1 ) 그 안 에 황 을 수용 하 기 위한 팽창 된 면간 공간 을 갖 는 모든 탄소 / 흑연 물질 은 높 은 수준 의 황 사용 효율 을 부여 한다 . 일 예 로서 샘플 NG - 1 을 고려 하 면 , 1 . 22 nm 의 d - 간격 은 팽창 된 공간 에서 높 은 황 ( S ) 비율 ( 91 중량 %) 및 ( 총 캐소드 활성 층 중량 을 기준 으로 하 여 ) 1410 mAh / g 의 높 은 캐소드 비용량 을 초래 한다 . 이 는 , S 물질 중량 단독 을 기준 으로 하 여 , 비용량 이 1 , 549 mAh / g 임 을 시사 하 며 , 이 는 S 의 이론 적 용량 ( 1 , 675 mAh / g ) 으로부터 1 , 549 / 1 , 675 = 92 . 5 % 와 동일 한 것 이 다 . 이 는 , 팽창 된 공간 에 존재 하 는 S 의 92 . 5 % 까지 가 Li 의 저장 에 참여 하 거나 , 모든 S 가 캐소드 에 대한 이 의 Li 저장 용량 의 92 . 5 % 기여 하 거나 이러 한 2 개 의 메커니즘 의 일부 조합 을 시사 한다 . 본 발명 의 탄소 / 흑연 물질 모두 는 88 % 내지 94 % 범위 의 S 사용 효율 을 부여 한다 . 반대 로 , 보편 적 인 그래핀 폼 은 단지 77 . 8 % 의 S 사용 효율 을 전달 하 며 , 천연 흑연 입자 ( 볼 - 밀링 을 이용 하 여 S 와 혼합 하 였을 때 ) 는 30 % 미만 의 S 사용 효율 을 나타낸다 .