상기 제 2 도전 형 반도체 층 ( 330 ) 은 챔버 에 트리 메틸 갈륨 가스 ( TMGa ) , 암모니아 가스 ( NH 3 ) , 질소 가스 ( N 2 ) , 및 마그네슘 ( Mg ) 과 같 은 p 형 불순물 을 포함 하 는 비세 틸 사이클 로 펜 타 디 에 닐 마그네슘 ( EtCp 2 Mg ) { Mg ( C 2 H 5 C 5 H 4 ) 2 } 가 주입 되 어 p 형 반도체 층 으로 형성 될 수 있 다 .