본 발명 은 포토 리소그래피 공정 을 제어 한다는 것 으로 , 이 를 위하 여 본 발명 은 , 포토 리소그래피 공정 을 진행 하 는 중 에 층간 정렬 도 및 바텀 ( bottom ) CD 를 측정 하 여 공정 제어 를 수행 하 는 종래 방법 과 는 달리 , 포토 마스크 를 이용 하 여 원 하 는 반도체 소자 의 패턴 을 웨이퍼 상 에 형성 시키 는 포토 리소그래피 공정 에서 임의 의 웨이퍼 에 대한 임계 치수 데이터 의 상관 관계 를 데이터베이스 화 한 후 에 , 양산 제품 의 웨이퍼 를 노광 한 후 CD SEM 장치 를 이용 하 여 포토레지스트 패턴 을 측정 하 고 , 측정 된 패턴 의 임계 치수 데이터 를 저장 하 며 , 저장 된 임계 치수 데이터 와 임계 치수 데이터 의 상관 관계 를 비교 한 후 에 비교 결과 에 따라 노광 공정 에 대한 포커스 및 노광량 을 보정 하 여 이러 한 보정 값 을 적용 하 여 이 후 공정 을 진행 함 으로써 , 포토 리소그래피 공정 중 에 각각 의 임계 치수 데이터 에 따라 포커스 및 노광량 에 대한 보정 값 을 적용 하 여 공정 을 진행할 수 있 어 반도체 소자 의 수율 을 향상 시킬 수 있 는 것 이 다 .