상기 한 전압 차 는 선택 메모리 셀 ( 710 ) 에 대응 하 는 저항 변화 층 ( 523 a ) 내부 의 산소 공공 을 반도체 층 ( 522 a ) 으로 방향 으로 향하 게 된다 . 도 8 a 에 도시 된 바 와 같이 , 저항 변화 층 ( 523 a ) 중 반도체 층 ( 522 a ) 과 가까운 영역 에 산소 공공 의 밀도 가 높 은 경우 , 전도성 필라멘트 가 형성 된다 . 그리하여 , 저항 변화 층 ( 523 a ) 은 저 저항 상태 가 되 고 선택 메모리 셀 ( 710 ) 은 오 믹 ( ohmic ) 전 도 특성 을 가질 수 있 다 . '