상기 의 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 반도체 소자 는 측벽 이 수직 형상 을 갖 는 복수 의 필라 패턴 ; 어느 한 방향 으로 연장 되 면서 이웃 하 는 상기 필라 패턴 을 감싸 는 도전 막 ; 및 상기 필라 패턴 과 도전 막 사이 의 게이트 절 연막 을 포함 하 며 , 상기 도전 막 은 게이트 전극 및 배선 으로 기능 하 는 것 을 포함 한다 .