기판 자체 의 표면 을 제 1 영역 으로 하 고 , 기판 의 표면 에 형성 한 무기 층 의 표면 을 제 2 영역 으로 하 는 양태 로 는 , 기판 표면 에 있 어서 의 재질 이 상이 한 2 이상 의 인접 하 는 영역 사이 에 있 어서 선택 적 으로 소수성 향상 시켜 물 의 접촉각 의 차 를 향상 시키 는 관점 에서 , Si 기판 , SiN 기판 , Ox 기판 , TiN 기판 , TaN 기판 , Ge 기판 및 SiGe 기판 으로 이루어지 는 군 에서 선택 되 는 적어도 1 종 의 기판 의 표면 을 제 1 영역 으로 하 고 , 상기 기판 의 표면 에 형성 한 , W , Co , Al , Ni , Ru , Cu , TiN 및 TaN 으로 이루어지 는 군 에서 선택 되 는 적어도 1 종 을 포함 하 는 무기 층 의 표면 을 제 2 영역 으로 하 는 양태 가 바람직 하 다 .