게이트 절 연막 ( 52 a , 52 b ) 은 각각 , CVD 법 이나 스퍼터링 법 등 을 사용 하 여 산화 실리콘 막 , 질화 실리콘 막 , 산질 화 실리콘 막 , 혹은 질산화 실리콘 막 으로 형성 할 수 있 다 . 게이트 절 연막 ( 52 a , 52 b ) 은 각각 두께 50 nm 내지 150 nm 의 산화 실리콘 막 , 질화 실리콘 막 , 산질 화 실리콘 막 , 혹은 질산화 실리콘 막 으로 형성 할 수 있 다 . 여기 서 는 , 게이트 절 연막 ( 52 a ) 으로서 질화 실리콘 막 혹은 질산화 실리콘 막 을 형성 하 고 , 게이트 절 연막 ( 52 b ) 으로서 산화 실리콘 막 혹은 산질 화 실리콘 막 을 형성 하 여 적층 하 는 형태 를 제시 한다 . 또한 , 게이트 절 연막 을 2 층 이 아니 라 , 산화 실리콘 막 , 질화 실리콘 막 , 산질 화 실리콘 막 , 혹은 질산화 실리콘 막 의 단층 으로 형성 할 수 있 다 .