또한 , 상기 한 목적 을 달성 하 기 위한 다른 측면 에 따른 본 발명 은 , 기판 상 에 터널 링 절 연막 및 도전 막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 도전 막 , 상기 터널 링 절 연막 및 상기 기판 을 일부 식각 하 여 트렌치 를 형성 하 는 단계 와 , 상기 트렌치 내 부면 을 따라 확산 방지 막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 확산 방지 막 에 대해 산소 ( O 2 ) 를 이용 하 여 플 라즈 마 처리 를 실시 하 는 단계 와 , 상기 트렌치 가 매립 되 도록 상기 기판 상 에 소자 분리 막 용 제 1 절 연막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 제 1 절 연막 과 상기 확산 방지 막 을 일정 깊이 로 후퇴 시키 는 단계 를 포함 하 는 비휘발성 메모리 소자 의 제조 방법 을 제공 한다 .