레지스 트 도포 처리 가 종료 되 면 , 주 웨이퍼 반송 아암 ( 21 ) 은 , 웨이퍼 ( W ) 를 레지스 트 도포 유닛 ( COT ) 으로부터 반출 하 고 , 다음 으로 핫 플레이트 유닛 ( HP ) 내 로 반입 한다 . 핫 플레이트 유닛 ( HP ) 내 에서 웨이퍼 ( W ) 는 배치 대 상 에 놓여 지 고 , 소정 온도 예컨대 100 ℃ 에서 소정 시간 프리 베 이크 처리 된다 . 이 에 따라 , 웨이퍼 ( W ) 상 의 도포 막 으로부터 잔존 용제 를 증발 제거 할 수 있 다 . 프리 베 이크 가 종료 되 면 , 주 웨이퍼 반송 아암 ( 21 ) 은 , 웨이퍼 ( W ) 를 핫 플레이트 유닛 ( HP ) 으로부터 반출 하 고 , 다음 으로 제 4 세트 ( G 4 ) 의 다단 유닛 에 속하 는 익스텐션 · 쿨링 유닛 ( EXTCOL ) 으로 반송 한다 . 이 유닛 ( EXTCOL ) 내 에서 웨이퍼 ( W ) 는 다음 공정 , 즉 주변 노광 장치 ( 33 ) 에 있 어서 의 주변 노광 처리 에 적합 한 온도 , 예컨대 24 ℃ 까지 냉각 된다 . 이 냉각 후 , 주 웨이퍼 반송 아암 ( 21 ) 은 , 웨이퍼 ( W ) 를 바로 위 의 익스텐션 유닛 ( EXT ) 으로 반송 하 고 , 이 유닛 ( EXT ) 내 의 배 치대 ( 도시 하 지 않 음 ) 위 에 웨이퍼 ( W ) 를 올려 놓 는다 . 이 익스텐션 유닛 ( EXT ) 의 배치 대 상 에 웨이퍼 ( W ) 가 놓여 지 면 , 인터페이스 부 ( 30 ) 의 반송 아암 ( 34 ) 이 반대 측 으로부터 액세스 하 여 , 웨이퍼 ( W ) 를 수취 한다 . 그리고 , 반송 아암 ( 34 ) 은 웨이퍼 ( W ) 를 인터페이스 부 ( 30 ) 내 의 주변 노광 장치 ( 33 ) 로 반입 한다 . 주변 노광 장치 ( 33 ) 에 있 어서 , 웨이퍼 ( W ) 표면 의 주변 부 의 잉여 레지스 트 막 ( 부 ) 에 빛 이 조사 되 어 주변 노광 이 실시 된다 .