반도체 소자 를 고집 적 화 하 기 위해서 는 패턴 의 미세화 가 필수 적 이 다 . 좁 은 면적 에 많 은 소자 를 집적 시키 기 위하 여 개별 단위 소자 의 크기 를 작 게 형성 하 여야 하 며 , 이 를 위하 여 형성 하 고자 하 는 패턴 의 폭 과 간격 의 합인 피치 ( P , pitch ) 를 작 게 하 여야 한다 . 최근 , 소자 디자인 룰 ( design rule ) 의 감소 가 급격히 진행 됨 에 따라 반도체 소자 구현 에 필요 한 패턴 , 특히 라인 앤드 스페이스 패턴 ( line and space pattern ) 을 형성 하 기 위한 포토 리소그래피 공정 에 있 어서 해 상 한계 로 인하 여 미세 피치 를 가지 는 패턴 을 형성 하 는 데 한계 가 있 다 .