상기 실시 예 에서 설명 한 방법 으로 도핑 된 비정질 규소 층 을 레이저 를 이용 하 여 도핑 된 다결정 실리콘 막 을 형성 할 경우 레이저 주사 과 주사 간 경계 가 상부 에 존재 하 는 박막 의 영향 에 의해서 억제 된다 . 따라서 박막 트랜지스터 의 채널 부 를 이루 는 다 결정 규소 층 은 결정립 이 균일 하 게 형성 되 며 주 어 진 전압 에 대하 여 균일 한 전류 값 을 가지 는 박막 트랜지스터 기판 을 제조 할 수 있 다 .