반도체 공정 부품 ( C ) 에 대한 코팅 처리 가 수행 되 는 경우 제 1 밸브 ( V 1 ) 및 제 2 밸브 ( V 2 ) 가 제 1 유입 라인 ( 111 ) 및 제 2 유입 라인 ( 112 ) 을 개방 하 여 이트리아 파우더 ( 411 ) 및 플루오르 함유 가스 ( 421 ) 가 코팅 공정 챔버 ( 100 ) 의 코팅 처리 공간 ( 101 ) 으로 주입 될 수 있 다 . 또한 , 반도체 공정 부품 ( C ) 에 대한 코팅 처리 가 완료 된 경우 제 1 밸브 ( V 1 ) 및 제 2 밸브 ( V 2 ) 가 제 1 유입 라인 ( 111 ) 및 제 2 유입 라인 ( 112 ) 을 폐쇄 하 여 코팅 공정 챔버 ( 100 ) 의 내부 로 이트리아 파우더 ( 411 ) 및 플루오르 함유 가스 ( 421 ) 가 주입 되 는 것 이 차단 될 수 있 다 .