그러나 , 이 들 종래 의 방법 에서 는 강유전체 커패시터 의 회복 어닐링 을 충분히 행할 수 없 는 경우 가 있 다 . 이것 은 , 상부 전극 까지 도달 하 는 콘택트 홀 이 작 고 , 산소 공급 이 충분 하 지 않 기 때문 이 다 . 콘택트 홀 을 크 게 하 면 산소 공급량 을 많 게 하 는 것 은 가능 하 지만 , 이 경우 에 는 , 이웃 하 는 콘택트 홀 끼리 의 거리 가 좁 아 진다 . 이 때문 에 , 그 위 에 형성 하 는 배선 에 위치 어긋남 ( positional displacement ) 이 발생 했 을 때 에 단락 등 의 불량 이 발생 하 기 쉽 다 . 또한 , 도 8 l 에 나타낸 바 와 같이 배선 ( 130 ) 을 콘택트 홀 ( 127 t , 127 b ) 내 에 도 형성 하 는 방법 에서 위치 어긋남 이 발생 하 면 , 이리듐 산화 막 ( 120 ) 및 백금 막 ( 118 ) 이 에칭 되 는 경우 도 있 다 . 이 와 같이 , 단지 콘택트 홀 을 크 게 하 는 것 으로서 는 , 배선 을 형성 할 때 의 위치 어긋남 마진 ( margin ) 이 작아진다 .