수소 이온 으로서 H 3 + 로 대표 되 는 클러스터 이온 은 , 수소 플 라즈 마 를 생성 하 고 , 상기 플 라즈 마 중 에 생성 되 는 이온 을 질량 분리 하 지 않 고 , 그대로 전계 에서 가속 함 으로써 주입 하 는 이온 도핑 장치 를 사용 하 여 행할 수 있 다 . 이온 도핑 장치 를 사용 함 으로써 , 면적 이 큰 반도체 기판 ( 119 ) 에 대해서 도 용이 하 게 행할 수 있 다 .