또한 , 본 발명 의 일 실시 예 에 의하 면 , 상기 결정 층 은 ZnO , GaAs , GaP , 또는 GaN 계 물질 을 포함 할 수 있 다 . GaAs 계 물질 은 Al x Ga y As ( 0 ≤ x ≤ 1 , 0 ≤ y ≤ 1 , 0 ≤ x + y ≤ 1 ) 의 조성식 을 가지 나 특별히 한정 되 지 는 아니한다 . GaP 계 물질 은 In x Al y Ga ( 1 - x - y ) P ( 0 ≤ x ≤ 1 , 0 ≤ y ≤ 1 , 0 ≤ x + y ≤ 1 ) 의 조성식 을 가지 나 특별히 한정 되 지 는 아니한다 . 또한 , GaN 계 물질 은 통상 In x Al y Ga ( 1 - x - y ) N ( 0 ≤ x ≤ 1 , 0 ≤ y ≤ 1 , 0 ≤ x + y ≤ 1 ) 의 조성식 을 가지 나 특별히 한정 되 지 는 아니한다 . 이러 한 결정 층 으로 는 GaN , 및 AlGaN 등 이 사용 될 수 있 다 .