A - A ′ 단면도 를 참조 하 면 , 반도체 기판 ( 31 ) 이 소정 깊이 리세 스 된 부분 에 게이트 절 연막 ( 34 ) 및 게이트 전극 ( 33 ) 을 갖 는 리세 스 트랜지스터 구조 가 형성 된다 . 이때 , 리세 스 는 제 1 요 홈 부 에 의해 형성 되 는 것 으로서 리세 스 의 깊이 ( R ) 는 제 1 요 홈 부 의 깊이 ( d 1 ) 와 같 다 .