일부 구 현예 에서 , 기판 은 선택 적 증착 단계 가 시작 될 때 또는 이 에 앞서 전처리 되 거나 세척 될 수 있 다 . 일부 구 현예 에서 , 기판 은 선택 적 증착 단계 가 시작 될 때 또는 이 에 앞서 플 라즈 마 세 척 단계 를 거칠 수 있 다 . 일부 구 현예 에서 , 플라 즈 마 세 척 단계 는 이온 충격 ( ion bombardment ) 을 포함 하 거나 상대 적 으로 적 은 양 의 이온 충격 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 일부 구 현예 에서 , 패 시베이 션 층 의 선택 적 증착 단계 가 시작 될 때 또는 이 에 앞서 기판 표면 이 플라 즈 마 , 라디컬 , 여기 종 , 및 / 또는 원 자종 에 노출 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 일부 구 현예 에서 , 패 시베이 션 층 의 선택 적 증착 단계 가 시작 될 때 또는 이 에 앞서 기판 표면 이 수소 플 라즈 마 , 라디컬 , 또는 원 자종 에 노출 될 수 있 다 . 일부 구 현예 에서 , 전처리 단계 또는 세 척 단계 는 선택 적 증착 단계 와 동일 한 반응 챔버 에서 수행 될 수 있 지만 , 일부 구 현예 에서 전처리 단계 또는 세 척 단계 는 별도 의 반응 챔버 에서 수행 될 수 있 다 .