따라서 , 나노 구조 체 ( NS ) 를 AlN , GaN , GaP , AlAs , AlSb 중 하나 의 물질 로 형성 함 으로써 파장 400 nm ~ 750 nm 의 가시 광 대역 은 물론 파장 750 nm ~ 1000 nm 의 근적외선 대역 과 자외선 대역 중 300 nm ~ 400 nm 대역 에서 적용 가능 한 메타 광학 소자 의 구현 이 가능 하 다 . 이러 한 메타 광학 소자 는 예 를 들 어 반도체 노광 공정 에서 I - line ( 365 nm ) , G - line ( 436 nm ) , h - line ( 405 nm ) 용 노광기 ( stepper ) 의 렌즈 로 활용 될 수 있 다 . 또한 , 작 은 종횡비 로 도 원 하 는 광변조 특성 을 얻 을 수 있 으므로 , 나노 구조 체 ( NS ) 를 형성 하 는 공정 에서 CD ( critical dimension ) 을 20 nm 까지 작 게 할 수 있 다 . 따라서 , 종횡비 15 : 1 의 종횡비 를 구현 하 는 경우 , 나노 구조 체 ( NS ) 의 길이 ( D ) 와 두께 ( t ) 를 20 nm ~ 300 nm 로 할 수 있 어 , 공정 난이도 를 낮출 수 있 으며 , 설계 의 자유도 를 향상 시킬 수 있 다 . 비교 대상 인 TiO 2 의 CD 는 약 40 nm 정도 이 다 .