메모리 제어기 ( 140 ) 는 다양 한 컴포넌트 예컨대 , 로우 디코더 ( 120 ) , 컬럼 디코더 ( 130 ) , 및 감지 엘리먼트 ( 125 ) 를 통하 여 메모리 셀 들 ( 105 ) 의 동작 ( 예 를 들 어 , 판독 , 기록 , 재 기록 , 리 프레시 ( refresh ) 등 ) 을 제어 할 수 있 다 . 메모리 제어기 ( 140 ) 는 원 하 는 워드 라인 ( 110 ) 및 디 지트 라인 ( 115 ) 을 활성 화 하 기 위해 로우 및 컬럼 어드레스 신호 를 생성 할 수 있 다 . 메모리 제어기 ( 140 ) 는 또한 메모리 디바이스 ( 100 ) 의 동작 동안 사용 되 는 다양 한 전압 전위 를 생 성 및 제어 할 수 있 다 . 일반 적 으로 , 본 출원 에서 설명 되 는 인가 된 전압 의 진폭 , 형상 또는 지속 기간 은 조정 되 거나 변경 될 수 있 고 메모리 디바이스 ( 100 ) 를 동작 시키 기 위한 다양 한 동작 에 대해 상이 할 수 있 다 . 더욱이 , 메모리 디바이스 ( 100 ) 내 의 하나 , 다수 또는 모든 메모리 셀 ( 105 ) 은 동시 에 액세스 될 수 있 다 ; 예 를 들 어 , 메모리 디바이스 ( 100 ) 의 다수 또는 모든 셀 은 모든 메모리 셀 ( 105 ) 또는 메모리 셀 ( 105 ) 의 그룹 이 단일 로직 상태 로 설정 되 는 리셋 동작 중 에 동시 에 액세스 될 수 있 다 . 메모리 디바이스 의 정확 한 동작 은 메모리 셀 의 유형 및 / 또는 메모리 디바이스 에서 사용 되 는 특정 액세스 라인 에 기초 하 여 변경 될 수 있 다는 것 을 이해 해야 한다 .