도 8 을 참조 하 면 , 기판 ( 200 ) 으로부터 하드 마스크 ( 204 a ) , 버퍼 산화 막 패턴 ( 202 a ) 및 보호막 패턴 ( 212 ) 을 제거 한다 . 예 를 들 면 , 하드 마스크 패턴 ( 204 ) , 버퍼 산화 막 패턴 ( 202 a ) 및 보호막 패턴 ( 212 ) 은 인산 ( H 2 PO 4 ) 을 포함 하 는 식각 용액 및 / 또는 희석 된 불 산 ( HF ) 용액 을 사용 하 는 습식 식각 공정 을 통해 제거 될 수 있 다 . 버퍼 산화 막 패턴 ( 202 a ) 및 보호막 패턴 ( 212 ) 이 제거 되 면 , 제 1 리세 스 ( 210 ) 를 포함 하 는 기판 ( 200 ) 이 노출 되 는 동시 에 제 1 내지 제 3 리세 스 ( 210 , 220 , 230 ) 의 저면 들 및 측벽 들 을 통해 기판 ( 200 ) 이 노출 된다 .