도 1 b 를 참조 하 면 , 상기 마스크 패턴 ( PR ) 을 식각 장벽 으로 사용 해서 셀 영역 상 에 형성 된 층간 절 연막 ( 170 ) 의 일부 두께 를 건식 식각 방식 으로 제거 한다 . 여기 서 , 상기 건식 식각 은 비등방성 식각 이 므로 , 셀 영역 과 인접 한 주변 회로 영역 부분 ( A 지역 ) 에 층간 절 연막 ( 170 ) 의 국부 적 인 단차 가 잔존 하 게 된다 .