이 와 같이 , 반도체 막 ( 106 ) 의 영률 보다 도 높 은 재료 로 형성 된 보강 막 ( 103 ) 및 보강 막 ( 109 ) 으로 반도체 막 ( 106 ) 을 사이 에 두 도록 형성 함 으로써 , 반도체 장치 의 두께 방향 에서 , 중립면 의 위치 를 반도체 막 ( 106 ) 에 응력 이 생기 는 것 을 억제 할 수 있 는 위치 로 할 수 있 다 . 따라서 , 반도체 장치 에 굴곡 등 의 외력 이 가해진 경우 에 도 , 반도체 막 ( 106 ) 에 응력 이 생기 는 것 을 억제 할 수 있 다 . 또한 , 반도체 막 보다 도 영률 이 높 은 재료 로 형성 된 보강 막 을 반도체 막 의 상하 근방 에 형성 함 으로써 , 반도체 막 의 성질 을 바꾸 지 않 고 , 반도체 막 의 기계 적 강도 를 높일 수 있 다 . 따라서 , 트랜지스터 등 의 소자 의 손상 을 저감 하 여 , 반도체 장치 의 제품 수율 이나 신뢰 성 의 향상 을 달성 할 수 있 다 .