한편 , 2 단 스테이지 ( 22 ) 는 10 K 정도 까지 냉각 되 므로 , 크라이 오 패널 ( 28 ) 도 같 은 정도 의 온도 까지 냉각 되 어 , 산소 , 질소 등 의 응축 을 행한다 . 또한 , 크라이 오 패널 ( 28 ) 에 장착 되 어 있 는 활성탄 을 냉각 하 여 , 이 활성탄 의 미세 구멍 으로 도 가스 의 흡착 을 행한다 . 이 로써 , 프로세스 챔버 ( 10 ) 내 의 기체 분자 는 크라이 오 펌프 ( 20 ) 에 응축 ㆍ흡착됨으로써 감소 하 고 , 따라서 프로세스 챔버 ( 10 ) 내 를 고 ( 高 ) 진공 으로 할 수 있 다 .