상술 한 바 와 같이 소자 에 제 2 쓰기 전압 ( VW ( 2 ) ) 을 인가 함 에 따라 제 1 양자 점층 ( 132 ) 및 제 2 양자 점층 ( 134 ) 에 전자 ( 20 ) 가 포획 되 게 되 면 , 제 1 양자 점층 ( 132 ) 및 제 2 양자 점층 ( 134 ) 에 포획 된 전자 ( 20 ) 에 의해 소자 에 는 상태 ' 1 ' 의 경우 보다 더 큰 내부 전계 가 발생 ( 유도 ) 된다 . 또한 , 이러 한 포획 된 전자 ( 20 ) 에 의해 유도 된 내부 전계 에 의한 영향 으로 상태 ' 2 ' 에서 의 정전 용량 과 전압 간 의 관계 는 도 4 의 제 2 상태 곡선 ( 12 ) 과 같 은 히스테리시스 특성 이 나타나 게 되 며 , 소자 의 문턱 전압 도 VTH ( 2 ) 로 상승 하 게 된다 .