본 발명 은 수십 에서 수백 나노미터 크기 의 미세 한 전자석 을 이용 하 여 수십 나노미터 크기 의 자성 입자 를 포획 하 는 방법 에 관한 것 이 다 . 나노미터 크기 의 전자석 은 광식 각법 ( photolithography ) 이나 전자 빔 식각법 ( electron beam lithography ) 으로 반도체 기판 위 에 정의 된 모양 을 형성 한 뒤 에 금속 을 증착 함 으로써 제작 된다 . 금속 으로 이루어진 나노 전자석 에 전류 를 흘려 주 면 나노 전자석 주위 에 자기장 을 형성 시킬 수 있 으며 , 나노 전자석 의 모양 을 변화 시키 거나 흘려 주 는 전류 의 양 을 조절 함 으로써 나노 전자석 주위 에 형성 된 자기장 의 분포 모양 을 변화 시킬 수 있 다 . 이러 한 나노 전자석 위 에 자성 나노 입자 를 포함 하 는 용액 을 떨어뜨리 거나 , 미세 한 용액 통로 를 만들 어 자성 나노 입자 가 포함 된 용액 을 나노 전자석 위 로 지나가 게 하 면 , 자성 나노 입자 는 전자석 주위 에 형성 되 어 있 는 자기장 의 분포 로부터 힘 을 받 아 나노 전자석 주위 의 원 하 는 위치 에 포획 될 수 있 다 . 특히 , 본 발명 은 요철 모양 의 전류 회로 로 구성 된 나노 전자석 을 이용 하 면 원 하 는 위치 에 단 하나 의 자성 나노 입자 만 을 개별 적 으로 포획 할 수 있 음 을 제시 한다 .