메모리 디바이스 ( 400 ) 는 메모리 부분 ( 410 ) 및 제 어 회로 부분 ( 415 ) 을 포함 할 수 있 다 . 메모리 디바이스 ( 400 ) 의 메모리 부분 ( 410 ) 은 메모리 셀 의 어레이 및 메모리 셀 의 어레이 를 위한 지원 회로 부 , 예 를 들 어 , 디코더 및 감지 증폭기 를 포함 할 수 있 다 . 일부 경우 들 에서 , 메모리 부분 ( 410 ) 은 디코더 를 포함 하 는 메모리 디바이스 ( 400 ) 의 면적 을 지칭 할 수 있 다 . 제 어 회로 부분 ( 415 ) 은 메모리 디바이스 ( 400 ) 에 관련 된 다른 컴포넌트 들 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 제 어 회로 부분 ( 415 ) 는 도면 들 1 및 2 를 참고 로 하 여 설명 된 메모리 제어기 ( 140 ) 또는 입력 / 출력 ( 135 ) 시스템 을 포함 할 수 있 다 . 일부 경우 들 에서 , 제 어 회로 부분 ( 415 ) 은 일부 유형 의 디코더 를 포함 하 지 않 을 수 있 거나 또는 특정 유형 디코더 를 배타 적 일 수 있 는 메모리 디바이스 ( 400 ) 의 면적 을 지칭 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 제 어 회로 부분 ( 415 ) 은 로우 디코더 , 컬럼 디코더 , 감지 증폭기 , 또는 이 들 의 조합 을 제외 할 수 있 다 . 일부 예 에서 , 제 어 회로 부분 ( 415 ) 는 다른 유형 의 디코더 , 예 를 들 어 , 플레이트 라인 디코더 를 포함 할 수 있 다 .