방사성 동위 원소 층 ( 130 ) 으로 는 Sr - 90 또는 Co - 60 등 이 쓰일 수 도 있 겠 으나 , 이 들 보다 비교 적 낮 은 에너지 를 방출 함 으로써 방사선 누설 등 의 위험 성 이 적 은 Ni - 63 이 적용 되 는 것 이 바람직 하 다 . 여기 서 , Ni - 63 에서 방출 되 는 방사선 은 400 ㎚ 에서부터 는 에너지원 으로써 실효 성 이 떨어지 게 된다 . 따라서 , 절연 층 ( 140 ) 과 핀 반도체 ( 150 ) 의 두께 ( a ) 는 400 ㎚ 인 것 이 바람직 하 다 .