도 1 에 나타낸 트랜지스터 는 게이트 도체 ( 12 ) 와 활성 영역 ( 14 ) 으로 구성 된다 . 게이트 도체 ( 12 ) 는 예컨대 폴리 실리콘 으로 만들 며 활성 영역 ( 14 ) 과 교차 한다 . 활성 영역 ( 14 ) 은 반도체 ( 예컨대 , 실리콘 ) 기판 에 불순물 ( 예컨대 , 인 ( P ) 이나 비소 ( As ) , 질소 ( N ) 와 같 은 N 형 불순물 또는 붕 ( B ) , 갈륨 ( Ga ) , 인듐 ( In ) 과 같 은 P 형 불순물 ) 을 주입 하 거나 확산 시킨 영역 으로서 이것 과 교차 되 는 게이트 도체 ( 12 ) 를 기준 으로 소스 영역 ( 14 s ) 와 드레 인 영역 ( 14 d ) 으로 나눈다 .