박막 트랜지스터 는 반도체 패턴 , 게이트 절 연막 , 게이트 전극 , 소스 전극 및 드레 인 전극 을 포함 할 수 있 다 . 반도체 패턴 은 소스 영역 과 드레 인 영역 사이 에 위치 하 는 채널 영역 을 포함 할 수 있 다 . 게이트 절 연막 및 게이트 전극 은 반도체 패턴 의 채널 영역 상 에 순서 대로 적층 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 게이트 절연 막 은 게이트 전극 을 마스크 로 하 는 식각 공정 에 의해 형성 될 수 있 다 .