그러나 위 와 같이 소자 외부 적 으로 추가 적 인 ESD 보호 소자 를 추가 하 는 것 은 비용 적 인 면 에서 나 수율 적 인 면 에서 바람직 하 지 는 않 다 . 가장 바람직 한 방법 은 발광 소자 의 박막 특성 또는 구조 를 개선 하 여서 발광 소자 자체 적 으로 ESD 특성 을 개선 하 는 것 이 다 . 이 를 위해서 근본 적 으로 GaN 박막 의 품질 은 높이 는 것 이 바람직 하나 이 에 는 한계 가 있 다 . 현재 까지 GaN 소자 의 ESD 특성 을 개선 하 기 위한 박막 의 성장 방법 에 대한 자료 는 많 지 않 다 .