대량 의 결정 성 SiC 성장 을 위한 승화 반응 은 통상 노 ( furnace ) 내부 에 배치 되 어 있 는 밀폐 된 원통형 반응 셀 내 에서 행해진다 . 상기 반응 을 위한 열원 은 저항성 가열 이나 RF 유도 가열 일 수 있 다 . 상기 반응 셀 은 전형 적 으로 흑연 으로 만들 어 진다 . 종자 결정 이 셀 내부 , 통상 상부 에 놓이 고 , 결정 성장 을 위한 원료 가 상기 종자 의 반대편 에 놓인다 . 상기 반응 셀 을 가열 함 에 따라서 , 상기 원료 가 기화 되 어 상기 종자 결정 상 에 응결 된다 .