TID 로 정량 화 된 바 와 같이 , 시간 경과 에 따른 방사선 의 누적 영향 들 에 노출 되 는 FD - SOI 반도체 들 은 FET ( Field Effect Transistor ) 들 과 같 은 능동 소자 들 의 채널 영역 상의 BOX 내 에 포획 된 전하 의 영향 으로 인한 파라메트릭 시프트 들 을 나타낸다 . 본 명세서 에서 설명 되 는 자율 최적화 회로 들 의 실시 예 들 은 적어도 , " 예 를 들 어 방사선 의 영향 들 뿐 만 아니 라 온도 또는 노화 에 대한 영향 들 을 보상 하 기 위해 BOX 아래 의 웰 의 바이어 싱 또는 "" 역 바이어 싱 "" 을 제공 한다 . 자율 최적화 회로 들 의 적어도 일부 실시 예 들 은 파라메트릭 시프트 를 보상 하 기 위해 BOX 내 의 포획 된 전하 에 비례 하 며 반대 인 방식 으로 작용 하 는 웰 의 동적 바이어 싱 과 정적 바이어 싱 모두 를 제공 한다 . "