전술 한 바 와 같이 , 종래 의 반도체 장치 에서 는 , 에 미터 확산 층 및 콜렉터 확산 층 은 , 예 를 들 면 , 이온 주 입법 에 의해 에피 택 셜 층 에 형성 되 어 있 다 . 그리고 , 에 미터 확산 층 ― 콜렉터 확산 층 사이 의 베이스 폭 ( Wb ) 은 , 에피 택 셜 층 표면 근방 에서 가장 좁 게 되 어 있 다 . 이 구조 에 의해 , 에 미터 확산 층 으로부터 베이스 영역 에 주입 된 자유 캐리어 ( 정공 ) 는 , 베이스 폭 ( Wb ) 이 가장 좁 게 되 는 에피 택 셜 층 표면 근방 을 경로 로 하 고 있 다 . 그리고 , 에피 택 셜 층 표면 에 형성 된 결정 결함 등 의 계면 상태 에 의해 , 베이스 영역 에 주입 된 자유 캐리어 ( 정공 ) 의 대부분 은 , 에피 택 셜 층 표면 에서 재결합 하 게 된다 . 특히 , 횡 형 PNP 트랜지스터 가 ON 동작 한 직후 의 미소 전류 영역 에서 는 , 원 하 는 hfe 값 을 얻 기 어렵 다고 하 는 문제 가 있 다 .