다음 도 4 c 에 도시 한 바 와 같이 , 상기 제 1 포토레지스트 패턴 ( 90 a ) 을 식각 마스크 로 하 여 드라이 에칭 ( dry etching ) 함 으로써 상기 제 1 포토레지스트 패턴 ( 90 a ) 외부 로 노출 된 상기 금속 패턴 ( 도 4 b 의 29 ) 과 그 하부 의 불순물 비정질 실리콘 패턴 ( 도 4 b 의 25 ) 을 제거 함 으로써 서로 이격 하 는 소스 및 드레 인 전극 ( 33 , 36 ) 과 , 그 하부 로 상기 소스 및 드레 인 전극 ( 33 , 36 ) 각각 과 동일 한 패턴 형태 를 갖 는 오 믹 콘 택 층 ( 26 ) 을 형성 한다 . 이때 , 상기 소스 및 드레 인 전극 ( 33 , 36 ) 의 끝단 은 그 하부 에 위치 한 오 믹 콘 택 층 ( 26 ) 과 액티브 층 ( 22 ) 의 끝단 과 일치 하 며 형성 됨 을 알 수 있 다 .