도 4 는 , 상술 한 것 과 같 은 방법 으로 제작 한 TFT 에 형성 된 결정립 중 의 하나 를 , STEM - EDX 선 분석 에 의해 선 분석 한 특성 X 선 강도 프로 파일 을 나타낸다 . 게이트 절연 층 으로부터 , 상기 반도체 층 및 상기 소스 - 드레 인 전극 까지 의 영역 을 , 측정 점 의 간격 약 1 nm 로 분석 하 고 있 다 . 결정립 이 In 과잉 조성 을 갖 는 것 을 알 수 있 다 . 같 은 측정 결과 , Ga 과잉 조성 또는 Zn 과잉 조성 을 나타내 는 결정립 이 존재 하 고 있 는 것 이 확인 되 었 다 .