전술 한 바 와 같이 , 소스 영역 은 , 소스 ( 11 - 2 ) 와 , 제 2 익스텐션 ( 9 - 2 ) 과 , 제 2 포켓 영역 ( 8 - 2 ) 으로 구성 할 수 있 다 . 소스 ( 11 - 2 ) 는 불순물 이 도입 된 실리콘 으로 구성 할 수 있 다 . 그 소스 ( 11 - 2 ) 가 P 형 웰 ( 4 ) 에 형성 되 는 경우 , 그 불순물 은 N 형 불순물 로 구성 할 수 있 다 . 즉 , 소스 ( 11 - 2 ) 는 N 형 불 순물 이 도입 된 실리콘 으로 구성 할 수 있 다 . 불순물 의 농도 는 특별히 한정 되 지 는 않 지만 , 전형 적 으로 는 2 E 20 [ 1 / ㎤] 여도 된다 . 소스 ( 11 - 2 ) 의 깊이 는 특별히 한정 되 지 는 않 지만 , 전형 적 으로 는 200 ㎚ 여도 된다 .