제 1 산화 막 은 플 라즈 마 에 노출 되 지 않 고서 열적 ALD 에 의해 기판 의 하부 층 상 에 증착 되 기 때문 에 , 하부 층 에 대한 손상 이 효과 적 으로 억제 될 수 있 다 ; 예컨대 , 패 터닝 을 위해 사용 되 는 하부 층 으로서 탄소 함 유막 ( 예컨대 , 스핀 - 온 또는 CVD 공정 에 의해 제조 된 비정질 탄소 ) 의 치수 저하 가 , 예 를 들 어 약 100 ℃ 의 온도 에서 수행 되 는 열적 ALD 동안 효과 적 으로 억제 ( 예컨대 , 하부 층 의 수축 감소 ) 될 수 있 고 , 또는 하부 층 으로서 실리콘 기판 의 산화 가 , 예 를 들 어 약 300 ℃ 의 온도 에서 수행 되 는 열적 ALD 동안 효과 적 으로 억제 ( 예컨대 , 하부 층 의 산화 된 부분 의 두께 감소 ) 될 수 있 다 . 제 1 산화 막 이 열적 ALD 에 의해 증착 된 후 , PEALD 에 의해 제 2 산화 막 이 제 1 산화 막 상 에 연속 적 으로 증착 된다 . 하부 층 은 PEALD 에서 사용 되 는 플 라즈 마 로부터 제 1 산화 막 에 의해 보호 되 기 때문 에 , 하부 층 은 PEALD 에 의해 손상 되 지 않 는다 .