상기 오 믹 층 ( 121 ) 은 발광 구조물 ( 110 ) 의 하층 예컨대 제 2 도전 형 반도체 층 ( 115 ) 에 오 믹 접촉 되 며 , 그 재료 는 ITO ( indium tin oxide ) , IZO ( indium zinc oxide ) , IZTO ( indium zinc tin oxide ) , IAZO ( indium aluminum zinc oxide ) , IGZO ( indium gallium zinc oxide ) , IGTO ( indium gallium tin oxide ) , AZO ( aluminum zinc oxide ) , ATO ( antimony tin oxide ) , GZO ( gallium zinc oxide ) , Ag , Ni , Al , Rh , Pd , Ir , Ru , Mg , Zn , Pt , Au , Hf 및 이 들 의 선택 적 인 조합 으로 구성 된 물질 중 에서 형성 될 수 있 다 . 또한 상기 금속 물질 과 IZO , IZTO , IAZO , IGZO , IGTO , AZO , ATO 등 의 투광 성 전도성 물질 을 이용 하 여 다층 으로 형성 할 수 있 으며 , 예컨대 , IZO / Ni , AZO / Ag , IZO / Ag / Ni , AZO / Ag / Ni 등 으로 적층 할 수 있 다 . 상기 오 믹 층 ( 121 ) 내부 는 전극 ( 116 ) 과 대응 되 도록 전류 를 블록 킹 하 는 층 이 더 형성 될 수 있 다 .