이어서 , 제 1 결정 성 산화물 반도체 층 ( 450 a ) 위 에 10 nm 보다 도 두꺼운 제 2 산화물 반도체 층 을 형성 한다 . 제 2 산화물 반도체 층 의 형성 은 , 스퍼터링 법 을 이용 하 고 , 그 성막 시 의 기판 온도 는 200 ℃ 이상 , 400 ℃ 이하 로 한다 . 성막 시 의 기판 온도 를 200 ℃ 이상 , 400 ℃ 이하 로 함 으로써 , 제 1 결정 성 산화물 반도체 층 의 표면 위 에 접하 여 성막 하 는 산화물 반도체 층 에 프리 커서 ( precursors ) 의 정렬 이 이루어지 고 , 소위 , 질서 성 을 가지 게 되 는 것 이 다 .