소스 영역 및 드레 인 영역 으로서 , 산화물 도전 층 을 산화물 반도체 층 ( 144 ) 과 소스 전극 또는 드레 인 전극 ( 142 a ) , 소스 전극 또는 드레 인 전극 ( 142 b ) 사이 에 형성 함 으로써 , 소스 영역 및 드레 인 영역 의 저 저항 화 를 도모 할 수 있 어 트랜지스터 ( 441 ) , 트랜지스터 ( 442 ) 가 고속 동작 을 할 수 있 다 .