엘라스토머 층 과 비 엘라스토머 층 을 적층 시킨 기재 층 ( 1 ) 에 있 어서 , 엘라스토머 층 의 두께 에 대한 비 엘라스토머 층 의 두께 의 비 는 , 1 / 25 이상 1 / 3 이하 인 것 이 바람직 하 고 , 1 / 25 이상 1 / 3 . 5 이하 인 것 이 보다 바람직 하 고 , 1 / 25 이상 1 / 4 이하 인 것 이 더욱 바람직 하 고 , 1 / 22 이상 1 / 4 이하 인 것 이 특히 바람직 하 고 , 1 / 20 이상 1 / 4 이하 인 것 이 최적 이 다 . 엘라스토머 층 의 두께 에 대한 비 엘라스토머 층 의 두께 의 비 를 상기 범위 로 함 으로써 , 다 이 본드 층 ( 3 ) 및 다 이 본드 층 ( 3 ) 에 첩부 한 반도체 웨이퍼 를 효율 적 으로 할단 할 수 있 다 .