도 3 을 참조 하 면 , 마스크 패턴 ( 미 도시 ) 을 이용 하 여 반도체 기판 ( 1 ) 을 식각 하 여 , 상기 반도체 기판 ( 1 ) 의 표면 으로부터 돌출 된 복수 개 의 활성 기둥 들 ( AP ) 을 형성 한다 . 상기 활성 기둥 들 ( AP ) 이 형성 된 상기 반도체 기판 ( 1 ) 상 에 보호막 ( 미 도시 ) 을 콘 포말 하 게 형성 한 후 에 , 이온 주입 공정 을 진행 하 여 불순물 을 상기 반도체 기판 ( 1 ) 내 에 주입 한다 . 그리고 어닐링 공정 을 진행 하 여 상기 반도체 기판 ( 1 ) 내 에 주입 된 불순물 들 을 확산 시켜 상기 제 1 소오 스 / 드레 인부 ( 3 ) 를 형성 한다 .