상기 와 같 은 목적 은 달성 하 기 위해 본 발명 은 , 반도체 기판 상 에 패드 산화 막 및 패드 질화 막 이 순차 적층 되 어 소자 분리 영역 을 정의 하 는 패드 패턴 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 패드 패턴 을 식각 마스크 로 상기 반도체 기판 을 식각 하 여 소정 깊이 를 가지 는 트렌치 를 형성 하 는 단계 와 , 상기 트렌치 내벽 에 보론 도핑 소스 가 첨가 된 실리콘 게르마늄 을 선택 적 에피 성장 시켜 제 1 에피 성 장막 을 형성 하 되 카본 도핑 소스 를 더 첨가 하 여 형성 하 는 단계 , 및 상기 제 1 에피 성 장막 이 형성 된 트렌치 를 갭 필 산화 막 으로 매립 하 여 소자 분리 막 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 이미지 센서 제조 방법 을 제공 한다 .