도 15 ( a ) 를 참조 하 면 , 사파이어 기판 ( 50 ) 상부 에 n 형 반도체 층 ( 100 ) , 활성 층 ( 200 ) 및 p 형 반도체 층 ( 300 ) 을 순차 적 으로 형성 한다 . 그리고 , p 형 반도체 층 ( 300 ) , 활성 층 ( 200 ) 및 n 형 반도체 층 ( 100 ) 의 소정 영역 을 식각 하 여 기판 ( 50 ) 을 노출 시킨다 . 그리고 , p 형 반도체 층 ( 300 ) 상부 의 소정 영역 에 p 형 전극 층 ( 400 ) 을 형 성 한다 . 즉 , p 형 반도체 층 ( 300 ) 상부 에 투명 전도성 산화물 을 형성 한 후 사진 및 식각 공정 으로 투명 전도성 산화물 을 선택 적 으로 제거 하 여 p 형 전극 층 ( 400 ) 을 형성 한다 . 이때 , 식각 공정 은 HCl 희석 용액 을 이용 한 습식 식각 공정 과 CF 4 가스 를 이용 한 건식 식각 공정 을 포함 할 수 있 다 . 그리고 , p 형 전극 층 ( 400 ) 상부 에 반사 층 ( 450 ) 을 형성 한다 . 반사 층 ( 450 ) 은 전체 구조 상부 에 감광막 ( 미 도시 ) 을 형성 한 후 p 형 전극 층 ( 400 ) 이 노출 되 도록 감광막 을 패 터닝 하 고 , 반사 금속 을 증착 한 후 리프트 오프 공정 으로 감광막 및 그 상부 의 반사 금속 을 제거 하 여 형성 할 수 있 다 . 또한 , 반사 층 ( 450 ) 은 전체 구조 상부 에 반사 금속 을 형성 한 후 p 형 전극 층 ( 400 ) 상부 의 반사 금속 이 노출 되 도록 감광막 패턴 을 형성 한 후 반사 금속 을 식각 하 여 형성 할 수 도 있 다 .