III - V 족 반도체 다층 구조 의 식각 방법 및 이 를 이용 한 수직 공진 형 표면 방출 레이저 제조 방법 에 관하 여 개시 한다 . III - V 족 반도체 로 구성 되 는 제 1 반도체 층 과 , 상기 제 1 반도체 층 과 는 다른 성분 의 III - V 족 반도체 로 구성 되 는 제 2 반도체 층 을 포함 하 는 적층 구조 를 Cl 2 , Ar , CH 4 및 H 2 로 이루어지 는 혼합 가스 의 플 라즈 마 에 노출 시켜 식각 함 으로서 수직 공진 형 표면 방출 레이저 의 거울 층 을 형성 한다 . 표면 방출 레이저 를 구성 하 는 하부 거울 층 , 하부 전극 층 , 광학 이득 층 , 상부 전극 층 및 상부 거울 층 중 적어도 일부 를 1 회 의 식각 공정 을 통해 식각 하 여 깨끗 하 고 원활 한 식각 면 을 가지 는 소자 를 얻 는 것 이 가능 하 다 .