다른 하나 의 실시 예 에서 , 본 발명 은 , 다이 의 액티브 표면 상 에 형성 된 보호 층 을 갖 는 반도체 다이 를 포함 하 는 반도체 소자 를 제공 한다 . 갭 슐 화체 가 상기 반도체 다 이 위 에 형성 된다 . 제 1 절연 층 이 보호 층 위 에 형성 된다 . 상호 접속구 조체 가 반도체 다 이상 의 상호 접속 사이트 들 과 전기 적 접촉 관계 로 상기 호보 층 위 에 형성 된 다 .