이 와 같이 하 여 구한 결함 밀도 등 을 기초 로 수식 2 및 수식 3 으로부터 μ 0 = 120 cm 2 / Vs 가 도출 된다 . 결함 이 있 는 In － Sn － Zn 산화물 에서 측정 되 는 이동도 는 35 cm 2 / Vs 정도 이 다 . 그러나 , 반도체 내부 및 반도체 와 절 연막 과 의 계면 의 결함 이 없 는 산화물 반도체 의 이동도 ( μ ) 0 은 120 cm 2 / Vs 가 된다고 예상 할 수 있 다 .