도 12 내지 26 은 에지 접촉 된 수직 형 탄소 나노 튜브 트랜지스터 디바이스 를 제조 하 기 위한 공정 흐름 도 를 도시 한 것 이 다 . 이 흐름 도 는 도 8 a 에 도시 된 것 과 같 은 구조 를 형성 하 기 위해 기술 되 어 있 지만 , 이러 한 흐름 도 의 변형 이 본 출원 의 도 9 내지 11 의 구조 를 형성 하 는 데 사용 될 수 있 다 .