즉 , 박막층 까지 형성 된 단 열 패드 를 진공 조 내 에 장입 , 고정 시키 고 , 진공도 를 2 × 10 - 3 Torr 로 배기 시킨 후 3 kw 의 전원 을 증발원 에 인가 하 여 산화지르코늄 을 증발 시켜 산화지르코늄 증기 가 2 ㎛ 의 두께 로 단 열 패드 에 증착 되 도록 한다 . 그리고 , 산화지르코늄 층 위 에 같 은 방법 으로 이산화규소 를 2 ㎛ 의 두께 로 증착 시킨 후 단열 패드 를 진공 조 내 에서 인출 시켰 다 .