다음 에 도 7 에 도시 된 바 와 같이 , 하드 마스크 막 ( 230 ) 에 대한 패 터닝 을 수행 하 여 플로팅 게이트 도 전막 ( 220 ) 의 일부 표면 을 노출 시키 는 개구부 ( opening ) 를 갖 는 하드 마스크 막 패턴 ( 232 ) 을 형성 한다 . 이 를 위하 여 먼저 하드 마스크 막 ( 230 ) 위 에 포토레지스트 막 ( 미 도시 ) 을 형성 한다 . 그리고 이 포토레지스트 막 에 대한 노광 및 현상 을 수행 하 여 하드 마스크 막 ( 230 ) 의 일부 표면 을 노출 시키 는 포토레지스트 막 패턴 을 형성 한다 . 다음 에 이 포토레지스트 막 패턴 을 식각 마스크 로 한 식각 으로 하드 마스크 막 ( 230 ) 의 노출 부분 을 제거 한다 . 그러면 하드 마스크 막 ( 230 ) 의 제거 에 의해 플로팅 게이트 도 전막 ( 220 ) 의 일부 표면 을 노출 시키 는 하드 마스크 막 패턴 ( 232 ) 이 형성 된다 . 하드 마스크 막 패턴 ( 232 ) 을 형성 한 후 에 는 포토레지스트 막 패턴 을 제거 한다 .