도 2 에 도시 한 바 와 같이 , 박막 트랜지스터 ( 5 ) 의 게이트 전극 ( 12 ) 은 지지 기판 ( 3 ) 상 에 섬 형상 으로 형성 되 어 있 다 . 이 게이트 전극 ( 12 ) 을 포함 하 는 지기 기판 ( 3 ) 상 에 는 절 연막 ( 21 ) 이 적층 되 어 형성 되 어 있 다 . 상기 절 연막 ( 2 ) 은 각 게이트 전극 ( 12 ) 을 덮 고 있 다 . 또한 , 상기 절 연막 ( 21 ) 상 에 는 섬 형상 의 복수 의 반절 연막 ( 22 ) 이 적층 되 어 형성 되 어 있 다 . 이 들 반절 연막 ( 22 ) 은 반도체 로 구성 되 어 있 고 , 박막 트랜지스터 ( 5 ) 의 채널 영역 으로서 기능 한다 . 그리고 , 이 들 각 반절 연막 ( 22 ) 은 각 게이트 전극 ( 12 ) 에 대향 하 여 설치 되 어 있 고 , 이 들 각 게이트 전극 ( 12 ) 을 덮 고 있 다 . 즉 , 이 들 각 반절 연막 ( 22 ) 은 각 게이트 전극 ( 12 ) 상 에 절 연막 ( 21 ) 을 통해 설치 되 어 있 다 .