또 다른 관점 에서 , 본 발명 은 ⅰ ) 전해질 막 전체 중량 대비 10 내지 50 중량 % 의 염소 계 고분자 를 염소 계 고분자 중량 대비 1 내지 20 중량 % 의 용매 에 용해 시키 는 염소 계 고분자 용해 단계 ; ⅱ ) 상기 단계 ⅰ ) 의 염소 계 고분자 용액 에 전해질 막 전체 중량 대비 50 내지 90 중량 % 의 술폰 화 된 단량체 를 혼합 하 는 단량체 첨가 단계 ; ⅲ ) 상기 단계 ⅱ ) 의 고분자 용액 에 상기 고분자 용액 중량 대비 0 . 05 내지 1 중량 % 의 전이 금속 할로겐화물 을 포함 하 는 촉매 및 0 . 2 내지 3 중량 % 의 배위 리간드 를 첨가 하 는 촉매 / 리간드 첨가 단계 ; ⅳ ) 상기 단계 ⅲ ) 가 종료 된 혼합 용액 에 질소 를 주입 한 후 90 내지 120 ℃ 의 온도 에서 6 내지 48 시간 동안 반응 시키 는 반응 단계 ; ⅴ ) 상기 단계 ⅳ ) 의 반응 이 종료 된 후 생성 된 생성물 을 비 용매 에 침전 시키 고 세척 한 후 건조 시키 는 세척 단계 ; ⅵ ) 상기 단계 ⅴ ) 에 의하 여 제조 된 고분자 를 용매 에 용해 시켜 용액 을 만든 후 고분자 막 의 형태 로 제조 하 는 고분자 전해질 막 형성 단계 ; 및 ⅶ ) 상기 단계 ⅵ ) 의 고분자 전해질 막 에 포함 된 용매 를 증발 시켜 전도 성 전해질 막 을 제조 하 는 고분자 전해질 막 건조 단계 를 포함 하 는 염소 계 고분자 전해질 막 의 제조 방법 을 제공 한다 .