이후 에 , 반도체 기판 ( 102 ) 이 습식 처리 를 끝내 고 케미컬 ( 도시 하 지 않 음 ) 에서 인출 될 때 반도체 기판 ( 102 ) 은 회전 한다 . 반도체 기판 ( 102 ) 이 회전 하 는 속도 는 1 ~ 1000 RPM 으로 하 는 것 이 바람직 하 다 . 이때 , 반도체 기판 ( 102 ) 이 케미컬 ( 도시 하 지 않 음 ) 에서 완전히 인출 될 때 까지 180 도로 회전 하 여 , 반도체 기판 ( 102 ) 이 케미컬 ( 도시 하 지 않 음 ) 에 인입 하 기 시작 했 을 때 와 동일 하 게 위치 되 도록 한다 . 이 로 인하 여 반도체 기판 ( 102 ) 이 케미컬 ( 도시 하 지 않 음 ) 에 담궈 지 는 방향 에 상관없이 반도체 기판 ( 102 ) 의 표면 에 고르 게 케미컬 ( 도시 하 지 않 음 ) 이 접하 여 습식 처리 가 진행 될 수 있 다 .