상기 실리콘 웨이퍼 상의 SiO 2 비드 - PMMA 박막 복합체 를 140 ℃ 오븐 에서 1 시간 동안 가열 한 후 O 2 플 라즈 마 클리너 ( HARRICK ) 를 이용 하 여 5 분 간 상기 SiO 2 비드 - PMMA 박막 복합체 의 상부 PMMA 박막 의 일부 를 에칭 하 여 제거 하 였 다 . 상기 에칭 후 SiO 2 비드 - PMMA 박막 복합체 를 5 % HF 용액 에 4 초간 넣 어 SiO 2 비드 를 제거 한 후 2 차 증류수 로 세척 후 건조 시켜 홀 을 가지 는 다공성 PMMA 박막 을 형성 하 였 다 . 상기 홀 을 가지 는 다공성 PMMA 박막 의 SEM 사진 을 도 5 에 나타내 었 다 .