다음 에 , 하 지 전처리 ( 1203 ) 를 행한다 . 하 지 전처리 ( 1203 ) 는 , 미결정 실리콘 막 을 형성 하 는 경우 에 특히 유효 한 처리 이 며 행하 는 것 이 바람직 하 다 . 즉 , 유리 기판 표면 , 절 연막 의 표면 혹은 비정질 실리콘 의 표면 위 에 미결정 실리콘 막 을 플 라즈 마 CVD 법 으로 성막 하 는 경우 에 는 , 불순물 이나 격자 부정합 등 의 요인 에 의해 퇴적 초기 단계 에서 비정질 층 이 형성 되 어 버릴 우려 가 있 다 . 이 비정질 층 의 두께 를 극력 저감 하 여 , 가능 하 면 없애 기 위해 , 하 지 전처리 ( 1203 ) 를 행하 는 것 이 바람직 하 다 . 하 지 전처리 로서 는 희가스 플 라즈 마 처리 , 수소 플 라즈 마 처리 혹은 이 양자 의 병용 에 의해 행하 는 것 이 바람직 하 다 . 희가스 플 라즈 마 처리 로서 는 , 아르곤 , 크립톤 , 크세논 등 질량수 가 큰 희가스 원소 를 사용 하 는 것 이 바람직 하 다 . 표면 에 부착 된 산소 , 수분 , 유기물 , 금속 원소 등 의 불순물 을 스퍼터링 의 효과 로 제거 하 기 위해서 이 다 . 수소 플 라즈 마 처리 는 , 수소 라디칼 에 의해 , 표면 에 흡착 한 상기 불순물 의 제거 와 , 절 연막 혹은 비정질 실리콘 막 에 대한 에칭 작용 에 의해 청정 한 피 성막 표면 을 형성 하 는 데 유효 하 다 . 또한 , 희가스 플 라즈 마 처리 와 수소 플 라즈 마 처리 를 병용 함 으로써 미결정 핵 생 성 의 촉진 을 조장 한다 .