상부 나노 다공성 LKD 재료 를 갖 는 실리콘 기판 샘플 ( JSR LKD - 5109 , JSR Corporation 제조 ) 이 제조 되 었 다 . 샘플 은 포토레지스트 에 의해 코팅 되 고 , 패 터닝 되 고 , 반응 성 이온 에칭 ( RIE ) 이 수행 되 어 트렌치 를 형성 하 였 고 , 그 후 , 산소 애 싱이 후속 되 어 포토레지스트 를 제거 하 였 다 . RIE 및 포토레지스트 제거 는 패 터닝 된 영역 내 의 에칭 된 개구 를 둘러싸 는 플 라즈 마 손상 된 영역 을 초래 한다 .