도 4 a 및 도 4 b 를 참조 하 면 , 게이트 형성 영역 을 포함 한 활성 영역 및 소자 분리 영역 을 갖 는 반도체 기판 ( 400 ) 의 상기 소자 분리 영역 에 상기 활성 영역 을 정의 하 는 소자 분리 막 ( 402 ) 을 형성 한 다음 , 상기 소자 분리 막 ( 402 ) 의 일부 두께 를 식각 하 여 상기 활성 영역 의 일부 측면 이 돌출 된 핀 패턴 ( 404 ) 을 형성 한다 .