본 발명 은 후속 공정 에서 텅스텐 막 의 산화 위험 없이 게이트 식각 시 발생 된 손상 을 회복 시킬 수 있 는 텅스텐 게이트 를 구비 한 반도체 소자 의 제조 방법 을 제공 하 기 위한 것 으로 , 본 발명 의 반도체 소자 의 제조 방법 은 기판 상 의 게이트 절 연막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 게이트 절 연막 상 에 폴리 실리콘 막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 폴리 실리콘 막 상 에 오픈 영역 을 갖 는 희생 막 패턴 을 형성 하 는 단계 ; 상기 오픈 영역 의 측벽 에 산화 방지 패턴 을 형성 하 는 단계 ; 상기 오픈 영역 내부 에 텅스텐 막 을 일부 채우 는 단계 ; 상기 텅스텐 막 상 에 상기 오픈 영역 내부 를 채우 는 하드 마스크 막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 희생 막 패턴 을 제거 하 는 단계 ; 및 상기 폴리 실리콘 막 을 식각 하 는 단계 를 포함 하 고 , 상술 한 본 발명 은 텅스텐 막 의 측벽 을 실링 하 는 산화 방지 패턴 을 형성 하 므로써 라이트 산화 공정 을 적용 하 여도 게이트 식각 시 받 은 식각 손상 을 회복 시킬 수 있 다 . 이 로써 선택 적 산화 공정 시 발생 할 수 있 는 웨이퍼 와 챔버 의 오염 을 방지 할 수 있 고 , 손상 된 폴리 실리콘 막 에 대해 충분 한 회복 산화 공정 을 진행할 수 있 어 리 프레시 를 증대 시킬 수 있 다 .