타 겟 ( 166 ) 에 대해 음 의 전압 또는 바이어스 를 인가 하 기 위해 , 제 어 가능 한 DC 전력 공급원 ( 168 ) 이 챔버 ( 100 ) 에 커플링 될 수 있 다 . 기판 ( 100 ) 상 에 음의 DC 바이어스 를 유도 하 기 위해 RF 전력 공급원 ( 117 A , 117 B ) 이 기판 지 지체 ( 124 ) 에 커플링 될 수 있 다 . 또한 , 일부 실시 예 들 에서 , 음의 DC 셀프 - 바이어스 가 처리 중 기판 ( S ) 상 에 형성 될 수 있 다 . 다른 응용 예 들 에서 , 기판 지 지체 ( 124 ) 는 접지 되 거나 , 전기 적 으로 부유 된 상태 로 남겨질 수 있 다 . 일부 실시 예 들 에서 , 기판 ( S ) 상 에서 증착 률 의 반경 방향 분포 의 제어 를 용이 하 게 하 기 위하 여 , 타 겟 ( 166 ) 에 RF 전력 을 인가 하 도록 RF 전력 공급원 ( 170 ) 이 또한 챔버 ( 100 ) 에 커플링 될 수 있 다 . 작 동시 , 챔버 ( 100 ) 내부 에 생성 된 플 라즈 마 ( 102 ) 내 의 이온 들 이 타 겟 ( 166 ) 으로부터 나온 소오 스 물질 과 반응 한다 . 반응 에 의해 타 겟 ( 166 ) 은 소오 스 물질 의 원자 들 을 방출 하 게 되 고 , 상기 원자 들 은 그 후 기판 ( 100 ) 을 향해 지향 되 어 그 에 따라 물질 을 증착 한다 .