이러 한 구성 을 갖 는 본 실시 형태 에 있 어서 의 반도체 장치 에서 는 , 기판 상방 의 공기 층 ( 굴절 율 은 거의 1 ) 으로부터 조사 된 광이 , 산화물 반도체 층 ( 409 ) 의 채널 부 에 흡수 될 때 까지 , 보호 절 연막 ( 407 ) , 산화물 반도체 층 ( 409 ) , 게이트 절연 층 ( 402 ) , 을 통과 하 고 , 각각 의 계면 에서 복수 회의 반사 를 반복 한다 . 그래서 상기 막 두께 의 구성 으로 함 으로써 , 파장 ( λ 0 ) 의 광 의 반사 율 을 높일 수 있 고 , 그 결과 산화물 반도체 층 ( 409 ) 의 채널 부 에서 흡수 되 는 광 의 양 을 저감 시킬 수 있 다 . 흡수 되 는 광 의 양 이 저감 됨 으로써 광 열화 의 저감 효과 가 얻 어 진다 .