제 2 반도체 막 ( 408 ) 위 에 제 2 금속 막 ( 409 ) 을 스퍼터링 법 등 으로 성막 한다 . 제 2 금속 막 ( 409 ) 의 일부 는 후 에 소스 배선 및 드레 인 배선 을 형성 한다 . 제 2 금속 막 ( 409 ) 은 Al 등 의 저 저항 금속 재료 가 바람직 하 지만 , 게이트 전극 재료 와 마찬가지 로 , Mo , W , Ti 등 의 고 융점 금속 재료 를 Al 등 의 저 융점 금속 의 배리 어막 으로서 사용 한 적층 구조 로 해도 좋 다 . 적층 구조 로 함 으로써 , Al 의 힐 록 발생 을 억제 할 수 있 다 .