도 3 은 본 발명 의 실시 양태 에 따라 인쇄 가능 한 화합물 반도체 장치 구조물 을 제조 하 고 이러 한 구조물 을 성장 기판 또는 다른 공여 기판 으로부터 박리 하 는 방법 을 예시 하 는 흐름 도 이 다 . 도 3 에 나타낸 바 와 같이 , 블럭 ( 305 ) 에서 는 비소화물 - 기재 의 기판 이 제공 된다 . 블럭 ( 310 , 315 및 320 ) 각각 에서 는 상기 비소화물 - 기재 의 기판 위 에 인듐 알루미늄 인화물 ( InAlP ) 을 포함 하 는 박리 층 , 비소화물 - 기재 의 지지층 , 및 1 개 이상 의 반도체 장치 층 이 순차 적 으로 제공 된다 . 박리 층 , 지지층 및 / 또는 장치 층 ( 들 ) 은 일부 실시 양태 에서 비소화물 - 기재 의 기판 위 에서 에피 택 셜 하 게 성장 되 어 에피 - 적층 물 구조 를 구축 할 수 있 다 . 블럭 ( 322 ) 에서 는 1 종 이상 의 반도체 장치 , 예컨대 트랜지스터 , 광 전지 및 / 또는 발광 다이오드 가 미세 제조 기술 을 이용 하 여 장치 층 ( 들 ) 내 에 / 위 에 형성 될 수 있 다 . 또한 , 블럭 ( 322 ) 에서 는 또한 미세 제조 기술 을 이용 하 여 박리 층 의 하나 이상 의 일부 가 노출 될 수 있 다 .