이제 도 9 를 참조 하 면 , IBE 는 MRAM 스택 들 ( 158 - 2 ) 주변 의 재료 를 제거 하 도록 사용 된다 . 주 에칭 후 에 , 백 스퍼터링 되 고 손상 된 재료 가 통상 적 으로 MRAM 스택 들 ( 158 - 2 ) 의 측벽 들 상 에 위치 된다 . 재료 는 저 전력 트리밍 단계 동안 제거 된다 . 희생 적 갭 충 진 은 , 에치 프론트 가 실리콘 - 함유 재료 를 포함 하 기 때문 에 , 도전 성 재료 를 백스 퍼터 링 하 지 않 는 동안 측벽 으로 하여금 트리밍 되 게 한다 .