특히 , 주변 회로 영역 에 형성 되 는 피 모스 트랜지스터 에서 는 그 캐리어 ( carrier ) 인 정공 ( hole ) 에 의해 전자 ( electron ) 가 부수 적 으로 생성 되 는데 , 이 전자 는 채널 과 인접 한 소자 분리 막 내부 로 유입 ( trapping ) 되 어 피 모스 트랜지스터 의 채널 을 인 버전 ( inversion ) 시킴 으로써 , 도 1 에 도시 된 바 와 같이 , 채널 의 유효 길이 를 감소 시킨다 . 이 와 같 은 전자 의 유입 에 의한 채널 의 인 버전 ( inversion ) 현상 은 전계 가 인가 되 는 드레 인 영역 ( D ) 과 인접 한 채널 부분 에서 발생 하 게 된다 .