도 1 을 참조 하 면 , 플래시 메모리 셀 ( 100 ) 은 P 형 ( P - type ) 반도체 기판 ( 110 ) 위 에 채널 영역 ( Channel Region ) 을 사이 에 두 고 형성 된 소오 스 ( 120 ) 및 드레 인 ( 130 ) 과 , 채널 영역 위 에 얇 은 절 연막 을 사이 에 두 고 형성 되 는 플로팅 게이트 ( 140 ) 와 , 플로팅 게이트 ( 140 ) 상 에 절 연막 을 사이 에 두 고 형성 된 컨트롤 게이트 ( 150 ) 를 포함 한다 .