실리콘 웨이퍼 상 에 형성 된 복수 의 칩 들 을 동시 에 접촉 하 여 테스트 하 기 위해서 공간 변환기 의 세라믹 기판 에 복수 의 프로브 핀 들 이 부착 되 고 , 프로브 핀 은 복수 의 칩 들 과 접촉 하 여 EDS 공정 이 진행 된다 . EDS 공정 은 측정 하 고자 하 는 칩 에 따라 특정 온도 ( - 40 ℃ 의 콜드 테스트 , 상온 테스트 , 150 ℃ 의 핫 테스트 ) 에서 전기 적 특성 을 측정 하 여 판별 하 는데 , 복수 의 프로브 핀 이 장착 되 는 공간 변환기 의 세라믹 기판 은 실리콘 웨이퍼 의 몇 배 ( 예 를 들 어 , 세라믹 기판 의 재질 에 따라 2 ~ 5 배 ) 에 달하 는 높 은 열팽창 률 을 갖 는다 .