구동 부 의 박막 트랜지스터 ( Qd ) 의 채널 은 다 결정 규소 에 형성 되 므로 높 은 전 하 이동도 ( carrier mobility ) 및 안정 성 ( stability ) 을 확보 할 수 있 다 . 또한 구 동시 반복 적 인 양 ( positive ) 전압 의 인가 에 의해 발생 하 는 게이트 바이어스 및 열 에 의한 스트레스 를 받 더라도 트랜지스터 의 열화 가 적 고 , 이 에 따라 문턱 전압 ( threshold voltage , Vth ) 을 균일 하 게 유지 함 으로써 잔상 ( image sticking ) 및 수명 단축 을 방지 할 수 있 다 .