여기 서 , e 는 기본 전하 , N 은 채널 내 의 단위 면적 당 평균 결함 밀도 , ε 은 반도체 의 유전 률 , n 은 단위 면적 당 채널 에 포함 되 는 캐리 어수 , Cox 는 단위 면적 당 용량 , Vg 는 게이트 전압 , t 는 채널 의 두께 이 다 . 두께 30 nm 이하 의 반도체 층 이 면 , 채널 의 두께 는 반도체 층 의 두께 와 동일 하 다고 간주 할 수 있 다 . 선형 영역 에서 의 드레 인 전류 Id 는 이하 의 식 으로 표현 할 수 있 다 .