도 2 를 참조 하 면 , N 형 반도체 층 ( 12 ) 과 P 형 반도체 층 ( 16 ) 사이 에 활성 층 ( 14 ) 이 배치 되 어 있 고 , 활성 층 ( 14 ) 과 P 형 반도체 층 ( 16 ) 사이 에 는 클래드 층 으로서 , 전자 장벽층 ( electron blocking layer , EBL ) ( 21 ) 이 형성 되 어 있 다 . 또한 , 활성 층 ( 14 ) 은 복수 개 의 양자 우물 층 을 갖 는 다중 양자 우물 ( multi quantum well : MQW ) 구조 로 이루어져 있 다 .