한편 , NMOS ( 20 a ) 와 PMOS ( 20 b ) 의 활성 영역 ( 23 ) 을 서로 연결 하 고 PMOS 드레 인 ( 25 b ) 과 NMOS 소스 ( 25 a ) 의 컨 택 ( 26 a ) 을 하나 로 통합 하 여 컨 택 ( 26 a ) 의 위치 를 이동 시키 면 , 활성 영역 ( 23 ) 의 형태 를 모나 게 형성 할 필요 가 없 게 된다 . 이 에 따라 활성 영역 ( 23 ) 의 꺾인 부위 형태 를 둥글 게 형성 하 여 응력 집중 을 완화 하 고 활성 영역 ( 23 ) 의 전위 를 방지 할 수 있 다 . 또한 , 후속 열처리 공정 을 생략 하 여 공정 단순 화 및 원가 절감 을 이룰 수 있 다 .