또 , 도 2 c 는 , 도 5 c 의 Q - R 의 단면도 에 상당 하 고 , 도 4 c 는 도 5 c 의 S - T 의 단면도 에 상당 한다 . 도 5 c 에 도시 하 는 바 와 같이 , 소스 영역 및 드레 인 영역 ( 72 ) 의 말 단부 는 , 배선 ( 71 c ) 의 말 단부 의 외측 에 위치 하 는 것 을 알 수 있 다 . 또한 , 게이트 전극 위 에 있 어서 , 미결정 반도체 막 , 제 1 버퍼 층 ( 64 ) , 제 2 버퍼 층 ( 44 ) , 1 도 전형 을 부여 하 는 불순물 원소 가 첨가 된 불순물 반도체 막 ( 65 ) 을 개재 하 여 , 배선 이 중첩 되 어 있 기 때문 에 , 게이트 전극 의 요철 의 영향 이 적 고 , 피복 율 의 저감 및 리크 전류 를 저감 할 수 있 다 .