이어서 , 도 5 에서 와 같이 , 히트 싱크 모재 ( 1 ) 상 의 감광막 ( 2 ) 을 희망 하 는 히 트 싱크 에 대응 되 는 감광막 패턴 이 되게 패 터닝 ( patterning ) 을 진행 한다 . 감광막 ( 2 ) 의 패 터닝 에 는 사진 공정 과 현상 공정 을 포함 하 는 포토 리소그래피 기술 ( photo lithography ) 이 이용 될 수 있 다 .