이 와 같이 제 2 실시 예의 경우 , 후면 보호 부 ( 192 ) 는 복수 의 에미 터부 ( 121 ) 및 복수 의 후면 전계 부 ( 172 ) 하부 와 기판 ( 110 ) 사이 에 위치 하 고 , 불순물 이 존재 하 지 않 거나 거의 없 는 진성 반도체 물질 ( 진성 a - Si ) 의 후면 보호 부 ( 192 ) 로 인해 , 결정질 반도체 물질 로 이루어진 기판 ( 110 ) 위 에 바로 복수 의 에미 터부 ( 121 ) 와 복수 의 후면 전계 부 ( 172 ) 가 위치 할 때 보다 복수 의 에미 터부 ( 121 ) 와 복수 의 후면 전계 부 ( 172 ) 형성 시 결정 화 현상 이 줄어든다 . 이 로 인해 , 비정질 실리콘 위 에 위치 하 는 복수 의 에미 터부 ( 121 ) 와 복수 의 후면 전계 부 ( 172 ) 의 특성 이 향상 된다 .