여기 에서 , 본 발명자 들 은 , 타르 성분 을 제거 하 는 방법 에 대하 여 검토 하 고 , 탄소 피막 을 형성 한 산화 규소 분말 을 진공 하 에서 가열 하 는 것 ( 이하 , 이 처리 를 「 진공 처리 」 라고 도 한다 ) 에 착안 하 고 , 이 에 따라 , 타르 성분 을 제거 할 수 있 는 것 을 확인 했 다 . 그러나 , 진공 처리 시 의 가열 온도 가 과도 하 게 높 은 경우 에 는 , 산화 규소 와 탄소 피막 의 계면 근방 에 있 어서 SiC 가 생성 되 고 , 전지 의 용량 에 기여 할 수 있 는 Si 의 양 이 SiC 의 생 성 에 의해 감소 하 기 때문 에 , 전지 의 용량 이 작 다고 하 는 문제 가 발생 했 다 . 이 에 대해서 , 본 발명자 들 은 , 가열 온도 를 600 ℃ 이상 750 ℃ 이하 로 함 으로써 억제 할 수 있 는 것 을 알아냈 다 .