게이트 유전 막 ( 150 ) 이 반도체 영역 ( 130 ) 과 게이트 전극 들 ( 160 ) 사이 에 배치 될 수 있 다 . 상기 게이트 유전 막 ( 150 ) 은 게이트 전극 들 ( 160 ) 의 상면 과 하면 을 덮 도록 배치 될 수 있 다 . 또한 , 반도체 영역 ( 130 ) 과 접촉 되 지 않 은 층간 절 연막 들 ( 120 ) 의 일 측면 을 덮 도록 배치 될 수 있 다 .