세라믹 기판 ( 10 ) 은 특별히 제한 하 는 것 은 아니 지만 , 질화물 인 것 이 바람직 하 다 . 예 를 들 어 , AlN 또는 Si 3 N 4 일 수 있 다 . AlN 와 Si 3 N 4 와 같 은 질화물 은 산화물 에 비해서 열전도 율 이 높 기 때문 에 발열량 이 큰 소자 를 탑재 하 는 기판 의 소재 로 적합 하 다 . 세라믹 기판 ( 10 ) 에 바로 티타늄 ( Ti ) 박막 층 ( 20 ) 을 형성 할 수 도 있 으나 , 세라믹 기판 ( 10 ) 을 850 ~ 950 ℃, 대기 중 에서 , 50 ~ 70 분 열처리 하 여 질화물 의 표면 에 산화층 을 형성 한 후 에 티타늄 ( Ti ) 박막 층 ( 20 ) 을 형성 할 수 도 있 다 . 질화물 보다 는 산화물 이 금속 과 의 접착력 이 우수 하 기 때문 이 다 .