다음 으로 , 도 9 p 에 나타낸 바 와 같이 고밀도 플라 즈 마 CVD 법 에 의해 전체 면 에 실리콘 산화 막 ( 165 ) 을 형성 하 고 , 그 표면 을 평탄 화 한다 . 그 후 , 실리콘 산화 막 ( 165 ) 위 , 소정 의 위치 에 개구부 를 갖 는 레지스 트 패턴 ( 198 ) 을 형성 한다 . 그리고 , 레지스 트 패턴 ( 198 ) 을 마스크 로 하 여 실리콘 산화 막 ( 165 ) 등 의 에칭 을 행함 으로써 , 콘택트 플러그 ( 152 s ) 까지 도달 하 는 콘택트 홀 ( 166 s ) 을 형성 한다 .