이러 한 산화 막 패턴 의 형성 방법 을 살펴보 면 , 도 1 k 에 도시 된 바 와 같이 , 식각 대상 층 패턴 ( 12 a ) 의 간격 을 채울 때 까지 전면 에 산화 막 을 증착 한 후 , 식각 대상 층 패턴 ( 12 a ) 의 표면 이 드러날 때 까지 CMP 공정 을 진행 하 여 평탄 화 시켜 식각 대상 층 패턴 의 간격 에 매립 되 는 제 1 산화 막 패턴 ( 20 a ) 을 형성 한다 .