상기 제 1 보조 층 ( 51 ) 은 상기 제 2 하부 전극 ( 44 ) 상 에 형성 될 수 있 다 . 상기 제 1 보조 층 ( 51 ) 은 언더 레이어 ( under layer ; UL ) , 씨드 ( seed ) 층 , 스 페이서 ( spacer ) 층 , 자기 보정 층 , 시프트 캔 슬링 층 ( shift cancelling layer ; SCL ) , 식각 정지 층 , 또는 이 들 의 조합 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 면 , 상기 제 1 보조 층 ( 51 ) 은 언더 레이어 ( UL ) 를 포함 할 수 있 다 . 일 실시 예 에서 , 상기 제 1 보조 층 ( 51 ) 은 AlN 층 을 포함 할 수 있 다 .