MRAM 을 구성 하 는 자기 저항 효과 소자 의 하나 로서 , 자기 터널 접합 ( 이하 , MTJ : Magnetic Tunnel Junction 이 라고 함 ) 소자 가 알려져 있 다 . MTJ 소자 는 2 개 의 강자성 층 이 터널 절 연막 을 통하 여 적층 된 것 이 고 , 2 개 의 강자성 층 의 자화 방향 의 관계 에 의거 하 여 터널 절 연막 을 통하 여 자성 층 사이 를 흐르 는 터널 전류 가 변화 되 는 현상 을 이용 한 것 이 다 . 즉 , MTJ 소자 는 2 개 의 강자성 층 의 자화 방향 이 평행 인 때 에 낮 은 소자 저항 을 갖 고 , " 반평행 인 때 에 는 높 은 소자 저항 을 갖 는다 . 이 2 개 의 상태 를 데이터 "" O "" 및 데이터 "" 1 "" 에 관련 시킴 으로써 ", 기억 소자 로서 사용 할 수 있 다 .