본 발명 의 실시 예 들 에 따른 상기 적어도 하나 의 산화 막 을 형성 하 는 단계 및 상기 적어도 하나 의 질화 막 을 형성 하 는 단계 에 있 어서 , 제 1 산화 공정 을 수행 하 여 상기 대 상체 를 부분 적 으로 산화 시켜 상기 대 상체 상 에 제 1 예비 산화 막 을 형성 한 다음 , 제 1 질화 공정 을 수행 하 여 상기 제 1 예비 산화 막 의 하부 를 변화 시켜 상기 대 상체 상 에 예비 하부 질화 막 을 형성 하 고 , 상기 예비 하부 질화 막 상 에 상기 제 1 예비 산화 막 으로부터 제 2 예비 산화 막 을 형성 한다 . 제 2 산화 공정 을 수행 하 여 상기 대 상체 상 에 상기 예비 하부 질화 막 으로부터 하부 질화 막 을 형성 하 고 , 상기 하부 질화 막 상 에 상기 제 2 예비 산화 막 으로부터 하부 산화 막 을 형성 하 며 , 상기 하부 산 화 막 상 에 상기 제 2 예비 산화 막 으로부터 예비 상부 산화 막 을 형성 한다 . 제 2 질화 공정 을 수행 하 여 상기 하부 산화 막 상 에 상기 예비 상부 산화 막 으로부터 상부 산화 막 을 형성 하 고 , 상기 예비 상부 산화 막 의 상부 를 변화 시켜 상기 상부 산화 막 상 에 상부 질화 막 을 형성 한다 .