연결 배선 들 ( ..., LWLk - 2 , LWLk - 1 , LWLk , LWLk + 1 , LWLk + 2 , ...) 의 제 1 도전 라인 ( L 1 ) , 제 2 도전 라인 ( L 2 ) 및 패드 ( PAD ) 는 공지 된 리소그래피 기술 에서 구현 가능 한 소정 형태 의 마스크 패턴 에 SPT 공정 을 적용 함 으로써 동시 에 형성 될 수 있 다 . 본 실시 예 에서 와 같 은 제 1 도전 라인 ( L 1 ) , 제 2 도전 라인 ( L 2 ) 및 패드 ( PAD ) 의 구조 가 형성 되 기 위해서 는 초기 에 포토 리소그래피 공정 을 통한 적절 한 마스크 패턴 구조 가 형성 되 어야 한다 . 이러 한 마스크 패턴 구조 에 대해서 는 도 9 a 및 도 9 b 를 참조 로 하 여 후술 될 것 이 다 .