도 26 은 본 발명 의 한 실시 예 에 따른 표시 장치 에 어닐링 을 수행 한 경우 에 박막 트랜지스터 의 특성 을 보여 주 는 그래프 이 다 . 도 26 에서 보 는 바 와 같이 , 어 닐 링 전 과 비교 하 여 어닐링 후 누설 전류 가 현저 하 게 낮 아 지 는 것 을 확인 할 수 있 다 . 또한 채널 이 비정질 규소 ( a - Si ) 에 형성 되 는 경우 와 비교 하 여 본 발명 의 한 실시 예 에 따른 박막 트랜지스터 가 높 은 온 전류 특성 을 나타내 는 것 또한 확인 할 수 있 다 .