즉 , 본 실시 예 에 있 어서 도 데이터 배선 ( 251 ) 들 은 게이트 전극 ( 232 ) 과 동일 한 도전 성 물질 로 동일 층 에 형성 되 어 게이트 전극 ( 232 ) 들 과 동시 에 패 터닝 되 기 때문 에 게이트 전극 ( 232 ) 들 과 데이터 배선 ( 251 ) 들 은 동일 높이 로 형성 된다 . 이 데이터 배선 ( 251 ) 상 에 제 1 절연 층 ( 213 ) 및 제 2 절연 층 ( 214 ) 이 연장 형성 된다 하 더라도 , 배선 ( 251 ) 들 의 단차 면 에서 는 스텝 커버리지 를 완전 하 게 할 수 는 없 기 때문 에 커버 되 지 못한 배선 ( 251 ) 들 에 의해 쇼트 가 발생 할 수 있 다 .