보다 구체 적 으로 , 물 에 담긴 반도체 기판 ( 210 ) 을 진공 상태 로 옮긴 뒤 , 반도체 기판 ( 210 ) 상 에 잔재 되 어 있 는 물 을 클리닝 한다 . 그 후 , 반도체 기판 ( 210 ) 상 에 형성 된 도전 막 ( 252 ) 을 패 터닝 하 여 제 1 내지 제 3 컨 택 플러그 ( 242 , 244 , 246 ) 상 에 만 금속 라인 ( 250 ) 이 형성 되 도록 한다 .