본 발명 의 실시 예 에 따라 기판 상 에 하부 전극 으로서 입방 정계 ( 001 ) 면 의 주 결정 방위 를 갖 는 TiN 막 을 형성 하 였 다 . 상기 기판 은 실리콘 기판 이 며 , 상기 하부 전극 상 에 비정질 , 단사 정계 또는 이 들 의 혼합 구조 의 하프늄 산화 막 을 형성 하 였 다 . 상기 하프늄 산화 막 은 하프늄 전구체 가스 와 산소 함유 가스 를 사용 하 여 원자 층 증착 공정 에 의해 증착 되 었 다 . 상기 하프늄 전구체 가스 로서 는 , 테트라 키스 에틸 메틸 아미도 하프늄 ( TEMAHf ) 이 사용 되 었 고 , 상기 산소 함유 가스 로 는 , 오존 이 사용 되 었 다 . 이 들 전구체 가스 와 오존 가스 를 번갈 아 가 며 공급 하 였 고 , " 상기 기판 이 주입 된 챔버 내 에 전구체 가스 와 오존 가스 주입 후 에 는 각각 Ar 가스 를 이용 하 여 퍼지 를 실시 하 였 다 . 이러 한 "" 전구체 - 퍼지 - 오존 - 퍼지 "" 단계 를 갖 는 사이클 을 80 회 실시 하 여 10 nm 두께 의 초기 하프늄 산화 막 을 형성 하 였 다 . "