다음 에 는 , 실리콘 질화 막 ( 120 ) 상부 에 위상 반전 용 식각 층 ( 130 ) 을 형성 한다 . 이때 , 위상 반전 용 식각 층 ( 130 ) 은 원자 층 단위 증착 ( ALD ) 또는 스퍼터링 ( Sputtering ) 방법 을 이용 하 여 형성 한 실리콘 산화 막 ( SiO 2 ) 및 스핀 온 글래스 막 ( Spin - On Glass ) 중 선택 된 어느 하나 인 것 이 바람직 하 다 . 여기 서 , 원자 단위 증착 ( ALD ) 방법 을 이용 하 여 형성 한 실리콘 산화 막 ( SiO 2 ) 은 SiH 4 , Si 2 H 6 , Si ( OC 2 H 5 ) 4 , SiH 2 Cl 2 및 이 들 의 혼합물 중 선택 된 어느 하나 인 실리콘 반응물 과 , O 2 , O 3 , N 2 O 및 이 들 의 혼합물 중 선택 된 어느 하나 인 산소 반응물 을 이용 하 며 , O 2 또는 H 2 플 라즈 마 를 사용 하 는 것 이 바람직 하 다 .