He , Ar 따위 의 운반 기체 가 담겨 있 는 제 1 및 제 2 운반 기체 저 장부 ( 10 , 11 ) 와 통과 하 는 기체 의 몰 ( mole ) 수 를 조절 하 는 제 1 및 제 2 유량 조절기 ( 20 , 21 ) , 고상 또는 액상 의 전구체 가 담겨 있 는 제 1 및 제 2 거품기 ( bubbler ) ( 30 , 31 ) , 반응 이 진행 되 는 반응 로 ( 50 ) 및 상기 반응 로 ( 50 ) 에 플 라즈 마 를 발생 시키 기 위한 RF 생성기 ( radio frequency generator ) ( 40 ) 로 이루어져 있 다 . 운반 기체 저 장부 ( 10 , 11 ) 와 유량 조절기 ( 20 , 21 ) , 거품기 ( 30 , 31 ) 및 반응 로 ( 50 ) 는 운 송관 ( 60 ) 을 통하 여 연결 되 어 있 다 . 반응 로 ( 50 ) 에 는 RF 생성기 ( 40 ) 와 연결 되 어 주위 에 플 라즈 마 를 발생 시키 며 기판 을 올려놓 을 수 있 는 기판 받침대 ( susceptor ) 가 구비 되 어 있 다 . 샤워 헤드 ( 53 ) 는 RF 생성기 ( 40 ) 로부터 RF 전력 을 공급 받 아 상부 전극 으로 기능 하 게 되 는데 , 금속 재질 로 이루어지 는 챔버 리드 와 절연 및 반응 가스 의 누설 ( leakage ) 을 방지 하 기 위해 , 세라믹 ( ceramic ) 으로 이루어진 샤워 헤드 확 장부 가 샤워 헤드 와 챔버 리드 사이 에 위치 한다 . 특히 , 분사 된 반응 가스 를 여기 시키 는데 필요 한 에너지 를 공급 하 는 RF 전원 이 샤워 헤드 ( 53 ) 와 연결 되 어 샤워 헤드 ( 53 ) 를 통해 분사 된 반응 가스 를 플 라즈 마 화 시킴 으로써 , 기판 에 박막 이 형성 된다 . 따라서 샤워 헤드 는 상부 전극 으로서 기능 한다 . 반응 로 내 에 는 상면 에 기판 ( 1 ) 이 안착 되 는 기판 받침대 ( 51 ) 가 설치 된다 . 기판 받침대 ( 51 ) 의 내부 에 는 히터 ( 도시 안 됨 ) 가 매설 되 어 , 박막 증착 과정 에서 기판 받침대 ( 51 ) 의 상부 에 안착 된 기판 ( 1 ) 을 증착 에 적합 한 온도 로 상승 시킨다 . 또한 , 기판 받침대 ( 51 ) 는 하부 전극 으로 기능 하 도록 전기 적 으로 접지 ( ground ) 된다 . 증착 반응 이 완료 된 후 에 공정 챔버 내부 에 잔류 하 는 반응 가스 가 외부 로 배출 되 도록 챔버 바디 하부 에 는 배기 시스템 이 구비 되 어 있 다 .