도 4 b 는 질화물 층 ( 403 ) 위 에서 형성 되 고 , 노광 되 고 , 그리고 현상 되 는 포토 레지스 트 층 ( 404 ) 을 도시 하고 있 다 . 트렌치 패턴 이 포토 레지스 트 층 ( 404 ) 상 에 형성 될 수 있 다 . 배리 어 층 ( 402 ) 및 질화물 층 ( 403 ) 내 에 트렌치 패턴 ( 405 ) 을 형성 하 는 후속 적 인 질화물 식각 단계 및 산화물 식각 단계 는 기판 ( 401 ) 내 의 분리 영역 들 로서 지정 된 위치 들 을 노출 시킨다 .