이어서 , 레지스 트 를 마스크 로 사용 하 여 , 제 2 절연 층 ( 204 ) 및 제 1 절연 층 ( 202 ) 을 드라이 에 칭하 여 , 섬 형상 의 단결정 반도체 층 ( 201 ) 에 이르 는 콘 택 홀 을 형성 한다 . 이때 , 드라이 에칭 시 의 에칭 가스 로서 는 , 반도체 층 이 에칭 되 지 않 도록 에칭 가스 가 반도체 층 에 대해 제 2 절연 층 ( 204 ) 및 제 1 절연 층 ( 202 ) 의 높 은 에칭 선택 비 를 제공 하 는 것 이 면 특별히 한정 되 지 않 는다 . 예 를 들 면 , CF 4 , NF 3 , SF 6 , CHF 3 , CF 4 등 의 불소 계 의 가스 , 또는 이 불소 계 가스 에 O 2 가스 , H 2 가스 , He 나 Ar 등 의 불활성 가스 를 적절히 첨가 한 혼합 가스 등 을 사용 할 수 있 다 . 바람직 하 게 는 , CHF 3 과 He 의 혼합 가스 , CF 4 과 O 2 의 혼합 가스 , 또는 CHF 3 과 He 와 H 2 의 혼합 가스 를 사용 하 면 된다 .