반도체 층 이 In - M - Zn 산화물 인 경우 , In - M - Zn 산화물 을 성막 하 기 위하 여 사용 하 는 스퍼터링 타깃 은 In 의 원자 수비 가 M 의 원자 수비 이상 인 것 이 바람직 하 다 . 이 와 같 은 스퍼터링 타깃 의 금속 원소 의 원자 수비 로서 , In : M : Zn = 1 : 1 : 1 , In : M : Zn = 1 : 1 : 1 . 2 , In : M : Zn = 2 : 1 : 3 , In : M : Zn = 3 : 1 : 2 , In : M : Zn = 4 : 2 : 3 , In : M : Zn = 4 : 2 : 4 . 1 , In : M : Zn = 5 : 1 : 6 , In : M : Zn = 5 : 1 : 7 , In : M : Zn = 5 : 1 : 8 , In : M : Zn = 6 : 1 : 6 , In : M : Zn = 5 : 2 : 5 등 을 들 수 있 다 .