본 발명 에 따른 반도체 제조 용 웨이퍼 는 플랫 존 에 인접 하 여 배치 되 는 라벨 과 평행 하 게 형성 되 는 제 1 얼라인 키부 및 노광 영역 이 아닌 에 지부 에 형성 되 는 제 2 얼라인 키부 를 포함 한다 . 또한 , 본 발명 에 따른 정렬 마크 노광 방법 은 웨이퍼 를 프리 얼라 이너 에 로딩 하 고 , 상기 프리 얼라 이너 로 하여금 상기 웨이퍼 의 플랫 존 이 일 방향 에 있 도록 정렬 시키 고 , 상기 정렬 이 이루어진 웨이퍼 를 스테이지 로 이송 시키 고 , 상기 스테이지 상 에 이송 된 웨이퍼 에 대하 여 얼라 인 키 에 의한 웨이퍼 회전 유무 를 감지 하 고 , 상기 웨이퍼 가 회전 하 지 않 은 경우 노광 공정 을 수행 하 고 , 상기 웨이퍼 가 회전 한 경우 웨이퍼 의 위치 를 보정 하 여 노광 공정 을 수행 하 는 것 을 포함 한다 . 본 발명 에 따르 면 얼라 인 키 를 갖 는 반도체 제조 용 웨이퍼 를 통하 여 웨이퍼 를 정렬 한 후 정렬 마크 를 노광 할 수 있 어 정렬 마크 의 노광 불량 을 방지 할 수 있 는 효과 가 있 다 .