종래 의 ISFET 은 상온 에서 감 지도 가 최대 59 mV / pH 의 네른스트 한계 를 극복 하 기 위해 듀얼 게이트 구조 의 ISFET 을 이용 해 감 지도 를 자 가 증폭 시켰 다 . 구체 적 으로 , 듀얼 게이트 구조 의 ISFET ( DG ISFET ) 의 경우 , 제 1 유전체 층 ( 112 ) 의 두께 를 줄이 고 , 제 2 유전체 층 ( 114 ) 의 두께 를 늘림 으로써 상부 와 제 2 유전체 층 ( 114 ) 사이 의 커플링 ( capacitive coupling ) 현상 을 이용 하 여 감 지도 를 자 가 증폭 시키 는 방식 을 적용 하 였 다 .