즉 , 230 단계 에서 다른 실시 예 에 따른 박막 의 결정 성장 거동 조절 방법 은 열처리 를 통해 발생 되 는 결정질 일 황화주석 ( SnS ) 시드 층 ( 212 ) 의 부피 감소 에 의한 응력 으로 인해 , 결정질 일 황화주석 ( SnS ) 시드 층 ( 212 ) 상 에 적층 형성 된 비결정질 시드 층 ( 213 ) 의 결정 방향 이 기판 과 수직 한 방향 으로 정렬 되 어 , 결정 의 성장 거동 이 조절 된 박막 ( 214 ) 을 형성 할 수 있 다 .