구체 적 으로 는 , NMOS 영역 의 HPWELL ( 32 ) 내부 와 PMOS 영역 의 HNWELL ( 36 ) 내부 에 저 농도 의 N 형 및 P 형 불순물 이온 을 주입 하 여 N 형 및 P 형 드리프트 영역 ( Drift : 38 a , 38 b ) 을 각각 형성 하 고 , N 형 및 P 형 드리프트 영역 에 주입 된 이온 들 이 확산 되 도록 기판 결과물 에 대해 열처리 를 실시 한다 .