도 2 d 를 참조 하 면 , 제 1 절 연막 ( 210 ) 을 포함 한 반도체 기판 ( 200 ) 의 상부 에 제 2 절 연막 ( 212 ) 을 형성 한다 . 제 2 절 연막 ( 212 ) 은 후속 식각 공정 시 식각 액 이 제 1 절 연막 ( 210 ) 으로 침투 하 는 것 을 방지 하 기 위하 여 제 1 절 연막 ( 210 ) 보다 치밀 한 물질 로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 예 를 들 면 , 제 2 절 연막 ( 212 ) 은 HDP 막 또는 O 3 - TEOS 막 으로 형성 할 수 있 다 .