도 5 d 를 참조 하 면 , 워드 라인 컷 ( 132 ) 을 통해 불 산 ( HF ) , 혹은 불 산 ( HF ) 과 질산 ( HNO 3 ) 혼합액 을 제공 하 여 제 1 희생 막 들 ( 111 - 114 ) 을 선택 적 으로 제거 할 수 있 다 . 상기 습식 식각 공정 에 의하 면 게이트 들 ( 165 ) 사이 에 에 어 갭 들 ( 116 ) 이 형성 될 수 있 다 . 따라서 , 기판 ( 101 ) 상 에 는 수직 채널 ( 140 ) 을 따라 상하 이격 되 고 에어 갭 들 ( 116 ) 에 의해 서로 절연 되 는 게이트 들 ( 165 ) 이 수직 적층 되 고 , 최 상부 에 는 캡 핑 절 연막 ( 171 ) 이 잔존 하 는 게이트 스택 ( 104 a ) 이 형성 될 수 있 다 . 게이트 들 ( 165 ) 은 스트링 선택 게이트 ( 165 s ) 와 메모리 게이트 들 ( 165 w ) 및 접지 선택 게이트 ( 165 g ) 로 구분 될 수 있 고 , 하나 의 수직 채널 ( 140 ) 을 따라 수직 적층 된 접지 선택 게이트 ( 165 g ) 와 메모리 게이트 들 ( 165 w ) 및 스트링 선택 게이트 ( 165 s ) 는 하나 의 셀 스트링 ( 105 ) 을 구성 할 수 있 다 .