또한 , 본 발명자 들 은 , 상기 과제 에 대해 , 몰리브덴 실리사이드 계 의 반 투광 성막 에 대신 에 , 탄탈 계 의 반 투광 성막 을 이용 하 는 것 을 검토 하 였 다 . 그러나 , 이 경우 , 다른 과제 3 이 발생 하 는 것 을 알 수 있 었 다 . 예 를 들 면 , 일본 특허 공개 제 2002 - 196473 호 공보 ( 특허 문헌 2 ) 에 기재 된 , 투광 성 기판 과 , 반 투광 성막 ( TaSi , TaO , TaN ) 과 , 차광성 막 ( Cr ) 의 막 구성 으로 이루어지 는 포토 마스크 블랭크 로부터 , 포토 마스크 를 드라이 에칭 으로 제작 할 때 에 , 특허 문헌 2 의 실시 예 에 기재 된 바 와 같이 , 탄탈 계 의 반 투광 성막 과 Cr 막 사이 에 SiO 2 와 같 은 에칭 스토퍼 층 을 필요 로 하 고 있 어 , 막 의 구성 이 복잡 하 게 된다고 하 는 다른 과제 3 이 발생 하 게 된다 . 또한 , 상기 포토 마스크 블랭크 로부터 , 포토 마스크 를 웨트 에칭 으로 제작 하 는 경우 에서 도 , 탄탈 계 의 반 투광 성막 과 Cr 막 사이 에 SiO 2 와 같 은 에칭 스토퍼 층 이 필요 한 것 을 알 어 , 막 의 구성 이 복잡 하 게 된다고 하 는 다른 과제 3 이 발생 하 는 것 을 알 수 있 었 다 . 또한 , 에칭 스토퍼 층 이 필요 로 되 는 것 은 , Cr 막 을 드라이 또는 웨트 에칭 할 때 에 , 탄탈 계 의 반 투광 성막 의 표면 에 데미지 가 주어져 , 반 투광 성막 의 투과 율 이 변화 되 는 것 을 회피 하 기 위해서 이 다 .