XPS ( X - ray Photoelectron Spectroscopy ) 기기 를 이용 하 여 본 발명 의 제 6 , 제 7 , 및 제 3 실시 예 에 따른 산화물 반도체 박막 들 에 대하 여 , X 선 흡수 에 의한 산소 음 이온 ( O 1 s ) 의 결합 에너지 ( binding energy ) 에 따른 발광 강도 ( intensity ) 를 측정 하 였 다 .