셀 영역 과 주변 회로 영역 으로 구획 된 반도체 기판 의 각 영역 에 게이트 절 연막 , 게이트 도 전막 및 하드 마스크 막 의 적층 구조 로 이루어진 수 개 의 게이트 들 을 형성 한 후 , 상기 게이트 의 양측 벽 에 스 페이서 를 형성 한다 . 그런 다음 , 상기 기판 결과물 에 대해 고농 도 이온 주입 을 수행 해서 게이트 양측 의 기판 표면 내 에 접합 영역 을 형성 한다 .