또한 , 게이트 절 연막 ( 52 b ) 을 형성 하 기 전 에 , 성막 장치 의 반응 실 내 에 도너 가 되 는 불순물 원소 를 포함 하 는 기체 를 흘려 , 기판 ( 50 ) 표면 및 반응 실 내벽 에 도너 가 되 는 불순물 원소 를 흡착 시켜 도 좋 다 . 이 후 , 게이트 절 연막 ( 52 b ) 을 형성 하 는 것 으로 , 도너 가 되 는 불순물 원소 를 받아들이 면서 절 연막 이 퇴적 되 기 때문 에 , 도너 가 되 는 불순물 원소 를 포함 하 는 게이트 절 연막 을 형성 할 수 있 다 .