본 발명 은 티탄 ( Ti ) 계 금속 막 이 형성 된 반도체 기판 의 가공 , 특히 동 ( Cu ) 배선 을 입힌 반도체 기판 의 가공 에 관한 것 이 고 , 주로 Ti 막 이나 티탄 - 텅스텐 ( TiW ) 합금 막 등 의 Ti 계 금속 막 용 의 에칭 제 및 에칭 방법 에 관한 것 이 다 . 또 , 본 발명 은 텅스텐 보다 도 이온 화 경향 이 낮 은 금속 범프 또는 금속 배선 이 형성 된 반도체 기판 의 가공 , 특히 텅스텐 ( W ) 계 금속 막 을 입힌 반도체 기판 의 가공 에 관한 것 이 고 , 주로 W 막 이나 TiW 합금 막 등 의 W 계 금속 막 용 의 에칭 제 및 에칭 방법 에 관한 것 이 다 .