증폭 구성 요소 ( 520 ) 및 감지 구성 요소 ( 515 ) 는 제 1 공급 전압 ( 532 ) ( 예 를 들 어 , 주변 회로 전압 ( VPERI ) ) 을 인가 함 으로써 동작 될 수 있 으며 , 이 는 일부 예 에서 증폭 구성 요소 ( 520 ) 및 감지 구성 요소 ( 515 ) 가 VPERI 를 초과 하 는 전압 에 영향 을 받 지 않 기 때문 에 이 들 이 더 작 은 게이트 산화물 두께 를 갖 는 트랜지스터 를 포함 하 는 것 ( 예 를 들 어 , 얇 은 산화물 디바이스 인 것 ) 을 가능 하 게 할 수 있 다 . 증폭 구성 요소 ( 520 ) 및 감지 구성 요소 ( 515 ) 의 상당 한 부분 에 대한 얇 은 게이트 디바이스 의 사용 은 증폭 구성 요소 ( 520 ) 의 증폭기 의 성능 을 개선 할 수 있 고 , 감지 구성 요소 ( 515 ) 에 대한 더 높 은 래치 오프셋 을 제공 할 수 있 다 . 일부 예 에서 , 증폭 구성 요소 ( 520 ) 및 감지 구성 요소 ( 515 ) 는 증폭 구성 요소 ( 520 ) 및 감지 구성 요소 ( 515 ) 를 로컬 디 지트 라인 ( 512 ) 및 기록 회로 , 메모리 컨트롤러 , 또는 메모리 디바이스 의 다른 구성 요소 와 선택 적 으로 결합 하 도록 동작 가능 할 수 있 는 하나 이상 의 스위칭 구성 요소 ( 510 ) ( 예 를 들 어 , 트랜지스터 ) 를 포함 할 수 있 다 .