화소 전극 ( 230 ) 은 투과율 향상 을 위하 여 게이트 라인 ( GL ) 의 배열 방향 을 따라 지그재그 형태 로 형성 될 수 있 다 . 이 에 따라 , 화소 전극 ( 230 ) 은 데이터 라인 ( DL ) 과 중첩 되 게 형성 된다 . 한편 , 화소 전극 ( 230 ) 은 보호막 ( 270 ) 및 게이트 절 연막 ( 211 ) 을 사이 에 두 고 스토리지 배선 ( SL ) 과 대향 하 여 스토리지 커패시터 ( Cst ) 를 형성 한다 .