그 후 , 도 3 c 에 도시 한 바 와 같이 , 반도체 성 산화물 층 ( 111 a ) 위 에 반도체 성 산화 물막 ( 105 ) 을 형성 한다 . 반도체 성 산화 물막 ( 105 ) 의 제작 조건 등 에 대해서 는 , 실시 형태 1 을 참조 하 면 좋 다 . 또한 , 실시 형태 1 에서 나타낸 제 1 열처리 를 행함 으로써 , 반도체 성 산화 물막 ( 105 ) 을 결정 화 시켜 , 반도체 성 산화 물막 ( 105 a ) 을 얻 는다 ( 도 3 d 참조 ) .