또한 , 상기 한 게이트 와 오버랩 되 는 활성 영역 가장자리 에서 의 전계 집중 현상 은 주변 회로 영역 의 PMOS 소자 에서 HEIP ( Hot Electron Induced Punch through ) 를 발생 시켜 PMOS 소자 의 문턱 전압 을 변화 시키 고 , 오프 - 누설 전류 ( off - leakage current ) 를 증가 시키 는 문제점 도 있 는 바 도 2 a 내지 도 2 b 를 참조 하 여 살펴본다 .