비휘발성 메모리 장치 들 ( 1100 ) 은 옵션 적 으로 외부 고전압 ( VPP ) 을 제공 받 도록 구현 될 수 있 다 . 비휘발성 메모리 장치 들 ( 1100 ) 은 전술 한 비휘발성 메모리 장치 ( 30 ) 로 구현 될 수 있 다 . 비휘발성 메모리 장치 들 ( 1100 ) 은 전술 한 바 와 같 은 덤프 다운 회로 를 포함 하 고 , 상기 덤프 다운 회로 는 본 발명 의 실시 예 들 에 따른 초기 화 제 어 방법 을 구현 하 기 위하 여 복수 의 메모리 플레인 들 에 각각 전속 한 복수 의 검증 회로 들 을 포함 한다 .