일부 실시 형태 에서 , 센스 증폭기 ( 120 ) 는 메모리 어레이 ( 110 ) 에 결합 되 고 메모리 어레이 ( 110 ) 의 적어도 하나 의 메모리 셀 에 저장 된 데이터 를 판독 하 여 판독 데이터 ( OUT ) 를 출력 하 도록 구성 된다 . 일부 실시 형태 에서 , 센스 증폭기 ( 120 ) 는 비트 라인 ( BL ( j - 2 ) 내지 BL ( j ) ) 에 전기 적 으로 결합 되 어 그 비트 라인 ( BL ( j - 2 ) 내지 BL ( j ) ) 에 결합 되 는 적어도 하나 의 메모리 셀 에 저장 된 데이터 를 판독 한다 . 예 를 들 어 , 센스 증폭기 ( 120 ) 는 비트 라인 ( BL ( j ) ) 에 결합 되 어 메모리 어레이 ( 110 ) 의 메모리 셀 ( 112 ) 에 저장 된 데이터 를 판독 한다 . 일부 실시 형태 에서 , 메모리 셀 ( 112 ) 의 셀 렉터 엘리먼트 ( 1121 ) 는 증폭 된 데이터 를 생성 한 다음 에 증폭 된 데이터 를 비트 라인 ( BL ( j ) ) 에 출력 하 기 위해 내장 된 증폭 기능 ( 1121 B ) 을 수행 하 도록 구성 된다 . 이 경우 에 , 센스 증폭기 ( 120 ) 는 비트 라인 ( BL ( j ) ) 을 통해 , 셀 렉터 엘리먼트 ( 1121 ) 의 내장 된 증폭 기능 ( 1121 b ) 을 사용 하 여 취득 되 는 증폭 된 데이터 를 수신 한다 . 내장 된 증폭 기능 ( 1121 b ) 에 의해 생성 되 는 증폭 된 데이터 가 판독 동작 에 충분 할 경우 , 센스 증폭기 ( 120 ) 는 외부 의 증폭 기능 을 수행 할 필요 가 없 으며 , 그래서 계산 비용 을 줄일 수 있 다 . 일부 실시 형태 에서 , 센스 증폭기 ( 120 ) 는 비트 라인 ( BL ( j ) ) 으로부터 수신 되 는 증폭 된 데이터 에 대해 외부 의 증폭 기능 을 수행 하 고 , 그럼 으로써 증폭 효과 를 개선 할 수 있 다 .