도 1 및 도 2 c 를 참조 하 면 , 상기 제어 게이트 패턴 ( 115 a ) 이 노출 된 상기 개구부 ( H ) 의 측벽 상 에 컨 포 멀 하 게 블로킹 절 연막 ( 123 ) , 전하 포획 층 ( charge trap layer , 126 ) , 및 터널 절 연막 ( 133 ) 을 차례 로 형성 한 후 , 이 들 을 이방성 식각 할 수 있 다 . 그 결과 , 상기 개구부 ( H ) 의 측벽 상 에 차례 로 적층 된 블로킹 절 연막 ( 123 ) , 전하 포획 층 ( 126 ) , 및 터널 절 연막 ( 133 ) 을 형성 할 수 있 다 . 본 실시 예 에서 , 상기 전하 포획 층 ( 126 ) 은 유전 막 으로 실리콘 질화 막 일 수 있 으나 , 이 에 한정 되 지 않 는다 . 상기 블로킹 절 연막 ( 123 ) 은 실리콘 산화 막 , 실리콘 산질 화 막 , 또는 고유 전 율 을 갖 는 알루미늄 산화 막 일 수 있 다 . 상기 터널 절 연막 ( 133 ) 은 실리콘 산화 막 일 수 있 다 .