구체 적 으로 , 반도체 기판 ( 200 ) 상 에 게이트 절 연막 을 형성 한다 . 다음 에 게이트 절 연막 위 에 도전 막 , 금속 막 및 하드 마스크 막 을 순차 적 으로 증착 한다 . 다음 에 적층 된 구조물 을 패 터닝 하 여 하드 마스크 막 패턴 ( 265 ) , 금속 막 패턴 ( 260 ) , 도전 막 패턴 ( 255 ) 및 게이트 절 연막 패턴 ( 250 ) 이 적층 된 구조 로 이루어지 는 게이트 스택 ( 270 ) 을 형성 한다 . 여기 서 게이트 절 연막 패턴 ( 250 ) 은 산화 막 으로 형성 하 고 , 도전 막 패턴 ( 255 ) 은 폴리 실리콘 막 으로 형성 할 수 있 다 . 또한 금속 막 패턴 ( 260 ) 은 텅스텐 막 또는 텅스텐 실리사이드 막 으로 형성 할 수 있 고 , 하드 마스크 막 패턴 ( 265 ) 은 질화 막 으로 형성 할 수 있 다 .