도 4 e 에 도시 한 바 와 같이 , 상기 감광막 을 제거 하 고 , 상기 반도체 기판 ( 161 ) 의 전면 에 감광막 을 도포 한 후 , 노광 및 현상 공정 으로 각 포토다이오드 영역 이 노출 되 도록 패 터닝 한다 . 이 어 , 상기 패 터닝 된 감광막 을 마스크 로 이용 하 여 상기 n 형 확산 영역 ( 167 ) 이 형성 된 에 피층 ( 162 ) 에 제 1 도전 형 ( p 형 ) 불순물 이온 을 주입 하 여 상기 에 피층 ( 162 ) 의 표면 내 에 p 형 확산 영역 ( 172 ) 을 형성 한다 .