그리고 , 프로그램 동작 은 , 액세스 트랜지스터 ( Access Transistor ) 를 온 ( on ) 하 여 소오 스 쪽 으로 전압 이 전달 되 면 소거 에 의해 플로팅 게이트 에 유기 되 어 있 는 플로팅 게이트 전압 과 소오 스 접합 영역 ( 209 ) 에 전달 된 전압 차 에 의해 차지 ( charge ) 된 전자 의 배출 ( ejection ) 혹은 홀 주입 ( hole Injection ) 이 일어나 센스 트랜지스터 의 문턱 전압 ( Vth ) 이 ( -) 가 된다 . 즉 , 온 상태 가 된다 . 이 때 , 상기 제어 게이트 ( control gate ) 로 기능 하 는 제 1 전극 층 ( 204 ) 에 음 의 전압 ( ( -) Voltage ) 을 인가 하 여 프로그램 문턱 전압 ( Pgm Vt ) 을 더욱 낮 게 해 줄 수 있 다 .