본 발명 은 전술 한 문제점 들 을 해결 하 기 위해 고안 된 발명 으로 , 본 발명 의 목적 은 , InAlGaAs 와 InP 의 접합부 에서 각 물질 의 고유 한 물성 때문 에 발생 되 는 타입 - Ⅱ 밴드 라인업 에 의한 흡수 밴드 를 줄일 수 있 는 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드 의 DBR 구조물 및 그 제조 방법 과 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드 를 제공 하 는 것 이 다 .