이후 에 , 셀 제어 게이트 ( 300 ) 를 위한 층 , 예컨대 , 도전 성 제 1 폴리 실리콘 층 을 증착 하 고 , 폴리 실리콘 층 에 도전 성 부여 를 위한 도 펀트 ( dopant ) 이온 주입 을 수행 한다 . 이후 에 , 캡 ( cap ) 산화물 층 ( 410 ) 및 , 선택 게이트 를 위한 후속 제 2 폴리 실리콘 층 과 셀 제어 게이트 ( 300 ) 사이 의 절연 을 위한 캡 질화물 층 ( 450 ) 을 형성 하 여 , 캡 층 ( 400 ) 을 완성 한다 .