도 2 b 및 3 b 를 참조 하 면 , 상기 비트 라인 ( 8 ) 이 노출 되 도록 유기 SOD 막 ( 9 ) 을 CMP 또는 블랭킷 에치 백 ( blanket etch - back ) 으로 평탄 화 시킨다 . 그런 다음 , 상기 비트 라인 ( 8 ) 을 포함 한 유기 SOD 막 ( 9 ) 상 에 상기 제 2 랜딩 플러그 ( 6 ) 상부 영역 이 노출 시키 는 하드 마스크 패턴 ( 10 ) 을 형성 한다 . 여기 서 , 상기 하드 마스크 패턴 ( 10 ) 은 PECVD ( Plasma Enhanced Chemaical Vapor Deposion ) 또는 LPCVD ( Low Pressure CVD ) 방식 에 따라 Si 3 N 4 또는 SiON 으로 형성 한다 .