예 를 들 어 , ITO 의 경우 , 상기 표면 매립 첨가제 ( 244 ) 의 존재 는 사용 되 는 ITO 의 양 을 줄여 원가 절감 효과 를 가져오 고 , 상기 디바이스 의 다른 층 ( 214 ) 의 두께 를 줄일 수 있 다 ( 상대 첨가제 ( 210 ) 의 없 는 경우 에 비해 ) . 예 를 들 어 , 두께 는 약 100 nm 보다 적 고 , 약 75 nm 보다 크 지 않 고 , 약 50 nm 보다 크 지 않 고 , 약 40 nm 보다 크 지 않 고 , 약 30 nm 보다 크 지 않 고 , 약 20 nm 보다 크 지 않 고 , 약 10 nm 보다 크 지 않 고 , 약 5 nm 또는 더 적 게 까지 줄어들 수 있 다 . 추가 적 으로 , 상기 표면 매립 첨가제 ( 244 ) 의 존재 는 ITO 를 스퍼터링 대신 에 저온 에서 처리 하 는 액상 도포 를 가능 하 게 한다 . 첨가제 ( 244 ) 는 고온 처리 없이 액상 도포 된 ITO 에 의해 나타난 감소 된 전도 성 을 완화 시킬 수 있 어 , 결과 적 으로 , 비교 적 으로 낮 은 전도성 ITO 층 은 여전히 일함수 매칭 을 만족 할 수 있 다 . 또한 첨가제 ( 244 ) 는 패턴 ( 예 를 들 어 , 격자 패턴 , 또는 치 의 다른 층 ( 250 ) 은 실질 적 으로 첨가제 의 패턴 에 매칭 되 는 패턴 ( 예 를 들 어 , 매칭 되 는 격자 패턴 , 또는 상기 도 1 H 의 설명 에 기재 된 매칭 되 는 임의 의 다른 패턴 ) 으로 형성 되 어 상기 첨가제 ( 244 ) 를 완전히 덥 거나 , 일부 노출 된 채 로 남겨둘 수 있 다 . 한편 , 이 를 대체 하 거나 또는 함께 , 첨가제 ( 244 ) 의 네트워크 가 증착 되 거나 다른 방식 으로 도포 되 는 규칙 적 인 도전 격자 에 의해 보충 될 수 있 다 .