이어서 , 도 1 b 에 도시 된 바 와 같이 , 산화 공정 을 실시 하 여 실리콘 이 노출 된 기판 ( 1 ) 표면 상 에 희생 산화 막 ( 4 ) 을 형성 한다 . 그런 다음 , 포토 ( Photo ) 공정 을 실시 하 여 희생 산화 막 ( 4 ) 상 에 포토레지스트 패턴 ( 5 ) 을 형성 한다 . 여기 서 , 포토레지스트 패턴 ( 5 ) 은 드리프트 영역 을 정의 하 기 위한 것 으로 웰 ( 2 ) 의 일부 를 오픈 시키 는 구조 로 형성 한다 .