그러나 상술 한 공정 은 소자 분리 막 ( 103 ) 내 에 보이드 ( 104 ) 와 심 ( 105 ) 이 잔존 하 게 되 는 문제점 이 발생 할 수 있 다 . 따라서 근래 에 는 보이드 ( 104 ) 와 심 ( 105 ) 이 발생 하 지 않 도록 갭 필 능력 이 우수 한 PSZ 막 ( Polysilazene ) 을 이용 하 여 소자 분리 막 을 형성 한다 .