이어서 , 마스크 층 ( 132 ) 을 마스크 로 하 여 제 1 이온 주입 공정 ( a ) 을 진행 하 여 , 반도체 기판 ( 100 ) 내 에 제 1 불순물 영역 ( 140 ) 을 형성 한다 . 제 1 불순물 영역 ( 140 ) 이 게이트 전극 ( 122 ) 하부 로 확장 된 오버랩 영역 ( d ₃ , d ₄ ) 은 도 1 c 의 실시 예 에서 와 동일 하 게 형성 될 수 있 다 . 이 때 , 게이트 전극 ( 122 ) 의 노출 영역 ( d ′ ₂ ) 을 통해 주입 된 이온 이 게이트 전극 ( 122 ) 을 투과 하 여 반도체 기판 ( 100 ) 내 에 주입 될 수 있 지만 , 이러 한 이온 은 제 1 불순물 영역 ( 140 ) 이 게이트 전극 ( 122 ) 하부 로 확장 된 오버 랩 영역 ( d ₄ ) 으로 주입 되 므로 채널 영역 ( 105 ) 에 는 영향 을 주 지 않 는다 . 따라서 , 안정 적 인 채널 영역 ( 105 ) 을 확보 하 여 반도체 소자 의 신뢰 성 이 향상 될 수 있 다 .