본 발명 은 또한 지멘스 ( Siemens ) 반응기 에서 얇 은 막대 상 에 침착 된 다결정 질 실리콘 을 단편 으로 파쇄 하 고 , 상기 단편 을 약 0 . 5 mm 내지 45 mm 초과 의 크기 등급 으로 분류 하 고 , 상기 실리콘 단편 을 압축 공기 또는 드라이 아이스 로 처리 하 여 단편 의 습식 화학 세정 의 실시 없이 단편 으로부터 실리콘 분진 을 제거 하 는 것 을 포함 하 는 다결정 질 실리콘 의 제조 방법 에 관한 것 이 다 .