본 발명 의 다양 한 실시 예 에 따른 전자 장치 는 , 회로 기판 ( 예 : 도 3 의 340 ) , 상기 회로 기판 ( 340 ) 의 일면 에 실장 된 적어도 하나 의 부품 ( 예 : 도 3 의 341 ) , 상기 회로 기판 ( 340 ) 의 상기 일면 에서 상기 적어도 하나 의 부품 ( 341 ) 을 덮 도록 부착 된 차폐 시트 ( 예 : 도 3 의 391 ) , 상기 차폐 시트 ( 391 ) 위 에 적층 되 고 상기 적어도 하나 의 부품 ( 341 ) 과 중첩 되 도록 배치 된 열 전달 물질 ( 예 : 도 3 의 392 ) ( TIM : thermal interface material ) , 및 상기 회로 기판 ( 340 ) 의 상기 일면 과 마주 보 도록 배치 되 고 , 상기 열 전달 물질 ( 392 ) 과 면 접촉 하 되 , 고정 부재 를 통해 상기 회로 기판 ( 340 ) 의 적어도 일부분 과 체결 되 는 방열 부재 ( 예 : 도 3 의 393 ) 를 포함 할 수 있 다 . 상기 차폐 시트 ( 391 ) 는 접착 층 ( 711 ) , 절연 층 ( 713 ) , 및 상기 접착 층 ( 711 ) 과 상기 절연 층 ( 713 ) 사이 에 형성 된 도전 층 ( 712 ) 을 포함 할 수 있 다 . 상기 차폐 시트 ( 391 ) 는 상기 부품 ( 341 ) 과 중첩 되 는 일 부분 에서 상기 접착 층 ( 711 ) 이 제거 되 어 상기 도전 층 ( 712 ) 의 일부분 이 노출 되 고 , 상기 노출 된 상기 도전 층 ( 712 ) 의 일부분 은 아래 에 배치 된 상기 부품 ( 341 ) 과 면 접촉 할 수 있 다 . 상기 차폐 시트 ( 391 ) 는 상기 부품 ( 341 ) 과 중첩 되 는 일 부분 에서 상기 절연 층 ( 713 ) 이 제거 되 어 상기 도전 층 ( 712 ) 의 일부분 이 노출 되 고 , 상기 노출 된 상기 도천 층 의 일부분 은 위 에 배치 된 상기 열 전달 물질 ( 392 ) 과 면 접촉 할 수 있 다 . 상기 도전 층 ( 712 ) 은 구리 ( Cu ) , 그라 파이트 ( graphite ) 또는 니켈 ( Ni ) 이 도금 된 복수 의 나노 섬유 를 포함 할 수 있 다 . 상기 도전 층 ( 712 ) 은 상기 차폐 시트 ( 391 ) 의 경계 부분 에서 상기 회로 기판 ( 340 ) 의 상기 일면 에 형성 된 그라운드 패드 와 접촉 할 수 있 다 . 상기 방열 부재 ( 393 ) 는 상기 열 전달 물질 ( 392 ) 과 면 접촉 하 는 열 확산 부재 ( 611 ) , 및 상기 열 확산 부재 ( 611 ) 를 지지 하 는 고정 플레이트 ( 612 ) 를 포함 할 수 있 다 . 상기 열 확산 부재 ( 611 ) 는 상기 고정 플레이트 ( 612 ) 와 상기 열 전달 물질 ( 392 ) 사이 에 배치 될 수 있 다 . 상기 고정 플레이트 ( 612 ) 는 상기 열 확산 부재 ( 611 ) 와 상기 열 전달 물질 ( 392 ) 사이 에 배치 되 되 , 상기 열 전달 물질 ( 392 ) 과 중첩 되 는 일 부분 에서 상기 열 확산 부재 ( 611 ) 를 노출 시키 는 홈 이 형성 되 고 , 상기 열 전달 물질 ( 392 ) 은 상기 홈 을 통해서 상기 열 확산 부재 ( 611 ) 와 면 접촉 할 수 있 다 . 상기 열 확산 부재 ( 611 ) 는 히트 파이프 또는 vapor chamber 일 수 있 다 . 상기 고정 플레이트 ( 612 ) 는 SUS ( steel used stainless ) , 또는 구리 합금 중 에서 어느 하나 의 재질 로 형성 될 수 있 다 . 상기 열 전달 물질 ( 392 ) 의 면적 은 상기 부품 ( 341 ) 의 면적 과 동일 하 고 , 상기 차폐 시트 ( 391 ) 의 면적 은 상기 열 전달 물질 ( 392 ) 의 면적 보다 클 수 있 다 . 상기 방열 부재 ( 393 ) 의 면적 은 상기 차폐 시트 ( 391 ) 의 면적 보다 크 고 상기 회로 기판 ( 340 ) 의 면적 보다 작 을 수 있 다 . 상기 방열 부재 ( 393 ) 의 면적 은 상기 회로 기판 ( 340 ) 의 면적 의 50 % 내지 90 % 의 크기 를 가질 수 있 다 . 상기 고정 부재 는 상기 회로 기판 ( 340 ) 또는 상기 방열 부재 ( 393 ) 에 형성 된 펨넛 ( pemnut ) , 및 상기 펨넛과 결합 되 는 스 크류 를 포함 할 수 있 다 . 상기 회로 기판 ( 340 ) 또는 상기 방열 부재 ( 393 ) 는 상기 스 크류 가 관통 하 는 적어도 하나 의 홀 이 형성 될 수 있 다 . 상기 부품 ( 341 ) 은 중앙 처리 장치 , 어플리케이션 프로세서 , 그래픽 처리 장치 , 이미지 시그널 프로세서 , 센서 허브 프로세서 , 커뮤니케이션 프로세서 , PAM ( power amp module ) , 또는 PMIC ( power management integrated circuit ) 중 에서 적어도 하나 를 포함 할 수 있 다 . 상기 부품 ( 341 ) 과 중첩 되 지 않 는 영역 에서 상기 방열 부재 ( 393 ) 와 상기 회로 기판 ( 340 ) 사이 에 는 공기층 이 형성 될 수 있 다 .