을 만족 하 도록 조정 함 으로써 , 반도체 패키지 실장 시 의 온도 에서 도 웨이퍼 반송 등 의 실온 에서 도 휨 량 을 억제 할 수 있 는 것 을 발견 하 였 다 . 즉 , 재 배선 층 이나 절연 층 이나 봉 지재 의 수축 응력 을 상쇄 하 도록 휨 교정 층 에 수축 응력 을 작용 시킬 수 있 고 , 그 결과 , 반도체 패키지 실장 시 의 온도 에서 도 웨이퍼 반송 등 의 실온 에서 도 휨 량 을 억제 할 수 있 음 과 함께 , 웨이퍼 내지 패키지 의 휨 량 을 조정 하 면서 웨이퍼 내지 패키지 의 휨 을 저감 시킬 수 있 어 , 품질 신뢰 성 이 높 은 반도체 패키지 를 얻 을 수 있 다 . 이것 은 어디 까지 나 본 발명자 들 의 추측 이 며 , 본 발명 이 당해 논리 에 구속 되 는 것 은 아니 다 . 또한 , 본 발명 에 의한 휨 교 정재 는 , FO - WLP 의 재 배선 층 등 이 마련 되 어 있 는 면 과 는 반대 의 면 에 마련 되 어 있 어도 되 지만 , 밸런스 에 따라서 동일 한 면 에 마련 되 어 있 어도 된다 . 이하 , 본 발명 에 의한 경화 성 수지 조성물 을 구성 하 는 각 성분 에 대하 여 설명 한다 .