도 2 에 도시 된 바 와 같이 , 메모리 장치 ( 210 ) 는 메모리 셀 의 다수 의 물리 블록 { 260 - 1 ( 블록 1 ) , 260 - 2 ( 블록 2 ) , . . . , 260 - M ( 블록 M ) } 을 포함 할 수 있 다 . 도 2 에 제시 된 구체 예 에서 , " 표시 "" M "" 은 메모리 장치 ( 210 ) 가 다수 의 물리 블록 을 포함 할 수 있 음 을 나타내 기 위하 여 사용 된다 . 실시 예 로서 ", 메모리 장치 ( 210 ) 내 물리 블록 의 수 는 128 블록 , 4 , 096 블록 , 또는 32 , 768 블록 일 수 있 으나 , 구체 예 는 메모리 장치 내 특정 수 또는 다수 의 물리 블록 에 제한 되 지 않 는다 . 도 2 에 도시 된 구체 예 에서 , 메모리 장치 ( 210 ) 는 예 를 들 어 NAND 플래시 메모리 장치 ( 210 ) 일 수 있 으며 , 이 에 따라 , 예 를 들 어 , 각각 의 물리 블록 ( 260 - 1 , 260 - 2 , . . . , 260 - M ) 내 메모리 셀 이 유닛 으로서 함께 소거 될 수 있 는데 , 예컨대 , 각각 의 물리 블록 내 소자 ( cell ) 는 실질 적 으로 동시 적 인 방식 으로 소거 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 각각 의 물리 블록 내 소자 ( cell ) 는 단일 소거 동작 에서 함께 소거 될 수 있 다 .