한편 , 제 2 캘 리브레 이 션 동작 을 수행 함 에 있 어서 , 리플 리카 풀 업 저항 블록 의 저항 값 이 변동 될 수 있 다 . 일 예 로서 , 전술 한 실시 예 들 에 따라 리플 리카 풀 업 저항 블록 은 풀 업 저항 블록 에 상응 하 는 풀 업 저항 세트 를 포함 함 과 함께 , 추가 의 풀 업 저항 세트 를 더 포함 할 수 있 으며 , 상기 제 2 캘 리브레 이 션 동작 에서 추가 의 풀 업 저항 세트 가 인 에 이 블 될 수 있 다 ( S 23 ) . 또한 , 제 2 캘 리브레 이 션 동작 에 따라 Ron 용 풀 다운 코드 가 생성 되 고 메모리 장치 내 에 저장 될 수 있 다 ( S 24 ) . 또한 , 제 2 캘 리브레 이 션 동작 에서 추가 의 풀 업 저항 세트 가 인 에 이 블 됨 에 따라 리플 리카 풀 업 저항 블록 의 저항 값 이 감소 될 수 있 으며 , 이 에 대응 하 여 풀 다운 코드 는 풀 다운 저항 블록 의 저항 값 이 감소 되 도록 하 는 코드 값 을 가질 수 있 다 .