일 실시 예 에 따르 면 , 제 1 도전 층 의 제 1 게이트 전극 ( 310 ) 은 제 1 활성 층 ( 350 ) 과 중첩 하 는 위치 에서 제 1 산화물 층 ( 370 ) 상 에 배치 되 고 , 제 2 게이트 전극 ( 410 ) 은 제 2 활성 층 ( 450 ) 과 중첩 하 는 위치 에서 제 1 게이트 절 연막 ( 130 ) 상 에 배치 된다 . 즉 , 제 1 도전 층 은 하 면 이 제 1 산화물 층 ( 370 ) 과 접촉 하 는 제 1 게이트 전극 ( 310 ) 및 하 면 이 제 1 게이트 절 연막 ( 130 ) 과 접촉 하 는 제 2 게이트 전극 ( 410 ) 을 포함 할 수 있 다 . 상술 한 바 와 같이 , 구동 트랜지스터 ( DRT ) 는 제 1 활성 층 ( 350 ) 과 제 1 게이트 전극 ( 310 ) 사이 에 배치 되 는 제 1 산화물 층 ( 370 ) 을 포함 하 여 넓 은 범위 의 구동 전압 확보 가 가능 하 다 . 반면 에 제 1 스위칭 트랜지스터 ( SCT ) 는 구동 트랜지스터 ( DRT ) 와 달리 제 2 활성 층 ( 450 ) 과 제 2 게이트 전극 ( 410 ) 사이 에 제 1 산화물 층 ( 370 ) 이 배치 되 지 않 고 , 큰 함량 의 수소 ( H ) 를 포함 하 여 전자 이동도 를 확보 할 수 있 다 . 이 에 대한 설명 은 상술 한 바 , 자세 한 설명 은 생략 하 기 로 한다 .