본 발명 은 오버레이 마크 단차 부위 에서 잔류물 ( residue ) 발생 을 억제 시키 기 위한 반도체 소자 의 제조 방법 에 관한 것 으로 , 이 를 위해 본 발명 은 적층 구조 의 반도체 소자 를 제조 함 에 있 어서 , 이후 ( 以後 ) 공정 에서 상부 층 에 형성 되 는 오버레이 버니어 를 식별 하 기 위한 오버레이 마크 를 이전 ( 以前 ) 공정 을 통해 하부 층 에 형성 하 는 반도체 소자 의 제조 방법 을 제공 한다 .