도 4 a 내지 도 4 e 는 도전 성 중합체 들 을 이용 하 여 수직 으로 적층 된 LED 디바이스 들 을 제조 하 는 방법 ( 400 ) 을 도시 한다 . 도 4 a 는 , 예 를 들 어 , 본 명세서 에서 설명 된 층 전사 기술 들 을 이용 하 여 제 1 LED 층 ( 420 ) 이 호스트 기판 ( 410 ) 상 에 형성 되 는 것 을 도시 한다 . 이어서 , 도 4 b 에 도시 된 바 와 같이 , 제 1 도전 성 중합체 층 ( 435 ) 을 통해 제 1 LED 층 ( 420 ) 과 제 2 LED 층 ( 430 ) 이 결합 된다 . 제 1 도전 성 중합체 층 ( 435 ) 은 , 예 를 들 어 , 스핀 코팅 을 통해 제 1 LED 층 ( 420 ) 상 에 형성 될 수 있 다 . 대안 적 으로 , 제 1 도전 성 중합체 층 ( 435 ) 은 제 2 LED 층 ( 430 ) 상 에 형성 된 다음 제 1 LED 층 ( 420 ) 에 전사 될 수 있 다 . 도 4 c 에서 , 제 3 LED 층 ( 440 ) 은 제 2 도전 성 중합체 층 ( 445 ) 을 통해 제 1 LED 층 ( 420 ) 과 제 2 LED 층 ( 340 ) 의 조합 에 결합 된다 . 3 개 의 LED 층 들 ( 420 , 430 및 440 ) 은 3 개 의 상이 한 파장 들 에서 의 광 을 방출 하 도록 구성 될 수 있 다 .