본 발명 의 또 다른 실시 예 에 따른 불휘발성 메모리 장치 의 동작 방법 은 소거 커맨드 및 어 드레스 를 수신 하 는 단계 ; 스트링 선택 라인 카운트 를 초기 화 하 는 단계 ; 상기 수신 된 소거 커맨드 및 어 드레스 에 응답 하 여 , 복수 의 스트링 선택 라인 들 에 대응 하 는 복수 의 메모리 셀 들 을 소거 하 는 단계 ; 그리고 상기 스트링 선택 라인 카운트 를 스트링 선택 라인 어드레스 로 변환 하 는 단계 ; 상기 복수 의 스트링 선택 라인 들 중 상기 변환 된 스트링 선택 라인 어드레스 에 대응 하 는 스트링 선택 라인 을 선택 하 는 단계 ; 상기 선택 된 스트링 선택 라인 에 대응 하 는 메모리 셀 들 을 소거 검증 하 는 단계 를 포함 하 고 ; 상기 소거 검증 의 결과 가 소거 패스 이 면 , 상기 스트링 선택 라인 카운트 가 증가 되 고 , 상기 스트링 선택 라인 어드레스 로 변환 하 는 단계 , 상기 스트링 선택 라인 을 선택 하 는 단계 , 그리고 상기 소거 검증 하 는 단계 가 다시 수행 되 고 , 상기 소거 검증 의 결과 가 소거 페일 이 면 , 상기 소거 하 는 단계 및 상기 스트링 선택 라인 카운트 에 대응 하 는 메모리 셀 들 을 소거 검증 하 는 단계 가 다시 수행 되 고 , 상기 불휘발성 메모리 장치 는 기판 및 상기 기판 과 교차 하 는 방향 으로 적층 된 복수 의 메모리 셀 들 을 포함 한다 .