도 4 에 따르 면 , 기판 상 에 형성 된 복수 의 셀 ( 100 ) 을 포함 하 는 셀 어레이 ( 300 ) ; 컨트롤 게이트 픽업 구조 ( 200 ) 을 포함 한다 . 상기 셀 어레이 ( array , 300 ) 는 복수 의 행 ( r 1 , r 2 , r 3 , r 4 ) ; 복수 의 열 ( C 1 , C 2 , C 3 ) 으로 구성 된다 . 상기 각각 의 행 ( r 1 , r 2 , r 3 , r 4 ) 은 상기 컨트롤 게이트 픽업 구조 ( 200 ) 와 연결 된다 . 상기 각각 의 행 ( r 1 , r 2 , r 3 , r 4 ) 은 X 축 방향 으로 복수 의 플로팅 게이트 ( 110 a , 110 b , 110 c ) ; 상기 복수 의 플로팅 게이트 를 둘러싸 는 컨트롤 게이트 ( 120 ) ; 를 포함 한다 . 상기 복수 의 플로팅 게이트 ( 110 a , 110 b , 110 c ) 는 상기 X 축 을 기준 으로 위 또는 아래 로 틸 트 ( tilt ) 된 비휘발성 메모리 소자 이 다 .