도 3 을 참조 하 면 , 포토 레지스 트 패턴 을 이용 한 식각 공정 으로 제 3 하드 마스크 막 을 식각 하 여 식각 마스크 패턴 을 형성 하 고 , 이 를 이용 하 여 제 1 및 제 2 하드 마스크 막 ( 106 , 107 ) 을 패 터닝 한다 . 이 후 , 제 3 하드 마스크 막 을 제거 한다 . 반사 방지 막 을 제거 한 후 다음 공정 으로 진행 할 수 있 으나 , 제거 하 지 않 고 다음 식각 공정 을 진행 하 여도 무관 하 다 .