지금 까지 설명 한 바 와 같이 , 본 발명 에 따른 반도체 소자 의 커패시터 및 그 제조 방법 에 따르 면 , 종래 의 폴리 실리콘 막 의 일부 영역 에 만 실시 하 던 n 형 불순물 이온 주입 을 폴리 실리콘 막 전체 에 대한 n 형 불순물 이온 주입 으로 대체 함 으로써 포토레지스트 막 패턴 증착 및 제거 공정 을 건너뛰 어 공정 을 단순 화 할 수 있 으며 , 상부 전극 으로서 도핑 된 실리콘 막 대신 금속 막 을 사용 함 으로써 전체 공정 이 간단 해 지 고 파티클 발생 을 억제 할 수 있 다는 이점 이 제공 된다 .