상기 기술 적 과제 를 달성 하 기 위한 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 반도체 소자 의 제조 방법 은 반도체 기판 상 에 게이트 절 연막 및 게이트 전극 을 형성 하 고 , 상기 게이트 전극 상면 의 적어도 일부 를 덮 는 마스크 층 을 형성 하 고 , 상기 마스크 층 을 마스크 로 하 여 제 1 이온 주입 공정 을 진행 하 여 상기 반도체 기판 내 에 제 1 깊이 로 형성 되 는 제 1 불순물 영역 을 형성 하 고 , 상기 마스크 층 을 마스크 로 하 여 제 2 이온 주입 공정 을 진행 하 여 , 상기 제 1 불순물 영역 내 에 상기 제 1 깊이 보다 얕 은 제 2 깊이 의 제 2 불순물 영역 을 형성 하 고 , 상기 마스크 층 을 제거 하 는 것 을 포함 한다 .