상기 상전 이 저장 소자 ( R ) 상부 에 비트 라인 ( 151 - 158 ) 이 배열 된다 . 상기 비트 라인 ( 151 - 158 ) 은 도전 성 이 우수 한 메탈 을 포함 할 수 있 다 . 상기 비트 라인 ( 151 - 158 ) 은 콘 택 플러그 ( 240 ) 를 통해 상기 상전 이 물질 층 ( 230 ) 과 콘 택 될 수 있 다 . 상기 콘 택 플러그 ( 240 ) 는 도전 성 플러그 , 예 를 들 어 메탈 플러그 를 포함 할 수 있 다 . 상기 콘 택 플러그 ( 240 ) 형성 공정 은 배제 될 수 있 다 . 상기 층간 절 연막 ( 180 ) 은 상기 스 트랩 핑 영역 ( 105 a , 105 b , 105 c ) 에서 상기 액티브 패턴 들 ( 111 - 126 ) 의 일부분 을 노출 시키 는 스 트랩 핑 콘 택 들 ( 171 , 175 ) 을 포함 한다 . 상기 스 트랩 핑 콘 택 들 ( 171 , 175 ) 에 는 도전 성 플러그 들 ( 172 , 176 ) , 예 를 들 어 메탈 플러그 들 이 각각 배열 된다 . 상기 스 트랩 핑 콘 택 들 ( 171 , 175 ) 은 상기 스 트랩 핑 영역 들 ( 105 a , 105 b , 10 c ) 중 2 개 의 스 트랩 핑 영역 마다 하나 씩 배열 된다 .