상기 한 목적 을 달성 하 기 위한 일 측면 에 따른 본 발명 은 , 기판 상 에 형성 된 터널 링 절 연막 과 , 상기 터널 링 절 연막 의 양측 부 에 상기 터널 링 절 연막 보다 두껍 게 형성 된 전하 이동 방지 막 과 , 상기 터널 링 절 연막 및 상기 전하 이동 방지 막 과 중첩 되 도록 그 상부 에 형성 된 플로팅 게이트 를 포함 하 는 비휘발성 메모리 소자 를 제공 한다 .