본 발명 에서 는 계단 형 펄스 형태 의 변조 된 게이트 하이 전압 ( VGHM ) 을 이용 하 여 일정 기간 화소 데이터 전압 의 전하량 을 적 게 충전 하 는 것 으로 한정 하 여 설명 하 고 있 지만 , 이 에 한정 하 지 않 고 , 지연 된 형태 의 펄스 형태 의 변조 된 게이트 하이 전압 을 이용 하 여 일정 기간 박막 트랜지스터 ( TFT ) 의 턴 - 온 시간 을 지연 시켜 화소 데이터 전압 의 충전 시간 을 조절 할 수 도 있 다 .