이때 , 제 2 전자 수송 층 ( 462 ) 상 에 전자 주입 층 을 더 배치 할 수 있 다 . 전 자주 입 층 은 캐소드 ( 470 ) 로부터 전자 의 주입 을 원활 하 게 하 는 유기 층 으로 , 유기 발광 표시 장치 ( 400 ) 의 구조 와 특성 에 따라서 생략 할 수 있 다 . 전 자주 입 층 은 BaF 2 , LiF , NaCl , CsF , Li 2 O 및 BaO 와 같 은 금속 무기 화합물 일 수 있 고 , HAT - CN ( dipyrazino [ 2 , 3 - f : 2 ’, 3 ’- h ] quinoxaline - 2 , 3 , 6 , 7 , 10 . 11 - hexacarbonitrile ) , CuPc ( phthalocyanine ) , 및 NPD ( N , N ’- bis ( naphthalene - 1 - yl ) - N , N ’- bis ( phenyl ) - 2 , 2 ’- dimethylbenzidine ) 중 에서 어느 하나 이상 의 유기 화합물 일 수 있 다 .