유사 하 게 , 보다 높 은 전압 을 갖 는 디 지트 라인 ( 205 - 1 ( D ) 또는 205 - 2 ( D ) _) 은 NMOS 트랜지스터 ( 227 - 1 또는 227 - 2 ) 중 하나 를 NMOS 트랜지스터 ( 227 - 1 또는 227 - 2 ) 중 다른 하나 보다 더 크 게 턴 온 하 여 , 다른 디 지트 라인 ( 205 - 1 ( D ) 또는 205 - 2 ( D ) _) 보다 더 크 게 보다 낮 은 전압 을 갖 는 디 지트 라인 ( 205 - 1 ( D ) 또는 205 - 2 ( D ) _) 을 로우 값 으로 구동 시킨다 . 결과 적 으로 , 짧 은 지연 후 에 , 약간 더 큰 전압 을 갖 는 디 지트 라인 ( 205 - 1 ( D ) 또는 205 - 2 ( D ) _) 은 소스 트랜지스터 를 통해 공급 전압 ( VCC ) 의 전압 으로 구동 되 고 , 다른 디 지트 라인 ( 205 - 1 ( D ) 또는 205 - 2 ( D ) _) 은 싱크 트랜지스터 를 통해 기준 전압 ( 예 를 들 어 , 접지 ) 의 전압 으로 구동 된다 . 따라서 , 교차 결합 된 NMOS 트랜지스터 ( 227 - 1 및 227 - 2 ) 및 PMOS 트랜지스터 ( 229 - 1 및 229 - 2 ) 는 감지 증폭기 쌍 으로서 기능 하 여 , 디 지트 라인 ( 205 - 1 ( D ) 또는 205 - 2 ( D ) _) 의 차동 전압 을 증폭 시키 고 , 선택 된 메모리 셀 로부터 감지 된 데이터 값 을 래치 하 도록 동작 한다 .