본 발명 의 일실 시예 에 따른 질화 갈륨 기판 가공 방법 및 장치 에 의하 면 , 제 1 평탄 화 단계 에서 생성 되 는 손상 층 의 두께 를 다시 측정 하 지 않 고서 도 제 2 평탄 화 단계 를 통하 여 제 1 평탄 화 단계 에서 생성 된 두께 만큼 의 손상 층 을 그라인딩 하 여 제거 할 수 있 게 되 어 공정 시간 의 단축 을 달성 할 수 있 게 된다 .