캐소드 는 전자 가 전자 발광 층 으로 주입 되 도록 하 는 일함수 를 갖 는 물질 로부터 선택 된다 . 캐소드 와 전자 발광 물질 사이 의 역 상호 작용 가능 성 과 같 은 다른 인자 들 이 캐소드 의 선택 에 영향 을 미친다 . 캐소드 는 알루미늄 층 과 같 은 단일 물질 로 이루어질 수 있 다 . 이 와 달리 , 이 는 예 를 들 어 , WO 98 / 10621 에 개시 된 바 와 같이 칼슘 및 알루미늄 과 같 은 낮 은 일함수 물질 과 높 은 일함수 물질 의 2 중 층 ; WO 98 / 57381 , Appl . Phys . Lett . 2002 , 81 ( 4 ) , 634 및 WO 02 / 84759 에 개시 된 기본 적 인 바륨 ; 또는 박막 금속 화합물 , 특히 알칼리 또는 알칼리 토 금속 의 산화물 또는 불화물 과 같 은 복수 의 금속 층 들 을 포함 할 수 있 으며 , 그 에 따라 예 를 들 어 WO 00 / 48258 에 개시 된 리튬 불화물 ; Appl . Phys . Lett . 2001 , 79 ( 5 ) , 2001 에 개시 된 바 와 같 은 바륨 불화물 ; 및 바륨 산화물 과 같 은 전자 주입 을 도울 수 있 다 . 디바이스 로 의 효율 적 인 전자 주입 을 제공 하 기 위해서 , 캐소드 는 바람직 하 게 는 3 . 5 eV 미만 의 일함수 를 가지 고 , 보다 바람직 하 게 는 3 . 2 eV 보다 낮 은 일함수 를 갖 고 , 가장 바람직 하 게 는 3 . 0 eV 미만 의 일함수 를 갖 는다 . 금속 의 일함수 는 예 를 들 어 Michaelson , J . Appl . Phys . 48 ( 11 ) , 4729 , 1977 에서 찾아볼 수 있 다 . 캐소드 는 불 투명 하 거나 투명 할 수 있 다 . 투명 한 캐소드 는 특히 능동 매트릭스 디바이스 에 바람직 하 며 , 이 는 이러 한 디바이스 내 의 투명 한 어 노드 를 통과 하 는 광 방출 이 적어도 부분 적 으로 방출 픽셀 아래 에 위치 된 구동 회로 에 의해 차단 되 기 때문 이 다 . 투명 한 캐소드 는 투명 하 기 에 충분히 얇 은 전자 주입 물질 의 층 을 포함 할 것 이 다 . 전형 적 으로 , 이러 한 층 의 수평 전도 성 은 층 의 얇 기 의 결과 에 따라 낮 을 것 이 다 . 이러 한 경우 , 전자 주입 물질 의 층 은 인듐 주석 산화물 과 같 은 더 두꺼운 투명 한 전도성 물질 의 층 과 조합 하 여 사용 된다 .