이어서 , 게이트 절 연막 ( 12 ) 상 에 실리콘 계 전극 ( 13 ) 을 형성 한다 . 여기 서 , 실리콘 계 전극 ( 13 ) 은 폴리 실리콘 또는 폴리 실리콘 저마늄 일 수 있 고 , 바람직 하 게 는 폴리 실리콘 으로 형성 할 수 있 다 . 이때 , 폴리 실리콘 은 N 형 또는 P 형 불순물 이 도핑 된 폴리 실리콘 일 수 있 고 , N 형 불순물 은 인 또는 비소 , P 형 불순물 은 보론 일 수 있 다 .