프로그래밍 된 퓨즈 의 독 출 이 지금 부터 기재 될 것 이 다 . 예시 된 실시 예 에서 , 퓨즈 ( 60 ) 가 프로그래밍 되 었 다 . 워드 라인 ( 70 ) 에 대략 접지 를 제공 하 면서 비트 라인 ( 80 ) 에 대략 VDD 를 제공 하 는 것 은 비트 라인 ( 80 ) 과 워드 라인 ( 70 ) 사이 에 전압 강하 를 생성 한다 . 그러나 , 퓨즈 ( 60 ) 가 프로그래밍 되 었 고 높 은 임피던스 상태 에 있 기 때문 에 , 퓨즈 ( 60 ) 를 통해 작 은 전류 만 이 도전 된다 . 결과 적 으로 , 노드 ( 90 ) 는 비트 라인 ( 80 ) 의 전압 보다 워드 라인 ( 70 ) 의 전압 에 더 가깝 다 . 결과 적 으로 , 트랜지스터 ( 50 ) 는 비 도전 성 이 된다 . 따라서 , 트랜지스터 ( 50 ) 및 퓨즈 ( 60 ) 를 통해 워드 라인 ( 70 ) 으로부터 비트 라인 ( 80 ) 으로 작 은 전류 만 이 제공 된다 . 비트 라인 ( 80 ) 상 의 이 작 은 독 출 전류 는 프로그램 / 독 출 회로 ( 44 ) 의 감지 회로 에 의해 프로그래밍 된 퓨즈 ( 예 를 들 면 퓨즈 ( 60 ) 의 논리 상태 로서 감지 될 수 있 다 . 한 실시 예 에서 , 이 감지 회로 는 표준 감지 증폭기 가 될 수 있 다 . 대안 적 실시 예 들 은 메모리 ( 20 ) 의 퓨즈 들 의 논리 상태 를 감지 하 기 위해 임의 의 원 하 는 회로 를 이용 할 수 있 다 .