소자 의 스택 ( stack ) 정보 , 노광 조건 , 적용 된 PR 종류 및 특성 , 사용 된 바닥 반사 방지 막 ( BARC : Bottom AntiReflective Coating ) 특성 등 에 대한 데이터 를 추출 하 여 , PR 패턴 형성 과정 에 대한 모델 ( model ) 에 적용 하 고 캘 리브레 이 션 ( calibration ) 하 여 패턴 레이아웃 을 OPC 하 고 있 다 . 이 에 따라 , 실제 OPC 과정 이 주어진 조건 에서 정확히 수행 됨 에 도 불구 하 고 , 리플 로우 공정 에 대한 모델 변수 ( model parameter ) 가 고려 되 지 않 아 , 실제 웨이퍼 상 에 형성 되 는 패턴 은 목표 레이아웃 ( target layout ) 과 차이 를 보일 수 있 다 . 이 에 따라 , 실제 형성 된 웨이퍼 패턴 의 선폭 및 형상 등 을 고려 하 여 , 이미 제작 된 포토 마스크 를 재 제작 하 는 과정 이 빈번히 수행 되 고 있 다 .