먼저 , 본 발명 의 실시 예 에 따른 산화물 반도체 박막 은 , 원자 층 증착 공정 에 의해 상기 제 1 박막 및 상기 제 2 박막 이 교대 로 그리고 반복 적 으로 적층 되 어 형성 될 수 있 다 . 상기 제 1 박막 및 상기 제 2 박막 을 형성 하 는 상기 제 1 및 제 2 단위 공정 의 사이클 ( cycle ) 비율 을 조절 함 으로써 , 상기 산화물 반도체 박막 의 두께 및 조성 이 용이 하 게 조절 될 수 있 다 .