예 를 들 면 , 질화규소 ( Si 3 N 4 ) 막 ( 303 ) 을 에칭 하 는 단계 에서 는 충분 한 대 마스크 선택 비 와 에칭 레이트 를 얻 도록 , 표 3 의 조건 범위 내 에서 압력 및 CHF 3 / Ar 유량 비 를 높 게 설정 해 두 고 , 오 목부 ( 305 ) 가 실리콘 기판 ( 301 ) 에 도달 한 후 의 실리콘 에칭 의 단계 에서 , CHF 3 유량 은 그대로 해서 처리 압력 을 저하 시키 거나 , 혹은 반대 로 처리 압력 은 그대로 하 고 CHF 3 유량 을 저하 시키 는 것 에 의해 , 실리콘 기판 ( 301 ) 의 에칭 레이트 를 개선 할 수 있 다 . 이 들 경우 , 실리콘 에칭 의 대 마스크 선택 비 는 1 이상 이 면 좋 기 때문 에 , 도 12 의 결과 로부터 , 대 마스크 선택 비 를 크 게 손상 시킬 우려 는 없 다고 생각 된다 .