본 발명 의 제 2 실시 예 를 정리 해 보 면 , 콘 택 홀 을 형성 하 기 위한 하드 마스크 패턴 을 절 연막 상 에 형성 할 때 , 목표 CD 보다 큰 CD 를 갖 도록 희생 막 패턴 을 형성 하 고 , 이 희생 막 패턴 을 일부 식각 하 여 목표 CD 를 갖 게 한다 . 그리고 , 이 희생 막 패턴 상부 가 노출 되 도록 하드 마스크 층 을 형성 하 고 , 희생 막 패턴 을 제거 하 므로써 , 하드 마스크 패턴 을 형성 한다 . 이후 , 하드 마스크 패턴 으로 절 연막 을 식각 하 여 원 하 고자 했 던 CD 를 갖 는 콘 택 홀 을 형성 한다 .