도 7 , 8 과 같이 , 산소 를 포함 하 는 가스 를 플 라즈 마 가 아닌 열 로 ( 논 플 라즈 마로 ) 활성 화 하 여 공급 함 으로써 , SiN 층 등 을 SiON 층 으로 개질 하 는 경우 , 제 1 순서 의 스텝 4 및 제 2 순서 의 스텝 3 에서 는 , 제 1 가스 공급 관 ( 232 a ) 의 제 1 밸브 ( 243 a ) 및 가스 배기관 ( 231 ) 의 제 4 밸브 ( 243 d ) 를 모두 개방 하 고 , 제 1 가스 공급 관 ( 232 a ) 으로부터 제 1 매스 플로우 컨트롤러 ( 241 a ) 에 의해 유량 조정 된 NO 가스 를 가스 노즐 ( 233 ) 의 제 2 가스 공급 공 ( 248 b ) 으로부터 버퍼 실 ( 237 ) 내 로 분출 시킨다 . 이 때 , 제 1 막대 형상 전극 ( 269 ) 및 제 2 막대 형상 전극 ( 270 ) 사이 에 는 고주파 전력 을 인가 하 지 않 음 으로써 플 라즈 마는 발생 시키 지 않 고 , NO 가스 를 히터 ( 207 ) 로 가열 된 영역 내 의 열 로 여기 하고 , 활성 종 을 포함 하 는 활성 화 된 가스 로서 제 1 가스 공급 공 ( 248 a ) 으로부터 처리 실 ( 201 ) 내 에 공급 하 면서 가스 배기관 ( 231 ) 으로부터 배기 한다 . NO 가스 를 열 로 여기 함 으로써 활성 종 을 포함 하 는 활성 화 된 가스 로서 흘릴 때 는 , 제 4 밸브 ( 243 d ) 를 적정 하 게 조정 하 여 처리 실 ( 201 ) 내 의 압력 을 , 예 를 들 면 10 ~ 5000 Pa 의 범위 내 의 압력 으로 한다 . 제 1 매스 플로우 컨트롤러 ( 241 a ) 로 제어 하 는 NO 가스 의 공급 유량 은 , 예 를 들 면 100 ~ 10000 sccm 의 범위 내 의 유량 으로 한다 . NO 가스 를 열 로 여기 함 으로써 얻 어 진 활성 종 을 포함 하 는 활성 화 된 가스 에 웨이퍼 ( 200 ) 를 노출 하 는 시간 은 , 예 를 들 면 2 ~ 120 초 사이 의 범위 내 의 시간 으로 한다 . 이 때 의 히터 ( 207 ) 의 온도 는 , HCD 가스 의 공급 시 와 같이 , 웨이퍼 ( 200 ) 의 온도 가 300 ~ 650 ℃ 범위 내 의 온도 로 설정 한다 . NO 가스 는 반응 온도 가 높 고 , 상기 와 같 은 웨이퍼 온도 에서 는 반응 하 기 어렵 기 때문 에 , NO 가스 를 열 로 여기 하 는 경우 는 , 플라 즈 마 여기 하 는 경우 보다 , NO 가스 의 활성 화 량 은 억제 되 고 , 발생 하 는 활성 종 의 양 은 매우 적 게 된다 . 이 에 따라 , SiN 층 등 의 산화 량 을 억제 할 수 있 게 된다 . 한편 , NO 가스 를 열 로 여기 하 는 경우 는 , 플라 즈 마 여기 하 는 경우 보다 처리 실 ( 201 ) 내 의 압력 을 높 게 하 는 것 이 바람직 하 다 .