제 1 도전 형 반도체 층 ( 22 ) 의 표면 이 패턴 을 이루 어 광추 출 효율 을 향상 시킬 수 있 다 . 또한 , 제 1 도전 형 반도체 층 ( 22 ) 의 표면 에 는 제 1 전극 ( 80 ) 이 배치 될 수 있 으며 , 도시 되 지 는 않 았 으나 제 1 전극 ( 80 ) 이 배치 되 는 제 1 도전 형 반도체 층 ( 22 ) 의 표면 은 패턴 을 이루 지 않 을 수 있 다 . 제 1 전극 ( 80 ) 은 알루미늄 ( Al ) , 티타늄 ( Ti ) , 크롬 ( Cr ) , 니켈 ( Ni ) , 구리 ( Cu ) , 금 ( Au ) 중 적어도 하나 를 포함 하 여 단층 또는 다층 구조 로 형성 될 수 있 다 .