제 1 레지스 트 패턴 ( 45 ) 은 비 아홀 의 형성 을 위한 것 으로 ArF 엑 시머 레이저 에 대응 하 는 것 을 사용 한다 . 배선 선폭 이 90 nm 이하 사이즈 의 반도체 소자 에서 는 노광 공정 에서 ArF 엑 시머 레이저 를 사용 하 기 때문 에 제 1 레지스 트 패턴 ( 45 ) 역시 이것 에 대응 하 는 포토레지스트 물질 을 사용 한다 .