도 11 을 참조 하 면 , 상기 유전 막 ( 150 ) 상 에 제 3 도 전막 ( 미 도시 ) 이 형성 된다 . 상기 제 3 도전 막 은 도전 성 폴리 실리콘 또는 금속 물질 을 포함 할 수 있 다 . 상기 금속 물질 은 텅스텐 및 / 또는 탄 탈륨 을 포함 할 수 있 다 . 상기 제 3 도 전막 상 에 마스트 패턴 ( 미 도시 ) 이 형성 된다 . 상기 마스크 패턴 은 상기 소자 분리 영역 과 교차 하 는 방향 으로 연장 될 수 있 다 . 상기 마스크 패턴 은 상기 개구부 ( 152 ) 를 덮 을 수 있 다 . 상기 마스크 패턴 을 이용 하 여 상기 제 3 도 전막 , 상기 유전 막 ( 150 ) 및 상기 도전 라인 ( 120 ) 이 순차 적 으로 패 터닝 된다 . 이때 , 상기 내부 쉴 딩 라인 ( 132 ) 은 상기 외부 쉴 딩 라인 ( 142 ) 에 의해 보호 될 수 있 다 . 즉 , 상기 패 터닝 은 상기 외부 쉴 딩 라인 ( 142 ) 에 대해 식각 속도 가 느린 공정 을 이용 하 여 수행 될 수 있 다 . 이후 , 상기 마스크 패턴 이 제거 된다 .