종합 하 면 종래 기술 에 비해 구별 되 고 , 본 발명 은 화학 중합 방식 으로 제 1 전도성 고분자 층 을 형성 하 고 , 작 은 과립 크기 의 분산 액 은 침적 하 여 제 2 전도성 고분자 층 을 형성 하 고 , 제 2 전도성 고분자 층 분 산액 보다 큰 과립 은 침적 하 여 제 3 전도성 고분자 층 을 형성 하 고 , 치밀 한 제 4 전도성 고분자 층 을 전기 화학 중합 형성 하 여 제 4 전도성 고분자 층 으로 하 고 , 콘덴서 저부 가 두꺼운 편 인 현상 을 개선 하 는 것 을 토대 로 용량 인출 을 향상 하 고 ESR 최적화 와 누전 을 줄인다 .