도 2 a 에 도시 된 바 와 같이 , 기판 ( 210 ) 상 에 충전물 층 으로서 의 SiO 2 와 같 은 옥사이드 층 ( 220 ) 을 형성 한다 . 상기 옥사이드 층 ( 220 ) 은 증착 방법 을 이용 하 여 형성 한다 . 본 실시 예 에서 상기 충전물 층 은 SiO 2 와 같 은 옥사이드 층 ( 220 ) 으로 정의 하 였으나 , 이 에 한정 되 지 않 음 은 물론 이 다 . 예 를 들 어 , 상기 충전물 층 이 충전 되 어야 할 갭 은 STI ( Shallow Trench Isolation ) , IMD ( Intermetal Dielectric ) 및 PMD ( Premetal Dielectric ) 중 하나 의 갭 일 수 있 는데 , 상기 STI 의 갭 인 경우 상기 충전물 층 은 본 실시 예 에서 와 같이 옥사이드 와 같 은 절연물 로 구성 되 지만 , 상기 IMD 의 갭 또는 상기 PMD 의 갭 인 경우 상기 충전물 층 은 도전 성 재질 로 구성 될 것 이 다 .