일부 실시 예 에서 , 게이트 스택 구조물 은 계면 층 , 캐 핑 층 , 확산 / 배리어 층 , 또는 다른 적용 가능 한 층 과 같 은 추가 적 인 층 을 포함 한다 . 일부 실시 예 에서 , 게이트 스택 구조물 은 핀 구조물 ( 104 ) 의 중앙 부분 위 에 형성 된다 . 일부 다른 실시 예 에서 , 핀 구조물 ( 104 ) 위 에 다수 의 게이트 스택 구조물 이 형성 된다 . 일부 다른 실시 예 에서 , 게이트 스택 구조물 은 더미 게이트 스택 을 포함 하 고 , 이후 높 은 열적 버짓 공정 ( high thermal budget process ) 이 수행 된 후 에 금속 게이트 ( MG , metal gate ) 에 의해 대체 된다 .