본 발명 은 일반 적 으로 가공 된 기판 상 에 제조 될 수 있 는 화합물 반도체 를 포함 하 는 RF 디바이스 에 관한 것 이 다 . 보다 구체 적 으로 , 본 발명 은 다 결정 성 코어 상 에 층간 구조 를 포함 하 는 RF 기판 상 에 공면 ( coplanar : 동일 평면 ) 도파관 들 과 통합 된 RF 디바이스 를 제조 하 기 위한 방법 및 시스템 에 관한 것 이 다 . 단지 예 로서 , 본 발명 은 층간 구조 내 에 매립 된 금속 층 을 포함 하 는 RF 기판 을 제공 하 고 , RF 기판 상 에 에피 택 셜 GaN 층 을 형성 하 며 , 매립 된 금속 층 과 접촉 하 도록 에피 택 셜 GaN 층 을 통해 하나 또는 그 이상 의 비아 ( via ) 를 형성 하 는 방법 및 시스템 에 적용 되 었 다 . 상기 방법 및 기술 은 다양 한 반도체 처리 작업 에 적용 될 수 있 다 .