상기 와 같 은 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 CMOS 이미지 센서 의 제조 방법 은 픽셀 어레이 부 및 로직 회로 부 로 구분 되 는 반도체 기판 을 제공 하 는 단계 와 , 상기 반도체 기판 에 하부 배선 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 하부 배선 을 포함 한 전면 에 층간 절 연막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 로직 회로 부 의 층간 절 연막 을 선택 적 으로 제거 하 여 제 1 비 아홀 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 제 1 비 아홀 내부 에 금속 을 매립 하 고 표면 을 평탄 화 하 여 상부 배선 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 상부 배선 을 포함 한 전면 에 보호막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 상부 배선 상 의 보호막 을 선택 적 으로 제거 하 여 제 2 비 아홀 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 여 이루어지 는 것 을 특징 으로 한다 .