튜브 ( 7 ) 는 원형 의 단면 을 가지 며 , 석영 ( 즉 불활성 및 내화성 의 물질 ) 으로 제작 된다 . 셀 ( 6 ) 은 본질 적 으로 튜브 와 같 은 형상 의 몸체 를 가지 고 , 원형 의 단면 을 가지 며 , 튜브 ( 7 ) 내 로 삽입 된다 . 셀 ( 6 ) 은 섬유질 또는 다공 성 의 흑연 ( porous graphite ) ( 즉 열 적 으로 절연 성 및 내화성 의 물질 ) 으로 제작 된다 . 반응 챔버 는 형상 에 있 어서 실질 적 으로 원통형 이 고 , 셀 ( 6 ) 내 로 삽입 되 어 그 벽 들 은 서로 결합 된 채 로 존재 한다 . 하 부벽 ( 3 ) 의 외부 형상 은 반달 의 단면 을 가지 며 , 상부 벽 ( 2 ) 의 외부 형상 은 잘려진 반달 의 단면 을 가진다 . 두 벽 들 은 속 이 비 어 있 으며 , 그 공동 들 은 중앙부 에 있 으며 실질 적 으로 동일 한 두께 를 가진다 ( 따라서 하 부벽 ( 3 ) 의 공동 ( 31 ) 은 반달 형상 을 가지 며 , 상부 벽 ( 2 ) 의 공동 ( 21 ) 은 잘려진 반달 형상 을 가진 다 ) . 상부 벽 ( 2 ) 의 공동 ( 21 ) 은 하부 벽 ( 3 ) 의 공동 ( 31 ) 보다 작 다 . 상부 벽 ( 2 ) 이 잘려져 있 기 때문 에 , 공간 ( 8 ) 은 상부 벽 ( 2 ) 과 셀 ( 6 ) 사이 에서 형성 된다 . 좌측 벽 ( 4 ) 과 우측 벽 ( 5 ) 은 실질 적 으로 동일 하 고 , 실질 적 으로 직사각 형 의 단면 을 가진다 ( 셀 ( 6 ) 과 맞춰 지 도록 일 측 에 약간 의 볼록 부가 존재 한다 ) . 측벽 ( 4 , 5 ) 들 은 하부 벽 ( 3 ) 위 에 얹혀 지 며 , 상부 벽 ( 2 ) 을 지지 한다 . 또한 벽 들 간 의 정밀 하 고 정확 한 상호 위치 결정 을 위하 여 , 예컨대 작 은 돌출부 및 / 또는 함몰 부 ( 미 도시 ) 가 존재 할 수 도 있 다 . 공동 ( 10 ) 은 직사각 형 의 단면 을 가지 며 , 다소 낮 고 폭 이 넓 다 . 반응 챔버 의 상부 벽 ( 2 ) 과 하부 벽 ( 3 ) 은 흑연 으로 제작 된다 ( 전기 적 으로 전도성 이 고 , 열 적 으로 도 전도성 이 며 , 내화성 의 물질 로 마련 됨 ) . 보호 코팅 층 ( 일반 적 으로 SiC 또는 TaC 로 형성 됨 ) 은 이러 한 벽 들 상 에 마련 될 수 있 는데 , 특히 공동 ( 10 ) 과 마주 보 는 측 에 마련 된다 . 반응 챔버 의 좌측 벽 ( 4 ) 과 우측 벽 ( 5 ) 은 유리 하 게 는 실리콘 탄화물 로 제작 될 수 있 다 ( 내화성 이 고 , 열 적 으로 는 전도성 이 며 , 전기 적 으로 는 절연 성 의 물질 로 마련 됨 ) . 실리콘 탄화물 의 대체물 로서 , 보론 질화물 ( boron nitride ) 이 대신 이용 될 수 있 다 . 상기 벽 들 은 예컨대 실리콘 탄화물 의 두꺼운 층 으로 코팅 된 흑연 으로 제작 되 어 , 상부 벽 ( 2 ) 과 하부 벽 ( 3 ) 을 서로 전기 적 으로 절연 시킬 수 도 있 다 .