또한 , 본 발명 의 다른 측면 에 따르 면 , 전도성 플러그 가 형성 된 기판 상 에 상기 플러그 를 노출 시키 는 절 연막 을 형성 하 는 단계 , 상기 절 연막 을 포함 하 는 기판 을 산 소 를 포함 하 는 가스 로 플러싱 ( flushing ) 하 는 단계 , 플러싱 된 기판 의 단차 를 따라 하부 전극 을 형성 하 는 단계 , 상기 하부 전극 상 에 유전 막 을 형성 하 는 단계 및 상기 유전 막 상 에 상부 전극 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 반도체 소자 제조 방법 을 제공 한다 .