극히 조사 시간 이 짧 은 플래시 광 을 조사 함 으로써 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 표면 을 급격 하 게 승 온 시키 는 플래시 가열 에서 는 , 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 표리 면 에 온도 차 가 발생 한다 . 즉 , 플래시 광이 조사 된 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 표면 이 선행 하 여 승 온 하 고 , 그 표면 으로부터 의 열전도 에 의해 이면 이 늦 게 승 온 한다 . 또한 , 플래시 가열 시 에 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 이면 이 도달 하 는 최고 온도 는 표면 이 도달 하 는 최고 온도 ( 처리 온도 ( T 2 ) ) 보다 낮 다 . 따라서 , 플래시 광이 조사 된 직후 의 방사 온도계 ( 120 ) 의 온도 측정 결과 와 방사 온도계 ( 140 ) 의 온도 측정 결과 는 다르 다 . 또한 , 플래시 가열 시 에 있 어서 의 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 이면 의 온도 변화 는 표면 의 온도 변화 와 비교 하 면 완만 한 것 이 된다 .