이 10 배 의 밀도 차 는 , 웨이퍼 표면 에 있 는 결합수 상태 에 의존 하 고 있 는 것 으로 생각 된다 . 앞 에서 도 말 한 것 처럼 , 실리콘 계 가스 를 도입 하 여 실리콘 입자 를 형성 할 때 , 웨이퍼 표면 에서 는 실리콘 계 가스 의 표면 흡착 , 마이 그레 이 션 , 분해 , 해리 와 같 은 반응 이 반복 하 여 일어나 고 있 으며 , 웨이퍼 표면 의 결합수 에 도 펀트 원자 나 도 펀트 가스 로부터 분리 한 수소 가 흡착 함 으로써 , 실리콘 계 가스 흡착 을 위한 결합수 밀도 가 도 펀트 가스 를 흘리 지 않 을 때 보다 증가 하 거나 , 실리콘 계 가스 가 용이 하 게 분해 하 기 위한 수소 가 흡착 하 거나 하 는 만큼 , 실리콘 계 가스 의 분해 확률 이 증가 하 여 실리콘 입자 밀도 가 향상 한 것 으로 추정 된다 .