본 발명자 들 은 상기 표적 분자 의 고정화 용 관능기 를 갖 는 산화 규소 쇄 를 갖 는 단분자막 을 위치 선택 적 으로 성막 할 때 , 굳이 ArF 엑 시머 레이저 노광용 으로 개발 된 포지티브 형 레지스 트 용 수지 나 , 조성 으로서 는 KrF 용 으로 사용 되 는 히드록시 스티렌 계 단량체 를 포함 하 는 타입 의 수지 이 어도 수지 중 의 수산기 함량 이 매우 낮 은 포지티브 형 화학 증폭 형 레지스 트 막 을 사용 하 면 , 레지스 트 표면 으로 의 단분자막 의 부착 이 방지 됨 과 동시 에 , 단분자막 의 성막 후 용제 에 의해 레지스 트 패턴 을 제거 하 는 간편 한 처리 에 의해 불 필요 한 레지스 트 패턴 을 제거 할 수 있 는 것 을 발견 하 고 , 본 발명 을 완성 하 기 에 이르 렀다 .