본 발명 의 기술 적 사상 의 화학 기계 적 연마 장치 는 표면 조도 측정 장치 로 측정 된 화학 기계 적 연마 패드 의 표면 조도 를 제 어부 에서 실시간 적 으로 처리 하 여 공정 조건 , 예컨대 화학 기계 적 연마 패드 에 가해 지 는 인가 압력 을 조절 하 여 화학 기계 적 연마 공정 을 진행할 수 있 다 . 이 에 따라 , 본 발명 의 화학 기계 적 연마 장치 는 연마 정밀도 를 향상 시켜 웨이퍼 평탄 화 의 신뢰 성 을 향상 시킬 수 있 다 .