도 8 b 를 참조 하 면 , 가령 건식 식각 공정 으로 몰드 스택 ( 303 ) 을 패 터닝 하 여 수직 채널 들 ( 340 ) 사이 에 워드 라인 컷 ( 332 ) 을 형성 할 수 있 다 . 그리고 , 워드 라인 컷 ( 332 ) 을 통해 인산 ( H 3 PO 4 ) 을 제공 하 여 제 2 희생 막 들 ( 321 - 324 ) 을 습식 식각 할 수 있 다 . 이 에 따라 , 제 1 희생 막 들 ( 311 - 315 ) 사이 에 리세 스 영역 들 ( 326 ) 이 형성 될 수 있 다 . 리세 스 영역 ( 326 ) 에 의해 정보 저 장막 ( 355 ) 이 노출 될 수 있 다 . 제 2 희생 막 들 ( 321 - 324 ) 의 습식 식각 시 수직 채널 ( 340 ) 은 정보 저 장막 ( 355 ) 에 의해 둘러싸여 있 고 , 특히 정보 저 장막 ( 355 ) 의 가장 바깥쪽 은 , 도 2 c 에 도시 된 바 와 같이 , 실리콘 산화 막 혹은 알루미늄 산화 막 으로 구성 된 블록 킹 절 연막 ( 353 ) 이 형성 되 어 있 으므로 인산 어택 을 받 지 않 을 수 있 다 .