도 4 b 는 본 기술 의 또 다른 실시 예 에 따라 구성 된 전기 기능 열 전달 구조물 ( HTS ) ( 420 ) 을 도시 하 는 단면도 이 다 . 도 4 a 와 유사 하 게 , 도 4 b 의 단면도 가 도 3 b 의 라인 4 A - 4 A 의 것 에 대응 하 는 라인 을 따르 는 HTS ( 420 ) 를 도시 한다 . HTS ( 420 ) 는 실리콘 ( 422 ) 의 8 개 의 수직 적층 된 볼륨 , 본드 패드 ( 424 ) , 제 1 전도성 물질 ( 426 a ) , 제 2 전도성 물질 ( 426 b ) , 및 유전체 물질 ( 428 ) 을 포함 한다 . 동작 중 에 , 볼륨 ( 422 ) 및 / 또는 유전체 물질 ( 428 ) 이 제 1 전도성 물질 ( 426 a ) 과 제 2 전도성 물질 ( 426 b ) 사이 에 커패시턴스 를 제공 할 수 있 다 .