본 발명 의 에칭 액 조성물 의 주성분 인 불화 암모늄 은 실리콘 산화 막 을 식각 할 수 있 는 불소 이온 을 제공 하 며 , 조성물 총 중량 에 대하 여 , 1 내지 40 중량 % 로 포함 되 는 것 이 바람직 하 며 , 더욱 바람직 하 게 는 5 내지 20 중량 %( 확인 바랍니다 . ) 로 포함 되 는 것 이 좋 다 . 조성물 에 포함 되 는 함량 이 1 중량 % 미만 일 경우 , 공정 에 맞 는 식각 속도 나 처리 매수 를 제공 하 지 못하 며 , 40 중량 % 를 초과 할 경우 , 식각 속도 에 큰 영향 을 주 지 못 할 뿐 아니 라 불화 암모늄 이 석출 되 는 문제 가 발생 한다 .