도 1 f 를 참조 하 면 , 제 2 절 연막 ( 118 ) 의 두께 를 낮추 기 위한 식각 공정 을 실시 한다 . 식각 공정 은 습식 식각 공정 으로 실시 하 며 , 바람직 하 게 습식 에치 백 ( wet etchback ) 공정 으로 실시 할 수 있 다 . 습식 에치 백 공정 시 식각 액 으로 는 BOE ( Buffered Oxide Etchant ) 또는 HF 를 사용 할 수 있 다 . 이때 , 습식 에치 백 공정 은 후속 한 갭 필 마진 을 확보 하 고 , 식각 선택 비 를 확보 할 목적 으로 공정 시간 을 적절히 조절 하 여 제 2 절 연막 ( 118 ) 이 활성 영역 의 반도체 기판 ( 100 ) 표면 보다 낮 아 지 도록 실시 한다 .