도 2 를 도 1 과 결부 하 면 , 도 6 에 도시 한 바 와 같이 , 투명 한 하부 기판 ( 31 ) 상 의 일정 영역 에 게이트 배선 ( 도 1 의 22 ) 으로부터 돌출 되 어 형성 되 는 게이트 전극 ( 40 ) 및 게이트 전극 ( 40 ) 과 일정 한 간격 을 갖 는 공통 전극 ( 41 ) 과 , 게이트 전극 ( 40 ) 을 포함 한 하부 기판 ( 31 ) 의 전면 에 SiNx 또는 SiOx 와 같 은 물질 로 형성 되 는 게이트 절 연막 ( 32 ) 과 , 게이트 전극 ( 40 ) 과 대응 되 면서 게이트 절 연막 ( 32 ) 상 에 아일랜드 형태 로 형성 되 는 액티브 층 ( 33 ) 과 , 액티브 층 ( 33 ) 에 일정 부분 이 오버랩 되 면서 데이터 배선 ( 도 1 의 25 ) 으로부터 돌출 되 어 형성 되 는 소오 스 전극 ( 37 ) 과 소오 스 전극 ( 37 ) 과 일정 한 간격 을 갖 고 형성 되 는 드레 인 전극 ( 38 ) 및 화소 전극 ( 39 ) 과 , 하부 기판 ( 31 ) 의 전면 에 SiNx 또는 SiOx 로 이루어진 물질 로 형성 되 는 보호막 ( 34 ) 으로 구성 된다 .