본 발명 의 실시 예 들 에 따른 리세 스 구조 의 형성 과정 에 있 어서 , 제 3 리세 스 ( 130 ) 는 도 5 에 도시 된 바 와 같이 소정 의 곡 률 을 갖 는 단면 형상 을 가질 수 있 다 . 즉 , 제 1 리세 스 ( 110 ) 의 폭 이 약 40 ∼ 70 ㎚ 이하 로 매우 작 기 때문 에 , 상기 제 2 이방성 식각 공정 으로 제 3 리세 스 ( 130 ) 를 형성 하 는 경우 에 제 3 리세 스 ( 130 ) 는 실질 적 으로 소정 의 곡 률 을 갖 는 단면 형상 을 가질 수 있 다 . 또한 , 제 3 리세 스 ( 130 ) 의 곡 률 은 제 2 리세 스 ( 120 ) 의 곡률 과 실질 적 으로 상이 하 게 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 면 , 제 3 리세 스 ( 130 ) 의 폭 이 제 2 리세 스 ( 120 ) 의 폭 보다 작 기 때문 에 , 제 3 리세 스 ( 130 ) 의 제 3 깊이 를 제 2 리세 스 ( 120 ) 의 제 2 폭 보다 작 게 형성 하 는 경우 에 는 제 3 리세 스 ( 130 ) 의 곡 률 이 제 2 리세 스 ( 120 ) 의 곡률 보다 작아질 수 있 다 .