본 발명 은 용기 ( 2 ) 내부 에 삽입 되 어 있 는 고온 으로 용융 시켜 끓이 는 액상 상태 의 유리 물질 ( 5 ) 의 내측 무산소 환경 에 무 수불 산 또는 불화 수소 의 농도 또는 순도 에 관계없이 주입 하 고 용기 ( 2 ) 에 주입 된 불화 수소 자체 를 제 4 의 물질 인 고 에너지 의 플 라즈 마 가스 를 생성 시켜 반도체 를 식각 또는 세정 을 신속 하 고 간편 하 고 효율 성 을 탁월 하 게 높여 가공 하 기 위하 여 도출 한 것 으로써 불화 수소 플 라즈 마 초 고순 도 가스 화 처리 시스템 인 것 이 다