제 1 게터 링 영역 ( 165 a ) 이 상기 제 1 충전 반도체 패턴 ( 160 a ) 내 에 배치 된다 . 상기 제 1 게터 링 영역 ( 165 a ) 은 다수 의 사이트 ( 170 ) 및 상기 사이트 ( 170 ) 를 생성 시킨 원소 들 을 포함 한다 . 상기 제 1 게터 링 영역 ( 165 a ) 은 상기 제 1 충전 반도체 패턴 ( 160 a ) 의 전체 에 배치 될 수 있 다 . 이 와 는 달리 , 상기 제 1 게터 링 영역 ( 165 a ) 은 상기 제 1 충전 반도체 패턴 ( 160 a ) 의 일부 에 배치 될 수 도 있 다 . 상기 제 1 충전 반도체 패턴 ( 160 a ) 은 비정질 상태 , 다 결정 상태 , 나노 크기 의 그레인 ( grain ) 을 갖 는 다결정 상태 , 또는 단결정 상태 일 수 있 다 .