도 4 e 에 도시 하 는 바 와 같이 , 미결정 반도체 막 ( 45 ) 위 에 버퍼 층 ( 54 ) 을 형성 한다 . 다음 에 , 버퍼 층 ( 54 ) 이 고 , 또 게이트 전극 ( 51 ) 에 중첩 하 는 영역 에 채널 보호막 을 형성 한다 . 채널 보호막 은 질화 실리콘 막 , 산화 실리콘 막 , 질산화 실리콘 막 , 산질 화 실리콘 막 을 형성 한 후 , 포토 리소그래피 공정 에 의하 여 선택 적 으로 에칭 하 여 형성 할 수 있 다 . 혹은 , 폴리 이미드 , 아크릴 , 혹은 실록 산 을 함유 하 는 조성물 을 토출 하 고 소성 하 여 형성 할 수 있 다 . 다음 에 , 일 도 전형 을 부여 하 는 불순물 이 첨가 된 반도체 막 및 도전 막 을 순차 로 형성 한다 . 다음 에 , 포토 리소그래피 공정 에 의하 여 형성 한 레지스 트 마스크 를 사용 하 여 , 도전 막 , 일 도 전형 을 부여 하 는 불순물 원소 가 첨가 된 반도체 막 , 버퍼 층 , 도너 로서 기능 하 는 불순물 원소 를 함유 하 지 않 는 미결정 반도체 막 , 도너 로서 기능 하 는 불순물 원소 를 함유 하 는 미결정 반도체 막 을 에칭 하 여 분리 한다 . 결과 적 으로 , 도 17 에 도시 하 는 바 와 같이 , 미결정 반도체 막 ( 61 ) , 버퍼 층 ( 73 ) , 소스 영역 및 드레 인 영역 ( 72 ) , 및 소스 전극 및 드레 인 전극 으로서 기능 하 는 배선 ( 71 a 내지 71 c ) 을 형성 한다 . 또한 , 부분 적 으로 오목 부 를 갖 는 채널 보호막 ( 82 ) 을 형성 한다 .