채널 영역 ( CH 1 , CH 2 ) 들 양쪽 의 핀 들 ( 11 a , 11 b ) 부분 에 는 적어도 한 쌍 의 소스 ( S ) 및 드레 인 ( D ) 이 형성 될 수 있 으며 , 소스 ( S ) 및 드레 인 ( D ) 은 명칭 에 의해 구분 되 지 않 고 , 그 기능 에 의해 구분 되 며 서로 바뀌 어 불릴 수 도 있 다 . 소스 ( S ) 및 드레 인 ( D ) 은 반도체 기판 ( 10 ) 또는 소스 ( S ) 및 드레 인 ( D ) 영역 을 제외 한 핀 들 ( 11 a , 11 b ) 부분 에 다이오드 접합 되 어 있 다 . 예 를 들 어 , 소스 ( S ) 및 드레 인 ( D ) 이 n 형 불순물 로 도핑 된 경우 , 소스 ( S ) 및 드레 인 ( D ) 영역 을 제외 한 핀 들 ( 11 a , 11 b ) 부분 또는 반도체 기판 ( 10 ) 은 p 형 불순물 로 도핑 될 수 있 으며 , 그 반대 의 경우 도 가능 하 다 .