그 후 , 도 16 d 에 예시 된 바 와 같이 , N 형 칼럼 ( 21 n ) 이 되 는 N 형 ( n ) 층 ( 2 d ) 은 도 16 a 에서 의 N 형 층 ( 2 a ) 의 불순물 농도 와 동일 한 불순물 농도 로 제 1 칼럼 층 ( 11 a ) 의 전체 면 상 에 에피 택 셜 성장 된다 . 도 17 a 에 예시 된 바 와 같이 , 포토 리소그래피 에 의해 N 형 층 ( 2 d ) 상 에 소정 의 개구부 를 가지 는 트렌치 형성 마스크 ( M 2 ) 가 형성 된다 . 이 트렌치 형성 마스크 ( M 2 ) 를 마스크 로서 이용 하 여 , 반응 성 이온 에칭 ( RIE ) 이 수행 되 어 , P 형 칼럼 ( 21 p ) 을 형성 하 기 위한 트렌치 ( 2 e ) 를 형성 한다 . 트렌치 형성 마스크 ( M 2 ) 가 박리 된 후 , 도 17 b 에 예시 된 바 와 같이 에피 택 셜 성장 에 의해 P 형 ( p ) 층 ( 2 f ) 이 도 16 b 에서 의 P 형 층 ( 2 c ) 의 불순물 농도 와 동일 한 불순물 농도 로 형성 되 어 , 트렌치 ( 2 e ) 를 메운다 . 화학 기계 연마 ( CMP ) 를 이용 하 여 , 도 17 c 에 예시 된 바 와 같이 , 트렌치 ( 2 e ) 이외 에서 형성 된 P 형 층 ( 2 f ) 이 제거 되 어 가공물 을 평탄 화 한다 . 따라서 , 제 2 칼럼 층 ( 11 b ) 이 형성 되 어 , SJ - MOS 트랜지스터 ( 100 ) 의 PN 칼럼 층 ( 11 ) 이 완성 된다 .