전계 효과 이동도 는 , In , Sn , Zn 을 주성분 으로 하 는 산화물 반도체 막 을 형성 한 후 에 열처리 를 함 으로써 , 더 높 아 질 수 있 다 . 도 31 ( C ) 는 , In , Sn , Zn 을 주성분 으로 하 는 산화물 반도체 막 을 200 ℃ 에서 스퍼터링 성막 한 후 , 650 ℃ 에서 열처리 를 했 을 때 의 트랜지스터 특성 을 도시 한다 . 이 때 전계 효과 이동도 는 34 . 5 cm 2 / Vsec 가 얻 어 진다 .