본 발명 에서 는 용액 공정 을 통해 가공 된 TiO 2 활성 채널 층 을 기반 으로 새롭 고 , 저 ( 低 ) 비용 인 금속 - 산화물 투명 성 박막 트랜지스터 ( metal - oxide transparent TFT ) 를 제공 하 고자 한다 . Ti 를 TiO 2 채널 층 으로 확산 하 는 간단 한 처리 를 추가 함 으로써 , 0 . 12 cm 2 V - 1 sec - 1 의 전하 이동도 와 11 V 의 문턱 전압 ( Threshold Voltage ) 을 갖 는 n - type TFT 가 구현 될 수 있 음 이 실제 실험 을 통하 여 확인 되 었 다 . 본 발명 을 적용 함 으로써 MOxTFT 를 위한 재료 의 선택 범위 를 넓힐 뿐 만 아니 라 일반 적 으로 MOxTFT 의 성능 을 개선 하 기 위해 사용 될 수 있 는 새로운 개념 의 접근 방식 까지 도 제공 할 수 있 다 .