도 3 을 다시 참조 하 면 , 상기 종래 기술 의 스펙트럼 ( 301 ) 과 달리 , 본 발명 의 스펙트럼 ( 311 ) 은 TiN 막 의 형성 을 나타내 는 36 . 5 도 의 피크 ( TiN [ 111 ] 결정면 ; 313 ) 및 42 . 9 도 의 피크 ( TiN [ 200 ] 결정면 ; 317 ) 뿐 아니 라 , 순수 한 Ti 막 의 형성 을 나타내 는 40 . 0 도 의 피크 ( Ti [ 101 ] 결정면 ; 315 ) 을 명확 하 게 보여 주 고 있 다 . 이 는 , 본 발명 에 따른 Ti / TiN 막 의 형성 공정 의 경우 , Ti 막 의 형성 과 계면 TiN 막 의 형성 을 별개 의 반 응 챔버 인 ALD 반응 챔버 와 CVD 반응 챔버 에서 각각 수행 함 으로써 상기 잔류 NH 3 에 기인 한 Ti 막 의 오염 을 원천 적 으로 방지 할 수 있 기 때문 이 다 .