그 다음 , 도 2 에 잘 도시 된 것 과 같이 , 상기 버퍼 층 ( 120 ) 상 에 N 형 반도체 층 ( 220 ) , 활성 층 ( 240 ) , 그리고 , P 형 반도체 층 ( 260 ) 을 차례 로 형성 한다 . 상기 버퍼 층 ( 120 ) 및 반도체 층 들 ( 220 , 240 , 260 ) 은 금속 유기 화학 기상 증착 ( MOCVD ) , 분자선 성장 ( MBE ) 또는 수소화물 기상 성장 ( HVPE ) 방법 등 을 사용 하 여 형성 될 수 있 다 . 또한 , 상기 반도체 층 들 ( 220 , 240 , 260 ) 은 동일 한 공정 챔버 에서 연속 적 으로 형성 될 수 있 다 .