도 3 내지 도 10 을 전반 적 으로 참조 하 여 , 촬상 기반 오버레이 계측 에 적합 한 오버레이 타 겟 이 본 발명 에 따라서 설명 된다 . 일반 적 으로 , 본 발명 의 오버레이 타 겟 은 반도체 웨이퍼 의 2 개 의 연속 적 인 공정 층 들 간 의 오버레이 오 차 를 결정 하 기 위해 사용 될 수 있 다 . 예 를 들 면 , 오버레이 타 겟 은 제 2 반도체 층 과 관련 하 여 제 1 반도체 층 의 정렬 을 측정 하 기 위해 사용 될 수 있 고 , 이때 제 2 층 과 제 1 층 은 연속 적 으로 배치 된다 . 추가 로 , 오버레이 타 겟 은 2 개 이상 의 상이 한 처리 ( 예 를 들 면 , 리 소그 래픽 노광 ) 에 의해 공통 반도체 층 위 에 형성 된 2 개 의 구조물 간 의 정렬 오차 를 결정 하 기 위해 사용 될 수 있 다 . 예 를 들 면 , 오버레이 타 겟 은 제 2 패턴 과 관련 하 여 제 1 패턴 의 정렬 을 측정 하 기 위해 사용 될 수 있 고 , 이때 제 1 패턴 과 제 2 패턴 은 동일 한 반도체 층 에 형성 된 연속 적 인 패턴 이 다 .