질화 갈륨 계 화합물 을 그러 한 발광 소자 에 적용 하 는 데 에 는 제품 형태 나 수명 의 관점 에서 고품질 , 고 발광 효율 의 박막 으로서 제공 하 는 것 이 요구 된다 . 그러나 , 질화 갈륨 계 화합물 은 육방정계 의 우르 자 이트 ( Wurtzite ) 구조 를 갖 고 있 고 , 그 격자 상수 는 다른 주요 한 반도체 ( III - V 족 화합물 반도체 나 II - VI 족 반도체 등 ) 과 비교 하 여 매우 작 은 값 을 나타낸다 . 이 극단 적 으로 작 은 격자 상수 는 기판 결정 의 격자 상수 와 의 정합 을 어렵 게 하 고 있 다 . 일반 적 으로 에피 택 셜 성장 시키 는 결정 에 는 기판 결정 과 의 사이 에서 의 격자 부정합 이나 휨 ( 압축 휨 이나 인장 휨 ) 등 의 원인 에 의해 전위 가 발생 한다 . 이 전위 는 전위 결함 이 되 어 에피 택 셜 성 장막 의 품질 을 저하 시킨다 . 따라서 , 질화 갈륨 계 화합물 을 성장 하 는 데 는 기판 의 선택 이 중요 시 된다 .