일부 실시 예 들 에서 , 상기 제 1 금속 계 도전 층 은 티타늄 질화물 ( TiN ) 또는 TSN ( Ti - Si - N ) 으로 이루어질 수 있 고 , 상기 제 2 금속 계 도전 층 은 텅스텐 ( W ) , 또는 텅스텐 및 텅스텐 실리사이드 ( WSix ) 로 이루어질 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 상기 제 1 금속 계 도전 층 은 확산 배리어 ( diffusion barrier ) 의 기능 을 수행 할 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 상기 절연 캡 핑 층 은 실리콘 질화 막 으로 이루어질 수 있 다 .