UV 안정 성 을 개선 하 고 시간 에 따른 최소한 의 성능 열화 를 달성 하 기 위해 , 높 은 광 흡수 층 ( 313 ) 은 , 가시 광 에 대한 최소 필터링 효과 를 이용 하 여 , 태양 전지 ( 300 ) 의 ( 일반 적 으로 104 "" 로서 레이 블링 된 ) SiO 2 / Si 인터페이스 를 어택 ( attack ) 하 는 UV 복사 량 을 감소 시키 도록 구성 된다 . 예 를 들 어 ", 높 은 광 흡수 층 ( 313 ) 은 가시 광 에 대해서 는 비교 적 투과성 이 지만 UV 복사 ( 즉 , 400 nm 이하 범위 의 파장 을 가진 광 ) 에 대해서 는 상당히 흡수성 인 재료 를 구비 할 수 있 다 . 높 은 광 흡수 층 ( 313 ) 은 , 일 실시 예 에서 N 형 실리콘 을 포함 하 는 실리콘 기판 ( 102 ) 과 실리콘 이 산화물 패 시베이 션 층 ( 312 ) 사이 의 인터페이스 에 대한 UV 복사 손상 을 감소 시킨다 .