상세 하 게 는 , 베이스 칩 ( 900 ) 상 에 제 1 반도체 칩 ( 300 ) 이 실장 될 수 있 다 . 제 1 반도체 칩 들 ( 300 ) 의 구성 은 도 1 을 참조 하 여 설명 한 것 과 동일 또는 유사 할 수 있 다 . 제 1 반도체 칩 들 ( 300 ) 은 메모리 칩 ( memory chip ) 을 포함 할 수 있 다 . 도 5 에 도시 된 바 와 같이 , 제 1 반도체 칩 들 ( 300 ) 은 그 의 전면 ( 300 a ) 이 베이스 칩 ( 900 ) 의 후면 ( 900 b ) 과 접할 수 있 으며 , 제 1 반도체 칩 들 ( 300 ) 은 베이스 칩 ( 900 ) 에 전기 적 으로 연결 될 수 있 다 . 제 1 반도체 칩 들 ( 300 ) 과 베이스 칩 ( 900 ) 의 경계 상 에서 , 제 1 반도체 칩 들 ( 300 ) 의 제 1 칩 패드 들 ( 312 ) 은 베이스 칩 ( 900 ) 의 제 4 관통 전극 들 ( 920 ) 과 접할 수 있 다 . 이때 , 제 4 관통 전극 들 ( 920 ) 과 제 1 칩 패드 들 ( 312 ) 은 금속 간 하이브리드 본딩 ( hybrid bonding ) 을 이룰 수 있 다 . 예 를 들 어 , 제 4 관통 전극 들 ( 920 ) 과 제 1 칩 패드 들 ( 312 ) 은 연속 적 인 구성 을 가질 수 있 고 , 제 4 관통 전극 들 ( 920 ) 과 제 1 칩 패드 들 ( 312 ) 사이 의 경계 면은 시각 적 으로 보이 지 않 을 수 있 다 .