따라서 , 반도체 기판 ( 20 ) 의 식각 속도 를 적어도 40 Å / sec 이하 로 감소 시키 는 것 이 바람직 하 며 , 특히 15 ~ 30 Å / sec 정도 의 식각 속도 가 바람직 하 다 . 이 와 같 은 낮 은 식각 속도 를 만족 시키 기 위하 여 10 ~ 50 mT 의 압력 , 300 ~ 600 W 의 소스 파워 ( Source Power ) 및 0 ~ 200 W 의 바텀 파워 ( Bottom Power ) 를 인가 하 는 공정 조건 에서 식각 을 수행 한다 . 또한 , 식각 가스 에 O 2 가스 를 첨가 하 거나 , 또는 , 일반 적 으로 기판 의 식각 에 포함 되 는 SF 6 가스 및 NF 3 가스 를 감소 시키 는 경우 트렌치 ( 22 ) 측벽 의 보잉 발생 을 억제 하 면서 반도체 기판 ( 20 ) 의 식각 속도 를 감소 시켜 트렌치 ( 22 ) 측벽 하부 의 경사 도 를 감소 시킬 수 있 다 .