플라 즈 마 처리 장치 ( 1 B ) 에서 는 , 하부 전극 ( 18 ) 에 공급 되 는 고주파 바이어스 전력 이 , 하부 전극 ( 18 ) 으로부터 정전 척 ( 20 ) 을 통하 여 기판 ( W ) 에 이르 는 제 1 패스 와 하부 전극 ( 18 ) 으로부터 가변 임피던스 회로 ( 72 ) 를 통하 여 에지 링 ( ER ) 에 이르 는 제 2 패스 로 분기 된다 . 따라서 , 기판 ( W ) 의 전위 가 0 이상 인 기간 내 에서 는 , 에지 링 ( ER ) 에 인가 되 는 전압 도 양극 성 을 가질 수 있 다 . 또 , 플라 즈 마 처리 장치 ( 1 B ) 에서 는 , 가변 임피던스 회로 ( 72 ) 의 임피던스 를 조정 함 으로써 , 제 1 패스 와 제 2 패스 의 사이 에서 의 고주파 바이어스 전력 의 분배 비율 이 조정 된다 . 가변 임피던스 회로 ( 72 ) 의 임피던스 는 , 기판 ( W ) 의 전위 가 0 이상 인 기간 내 에서 에지 링 ( ER ) 의 전위 VA 가 기판 ( W ) 의 전위 VW 보다 높 아 지 도록 설정 된다 . 가변 임피던스 회로 ( 72 ) 의 임피던스 는 , 제 어부 ( MC ) 에 의하 여 지정 될 수 있 다 . 가변 임피던스 회로 ( 72 ) 의 임피던스 는 , 미리 설정 되 어 있 어도 된다 .