이 때 , 상기 제 1 게터 링 부 ( 102 ) 는 상기 실리콘 기판 ( 101 ) 의 표면 으로부터 소정 깊이 식각 되 어 식각 되 어 노출 된 표면 에 B ( Boron ) 과 같 은 p + 형 의 불순물 을 주입 하 여 정의 된다 . 그리고 , 상기 제 2 게터 링 부 ( 105 ) 는 상기 제 1 에피 층 ( 104 ) 상 의 표면 으로부터 소정 깊이 식각 된 후 , 더미 폴리 층 ( 105 형성 부위 ) 이 더 형성 되 며 , 상기 더미 폴리 층 내 에 불순물 이 주입 되 어 정의 된다 .