( 2 ) 식각 : ICP 식각 기술 을 사용 하 여 절차 ( 1 ) 의 사파이어 기판 을 식각 시키 고 , 그 중 BCl 3 / Cl 2 혹은 Ar / Cl 2 플 라즈 마 를 선택 하 여 프로세스 가스 ( Process gas ) 로 삼 아 , ICP / RF 등 의 무선 주파수 첨가 를 통해 가스 이온 화 시키 고 , 이온 화 후 의 플 라즈 마로 　　 기판 을 식각 시킨 후 , 기판 상 에 직경 1 ~ 10 미크론 ( Micron ) 의 볼록 면체 형태 의 도형 을 배치 시키 는데 , 식각 후 사파이어 기판 의 두께 는 0 . 5 ~ 5 . 0 μ m 이 다 .