도 1 및 도 2 에 도시 된 바 와 같이 , 실리콘 콘 택 터 를 이용 한 반도체 테스트 용 소켓 하우징 는 반도체 소자 ( 21 ) 의 리드 단자 ( 27 ) 가 접촉 하 는 영역 에 형성 된 도전 성 실리콘 부 ( 5 ) 와 , 상기 도전 성 실리콘 부 ( 5 ) 가 형성 되 지 않 은 영역 을 이루 며 절연 층 역할 을 하 는 절연 실리콘 부 ( 7 ) 로 구성 되 는 실리콘 콘 택 터 ( 13 ) 를 이용 한 반도체 테스트 용 소켓 하우징 이 , 테스트 보드 ( 28 ) 에 고정 되 는 베이스 ( 200 ) 와 , 이 베이 스 ( 200 ) 상부 에 결합 되 어 상하 로 탄성 적 으로 이동하 는 , 중앙부 ( 302 ) 가 비 어 있 는 커버 ( 300 ) 로 구성 되 되 , 상기 베이스 ( 200 ) 는 중앙부 ( 202 ) 가 비 어 있 고 , 이 중앙부 ( 202 ) 에 실리콘 콘 택 터 ( 13 ) 가 위치 하 며 , 상기 베이스 ( 200 ) 의 각 모서리 부위 에 는 스프링 ( 208 ) 이 수직 으로 설치 되 고 , 이 들 스프링 ( 208 ) 을 압축 하 면서 커버 ( 300 ) 가 탄성 적 으로 결합 되 어 , 커버 ( 300 ) 가 상하 로 탄성 이동 가능 하 며 , 상기 커버 ( 300 ) 가 베이스 ( 200 ) 와 소정 간격 으로 벌어져 있 는 경우 에 는 상기 베이스 와 커버 의 중앙부 가 폐쇄 되 며 , 상기 커버 ( 300 ) 를 위 에서 아래 로 누르 면 상기 베이스 와 커버 의 중앙부 가 개방 되 어 DUT 를 삽입 할 수 있 다 .