본원 발명 은 반도체 소자 의 미세 패턴 형성 방법 에 관한 것 으로 , 균일 한 크기 의 미세 콘 택 홀 을 형성 하 기 위해 , 3 중 하드 마스크 층 을 형성 하 고 , 이중 노광 및 현상 공정 으로 감광막 패턴 을 형성 하 여 미세 콘 택 홀 을 형성 함 으로써 , 라인 / 스페이스 패턴 과 동일 한 사이즈 로 미세 콘 택 홀 을 구현 할 수 있 는 기술 이 다 .