한편 , 피 모스 ( PMOS ) 를 형성 하 기 위하 여 피 모스 영역 ( 1000 p ) 의 하부 게이트 전극 ( 150 ) 은 카운터 이온 주입 공정 으로 피 - 형 ( P - type ) 불순물 이온 을 더 포함 한다 . 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 카운터 이온 주입 공정 은 붕소 ( B 11 ) 를 포함 한 불순물 을 이용 하 며 , 5 . 0 E 15 ~ 5 . 0 E 17 ions / ㎠ 의 도즈 량 과 1 ~ 10 keV 의 에너지 로 수행 하 는 것 이 바람직 하 다 . 또한 , 카운터 이온 주입 공정 은 1 . 0 E 16 ~ 9 . 0 E 16 ions / ㎠ 의 도즈 량 과 3 ~ 7 keV 의 에너지 로 수행 하 는 것 이 바람직 하 다 .