이 후 , 상기 도전 성 이물 방지 예비 패턴 을 에 싱하 여 상기 화소 전극 ( 122 P 2 ) 을 덮 는 도전 성 이물 방지 패턴 ( 141 P ) 을 형성 한다 . 이때 , 상기 에 싱 공정 은 데이터 패드 부 및 게이트 패드 부 에 형성 된 도전 성 이물 방지 예비 패턴 이 완전히 제거 되 는 시점 까지 진행 한다 . 이 어 , 도면 에 는 도시 되 지 는 않 았 지만 , 상기 에 싱 공정 이 완료 된 다음 , 상기 도전 성 이물 방지 패턴 ( 141 P ) 을 가진 기판 에 큐어 링 공정 을 진행할 수 도 있 다 .