청구 항 2 에 기재 된 발명 은 , 웨이퍼 표면 의 도전 성막 을 연마 제거 하 면서 평탄 화 가공 공정 을 행하 는 가공 장치 에 있 어서 의 웨이퍼 연마 모니터 방법 으로서 , 상기 웨이퍼 표면 에 대향 하 는 부위 에 고주파 전송로 를 형성 함 과 동시 에 , 이 고주파 전송로 에서 의 입력단 측 에 제 1 전극 을 배치 하 고 , 출력 단 측 에 는 제 2 전극 을 배치 하 고 , S 파라미터 에 있 어서 의 제 1 전 극점 에서 의 반사 계수 인 S 11 및 제 1 전극 측 으로부터 제 2 전극 측 을 본 투과 계수 인 S 21 을 측정 하 고 , 이 S 11 과 S 21 중 적어도 어느 하나 로부터 상기 도전 성막 의 연마 제거 상태 를 평가 하 고 , 연마 제거 의 종료 점 및 연마 제거 의 종료 시점 에 대응 한 시점 을 검출 하 는 웨이퍼 연마 모니터 방법 을 제공 한다 .