FO - WLP 에서 는 , 종래 의 WLP 와 비교 하 여 패키지 의 두께 가 얇 은 점 에서 , 재 배선 층 형성 시 에 발생 하 는 응력 의 영향 을 받 기 쉽 다 . 그 때문 에 , 종래 의 것 보다 도 패키지 가 휘 기 쉽 다 . 또한 , 일본 특허 공개 제 2012 - 178422 호 공보 에서 제안 되 어 있 는 바 와 같이 , 재 배선 층 이 편면 에 만 마련 되 어 있 는 WLP 를 가열 하 여 휨 량 을 억제 하 였 다고 해도 , WLP 의 실장 온도 ( 예 를 들 어 260 ℃) 로 가열 되 면 재 배선 층 이나 봉 지재 가 팽창 하 여 패키지 에 휨 이 발생 한다 . 그 결과 , 패키지 내부 의 층간 에 박리 가 발생 하 거나 , 실장 시 에 일부 단자 가 접속 하 기 어려워 지 는 문제 가 있 다 . 한편 , WLP 의 실장 시 의 패키지 의 휨 을 억제 하 기 위해서 , WLP 의 실장 온도 에서 휨 량 이나 봉 지재 가 억제 되 도록 조정 하 면 , 패키지 를 실온 으로 냉각 시켰 을 때 에 절 연막 을 포함 하 는 재 배선 층 이 수축 하 여 웨이퍼 에 휨 이 발생 해 버린다 . 그 결과 , 웨이퍼 반송 이 곤란 해 지 거나 , 웨이퍼 에 응력 이 가해져 미소 한 충격 으로 깨지 는 리스크 가 높 아 지 는 문제 가 있 다 . 또한 , 미국 특허 공개 제 2010 / 0252919 호 에 기재 되 어 있 는 방법 에서 는 , 예측 할 수 있 는 휨 량 이 면 휨 교정 이 가능 하 기 는 하 지만 , 상술 한 바 와 같이 의사 웨이퍼 의 제조 단계 뿐 만 아니 라 , WLP 의 실장 시 의 가열 에 있 어서 도 휨 이 발생 하 기 때문 에 , 휨 의 정도 가 변화 하 는 경우 에 는 대응 할 수 없 다 . 또한 , 미국 특허 공개 제 2010 / 0252919 호 에 기재 되 어 있 는 방법 은 , 의사 웨이퍼 제작 시 에 미리 반대 의 휨 을 부여 해 두 는 것 이 기 때문 에 , 재 배선 층 을 마련 할 때 의 미세 한 가공 이 곤란 해 지 는 경우 가 있 다 . 또한 , 일본 특허 공개 제 2013 - 8896 호 공보 에서 는 , 언더 필 에 착안 한 것 이 며 , WLP 의 휨 에 대하 여 는 전혀 고려 되 어 있 지 않 다 .