반도체 소자 가 고도 로 집적 화 됨 에 따라 미세 한 선폭 을 갖 는 다양 한 패턴 형성 방법 이 요구 되 고 있 다 . 일 예 로 , 기존 의 리소그래피 기술 의 한계 선폭 이하 의 선폭 을 갖 는 반복 라인 패턴 들 을 형성 하 기 위하 여 , 더블 패 터닝 기술 이 제안 되 고 있 다 . 상기 더블 패 터닝 기술 을 이용 하 여 동일 한 선폭 의 라인 및 스페이스 가 반복 되 는 형태 의 패턴 을 형성 할 수 있 지만 , 그 외 의 다른 형태 를 갖 는 패턴 을 형성 하 는 것 은 용이 하 지 않 다 . 특히 , 중간 부위 에서 끊어진 라인 패턴 들 을 형성 하 는 경우 , 라인 이 끊 어 지 는 부위 에 별도 의 마스크 패턴 을 적용 하 여야 한다 . 그러나 , 각 라인 들 및 스페이스 의 선폭 이 매우 작 기 때문 에 , 상기 마스크 패턴 의 미스 얼라 인 마진 이 매우 작 다 . 상기 마스크 패턴 이 미스 얼라인 되 는 경우 , 원 하 지 않 는 부위 의 라인 이 끊겨지 게 되 어 심각 한 불량 이 발생 될 수 있 다 .