그 후 , 도 1 c 에 도시 한 바 와 같이 , 반도체 성 산화 물막 ( 105 ) 을 형성 한다 . 본 실시 형태 에서 는 , 반도체 성 산화물 로서 , In - Ga - Zn 계 산화물 을 채용 한다 . 즉 , In - Ga - Zn 계 산화물 을 타깃 으로 해서 스퍼터링 법 에 의해 형성 한다 . 산화물 타깃 의 충전율 은 90 ％ 이상 100 ％ 이하 , 바람직 하 게 는 95 ％ 이상 99 ％ 이하 로 한다 . 충전율 이 높 은 산화물 타깃 을 사용 함 으로써 , 얻 어 지 는 반도체 성 산화 물막 을 치밀 한 막 으로 할 수 있 다 .