따라서 , 포토 리소그래피 공정 에서 양산 제품 의 웨이퍼 를 노광 한 후 에 CD SEM 장치 를 이용 하 여 현상 후 임계 치수 , 공정 후 임계 치수 , 패턴 의 프로파일 등 을 측정 하 여 기 저장 된 임계 치수 데이터 와 비교 한 후 이러 한 상관 관계 에 따라 포커스 및 노광량 에 대한 보정 값 을 적용 하 여 다음 공정 을 진행할 수 있 다 .