먼저 , 도 3 a 에 도시 한 바 와 같이 , 투명 한 제 1 기판 ( 300 ) 을 준비 한 다음 , 상기 제 1 기판 ( 300 ) 위 에 Al , Mo , Cu , MoW , MoTa , MoNb , Cr , W 또는 알루미늄 ( Al ) 및 몰리브덴 ( Mo ) 의 이중 층 과 같 은 제 1 금속 막 ( 미 도시 ) 을 스퍼터링 방법 으로 증착 한다 . 그리고 , 제 1 마스크 공정 을 통해 제 1 금속 막 을 패 터닝 함 으로써 , 게이트 전극 ( 303 ) 과 게이트 라인 ( 302 ) 그리고 , 게이트 패드 ( 301 ) 를 각각 형성 한다 .