자기 저항 랜덤 - 액세스 메모리 ( MRAM ) 가 개시 된다 . MRAM 디바이스 는 자기 터널 접합 구조 에서 상당히 개선 된 자유 층 의 성능 을 갖 는 자기 터널 접합 스택 을 갖 는다 . MRAM 디바이스 는 수직 MTJ 와 함께 세차 운동 스핀 전류 ( PSC ) 자기 구조 를 활용 하 며 , 여기 서 PSC 자기 층 의 수평 자화 방향 이 자유 롭 게 회전 한다 . 세차 운동 스핀 전류 자기 층 은 비 자기 세차 운동 스핀 전류 삽입 층 에 의해 분리 된 제 1 및 제 2 세 차 운동 스핀 전류 강자성 층 을 갖 는다 .