상기 반도체 층 ( 112 ) 의 양단 부상 에 각각 소스 / 드레 인 전극 ( 122 a , 122 b ) 이 형성 되 고 , 이 와 동시 에 상기 게이트 절 연막 ( 105 ) 상 에 상기 게이트 배선 ( 120 ) 과 교차 되 는 데이터 배선 ( 120 ) 과 , 상기 콘 텍 홀 ( P 1 ) 에 의해 노출 된 게이트 배선 ( 120 ) 과 연결 된 제 2 게이트 패드 라인 ( 150 b ) 이 형성 된다 . 상기 제 2 게이트 패드 라인 ( 150 b ) 은 상기 데이터 배선 ( 120 ) 및 상기 소스 / 드레 인 전극 ( 122 a , 122 b ) 과 동일 한 도전 물질 로 이루어질 수 있 다 .