상술 한 바 와 같이 , 본 발명 의 제 2 실시 예 에서 는 화소 전극 을 덮 는 도전 성 이물 방지 패턴 을 형성 함 으로써 , 도전 성 이물 이 상기 화소 전극 표면 에 부착 되 는 것 이 방지 된다 . 따라서 , 이러 한 도전 성 이물 부착 에 따른 제 1 기판 과 제 2 기판 간 의 쇼트 문제점 이 해결 된다 . 또한 , 보호막 형성 이 생략 가능 함 으로써 , 공정 이 단순 화 된다 .