일반 적 인 FET 센서 의 구조 는 기판 위 에 절 연막 이 있 고 그 위 에 표적 물질 을 감지 하 는 센서 구조 체가 위치 한다 . 본 발명 에 따른 FET 센서 는 도 2 에 도시 된 바 와 같이 , 실리콘 기판 위 에 매립 산화물 ( BOX ) 이 있 고 , 그 위 에 실리콘 박막 이 존재 하 는 SOI 웨이퍼 기판 을 사용 하 거나 또는 유리 나 플라스틱 기판 같 은 절연체 기판 위 에 반도체 박막 을 이용 한 센서 구조 체가 사용 될 수 있 다 . 이때 사용 되 는 반도체 박막 으로 는 저온 에서 증착 된 비정질 실리콘 또는 다결정 실리콘 도 사용 이 가능 하 다 . 다만 , 소자 의 검출 민 감도 를 개선 시키 기 위하 여 아래 기판 에 적정 한 게이트 바이어스 를 걸어서 적 은 양 의 표적 물질 에 의한 전하 변화 에 도 센서 의 전기전도도 가 크 게 변할 수 있 는 조건 을 만들 어 주 는 것 이 중요 하 다 . 이 를 위해서 는 상부 실리콘 기판 이 단결정 실리콘 박막 인 것 이 바람직 하 고 , 또 하부 기판 으로 는 하부 게이트 에 바이어스 를 걸 어 줄 수 있 는 기판 을 이용 하 여 상부 실리콘 채널 에 미리 캐리어 들 이 공핍 되 기 쉽 거나 , 미리 공핍 되 어 있 는 상태 로 만드 는 방법 이 이용 될 수 있 다 . 디스플레이 나 플렉시블 소재 같 은 다기능 제품 에 센서 가 사용 되 기 위해서 는 하부 기판 으로 실 리 콘 벌크 기판 을 그대로 이용 하 기 가 어렵 다 . 다 기능 제품 을 위한 절 연막 기판 을 사용 하 기 위해서 는 절연체 기판 위 에 미리 하부 게이트 전극 을 형성 한 뒤 다시 절 연막 을 증착 하 고 이 위 에 센서 구조 체로 사용 될 비정질 실리콘 또는 다결정 실리콘 을 형성 하 는 방법 이 사용 될 수 있 다 .