반도체 막 ( 704 ) 은 절 연막 ( 703 ) 을 형성 한 후 , 대기 에 노출 시키 지 않 고 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 반도체 막 ( 704 ) 의 막 두께 는 20 ∼ 200 ㎚( 바람직 하 게 는 40 ∼ 170 ㎚, 더 바람직 하 게 는 50 ∼ 150 ㎚) 로 한다 . 또한 , 반도체 막 ( 704 ) 은 비정질 반도체 이 어도 좋 고 , 다 결정 반도체 이 어도 좋 다 . 또한 , 반도체 는 규소 뿐 만 아니 라 실리콘 게르마늄 도 사용 할 수 있 다 . 실리콘 게르마늄 을 사용 하 는 경우 , 게르마늄 의 농도 는 0 . 01 ∼ 4 . 5 원자 % 정도 인 것 이 바람직 하 다 .