우선 , 첫 번 째 방법 은 도 8 a 에 도시 된 바 와 같이 데이터 패턴 이 형성 된 절연 기판 ( 110 ) 위 에 무기 물질 을 PECVD , CVD 등 의 증착 방법 을 통해 증착 한다 . 그리 고 , 제 3 마스크 를 이용 한 포 토리 소그라 피 공정 및 식각 공정 으로 제 1 내지 제 4 컨 택 홀 ( 181 , 182 , 183 , 184 ) 을 포함 하 는 무기 보호막 ( 171 ) 을 형성 한다 .