다음 으로 , 도 11 에서 , 하부 반사 방지 코팅 ( BARC ) 층 ( 86 ) 및 상부 포토레지스트 ( 88 ) 를 포함 하 는 포토레지스트 가 도 10 의 FinFET 디바이스 ( 100 ) 위 에 형성 된다 . 포토레지스트 는 중간층 ( 도시 생략 ) 을 추가 로 포함 할 수 도 있 다 . 형성 된 후 에 , 포토레지스트 는 도 11 에 도시 하 는 바 와 같이 핀 들 ( 64 ) 사이 의 공간 을 충전 한다 . 이어서 상부 포토레지스트 ( 88 ) 가 패 터닝 되 어 개구부 ( 71 ) 를 형성 하 며 , 개구부 ( 71 ) 는 핀 ( 64 B ) 의 부분 ( 예컨대 , 우측 부분 ) 위 에 ( 예컨대 , 바로 위 에 ) 그리고 핀 ( 64 C ) 위 에 있 다 . 일 실시 형태 에서 , 상부 포토레지스트 ( 88 ) 는 예컨대 레티 클 을 통과 한 패 터닝 된 에너지 소스 ( 예컨대 , 광 ) 에 상부 포토 레지스 트 ( 88 ) 를 노출 시킴 으로써 패 터닝 된다 . 에너지 의 영향 은 패 터닝 된 에너지 소스 가 가해진 감광성 재료 의 부분 에서 화학 반응 을 일으켜서 , 상부 포토레지스트 ( 88 ) 의 노출 된 부분 의 물리 적 특성 이 상부 포토레지스트 ( 88 ) 의 노출 되 지 않 은 부분 의 물리 적 특성 과 상이 해 지 도록 포토레지스트 의 노출 된 부분 의 물리 적 특성 을 변경 할 것 이 다 . 그런 다음 , 상부 포토레지스트 ( 88 ) 는 상부 포토레지스트 ( 88 ) 의 노출 되 지 않 은 부분 으로부터 상부 포토 레지스 트 ( 88 ) 의 노출 된 부분 을 분리 하 기 위해 , 예 를 들 어 현상 제 로 현상 될 수 있 다 .