그러나 스루홀 전극 을 형성 할 때 , CMP 규칙 들 에 반 할지 라도 전극 패드 아래 에 STI 를 형성 하 지 않 는 것 이 중요 하 다 . 이것 은 실리콘 의 RIE 기체 의 유형 이 절 연막 의 RIE 기체 의 유형 과 다르 기 때문 이 다 . ', 실리콘 의 RIE 동안 실리콘 에 절 연막 패턴 이 존재 하 면 , 이러 한 부분 에 에칭 오 차 가 발생 하 여 개구리 같 은 ( frog - like ) 에칭 잔류물 이 형성 될 수 있 다 . STI 의 CMP 동안 CMP 잔류물 이 불가피 하 게 전극 패드 아래 에 생성 된다면 , 잔류물 이 생성 되 는 부분 에 리소그래피 에 의해 구멍 을 형성 하 고 , 습식 에칭 등 에 의해 재료 가 부분 적 으로 에칭 된 후 에 CMP 를 행하 여 CMP 잔류물 을 제거 하 는 것 이 필요 하 다 .