재료 의 서브 단일 층 이상 을 화학 기상 에칭 ( CVE ) 에 의해 기판 으로부터 제거 할 수 있 다 . 기상 에칭 반응물 ( 예컨대 , 흡착 반응물 및 / 또는 에 천트 ) 을 펄스 화 하 는 단계 는 , 최신 반도체 처리 에 사용 되 는 대면 적 기판 전체 에 걸쳐 원 하 는 분포 를 달성 하 기 위해 , 에칭 공정 을 조절 하 고 잘 제어 하 기 위한 추가 파라미터 를 제공 할 수 있 다 . 일부 펄스 화 에칭 공정 에서 , 하나 이상 의 기상 반응물 을 순차 적 펄스 로 사용 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 반응물 은 하나 의 펄스 로 흡착 된 다음 , 제 2 반응물 이 뒤따르 고 , 이 는 휘발 성 부산물 을 형성 하 고 , 상기 휘발 성 부산물 은 흡착제 원자 , 제 2 반응물 및 에칭 되 는 표면 으로부터 의 일부 원자 를 함유 한다 . 이런 방식 으로 , 기판 표면 상 에서 원 하 는 재료 의 에칭 을 세밀 하 게 제어 할 수 있 다 . 이렇게 펄스 화 되 고 주기 적 인 에칭 공정 을 위한 추가 적 인 시스템 및 방법 이 , 미국 특허 제 10 , 273 , 584 호 에 나타나 고 설명 되 고 있 으며 , 이 는 또한 본원 에 전체 가 참조 로 그리고 모든 목적 을 위해 포함 된다 .