이때 , 상기 제 3 식각 마스크 층 ( 210 ) 과 상기 제 4 식각 마스크 층 ( 220 ) 은 앞 에서 와 마찬가지 로 서로 식각 선택 비 가 다른 물질 로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 예 를 들 어 , 상기 제 3 식각 마스크 층 ( 210 ) 은 실리콘 산화물 ( SiO 2 ) 로 형성 하 고 , 상기 제 4 식각 마스크 층 ( 220 ) 은 실리콘 질소 화물 ( SiNx ) 로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 여기 서 , 상기 실리콘 산화물 ( SiO 2 ) 과 질소 화물 ( SiNx ) 로 마스크 를 형성 하 는 이유 는 두 물질 이 이후 수행 할 이등방성 식각 에서 흔히 사용 하 는 KOH 와 TMAH 용액 에 대하 여 실리콘 과 의 식각 비 가 매우 우수 하 기 때문 이 다 .