또한 , 상기 게이트 배선 은 그 자체 로 스토리지 제 1 스토리지 전극 을 이루 며 , 그 상부 로 상기 게이트 절 연막 과 , 상기 게이트 절 연막 상부 로 형성 된 보호 층 을 유전체 층 으로 , 그리고 상기 게이트 배선 과 그 일부 가 중첩 하 도록 형성 된 화소 전극 을 제 2 스토리지 전극 으로 하 고 있 으며 , 이 들 제 1 , 2 스토리지 전극 과 그 사이 의 유전체 층 을 이루 는 게이트 절 연막 과 보호 층 은 스토리지 커패시터 를 형성 하 고 있 다 .