수학식 9 의 우변 은 Vg 의 함수 다 . 수학식 9 로부터 알 수 있 는 바 와 같이 , 세로 축 을 ln ( Id / Vg ) 로 하 고 가로 축 을 1 / Vg 로 하 여 실측값 을 플롯 ( plot ) 함 으로써 얻 어 지 는 그래프 의 직선 의 기울기 로부터 결함 밀도 N 을 계산 할 수 있 다 . 즉 , 트랜지스터 의 Id - Vg 특성 으로부터 결함 밀도 를 평가 할 수 있 다 . 산화물 반도체 로서 인듐 ( In ) , 주석 ( Sn ) , 아연 ( Zn ) 의 비율 이 In : Sn : Zn = 1 : 1 : 1 인 것 은 결함 밀도 N 이 1 × 1012 / cm 2 정도 다 .