이어서 , 제 1 내지 제 3 비어홀 ( 635 a , 635 b , 635 c ) 을 포함 한 제 1 기판 ( 600 ) 상 에 제 3 도전 층 을 적층 한다 . 그런 다음 , 제 3 도전 층 을 패 터닝 하 여 제 2 비어홀 ( 635 b ) 및 제 3 비어홀 ( 635 c ) 을 통하 여 소오 스 전극 ( 625 b ) 과 제 2 전원 라인 ( 610 b ) 을 전기 적 으로 연결 시키 는 제 1 연결 배선 ( 640 ) 을 형성 한다 .