또한 , 본 실시 형태 에서 는 , 도 1 의 ( B ) 에 도시 한 바 와 같이 , コ 형상 의 콜렉 터 영역 을 구성 하 는 P 형 의 확산 층 ( 8 , 9 ) 에서 , 분리 영역 ( 23 ) 측 이 개구 되 는 형상 의 경우 에 대해 설명 하 였 지만 , 이 경우 에 한정 되 는 것 은 아니 다 . 예 를 들 면 , P 형 의 확산 층 ( 8 , 9 ) 은 , コ 형상 으로 형성 됨 으로써 , 임의 의 방향 에 대하 여 개구 하 는 경우 에 도 , 디바이스 사이즈 를 축소 할 수 있 다고 하 는 효과 를 얻 을 수 있 다 . 특히 , 베이스 영역 을 구성 하 는 N 형 의 확산 층 ( 5 ) 측 이 개구 되 는 경우 에 는 , 콜렉터 영역 이 베이스 - 에 미터 사이 의 장벽 으로 되 는 것 을 방지 하 여 , 베이스 저항 값 의 한층 더 한 저감 을 실현 할 수 있 어 , 전류 특성 을 향상 시킬 수 있 다 . 그 밖 에 , 본 발명 의 요지 를 일탈 하 지 않 는 범위 에서 , 다양 한 변경 이 가능 하 다 .