반면 상기 중합체 는 산화 적 방향족화 반응 이 진행 되 어 방향 족기 가 형성 될 수 있 는 작용기 를 가지 고 있 어서 , 하드 마스크 생성 을 위한 고온 베 이크 공정 동안 방향 족 으로 의 산화 반응 이 진행 되 어 방향 족 화합물 또는 다중 고리 방향 족 화합물 축 합체 를 생성 하 게 되 고 이 에 따라 단위 분자 당 탄소 함량 ( C - contents : C %) 이 상승 될 수 있 다 . 즉 , 베이 크시 에 산소 에 의해서 방향족화 될 수 있 는 관능기 가 산화 되 어 방향 족기 가 됨 으로써 , 분자 간 의 상호 작용 이 증가 하 여 결정 성 을 갖 게 된다 . 따라서 packing 밀도 가 증가 하 고 , 그 결과 상기 중합체 를 포함 하 는 하드 마스크 의 에칭 가스 또는 에칭 액 에 대한 식각 내성 또는 내 에칭 성 이 향상 될 수 있 다 .