상기 오 목부 의 깊이 는 상기 그루브 의 깊이 의 100 % 초과 내지 300 % 이하 , 또는 100 % 초과 내지 250 % 이하 일 수 있 다 . 예 를 들 어 , 상기 오 목부 의 깊이 는 상기 그루브 의 깊이 의 110 % 내지 300 %, 120 % 내지 300 %, 120 % 내지 200 %, 또는 125 % 내지 150 % 일 수 있 다 . 구체 적 으로 , 상기 오 목부 의 깊이 가 상기 그루브 의 깊이 대비 120 % 내지 200 % 일 수 있 다 . 상기 깊이 범위 내일 때 , CMP 공정 중 에 오 목부 에 잔해 물 을 가두 는데 보다 유리 하 여 반도체 기판 표면 의 결함 을 최소 화 할 수 있 고 , 이 와 동시 에 슬러리 의 유동 성 을 향상 시켜 연마 율 을 확보 할 수 있 다 .