트랜지스터 ( 410 ) 는 , 절연 층 ( 400 ) 위 에 게이트 전극 층 ( 401 ) , 게이트 절연 층 ( 402 ) , 산화물 반도체 층 ( 403 ) , 소스 전극 층 ( 405 a ) 및 드레 인 전극 층 ( 405 b ) 을 포함 한다 . 또한 , 트랜지스터 ( 410 ) 를 덮 고 , 산화물 반도체 층 ( 403 ) 에 적층 되 는 절연 층 ( 407 ) 이 형성 되 어 있 다 . 절연 층 ( 407 ) 위 에 는 절연 층 ( 409 ) 이 더 형성 되 어 있 다 .