가열 된 감압 의 처리 실 내 에 산소 함유 가스 ( 예 를 들 면 O 2 가스 ) 와 수소 함유 가스 ( 예 를 들 면 H 2 가스 ) 를 공급 하 여 산화 처리 를 수행 하 는 경우 , 처리 실 내부 의 압력 은 , 대기압 보다 낮 은 압력 , 예 를 들 면 1 ~ 1000 Pa 범위 내 의 압력 으로 한다 . O 2 가스 의 공급 유량 은 , 예 를 들 면 1 ~ 20000 sccm 범위 내 의 유량 으로 하 고 , H 2 가스 의 공급 유량 은 , 예 를 들 면 1 ~ 20000 sccm 범위 내 의 유량 으로 한다 . O 2 가스 와 H 2 가스 가 반응 함 으로써 얻 어 진 산 화종 에 웨이퍼 를 노출 하 는 시간 은 , 예 를 들 면 2 ~ 120 초 사이 의 범위 내 의 시간 으로 한다 . 이 때 의 히터 의 온도 는 , 웨이퍼 의 온도 가 , 예 를 들 면 350 ~ 1000 ℃ 의 범위 내 의 온도 가 되 도록 설정 한다 . 한편 , 이 범위 내 의 온도 이 면 감압 분위기 하 에서 의 O 2 가스 에 대한 H 2 가스 첨가 에 의한 산화력 향상 의 효과 가 얻 어 지 는 것 을 확인 했 다 . 또한 , 웨이퍼 의 온도 가 너무 낮 으면 산화력 향상 의 효과 를 얻 을 수 없 음 도 확인 했 다 . 다만 스루풋 ( through put ) 을 고려 하 면 , 이 산화 처리 시 의 웨이퍼 의 온도 는 실리콘 함유층 형성 시 나 질화 처리 시 와 동일 한 온도 가 되 도록 , 즉 , 처리 실 내 의 온도 를 실리콘 함유층 형성 시 나 질화 처리 시 와 동일 한 온도 로 유지 하 도록 히터 의 온도 를 설정 하 는 것 이 바람직 하 다 . 이 경우 , 제 1 순서 에서 는 스텝 1 에서 스텝 4 에 걸쳐 웨이퍼 의 온도 , 즉 처리 실 내 의 온도 가 350 ~ 650 ℃ 의 범위 내 의 일정 한 온도 가 되 도록 히터 의 온도 를 설정 한다 . 제 2 순서 에서 는 스텝 1 에서 스텝 3 에 걸쳐 처리 실 내 의 온도 가 350 ~ 650 ℃ 의 범위 내 의 일정 한 온도 가 되 도록 히터 의 온도 를 설정 한다 . 한편 , 감압 분위기 하 에서 의 O 2 가스 에 대한 H 2 가스 첨가 에 의한 산화력 향상 의 효과 를 얻 기 위해서 는 , 처리 실 내 의 온도 를 350 ℃ 이상 으로 할 필요 가 있 는데 , 처리 실 내 의 온도 는 400 ℃ 이상 으로 하 는 것 이 바람직 하 고 , 450 ℃ 이상 으로 하 면 더욱 바람직 하 다 . 처리 실 내 의 온도 를 400 ℃ 이상 으로 하 면 , 400 ℃ 이상 의 온도 로 수행 하 는 O 3 산화 처리 에 의한 산화력 을 초과 하 는 산화력 을 얻 을 수 있 고 , 처리 실 ( 201 ) 내 의 온도 를 450 ℃ 이상 으로 하 면 , 450 ℃ 이상 의 온도 로 실시 하 는 O 2 플 라즈 마 산화 처리 에 의한 산화력 을 초과 하 는 산화력 을 얻 을 수 있 다 .