플라 즈 마 보강 CVD 기술 은 반응 영역 에서 고주파 ( RF ) 에너지 를 가함 으로써 반응 성 가스 의 여기 및 / 또는 해리 를 촉진 시켜 , 높 은 반응 성 종 의 플 라즈 마 를 생성 시킨다 . 자유 종 의 높 은 반응 성 으로 인해 화학 반응 이 발생 하 는 데 요구 되 는 에너지 가 감소 되 며 , 따라서 이러 한 PECVD 공정 에서 는 요구 되 는 온도 를 낮춘다 . 이러 한 장치 및 방법 의 도입 으로 인해 반도체 소자 의 구조 의 크기 는 상당히 감소 되 어 왔 다 .