일 예 에 따르 면 , 수직 반도체 패턴 ( SP ) 은 하부 반도체 패턴 ( LSP ) 및 상부 반도체 패턴 ( USP ) 을 포함 할 수 있 다 . 하부 반도체 패턴 ( LSP ) 은 전극 구 조체 ( ST ) 의 하부 영역 을 관통 하 여 기판 ( 10 ) 과 접촉 할 수 있 다 . 일 예 로 , 하부 반도체 패턴 ( LSP ) 은 , 최하층 의 접지 선택 전극 ( GSE ) 을 관통 하 는 필라 형태 를 가질 수 있 다 . 하부 반도체 패턴 ( LSP ) 은 기판 ( 10 ) 과 동일 한 도전 형 의 반도체 물질 로 이루어질 수 있 다 . 일 예 로 , 하부 반도체 패턴 ( LSP ) 은 기판 ( 10 ) 을 씨드 로 이용 하 는 선택 적 에피택시 얼 성장 방법 을 이용 하 여 형성 된 에피택시 얼 패턴 일 수 있 다 . 또한 , 열 산화 막 이 하부 반도체 패턴 ( LSP ) 과 접지 선택 전극 ( GSE ) 사이 에 형성 될 수 있 다 .