다음 에 , 노출 하 는 버퍼 층 에 대미지 가 생기 지 않 고 , 또 상기 버퍼 층 에 대한 에칭 레이트 ( rate ) 가 낮 은 조건 으로 드라이 에칭 한다 . 이 공정 에 의하 여 , 소스 영역 및 드레 인 영역 사이 에 있 는 버퍼 층 위 의 에칭 잔 사물 , 레지스 트 마스크 의 잔사 , 및 레지스 트 마스크 의 제거 에 사용 하 는 장치 내 의 오염원 을 제거 할 수 있 고 , 소스 영역 및 드레 인 영역 사이 의 절연 을 확실 하 게 할 수 있 다 . 결과 적 으로 , 박막 트랜지스터 의 누설 전류 를 저감 시킬 수 있 어 , 오프 전류 가 작 고 내압 이 높 은 박막 트랜지스터 를 제작 할 수 있 다 . 또한 , 에칭 가스 로서 예 를 들 어 , 염소 가스 를 사용 하 면 좋 다 .