상기 게이트 전극 ( 102 b ) 들 에 는 동일 한 전압 이 인가 되 는 것 이 바람직 하 다 . 때문 에 , 상기 패 터닝 공정 은 상기 게이트 전극 ( 102 b ) 의 일 단부 가 서로 연결 되 도록 수행 되 는 것 이 바람직 하 다 . 또한 , 상기 패 터닝 공정 을 통해 , 반도체 회로 들 을 구성 하 기 위한 MOS 트랜지스터 가 형성 될 부위 에 도 게이트 전극 ( 도시 안 됨 ) 들 이 함께 형성 될 수 있 다 .