이상 에 설명 한 바 와 같이 , 본 실시 형태 에 관한 액티브 매트릭스 기판 의 제작 ( 소위 어레이 공정 ) 이 완료 된다 . 본 실시 형태 에서 설명 한 바 와 같이 , 사이드 에칭 을 이용 하 여 게이트 전극 층 을 형성 하 고 , 또한 다 계조 마스크 를 이용 하 여 소스 전극 및 드레 인 전극 층 을 형성 함 으로써 , 1 장 의 마스크 에 의한 박막 트랜지스터 의 제작 이 가능 하 게 된다 .