유기 EL 층 ( 4 ) 은 , 수분 을 흡수 하 면 열화 한다 . 이 때문 에 , 유기 EL 층 ( 4 ) 에 침입 하 는 수분 을 차단 하 기 위해 , TFT 의 패 시베이 션 혹은 뒤 에 형성 하 는 화소 전극 ( 8 ) 과 의 절연 을 목적 으로 보호막 ( 6 ) 을 , 이 들 전체 를 덮 도록 형성 한다 . 또한 액정 구동 부 ( 44 ) 의 TFT ( 45 ) 의 드레 인 전극 ( 64 ) 위 에서 는 , 보호막 ( 6 ) 을 관통 하 도록 콘 택 홀 ( 65 ) 이 형성 되 어 있 다 . 콘 택 홀 ( 65 ) 을 제외 하 고 , 보호막 ( 6 ) 위 에 는 , 편광판 ( 7 ) 이 형성 된다 . 또는 , 보호막 ( 6 ) 위 에 편광판 ( 7 ) 을 설치 한 후 에 , 보호막 ( 6 ) 및 편광판 ( 7 ) 을 관통 하 는 콘 택 홀 ( 65 ) 을 형성 해도 좋 다 . 그 후 에 적어도 유기 EL 소자 ( 50 ) 상부 및 콘 택 홀 ( 65 ) 상부 에 맞 는 보호막 ( 6 ) 위 에 화소 전극 ( 8 ) 을 형성 한다 . 또한 콘 택 홀 ( 65 ) 에 의해 , TFT ( 45 ) 의 드레 인 전극 ( 64 ) 과 화소 전극 ( 8 ) 이 접속 된다 . 또한 , 화소 전극 ( 8 ) 은 , 화소 마다 구분 하 여 형성 되 고 있 다 . 화소 전극 ( 8 ) 및 편광판 ( 7 ) 위 에 는 , 이 들 전체 를 덮 도록 배향 막 ( 9 ) 이 형성 되 어 있 다 . TFT 어레이 기판 ( 100 ) 은 , 이상 과 같이 구성 된다 .