다음 으로 , 본 발명 에 따른 법랑 조성물 의 제조 방법 은 SiO 2 15 ~ 50 중량 %; B 2 O 3 1 ~ 10 중량 %; Li 2 O , Na 2 O , 및 K 2 O 가운데 1 종 이상 10 ~ 20 중량 %; NaF 1 ~ 5 중량 %; ZnO 1 ~ 10 중량 %; 및 TiO 2 , MoO 3 , Bi 2 O 3 , CeO 2 , MnO 2 , 및 Fe 2 O 3 가운데 1 종 이상 20 ~ 50 중량 % 를 포함 하 는 법랑 조성물 재료 를 제공 하 는 단계 ; 상기 법랑 조성물 재료 를 멜 팅 하 는 단계 ; 상기 멜 팅 된 법랑 조성물 재료 를 퀀칭하여 법랑 조성물 을 형성 하 는 단계 를 포함 한다 .