상기 반도체 봉지 용 기재 가 부착 된 봉 지재 Z 1 과 반도체 소자 탑재기 판 을 닛코 머티 리얼 즈 사 의 진공 프레스 를 이용 하 여 , 진공도 100 Pa , 압력 5 . 0 MPa , 175 ℃, 180 초 의 조건 으로 압축 성형 함 으로써 경화 봉지 하 였 다 . 경화 봉지 후 의 포스트 큐어 이후 는 실시 예 1 과 동일 한 조작 을 행하 고 , 개편 화 까지 행하 였 다 . 압축 성형 에서부터 개편 화 까지 일련 의 공정 을 통해 작업 성 은 양호 하 였 다 .