본 발명 의 유기 전계 효과 트랜지스터 는 게이트 전극 , 게이트 절연 층 , 반도체 층 , 소스 전극 및 드레 인 전극 을 구비 한다 . 또한 , 본 발명 의 유기 전계 효과 트랜지스터 에 있 어서 의 소스 전극 및 드레 인 전극 은 각각 도전 층 및 화합물 층 으로 구성 되 어 있 고 , 화합물 층 은 각각 반도체 층 에 접하 여 배치 되 어 있 다 . 도 1 내지 도 4 는 각각 이러 한 유기 전계 효과 트랜지스터 의 바람직 한 실시 형태 를 나타내 는 모식 단면도 이 다 . 이하 , 이 들 도면 의 설명 을 한다 .