이 와 같 은 공정 에 의해 AAO 격벽 ( 61 ) 에 의해 분리 되 는 공극 ( 62 ) 내 의 탄소 나노 튜브 ( 63 ) 내 에 OLED 물질 층 ( 64 ) 이 형성 되 고 탄소 나노 튜브 ( 63 ) 일 측 에 전극 층 ( 65 ) 이 형성 된 상태 에서 도 6 e 에서 와 같이 , AAO 격벽 ( 61 ) 을 제거 하 여 각각 의 CNT / OLED 구조 의 OLED 발광체 들 을 개별 화 하 는 공정 을 진행 한다 .