도 2 를 참조 하 면 , 프로세스 는 복수 의 돌출 하 는 피처 들 을 갖 는 기판 을 제공 함 으로써 201 에서 시작 된다 . 예 시 적 인 기판 이 에칭 정지 층 ( ESL ) ( 103 ) 상 에 존재 하 는 2 개 의 맨드릴 들 ( 101 ) 을 도시 하 는 도 1 a 에 도시 된다 . 이웃 하 는 맨드릴 들 간 의 거리 d 1 은 일부 실시 예 들 에서 , 약 10 내지 100 ㎚ 이 다 . 일부 실시 예 들 에서 , 약 40 내지 100 ㎚ 의 상대 적 으로 보다 큰 거리 들 이 사용 된다 . 다른 적용 예 들 에서 , 가장 가까운 맨드릴 들 사이 의 거리 는 약 10 내지 30 ㎚ 이 다 . 피치 로 또한 지칭 되 는 가장 가까운 맨드릴 들 사이 의 거리 , d 2 는 일부 실시 예 들 에서 , 약 30 내지 130 ㎚ 이 다 . 일부 실시 예 들 에서 , 피치 는 약 80 내지 130 ㎚ 이 다 . 다른 실시 예 들 에서 , 피치 는 약 30 내지 40 ㎚ 이 다 . 맨드릴 들 의 높이 d 3 은 통상 적 으로 약 20 내지 200 ㎚, 예컨대 약 50 내지 100 ㎚ 이 다 .