이 와 같이 하 여 얻 어 진 탄소 나노 튜브 가 포함 된 전도체 를 , 또한 그 전도 성 을 향상 시키 기 위하 여 도핑 ( doping ) 처리 를 수행 하 는 것 이 바람직 하 다 . 도핑 처리 는 그 표면 의 탄소 나노 튜브 의 네트워크 층 을 갖 는 대상 기판 을 도핑 제 의 용액 에 침지 하 여 탄소 나노 튜브 의 섬유 표면 을 개질 하 는 것 이 다 . 구체 적 으로 도핑 제 로 는 염산 , 질산 또는 황산 등 의 강산 수용액 이나 과산화수소 등 을 사용 하 여 , 이 수용액 에 탄소 나노 튜브 가 포함 된 전도체 를 일정 시간 침지 한다 . 침지 시간 은 도핑 제 의 종류 및 농도 에 따라 수십 초 에서 수십 분 침지 처리 로 효과 가 나타나 는데 , 일반 적 으로 3 분 ~ 10 분 정도 이 다 . 침지 처리 후 수분 을 불 어서 제거 하 고 , 100 ℃ 전후 의 온도 에서 건조 한다 .