이상 에서 설명 한 바 와 같이 본 발명 에 따른 비휘발성 반도체 메모리 소자 및 그 제작 방법 은 P + 와 N + 를 가지 는 PN 다이오드 구조 와 터널 절 연막 , 전하 트랩 층 , 및 상부 절 연막 구조 를 결합 하 여 형성 되 고 , FN 터널 링 과 밴드 투 밴드 터널 링 을 이용 하 여 프로그램 ( program ) , 이 레이즈 ( erase ) , 및 리드 ( read ) 동작 을 하 는 새로운 구조 의 비휘발성 반도체 메모리 소자 를 제안 함 으로써 , 기존 FET 를 이용 한 메모리 소자 가 채널 폭 이 짧 아 지 면서 , 단 채널 효과 , 펀치 스루 ( punch through ) , 단 채널 효과 를 막 기 위한 공정 의 복잡화 , 및 항복 전압 ( breakdown voltage ) 특성 저하 등 을 겪 는 것 을 극복 하 고 전하 트래핑 비휘발성 메모리 소자 를 보다 간단 한 공정 으로 구현 할 수 있 다 .