다음 에 , 본 명세서 에 기술 된 바 와 같이 , 수소 플 라즈 마 에칭 이 수행 된다 . 도 3 e 에 도시 된 기판 은 에칭 프로세스 챔버 내 에 H 2 를 포함 하 는 프로세스 가스 로 형성 된 플 라즈 마 와 콘택트 하 고 , 노출 된 SnO 2 층 ( 307 ) 은 제 2 재료 의 층 ( 309 ) 과 제 1 재료 의 층 ( 305 ) 사이 에 리세 스 된 피처 를 형성 하 도록 ( 다른 노출 된 재료 들 에 대해 ) 선택 적 으로 에칭 된다 . 발생 되 는 구조 체 는 , 층 ( 309 ) 과 층 ( 305 ) 사이 에 리세 스 된 피처 ( 311 ) 를 예시 하 는 도 3 f 에 도시 된다 . 마지막 으로 , 후속 하 는 단계 에서 , 리세 스 된 피처 ( 311 ) 를 완전히 충 진하 지 않 고 리세 스 된 피처 ( 311 ) 를 커버 하 도록 제 3 재료 ( 예 를 들 어 , SiO 2 ) 의 층 ( 313 ) 이 예 를 들 어 , HDP CVD 에 의해 증착 되 어 , 에 어 갭 이 형성 된다 .