도 2 에 도시 된 바 와 같이 , 메모리 셀 스택 ( 210 ) 내의 2 개 의 메모리 셀 ( 105 - a ) 은 디 지트 라인 ( 115 - a ) 과 같 은 공통 의 전도성 라인 을 공유 할 수 있 다 . 즉 , 디 지트 라인 ( 115 - a ) 은 상단 메모리 셀 ( 105 - a ) 의 바닥 전극 및 하단 메모리 셀 ( 105 - a ) 의 상단 전극 과 전자 통신 할 수 있 다 . 상단 메모리 셀 들 ( 105 - a ) 은 최 상부 데크 로 지칭 될 수 있 고 , 하단 메모리 셀 들 ( 105 - a ) 은 바닥 데크 로 지칭 될 수 있 다 . 다른 구성 이 가능 할 수 도 있 다 ; 예 를 들 어 , 제 3 데크 는 하단 데크 와 워드 라인 ( 110 - a ) 을 공유 할 수 있 다 . 일반 적 으로 , 105 - a 의 하나 의 메모리 셀 은 워드 라인 ( 110 - a ) 및 디 지트 라인 ( 115 - a ) 과 같 은 2 개 의 전도성 라인 의 인터 섹션 에 위치 될 수 있 다 . 이 인터 섹션 은 메모리 셀 의 어드레스 로 지칭 될 수 있 다 . 타 겟 메모리 셀 ( 105 - a ) 은 여자 된 ( energized ) 워드 라인 ( 110 - a ) 과 디 지트 라인 ( 115 - a ) 의 인터 섹션 에 위치 된 메모리 셀 ( 105 - a ) 일 수 있 다 ; 즉 , 워드 라인 ( 110 - a ) 및 디 지트 라인 ( 115 - a ) 은 그것 들 의 인터 섹션 에서 메모리 셀 ( 105 - a ) 을 판독 또는 기록 하 기 위해 여자 될 수 있 다 . 동일 한 워드 라인 ( 110 - a ) 또는 디 지트 라인 ( 115 - a ) 과 전자 통신 하 는 ( 예 를 들 어 , 연결 된 ) 다른 메모리 셀 ( 105 ) 은 타 겟 이 아닌 ( untargeted ) 메모리 셀 로 지칭 될 수 있 다 . 또한 , 메모리 셀 ( 예 를 들 어 , FeRAM , RRAM 등 ) 에 따라 , 다른 액세스 라인 , 예 를 들 어 , 플레이트 라인 ( 미 도시 ) 이 셀 의 저장 엘리먼트 에 액세스 하 는 것 에 수반 될 수 있 다 .