도 20 은 소자 실시 예 1 및 소자 비 교예 1 에 따라 제조 된 유기 전계 효과 트랜지스터 의 게이트 전압 에 따른 쇼트 키 배리 어 높이 ( φ B ) 를 나타낸 그래프 이 다 . 도 20 을 참조 하 면 , 소자 실시 예 1 의 경우 VG = 70 V 후 에 배리 어 높이 가 0 meV 로 감소 되 는 반면 , 소자 비 교예 1 은 60 ≤ φ B ≤ 100 meV 인 것 을 확인 할 수 있 었 다 . 이 결과 는 MoS 2 와 그래핀 전극 사이 의 인터페이스 에서 이상 적 인 오 믹 접촉 이 달성 된다는 것 을 의미 한다 .