도 12 a 에 도시 하 는 공정 후 , 도 13 a 에 도시 하 는 바 와 같이 , 보호 절 연막 ( 76 ) 위 에 절 연막 ( 101 ) 을 형성 한다 . 여기 서 는 , 감광 성 의 유기 수지 를 사용 하 여 절 연막 ( 101 ) 을 형성 한다 . 다음 에 , 다 단계 마스크 ( 160 ) 를 사용 하 여 절 연막 ( 101 ) 을 감광 한 후 현상 하 여 , 도 13 b 에 도시 하 는 바 와 같이 , 박막 트랜지스터 의 배선 을 덮 는 보호 절 연막 ( 76 ) 을 노출 하 는 오 목부 ( 111 a ) 와 용량 배선 ( 51 c ) 위 에 오 목부 ( 111 b ) 를 형성 한다 . 여기 서 는 , 박막 트랜지스터 의 배선 에서 절 연막 ( 101 ) 을 100 % 의 투과광 으로 노광 할 수 있 고 , 또한 , 용량 배선 ( 51 c ) 위 에서 는 절 연막 ( 101 ) 을 10 % 내지 70 % 로 감쇠 된 투과광 으로 노광 할 수 있 는 다단계 마스크 ( 160 ) 를 사용 한다 .