제 1 박막 트랜지스터 ( TFT 1 ) 의 게이트 전극 ( GE 1 ) 과 동일 층 에 스토리지 커패시터 ( Cst ) 의 제 1 전극 ( CE 1 ) 및 부스트 커패시터 ( Cbt ) 의 제 3 전극 ( CE 3 ) 이 배치 될 수 있 다 . 스토리지 커패시터 ( Cst ) 의 제 1 전극 ( CE 1 ) 및 부스트 커패시터 ( Cbt ) 의 제 3 전극 ( CE 3 ) 은 제 1 박막 트랜지스터 ( TFT 1 ) 의 게이트 전극 ( GE 1 ) 과 동일 물질 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 스토리지 커패시터 ( Cst ) 의 제 1 전극 ( CE 1 ) 및 부스트 커패시터 ( Cbt ) 의 제 3 전극 ( CE 3 ) 은 몰리브덴 ( Mo ) , 구리 ( Cu ) , 티타늄 ( Ti ) 등 을 포함 하 며 단층 또는 다층 으로 이루어질 수 있 다 .