도 4 m 에서 , CMP 는 에어 갭 시일 링 ( 157 ) 을 생성 하 도록 기판 ( 100 ) 의 상단 표면 상 에 위치 된 시일 링 층 ( 156 ) 의 일부 를 제거 하 도록 사용 된다 . 일부 예 들 에서 , 에 어 갭 시일 링 ( 157 ) 의 상단 표면 은 CMP 후 에 게이트 캡 핑 층 ( 145 ) 및 ILD 층 ( 132 ) 의 상단 표면 과 동일 평면 상 이 다 . 도 4 n 에서 , 복수 의 핀 들 ( 114 ) 로부터 이격 되 고 평행 한 평면 을 따라 취해진 기판 의 단면 이 도시 된다 . 에 어 갭 ( 159 ) 이 에어 갭 시일 링 ( 157 ) 아래 에 위치 된다 .