식각 깊이 가 T ≤ X ≤ T ＋ 500 ㎚ 의 범위 로 한정 되 는 이유 는 , 식각 깊이 가 액티브 층 의 두께 보다 더 작 은 경우 ( X 〈 T ) , 식각 이 접합 계면 에 도달 하 지 못하 고 구체 화 될 섬 형상 의 산화물 이 노출 되 지 않 고 , 식각 깊이 가 액티브 층 두께 의 총 두께 ＋ 500 ㎚ 를 초과 하 는 경우 ( X 〉 T ＋ 500 ㎚), 섬 형상 의 산화물 은 식각 에 의해 소형 화 되 어 정확 한 크기 가 구체 화 될 수 없 다는 사실 에 기인 한다 . 도 3 은 150 ㎚ 두께 의 접합 웨이퍼 가 8 % 테트라메틸 암모늄 히 드 록 사이드 를 함유 하 는 식각 액 으로 식각 되 는 경우 , 접합 계면 에 존재 하 는 섬 형상 의 산화물 의 크기 와 식각 깊이 사이 의 관계 를 나타내 는 그래프 로서 , 도 3 으로부터 식각 깊이 가 150 ㎚ 미만 이 면 액티브 층 은 여전히 식각 되 고 , 섬 형상 의 산화물 은 아직 노출 되 지 않 아서 산화물 의 크기 가 구체 화 될 수 없 고 , 섬 형상 의 산화물 의 크기 가 150 ㎚ 내지 650 ㎚ 의 식각 깊이 에서 일정 하 더라도 , 식각 깊이 가 650 ㎚ 를 초과 하 면 섬 형상 산화물 의 크기 가 감소 하 게 되 는 것 을 알 수 있 다 .