도 5 에 도시 되 지 는 않 았 지만 , 상기 절연 기판 ( 201 ) 위 에 반도체 층 ( 203 , 204 ) 을 형성 하 기 전 에 실리콘 산화 막 ( SiO 2 ) 와 같 은 버퍼 층 ( 도면 에 미 도시 ) 을 형성 하 여 , 이 후 공정 에서 절연 기판 내부 에 포함 된 나트륨 ( Na ) 과 같 은 불순물 이 상부 로 침투 하 는 것 을 방지 할 수 도 있 다 .