도 1 을 참조 하 면 , 반도체 기판 ( 10 ) 상 에 게이트 패턴 ( 12 ) 이 형성 되 어 있 다 . 그리고 , 상기 게이트 패턴 ( 12 ) 의 양측 벽 에 게이트 스 페이서 ( 14 ) 가 형성 되 어 있 다 . 상기 게이트 패턴 ( 12 ) 은 주로 게이트 절 연막 과 게이트 도전 막 및 하드 마스크 막 이 순차 적 으로 적층 되 는 구조 를 갖 는다 . 그리고 , 상기 게이트 스 페이서 ( 14 ) 는 주로 실리콘 질화물 을 포함 한다 .