본 발명 에 따른 비휘발성 메모리 소자 의 제조 방법 은 , 반도체 기판 상 에 절 연막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 절 연막 상부 에 보호막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 보호막 상부 에 상기 보호막 보다 크기 가 작 은 그레인 을 가지 는 플로팅 게이트 용 제 1 도 전막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 제 1 전 도막 상부 에 플로팅 게이트 용 제 2 도 전막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 제 2 도 전막 상부 에 유전체 막 을 형성 하 는 단계 및 상기 유전체 막 상부 에 콘트롤 게이트 용 제 3 전 도막 을 형성 하 는 단계 를 포함 할 수 있 다 .