상기 기판 ( 100 ) 의 전면 에 알루미늄 ( Al ) , 알루미늄 합금 ( AlNd ) , 텅스텐 ( W ) , 구리 ( Cu ) , 몰리브덴 ( Mo ) , 크롬 ( Cr ) , 몰리 텅스텐 ( MoW ) 등 을 포함 하 는 도전 성 금속 그룹 중 선택 된 하나 를 증착 하 고 패턴 하 여 , 상기 화소 영역 ( P ) 의 제 1 변 을 따라 게이트 배선 ( 도 5 의 102 ) 을 형성 한다 . 이때 , 상기 게이트 배선 ( 102 ) 의 일부 를 게이트 전극 ( 104 ) 으로 사용 하 거나 , 상기 게이트 배선 ( 102 ) 에서 돌출 연장 하 여 게이트 전극 ( 104 ) 을 형성 한다 .