게이트 전극 ( G 1 , G 6 ) 을 덮 도록 제 2 게이트 절연 층 ( 113 ) 이 구비 될 수 있 다 . 제 2 게이트 절연 층 ( 113 ) 은 실리콘 산화물 ( SiO 2 ) , 실리콘 질화물 ( SiNx ) , 실리콘 산질 화물 ( SiON ) , 알루미늄 산화물 ( Al 2 O 3 ) , 티타늄 산화물 ( TiO 2 ) , 탄탈 산화물 ( Ta 2 O 5 ) , 하프늄 산화물 ( HfO 2 ) , 또는 아연 산화물 ( ZnO 2 ) 등 을 포함 할 수 있 다 .