상술 된 바 와 같이 , 본 발명 의 실시 예 에 따르 면 , 기판 ( 3 ) 을 준비 하 는 단계 , 상기 기판 ( 3 ) 상 에 인듐 ( In ) 및 산소 ( O ) 를 포함 하 는 제 1 박막 ( 10 ) 을 형성 하 는 단계 , 및 상기 제 1 박막 ( 10 ) 상 에 아연 ( Zn ) 및 산소 ( O ) 를 포함 하 는 제 2 박막 ( 20 ) 을 형성 하 는 단계 를 통해 , 박막 의 두께 및 조성 조절 을 통해 박막 의 특성 제어 가 용이 한 산화물 반도체 박막 의 제조 방법 이 제공 될 수 있 다 .