임시 산화 막 ( 13 ) 을 제거 한 후 , 도 1 c 에 도시 된 바 와 같이 , 스 페이서 절 연막 을 증착 하 고 이방성 식각 공정 을 진행 하 여 게이트 스 페이서 ( 15 , gate spacer ) 를 형성 한다 . 게이트 스 페이서 ( 15 ) 는 산화물 ( 15 a ) 과 질화물 ( 15 b ) 로 이루어진다 . 다음 으로 , 고농 도 이온 주입 공정 을 진행 하 여 고농 도 소스 / 드레 인 ( 16 ) 을 형성 하 고 , 이후 층간 절 연막 , 금속 배선 등 의 후속 공정 을 진행 한다 .