기판 상 에 형성 되 는 게이트 , 상기 게이트 를 덮 도록 형성 되 는 게이트 절 연막 , 상기 게이트 절 연막 상 에 상기 게이트 에 대응 하 여 형성 되 는 것 으로 투명 한 산화물 반도체 로 이루어진 채널 층 , 상기 채널 층 의 양측 상 에 형성 되 는 소스 / 드레 인 전극 및 상기 채널 층 과 소스 / 드레 인 전극 을 덮 도록 형성 되 는 보호막 을 포함 하 는 적어도 하나 의 박막 트랜지스터 ; 및