상기 한 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 반도체 소자 의 제조 방법 은 , 웨이퍼 상부 에 스토리지 노드 용 감광막 패턴 을 형성 하 는 제 1 단계 ; 감광막 패턴 의 전면 에 네 가티 브 포토 레지스 트 를 도포 하 는 제 2 단계 ; 웨이퍼 의 넷 - 다 이 영역 을 노출 시키 는 제 3 단계 ; 및 웨이퍼 의 넷 - 다 이 영역 에 노출 된 감광막 패턴 을 제거 하 는 제 4 단계 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .