도 2 의 ( b ) 는 광 디바이스 층 ( 23 ) 이 복수 의 광 디바이스 ( 17 ) 로 분할 된 상태 의 광 디바이스 웨이퍼 ( 11 ) 를 나타내 는 단면도 이 다 . 광 디바이스 층 ( 23 ) 이 스트리트 ( 15 ) 를 따라 분할 되 면 , p 형 반도체 막 ( 25 ) 이 개편 화 된 p 형 반도체 막 ( 25 a ) 과 , n 형 반도체 막 ( 27 ) 이 개편 화 된 n 형 반도체 막 ( 27 a ) 을 각각 구비 하 는 복수 의 광 디바이스 ( 17 ) 가 형성 된다 . 이 p 형 반도체 막 ( 25 a ) 과 n 형 반도체 막 ( 27 a ) 에 의해 pn 접합 이 구성 되 고 , 광 디바이스 ( 17 ) 는 정공 과 전자 의 재결합 에 의해 발광 한다 .