반도체 메모리 디바이스 는 , DRAM ( dynamic random access memory ) 또는 SRAM ( static random access memory ) 디바이스 등 의 휘발 성 메모리 디바이스 , ReRAM ( resistive random access memory ) , MRAM ( magnetoresistive random access memory ) , EEPROM ( electrically erasable programmable read only memory ) , ( EEPROM 의 부분집합 으로 간주 될 수 있 는 ) 플래시 메모리 , FRAM ( ferroelectric random access memory ) 등 의 비휘발성 메모리 디바이스 , 및 정보 를 저장 할 수 있 는 기타 의 반도체 소자 들 을 포함 한다 . 각각 의 타입 의 메모리 디바이스 는 상이 한 구성 들 을 가질 수 있 다 . 예 를 들 어 , 플래시 메모리 디바이스 는 NAND 또는 NOR 구성 으로 구성 될 수 있 다 .