그런데 , 상기 디램 은 잘 알려진 바 와 같이 매우 우수 한 기억 소자 임 에 도 불구 하 고 높 은 전하 저장 능력 이 요구 되 고 , 이 를 위해 , 전극 표면적 을 증가 시켜야 만 하 므로 고집 적 화 에 어려움 이 있 다 . 또한 , 상기 플 래쉬 기억 소자 는 두 개 의 게이트 가 적층 된 구조 를 갖 는 것 과 관련 해서 전원 전압 에 비해 높 은 동작 전압 이 요구 되 고 , 이 에 따라 , 쓰 기 및 소거 동작 에 필요 한 전압 을 형성 하 기 위해 별도 의 승압 회로 를 필요 로 하 므로 고집 적 화 에 어려움 이 있 다 .