기판 을 준비 하 는 단계 , 상기 기판 상 에 인듐 ( In ) 및 산소 ( O ) 를 포함 하 는 제 1 박막 을 형성 하 는 단계 , 및 상기 제 1 박막 상 에 아연 ( Zn ) 및 산소 ( O ) 포함 하 는 제 2 박막 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 되 , 상기 제 1 박막 및 상기 제 2 박막 을 형성 하 는 단계 가 교대 로 그리고 반복 적 으로 수행 되 는 것 을 포함 하 는 산화물 반도체 박막 의 제조 방법 이 제공 될 수 있 다 .