본 발명 의 다른 실시 예 에 따른 웨이퍼 의 제조 방법 은 , 제 1 열처리 공정 으로 고 에너지 보론 이온 주입 공정 을 진행 한다는 점 에서 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 웨이퍼 의 제조 방법 과 구별 된다 . 설명 의 편의 를 위해 , 상술 한 실시 예 들 과 실질 적 으로 동일 한 구성 요소 에 대해서 는 구체 적 인 설명 을 생략 하 거나 간략 화 한다 .