다음 , 고상 결정 화 방법 으로 불순물 이 도핑 된 규소 층 ( 150 ) 을 결정 화 한다 . 이 때 , 결정 화 는 기판 ( 110 ) 또는 게이트 선 ( 121 ) 과 의 접촉면 에서부터 결정핵 이 생 성 되 어 성장 한다 . 결정 화 된 규소 층 의 불순물 함유 농도 는 비정질 규소 층 보다 매우 작 으므로 기판 ( 110 ) 또는 게이트 선 ( 121 ) 측 에 위치 한 결정 화 된 반도체 부분 ( 150 a ) 에 는 불순물 이 극히 적 게 함유 되 어 있 고 , 반도체 상단 부분 ( 150 b ) 에 는 결정 화 에 따라 하부 로부터 밀려온 불순물 이 몰려 있 다 . 따라서 , 도 29 에 도시 한 바 와 같이 , 반도체 층 ( 150 ) 은 불순물 을 극히 적 게 함유 하 는 결정 화 된 반도체 부분 ( 150 a ) 과 불순물 을 다량 함유 한 반도체 상단 부분 ( 150 b ) 을 포함 한다 .