반도체 기판 ( 105 ) 의 표면 으로부터 아일랜드 영역 ( 150 ) 의 상면 의 이격 거리 ( DT ) 는 소오 스 영역 ( 140 ) 및 드레 인 영역 ( 145 ) 의 깊이 ( DSD ) 보다 작 을 수 있 다 . 소 오스 영역 ( 140 ) 및 드레 인 영역 ( 145 ) 의 깊이 ( DSD ) 는 평균 깊이 로서 , 통상 적 으로 제 1 및 제 2 고농 도 영역 들 ( 144 , 148 ) 의 깊이 를 지칭 할 수 있 다 . 이러 한 조건 하 에서 , 아일랜드 영역 ( 150 ) 과 채널 영역 이 근접 배치 되 는 것 을 보장 할 수 있 다 . 아일랜드 영역 ( 150 ) 의 높이 ( HI ) 는 활성 영역 ( 115 ) 내 에서 크 게 제한 되 지 않 는다 .