본 발명 에 따른 표면 소수 화 막 형성 재료 를 이용 하 는 반도체 장치 의 제조 방법 으로서 는 , 상술 한 조건 을 만족 하 는 한 , 어떠 한 방법 이 어도 좋 다 . 구체 적 으로 는 반도체 장치 위 의 절 연막 에 접하 여 상기 표면 소수 화 막 형성 재료 를 도포 하 고 , 그 후 반도체 장치 를 80 ℃～ 500 ℃ 로 0 . 5 ～ 180 분 간 가열 하 여 표면 소수 화 막 을 형성 하 는 것 이 포함 되 어 있 으면 좋 다 . 또한 , 이 경우 의 「 반도체 장치 」 에 는 제조 도중 인 반도체 장치 도 포함 된다 . 이 와 같 은 범위 의 하한 을 벗어나 면 표면 소수 화 막 의 고화 나 경화 가 불 충분 해질 수 있 다 . 이러 한 범위 의 상한 을 벗어나 도 특단 의 효과 는 얻 어 지 지 않 는 경우 가 많 다 .