그러나 , 일반 적 으로 구리 금속 촉매 위 에서 성장 시킨 그래핀 은 표적 기판 위 에 전사 하 는 전 사공정 이 필수 적 인데 이때 대다수 의 그래핀 의 성질 을 심각 하 게 저하 시키 는 결함 이 필연 적 으로 발생 하 게 된다 . 이러 한 결함 의 발생 을 제어 하 는 표적 기판 위 에서 그래핀 을 직접 성장 시키 는 직 성 장법 에 관한 연구 가 현재 까지 활발히 진행 되 고 있 다 . 그러나 유연 전자 소자 의 구현 을 위해 기판 으로 쓰이 는 유기 재료 로 구성 되 어 있 는 유연 기판 은 열 적 안정 성 이 매우 불안 하 여 저온 에서 그래핀 을 직접 성장 시키 는 연구 가 반드시 필수 적 이 라 할 수 있 다 .