상기 를 달성 하 기 위해 , 본 개시 는 또한 전자 장치 를 제공 하 는데 , 이것 은 열 원 및 탄성 열 - 방출 구조 를 포함 한다 . 상기 탄성 열 - 방출 구조 는 상기 열 원 의 표면 상 에 배치 되 고 , 다공성 탄성 부재 , 복수 의 제 1 열전 도 부재 들 및 복수 의 제 2 열전 도 부재 들 을 포함 한다 . 상기 제 1 열전 도 부재 들 및 상기 제 2 열전 도 부재 들 은 상기 다공성 탄성 부재 내 에 혼합 된다 . 상기 제 1 열전 도 부재 들 각각 은 5 ㎛ 보다 크 고 50 ㎛ 보다 작 거나 또는 같 은 최대 폭 을 가지 고 , 상기 제 2 열전 도 부재 들 각각 은 0 ㎛ 보다 크 고 5 ㎛ 보다 작 거나 또는 같 은 최대 폭 을 가진다 . 상기 제 1 열전 도 부재 들 각각 및 상기 제 2 열전 도 부재 들 각각 의 두께 는 0 . 3 nm 보다 크 거나 같 고 30 nm 보다 작 거나 같 다 . 상기 탄성 열 - 방출 구조 의 밀도 가 0 . 1 g / cm 3 보다 크 거나 같 고 1 . 0 g / cm 3 보다 작 거나 같 을 때 , 상기 제 1 열전 도 부재 들 및 상기 제 2 열전 도 부재 들 의 함량 은 0 . 01 % 보다 크 거나 같 고 20 % 보다 작 거나 같 다 . 상기 탄성 열 - 방출 구조 의 밀도 가 1 g / cm 3 보다 크 고 2 g / cm 3 보다 작 거나 같 을 때 , 상기 제 1 열전 도 부재 들 및 상기 제 2 열전 도 부재 들 의 함량 은 20 % 보다 크 고 40 % 보다 작 거나 같 다 . 상기 탄성 열 - 방출 구조 의 밀도 가 2 g / cm 3 보다 크 고 4 g / cm 3 보다 작 거나 같 을 때 , 상기 제 1 열전 도 부재 들 및 상기 제 2 열전 도 부재 들 의 함량 은 40 % 보다 크 고 50 % 보다 작 거나 같 다 . 상기 탄성 열 - 방출 구조 의 밀도 가 4 g / cm 3 보다 크 고 10 g / cm 3 보다 작 거나 같 을 때 , 상기 제 1 열전 도 부재 들 및 상기 제 2 열전 도 부재 들 의 함량 은 50 % 보다 크 고 60 % 보다 작 거나 같 다 .