다음 으로 , 도 37 에서 , BARC 층 ( 86 ) 및 상부 포토레지스트 ( 88 ) 를 포함 하 는 포토레지스트 가 도 36 의 FinFET 디바이스 ( 200 ) 위 에 형성 된다 . 상부 포토레지스트 ( 88 ) 는 포토 리소그래피 및 에칭 기술 을 사용 하 여 패 터닝 될 수 있 다 . 다음 으로 , 상부 포토레지스트 ( 88 ) 의 패턴 은 플 라즈 마 에칭 공정 과 같 은 이방성 에칭 공정 에 의해 BARC 층 ( 86 ) 에 전사 된다 . 이방성 에칭 공정 후 에 , 캡 핑 층 ( 91 ) 위 에 배치 된 P 타입 일함수 층 ( 84 ) 의 일부 가 제거 된다 .