하부 구조 에 의해 단차 가 형성 된 공정 기판 에 평탄 화 막 을 적층 하 는 단계 , 상기 평탄 화 막 에 대해 하드 패드 ( hard pad ) 를 이용 하 여 상기 공정 기판 에 대한 화학 적 기계 적 연마 ( CMP ) 를 실시 하 는 제 1 평탄 화 단계 , 소프트 패드 ( soft pad ) 를 이용 하 여 상기 공정 기판 에 대해 CMP 를 실시 하 는 제 2 평탄 화 단계 를 구비 하 여 이루어지 는 것 을 특징 으로 하 는 반도체 장치 형성 방법 이 개시 된다 .