이하 , 도 3 과 도 4 를 참조 하 면서 본 발명 의 바람직 한 실시 예 에 따라 실리콘 기판 위 에 GaN 막 을 형성 하 는 방법 을 설명 한다 . 도 3 은 본 발명 에 따른 GaN 반도체 기판 제조 공정 의 흐름 도 이 며 , 도 4 는 본 발명 에 따라 Si 기판 에 GaN 층 을 형성 하 는 과정 을 보이 는 GaN 반도체 기판 제조 공정도 이 다 .