도 3 를 참조 하 면 , 박막 트랜지스터 의 상부 전면 에 SiO 2 또는 SiNx 와 그 들 의 복수 층 으로 형성 되 는 보호막 ( 160 ) 을 형성 하 고 , 또한 상기 기판 상 의 단차 를 완화 하 기 위하 여 평탄 화 막 ( 미 도시 ) 을 구비 할 수 도 있 는데 , 상기 평탄 화 막 ( 미 도시 ) 은 유기물 로 이루어질 수 있 다 . 상기 보호막 ( 160 ) 을 관통 하 는 비아 홀 ( 171 ) 을 통해서 , 상기 소스 / 드레 인 전극 ( 150 ) 중 어느 하나 와 연결 되 며 , 상기 소스 전극 ( 150 ) 과 드레 인 전극 ( 150 ) 중 어느 하나 의 측면 과 상기 게이트 전극 ( 130 ) 의 측면 사이 의 영역 ( a ) 을 포함 하 는 제 2 차 단막 ( 170 b ) 이 형성 된다 .