도 1 은 종래 기술 에 따른 분포 궤 환형 양자 점 반도체 레이저 구조물 을 나타내 는 부분 절취 단면도 이 다 . 도 1 을 참조 하 면 , 종래 분포 궤 환형 양자 점 반도체 레이저 ( 100 ) 는 하부 및 상부 에 형성 되 는 한 쌍 의 전극 ( 110 , 190 ) 과 , 복수 의 양자 점 ( 미 도시 ) 을 포함 하 는 활성 층 ( 150 ) 과 , 활성 층 ( 150 ) 하부 에 형성 되 는 회절격자 ( 140 ) 를 포함 한다 . 또한 , 분포 궤 환형 양자 점 반도체 레이저 구조물 ( 100 ) 은 하부 전극 ( 110 ) 상 에 형성 되 는 InP 기판 ( 120 ) 과 , 회절격자 ( 140 ) 와 인접 하 게 형성 되 는 제 1 광 가이드 ( 145 ) 와 , 활성 층 ( 150 ) 상 에 형성 되 는 제 2 광 가이드 ( 155 ) 와 , 활성 층 ( 150 ) 및 제 1 및 제 2 광 가이드 ( 145 , 155 ) 의 양측 에 형성 되 는 전류 블록 층 ( 160 ) 을 포함 한다 . 전류 블록 층 ( 160 ) 은 p - In , n - InP , p - In 을 포함 한다 . 또한 , 분포 궤 환형 양자 점 레이저 구조물 ( 100 ) 은 활성 층 ( 150 ) 과 전류 블록 층 ( 160 ) 상 에 형성 되 는 클래드 층 ( 170 ) 과 클래드 층 ( 170 ) 상 에 형성 되 는 캡 층 ( 오 믹 층 ; 180 ) 을 더 포함 한다 .