도 2 및 도 6 을 참조 하 면 , 이후 에 상기 제 1 포토레지스트 패턴 ( 도 5 의 161 a ) 을 이용 하 여 상기 원시 게이트 절연 층 ( 도 5 의 126 '), 상기 원시 반도체 층 ( 도 5 의 117 ') 및 상기 데이터 금속 층 ( 도 5 의 136 ') 을 부분 적 으로 식각 하 여 상기 게이트 절 연막 ( 126 ) , 상기 반도체 층 ( 117 ) , 상기 데이터 패드 ( 131 ) , 상기 데이터 라인 ( 136 ) , 소오 스 - 드레 인 패턴 ( 118 '), 상기 제 2 보상 층 ( 175 b ) , 상기 제 3 보상 층 ( 175 c ) 및 상기 제 4 보상 층 ( 175 d ) 을 형성 한다 . 따라서 , 상기 제 1 보상 층 ( 175 a ) , 상기 제 2 보상 층 ( 175 b ) , 상기 제 3 보상 층 ( 175 c ) 및 상기 제 4 보상 층 ( 175 d ) 을 포함 하 는 상기 보상 패턴 ( 175 ) 이 형성 된다 .