세차 운동 스핀 전류 자기 층 ( 550 ) 및 TaN 층 ( 551 ) 의 계면 에서 다른 재료 들 이 사용 될 수 있 으며 , 이것 의 예 들 은 Co , Fe 및 CoFeB 와 같 은 이 들 엘리먼트 들 을 함유 하 는 합금 을 포함 한다 . 마찬가지 로 , 다양 한 계면 층 들 을 갖 는 상이 한 Co - Fe 비들 을 선택 하 는 것 은 세차 운동 스핀 전류 자기 층 ( 550 ) 에 대한 원 하 는 자화 들 을 획득 하 는 것 을 가능 하 게 할 수 있 다 . MRAM 스택 디바이스 들 의 다른 실시 예 들 이 도 8 및 도 9 에 도시 된다 . 이 들 실시 예 들 에서 , 구조물 들 은 도 6 a 및 도 6 b 및 도 7 의 맥락 에서 설명 된 실시 예 들 과 유하 사 며 , 세차 운동 스핀 전류 자기 층 ( 550 ) 의 구조물 에 차이 가 있 다 . 도 8 에 도시 된 MRAM 디바이스 ( 600 ) 에서 , 세차 운동 스핀 전류 자기 층 ( 550 ) 은 스 페이서 ( 540 ) 위 에 배치 된 Fe 층 ( 643 ) 을 포함 한다 . Fe 층 ( 643 ) 은 0 . 5 내지 1 . 0 나노미터 의 두께 를 갖 는 Fe 의 박막 을 포함 할 수 있 다 . 이 실시 예 에서 , 세차 운동 스핀 전류 자기 층 ( 550 ) 은 CoFeB 층 ( 647 ) 을 더 포함 한다 . CoFeB 층 ( 647 ) 은 0 . 5 내지 4 . 0 나노미터 범위 의 두께 를 가질 수 있 다 .