AlGaN 인 전자 차단 층 ( 115 a ) 은 Al 을 적 게 포함 하 거나 Al 을 포함 하 지 않 은 질화물 반도체 에 비해 큰 에너지 밴드 갭 을 갖 고 있 으므로 , n 형 질화물 반도체 층 ( 113 ) 으로부터 제공 되 는 전자 가 활성 층 ( 114 ) 에서 재결합 되 지 않 고 오버플로 우 되 는 것 을 효 과 적 으로 방지 할 수 있 다 . 이 와 같이 , 전자 차단 층 ( 115 a ) 을 포함 하 는 p 형 질화물 반도체 층 ( 115 ) 은 오버플로 잉 으로 인해 소모 되 는 전자 를 감소 시킴 으로써 발광 소자 ( 100 ) 의 광 효율 을 증대 시킬 수 있 다 .