그런데 , 기판 ( 11 ) 에 접합 영역 ( 14 ) 을 형성 하 더라도 , 접합 영역 ( 14 ) 이 게이트 들 ( RG 1 , RG 2 ) 의 저부 까지 올바르 게 형성 되 지 못하 고 , 만약 , 도 1 b 에서 와 같이 홈 ( 23 ) 을 형성 한 후 에 , 홈 ( 23 ) 의 내면 기판 ( 21 ) 에 접합 영역 ( 24 A ) 을 형성 하 여 접합 영역 ( 24 A ) 의 형성 깊이 를 증가 시키 더라도 후속 열 공정 으로 인해 도핑 프로파일 ( doping profile ) 이 넓 어 지 게 되 어 채널 길이 ( CHL ) 가 짧 아 지 는 문제점 이 발생 된다 .