이 에 대하 여 , 세정 처리 를 했 을 경우 , 도 5 의 ' 전 세정 있 음 ' 에 나타내 는 바 와 같이 , 실리콘 막 의 막 두께 증가 경향 을 나타낼 때 까지 의 시간 이 5 분 정도 로서 , ' 전 세정 없 음 ' 과 비교 해 3 분 정도 짧 은 결과 가 나왔 다 . 이 3 분 동안 의 차이 는 , 웨이퍼 표면 에 있 는 결합수 의 수 에 의존 하 고 있 는 것 으로 생각 된다 . 상술 한 바 와 같이 , 웨이퍼 표면 에서 는 실리콘 계 가스 의 분해 , 표면 흡착 , 마이 그레 이 션 , 해리 와 같 은 반응 이 반복 적 으로 일어나 고 있 고 , 전 세정 을 함 으로써 웨이퍼 표면 의 실리콘 계 가스 흡착 을 위한 결합수 밀도 가 전 세정 을 하 지 않 는 경우 와 달리 , 즉 전 세정 을 하 지 않 을 때 보다 많 아 져 , 웨이퍼 표면 의 막 상태 에서 결정 ( 決定 ) 된다 . 그 결과 , 흡착 확률 도 향상 하 게 된다 .