상기 제 1 주기 에 따른 지문 센서 층 ( 126 ) 의 음파 조사 동작 ( 예 : TX 동작 ) 을 살펴보 면 , 사용 자 지문 인증 과 관계 되 는 이벤트 발생 시 , 지문 센서 층 ( 126 ) 의 제 3 전극 ( 126 a ) 에 는 지정 된 주파수 대역 의 아날로그 신호 ( 예 : 약 15 내지 20 MHz 주파수 / 200 Vpp 전압 ) 가 입력 되 고 , TFT 회로 층 ( 127 ) 에 포함 된 복수 의 피에조 TFT ( 127 b ) 는 접지 ( grounding ) 될 수 있 다 . 이 에 따르 면 , 상기 제 3 전극 ( 126 a ) 과 복수 의 피에조 TFT ( 127 b ) 사이 에 위치 한 피에조 층 ( 126 b ) 에 는 소정 크기 의 전압 이 인가 되 고 , 상기 피에조 층 ( 126 b ) 에 포함 된 복수 의 피에조 소자 는 인가 된 전압 에 기반 하 여 물리 적 변위 ( 예 : 진동 ) 를 일으키 며 특정 주파수 대역 의 음파 를 발생 시킬 수 있 다 . 일 실시 예 에 따르 면 , 상기 음파 의 적어도 일부 는 지문 센서 층 ( 126 ) 의 상부 를 지향 할 수 있 으며 , 상기 지문 센서 층 ( 126 ) 의 상부 에 적층 또는 배치 된 다양 한 매질 들 ( 예 : 절연 층 ( 125 ) , 제 1 전극 ( 124 a ) , 디스플레이 발광 층 ( 124 b ) , 제 2 전극 ( 124 c ) , 터치 패널 ( 123 ) , 편광판 ( 122 ) , 점착 부재 ( 121 ) 및 커버 글라스 ( 110 ) 등 ) 을 통해 진행 할 수 있 다 .