표 11 에 도시 된 바 와 같이 , 실리콘 산화 막이 PEALD 에 의해서 만 증착 되 었 으면 , 하부 탄소막 은 손상 되 었 으며 상당 한 막 수축 을 나타내 었 고 ( 실시 예 12 ) , 반면 에 실리콘 산화 막 이 보호 층 으로서 열적 ALD 에 의해 먼저 증착 되 었 고 , 이후 벌크 층 으로서 PEALD 에 의해 연속 적 으로 증착 되 었 고 ( 실시 예 15 ~ 17 ) , 실리콘 산화 막 이 열적 ALD 에 의해서 만 증착 되 었 으면 ( 실시 예 13 과 14 ) , 하부 탄소막 은 훨씬 덜 손상 되 었 고 상당히 더 낮 은 막 수축 을 나타내 었 다 . 또한 , 놀랍 게 도 , 제 2 실리콘 산화 막 을 PEALD 로 증착 했 을 때 , 제 2 실리콘 산화 막 을 증착 하 기 전 에 제 1 실리콘 산화 막 을 보호 층 으로서 1 nm 내지 3 nm 의 두께 로 열적 ALD 로 증착 함 으로써 ( 실시 예 15 ~ 17 ) , 하 부막 에 대한 플 라즈 마의 역효과 를 완전히 피하 였 다 ( 실시 예 15 ~ 17 에서 탄소막 수축 은 열적 ALD 만 수행 되 었 던 실시 예 13 ~ 14 의 탄소막 수축 과 같 거나 덜 하 였 다 ) . 실시 예 13 ( 촉매 를 사용 하 지 않 음 ) 과 비교 할 때 위 의 결과 는 실시 예 4 ( 표 6 ) 에서 관찰 될 수 도 있 다 . 또한 , 촉매 가 첨가 되 지 않 았 고 반응물 이 펄스 로 공급 되 었 을 때 ( 실시 예 13 ) 에 얻 어 진 GPC 에 비해 , 열적 ALD 에서 반응물 을 연속 적 으로 공급 하 는 동안 촉매 가 첨가 되 었 으면 , GPC 는 상당히 증가 되 었 다 ( 실시 예 14 내지 17 ) . 또한 , 1 nm 의 두께 를 갖 는 제 1 산화 막 ( 실시 예 16 ) 과 비교 하 면 , 열적 ALD 에 의해 증착 된 제 1 실리콘 산화 막 의 두께 가 3 nm 였을 때 , 실질 적 으로 어떠 한 막 수축 도 검출 되 지 않 았 다 ( 실시 예 15 ) . 추가 적 으로 , PEALD 공정 에 의해서 만 증착 된 실리콘 산화 막 ( 실시 예 12 ) 의 등각 성 , 열적 ALD 공정 에 의해서 만 증착 된 실리콘 산화 막 ( 실시 예 13 과 14 ) 의 등각 성 및 열적 ALD 와 PEALD 의 결합 공정 에 의해 증착 된 실리콘 산화 막 ( 실시 예 15 ~ 17 ) 의 등각 성 은 상당히 상이 하 지 않 았 다 ( 이 들 모두 는 90 % 의 등각 성 을 초과 했 다 ) .