계속 해서 , 도 2 의 ( e ) 에 도시 한 바 와 같이 , 제 1 판 ( 10 ) 의 도전 성 패턴 ( D ') 의 형성 면 측 을 피 전사 기판 ( 30 ) 의 피전 사면 에 압박 한다 . 여기 서 , 피전 사 기판 ( 30 ) 은 , 실리콘 기판 을 포함 하 는 기판 ( 31 ) 상 에 폴리비닐 페놀 ( PVP ) 을 포함 하 는 절 연막 ( 32 ) 이 설치 된 구성 으로 되 어 있 다 . 이 로 인해 , 절 연막 ( 32 ) 의 표면 ( 32 a ) 이 피전 사면 이 된다 . 여기 서 는 , 실리콘 기판 을 포함 하 는 기판 ( 31 ) 에 불순물 이온 이 하이 도프 됨 으로써 , 기판 ( 31 ) 이 게이트 전극 을 겸하 고 있 고 , 그 상층 에 설치 된 절 연막 ( 32 ) 은 게이트 절 연막 으로서 구성 되 는 것 으로 한다 .