플래시 가열 은 , 플래시 램프 ( FL ) 로부터 의 플래시 광 ( 섬광 ) 조사 에 의해 행해 지 기 때문 에 , 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 표면 온도 를 단시간 에 상승 시킬 수 있 다 . 즉 , 플래시 램프 ( FL ) 로부터 조사 되 는 플래시 광은 , 미리 콘덴서 에 축적 되 어 있 던 정전 에너지 가 극히 짧 은 광 펄스 로 변환 된 , 조사 시간 이 0 . 1 밀리 세컨드 이상 100 밀리 세컨드 이하 정도 의 극히 짧 고 강한 섬광 이 다 . 그리고 , 플래시 램프 ( FL ) 로부터 의 플래시 광 조사 에 의해 플래시 가열 되 는 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 표면 온도 는 , 순간 적 으로 1000 ℃ 이상 의 처리 온도 ( T 2 ) 까지 상승 하 고 , 반도체 웨이퍼 ( W ) 에 주입 된 불순물 이 활성 화 된 후 , 표면 온도 가 급속히 하강 한다 . 이 와 같이 , 열처리 장치 ( 1 ) 에서 는 , 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 표면 온도 를 극히 단시간 에 승강 시킬 수 있 기 때문 에 , 반도체 웨이퍼 ( W ) 에 주입 된 불순물 의 열 에 의한 확산 을 억제 하 면서 불순물 의 활성 화 를 행할 수 있 다 . 또한 , 불순물 의 활성 화 에 필요 한 시간 은 그 열 확산 에 필요 한 시간 과 비교 하 여 극히 짧 기 때문 에 , 0 . 1 밀리 세컨드 내지 100 밀리 세컨드 정도 의 확산 이 발생 하 지 않 는 단시간 이 어도 활성 화 는 완료 된다 .