이어서 , 도 2 b 를 참조 하 면 , p 형 반도체 기판 ( 21 ) 내 에 n 형 웰 ( well , 22 ) 이 형성 되 어 있 다 . 상기 n 형 웰 ( 22 ) 상 의 선택 된 영역 에 게이트 절 연막 ( 25 A ) 이 형성 되 고 , 게이트 절 연막 ( 25 A ) 상부 에 게이트 전극 ( 25 B ) 이 차례 로 형성 된다 . 그리고 , 상기 게이트 절 연막 ( 25 A ) 아래 n 형 웰 ( 22 ) 내 에 채널 영역 ( 24 ) 이 형성 되 고 , 게이트 절 연막 ( 25 A ) 양측 에지 ( edge ) 에 정렬 되 면서 채널 영역 ( 24 ) 에 접하 여 소스 및 드레 인 ( 23 ) 영역 이 형성 된다 .