캡 핑 막 ( 205 ) 상 에 DC 마그네트론 스퍼터링 설비 를 이용 하 여 중간층 ( 206 a ) 및 흡수 층 ( 206 b ) 의 적층 구조 이루어진 4 층 구조 의 차광막 ( 105 ) 을 형성 하 였 다 . 구체 적 으로 는 , 캡 핑 막 ( 106 ) 상 에 Cr 타 겟 을 이용 하 여 , 공정 가스 로 Ar : N 2 = 5 sccm : 3 sccm 주입 하 고 , 공정 파워 는 1 . 0 kW 를 사용 하 여 7 ㎚ 두께 의 CrN 막 으로 이루어진 중간층 ( 206 a ) 을 형성 하 였 다 . 이후 , 스퍼터링 챔버 를 이동 하 여 Pt 타 겟 을 이용 하 여 , 공정 가스 로 Ar = 8 sccm 를 주입 하 고 , 공정 파워 는 0 . 8 ㎾ 를 사용 하 여 9 ㎚ 두께 의 Pt 막 으로 이루어진 흡수 층 ( 206 b ) 을 형성 하 였 다 . 흡수 층 ( 206 b ) 상 에 동일 조건 의 중간층 ( 206 a ) 과 흡수 층 ( 206 b ) 을 적층 하 여 총 32 nm 두께 의 4 층 구조 의 흡수 막 ( 206 ) 을 형성 하 였 다 .