도 21 에 , 본 실시 예 에서 형성 하 는 레지스 트 패턴 의 개략 평면도 를 도시 한다 . 본 실시 예 에서 는 , 레벤 손 형 마스크 및 하프톤 형 마스크 를 이용 한다 . 기판 ( 9 ) 의 표면 에 는 , 폴리 실리콘 등 의 도전 막 ( 도시 생략 ) 을 개재 하 여 레지스 트 패턴 ( 11 ∼ 13 ) 이 형성 되 어 있 다 . 레지스 트 패턴 ( 11 ) 은 , 제 1 패턴 부 ( 11 a ) 와 제 2 패턴 부 ( 11 b ) 를 포함 한다 . 레지스 트 패턴 ( 12 ) 은 , 제 1 패턴 부 ( 12 a ) 와 제 2 패턴 부 ( 12 b ) 를 포함 한다 .