산화물 반도체 내 및 상기 산화물 반도체 와 상기 산화물 반도체 와 접촉 되 는 막 의 계면 에 는 산소 결손 에 기인 하 는 결함 이 생성 되 기 쉽 지만 , 상기 가열 처리 에 의하 여 산화물 반도체 내 에 산소 를 과잉 으로 함유 시킴 으로써 , 정상 적 ( 定常 的 ) 으로 생성 되 는 산소 결손 을 과잉 산소 로 보상 할 수 있 다 . 과잉 산소 는 주로 격자 사이 에 존재 하 는 산소 이 고 , 과잉 산소 의 산소 농도 는 1 × 1016 / cm 3 이상 2 × 1020 / cm 3 이하 로 하 면 , 예 를 들 어 , 결정 을 변형 시키 지 않 고 산화물 반도체 내 에 함유 시킬 수 있 다 .