본 방법 및 장치 는 , 증착 , 에칭 , 및 / 또는 기타 목적 을 위해 사용 되 는 경우 , 많 은 장점 을 제공 한다 . 예 를 들 어 , 레지스 트 붕괴 에 연관 된 문제점 을 피할 수 있 다 . 역 으로 , 두꺼운 레지스 트 라인 ( 예 , 30 nm 두께 ) 을 사용 하 는 종래 기술 은 , 레지스 트 와 하부 층 사이 의 부착 이 충분히 강하 지 않 을 경우 , 습식 현상 단계 동안 레지스 트 라인 의 붕괴 를 겪 을 수 있 다 . 또한 , 본원 에 개시 된 접근 법 은 , PAG 분리 및 PAG ? ? 칭 과 같 은 포토 - 산 발생기 ( PAG ) 를 포함 하 여 레지스 트 를 사용 할 경우 에 발생 할 수 있 는 문제 를 없앤다 . 또한 , 에칭 목적 을 위해 사용 되 는 경우 , 본 방법 은 매우 얇 은 하부 층만 을 필요 로 하 고 , 매우 높 은 해상도 , 예 를 들 어 13 nm , 또는 심지어 매우 높 은 수치 의 애 퍼 쳐 가 사용 되 는 경우 에 심지어 약 8 nm 의 해상도 를 제공 하 면서 도 우수 한 에칭 예산 을 갖 는 희생 마스킹 층 의 선택 적 증착 을 허용 한다 .