표 1 에 나타내 는 각 레지스 트 재료 를 , 규소 함유 스핀 온 하드 마스크 SHB - A 940 ( Shin - Etsu Chemical Co . , Ltd . , Si 함량 43 중량 %) 을 막 두께 20 nm 로 형성 한 실리콘 기판 상 에 스핀 코트 하 고 , 핫플레이트 상 에서 105 ℃ 에서 60 초간 프리 베 이크 하 여 막 두께 50 nm 의 레지스 트 막 을 형성 했 다 . EUV 스캐너 NXE 3300 ( ASML , NA 0 . 33 , σ 0 . 9 / 0 . 6 , 쿼드 러 폴 조명 ) 을 이용 하 여 , 상기 레지스 트 막 을 ( 웨이퍼 상 치수 로 ) 피치 46 nm , + 20 % 바이어스 의 홀 패턴 을 갖 는 마스크 를 통해 노광 하 였 다 . 핫플레이트 상 에서 표 1 에 기재 한 온도 에서 60 초간 상기 레지스 트 막 을 베 이크 ( PEB ) 하 고 , 2 . 38 중량 % 의 TMAH 수용액 으로 30 초간 현상 하 여 치수 23 nm 의 홀 패턴 을 형성 했 다 .