제 1 도 전막 ( 102 ) 과 , 절 연막 ( 104 ) 과 , 반도체 막 ( 106 ) 과 , 불순물 반도체 막 ( 108 ) 과 , 제 2 도 전막 ( 110 ) 을 적층 하 고 , 이 위 에 다 계조 마스크 를 이용 하 여 오 목부 를 가지 는 레지스 트 마스크 ( 112 ) 를 형성 하 고 , 제 1 에칭 을 행하 여 박막 적층 체 를 형성 하 고 , 이 박막 적층 체 에 대하 여 사이드 에칭 을 수반 하 는 제 2 에칭 을 행하 여 게이트 전극 층 ( 116 A ) 을 형성 하 고 , 그 후 소스 전극 및 드레 인 전극 등 을 형성 함 으로써 , 박막 트랜지스터 를 제작 한다 .