그러나 , 소스 / 드레 인 영역 에 만 한정 적 으로 실리콘 게르마늄 을 형성 하 면 채 널 ( Channel ) 영역 에 가해 지 는 압축성 변형 이 게이트 채널 영역 과 소스 / 드레 인 에 형성 된 실리콘 게르마늄 사이 의 거리 에 따라 의존 하 게 되 어 압축성 변형 을 향상 시키 는 데 한계 가 있 다 . 또한 , 높 은 압축성 변형 을 형성 하 기 위해서 는 소스 / 드레 인 영역 의 리세 스 깊이 를 깊 게 형성 하 거나 또는 실리콘 게르마늄 내 의 게르마늄 함량 을 높여야 한다 . 하지만 , 소스 / 드레 인 영역 의 리세 스 깊이 가 깊 어 지 면 트랜지스터 의 단채 널 마진 이 악화 되 는 문제점 이 새기 고 , 실리콘 게르마늄 내 의 게르마늄 ( Ge ) 함량 이 높 아 지 면 포인트 디 펙 트 ( Point Defect ) 또는 전위 ( Dislocation ) 등 의 결함 에 의해 접합 영역 누설 전류 가 열화 되 는 문제점 이 발생 한다 .