나노 입자 를 포함 하 는 전자 소자 용 광 산란 박막 및 이 를 포함 하 는 박막 트랜지스터 용 접합 구조 와 이 들 의 제조 방법 에 관하 여 개시 한다 . 전자 소자 용 광 산란 박막 은 Si 또는 금속 으로 이루어지 는 나노 입자 를 포함 하 는 탄화물 - 반금속 또는 탄화물 - 금속 으로 구성 된다 . 본 발명 에 따른 박막 트랜지스터 용 접합 구조 는 ( ZnS ) 1 - x ( SiC ) x , W 1 - xCx , Ta 1 - xCx 및 Mo 1 - xCx ( 0 < x < 1 ) 으로 이루어지 는 제 1 보호막 및 제 2 보호막 사이 에 상기 광 산란 박막 이 개재 된 구조 를 가진다 . 상기 제 1 보호막 과 상기 광 산란 박막 과 의 사이 , 그리고 상기 광산 란 박막 과 상기 제 2 보호막 과 의 사이 에 는 각각 M 1 - y ( ( ZnS ) 1 - x ( SiC ) x ) y , M 1 - y ( W 1 - xCx ) y , M 1 - y ( Ta 1 - xCx ) y 및 M 1 - y ( Mo 1 - xCx ) y ( 0 < x < 1 , 0 < y < 1 , M 은 각각 Si , Ta , W 또는 Mo ) 로 이루어지 는 캡 핑 층 이 개재 될 수 있 다 . 이 들 박막 은 각각 선행 공정 에서 의 진공 상태 를 파괴 하 지 않 고 연속 적 으로 인시 츄 ( in - situ ) 로 형성 된다 .