그 후 , 포토 레지스 트 ( 52 ) 의 박리 와 세 척 을 행하 고 , 이어서 , 상술 한 제 1 실시 형태 에서 설명 한 도 11 ( a ) ∼( d ) , 및 도 13 ( a ) ∼( d ) 와 마찬가지 로 , 층간 절 연막 형성 공정 , 평탄 화 막 형성 공정 , 콘택트 홀 형성 공정 , 화소 전극 ㆍ투명도전막 형성 공정 을 행함 으로써 , 박막 트랜지스터 기판 이 제작 된다 . 이 때 , 상술 한 실시 형태 에서 설명 한 제 4 및 제 5 포토 마스크 가 , 제 3 및 제 4 포토 마스크 로써 사용 되 고 , 합계 4 장 의 포토 마스크 에 의해 , 박막 트랜지스터 가 형성 되 게 된다 .