도 3 과 관련 하 여 , 건식 식각 프로세스 가 기판 ( 110 ) 을 프로세싱 챔버 ( 100 ) 내측 으로 위치 시킴 으로써 시작 된다 . 기판 은 통상 적 으로 슬릿 밸브 개구 ( 160 ) 를 통해 챔버 바디 ( 112 ) 내측 으로 위치 되 며 지 지 부재 ( 310 ) 의 상부 표면 상 에 배치 된다 . 기판 ( 110 ) 은 지지 부재 ( 310 ) 의 상부 표면 에 척 킹 ( chucked ) 될 수 있 다 . 바람직 하 게 , 기판 ( 110 ) 이 진공 을 당김 ( pulling ) 으로써 지지 부재 ( 310 ) 의 상부 표면 에 척 킹 된다 . 그 후 , 지지 부재 ( 310 ) 는 , 이미 프로세싱 위치 에 있 지 않 다면 , 챔버 바디 ( 112 ) 내 의 프로세싱 위치 로 상승 된다 . 챔버 바디 ( 112 ) 는 바람직 하 게 는 약 50 ℃ 내지 약 80 ℃ 의 범위 내 , 예 를 들 어 약 65 ℃ 의 온도 로 가열 된다 . 챔버 바디 ( 112 ) 의 이러 한 온도 는 채널 ( 113 ) 을 통하 여 열 전달 매체 를 통과 시킴 으로써 유지 된다 .