통상 적 으로 SPC ( statistical process control ) 를 이용 한 공정 제어 방법 이 0 . 25 μ 이상 의 공정 에서 는 안정 된 제어 를 가능 하 게 해 주 었 지만 , 최근 들 어 , 트랜지스터 ( transistor ) 소자 뿐 만 아니 라 금속 배선 의 미세 화 및 다층 화 요구 에 따라 반도체 디바이스 ( device ) 의 사이즈 ( size ) 는 점점 작아지 기 시작 하 면서 포 토리 소그라 피 ( photo - lithography ) 공정 의 경우 Overlay 와 CD ( critical dimension ) 의 관리 기준 이 매우 엄격 해 지 고 있 다 .