도 8 은 N 2 O 플 라즈 마 처리 를 시간 에 따라 수행 한 후 , 실리콘 산화 막 으로 보호막 을 형성 한 다음 열처리 공정 을 수행 한 산화물 반도체 박막 트랜지스터 의 플 라즈 마 처리 시간 에 따른 문턱 전압 ( Vthreshold ) 의 변화 를 도시 한 것 이 다 . 도 8 을 참조 하 면 , 보호막 이 형성 되 지 않 은 경우 와 는 달리 열처리 후 에 도 문턱 전압 ( Vthreshold ) 은 양 의 방향 으로 이동 하 였으며 , 60 초 까지 는 시간 에 따라 문턱 전압 ( Vthreshold ) 이 증가 함 을 알 수 있 다 .