다음 , 도 5 c 에 도시 한 바 와 같이 , 상기 제 2 금속 물질 층 ( 124 ) 위 로 포토레지스트 를 도포 하 여 포토레지스트 층 ( 190 ) 을 형성 하 고 , 빛 을 100 % 투과 시키 는 투과 영역 ( TA ) 과 , 빛 을 100 % 차단 하 는 차단 영역 ( BA ) 및 빛 의 투과 량 을 0 % 내지 100 % 사이 에서 조절 할 수 있 는 반투 과 영역 ( HTA ) 을 포함 하 는 마스크 ( 195 ) 를 상기 포토레지스트 층 ( 190 ) 위 로 위치 시킨 후 , 상기 마스크 ( 195 ) 를 통한 노광 을 실시 한다 .