본원 에서 사용 된 바 와 같이 , 급속 열처리 또는 RTP 는 약 50 ℃/ 초 및 그 초과 의 레이트 ( rates ) 로 , 예 를 들 어 , 100 내지 150 ℃/ 초의 레이트 로 , 그리고 200 내지 400 ℃/ 초의 레이트 로 웨이퍼 를 균일 하 게 가열 할 수 있 는 장치 또는 프로세스 를 지칭 한다 . RTP 챔버 들 내 의 전형 적 인 램프 - 다운 ( ramp - down ) ( 냉각 ) 레이트 들 은 80 - 150 ℃/ 초의 범위 이 다 . RTP 챔버 들 내 에서 실시 되 는 일부 프로세스 들 은 몇 도씨 미만 의 기판 에 걸친 온도 변동 들 ( variations ) 을 요구 한다 . 그 에 따라 , RTP 챔버 는 램프 또는 다른 적합 한 가열 시스템 그리고 100 내지 150 ℃/ 초 , 그리고 200 내지 400 ℃/ 초 까지 의 레이트 로 가열 할 수 있 는 가열 제어 시스템 을 반드시 포함 하 여야 할 것 이 며 , 상기 레이트 에 의해서 , 급속 열처리 챔버 들 이 , 상기 레이트 들 로 급속 하 게 가열 할 수 있 는 가열 시스템 및 가열 제어 시스템 을 가지 지 않 는 다른 타입 의 열 적 챔버 들 로부터 구분 된다 . 본원 발명 의 추가 적 인 양태 에 따라서 , 본원 발명 의 실시 예 들 은 플래시 어닐링 에 도 또한 적용 될 수 있 을 것 이 다 . 본원 에서 사용 된 바 와 같이 , 플래시 어닐링 은 5 초 미만 으로 , 구체 적 으로 , 1 초 미만 의 , 그리고 일부 실시 예 들 에서 , 밀리 초 들 로 샘플 을 어닐링 하 는 것 을 지칭 한다 .