도 2 에 예시 된 바 와 같이 , 종래 의 SJ - MOS 트랜지스터 ( 90 ) 에서 는 , 불순물 양 의 밸런스 가 맞추 어 질 경우 ( 0 %), 대략 900 V 의 높 은 내압 을 얻 을 수 있 지만 , 불순물 양 의 밸런스 가 0 % 로 부터 벗어날 경우 , 내압 은 급격히 저하 된다 . 한편 , SJ - MOS 트랜지스터 ( 100 ) 에서 는 , 불순물 양 의 밸런스 가 맞추 어 질 경우 ( 0 %), 최대 내압 이 SJ - MOS 트랜지스터 ( 90 ) 에서 보다 더 낮 아 지 지만 , 불순물 양 의 밸런스 가 맞추 어 지 지 않 은 불순물 양 의 밸런스 의 더 넓 은 범위 ( - 7 % ~ + 7 %) 에서 필요 로 하 는 600 V 이상 의 내압 을 얻 을 수 있 다 . 바꾸 어 말 하 면 , SJ - MOS 트랜지스터 ( 100 ) 는 불순물 농도 에 대한 제조 편차 가 존재 하 더라도 종래 의 SJ - MOS 트랜지스터 ( 90 ) 보다 내압 의 편차 가 더 작 고 , 무결함 율 의 증대 에 유리 한 소자 이 다 .