또한 , 상기 한 알루미늄 페이스트 를 이용 하 여 후면 전극 ( 116 ) 을 형성 하 면 , 기판 ( 111 ) 의 표면 에 는 도 18 에 도시 한 바 와 같이 고밀도 알루미늄 막 ( 116 a ) 이 형성 되 고 , 고밀도 알루미늄 막 ( 116 a ) 의 표면 에 는 저밀 도 알루미늄 막 ( 116 b ) 이 형성 된다 . 그리고 저밀 도 알루미늄 막 ( 116 b ) 의 표면 에 는 알루미늄 산화 막 이 형성 되 거나 불순물 이 존재 한다 .