이 와 같이 , 워드 라인 ( WL 30 ) 과 워드 라인 ( WL 31 ) 사이 에 매립 되 는 절 연막 을 다른 워드 라인 ( WL 0 ~ WL 30 ) 사이 에 매립 된 절 연막 보다 낮 은 유전율 을 갖 는 물질 로 형성 하 는 경우 , 워드 라인 ( WL 30 ) 과 워드 라인 ( WL 31 ) 사이 에 존재 하 는 절 연막 에 기인 한 정전 용량 을 상대 적 으로 다른 워드 라인 ( WL 0 ~ WL 30 ) 사이 에 존재 하 는 절 연막 에 기인 한 정전 용량 에 비해 감소 시켜 이 부위 ( WL 30 ~ WL 31 ) 에서 의 간섭 효과 를 다른 부위 ( WL 0 ~ WL 30 ) 에 비해 감소 시킴 으로써 워드 라인 ( WL 31 ) 과 연결 된 메모리 셀 의 문턱 전압 을 낮출 수 있 다 .