다음 에 , 결정 성 이 높 은 결정핵 을 밀도 높 게 형성 하 는 공정 을 행한다 . 여기 서 는 , 플라 즈 마 CVD 장치 의 반응 실 내 에 불소 , 플루오르화물 기체 , 혹은 수소 의 적어도 하나 이상 을 도입 하 고 고주파 전원 을 인가 하 여 플 라즈 마 ( 43 ) 를 발생 시키 고 , 도 1 b 에 도시 하 는 바 와 같이 , 상기 플 라즈 마 ( 43 ) 를 반도체 막 ( 42 ) 에 노출 함 으로써 , 반도체 막 ( 42 ) 의 일부분 , 대표 적 으로 는 비정질 반도체 성분 을 에칭 한다 .