상기 N 형 화합물 반도체 층 ( 57 ) 상부 에 P 형 화합물 반도체 층 ( 61 ) 이 위치 하 고 , 상기 N 형 화합물 반도체 층 ( 57 ) 과 P 형 화합물 반도체 층 ( 61 ) 사이 에 활성 영역 ( 59 ) 이 개재 된다 . 상기 N 형 화합물 반도체 층 및 P 형 화합물 반도체 층 은 ( Al , In , Ga ) N 계열 의 III 족 질화물 반도체 층 으로 형성 될 수 있 다 . 예컨대 , 상기 N 형 화합물 반도체 층 ( 57 ) 및 P 형 화합물 반도체 층 ( 61 ) 은 각각 N 형 및 P 형 GaN , 또는 N 형 및 P 형 AlGaN 일 수 있 다 .