도 2 를 참조 하 면 , 반도체 기판 ( 100 ) 상 에 터널 절 연막 ( 101 ) , 플로팅 게이트 용 도전 막 ( 102 ) , 버퍼 산화 막 ( 103 ) , 및 패드 질화 막 ( 104 ) 을 순차 적 으로 형성 한다 . 플로팅 게이트 용 도전 막 ( 102 ) 은 불순물 이 함유 되 지 않 은 비정질 폴리 실리콘 막 과 불순물 이 함유 된 폴리 실리콘 막 으로 구성 된 이 중막 으로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 플로팅 게이트 용 도전 막 ( 102 ) 은 480 ~ 550 ℃ 온도 범위 내 에서 SiH 4 가스 와 PH 3 가스 를 소스 가스 로 하 여 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 플로팅 게이트 용 도전 막 ( 102 ) 은 인시 튜 ( In - Situ ) 방식 으로 0 . 1 ~ 1 torr 의 압력 범위 내 에서 LP - CVD 방식 으로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 플로팅 게이트 용 도전 막 ( 102 ) 은 500 ~ 1500 Å 두께 로 증착 하 는 것 이 바람 직히 다 . 버퍼 산화 막 ( 103 ) 은 플로팅 게이트 용 도전 막 ( 102 ) 과 패드 질화 막 ( 104 ) 과 의 스트레스 완화 를 위해 30 내지 50 Å 의 두께 로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 버퍼 산화 막 ( 103 ) 은 HTO , TEOS , DCS - HTO 방식 중 하나 로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 .