계속 해서 , 상기 규소 함 유막 상 에 표 4 에 기재 된 네거티브 현상 용 ArF 레지스 트 용액 ( PR - A 1 , PR - A 2 ) 을 도포 하 고 , 100 ℃ 에서 60 초간 베 이크 하 여 막 두께 100 nm 의 포토레지스트 층 을 형성 하 였 다 . 포토레지스트 막 상 에 액침 보호막 ( TC - 1 ) 을 도포 하 고 90 ℃ 에서 60 초간 베 이크 하 여 막 두께 50 nm 의 보호막 을 형성 하 였 다 .