이어서 , 상기 게이트 절 연막 ( 214 ) 상 에 게이트 ( 212 ) 에 대응 하 는 채널 층 ( 216 ) 을 형성 한다 . 본 실시 예 에서 , 상기 채널 층 ( 216 ) 은 투명 한 산화물 반도체 로 이루어질 수 있 다 . 상기 산화물 반도체 는 예 를 들 면 , Zinc Oxide , Tin Oxide , Ga - In - Zn Oxide , In - Zn Oxide , In - Sn Oxide 및 이 들 물질 에 Al , Ni , Cu , Ta , Hf 또는 Ti 를 도핑 한 물질 중 하나 가 될 수 있 다 . 하지만 이 에 한정 되 는 것 은 아니 다 . 그리고 , 상기 채널 층 ( 216 ) 의 양 측면 상 에 각각 소스 및 드레 인 전극 ( 218 a , 218 b ) 을 형성 한다 . 상기 소스 및 드레 인 전극 ( 218 a , 218 b ) 은 상기 채널 층 ( 216 ) 을 덮 도록 소정 금속 층 을 형성 한 다음 , 이 를 패 터닝 함 으로써 형성 될 수 있 다 .