( 봉합 재 층 ( 604 및 616 ) 또는 태양 디바이스 ( 600 ) 의 다른 세트 의 디바이스 층 에 표면 매립 ) 전기 도전 성 첨가제 는 광활 성 층 ( 610 ) 과 전기 적 으로 접촉 하 거나 전기 적 으로 연결 될 수 있 다 . 몇몇 실시 예 에서 , 광활 성 층 ( 610 ) 은 버퍼 ( buffer ) 층 을 포함 할 수 있 고 , 전기 도전 성 첨가제 는 광활 성 층 ( 610 ) 의 버퍼 층 과 전기 적 으로 접촉 하 거나 전기 적 으로 연결 될 수 있 다 . ( 션트 방지 ( anti - shunting ) 층 , 또는 션트 저항 층 이 라고 도 불리 는 ) 버퍼 층 은 대략 500 Ω . ㎠ 이하 의 션트 저항 을 가진 것 과 같 은 , 태양 디바이스 의 션트 저항 을 증가 시키 거나 수정 하 는 역할 을 할 수 있 다 . 낮 은 션트 저항 은 종종 물리 적 결함 ( 예컨대 , 광활 성 재료 의 누락 ) , 높 은 도전율 의 영역 을 가진 나쁘 게 성장 된 재료 , 또는 이 들 의 조합 으로 인해 발생 할 수 있 다 . 낮 은 션트 저항 은 종종 큰 암 전류 를 일으킬 수 있 어 , 낮 은 충전율 ( fill factor ) , 및 낮 은 개회로 전압 을 야기 한다 . 버퍼 층 은 원 하 지 않 은 방향 으로 의 전류 의 누수 를 방지 하 기 위한 얇 은 절연 또는 저항 층 으로 구현 될 수 있 다 . 태양 디바이스 가 조명 될 때 , 발생 되 는 결과 적 인 전압 은 낮 은 또는 중간 정도 의 직렬 저항 증가 와 함께 버퍼 층 을 통해 전하 캐리어 가 터널 링 하 기 에 충분 할 수 있 다 . 버퍼 층 의 예 는 CIGS 및 CdTe 태양 디바이스 내 의 CdS 층 , CIGS 태양 디바이스 내 의 CdS 와 ZnO : Al 층 사이 에 배치 된 ZnO ( i ) 층 , 및 CdTe 태양 디바이스 내 의 ZnO ( i ) 또는 Sn 02 층 을 포함 한다 . ZnO ( i ) 층 의 다른 목적 은 ZnO : Al 층 의 증착 동안 스퍼터링 손상 에 대한 내성 을 포함 한다 . 버퍼 층 의 추가 적 인 예 는 표면 캐리어 재결합 을 방지 하 는 실리콘 태양 전지 내 의 Si 02 또는 Si 3 N 4 수동 화 ( passivization ) 층 을 포함 한다 . 물리 적 결함 의 경우 , 나노 와 이워 형태 와 같 은 첨가제 는 이러 한 결함 의 가교 역할 을 할 수 있 다 . 첨가제 는 또한 투명 금속 산화물 층 또는 매칭 하 는 작동 기능 을 제공 하 는 다른 전기 도전 층 과 전기 적 으로 접촉 하 거나 전기 적 으로 연결 될 수 있 다 . 또한 , 버퍼 층 이 광활 성 층 ( 610 ) 과 분리 된 층 으로 구현 될 수 있 고 , 전기 도전 성 첨가제 가 별개 의 버퍼 층 과 전기 적 으로 접촉 하 거나 전기 적 으로 연결 될 수 도 있 음 이 예상 된다 .