본 발명 의 제 2 실시 예 에 따른 장치 ( 200 ) 는 도 6 내지 8 에 도시 한 바 와 같이 , 서로 마주 하 도록 배치 된 웨이퍼 ( 2 , 2 ) 의 표면 에 동시 에 성장 층 을 증착 시킬 수 있 는 것 으로 , 이 는 반응 챔버 ( 210 ) , 웨이퍼 배 치부 ( 220 ) , 가 열부 ( 230 ) , 회전 구동 부 ( 240 ) , 가스 배기 부 ( 250 ) 및 가스 공급 부 ( 260 ) 를 포함 하 여 구성 된다 .