도 7 b 는 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 반도체 저장 장치 ( 10 ) 의 읽 기 성능 조절 방법 을 나타내 는 흐름 도 이 다 . 반도체 저장 장치 ( 10 ) 로 의 데이터 읽 기 동작 은 둘 이상 의 동작 단계 들 을 포함 할 수 있 다 . 예컨대 , 도 7 b 에 도시 된 바 와 같이 , 컨트롤러 ( 100 ) 가 호스트 ( 20 ) 로부터 읽 기 명령 을 수신 하 는 단계 ( S 310 ) , 비휘발성 메모리 장치 ( 200 ) 의 메모리 셀 어레이 로부터 읽 기 데이터 를 독 출하 는 단계 ( S 330 ) , 및 독 출 된 읽 기 데이터 를 호스트 ( 20 ) 로 전송 하 는 단계 ( S 350 ) 를 구비 할 수 있 다 . 독 출 된 읽 기 데이터 를 호스트 ( 20 ) 로 전송 한 후 반도체 저장 장치 ( 10 ) 는 호스트 ( 20 ) 로 읽 기 완료 신호 를 전송 할 수 있 다 ( S 370 ) . 그리고 , 각 단계 들 ( S 310 , S 330 , S 350 ) 중 의 적어도 하나 의 단계 이후 에 아이 들 타임 이 삽입 될 수 있 다 ( S 320 , S 340 , S 360 ) .