도 25 ( a ) 에 나타내 는 바 와 같이 , 기지 의 열 CVD ( Thermal Chemical Vapor Deposition ) 법 에 의해 막 두께 10 ㎚ 의 질화 막 을 산화 막 ( 56 ) 상 에 퇴적 한다 . 그 후 , 건식 에칭 에 의해 질화 막 과 산화 막 ( 56 ) 을 에칭 하 고 , 게이트 ( 5 ) 의 상면 및 측벽 만 을 남김 으로써 , 게이트 ( 5 ) 의 상면 및 측벽 으로 만 연장 되 는 게이트 측벽 절 연막 ( 6 ) 과 , 게이트 ( 5 ) 의 측벽 으로 만 연장 되 는 제 3 및 제 4 게이트 측벽 절 연막 ( 7 - 1 , 7 - 2 ) 을 선택 적 으로 형성 한다 . 여기 서 , 게이트 ( 5 ) 의 측벽 에 위치 하 는 게이트 측벽 절 연막 ( 6 ) 과 제 3 및 제 4 게이트 측벽 절 연막 ( 7 - 1 , 7 - 2 ) 의 조합 은 사이드 월 스 페이서 로서 의 역할 을 한다 .