도 17 a 및 17 b 에서 의 트랜지스터 ( 162 ) 는 절연 층 ( 140 ) 등 위 에 설치 된 산화물 반도체 층 ( 144 ) 과 , 산화물 반도체 층 ( 144 ) 과 전기 적 으로 접속 되 어 있 는 소스 전극 ( 또는 드레 인 전극 ) ( 142 a ) 및 드레 인 전극 ( 또는 소스 전극 ) ( 142 b ) 과 , 산화물 반도체 층 ( 144 ) , 소스 전극 ( 142 a ) 및 드레 인 전극 ( 142 b ) 을 덮 는 게이트 절연 층 ( 146 ) 과 , 게이트 절연 층 ( 146 ) 위 에 산화물 반도체 층 ( 144 ) 과 중첩 하 도록 설치 된 게이트 전극 ( 148 a ) 을 포함 한다 .