도 25 b 에 도시 한 트랜지스터 는 , 절연 층 ( 2101 ) 과 , 산화알루미늄 으로 이루 어 지진 매립 절연물 ( 2102 ) 위 에 형성 되 고 , 반도체 영역 ( 2103 a ) , 반도체 영역 ( 2103 c ) 과 , 그 들 사이 에 끼워져 있 던 진성 반도체 영역 ( 2103 b ) 과 , 폭 33 ㎚ 의 게이트 전극 ( 2105 ) 과 게이트 절연 층 ( 2104 ) 과 사이드 월 절연 층 ( 2106 a ) 및 사이드 월 절연 층 ( 2106 b ) 과 절연물 ( 2107 ) 과 소스 전극 ( 2108 a ) 및 드레 인 전극 ( 2108 b ) 을 갖 는 점 에서 도 25 a 에 도시 한 트랜지스터 와 같 다 .