이후 통상 의 애 싱 공정 을 수행 하 여 제 3 포토레지스트 막 패턴 ( 300 ) 을 제거 한다 . 앞서 언급 한 바 와 같이 , 제 3 포토레지스트 막 패턴 ( 300 ) 의 두께 를 충분히 얇 게 형성 할 수 있 으므로 , 애 싱 공정 에 의해 제 3 포토레지스트 막 패턴 ( 300 ) 의 거의 제거 되 며 , 트랜 치 ( 261 ) 내 의 유전체 막 ( 280 ) 위 에 제 3 포토레지스트 막 패턴 ( 300 ) 의 잔류물 은 거의 존재 하 지 않 게 된다 . 다음 에 전면 에 도전 막 을 형성 한 후 에 통상 의 평탄 화 공정 을 수행 하 여 트랜 치 ( 261 ) 내의 MIM 커패시터 의 상부 금속 전 극막 ( 미 도시 ) 과 , 비 아홀 ( 262 ) 이 금속 막 으로 채워져서 형성 되 는 비아 컨 택 ( 미 도시 ) 을 형성 하 면 , MIM 커패시터 및 비아 컨 택 이 만들 어 진다 .