최근 반도체 제조 산업 에서 는 반도체 소자 의 초미세 화 , 반도체 회로 를 제조 하 기 위한 실리콘 웨이퍼 기판 이나 유리 기판 또는 플라스틱 기판 과 같 은 피 처리 기판 의 대형 화 그리고 새로운 처리 대상 물질 의 개발 되 고 있 는 등 과 같 은 여러 요 인 으로 인하 여 더욱 향상 된 플 라즈 마 처리 기술 이 요구 되 고 있 다 . 특히 , 대 면적 의 피 처리 기판 에 대한 우수 한 처리 능력 을 갖 는 향상 된 플 라즈 마 소스 및 플 라즈 마 처리 기술 이 요구 되 고 있 다 . 더욱이 레이저 를 이용 한 다양 한 반도체 제조 장치 가 제공 되 고 있 다 . 레이저 를 이용 하 는 반도체 제조 공정 은 피 처리 기판 에 대한 증착 , 식각 , 어 닐 닝 , 세정 등 과 같 은 다양 한 공정 에 넓 게 적용 되 고 있 다 . 이 와 같 은 레이저 를 이용 한 반도체 제조 공정 의 경우 에 도 상술 한 문제점 이 존재 한다 .