본 개시 에서 , 글라스 기판 은 에지 영역 에 측면 배선 을 형성 하 여 글라스 기판 의 전면 ( front surface ) 에 배열 된 다수 의 발광 소자 와 글라스 기판 의 후면 ( back surface ) 에 위치 하 는 회로 들 을 전기 적 으로 연결 할 수 있 다 . 글라스 기판 의 전면 에 는 TFT ( Thin Film Transistor ) 회로 가 형성 된 TFT 층 이 배치 되 고 , 글라스 기판 의 후면 에 는 회로 가 배치 되 지 않 을 수 있 다 . 이 경우 , TFT 층 이 배치 된 글라스 기판 의 일면 은 활성 영역 과 비활성 영역 으로 구분 될 수 있 다 . 활성 영역 은 글라스 기판 의 일면 에서 TFT 층 이 점유 하 는 영역 에 해당 할 수 있 고 , 비활성 영역 은 글라스 기판 의 일면 에서 에지 영역 에 포함 되 는 영역 에 해당 할 수 있 다 .