예시 적 으로 , 메모리 장치 ( 2200 ) 는 EEPROM ( Electrically Erasable and Programmable ROM ) , 낸드 플래시 메모리 , 노어 플래시 메모리 , PRAM ( Phase - change RAM ) , ReRAM ( Resistive RAM ) , FRAM ( Ferroelectric RAM ) , STT - MRAM ( Spin - Torque Magnetic RAM ) 등 과 같 은 다양 한 비휘발성 메모리 소자 들 로 구성 될 수 있 다 .