상기 보호막 ( 115 ) 에 상기 드레 인 전극 ( 122 b ) 의 일부분 을 노출 하 는 콘 텍 홀 ( C ) 을 형성 한다 . 이 와 동시 에 , 상기 제 1 게이트 패드 라인 ( 350 a ) 이 형성 되 지 않 은 게이트 배선 의 끝단 을 노출 하 는 콘 텍 홀 ( P 2 ) 을 동시 에 형성 한다 . 이후 , 상기 보호막 ( 115 ) 상 에 도전 막 을 형성 한 뒤 패 터닝 하 여 , 상기 드레 인 전극 ( 122 b ) 와 연결 되 는 화소 전극 ( 160 ) 과 , 상기 콘 텍 홀 ( P 2 ) 에 노출 된 게이트 배선 과 연결 되 는 제 2 게이트 패드 라인 ( 350 b ) 을 동시 에 형성 한다 .