다음 으로 로우 컨트롤러 ( 3 ) 는 , 드라이버 회로 ( 5 ) 의 명령 에 응답 하 여 , 셀렉 트 게이트 선 SGD 의 전압 을 , 전압 VSG 로부터 전압 VL 로 변경 한다 ( 시각 t 2 ) . 전압 VL 은 , 예 를 들 면 전압 VDD 보다 도 낮 은 전압 이 며 , 선택 트랜지스터 ST 1 에 대하 여 비 선택 비트 선 에 인가 되 는 전압 을 전송 시키 지 않 기 위한 전압 이 다 . 전압 VL 의 일례 는 2 . 5 V 이 다 . 그 결과 , 비 선택 비트 선 에 접속 된 선택 트랜지스터 ST 1 은 컷오프 상태 로 된다 . 그 때문 에 ， 비 선택 비트 선 에 접속 된 NAND 셀 에 포함 되 는 전체 메모리 셀 트랜지스터 MT 의 채널 은 , 비 선택 비트 선 으로부터 전기 적 으로 분리 되 고 , 전기 적 으로 플로팅 의 상태 로 된다 . 한편 ， 선택 비트 선 에 접속 된 선택 트랜지스터 ST 1 은 온 상태 를 유지 한다 . 그 때문 에 ， 선택 비트 선 에 접속 된 NAND 셀 에 포함 되 는 전체 메모리 셀 트랜지스터 MT 의 채널 은 , 선택 비트 선 과 전기 적 으로 접속 된 상태 를 유지 하 고 , 그 값 은 V 1 이 다 .