일반 적 으로 정공 주입 층 에서 의 전자 억셉터 성 재료 의 농도 를 높이 고 , HOMO 준위 가 깊 은 정공 수송 성 재료 를 사용 하 는 경우 에 , 정공 수송 층 을 두껍 게 함 으로써 , 발광 디바이스 의 구동 전압 이 높 게 되 는 경우 가 있 다 . 도 23 의 ( B ) 에서 알 수 있 듯이 , 디바이스 5 및 디바이스 6 에서 , 310 시간 후 의 전압 과 초기 전압 의 차이 는 모두 0 . 15 V 이내 에 있 고 , 전압 상승 이 작 다 . 따라서 , 본 발명 의 일 형태 의 유기 화합물 을 사용 한 정공 수송 층 의 두께 를 두껍 게 하 여도 발광 디바이스 의 구동 전압 은 상승 하 기 어려운 것 을 알 수 있 었 다 .