제 1 절연 층 ( 111 ) 상 에 는 반도체 층 ( 130 ) 이 배치 된다 . 반도체 층 ( 130 ) 은 상술 한 바 와 같이 하부 의 차광 금속 층 ( 120 ) 과 두께 방향 인 제 3 방향 ( DR 3 ) 으로 중첩 할 수 있 다 . 반도체 층 ( 130 ) 은 화소 ( PX ) 의 박막 트랜지스터 ( TR ) 의 채널 을 이룬다 . 반도체 층 ( 130 ) 은 다 결정 실리콘 을 포함 할 수 있 다 . 다른 실시 예 에서 , 반도체 층 ( 130 ) 은 단결정 실리콘 , 저 온 다결정 실리콘 , 비정질 실리콘 이나 , 산화물 반도체 를 포함 할 수 있 다 . 상기 산화물 반도체 는 예 를 들 어 인듐 , 아연 , 갈륨 , 주석 , 티타늄 , 알루미늄 , 하프늄 ( Hf ) , 지르코늄 ( Zr ) , 마그네슘 ( Mg ) 등 을 함유 하 는 이 성분 계 화합물 ( ABx ) , 삼 성분 계 화합물 ( ABxCy ) , 사 성분 계 화합물 ( ABxCyDz ) 을 포함 할 수 있 다 . 일 실시 예 에서 , 반도체 층 ( 130 ) 은 ITZO ( 인듐 , 주석 , 티타늄 을 포함 하 는 산화물 ) 나 IGZO ( 인듐 , 갈륨 , 주석 을 포함 하 는 산화물 ) 를 포함 할 수 있 다 .