일반 적 으로 , 원 하 는 반도체 집 적 회로 를 제조 할 때 에 는 반도체 웨이퍼 등 의 피 처리 체 에 , 성막 처리 , 에칭 ( etching ) 처리 , 열 처리 , 개질 ( 改質 ) 처리 , 결정 화 처리 등 의 각종 낱장 처리 가 반복 실행 된다 . 상기 각종 처리 를 실행 하 는 경우 , 그 처리 의 종류 에 대응 하 여 , 필요 한 처리 가스 예 를 들 면 성막 처리 의 경우 에 는 성막 가스 , 개질 처리 의 경우 에 는 오존 가스 등 , 결정 화 처리 의 경우 에 는 N 2 가스 등 의 불활성 가스 나 O 2 가스 등 이 각각 처리 용 기내 에 도입 된다 .