상술 한 바 와 같이 다이오드 ( 204 ) 는 위쪽 또는 아래쪽 을 포인팅 할 수 있 는 수직 p - n 또는 p - i - n 다이오드 일 수 있 다 . 인접 한 메모리 레벨 들 이 전도체 를 공유 하 는 도 2 d 의 실시 예 에서 인접 한 메모리 레벨 은 반대 방향 을 포인팅 하 는 , 예 를 들 어 제 1 메모리 레벨 에 있 어서 아래쪽 - 포인팅 p - i - n 다이오드 및 인접 한 두 번 째 메모리 레벨 에 있 어서 는 위쪽 - 포인팅 p - i - n 다이오드 ( 또는 역도 또한 같 음 ) 인 다이오드 를 가지 는 것 이 바람직 하 다 .