다른 실시 예 에 있 어서 , 모스 펫 소자 의 제조 방법 은 , 게이트 형성 영역 을 갖 는 실리콘 기판 상 에 산화 막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 산화 막 상 에 실리콘 층 을 형성 하 는 단계 ; 상기 게이트 형성 영역 에 대응 하 는 실리콘 층 과 산화 막 및 실리콘 기판 부분 의 일부 두께 를 리세 스 하 여 게이트 용 홈 을 형성 하 는 단계 ; 상기 게이트 용 홈 이 형성 된 기판 결과물 로부터 상기 게이트 용 홈 의 프로 파일 을 따라 상기 실리콘 기판 과 실리콘 층 을 연결 시키 는 실리콘 에 피층 을 성장 시키 는 단계 ; 상기 게이트 용 홈 의 실리콘 에 피층 상 에 게이트 를 형성 하 는 단계 ; 상기 게이트 의 양측 벽 에 스 페이서 막 을 형성 하 는 단계 ; 및 상기 게이트 의 양측 의 실리콘 에 피층 을 포함 한 실리콘 층 내 에 상승 된 ( Elevated ) 구조 를 갖 는 소오 스 / 드레 인 영역 을 형성 하 는 단계 ; 를 포함 한다 .