스텝 S 1 은 반도체 디바이스 의 회로 를 설계 하 는 회로 설계 공정 이 다 . 스텝 S 2 는 설계 된 회로 패턴 에 의거 해서 원판 또는 레티 클 이 라고 도 부르 는 마스크 를 제작 하 는 공정 이 다 . 스텝 S 3 는 실리콘 또는 유사 한 재료 로부터 , 기판 이 라고 도 부르 는 , 웨이퍼 를 제조 하 는 공정 이 다 . 스텝 S 4 는 전 공정 으로 부르 며 , 리소그래피 기술 을 이용 해서 상기 마스크 에 의해 노광 장치 를 사용 하 여 웨이퍼 에 실제 의 회로 를 형성 하 는 웨이퍼 프로세스 이 다 . 스텝 S 5 는 후 공정 으로 부르 며 , 스텝 4 에서 제작 된 웨이퍼 를 사용 하 여 반도체 칩 을 형성 하 는 조립공 정 이 다 . 상기 후 공정 은 어셈블리 공정 ( 예 를 들 면 , 다 이싱 , 본딩 등 ) , 패 키 징 공정 ( 칩 밀봉 ) 을 포함 한다 . 스텝 S 6 는 스텝 5 에서 제작 된 반도체 디바이스 를 검사 하 는 검사 공정 이 다 . 상기 검사 공정 은 동작 확인 테스트 , 내 구성 테스트 가 포함 된다 . 스텝 S 7 은 상기 공정 을 거쳐서 완성 된 반도체 디바이스 를 출하 하 는 출하 공정 이 다 .