도 1 및 2 a 의 검토 는 ESD 보호 NMOSFET 의 다양 한 핑거 들 ( 10 ) 중 의 회로 파라미터 들 에서 의 차이 들 의 원인 을 보여준다 . 비록 ESD 보호 NMOSFET 의 각 핑거 ( 10 ) 의 비 - 기생 ( non parasitic ) 특성 들 은 매치 되 지만 , 기생 컴포넌트 들 은 다르 다 . 특히 , " 기생 저항 ( 27 ) 의 저항 값 또는 "" 기판 저항 값 "" 은 ", 그것 이 소스 ( 28 ) 와 기판 링 컨 택 ( 19 ) 사이 의 저항 을 포함 하 므로 , 핑 거의 위치 에 크 게 의존 한다 . 기판 링 컨 택 ( 19 ) 에 더 가까이 있 는 핑거 는 기판 링 컨 택 으로부터 더 멀리 있 는 다른 핑거 보다 더 낮 은 기생 저항 값 을 갖 는다 . 그러나 , 다수 의 핑거 들 은 일반 적 으로 ESD 이벤트 동안 큰 전류 의 량 을 다루 도록 요구 된다 . ESD 이벤트 동안 ESD 보호 NMOSFET 의 다수 의 핑거 들 을 동시 에 턴 온 시키 기 위해서 는 , 핑거 ( 20 ) 가 턴 온 되 는 전압 보다 높 은 핑거 ( 20 ) 의 드레 인 ( 22 ) 에서 의 전압 , 또는 트리거 전압 은 매치 될 필요 가 있 다 .