상기 [ 수학식 2 ] 에서 ε 은 상기 물질 의 유전율 ( permittivity ) 이 고 , μ 는 상기 물질 의 투자 율 ( permeability ) 이 다 . 따라서 물질 의 유전 율 이 감소 할 때 , 상기 물질 의 투자 율 에 큰 변화 가 없 는 경우 라면 일반 적 으로 상기 물질 의 굴절 률 도 감소 하 게 된다 . 따라서 광 도파관 ( 335 ) 과 층간 절연 층 ( 333 ) 사이 에서 의 전반사 임계각 을 감소 시키 기 위하 여 광 도파관 ( 335 ) 을 높 은 유전율 을 갖 는 물질 로 구성 하 거나 , 층간 절연 층 ( 333 ) 을 낮 은 유전율 을 갖 는 물질 로 구성 할 수 있 다 . 씨 모스 이미지 센서 의 단위 화소 ( 300 ) 가 포함 하 는 층간 절연 층 ( 333 ) 을 구성 하 는 물질 로 이산화규소 ( silicon dioxide ) 가 주로 사용 된다 . 이산화규소 의 유전율 은 3 . 9 이 다 . 따라서 광 도파관 ( 335 ) 과 층간 절연 층 ( 333 ) 사이 의 전반사 임계각 을 감소 시키 기 위해서 는 광 도파관 ( 335 ) 을 구성 하 는 물질 을 이산화규소 의 유전율 인 3 . 9 보다 상대 적 으로 높 은 유전율 을 갖 는 물질 로 선택 할 수 있 다 .