다음 , 도 4 c 에 도시 된 바 와 같이 , 어 드레스 전극 ( 23 ) 들 을 형성 한다 . 상기 어 드레스 전극 ( 23 ) 들 은 일반 적 으로 포트 리소그래피 ( photolithography ) 법 을 이용 한다 . 전극 ( 23 ) 형성 공정 을 간단히 살펴보 면 전극 물질 을 페이스트 ( paste ) 의 인쇄 나 그린 시트 ( green sheet ) 의 라미 네이션 ( lamination ) 방법 등 으로 기판 ( 21 ) 에 입힌 후 , 상기 전극 물질 에 PR ( photo resist ) 또는 DFR ( dry film resist ) 를 입힌다 . 이어서 , 노광 공정 을 거쳐 상기 PR 또는 DFR 을 현상 하 고 , 전극 ( 23 ) 을 에칭 하 여 패턴 을 현상 한 후 , 상기 PR 또는 DFR 을 제거 하 여 전극 ( 23 ) 을 형성 한다 . 상기 어 드레스 전극 ( 23 ) 들 은 상기 제 1 기판 ( 11 ) 상 에 형성 된 서 스테인 전극 쌍 ( 14 , 16 ) 과 교차 하 도록 2 ∼ 8 ㎛ 의 두께 로 형성 되 고 2 . 5 × 10 - 6 ∼ 4 . 0 × 10 - 6 Ω ㎝ 의 비저항 값 을 갖 도록 형성 한다 . 상기 어 드레스 전극 ( 23 ) 들 에 는 디스플레이 될 셀 들 을 선택 하 기 위한 데이터 신호 가 공급 된다 .