도 2 e 에 도시 된 바 와 같이 , 상기 갭 충전 패턴 ( 225 ) 을 포함 하 는 상기 기판 ( 210 ) 상 에 STI 를 위한 대상 층 으로서 의 Si 반도체 층 ( 240 ) 을 형성 한다 . 상기 반도체 층 ( 240 ) 은 증착 방법 을 이용 하 여 상기 갭 충전 패턴 ( 225 ) 이 매립 되 도록 형성 한다 . 본 실시 예 에서 상기 대상 층 은 Si 와 같 은 반도체 층 ( 240 ) 으로 정의 하 였으나 , 이 에 한정 되 지 않 음 은 물론 이 다 . 예 를 들 어 , 상기 STI 의 갭 인 경우 상기 대상 층 은 본 실시 예 에서 와 같이 Si 와 같 은 반도체 층 으로 구성 되 지만 , 상기 IMD 의 갭 또는 상기 PMD 의 갭 인 경우 상기 대상 층 은 절연성 재질 로 구성 될 것 이 다 .