도 1 은 예시 적 인 실시 예 에 따른 반도체 디바이스 제조 장치 ( 10 ) 를 보여 주 는 개략 도 이 다 . 반도체 디바이스 제조 장치 ( 10 ) 는 특히 이온 소스 ( 60 ) 와 , 이 이온 소스 ( 60 ) 에 소스 가스 를 분배 하 는 가스 박스 ( 50 ) , 그리고 이온 빔 ( 64 ) 을 하나 이상 의 반도체 기판 또는 웨이퍼 ( 200 ) 로 지향 시키 는 자석 ( 40 ) 을 포함 한다 . 기판 ( 200 ) 은 공정 중 에 챔버 ( 30 ) 내 의 플랫 폼 ( 32 ) ( 예컨대 , 지 지체 , 단 , 서 셉 터 등 ) 또는 다른 구조 체 상 에 제공 된다 .