이 구성 을 갖 는 발광 디바이스 는 , 종래 의 구성 을 갖 는 발광 디바이스 보다 광 추출 효율 , 나아가 서 는 외부 양자 효율 을 높 게 할 수 있 지만 , 발광 디바이스 에서 의 그 외 의 중요 한 특성 에 악영향 을 미치 지 않 고 EL 층 내부 에 굴절 률 이 낮 은 층 을 형성 하 는 것 은 용이 한 것 이 아니 다 . 이것 은 , 낮 은 굴절 률 과 높 은 캐리어 수송 성 또는 발광 디바이스 에 사용 한 경우 의 신뢰 성 이 트레이드오프 의 관계 에 있 기 때문 이 다 . 이 문제 는 , 유기 화합물 의 캐리어 수송 성 이나 신뢰 성 은 불포화 결합 의 존재 에 크 게 의존 하 고 , 불포화 결합 을 많이 갖 는 유기 화합물 은 굴절 률 이 높 은 경향 이 있 는 것 에 원인 이 있 다 .