일 실시 예 에서 , 자기 디바이스 는 제 1 평면 내 의 제 1 합성 반강자성 구조물 ( synthetic antiferromagnetic structure ) 을 포함 한다 . 합성 반강자성 구조물 은 자기 기준 층 을 포함 하 고 , 자기 기준층 은 제 1 평면 에 수직 이 고 고정 된 자화 방향 을 갖 는 자화 벡터 를 갖 는다 . 실시 예 는 또한 제 2 평면 내 에 있 고 자기 기준층 위 에 배치 되 는 비 자기 터널 배리어 층 ( non - magnetic tunnel barrier layer ) 을 포함 한다 . 실시 예 는 제 3 평면 내 에 있 고 비 자기 터널 배리어 층 위 에 배치 되 는 자유 자기 층 을 더 포함 한다 . 자유 자기 층 은 제 3 평면 에 수직 인 자화 벡터 를 갖 고 , 제 1 자화 방향 으로부터 제 2 자화 방향 으로 세차 운동 할 수 있 는 자화 방향 을 갖 는다 . 자기 기준 층 , 비 자기 터널 배리어 층 및 자유 자기 층 은 자기 터널 접합 을 형성 한다 . 실시 예 는 자유 자기 층 위 에 배치 되 는 , 제 4 평면 내 의 비 자기 스 페이서 를 더 포함 한다 . 자기 커플링 층 은 MgO 를 포함 한다 . 일 실시 예 에서 , 자유 자기 층 으로부터 물리 적 으로 분리 되 고 비 자기 스 페이서 에 의해 자유 자기 층 에 커플링 되 는 세차 운동 스핀 전류 자기 구조물 이 제 5 평면 내 에 존재 한다 . 세차 운동 스핀 전류 자기 층 은 임의 의 자기 방향 으로 자유 롭 게 회전 할 수 있 는 , 제 5 평면 내 의 자화 컴포넌트 를 갖 는 자화 벡터 를 갖 는다 . 세차 운동 스핀 전류 자기 층 은 면 심 입방 ( face centered cubic ; fcc ) 결정 구조물 을 갖 는 재료 를 포함 한다 . 실시 예 는 세차 운동 스핀 전류 자기 층 위 에 배치 되 는 , 제 6 평면 내 의 캡 핑 층 ( capping layer ) 을 더 포함 한다 . 전류 가 캡 핑 층 , 세차 운동 스핀 전류 자기 층 , 비 자기 스 페이서 , 자유 자기 층 , 비 자기 터널 배리어 층 및 자기 기준 층 을 통해 전달 되 며 , 전류 의 전자 들 은 세차 운동 스핀 전류 자기 층 의 자기 방향 으로 정렬 된다 . 세차 운동 스핀 전류 자기 층 의 자화 방향 은 자유 자기 층 의 자화 방향 의 세차 운동 을 따르 는데 자유 롭 고 , 이 에 의해 스핀토크 전가 로 하여금 자유 자기 층 의 자화 벡터 의 스위칭 을 보조 하 게 한다 .