이러 한 본 발명 은 종래 의 단일 완충 층 구조 에 따른 문제점 을 보완 하 고자 상하 완충 층 사이 에 스터핑 층 을 삽입 하 여 Si 의 GaN 층 으로 의 확산 을 방지 하 고 , 또는 완충 층 과 스터핑 층 간 의 격자 상수 불 일치 를 통하 여 확산 경로 의 길이 를 증가 시킴 으로써 Si 의 확산 으로 인한 문제점 을 감소 시킨다 . 한편 , 스터핑 층 을 통하 여 완충 층 의 두께 조절 을 용이 하 게 함 으로써 효율 적 으로 Si 상 에 GaN 층 을 성장 할 수 있 게 된다 .