본원 에 따른 OLED 를 제조 하 였 다 . 우선 , OLED 용 글 래스 ( 지 오마 텍 사 제조 ) 기판 상 의 투명 전극 ITO 박막 ( 10 Ω / □) 을 아세톤 및 이소프로필알코올 을 순차 적 으로 사용 하 여 초음파 세척 을 실시 한 후 , 이소프로필알코올 에 넣 어 보관 한 후 사용 하 였 다 . 다음 으로 진공 증착 장비 의 기판 홀더 에 ITO 기판 을 장착 한 후 , 진공 증착 장비 내 의 셀 에 화합물 HI - 3 을 넣 고 , 또 다른 셀 에 는 화합물 HT - 1 을 넣 은 후 , 두 물질 을 다른 속도 로 증발 시켜 화합물 HI - 3 과 화합물 HT - 1 의 합계 량 에 대해 , 화합물 HI - 3 을 3 중량 % 의 양 으로 도핑 하 여 10 nm 두께 의 정공 주입 층 을 증착 하 였 다 . 이어서 , 화합물 HT - 1 을 상기 정공 주입 층 위 에 증착 하 여 80 nm 두께 의 제 1 정공 전달 층 을 형성 하 였 다 . 이어서 , 진공 증착 장비 내 의 다른 셀 에 화합물 HT - 2 를 넣 고 , 셀 에 전류 를 인가 하 여 증발 시켜 상기 제 1 정공 전달 층 위 에 60 nm 두께 의 제 2 정공 전달 층 을 증착 하 였 다 . 정공 주입 층 과 정공 전달 층 들 을 형성 시킨 후 , 그 위 에 발광 층 을 다음 과 같이 증착 시켰 다 : 진공 증착 장비 내 의 셀 두 군데 에 호스트 로서 하 기 표 3 에 기재 된 각각 의 제 1 호스트 재료 및 제 2 호스트 재료 를 넣 고 , 또 다른 셀 에 는 도판 트 로서 화합물 D - 39 를 넣 은 후 , 두 호스트 물질 을 1 : 1 의 속도 로 증발 시키 고 동시 에 도판 트 물질 을 다른 속도 로 증발 시켜 호스트 와 도판 트 의 합계 량 에 대해 도판 트 를 3 중량 % 의 양 으로 도핑 함 으로써 상기 제 2 정공 전달 층 위 에 40 nm 두께 의 발광 층 을 증착 하 였 다 . 이어서 , 상기 발광 층 위 에 전자 전달 재료 로서 화합물 ET - 1 및 화합물 EI - 1 을 50 : 50 의 중량 비 로 증착 시켜 35 nm 의 두께 의 전자 전달 층 을 증착 하 였 다 . 이어서 , 전자 주입 층 으로 화합물 EI - 1 을 상기 전자 전달 층 위 에 2 nm 두께 로 증착 한 후 , 다른 진공 증착 장비 를 이용 하 여 Al 캐소드 를 상기 전자 주입 층 위 에 80 nm 의 두께 로 증착 하 여 OLED 를 제조 하 였 다 . 재료 별 로 각 화합물 은 10 - 6 torr 하 에서 진공 승화 정제 하 여 사용 하 였 다 .