또한 , 본 발명 에 의한 불화물 제거 공정 에서 는 포름산 을 이용 하 고 있 기 때문 에 , 예컨대 초산 을 이용 했 을 경우 에 비해 , 불화물 제거 에 관한 반응 성 이 높 아 지 는 ( 불화물 을 제거 하 는 제거 속도 가 커지 는 ) 효과 를 달성 한다 . 이 때문 에 ， 불화물 제거 공정 에 있 어서 의 기판 온도 를 낮 게 ( 예컨대 250 ℃ 이하 ) 할 수 있 다 . 이 결과 , 디바이스 에 가하 는 대미지 를 보다 작 게 하 는 것 이 가능 해진다 .