실시 형태 1 에서 설명 한 n 채널 형 트랜지스터 및 p 채널 형 트랜지스터 로서 , 여러 가지 의 형태 의 전계 효과 트랜지스터 를 사용 할 수 있 다 . 따라서 , 사용 하 는 트랜지스터 의 종류 에 한정 은 없 다 . 예 를 들 면 , 비정질 실리콘 , 다 결정 실리콘 , 미결정 실리콘 등 으로 대표 되 는 비단 결정 반도체 막 을 갖 는 박막 트랜지스터 ( TFT ) 등 을 사용 할 수 있 다 . TFT 를 사용 하 는 경우 , 여러 가지 의 메리트 가 있 다 . 예 를 들 면 , 단결정 실리콘 의 경우 보다 도 낮 은 온도 로 제조 할 수 있 기 때문 에 , 제조 비용 의 삭감 , 또는 제조 장치 의 대형 화 를 도모 할 수 있 다 . 제조 장치 를 크 게 할 수 있 기 때문 에 , 대형 기판 위 에 제조 할 수 있 다 . 이 때문 에 , 동시 에 많 은 개수 의 광전 변환 장치 를 제조 할 수 있 기 때문 에 , 저 비용 으로 제조 할 수 있 다 . 또 , 제조 온도 가 낮 기 때문 에 , 내열성 이 약한 기판 을 사용 할 수 있 다 . 이 때문 에 , 투광 성 기판 위 에 트랜지스터 를 제조 할 수 있 다 . 그리고 , 투광 성 기판 위 의 트랜지스터 를 사용 하 여 광전 변환 소자 에서 의 광 의 투과 를 제어 할 수 있 다 .