그리고 , 상기 비정질 실리콘 ( 32 , 33 ) 은 일정 두께 로 상기 투명 전극 상 에 증착 되 는 수소 화 된 n 형 비정질 실리콘 ( 32 , n + Doped Hydrogenated Amorphous Silicon ) 인 n + a - Si : H 와 , 상기 수소 화 된 n 형 비정질 실리콘 ( 33 , Intrinsic Hydrogenated Amorphous Silicon ) 인 n + a - Si : H 상 에 증착 되 는 진성 의 수소 화 된 비정질 실리콘 인 진성 의 a - Si : H 로 이루어진다 .