이 와 같 은 사진 공정 을 매개 로 웨이퍼 상 에 정밀 한 반도체 패턴 을 형성 하 고자 할 때 , " 희망 하 는 패턴 의 형상 으로 상기 포토레지스트 패턴 이 형성 되 도록 하 기 위해 상기 포토레지스트 를 선택 적 으로 감광 시키 는 패턴 마스크 로 사용 되 는 "" 레티 클 "" 의 위치 가 지정 된 위치 에 있 어야 하 고 ", 상기 레티 클 에 대응 되 는 웨이퍼 또한 정확 하 게 정렬 되 어 있 어야 만 한다 . 이외 에 상기 레티 클 에 투영 되 어 입사 되 는 광 을 전달 하 는 광학계 의 불량 과 같 은 다양 한 원인 에 의하 여 레티 클 과 웨이퍼 의 얼라인먼트 가 정확 하 게 이루어지 지 않 을 경우 , 선행 공정 에 의하 여 웨이퍼 상 에 형성 된 다수 의 박막 패턴 상 에서 지정 된 위치 에 후속 공정 에 의한 또 다른 박막 패턴 이 형성 되 지 못하 는 문제점 이 발생 하 는 바 , 이 와 같 은 문제점 은 곧 반도체 제품 이 고유 의 기능 을 상실 함 을 의미 한다 .