시스 관 ( 35 a , 35 b ) 은 , 예 를 들 어 석영 , 알루미나 ( 산화알루미늄 ) 혹은 이트 리아 ( 산화 이트륨 , Y 2 O 3 ) 에 의해 구성 되 어 있 다 . 도 7 에 도시 한 바 와 같이 , 시스 관 ( 35 a , 35 b ) 의 내부 에 는 , 예 를 들 어 니켈 합금 이나 티탄 등 으로 이루어지 는 전극 ( 36 a , 36 b ) 이 각각 삽입 되 고 , 이 에 의해 평행 전극 이 구성 되 어 있 다 . 이 들 전극 ( 36 a , 36 b ) 의 하단 부면 과 회전 테이블 ( 2 ) 상 의 웨이퍼 ( W ) 의 표면 과 의 사이 의 이격 거리 ( k ) 는 , 본 실시 형태 에서 는 예 를 들 어 7 mm 로 되 어 있 다 . 이 들 전극 ( 36 a , 36 b ) 에 는 , 도 3 에 도시 한 바 와 같이 , 정 합기 ( 225 ) 를 통해 예 를 들 어 13 . 56 MHz , 예 를 들 어 500 W 이하 의 고주파 전력 을 공급 하 기 위한 고주파 전원 ( 224 ) 이 접속 되 어 있 고 , 후술 하 는 제 어부 ( 100 ) 에 의해 전극 ( 36 a , 36 b ) 에 공급 하 는 전력량 이 조정 된다 . 또한 , 도 7 이외 에 는 , 시스 관 ( 35 a , 35 b ) 을 간략 화 해서 도시 하고 있 다 .