본 발명 은 숏 키 배리 어 , 즉 메탈 - 실리콘 접합 ( Metal - silicon junction ) 에 의한 다이오드 를 형성 시켜 충분 한 역방향 바이어스 항복 전압 을 확보 함 과 동시 에 고속 동작 이 가능 한 고전압 다이오드 를 제공 하 기 위한 것 으로 , 본 발명 의 고전압 다이오드 는 제 1 도전 형 기판 , 상기 기판 내 에 형성 된 숏 키 다이오드 용 제 2 도 전형 웰 , 상기 제 2 도 전형 웰 이 형성 된 기판 에 국부 적 으로 형성 되 며 애노드 용 활성 영역 과 캐소드 용 활성 영역 을 정의 하 는 필드 산화 막 , 상기 애노드 용 활성 영역 의 표면 상 에 형성 되 어 상기 제 2 도 전형 웰 과 숏 키 다이오드 를 형성 하 는 금속 계 애노드 전극 , 및 상기 캐소드 용 활성 영역 상 에 콘 택 된 캐소드 전극 을 포함 하 고 , 상술 한 본 발명 은 0 . 6 ㎛ 고전압 40 V 공정 에 숏 키 다이오드 용 웰 공정 만 을 추가 하 여 충분 한 역방향 바이어스 특성 을 가지 면서 메탈 - 실리콘 접합 에 의한 우수 한 순방향 특성 을 가지 는 숏 키 배리 어 다이오드 를 형성 할 수 있 는 효과 가 있 다 .