지금 까지 설명 한 바 와 같이 , 본 발명 에 따른 핀 - 스텝 형 트랜지스터 의 제조 방법 에 의하 면 , 채널 이온 주입 을 핀 ( FIN ) 구조 의 앞뒤 측면 과 단차 진 부분 의 양 측면 에 대한 1 차 이온 주입 과 , 핀 - 스텝 구조 의 상부 에 대한 2 차 이온 주입 으로 이루어진 두 단계 의 채널 이온 주입 을 수행 함 으로써 균일 한 도핑 프로 파일 을 갖 는 3 중 채널 을 형성 할 수 있 다는 이점 이 제공 된다 .