제 2 기준 전압 ( Vref ) 은 제 2 마진 보상 전압 ( VCM ( b ) ) 을 고려 하 여 , 제 2 SET 이상 마진 ( Δ VSMISET ( b ) ) 과 제 2 RST 이상 마진 ( Δ VSMIRST ( b ) ) 이 충분히 큰 값 을 갖 도록 설정 될 수 있 다 . 즉 , 몇몇 실시 예 에 따른 저항성 메모리 장치 는 저항성 메모리 셀 ( 220 ) 이 SET 상태 인지 RST 상태 인지 센싱 하 는 동작 을 , 로컬 워드 라인 트랜지스터 ( LNTn ) 를 턴 온 하 지 않 고 별개 로 수행 할 수 있 다 . 따라서 , 로컬 워드 라인 노드 ( NW ) 의 충전 전하 를 잃 지 않 음 과 동시 에 , 사용 자 가 필요 로 하 는 센싱 마진 을 갖 도록 제 2 기준 전압 ( Vref ) 과 제 2 마진 보상 전압 ( VCM ( b ) ) 을 지정 하 여 , 몇몇 실시 예 에 따른 저항성 메모리 장치 의 신뢰 성 을 향상 시킬 수 있 다 .