Ge 층 ( 120 ) 은 , 개구 영역 ( 106 ) 에 선택 적 으로 결정 성장 되 어도 좋 다 . Ge 층 ( 120 ) 은 , 예컨대 , CVD 법 또는 MBE 법 ( 분자선 에피택시 법 ) 에 의해 형성 할 수 있 다 . 원료 가스 는 , GeH 4 여 도 좋 다 . Ge 층 ( 120 ) 은 0 . 1 Pa 이상 100 Pa 이하 의 압력 하 에서 CVD 법 에 의해 형성 되 어도 좋 다 . 이 에 따라 , Ge 층 ( 120 ) 의 성장 속도 가 개구 영역 ( 106 ) 의 면적 의 영향 을 받 기 어렵 게 된다 . 그 결과 , 예컨대 , Ge 층 ( 120 ) 의 막 두께 의 균일성 이 향상 된다 . 또한 , 이 경우 , 저해 층 ( 104 ) 의 표면 에서 의 Ge 결정 의 퇴적 을 억제 할 수 있 다 .