비트 라인 프리 차지 시간 ( t 1 ~ t 5 ) 동안 인접 워드 라인 ( 인접 WL ) 이 플로팅 된 상태 에서 선택 워드 라인 ( 선택 WL ) 의 전압 이 V 2 로 증가 할 수 있 다 . 선택 메모리 셀 ( MC 11 ) 의 문턱 전압 이 상대 적 으로 높 은 경우 선택 워드 라인 ( 선택 WL ) 의 전압 은 ( V 2 ) 은 선택 메모리 셀 ( MC 11 ) 의 문턱 전압 이 상대 적 으로 낮 은 경우 선택 워드 라인 ( 선택 WL ) 의 전압 ( V 1 ) 보다 클 수 있 다 .