실시 예 에 의한 이미지 센서 의 제조 방법 은 , 반도체 기판 상 에 채널 부 를 형성 하 는 단계 ; 상기 채널 부 상 으로 트랜스퍼 게이트 를 형성 하 는 단계 ; 상기 트랜스퍼 게이트 의 하부 및 일 측 영역 을 포함 하 도록 상기 반도체 기판 상 에 포토다이오드 를 형성 하 는 단계 ; 상기 트랜스퍼 게이트 의 타 측 에 상기 포토다이오드 의 일부 와 접하 도록 제 1 도전 형 절연 층 을 형성 하 는 단계 ; 및 상기 제 1 도전 형 절연 층 상 에 플로팅 확산 부 를 형성 하 는 단계 를 포함 한다 .