그 다음 , 스퍼터링 방법 이나 증착 방법 에 의해 ITO 나 IZO 와 같 은 투명 한 도전 물질 을 적층 하 여 도전 층 을 증착 한다 . 이때 , 상기 도전 층 은 상기 TFT 영역 상 에 있 는 유기 보호 층 ( 113 a ) 부분 과 노출 된 화소 영역 의 제 1 기판 ( 101 ) 부분 및 돌기 형성 부분 ( 113 b ) 그리고 데이터 라인 ( 109 ) 상 에 있 는 유기 보호 층 ( 113 a ) 에 만 형성 된다 . 이때 , 상기 유기 보호 층 은 두껍 게 증착 되 기 때문 에 , 상기 유기 보호 층 ( 113 a ) 및 돌기 ( 115 ) 의 측벽 에 는 도전 층 이 증착 되 지 않 는다 .