도 1 에 나타내 는 컨 택트 ( 120 , 220 ) 의 형성 을 설명 한다 . 여기 에서 는 컨 택트 홀 ( 120 a ) , 컨 택트 ( 120 ) 가 형성 되 는 부분 의 단면 이 도 19 ( c ) 와 동일 하 기 때문 에 , 컨 택트 홀 ( 120 a ) , 컨 택트 ( 120 ) 를 파선 으로 나타내 어 설명 한다 . 도 1 에 나타내 는 컨 택트 홀 ( 120 a 및 221 a ) 에 개구부 를 갖 는 레지스 트 패턴 을 중간 절 연막 ( 118 ) 상 에 형성 한다 . 이 레지스 트 패턴 을 마스크 로 하 여 , 메모리 셀 영역 ( 1001 ) 에서 는 , 도 8 ( c ) 에 나타내 는 중간 절 연막 ( 118 ) 및 매립 절 연막 ( 115 ) 을 가공 하 여 , 매립 도전 막 ( 114 ) 을 노출 시키 는 컨 택트 홀 ( 120 a ) 을 형성 한다 . 또 , 주변 회로 영역 ( 1002 ) 에서 는 중간 절 연막 ( 118 ) 및 매립 절 연막 ( 208 ) 을 가공 하 여 , 도 22 에 나타내 는 바 와 같이 , N + 확산 층 ( 207 ) 을 노출 시키 는 컨 택트 홀 ( 221 a ) 을 형성 한다 . 중간 절 연막 ( 118 ) , 매립 절 연막 ( 115 , 208 ) 은 예 를 들 어 , 드라이 에칭 으로 제거 할 수 있 다 . 이 드라이 에칭 은 예 를 들 어 , CF 4 / CH 2 F 2 / He = 45 / 30 / 100 sccm , 압력 = 10 mTorr ( 1 . 33 Pa ) , RF 파워 상부 / 하부 = 900 / 80 W 의 조건 으로 실시 할 수 있 다 .