지금 까지 설명 한 바 와 같이 , 본 발명 에 따른 반도체 소자 의 층간 절 연막 형성 방법 에 의하 면 , 확산 방지 막 에 의해 후속 열처리 에 따른 부차 적 인 원자 의 열 적 확산 을 방지 할 수 있 다 . 또한 , 보론 과 포스 포 러스 의 비율 을 일정 하 게 유지 함 으로써 박막 의 흐름 성 및 매립 특성 을 유지 한 상태 에서 전기 적 손실 을 감소 시킬 수 있 다 . 이 에 따라 매립 절 연막 의 신뢰 성 을 향상 시킬 수 있 고 , 공정 의 안정 성 을 유지 할 수 있 다 .