본 실시 예 에 따른 NOR 형 플래시 기억 소자 는 전류 를 흐르 게 하 는 캐리어 의 종류 에 따라서 N 형 과 P 형 으로 나눌 수 있 는데 , 각각 전자 와 홀 이 전류 를 흐르 게 하 는 캐리어 가 된다 . N 형 의 경우 에 는 기판 ( 10 ) 은 P 형 을 사용 하 며 , 소스 ( 12 ) 및 드레 인 ( 14 ) 영역 은 인 ( P ) 이나 비소 ( As ) 을 주입 하 여 N 형 을 형성 한 N ( 소스 ) - P ( 채널 ) - N ( 드레 인 ) 구조 를 사용 할 수 있 다 . P 형 의 경우 에 는 N 형 기판 ( 10 ) 을 사용 하 며 , 소스 ( 12 ) 및 드레 인 ( 14 ) 영역 은 붕소 ( B ) 나 BF 2 를 주입 하 여 P 형 으로 형성 한 P - N - P 구조 를 사용 할 수 있 다 .