한편 , 제 1 증발원 ( 23 a ) 에 노출 되 는 시간 이 상대 적 으로 짧 은 제 2 성막 레이트 측 정부 ( 272 a ) 는 제 1 증발원 ( 23 a ) 의 제 1 예열 위치 ( 237 a ) 에 가깝 게 설치 되 므로 , 다른 성막 재료 입자 의 영향 을 덜 받 으며 , 높 은 감도 로 제 1 증발원 ( 23 a ) 의 제 1 예열 위치 ( 237 a ) 의 도가니 ( 231 ) 의 증발 레이트 를 감시 할 수 있 다 .