본 개시 에서 , " 용어 "" 단차 "" 는 기판 내 에 형성 된 트렌치 를 포함 하나 이 에 제한 되 지 않 는 임의 의 오목 및 / 또는 볼록 패턴 을 지칭 하 고 ", 일부 구 현예 에서 , 트렌치 는 약 10 nm 내지 약 50 nm ( 전형 적 으로 약 15 nm 내지 약 30 nm ) 의 폭 ( 여기 서 , 트렌치 의 길이 가 실질 적 으로 폭 과 동일 한 경우 , 이 는 홀 / 비아 로 지칭 되 며 , 이 들 의 직경 은 약 10 nm 내지 약 50 nm 임 ) , 약 30 nm 내지 약 200 nm ( 전형 적 으로 약 50 nm 내지 약 150 nm ) 의 깊이 , 및 약 3 내지 약 20 ( 전형 적 으로 약 3 내지 약 10 ) 의 종횡비 를 갖 는다 . 일부 구 현예 에서 , 실리콘 옥사이드 막 은 약 70 % 내지 약 100 %( 전형 적 으로 80 % 이상 , 보다 전형 적 으로 90 % 이상 ) 의 등각 성 을 갖 되 , " "" 등 각성 "" 은 리세 스 의 측벽 또는 하부 상 의 일부 포인트 ( 통상 단면도 에서 중간 포인트 ) 에 증착 된 막 두께 를 리세 스 바로 바깥 의 평평 한 표면 상 에 증착 된 막 두께 와 비교 함 으로써 결정 된다 . "