또한 , 상기 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 트랜지스터 제조 방법 은 , 반도체 기판 상 에 게이트 하부 및 게이트 하부 측벽 의 게이트 하부 스 페이서 를 형성 하 는 단계 ; 상기 게이트 하부 스 페이서 양측 의 상기 반도체 기판 상 에 표면 이 상기 게이트 하부 와 평탄 화 된 식각 정지 막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 게이트 하부 상 에 상 기 게이트 하부 와 중첩 되 는 게이트 상부 를 형성 하 는 단계 ; 상기 식각 정지 막 상 의 상기 게이트 상부 측벽 에 상기 게이트 하부 스 페이서 의 폭 보다 큰 폭 을 갖 는 게이트 상부 스 페이서 를 형성 하 는 단계 ; 및 상기 식각 정지 막 을 제거 하 는 단계 를 포함 한다 .