분할 단계 ( S 160 ) 는 본딩 된 캡 웨이퍼 와 압전성 웨이퍼 를 개별 패키지 단위 로 분할 하 는 공정 이 다 . 이 단계 는 도 3 및 도 4 를 참조 하 여 설명 된다 . 본딩 단계 ( S 130 ) 를 거친 압전성 웨이퍼 와 캡 웨이퍼 는 패키지 들 의 배열 ( 310 ) 을 형성 한다 . 패키지 의 배열 ( 310 ) 을 분할 기준선 ( 410 ) 을 따라 분할 하 면 독립 된 패키지 ( 320 ) 들 이 획득 된다 . 본 발명 의 일 실시 예 에서 분할 단계 ( S 160 ) 은 블레이드 다 이싱 ( blade dicing ) 또는 초음파 다 이싱 과 같 은 방법 에 의하 여 수행 될 수 있 다 . 초음파 다 이싱 은 세라믹 등 의 난 삭 재 가공 에 적합 하 다 .