종래 기술 1 에 는 알루미늄 ( Al ) 과 p - 형 의 다결정 CIS 과 의 접합 에 의해 형성 한 쇼트 키 다이오드 를 개시 한다 . 또한 , 상기 다이오드 를 대기 중 에서 200 ℃ 로 열처리 하 면 , 대기 중 의 산소 의 영향 으로 인해 CIS 의 p - 형 농도 가 더 높 아 진다 . 이 와 는 달리 , 본 발명 은 n - 형 과 p - 형 의 접합 에 의하 여 스위칭 트랜지스터 의 형성 도 가능 성 을 개시 한다 .