일부 실시 예 들 에서 , 저 굴절 률 반도체 층 은 , 굴절 률 을 감소 시키 기 위하 여 , 산화 될 수 있 다 . 산화 된 저 굴절 률 층 을 갖 는 장치 의 일부 가 예시 된다 . n - 타입 영역 ( 16 ) , 발광 영역 ( 18 ) , 및 p - 타입 영역 ( 20 ) 이 기판 위 에 성장 된다 . GaN 에 격자 정합 될 수 있 는 , AlInN 과 같 은 , 산화 될 수 있 는 반도체 층 ( 42 ) 이 p - 타입 영역 ( 20 ) 위 에 성장 되 고 , 그 후 고농도 로 도핑 된 p - 타입 층 ( 46 ) 이 성장 된다 . 고농도 로 도핑 된 층 ( 46 ) 의 부분 들 이 제거 되 어 밑 에 있 는 산화 될 층 의 부분 들 을 노출 시킨다 . 고농도 로 도핑 된 층 ( 46 ) 의 남 아 있 는 부분 들 은 고농도 로 도핑 된 층 ( 46 ) 을 패 터닝 하 기 위해 이용 되 는 마스크 에 의해 보호 된다 .