전하 트래핑 막 ( 120 ) 은 실리콘 질화물 과 같 은 질화물 혹은 하프늄 실리콘 산화물 과 같 은 하프늄 산화물 을 사용 하 여 형성 할 수 있 다 . 차 단막 ( 130 ) 은 실리콘 산화물 , 혹은 하프늄 산화물 , 티타늄 산화물 , 탄 탈륨 산화물 , 지르코늄 산화물 , 알루미늄 산화물 등 과 같이 고유 전 율 을 갖 는 금속 산화물 을 사용 하 여 형성 할 수 있 다 . 게이트 전 극막 ( 140 ) 은 도핑 된 폴리 실리콘 , 금속 , 금속 질화물 , 금속 실리사이드 등 을 사용 하 여 형성 할 수 있 다 . 예 시 적 인 실시 예 들 에 따르 면 , 게이트 전 극막 ( 140 ) 은 적어도 상부 에 도핑 된 폴리 실리콘 을 포함 하 도록 형성 된다 .