이 와 같이 형성 된 복수 의 플로팅 게이트 ( 14 ) 각각 은 하나 의 메모리 셀 을 구성 하 게 되 는데 , 이웃 하 는 플로팅 게이트 ( 14 ) 들 은 서로 간격 ( W ) 만큼 이격 되 어 있 다 . 플로팅 게이트 ( 14 ) 들 은 보통 사진 공정 및 에칭 공정 을 통해 패 터닝 되 므로 , 사진 공정 의 한계 를 넘 어서 간격 ( W ) 을 줄이 는 것 이 용이 하 지 않 다 . 또한 , 종래 의 플래시 메모리 소자 의 제조 과정 은 , 앞 에서 설명 한 대로 , 먼저 기판 에 STI 를 형성 한 후 별도 의 사진 공정 을 통해서 플로팅 게이트 들 을 패 터닝 하 는 방식 으로 진행 되 는데 , 플로팅 게이트 형성 과정 에서 식각 마스크 의 오 정렬 을 방지 하 기 위해서 는 최소한 의 정렬 마진 을 확보 해야 한다 . 따라서 , 플로팅 게이트 의 간격 을 일정 크기 이상 으로 유지 해야 하 므로 , 종래 의 플래시 메모리 형성 방법 에 의존 하 여서는 소자 의 집적도 를 더 이상 줄일 수 없 게 된다 . 또한 , 사진 공정 에 만 의존 하 는 경우 고가 의 장비 를 사용 하 여야 하 므로 제품 의 제조 비용 이 증가 하 게 된다 .