상기 기판 ( 100 ) 은 소정 의 요철 패턴 이 형성 된 패턴 부 ( 110 ) 및 요철 패턴 이 형성 되 지 않 은 미 패턴 부 ( 120 ) 를 구비 한다 . 상기 패턴 부 ( 110 ) 와 미 패턴 부 ( 120 ) 는 교 번 적 으로 형성 된다 . 상기 전면 전극 ( 200 ) 은 상기 기판 ( 100 ) 상 에 제 1 분 리부 ( 250 ) 를 사이 에 두 고 복수 개 가 이격 되 어 형성 되 며 , 이때 , 상기 제 1 분 리부 ( 250 ) 는 상기 기판 ( 100 ) 의 미 패턴 부 ( 120 ) 와 대응 하 는 위치 에 형성 된다 . 상기 반도체 층 ( 300 ) 및 투명 도전 층 ( 400 ) 은 상기 전면 전극 ( 200 ) 상 에 콘 택부 ( 350 ) 를 사이 에 두 고 복수 개 가 이격 되 어 형성 되 며 , 이때 , 상기 콘 택부 ( 350 ) 는 상기 기판 ( 100 ) 의 미 패턴 부 ( 120 ) 와 대응 하 는 위치 에 형성 된다 . 상기 후면 전극 ( 500 ) 은 상기 콘 택부 ( 350 ) 를 통해 상기 전면 전극 ( 200 ) 과 연결 되 며 , 제 2 분 리부 ( 550 ) 를 사이 에 두 고 복수 개 가 이격 되 어 형성 되 며 , 이때 , 상기 제 2 분 리부 ( 550 ) 는 상기 기판 ( 100 ) 의 미 패턴 부 ( 120 ) 와 대응 하 는 위치 에 형성 된다 .