이상 에서 설명 한 바 와 같이 , 종래 에 점점 작아지 는 콘 택 홀 에 텅스텐 막 을 채우 는데 있 어서 의 문제 해결 로 본 발명 에 의한 반도체 소자 의 금속 배선 형성 방법 은 , 사염 화 티탄 ( TiCL 4 ) 와 암모니아 ( NH 3 ) 를 이용 한 원자 박막 증착 기법 으로 콘 택 홀 을 CVD 질화 티타늄 으로 채움 으로써 , 아래 와 같 은 효과 를 가진다 .