지금 까지 설명 한 바 와 같이 , 본 발명 에 따른 반도체 소자 의 캐 패 시터 형성 방법 에 의하 면 , 상부 전극 을 금속 막 과 도핑 되 지 않 은 폴리 실리콘 게르마늄 막 이 적층 된 구조 로 형성 하 고 , 상기 폴리 실리콘 게르마늄 막 상 에 특정 한 Rp 점 을 포함 하 는 이온 주입 층 을 형성 한 후 저온 의 열처리 공정 을 진행 하 여 이온 주입 층 을 활성 화 하 여 상부 전극 의 비저항 을 감소 시킴 으로서 소자 의 신뢰 성 을 향상 시킬 수 있 다 .