발명 의 다른 실시 예 에서 하부 전도체 ( 408 ) 는 도 5 a ~ c 에서 하 기 에 언급 한 상감 공정 을 사용 하 여 형성 될 수 있 다 . 도 5 a ~ 5 c 를 참조 하 면 유전체 층 ( 410 ) 은 전도체 ( 408 ) 에 대한 오프닝 과 보이드 를 만들 기 위해 형성 되 고 , 패턴 화 되 며 , 에칭 된다 . 다음 에 오프닝 과 보이드 는 접착 층 ( 404 ) 과 전도성 층 ( 406 ) ( 및 / 또는 필요 하 다면 도전 성 씨드 , 도전 성 필 및 장벽 층 ) 으로 채워질 수 있 다 . 다음 에 접착 층 ( 404 ) 및 전도성 층 ( 406 ) 은 평탄면 형성 을 위해서 평탄 화 될 수 있 다 ( 도시 된 바 와 같 음 ) . 상기 실시 예 에서 접착 층 ( 404 ) 은 각 오프닝 과 보이드 의 측벽 과 하부 에 정렬 된다 .