플래시 가열 처리 가 종료 된 후 , 소정 시간 경과 후 에 할로겐 램프 ( HL ) 가 소등 된다 . 이것 에 의해 , 반도체 웨이퍼 ( W ) 가 예비 가열 온도 T 1 로부터 급속히 강온 된다 . 강온 중 의 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 온도 는 하부 방사 온도계 ( 20 ) 에 의해 측정 되 며 , 그 측정 결과 는 제 어부 ( 3 ) 에 전달 된다 . 제 어부 ( 3 ) 는 , 하부 방사 온도계 ( 20 ) 의 측정 결과 로부터 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 온도 가 소정 온도 까지 강온 되 었 는지 여부 를 감시 한다 . 그리고 , 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 온도 가 소정 이 하로 까지 강온 된 후 , 이 재 기구 ( 10 ) 의 한 쌍 의 이재 아암 ( 11 ) 이 다시 퇴피 위치 로부터 이 재 동작 위치 로 수평 이동 하 여 상승 함 으로써 , 리프트 핀 ( 12 ) 이 서 셉 터 ( 74 ) 의 상면 으로부터 돌출 되 어 열처리 후 의 반도체 웨이퍼 ( W ) 를 서 셉 터 ( 74 ) 로부터 받 는다 . 계속 해서 , 게이트 밸브 ( 185 ) 에 의해 폐쇄 되 어 있 던 반송 개구부 ( 66 ) 가 개방 되 어 , 리프트 핀 ( 12 ) 상 에 재치 된 반도체 웨이퍼 ( W ) 가 반송 로봇 ( 150 ) 의 하측 의 반송 핸드 ( 151 b ) 에 의해 반출 된다 . 반송 로봇 ( 150 ) 은 , 하측 의 반송 핸드 ( 151 b ) 를 리프트 핀 ( 12 ) 에 의해 들 어 올려진 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 바로 아래 위치 로 까지 진출 시키 고 정지 시킨다 . 그리고 , 한 쌍 의 이재 아암 ( 11 ) 이 하강 함 으로써 , 플래시 가열 후 의 반도체 웨이퍼 ( W ) 가 반송 핸드 ( 151 b ) 에 건네 져 재치 된다 . 그 후 , 반송 로봇 ( 150 ) 이 반송 핸드 ( 151 b ) 를 프로세스 챔버 ( 6 ) 로부터 퇴출 시켜 반도체 웨이퍼 ( W ) 를 반출 한다 .