제 1 반도체 층 ( 250 ) 은 문턱 전압 조절 층 ( 240 ) 상 에 배치 될 수 있 다 . 제 1 반도체 층 ( 250 ) 은 P 형 반도체 층 을 포함 할 수 있 다 . 제 2 반도체 층 ( 260 ) 은 문턱 전압 조절 층 ( 240 ) 상 에 배치 될 수 있 다 . 제 2 반도체 층 ( 260 ) 의 일부 는 제 1 반도체 층 ( 250 ) 의 일부 를 덮 도록 형성 될 수 있 다 . 제 2 반도체 층 ( 260 ) 은 N 형 반도체 층 을 포함 할 수 있 다 . 제 1 반도체 층 ( 250 ) 과 제 2 반도체 층 ( 260 ) 은 수직 으로 일부 중첩 되 는 영역 을 포함 할 수 있 다 .