또한 , 고리 내 질소 를 포함 하 는 3 차 아민 화합물 을 포함 하 지 않 는 비 교예 4 - 2 및 고리 내 질소 를 포함 하 는 3 차 아민 화합물 이외 의 아민 첨가제 를 포함 하 는 비 교예 5 - 2 내지 7 - 2 역시 , 실리콘 산화 막 이 과 식각 되 어 , 본원 발명 이 달성 하 고자 하 는 상기 Si 0 . 75 Ge 0 . 25 를 빠르 게 식각 하 면서 도 실리콘 산화 막 을 거의 식각 하 지 않 아 , 식각 선택 성 이 매우 우수 한 효과 를 달성 할 수 없 음 을 확인 하 였 다 .