한편 , 임프 린트 수행 시 제 1 패턴 의 높이 와 수지 층 의 두께 의 차이 에 따라 수지 층 ( 30 ) 상 에 는 잔여 층 ( 34 ) 이 남 게 된다 . 수지 층 ( 30 ) 의 두께 를 정확 하 게 조절 하 기 가 용이 하 지 않 기 때문 에 , 수지 층 ( 30 ) 의 두께 가 제 1 패턴 ( 42 ) 의 높이 보다 두꺼운 경우 에 는 잔여 층 ( 34 ) 이 생기 게 마련 이 다 . 잔여 층 ( 34 ) 은 선격 자 패턴 의 형성 을 방 해 하 므로 반드시 제거 해야 하 며 , 물론 잔여 층 ( 34 ) 은 스탬프 ( 40 ) 를 분리 한 후 에 제거 할 수 있 다 . 잔여 층 제거 방법 으로 는 이방성 식각 이 가능 한 반응 성 이온 식각 ( reactive ion etching ) 법 을 사용 하 는 것 이 바람직 하 다 . 잔여 층 의 재질 은 수지 이 므로 식각 가스 로 는 산소 를 사용 하 면 된다 .