도 2 a 에 도시 된 바 와 같이 , 피식 각층 ( 20 ) 상부 에 하드 마스크 층 ( 21 ) 을 형성 한다 . 이때 , 하드 마스크 층 ( 21 ) 은 복수 의 막 이 적층 된 구조 를 가지 며 , 예 를 들 어 비정질 탄소막 ( amourphous carbon ) ( 21 a ) , 제 1 SiON 막 ( 21 b ) 및 알루미나 ( Al 2 O 3 ) 막 ( 21 e ) 이 순차 적 으로 적층 되 어 형성 될 수 있 다 . 또한 , 하드 마스크 층 ( 21 ) 은 알루미나 막 ( 21 e ) 하부 에 개재 된 폴리 실리콘 막 ( 21 c ) 및 제 2 SiON 막 ( 21 d ) 을 더 포함 할 수 도 있 다 . 하드 마스크 층 ( 21 ) 이 단층 의 SiON 막 을 사용 하 는 경우 ( 즉 , 폴리 실리콘 막 ( 21 c ) 및 제 2 SiON 막 ( 21 d ) 을 포함 하 지 않 는 경우 ) 알루미나 막 ( 21 e ) 하부 의 SiON 막 ( 즉 , 제 1 SiON 막 ( 21 b ) ) 의 두께 는 700 Å 이상 이 됨 이 바람직 하 다 . 반면 , 본 명세서 의 일례 와 같이 복 층 의 SiON 막 을 사용 하 는 경우 ( 즉 , 알루미나 막 ( 21 e ) 하부 에 폴리 실리콘 막 ( 21 c ) 및 제 2 SiON 막 ( 21 d ) 이 개재 된 경우 ) 에 는 알루미나 막 ( 21 e ) 하부 의 SiON 막 ( 즉 , 제 2 SiON 막 ( 21 d ) ) 의 두께 는 700 Å 이하 로 얇 게 형성 되 는 것 이 바람직 하 다 .