본 발명 에 따른 반도체 집적회로 의 형성 방법 은 도 5 a 및 도 5 b 에 개시 된 반사체 형성 방법 , 도 6 a 내지 도 6 d 에 개시 된 반사체 형성 방법 , 도 7 a 및 도 7 b 에 개시 된 반사체 형성 방법 및 도 8 a 내지 도 8 d 에 개시 된 반사체 형성 방법 중 에서 선택 된 복수 개 를 포함 할 수 있 다 . 이 경우 에 , 서로 다른 형태 의 반사체 들 ( 120 a , 125 , 130 , 135 ) 은 상기 피복층 ( 102 ) 내 에서 상기 반도체 기판 ( 100 ) 의 상부 면 에 수직 한 방향 으로 적층 되 는 것 이 바람직 하 다 .