먼저 도 7 a 를 참고 하 면 , 기판 ( 300 ) 상 에 버퍼 층 ( 302 ) 을 형성 한다 . 상기 기판 ( 300 ) 은 유리 기판 등 의 절연 기판 이 다 . 상기 버퍼 층 ( 302 ) 은 산화 실리콘 층 이나 질화 실리콘 층 으로 형성 한 후 , 비정질 실리콘 층 을 형성 한다 . 상기 비정질 실리콘 층 은 두께 를 100 내지 500 Å 을 형성 한 후 패 터닝 하 여 포토다이오드 부 ( b ) 의 포토다이오드 전극 ( 304 ) 을 형성 한다 .