( 4 ) 식각 : ICP 식각 기술 을 사용 하 여 절차 ( 3 ) 의 사파이어 기판 을 식각 시키 고 , 그 중 BCl 3 / Cl 2 혹은 Ar / Cl 2 플 라즈 마 를 선택 하 여 , 기판 을 식각 시킨 후 , 기판 상 에 직경 1 ~ 10 미크론 ( Micron ) 의 원기둥체 를 배치 시키 는데 , 이 때 원기둥체 의 높이 는 0 . 5 ~ 3 미크론 이 며 , 식각 후 사파이어 기판 의 두께 는 0 . 6 ~ 1 . 0 μ m 이 다 .