도 3 을 참조 하 면 , 스퍼터 시스템 내 의 스퍼터 챔버 에서 실리사이드 형성 을 위한 Ti , 코발트 ( Co ) 등 의 금속 을 반도체 기판 ( 300 ) 전면 에 스퍼터링 하 여 금속 박막 ( 306 ) 을 형성 한다 . 그리고 , 금속 박막 ( 306 ) 을 형성 한 후 에 는 후 열처리 과정 에서 금속 박막 ( 306 ) 표면 의 질화 또는 오염 을 막 기 위한 Tin 등 의 보호막 ( 308 ) 을 증착 한다 .