최근 반도체 메모리 소자 로서 고용량 을 갖 는 디램 ( DRAM ) 소자 가 이용 되 고 있 다 . 디램 소자 는 전하 의 형태 로 정보 데이터 를 저장 하 는 메모리 셀 영역 과 데이터 의 입출력 을 위한 주변 회로 영역 으로 구성 되 고 , 메모리 셀 영역 의 단위 셀 은 하나 의 트랜지스터 와 하나 의 캐 패시 터로 이루어진다 . 이 와 같 은 디램 소자 를 형성 하 기 위해서 는 , 먼저 반도체 기판 에 워드 라인 및 소스 / 드레 인 으로 이루어지 는 트랜지스터 를 형성 하 고 , 절 연막 을 통해 선택 적 으로 소스 와 드레 인 상부 에 각각 컨 택 홀 을 형성 한다 . 그리고 이 컨 택 홀 을 통해 소스 와 드레 인 에 각각 연결 되 는 비트 라인 과 캐 패 시터 의 스토리지 노드 를 각각 형성 한 후 , 스토리지 노드 상 에 유전 막 및 플레이트 전극 을 형성 하 여 캐 패시 터 를 형성 한다 .