배위 용매 는 양자 점 의 성장 을 제어 하 는 것 을 도울 수 있 다 . 배위 용매 는 , 예 를 들 어 , 성장 하 는 양자 점 ( 예 를 들 어 , 반도체 나노 결정 을 포함 하 는 ) 의 표면 에 배위 되 는 것 이 가능 한 고립 전자쌍 인 도너 고립 전자쌍 을 갖 는 화합물 이 다 . 용매 배위 는 성장 하 는 양자 점 을 안정 화 할 수 있 다 . 배위 용매 의 예 는 알킬 포스핀 , 알킬 포스핀 산화물 , 알킬 포스폰산 또는 알킬 포스핀산 을 포함 하 지만 , 양자 점 ( 예 를 들 어 , 반도체 나노 결정 ) 제조 에 는 피리딘 , 퓨란 및 아민 과 같 은 다른 배위 용매 도 또한 적절 할 수 있 다 . 적절 한 배위 용매 의 추가 예 는 피리딘 , 트리 - n - 옥 틸 포스핀 ( TOP ) , 트리 - n - 옥 틸 포스핀 산화물 ( TOPO ) 및 트리스 히드록실 프로필 포스핀 ( tHPP ) , 트리 부틸 포스핀 , 트리 ( 도데 실 ) 포스핀 , 디 부틸 - 포스 파이트 , 트리 부틸 포스 파이트 , 트리 옥 타 데 실 포스 파이트 , 트리 라 우릴 포스 파이트 , 트리스 ( 트리 데 실 ) 포스 파이트 , 트리 이소 데 실 포스 파이트 , 비스 ( 2 - 에틸 헥 실 ) 포스 페이트 , 트리스 ( 트리 데 실 ) 포스 페이트 , 헥 사데 실 아민 , 올레 일 아민 , 옥 타 데 실 아민 , 비스 ( 2 - 에틸 헥 실 ) 아민 , 옥 틸 아민 , 디 옥 틸 아민 , 트리 옥 틸 아민 , 도데 실 아민 / 라 우릴 아민 , 디도 데 실 아민 , 트리 도 데 실 아민 , 헥 사데 실 아민 , 디 옥 타 데 실 아민 , 트리 옥 타 데 실 아민 , 페닐 포스폰산 , 헥 실 포스폰산 , 테트라 데 실 포스폰산 , 옥 틸 포스폰산 , 옥 타 데 실 포스폰산 , 프로필렌 디 포스폰산 , 페닐 포스폰산 , 아미노 헥 실 포스폰산 , 디 옥 틸 에테르 , 디페닐 에테르 , 메틸 미리 스테이트 , 옥 틸 옥 타노 에이트 및 헥 실 옥 타노 에이트 를 포함 한다 . 특정 실시 예 에서 , 공업 용 TOPO 를 사용 할 수 있 다 .