복수 의 게이트 라인 ( GL ) 은 일함수 금속 함유층 및 갭 필 금속 막 을 포함 할 수 있 다 . 상기 일함수 금속 함유층 은 Ti , W , Ru , Nb , Mo , Hf , Ni , Co , Pt , Yb , Tb , Dy , Er , 및 Pd 중 에서 선택 되 는 적어도 하나 의 금속 을 포함 할 수 있 다 . 상기 갭 필 금속 막 은 W 막 또는 Al 막 으로 이루어질 수 있 다 . 일부 실시 예 들 에서 , 복수 의 게이트 라인 ( GL ) 은 각각 TiAlC / TiN / W 의 적층 구조 , TiN / TaN / TiAlC / TiN / W 의 적층 구조 , 또는 TiN / TaN / TiN / TiAlC / TiN / W 의 적층 구조 를 포함 할 수 있 으나 , 본 발명 의 기술 적 사상 이 상기 예시 한 바 에 한정 되 는 것 은 아니 다 .