상기 와 같이 증착 분위기 중 에 질소 성분 을 함유 시킴 으로써 , Al 산화물 층 ( 제 2 층 ) 중 의 산소량 을 저하 시킬 수 있 다 . 통상 은 , 제 1 제조 방법 에 있 어서 의 ( 공정 Ⅱ ) 항 에서 도 기재 한 바 와 같이 , Ar 등 의 불활성 가스 분위기 에서 행하 여 투명 화소 전극 을 구성 하 는 ITO 막 등 을 성막 하 고 있 지만 , 불활성 가스 분위기 하 에서 투명 화소 전극 을 형성 하 면 , 원 하 는 제 2 층 이 얻 어 지 지 않 아 , 접촉 저항 이 저하 된다 ( 후기 하 는 실시 예 를 참조 ) . 그 이유 는 상세 하 게 는 불분명 하 지만 , 본 발명 에 따르 면 , 초기 의 성막 단계 에 형성 되 는 질소 성분 함유 ITO 막 ( ITO － N 막 ) 이 , 말 하 자면 배리 어 층 으로 되 어 , 성막 후 의 열처리 시의 Al 과 O ( 산소 ) 의 상호 확산 을 억제 한다고 추찰 된다 .