도시 되 지 는 않 았 지만 , 후속 하 여 , 게이트 전극 층 ( 130 ) , 제 2 층 ( 1230 ) , 제 1 층 ( 1251 ) 및 계면 절연 층 ( 110 ) 을 기판 ( 101 ) 상 에서 패 터닝 하 여 , 게이트 구조물 을 형성 할 수 있 다 . 도시 되 지 는 않 았 지만 , 형성 된 상기 게이트 구조물 의 양단 에 위치 하 는 기판 ( 101 ) 에 소스 영역 및 드레 인 영역 을 형성 할 수 있 다 . 상기 소스 영역 및 드레 인 영역 은 기판 ( 101 ) 의 도핑 타입 과 반대 의 도핑 타입 의 도 펀트 를 기판 ( 101 ) 에 주입 함 으로써 , 형성 될 수 있 다 . 상기 소스 영역 및 드레 인 영역 은 일 예 로서 , 공지 의 이온 주 입법 에 의해 웰 ( Well ) 의 형태 로 기판 ( 101 ) 의 상부 영역 에 형성 될 수 있 다 .