더욱이 , 원자 박막 증착 공정 의 낮 은 쓰루 - 풋 을 작 은 크기 의 콘 택 홀 에 CVD 질화 티타늄 을 채우 는데 사용 함 으로써 필요 에 따라서 콘 택 홀 의 크기 를 원자 박막 증착 공정 에 맞추 어 작 게 하 여 설계 에 반영 할 수 있 으므로 반도체 소자 의 크기 를 감소 시킬 수 있 으며 , 또 , 원자 박막 증착 공정 과 화학 기상 증착 을 조합 하 여 균일 한 배선 을 형성 함 으로써 후속 공정 인 화학 적 기계 연마 공정 후 키 - 홀 또는 보이드 ( void ) / 심 ( seam ) 에 의한 결함 을 완벽히 제거 할 수 있 다 .