도 16 a 에 도시 하 는 바 와 같이 , 다이오드 ( 311 ) 의 신호선 ( 271 a 내지 271 c ) 은 , 도전 막 ( 201 ) 을 개재 하 여 게이트 전극 ( 251 ) 과 접속 되 는 동시 에 , 소스 영역 또는 드레 인 영역 ( 263 a ) 에 접한다 . 또한 , 다이오드 ( 311 ) 의 제 2 버퍼 층 ( 242 a ) 은 , 도전 막 ( 202 ) 을 개재 하 여 공통 선 ( 256 ) 에 접속 된다 . 여기 에서 는 , 공통 선 ( 256 ) 은 , 도전 막 ( 202 ) 을 개재 하 여 , 도너 가 되 는 불순물 원소 가 첨가 되 지 않 은 비정질 반도체 막 으로 형성 되 는 제 2 버퍼 층 ( 242 a ) 과 접하 기 위해서 , 쇼트 키 접합 하 고 있 다 .