상기 씨드 레이어 인 구리 ( Cu ) 를 제거 하 기 위한 습식 식각 공정 은 증류수 와 질산 용액 의 비 를 7 : 1 로 희석 하 여 상온 에서 식각 이 이루어지 며 , 상기 접착 층 인 크롬 ( Cr ) 은 60 g / ℓ 의 포타슘 과망 간 산염 ( potassium permanganate ) 과 200 g / ℓ 의 제 3 소듐 포스 페이트 ( tri - basic sodium phosphate ) 의 혼합 용액 속 에서 60 ℃ 로 온도 를 유지 하 면서 습식 식각 공정 이 이루어진다 .