그럼에도 불구 하 고 , 일 실시 예 에서 는 자신 을 관통 하 여 형성 된 트렌치 를 갖 는 마스크 를 이용 하 여 반도체 기판 의 실리콘 내 로 트렌치 를 플 라즈 마 에칭 하 게 되 며 , 이때 , 에칭 플라 즈 마는 황 - 함유 성분 , 산소 - 함유 성분 , 그리고 NFx 가 그 구성 요소 를 이루 게 된다 . 일 실시 예 에서 는 SF 6 를 포함 하 는 프리 커서 기체 로부터 황 - 함유 성분 이 형성 된다 .