상기 공정 에서 의 유전체 층 ( 64 ) 의 후퇴 에 의해 , 전극 층 WL 은 홀 ( 67 ) 을 향해 유전체 층 ( 64 ) 으로부터 돌출 된다 . 다음 으로 , 전극 층 WL 의 돌출부 에 열 질화 처리 가 행해진다 . 따라서 , 도 15 b 에 도시 된 바 와 같이 , 홀 ( 67 ) 에 노출 되 는 전극 층 WL 의 부분 에 , 전하 축적 층 으로서 기능 하 는 실리콘 질화 막 ( 76 ) 이 형성 된다 . 질소 ( N ) 를 포함 하 는 질화 성 가스 분위기 에서 , 도 15 a 까지 의 상기 공정 을 완료 한 웨이퍼 를 가열 함 으로써 , 실리콘 의 노출 된 부분 에 만 실리콘 질화 막 ( 76 ) 이 형성 된다 . 즉 , 전극 층 WL 에 만 전하 축적 층 ( 실리콘 질화 막 ) ( 76 ) 이 형성 되 고 , 유전체 층 ( 64 ) 에 는 형성 되 지 않 는다 .