메모리 셀 어레이 ( 110 b ) 는 복수 의 메모리 셀 그룹 들 을 포함 한다 . 예 를 들 면 , 메모리 셀 어레이 ( 110 b ) 는 기판 상 에 행 및 열 방향 을 따라 배치 된 메모리 셀 그룹 들 을 포함 한다 . 각 메모리 셀 그룹 은 기판 과 교차 하 는 방향 을 따라 적층 된 복수 의 메모리 셀 들 을 포함 한다 . 즉 , 메모리 셀 들 은 기판 상 에서 행 및 열 을 따라 제공 되 며 , 기판 과 교차 하 는 방향 으로 적층 되 어 3 차원 구조 를 형성 할 것 이 다 . 예 시 적 으로 , 메모리 셀 어레이 ( 110 b ) 는 셀 당 하나 또는 그 이상 의 비트 를 저장 할 수 있 는 복수 의 메모리 셀 들 로 구성 된다 .