규소 산화 막 , 규소 질 화 막 및 규소 산 화질 화 막 ( SiON 막 ) 에서 선택 되 는 무기 하드 마스크 는 CVD 법 이나 ALD 법 등 으로 형성 할 수 있 다 . 규소 질화 막 의 형성 방법 으로서 는 예컨대 일본 특허 공개 2002 - 334869 호 공보 , 국제 공개 제 2004 / 066377 호 팸플릿 등 에 기재 되 어 있 다 . 무기 하드 마스크 의 막 두께 는 바람직 하 게 는 5 ∼ 200 nm , 보다 바람직 하 게 는 10 ∼ 100 nm 이 다 . 무기 하드 마스크 로서 는 , 반사 방지 막 으로서 의 효과 가 높 은 SiON 막 이 가장 바람직 하 게 이용 된다 . SiON 막 을 형성 할 때 의 기판 온도 는 300 ∼ 500 ℃ 가 되 기 때문 에 , 하 층막 으로서 는 300 ∼ 500 ℃ 의 온도 에 견딜 필요 가 있 다 . 본 발명 의 유기 막 형성 용 조성물 을 이용 하 여 형성 되 는 유기 막 은 높 은 내열 성 을 갖 고 있 고 , 300 ℃∼ 500 ℃ 의 고온 에 견딜 수 있 기 때문 에 , CVD 법 또는 ALD 법 으로 형성 된 무기 하드 마스크 와 회전 도포 법 으로 형성 된 유기 막 의 조합 이 가능 하 다 .