다음 에 도 2 c 를 참조 하 면 , 패드 질화 막 ( 204 ) 위 에 감광막 을 도포 및 패 터닝 하 여 패드 질화 막 ( 204 ) 의 일부 표면 을 노출 하 는 감광막 패턴 ( 208 ) 을 형성 한다 . 여기 서 감광막 패턴 ( 208 ) 으로 후속 식각 공정 에서 마진 이 부족 할 경우 에 는 , 도 2 d 에 도시 한 바 와 같이 , 감광막 패턴 ( 208 ) 을 형성 하 기 전 에 하드 마스크 용 산화 막 패턴 ( 209 ) 을 300 - 500 Å 의 두께 로 증착 하 여 하드 마스크 용 산화 막 패턴 ( 209 ) 및 감광막 패턴 ( 208 ) 이 적층 된 구조 를 패드 질화 막 ( 204 ) 을 식각 하 기 위한 마스크 로 이용 할 수 도 있 다 .