본 발명 에서 는 빛 에 의해 생성 되 는 EHP ( Electron - Hole Pair ) 이외 에 포토 다이오드 ( Photodiode ) 상부 에 존재 하 는 결정 결함 에 기인 된 EHP ( Electron - Hole Pair ) 형성 을 최소 화 함 으로써 씨 모스 이미지 센서 ( CMOS Image Sensor ) 의 저조 도 특성 을 향상 시키 기 위한 씨 모스 이미지 센서 의 제조 공정 을 제안 하 고자 한다 .