도 2 g 를 참조 하 면 , 상기 스 페이서 막 ( 250 ) 이 형성 된 기판 ( 200 ) 결과물 에 대해 이온 주입 공정 을 수행 하 여 상기 게이트 ( 240 ) 양측 의 실리콘 에 피층 ( 230 ) 을 포함 한 실리콘 층 ( 220 ) 내 에 상승 된 ( Elevated ) 구조 를 갖 는 소오 스 / 드레 인 영역 ( 260 ) 을 형성 한다 . 상기 상승 된 구조 를 갖 는 소오 스 / 드레 인 영역 ( 260 ) 은 상기 산화 막 ( 210 ) 과 접하 지 않 는 깊이 로 형성 함 이 바람직 하 다 .