다음 에 는 , 제 2 하드 마스크 패턴 ( 185 ) 을 이용 한 식각 공정 으로 소자 분리 막 ( 130 ) 을 부분 식각 하 여 게이트 예정 영역 과 접속 하 는 활성 영역 ( 120 ) 의 상부 를 노출 시키 는 트렌치 ( 125 a ) 를 형성 한다 . 이 와 같이 형성 된 트렌치 ( 125 a ) 에 의해서 핀 ( Fin ) 형 활성 영역 ( 125 ) 이 정의 된다 .