제 3 단계 ( S 130 ) 에서 , 하부 스트링 선택 라인 ( LSSL ) 에 프로그램 전압 이 인가 될 수 있 으며 , 중간 스트링 선택 라인 ( MSSL ) 에 접 지 전압 이 인가 될 수 있 다 . 그리고 , 상부 선택 라인 ( USSL ) 은 전기 적 으로 플로팅 될 수 있 다 . 이 에 따라 , 제 1 셀 스트링 ( CS 1 ) 의 제 1 스트링 선택 트랜지스터 ( SST 1 ) 의 전하 저장 막 에 전하 들 이 트랩 되 어 제 1 셀 스트링 ( CS 1 ) 의 제 1 스트링 선택 트랜지스터 ( SST 1 ) 의 문턱 전압 이 제 1 셀 스트링 ( CS 1 ) 의 제 2 스트링 선택 트랜지스터 ( SST 2 ) 의 제 1 문턱 전압 ( Vth 1 ) 보다 큰 제 2 문턱 전압 ( Vth 2 ) 으로 상승 될 수 있 다 .