상술 한 조건 하 에서 웨이퍼 ( 200 ) 에 대하 여 F 2 가스 를 공급 함 으로써 , 하 지 ( 200 b ) 및 보호막 ( 200 e ) 각각 의 표면 에 흡착 시킨 Si 와 F 2 가스 를 반응 시켜서 , 하 지 ( 200 b ) 및 보호막 ( 200 e ) 각각 의 표면 을 , 에칭 하 지 않 고 개질 시키 는 것 이 가능 하 게 된다 . 이때 , 하 지 ( 200 c ) 의 표면 은 보호막 ( 200 e ) 에 의해 보호 됨 으로써 , 하 지 ( 200 c ) 의 표면 에 의 F 2 가스 의 접촉 을 방지 할 수 있 고 , 이 에 의해 , 하 지 ( 200 c ) 의 표면 에 의 에칭 대미지 를 피하 는 것 이 가능 하 게 된다 . 개질 후 의 하지 ( 200 b ) 및 보호막 ( 200 e ) 은 F 종단 ( SiF 종단 ) 된 표면 을 갖 게 된다 . 또한 , 개질 후 의 하지 ( 200 b ) 및 보호막 ( 200 e ) 각각 의 최 표면 에 존재 하 는 원자 에 주목 했 을 경우 , 하 지 ( 200 b ) 및 보호막 ( 200 e ) 은 각각 , F 종단 된 표면 을 갖 는다고 할 수 있 다 . 또한 , 개질 후 의 하지 ( 200 b ) 및 보호막 ( 200 e ) 각각 의 최 표면 에 존재 하 는 원자 와 , 그 원자 에 결합 하 고 있 는 원자 에 주목 했 을 경우 , 하 지 ( 200 b ) 및 보호막 ( 200 e ) 은 각각 , SiF 종단 된 표면 을 갖 는다고 할 수 있 다 . 본 명세서 에서 는 , 편의 상 , 주로 전자 의 호칭 을 사용 하 는 것 으로 한다 . 하 지 ( 200 b ) 및 보호막 ( 200 e ) 각각 의 표면 이 F 종단 됨 으로써 , 하 지 ( 200 b ) 및 보호막 ( 200 e ) 각각 의 표면 에서 는 , 후술 하 는 스텝 D 에서 성막 반응 이 진행 되 지 않 게 된다 . 정확 하 게 는 , 성막 반응 이 발생 할 때 까지 의 시간 , 즉 , 인 큐 베이 션 타임 을 장기 화 하 는 것 이 가능 하 게 된다 . 또한 , 하 지 ( 200 b ) 및 보호막 ( 200 e ) 각각 의 표면 에 SiH 3 R 에 포함 되 어 있 던 유기 성분 이 잔류 하 고 있 었 을 경우 에 는 , 하 지 ( 200 b ) 및 보호막 ( 200 e ) 각각 의 표면 에 흡착 시킨 Si 와 F 2 가스 가 반응 할 때 , 하 지 ( 200 b ) 및 보호막 ( 200 e ) 각각 의 표면 으로부터 , 그 유기 성분 이 제거 되 게 된다 .