발광 부 ( 50 D ) 에 상기 와 같 은 각도 조정 이 행해진 경우 , 내 벽면 반사광 ( Lc ) 의 광축 ( Oc ) 의 중심부 는 , 상기 와 같 은 각도 조정 이 행해 지 지 않 았 던 경우 와 동일 한 광량 으로 , 촬상부 ( 52 ) 를 향하 는 ( 입사 하 는 ) 일 이 없 다 . 이 와 같이 , 발광 부 ( 50 D ) 및 촬상부 ( 52 ) 는 , 내 벽면 반사광 ( Lc ) 의 광축 ( Oc ) 의 중심부 가 촬상부 ( 52 ) 로 향하 지 않 도록 , 조정 되 어 있 다 . 또한 , 발광 부 ( 50 D ) 로부터 조사 된 광 ( La ) 의 광축 ( Oa ) 은 , 1 또는 복수 의 반도체 웨이퍼 ( W ) 에서 반사 하 면서 ( 간접 적 으로 ) , 또는 직접 , 개구부 ( 15 ) 를 향한다 . 또 , 제 1 내 벽면 ( 31 ) 에서 반사 된 내 벽면 반사광 ( Lc ) 은 , 간접 적 으로 , 또는 직접 , 개구부 ( 15 ) 를 향해 나아간다 .