게이트 전극 과 게이트 신호 금속 배선 으로 Mo / Al 이 중막 기판 및 소스 / 드레 인 전극 과 데이터 신호 금속 배선 으로 Mo / Al / Mo 삼 중막 기판 을 다이아몬드 칼 을 이용 하 여 550 × 650 mm 로 절단 하 여 시편 준비 를 하 였 다 . 인산 ( H 3 PO 4 ) , 질산 ( HNO 3 ) , 아세트산 ( CH 3 COOH ) , 칼륨 아세테이트 ( KC 2 H 3 O 2 ) ， 제 1 인산 알칼리 ( KH 2 PO 4 ) 　 및 나머지 물 을 표 1 에 기재 된 전체 조성물 의 총 중량 에 대한 조성 비 로 포함 하 는 식각 액 을 180 kg 이 되 도록 제조 하 였 다 . 분사식 식각 방식 의 실험 장비 ( K , C Tech 사 제조 , 모델 명 : ETCHER ( TFT ) ) 내 에 제조 된 식각 액 을 넣 고 온도 를 40 ℃ 로 설정 하 여 가온 한 후 , 온도 가 40 ± 0 . 5 ℃ 에 도달 하 였을 때 식각 공정 을 수행 하 였 다 . 총 식각 시간 을 EPD ( End Point Detection ) 를 기준 으로 하 여 50 % 를 주 어 실시 하 였 다 . 기판 을 넣 고 분사 를 시작 하 여 식각 이 다 되 면 꺼내 어 탈 이온 수 로 세정 한 후 , 열풍 ( 熱風 ) 건조 장치 를 이용 하 여 건조 하 고 , 포토레지스트 ( PR ) 박 리 기 ( stripper ) 를 이용 하 여 포토레지스트 를 제거 하 였 다 . 세정 및 건조 후 전자 주사 현미경 ( SEM ; HITACHI 사 제조 , 모델 명 : S - 4700 ) 을 이용 하 여 식각 프로 파일 을 경사각 , 사이드 에칭 ( side etching ) 의 시디 ( CD : critical dimension ) 손실 , 식각 잔류물 등 으로 평가 하 였 다 . 또한 총 식각 시간 을 10 초 단위 로 식각 을 실시 하 여 EPD 직후 10 초 까지 식각 및 박리 공정 을 진행 한 후 단차 측정기 인 알파 - 스텝 ( Alpha - Step ) 을 사용 하 여 식각 속도 를 측정 하 였 다 . 식각 특성 결과 기준 은 하 기 와 같 다 .