또 다른 실시 예 에서 , 기판 을 프로세싱 하 기 위한 챔버 가 개시 된다 . 챔버 는 하부 챔버 부분 을 형성 하 는 하부 챔버 벽 및 상부 챔버 부분 형성 하 는 상부 챔버 벽 을 포함 한다 . 샤워 헤드 가 상부 챔버 부분 에 배치 된다 . 페데 스탈 이 하부 챔버 부분 에 배치 된다 . 페데 스탈 은 기판 이 존재 한다면 , 기판 을 위한 지 지부 를 갖 는다 . 페데 스탈 의 지지 부 는 페데 스탈 의 지지 부 와 샤워 헤드 사이 에 프로세싱 영역 이 형성 되 도록 샤워 헤드 아래 로 배향 되게 구성 된다 . 스 페이서 가 샤워 헤드 와 하부 챔버 벽 사이 에 배치 된다 . 스 페이서 는 수직 컴포넌트 를 포함 하 는 환형 바디 에 의해 형성 된다 . 수직 컴포넌트 는 프로세싱 영역 을 둘러싸 는 측벽 을 형성 한다 . 환형 바디 는 또한 프로세싱 영역 외측 에 배치 되 는 측면 연장 부를 포함 한다 . 측면 연장 부 는 수직 컴포넌트 로부터 방사상 으로 멀 어 지 게 돌출 한다 . 환형 바디 는 측면 연장 부 에 형성 되 는 홈 부를 포함 한다 . 홈 부 는 환형 바디 의 수직 컴포넌트 를 둘러싸 도록 구성 된다 . 가열 엘리먼트 가 측면 연장 부 의 홈 부 에 임 베 딩 된다 .