도 5 의 ( c ) 에서 는 , 환형 부재 ( 26 ) 에서 , 도 5 의 ( b ) 의 경우 의 저 유전율 재 보다 유전율 ( ε r ) 이 높 은 고유 전 율 재 의 제 1 환형 부재 ( 26 a ) 를 공간 ( A ) 에 재 배치 하 였 다 . 이것 에 의해 , 임피던스 는 보다 낮 은 상태 가 되 기 때문 에 , 시스 는 보다 두꺼워 지 고 , 플라 즈 마 밀도 가 보다 높 은 상태 가 되 었 다 . 이것 에 의해 , 기판 ( W ) 상 의 시스 가 제 2 환형 부재 ( 26 b ) 상 의 시스 보다 얇 아 졌 다 . 그 결과 , 기판 ( W ) 의 외주 부 에서 형성 된 홀 ( H ) 에서 는 , 막 ( 90 ) 의 종단 면도 에 도시 된 바 와 같이 내측 에서 외측 으로 기우 는 틸팅 이 발생 하 였 다 . 이상 으로부터 , 제 1 환형 부재 ( 26 a ) 의 유전율 을 변화 시킴 으로써 틸팅 각도 를 바꿀 수 있 는 것 이 증명 되 었 다 . 또한 , 도 5 의 ( b ) 및 ( c ) 에서 는 , 제 2 환형 부재 ( 26 b ) 의 측면 하부 에 단차 가 형성 되 어 있 지 않 지만 , 도 2 에 도시 된 바 와 같이 제 2 환형 부재 ( 26 b ) 의 측면 하부 에 공간 ( 20 g ) 이 형성 되 어도 좋 다 .