먼저 , 절연 기판 ( 201 ) 위 에 반도체 층 이 형성 되 며 상기 반도체 층 은 순수 한 실리콘 층 으로 이루어진 활성 층 ( 203 ) 과 불순물 이 도핑 된 실리콘 층 으로 이루어진 오 믹 컨 택 층 ( 204 ) 을 차례 로 증착 하 여 형성 될 수 있 다 . 이때 상기 반도체 층 의 증착 에 는 일반 적 으로 저압 화학 기상 증착 ( Low Pressure Chemical Vapor Deposition ; LPCVD ) 방법 이나 플 라즈 마 강화 형 화학 기상 증착 ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ; PECVD ) 방법 이 사용 되 며 , 상기 오 믹 컨 택 층 ( 204 ) 은 활성 층 ( 203 ) 이 소스 전극 ( 208 ) 및 드레 인 전극 ( 209 ) 과 접촉 저항 이 작 은 상태 에서 접촉 할 수 있 도록 하 는 역할 을 한다 .