이 상태 에서 NO 가스 를 플 라즈 마 여기 하 여 얻 어 진 NO 활성 종 ( NO *) 을 포함 하 는 가스 를 공급 하 면 , 도 9 ( b ) 에 나타내 는 바 와 같이 , 웨이퍼 면내 에 있 어서 의 NO 가스 ( NO *) 류 ( 流 ) 의 상류 에서 하류 를 향하 여 실리콘 웨이퍼 표면 에 흡착 한 HCD 분자 의 산화 가 진행 한다 . 한편 , 웨이퍼 면내 에 있 어서 의 NO 가스 류 의 하류 의 HCD 분자 는 실리콘 웨이퍼 표면 으로부터 이탈 을 일으킨다 . 이것 은 , NO 가스 를 플 라즈 마 여기 함 으로써 얻 어 진 NO * 에 는 HCD 분자 를 산화 시킬 뿐 아니 라 , Si － O 결합 이나 Si － Si 결합 을 끊 어 버리 는 만큼 의 에너지 가 있 기 때문 이 라고 생각 할 수 있 다 . 즉 , 이 경우 , 실리콘 웨이퍼 표면 상 에 대한 Si 의 고정 을 충분히 수행 하 지 못하 고 , 실리콘 웨이퍼 표면 상 에 Si 가 고정 되 지 않 는 영역 이 생기 게 된다 . 또한 , 도 9 ( c ) 에 나타내 는 바 와 같이 , NO * 는 , 형성 한 SiO 2 층 의 하지 ( 下地 ) 인 실리콘 웨이퍼 의 표면 도 산화 시켜 버린다 .