명 의 실시 예 에 따른 이미지 센서 는 포토다이오드 ( 미 도시 ) 를 포함 하 는 광 감 지부 ( 미 도시 ) 가 형성 된 반도체 기판 ( 10 ) 상 에 층간 절 연막 ( 11 ) 이 형성 되 어 있 다 . 그리고 층간 절 연막 ( 11 ) 에 는 층간 절 연막 ( 11 ) 을 관통 하 는 금속 배선 ( 미 도시 ) 이 포함 되 어 있 으며 외부 와 의 전기 적 연결 을 위한 최종 금속 배선 , 즉 패드 ( 60 ) 가 형성 되 어 있 다 .