이 와 같 은 방식 으로 , 유리 표면 이 노출 되 야 하 는 부분 ( 7 ) 과 폴리스타이렌 ( PS ) 이 남 아 있 는 표면 ( 8 ) 으로 분리 된 패턴 이 얻 어 져야 한다 . 하지만 실제 공정 을 진행 하 면 도 1 e 와 같이 폴리스타이렌 잔존물 ( 9 ) 이 남 는다 . 이 를 제거 하 기 위해 반응 성 이온 식각 ( Reactive Ion Etching : RIE ) 과 같 은 비등방성 에칭 공정 을 이용 하 였으며 , 이때 반응 가스 로 는 CF 4 / O 2 와 같 은 부 가 가스 가 첨가 된 플 루 오로 카본 가스 를 사용 하 였 다 . 전력 은 0 . 01 ~ 1 W / cm 3 로 하 고 , 압력 은 1 mtorr ~ 10 torr 의 CF 4 / O 2 와 같 은 부 가 가스 가 첨가 된 플 루 오로 가스 환경 에서 플라 즈 마 상태 로 진행 하 였 다 . 그 다음 표면 의 산화 를 위해 O 2 로만 0 . 01 ~ 1 W / cm 3 에서 압력 은 0 . 001 ~ 10 torr 를 O 2 의 공정 조건 으로 플 라즈 마 하 에서 진행 하 였 다 ( 도 1 f ) .