일반 적 인 실리콘 소자 의 경우 PDA ( post deposition annealing ) , FGA ( forming gas annealing ) 등 의 공법 을 이용 하 여 결함 의 패 시베이 션 ( passivation ) 을 통해 소자 의 특성 을 개선 하 고 있 으나 , 상기 공법 들 이 게르마늄 소자 의 제조 에 적용 될 경우 , GeO 가 발생 하 는 특수 성 으로 인하 여 소자 의 특성 이 악화 되 는 결과 가 보 고 되 고 있 다 . 여기 서 PDA 와 FGA 는 모두 실리콘 기판 에 실리콘 산화 막 을 성장 시킨 후 , 어닐링 을 진행 하 는 방법 인데 , PDA 는 질소 분위기 에서 , FGA 는 질소 와 수소 를 섞 은 분위기 에서 어닐링 을 진행 한다 .