도 1 d 는 제 1 표면 으로부터 패 시베이 션 층 이 제거 된 후 의 도 1 c 의 기판 을 도시 한다 . 일부 구 현예 에서 , 식각 단계 는 기판 을 플 라즈 마 에 노출 시키 는 단계 를 포함 할 수 있 다 . 일부 구 현예 에서 , 플라 즈 마는 산소 원자 , 산소 라디컬 , 산소 플라 즈 마 또는 이 들 의 조합 을 포함 할 수 있 다 . 일부 구 현예 에서 , 플라 즈 마는 수소 원자 , 수소 라디컬 , 수소 플 라즈 마 , 또는 이 들 의 조합 을 포함 할 수 있 다 ( 예 를 들 어 , 패 시베이 션 층 의 선택 적 증착 에 대한 아래 의 실시 예 2 참조 ) . 일부 구 현예 에서 , 플라 즈 마는 희귀 가스 종 , 예 를 들 어 Ar 종 이나 He 종 을 포함 할 수 도 있 다 . 일부 구 현예 에서 , 플라 즈 마는 본질 적 으로 희귀 가스 종 으로 구성 될 수 있 다 . 일부 경우 에 , 플라 즈 마는 다른 종 , 예 를 들 어 질소 원자 , 질소 라디컬 , 질소 플 라즈 마 , 또는 이 들 의 조합 을 포함 할 수 있 다 . 일부 구 현예 에서 , 식각 단계 는 산소 , 예 를 들 어 O 3 을 포함 하 는 에 천 트 에 기판 을 노출 시키 는 단계 를 포함 할 수 있 다 . 일부 구 현예 에서 , 기판 은 약 30 ℃ 내지 약 500 ℃, 바람직 하 게 는 약 100 ℃ 내지 약 400 ℃ 의 온도 에서 에 천 트 에 노출 될 수 있 다 . 일부 구 현예 에서 , 에 천트 는 하나 의 연속 적 펄스 로 공급 될 수 있 거나 , 다수 의 더 짧 은 펄스 로 공급 될 수 있 다 . 전술 한 바 와 같이 , 패 시베이 션 층 의 제거 는 주기 적 인 선택 적 증착 및 제거 에 있 어서 패 시베이 션 층 을 완전히 제거 하 거나 패 시베이 션 층 을 부분 적 으로 제거 할 때 패 시베이 션 층 으로부터 임의 의 잔여 X 재료 를 리프트 오프 하 는 데 사용 될 수 있 다 .