도 2 g 를 참조 하 면 , 도 3 a 에 더욱 상세히 설명 되 는 핑거 형 게이트 전극 구 조체 ( 141 - 144 ) ( 도 1 a 및 1 b ) 는 도시 되 는 바 와 같이 , 실리콘 ( Si ) 주조 호환 리소그래피 및 에칭 공정 을 이용 하 여 개방 부 또는 윈도우 ( 46 ) 를 통해 형성 된다 . 더욱 구체 적 으로 , 및 게이트 전극 구 조체 ( 141 - 144 ) 의 각각 은 구조 가 동일 하 고 , 이 들 의 예 로 , 여기 서 게이트 전극 구 조체 ( 141 ) 는 하 기 를 포함 하 는 것 으로 도 3 a 에 상세히 도시 된다 : ( A ) 게이트 금속 층 ( 14 a ) 을 갖 는 게이트 전기 접촉 구조 체 ( 14 GC ) , 여기 서 는 AlGaN 반도체 층 ( 36 ) 과 쇼트 키 접촉 하 는 단일 물질 또는 복수 의 물질 , 예 를 들 어 니켈 ( Ni ) , 티타늄 질화물 ( TiN ) , 니켈 / 탄탈럼 질화물 ( Ni / TaN ) , 니켈 / 탄탈럼 ( Ni / Ta ) , 니켈 / 탄탈럼 / 탄탈럼 질화물 ( Ni / Ta / TaN ) , 니켈 / 몰리브덴 ( Ni / Mo ) , 티타늄 질화물 / 텅스텐 ( TiN / W ) , 또는 도핑 된 규화물 ; 및 ( B ) 도 2 k 와 관련 하 여 기재 되 는 금 이 없 는 전극 접촉 , 여기 서 는 구리 다마스 커스 전극 접촉 . 종래 의 실리콘 ( Si ) 주조 호환 , 감산 적 패 터닝 기술 을 이용 하 여 형성 된 게이트 금속 층 ( 14 a ) 은 여기 서 III 족 - N 반도체 층 ( 36 ) 과 쇼트 키 접촉 을 형성 하 는 쇼트 키 접촉 금속 이 고 ; 게이트 전기 접촉 구조 체 ( 14 GC ) 는 금속 절연 게이트 HEMT ( MISHEMT ) 를 형성 하 도록 도 3 a 에 도시 되 는 바 와 같이 III 족 - N 반도체 층 ( 36 ) 과 게이트 금속 층 ( 14 a ) 사이 에 배치 되 는 박형 ( 일반 적 으로 ~ 2 - 10 nm ) 인 유전체 층 ( 14 b ) , 예 를 들 어 알루미늄 산화물 ( Al 2 O 3 ) 을 가질 수 있 음 을 주목 한다 . 게이트 금속 층 ( 14 a ) 은 인접 한 드레 인 전극 구조 체의 방향 으로 지시 되 는 오버행 부분 ( 15 ) 을 갖 는 전 계판 구조 를 형성 하 도록 도 3 a ' 에 도시 되 는 바 와 같이 감마 형 ( γ 형 ) 이 거나 도시 되 는 바 와 같이 T 형 일 수 있 음 을 주목 해야 한다 .