일반 적 으로 , 고용량 커패시터 가 PIP ( Polysilicon / Insulator / Polysilicon ) 구조 일 경우 에 는 상부 전극 및 하부 전극 을 도전 성 폴리 실리콘 으로 사용 하 기 때문 에 상부 전극 / 하부 전극 과 절연체 박막 계면 에서 산화 반응 이 일어나 자연 산화 막 이 형성 되 어 전체 커패시턴스 의 용량 이 줄어드 는 단점 이 있 다 .