상기 전도성 확산 배리 어 층 의 두께 는 2 nm 미만 이 다 . 상기 전도성 확산 배리 어 층 의 두께 가 그토록 얇 은 이유 는 , 상기 신규 의 다마 신 - 개구 - 형성 공정 동안 상기 전도성 확산 배리 어 층 이 물리 적 으로 손상 되 거나 상기 컨 덕 터 물질 에 오염 되 지 않 기 때문 에 상기 전도성 확산 배리 어 층 이 최고 의 인 테 그리티 ( Integrity ) 를 가지 기 때문 이 다 .