평탄 화 절연 층 ( 122 d ) 위 에 무기 절연 층 ( 122 e ) 을 형성 한다 . 상술 한 바 와 같이 , 무기 절연 층 ( 122 e ) 은 , 트랜지스터 ( 108 ) 에 대한 보호 층 으로서 기능 할 뿐 만 아니 라 , 후 에 형성 되 는 발광 소자 ( 114 ) 의 제 1 전극 ( 116 ) 과 함께 용량 을 형성 한다 . 따라서 , 유전 율 이 비교 적 높 은 재료 를 이용 하 는 것 이 바람직 하 다 . 예 를 들 어 질화규소 , 질화 산화 규소 , 산화 질화규소 등 을 사용 할 수 있 다 . 성막 방법 으로서 는 , CVD 법 이나 스퍼터링 법 을 적용 할 수 있 다 .