또한 , 일 실시 예 들 은 복수 의 수직 스트링 들 을 그룹 별로 서로 다른 식각 공정 을 통해 형성 하 는 가운데 , 하나 의 그룹 내 에 포함 되 는 수직 스트링 들 을 동일 한 식각 공정 을 통해 한 번 에 형성 함 으로써 , 제조 공정 을 단순 화 하 는 동시 에 식각 에러 를 최소 화 하 는 3 차원 플래시 메모리 의 제조 방법 을 제안 한다 .