막 형성 장치 ( 300 ) 는 , 프로세스 웨이퍼 ( W ) 위 에 조성물 을 공급 ( 배치 ) 하 는 디 스펜서 ( 309 ) 를 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 도 8 에 개략 적 으로 도시 되 는 바 와 같이 , 기판 구동 기구 ( 308 ) 에 의해 프로세스 웨이퍼 ( 4 ) 를 X - Y 방향 으로 주사 하 면서 디 스펜서 ( 309 ) 로부터 조성물 ( CM ) 을 토출 함 으로써 프로세스 웨이퍼 ( 4 ) 위 에 조성물 ( CM ) 을 배치 할 수 있 다 . 디 스펜서 ( 309 ) 는 , 기판 구동 기구 ( 308 ) 에 의한 프로세스 웨이퍼 ( 4 ) 의 구동 과 동기 하 여 , 미리 준비 된 드롭 레시피 ( 조성물 배치 정보 ) 에 기초 하 여 조성물 ( CM ) 을 토출 할 수 있 다 . 여기 서 , 드롭 레시피 는 , 프로세스 웨이퍼 ( W ) 의 오 목부 밀도 가 높 은 부분 에 는 , 조성물 ( CM ) 이 높 은 밀도 로 배치 되 고 , 프로세스 웨이퍼 ( W ) 의 오 목부 밀도 가 낮 은 부분 에 는 , 조성물 ( CM ) 이 낮 은 밀도 로 배치 되 도록 준비 될 수 있 다 . 또한 , 드롭 레시피 는 , 후속 노광 단계 에서 사용 되 는 노광 장치 의 상면 형상 ( 목표 상부 표면 형상 ) 에 대응 하 는 상부 표면 형상 을 갖 는 초점 보상 막 ( 3 ) 이 형성 되 도록 , 노광 장치 의 상면 형상 에 대응 하 는 밀도 에서 프로세스 웨이퍼 ( W ) 에 조성물 ( CM ) 이 배치 되 도록 준비 될 수 있 다 .