또한 , 상술 한 제 8 , 제 9 실시 형태 에 있 어서 는 , 제 1 마스크 ( M 1 ) 및 제 2 마스크 ( M 2 ) 의 한쪽 에 검 출광 을 조사 하 고 , 수광 장치 ( 82 ) 는 그 한쪽 의 마스크 에 조사 된 검 출광 을 한쪽 의 마스크 를 통하 여 수광 하 고 있 으나 , 예 를 들 면 , 제 1 패턴 ( PA 1 ) 및 제 2 패턴 ( PA 2 ) 의 적어도 한쪽 과 소정 의 위치 관계 로 발광 가능 한 발광 소자 를 설치 하 고 , 그 발광 소자 로부터 발생 한 빛 을 제 1 마스크 ( M 1 ) 및 제 2 마스크 ( M 2 ) 의 적어도 한 쪽 을 통하 여 수광 해도 된다 .