반도체 기판 의 소정 영역 에 소자 분리 막 이 라인 형태 로 형성 되 어 액티브 영역 ( a ) 및 필드 영역 ( b ) 이 확정 된다 . 액티브 영역 ( a ) 의 소정 영역 에 는 터널 산화 막 및 플로팅 게이트 ( c ) 가 형성 된다 . 그리고 플로팅 게이트 ( c ) 와 중첩 되 고 , 액티브 영역 ( a ) 및 필드 영역 ( b ) 과 교차 되 도록 컨트롤 게이트 ( d ) 가 형성 된다 .