그리고 , 채널 부 에서 상대 적 으로 낮 은 높이 를 갖 는 포토레지스트 패턴 이 애 싱 ( Ashing ) 공정 으로 제거 된 후 건식 식각 공정 으로 채널 부 의 소스 / 드레 인 패턴 및 오 믹 접촉 층 ( 148 ) 이 식각 된다 . 이 에 따라 , 채널 영역 의 활성 층 ( 114 ) 이 노출 되 어 활성 층 ( 114 ) 이 활성 화 되 지 않 는 경우 소스 전극 ( 110 ) 과 드레 인 전극 ( 112 ) 이 전기 적 으로 분리 된다 .