식각 장벽 패턴 ( 116 a ) 은 데이터 금속 패턴 , 구체 적 으로 , 소스 전극 ( 106 c ) 형성 시 , 액티브 패턴 ( 114 a ) 이 습식 식각 되 는 것 을 방지 하 기 위해 액티브 패턴 ( 114 a ) 상부 에 형성 될 수 있 다 . 이 는 상기 소스 전극 ( 106 c ) 이 식각 장벽 패턴 ( 116 a ) 에 대해 습식 식각 선택 비 가 클 수 있 기 때문 에 가능 하 다 . 예 를 들 어 , 소스 전극 ( 106 c ) 및 식각 장벽 패턴 ( 116 a ) 의 습식 식각 선택 비 는 10 : 1 내지 100 : 1 일 경우 에 , 상기 소스 전극 ( 106 c ) 형성 시 식각 장벽 패턴 ( 116 a ) 은 액티브 패턴 ( 114 a ) 을 보호 할 수 있 다 .