다른 예 로서 , 하부 전극 ( 208 ) 은 티타늄 ( Ti ) 전극 일 수 있 고 , 절연체 물질 ( 212 ) 은 AlN 일 수 있 다 . Ti 하부 전극 ( 208 ) 은 ( 예 를 들 어 , 하부 전극 ( 208 ) 의 면 에 수행 된 CMP 공정 후 에 ) 산화 될 수 있 으므로 , 다른 공정 이 절연체 물질 ( 212 ) 을 변성 시키 는 데 사용 된 가열 공정 전 에 티타늄 산화물 ( TiOx ) 을 Ti 으로 환원 시키 기 위해 사용 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 인 시튜 플라 즈 마 처리 ( in situ plasma treatment ) 가 TiOx 의 적어도 일부 를 티타늄 금속 으로 환원 시키 기 위해 사용 될 수 있 다 . 일례 로서 , TiOx 는 다른 비 열적 ( non - thermal ) 플 라즈 마 중 에서 , 전기 방전 플 라즈 마 , 마이크로파 구동 식 비 열 적 플 라즈 마 , 유전 장벽 플 라즈 마 , 펄스 코로나 방전 플 라즈 마 , 글 로우 방전 플라 즈 마 및 / 또는 대기압 플 라즈 마 제트 와 같 은 비 열 적 플 라즈 마 에 노출 될 수 있 다 . 환원 된 Ti 는 Ti 2 AlN 또는 다른 티타늄 알루미늄 질화물 합금 위상 을 형성 하 기 위해 절연체 물질 ( 212 ) 의 AlN 과 반응 할 수 있 다 .