상기 소자 분리 용 트렌치 ( 108 ) 내 에 는 제 1 절 연막 패턴 ( 112 a ) 이 구비 된다 . 상기 제 1 절 연막 패턴 ( 112 a ) 의 상부 면은 상기 플로팅 게이트 전극 ( 104 b ) 높이 의 중간 보다 낮 고 , 상기 액티브 영역 의 기판 ( 100 ) 표면 보다 는 높 게 위치 하 도록 한다 . 상기 제 1 절 연막 패턴 ( 112 a ) 은 실리콘 산화물 을 포함 할 수 있 다 . 상기 제 1 절 연막 패턴 ( 112 a ) 은 소자 분리 막 패턴 으로 제공 된다 .