상기 장치 는 임의 적 으로 III - V 화합물 반도체 NW ( 들 ) 의 상부 상 에 배열 된 제 2 광 반사 수단 을 가질 수 있 다 . 제 2 광 반사 수단 은 DBR 또는 금속 층 일 수 있 다 . 임의 적 으로 , 제 2 광 반사 수단 은 전술 한 제 1 광 반사 수단 과 동일 할 수 있 다 . 그러나 , 바람직 하 게 는 , 제 2 광 반사 수단 은 제 1 광 반사 수단 보다 더 낮 은 반사 율 을 가질 수 있 다 . 바람직 하 게 는 , 제 2 광 반사 수단 은 NW 로부터 나오 는 광 을 NW 로 다시 되돌리 도록 배열 된다 .