본 발명 의 다른 실시 예 에 따른 반도체 소자 의 제조 방법 은 소정 의 구조 가 형성 된 기판 상부 에 재료 층 을 형성 하 는 단계 ; 상기 재료 층 이 형성 된 상기 기판 을 챔버 내 에 로딩 하 는 단계 ; 상기 챔버 내 에 탄화 수소 화합물 을 이온 화 시켜 공급 하 고 , 200 내지 400 ℃ 의 기판 온도 에서 상기 기판 상 에 비정질 탄소막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 비정질 탄소막 상부 에 감광막 패턴 을 형성 한 후 상기 감광막 패턴 을 식각 마스크 로 상기 비정질 탄소막 을 식각 하 는 단계 ; 노출 된 상기 재료 층 을 식각 한 후 상기 비정질 탄소막 및 감광막 패턴 을 제거 하 는 단계 를 포함 한다 .