예 를 들 면 , 상기 의 예 에서 는 연속 성막 장치 에 의해 , 화소 부 와 단자 부 의 쌍방 에서 몰리브덴 / 티탄 / 알루미늄 / 티탄 의 적층 구조 를 형성 하 고 있 지만 , 이 대신 에 티탄 / 알루미늄 / 티탄 의 적층 구조 를 연속 성막 장치 등 으로 형성 한 후 , 보호 절 연막 을 형성 하 고 , 그 후 에 몰리브덴 막 을 단자 부 만 에 형성 하 는 것 으로 할 수 있 다 . 이 방법 에 따르 면 , 몰리브덴 / 티탄 / 알루미늄 / 티탄 의 4 층 연속 성막 장치 를 이용 하 지 않 더라도 , 단자 부 에서 의 투명 도전 막 과 접속 배선 사이 의 계면 저항 의 증대 를 억제 할 수 있 다 .