몇몇 실시 예 에서 , 적어도 하나 의 첨가물 은 호스트 물질 의 매립 표면 으로부터 약 0 . 1 nm 내지 약 1 cm ( 예 를 들 면 , 약 1 nm 내지 약 50 nm , 약 50 nm 내지 100 nm , 또는 약 100 nm 내지 100 미크론 ) 뻗 어 나올 수 있 다 . 다른 실시 예 에서 , 첨가물 의 모집단 은 평균 호스트 물질 의 매립 표면 으로부터 약 0 . 1 nm 내지 약 1 cm ( 예 를 들 면 , 약 1 nm 내지 약 50 nm , 약 50 nm 내지 100 nm , 또는 약 100 nm 내지 100 미크론 ) 뻗 어 나올 수 있 다 . 다른 실시 예 에서 , 호스트 물질 의 표면 영역 ( 예 를 들 면 , 매립 표면 의 영역 ) 의 실질 적 인 전부 는 첨가물 에 의해 점유 된다 . 다른 실시 예 에서 , 표면 영역 의 약 100 % 까지 또는 약 75 % 까지 첨가물 에 의해 점유 된다 ( 예 를 들 면 , 표면 영역 의 약 50 % 까지 , 약 25 % 까지 , 약 10 % 까지 , 약 5 % 까지 , 약 3 % 까지 또는 약 1 % 까지 첨가물 에 의해 점유 된다 ) . 첨가물 은 호스트 물질 의 매립 표면 으로부터 뻗 어 나올 필요 가 없 고 , 매립 표면 아래 전체 에 위치 될 수 있 다 . 표면 - 매립 구조 에 대하 여 첨가물 의 매립 정도 와 표면 커버리지 는 특별 디바이스 콤 포 넌 트 또는 적용 에 따라 선택 될 수 있 다 . 예 를 들 면 , 표면 - 매립 첨가물 의 스펙트럼 시프팅 에 기초 하 여 동작 하 는 디바이스 콤 포 넌 트 는 첨가물 의 매립 의 더 깊 은 정도 와 더 낮 은 표면 커버리지 를 특정 할 수 있 고 , 반면 , 표면 을 통해 또는 표면 을 가로지르 는 전류 의 흐름 에 기초 하 여 동작 하 는 디바이스 콤 포 넌 트 는 첨가물 의 매립 의 더 낮 은 정도 와 더 높 은 표면 커버리지 를 특정 할 수 있 다 .