상기 스 페이서 층 과 반대쪽 의 상기 흑연 질 기판 상 에 , 바람직 하 게 는 상기 흑연 질 기판 상 의 홀 - 패턴 화 된 마스크 의 홀 을 통해 , 에피 택 셜 방식 으로 복수 의 III - V 족 반도체 NW 를 성장 시키 는 단계 로서 , 이때 상기 NW 는 진성 영역 ( 활성 영역 ) 에 의해 임의 적 으로 분리 된 n - 형 도핑 된 영역 및 p - 형 도핑 된 영역 을 포함 하 는 , 단계 ; 및