제 1 및 / 또는 제 2 도체 ( 206 , 208 ) 는 텅스텐 , 임의 의 적합 한 금속 , 고농 도 도핑 된 반도체 물질 , 도전 성 실리사이드 , 도전 성 실리사이드 - 게르마 나 이드 , 도전 성 게르마 나 이드 등 과 같 은 임의 의 적합 한 전도성 물질 을 포함 할 수 있 다 . 도 2 a 의 실시 예 에서 , 제 1 및 제 2 도체 들 ( 206 , 208 ) 은 레일 ( rail ) 형상 이 고 서로 다른 방향 들 ( 예 를 들 면 , 서로 실질 적 으로 수직 으로 ) 로 확장 한다 . 이외 도체 형상 들 및 / 또는 구성 이 사용 될 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 장치 성능 을 개선 하 고 / 하 거나 제조 에 도움 이 되게 장벽층 들 , 부착 층 들 , 반사 방지 코팅 들 및 / 또는 등 ( 도시 되 지 않 음 ) 이 제 1 및 / 또는 제 2 도체 들 ( 206 , 208 ) 과 함께 사용 될 수 도 있 다 .