반도체 제조 장치 는 , 프로세스 챔버 ( 10 ) 를 가지 고 있 다 . 이 프로세스 챔버 ( 10 ) 는 , 기계 적 인 회전 펌프 인 러핑 ( roughing ) 펌프 ( 12 ) 와 , 크라이 오 펌프 ( 20 ) 와 , 프로세스 가스 도입 구 ( 14 ) 를 접속 하 여 기밀 하 게 형성 되 며 , 내부 에서 스 패 터 링 등 의 프로세스 를 행하 기 위하 여 , 타깃 ( 16 ) 이나 웨이퍼 ( 18 ) 를 설치 하 여 , 스 패 터 링 가공 을 행한다 .