비휘발성 메모리 소자 를 제공 한다 . 상기 비휘발성 메모리 소자 는 차례 로 배치 된 반도체 채널 층 , 터널 절 연막 , 전하 포획 층 , 및 블로킹 절 연막 을 구비 한다 . 상기 블로킹 절 연막 상 에 다수 의 제어 게이트 전극 들 이 배치 된다 . 상기 제어 게이트 전극 들 사이 에 셀 간 절 연막 이 배치 된다 . 상기 제어 게이트 전극 과 상기 셀 간 절 연막 사이 에 , 상기 셀 간 절 연막 에 비해 낮 은 유전 상수 를 갖 는 스 페이서 절 연막 이 배치 된다 . 상기 전하 포획 층 은 상기 복수 의 제어 게이트 전극 들 하부 에서 연장 되 는 형태 를 가져 , 상기 제어 게이트 전극 들 사이 의 영역 에 도 형성 된다 .