도 5 a 내지 5 e 는 본 발명 에 따른 질화 갈륨 계 발광 다이오드 및 그 제조 방법 의 제 2 실시 예 를 나타내 는 단면도 로서 , 기판 ( 10 ) 위 에 도핑 되 지 않 은 U - GaN 층 ( 11 ) , N - GaN 층 ( 12 ) , 활성 층 ( 13 ) , P - GaN 층 ( 14 ) , 연결 층 ( 15 ) , 반사 층 ( 16 ) 을 순서 대로 형성 하 여 발광 구조물 을 형성 하 는 단계 ( 도 5 a ) ; 상기 발광 구조물 을 열처리 하 여 , 상기 연결 층 ( 15 ) 을 수축 시킴 으로써 , 상기 연결 층 ( 15 ) 의 상면 으로부터 하 면 까지 관통 되 는 홈 또는 홀 ( 20 ) 을 형성 하 는 단계 ( 도 5 b ) ; 상기 반사 층 ( 16 ) 위 에 전도성 지지 부 ( 30 ) 를 형성 하 는 단계 ( 도 5 c ) ; 상기 기판 ( 10 ) 및 도핑 되 지 않 은 U - GaN 층 ( 11 ) 을 제거 하 는 단계 ( 도 5 d ) ; 및 상기 N - GaN 층 ( 12 ) 의 아래 에 N - 전극 ( 17 ) 을 형성 하 고 , 상기 전도성 지지 부 ( 30 ) 위 에 P - 전극 ( 18 ) 을 형성 하 는 단계 ( 도 5 e ) 를 포함 하 여 이루어진다 .