따라서 본 발명 은 상기 와 같 은 본 발명 이 속하 는 기술 분야 의 요구 에 부응 하 기 위한 것 으로 , 상온 스핀 코팅 공정 이 가능 할 뿐 만 아니 라 , p - 형 반도체 특성 을 지닌 안트라센 에 용해도 를 확보 하 기 위해 아세틸렌 유도체 를 도입 하 였으며 , 높 은 파이 전자 겹 칩 과 분자 간 결정 성 을 증가 시키 기 위하 여 아릴 유도체 를 도입 하 여 , 이 로 인해 전하 이동도 가 우수 하 면서 전류 점 별비 가 높 은 유기 반도체 화합물 및 이 를 이용 한 유기 박막 트랜지스터 를 제공 하 는 것 을 목적 으로 한다 .