또한 , 제 1 활성 층 ( 350 ) 과 제 2 활성 층 ( 450 ) 은 서로 동일 한 산화물 반도체 를 갖 더라도 부분 적 으로 다른 조성 비 를 가질 수 도 있 다 . 제 1 활성 층 ( 350 ) 상 에 는 제 1 산화물 층 ( 370 ) 이 배치 되 어 산소 를 공급 받 을 수 있 으나 , 제 2 활성 층 ( 450 ) 상 에 는 제 1 산화물 층 ( 370 ) 이 배치 되 지 않 고 산소 를 공급 받 지 않 을 수 있 다 . 또한 , 후술 할 바 와 같이 제 1 활성 층 ( 350 ) 상 에 배치 되 는 제 1 게이트 절 연막 ( 130 ) 과 제 2 활성 층 ( 450 ) 상 에 배치 되 는 제 2 게이트 절 연막 ( 140 ) 이 서로 다른 공정 에서 형성 됨 에 따라 , 제 1 활성 층 ( 350 ) 과 제 2 활성 층 ( 450 ) 은 서로 다른 조성 비 를 가질 수 있 다 .