다음 으로 , 제 1 반도체 필라 ( 13 N ) 가 형성 될 수 있 다 . 제 1 반도체 필라 ( 13 N ) 를 형성 하 기 위해 , 하드 마스크 층 ( 14 ) 을 이용 하 여 예비 필라 영역 ( 13 ) 을 식각 할 수 있 다 . 하드 마스크 층 ( 14 ) 이 복수 의 필라 어레이 를 가지 므로 , 예비 필라 영역 ( 13 ) 은 복수 의 제 1 반도체 필라 ( 13 N ) 로 식각 될 수 있 다 . 제 1 반도체 필라 ( 13 N ) 는 필라 형상 들 의 규칙 적 인 어레이 로 형성 될 수 있 다 .