그 후 실리콘 기판 ( 10 ) 은 백 그라인딩 등 에 의해 제 2 주면 을 스 크 래핑 ( scraping ) 함 으로써 씨 닝 된다 ( 단계 S 5 ) . 선 ( streak ) 들 이 실리콘 이 면 상 에 남 고 , 표면 거칠 기 는 수 ㎛ 내지 10 ㎛ 에 이른다 . 후속 단계 들 에서 리소그래피 및 RIE 로 공정 이 바로 진행 하 면 , 리소그래피 오 차 또는 RIE 오 차 가 발생 할 수 있 다 . 그리하여 바람직 하 게 는 , 예 를 들 어 , 화학 기계 적 연마 ( chemical mechanical polish , CMP ) 또는 습식 에칭 에 의해 제 2 주면 이 평탄 화 된다 .