제 1 예 로서 , 섬광체 구조물 ( 120 ) 은 이미지 센서 기판 ( 110 ) 의 상부 에 CsI : Tl 섬광체 등 ( 경우 에 따라 , YAG : Ce , LuAG : Ce , LSO : Tb , LYSO , GSO , BGO , 또는 GAGG 등 의 섬광체 이용 가능 ) 을 진공 증착 장비 를 이용 하 여 직접 코팅 한 방식 으로 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 쵸 크랄스 키 방식 , 브릿지 만 방식 , Liquid Phase Epitaxy ( LPE ) 법 등 성장 방식 을 이용 하 여 이미지 센서 기판 ( 110 ) 의 상 에 단결정 또는 다결정 섬광체 구 조체 를 형성 할 수 있 다 . 이 에 따라 결정립계 ( Grain boundary ) 가 많이 존재 하 지 않 기 때문 에 빛 의 산란 이 없 고 , 즉 영상 의 해상도 를 크 게 향상 시킬 수 있 다 . 이 와 같 은 단결정 / 다 결정 구조물 은 밀도 가 높 기 때문 에 , X - 선 등 방사선 을 많이 흡수 하 기 때문 에 X - 선 차폐 를 위한 추가 적 인 FOP 가 필요 없 을 수 도 있 다 .