예컨대 , 제 2 환형 부재 ( 26 b ) 의 높이 에 따라 , 도 4 의 ( b ) 에 도시 된 바 와 같이 고유 전 율 재 의 제 1 환형 부재 ( 26 a ) 에서 저 유전율 재 의 제 1 환형 부재 ( 26 a ) 로 바꾼다 . 그렇게 하 면 , 식 ( 1 ) 및 식 ( 2 ) 에 기초 하 여 정전 용량 ( C ) 이 작아지 고 , 임피던스 는 낮 은 상태 에서 높 은 상태 가 된다 . 그렇게 하 면 , 플 라즈 마 에 공급 되 는 제 1 고주파 전력 의 손실 이 커진다 . 이 때문 에 , 시스 가 두꺼운 상태 에서 얇 은 상태 가 되 고 , 플라 즈 마 밀도 가 높 은 상태 에서 낮 은 상태 가 된다 . 따라서 , 기판 ( W ) 상 의 시스 와 제 2 환형 부재 ( 26 b ) 상 의 시스 가 동일 한 두께 가 되 는 유전율 ( ε r ) 의 제 1 환형 부재 ( 26 a ) 를 공간 ( A ) 에 배치 함 으로써 공간 ( A ) 의 유전율 을 조정 하 여 , 에칭 형상 이 수직 에 대하 여 소정 각도 로 기우 는 틸팅 을 방지 할 수 있 다 .