또한 , 구성 하 는 절연 재료 의 화학 양론 적 조성 비 보다 산소 가 많 은 영역 을 갖 는 절연 층 은 , 산화물 반도체 층 ( 644 ) 에 접하 는 절연 층 중 , 상층 에 위치 하 는 절연 층 또는 하층 에 위치 하 는 절연 층 중 , 어느 한쪽 에 만 사용 해도 좋 지만 , 양쪽 의 절연 층 으로 사용 하 는 쪽 이 바람직 하 다 . 구성 하 는 절연 재료 의 화학 양론 적 조성 비 보다 산소 가 많 은 영역 을 갖 는 절연 층 을 , 산화물 반도체 층 ( 644 ) 에 접하 는 절연 층 중 , 상 층 및 하층 에 위치 하 는 절연 층 으로 사용 하 여 , 산화물 반도체 층 ( 644 ) 을 사이 에 두 는 구성 으로 함 으로써 , 상기 효과 를 더 높일 수 있 다 .