또한 , 본 발명 은 , 게이트 형성 영역 을 갖 는 홈 이 구비 된 반도체 기판 상 에 게이트 절 연막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 홈 이 매립 되 도록 게이트 절 연막 상 에 비정질 실리콘 막 을 증착 하 는 단계 ; 상기 비정질 실리콘 막 에 대해 고농 도 불순물 이온 주입 을 수행 하 는 단계 ; 상기 이온 주입 된 비정질 실리콘 막 에 대해 추가 적 인 불순물 이온 주입 을 수행 하 는 단계 ; 및 상기 추가 적 인 불순물 이온 주입 이 비정질 실리콘 막 을 포함 한 기판 결과물 에 대해 열 공정 을 수행 하 는 단계 ; 를 포함 하 는 반도체 소자 의 제조 방법 을 제공 한다 .