본 발명 은 , 이미지 센서 의 제조 방법 에 있 어서 , 반도체 기판 에 광 감지 소자 를 형성 시키 는 단계 와 , 반도체 기판 에 트렌치 를 형성 시키 는 단계 와 , 트렌치 에 절연 물질 을 매립 하 는 단계 와 , 반도체 기판 의 픽셀 영역 에서 활성 영역 상 의 절연 물질 을 식각 하 는 단계 와 , 절연 물질 을 폴리 싱하 여 소자 분리 막 을 형성 시키 는 단계 를 포함 한다 .