상기 제 1 온도 및 제 1 압력 을 가지 는 상기 공정 챔버 내 에서 상기 제 1 반응 가스 에 포함 된 수소 가스 및 산소 가스 가 서로 반응 함 에 따라 대 상체 ( 100 ) 상 에 제 1 산소 라디칼 ( oxygen radical ; O *) 이 형성 된다 . 즉 , 상기 수소 가스 및 산소 가스 를 포함 하 는 제 1 반응 가스 를 상기 제 1 온도 에서 열처리 하 여 상기 산소 라디칼 을 형성 한다 . 본 발명 의 실시 예 들 에 있 어서 , 상기 수소 가스 는 약 2 . 0 ∼ 3 . 0 slm 정도 의 유량 으로 대 상체 ( 100 ) 상 으로 공급 될 수 있 으며 , 상기 산소 가스 는 약 0 . 1 ∼ 0 . 5 slm 정도 의 유량 으로 상기 공정 챔버 내 로 제공 될 수 있 다 . 예 를 들 면 , 상기 산소 가스 와 수소 가스 사이 의 유량 비 는 약 1 . 0 ： 4 . 0 ∼ 30 . 0 정도 가 될 수 있 다 . 또한 , 상기 수소 가스 및 산소 가스 를 포함 하 는 상기 제 1 반응 가스 는 약 10 ∼ 30 분 동안 대 상체 ( 100 ) 상 으로 공급 될 수 있 다 . 본 발명 의 일 실시 예 에 있 어서 , 상기 제 1 반응 가스 는 약 20 분 동안 상기 대 상체 ( 100 ) 상 으로 제공 될 수 있 다 . 상기 제 1 산소 라디칼 과 대 상체 ( 100 ) 에 포함 된 실리콘 사이 의 반응 에 따라 대 상체 ( 100 ) 상 에 는 실리콘 산화물 을 포함 하 는 제 1 예비 산화 막 ( 105 ) 이 형성 된다 . 실리콘 을 포함 하 는 대 상체 ( 100 ) 의 일부 가 상기 제 1 산소 라디칼 과 반응 하 여 대 상체 ( 100 ) 상 에 제 1 예비 산화 막 ( 105 ) 이 형성 되 기 때문 에 , 제 1 예비 산화 막 ( 105 ) 은 대 상체 ( 100 ) 의 최초 의 표면 ( S 1 ) 상 으로 소정 의 두께 를 가지 면서 대 상체 ( 100 ) 의 최초 의 표면 ( S 1 ) 아래 까지 소정 의 깊이 로 형성 된다 .