본 발명 의 바람직 한 일 실시 형태 로서 , 전자 주입 층 과 광 증폭 층 을 유기 층 으로 , 정공 주입 층 으로 무기 층 으로 가지 는 전류 주입 형 OSLD 를 상정 할 수 있 다 . 정공 주입 층 을 구성 하 는 무기 물질 은 산화 몰리브덴 등 의 산화 금속 을 포함 한다 . 정공 주입 층 의 두께 는 , 예 를 들 어 , 1 nm 이상 , 5 nm 이상 , 10 nm 이상 , 100 nm 이하 , 50 nm 이하 , 20 nm 이하 여도 좋 다 .