일본 공개 특허 평 13 - 148473 ( 이하 , " "" 인용 특허 "" 라고 한다 . ) 에 실리콘 저 매 늄 의 식각 방법 이 개시 되 어 있 다 . 상기 인용 특허 는 질산 ", 불 산 ( HF ) 및 탈 이 온수 로 이루어진 식각 액 을 이용 하 여 실리콘 저 매 늄 을 식각 하 고 있 다 . 그러나 , 실제 적 으로 공정 에 적용 하 기 위해서 는 실리콘 에 대해 실리콘 저 매 늄 의 선택 비 가 매우 높 아야 하 는 반면 , 상기 인용 특허 의 식각 액 은 실제 적 으로 약 1 : 2 의 선택 비 를 가지 므로 , 실제 공정 에 적용 하 기 에 한계 가 있 다 . 즉 , 원 하 는 양 만큼 실리콘 저 매 늄 을 식각 하 기 위해서 는 실리콘 의 소모량 도 함께 증가 하 여 선택 적 인 식각 을 구현 하 는 데 한계 가 있 다 . 또한 , 식각 공정 후 , 린스 공정 으로 이송 중 에 도 계속 적 인 식각 이 발생 하 여 불 필요 한 실리콘 의 손실 을 초래 한다 .