예 를 들 어 , 복수 의 반도체 칩 의 회로 패턴 이 표면 에 형성 된 반도체 웨이퍼 ( 50 ) 는 , 다 이싱 에 의해 각각 의 반도체 칩 ( 52 ) 으로 잘린다 . 또한 , 1 매 의 웨이 퍼 ( 50 ) 에 대해서 는 , 적층 에서 동일 층 이 되 는 반도체 칩 의 회로 패턴 만 을 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 ( 환언 하 면 , 적층 의 층 위치 가 다른 반도체 칩 의 회로 패턴 은 동일 한 반도체 웨이퍼 에 는 형성 되 지 않 는다 ) .