제 1 실시 예의 설명 에서 는 , N 형 칼럼 ( 21 n ) 및 P 형 칼럼 ( 21 p ) 의 불순물 농도 가 일정 한 값 으로 각각 설정 되 고 , 제 1 칼럼 층 및 제 2 칼럼 층 의 불순물 양 의 차이 ( D ) 가 N 형 칼럼 ( 21 n ) 및 P 형 칼럼 ( 21 p ) 의 폭 에 의해 설정 되 는 SJ - MOS 트랜지스터 가 예 로 서 나타나 있 다 . 제 2 실시 예의 설명 에서 는 , N 형 칼럼 ( 21 n ) 및 P 형 칼럼 ( 21 p ) 의 폭 이 일정 한 값 으로 각각 설정 되 고 , 제 1 칼럼 층 및 제 2 칼럼 층 의 불순물 양 의 차이 ( D ) 가 N 형 칼럼 및 P 형 칼럼 의 불순물 농도 에 의해 설정 되 는 SJ - MOS 트랜지스터 가 예 로서 나타나 있 다 . 하지만 , 반도체 장치 는 이 예 에서 와 같이 구성 될 필요 가 없 으며 , N 형 칼럼 ( 21 n ) 및 P 형 칼럼 ( 21 p ) 의 폭 및 불순물 농도 모두 가 다른 값 으로 설정 되 고 , 제 1 칼럼 층 및 제 2 칼럼 층 의 불순물 양 의 차이 ( D ) 가 설정 되 도록 구성 될 수 있 다 .