상기 반도체 기판 ( 100 ) 에 소자 분리 막 ( 101 ) 을 형성 하 여 활성 영역 ( ACT ) 을 정의 하 고 , 상기 활성 영역 ( ACT ) 을 가로질러 연장 되 는 리세 스 를 형성 한 후 게이트 절 연막 ( GL ) 및 워드 라인 ( WL ) 을 형성 할 수 있 다 . 상기 워드 라인 ( WL ) 의 위 에 는 절연 물질 로 된 캡 핑 막 을 형성 할 수 있 다 . 또한 워드 라인 ( WL ) 양쪽 의 활성 영역 ( ACT ) 에 불순물 을 주입 하 여 불순물 영역 ( 103 ) 을 형성 할 수 있 다 . 상기 불순물 영역 ( 103 ) 은 소스 영역 또는 드레 인 영역 으로서 작용 할 수 있 다 . 예 를 들 면 상기 워드 라인 ( WL ) 과 상기 소스 영역 및 드레 인 영역 은 하나 의 트랜지스터 소자 를 구성 할 수 있 다 .