상기 기술 적 과제 를 달성 하 기 위한 본 발명 의 일 태양 에 따른 반도체 에 피층 패턴 의 평탄 화 방법 은 다음 의 단계 들 을 포함 한다 . 서로 다른 게르마늄 함유량 을 갖 고 서로 다른 높이 를 갖 는 적어도 한 쌍 의 반도체 에 피층 패턴 들 이 형성 된 반도체 기판 을 제공 한다 . 상기 한 쌍 의 반도체 에 피층 패턴 들 중 높 은 높이 의 반도체 에 피층 패턴 을 낮 은 높이 의 반도체 에 피층 패턴 보다 빠르 게 제거 할 수 있 는 연마 케미컬 을 선택 한다 . 그리고 , 상기 선택 된 연마 케미컬 을 이용 한 화학 적 기계 적 연마법 을 이용 하 여 상기 적어도 한 쌍 의 반도체 에 피층 패턴 들 을 평탄 화 한다 .