상기 셀 에 의해 방출 되 는 광 은 가시광선 및 근 - 적외선 을 주로 포함 하 는 흑체 방사선 이 며 , 상기 광전지 는 결정질 실리콘 , 게르마늄 , 갈륨 비소 ( GaAs ) , 갈륨 안티 모나 이드 ( GaSb ) , 인듐 갈륨 비소 ( InGaAs ) , 인듐 갈륨 비소 안티몬 화물 ( InGaAsSb ) , 인화 인듐 비소 안티몬 화물 ( InPAsSb ) , III / V 족 반도체 , InGaP / InGaAs / Ge ; InAlGaP / AlGaAs / GaInNAsSb / Ge ; GaInP / GaAsP / SiGe ; GaInP / GaAsP / Si ; GaInP / GaAsP / Ge ; GaInP / GaAsP / Si / SiGe ; GaInP / GaAs / InGaAs ; GaInP / GaAs / GaInNAs ; GaInP / GaAs / InGaAs / InGaAs ; GaInP / Ga ( In ) As / InGaAs ; GaInP - GaAs - 웨이퍼 - InGaAs ; GaInP - Ga ( In ) As - Ge ; 및 GaInP - GaInAs - Ge 로부터 선택 되 는 적어도 하나 의 화합물 을 포함 하 는 집광기 셀 이 며 ; 상기 전력 시스템 은 진공 펌프 및 적어도 하나 의 냉각기 를 더 포함 한다 .