도 20 a 및 20 b 는 본 발명 의 다른 실시 예 에 따라 CNT 를 사용 한 GAA FET 의 단면도 를 도시 한다 . 도 1 a 내지 도 19 i 에 관하 여 설명 되 는 것 과 동일 하 거나 유사 한 재료 , 구성 , 치수 , 프로세스 및 / 또는 작업 이 이하 의 실시 예 에서 사용 될 수 있 고 상세 한 설명 은 생략 될 수 있 다 . 도 20 b 는 도 20 a 의 둘러싸인 영역 AR 의 확대도 이 다 .