또한 , 본 발명 은 , 기판 과 , 상기 기판 상 에 형성 되 며 , 그 내부 에 커패시터 를 포함 하 는 n 형 질화물 반도체 층 과 , 상기 n 형 질화물 반도체 층 상 에 형성 된 다중 양자 우물 구조 를 갖 는 활성 층 과 , 상기 활성 층 상 에 형성 된 p 형 질화물 반도체 층 과 , 상기 p 형 질화물 반도체 층 상 에 형성 된 투명 전극 층 과 , 상기 n 형 질화물 반도체 층 상 에 형성 된 n 형 전극 , 및 상기 p 형 질화물 반도체 층 상 에 형성 된 p 형 전극 을 포함 하 여 구성 된 질화물 계 반도체 발광 소자 를 제공 한다 .