도 3 b 를 참조 하 면 , 몰드 스택 ( 103 ) 을 관통 하 여 기판 ( 101 ) 과 접속 되 는 복수 개 의 수직 채널 들 ( 140 ) 을 형성 할 수 있 다 . 일례 로 , 건식 식각 혹은 레이저 드릴링 으로 제 1 희생 막 그룹 ( 110 ) 과 제 2 희생 막 그룹 ( 120 ) 을 관통 하 는 복수 개 의 수직 채널 홀 들 ( 130 ) 을 형성 하 고 , 수직 채널 홀 들 ( 130 ) 을 가령 반도체 물질 로 채워 수직 채널 들 ( 140 ) 을 형성 할 수 있 다 . 수직 채널 들 ( 140 ) 은 가령 다 결정 , 단결정 , 혹은 비정질 실리콘 을 물리 기 상층 착 법 , 화학 기상 증착 법 혹은 에피 성 장법 으로 형성 할 수 있 다 . 수직 채널 ( 140 ) 은 원기둥 혹은 다 각기둥 과 같 은 벌크 형태 로 형성 될 수 있 다 . 다른 예 로 , 수직 채널 ( 140 ) 은 내부 에 절연체 가 있 고 , 그 절연체 를 실리콘 이 감싸 는 마카로니 구조 로 형성 될 수 있 다 .