이 와 같이 , 절연 기판 ( 110 ) 상 에 게이트 전극 ( 101 a ) 과 제 1 스토리지 전극 ( 106 ) 이 형성 되 면 , 게이트 절 연막 ( 102 ) 을 형성 하 고 상기 게이트 절 연막 ( 102 ) 상 에 오 믹 접촉 층 ( 115 ) 과 채널 층 ( 114 ) 으로 된 액티브 층 을 형성 한다 . 또한 , 액티브 층 상 에 는 데이터 배선 ( 105 ) , 소스 전극 ( 117 a ) 및 드레 인 전극 ( 117 b ) 이 형성 된다 . 상기 소스 전극 ( 117 a ) 및 드레 인 전극 ( 117 b ) 이 형성 된 절연 기판 ( 110 ) 상 에 는 보호막 ( 119 ) 이 형성 되 어 있 고 , 보호막 ( 119 ) 상 에 는 화소 전극 ( 107 a ) 이 형성 되 어 있 다 . 화소 전극 ( 107 a ) 은 드레 인 전극 ( 117 b ) 상부 에 형성 된 콘 택 홀 을 통해 드레 인 전극 ( 117 b ) 과 전기 적 으로 연결 되 어 있 다 .