하지만 , 상기 박막 형성 장치 에서 형성 된 박막 을 포함 하 는 기판 은 상대 적 으로 고온 의 상태 를 유지 한다 . 따라서 , 고온 상태 의 기판 을 베벨 부 식각 장치 에서 처리 할 경우 상기 베벨 부 식각 장치 의 챔버 내부 에 많 은 양 의 이 물질 이 발생 하 게 된다 . 또한 , 상기 박막 형성 장치 및 베벨 부 식각 장치 사이 에 기판 을 이송 모듈 에서 대기 할 경우 , 그 대기 시간 이 일정 하 지 않 으므로 후속 하 는 상기 베벨 부 식각 장치 에서 진행 되 는 식각 공정 이 균일 하 게 진행 되 지 않 은 문제 가 발생 할 수 있 다 . 따라서 , 기판 처리 시스템 은 고온 상태 의 기판 을 일정 한 온도 로 냉각 시키 기 위한 냉각 챔버 를 더 포함 한다 .