도 3 에 도시 된 바 와 같이 , (-) 극성 의 게이트 전압 이 인가 되 면 게이트 전극 ( 120 ) 과 인접 하 는 문턱 전압 조절 층 ( 140 ) 에 는 정공 이 발생 되 고 , 제 1 반도체 층 ( 150 ) 과 인접 하 는 문턱 전압 조절 층 ( 140 ) 에 는 전자 가 발생 될 수 있 다 . 여기 서 , 전자 및 정공 이 형성 된 영역 은 트랩 층 으로 지칭 될 수 있 다 .