일 실시 예 에서 , 도 2 에 도시 된 바 와 같이 , 각 화소 ( PX ) 는 구동 트랜지스터 ( T 1 ) 가 PMOS 트랜지스터 로 구현 된 HOP 화소 ( PX 1 ) 일 수 있 다 . 예 를 들 어 , 각 화소 ( PX 1 ) 는 구동 전류 를 생성 하 는 구동 트랜지스터 ( T 1 ) , 제 1 스캔 신호 ( SS 1 ) 에 응답 하 여 데이터 신호 ( DS 1 ) 를 구동 트랜지스터 ( T 1 ) 의 소스 에 전달 하 는 스위칭 트랜지스터 ( T 2 ) , 제 2 스캔 신호 ( SS 2 ) 에 응답 하 여 구동 트랜지스터 ( T 1 ) 를 다이오드 연결 시키 는 보상 트랜지스터 ( T 3 ) , 스위칭 트랜지스터 ( T 2 ) 및 상기 다이오드 연결 된 구동 트랜지스터 ( T 1 ) 를 통하 여 전달 된 데이터 신호 ( DS ) 를 저장 하 는 저장 커패시터 ( CST ) , 초기 화 신호 ( SI ) 에 응답 하 여 저장 커패시터 ( CST ) 및 구동 트랜지스터 ( T 1 ) 의 게이트 에 초기 화 전압 ( VINIT ) 을 제공 하 는 제 1 초기 화 트랜지스터 ( T 4 ) , 발광 제어 신호 ( SEM ) 에 응답 하 여 고 전원 전압 ( ELVDD ) 의 라인 을 구동 트랜지스터 ( T 1 ) 의 상기 소스 에 연결 하 는 제 1 발광 제어 트랜지스터 ( T 5 ) , 발광 제어 신호 ( SEM ) 에 응답 하 여 구동 트랜지스터 ( T 1 ) 의 드레 인 을 유기 발광 다이오드 ( EL ) 에 연결 하 는 제 2 발광 제어 트랜지스터 ( T 6 ) , 제 1 스캔 신호 ( SS 1 ) 에 응답 하 여 유기 발광 다이오드 ( EL ) 에 초기 화 전압 ( VINIT ) 을 제공 하 는 제 2 초기 화 트랜지스터 ( T 7 ) , 및 고 전원 전압 ( ELVDD ) 의 라인 으로부터 저 전원 전압 ( ELVSS ) 의 라인 으로 의 상기 구동 전류 에 기초 하 여 발광 하 는 유기 발광 다이오드 ( EL ) 를 포함 할 수 있 다 .