본 발명 은 상기 한 종래 기술 의 문제점 을 해결 하 기 위해 제안 된 것 으로 , 플라 즈 마 도핑 시 보론 의 아웃 디 퓨전 을 방지 할 수 있 는 반도체 소자 의 제조 방법 을 제공 하 는데 그 목적 이 있 다 . 또한 , 이온 주입 후 활성 화 어 닐 에 의해 폴리 실리콘 이 결정 질 로 바뀌 어 식각 프로파일 불량 을 초래 하 는 것 을 방지 하 기 위한 반도체 소자 의 제조 방법 을 제공 하 는데 그 목적 이 있 다 .