이 와 같 은 플 래쉬 메모리 셀 은 일반 적 으로 실리콘 기판 상 에 형성 된 플로팅 게이트 ( Floating Gate ) 를 구비 하 는 수직 적층 형 게이트 구조 를 갖 는다 . 다층 게이트 구조 는 전형 적 으로 하나 이상 의 터널 산화 막 또는 유전체 막 과 , 상기 플로팅 게이트 의 상부 또는 주변 에 형성 된 컨트롤 게이트 ( Control Gate ) 를 포함 한다 .