실시 예 에서 , 저 장소 ( 5 c ) 와 같 은 내부 격실 , 반응 셀 챔버 ( 5 b 31 ) , 노즐 ( 307 ) , MHD 채널 ( 308 ) , MHD 응축 섹션 ( 309 ) 및 다른 MHD 변환기 구성 요소 , 예컨대 임의 의 복귀 라인 ( 310 a ) , 도관 ( 313 a ) 및 펌프 ( 312 a ) 를 포함 하 는 SunCell ® 및 MHD 변환기 의 적어도 하나 의 구성 요소 는 가스 밀봉 하우징 또는 챔버 에 수용 되 며 , 챔버 내 의 가스 는 가스 투과성 및 은 증기 불 투과성 막 을 가로 질러 확산 함 으로써 내부 셀 가스 와 평형 을 이룬다 . 가스 선택 적 막 은 본 개시 의 하나 와 같 은 반투과성 세라믹 을 포함 할 수 있 다 . 셀 가스 는 수소 , 산소 및 아르곤 또는 헬륨 과 같 은 귀 가스 중 적어도 하나 를 포함 할 수 있 다 . 외부 하우징 은 각각 의 가스 에 대한 압력 센서 를 포함 할 수 있 다 . SunCell ® 은 각각 의 가스 에 대한 소스 및 제어기 를 포함 할 수 있 다 . 아르곤 과 같 은 귀 가스 의 소스 는 탱크 를 포함 할 수 있 다 . 수소 및 산소 중 적어도 하나 의 소스 는 고압 전해조 와 같 은 전해조 를 포함 할 수 있 다 . 가스 제어기 는 유량 제어기 , 가스 조절기 및 컴퓨터 중 적어도 하나 를 포함 할 수 있 다 . 하우징 내 의 가스 압력 은 저 장소 , 반응 셀 챔버 및 MHD 변환기 구성 요소 와 같 은 셀 내부 의 각각 의 가스 의 가스 압력 을 제어 하 도록 제어 될 수 있 다 . 각각 의 가스 의 압력 은 약 0 . 1 Torr 내지 20 atm 의 범위 일 수 있 다 . 도 102 내지 도 118 에 도시 된 예시 적 인 실시 예 에서 , 직선형 MHD 채널 ( 308 ) 및 MHD 응축 섹션 ( 309 ) 은 가스 하우징 ( 309 b ) , 압력 게이지 ( 309 c ) , 그리고 가스 입 구 라인 , 가스 출구 라인 및 플랜지 를 포함 하 는 가스 공급 및 배출 조립 체 ( 309 e ) 를 포함 하 며 , 여기 서 가스 투과성 막 ( 309 d ) 은 MHD 응축 섹션 ( 309 ) 의 벽 에 장착 될 수 있 다 . 마운트 는 소결 조인트 , 금속화 세라믹 조인트 , 브레 이징 조인트 또는 본 개시 의 다른 것 을 포함 할 수 있 다 . 가스 하우징 ( 309 b ) 은 액세스 포트 를 더 포함 할 수 있 다 . 가스 하우징 ( 309 b ) 은 SS 625 와 같 은 내산 화성 금속 과 같 은 금속 또는 몰리브덴 과 같 은 적합 한 CTE 의 금속 상 의 이리듐 코팅 과 같 은 내산 화성 코팅 을 금속 상 에 포함 할 수 있 다 . 대안 적 으로 , 가스 하우징 ( 309 b ) 은 지르 코니 아 , 알루미나 , 마그네시아 , 하프 니 아 , 석영 또는 본 발명 의 다른 것 과 같 은 금속 산화물 세라믹 과 같 은 세라믹 을 포함 할 수 있 다 . MHD 복귀 도관 ( 310 ) 과 같 은 금속 가스 하우징 ( 309 b ) 을 통한 세라믹 관 통부 는 냉각 될 수 있 다 . 관 통부 는 탄소 시일 을 포함 할 수 있 으며 , 여기 서 시일 온도 는 금속 의 탄화 온도 및 세라믹 의 탄소 환원 온도 보다 더 낮 다 . 고온 용융 금속 이 냉각 되 도록 시일 이 제거 될 수 있 다 . 시일 은 수동 또는 강제 공기 또는 수 냉과 같 은 냉각 을 포함 할 수 있 다 .