본 발명 의 일 실시 예 에 따른 메모리 소자 형성 방법 은 기판 상 에 제 1 개 구부 를 한정 하 는 제 1 절 연막 을 형성 하 는 것 을 포함 할 수 있 다 . 상기 제 1 개 구부 의 바닥 및 측벽 상 에 제 1 도 전막 이 형성 된다 . 상기 제 1 개 구부 내 에서 상기 제 1 도전 막상 에 제 2 절 연막 이 형성 된다 . 상기 제 1 개 구부 의 측벽 상 에 형성 된 제 1 도 전막 의 일부분 을 제거 하 여 제 1 도 전체 가 형성 되 고 상기 제 2 절 연막 과 상기 제 1 절 연막 사이 에 제 2 개 구부 가 형성 된다 . 상기 제 2 개 구부 내 에 상기 제 1 도 전체 에 연결 되 는 상변화 물질 이 형성 된다 . 상기 상변화 물질 상 에 제 2 도 전체 가 형성 된다 .