일반 적 으로 전극 및 배선 층 은 포토 리소그래피 등 에 의해 형성 되 기 때문 에 , 각각 의 간격 을 2 ㎛ 정도 로 설정 하 는 것 이 기술 적 으로 한계 로 된다 . 그래서 , 본 발명 을 채용 하 면 , 화소 전극 과 전이 전극 사이 에 개재 하 는 유전체 막 의 막 두께 가 1 ㎛ 이하 로 되 므로 , 전극 끼리 를 접근 시킬 수 있 어 , 종래 의 횡 전계 방식 과 비교 하 여 , 보다 낮 은 전압 으로 초기 전이 를 생기 게 할 수 있 다 .