상기 리세 스 패턴 ( RS ) 의 형성 은 이방성 식각 에 의하 여 이루어질 수 있 다 . 상기 이방성 식각 은 예 를 들 면 고밀도 플라스마 ( high density plasma , HDP ) 식각 , 반응 성 이온 식각 ( reactive ion etching ) , 스퍼터 식각 , 반응 성 이온 빔 식각 ( reactive ion beam etching ) 등 의 방법 에 의하 여 수행 될 수 있 다 . 그러나 본 발명 이 이 들 방법 에 한정 되 는 것 은 아니 다 .