일반 적 인 코팅 기술 뿐 아니 라 반도체 공정 에서 화학 증착 공정 ( CVD ; Chemical Vapor Deposition ) 의 중요 성 은 점점 증대 하 고 있 다 . 특히 반도체 회로 의 선폭 이 감소 함 에 따라 기존 의 물리 적 증착 공정 ( PVD ; Physical Vapor Deposition ) 의 한계 로 층 덮 힘 ( step coverage ) 특성 이 우수 하 고 , 농도 와 두께 의 조절 이 용이 한 화학 전구체 를 사용 하 는 화학 증착 공정 에 대한 관심 이 증대 되 고 있 다 . 일 예 로 Ti 를 이용 한 실리콘 과 금속 배선 의 오 믹 층 ( Ohmic layer ) 형성 , Al 과 Si 사이 의 배리어 ( barrier layer ) 형성 , 캐 패 시터 ( capacitor ) 의 전극 , Al 금속 배선 , W 비트 배선 ( bit line ) 등 에 화학 증착 공정 이 사용 되 고 있 으며 , 화학 증착 공정 과 더불 어 층 덮 힘 특성 이 보다 뛰어나 고 저온 공정 이 가능 한 원자 층 증착 ( ALD ; Atomic Layer Deposition ) 공정 도 많이 사용 되 고 있 다 .