본 발명 의 실시 예 에 따른 마이크로파 유도 가열 장치 는 , 전도성 박막 및 미세 와이어 , 전도성 섬유 , 박막 전극 을 가진 칩 소자 ( chip device ) 등 과 같이 마이크로미터 수준 이하 의 매우 얇 은 두께 의 전도성 소재 를 선택 적 으로 가열 할 수 있 다 . 가열 이 필요 한 매우 적 은 양 의 전도성 소재 만 선택 적 으로 가열 하 기 때문 에 , 훨씬 더 적 은 에너지 로 훨씬 더 빠른 속도 로 고온 가열 할 수 있 다 . 마이크로파 유도가열 장치 는 열처리 공정 의 속도 를 획기적으로 향상 시킬 뿐 만 아니 라 , 에너지 소모 를 줄여 생산 비용 을 낮추 고 , 주변 온도 를 훨씬 낮 게 유지 할 수 있 어 고온 가열 이 불 가능 했 던 소재 들 도 열처리 가 가능 하 게 해 준다 .