본 발명 은 , 분자 층 두께 수준 으로 제어 된 제 1 유기 층 과 , 제 1 유기 층 과 는 다른 제 2 유기 층 또는 무기계 의 매우 얇 은 절연 층 의 적층 구조 를 형성 함 으로써 , 종래 의 반도체 층 의 막 형성 에 있 어서 는 수지상 ( 樹枝 狀 ) 구조 등 이 되 어 균일성 을 확보 할 수 없 는 막 구조 를 , 평탄 막 으로 할 수 있 게 되 는 박막 적 층 체 를 제공 하 는 것 을 목적 으로 한다 .