도 3 b 를 참조 하 면 , 상기 제 1 마스크 패턴 ( M 1 ) 을 식각 마스크 로 이용 해서 제 1 에 피 실리콘 막 ( 304 ) 과 에피 실리콘 게르마늄 막 ( 302 ) 을 식각 하 여 상기 실리콘 기판 ( 300 ) 의 소자 분리 막 형성 영역 에 대응 하 는 활성 영역 양측 가장자리 상 에 에피 실리콘 게르마늄 막 ( 302 ) 과 제 1 에 피 실리콘 막 ( 304 ) 의 적층 패턴 ( 306 ) 을 형성 한다 .