상기 제 1 보호막 ( 20 ) 및 제 1 캡 핑 층 ( 30 ) 을 구성 하 는 물질 인 ( ZnS ) 1 - x ( SiC ) x , W 1 - xCx , Ta 1 - xCx 및 Mo 1 - xCx 은 각각 상기 광산 란 박막 ( 40 ) 을 구성 하 는 물질 , 즉 ( MC ) 1 - xMx 와 결정 구조 가 동일 하 고 결정 상수 가 거의 같 으므로 , 상기 광산 란 박막 ( 40 ) 의 에피 택 셜 ( epitaxial ) 성장 이 용이 하 게 이루어질 수 있 다 . 또한 , 상기 광산 란 박막 ( 40 ) 을 구성 하 는 M , 즉 Si , Ta , W 및 Mo 원자 는 각각 매우 짧 은 확산 거리 를 가지 고 있 으므로 낮 은 레이저 파워 에 의하 여도 나노 광산 란 입자 를 생성 하 는 것 이 가능 하 다 .