패 시베이 션 층 ( 118 ) 의 상면 에 마스크 패턴 ( 미 도시 ) 가 형성 된 후 , 외부 로 노출 된 패 시베이 션 층 ( 118 ) 을 에칭 을 통해 제거 하 여 에퍼 처 ( 118 a ) 가 형성 될 수 있 다 . 에퍼 처 ( 118 a ) 는 오프닝 또는 홀로 지칭 될 수 있 다 . 패 시베이 션 층 ( 118 ) 은 에퍼 처 ( 118 a ) 를 통해 , 재 배선 층 ( 117 ) 에서 패드 ( 117 c ) 의 상면 의 일부 인 베이스 ( 117 d ) 를 외부 로 노출 시킬 수 있 다 . 예 를 들 어 , 마스크 패턴 은 포토레지스트 를 이용 할 수 있 다 . 에퍼 처 ( 118 a ) 에 의해 외부 로 노출 된 베이스 ( 117 d ) 의 평면 형상 은 원형 , 사각형 또는 다각형 으로 형성 될 수 있 다 . 에퍼 처 ( 118 a ) 에 의해 외부 로 노출 된 베이스 ( 117 d ) 의 평면 형상 은 재 배선 층 ( 117 ) 의 패드 ( 117 c ) 의 평면 형상 과 같 을 수 있 다 . 에퍼 처 ( 118 a ) 에 의해 외부 로 노출 된 베이스 ( 117 d ) 의 평면 크기 는 패드 ( 117 c ) 의 평면 크기 보다 작 을 수 있 다 . 또한 에퍼 처 ( 118 a ) 에 의해 외부 로 노출 된 베이스 ( 117 d ) 의 평면 크기 는 대략 10 um 부터 500 um 까지 의 범위 일 수 있 다 .