본 발명 의 바람직 한 태양 에 따르 면 , 스퍼터 막 이 열처리 에 부쳐 지 는 경우 에 있 어서 , 열처리 후 의 스퍼터 막 의 비저항 의 , 열처리 전 의 스퍼터링 된 채 의 스퍼터 막 의 비저항 에 대한 변화 율 이 10 % 이하 인 것 이 바람직 하 고 , 보다 바람직 하 게 는 9 % 이하 이 다 . 이 와 같이 낮 은 열처리 전후 의 비저항 변화 율 이 면 , 불 균일 한 온도 분포 에서 열 을 받 아도 비저항 값 의 분포 가 형성 되 기 어렵 기 때문 에 내열성 이 우수 하 다 . 이 내열 성 은 투명 도전 막 을 성막 한 후 에 유전체 를 달구 어 붙이 는 공정 이 있 어 500 ℃ ~ 600 ℃ 의 온도 에서 가열 되 는 플 라즈 마 디스플레이 패널 ( PDP ) 의 제조 공정 에 있 어서 매우 유익 하 다 .