도 11 과 같 은 구조 를 갖 는 본 발명 의 제 3 실시 예 는 정전기 발생 시 정전기 교류 성분 으로 인해 낮 은 전압 에서 두 NMOS 트랜지스터 ( N 4 , N 5 ) 가 턴 온 되 고 , 두 NMOS 트랜지스터 ( N 4 , N 5 ) 의 턴 온 에 따라 두 바이 폴라 트랜지스터 ( B 5 , B 6 ) 가 동시 에 트리거 되 므로 , 더욱 낮 은 동작 전압 에서 신속 하 게 정전기 를 방전 시키 는 효과 가 있 다 .