게이트 구 조체 ( 20 ) 는 채널 ( 11 ) 상 에 차례 로 적층 된 계면 층 ( 21 ) , 강유 전 층 ( 22 ) , 및 안정 화 층 ( 23 ) 을 포함 할 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 계면 층 ( 21 ) 과 채널 ( 11 ) 사이 의 임의 의 추가 층 없이 계면 층 ( 21 ) 은 채널 ( 11 ) 바로 상 에 위치 할 수 있 다 . 계면 층 ( 21 ) 은 예 를 들 어 실리콘 산화물 , 실리콘 질화물 , 또는 실리콘 산질 화물 과 같 은 이 들 의 조합 을 포함 할 수 있 으나 , 이 에 제한 되 지 않 는다 . 계면 층 ( 21 ) 의 두께 는 약 1 Å 내지 약 10 Å 일 수 있 다 . 계면 층 ( 21 ) 의 두께 가 10 Å 보다 크 면 등 가 산화물 두께 ( equivalent oxide thickness , EOT ) 가 증가 하 여 반도체 소자 ( 100 ) 의 특성 이 열화 될 수 있 다 . 반면 , 계면 층 ( 21 ) 의 두께 가 1 Å 보다 작 으면 누설 전류 가 너무 클 수 있 다 .