플라 즈 마 프로세싱 챔버 내 반도체 디바이스 형성 방법 이 제공 된다 . 원자 층 에칭 은 SiN 에 대해 SiO 를 선택 적 으로 에칭 하 고 , 플루오르 화 된 폴리머 를 증착 한다 . 플루오르 화 된 폴리머 층 은 스트립 핑 되 고 , 플라 즈 마 프로세싱 챔버 내 로 산소 를 포함 하 는 스 트리핑 가스 를 흘리 는 단계 , 스 트리핑 가스 로부터 플 라즈 마 를 형성 하 는 단계 , 및 스 트리핑 가스 의 흐름 을 중단 하 는 단계 를 포함 한다 . SiN 층 은 SiO 및 SiGe 및 Si 에 대해 선택 적 으로 에칭 된다 .