상기 제 2 이온 주입 단계 는 상기 제 1 이온 주입 단계 보다 더 높 은 양 , 예 를 들 어 0 . 7 × 1015 cm - 2 내지 7 . 0 × 1 O 15 cm - 2 의 양 , 예 를 들 어 1 . 7 × 1 O 15 cm - 2 의 양 을 사용 하 여 수행 될 수 있 다 . 또한 , 상기 제 2 이온 주입 단계 도중 의 빔 가속 은 5 keV 내지 30 keV 의 범위 , 바람직 하 게 는 10 keV 에서 수행 될 수 있 다 . 다양 한 구 현예 들 에 따르 면 , 공정 ( 210 ) 의 이온 주입 도중 에 , 참조 모서리 ( reference edge ) 로 알려진 기판 의 한쪽 모서리 는 중력 에 의해서 상기 마스크 의 모서리 와 정렬 될 수 있 다 . 다른 구 현예 들 에서 는 , 상기 제 2 이온 주입 단계 도중 에 사용 된 양 은 상기 제 1 이온 주입 단계 의 양 보다 작 거나 또는 같 을 수 있 는데 , 이 는 상기 제 1 이온 주입 단계 가 이미 선택 적 영역 들 ( 15 ) 을 경도 핑 하 였 기 때문 이 다 . 그러므로 , 상기 선택 적 영역 들 ( 15 ) 에 추가 적 인 도 펀트 를 공급 하 는 상기 제 2 이온 주입 단계 도중 에 사용 된 양 에 의해서 선택 적 영역 들 ( 15 ) 이 필드 영역 들 ( 20 ) 보다 더욱 중도 핑 될 수 있 다 .