그러나 , 특허 문헌 1 내지 8 에 기재 되 는 가교 방법 은 , 모두 미 다 공막 의 인 프로세스 로 , 또는 미 다 공막 의 제작 직후 의 배치 로 행해 지 는 것 이 다 . 따라서 , 특허 문헌 1 내지 8 에 기재 되 는 가교 구조 의 형성 후 에 는 , 세 퍼 레이터 로서 사용 하 기 위해서 미 다 공막 의 도공 가공 및 슬릿 을 행해야 하 고 , 그 후 의 전극 과 의 적층 · 권회 공정 에서 는 내부 응력 이 증가 하 기 때문 에 , 제작 된 축전 디바이스 가 변형 되 는 경우 가 있 다 . 예 를 들 어 , 가온 에 의해 가 교 구조 를 형성 하 면 , 그 가교 구조 를 갖 는 세 퍼 레이터 의 내부 응력 이 상온 또는 실온 에서 증가 하 는 경우 가 있 다 . 또한 , 미 다 공막 에 대한 자외선 , 전자선 등 의 광 조사 에 의해 가 교 구조 를 형성 하 면 , 광 의 조사 가 불 균일 해져서 , 가교 구조 가 불 균질 해 지 는 경우 가 있 다 . 이것 은 , 미 다 공막 을 구성 하 는 수지 의 결정 부 주변 이 전자선 에 의해 가교 되 기 쉽 기 때문 이 라고 생각 된다 .