먼저 도 5 a 에 도시 된 바 와 같이 , 실리콘 웨이퍼 ( W ) 위 에 포토 레지스 트 막 ( P ) 을 형성 한다 . 그리고 나 서 자외선 조사 를 이용 한 포토 리소그래피 공정 을 이용 하 여 도 5 b 에 도시 된 바 와 같이 , 포토 레지스 트 막 ( P ) 을 패 터닝 한다 . 이때 포토 레지 시트 패턴 ( P ') 의 형상 은 스템프 ( 40 ) 에 형성 되 는 패턴 과 반대 되 는 형상 을 가진다 . 즉 , 스템프 ( 40 ) 상 에서 음각 부분 ( 44 ) 과 대응 되 는 부분 은 돌출 되 어 있 는 양각 부분 으로 형성 되 고 , 스템프 상 에서 양각 부분 ( 42 ) 과 대응 되 는 부분 은 제거 되 어 있 는 음각 부분 을 형성 된다 .