도 6 을 참조 하 면 , 희생 라이너 막 ( 도 5 의 160 ) 을 제거 하 여 , 완만 한 식각 프로 파일 을 갖 는 제 2 리 세스 트렌치 ( 132 ) 를 형성 한다 . 또한 , 희생 라이너 막 이 제거 됨 에 따라 , 소모 된 실리콘 의 두께 만큼 제 2 리 세스 트렌치 ( 132 ) 의 선폭 이 넓 어 질 수 있 다 . 이 에 따라 , 채널 길이 를 보다 더 증가 시켜 제한 된 면적 내 에서 단 채널 효과 를 효과 적 으로 억제 시킬 수 있 다 .