첫째 , 제 1 도 전막 ( 202 ) 상부 와 소자 분리 막 ( 208 ) 양 끝 일부 영역 이 노출 되 도록 소자 분리 막 ( 208 ) 상부 에 포토레지스트 패턴 ( 미 도시 ) 를 형성 한 후 웰 접합 ( 204 ) 표면 에 제 2 절 연막 ( 210 ) 을 형성 한다 . 이때 , 제 2 절 연막 ( 210 ) 을 ONO ( Oxide - Nitride - Oxide ) 로 형성 하 여도 무방 하 나 , 제 2 절 연막 ( 210 ) 은 게이트 절 연막 역할 을 하 기 때문 에 두께 가 두꺼워 지 면 안 된다 . 따라서 , 제 2 절 연막 ( 210 ) 은 산화물 또는 질화 막 또는 산화물 과 질화 막 이 적층 된 적 층막 을 이용 하 여 20 Å 내지 400 Å 의 두께 로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 포토레지스트 패턴 을 제거 한다 .