발광 구조물 ( 170 ) 은 제 1 도전 형 반도체 층 ( 172 ) , 활성 층 ( 174 ) , 및 제 2 도전 형 반도체 층 ( 176 ) 을 포함 할 수 있 다 . 발광 구조물 ( 170 ) 은 기판 ( 180 A ) 과 제 1 및 제 2 리드 프레임 ( 122 , 124 ) 사이 에 배치 될 수 있 다 . 기판 ( 180 A ) 으로부터 제 1 및 제 2 리드 프레임 ( 122 , 124 ) 방향 으로 즉 , + z 축 방향 으로 제 1 도전 형 반도체 층 ( 172 ) , 활성 층 ( 174 ) 및 제 2 도전 형 반도체 층 ( 176 ) 이 순차 적 으로 적층 되 어 형성 될 수 있 다 .