또한 , 실시 예 1 에 있 어서 , 본딩 장치 ( 30 ) 가 , 예 를 들 면 도 41 A 에 나타내 는 바 와 같 은 , 기판 ( WT ) 과 칩 ( CP ) 사이 에 배치 가능 한 프리즘 ( 7737 ) 과 , 프리즘 ( 7737 ) 의 측방 에 배치 된 2 개 의 거리 측 정부 ( 77381 , 77382 ) 를 구비 하 는 것 이 어도 좋 다 . 거리 측 정부 ( 77381 ) 는 , 레이 저광 을 프리즘 ( 7737 ) 을 향해 사출 하 는 레이저 광원 과 , 기판 ( WT ) 의 실 장면 ( WTf ) 에서 반사 되 어 프리즘 ( 7737 ) 을 통해 되돌 아 오 는 광 을 수 광 하 는 수 광부 를 구비 한다 . 또한 , 거리 측 정부 ( 77382 ) 는 , 레이 저광 을 프리즘 ( 7737 ) 을 향해 사출 하 는 레이저 광원 과 , 칩 ( CP ) 의 접합면 ( CPf ) 에서 반사 되 어 프리즘 ( 7737 ) 을 통해 되돌 아 오 는 광 을 수 광 하 는 수 광부 를 구비 한다 . 이 경우 , 본딩 장치 ( 30 ) 는 , 거리 측 정부 ( 77381 ) 에 의해 측정 되 는 프리즘 ( 7737 ) 과 기판 ( WT ) 의 실 장면 ( WTf ) 사이 의 거리 와 , 거리 측 정부 ( 77382 ) 에 의해 측정 되 는 프리즘 ( 7737 ) 과 칩 ( CP ) 의 접합면 ( CPf ) 사이 의 거리 와 , 2 개 의 거리 측 정부 ( 77381 , 77382 ) 사이 의 거리 ( W 77 ) 로부터 , 기판 ( WT ) 과 칩 ( CP ) 사이 의 거리 를 산출 한다 . 그리고 , 본딩 장치 ( 30 ) 는 , 산출 된 거리 에 기초 하 여 , 기판 ( WT ) 의 실 장면 ( WTf ) 과 칩 ( CP ) 사이 의 거리 와 칩 ( CP ) 의 기판 ( WT ) 의 실 장면 ( WTf ) 에 대한 경사 중 의 적어도 하나 를 조정 한다 .