본 발명 의 실시 예 에 따른 본 발명 의 실시 예 에 따른 수직 형 메모리 장치 는 적어도 하나 이상 의 제어 회로 를 포함 하 는 주변 회로 부 ; 상기 주변 회로 부 보다 위 에 형성 된 수직 형 사이리스터 , 워드 라인 및 비트 라인 을 포함 하 는 메모리 셀 어레이 ; 상기 메모리 셀 어레이 와 상기 주변 회로 부 사이 에 형성 된 본딩 구조물 ; 및 상기 주변 회로 부 와 메모리 셀 어레이 를 전기 적 으로 연결 시키 기 위한 관통 구조물 을 포함 할 수 있 다 .