이 들 다이오드 는 트랜지스터 의 게이트 및 드레 인 이 함께 접속 되 어 있 는 , 다이오드 접속 된 트랜지스터 , 또는 그 밖 의 트랜지스터 기술 을 사용 하 는 것 을 포함 하 는 다이오드 특성 을 갖 는 디바이스 를 얻 는데 사용 되 는 임의 의 기술 을 사용 하 여 설계 되 거나 제조 될 수 있 다 . 또 다른 구체 예 에서 , 다이오드 는 본원 에 참고 로 통합 되 는 2005 년 9 월 14 일자 출원 된 미국 특허 출원 제 11 / 162 , 548 호 에서 논의 된 바 와 같이 , 단일 벽 탄소 나노 튜브 및 나노 와 이 어 접합 또는 그 밖 의 접합 을 사용 하 여 나노 튜브 트랜지스터 와 합체 될 수 있 다 .