따라서 , 본 발명 의 제 1 내지 제 3 실시 형태 의 반도체 장치 의 경우 , 회로 면적 의 증가 를 억제 하 면서 승압 효율 을 향상 시킬 수 있 는 차지 펌프 회로 를 실현 할 수 있 다 . 즉 , 차지 펌프 회로 ( 6 ) 내 에서 직렬 접속 된 정류 소자 TR 에서 의 치수 ( 거리 a ∼ d 및 폭 g ) 를 직렬 접속 의 전단 으로부터 후단 을 향하 여 규칙 적 으로 변화 시키 고 있 다 .