상기 제 2 도 전형 클래드 층 위 에 는 제 2 도전 형 반도체 층 ( 219 ) 이 형성 되 며 , 상기 제 2 도전 형 반도체 층 ( 219 ) 은 제 2 도전 형 의 도 펀트 를 포함 한다 . 상기 제 2 도전 형 반도체 층 ( 219 ) 은 예컨대 , GaN , InN , AlN , InGaN , AlGaN , InAlGaN , AlInN 등 과 같 은 화합물 반도체 중 어느 하나 로 이루어질 수 있 다 . 상기 제 2 도전 형 반도체 층 ( 219 ) 이 P 형 반도체 층 인 경우 , 상기 제 2 도전 형 도 펀트 는 P 형 도 펀트 로서 , Mg , Zn , Ca , Sr , Ba 등 을 포함 할 수 있 다 .