본 발명 에 따른 기판 처리 장치 는 제 1 확산 공간 및 제 2 확산 공간 을 형성 하 는 확산 플레이트 및 분사 플레이트 에서 제 1 확산 공간 이 처리 공간 과 연통 하 도록 제 1 분 사공 이 형성 된 분사 돌기 를 확산 플레이트 에 돌출 형성 하 고 각 분사 돌기 가 삽입 되 는 끼움 공 을 분사 플레이트 에 형성 함 으로써 제 1 확산 공간 에서 의 제 1 가스 와 제 2 확산 공간 에서 의 제 2 가스 가 혼합 될 우려 없이 처리 공간 으로 의 분사 를 가능 케 함 으로써 보다 원활 한 기판 처리 를 가능 하 게 하 는 이점 이 있 다 .