전기 및 광학 적 으로 펌핑 된 NW 레이저 는 , 레이 징 을 위한 게인 을 향상 시키 기 위해 더 낮 은 및 더 높 은 밴드 갭 재료 의 축 방향 헤테로 구조 ( 도 2 의 ( a ) , ( b ) ) 또는 반경 방향 헤테로 구조 ( 도 2 의 ( c ) ) 로 설계 되 었 다 . 자 가 - 촉매 작용 된 증기 - 액체 - 고체 방법 을 사용 하 여 그래핀 상 에 GaAs - 기반 NW 레이저 ( 예 를 들 면 , GaAs 와 InGaAs 인서 트 / 우물 또는 GaAsSb 인서 트 / 우물 ) 를 성장 시키 고 , 촉매 - 비 함유 방법 을 사용 하 여 그래핀 상 에 III - N - 기반 NW 레이저 ( 예 를 들 어 , AlGaN NW 와 GaN 인서 트 / 우물 또는 InGaN 인서 트 / 우물 ) 을 성장 시킬 것 이 다 . 또한 , 예 를 들 어 AlAs / GaAs 또는 AlN / GaN 브래그 ( Bragg ) 쌍 을 갖 는 고 품질 DBR 이 , MBE 또는 MOCVD 에 의해 성장 될 것 이 며 , 이 위 에 그래핀 ( 예 를 들 어 단일 층 또는 이중층 ) 이 NW 레이저 또는 RCLED 의 후속 성장 을 위해 전사 될 것 이 다 .