본 변형 예 에 따른 본딩 장치 는 , 우선 , 캡 ( 8924 ) 을 기판 ( WT ) 에 근접 하 는 방향 으로 이동 시켜 ( 도 27 A 의 화살표 AR 891 참조 ) , O - 링 ( 8926 ) 을 기판 ( WT ) 의 실 장면 ( WTf ) 에 가압 한다 . 다음 으로 , 본딩 장치 는 , 캡 ( 8924 ) 내 의 공간 ( S 89 ) 에 칩 ( CP ) 이 배치 된 상태 에서 , 공간 ( S 89 ) 에 존재 하 는 기체 를 배기구 ( 8924 a ) 를 통해 배기 하 고 , 공간 ( S 89 ) 의 진공도 를 높인다 . 그리고 , 본딩 장치 는 , 도 27 B 에 나타내 는 바 와 같이 , 공간 ( S 89 ) 의 진공도 를 높인 상태 에서 , 헤드 ( 8933 H ) 를 연직 상방 으로 이동 시켜 ( 도 27 B 의 화살표 AR 892 참조 ) 칩 툴 ( 89411 ) 에 유지 된 칩 ( CP ) 을 기판 ( WT ) 에 가압 한다 . 그 후 , 본딩 장치 는 , 캡 ( 8924 ) 내 의 공간 ( S 89 ) 을 대기압 으로 되돌린 후 헤드 ( 8933 H ) 및 캡 ( 8924 ) 을 하강 시킨다 .