본 발명 의 제 3 측면 은 상부 에 비정질 실리콘 층 이 증착 된 기판 을 준비 하 는 단계 ; 상기 비정질 실리콘 층 의 상부 에 결정 화용 구조물 을 접촉 하 거나 또는 소정 간격 으로 배치 하 는 단계 ; 및 상기 결정 화용 구조물 을 상기 비정질 실리콘 층 에 소정 면적 을 갖 는 복수 개 의 영역 들 의 온도 가 주위 보다 높 게 가열 하 는 방식 으로 상기 소정 면적 으로 갖 는 비정질 실리콘 층 의 특성 이 변경 됨 으로써 상기 비정질 실리콘 층 을 결정 화 하 는 비정질 실리콘 층 의 결정 화 방법 을 제공 한다 .