상기 에서 와 같이 , 본 발명 은 종래 의 게이트 나 칭 과 는 달리 제 2 측벽 절 연막 ( 36 ) 하부 가 일부 제거 하 여 측벽 나 싱 ( sidewall notching ) 을 형성 하 는데 , 이때 측벽 나 칭 의 깊이 및 높이 를 정확 하 게 제어 할 수 있 다 . 상기 와 같이 측벽 나 칭 을 형성 함 으로 인하 여 , 후속 경사 포켓 이온 주입 공정 시 , 옵 티 멀 포켓 이온 주입 을 구현 할 수 있 어서 숏 채널 이 팩 트 ( Short Channel Effect : SCE ) 개선 에 효과 적 이 다 .