본 발명 은 셀 영역 내 유효 산화 막 높이 ( Effective Field oxide Height ; EFH ) 제어 를 위한 소자 분리 막 의 식각 공정 에 있 어서 , 습식 식각 공정 으로 포토레지스트 에 의한 오염 및 공정 불량 없이 셀 영역 내 EFH 편차 ( variation ) 를 개선 할 수 있 는 반도체 소자 의 소자 분리 막 형성 방법 을 제공 함 에 있 다 .