상기 다중 티 올 화합물 은 , 양자 점 의 분산 에 대하 여 부정 적 인 영향 을 주 지 않 으면서 , 후술 하 는 바 의 광중합 성 단량체 와 추가 로 반응 함 으로써 얻 어 진 패턴 내 에 분산 되 어 있 는 양자 점 들 이 포토레지스트 공정 중 수반 되 는 열처리 ( 예컨대 , 포스트 베 이크 등 ) 에 의해 발광 효율 저하 를 겪 게 되 는 것 을 방지 할 수 있 다 . 특정 이론 에 의해 구속 되 려 함 은 아니 지만 , 상기 다중 티 올 화합물 은 후술 하 는 바 의 광중합 성 단량체 와 반응 하 여 ( 패턴 의 ) 폴리머 매트릭스 가 더 치밀 한 네트워크 를 형성 할 수 있 게 하 는 것 으로 생각 된다 . 상기 반응 성 화학 물 은 양자 점 과 광중합 성 단량체 간 의 결합 을 만들 어서 복합체 내 양자 점 의 분산 및 안정 성 을 도와 줄 수 있 다 . 상기 다중 티 올 화합물 을 포함 하 는 감광성 수지 조성물 로부터 형성 된 패턴 의 발광 특성 ( 예컨대 , 광전 환율 유지 특성 ) 은 , 예 를 들 어 , 이러 한 다중 티 올 화합물 이 없 는 경우 에 비해 , 심지어 2 배 이상 향상 될 수 있 다 . 일 구 현예 에서 , 상기 감광성 조성물 은 , 알칼리 수용액 으로 현상 하 고 건조 한 다음 180 도씨 에서 30 분 가열 ( POB ) 후 광전 환율 ( CE %) 이 초기 값 ( 예컨대 , PrB 후 광전 환율 ) 의 40 % 이상 , 예컨대 45 % 이상 , 60 % 이상 을 유지 할 수 있 다 .