상기 과제 를 달성 하 기 위한 본 발명 의 반도체 공정 부품 코팅 방법 의 일 면 은 , 반도체 공정 부품 으로 파우더 형태 의 이트리아 ( Y 2 O 3 ) 가 분사 되 는 단계 와 , 상기 분사 된 이트리아 로 플루오르 ( F ) 함유 가스 가 분사 되 는 단계 와 , 상기 플루오르 함유 가스 가 플 라즈 마로 여기 되 는 단계 , 및 상기 분사 된 이트리아 가 상기 플 라즈 마 에 의해 가열 되 어 상기 반도체 공정 부품 의 표면 에 이트륨 옥시 불소 ( YOF ) 코팅 층 또는 불화 이트륨 ( YF 3 ) 코팅 층 이 형성 되 는 단계 를 포함 한다 .