따라서 , 상기 제 2 포토레지스트 패턴 ( 181 a ) 사이 에 위치 한 각 화소 영역 ( P ) 중앙부 및 상기 스위칭 영역 ( TrA ) 중 상기 제 2 포토레지스트 패턴 ( 181 a ) 외부 로 노출 된 드레 인 전극 ( 136 ) 끝 단부 에 는 연결 된 상태 의 화소 전극 ( 150 ) 을 형성 하 게 되 며 , 이때 , 상기 화소 전극 ( 150 ) 은 상기 화소 영역 ( P ) 기준 으로 상측 에 위치 한 게이트 배선 ( 113 ) 이 형성 된 부분 까지 연장 형성 됨 으로써 상기 화소 전극 ( 150 ) 과 중첩 된 부분 의 게이트 배선 ( 113 ) 을 제 1 스토리지 전극 ( 114 ) 으로 그리고 그 상부 의 게이트 절 연막 ( 120 ) 을 유전체 층 으로 , 그리고 상기 제 1 스토리지 전극 ( 114 ) 과 중첩 하 는 화소 전극 ( 150 ) 부분 이 제 2 스토리지 전극 ( 151 ) 을 형성 함 으로써 스토리지 커패시터 ( StgC ) 를 형성 하 게 된다 .