도 2 a 에 도시 된 바 와 같이 , 실리콘 코팅 단계 ( S 110 ) 에서 실리콘 은 베이스 기판 ( 100 ) 의 일면 전체 에 도포 되 어 실리콘 코팅 층 ( 210 ) 을 형성 할 수 있 다 . 이때 의 실리콘 코팅 층 ( 210 ) 은 비정질 또는 다공 성 의 실리콘 코팅 층 ( 210 ) 일 수 있 다 . 실리콘 코팅 층 ( 210 ) 은 CVD 방식 으로 베이스 기판 ( 100 ) 에 화학 기상 증착 ( CVD ) , 증발 ( evaporation ) , 및 스퍼터링 ( sputtering ) 등 의 방법 으로 형성 될 수 있 다 . 실리콘 코팅 단계 ( S 110 ) 에서 실리콘 코팅 층 ( 210 ) 은 비정질 또는 다공 성 의 상태 로 베이스 기판 ( 100 ) 에 적층 되 기 때문 에 , 결정 질 로 실리콘 을 베이스 기판 ( 100 ) 에 적층 하 는 것 보다 빠르 게 형성 될 수 있 다 .