상술 한 것 과 같이 , 본 개시 의 실시 예 에 따르 면 , 비휘발성 메모리 장치 는 전기 적 으로 직렬 연결 되 는 양 의 캐 패 시턴 스 를 구비 하 는 게이트 유전 층 구조물 과 음 의 캐 패 시턴 스 를 구비 하 는 강유 전 층 을 포함 한다 . 상기 강유 전 층 의 분극 스위칭 전압 에 대응 되 는 게이트 전압 이 , 상기 게이트 유전 층 구조물 과 상기 강유 전 층 을 함께 커버 하 는 게이트 전극 층 에 인가 될 때 , 상기 게이트 유전 층 구조물 에 는 상기 게이트 전압 보다 큰 내부 전압 이 인가 될 수 있 다 . 상기 내부 전압 이 상기 게이트 유전 층 구조물 내 전하 트랩 층 으로 전하 를 유입 시키 거나 , 상기 전하 트랩 층 의 전하 를 소거 시키 는 실질 적 인 동작 전압 으로 기능 할 수 있 다 .