상기 처리 실 내 에서 , 기판 에 대하 여 상기 아미노 실란 과 상기 산화제 를 동시 에 공급 함 으로써 , 실리콘 , 산소 , 탄소 및 질소 를 포함 하 는 층 을 형성 하 는 처리 와 , 제 1 온도 하 에서 상기 층 에 대하 여 제 1 개질 처리 를 행하 는 처리 를 비 동시 에 행하 는 사이클 을 소정 횟수 행함 으로써 , 상기 기판 상 에 , 실리콘 , 산소 , 탄소 및 질소 를 포함 하 는 막 을 형성 하 는 처리 와 , 상기 제 1 온도 보다 도 높 은 제 2 온도 하 에서 상기 막 에 대하 여 제 2 개질 처리 를 행하 는 처리 를 행하 게 하 도록 , 상기 아미노 실란 공급계 , 상기 산화제 공급계 및 상기 히터 를 제어 하 도록 구성 되 는 제 어부 ,