도 3 은 본 발명 의 실시 예 들 에 따른 장치 의 에피 택 셜 구조 를 도시 한다 . 에칭 정지 층 ( 20 ) 이 종래 의 GaAs 기판 ( 10 ) 위 에 성장 된다 . 에칭 정지 층 ( 20 ) 은 나중 에 GaAs 기판 ( 10 ) 을 제거 하 기 위해 이용 되 는 에칭 을 정지 하 기 위해 이용 될 수 있 는 임의 의 재료 일 수 있 다 . 에칭 정지 층 ( 20 ) 은 , 예 를 들 면 , InGaP , AlGaAs , 또는 AlGaInP 일 수 있 다 . 에칭 정지 층 ( 20 ) 의 재료 는 성장 기판 ( 전형 적 으로 GaAs ) 에 격자 정합 될 수 있 지만 , 그럴 필요 는 없 다 . 성장 기판 에 격자 정합 되 지 않 은 에칭 정지 층 들 은 이완 ( relaxation ) 을 회피 하 기 에 족할 만큼 얇 을 수 있 고 및 / 또는 스트레인 보상 될 수 있 다 ( strain compensated ) . 에칭 정지 층 ( 20 ) 의 두께 는 GaAs 기판 ( 10 ) 을 제거 하 기 위해 이용 되 는 에칭 용액 들 의 선택 비 ( selectivity ) 에 의존 하 고 ; 에칭 이 덜 선택 적 일수록 , 에칭 정지 층 은 더 두껍 다 . AlGaAs 에칭 정지 층 은 , 예 를 들 면 , 2000 Å 과 5000 Å 사이 일 수 있 지만 , 아래 설명 되 는 바 와 같이 , 만약 에칭 정지 층 이 장치 의 방출 표면 을 텍스처 링 하 기 위해 이용 된다면 더 두꺼운 에칭 정지 층 이 이용 될 수 있 다 . AlxGa 1 - xAs 에칭 정지 층 의 조성 x 는 , 예 를 들 면 , 0 . 50 과 0 . 95 사이 일 수 있 다 .