등방성 식각 의 결과물 로서 , 마스크 패턴 ( PRT ) 의 개구 ( OP ) 아래 에 언더컷 ( UCP ) 프로파일 이 형성 될 수 있 다 . 그 에 따라 , 마스크 패턴 ( PRT ) 의 개구 ( OP ) 보다 넓 은 폭 의 하부 구조물 이 노출 될 수 있 다 . 즉 , 일부 제거 된 리프트 오프 층 ( LOL ) 의 패턴 에 의해 제 1 전극 ( 161 ) 과 그 주변 의 뱅크 층 ( 115 ) 의 일부 가 노출 될 수 있 다 .