여기 서 , 포토레지스트 패턴 ( 250 a ) 에 의해 노출 된 게이트 금속 층 ( 120 a ) 에 대한 습식 에칭 ( wet etching ) 을 수행 한 후 잔류 하 는 포토레지스트 패턴 ( 250 a ) 에 대한 스트립 공정 을 수행 함 으로 , 도 8 c 에 도시 된 바 와 같이 , 하부 기판 ( 110 ) 상 에 게이트 라인 ( 120 ) , 게이트 라인 ( 120 ) 에 접속 된 게이트 전극 ( 122 ) 및 게이트 패드 하부 전극 ( 181 ) 을 포함 하 는 제 1 도전 성 패턴 을 형성 한다 .