이상 이 , 동작 예 2 이 다 . 그렇지만 , 기판 처리 열 ( Ｌｕ , Ｌｄ ) 에서 의 각 공정 은 동작 예 1 , 2 에 한정 되 지 않 는다 . 본 실시 예의 개요 설명 에서 상술 한 바 와 같이 , 기판 처리 열 ( Ｌｕ , Ｌｄ ) 에서 의 각 공정 은 극히 유연 하 게 변경 할 수 있 다 . 이 와 같이 , 실시 예 에 따른 기판 처리 장치 에 의하 면 , 기판 처리 열 ( Ｌｕ , Ｌｄ ) 에서 의 처리 공정 을 변경 하 는 제 어부 ( 90 ) 를 구비 하 고 있 으므로 , 동작 예 2 에서 설명 한 바 와 같이 , 기판 처리 열 ( Ｌｕ , Ｌｄ ) 에서 는 서로 다른 처리 를 기판 ( Ｗ ) 에 병행 해서 행할 수 있 다 . 따라서 , 기판 ( Ｗ ) 을 기판 처리 열 ( Ｌｕ , Ｌｄ ) 중 어느 하나 로 선택 적 으로 반송 함 으로써 , 기판 ( Ｗ ) 에 행하 는 처리 공정 을 기판 ( Ｗ ) 마다 바꿀 수 있 다 . 또한 , 동작 예 1 에서 설명 한 바 와 같이 , 기판 ( Ｗ ) 에 행하 는 처리 공정 을 기판 처리 열 ( Ｌｕ , Ｌｄ ) 사이 에서 동일 하 게 할 수 있 다 . 이 에 의해 , 본 장치 ( 10 ) 의 기판 처리 능력 을 높일 수 있 다 .