자기 터널 접합 ( 530 ) 의 제조 는 자유 층 ( 536 ) 이 비 자기 터널 링 장벽 ( 534 ) 위 에 증착 될 때 단계 ( 438 ) 에서 계속 된다 . 자유 층 ( 536 ) 의 제조 는 여러 단계 들 을 포함 한다 . 단계 ( 440 ) 에서 , 자기 층 ( 535 ) 이 비 자기 터널 링 장벽 ( 534 ) 위 에 증착 된다 . 일 실시 예 에서 , 자기 층 ( 535 ) 은 60 % 철 ( Fe ) , 20 % 코발트 ( Co ) 및 20 % 붕소 ( B ) 로 구성 되 고 1 . 2 나노미터 의 두께 를 갖 는 CoFeB 의 박막 으로 이루어진다 . 다른 실시 예 들 에서 , 자기 층 ( 535 ) 은 CoFeB 의 박막 또는 0 . 5 내지 2 . 0 나노미터 범위 의 두께 를 갖 는 다른 적합 한 자기 재료 를 포함 할 수 있 다 . 자유 층 ( 535 ) 의 제조 는 W 층 ( 537 ) 이 증착 되 는 단계 ( 442 ) 에서 계속 된다 . 일 실시 예 에서 , W 층 ( 537 ) 은 0 . 2 나노미터 의 두께 를 갖 는 W 의 박막 을 포함 하 고 , 다른 실시 예 들 에서 0 . 1 내지 1 . 0 나노미터 범위 의 두께 를 가질 수 있 다 . 단계 ( 444 ) 에서 , 자유 층 ( 536 ) 의 제조 는 자기 층 ( 539 ) 의 형성 으로 계속 된다 . 일 실시 예 에서 , 자기 층 ( 539 ) 은 60 % 철 ( Fe ) , 20 % 코발트 ( Co ) 및 20 % 붕소 ( B ) 로 구성 되 고 0 . 9 나노미터 의 두께 를 갖 는 CoFeB 의 박막 을 포함 할 수 있 다 . 다른 실시 예 들 에서 , 자기 층 ( 539 ) 은 CoFeB 의 박막 또는 0 . 5 내지 1 . 5 나노미터 범위 의 두께 를 갖 는 다른 적합 한 자기 재료 를 포함 할 수 있 다 .