일반 적 으로 반도체 웨이퍼 나 글라스 등 의 기판 상 에 소정 두께 의 박막 을 증착 시키 는 방법 으로서 , 증기법 , 화학 기상 증착 법 , 원자 층 증착 법 등 을 이용 한 박막 제조 방법 들 이 사용 된다 . 이 중 에서 원자 층 증착 ( ALD ; Atomic Layer Deposition ) 법 은 증 착제어 력 이 탁월 하 다는 점 에서 차세대 박막 증착 방식 으로 기대 를 모으 고 있 다 . 원자 층 증착 공정 에서 화학 반응 물질 은 , 화학 기상 증착 법 에서 와 마찬가지 로 증착 설비 에 가스 형태 로 공급 된다 . 화학 기상 증착 법 을 이용 하 여 막 증착 의 경우 막 성장 에 요구 되 는 모든 반응 물질 들 이 웨이퍼 표면 에 노출 되 면서 박막 을 형성 한다 . 이 에 반해 원자 층 증착 법 에 의한 경우 반응 물질 은 펄스 형태 로 공급 되 며 유동 상태 에서 퍼지 가스 에 의해 서로 격리 된다 . 이때 각 반응 물질 의 펄스 가 웨이퍼 표면 과 화학 적 반응 을 일으키 며 정밀 한 단층 막성 장 을 구현 하 는 것 이 다 . 이 와 같 은 원자 층 증착 법 은 자기 제한 적 반응 특성 을 가지 고 있 어 등방 프로세스 ( conformal process ) 가 가능 하 므로 정밀 한 막 두께 제어 구현 이 가능 하 다 .