일반 적 으로 상기 질화 갈륨 계열 의 반도체 층 들 은 사파이어 와 같 은 단결정 기판 상 에서 성장 되 며 , 최종 적 으로 칩 분리 공정 을 통해 단일 의 발광 다이오드 가 완성 된다 . 이때 , 상기 단결정 기판 이 결정면 을 따라 분리 되 므로 , 기판 은 통상 직사각 형 형상 을 갖 게 된다 . 일반 적 으로 , 최종 발광 다이오드 의 기판 의 형상 은 발광 구조 체 , 예컨대 메사 형상 , 전극 패드 형상 , 전극 패드 로부터 연장 된 연장 부 들 의 형상 을 한정 한다 . 예컨대 , 미국 특허 공보 제 6 , 650 , 018 호 에 는 전류 분산 을 향상 시키 기 위해 전극 접촉 부 들 에서 연장 된 연장 부들 을 개시 하 고 있 으며 , 이 들 연장 부 들 은 통상 직사각 형 형상 의 가장자리 를 따라 직선형 으로 연장 한다 .