도 9 및 도 10 b 를 참조 하 면 , 메모리 장치 ( 100 ) 는 프리 - 프로그램 동작 이 수행 을 수행 하 기 위해 선택 된 더미 워드 라인 ( DWL 1 ) 에 프리 - 프로그램 전압 ( Vprepro ) 을 인가 하 고 , 비 선택 된 워드 라인 들 ( WL ) 에 는 워드 라인 패스 전압 ( Vwp ) 을 인가 할 수 있 다 . 즉 , 메모리 장치 ( 100 ) 는 선택 적 으로 프리 - 프로그램 동작 을 수행 할 수 있 고 , 예 를 들 어 , 더미 워드 라인 ( DWL 1 ) 에 연결 된 더미 셀 들 ( DCa , DCb ) 에 대해 프리 - 프로그램 동작 을 수행 할 수 있 고 , 메인 셀 들 ( MC ) 에 대해서 는 프리 - 프로그램 동작 을 수행 하 지 않 을 수 있 다 . 이 때 , 워드 라인 패스 전압 ( Vwp ) 은 프리 - 프로그램 전압 ( Vprepro ) 보다 낮 은 레벨 을 가질 수 있 다 .