제 1 절 연막 ( 102 ) 은 , Si 계 의 절 연막 으로 설치 하 면 되 고 , 예 를 들 면 산화 실리 콘 막 , 산화 질화 실리콘 막 , 질화 실리콘 막 , 질화 산화 실리콘 막 등 의 단층 또는 이 들 을 적층 시킨 막 을 사용 할 수 있 다 . 이 들 막 은 , 열 산화 법 , ＣＶＤ 법 또는 스퍼터링 법 등 을 사용 하 여 형성 할 수 있 다 . 또한 ＣＶＤ 법 을 사용 하 여 제 1 절 연막 ( 102 ) 을 형성 할 경우 에 는 , 제 1 절 연막 ( 102 ) 으로서 , 테트라 에 톡 시 실란 ( 약칭 ; TEOS , 화학식 : Si ( ＯＣ 2 H 5 ) 4 ) 등 의 유기 실란 을 사용 하 여 화학 기상 성 장법 에 의해 제조 되 는 산화 실리콘 막 을 사용 할 수 있 다 . 또한 그 밖 에 도 실리콘 카바이드 ( SiC ) 막 등 의 Si 를 주성분 으로 하 는 절 연막 을 사용 해도 된다 .