이어서 , 박막 트랜지스터 ( 100 a , 100 b ) 등 을 포함 하 는 소자 형성 층 ( 134 ) 을 기판 ( 120 ) 으로부터 박리 한다 . 여기 에서 는 , 레이저 광 ( 예 를 들 면 UV 광 ) 을 조사 함 으로써 소자 형성 층 ( 134 ) 에 개구부 를 형성 한 후 , 소자 형성 층 ( 134 ) 의 한쪽 의 면 ( 절 연막 ( 112 ) 이 노출 된 면 ) 을 제 1 시트 ( 126 ) 에 접합 하 여 물리 적 인 힘 을 사용 하 여 기판 ( 120 ) 으로부터 소자 형성 층 ( 134 ) 을 박리 한다 ( 도 6 a 참조 ) .