스위칭 재료 로서 비정질 실리콘 을 이용 하 고 제 2 전극 으로서 은 을 이용 하 는 저항 스위칭 디바이스 들 은 비정질 실리콘 재료 의 증착 프로세스 ( deposition process ) 에 따라 크 게 상이 한 스위칭 특성 들 을 가질 수 있 다는 점 이 관찰 되 었 다 . 스퍼터링 프로세스 를 이용 하 여 비정질 실리콘 재료 가 형성 될 때 , 판독 하 거나 , 기록 하 거나 , 소거 하 기 위하 여 , 약 8 볼트 보다 큰 높 은 전압 이 요구 된다 . 이것 은 은 입자 들 이 정상 적 인 디바이스 동작 전압 에서 스퍼터링 된 비정질 실리콘 내 에 용이 하 게 형성 되 지 않 는다는 것 을 암시 한다 . 스퍼터링 된 비정질 실리콘 은 사소 한 양 의 수소 ( hydrogen ) 을 포함 하 고 , 높 은 밀도 를 가지 는 경향 이 있 다 . 이 에 따라 , 특정 실시 예 에서 , 얇 은 ( 바람직 하 게 는 5 nm 미만 ) 스퍼터링 된 비정질 실리콘 은 버퍼 층 으로서 이용 될 수 있 다 .