제 2 게이트 전극 ( 410 _ 1 ) 은 제 8 컨 택 홀 ( CT 8 ) 을 통해 제 2 차 광층 ( 460 _ 1 ) 과 접촉 될 수 있 다 . 제 8 컨 택 홀 ( CT 8 ) 은 제 1 게이트 절 연막 ( 130 ) , 제 2 게이트 절 연막 ( 140 ) 및 버퍼 막 ( 120 ) 을 관통 하 여 제 2 차 광층 ( 460 _ 1 ) 을 노출 하 도록 형성 될 수 있 다 . 이 경우 , 제 2 활성 층 ( 450 _ 1 ) 의 하부 에 배치 된 제 2 차 광층 ( 460 _ 1 ) 과 제 2 게이트 전극 ( 410 _ 1 ) 은 동일 한 전압 을 갖 게 된다 . 즉 , 제 2 게이트 전극 ( 410 _ 1 ) 은 상부 게이트 전극 으로 역할 을 하 고 , 제 2 차 광층 ( 460 _ 1 ) 은 하부 게이트 전극 으로 역할 을 할 수 있 다 . 따라서 , 스위칭 트랜지스터 인 제 1 스위칭 트랜지스터 ( SCT _ 1 ) 는 더블 게이트 방식 으로 구동 될 수 있 으므로 , 제 1 스위칭 트랜지스터 ( SCT _ 1 ) 의 오프 시 에 제 1 스위칭 트랜지스터 ( SCT _ 1 ) 의 제 2 활성 층 ( 450 _ 1 ) 의 채널 영역 ( 450 c _ 1 ) 에 누설 전류 가 흐르 는 것 을 방지 하 거나 줄일 수 있 다 .