도 9 a 는 소스 / 드레 인 콘택트 개구 ( 60 ) 의 형성 을 도시 한다 . 도 25 에 도시 된 공정 흐름 ( 200 ) 에서 각 공정 은 공정 ( 218 ) 으로서 도시 되 어 있 다 . 콘택트 개구 ( 60 ) 의 형성 은 , ILD ( 48 ) 를 에칭 하 여 , CESL ( 46 ) 아래 에 놓이 는 부분 을 노출 시킨 후 , CESL ( 46 ) 의 노출 된 부분 을 에칭 하 여 에피택시 영역 ( 42 ) 을 드러내 는 것 을 포함 한다 . 본 개시 의 일부 실시 예 에 따라서 , 도 9 a 에 도시 된 바 와 같이 , 게이트 스 페이서 ( 38 ) 는 , ILD ( 48 ) 의 일부 잔존 부분 에 의해 , 가장 가까운 콘택트 개구 ( 60 ) 로부터 이격 된다 . 다른 실시 예 에 따라서 , 콘택트 개구 ( 60 ) 의 측벽 은 콘택트 개구 ( 60 ) 에 노출 된다 .