그런 후 에 , 도 4 e 에 도시 한 바 와 같이 , 상기 제 3 하드 마스크 막 ( 201 ) 이 노출 될 때 까지 상기 구리 막 ( 207 ) 을 CMP 하 여 , 상기 제 3 트렌치 ( 202 ) 를 매립 하 는 제 2 Cu 본딩 라인 ( 207 a ) 을 형성 함 과 동시 에 , 상기 딥 비아 ( 203 ) 를 매립 하 는 제 2 Cu 본딩 패드 ( 207 b ) 를 형성 한다 . 즉 , 상기 CMP 공정 이 완료 됨 에 따라 , 상기 제 2 Cu 본딩 라인 ( 207 a ) 과 제 2 Cu 본딩 패드 ( 207 b ) 가 서로 전기 적 으로 분리 된다 .