도 1 을 참조 하 면 , 3 차원 반도체 메모리 장치 는 셀 어레이 영역 ( CAR ) , 및 주변 회로 영역 을 포함 한다 . 주변 회로 영역 은 로우 디코더 영역 들 ( ROW DCR ) , 페이지 버퍼 영역 ( PBR ) , 칼럼 디코더 영역 ( COL DCR ) , 및 제 어 회로 영역 ( 미 도시 ) 을 포함 할 수 있 다 . 실시 예 들 에 따르 면 , 셀 어레이 영역 ( CAR ) 과 로우 디코더 영역 들 ( ROW DCR ) 사이 에 연결 영역 ( CTR ) 이 배치 될 수 있 다 .