반도체 기판 ( 100 ) 으로부터 과잉 에이전트 및 반응 부산물 을 제거 하 기 위해 , 진공 챔버 의 압력 은 약 30 초 내지 약 180 초 동안 약 0 . 5 Torr 로 감소 된다 . 대안 적 으로 , 챔버 내 의 압력 은 정적 레벨 에서 유지 될 수 있 고 , 불활성 플러시 가스 의 동적 흐름 이 잔여물 에이전트 를 제거 하 도록 사용 될 수 있 다 .