상기 제 1 스위칭 소자 는 상기 게이트 라인 으로부터 인출 된 제 1 및 제 2 게이트 전극 과 ; 상기 제 1 및 제 2 게이트 전극 하부 에 형성 된 반도체 층 과 ; 상기 반도체 층 상 에 형성 된 소스 / 드레 인 전극 을 포함 하 여 구성 되 고 , 상기 제 2 스위칭 소자 는 상기 스토리지 라인 으로부터 인출 된 제 1 게이트 전극 과 ; 상기 게이트 라인 으로부터 인출 된 제 2 게이트 전극 과 ; 상기 제 1 및 제 2 게이트 전극 하부 에 형성 된 반도체 층 과 ; 상기 반도체 층 상 에 형성 된 소스 / 드레 인 전극 을 포함 하 여 구성 된다 .