복수 개 의 제 1 활성 패턴 들 ( 101 a ) 이 제 1 활성 영역 ( NR ) 에서 제 1 방향 ( D 1 ) 으로 연장 될 수 있 으며 , 제 1 방향 ( D 1 ) 과 교차 하 는 제 2 방향 ( D 2 ) 으로 서로 이격 될 수 있 다 . 복수 개 의 제 2 활성 패턴 들 ( 101 b ) 이 제 2 활성 영역 ( PR ) 에서 제 1 방향 ( D 1 ) 으로 연장 될 수 있 으며 , 제 1 방향 ( D 1 ) 과 교차 하 는 제 2 방향 ( D 2 ) 으로 서로 이격 될 수 있 다 . 제 1 및 제 2 활성 패턴 들 ( 101 a , 101 b ) 은 반도체 기판 ( 100 ) 의 일 부분 들 일 수 있 으며 , 반도체 기판 ( 100 ) 에 형성 된 제 1 트렌치 들 에 의해 정의 될 수 있 다 . 일 예 에서 , 제 1 활성 패턴 들 ( 101 a ) 이 2 개 인 것 으로 도시 하 였으나 , 본 발명 은 이 에 제한 되 지 않 으며 , 제 1 활성 패턴 들 ( 101 a ) 의 수 는 달라질 수 있 다 . 이 는 제 2 활성 패턴 들 ( 101 b ) 또한 마찬가지 일 수 있 다 .