그리고 p 형 소자 분리 층 ( 도전 층 ) ( 140 A ) 이 제 1 웰 ( 110 ) 및 제 2 웰 ( 120 ) 의 측 벽 에 형성 되 고 , 이 p 형 소자 분리 층 ( 140 A ) 내 에 트랜지스터 ( 130 ) 를 형성 하 는 n ＋ 층 으로 이루어지 는 소스 영역 ( 141 ) , 드레 인 영역 ( 142 ) 이 형성 되 고 , 웰 컨 택트 영역 ( 143 ) 이 소스 영역 ( 141 ) 측 또는 드레 인 영역 ( 142 ) 측 에 형성 된다 . 이 예 에서 는 , 소스 영역 측 에 형성 되 어 있 다 .