특징 부 크기 가 감소 함 에 따라서 , 전제 저항 에 대한 장벽 의 기여 분 이 증가 된다 . 종래 에 는 장벽 층 은 Ti / TiN 이 었 다 . 그러나 소자 가 축소 하 고 , 저항 에 대한 장벽 기여 분 ( R 1 b 및 R 2 b ) 이 상당 해짐 에 따라서 , Ti / TiN 은 덜 바람직 해 지 고 있 다 . 라인 과 비아 / 접촉 부 의 저항 을 최소 화 하 기 위해 , 장벽 층 은 낮 은 저항률 ( ρ b ) 을 가져야 하 고 매우 얇 아야 한다 . 또한 장벽 층 은 아래 위치 하 는 접촉 물질 뿐 아니 라 텅스텐 플러그 에 대한 바람직 한 접착성 을 가져야 한다 . 종래 의 스택 은 확산 장벽 ( diffusion barrier ) 으로서 티타늄 / 티타늄 나이트 라이드 ( Ti / TiN ) 를 사용 하 지만 , 특징 부 크기 가 감소 됨 에 따라 Ti / TiN 에 관련 하 여 다양 한 문제점 들 이 발생 하 는데 , 가령 , PVD TiN 에 대한 형편 없 는 스텝 커버리지 가 있 다 . 저온 , 또는 저 염소 기반 함유량 을 위한 어떠 한 실용 적 인 TiN 의 ALD 공정도 존재 하 지 않 는다 . 염소 함유 화합물 은 아래 위치 하 는 표면 을 공격 할 수 있 다 . 덧붙이 자면 , 측정 가능 성 요구 치 를 충족 시키 기 위해 TiN 장벽 이 얇 아 짐 에 따라서 , 장벽 속성 은 악화 되 고 아래 위치 하 는 Ti 층 및 / 또는 접촉 물질 이 통상 적 인 텅스텐 증착 공정 에서 의 불소 에 노출 된다 . 또한 텅스텐 나이트 라이드 ( WN ) 가 확산 장벽 으로서 사용 되 어 왔 다 . 그러나 WN 은 그 아래 위치 하 는 표면 을 공격 할 수 있 는 할로겐 기반 의 화학 작용 에 의해 증착 된다 .