도 23 을 참조 하 면 , 상기 수직 형 메모리 장치 는 제 3 전하 저장 구조물 ( 256 ) 대신 에 제 4 전하 저장 구조물 ( 258 ) 을 포함 할 수 있 으며 , 제 4 전하 저장 구조물 ( 258 ) 은 채널 ( 260 ) 의 외측 벽 으로부터 기판 ( 100 ) 상면 에 평행 한 수평 방향 을 따라 순차 적 으로 적층 된 터널 절연 패턴 ( 240 ) , 제 1 전하 트래핑 패턴 ( 230 ) , 제 3 전하 트래핑 패턴 ( 236 ) , 및 제 1 블로킹 패턴 ( 220 ) 을 포함 할 수 있 다 . 이때 , 제 1 블로킹 패턴 ( 220 ) 은 상기 제 1 방향 으로 연장 되 면서 각 제 1 및 제 3 전하 트래핑 패턴 들 ( 230 , 236 ) 을 상기 제 1 방향 으로 분리 시킬 수 있 으며 , 이 에 따라 분리 패턴 ( 234 ) 의 역할 도 함께 수행 할 수 있 다 .