다음 , 제 1 전극 ( 120 ) 상 에 는 정공 주입 층 ( Hole injection layer , 130 ) 이 형성 된다 . 정공 주입 층 ( 130 ) 은 정공 의 주입 을 돕 는 물질 ( 예 를 들 어 , 2 - TNATA , MTDATA , CuPc , PEDOT : PSS 등 ) 을 이용 하 여 형성 하 며 , 상기 정공 주입 층 ( 130 ) 은 제 1 전극 ( 120 ) 으로부터 의 정공 이 용이 하 게 주입 되 도록 10 ㎚ ~ 50 ㎚ 의 두께 로 형성 한다 . 정공 주입 층 ( 130 ) 상 에 는 정공 의 이동도 가 좋 으며 정공 의 수송 을 용이 하 게 하 는 정공 수송 층 ( Hole transport layer , 140 ) 이 형성 된다 . 정공 수송 층 ( 140 ) 은 정공 의 이동도 가 좋 은 물질 인 TPD ( N , N '- diphenyl - N , N '- bis -( 3 - methyl phenyl ) - 1 , 1 '- biphenyl - 4 , 4 '- diamine ) 또는 NPB ( 4 , 4 '- bis [ N -( 1 - naphthyl - 1 -)- N - phenyl - amino ] - biphenyl ) 등 을 이용 하 여 형성 한다 . 정공 수송 층 ( 140 ) 은 10 ㎚ ~ 100 ㎚ 의 두께 로 형성 한다 .