이어서 , 하드 마스크 ( 25 ) 상 에 게이트 형성 을 위한 포토레지스트 패턴 ( 미도 시 됨 ) 을 형성 한 후 , 이 포토레지스트 패턴 을 식각 마스크 로 하드 마스크 ( 25 ) 를 식각 하 여 하드 마스크 ( 25 ) 패턴 을 형성 한다 . 여기 서 , 하드 마스크 ( 25 ) 의 식각 은 플로린 계열 의 가스 를 사용 하 여 수행 되 고 특히 하드 마스크 ( 25 ) 하부 의 텅스텐 막 ( 24 ) 이 완전히 드러날 때 까지 과도 식각 으로 수행 되 기 때문 에 , " 하드 마스크 ( 25 ) 의 식각 시 텅스텐 막 ( 24 ) 의 컬럼 구조 의 성장 격자 사이 에 부분 적 으로 어택 이 발생 하 여 텅스텐 막 ( 24 ) 이 부분 적 으로 손실 된다 ( "" A ´"" 참조 ) . 이러 한 텅스텐 막 ( 24 ) 의 어택 으로 인한 부분 적 손실 은 후속 텅스텐 막 ( 24 ) 의 식각 공정 시 폴리 실리콘 막 ( 23 ) 의 어택 을 초래 하 여 결과 적 으로 게이트 절 연막 ( 22 ) 의 어택 및 반도체 기판 ( 21 ) 의 어택 을 초래 하 므로 바로 연이 어 이 를 보상 하 기 위한 공정 이 수행 된다 . "