도 3 은 제 1 실시 예 에 따라 CuInSe 2 화합물 박막 을 제조 하 는 일예 를 개략 적 으로 나타낸 도면 으로서 , 도 3 에 도시 된 바 와 같이 기판 상 에 In 및 Se 를 포함 하 는 단일 전구체 , Cu 1 가 전구체 와 , Se 를 포함 하 는 전구체 또는 Se 를 함유 하 는 가스 를 함께 공급 하 면서 MOCVD 법 으로 증착 시켜 단일 공정 하 에서 CuInSe 2 화합물 박막 을 제조 하 게 된다 .