또한 , 이온 주입 공정 에서 이용 되 는 불순물 의 물질 과 박막 증착 및 성장 공정 에서 웨이퍼 에 증착 되 는 박막 의 물질 에 따라 레이저 빔 의 입사각 을 다르 게 설정 할 수 있 다 . 예 를 들 면 , 이온 주입 공정 의 불순물 로 이용 되 는 인 ( phosphorus ) , 붕소 ( boron ) 인 경우 레이저 빔 의 입사각 과 웨이퍼 에 증착 되 는 반투명 박막 이 산화 막 , 질화 막 , 폴리 실리콘 막인 경우 레이저 빔 의 입사각 을 다르 게 설정 할 수 있 다 .