반도체 장치 가 개시 된다 . 반도체 장치 는 , 기판 으로부터 돌출 되 며 , 상기 기판 의 상면 에 평행 한 제 1 방향 으로 연장 되 는 핀 형 활성 영역 , 상기 기판 상 에서 상기 핀 형 활성 영역 의 상면 및 측면 을 에워싸 며 , 상기 핀 형 활성 영역 을 가로지르 는 제 2 방향 으로 연장 되 는 게이트 전극 , 상기 게이트 전극 의 양 측벽 상 에 배치 되 며 , 상기 게이트 전극 의 상면 보다 높 은 레벨 에 위치 하 는 상면 을 갖 는 게이트 스 페이서 구조물 , 상기 게이트 전극 상 에 배치 되 며 상기 제 2 방향 으로 연장 되 는 절연 캡 핑 층 , 상기 절연 캡 핑 층 의 양 측벽 상 에 배치 되 며 상기 제 2 방향 으로 연장 되 고 상기 게이트 스 페이서 구조물 의 제 1 두께 보다 작 은 제 2 두께 를 갖 는 절연 라이너 , 및 상기 핀 형 활성 영역 과 연결 되 며 , 상기 게이트 스 페이서 구조물 의 측벽 및 상기 절연 라이너 와 접촉 하 는 측벽 을 갖 는 자기 정렬 콘 택 ( self - aligned contact ) 을 포함 한다 .