상기 기판 ( 100 ) 상부 에 버퍼 층 ( 110 ) 이 형성 된다 . 상기 버퍼 층 ( 110 ) 상부 에 비정질 실리콘 ( Amorphous Silicon ) 을 증착 하 여 비정질 실리콘 층 ( 120 a ) 을 형성 한다 . 이 때 , 상기 비정질 실리콘 층 ( 120 ) 은 후 공정 될 레이저 조사 시 에 들뜸 ( films ablation ) 현상 을 방지 하 기 위해 탈수소 화 공정 을 진행 한다 .