에칭 은 주석 옥사이드 를 휘발 성 주석 하이드라이드 로 변환 하 는 것 과 같이 제어 된다 . 일 실시 예 에서 프로세스 가스 의 H 2 함량 은 체적 으로 적어도 50 ％, 예컨대 체적 으로 적어도 80 ％ 이 다 ( 최대 100 ％ 를 포함 할 수 있 다 ) . 일부 실시 예 들 에서 , 프로세스 가스 는 CH 4 와 같 은 탄화수소 를 더 포함 할 수 도 있 다 . 일부 실시 예 들 에서 , 프로세스 가스 는 Cl 2 를 더 포함 한다 . 예 를 들 어 , 프로세스 가스 는 본질 적 으로 H 2 및 불활성 가스 ( 예 를 들 어 , He ) 로 구성 될 수 도 있 고 , 또는 프로세스 가스 는 본질 적 으로 H 2 , 불활성 가스 및 탄화수소 ( 예 를 들 어 , CH 4 ) 로 구성 될 수 도 있 다 . 에칭 은 기판 근방 에서 측정 된 약 100 ℃ 미만 의 온도 에서 수행 된다 . 유리 하 게 , 에칭 반응 은 배기 및 / 또는 퍼징 에 의해 에칭 프로세스 챔버 로부터 용이 하 게 제거 될 수 있 는 , 휘발 성 재료 들 , 예컨대 SnH 4 만 을 생성 한다 . 에칭 프로세스 온도 는 , 보다 높 은 온도 들 이 , 형성 된 SnH 4 의 분해 및 프로세스 챔버 및 기판 을 오염 시킬 수 있 는 입자 들 의 형성 을 야기 할 수 있 기 때문 에 바람직 하 게 약 100 ℃ 미만 으로 선택 된다 . 프로세스 가스 의 조성 및 프로세스 조건 들 은 예컨대 에칭 동안 입자 들 의 형성 을 감소 또는 제거 하 도록 선택 된다 . 중요 하 게 , 에칭 반응 은 어떠 한 상당 한 스퍼터링 컴포넌트 도 필요 로 하 지 않 고 , 기판 에서 외부 바이어스 의 부 재시 , 중 이온 들 ( heavy ions ) ( 예 를 들 어 , 아르곤 이온 들 ) 의 부 재시 수행 될 수 있 다 . 스퍼터링 컴포넌트 를 감소 시키 는 것 은 기판 의 제 2 재료 에 상대 적 인 에칭 선택도 를 상승 시키 는 것 에 유리 할 수 있 다 . 따라서 , 일부 실시 예 들 에서 , 에칭 은 기판 에 외부 바이어스 를 제공 하 지 않 고 수행 되 고 그리고 / 또는 스퍼터링 을 감소 시키 기 위해 캐리어 가스 로서 헬륨 ( 경 가스 ( light gas ) ) 을 사용 하 는 것 을 수반 한다 .