그리고 , 상기 유기 실리카 용액 이 균일 하 게 도포 된 반도체 웨이퍼 를 약 300 ℃ 의 온도 에서 열처리 한다 . 그러면 , 상기 유기 실리카 용액 내 에 불 필요 한 탄소 가 제거 되 면서 상기 유기 실리카 용액 이 산화 막 으로 고체 화 된다 . 특히 , 상기 유기 실리카 용액 에 는 금속 불순물 이 포함 되 어 있 기 때문 에 상기 산화 막 에 도 금속 불순물 이 존재 한다 . 여기 서 , 상기 금속 불순물 은 상기 유기 실리카 용액 을 균일 하 게 도포 시켰 기 때문 에 상기 산화 막 전체 영역 에 균일 하 게 분포 하 고 , 일정 깊이 에 위치 한다 . 아울러 , 본 실험 예 에서 는 표준 시료 로 수득 하 기 위한 산화 막 을 약 2 , 000 ㅕ의 두께 를 갖 도록 형성 하 였 다 .