다음 , 도 2 h 에 도시 된 것 과 같이 , 상기 시드 금속 층 ( 112 ) 상 에 회로 층 ( 114 ) 을 형성 한다 . 상기 회로 층 ( 114 ) 은 진공 증착 , 스퍼터링 등 의 박막 증착 공정 을 사용 할 수 도 있 으나 전해 도금 에 의해 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 일반 적 으로 전해 도금 에 의한 박막 형성 은 PVD ( Physical Vapor Deposition ) 나 CVD ( Chemical Vapor Depostition ) 보다 박막 형성 속도 가 빠르 고 저온 에서 도 수행 될 수 있 는 장점 이 있 으며 , 종횡비 가 높 은 비 아홀 ( 또는 트렌치 ) 에서 도 막 형성 이 용이 한 장점 이 있 다 . 회로 층 ( 114 ) 은 구리 , 니켈 , 금 을 순차 적 으로 적층 한 금속 층 이 바람직 하 나 본 발명 이 이 에 제한 되 는 것 은 아니 다 . 전해 구리도금 의 일 실시 예 를 들 면 , 구리 이온 소스 , 전기 전도 성 을 조절 하 는 황산 ( H 2 SO 4 ) , 환원 반응 을 조절 하 는 염산 ( HCl ) 을 포함 하 는 수용액 을 들 수 있 으며 그 밖 에 첨가제 를 더 포함 할 수 있 다 . 즉 , 황산 ( H 2 SO 4 ) 과 물 속 에 구리 이온 소스 로 CuSO 4 를 넣 으면 CuSO 4 는 Cu 2 + 이온 과 SO 4 2 - 이온 으로 분해 되 며 , 시드 금속 층 ( 112 ) 에 음극 을 연결 하 고 도금 조 에 담그 면 시드 금속 층 이 종자 층 이 되 어 구리 ( 층 ) 가 생성 된다 . 전해 도금 에 의해 니켈 층 을 형성 하 는 방법 에 제한 이 있 는 것 은 아니 나 일례 를 들 면 , NiSO 4 ? 6 H 2 O 120 ~ 230 g / L , NiCL 2 5 ~ 35 g / L , H 3 PO 4 5 ~ 35 g / L 를 포함 하 는 수용액 또는 NiSO 4 ? 6 H 2 O 120 ~ 230 g / L , Na 4 Cl 10 ~ 30 g / L , ZnSO 4 ? 7 H 2 O 20 ~ 50 g / L 를 포함 하 는 수용액 일 수 있 으며 , 25 ~ 50 ℃ 의 수용액 온도 , pH 4 ~ 7 의 조건 에서 니켈 층 을 형성 할 수 있 으나 본 발명 이 이 에 제한 되 는 것 은 아니 다 .