반도체 소자 의 고집 적 화 가 진행 됨 에 따라 성능 구현 이 점차 어려워 지 고 있 는데 , 가령 모스 트랜지스터 의 경우 게이트 / 소스 / 드레 인 전극 등 의 사이즈 가 축소 되 므로 채널 길 이 역시 축소 된다 . 이렇게 채널 길이 가 축소 되 면 SCE ( Short Channel Effect ) , RSCE ( Reverse Short Channel Effect ) 등 이 발생 되 며 트랜지스터 의 문턱 전압 조절 이 매우 어려워진다 .