도 1 에 도시 한 것 처럼 n 측 전극 ( 50 ) 은 광취 출면 에서 소정 간격 을 두 고 마련 되 어 있 다 . 본 실시 형태 에서 는 광취 출면 은 n 형 반도체 층 ( 41 ) 의 표면 이 므로 n 측 전극 ( 50 ) 은 n 형 반도체 층 ( 41 ) 의 상면 에서 소정 간격 을 두 고 전기 적 으로 접속 되 도록 형성 되 어 있 다 . n 측 전극 ( 50 ) 은 와이어 본딩 에 의해 외부 와 접속 된다 . n 측 전극 ( 50 ) 은 n 형 반도체 층 ( 41 ) 의 상면 쪽 에서 , 예 를 들 면 Ti / Pt / Au , Ti / Pt / Au / Ni , Ti / A 1 , Ti / A 1 / Pt / Au , W / Pt / Au , V / Pt / Au , Ti / TiN / Pt / Au , Ti / TiN / Pt / Au / Ni 와 같 은 여러 개 의 금속 을 포함 한 다층막 으로 구성 된다 . 아울러 n 측 전극 ( 50 ) 은 오 믹 전극 과 패드 전극 으로 구성 되 도록 해도 좋 다 .