여기 서 , 도 9 를 참고 하 면 , 270 메 쉬 값 의 제 1 그라인더 로 만 평탄 화 를 수행 한 질화 갈륨 기판 과 270 메 쉬 값 의 제 1 그라인더 로 그라인딩 한 후 800 메 쉬 값 의 제 2 그라인더 로 평탄 화 를 수행 한 질화 갈륨 기판 에 있 어서 광자 에너지 방출 위치 가 1 . 8 내지 2 . 7 eV 구간 에서 270 메 쉬 값 의 제 1 그라인더 로 그라인딩 한 후 800 메 쉬 값 의 제 2 그라인더 로 평탄 화 를 수행 한 경우 가 발광 세기 가 더 낮 게 나옴 으로써 광학 적 성질 이 개선 됨 을 확인 할 수 있 다 .