도 5 를 참조 하 면 , 반도체 기판 ( 200 ) 에 활성 영역 을 정의 하 기 위한 소자 분리 막 ( 202 ) 을 형성 한다 . 상기 소자 분리 막 ( 202 ) 은 여러 가지 방법 으로 형성 할 수 있 으나 , 예컨대 쉘로우 트렌치 분리 ( STI ) 공정 을 사용 하 는 경우 를 예 로 들 어 상세히 설 명 하 면 , 먼저 반도체 기판 ( 200 ) 상 에 패드 산화 막 ( 도시 되 지 않 음 ) 및 마스크 용 질화 막 ( 도시 되 지 않 음 ) 을 형성 한 후 사진 식각 공정 으로 패드 산화 막 과 마스크 용 질화 막 을 패 터닝 하 여 소자 분리 막 이 형성 될 영역 의 반도체 기판 ( 200 ) 을 노출 시킨다 . 패 터닝 된 상기 마스크 용 질화 막 을 식각 마스크 로 사용 하 여 반도체 기판 ( 200 ) 을 소정 깊이 , 즉 소자 간 분리 에 적합 한 깊이 로 식각 하 여 트렌치 를 형성 한다 . 이렇게 형성 된 트렌치 를 산화 막 과 같 은 절 연막 으로 매립 한 다음 , 매립 된 절 연막 의 표면 을 예컨대 화학 기계 적 연마 ( CMP ) 공정 으로 평탄 화 하 여 소자 분리 막 ( 202 ) 을 형성 한다 .