또한 , 수소 이온 을 결합 웨이퍼 내 에 이온 주입 할 때 고 에너지 전압 하 에서 수행 하 기 때문 에 수소 이온 의 투영 비정 거리 가 매우 커 지 게 되 며 , 따라서 후속 벽개 공정 후 에 실리콘 층 의 두께 가 약 9000 Å 정도 로 두껍 게 잔류 하 기 때문 에 소자 형성 영역 이 약 50 nm ( 500 Å ) 이하 가 되 는 나노 SOI 웨이퍼 를 제조 하 기 에 는 CMP 공정 시간 이 오래 걸릴 뿐 만 아니 라 연마 되 는 실리콘 층 의 소모량 이 많 아 지 는 문제점 이 있 다 .