본 발명 의 다른 측면 에 따르 면 , 본 발명 은 반도체 기판 상 에 형성 된 소스 영역 ; 상기 소스 영역 과 이격 되 어 상기 반도체 기판 상 에 형성 되 되 , 금속 으로 실리사이드 화 된 드레 인 영역 ; 상기 반도체 기판 상 에 터널 산화 막 을 게재 하 여 형성 된 플로팅 게이트 ; 및 상기 플로팅 게이트 상 에 게이트 산화 막 을 게재 하 여 형성 된 컨트롤 게이트 를 포함 하 는 비대칭 쇼트 키 장벽 을 이용 한 NOR 형 플래시 기억 소자 에 관한 것 이 다 .