실시 예의 이미지 센서 는 , 픽셀 부 와 주변 부 를 포함 하 며 , 광 감지 소자 ( 20 ) 가 형성 된 반도체 기판 ( 10 ) ; 상기 반도체 기판 ( 10 ) 상 에 형성 된 회로 영역 ( 30 ) ; 상기 회로 영역 ( 30 ) 상 에 형성 되 며 , 상기 픽셀 부 의 금속 배선 ( 57 ) , 상기 주변 부 의 금속 배선 ( 67 ) , 차광막 ( 65 ) 및 트렌치 ( 94 ) 를 포함 하 는 금속 배선 층 ( 110 ) ; 상기 주변 부 의 금속 배선 층 ( 110 ) 상 에 형성 된 소자 보호막 ( 90 ) ; 및 상기 트렌치 ( 94 ) 에 상기 광 감지 소자 ( 20 ) 와 대응 되 는 위치 에 형성 된 마이크 로 렌즈 ( 100 ) 를 포함 한다 .