보 우잉 이 제거 된 콘 택 홀 내부 의 상부 영역 은 포지티브 프로파일 ( positive profile ) 을 갖 는다 . 절연 막 은 산화 막 습식 에 천트 ( oxide wet etchant ) 를 이용 하 여 식각 하 거나 , 건식 플 라즈 마 ( dry plasma ) 를 이용 하 여 식각 한다 . 제 2 확산 정지 막 은 PVD ( Physical Vapor Deposition ) 방법 을 이용 하 여 형성 한다 . 콘 택 홀 은 CVD 방법 을 이용 하 여 텅스텐 ( W ) 으로 채운다 .