그런데 , 대등 한 선폭 ( d 1 ) 을 가짐 에 도 불구 하 고 , 제 1 및 제 2 포토레지스트 패턴 ( 41 , 43 ) 을 식각 마스크 ( etch mask ) 로 이용 한 식각 과정 에 의해 패 터닝 되 는 제 1 및 제 2 게이트 ( 31 , 33 ) 는 서로 다른 선폭 ( d 2 , d 3 ) 을 가질 수 있 다 . 이 는 식각 과정 에서 수반 되 는 식각 바이어스 ( etch bias ) 가 , N 형 도 펀트 가 도핑 ( doping ) 된 폴리 실리콘 과 P 형 도 펀트 가 도핑 된 폴리 실리콘 에서 각각 다르 게 나타나 는 데 기인 한다 . 식각 바이어스 는 실질 적 으로 현상 후 패턴 선폭 , 즉 , 포토레지스트 패턴 ( 41 , 43 ) 의 선폭 ( d 1 ) 과 식각 후 패턴 선폭 , 즉 , 제 1 게이트 ( 31 ) 의 선폭 ( d 2 ) 또는 제 2 게이트 ( 33 ) 의 선폭 ( d 3 ) 의 차이 로 구해질 수 있 다 .