이어서 , 도 19 에서 는 , 각각 개편 화 된 제 1 패키지 컴포넌트 ( 100 ) 가 전도성 커넥터 ( 150 ) 를 사용 하 여 패키지 기판 ( 300 ) 에 탑재 된다 . 패키지 기판 ( 300 ) 은 기판 코어 ( 302 ) 와 기판 코어 ( 302 ) 위 의 본딩 패드 ( 304 ) 를 포함 한다 . 기판 코어 ( 302 ) 는 실리콘 , 게르마늄 , 다이아몬드 등 의 반도체 재료 로 제조 될 수 있 다 . 한편 , 실리콘 게르마늄 , 실리콘 탄화물 , 갈륨 비소 , 인듐 비화물 , 인듐 인화물 , 실리콘 게르마늄 탄화물 , 갈륨 비소 인화물 , 갈륨 인듐 인화물 , 이 들 의 조합 등 의 화합물 재료 도 사용 될 수 있 다 . 추가 로 , 기판 코어 ( 302 ) 는 SOI 기판 일 수 도 있 다 . 일반 적 으로 , SOI 기판 은 , 에피 택 셜 실리콘 , 게르마늄 , 실리콘 게르마늄 , SOI , SGOI , 또는 이 들 의 조합 등 의 반도체 재료 로 된 층 을 포함 한다 . 일 대안 실시 형태 에서 는 , 기판 코어 ( 302 ) 가 유리 섬유 강화 수지 코어 등 의 절연 코어 에 기반 한다 . 코어 재료 의 일례 는 FR 4 등 의 유리 섬유 수지 이 다 . 코어 재료 의 대안 은 BT ( bismaleimide - triazine ) 수지 또는 대안 으로 다른 PCB 재료 또는 필름 을 포함 한다 . ABF 또는 다른 라미 네이트 등 의 빌드 업 필름 이 기판 코어 ( 302 ) 에 사용 될 수 도 있 다 .