다음 으로 , 도 17 에 도시 하 는 바 와 같이 , 레지스 트 패턴 ( 11 a ) 을 마스크 로 해서 , 반사 방지 막 ( 10 ) , 폴리 실리콘 막 ( 9 ) , 및 산화 막 ( 8 ) 을 에칭 하 여 , 소자 영역 ( 1 A , 1 B ) 상 에 게이트 절 연막 ( 12 ) 및 게이트 전극 ( 13 ) 을 형성 한다 . 그리고 , 레지스 트 패턴 ( 11 A ) 및 반사 방지 막 ( 10 ) 을 제거 한다 .