도 1 i 에 도시 된 바 와 같이 , 마스크 패턴 ( 18 ) 을 식각 베리어 로 제 2 질화 막 ( 17 b ) 및 제 2 산화 막 ( 17 a ) 을 스 페이서 식각 ( spacer etch ) 하 되 , LPTEOS 막 ( 15 ) 을 식각 정지 막 으로 하 여 식각 을 수행 함 으로써 제 2 산화 막 ( 17 a ) 및 제 2 질화 막 ( 17 b ) 로 이루어진 게이트 상부 스 페이서 ( 17 ) 를 형성 한다 .