또한 , 트렌치 금속 배선 을 둘러싸 지지 하 는 절 연막 을 저 유전율 물질 이 며 SiOC 물질 을 포함 하 는 low - k 을 사용 함 으로써 이웃 하 는 트렌치 금속 배선 사이 에 존재 하 는 기생 커패시턴스 를 최소 화 하 고 , 비아 금속 배선 을 둘러싸 지지 하 는 절 연막 을 패 터닝 공정 이 용이 한 산화 규소 또는 FSG 등 의 절 연막 을 1 , 000 Å 이상 의 두께 로 형성 함 으로써 다층 금속 배선 에서 상하 로 중첩 하 는 트렌치 금속 배선 사이 에 존재 하 는 기생 커패시턴스 를 최소 화 하 여 반도체 소자 의 동작 속도 를 향상 시킬 수 있 다 .