또한 , 이 제 3 실시 예 에서 도 , 기준 용 칩 의 PI 막 형성 에 사용 하 는 레티 클 에 는 , 상기 제 1 실시 예 와 동일 하 게 , 도 14 및 도 15 에 나타낸 바 와 같 은 것 을 사용 할 수 있 고 , 또한 그 레티 클 에 는 L / S 패턴 이외 의 패턴 등 을 사용 하 는 것 도 가능 하 다 . 또한 , 상기 제 1 실시 예 와 동일 하 게 , 기준 용 칩 은 웨이퍼 위 의 어느 영역 에 형성 되 어 있 어도 상관없 고 , 복수 개소 의 노광 샷 영역 에 형성 되 어 있 어도 상관없 다 . 또한 , 여기 서 설명 한 웨이퍼 형성 플로 는 사용 하 는 화상 인식 처리 장치 의 시야 내 에 들어가 는 사이즈 의 칩 을 형성 하 는 경우 에 적용 할 수 있 다 .