이어서 , 게이트 절 연막 상 에 게이트 전극 용 폴리 실리콘 막 ( 16 ) , 게이트 전극 용 텅스텐 막 ( 17 ) 및 게이트 하드 마스크 용 질화 막 ( 18 ) 를 순차 적 으로 형성 한 후 , 게이트 마스크 ( 미도 시 됨 ) 를 이용 하 여 게이트 하드 마스크 용 질화 막 ( 18 ) , 게이트 전극 용 텅스텐 막 ( 17 ) 및 게이트 전극 용 폴리 실리콘 막 ( 16 ) 을 순차 적 으로 식각 함 으로써 게이트 패턴 ( 100 ) 을 형성 한다 .