반도체 층 들 ( 231 _ 1 및 231 _ 2 ) 의 각각 은 In 의 원자 수비 가 M 의 원자 수비 보다 높 은 영역 을 포함 하 는 것 이 바람직 하 다 . 예 를 들 어 , " 반도체 층 들 ( 231 _ 1 및 231 _ 2 ) 의 각각 에서 의 In 대 M 대 Zn 의 원자 수비 를 In : M : Zn = 4 : 2 : 3 또는 그 근방 으로 하 는 것 이 바람직 하 다 . 여기 서 "" 근방 "" 이 라는 용어 로 나타내 어 지 는 범위 에 대하 여 말 하 자면 ", In 이 4 일 때 M 은 1 . 5 내지 2 . 5 의 범위 에 있 고 , Zn 은 2 내지 4 의 범위 에 있 다 . 또는 , 반도체 층 들 ( 231 _ 1 및 231 _ 2 ) 의 각각 에서 의 In 대 M 대 Zn 의 원자 수비 를 In : M : Zn = 5 : 1 : 6 또는 그 근방 으로 하 는 것 이 바람직 하 다 . 상술 한 바 와 같이 , 실질 적 으로 조성 이 같 은 반도체 층 들 ( 231 _ 1 및 231 _ 2 ) 은 , 같 은 스퍼터링 타깃 을 사용 하 여 형성 될 수 있 기 때문 에 , 제조 비용 을 삭감 할 수 있 다 . 같 은 스퍼터링 타깃 을 사용 하 는 경우 , 같 은 진공 체임버 에서 반도체 층 들 ( 231 _ 1 및 231 _ 2 ) 을 연속 적 으로 형성 할 수 있 다 . 이 에 의하 여 , 반도체 층 들 ( 231 _ 1 및 231 _ 2 ) 의 계면 에 불순물 이 들어가 는 것 을 억제 할 수 있 다 .