이 상태 에서 제 어부 ( 150 ) 에 포함 된 프로그램 속도 연산 부 ( 151 ) 에 의해 결정 된 초기 프로그램 전압 이 제 1 워드 라인 ( WL 0 ) 에 인가 된다 . 초기 프로그램 전압 에 의해 제 1 스트링 ( ST 1 ) 의 메모리 셀 ( CA 0 ) 은 워드 라인 ( WL 0 ) 과 채널 영역 사이 의 높 은 전압 차 에 의해 프로그램 된다 . 즉 , 메모리 셀 ( CA 0 ) 의 플로팅 게이트 로 FN 터널 링 에 의해 전자 가 주입 되 어 문턱 전압 이 상승 한다 . 한편 , 제 2 스트링 ( STk ) 의 프로그램 금지 셀 ( CK 0 ) 은 채널 영역 의 전압 이 채널 부 스팅 에 의해 높 아 져 워드 라인 ( WL 0 ) 과 채널 영역 사이 의 전압 차 가 낮 기 때문 에 프로그램 되 지 않 는다 .