소스 / 드레 인 패턴 들 이 형성 된 게이트 절 연막 ( 144 ) 상 에 PECVD 등 의 증착 방법 으로 보호막 ( 150 ) 이 전면 형성 된다 . 보호막 ( 150 ) 은 마스크 를 이용 한 포 토리 쏘 그래피 공정 과 식각 공정 으로 패 터닝 됨 으로써 제 1 및 제 2 컨 택 홀 들 ( 130 , 138 ) 이 형성 된다 . 제 1 컨 택 홀 ( 130 ) 은 보호막 ( 150 ) 및 게이트 절 연막 ( 144 ) 을 관통 하 여 게이트 패드 하부 전극 ( 128 ) 이 노출 시킨다 . 제 2 컨 택 홀 ( 138 ) 은 보호막 ( 150 ) 을 관통 하 여 데이터 패드 하부 전극 ( 136 ) 을 노출 시킨다 .