본 발명 은 , 피 처리 기판 에 형성 되 는 반도체 장치 의 전극 혹은 배선 을 형성 하 고 있 는 금속 에 생성 된 금속 불화물 을 제거 하 는 처리 를 실행 하 는 불화물 제거 공정 을 가지 는 반도체 장치 의 제조 방법 으로서 , 상기 불화물 제거 공정 에서 는 , 상기 피 처리 기판 에 기체 상태 의 포름산 을 공급 하 고 , 상기 금속 불화물 을 제거 하 는 것 을 특징 으로 하 는 반도체 장치 의 제조 방법 을 제공 한다 .