일반 적 으로 반도체 메모리 장치 는 단위 셀 들 이 그룹 지 어 져 배치 된 뱅크 를 다수 구비 한다 . 로우어 드레스 를 디 코딩 하 기 위한 로우디 코딩 회로 부 와 컬럼 어드레스 를 디 코딩 하 기 위한 컬럼 디 코딩 회로 부 가 각 뱅크 에 대응 하 여 배치 된다 . 로우디 코딩 회로 부 에서 는 입력 된 로우어 드레스 를 디 코딩 하 여 뱅크 에 구비 된 다수 의 워드 라인 중 하나 를 선택 하 여 활성 화 하 도록 한다 .