일부 실시 예 에서 , 다이렉트 콘 택 도전 패턴 ( 134 ) 을 형성 하 기 위한 상기 다이렉트 콘 택용 도전 층 의 부분 을 제거 하 는 과정 에서 도전 성 반도체 패턴 ( 132 ) 이 함께 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 면 , 수직 적 으로 비트 라인 ( 147 ) 과 오버랩 되 는 상기 다이렉트 콘 택용 도전 층 의 부분 중 다이렉트 콘 택 홀 ( 134 H ) 과 수직 적 으로 오버랩 되 지 않 아 절 연막 패턴 ( 112 , 114 ) 상 에 위치 하 는 부분 일 수 있 고 , 다이렉트 콘 택 도전 패턴 ( 134 ) 은 다이렉트 콘 택 홀 ( 134 H ) 과 수직 적 으로 오버랩 되 어 활성 영역 ( 118 ) 과 접하 는 부분 일 수 있 다 .