도 14 를 참조 하 여 , 화학 적 기계 적 연마 ( CMP ) 또는 에치 백 공정 같 은 평탄 화 공정 을 진행 하 여 2 차 개구부 ( 75 ) 밖 의 상변화 물질 을 제거 하 여 2 차 개구부 ( 75 ) 내 에 한정 된 상변화 물질 ( 113 ) 을 형성 한다 . 상변화 물질 막 ( 110 ) 의 일부분 을 제거 하 기 위한 에치 백 공정 으로서 예 를 들 어 헬륨 , 네온 , 아르곤 , 크립톤 , 크세논 등 의 불활성 기체 의 플라스마 혹은 이온 빔 을 사용 하 는 건식 식각 공정 이 적용 될 수 있 다 . 상변화 물질 막 ( 110 ) 에 대한 CMP 공정 은 예 를 들 어 제 1 절 연막 ( 60 ) 및 제 2 절 연막 ( 103 ) 에 대해서 높 은 선택 비 를 가지 면서 2 차 개구부 ( 75 ) 밖 의 얇 은 상변화 물질 막 ( 110 ) 을 제거 할 수 있 다 .