기입 에 있 어서 는 , 기입 하 려는 메모리 셀 열 의 각 메모리 셀 ( 190 ) 에 기입 하 는 데이터 에 맞추 어 , 용량 소자 ( 164 ) 에 WL 로부터 기입 데이터 에 대응 하 는 전위 를 부여 하 고 , S 2 에 V 4 를 부여 함 으로써 기입 하 려는 메모리 셀 열 의 모든 트랜지스터 ( 162 ) 를 온 상태 로 함 과 함께 , S 1 에 Von 을 부여 함 으로써 기입 을 행하 는 모든 메모리 셀 ( 190 ) 의 노드 FG 의 전위 를 Von 으로 한다 .