도 6 , 그리고 도 36 내지 도 40 을 참조 하 면 , 제 1 시간 ( t 1 ) 에 기판 ( 111 ) 에 프리 전압 ( Vpr ) 이 인가 된다 . 예 시 적 으로 , 기판 ( 111 ) 은 p 타입 실리콘 물질 을 포함 하 고 , 도핑 영역 ( 315 ) 은 n 타입 실리콘 물질 을 포함 한다 . 기판 ( 111 ) 및 도핑 영역 ( 315 ) 이 순 바이어스 조건 을 형성 하 므로 , 프리 전압 ( Vpr ) 은 기판 ( 111 ) 을 통해 도핑 영역 ( 315 ) 에 전달 된다 . 예 를 들 면 , 프리 전압 ( Vpr ) 은 고전압 일 것 이 다 .