본 발명 에 따른 디램 소자 에 따르 면 , 랜딩 콘 택 플러그 가 비트 라인 보다 위 에 위치 하 도록 형성 함 으로써 , 스토리지 노드 콘 택 플러그 를 형성 하 기 위한 스토리지 노드 콘 택 홀 의 깊이 는 현저 하 게 작아질 수 있 다 . 따라서 스토리지 노드 콘 택 홀 을 형성 하 는 공정 이 용이 해 지 고 , 스토리지 콘 택 홀 이 오픈 되 지 않 는 문제점 이 발생 되 는 것 을 방지 할 수 있 다 . 따라서 보다 신뢰 성 있 는 디램 소자 의 제조 가 가능 하 다 .