또한 , 도 5 a 및 도 5 b 의 트랜지스터 ( 162 ) 에서 는 미세화 에 기인 하 여 소자 사이 에 생기 는 리크 전류 를 억제 하 기 위하 여 섬 형상 으로 가공 된 산화물 반도체 층 ( 144 ) 을 사용 하 지만 , 섬 형상 으로 가공 되 지 않 는 구성 을 채용 하 여도 좋 다 . 산화물 반도체 층 을 섬 형상 으로 가공 하 지 않 는 경우 에 는 가공 할 때 산화물 반도체 층 ( 144 ) 이 에칭 으로 인하 여 오염 되 는 것 을 방지 할 수 있 다 .