후 , 상기 게이트 물질 ( 230 a , 230 b , 240 a , 240 b , 250 a , 250 b , 260 a , 260 b ) 들 을 식각 하 여 상기 셀 영역 의 홈 ( H ) 상 에 는 리 세스 게이트 ( recess gate , 270 a ) 를 , 셀 영역 의 소자 분리 막 ( 220 a ) 에 는 기생 게이트 ( parasitic gate , 271 a ) 를 , 상기 주변 영역 의 활성 영역 상 에 는 플래너 게이트 ( planar gate , 270 b ) 를 형성 한다 .