본 포지티브 형 레지스 트 재료 는 높 은 산 발생 제 분해 효율 , 우수 한 산 확산 억제 효과 , 고감 도 및 고 해 상성 을 가지 고 , 노광 및 현상 후 의 에지 러프 니스 및 크기 변동 이 개선 된 우수 한 패턴 형상 을 형성 한다 . 이 들 특성 으로 인해 , 레지스 트 재료 는 매우 실용 적 이 고 EB 리소그래피 에 의한 포토 마스크 용 또는 EB 또는 EUV 리소그래피 에 의한 VLSI 용 미세 패턴 형성 재료 로서 매우 적합 하 다 , 본 레지스 트 재료 는 , 예컨대 반도체 회로 형성 을 위한 리소그래피 에서 뿐 만 아니 라 , 마스크 회로 패턴 의 형성 , 마이크 로 머신 , 및 박막 자기 헤드 회로 의 형성 에서 도 사용 될 수 있 다 .