상기 방법 을 이용 하 면 , 필름 ( film ) 두께 의 치수 로부터 패턴 라인 폭 ( patterned line width ) 을 결정 할 수 있 으므로 , 대략 10 nm 라인 패턴 을 용이 하 게 형성 할 수 있 다 . 또한 , 상기 의 경우 는 스 페이서 ( spacer ) 막 의 두께 로부터 SiO 22 패턴 을 형성 한 예 로써 , 통상 20 내지 30 nm 에 해당 하 는 라인 패턴 을 용이 하 게 형성 할 수 있 다 .