절연 구 조체 ( 700 ) 상 에 배치 되 는 센싱 소자 층 ( 20 c ) 에 는 각 흡수 영역 들 ( SA 11 , SA 12 , SA 13 ) 을 구분 하 는 소자 분리 구조 체 ( 812 ) 를 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 소자 분리 구조 체 ( 812 ) 는 STI ( Shallow Trench Isolation ) 또는 LOCOS ( LOCal Oxidation of Silicon ) 일 수 있 다 .