또한 , 본 발명 의 전계 효과 형 트랜지스터 에서 는 , 반도체 층 과 게이트 절 연막 사이 및 / 또는 반도체 층 과 보호 층 사이 에 , 반도체 층 보다 도 저항 이 높 은 산화물 저항 층 을 갖 는 것 이 바람직 하 다 . 산화물 저항 층 이 없 으면 오프 전류 가 발생 하 거나 , 역치 전압 이 음 이 되 어 노 멀리 온이 될 우려 가 있 다 . 또한 , 보호막 성막 이나 에칭 등 의 후처리 공정 시 에 반도체 층 이 변질 되 어 특성 이 열화 될 우려 가 있 다 .