도 1 c 를 참조 하 면 , 상기 트렌치 ( 4 ) 가 완전 매립 되 도록 상기 기판 결과물 상 에 매립 산화 막 을 CVD ( Chemical Vapor Deposition ) 공정 을 통해 두껍 게 증착 한 후 , 상기 패드 질화 막 ( 3 ) 이 노출 될 때 까지 상기 매립 산화 막 을 CMP ( Chemical Mechanical Polishing ) 한다 . 그런 다음 , 상기 패드 질화 막 과 패드 산화 막 을 차례 로 제거 하 여 소자 분리 막 을 ( 8 ) 형성 한다 .