또한 , 도 4 c 는 제 3 측면 성장 속도 만 으로 반 극성 질화물 단결정 박막 ( 12 b ) 을 성장 시킨 OM 사진 이 다 . 도 4 c 를 참조 하 면 , 제 3 성장 압력 인 120 torr 의 압력 을 이 용 하 여 제 3 측면 성장 속도 로 반 극성 질화물 단결정 박막 ( 12 b ) 을 측 방향 성장 시킨 것 이 다 . 이 경우 , 제 1 측면 성장 속도 를 이용 한 도 4 a 의 실시 예 에 비해 측면 성장 속도 가 느리 며 , 제 2 측면 성장 속도 를 이용 한 도 4 b 의 실시 예 에 비해 표면 평탄 도 가 양호 하 지 못하 다 . 따라서 , 도 4 c 에 도시 된 반 극성 질화물 단결정 박막 ( 12 b ) 역시 , m 면 육방정계 단결정 기판 ( 11 ) 에 평행 하 고 , 고품위 의 결정 성 을 갖 는 형태 로 형성 하 는 것 이 어렵 다 .