상기 도 7 과 같이 PAM 파형 의 위상 이 , 목표 로 하 는 PAM 파형 의 위상 에서 Δ t 지연 된 경우 의 PAM 전류 파형 , 상하 콘덴서 ( C 1 , C 2 ) 의 전압 , 및 이 상하 콘덴서 ( C 1 , C 2 ) 의 전압 차 를 도 8 에 나타낸다 . 이 도 8 에서 도 알 수 있 는 바 와 같이 , 상기 PAM 파형 의 위상 이 , 목표 로 하 는 위상 에서 지연 되 면 , 입력 전압 의 반주기 내 에서 PAM 전류 가 치우침 과 더불 어 , 상하 콘덴서 ( C 1 , C 2 ) 의 리플 전압 이 증대 된다 . 그러면 , 증대 된 리플 전압 에 대응 할 수 있 도록 콘덴서 ( C 1 , C 2 ) 의 용량 을 증대 시키 거나 내압 성 을 향상 시키 거나 할 필요 가 있 다 . 여기 서 , 상기 도 8 에서 는 입력 전압 ( Vi ) 의 실제 제로 크로스 점 ( P ) 에 대해 , 마이크로컴퓨터 ( 15 ) 가 인식 하 는 제로 크로스 점 ( P ') 이 , 지연 되 는 측 으로 시프트 된 경우 를 나타낸다 .