또한 본 발명 은 , 반도체 소자 의 마스크 패턴 형성 방법 에 있 어서 , 주 패턴 을 배치 하 는 단계 와 , 주패 턴 모서리 측 의 광학 근접 효과 를 보상 하 기 위해 이너 코너 및 아웃 터 코너 를 형성 하 는 단계 와 , 이너 코너 와 아웃 터코 너 의 사이 에 해당 하 는 주 패턴 의 양측 으로 보조 패턴 을 형성 하 는 단계 와 , 보조 패턴 의 형성 으로 동일 선폭 을 갖 는 주 패턴 에 대해서 만 선택 적 으로 게이트 셀 의 선폭 조절 이 이루어지 는 단계 를 포함 하 는 반도체 소자 의 마스크 패턴 형성 방법 을 제공 한다 .