도 16 , 17 a 및 17 b 를 참조 하 면 , 제 1 층간 절 연막 ( 250 ) 상 에 제 4 포토레지스트 패턴 ( 도시 되 지 않 음 ) 을 형성 하 고 , 이 를 식각 마스크 로 사용 하 는 식각 공정 을 통해 제 1 층간 절 연막 ( 250 ) , 제 2 블로킹 패턴 ( 285 ) , 제 1 게이트 전극 들 ( 292 ) , 및 제 1 게이트 전극 ( 292 ) 의 상하부 에 각각 형성 된 절연 패턴 ( 115 ) 들 을 상기 제 1 방향 으로 관통 하 며 최상층 에 형성 된 연결 패턴 ( 145 ) 의 상면 을 노출 시키 는 제 2 개 구 ( 320 ) 를 형성 할 수 있 다 .