반도체 소자 의 제조 공정 은 , 후술 하 는 전공 정과 후 공정 의 반복 을 거쳐 , 트랜지스터 를 형성 하 는 것 이 다 . 전 공정 은 실리콘 기판 상 에 형성 된 각종 의 박막 위 에 , 레지스 트 층 을 도포 하 는 공정 이 다 . 후 공정 은 , 회로 패턴 을 레지스 트 층 위 에 노광 에 의해 전사 하 는 리소그래피 공정 , 레지스 트 현상 공정 , 에칭 공정 등 을 포함 한다 . 트랜지스터 를 미세 화 해 집적도 를 향상 시키 기 는 데 에 는 , 특히 리소그래피 공정 에 사용 된 노광 장치 가 크 게 기여 한다 . 지금 까지 , 반도체 소자 는 정지 하 는 일 없이 점점 더 미세 화 되 어 왔 고 , 2 년 마다 집적도 가 이른바 무어 의 법칙 ( Moore ' s Law ) 에 따라 2 배 로 되 어 왔 다 . 향후 도 불가피 한 기술 과제 에 직면 할 때 까지 는 , 이대로 미세화 가 진 행 될 것 이 다 .