본 발명자 는 , 전하 캐리어 수송 층 의 성분 으로서 의 이온 도체 가 제 1 전극 층 으로부터 제 1 전하 캐리어 수송 층 으로 의 전하 캐리어 주입 에 대한 장벽 을 낮출 수 있 다는 점 으로부터 시작 하 였 다 . 이 는 , 특히 , 전압 의 인가 시 , 제 1 전극 층 과 제 1 전하 캐리어 수송 층 사이 의 경계 면 에서 이온 전하 들 의 축적 이 증가 하 는 이유 로 그러 할 수 있 고 , 이 를 통해 , 주입 장벽 이 감소 할 수 있 어서 , 전하 캐리어 들 은 상기 주입 장벽 을 넘 어 터널 링 될 수 있 을 것 이 다 . 또한 , 제 1 전극 층 과 제 1 전하 캐리어 수송 층 사이 의 경계 면 에서 전하 캐리어 들 이 축적 되 면 제 1 전극 층 으로부터 의 전하 캐리어 에 대한 일 함수 ( work function ) 가 낮 아 져서 , 유기 복사 방출 장치 의 전류 밀도 및 휘도 가 향상 될 수 있 다 . 제 1 전극 층 이 캐소드 로서 연결 된 경우 , 제 1 전극 층 의 페르미 레벨 ( fermi - level ) 은 구비 된 제 1 염 에 의해 상승 할 수 있 고 , 이 는 전자 에 대한 일 함수 를 감소 시킬 수 있 다 .