Ge 층 ( 120 ) 을 어닐링 처리 한 후 , Ge 층 ( 120 ) 이 형성 된 Si 웨이퍼 ( 102 ) 의 온도 가 550 ℃ 가 되 도록 설정 하 고 , MOCVD 법 에 의해 중간 층 을 형성 하 였 다 . 중간층 은 트리 메틸 갈륨 및 아르신 을 원료 가스 로서 성장 시켰 다 . 중간층 의 막 두께 는 30 ㎚ 였 다 . 그 후 , 중간층 이 형성 된 Si 웨이퍼 ( 102 ) 의 온도 를 640 ℃ 까지 승 온 시킨 후 , MOCVD 법 에 의해 소자 형성 층 ( 124 ) 의 일례 로서 의 GaAs 층 을 형성 하 였 다 . GaAs 층 의 막 두께 는 500 ㎚ 였 다 . 그 이외 의 조건 에 대해서 는 실시 예 1 과 동일 한 조건 으로 반도체 기판 을 제작 하 였 다 .