상기 설명 한 바 와 같 은 본 발명 에 따른 표면 방출 레이저 제조 방법 에서 는 GaAs , AlAs , AlGaAs , InAlAs , InAlGaAs , InGaAs , InGaAsP , InAlGaP , InGaP 및 InP 로 이루어지 는 군 에서 선택 되 는 2 종 의 반도체 층 이 교대 로 적층 된 거울 층 , 특히 InP / InAlGaAs 다층막 으로 이루어지 는 거울 층 을 채용 함 으로써 상대 적 으로 큰 굴절 율 차이 로 인해 성장 두께 를 줄일 수 있 으며 , 이 로 인한 우수 한 거울 특성 과 InP 의 우수 한 열전 도 특성 으로 인해 소자 제작 시 열 적 특성 을 향상 시킬 수 있 다 . 또한 , GaAs , AlAs , AlGaAs , InAlAs , InAlGaAs , InGaAs , InGaAsP , InAlGaP , InGaP 및 InP 로 이루어지 는 군 에서 선택 되 는 2 종 의 반도체 층 이 교대 로 적층 된 구조물 , 특히 InP / InAlGaAs 다층막 으로 이루어지 는 구조물 을 Cl 2 , Ar , CH 4 및 H 2 를 포함 하 는 혼합 가스 의 플 라즈 마 를 이용 하 여 식각 함 으로써 매우 균일 하 고 원활 한 식각 면 이 얻 어 질 수 있 으며 용이 하 고 안정 된 식각 공정 에 의해 신뢰 성 높 은 안정 된 소자 가 얻 어 질 수 있 다 .