일 실시 예 에서 , 본 발명 의 각 중합체 막 및 / 또는 본 발명 의 전자 장치 의 중합체 막 성분 은 각각 평방 당 약 500 옴 ( Ω / □) 이하 의 시트 저항 을 나타낸다 . 또 다른 실시 예 에서 , 본 발명 의 각 중합체 막 및 본 발명 의 전자 장치 의 중합체 막 성분 은 각각 약 300 Ω / □ 이하 의 시트 저항 을 나타낸다 . 또 다른 실시 예 에서 , 본 발명 의 각 중합체 막 및 본 발명 의 전자 장치 의 중합체 막 성분 은 각각 약 200 Ω / □, 더 전형 적 으로 는 100 Ω / □ 이하 의 시트 저항 을 나타낸다 . 본 발명 의 중합체 막 은 , 금속 입자 , 그라 파이트 입자 또는 탄소 입자 들 과 같 은 전기 전도성 입자 들 이 없 는 경우 에 도 전술 한 시트 저항 값 들 을 나타내 고 , 중합체 막 의 시트 저항 은 그러 한 전기 전도성 입자 들 을 추가 함 으로써 더 감소 할 수 도 있 다 . 일 실시 예 에서 , 필연 적 으로 ( 즉 , 전기 전도성 입자 들 이 없 는 경우 에 도 ) 전기 전도성 중합체 및 이온 액체 의 혼합물 로 이루어진 중합체 막 은 500 Ω / □ 이하 , 또는 300 Ω / □ 이하 , 또는 200 Ω / □ 이하 의 시트 저항 을 나타낸다 . 일 실시 예 에서 , 전기 전도성 중합체 및 이온 액체 의 혼합물 로 이루어진 중합체 막 은 500 Ω / □ 이하 , 또는 300 Ω / □ 이하 , 또는 200 Ω / □ 이하 의 시트 저항 을 나타낸다 .