열 마다 4 개 의 소스 선 을 제공 하 는 경우 , 화소 의 왼쪽 에 2 개 의 소스 선 을 제공 하 고 , 화소 의 오른쪽 에 2 개 의 소스 선 을 제공 할 수 있 다 . 바꿔 말 하 면 , 화소 의 왼쪽 외측 , 왼쪽 내측 , 오른쪽 내측 , 및 오른쪽 외측 의 각각 에 소스 선 을 제공 할 수 있 다 . 이 구조 에서 는 , 화소 의 왼쪽 외측 의 소스 선 에 전기 적 으로 접속 되 는 트랜지스터 의 소스 가 , 화소 의 왼쪽 내측 의 소스 선 과 교차 된다 . 또한 이 구조 에서 는 , 화소 의 오른쪽 외측 의 소스 선 에 전기 적 으로 접속 되 는 트랜지스터 의 소스 가 , 화소 의 오른쪽 내측 의 소스 선 과 교차 된다 . 본 발명 의 일 형태 에 따르 면 , 화소 전극 과 같 은 단계 에서 형성 될 수 있 는 도전 층 과 , 트랜지스터 의 게이트 와 같 은 단계 에서 형성 될 수 있 는 도전 층 을 사용 함 으로써 , 화소 의 왼쪽 외측 의 소스 선 에 전기 적 으로 접속 되 는 트랜지스터 의 소스 와 , 화소 의 왼쪽 내측 의 소스 선 간 의 단락 을 방지 한다 . 또한 본 발명 의 일 형태 에 따르 면 , 화소 전극 과 같 은 단계 에서 형성 될 수 있 는 도전 층 과 , 트랜지스터 의 게이트 와 같 은 단계 에서 형성 될 수 있 는 도전 층 을 사용 함 으로써 , 화소 의 오른쪽 외측 의 소스 선 에 전기 적 으로 접속 되 는 트랜지스터 의 소스 와 , 화소 의 오른쪽 내측 의 소스 선 간 의 단락 을 방지 한다 . 그러므로 , 열 마다 4 개 의 소스 선 을 포함 하 는 구조 이 어도 , 열 마다 하나 또는 2 개 의 소스 선 을 포함 하 는 구조 를 얻 는 단계 와 비슷 한 단계 수 , 더 구체 적 으로 는 포토 리소그래피 의 단계 수 를 늘리 지 않 고 4 개 의 소스 선 을 제공 할 수 있 다 . 즉 , 포토 마스크 의 개수 를 늘리 지 않 고 4 개 의 소스 선 을 제공 할 수 있 다 . 이 로써 , 표시 장치 의 제작 비용 의 증가 를 억제 할 수 있 다 .