다음 으로 도 32 에 도시 된 바 와 같이 유기 막 패턴 ( PRa ) 을 마스크 로 하 여 제 1 도전 물질 층 ( 44 a ) 및 제 2 도전 물질 층 ( 44 b ) 을 패 터닝 한다 . 제 1 도전 물질 층 ( 44 a ) 및 제 2 도전 물질 층 ( 44 b ) 은 드라이 에칭 ( 또는 건식 식각 ) 공정 을 통해 동일 공정 내 에서 패 터닝 될 수 있 으며 , 제 1 도전 물질 층 ( 44 a ) 및 제 2 도전 물질 층 ( 44 b ) 중 유기 막 패턴 ( PRa ) 에 의해 가려진 부분 은 패 터닝 되 지 않 을 수 있 다 .