한편 , 반도체 소자 가 점차 고집 적 화 됨 에 따라 셀 영역 뿐 만 아니 라 주변 회로 영역 , 특히 레저 부아 커패시터 의 면적 이 감소 하 면서 , 커패시터 정전 용량 을 제어 하 기 위한 레저 부아 커패시터 의 접촉 면적 을 확보 하 는 데 제약 이 있 다 . 그 결과 , 내부 전압 의 사용 에 따른 레저 부아 커패시터 의 노이즈 발생 억제 능력 이 저하 되 어 정보 처리 시간 ( turnaround time ) 이 증가 하 는 등 반도체 특성 이 열화 된다 .