본 발명 의 실시 예 에 따른 지문 센서 의 제조 방법 은 센서 전극 을 각각 포함 하 는 복수 의 센서 화소 들 이 센서 기판 상 에 형성 되 는 단계 ; 개구부 를 포함 하 는 마스크 가 상기 센서 기판 및 상기 복수 의 센서 화소 들 상 에 배치 되 는 단계 ; 제 1 레진 이 상기 개구부 를 통하 여 , 상기 센서 전극 의 상 에 도포 되 는 단계 ; 상기 센서 기판 이 제 2 레진 을 이용 하 여 평탄 화 되 는 단계 ; 및 상기 제 1 레진 및 상기 제 2 레진 이 경화 되 어 , 센서 보호 층 이 형성 되 는 단계 를 포함 하 고 , 상기 제 1 레진 은 제 1 유전율 을 갖 고 , 상기 제 2 레진 은 상기 제 1 유전 율 보다 작 은 제 2 유전율 을 가질 수 있 다 .