도 2 및 도 24 를 참조 하 면 , 도 6 의 결과물 상 에 제 3 포토레지스트 패턴 ( PR 3 ) 이 형성 될 수 있 다 . 앞서 설명 한 도 7 과 는 달리 제 1 하 부막 ( ULa 1 ) 은 생략 될 수 있 고 , 상기 제 3 포토레지스트 패턴 ( PR 3 ) 이 제 2 적층 구 조체 ( ST 2 ) 의 상면 을 직접 덮 을 수 있 다 . 구체 적 으로 , 상기 제 3 포토레지스트 패턴 ( PR 3 ) 은 셀 어레이 영역 ( CAR ) 및 제 2 콘 택 영역 ( CTR 2 ) 상 에 형성 될 수 있 다 . 상기 제 3 포토레지스트 패턴 ( PR 3 ) 은 제 1 콘 택 영역 ( CTR 1 ) 을 노출 시킬 수 있 다 .