도 2 d 를 참조 하 면 , 상기 PMOS 형성 영역 에 형성 된 희생 산화 막 상 의 감광막 패턴 을 O 2 플 라즈 마 를 사용 하 여 제거 한다 . 이때 , 상기 감광막 패턴 제거 시 상기 NMOS 형성 영역 에 형성 된 희생 산화 막 이 제거 되 어 노출 된 비정질 탄소막 도 함께 제거 된다 . 다시 말 하 면 , 상기 감광막 패턴 의 제거 를 O 2 플 라즈 마 를 사용 하 여 수행 하 게 되 면 O 2 플 라즈 마가 비정질 탄소막 의 탄소 와 반응 하 므로 상기 감광막 패턴 제거 시 비정질 탄소막 도 동시 에 제거 된다 .