메모리 셀 ( 320 ) 의 동작 ( 기록 동작 및 판독 동작 둘 모두 ) 은 MTJ ( 101 ) 를 통해 전류 를 통과 시킴 으로써 판독 하 는 것 을 비롯 한 도 2 a 및 도 2 b 의 메모리 셀 ( 200 ) 에 대해 전술 된 동작 과 동일 하 다 . 메모리 셀 ( 320 ) 은 수직 자화 를 갖 는 것 으로 도시 되 지만 , 평면 내 자화 를 또한 구현 할 수 있 다 .