이 어 , 상기 스 페이서 ( 168 ) 를 포함 한 반도체 기판 ( 161 ) 전면 에 감광막 을 도포 하 고 , 노광 및 현상 공정 으로 각 포토다이오드 영역 을 커버 하 고 상기 각 트랜지스터 의 소오 스 / 드레 인 영역 ( 여기 서 , 플로팅 확산 영역 ) 이 노출 되 도록 패 터닝 한다 . 그리고 , 상기 패 터닝 된 감광막 을 마스크 로 이용 하 여 상기 노출 된 상기 소오 스 / 드레 인 영역 에 고농 도 제 2 도전 형 ( n 형 ) 불순물 이온 을 주입 하 여 n 형 확산 영역 ( 플로팅 확산 영역 ) ( 170 ) 을 형성 한다 .