도 3 a 에서 , 비어 들 ( 72 ) 이 상호 접속 사이트 ( 50 ) 를 노출 시키 도록 보호 층 ( 46 ) 에 예비 - 형성 된다 . 반도체 다이 ( 48 ) 가 아래 로 향하 도록 금속 캐리어 에 장착 되 고 , 패시브 부품 들 ( 52 ) 을 따라서 몰딩 화합물 ( 58 ) 로 캡슐 화 된다 . 금속 캐리어 는 반도체 소 자들 에서 벗겨지 고 절연 층 ( 63 ) 이 접촉 패드 ( 44 ) 및 보호 층 ( 46 ) 상 에 형성 된다 . 도 3 b 에 도시 된 바 와 같이 , 비어 들 ( 74 ) 이 UV 노출 및 현상 과 같 은 포토 패 터닝 공정 을 이용 하 여 절연 층 ( 63 ) 에 만들 어 지 고 , 비어 들 ( 74 ) 을 보호 층 ( 46 ) 의 비어 들 ( 72 ) 과 직접 연결 시킨다 . 절연 층 ( 63 ) 의 비어 들 ( 74 ) 은 보호 층 ( 46 ) 의 비어 들 ( 72 ) 과 전형 적 으로 같 은 크기 또는 그것 보다 크 다 . 비어 들 ( 74 ) 은 상호 접속 사이트 ( 50 ) 를 노출 시키 도록 비어 들 ( 72 ) 과 나란 하 게 정렬 된다 . 전술 한 실시 예 와 같이 , 금속화 RDL 및 추가 적 인 절연 층 들 이 상호 접속 빌드 - 업 공정 에 필요 한 것 으로 형성 되 고 , 최종 적 으로 전기 적 상호 접속 이 형성 되 는데 , 도 2 g - 2 i 를 참조 하 라 .