예 를 들 어 , 본 발명 의 실시 예 에서 는 제 1 워드 라인 ( WL 1 ) 에 연결 된 제 1 메모리 셀 들 ( F 1 ) 중 에서 드레 인 선택 라인 ( DSL 0 ) 에 대응 하 는 메모리 스트링 에 포함 되 는 메모리 셀 들 을 제 1 페이지 ( Page 0 ) , 드레 인 선택 라인 ( DSL 1 ) 에 대응 하 는 메모리 스트링 에 포함 되 는 메모리 셀 들 을 제 2 페이지 ( Page 1 ) , 드레 인 선택 라인 ( DSL 2 ) 에 대응 하 는 메모리 스트링 에 포함 되 는 메모리 셀 들 을 제 3 페이지 ( Page 2 ) , 및 드레 인 선택 라인 ( DSL 3 ) 에 대응 하 는 메모리 스트링 에 포함 되 는 메모리 셀 들 을 제 4 페이지 ( Page 3 ) 로 정의 한다 . 또한 제 2 워드 라인 ( WL 2 ) 에 연결 된 제 2 메모리 셀 들 ( F 2 ) 중 에서 드레 인 선택 라인 ( DSL 0 ) 에 대응 하 는 메모리 스트링 에 포함 되 는 메모리 셀 들 을 제 5 페이지 ( Page 4 ) , 드레 인 선택 라인 ( DSL 1 ) 에 대응 하 는 메모리 스트링 에 포함 되 는 메모리 셀 들 을 제 6 페이지 ( Page 5 ) , 드레 인 선택 라인 ( DSL 2 ) 에 대응 하 는 메모리 스트링 에 포함 되 는 메모리 셀 들 을 제 7 페이지 ( Page 6 ) , 및 드레 인 선택 라인 ( DSL 3 ) 에 대응 하 는 메모리 스트링 에 포함 되 는 메모리 셀 들 을 제 8 페이지 ( Page 7 ) 로 정의 한다 .