도 6 a 를 참조 하 면 , Y 2 비트 라인 레벨 에 특별 비트 라인 들 ( 632 ) 및 Y 4 , Y 6 , Y 8 비트 라인 레벨 들 에 선택 적 특별 비트 라인 들 ( 633 , 634 , 636 ) 각각 은 지아 ( 618 , 620 ) 를 통해 고 전압 원 ( 605 ) 에 결합 될 수 있 는데 , 이것 은 적어도 한 PMOS 트랜지스터 ( 614 ) 에 의해 제어 된다 . 고 - 전압 원 ( 605 ) ( 예 를 들 면 , 약 2 내지 7 볼트 ) 에 의해 제공 되 는 고 바이어스 전압 ( Vux ) 는 라인 ( 612 ) 에 의해 PMOS 트랜지스터 ( 614 ) 의 드레 인 에 결합 된다 . PMOS 트랜지스터 ( 614 ) 의 게이트 는 한 그룹 ( 예 를 들 면 , 16 의 일 그룹 ) 의 워드 라인 단일 장치 드라이버 NMOS 트랜지스터 들 ( 663 a , 663 b ) 의 게이트 들 을 제어 하 는 워드 라인 디코더 로부터 동일 출력 제어 라인 또는 리드 ( 622 ) 를 통해 워드 라인 디코더 ( 110 ) 에 결합 된다 . 이 에 따라 , 동일 디코더 출력 은 선택 된 라인 들 및 블 리더 다이오드 들 을 제어 한다 . 워드 라인 디코더 ( 110 ) 가 일 그룹 의 워드 라인 들 을 선택 하 지 않 았 을 때 , 비활성 화 ( 즉 , 턴 오프 된 ) 단일 장치 드라이버 NMOS 트랜지스터 들 ( 663 a , 663 b ) 각각 은 이 들 의 각각 의 연관 된 워드 라인 들 을 워드 라인 바이어스 발생기 회로 ( 604 ) 로부터 워드 선택 전압 ( SEL XI ) 으로부터 분리 하 며 , 디코더 는 동시 에 PMOS 트랜지스터 ( 614 ) 를 활성 화 함 으로써 특별 라인 들 ( Y 2 ) 을 고 바이어스 전압 ( 605 ) 에 결합 한다 . 이 에 따라 , 비 선택 된 워드 라인 들 은 특별 비트 라인 들 ( 632 ) 에 결합 된 블 리더 다이오드 들 ( 600 ) 을 통해 고 바이어스 전압 ( Vux ) 을 받 지 않 는다 . 워드 라인 디코더 ( 110 ) 이 일 그룹 의 워드 라인 들 을 선택 하 였을 때 , 활성 화 된 ( 즉 , 턴 온 된 ) 단일 장치 드라이버 NMOS 트랜지스터 들 ( 663 a , 663 b ) 은 이 들 의 연관 된 워드 라인 들 을 워드 라인 바이어스 발생기 회로 ( 604 ) 에 의해 제공 된 워드 선택 전압 ( SEL Bl ) 에 결합 하 고 , 디코더 ( 110 ) 는 동시 에 PMOS 트랜지스터 ( 614 ) 를 비활성 화 ( 즉 , 턴 오프 ) 함 으로써 특별 비트 라인 들 을 고 바이어스 전압 ( 605 ) 으로부터 분리 한다 . 이 에 따라 , 선택 된 워드 라인 들 은 소스 ( 605 ) 로부터 바이어스 전압 ( Vux ) 을 받 지 않 는다 .