이어서 , 도 3 b 에 도시 한 바 와 같이 , 게이트 전극 ( 303 ) , 게이트 라인 ( 302 ) 및 게이트 패드 ( 301 ) 를 포함 하 는 제 1 기판 ( 300 ) 전면 에 SiNx 또는 SiOx 와 같 은 무기 물질 을 증착 하 여 제 1 절 연막 ( 330 ) 즉 , 게이트 절 연막 을 형성 하 고 , 그 상부 에 반도체 막 ( 340 ) 그리고 , Al . AlNd , Cr , Mo , Cu 등 과 같 은 제 2 금속 막 ( 350 ) 을 순차 적 으로 증착 한 다음 , 제 2 마스크 공정 을 통해 제 1 , 및 제 2 PR 패턴 ( 360 , 370 ) 을 형성 한다 . 여기 서 , 상기 제 1 PR 패턴 ( 360 ) 과 상기 제 2 PR 패턴 ( 370 ) 은 하프톤 마스크 를 이용 하 여 두께 가 서로 다르 게 형성 된다 . 즉 , 상기 제 2 PR 패턴 ( 370 ) 은 중앙 에 일정 한 깊이 의 홈 을 갖 는다 .