메모리 셀 어레이 ( 110 ) 는 복수 의 메모리 셀 로 구성 된다 . 복수 의 메모리 셀 은 복수 의 워드 라인 ( WL 0 ~ WLn ) 및 복수 의 비트 라인 ( BL 0 ~ BLm ) 에 연결 되 어 있 다 . 각각 의 메모리 셀 은 기억 소자 ( memory element ) 와 선택 소자 ( select element ) 로 구성 된다 . 기억 소자 는 상 변화 물질 ( GST ) 을 포함 하 고 , 선택 소자 는 다이오드 ( D ) 로 구성 되 어 있 다 .