현재 반도체 기판 ( Silicon Wafer ) 상 에 존재 하 는 특정 막 의 결함 여부 를 TEM 을 이용 하 여 분석 하 기 위한 평면 의 TEM 분석 용 시편 제조 방법 은 이온 밀링 법 ( ion milling method ) 과 , 이온 빔 집속 ( Focusing ion beam ; 이하 FIB 라 함 ) 법 등 이 일반 화 되 어 있 다 .