도 2 c 및 도 2 d 를 참조 하 면 , 반도체 칩 ( 110 ) 은 일체 로 연결 된 방열 용 패드 ( 120 ) 를 포함 할 수 있 다 . 가령 , 제 2 버퍼 층 ( 122 ) 으로부터 노출 되 는 방열 용 패드 ( 120 ) 의 영역 은 복수 개이 고 격자 형태 또는 섬 ( island ) 형태 로 배열 될 수 있 다 . 하지만 , 제 2 버퍼 층 ( 122 ) 하부 에 실제 배열 되 는 방열 용 패드 ( 120 ) 는 단일 의 메 쉬 형태 로 배열 될 수 있 다 . 도 2 a 및 도 2 b 의 경우 에 는 제 2 버퍼 층 ( 122 ) 의 하부 에 배열 되 는 방열 용 패드 들 ( 120 ) 과 제 2 버퍼 층 ( 122 ) 으로부터 노출 되 는 방열 용 패드 들 ( 120 ) 의 영역 은 서로 대응 되 기 때문 에 , 방열 용 패드 들 ( 120 ) 상호 간 에 열 교환 이 상대 적 으로 제한 적 일 수 있 다 . 이 와 같이 , 방열 용 패드 들 ( 120 ) 이 내부 에서 일체 로 연결 되 는 경우 에 는 방열 용 패드 들 ( 120 ) 이 열 전달 경로 가 될 수 있 기 때문 에 상호 열 교환 이 상대 적 으로 활발 하 게 진행 될 수 있 다 . 동시 에 반도체 칩 ( 110 ) 의 제 1 면 ( D ) 과 의 접촉 면적 이 넓 어 져 열 방출 능력 이 상대 적 으로 개선 될 수 있 다 .