상기 발광 층 상 에 BAlq 를 증착 속도 1 Å / sec 로 증착 하 여 50 Å 두께 의 정공 저지 층 을 형성 하 고 , 상기 정공 저지 층 상 에 Alq 3 를 증착 하 여 300 Å 두께 의 전자 수송 층 을 형성 한 다음 , 전자 수송 층 상부 에 LiF 를 증착 하 여 10 Å 두께 의 전자 주입 층 을 형성 한 후 , 상기 전자 주입 층 상 에 Al 를 진공 증착 하 여 1200 Å 두께 의 제 2 전극 ( 캐소드 ) 을 형성 함 으로써 , ITO / m - MTDATA ( 600 Å ) / α - NPD ( 250 Å ) / CBP + 화합물 1 - 103 ( 10 %) ( 400 Å ) / Balq ( 50 Å ) / Alq 3 ( 300 Å ) / LiF ( 10 Å ) / Al ( 1200 Å ) 구조 를 갖 는 유기 발광 소자 를 제작 하 였 다 .