또한 , 제 1 처리 영역 ( P 1 ) 과 제 2 처리 영역 ( P 2 ) 의 사이 에 N 2 가스 를 공급 하 고 , 또한 중심부 영역 ( C ) 에 도 분리 가스 인 N 2 가스 를 공급 하 고 있 으므로 , 도 15 에 도시 한 바 와 같이 , Si 함유 가스 와 O 3 가스 및 처리 가스 가 서로 혼합 되 지 않 도록 각 가스 가 배기 되게 된다 . 또한 , 회전 테이블 ( 2 ) 의 하방 측 을 N 2 가스 에 의해 퍼지 하 고 있 기 때문 에 , 배기 영역 ( E ) 에 유입 된 가스 가 회전 테이블 ( 2 ) 의 하방 측 을 빠져나가 , 예 를 들 어 Si 함유 가스 가 O 3 가스 의 공급 영역 에 유입 될 우려 는 전혀 없 다 .