쵸 크랄스 키 ( Czochralski ; CZ ) 법 으로 인상 성장 된 실리콘 단결정 을 가공 하 여 제작 된 실리콘 웨이퍼 는 산소 불순물 을 많이 포함 하 고 있 으며 , 웨이퍼 내 에 존재 하 는 산소 불순물 들 은 반도체 소자 의 제조 과정 에서 실시 되 는 열처리 공정 에 의해 산소 석출 물 이 되게 된다 . 일정 수준 이상 의 산소 석출 물 은 오염원 인 금속 불순물 에 대한 게터 링 사이트 ( gettering site ) 로 작용 하 기 때문 에 없 어서 는 안 될 필수 적 인 요 소이 다 . 그러나 , 이 산소 석출 물 이 소자 가 형성 되 는 표면 에 존재 하 는 경우 , 누설 전류 증대 및 산화 막 내압 저하 등 의 원인 이 되 어 반도체 소자 의 특성 에 큰 영향 을 미친다 .