가스 확산 기 ( 432 ) 는 프로세싱 영역 ( 480 ) 으로 적어도 하나 의 프로세스 가스 를 주입 하 는 도관 을 제공 한다 . 일 실시 예 에서 , 가스 확산 기 ( 432 ) 는 가스 들 및 종 들 의 흐름 이 균일 하 게 챔버 에 전달 또는 분포 가 선택 되 도록 , 다른 챔버 성분 들 ( 즉 , 배기 포트 의 위치 , 기판 지지 페데 스탈 또는 다른 챔버 성분 의 기하학 구조 ) 에 의해 야기 되 는 앞서 개시 된 가스 흐름 분포 및 컨덕턴스 를 조절 하 는 데 이용 될 수 있 는 비대칭 방식 으로 영역 ( 480 ) 에 프로세스 가스 들 을 제공 할 수 있 다 . 또한 , 가스 확산 기 ( 432 ) 는 ( 페데 스탈 ( 416 ) 상 에 동심원 적 으로 배치 된 ) 기판 ( 414 ) 의 중심선 을 기준 으로 플 라즈 마 를 위치 시키 는 데 이용 될 수 있 다 . 결과 적 으로 , 가스 확산 기 ( 432 ) 의 구성 은 프로세스 균일성 을 개선 시키 거나 또는 선택 적 으로 , 프로세싱 결과 들 의 예정 된 오프셋 을 생성 하 도록 선택 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 가스 확산 기 ( 432 ) 의 구성 은 챔버 컨덕턴스 를 보상 하 는 방식 으로 프로세스 영역 ( 480 ) 으로 진입 하 는 가스 의 흐 름이 기판 지지 페데 스탈 ( 416 ) 위 로 지향 되 도록 선택 될 수 있 다 . 이 는 프로세싱 동안 기판 의 표면 으로 이온 들 및 / 또는 반응 성 종 들 의 전달 및 / 또는 플라 즈 마 위치 에서 챔버 컨 덕 턱스 의 비대칭 영향력 을 상쇄 시키 는 비대칭 을 이용 하 여 프로세스 챔버 속 으로 가스 가 전달 되록 가스 확산 기 ( 432 ) 를 구성 함 으로써 달성 될 수 있 다 .