예시 적 인 실시 예 들 에 따른 반도체 장치 는 , 기판 상 의 활성 영역 ; 상기 활성 영역 상 에 수직 하 게 서로 이격 되 어 배치 되 는 복수 의 채널 층 들 ; 상기 복수 의 채널 층 들 의 상면 , 하 면 , 및 제 1 방향 을 따른 측면 들 을 둘러싸 는 게이트 전극 들 ; 상기 게이트 전극 들 의 상부 를 덮 는 게이트 캡 핑 층 ; 상기 게이트 전극 들 의 적어도 일 측 에서 상기 활성 영역 상 에 배치 되 며 , 상기 복수 의 채널 층 들 과 접촉 되 는 소스 / 드레 인 영역 들 ; 및 상기 소스 / 드레 인 영역 들 의 적어도 일 측 에서 상기 기판 의 상면 에 수직 한 방향 으로 연장 되 며 , 인접 하 는 상기 소스 / 드레 인 영역 들 사이 를 분리 시키 는 분리 구조물 을 포함 하 고 , 상기 분리 구조물 은 상기 게이트 캡 핑 층 과 서로 다른 물질 을 포함 할 수 있 다 .