이때 , 상기 PSG 막 의 제 거시 , 소자 분리 막 ( 203 ) 의 일부 가 손실 ( B ) 하 게 된다 . 그러나 , 상기 PSG 막 은 습식 식각 율 이 일반 적 인 실리콘 산화 막 ( 204 ) 에 비해 매우 빠르 기 때문 에 제거 에 소요 되 는 시간 을 단축 시킬 수 있 으며 , 따라서 , 본 발명 은 단축 된 시간 에 해당 하 는 만큼 의 상기 소자 분리 막 ( 203 ) 의 손실 부위 ( B ) 가 증가 되 는 것 을 억제 시킬 수 있 다 .