이 와 같이 웨이퍼 온도 변화 가 유발 될 경우 , 웨이퍼 와 접촉 하 는 침윤 매질 에 온도 변화 가 야기 되 고 , 이 에 따라 , 도 1 및 2 에 제시 된 바 와 같 은 , 노광 포커스 시프트 ( focus shift ) 가 유발 될 수 있 다 . 도 1 및 도 2 는 액침 리소그래피 과정 에서 의 광역 열 적 효과 에 따른 노광 포커스 ( focus ) 변화 를 제시 한 그래프 들 이 다 . 도 1 및 도 2 를 참조 하 면 , 예컨대 43 번 째 로 노광 이 수행 된 노광 필드 에서 웨이퍼 칩 ( chip ) 에 대한 콘트 래스 트 ( contrast ) 변화 와 포커스 변화 를 측정 할 경우 , 열 적 효과 가 배제 될 경우 의 정상 그래프 ( 11 ) 에서 벗어난 측정 그래프 ( 13 ) 가 얻 어 진다 . 도 1 의 A 부분 을 확대 한 도 2 를 참조 하 면 , 필드 의 가운데 ( center ) 에서 측정 한 제 1 그래프 ( 14 ) 와 좌측 가장자리 ( edge ) 에서 측정 한 제 2 그래프 ( 15 ) , 우측 가장자리 에서 측정 한 제 3 그래프 ( 16 ) 에서 대등 한 콘트 래스 트 에서 포커스 차이 가 유발 되게 측정 되 고 있 다 . 이러 한 포커스 시프트 는 반도체 소자 를 위한 미세 한 회로 패턴 의 패턴 불량 을 야기 하 는 주요 원인 으로 작용 할 수 있 다 .