도 5 의 ( a ) 나 이하 에 나타내 는 성막 시퀀스 와 같이 , 웨이퍼 ( 200 ) 에 대하 여 , 제 1 아미노 실란 ( BDEAS 가스 ) 과 는 상이 한 제 2 아미노 실란 ( 3 DMAS 가스 ) 과 산화제 ( N 2 O 가스 ) 를 동시 에 공급 함 으로써 제 2 층 ( SiOCN 층 ) 을 형성 하 는 스텝 과 , 제 1 온도 하 에서 제 2 층 에 대하 여 제 1 개질 처리 를 행하 는 스텝 을 비 동시 에 행하 는 사이클 을 소정 횟수 행함 으로써 , 웨이퍼 ( 200 ) 상 에 제 2 막 ( SiOCN 막 ) 을 형성 하 는 스텝 을 또한 행하 도록 해도 된다 . 그리고 , BDEAS 가스 를 사용 해서 형성 한 제 1 막 과 , 3 DMAS 가스 를 사용 해서 형성 한 제 2 막 을 교대 로 적층 함 으로써 적층 막 ( 나노 라미 네이트 막 ) 을 형성 하 고 , 이 적층 막 에 대하 여 제 2 개질 처리 를 행하 도록 해도 된다 . 도 5 의 ( a ) 에서 는 , 이하 의 성막 시퀀스 에 나타내 는 n 1 , n 2 를 각각 1 회 로 하 는 예 를 나타내 고 있 다 .