다음 에 , 실시 형태 6 과 같이 다 계조 마스크 를 사용 한 공정 에 의해 , 게이트 전극 ( 251 ) , 공통 선 ( 256 ) , 신호선 ( 271 c ) 각각 을 노출 시키 는 콘택트 홀 을 형성 한다 . 또한 , 도너 가 되 는 불순물 원소 를 포함 하 는 미결정 반도체 막 ( 231 a ) , 제 1 버퍼 층 ( 232 a ) , 제 2 버퍼 층 ( 233 a ) 의 각각 일부 를 에칭 하 여 , 도너 가 되 는 불순물 원소 를 포함 하 는 미결정 반도체 막 ( 235 ) , 제 1 버퍼 층 ( 236 ) , 및 제 2 버퍼 층 ( 237 ) 의 측면 을 노출 시키 는 동시 에 , 게이트 절 연막 ( 52 b ) 을 노출 시키 는 콘택트 홀 ( 245 ) 을 형성 한다 .