" 일반 적 으로 "" chip - level conversion "" 의 특성 을 갖 는 컴포넌트 내부 에서 는 변환 열 이 변환기 재료 로부터 외부 로 더 우수 하 게 방출 되 는데 ", 그 이유 는 예 를 들 어 방사선원 까지 의 거리 및 / 또는 전기 전도성 단자 까지 의 거리 및 / 또는 리드 프레임 까지 의 거리 가 짧 기 때문 이 다 . 하지만 , " "" remote phosphor conversion "" 의 특성 을 갖 는 컴포넌트 의 경우 에 는 변환기 재료 가 구조 적 인 이유 에서 "" chip - level conversion "" 의 특성 을 갖 는 동일 한 변환기 재료 보다 더 높 은 효율 을 가질 수 있 다 . 이 와 같 은 내용 은 변환기 재료 를 함유 하 거나 또는 변환기 재료 로 이루어진 입자 들 이 캐스팅 재료 와 혼합 되 는 컴포넌트 들 에 도 적용 된다 . 방사선원 까지 의 간격 이 더 큼 으로써 ", 변환 열 은 빈번 하 게 변환기 재료 로부터 단지 불 충분 하 게 만 방출 될 수 있 다 . 본 발명 에 따른 컴포넌트 의 한 가지 실시 예 에서 , 열 수송 은 투명 한 몸체 를 통해서 또는 투명 한 몸체 내부 에 있 는 충전제 경로 를 통해서 적어도 부분 적 으로 이루어질 수 있 다 . 그럼 으로써 , " 특히 변환기 재료 를 함유 하 거나 또는 변환기 재료 로 이루어진 입자 들 과 혼합 된 투명 한 몸체 를 구비 한 캐스팅 재료 를 갖 거나 또는 "" remote phosphor conversion "" 의 특성 을 갖 는 컴포넌트 들 내부 에서 는 상기 변환기 재료 의 효율 이 증가 되 고 ", 상기 변환기 재료 의 과열 이 피해 진다 .