도 5 는 폴리 실리콘 게이트 ( 4 ) 를 형성 하 고 , 드레 인과 게이트 사이 의 측벽 절 연막 을 형성 하 기 위해 상기 더미 게이트 ( 4 ) 의 노출면 에 실리콘 산화 막 ( 8 ) 을 형성 시킨 후 , 건 식각 을 하 여 전체 적 인 구조 가 형성 된 형태 를 도시 한다 . 여기 서 측벽 절 연막 ( 8 ) 은 산소 분위기 에서 열처리 로 생성 하 는 실리콘 산화 막 이나 질화 실리콘 막 을 사용 하 여 형성 할 수 있 다 .