도 32 의 단면도 ( 3200 ) 에 의해 예시 된 바 와 같이 , 로직 영역 ( 104 l ) 으로부터 더미 게이트 유전체 층 ( 183 ) 을 제거 하 도록 부가 의 에칭 이 수행 될 수 있 다 . 이 에칭 프로세스 ( 들 ) 는 또한 로직 영역 ( 104 l ) 으로부터 상부 패드 층 ( 404 ) ( 도 31 참조 ) 을 제거 할 수 있 다 . 에칭 은 , 상부 패드 층 ( 404 ) 이 하부 패드 층 ( 402 ) 보다 더 높 은 감응 도 를 갖 고 하부 패드 층 ( 402 ) 상 에서 정지 할 수 있 는 에칭 프로세스 로 종료 될 수 있 다 . 도 32 에 예시 된 바 와 같이 , 이 에칭 은 더미 게이트 유전체 층 ( 183 ) 이 경계 측벽 스 페이서 ( 185 ) 에 대해 리세 싱 되 는 영역 ( 3201 ) 을 생성 하 는 경향 이 있 다 . 따라서 , 경계 측벽 스 페이서 ( 185 ) 에 의해 정의 된 매끄러운 표면 ( 3101 ) 은 더미 게이트 유전체 층 ( 183 ) 에 의해 이어지 지 않 는다 . 이 도면 에 사용 된 스케일링 으로 인해 , 리세 싱 된 영역 ( 3201 ) 은 그 의 높이 보다 더 작 은 폭 을 갖 는 것 으로 나타나 있 지만 , 더미 게이트 유전체 층 ( 183 ) 은 매우 얇 고 이 리세 스 의 깊이 는 그 의 폭 을 크 게 넘 을 수 있 다 .