일 실시 예 에서 , 도 5 에 도시 된 바 와 같이 , 화소 ( PXB ) 에 포함 된 제 1 트랜지스터 ( T 1 ) 와 제 2 트랜지스터 ( T 2 ) 는 서로 다른 타입 의 MOS ( metaloxidesemiconductor ) 트랜지스터 들 일 수 있 다 . 예 를 들 어 , 제 1 트랜지스터 ( T 1 ) 는 nMOS 트랜지스터 이 고 , 제 2 트랜지스터 ( T 2 ) 는 pMOS 트랜지스터 일 수 있 다 . 예 를 들 어 , 화소 ( PXB ) 의 제 2 트랜지스터 ( T 2 ) 는 반전 된 스캔 신호 ( / S [ i ] ) 에 응답 하 여 제 1 노드 ( N 1 ) 및 제 2 노드 ( N 2 ) 를 연결 할 수 있 다 .