일 실시 예 에서 , 제 2 트랜지스터 ( T 2 ) 는 저온 다결정 실리콘 ( low - temperature poly - silicon ; LTPS ) 박막 트랜지스터 이 고 , 제 3 트랜지스터 ( T 3 ) 는 옥사이드 ( oxide ) 박막 트랜지스터 일 수 있 다 . 저 온 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 는 전자 이동도 및 안정 성 이 상대 적 으로 우수 한 반면 , 누설 전류 가 상대 적 으로 크 게 발생 할 수 있 다 . 따라서 , 제 3 트랜지스터 ( T 3 ) 를 옥사이드 ( oxide ) 박막 트랜지스터 로 구현 함 으로써 , 제 3 트랜지스터 ( T 3 ) 를 통해 흐르 는 누설 전류 를 효율 적 으로 방지 할 수 있 다 .