각각 의 화소 ( 46 ) 는 , 주사선 ( 102 ) 을 통하 여 주사 신호 가 게이트 전극 에 공급 되 는 스위칭 용 TFT ( 박막 트랜지스터 ) ( 108 ) 와 , 스위칭 용 TFT ( 108 ) 를 통하 여 신호선 ( 104 ) 으로부터 공급 되 는 화상 신호 를 보 지 ( 保 持 ) 하 는 보지 용량 ( 110 ) 과 , 보 지 용량 ( 110 ) 에 의해 보 지 된 화상 신호 가 게이트 전극 에 공급 되 는 구동 용 TFT ( 112 ) 와 , 구동 용 TFT ( 112 ) 를 통하 여 전원 공급 선 ( 106 ) 으로부터 구동 전류 가 공급 되 는 유기 EL 소자 ( 50 ) 를 구비 하 고 있 다 . 전술 한 각 TFT 는 , 소위 고온 폴리 실리콘 프로세스 를 이용 하 여 형성 되 어 있 다 . 그리고 각 유기 EL 소자 ( 50 ) 는 , 제 1 전극 으로서 의 화소 전극 ( 양극 ) ( 52 ) ( 도 5 참조 ) 과 , 화상 표시 영역 ( 100 ) 의 전역 에 형성 된 제 2 전극 으로서 의 음극 ( 56 ) ( 도 5 참조 ) 과 , 동일 하 게 화상 표시 영역 ( 100 ) 의 전역 에 형성 된 적어도 유기 EL 층 을 포함 하 는 발광 기능 층 ( 54 ) ( 도 3 참조 ) 으로 구성 되 어 있 다 .