실시 예 9 , 10 , 11 은 고분자 재료 로 강화 되 어 있 음 에 도 불구 하 고 , 다른 실시 예 에 대하 여 양호 한 양성자 전도 성 과 발전 성능 을 나타내 었 다 . 이것 은 막 - 전극 접합 층 이 있 어 효율 적 인 양성자 이동 이 가능 해졌 기 때문 이 라고 생각 된다 . 전극 과 의 접착성 도 양호 하 고 , 대표 적 인 나 피 온 전극 뿐 만 아니 라 다른 다양 한 전극 과 의 접합 성 을 최적 화 할 수 있 다고 생각 되 었 다 .