도 9 a 에 도시 하 는 트랜지스터 ( 340 ) 는 , 절연 표면 을 갖 는 기판 ( 400 ) 위 에 , 게이트 전극 ( 401 ) 과 , 게이트 절연 층 ( 402 ) 과 , 산화물 반도체 층 ( 409 ) 과 , 제 1 도전 층 ( 406 a ) 과 제 2 도전 층 ( 405 a ) 으로 형성 된 소스 전극 과 , 제 1 도전 층 ( 406 b ) 과 제 2 도전 층 ( 405 b ) 으로 형성 된 드레 인 전극 과 , 보호 절 연막 ( 407 ) 을 포함 하 는 점 에서 , 트랜지스터 ( 310 ) 와 공통 된다 . 트랜지스터 ( 340 ) 와 트랜지스터 ( 310 ) 의 차이 는 , 산화물 반도체 층 ( 409 ) 과 , 제 1 도전 층 ( 406 a ) 과 제 2 도전 층 ( 405 a ) 으로 형성 된 소스 전극 이나 제 1 도전 층 ( 406 b ) 과 제 2 도전 층 ( 405 b ) 으로 형성 된 드레 인 전극 이 접속 하 는 위치 이 다 . 즉 , 트랜지스터 ( 340 ) 에서 는 , 산화물 반도체 층 ( 409 ) 의 하부 에 있 어서 , 산화물 반도체 층 ( 409 ) 과 , 제 1 도전 층 ( 406 a ) 과 제 2 도전 층 ( 405 a ) 으로 형성 된 소스 전극 이나 제 1 도전 층 ( 406 b ) 과 제 2 도전 층 ( 405 b ) 으로 형성 된 드레 인 전극 이 접하 고 있 다 . 그 밖 의 구성 요소 에 관해서 는 , 도 6 의 트랜지스터 ( 310 ) 와 같 다 . 상세 한 것 은 , 도 6 에 관한 기재 를 참작 할 수 있 다 .