따라서 , 본 발명 의 반도체 장치 의 일 형태 는 기판 의 제 1 면 에 반도체 소자 가 형성 되 고 , 기판 의 제 1 면 과 는 반대 의 제 2 면 과 , 기판 의 측면 의 일부 에 수지 층 을 갖 고 , 기판 의 측면 에 단차 를 갖 고 , 기판 의 폭 치수 는 단차 보다 도 앞 의 부분 이 작 다 . 따라서 , 기판 은 , 철 ( 凸 ) 자 형상 을 갖 게 된다 . 또한 , 기판 의 단면 을 , 역 T 자 형상 이 라고 불러도 좋 다 . 또 , 그 역 T 자 형상 은 , 실질 적 으로 T 자 와 같 은 형태 를 포함 하 면 좋 다 .