한편 , 반도체 소자 의 고집 적 화 경향 과 더불 어 반도체 소자 의 저 소비 전력화 에 대한 요구 도 증가 되 고 있 다 . 반도체 소자 의 소비 전력 을 낮추 는 일 방 안 으로 , SOI 기판 ( Silicon - On - Insulator substrate ) 이 제안 된 바 있 다 . SOI 기판 은 차례 로 적층 된 반도체 기판 , 산화 막 및 실리콘 층 의 구조 를 갖 는다 . 산화 막 상 의 실리콘 층 에 모스 트랜지스터 등 을 형성 함 으로써 , 모스 트랜지스터 등 의 누설 전류 를 감소 시켜 반도체 소자 의 소비 전력 을 감소 시킬 수 있 다 .