그러나 , 2 T 2 MTJ 형 의 자기 메모리 장치 는 1 개 의 메모리 셀 을 구성 하 는 소자 수 가 많 기 때문 에 , 집적도 를 향상 시키 는 것 이 곤란 하 다 . 한편 , 1 T 1 MTJ 형 의 자기 메모리 장치 는 2 T 2 MTJ 형 의 자기 메모리 장치 와 비교 하 여 집적화 는 용이 하 다 . 그러나 , 레퍼런스 용 셀 에서 레퍼런스 용 의 신호 를 생성 하 기 때문 에 , 레퍼런스 용 셀 의 편차 가 판독 의 마진 에 직접 적 으로 영향 을 미친다 . 특히 , 복수 의 비트 선 에 대하 여 1 개 의 레퍼런스 용 셀 을 설치 하 고 있 기 때문 에 , 비트 선 에 따라서 는 레퍼런스 용 셀 에 가까운 것 도 있 고 먼 것 도 있 어 , MTJ 소자 의 특성 편차 에 의한 영향 은 매우 크 다 . 따라서 , 노이즈 에 강한 것 을 특징 으로 하 는 인접 비트 선 쌍 을 사용 한 차동 ( 差動 ) 증폭 방식 에 의한 판독 을 할 수 없 어 , 노이즈 에 대한 내성 이 저감 될 우려 가 있 었 다 .