포토 마스크 를 이루 는 물질 , 포토 마스크 세 정후 의 잔존 이온 , 공정 에서 생성 되 는 잔존 이온 , 펠리 클 자체 와 펠리 클 에 사용 되 는 접착제 , 레티 클 물질 의 탈착 , 레티 클 보관함 ( Storage Box ) , 스텝 퍼 ( Stepper ) 및 팹 자체 의 분위기 물질 등 이 모두 포토 마스크 표면 의 헤이즈 의 생성 원인 이 될 수 있 다 . 이 들 잔존 이온 은 처음 에 는 단위 분자 수준 의 파티클 오염 으로 포토 마스크 표면 에 생 성 되 지만 , 노광 에너지 가 증 가하 면서 노광 시 일종 의 광화학 반응 을 일으켜 결정 성장 하 게 되 며 팹 에서 의 사용 횟수 가 늘어나 면서 노광량 축적 에 의해 헤이즈 가 생 성 , 점진 적 성장 을 하 게 된다 . 이렇게 헤이즈 가 생 성 및 성장 하 여 일정 수준 이상 의 크기 와 분포 를 이루 게 되 면 노광 시 투과도 에 영향 을 미쳐 웨이퍼 에 도달 하 는 노광 에너지 의 양 에 변화 가 생기 게 된다 . 이 는 곧 노광 패턴 에 오류 를 일으켜 수율 에 치명 적 인 영향 을 미치 게 된다 .