먼저 , 패드 ( 304 ) 가 가장 자리 에 형성 된 반도체 칩 ( 302 ) 을 준비 한다 . 상기 반도체 칩 ( 302 ) 은 , 산소 , 아르곤 및 수소 플 라즈 마 를 이용 하 여 세정 이 완료 된 것 으로 표면 에 오염 이 존재 하 지 않 고 웨이퍼 상태 로 존재 하 는 것 이 바람직 하 다 . 이어서 상기 반도체 칩 ( 302 ) 의 상부 에 열가소성 수지 와 금속 화합물 을 포함 하 는 배선용 봉지 층 ( 306 ) 을 성형 방식 으로 형성 한다 . 상기 배선용 봉지 층 ( 306 ) 은 성형 방법 외 에 기타 다른 방법 으로 형성 해도 무방 하 다 . 여기 서 상기 배선용 봉지 층 ( 306 ) 의 열가소성 수지 는 , PBT ( PolyButylene Terephthalate ) , PP ( Poly Propylene ) 및 LCP ( Liquid Crystal Polymers ) 중 에 하나 를 포함 하 는 것 이 적합 하 고 , 상기 배선용 봉지 층 의 금속 은 구리 인 것 이 적합 하 다 . 상기 배선용 봉지 층 의 두께 는 성형 의 용이성 및 솔 더 볼 ( 316 ) 의 부착 등 을 고려 하 여 0 . 3 ~ 0 . 5 ㎜ 범위 인 것 이 적합 하 다 .