도 2 b 를 참조 하 면 , 도 2 a 에 도시 되 는 구조 체의 전측 또는 상부 측 은 패 시베이 션 층 ( 38 ) , 여기 서 는 예 를 들 어 , 실리콘 질화물 SiNx 로 코팅 된다 . 패 시베이 션 층 ( 38 ) 은 종래 의 실리콘 ( Si ) 주조 호환 감산 적 패 터닝 ( 리소그래피 및 에칭 ) 기술 을 사용 하 여 가공 하 여 , 윈도우 ( 401 및 407 ) 를 갖 는 층 ( 38 ) 의 선택 된 일부 를 통해 윈도우 또는 개방 부 ( 401 - 407 ) 를 형성 함 으로써 , GaN 층 ( 34 ) 의 아래 에 있 는 표면 의 일부 를 노출 시키 고 , 여기 서 패드 ( 261 , 262 ) , 게이트 패드 ( 16 ) 및 드레 인 패드 ( 20 ) ( 도 1 a 및 1 b ) 가 형성 되 고 , 윈도우 ( 402 - 406 ) 는 도 2 c 에 도시 되 는 바 와 같이 소스 전극 구 조체 ( 221 - 223 ) 및 드레 인 전극 구 조체 ( 181 - 182 ) ( 도 1 a 및 1 b ) 가 형성 되 는 AlGaN 층 ( 36 ) 의 아래 에 있 는 일부 를 노출 시킨다 .