먼저 , 도 7 a 에 도시 된 바 와 같이 , 제 1 절연 기판 ( 미 도시 ) 상 에 게이트 배선 ( 121 , 123 ) , 공통 전압선 ( 125 ) 및 차단 층 ( 128 ) 을 동시 에 동일 한 물질 로 형성 한다 . 여기 서 , 게이트 배선 ( 121 , 123 ) 은 , 도 7 a 에 도시 된 바 와 같이 , 가로 방향 으로 뻗 어 있 는 게이트 선 ( 121 ) , 게이트 선 ( 121 ) 의 단부 에 연결 되 어 외부 로부터 의 게이트 신호 를 인가 받 아 게이트 선 ( 121 ) 으로 전달 하 는 게이트 패드 ( 미 도시 ) , 및 게이트 선 ( 121 ) 의 일부 로써 박막 트랜지스터 를 구성 하 는 게이트 전극 ( 123 ) 을 포함 하 도록 형성 되 어 있 다 . 공통 전압선 ( 125 ) 은 화소 영역 ( P , 도 2 참조 ) 의 가장자리 를 따라 형성 되 어 있 으며 , 게이트 선 ( 121 ) 의 연장 방향 을 따라 상호 연결 되 어 있 다 . 차 단층 ( 128 ) 은 복수 의 차 단배 선 ( 129 ) 을 포함 하 며 , 차 단배 선 ( 129 ) 은 형성 될 데이터 선 ( 141 ) 과 유사 하 게 꺽 쇄 형상 ( <) 과 같이 일부 절곡 된 형상 으로 마련 되 어 있 다 . 그리고 , 차 단배 선 ( 129 ) 은 게이트 선 ( 121 ) 의 연장 방향 으로 서로 일정 간격 이격 되 어 배치 되 어 있 다 .