본 발명 의 제 2 실시 예 에 따르 면 , ( a ) 실리콘 ( Si ) 과 리튬 소스 를 혼합 하 여 유도 용융 하 는 단계 ; 및 ( b ) 상기 유도 용융 된 결과물 에 산화 소스 를 공급 하 여 , SiOx 입자 에 리튬 을 프리 도핑 하 는 단계 ; 를 포함 하 고 , 상기 SiOx 입자 에 리튬 을 프리 도핑 하 는 단계 에서 리튬 산화물 또는 / 및 리튬 실리콘 산화물 을 포함 하 는 비 가 역상 이 형성 되 는 SiOx 입자 의 제조 방법 을 제공 한다 .