InP 기판 ( 310 ) 상 에 형성 되 는 하부 DBR 구조물 ( 320 ) 은 InAlGaAs 층 ( 321 ) 과 InP 층 ( 322 ) 이 교대 로 적층 되 어 있 는 형태 이 다 . InAlGaAs 층 ( 321 ) 과 InP 층 ( 322 ) 의 두께 는 , 발진 파장 이 λ 이 고 두 물질 의 굴절 률 이 각각 n 1 , n 2 라 할 때 , λ / 4 n 1 과 λ / 4 n 2 이 된다 . InAlGaAs 층 ( 321 ) 과 InP 층 ( 322 ) 을 조합 하 여 DBR 구조물 을 제조 할 때 , InAlGaAs 층 ( 321 ) 의 조성 은 최대한 InP 층 ( 322 ) 과 의 굴절 률 차이 가 크 게 나 야 하 고 , InAlGaAs 층 ( 321 ) 의 밴드 갭 이 캐 비티 ( 330 ) 의 활성 층 ( 332 ) 의 발진 파장 을 흡수 하 지 못하 도록 더 큰 에너지 를 갖 도록 형성 해야 한다 .