소스 및 드레 인 영역 ( 13 b 및 13 c ) 의 반도체 층 ( 13 ) 상 에 는 소스 전극 ( 14 b ) 및 드레 인 전극 ( 14 c ) 이 형성 되 며 , 소스 및 드레 인 전극 ( 14 b 및 14 c ) 과 반도체 층 ( 13 ) 사이 에 는 접촉 ( contact ) 저항 을 감소 시키 기 위한 도전 층 ( 15 ) 이 형성 될 수 있 다 .