특히 , 본 실시 형태 에 따른 로드 포트 ( 1 ) 에서 는 , 발광 부 ( 50 ) 가 , 내 벽면 반사광 ( Lc ) 의 광축 ( Oc ) 의 중심부 가 촬상부 ( 52 ) 에 직접 향하 지 않 도록 , 조정 되 어 있 다 . 그 로 인해 , 촬상부 ( 52 ) 는 , 광 강도 가 강한 내 벽면 반사광 ( Lc ) 의 광축 ( Oc ) 의 중심부 를 피하 면서 , 용기 본체 ( 3 ) 내 에 수용 되 어 있 는 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 외주 단 에서 반사 된 기판 반사광 ( Lb ) 의 촬상 을 행할 수 있 다 . 따라서 , 촬상 화상 ( 51 ) 에 내 벽면 반사광 ( Lc ) 의 광축 ( Oc ) 의 중심부 가 찍히 는 것 을 방지 하 여 , 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 외 주단 이 선명 하 게 찍힌 촬상 화상 ( 51 ) 을 취득 하 는 것 이 가능 해진다 . 따라서 , 본 실시 형태 에 따른 로드 포트 ( 1 ) 에 의하 면 , 당해 촬상 화상 ( 51 ) 에 의거 해 , 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 상태 를 양호 한 정밀도 로 검출 할 수 있 다 .