상기 표 3 을 참조 하 면 , 표 2 의 방식 1 과 상이 한 방식 으로 금속 산화물 을 형성 하 더라도 , 금속 산화물 이 1 % 존재 하 는 경우 모든 칩 에서 치핑 이 발생 하 는 것 을 확인 할 수 있 으며 , 금속 산화물 이 5 % 를 초과 하 는 경우 도금 층 의 끊김 및 치핑 이 개선 되 는 것 을 확인 할 수 있 으며 , 금속 산화물 이 95 % 인 경우 모든 도금 층 에서 끊김 현상 이 발생 하 는 것 을 확인 할 수 있 다 .