특히 , 희생 층 패턴 형성 시 사진 식각 또는 나노 임프 린트 와 같 은 제어 된 방법 으로 형성 하 기 때문 에 빈 공간 이 불 규칙 적 이 거나 무작위 로 형성 되 는 것 이 아니 라 제어 된 방법 으로 형성 되 므로 재현 성 이 좋 고 소자 균 일도 가 우수 하 다 . 이 와 같 은 결과 로 , 우수 한 물 성 을 갖 는 질화물 반도체 에 피층 을 성장 시킬 수 있 으므로 , 고 효율 , 고 신뢰 성 을 가지 는 광전자 소자 를 구현 할 수 있 다 .