수학식 3 에 나타낸 바 와 같이 , 변곡점 이 , 소스 - 드레 인 채널 을 완전히 형성 되 지 않 는 제 1 게이트 전압 또는 제 2 게이트 전압 인 경우 , 제 1 예비 모델링 값 ( P _ Cgsrev ) 은 , 중첩 영역 의 가로길이 ( LD ) 에 기준 한 단위 면적 당 커패시턴스 ( CGSO ) 와 중첩 영역 의 세로 길이 ( Weffoverlap ) 의 곱 으로 정의 된다 . 여기 서 , 단위 면적 당 커패시턴스 ( CGSO ) 는 , 중첩 영역 의 가로길이 를 기준 으로 한 중첩 영역 의 단위 면적 에 대응 하 는 커패시턴스 로써 , 프린지 인자 ( fringe factor , METO ) 와 중첩 영역 의 가로길이 ( LD ) 의 합 ( METO + LD ) 과 , 게이트 절 연막 ( GI ) 의 단위 면적 당 커패시턴스 ( ε 1 / TOX ) 에 비례 하 는 값 으로 정의 된다 . 이때 , 게이트 절 연막 ( GI ) 의 단위 면적 당 커패시턴스 ( ε 1 / TOX ) 는 , 게이트 절 연막 ( GI ) 의 유전율 ( ε 1 ) 에 대한 게이트 절 연막 ( GI ) 의 두께 ( TOX ) 의 비율 로 정의 된다 .