종래 방법 에서 에칭 핏 은 에칭 액 을 이용 한 습식 식각 에 의해 형성 됨 에 반해 , 본 발명 의 실시 예 에서 , 에칭 핏 ( 112 ) 은 식각 기체 를 이용 한 건식 식각 을 이용 한다 . 예 를 들 어 , 식각 기체 는 실리콘 또는 실리콘 - 게르마늄 을 식각 하 기 위한 HCl 기체 또는 HCl 및 H 2 의 혼합 기체 를 포함 할 수 있 다 . 보다 구체 적 으로 예 를 들 면 , 식각 속도 를 조절 할 수 있 도록 , HCl 기체 는 20 SLM 이 하 고 , H 2 기체 는 100 SLM 이하 일 수 있 다 .