희생 기판 ( 51 ) 의 상부 에 수직 형 발광 다이오드 영역 을 한정 하 는 메사 패 터닝 작업 을 위해 SiO 2 패턴 들 ( 61 , 62 , 63 ) 로 이루어지 는 식각 마스크 를 형성 한다 . SiO 2 패턴 들 ( 61 , 62 , 63 ) 은 예 를 들 어 1000 Å 으로 할 수 있 다 . 또한 SiO 2 패턴 들 ( 61 , 62 , 63 ) 간 의 간격 은 발광 다이오드 의 크기 를 감안 하 여 결정 될 수 있 다 . 예 를 들 어 100 ㎛ 이하 로 할 수 있 다 .