상기 와 같 은 본 발명 의 반도체 장치 의 커패시터 형성 방법 에 따르 면 , 하부 노드 전극 을 형성 한 후 에 몰드 막 , 희생 막 패턴 및 하부 노드 전극 을 덮 는 , 습식 식각 액 이 침투 될 수 있 는 물질 로 이루어진 캡 핑 막 을 형성 한다 . 상기 캡 핑 막 은 후 속 에서 습식 식각 액 에 의해 몰드 막 및 희생 막 패턴 을 제거 하 는 공정 에서 상기 하부 노드 전극 의 기울어짐 현상 을 방지 할 수 있 는 지지막 역할 을 한다 .