도 10 및 도 13 을 참조 하 면 , 게이트 절연 층 ( 도 11 의 GI 참고 ) 을 사이 에 두 고 제 1 액티브 패턴 ( ACT 1 ) 내지 제 8 액티브 패턴 ( ACT 8 ) 상 에 제 2 스캔 배선 ( S 2 i - 1 , S 2 i , S 2 i + 1 ) , 발광 제어 배선 ( E 2 i ) , 하부 전극 ( LE ) , 및 제 1 내지 제 3 연장 배선 ( ELP 1 , ELP 2 , ELP 3 ) 이 제공 될 수 있 다 . 상기 제 2 스캔 배선 ( S 2 i - 1 , S 2 i , S 2 i + 1 ) , 상기 발광 제어 배선 ( E 2 i ) , 상기 하부 전극 ( LE ) , 및 상기 제 1 내지 제 3 연장 배선 ( ELP 1 , ELP 2 , ELP 3 ) 은 동일 한 층 에 제공 되 고 동일 한 공정 을 통해 형성 될 수 있 다 .