제 4 실시 예 에서 는 먼저 , 제 3 실시 예 와 마찬가지 로 , NSG 막 ( 26 ) 의 형성 및 그 직후 의 회복 어닐링 까지 의 처리 를 행한다 ( 도 5 c 참조 ) . 다음 , 레지스 트 패턴 ( 93 ) 대신 에 , 도 6 a 에 나타나 있 는 바 와 같이 소정 의 위치 에 개구부 를 갖 는 레지스 트 패턴 ( 96 ) 을 형성 한다 . 레지스 트 패턴 ( 96 ) 의 일부 의 개구부 는 레지스 트 패턴 ( 92 ) 의 개구부 와 같 은 것 으로 하 고 , 다른 일부 의 개구부 는 레지스 트 패턴 ( 93 ) 의 개구부 와 같 은 것 으로 한다 . 그리고 , 레지스 트 패턴 ( 96 ) 을 마스크 로 하 여 NSG 막 ( 26 ) 등 의 에칭 을 행함 으로써 컨 택트 홀 ( 27 t , 27 b , 28 s , 28 d ) 을 형성 한다 . 한편 , 컨 택트 홀 ( 28 s , 28 d ) 의 형성 은 실리콘 산질 화 막 ( 15 ) 의 표면 에서 정지 시킨다 .