이 를 위해 , 제 1 절 연막 ( 116 ) 은 PSZ 막 에 비해 6 ~ 10 배 정도 의 높 은 식각 선택 비 를 갖 는 고밀 도 플 라즈 마 ( High Density Plasma ; HDP ) 방식 을 이용 한 HDP 산화 막 또는 저압 화 학기 상 증착 ( Low Pressure Chemical Vapor Deposition ; LPCVD ) 방식 을 이용 한 HTO ( High Temperature Oxide ) 막 으로 형성 함 이 바람직 하 다 . 이때 , 제 1 절 연막 ( 116 ) 은 이후 에 형성 될 불순물 을 많이 포함 하 는 PSZ 막 과 터널 절 연막 ( 102 ) 과 의 접촉 을 최대한 억제 할 수 있 도록 150 내지 1500 Å 의 두께 로 형성 할 수 있 다 . 도 1 c 에서 는 제 1 절 연막 ( 116 ) 으로서 HDP 산화 막 을 증착 한 것 을 도시 하 여 설명 하 기 로 한다 .