본 발명 은 씨 모스 이미지 센서 의 전자 정공 쌍 이외 의 포토 다이오드 상부 에 존재 하 는 결정 결함 에 기인 된 전자 정공 쌍 형성 을 최소 화 하 여 저조 도 특성 을 향상 시킨 씨 모스 이미지 센서 의 제조 방법 에 관한 것 으로 , 소자 격리 영역 과 액티브 영역 이 정의 된 반도체 기판 을 준비 하 는 단계 와 , 상기 액티브 영역 중 소정 부위 에 복수 개 의 게이트 폴리 를 형성 하 는 단계 와 , 상기 소정 의 게이트 폴리 일 측 의 상기 반도체 기판 에 n 형 불순물 이온 을 주입 하 여 소정 깊이 의 포토 다이오드 영역 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 포토 다이오드 영역 및 상기 게이트 폴리 들 의 측벽 에 위치 하 는 스 페이서 를 형성 하 는 단계 및 상기 포토 다이오드 영역 상부 를 제외 한 영역 을 가리 는 마스크 를 이용 하 여 상기 포토 다이오드 영역 표면 에 p 형 불순물 이온 을 주입 하 여 p 형 불순물 영역 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 여 이루어짐 을 특징 으로 한다 .