그리고 , 상기 스토리지 노드 콘 택 영역 상부 의 실리콘 에 피층 ( 412 , 512 ) 내 에 는 제 1 접합 영역 ( 430 ) 이 형성 되 고 , 이때 , 상기 실리콘 에 피층 내 에 형성 된 제 1 접합 영역 ( 430 ) 은 상기 절 연막 ( 410 , 510 ) 에 의해 반도체 기판 ( 406 , 506 ) 과 분리 되 며 , 상기 활성 영역 의 비트 라인 콘 택 영역 상 의 실리콘 에 피층 ( 412 , 512 ) 내 에 는 제 2 접 합 영역 ( 432 ) 이 형성 된다 .