도 37 의 단면도 ( 3700 ) 에 의해 예시 된 바 와 같이 , 그 다음 , 더미 라이너 층 ( 304 ) 및 메모리 유전체 층 ( 1502 ) 이 메모리 소스 / 드레 인 영역 ( 126 ) 으로부터 제거 될 수 있 으며 , 그 다음 실리사이드 패드 ( 3701 ) 를 형성 하 도록 실리 사이 딩 ( siliciding ) 이 이어질 수 있 다 . 더미 라이너 층 ( 304 ) 및 메모리 유전체 층 ( 1502 ) 은 에칭 에 의해 제거 될 수 있 으며 , 그 다음 에 에칭 잔여물 을 제거 하 도록 세 척 이 이어질 수 있 다 . 적합 한 세척 프로세스 는 , SPM ( sulfuric acid hydrogen peroxide mixture ) 또는 또 다른 적합 한 세척 용액 ( 들 ) 또는 혼합물 ( 들 ) 을 적용 하 는 것 을 포함 할 수 있 다 . 실리사이드 패드 ( 3701 ) 는 니켈 실리사이드 또는 또 다른 적합 한 실리사이드 ( 들 ) 일 수 있 고 , 임의 의 적합 한 살리 사이 딩 ( saliciding ) 프로세스 ( 들 ) 에 의해 형성 될 수 있 다 .