또한 , 바람직 하 게 이산화 티탄 ( TiO 2 ) 층 ( 170 ) 을 포함 하 는 정공 차단 층 ( 168 ) 은 콜로이드 필름 ( 164 ) 이 정공 차단 층 ( 168 ) 의 상부 에 증착 되 기 전 에 , 제 1 전도 층 ( 132 ) 상 에 증착 될 수 있 다 . 도 2 ( b ) 의 특정 실시 예 에서 , 이산화 티탄 층 ( 170 ) 은 n 형 반도체 일 수 있 으며 , 이산화 티탄 ( TiO 2 ) 입자 를 포함 할 수 있 다 . 대안 으로 , 정공 차단 층 ( 168 ) 은 또한 산화 아연 ( ZnO ) 을 포함 할 수 있 거나 , 차단 층 인 p 형 반도체 인 산화 몰리브덴 ( MoO 3 ) 을 포함 할 수 있 다 . 여기 서 , TiO 2 를 포함 하 는 정공 차단 층 ( 168 ) 은 , 특히 , 전자 의 수송 을 차단 할 수 있 으며 , 이 에 의해 정공 차단 층 ( 168 ) 내 의 홀 과 전자 간 의 재조합 이 배제 될 수 있 다 .