겔화 배스 단계 는 , 기저막 내 에 높 은 Tg 고분자 를 침전 시키 고 ( precipitate ) , 고분자 용매 ( 또는 용매 ) 를 제거 하 고 , 높 은 Tg 고분자 코팅 또는 층 에 다공성 구조 를 형성 하 기 위해 제공 된다 . 배스 조성물 의 선택 및 배스 의 온도 는 , 상기 고분자 의 침전 ( precipitation ) 의 비율 및 기저막 , 필름 또는 캐리어 ( carrier ) 상 에 형성 된 다공성 코팅 또는 층 의 다공성 ( porosity ) 및 구멍 구조 ( pore structure ) 를 조절 한다 .