상기 한 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 비휘발성 메모리 소자 의 제조 방법 으로 , 먼저 기판 상 에 예비 산화 막 패턴 및 예비 제 1 도전 패턴 이 적층 된 구조물 을 형성 한다 . 상기 구조물 들 의 양측 벽 에 스 페이서 를 형성 한다 . 상기 스 페이서 사이 에 상기 노출 된 기판 과 접속 하 는 제 1 및 제 2 콘 택 플러그 들 을 형성 한다 . 상기 예비 제 1 도전 패턴 상 에 예비 유전 막 패턴 을 형성 한다 . 상기 제 1 예비 도전 패턴 들 , 상기 제 1 및 제 2 콘 택 플러그 상 에 도전 막 을 형성 한다 . 상기 도전 막 을 패 터닝 하 여 , 상기 제 1 예비 도전 패턴 들 상 에 제 2 도전 패턴 과 상기 제 1 및 제 2 콘 택 플러그 상 에 제 3 도전 패턴 을 각각 형성 한다 . 상기 제 2 도전 패턴 사이 에 노출 된 예비 유전 막 패턴 및 제 1 예비 도전 패턴 을 순차 적 으로 식각 하 여 , 터널 산화 막 , 플로팅 게이트 패턴 , 유전 막 패턴 및 콘트롤 게이트 가 적층 된 단위 셀 들 및 게이트 산화 막 , 제 1 및 제 2 도전 패턴 이 적층 된 제 1 및 제 2 선택 트랜지스터 를 형성 한다 .