그러나 TiO 2 를 활성 채널 재료 로 사용 하 여 실제 적용 가능 한 TFT 소자 를 구현 한 예 는 그간 보 고 된 바 없 다 . 본 발명자 는 TiO 2 가 , 에너지 갭 , 전 도 ( conduction ) 밴드 및 가전자 ( valence ) 밴드 의 위치 등 전자 의 에너지 밴드 양상 이 가장 흔히 쓰이 는 ZnO 와 유사 하 면서 , 높 은 홀 ( Hall ) 전하 이동도 ( high Hall mobility ) 를 보일 뿐 아니 라 , 저 비용 으로 대량 생산 이 가능 하 고 상기 한 대로 다양 한 응용 분야 에 적용 될 수 있 는 점 에 착안 , 산화 티타늄 을 TFT 채널 의 활성 층 에 적용 한 소자 가 구현 되 었 을 경우 에 기대 할 수 있 는 높 은 기술 적 및 경제 적 가능 성 에 주목 하 여 본 발명 에 이르 게 되 었 다 .