플라 즈 마 CVD 장치 의 반응 실 내 에 있 어서 , 실리콘 혹은 게르마늄 을 함유 하 는 퇴적 성 기체 , 여기 서 는 실란 과 , 플루오르화물 기체 혹은 불소 , 여기 서 는 불화 실란 과 , 수소 및 / 혹은 희소 가스 를 혼합 하 여 글 로우 방전 플 라즈 마 에 의하 여 미결정 실리콘 막 을 형성 한다 . 실란 의 유량 에 대하 여 불화 실란 의 유량 을 0 . 1 배 내지 50 배 , 바람직 하 게 는 1 배 내지 10 배 로 하 고 , 실란 의 유량 에 대하 여 수소 의 유량 을 10 배 내지 2000 배 , 바람직 하 게 는 50 배 내지 200 배 로 희석 하 여 미결정 실리콘 막 을 형성 한다 . 기판 의 가열 온도 는 100 ℃ 내지 300 ℃, 바람직 하 게 는 120 ℃ 내지 220 ℃ 로 행한다 .