도 3 C 를 참조 하 면 , 도 3 C 는 도 3 A 와 유사 하 며 , 다만 차이점 은 : 제 1 배선 ( 260 ) 이 제 2 도전 층 ( 262 b ) 과 제 3 도전 층 ( 262 c ) 사이 에 위치 하 는 제 2 유전 층 ( 266 ) 을 더 포함 한다는 것 이 다 . 제 2 유전 층 ( 266 ) 은 제 2 도전 층 ( 262 b ) 의 일부 를 노출 하 는 복수 의 콘 택 홀 들 ( 266 a ) 을 포함 한다 . 또한 , 제 3 도전 층 ( 262 c ) 은 콘 택 홀 들 ( 266 a ) 을 덮 으므로 , 제 3 도전 층 ( 262 c ) 은 콘 택 홀 들 ( 266 a ) 을 통해 제 2 도전 층 ( 262 b ) 에 전기 적 으로 병렬 연결 된다 . 제 2 도전 층 ( 262 b ) 은 제 1 도전 층 ( 262 a ) 에 적층 되 고 , 제 3 도전 층 ( 262 c ) 은 콘 택 홀 들 ( 266 a ) 을 통해 제 2 도전 층 ( 262 b ) 과 전기 적 으로 연결 되 어 , 제 1 도전 층 ( 262 a ) 과 제 2 도전 층 ( 262 b ) 과 제 3 도전 층 ( 262 c ) 이 전기 적 으로 병렬 연결 된다 . 제 2 유전 층 ( 266 ) 이 보호 층 인 경우 , 콘 택 홀 들 ( 266 a ) 은 스위치 성분 들 ( 240 ) 의 콘 택 홀 들 ( 미 도시 ) 과 함께 형성 된다 .