여기 에서 는 , 금속 산화물 타 겟 ( In - Ga - Zn - O 계 금속 산화물 타 겟 ( In 2 O 3 ： Ga 2 O 3 ： ZnO ＝ 1 ： 1 ： 2 ［ mol 수비 ］) 를 이용 해서 , 기판 과 타 겟 사이 의 거리 를 170 mm , 기판 온도 250 ℃, 압력 0 . 4 Pa , 직류 ( DC ) 전원 0 . 5 kＷ , 산소 만 , 아르곤 만 , 또는 아르곤 및 산소 분위기 하 에서 막 두께 5 nm 의 제 1 산화물 반도체 층 을 성막 한다 .