다음 에 , 제 2 절연 층 ( 204 ) 및 제 1 절연 층 ( 202 ) 에 형성 된 콘 택 홀 에 도전 성 재료 를 충전 하 여 , 섬 형상 의 단결정 반도체 층 ( 201 ) 의 불순물 영역 ( 201 b , 201 c ) 의 표면 에서 전기 적 으로 접속 하 는 제 2 도전 층 ( 205 ) 을 형성 한다 . 이때 , 제 2 도전 층 ( 205 ) 은 , 제 2 절연 층 ( 204 ) 을 덮 도록 형성 된 도전 층 을 선택 적 으로 에칭 함 으로써 형성 할 수 있 다 .