이후 , 제 2 개 구 ( 300 ) 의 측벽 , 제 2 개 구 ( 300 ) 에 의해 노출 된 지지막 ( 160 ) 및 지지 패턴 ( 165 ) 의 상면 , 및 제 2 층간 절 연막 ( 290 ) 상 에 제 1 스 페이서 막 을 형성 하 고 , 이 에 대해 이방성 식각 공정 을 수행 함 으로써 , 지지막 ( 160 ) 및 지지 패턴 ( 165 ) 의 상면 에 형성 된 부분 을 제거 하 여 제 1 스 페이서 ( 310 ) 를 형성 할 수 있 으며 , 이 에 따라 지지막 ( 160 ) 및 지지 패턴 ( 165 ) 상면 이 다시 부분 적 으로 노출 될 수 있 다 .