종래 의 반도체 메모리 장치 에서 는 접지 전압 ( VSS ) 레벨 을 유지 하 던 워드 라인 ( WL ) 을 활성 화 하 기 위해 승압 전압 ( VPP ) 을 공급 하 여 워드 라인 ( WL ) 을 활성 화 하 는 데 소요 되 는 시간 을 줄이 기 위해 노력 하 였 다 . 그러나 , 접지 전압 ( VSS ) 과 승압 전압 ( VPP ) 의 전위차 는 반도체 메모리 장치 로 공급 되 는 전원 전압 ( VDD ) 에 비해 매우 커 워드 라인 ( VPP ) 이 승압 전압 ( VPP ) 의 레벨 을 갖 도록 하 는 데 큰 전류 가 소비 되 었 다 . 또한 , 승압 전압 ( VPP ) 이 워드 라인 ( WL ) 을 활성 화 하 기 위해 순간 적 으로 공급 되 면서 반도체 메모리 장치 내 승압 전압 발생 장치 로부터 생성 된 승압 전압 ( VPP ) 의 레벨 이 불 안정 해질 수 있 는 단점 이 있 었 다 . 이 를 극복 하 기 위해 , 전술 한 바 와 같이 본 발명 에서 는 논리 로우 레벨 ( 접지 전압 레벨 ) 로 비활성 화 된 워드 라인 ( WL ) 을 활성 화 하 는 과정 에서 반도체 메모리 장치 는 초기 일정 시간 동안 전원 전압 ( VDD ) 의 레벨 을 가진 구동 전원 신호 ( FX ) 를 워드 라인 으로 공급 하 여 워드 라인 ( WL ) 의 일정 한 전위 로 끌어올린 뒤 승압 전압 ( VPP ) 의 레벨 을 가진 구동 전원 신호 ( FX ) 를 공급 하 여 워드 라인 의 전위 를 승압 전압 ( VPP ) 의 레벨 까지 끌어올린다 . 따라서 , 전원 전 압 ( VDD ) 과 승압 전압 ( VPP ) 을 순차 적 으로 공급 하 여 워드 라인 을 활성 화 하 므로써 승압 전압 ( VPP ) 만 을 사용 할 때 순간 적 인 전류 의 소모 로 전압 레벨 이 불 안정 해 지 는 단점 을 해소 할 수 있 다 .