스위칭 트랜지스터 ( 901 ) , n 채널 형 트랜지스터 ( 902 ) , 및 p 채널 형 트랜지스터 ( 903 ) 는 본 실시 형태 에서 는 하나 의 게이트 를 갖 는 구조 로 하 지만 , 복수 의 게이트 를 배치 하 여 복수 의 트랜지스터 가 전기 적 으로 직렬 로 접속 되 는 구조 로 하 여도 좋 다 . 복수 의 트랜지스터 가 전기 적 으로 직렬 로 접속 되 는 구조 로 함 으로써 , 오프 전류 값 을 저감 할 수 있 는 이점 이 있 다 . 또한 , 스위칭 트랜지스터 ( 901 ) , n 채널 형 트랜지스터 ( 902 ) , 및 p 채널 형 트랜지스터 ( 903 ) 는 반도체 층 을 박막 화 한 박막 트랜지스터 ( TFT ) 로 형성 함 으로써 , 양산 화 를 도모 할 수 있 어 저 비용 화 할 수 있 다 .