현재 많이 사용 되 고 있 는 많 은 상업 적 으로 성공 한 비휘발성 고체 상태 메모리 장치 가 있 다 . 상기 메모리 장치 는 플래시 EEPROM 이 거나 또는 다른 형태 의 비휘발성 메모리 셀 을 사용 할 수 있 다 . 플래시 메모리 , 시스템 및 이 를 제조 하 는 방법 에 대한 예 는 미국 특허 제 5 , 070 , 032 호 , 제 5 , 095 , 344 호 , 제 5 , 315 , 541 호 , 제 5 , 343 , 063 호 및 제 5 , 661 , 053 호 , 제 5 , 313 , 421 호 및 제 6 , 222 , 762 호 에 제공 되 었 다 . 특히 , NAND 스트링 구조 ( string structure ) 를 갖 는 플래시 메모리 장치 가 미국 특허 제 5 , 570 , 315 호 , 제 5 , 903 , 495 호 및 제 6 , 046 , 935 호 에 기재 되 어 있 다 .