다음 으로 , 제 2 쇼트 키 반도체 층 ( 335 ) 위 에 제 3 쇼트 키 금속 박막층 ( 340 ) 을 , 이 위 에 제 2 방사성 동위 원소 층 ( 345 ) 을 , 이 위 에 제 4 쇼트 키 금속 박막층 ( 350 ) 을 , 이 위 에 제 3 쇼트 키 반도체 층 ( 355 ) 을 순차 적 으로 증착 하 고 , 최종 적 으로 방사선 누설 방 지체 ( 360 ) 을 증착 하 여 본 발명 에 따른 다층 구조 체 전지 의 제조 를 마무리 한다 .