또한 , 본 발명 의 탄소 도프 실리콘 단결정 웨이퍼 의 제조 방법 에서 는 , 추가 로 , 제 2 의 RTA 처리 ( 공정 c ) 보다 후 에 , 도 1 ( d ) 에 나타낸 바 와 같이 , 제 1 의 RTA 처리 및 제 2 의 RTA 처리 에 의해 탄소 도프 실리콘 단결정 웨이퍼 의 표면 에 형성 된 아모 퍼스 탄화 막 을 제거 하 는 공정 ( 공정 d ) 을 가질 수 있 다 .