본 발명 에 의하 면 , 돌출 된 패턴 들 및 리세 스 된 영역 들 을 갖 도록 패 터닝 된 기판 위 에 제 1 도전 형 반도체 층 , 활성 층 , 제 2 도전 형 반도체 층 을 형성 할 때 패 터닝 된 기판 의 리세 스 된 영역 과 활성 층 간 에 개재 되 는 제 1 도전 형 반도체 층 및 그 위 에 성장 되 는 화합물 반도체 층 의 결정질 과 패 터닝 된 기판 에 의한 광반사 효율 간 에 최적 의 트 레이트 오프 조건 을 제시 함 으로써 개선 된 광추 출 효율 을 가지 는 발광 다이오드 를 제조 할 수 있 다 .