도 9 로부터 , 질소 와 디 실란 을 이용 하 는 플 라즈 마 CVD 조건 1 에서 성막 한 시험 구분 I ( 비교 예 ) 의 질화규소 막 에서 는 , Si 기판 계면 으로부터 2 . 5 ㎚ 부근 에 , 전자 점유 결함 이 현저히 감소 하 는 영역 이 존재 하 고 있 다 . 즉 , 시험 구분 I 의 질화규소 막 은 전자 점유 결함 밀도 가 계면 측 및 표면 측 에서 높 고 막 중앙 부분 에서 낮 은 , 아래 로 볼록 모양 의 프로 파일 을 갖 고 있 다 . 이러 한 트랩 밀도 의 프로 파일 을 갖 는 질화규소 막 은 계면 측 및 표면 측 에서 의 전하 의 누락 이 발생 하 기 쉬운 것 이 염려 되 었 다 .