다음 에 , 도 5 및 도 6 을 참조 하 여 , 제 1 실시 형태 에 관한 불휘발성 반도체 장치 ( 100 ) 의 구체 적 구성 에 대해서 설명 한다 . 도 5 는 제 1 실시 형태 에 관한 불휘발성 반도체 장치 ( 100 ) 의 메모리 트랜지스터 영역 ( 12 ) 의 단면도 이 며 , 도 6 은 그 메모리 트랜지스터 영역 ( 12 ) 의 종단 부 및 주변 영역 ( Ph ) 까지 의 로우 방향 단면도 이 다 . 또한 , 도 5 는 칼럼 방향 의 단면 및 로우 방향 의 단면 을 나타낸다 . 도 5 및 도 6 은 도 1 내지 도 4 에 도시 된 메모리 스트링 과 다른 16 개 의 메모리 트랜지스터 가 직렬 접속 된 메모리 스트링 을 도시 한다 .