이 에 따라 , 스 페이서 ( 118 ) 에 의해 식각 이 방지 된 제 2 반도체 층 ( 104 b ) 은 제 1 방향 으로 는 채널 층 ( 122 ) 을 형성 한다 . 또한 , 제 2 방향 의 제 2 반도체 층 ( 104 b ) 은 부분 절연 층 ( 113 ) 의 측면 과 상부 면 의 일부 를 덮 고 , 반도체 기판 ( 100 ) 과 연결 된 제 3 반도체 층 ( 104 c ) 이 된다 . 제 3 반도체 층 ( 104 c ) 은 도전 성 영역 , 예 를 들 어 소오 스 영역 및 드레 인 영역 으로 작용 할 수 있 다 . 채널 층 ( 122 ) 과 제 3 반도체 층 ( 104 c ) 에 의해 형성 된 제 2 개 구부 ( 120 ) 는 제 1 개 구부 ( 116 ) 보다 스 페이서 ( 118 ) 의 폭 만큼 좁혀진 공간 이 다 .