이렇게 유전체 층 을 이용 해서 미러 를 설치 함 으로써 , 층간 의 굴절 율 비 를 크 게 하 여 , 페어 수 를 삭감 할 수 있 다 . 이 에 의해 , 재료 자원 을 삭감 할 수 있 다 . 또한 , 고 굴절 율 영역 ( 406 ) 을 형성 하 기 위한 패 터닝 을 행한 후 에 , 에피 택 셜 성장 을 재개 하 지 않 고 미러 를 형성 할 수 있 다 . 또한 , 제 2 미러 의 영역 을 흐르 는 전류 가 거의 완전 하 게 없 어 지 고 , 또한 제 2 미러 에서 의 흡수 도 거의 완전 하 게 없 어 지 기 때문 에 , 한층 더 디바이스 온도 의 저감 이 가능 하 게 된다 .