상기 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 과 관련 되 는 SiC 막 단체 구조 체 는 기상 성장 형 성막 법 에 의해서 요철 이 있 는 기재 의 요철 면 에 SiC 층 을 적층 하 여 구성 된 막 단체 구조 체로 , 상기 기재 에 는 원 하 는 구조 체의 형태 와 반대 요철 을 갖 는 암 형 ( 雌 型 ) 기재 를 채택 하 고 , 상기 SiC 층 은 상기 암 형 기재 의 요철 면 에 접하 여 구성 되 는 제 1 SiC 층 에서 상기 암 형 기재 와 의 접촉면 에 기능 면 을 구성 하 고 있 는 것 을 특징 으로 한다 .