일부 실시 예 에서 , 복수 의 비트 라인 은 약 8 개 내지 약 12 개 의 비트 라인 을 포함 하 고 , 제 1 열 은 약 4 개 내지 약 6 개 의 대응 하 는 수직 메모리 스트링 을 포함 하 며 , 제 2 열 은 약 4 개 내지 약 6 개 의 대응 하 는 수직 메모리 스트링 을 포함 한다 . 일부 실시 예 에서 , 복수 의 비트 라인 은 8 개 의 비트 라인 을 포함 하 고 , 제 1 열 은 4 개 의 대응 하 는 수직 메모리 스트링 을 포함 하 며 , 제 2 열 은 4 개 의 대응 하 는 수직 메모리 스트링 을 포함 한다 . 일부 실시 예 에서 , 복수 의 비트 라인 은 10 개 의 비트 라인 을 포함 하 고 , 제 1 열 은 5 개 의 대응 하 는 수직 메모리 스트링 을 포함 하 며 , 제 2 열 은 5 개 의 대응 하 는 수직 메모리 스트링 을 포함 한다 . 일부 실시 예 에서 , 복수 의 비트 라인 은 12 개 의 비트 라인 을 포함 하 고 , 제 1 열 은 6 개 의 대응 하 는 수직 메모리 스트링 을 포함 하 며 , 제 2 열 은 6 개 의 대응 하 는 수직 메모리 스트링 을 포함 한다 .