다음 , 도 3 e 에 도시 한 바 와 같이 , 상기 3 중층 구조 의 반도체 층 ( 125 ) 위 로 금속 물질 예 를 들 면 알루미늄 ( Al ) , 알루미늄 합금 ( AlNd ) , 구리 ( Cu ) , 구리 합금 , 몰리브덴 ( Mo ) , 크롬 ( Cr ) 중 선택 되 는 하나 의 물질 또는 2 개 의 물질 을 증착 하 고 그 상부 에 마스크 공정 을 진행 함 으로써 포토레지스트 패턴 ( 181 ) 을 형성 하 고 이 를 이용 하 여 식각 함 으로써 상기 버퍼 층 ( 103 ) 위 로 일 방향 으로 연장 하 는 데이터 배선 ( 130 ) 을 형성 하 고 , 동시 에 상기 스위칭 영역 ( TrA ) 에 는 상기 반도체 층 ( 125 ) 상 에서 서로 이격 하 며 상기 버퍼 층 ( 103 ) 까지 연장 하 여 상기 반도체 층 ( 125 ) 의 측면 을 덮 는 형태 의 소스 및 드레 인 전극 ( 133 , 136 ) 을 형성 한다 . 이때 상기 소스 전극 ( 133 ) 은 상기 데이터 배선 ( 130 ) 과 연결 되 는 것 이 특징 이 다 .