위 도 8 b 에서 보여 지 는 바 와 같이 , 반도체 기판 상 층간 절 연막 ( 702 ) 아래 위치 되 는 하부 금속 층 ( 700 ) 에 형성 되 는 하부 금속 배선 ( 802 ) 은 위 상부 금속 배선 ( 600 ) 의 분리 된 배선 의 빈 공간 에 해당 하 는 위치 에 정렬 되 도록 형성 하 여 , 위 상부 금속 배선 ( 600 ) 양 끝단 ( 602 ) 에 형성 되 는 다수 의 비 아홀 ( 800 ) 을 통해 상부 금속 배선 ( 600 ) 과 연결 되 도록 하 고 있 는 것 을 알 수 있 다 .