제 8 실시 예 인 무선 IC 디바이스 는 도 14 에 나타내 는 급 전회 로 기판 ( 20 ) 을 구비 한 것 이 며 , 이 급전 회로 ( 21 ) 는 상기 제 5 실시 예 ( 도 11 참조 ) 와 기본 적 으로 동일 하 다 . 즉 , 시트 ( 121 a ) 상 에 는 급전 단자 전극 ( 122 a , 122 b ) , 실장 전극 ( 123 a , 123 b ) 이 형성 되 고 , 시트 ( 121 b ∼ 121 g ) 상 에 는 배선 전극 ( 125 a , 125 b ) 이 형성 되 어 있 다 . 또한 , 시트 ( 121 h ) 상 에 는 평면 전극 ( 128 a , 128 b ) 이 형성 되 어 있 다 .