다른 가능 한 처리 매개변수 는 패턴 시프트 를 유도 할 수 있 는 투영 시스템 수차 이 다 . 실시 예 에서 , 투영 시스템 수차 는 센서 ( 예 를 들 어 , 수차 및 다른 매개변수 를 측정 하 기 위해 사용 되 는 간섭계 유형 측정 장치 인 ASML 의 ILIAS 센서 ) 를 사용 하 여 리소그래피 장치 에서 측정 될 수 있 다 . 실시 예 에서 , 정렬 마크 패턴 시프트 에 대한 투영 시스템 수차 는 센서 에 의해 측정 된 수차 잔차 에 기초 하 여 계산 된다 . 투영 시스템 수차 에 대응 하 는 정렬 에 영향 을 미치 는 면내 변위 는 시뮬레이션 , 수학 적 모델 링 및 / 또는 측정 / 실험 에 의해 획득 될 수 있 다 . 실시 예 에서 , 투영 시스템 수차 데이터 는 그 정렬 마크 에 기초 하 여 특정 리소그래피 패턴 전사 단계 를 위하 여 정렬 측정 이 이루어지 는 시점 이전 의 정렬 마크 의 생 성과 관련 된다 . 실시 예 에서 , 투영 시스템 수차 와 관련 된 핑거 프린트 는 다 이 / 필드 에 대해 결정 될 수 있 으며 , 그 후 기판 전체 에 걸쳐 하나 이상 의 다른 다이 / 필드 에 대해 반복 적 으로 적용 될 수 있 다 . 따라서 , 투영 시스템 수차 와 관련 된 핑거 프린트 는 처리 된 특정 기판 에 의존 하 지 않 을 수 있 다 .