본 명세서 에서 개시 하 는 발명 의 구성 의 다른 일 형태 는 , 제 1 저항 소자 및 제 2 저항 소자 가 직렬 로 설치 된 전원 선 과 , 선택 선 과 , 선택 선 과 게이트 단자 가 전기 적 으로 접속 하 는 산화물 반도체 층 을 포함 하 는 스위치 트랜지스터 와 , 전원 선 과 스위치 트랜지스터 를 통해 전기 적 으로 접속 하 는 트랜지스터 를 포함 하 는 연산 증폭 회로 가 설치 된 전위 분할 회로 를 갖 고 , 제 1 저항 소자 와 제 2 저항 소자 와 스위치 트랜지스터 의 소스 단자 가 전기 적 으로 접속 하 고 , 스위치 트랜지스터 의 드레 인 단자 와 연산 증폭 회로 에 포함 되 는 트랜지스터 의 게이트 단자 가 전기 적 으로 접속 하 여 노드 를 구성 하 고 , 전원 선 에 공급 된 전위 는 제 1 저항 소자 및 제 2 저항 소자 에 의해 분할 되 고 , 분할 된 전위 는 스위치 트랜지스터 가 온 상태 일 때 에 스위치 트랜지스터 를 통해 연산 증폭 회로 에 공급 되 고 , 분할 된 전위 는 스위치 트랜지스터 가 오프 상태 일 때 에 노드 에 유지 되 고 , 분할 된 전위 는 스위치 트랜지스터 및 연산 증폭 회로 를 통해 출력 되 는 반도체 장치 의 구동 방법 이 다 .