1206 으로 이동하 여 , 특정 실시 예 에서 , 하부 기준 전극 을 패턴 화 하 는 동안 제 1 MTJ 구조 에서 생성 되 는 빈 공간 ( void ) 들 이 질화 규소 ( silicon nitride ) 와 같 은 유전 재료 로 채워진다 . 하부 전극 의 패턴 화 동안 생성 된 빈 공간 을 채우 는 SiNx 또는 다른 유전 재료 ( 1510 및 1512 ) 를 보여 주 는 제한 되 지 않 은 일 예 ( 1500 ) 가 도 15 에 도시 된다 .