피 가공 층 으로서 는 , Si , SiO 2 , SiON , SiN , p - Si , α - Si , W , W - Si , Al , Cu , Al - Si 등 다양 한 Low - k 막 및 그 스토퍼 막 이 이용 되 고 , 통상 50 ∼ 10 , 000 nm , 특히 100 ∼ 5 , 000 nm 의 두께 로 형성 할 수 있 다 . 또한 , 피 가공 층 을 성막 하 는 경우 , 기판 과 피 가공 층 은 다른 재질 로 된 것 이 이용 된다 .