또한 , 어 드레스 전극 들 ( 15 ) 은 전면 기판 ( 10 ) 위 에서 Cr - Cu - Cr , Cr - Al , Cr - Al - Cr 및 MIHL ( metal insulator hybrid layer ) 을 대략 5 ㎛ 이하 의 박막 형태 로 형성 한다 . 이 처럼 , 어 드레스 전극 ( 15 ) 을 박막 으로 형성 함 으로써 패널 의 고해상도 및 고정 세화 에 따라 기존 후막 전극 의 폭 이 작아지 면서 전극 이 단선 되 고 , 소성 이 후 전극 주변 에 전극 끝 티 가 남 아 전 극간 소트 ( short ) 가 발생 하 는 불량 율 을 제거 할 수 있 다 .