또한 , 도 6 이나 도 7 에 도시 한 구성 에서 는 , 게이트 전극 ( 648 ) 이 산화물 반도체 층 ( 644 ) 상 에 배치 되 는 예 를 나타냈 다 . 그러나 이것 에 한정 되 지 않 고 , 게이트 전극 ( 648 ) 은 산화물 반도체 층 ( 644 ) 아래 에 형성 해도 좋 다 . 게이트 전극 ( 648 ) 을 산화물 반도체 층 ( 644 ) 아래 에 형성 한 예 를 도 8 에 도시 한다 . 또한 , 도 8 에 있 어서 도 6 이나 도 7 과 동일 한 부분 은 동일 부호 를 사용 하 여 도시 한다 .