PRAM 을 구성 하 는 메모리 셀 은 트랜지스터 구조 와 다이오드 구조 를 분류 된다 . 트랜지스터 구조 의 메모리 셀 은 상변화 물질 층 과 트랜지스터 를 직렬 연결 한 메모리 셀 이 고 , 다이오드 구조 의 메모리 셀 은 상변화 물질 층 과 다이오드 를 직렬 연결 한 메모리 셀 이 다 . 다이오드 구조 를 갖 는 메모리 셀 은 트랜지스터 구조 를 갖 는 메모리 셀 에 비하 여 고집 적 화 , 고속 화 및 저 전력화 등 의 장점 을 갖 는다 .