한편 , 본 발명 의 실시 예 에 있 어 더미 게이트 라인 ( DGL ) 은 n 번 째 ( 1 ≤ n ≤ N ) 행의 게이트 라인 ( GLn ) 보다 선폭 이 넓 게 형성 되 는 것 을 특징 으로 한다 . 이때 , 상기 더미 게이트 라인 ( DGL ) 이 게이트 라인 ( GLn ) 보다 넓 은 선폭 으로 형성 됨 으로써 첫 번 째 행의 화소 ( P 1 ) 의 면적 이 2 번 째 이후 행의 화소 ( Pn ) 의 면적 보다 작 게 형성 된다 .