본 발명 의 또 다른 실시 예 에 따르 면 , 상기 반응물 을 형성 한 후 , 상기 기판 상 에 잔류 하 는 제 1 및 제 2 소스 를 제거 하 기 위하 여 제 1 퍼지 가스 ( purge gas ) 를 제공 하 고 , 상기 티타늄 알루미늄 질화물 을 형성 한 후 , 상기 기판 상 에 잔류 하 는 제 3 소스 및 제 4 소스 를 제거 하 기 위하 여 제 2 퍼지 가스 를 더 제공 할 수 있 다 .