먼저 , 반도체 기판 위 에 패드 산화 막 ( pad oxide ) , 패드 질화 막 ( pad nitride ) 및 TEOS ( Tetra Ethyl Ortho Silicate ) 산화 막 을 차례 로 형성 하 고 , 상기 TEOS 산화 막 위 에 감광막 을 형성 한다 . 이 어 , 액티브 영역 과 소자 분리 영역 을 정의 하 는 마스크 를 이용 하 여 상기 감광막 을 노광 하 고 현상 하 여 상기 감광막 을 패 터닝 한다 . 이때 , 상기 소자 분리 영역 의 감광막 이 제거 한다 .