이어서 NPB 와 동일 한 방법 으로 , 상기 발광 층 위 에 정공 차단 층 으로 Bis ( 2 - methyl - 8 - quinolinato ) ( p - phenylphenolato ) aluminum ( III ) ( BAlq ) 을 10 nm 의 두께 로 증착 시키 고 , 이어서 전자 전달 층 ( 6 ) 으로써 tris ( 8 - hydroxyquinoline ) - aluminum ( III ) ( Alq ) 을 20 nm 두께 로 증착 하 였 다 . 다음 으로 전자 주입 층 ( 7 ) 으로 lithium quinolate ( Liq ) 를 1 내지 2 nm 두께 로 증착 한 후 , 다른 진공 증착 장비 를 이용 하 여 Al 음극 ( 8 ) 을 150 nm 의 두께 로 증착 하 여 OLED 를 제작 하 였 다 .