상기 제 1 도전 성 패턴 ( 110 a ) 과 인접 하 는 상기 활성 영역 ( 103 ) 을 가로지르 며 상기 제 1 도전 성 패턴 ( 110 a ) 을 부분 적 으로 덮 는 제 2 도전 성 패턴 ( 130 ) 이 제공 될 수 있 다 . 상기 제 2 도전 성 패턴 ( 130 ) 은 상기 제 1 도전 성 패턴 ( 110 a ) 의 측벽 을 덮 으면서 상기 제 1 도전 성 패턴 ( 110 a ) 의 상부 표면 과 부분 적 으로 중첩 할 수 있 다 . 상기 제 2 도전 성 패턴 ( 130 ) 은 도우프 트 폴리 실리콘 막 으로 이루어지 거나 , 폴리 사이드 막 ( polycide layer ) 으로 이루어질 수 있 다 . 여기 서 , 상기 폴리 사이드 막 은 차례 로 적층 된 도우프 트 폴리 실리콘 막 및 금속 실리사이드 막 을 포함 할 수 있 다 .