도 4 b 를 참조 하 면 , 트렌치 ( 310 ) 를 포함 한 반도체 기판 ( 300 ) 상 에 절연 물질 을 증착 하 여 필드 영역 ( F ) 의 트렌치 ( 310 ) 가 형성 된 영역 에 만 소자 분리 막 ( 320 ) 을 형성 한다 . 여기 서 , 소자 분리 막 ( 320 ) 은 절연 물질 이 면 모두 적용 가능 하 며 , 바람직 하 게 갭 필 능력 이 우수 한 SOD ( Spin on Dielectric ) 또는 SOG ( Spin On Glass ) 물질 로 형성 한다 . 이 로써 , 소자 분리 막 ( 320 ) 에 의해 액티브 영역 ( A ) 과 필드 영역 ( F ) 이 정의 된다 . 이렇 듯 , 트렌치 ( 310 ) 를 포함 한 필드 영역 ( F ) 이 액티브 영역 들 ( A ) 에 의해 폐쇄 되 므로 , 소자 분리 막 ( 320 ) 형성 시 흐름 성 이 있 는 SOD 물질 을 적용 하 더라도 트렌치 ( 310 ) 갭 필 특성 을 향상 시킬 수 있 다 .