일 실시 예 에서 , 기판 위 에 제 1 합성 반강자성 구조 를 증착 하 는 단계 를 포함 하 는 , 자기 디바이스 를 제조 하 는 방법 이 개시 된다 . 제 1 합성 반강자성 구조 는 제 1 평면 에 있 고 제 1 평면 에 수직 이 고 고정 된 자화 방향 을 갖 는 자화 벡터 를 갖 는다 . 방법 은 제 1 합성 반강자성 구조 위 에 교환 커플링 층 ( exchange coupling layer ) 을 증착 하 는 단계 를 포함 하 며 , 교환 커플링 층 은 제 2 평면 에 있 다 . 이 방법 은 또한 , 기판 위 에 제 2 합성 반강자성 구조 를 증착 하 는 단계 를 포함 한다 . 제 2 합성 반강자성 구조 는 제 3 평면 에 있 다 . 제 2 합성 반강자성 구조 는 자기 기준 층 을 포함 한다 . 제 2 합성 반강자성 구조 및 자기 기준 층 은 제 3 평면 에 수직 이 고 고정 된 자화 방향 을 갖 는 자화 벡터 를 갖 는다 . 이 방법 은 또한 제 4 평면 에 비 자기 터널 장벽 층 을 증착 하 는 단계 를 포함 한다 . 비 자기 터널 장벽 은 자기 기준 층 위 에 배치 된다 . 이 방법 은 또한 , 제 5 평면 에 자유 자기 층 을 증착 시키 는 단계 를 포함 한다 . 자유 자기 층 은 비 자기 터널 장벽 층 위 에 배치 되 고 제 5 평면 에 수직 인 자화 벡터 를 갖 는다 . 자유 자기 층 은 제 1 자화 방향 으로부터 제 2 자화 방향 으로 세차 운동 할 수 있 는 자화 방향 을 갖 는다 . 자기 기준 층 , 비 자기 터널 장벽 층 및 자유 자기 층 은 자기 터널 접합 을 형성 한다 . 방법 은 또한 , 자유 자기 층 위 에 배치 되 는 , 제 6 평면 에 비 자기 스 페이서 층 을 증착 하 는 단계 를 포함 한다 . 방법 은 , 자유 자기 층 으로부터 물리 적 으로 분리 되 고 비 자기 스 페이서 층 에 의해 자유 자기 층 에 커플링 되 는 , 제 7 평면 에 세차 운동 스핀 전류 자기 구조 를 증착 하 는 단계 를 더 포함 한다 . 세차 운동 스핀 전류 자기 구조 는 제 7 평면 에서 임의 의 자기 방향 으로 자유 롭 게 회전 할 수 있 는 , 제 7 평면 의 자화 방향 을 갖 는 자화 벡터 를 갖 는다 .