한편 , 본 발명 의 일 실시 예 에 따르 면 , 자성체 ( 251 ) 와 자기 저항 센서 ( 252 ) 는 자성체 ( 251 ) 의 변위 가 발생 되 는 방향 을 기준 으로 서로 중첩 되 지 않 도록 배치 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 도 5 에 도시 된 바 와 같이 , 자기 저항 센서 ( 252 ) 는 자성체 ( 251 ) 의 바로 수직 방향 아래 에 위치 되 지 않 고 , 수평 방향 으로 이격 되 어 위치 될 수 있 다 . 자기 저항 센서 ( 252 ) 의 출력 전압 은 외부 에서 인가 되 는 자기장 의 세기 에 의해 변하 는데 , 자기 저항 센서 ( 252 ) 에 인가 되 는 자기장 의 세기 는 자성체 ( 251 ) 와 의 거리 에 따라 변화 된다 . 이 때 , 자성체 ( 251 ) 의 양극 ( 단부 ) 에서 자기장 의 세기 가 가장 세기 때문 에 , 자기 저항 센서 ( 252 ) 를 자성체 ( 251 ) 와 중첩 되 지 않 도록 수평 방향 으로 이격 시켜 배치 함 으로써 , 자성체 ( 251 ) 의 자기장 세기 의 변화 를 가장 크 게 감지 할 수 있 다 . 다시 말 해 , 자성체 ( 251 ) 와 자기 저항 센서 ( 252 ) 이 배치 를 통해 측정 민 감도 를 높일 수 있 다 .