사파이어 , n - GaAs , GaN 등 의 기판 ( 101 ) 위 에 버퍼 층 ( 102 ) , 제 1 도전 층 으로서 의 n - 콘 택 층 ( 103 ) , 활성 층 ( 104 ) , 제 2 도전 층 으로서 의 p - 콘 택 층 ( 105 ) 을 CVD 기법 에 의하 여 연속 적 으로 증착 한다 . 그리고 , 사진 식각 공정 및 습식 / 건식 식각 방법 에 의하 여 상기 n - 콘 택 층 ( 103 ) 이 노출 되 도록 메사 ( MESA ) 패 터닝 한 후 , 광 투과 가 용이 한 투명 전극 으로 전류 확산 층 ( 106 ) 을 상기 p - 콘 택 층 ( 105 ) 위 에 형성 한다 . 이어서 외부 회로 와 의 전기 적 인 연결 을 위하 여 상기 p - 콘 택 층 ( 105 ) 과 상기 n - 콘 택 층 ( 103 ) 위 에 제 2 전극 으로서 의 p - 전극 ( 108 ) 과 제 1 전극 으로서 의 n - 전극 ( 107 ) 을 형성 한다 .