버퍼 층 ( 200 ) 은 이종기 판 ( 100 ) 과 질화물 반도체 사이 의 격자 상수 및 열팽창 계수 의 차이 를 극복 하 기 위한 것 이 며 , 미국 특허 제 5 , 122 , 845 호 에 는 사파이어 기판 위 에 380 ℃ 에서 800 ℃ 의 온도 에서 100 Å 에서 500 Å 의 두께 를 가지 는 AlN 버퍼 층 을 성장 시키 는 기술 이 개시 되 어 있 으며 , 미국 특허 제 5 , 290 , 393 호 에 는 사파이어 기판 위 에 200 ℃ 에서 900 ℃ 의 온도 에서 10 Å 에서 5000 Å 의 두께 를 가지 는 Al ( x ) Ga ( 1 - x ) N ( 0 ≤ x < 1 ) 버퍼 층 을 성장 시키 는 기술 이 개시 되 어 있 고 , 국제 공개 공보 WO / 05 / 053042 호 에 는 600 ℃ 에서 990 ℃ 의 온도 에서 SiC 버퍼 층 ( 씨앗 층 ) 을 성장 시킨 다음 그 위 에 In ( x ) Ga ( 1 - x ) N ( 0 < x ≤ 1 ) 층 을 성장 시키 는 기술 이 개시 되 어 있 다 .