본 발명 에서 는 상기 와 같 은 식각 불 균일 현상 을 방지 하 기 위하 여 상기 제 1 마스크 패턴 ( 130 a ) 의 위 에 상기 버퍼 마스크 패턴 ( 132 a ) 이 형성 된 상태 에서 도 1 f 내지 도 1 h 의 공정 을 진행 하 였으므로 , 다음 에 도 1 i 를 참조 하 여 설명 하 는 바 와 같이 , 상기 버퍼 마스크 패턴 ( 132 a ) 의 높이 에 의해 제공 되 는 충분 한 공정 마진 을 확보 한 상태 에서 상기 제 2 마스크 패턴 ( 150 a ) 의 높이 가 상기 제 1 마스크 패턴 ( 130 a ) 의 높이 와 같 아 지 도록 상기 제 2 마스크 패턴 ( 150 a ) 의 과도 식각 을 행할 수 있 다 .