도 3 , 도 4 및 도 6 을 참조 하 면 , 앞 에서 설명 한 바 와 같이 개구 ( 188 ) 의 가장자리 중 제 2 연장 부 ( 178 b ) 와 나란 하 게 연장 된 하측 가장자리 ( EG 2 ) 는 제 2 연장 부 ( 178 b ) 또는 제 2 연장 부 ( 178 b ) 와 중첩 하 는 반도체 ( 151 ) 와 중첩 할 수 있 다 . 즉 , 개구 ( 188 ) 의 하측 가장자리 ( EG 2 ) 는 제 2 연장 부 ( 178 b ) 또는 제 2 연장 부 ( 178 b ) 와 중첩 하 며 나란 한 반도체 ( 151 ) 의 부분 의 서로 마주 하 는 두 가장자리 사이 에 위치 하 거나 두 가장자리 중 하나 와 일치 할 수 있 다 . 이 에 따라 도 6 에서 제 1 절연 층 ( 180 a ) 및 제 2 절연 층 ( 180 b ) 의 개구 ( 188 ) 의 가장자리 ( EG 2 ) 에 인접 한 제 2 절연 층 ( 180 b ) 의 가장자리 부분 ( AA ) 의 제 3 방향 ( DR 3 ) 으로 의 높이 ( H 1 ) 가 상대 적 으로 낮 을 수 있 다 . 다시 말 해 , 개구 ( 188 ) 의 가장자리 ( EG 2 ) 에 인접 한 제 2 절연 층 ( 180 b ) 의 가장자리 부분 ( AA ) 의 제 3 방향 ( DR 3 ) 으로 의 두께 가 작 아 가장 자리 부분 ( AA ) 이 박리 , 즉 떨어져 나갈 가능 성 을 낮출 수 있 다 .