실시 예 1 과 동일 하 게 , 단분자막 을 형성 하 는 부위 에 개구부 를 갖 는 레지스 트 패턴 을 얻 었 다 . 다음 에 , 제 조예 2 에서 얻 은 11 , 12 - 에폭시 도 데 실트 리메 톡 시실 란 2 . 0 g 과 헥 실트 리메 톡 시실 란 5 . 9 g 의 4 ％ 디 클로로메탄 - 헥산 1 리터 용액 을 제조 하 여 단분자막 형성 재료 용액 으로 하 였 다 . 이 단분자막 형성 재료 용액 에 기판 을 2 시간 침지 시켜 기판 에 단분자막 을 형성 하 였 다 . 이 때 , 레지스 트 막 상 에 단분자막 은 형성 되 지 않 았 다 .