평행 자화 는 , 도 3 b 의 프로세스 에 의해 기술 된 바 와 같이 , 반대 방향 의 기록 전류 가 자유 층 ( 110 ) 에서 의 자화 방향 을 편광 층 ( 204 ) 에서 의 자화 방향 에 역 평행 이 되게 전환 할 때 까지 안정 하 게 유지 될 것 이 다 . 즉 , 전류 ( 210 ) 에 대한 반대 방향 의 기록 전류 ( 예 를 들 어 , 단자 ( T 3 ) 로부터 단자 ( T 2 ) 로 인가 된 기록 전류 ) 가 인가 된다 ( 단계 270 ) . 전자 는 스핀 축적 층 ( 202 ) 으로부터 편광 층 ( 204 ) 을 향해 강제 될 ( forced ) 것 이 다 ( 단계 272 ) . 이 들 전자 중 일부 는 편광 층 ( 204 ) 과 동일 한 자화 방향 과 연관 된 스핀 을 가질 것 이 고 ( 이 는 , 이 시점 에서 자유 층 ( 110 ) 과 동일 한 자화 방향 임 ) , 전자 중 일부 는 편광 층 ( 204 ) 의 자화 방향 에 반대 인 방향 과 연관 된 스핀 을 가질 것 이 다 . 편광 층 의 자화 방향 에 평행 한 ( 역 평행 한 ) 스핀 을 가지 고 SAL 내 로 흐르 는 전자 는 SAL / 편광 층 계면 에서 우선 적 으로 투과 ( 반사 ) 되 어 , SAL 내 에 편광 층 의 자화 에 반대 방향 으로 편광 되 는 네트 스핀 축적 을 생성 할 것 이 다 ( 단계 274 ) . SAL ( 202 ) 로부터 , 스핀 편광 된 전자 중 일부 는 자유 층 ( 110 ) 내 로 확산 될 것 이 다 ( 단계 276 ) . 각운동량 의 보존 을 통해 , 이 들 전자 는 자유 층 ( 110 ) 상 에 토크 를 부여 할 것 이 다 ( 단계 278 ) . 이러 한 토크 는 자유 층 에서 의 스핀 배향 이 편광 층 에 반대 가 되 도록 변화 되 게 하 고 , 따라서 자유 층 에서 의 자화 방향 은 편광 층 의 자화 방향 에 역 평행 하 고 핀 드 층 의 자화 방향 에 역 평행 하 게 된다 ( 단계 280 ) .