상기 비 교예 에서 , 계속 해서 제 2 메모리 홀 ( 35 b ) 내 에 폴리 실리콘 을 피착 시킬 때 , 제 2 메모리 홀 ( 35 b ) 의 저부 ( 제 1 메모리 홀 ( 35 a ) 의 폴리 실리콘 의 상면 ) 상 의 자연 산화 막 을 습식 처리 에 의해 제거 할 필요 가 있 다 . 그러나 , 이 습식 처리 로 인한 에칭 에 의해 , 제 2 메모리 홀 ( 35 b ) 내 의 메모리 게이트 절연 층 ( 32 ) 이 제거 되 는 문제 가 발생 한다 .