본 발명 의 실시 예 에 따른 플 라즈 마 CVD 공정 으로 저온 산화물 배면 실 ( Low Temperature Oxide ; LTO ) 이 형성 된 웨이퍼 는 , LTO 배면 실 두께 가 3500 - 4500 ℃ 이 고 , LTO 배면 실 을 구비 한 웨이퍼 는 ADE 용량 기구 ( capacitive tool ) 로 측정 했 을 때 , 일반 적 으로 45 ㎛ 미만 , 바람직 하 게 는 35 ㎛ 미만 , 보다 바람직 하 게 는 25 ㎛ 의 휨 을 가진다 . 또한 , ADE 용량 기구 ( capacitive tool ) 로 측정 했 을 때 , 일반 적 으로 40 ㎛ 미만 , 바람직 하 게 는 30 ㎛ 미만 , 보다 바람직 하 게 는 20 ㎛ 의 구 부러짐 을 갖 는다 .