즉 , 본 발명 에 따르 면 , 먼저 상기 기판 ( 110 ) 상면 에 자기 결정 화도 가 높 은 Au 를 증착 하 여 결정 화 된 Au 박막 ( 130 ) 을 형성 시키 고 , 다음 으로 상기 Au 박막 ( 130 ) 상면 에 상기 ITO 또는 Si 를 증착 하 는 동안 , 상기 ITO 또는 Si 소재 의 원자 들 이 상기 결정 화 된 Au 의 원자 배열 을 따라 성장 하 는 것 에 의해 , 높 은 공정 온도 등 의 열처리 조건 없이 도 상기 ITO 또는 Si 소재 에 관한 다결정 질 의 박막 을 형성 할 수 있 는 효과 가 있 다 .