상기 의 표면 처리 가 끝난 기판 을 유기 챔버 내부 에서 , 정공 주입 층 인 m - MTDATA 를 50 nm 의 두께 로 , 정공 수송 층 인 NPD 를 20 nm 의 두께 로 , 발광 층 으로 는 하 기 구조식 으로 표현 되 는 KL 호스트 - 1 ( KLhost - 1 ) 를 300 nm 의 두께 로 , 인광 도 펀트 물질 인 Ir ( bt ) 2 ( acac ) 를 5 중량 % 의 농도 로 증착 하 고 , 정공 차단 층 은 BAlq 를 100 nm 의 두께 로 , 전자 수송 층 인 Alq 3 을 20 nm 의 두께 가 되 도록 증착 한다 .