본 발명 에서 는 생산 속도 향상 을 위해 UV 램프 는 2 M 폭 을 가지 며 , 총 4 열 로 배치 되 나 이 에 한정 되 지 않 는다 . UV 램프 에서 발생 된 열 이 원사 에 도달 하 게 되 면 원사 의 열화 및 단량체 의 파괴 가 일어날 수 있 으므로 석영관 을 통해 적외선 은 반사 시키 게 되 며 냉각수 순환 장치 를 통해 반응 챔버 의 열 을 발산 시킨다 . 그 래프팅 반응 이 진행 되 는 경우 산소 원자 가 주변 에 존재 하 게 되 면 정지 반응 이 일어나 게 되 므로 그 래프팅 반응 이 진행 되 는 동안 에 반응 챔버 는 질소 로 충 진 된다 .