NAND 플래시 메모리 소자 는 복수 의 메모리 셀 이 직렬 연결 된 구조 로 인해 비교 적 높 은 집적도 를 갖 는다 . 그러나 , 최근 칩 사이즈 의 축소 ( shrink ) 를 위해 NAND 플래시 메모리 소자 의 디자인 룰 ( design rule ) 을 더욱 감소 시키 는 것 이 요구 되 고 있 다 . 또한 , 디자인 룰 이 감소 함 에 따라 NAND 플래시 메모리 소자 를 구성 하 는 데 필요 한 패턴 들 의 최소 피치 ( minimum pitch ) 도 크 게 감소 하 고 있 다 . 이 와 같이 감소 된 디자인 룰 에 따르 는 미세 패턴 을 구현 하 기 위하 여 다양 한 패턴 형성 방법 이 적용 되 고 있 다 . 특히 , 지금 까지 개발 된 리소그래피 기술 에서 제공 될 수 있 는 노광 장비 및 노광 기술 만 으로 는 구현 하 기 어려운 NAND 플래시 메모리 소자 의 셀 어레이 구조 를 구현 하 기 위하 여 , 리소그래피 기술 의 한계 를 초월 하 는 미세 피치 로 반복 적 으로 형성 되 는 복수 의 패턴 을 형성 하 기 위한 더블 패 터닝 ( double patterning ) 기술 이 제안 되 었 다 . 더블 패 터닝 기술 을 이용 하 여 NAND 플래시 메모리 소자 를 제조 하 는 경우 , 예 를 들 면 상기 워드 라인 ( WL 0 , WL 1 , ..., WLm - 1 , WLm ) 을 형성 할 때 상기 접지 선택 라인 ( GSL ) 및 스트링 선택 라인 ( SSL ) 을 동시 에 형성 할 수 있 다는 장점 이 있 다 .