CMOS 이미지 센서 는 단위 화소 ( Pixel ) 내 에 포토다이오드 와 모스 트랜지스터 를 형성 시켜 스위칭 방식 으로 차례 로 신호 를 검출 함 으로써 이미지 를 구현 하 게 되 는데 , CMOS 제조 기술 을 이용 하 므로 전력 소모 도 적 고 마스크 수도 20 개 정도 로 30 ~ 40 개 의 마스크 가 필요 한 CCD 공정 에 비해 공정 이 매우 단순 하 며 여러 신호 처리 회로 와 원 - 칩 화 가 가능 하 여 차세대 이미지 센서 로 각광 을 받 고 있 다 .