도 3 은 교차점 아키텍처 에 대한 다이 영역 의 효율 적 이용 을 지원 하 는 메모리 어레이 ( 300 ) 의 일례 를 도시 한다 . 메모리 어레이 ( 300 ) 는 도 1 및 도 2 를 참조 하 여 설명 된 메모리 어레이 들 ( 102 및 205 ) 의 일례 일 수 있 다 . 도 3 에 도시 된 바 와 같이 , 메모리 어레이 ( 300 ) 는 다수 의 물질 을 포함 하 여 메모리 셀 들 ( 105 - b ) 을 구성 한다 . 각각 의 메모리 셀 ( 105 - b ) 은 수직 방향 으로 ( 예 를 들 어 , 기판 에 수직 하 여 ) 적층 되 어 메모리 셀 스택 들 을 생성 한다 . 메모리 셀 들 ( 105 - b ) 은 도 1 를 참조 하 여 설명 된 메모리 셀 ( 105 ) 의 예 들 일 수 있 다 . 그 에 따라 메모리 어레이 ( 300 ) 는 3 차원 또는 3 D 메모리 어레이 로서 지칭 될 수 있 다 .