또한 제 2 물질 층 ( 20 A , 20 B ) 의 산소 농도 가 증착 방향 으로 변화 되 는 것 과 관련 해서 , 메모리 요소 의 신뢰 성 , 재현 성 , 균일성 , 안정 성 등 이 개선 될 수 있 다 . 제 2 물질 층 ( 20 A , 20 B ) 의 상부 ( upper portion ) , 즉 , 제 2 전극 ( E 2 ) 에 접촉 되 어 화학 양론 적 ( stoichiometric ) 조성 또는 그 에 근접 한 조성 을 갖 는 부분 은 그 아래 의 제 2 물질 층 ( 20 A , 20 B ) 의 나머지 영역 ( 저항 변화 특성 에 실질 적 으로 기여 하 는 영역 ) 과 제 2 전극 ( E 2 ) 이 물리 / 화학 적 으로 반응 하 는 것 을 방지 또는 억제 하 는 역할 을 할 수 있 다 . 제 1 물질 층 ( 10 ) 과 제 2 물질 층 ( 20 A , 20 B ) 사이 의 이온 종 ( ionic species ) 교환 을 일으키 기 위한 세트 / 리세트 동작 시 , 제 2 물질 층 ( 20 A , 20 B ) 의 산소 이온 및 / 또는 산소 공공 ( vacancy ) 이 제 2 전극 ( E 2 ) 으로 이동하 여 제 2 전극 ( E 2 ) 과 물리 / 화학 적 반응 을 일으키 거나 , 제 2 물질 층 ( 20 A , 20 B ) 자체 와 제 2 전극 ( E 2 ) 이 물리 / 화학 적 반응 을 일으킬 수 있 다 . 이 에 따라 메모리 요소 의 저항 변화 특성 의 안정 성 , 신뢰 성 , 균일성 및 재현 성 등 에 문제 가 발생 할 수 있 다 . 그러나 본 실시 예 에서 와 같이 , 제 2 물질 층 ( 20 A , 20 B ) 의 산소 농도 를 두께 방향 으로 변화 시키 면 , 즉 , 제 2 물질 층 ( 20 A , 20 B ) 의 제 2 전극 ( E 2 ) 과 접 한 부분 에 산소 농도 가 높 은 영역 ( 화학 양론 적 조성 또는 그 에 가까운 조성 을 갖 는 영역 ) 을 형성 하 면 , 상기 산소 농도 가 높 은 영역 이 버퍼 ( buffer ) 와 같이 작용 하 여 그 아래 의 제 2 물질 층 ( 20 A , 20 B ) 의 나머지 영역 ( 저항 변화 특성 에 실질 적 으로 기여 하 는 영역 ) 과 제 2 전극 ( E 2 ) 이 물리 / 화학 적 으로 반응 하 는 것 을 방지 또는 억제 하 는 역할 을 할 수 있 다 . 제 2 물질 층 ( 20 A , 20 B ) 의 산소 농도 가 높 은 영역 ( 상부 ) 은 화학 양론 적 조성 또는 그 에 가까운 조성 을 갖 기 때문 에 , 원소 간 결합 에너지 ( interatomic bonding energy ) 측면 에서 제 2 물질 층 ( 20 A , 20 B ) 의 나머지 영역 ( 하부 ) 보다 안정 적 일 수 있 다 . 따라서 제 2 물질 층 ( 20 A , 20 B ) 의 산소 농도 가 높 은 영역 ( 상부 ) 은 제 2 물질 층 ( 20 A , 20 B ) 의 나머지 영역 ( 하부 ) 과 제 2 전극 ( E 2 ) 사이 의 전위 장벽 ( potential barreir ) 을 높이 는 역할 을 할 수 있 다 . 이 는 곧 제 2 물질 층 ( 20 A , 20 B ) 의 나머지 영역 ( 하부 ) 과 제 2 전극 ( E 2 ) 사이 의 과도 한 전류 흐름 또는 이온 종 ( ionic species ) 이동 이 억제 될 수 있 음 을 의미 한다 . 상기 제 2 물질 층 ( 20 A , 20 B ) 의 산소 농도 가 높 은 영역 ( 상부 ) 은 버퍼 ( buffer ) 의 역할 을 하 면서 전류 의 흐름 은 허용 하 는 적절 한 조성 및 두께 를 가질 수 있 다 .