다음 , 도 7 의 ( b ) 에 도시 된 것 과 같이 , LED 칩 ( 도 7 에서 는 도시 하 지 않 음 ) 을 봉지 하 는 봉 지재 ( 30 ) 가 하우징 ( 20 ) 의 형성 전 에 미리 형성 된다 . 상기 봉 지재 ( 30 ) 는 제 1 및 제 2 리드 단자 ( 12 , 14 ) 로 구성 된 리드 프레임 ( 10 ) 을 지지 하 도록 형성 된다 . 그리고 , 상기 봉 지재 ( 30 ) 는 트랜스퍼 몰딩 용 금형 에 의해 미리 정해진 형상 으로 형성 된다 . 상기 봉 지재 ( 30 ) 의 트랜스퍼 몰딩 은 , 고상 EMC ( 특히 , 태블릿 형태 의 EMC ) 를 이용 하 며 , 그 고상 EMC 에 는 형광체 가 포함 될 수 있 다 . 대안 적 으로 , 액상 에폭시 또는 액상 실리콘 을 금형 에 주입 하 는 방식 의 인젝션 몰딩 도 봉 지재 ( 30 ) 성형 에 이용 될 수 있 으며 , 이 경우 , 액상 에폭시 나 액상 실리콘 에 는 형광체 가 포함 될 수 있 다 .