예 를 들 어 , 표면 처리 대상물 이 질화규소 또는 산화 규소 를 포함 하 는 경우 , 산 성 조건 하 에 있 어서 , 표면 처리 대상물 표면 의 질화규소 부분 또는 산화 규소 부분 은 양전하 의 대전 이 발생 한다 . 그 결과 , 산 성 관능기 함유 고분자 의 일부 의 음 이온 화 된 산 성 관능기 는 , 표면 처리 대상물 표면 측 을 향하 고 , 당해 일부 의 음 이온 화 된 산 성 관능기 이외 의 음 이온 화 된 산 성 관능기 는 표면 처리 대상물 표면 측 과 는 반대 측 을 향함 으로써 , 산 성 관능기 함유 고분자 는 , 표면 처리 대상물 에 정전 적 으로 흡착 하 게 된다 . 또한 , 잔사 중 양전하 대전 성 성분 은 , 일반 적 으로 는 산 성 조건 하 에 있 어서 , 양전하 의 대전 이 발생 한다 . 그 결과 , 산 성 관능기 함유 고분자 의 일부 의 음 이온 화 된 산 성 관능기 는 , 양전하 대전 성 성분 측 을 향하 고 , 당해 일부 의 음 이온 화 된 산 성 관능기 이외 의 음 이온 화 된 산 성 관능기 는 표면 처리 대상물 표면 측 과 는 반대 측 을 향함 으로써 , 산 성 관능기 함유 고분자 는 , 표면 처리 대상물 표면 에 정전 적 으로 흡착 하 게 된다 . 이때 , 표면 처리 대상물 은 , 표면 처리 대상물 표면 측 과 는 반대 측 을 향한 음 이온 화 된 산 성 관능기 에 덮인 상태 로 되 어 음전하 로 대전 된 상태 로 되 고 , 양전하 대전 성 성분 은 , 양전하 대전 성 성분 표면 측 과 는 반대 측 을 향한 음 이온 화 된 산 성 관능기 에 덮인 상태 로 되 어 음전하 로 대전 된 상태 로 된다 . 그리고 , 음 이온 화 된 산 성 관능기 에 덮인 표면 처리 대상물 표면 과 음 이온 화 된 산 성 관능기 에 덮인 양전하 대전 성 성분 이 정전 적 으로 반발 함 으로써 , 양전하 대전 성 성분 은 표면 처리 대상물 표면 으로부터 제거 된다 . 한편 , 소수성 성분 에 대하 여 , 산 성 관능기 함유 고분자 의 소수성 구조 부위 는 , 소수성 성분 표면 측 을 향하 고 , 친수성 구조 부위 인 음 이온 화 된 산 성 관능기 는 , 소수성 성분 표면 측 과 는 반대 측 을 향함 으로써 , 산 성 관능기 함유 고분자 는 , 소수성 성분 표면 에 소수성 상호 작용 에 의해 흡착 된다 . 이때 , 소수성 성분 은 , 소수성 성분 표면 측 과 는 반대 측 을 향한 음 이온 화 된 산 성 관능기 에 덮인 미셀 을 형성 한다 . 그리고 , 이 미셀 이 표면 처리 조성물 중 에 용해 또는 분산 됨 으로써 , 소수성 성분 은 표면 처리 대상물 표면 으로부터 제거 된다 . 그리고 , 표면 처리 대상물 표면 에 흡착 된 산 성 관능기 함유 고분자 는 , 표면 처리 공정 후 에 용이 하 게 제거 된다 .