제 2 리세 스 ( 220 ) 저면 을 통해 노출 된 기판 ( 100 ) 을 제 2 이방성 식각 공정 으로 식각 함 으로써 , 제 2 리세 스 ( 220 ) 의 폭 보다 작 은 폭 을 가지 며 , 제 2 리세 스 ( 220 ) 에 연통 되 는 제 3 리세 스 ( 230 ) 를 형성 한다 . 따라서 , 기판 ( 200 ) 에 는 제 1 내지 제 3 리세 스 ( 210 , 220 , 230 ) 를 구비 하 는 리세 스 구조 가 형성 된다 . 이러 한 제 3 리세 스 ( 230 ) 를 형성 하 기 위한 식각 공정도 도 5 를 참조 하 여 설명 한 공정 과 실질 적 으로 유사 하 거나 실질 적 으로 동일 하 다 .