상기 에 피층 ( 220 ) 은 소오 스 가스 로서 Si 2 Cl 2 , SiH 4 및 Si 2 H 6 중 어느 하나 를 사용 하 고 , 반응 가스 로서 HCl , 또는 , Cl 2 를 사용 하 여 600 ∼ 850 ℃ 정도 의 온도 에서 수행 되 는 선택 적 에피 택 셜 방식 을 통해 실리콘 에 피층 , 또는 , 실리콘 게르마늄 에 피층 으로 형성 한다 .