구체 적 으로 제 2 영역 ( B ) 상 에서 , 제 3 마스크 ( 406 ) 에 의해 커버 되 지 않 는 희생 막 ( 180 ) 상부 및 제 3 마스크 ( 406 ) 에 의해 커버 되 지 않 는 제 4 예비 컨트롤 게이트 ( 148 ) 의 상면 및 측벽 일부 상 의 제 1 절 연막 ( 170 ) 부분 이 제거 되 어 , 제 3 희생 막 패턴 ( 186 ) 및 제 5 절 연막 패턴 ( 178 ) 이 각각 형성 되 며 , 제 4 게이트 마스크 ( 158 ) 도 제거 된다 . 이 에 따라 , 제 5 절 연막 패턴 ( 178 ) 은 제 4 터널 절 연막 패턴 ( 118 ) , 제 4 플로팅 게이트 ( 128 ) , 제 4 유전 막 패턴 ( 138 ) 의 측벽 및 제 4 예비 컨트롤 게이트 ( 148 ) 의 측벽 일부 를 커버 하 도록 형성 된다 . 이때 , 제 5 절 연막 패턴 ( 178 ) 의 상면 은 제 1 영역 ( A ) 상 의 제 1 절 연막 패턴 ( 172 ) 의 상면 과 다른 높이 를 가질 수 있 다 . 일 실시 예 에 따르 면 , 제 5 절 연막 패턴 ( 178 ) 의 상면 은 제 1 절 연막 패턴 ( 172 ) 의 상면 보다 낮 은 높이 를 갖 는다 .