상술 한 바 와 같이 본 발명 의 바람직 한 실시 예 에 따른 플 라즈 마 형성 장치 는 마주 보 고 있 는 상기 제 2 상부 전극 및 상기 하부 전극 을 통하 여 CCP 방식 의 상기 제 2 전계 를 형성 하 고 , 상기 제 1 상부 전극 을 통하 여 ICP 방식 의 상기 제 1 전계 를 형성 할 수 있 다 . 또한 , 제 2 상부 전극 의 내부 에 형성 된 상기 슬릿 을 통해 상기 ICP 방식 의 상기 제 2 전계 의 세기 를 조절 할 수 있 다 . 즉 , 상기 제 1 상부 전극 , 제 2 상부 전극 및 상기 하부 전극 에 각각 인가 되 는 RF 파워 의 비율 조절 , 상기 슬릿 의 폭 및 분포 에 따라 기판 상 에 형성 되 는 전계 의 비율 및 균 일도 를 조절 할 수 있 다 . 따라서 , 상기 전계 에 의해 상기 챔버 내부 에 형성 되 는 플 라즈 마 상태 의 상기 공정 가스 의 이온 밀도 를 균일 하 게 조절 할 수 있 다 .