EUV 용 블랭크 마스크 는 , 기판 상 에 적층 된 반사막 , 및 반사막 상 에 적층 된 흡수 막 을 포함 한다 . 흡 수막 은 복수 의 흡수 층 과 하나 이상 의 중간층 이 교대 로 배치 된 구조 를 가진다 . 각각 의 흡수 층 은 Pt 또는 Pt 에 경원 소 물질 이 포함 된 Pt 화합물 로 구성 되 고 , 중간층 은 Pt 를 제외 한 금속 물질 또는 상기 금속 물질 에 경원 소 물질 이 포함 된 금속 화합물 로 구성 된다 . 흡 수막 이 충분 한 흡수율 을 가지 면서 도 흡수 막 의 박막 화 가 가능 하 여 Shadowing Effect 가 최소 화 되 고 , 이 에 따라 미세 한 회로 패턴 을 정밀 하 게 형성 할 수 있 다 .