반도체 소자 의 제조 방법 은 상기 기판 의 최 상단 표면 에 절연 층 이 인가 된 기판 을 제공 하 는 단계 , 상기 기판 의 최 상단 표면 상 에 패시브 소자 를 형성 하 는 단계 , 상기 기판 을 제거 하 는 단계 , 상기 절연 층상 에 절연 폴리머 필름 층 을 증착 하 는 단계 , 상기 절연 폴리머 필름 층상 에 금속 층 을 증착 하 는 단계 를 포함 한다 . 솔 더 마스크 는 상기 금속 층상 에 형성 된다 . 컨 포 멀 ( CONFORMAL ) 금속 층 은 이 단계 후 에 상기 솔 더 마스크 상 에 형성 된다 . 노치 ( NOTCH ) 는 상기 절연 층 내부 에 절연 폴리머 필름 층 과 절연 층 간 의 연결 을 강화 시키 기 위해 형성 된다 . 추가 적 인 반도체 다이 는 상기 패시브 소자 에 전기 적 으로 연결 될 수 있 다 . 상기 기판 의 제 1 부분 은 백 그라인 드 공정 ( BACK GRIND ) 을 통해 제거 되 고 제 2 부분 은 그 후 웨트 드라이 ( WET DRY ) , 드라이 에칭 ( DRY ETCH ) 또는 화학 - 기계 적 평탄 화 공정 ( planarization ) 을 통해 제거 된다 .