도 19 는 도 14 의 예 와 도 17 의 예 가 합쳐진 경우 이 다 . 전술 한 바 와 같이 본 고안 에 따른 정전기 또는 잔 존전 하 제 거기 ( 90 ) 에 는 정전기 또는 잔존 전하 의 제거 정도 를 완화 시키 기 위한 레지스터 ( 93 ) 가 구비 되 는 데 , 이러 한 경우 하나 의 정전기 또는 잔 존전 하 제 거기 ( 90 ) 에 의해 모든 정전기 또는 잔존 전하 가 제거 되 지 않 을 수 있 다 . 따라서 정전기 또는 잔 존전 하 제 거기 ( 90 ) 를 복수 개 설치 함 으로써 정전기 또는 잔존 전하 가 순차 적 으로 모두 제거 될 수 있 도록 하 고 있 는 것 이 다 . 물론 복수 의 정전기 또는 잔 존전 하 제 거기 ( 90 ) 에 동일 한 전기 저항 을 가지 는 레지스터 ( 93 ) 를 채용 할 수 도 있 지만 , 각각 의 정전기 또는 잔 존전 하 제 거기 ( 90 ) 에 구비 된 레지스터 ( 93 ) 의 전기 저항 은 서로 상이 하 도록 구비 되 는 것 이 바람직 하 게 고려 될 수 있 다 . 만일 각각 의 정전기 또는 잔 존전 하 제 거기 ( 90 ) 에 구비 된 레지스터 ( 93 ) 의 전기 저항 이 서로 상이 하 도록 구비 하 는 경우 에 는 , 먼저 정전기 또는 잔존 전하 를 제거 시키 는 정전기 또는 잔 존전 하 제 거기 ( 90 ) 에 구비 된 레지스터 ( 93 ) 의 전기 저항 값 이 나중 에 정전기 또는 잔존 전하 를 제거 시키 는 정전기 또는 잔 존전 하 제 거기 ( 90 ) 에 구비 된 레지스터 ( 93 ) 의 전기 저항 값 보다 크 도록 하 는 것 이 바람직 하 다 . 왜냐하면 , 반도체 소자 에 과도 한 정전하 가 대전 된 경우 , 먼저 전기 저항 이 큰 레지스터 ( 93 ) 를 가지 는 정전기 또는 잔 존전 하 제 거기 ( 90 ) 의 작용 에 의해 일부 의 정전기 또는 잔존 전하 를 제거 시킨 후 전기 저항 이 작 은 레지스터 ( 93 ) 를 가지 는 정전기 또는 잔 존전 하 제 거기 ( 90 ) 의 작용 에 의해 나머지 정전기 또는 잔존 전하 를 제거시키 도록 하 여야 상기 한 유전체 파괴 현상 을 방지 함 에 따른 반도체 소자 의 보호 에 만전 을 기할 수 있 기 때문 이 다 .