도 19 a 에 도시 한 트랜지스터 는 하 지 절 연막 ( 101 ) 과 , 하 지 절 연막 ( 101 ) 에 메우 도록 형성 된 산화알루미늄 으로 이루어진 매립 절연물 ( 102 ) 위 에 형성 된다 . 트랜지스터 는 반도체 영역 ( 103 a ) , 반도체 영역 ( 103 c ) , 반도체 영역 ( 103 a ) 과 반도체 영역 ( 103 c ) 에 끼워 지 고 채널 형성 영역 이 되 는 진성 반도체 영역 ( 103 b ) , 및 게이트 전극 ( 105 ) 를 갖 는다 . 게이트 전극 ( 105 ) 의 폭 을 33 nm 로 한다 .