이어서 , 도 1 b 에 도시 된 바 와 같이 , 식각 공정 ( 104 ) , 예컨대 습식 식각 공정 을 실시 하 여 소자 분리 막 ( 103 A ) 을 일정 깊이 - 후속 EFH ( Effective Field oxide Height ) 조절 을 위한 식각 공정 ( 105 , 도 1 c 참조 ) 을 고려 하 여 최종 EFH 보다 높 은 범위 , 예컨대 소자 분리 막 ( 103 , 도 1 a 참조 ) 이 1300 Å 의 두께 로 형성 된 경우 , 330 Å 정도 가 후퇴 되 어 잔류 되 는 소자 분리 막 ( 103 A ) 의 두께 가 970 Å 정도 가 되 는 두께 - 로 후퇴 ( recess ) 시킨다 . 이 과정 에서 소자 분리 막 ( 103 A ) 의 후퇴로 인해 노출 되 는 도전 막 ( 102 A ) 또한 일부 가 식각 된다 .