도 12 를 참조 하 면 , 상기 트렌치 들 ( 200 ) 을 채우 는 전극 분리 패턴 ( 250 ) 을 형성 한다 . 상기 전극 분리 패턴 ( 250 ) 을 형성 하 는 단계 는 상기 불순물 영역 들 ( 240 ) 이 형성 된 결과물 상 에 전극 분리 막 을 형성 한 후 , 그 결과물 을 식각 하 여 상기 절 연막 ( 120 ) 의 상부 면 을 노출 시키 는 단계 를 포함 할 수 있 다 . 상기 전극 분리 막 은 실리콘 산화 막 , 실리콘 질화 막 및 실리콘 산화 질화 막 중 의 적어도 한 가지 로 형성 될 수 있 으며 , 상기 식각 단계 는 화학 적 - 기계 적 연마 기술 또는 에치 백 기술 과 같 은 평탄 화 기술 을 사용 하 여 실시 될 수 있 다 . 상기 평탄 화 식각 의 결과 로서 , 상기 매립 절 연막 ( 180 ) , 상기 예비 상부 절연 패턴 ( 152 ) 및 상기 제 1 반도체 막 ( 170 ) 은 , 도시 된 것 처럼 상기 개구부 들 ( 105 ) 각각 의 내부 에 국소 적 으로 배치 되 는 , 매립 패턴 ( 185 ) , 상부 절연 패턴 ( 153 ) , 및 상기 반도체 패턴 ( 175 ) 를 형성 할 수 있 다 . 상기 상부 절연 패턴 ( 153 ) 및 상기 하부 절연 패턴 ( 151 ) 은 수직 패턴 ( 155 ) 을 구성 할 수 있 다 .