본 발명 은 , 투명 도전 막 과 산화물 반도체 막 으로 이루어진 적층 전극 의 제조 방법 에 관한 것 이 다 . 본 발명 은 , 투명 도전 막 과 산화물 반도체 막 으로 이루어진 적층 전극 을 제조 하 는 방법 에 있 어서 , 투명 도전 막상 에 산화물 반도체 전구체 를 도포 하 는 단계 ; 상기 전구체 가 도포 된 투명 도전 막 을 산화 분위기 에서 열처리 하 여 산화물 반도체 막 / 투명 도 전막 의 적층 전극 을 형성 하 는 단계 ; 및 상기 열처리 후 환원 분위기 에서 상기 적층 전극 을 열처리 하 는 단계 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 하 는 적층 전극 제조 방법 을 제공 한다 . 본 발명 에 따르 면 , 투명 전극 의 저항 의 감소 나 금속 산화물 전극 의 특성 열화 없이 전기 적 특성 이 우수 한 적층 전극 을 제조 할 수 있 으며 , 이것 은 염료 감응 태양 전지 의 음극 전극 으로 사용 될 때 광전 변환 특성 을 크 게 향상 시킬 수 있 다 .