또 , 도 8 내지 도 14 를 참조 하 여 설명 한 방법 에서 , 상변화 물질 막 ( 110 ) 에 대한 평탄 화 공정 을 진행 한 후 에 추가 적 으로 에치 백 공정 을 진행 하 여 제 2 절 연막 ( 103 ) 의 상부 면 보다 낮 은 상부 면 을 가지 는 상변화 물질 막 ( 113 ) 을 형성 할 수 있 다 . 이 같 은 실시 예 에 따르 면 도 6 에 도시 된 것 같 은 상변화 메모리 소자 가 형성 될 것 이 다 .