주변 회로 영역 ( 1002 ) 의 전역 을 덮 고 그리고 메모리 셀 영역 ( 1001 ) 에서 게이트 상 절 연막 ( 203 ) 을 노출 시키 는 레지스 트 패턴 을 형성 한다 . 이 레지스 트 패턴 을 마스크 로 하 여 , 메모리 셀 영역 ( 1001 ) 의 게이트 상 절 연막 ( 203 ) 을 제거 한다 . 이 때 , 주변 회로 영역 ( 1002 ) 에서 는 게이트 상 절 연막 ( 203 ) 은 레지 스트로 마스크 되 어 있 기 때문 에 제거 되 지 않 는다 . 메모리 셀 영역 ( 1001 ) 의 게이트 상 절 연막 ( 203 ) 은 예 를 들 어 , 드라이 에칭 으로 제거 할 수 있 다 . 이 드라이 에칭 은 예 를 들 어 , CF 4 / CH 2 F 2 / He = 45 / 30 / 100 sccm , 압력 = 10 mTorr ( 1 . 33 Pa ) , RF 파워 상부 / 하부 = 900 / 80 W 의 조건 으로 실시 할 수 있 다 .