도 17 을 참조 하 면 , 상기 예비 플로팅 게이트 전극 ( 104 a ) 상부 면 에 형성 된 제 3 절 연막 ( 148 ) 이 제거 되 도록 상기 제 3 절 연막 ( 148 ) 의 일부분 을 식각 함 으로써 제 3 절 연막 패턴 ( 148 a ) 이 형성 된다 . 이 때 , 상기 예비 플로팅 게이트 전극 사이 의 갭 부위 에 형성 된 제 3 절 연막 이 완전 하 게 제거 되 지 않 도록 함 으로써 , 상기 소자 분리 용 트렌치 내부 에 에 어 터널 이 유지 되 도록 한다 .