이 에 의하 여 , 예 를 들 어 , 보정 전압 이 단조 롭 게 증가 또는 감소 되 도록 오프셋 조정 신호 를 공급 할 수 있 다 . 또는 , 예 를 들 어 , 단조 롭 게 증가 또는 감소 하 는 보정 전압 을 사용 하 여 제 3 노드 의 극성 이 반전 되 는 보정 전압 을 알 수 있 다 . 또는 , 제 3 의 노드 의 전위 가 제 2 단자 의 전위 에 가장 가까워 지 는 보정 전압 을 알 수 있 다 . 또는 , 제 3 노드 의 전위 가 제 2 단자 의 전위 에 가까워질 때 의 오프셋 조정 신호 를 오프셋 데이터 로 할 수 있 다 . 또는 , 제 3 노드 의 전위 가 제 2 단자 의 전위 에 가까워 지 는 오프셋 데이터 를 유지 할 수 있 다 . 또는 , 레지스터 에 기억 한 오프셋 데이터 에 기초 하 여 반도체 장치 를 흐르 는 바이어스 전류 를 제어 할 수 있 다 . 또는 , 예 를 들 어 , 부하 와 전기 적 으로 접속 된 반도체 장치 를 흐르 는 바이어스 전류 를 억제 할 수 있 다 . 또는 , 반도체 장치 의 전력 손실 을 억제 할 수 있 다 . 그 결과 , 편리 성 또는 신뢰 성 이 우수 한 신규 반도체 장치 를 제공 할 수 있 다 .