다음 으로 , 도 4 c 에 도시 한 바 와 같이 , 상기 제 3 트렌치 ( 202 ) 및 딥 비아 ( 203 ) 를 포함 한 전체 구조 표면 에 절 연막 ( 204 ) 을 형성 한다 . 상기 절 연막 ( 204 ) 은 , 상기 제 3 트렌치 ( 202 ) 와 딥 비아 ( 203 ) 를 분리 ( isolation ) 하 기 위하 여 , SiO 2 , SiN 및 SiC 중 어느 하나 를 이용 하 여 형성 하 며 , 상기 딥 비아 ( 203 ) 내 에서 충분 한 스텝 커버리지 를 얻 을 수 있 도록 500 내지 5 , 000 Å 정도 의 두께 로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 .