실시 예 1 및 비 교예 2 에 의해 제조 된 양성자 전도성 고분자 막 에 대하 여 XPS ( PHI 1500 ESCA 시스템 ) 실험 을 하 고 Zr 3 d 에 대한 결과 를 도 8 에 도시 하 였 다 . 도 8 을 참조 하 면 , 3 d 3 / 2 피크 가 185 . 5 eV 에서 나타나 고 , 3 d 5 / 2 피크 가 183 . 5 eV 에서 나타나 는데 상기 3 d 5 / 2 피크 는 본 발명 에 따른 양성자 전도성 고분자 막 에서 지르코늄 포스 페이트 가 술폰산기 의 산소 원자 와 화학 적 결합 을 하 고 있 다는 증거 가 된다 . 즉 , ZrP 의 경우 에 는 원래 3 d 5 / 2 피크 가 182 . 5 eV 에서 나타나 는데 , 본 발명 에 따른 양성자 전도성 고분자 막 에 존재 하 는 ZrP 의 경우 에 는 183 . 5 eV 로 좀 더 높 은 쪽 으로 쉬프 트 되 었 고 , 이 는 술폰산기 의 산소 원자 와 지르코늄 원자 간 의 화학 적 결합 이 존재 한다는 증거 가 될 수 있 다 .