가령 , 웨이퍼 레벨 패 키 징 을 위해 베 시베이 션 막 을 부분 제거 하 여 종래 와 같이 패드 메탈 층 패턴 을 드러내 는 식각 과정 에서 폴리머 가 형성 될 수 있 다 . 형성 된 폴리머 는 주로 식각 된 막 의 측벽 에 많이 부착 되 고 , 패 시베이 션 막 의 상층 에 도 부착 되 어 얇 은 절 연막 을 형성 하 게 된다 . 도 2 및 도 3 의 검 게 표시 된 막 이 폴리머 ( 125 ) 를 나타낸다 .