제 4 버퍼 층 ( 120 ) 을 두 는 이유 는 , 질화 갈륨 과 같 은 질화물 반도체 를 이용 하 는 소자 들 에서 , " 질화물 박막 의 성장 을 위해 이용 되 는 기판 은 대부분 "" 이종 "" 기판 인데 ", 이 들 이종 기판 물질 과 질화물 간 의 격자 상수 불 일치 와 열팽창 계수 의 큰 차이 로 인해 이종 기판 에 성장 시킨 질화물 박막 에서 는 많 은 격자 결함 ( Latice defect ) 이 발생 될 수 있 기 때문 이 다 .