이 와 같이 ArF ( 193 nm ) , KrF ( 248 nm ) 엑 시머 레이저 를 사용 하 는 극자외선 리소그래피 영역 에서 는 헤이즈 라는 성장 성 결함 이 점진 적 으로 생성 되 어 아무리 철저 하 게 세정 된 포토 마스크 라도 팹 에서 의 사용 시간 이 일정 한도 이상 이 되 면 헤이즈 의 생 성과 성장 으로 인한 포토 마스크 결함 으로 수율 에 치명 적 인 영향 을 미치 게 되 었 다 . 따라서 이러 한 헤이즈 의 생 성 및 성장 이 공정 수율 에 가시 적 인 악영향 을 미칠 만큼 확대 되 기 전 에 검출 해 낼 수 있 어야 할 필요 성 이 대두 되 었 다 .