도 1 은 일실 시예 에 따른 원격 플 라즈 마 세정 장치 를 포함 하 는 평행 - 플레이트 플라 즈 마 강화 화학 기상 증착 ( plasem enhaced chemical vapor deposition , PECVD ) 장치 ( 180 ) 를 도시 한다 . 다른 플 라즈 마 CVD 장치 들 이 또한 이용 될 수 있 음 을 이해 할 수 있 다 . 플라 즈 마 CVD 장치 ( 180 ) 는 막 들 을 형성 하 거나 제거 하 기 위하 여 이용 될 수 있 고 , 또는 기판 ( 1 ) 의 표면 을 개선 하 기 위하 여 이용 될 수 있 다 . 플라 즈 마 CVD 장치 ( 180 ) 는 유리 기판 또는 실리콘 기판 과 같 은 기판 ( 1 ) 을 그 상 에 배치 하 는 서 셉 터 ( 105 , susceptor ) 를 하우징 하 는 반응 챔버 ( 102 ) 를 포함 한다 . 반응 챔버 ( 102 ) 의 일 측벽 에 는 배기구 ( 125 ) 가 있 다 . 평행 - 플레이트 CVD 장치 에 있 어서 , 서 셉 터 ( 105 ) 는 하부 전극 으로 기능 한다 . 서 셉 터 ( 105 ) 는 세라믹 또는 알루미늄 합금 , 또는 기판 들 을 지지 하 도록 통상 적 으로 이용 되 는 모든 물질 로 구성 될 수 있 다 . 서 셉 터 ( 105 ) 가 인 - 싯 츄 플라 즈 마 발생기 의 전극 으로 이용 되 는 경우 에 는 , 이용 된 물질 은 전극 의 전도성 기능 들 과 부합 되 어야 한다 . 이러 한 경우 에 있 어서 , 서 셉 터 ( 105 ) 는 전기 적 으로 접지 되 는 것 이 바람직 하 다 . 일부 실시 예 들 에 있 어서 , 서 셉 터 ( 105 ) 및 기판 ( 1 ) 을 가열 하 기 위하 여 이용 된 저항성 가열 장치 가 서 셉 터 ( 105 ) 내 에 장착 된다 . 다른 실시 예 들 에 있 어서 , 서 셉 터 ( 105 ) 및 기판 ( 1 ) 을 가열 하 기 위하 여 복사 가열 램프 가 이용 된다 . 가열 장치 들 의 다른 형태 들 및 조합 들 이 이용 될 수 있 고 , 가열 의 특정 한 방법 은 본 발명 의 주요 한 사항 이 아닌 것 을 이해 할 수 있 다 .