그런데 , IC 칩 은 열팽창 계수 가 2 . 0 ppm / ℃∼ 5 . 0 ppm / ℃ 정도 인 반도체 재료 ( 예 를 들 면 실리콘 등 ) 를 사용 하 여 형성 되 고 있 다 . 한편 , 다층 배선 기판 은 전체 의 열팽창 계수 가 30 ppm / ℃ 정도 인 수지 재료 등 을 사용 하 여 형성 되 고 있 기 때문 에 , IC 칩 보다 도 열팽창 계수 가 크 게 되 어 있 다 . 그 결과 , IC 칩 과 다층 배선 기판 의 접속 에 사용 한 솔 더 가 냉각 될 때 에 , IC 칩 의 재료 와 다층 배선 기판 의 재료 의 열팽창 계수 의 차이 ( 이하 , " 간단히 "" 열팽창 계수 차 ( 熱 膨脹 係數 差 ) "" 라고도 한다 ) 에 기인 하 는 열응력 의 영향 을 받 음 으로써 접속 부분 에 크랙 이 발생 하 여 오픈 불량 등 이 쉽 게 생기 게 된다는 문제 가 있 다 . 즉 ", 상기 한 바 와 같 은 다층 배선 기판 을 구성 한 경우 , 높 은 생산 수율 이나 신뢰 성 을 실현 할 수 없 다는 문제 가 생긴다 .