리지 구조 ( 11 ) 에 의해 , 활성 층 ( 40 ) 에서 간섭 성 제 1 전자기 복사 ( 51 ) 가 횡 기본 모드 로 형성 될 수 있 는 반면 , 원 하 지 않 는 기타 레이저 모드 는 방지 될 수 있 다 . 이 를 통해 , 활성 층 ( 40 ) 은 특히 리지 구조 ( 11 ) 의 폭 에 의해 정해 지 는 활성 영역 ( 11 ) 을 포함 하 며 , 도시 된 실시 예 에서 상기 활성 영역 은 활성 층 ( 40 ) 에서 해 치선 ( hatched line ) 으로 도시 된 면 으로 표시 되 어 있 다 . 활성 영역 ( 45 ) 은 복사 아웃 커플링 면 ( 12 ) 및 후 측 ( 13 ) 으로 형성 된 공진기 에서 활성 층 ( 40 ) 의 총 길이 에 걸쳐 연장 된다 . 활성 영역 ( 45 ) 에서 반도체 층 시퀀스 ( 10 ) 는 구동 시 자극 방출 에 의해 간섭 성 제 1 전자기 복사 ( 51 ) 를 생성 할 수 있 고 , 상기 전자기 복사 는 복사 아웃 커플링 면 ( 12 ) 의 제 1 부분 영역 ( 121 ) 에 의해 방출 될 수 있 다 . 공진기 구조 , 도파 층 ( 42 , 43 ) 및 자극 방출 의 기초 가 되 는 공지 된 기전 에 의해 , 간섭 성 제 1 전자기 복사 ( 51 ) 는 방출 방향 ( 90 ) 을 따라 광선속 또는 복사 로브 ( radiation lobe ) 로서 방출 된다 .