도 39 a 및 39 b 는 예시 적 인 반도체 디바이스 ( 300 ) 를 제조 하 기 위한 예시 적 인 방법 의 평면 도 및 단면도 를 도시 한다 . 도 39 a 및 39 b 에 도시 된 예 에서 , 보호 층 ( 370 A , 370 B ) 이 전자 컴 포 넨 트 ( 320 , 330 ) 를 덮 을 수 있 다 . 일부 예 들 에서 , 보호 층 ( 370 A , 370 B ) 이 전자 컴 포 넨 트 ( 320 , 330 ) 의 상면 전체 를 덮 고 , 또한 그 주변 의 인 캡슐 란트 ( 115 ) 의 일부 영역 및 내부 인터 커넥트 ( 180 A , 180 B ) 의 일부 영역 을 덮 을 수 있 다 . 일부 예 들 에서 , 내부 인터 커넥트 ( 180 A , 180 B ) 의 일부 영역 은 보호 층 ( 370 A , 370 B ) 으로부터 노출 될 수 있 다 . 또한 , 일부 예 들 에서 , 보호 층 ( 370 A , 370 B ) 이 전자 컴 포 넨 트 ( 320 , 330 ) 의 상면 전체 를 덮 고 , 또한 그 주변 의 인 캡슐 란트 ( 115 ) 의 일부 영역 및 내부 인터 커넥트 ( 180 A , 180 B ) 의 일부 영역 을 덮 을 수 있 다 . 일부 예 에서 , 내부 인터 커넥트 ( 180 A , 180 B ) 의 일부 영역 은 보호 층 ( 370 A , 370 B ) 으로부터 노출 될 수 있 다 . 보호 층 ( 370 A , 370 B ) 은 광과 같이 방사 할 수 있 도록 투명 또는 반투명 한 한 투명 한 ( 반투명 한 ) 재질 일 수 있 다 . 일부 예 에서 , 보호 층 ( 370 A , 370 B ) 은 절연체 , 유전체 , 보호 층 , 투명 층 ( 반투명 층 ) , 또는 FOW ( Film Over Wire 또는 Film On Wire ) 를 포함 하 거나 이 들 로 지칭 될 수 있 다 .