이상 에서 설명 한 바 와 같이 , 본 발명 에 따른 반도체 소자 및 그 의 제조 방법 은 주변 회로 영역 에 형성 되 는 커패시터 를 도트 형태 의 리세 스 구조 를 적용 함 으로써 커패시터 의 정전 용량 을 향상 시킬 수 있 고 , 내부 전압 의 사용 에 따른 레저 부아 커패시터 의 노이즈 발생 을 억제 하 여 신뢰 성 있 는 반도체 소자 를 제조 할 수 있 다 .