트랜지스터 ( 200 d ) 의 절연 층 ( 212 ) 은 절연 층 ( 212 c ) 및 절연 층 ( 212 c ) 위 의 절연 층 ( 212 d ) 을 포함 한다 . 절연 층 ( 212 c ) 은 반도체 층 ( 231 ) 에 산소 를 공급 하 는 기능 과 , 불순물 ( 대표 적 으로 는 , 물 및 수소 등 ) 이 반도체 층 ( 231 ) 에 들어가 는 것 을 방지 하 는 기능 을 갖 는다 . 절연 층 ( 212 c ) 으로서 는 , 산화 알루미늄 막 , 산화 질화 알루미늄 막 , 또는 질화 산화 알루미늄 막 을 사용 할 수 있 다 . 특히 , 절연 층 ( 212 c ) 은 반응 성 스퍼터링 법 에 의하 여 형성 되 는 산화 알루미늄 막 인 것 이 바람직 하 다 . 반응 성 스퍼터링 법 에 의하 여 산화 알루미늄 을 형성 하 는 방법 의 예 로서 는 , 다음 방법 을 들 수 있 다 .