반도체 소자 의 집적도 가 증가 함 에 따라 , 포토 리소그래피 ( photo lithography ) 과정 에서 보다 미세 한 패턴 을 구현 하 도록 요구 되 고 있 다 . 그런데 , 패턴 이 미세 화 됨 에 따라 , 이웃 하 는 패턴 들 간 의 영향 에 의한 광 근접 현상 ( optical proximity effect ) 이 노광 과정 중 에 수반 되 고 있 다 . 이 를 극복 하 기 위해서 패턴 을 전사 하 기 위한 포토 마스크 ( photomask ) 에 형성 하 고자 설계 한 패턴 레이아웃 을 보정 하 여 OPE 발생 을 억제 하 는 방법 , 예컨대 , 광 근접 보정 ( OPC ) 이 수행 되 고 있 다 .