실시 예 및 비 교예 에 따라 제조 된 식각 액 조성물 을 28 ℃ 로 유지 한 후 , 구리 막 이 식각 되 는 시점 을 기준 으로 과 식각 ( over etch ) 을 진행 하 여 아졸 류 화합물 에 따른 skew 정도 를 알아보 았 다 . Etcher 는 0 . 5 세대 Glass Size 를 처리 할 수 있 는 장비 를 사용 하 였으며 , 약액 분사 는 스프레이 타입 을 사용 하 였 고 , 스프레이 압력 은 0 . 1 MPa 이 었 다 . Etcher zone 에서 의 배 기압력 은 20 Pa 를 유지 하 였 다 . 이때 , 식각 실험 을 위해 준비 된 기판 구조 는 하부 부터 티타늄 ( Ti ) / 구리 ( Cu ) 순 으로 증착 된 2 중막 으로 , 2 중막 위 에 는 일정 한 형태 의 모양 으로 포토레지스트 가 패 터닝 된 것 을 사용 하 였 다 .