본 발명 의 일 실시 예 에 있 어서 , 상기 제 1 액티브 패턴 ( ACT 1 ) 과 상기 제 1 소스 전극 ( SE 1 ) 및 상기 제 1 드레 인 전극 ( DE 1 ) 은 불순물 이 도핑 되 지 않 거나 상기 불순물 이 도핑 된 반도체 층 으로 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 면 , 상기 제 1 소스 전극 ( SE 1 ) 및 상기 제 1 드레 인 전극 ( DE 1 ) 은 상기 불순물 이 도핑 된 반도체 층 으로 이루어지 며 , 상기 제 1 액티브 패턴 ( ACT 1 ) 은 상기 불순물 이 도핑 되 지 않 은 반도체 층 으로 이루어질 수 있 다 .