다음 에 , 게이트 스 페이서 ( 38 ) 가 더미 게이트 스택 ( 30 ) 의 측벽 상 에 형성 된다 . 각각 의 프로세스 는 또 한 도 18 에 도시 되 어 있 는 프로세스 흐름 ( 400 ) 에서 프로세스 ( 414 ) 로서 도시 되 어 있 다 . 본 개시 내용 의 몇몇 실시 예 에 따르 면 , 게이트 스 페이서 ( 38 ) 는 실리콘 질화물 , 실리콘 탄질 화물 등 과 같 은 유전 재료 ( 들 ) 로 형성 되 고 , 단일 층 구조 또는 복수 의 유전 층 을 포함 하 는 다층 구조 를 가질 수 도 있 다 .