또한 본 발명 은 시스템 클럭 의 위상 을 지연 시켜 출력 하 는 단계 ; 상기 지연 된 시스템 클럭 의 위상 을 미세 조절 하 여 지연 고정 된 클럭 을 생성 하 는 단계 ; 상기 미세 조절 된 클럭 의 위상 변동 상태 를 감지 하 는 단계 ; 및 상기 감지 된 결과 에 대응 하 여 상기 미세 조절 하 는 주기 를 제어 하 는 단계 를 포함 하 는 반도체 메모리 장치 의 구동 방법 을 제공 한다 .