또한 , 도전 막 의 에칭 시 에 , 산화물 반도체 층 ( 409 ) 이 에칭 되 어 분단 되 지 않 도록 에칭 조건 을 최적 화 하 는 것 이 요망 된다 . 그러나 , 도전 막 만 을 에칭 하 고 , 산화물 반도체 층 ( 409 ) 을 전혀 에칭 하 지 않 는다는 조건 을 얻 는 것 은 어려우 며 , 도전 막 의 에칭 시 에 산화물 반도체 층 ( 409 ) 은 일부 만 이 에칭 되 고 , 예 를 들 면 , 산화물 반도체 층 ( 409 ) 의 막 두께 의 5 % 내지 50 % 가 에칭 되 어 , 홈 부 ( 오 목부 ) 를 갖 는 산화물 반도체 층 ( 409 ) 이 되 는 경우 도 있 다 .