도 1 b 에 도시 된 바 와 같이 , 포토레지스트 패턴 ( 12 ) 을 식각 베리어 로 니켈 하드 마스크 ( 11 ) 를 식각 하 여 니켈 하드 마스크 ( 11 ) 패턴 을 형성 한다 . 이때 , 니켈 하드 마스크 ( 11 ) 패턴 은 후속 트렌치 형성 공정 의 식각 베리어 로 작용 하 므로 측면 이 수직 프로 파일 을 갖 도록 형성 되 어야 한다 . 따라서 , 니켈 하드 마스크 ( 11 ) 의 식각 은 이방성 식각 조건 하 에서 수행 되 어야 한다 .