먼저 , 도 1 은 본 발명 에 따른 전계 방출 패널 을 전자 빔 방출 원 으로 사용 한 전자 빔 증착 장치 의 실시 예 를 나타낸 것 으로 , 기판 ( 도시 되 지 않 음 ) 상부 에 형성 된 캐소드 전극 ( 102 ) 과 ; 상기 캐소드 전극 ( 120 ) 상부 에 형성 된 에 미터 들 ( 101 ) 들 과 ; 상기 에 미터 상부 에 일정 거리 이격 되 어 형성 되 고 , 상기 에 미터 ( 101 ) 들 로부터 방출 되 는 전자 가 통과 할 전자 통과 홀 이 형성 된 게이트 전극 ( 103 ) 과 ; 상기 게이트 전극 ( 103 ) 상부 에 일정 거리 이격 되 어 형성 되 고 , 상기 에 미터 ( 101 ) 들 로부터 방출 되 는 전자 가 통과 할 전자 통과 홀 이 형성 된 가속 전극 ( 104 ) 으로 이루어져 종래 의 전자 빔 을 대신 하 는 전계 방출 패널 과 ; 상기 전자 방출 원 으로부터 전자 빔 의 경로 를 유도 하 기 위한 편향 자석 ( 111 ) 과 ; 상기 편향 자석 ( 111 ) 에 의해 경로 가 변경 된 전자 빔 ( 112 ) 이 도달 하 여 해당 물질 을 증착 시기 위한 증착 부 ( 120 ) 로 구성 된다 .