일 예 에서 , 상기 제 1 및 제 2 게이트 층 들 ( 120 , 220 ) 은 도전 성 물질 층 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 상기 제 1 및 제 2 게이트 층 들 ( 120 , 220 ) 은 금속 물질 , 예컨대 텅스텐 ( W ) 을 포함 할 수 있 다 . 실시 예 에 따라 , 상기 제 1 및 제 2 게이트 층 들 ( 120 , 220 ) 은 다 결정 실리콘 또는 금속 실리사이드 물질 을 포함 할 수 있 다 . 예 시 적 인 실시 예 들 에서 , 상기 제 1 및 제 2 게이트 층 들 ( 120 , 220 ) 은 확산 방지 막 ( diffusion barrier ) 을 더 포함 할 수 있 으며 , 예컨대 , 상기 확산 방지 막 은 텅스텐 질화물 ( WN ) , 탄 탈륨 질화물 ( TaN ) , 티타늄 질화물 ( TiN ) 또는 이 들 의 조합 을 포함 할 수 있 다 . 실시 예 에 따라 , 상기 제 1 및 제 2 게이트 층 들 ( 120 , 220 ) 의 각각 은 도전 성 물질 층 및 상기 도전 성 물질 층 의 상부 면 및 하 부면 을 덮 으면서 상기 수직 구조물 ( 80 ) 과 상기 도전 성 물질 층 사이 로 연장 된 유전체 층 을 더 포함 할 수 있 다 . 상기 제 1 및 제 2 게이트 층 들 ( 120 , 220 ) 에서 , 도전 성 물질 로 형성 되 는 부분 은 게이트 전극 일 수 있 다 . 따라서 , 상기 제 1 및 제 2 게이트 층 들 ( 120 , 220 ) 은 게이트 전극 으로 지칭 될 수 도 있 다 .