도 42 는 라디칼 산화 공정 및 질화 공정 만 을 수행 하 여 수득 된 제 1 절연 구조물 을 터널 절 연막 으로 포함 하 는 제 1 불휘발성 반도체 장치 의 각 셀 들 의 문턱 전압 ( Vth ) 산포 를 설명 하 기 위한 그래프 이 다 . 도 43 은 상기 제 1 절연 구조물 을 포함 하 는 제 1 불휘발성 반도체 장치 의 각 셀 들 의 프로그래밍 및 소거 동작 의 반복 실시 를 통하 여 내 구성 ( endurance ) 을 테스트 한 결과 를 나타내 는 개략 적 인 평면도 이 다 . 도 42 에 있 어서 , " "" I "" 은 상기 제 1 불휘발성 반도체 장치 를 제조 한 후 ", 각 셀 들 의 문턱 전압 들 을 측정 한 결과 를 의미 하 며 , " "" II "" 은 상기 제 1 불휘발성 반도체 장치 의 내구 성 테스트 를 약 1 ", 200 사이클 ( cycle ) 정도 수행 한 후 , 각 셀 들 의 문턱 전압 들 을 측정 한 결과 를 나타낸다 . 또한 , 도 43 에 있 어서 , P 는 약 10 , 000 사이클 이상 의 내구 성 테스트 를 통과 한 셀 들 을 나타내 고 , " "" 2 K """," "" 5 K "" 및 "" 10 K "" 는 각기 약 2 ", 000 사이클 , 약 5 , 000 사이클 및 약 10 , 000 사이클 이하 의 내구 성 테스트 를 통과 하 지 못한 셀 들 을 의미 한다 .