특히 , 노광 공정 에서 사용 하 는 감광액 인 PR 은 반도체 나 TFT - LCD 제조 공정 에 있 어 세정 대상 의 유기물 중 분해 가 가장 어려운 유기 화합물 로서 , 현재 제조 공정 에서 사용 되 고 있 는 PR 제거 공정 은 레이저 , 전자 빔 , 플 라즈 마 등 에 의한 dry ashing 공정 과 화학 용액 인 황산 기반 의 SPM ( 황산 / 과산화수소 / 물 혼합액 ) 용액 또는 유성 화학 액 을 이용 한 습식 제거 ( wet strip ) 공정 을 혼합 하 여 사용 하 고 있 다 . 이러 한 혼합 공정 의 사용 은 플 라즈 마 등 에 의한 dry ashing 공정 이 pattern 의 손상 , 불 완전 한 PR 제거율 , 잔사 발생 문제 등 을 유발 하 기 때문 에 , 이 의 처리 를 위해 화학 용액 에 의한 습식 공정 이 필수 적 으로 수반 되 어야 하 는 데 기인 한다 .