상기 더미 게이트 라인 ( DGL ) 에 는 박막 트랜지스터 ( T ) 가 형성 된다 . 이때 , 다른 게이트 라인 ( GL ) 과 는 달리 상기 더미 게이트 라인 ( DGL ) 에 접속 되 는 박막 트랜지스터 ( T ') 는 첫 번 째 행의 게이트 라인 ( GL ) 에 대응 하 는 화소 ( P 1 ) 에 형성 된 다 . 다시 말 해서 , 첫 번 째 행 ( 즉 , n = 1 ) 의 화소 ( P 1 ) 와 두 번 째 이후 행 ( 즉 , n ≥ 2 ) 의 화소 ( Pn , n ≥ 2 ) 의 구조 가 다르 게 형성 된다 .