CH 3 로 종결 된 비정질 탄소 가 아니 고 하부 층 또는 기판 상 에 선택 적 으로 증착 될 수 있 는 마스킹 층 의 예시 는 , TiCl 4 과 같 은 티타늄 할 라이드 전구체 를 이용 한 TiOx ( 즉 , 티타늄 옥사이드 ) , TiOxCy ( 즉 , 티타늄 옥시 카바이드 ) 또는 TiN 의 원자 층 증착 ; HfCl 4 과 같 은 하프늄 할 라이드 전구체 를 이용 한 하프늄 옥사이드 의 원자 층 증착 ; 및 EBECHRu 를 이용 한 루테늄 의 원자 층 증착 을 포함 한다 . 이 들 재료 가 CH 3 로 종결 된 비정질 탄소 에 대해 그 위 에 선택 적 으로 증착 될 수 있 는 하부 층 및 기판 은 , 금속 계 하부 층 및 실리콘 계 하부 층 , 및 기판 , 예컨대 단결정 실리콘 , 스핀 - 온 실리콘 , 및 저 유전율 유전체 를 포함 한다 . 마스킹 층 이 티타늄 옥사이드 , 티타늄 나이트 라이드 및 루테늄 중 에서 선택 된 경우 , CH 3 로 종결 된 비정질 탄소 에 대해 선택 적 증착 을 위한 적절 한 하부 층 은 SiO 2 , SiN 및 / 또는 SiON 을 포함 할 수 있 다 . 마스킹 층 이 티타늄 옥사이드 중 에서 선택 된 경우 , CH 3 로 종결 된 비정질 탄소 에 대해 선택 적 증착 을 위한 적절 한 하부 층 은 루테늄 을 포함 할 수 있 다 . 루테늄 이 마스킹 층 으로서 사용 되 는 경우 , CH 3 로 종결 된 비정질 탄소 에 대해 선택 적 증착 을 위한 적절 한 하부 층 은 티타늄 옥사이드 또는 티타늄 나이트 라이드 를 포함 할 수 있 다 . 일부 구 현예 에서 , 전술 한 하부 층 은 주석 을 추가 로 포함 할 수 있 으며 , 이 는 적절 한 노광 을 달성 하 기 위해 요구 되 는 EUV 조사량 을 감소 시킬 수 있 다 .