이때 , 상기 비정질 실리콘 층 ( 102 ) 은 물리 적 기상 증착 법 ( Physical Vapor Deposition ) 또는 화학 적 기상 증착 법 ( Chemical Vapor Deposition ) 을 이용 할 수 있 다 . 상기 와 같 은 물리 적 기상 증착 법 또는 화학 적 기상 증착 법 으로 증착 된 비정질 실리콘 층 ( 102 ) 은 공정 방식 상 여러 가스 들 이 함유 되 기 쉽 다 . 특히 , 상기 화학 적 기상 증착 법 중 대표 적 인 방법 인 플라 즈 마 여기 증착 법 ( Plasma Enhanced CVD ) 또는 저압 기상 증착 법 ( Low Pressure CVD ) 을 이용 하 여 상기 비정질 실리콘 층 ( 102 ) 을 형성 하 는 경우 , 실란 가스 ( SiH 4 ) 에서 분리 된 수소 원자 가 상기 비정질 실리콘 층 ( 102 ) 내부 에 수 내지 수십 % 로 포함 되 어 진다 . 이러 한 수소 원자 들 은 비정질 실리콘 층 ( 102 ) 을 다 결정 실리콘 층 으로 결정 화 할 때 , 수소 터짐 과 같 은 문제점 을 일으켜 , 종래 에 는 상기 비정질 실리콘 층 ( 102 ) 에서 수소 원자 를 제거 하 는 탈수소 화 공정 을 따로 진행 하 였 다 .