게이트 전극 ( 322 ) 과 소스 전극 ( 324 ) 및 드레 인 전극 ( 326 ) 을 서로 절연 시키 기 위해서 실리콘 산화물 ( SiOx ) 또는 실리콘 질화물 ( SiNx ) 의 단일 층 이나 다중 층 으로 구성 된 층간 절연 층 ( 333 ) 을 게이트 전극 ( 322 ) 과 소스 전극 ( 324 ) 및 드레 인 전극 ( 326 ) 사이 에 배치 할 수 있 다 .