도 19 ( b ) 를 참조 하 면 , p 형 반도체 층 ( 300 ) 상부 의 소정 영역 에 에칭 스탑 층 ( 500 ) 을 형성 한다 . 즉 , 에칭 스탑 층 ( 500 ) 은 p 형 반도체 층 ( 300 ) 상부 에서 p 형 전극 층 ( 400 ) 과 소정 간격 이격 되 도록 형성 한다 . 그리고 , 분리 된 발광 소자 영역 의 p 형 전극 층 ( 400 ) 및 에칭 스탑 층 ( 500 ) 상부 에 커버 층 ( 600 ) 을 형성 한 후 커버 층 ( 600 ) 상부 에 제 1 본딩 층 ( 651 ) 을 형성 한다 . 그리고 , 지지 기판 ( 750 ) 상부 에 제 2 본딩 층 ( 652 ) 을 형성 한 후 제 1 본딩 층 ( 651 ) 및 제 2 본딩 층 ( 652 ) 를 본 딩 하 여 커버 층 ( 600 ) 과 지지 기판 ( 750 ) 이 본딩 되 도록 한다 .