또한 , 이온 전계 효과 트랜지스터 ( ISFET ) 는 하나 의 소자 내 에 감지 부와 측 정부 가 함께 존재 하 기 때문 에 , 감지 부가 검사 대상 물질 인 용액 에 의해 손상 되 는 경우 , 상대 적 으로 공정 이 복잡 한 측 정부 또한 손상 되게 된다 . 따라서 , 상술 한 손상 에 의해 소자 의 수명 이 크 게 감소 할 수 있 어 높 은 비용 을 유발 해 비 효율 적 이 다 . 따라서 , ISFET 은 상술 한 바 와 같이 해상력 의 한계 및 소자 손상 으로 인한 고 비용 발생 으로 상용 화 의 한계 가 있 었 다 .