도 3 및 도 4 a 를 참조 하 면 , 제 1 베이스 기판 ( 101 ) 위 에 게이트 금속 층 ( 110 ) , 게이트 절연 층 ( 120 ) , 채널 층 ( 130 ) 을 순차 적 으로 적층 한다 . 상기 게이트 금속 층 ( 110 ) 은 크롬 , 알루미늄 , 탄 탈륨 , 몰리브덴 , 티타늄 , 텅스텐 , 구리 , 은과 같 은 금속 또는 이 들 의 합금 을 포함 하 는 저 저항 금속 층 이 다 . 상기 게이트 절연 층 ( 120 ) 은 산화 실리콘 ( SiOx ) 및 질화 실리콘 ( SiNx ) 과 같 은 절연 물질 로 형성 되 며 , 상기 게이트 금속 층 ( 110 ) 보다 두껍 게 형성 된다 . 상기 채널 층 ( 130 ) 은 활성 층 ( 131 ) 및 저항성 접촉 층 ( 132 ) 을 포함 한다 . 상기 활성 층 ( 131 ) 은 비정질 실리콘 ( a - Si ) 으로 형성 되 며 , 상기 저항성 접촉 층 ( 132 ) 은 n + 이온 이 고농도 로 도핑 된 비정질 실리콘 ( n + a - Si ) 으로 형성 된다 .