이어서 , 도 2 c 에 도시 된 바 와 같이 , 에치 백 ( etch back ) 공정 과 같이 비등방성 식각 공정 을 통해 산화 막 ( 104 ) 을 식각 하 여 폴리 실리콘 막 ( 102 ) 의 측벽 에 윙 스 페이서 ( 104 A ) 를 형성 한다 . 이때 , 윙 스 페이서 ( 104 A ) 와 동일 물질 로 이루어진 산화 막 ( 103 A ) 또한 일부 식각 되 어 윙 스 페이서 ( 104 A ) 에 정렬 되 어 일정 깊이 로 홈 이 형성 된다 .