부성 미분 저항 ( negative differential resistance , NDR ) 소자 는 통상 적 인 경우 와 반 대로 인가 된 전압 이 증가 함 에 도 불구 하 고 전류 가 오히려 감소 하 는 특성 을 보인다 . 이 와 같이 NDR 특성 을 보이 는 소자 는 에사키 다이오드 ( Esaki diode ) , 공명 터널 링 다이오드 ( resonant tunneling diode ) 및 단 전자 트랜지스터 ( single electron transistor ) 등 이 있 다 . 이러 한 소자 들 은 터널 링 을 이용 하 기 때문 에 고속 동작 특성 을 가지 며 , 다 치 논리 회로 의 구현 이 가능 하 다는 장점 이 있 다 .