도시 에 의하 면 , 반도체 발광 소자 ( 250 ) 사이 에 는 격벽 ( 290 ) 이 위치 할 수 있 다 . 즉 , 개별 화소 를 이루 는 반도체 발광 소자 ( 250 ) 를 격리 시키 기 위하 여 수직 형 반도체 발광 소자 ( 250 ) 사이 에 는 격벽 ( 290 ) 이 배치 될 수 있 다 . 이 경우 , 격벽 ( 290 ) 은 개별 단위 화소 를 서로 분리 하 는 역할 을 할 수 있 으며 , 상기 전도성 접착 층 ( 230 ) 과 일체 로 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 이방성 전도성 필름 에 반도체 발광 소자 ( 250 ) 가 삽입 됨 에 의하 여 이방성 전도성 필름 의 베이스 부재 가 상기 격벽 을 형성 할 수 있 다 .