예 를 들 면 , 상기 에서 상기 위상 반전 블랭크 마스크 는 투명 기판 ( 1 ) 위 에 몰 리브 데 늄 실리사이드 의 위상 반 전막 ( 6 ) , 크롬 계열 의 차광막 ( 2 ) , 탄 탈륨 계열 의 하드 마스크 막 ( 4 ) 이 순서 대로 적층 되 고 그 위 에 얇 은 두께 의 포토레지스트 ( 5 ) 가 코팅 된 블랭크 마스크 인 경우 , 상기 의 단계 에 따라 제조 하 게 되 면 위상 반 전막 ( 6 ) 패턴 은 종래 보다 얇 은 두께 의 포토레지스트 ( 5 ) 패턴 을 식각 마스크 로 하 여 하드 마스크 , 차광막 ( 2 ) 및 위상 반 전막 ( 6 ) 을 순차 적 으로 식각 하 여 형성 하 고 , 상기 포토레지스트 ( 5 ) 패턴 과 하드 마스크 막 ( 4 ) 은 제거 한다 . 그 다음 차광막 ( 2 ) 패턴 은 위상 반 전막 ( 6 ) 과 차광막 ( 2 ) 이 종래 로부터 사용 되 던 물질 이 기 때문 에 종래 의 방법 과 동일 하 게 수행 하 면 된다 .