제 3 실시 형태 에 관한 발광 디바이스 는 , 반도체 나노 입자 및 / 또는 코어 셸 형 반도체 나노 입자 를 포함 하 는 광 변환 부재 및 반도체 발광 소자 를 포함 한다 . 이 발광 디바이스 에 의하 면 , 예 를 들 어 반도체 발광 소자 로부터 의 발광 의 일부 를 , 반도체 나노 입자 및 / 또는 코어 셸 형 반도체 나노 입자 가 흡수 하 여 보다 장파장 의 광 이 발 해진다 . 그리고 , 반도체 나노 입자 및 / 또는 코어 셸 형 반도체 나노 입자 로부터 의 광과 반도체 발광 소자 로부터 의 발광 의 잔부 가 혼합 되 고 , 그 혼합 광 을 발광 디바이스 의 발광 으로서 이용 할 수 있 다 .