반도체 모듈 장치 는 , 제 1 출력 단자 ( OUT 11 ) 및 제 2 출력 단자 ( OUT 12 ) 를 포함 하 는 입력단 ( 21 ) - 상기 제 1 출력 단자 ( OUT 11 ) 에 제 1 유도 성 소자 ( L 1 ) 가 연결 됨 - 과 , 적어도 하나 의 제어 가능 반도체 소자 ( T 2 , T 3 ) , 상기 제 1 유도 성 소자 ( L 1 ) 가 상기 제 1 출력 단자 ( OUT 11 ) 와 제 3 입력 단자 ( IN 21 ) 사이 에 연결 되 도록 상기 제 1 유도 성 소자 ( L 1 ) 에 결합 된 제 3 입력 단자 ( IN 21 ) , 상기 제 2 출력 단자 ( OUT 12 ) 에 결합 된 제 4 입력 단자 ( IN 22 ) , 제 3 출력 단자 ( OUT 21 ) 및 제 4 출력 단자 ( OUT 22 ) 를 포함 하 는 출력 단 ( 22 ) 과 , 직렬 로 상기 제 1 유도 성 소자 ( L 1 ) 와 상기 제 3 입력 단자 ( IN 21 ) 사이 의 공통 노드 와 , 상기 제 2 출력 단자 ( OUT 12 ) 와 상기 제 4 입력 단자 ( IN 22 ) 사이 의 공통 노드 사이 에 직렬 로 연결 된 제 1 제어 가능 반도체 소자 ( T 1 ) 및 제 1 용량 성 소자 ( Cs ) 와 , 상기 제 1 제어 가능 반도체 소자 ( T 1 ) 에 병렬 로 연결 된 제 1 다이오드 소자 ( D 1 ) - 상기 제 1 다이오드 소자 ( D 1 ) 의 캐소드 단자 ( C 1 ) 는 상기 제 1 용량 성 소자 ( Cs ) 에 결합 되 고 , 상기 제 1 다이오드 ( D 1 ) 의 애노드 단자 ( A 1 ) 는 상기 제 1 유도 성 소자 ( L 1 ) 와 상기 제 3 입력 단자 ( IN 21 ) 사이 의 공통 노드 에 결합 됨 - 를 포함 한다 .