이 어 , 도 21 를 참조 하 면 , 화소 전극 ( PXE ) 상 에 포토레지스트 패턴 ( PR 3 ) 이 잔류 한 상태 에서 전면 식각 을 진행 하 여 패드 영역 ( PDA ) 의 게이트 도전 층 ( 130 ) 상부 의 층간 절 연막 ( 163 a ) 을 제거 하 여 게이트 도전 층 ( 130 ) ( 구체 적 으로 , 게이트 캡 핑 층 ( 132 ) ) 을 노출 한다 .