막 두께 와 균일성 은 증착 온도 및 전 구체 도스 ( dose ) 에 의존 하 는 것 으로 보인다 . 특히 , O 3 의 도스 는 균일성 과 성장 속도 에 영향 을 미쳤 다 . 가장 높 은 성장 속도 는 1 Å / 사이클 보다 컸 고 150 - 200 ℃ 의 저온 에서 얻 을 수 있 었 다 . 한편 , 가장 우수 한 막 균일성 은 가장 높 은 온도 인 300 ℃ 에서 얻 을 수 있 었 다 . 엘 립 소 미터 측정 에 따르 면 , 증착 온도 와 는 무관 하 게 모든 막 들 에 대하 여 1 . 44 로서 굴절 률 이 동 일 하 였 다 . XPS 에 따르 면 막 의 조성 은 SiO 2 와 일치 하 였 다 . 또한 , RBS 는 그 에 일관 되 는 Si : O 비율 인 0 . 5 를 나타내 었 다 . 막 은 수소 를 포함 하 며 , 불순물 로서 일부 질소 및 탄소 도 포함 하 였 다 .