우선 , 통상 적 인 방법 에 따라 , Si 기판 ( 2 ) 에 대하 여 , 각 칩 의 형성 영역 에 트랜지스터 구조 를 형성 한 후 , 필요 한 배선 이나 비아 를 형성 하 면서 층간 절 연막 ( 3 ) 을 형성 하 고 , 트랜지스터 에 전기 적 으로 접속 된 패드 ( 4 ) 를 형성 한다 . 그 후 , 커버 막 ( 5 ) 을 형성 하 여 , 패드 ( 4 ) 의 표면 의 일부 가 노출 되 도록 커버 막 ( 5 ) 에 개 구창 ( 13 ) 을 형성 한다 . 또한 , 칩 사이 의 스 크 라 이브 영역 ( 9 ) 에 있 는 커버 막 ( 5 ) 및 층간 절 연막 ( 3 ) 도 제거 한다 .