그런 후 , 열처리 를 통해 도 3 b 에 나타낸 바 와 같이 제 1 산화아연 층 ( 316 a ) 을 형성 한다 . 즉 , 상기 제 1 산화아연 층 ( 316 a ) 이 상기 도 펀트 층 ( 314 a ) 과 접촉 하 는 쪽 에 p - 형 산화아연 층 ( 316 p ) 을 형성 하 고 , 상기 제 1 산화아연 층 ( 316 a ) 의 그 반대쪽 , 다시 말 해 상기 제 1 산화아연 층 ( 316 a ) 이 상기 도 펀트 층 ( 314 a ) 과 접촉 하 지 않 는 쪽 에 기존 의 n - 형 산화아연 층 ( 316 n ) 이 잔존 하 도록 할 수 있 다 . 이 와 같이 하 는 경우 , 제 1 실시 예 에서 와 같이 별도 로 n - 형 산화아연 층 을 증착 하 는 단계 를 거칠 필요 가 없 기 때문 에 제조 공정 에 따른 시간 과 비용 을 크 게 절감 할 수 있 다 .