도 4 e 에 도시 된 바 와 같이 제 2 포토레지스트 패턴 ( 412 b ) 을 마스크 로 이용 한 식각 공정 에 의해 노출 된 제 1 표시 영역 의 블랙 매트릭스 ( 414 ) 는 식각 되 며 , 제 2 표시 영역 의 블랙 매트릭스 ( 212 ) 는 제 2 포토레지스트 패턴 ( 212 b ) 에 의해 식각 되 지 않 는다 . 따라서 , 제 1 표시 영역 의 블랙 매트릭스 ( 202 ) 의 두께 는 제 2 표시 영역 의 블 랙 매트릭스 ( 212 ) 보다 낮 게 형성 된다 .