후단 의 MOS 트랜지스터 TR 4 ∼ TR 9 에서 는 , 거리 b , c 및 d 를 크 게 함 으로써 , 내압 을 향상 시킬 수 있 다 . 이것 에 의해 , 상기 ( B ) 의 문제 가 해결 된다 . 거리 c 및 d 를 크 게 함 으로써 , 전류 구동력 을 증가 시킬 수 있 고 , 임계 값 전압 의 상승도 억제 할 수 있 다 . 이것 에 의해 , 상기 ( A ) 및 ( C ) 의 문제점 이 해결 된다 .