상기 와 같 은 문제점 을 해결 하 기 위하 여 본 발명 은 나노 구조 체 제조 장치 의 일 측 에 기판 상부 에서 성장 하 는 나노 막대 의 직경 , 길 이 그리고 밀도 를 조절 할 수 있 는 에칭 가스 를 주입 하 기 위한 에칭 가스 주 입관 을 더 형성 하 고 , 시간 의 경과 에 상관없이 원 하 는 나노 막대 를 얻 을 수 있 는 나노 막대 제조 장치 를 제공 하 는 것 을 목적 으로 한다 .