인 버팅 용 회로 부 ( 113 ) 는 하우징 ( 111 ) 내부 에 구비 되 어 액상 절연 물질 에 노출 될 수 있 다 . 인 버팅 용 회로 부 ( 113 ) 는 인 버팅 을 수행 하 기 위한 전력 반도체 소자 ( 예 를 들 어 , 사이리스터 , IGBT , BJT , FET 등 ) 를 구비 할 수 있 다 . 인 버팅 용 회로 부 ( 113 ) 는 PWM ( Pulse Width Modulation ) 방식 으로 직류 전기 를 교류 전기 로 변환 할 수 있 으나 본 발명 의 인 버팅 방식 이 PWM 방식 에 한정 되 는 것 은 아니 다 .