도파관 ( 100 ) 의 구성 과 같 은 단일 모드 굴곡 부 를 가지 는 질화규소 가 로드 된 단일 모드 도파관 또는 다중 모드 도파관 을 구현 하 는 것 은 서브 마이크 론 SOI 플랫 폼 상 에서 상대 적 으로 낮 은 전파 손실 라우팅 을 위해 사용 될 수 있 다 . 도시 된 구성 에서 , 도파관 ( 100 ) 을 통한 전파 손실 은 도파관 의 테이퍼 링 과 굽 힘 으로 야기 된 전파 손실 ( 예컨대 , 보통 도파관 과 비교 할 때 , 2 dB / cm 의 전파 손실 을 낳 을 수 있 음 ) 을 포함 하 지 않 고 약 0 . 2 dB / cm 이 다 . SOI 플랫 폼 을 위한 상대 적 으로 가 는 도파관 의 경우 , 보통 실리콘 도파관 은 도파관 을 통해 이동하 는 광학 신호 의 감소 된 전체 제한 으로 인한 높 은 전파 손실 을 가질 수 있 다 . 이러 한 수준 의 전파 손실 은 대 규모 실리콘 광학 네트워크 에서 구현 되 기 에 너무 높 을 수 있 는데 , 도파관 이동 거리 가 클 수 있 고 ( 예컨대 , 수십 센티미터 ) , 따라서 결과 전파 손실 이 너무 높 을 것 이 기 때문 이 다 . 따라서 , 대 규모 실리콘 광학 네트워크 나 다른 응용 을 위해 도파관 ( 100 ) 의 질화규소 가 로드 된 도파관 구성 과 같 은 더 낮 은 수준 의 전파 손실 을 가지 는 구성 을 구현 하 는 것 이 바람직 할 수 있 다 .