도 2 의 단계 ( d ) 를 참조 하 면 , 제 1 절연성 반도체 박막 ( 120 - 1 ) 상 에 제 1 양자 점층 ( 132 ) 이 형성 된 후 , 제 1 양자 점층 ( 132 ) 상 에 제 2 절연성 반도체 박막 ( 120 - 2 ) 을 형성 한다 . 제 2 절연성 반도체 박막 ( 120 - 2 ) 은 도 2 의 단계 ( a ) 의 제 1 절연성 반도체 박막 ( 120 - 1 ) 의 형성 방법 및 형성 물질 과 동일 한 방법 , 물질 등 이 이용 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 분자 빔 성 장법 을 이용 하 여 절연성 GaAs 를 약 40 초 동안 성장 시킴 으로써 절연성 GaAs 박막 을 제 1 양자 점층 ( 132 ) 상 에 약 6 . 5 nm 두께 로 형성 시킬 수 있 다 .