도 3 을 참조 하 면 , 열 산화 막 ( 15 ) 의 표면 부위 를 질화 시켜 열 산화 막 ( 15 ) 상 에 제 2 질소 함유층 ( 25 ) 을 형성 함 으로써 , 반도체 기판 ( 5 ) 상 에 절 연막 ( 30 ) 을 형성 한다 . 여기 서 , 절 연막 ( 30 ) 은 제 1 질소 함유층 ( 20 ) , 열 산화 막 ( 15 ) 및 제 2 질소 함유층 ( 25 ) 을 포함 한다 .