본 발명 은 상기 사정 을 감안 하 여 이루어진 것 으로 , ArF 엑 시머 레이저 광 , EUV 등 의 고 에너지 선 을 광원 으로 한 포토 리소그래피 에서 , 해상 성 이 우수 하 고 , 패턴 의존 성 ( 다크 브라이트 차 ) 이 적 은 술포 늄 염 , 그 술포 늄 염 을 함유 하 는 레지스 트 재료 및 그 레지스 트 재료 를 이용 한 패턴 형성 방법 을 제공 하 는 것 을 목적 으로 한다 .