반도체 메모리 장치 가 디램 ( DRAM ) 인 경우 , 퓨즈 ( 102 ) 는 셀 영역 에 형성 되 는 캐 패 시터 의 상부 전극 ( 미 도시 ) 용 도전 막 , 예 를 들 어 TiN 막 ( 102 A ) 과 폴리 실리콘 막 ( 102 B ) 의 적층 막 을 이용 하 여 형성 된 것 으로 , 제 1 절 연막 ( 101 ) 의 돌출부 에 의한 단차 를 따라 형성 됨 에 따라 퓨즈 박스 영역 의 중앙부 에서 돌출 되 어 있 다 .