여기 에서 , 이 반도체 웨이퍼 ( 3 ) 의 승 온 처리 는 전술 한 바 와 같이 단시간 에 행하 는 것 이 바람직 하 고 , 이 반도체 웨이퍼 ( 3 ) 로 의 승 온 시간 이나 처리 온도 는 , 이 반도체 웨이퍼 ( 3 ) 의 종류 나 처리 ( 예 를 들 면 , 표면 으로 의 이온 주입 처리 깊이 나 , 적층 된 박막 으로 의 열 데미지 ) 에 의해 적절히 정해 지 는 것 이 다 .