게이트 유전체 층 ( 92 ) 이 핀 ( 52 ) 의 측벽 을 따르 고 핀 ( 52 ) 의 상부 표면 위 에 있 으며 , 게이트 전극 ( 94 ) 이 게이트 유전체 층 ( 92 ) 위 에 있 다 . 소스 / 드레 인 영역 ( 82 ) 이 게이트 유전체 층 ( 92 ) 및 게이트 전극 ( 94 ) 에 대해 핀 ( 52 ) 의 대향 측 에 배치 된다 . 도 1 은 또한 나중 도면 들 에서 사용 되 는 기준 단면 을 도시 한다 . 단면 A - A 는 게이트 전극 ( 94 ) 의 세로축 을 따르 고 , 예 를 들 어 , FinFET 의 소스 / 드레 인 영역 ( 82 ) 사이 의 전류 흐름 방향 에 수직 인 방향 에 있 다 . 단면 B - B 는 단면 A - A 에 수직 이 고 , 핀 ( 52 ) 의 세로축 을 따르 고 , 예 를 들 어 , FinFET 의 소스 / 드레 인 영역 ( 82 ) 사이 의 전류 흐름 방향 에 있 다 . 단면 C - C 는 단면 A - A 와 평행 하 고 , FinFET 의 소스 / 드레 인 영역 을 통해 연장 된다 . 후속 도면 들 은 명료 함 을 위해 이러 한 기준 단면 을 참조 한다 .