다음 에 도 8 을 참조 하 면 , 반도체 층 ( 304 ) 상 에 도핑 된 p 형 불순물 이온 을 확산 및 활성 화 시키 기 위해 급속 열처리 ( RTA ; Rapid thermal anneal ) 또는 어 닐 공정 을 진행 한다 . 이러 한 열처리 에 의해 제 1 영역 ( A ) 에 는 p 형 폴리 실리콘 막 ( 310 ) 이 형성 되 고 , 제 2 영역 ( B ) 에 는 n 형 폴리 실리콘 막 ( 312 ) 이 형성 된다 .