도 2 a 를 참조 하 면 , 메모리 블록 ( BLK 1 ) 은 상호 제 1 방향 ( X ) 으로 이격 되 고 각각 제 2 방향 ( Y ) 으로 연장 되 어 형성 된 워드 라인 컷 영역 들 ( WLC ) 을 포함 할 수 있 다 . 또한 , 메모리 블록 ( BLK 1 ) 은 워드 라인 컷 영역 들 ( WLC ) 사이 에 제 1 및 제 2 방향 ( Y ) 을 따라 배열 된 복수 의 수직 홀 들 ( 예 를 들 어 , 도 2 b 의 H 11 , H 31 , DH 1 , H 61 , H 81 ) 을 포함 할 수 있 다 . 복수 의 수직 홀 들 은 데이터 가 저장 되 는 메인 셀 이 형성 되 는 메인 홀 들 ( 예 를 들 어 , 도 2 b 의 H 11 , H 31 , H 61 , H 81 ) 및 데이터 가 저장 되 지 않 는 더미 셀 들 을 형성 하 는 더미 홀 들 ( DH ) 을 포함 할 수 있 다 . 메모리 블록 ( BLK 1 ) 에 포함 되 는 복수 의 수직 홀 들 의 수 는 다양 하 게 구성 될 수 있 다 . 본 도면 에서 는 , 더미 홀 들 ( DH ) 이 메모리 블록 ( BLK 1 ) 의 중심 영역 에 배치 되 는 것 으로 도시 되 었 으나 , 본 개시 는 이 에 한정 되 지 않 으며 , 더미 홀 들 ( DH ) 의 배치 는 다양 하 게 구성 될 수 있 다 .