트랜지스터 의 동작 원리 에 대해 도 2 의 N 형 MOSFET 의 경우 를 통하 여 간단히 살펴보 면 , 만일 게이트 전극 에 전압 을 가하 지 않 으면 게이트 절 연막 바로 밑 의 소스 - 채널 - 드레 인 의 구조 는 P - N - P 접합 구조 로서 이 의 에너지 밴드 구조 는 도 2 ( a ) 와 같 으며 가운데 의 채널 영역 이 장벽 으로 작용 하 여 소스 와 드레 인간 의 전자 의 흐름 을 막 고 있 다 .