마찬가지 로 , 우선 기판 온도 를 25 ℃ 로 하 고 , Vd 을 10 V 로 하 고 , 트랜지스터 의 Id - Vg 특성 을 측정 하 였 다 . 다음 에 , 기판 온도 를 150 ℃ 로 하 고 , Vd 을 0 . 1 V 로 하 였 다 . 다음 에 , 게이트 절연 층 에 인가 되 는 전계 강도 가 - 2 MV / ㎝ 이 되 도록 Vg 에 - 20 V 를 인가 하 고 , 그대로 1 시간 동안 유지 하 였 다 . 다음 에 , Vg 을 0 V 로 하 였 다 . 다음 에 , 기판 온도 25 ℃ 로 하 고 , Vd 를 10 V 로 하 고 , 트랜지스터 의 Id - Vg 측정 을 행하 였 다 . 이것 을 마이너스 BT 시험 이 라고 부른다 .