도 4 a 를 참조 하 면 , 반도체 기판 ( 100 ) 에 활성 영역 ( 120 ) 을 정의 하 는 소자 분리 막 ( 130 ) 을 형성 한다 . 이때 , 소자 분리 막 ( 130 ) 은 STI ( Shallow Trench Isolation ) 공정 을 이용 하 여 형성 하 고 , HDP ( High Density Plasma ) 산화 막 을 이용 하 여 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 .