도 6 및 도 7 을 통해 알 수 있 듯이 , 본 발명 에 따른 발진 주파수 조절 이 가능 한 MIT 소자 기반 발 진회 로 는 MIT 소자 와 가변 저항 만 을 연결 하 여 MIT 소자 기반 발진 회로 를 구성 한 뒤 , 인가 전압 과 저항 값 을 MIT 발진 가능 영역 ( E ) 내 에서 연속 적 으로 변화 시켜 줌 으로써 , MIT 발진 의 발진 주파수 를 연속 적 으로 조절 하 는 것 이 가능 하 다 . 또한 , 예시 하 지 는 않 았 지만 발진 회로 에 커패시터 나 인덕 터 가 연결 된 경우 에 는 , 커패시턴스 및 / 또는 인덕턴스 값 을 변화 시킴 으로써 , MIT 발진 의 발진 주파수 를 조절 할 수 있 음 은 물론 이 다 .