그런데 , 포토레지스트 패턴 ( 230 a ) 의 제거 후 형성 된 금속 패턴 ( 220 ) 을 살펴보 면 패턴 의 상면 이 깨끗 하 게 형성 되 어 부분 적 인 막 의 탈락 이 없 어서 매우 양호 한 패턴 프로 파일 을 갖 는다는 것 을 확인 할 수 있 다 . 이 는 상기 메가 소닉 에너지 가 상기 질소 가 용해 된 세정 용액 에 제공 되 면 메가 소닉 에 의해 제공 된 파동 에 의해 세정 용액 내부 에 존재 하 는 탈 이 온수 의 기포 를 파열 시키 고 , 상기 파열 압력 및 온도 에 의해 물리 적 으로 반도체 기판 상 에 잔류 하 는 폴리머 및 식각 부산물 로 이루어진 제 1 및 제 2 불순물 이 제거 되 는 것 으로 이해 된다 .