도 9 l 을 참조 하 면 , 하부 반도체 칩 ( 200 ) 및 하부 몰딩 층 ( 250 ) 상 에 , 제 1 상부 절연 층 ( 411 ) 을 형성 한다 . 제 1 상부 절연 층 ( 411 ) 을 형성 하 기 위해 , 하부 몰딩 층 ( 250 ) 의 상면 및 하부 반도체 칩 ( 200 ) 의 상면 을 덮 고 하부 몰딩 층 ( 250 ) 의 리세 스 부 ( 도 2 의 257 참조 ) 를 채우 는 절연성 물질 막 을 형성 한 이후 , 노광 및 현상 을 수행 하 여 상기 절연성 물질 막 의 일부 를 제거 하 여 도전 성 포스트 ( 160 ) 의 상면 의 일부 를 노출 시키 는 비아 오프닝 을 형성 할 수 있 다 .