일부 실시 형태 에서 , 상기 디바이스 는 상기 밀봉재 를 통해 연장 되 는 쓰루 비아 를 더 포함 하 고 , 상기 쓰루 비아 는 상기 금속화 패턴 에 전기 적 으로 결합 되 며 , 상기 쓰루 비아 는 상기 시일 링 링 으로부터 전기 적 으로 절연 된다 . 상기 디바이스 의 일부 실시 형태 에서 , 상기 시일 링 링 층 각각 은 상기 유전체 층 의 각각 을 따라 연장 되 는 라인 부 를 더 포함 한다 . 상기 디바이스 의 일부 실시 형태 에서 , 각각 의 상기 시일 링 링 층 의 라인 부 는 평면 의 최 상면 을 갖 는다 . 상기 디바이스 의 일부 실시 형태 에서 , 각각 의 상기 시일 링 링 층 의 라인 부 는 비 평면 의 최 상면 을 갖 는다 . 상기 디바이스 의 일부 실시 형태 에서 , 상기 시일 링 링 층 의 제 1 서브 세트 의 라인 부 는 평면 의 최 상면 을 갖 고 , 상기 시일 링 링 층 의 제 2 서브 세트 의 라인 부 는 비 평면 의 최 상면 을 갖 는다 . 상기 디바이스 의 일부 실시 형태 에서 , 각각 의 상기 시일 링 링 층 의 비 아부 는 동일 한 제 1 폭 을 갖 는다 . 상기 디바이스 의 일부 실시 형태 에서 , 각각 의 상기 시일 링 링 층 의 라인 부 는 제 1 높이 를 갖 고 , 각각 의 상기 시일 링 링 층 의 비 아부 는 제 2 높이 를 가지 며 , 상기 제 2 높이 는 상기 제 1 높이 보다 크 다 . 상기 디바이스 의 일부 실시 형태 에서 , 상기 시일 링 링 층 의 최상면 이 상기 유전체 층 의 최상층 의 최상면 위 로 연장 된다 . 상기 디바이스 의 일부 실시 형태 에서 , 상기 유전체 층 의 최상층 의 최상면 이 상기 시일 링 링 층 의 최상면 위 로 연장 된다 . 상기 디바이스 의 일부 실시 형태 에서 , 상기 시일 링 링 층 은 상기 금속화 패턴 의 피처 로부터 제 1 거리 만큼 분리 되 고 , 상기 제 1 거리 는 20 ㎛ 내지 30 ㎛ 의 범위 이 다 . 상기 디바이스 의 일부 실시 형태 에서 , 상기 시일 링 링 층 은 상기 밀봉재 의 가장자리 부 로부터 제 2 거리 만큼 분리 되 고 , 상기 제 2 거리 는 10 ㎛ 내지 20 ㎛ 의 범위 이 다 .