또한 , 본 발명 에 따르 면 , 레지스 트 에 필요 한 투명 성 이나 산 반응 성 을 손상 시키 는 일 없이 , 레지스 트 기재 수지 의 고 굴절률 화 에 유용 한 티오피 란 유도체 , 상기 티오피 란 유도체 를 구성 성분 으로 하 는 중합체 , 및 상기 중합체 를 포함 하 는 레지스 트 조성물 , 및 , 상기 레지스 트 조성물 을 이용 한 반도체 장치 의 제조 방법 을 제공 할 수 있 다 .