nc - OS 막 은 미소 한 영역 ( 예 를 들 어 1 ㎚ 이상 10 ㎚ 이하 의 영역 , 특히 1 ㎚ 이상 3 ㎚ 이하 의 영역 ) 에서 원자 배열 에 주기성 을 가진다 . 또한 nc - OS 막 은 상이 한 결정 부 사이 에서 결정 방위 에 규칙 성 을 찾 을 수 없 다 . 그러므로 막 전체 에서 배향 성 을 찾 을 수 없 다 . 따라서 nc - OS 막 은 분석 방법 에 따라서 는 비정질 산화물 반도체 막 과 구별 할 수 없 는 경우 가 있 다 . 예 를 들 어 결정 부 보다 큰 직경 의 X 선 을 사용 하 는 XRD 장치 를 사용 하 여 nc - OS 막 의 구조 를 out - of - plane 법 에 의하 여 해석 하 면 결정면 을 나타내 는 피크 가 검출 되 지 않 는다 . 또한 결정 부 보다 큰 프로브 직경 ( 예 를 들 어 50 ㎚ 이상 ) 의 전자선 을 사용 하 는 전자선 회절 ( 제한 시야 전자선 회절 이 라고 도 함 ) 을 nc - OS 막 에 대하 여 수행 하 면 헤일로 ( halo ) 패턴 과 같 은 회절 패턴 이 관측 된다 . 한편 결정 부 의 크기 에 가깝 거나 결정 부 보다 작 은 프로브 직경 ( 예 를 들 어 1 ㎚ 이상 30 ㎚ 이하 ) 의 전자선 을 사용 하 는 전자선 회절 ( 나노 빔 전자 회절 이 라고 도 함 ) 을 nc - OS 막 에 대하 여 수행 하 면 , 원 을 그리 듯이 휘도 가 높 은 링 형상 의 영역 이 관측 되 고 , 상기 링 형상 의 영역 내 에 복수 의 스폿 이 관측 되 는 경우 가 있 다 .