복수 의 프로그램 가능 한 전류 공급원 ( 120 ) 각각 은 입력 신호 에 응답 하 여 전류 값 을 생성 하 는 기능 을 하 는 것 이 바람직 하 다 . 바람직 한 실시 예 에서 , 프로그램 가능 한 전류 공급원 ( 120 ) 은 전압 이 인가 될 때 전류 값 을 생성 하 도록 동작 하 는 저항성 회로 를 포함 한다 . 저항성 회로 는 임의 형태 의 재 조정 가능 한 저항 ( 즉 , 가변 저항 ) 일 수 있 으며 , 바람직 하 게 저항성 회로 는 멤 리스터 로 지칭 될 수 있 는 유전 성 고체 물질 을 통해 저항 이 변화 하 도록 동작 하 는 비휘발성 랜덤 억세 스 컴퓨터 메모리 의 유형 인 저항성 랜덤 억 세스 메모리 ( RRAM 또는 ReRAM ) 를 포함 한다 . 일부 실시 예 에서 , 프로그램 가능 한 전류 공급원 ( 120 ) 은 도 15 에 예시 된 바 와 같이 , 1 T ( 또는 2 T ) NOR - 플래시 트랜지스터 및 / 또는 그 밖 의 플래시 메모리 를 사용 하 여 구현 될 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 는 NOR - 플래시 트랜지스터 로 구현 하 였 지만 , 프로그램 가능 한 전류 공급원 은 다른 유형 의 NOR - 및 NAND - 플래시 디바이스 , RRAM 디바이스 , 또는 기술 분야 에서 알려진 임의 의 적절 한 디바이스 를 포함 하 는 다양 한 전류 생성 디바이스 에 의해 구현 될 수 있 음 을 이해 하 여야 할 것 이 다 .