비휘발성 메모리 는 종종 전기 적 으로 소거 가능 한 프로그램 가능 판독 전용 메모리 ( EEPROM ) 기술 을 이용 하 여 형성 된다 . 이런 타입 의 비휘발성 메모리 는 부동 게이트 트랜지스터 를 포함 하 는데 , 그 부동 게이트 트랜지스터 는 그 들 의 단자 에 적절 한 전압 을 인가 함 으로써 선택 적 으로 프로그램 되 거나 소거 될 수 있 다 .