이상 에 의해 , 실리콘 기판 ( 11 ) 과 제 1 실리콘 층 ( 16 a ) 사이 에 중공 ( 中空 ) 의 공동 부 ( 29 ) 가 형성 된다 . 또한 , 공동 부 ( 29 ) 가 형성 됨 으로써 , 제 1 실리콘 층 ( 16 a ) 의 하측 에 지지 하 는 것 이 없 어 지 지만 , 지 지체 ( 26 ) 의 제 3 측면 ( 26 c ) 및 제 4 측면 ( 26 d ) 에 의해 , 제 1 실리콘 층 ( 16 a ) 을 유지 ( 지지 ) 하 는 것 이 가능 하 게 되 어 있 다 .