성막 된 게이트 유전체 층 및 전도성 층 은 , 트렌치 내 로 연장 되 는 컨 포 멀 한 층 으로서 형성 되 며 , ILD ( 48 ) 위 의 일부 부분 을 포함 한다 . 그 다음 으로 , 게이트 스 페이서 ( 38 ) 사이 의 잔존 트렌치 를 충전 시키 기 위해 금속 물질 이 성막 된다 . 예컨대 , 금속 물질 은 텅스텐 또는 코발트 로 형성 될 수 있 다 . 후속 적 으로 , ILD ( 48 ) 위 의 금속 물질 , 전도성 하위 층 , 및 게이트 유전체 층 의 부분 이 제거 되 도록 , CMP 공정 또는 기계 적 그라인딩 공정 과 같 은 평탄 화 공정 이 수행 될 수 있 다 . 그 결과 로서 , 금속 게이트 전극 ( 54 ) 및 금속 유전체 ( 52 ) 가 형성 된다 . 게이트 전극 ( 54 ) 및 게이트 유전체 ( 52 ) 는 , 조합 하 여 , 대체 게이트 스택 ( 56 ) 으로서 지칭 된다 . 대체 게이트 스택 ( 56 ) , 게이트 스 페이서 ( 38 ) , CESL ( 46 ) , 및 ILD ( 48 ) 의 상단 표면 은 이때 실질 적 으로 동일 평면 내 에 있 을 수 있 다 .