도 2 에 도시 된 바 와 같이 , 뱅크 ( 100 ) 는 다수 의 셀 블럭 ( 110 A , 110 B , ...) 과 , 셀 블럭 제 어부 ( 120 A , 120 B , ..) 와 , 어 드레스 래치 부 ( 130 A , 130 B , ..) 와 , 메인 워 드라인 드라이버 ( 140 A , 140 B , ...) 와 , 센스 앰프 부 ( 150 A , 150 B , ...) 와 , 센스 앰프 제 어부 ( 160 A , 160 B , ,..) 를 구비 한다 . 셀 블럭 ( 예 를 들 면 110 A ) 은 다수 의 단위 셀 을 구비 하 고 , 그 에 대응 하 는 워드 라인 ( MWL 00 ~ MWLOM ) 을 구비 한다 . 여기 서 로컬 어드레스 는 12 비트 가 뱅크 로 입력 되 는 것 으로 가정 하 였 다 . 셀 블럭 제 어부 ( 예 를 들 면 120 A ) 는 셀 블럭 선택 신호 ( BS 0 ) 를 입력 받 아 액티브 신호 ( ACT 0 ) 와 , 프리 차지 신호 ( PCG 0 ) 와 워드 라인 선택 활성 화 신호 ( WLOFF ) 를 생성 하 며 , 센스 앰프 제 어부 ( 160 A ) 의 동작 을 제어 한다 . 어 드레스 래치 부 ( 예 를 들 면 130 A ) 는 액티브 신호 ( ACT 0 ) 와 , 프리 차지 신호 ( PCG 0 ) 에 응답 하 여 활성 화 되 어 로컬 어드레스 ( BAX < 0 : N >) 를 입력 받 아 래치 하 고 , 래치 된 로컬 어드레스 ( LAX 34 < 0 : 3 >, LAX 56 < 0 : 3 >, LAX 78 < 0 : 3 >) 를 생성 한다 . 메인 워드 라인 드라이버 ( 예 를 들 면 , 140 A ) 는 워드 라인 선택 활성 화 신호 ( WLOFF ) 에 응답 하 여 활성 화 되 어 래치 된 로컬 어드레스 ( LAX 34 < 0 : 3 >, LAX 56 < 0 : 3 >, LAX 78 < 0 : 3 >) 를 입력 받 아 제 1 셀 블럭 ( 110 A ) 에 구비 된 다수 의 워드 라인 ( MWL 00 ~ MWLOM ) 을 하나 를 선택 하 여 활성 화 시킨다 . 활성 화 된 워드 라인 에 대응 하 는 단위 셀 의 데이터 는 센스 앰프 부 ( 150 A ) 와 , 센스 앰프 부 ( 150 B ) 로 전달 된다 . 센스 앰프 부 ( 예 를 들 면 150 A ) 는 다수 의 비트 라인 센스 앰프 를 구비 하 여 , 대응 하 는 셀 블럭 에서 제공 하 는 데이터 신호 를 감지 하 고 증폭 한다 . 센스 앰프 제 어부 ( 예 를 들 면 160 A ) 는 셀 블럭 제 어부 ( 120 A ) 의 제어 에 따라 센스 앰프 부 ( 150 A ) 의 동작 을 제어 한다 .