액세스 시 , 메모리 셀 ( 105 ) 은 감지 구성 요소 ( 125 ) 에 의해 판독 또는 감지 되 어 메모리 셀 ( 105 ) 의 저장 된 논리 상태 를 결정 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 메모리 셀 ( 105 ) 에 액세스 한 후 , 메모리 셀 ( 105 ) 의 메모리 구성 요소 는 그것 의 대응 하 는 디 지트 라인 ( 115 ) 상 으로 방전 할 수 있 다 . 방전 은 디 지트 라인 ( 115 ) 의 전압 을 변화 시킬 수 있 으며 , 감지 구성 요소 ( 125 ) 는 이 를 참조 전압 ( 도시 되 지 않 음 ) 과 비교 하 여 메모리 셀 ( 105 ) 의 저장 된 상태 를 결정 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 디 지트 라인 ( 115 ) 이 참조 전압 보다 더 높 은 전압 을 갖 는다면 , 감지 구성 요소 ( 125 ) 는 메모리 셀 ( 105 ) 에 저장 된 상태 가 논리 1 이 었 음 을 결정 할 수 있 고 반대 의 경우 도 마찬가지 이 다 .