본 명세서 에 개시 된 시스템 들 및 방법 들 은 웨이퍼 프로세싱 동안 런타임 에서 오염 물질 입자 들 의 국소 화 , 밀도 및 역학 을 직접 측정 하 기 위해 사용 될 수 있 다 . 본 명세서 에 개시 된 시스템 들 및 방법 들 은 조명 된 챔버 의 관찰 시간 ( 예 를 들 어 , 노출 시간 ) 및 / 또는 챔버 내부 의 입자 들 의 이동 속도 에 의해서 만 제한 되 는 매우 높 은 감도 들 을 가질 수 있 다 . 본 명세서 에 개시 된 시스템 들 및 방법 들 은 제조 동안 의 품질 모니터링 뿐 만 아니 라 다양 한 퇴적 챔버 설계 들 의 테스트 및 개발 에 도 이용 될 수 있 다 . 개시 된 구현 들 의 장점 들 은 웨이퍼 로부터 의 다양 한 거리 들 에 있 는 챔버 의 중요 한 영역 들 을 매핑 하 는 능력 , 런타임 챔버 - 내 프로세싱 동안 의 거의 즉각 적 인 피드백 , 장시간 의 값비싼 사전 프로세싱 의 부재 , 프로세싱 동안 챔버 수정 을 구현 하 고 챔버 환경 및 입자 역학 에 대한 결과 적 인 변화 들 을 측정 하 는 능력 을 포함 하 지만 이 에 제한 되 지 는 않 는다 .