기판 ( 21 ) 은 질화 갈륨 계 반도체 층 을 성장 시킬 수 있 는 기판 이 면 특별히 제한 되 지 않 는다 . 기판 ( 21 ) 의 예 로 는 사파이어 기판 , 질화 갈륨 기판 , SiC 기판 등 다양 할 수 있 으며 , 패 터닝 된 사파이어 기판 일 수 있 다 . 기판 ( 21 ) 은 도 1 의 평면도 에서 보 듯이 직사각 형 또는 정사각형 의 외형 을 가질 수 있 으나 , 반드시 이 에 한정 되 는 것 은 아니 다 . 기판 ( 21 ) 의 크기 는 특별히 한정 되 는 것 은 아니 며 다양 하 게 선택 될 수 있 다 .