최근 , 플래시 메모리 의 고 밀도 화 를 도모 하 기 위해서 , 셀 을 다층 화 하 는 기술 이 개발 되 어 왔 다 . 이 기술 에서 는 , 기판 상 에 유전체 막 과 전 극막 을 교대 로 적층 한 후 , 일괄 적 으로 관통 홀 을 형성 한다 . 이 관통 홀 의 내면 상 에 전하 를 유지 하 는 충전 층 을 형성 하 고 , 관통 홀 의 내부 에 기둥 형상 ( columnar ) 전극 을 매립 한다 . 이 에 의해 , 셀 트랜지스터 들 을 3 차원 적 으로 적층 한 플래시 메모리 를 제작 할 수 있 다 ( 예 를 들 어 , 특허 문헌 1 참조 ) .