절연 물질 ( 15 A ) 은 분리 트렌치 ( 13 T ) 를 채우 면서 하드 마스크 층 ( 14 ) 을 커버링 하 도록 형성 될 수 있 다 . 후속 하 여 , 절연 물질 ( 15 A ) 은 제 1 반도체 필라 ( 13 N ) 의 상부 표면 이 노출 되 도록 평탄 화 될 수 있 다 . 절연 물질 ( 15 A ) 의 평탄 화 는 화학 적 기계 적 연마 ( CMP ) 에 의해 수행 될 수 있 다 . 절연 물질 ( 15 A ) 의 평탄 화 에 의해 제 1 분리 층 ( 15 ) 이 형성 될 수 있 다 .