문제점 4 ) 다루 기 어려운 에칭 잔여물 ( PER : Post etch residue ) 제 거의 어려움 : 배리어 오픈 공정 동안 의 의도 하 지 않 은 컨 덕 터 물질 의 에치 백 에 의해 수반 되 는 비아 에칭 중단 층 의 완전 한 제거 에 의한 또 다른 문제점 은 , 언더컷 , 층간 유전체 층 부상 ( Lift - off ) , 임계 치수 손실 ( CD ( Critical Dimension ) loss ) , 컨 덕 터 부식 , 및 유기 금속 형성 과 같 은 추가 적 인 문제 를 일으키 지 않 고 습식 세정 화학 물질 을 이용 하 여 유기 금속 폴리머 잔여물 ( 즉 , Mx 요소 를 포함 하 는 하이드 로카 본기 폴리머 ) 과 같 은 다루 기 어려운 금속 - 풍부 에칭 후 잔여물 ( PERs : Post etch residues ) 을 제거 하 는 어려움 일 수 있 다 . 다 마신 - 개구 - 형성 공정 동안 컨 덕 터 를 노출 시키 는 것 은 느리 고 , 복잡 하 며 고 비용 의 습식 세정 공정 , 장치 성능 의 저하 , 바람직 하 지 못한 개구 프로파일 , 장치 신뢰 성 저하 , 낮 은 처리율 , 및 감소 된 장치 수율 등 을 일으킬 수 있 다 .