본 발명 < 2 > 에 관한 에칭 제 에서 는 W 계 금속 막 을 용해 시키 는 수산화물 이온 및 히드록실기 를 가지 는 포스폰산 계 킬레이트제 이외 의 용해 에 관여 하 지 않 은 음 이온 종 을 에 칭제 중 에 소 정량 함유 시킴 으로써 , 텅스텐 과 텅스텐 보다 이온 화 경향 이 낮 은 금속 ( 저 이온 화 경향 금속 ) 의 접촉 에 의한 이종 금속 전지 효과 때문 에 , 수산화물 이온 에 의해 W 계 금속 막 표면 에 형성 되 는 상기 이중 층 을 텅스텐 , 텅스텐 보다 이온 화 경향 이 낮 은 금속 및 에 칭제 ( 전해액 ) 의 3 개 가 접촉 하 는 계면 근방 에 국재 하 지 않 도록 분산 시켜서 , 이 종금 속 접촉 부식 을 저감 하 는 것 을 목적 으로 하 고 있 다 . 실시 예 9 ~ 28 의 결과 에서 명백 한 바 와 같이 , 에 칭제 중 에 포함 되 는 음 이온 종 으로 는 산화력 을 가지 지 않 고 수용액 중 에 안정 되게 존재 할 수 있 는 것 이 바람직 하 고 , 음 이온 종 의 농도 가 전기 이중 층 을 금속 접촉 계면 으로부터 분산 시키 고 , 막 표면 에서 의 전자 의 수수 ( transfer of electron ) 를 지나치 게 강력 하 지 않 은 범위 로 조정 할 필요 가 있 다는 것 이 밝혀졌 다 . 한편 , 염기 성 화합물 에 포함 되 는 양이온 종 은 상기 텅스텐 보다 도 이온 화 경향 이 낮 은 금속 표면 상 에서 의 전자 의 수수 가 일어나 기 어려울 정도 로 이종 금속 접촉 부식 에 의한 사이드 에칭 이 작아지 는 것 이 예상 된다 . 또 , 참고 예 3 ~ 5 의 결과 에서 명백 한 바 와 같이 , 염기 성 화합물 에 포함 되 는 양이온 종 으로서 칼륨 이온 보다 몰 전도도 가 작 은 나트륨 이온 이나 유기 아민 인 TMAH 의 4 급 암모늄 이온 이 칼륨 이온 과 비교 하 여 전자 의 수수 가 발생 하 기 어렵 기 때문 에 , 이 종금 속 접촉 부식 에 의한 사이드 에칭 이 억제 된다는 것 이 밝혀졌 다 . 또한 , 그 농도 범위 도 한정 된다는 것 이 시사 되 었 다 . 이러 한 결과 로부터 본 발명 < 2 > 에 관한 에칭 제 와 에칭 방법 을 사용 함 으로써 , W 계 금속 막 과 텅스텐 보다 도 이온 화 경향 이 낮 은 금속 으로 이루어지 는 적 층막 을 처리 하 였을 때 에 발생 하 는 이종 금속 접촉 부식 에 의한 사이드 에칭 을 저감 또는 억제 할 수 있 게 되 었 다 .