반도체 장치 의 제조 공정 에서 는 반도체 기판 의 표면 에 소자 들 을 형성 하 기 위하 여 다수 의 포토 리소그래피 공정 을 실시 한다 . 이러 한 포토 리소그래피 공정 을 통해 고집 적 회로 를 형성 하 기 위해서 는 미세 한 패턴 을 갖 는 포토 마스크 가 요구 되 고 있 다 . 현재 포토 마스크 를 제작 하 는 과정 에서 , 포토 마스크 상 에 패턴 형성 공정 은 전자 빔 ( Electron Beam ) 을 이용 한 포토 리소그래피 ( Photolithography ) 공정 을 이용 하 여 진행 하 고 있 다 . 전자 빔 을 이용 한 포토 리소그래피 공정 은 패턴 의 모양 그대로 전자 빔 을 이동 시키 면서 패턴 을 형성 하 므로 별도 의 마스크 를 필요 로 하 지 않 는다는 장점 이 있 다 . 그러나 극자외선 ( EUV ; Extreme Ultra Violet ) 용 포토 마스크 를 제작 하 기 위해 전자 빔 을 사용 할 경우 , 수십 내지 수백 eKv 의 에너지 를 이용 하 여 전자 를 가속 시키 고 그 전자 가 마스크 표면 에 직접 작용 되 기 때문 에 포토 마스크 표면 에 영향 을 미칠 수 있 다 . 특히 블랭크 마스크 ( blank mask ) 의 경우 , 몰리브덴 ( Mo ) 막 과 실리콘 ( Si ) 막 의 적층 구조 로 된 미러 층 ( mirror layer ) 을 포함 하 여 형성 되 는데 , 포토 마스크 표면 에 전자 의 영향 을 받 을 경우 미러 층 에 손상 을 줄 가능 성 이 크 다 .