도 4 및 도 5 를 참조 하 면 , 반도체 소자 의 콘 택 구 조체 제조 방법 은 반도체 기판 ( 21 ) 상 에 초기 하부 절 연막 ( 23 ) 을 형성 하 는 것 을 포함 한다 . 상기 초기 하부 절 연막 ( 23 ) 은 TEOS ( TetraEthlyOrthoSilicate ) 와 같 은 물질 로 형성 된 절 연막 일 수 있 다 . 상기 초기 하부 절 연막 ( 23 ) 은 당업자 에게 잘 열려진 공정 , 예 를 들 면 화학 기상 증착 ( Chemical Vapor Deposition ; CVD ) 법 또는 HDP ( High Density Plasma ) 증착 법 으로 형성 될 수 있 다 .