도 1 f 를 참조 하 면 , 상기 제 2 감광막 패턴 ( 110 ) 을 식각 마스크 로 이용하 여 , 상기 LTO ( 109 ) , TEOS ( 102 ) 및 TiN 막 ( 101 ) 을 식각 하 여 상기 패드 금속 ( 100 ) 의 일부 를 노출 시킨다 . 이어서 , O 2 에 슁 공정 등 을 통해 상기 제 2 감광막 패턴 ( 110 ) 을 제거 한 다음 , 그 로부터 얻 어 지 는 결과물 에 세정 공정 을 수행 한다 .