현재 거의 모든 상업 적 결정 실리콘 태양 전지 는 보론 이 도핑 된 p - 타입 기판 을 사용 하 여 제작 된다 . 그러나 , 보론 - 도핑 된 기판 들 은 광원 에 노출 되 는 경우 에 광 유도 열화 ( Light Induced Degradation , LID ) 현상 을 겪 는다 . LID 로 인한 효율 손실 은 일반 적 으로 절대 수치 로 는 0 . 2 내지 0 . 5 % 이 거나 , 또는 상대 수치 로 는 1 . 2 내지 2 . 9 % 에 이른다 . 반면 에 , n - 타입 으로 도핑 된 기판 들 은 LID 현상 을 겪 지 않 는다 . 이 에 더 하 여 , 더 높 은 벌크 수명 을 갖 는 n - 타입 기판 들 은 p - 타입 기판 들 에 비해서 더욱 용이 하 게 제작 될 수 있 다 . 더 나아가 , 주어진 도 펀트 농도 및 도전 성 타입 에 대해서 , 전자 에 대한 전하 캐리어 확산 거리 는 정공 에 대한 전하 캐리어 확산 거리 와 는 다르 다 . 결과 적 으로 , n - 타입 기판 들 은 p - 타입 기판 들 에 비해서 더욱 향상 된 전하 캐리어 확산 거리 를 가질 수 있 다 . 이러 한 모든 이유 들 로 인해서 , 고 효율 태양 전지 용 으로 는 n - 타입 기판 들 이 이상 적 인 후보 가 된다 .