이때 , 시간 이 경과 함 에 따라 나노 막대 의 크기 와 직경 이 함께 성장 하 게 되 므로 에칭 가스 주 입관 을 통해 에칭 가스 를 주입 한다 . 그리고 상기 기판 상부 에서 성장 하 는 나노 막대 의 직경 의 성장 속도 에 따라 에칭 가스 유량 조절 수단 을 조절 하 여 주입 되 는 에칭 가스 의 유량 을 조절 함 으로써 일정 한 직경 을 갖 는 나노 막대 를 성장 시 킬 수 있 다 . 이때 , 에칭 가스 로 는 HCl 가스 가 사용 된다 .