도 1 은 종래 의 반도체 제조 장치 의 일 예 를 나타내 는 개략 도 이 다 . 이 장치 는 이하 에서 설명 되 는 다수 의 분리 된 챔버 ( 모듈 ) 들 을 포함 한다 . 특히 , 웨이퍼 이송 챔버 ( 4 ) 는 웨이퍼 핸들링 챔버 ( HWC ) 이 고 , 웨이퍼 이송 챔버 ( 4 ) 는 정육 각 형상 을 가지 며 , 웨이퍼 입 / 출력 챔버 ( 5 , 6 ) 인 IOC 1 및 IOC 2 ( 여기 서 , " IOC 는 "" In - Out Chamber "" 를 지칭 함 ) 는 웨이퍼 이송 챔버 ( 4 ) 의 2 측면 들 을 따라 배치 되 지만 ", 웨이퍼 처리 챔버 ( 1 , 2 및 3 ) 인 RC 1 , " RC 2 및 RC 3 ( RC 는 "" Reactor Chamber "" 를 지칭 함 ) 는 웨이퍼 이송 챔버 ( 4 ) 의 나머지 3 개 의 측면 들 을 따라 배치 된다 . 상기 정육각형 의 일 측면 은 유지 보수 의 관점 에서 블랭크 로 남 을 수 있 다 . 도 1 에서 는 ", 상기 웨이퍼 이송 챔버 상 에 , 이론 적 으로 4 개 의 처리 챔버 가 설치 될 수 있 다 . 그러나 , 실제로 는 , 4 개 의 처리 챔버 를 설치 하 는 것 은 ( 예 를 들 면 , 로봇 들 을 바꾸 는 경우 ) 유지 보수성 을 상당히 감소 시킬 것 이 다 . 따라서 , 상기 웨이퍼 처리 챔버 의 일 측면 은 블랭크 로 남 게 되 고 , 웨이퍼 처리 챔버 의 개수 는 3 개 로 유지 된다 .