또한 , 상기 한 목적 을 달성 하 기 위한 다른 측면 에 따른 본 발명 은 , 일부분 이 기판 상부 로 돌출 되 도록 소자 분리 막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 기판 상 에 터널 링 절 연막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 기판 상면 으로 돌출 된 상기 소자 분리 막 의 돌출부 의 양측 벽 에 전하 이동 방지 막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 전하 이동 방지 막 을 덮 도록 상기 터널 링 절 연막 상 에 플로팅 게이트 를 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 비휘발성 메모리 소자 의 제조 방법 을 제공 한다 .