또한 , 기판 을 리세 스 시켜 리세 스 부를 형성 하 는 단계 , 상기 리세 스 부 내부 에 게이트 절 연막 을 형성 하 는 단계 , 상기 게이트 절 연막 의 상부 의 상기 리세 스 부 내부 의 일부 에 게이트 전 도막 을 매립 하 는 단계 , 상기 게이트 전 도막 의 상부 의 상기 리세 스 부 의 측벽 면 에 게이트 스 페이서 를 형성 하 는 단계 , 상기 게이트 전 도막 상부 의 상기 리세 스 부 의 외부 로 돌출 되 지 않 게 게이트 금속 막 을 매립 하 는 단계 및 상기 리세 스 부 의 외부 기판 에 소스 및 드레 인 영역 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 반도체 소자 제조 방법 을 제공 한다 .