예 를 들 어 , 상기 반도체 발광 소자 는 p 형 전극 ( 156 ) , p 형 전극 ( 156 ) 이 형성 되 는 p 형 반도체 층 ( 155 ) , p 형 반도체 층 ( 155 ) 상 에 형성 된 활성 층 ( 154 ) , 활성 층 ( 154 ) 상 에 형성 된 n 형 반도체 층 ( 153 ) 및 n 형 반도체 층 ( 153 ) 상 에서 p 형 전극 ( 156 ) 과 수평 방향 으로 이격 배치 되 는 n 형 전극 ( 152 ) 을 포함 한다 . 이 경우 , p 형 전극 ( 156 ) 은 보조 전극 ( 170 ) 과 전도성 접착 층 ( 130 ) 에 의하 여 전기 적 으로 연결 될 수 있 고 , n 형 전극 ( 152 ) 은 제 2 전극 ( 140 ) 과 전기 적 으로 연결 될 수 있 다 .