" 복수 의 전도체 / 유전체 층 쌍 은 본 명세서 에서 "" 교번 전도체 / 유전체 스택 "" 으로 도 지칭 된다 . 교번 전도체 / 유전체 스택 내 의 전도체 / 유전체 층 쌍 의 수 ( 예컨대 ", 32 , 64 또는 96 ) 는 3 D 메모리 장치 ( 100 ) 에서 메모리 셀 의 수 를 설정 할 수 있 다 . 교번 전도체 / 유전체 스택 내 의 전도체 층 과 유전체 층 은 수직 방향 으로 교번 한다 . 즉 , 교번 전도체 / 유전체 스택 의 상단 또는 하단 에 있 는 층 쌍 을 제외 하 고 , 각 전도체 층 은 양쪽 에서 두 개 의 유전체 층 과 인접 할 수 있 으며 각 유전체 층 은 양쪽 에서 두 개 의 전도체 층 과 인접 할 수 있 다 .