상기 포토레지스트 조성물 에 의해 레지스 트 층 을 형성 하 는 경우 , 상기 하 층막 을 형성 하 는 경우 와 마찬가지 로 스핀 코트 법 이 바람직 하 게 이용 된다 . 레지스 트 조성물 을 스핀 코트 후 프리 베 이크 를 실시 하 는데 , 80 ~ 180 ℃ 에서 10 ~ 300 초 의 범위 가 바람직 하 다 . 그 후 통상 의 방법 에 따라 노광 을 실시 하 고 , 노광 후 베 이크 ( post exposure bake , PEB ) , 현상 을 실시 해 레지스 트 패턴 을 얻 는다 . 또한 , 레지스 트 막 의 두께 는 특별히 제한 되 지 않 지만 , 30 ~ 500 ㎚, 특히 50 ~ 400 ㎚ 가 바람직 하 다 .