상기 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 에 의한 측벽 영역 과 이등방성 습식 식각 을 이용 한 증가 형 반도체 탐침 의 제조 방법 은 , ( a ) 실리콘 기판 상 에 제 1 방향 의 탐침 끝 ( tip ) 부분 을 형성 하 기 위한 제 1 식각 마스크 패턴 을 형성 하 고 그 양측 에 측벽 영역 을 형성 하 는 단계 와 ; ( b ) 상기 측벽 영역 을 이용 하 여 상기 실리콘 기판 을 이등방성 식각 하 여 탐침 의 양쪽 경사면 을 형성 하 는 단계 와 ; ( c ) 상기 측벽 영역 을 마스크 로 불순물 을 주입 하 여 상기 실리콘 기판 에 소스 및 드레 인 영역 을 형성 한 후 상기 측벽 영역 을 제거 하 는 단계 와 ; ( d ) 상기 제 1 식각 마스크 패턴 을 마스크 로 하 여 상기 탐침 의 양쪽 경사면 에 소스 및 드레 인 영역 을 형성 한 후 상기 제 1 식각 마스크 패턴 을 제거 하 는 단계 와 ; ( e ) 상기 탐침 의 끝 부분 상 에 제 2 방향 의 탐침 끝 ( tip ) 부분 을 형성 하 기 위한 제 2 식각 마스크 패턴 을 형성 하 는 단계 와 ; ( f ) 상 기 제 2 식각 마스크 패턴 의 양측 에 스페이스 막 을 형성 하 는 단계 ; 및 ( g ) 상기 스페이스 막 을 사용 하 여 사진 및 식각 공정 으로 상기 실리콘 기판 을 일정 깊이 로 식각 한 후 상기 스페이스 막 을 제거 하 는 단계 ; 를 포함 하 여 이루어진 것 을 특징 으로 한다 .