또한 , 도 9 b 와 다른 일례 로서 , 산화물 반도체 층 ( 144 ) 과 소스 전극 및 드레 인 전극 의 사이 에 소스 영역 및 드레 인 영역 으로서 산화물 도전 층 을 형성 할 수 있 다 . 산화물 도전 층 의 재료 로서 는 , 산화아연 을 성분 으로 하 여 포함 하 는 것 이 바람직 하 고 , 산화 인듐 을 포함 하 지 않 는 것 이 바람직 하 다 . 이 와 같 은 산화물 도전 층 으로서 산화아연 , 산화아연 알루미늄 , 산 화질 화 아연 알루미늄 , 산화아연 갈륨 등 을 적용 할 수 있 다 .