여기 까지 는 , 액티브 매트릭스 형 발광 장치 에 대하 여 설명 하 였 지만 , 이하 에서 는 패시브 매트릭스 형 발광 장치 에 대하 여 설명 한다 . 도 5 에 는 본 발명 을 적용 하 여 제작 한 패시브 매트릭스 형 발광 장치 를 도시 하 였 다 . 또한 도 5 의 ( A ) 는 발광 장치 를 도시 한 사시도 이 고 , 도 5 의 ( B ) 는 도 5 의 ( A ) 를 선 X - Y 를 따라 취한 단면도 이 다 . 도 5 에서 , 기판 ( 951 ) 위 에 는 , 전극 ( 952 ) 과 전극 ( 956 ) 사이 에 EL 층 ( 955 ) 이 제공 된다 . 전극 ( 952 ) 의 단부 는 절연 층 ( 953 ) 으로 덮여 있 다 . 그리고 절연 층 ( 953 ) 위 에 는 격벽 층 ( 954 ) 이 제공 되 어 있 다 . 격벽 층 ( 954 ) 의 측벽 은 , 기판 면 에 가까워짐 에 따라 , 한 쪽 측벽 과 다른 쪽 측벽 사이 의 간격 이 좁 아 지 는 경사 를 갖 는다 . 즉 , 격벽 층 ( 954 ) 의 짧 은 변 방향 의 단면 은 사다리꼴 형상 이 고 , 저변 ( 절연 층 ( 953 ) 의 면 방향 과 같 은 방향 을 향하 고 절연 층 ( 953 ) 과 접하 는 변 ) 이 상변 ( 절연 층 ( 953 ) 의 면 방향 과 같 은 방향 을 향하 고 절연 층 ( 953 ) 과 접하 지 않 는 변 ) 보다 짧 다 . 이 와 같이 격벽 층 ( 954 ) 을 제공 함 으로써 , 정전기 등 에 기인 한 발광 디바이스 의 불량 을 방지 할 수 있 다 . 또한 패시브 매트릭스 형 발광 장치 에서 도 실시 형태 2 에 기재 된 발광 디바이스 를 사용 하 기 때문 에 , 신뢰 성 이 높 은 발광 장치 또는 소비 전력 이 낮 은 발광 장치 로 할 수 있 다 .