도 6 ( a ) 및 도 6 ( b ) 에 다층 배선 기판 ( 200 C , 200 D ) 의 모식도 를 나타내 었 다 . 도 6 에 나타낸 일 실시 형태 에서 는 , 캐비 티부 저면 에 배치 되 는 배선 기판 1 을 배선 기판 ( 100 c ) 으로 구성 하 고 , 상층 측 에 배치 되 는 배선 기판 2 를 모두 배선 기판 ( 100 C ) 으로 구성 하 고 있 다 . 캐 비 티부 에 LED 소자 를 실장 하 였을 때 에 는 , 이러 한 구성 으로 함 으로써 , 리플렉터 로서 의 기능 을 현저 하 게 발휘 할 수 있 기 때문 에 바람직 하 다 . 또 , 본 구성 에 있 어서 는 , 상기 배선 기판 1 의 하층 측 에 배선 기판 ( 100 D ) 을 배치 하 고 있 는데 , 이러 한 구성 으로 할 수 도 있 고 , 배선 기판 ( 100 D ) 에 캐비 티 용 구멍 을 형성 한 배선 기판 ( 100 d ) 을 상층 측 에 배치 하 는 구성 으로 할 수 도 있 다 . 또한 , 배선 기판 ( 100 D ) 은 , 열 가소 성 수지 조성물 을 주성분 으로 하 는 절연 기재 ( 10 a ) , 그 절연 기재 ( 10 a ) 의 적어도 편면 에 형성 된 열가소성 수지 조성물 을 주성분 으로 하 는 접착 층 ( 40 ) 으로 이루어지 는 것 이 다 . 또한 , 각종 배선 기판 의 구성 은 , 상기 서술 한 바 와 같이 여러 배리 에 이 션 으로 할 수 있 다 .