도 2 에 도시 한 바 와 같이 , 본 발명 에 따른 반도체 소자 의 금속 배선 은 , 반도체 기판 ( 200 ) 상 에 형성 되 어 있 으며 제 1 금속 으로 이루어진 플러그 ( 240 a ) 를 가지 는 제 1 층간 절 연막 ( 210 ) 과 , 상기 제 1 층간 절 연막 ( 210 ) 상 에 형성 되 어 있 으며 상기 플러그 ( 240 a ) 와 연결 되 는 제 2 금속 으로 이루어진 금속 배선 ( 290 ) 을 가지 는 제 2 층간 절 연막 ( 230 ) 을 포함 하 며 , 이때 , 상기 플러그 ( 240 a ) 와 금속 배선 ( 290 ) 은 각각 서로 다른 제 1 금속 과 제 2 금속 으로 이루어진 듀얼 다 마신 구조 를 가진다 .