도 5 의 ( C ) 에 나타낸 트랜지스터 ( 320 ) 는 게이트 로서 기능 하 는 도전 층 ( 321 ) , 게이트 절연 층 으로서 기능 하 는 절연 층 ( 328 ) , 채널 형성 영역 ( 327 i ) 및 한 쌍 의 저 저항 영역 ( 327 n ) 을 가지 는 반도체 층 ( 327 ) , 한 쌍 의 저 저항 영역 ( 327 n ) 중 한쪽 과 접속 되 는 도전 층 ( 322 a ) , 한 쌍 의 저 저항 영역 ( 327 n ) 중 다른 쪽 과 접속 되 는 도전 층 ( 322 b ) , 게이트 절연 층 으로서 기능 하 는 절연 층 ( 325 ) , 게이트 로서 기능 하 는 도전 층 ( 323 ) , 및 도전 층 ( 323 ) 을 덮 는 절연 층 ( 324 ) 을 가진다 . 절연 층 ( 328 ) 은 도전 층 ( 321 ) 과 채널 형성 영역 ( 327 i ) 사이 에 위치 한다 . 절연 층 ( 325 ) 은 도전 층 ( 323 ) 과 채널 형성 영역 ( 327 i ) 사이 에 위치 한다 . 트랜지스터 ( 320 ) 는 절연 층 ( 326 ) 으로 덮이 는 것 이 바람직 하 다 . 절연 층 ( 326 ) 은 트랜지스터 ( 320 ) 의 구성 요소 에 포함 되 어도 좋 다 .