일부 실시 예 는 교번 하 는 절연성 레벨 들 및 워드 라인 레벨 들 의 수직 스택 을 갖 는 NAND 메모리 어레이 를 포함 한다 . 워드 라인 레벨 들 은 제어 게이트 영역 들 에 대응 하 는 종단 단부 들 을 갖 는다 . 전하 - 트랩 핑 재료 는 워드 라인 레벨 의 제어 게이트 영역 을 따라서 있 고 , 전하 - 차단 재료 에 의해 제어 게이트 영역 들 로부터 이격 된다 . 수직 으로 인접 한 워드 라인 레벨 들 을 따라서 의 전하 - 트랩 핑 재료 는 전하 이동 이 방해 되 는 개재 영역 들 에 의해 이격 된다 . 채널 재료 는 스택 을 따라 수직 으로 연장 되 고 , 전하 - 터널 링 재료 에 의해 전하 - 트랩 핑 재료 로부터 이격 된다 . 일부 실시 예 는 NAND 메모리 어레이 를 형성 하 는 방법 을 포함 한다 .