바람직 하 게 , 상기 완충 층 은 ZnO 또는 ZnO 에 Al 및 Ga 중 적어도 하나 를 포함 하 여 형성 한다 . 상기 완충 층 은 스퍼터링 ( sputtering ) , 전자 빔 증착 ( E - beam evaporation ) , 화학 기상 증착 ( chemical vapor deposition ) 방법 , 이온 플 레이팅 ( ion - plating ) 방법 , 및 물리 기상 증착 ( PVD ; Physical Vapor Deposition ) 방법 중 어느 하나 를 이용 하 여 형성 한다 . 상기 완충 층 은 50 ~ 1500 Å 범위 에서 단일 층 또는 다 중층 으로 형성 되 며 , 상기 완충 층 은 진공 상태 의 반응 로 내 에서 마그네트론 스퍼터링 에 의해 연속 공정 으로 형성 된다 . 상기 완충 층 은 ( 100 ) 면 으로 성장 된 ( 100 ) 층 과 , 상기 ( 100 ) 면 상 에 ( 002 ) 면 으로 성장 된 ( 002 ) 층 을 포함 한다 .