반도체 소자 의 제조 방법 은 , 셀 영역 및 주변 회로 영역 으로 구획 되 고 , 상기 셀 영역 에 실린더 형 캐 패 시터 가 형성 된 반도체 기판 상 에 산화 막 재질 의 층간 절 연막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 층간 절 연막 상 에 포토레지스트 를 도포 하 고 리플 로우 ( Reflow ) 공정 을 진행 하 는 단계 ; 상기 포토레지스트 및 셀 영역 의 층간 절 연막 내 에 N 형 불순물 이온 주입 을 수행 하 는 단계 ; 상기 포토레지스트 를 제거 하 는 단계 ; 및 상기 층간 절 연막 을 CMP 하 는 단계 ; 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .