도 1 및 도 2 를 참조 하 면 , 반도체 장치 ( 1000 a ) 는 , 기판 ( 101 ) , 기판 ( 101 ) 상 의 활성 영역 ( 105 ) , 활성 영역 ( 105 ) 상 에 서로 수직 하 게 이격 되 어 배치 되 는 복수 의 채널 층 들 ( 141 , 142 , 143 ) 을 포함 하 는 채널 구조물 들 ( 140 ) , 복수 의 채널 층 들 ( 141 , 142 , 143 ) 과 접촉 되 는 소스 / 드레 인 영역 들 ( 150 ) , 활성 영역 ( 105 ) 과 교차 하 여 연장 되 는 게이트 구조물 들 ( 160 ) , 소스 / 드레 인 영역 들 ( 150 ) 에 연결 되 는 콘 택 플러그 들 ( 180 ) , 및 소스 / 드레 인 영역 들 ( 150 ) 사이 의 분리 구조물 ( 200 a ) 을 포함 할 수 있 다 . 반도체 장치 ( 1000 a ) 는 , 소자 분리 층 들 ( 110 ) , 내부 스 페이서 층 들 ( 130 ) , 하부 절연 층 ( 190 ) , 및 상부 절연 층 ( 195 ) 을 더 포함 할 수 있 다 . 게이트 구조물 ( 160 ) 은 , 게이트 유전 층 ( 162 ) , 게이트 전극 ( 165 ) , 게이트 스 페이서 층 들 ( 164 ) , 및 게이트 캡 핑 층 ( 166 ) 을 포함 할 수 있 다 .