상기 포토레지스트 조성물 은 실리콘 을 함유 할 수 있 다 . 구체 적 으로 , 상기 포토레지스트 조성물 은 실록 산 을 백본 ( backbone ) 으로 하 는 ( R 1 SiO 3 / 2 ) l ( R 2 SiO 3 / 2 ) m ( R 3 SiO 3 / 2 ) n 의 화학식 을 갖 는 고분자 화합물 을 포함 할 수 있 다 . 상기 화학식 에서 , 상기 R 1 내지 R 3 는 각각 독립 적 으로 수소 , 또는 치환 또는 비 치환 된 탄소 수 1 내지 20 의 탄화수소 ( hydrocarbyl group ) 일 수 있 다 . 상기 l 은 1 내지 10 의 정수 , 상기 m 은 1 내지 10 의 정수 , 및 상기 n 은 1 내지 10 의 정수 일 수 있 다 . 상기 고분자 화합물 은 1 , 000 내지 100 , 000 의 중량 평균 분자량 을 가질 수 있 다 . 최종 적 으로 , 상기 제 1 포토레지스트 패턴 ( PR 1 ) 내 의 실리콘 은 10 wt % 내지 40 wt % 일 수 있 다 .