다음 으로 , 도 7 을 참조 하 면 , 포토레지스트 층 ( 150 ) 의 일 부분 및 멤 브레인 층 ( 120 ) 의 일 부분 이 제거 된다 . 구체 적 으로 , 주변 영역 ( PA ) 내 의 포토레지스트 층 ( 150 ) ( 즉 , 도 6 을 참조 하 여 언급 된 단계 이후 에 남 아 있 는 포토레지스트 ) 이 이러 한 단계 에서 제거 되 며 , 시각 적 영역 ( VA ) 내 의 멤 브레인 층 ( 120 ) ( 즉 , 도 6 을 참조 하 여 언급 된 노출 된 멤 브레인 층 ( 120 ) ) 이 또한 이러 한 단계 에서 제거 된다 . 보다 더 구체 적 으로 , 주변 영역 ( PA ) 내 의 포토레지스트 층 ( 150 ) 이 먼저 제거 가능 하 게 만들 어 지 며 , 그런 다음 , 주변 영역 ( PA ) 내 의 포토레지스트 층 ( 150 ) 이 현상액 을 사용 하 여 제거 되 고 ; 한편 멤 브레인 층 ( 120 ) 은 , 멤 브레인 층 ( 120 ) 의 재료 내 에 함유 된 성분 A 의 알칼리 용해 성 에 기인 하 여 , 현상액 내 에 용해 되 어 제거 된다 . 즉 , 제 3 리소그래피 프로세스 에서 , 현상액 은 포토레지스트 층 ( 150 ) 의 그 부분 및 멤 브레인 층 ( 120 ) 의 그 부분 을 제거 할 수 있 다 . 이상 과 동일 한 단계 가 주변 영역 ( PA ) 내 의 포토레지스트 층 ( 150 ) 및 시각 적 영역 ( VA ) 내 의 멤 브레인 층 ( 120 ) 을 제거 하 기 위하 여 염기 성 ( pH > 7 ) 현상액 , 예컨대 TMAH , KOH , NaOH , 또는 유사 한 것 을 사용 하 여 수행 될 수 있 으며 , 멤 브레인 층 ( 120 ) 이 패턴 화 되 기 때문 에 시각 적 영역 ( VA ) 내 의 금속 성 나노 와 이 어 층 ( 140 A ) ( 즉 , 이하 에서 설명 되 는 터치 센싱 전극 들 ( TE ) ) 이 노출 된다 .