계속 해서 , 도 1 의 ( c ) 에 도시 된 바 와 같이 , 염소 ( 104 ) 가 흡착 된 오 목부 ( 103 ) 에 Ru 함유 전구체 를 공급 해서 오 목부 ( 103 ) 에 루테늄 막 ( 105 ) 을 형성 한다 . 이때 , 염소 ( 104 ) 는 , Ru 함유 전구체 의 흡착 을 저해 하 는 흡착 저해 층 으로서 기능 하 기 때문 에 , 오 목부 ( 103 ) 에서 의 염소 ( 104 ) 가 흡착 된 표면 에 는 루테늄 막 ( 105 ) 이 형성 되 기 어렵 다 . 그 때문 에 , 성막 초기 의 단계 에서 는 , 염소 ( 104 ) 가 흡착 되 어 있 지 않 은 오 목부 ( 103 ) 의 측면 ( 103 b ) 의 하부 및 저면 ( 103 c ) 에 루테늄 막 ( 105 ) 이 두껍 게 형성 된다 . 한편 , 염소 ( 104 ) 가 흡착 되 어 있 는 오 목부 ( 103 ) 의 상면 ( 103 a ) 및 측면 ( 103 b ) 의 상부 에 는 루테늄 막 ( 105 ) 은 거의 형성 되 지 않 거나 , 또는 오 목부 ( 103 ) 의 측면 ( 103 b ) 의 하부 및 저면 ( 103 c ) 보다 도 얇 게 형성 된다 . 그 결과 , 오 목부 ( 103 ) 내 에 루테늄 막 ( 105 ) 이 V 자상 으로 형성 된다 . Ru 함유 전구체 는 , 예 를 들 어 도 데카 카르보닐 트리 루테늄 ( Ru 3 ( CO ) 12 ) , η 4 - 2 , 3 - 디 메틸 부타디엔 루테늄 트리 카르보닐 ( Ru ( DMBD ) ( CO ) 3 ) , ( 2 , 4 - dimethylpentadienyl ) ( ethylcyclopentadienyl ) ruthenium ( Ru ( DMPD ) ( EtCp ) ) , bis ( 2 , 4 - dimethylpentadienyl ) ruthenium ( Ru ( DMPD ) 2 ) , 4 - dimethylpentadienyl ( methylcyclopentadienyl ) ruthenium ( Ru ( DMPD ) ( MeCp ) ) , bis ( cyclopentadienyl ) ruthenium ( Ru ( C 5 H 5 ) 2 ) , cis - dicarbonyl bis ( 5 - methylhexane - 2 , 4 - dionate ) ruthenium ( II ) 등 이 다 .