메모리 컨트롤러 ( 20 ) 는 , 비트 라인 ( BL ) 과 워드 라인 ( WL ) 을 통해 복수 의 메모리 셀 들 ( MC ) 각각 에 포함 되 는 정보 저장 소자 ( VR ) 의 상변화 물질 을 비정질 상 또는 결정질 상 으로 상전이 시킴 으로써 , 데이터 를 기록 하 거나 지울 수 있 다 . 일 실시 예 에서 , 메모리 컨트롤러 ( 20 ) 는 메모리 셀 ( MC ) 에 포함 되 는 정보 저장 소자 ( VR ) 의 상변화 물질 을 비정질 상 으로 상전이 시킴 으로써 정보 저장 소자 ( VR ) 의 저항 을 증가 시킬 수 있 다 . 반대 로 , 메모리 컨트롤러 ( 20 ) 는 메모리 셀 ( MC ) 에 포함 되 는 정보 저장 소자 ( VR ) 의 상변화 물질 을 결정질 상 으로 상전이 시킴 으로써 정보 저장 소자 ( VR ) 의 저항 을 감소 시킬 수 있 다 . 정보 저장 소자 ( VR ) 의 저항 값 과 데이터 기록 여부 의 관계 는 실시 예 들 에 따라 다양 하 게 정의 될 수 도 있 다 . 한편 메모리 컨트롤러 ( 20 ) 는 , 복수 의 메모리 셀 들 ( MC ) 에서 검출 한 읽 기 전압 을 소정 의 기준 전압 과 비교 함 으로써 , 복수 의 메모리 셀 들 ( MC ) 에서 데이터 를 읽 어 오 는 읽 기 동작 을 실행 할 수 있 다 .