비휘발성 메모리 장치 가 개시 된다 . 상기 비휘발성 메모리 장치 는 상기 복수 의 비휘발성 메모리 셀 들 을 포함 하 는 셀 스트링 과 , 프로그램 동작 시 상기 복수 의 비휘발성 메모리 셀 들 중 에서 선택 된 비휘발성 메모리 셀 에 접속 된 워드 라인 으로 프로그램 전압 을 공급 하 고 , 디 트랩 동작 시 상기 워드 라인 으로 제 1 음 의 전압 을 공급 하 고 , 프로그램 검증 동작 시 상기 워드 라인 으로 제 2 음 의 전압 을 검증 전압 으로서 공급 하 는 동작 제어 블록 을 포함 한다 .