분자선 에피택시 ( Molecular Beam Epitaxy ) 증착 장비 를 사용 하 여 , InGaN 의 활성 층 ( 130 ) 증착 시 , 동일 한 박막 증착 조건 에서 의 In ( 인듐 ) 원자 들 의 수 와 이동 거리 는 일정 하 다 . 따라서 , 박막 증착 시 , 증착 되 는 면적 이 증가 하 게 되 면 , 정해진 원자 수 때문 에 형성 되 는 박막 의 두께 는 얇 아 지 게 된다 .