이 에 따라 , 제 1 전극 ( CPE 1 ) 을 형성 하 는 단계 는 제 1 제어 전극 ( CE 1 ) 을 형성 하 는 단계 와 동일 한 마스크 를 이용 하 여 수행 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 제 1 전극 ( CPE 1 ) 을 형성 하 는 단계 및 제 1 제어 전극 ( CE 1 ) 을 형성 하 는 단계 는 제 1 마스크 를 이용 하 여 수행 될 수 있 다 . 제 1 전극 ( CPE 1 ) 을 형성 하 는 단계 및 제 1 제어 전극 ( CE 1 ) 을 형성 하 는 단계 는 하나 의 단계 일 수 있 다 . 따라서 , 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 반도체 장치 의 제조 방법 에 따르 면 , 제 1 커패시터 의 제 1 전극 ( CPE 1 ) 을 형성 하 기 위한 별도 공정 추가 없이 제 1 제어 전극 ( CE 1 ) 을 형성 하 는 단계 에서 동시 에 수행 될 수 있 는 바 , 공정 경제 성 측면 에서 유리 하 다 .