도 5 b 를 참조 하 면 , 제 1 모스 트랜지스터 ( M 1 ) 의 게이트 폴리 ( 812 ) 는 완벽 한 직선 형태 로 구비 될 수 있 다 . 그리고 , 게이트 폴리 ( 812 ) 의 수직 방향 하부 는 약간 돌출 된 형태 로 구비 될 수 있 다 . 게이트 폴리 ( 812 ) 가 완벽 한 직선 형태 로 구비 됨 으로써 , 소스 또는 드레 인 영역 ( 514 , 516 ) 에 형성 되 는 전극 ( 518 , 520 ) 들 은 도 5 a 에 비하 여 더 많이 구비 될 수 있 다 .