또한 , 상기 한 목적 을 달성 하 기 위하 여 본 발명 에 따른 반도체 소자 의 절 연막 형성 방법 은 , 하부 패턴 이 형성 된 기판 상 에 제 1 절 연막 을 형성 하 는 단계 와 ; 상기 제 1 절 연막 의 굴곡 을 따라 식각 정지 막 을 형성 하 는 단계 와 ; 상기 식각 정지 막 상 에 제 2 절 연막 을 형성 하 는 단계 와 ; 상기 제 2 절 연막 을 식각 하 여 상기 식각 정지 막 의 일부 를 노출 시키 는 단계 와 ; 상기 노출 된 식각 정지 막 을 습식 식각 하 여 상기 식각 정지 막 에 언더컷 된 공기 층 을 형성 하 는 단계 와 ; 상기 식각 정지 막 상 에 제 3 절 연막 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .