본 실시 예의 이미지 수집 칩 ( 300 ) 의 광변조 층 ( 1 ) 상 에 는 2 개 혹은 2 개 이상 의 변조 유닛 ( 5 ) 이 배열 되 어 있 다 . 각 변조 유닛 ( 5 ) 은 적어도 2 개 의 변조 서브 유닛 으로 더 분할 된다 . 각 변조 서브 유닛 내 의 모든 변조 홀 ( 6 ) 은 각각 특정 된 단면 형상 에 따라 조합 되 어 배열 되 며 , 그 배열 순서 는 사전 설정 된 주기 순서 로 행 에 따라 혹은 열 에 따라 배치 된다 . 각 변조 유닛 ( 5 ) 내 의 동일 구역 의 변조 서브 유닛 내 의 변조 홀 ( 6 ) 의 단면 형상 과 배치 주기 는 동일 하 다 . 따라서 각 변조 유닛 ( 5 ) 의 서로 다른 위치 의 변조 서브 유닛 은 동일 입사광 에 대하 여 모두 서로 다른 변조 작용 을 구비 한다 . 변조 수요 에 근거 하 여 변조 유닛 ( 5 ) 내 의 변조 홀 ( 6 ) 의 구조 파라미터 의 점진 적 으로 변화 되 는 순서 및 / 또는 변조 홀 ( 6 ) 의 특정 된 단면 형상 을 변경 할 경우 , 현재 변조 유닛 ( 5 ) 의 변조 작용 및 / 또는 변조 대상 을 변경 할 수 있 다 .