도 6 을 참조 하 면 , 본 발명 에 따른 데이터 저장 장치 ( 3000 ) 는 저항 변화 메모리 ( 3100 ) 및 저항 변화 컨트롤러 ( 3200 ) 를 포함 할 수 있 다 . 저항 변화 컨트롤러 ( 3200 ) 는 데이터 저장 장치 ( 3000 ) 의 외부 회로 로부터 수신 된 제어 신호 들 에 기초 하 여 저항 변화 메모리 ( 3100 ) 를 제어 할 수 있 다 . 저항 변화 메모리 ( 3100 ) 의 3 차원 메모리 어레이 구조 는 , 예 를 들 면 , 채널 적층 형 구조 , 직선형 BICs 구조 ( straight - shaped Bit Cost Scalable 구조 ) , 및 파이프 형 BICs ( pipe - shaped Bit Cost Scalable ) 구조 일 수 있 으며 , 상기 구조 는 예시 적 일 뿐 본 발명 이 이 에 한정 되 는 것 은 아니 다 .