상기 제작 방법 으로 형성 된 산화물 반도체 적층 으로 이루어지 는 산화물 반도체 층 ( 453 ) 을 , 본 명세서 에 개시 하 는 반도체 장치 에 적용 할 수 있 는 트랜지스터 ( 예 를 들 어 , ( 예 를 들 어 , 실시 형태 1 내지 4 에 있 어서 의 스위치 트랜지스터 ( 202 _ 1 ) 내지 스위치 트랜지스터 ( 202 _ n ) , 트랜지스터 ( 232 _ 1 ) 내지 트랜지스터 ( 232 _ n ) , 트랜지스터 ( 204 , 252 , 262 ) ) , 실시 형태 5 에 있 어서 의 트랜지스터 ( 410 , 420 , 430 , 440 ) ) 에 적절히 사용 할 수 있 다 .