특히 , 웨이퍼 ( W ) 의 실리콘 기판 ( 301 ) 표면 으로부터 자연 산화 막 을 제거 한 경우 에 는 , 기판 표면 에 노출 된 실리콘 의 댕 글 링 본드 ( 미 결합수 ) 에 수소 가 결합 하 므로 , 기판 ( 301 ) 의 표면 이 불활성 이 되 어 트랩 등 이 발생 하 기 어려워져 , 품질 이 좋 은 반도체 집 적 회로 장치 를 제조 하 는 것 이 가능 해진다 .