상기 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 반도체 소자 의 소자 분리 막 형성 방법 은 , 반도체 기판 상 에 패드 산화 막 및 패드 질화 막 을 순차 적 으로 형성 하 는 단계 ; 상기 패드 질화 막 상 에 소자 분리 용 트렌치 형성 을 위한 포토레지스트 패턴 을 형성 한 는 단계 ; 상기 포토레지스트 패턴 을 식각 베리어 로 상기 패드 질화 막 , 상기 패드 산화 막 및 상기 반도체 기판 을 순차 적 으로 식각 하 여 트렌치 를 형성 하 는 단계 ; H 2 O 증기 를 이용 하 여 상기 포토레지스트 패턴 을 제거 하 는 단계 ; 상기 트렌치 의 표면 에 형성 된 식각 손상 층 을 제거 하 는 단계 ; 및 상기 트렌치 내부 에 소자 분리 막 을 형성 하 는 단계 를 포함 한다 .