실시 예 는 , 기판 ( 예 를 들 면 , 반도체 웨이퍼 ) ( Ｗ ) 에 레지스 트 막 을 형성 함 과 아울러 노광 된 기판 ( Ｗ ) 을 현상 하 는 기판 처리 장치 ( 10 ) 이 다 . 이하 에서 는 , 기판 처리 장치 ( 10 ) 를 장치 ( 10 ) 로 적당히 줄여서 기재 한다 . 본 장치 ( 10 ) 는 , 기판 ( Ｗ ) 을 거의 수평 방향 으로 반송 하 면서 기판 ( Ｗ ) 에 복수 종류 의 처리 를 행하 는 것 이 가능 한 2 개 의 기판 처리 열 ( Ｌｕ , Ｌｄ ) 을 구비 하 고 있 다 . 기판 처리 열 ( Ｌｕ , Ｌｄ ) 은 상하 방향 으로 설치 되 어 있 다 . 기판 처리 열 ( Ｌｕ , Ｌｄ ) 은 처 리부 ( 3 ) 를 구성 한다 . 이하 에서 는 , 기판 처리 열 ( Ｌｕ , Ｌｄ ) 을 특별히 구별 하 지 않 는 경우 에 는 , 단지 기판 처리 열 ( Ｌ ) 로 기재 한다 . 본 장치 ( 10 ) 에 는 , 후술 하 는 인터페이스 부를 개재 시켜서 , 본 장치 ( 10 ) 와 는 별체 의 노광기 ( ＥＸＰ ) 가 인접 되 어 있 다 . 노광기 ( ＥＸＰ ) 는 기판 ( Ｗ ) 을 노광 한다 .