먼저 , 반도체 재료 를 포함 하 는 기판 ( 100 ) 을 준비 한다 ( 도 12 ( A ) 참조 ) . 반도체 재료 를 포함 하 는 기판 ( 100 ) 으로서 는 , 실리콘 및 탄화 실리콘 등 의 단결정 반도체 기판 또는 다결정 반도체 기판 , 실리콘 게르마늄 등 의 화합물 반도체 기판 , 또는 SOI 기판 등 을 적용 할 수 있 다 . 여기 에서 는 , 반도체 재료 를 포함 하 는 기판 ( 100 ) 으로서 , 단결정 실리콘 기판 을 이용 하 는 경우 의 일례 에 대하 여 나타내 는 것 으로 한다 . 또한 , 일반 적 으로 「 SOI 기판 」 은 절연 표면 상 에 실리콘 반도체 층 이 형성 된 구성 의 기판 을 가리킨다는 점 을 주목 하 라 . 본 명세서 등 에 있 어서 는 , 절연 표면 상 에 실리콘 이외 의 재료 로 이루어진 반도체 층 이 형성 된 구성 의 기판 도 포함 하 는 것 으로 한다 . 즉 , 「 SOI 기판 」 이 가지 는 반도체 층 은 , 실리콘 반도체 층 으로 한정 되 지 않 는다 . 또 , SOI 기판 에 는 , 유리 기판 등 의 절연 기판 위 에 절연 층 을 통하 여 반도체 층 이 형성 된 구성 도 포함 되 는 것 으로 한다 .