그리고 , 상기 진 공기 의 동작 을 해제 할 경우 , 상기 반도체 소자 ( PKG ) 는 상기 진공 패드 ( 180 ) 에서 분리 된다 . 상기 진 공기 의 동작 을 제어 하 면 레벨 서포트 ( 190 ) 가 스프링 ( S ) 의 탄성력 에 의해서 상기 레벨 서포트 ( 190 ) 를 하측 방향 으로 밀 게 되 는 것 이 다 . 즉 , 도시 된 도 9 a 의 초기 상태 가 상기 반도체 소자 ( PKG ) 가 상기 진 공패 드 ( 180 ) 에서 분리 된 상태 가 되 는 것 이 다 . 이때 , 상기 반도체 소자 ( PKG ) 는 상기 레벨 서포트 ( 190 ) 에 의해 수평 상태 를 유지 하 면서 상기 진공 패드 ( 180 ) 와 분리 되 는 것 이 다 .