( A 1 ) 성분 을 적어도 함유 하 는 레지스 트 조성물 을 사용 하 여 , 레지스 트 막 을 형성 하 고 , 그 레지스 트 막 에 대해 선택 적 으로 노광 을 실시 하 면 , 그 레지스 트 막 의 노광 부 에서 는 , 예 를 들 어 레지스 트 조성물 이 ( B ) 성분 을 함유 하 는 경우 에 는 그 ( B ) 성분 으로부터 산 이 발생 하 고 , 그 산 의 작용 에 의해 , 그 레지스 트 막 노광 부 의 유기계 현상액 에 대한 용해 성 이 감소 한다 . 그 때문 에 , 레지스 트 패턴 의 형성 에 있 어서 , 본 실시 형태 의 레지스 트 조성물 을 지 지체 상 에 도포 하 여 얻 어 지 는 레지스 트 막 을 선택 적 으로 노광 하 면 , 레지스 트 막 노광 부 는 유기계 현상액 에 대해 난용 성 으로 변화 하 는 한편 , 레지스 트 막 미노 광부 는 유기계 현상액 에 대해 가용성 인 채 로 변화 하 지 않 기 때문 에 , 유기계 현상액 으로 현상 함 으로써 , 네거티브 형 레지스 트 패턴 이 형성 된다 .