앞 의 설명 으로부터 , 실시 형태 ( 300 ) 에 설명 된 바 와 같이 , 일부 예시 적 인 실시 형태 들 에서 의 MRAM 통합 은 Mx 로부터 금속 아일랜드 의 형성 및 Mx 를 다른 금속 층 ( 예 를 들 어 , Mx + 1 ) 과 연결 하 는 것 을 포함 한다는 것 을 인식 할 것 이 다 . 이 기술 은 종래 의 논리 형성 프로세스 들 과 전적 으로 호환 가능 하 고 논리 엘리먼트 들 의 형성 에 대한 변경 을 요구 하 지 않 는다 . 대안 적 인 실시 형태 들 ( 600 및 700 ) 은 , 도 6 및 도 7 에 도시 된 바 와 같이 , Mx - 1 의 상부 에 바로 BE 를 형성 하 고 이중층 절연 캡 들 ( Cap 1 x 및 Cap 2 x ) 의 위치 를 그 에 따라 변경 함 으로써 층 x 내 MTJ 스택 의 위치 를 낮추 는 것 을 포함 한다 . 실시 형태 들 ( 600 및 700 ) 둘 모두 는 베이스 라인 논리 형성 프로세스 에 대한 변경 을 포함 하 며 , 이중층 절연 캡 들 ( 예 를 들 어 , Cap 1 x 및 Cap 2 x ) 의 위치 가 변경 된다 . 실시 형태 ( 700 ) 는 , 실시 형태 ( 300 ) 에서 와 같이 , Mx 로부터 의 금속 아일랜드 의 형성 과 Mx 를 다른 금속 층 ( 예 를 들 어 , Mx + 1 ) 과 연결 하 는 것 을 포함 한다 .