다른 응용 중 에서 , 앞서 설명 한 기술 은 반도체 제조 에서 의 처리 제어 에 적용 될 수 있 다 . 이러 한 것 은 예 는 , 임계 치수 ( CD : critical dimensions ) 의 제조 과정 중 의 모니터링 으로서 , 미크론 및 나노미터 단위 의 많 은 첨단 기술 성분 의 제조 에 대한 중심 이 된다 . 예 에 는 반도체 및 로직 생성 과 같 은 반도체 IC 프로세서 와 구리 다 마신 공정 의 연결 을 포함 한다 . 넓 게 정의 하 면 , CD 는 측면 치수 , 에칭 깊이 , 막 두께 , 단차 높이 , 측벽 각도 및 반도체 소자 의 성능 에 영향 을 미치 는 관련 된 물리 적 치수 를 포함 한다 . CD 방법 은 제조 과정 중 에 , 특히 에칭 , 연마 , 세정 , 및 패 터닝 과 같 은 처리 과정 중 에 생기 는 프로세스 제 어 및 결함 검출 을 제공 한다 . 또한 , CD 방법 에 의해 의도 되 는 기본 적 인 측정 능력 은 , 디스플레이 , 나노 구조 , 및 회절 광학 기기 를 포함 하 는 반도체 IC 제조 의 범위 를 넘 어서 넓 은 응용 을 가진다 .