따라서 , 본 발명 에 따른 소노 스 메모리 소자 ( 1100 ) 의 쓰 기 동작 시 에 는 제 2 경우 가 적용 됨 이 제 1 경우 가 적용 되 는 경우 보다 정확 한 데이터 쓰 기 동작 이 수행 될 수 있 다 . 즉 , 본 발명 에 따른 소노 스 메모리 소자 ( 1100 ) 의 쓰 기 동작 시 에 는 Vg 에 4 V , Vd 에 4 V 및 / 또는 Vs 에 1 V 의 전압 이 인가 될 수 있 다 .