이 어 , 트렌치 라인 ( 19 ) 을 제외 한 반도체 기판 ( 100 ) 상 에 제 1 산화 막 ( 110 ) 을 형성 하 고 , 제 1 산화 막 ( 110 ) 위 에 제 1 다결정 실리콘 ( 120 ) 을 형성 하 고 , 제 1 다결정 실리콘 ( 120 ) 위 에 절연 층 ( 350 ) 을 형성 한다 . 여기 서 , 절연 층 ( 350 ) 은 TEOS ( tetra ethyl ortho silicate ) 또는 질화 막 등 으로 이루어진다 .