도 9 ( C ) 에서 는 지지 기판 ( 951 ) 위 에 블로킹 막 ( 952 ) , 절연 층 ( 953 ) , 보호 층 ( 954 ) , 절연 층 ( 955 ) , 배선 층 ( 956 ) , 평 탕화 층 ( 957 ) , p 채널 형 트랜지스터 ( 903 ) , 격벽 ( 958 ) , 화소 전극 ( 959 ) , 유기 층 ( 960 ) , 및 대향 전극 ( 961 ) 이 형성 된 단면도 에 대하 여 도시 한다 . 또한 , p 채널 형 트랜지스터 ( 903 ) 는 게이트 절 연막 , 반도체 층 , 및 게이트 전극 을 구비 한다 . 또한 , 배선 층 ( 956 ) 은 p 채널 형 트랜지스터 ( 903 ) 의 제 1 단자 및 제 2 단자 에 접속 되 는 배선 으로서 의 기능 을 가진다 . 또한 , 화소 전극 ( 959 ) , 유기 층 ( 960 ) , 및 대향 전극 ( 961 ) 을 적층 하 여 형성 함 으로써 , 발광 소자 ( 905 ) 가 된다 .