그 후 , 레이저 가공 장치 로부터 프레임 유닛 을 반출 하 고 , 점착 테이프 를 직경 방향 외측 으로 확장 하 면 , 웨이퍼 가 분할 되 어 개개 의 디바이스 칩 이 형성 된다 . 형성 된 디바이스 칩 을 점착 테이프 로부터 픽업 할 때 에 는 , 미리 , 점착 테이프 에 자외선 을 조사 하 는 등 의 처리 를 행하 여 점착 테이프 의 점착력 을 저하 시켜 둔다 . 디바이스 칩 의 생산 효율 이 높 은 가공 장치 로서 , 웨이퍼 의 분할 과 , 점착 테이프 에 대한 자외선 의 조사 를 하나 의 장치 에서 연속 하 여 실시 할 수 있 는 가공 장치 가 알려져 있 다 ( 특허 문헌 2 참조 ) .