상기 수동 소자 패턴 ( 125 r ) 의 상부 면 의 일부분 상 에 콘 택 금속 - 반도체 화합물 패턴 ( 155 r ) 이 배치 될 수 있 다 . 상기 콘 택 금속 - 반도체 화합물 패턴 ( 155 r ) 은 상기 수동 소자 패턴 ( 125 r ) 및 상기 수동 소자 패턴 ( 125 r ) 에 접속 되 는 콘 택 플러그 ( 180 r ) 간 의 접촉 저항 을 감소 시킬 수 있 다 . 따라서 , 상기 콘 택 금속 - 반도체 화합물 패턴 ( 155 r ) 은 상기 수동 소자 패턴 ( 125 r ) 의 상부 면 중 에서 상기 콘 택 플러그 ( 180 r ) 와 의 접촉 을 위한 일부분 상 에 만 형성 되 는 것 이 바람직 하 다 . 일 실시 예 에 따르 면 , 반응 방지 유전 막 ( 152 ) 이 상기 수동 소자 패턴 ( 125 r ) 의 상부 면 중 에서 상기 콘 택 금속 - 반도체 화합물 패턴 ( 155 r ) 이 형성 되 지 않 은 부분 상 에 배치 될 수 있 다 . 상기 수동 소자 패턴 ( 125 r ) 이 실리콘 을 포함 하 는 경우 에 , 상기 콘 택 금속 - 반도체 화합물 패턴 ( 155 r ) 은 금속 실리사이드 로 형성 될 수 있 다 .