반도체 층 ( ACT ) 의 상기 절곡 부 는 좌측 행 방향 을 따라 형성 된 제 1 서브 가로 부 , 상기 제 1 서브 가로 부 에서 상측 열 방향 을 따라 형성 된 제 1 서브 세로 부 , 상기 제 1 서브 세로 부 에서 우측 행 방향 을 따라 형성 된 제 2 서브 가로 부 , 및 상기 제 2 서브 가로 부 에서 하측 열 방향 을 따라 형성 된 제 2 서브 세로 부를 포함 할 수 있 다 . 제 7 반도체 층 ( ACT 7 ) 은 상기 제 1 서브 가로 부 에 배치 되 고 , 제 3 반도체 층 ( ACT 3 ) 은 상기 제 1 서브 세로 부 , 상기 제 2 서브 가로 부 , 및 상기 제 2 서브 세로 부 에 배치 될 수 있 다 .