도 1 c 를 참조 하 면 , 상기 국부 산화 막 ( 20 ) 을 식각 마스크 로 이용 하 여 상기 하드 마스크 ( 도 1 b 의 15 ) 를 제거 한다 . 이어서 , 상기 국부 산화 막 ( 20 ) 을 식각 마스크 로 이용 하 여 상기 제 1 폴리 실리콘 막 ( 10 ) 을 식각 하 여 부유 게이트 ( floating gate ; 10 a ) 를 형성 한다 . 이어서 , 상기 부유 게이트 ( 10 a ) 를 갖 는 반도체 기판 상 에 제 2 게이트 유전 막 ( 25 ) 을 형성 한다 .