버퍼 층 ( 54 ) 은 수소 , 혹은 할로겐 을 포함 하 는 비정질 반도체 막 을 사용 하 여 형성 한다 . 수소 화 규소 의 유량 의 1 배 이상 10 배 이하 , 더욱 바람직 하 게 는 1 배 이상 5 배 이하 의 유량 의 수소 를 사용 하 여 , 수소 를 포함 하 는 비정질 반도체 막 을 형성 할 수 있 다 . 또한 , 상기 수소 화 규소 와 , 불소 , 염소 , 브롬 , 또는 요오드 를 포함 하 는 기체 ( F 2 , Cl 2 , Br 2 , I 2 , HF , HCl , HBr , HI 등 ) 를 사용 함 으로써 , 불소 , 염소 , 브롬 , 또는 요오드 를 포함 하 는 비정질 반도체 막 을 형성 할 수 있 다 . 또한 , 수소 화 규소 대신 에 , SiH 2 Cl 2 , SiHCl 3 , SiCl 4 , SiF 4 등 을 사용 할 수 있 다 .