도 2 d 에 도시 된 바 와 같이 , 포토레지스트 패턴 ( 26 ) 을 제거 한다 . 이때 , 포토 레 지스 트 패턴 ( 26 ) 의 제거 는 N 2 / H 2 가스 를 사용 하 여 수행 된다 . N 2 / H 2 가스 는 C 를 함유 하 는 폴리머 대비 포토레지스트 패턴 에 대한 식각 선택 비 가 높 은 가스 이 고 , 또한 전술 한 바 와 같이 폴리머 의 C 함량 을 증가 시켜 폴리머 의 강도 를 증가 시켰으므로 , 포토레지스트 패턴 ( 26 ) 의 제 거시 폴리머 층 ( 27 ) 손실 을 최소 화 할 수 있 다 .