다음 으로 , 도 5 u 에 나타낸 바 와 같이 전체 면 에 TEOS 를 사용 한 플 라즈 마 CVD 법 등 에 의해 두께 가 100 nm 정도 인 NSG 막 ( 71 ) 을 형성 한다 . 그 후 , 질소 분위기 중 에서 플라 즈 마 어닐링 을 행함 으로써 , NSG 막 ( 71 ) 의 표면 을 질화 한다 . 이 플 라즈 마 어 닐 링 에서 는 예 를 들 면 CVD 장치 를 사용 하 여 반도체 기판 ( 1 ) 의 온도 를 350 ℃ 로 하 고 , 처리 시간 을 2 분 간 으로 해서 N 2 O 플 라즈 마 를 발생 시킨다 . 본 실시 예 에서 는 NSG 막 ( 71 ) 으로 제 2 절 연막 이 구성 되 어 있 다 . 또한 , NSG 막 ( 71 ) 은 후 에 , 배선 에 대한 에칭 스토퍼 막 으로서 기능 한다 .