본 발명 에서 , Cu 또는 Cu 합금 의 망상 구조 를 가지 는 다공질 금 속체 에 , Sn 또는 Sn 계 의 납 프리 땜납 을 함침 하 면 , 공공 률 이 20 ~ 30 %( 면적 비율 로 나타냄 ) 일 때 에 는 Sn 이 Cu 3 Sn 및 Cu 6 Sn 5 의 형성 에 의해 소실 해 , 접합부 의 용융점 의 고온 화 를 한다 . 공공 률 이 30 % 를 넘 으면 저 융점 상 의 Sn 이 잔존해 , 고온 화 가 실현 되 지 않 는다 . 고온 화 를 실시 하 는 데 는 , Sn 단체상 ( 單體 相 ) , 즉 Sn 고용 체상 을 소실 시키 기 위해서 도 , 보이드 등 의 접합 성 을 향상 하 기 위해서 도 , 공공 률 20 ~ 30 면적 % 의 것 이 바람직 하 다 .