도 25 a 에 도시 한 트랜지스터 와 도 25 b 에 도시 한 트랜지스터 의 차이점 은 , 사이드 월 절연 층 ( 2106 a ) 및 사이드 월 절연 층 ( 2106 b ) 의 아래 의 반도체 영역 의 도전 형 이 다 . 도 25 a 에 도시 한 트랜지스터 에서 는 , 사이드 월 절연 층 ( 2106 a ) 및 사이드 월 절연 층 ( 2106 b ) 의 아래 의 반도체 영역 은 n + 의 도전 형 을 나타내 는 반도체 영역 ( 2103 a ) 및 반도체 영역 ( 2103 c ) 이 지만 , 도 25 b 에 도시 한 트랜지스터 에서 는 , 진성 반도체 영역 ( 2103 b ) 이 다 . 즉 , 반도체 영역 ( 2103 a ) ( 반도체 영역 ( 2103 c ) ) 과 게이트 전극 ( 2105 ) 이 Loff 만큼 겹치 지 않 는 영역 이 생겨 있 다 . 이 영역 을 오프셋 영역 이 라고 하 고 , 그 폭 Loff 를 오프셋 길 이 라고 한다 . 도면 으로부터 명백 해진 바 와 같이 , 오프셋 길이 는 , 사이드 월 절연 층 ( 2106 a ) ( 사이드 월 절연 층 ( 2106 b ) ) 의 폭 과 같 다 .