다음 단계 의 공정 으로 , 도 5 d 에 도시 된 바 와 같이 , 상기 제 1 , 제 2 , 제 3 컨 택트 홀 ( 도 5 c 의 225 a , 225 b , 225 c ) 을 포함 하 는 층간 절연 층 ( 217 ) 위 에 화소 전극 ( 221 ) , 게이트 패드 단자 ( 221 ) 및 데이터 패드 단자 ( 223 ) 를 형성 한다 . 상기 공정 은 상기 컨 택트 홀 들 ( 225 a , 225 b , 225 c ) 이 형성 된 층간 절연 층 ( 217 ) 위 에 인듐 틴 옥사이드 ( indium tin oxide ) 나 틴 옥사이드 ( tin oxide ) 와 같 은 투명 한 도전 층 을 형성 하 고 , 포토 마스크 ( 231 ) 를 사용 한 사진 식각 기술 을 이용 하 여 상기 투명 한 도전 층 을 패 터닝 함 으로써 이루어진다 .