제 2 버퍼 층 ( 114 ) 에 는 제 1 액티브 층 ( 311 ) 의 제 1 소스 영역 ( 311 b ) 및 제 1 드레 인 영역 ( 311 c ) 을 노출 시키 기 위한 컨 택 홀 이 형성 될 수 있 다 . 그리고 , 스토리지 커패시터 ( 140 ) 의 제 2 커패시터 전극 ( 142 ) 을 노출 시키 기 위한 컨 택 홀 이 형성 될 수 있 다 . 또한 , 제 2 액티브 층 ( 321 ) 의 제 1 소스 영역 ( 321 b ) 및 제 1 드레 인 영역 ( 321 c ) 을 노출 시키 기 위한 컨 택 홀 이 형성 될 수 있 다 .