이 에 따라 , 열 전도도 가 높 은 실리콘 기판 의 경우 에 는 높 은 열 전도도 에 의하 여 광 소결 타 겟 이 소결 에 필요 한 열 에너지 를 기판 ( 110 ) 에 빼앗기 기 때문 에 산화 막 의 두께 가 두꺼워야 광 소결 특성 이 향상 될 수 있 다 . 또한 , 두꺼운 산화 막 은 , 기판 ( 110 ) 의 열 전도도 가 높 을수록 소결 에 필요 한 광 조사 에너지 가 커지 는데 , 이때 , 광 소결 타 겟 이 타 거나 기판 ( 110 ) 으로부터 박리 되 는 것 을 방지 할 수 있 다 .