또한 , 제 1 및 제 2 결정 성 산화물 반도체 층 은 적어도 Zn 을 갖 는 산화물 재료 이 며 , 4 원계 금속 산화물 인 In - Al - Ga - Zn - O 계 의 재료 나 , In - Sn - Ga - Zn - O 계 의 재료 나 , 3 원계 금속 산화물 인 In - Ga - Zn - O 계 의 재료 , In - Al - Zn - O 계 의 재료 , In - Sn - Zn - O 계 의 재료 , Sn - Ga - Zn - O 계 의 재료 , Al - Ga - Zn - O 계 의 재료 , Sn - Al - Zn - O 계 의 재료 나 , 2 원계 금속 산화물 인 In - Zn - O 계 의 재료 , Sn - Zn - O 계 의 재료 , Al - Zn - O 계 의 재료 , Zn - Mg - O 계 의 재료 나 , Zn - O 계 의 재료 등 이 있 다 . 또한 , In - Si - Ga - Zn - O 계 의 재료 나 , In - Ga - B - Zn - O 계 의 재료 나 , In - B - Zn - O 계 의 재료 를 사용 할 수 있 다 . 또한 , 상기 재료 에 SiO 2 를 포함 시킬 수 있 다 . 여기 서 , 예 를 들 어 In - Ga - Zn - O 계 의 재료 란 , 인듐 ( In ) , 갈륨 ( Ga ) , 아연 ( Zn ) 을 갖 는 산화 물막 이 라는 의미 이 며 , 그 의 조성 비 는 특별히 상관없 다 . 또한 , In 과 Ga 와 Zn 이외 의 원소 를 포함 할 수 도 있 다 .