RF 스퍼터링 과 관련 된 비용 및 도구 문제 를 해소 하 기 위해서 , DC 또는 펄스 화 DC 표적 여기 전력 을 이용 하 여 전기 전도성 스퍼터 표적 으로부터 전술 한 전해질 또는 유전체 층 을 스퍼터 증착 시키 려고 시도 할 수 있 다 . 이러 한 경우 , 차지 - 업 및 전기 아크 현상 의 문제 가 보다 적 게 존재 하 고 전형 적 으로 제어 가능 하 다 . 이러 한 DC 스퍼터 방법 둘 다는 RF 보다 비용 이 덜 들 고 , 진공 증착 시스템 에서 구현 하 기 에 더 단순 하 다 . 그러나 , 전기 전도성 스퍼터 표적 으로부터 전기 절연성 이 지만 이온 ( 본원 에서 는 리튬 이온 ) 전도성 전해질 또는 유전체 층 을 달성 하 기 위해서 는 , 표적 물질 을 반응 성 대기 중 에서 스퍼터 증착 하 여 정확 한 화학 양론 의 전기 절연 막 조성물 을 달성 해야 한다 . 일부 경우 에 는 , 적당 한 제 2 스퍼터 표적 으로부터 동시 - 스퍼터링 하 는 것 을 통해 정확 한 막 화학 양론 을 달성 하 도록 선택 할 수 있 으며 , 이 는 전기 절연성 이 요구 되 면 FR 전력 여기 를 필요 로 하 고 , 반면 에 전기 전도성 이 요구 되 면 DC 또는 펄스 화 DC 여기 에 의해 마찬가지 로 스퍼터링 될 수 있 다 .