본 발명 이 이루 고자 하 는 기술 적 과제 는 , 배선 금속 막 으로 퓨즈 를 형성 할 때 반사 방지 막 으로 산화 저항성 이 우수 하 면서 도 증착 시 스텝 커버리지 특성 이 양호 한 물질 을 사용 함 으로써 , 패키지 후 산화 에 의한 크랙 등 으로 인한 리 페어 불량 을 방지 할 수 있 는 퓨즈 를 구비 하 는 반도체 소자 의 제조 방법 을 제공 하 는 것 이 다 .