P - type 의 실리콘 에서 DTLS 를 이용 한 탄소 관련 깊 은 준위 ( carbon - related deep level ) 는 격자 간 탄소 ( interstitial Carbon , Ci ) 와 격자 간 탄소 - 격자 간 산소 복합체 ( interstitial carbon - interstitial oxygen complex , CiOi ) 로 나타날 수 있 다 . 그리고 , 약 160 K ( kelvin ) 의 온도 에서 나타나 는 Ci 피크 ( Ev + 0 . 28 eV ) 가 온도 가 증가 함 에 따라 점차 감소 하 고 , 약 200 K 의 온도 에서 CiOi 피크 ( Ev + 0 . 36 eV ) 가 나타나 는 것 을 확인 할 수 있 는데 , 격자 간 탄소 와 산소 와 의 결합 이 증가 하 여 전기 적 으로 활성 화 된 격자 간 탄소 - 격자 간 산소 복합체 의 양 이 상대 적 으로 증가 함 을 알 수 있 다 .