이 후 에 , 게이트 전극 을 포함 하 는 반도체 기판 상부 전면 에 절 연막 을 증착 한 후 블랭크 식각 ( blanket etch ) 하 여 게이트 전극 양 측면 에 스 페이서 를 형성 하 고 , 게이트 전극 및 게이트 스 페이서 를 마스크 로 하 여 소오 스 / 드레 인용 불순물 이온 주입 으로 게이트 양측 의 반도체 기판 표면 내 에 LDD 영역 과 연결 되 는 소오 스 / 드레 인 불순물 확산 영역 을 형성 한 후 에 , 이러 한 반도체 기판 상부 전면 에 질화 막 등 의 식각 장벽 막 ( 미도 시 됨 ) 을 형성 한다 .