또한 , 후술 하 는 바 와 같이 , 얻 어 지 는 반도체 성 산화 물막 의 조성 에 대해서 는 , 금속 성분 에서 의 갈륨 의 비율 ( 몰 비 ) 이 0 . 2 이상 인 것 이 바람직 하 다 . 예 를 들 어 , In : Ga : Zn = 1 : 1 : 1 인 경우 에 는 , 갈륨 의 비율 은 0 . 33 이 며 , In : Ga : Zn = 1 : 1 : 0 . 5 의 경우 에 는 0 . 4 이 다 .