다음 에 , 막 ( 105 ) 을 지닌 실리콘 기판 ( 101 ) 을 스퍼터링 장치 내 에 반송 해서 , 제 3 예 와 같이 , 리 엑 티 브 스퍼터링 처리 를 실시 하 고 , 실리콘 산화 막 ( 105 ) 위 에 막 두께 1 . 5 nm 의 질화 된 Hf 및 Si 로 이루어진 막 , 즉 N , Hf 및 Si 로 이루어진 막 ( 103 ) 이 형성 되 었 다 . 이때 , 퇴적 된 막 중 에 포함 되 는 Hf 에 대한 Si 의 조성 비 , 즉 Hf 원자 와 Si 원자 와 의 합계 에 대한 Si 원자 의 비율 은 30 % 였 다 . 막 ( 103 ) 에 있 어서 의 질소 원자 의 농도 ( 함유율 ) 는 28 원자 % 였 다 .