도 17 a 를 참조 하 면 , 하 부막 ( 20 ) 상 에 제 1 희생 막 ( 30 ) 이 형성 될 수 있 으며 , 제 1 희생 막 ( 30 ) 상 에 는 일 방향 으로 연장 된 라인 형상 의 제 1 마스크 패턴 들 ( 42 ) 이 형성 될 수 있 다 . 제 1 마스크 패턴 들 ( 42 ) 은 도 1 을 참조 하 여 설명 한 것 처럼 , 제 1 희생 막 ( 30 ) 을 식각 하 는 공정 에서 제 1 희생 막 ( 30 ) 에 대해 식각 선택 비 를 가질 수 있 는 물질 로 형성 될 수 있 다 . 이 실시 예 에서 , 제 1 마스크 패턴 들 ( 42 ) 은 폭 이 서로 다른 제 1 영역 과 제 2 영역 을 포함 한다 . 그리고 , 제 1 마스크 패턴 들 ( 42 ) 의 최소 선폭 은 포토 리소그래피 공정 에서 의 해상도 에 의해 구현 될 수 있 는 최소 선폭 일 수 있 다 . 제 1 마스크 패턴 들 ( 42 ) 사이 의 간격 은 제 1 마스크 패턴 들 ( 42 ) 의 선폭 의 약 2 배 이하 일 수 있 다 .