종래 씨 모스 이미지 센서 는 도면 에 도시 하 는 바 와 같이 , 센 서부 와 주변 구 동부 로 정의 된 반도체 기판 ( 11 ) 상 에 액티브 영역 을 정의 하 기 위한 필드 산화 막 ( 도시 되 지 않 음 ) 이 형성 되 어 있 고 , 상기 액티브 영역 의 반도체 기판 ( 11 ) 에 는 다 수개 의 포토다이오드 ( PD ) ( 12 ) 와 트랜지스터 ( 13 ) 들 이 형성 되 어 있 다 .