저항 스위칭 메모리 소자 의 예시 적 인 실시 형태 의 단면도 가 도 2 a 에 도시 된다 . 도 2 a 의 예 에서 , 메모리 소자 ( 12 ) 는 금속 산화물 ( 22 ) 로부터 형성 되 고 도전 성 전극 ( 20 및 24 ) 을 갖 는다 . 도 1 의 어레이 ( 10 ) 와 같 은 어레이 의 일부 로서 구성 될 때 , 라인 ( 16 및 18 ) 과 같 은 도전 성 라인 이 전극 ( 20 및 24 ) 에 물리 적 으로 및 전기 적 으로 접속 될 수 도 있 다 . 이러 한 도전 성 라인 은 임의 의 적절 한 금속 ( 예 를 들 어 , 텅스텐 , 알루미늄 , 구리 , 금속 규화물 등 ) 으로부터 형성 될 수 도 있 다 . 도전 성 라인 ( 16 및 18 ) 은 또한 다른 도전 성 재료 ( 예 를 들 어 , 도 핑 된 폴리 실리콘 , 도핑 된 실리콘 등 ) 또는 도전 성 재료 의 조합 으로부터 형성 될 수 도 있 다 . 원한다면 , 도전 성 라인 ( 16 ) 및 도전 성 라인 ( 18 ) 은 도전 성 라인 으로서 의 역할 과 전극 으로서 의 역할 양자 를 행할 수 도 있 다 . 이런 타입 의 구성 에서 , 라인 ( 16 ) 은 전극 ( 20 ) 으로서 의 역할 을 할 수 도 있 어 , 메모리 소자 ( 12 ) 에 대한 상부 전극 ( upper electrode ) 을 형성 하 는 데 별도 의 컨 덕 터 가 필요 하 지 않 다 . 유사 하 게 , 라인 ( 18 ) 은 전극 ( 24 ) 으로서 의 역할 을 할 수 도 있 어 , 메모리 소자 ( 12 ) 의 하부 전극 에 대한 별도 의 컨 덕 터 가 필요 하 지 않 다 .