증착 된 폴리 실리콘 ( 230 ) 의 일부 영역 에 보론 ( boron ) , 인 ( phosphorus ) , POCl 3 등 의 불순물 ( dopant ) 을 열 확산 , 이온 주입 등 의 방법 으로 주입 함 으로써 , 절연체 인 폴리 실리콘 ( 230 ) 내부 에 일정 한 영역 에 전도 성 을 부여 한다 ( 도 4 ) . 이때 , 폴리 실리콘 ( 230 ) 내부 에 불순물 주입 깊이 는 폴리 실리콘 두께 이하 로 하 는 것 이 바람직 하 다 .