웨이퍼 ( 12 ) 에 걸친 온도 를 , 웨이퍼 ( 12 ) 에 걸쳐 균일 한 엄격 하 게 ( closely ) 규정 된 온도 로 제어 하 는 것 이 바람직 하 다 . 이 와 관련 하 여 , 반사기 플레이트 ( 28 ) 는 웨이퍼 ( 12 ) 에 평행 하 게 그리고 웨이퍼 ( 12 ) 보다 큰 지역 에 걸쳐 연장 하 고 웨이퍼 ( 12 ) 의 후방 면 과 대면 한다 . 반사기 플레이트 ( 28 ) 는 웨이퍼 ( 12 ) 로부터 방출 되 는 열 복사선 을 웨이퍼 ( 12 ) 를 향해서 다시 효과 적 으로 반사 시킨다 . 웨이퍼 ( 12 ) 와 반사기 플레이트 ( 28 ) 사이 의 간격 은 3 내지 9 mm 범위 이내 일 수 있 고 , 그리고 공동 의 폭 대 두께 의 종횡비 는 바람직 하 게 20 보다 크 다 . 전술 한 바 와 같이 , 알루미늄 으로 제조 되 고 그리고 금 코팅 또는 다중 - 층 유전체 간섭 ( interference ) 거울 을 포함 하 는 반사기 플레이트 ( 28 ) 는 웨이퍼 ( 12 ) 의 후 방부 에서 흑체 공동 을 효과 적 으로 형성 하 고 , 상기 흑체 공동 은 웨이퍼 ( 12 ) 의 보다 고온 인 부분 들 로부터 보다 저온 인 부분 들 로 열 을 분배 하 는 경향 을 가진다 . 예 를 들 어 , 미국 특허 제 6 , 839 , 507 호 및 제 7 , 041 , 931 호 에 개시 된 바 와 같 은 다른 실시 예 들 에서 , 반사기 플레이트 ( 28 ) 는 보다 불 규칙 적 인 표면 을 가질 수 있 고 또는 흑색 또는 다른 채색 된 표면 을 가질 수 있 을 것 이 다 . 반사기 플레이트 ( 28 ) 는 , 특히 냉각 동안 에 , 웨이퍼 로부터 과다 한 복사선 을 히트 싱크 ( heat sink ) 하 기 위해서 금속 으로 제조 된 수 냉 형 베이스 ( 53 ) 상 에서 지지 될 수 있 다 . 따라서 , 처리 챔버 의 프로세스 지역 ( 18 ) 은 2 개 이상 의 실질 적 으로 평행 한 벽 들 을 가지 고 , 그러 한 벽 들 중 제 1 벽 은 석영 과 같이 복사선 에 대해서 투명 한 재료 로 제조 된 윈도우 ( 20 ) 이 고 , 그리고 제 2 벽 / 베이스 ( 53 ) 는 금속 으로 제조 되 고 상기 제 1 벽 에 대해서 실질 적 으로 평행 하 며 그리고 실질 적 으로 투명 하 지 않 다 .