형광체 의 발광 은 원자 또는 분자 의 들뜬 전자 상태 로부터 의 완화 에 기초 하 여 일어날 수 있 고 , 예 를 들 어 , 화학 발광 , 전자 발광 , 광 발광 , 열 발광 , 마찰 발광 , 및 이 들 의 조합 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 광 발광 의 경우 에 , 이것 은 형광 발광 및 인 발광 을 포함 할 수 있 고 , 발광 은 빛 여기 , 예 를 들 어 , 태양광 의 흡수 에 기초 할 수 있 다 . 형광체 는 다운 시프트 물질 , 즉 , 에너지 여기 에 비해 낮 은 에너지 ( 또는 더 높 은 파장 ) 에서 빛 을 방출 하 는 것 들 , 및 업 시프트 물질 , 즉 , 에너지 여기 에 비해 높 은 에너지 ( 또는 더 짧 은 파장 ) 에서 빛 을 방출 하 는 것 들 을 포함 한다 . 바람직 한 다운 시프트 형광체 는 에너지 의 특정 범위 를 통해 광자 를 흡수 하 고 Eg 가 광활 성 층 의 밴드 갭 에너지 를 나타내 는 경우 , 대략 의 Eg 보다 약간 더 큰 에너지 를 갖 는 광자 를 방출 하 는 것 들 을 포함 한다 . 특정 적용 에서 , 다수 의 광자 발생 은 더 높 은 태양력 전환 효율 을 생산 할 수 있 고 , 일반 적 으로 , ni 및 nj 가 정수 이 고 , nj > ni 인 경우 , ni 광자 의 nj 광자 로 의 전환 을 수반 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 양자 분할 물질 은 하나 의 더 짧 은 파장 광자 를 흡수 하고 둘 이상 의 더 긴 파장 광자 를 방출 함 으로써 다운 시프트 를 나타내 지만 , 하향 전환 물질 은 하나 의 더 짧 은 파장 광자 를 흡수 하고 하나 의 더 긴 파장 광자 를 방출 함 으로써 다운 시프트 를 나타낼 수 있 다 . 또 다른 예 와 같이 , 상향 전환 물질 은 더 높 은 에너지 에서 두 개 의 광자 가 흡수 되 고 하나 의 광자 가 방출 되 는 과정 에 의한 업 시프트 를 나타낼 수 있 다 .