도 8 에 따르 면 , 본 발명 의 다른 실시 예 는 플로팅 게이트 ( FG , 110 a , 110 b , 110 c ) 및 컨트롤 게이트 ( CG , 120 ) 를 포함 하 는 복수 의 셀 ( cell , 100 ) 과 , 상기 컨트롤 게이트 ( CG , 120 ) 에 연결 된 컨트롤 게이트 픽업 구조 를 포함 한다 . 플로팅 게이트 ( FG , 110 a , 110 b , 110 c ) 및 컨트롤 게이트 ( CG , 120 ) 를 포함 하 는 복수 의 셀 ( cell , 100 ) 과 , 상기 컨트롤 게이트 ( CG , 120 ) 에 연결 된 컨트롤 게이트 픽업 구조 의 하부 에 는 아이 솔 레 이 션 절 연막 ( 310 , 320 ) 이 포함 되 지 않 는다 . 즉 , 도 7 와 달리 , 아이 솔 레 이 션 절 연막 ( Isolation dielectric region , 310 , 320 ) 으로 복수 의 셀 ( cell , 100 ) 및 컨트롤 게이트 픽업 구조 를 지지 하 지 않 더라도 충분히 견고 한 비휘발성 메모리 소자 를 구성 할 수 있 다 .