다음 에 , 반도체 기판 ( 110 ) 을 제거 한다 . 이 때 레이저 리프트 오프 공정 또는 화학 적 리프트 오프 공정 을 이용 할 수 있 는데 , 예컨대 , 레이저 리프트 오프 공정 을 이용 할 경우 , 반도체 기판 ( 110 ) 전면 에 레이저 빔 을 조사 하 여 반도체 기판 ( 110 ) 을 분리 한다 . 화학 적 리프트 오프 공정 을 이용 할 경우 , 반도체 기판 ( 110 ) 과 발광 구조물 사이 에 습식 식각 에 의해 제거 될 수 있 는 희생 층 을 더 구비 하 고 , 이 를 선택 적 으로 제거 할 수 있 는 식각 액 을 이용 하 여 반도체 기판 ( 110 ) 을 분리 한다 . 이러 한 리프트 오프 공정 에 의해 반도체 기판 ( 110 ) 과 접촉 하 고 있 던 버퍼 층 의 면 이 외부 로 노출 된다 . 버퍼 층 은 습식 세정액 을 이용 하 여 제거 한다 .