저 저항 영역 ( 24 ad ) 은 , 산화물 반도체 막 ( 24 a ) 중 , 화소 콘택트 홀 ( 27 a ) 의 표면 에 노출 한 부분 을 포함 한 부분 이 저 저항 화 처리 되 고 , 저항 율 이 채널 부 ( 24 ac ) 저항 율 의 1 / 10000000000 ∼ 1 / 100 정도 가 되 는 고 도전 성 ( 高 導電 性 ) 이 부여 된 것 이 다 . 저 저항 영역 ( 24 ad ) 은 , 산화물 반도체 막 ( 24 a ) 의 표면 을 포함 하 고 , 산화물 반도체 막 ( 24 a ) 두께 의 2 분 의 1 이하 의 두께 인 것 인 바람직 하 다 . 저 저항 영역 ( 24 ad ) 의 저항 값 은 균일 하 지 않 고 , 예 를 들 어 , 산화물 반도체 막 ( 24 a ) 의 표면 에서 게이트 절 연막 ( 23 ) 측 으로 감 에 따라 , 서서히 저항 이 크 게 된다 . 또 , 도 4 에 있 어서 는 , 편의 상 , 저 저항 영역 ( 24 ad ) 을 선형 상 틀 로 나누 어 독립 된 영역 으로 나타내 나 , 산화물 반도체 막 ( 24 a ) 과 일체 화 된 영역 중 일부 가 저 저항 영역 ( 24 ad ) 이 되 어 있 으면 되 고 , 독립 된 영역 일 필요 는 없 다 .