도 5 및 도 6 을 참조 하 면 , 제 1 층간 절 연막 ( 117 ) 및 리세 스 도전 패턴 ( 121 ) 상 에 스 페이서 도전 층 ( 123 a ) 을 형성 한다 . 상기 스 페이서 도전 층 ( 123 a ) 은 베리드 도전 층 ( 121 a ) 과 동일 한 공정 예 를 들 어 , LP - CVD 공정 을 사용 하 여 형성 할 수 있 다 . 상기 스 페이서 도전 층 ( 123 a ) 은 상기 베리드 도전 층 ( 121 a ) 과 동일 한 물질 층 예 를 들 어 , 폴리 실리콘 층 일 수 있 고 , 그리고 약 500 Å 내지 1000 Å 의 두께 로 형성 될 수 있 다 . 이 경우 , 상기 스 페이서 도전 층 ( 123 a ) 을 형성 하 기 전 에 , 상기 리세 스 도전 패턴 ( 121 ) 상 에 형성 된 자연 산화 막 ( 미 도시 ) 을 제거 하 는 프리 클리닝 ( pre cleaning ) 공정 이 수행 될 수 있 다 . 상기 프리 클리닝 공정 은 습식 식각 공정 ( wet etch process ) 또는 건식 식각 공정 ( dry etch process ) 일 수 있 다 .