화학 기계 적 연마 ( CMP ) 장치 는 반도체 소자 제조 과정 중 마스킹 , 에칭 및 배선 공정 등 을 반복 수행 하 면서 생성 되 는 웨이퍼 표면 의 요철 로 인한 셀 지역 과 주변 회로 지역 간 높이 차 를 제거 하 는 광역 평탄 화 와 , 회로 형성 용 콘 택 / 배선 막 분리 및 고집 적 소자 화 에 따른 웨이퍼 표면 거칠 기 향상 등 을 도모 하 기 위하 여 , 웨이퍼 의 표면 을 정밀 연마 가공 하 는 데 사용 되 는 장치 이 다 .