도전 성 박막 ( 4 ) 은 , 후술 하 는 본 발명 의 방법 에 따라 제조 되 는 도전 성 을 가지 는 박막 이 다 . 이 도전 성 박막 ( 4 ) 을 구성 하 는 재료 로서 는 , 예 를 들 면 , Pd , Pt , Ru , Ag , Au , Ti , In , Cu , Cr , Fe , Zn , Sn , Ta , W 및 Pb 등 의 금속 과 , PdO , SnO 2 , In 2 O 3 , PbO 및 Sb 2 O 3 등 의 금속 산화물 을 들 수 있 다 . 상기 재료 는 HfB 2 , ZrB 2 , LaB 6 , CeB 6 , YB 4 및 GdB 4 등 의 금속 붕화물 과 , TiN , ZrN , HfN 등 의 금속 질화물 과 , TiC , ZrC , HfC , TaC , SiC 및 WC 등 의 금속 탄화물 과 , Si , Ge 등 의 반도체 와 , 카본 을 함유 할 수 도 있 다 .