먼저 도 1 a 를 참조 하 면 , 반도체 기판 ( 100 ) 위 에 상기 반도체 기판 ( 100 ) 의 소자 분리 영역 을 노출 시키 는 패드 산화 막 패턴 ( 102 ) 및 패드 질화 막 패턴 ( 미도 시 함 ) 을 형성 한다 . 계속 해서 반도체 기판 ( 100 ) 의 노출 부분 에 대한 식각 공정 을 수행 하 여 일정 깊이 를 갖 는 트렌치 ( 미도 시 함 ) 를 형성 한다 . 다음 에 트렌치 가 매립 되 도록 전면 에 절 연막 을 형성 하 고 , 평탄 화 공정 을 수행 한 후 패드 질화 막 패턴 을 제거 하 여 반도체 기판 ( 100 ) 의 소자 분리 영역 을 정의 하 는 트렌치 소자 분리 막 ( 104 ) 을 형성 한다 .