본 발명 의 실시 예 에 따른 이미지 센서 의 제조 방법 은 , 화소 영역 을 포함 하 는 반도체 기판 상 에 도전 성 패드 를 포함 하 는 금속 배선 층 을 형성 하 는 단계 ; 상기 금속 배선 층 상 에 상기 도전 성 패드 를 노출 하 는 패드 오픈 부 를 갖 는 보호막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 패드 오픈 부 에 캡 핑 산화 막 패턴 을 형성 하 는 단계 ; 및 상기 패드 오픈 부 의 캡 핑 산화 막 패턴 을 제거 하 는 단계 를 포함 한다 .