본 발명 에 따른 반도체 소자 의 제조 방법 은 , 셀 영역 및 주변 회로 영역 으로 구획 되 고 , 상기 셀 영역 에 실린더 형 캐 패 시터 가 형성 된 반도체 기판 상 에 산화 막 재질 의 층간 절 연막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 층간 절 연막 상 에 폴리 실리콘 막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 폴리 실리콘 막 에 대해 실린더 형 캐 패 시터 의 형성 으로 인해 상대 적 으로 단차 가 높 은 셀 영역 에 형성 된 폴리 실리콘 막 부분 이 제거 되 도록 1 차 CMP 하 는 단계 와 , 상기 셀 영역 과 주변 회로 영역 간 단차 가 제거 되 도록 산화 막 보다 폴리 실리콘 막 의 연마 속도 가 느린 슬러리 를 사용 해서 주변 회로 영역 의 폴리 실리콘 막 을 연마 정지 막 으로 이용 하 여 층간 절 연막 을 2 차 CMP 하 는 단계 와 , 상기 산화 막 과 폴리 실리콘 막 의 연마 속도 가 유사 한 슬러리 를 사용 해서 2 차 CMP 가 수행 된 층간 절 연막 및 폴리 실리콘 막 을 3 차 CMP 하 는 단계 를 포함 한다 .