도 2 e 및 도 3 e 를 참조 하 면 , 제 2 절 연막 ( 210 ) 상부 에 제 2 도 전막 ( 212 ) 및 텅 스텐 실리사이드 막 ( WSix ; 214 ) 을 순차 적 으로 형성 한다 . 이때 , 제 2 도 전막 ( 212 ) 은 폴리 실리콘 막 으로 형성 한다 . 기존 의 트랜지스터 에서 는 유전체 막 상부 와 하부 에 형성 된 제 1 도 전막 과 제 2 도 전막 을 서로 분리 시킬 필요 가 없 기 때문 에 유전체 막 콘 택 을 통해 유전체 막 상부 와 하부 에 형성 된 제 1 도 전막 과 제 2 도 전막 을 연결 시켰 다 . 그러나 , 본 발명 에서 는 제 1 도 전막 ( 202 ) 상부 에 형성 된 제 2 절 연막 ( 210 ) 이 게이트 절 연막 역할 을 하 고 , 제 2 도 전막 ( 212 ) 이 플로팅 게이트 역할 을 하 기 때문 에 유전체 막 콘 택 을 형성 하 기 위한 공정 단계 가 필요 없 다 .