본 발명 에 따른 집적회로 소자 ( 100 , 100 a , 100 b , 100 c , 100 d , 100 e , 100 f , 100 g , 100 h , 100 i , 100 j , 100 k , 100 l , 100 m , 100 n , 100 o ) 는 전하 저 장막 ( 130 , 130 a , 130 b , 130 c , 130 d , 130 e , 130 f , 130 g , 130 h , 130 i , 130 j , 130 k , 130 l ) 을 채널 홀 ( CHH ) 내 에 형성 하 고 , 전하 저 장막 ( 130 , 130 a , 130 b , 130 c , 130 d , 130 e , 130 f , 130 g , 130 h , 130 i , 130 j , 130 k , 130 l ) 의 높이 및 / 또는 두께 를 다양 하 게 구현 할 수 있 으므로 메모리 셀 에 충분 한 전하 를 저장 할 수 있 고 인접 한 메모리 셀 들 사이 에 간섭 이 발생 하 는 것 을 방지 할 수 있 다 .