ILD ( 78 ) , 에칭 정지 층 ( 76 ) , 및 / 또는 하드 마스크 ( 58 ) 가 실리콘 을 포함 하 지 않 거나 , 실리콘 을 포함 하 지만 실리콘 원자 백분율 을 무시 할 만 한 대안 적 인 실시 예 에 따라서 , 플라 즈 마 처리 공정 ( 70 ') 전 에 열 소 킹 공정 이 수행 된다 . 도 25 에 도시 된 공정 흐름 ( 200 ) 에서 각 공정 은 공정 ( 235 ) 으로서 도시 되 어 있 다 . 공정 ( 235 ) 은 , 해당 공정 이 수행 될 수 있 거나 건너뛰 어 질 수 있 다는 것 을 나타내 기 위해 , 파선 상자 를 사용 하 여 도시 되 어 있 다 . 공정 조건 은 도 12 의 열 소 킹 공정 ( 66 ) 의 공정 조건 과 유사 할 수 있 으며 , 따라서 여기 서 는 반복 하 지 않 는다 . ILD ( 78 ) , 에칭 정지 층 ( 76 ) , 및 하드 마스크 ( 58 ) 를 포함 하 는 유전체 층 과 SiN 층 ( 72 ') 사이 에 , 도 12 에 도시 된 바 와 같 은 실리콘 층 ( 68 ) 과 유사 한 실리콘 층 을 형성 한다는 것 을 제외 하 면 , 결과 적 인 구조물 은 , 도 16 에 도시 된 것 과 유사 하 다 . 확산 으로 인해 , 실리콘 층 은 , ILD ( 78 ) , 에칭 정지 층 ( 76 ) , 및 하드 마스크 ( 58 ) 와 같 은 , 인접 한 층 과 실리콘 의 화합물 의 형태 일 것 이 다 . 대응 하 는 부분 의 화합물 의 실리콘 원자 백 분 율 이 ILD ( 78 ) , 에칭 정지 층 ( 76 ) , 및 / 또는 하드 마스크 ( 58 ) 중 임의 의 하나 의 실리콘 원자 백 분 율 보다 더 높 을 때 , 실리콘 층 의 부분 은 관찰 가능 할 수 있 다 . SiN 층 ( 72 ') 내 의 실리콘 원자 백 분 율 및 ILD ( 78 ) , 에칭 정지 층 ( 76 ) , 및 하드 마스크 ( 58 ) 내 의 실리콘 원자 백 분 율 이 높 다면 , 실리콘 층 은 관찰 가능 하 지 않 을 수 있 다 . 본 개시 의 일부 실시 예 에 따라서 , 플라 즈 마 처리 후 에 , 성막 된 실리콘 층 은 SiN 층 ( 72 ') 으로 변환 된다 . 이 들 실시 예 에 따른 SiN 층 ( 72 ') 은 콘택트 플러그 ( 74 ) 및 게이트 전극 ( 54 ) 의 상단 표면 상 에서 연장 될 수 있 다 .