세미 어디 티 브 법 에 따라서 , 절연 층 의 조화 면 에 도체 층 을 형성 했 다 . 즉 , 조화 처리 후 의 기판 을 , PdCl 2 를 포함 하 는 무전 해 도금액 에 40 ℃ 에서 5 분 간 침지 한 후 , 무전 해 구리 도금액 에 25 ℃ 에서 20 분 간 침지 했 다 . 이어서 , 150 ℃ 에서 30 분 간 가열 하 여 어 닐 처리 를 행한 후 에 , 에칭 레지스 트 를 형성 하 고 , 에칭 에 의해 패턴 형성 했 다 . 그 후 , 황산구리 전해 도금 을 행하 여 , 두께 30 μ m 의 도체 층 을 형성 하 고 , 어 닐 처리 를 200 ℃ 에서 60 분 간 행했 다 . 얻 어 진 기판 을 「 평가 기판 B 」 라고 칭한다 .