상기 리세 스 패턴 ( RS ) 을 형성 하 는 이방성 식각 으로 인해 상기 마스크 패턴 ( 190 m ) 의 상부 가 부분 적 으로 제거 되 어 도 10 e 에 도시 한 바 와 같 은 형태 의 마스크 패턴 ( 190 ) 이 얻 어 질 수 있 다 . 도 10 e 에서 보 는 바 와 같이 제 1 영역 ( R 1 ) 에서 마스크 패턴 ( 190 ) 이 제거 된 높이 ( 또는 양 ) 에 비하 여 제 2 영역 ( R 2 ) 에서 마스크 패턴 ( 190 ) 이 제거 된 높이 ( 또는 양 ) 가 더 큰 것 을 알 수 있 다 .