상기 ( C ) 단계 의 열처리 는 0 . 1 내지 10 기압 하 에서 수행 될 수 있 다 . 기존 의 게르마늄 기판 의 결함 을 줄이 기 위하 여 70 기압 이상 의 고압 에서 게르마늄 의 산화 를 진행 하 는 등 의 방법 이 존재 하 였으나 , 이러 한 방법 은 고압 장비 가 요구 되 고 경제 적 으로 효율 이 떨어진다는 문제 가 있 었 다 . 본 발명 의 게르마늄 - 게르마늄 산화 막 - 고유 전체 산화 막 의 제조 방법 은 고압 조건 을 요구 하 지 않 으며 , 압력 조건 의 제어 가 불 필요 한 1 기압 하 에서 도 제조 될 수 있 어서 공정 상 으로 , 경제 적 으로 유리 하 다는 장점 이 있 다 .