광전자 반도체 소자 의 적어도 하나 의 실시 예 에 따르 면 , 상기 광전자 반도체 소자 는 특히 가시광선 을 방출 하 기 위하 여 제공 되 는 하나 또는 다수 의 광전자 반도체 칩 을 포함 한다 . 또한 , 상기 반도체 소자 는 적어도 하나 의 산란 체 를 포함 하 는데 , 상기 산란 체 는 방사선 투과성 매트릭스 재료 , 바람직 하 게 는 투명 한 매트릭스 재료 와 이러 한 매트릭스 재료 내부 에 매립 되 는 , 입자 재료 로 이루어진 산란 입자 를 포함 한다 . 산란 체 는 반도체 칩 들 중 적어도 하나 의 반도체 칩 다음 에 배치 되 어 있 는데 , 특히 반도체 칩 의 주 방사 방향 을 따라 상기 적어도 하나 의 반도체 칩 다음 에 배치 되 었 다 . 온도 변화 시 에 는 매트릭스 재료 와 입자 재료 사이 의 굴절 률 차이 가 변한다 . 온도 가 300 K 일 때 매트릭스 재료 와 입자 재료 사이 의 굴절 률 차이 는 최대 0 . 15 이 다 .