배선 ( 73 ) 의 형성 후 에 는 종 형로 를 사용 하 여 반도체 기판 ( 1 ) 의 온도 를 350 ℃ 로 하 고 , 처리 시간 을 30 분 간 으로 하 고 , 질소 가스 의 공급량 을 20 l ( liter ) / 분 으로 하 는 열처리 를 행한다 . 다음 으로 , 전체 면 에 PVD 법 등 에 의해 두께 가 20 nm 정도 인 알루미늄 산화 막 ( 74 ) 을 형성 한다 .