상기 순수 실리콘 또는 도전 성 물질 이 도핑 된 실리콘 은 건식 진공 증착 방법 으로 상기 고분자 유기 막 ( 100 ) 에 증착 되 어 상기 실리콘 막 ( 200 ) 을 형성 하 게 된다 . 순수 실리콘 을 건식 진공 증착 방법 으로 증착 하 는 경우 , 일반 적 으로 저항 가열 진공 증착 방법 , 전자 빔 가열 진공 증착 방법 , RF 인가 식 진공 증착 방법 등 을 이용 하 여 상기 순수 실리콘 을 상기 고분자 유기 막 ( 100 ) 에 증착 시켜 상기 실리콘 막 ( 200 ) 을 형성 할 수 있 다 .