본 실시 형태 에서 는 , 산화물 반도체 성막 용 타 겟 ( In - Ga - Zn - O 계 산화물 반도체 성막 용 타 겟 ( In 2 O 3 : Ga 2 O 3 : ZnO = 1 : 1 : 2 [ mol 비 ] ) 을 사용 하 고 , 기판 과 타 겟 간 의 거리 를 170 mm , 기판 온도 400 ℃, 압력 0 . 4 Pa , 직류 ( DC ) 전원 0 . 5 kW , 산소 만 , 아르곤 만 , 또는 아르곤 및 산소 분위기 하 에서 막 두께 25 nm 의 제 2 산화물 반도체 층 을 성막 한다 .