X 가 식 ( IV ) 의 암모늄기 인 식 ( III ) 의 2 - 메틸 벤질 화합물 ( 예컨대 식 ( IIIf ) 의 트리 메틸 ( o - 톨 릴 메틸 ) 암모늄 클로라이드 또는 식 ( IIIg ) 의 트리 에틸 ( o - 톨 릴 메틸 ) 암모늄 클로라이드 ) 의 제자리 형성 이 요구 되 는 경우 , 본 발명 의 방법 은 식 NR 1 R 2 R 3 ( 식 중 , R 1 , R 2 및 R 3 은 식 ( IV ) 에서 와 동일 한 의미 를 가짐 ( 바람직 하 게 는 , 여기 서 R 1 , R 2 및 R 3 은 각각 독립 적 으로 C 1 - C 6 - 알킬 및 C 6 - C 20 - 아릴 , 보다 바람직 하 게 는 C 1 - C 6 - 알킬 , 보다 더 바람직 하 게 는 메틸 또는 에틸 , 가장 바람직 하 게 는 메틸 에서 선택 됨 ) ) 의 적어도 하나 의 3 차 아민 의 존재 하 에 수행 된다 .