도 4 에서 웨이퍼 의 표면 부근 에서 보론 의 농도 가 큰 것 은 측정 장치 의 신호 간섭 등 에 의한 수치 로 볼 수 있 고 , 약 650 나노미터 정도 의 깊이 에서 보론 의 농도 가 피크 ( peak ) 를 이루 는 영역 이 실리콘 산화 막 과 실리콘 웨이퍼 의 계면 ( surface ) 으로 추정 할 수 있 으므로 실리콘 산화 막 의 두께 는 약 650 나노미터 로 추정 할 수 있 고 , 약 500 ~ 1300 나노미터 의 깊이 에서 보론 의 농도 가 증가 하 는 구간 이 보론 이 상술 한 1 차 이온 의 주입 에 의하 여 보 론 이 상기 의 벌크 영역 에 까지 확산 되 어 분포 하 는 구간 이 라고 추정 된다 .