상기 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 반도체 소자 는 셀 영역 과 주변 회로 영역 을 구비 하 는 반도체 기판 ; 상기 셀 영역 과 주변 회로 영역 의 소스 및 드레 인 예정 영역 상 에 형성 된 에피 탁 셜 층 ; 및 상기 에피 탁 셜 층 상 에 형성 되 며 적어도 금속 실리사이드 층 을 구비 하 는 콘 택 층 을 포함 하 는 것 을 특징 으로 하 고 , 상기 에피 탁 셜 층 은 , 선택 적 에 피 탁 셜 성장 ( SEG ) 또는 고상 에피택시 로 성장 시킨 에피 탁 셜 층 인 것 을 특징 으로 하 며 , 상기 금속 실리사이드 층 은 코발트 실리사이드 층 인 것 을 특징 으로 한다 .