반도체 층 ( 108 ) 과 접하 는 절 연막 ( 103 c ) 은 산화물 을 포함 한 절 연막 으로 형성 되 어 있 는 것 이 바람직 하 다 . 특히 절 연막 ( 103 c ) 에 는 산화 물막 을 사용 하 는 것 이 바람직 하 다 . 또한 절 연막 ( 103 c ) 으로서 는 , 그 표면 에 물 등 의 불순물 이 흡착 되 기 어려운 치밀 한 절 연막 을 사용 하 는 것 이 바람직 하 다 . 또한 결함 이 가능 한 한 적 고 , 물 이나 수소 등 의 불순물 이 저감 된 절 연막 을 사용 하 는 것 이 바람직 하 다 .