그 후 , 도 22 에 도시 한 바 와 같이 , 반응 생성물 의 막 두께 가 100 Å ( 10 nm ) 에 도달 할 때 까지 , 성막 스텝 과 함께 산화 막 두께 ( j ) 가 37 Å ( 3 . 7 nm ) 에 상당 하 는 제 1 강도 로 개질 스텝 을 행하 면 , 바탕 막 ( 91 ) 과 의 사이 의 계면 이 평활 하 면서 또 한 막 두께 방향 에 걸쳐서 치밀 한 박막 이 얻 어 진다 . 여기 서 , 플 라즈 마의 강도 를 산화 막 두께 ( j ) 가 53 Å ( 5 . 3 nm ) 에 상당 하 는 강도 에서부터 산화 막 두께 ( j ) 가 37 Å ( 3 . 7 nm ) 에 상당 하 는 강도 까지 작 게 하 는 것 은 , 기초 산화 막 두께 [ 제 1 산화 실리콘 막 ( 92 ) ] 가 두꺼워 지 는 것 을 그 시점 에서 확실 하 게 정지 시켜 , 산화 막 두께 의 제 어성 을 향상 하 기 위해서 다 .