도 3 에 따르 면 , 셀 영역 ( 300 ) 에서 플로팅 게이트 ( FG , 110 a , 110 b , 110 c ) 및 컨트롤 게이트 ( CG , 120 ) 사이 에 유전 막 ( 170 ) 이 형성 된다 . 유전 막 은 산화 막 - 질화 막 - 산화 막 ( ONO ) 산화 막 을 사용 할 수 있 다 . 또한 컨트롤 게이트 폴리 - 실리콘 층 ( 220 ) 과 플로팅 게이트 폴리 - 실리콘 층 ( FG Poly - Si layer , 210 a , 210 b , 210 c ) 사이 에 유전 막 ( 270 ) 이 형성 된다 .