이러 한 목적 을 달성 하 기 위해 본 발명 에 따른 반도체 소자 의 역순 갭 충전 방법 은 , ( a ) 기판 상 에 충전물 층 을 형성 하 는 단계 ; ( b ) 상기 충전물 층 상 의 갭 형성 위치 에 마스크 패턴 을 형성 하 는 단계 ; ( c ) 상기 마스크 패턴 을 방어 막 으로 상기 충전물 층 을 제거 하 여 갭 충전 패턴 을 형성 하 는 단계 ; ( d ) 상기 마스크 패턴 을 제거 하 는 단계 ; ( e ) 상기 갭 충전 패턴 을 포함 하 는 상기 기판 상 에 대상 층 을 형성 하 는 단계 ; 및 ( f ) 상기 갭 충전 패턴 의 상부 가 드러나 도록 상기 대상 층 의 상부 를 제거 하 여 평탄 화 하 는 단계 를 포함 하 여 구성 된다 .