이러 한 오 목부 는 그 위 에 형성 되 는 강유전체 커패시터 의 결정 배향 에 큰 영향 을 주 기 때문 에 , 본 실시 예 에서 는 상기 도 11 b 의 공정 후 , 도 11 c 의 공정 전 에 , 상기 층간 절 연막 ( 68 ) 위 에 ( 002 ) 배향 의 Ti 막 을 , 이러 한 오목 부를 충전 하 도록 퇴적 하 고 , 질화 처리 에 의해 ( 111 ) 배향 의 TiN 막 으로 변환 한 후 , 그 표면 을 CMP 법 으로 평탄 화 하 는 것 을 행하 고 있 다 .