상기 목적 을 달성 하 기 위한 일 관점 의 다른 형태 에 따른 본 발명 은 , 제 1 메탈 배선 그룹 가 제 2 메탈 배선 그룹 이 IMD 를 사이 에 두 고 순차 적층 되 는 구조 를 갖 는 반도체 소자 의 에프 피지 에 이 구조 로서 , 상기 제 1 메탈 배선 그룹 내 한 쌍 의 제 1 메탈 배선 과 상기 제 2 메탈 배선 그룹 의 대응 하 는 한 쌍 의 제 2 메탈 배 선간 을 연결 하 는 한 쌍 의 비아 와 , 상기 한 쌍 의 비 아간 을 연결 하 는 전압 선택 적 전도 성 의 구조물 패턴 을 포함 하 는 반도체 소자 의 에프 피지 에 이 구조 를 제공 한다 .