상기 와 같 은 구성 으로 본 발명 의 다른 실시 예 에 따른 적층 형 반도체 장치 는 , 순차 적 으로 활성 화 되 는 제 1 내지 제 4 채널 인 에이블 신호 ( CH _ EN < 3 : 0 >) 에 응답 하 여 제 1 내지 제 4 코어 다이 ( 420 _ 0 ~ 420 _ 3 ) 와 베이스 다이 ( 410 ) 사이 의 다운 스캔 과 업 스캔 을 순차 적 으로 수행 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 제 4 채널 인 에이블 신호 ( CH _ EN < 3 >) 에 응답 하 여 제 4 코어 다이 ( 420 _ 3 ) 가 선택 된 경우 실제로 사용 되 는 관통 전극 ( TSV 0 X ~ TSV 3 X ) 의 다운 스캔 과 업 스캔 을 수행 하 고 , 수행 결과 를 제 1 서브 불량 검 출부 ( 422 _ 1 ) 에 저장 할 수 있 다 . 다음 으로 , 제 3 채널 인 에이블 신호 ( CH _ EN < 2 >) 에 응답 하 여 제 3 코어 다이 ( 420 _ 2 ) 가 선택 된 경우 실제로 사용 되 는 관통 전극 ( TSV 0 X ~ TSV 2 X ) 의 다운 스캔 과 업 스캔 을 수행 하 고 , 수행 결과 를 제 2 서브 불량 검 출부 ( 422 _ 2 ) 에 저장 할 수 있 다 . 이런 식 으로 , 각 코어 다이 가 선택 된 경우 에 실제로 사용 되 는 관통 전극 ( TSV 0 X ~ TSV 3 X , TSV 0 X ~ TSV 2 X , TSV 0 X ~ TSV 1 X , TSV 0 X ) 들 에 대해 다운 스캔 및 업 스캔 을 순차 적 으로 반복 하 여 수행 하 고 , 각 코어 다이 별 로 검출 된 불량 판정 플래그 ( FLAG 1 ~ FLAG 4 ) 를 복수 개 의 서브 불량 검 출부 ( 422 _ 1 ~ 422 _ 4 ) 에 각각 저장 할 수 있 다 . 따라서 , 저장 된 값 을 추출 하 여 어느 코어 다이 에 포함 된 관통 전극 에서 결함 이 발생 했 는지 를 알 수 있 다 . 또한 , 채널 정보 에 따라 저장 된 값 중 타 겟 값 을 추출 하 고 나머지 값 들 은 마스킹 함 으로써 실제로 사용 되 는 관통 전극 의 결함 유무 도 알 수 있 다 .