시스템 ( 100 ) 의 구성 요소 는 복수 의 채널 ( 115 ) 를 이용해 메모리 디바이스 ( 110 ) 와 정보 를 교환 할 수 있 다 . 일부 예시 에서 , 채널 ( 115 ) 은 외부 메모리 제어기 ( 105 ) 와 메모리 디바이스 ( 110 ) 간 통신 을 활성 화 할 수 있 다 . 각각 의 채널 ( 115 ) 은 시스템 ( 100 ) 의 구성 요소 와 연관 된 단자 들 간 하나 이상 의 신호 경로 또는 전송 매체 ( 가령 , 전도체 ) 를 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 채널 ( 115 ) 은 외부 메모리 제어기 ( 105 ) 에서 의 하나 이상 의 핀 또는 패드 및 메모리 디바이스 ( 110 ) 에서 의 하나 이상 의 핀 또는 패드 를 포함 하 는 제 1 단자 를 포함 할 수 있 다 . 핀 은 시스템 ( 100 ) 의 디바이스 의 전도성 입력 또는 출력 포인트 의 예시 일 수 있 고 , 핀 이 채널 의 일부 로서 동작 하 도록 구성 될 수 있 다 . 일부 경우 , 단말기 의 핀 또는 패드 가 채널 ( 115 ) 의 신호 경로 의 일부 일 수 있 다 . 추가 신호 경로 는 시스템 ( 100 ) 의 구성 요소 내 에서 신호 를 라우팅 하 기 위한 채널 의 단자 와 연결 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 메모리 디바이스 ( 110 ) 는 채널 ( 115 ) 의 단자 로부터 메모리 디바이스 ( 110 ) 의 다양 한 구성 요소 ( 가령 , 디바이스 메모리 제어기 ( 155 ) , 메모리 다이 ( 160 ) , 로컬 메모리 제어기 ( 165 ) , 메모리 어레이 ( 170 ) ) 로 신호 를 라우팅 하 는 신호 경로 ( 가령 , 메모리 디바이스 ( 110 ) 또는 이 의 구성 요소 내부 의 신호 경로 , 가령 , 메모리 다이 ( 160 ) 내부 의 신호 경로 ) 를 포함 할 수 있 다 .