먼저 , 게이트 절연 층 위 에 형성 될 활성 층 의 형태 에 대응 되 는 shadow mask 를 부착 하 고 3 ~ 10 ㎚ 두께 의 티타늄 막 을 증착 한다 . 이어서 무산소 분위기 를 유지 하 면서 in - situ 로 remote 플 라즈 마 보조 화학 기상 증착 에 의해 티타늄 막 위 에 그래핀 박막 을 성장 시킨다 . 이 에 의해 본 발명 에서 는 전사 ( transfer ) 하 는 과정 없이 그래핀 층 이 티타늄 층 을 매개 로 게이트 절연 층 위 에 안정 적 으로 밀착 형성 된다 . 이렇게 성장 된 그래핀 박막 에 remote 플 라즈 마 처리 하 여 그래핀 박막 에 소정 의 데미지 를 가한다 . 적절 한 데미지 를 위한 플 라즈 마 처리 조건 은 하 기 실시 예 에 기재 하 였 다 . 이어서 데미지 를 가한 그래핀 박막 을 N 2 분위기 하 에서 remote 플 라즈 마 에 노출 시켜 질소 - 도핑 한다 . 이렇게 전사 하 는 과정 없이 그래핀 층 을 직접 in - situ 로 형성 함 으로써 고품질 과 고 안정 성 의 TFT 가 가능 하 게 되 는 것 이 다 . 하 기 실시 예 에서 는 티타늄 박막 형성 전 에 게이트 절연 층 위 에 shadow mask 를 부착 하 였으나 , 상황 에 따라서 는 ' 티타늄 박막 형성 후 ~ 그래핀 층 질소 - 도핑 후 ' 의 임의 의 단계 에서 활성 층 을 패 터닝 하 는 방법 을 택할 수 도 있 을 것 이 다 .