다른 층 들 이 디바이스 아키텍처 에 포함 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 자 가 조립 일분자층 ( SAM ; self assembled monolayer ) 이 필요 에 따라서 결정 화도 를 향상 시키 고 , 접촉 저항 을 감소 시키 고 , 표면 특징 들 을 바로잡 으며 , 접착성 을 증진 시키 도록 , 게이트 , 소스 또는 드레 인 전극 , 기판 , 절연 층 및 유기 반도체 물질 상 에 증착 될 수 있 다 . 특히 , 채널 영역 내 의 유전 표면 에 는 , 특히 높 은 k 유전 표면 에 대해 예 로서 유기 반도체 의 형태학 을 향상 시키 고 ( 특히 폴리머 정렬 및 결정도 ) 전하 트랩 을 커버 함 으로써 디바이스 성능 을 향상 시키 도록 바인딩 영역 과 유기 영역 을 포함 하 는 일분자층 이 제공 될 수 있 다 . 이러 한 일분자층 에 대한 예시 적 인 물질 은 예 를 들 어 octadecyltrichlorosilane 과 같 은 긴 알킬 고리 를 갖 는 chloro - 또는 alkoxy - 실레인 ( silane ) 을 포함 한다 . 유사 하 게 , 소스 및 드레 인 전극 에 SAM 이 제공 되 어 유기 반도체 와 전극 들 사이 의 접촉 을 향상 시킬 수 있 다 . 예 를 들 어 , 금 으로 된 SD 전극 들 에 사이 올 ( thiol ) 바인딩 그룹 및 접촉 을 향상 시키 는 그룹 을 포함 하 는 SAM 이 제공 될 수 있 으며 , 상기 접촉 을 향상 시키 는 그룹 은 높 은 쌍극자 모멘트 , 도 펀트 , 또는 복합 반족 ( conjugated moiety ) 을 갖 는 그룹 일 수 있 다 .