이어서 , 층간 절 연막 ( 41 ) 상 에 질화 막 으로 이루어진 식각 정지 막 ( 43 ) 을 형성 하 고 , 이 식각 정지 막 ( 43 ) 상 에 후속 스토리지 전극 이 형성 될 영역 을 한정 하 는 절 연막 으로서 제 1 산화 막 ( 44 ) 을 형성 한다 . 이때 , 제 1 산화 막 ( 44 ) 은 단 일 막 또는 복수 의 막 으로 이루어질 수 있 다 .