반도체 웨이퍼 프로세싱 동안 에 , 공지 의 패 터닝 및 에칭 프로세스 들 을 사용 하 여 웨이퍼 내 에 반도체 디바이스 의 피 쳐 들 이 정의 된다 . 이 들 프로세스 들 에서 , 웨이퍼 상 에 포토레지스트 ( PR ) 재료 가 증착 되 고 , 그 후 레티 클 에 의해 필터링 된 광 에 노출 된다 . 일반 적 으로 , 레티 클 은 광 이 레티 클 을 통해 전파 하 는 것 을 차단 하 는 예시 적 인 피쳐 지오 메트리 들 로 패 터닝 된 글래스 플레이트 이 다 .