이것 은 열처리 의 특성 과 반도체 기판 ( 100 ) 의 대구경 화 에 따른 것 으로 , 반도체 기판 은 약 750 ℃ 에서 변형 이 시작 되 며 , 반응 챔버 의 온도 는 그 이상 의 환경 이 제공 되 기 때문 인 것 으로 , 반도체 기판 ( 100 ) 의 0 . 7 R ( Radius ) 위치 를 국부 적 으로 거치 하 여 그 처짐 을 방지 하 고 있 는 것 이 다 .