도 2 를 참조 하 면 , 포토레지스트 패턴 ( 106 ) 을 식각 마스크 로 사용 하 여 하드 마스크 층 ( 104 ) 을 부분 적 으로 식각 함 으로써 , 버퍼 산화 막 ( 102 ) 상 에 하드 마스크 ( 104 a ) 를 형성 한다 . 하드 마스크 ( 104 a ) 는 버퍼 산화 막 ( 102 ) 중 아래 에 제 1 리세 스 ( 110 ) 가 형성 될 영역 을 노출 시킨다 . 포토레지스트 패턴 ( 106 ) 은 애 싱 ( ashing ) 공정 및 / 또는 스 트리핑 ( stripping ) 공정 을 이용 하 여 하드 마스크 ( 104 a ) 로부터 제거 될 수 있 다 .