본 발명 의 일 측면 에 따른 고강 도 강판 에서 는 세멘타이트 성장 을 억제 하 여 오스테나이트 를 안정 화 시키 는 Si 및 Al 의 함량 을 상기 수학식 ( 1 ) 의 조건 에 따라 제한 함 에 의해 미세 조직 내 에 일부 세멘타이트 가 석출 , 성장 하 게 된다 . 이 세멘타이트 는 2 차 냉각 으로 형성 된 마르텐 사이트 가 재 가열 될 때 마르텐 사이트 래스 ( lath ) 또는 결정립 경계 에서 석출 하 거나 , 2 차 냉각 후 재 가열 중 에 베이 나이트 변태 가 발생 할 때 베 이나 이 틱 페라이트 래스 사이 의 탄소 가 농화 된 부분 에서 형성 된다 .