이것 에 의해 , 배선 으로부터 의 누설 전 류량 이 적어지 고 , 따라서 TDDB 내성 이 높 으며 , 배선 과 의 밀착 성 향상 에 의해 EM 내성 이 높 은 배선 층 ( 예컨대 LSI 배선 층 ) 을 얻 을 수 있 고 , 그 결과 소비 전력 이 작 으며 , 신뢰 성 이 높 은 반도체 장치 를 제조 할 수 있 게 된다 . 또한 , 본 발명 에서 의 「 배선 층 」 이 란 배선 구조 를 포함 하 는 층 을 의미 하 고 , 도 11 , 12 에 도시 되 는 바 와 같이 , 동일면 내 에 배선 이외 의 요소 ( 예컨대 절 연막 , 표면 소수 화 막 , 배리어 메탈 층 등 ) 를 포함 하 는 층 을 예시 할 수 있 다 .