일반 적 으로 GaN 계 발광 소자 를 제조 하 기 위해 부도체 인 사파이어 ( sapphire ) 기판 상부 에 n 형 GaN 층 , 도핑 하 지 않 은 InGaN 층 및 p 형 GaN 층 을 순차 적 으로 적층 하 고 , n 형 GaN 층 및 p 형 GaN 층 상부 에 각각 전극 을 형성 하 게 된다 . 그런데 , 사파이어 기판 은 부도체 이 기 때문 에 발광 소자 는 통상 수평 형 구조 를 갖 게 된다 . 즉 , n 형 GaN 층 및 p 형 GaN 층 상부 에 각각 형성 되 는 전극 이 수평 으로 형성 된다 . 따라서 , 고 출력 동작 시 전류 확산 저항 ( current spreading - resistance ) 이 커서 광 출력 이 낮 아 지 는 단점 이 있 다 . 또한 , 소자 동작 시 발생 되 는 열 이 사파이어 기판 을 통해 원활 하 게 제거 되 지 못하 기 때문 에 소자 의 열 적 안정 성 이 떨어져 고출력 동작 에 문제점 을 갖 고 있 다 .