다음 도 1 및 도 7 을 참조 하 면 , 제 2 포토레지스트 패턴 ( 162 ) 을 식각 방지 막 으로 이용 하 여 채널 형성 영역 ( CR ) 을 통해 노출 된 소스 / 드레 인 금속 패턴 ( 156 ) 을 식각 하 여 소스 전극 ( 157 ) 및 드레 인 전극 ( 158 ) 을 형성 한다 . 상기 식각 은 , 예 를 들 어 , 습식 식각 공정 을 통해 이루어질 수 있 다 .