예컨대 , 상기 의 경우 , SiO 2 로 이루어지 는 절연 층 ( 21 ) 을 , 예컨대 C 4 F 8 을 포함 하 는 에칭 가스 에 의해 , 플 라즈 마 ( 드라이 ) 에칭 한다 . 또한 , 상기 에칭 에 있 어서 는 , 절연 층 ( 21 ) 상 에 , 포토 레지스 트 층 을 포토 리소그래피 법 에 의해 패 터닝 해서 형성 되 는 마스크 패턴 ( 도시 하 지 않 음 ) 을 형성 해 두 는 것 이 바람직 하 다 . 또한 , SiN 으로 이루어지 는 절연 층 ( 11 B ) 을 , 예컨대 CHF 3 를 포함 하 는 에칭 가스 에 의해 플 라즈 마 에칭 한다 .