본 발명 은 , 금속 배 선간 매립 을 위해 저유 전막 을 적용 하 는 반도체 소자 의 제조 방법 으로서 , 상기 금속 배선 의 표면 및 금속 배 선간 연결 을 위한 콘 택 플러그 용 콘 택 홀 의 측벽 에 베리 어 막 으로서 유전 상수 값 이 비교 적 높 은 절 연막 을 형성 한 후 , 상기 콘 택 홀 을 매립 하 도록 금속 막 을 증착 하 여 콘 택 플러그 를 형성 한 다음 , 후속 공정 들 을 차례 로 수행 하 여 상기 콘 택 플러그 상 에 다층 금속 배선 을 형성 한다 .