도 9 를 참조 하 면 , 제 4 층간 절 연막 ( 240 ) 및 캐 핑 패턴 ( 330 ) 상 에 제 5 층간 절 연막 ( 340 ) 을 형성 한다 . 제 5 층간 절 연막 ( 340 ) 상 에 제 2 마스크 ( 도시 되 지 않 음 ) 를 형성 한 후 , 이 를 식각 마스크 로 사용 하 여 하부 의 제 4 및 제 5 층간 절 연막 들 ( 240 , 340 ) , 제 3 절연 패턴 들 ( 215 ) , 및 제 2 희생 패턴 들 ( 225 ) 을 관통 하 는 제 3 개 구 ( 도시 하 지 않 음 ) 를 형성 하 여 기판 ( 100 ) 상면 을 노출 시킨다 . 제 5 층간 절 연막 ( 340 ) 은 예 를 들 어 , 실리콘 산화물 과 같 은 산화물 을 포함 하 도록 형성 될 수 있 으며 , 이 에 따라 하부 의 제 4 층간 절 연막 ( 240 ) 에 병합 될 수 도 있 다 .