표면 에 필러 형상 또는 라인 형상 의 볼록 부를 포함 하 는 패턴 이 형성 된 예 를 들 어 실리콘 ( Si ) 으로 이루어지 는 반도체 웨이퍼 등 의 기판 ( 이하 , " "" 웨이퍼 "" 라고 함 ) 에 대하 여 ", 예 를 들 어 산화 실리콘 ( SiO 2 ) 막 을 성막 함 에 있 어서 , ALD ( Atomic Layer Deposition ) 나 MLD ( Molecular Layer Deposition ) 등 으로 불리 는 성막 방법 이 사용 되 는 경우 가 있 다 . 구체 적 으로 는 , 진공 분위기 하 에서 실리콘 을 포함 하 는 유기계 가스 와 산화 가스 를 웨이퍼 에 교대 로 공급 하 여 , 반응 생성물 로 이루어지 는 원자 층 이나 분자 층 을 적층 함 으로써 산화 실리콘 막 으로 이루어지 는 박막 이 형성 된다 . 이 성막 방법 에 의해 형성 된 박막 은 , 이 성막 방법 에서 의 성막 온도 가 종래 의 CVD ( Chemical Vapor Deposition ) 법 등 에 비해 낮 기 때문 에 , 예 를 들 어 유기계 가스 중 의 유기물 이 박막 중 에 불순물 로서 남 음 으로써 , 양호 한 치밀 성 을 얻 을 수 없 는 경우 가 있 다 .