하지만 , 산화 막 상 에 형성 된 실리콘 층 에 형성 된 모스 트랜지스터 등 은 금속 원소 들 에 의한 오염 에 더욱 취약 해질 수 있 다 . 즉 , 산화 막 이 실리콘 층 내 의 금속 오염원 들 이 반도체 기판 으로 방출 되 는 것 을 실질 적 으로 차단 한다 . 그 결과 , 금속 오염원 들 은 실리콘 층 내 를 돌아다니 면서 모스 트랜지스터 등 과 같 은 반도체 소자 의 단일 소자 들 의 불량 을 유발 시킬 수 있 다 .