0 . 125 mmol 의 아세트산 은 ( AgOAc ) , 0 . 0375 mmol 의 아세틸 아세 토 나토 인듐 ( In ( CH 3 COCHCOCH 3 ) 3 ; In ( AcAc ) 3 ) , 0 . 0875 mmol 의 아세틸 아세 토 나토 갈륨 ( Ga ( CH 3 COCHCOCH 3 ) 3 ; Ga ( AcAc ) 3 ) 및 황원 으로서 0 . 25 mmol 의 황 을 , 0 . 25 ㎤ 의 1 - 도데 칸티 올 과 2 . 75 ㎤ 의 올레 일 아민 의 혼합액 에 투입 하 여 분산 시켰 다 . 분산 액 을 , 교반 자 와 함께 시험관 에 넣 고 , 질소 치환 을 행한 후 , 질소 분위기 하 에서 , 시험관 내 의 내용물 을 교반 하 면서 , 300 ℃ 에서 10 분 의 가열 처리 를 실시 하 였 다 . 가열 처리 후 , 실시 예 1 과 마찬가지 로 후처리 하 여 반도체 나노 입자 분 산액 을 얻 었 다 . 원료 의 투입 조성 을 표 2 에 나타낸다 .