상술 한 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 반도체 소자 의 게이트 전극 형성 방법 은 , 반도체 기판 상 의 전면 에 게이트 산화 막 , 게이트 전극 용 폴리 실리콘 막 및 1 차 희생 막 을 순차 적층 되게 형성 하 는 제 1 단계 와 , 감광막 패턴 을 이용 한 식각 을 통해 1 차 희생 막내 에 개방 구 를 형성 하 는 제 2 단계 와 , 감광막 패턴 을 제거 하 는 제 3 단계 와 , 1 차 희생 막상 에 2 차 희생 막 을 형성 하 여 개방 구내 의 측벽 측 에 스 페이서 를 형성 하 는 제 4 단계 와 , 개방 구내 의 하부 측 에 형성 된 2 차 희생 막 을 제거 하 기 위해 식각 하 는 제 5 단계 와 , 이온 주입 을 실시 하 여 스 페이서 에 의해 폭 이 좁혀진 개방 구 를 통해 노출 된 영역 의 폴리 실리콘 막 의 상면 측 에 이온 주입 층 을 형성 하 는 제 6 단계 와 , 2 차 희생 막 및 1 차 희생 막 을 제거 하 는 제 7 단계 와 , 이온 주입 층 을 하드 마스크 로 이용 하 여 메인 식각 함 으로써 이온 주입 층 하부 측 에 게이트 전극 을 형성 하 는 제 8 단계 와 , 이온 주입 층 을 제거 하 는 제 9 단계 를 포함 한다 .