상기 센싱 게이트 영역 ( 202 ) 은 외계 의 화학 물질 또는 화학량 에 따른 기준 전극 과 의 전위차 변화 에 의해 외부 의 환경 을 검출 ( detection ) 하 여 pH , 용 존 산소량 또는 용 존 이산화 탄소 량 등 을 측정 하 는 기능 을 수행 한다 . 또한 본 발명 의 실시 예 에 따른 FET 센서 는 반도체 의 저 항온 도 특성 등 의 열전 변환 기능 을 이용 하 여 온도 센서 로 도 사용 할 수 있 음 은 물론 이 다 .