도 3 은 도 2 에 도시 된 비휘발성 메모리 장치 ( 200 ) 의 구조 를 개략 적 으로 나타내 는 도면 이 다 . 이 를 참조 하 면 , 비휘발성 메모리 장치 ( 200 ) 는 다수 의 메모리 칩 들 을 포함 할 수 있 다 . 도 3 에 는 4 - 채널 ( 4 - channel ) / 3 - 뱅크 ( 3 - bank ) 방식 의 하드웨어 구조 를 갖 는 비휘발성 메모리 장치 ( 200 ) 가 예시 적 으로 도시 되 나 , 본 발명 이 이 에 한정 되 는 것 은 아니 다 .