또한 , 다른 발명 의 구성 은 , 그 레이톤 노광용 마스크 또는 하프톤 노광용 마스크 를 사용 함 으로써 1 개 의 포토레지스트 층 을 3 개 이상 의 다른 막 두께 로 현상 하 고 , 포토레지스트 층 의 양단 에 각각 2 개 이상 의 단차 를 형성 한다 . 이 포토레지스트 층 을 마스크 로 하 여 도전 층 을 에칭 하 면 , 얻 어 지 는 배선 의 단면 형상 은 , 한쪽 의 측면 에 단차 를 2 개 이상 가지 는 계단 형상 이 된다 . 물론 , 이 단면 형상 을 가지 는 배선 은 , 선택 적 으로 형성 할 수 있 기 때문 에 , 동일 절 연막 표면 위 에 제 1 배선 과 , 제 1 배선 과 단면 형상 이 다른 제 2 배선 을 가지 고 , 제 1 배선 의 단면 형상 은 직사각 형 또는 사다리꼴 이 고 , 제 2 배선 의 단면 형상 은 한쪽 의 측면 에 단차 를 2 개 이상 가지 는 계단 형상 이 고 , 제 1 배선 과 제 2 배선 은 , 같 은 재료 인 반도체 장치 로 할 수 있 다 . 배선 의 단면 형상 을 테이퍼 형상 으로 하 는 경우 , 테이퍼 의 단부 의 위치 가 에칭 시간 에 의해 좌우 되 고 , 특히 테이퍼 각 을 60 ° 미만 으로 하 면 토탈 배 선폭 에 편차 가 생길 우려 나 , 측면 이 만곡 한 곡면 이 되 어 바닥 으로 퍼지 는 형상 이 되 어 , 단면적 이 감소 하 고 배선 저항 이 증대 될 우려 가 있 지만 , 계단 형상 으로 함 으로써 , 에칭 시간 이 다소 달라도 일정 한 배 선폭 을 얻 을 수 있 다 . 즉 , 제 2 배선 의 단면 형상 을 계단 형상 의 배선 층 으로 함 으로써 에칭 조건 의 마진 을 충분히 받 을 수 있 다 . 또한 , 제 2 배선 의 단면 형상 에서 2 개 의 단차 를 가지 는 단부 로 함 으로써 , 테이퍼 각 50 ° 미만 의 테이퍼 형상 을 가지 는 배선 과 동일 한 정도 의 단차 피복 성 을 확보 할 수 있 다 .