하지만 , 본 발명 의 실시 예 에 따른 연속 광 소결 박막 트랜지스터 제조 방법 에 의하 면 , 종래 의 진공 조건 하 증착 및 노광 식각 과 는 달리 , 상기 기판 ( 100 ) 상 에 용액 상 의 상기 산화물 반도체 소스 용액 ( 130 ) 을 제공 하 여 광 소결 함 으로써 , 진공 조건 형성 이 불 필요 한 것 에 따라 , 저 비용 으로 단시간 에 상기 예비 산화물 반도체 층 ( 170 ) 을 형성 할 수 있 는 장점 이 있 다 .