상기 인가 전압 이 약 4 V 미만 인 경우 상기 버퍼 층 ( 200 ) 의 식각 특성 이 개선 되 는 효과 가 미미 할 수 있 다 . 자세 하 게 , 상기 인가 전압 이 약 4 V 미만 인 경우 상기 버퍼 층 ( 200 ) 상 에 배치 된 제 1 패턴 층 ( 710 ) 및 제 2 패턴 층 ( 722 ) 의 금속 이 이온 화 되 어 상기 버퍼 층 ( 200 ) 의 식각 특성 이 개선 되 는 효과 가 미미 할 수 있 다 . 즉 , 상기 인가 전압 이 약 4 V 미만 인 경우 상기 버퍼 층 ( 200 ) 의 식각 속도 가 증가 하 는 효과 가 미미 할 수 있 고 , 상기 식각 에 의해 형성 되 는 상기 리세 스 ( 250 ) 의 형태 등 을 제어 하 는 것 이 어려울 수 있 다 .