본 발명 의 목적 은 반도체 장치 그 제조 방법 을 제공 하 는 데 있 다 . 상술 한 바 와 같이 질화 갈륨 계 반도체 에피 택 셜 적층 구조 를 성장 하 는 데 필요 한 양질 의 기판 제조 와 관련 된 종래 기술 이 갖 는 문제점 을 개선 하 기 위한 것 으로써 , 높 은 증착 속도 ( high deposition rate ) 를 갖 는 다양 한 전기 화학 적 증착 ( electrochemical deposition ) 과 물리 및 화학 증기 증착 ( physical & chemical vapor deposition ) 을 통한 고온 에서 열 적 으로 안정 한 후막 층 성장 과 사파이어 를 제거 하 는 레이저 리프트 오프 ( laser lift - off : LLO ) 기법 과 접목 시켜 , 전자 및 광전자 소자 용 질화 갈륨 계 반도체 에피 택 셜 적층 구조 성장 을 위한 그룹 3 족 질화물 계 에피 택 셜 기판 ( GaN - based semiconductor epitaxial substrate ) 제조 공정 을 제공 함 에 있 다 .