상술 한 설명 에서 는 유도 성 결합 플 라즈 마 ( Inductively Coupled Plasma ; ICP ) 타입 의 반도체 제조 장치 에 관해 설명 하 였 다 . 그러나 본 발명 은 이 에 한정 되 지 않 고 , 용량 성 결합 플 라즈 마 ( Capacitively Coupled Plasma ; CCP ) 타입 의 반도체 제조 장치 에 도 적용 될 수 있 다 .