상기 채널 막 의 상기 일부 를 상기 도프 트 반도체 패턴 으로 교체 하 는 단계 는 , 상기 제 1 메모리 패턴 의 측벽 을 개구 하 는 제 1 홈 ( groove ) 이 정의 되 도록 상기 채널 막 의 상기 일부 를 식각 하 는 단계 , 및 상기 제 1 홈 을 채우 고 상기 채널 막 및 상기 제 1 반도체 막 에 접촉 된 상기 도프 트 반도체 패턴 을 형성 하 는 단계 를 포함 할 수 있 다 .