실시 형태 4 와 마찬가지 로 , 도 4 a 에 도시 하 는 바 와 같이 , 기판 ( 50 ) 위 에 게이트 전극 ( 51 ) 및 게이트 절 연막 ( 52 a , 52 b ) 을 형성 한다 . 다음 에 , 실시 형태 3 과 같 은 공정 을 거쳐 , 게이트 절 연막 ( 52 a , 52 b ) 위 에 도너 로서 기능 하 는 불순물 원소 를 함유 하 는 미결정 반도체 막 을 형성 한다 . 다음 에 , 상기 미결정 반도체 막 위 에 버퍼 층 ( 54 ) 을 형성 한다 . 다음 에 , 버퍼 층 ( 54 ) 위 에 레지스 트 마스크 를 형성 하 고 , 버퍼 층 , 및 도너 로서 기능 하 는 불순물 원소 를 함유 하 는 미결정 반도체 막 을 에칭 하 여 , 도너 로서 기능 하 는 불순물 원소 를 함유 하 는 미결정 반도체 막 ( 59 ) , 버퍼 층 ( 62 ) 을 형성 한다 .