IMOD 적층 체 ( 300 ) 는 정적 일 수 있 다 ( 즉 , 고정 되 어 있 을 수 있 다 ) . 정적 IMOD 적층 체 에 있 어서 , 각종 층 의 두께 와 재료 는 제조 공정 에 의해 고정 된다 . 정적 IMOD 적층 체의 소정 의 실시 형태 는 공기 간극 을 포함 한다 . 다른 실시 형태 에 있 어서 , 예 를 들 어 , 공기 간극 대신 에 , 광학 공명 공동 부 는 유전체 혹은 ITO 를 포함 할 수 있 다 . 그러나 , 정적 IMOD 적층 체 ( 300 ) 에 의해 출력 되 는 광 은 시야각 , 그 에 입사 하 는 광 의 파장 및 그 에 입사 하 는 그 특정 파장 에 대한 IMOD 적층 체의 관찰 면 에서 의 간섭 조건 에 좌우 된다 . 이 와 대조 적 으로 , 동적 IMOD 적층 체 에 있 어서 , 광학 공명 공동 부 ( 304 ) 의 두께 는 , 예 를 들 어 , MEMS 엔진 을 이용 해서 실시간 에 변화 될 수 있 고 , 이 에 따라 IMOD 적층 체의 관찰 면 의 간섭 조건 을 변경 할 수 있 다 . 정적 IMOD 적층 체 와 마찬가지 로 , 동적 IMOD 적층 체 에 의해 출력 되 는 광 은 시야각 , " 광 의 파장 및 IMOD 적층 체의 관찰 면 에서 의 간섭 조건 에 좌우 된다 . 도 4 b 및 도 4 c 는 동적 IMOD 들 을 나타내 고 있 다 . 도 4 b 는 "" 개방 "" 상태 에 있 도록 구성 된 IMOD 를 예시 하 고 있 고 "," 도 4 c 는 "" 폐쇄 된 "" 혹은 "" 붕괴 된 "" 상태 에 있 도록 구성 된 IMOD 를 예시 하 고 있 다 . 도 4 b 및 도 4 c 에 예시 된 IMOD 는 기판 ( 301 ) ", 박막층 ( 303 ) 및 반사막 ( 혹은 반사체 ) ( 305 ) 을 포함 한다 . 해당 반사막 ( 305 ) 은 금속 을 포함 할 수 있 다 . 박막층 ( 303 ) 은 흡 수체 를 포함 할 수 있 다 . 박막층 ( 303 ) 은 추가 의 전극 층 및 / 또는 유전체 층 을 포함 할 수 있 고 , 따라서 , 박막층 ( 303 ) 은 소정 의 실시 형태 에서 다층 으로서 설명 될 수 있 다 . 몇몇 실시 형태 에 있 어서 , " 박막층 ( 303 ) 은 기판 ( 301 ) 에 부착 되 어 있 을 수 있 다 . "" 개방 "" 상태 에서 ", 박막층 ( 303 ) 은 간극 ( 304 ) 에 의해 반사막 ( 305 ) 으로부터 이간 되 어 있 다 . 몇몇 실시 형태 에 있 어서 , 예 를 들 어 , 도 4 b 에 나타낸 바 와 같이 , " 간극 ( 304 ) 은 공기 간극 일 수 있 다 . "" 개방 "" 상태 에서 ", 간극 ( 304 ) 의 두께 는 , 예 를 들 어 , 소정 의 실시 형태 에서 120 ㎚ 내지 400 ㎚( 예컨대 , 대략 260 ㎚) 에서 변화 될 수 있 다 . 소정 의 실시 형태 에 있 어서 , " IMOD 는 박막 적층 체 ( 303 ) 와 반사막 ( 305 ) 간 에 전 압차 를 인가 함 으로써 "" 개방 "" 상태 에서 "" 폐쇄 "" 상태 로 전환 될 수 있 다 . "" 폐쇄 "" 상태 에서 "," 박막 적층 체 ( 303 ) 와 반사막 ( 305 ) 사이 의 간극 은 "" 개방 "" 상태 에서 의 해당 간극 의 두께 보다 작 다 . 예 를 들 어 "," "" 폐쇄 "" 상태 에서 의 간극 은 몇몇 실시 형태 에서 30 ㎚ 내지 90 ㎚( 예컨대 ", 대략 90 nm ) 에서 변화 될 수 있 다 . 공기 간극 의 두께 는 , 일반 적 으로 , 예 를 들 어 , " 소정 의 실시 형태 에서 "" 개방 "" 상태 와 "" 폐쇄 "" 상태 간 에 대략 0 ㎚ 내지 대략 2000 ㎚ 사이 에 변화 될 수 있 다 . 기타 두께 는 다른 실시 형태 에서 이용 될 수 있 다 . "