일반 적 으로 , 금속 또는 금속 합금 기판 은 약 20 ℃/ min 내지 약 100 ℃/ min 범위 의 신속 한 속도 로 가열 되 어 , 기판 의 온도 를 실온 으로부터 약 700 ℃ 내지 약 1050 ℃ 범위 일 수 있 는 고정 온도 ( holding temperature ) 로 증가 시킬 수 있 다 . 기판 온도 는 약 5 분 내지 약 5 시간 범위 의 시간 에 걸쳐서 열 적 산화 를 위해 고정 온도 에서 유지 되 어 큰 결정립 옥사이드 결정 의 신속 한 초기 성장 을 제공 할 수 있 다 . 후속 하 여 , 기판 의 온도 는 약 10 ℃/ min 내지 약 0 . 5 ℃/ min 범위 의 속도 로 약 400 ℃ 또는 그 미만 의 온도 로 더 천천히 저하 되 어 , 더 작 은 결정립 옥사이드 결정 의 성장 을 가능 하 게 할 수 있 다 . 기판 의 온도 가 약 400 ℃ 또는 그 미만 범위 이 면 , 기판 은 약 25 ℃/ min 내지 약 35 ℃/ min 범위 의 냉각 범위 로 더 신속 하 게 냉각 되 어 기판 이 주위 온도 로 복귀 되 게 할 수 있 다 .