다시 도 1 a 에 돌아와서 , 전자 들 ( 130 ) 은 전자 들 ( 130 ) 이 측정 챔버 ( 120 ) 내 로 전달 된 후 에 이온 화 가 발생 하 도록 그 에너지 가 목표 된 레벨 로 제어 되 어야 만 한다 . 이온 화 는 공칭 설계 에너지 ( nominal design energy ) 보다 더 높 고 더 낮 게 양쪽 에 퍼진 에너지 위 에 발생 한다 ; 본 발명 에서 전체 적 으로 참조 된 , 1962 년 사울 두 쉬 먼 ( Saul Dushman ) 에 의한 진공 기술 의 과학 적 기초 들 에 있 어서 이온 화 게이지 에 관한 섹션 5 . 7 ( Section 5 . 7 on ionization gauges in Scientific Foundations of Vacuum Technique ) 을 참조 한다 . 이온 형성 은 질소 에 대해 150 전자 volts 주위 의 전자 에너지 에서 전형 적 으로 발생 한다 . 다양 한 이온 형성 구성 들 이 가능 하 며 본 개시 의 범주 내이 다 .