상기 의 목적 들 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 다른 일 양상 에 따른 적어도 하나 이상 의 메모리 셀 이 연결 된 복수 개 의 비트 라인 쌍 들 이 배치 된 메모리 블록 을 , 복수 로 구비 하 며 데이터 입출력 경로 를 갖 는 반도체 메모리 장치 는 , 제 1 메모리 블록 내 에서 선택 된 메모리 셀 이 연결 된 비트 라인 쌍 의 데이터 를 감지 하 여 제 1 레벨 로 증폭 하 기 위한 제 1 로컬 센스 앰프 ; 상기 제 1 메모리 블록 과 제 1 방향 으로 동일 하 게 배치 된 제 2 메모리 블록 내 에서 선택 된 메모리 셀 이 연결 된 비트 라인 쌍 의 데이터 를 감지 하 여 제 1 레벨 로 증폭 하 기 위한 제 2 로컬 센스 앰프 ; 및 상기 제 1 로컬 센스 앰프 및 제 2 로컬 센스 앰프 중 어느 하나 의 로컬 센스 앰프 로부터 의 출력 신호 를 감지 하 여 상기 제 1 레벨 보다 높 은 제 2 레벨 로 증폭 하 기 위한 글로벌 센스 앰프 를 구비 함 을 특징 으로 한다 .