본 개시 내용 의 다른 양태 에 따라 , 3 차원 메모리 디바이스 를 형성 하 는 방법 이 제공 되 며 , 이 는 다음 을 포함 한다 : 절연 층 들 및 스 페이서 재료 층 들 의 교번 하 는 스택 을 캐리어 기판 위 에 형성 하 는 단계 - 스 페이서 재료 층 들 은 전기 전도성 층 들 로서 형성 되 거나 , 또는 후속 적 으로 그 들 로 대체 됨 -; 교번 하 는 스택 을 통해 메모리 스택 구조물 들 을 형성 하 는 단계 - 메모리 스택 구조물 들 각각 은 각자 의 수직 반도체 채널 및 각자 의 메모리 필름 을 포함 함 -; 캐리어 기판 을 제거 한 후 수직 반도체 채널 들 각각 의 원위 단부 를 물리 적 으로 노출 시키 는 단계 ; 및 수직 반도체 채널 들 각각 의 원위 단부 상 에 직접 소스 층 을 형성 하 는 단계 .