반도체 메모리 가 점차 소형 화 , 대용량 화 , 및 고속 화 됨 에 따라 상기 MOS 트랜지스터 들 의 집적도 를 증가 시키 기 위해 , 상기 MOS 트랜지스터 의 사이즈 와 전원 전압 은 스케일 다운 ( scale down ) 되 고 있 다 . 상기 MOS 트랜지스터 의 사이즈 를 줄이 기 위 해 산화 막 의 두께 를 얇 게 하 면 , 채널 을 따라 이동하 는 전류 가 상기 산화 막 을 통과 하 여 게이트 로 흘러나오 는 전류 , 즉 게이트 누설 전류 ( gate leakage current ) 가 발생 한다 . 상기 게이트 누설 전류 는 상기 반도체 메모리 장치 의 소비 전력 을 증가 시킨다 .