칼 코 게나 이드 메모리 물질 의 각 메모리 상태 는 저항 값 들 의 구별 되 는 범위 에 대응 되 고 , 각 메모리 저항 값 은 고유 의 정보 내용 을 의미 한다 . 작동 에 있 어서 , 에너지 , 가장 일반 적 으로 는 상기 칼 코 게나 이드 물질 을 저장 되 어야 하 는 상기 특정 한 정보 내용 과 연관 된 저항 값 을 갖 는 구조 적 상태 로 전이 시키 기 에 적절 한 진폭 과 지속 시간 을 갖 는 전기 적 전류 펄스 를 가함 으로써 상기 칼 코 게나 이드 물질 은 특정 메모리 상태 로 프로그래밍 될 수 있 다 . 칼 코 게나 이드 물질 에 가해 지 는 에너지 의 양 을 제어 함 으로써 , 상기 물질 의 소정 부피 내 의 결정질 상 영역 과 비결정질 상 영역 의 상대 적 인 비율 을 조절 하 는 것 이 가능 하 고 그 에 의하 여 상기 칼 코 게나 이드 물질 의 구조 적 ( 및 메모리 ) 상태 를 제어 할 수 있 다 .