본 발명 은 HEIP ( Hot Electron Induced Punch through ) 를 방지 하 기 위한 반도체 소자 의 제조 방법 을 제공 하 기 위한 것 으로 , 이 를 위해 본 발명 은 반도체 기판 상 에 게이트 절 연막 과 제 1 게이트 도전 막 을 순차 형성 하 는 단계 와 , 제 1 게이트 도전 막 과 게이트 절 연막 과 반도체 기판 에 트렌치 를 형성 하 는 단계 와 , 트렌치 에 소자 분리 막 을 형성 하 는 단계 와 , 제 1 게이트 도전 막 을 포함 한 전면 에 제 2 게이트 도전 막 을 형성 하 는 단계 와 , 제 2 게이트 도전 막 과 제 1 게이트 도전 막 과 상기 게이트 절 연막 을 패 터닝 하 여 게이트 라인 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 반도체 소자 의 제조 방법 을 제공 한다 .