상술 한 바 와 같이 , 본 발명 에 따른 반도체 소자 의 형성 방법 은 층간 절 연막 의 평탄 화 공정 에서 발생 한 스크래치 에 플러그 금속 층 이 매립 되 어 후속 공정 의 금속 배선 을 서로 단락 시키 는 문제 를 해결 하 기 위하 여 , 금속 배선 콘 택 홀 의 상부 에 지부 에 스 페이서 를 형성 한다 . 플러그 금속 층 매립 한 다음 수행 하 는 에치 백 공정 이 후 에 반도체 기판 전면 에 스 페이서 물질 층 을 형성 한 후 이방성 식각 공정 을 수행 함 으로써 자연 스럽 게 금속 배선 콘 택 홀 의 상부 에 지부 에 스 페이서 가 형성 되 도록 한다 .