또한 , π 전자 과잉 형 헤테로 방향 족 고리 와 π 전자 부족 형 헤테로 방향 족 고리 가 직접 결합 된 물질 은 , π 전자 과잉 형 헤테로 방향 족 고리 의 전자 공여 성 과 π 전자 부족 형 헤테로 방향 족 고리 의 전자 수용성 이 둘 다 높 아 져 S 1 준위 와 T 1 준위 의 에너지 차이 가 작아지 기 때문 에 열 활성 화 지연 형광 을 효율 적 으로 얻 을 수 있 어 특히 바람직 하 다 . 또한 , π 전자 부족 형 헤테로 방향 족 고리 대신 에 사이아노기 와 같 은 전자 흡인기 가 결합 된 방향 족 고리 를 사용 하 여도 좋 다 . 또한 π 전자 과잉 형 골격 으로서 방향 족 아민 골격 , 페나진 골격 등 을 사용 할 수 있 다 . 또한 π 전자 부족 형 골격 으로서 , 크산텐 골격 , 싸이 오 크산텐 다 이 옥사이드 골격 , 옥사 다이아졸 골격 , 트라이아졸 골격 , 이미다졸 골격 , 안트라퀴논 골격 , 페닐 보란 이나 보란 트 렌 등 의 붕소 함유 골격 , 벤조나이트릴 또는 사이 아노 벤젠 등 의 나이트릴 기 또는 사이아노기 를 가지 는 방향 족 고리 나 헤테로 방향 족 고리 , 벤조페논 등 의 카보닐 골격 , 포스핀 옥사이드 골격 , 설폰 골격 등 을 사용 할 수 있 다 .