플래시 메모리 장치 에 데이터 를 저장 하 는 과정 은 프로 그래 동작 과 소거 동작 이 있 다 . 프로그래밍 동작 은 플래시 메모리 장치 의 단위 기억 소자 로 사용 되 고 있 는 모스 트랜지스터 의 문턱 전압 을 변동 시키 는 과정 을 말 하 며 , 소거 동작 은 단위 기억 소자 로 사용 하 고 있 는 모스 트랜지스터 의 문턱 전압 을 원래 래도 되돌리 는 것 을 말 한다 . 예 를 들 어 프로그래밍 동작 에서 데이터 ' 1 ' 을 저장 할 단위 기억 소자 들 의 모스 트랜지스터 들 문턱 전압 을 모두 일정 한 레 밸 이상 까지 낮추 어 놓 고 , 데이터 ' 0 ' 을 저장 할 단위 기억 소자 들 의 모스 트랜지스터 들 문턱 전압 은 그대로 두 는 것 이 다 .