예시 적 으로 , 전하 저 장막 ( CL ) 이 절연 물질 을 포함 하 는 경우 , 선택 트랜지스터 ( SST 또는 GST ) 의 게이트 구조물 의 블로킹 절 연막 ( BI ) 에 천공 이 제공 되 지 않 을 수 있 다 . 즉 , 선택 트랜지스터 ( SST 또는 GST ) 의 게이트 구조물 의 전하 저 장막 ( CL ) 및 제 어 폴리 실리콘 막 은 블로킹 절 연막 ( BI ) 에 의해 분리 될 수 있 다 .