일 예 에서 , 상기 제 1 수직 구조물 들 ( 80 ) 의 상기 전하 저 장막 ( 84 ) 은 수직 형 낸드 플 래쉬 메모리 소자 와 같 은 반도체 소자 에서 , 정보 를 저장 할 수 있 는 영역 들 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 상기 제 1 게이트 층 들 ( 120 ) 및 상기 제 2 게이트 층 들 ( 220 ) 중 에서 워드 라인 들 일 수 있 는 게이트 층 들 과 상기 블로킹 절 연막 ( 85 ) 사이 에 위치 하 는 상기 전하 저 장막 ( 84 ) 의 영역 들 은 수직 형 낸드 플 래쉬 메모리 소자 에서 정보 를 저장 할 수 있 는 영역 들 일 수 있 다 .