이어서 , 도시 생략 된 식각 마스크 를 이용 하 는 선택 적 인 식각 공정 을 실시 하 여 제 2 메탈 배선 ( M 2 ) 상 에 있 는 제 4 IMD ( 27 ) 와 제 3 IMD ( 26 ) 의 일부 를 선택 제거 함 으 로써 , 제 1 메탈 배선 ( M 1 ) 중 에서 이웃 하 는 임의 의 제 1 메탈 배선 ( M 1 ) 의 표면 을 개방 시키 는 ' Via 2 공정 ' 을 통해 제 2 비아 홀 ( 28 ) 을 형성 한다 . 여기 에서 , 제 2 비아 홀 ( 28 ) 형성 시 에 제 2 비정질 실리콘 패턴 ( 22 b ) 을 사이 에 두 고 식각 을 진행 하 는데 , 제 2 비정질 실리콘 패턴 ( 22 b ) 의 양 측면 이 제 2 비아 홀 ( 28 ) 내부 측 으로 노출 된다 .