도 4 b 를 참조 하 면 , 개구 ( 350 ) 를 채우 면서 제 1 콘 택 영역 ( 335 ) 상 에 다이오드 ( 370 ) 를 형성 한다 . 예 를 들 면 , 다이오드 ( 370 ) 는 노출 된 제 1 콘 택 영역 ( 335 ) 을 시드 로 이용 하 는 선택 적 에피택시 얼 성장 ( SEG ) 공정 으로 형성 된 폴리 실리콘 을 포함 한다 . 본 발명 의 일 실시 예 에 따르 면 , 다이오드 ( 370 ) 는 제 1 및 제 2 하부 층간 절 연막 ( 345 , 365 ) 의 두께 의 합 과 실질 적 으로 동일 한 두께 를 가진다 . 본 발명 의 다른 실시 예 들 에 있 어서 , 다이오드 ( 370 ) 의 높이 는 제 1 및 제 2 하부 층간 절 연막 ( 345 , 365 ) 의 두께 의 합 보다 크 거나 작 을 수 있 다 .