반도체 메모리 소자 중 DDR SDRAM ( Double Data Rate Synchronous DRAM ) 을 비롯 한 반도체 메모리 소자 내 에 는 다 수개 의 메모리 뱅크 가 설계 되 어 있 고 , 각각 의 메모리 뱅크 는 셀 트랜지스터 와 셀 커패시터 로 구성 된 다수 의 메모리 셀 ( cell ) 의 집합 으로 구성 되 는 것 이 일반 적 이 다 . 여기 서 , 메모리 뱅크 가 위치 하 는 영역 을 코어 영역 이 라 하 며 , 메모리 뱅크 에 데이터 를 입 / 출력 하 기 위해서 구성 된 영역 을 페리 영역 이 라 한다 . 쓰 기 ( write ) 동작 시 페리 영역 으로부터 전달 되 는 데이터 는 코어 영역 경계 에 위치 하 는 라이트 드라이버 ( write driver ) 를 통해 코어 영역 내부 로 입력 되 고 , 읽 기 ( read ) 동작 시 출력 할 데이터 는 코어 영역 경계 에 위치 하 는 입출력 감지 증폭기 를 통해 페리 영역 으로 출력 된다 . 그리고 , 통상 적 으로 데이터 입출력 핀 과 라이트 드라이버 및 입출력 감지 증폭기 에 연결 된 데이터 라인 을 글로벌 입출력 라인 ( GIO : Global Input Output line ) 라 하 며 , 라이트 드라이버 및 입출력 감지 증폭기 와 코어 영역 내부 와 연결 되 는 데이터 라인 을 로컬 입출력 라인 ( LIO : Local Input Output line ) 라고 한다 .