기판 및 패턴 화 디바이스 상 에서 실현 되 는 바 와 같 은 타 겟 의 물리 적 구조 체 와 관련 하 여 , 실시 형태 는 , 타 겟 설계 를 설명 하 는 , 기판 에 대한 타 겟 을 설계 하 는 방법 을 설명 하 는 , 기판 상 에 타 겟 을 제조 하 는 방법 을 설명 하 는 , 기판 상 의 타 겟 을 측정 하 는 방법 을 설명 하 는 및 / 또는 측정치 를 분석 하 여 패턴 화 프로세스 에 관한 정보 를 획득 하 는 방법 을 설명 하 는 머신 판독 가능 명령어 및 / 또는 기능 데이터 의 하나 이상 의 시퀀스 를 포함 하 는 컴퓨터 프로그램 을 포함 할 수 도 있 다 . 이 컴퓨터 프로그램 은 , 예 를 들 면 , 도 3 내지 도 9 의 장치 에서 계측 프로세싱 유닛 ( MPU ) 및 / 또는 도 2 의 제어 유닛 ( LACU ) 내 에서 실행 될 수 도 있 다 . 그러 한 컴퓨터 프로그램 이 저장 된 데이터 저장 매체 ( 예 를 들 면 , 반도체 메모리 , 자기 또는 광학 디스크 ) 가 또한 제공 될 수 도 있 다 . 예 를 들 면 , 도 3 에서 도시 되 는 타입 의 현존 하 는 검사 장치 가 이미 제조 중 이 고 및 / 또는 사용 중 인 경우 , 실시 형태 는 ( 예 를 들 면 , 검출 시스템 ( 418 ) 에서 포착 되 는 회절 스펙트럼 의 상이 한 부분 을 인식 하 기 위해 , 본원 에서 설명 되 는 바 와 같이 오버레이 에러 를 계산 하 기 위해 ) , 프로세서 로 하여금 , 본원 에서 설명 되 는 방법 중 하나 이상 을 수행 하 게 하 기 위한 업데이트 된 컴퓨터 프로그램 제품 의 제공 에 의해 구현 될 수 있 다 . 프로그램 은 , 적절 한 복수 의 타 겟 에 대한 패턴 화 프로세스 의 파라미터 를 측정 하 는 방법 을 수행 하 기 위해 ( 예 를 들 면 , 적절 한 복수 의 타 겟 에 대한 비대칭 성 을 측정 하 기 위해 및 / 또는 오버레이 에러 를 결정 하 기 위해 ) , 옵션 사항 으로 , 광학 시스템 , 기판 지지 부 및 등등 을 제어 하 도록 배열 될 수 도 있 다 . 프로그램 은 , 추가 적 인 기판 의 측정 을 위해 , 패턴 화 프로세스 의 및 / 또는 계측 레시피 의 파라미터 를 업데이트 할 수 있 다 . 프로그램 은 , 추가 적 인 기판 의 패턴 화 및 프로세싱 을 위해 리소그래피 장치 를 ( 직접 적 으로 또는 간접 적 으로 ) 제어 하 도록 배열 될 수 도 있 다 .