도 1 a 를 참조 하 면 , 방법 ( 100 ) 은 폴리머 층 ( 210 ) 상 에 하부 RDL 을 형성 하 는 공정 및 단계 120 에서 계속 된다 . 도 3 에 도시 하 는 바 와 같이 , 하부 RDL 은 금속 라인 ( 300 및 310 ) 을 포함 할 수 있 다 . 제한 이 아닌 예 를 들 면 , 금속 라인 ( 300 및 310 ) 은 전기 도금 된 구리 상부 층 , 구리 시드 중간층 , 및 티탄 하부 층 을 포함 하 는 패 터닝 된 금속 스택 으로부터 형성 된다 . 티탄 하부 층 과 구리 시드 중간층 은 물리 적 기상 퇴적 ( PVD ) 공정 에 의해 약 100 nm 와 약 500 nm 사이 의 두께 로 각각 퇴적 될 수 있 다 . 전기 도금 된 구리 상부 층 은 약 7 ㎛ 의 두께 로 형성 될 수 있 다 . 일부 실시 형태 에서 , 금속 스택 은 블랭킷 퇴적 ( 예컨대 , 층 ( 210 ) 의 상부 표면 전체 를 덮 도록 퇴적 ) 될 수 있 으며 , 후속 하 여 금속 라인 ( 300 및 310 ) 을 형성 하 기 위해 포토 리소그래피 및 에칭 단계 에서 패 터닝 된다 . 예 를 들 어 , 포토레지스트 가 금속 스택 위 에 스핀코팅 되 며 금속 스택 의 영역 을 노출 시키 도록 포토레지스트 내 에 개구부 를 형성 하 기 위해 패 터닝 될 수 있 다 . 금속 스택 의 노출 된 영역 은 후속 해서 습식 에칭 공정 에 의해 제거 될 수 있 다 . 포토레지스트 에 의해 덮이 는 금속 스택 의 영역 은 보호 받 을 수 있 으며 , 습식 에칭 화학 물질 에 의해 제거 될 수 없 다 . 다시 말 해 , 포토레지스트 는 습식 에칭 마스크 로서 작용 한다 . 습식 에칭 화학 물질 은 하부 폴리머 층 ( 210 ) 이 노출 될 때 까지 금속 스택 의 노출 된 영역 을 제거 할 수 있 다 . 습식 에칭 단계 후 에 , 포토레지스트 는 금속 라인 ( 300 및 310 ) 과 같 은 금속 스택 의 패 터닝 된 영역 을 남기 고 제거 된다 . 일부 실시 형태 에서 , 금속 라인 ( 300 및 310 ) 과 같 은 추가 의 금속 라인 이 폴리머 층 ( 210 ) 전체 에 걸쳐 형성 될 수 있 다 . 이 에 , 하부 RDL 는 금속 라인 ( 300 및 310 ) 에 제한 되 어서 는 안 된다 .