다시 도 8 을 참조 하 면 , 제 1 내지 제 3 리세 스 ( 210 , 220 , 230 ) 를 매립 하 면서 게이트 절 연막 ( 240 ) 상 에 제 1 도 전막 ( 250 ) 을 형성 한다 . 제 1 도 전막 ( 250 ) 은 불순물 로 도핑 된 폴리 실리콘 , 금속 , 도전 성 금속 질화물 등 의 도전 물질 을 사용 하 여 형성 될 수 있 다 . 제 1 도 전막 ( 250 ) 은 저압 화학 기상 증착 ( LPCVD ) 공정 , 화학 기상 증착 공정 , 스퍼터링 공정 , 플라 즈 마 증대 화학 기상 증착 공정 , 펄스 레이저 증착 공 정 , 원자 층 적층 공정 등 을 이용 하 여 형성 될 수 있 다 . 제 1 도 전막 ( 250 ) 이 도핑 된 폴리 실리콘 으로 이루어질 경우 , 게이트 절 연막 ( 240 ) 상 에 먼저 폴리 실리콘 막 을 형성 한 다음 , 상기 폴리 실리콘 막 내 에 불순물 확산 , 이온 주입 또는 인시 튜 ( in - situ ) 도핑 공정 을 통해 불순물 을 도핑 함 으로써 제 1 도 전막 ( 250 ) 을 형성 할 수 있 다 .