도 2 b 를 참조 하 면 , 제 1 및 제 2 반도체 칩 ( 100 a , 100 b ) 간 의 전기 적 배선 이 제 1 본딩 패드 ( 110 a ) 및 제 2 본딩 패드 ( 110 b ) 에 연결 된 제 1 도전 성 배선 ( 200 a ) 을 통해 이루어짐 을 알 수 있 다 . 제 1 도전 성 배선 ( 200 a ) 은 스택 패키지 의 일 측면 으로 형성 되 고 캡슐 화 물질 ( 300 ) 에 의해 캡슐 화 되 어 있 다 . 한편 , 제 1 본딩 패드 ( 110 a ) 에 형성 된 솔 더 볼 ( 500 ) 은 차후 에 스택 패키지 를 PCB 등 에 실장 하 는 역할 을 한다 . 접착 물질 ( 400 ) 이 반도체 칩 ( 100 a , 100 b , 100 c ) 을 서로 접착 함 은 전술 한 바 와 같 다 .