기판 ( 100 ) 상 에 몰드 막 ( MD ) 을 형성 할 수 있 다 . 몰드 막 ( MD ) 은 실리콘 산화물 , 실리콘 질화물 , 및 실리콘 산질 화물 을 포함 할 수 있 다 . 몰드 막 ( MD ) 상 에 마스크 패턴 을 형성 한 후 , 마스크 패턴 을 식각 마스크 로 사용 하 여 식각 하 여 기판 ( 100 ) 을 노출 시키 는 홀 ( HL ) 을 형성 할 수 있 다 . 홀 ( HL ) 을 형성 한 후 , 마스크 패턴 을 몰드 막 ( MD ) 으로부터 제거 할 수 있 다 .