그 후 , 실리콘 산화 막 ( 39 ) 상 에 포토레지스트 ( 42 ) 를 형성 하 고 , N 형 의 확산 층 ( 5 ) 이 형성 되 는 영역 상 의 포토레지스트 ( 42 ) 에 개구부 를 형성 한다 . 에피 택 셜 층 ( 4 ) 의 표면 으로부터 , N 형 불순물 , 예 를 들 면 , 인 ( P ) 을 이온 주입 하 여 , N 형 의 확산 층 ( 5 ) 을 형성 한다 .