도 4 a 및 도 4 b 를 참조 하 면 , 본 발명 의 기술 적 사상 의 다른 실시 예 에 의한 반도체 패키지 ( 100 b ) 는 , 이웃 하 는 한 쌍 의 열전도 성 비아 플러그 들 ( 200 ) 사이 에 열전도 성 서브 플러그 ( 300 ) 가 브릿지 되 는 구조 를 가지 지만 , 비아 홀 ( 162 ) 과 서브 홀 ( 172 ) 사이 에 오버랩 되 는 부분 을 가지 지 않 을 수 있 다 . 그러나 , 비아 홀 ( 162 ) 과 서브 홀 ( 172 ) 사이 에 오버랩 되 는 부분 이 존재 하 지 않 더라도 , 비아 홀 ( 162 ) 에 충 진 되 는 비아 플러그 ( 200 ) 와 서브 홀 ( 172 ) 에 충 진 되 는 서브 플러그 ( 300 ) 는 연결 부분 ( S ') 에 의하 여 상호 연결 되 어 있 다 .