이후 , 비 선택 된 워드 라인 들 ( WL 0 , WL 1 , WL 3 ) 에 패스 전압 ( Vpass ) 이 인가 되 고 , 선택 된 워드 라인 ( WL 2 ) 에 프로그램 전압 ( Vpgm ) 이 인가 된다 . 이 로써 , 플로팅 된 금지 스트링 들 ( ST 11 , ST 22 ) 에 채널 부 스팅 이 수행 되 고 , 프로그램 스트링 ( ST 21 ) 의 메모리 셀 ( MC ) 에 대한 프로그램 실행 동작 이 수행 된다 . 실시 예 에 있 어서 , 선택 된 워드 라인 ( WL 4 ) 에 소정 의 구간 동안 패스 전압 ( Vpass ) 이 인가 된 후 에 프로그램 전압 ( Vpgm ) 이 인가 될 수 있 다 .