또한 , 본 발명 은 유전 층 의 상면 상 에 제 1 도체 ( first conductor ) 를 제공 하 는 단계 ; 상기 유전 층 의 하 면 상 에 제 2 도체 ( second conductor ) 를 제공 하 는 단계 ; 상기 유전 층 에 에퍼 처 ( aperture ) 를 제공 하 고 , 상기 제 1 도체 는 상기 에퍼 처 를 통해 상기 제 2 도체 의 패드 에 접촉 하 는 부분 비아 를 갖 는 단계 ; 상기 제 1 도체 와 전기 적 으로 연결 되 는 인터 커넥트 를 갖 는 전자 소자 ( electronic device ) 를 제공 하 는 단계 ; 및 상기 전자 소자 의 측면 과 접촉 하 고 상기 서브 스트레이트 의 상면 상 의 인 캡슐 란트 ( encapsulant ) 를 제공 하 는 단계 를 포함 하 는 반도체 장치 의 제조 방법 을 제공 한다 .