복수 의 펜스 홀 ( 180 Hb ) 을 형성 하 는 과정 에서 , 몰드 층 ( 175 ) 과 및 예비 베리드 콘 택 물질 층 ( 170 p ) 의 식각 특성 의 차이 에 의하 여 , 복수 의 펜스 홀 ( 180 Hb ) 각각 중 한 쌍 의 몰드 층 ( 175 ) 의 사이 에 배치 되 는 상측 부분 의 제 2 수평 방향 ( Y 방향 ) 으로 의 폭 인 제 2 폭 ( W 2 a ) 이 한 쌍 의 베리드 콘 택 ( 170 ) 의 사이 에 배치 되 는 하측 부분 의 제 2 수평 방향 ( Y 방향 ) 으로 의 폭 인 제 1 폭 ( W 1 a ) 보다 작 은 값 을 가질 수 있 다 . 즉 , 복수 의 펜스 홀 ( 180 Hb ) 은 상측 부분 의 제 2 수평 방향 ( Y 방향 ) 으로 의 폭 인 제 2 폭 ( W 2 a ) 이 하측 부분 의 제 2 수평 방향 ( Y 방향 ) 으로 의 폭 인 제 1 폭 ( W 1 a ) 보다 작 은 값 을 가질 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 제 1 폭 ( W 1 a ) 은 제 2 폭 ( W 2 a ) 보다 1 ㎚ 내지 5 ㎚ 큰 값 을 가질 수 있 다 .