스루 - 실리콘 비 아들 을 포함 하 는 3 DIC 디바이스 의 예 가 도 5 에 도시 된다 . 단일 의 3 D 적층 된 층 디바이스 ( 500 ) 는 , 물리 적 으로 함께 결합 된 별개 의 실리콘 웨이퍼 들 ( 510 , 520 , 및 530 ) 로 구성 된다 . 각각 의 별개 의 실리콘 웨이퍼 는 , 금속 - 충 진 된 ( metal - filled ) 스루 - 실리콘 비 아들 ( 560 ) 을 통해 서로 직접 적 으로 접속 된 , 완전히 - 제조 된 기능 성 2 D CMOS 디바이스 들 ( 550 ) 의 층 을 포함 한다 . 즉 , 스루 - 실리콘 비 아들 ( 560 ) 은 , 하나 의 층 ( 예컨대 , 520 ) 의 회로 와 , 위 에 있 는 층 ( 예컨대 , 510 ) 내 의 회로 및 / 또는 아래 있 는 층 ( 예컨대 , 530 ) 내 의 회로 사이 의 직접 적 인 접속 을 허용 할 수 도 있 다 . 또한 , 스루 - 실리콘 비 아들 ( 570 ) 은 3 - 차원 집 적 회로 디바이스 ( 500 ) 를 외부 전자 회로 들 ( 미 도시 ) 에 접속 시키 는 데 사용 될 수 도 있 다 .