도 3 에 도시 된 바 와 같이 , 본 발명 에 따른 태양 전지 는 기판 ( 110 ) 의 후면 에 형성 된 제 1 전극 ( 141 ) 과 제 2 전극 ( 142 ) 각각 중 적어도 일부 는 기판 ( 110 ) 의 세 로변 또는 가로변 에 대해 평행 하 지 않 게 형성 된다 . 다시 말 하 여 , 앞서 설명 한 바 와 같이 기판 ( 110 ) 이 단결정 실리콘 의 결정 방향 을 따라 세로 방향 또는 가로 방향 으로 절단 된 경우 , 기판 ( 110 ) 의 세 로변 과 가로변 은 기판 ( 110 ) 의 결정 방향 과 일치 하 고 , 제 1 전극 ( 141 ) 과 제 2 전극 ( 142 ) 중 적어도 일부분 이 단결정 실리콘 기판 ( 110 ) 의 결정 방향 과 사선 방향 으로 형성 된다 .