도 2 에서 , 행 전도체 들 ( 230 ) 은 넓 지 않 고 협소 하 여 행 전도체 들 ( 230 ) 사이 에 큰 간격 이 존재 하 며 따라서 행 전도체 들 ( 230 ) 및 열 전 도체 들 ( 120 ) 사이 의 평 행판 정전 용량 의 양 이 감소 하 고 , 프린 징 필드 의 분산 이 터치 ( 힘 이 아닌 ( non - force ) ) 신호 를 위한 프린 징 정전 용량 을 제공 하 는 센서 에 의해 검출 될 수 있 도록 행 전도체 들 ( 230 ) 로부터 의 프린 징 필드 가 형성 된다 . 예컨대 , 도 8 의 다이아몬드 패턴 ( 800 ) 또는 맞물린 패턴 과 같 은 다른 실시 예 들 이 도 2 와 유사 하 게 구성 될 수 도 있 다 .