이어서 , 산화물 반도체 막 ( 24 a ) 및 에칭 스토퍼 층 ( 24 b ) 을 형성 한다 . 구체 적 으로 는 , 예 를 들 어 스퍼터링 법 을 이용 하 여 , IGZO 막 등 의 산화물 반도체 막 을 형성 한 후 , 포 토리 소 그래피 법 을 이용 하 여 , 산화물 반도체 막 ( 24 a ) 및 에칭 스토퍼 층 ( 24 b ) 이 되 는 부분 에 레지스 트 패턴 을 잔존 시킨다 . 그리고 , 예 를 들 어 , 에 천 트 로써 옥살 산액 을 이용 한 ? 에칭 법 에 의해 IGZO 막 을 에칭 한 후 , 레지스 트 박리 액 에 의해 레지스 트 를 박리 한다 .