본 실시 예 에서 , 제 1 프로브 ( 30 a ) 는 모두 제 2 프로브 ( 30 b ) 와 상이 한 높이 에 위치 하 므로 , 제 1 전도성 접점 ( 55 a ) 의 경사각 의 크기 에 상관없이 , 제 1 및 제 2 프로브 ( 30 a , 30 b ) 의 경사각 은 모두 점 접촉 하 는 제 1 전도성 접점 ( 55 a ) 의 경사각 에 대응 될 수 있 어 , 간섭 문제 를 일으키 지 않 는다 . 그러나 , 본 발명 의 프로브 모듈 은 상기 복수 의 제 1 프로브 ( 30 a ) 가 모두 동일 한 높이 에 위치 하 도록 제한 되 지 않 으며 , 상기 복수 의 제 2 프로브 ( 30 b ) 도 모두 동일 한 높이 에 위치 하 도록 제한 되 지 않 으며 , 가장 오른쪽 의 하나 이상 의 제 1 프로브 ( 30 a ) 와 가장 왼쪽 의 하나 이상 의 제 2 프로브 ( 30 b ) 가 상이 한 높이 에 위치 하 기 만 하 면 , 프로브 의 간섭 문제 를 피할 수 있 다 . 즉 , 제 1 프로브 ( 30 a ) 는 하나 이상 의 제 1 경계 프로브 ( 63 ) 를 포함 할 수 있 고 , 제 2 프로브 ( 30 b ) 는 하나 이상 의 제 2 경계 프로브 ( 64 ) 를 포함 할 수 있 으며 , 제 1 경계 프로브 ( 63 ) 와 제 2 경계 프로브 ( 64 ) 가 상이 한 높이 ( 상이 한 프로브 층 ) 에 위치 하 기 만 하 면 상호 간섭 을 피할 수 있 고 , 나머지 제 1 프로브 ( 30 a ) 및 제 2 프로브 ( 30 b ) 의 높이 는 제한 되 지 않 고 , 예 를 들 어 , 상기 복수 의 제 1 프로브 ( 30 a ) 및 제 2 프로브 ( 30 b ) 에서 제 1 경계 프로브 ( 63 ) 만 높 은 제 1 프로브 층 ( P 1 ) 에 위치 하 면 되 고 , 나머지 제 1 프로브 ( 30 a ) 및 제 2 프로브 ( 30 b ) 는 모두 낮 은 제 2 프로브 층 ( P 2 ) 에 위치 할 수 있 으며 , 제 1 및 제 2 경계 프로브 ( 63 , 64 ) 의 개수 는 제 1 및 제 2 피 측정 유닛 ( 50 A , 50 B ) 의 인접 한 측면 에지 에 인접 한 제 1 전도성 접점 ( 55 a ) 의 경사각 에 의해 결정 된다 . 구체 적 으로 , 본 실시 예 의 제 1 및 제 2 피 측정 유닛 ( 50 A , 50 B ) 에 있 어서 , 각 피 측정 유닛 ( 50 A , 50 B ) 의 인접 한 측면 에지 와 가장 가까운 하나 의 제 1 전도성 접점 ( 55 a ) 은 대응 하 는 동일 한 높이 의 프로브 를 너무 가까워 지 게 하 는 문제 가 있 으므로 , 제 1 및 제 2 경계 접점 ( 61 , 62 ) 은 각각 하나 만 있 고 , 제 1 및 제 2 경계 프로브 ( 63 , 64 ) 는 대응 하 게 각각 하나 만 있 으며 , 해당 2 개 의 프로브 가 상이 한 높이 에 위치 하 기 만 하 면 프로브 의 간섭 문제 를 피할 수 있 다 . 피 측정 유닛 ( 50 A , 50 B ) 의 인접 한 측면 에지 에 인접 한 제 1 전도성 접점 ( 55 a ) 의 경사각 이 더 큰 경우 , 제 1 및 제 2 경계 접점 ( 61 , 62 ) ( 즉 동일 한 높이 의 프로브 를 너무 가까워 지 게 하 거나 간섭 되 게 할 수 있 는 전도성 접점 ) 의 개수 를 더 많이 설정 하 고 , 제 1 및 제 2 경계 프로브 ( 63 , 64 ) 의 개수 도 따라서 증가 한다 .