다음 으로 , 기판 ( 10 ) 상 에 도전 층 ( 20 ) 을 형성 한다 . 여기 서 , 도전 층 ( 20 ) 의 재질 은 ITO ( Indium Tin Oxide ) , Cr , Au 등 의 전도성 물질 을 포함 한다 . 도전 층 ( 20 ) 은 통상 적 인 스퍼터링 법 , 전자 빔 증착 법 등 을 사용 하 여 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 본 발명 에서 도전 층 ( 20 ) 은 선격 자 패턴 을 이루 는 금속 층 을 전기 도 금법 으로 형성 시 도금 용 씨드 ( seed ) , 즉 도금 용 전극 의 역할 을 한다 .