도 6 은 스핀 축적 층 아래 와 스핀 축적 층 내의 2 개 의 편광 층 을 갖 는 MRAM 메모리 셀 의 다른 실시 예 를 도시 한다 . 메모리 셀 ( 400 ) 은 MTJ ( 101 ) , 스핀 축적 층 ( 402 ) , 편광 층 ( 410 ) 및 편광 층 ( 412 ) 을 포함 한다 . 단자 ( T 1 ) 는 핀 드 층 ( 102 ) 에 연결 되 고 , 단자 ( T 2 ) 는 편광 층 ( 410 ) 에 연결 되 고 , 단자 ( T 3 ) 는 편광 층 ( 412 ) 에 연결 된다 . 스핀 축적 층 ( 402 ) 은 스핀 축적 층 ( 202 ) 과 동일 한 재료 로 제조 될 수 있 다 . 편광 층 ( 410 ) 및 편광 층 ( 412 ) 은 편광 층 ( 204 ) 과 동일 한 재료 로 제조 될 수 있 다 . 편광 층 ( 410 ) 및 편광 층 ( 412 ) 은 반대 자화 방향 을 갖 는데 ; 예 를 들 어 , 편광 층 ( 410 ) 은 하향 자화 방향 을 갖 고 , 편광 층 ( 412 ) 은 상향 자화 방향 을 갖 는다 . 편광 층 ( 410 ) 및 편광 층 ( 412 ) 은 스핀 축적 층 ( 202 ) 내 에 내장 된다 . 메모리 셀 ( 400 ) 은 메모리 셀 ( 320 ) 과 동일 한 방식 으로 동작 하 며 , 이때 메모리 셀 ( 320 ) 의 기록 전류 ( 344 ) 는 기록 전류 ( 420 ) 로서 구현 된다 . 메모리 셀 ( 400 ) 은 수직 자화 를 갖 는 것 으로 도시 되 지만 , 평면 내 자화 를 또한 구현 할 수 있 다 .