불휘발성 메모리 장치 ( 100 ) 는 복수 의 비트 라인 들 ( 도시 되 지 않 음 ) 및 복수 의 워드 라인 들 ( 도시 되 지 않 음 ) 이 교차 하 는 영역 들 에 각각 배치 되 는 복수 의 메모리 셀 들 을 갖 는 메모리 셀 어레이 ( 도시 되 지 않 음 ) 를 포함 할 수 있 다 . 메모리 셀 어레이 는 복수 의 메모리 블록 들 을 포함 할 수 있 고 , 복수 의 메모리 블록 들 은 각각 복수 의 페이지 들 을 포함 할 수 있 다 .