여기 서 , p 형 전극 층 ( 400 ) 은 p 형 반도체 층 ( 300 ) 하부 에 형성 되 며 , 투명 전도성 물질 , 예 를 들 어 ITO ( Indium Tin Oxide ) , IZO ( Indium Zinc Oxide ) , AZO ( Aluminum doped Zinc Oxide ) , ZnO ( Zinc Oxide ) 등 의 전도성 투명 산화물 을 이용 하 여 형성 할 수 있 다 . 그리고 , 반사 층 ( 450 ) 은 p 형 전극 층 ( 400 ) 하부 의 소정 영역 에 반사 금속 을 이용 하 여 형성 한다 . 또한 , 에칭 스탑 층 ( 500 ) 은 p 형 전극 층 ( 400 ) 하부 에 형성 되 며 , 반사 층 ( 450 ) 과 소정 간격 이격 되 어 형성 된다 . 커버 층 ( 600 ) 은 금속 물질 을 이용 하 여 형성 하 며 , 반사 층 ( 450 ) 과 에칭 스탑 층 ( 500 ) 사이 를 매립 하 고 반사 층 ( 450 ) 과 에칭 스탑 층 ( 500 ) 을 덮 도록 형성 된다 .