본 발명 은 이미지 센서 및 그 의 제조 방법 에 관한 것 으로서 , 회로 영역 이 형성 된 반도체 기판 ; 상기 반도체 기판 상 에 형성 된 복수 의 금속 배선 및 층간 절 연막 을 포함 하 는 금속 배선 층 ; 상기 층간 절 연막 위 에 형성 된 복수 의 제 1 픽셀 분리 막 ; 및 상기 제 1 픽셀 분리 막 사이 에 형성 되 어 금속 배선 과 접촉 하 는 수 광부 를 포함 한다