도 3 에 도시 된 바 와 같이 , 상기 반도체 제조 설비 의 가스 또는 케미컬 공급 장치 는 외부 로부터 공급 된 상기 가스 ( A ) 또는 케미컬 ( B ) 을 해당 공정 의 레시피 ( recipe ) 에 따라 조절 된 유량 과 속도 를 출력 하 는 공급 제 어부 ( 100 ) 와 상기 가스 ( A ) 또는 케미컬 ( B ) 을 상기 공정 챔버 ( 300 ) 로 이동 시키 기 위한 배관 ( P 20 ) 을 구비 한다 . 그리고 상기 가스 ( A ) 또는 케미컬 ( B ) 이 외부 로 배출 되 도록 하 는 3 웨이 밸브 ( 3 WV 1 ) 가 상기 공급 제 어부 ( 100 ) 와 상기 공정 챔버 ( 300 ) 사이 에 구비 된다 .