SiC 또는 GaAs 등 의 도전 성 이 우수 한 기판 ( 201 ) 위 에 버퍼 층 ( 202 ) , 제 1 도전 층 으로서 의 n - 콘 택 층 ( 203 ) , 활성 층 ( 204 ) , 제 2 도전 층 으로서 의 p - 콘 택 층 ( 205 ) 을 CVD 기법 에 의하 여 연속 적 으로 증착 한다 . 그리고 , 광 투과 가 용이 한 투명 전극 으로 전류 확산 층 ( 206 ) 을 상기 p - 콘 택 층 ( 205 ) 위 에 형성 한다 . 이어서 외부 회로 와 의 전기 적 인 연결 을 위하 여 제 2 전극 으로서 의 p - 전극 ( 208 ) 과 제 1 전극 으로서 의 n - 전극 ( 207 ) 을 형성 한다 . 다음 공정 으로 는 DBR 층 ( 210 ) 과 형광체 박막 ( 211 ) 을 형성 하 며 , 이 공정 은 위 의 수평 형 구조 와 유사 한 방식 으로 형성 할 수 있 다 .