도 3 , 도 5 내지 도 9 에서 와 동일 한 참조 부호 는 동일 부재 를 나타내 며 , 따라서 여기 서 는 이 들 에 대한 상세 한 설명 은 생략 한다 . 도 10 을 참조 하 면 , 비휘발성 메모리 소자 ( 2000 ) 에서 , 한 쌍 의 스트링 선택 트랜지스터 들 ( SST 1 , SST 2 ) 의 게이트 전극 ( 160 ) 이 연결 전극 ( 165 ) 에 의하 여 연결 된다 . 상기 연결 전극 ( 165 ) 은 게이트 전극 ( 160 ) 과 동일 한 물질 을 포함 할 수 있 다 . 상기 연결 전극 ( 165 ) 은 예 를 들 어 , 텅스텐 ( W ) , 텅스텐 질화물 ( WN ) 또는 티타늄 질화물 ( TiN ) 을 포함 할 수 있 다 . 상기 비휘발성 메모리 소자 ( 2000 ) 는 절연 영역 ( 180 ) ( 도 3 참조 ) 은 포함 하 지 않 는다 .