갈륨 나이트 라이드 ( GaN ) 와 공기 의 반사 계수 는 각각 2 . 5 와 1 로 , 이 로 인해 　 인듐 　 갈륨 나이트 라이드 - 갈륨 나이트 라이드 ( InGaN - GaN ) 　 흡착 영역 에 생성 된 　 광 은 약 23 도 의 임계각 을 전파 해 내 기에 충분 하 다 . 이 는 갈륨 나이트 라이드 ( GaN ) 기 발광 다이오드 의 외부 양자 효율 을 대폭 제한 시키 며 , 이 로 인해 , 외부 양자 효율 의 향상 은 LED 발광 강도 향상 에 있 어서 아주 중요 하 다 .