도 1 과 도 3 을 참조 하 면 , 메모리 셀 ( 112 ) 의 셀 렉터 엘리먼트 ( 1121 ) 는 네거티브 저항 특성 을 가진 재료 에 의해 형성 될 수 있 다 . 이 와 같이 , 메모리 셀 ( 112 ) 의 셀 렉터 엘리먼트 ( 1121 ) 는 도 3 에 도시 하 는 NR 선 이 나타내 는 IV 특징 을 가질 수 있 다 . 따라서 , 메모리 셀 ( 112 ) 에 대해 행해진 판독 동작 의 판독 마진 은 셀 렉터 엘리먼트 ( 1121 ) 의 네거티브 저항 특성 에 기초 하 여 개선 될 수 있 다 .