도 4 a 내지 도 4 k 는 본 발명 의 제 2 실시 예 에 따른 화소 구조 를 설명 하 기 위한 단면도 들 이 다 . 도 4 a 를 참조 하 면 , 본 발명 의 실시 예 에 따른 화소 구조 의 제조 방법 은 다음 과 같 은 단계 들 을 포함 한다 . 먼저 , 게이트 ( 112 ) 는 제 1 마스크 ( M 1 ) 를 이용 하 여 기판 ( 10 ) 상 에 형성 되 고 , 유전 층 ( 130 ) 은 상기 게이트 9112 ) 를 덮 으면서 상기 기판 ( 10 ) 상 에 형성 된다 . 상기 제 1 마스크 ( M 1 ) 및 기판 ( 10 ) 은 전술 한 제 1 실시 예의 경우 와 실질 적 으로 동일 하 며 , 상기 게이트 ( 112 ) 및 유전 층 ( 130 ) 의 제조 방법 , 물질 및 두께 는 상술 한 제 1 실시 예의 경우 와 실질 적 으로 동일 하 다 .