여기 에서 , 라디칼 / 중성 입자 종 들 이 반도체 웨이퍼 프로세싱 동안 에 하전 된 이온 종 들 에 대해 독립 적 으로 제어 될 수 있 도록 플 라즈 마 내 에서 의 이온 생성 으로부터 중성 입자 종 들 에 대한 라디컬 생 성 의 디 커플링 을 가능 하 게 하 는 반도체 웨이퍼 프로세싱 장치 가 개시 되 어 있 다 . 본 장치 는 상부 즉 , 다운스 트림 의 플 라즈 마 생 성 볼륨 을 포함 하 며 , 이 생 성 볼륨 에서 는 라디칼 / 중성 입자 종 들 이 관련 된 이온 생성 과 무관 하 게 생성 된다 . 장치 는 또한 적절 한 이온 밀도 의 별개 의 플 라즈 마가 기판 에 즉 , 웨이퍼 에 노출 되 는 상태 에서 생성 되 는 하부 플라 즈 마 생 성 볼륨 을 포함 한다 . 상부 플라 즈 마 생 성 볼륨 내 에서 의 라디칼 / 중성 입자 종 들 은 가스 분배 유닛 을 통하 여 하부 플라 즈 마 생 성 볼륨 으로 제어 된 방식 으로 플로우 되 어 , 웨이퍼 프로세싱 에 라디칼 / 중성 입자 종 의 성분 들 을 제공 한다 .