센서 구조 체 는 반도체 가 사용 되 며 , 바람직 하 게 는 적당 한 도핑 농도 로 도핑 된 실리콘 이 사용 된다 . 바람직 하 게 는 불순물 도핑 농도 가 1017 ~ 1019 cm - 3 정도 가 적당 하 며 , 불순물 의 종류 로 는 붕소 ( boron ) , 인 ( phosphorus ) , 비소 ( arsenic ) , 안티몬 ( antimony ) , 인듐 ( indium ) 등 이 사용 될 수 있 다 . 센서 구조 체 양 측면 은 각각 소오 스 와 드레 인 이 되 고 오 믹 콘 택 을 형성 하 기 위하 여 센서 구 조체 와 같 은 타입 의 불순물 로 콘 택 이온 주입 후 금속 전극 을 형성 한다 .