이 와 같이 , 반도체 기판 에 형성 된 층간 절 연막 에 비아 를 형성 함 으로써 상 . 하부 에 위치 하 는 배선 층 들 을 전기 적 으로 연결 시키 기 위하 여 층간 절 연막 에 포토레지스트 ( photo - resist ) 를 코팅 하 고 , 코팅 된 포토 레지스 를 마스크 를 사용 하 여 노광 하 며 , 노광 된 포토레지스트 층 을 현상 하 여 층간 절연 막상 에 비아 를 정의 하 는 포토레지스트 패턴 을 형성 한다 . 그런 다음 , 포토레지스트 패턴 을 마스크 로 하 여 식각 함 으로써 비 아홀 을 형성 하 고 , 비 아홀 에 CVD ( Chemical Vapor Deposition ) 공정 에 의해 구리 ( Cu ) 또는 알루미늄 ( Al ) 등 과 같 은 도전 성 물질 을 매립 하 여 CMP ( Chemical Mechanical Polishing ) 공정 을 실시 함 으로써 비아 ( via ) 를 형성 하 게 된다 .