도 2 를 참조 하 면 , 활성 영역 및 필드 영역 이 구비 된 반도체 기판 ( 1 ) 을 마련 한 후 , 상기 필드 영역 의 기판 ( 1 ) 부분 을 식각 하 여 트렌치 를 형성 한다 . 다음 으로 , 상기 트렌치 내 에 산화 막 을 매립 하 여 셀 ( cell ) 과 셀 간 의 전기 적 분리 를 위한 필드 산화 막 ( 2 ) 을 형성 한다 . 그런 다음 , 상기 필드 산화 막 ( 2 ) 을 일부 식각 하 여 기판 의 활성 영역 을 돌출 시킨다 . 다음 으로 , 상기 돌출 된 활성 영역 상 에 게이트 절 연막 ( 3 ) 과 도전 막 ( 4 ) 및 하드 마스크 막 ( 5 ) 으로 이루어진 게이트 ( 6 ) 를 형성 한다 .