본 발명 은 기판 위 에 ( 100 ) 면 으로 우선 배양 된 실리콘 층 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 실리콘 층위 에 서로 이격 된 육면체 마스크 패턴 들 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 육면체 마스크 패턴 들 에 따라 상기 실리콘 층 을 식각 하 여 서로 이격 된 사면체 실리콘 패턴 들 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 사면체 실리콘 패턴 들 에 따라 상기 기판 의 일부 를 식각 하 여 상기 기판 의 상부 에 서로 이격 된 사면체 패턴 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 반도체 소자 용 기판 제조 방법 을 제공 한다 .