한편 , SiC 는 고온 에서 안정 하 고 , GaN 와 같 은 육방정계 의 구조 를 가지 며 , GaN 와 의 격자 상수 및 열팽창 계수 차 가 사파이어 보다 작 고 , 열전도 도 및 전기 전도도 가 우수 한 장점 이 있 다 . 그러나 , 가격 이 사파이어 보다 비싸 고 , SiC 기판 내 의 마이크 로 파이프 ( micropipe ) 가 GaN 박막 으로 전파 되 어 GaN 소자 의 특성 을 떨어뜨리 는 단점 이 있 기 때문 에 통상 적 으로 사파이어 기판 을 가장 많이 사용 하 고 있 다 .