불소 - 기반 에칭 . 일부 실시 예 들 에서 , 원소 적 실리콘 및 실리콘 - 함유 화합물 들 , 예컨대 SiO 2 , SiN , SiC , SiOC , SiCN , SiON , SiCNO , 및 SOG ( spin on glass ) 는 주석 옥사이드 의 존재 시 불소 - 기반 에칭 을 사용 하 여 선택 적 으로 에칭 된다 . 불소 - 기반 에칭 은 실리콘 - 함유 재료 를 불소 - 함유 시약 ( 예 를 들 어 , NF 3 , SF 6 , 또는 플루오르화 탄소 ) 에 노출 , 일부 실시 예 들 에서 , 플라 즈 마 - 활성 화 되 는 단계 , 및 실리콘 - 함유 재료 를 휘발 성 실리콘 플 루오 라이드 로 변환 하 는 단계 를 수반 한다 . 그러나 , 주석 옥사이드 는 휘발 성 플 루 오 라 이드 를 형성 하 지 않 고 따라서 이 화학 물질 에 의해 실질 적 으로 에칭 되 지 않 는다 . 실리콘 - 함유 재료 들 에 더 하 여 , 티타늄 옥사이드 , 텅스텐 , 및 텅스텐 탄소 가 불소 - 기반 에칭 들 을 사용 하 여 주석 옥사이드 의 존재 시 선택 적 으로 에칭 될 수 있 다 . 불소 - 기반 에칭 은 , 일 구 현예 에서 , 불소 - 함유 반응 물질 ( 예 를 들 어 , NF 3 ) , 그리고 , 선택 가능 하 게 , 불활성 가스 를 함유 하 는 프로세스 가스 로 플 라즈 마 를 형성 하 는 단계 , 및 기판 은 형성 된 플 라즈 마 와 콘택트 하 는 단계 를 수반 한다 . 불소 - 기반 에칭 은 주석 옥사이드 의 존재 시 실리콘 - 함유 화합물 들 및 원소 적 실리콘 을 선택 적 으로 제거 할 수 있 다 . 일부 실시 예 들 에서 , 반도체 기판 이 제공 되 고 , 반도체 기판 은 실리콘 - 함유 화합물 의 노출 된 층 및 / 또는 원소 적 실리콘 ( Si ) 의 층 및 주석 옥사이드 의 층 을 포함 한다 . 다음 에 , 기판 은 플 라즈 마의 불소 - 함유 반응 물질 과 콘택트 되 고 실리콘 - 함유 화합물 및 / 또는 Si 는 주석 옥사이드 의 존재 시 선택 적 으로 에칭 된다 . 주석 옥사이드 는 이 에칭 전 에 노출 될 수 도 있 고 또는 에칭 과정 동안 노출 되 게 될 수 도 있 다 .