상기 공정 들 을 수행 함 으로써 , 도 1 에 도시 된 것 과 같이 플로팅 게이트 사이 부위 에 서로 분리 된 형상 의 에어 갭 ( 114 a ) 들 을 갖 는 비휘발성 메모리 소자 를 제조 할 수 있 다 . 상기 방법 에 의해 형성 되 는 비휘발성 메모리 소자 의 경우 , 에 어 갭 의 상부 면 이 평탄 한 형상 을 가질 수 있 다 . 또한 , 상기 에 어 갭 의 크기 및 위치 를 용이 하 게 조절 할 수 있 다 .