상기 유전체 절연 층 ( 28 ) 은 상기 반도체 클래드 층 기둥 ( 29 ) 의 클래드 층 을 형성 하 는 질화 갈륨 의 굴절 률 ( 2 . 4 ~ 2 . 5 ) 보다 더 작 은 값 의 굴절 률 , 구체 적 으로 0 . 0001 ~ 2 의 범위 에 속하 는 값 만큼 더 작 은 값 의 굴절 률 을 갖 는 산화물 로 형성 되 는 것 이 바람직 하 며 , 질화규소 ( Si 3 N 4 ) , 산화 규소 ( SiO 2 ) , 산화 티타늄 ( TiO 2 ) 또는 산화지르코늄 ( ZrO 2 ) 중 에서 선택 되 는 한 가지 이상 으로 형성 되 는 것 도 바람직 하 다 .