본 발명 의 바람직 한 실시 예 에 의하 면 , 상기 ( c ) 단계 는 750 ∼ 850 ℃ 의 온도 및 1 ∼ 2 torr 의 압력 에서 , H 2 와 SiH 4 의 유량 비율 이 35 ∼ 45 : 1 이 되 도록 유량 을 조절 하 며 1 ∼ 5 분 동안 수행 될 수 있 는데 , 본 공정 에 따라 저온 성 장 에 의하 여 , 나노 실리콘 종자 ( 3 ) 를 씨드 로 하 여 결정 화 실리콘 층 ( 5 ) 이 형성 되 는 단계 이 다 . 상기 온도 가 750 ℃ 미만 인 때 에 는 단결정 실리콘 이 성장 되 지 않 고 , 다 결정 또는 비정질 실리콘 이 성장 되 는 문제 가 있 고 , 850 ℃ 를 초과 하 는 때 에 는 과도 한 실리콘 성장 률 로 결정 화 실리콘 체적 이 과도 하 여 고품위 의 단결정 실리콘 층 성장 이 어려운 문제 가 있 다 . 한편 , 상기 반응 압력 이 1 torr 미만 인 때 에 는 실리콘 의 성장 률 이 낮 은 문제 가 있 고 , 2 torr 를 초과 하 는 때 에 는 최적 의 단결정 실리콘 층 성장 이 어려운 문제 가 있 다 . 기체 의 유량 은 H 2 와 SiH 4 의 유량 비율 이 35 ∼ 45 : 1 이 되 도록 하 는 것 이 바람직 한데 , 상기 유량 비율 이 35 : 1 미만 인 때 에 는 반응 률 의 과다 로 최적 의 단결정 성장 을 저해 하 는 문제 가 있 고 , 45 : 1 을 초과 하 는 때 에 는 성장 률 이 너무 작 을 염려 가 있 다 . 또한 상기 반응 시간 은 1 내지 5 분 인 것 이 바람직 한데 , 1 분 미만 인 때 에 는 결정 화 실리콘 이 생성 되 지 않 을 염려 가 있 고 , 5 분 을 초과 하 는 때 에 는 결정 화 실리콘 이 생성 되 지 않 은 채 로 실리콘 막 이 생성 될 염려 가 있 다 .