본 실시 예 에서 는 , 본 발명 의 일 형태 인 발광 디바이스 로서 N , N -[( 6 , 7 - 다이페닐 [ 1 , 2 , 5 ] 싸이 아 다이아졸 로 [ 3 , 4 - g ] 퀴녹살린 - 4 , 9 - 다 이 일 ) 다이 - 4 , 1 - 페닐 렌 ] 비스 ( N , 9 - 다이페닐 - 9 H - 카바졸 - 3 - 아민 ) ( 약칭 : PCAP 2 TDQn ) ( 구조식 ( 300 ) ) 을 발광 층 에 사용 한 발광 디바이스 6 에 대하 여 디바이스 구조 및 그 동작 특성 을 설명 한다 . 또한 발광 디바이스 6 은 발광 층 에서 열 활성 화 지연 형광 을 발할 수 있 는 물질 ( TADF 재료 ) 로부터 형광 발광 물질 로 여기 에너지 가 공여 되 는 구성 을 가지 는 형광 발광 디바이스 이 다 .