그러나 , 알루미늄 의 확산 을 통한 후면 전계 층 은 , 알루미늄 에 의해 이동 중 인 전자 와 의 재결합 ( recombination ) 이 발생 되 는 단점 , 후면 전계 층 과 실리콘 기판 사이 의 높 은 접촉 저항 에 의한 전기 적 특성 저하 가 유발 되 는 문제점 이 있 다 . 또한 , 고온 에서 알루미늄 을 소성 함 에 따른 기판 의 휨 ( bowing ) 및 모듈 제작 시 파손 등 의 문제점 이 있 으며 , 전극 으로 사용 되 는 은 ( Ag ) 과 후면 전계 층 의 알루미늄 ( Al ) 을 동시 에 소성 하 게 되 는데 은과 알루미늄 의 최적 소성 온도 가 다름 에 따라 후면 전계 효과 를 극대 화 함 에 한계 가 있 다 .