상부 의 트랜지스터 의 채널 길이 ( L ) 는 소스 전극 ( 142 a ) 및 드레 인 전극 ( 142 b ) 의 하단 부 들 간 의 간격 에 의해 결정 된다 . 채널 길이 ( L ) 가 25 nm 미만 의 트랜지스터 를 형성 할 경우 에 이용 하 는 마스크 형성 의 노광 을 행할 때 에 는 , 수 nm 내지 수십 nm 로 파장 이 짧 은 초 자외선 ( extreme ultraviolet ) 을 이용 하 는 것 이 바람직 하 다는 점 에 주목 한다 . 초 자외선 에 의한 노광 은 , 해상도 가 높 고 초점 심도 도 크 다 . 따라서 , 후 에 형성 되 는 트랜지스터 의 채널 길이 ( L ) 를 , 10 nm 이상 1000 nm ( 1 μ m ) 이하 로 하 는 것 도 가능 하 며 , 회로 의 동작 속도 를 높이 는 것 이 가능 하 다 . 또한 , 미세화 에 의해 , 반도체 장치 의 소비 전력 을 저감 하 는 것 도 가능 하 다 .