그 다음 에 , 스퍼터링 공정 등 의 공지 된 공정 을 이용 하 여 기판 ( 11 ) 상 에 텅스텐 ( W ) , Mo / Al / Mo 등 과 같 은 공지 된 재질 의 저 저항 금속 층 을 증착 하 고 , 사진 식각 공정 을 이용 하 여 상기 저 저항 금속 층 을 기판 ( 11 ) 의 애노드 보조 전극 라인 형성 영역 과 제 1 캐소드 보조 전극 라인 형성 영역 상 에 남김 으로써 애노드 보조 전극 라인 ( AL ) 과 제 1 캐소드 보조 전극 라인 ( CL 11 ) 을 각각 형성 한다 .