도 10 을 더 참조 하 면 , 게이트 전극 ( 158 , 258 ) 이 게이트 유전체 ( 156 , 256 ) 상 에 각각 형성 된다 . 각각 의 게이트 전극 ( 158 , 258 ) 은 컨 포 멀 층 으로서 형성 될 수 도 있 는 복수 의 적층 된 금속 층 , 및 각각 의 트렌치 ( 52 ) 의 나머지 를 충전 하 는 충전 - 금속 영역 을 포함 할 수 도 있 다 . 적층 된 금속 층 은 배리어 층 , 배리어 층 위 의 일 함수층 ( work function layer ) , 및 일 함수층 위 의 하나 또는 복수 의 금속 캡 핑 층 ( capping layer ) 을 포함 할 수 도 있 다 .