도 5 c 에서 알 수 있 듯이 , 제 3 변형 예 에 따른 기판 처리 방법 은 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈 ( 130 a , 130 b , 130 c , 130 d ) 각각 을 통해 전술 한 제 1 가스 ( G 1 ) 와 활성 화 된 제 2 가스 ( PG 2 ) 를 순차 적 으로 상기 각 분 할 공간 ( DS 1 , DS 2 , DS 3 , DS 4 ) 에 분사 하 되 , 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈 ( 130 a , 130 b , 130 c , 130 d ) 각각 을 순차 적 으로 동작 시킨다 . 이러 한 제 3 변형 예 에 따른 기판 처리 방법 을 구체 적 으로 설명 하 면 다음 과 같 다 .