이어서 , 제 1 절연 층 ( 52 ) 상 에 실리콘 보론 질화 막 ( 54 A ) 과 실리콘 질화 막 ( 54 B ) 이 적층 된 이중식 각 정지 층 ( 54 ) 을 형성 한다 . 여기 서 , 이중식 각 정지 층 ( 54 ) 은 후속 스토리지 노드 식각 시 식각 정지 역할 을 하 기 위한 것 으로 , 본 발명 의 바람직 한 제 1 실시 예 에 적용 된 이중 보호막 과 동일 한 방법 으로 형성 하 되 실리콘 질화 막 ( 54 B ) 은 전체 막 두께 의 적어도 1 / 5 이하 의 두께 로 형성 한다 .