도 3 을 참조 하 면 , 상기 식각 단계 는 드라이 에칭 을 통해 산화 막 ( 142 ) 을 식각 하 여 상기 산화 막 ( 142 ) 에 나노 웰 구조 ( 147 ) 를 형성 하 는 단계 이 다 . 상기 제거 단계 에서 상기 포토레지스트 ( PR ) ( 143 ) 가 나노 웰 구조 로 제거 되 었 기 때문 에 , 상기 식각 단계 에서 드라이 에칭 으로 산화 막 을 식각 하 면 , 상기 산화 막 ( 142 ) 에 나노 웰 구조 ( 147 ) 가 형성 된다 .