하지만 이 와 같 은 표면 처리 공정 은 사파이어 기판 위 에 질화물 계 화합물 반도체 층 형성 시 버퍼 층 의 결정 성 , 레이저 리프트 오프 공정 , KOH 용액 을 이용 한 식각 공정 등 의 부가 적 인 것 에 따라 공정 조건 이 변동 된다 . 도 2 는 기존 습식 식각 공정 을 통해 n 형 반도체 층 표면 에 형성 한 콘 ( cone ) 타입 패턴 의 SEM 사진 이 다 . 이러 한 패턴 형성 에 의해 전반사 되 는 빛 의 양 은 줄어들 지만 도 2 에서 보 듯이 습식 식각 의 경우 균일 하 게 항상 동일 한 패턴 이 형성 되 지 는 못한다 . 즉 , 재현 성 이 나쁘 다 . 이러 한 변동 은 n 형 반도체 층 표면 의 거칠 기 정도 의 변화 로 나타나 고 이 는 반도체 발광 소자 광 출력 변화 로 직결 되 어 소자 마다 광 출력 편차 를 가지 게 된다 . 이 와 같 은 변동 은 소자 수율 에 큰 영향 을 미친다 . 뿐 만 아니 라 , 콘 타입 패턴 의 경우 전반사 를 전부 제거 하 지 는 못 하 는 한계 가 있 다 .