한편 , 불소 수지 필름 의 중 에 는 스퍼터링 법 에 의해 구리 막 1 을 형성 할 때 에 보다 많 은 불소 를 괴리 시키 는 경우 가 있 다 . 이 경우 , 구리 막 1 을 얇 게 하 는 것 만 으로 는 불 충분 하 며 , 황산 농도 200 g / L 의 내산 성 을 확보 하 기 위해서 도 구리 막 1 대신 에 하 지 금속 막 을 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 하 지 금속 막 으로서 는 불소 에 대하 여 내부 식성 이 있 는 것 이 바람직 하 고 , 니켈 , 티탄 , 니켈 또는 티탄 을 포함 하 는 합금 을 들 수 있 다 . 니켈 을 포함 하 는 스테인리스 합금 도 불소 에 대하 여 내식성 이 강하 다 . 이 들 의 금속 은 불소 에 대하 여 안정 된 부동태 층 을 형성 함 으로써 내부 식성 에 대하 여 우수 하 며 , 니켈 은 특히 우수 하 다 . 그러나 , 한편 으로 이 들 의 금속 은 고속 신호 의 전송 을 고려 했 을 때 에 전송 손실 이 구리 와 비교 하 면 크 다 . 고속 신호 로 배선 의 표층 에 전기 신호 가 치우치 는 표피 효과 를 고려 하 면 배선 의 표층 부 가 접하 는 수지 와 금속 층 의 계면 에 니켈 , 티탄 , 니켈 또는 티탄 을 포함 하 는 합금 의 금속 층 은 없 는 것 이 바람직 하 고 , 불소 괴리 가 많 은 불소 수지 에 한하 여 최소 의 두께 로 적응 하 는 것 이 바람직 하 다 . 이 때 , 하 지 금속 막 은 1 nm 이상 20 nm 이하 의 막 두께 인 것 이 바람직 하 다 . 하 지 금속 막 두께 가 1 nm 미만 인 경우 는 충분 한 밀착력 이 얻 어 지 지 않 는 경우 가 있 다 . 또한 , 하 지 금속 막 이 20 nm 초과 인 경우 는 고속 전송 시 에 전송 손실 이 커져 버려 고속 신호 가 쇠퇴 해서 고주파 디지털 신호 를 전송 하 는 회로 기판 용 재료 로서 사용 할 수 없 게 된다 .