도 2 d 의 단계 ( d ) 에 따르 면 , 게이트 ( 110 ) 와 소자 분리 막 ( 102 ) 사이 의 제 2 층 간 절 연막 ( 140 ) 상 에 반도체 기판 ( 100 ) 과 전기 적 으로 연결 될 수 있 도록 하 는 콘 택 홀 ( 150 ) 을 형성 한다 . 콘 택 홀 ( 150 ) 은 위 에서 기술 한 바 와 같이 저항 콘 택 홀 ( 130 ) 과 동일 크기 로 형성 되 는 것 이 바람직 하 며 , 콘 택 홀 ( 150 ) 의 형성 은 패 터 링 및 식각 을 통하 여 형성 된다 .