에칭 손상 된 로우 - k 유전체 층 ( 110 ) 을 갖 는 반도체 기판 ( 100 ) 은 프로세스 챔버 ( 200 ) 의 기판 지 지체 ( 210 ) 상 에 위치 된다 . 프로세스 챔버 ( 200 ) 는 50 Torr 미만 의 압력 까지 배기 되 고 , 기판 지 지체 ( 210 ) 및 프로세스 챔버 ( 200 ) 는 약 150 ℃ 의 제 1 온도 까지 가열 된다 . 메틸 아민 증기 는 화학 증기 공급 시스템 ( 220 A ) 으 로부터 1800 Torr 의 정적 압력 까지 프로세스 챔버 ( 200 ) 로 공급 된다 . 반도체 기판 ( 100 ) 은 약 60 초 동안 메틸 아민 증기 와 접촉 되 어 위치 된다 .