몇몇 실시 예 에서 , CNT 시 딩 층 ( 210 ) 은 하나 이상 의 추가 층 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 도 3 b 는 추가 금속 촉매 층 ( 316 ) 을 CNT 시 딩 층 ( 210 ) 이 포함 하 는 도 2 a 의 메모리 셀 ( 200 ) 의 제 2 의 예시 적 실시 예의 단면도 이 다 . 상기 금속 촉매 층 ( 316 ) 은 ( 상기 에서 기재 한 것 과 같이 ) CNT 시 딩 층 ( 210 ) 이 유전체 재료 로 전기 적 으로 분리 되 며 , 패 터닝 , 에칭 된 후 에 CNT 시 딩 층 ( 210 ) 상 에 선택 적 으로 증착 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 몇몇 실시 예 에서 니켈 , 코발트 , 철 등 금속 촉매 층 ( 316 ) 은 무전 해 증착 법 , 전해 도금 법 등 에 의해서 표면 이 거친 티타늄 또는 탄탈 질화물 CNT 시 딩 층 ( 210 ) 상 에 선택 적 으로 형성 될 수 있 다 . 다음 에 CNT 재료 ( 212 ) 는 금속 촉매 코팅 CNT 시 딩 층 ( 210 ) 상 에 형성 될 수 있 다 . 몇몇 실시 예 에서 금속 촉매 층 ( 316 ) 의 사용 으로 CNT 형성 중 에 촉매 전구 재료 의 필요 성 이 제거 될 수 있 다 . 예 시 적 인 금속 촉매 층 두께 범위 는 다른 두께 를 사용 할 수 있 지만 약 1 내지 200 옹스트롬 이 다 . 니켈 , 코발트 , 철 또는 유사 한 금속 촉매 층 도 또한 비 - 표면 - 거칠 음 또는 매끄러운 티타늄 질화물 , 탄탈 질화물 또는 유사 한 층 상 에 무전 해 증착 법 , 전해 도금 법 등 에 의해 형성 될 수 있 다 .