일부 구 현예 에서 , 산화 막 은 패 터닝 된 리세 스 , 예컨대 트렌치 를 갖 는 기판 상 에 효과 적 으로 증착 된다 . 본 개시 에서 , " 인접 하 는 수직 스페이스 들 사이 의 리세 스 및 임의 의 다른 리세 스 패턴 은 "" 트렌치 "" 로 지칭 된다 . 즉 ", 트렌치 는 수직 스 페이서 로 형성 된 패턴 을 포함 하 는 임의 의 리세 스 패턴 이 고 , 일부 구 현예 에서 , 약 20 nm 내지 약 100 nm 의 폭 ( 전형 적 으로 약 30 nm 내지 약 50 nm ) ( 여기 서 , 트렌치 의 길이 가 실질 적 으로 폭 과 동일 할 때 , 이 는 홀 / 비아 ( via ) 로 지칭 되 며 , 이 들 의 직경 은 약 20 nm 내지 약 100 nm 임 ) , 약 30 nm 내지 약 100 nm 의 깊이 ( 전형 적 으로 약 40 nm 내지 약 60 nm ) , 그리고 약 1 내지 약 10 의 종횡비 ( 전형 적 으로 약 2 내지 약 5 ) 를 갖 는다 . 트렌치 의 적절 한 치수 는 공정 조건 , 막 조성물 , 의도 된 용도 등 에 따라 달라질 수 있 다 .