전기 전도성 층 들 ( 146 , 246 ) 은 적어도 하나 의 전도성 재료 의 침착 에 의해 후면 리세 스 들 ( 143 , 243 ) 내 에 형성 될 수 있 다 . 복수 의 제 1 전기 전도성 층 들 ( 146 ) 이 복수 의 제 1 후면 리세 스 들 ( 143 ) 내 에 형성 될 수 있 고 , 복수 의 제 2 전기 전도성 층 들 ( 246 ) 이 복수 의 제 2 후면 리세 스 들 ( 243 ) 내 에 형성 될 수 있 고 , 연속 금속 성 재료 층 ( 도시 되 지 않 음 ) 이 각각 의 후면 트렌치 ( 79 ) 의 측벽 들 상 에 그리고 제 1 콘택트 레벨 유전체 층 ( 280 ) 위 에 형성 될 수 있 다 . 제 1 전기 전도성 층 들 ( 146 ) 및 제 2 전기 전도성 층 들 ( 246 ) 각각 은 각자 의 전도성 금속 성 질화물 라이너 및 각자 의 전도성 충전 재료 를 포함 할 수 있 다 . 따라서 , 제 1 및 제 2 희생 재료 층 들 ( 142 , 242 ) 은 각각 제 1 및 제 2 전기 전도성 층 들 ( 146 , 246 ) 로 대체 될 수 있 다 . 구체 적 으로 , 각각 의 제 1 희생 재료 층 ( 142 ) 은 후면 차단 유전체 층 의 선택 적 부분 및 제 1 전기 전도성 층 ( 146 ) 으로 대체 될 수 있 고 , 각각 의 제 2 희생 재료 층 ( 242 ) 은 후면 차단 유전체 층 의 선택 적 부분 및 제 2 전기 전도성 층 ( 246 ) 으로 대체 될 수 있 다 . 후면 공동 이 , 연속 금속 성 재료 층 으로 충전 되 지 않 은 각각 의 후면 트렌치 ( 79 ) 의 부분 내 에 존재 한다 .