집 적 회로 ( ICs ) 의 밀도 및 복잡도 증가 가 계속 됨 에 따라 , 포토 마스크 의 패턴 검사 는 점차 더 어려움 에 직면 하 고 있 다 . 매 신규 세대 의 IC 는 리소그래피 시스템 의 광학 한계 에 현재 이미 도달 하 고 그것 을 초과 하 는 더 밀집 하 고 더 복잡 한 패턴 을 가진다 . 이러 한 광학 한계 를 극복 하 기 위해서 , 광학 근접 보정 ( Optical Proximity Correction ; OPC ) 과 같 은 다양 한 분해능 향상 기술 ( Resolution Enhancement Techniques ; RET ) 이 도입 되 어 왔 다 . 예 를 들 어 , OPC 는 포토 마스크 패턴 을 변형 하 여 회절 한계 를 극복 하 도록 도와 , 프린트 된 결과 패턴 이 원래 원 하 던 패턴 에 대응 하 도록 한다 . 이러 한 변형 은 프린터 블 피처 ( printable features ) 와 같 은 주요 IC 피처 의 크기 및 가장 자리 에 대한 섭동 ( perturbation ) 을 포함 할 수 있 다 . 다른 변형 은 패턴 모서리 에 세리프 ( serifs ) 의 부 가 및 / 또는 근처 에 서브 분해능 어시스트 피쳐 ( sub - resoultion assist features ; SRAFs ) 를 제공 하 는 것 을 수반 하 며 , 이 는 프린트 되 는 피처 를 초래 할 것 으로 예상 되 지 않 으며 , 따라서 비 - 프린터 블 피처 ( non - printable features ) 로 지칭 된다 . 이러 한 비 - 프린터 블 피처 는 프린팅 프로세스 동안 발생 되 었 을 패턴 의 섭동 을 상쇄 할 것 으로 예상 된다 . 그렇지만 , OPC 는 마스크 패턴 을 더욱 복잡 하 게 하 고 일반 적 으로 웨이퍼 의 결과 이미지 와 매우 상이 하 게 한다 . 또한 , OPC 결함 은 종종 프린터 블 결함 으로 해석 하 지 않 는다 .