도 12 ( c ) 를 참조 하 면 , 레이저 조사 , 연마 또는 케미컬 폴리 싱 등 의 방법 으로 기판 ( 50 ) 을 n 형 반도체 층 ( 100 ) 으로부터 분리 시킨다 . 그리고 , 감광막 ( 410 ) 을 제거 한 후 감광막 ( 410 ) 이 제거 된 영역 , 즉 n 형 반도체 층 ( 100 ) , 활성 층 ( 200 ) 및 p 형 반도체 층 ( 300 ) 의 측벽 및 n 형 반도체 층 ( 100 ) 상부 의 소정 영역 에 보호 층 ( 800 ) 을 형성 한다 .