또한 , RIE 에 의해 실리콘 반도체 기판 에 형성 된 스루홀 의 형상 은 제 2 주면 에 있 는 개구부 로부터 내측 으로 점진 적 으로 좁 아 지 는 테이퍼 형상 이 바람직 하 다 . 노 칭 또는 보잉 ( bowing ) 에 의해 역 테이퍼 ( inverse taper ) 가 형성 되 면 , CVD 에 의한 절 연막 의 형성 또는 스퍼터링 에 의한 금속 시드 층 의 형성 시 에러 가 발생 할 수 있 다 .