스핀 전달 토크 ( spin - transfer - torque , STT ) 전환 은 MRAM 메모리 셀 들 을 프로그래밍 하 기 위한 다른 기술 이 다 . 도 1 b 는 상부 강자성 층 ( 52 ) , 하부 강자성 층 ( 54 ) , 및 2 개 의 강자성 층 들 사이 의 절연 층 인 터널 장벽 ( TB ) ( 56 ) 을 포함 하 는 자기 터널 접합 ( MTJ ) ( 51 ) 을 포함 하 는 MRAM 셀 ( 50 ) 에 대한 STT - 전환 기술 의 개략 도 이 다 . 이 예 에서 , 하부 강자성 층 ( 54 ) 은 자유 층 ( FL ) 이 고 , 그 의 자화 방향 은 전환 될 수 있 다 . 상부 강자성 층 ( 52 ) 은 핀 드 ( 또는 고정 ) 층 ( PL ) 이 고 , 그 의 자화 방향 은 용이 하 게 변화 하 지 않 는다 . 자유 층 ( 54 ) 에서 의 자화 가 핀 드 층 ( PL ) ( 52 ) 에서 의 자화 에 평행 할 때 , 메모리 셀 ( 50 ) 에 걸친 저항 은 상대 적 으로 낮 다 . 자유 층 ( FL ) ( 54 ) 에서 의 자화 가 핀 드 층 ( PL ) ( 52 ) 에서 의 자화 에 역 평행 할 때 , " 메모리 셀 ( 50 ) 에 걸친 저항 은 상대 적 으로 높 다 . 메모리 셀 ( 50 ) 의 데이터 ( "" 0 "" 또는 "" 1 "") 는 메모리 셀 ( 50 ) 의 저항 을 측정 함 으로써 판독 된다 . 이 와 관련 하 여 ", 메모리 셀 ( 50 ) 에 부착 된 전기 전도체 들 ( 60 / 70 ) 이 MRAM 데이터 를 판독 하 는 데 이용 된다 . 설계 에 의해 , 평행 및 역 평행 구성 들 둘 모두 는 정지 상태 에서 그리고 / 또는 판독 동작 동안 ( 충분히 낮 은 판독 전류 에서 ) 안정 하 게 유지 된다 .