홀 ( H ) 내 에 는 홀 ( H ) 의 측벽 상 에 형성 되 는 가변 저항 층 ( 350 ) , 및 가변 저항 층 ( 350 ) 이 형성 된 홀 ( H ) 을 매립 하 는 비트 라인 ( 360 ) 이 배치 될 수 있 다 . 비트 라인 ( 360 ) 은 제 1 방향 으로 연장 하 는 제 1 워드 라인 ( 310 ) 을 공유 하 면서 제 1 방향 과 수직 한 방향 에서 제 1 워드 라인 ( 310 ) 의 양측 에 배치 될 수 있 고 , 제 2 방향 으로 연장 하 는 제 2 워드 라인 ( 320 ) 을 공유 하 면서 제 2 방향 과 수직 한 방향 에서 제 2 워드 라인 ( 320 ) 의 양측 에 배치 될 수 있 고 , 제 3 방향 으로 연장 하 는 제 3 워드 라인 ( 330 ) 을 공유 하 면서 제 3 방향 과 수직 한 방향 에서 제 3 워드 라인 ( 330 ) 의 양측 에 배치 될 수 있 다 . 가변 저항 층 ( 350 ) 은 , 비트 라인 ( 360 ) 의 측벽 을 둘러싸 면서 수직 방향 으로 연장 하 는 원통 형상 을 가질 수 있 다 .