이러 한 사진 공정 은 식각 이나 이온 주입 될 부위 와 보호 될 부위 를 선택 적 으로 정의 하 기 위해 마스크 나 레티 클 의 패턴 을 웨 어 퍼 위 에 만드 는 것 으로 , 크 게 웨이퍼 상 에 포토레지스트 를 떨어뜨린 후 고속 으로 회전 시켜 웨이퍼 위 에 원하 는 두께 로 포토레지스트 를 입히 는 도포 공정 , 포토레지스트 가 도포 된 웨이퍼 와 정해진 마스크 또는 레티 클 을 서로 정렬 시킨 후 자외선 과 같 은 빛 이 상기 마스크 또는 레티 클 을 통하 여 웨이퍼 상 의 포토레지스트 에 조사 되 도록 하 여 마스크 또는 레티 클 의 패턴 을 웨이퍼 에 옮기 는 노광 공정 및 상기 노광 공정 이 완료 된 웨이퍼 의 포토레지스트 를 현상 하 여 원 하 는 포토레지스트 패턴 을 형성 하 는 현상 공정 으로 이루어진다 .