아울러 , FOD 접착 필름 을 기판 에 부착 시키 고 상기 FOD 접착 필름 위 에 반도체 다이 를 적층 시키 는 다이 어태 치 공정 이 진행 될 때 , 컨트롤러 다이가 FOD 접착 필름 내 로 잘 매립 되 지 않 고 특히 반도체 다이 의 적층 불량 이 발생 하 는 문제 가 종종 발생 한다 . 본 발명 의 발명자 는 접착 층 의 용융 점도 를 제어 할 때 컨트롤러 다이 가 접착 층 내 에 잘 매립 될 수 있 고 상기 접착 층 상 에 반도체 다이 가 잘 적층 될 수 있 음 에 착안 하 여 , 접착 층 의 110 ℃ 에서 용융 점도 를 2000 ~ 9000 Pa · s 로 제어 하 였 다 . 보다 바람직 하 게 는 접착 층 의 110 ℃ 에서 용융점 도 가 5000 ~ 8000 Pa · s 일 수 있 다 . 상기 접착 층 의 110 ℃ 에서 용융점 도 가 2000 Pa · s 미만 이 면 접착 층 에 의해 본딩 패드 가 오염 되 는 문제 가 발생 할 수 있 고 , 반대 로 상기 접착 층 의 110 ℃ 에서 용융점 도 가 9000 Pa · s 를 초과 하 면 컨트롤러 다이 매립 불량 이 발생 하 고 와이어 가 처지 는 ( sagging ) 문제 가 발생 할 수 있 다 .