다음 에 , 노출 된 ESL 막 ( 103 ) 이 주석 옥사이드 스 페이서 들 ( 109 ) 에 의해 보호 되 지 않 은 모든 위치 들 에서 아래 에 놓인 타깃 층 ( 105 ) 을 노출 하 도록 에칭 된다 . 발생 되 는 구조 체가 도 1 e 에 도시 된다 . 이 단계 에서 사용 되 는 에칭 화학 물질 은 주석 옥사이드 의 존재 시 ESL 재료 를 선택 적 으로 에칭 한다 . 달리 말 하 면 , 주석 옥사이드 의 에칭 레이트 에 대한 ESL 재료 의 에칭 레이트 의 비 는 1 보다 크 고 , 보다 바람직 하 게 1 . 5 보다 크 다 . 이 단계 에서 사용 된 특정 한 타입 의 화학 물질 은 ESL 재료 의 타입 에 종속 될 것 이 다 . 실리콘 - 함유 화합물 들 ( 예 를 들 어 , 실리콘 옥사이드 및 실리콘 옥사이드 기반 재료 들 ) 이 사용 될 때 , 선택 적 인 에칭 이 플루오르화 탄소 를 포함 하 는 프로세스 가스 로 형성 된 플 라즈 마 에 기판 을 노출 함 으로써 달성 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , ESL 막 은 CF 4 , C 2 F 6 , 및 C 3 F 8 중 하나 이상 을 포함 하 는 프로세스 가스 로 형성 된 플 라즈 마 에 의해 에칭 될 수 있 다 . ESL 이 금속 옥사이드 층 ( 예 를 들 어 , 티타늄 옥사이드 , 텅스텐 옥사이드 , 또는 지르코늄 옥사이드 ) 일 때 , 이 는 주석 옥사이드 의 존재 시 염소 - 기반 에칭 화학 물질 ( 예 를 들 어 , 플 라즈 마의 BCl 3 / Cl 2 ) 을 사용 하 여 선택 적 으로 에칭 될 수 있 다 .