질화 갈륨 기판 표면 의 높이 가 서로 달라서 표면 높이 의 최고점 과 최 저점 이 존재 하 는 경우 , 최고점 에 해당 하 는 기판 표면 을 그라인딩 하 되 최저 점 에 해당 하 는 높이 에 도달 할 때 까지 기판 표면 을 그라인딩 하 게 되 는데 , 본원 에서 는 이러 한 과정 을 제 1 평탄 화 단계 로 지칭 한다 . 이러 한 제 1 평탄 화 단계 는 상대 적 으로 저 메 쉬 값 에 해당 하 는 제 1 메 쉬 값 을 가지 는 제 1 그라인더 입자 로 된 제 1 그라인더 를 질화 갈륨 기판 표면 에 회전 시켜 질화 갈륨 기판 을 그라인딩 하 는 단계 이 다 ( S 3 ) .