따라서 , 층 스택 ( 20 ) 은 각각 기판 ( 10 ) 의 제 1 기판 측면 ( 1 ) 및 제 1 주 표면 ( 11 ) 상 에 생성 될 수 있 다 . 도시 된 실시 예 에서 , 층 스택 ( 20 ) 은 금속화 층 ( 31 ) 및 화합물 반도체 층 ( 21 ) 을 포함 한다 . 그러나 , 층 스택 ( 20 ) 이 후속 도면 을 참조 하 여 후술 되 는 바 와 같이 추가 의 추가 층 을 포함 하 는 것 도 가능 하 다 .