보호 층 을 형성 한 후 , 제 1 세라믹 기판 ( 110 a ) 의 일 면 을 덮 도록 접합 층 ( 155 ) 을 형성 한다 ( 도 7 ( e ) ) . 접합 층 ( 155 ) 을 형성 한 후 , 제 2 세라믹 기판 ( 110 b ) 과 제 1 세라믹 기판 ( 110 a ) 을 압착 한다 ( 도 7 ( f ) ) . 접합 층 ( 155 ) 이 경화 된 후 , 일체 로 형성 된 다수 의 칩 안테나 를 절단 공정 을 통해 분리 하 여 , 개별 칩 안테나 가 제조 될 수 있 다 .