상기 한 구조 를 갖 는 플 래쉬 메모리 소자 의 제조 방법 은 반도체 기판 상 에 터널 유전 막 과 플로팅 게이트 용 도전 막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 플로팅 게이트 용 도전 막상 에 ZrO 2 막 과 적어도 1 층 이상 의 산화 막 의 적층 막 으로 된 게이트 유전 막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 구조 물상 에 컨트롤 게이트 용 폴리 실리콘 막 을 형성 하 는 단계 를 포함 한다 .