제 1 슬릿 ( SL 1 ) 은 제 1 물질 막 들 ( 35 ) 중 선택 라인 용 제 1 물질 막 ( 35 ) 을 관통 하 는 깊이 로 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 하나 의 메모리 스트링 이 2 개 의 드레 인 선택 트랜지스터 를 포함 하 는 경우 , 제 1 슬릿 ( SL 1 ) 은 최 상부 로부터 2 개 의 제 1 물질 막 들 ( 35 ) 을 관통 하 도록 형성 된다 . 이러 한 경우 , 제 1 물질 막 들 ( 35 ) 중 최 상부 워드 라인 용 제 1 물질 막 의 상부 면 보다 제 1 슬릿 ( SL 1 ) 의 저면 이 높 게 위치 되 거나 동일 한 레벨 에 위치 될 수 있 다 .