플래시 메모리 에서 는 , 컨트롤 게이트 에 인가 되 는 전위 가 높 기 때문 에 , 그 전위 가 , 인접 하 는 셀 의 플로팅 게이트 에 영향 을 주 지 않 도록 , 셀 과 셀 과 의 간격 을 어느 정도 유지 할 필요 가 생긴다 . 이것 은 , 반도체 장치 의 고집 적 화 를 저해 하 는 요인 중 하나 이 다 . 그리고 , 그 요인 은 , 고전 계 를 가하 여 터널 전류 를 발생 시킨다는 플래시 메모리 의 근본 적 인 원리 에 기인 하 는 것 이 다 .