상기 SiH 4 , N 2 O 화합물 은 플 라즈 마 상 에서 각각 의 이온 성분 으로 해리 되 며 , 보다 이동성 의 전자 가 반응 챔버 와 결부 된 고출력 의 고주파 RF 에 의해 가속 되 어 플 라즈 마 를 타격 한다 . 플라 즈 마 내 의 양이온 과 접지 된 히터 블록 상 에 놓인 웨이퍼 사이 에 는 작 은 네거티브 전위 가 존재 하 는데 , 이 전위차 는 이온 을 웨이퍼 표면 방향 으로 가속 시켜 웨이퍼 표면 에서 이온 은 실리콘 이 산화물 ( SiO 2 ) 의 층 을 형성 하 게 된다 .