예 를 들 면 , 도 25 ( A ) ~( C ) 는 , In , Sn , 및 Zn 을 주성분 으로서 포함 하 고 , 채널 길이 ( L ) 가 3 μ m , 채널 폭 ( W ) 이 10 μ m 인 산화물 반도체 막 과 , 두께 100 nm 의 게이트 절연 층 을 이용 한 트랜지스터 의 전기 특성 을 나타내 는 도면 이 다 . 또한 , Vd 는 10 V 로 하 였 다 .