상기 한 바 와 같이 본 발명 은 다 수개 의 특정 가스 중 어느 하나 의 특정 가스 를 선택 하 여 희석 하 기 위해 MFC 를 통해 유입량 을 조절 하 여 1 차 희석 한 후 1 차 희석 가스 에 MFC 를 통해 유입량 을 조절 하 여 2 차 희석 할 때 후단 의 MFC 유입량 을 초과 하 는 1 차 희석 가스 를 버림 으로써 유연 하 게 필요 유량 에 따라 희석 비율 을 조절 하 여 고배 율 의 희석 가스 를 만들 수 있 는 이점 이 있 다 .