또한 , 본 실시 예의 발광 장치 ( 1 ) 에서 는 색 변환 층 ( 70 ) 에 있 어서 투광 성 피막 으로 형광체 를 덮 어도 좋 다 . 여기 서 상기 투광 성 피막 은 굴절 율 의 값 이 형광체 의 굴절 율 과 투광 성 재료 ( 예 를 들 면 , 실리콘 수지 등 ) 의 굴절 율 사이 의 재료 ( 예 를 들 면 , SiO 2 등 ) 를 이용 하 는 것 이 바람직 하 다 . 이렇게 하 면 형광체 가 투광 성 재료 에 직접 접하 고 있 을 경우 와 비교 하 여 형광체 와 투광 성 재료 의 사이 에 있 어서 계면 에서 의 반사 율 을 굴절 율 차이 의 감소 에 의해 절감 시킬 수 있 다 . 그러므로 , LED 칩 ( 10 ) 으로부터 방사 되 는 광이 형광체 내부 로 입사 하 는 비율 및 형광체 가 발하 는 광이 형광체 외부 에 방출 하 는 비율 이 증가 한다 . 그 결과 , 색 변환 층 ( 70 ) 의 광 방출 효율 이 향상 되 고 이 로써 발광 장치 ( 1 ) 전체 의 외부 로 의 광 방출 효율 이 향상 되 고 광속 을 더욱 증가 시킬 수 있 다 .