또한 , 도 3 에 도시 된 전술 한 제 2 콘 택 층 ( 164 ) 이 ITO 로 이루어진 투명 전극 ( 164 - 1 ) 과 은 ( Ag ) 으로 이루어진 반사 층 ( 164 - 2 ) 으로 구현 된 경우 , 은 ( Ag ) 이 반 사도 는 우수 하 지만 접착 ( adhesion ) 특성 이 열악 하 다 . 이 경우 , 발광 소자 ( K ) 를 패키지 몸체 ( 110 ) 에 본 딩 할 때 열 팽창 계수 차이 로 인해 도 3 에 예시 된 ITO ( 164 - 1 ) 와 반사 층 ( 164 - 2 ) 의 경계 면 에서 금속 ( 예 , 은 ( Ag ) ) 의 박리 가 발생 할 수 있 다 . 따라서 , 실시 예 에 의하 면 , 제 1 절연 층 ( 150 , 152 , 154 , 156 ) 을 PECVD ( Plasma - Enhanced Chemical Vapor Deposition ) 법 등 에 의해 제조 하 여 제 2 콘 택 층 ( 164 ) 을 캡 핑 하 도록 배치 함 으로써 , 전술 한 금속 박리 현상 이 개선 될 수 있 고 , 취약 한 은의 접착 특성 이 개선 되 어 필링 ( peeling ) 이 방지 될 수 있 다 .