다음 의 피 가공 기판 등 의 피 가 공체 의 에칭 도 , 통상 적 인 방법 에 의해 행할 수 있 고 , 예컨대 피 가공 기판 이 SiO 2 , SiN , 실리카 계 저 유전율 절 연막 이 면 , 프론 계 가스 를 주체 로 한 에칭 , 피 가공 기판 이 p - Si 나 Al , W 이 면 , 염소 계 , 브롬 계 가스 를 주체 로 한 에칭 을 행한다 . 기판 가공 을 프론 계 가스 로 에칭 한 경우 , 3 층 레지스 트 프로세스 에 있 어서 의 규소 함유 레지스 트 하층 막 패턴 은 기판 가공 과 동시 에 박리 된다 . 염소 계 , 브롬 계 가스 로 기판 을 에칭 한 경우 는 , 규소 함유 레지스 트 하층 막 패턴 의 박리 는 기판 가공 후 에 프론 계 가스 에 의한 드라이 에칭 박리 를 별도 로 행할 필요 가 있 다 .