상기 와 같 은 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 에 따른 모스 버랙터 는 , 액티브 영역 과 필드 영역 이 정의 되 어 필드 영역 에 소자 분리 막 이 형성 된 반도체 기판 ; 상기 액티브 영역 의 반도체 기판 에 형성 되 는 N 형 웰 ; 상기 N 형 웰 상측 에 형성 되 는 게이트 절 연막 및 게이트 전극 ; 상기 게이트 전극 양측 의 상기 N 형 웰 에 형성 되 는 N 형 불순물 영역 을 구비 하 고 , 상기 N 형 웰 표면 의 불순물 농도 가 1016 atoms / cm 3 내지 1017 atoms / cm 3 임 에 그 특징 이 있 다 .