또 , 3 층 레지스 트 법 보다 도 공 정수 가 적 다는 점 으로 뛰어난 2 층 레지스 트 법 도 제안 되 고 있 다 . 2 층 레지스 트 법 에서 는 기판 위 에 3 층 레지스 트 법 과 마찬가지 로 하 여 하 층막 을 설치 한 후 , 그 의 상층 에 실리콘 함유 폴리머 를 함유 하 는 포토레지스트 막 을 설치 하 고 , 통상 의 포 토리 소그라 피 기술 에 의해 레지스 트 패턴 을 형성 하 고 , 그 레지스 트 패턴 을 마스크 로 해서 산소 플 라즈 마 에 의한 에칭 을 실시 해 하층 막 에 레지스 트 패턴 을 전사 한다 . 그리고 , 그 레지스 트 패턴 을 마스크 로 해서 불화 탄소 계 가스 등 에 의한 에칭 을 실시 해 기판 위 에 패턴 을 형성 한다 ( 비 특허 문헌 1 ) .