그러나 , PSZ 물질 은 내부 에 불순물 과 수분 이 많이 함유 되 어 있 어 PSZ 물질 만 으로 소자 분리 막 을 형성 할 경우 갭 필 에 는 유리 하 지만 신뢰 성 문제 에 있 어서 취약 하 다 . 따라서 , 습식 에치 백 ( wet etchback ) 공정 으로 PSZ 막 의 두께 를 낮춰 후속 한 갭 필 마진 을 확보 한 다음 적정 두께 의 HDP 산화 막 을 증착 한다 . 그러나 , HDP 산화 막 의 증착 특성 상 반도체 기판 의 센터 영역 을 제외 한 나머지 부위 에서 는 에지 영역 에 가까운 트렌치 측벽 에 HDP 산화 막 이 얇 게 증착 되 는 비대칭 적 인 증착 현상 에 의해 모트 ( moat ) 가 발생 한다 . HDP 산화 막 증착 후 습식 에치 백 공정 을 이용 하 여 HDP 산화 막 의 일부 를 식각 한 상태 에서 추가 로 HDP 산화 막 을 두껍 게 증착 하 게 되 는데 , 이때 모트 ( moat ) 가 발생 된 부분 에 는 보이드 가 발생 하 게 된다 .