또 , 평탄 화 막 ( 18 ) , 소스 배선 층 에 의해 형성 된 배선 , 및 접속 층 ( 38 ) 을 마스크 로써 , 소정 의 에칭 가스 ( 예 를 들 어 , CF 4 가스 와 O 2 가스 ) 를 사용 한 드라이 에칭 을 행하 고 , 층간 절 연막 ( 17 ) 및 게이트 절연 층 ( 12 ) 의 일부 를 제거 함 으로써 , 도 13 ( d ) 에 나타내 듯이 , 게이트 절연 층 ( 12 ) , 접속 층 ( 38 ) , 소스 배선 층 에 의해 형성 된 배선 에 콘택트 홀 ( Cc ) 을 형성 하 고 , 이 콘택트 홀 ( Cc ) 을 갖 는 접속 영역 ( 32 ) 을 형성 한다 .