도 2 d 를 참조 하 면 , 상기 N 형 폴리 실리콘 막 ( 206 ) 상 에 PMOS 영역 을 노출 시키 는 마스크 패턴 ( 208 ) 을 형성 한 후 , 상기 마스크 패턴 ( 208 ) 에 의해 노출 된 PMOS 영역 의 N 형 폴리 실리콘 막 ( 206 ) 부분 내 에 P 형 불순물 , 예컨대 , 보론 ( B ) 을 이온 주입 하 여 P 형 폴리 실리콘 막 ( 210 ) 을 형성 한다 .