제 1 및 제 2 금속화 층 ( 111 , 112 ) 각각 은 , 구리 , 구리 합금 , 알루미늄 , 알루미늄 합금 , 전력 반도체 모듈 장치 의 작동 중 에 고체 로 유지 되 는 다른 금속 또는 합금 중 하나 의 재료 로 구성 되 거나 이 를 포함 할 수 있 다 . 반도체 기판 ( 10 ) 은 세라믹 기판 , 즉 유전체 절연 층 ( 11 ) 이 세라믹 , 예컨대 얇 은 세라믹 층 인 기판 일 수 있 다 . 세라믹 은 , 산화 알루미늄 , 질화 알루미늄 , 산화 지르코늄 , 질화 규소 , 질화 붕소 , 또는 다른 유전체 세라믹 중 하나 의 재료 로 구성 되 거나 이 를 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 유전체 절연 층 ( 11 ) 은 Al 2 O 3 , AlN , SiC , BeO 또는 Si 3 N 4 중 하나 의 재료 로 구성 되 거나 이 를 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 기판 ( 10 ) 은 , 예컨대 DCB ( Direct Copper Bonding ) 기판 , DAB ( Direct Aluminium Bonding ) 기판 또는 AMB ( Active Metal Brazing ) 기판 일 수 있 다 . 또한 , 기판 ( 10 ) 은 절연 금속 기판 ( Insulated Metal Substrate : IMS ) 일 수 있 다 . 절연 금속 기판 은 일반 적 으로 , 예 를 들 어 에폭시 수지 또는 폴리 이미드 와 같 은 ( 충전 된 ) 재료 를 포함 하 는 유전체 절연 층 ( 11 ) 을 포함 한다 . 유전체 절연 층 ( 11 ) 의 재료 는 , 예 를 들 어 세라믹 입자 로 채워질 수 있 다 . 이러 한 입자 는 , 예 를 들 어 Si 2 O , Al 2 O 3 , AlN 또는 BN 을 포함 할 수 있 고 약 1 ㎛ 내지 약 50 ㎛ 의 직경 을 가질 수 있 다 . 기판 ( 10 ) 은 또한 비 - 세라믹 유전체 절연 층 ( 11 ) 을 갖 는 종래 의 인쇄 회로 기판 ( PCB ) 일 수 있 다 . 예 를 들 어 , 비 - 세라믹 유전체 절연 층 ( 11 ) 은 경화 수지 로 구성 되 거나 이 를 포함 할 수 있 다 .