또한 제 1 저장 커패시터 가 , 스위칭 트랜지스터 또는 리셋 트랜지스터 를 구성 하 는 반도체 박막 이 신장 하 하 는 부분 , 스위칭 트랜지스터 또는 리셋 트랜지스터 의 게이트 절 연막 에 대한 것 과 동일 한 공정 으로 형성 된 절 연막 , 및 스위칭 트랜지스터 또는 리셋 트랜지스터 의 게이트 전극 에 대한 것 과 동일 한 공정 으로 형성 된 금속 층 을 포함 하 는 것 이 가능 하 며 , 금속 층 및 데이터 라인 은 콘 택 에 의해 연결 된다 .