일부 실시 예 에서 , 반도체 소자 ( 100 ) 는 소자 분리 층 ( 13 ) 을 더 포함 할 수 있 다 . 소자 분리 층 ( 13 ) 은 기판 ( 10 ) 내 또는 상 에 형성 될 수 있 다 . 소자 분리 층 ( 13 ) 은 예 를 들 어 실리콘 산화물 , 실리콘 질화물 , 또는 이 들 의 조합 을 포함 할 수 있 으나 , 이 에 제한 되 지 않 는다 . 소자 분리 층 ( 13 ) 은 단일 층 또는 다중 층 일 수 있 다 .