도 2 f 를 참조 하 면 , 제 1 실리콘 막 패턴 ( 30 ) 에 의해 노출 된 산화 막 ( 40 a ) 을 습식 식각 또는 건식 식각 의 방법 으로 소정 의 깊이 ( H 3 ) 만큼 제거 하 여 제 2 산화 막 패턴 ( 40 b ) 을 형성 한다 . 이 때 제 2 산화 막 패턴 ( 40 b ) 의 상면 ( top surface ) 은 제 1 산화 막 패턴 ( 20 a ) 의 상면 과 높이 가 일치 하 는 것 이 바람직 하 다 .