상술 한 바 와 같이 , 본 실시 예 에 의한 스위칭 트랜지스터 ( Ts ') 는 , 제 1 및 제 2 전도성 영역 들 ( 120 b 1 , 120 b 2 ) 각각 과 제 1 채널 영역 ( 120 a 1 ) 의 사이 에 , 제 1 및 제 2 광폭 밴드 - 갭 영역 들 ( 120 c 1 , 120 c 2 ') 을 포함 한다 . 이 에 따라 , 상기 스위칭 트랜지스터 ( Ts ') 는 , 양방향 모두 에서 향상 된 누설 전류 특성 ( 즉 , 누설 전류 가 낮 은 특성 ) 을 나타낼 수 있 다 .