게이트 절연 층 ( 146 ) 은 , CVD 법 이나 스퍼터 법 등 을 이용 하 여 형성 할 수 가 있 다 . 게이트 절연 층 ( 146 ) 은 , 산화물 반도체 층 ( 144 ) 에 접하 게 되 기 때문 에 , 수소 가 충분히 저감 된 방법 에 따라 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 또한 , 게이트 절연 층 ( 146 ) 은 , 산화 실리콘 , 질화 실리콘 , 산질 화 실리콘 , 산화 알루미늄 , 산화 탄 탈륨 , 산화 하프늄 , 산화 이트륨 , 하프늄 실리케이트 ( HfSixOy ( x ＞ 0 , y ＞ 0 ) ) , 질소 가 첨가 된 하프늄 실리케이트 ( HfSixOy ( x ＞ 0 , y ＞ 0 ) ) , 질소 가 첨가 된 하프늄 알 루미 네이트 ( HfAlxOy ( x ＞ 0 , y ＞ 0 ) ) 등 을 포함 하 도록 형성 하 는 것 이 매우 적합 하 다 . 게이트 절연 층 ( 146 ) 은 , 단층 구조 로 하 여도 좋 고 , 적층 구조 로 하 여도 좋 다 . 또한 , 게이트 절연 층 ( 146 ) 의 두께 는 특별히 한정 되 지 않 지만 , 반도체 장치 를 미세 화 하 는 경우 에 는 게이트 절연 층 ( 146 ) 을 얇 게 하 는 것 이 바람직 하 다 . 예 를 들 면 , 게이트 절연 층 ( 146 ) 으로서 산화 실리콘 을 이용 하 는 경우 에 는 , 게이트 절연 층 ( 146 ) 의 두께 는 1 nm 이상 100 nm 이 하 , 바람직 하 게 는 10 nm 이상 50 nm 이하 로 할 수 가 있 다 .