상기 반도체 기판 ( 100 ) 의 상부 에 상기 수직 전극 들 ( 140 ) 과 연결 되 는 셀 불순물 영역 들 ( SR ) 이 제공 될 수 있 다 . 상기 셀 불순물 영역 들 ( SR ) 각각 은 상기 수직 전극 들 ( 140 ) 을 따라 상기 제 1 방향 ( D 1 ) 으로 연장 될 수 있 다 . 상기 셀 불순물 영역 들 ( SR ) 은 공통 소스 영역 들 일 수 있 다 . 상기 셀 불순물 영역 들 ( SR ) 은 기판 ( 100 ) 의 도전 형 과 다른 제 2 도전 형 일 수 있 다 .