버퍼 층 ( 110 ) 은 베이스 층 ( 100 ) 의 일면 상 에 선택 적 으로 형성 될 수 있 는 것 으로서 , 상기 버퍼 층 ( 110 ) 을 형성 함 에 의해 그 상부 에 형성 될 회로 소자 에 불순물 이 확산 되 는 것 을 방지 할 수 있 다 . 이러 한 버퍼 층 ( 110 ) 은 단일 층 으로 구성 될 수 있 으나 , 적어도 2 중층 이상 의 다중 층 으로 구성 될 수 도 있 다 . 버퍼 층 ( 110 ) 이 다 중층 으로 제공 될 경우 , 각 층 은 동일 한 재료 로 형성 되 거나 또는 서로 다른 재료 로 형성 될 수 있 다 . 일 예 로 , 버퍼 층 ( 110 ) 은 실리콘 질화 막 ( SiNx ) 및 실리콘 산화 막 ( SiOx ) 을 포함 한 다중 층 으로 형성 될 수 있 다 .