도 6 b 를 참조 하 면 , 일부 실시 예 에 따른 , 주변 회로 및 주변 상호 접속 층 을 형성 하 기 위한 예시 적 방법 ( 600 B ) 의 흐름 도 가 도시 된다 . 도 6 b 에 도시 된 바 와 같이 , 방법 ( 600 B ) 은 제 2 기판 상 에 주변 회로 가 형성 되 는 동작 ( 622 ) 에서 시작 한다 . 일부 실시 예 에서 , 제 2 기판 은 단결정 단층 기판 , 다 결정 실리콘 ( 폴리 실리콘 ) 단층 기판 , 폴리 실리콘 및 금속 다층 기판 등 과 같 은 임의 의 적절 한 구조 를 갖 는 임의 의 적절 한 반도체 기판 일 수 있 다 .