SSR 웰 형성 방법 은 웰 프로파일 을 반도체 기판 의 표면 보다 내부 쪽 의 불순물 농도 를 높여 표면 으로부터 내부 로 갈수록 불순물 의 농도 가 가파르 게 ( steep ) 감소 하 도록 도핑 프로 파일 을 변화 시키 는 방법 이 다 . SSR 웰 구조 의 도핑 프로 파일 을 가짐 으로써 채널 영역 에서 전하 캐리어 의 이동도 를 높여 포화 전류 를 증가 시킬 수 있 다 . 이러 한 SSR 웰 은 먼저 , 반도체 기판 내 에 소자 분리 막 을 형성 하 여 활성 영역 을 정의 한다 . 계속 해서 반도체 기판 의 일부 영역 이 노출 되 는 마스크 를 형성 한 다음 상기 마스크 를 이온 주입 마스크 로 불순물 을 주입 하 는 방법 을 이용 하 여 형성 할 수 있 다 . 여기 서 기판 내 주입 되 는 불순물 은 p 형 불순물 로서 인듐 ( In ; Indium ) 을 이용 한다 . 인듐 ( In ) 은 기존 에 이용 하 던 붕소 ( B ; Boron ) 대비 무거운 단위 원자 질량 ( AMU ; Amount mass unit ) 때문 에 흩어짐 ( straggling ) 현상 이 적 다 . 또한 , 확산 도 가 작 아 확산 이 억제 되 어 채널 도핑 프로 파일 이 평평 하 지 ( flat ) 않 고 , 가파른 경사 ( steep ) 를 가져 SSR 웰 형성 에 유리 하 다고 알려져 있 다 .