역 평행 구성 을 갖 는 제안 된 MEMS 트랜스 듀 서 의 시뮬레이션 결과 를 나타내 는 그래프 ( 100 ) 는 심지어 400 nm 의 갭 비대칭 및 0 . 5 V 의 오프셋 바이어스 전압 에서 , < 3 % 미만 의 신호 비대칭 이 달성 됨 을 나타낸다 . 따라서 , 도 5 에 도시 된 결과 들 을 도 7 의 그래프 ( 100 ) 에 의해 도시 된 결과 들 과 비교 하 면 , 심지어 + 0 . 5 V 의 오프셋 바이어스 전압 및 400 nm 의 갭 비대칭 에서 , 역 평행 구성 으로 MEMS 트랜스 듀 서 에 대해 획득 되 는 3 % 미만 의 결과 적 인 신호 비대칭 은 , 400 nm 의 갭 비대칭 및 0 V 의 오프셋 바이어스 전압 에서 평행 구성 으로 MEMS 트랜스 듀 서 에 대해 획득 되 는 약 7 % 의 결과 적 인 신호 비대칭 보다 작 은 것 으로 결론 이 내려진다 . 결론 적 으로 , 0 . 5 V 의 오프셋 전압 에 대해서 도 , 역 평행 구성 의 획득 된 신호 비대칭 은 MEMS 트랜스 듀 서 의 평행 구성 에 대해 단지 절반 만큼 의 크기 이 다 .