또한 , 도 5 의 ( g ) 에 도시 하 는 바 와 같이 , 하 지 ( 200 b ) 및 보호막 ( 200 e ) 각각 의 표면 에 존재 하 는 F 종단 은 , 처리 후 의 웨이퍼 ( 200 ) 가 대기 폭로 되 었 을 때 , 소정 의 반응물 , 구체 적 으로 는 , 대기 중 의 수분 ( H 2 O ) 과 반응 함 으로써 해리 한다 . 즉 , 처리 후 의 웨이퍼 ( 200 ) 의 대기 폭로 에 의해 , 하 지 ( 200 b ) 및 보호막 ( 200 e ) 각각 의 표면 에 존재 하 는 F 종단 을 제거 할 수 있 다 . 하 지 ( 200 b ) 및 보호막 ( 200 e ) 각각 의 표면 으로부터 F 종단 을 제거 함 으로써 , 하 지 ( 200 b ) 및 보호막 ( 200 e ) 각각 의 표면 상태 가 리셋 되 어 , 이후 의 공정 에서 , 하 지 ( 200 b ) 및 보호막 ( 200 e ) 각각 의 표면 상 에 의 성막 처리 를 진행 시키 는 것 이 가능 하 게 된다 .