도 1 은 본 발명 의 실시 예 에 따른 산화물 반도체 박막 의 제조 방법 을 설명 하 기 위한 순서도 이 고 , 도 2 는 공정 온도 에 따른 본 발명 의 실시 예 에 따른 제 1 박막 의 반응 사이트 ( - OH ) 의 수 를 설명 하 기 위한 도면 이 고 , 도 3 은 본 발명 의 실시 예 에 따른 제 1 및 제 2 박막 을 형성 하 기 위한 제 1 및 제 2 단위 공정 을 설명 하 기 위한 도면 이 고 , 도 4 는 본 발명 의 실시 예 에 따라 제 1 및 제 2 단위 공정 에 의해 제조 된 산화물 반도체 박막 을 설명 하 기 위한 도면 이 다 .