플라 즈 마 유도 결합 식각 장치 로 Dry Etcher 를 사용 하 였 다 ( 제조사 : DMS , Silicon / metal hybrid etcher ) . 실시 예 1 , 2 및 비 교예 1 내지 4 의 세라믹 에 대하 여 5 mTorr 의 진공도 조건 에서 CF 4 40 sccm + O 2 10 sccm 의 기체 로 500 W 의 플 라즈 마 및 100 W 의 바이어스 를 가하 여 주 었 다 . 이 에 대하 여 플 라즈 마 노출 시간 에 따른 단위 면적 당 무게 감소량 을 측정 하 였 다 .