도 23 f 를 참조 하 면 , 제 1 전하 저 장막 ( 232 ) 상 에 제 2 전하 저 장막 ( 234 ) 을 형성 하 여 , 제 1 전하 저 장막 ( 232 ) 및 제 2 전하 저 장막 ( 234 ) 으로 이루어지 는 전하 저 장막 ( 230 ) 을 형성 한다 . 제 2 전하 저 장막 ( 234 ) 은 제 1 전하 저 장막 ( 232 ) 을 시드 로 사용 하 는 선택 적 에피 택 셜 성장 공정 또는 선택 적 증착 공정 을 통하 여 형성 할 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 제 1 전하 저 장막 ( 232 ) 과 제 2 전하 저 장막 ( 234 ) 은 동일 한 물질 로 이루어질 수 있 다 . 다른 일부 실시 예 에서 , 제 1 전하 저 장막 ( 232 ) 과 제 2 전하 저 장막 ( 234 ) 은 서로 다른 물질 로 이루어질 수 있 다 . 제 2 전하 저 장막 ( 234 ) 은 예 를 들 면 , 실리콘 질화 막 , 또는 불순물 이 도핑 된 폴리 실리콘 으로 이루어질 수 있 다 .