다음 에 , U 자 형상 반도체 층 ( 63 ) 이 연속 해서 형성 되 므로 , 제 1 메모리 홀 ( 35 a ) 과 제 2 메모리 홀 ( 35 b ) 사이 의 경계 에 접촉 저항 을 발생 시키 지 않 는다 . 따라서 , 제 1 실시 형태 에 관한 불휘발성 반도체 기억 장치 ( 100 ) 에서 , U 자 형상 반도체 층 ( 63 ) 은 비 교예 보다 전류 를 안정 적 으로 흐르 게 할 수 있 다 .