도 4 를 참조 하 면 , 제 1 영역 ( A ) 의 반도체 층 ( 304 ) 을 노출 시키 는 마스크 막 패 턴 ( 306 ) 을 형성 한다 . 마스크 막 패턴 ( 306 ) 은 질화 막 으로 형성 한다 . 이러 한 마스크 막 패턴 ( 306 ) 은 반도체 층 ( 304 ) 을 p 형 도전 막 을 전환 시키 기 위해 진행 하 는 이온 주입 공정 에서 하 부막 을 보호 하 는 이온 주입 마스크 역할 을 한다 .