상기 게이트 패턴 을 형성 하 는 단계 는 상기 게이트 라인 과 나란 하 게 형성 되 어 상기 센서 박막 트랜지스터 에 제 1 구동 전압 을 공급 하 는 제 1 구동 전압 공급 라인 과 , 상기 제 1 게이트 전극 과 접속 됨 과 아울러 상기 제 1 구동 전압 공급 라인 과 나란 한 제 2 구동 전압 공급 라인 과 , 상기 게이트 라인 과 나란 하 며 상기 제 1 구동 전압 공급 라인 에서 신장 된 제 1 스토리지 하부 전극 을 형성 하 는 단계 를 포함 한다 .