도면 에 도시 된 바 와 같이 , 본 발명 에 따른 반도체 장치 는 , 반도체 장치 내 에서 사용 되 기 위한 풀 업 전압 을 공급 하 는 풀 업 전압 공급 부 ( VDD ) ; 반도체 장치 내 에서 사용 되 는 전류 가 빠지 기 위한 풀 다운 전 압부 ( VSS ) ; 온도 정보 ( TEMPA , TEMPB , TEMPC ) 를 출력 하 는 온도 정보 출력 부 ( 100 ) ; 온도 정보 ( TEMPA , TEMPB , TEMPC ) 에 응답 하 여 풀 업 전압 공급 부 ( VDD ) 으로부터 공급 되 는 전류 의 양 을 조절 하 는 제 1 전류 조 절부 ( 200 ) ; 및 온도 정보 ( TEMPAb , TEMPBb , TEMPCb ) 에 응답 하 여 풀 다운 전 압부 ( VSS ) 로 빠지 는 전류 의 양 을 조절 하 는 제 2 전류 조 절부 ( 300 ) 를 포함 한다 .