도 1 을 참조 하 면 , 마스크 기판 ( 100 ) 상 에 위상 반 전막 ( 110 ) 패턴 및 광차 단막 ( 120 ) 패턴 이 형성 되 어 있 다 . 그런데 , 위상 반 전막 ( 110 ) 패턴 및 광차 단막 ( 120 ) 패턴 형성 시 , 노광 장비 등 에 의해 원 하 는 임계 선폭 보다 작 은 선폭 을 가진 불량 패턴 ( 130 ) 이 형성 될 수 있 다 . 작 은 선폭 을 가진 불량 패턴 ( 130 ) 의 경우 , 한번 구현 된 선폭 을 다시 수정 하 기 에 는 어려움 이 있 다 . 따라서 , 작 은 선폭 을 가진 불량 패턴 ( 130 ) 이 측정 장비 를 통해 발견 되 면 , 포토 마스크 를 폐기 ( reject ) 처분 하 고 노광 조건 을 조정 하 여 포토 마스크 를 다시 제작 하 는 방법 을 사용 하 고 있 다 .