도 8 의 제 2 지지층 ( 157 c ) 은 상기 하부 전극 ( 151 ) 의 상부 표면 과 접촉 하 면서 하부 전극 ( 151 ) 의 측면 을 지지 하 기 때문 에 도 7 의 실시 예 에 비하 여 하부 전극 ( 151 ) 의 측면 과 접촉 하 는 면적 이 적어도 충분 한 측 방향 ( lateral ) 강도 를 확보 할 수 있 다 . 즉 , 제 2 지지층 ( 157 c ) 이 하부 전극 ( 151 ) 의 측면 과 접촉 하 는 면적 을 줄이 고 , 그 로부터 확보 된 면적 이 커패시턴스 증가 에 활용 될 수 있 기 때문 에 메모리 소자 의 전기 적 성능 이 향상 될 수 있 다 .