한편 ， 후술 하 는 비 교예 에 따른 불휘발성 반도체 기억 장치 의 구성 에서 는 , 전용 의 어드레스 레지스터 를 구비 하 고 있 지 않 다 . 그 때문 에 ， 데이터 판독 동작 시 에 , 블록 내 의 연속 한 어드레스 로 이루어지 는 연속 한 복수 의 페이지 에 밖에 실행 할 수 없 다 . 따라서 , 비 교예 에 따른 캐시 리드 동작 에서 는 , 단일 블록 에 포함 되 는 복 수 의 페이지 를 연속 하 여 판독 하 는 방식 이 다 . 여기 에서 , 최근 의 메모리 셀 의 판독 시간 은 증가 하 는 경향 이 있 고 , 캐시 리드 는 필수 의 기능 으로 되 어 있 다 . 비 교예 에 따른 방식 에서 는 , 랜덤 하 게 페이지 를 액세스 할 수 없 다 . 특히 , 각 블록 의 특정 한 페이지 에 기억 된 정보 를 복수 의 블록 을 걸쳐 판독 할 때 에 제약 으로 된다 . 그 때문 에 ， 비 교예 에 따른 구성 에서 는 , 복수 의 블록 에 걸쳐 존재 하 는 데이터 를 판독 하 는 경우 에 캐시 리드 를 사용 할 수 없 어 , 판독 시간 이 증대 하 는 점 에서 불리 하 다 .