그 결과 를 도 5 , 도 6 에 나타낸다 . 도 5 는 종래 기술 의 순서 에 의해 성막 한 실리콘 산화 막 의 성막 속도 를 1 로 했 을 경우 의 , 본 실시 형태 의 제 1 순서 , 제 2 순서 에 의해 성막 한 실리콘 산화 막 의 성막 속도 비율 을 나타내 고 있 다 . 도 6 은 , 종래 기술 의 순서 에 의해 성막 한 실리콘 산화 막 의 웨이퍼 면내 에 있 어서 의 막 두께 분포 균일성 을 1 로 했 을 경우 의 , 본 실시 형태 의 제 1 순서 , 제 2 순서 에 의해 성막 한 실리콘 산화 막 의 웨이퍼 면내 에 있 어서 의 막 두께 분포 균일성 비율 을 나타내 고 있 다 . 한편 , 막 두께 분포 균일성 은 , 웨이퍼 면내 에 있 어서 의 막 두께 분포 의 격차 의 정도 를 나타내 고 , 그 값 이 작 을수록 웨이퍼 면내 에 있 어서 의 막 두께 분포 균일성 이 양호 함 을 니 타내 고 있 다 .