또한 , 상기 본 발명 의 실시 형태 에서 는 , 반도체 플래시 메모리 를 예 로서 설명 하 였 지만 , 본 발명 은 그 취지 를 일탈 하 지 않 는 범위 에서 , 적절 하 게 그 구체 예 를 변경 하 는 것 이 가능 하 다 . 본 발명 의 반도체 기억 장치 는 , 다 결정 실리콘 을 갖 는 제어 게이트 전극 을 구비 한 반도체 기억 장치 에 적용 가능 하 다 . 또한 , 반도체 기억 장치 외 에 도 , 예 를 들 면 반도체 논리 회로 장치 나 반도체 연산 회로 장치 등 에 도 적용 가능 하 다 . 마찬가지 로 , 본 발명 의 반도체 기억 장치 의 제조 방법 은 다 결정 실리콘 막 을 형성 하 는 반도체 기억 장치 , 반도체 논리 회로 장치 혹은 반도체 연 산 회로 장치 등 의 제조 방법 에 적용 가능 하 다 .