도시 되 지 는 않 았 지만 , 복수 의 반응 가스 및 세정 가스 의 유동 을 개별 적 으로 단속 하 도록 원료 탱크 또는 소스 에 연결 되 는 가스 공급 라인 에 복수 개 의 서브 반응 가스 밸브 와 복수 개 의 서브 세정 가스 밸브 가 형성 되 어 있 고 , 상기 복수 개 의 서브 반응 가스 밸브 및 상기 복수 개 의 서브 세정 가스 밸브 에 각각 연결 되 는 가스 공급 라인 이 각각 하나 로 병합 되 는 부분 에 메인 반응 가스 밸브 및 메인 세정 가스 밸브 가 형성 되 어 있 고 , 상기 메인 반응 가스 밸브 및 상기 메인 세정 가스 밸브 와 연결 되 는 가스 공급 라인 이 병합 되 어 상기 챔버 로 연결 되 는 부분 에 메인 공급 밸브 가 형성 되 어 있 다 . 이때 , 화학 기상 증착 방법 으로 증착 공정 이 수행 되 는 반도체 제조 설비 의 특징 상 반응 가스 의 유량 제어 가 정밀 하 게 이루어져야 만 하 기 때문 에 소정 의 공정 시간 을 주 기 로 상기 각 밸브 는 리크 유무 를 확인 받 아야 만 한다 .