이 후 , 실시 형태 1 과 같 은 공정 을 거쳐서 , 도 8 c 에 도시 하 는 바 와 같이 , 배선 ( 92 a 내지 92 c ) , 소스 영역 및 드레 인 영역 ( 88 ) , 제 2 버퍼 층 ( 87 ) , 및 게이트 절 연막 ( 52 b ) 위 에 보호 절 연막 , 절 연막 을 형성 하 고 , 제 4 포토 마스크 를 사용 한 포토 리소그래피 공정 에 의해 , 콘택트 홀 을 형성 한다 . 또한 , 이 때 의 보호 절 연막 을 보 호 절 연막 ( 76 a ) 으로 나타낸다 .