도 46 에 도시 한 바 와 같이 , 상기 질화 막 , 하부 산화 막 및 상부 산화 막 을 갖 는 제 2 절연 구조물 에 있 어서 , 중앙부 의 두께 는 약 75 Å 정도 이 지만 , 상기 제 1 절연 구조물 의 주변 부 , 특히 에지 부분 은 약 77 ∼ 78 Å 정도 의 두께 를 가진다 . 즉 , 상기 제 2 절연 구조물 에 있 어서 , 에지 부분 을 포함 하 는 주변 부 의 두께 가 중앙부 의 두께 와 실질 적 으로 동일 하 게 되 거나 두껍 게 형성 된다 . 따라서 이러 한 제 2 절연 구조물 을 포함 하 는 제 2 불휘발성 반도체 장치 의 셀 의 문턱 전압 이 균일 하 게 유지 됨 을 확인 할 수 있 다 .