본 개시 에서 , 글라스 기판 의 비활성 화 영역 에 포함 된 에지 영역 에 있 는 모서리 는 챔퍼 ( chamfer ) 가공 되 어 소정 각도 를 가지 는 챔퍼면이 형성 될 수 있 다 . 챔퍼면은 글라스 기판 의 전면 과 측면 사이 의 모서리 와 , 글라스 기판 의 후면 과 측면 사이 의 모서리 에 형성 될 수 있 다 . 또한 , 챔퍼면은 글라스 기판 의 전면 과 측면 사이 에 모서리 에 만 형성 되 는 것 도 물론 가능 하 다 . 이러 한 챔퍼면은 레이저 빔 으로 측면 배선 을 가공 할 때 글라스 기판 의 전면 에 형성 된 TFT 회로 가 레이저 빔 에 의해 파손 되 는 것 을 방지 할 수 있 다 .