상술 과 같이 도체 페이스트 를 칩 의 끝 면 에 문질러 외부 전극 을 형성 하 는 경우 에 는 , 측면 에 형성 되 는 외부 전극 은 도체 페이스트 의 아래 로 드리워짐 으로써 형성 된다 . 더욱 구체 적 으로 는 , 끝 면 과 측면 으로 형성 되 는 능선 에서 떼 어 낸 도체 페이스트 가 칩 의 측면 을 따라 흐르 는 것 으로 측면 에 있 어서 의 외부 전극 이 형성 된다 . 그 때문 에 , 칩 의 측면 에 형성 되 는 외부 전극 의 형상 은 , 도체 페이스트 의 점 도 등 에 좌우 되게 된다 . 그렇지만 , 도체 페이스트 의 점도 를 자유 롭 게 제어 하 는 것 은 곤란 하 기 때문 에 , 칩 의 측면 에 있 어서 의 외부 전극 의 능선 으로부터 멀 어 지 는 방향 에서 의 길이 를 도체 페이스트 의 점 도 조정 에 의해서 제어 하 는 것 은 곤란 하 다 .