상기 제 2 마스크 패턴 을 식각 마스크 로 사용 하 여 상기 금속 질화 막 ( 214 ) , 유전 막 ( 212 ) , 예비 제 1 절 연막 패턴 ( 208 ) 및 예비 플로팅 게이트 전극 ( 204 a ) 을 차례 로 식각 한다 . 이 로써 , 플로팅 게이트 전극 ( 204 b ) , 유전 막 패턴 ( 212 a ) , 콘트롤 게이트 전극 ( 214 a ) 을 포함 하 는 구조물 이 형성 된다 . 또한 , 상기 구조물 사이 에 는 개구부 ( 216 ) 가 생성 된다 . 상기 구조물 사이 에 생성 된 개구부 ( 216 ) 는 하부 의 에어 터널 ( 210 ) 과 서로 연통 한다 .