도 4 는 격리 영역 ( 62 ) 을 형성 하 기 위해 이웃 한 반도체 핀 들 ( 64 ) 사이 에 절연 재료 를 형성 하 는 것 을 도시 한다 . 절연 재료 는 실리콘 산화물 등 의 산화물 , 질화물 , 동류 또는 이 들 의 조합 일 수 있 고 , HDP - CVD ( high density plasma chemical vapor deposition ) , FCVD ( flowable CVD ) ( 예컨대 , 원격 의 플 라즈 마 시스템 및 경화 후 ( post curing ) 에 는 , 산화물 등 의 다른 재료 로 개질 시키 기 위해 CVD 기반 의 재료 퇴적 ) , 동류 , 또는 이 들 의 조합 에 의해 형성 될 수 있 다 . 다른 절연 재료 및 / 또는 다른 형성 공정 이 사용 될 수 도 있 다 . 예시 하 는 실시 형태 에서 는 , 절연 재료 가 FCVD 공정 에 의해 형성 된 실리콘 산화물 이 다 . 절연 재료 가 형성 되 면 어 닐 공정 이 수행 될 수 있 다 . 또한 , CMP ( chemical mechanical polish ) 등 의 평탄 화 공정 이 임의 의 과잉 절연 재료 를 제거 하 여 , 동일 평면 ( 도시 생략 ) 상 에 있 는 , 격리 영역 ( 62 ) 의 상단 면 과 반도체 핀 ( 64 ) 의 상단 면 을 형성 할 수 있 다 . 패 터닝 된 마스크 ( 58 ) ( 도 3 참조 ) 도 평탄 화 공정 에 의해 제거 될 수 있 다 .