도 1 c 를 참조 하 면 , 셀 영역 및 주변 회로 영역 의 소자 분리 막 ( 114 ) 및 하드 마스크 ( 110 ) 상 에 희생 막 ( 116 ) 및 포토레지스트 패턴 ( 118 ) 을 순차 적 으로 형성 한다 . 여기 서 , 희생 막 ( 116 ) 은 후속 한 셀 영역 의 소자 분리 막 ( 114 ) 을 미리 일정 두께 만큼 리세 스 ( recess ) 시키 기 위한 주변 회로 영역 클로즈 마스크 공정 ( Peri Close Mask ; 이하 ' PCL ' 공정 이 라 칭함 ) 에서 기존 의 포토레지스트 패턴 을 대신 하 여 식각 장벽 ( etch barrier ) 또는 식각 마스크 로 사용 하 기 위하 여 형성 하 는 것 으로 , 소자 분리 막 ( 114 ) 과 서로 다른 식각 선택 비 를 갖 는 카본 계열 의 물질 로 형성 한다 . 바람직 하 게 , 희생 막 ( 116 ) 은 아모 퍼스 카본 ( amorphous carbon layer ) 또는 나노 카본 폴리머 ( nano carbon polymer ) 로 형성 한다 .