도 3 에 도시 된 바 와 같이 , 상기 제 1 포토레지스트 패턴 ( 200 ) 을 식각 마스크 로 하 여 상기 보호막 ( 130 ) 및 IMD 층 ( 115 ) 을 식각 하 면 상기 보호막 ( 130 ) 및 IMD 층 ( 115 ) 에 패드 오픈 부 ( 135 ) 가 형성 되 어 상기 패드 ( 120 ) 의 상면 이 노출 된다 . 이때 , 상기 패드 ( 120 ) 의 표면 에 형성 된 전도성 배리어 막도 식각 되 어 상기 패드 ( 120 ) 의 표면 은 노출 되 어 진다 .