대안 으로 , 타깃 논리 상태 가 제 2 논리 상태 ( 가령 , " 논리 "" 0 "") 인 경우 ", 디 지트 라인 은 액세스 동작 의 제 3 부분 동안 접지 될 수 있 으며 제 2 논리 상태 가 ( 가령 , 래치 에 의해 생성 된 신호 를 기초 로 ) 래치 로부터 메모리 셀 에 써질 수 있 다 . 예 를 들 어 , 선택 된 디 지트 라인 은 플레이트 로부터 분리 될 수 있 고 , 플레이트 전압 이 더 높 은 전압 으로 유지 되 는 동안 디 지트 라인 전압 이 감소 될 수 있 으며 ( 가령 , 접지 될 수 있 음 ) , 메모리 셀 양단 의 결과 적 인 전압 차동 이 제 2 로직 상태 를 쓸 수 있 다 . 그 후 디 지트 라인 전압 이 증가 될 수 있 으며 , 일부 경우 , 디 지트 라인 이 플레이트 와 연결 ( 가령 , 재 연결 ) 될 수 있 다 .