이러 한 예 인 경우 , 먼저 , 종래 기술 의 순서 와 마찬가지 로 웨이퍼 상 에 실리콘 함 유막 을 형성 한 후 , 이 실리콘 함유층 을 산화 하 게 되 는데 , 상술 한 바 와 같이 실리콘 함유층 을 산화 하 여 SiO 2 층 으로 개질 하 면 , 그 SiO 2 층 의 웨이퍼 면내 에 있 어서 의 층 두께 균일성 은 악화 된다 . 따라서 , 그 SiO 2 층 을 질화 하 더라도 층 두께 균일성 이 양호 한 층 은 얻 을 수 없 다 . 즉 , 이러 한 예 인 경우 , 막 두께 균일성 이 양호 한 막 을 형성 하 는 것 은 어렵 다 .