실리콘 산화 막 반도체 커패시터 는 실리콘 산화 막 이 전기 화학 적 으로 매우 안정 하 게 형성 되 기 때문 에 특별 한 전처리 또는 후처리 가 필요 하 지 않 다 . 그러나 게르마늄 산화 막 은 게르마늄 기판 이 산소 와 반응 하 여 생성 되 는 데 이때 1 차 적 으로 생성 된 이산화 게르마늄 과 게르마늄 기판 사이 의 계면 에서 일산 화 게르마늄 이 생성 된다 . 생성 된 일산 화 게르마늄 은 기체 상태 로 존재 하 며 , 이산화 게르마늄 층 을 통과 하 여 이산화 게르마늄 표면 으로 방출 된다 . 이때 이산화 게르마늄 표면 에 작 은 구멍 이 생성 되 고 이 는 게르마늄 산화 막 반도체 전기장 효과 트랜지스터 제작 에 필수 적 인 요소 인 균일 한 이산화 게르마늄 층 의 형성 을 방해 한다 . 그리고 이산화 게르마늄 층 을 투과 하 지 못하 고 이산화 게르마늄 층 과 게르마늄 기판 사이 에 남 아 있 는 일산 화 게르마늄 은 계면 의 결함 상태 밀도 ( Dit ) 를 증가 시키 는 가장 큰 원인 이 된다 .