그러나 기상 증착 법 은 박막 으로 만 두께 가 제한 된 수준 으로 성장 시킬 수 있 다 . 이 에 따라 고온 에서 실리콘 카바이드 를 승화 시켜 결정 을 성장 시키 는 승화 법 에 대한 연구 에 집중 되 어 왔 다 . 그러나 승화 법 역시 일반 적 으로 2400 ℃ 이상 의 고온 에서 이루어지 고 , 마이크 로 파이프 및 적층 결함 과 같 은 여러 결함 이 발생 할 가능 성 이 많 아 생산 단가 적 측면 에서 한계 가 있 다 .