상기 세라믹 소성 입자 ( 22 a ) 및 실리카 소성 입자 ( 23 a ) 는 내부 전극 층 을 이루 는 금속 입자 ( grain ) 의 계면 즉 , 입계 ( grain boundary ) 에 트랩 될 수 있 다 . 상기 세라믹 소성 입자 ( 22 a ) 및 실리카 소성 입자 ( 23 a ) 는 내부 전극 층 을 형성 하 는 금속 분말 의 소결 과정 에서 금속 입자 의 계면 에 트랩 될 수 있 다 . 이 는 후술 하 는 내부 전극 용 도전 성 페이스트 조성물 및 내부 전극 층 의 형성 과정 에 의하 여 보다 명확 해 질 수 있 다 .