도 4 a 를 참조 하 면 , 액티브 영역 ( A ) 및 필드 영역 ( F ) 을 구비 한 반도체 기판 ( 300 ) 상 에 포토레지스트 를 도포 하 여 포토레지스트 막 ( 미 도시 ) 을 형성 한 후 노광 및 현상 하 여 포토레지스트 패턴 ( 미 도시 ) 을 형성 한다 . 이후 , 포토레지스트 패턴 을 마스크 로 한 식각 공정 으로 반도체 기판 ( 300 ) 의 필드 영역 ( F ) 을 일부 두께 만큼 식각 한다 . 이 로써 , 반도체 기판 ( 300 ) 의 필드 영역 ( F ) 에 트렌치 ( 310 ) 가 형성 되 며 , 트렌치 ( 310 ) 는 액티브 영역 들 ( A ) 에 의해 폐쇄 된다 .