본 발명 은 상술 한 문제점 을 해결 하 기 위한 것 으로 , 본 발명 의 목적 은 , 실리콘 질화 막 을 선택 적 으로 제거 함 과 동시 에 실리콘 산화 막 의 식각 율 은 최소 화 함 으로써 , 반도체 소자 특성 에 악영향 을 미치 는 이 물질 발생 등 의 문제점 을 해결 할 수 있 는 높 은 선택 비 의 실리콘 질화 막 식각 용 조성물 및 이 를 이용 한 반도체 소자 의 제조 방법 을 제공 하 는 것 이 다 .