상술 한 바 와 같이 , 본 발명 의 실시 예 따른 반도체 소자 의 듀얼 폴리 게이트 형성 방법 은 , 종래 이온 주입 방식 ( implantation ) 으로 구현 하 기 어려운 도핑 레벨 ( doping level ) 을 구현 할 수 있 다 . 또한 이온 주입 마스크 로 질화 막 을 이용 함 으로써 포토레지스트 막 의 경화 에 의해 발생 하 는 포토레지스트 막 잔여물 및 세정 단계 추가 와 같이 공정 단계 가 복잡 해 지 는 것 을 방지 할 수 있 다 . 또한 , 단일 소스 물질 을 이용 한 이온 확산 공정 을 진행 함 에 따라 후속 세정 공정 에서 불순물 이 손실 ( loss ) 되 는 것 을 방지 할 수 있 다 . 아울러 이온 확산 공정 을 이용 함 에 따라 이온 주입 방법 시 반 도체 층 손상 에 의해 핀 홀 결함 이 발생 하 는 것 을 방지 할 수 있 다 .