여기 서 , 비정질 실리콘 박막 은 제조 방법 이 간단 하 여 가장 많이 사용 된다 . 그러나 , 비정질 실리콘 박막 을 이용 하 면 , 이 를 이용 하 여 형성 한 박막 트랜지스터 의 동작 특성 이 온도 에 따라서 크 게 변하 게 된다 . 따라서 , 온도 가 낮 을 때 에 는 박막 트랜지스터 를 구동 하 기 위한 게이트 온 전압 과 게이트 오프 전압 의 차이 를 크 게 해서 구동 능력 을 높여야 하 며 , 온도 가 높 을 때 에 는 게이트 온 전압 과 게이트 오프 전압 의 차이 를 작 게 해서 구동 을 안정 화 시켜야 한다 .