습식 처리 가 요구 되 는 반도체 기판 ( 102 ) 은 웨이퍼 척 ( 104 ) 에 의해 배스 ( 110 ) 상부 로 이동 된다 . 그러면 구동 부 ( 108 ) 의 회전 에 의해 롤러 ( 106 ) 가 회전 하 고 , 롤러 ( 106 ) 의 회전 에 의해 반도체 기판 ( 102 ) 은 웨이퍼 척 ( 104 ) 내 에서 회전 하 게 된다 . 반도체 기판 ( 102 ) 이 회전 하 는 속도 는 1 ~ 1000 RPM 으로 하 는 것 이 바람직 하 다 . 그리고 , 웨이퍼 척 ( 104 ) 을 아래 로 이동 시켜 배스 ( 110 ) 에 저장 된 케미컬 ( 도시 하 지 않 음 ) 에 반도체 기판 ( 102 ) 을 인입 시킨다 . 반도체 기판 ( 102 ) 이 케미컬 ( 도시 하 지 않 음 ) 에 완전히 인입 되 면 , 반도체 기판 ( 102 ) 이 케미컬 ( 도시 하 지 않 음 ) 에 인입 하 기 시작 했 을 때 보다 180 도로 회전 된 상태 가 된다 . 이어서 , 케미컬 ( 도시 하 지 않 음 ) 에 의해 반도체 기판 ( 102 ) 에 습식 처리 가 진행 된다 .