상술 한 과제 는 채널 영역 이 산화물 반도체 로 형성 되 는 트랜지스터 의 소스 또는 드레 인 에 만 전기 적 으로 접속 되 는 노드 에서 전하 를 유지 ( 정보 를 기억 ) 함 으로써 해결 할 수 있 다 . 또한 , 상기 노드 에 소스 또는 드레 인 이 전기 적 으로 접속 되 는 트랜지스터 는 복수 개 있 어도 좋 다 . 또한 , 상기 산화물 반도체 는 실리콘 보다 밴드 갭 이 넓 고 , 진성 캐리어 밀도 가 실리콘 보다 낮 은 것 을 특징 으로 한다 . 이러 한 산화물 반도체 로 트랜지스터 의 채널 영역 이 형성 됨 으로써 오프 전류 ( 리크 전류 ) 가 극히 낮 은 트랜지스터 를 실현 할 수 있 다 .