특히 , 하이드 록 실 및 알 콕 시 기 는 축합 반응 에 따라 함께 반응 하 여 실리콘 수지 의 후 가 교와 그 에 따른 경화 를 유도 한다 . 축합 반응 은 주석 계 촉매 , 예 를 들 어 디 부틸 주석 디 라우 레이트 의 첨가 에 의해 촉진 될 수 있 다 . 후 가 교 는 바람직 하 게 는 열 공급 에 의해 , 보다 바람직 하 게 는 100 내지 300 ℃, 특히 바람직 하 게 는 120 내지 250 ℃, 매우 특히 바람직 하 게 는 150 내지 230 ℃ 의 온도 범위 의 열 공급 에 의해 발생 한다 . 가교 는 또한 제형 중 에 존재 하 는 유기 중합체 와 함께 일어날 수 있 으며 , 그 결과 수지 의 하이드 록 실 또는 알 콕 시 기 와 중합체 의 하이드 록 실 또는 알 콕 시 기 사이 에서 축합 반응 이 일어난다 . 다른 가능 성 은 가교 가 실리콘 수지 에 존재 하 는 Si - H 기 와 비닐 기 사이 에서 일어나 는 것 이 다 . 이 경우 , 제형 은 추가 로 백금 촉매 와 혼합 될 수 있 다 .