본 도면 에 도시 되 지 는 않 았 으나 , 스토리지 전극 ( 34 ) 및 스 페이서 ( 35 ) 의 표면 상 에 는 유전체 층 및 플레이트 전극 이 순차 적 으로 형성 되 어 본 발명 의 일실 시예 에 따른 캐 패 시터 구조 를 완성 시킨다 . 이때 , 유전체 층 은 Al 2 O 3 막 , HfO 2 막 , ZrO 2 막 , TiO 2 막 , Ta 2 O 5 막 , BST 막 및 PZT 막 으로 이루어진 그룹 중 에서 선택 된 하나 의 단일 막 이 거나 , 또는 , 적어도 두 개 의 막 이 적층 된 다층막 으로 이루어질 수 있 다 . 또한 , 플레이트 전극 은 TiN 막 , WN 막 , W 막 및 Ru 막 으로 이루어진 그룹 중 에서 선택 된 하나 의 단일 막 이 거나 , 또는 , 적어도 두 개 의 막 이 적층 된 다층막 으로 이루어질 수 있 다 .