게이트 전극 ( 2 ) 로서 는 금 , 백금 , 크롬 , 팔라듐 , 알루미늄 , 인듐 , 몰리브덴 , 저 저항 폴리 실리콘 , 저 저항 비정질 실리콘 등 의 금속 이나 주석 산화물 , 산화 인듐 및 인듐 ㆍ주석 산화물 ( ITO ) 등 의 재료 를 사용 할 수 있 다 . 이 들 재료 는 1 종 을 단독 으로 , 또는 2 종 이상 을 조합 하 여 사용 할 수 있 다 . 이러 한 게이트 전극 ( 2 ) 는 , 예 를 들 면 증착 , 스퍼터링 , 도금 , CVD 등 의 방법 을 이용 하 여 형성 할 수 있 다 . 이러 한 게이트 전극 ( 2 ) 의 두께 는 0 . 05 내지 100 μ m 인 것 이 바람직 하 다 . 또한 , 게이트 전극 ( 2 ) 로서 는 고농도 로 도핑 된 n - 형 실리콘 기판 을 이용 하 는 것 도 가능 하 다 . 고농도 로 도핑 된 n - 형 실리콘 기판 은 게이트 전극 으로서 의 성질 과 함께 기판 으로서 의 성질 도 갖 는다 . 이 와 같이 기판 으로서 의 성질 도 갖 는 게이트 전극 ( 2 ) 를 이용 한 경우 에 는 , 본 발명 의 제 1 실시 형태 및 제 2 실시 형태 에 있 어서 기판 ( 1 ) 을 생략 하 는 것 도 가능 하 다 .