소자 분리 영역 ( STI ) 바로 아래 의 반도체 기판 ( 10 ) 중 에 는 p 형 웰 영역 ( 36 ) 이 형성 되 어 있 다 . p 형 웰 영역 ( 36 ) 은 , 바로 위 에 위치 하 는 소자 분리 영역 ( STI ) 에 의해 분리 되 는 소자 영역 ( AA ) 사이 의 펀치 스루 를 방지 하 기 위해 설치 된다 . 그 때문 에 , 반도체 기판 ( 10 ) 보다 도 충분히 저 저항 으로 할 필요 가 있 다 . 웰 영역 ( 36 ) 의 깊이 는 , 예 를 들 어 반도체 기판 ( 10 ) 의 표면 으로부터 O . 5 ㎛∼ 1 . 6 ㎛ 의 깊이 이 며 , 함유 되 는 불순물 의 피크 농도 는 1016 cm - 3 ∼ 1018 cm - 3 이 다 . 깊이 의 피크 의 일례 는 1 ㎛ 정도 이 다 . 웰 영역 ( 36 ) 의 단부 ( 端部 ) 는 소자 분리 영역 ( STI ) 의 단부 로부터 이격 되 어 있 으며 , 그 거리 가 거리 d 이 다 . 보다 구체 적 으로 는 , 반도체 기판 ( 10 ) 표면 에서 의 소자 분리 영역 ( STI ) 과 소자 영역 ( AA ) 의 경계 부분 과 웰 영역 ( 36 ) 의 반도체 기판 ( 10 ) 평면 방향 에서 의 최 근접 거리 가 거리 d 이 다 .