본 발명 의 일 실시 예 에 따르 면 , 발광 층 ( EL ) 과 유전체 층 ( D ) 사이 에 정공 발생 층 ( P ) 이 배치 된 경우 , 발광 층 ( EL ) 내부 에서 전자 주입 층 ( N 1 ) 으로부터 주입 된 일부 전자 와 정공 발생 층 ( P ) 으로부터 주입 된 정공 의 재결합 확률 이 높 아 질 수 있 다 . 이 에 따라 전자 충돌 이외 에 전자 - 정공 의 재결합 에 의해 기저 상태 에서 여기 상태 로 천 이 되 는 전자 들 이 존재 할 확률 이 커지 므로 , 교류 발광 효율 이 향상 될 수 있 다 .