그러므로 , 추가 적 인 구성 의 경우 , 반도체 나노 결정 들 이 나노 결정 들 의 복 층 ( bi - layer ) 헤테로 - 정 션 어레이 로 형성 된다 ( 가령 , PbSe - PbS 코어 - 쉘 나노 결정 ) . 특히 , ITO ( + 버퍼 ) 기판 에 제 1 PbSe 를 스핀 캐스팅 함 으로써 , 그리고 이 를 일정 시간 동안 어닐링 함 으로써 제 1 PbSe 어레이 가 형성 된다 . 제 1 PbSe 어레이 가 안 정해 지 면 , 제 2 나노 결정 양자 도트 어레이 의 증착 이 이루어진다 . 이러 한 복 층 헤테로 - 정 션 어레이 들 은 도 3 에 개략 적 으로 제시 된 바 와 같이 지그재그형 에너지 구조 를 시스템 에 제공 하 여야 하 며 , 광 - 여기 시 에 는 정공 들 이 1 층 에서 가장 낮 은 밸런스 상태 를 찾아가 게 되 고 , 전자 들 은 제 2 층 에서 가장 낮 은 전 도 상태 에 위치 한다 . 다시 말 해서 , 전하 여기 가 지향 성 확산 에 의해 구동 되 며 , 이 는 도너 - 액 셉 터 ( D - A ) 헤테로 - 정 션 에서 구성 된 바 에 따르 는 것 이 다 . 전하 들 이 이격 되 면 , 주종 의 캐리어 들 이 관련 전극 으로 확산 되 며 , 전체 층 을 따라 맞은편 전극 으로 이동 하 지 못하 게 된다 .