본 발명자 는 , 감도 및 해상도 가 높 고 , LER 나 LWR 가 작 으며 , CDU 가 우수 한 것 을 비롯 한 현재 요건 을 충족 시킬 수 있 는 포지티브 형 레지스 트 재료 를 얻 기 위해 예의 검토 를 거듭 하 여 하 기 의 것 을 밝혀 내 었 다 . 요건 을 충족 시키 기 위해 , 산 확산 거리 는 최소 화 되 어야 한다 . 이 는 감도 가 저하 하 는 동시 에 용해 콘트 라스트 의 저하 에 의해서 홀 패턴 과 같 은 2 차원 패턴 의 해상 성 이 저하 하 는 문제 를 유발 한다 . 예 상외 로 , 요오드 또는 브롬 - 치환 된 페놀 의 암모늄염 구조 를 갖 는 반복 단위 를 포함 하 는 폴리머 를 베이스 폴리머 로서 사용 하 는 경우 에 더 나 은 결과 가 얻 어 진다 . 요오드 또는 브롬 - 치환 된 페놀 이 알칼리 현상액 에 용해 되 기 때문 에 , 베이스 폴리머 에 결합 된 요오드 또는 브롬 원자 가 없 어 져 , 알칼리 용해 속도 의 저하 가 발생 하 지 않 는다 . 노광 중 에 는 요오드 또는 브롬 원자 의 강한 흡수 에 의해서 흡수 되 는 포톤 의 수 가 증가 된다 . 흡수도 의 향상 에 의해 산 발생 제 의 산 발생 효율 을 높이 면서 도 동시 에 산 확산 거리 를 최소 화 한다 . 이 에 따라 , 화학 증폭 포지티브 형 레지스 트 재료 의 베이스 폴리머 로서 상기 폴리머 를 이용 하 면 더 나 은 결과 를 얻 을 수 있 다 .