또한 , 이 예의 기준 용량 소자 ( 56 ) 는 한쪽 의 전극 으로서 반도체 층 ( 58 ) 을 이용 하 고 , 다른 쪽 의 전극 으로서 게이트 배선 ( 60 ) 을 이용 하 여 , 그 들 사이 에 게이트 산화 막 ( 62 ) 을 협지 하 여 구성 된다 . 또한 , 반도체 층 ( 58 ) , 게이트 배선 ( 60 ) , 및 게이트 산화 막 ( 62 ) 은 , 다른 트랜지스터 ( 42 , 44 ) 와 동일 한 프로세스 에 의해 형성 된다 . 따라서 , 기준 용량 소자 ( 56 ) 를 형성 하 기 위하 여 특별 한 프로세스 는 불 필요 하 여 , 제조 코스트 를 삭감 할 수 있 다 .