반면 에 , 1990 년 대 후반 이후 로 는 , 복수 의 반도체 칩 을 3 차원 적층 함 으로써 매우 작 은 크기 로 될 수 있 는 적층 형 패키지 ( 멀티 칩 패키지 ) 를 개발 해 왔으며 , 스루홀 전극 을 이용 하 는 패키지 를 제안 해 왔 다 ( 예 를 들 어 , 일본 특허 공개 번호 제 10 - 223833 호 참조 ) . 광학 소자 의 웨이퍼 레벨 CSP 는 대략 2000 년 에 검토 되 기 시작 하 였 다 . Koyanagi 등 에 의해 형성 된 유리 + 부착 층 + 이미지 센서 + 스루홀 전극 의 구조 및 실제로 형성 된 구조 의 단면 사진 은 , " "" International Electron Devices Meeting 1999 Technical Digest "" pp ", 879 내지 882 에 설명 되 어 있 다 . 또한 , 미국 특허 번호 제 6 , 489 , 675 호 는 스루홀 전극 과 투광 기판 을 포함 하 는 광학 소자 의 단면 구조 를 개시 하 고 있 다 . 어떠 한 스루홀 전극 에서 도 , 전극 패드 층 은 스루홀 전극 의 하부 에 존재 하 며 , 전극 패드 는 이방성 식각 에 의해 실리콘 으로 형성 된 비아 를 위한 스토퍼 ( stopper ) 로서 기능 한다 .