도금 처리 후 에 는 서멀 비아 상방 의 , 도금 층 ( 8 ) 상 의 소정 의 위치 에 발광 다이오드 칩 ( 10 ) 을 부착 하 고 , 도선 ( 11 ) 으로 도금 층 ( 8 ) 과 발광 다이오드 칩 ( 10 ) 사이 의 배선 을 실시 함 으로써 , 테이퍼 형상 의 반사면 ( 9 ’) 의 중앙부 에 발광 다이오드 칩 ( 10 ) 이 설치 된 발광 다이오드 기판 을 완성 시킬 수 있 다 .