이러 한 종래 의 EEPROM 제조 방법 에 있 어서 는 , 소거 메커니즘 제어 ( erase mechanism control ) 를 위해 격리 된 별도 의 매립 된 접합 영역 을 이용 하 였 고 , 플로팅 게이트 에 커플링 되 는 전압 레벨 을 크 게 하 기 위하 여 그 면적 을 상당히 크 게 만들 어야 만 하 였 다 . 따라서 , 이 는 셀 크기 줄임 에 가장 큰 불리 함 으로 작용 하 였 다 .