상기 단채 널 효과 를 방지 할 수 있 는 유효 채널 길이 를 가지 면서 트랜지스터 의 성능 을 극대 화 시키 기 위한 방법 의 하나 로 리세 스 된 채널 ( recessed channel ) 을 갖 는 트랜지스터 가 개발 되 었 다 . 예 를 들 면 , Faltermeier 등 에게 허여 된 미합중국 특허 제 6 , 150 , 670 호 에 는 기판 상 에 게이트 전극 이 수직 으로 매립 된 수직 트랜지스터 ( vertical transistor ) 의 제조 방법 이 개시 되 어 있 다 .