본 발명 은 상기 한 종래 기술 의 문제점 을 해결 하 기 위해 제안 된 것 으로서 , 전 극물 질 로 루테늄 막 과 루테늄 산화 막 을 이용 하 되 캐 패 시터 의 하부 전극 구조 를 미세 반구형 의 그레인 이 형성 된 표면 을 가진 기둥 으로 제조 하 여 표면적 을 증대 시켜 고집 적 소자 동작 에 요구 되 는 충분 한 캐 패 시터 용량 을 확보 할 수 있 는 공정 신뢰도 가 높 은 캐 패 시터 의 제조 방법 을 제공 하 는데 제 1 목적 이 있 다 .