도 5 및 도 7 과 같이 , 상기 박막 트랜지스터 ( TFT 1 ) 의 이상 이 발생 된다면 , 상기 박막 트랜지스터 ( TFT 1 ) 와 이 와 연결 된 화소 전극 ( 103 ) 을 컷팅 ( A 부위 ) 하 면 , 상기 화소 전극 ( 103 ) 과 해당 박막 트랜지스터 ( TFT 1 ) 가 절연 된다 . 이 때 , 컷팅 부위 ( A ) 는 상기 박막 트랜지스터 ( TFT 1 ) 의 소오 스 전극 ( 102 a ) 이나 , 드레 인 전극 ( 102 b ) 의 일부 에 해당 할 것 이 며 , 컷팅 이 가능 하 기 위해서 는 도시 된 바 와 같이 , 그 수직 단면 에서 금속 배선 이 한 층 이 형성 되 는 상기 드레 인 전극 ( 102 b ) 중 화소 전극 ( 103 ) 이나 게이트 전극 ( 101 a ) 과 오버랩 하 지 않 는 부위 로 한다 . 즉 , 금속 배선 이 단일 층 으로 이루어진 부위 에 컷팅 을 시행 한다 .