지금 까지 설명 한 바 와 같이 , 본 발명 에 따른 플랫 노아 마스크 롬 의 제조 방법 에 따르 면 , 절 연막 에 대해 아세 닉 이온 주입 을 수행 하 여 절 연막 상하부 에 충분 한 선택 비 를 갖 도록 함 으로써 , 에치 백 이나 화학 적 기계 적 평탄 화 를 배제 하 고 습식 식각 만 으로 절 연막 의 상부 를 제거 할 수 있 으며 , 이 에 따라 기존 의 에치 백 이나 화학 적 기계 적 평탄 화 수행 에 의한 문제점 들 의 발생 을 억제 할 수 있 다는 이점 이 있 다 .