또한 , 상기 경화 성 수지 층 의 적외선 투과율 은 33 ％ 이상 이 며 , 충분히 높 다 . 이러 한 특성 의 상기 경화 성 수지 층 에서 는 동일 하 게 적외선 투과 율 이 충분히 높 은 제 1 보호막 을 형성 할 수 있 다 . 이러 한 경화 성 수지 층 혹은 제 1 보호막 을 범프 형성 면 에 구비 한 반도체 웨이퍼 또는 반도체 칩 에 있 어서 는 , 적외선 카메라 나 적외선 현미경 등 을 이용 함 으로써 , 경화 성 수지 층 또는 제 1 보호막 을 개재 하 여 , 반도체 웨이퍼 또는 반도체 칩 의 회로 면 을 용이 하 게 관찰 할 수 있 다 . 이 로써 , 경화 성 수지 층 또는 제 1 보호막 을 개재 하 여 , 회로 면 상태 를 확인 할 수 있 을 뿐 만 아니 라 , 예 를 들 면 , 다 이싱 을 행할 때 에 는 반도체 웨이퍼 의 표면 에 존재 하 는 얼라인먼트 마크 ( 다 이싱 을 행해야 할 부분 을 위치 하 는 마크 ) 의 위치 나 , 다 이싱 라인 ( 다 이싱 을 행해야 할 부분 을 나타내 는 라인 ) 의 위치 가 인식 가능 해 지 고 , 반도체 웨이퍼 에 있 어서 의 절단 지점 의 특정 이 가능 해진다 .