본 개시 의 게이트 전극 은 종래 의 게이트 전극 에 비해 장점 을 제공 한다 . 그러나 , 본 명세서 에 모든 장점 이 논의 된 것 은 아니 고 , 상이 한 실시 예 는 상이 한 장점 을 제공 할 수 있 다는 것 과 , 임의 의 실시 예 에 대해 특정 한 장점 이 요구 되 지 않 는다는 것 이 이해 된다 . 하나 의 장점 은 개선 된 성능 이 다 . 예컨대 , 본 명세서 의 충전 금속 의 다수 의 수직 돌출 핑거 는 게이트 전극 과 전도성 게이트 콘택트 사이 의 표면 접촉 면적 을 유효 하 게 증가 시키 며 , 이 는 결국 게이트 접촉 저항 을 감소 시킨다 . 따라서 , 감소 된 게이트 접촉 저항 으로 인해 디바이스 성능 이 개선 된다 . 또 다른 장점 은 충전 금속 의 개선 된 갭 충전 성능 이 다 . 예컨대 , 종래 의 게이트 전극 형성 공정 은 일반 적 으로 모든 일함수 금속 층 이 형성 된 후 에 충전 금속 을 형성 한다 . 이 시점 에서 , 충전 금속 에 의해 충전 될 트렌치 는 꽤 좁 을 수 있 으며 , 따라서 충전 금속 은 트렌치 내 에 큰 갭 또는 에 어 버블 을 생성 하 지 않 으면서 트렌치 를 충전 시키 도록 우수 한 갭 충전 특성 을 가져야 한다 . 대조 적 으로 , 본 개시 는 일함수 금속 층 중 적어도 일부 이전 에 충전 금속 을 형성 하 므로 , 본 명세서 에서 의 충전 금속 에 의해 충전 될 트렌치 는 종래 의 디바이스 에서 보다 상당히 더 넓 다 . 따라서 , 본 명세서 에서 의 충전 금속 은 그 갭 충전 특성 에 대해 엄밀 한 / 엄격 한 요건 을 가질 필요 가 없 다 . 결과 적 인 디바이스 는 또한 , 금속 게이트 전극 내 에 트래핑 된 에어 버블 또는 갭 을 가질 가능 성 이 더 낮 으며 , 이 는 디바이스 수율 을 개선 시킨다 . 또한 , 갭 충전 은 더 이상 충전 금속 층 에 대한 엄밀 한 요건 이 아니 므로 , 충전 금속 을 구현 하 기 위해 텅스텐 ( W ) 이외 의 물질 이 사용 될 수 있 고 , 예컨대 Cu , Co , 또는 Al 은 모두 본 명세서 에서 의 충전 금속 층 을 구현 하 는 데 적합 한 후보 일 수 있 다 . 다른 장점 은 기존 제조 공정 과 의 호환 성 및 구현 의 용이성 및 저 비용 을 포함 할 수 있 다 .