따라서 , 상기 종래 의 박막 트랜지스터 기판 에 있 어서 는 , 제 2 도전 층 과 화소 전극 에 의한 접속 불량 을 회피 하 고 , 상술 한 콘택트 홀 을 개재 하 여 , 화소 전극 과 드레 인 전극 을 접속 하 기 위해 , 제 2 도전 층 에 대해 에칭 ( ? 에칭 ) 을 행하 고 제 2 도전 층 을 층간 절 연막 의 하방 으로 에칭 시프트 ( etching shift ) 시켜 , 제 1 도전 층 을 노출 시킴 으로써 , 제 1 도전 층 과 화소 전극 과 의 접속 을 행할 필요 가 있 고 , 제 조공 정수 가 증가 한다는 문제 가 있 었 다 .