먼저 상기 2 단계 의 채널 이온 주입 중 , 1 차 채널 이온 주입 으로서 , 플라 즈 마 도핑 ( plasma doping ) 을 수행 하 여 돌출 된 활성 영역 ( 200 ) 의 측면 에 주로 채널 이온 이 주입 되 도록 한다 . 상기 플 라즈 마 도핑 은 , BF 2 소스 가스 와 He 캐리어 가스 ( carrier gas ) 를 챔버 ( 미 도시 ) 내 에 유입 시켜 플 라즈 마 상태 ( 160 ) 로 여기 시킨 후 , 바이어스 ( bias ) 및 파워 ( power ) 를 조절 하 여 이온 주입 하 는 방법 으로서 , 이 와 같 은 플 라즈 마 이온 주입 에 의해 반도체 기판 ( 100 ) 표면 및 측면 에 균일 하 게 불순물 이온 이 주입 된다 . 주입 되 는 이온 의 도즈 ( dose ) 는 빔 라인 ( beamline ) 을 기준 으로 대략 1 × 1012 - 5 × 1013 atoms / ㎠ 가 되 도록 한다 . 이 와 같 은 1 차 채널 이온 주입 이 이루어지 면 , 도 14 및 도 15 의 단면 구조 에 빗금 으로 나타낸 바 와 같이 , 핀 - 스텝 구조 의 활성 영역 ( 200 ) 의 상부 외 에 측면 에 도 채널 이온 주입 이 균일 하 게 이루어진다 .