만약 , 예 를 들 어 , 상기 컨 덕 터 가 구리 를 포함 하 고 , 상기 구리 원자 가 컨 덕 터로 부터 에치 백 되 어 불순물 입자 의 형태 로 전도성 확산 배리 어 층 의 표면 에 재 증착 되 어 , 에치 백 공정 의 고 에너지 이온 에 의해 강 하 게 부딪히 게 되 고 상기 전도성 확산 배리어 층 에 깊 게 박힐 수 있 다 . 상기 깊 게 박힌 구리 원자 는 상기 전도성 확산 배리어 층 을 통해 상기 층간 유전체 층 으로 확산 될 확률 이 높 다 . 이러 한 상황 에서 , 상기 ILD 층 들 및 컨 덕 터 의 특성 및 인 테 그리티 는 악화 될 수 있 다 .