도 2 e 및 2 f 를 참조 하 면 , 상기 소자 분리 막 ( 220 ) 및 상기 마스크 패턴 ( 236 ) 을 덮 는 갭 - 필 막 ( 250 ) 이 형성 된다 . 상기 갭 - 필 막 ( 250 ) 은 화학 기상 증착 방법 으로 형성 된 실리콘 산화 막 을 포함 할 수 있 다 . 상기 소자 분리 막 ( 220 ) 의 일부 및 상기 갭 - 필 막 ( 250 ) 을 제거 하 여 상기 터널 절 연막 ( 225 ) 이 노출 된다 . 상기 소자 분리 막 ( 220 ) 의 일부 및 상기 갭 - 필 막 ( 250 ) 을 제거 하 는 것 은 건식 식각 공정 을 진행 한 후 , 불 산 ( HF ) 을 사용 하 는 습식 식각 공정 을 진행 하 는 것 을 포함 할 수 있 다 . 상기 소자 분리 막 ( 220 ) 및 상기 갭 - 필 막 ( 250 ) 은 화학 기상 증착 에 의한 산화 막인 반면 , 상기 터널 절 연막 ( 225 ) 은 열 산화 에 의한 산화 막 이 므로 , 습식 식각 공정 에서 상기 소자 분리 막 ( 220 ) 및 상기 갭 - 필 막 ( 250 ) 이 선택 적 으로 식각 될 수 있 다 .