그 다음 , 도 8 에 도시 한 바 와 같이 , 하부 배선 절 연막 ( 200 ) 및 하부 트렌치 금속 배선 ( 181 , 183 , 187 ) 위 에 하부 트렌치 금속 배선 ( 181 , 183 , 187 ) 을 노출 하 는 상부 비 아홀 ( 211 , 213 ) 을 가지 는 상부 층간 절 연막 ( 210 ) 을 형성 하 고 , 상부 층간 절 연막 ( 210 ) 과 노출 된 하부 트렌치 금속 배선 ( 181 , 183 , 187 ) 위 에 상부 비아 배리 어막 ( 220 ) 을 형성 하 고 , 상부 비아 배리 어막 ( 220 ) 위 에 상부 비아 씨드 막 ( 230 ) 을 형성 하 고 , 그 위 에 제 3 금속 박막 ( 240 ) 을 형성 한다 . 이때 , 상부 층간 절 연막 ( 210 ) 은 FSG ( fluoride - doped silicate glass ) , PSG ( phosphorous - doped silicate glass ) , USG ( undoped silicate glass ) , BPSG ( boron phosphorous doped silicate glass ) 및 산화 규소 물질 등 으로 이루어진 하부 층간 절 연막 ( 110 ) 과 동일 한 물질 로 이루어질 수 있 으며 , 1 , 000 Å 이상 의 두께 를 가지 는 것 이 바람직 하 다 .