먼저 , 도 2 a 에 도시 된 바 와 같이 , 기판 ( 100 ) 상 에 하부 전극 층 ( 110 ) 을 형성 한다 . 이때 , 상기 기판 ( 100 ) 은 유리 ( glass ) 기판 , 실리콘 ( Si ) 기판 , 폴리머 ( polymer ) 기판 을 모두 포함 한다 . 그리고 , 상기 하부 전극 층 ( 110 ) 은 Pt , Ir , Ru , Al , Au , RuO 2 , SrRuO 3 , IrO 2 를 포함 한 금속 물질 중 에서 어느 하나 를 사용 하 여 0 . 5 내지 100 nm 의 두께 로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 .