먼저 , 게이트 저항 ( a ) 의 측면 에서 살펴보 면 배리 어 메탈 로 텅스텐 질 화 막 / 텅 스 텐 실리사이드 와 텅스텐 질 화 막 / TiN / Ti 을 사용 했 을 때 가 텅스텐 질화 막 을 사용 했 을 때 에 비하 여 우수 한 특성 을 보인다 . 이 는 , 텅스텐 질 화 막 / 텅스텐 실리사이드 와 텅스텐 질 화 막 / TiN / Ti 는 폴리 실리콘 전극 상부 에 추가 로 삽입 한 배리어 메탈 이 상부 텅스텐 질화 막 내부 의 질소 가 열공 정시 분해 하 여 형성 할 수 있 는 Si - N 절 연막 의 형성 을 억제 하 기 때문 이 다 .