자기 메모리 ( 100 ) 는 향상 된 성능 을 가질 수 있 다 . 자유 층 ( 112 ) 은 스핀 궤도 상호 작용 토크 및 스핀 궤도 상호 작용 활성 층 ( 130 ) 을 통해 면 - 내 로 구동 되 는 전류 를 사용 하 여 프로그래밍 될 수 있 다 . 어떠 한 스핀 전달 토크 기록 전류 도 프로그래밍 을 위해 자기 접합부 ( 110 ) 를 통해 구동 되 지 않 기 때문 에 , 자기 접합부 ( 110 ) 가 손상 되 는 것 을 방지 할 수 있 다 . 자유 층 ( 112 ) 이 경사진 자화 용 이축 ( EA ) 을 갖 는 경우 , 스핀 궤도 상호 작용 토크 를 이용 하 여 원 하 는 상태 로 기록 하 기 위해 외부 자기장 이 요구 되 지 않 는다 . 결과 적 으로 , 추가 적 인 전류 운반 라인 이 포함 될 필요 가 없 다 . 인접 한 자기 접합부 를 방해 할 수 있 는 장거리 자기장 의 사용 을 또한 피할 수 있 다 . 자유 층 ( 112 ) 이 높 은 감쇠 상수 를 갖 는 경우 , 스핀 궤도 상호 작용 토크 를 이용한 스위칭 은 빠를 수 있 다 . 자유 층 ( 112 ) 이 경사진 자화 용 이축 ( EA ) 및 높 은 감쇠 상수 를 모두 갖 는다면 , 외부 자기장 이 없 는 경우 빠른 스위칭 이 달성 될 수 있 다 . 따라서 , 자기 메모리 ( 100 ) 의 성능 이 향상 될 수 있 다 .