이 와 같이 노광 된 기판 을 알 카리 성 현상 수용액 에 충분히 침지 시킨 다음 , 빛 에 노출 된 부위 의 포토레지스트 막 이 전부 또는 거의 대부분 용해 될 때 까지 방치 한다 . 적합 한 현상 수용액 은 알 카리 수산화물 , 수산화 암모늄 또는 테트라메틸 암모늄 하이드 록 사이드 ( TMAH ) 를 함유 하 는 수용액 을 포함 한다 . 노광 된 부위 가 용해 되 어 제거 된 기판 을 현상액 으로부터 꺼낸 후 , 다시 열처리 하 여 포토레지스트 막 의 접착성 및 내 화학 성 을 증진 시키 는 하드 베 이크 공정 을 수행 한다 . 이러 한 열처리 는 바람직 하 게 는 포토레지스트 막 의 연화점 이하 의 온도 에서 이루어지 며 , 바람직 하 게 는 약 100 내지 150 ℃ 의 온도 에서 행할 수 있 다 .