이 때 , Si 2 H 6 과 GeF 4 와 He 의 혼합 가스 를 이용 하 였 다 . 우선 Si 2 H 6 : 3 sccm , GeF 4 : 0 . 3 sccm , He : 1 slm 을 도입 하 여 결정핵 을 형성 하 고 , 다음 으로 , Si 2 H 6 : 3 sccm , GeF 4 : 0 . 03 sccm , He : 2 slm 도입 하 였 다 . 가스 압력 은 665 Pa 로 하 였 다 . 막 두께 는 100 ㎚ 이 다 . RBS 에 의한 조성 분포 평가 에서 는 , 기판 측 20 ㎚ 이하 의 영역 에서 15 at % 이상 이 며 , 막 두께 40 ㎚ 이상 의 영역 에서 , 13 at % 이하 이 었 다 . 또한 ， X 선 회절 에 의한 평가 에서 는 , 막 두께 20 ㎚ 에서 는 ，( 220 ) 피크 강도 가 ( 111 ) 피크 강도 의 0 . 58 배 , ( 400 ) 피크 강도 가 ( 111 ) 피크 강도 의 0 . 6 배 로 랜덤 배향 이 었 다 . 또한 , 막 두께 100 ㎚ 에서 는 ，( 400 ) 피크 강도 가 ( 111 ) 피크 강도 의 0 . 12 배 이 고 ( 100 ) 배향 을 나타냈 다 . 다음 으로 , 컨 택트 층 ( 22 ) 으로서 n + Si 막 을 PECVD 법 으로 성막 하 였 다 . 이 후 , 포토 리소그래피 를 이용 하 여 n + Si 막 / 다 결정 SiGe 막 을 섬 형상 으로 가공 하 였 다 .