도 2 에 있 어서 , 메모리 셀 ( 190 ) 의 기본 적 인 정보 의 쓰 기 및 읽 기 방법 은 , 도 1 에서 설명 한 방법 과 같 다 . 도 2 에 나타낸 구성 의 반도체 장치 의 구동 방법 을 도 3 의 타이밍 차트 를 이용 하 여 설명 한다 . 타이밍 차트 중 의 WL 1 , WL 2 , BL 등 의 명칭 은 , 타이밍 차트 에 나타내 는 전위 가 주어지 는 배선 을 나타내 고 있 다 . 도 3 의 타이밍 차트 에서 는 , " 제 k ( k 는 1 이상 m 이하 의 자연수 ) 행 제 q ( q 는 1 이상 n 이하 의 자연수 ) 열 의 메모리 셀 에 "" 1 "" 을 쓰 고 "," 및 제 k 행 제 q 열 의 메모리 셀 로부터 데이터 "" 1 "" 을 읽 어 내 는 경우 를 예시 한다 . 또한 ", 정보 의 쓰 기 또는 읽 기 가 빈번 하 지 않 은 경우 ( 제 2 모드 ) 와 , 빈번 하 게 정보 의 쓰 기 또는 읽 기 를 실시 하 는 경우 ( 제 1 모드 ) 로 나누 어 , 각각 의 모드 에 있 어서 의 반도체 장치 의 구동 방법 을 설명 한다 .