다음 에 , 도 25 b 를 사용 하 여 , 섬 형상 으로 형성 된 도너 가 되 는 불순물 원소 를 포함 하 는 미결정 반도체 막 및 제 1 버퍼 층 위 에 , 제 2 버퍼 층 및 1 도 전형 을 부여 하 는 불순물 원소 가 첨가 된 불순물 반도체 막 ( 여기 에서 는 , n + a - Si 막 으로 나타냄 ) 을 연속 적 으로 성막 하 는 공정 에 관해서 도시 한다 . 파선 의 화살 표시 는 기판 의 흐름 을 도시 하고 , 실선 의 화살 표시 는 성막 공정 의 흐름 을 도시 한다 .