그리고 축 적 영역 에서 는 N + 폴리 실리콘 영역 의 공핍 현상 에 따른 정전 용량 ( △ T 1 ) 과 함께 본 발명 과 같이 , 다수 캐리어 에 따른 전하 가 형성 되 어 주파수 에 따라 빠르 게 응답 함 으로써 , N + 폴리 실리콘 에 생성 되 는 공핍 현상 이 있 는 부분 을 사용 하 지 않 으므로 그 에 따른 캐 패 시터 의 값 에 대한 이득 ( △ T 2 ) 을 볼 수 있 다 .