한편 본 발명 의 상세 한 설명 에서 는 구체 적 인 실시 예 에 관해 설명 하 였으나 , 본 발명 의 범위 에서 벗어나 지 않 는 한도 내 에서 여러 가지 변형 이 가능 함 은 물론 이 다 . 즉 , 불소 를 포함 하 는 산화 막 은 TEOS 가스 를 소오 스로 한 것 외 에 실란 ( SiH 4 ) 가스 를 사용 하 는 것 일 수 도 있 다 . 또한 , 본 발명 의 트랜지스터 는 소오 스 / 드레 인 및 게이트 전극 상층 에 실리사이드 가 형성 되 나 , 반드시 실리사이드 가 형성 되 는 것 은 아니 다 .