또한 , 일반 적 으로 종래 와 같 은 경우 ITO 가 증착 되 는 기판 ( 110 ) 의 두께 는 후속 공정 에서 열처리 수행 에 연관 되 어 변경 되 는 부분 이나 ( 두꺼운 물질 을 열처리 하 고자 할 때 선택 한 온도 까지 승 온 시 기판 내부 로 의 열전달 을 고려 하 여 열처리 시간 과 적정 온도 가 계산 됨 ) , 본 발명 에 의하 면 Au 에 의한 ITO 의 자기 결정화 가 이루어져 별도 의 열처리 가 필요 없 으므로 상기 한 기판 ( 110 ) 의 두께 는 전혀 고려 되 지 않 아도 되 는 이점 이 있 다 .