도 3 c 에 도시 된 바 와 같이 , 제 1 패턴 ( 27 ) 측벽 에 쇼트 방지 막 ( 28 ) 을 형성 한다 . 이때 , 쇼트 방지 막 ( 28 ) 은 후속 제 1 강자 성막 ( 22 ) 및 반강자성 막 ( 21 ) 을 식각 하 는 과정 에서 발생 하 는 도전 성 식각 부산물 이 제 1 패턴 ( 27 ) 의 측벽 에 재 증착 되 는 것 을 방지 하 기 위한 것 이 다 . 즉 , 도전 성 식각 부산물 로 인하 여 제 2 강자 성막 ( 24 A ) 과 제 1 강자 성막 ( 22 ) 사이 가 전기 적 으로 쇼트 ( short ) 되 는 것 을 방지 하 기 위한 것 으로 , 제 1 패턴 ( 27 ) 전면 에 쇼트 방지 막 용 절 연막 을 형성 한 후 , 전면 식각 공정 ( etch back ) 을 실시 하 여 형성 할 수 있 다 .