일 실시 예 에 따르 면 제 1 게이트 전극 ( 310 _ 1 ) 은 제 1 산화물 층 ( 370 _ 1 ) 보다 넓 은 폭 을 갖 도록 형성 될 수 있 다 . 이 에 따라 제 1 층간 절 연막 ( 160 ) 의 결함 형성 을 방지 할 수 있 고 , 나아가 구동 트랜지스터 ( DRT _ 1 ) 의 구조 적 안정 성 을 확보 하 여 소자 특성 및 신뢰 성 을 향상 시킬 수 있 다 . 제 1 게이트 전극 ( 310 _ 1 ) 은 제 1 산화물 층 ( 370 _ 1 ) 상 에 배치 되 되 , 더 넓 은 폭 을 가짐 에 따라 제 1 산화물 층 ( 370 _ 1 ) 의 상면 및 측면 을 덮 도록 배치 될 수 있 다 . 제 1 산화물 층 ( 370 _ 1 ) 은 도 7 의 실시 예 와 달리 제 1 층간 절 연막 ( 160 ) 과 접촉 하 지 않 을 수 있 다 .