본 발명 에 따른 반도체 소자 의 제조 방법 은 , 게이트 형성 영역 을 포함 하 는 활성 영역 및 소자 분리 영역 을 갖 는 반도체 기판 상 에 상기 소자 분리 영역 을 노출 시키 는 하드 마스크 를 형성 하 는 단계 ; 상기 노출 된 반도체 기판 의 소자 분리 영역 을 식각 하 여 트렌치 를 형성 하 는 단계 ; 상기 트렌치 내 에 상기 트렌치 의 깊이 보다 낮 게 제 1 절 연막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 제 1 절 연막 을 포함 한 하드 마스크 의 표면 에 식각 방지 막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 식각 방지 막 상 에 제 2 절 연막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 하드 마스크 가 노출 되 도록 상기 제 2 절 연막 및 식각 방지 막 을 평탄 화 하 는 단계 ; 상기 제 2 절 연막 과 하드 마스크 및 그 측벽 의 식각 방지 막 부분 을 제거 하 여 표면 에 식각 방지 막 을 갖 는 소자 분리 막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 반도체 기판 의 게이트 형성 영역 을 리세 스 해서 홈 을 형성 하 는 단계 ; 및 상기 홈 을 포함 한 반도체 기판 상 에 게이트 를 형성 하 는 단계 ; 를 포함 한다 .