다음 에 , 레지스 트 마스크 ( 404 a , 404 b ) 를 마스크 로서 사용 하 여 , 건식 에칭 에 의해 제 1 도전 층 ( 103 ) 의 에칭 을 행한다 . 또한 , 에칭 조건 에 따라서 는 , 절연 표면 을 가지 는 기판 ( 101 ) 도 에칭 되 어 , 부분 적 으로 막 두께 가 얇 아 진다 . 그 때문 에 미리 , 기판 ( 101 ) 의 최 표면 의 층 , 또는 기판 ( 101 ) 위 에 , 에칭 되 어도 좋 은 절 연막 을 가지 고 있 으면 좋 다 . 에칭 가스 에 는 , 사불 화 탄소 ( CF 4 ) , 불화 유황 ( SF 6 ) , 염소 ( Cl 2 ) , 산소 ( O 2 ) 를 사용 한다 . 또한 , ICP 에칭 장치 와 비교 하 여 넓 은 면적 에 걸쳐 일정 한 방전 이 얻 어 지 기 쉬운 건식 에칭 장치 를 사용 한다 . 그러 한 건식 에칭 장치 로서 는 , 상부 전극 을 접지 시키 고 , 하부 전극 에 13 . 56 MHz 의 고주파 전원 을 접속 하 고 , 또한 , 하부 전극 에 3 . 2 MHz 의 저주파 전원 을 접속 한 ECCP ( Enhanced Capacitively Coupled Plasma ) 모드 의 에칭 장치 가 최적 이 다 . 이 에칭 장치 라면 , 예 를 들 면 , 기판 ( 101 ) 으로서 제 10 세대 의 3 m 를 넘 는 사이즈 의 기판 을 사용 하 는 경우 에 도 대응 할 수 있 다 .