도 1 을 참조 하 여 , 발명 의 실시 형태 의 반도체 제조 장치 용 부품 ( 1 ) 을 설명 한다 . 본 실시 형태 의 반도체 제조 장치 용 부품 ( 1 ) 은 , 원형 평판 형상 의 질화알루미늄 소 결체 ( 2 ) 를 구비 하 고 , 질화알루미늄 소 결체 ( 2 ) 의 재치 면 ( 2 a ) 에 반도체 웨이퍼 등 의 기판 ( 도시 생략 ) 을 재치 하 고 , 기판 을 가온 하 거나 , 기판 을 정전 흡착 파지 하 거나 하 는 반도체 제조 장치 에 사용 되 는 것 이 다 . 원형 평판 형상 의 재치 면 과 는 반대 측 의 주면 ( 2 b ) 에는 , 질화알루미늄 소 결체 ( 2 ) 의 두께 방향 으로 연장 되 는 원통 상 의 샤프트 ( 3 ) ( 본 실시 형태 의 지지 부재 ) 가 형성 되 어 있 고 , 샤프트 ( 3 ) 의 중 공부 를 이루 는 원통 내경 영역 에 는 , 질화알루미늄 소 결체 ( 2 ) 에 매설 된 전극 ( 4 ) 에 통전 시키 는 단자 ( 5 ) 가 연장 되 어 있 다 . 전극 ( 4 ) 은 , 고주파 발생 용 전극 ( 4 a ) 과 히터 용 전극 ( 4 b ) 으로 구성 되 고 , 고주파 발생 용 전극 ( 4 a ) 과 히터 용 전극 ( 4 b ) 은 , 서로 질화알루미늄 소 결체 ( 2 ) 의 두께 방향 으로 간격 을 두 고 매설 되 어 있 다 .