이것 은 , 백 바이어스 가 인가 되 면 반도체 기판 ( 10 ) 중 에 공핍 층 이 확장 되 지만 , 영역 ( 37 ) 의 존재 에 의해 공핍 층 단부 가 고정 되 어 임계 값 전압 의 상승 이 완화 되 기 때문 이 라고 생각 된다 . 따라서 , 백 바이어스 가 인가 됨 에 따라 , 거리 c 의 증대 에 의한 순방향 전류 의 증가 비율 이 증가 된다 . 제 1 실시 형태 에서 , 백 바이어스 가 그다지 인가 되 지 않 는 승압 초단 근방 의 MOS 트랜지스터 TR 1 ∼ TR 3 보다 도 , 보다 큰 백 바이어스 가 인가 되 는 MOS 트랜지스터 TR 4 ∼ TR 9 에서 , 거리 c 를 증대 시키 는 것 이 바람직 하 다 . 따라서 , 차지 펌프 회로 의 회로 면적 에 대한 승압 능력 을 향상 시킬 수 있 다 .