음극 과 전자 수송 층 사이 에 전자 주입 층 을 마련 해도 된다 . 일반 적 으로 , 전자 주입 층 은 , 음극 으로부터 전자 수송 층 으로 의 전자 의 주입 을 도울 목적 으로 삽입 된다 . 전자 주입 층 에 는 , 전자 수용성 질소 를 포함 하 는 헤테로 아릴 환 구조 를 갖 는 화합물 을 사용 해도 되 고 , 상기 도너 성 재료 를 함유 하 는 층 을 사용 해도 된다 . 일반식 ( 1 ) 로 표시 되 는 화합물 이 전자 주입 층 에 포함 되 어 있 어도 된다 . 또한 , 전자 주입 층 에 절연체 나 반도체 의 무기물 을 사용 할 수 도 있 다 . 이 들 재료 를 사용 함 으로써 발광 소자 의 단락 을 유효 하 게 방지 하 고 , 또한 전자 주입 성 을 향상 시킬 수 있 으므로 바람직 하 다 .