도 5 내지 도 8 에서 홀 패턴 을 이루 는 다수 의 홀 들 은 제 3 가스 가 분사 되 는 표면 에 대하 여 규칙 적 인 각도 로 형성 되 어 있 을 수 있 고 , 제 3 가스 가 분사 되 는 표면 에 대하 여 불 규칙 적 인 각도 로 형성 되 어 있 을 수 있 다 . 특히 , 다수 의 홀 들 이 불 규칙 적 인 각도 로 형성 된 홀 패턴 의 경우 에 는 제 3 가스 가 홀 각도 에 따 서 다양 한 각도 로 분사 될 수 있 어서 반응 챔버 ( 160 ) 내부 에 필요 한 부분 에 더 효율 적 인 세정 효과 를 얻 을 수 있 다 .