제 1 어닐링 단계 ( S 630 ) 는 제 1 버퍼 층 성장 단계 ( S 620 ) 에서 성장 된 제 1 버퍼 층 의 공극 의 개수 및 크기 를 줄인다 . 즉 , 제 1 어닐링 단계 ( S 630 ) 에서 질화 갈륨 ( GAN ) 분자 는 제 1 버퍼 층 ( 131 ) 과 제 4 버퍼 층 ( 110 ) 사이 에 존재 하 는 공극 으로 이동 한다 . 질화 갈륨 분자 가 이동 함 에 따라 공극 의 크기 는 작아지 고 , 공극 의 개수 도 줄어든다 .