도 2 c 에 도시 된 바 와 같이 , 하부 전극 ( 25 ) 을 포함 한 희생 막 ( 23 ) 상 에 셀 영역 을 덮 고 주변 회로 영역 을 오픈 시키 는 마스크 패턴 ( 26 ) 을 형성 한다 . 이때 , 마스크 패턴 ( 26 ) 은 포토레지스트 패턴 이 며 , 하부 전극 ( 25 ) 의 내부 를 채울 수 도 있 고 , 채우 지 않 고 하부 전극 ( 25 ) 의 상부 를 덮 는 형태 로 형성 될 수 도 있 다 .