다음 으로 , 포토 리소그래피 및 건식 에칭 에 의해 , 캡 층 ( 50 ) , 자유 자화 층 ( 48 ) , 터널 절 연막 ( 46 ) , 고정 자화 층 ( 44 ) , 반강자성 층 ( 42 ) 및 하부 전극 층 ( 40 ) 을 패 터닝 하 고 , 기입 워드 선 ( 38 ) 에 접속 된 MTJ 소자 ( 52 ) 를 형성 한다 ( 도 3 , 도 16 의 ( b ) ) . 여기 서 , 캡 층 ( 50 ) 및 하부 전극 층 ( 40 ) 의 패 터닝 에 는 예 를 들 어 , Cl 2 / Ar 계 의 에칭 가스 를 사용 하 고 , 자유 자화 층 ( 48 ) , 터널 절 연막 ( 46 ) , 고정 자화 층 ( 44 ) 및 반강자성 층 ( 42 ) 의 패 터닝 에 는 예 를 들 어 , CO / NH 3 계 의 에칭 가스 를 사용 한다 .