층 ( 44 ) 을 형성 하 는 데 임의 의 적절 한 제조 기술 이 이용 될 수 도 있 다 . 예 를 들 어 , 하나 이상 의 금속 은 물리 기상 증착 ( PVD ) , 화학 기상 증착 ( CVD ) , 원자 층 증착 , 또는 전기 화학 증착 ( 예 를 들 어 , 무전 해 증착 또는 전기 도금 ) 을 이용 하 여 증착 될 수 도 있 다 . 도 펀트 가 금속 과 동시 에 ( 예 를 들 어 , 금속 과 도 펀트 를 공동 스퍼터링 하 거나 합금 스퍼터링 기술 을 이용 함 으로써 , 또는 무전 해 증착 프로세스 의 일부 로서 금속 과 도 펀트 재료 를 함께 증착 함 으로써 ) 증착 될 수 도 있 고 , 또는 상이 한 시간 에 ( 예 를 들 어 , 이온 주입 을 통해 도 펀트 재료 를 층 ( 44 ) 으로 주입 함 으로써 ) 증착 될 수 도 있 다 . 도 펀트 가 층 형성 프로세스 의 일부 로서 층 ( 44 ) 으로 통합 될 때 , 증착 된 층 ( 44 ) 은 금속 과 하나 이상 의 다른 재료 ( 예 를 들 어 , 도 펀트 재료 ) 의 혼합물 을 함유 한다 . 원한다면 , 층 ( 44 ) 은 재료 의 별도 의 서브 층 을 증착 시킴 으로써 형성 될 수 도 있 다 . 예 를 들 어 , 포스 포 러스 - 도핑 된 니켈 층 은 포스 포 러스 - 함유 층 의 상부 에 니켈 층 을 형성 하 고 ( 층 ( 44 ) 을 형성 할 때 나 후속 프로세스 단계 동안 ) 그 층 에 가열 을 실시 함 으로써 형성 될 수 도 있 다 .