본 발명 의 실시 예의 또 다른 일 바람직 한 형태 에 있 어서 , 기판 으로부터 윗 방향 을 향해 , 서브 층 각각 은 모두 순차 적 으로 적층 설치 된 P 형 AluGa 1 - uN 층 , P 형 AlvGa 1 - vN 층 및 P 형 GaN 층 을 포함 하 되 , 여기 서 0 . 1 ≤ v ≤ 1 , 0 . 1 ≤ u ≤ 1 , u ≠ v 이 고 ; 더욱 바람직 하 게 , 0 . 3 ≤ v ＜ 0 . 9 , 0 . 3 ≤ u ＜ 0 . 9 , u ≠ v 이 다 .