본 발명 은 상기 한 종래 기술 의 문제점 을 해결 하 기 위하 여 제안 된 것 으로 , 게이트 패턴 의 종횡비 증가 없이 도 게이트 저항 을 감소 시킴 으로써 SAC 공정 등 을 용이 하 게 하 여 수율 ( yield ) 을 증가 시키 고 아울러 소자 의 신뢰 성 을 향상 시킬 수 있 는 반도체 소자 및 그 제조 방법 을 제공 하 는데 그 목적 이 있 다 .