실리콘 카바이드 단결정 의 성장 을 위해서 는 , 예 를 들 어 , 실리콘 카바이드 를 원료 로 하 여 섭씨 2000 도 이상 의 고온 에서 승화 시켜 단결정 을 성장 시키 는 승화 법 , 결정 인상법 ( crystal pulling method ) 을 응용 한 용액 성 장법 등 이 있 다 . 이외 에 도 , 기체 소스 를 사용 하 여 화학 적 으로 증착 시키 는 기상 증착 법 이 사용 되 고 있 다 .