도 1 a 에 나타낸 바 와 같이 , 종래 의 반도체 메모리 장치 는 외부 전원 전압 ( EVDD ) 이 1 . 8 V 이상 인 경우 에 는 스펙 상 의 억세 스 타임 을 충분 한 마 아진 을 가지 고 만족 시키 면서 동작 하나 , 1 . 7 V 이 하인 경우 에 는 스펙 상 의 억세 스 타임 을 만족 시키 지 못하 거나 , 스펙 상 의 억세 스 타임 을 만족 시키 더라도 충분 한 마 아진 을 가지 지 않 고 동작 하 게 된다 .