이어서 , P 형 웰 ( 23 ) 및 N 형 에 피층 ( 22 ) 의 소정 깊이 까지 식각 하 여 게이트 전극 이 형성 될 트렌치 ( 24 ) 를 형성 한 후 , 트렌치 ( 24 ) 를 포함 한 전면 에 게이트 산화 막 ( 15 ) 을 형성 한다 . 여기 서 , 트렌치 ( 24 ) 형성 을 위해 포토 및 식각 을 진행 한다 . 바람직 하 게 , 트렌치 ( 24 ) 는 P 형 웰 ( 23 ) 을 관통 하 는 깊이 를 갖 는다 .