도 3 b 에 도시 된 바 와 같이 , 상기 페데 스탈 절 연막 패턴 ( 115 ) 이 형성 된 하부 전극 ( 110 ) 상부 에 상변 이 물질 ( 120 ) 을 증착 한다 . 상변 이 물질 ( 120 ) 로 는 예 를 들 어 GeSbTe ( GST ) 물질 이 이용 될 수 있 으며 , 이러 한 상변 이 물질 ( 120 ) 은 상기 페데 스탈 절 연막 패턴 ( 115 ) 표면 에 고르 게 증착 될 수 있 도록 예 를 들 어 , 스퍼터링 ( sputtering ) , CVD ( chemical vapor deposition ) , ALD ( atomic layer deposition ) 방식 으로 형성 될 수 있 다 . 상변 이 물질 ( 120 ) 으로 는 GST 막 이외 에 도 SbSe , GeSb , InSbTe , GaSeTe , SnSbTe 또는 InSbGe 가 이용 될 수 있 다 . 상기 상변 이 물질 ( 120 ) 은 이후 전류 인 가시 완전히 상변 이 가 이루어지 도록 나노 스케일 , 예컨대 , 5 내지 500 nm 두께 로 형성 될 수 있 다 . 이때 , 상기 상변 이 물질 ( 120 ) 은 페데 스탈 절 연막 패턴 ( 115 ) 의 선폭 , 간격 및 두께 를 고려 하 여 그 부피 를 조절 할 수 있 다 .