상기 기판 ( 10 ) 은 GaN 층 을 성장 시킬 수 있 는 지 지부 의 역할 을 한다 . 사파이어 ( Sapphire ) 기판 , 실리콘 ( Si ) 기판 , 산화아연 ( ZnO ) 기판 또는 질화물 반도체 기판 중 어느 하나 또는 , 기판 에 GaN , InGaN , AlGaN , AlInGaN 중 에서 적어도 어느 하나 가 적층 된 템 플레이트 ( Template ) 기판 이 사용 될 수 있 다 .