" 플래시 메모리 디바이스 는 세 동작 을 수행 할 수 있 다 : 데이터 를 메모리 셀로 의 기록 ( 흔히 이력 이유 를 위한 "" 프로그래밍 "" 이 라 칭해 지 는 ) ", 메모리 셀 로부터 데이터 를 판독 , 및 메모리 셀 로부터 데이터 를 소거 . 이 동작 은 외부 호스트 디바이스 ( host device ) 로부터 개시 되 지만 제어기 에 의해 국지 적 으로 처리 된다 . 이진 디 지트 ( 즉 , " "" 0 """," 또는 "" 1 "") 를 메모리 셀 로 기록 하 는 것 은 트랜지스터 의 부유 게이트 에서 의 전하 를 변화 시켜서 이 로 인해 셀 의 임계 전압 을 변경 시키 는 것 을 포함 한다 . 메모리 셀 에 저장 된 이진 디지 트 를 판독 하 는 것 은 셀 의 임계 전압 의 레벨 을 검사 하 는 것 을 포함 한다 - 임계 전압 이 높 은 상태 에 있 다면 "," 비트 값 은 논리 값 "" 0 "" 으로 해석 되 지만 ", 임계 전압 이 낮 은 상태 에 있 다면 , " 비트 값 은 논리 값 "" 1 "" 로 해석 된다 . 실제로 ", 셀 의 임계 전압 을 정확 하 게 판독 할 필요 는 없 다 . 대신 에 , 두 상태 중 어느 것 이 현재 상태 인지 를 정확 하 게 식별 하 는 것 이 적당 하 다 . 이 를 성취 하 기 위해 , 셀 의 임계 전압 은 값 이 두 상태 에 있 는 기준 전압 과 비교 되 어 , 셀 의 임계 전압 이 기준 전압 아래 또는 위 에 있 는지 를 결정 해야 만 한다 .