게이트 전극 ( GE ) 상 에 는 층간 절연 층 ( 113 ) 이 배치 된다 . 게이트 전극 ( GE ) 과 소스 전극 ( SE ) 및 드레 인 전극 ( DE ) 을 절연 시키 기 위한 층 으로 , 버퍼 층 ( 111 ) 과 동일 하 게 무기물 로 이루어질 수 있 다 . 예 를 들 어 , 층간 절연 층 ( 113 ) 은 무기물 인 질화 실리콘 ( SiNx ) 또는 산화 실리콘 ( SiOx ) 의 단일 층 또는 질화 실리콘 ( SiNx ) 또는 산화 실리콘 ( SiOx ) 의 다중 층 으로 구성 될 수 있 으나 , 이 에 제한 되 는 것 은 아니 다 .