여기 서 , PMOS 소자 에서 HEIP 현상 이 발생 하 는 매 커 니즘 은 소자 구 동시 , 채널 영역 ( 24 ) 에 인가 된 높 은 전계 에 의하 여 평균 이상 의 에너지 를 가진 핫 캐리어 ( hot carrier ) 가 발생 하 고 , " 발생 된 핫 캐리어 가 반도체 기판 ( 21 ) 내 의 원자 와 충돌 하 여 원자 를 이온 화 ( ionization ) 시키 면서 EHP ( Electron - Hole Pair ) 가 생성 된다 . 이때 EHP 로 생성 된 열전자 ( hot electron ) 는 평균 이상 의 높 은 에너지 를 지니 고 있 기 때문 에 "" E "" 에 도시 된 것 처럼 게이트 절 연막 ( 25 A ) 을 뚫 고 침투 하 여 게이트 절 연막 ( 25 A ) 내 에 포획 ( trap ) 되 거나 또는 소자 분리 막 을 뚫 고 침투 하 여 측벽 산화 막 과 라이너 질화 막내 에 포획 됨 으로 인하 여 반도체 소자 의 문턱 전압 을 변화 시키 고 ", 오프 - 누설 전류 ( off - leakage current ) 를 증가 시키 는 문제점 이 있 다 .