도전 막 ( 111 ) 은 , CVD 법 이나 스퍼터링 법 등 에 의해 , 알루미늄 ( Al ) , 텅스텐 ( W ) , 티타늄 ( Ti ) , 탄탈 ( Ta ) , 몰리브덴 ( Mo ) , 니켈 ( Ni ) , 백금 ( Pt ) , 구리 ( Cu ) , 금 ( Au ) , 은 ( Ag ) , 망간 ( Mn ) , 네오 듐 ( Nd ) , 탄소 ( C ) , 실리콘 ( Si ) 으로부터 선택 된 원소 , 또는 이 들 의 원소 를 주성분 으로 하 는 합금 재료 또는 화합물 재료 로 , 단층 또는 적층 으로 형성 한다 . 알루미늄 을 주성분 으로 하 는 합금 재료 란 , 예 를 들 면 , 알루미늄 을 주성분 으로 하 여 니켈 을 포함 하 는 재료 , 또는 , 알루미늄 을 주성분 으로 하 고 , 니켈 과 , 탄소 와 , 규소 의 한 쪽 또는 양쪽 을 포함 하 는 합금 재료 에 상당 한다 . 도전 막 ( 111 ) 은 , 예 를 들 면 , 배리 어막 과 알루미늄 실리콘 ( Al - Si ) 막 과 배리 어막 의 적층 구조 , 배리 어막 과 알루미늄 실리콘 ( Al - Si ) 막 과 질화 티타늄 막 과 배리 어막 의 적층 구조 를 채용 하 면 좋 다 . 또 , 배리 어막 이란 , 티타늄 , 티타늄 의 질화물 , 몰리브덴 , 또는 몰리브덴 의 질화물 로 이루어지 는 박막 에 상당 한다 . 알루미늄 이나 알루미늄 실리콘 은 저항 값 이 낮 고 , 저 가 이 기 때문 에 , 도전 막 ( 111 ) 을 형성 하 는 재료 로서 적합 하 다 . 또한 , 상층 과 하층 의 배리어 층 을 형성 하 면 , 알루미늄 이나 알루미늄 실리콘 의 힐 록 ( hillock ) 의 발생 을 방지 할 수 있 다 . 또한 , 환원성 이 높 은 원소 인 티타늄 으로 이루어지 는 배리 어막 을 형성 하 면 , 결정질 반도체 막 위 에 얇 은 자연 산화 막 이 생겼 다고 해도 , 이 자연 산화 막 을 환원 하 여 , 결정질 반도체 막 과 양호 한 콘택트 를 취할 수 있 다 . 또 , 제 1 도 전막 ( 108 ) 과 동일 한 재료 로 형성 하 여도 좋 다 .