본 발명 에 따른 구리 인터 커넥터 및 이 를 구비 하 는 반도체 장치 에 따르 면 , 내열 금속 또는 내마모성 금속 인 탄탈럼 ( Ta ) 과 망가니즈 ( Mn ) 그리고 산소 ( O ) 의 화학 적 결합 에 의해 형성 된 탄탈럼 - 망가니즈 산화물 로 이루어진 확산 방지 층 을 구비 하 여 구리 의 확산 을 효과 적 으로 방지 할 수 있 을 뿐 만 아니 라 상기 확산 방지 층 을 약 0 . 5 내지 3 nm 의 두께 로 형성 하 더라도 구리 확산 을 방지 할 수 있 어서 제 1 도 전체 와 제 2 도 전체 로 이루어진 배선 의 저항 을 감소 시킬 수 있 고 , 그 결과 , 인터 커넥터 배선 을 형성 하 기 위한 공정 온도 범위 를 넓힐 수 있 고 , 반도체 장치 의 성능 및 신뢰 성 을 향상 시킬 수 있 다 .