제어 로직 ( 240 ) 은 메모리 장치 ( 200 ) 의 메모리 동작 에 관련 된 각종 제어 동작 을 수행 할 수 있 으며 , 또한 메모리 장치 ( 200 ) 내부 의 구성 요소 들 로 다양 한 제어 신호 들 을 제공 할 수 있 다 . 예 시 적 인 실시 예 에 따라 , 제 어 로직 ( 240 ) 은 저항 설정 회로 ( 241 ) 를 포함 하 고 , 상기 저항 설정 회로 ( 241 ) 는 캘 리브레 이 션 동작 에서 전술 한 풀 업 코드 및 풀 다운 코드 의 생 성 에 이용 될 수 있 으며 , 저항 설정 회로 ( 241 ) 의 제어 에 기반 하 여 풀 업 코드 및 풀 다운 코드 중 적어도 하나 의 코드 값 이 변동 될 수 있 다 . 즉 , 풀 업 코드 및 풀 다운 코드 의 값 이 변동 됨 에 따라 , 데이터 출력 동작 에서 OCD 회로 의 출력 세기 가 변동 될 수 있 고 , 이 를 통해 데이터 신호 특성 을 향상 시킬 수 있 다 .