수직 으로 적층 된 메모리 셀 들 ( 36 ) 은 수직 스트링 ( 예컨대 , 메모리 셀 들 의 수직 NAND 스트링 과 같 은 ) 을 형성 하 며 , 각각 의 스트링 내 의 메모리 셀 들 의 수 는 전도성 레벨 들 ( 20 ) 의 수 에 의해 결정 된다 . 스택 은 임의 의 적절 한 수 의 전도성 레벨 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 스택 은 8 개 의 전도성 레벨 , 16 개 의 전도성 레벨 , 32 개 의 전도성 레벨 , 64 개 의 전도성 레벨 , 512 개 의 전도성 레벨 , 1028 개 의 전도성 레벨 등 을 가질 수 있 다 .