일반 적 으로 비휘발성 메모리 소자 의 게이트 를 형성 하 기 위해서 는 반도체 기판 상 에 터널 절 연막 및 플로팅 게이트 용 제 1 폴리 실리콘 막 을 적층 한 후 SA - STI ( Self - Aligned Shallow Trench Isolation ) 의 소자 분리 공정 을 통해 제 1 폴리 실리콘 막 및 터널 절 연막 을 1 차 패 터닝 하 면서 소자 분리 영역 에 트렌치 를 형성 하 고 , 트렌치 를 절연 물질 로 채워 소자 분리 막 을 형성 하 고 , 계속 해서 , 패 터닝 된 제 1 폴리 실리콘 막 과 소자 분리 막 상 에 ONO 적층 구조 의 유전체 막 , 컨트롤 게이트 용 제 2 폴리 실리콘 막 및 하드 마스크 를 순차 적 으로 적층 한 후 , 소자 분리 막 과 교차 되 는 포토레지스트 패턴 을 이용 한 식각 으로 하드 마스크 를 식각 하 고 , 식각 된 하드 마스크 를 이용 한 식각 으로 제 2 폴리 실리콘 막 , ONO 유전체 막 및 패 터닝 된 제 1 폴리 실리콘 막 을 2 차 패 터닝 하 여 터널 절 연막 , 플로팅 게이트 , 유전체 막 및 컨트롤 게이트 로 이루어지 는 게이트 를 형성 하 였 다 .