상기 포토 및 에칭 단계 에 관한 구체 적 인 기술 적 내용 을 도 2 a 내지 도 2 f 를 참조 하 여 상세히 설명 하 면 이하 와 같 다 . 먼저 , 소정 의 물 성 을 갖 는 기판 자재 ( S `) 를 준비 하 고 ( 도 2 a ) , 준비 된 기판 자재 ( S `) 상 에 광 조사 를 통해 광화학 적 인 경화 반응 을 일으키 는 감광층 ( PR `) 을 형성 한다 ( 도 2 b ) . 다음 에 , 미도 시 된 광 마스크 를 통한 선택 적 인 노광 및 현상 을 거쳐 경화 되 지 않 은 감광층 ( PR `) 일부 를 제거 하 여 , 기판 자재 의 일부 영역 ( E ` t ) 만 을 선택 적 으로 노출 시킨다 ( 도 2 c ) . 다음 에 , 노출 된 기판 자재 에 에칭 액 을 적용 하 여 다 이 패드 ( 110 ) 및 리드 ( 120 ) 형상 을 완성 한 후 ( 도 2 d ) , 잔존 하 는 감광층 ( PR `) 을 박리 제거 하 면 반도체 기판 의 초기 형태 가 완성 된다 ( 도 2 e ) . 다음 에 , 기판 자재 의 양면 에 대해 금속 보호막 ( L ) 을 형성 하 는 단계 가 선택 적 으로 수행 될 수 있 다 ( 도 2 f ) .