도 24 ( C ) 에서 는 , 제 1 보호막 ( 126 ) 및 제 2 보호막 ( 128 ) 에 제 3 개 구부 ( 160 B ) 및 제 4 개 구부 ( 161 ) 가 형성 됨 으로써 , 게이트 전극 층 ( 116 ) 과 , 소스 전극 및 드레 인 전극 층 ( 120 ) 이 노출 되 고 , 이 노출 된 영역 에 화소 전극 층 ( 132 ) 을 형성 함 으로써 전기 적 인 접속 을 실현 하 고 있 다 . 여기 서 , 도 24 ( A ) 및 도 24 ( B ) 와 마찬가지 로 , 제 1 보호막 ( 126 ) 및 제 2 보호막 ( 128 ) 의 단부 는 에칭 등 에 의해 제거 되 어 있 지만 , 이 영역 은 단자 의 접속 부 로서 이용 된다 .