리세 스 된 채널 을 갖 는 트랜지스터 의 제조 방법 을 간단히 설명 하 면 , 기판 상 에 불순물 을 주입 하 여 소스 / 드레 인 영역 을 형성 한다 . 이어서 , 기판 상 에 리세 스 채널 을 형성 할 부위 를 오픈 하 는 마스크 를 형성 하 고 이 를 이용 하 여 기판 을 식각 함 으로써 , 기판 내 에 트렌치 를 형성 한다 . 이어서 , 트렌치 의 내벽 상 에 게이트 산화 막 을 형성 한다 . 이때 , 게이트 산화 막 은 실리콘 산화 막 , 하프늄 산화 막 , 하프늄 실리콘 산화 막 등 과 같 은 고유 전 ( high - K ) 물질 막 으로 형성 할 수 있 다 . 이어서 , 트렌치 의 내부 를 채우 면서 고유 전 물질 막 상 에 폴리 실리콘 보다 낮 은 저항 특성 을 가지 며 폴리 실리콘 과 유사 한 특성 을 갖 는 폴리 / 금속 적층 구조 나 , 금속 / 폴리 / 금속 적층 구조 의 게이트 도전 층 을 형성 한다 . 게이트 마스크 를 이용 하 여 게이트 도전 층 을 등방성 식각 하 여 게이트 전극 을 형성 하 여 , 게이트 전극 및 소스 / 드레 인 을 갖 는 트랜지스터 를 완성 할 수 있 다 .