도 20 c 를 참조 하 면 , 유전 층 ( 122 ) 의 일부분 을 제거 하 여 솔 더 레지스 트 층 ( 124 ) 을 형성 한다 . 유전 층 ( 122 ) 의 일부분 을 제거 하 는 것 은 포토 리소그래피 공정 을 포함 할 수 있 다 . 외부 패드 들 ( 115 ) 은 솔 더 레지스 트 층 ( 124 ) 에 의해서 노출 된다 . 바이패스 패드 들 ( 120 ) 은 솔 더 레지스 트 층 ( 124 ) 에 의해서 노출 되 지 않 을 수 있 다 ( 또는 덮일 수 있 다 ) . 선택 적 으로 , 바이패스 패드 들 ( 120 ) 의 일부 는 솔 더 레지스 트 층 ( 124 ) 에 의해서 노출 될 수 있 고 , 바이패스 패드 들 ( 120 ) 의 다른 것 들 은 노출 되 지 않 고 솔 더 레지스 트 층 ( 124 ) 에 의해서 덮일 수 있 다 . 간략 화 를 위해서 표현 하 지 않 았 지만 , 다른 통상 적 인 PCB 물질 들 이 코어 절연체 ( 106 ) 상 에 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 다른 포토레지스트 층 이 솔 더 레지스 트 층 ( 124 ) 반대편 코어 절연체 ( 106 ) 의 다른 면 상 에 형성 된다 .