자세 하 게 , 표시 부 ( D ) 와 비표 시부 ( ND ) 로 정의 된 기판 ( 100 ) 이 위치 하 고 , 상기 표시 부 ( D ) 에 대응 된 기판 ( 100 ) 상 에 다수 의 게이트 배선 ( 110 ) , 상기 게이트 배선 ( 110 ) 에서 분기 된 게이트 전극 ( 102 ) 이 형성 된다 . 한편 , 상기 비표 시부 ( D ) 에 대응 된 기판 ( 100 ) 상 에 상기 다수 의 게이트 배선 ( 110 ) 중 일부 의 게이트 배선 과 각각 연장 되 어 있 는 제 1 게이트 패드 라인 ( 150 a ) 이 형성 된다 . 즉 , 상기 제 1 게이트 패드 라인 ( 150 a ) 은 상기 게이트 배선 ( 110 ) 과 동일 한 도전 물질 로 형성 할 수 있 다 .