그 다음 에 는 , 박막 트랜지스터 ( 109 ) 가 형성 된 기판 ( 110 ) 상 에 보호 층 ( 108 ) 을 형성 한다 . 이때 , 보호 층 ( 108 ) 은 무기 절연물 질 인 규소 질화물 ( SiNx ) 이나 규소 산화물 ( SiO 2 ) 또는 유기 절연물 질 인 벤조 사이클 로부 텐 ( Benzocyclobutene ; BCB ) 또는 아크릴 계 수지 ( resin ) 와 같 은 저 유전율 의 물질 로 형성 할 수 있 다 .