본 발명 은 변형 게이지 들 과 같 은 다양 한 기본 센싱 원리 들 및 기술 들 을 사용 하 는 다수 의 센싱 시스템 들 을 사용 한다 . 예 를 들 어 , 변형 게이지 는 일반 적 으로 가요 성 받침 에 의해 지지 되 는 금속 성 호일 패턴 으로 구성 된다 . 관심 이 있 는 구조 체 에 적절 하 게 인가 될 때 , 구조 체가 경험 하 는 응력 들 및 변형 들 은 금속 호일 패턴 상 의 인장 , 압축 또는 비틀림 으로서 변형 게이지 로 전달 된다 . 이러 한 기계 적 자극 들 이 호일 패턴 의 기하 구조 를 변경 하 며 , 결과 적 으로 , 측정 될 수 있 는 호일 패턴 의 전기 저항 의 변화 를 초래 한다 . 변형 게이지 들 의 사용 에 중요 한 추가 적 인 측면 은 이 들 이 사용 되 는 구성 이 다 . 변형 게이지 들 은 전형 적 으로 , 2 개 의 병렬 전압 분배 기 들 로 구성 된 일반 적 으로 휘트스톤 브리지 로서 알려진 전기 회로 로 배선 된다 . 이러 한 구성 에 있 어서 , 회로 의 전압 분배 기 들 의 중심 에서 전기 노드 들 사이 의 차이 가 증폭 되 고 측정 된다 . 변형 게이지 들 둘 모두 가 회로 로 배선 되 고 관심 이 있 는 물체 에 적용 되 는 구성 은 센서 시스템 이 실제로 측정 하 는 것 이 어떠 한 부하 들 인지 를 결정 한다 . 예 를 들 어 , 축 방향 변형 을 측정 하 기 위하 여 , 2 개 의 변형 게이지 들 은 컴포넌트 의 대향 되 는 측면 들 상 에 정렬 되 며 , 또한 이 들 이 노드 를 공유 하 지 않 도록 브리지 회로 의 대향 되 는 측면 들 상 에 배선 된다 .