다음 에 , 제 1 레지스 트 마스크 ( 112 ) 를 이용 하 여 제 1 에칭 을 행한다 . 즉 , 제 1 도 전막 ( 102 ) , 제 1 절 연막 ( 104 ) , 반도체 막 ( 106 ) , 불순물 반도체 막 ( 108 ) 및 제 2 도 전막 ( 110 ) 을 에칭 하 여 , 박막 적층 체 ( 114 ) 및 에칭 된 제 1 도 전막 ( 115 ) 을 형성 한다 ( 도 31 ( B ) , 도 32 ( B ) , 도 33 ( B ) , 도 34 ( B ) , 도 35 ( B ) , 도 36 을 참조 ) .