도 34 b 에 도시 한 트랜지스터 는 , 기판 ( 3600 ) 과 , 기판 ( 3600 ) 위 에 형성 된 절연 층 ( 3602 ) 과 , 절연 층 ( 3602 ) 위 에 형성 된 산화물 반도체 층 ( 3606 ) 과 , 산화물 반도체 층 ( 3606 ) 과 접하 는 한 쌍 의 전극 ( 3614 ) 과 , 산화물 반도체 층 ( 3606 ) 및 한 쌍 의 전극 ( 3614 ) 위 에 형성 된 게이트 절연 층 ( 3608 ) 과 , 게이트 절연 층 ( 3608 ) 을 통하 여 산화물 반도체 층 ( 3606 ) 과 중첩 하 여 설치 된 게이트 전극 ( 3610 ) 과 , 게이트 절연 층 ( 3608 ) 및 게이트 전극 ( 3610 ) 을 덮 어서 형성 된 층간 절 연막 ( 3616 ) 과 , 층간 절 연막 ( 3616 ) 에 형성 된 개구부 를 통하 여 한 쌍 의 전극 ( 3614 ) 과 접속 하 는 배선 ( 3618 ) 과 , 층간 절 연막 ( 3616 ) 및 배선 ( 3618 ) 을 덮 어서 형성 된 보호막 ( 3620 ) 을 갖 는다 .