그리고 , 씨 모스 ( CMOS ) 소자 는 엔 모스 ( NMOS ) 와 피 모스 ( PMOS ) 영역 에서 모두 N + 폴리 실리콘 게이트 를 형성 하 여 왔 는데 , 이 경우 , 엔 모스 소자 는 표면 채널 ( Surface Channel ) 특성 을 갖 는 반면 , 피 모스 소자 는 카운트 도핑 ( Count Doping ) 에 의해 매몰 채널 ( Buried Channel ) 특성 을 갖 는다 .