패시 베이 션 재료 가 실리콘 - 함유 화합물 이 면 , 플루오르화 탄소 - 기반 에칭 을 사용 하 여 주석 옥사이드 에 선택 적 으로 수평 표면 들 로부터 에칭 될 수 있 다 . 패 시베이 션 재료 가 탄소 - 함유 재료 이 면 주석 옥사이드 에 선택 적 으로 산소 - 기반 에칭 을 사용 하 여 , 또는 수소 - 함유 가스 ( 예 를 들 어 , H 2 ) 로 형성 된 플 라즈 마 에 대한 짧 은 노출 을 사용 하 여 수평 표면 들 로부터 제거 될 수 있 다 . 일부 실시 예 들 에서 , 주석 - 함유 패 시베이 션 재료 들 은 주석 옥사이드 에칭 에 사용 된 것 과 동일 한 화학 물질 을 사용 하 여 , 수평 표면 들 로부터 재료 의 제거 를 용이 하 게 하 는 기판 에서 충분 한 바이어스 의 사용 으로 수평 표면 들 로부터 제거 된다 . 예 를 들 어 , 프로세스 는 수평 표면 들 로부터 주석 - 함유 패 시베이 션 재료 를 제거 하 기 위해 제 1 바이어스 를 사용 하 여 플 라즈 마 에칭 이 시작 될 수 도 있 고 , 이어서 프로세스 가 주 주석 옥사이드 에칭 으로 이행함 에 따라 , 바이어스 는 감소 되 거나 턴 오프 될 수 도 있 다 . 일부 실시 예 들 에서 , 염소 - 기반 화학 물질 ( 예 를 들 어 , BCl 3 / Cl 2 플 라즈 마 ) 이 수평 표면 들 로부터 패 시베이 션 재료 및 주석 옥사이드 의 에칭 동안 사용 된다 .