실리콘 기판 상 에 패드 산화 막 과 패드 질화 막 을 차례 로 형성 한 후 , 상기 패드 질화 막 상 에 감광막 을 도포 한 후 , 이 를 노광 및 현상 해서 소자 분리 영역 을 정의 하 는 감광막 패턴 을 형성 한다 . 그런 다음 , 소자 분리 영역 에 해당 하 는 기판 부분 을 노출 시키 도록 상기 패드 질화 막 을 식각 한 후 , 상기 패드 질화 막 을 이용 하 여 패드 산화 막 을 식각 한 후 , 연이 어 , 노출 된 실리콘 기판 부분 을 식각 하 여 트렌치 를 형성 한다 .