상기 도 6 a 및 6 b 에 나타난 바 와 같이 , 비 교예 1 및 비 교예 2 의 C - V 측정 결과 에서 특징 적 인 성능 향상 은 확인 할 수 없 었 다 . 또한 계면 결함 밀도 ( density of interface defect , Dit ) 의 경우 비 교예 1 은 9 × 1011 cm - 2 eV - 1 , 비 교예 2 는 1 . 4 × 1012 cm - 2 eV - 1 으로 비 교예 2 가 비 교예 1 에 비하 여 큰 값 을 가졌 다 . 이 는 상기 도 4 b 의 SIMS ( secondary ion mass spectroscopy ) 측정 결과 에서 확인 할 수 있 는 바 와 같이 , TiO 2 증착 시 게르마늄 기판 표면 에 증착 되 었 던 Ti 가 계면 의 결함 ( interface defect ) 으로 작용 했 기 때문 이 다 .