1 차 열처리 는 급속 열처리 ( Rapid Thermal Processing : 이하 , RTP 라 한다 ) 형태 로 실시 될 수 있 다 . 금속 층 ( 70 ) 은 게이트 전극 ( 30 ) , 소오 스 및 드레 인 영역 ( 60 a , 60 b ) 과 는 직접 접촉 되 어 있 으나 , 스 페이서 ( 50 ) 에 의해 게이트 전극 ( 50 ) 측벽 과 는 직접 접촉 되 지 않 는다 . 따라서 , 금속 층 이 직접 접촉 되 는 게이트 전극 상부 와 소오 스 드레 인 영역 에 만 금속 실리사이드 층 이 형성 된다 .