능동 픽셀 들 ( 2 ) 은 일반 적 으로 CMOS 기술 을 이용 하 여 실현 된다 . 그러나 , TFT 패널 들 과 비교 하 여 , CMOS 기반 픽셀 어 레이 들 의 크기 는 증가 시키 기 가 더 어렵 고 고 비용 이 다 . 그러므로 , TFT 패널 들 상 의 능동 픽셀 어 레이 들 을 실현 하 기 위하 여 노력 들 이 취해졌 다 . 그러나 , 출원인 은 TFT 패널 들 상 의 능동 픽셀 어 레이 들 을 실현 하 는 것 이 문제 들 이 없 지 가 않 다는 것 을 발견 하 였 다 . 더 상세 하 게 , 유리 TFT 패널 제조 프로세스 로 만들 어 진 트랜지스터 들 은 큰 임계 치 변동 을 가진다 . TFT 들 의 임계 치 전압 들 은 프로세스 변동 , 온도 변동 , 네거티브 또는 포지티브 바이어스 온도 불안 정성 , 및 x - 선 들 에 대한 노출 때문 에 변동 된다 . 이 효과 들 의 전부 는 CMOS 보다 TFT 들 에서 훨씬 더 크 다 .