또한 , 앞서 서술 한 바 와 같이 , 하부 비아 금속 배선 ( 125 , 127 ) 을 둘러싸 지지 하 는 하부 층간 절 연막 ( 110 ) 을 산화 규소 ( SiO 2 ) 또는 FSG 등 과 같 은 물질 로 형성 하 고 , 하부 트렌치 금속 배선 ( 151 , 153 ) 을 둘러싸 지지 하 는 하부 배선 절 연막 ( 120 ) 을 low - k 물질 로 형성 함 으로써 종래 에 비 아홀 및 트렌치 가 노출 된 low - k 물질 에 애 쉬 어 ( asher ) 공정 을 진행 함 따라 low - k 물질 과 애 쉬 어 액 이 화학 적 으로 반응 하 여 low - k 물질 의 유전율 ( k ) 이 증가 하 는 것 을 억제 하 여 반도체 소자 의 동작 속도 가 감소 하 는 것 을 방지 할 수 있 다 .