첫째 , 본 발명 은 STI 공정 을 이용 한 소자 분리 막 형성 공정 과 , 채널 영역 의 도핑 농도 감소 를 보상 하 기 위해 실시 되 는 불순물 이온 주입 공정 을 포함 하 는 반도체 소자 의 제조 방법 에 있 어서 , 소자 분리 막 용 트렌치 의 저부 의 농도 를 트렌치 측벽 에 비해 상대 적 으로 낮출 수 있 는 반도체 소자 의 제조 방법 을 제공 하 는데 그 목적 이 있 다 .