이어서 , 커버 층 에 캐 비 티 들 ( 31 , 32 ) 이 형성 되 고 ( 도 3 참조 ) , 이 는 커버 층 의 광 구조 화 를 이용 하 여 수행 된다 . 기본 적 으로 , 단일 의 캐비 티 만 형성 될 수 도 있 다 . 캐 비 티 의 형성 을 위해 , 광 구조 화 가능 한 물질 의 제거 될 부분 들 이 조사 된다 . 물론 , 대안 적 으로 , 광 에 의해 구조 화 되 되 , 광 구조 화 시 제거 되 지 않 을 부분 들 이 조사 되 어야 하 는 물질 이 사용 될 수 도 있 다 . 기본 적 으로 서로 다른 광 구조 화성 물질 들 이 서로 조합 될 수 있 다 . 커버 층 ( 21 ) 은 예 를 들 면 캐 비 티 들 ( 31 , 32 ) 이 구비 된 영역 들 에서 마스크 를 이용 하 여 적합 한 파장 의 전자기 복사 에 의해 조사 된다 .