일부 실시 예 들 에 있 어서 , 안테나 패턴 ( 200 ) 의 캡 핑 층 ( 250 ) 및 터치 센서 구조 ( 300 ) 의 센싱 전극 들 ( 320 , 330 ) 은 동일 한 물질 을 포함 하 며 , 동일 한 패 터닝 공정 을 통해 함께 형성 될 수 있 다 . 일부 실시 예 들 에 있 어서 , 캡 핑 층 ( 250 ) 및 센싱 전극 들 ( 320 , 330 ) 은 인듐 주석 산화물 ( ITO ) , 인듐 아연 산화물 ( IZO ) , 인듐 아연 주석 산화물 ( ITZO ) , 아연 산화물 ( ZnOx ) 과 같 은 투명 금속 산화물 을 포함 하 는 도전 막 으로부터 동일 한 식각 공정 을 통해 형성 될 수 있 다 .