다음 으로 상기 구성 의 NAND 형 플래시 메모리 의 기입 동작 에 대하 여 , 도 5 및 도 6 을 이용 하 여 설명 한다 . 도 5 는 , 기입 동작 의 플로우 차트 이 다 . 본 플로우 차트 를 따른 기입 시퀀스 는 , 외부 로부터 기입 커맨드 를 수취 한 제어 회로 ( 6 ) 의 제어 에 기초 하 여 실행 된다 . 또한 도 6 은 , 도 5 에서 의 스텝 S 11 ∼ S 12 의 과정 에서 의 , 셀렉 트 게이트 선 SGD , 선택 비트 선 , 비 선택 비트 선 , 비 선택 워드 선 , 선택 워드 선 , 선택 비트 선 에 접속 된 메모리 셀 트랜지스터 MT 의 채널 및 비 선택 비트 선 에 접속 된 메모리 셀 트랜지스터 MT 의 채널 과 의 전위 변화 를 나타내 는 타이밍 차트 이 다 . 또한 ， 이하 에서 는 선택 워드 선 및 선택 비트 선 에 접속 된 메모리 셀 트랜지스터 MT ( 즉 , 프로그램 할 메모리 셀 트랜지스터 MT ) 를 선택 셀 이 라고 부르 고 , 선택 워드 선 및 비 선택 비트 선 에 접속 된 메모리 셀 트랜지스터 MT ( 즉 , 프로그램 하 지 않 을 메모리 셀 트랜지스터 MT ) 를 비 선택 셀 이 라고 부르 는 경우 가 있 다 .