도 3 a 를 참조 하 면 , 반도체 기판 ( 100 ) 상 에 제 1 절연 층 ( 150 ) 을 형성 한다 . 상기 제 1 절연 층 ( 150 ) 은 단일 층 또는 다층 일 수 있 다 . 상기 제 1 절연 층 ( 150 ) 은 산화 막 을 포함 할 수 있 다 . 상기 제 1 절연 층 ( 150 ) 을 완전히 형성 하 기 전 에 , 상기 반도체 기판 ( 100 ) 상 에 제 1 집 적 회로 를 형성 할 수 있 다 .