그러나 , 종래 기술 은 도 1 의 ' A ' 와 도 2 의 ' A ' 에 나타난 것 처럼 , 자기 터널 접합 셀 을 형성 하 기 위한 식각 공정 시 발생 한 도전 성 식각 부산물 ( etch by product , 18 ) 로 인하 여 자기 터널 접합 셀 의 전기 적 인 특성 이 열화 되 는 문제점 이 있 다 . 이 는 피닝 막 ( 12 ) , 핀 드 막 ( 13 ) 및 자유 막 ( 15 ) 을 구성 하 는 금속 화합물 의 끓는점 ( boilimg point ) 이 높 기 때문 에 이 들 을 식각 과정 에서 발생 된 도전 성 식각 부산물 ( 18 ) 이 잘 휘발 되 지 않 고 , 자기 터널 접합 셀 의 측벽 에 재 증착 ( redeposition ) 되 기 때문 이 다 . 특히 , 자기 터널 접합부 ( 17 ) 의 측벽 에 재 증착 되 어 핀 드 막 ( 13 ) 과 자유 막 ( 15 ) 을 쇼트 ( short ) 시키 는 도전 성 식각 부산물 ( 18 ) 로 인하 여 자기 터널 접합 셀 의 전기 적 인 특성 이 열화 되 고 , 이 는 자기 터널 접합 셀 을 이용 하 는 반도체 소자 예컨대 , 자기 저항 메모리 장치 의 페일 ( fail ) 을 유발 하 여 반도체 소자 의 신뢰 성 및 제조 수율 ( yield ) 을 저하 시키 는 문제점 이 있 다 . 이러 한 문제점 을 유발 하 는 자기 터널 접합부 ( 17 ) 측벽 에 재 증착 된 도전 성 식각 부산물 ( 18 ) 은 피닝 막 ( 12 ) 을 식각 하 는 과정 에서 발생 하 는 것 으로 , 피닝 막 ( 12 ) 을 식각 하 는 과정 에서 발생 된 도전 성 식각 부산물 ( 18 ) 로 인하 여 자기 터널 접합 셀 의 전기 적 인 특성 이 열화 되 는 것 을 방지 할 수 있 는 방법 이 필요 하 다 .