EOT 가 1 nm 이하 를 달성 하 기 위해서 는 , 제 1 실시 형태 가 최적 이 지만 , EOT 가 1 nm 보다 큰 경우 에 는 , 제 2 실시 형태 와 같이 , 예 를 들 면 급속 열 산화 법 에 의해 , 1 nm 정도 의 실리콘 산화 막 을 형성 하 고 나 서 , 금속 과 실리콘 으로 이루어진 막 을 형성 하 여 , 산화 전 에 질화 하 는 것 이 바람직 하 다 . 이것 은 실리콘 과 실리콘 산화 막 과 의 양호 한 계면 을 얻 을 수 있 기 때문 이 다 . 즉 , 실리콘 과 열 산화 에 의해 형성 된 실리콘 산화 막 과 의 계면 은 양호 하 다 . 한층 더 , 이 와 같이 형성 된 실리콘 산화 막 은 막 질 도 좋 고 , 치밀 하 며 , 산소 를 통과 시키 기 어렵 기 때문 에 , 1 nm 정도 의 산화 막 의 수 를 증가 시키 는 일 이 없 어 , 실리콘 과 실리콘 산화 막 과 의 계면 은 양호 하 게 유지 된다 .