할로겐 램프 ( HL ) 에 의한 예비 가열 을 행할 때 에 는 , 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 온도 가 하부 방사 온도계 ( 20 ) 에 의해 측정 되 어 있 다 . 즉 , 서 셉 터 ( 74 ) 에 유지 된 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 하면 으로부터 개구부 ( 78 ) 를 통하 여 방사 된 적 외광 을 투명 창 ( 21 ) 을 통과 시켜 하부 방사 온도계 ( 20 ) 가 수광 하 여 승 온 중 의 웨이퍼 온도 를 측정 한다 . 측정 된 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 온도 는 제 어부 ( 3 ) 에 전달 된다 . 제 어부 ( 3 ) 는 , 할로겐 램프 ( HL ) 로부터 의 광 조사 에 의해 승 온 되 는 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 온도 가 소정 의 예비 가열 온도 T 1 에 도달 했 는지 여부 를 감시 하 면서 , 할로겐 램프 ( HL ) 의 출력 을 제어 한다 . 즉 , 제 어부 ( 3 ) 는 , 하부 방사 온도계 ( 20 ) 에 의한 측정치 에 의거 하 여 , 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 온도 가 예비 가열 온도 T 1 이 되 도록 할로겐 램프 ( HL ) 의 출력 을 피드백 제어 한다 . 예비 가열 온도 T 1 은 , 반도체 웨이퍼 ( W ) 에 첨가 된 불순물 이 열 에 의해 확산 될 우려 가 없 는 , 600 ℃ 내지 800 ℃ 정도 가 된다 ( 본 실시 의 형태 에서 는 700 ℃).