기판 을 의도 적 으로 가열 함 으로써 , 스퍼터링 성막 중 에 수분 이 산화물 반도체 막 중 에 도입 되 는 것 을 저감 하 는 효과 를 기대 할 수 있 다 . 또한 , 성막 한 후 에 열 처리 를 행함 으로써 산화물 반도체 막 으로부터 수소 나 수산기 , 또는 수분 을 방출 시켜 제거 할 수 도 있 고 , 상술 한 바 와 같이 전계 효과 이동도 를 향상 시킬 수 있 다 . 이 와 같 은 전계 효과 이동도 의 향상 은 , 탈수 화 · 탈수소 화 에 의한 불순물 의 제거 뿐 만 아니 라 , 고 밀도 화 에 의하 여 원자 간 거리 가 짧 아 지 기 때문 이 라고 도 추정 된다 . 또한 , 산화물 반도체 로부터 불순물 을 제거 하 여 고순 도 화함 으로써 결정화 를 도모 할 수 있 다 . 이 와 같이 , 고 순도 화 된 비단 결정 산화물 반도체 는 , 이상 적 으로 는 100 cm 2 / Vsec 를 초과 하 는 전계 효과 이동도 를 실현 할 수 도 있 다고 추정 된다 .