본 발명 은 이웃 하 는 워드 라인 이 직교 하 는 활성 영역 의 장축 양단 이 식각 되 는 것 을 방지 하 고 , 이 를 통해 식각 부위 에 워드 라인 이 매립 되 어 발생 되 는 소자 의 특성 저하 를 방지 할 수 있 는 다면 채널 을 갖 는 트랜지스터 를 구비 한 반도체 소자 의 제조 방법 에 관한 것 으로 , 이 를 위해 본 발명 은 장축 과 단축 을 가지 며 일정 면적 의 섬 ( island ) 형태 로 정의 된 복수 개 의 활성 영역 을 포함 하 고 , 상기 활성 영역 의 단축 방향 으로 직교 하 도록 라인 ( line ) 형태 로 형성 된 핀 마스크 를 이용 한 식각 공정 을 통해 형성 된 복수 의 다면 채널 을 갖 는 트랜지스터 를 포함 하 는 반도체 소자 의 제조 방법 에 있 어서 , 상기 식각 공정 은 상기 핀 마스크 와 , 이웃 하 는 상기 활성 영역 의 장축 끝단 을 덮 도록 섬 형태 를 갖 는 제 1 더미 마스크 를 사용 하 여 실시 하 는 반도체 소자 의 제조 방법 을 제공 한다 .