여기 서 , 절연 층 ( 101 ) 을 대신 하 여 기판 ( 100 ) 내부 에 게르마늄 또는 높 은 도우즈 의 P 형 불순물 이온 으로 이루어진 이온 주입 층 ( 101 ) 이 형성 될 수 있 다 . 이러 한 이 온주 입 층 ( 101 ) 은 에너지 밴드 적 으로 홀 을 축적 할 수 있 는 부유 바디 셀 ( 102 ) 을 제공 할 수 있 다 . 왜냐하면 , 게르마늄 의 경우 에 는 실리콘 보다 에너지 대역 간극 이 좁 고 전 도대 가 거의 같 기 때문 에 가전자 대역 에 존재 하 던 홀 이 부유 바디 셀 ( 102 ) 내부 중 에서 도 게르마늄 이온 주입 층 과 인접 한 영역 에 축적 될 수 있 고 , 높 은 도우즈 ( high - dose ) 의 P 형 불순물 의 경우 에 도 비슷 한 이유 로 부유 바디 셀 ( 102 ) 내부 중 에서 도 높 은 도우즈 의 P 형 불순물 이온 주입 층 과 인접 한 영역 에 홀 이 축적 될 수 있 기 때문 이 다 .