불행 하 게 도 , 0 . 5 ㎛ 보다 작 은 피치 의 인터 리빙 된 광 다이오드 들 을 만드 는 것 은 얕 은 ( shallow ) 다이오드 들 을 사용 하 는 것 을 의미 한다 ( CMOS 에서 소스 / 드레 인 확산 들 ( source / drain diffusions ) . 이 들 다 이오 들 ( 또한 0 . 5 ㎛ 보다 작 은 ) 은 가시 광 의 투과 깊이 ( penetration depth ) 보다 상당히 더 얕 으므로 많 은 광 들 이 광 다이오드 들 자신 들 보다 더 깊이 흡수 될 것 이 다 . 그 결과 생기 는 전하 캐리어 들 ( charge carriers ) 은 어떤 거리 를 확산 하 고 광 다이오드 에 의해 흡수 되 는 대략 동일 한 기회 를 가지 게 되 어 , 그 들 의 응답 을 심하 게 열화 시킨다 ( degrade ) . 이것 이 미세 피치 광 접합 들 ( fine pitch photojunctions ) 의 알려진 문제 이 고 , 다른 높 은 분 해도 이미 저 들 ( high - resolution imagers ) 을 제한 해 왔 다 .