예 를 들 어 , 예시 적 인 실시 형태 는 , 논리 엘리먼트 와 함께 공통 층간 금속 유전체 ( IMD ; interlayer metal dielectric ) 층 에 배치 되 도록 구성 된 자기 터널 접합 ( MTJ ) 저장 엘리먼트 ; 및 MTJ 저장 엘리먼트 에 연결 되 는 공통 IMD 층 내 의 감소 된 두께 의 금속 배선 ― 감소 된 두께 의 금속 배선 은 논리 엘리먼트 의 대응 하 는 금속 배선 보다 두께 면 에서 더 작음 ― 을 포함 하 는 반도체 디바이스 를 포함 한다 .