반도체 디바이스 제조 시 , 증착 및 에칭 기법 들 이 기판 상 에 재료 들 의 패턴 들 을 형성 하 도록 사용 된다 . 패 터닝 은 종종 고 에칭 선택도 를 갖 는 또 다른 재료 의 존재 시 일 재료 의 에칭 을 필요 로 한다 . 에칭 선택 도 요건 들 은 기판 상 의 패 터닝 된 피처 들 의 사이즈 들 이 점점 작 아 짐 에 따라 보다 엄격 해진다 . 더욱이 , 습식 에칭 방법 들 , 예컨대 HF 를 사용 한 SiO 2 의 에칭 은 리세 스 된 피처 들 내 로 에 천 트 의 침투 문제 들 로 인해 , 고 종횡비 리세 스 된 피처 들 을 갖 는 기판 들 상 에서 보다 덜 바람직 해진다 .