이 를 극복 하 기 위해 , 양자 점 면 밀도 가 높 은 GaAs 계열 의 1 . 3 ㎛ 이하 의 파장 대역 또는 InP 계열 의 1 . 55 ㎛ 이상 의 파장 대역 의 양자 점 레이저 를 사용 할 수 있 다 . GaAs 계열 의 양자 점 레이저 구조 의 경우 에 는 종래 양자 우물 구조 와 같이 약 300 ㎛ 대 의 공진기 길이 를 사용 하 므로 상대 적 으로 안정 된 광 특성 을 보일 수 있 지만 , InP 계열 의 양자 점 레이저 구조 의 경우 에 는 1 ㎜ 이상 의 긴 공진기 를 사용 해야 하 기 때문 에 안정 적 인 광 모드 구현 이 용이 하 지 않 다 .