도 3 및 도 9 를 참조 하 면 , 연결 영역 ( CTR ) 상 의 적층 구 조체 ( ST ) 에 계단식 구조 가 형성 될 수 있 다 . 구체 적 으로 , 적층 구 조체 ( ST ) 상 에 제 1 마스크 패턴 ( MP 1 ) 이 형성 될 수 있 다 . 제 1 마스크 패턴 ( MP 1 ) 은 연결 영역 ( CTR ) 상 의 적층 구 조체 ( ST ) 의 일부 를 노출 시킬 수 있 다 . 이어서 , 제 1 마스크 패턴 ( MP 1 ) 을 식각 마스크 로 적층 구 조체 ( ST ) 의 일부 를 식각 하 는 공정 , 및 제 1 마스크 패턴 ( MP 1 ) 을 축소 시키 는 트리밍 공정 이 번갈 아 반복 될 수 있 다 . 적층 구 조체 ( ST ) 의 일부 를 식각 하 는 공정 은 , 제 1 마스크 패턴 ( MP 1 ) 에 의해 노출 된 복수 개 의 희생 막 들 ( HL 1 , HL 2 ) 을 식각 하 는 것 을 포함 할 수 있 다 . 상기 식각 공정 시 식각 깊이 는 , 수직 적 으로 인접 하 는 희생 막 들 ( HL 1 , HL 2 ) 간 의 피치 일 수 있 다 . 상기 트리밍 공정 은 제 1 마스크 패턴 ( MP 1 ) 의 일 측벽 을 소정 거리 만큼 수평 적 으로 이동 시킴 으로써 제 1 마스크 패턴 ( MP 1 ) 의 면적 을 축소 시킬 수 있 다 .