도 1 a 를 참조 하 면 , 반도체 기판 ( 100 ) 의 상 에 게이트 절 연막 ( 102 ) , 폴리 실리콘 막 ( 104 ) , 텅스텐 막 ( 106 ) 및 하드 마스크 질화 막 ( 108 ) 을 순차 적 으로 형성 한다 . 그런 다음 , 상기 하드 마스크 질화 막 ( 108 ) 상 에 게이트 형성 을 위한 감광막 패턴 ( 110 ) 을 형성 한 후 , 식각 공정 을 진행 하 여 상기 하드 마스크 질화 막 ( 108 ) 을 식각 한다 .