본 발명 의 실시 예 는 이전 의 위상 변화 메모리 셀 에 비해 , 위상 변화 물질 과 하부 기판 사이 에 개선 된 접착력 을 제공 하 고 , 위상 변화 메모리 셀 과 연관 된 프로그래밍 전류 밀도 를 감소 시키 는 것 과 같 은 여러 장점 을 제공 할 수 있 다 . 프로그래밍 전류 밀도 를 감소 시키 는 것 은 다른 장점 중 에서 위상 변화 메모리 셀 의 신뢰 성 을 증가 시킬 수 있 다 .