이 때 , 컷팅 ( cutting ) 부위 는 상기 구동 이상 이 발생 된 박막 트랜지스터 ( TFT 1 ) 의 소오 스 전극 ( 102 a ) 이나 , 드레 인 전극 ( 102 b ) 의 일부 에 해당 할 것 이 며 , 컷팅 이 가능 하 기 위해서 는 도시 된 바 와 같이 , 그 수직 단면 에서 금속 배선 이 한 층 이 형성 되 는 상기 드레 인 전극 ( 102 b ) 중 화소 전극 ( 103 ) 이나 게이트 전극 ( 101 a ) 과 오버랩 하 지 않 는 부위 로 한다 . 즉 , 금속 배선 이 단일 층 으로 이루어진 부위 에 컷팅 을 시행 한다 . 이 는 금속 배선 이 오버랩 된 부위 에 레이저 를 조사 하 게 되 면 상측 에 위치 한 금속 배선 이 레이저 조사 에 의해 녹아내려 , 두 금속 배선 이 접속 하 게 될 수 있 는 문제점 이 있 기 때문 이 다 .