반도체 디바이스 , 액정 디바이스 등 의 각종 전자 디바이스 구조 의 미세화 에 수반 하 여 , 리소그래피 공정 에 있 어서 의 레지스 트 패턴 의 미세화 가 한층 더 요구 되 고 있 다 . 그 때문 에 , 각종 감방 사선 성 수지 조성물 이 검토 되 고 있 다 . 이러 한 감방 사선 성 수지 조성물 은 , ArF 엑 시머 레이저 등 의 원자외선 , 극단 자외선 ( EUV ) , 전자선 등 의 노광 광 의 조사 에 의해 산 을 발생 하 는 성분 을 포함 한다 . 이것 을 노광 함 으로써 노광 부 에 산 을 생성 시켜 , 이 산 의 촉매 작용 에 의해 노광 부 와 미노 광부 의 현상액 에 대한 용해 속도 에 차 를 발생 시켜 , 기판 상 에 레지스 트 패턴 을 형성 시킨다 .