제 2 반도체 필라 ( 23 P ) 및 제 3 반도체 필라 ( 23 N ) 가 수직 형 오프닝 ( 20 ) 을 채우 므로 , 수직 형 오프닝 ( 20 ) 은 필라 형 구조물 로 채워질 수 있 다 . 제 1 반도체 필라 ( 13 N ) , 제 2 반도체 필라 ( 23 P ) 및 제 3 반도체 필라 ( 23 N ) 의 스택 은 수직 형 필라 구조물 을 형성 할 수 있 다 . 제 1 반도체 필라 ( 13 N ) , 제 2 반도체 필라 ( 23 P ) 및 제 3 반도체 필라 ( 23 N ) 의 스택 은 실리콘 물질 들 의 스택 일 수 있 다 . 제 1 반도체 필라 ( 13 N ) , 제 2 반도체 필라 ( 23 P ) 및 제 3 반도체 필라 ( 23 N ) 의 스택 은 에피 택 셜 실리콘 들 의 스택 일 수 있 다 .