상기 제 2 도전 막 은 도프 트 폴리 실리콘 막 으로 형성 할 수 있 다 . 상기 제 2 도전 막 은 200 ~ 2000 Å 의 두께 로 형성 할 수 있 다 . 상기 제 2 도전 막 은 저압 화학 기상 증착 방법 을 이용 하 여 형성 할 수 있 다 . 상기 제 2 도전 막 은 SiH 4 또는 Si 2 H 6 와 PH 3 가스 를 이용 하 며 480 ~ 550 ℃ 의 온도 와 0 . 1 ~ 3 토르 의 낮 은 압력 에서 5 . 0 E 19 ~ 3 . 0 E 20 atoms / cc 의 인 도핑 레벨 을 사용 하 여 형성 할 수 있 다 .