본 발명 의 실시 예 들 에 따라 제 1 패턴 ( 104 ) 및 제 2 패턴 ( 106 ) 을 형성 하 는 공정 에 있 어서 , 우선 패드 산화 막 ( 102 ) 상 에 질화물 을 포함 하 는 박막 ( 도시 되 지 않 음 ) 을 형성 한 후 , 상기 박막 상 에 비정질 탄소막 ( amorphous carbon layer ) ( 도시 되 지 않 음 ) 및 유기 반사 방지 막 ( anti - reflection layer ) ( 도시 되 지 않 음 ) 을 순차 적 으로 형성 한다 . 상기 비정질 탄소막 및 상기 유기 반사 방지 막 은 이후 수행 되 는 사진 공정 에서 난반사 에 의해 포토레지스트 패턴 들 ( 도시 되 지 않 음 ) 측벽 프로파일 ( profile ) 이 불량 해 지 는 것 을 방지 하 기 위하 여 제공 된다 . 상기 유기 반사 방지 막 상 에 상기 제 1 폭 으로 이격 된 제 1 포토레지스트 패턴 들 ( 도시 되 지 않 음 ) 및 상기 제 2 폭 으로 이격 된 제 2 포토레지스트 패턴 들 ( 도시 되 지 않 음 ) 을 형성 한다 . 상기 제 1 및 제 2 포토레지스트 패턴 들 을 식각 마스크 들 로 이용 하 여 상기 유기 반사 방지 막 , 상기 비정질 탄소막 및 상기 박막 을 식각 하 여 , 패드 산화 막 ( 102 ) 상 에 제 1 패턴 들 ( 104 ) , 제 2 패턴 들 ( 106 ) , 유기 반사 방지 막 패턴 ( 도시 되 지 않 음 ) , 및 비정질 탄소막 패턴 ( 도시 되 지 않 음 ) 을 순차 적 으로 형성 한다 . 제 1 패턴 들 ( 104 ) 및 제 2 패턴 들 ( 106 ) 을 형성 한 후 , 상기 유기 반사 방지 막 패턴 , 상기 비정질 탄소막 패턴 , 상 기 제 1 포토레지스트 패턴 및 상기 제 2 포토레지스트 패턴 을 제거 한다 .