도 8 은 일정 한 조건 들 하 에 웨이퍼 공정 처리 중 에 발생 된 기생 플 라즈 마가 존재 하 거나 또는 부 존재 한 경우 를 반응 챔버 의 압력 ( 수직 축 ) 및 높 은 라디오 주파수 ( HRF ) 전력 ( 수평축 ) 의 조합 들 의 범위 에서 도시 하 는 그래프 이 고 , ( 1 ) 홀 들 ( 208 , 도 2 a 참조 ) 을 가지 는 종래 의 샤워 플레이트 및 종래 의 세라믹 도관 을 이용 하 는 경 우 , ( 2 ) 본 발명 의 일실 시예 에 따른 홀 들 ( 220 , 도 2 b 참조 ) 을 가지 는 샤워 플레이트 및 종래 의 세라믹 도관 을 이용 하 는 경우 , 및 ( 3 ) 본 발명 의 일실 시예 에 따른 홀 들 ( 220 , 도 2 b 참조 ) 을 가지 는 샤워 플레이트 및 도 7 b 에 도시 된 더 긴 세라믹 도관 을 가지 는 샤워 플레이트 를 이용 하 는 경우 이 다 . 상기 그래프 에 도시 된 바 와 같이 , 더 긴 도관 의 이용 은 웨이퍼 공정 처리 중 에 발생 하 는 기생 플 라즈 마의 존재 를 크 게 감소 시키 며 , 이 에 따라 종래 의 짧 은 길이 의 세라믹 도관 들 을 이용 하 는 경우 에 비하 여 , 더 낮 은 반응 챔버 압력 들 ( 예 를 들 어 , 200 Pa ) 및 더 높 은 HRF 수준 들 ( 예 를 들 어 , 700 W ) 에서 증착 공정 들 을 수행 할 수 있 다