이 최상면 이 된 반도체 적층 체 ( 40 ) 의 상면 ( n 형 반도체 층 ( 41 ) 의 표면 ) 은 광취 출면 이 되 는 면 이 다 . 이 면 에 제 1 볼록 영역 ( 80 ) 및 제 2 볼록 영역 ( 90 ) 을 형성 하 기 위해서 는 건식 식각 과 습식 식각 중 어떤 방법 을 사용 하 더라도 형성 가능 하 다 . 단 , 볼록 부 의 끝단 이 곡면 인 형태 나 볼록 부 와 이웃 한 볼록 부와 의 기단 을 인접 시키 는 형태 를 얻 기 위해서 는 습식 식각 이 바람직 하 다 . 그래서 여기 에서 는 습식 식각 에 의한 형성 방법 을 설명 하 기 로 한다 . 여기 에서 습식 식각 의 용액 으로서 는 , 이방성 식각 용액 으로서 , KOH 수용액 , 4 메틸 수산화 암모늄 ( TMAH : Tetra methyl ammonium hydroxide 수산화 테트라메틸 암모늄 ) 이나 에틸렌디아민 · 피 로 카테콜 ( EDP : Ethylene diamine pyrocatecho 1 ) 을 사용 할 수 있 다 .