이어서 , 소자 분리 막 ( 108 ) 및 플로팅 게이트 ( 102 ) 의 상부 단차 면 을 따라 유전체 막 ( 109 ) 을 형성 한다 . 이때 , 유전체 막 ( 109 ) 은 산화 막 - 질화 막 - 산화 막 의 적층 구조 로 형성 하 거나 , 유전 율 이 실리콘 산화 막 ( SiO 2 ) 보다 높 은 3 . 9 이상 인 금속 산화물 층 , 예컨대 알루미늄 산화 막 ( Al 2 O 3 ) , 지르코늄 산화 막 ( ZrO 2 ) 또는 하프늄 산화 막 ( HfO 2 ) 중 선택 된 어느 하나 의 막 으로 형성 하 거나 , 또는 이 들 이 혼합 된 혼합 막 또는 이 들 의 적층 막 으로 형성 할 수 도 있 다 .