본 발명 의 제 1 실시 예 를 정리 해 보 면 , 미세 패턴 을 형성 하 기 위한 하드 마스크 패턴 으로써 작용 하 는 희생 막 패턴 을 목표 CD 에 맞 게 형성 하 기 위해서 , 포토레지스트 패턴 을 이용 하 여 희생 막 을 식각 하 고 , 이 를 통해 형성 된 희생 막 패턴 을 건식 또는 습식 식각 을 통해 목표 CD 로 재 형성 한다 . 그리고 , 이 목표 CD 를 갖 는 희생 막 패턴 을 식각 장벽 으로 미세 패턴 으로 형성 될 절 연막 을 식각 한다 .