이후 , 도 2 c 에서 는 상기 도 2 b 에서 형성 된 비 아홀 용 포토레지스트 패턴 을 제거 한 뒤 , 제 2 포토레지스트 , 즉 트렌치 형성 용 포토레지스트 ( 도시 생략 됨 ) 를 도포 하 고 , 상술 한 도 2 b 에서 와 마찬가지 로 제 2 포토레지스트 에 대해 포토 공정 을 진행 하 여 제 2 포토레지스트 패턴 ( 208 ) 을 형성 한다 . 그런 다음 , 상기 제 2 포토레지스트 패턴 ( 208 ) 을 마스크 로 하 여 제 2 절 연막 ( 204 ) 을 2 차 식각 함 으로써 트렌치 배선 영역 을 형성 한다 . 도면 부호 ( 204 b ) 는 2 차 식각 처리 된 제 2 절 연막 을 나타낸다 .