도 16 을 참조 하 여 , 상기 트렌치 들 ( 200 ) 에 의하 여 노출 된 상기 제 1 희생 막 ( 111 ) 을 선택 적 으로 제거 하 여 제 1 리세 스 영역 ( 205 ) 을 형성 할 수 있 다 . 상기 제 1 리세 스 영역 ( 205 ) 은 상기 트렌치 들 ( 200 ) 로부터 수평 적 으로 연장 되 어 형성 되 는 갭 영역 일 수 있 다 . 상기 제 1 리세 스 영역 ( 205 ) 은 상기 수직 막 ( 170 ) 의 측벽 의 일부 를 노출 할 수 있 다 . 상기 제 1 희생 막 ( 111 ) 의 제거 공정 시 , 상기 제 1 보호막 ( 141 ) 은 상기 주형 구 조체 ( 100 ) 의 노출 된 측벽 을 보호 할 수 있 다 . 상기 제 1 보호막 ( 141 ) 은 상기 제 1 희생 막 ( 111 ) 및 상기 수직 막 ( 150 ) 에 대해 식각 선택 성 이 있 는 물질 을 포함 할 수 있 다 . 일 예 로 , 상기 제 1 보호막 ( 141 ) 은 상기 제 2 희생 막 들 ( 130 ) 과 동일 한 물질 로 형성 될 수 있 다 .