도 3 e 에 도시 된 바 와 같이 , 오픈 영역 ( 24 B ) 내부 를 일부 채우 는 두께 의 텅스텐 막 ( W , 28 ) 을 형성 한다 . 텅스텐 막 ( 28 ) 은 선택 적 텅스텐 막 성장 ( Selective W Growth ) 공정 을 통해 폴리 실리콘 막 ( 23 ) 위 에서 만 선택 적 으로 성장 시킨다 . 예컨대 , 선택 적 텅스텐 막 성장 은 텅스텐 소스 가스 를 흘려 주 어 텅스텐 막 ( 28 ) 을 성장 시킨다 . 여기 서 , 텅스텐 소스 가스 는 WF 6 가스 를 이용 한다 .