이 와 같이 , 본 발명 의 일 형태 에 따른 반도체 장치 는 , 다시 정보 의 기입 에 의해 직접 적 으로 정보 를 재 기입 할 수 있 다 . 따라서 , 플래시 메모리 등 에서 필요 로 하 는 고전압 을 이용 한 플로팅 게이트 로부터 의 전하 를 뽑 을 필요 가 없 고 , 소거 동작 에 기인 한 동작 속도 의 저하 를 억제 할 수 있 다 . 즉 , 반도체 장치 의 고속 동작 이 실현 된다 .