상기 와 같이 , 특허 문헌 1 및 비 특허 문헌 1 , 2 에 는 , 지연 형광 재료 인 4 CzIPN 이 발광 소자 용 재료 로서 유용 하 다는 것 이 보 고 되 어 있 다 . 이 화합물 은 , 억셉터 성 을 갖 는 사이아노기 와 도너 성 을 갖 는 카바졸 일기 가 코어 의 벤젠환 에 결합 한 구조 를 갖 고 , 이러 한 구조 에 의하 여 HOMO 와 LUMO 의 공간 적 위치 를 제어 하 여 발광 효율 을 높인 것 이 다 . 그러나 , 본 발명자 들 이 4 CzIPN 의 발광 프로세스 에 대하 여 검토 를 행한 바 , 충분히 최 적 인 것 이 라고 는 말 할 수 없 으며 , 코어 의 벤젠환 에 결합 하 는 도너 성기 의 구조 를 더 제어 함 으로써 , 발광 효율 이 크 게 개선 될 여지 가 있 는 것 이 판명 되 었 다 .