종래 부터 , 배선 층 절 연막 속 의 누설 전류 에 따른 소비 전력 의 증가 가 알려져 있 었 지만 , 반도체 디바이스 의 배선 간격 이 1 ㎛ 를 초과 하 는 세대 에서 는 누설 에 따른 디바이스 전체 에 미치 는 영향 은 적 었 다 . 그러나 , 배선 간격 이 1 ㎛ 이하 에서 는 배선 간격 의 협일 화 ( 狹 溢 化 ) 와 배선 규모 의 증대 로부터 소비 전력 에 미치 는 영향 이 커지 고 , 특히 , 금후 0 . 1 ㎛ 이하 의 배선 간격 으로 회로 를 형성 하 면 , 배 선간 의 누설 전류 가 디바이스 의 특성 ? 수명 에 크 게 영향 을 미치 게 된다 .