상기 반도체 소자 ( 1000 ) 는 상기 제 1 적층 그룹 ( 100 ) 과 상기 제 2 적층 그룹 ( 200 ) 사이 의 중간 층간 절연 층 ( 115 ) 을 더 포함 할 수 있 다 . 상기 중간 층간 절연 층 ( 115 ) 은 상기 제 1 최상위 층간 절연 층 ( 110 U ) 과 상기 제 2 최하위 층간 절연 층 ( 210 L ) 사이 에 개재 될 수 있 으며 , 상기 x 방향 으로 연장 되 도록 배치 될 수 있 다 . 상기 중간 층간 절연 층 ( 115 ) 은 3 차원 반도체 소자 의 다중 스택 사이 를 구분 하 는 층 일 수 있 으나 , 이 에 한정 되 는 것 은 아니 다 . 상기 중간 층간 절연 층 ( 115 ) 의 하 면은 제 1 최상위 층간 절연 층 ( 110 U ) 의 상면 과 접촉 할 수 있 으며 , 상기 중간 층간 절연 층 ( 115 ) 의 상면 은 제 2 최하위 층간 절연 층 ( 210 L ) 의 하면 과 접촉 할 수 있 다 .