게이트 절 연막 ( 130 ) 상 에 는 제 1 게이트 층 ( GTL 1 ) 이 형성 될 수 있 다 . 제 1 게이트 층 ( GTL 1 ) 은 구동 트랜지스터 ( DT ) 의 게이트 전극 ( DT _ G ) 과 제 1 내지 제 6 스위칭 트랜지스터 들 ( ST 1 ~ ST 6 ) 의 게이트 전극 들 ( G 1 ~ G 6 ) 뿐 만 아니 라 , 스캔 라인 들 ( SLK - 1 , SLK ) , 및 발광 제어 라인 ( ELK ) 들 을 포함 할 수 있 다 . 제 1 게이트 층 ( GTL 1 ) 은 몰리브덴 ( Mo ) , 알루미늄 ( Al ) , 크롬 ( Cr ) , 금 ( Au ) , 티타늄 ( Ti ) , 니켈 ( Ni ) , 네오디뮴 ( Nd ) 및 구리 ( Cu ) 중 어느 하나 또는 이 들 의 합금 으로 이루어진 단일 층 또는 다 중층 으로 형성 될 수 있 다 .