본 발명 의 실리콘 웨이퍼 제조 방법 의 상기 용융 단계 에서 상기 국부 면적 은 상기 실리콘 의 녹는점 및 상기 이종 물질 의 녹는점 중 더 낮 은 온도 의 녹는점 이상 의 온도 로 가열 되 어 상기 용융 영역 이 형성 되 고 , 상기 결정 화 단계 에서 상기 용융 영역 의 온도 는 상기 이종 물질 과 실리콘 의 공정점 이상 , 실리콘 의 용융 온도 이하 로 유지 되 는 것 일 수 있 다 .