본 발명 은 코발트 화합물 , 이 를 이용 한 코발트 금속 층 의 선택 적 형성 방법 및 반도체 소자 의 제조 방법 에 관한 것 으로서 , 더욱 구체 적 으로 는 높 은 선택도 로 코발트 금속 층 을 선택 적 으로 형성 할 수 있 고 후처리 가 불 필요 한 코발트 화합물 , 이 를 이용 한 코발트 금속 층 의 선택 적 형성 방법 및 반도체 소자 의 제조 방법 에 관한 것 이 다 .