반도체 에 피층 패턴 들 ( 115 a , 120 a ) 은 게르마늄 함유량 에 따라서 다른 밀도 ( density ) 및 경도 ( hardness ) 를 가질 수 있 다 . 도 7 을 참조 하 면 , 게르마늄 함유량 이 높 아 질수록 밀도 는 증가 하나 , 경도 는 감소 한다 . 이러 한 밀도 및 경도 의 변화 는 CMP 단계 에서 제거 속도 에 영향 을 미칠 수 있 다 .