그러므로 , 도 2 a 에 나타낸 바 와 같이 , 후속 공정 인 소자 분리 막 ( 13 ) 주변 에 사이드 월 ( sidewall ; 13 a ) 을 형성 시 소자 분리 막 ( 13 ) 의 상부 에 STI 스트링거 ( stringer ; 13 b ) 가 존재 하 게 되 며 , STI 스티 링거 ( 13 b ) 가 활성 영역 ( active area ) 을 침범 함 으로써 실제로 디자인 한 활성 영역 이 작 게 형성 되 는 문제점 을 가지 고 있 었 다 .