이상 에서 살펴본 바 와 같이 , 본 발명 은 GaAs 의 수직 브릿지 만법 에 의한 결정 성장 공정 합성 공정 자체 가 한 번 의 공정 으로 진행 되 고 , 종래 의 GaAs 단결정 성장 장치 를 활용 하 여 별도 의 장비 나 비용 을 더 발생 시킴 이 없이 , 더욱 질 좋 은 잉곳 을 생산 할 수 있 게 한 시간 과 비용 면 에서 혁신 적 인 생산 성 향상 을 기할 수 있 는 유용 한 발명 이 다 .