또한 본 실시 예 에서 설명 한 성막 장치 를 사용 해서 발광 장치 를 제조 할 경우 에 있 어서 도 , 발광 소자 를 구성 하 는 ＥＬ 층 의 형성 에 있 어서 , 평탄 하 고 불 균일 이 없 는 막 의 성막 이나 , 발광 층 의 미세 한 패턴 형성 이 용이 해 지 기 때문 에 , 고화질 발광 장치 의 제조 도 용이 하 게 할 수 있 다 . 또한 광원 으로서 열량 이 큰 램프 히터 등 을 사용 함 으로써 , 대 면적 을 일괄 해서 성막 할 수 있 기 때문 에 , 택트 시간 의 단축 에 의한 제조 비용 의 절감 이 가능 해 진다 .