따라서 제 1 마스크 막 패턴 ( 110 a ) 을 식각 마스크 로 사용 하 여 연마 저지 막 ( 108 ) , 제 1 도 전막 ( 106 ) , 플로팅 게이트 막 ( 104 ) , 터널 산화 막 ( 102 ) 및 반도체 기판 ( 100 ) 을 식각 하 여 형성 되 는 연마 저지 막 패턴 ( 108 a ) , 예비 제 1 도 전막 패턴 ( 106 a ) , 예비 플로팅 게이트 ( 104 a ) , 터널 산화 막 패턴 ( 102 a ) 및 그루브 ( 10 ) 는 제 1 방향 으로 연장 한다 .