상기 반도체 칩 의 제조 공정 의 공정 ( d ) 에 있 어서 , 각 실시 예 및 비 교예 에서 의 O 2 플 라즈 마 애 싱 ( 1 . 5 μ m / 분 의 에칭 속도 로 10 분 간 애 싱 ) 후 의 마스크 재 층 의 마스크 재의 잔류 의 유무 를 , 레이저 현미경 [ 상품명 : VK - X 100 , 키 엔스 사제 ] 을 이용 하 여 , 표면 의 가로 640 μ m× 세로 480 μ m 의 범위 에 있 어서 의 3 차원 정보 ( 확대율 400 배 ) 로 조사 했 다 .