GaN 버퍼 층 ( 103 ) 과 AlGaN 장벽층 ( 104 ) 은 헤테로 구조 ( hetero - structure ) 로써 , AlGaN 은 GaN 보다 밴드 갭 이 더 넓 으며 , GaN 버퍼 층 ( 103 ) 과 AlGaN 장벽층 ( 104 ) 사이 에 이 차원 전자가스 ( two - dimensional electron gas ; 2 DEG ) 농도 를 갖 는 채널 을 형성 한다 . 2 DEG 는 높 은 전자 이동도 를 가지 며 고주 파수 에서 HEMT 에 매우 높 은 상호 컨 덕 컨스 ( trans - conductance ) 를 제공 한다 .