메모리 블록 들 ( BLK 1 내지 BLKn ) 각각 은 불순물 도핑 영역 들 , 비트 라인 들 , 불순물 도핑 영역 들 과 비트 라인 들 에 전기 적 으로 연결 된 셀 스트링 들 , 셀 스트링 들 에 전기 적 으로 연결 된 워드 라인 들 , 및 셀 스트링 들 에 전기 적 으로 연결 된 셀렉 트 라인 들 을 포함 할 수 있 다 . 셀 스트링 들 각각 은 채널 구조 에 의해 직렬 로 연결 된 메모리 셀 들 및 셀렉 트 트랜지스터 들 을 포함 할 수 있 다 . 셀렉 트 라인 들 각각 은 그 에 대응 하 는 셀렉 트 트랜지스터 의 게이트 전극 으로 이용 되 고 , 워드 라인 들 각각 은 그 에 대응 하 는 메모리 셀 의 게이트 전극 으로 이용 된다 .