한편 , 도 1 b 에서 식각 공정 ( 104 ) 은 식각 마스크 없이 전면 식각 공정 으로 , 소자 분리 막 ( 103 A ) 을 식각 타 겟 ( etching target ) 으로 공정 을 진행 하나 , 소자 분리 막 ( 103 A ) 과 도전 막 ( 102 A ) 간 에 식각 선택 비 가 너무 높 은 경우 도전 막 ( 102 A ) 에 대한 식각 이 거의 일어나 지 않 아 도전 막 ( 102 A ) 을 원하 는 크기 로 축소 할 수 없 기 때문 에 식각 조건 을 적절히 제어 해야 만 한다 . 이 를 위해 , 식각 공정 ( 104 ) 은 도전 막 ( 102 A ) 의 높이 감소 를 최소 화 하 는 범위 내 에서 선폭 ( 채널 길이 ) 을 감소 시키 기 위해 도전 막 ( 102 A ) 과 소자 분리 막 ( 103 A ) 과 의 식각 율 이 1 : 1 . 2 ~ 2 . 0 ( 도전 막 : 소자 분리 막 ) 정도 가 되 는 식각 조건 으로 실시 하 는 것 이 바람직 하 다 . 예컨대 , 식각 공정 ( 104 ) 은 도전 막 ( 102 A ) 이 폴리 실리콘 막 으로 이루어지 고 , 소자 분리 막 ( 103 A ) 이 HDP 막 으로 이루 어 진 경우 , 식각 용액 으로 는 DHF ( Dilted HF ) , BHF ( Buffered HF ) 또는 BOE ( Buffered Oxide Etch ) 용액 을 사용 할 수 있 다 . 이때 , BHF 또는 BOE 는 혼합 용액 의 혼합비 에 따라 식각 율 이 정해 지 기 때문 에 적절히 혼합비 를 조절 하 여 목표치 식각 율 을 갖 도록 혼합 하 는 것 이 바람직 하 다 .