도 3 d 에 도시 된 바 와 같이 , 반도체 기판 ( 101 ) 의 전면 에 대한 폴리 싱에 의해 절연 물질 ( 104 ; 도 3 c 에 도시 ) 을 폴리 싱하 여 소자 분리 막 ( 104 a ) 을 형성 한다 . 이 때 , 절연 물질 ( 104 ; 도 3 c 에 도시 ) 의 폴리 싱 은 CMP ( Chemical - Mechanical Polishing ) 공정 이 이용 된다 .