그러나 , 상기 고상 결정 화법 은 결정 화 시간 이 너무 오래 걸리 뿐 만 아니 라 결정 성 이 나빠 회로 부 의 박막 트랜지스터 의 반도체 층 을 형성 하 는 데 부적합 하 고 , 상기 엑 시머 레이저 결정 화법 에 의한 결정 화법 은 상기 고상 결정 화법 에 비해 다결정 실리콘 층 의 결정 성 은 우수 하나 균일성 이 나쁘 다는 문제점 이 있 고 , 상기 금속 유도 결정 화법 및 금속 유도 측면 결정 화법 은 금속 촉매 의 잔류 에 의해 누설 전류 가 크 다는 단점 이 있 다 .