본 발명 의 실시 예 에 따른 비휘발성 메모리 장치 는 , 기판 과 교차 하 는 방향 으로 신장 되 어 대응 하 는 비트 라인 에 연결 되 는 복수 의 스트링 들 을 포함 하 고 , 상기 복수 의 스트링 들 은 , 선택 된 스트링 선택 라인 및 선택 된 비트 라인 에 대응 하 는 프로그램 스트링 ; 및 비 선택 된 스트링 선택 라인 및 상기 선택 된 비트 라인 에 대응 하 는 적어도 하나 의 제 1 금지 스트링 혹은 선택 된 스트링 선택 라인 및 비 선택 된 비트 라인 에 대응 하 는 적어도 하나 의 제 2 금지 스트링 을 포함 하 고 , 프로그램 동작 시 상기 적어도 하나 의 제 1 금지 스트링 및 상기 적어도 하나 의 제 2 금지 스트링 은 , 동일 한 초기 채널 전압 으로 인가 된 후 에 채널 부 스팅 을 수행 한다 .