도 33 을 참조 하 면 , 기판 ( 110 ) 의 주면 ( 110 M ) 상 에 제 1 절연 층 ( 120 ) 을 형성 하 고 , 제 1 절연 층 ( 120 ) 상 에 하부 희생 층 ( 320 ) 및 제 2 반도체 층 ( 174 ) 을 순차 적 으로 형성 하 고 , 제 2 반도체 층 ( 174 ) 상 에 복수 의 제 1 절연 층 ( 120 ) 과 복수 의 희생 층 ( 310 ) 을 교대 로 형성 할 수 있 다 . 하부 희생 층 ( 320 ) 은 실리콘 질화물 , 또는 실리콘 산질 화물 을 사용 하 여 형성 할 수 있 고 , 제 2 반도체 층 ( 176 ) 은 불순물 이 도핑 된 폴리 실리콘 또는 도핑 되 지 않 은 폴리 실리콘 을 사용 하 여 형성 할 수 있 다 .