본 발명 의 실시 예 에 따르 면 , 상기 기판 ( 10 ) 은 사파이어 로 이루어지 며 , 그 상면 에 는 요철 형 의 패턴 ( 12 ) 이 형성 되 어 있 다 . 상기 패턴 ( 12 ) 은 , 발광 다이오드 의 제조 에 이용 될 때 , 기판 ( 10 ; 이하 ' 사파이어 기판 ' 이 라 함 ) 과 그 위 에 형성 된 질화물 반도체 층 사이 의 굴절 률 차이 및 그 에 의한 내부 전반 사량 의 증가 로 야기 되 는 광 추출 효율 저하 를 완화 시키 는 데 크 게 기여 한다 . 도 6 에서 상기 패턴 ( 12 ) 의 단면 형상 이 대략 사각형 인 것 으로 도시 되 어 있 지만 , 원형 , 사다리꼴 또는 기타 다른 기하학 적 형상 의 패턴 일 수 있 다 .