도 1 a 를 참조 하 면 , 반도체 기판 ( 100 ) 상부 에 게이트 절 연막 ( 102 ) 및 제 1 도 전막 ( 104 ) 을 순차 적 으로 형성 한다 . 예 를 들 어 , 게이트 절 연막 ( 102 ) 은 산화물 로 형성 하 고 , 제 1 도 전막 ( 104 ) 은 폴리 실리콘 막 으로 형성 한다 . 제 1 도 전막 ( 104 ) 상부 가 일부 노출 되 도록 제 1 도 전막 ( 104 ) 상부 에 제 1 포토레지스트 패턴 ( 106 ) 을 형성 한다 .