본 발명 의 실시 예 에 따른 하나 의 비트 라인 에 적어도 두 개 의 스트링 들 이 연결 되 는 비휘발성 메모리 장치 의 채널 부스 팅 방법 은 , 선택 된 메모리 블록 의 스트링 들 의 채널 들 에 초기 채널 전압 을 인가 하 는 단계 , 상기 스트링 들 중 에서 프로그램 되 지 않 는 셀 을 갖 는 금지 스트링 들 을 플로팅 하 는 단계 , 및 상기 플로팅 된 금지 스트링 들 을 채널 부스 팅 하 는 단계 를 포함 한다 .