MOS 트랜지스터 의 미세화 가 진행 됨 에 따라 , MOS 트랜지스터 의 게이트 폭 과 게이트 길이 의 제조 오차 는 커져 , 도 2 에 나타낸 바 와 같이 상호 컨덕턴스 gm 의 차이 가 되 어 나타난다 . 도 2 는 도 1 의 회로 의 특성 을 나타낸다 . 도 2 에서 , 최대 값 특성 Max 는 가장 상호 컨덕턴스 가 큰 MOS 트랜지스터 를 나타낸다 . 최소 값 특성 Min 은 가장 상호 컨덕턴스 가 작 은 MOS 트랜지스터 를 나타낸다 . Typ 는 표준 값 특성 의 상호 컨덕턴스 의 MOS 트랜지스터 를 나타낸다 . 표준 값 특성 Typ 은 설계 단계 에서 설정 한 게이트 전극 폭 , 게이트 전극 의 길이 에 기초 한 특성 이 다 . 여기 서 오버드라이브 전압 Vod = 게이트 소스 전압 Vgs - 임계 값 전압 Vth 로 한다 .