이 에 따라 , 화소 전극 ( 108 a ) , 게이트 패드 전극 ( 108 b ) , 데이터 패드 전극 ( 108 c ) 및 스토리지 패드 전극 ( 108 e ) 상 에 존재 하 는 보호막 ( 112 ) 이 제거 될 수 있 다 . 아울러 박막 트랜지스터 ( TFT ) , 메인 데이터 선 ( 106 aa ) 및 메인 스토리 지선 ( 106 ba ) 상 에 보호막 ( 112 ) 이 최종 적 으로 형성 될 수 있 다 .