도 1 내지 도 10 을 참조 하 면 , 본 발명 의 일 실시 예 에 의한 스위칭 트랜지스터 ( Ts , Ts ') 는 각 채널 영역 의 적어도 일 측 에 광폭 밴드 - 갭 영역 을 포함 하 며 , 이 에 따라 상기 광폭 밴드 - 갭 영역 을 포함 하 지 않 는 비교 예의 트랜지스터 에 비해 오프 구간 ( 일 예 로 , 게이트 - 소스 간 전압 ( Vgs ) 이 양 전압 의 하이 전압 인 구간 ) 에서 의 누설 전류 가 낮 은 특성 을 나타낸다 . 구체 적 으로 , 본 발명 의 일 실시 예 에 의한 스위칭 트랜지스터 ( Ts , Ts ') 는 , 각각 의 채널 영역 과 드레 인 영역 의 사이 에 광폭 밴드 - 갭 영역 을 포함 하 지 않 는 비교 예의 트랜지스터 에 비해 , " 열 여기 전류 ( IG ; "" IGenaration "" 이라고 도 함 ) 및 게이트 유도 드레 인 누설 전류 ( IGIDL ) 의 감소 로 인해 누설 전류 가 현저히 낮 아 진 특성 을 나타낸다 . "