도 1 에 도시 된 바 와 같이 종래 의 플 라즈 마 식각 장비 는 챔버 ( 1 ) , 챔버 의 일 측 벽면 에 마련 된 챔버 윈도우 ( 2 ) , 챔버 ( 1 ) 내측 에 마련 된 바이어스 전극 ( 3 ) 및 소스 파워 공 급단 ( 4 ) 으로 구성 된다 . 상기 바이어스 전극 ( 3 ) 에 는 반도체 막 이 형성 된 기판 이 위치 한다 . 이때 , 소스 파워 공 급단 ( 4 ) 을 통해 RF 파워 를 공급 하 여 챔버 ( 1 ) 내측 에 플 라즈 마 를 발생 시켜 챔버 ( 1 ) 에 제공 된 식각 가스 를 활성 화 ( 이온 화 ) 시킨다 . 그리고 , 바이어스 전극 ( 3 ) 에 도 RF 파워 를 제공 하 여 식각 공정 을 실시 하 게 된다 . 즉 , 반도체 막 은 활성 화 된 식각 가스 와 반도체 막 이 화학 적 반응 을 통해 식각 되 고 , 또한 반도체 막 은 이온 화 된 식각 가스 의 물리 적 충돌 에 의해 식각 된다 .