본 발명 의 감방 사선 성 수지 조성물 및 레지스 트 패턴 형성 방법 에 의하 면 , 우수 한 초점 심도 및 막 수축 억제 성 을 발휘 하 면서 , LWR 이 작 고 , 해상도 가 높 고 , 단면 형상 의 직사각 형성 이 우수 한 레지스 트 패턴 을 형성 할 수 있 다 . 본 발명 의 산 확산 제 어제 는 , 당해 감방 사선 성 수지 조성물 의 산 확산 제 어제 성분 으로서 적합 하 게 사용 할 수 있 다 . 본 발명 의 카르복실 산염 및 카르복실 산 은 , 당해 산 확산 제 어제 의 원료 로서 적합 하 게 사용 할 수 있 다 . 따라서 , 이 들 은 금후 점점 미세화 가 진행 될 것 으로 예상 되 는 반도체 디바이스 의 가공 프로세스 등 에 적합 하 게 사용 할 수 있 다 .