또한 , 상기 게이트 전극 을 형성 하 는 단계 는 상기 게이트 전극 과 연결 되 며 일 방향 으로 연장 하 는 게이트 배선 과 , 상기 게이트 배선 일 끝단 에 게이트 패드 전극 을 형성 하 는 단계 를 더욱 포함 하 며 , 이때 , 상기 소스 및 드레 인 전극 을 형성 하 는 단계 는 상기 게이트 절 연막 위 로 상기 소스 전극 과 연결 되 며 상기 게이트 배선 과 교차 하 여 화소 영역 을 정의 하 는 데이터 배선 과 , 상기 데이터 배선 일 끝단 에 데이터 패드 전극 을 형성 하 는 단계 를 더욱 포함 하 며 , 상기 포토레지스트 패턴 을 형성 하 는 단계 는 상기 보호 층 위 로 전면 에 포토레지스트 층 을 형성 하 는 단계 와 ; 상기 포토레지스트 층 위 로 반투 과 영역 을 구비 한 마스크 를 이용 하 여 노광 , 현상 함 으로써 제 1 두께 를 갖 는 제 1 포토레지스트 패턴 과 , 상기 제 1 두께 보다 얇 은 제 2 두께 를 갖 는 제 2 포토레지스트 패턴 을 형성 하 는 단계 를 포함 한다 .