예 를 들 어 , 8 비트 에 대해 1 비트 의 ECC 가 대응 되 는 EDS 구조 를 1 / 8 EDS 구조 라 한다 . 1 / 8 EDS 헤비 구조 에서 반도체 메모리 장치 ( 200 ) 가 1 Gbyte 데이터 를 저장 하 는 경우 , 각각 의 DRAM 칩 ( 210 내지 270 ) 은 256 Mbyte 의 데이터 를 저장 하 는 노 말 메모리 셀 들 과 32 Mbyte 의 ECC 를 저장 하 는 ECC 메모리 셀 들 을 구비 한다 . 즉 , 1 / 8 EDS 헤비 구조 에서 반도체 메모리 장치 ( 200 ) 에 구비 되 는 각각 의 DRAM 칩 ( 210 내지 270 ) 은 288 Mbyte 의 크기 를 갖 는다 .