도 3 을 참조 하 면 , 상변화 메모리 소자 는 하부 전극 ( 110 ) 과 하부 전극 ( 110 ) 상 의 상변화 물질 패턴 ( 120 ) 을 포함 한다 . 도면 에 는 도시 되 지 않 았 지만 , 상변화 물질 패턴 ( 120 ) 상 에 상부 전극 ( 미 도시 ) 이 형성 된다 . 편의 상 , 도 3 의 아래 방향 에서 윗방 향인 세로축 방향 을 제 1 방향 이 라 하 고 , 제 1 방향 과 수직 인 가로축 방향 을 제 2 방향 이 라 가정 한다 . 따라서 상변화 메모리 소자 는 하부 전극 ( 110 ) , 상변화 물질 패턴 ( 120 ) 및 상부 전극 ( 미 도시 ) 이 제 1 방향 으로 순차 적 으로 적층 되 어 형성 된다 . 상변화 물질 패턴 ( 120 ) 은 제 2 방향 으로 의 폭 ( W 1 , W 2 , W 3 ) 이 제 1 방향 으로 불연속 적 으로 증가 하 는 형상 을 가진다 . 도면 에서 는 세 개 의 폭 을 가지 는 것 으로 도시 되 었 지만 본 발명 의 기술 적 사상 은 여기 에 한정 되 지 않 으며 , 제 2 방향 으로 의 폭 이 제 1 방향 으로 불연속 적 으로 증가 하 는 형상 을 가지 는 모든 상변화 물질 패턴 에 모두 적용 된다 . 상변화 물질 패턴 ( 120 ) 은 하부 전극 ( 110 ) 에 대해서 대칭 인 형상 을 가지 는 것 이 바람직 하 다 . 하부 전극 ( 110 ) 에 인접 한 상변화 물질 패턴 ( 120 ) 의 제 2 방향 으로 의 폭 ( W 1 ) 은 상부 전극 ( 미 도시 ) 에 인접 한 상변화 물질 패턴 ( 120 ) 의 제 2 방향 으로 의 폭 ( W 3 ) 보다 작 은 것 이 바람직 하 다 . 도 3 에서 상변화 물질 패턴 ( 120 ) 은 제 2 방향 으로 제 1 폭 ( W 1 ) 을 가지 는 제 1 상변화 물질 패턴 ( 121 ) , 제 2 폭 ( W 2 ) 을 가지 는 제 2 상변화 물질 패턴 ( 122 ) 및 제 3 폭 ( W 3 ) 을 가지 는 제 3 상변화 물질 패턴 ( 123 ) 이 하부 전극 ( 110 ) 상 에서 제 1 방향 으로 순차 적 으로 적층 되 어 형성 된다 . 제 3 폭 ( W 3 ) 은 제 2 폭 ( W 2 ) 보다 크 며 , 제 2 폭 ( W 2 ) 은 제 1 폭 ( W 1 ) 보다 크 다 .