게이트 도전 패턴 군 이 형성 된 기판 ( 31 ) 상 에 는 도 8 a 에 도시 된 바 와 같이 게이트 도전 패턴 군 을 덮 도록 게이트 절 연막 ( 41 ) , 비정질 실리콘 층 ( 42 ) , 불순물 ( n + 또는 p +) 이 도핑 된 비정질 실리콘 층 ( 이하 , " n + 불순물 이 도핑 된 경우 를 예 로 들 어 "" n + 비정질 실리콘 층 "" 이 라 함 ) ( 43 ) ", 소스 / 드레 인 금속 층 ( 44 ) , 및 포토레지스트 ( 45 ) 가 순차 적 으로 형성 된다 . 게이트 절 연막 ( 41 ) 으로 는 산화 실리콘 ( SiOx ) , 질화 실리콘 ( SiNx ) 등 과 같 은 무기 절연 물질 이 이용 된다 . 소스 / 드레 인 금속 층 ( 44 ) 으로 는 저 저항 배선 을 위한 Cu 금속 이 이용 된다 . 이어서 , 기판 ( 31 ) 상부 에 는 제 2 마스크 ( 46 ) 가 배치 된다 . 제 2 마스크 ( 46 ) 로 는 회절 노광 마스크 또는 반투 과 마스크 가 이용 된다 . 이하 에서 는 , 회절 노광 마스크 를 이용 한 경우 를 예 로 들 어 설명 한다 . 회절 노광 마스크 인 제 2 마스크 ( 46 ) 는 자외선 을 투과 시키 는 투과 영역 ( P 1 ) 과 , 자외선 을 회절 시켜 자외선 의 일부 만 을 투과 시키 는 회절 노광 영역 ( P 2 ) 과 , 자외선 을 차단 하 는 차단 영역 ( P 3 ) 을 구비 한다 .