반도체 소자 의 집적도 가 증가 함 에 따라 , 소자 와 소자 또는 층 과 층 을 고전 도 성 박막 으로 연결 시키 는 콘 택 홀 의 크기 는 감소 하 는 반면 , 층간 절 연막 의 두께 는 증가 하 고 있 다 . 따라서 , 콘 택 홀 의 종횡비 ( 즉 , 홀 의 직경 에 대한 홀 의 길이 의 비 ) 가 증가 하 여 기존 의 콘 택 형성 방법 으로 는 미세 크기 의 콘 택 홀 을 형성 하 는 것 이 어렵 게 되 었 다 .