도 6 a 및 도 6 b 를 참조 하 면 , 제 2 마스크 막 패턴 ( 500 ) 을 마스크 로 한 식각 공정 을 진행 하 여 반도체 기판 ( 200 ) 내 에 리세 스 채널 용 트렌치 ( 600 ) 를 형성 한다 . 여기 서 리세 스 채널 용 트렌치 ( 600 ) 는 제 1 및 제 2 활성 영역 ( 215 a , 215 b ) 의 채널 영역 ( a ) 내 에 소정 깊이 를 갖 도록 형성 할 수 있 다 . 리세 스 채널 용 트렌치 ( 600 ) 를 형성 하 기 위해 진행 하 는 식각 공정 에서 제 1 및 제 2 활성 영역 ( 215 a , 215 b ) 의 정 션 영역 ( b ) 끝단 일부 영역 ( d ) 은 변성 된 제 1 마스크 막 패턴 ( 400 ) 에 의해 덮여 있 으므로 식각 공정 에 의한 어택 을 방지 할 수 있 다 .