상기 노출 된 플로팅 게이트 들 ( 445 ) 의 측벽 들 과 상면 들 및 소자 분리 막 패턴 들 ( 450 ) 상 에 유전 막 ( 455 ) 을 형성 한다 . 유전 막 ( 450 ) 은 화학 기상 증착 ( CVD ) 공정 , 플라 즈 마 증대 화학 기상 증착 ( PECVD ) 공정 , 원자 층 적층 ( ALD ) 공정 , 스퍼터링 공정 , 전자 빔 증착 공정 또는 펄스 레이저 증착 ( PLD ) 공정 을 이용 하 여 형성 될 수 있 다 . 본 발명 의 일 실시 예 에 있 어서 , 유전 막 ( 450 ) 은 높 은 유전 상수 를 갖 는 금속 산 화물 을 사용 하 여 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 면 , 유전 막 ( 450 ) 은 하프늄 산화물 , 지르코늄 산화물 , 티타늄 산화물 등 을 사용 하 여 형성 될 수 있 다 . 본 발명 의 다른 실시 예 에 따르 면 , 유전 막 ( 450 ) 은 제 1 산화 막 , 질화 막 및 제 2 산화 막 을 포함 하 는 ONO 구조 를 가질 수 있 다 .