노어 형 비휘발성 기억 장치 에서 는 비트 라인 에 메모리 셀 들 이 병렬 로 연결 되 어 있 어 메모리 셀 트랜지스터 의 문턱 전압 ( threshold voltage ) 이 비 선택 메모리 셀 의 워드 라인 에 인가 되 는 전압 ( 통상 0 V ) 보다 낮 아 지 게 되 면 , 선택 메모리 셀 의 온 , 오프 에 관계없이 소스 와 드레 인 사이 에서 전류 가 흘러 모든 메모리 셀 이 온 상태 로 읽혀 지 는 오동작 이 발생 한다 . 이러 한 문제점 을 해결 하 기 위해 일반 적 으로 스플리트 게이트 형 ( split - gate type ) 이 라고 불리 어 지 는 구조 의 비휘발성 기억 장치 가 소개 되 었 다 .