그리고 나 서 도 4 b 에 도시 된 바 와 같이 , 이 스템프 ( 40 ) 와 기판 ( 10 ) 을 접촉 시킨다 . 이렇게 스템프 ( 40 ) 와 기판 ( 10 ) 을 접촉 시키 면 스템프 ( 40 ) 의 양각 부분 ( 42 ) 에 형성 된 소수성 자기 조립 단 분자 는 기판 ( 10 ) 표면 과 접촉 하 여 기판 의 산화 막 ( 20 ) 과 결합 한다 . 한편 스템프 ( 40 ) 의 음각 부분 ( 44 ) 에 형성 된 소수성 자기 조립 단 분자 는 기판 ( 10 ) 표면 과 접촉 하 지 못한다 . 따라서 양각 부분 ( 42 ) 에 형성 된 소수성 자기 조립 단 분자 만 기판 ( 10 ) 으로 전사 되 는 것 이 다 . 물론 스템프 ( 40 ) 를 기판 과 접촉 시키 는 과정 에서 양각 부분 ( 42 ) 에 형성 되 어 있 는 소수성 자기 조립 단분자막 ( 32 ) 과 기판 ( 10 ) 의 접촉 을 확실 하 게 하 기 위하 여 스템프 ( 40 ) 를 기판 ( 10 ) 방향 으로 약한 힘 을 가하 여 가압 할 수 도 있 다 .