상기 사파이어 기판 ( 100 ) 은 , 광 효율 을 높이 기 위해 , 오 목부 와 볼록 부 가 연속 하 고 있 는 패턴 ( 102 ) 을 상면 에 가지 며 , 상기 SiN 버퍼 층 ( 120 ) 은 상기 패턴 ( 102 ) 의 오 목부 를 메우 도록 형성 된다 . 이 에 의해 , 상기 사파이어 기판 ( 100 ) 의 상면 에 는 SiN 버퍼 층 ( 120 ) 이 분산 ( 또는 , 산재 ) 된 반도체 층 성 장면 ( G ) 이 형성 된다 .