그 후 , 도 4 c 에 도시 된 바 와 같이 , 제 1 기판 ( 120 ) 상 에 Cr , Mo , Ta , Cu , Ti , Al 또는 Al 합금 과 같이 도전 성 이 좋 은 불 투명 금속 을 스퍼터링 법 에 의해 적층 한 후 제 3 포토 마스크 를 이용 하 여 식각 하 여 반도체 층 ( 113 ) 위 , 엄밀 하 게 말 해서 오 믹 컨 택 층 위 에 소스 전극 ( 115 ) 및 드레 인 전극 ( 116 ) 을 형성 하 고 , 이어서 상기 소스 전극 ( 115 ) 및 드레 인 전극 ( 116 ) 이 형성 된 제 1 기판 ( 120 ) 전체 에 걸쳐 BCB ( Benzo Cyclo Butene ) 이나 포토 아크릴 ( photo acryl ) 과 같 은 유기 절연 물질 을 적층 하 여 보호 층 ( 124 ) 을 형성 한다 .