도 1 내지 도 3 을 참조 하 면 , 본 발명 의 몇몇 실시 예 에 따른 반도체 장치 는 기판 ( 100 ) , 소자 분리 막 ( 110 ) , 워드 라인 ( WL ) , 비트 라인 구 조체 ( 120 ) , 비트 라인 컨 택 ( 121 ) , 절연 패턴 ( 126 ) , 스토리지 컨 택 구조 체 ( 130 ) , 스 페이서 구조 체 ( 140 ) , 층간 절 연막 ( 150 ) 및 커패시터 ( 160 ) 를 포함 한다 .