그 다음 으로 , 도 20 에 도시 된 바 와 같이 , ILD 그리고 가능 하 게 는 CESL ( 46 ) 의 표면층 에 질소 원자 를 부착 시킴 으로써 형성 되 는 SiN 층 ( 72 ) ( 실리콘 및 질소 함유층 ) 을 형성 하 기 위해 플 라즈 마 처리 공정 ( 70 ) 이 수행 된다 . 일부 실시 예 에 따라서 , ILD ( 48 ) ( 그리고 가능 하 게 는 CESL ( 46 ) ) 는 실리콘 함유 화합물 로 형성 되 며 , 따라서 그 안 에 실리콘 을 함유 한다 . 따라서 , 실리콘 함유 공정 가스 를 사용 하 는 그 전 의 열 소 킹 공정 없이 플 라즈 마 처리 공정 ( 70 ) 이 수행 된다 . Si - N 결합체 내 의 실리콘 원자 는 ILD ( 48 ) 그리고 아마도 CESL ( 46 ) 의 부분 이 므로 , ILD ( 48 ) 및 CESL ( 46 ) 에 대한 SiN 층 ( 72 ) 의 결합 은 강력 하 다 . 플 라즈 마 처리 공정 ( 70 ) 의 공정 조건 은 , 도 13 을 참조 하 여 논의 된 것 과 근본 적 으로 동일 할 수 있 으며 , 여기 서 는 반복 하 지 않 는다 .