낮 은 압력 에서 질소 ( N ) 에 비해 상대 적 으로 가벼운 전자 ( electron , e ) 가 리 세스 게이트 상단 구석 ( top corner ) 에 쌓여 ( pile up ) 전자 가 리 세스 게이트 하부 로 내려가 는 것 을 방해 한다 . 이 로 인하 여 질소 가 평판 ( planar ) 구조 에 비해 상대 적 으로 더 큰 에너지 를 가지 고 리 세스 게이트 하부 에 내려가 더 큰 플 라즈 마손 상 ( Plasma damage ) 을 유발 하 게 된다 .