도 3 c 를 참조 하 면 , 상기 SOI 기판 ( 300 ) 의 제 1 실리콘 층 ( 301 ) 이 상방 을 향하 도록 배치 하 고 , 상기 정렬 마크 ( A ) 를 기준 으로 상기 제 1 실리콘 층 ( 301 ) 의 구조물 을 패 터닝 하 여 제 1 실리콘 층 ( 301 ) 에 형성 되 는 구조물 인 구동 콤 전극 ( 320 ) , 프레임 의 나머지 부분 ( 342 ) 을 형성 한다 . 이때 제 1 실리콘 층 ( 301 ) 에 도 정렬 마크 ( A ') 를 형성 할 수 있 으며 , 이어지 는 구조물 의 식각 에서 상기 정렬 마크 ( A ') 를 기준 으로 패 터닝 을 수행 할 수 도 있 다 .