상기 반도체 층 및 상기 저항성 접촉 층 을 식각 하 는 단계 와 상기 제 1 및 제 2 저항성 접촉 층 의 일부 를 제거 하 는 단계 는 투광 부 , 반투 광부 및 차 광부 를 가지 는 동일 한 마스크 를 사용 하 여 수행 하 며 , 상기 마스크 를 사용 하 여 상기 제 1 및 제 2 반도체 와 상기 제 1 및 제 2 저항성 접촉 층 이 제거 되 고 상기 게이트 절 연막 이 노출 되 어 있 는 제 1 부분 , 상기 제 1 및 제 2 저항성 접촉 층 이 제거 되 고 상기 제 1 및 제 2 반도체 가 노출 되 어 있 는 제 2 부분 , 그리고 상기 제 1 및 제 2 저항성 접촉 층 과 상기 제 1 및 제 2 반도체 가 남 아 있 는 제 3 부분 을 형성 할 수 있 다 .