단결정 의 GaN 기판 제조 방법 에 는 Ga 에 소량 의 GaN 를 첨가 하 고 초고온 및 초고압 으로 Ga - GaN 을 성장 하 는 방법 이 있 지만 , 성장 속도 가 늦 고 기판 사이즈 가 작아지 는 등 의 문제 가 있 다 . 이후 로 사파이어 등 의 기판 상 에 후막 의 GaN 을 수소 기상 증착 법 ( HVPE 법 ) 을 이용 하 여 성장 하 는 방법 이 사용 되 었 다 . 예 를 들 면 전처리 된 산화물 기판 상 에 GaN 를 성장 시켜 일정 한 두께 의 GaN 층 을 형성 하 고 그 다음 GaN 층 이 성장 된 산화물 기판 을 연마 하 여 산화물 기판 의 일부 를 제거 하 고 그 다음 GaN 층 위 에 다음 GaN 층 을 성장 해 , 산화물 기판 을 완전 하 게 제거 하 고 그 다음 GaN 층 위 에 다음 GaN 층 을 성장 함 으로써 GaN 기판 을 제작 하 는 것 이 제안 된 바 있 다 .