복수 의 섬 형상 의 반도체 막 ( 106 ) 의 각각 이 구비 하 는 채널 형성 영역 의 위쪽 에 게이트 절 연막 ( 107 ) 을 개재 하 여 제 1 도 전막 이 형성 되 어 있 다 . 또한 , 보강 막 ( 109 ) 이 게이트 절 연막 ( 107 ) 및 제 1 도 전막 ( 108 ) 을 덮 어 형성 되 어 있 고 , 절 연막 ( 110 ) 이 게이트 절 연막 ( 107 ) 및 제 1 도 전막 ( 108 ) 을 덮 어 형성 되 어 있 다 . 또한 , 절 연막 ( 110 ) 에 형성 된 개구부 ( 124 ) 를 개재 하 여 , 불순물 영역 ( 106 b ) 과 절 연막 ( 110 ) 위 에 형성 된 제 2 도 전막 ( 111 ) 이 전기 적 으로 접속 되 어 있 다 .