또한 , 게이트 전극 ( 707 ) 및 도전 막 ( 708 ) 은 , 도전 막 을 형성 후 , ICP ( Inductively Coupled Plasma : 유도 결합 형 플 라즈 마 ) 에칭 법 을 이용 하 고 , 에칭 조건 ( 감은 선형 의 전극 층 에 인가 되 는 전력량 , 기판 측 의 전극 층 에 인가 되 는 전력량 , 기판 측 의 전극 온도 등 ) 을 적절 하 게 조절 함 으로써 , 소망 의 테이퍼 형상 을 갖 도록 에칭 할 수 있 다 . 또한 , 테이퍼 형상 은 , 마스크 의 형상 에 의해서 도 각도 등 을 제어 할 수 있 다 . 또한 , 에칭 용 가스 로서 는 , 염소 , 염화 붕소 , 염화 규소 또는 사염화탄소 등 의 염소 계 가스 , 사불 화 탄소 , 불화 유황 또는 불화 질소 등 의 불 소계 가스 또는 산소 를 적절 하 게 이용 할 수 있 음 을 주목 하 라 .