상기 몰드 용 희생 막 패턴 ( 106 a ) 및 식각 저 지막 ( 104 ) 표면 상 에 실리콘 질화 막 ( 도시 안 됨 ) 을 형성 한다 . 상기 실리콘 질화 막 을 이방성 으로 식각 함 으로써 상기 몰드 용 희생 막 패턴 ( 106 a ) 의 측벽 에 스 페이서 ( 108 ) 를 형성 한다 . 상기 이방성 식각 공정 시 에 상기 몰드 용 희생 막 패턴 ( 106 a ) 사이 에 위치 하 는 식각 저 지막 ( 104 ) 이 일부 제거 됨 으로써 식각 저지 막 패턴 ( 104 a ) 이 생성 된다 .