도 4 에 도시 된 ST 3 단계 는 예비 적층 체 ( 120 ) 를 관통 하 고 하부 적층 체 ( 110 ) 의 내부 로 연장 된 채널 홀 ( 121 ) 을 형성 하 는 단계 를 포함 할 수 있 다 . 채널 홀 ( 121 ) 은 하부 적층 체 ( 110 ) 의 제 2 반도체 막 ( 109 ) , 제 2 보호막 ( 107 ) , 희생 막 ( 105 ) 및 제 1 보호막 ( 103 ) 을 관통 하 고 , 제 1 반도체 막 ( 101 ) 내부 로 연장 될 수 있 다 .