도 4 의 ( Dx ) , 도 4 의 ( Dy ) 에 나타난 바 와 같이 , 새롭 게 소자 높이 방향 의 에칭 을 행하 기 위한 포토레지스트 패턴 ( PR 2 ) 를 형성 하 고 , 이온 밀링 등 에 의해 , 프리 층 ( 7 ) 에서부터 반강자성 층 ( 2 ) 까지 를 에칭 한다 . 하 지 층 ( 14 ) 까지 에칭 을 행하 여도 되 며 , 반강자성 막 ( 2 ) 의 일부 를 남겨도 된다 . 핀 층 ( 3 ) , 반강자성 층 ( 2 ) 의 소자 높이 방향 의 패 터닝 이 행하 여 진다 . 그 후 , 포토레지스트 패턴 ( PR 2 ) 은 제거 된다 .