이어서 , PMOS 지역 과 NMOS 지역 의 실리콘 기판 ( 21 ) 내 에 각각 이온 주입 을 진행 하 여 접합 층 ( Junction ) ( 25 A , 25 B ) 을 형성 한다 . 이때 , PMOS 지역 에 형성 되 는 접합 층 ( P +, 25 A ) 은 고농도 의 P 형 불순물 이 이온 주입 된 접합 이 고 , NMOS 지역 에 형성 되 는 접합 층 ( N +, 25 B ) 은 고농도 의 N 형 불순물 이 이온 주입 된 접합 이 다 . 여기 서 , 고농도 라 함 은 1 × 1019 atoms / cm 3 이상 이 고 , P 형 불순물 은 11 B 또는 49 BF 2 를 이용 하 여 주입 하 며 , N 형 불순물 은 인 ( Ph ) 또는 비소 ( As ) 이 다 .