도 3 a 는 비트 라인 측 블 리더 다이오드 연결 회로 의 상세 를 나타낸 실시 예 를 도시 한 것 이 다 . 각 비트 라인 측 블 리더 다이오드 ( 300 ) 는 한 비트 라인 ( 122 , 124 ) 에 연결 되 는 제 1 단자 를 가지 며 , " 레벨 ( X 3 ) 에선 한 "" 특별 워드 라인 들 ""( 360 ) 에 ", 그리고 레벨 ( X 7 ) 에선 362 에 연결 되 는 제 2 단자 를 갖 는다 . 특별 워드 라인 들 ( 360 , 362 ) 은 이 들 이 어떠 한 워드 라인 드라이버 에 도 연결 되 지 않 고 대신 에 비트 라인 블 리더 다이오드 들 ( 300 ) 에 연결 하 기 위해 메모리 셀 워드 라인 들 과 병렬 로 워드 라인 레벨 에 제공 되 는 라인 들 이 기 때문 에 실제 메모리 워드 라인 들 이 아니 다 . 특별 워드 라인 들 ( 360 , 362 ) 은 동일 한 워드 라인 레벨 ( X 3 , X 7 ) 에서 보토 의 워드 라인 들 ( 366 ) 보다 는 짧 을 수 있 다 . 비트 라인 측 블 리더 다이오드 들 ( 300 ) 을 특별 워드 라인 들 ( 360 , 362 ) 및 라인 ( 312 ) 을 통해 저 - 바이어스 전압 ( Vubl ) 소스 ( 305 ) 에 결합 하 기 위해 NMOS 트랜지스터 ( 314 ) 가 사용 된다 . NMOS 트랜지스터 ( 314 ) 의 게이트 는 비트 라인 디코더 ( 120 ) 출력 리드 ( 322 ) 에 결합 된다 . Vubl 은 다이오드 를 통하 는 바이어스 전류 가 온도 의존 성 이 기 때문 에 온도 보상 이 될 수 있 다 . 특별 워드 라인 들 ( 360 , 362 ) 및 비트 라인 측 블 리더 다이오드 들 ( 300 ) 은 메모리 셀 어레이 의 끝 을 따라 위치 될 수 있 다 . 그러나 , 이 들 의 구조 및 메모리 장치 를 통하 는 경로 들 은 워드 라인 들 의 것 들 과 유사 하 다 . 도 3 a 에 도시 된 바람직 한 실시 예 에서 , 블 리더 다이오드 들 ( 300 ) 은 더미 저장 소자 ( 302 ) 에 결합 되 는 메모리 셀 들 ( 140 ) , 즉 다이오드 와 같 은 전류 스티어링 소자 ( 301 ) 와 동일 한 구조 를 포함 한다 . 스티어링 소자 ( 301 ) 로서 어떠 한 적합 한 2 단자 수동 장치 들 이 든 사용 될 수 있 다 . 전류 스티어링 소자 ( 301 ) 는 장래 에 개발 될 수 있 을 임의 의 전류 스티어링 소자 뿐 만 아니 라 , 다수 의 공지 된 유형 의 다이오드 들 로서 , 이를테면 p - n 반도체 다이오드 , p - i - n 반도체 다이오드 , 펀치 스루 다이오드 , 금속 절연체 금속 ( MIM ) 다이오드 또는 금속 절연체 - 절연체 금속 ( MIIM ) 다이오드 와 같 은 터널 장벽 다이오드 , 저항기 , 비 선형 저항기 , 등 중 어느 것 일 수 있 다 . 더미 저장 소자 ( 302 ) 는 안티 - 휴즈 유전체 , 휴즈 , 직렬 로 배열 된 다이오드 및 안티 - 휴즈 유전체 , 폴리 실리콘 메모리 효과 물질 , 금속 산화물 또는 전환 가능 금속 착 물 산화물 물질 , 탄소 나노 튜브 물질 , 그라핀 전환 가능 저항 물질 , 상변화 물질 , 도전 성 브리지 소자 , 전해질 전환 물질 , 전환 가능 폴리머 물질 , 및 탄소 저항률 전환 물질 을 포함 해서 , 자신 들 의 저 저항 상태 로 영구히 전환 되 는 다수 의 공지 된 저항률 전환 물질 들 중 어느 것 일 수 있 다 . 비트 라인 블 리더 다이오드 들 ( 300 ) 용 으로 메모리 셀 들 ( 140 ) 과 동일 한 구조 의 물질 들 을 사용 하 는 것 은 블 리더 다이오드 들 이 메모리 셀 어레이 의 나머지 와 동일 한 제조 단계 들 에서 제조 될 수 있 게 한다 . 도 12 ~ 도 14 에 관련 하 여 이하 기술 되 는 바 와 같이 , 비트 라인 블 리더 다이오드 들 ( 300 ) 은 더미 저장 소자 ( 302 ) 의 저항률 전환 물질 을 비가역 저 저항 상태 로 변환 하 는 사전 형성 단계 에서 제조 단계 후 에 사전 에 형성 될 수 있 다 .