상기 베이 킹 공정 은 약 100 내지 130 ℃ 에서 수행 하 고 보다 바람직 하 게 는 110 내지 120 ℃ 에서 수행 할 수 있 다 . 상기 베이 킹 공정 은 포토레지스트 패턴 의 경화 를 최소 화 시키 는 동시 에 산 의 확산 을 극대 화 시켜 상기 제 1 포토레지스트 패턴 ( 120 ) 을 현상액 에 대하 여 용해 되 기 쉬운 상태 를 갖 도록 한다 . 이어서 , 베이 킹 공정 이 수행 된 제 1 포토레지스트 패턴 ( 120 ) 을 수산화 테트라메틸 암모늄 ( tetra - methyl ammonium hydroxide ; TMAH ) 수용액 을 현상액 으로 사용 하 는 현상 공정 을 수행 하 여 제거 한다 . 이 에 따라 , 상기 현상 공정 을 통해 상기 유기 반사 방지 막 ( 110 ) 의 손상 없이 상기 결함 이 발생 된 제 1 포토레지스트 패턴 이 기판 으로부터 완전히 제거 될 수 있 다 . 더욱이 상기 유기 반사 방지 막 ( 110 ) 이 제거 되 지 않 음 으로 인해 상기 비정질 탄소 로 이루어진 얼라 인 키 또는 오버레이 키 가 손상 되 는 것 을 방지 할 수 있 다 .