본 발명 은 , 본 발명 의 경화 막 또는 적층 체 를 갖 는 반도체 디바이스 도 개시 한다 . 본 발명 의 감광성 수지 조성물 을 재 배선 층 용 층간 절 연막 의 형성 에 이용 한 반도체 디바이스 의 구체 예 로서 는 , 일본 공개 특허 공보 2016 - 027357 호 의 단락 0213 ~ 0218 의 기재 및 도 1 의 기재 를 참조 할 수 있 고 , 이 들 내용 은 본 명세서 에 원용 된다 .