플라스마 에칭 장치 로서 유도 결합 형 플라스마 반응 성 이온 에칭 장치 ( Muc - 21 Rv - Aps - Se / Sumitomo Precision Products CO . , LTD . 제 ) 를 사용 했 다 . 플라스마 에칭 의 조건 은 전원 출력 으로서 ICP 출력 을 1500 W , 바이어스 출력 을 750 W , 프로세스 가스 로서 CHF 3 가스 100 ccm 과 O 2 가스 10 ccm 의 혼합 가스 , 압력 을 0 . 5 Pa , 플라스마 에칭 시간 을 1 시간 으로 했 다 .