도 18 및 도 21 을 참조 하 면 , 제 2 산화 공정 을 이용 하 여 대 상체 ( 250 ) 상 에 하부 질화 막 ( 270 ) , 하부 산화 막 ( 268 ) 및 예비 상부 산화 막 ( 275 ) 을 형성 한다 ( 단계 S 270 ) . 상기 제 2 산화 공정 동안 , 예비 하부 질화 막 ( 265 ) 에 포함 된 질소 원자 들 이 대 상체 ( 250 ) 및 제 2 예비 산화 막 ( 260 ) 의 일부 로 확산 되 어 예비 하부 질화 막 ( 265 ) 보다 두꺼운 두께 를 갖 는 하부 질화 막 ( 270 ) 이 형성 된다 . 또한 , 상기 제 2 산화 공정 에 의해 제 2 예비 산화 막 ( 260 ) 에 포함 된 실리콘 이 산소 라디칼 또는 산소 와 반응 하 여 제 2 예비 산화 막 ( 260 ) 상 에 예비 상부 산화 막 ( 275 ) 이 형성 된다 . 예비 상부 산화 막 ( 275 ) 은 제 2 예비 산화 막 ( 260 ) 의 표면 상 에 형성 되 는 동시 에 제 2 예비 산화 막 ( 260 ) 의 표면 아래 까지 형성 된다 . 따라서 제 2 예비 산화 막 ( 260 ) 은 하부 산화 막 ( 268 ) 으로 변화 되 며 , 하부 산화 막 ( 268 ) 은 제 2 예비 산화 막 ( 260 ) 의 두께 에 비하 여 약간 감소 된 두께 를 가진다 . 예비 상부 산화 막 ( 275 ) 은 산화물 로 이루어진 하부 산화 막 ( 268 ) 으로부터 성장 되 며 , 예비 상부 산화 막 ( 275 ) 은 하부 산화 막 ( 268 ) 의 두께 에 비하 여 약간 얇 은 두께 로 형성 된다 .