도 9 e 를 참조 하 면 , 기판 ( 10 ) 상 에 한 쌍 의 소스 / 드레 인 ( 12 ) 이 형성 될 수 있 다 . 소스 / 드레 인 ( 12 ) 은 에피택시 얼 성장 공정 에 의해 형성 될 수 있 다 . 한 소스 / 드레 인 ( 12 ) 은 채널 ( 11 ) 의 복수 의 부분 들 ( 11 a 내지 11 d ) 의 단 들 과 공통 적 으로 접촉 하 도록 형성 될 수 있 다 . 다른 소스 / 드레 인 ( 12 ) 은 채널 ( 11 ) 의 복수 의 부분 들 ( 11 a 내지 11 d ) 의 반대 단 들 과 공통 적 으로 접촉 하 도록 형성 될 수 있 다 .