다음 으로 도 1 h 에 도시 된 바 와 같이 , 제 2 임 프린팅 레지스 트 층 ( 232 ) 을 이용 하 여 제 2 전극 층 및 오 믹 콘 택 층 ( 50 ) 을 에칭 함 으로써 소스 및 드레 인 전극 ( 60 , 70 ) 을 형성 하 고 활성 층 ( 40 ) 의 일부 를 외부 로 노출 시킨다 . 제 2 전극 층 은 습식 식각 방식 , 오 믹 콘 택 층 ( 50 ) 은 건식 식각 방식 에 의해 각각 에칭 된다 .