전술 한 바 와 같이 , 처리 챔버 의 프로세스 지역 내 의 웨이퍼 온도 는 복사선 고온계 에 의해서 일반 적 으로 측정 된다 . 복사선 고온계 가 매우 정확 할 수 있 지만 , 복사선 고온계 대역폭 내 에 있 고 그리고 가열 공급원 으로부터 기원 하 는 복사선 은 , 이러 한 복사선 이 고온계 에 의해서 검출 되 는 경우 에 , 고온계 신호 의 해석 ( interpretation ) 을 방해 할 수 있 을 것 이 다 . Applied Materials 의 RTP 시스템 들 에서 , 그러 한 간섭 은 프로세스 키트 에 의해서 그리고 웨이퍼 자체 에 의해서 최소 화 된다 . 프로세스 키트 는 웨이퍼 를 회전 시스템 과 커플링 시킨다 . 프로세스 키트 는 도 2 에서 ' 30 ' 으로 도시 된 지지 실린더 를 포함 할 수 있 을 것 이 다 . 또한 , 프로세스 키트 는 도면 들 에 는 도시 되 지 않 았 지만 특정 처리 챔버 ( 구성 들 ) 에서 이용 될 수 있 는 지지 링 을 포함 할 수 있 을 것 이 다 . 그러 한 지지 링 은 기본 적 으로 도 2 에서 ' 14 ' 로서 도시 된 엣지 링 을 지지 하 는 보조 엣지 링 이 다 .