도 1 에 나타낸 공정 에서 는 , 반도체 기재 ( 벌크 실리콘 기판 ) 로서 의 실리콘 기판 ( 11 ) 에 소자 분리 막 ( 12 ) 을 형성 한다 . 소자 분리 막 ( 12 ) 은 예 를 들 어 LOCOS ( Local Oxidation of Silicon ) 산화 막 이 다 . 소자 분리 막 ( 12 ) 은 SOI 구조 의 트랜지스터 가 형성 되 는 제 1 영역 으로서 의 SOI 소자 형성 영역 ( 13 ) 과 , 벌크 구조 의 트랜지스터 가 형성 되 는 벌크 소자 형성 영역 ( 14 ) 을 전기 적 으로 절연 시키 기 위해 형성 된다 . 우선 , 실리콘 기판 ( 11 ) 위 의 전체 에 실리콘 산화 막 ( SiO 2 ) ( 도시 생략 ) 을 형성 한다 . 다음 으로 , SOI 소자 형성 영역 ( 13 ) 및 벌크 소자 형성 영역 ( 14 ) 에서 의 실리콘 기판 ( 11 ) 위 에 포토 리소그래피 기술 을 이용 하 여 실리콘 질화 막 ( SiN ) ( 도시 생략 ) 을 형성 한다 . 그 후 , 실리콘 질화 막 을 마스크 로 하 여 SOI 소자 형성 영역 ( 13 ) 및 벌크 소자 형성 영역 ( 14 ) 이외 의 실리콘 기판 ( 11 ) 을 산화 시킨다 . 이것 에 의해 , SOI 소자 형성 영역 ( 13 ) 및 벌크 소자 형성 영역 ( 14 ) 이외 의 영역 의 실리콘 기판 ( 11 ) 위 에 소자 분리 막 ( 12 ) 이 형성 된다 .