본 발명 에 따른 반도체 소자 의 게이트 는 , 반도체 기판 의 게이트 형성 영역 에 형성 된 제 1 홈 및 상기 제 1 홈 아래 에 형성 된 구형 의 제 2 홈 ; 상기 제 1 홈 및 제 2 홈 의 측벽 에 형성 된 게이트 절 연막 ; 상기 제 1 홈 및 제 2 홈 의 게이트 절 연막 상 에 형성 된 제 1 폴리 실리콘 막 ; 상기 제 2 홈 의 내부 가 매립 되 도록 형성 된 절 연막 ; 상기 절 연막 상 에 상기 제 1 홈 내부 가 매립 되 도록 형성 된 금속 막 ; 및 상기 금속 막 상 에 형성 된 제 2 폴리 실리콘 막 ; 을 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .