또한 , 전술 한 센싱 회로 ( 30 ) 는 , 표시 영역 A 의 화소 회로 P 가 형성 되 는 동일 한 평면 상 에 형성 되 었 지만 , 표시 영역 A 상 에 다른 기판 으로서 형성 하 고 , 양자 를 접합 시켜 이용 하 여도 된다 . 이 들 의 경우 에 도 , 제 1 제 어선 ( 48 ) 에 의해 기준 용량 소자 ( 56 ) 의 한쪽 의 전극 에 전위 를 공급 하 는 배선 과 , 리세트 트랜지스터 ( 44 ) 의 게이트 에 리세트 신호 RES 를 공급 하 는 배선 을 겸용 함 에 따른 배 선수 의 저감 효과 는 손상 되 는 일 이 없 다 .