이상 에서 상술 한 바 와 같이 본 실시 예의 발광 장치 ( 1 ) 에 따르 면 , 색 변환 층 ( 70 ) 이 전 열부 ( 20 b , 20 b ) 에 열 결합 되 어 있 으므로 색 변환 층 ( 70 ) 으로 발생 한 열 을 실장 기판 ( 20 ) 의 전 열부 ( 20 b , 20 b ) 를 통하 여 방열 시킬 수 있 다 . 그러므로 , 색 변환 층 ( 70 ) 의 온도 상승 을 보다 억제 할 수 있 고 광속 의 증가 를 도모 할 수 있 다 . 한편 , 본 실시 예 에서 는 LED 칩 ( 10 ) 으로서 두께 방향 의 한 표면 측 에 각 전극 이 형성 된 것 을 사용 하 고 있 지만 , 실시 예 1 과 같이 두께 방향 의 양면 으로 전극 이 형성 된 것 을 사용 해도 좋 다 . 이 경우 에 는 예 를 들 면 , 2 개 의 배선 패턴 ( 23 , 23 ) 내 한 방향 의 배선 패턴 ( 23 ) 일부 를 LED 칩 ( 10 ) 의 다이 패드 로서 이용 하 도록 해당 한 방향 의 배선 패턴 ( 23 ) 을 패턴 설계 하 면 좋 다 .