13 . 반응 챔버 내 의 온도 를 1100 ℃ 로 유지 시키 고 , 압력 을 200 mbar 로 유지 시키 며 , 반응 챔버 내부 로 수소 가스 , 트리 메틸 갈륨 （ 50 mL / min ）, 트리 메틸 알루미늄 （ 60 mL / min ） 및 암모니아 가스 를 유입 시키 고 , 비스 사이클 로 팬 타 디 에 닐 마그네슘 ( Cp 2 Mg ) 를 도핑 하 여 , 두께 가 약 6 nm 인 한 층 의 P 형 AlvGa 1 - vN 층 을 생성 하 되 , 여기 서 v = 0 . 32 %, Mg 의 도핑 농도 는 2 × 1019 cm - 3 이 고 ;