그 후 , 도 1 b 와 같이 , 해당 폴리 실리콘 막 ( 30 ) 상부 에 게이트 전극 ( 30 ') 이 형성 될 영역 만 을 폐쇄 하 여 한정 하 도록 통상 적 인 포토 리소그래피 공정 을 통해 감광막 패턴 ( photo - resist pattern ) ( 40 ) 을 형성 하 며 , 이때 포토 리소그래피 공정 은 감광액 도포 ( coating ) , 노광 ( exposure ) 및 현상 ( developing ) 의 일련 된 과정 으로 이루어진다 .