거품기 ( 30 , 31 ) 를 통과 하 여 운 송관 ( 60 ) 을 따라 흐르 던 운반 기체 와 증발 된 전구체 는 반응기 ( 50 ) 의 헤드 샤워 ( 53 ) 를 통하 여 분사 되 는데 , 이 때 , RF 전원 ( 40 ) 이 샤워 헤드 ( 53 ) 와 연결 되 어 샤워 헤드 ( 53 ) 를 통해 분사 된 반응 가스 를 플 라즈 마 화 시킨다 . 반응기 ( 50 ) 의 샤워 헤드 ( 53 ) 를 통하 여 분사 된 플 라즈 마 화 된 전구체 는 받침대 ( 51 ) 위 에 놓인 기판 ( 1 ) 위 에 증착 되 어 박막 이 된다 . 증착 반응 이 완료 된 후 에 남 은 기체 는 반응기 하부 에 구비 된 배출 시스템 에 의하 여 바깥 으로 배출 된다 . 이때 , 반응기 ( 50 ) 의 He 압력 은 6 × 10 - 1 Torr 이 고 , 기판 ( 1 ) 의 온도 는 35 ℃ 이 다 . 기판 의 온도 는 기판 받침대 의 내부 에 매설 된 히터 를 이용 하 여 조절 한다 . 또한 , RF 생성기 에 공급 되 는 전력 은 15 W 이 며 , 이 로부터 만들 어 내 는 플라스마 주파수 는 약 13 . 56 MHz 이 다 .