도 4 를 참조 하 면 , 광 근접 보정 ( OPC ; Optical Proximity Correction ) 을 수행 하 여 셀 어레이 경계 영역 에 인접 한 영역 ( 400 ) 에서 광 투과 영역 ( 420 ) 의 피치 를 다르 게 형성 하 였으며 , 특히 최외각 에 있 는 광 투과 영역 ( 420 ) 의 피치 를 상대 적 으로 크 게 하 였 다 . 또한 시뮬레이션 결과 나타나 는 스토리지 노드 컨 택 패턴 ( 430 ) 도 광 투과 영역 ( 420 ) 의 피치 내 에서 양호 한 프로파일 로 형성 되 고 있 다 . 그러나 도 5 에 나타낸 바 와 같이 , 실제 웨이퍼 상 에 상기 포토 마스크 를 이용 하 여 포토레지스트 막 패턴 을 형성 한 결과 , 장축 방향 인 Y 방향 으로 충분 한 패턴 크기 ( size ) 가 나오 지 않 으며 , 셀 영 역 안쪽 의 패턴 들 도 서로 다른 피치 와 크기 로 형성 되 며 , 이 에 따라 웨이퍼 전체 에 걸쳐서 균일 도 ( uniformity ) 가 저하 된다 .