도 2 및 도 23 을 참조 하 면 , 상기 리세 스 영역 들 ( 155 ) 을 채우 는 게이트 전극 들 ( LSL , WL 1 , WL 2 , USL ) 이 형성 될 수 있 다 . 구체 적 으로 , 상기 게이트 전극 들 ( LSL , WL 1 , WL 2 , USL ) 을 형성 하 는 것 은 , 상기 리세 스 영역 들 ( 155 ) 을 채우 는 도전 막 을 형성 한 뒤 , 상기 리세 스 영역 들 ( 155 ) 외부 에 형성 된 상기 도전 막 을 제거 하 는 것 을 포함 할 수 있 다 .