앞서 언급 한 바 와 같이 , 버퍼 층 ( B 1 ) 은 상기 세트 / 리세트 동작 시 저항 변화 특성 의 안정 성 , 신뢰 성 및 재현 성 을 개선 하 는 역할 을 할 수 있 다 . 버퍼 층 ( B 1 ) 이 없 는 경우 , 상기 세트 / 리세트 동작 시 저항 변화 에 관여 하 는 산소 이온 및 / 또는 산소 공공 ( vacancy ) 이 제 1 전극 ( E 1 ) 쪽 으로 이동하 여 제 1 전극 ( E 1 ) 과 물리 / 화학 적 반응 을 일으키 거나 , 메모리 층 ( M 1 ) 자체 와 제 1 전극 ( E 1 ) 이 물리 / 화학 적 반응 을 일으킬 수 있 다 . 이 에 따라 저항 변화 특성 의 안정 성 , 신뢰 성 및 재현 성 등 에 문제 가 발생 할 수 있 다 . 예컨대 , 제 1 전극 ( E 1 ) 과 제 2 전극 ( E 2 ) 사이 의 전류 가 급격히 증가 하 는 절연 파괴 ( breakdown ) 현상 이 나타날 수 있 다 . 또한 , 메모리 층 ( M 1 ) 과 제 1 전극 ( E 1 ) 간 반응 에 의해 이 들 의 계면 에 원치 않 는 물질 층 이 형성 되 고 , 그 에 따라 저항 변화 특성 이 열화 될 수 있 다 . 이러 한 문제 들 은 제 1 전극 ( E 1 ) 으로 저가 의 비 귀금속 을 사용 하 는 경우 에 , 더욱 심각 하 게 나타날 수 있 다 . 또한 온 ( ON ) / 오프 ( OFF ) 동작 을 반복 함 에 따라 , 위 문제 들 이 발생 할 가능 성 이 커질 수 있 다 . 특히 , TaOx 층 을 저항 변화 물질 로 적용 한 경우 에 는 , TaOx 층 의 형성 방법 , 증착 조건 및 산소 함량 등 에 따라 특성 변화 가 크 기 때문 에 , 재현 성 및 안정 성 을 확보 하 기 어려운 문제 가 있 다 . 그러나 본 실시 예 에서 와 같이 , 제 1 전극 ( E 1 ) 과 메모리 층 ( M 1 ) 사이 에 버퍼 층 ( B 1 ) 을 적용 하 면 , 전술 한 문제점 들 을 억제 / 방지 하 고 저항 변화 특성 의 안정 성 , 신뢰 성 및 재현 성 을 개선 / 확보 할 수 있 다 . 특히 , 버퍼 층 ( B 1 ) 은 최초 의 세트 동작 시 ( 즉 , forming 동작 시 ) , 제 1 전극 ( E 1 ) 과 제 1 물질 층 ( 10 ) 사이 , 그리고 , 제 1 전극 ( E 1 ) 과 제 1 물질 층 ( 10 ) 의 이온 종 ( ionic species ) 사이 의 화학 적 반응 을 억제 / 방지 하 는 역할 을 할 수 있 다 . 또한 버퍼 층 ( B 1 ) 은 제 1 물질 층 ( 10 ) 을 형성 할 때 , 제 1 물질 층 ( 10 ) 과 제 1 전극 ( E 1 ) 이 반응 하 는 것 도 방지 할 수 있 다 .