측정 에 사용 한 트랜지스터 는 , 채널 길이 ( L ) 가 3 ㎛, 채널 폭 ( W ) 이 10 ㎛, Lov 가 0 ㎛, dW 가 0 ㎛ 이 다 . 또한 , Vd 는 10 V 로 하 였 다 . 또한 , 기판 온도 는 - 40 ℃, - 25 ℃, 25 ℃, 75 ℃, 125 ℃ 및 150 ℃ 에서 실시 하 였 다 . 여기 에서 , 트랜지스터 에 있 어서 , 게이트 전극 과 한 쌍 의 전극 의 중첩 되 는 폭 을 Lov 라고 부르 고 , 산화물 반도체 막 에 대한 한 쌍 의 전극 의 돌출 부분 을 dW 라고 부른다 .