상기 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 반도체 소자 의 저장 캐 패 시터 형성 방법 은 , 리 세스 게이트 공정 을 이용 하 여 저장 캐 패 시터 가 형성 될 영역 의 반도체 기판 을 식각 하 여 복수 개 의 리세 스 를 형성 하 는 단계 ; 상기 리세 스 를 포함 하 는 상기 반도체 기판 의 전면 에 유전 막 을 형성 하 는 단계 ; 및 상기 유전 막 상 에 도전 막 을 형성 하 는 단계 를 포함 한다 .