그러나 , 셀 영역 에 리세 스 게이트 를 형성 하 는 구조 가 도입 됨 에 따라 , 기존 의 이온 주입 공정 으로 는 게이트 용 폴리 실리콘 의 리세 스 게이트 영역 까지 충분 하 고 , 균일 하 게 도핑 시키 는 데 한계 를 갖 게 되 었 다 . 이 에 , 인 ( P ) 이 도핑 된 폴리 실리콘 게이 트 를 형성 한 후 , 선택 적 으로 PMOS 영역 에 만 카운터 도핑 ( Counter Doping ) 을 수행 하 는 변형 된 듀얼 폴리 게이트 공정 을 사용 하 게 되 었 다 . 여기 서 , PMOS 영역 에서 의 N 형 폴리 실리콘 막 을 P 형 폴리 실리콘 막 으로 변경 시키 기 위해서 , 종래 에 는 5 KeV 미만 의 낮 은 에너지 및 1 . 5 × 1016 이온 / ㎠ 이상 도우즈 로 이온 주입 을 수행 하 고 있 다 .