반도체 층 ( 108 ) 에서 도전 층 ( 112 ) 및 도전 층 ( 106 ) 중 적어도 한쪽 과 중첩 되 는 부분 은 채널 형성 영역 으로서 기능 한다 . 또한 이하 에서 는 설명 을 용이 하 게 하 기 위하 여 , 반도체 층 ( 108 ) 에서 도전 층 ( 112 ) 과 중첩 되 는 부분 을 채널 형성 영역 이 라고 부르 는 경우 가 있 지만 , 실제로 는 도전 층 ( 112 ) 과 중첩 되 지 않 고 , 도전 층 ( 106 ) 과 중첩 되 는 부분 ( 저 저항 영역 ( 108 n ) 을 포함 한 부분 ) 에 도 채널 이 형성 될 수 있 다 .