도 16 에서 의 최초 의 공정 은 , 도 5 의 S 32 에서 성막 된 티탄 / 알루미늄 / 티탄 의 적층 배선 을 포토 리소그래피 및 드라이 에칭 에 의해 패 터닝 하 여 , 티탄 / 알루미늄 / 티 탄 의 접속 배선 을 형성 하 는 공정 이 다 ( S 50 ) . 드라이 에칭 은 , 예 를 들 면 염소 계 의 에칭 가스 를 이용 하 여 행할 수 있 다 .