도 4 a 는 본 발명 에 따라 실리콘 나이트 라이드 박막 의 건식 산화 에 의해 성장 된 산화 막 ( oxidized - SixNy ) 과 탄화규소 구조 내 의 질소 의 분포 를 나타낸 것 이 고 , 도 4 b 는 종래 10 % N 2 O 에 의해 질화 처리 된 산화 막 과 탄화규소 구조 내 의 질소 의 분포 를 나타낸 것 이 다 . 도 4 a 와 도 4 b 를 비교 하 면 , 도 4 a 에서 의 질소 의 분포 가 도 4 b 에서 의 질소 의 분포 에 비해 2 배 이상 으로 집중 적 인 분포 를 나타낸다 . 이 는 계면 에 집중 되 어 있 는 다량 의 질소 들 이 계면 에 존재 하 는 결함 과 게 면 근처 에 존재 하 는 전하 를 갖 는 결함 들 을 제거 하 는 요소 로 작용 함 을 알 수 있 다 . 또한 종래 10 % N 2 O 에 의해 질화 처리 된 산화 막 의 경우 산화 막 과 탄화규소 구조 의 계면 외 에 도 산화 막 전체 에 질소 가 분포 함 을 알 수 있 다 .