도 6 은 본 발명 의 실시 예 에 따라 소자 분리 막 을 형성 시킨 반도체 소자 의 단면 사진 으로서 , 도 1 에서 의 B 영역 에 해당 하 는 폭 이 작 은 트렌치 인 제 1 트렌치 ( T 1 ) 및 도 1 에서 의 C 영역 에 해당 하 는 폭 이 큰 트렌치 인 제 2 트렌치 ( T ) 의 내부 에 보이드 ( void ) 가 유발 되 지 않 았 을 뿐 아니 라 심 ( seam ) 이 잔류 되 지 않 은 것 을 확인 할 수 있 다 .