도 19 의 ( B ) 에 도시 된 바 와 같이 본 발명 의 일 형태 의 발광 디바이스 는 구동 초기 에 재결합 영역 이 전자 수송 층 ( 124 ) 측 까지 넓 어 지 는 경우 가 있 다 . 도 19 의 ( B ) 에서 는 전자 수송 층 ( 124 ) 내 의 재결합 영역 을 영역 ( 124 - 1 ) 으로 나타낸다 . 구체 적 으로 , 본 발명 의 일 형태 의 발광 디바이스 에서 는 , 구동 초기 에 는 정공 의 주입 장벽 이 작 은 것 , 및 전자 수송 층 ( 124 ) 의 전자 수송 성 이 비교 적 낮 은 것 에 의하 여 , 발광 영역 ( 123 - 1 ) ( 즉 재결합 영역 ) 이 발광 층 ( 123 ) 전체 에 형성 되 고 , 또한 전자 수송 층 ( 124 ) 에 도 재결합 영역 이 형성 되 는 경우 가 있 다 .