우선 , 본 발명 의 제 4 실시 예 에 따른 유기 박막 트랜지스터 는 , 도 8 d 에 도시 된 바 와 같이 , 기판 ( 410 ) 상 에 유기 물질 로 형성 된 버퍼 막 ( 412 ) 과 , 상기 버퍼 막 ( 412 ) 상 에 각각 섬 형상 으로 투명 도 전막 즉 , ITO 막 또는 IZO 막 으로 형성 된 소스 / 드레 인 전극 ( 414 a , 414 b ) 과 , 상기 소스 / 드레 인 전극 ( 414 a , 414 b ) 이 포함 한 버퍼 막 ( 412 ) 상 에 형성 된 저항성 접착 층 ( 416 ) 과 , 상기 저항성 접착 층 ( 416 ) 상 에 형성 된 LCPBC ( Liquid Crystalline Polyfluorene Block Copolymer ) , 펜 타 센 ( Pentacene ) , 폴리 사 이 오 핀 ( polythiophene ) 등 의 유기 반도체 층 ( 418 ) 과 , 상기 유기 반도체 층 ( 418 ) 상 에 형성 된 게이트 절 연막 ( 420 ) 과 , 상기 소스 / 드레 인 전극 ( 414 a , 414 b ) 과 오버랩 되 도록 게이트 절 연막 ( 420 ) 상 에 형성 된 게이트 전극 ( 422 ) 으로 구성 된다 .