본 발명 의 일 실시 예 에 따르 면 , 상기 제 1 산화 공정 은 제 1 라디칼 산화 공정 을 포함 할 수 있 다 . 상기 제 1 예비 산화 막 은 제 1 산소 라디칼 과 상기 대 상체 에 포함 된 실리콘 사이 의 반응 에 따라 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 면 , 상기 제 1 산소 라디칼 은 약 800 ∼ 1 , 000 ℃ 정도 의 온도 및 약 0 . 1 ∼ 0 . 5 Torr 정도 의 압력 하 에서 산소 가스 및 수소 가스 를 포함 하 는 제 1 반응 가스 를 열처리 하 여 형성 될 수 있 다 .