도 1 a 를 참조 하 면 , 통상 의 방법 으로 반도체 소자 의 전 단계 공정 이 완료 된 반도체 기판 ( 도시 생략 됨 ) 상 에 제 1 절 연막 ( 100 ) 과 제 1 도전 층 ( 102 ) 을 형성 한 후 , 제 2 절 연막 ( 104 ) 을 적층 하 고 , 상기 결과물 에 포토 공정 을 위한 제 1 포토레지스트 ( 106 ) 를 도포 한다 . 이때 , 제 2 절 연막 ( 104 ) 으로 는 , 바람직 하 게 는 FSG 또는 P - SiH 4 옥사이드 등 이 적용 될 수 있 다 .