본 발명 은 절 연막 ( 유전 막 포함 ) 표면 에 존재 하 는 - OH 기 를 제거 하 는 공정 및 이 공정 을 진행 하 기 위한 장비 를 단순 화 시키 는 반도체 소자 의 캐 패 시터 제조 방법 에 관한 것 으로 , 이 를 위해 본 발명 은 , 기판 상 에 절 연막 을 형성 하 는 단계 , 상기 절 연막 을 산소 를 포함 하 는 가스 로 플러싱 ( flushing ) 하 는 단계 및 상기 절 연막 상 에 금속 전극 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 캐 패 시터 의 제조 방법 을 포함 하 고 , 상술 한 본 발명 은 금속 계 가스 로 플러싱 처리 한 후 캐 패 시터 전극 을 형성 하 던 종래 와 비교 하 여 캐 패 시터 전극 을 형성 하 기 위한 증착 장비 를 단순 화 시킬 수 있 어서 , 증착 장비 의 신뢰 성 을 개선 할 수 있 다 .