음 이온 하우징 ( 120 ) 은 단말기 본체 ( 110 ) 에 형성 되 며 , 사용자 와 인접 하 도록 외관 에 형성 된다 . 또한 , 발생 한 음 이온 이 사용 자 에게 쉽 게 전달 될 수 있 도록 음 이온 하우징 ( 120 ) 의 커버 부 ( 122 ) 에 는 미세 한 구멍 ( 124 ) 들 이 형성 된다 . 미세 한 구 멍 ( 124 ) 들 은 위 로 볼록 하 게 형성 된 커버 부 ( 122 ) 에 전체 적 으로 분포 되 어 형성 된다 .