본 발명 의 또 다른 양상 은 베이스 기판 상부 에 매립 절연체 구 조체 를 갖 는 절연체 상 반도체 ( SOI ) 기판 을 제공 하 는 단계 를 포함 하 는 , 반도체 소자 제조 방법 을 제공 한다 . SOI 기판 은 표면 반도체 층 을 가진다 . 본 방법 은 상기 표면 반도체 층 , 및 상기 응력 받 은 매립 절연체 구 조체 를 통하 여 상기 베이스 기판 내부 까지 마스크 층 에 의해 정의 된 패턴 으로 에칭 하 여 진행 한다 . 본 방법 은 매립 절연체 구 조체 내 에 응력 을 유발 시키 기 위하 여 이온 을 매립 절연체 구 조체 내 로 또는 이 를 관통 하 여 주입 시키 는 단계 , 이 에 따라 에지 이완 의 메커니즘 을 통하 여 , 에칭 에서 형성 된 하나 이상 의 트렌치 의 벽 들 사이 에서 표면 반도체 층 의 적어도 횡 방향 부분 에 걸쳐 표면 반도체 층 을 변형 시키 는 단계 를 포함 한다 . 집 적 회로 소자 가 표면 반도체 층 의 활성 영역 을 가지 면서 형성 된다 .