한편 , 상기 실시 형태 에서 는 , 제 1 순서 및 제 2 순서 의 스텝 1 및 제 1 순서 의 스텝 3 에서 , Si 함유층 을 형성 하 고 , 최종 적 으로 SiO 막 을 형성 하 는 예 에 대해서 설명 했 는데 , Si 함유층 ( 반도체 원소 를 포함 하 는 층 ) 대신 에 Ti , Al , Hf 등 의 금속 원소 를 포함 하 는 층 을 형성 하 고 , 최종 적 으로 금속 산화 막 을 형성 하 도록 해도 된다 . 예 를 들 면 , TiO 막 을 형성 하 는 경우 에 는 , 제 1 순서 의 경우 , 스텝 1 에서 웨이퍼 상 에 Ti 함유층 ( Ti 원료 의 흡착 층 또는 Ti 층 ) 을 형성 하 고 , 제 2 스텝 에서 Ti 함유층 을 TiN 층 으로 개질 하 며 , 제 3 스텝 에서 TiN 층 상 에 Ti 함유층 을 형성 하 고 , 스텝 4 에서 Ti 함유층 / TiN 층 을 TiO 층 으로 개질 하 는 것 도 생각 할 수 있 다 . 제 2 순서 의 경우 , 스텝 1 에서 웨이퍼 상 에 Ti 함유층 을 형성 하 고 , 제 2 스텝 에서 Ti 함유층 을 TiN 층 으로 개질 하 며 , 제 3 스텝 에서 TiN 층 을 TiO 층 으로 개질 하 는 것 도 생각 할 수 있 다 . AlO 막 이나 HfO 막 을 형성 하 는 경우 도 마찬가지 이 다 . 이 와 같이 본 발명 은 , 소정 원소 가 반도체 원소 인 경우 뿐 만 아니 라 , 금속 원소 인 경우 에 도 적용 할 수 있 다 .