전술 한 게이트 구조 체 는 게이트 ( 5 ) 의 단일 층 으로 구성 할 수 있 지만 , 반드시 이 구성 에 한정 되 는 것 은 아니 다 . 전술 한 게이트 구조 체 는 게이트 로서 의 역할 을 해낼 수 있 는 구성 이 면 된다 . 전술 한 게이트 구 조체 를 게이트 ( 5 ) 단일 층 으로 구성 하 는 경우 , 전형 적 으로 는 아래 와 같이 구성 할 수 있 다 . 게이트 ( 5 ) 는 불순물 이 도입 된 폴리 실리콘 막 으로 구성 할 수 있 다 . 불순물 의 농도 는 특별히 한정 되 지 는 않 지만 , 전형 적 으로 는 2 E 20 [ 1 / ㎤] 여도 된다 . 폴리 실리콘 막 의 두께 는 특별히 한정 되 지 는 않 지만 , 전형 적 으로 는 150 ㎚ 여도 된다 . 게이트 길이 는 특별히 한정 되 지 는 않 지만 , 전형 적 으로 는 130 ㎚ 여도 된다 . 게이트 폭 은 특별히 한정 되 는 것 은 아니 다 .