도 1 및 도 2 에 예시 된 발광 소자 패키지 ( 100 A ) 는 플립 칩 본딩 ( flip chip bonding ) 구조 이 기 때문 에 , 활성 층 ( 174 ) 에서 방출 된 광 은 제 1 콘 택 층 ( 162 ) , 제 1 도전 형 반도체 층 ( 172 ) 및 기판 ( 180 A ) 을 통해 출사 될 수 있 다 . 이 를 위해 , 제 1 콘 택 층 ( 162 ) , 제 1 도전 형 반도체 층 ( 172 ) 및 기판 ( 180 A ) 은 광 투과성 을 갖 는 물질 로 이루어질 수 있 다 . 이때 , 제 2 도전 형 반도체 층 ( 176 ) 과 제 2 콘 택 층 ( 164 ) 은 광 투과성 이나 비 투과성 을 갖 는 물질 또는 반사 성 을 갖 는 물질 로 이루어질 수 있 으나 , 실시 예 는 특정 한 물질 에 국한 되 지 않 을 수 있 다 . 제 1 및 제 2 콘 택 층 ( 162 , 164 ) 각각 의 재질 에 대해서 는 상세히 후술 된다 .