본 발명 의 제 1 실시 예 에 따른 반도체 소자 의 액티브 구조 는 , 제 1 내지 제 n 필드 영역 들 , 제 1 내지 제 n 필드 영역 들 과 교호 적 으로 형성 된 제 1 내지 제 n + 1 액티브 영역 들 을 포함 하 며 , 제 1 내지 제 n + 1 액티브 영역 들 은 양 끝 단부 에서 적어도 둘 이상 이 연결 되 어 필드 영역 들 을 적어도 하나 이상 폐쇄 시킨다 .