이 경우 에 , 상기 노광 패턴 들 의 임계 치수 의 변동 에 따라 상기 투과 형 포토 마스크 ( 12 ) 를 통과 하 는 광 의 투과 율 이 변동 된다 . 그 결과 , 상기 투과 형 포토 마스크 ( 12 ) 상 의 노광 패턴 들 의 폭 들 이 서로 동일 할지 라도 상기 투과 형 포토 마스크 ( 12 ) 를 통과 하 는 동안 에 발생 하 는 광 의 간섭성 때문 에 상기 웨이퍼 상 에 형성 되 는 포토레지스트 패턴 들 의 폭 들 은 서로 동일 하 지 않 게 된다 . 예 를 들 면 , 상기 고밀도 차광 패턴 영역 ( 16 a ) 을 통과 한 광 에 의해 형성 된 포토레지스트 패턴 들 의 해상도 가 상기 저밀 도 차광 패턴 영역 ( 16 b ) 을 통과 한 광 에 의해 형성 된 포토레지스트 패턴 들 의 해상도 보다 열악 하 게 될 수 있 다 . 결과 적 으로 , 상기 노광 패턴 들 의 임계 치수 의 변동 은 상기 웨이퍼 ( 24 ) 상 에 형성 되 는 포토레지스트 패턴 들 의 균일성 ( uniformity ) 을 열화 시키 는 문제점 을 발생 시킨다 . 상기 노광 패턴 들 의 임계 치수 의 변동 은 노광 패턴 들 의 제작 오차 에 의해 발생 할 수 도 있 다 .