이 마스크 형성 에 는 , 특허 문헌 1 에 도 기재 되 어 있 는 바 와 같이 , 웨이퍼 의 표면 에 레지스 트 를 도포 한 후 , 스트리트 에 상당 하 는 부분 을 포토 리소그래피 프로세스 로 제거 하 여 마스크 로 하 는 기술 이 일반 적 으로 이용 된다 . 이 때문 에 , 플라 즈 마 다 이싱 을 행하 기 위해서 는 , 플라 즈 마 다 이싱 설비 이외 의 포 토리 소 공정 설비 가 필요 하 고 , 칩 비용 이 상승 한다고 하 는 문제 가 있 다 . 또한 , 플라 즈 마 에칭 후 에 마스크 ( 레지스 트 막 ) 가 남 은 상태 이 기 때문 에 , 마스크 제거 를 위해 대량 의 용제 를 이용 할 필요 가 있 고 , 그런데 도 마스크 를 완전 하 게 제거 할 수 없 는 경우 도 있 어서 , 불량 칩 이 생기 는 경우 가 있 었 다 . 또한 , 레지스 트 에 의한 마스킹 공정 을 거치 기 때문 에 , 전체 의 처리 프로세스 가 길 어 진다고 하 는 문제 도 있 었 다 .