수직 으로 정렬 된 CNT 들 은 측면 전도 가 거의 또는 전혀 없이 수직 으로 전류 가 흐르 게 한다 . 메모리 셀 ( 200 ) 을 포함 하 는 메모리 레벨 상 에 제조 된 이웃 한 메모리 셀 들 ( 도시 되 지 않 음 ) 사이 에 측면 또는 가교 전도 경로 의 형성 을 감소 또는 방지 하 기 위해서 , 일부 실시 예 에서 , CNT 물질 ( 212 ) 의 개개 의 튜브 들 은 실질 적 으로 수직 으로 정렬 되 게 제조 될 수 있 다 ( 예 를 들 어 , " 그럼 으로써 메모리 셀 의 상태 가 이웃 메모리 셀 의 상태 및 / 또는 프로그래밍 에 의해 영향 받 는 것 또는 "" 교란 되 는 "" 것 을 감소 및 / 또는 방지 한다 ) . 개개 의 튜브 격리 는 CNT 물질 ( 212 ) 의 전체 두께 이상 의 격리 일 수 도 있 고 그렇 지 않 을 수 도 있 는 것 에 유의 한다 . 예 를 들 어 ", 초기 성장 국면 에서 , 개개 의 튜브 의 일부 또는 대부분 은 수직 으로 정렬 될 수 있 다 ( 예 를 들 어 , 닿 지 않 는다 ) . 그러나 , 개개 의 튜브 들 이 수직 으로 길이 가 증가 함 에 따라 , 튜브 의 부분 들 이 서로 접촉 하 게 될 수 있 고 , 심지어 는 얽히 거나 뒤엉키 게 될 수 있 다 .