도 4 a 에 나타난 바 와 같이 , 도 1 a 내지 도 1 c 의 나노 선 전계 효과 트랜지스터 제 조 방법 에 의하 여 나노 선 ( 150 ) 이 전극 ( 140 ) 사이 에 정렬 된 이후 에 나노 선 ( 150 ) 위 에 다시 금속 박막 ( 160 ) 을 증착 시킬 수 있 다 . 일반 적 으로 나노 선 ( 150 ) 이 전극 ( 140 ) 위 에 위치 하 게 되 면 나노 선 ( 150 ) 과 금속 박막 ( 140 ) 사이 에 접촉 저항 이 매우 크 게 된다 . 따라서 전기 적 측정 과 분석 에 매우 불리 하 게 되 므로 나노 선 ( 150 ) 을 정렬 한 다음 그 위 에 금속 박막 ( 160 ) 을 증착 하 는 공정 이 추가 로 실시 될 수 있 다 . 이 경우 , 금속 박막 ( 160 ) 의 증착 은 스퍼터링 ( sputtering ) , 진공 증착 법 ( vacuum evaporation ) 및 이온 플 레이팅 ( ion - plating ) 등 의 방법 을 통하 여 이루어질 수 있 으며 , 일반 적 으로 금속박 막 은 Al , Ti , Nb , Ni , Cr , Au , Pt , Pd 등 의 금속 이 이용 될 수 있 음 은 금속 박막 ( 140 ) 의 증착 과 같 다 .