" 소위 "" 비아 - 라스트 방식 ( via - last approach ) "" 에서 ", 웨이퍼 전면 의 전도성 물질 까지 , 실리콘 을 관통 하 여 웨이퍼 후면 에 홀 이 형성 된다 . 이러 한 경우 에서 , 비아 - 퍼스트 에서 와 같 은 실리콘 위 의 가능 한 식각 마스크 물질 에 더 하 여 , 홀 의 바닥 ( 즉 , 웨이퍼 전면 에 가까움 ) 이 , 서로 다른 , 어쩌면 전도성 인 물질 ( 가령 , 구리 ) 에서 형성 된다 . 따라서 , 층 을 이룬 스택 은 , 가능 한 마스킹 층 ( masking layer ) , 실리콘 측벽 , 및 전도성 바닥 을 포함 할 수 있 다 .