도 32 및 도 33 을 참조 하 면 , 제 1 활성 층 ( 350 ') 상 에 배치 되 는 제 1 절 연막 ( 130 '_ 4 ) 은 일부 영역 이 패 터닝 되 고 버퍼 막 ( 120 ) 은 부분 적 으로 노출 될 수 있 다 . 제 1 절 연막 ( 130 '_ 4 ) 은 제 1 스위칭 트랜지스터 ( SCT ) 가 배치 되 는 영역 에 는 배치 되 지 않 고 노출 되 고 , 그 위 에 배치 되 는 산화물 반도체 층 ( OXL '_ 4 ) 은 제 1 절 연막 ( 130 '_ 4 ) 및 버퍼 막 ( 120 ) 상 에 배치 될 수 있 다 . 도면 으로 도시 하 지 않 았 으나 , 산화물 반도체 층 ( OXL '_ 4 ) 중 제 1 절 연막 ( 130 '_ 4 ) 상 에 배치 된 부분 은 후속 공정 에서 제 1 산화물 층 ( 370 ) 을 형성 하 고 , 버퍼 막 ( 120 ) 상 에 배치 된 부분 은 후속 공정 에서 제 2 활성 층 ( 450 _ 4 ) 을 형성 할 수 있 다 .