또한 , 상기 예 에서 는 최상층 배선 ( 2 a ) 의 형성 후 에 패 시베이 션 막 ( 5 ) 을 형성 하 도록 했 지만 ( 스텝 S 3 , S 4 ) , 이 패 시베이 션 막 ( 5 ) 의 형성 전 에 , 적어도 최상층 배선 ( 2 a ) 위 에 질화 티타늄 ( TiN ) 등 을 사용 하 여 반사 방지 막 을 형성 하 도록 할 수 도 있 다 . 이러 한 반사 방지 막 은 , 그 후 , 패드 ( 7 ) 및 라인 형상 의 개구부 ( 8 ) 를 형성 할 때 의 에칭 시에 ( 스텝 S 10 ) , 그 들 영역 으로부터 는 제거 되 지만 , 그 들 영역 이외 의 최상층 배선 ( 2 a ) 위 에 는 남 게 된다 . 그 때문 에 , 화상 인식 처리 에서 는 , 최상층 배선 ( 2 a ) 의 반사 영향 을 억제 하 여 패드 ( 7 ) 및 개구부 ( 8 ) 의 평면 형상 이나 표면 의 명암 차이 를 검출 하 는 것 이 가능 해진다 .