예시 적 인 실시 예 들 에 있 어서 , 절연 라이너 ( 160 ) 는 실리콘 질화물 을 사용 하 여 ALD 공정 또는 CVD 공정 에 의해 형성 될 수 있 다 . 절연 라이너 ( 160 ) 는 약 0 . 5 내지 20 nm 의 제 2 두께 ( T 2 ) 로 형성 될 수 있 다 . 도 10 에 예시 적 으로 도시 된 바 와 같이 , 게이트 스 페이서 구조물 ( 140 ) 이 경사진 상면 ( 140 U ) 을 가짐 에 따라 절연 라이너 ( 160 ) 는 게이트 스 페이서 구조물 ( 140 ) 의 경사진 상면 ( 140 U ) 을 따라 하방 으로 연장 될 수 있 다 .