도 2 g 에 도시 된 바 와 같이 , 제 1 식각 마스크 패턴 ( 22 a ) 및 그 측벽 의 스 페이서 ( 23 a ) 를 포함 한 기판 결과물 의 전체 구조 상부 에 후속 제 2 식각 마스크 패턴 을 구성 하 는 물질 막 ( 이하 , 제 2 식각 마스크 패턴 용 물질 막 ) ( 24 ) 을 형성 한다 . 이때 , 제 2 식각 마스크 패턴 용 물질 막 ( 24 ) 으로 HDP 산화 막 을 이용 하 는 것 이 바람직 하 다 .