전도 층 ( 114 ) 은 제 1 부착 층 ( 112 ) 상 에 형성 된다 . 일 실시 예 에서 , 전도 층 ( 114 ) 은 제 1 부착 층 ( 112 ) 을 둘러싸 도록 형성 된 폴리 실리콘 ( 즉 , 다 결정 성 실리콘 ) 의 쉘 이 고 , 이 는 폴리 실리콘 이 세라믹 물질 에 대한 열등 한 부착 성 을 나타낼 수 있 기 때문 이 다 . 전도 층 ( 114 ) 이 폴리 실리콘 인 실시 예 에서 , 폴리 실리콘 층 의 두께 는 500 - 5 , 000 Å 정도 , 예 를 들 어 2500 Å 일 수 있 다 . 몇몇 실시 예 에서 , 폴리 실리콘 층 은 제 1 부착 층 ( 112 ) ( 예 를 들 어 , TEOS 산화물 층 ) 을 완전히 둘러싸 는 쉘 로서 형성 될 수 있 고 , 이 에 의해 완전히 캡슐 화 된 부착 층 을 형성 할 수 있 으며 , LPCVD 프로세스 를 사용 하 여 형성 될 수 있 다 . 다른 실시 예 에서 는 , 전도성 물질 이 부착 층 의 일부 , 예 를 들 어 , 기판 구조 체의 상부 절반 상 에 형성 될 수 있 다 . 몇몇 실시 예 에서 , 전도성 물질 은 완전 캡슐 화 층 으로서 형성 될 수 있 고 , 다음 으로 기판 구 조체 의 한 면 에서 제거 될 수 있 다 .