판독 또는 기입 동안 에 선택 된 메모리 셀 ( MC 35 ) 에 흐르 는 전류 의 누설 로 인하 여 메모리 셀 어레이 ( 110 ) 내 비 선택 된 메모리 셀 들 ( 메모리 셀 ( MC 35 ) 을 제외 한 모든 메모리 셀 들 ) 을 가로질러 오프 전류 ( 누설 전류 ) 가 흐를 수 있 다 . 도 3 과 같이 , 선택 된 워드 라인 ( WL 3 ) 에 인접 하 는 ( 또는 가장 인접 하 는 , 이웃 하 는 , 가장 이웃 하 는 ) 비 선택 된 워드 라인 들 ( WL 2 , WL 4 ) 및 선택 된 비트 라인 ( BL 5 ) 에 인접 하 는 ( 또는 가장 인접 하 는 , 이웃 하 는 , 가장 이웃 하 는 ) 비 선택 된 비트 라인 들 ( BL 4 , BL 6 ) 만 을 바이어 싱 하 고 그리고 나머지 비 선택 된 워드 라인 들 ( WL 1 , WL 5 ~ WLs ; 나머지 비 인접 워드 라인 들 ) 및 나머지 비 선택 된 비트 라인 들 ( BL 1 ~ BL 3 , BL 7 ~ BLt ; 나머지 비 인접 비트 라인 들 ) 을 플로팅 함 으로써 비 선택 된 메모리 셀 들 ( 메모리 셀 ( MC 35 ) 을 가로지르 는 누설 전류 가 현저히 감소 될 수 있 다 . 또한 , 바이어 싱 되 는 워드 라인 들 의 수 및 비트 라인 들 의 수 를 최소 화 함 으로써 바이어 싱 을 위해 메모리 장치 ( 100 ) 에 의해 소모 되 는 전력 을 감소 시킬 수 있 다 .