절연 층 은 후 의 게이트 절연 층 으로 되 는 것 이 며 , 예 를 들 어 반도체 영역 ( 604 ) 표면 의 열처리 ( 열 산화 처리 나 열 질화 처리 등 ) 에 의해 형성 할 수 있 다 . 열처리 대신 에 , 고밀도 플라 즈 마 처리 를 적용 해도 좋 다 . 고밀 도 플 라즈 마 처리 는 , 예 를 들 어 He , Ar , Kr , Xe 등 의 희가스 , 산소 , 산화질소 , 암모니아 , 질소 , 수소 등 의 혼합 가스 를 사용 하 여 행할 수 있 다 . 물론 , CVD 법 이나 스퍼터링 법 등 을 사용 하 여 절연 층 을 형성 해도 좋 다 . 당해 절연 층 은 , 산화 실리콘 , 산질 화 실리콘 , 질화 실리콘 , 산화 하프늄 , 산화알루미늄 , 산화 탄탈 , 산화 이트륨 , 하프늄 실리케이트 ( HfSixOy ( x > 0 , y > 0 ) ) , 질소 가 첨가 된 하프늄 실리케이트 ( HfSixOy ( x > 0 , y > 0 ) ) , 질소 가 첨가 된 하프늄 알 루미 네이트 ( HfAlxOy ( x > 0 , y > 0 ) ) 등 을 포함 하 는 단층 구조 또는 적층 구조 로 하 는 것 이 바람직 하 다 . 또한 , 절연 층 의 두께 는 , 예 를 들 어 1 ㎚ 이상 100 ㎚ 이하 , 바람직 하 게 는 10 ㎚ 이상 50 ㎚ 이하 로 할 수 있 다 .