일부 실시 예 들 에서 , 돌출 하 는 피처 들 의 측벽 들 에서 주석 옥사이드 층 위 에 패 시베이 션 층 을 형성 하 는 단계 는 돌출 하 는 피처 들 의 수평 표면 들 및 측벽 들 모두 위 에 패 시베이 션 재료 증착 , 이어서 돌출 하 는 피처 들 의 수평 표면 들 로부터 패 시베이 션 재료 의 제거 를 포함 한다 . 일 구 현예 에서 , 돌출 하 는 피처 들 의 측벽 들 에서 주석 옥사이드 층 위 에 패 시베이 션 층 을 형성 하 는 단계 는 돌출 하 는 피처 들 의 수평 표면 들 및 측벽 들 모두 위 에 실리콘 - 함유 패 시베이 션 재료 증착 , 이어서 플루오르 탄소 - 기반 에칭 화학 물질 을 사용 한 돌출 하 는 피처 들 의 수평 표면 들 로부터 실리콘 - 함유 패 시베이 션 재료 의 제거 를 포함 한다 . 또 다른 구 현예 에서 , 돌출 하 는 피처 들 의 측벽 들 에서 주석 옥사이드 층 위 에 패 시베이 션 층 을 형성 하 는 단계 는 돌출 하 는 피처 들 의 수평 표면 들 및 측벽 들 모두 위 에 탄소 - 함유 패 시베이 션 재료 증착 , 이어서 수평 표면 들 로부터 탄소 - 함유 패 시베이 션 재료 의 제거 를 포함 한다 .