도 1 과 같이 , 종래 기술 에 따른 소노 스 ( SONOS ) 소자 는 NMOS 소자 로서 , P 형 기판 ( 1 ) 과 , 상기 기판 ( 1 ) 의 상부 에 터널 산화 막 ( tunnel oxide , 3 ) , 트랩 질화 막 ( trap nitride , 4 ) , 블록 산화 막 ( block oxide , 6 ) 및 N + 형 폴리 실리콘 성분 의 게이트 ( 7 ) 를 포함 하 여 이루어진다 .