도 10 을 참조 하 면 , 제 1 방향 , 예컨대 , X 축 방향 으로 상호 나란히 형성 된 복수 의 제 1 배선 ( W 1 ) 이 구비 될 수 있 다 . 제 1 배선 ( W 1 ) 과 교차 하 는 방향 , 예컨대 , Y 축 방향 으로 형성 된 복수 의 제 2 배선 ( W 2 ) 이 구비 될 수 있 다 . 제 1 배선 ( W 1 ) 및 제 2 배선 ( W 2 ) 의 교차점 에 제 1 적층 구조물 ( 제 1 메모리 셀 ) ( SS 1 ) 이 구비 될 수 있 다 . 제 1 적층 구조물 ( SS 1 ) 은 제 1 배선 ( W 1 ) 상 에 차례 로 적층 된 제 1 버퍼 층 ( B 1 ) , 제 1 메모리 층 ( M 1 ) , 제 1 중간 전극 ( N 1 ) 및 제 1 스위칭 요소 ( S 1 ) 를 포함 할 수 있 다 . 제 1 적층 구조물 ( SS 1 ) 에서 제 1 중간 전극 ( N 1 ) 을 기준 으로 하부 구조 ( 즉 , B 1 + M 1 ) 와 상부 구조 ( 즉 , S 1 ) 의 위치 는 서로 바뀔 수 있 다 . 제 1 버퍼 층 ( B 1 ) 및 제 1 메모리 층 ( M 1 ) 은 각각 도 1 의 버퍼 층 ( B 1 ) 및 메모리 층 ( M 1 ) 에 대응 될 수 있 다 . 제 1 스위칭 요소 ( S 1 ) 는 양방향 다이오드 ( two - way diode ) , 문턱 스위칭 소자 ( threshold switching device ) 또는 바리스 터 ( varistor ) 등 으로 형성 할 수 있 다 . 제 1 스위칭 요소 ( S 1 ) 가 양방향 다이오드 인 경우 , 상기 양방향 다이오드 는 산화물 다이오드 일 수 있 다 . 실리콘 다이오드 의 경우 , 800 ℃ 정도 의 고온 공정 으로 형성 해야 하 므로 , 기판 을 선택 하 는 데 제약 이 있 고 , 고온 공정 에 따른 다양 한 문제 들 이 발생 할 가능 성 이 있 다 . 따라서 상온 에서 용이 하 게 형성 되 는 산화물 층 으로 제 1 스위칭 요소 ( S 1 ) 를 구성 할 때 , 다양 한 이점 을 기할 수 있 다 . 그러나 본 발명 에서 제 1 스위칭 요소 ( S 1 ) 의 물질 로 실리콘 을 배제 하 는 것 은 아니 다 . 경우 에 따라 , 제 1 스위칭 요소 ( S 1 ) 는 실리콘 이나 그 밖 의 다양 한 다른 물질 로 구성 될 수 도 있 다 . 제 1 배선 ( W 1 ) 및 제 1 중간 전극 ( N 1 ) 은 각각 도 1 의 제 1 전극 ( E 1 ) 과 제 2 전극 ( E 2 ) 에 대응 될 수 있 다 . 따라서 , 제 1 배선 ( W 1 ) 은 , 예컨대 , W , Ni , Al , Ti , Ta , TiN , TiW , TaN , IZO , ITO , IrO 2 , Ir , Ru , Pd , Au 및 Pt 로 구성 된 그룹 에서 선택 되 는 적어도 하나 를 포함 할 수 있 고 , 제 1 중간 전극 ( N 1 ) 은 , 예컨대 , IrO 2 , Ir , Ru , Pd , Au 및 Pt 로 구성 된 그룹 에서 선택 되 는 적어도 하나 를 포함 할 수 있 다 . 제 2 배선 ( W 2 ) 은 제 1 배선 ( W 1 ) 과 동일 한 물질 로 형성 될 수 있 지만 , 경우 에 따라서 는 그렇 지 않 을 수 도 있 다 .