종래 의 펀치 쓰루 접근 방식 의 다른 잠재 적 인 문제점 은 확산 배리 어 물질 의 선택 에 있 다 . 고 효율 의 전도성 확산 배리어 층 을 채용 함 으로써 , 기술 흐름 에 부합 되 도록 확산 배리 어 층 의 두께 가 최소 로 유지 될 수 있 다 . 이것 은 한편 으로 상기 전도성 확산 배리 어 층 이 높 은 결합력 을 갖 는 물질 을 포함 해야 하 는 것 을 의미 한다 . 그러므로 , 임베디드 비아 를 형성 하 기 위한 종래 접근 법 의 주요 한 문제 는 , 물질 의 결합력 이 증가 될수록 비아 바닥 에서 전도성 확산 배리어 층 을 천공 하 는 것 이 어려운 점 에 있 다 . 그것 은 임베디드 비아 를 가지 는 인터 커넥트 시스템 의 제조 를 위해 설계 된 종래 의 다마 신 공정 에 , 높 은 질소 농도 의 탄탈 륨 니트 라이드 ( Tantalum Nitride ) ( 예 를 들 어 , PVD - 생장 TaNy , ( y > 0 . 1 ) ) 및 PEALD - 생장 TaCN 층 과 같 은 유망 한 전도성 확산 배리어 층 을 이용 할 수 없 다는 것 을 의미 한다 .