일부 경우 , 로컬 메모리 제어기 ( 265 ) 는 메모리 다이 ( 200 ) 의 하나 이상 의 메모리 셀 ( 205 ) 상 의 쓰 기 동작 ( 가령 , 프로그램 동작 ) 을 수행 하 도록 구성 될 수 있 다 . 쓰 기 동작 동안 , 메모리 다이 ( 200 ) 의 메모리 셀 ( 205 ) 은 희망 논리 상태 를 저장 하 도록 프로그램 될 수 있 다 . 일부 경우 , 복수 의 메모리 셀 ( 205 ) 은 단일 쓰 기 동작 동안 프로그램 될 수 있 다 . 로컬 메모리 제어기 ( 265 ) 는 쓰 기 동작 을 수행 하 는 타깃 메모리 셀 ( 205 ) 을 식별 할 수 있 다 . 로컬 메모리 제어기 ( 265 ) 는 타깃 메모리 셀 ( 205 ) ( 가령 , 타깃 메모리 셀 ( 205 ) 의 어드레스 ) 과 전자 통신 하 는 타깃 워드 라인 ( 210 ) , 타깃 디 지트 라인 ( 215 ) , 및 / 또는 타깃 플레이트 라인 ( 220 ) 을 식별 할 수 있 다 . 로컬 메모리 제어기 ( 265 ) 는 타깃 워드 라인 ( 210 ) , 타깃 디 지트 라인 ( 215 ) 및 / 도 는 타깃 플레이트 라인 ( 220 ) 을 활성 화 ( 가령 , 워드 라인 ( 210 ) , 디 지트 라인 ( 215 ) , 또는 플레이트 라인 ( 220 ) 으로 전압 을 인가 ) 하 여 , 타깃 메모리 셀 ( 205 ) 을 액세스 할 수 있 다 . 로컬 메모리 제어기 ( 265 ) 는 쓰 기 동작 동안 특정 신호 ( 가령 , 전압 ) 를 디 지트 라인 ( 215 ) 으로 인가 하 고 특정 신호 ( 가령 , 전압 ) 를 플레이트 라인 ( 220 ) 으로 인가 하 여 , 메모리 셀 ( 205 ) 의 커패시터 ( 240 ) 에 특정 상태 를 저장 할 수 있 으며 , 이때 , 특정 상태 는 희망 논리 상태 를 나타낸다 .