도 15 c 에 도시 한 트랜지스터 ( 430 ) 는 보텀 게이트 형 의 박막 트랜지스터 이 며 , 절연 표면 을 갖 는 기판 인 절연 층 ( 400 ) 위 에 게이트 전극 층 ( 401 ) , 게이트 절연 층 ( 402 ) , 소스 전극 층 ( 405 a ) , 드레 인 전극 층 ( 405 b ) 및 산화물 반도체 층 ( 403 ) 을 포함 한다 . 또한 , 트랜지스터 ( 430 ) 을 덮 고 , 산화물 반도체 층 ( 403 ) 에 접하 는 절연 층 ( 407 ) 이 형성 되 어 있 다 . 절연 층 ( 407 ) 위 에 는 절연 층 ( 409 ) 이 더 형성 되 어 있 다 .