우선 , 도 4 a 및 도 4 b 를 참조 하 면 , 기판 ( 21 ) 상 에 제 1 도전 형 반도체 층 ( 23 ) , 활성 층 ( 25 ) 및 제 2 도전 형 반도체 층 ( 27 ) 을 포함 하 는 반도체 적층 ( 30 ) 이 성장 된다 . 상기 기판 ( 21 ) 은 질화 가 륨 계 반도체 층 을 성장 시킬 수 있 는 기판 으로서 , 예컨대 사파이어 기판 , 탄화 실리콘 기판 , 질화 갈륨 ( GaN ) 기판 , 스피넬 기판 등 일 수 있 다 . 특히 , 상기 기판 은 패 터닝 된 사파이어 기판 과 같이 패 터닝 된 기판 일 수 있 다 .