상기 제조 된 Si 를 포함 하 는 poly ( GAP - co - THF ) diol 과 디페닐메탄 디 이 소시아 네이트 ( 4 , 4 ' - Diphenylmethane diisocyanate , MDI ) 를 1 : 1 . 2 로 당량 비 로 준비 한 후 , 3 구 둥근 바닥 플라스크 에 Si 를 포함 하 는 poly ( GAP - co - THF ) diol 을 첨가 한 후 밀봉 하 여 1 시간 동안 질소 Purging 을 한다 . 1 구 둥근 바닥 플라스크 에 디페닐메탄 디 이 소시아 네이트 와 N , N - 디 메틸 포름 아마이드 를 첨가 후 밀봉 하 여 1 시간 질소 를 퍼 징하 며 용해 시킨 후 반응기 에 넣 고 , 디 부틸 주석 디 라우 레이트 ( Dibutyltin dilaurae , DBTDL ) 촉매 를 첨가 하 여 85 ℃ 4 시간 반응 하 였 다 .