반도체 메모리 장치 가 X 4 또는 X 8 의 데이터 입출력 구조 를 가지 는 경우 에지 서브 어레이 를 활성 화 시킬 때 제 1 승압 전압 발생기 ( 1210 ) 는 승압 전압 ( VPP ) 및 승압 전류 ( IA _ VPP ) 를 출력 한다 . 이 때 , 제 2 승압 전압 발생기 ( 1220 ) 는 승압 전압 ( VPP ) 및 승압 전류 ( IB _ VPP ) 를 출력 하 지 않 고 , 제 3 승압 전압 발생기 ( 1230 ) 는 승압 전압 ( VPP ) 및 승압 전류 ( IC _ VPP ) 를 출력 한다 . 따라서 , 반도체 메모리 장치 가 X 4 또는 X 8 의 데이터 입출력 구조 를 가지 는 경우 에지 서브 어레이 를 활성 화 시킬 때 승압 전압 발생 회로 ( 1200 ) 의 출력 전류 ( I _ VPP ) 는 제 1 승압 전압 발생기 ( 1210 ) 의 출력 전류 ( IA _ VPP ) 와 제 3 승압 전압 발생기 ( 1230 ) 의 출력 전류 ( IC _ VPP ) 를 합한 전류 가 된다 .