여기 에서 , 본 발명 의 레지스 트 패턴 형성 방법 은 , 폴리비닐 페놀 수지 의 비율 이 35 질량 % 이상 90 질량 % 이하 인 알칼리 가용성 수지 를 포함 하 는 수지 액 을 사용 하 여 , 감방 사선 성 수지 막 을 형성 하 는 공정 ( 감방 사선 성 수지 막 형성 공정 ) 과 , 감방 사선 성 수지 막 을 노광 하 여 경화 막 을 형성 하 는 공정 ( 경화 막 형성 공정 ) 과 , 경화 막 을 현상 하 여 현상 패턴 을 형성 하 는 공정 ( 현상 공정 ) 과 , 현상 패턴 에 포스트 현상 베 이크 를 실시 하 는 공정 ( 포스트 현상 베 이크 공정 ) 을 적어도 포함 한다 .