상기 기술 적 과제 를 달성 하 기 위하 여 , 본 발명 에 따른 불휘발성 메모리 소자 의 제조 방법 은 , 반도체 기판 상 에 게이트 패턴 을 형성 하 는 단계 ; 상기 게이트 패턴 상 에 하드 마스크 막 패턴 을 형성 하 는 단계 ; 상기 하드 마스크 막 패턴 측벽 에 하드 마스크 스 페이서 를 형성 하 는 단계 ; 및 상기 하드 마스크 막 패턴 및 하드 마스크 스 페이서 를 식각 마스크 로 상기 컨트롤 게이트 전극 을 패 터닝 하 는 단계 를 포함 한다 . .