보다 정밀도 가 높 은 포토 마스크 패턴 을 포토 마스크 기판 상 에 형성 하 기 위해서 는 , 우선 포토 마스크 블랭크 상 에 고정 밀도 의 레지스 트 패턴 을 형성 하 는 것 이 필요 해진다 . 실제 반도체 기판 을 가공 할 때 의 광 리소그래피 는 , 축소 투영 을 행하 기 때문 에 , 포토 마스크 패턴 은 실제로 필요 한 패턴 크기 의 4 배 정도 의 크기 이 지만 , 그만큼 정밀도 가 완만 해 지 는 것 은 아니 고 , 오히려 원판 인 포토 마스크 에 는 노광 후 의 패턴 정밀도 에 요구 되 는 것 보다 도 높 은 정밀도 가 요구 된다 .