상기 반도체 소자 를 제조 하 는 방법 에서 는 , 도 1 내지 도 24 를 참조 로 설명 한 방법 과 는 달리 , 제 2 영역 ( B ) 에 형성 되 는 제 4 예비 게이트 구조물 ( 168 ) 뿐 만 아니 라 제 1 영역 ( A ) 의 각 스트링 외곽 에 형성 되 는 제 2 및 제 3 예비 게이트 구조물 들 ( 164 , 166 ) 에 도 일부 오버랩 되 는 제 4 마스크 ( 408 ) 를 형성 하 고 식각 공정 을 수행 한다 . 이 에 따라 , 상기 스트링 내 내 의 게이트 구조물 들 의 간격 에 비해 상기 스트링 들 사이 의 간격 이 넓 음 으로 인해 , 제 2 및 제 3 예비 게이트 구조물 들 ( 164 , 166 ) 의 측벽 에 형성 된 제 1 절 연막 ( 170 ) 부분 이 과다 제거 되 어 발생 하 는 단락 현상 을 방지 할 수 있 다 .