도 17 을 참조 하 여 및 일부 구 현예 에서 , 전술 한 바 와 같이 , 제 2 표면 상 에서 의 선택 적 증착 은 제 2 표면 상 에 ZrO 2 와 같 은 유전체 를 선택 적 으로 증착 한 후 , 제 1 표면 를 선택 적 패 시베이 션 함 으로써 달성 될 수 있 다 . 도시 된 흐름 도 에서 , 제 1 표면 은 금속 성 ( 예 를 들 어 , 집 적 회로 층간 유전체 , 또는 ILD ) 일 수 있 고 , 제 2 표면 은 유전체 ( 예 를 들 어 , ILD ) 일 수 있 다 . 패 시베이 션 은 단계 1 에서 부품 의 제 2 표면 에 상대 적 인 제 1 표면 상 에 선택 적 으로 증착 된 중합체 또는 다른 유기 재료 를 포함 할 수 있 다 . 후속 적 으로 , " 선택 을 완벽 하 게 하 기 위한 "" 클린 업 "" 식각 으로서 가끔 지칭 되 는 중합체 에치 백 이 수행 되 어 ", 제 1 표면 으로부터 모든 중합체 를 제거 하 지 않 고 , 단계 2 에서 제 2 표면 상 에 증착 되 었 을 수 있 는 중합체 를 폴리머 를 제거 한다 . 중합체 는 패 시베이 션 층 으로서 작용 하 므로 , 유전체 재료 는 단계 3 에서 제 2 표면 상 에 선택 적 으로 증착 된다 . 임의 의 수 의 적합 한 유전체 재료 가 단계 3 에서 사용 될 수 있 다 . 일부 구 현예 에서 , 유전체 재료 는 ZrO 2 및 다른 금속 산화물 , 예컨대 전이 금속 산화물 이나 알루미늄 산화물 , 또는 SiO 2 - 계 재료 에 대해 식각 선택도 를 갖 거나 SiO 2 - 계 재료 가 식각 되 는 조건 에서 낮 은 식각 속도 를 갖 는 혼합물 을 포함 하 는 다른 유전체 산화물 로부터 선택 될 수 있 다 . 이러 한 금속 산화물 중 일부 는 높 은 k 값 , 구체 적 으로 는 5 보다 높 거나 심지어 10 보다 높 은 값 을 가질 수 있 지만 , 이 들 은 얇 으며 , 금속화 구조 에서 상당 한 기생 커패시턴스 를 피하 고 실리콘 산화물 재료 의 선택 적 식각 에 대해 마스킹 표면 을 유리 하 게 허용 하 는 위치 에 위치 된다 . 다른 구 현예 에서 , 유전체 는 실리콘 산화물 계 재료 일 수 있 지만 , 본원 에 기술 된 바 와 같 은 식각 마스크 로서 작용 하 도록 더 두 꺼 울 수 있 다 . 도 17 의 단계 4 에서 , 중합체 패 시베이 션 이 제 1 표면 으로부터 제거 된다 .