본 발명 에서 는 , 입자 를 형성 하 는 처리 전 및 / 또는 처리 중 , 즉 실리콘 계 가스 의 공급 전 및 / 또는 실리콘 계 가스 공급 시 에 , 도 펀트 가스 를 흘림 으로써 핵 밀도 를 높이 고 있 다 . 이 에 따라 , 실리콘 양자 도트 를 형성 하 는 경우 에 는 실리콘 입자 의 밀도 를 높 게 할 수 가 있 고 , 또한 폴리 실리콘 막 을 형성 할 때 에 는 , 폴리 실리콘 막 의 입자 사이즈 를 미세 하 게 할 수 가 있 다 .