또한 , 문턱 치 전압 은 In , Sn 및 Zn 의 비율 을 바꾸 는 것 에 의해서 도 제어 하 는 것 이 가능 하 며 , 조성 비 로서 In ： Sn ： Zn = 2 ： 1 ： 3 으로 함 으로써 트랜지스터 의 노 멀리 오프 화 를 기대 할 수 가 있 다 . 또한 , 타 겟 의 조성 비 를 In ： Sn ： Zn = 2 ： 1 ： 3 으로 함 으로써 결정 성 이 높 은 산화물 반도체 막 을 기대 할 수 가 있 다 .