후면 차단 유전체 층 ( 44 ) 은 후면 리세 스 들 ( 43 ) 내 에 그리고 후면 트렌치 ( 79 ) 의 측벽 상 에 형성 될 수 있 다 . 후면 차단 유전체 층 ( 44 ) 은 후면 리세 스 들 ( 43 ) 내 에서 절연 층 들 ( 32 ) 의 수평 표면 들 및 메모리 스택 구조물 들 ( 55 ) 의 측벽 들 상 에 직접 형성 될 수 있 다 . 일 실시 예 에서 , 후면 차단 유전체 층 ( 44 ) 은 원자 층 증착 ( ALD ) 과 같 은 컨 포 멀 퇴적 공정 에 의해 형성 될 수 있 다 . 후면 차단 유전체 층 ( 44 ) 은 본질 적 으로 알루미늄 산화물 로 이루어질 수 있 다 . 후면 차단 유전체 층 ( 44 ) 의 두께 는 1 nm 내지 15 nm , 예컨대 2 내지 6 nm 의 범위 일 수 있 지만 , 더 작 거나 더 큰 두께 도 또한 사용 될 수 있 다 .