도 5 를 참조 하 면 , 상술 된 서 셉 터 ( 10 ) 는 에피 택 셜 증착 공정 과 같 은 화학 기상 증착 공정 을 위한 장치 의 일부 로서 사용 될 수 있 으며 일반 적 으로 도면 부호 ( 60 ) 으로 표시 된다 . 일 실시 예 에서 , 장치 ( 60 ) 는 위 에서 언급 한 , 내부 용량 또는 공간 ( 64 ) 을 갖 는 에피 택 셜 반응 챔버 ( 14 ) 를 포함 한다 . 위 에서 설명 된 서 셉 터 는 반도체 웨이퍼 ( 12 ) 를 지지 하 기 위해 그리고 챔버 ( 14 ) 의 내부 공간 ( 64 ) 에 수용 되 기 위해 크기 와 모양 이 조정 되 었 다 . 지지 보스 들 ( 44 ) 에 있 는 개구 들 ( 50 ) 에 지지대 의 단부 ( ends ) 를 삽입 함 으로써 서 셉 터 ( 10 ) 는 통상 의 지지대 ( 16 ) 에 부착 된다 . 해당 기술 의 당업자 에게 일반 적 으로 잘 알려진 바 와 같이 , 지지대 ( 16 ) 는 에피 택 셜 공정 도중 에 서 셉 터 ( 10 ) 를 회전 시킨다 . 반응 챔버 ( 14 ) 는 열원 도 포함 하 는데 , 에피 택 셜 증착 공정 도중 에 웨이퍼 ( 12 ) 를 가열 하 기 위해 서 셉 터 ( 10 ) 의 위 와 아래 에 위치 한 가열 램프 어레이 ( 68 ) 를 예 로 들 수 있 다 . 상부 가스 입구 ( 70 ) 와 하부 가스 입구 ( 72 ) 는 챔버 ( 14 ) 의 내부 공간 ( 64 ) 으로 가스 가 도입 되 는 것 을 가능 하 게 한다 .