상기 제 1 절 연막 ( 50 ) 의 식각 공정 은 챔버 내 에 CxHyFz ( x = 1 , y = 0 , z = 4 ) 종류 의 식각 가스 와 Ar , He , O 2 및 N 2 와 같 은 불활성 기체 를 이용 하 여 수행 되 도록 할 수 있 다 . 바람직 하 게 는 소스 파워 는 27 MHz 의 600 ~ 1400 W 로 인가 하 고 바이어스 파워 는 2 MHz 의 0 ~ 500 W 로 인가 하 여 수행 하 고 , 식각 가스 는 CF 4 40 ~ 120 sccm 과 O 2 2 ~ 20 또는 Ar 200 ~ 900 sccm 을 사용 하 여 상기 제 1 절 연막 ( 50 ) 을 1 , 000 ~ 19 , 000 Å 의 두께 로 식각 하 여 시드 마이크 로 렌즈 ( 51 ) 를 형성 할 수 있 으며 , 바람직 하 게 는 상기 시드 마이크 로 렌즈 ( 51 ) 의 두께 는 2 , 000 ~ 6 , 000 Å 로 형성 시킨다 . 특히 , 상기 바이어스 파워 는 가하 지 않 도록 하 여 챔버 내부 에서 발생 되 는 플 라즈 마로 부터 반도체 기판 ( 10 ) 으로 이동 하 는 이온 의 에너지 를 낮추 도록 함 으로써 상기 제 1 절 연막 ( 50 ) 의 식각 손상 을 감소 시킬 수 있 게 된다 . 이 에 의하 여 플 라즈 마 공정 에서 발생 할 수 있 는 반도체 기판 ( 10 ) 의 계면 에서 발생 되 는 트랩 레벨 에 의한 다크 커런트 가 발생 되 는 것 을 방지 할 수 있 게 된다 .