트랜지스터 를 형성 하 기 위해서 사용 되 는 막 에 의해 광이 반사 되 어 다중 간섭 이 일어나 고 있 는 것 에 착안 하 여 , 상기 반사 를 일으키 는 막 의 광학 적 막 두께 를 개략 λ 0 / 4 의 홀수 배 또는 짝수 배 로 함 으로써 , 상기 막 의 트랜지스터 에 대한 기능 을 손상 시키 지 않 고 , 산화물 반도체 가 흡수 하 는 파장 영역 의 광 의 반사 율 을 높임 으로써 , 산화물 반도체 에 흡수 되 는 광 의 양 을 저감 시켜 , 광 열화 의 저감 효과 를 높인다 .