보텀 게이트 구조 의 TFT 는 , 일반 적 으로 유리 기판 상 에 형성 된 게이트 전극 과 , 이 게이트 전극 을 피복 하 도록 형성 된 게이트 절 연막 과 , 이 게이트 절 연막 상 에 , 게이트 전극 에 겹쳐지 도록 형성 된 반도체 층 과 , 이 반도체 층 에 서로 이 간 ( 離 間 ) 하 여 겹쳐지 도록 게이트 절 연막 상 에 형성 된 소스 부를 구성 하 는 소스 전극 및 드레 인부 를 구성 하 는 드레 인 전극 을 구비 하 고 , 이 들 소스 전극 과 드레 인 전극 과 의 사이 에 노출 한 반도체 층 부분 에 채널 부가 구성 되 어 있 다 . 그리고 , TFT 는 , 소스 전극 및 드레 인 전극 상 에 형성 된 층간 절 연막 에 의해 피복 되 어 있 다 . 층간 절 연막 에 는 드레 인 전극 에 도달 하 는 콘택트 홀 이 형성 되 고 , 콘택트 홀 의 표면 이 투명 도전 막 으로 이루어진 화소 전극 에 의해 피복 됨 으로써 , 화소 전극 과 드레 인 전극 이 전기 적 으로 접속 되 어 있 다 .