우선 , 게이트 전극 ( 128 a ) , 도전 층 ( 128 b ) , 절연 층 ( 136 ) , 절연 층 ( 138 ) , 절연 층 ( 140 ) 등 의 위 에 산화물 반도체 층 을 형성 하 고 , 상기 산화물 반도체 층 을 가공 하 여 산화물 반도체 층 ( 144 ) 을 형성 한다 ( 도 9 a 참조 ) . 또한 , 산화물 반도체 층 을 형성 하 기 전 에 절연 층 ( 136 ) , 절연 층 ( 138 ) , 절연 층 ( 140 ) 위 에 하 지 ( 下地 ) 로서 기능 하 는 절연 층 을 형성 하 여도 좋 다 . 상기 절연 층 은 스퍼터링 법 을 비롯 한 PVD 법 이나 플라 즈 마 CVD 법 등 의 CVD 법 등 을 사용 하 여 형성 할 수 있 다 .