실리콘 기판 및 상기 실리콘 기판 상 에 형성 된 실리콘 나이트 라이드 멤 브레인 박막 을 구비 하 는 구조 체 ( 100 ) 는 지지 부 ( 215 ) 에 의하 여 지 지 되 면서 KOH 용액 ( 300 ) 내 에 침지 될 수 있 으며 , 침지 된 동안 , KOH 용액 ( 300 ) 내 에서 구 조체 ( 100 ) 중 노출 된 상기 실리콘 기판 의 적어도 일부 가 습 식각 될 수 있 다 . 실리콘 기판 이 습 식각 되 면서 실리콘 나이트 라이드 멤 브레인 박막 이 노출 되 어 구현 될 수 있 다 .