본 발명 은 SAS 기술 적용 시 발생 하 는 공통 소스 라인 의 접촉 저항 을 최소 화 하 는 것 에 대한 것 으로서 , 공통 소스 영역 을 포함 하 는 플래시 메모리 셀 의 제조 방법 에 있 어서 , 소자 분리 막 을 가지 는 반도체 기판 위 에 게이트 라인 을 형성 하 는 단계 , 공통 소스 영역 을 제외 한 반도체 기판 및 게이트 라인 위 에 자기 정렬 마스크 를 형성 하 는 단계 , 자기 정렬 마스크 또는 게이트 라인 을 마스크 로 삼 아 공통 소스 영역 에 존재 하 는 소자 분리 막 을 제거 하 고 그 에 따른 부산물 을 공통 소스 영역 위 에 균일 하 게 증착 하 는 단계 , 그리고 노출 된 공통 소스 영역 위 에 불순물 이온 을 주입 하 는 단계 를 포함 한다 . 이 와 같 은 공정 을 통해 소자 분리 막 제거 시 발생 하 는 부산물 이 노출 되 는 반도체 기판 에 균일 하 게 증착 됨 에 따라 불순물 이온 의 주입 으로 인해 공통 소스 영역 에 해당 하 는 반도체 기판 의 표면 저항 이 증가 하 는 것 을 방지 할 수 있 어 반도체 소자 의 특성 및 신뢰 성 을 향상 시킬 수 있 다 .