여기 서 , 제 1 전극 층 ( 204 ) 과 중첩 된 제 2 전극 층 ( 210 ) 은 플로팅 게이트 ( floating gate ) 로 기능 하 며 , 나머지 제 2 전극 층 ( 211 ) 은 액세스 게이트 ( Access gate ) 로 기능 한다 . 이 경우 , 상기 플로팅 게이트 ( floating gate , 107 a ) 는 상기 터널 산화 막 ( 208 ) 을 덮 도록 형성 한다 .