도 1 내지 도 3 은 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 패 터닝 된 기판 상 에 질화물 반도체 층 을 형성 하 여 발광 다이오드 를 제조 하 는 방법 을 설명 하 기 위한 단면도 이 다 . 여기 서 , 질화물 반도체 층 은 MOCVD 기술 을 사용 하 여 형성 하 는 것 으로 설명 한다 . 그 러 나 , 본 발명 은 MOCVD 기술 에 한정 되 는 것 은 아니 며 , MBE 등 과 같 은 다른 기술 이 사용 될 수 도 있 다 .