본 발명 의 각 중합체 막 및 본 발명 의 전자 장치 의 중합체 막 성분 은 각각 전형 적 으로 높 은 전기 적 전도 성 은 물론 , 어떤 실시 예 들 에 있 어서 는 , 높 은 광학 적 투명 성 을 제공 한다 . 일 실시 예 에 있 어서 , 본 발명 의 중합체 막 은 평방 당 약 500 옴 이하 의 시트 저항 을 나타낸다 . 일 실시 예 에 있 어서 , 본 발명 의 중합체 막 은 cm 당 500 지멘스 이상 의 전도 성 을 나타냈 다 .