본 발명 의 다른 목적 은 언 도프 트 폴리 실리콘 막 을 2 층 이상 의 다층 으로 형성 하 여 제 1 그레인 사이즈 를 갖 도록 한 후 제 2 그레인 사이즈 를 갖 는 도프 트 폴리 실리콘 막 을 언 도프 트 폴리 실리콘 막 보다 두껍 게 형성 함 으로써 그레인 바운더리 를 일정 하 게 하 여 문턱 전압 의 분포 를 균일 하 게 할 수 있 는 플 래쉬 메모리 소자 의 플로팅 게이트 형성 방법 을 제공 하 는데 있 다 .