또한 , 비정질 실리콘 층 이 용융 되 고 고상 화 되 면서 부피 차이 에 의해 형성 되 는 프라이머리 결정립계 를 제거 하 기 위하 여 피치 간격 을 1 내지 3 ㎛ 로 한다 . 그 이유 는 폭 이 5 내지 20 ㎛ 의 빔 이 조사 되 기 때문 에 적어도 3 ㎛ 이하 의 피치 로 이동 하 면서 연속 적 으로 조사 해야 만 전기 적 흐름 을 방해 하 는 프라이머리 바운더리 를 제거 할 수 있 다 . 또한 , 표면 거칠 기 가 2 내지 4 ㎛ 인 다결정 실리콘 층 을 제조 할 수 있 다 .