다음 에 , 맨드릴 들 ( 101 ) 은 도 1 d 에 도시 된 바 와 같이 , 노출 된 주석 옥사이드 스 페이서 들 ( 101 ) 및 노출 된 ESL 층 ( 103 ) 을 남기 면서 기판 으로부터 제거 되 었 다 . 맨드릴 들 의 제거 는 맨드릴 재료 를 선택 적 으로 에칭 하 는 에칭 화학 물질 에 기판 을 노출 함 으로써 수행 된다 . 따라서 , 이 단계 에서 주석 옥사이드 의 에칭 레이트 에 대한 맨드릴 재료 의 에칭 레이트 의 비 는 1 보다 크 고 , 보다 바람직 하 게 1 . 5 보다 크 다 . 또한 , 이 단계 에서 사용 된 에칭 화학 물질 은 , 일부 실시 예 들 에서 , ESL 재료 에 상대 적 으로 맨드릴 재료 를 선택 적 으로 에칭 해야 한다 . 다양 한 에칭 방법 들 이 사용 될 수 있 고 , 특정 한 화학 물질 의 선택 은 맨드릴 재료 및 ESL 층 의 재료 에 종속 된다 . 맨드릴 이 실리콘 옥사이드 로 커버 된 비정질 실리콘 으로 이루어질 때 , 불소 - 기반 화학 물질 ( 예 를 들 어 , NF 3 ) 이 또는 이 들 을 커버 하 는 SiO 2 층 과 함께 실리콘 맨드릴 들 ( 101 ) 을 제거 하 도록 사용 될 수 도 있 다 . 이 화학 물질 은 주석 옥사이드 에 선택 적 이 다 .