도 1 및 도 2 를 참조 하 면 , 반도체 기판 ( 105 ) 상 에 반도체 에 피층 ( 110 ) 을 형성 한다 ( 단계 10 ) . 예 를 들 어 , 감압 화학 기상 증착 ( RPCVD ) 법 , 상압 화학 기상 증착 ( APCVD ) , 저압 화학 기상 증착 ( LPCVD ) , 초고진공 화학 기상 증착 ( UHVCVD ) 법 , 급속 열 화학 기상 증착 ( RTCVD ) 법 또는 분자 빔 에피택시 ( MBE ) 법 과 같 은 에 피층 성장 방법 들 이 반도체 에 피층 ( 110 ) 을 형성 하 기 위해 이용 될 수 있 다 . 반도체 기판 ( 105 ) 은 예컨대 , 실리콘 ( Si ) 웨이퍼 , 실리콘 - 게르마늄 ( SiGe ) 웨이퍼 , 실리콘 온 절연체 ( SOI ) 웨이퍼 , 실리콘 - 게르마늄 온 절연체 ( SGOI ) 웨이퍼 , 스트레인 드 실리콘 온 절연체 ( SSOI ) 웨이퍼 를 포함 할 수 있 다 .