절연 된 다중 전계 효과 트랜지스터 를 구비 한 반도체 기판 상 의 전자 회로 가 개시 된다 . 일부 실시 예 에서 , 장치 는 기판 ; 상기 기판 상 에 형성 되 는 제 1 반도체 회로 ; 상기 기판 상 에 형성 되 는 제 2 반도체 회로 ; 및 상기 기판 상 에 놓이 며 , 상기 제 1 반도체 회로 및 상기 제 2 반도체 회로 에 전기 적 으로 연결 되 는 멀티 게이트 전계 효과 트랜지스터 ( MuGFET ) 디바이스 를 포함 하 고 , 상기 MuGFET 디바이스 는 입력 신호 에 응답 하 여 상기 제 1 반도체 회로 및 상기 제 2 반도체 회로 사이 에 신호 경로 를 제공 한다 .