도 3 을 참조 하 면 , 본 발명 에 따른 시모스 이미지 센서 는 포토다이오드 ( 301 ) , 트랜스퍼 게이트 ( Transfer Gate , 303 ) , 리셋 게이트 ( Reset Gate , 304 ) , 액세스 게이트 ( Access Gate , 305 ) , 선택 게이트 ( Select Gate , 307 ) 및 부유 확산 층 ( F / D ; Floating Diffusion , 309 ) 을 포함 한다 . 통상 적 으로 상기 포토다이오드 ( 301 ) 는 광 효율 을 높이 기 위하 여 넓 게 형성 되 고 , 활성 영역 은 상기 포토다이오드 ( 301 ) 의 일 측 에 연장 되 어 형성 된다 . 상기 활성 영역 상 에 트랜스퍼 게이트 ( 303 ) , 리셋 게이트 ( 304 ) , 액세스 게이트 ( 305 ) 및 선택 게이트 ( 307 ) 가 순차 적 으로 소정 간격 이격 되 어 형성 된다 . 이때 상기 트랜스퍼 게이트 ( 303 ) 는 상기 포토다이오드 ( 301 ) 의 모서리 에 인접 하 여 상기 활성 영역 에 형성 된다 . 종래 의 시모스 이미지 센서 는 트랜스퍼 게이트 가 포토다이오드 의 변 중앙 에 인접 하 나 본 발명 에 따른 이미지 센서 는 트랜스퍼 게이트 ( 303 ) 가 상기 포토다이오드 ( 301 ) 의 모서리 에 인접 한다는 점 에서 차이점 이 있 다 .