메모리 장치 는 함께 결합 되 어 솔리드 스테이트 드라이브 ( SSD ) 를 형성 할 수 있 다 . 솔리드 스테이트 드라이브 는 , 다른 여러 종류 의 비 - 휘발 성 및 휘발 성 메모리 중 에서 , 비 - 휘발 성 메모리 , 예컨대 NAND 플래시 메모리 및 NOR 플래시 메모리 를 포함 할 수 있 으며 , 및 / 또는 휘발 성 메모리 , 예컨대 , DRAM 및 SRAM 을 포함 할 수 있 다 . 질화물 층 내 전하 트랩 내 에 정보 를 저장 하 는 반도체 - 산화물 - 질화물 - 산화물 - 반도체 및 금속 - 산화물 - 질화물 - 산화물 - 반도체 커패시터 구 조체 를 사용 하 는 플로팅 게이트 플래시 장치 및 전하 트랩 플래시 ( charge trap flash , CTF ) 장치 를 포함 하 는 플래시 메모리 장치 가 광범위 한 전자 부품 용 비 - 휘발 성 메모리 로서 사용 될 수 있 다 . 플래시 메모리 장치 는 전형 적 으로 높 은 메모리 밀도 , 높 은 신뢰도 , 및 낮 은 전력 소모 를 가능 하 게 하 는 단일 - 트랜지스터 메모리 셀 ( one - transistor memory cell ) 을 사용 한다 .