스퍼터링 단계 ( S 30 ) 는 상기 적어도 하나 의 세라믹 층 ( 26 ) 과 상기 적어도 하나 의 버퍼 층 ( 27 ) 을 교번 하 여 적층 하 는 단계 를 구비 한다 . 부연 하 면 , 스퍼터링 챔버 ( 미 도시 ) 내 에 무공 질 양극 산화층 ( 20 ) 이 적층 된 모재 ( 11 ) 와 , 세라믹 타 겟 과 , 금속 타 겟 을 설치 하 고 , 스퍼터링 챔버 ( 미 도시 ) 내부 가 150 내지 400 ℃ 로 가열 된 환경 에서 고 에너지 의 이온 빔 ( beam ) 을 상기 산화알루미늄 및 질화알루미늄 중 한 종류 로 된 세라믹 타 겟 과 상기 순수 알루미늄 으로 된 금속 타 겟 에 교번 하 여 충돌 시킨다 . 상기 이온 빔 을 상기 세라믹 타 겟 에 충돌 시키 는 동안 에 는 산화알루미늄 입자 및 질화알루미늄 입자 중 한 종류 인 세라믹 입자 가 상기 세라믹 타 겟 에서 방출 되 어 모재 ( 11 ) 에 세라믹 층 ( 26 ) 이 적층 되 고 성장 한다 . 상기 이온 빔 을 상기 금속 타 겟 에 충돌 시키 는 동안 에 는 순수 알루미늄 입자 가 상기 금속 타 겟 에서 방출 되 어 모재 ( 11 ) 에 버퍼 층 ( 27 ) 이 적층 되 고 성장 한다 .