이 에 비해 , 웨이퍼 상 에 전사 하 여 형성 된 제 1 패턴 의 에지 는 , 에칭 프로세스 에 의해 형성 된다 . 이 때문 에 , 제 1 패턴 의 에지 에 대해서 는 , 웨이퍼 면 에 대하 여 80 도 에서 90 도 정도 의 , 비교 적 급 준 한 각 도로 의 형성 이 가능 하 다 . 이 때문 에 , 제 1 검사 화상 의 제 1 윤곽 에 평행 인 방향 으로 , 제 1 사이즈 를 갖 는 국소 영역 을 사용 하 여 평활 화 를 행한다 . 한편 , 제 1 윤곽 에 수직 인 방향 에 는 , 제 1 사이즈 보다 작 은 제 2 사이즈 를 갖 는 국소 영역 을 사용 하 여 평활 화 를 행한다 . 이것 은 , 제 1 윤곽 에 평행 인 방향 으로 는 , 특별히 문제 가 없 을 정도 로 , 가능 한 한 강 하 게 평활 화 처리 를 행하 고 , 제 1 윤곽 에 수직 인 방향 으로 는 , 에지 검출 정밀도 가 가장 높 아 지 는 정도 로 평활 화 처리 를 행 한다고 하 는 것 이 다 . 이 에 의해 , 패턴 의 에지 검출 정밀도 가 향상 된 검사 장치 및 검사 방법 을 제공 하 는 것 이 가능 하 게 된다 .