그 결과 , 본 발명 의 마스크 일체 형 표면 보호 테이프 는 , 그 중 에서 도 반도체 웨이퍼 의 스트리트 에 상당 하 는 부분 의 마스크 재 를 레이저 에 의해 절단 하 여 반도체 웨이퍼 의 스트리트 를 개구 하 는 공정 에 있 어서 , 마스크 재 층 의 레이 저광 흡수성 부족 에 의한 레이저 가공 효율 의 저하 에서 의 가공 장시간 화 나 , 과잉 의 레이 저광 의 에너지 투입 에 의한 마스크 재 층 의 용융 에 의한 웨이퍼 가공 품질 의 악화 도 방지 하 는 것 이 가능 해진다 .