나아가 , 비 도핑 AltGa 1 - tN 층 을 형성 하 기 전 에 , 우선 기판 상 에 비 도핑 AlN 층 을 형성 할 수 도 있 는 바 , 예 를 들 어 완충 층 상 에 AlN 층 을 형성 한다 . 구체 적 으로 , 반응 챔버 의 온도 를 1000 ~ 1350 ℃ 로 설정 하 고 , 압력 을 100 ~ 400 torr 로 설정 하 고 , 반응 챔버 내부 로 계속 하 여 알루미늄 소스 와 질소 소스 를 유입 시키 고 , 수소 가스 등 을 캐리어 가스 로 하 여 , 비 도핑 AlN 층 을 형성 한다 . 비 도핑 AlN 층 의 두께 는 일반 적 으로 0 ~ 5000 nm , 예 를 들 어 500 ~ 5000 nm 로 제어 될 수 있 다 .