도 1 은 종래 듀얼 다 마신 방법 을 이용 한 구리 배선 공정 모식도 를 도시 한 것 으로 , 상기 도 1 에서 와 같이 먼저 반도체 기판 상 에 층간 절 연막 ( 100 ) 을 형성 하 고 층간 절 연막 ( 100 ) 에 트렌치 ( trench ) 와 하부 금속 배선 과 연결 을 위한 비 아홀 ( via hole ) 패턴 을 연속 적 으로 형성 시킨다 .