이어서 , 반도체 웨이퍼 의 주변 에 인접 하 여 연장 하 는 마스크 의 영역 들 이 선택 적 으로 확장 되 어 마스크 층 을 패 터닝 하 는 동안 비교 적 협소 한 상기 영역 들 을 보상 한다 ( 블록 108 ) . 마스크 패턴 의 영역 들 을 선택 적 으로 확장 하 는 단계 는 마스크 패턴 상 에 온도 의존 성 증착 율 특성 을 가지 는 제 2 전기 적 절 연막 을 증착 함 으로써 달성 될 수 있 다 . 상기 온도 의존 성 특성 에 의해 제 2 전기 적 절연 막 은 반도체 웨이퍼 의 주변 영역 상 에서 더 두껍 고 반도체 웨이퍼 의 내부 상 에서 더 얇 게 형성 된다 . 제 2 전기 적 절 연막 의 증착 율 특성 의 빠름 ( 에지 근처 ) 대 느림 ( 중앙 근처 ) 의 차이 는 반도체 웨이퍼 의 주변 에 인접 하 여 연장 하 는 마스크 패턴 의 더 협소 한 영역 들 을 보상 한다 . 제 2 전기 적 절연 막 은 예 를 들 어 , CxFy 또는 CxHyFz 등 과 같 은 , 탄소 및 불소 를 함유 하 는 유기 폴리머 막 일 수 있 다 .