도전 성막 ( 4 ) 이 다수 의 입자 로 구성 되 어 있 는 경우 , 전계 방사형 오제이 전자 분광 분석 장치 ( FE － AES ) 를 이용 하 여 각 입자 의 조성 을 분석 하 는 것 이 가능 하 다 . 도전 성막 ( 4 ) 의 막 두께 는 , 보조 전극 ( 2 ) 과 보조 전극 ( 3 ) 간 의 간격 및 그 폭 에 비해 , 극히 작 은 값 이 다 . 그 때문 에 , 도전 성막 ( 4 ) 의 표면 상태 를 측정 하 기 만 하 면 된다 . 제 1 입자 ( 제 1 영역 ) 와 제 2 입자 ( 제 2 영역 ) 의 함유 비율 ( 면적 비율 ) 이나 , 제 1 입자 ( 제 1 영역 ) 및 ／ 또는 제 2 입자 ( 제 2 영역 ) 의 면적 점유 율 은 , 도전 성막 ( 4 ) 의 상방 으로부터 상술 한 방법 을 이용 하 여 효과 적 으로 산출 할 수 있 다 . 여기 서 , 본 발명 에 이용 할 수 있 는 도전 성 막 은 , 그 일부 에 있 어서 , 막 두께 방향 으로 복수 ( 전형 적 으로 는 2 개 ) 의 입자 가 겹쳐 있 는 형태 의 것 을 제외 하 는 것 은 아니 다 .