이어서 , 플라 즈 마 산화 ( Plasma Oxidation ) 공정 을 실시 하 되 CDE 공법 으로 실시 한다 . 이 를 위해 , 파라 대이 쉴드 ( Faraday Shield ) 가 장착 된 ICP 타입 의 장비 에서 300 Ｗ ∼ 3000 Ｗ 의 전력 , CF 4 / He / O 2 를 12 : 100 : 30 의 비율 로 혼합 한 플 라즈 마로 50 Å 을 타 겟 으로 하 여 실시 한다 .