먼저 , 도 1 a 에 도시 된 바 와 같이 , STI ( Shallow Trench Isolation ) 공정 을 실시 하 여 반도체 기판 ( 110 ) 내 에 매립 된 트렌치 구조 를 갖 는 소자 분리 막 ( 미 도시 ) 을 형성 한다 . 이때 , 소자 분리 막 은 매립 특성 이 우수 한 HDP ( High Density Plasma ) 막 또는 SOD ( Spion On Dielectric ) 막 으로 형성 하 거나 , 이 들 이 적층 된 적층 구조 로 형성 할 수 도 있 다 .