도 4 를 참조 하 면 , 산화 공정 을 진행 하 여 트렌치 ( 105 ) 를 포함 한 전체 구조 상 에 월 산화 막 ( 106 ) 을 형성 한다 . 월 산화 막 ( 106 ) 은 트렌치 식각 공정 시 발생 하 는 식각 데미지 를 완화 시키 며 액티브 영역 의 CD 를 감소 시키 기 위하 여 형성 한다 . 월 산화 막 ( 106 ) 은 레디 컬 산화 방식 으로 플로팅 게이트 용 도전 막 ( 102 ) 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 월 산화 막 ( 106 ) 은 30 내지 50 Å 의 두께 로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 이 후 , 월 산화 막 ( 106 ) 을 포함 한 전체 구조 상 에 라이너 산화 막 ( 107 ) 을 형성 한다 . 라이너 산화 막 ( 107 ) 은 PE - CVD 방식 을 이용 하 여 400 ~ 700 ℃ 온도 범위 내 에서 약 600 ~ 1200 Å 정도 의 두께 로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 이 후 , 라이너 산화 막 ( 107 ) 을 포함 한 전체 구조 상 에 SOD 물질 을 코팅 하 여 트렌치 ( 105 ) 내부 가 채워지 는 SOD 막 ( 108 ) 을 형성 한다 . 이 후 , 큐어 링 공정 을 실시 한다 .