본 실시 형태 에서 는 , 스퍼터링 법 으로 형성 된 막 두께 200 nm 의 산화 규소 막 위 에 , 스퍼터링 법 으로 형성 된 막 두께 100 nm 의 질화규소 막 을 적층 시킨 구조 를 갖 는 , 게이트 절 연막 ( 721 ) 을 형성 한다 . 성막 시 의 기판 온도 는 , 실온 이상 300 ℃ 이하 로 하 면 좋 고 , 본 실시 형태 에서 는 100 ℃ 로 한다 .