이 와 같이 벌브 형 리세 스 패턴 의 내부 에 만 공극 이 동방 지막 ( 29 A ) 을 잔류 시키 기 위한 식각 은 에치 백 ( Etchback ) 을 이용 한다 . 예컨대 , 공극 이 동방 지막 ( 29 A ) 이 산화 막 물질 이 므로 , 적어도 CF 4 가스 를 이용 하 여 에치 백 한다 . 이 와 같 은 에치 백공 정시 벌브 형 리세 스 패턴 외부 의 공극 이 동방 지막 만 제거 하 면 되 므로 , 이 를 S ( Slightly ) - 에치 백 공정 이 라 한다 . 따라서 , 에치 백공 정후 에 벌브 형 리세 스 패턴 의 내부 에 만 선택 적 으로 공극 이 동방 지막 ( 29 A ) 을 잔류 시킬 수 있 다 .