일실 시예 에서 는 본 발명 의 광기 전 셀 에 사용 되 는 4 - 6 족 반도체 나노 결정 들 이 로드 ( rod ) 의 형태 를 취한다 . 즉 , " 나노 로드 ( NR ) 가 된다 . 이 경우 오버 코팅 쉘 이 코어 에 대해 동심 을 이루 지 않 는다 . 본 발명 에서 "" 나노 로드 "" 란 ", 앞서 규정 한 바 와 같이 코어 - 쉘 이나 코어 - 알 로 이 쉘 구조 의 무기 결정질 을 의미 하 는 것 으로서 , 이때 , 오버 코팅 쉘 이나 알 로 이 쉘 이 코어 와 동심 을 이루 지 않 으며 , 그 폭 은 2 ~ 20 nm , 바람직 하 게 는 3 ~ 7 nm 이 며 , 길이 는 엑시톤 의 유효 반경 에 가깝 지만 그 보다 는 크 지 않 다 . 길이 는 나노 로드 재료 에 따라 결정 되 며 , PbSe 의 경우 약 48 nm 이 다 . 이러 한 나노 로드 들 은 본 발명 에 따른 광기 전 셀 에 사용 될 때 , 코어 와 오버 코팅 쉘 간 에 효과 적 으로 전하 를 이격 시키 고 , 이어서 , 집전 전극 으로 경쟁 적 으로 전하 를 추출 한다 .