본 발명 의 일 측면 에 따르 면 , 소스 영역 및 드레 인 영역 을 가지 는 반도체 기판 ; 소스 영역 및 드레 인 영역 의 사이 의 중간 영역 상 에 형성 된 절연성 반도체 박막 ; 절연성 반도체 박막 과 상이 한 에너지 금지 대역 ( energy band gap ) 을 가지 는 반도체 양자 점 이 절연성 반도체 박막 의 내부 공간 에 층 을 이루 며 형성 된 양자 점층 ; 소스 영역 상 에 형성 된 소스 전극 ; 드레 인 영역 상 에 형성 된 드레 인 전극 ; 및 절연성 반도체 박막 상 에 형성 된 게이트 전극 을 포함 하 는 플래시 기억 소자 가 제공 될 수 있 다 .