또한 , 상기 게이트 콘 택 홀 ( 143 ) 과 오픈 부 ( OP ) 를 갖 는 보호 층 ( 140 ) 위 로 는 상기 게이트 콘 택 홀 ( 143 ) 을 통해 상기 게이트 전극 ( 130 ) 과 접촉 하 며 게이트 배선 ( 150 ) 이 더욱 형성 되 어 있 으며 , 상기 소스 및 드레 인 전극 ( 110 , 113 ) 이 형성 된 동일 한 층 에 는 상기 게이트 배선 ( 150 ) 과 교차 하 여 상기 화소 영역 ( P ) 을 정의 하 며 상 기 소스 전극 ( 110 ) 과 연결 되 며 데이터 배선 ( 미 도시 ) 이 더욱 형성 되 어 있 다 .