이 와 같이 형성 한 막 의 단면 을 TEM 에 의해 관찰 함 으로써 , 실리콘 기판 ( 101 ) 위 에 막 두께 1 . 4 nm 의 실리콘 산화 막 ( 105 ) 이 형성 되 었 고 , 그 위 에 막 두께 1 . 6 nm 의 질화 된 Hf 실리케이트 막 ( 104 ) 이 형성 되 어 있 는 것 이 확인 되 었 다 . 따라서 , 플라 즈 마 산화 에 의한 실리콘 산화 막 ( 105 ) 의 두께 의 증가 가 일어나 지 않 는다는 것 이 확인 되 었 다 .