도 8 및 도 12 를 참조 하 면 , 상기 제 2 전극 층 ( 170 ) 이 형성 되 면 , 상기 투명 전극 층 ( 145 ) 및 제 2 전극 층 ( 170 ) 및 비아 홀 ( 125 ) 에 절연 층 ( 150 ) 이 형성 된다 . 이러 한 절연 층 ( 150 ) 은 실리콘 산화물 ( 예 : SiO 2 등 ) , 실리콘 질화물 ( 예 : SixN 등 ) , Ti 산화물 과 같 은 금속 산화물 을 이용 할 수 있 다 .