한편 , 몇몇 실시 예 에서 , 광 조사 장치 ( 500 ) 에서 조사 되 는 광 ( hv ) 의 중심 파장 대역 은 특별히 제한 되 지 않 는다 . 상기 광 ( hv ) 은 쌍극자 ( DP ) 의 종류 에 따라 달라질 수 있 다 . 후술 할 바 와 같이 , 쌍극자 ( DP ) 는 반도체 재료 를 포함 하 는 발광 소자 ( 30 , 도 43 에 도시 ) 일 수 있 고 , 광 조사 장치 ( 500 ) 에서 조사 되 는 광 ( hv ) 의 중심 파장 대역 의 발광 소자 ( 30 ) 에 포함 된 활성 층 ( 33 , 도 43 에 도시 ) 에 따라 달라질 수 있 다 . 예 시 적 인 실시 예 에서 , 발광 소자 ( 30 ) 에 포함 된 활성 층 ( 33 ) 에서 방출 되 는 광 이 제 1 파장 대역 을 갖 는 경우 , 광 조사 장치 ( 500 ) 에서 조사 되 는 광 ( hv ) 도 중심 파장 대역 이 제 1 파장 대역 을 가질 수 있 다 . 예컨대 발광 소자 ( 30 ) 에 포함 된 활성 층 ( 33 ) 이 파장 대역 이 약 450 nm 인 청색광 을 방출 하 는 경우 , 광 조사 장치 ( 500 ) 의 광 ( hv ) 도 파장 대역 이 약 450 nm 을 가질 수 있 다 . 이 와 동일 하 게 , 활성 층 ( 33 ) 이 파장 대역 이 약 550 nm 인 녹 색광 을 방출 하 는 경우 , 광 조사 장치 ( 500 ) 의 광 ( hv ) 도 파장 대역 이 약 550 nm 을 갖 고 , 활성 층 ( 33 ) 이 파장 대역 이 약 780 nm 인 적 색광 을 방출 하 는 경우 , 광 조사 장치 ( 500 ) 의 광 ( hv ) 도 파장 대역 이 약 780 nm 을 가질 수 있 다 . 다만 , 이 에 제한 되 는 것 은 아니 다 .