또한 , 상기 제 2 단계 는 초기 화 박막 공정 이 완료 된 기판 의 위치 별 박막 두께 를 근거 로 기준 박막 두께 와 차이 가 발생 되 는 비 균일 영역 을 설정 하 는 단계 와 , 비 균일 영역 에 해당 하 는 그리드 전극 별 전극 라인 을 추출 하 는 단계 , 해당 비 균일 영역 의 박막 두께 가 기준 박막 두께 를 갖 도록 추출 된 전극 라인 에 대한 초기 전원 정보 를 변경 함 으로써 , 기준 전원 정보 를 생성 하 는 단계 를 포함 하 여 구성 되 는 것 을 특징 으로 하 는 반도체 공정 시스템 용 그리드 장치 를 이용 한 박막 공정 방법 이 제공 된다 .