도 20 을 참조 하 면 , 기판 ( 110 ) 보다 낮 은 수직 레벨 에 하부 기판 ( 210 ) 이 배치 될 수 있 다 . 하부 기판 ( 210 ) 에 는 소자 분리 막 ( 222 ) 에 의해 활성 영역 ( 도시 생략 ) 이 정의 될 수 있 고 , 상기 활성 영역 상 에 복수 의 구동 트랜지스터 ( 230 T ) 가 형성 될 수 있 다 . 복수 의 구동 트랜지스터 ( 230 T ) 는 구동 회로 게이트 구조물 ( 232 ) 과 , 구동 회로 게이트 구조물 ( 232 ) 의 양 측 의 하부 기판 ( 210 ) 일부분 에 배치 되 는 불순물 영역 ( 212 ) 을 포함 할 수 있 다 .