상기 반도체 층 ( 210 ) 은 비정질 실리콘 또는 다결정 실리콘 으로 이루어질 수 있 으며 , 반도체 층 ( 210 ) 내 에 불순물 이온 을 주입 함 으로써 , 소오 스 , 드레 인 및 채널 영역 을 형성 할 수 있 다 . 상기 게이트 전극 ( 220 ) 은 반도체 층 ( 210 ) 의 일정 영역 과 대응 되 도록 게이트 절 연막 ( 215 ) 상 에 위치 하 며 , 게이트 전극 ( 220 ) 및 소오 스 / 드레 인 전극 ( 230 a , 230 b ) 은 층간 절 연막 ( 125 ) 에 의하 여 절연 된다 .