이 와 같이 , 상기 기상 성 장용 서 셉 터 에 있 어서 , 웨이퍼 재치 면 인 우묵 한 부분 의 바닥 면 의 중앙부 로부터 외주 부 에 걸쳐 생기 는 홈 깊이 의 변화 가 연속 적 으로 얕 아 지 는 것 이 라면 , 중앙부 와 외주 부 의 경 계부 에 있 어서 , 급격 하 게 온도 가 변하 여 에피 택 셜 층 의 막 두께 가 급격 하 게 변할 우려 가 없 으며 , 나노 토폴로지 ( nanotopography ) 나 SEMI 규격 의 평탄 도 의 정의 중 하나 인 SFQR ( Site flateness least square range ) 이 악화 되 는 것 을 막 을 수 있 어 , 고품질 의 에피 택 셜 웨이퍼 를 얻 을 수 있 다 .