리소그래피 장치 는 , 예 를 들 어 집 적 회로 ( IC ) 의 제조 에 사용 될 수 있 다 . 이러 한 경우 , 마스크 는 IC 의 개별 층 에 대응 하 는 회로 패턴 을 포함 할 수 있 으며 , 이 패턴 은 방사선 - 감응 재 ( 레지스 트 ) 층 으로 코팅 된 기판 ( 실리콘 웨이퍼 ) 상의 ( 예 를 들 어 , 1 이상 의 다이 를 포함 하 는 ) 타 겟 부 상 으로 이미 징 될 수 있 다 . 일반 적 으로 , " 단일 웨이퍼 는 투영 시스템 을 통해 한 번 에 하나 씩 연속 적 으로 조사 되 는 인접 한 타 겟 부 들 의 전체 적 인 네트워크 를 포함 할 것 이 다 . 일 형태 의 리소그래피 투영 장치 에서 는 전체 마스크 패턴 을 타 겟 부 상 으로 한 번 에 노광 함 으로써 각각 의 타 겟 부 가 조사 되 며 ; 이러 한 장치 는 통상 적 으로 웨이퍼 스 테퍼 ( wafer stepper ) 라 칭한다 . 통상 적 으로 스텝 - 앤드 - 스캔 ( step - and - scan ) 장치 라 칭해 지 는 대안 적 인 장치 에서 는 투영 빔 하 에서 주어진 기준 방향 ( "" 스캐닝 "" 방향 ) 으로 마스크 패턴 을 점진 적 으로 스캐닝 하 는 한편 ", 동시 에 이 방향 과 평행 하 게 ( 같 은 방향 으로 평행 하 게 ) 또는 역 - 평행 하 게 ( 반대 방향 으로 평행 하 게 ) 기판 테이블 을 스캐닝 함 으로써 각각 의 타 겟 부 가 조사 된다 . 일반 적 으로 , 투영 시스템 이 배율 인자 ( Ｍ ) ( 일반 적 으로 < 1 ) 를 갖 기 때문 에 , 기판 테이블 이 스캐닝 되 는 속력 ( Ｖ ) 은 마스크 테이블 이 스캐닝 되 는 속력 의 인자 ( Ｍ ) 배 가 될 것 이 다 . 본 명세서 에 서술 된 바 와 같 은 리소그래피 디바이스 들 에 관련 된 더 많 은 정보 는 , 예 를 들 어 본 명세서 에서 인용 참조 되 고 있 는 US 6 , 046 , 792 로부터 얻 을 수 있 다 .