반도체 소자 를 위한 패턴 을 웨이퍼 상 으로 전사 하 는 과정 에 마스크 ( mask ) 가 이용 되 고 있 다 . 투명 한 기판 상 에 전사 할 패턴 의 레이아웃 ( layout ) 을 가지 는 마스크 패턴 을 형성 하 여 마스크 가 제작 되 고 있 다 . 이러 한 설계 된 레이아웃 을 마스크 패턴 으로 쓰 는 과정 에 전자 빔 리소그래피 장치 가 이용 되 고 있 다 . 전자 빔 리소그래피 장치 는 마스크 제작 뿐 만 아니 라 반도체 기판 이나 다른 종류 의 기판 ( substrate ) 상 에 패턴 의 형상 을 쓰 는 데 이용 되 고 있 다 . 이러 한 전자 빔 리소그래피 장치 에서 전자 빔 을 기판 상 에 조사 하 는 쓰 기 과정 을 수행 하 는 예비 과정 으로 우선 적 으로 기판 상 에 조사 되 는 전자 빔 의 크기 를 측정 하 여 확인 하 는 과정 이 요구 되 고 있 다 .