도 5 d 는 포토 다이오드 ( Photodiode ) 영역 ( 140 ) 상부 에 스 페이서 ( Spacer ) 가 증착 된 상태 로 마스크 ( Mask ) 및 이온 주입 공정 을 통하 여 포토 다이오드 표면 을 P 형 으로 도핑 하 여 핀 드 포토다이오드 ( Pinned Photodiode ) 구조 를 형성 한 그림 이 다 . 이 경우 , 상기 포토 다이오드 영역 ( 140 ) 상부 에 Spacer 가 증착 된 상태 이 므로 종래 의 공정 과 달리 실리콘 기판 ( Si ) 표면 에 발생 할 수 있 는 임 플 런 트 데미지 를 최소 화 할 수 있 다 .