특히 No . 15 의 경우 에 는 베이 킹 온도 뿐 만 아니 라 시간 또한 적절 하 지 못하 여 산화 막 의 균일 도와 두께 측면 에서 모두 바람직 하 지 않 았 다 . 결론 적 으로 , 가공 면 의 산화 막 두께 가 0 . 10 ~ 0 . 90 ㎛ 내 를 만족 하 면서 균일 한 막 을 형성 시키 기 위해서 는 300 ℃ 내지 570 ℃ 이하 의 온도 하 에 20 분 내지 12 시간 범위 내 에서 베이 킹 처리 를 수행 하 여야 함 을 알 수 있 었 다 .