본 발명자 는 비정질 실리콘 막 에 대하 여 상술 한 후처리 단계 ( S 30 ) 를 수행 한 경우 비정질 실리콘 막 계면 에서 의 수소 기 를 효과 적 으로 제거 시킴 으로써 건식 식각 율 특성 의 변화 를 줄 수 있 으며 이러 한 건식 식각 율 특성 의 변화 는 멀티 패 터닝 공정 에서 식각 공정 의 선택 비 를 개선 시킬 수 있 음 을 확인 하 였 다 .