본 발명 의 일 실시 예 에 따른 전자 소자 제조 방법 에서 는 기판 ( 110 ) 이 연성 기판 으로 구비 될 때 와 기판 ( 110 ) 이 경성 기판 으로 구비 될 때 , 기판 ( 110 ) 상 에 형성 되 는 그래핀 산화물 박막 ( 131 ) 에 조사 되 는 극 단파 백색광 ( Intense Pulsed Light ; IPL ) 의 조사 에너지 세기 를 다르 게 제어 하 는데 , 이 에 대해서 는 하 기 에서 보다 상세히 설명 하 기 로 한다 .