도 5 를 참조 하 면 , 포토레지스트 패턴 ( 118 ) 을 식각 마스크 로 이용 하 여 상기 하드 마스크 막 ( 116 ) 및 패드 산화 막 ( 114 ) 을 부분 적 으로 식각 함 으로써 , 패드 산화 막 ( 114 ) 상 에 게이트 리 세스 ( 120 ) 가 형성 될 부위 를 정의 하 는 패드 산화 막 패턴 ( 114 a ) 및 마스크 막 패턴 ( 116 a ) 이 적층 된 제 2 하드 마스크 패턴 ( 122 ) 을 형성 한다 . 상기 건식 식각 공정 의 특성 상 , 상기 제 2 하드 마스크 패턴 ( 122 ) 의 오픈 부위 는 상기 포토레지스트 패턴 ( 118 ) 의 오픈 부위 보다 작 게 되 도록 측벽 경사 를 갖 는다 .