이 와 같이 전력 증폭 회로 ( 100 C ) 에서 는 전압 ( Vbias ) 이 저하 되 면 트랜지스터 ( Q 2 ) 가 온이 되 고 , 상승 하 면 트랜지스터 ( Q 6 ) 가 온이 된다 . 이 에 따라 트랜지스터 ( Q 1 ) 가 포화 상태 에서 동작 하 는 경우 에 트랜지스터 ( Q 6 ) 를 구비 하 지 않 는 구성 에 비해 전압 ( Vbias ) 의 평균값 이 저하 된다 ( 도 6 b 및 도 3 c 참조 ) . 여기 에서 , 전력 증폭 회로 ( 100 A ) 에서 는 도 3 a 에 나타내 어 지 는 바 와 같이 포화 상태 에 있 어서 전압 ( Vbias ) 이 과도 하 게 상승 하 고 , 전력 이득 의 선형 성 이 향상 되 는 한편 , 전력 부가 효율 이 저하 될 우려 가 있 다 . 이 점 , 전력 증폭 회로 ( 100 C ) 에서 는 도 6 a 에 나타내 어 지 는 바 와 같이 포화 상태 에 있 어서 의 전압 ( Vbias ) 의 과도 한 상승 이 억제 되 어 전력 부가 효율 을 향상 시킬 수 있 다 .