또한 , 본 발명 의 미결정 반도체 막 을 사용 하 여 박막 트랜지스터 ( TFT ) 를 제작 하 고 , 상기 박막 트랜지스터 를 화소 부 및 구동 회로 에 사용 하 여 표시 장치 를 제작 한다 . 본 발명 의 미결정 반도체 막 은 게이트 절 연막 과 의 계면 에서 의 결정 성 이 높 으 므로 , 상기 미결정 반도체 막 을 사용 한 박막 트랜지스터 는 그 이동도 가 1 cm 2 / V · sec 내지 10 cm 2 / V · sec , 바람직 하 게 는 2 . 5 cm 2 / V · sec 내지 10 cm 2 / V · sec 로 , 비정질 반도체 막 을 사용 한 박막 트랜지스터 의 2 배 내지 20 배 의 이동도 를 가지 기 때문 에 , 구동 회로 의 일부분 혹은 전체 를 화소 부 와 동일 기판 위 에 일체 형성 하 여 , 시스템 온 패널 ( system - on - panel ) 을 형성 할 수 있 다 .