추가 적 인 실시 예 들 은 하나 이상 의 프로세스 챔버 들 에서 실리콘 - 함유 기판 을 처리 하 기 위한 프로세스 를 제공 하 고 , 상기 프로세스 는 기판 표면 의 적어도 일부 상 에 도 펀트 들 의 층 을 증착 하 는 단계 ; 도 펀트 층 의 적어도 일부 위 에 캡 핑 층 을 형성 하 는 단계 ; 기판 내 로 도 펀트 들 을 확산 시키 고 도 펀트 들 을 활성 화 하 기 위해 기판 을 열처리 하 는 단계 ; 프로세스 챔버 들 중 적어도 하나 에 반응 성 에 천 트 를 제공 하 는 단계 ; 도 펀트 층 으로부터 캡 핑 층 을 제거 하 는 단계 ; 도 펀트 들 과 에 천 트 를 반응 시킴 으로써 하나 이상 의 휘발 성 화합물 들 을 형성 하 는 단계 ; 및 하나 이상 의 프로세스 챔버 들 로부터 하나 이상 의 휘발 성 화합물 들 을 제거 하 는 단계 를 포함 한다 .