도 2 와 같이 자 가 조립 단층 ( SAM ) 으로 표면 개질 하 지 않 은 투명 전극 ( ITO ) 의 일함수 는 4 . 55 [ eV ] 를 보이 고 있 으며 , 표면 개질 된 투명 전극 은 자 가 조립 단층 형성 시간 ( 1 ~ 3 분 ) 에 따라 5 . 24 ~ 5 . 32 [ eV ] 를 보이 고 있 다 . 즉 , 본 발명 에 의한 투명 전극 과 일함수 가 5 . 1 ~ 5 . 4 [ eV ] 인 유기 반도체 사이 의 에너지 장벽 이 현격히 줄어들 게 됨 을 고찰 할 수 있 다 . 한편 , 광 투과도 는 도 3 과 같이 실험 적 오차 범위 내 에서 크 게 변하 지 않 았 다 .