집적회로 소자 의 대용량 화 및 고집 적 화 에 따라 기판 상 에 수직 방향 으로 복수 의 메모리 셀 을 적층 하 여 메모리 용량 을 높이 는 수직 형 메모리 소자 가 제안 되 고 있 다 . 수직 형 메모리 소자 에서 수직 방향 을 따르 는 셀 적층 밀도 를 높이 는 경우 메모리 셀 각각 의 수직 높이 및 수직 방향 으로 서로 인접 한 메모리 셀 들 사이 의 간격 이 감소 하 여 , 메모리 셀 에 충분 한 전하 를 저장 할 수 없 거나 인접 한 메모리 셀 들 사이 에 간섭 이 발생 할 수 있 어 집적회로 소자 의 신뢰 성 이 저하 될 수 있 다 .