도 6 을 참조 하 면 , 상기 하부 절 연막 ( 23 a ) 및 상기 하부 도전 성 패턴 ( 25 ) 상 에 통상 의 증착 공정 , 예 를 들 어 , 화학 기상 증착 ( Chemical Vapor Deposition ; CVD ) 공정 을 사용 하 여 식각 저 지막 ( 27 ) 을 형성 한다 . 상기 식각 저 지막 ( 27 ) 은 SiON 막 또는 SiN 막 과 같 은 물질 막 으로 형성 될 수 있 고 , 상기 하부 절 연막 ( 23 a ) 에 대하 여 식각 선택 비 를 갖 는 물질 로 형성 될 수 있 다 . 상기 식각 저 지막 ( 27 ) 상 에 상부 절 연막 ( 29 ) 을 형성 할 수 있 다 . 상기 상부 절 연막 ( 29 ) 은 상기 하부 절 연막 ( 23 a ) 과 동일 한 물질 막 , 예 를 들 면 TEOS ( TetraEthlyOrthoSilicate ) 막 일 수 있 다 . 아울러 , 상기 상부 절 연막 ( 29 ) 은 상기 하부 절 연막 ( 23 ) 과 동일 한 공정 을 사용 하 여 형성 할 수 있 다 .