도 2 b 에 도시 된 바 와 같이 , 상기 제 1 마스크 ( M 1 ) 를 이용 하 는 노광 공정 및 현상 공정 을 수행 하 여 제 1 도전 층 ( 110 ) 상 에 포토레지스트 막 ( 122 ) 을 형성 한다 . 다음 으로 , 도 2 c 에 도시 된 바 와 같이 , 포토레지스트 막 ( 122 ) 을 마스크 로 이용 하 여 건 식 식각 공정 또는 습식 식각 공정 을 수행 함 으로써 , 상기 제 1 도전 층 ( 110 ) 중 상기 포토레지스트 막 ( 122 ) 에 의해 커버 되 지 않 는 부분 을 제거 한다 . 이 에 따라 , 기판 ( 10 ) 상 에 게이트 ( 112 ) 가 형성 된다 . 도 2 d 에 도시 된 바 와 같이 , 상기 게이트 ( 112 ) 를 형성 한 다음 스트립 공정 을 수행 하 여 게이트 ( 110 ) 로부터 상기 포토레지스트 막 ( 122 ) 을 제거 한다 .