청구 항 13 에 기재 된 발명 은 , 웨이퍼 표면 의 도전 성막 을 연마 제거 하 면서 평탄 화 가공 공정 을 행하 는 가공 장치 에 있 어서 의 웨이퍼 연마 모니터 장치 이 며 , 상기 웨이퍼 표면 에 대향 하 는 부위 에 고주파 전송로 를 형성 하 고 , 이 고주파 전송로 를 통하 여 빠져나가 는 투과 전자파 와 상기 고주파 전송로 를 통과 하 지 않 고 반사 하 는 반사 전자파 중 적어도 어느 하나 로부터 상기 도전 성막 의 연마 제거 상태 를 평가 하 고 , 연마 제거 의 종료 점 및 연마 제거 의 종료 시점 에 대응 한 시점 을 검출 하 도록 구 성 하 여 이루어지 는 웨이퍼 연마 모니터 장치 로 하 였으므로 , 도전 성막 의 연마 가 진행 되 어 , 표피 깊이 로 정의 되 는 극히 얇 은 막 두께 에 달한 이후 의 막 두께 의 변화 에 따라 전자파 의 투과 특성 및 반사 특성 이 크 게 변화 하 는 것 으로부터 , 투과 전자파 혹은 반사 전자파 중 적어도 어느 하나 의 변화 를 기초 로 연마 제거 의 종료 점 을 높 은 정밀도 로 확실히 검출 할 수 있 다는 이점 이 있 다 .