그런데 , 위 와 같 은 게이트 패턴 ( 15 A ~ 17 A ) 의 형성 도중 에 식각 찌꺼기 ( 19 , etch residue ) 가 발생 하 고 , 이 식각 찌꺼기 ( 19 ) 가 포토레지스트 패턴 ( 18 ) 의 측벽 및 피식 각층 ( 17 A ~ 15 A ) 의 측벽 에 잔류 하 여 올바른 게이트 패턴 ( 15 A ~ 17 A ) 형성 공정 을 방해 한다 . 이 로 인해 , 하단 에 위치 하 는 게이트 전 도막 패턴 ( 15 A ) 의 폭 ( W 2 ) 이 정상 적 인 경우 ( W 1 ) 보다 넓 어 진다 .