일 양태 에서 , 전기 접촉 구조 체의 첫 번 째 3 개 의 금속 중 하나 는 전기 전도성 에칭 저지 층 이 고 , 화학 적 에칭 단계 는 , 기판 및 유전체 층 을 통해 단일 불소 계 에칭 제 로 비아 홀 을 형성 하 는 단계 를 포함 한다 . 이러 한 양태 에서 , 전기 접촉 구조 체 적층 전 에 , III 족 - N 물질 은 비아 홀 이 형성 되 는 III 족 - N 물질 내 의 개방 부 ( 구멍 ) 을 형성 하 기 위해 기판 으로 선택 적 으로 에칭 된다 . 그 후 , 구멍 은 기판 으로서 불 소계 화학 물질 로 에칭 될 수 있 는 유전체 물질 로 충전 된다 . 전기 접촉 구조 체 , 첫 번 째 3 개 의 층 들 중 하나 는 불 소계 화학 물질 에 대한 에칭 저지 층 을 포함 하 고 , 그 후 적층 되 고 , 전측 가공 의 나머지 가 계속 된다 . 결과 적 으로 , 후 측 가공 동안 , 단일 불소 계 건식 에칭 은 기판 및 구멍 유전체 를 통해 전기 접촉 구조 체 내 에 임 베 딩 되 는 에칭 저 지층 으로 선택 적 으로 비아 홀 을 에칭 하 는 데 사용 될 수 있 다 .