본 실시 형태 에서 는 , 이동도 및 온 전류 가 높 고 , 또한 오프 전류 가 낮 은 박막 트랜지스터 의 제작 공정 에 관해서 , 이하 에 개시 한다 . 본 실시 형태 에서 는 , 도 14 에 도시 하 는 표시 장치 의 소자 기판 ( 1300 ) 의 상 면도 에 있 어서 , 화소 부 ( 1331 ) 의 각 화소 에 형성 되 는 박막 트랜지스터 , 화소 전극 , 및 용량 소자 의 제작 공정 을 이하 에 개시 한다 .