이상 에 설명 한 바 와 같이 , 도포 · 현상 장치 ( 2 ) 는 , 피막 이 형성 된 웨이퍼 ( W ) 를 지지 하 여 가열 하 는 가열 부 ( 20 ) 와 , 가 열부 ( 20 ) 상 의 처리 공간 ( 34 ) 과 외부 공간 ( 35 ) 을 이격 하 는 챔버 ( 30 ) 와 , 웨이퍼 ( W ) 의 둘레 가장자리 보다 밖 에서 처리 공간 ( 34 ) 내 로 개구 하 고 , 처리 공간 ( 34 ) 내 의 가스 를 배출 하 는 외주 배기 부 ( 40 ) 와 , 가 열부 ( 20 ) 에 의한 웨이퍼 ( W ) 의 가열 시간 이 경과 함 에 따라 외주 배기 부 ( 40 ) 에 의한 가스 의 배출 량 을 늘리 는 배기 제 어부 ( 112 ) 를 구비 한다 .