도 1 을 참조 하 면 , 본 발명 의 실시 예 에 따른 반도체 장치 는 센스 앰프 MCSA , 풀 업 구 동부 PUD , 풀 다운 구동 부 PDD 및 풀 다운 전압 제 어부 ( 110 ) 을 포함 한다 . 여기 서 , 센스 앰프 MCSA 는 미스 매치 보상 센스 앰프 ( Mismatch Compensation Sense Amplifier ) 구조 로 이루어질 수 있 다 . 테크놀로지 가 점점 축소 되 어 감 에 따라 센스 앰프 MCSA 의 오프셋 양 은 많 아 지 는 경향 을 보인다 . 미스 매치 보상 센스 앰프 구조 의 경우 래치 트랜지스터 간 의 오프셋 양 을 보상 할 수 있 다 .