도 22 a 및 22 b 에 예시 된 SJ - MOS 트랜지스터 ( 90 ) 의 PN 칼럼 층 ( 10 ) 에서 는 , N 형 칼럼 ( 20 n ) 및 P 형 칼럼 ( 20 p ) 이 불순물 농도 ( XOn = XOp ) 및 폭 ( 즉 WOn = WOp ) 에 있 어서 서로 동일 하 도록 형성 된다 . 한편 , 도 1 a 및 1 b 에 예시 된 SJ - MOS 트랜지스터 ( 100 ) 의 PN 칼럼 층 ( 11 ) 은 제 1 계면 ( B 1 ) 으로부터 의 폭 이 소정 의 값 ( d 1 ) 이 되 도록 형성 된 제 1 칼럼 층 ( 11 a ) 및 제 2 계면 ( B 2 ) 으로부터 의 두께 가 소정 의 값 ( d 2 ) 이 되 도록 형성 된 제 2 칼럼 층 ( 11 b ) 을 구비 한다 . PN 칼럼 층 ( 11 ) 에서 는 , 깊이 함수 로서 불순물 양 의 차이 ( D ) 가 ( N 형 칼럼 ( 21 n ) 의 불순물 양 ) - ( P 형 칼럼 ( 21 p ) 의 불순물 양 ) 으로서 정의 될 것 이 다 . 이때 , 제 1 칼럼 층 ( 11 a ) 은 임의 의 깊이 에서 의 불순물 양 의 차이 ( D ) 가 일정 한 양 ( positive ) 의 값 ( Da ) ( > 0 ) 으로 설정 된 층 이 고 , 제 2 칼럼 층 ( 11 b ) 은 임의 의 깊이 에서 의 불순물 양 의 차이 ( D ) 가 일정 한 음 ( negetive ) 의 값 ( Db ) ( < 0 ) 으로 설정 된 층 이 다 . 다시 말 해서 , 도 1 a 및 1 b 에 도시 한 SJ - MOS 트랜지스터 ( 100 ) 에서 의 PN 칼럼 층 ( 11 ) 은 제 1 칼럼 층 ( 11 a ) 과 제 2 칼럼 층 ( 11 b ) 을 갖 는 구성 이 고 , 상기 제 1 칼럼 층 ( 11 a ) 은 N 형 반도체 층 ( 1 ) 에 대해 접하 고 , 상기 제 1 칼럼 층 에서 N 형 불순물 이 풍부 해 지 게 불순물 양 의 밸런스 가 어느 정도 흔들리 고 , 상기 제 2 칼럼 층 ( 11 b ) 은 P 형 반도체 층 ( 3 ) 에 대해 접하 고 , 상기 제 2 칼럼 층 에서 P 형 불순물 이 풍부 해 지 게 불순물 양 의 밸런스 가 어느 정도 흔들린다 . PN 칼럼 층 ( 11 ) 에서 의 제 1 칼럼 층 ( 11 a ) 및 제 2 칼럼 층 ( 11 b ) 의 불순물 양 의 두께 ( d 1 , d 2 ) 및 차이 ( Da , Db ) 는 적절히 설정 될 수 있 다 . 도 1 a 및 1 b 에서 의 SJ - MOS 트랜지스터 ( 100 ) 에서 는 , 형상 가공 편차 또는 불순물 농도 의 편차 ( 이하 , 공동 으로 형성 편차 라 칭함 ) 에 의해 생기 는 불순물 양 의 임의 의 잉여량 이 다음 과 같이 제거 된다 . 즉 , 그것 은 제 1 칼럼 층 ( 11 a ) 및 제 2 칼럼 층 ( 11 b ) 을 PN 칼럼 층 ( 11 ) 에서 형성 하 여 이전 깊이 방향 으로 의 불순물 양 의 밸런스 를 깨 뜨 림 으로써 제거 된다 . 그 결과 , 도 1 a 및 1 b 에 예시 된 SJ - MOS 트랜지스터 ( 100 ) 에서 는 , 상기 형성 편차 로 인한 내압 의 편차 가 종래 의 반도체 장치 즉 , 불순물 양 의 차이 가 전체 PN 칼럼 층 ( 10 ) 에서 두께 의 방향 으로 0 이 되 는 도 22 a 및 22 b 에 예시 된 SJ - MOS 트랜지스터 ( 90 ) 및 N 형 칼럼 과 P 형 칼럼 사이 의 접합부 가 테이퍼 구조 로 되 어 일부 좁 은 영역 에서 의 불순물 양 의 차이 를 0 으로 하 는 특허 문헌 1 에 개시 된 SJ - MOS 트랜지스터 에서 보다 더 감소 될 수 있 다 . 따라서 , 도 1 a 및 1 b 에서 의 SJ - MOS 트랜지스터 ( 100 ) 는 이하 에 보다 상세히 설명 할 것 과 같이 , 종래 의 SJ - MOS 트랜지스터 와 비교 해서 , 내압 에 대하 여 무결함 율 ( percentage of non - defectives ) 을 증대 할 수 있 다 .