이러 한 상변화 메모리 에서 의 피로 현상 은 수 내지 수십 나노 ( nano ) 초 의 빠른 on / off 동작 구동 에 의하 여 Ge 2 Sb 2 Te 5 박막 의 조성 변화 를 확인 하 는 과정 이 필요 하 다 . 즉 , PRAM 피로 의 원인 을 규명 하 는 데 에 는 on / off 사이클 에 따른 전극 용 타이타늄 나이트 라이드 ( TiN ) 의 GST 내로 의 열 확산 및 전극 과 GST 박막 사이 의 계면 손상 정도 를 확인 할 필요 가 있 다 .