메모리 디바이스 는 판독 또는 기록 동작 의 일부 로서 메모리 셀 선택 절차 를 구현 할 수 있 으며 , 여기 서 메모리 셀 은 워드 라인 과 디 지트 라인 의 교차점 에 배치 될 수 있 다 . 일부 예 에서 , 메모리 디바이스 는 ( 예 를 들 어 , 선택 구성 요소 를 통해 ) 워드 라인 에 전압 을 인가 하 고 디 지트 라인 에 전압 을 인가 함 으로써 메모리 셀 을 선택 할 수 있 다 . 디 지트 라인 에 인가 된 전압 은 디 지트 라인 이 메모리 셀 과 결합 되 는 동안 메모리 셀 에 대해 판독 하 거나 , 기록 하 거나 , 또는 다른 기능 을 수행 하 는 데 사용 될 수 있 다 . 일부 예 에서 , 메모리 디바이스 는 ( 예 를 들 어 , 라인 을 디바이스 플레이트 와 결합 하 기 위해 , 션트 와 같 은 하나 이상 의 구성 요소 를 활성 화 함 으로써 ) 선택 된 디 지트 라인 사이 의 다른 디 지트 라인 을 선택 해제 할 수 있 다 . 일부 메모리 디바이스 에서 , 선택 된 디 지트 라인 상 의 전압 변화 는 용량 성 결합 을 통해 하나 이상 의 선택 해제 된 디 지트 라인 ( 예 를 들 어 , 인접 한 디 지트 라인 ) 상 에 전압 교란 을 야기 할 수 있 다 . 선택 해제 된 디 지트 라인 상 의 전압 교란 은 , 예 를 들 어 다수 의 전압 변화 에 대해 발생 할 수 있 는 누적 해머 링 효과 를 통해 , 선택 해제 된 디 지트 라인 과 결합 된 메모리 셀 의 논리 상태 에 영향 을 미칠 수 있 다 .