도 3 d 를 참조 하 면 , 상변환 셀 ( 30 ) 을 포함 한 제 1 층간 절 연막 ( 22 ) 상 에 상기 상변환 셀 을 덮 도록 제 2 층간 절 연막 ( 31 ) 을 형성 한 후 , CMP 공정 을 통해 그 표면 을 평탄 화 시킨다 . 그런 다음 , 상기 제 2 층간 절 연막 ( 31 ) 을 식각 하 여 상변환 셀 의 상부 전극 ( 27 a ) 을 노출 시키 는 제 3 콘 택 홀 을 형성 한 후 , 상기 제 3 콘 택 홀 을 포함 한 제 2 층간 절 연막 ( 31 ) 상 에 금속 막 을 증착 하 고 , 이어서 , 상기 금속 막 을 식각 하 여 상부 전극 ( 27 a ) 과 콘 택 되 는 콘 택 플러그 를 포함 한 비트 라인 ( 32 ) 을 형성 한다 .