상기 지문 인식 모듈 은 , 신호 처리 회로 가 형성 된 기판 ( 760 ) ; 상기 기판 ( 760 ) 에 결합 되 며 , 캐비 티 ( 751 ) 를 갖 는 영구 결합 층 ( 750 ) ; 및 상기 영구 결합 층 ( 750 ) 에 위치 하 는 압 전 변환기 ( 800 ) 를 포함 하 되 , 상기 압 전 변환기 ( 800 ) 는 제 1 전극 ( 720 ) , 상기 제 1 전극 ( 720 ) 에 위치 하 는 압 전 층 ( 730 ) , 및 상기 압 전 층 ( 730 ) 에 위치 하 는 제 2 전극 ( 740 ) 을 포함 하 고 , 상기 압 전 변환기 ( 800 ) 는 상기 캐 비티 ( 751 ) 를 커버 한다 .