한편 , 반도체 소자 가 점차 고집 적 화 되 면서 , 트랜지스터 를 구성 하 는 게이트 라인 의 길이 ( length ) 와 선폭 ( width ) , 게이트 라인 의 유전 막 두께 및 소오 스 / 드레 인 의 접합 깊이 ( junction depth ) 크기 등 이 감소 되 었 고 , 이 에 따라 , 주변 회로 ( peripheral ) 의 채널 영역 의 면적 도 감소 되 었 다 .