이러 한 방법 을 이용 함 으로써 , 배면 기판 ( 1 ) 에 응력 이 잔존 하 지 않 고 , 휘어짐 등 의 문제 가 적 은 격벽 을 형성 하 는 것 이 가능 하 다 . 이 방법 은 , 종래 의 샌드 블라스트 법 등 에 비교 하 여 재료 의 손실 이 없 고 , 환경 부하 가 적 은 제조 방법 이 다 . 이러 한 제조 방법 에 적용 할 수 있 는 격벽 ( 4 ) 의 재료 로서 , 반도체 적 인 전자 전도 성 을 나타내 는 유리 가 효과 적 이 다 .