여기 서 , 상기 게이트 배선 ( GL ) 과 데이터 배선 ( DL ) 의 교차 지점 에 는 어 드레싱 엘리먼트 ( addressing element ) 인 스위칭 박막 트랜지스터 ( switching TFT , Ts ) 가 형성 되 어 있 고 , 상기 스위칭 박막 트랜지스터 ( Ts ) 및 전력 공급 배선 ( Vdd ) 과 연결 되 어 스 토리 지 캐 패 시터 ( Cst ) 가 형성 되 어 있 으며 , 상기 스토리지 캐 패 시터 ( Cst ) 및 전력 공급 배선 ( Vdd ) 과 연결 되 어 , 전류 원 엘리먼트 ( current source element ) 인 구동 박막 트랜지스터 ( Td ) 가 형성 되 어 있 고 , 상기 구동 박막 트랜지스터 ( Td ) 에 는 유기 전계 발광 다이오드 ( Electroluminescent Diode , E ) 가 연결 되 어 있 다 .