도 2 k 를 참조 하 면 , 초과 금속 , 여기 서 는 Cu 를 상기 기재 된 다마스 커스 공정 중 CMP 에 의해 제거 된 후 , 전극 접촉 ( 541 - 5411 ) 은 도시 되 는 바 와 같이 전기 접촉 구조 체 ( 421 내지 427 ) 및 핑거 형 게이트 전극 구 조체 ( 141 - 144 ) 의 노출 된 상부 면 상 에 형성 된다 . 전극 접촉 ( 541 - 5411 ) 의 각각 은 구조 적 으로 동일 하 다 : 소스 또는 드레 인 전극 구 조체 ( 181 - 182 , 221 - 223 ) 각각 의 예 로 여기 서 는 소스 전극 구 조체 ( 221 ) 에 있 어서 , 전극 접촉 ( 541 - 5411 ) 의 예 로 , 여기 서 는 전극 접촉 ( 542 ) 이 도 3 b 에 도시 되 고 , 게이트 전극 접촉 , 여기 서 는 게이트 전극 구 조체 ( 141 ) 가 도 3 a 에 도시 된다 . 따라서 , 도 3 a 및 3 b 에서 더욱 명확히 도시 되 는 바 와 같이 , 각각 의 전극 접촉 ( 541 - 5411 ) 은 이 실시 예 에서 접착제 로 라이닝 된 하부 및 측면 을 갖 는 구리 의 상부 층 ( 54 b ) 및 구리 확산 배리 어 층 ( 54 a ) , 여기 서 는 예 를 들 어 탄탈럼 또는 탄탈럼 질화물 또는 이 들 의 조합 을 포함 한다 .