도 28 a 에 도시 하 는 트랜지스터 ( 410 ) 는 , 게이트 전극 ( 401 ) 위 에 게이트 절연 층 ( 402 ) 이 설치 되 고 , 게이트 절연 층 ( 402 ) 위 에 산화물 반도체 층 ( 403 ) 이 설치 되 고 , 산화물 반도체 층 ( 403 ) 과 접속 되 는 소스 전극 ( 405 a ) , 드레 인 전극 ( 405 b ) 이 설치 되 어 있 다 . 게이트 전극 ( 401 ) 과 , 산화물 반도체 층 ( 403 ) 과 , 게이트 절연 층 ( 402 ) 과 , 소스 전극 ( 405 a ) 과 , 드레 인 전극 ( 405 b ) 은 , 각각 도 17 a 및 17 b 에 도시 하 는 게이트 전극 ( 148 a ) 과 , 산화물 반도체 층 ( 144 ) 과 , 게이트 절연 층 ( 146 ) 과 , 소스 전극 ( 142 a ) 과 , 드레 인 전극 ( 142 b ) 에 상당 한다는 점 에 주목 한다 .