도 1 을 참조 하 면 , 본 발명 의 실시 예 에 따른 연속 광 소결 박막 트랜지스터 제조 방법 은 , 예비 산화물 반도체 층 ( 170 ) 을 형성 하 는 단계 ( S 110 ) , 제 1 광 소결 에너지 ( 1 st IPL ) 를 조사 하 여 산화물 반도체 층 ( 200 ) 을 형성 하 는 단계 ( S 120 ) , 예비 전극 ( 270 ) 을 형성 하 는 단계 ( S 130 ) , 및 제 2 광 소결 에너지 ( 2 nd IPL ) 를 조사 하 여 전극 ( 300 ) 을 형성 하 는 단계 ( S 140 ) 를 포함 할 수 있 다 . 이하 , 각 단계 가 상세히 설명 된다 .