본 발명 의 기술 적 사상 에 의한 산화 막 형성 방법 에 따라 제조 된 산화 막 은 다양 한 용도 로 사용 될 수 있 다 . 예 를 들 면 , 본 발명 의 기술 적 사상 에 의한 산화 막 형성 방법 에 따라 제조 된 산화 막 은 반도체 메모리 소자 의 커패시터 의 일부 를 구성 하 는 유전 막 , 평판 형 트랜지스터 의 게이트 유전 막 , 수직 형 NAND 플래시 메모리 소자 의 유전 막 , 배선 에 사용 되 는 도전 성 배리 어막 , 저항 막 , 자 성막 , 액정 용 배리 어 금속 막 , 박막 태양 전지 용 부재 , 반도체 설비 용 부재 , 나노 구조 체 , 수소 저장 합금 , 및 MEMS ( Micro Electro Mechanical Systems ) 액추에이터 ( actuator ) 등 에 사용 될 수 있 으나 , 상기 예시 된 바 에 한정 되 는 것 은 아니 다 .