상기 에 기술 된 바 와 같이 , 간섭 성 제 1 전자기 복사 는 좁 게 한정 된 각도 범위 에서 활성 영역 으로부터 방출 될 수 있 는 반면 , 비 간섭 성 제 2 전자기 복사 는 등방 성 으로 또는 람베르 시안 방출 특성 을 가지 며 큰 각도 범위 에서 방출 될 수 있 어서 , 각도 가 더 클 때 정확히 필터 구 조체 를 포함 하 지 않 은 레이저 광원 의 원거리 장 에서 바로 비 간섭 성 제 2 전자기 복사 가 인지 될 수 있 고 , 복사 품질 및 발광 인상 이 불량 해질 수 있 다 . 각도 종속 적 투과도 를 가진 제 1 필터 부재 에 의해 , 특히 , 한계 각 보다 작 은 각도 로 반도체 층 시퀀스 로부터 방출 되 는 전자기 복사 는 한계 각 보다 큰 각도 로 방출 된 전자기 복사 에 비해 더 낮 은 반사 및 / 또는 흡수 및 그 로 인하 여 더 큰 투과도 를 가질 수 있 다 . 한계 각 은 40 ° 이하 , 바람직 하 게 는 30 ° 이하 , 더욱 바람직 하 게 는 20 ° 이하 일 수 있 다 . 한계 각 은 , 특히 , 간섭 성 제 1 전자기 복사 의 발 산각 에 상응 할 수 있 다 . 또한 , 한계 각 보다 큰 각도 에서 제 1 필터 부재 의 투과도 는 20 % 이하 , 바람직 하 게 는 10 % 이하 , 더욱 바람직 하 게 는 5 % 이하 일 수 있 다 .