두께 3 ㎜ 의 단결정 SiC 잉곳 의 단면 으로부터 100 ㎛ 내측 에 펄스 레이저 광선 의 집 광점 을 위치 결정 하 고 단결정 SiC 잉곳 에 펄스 레이저 광선 을 조사 하 여 , SiC 가 Si 와 C 로 분리 된 직경 φ 17 ㎛ 의 개질 부 를 형성 하 고 , 가공 이송 방향 에 있 어서 인접 하 는 개질 부 끼리 의 중첩 률 R = 80 ％ 로 연속 적 으로 개질 부 를 형성 하 고 , 개질 부 로부터 c 면 에 등방 적 으로 직경 φ 150 ㎛ 의 크랙 을 형성 하 였 다 . 그 후 , 집광기 를 150 ㎛ 인덱스 이송 하 여 마찬가지 로 개질 부를 연속 적 으로 형성 함 과 함께 크랙 을 형성 하 여 웨이퍼 의 두께 에 상당 하 는 100 ㎛ 의 깊이 에 박리 층 을 형성 하 였 다 . 또한 , 개질 부 끼리 의 중첩 률 ( R ) 은 , 개질 부 의 직경 D = φ 17 ㎛ 와 , 가공 이송 방향 에 있 어서 인접 하 는 집 광점 끼리 의 간격 ( L ) 으 로부터 , 다음 과 같이 산출 된다 . 또 , 가공 이송 방향 에 있 어서 인접 하 는 집 광점 끼리 의 간격 ( L ) 은 , 상기 서술 한 바 와 같이 , 가공 이송 속도 ( V ) ( 본 실험 에서 는 200 ㎜/ s ) 와 , 펄스 레이저 광선 의 반복 주파수 ( F ) ( 본 실험 에서 는 60 ㎑) 에 의해 규정 된다 ( L = V / F ) .