이 어 상기 상부 전극 금속 층 ( 230 ) 위 로 포토레지스트 를 도포 하 고 , 포토 레지 스 트 층 을 패 터닝 하 여 패 터닝 된 포토레지스트 층 을 식각 마스크 ( 도시 하 지 않 음 ) 로 한 반응 성 이온 식각 ( Reactive Ion Etching ; RIE ) 공정 을 통해 상부 전극 금속 층 ( 230 ) 및 절연 층 의 나이트 라이드 막 ( 220 ) 을 차례 로 식각 하 여 MIM 구조 를 형성 시키 게 된다 . 이때 상기 하부 전극 금속 층 ( 210 ) 은 5000 Å 의 두께 로 형성 하 고 , 절연 층 의 나이트 라이드 막 ( 220 ) 은 600 Å 의 두께 로 형성 한다 . 또한 상부 전극 금속 층 ( 230 ) 은 Ti / TiN 막 ( 232 , 234 ) 이 각각 500 Å / 1500 Å 의 두께 로 형성 되 며 , 포토레지스트 마스크 는 13000 Å 으로 형성 된다 .