대안 적 인 경로 는 기판 내 로 도 펀트 이온 들 의 고 에너지 ( energetic ) 주입 을 포함 한다 . 이러 한 프로세스 에서 , 도 펀트 들 은 플 라즈 마로 이온 화 되 고 ( 원격 ( remotely ) 으로 또는 인 시튜 로 ) , " 이러 한 이온 들 을 기판 을 향해 가속 시키 기 위해 전자기장 이 이용 된다 . 이러 한 이온 들 은 기판 표면 에 충돌 하 고 결정 구조 내 로 파 고 든다 . 각각 의 이온 이 결정 내 로 파고드 는 깊이 는 대개 이온 의 운동 에너지 에 의존 한다 . 상기 "" 드라이브 - 인 "" 실시 예 에서 처 럼 ", 농도 분포 는 일반 적 으로 깊이 에 따라 단조 롭 게 감소 하 고 , 도 펀트 들 을 확산 및 활성 화 시키 기 위해 어닐링 이 유사 하 게 수행 된다 .