이어서 , 상기 반도체 장치 의 제작 방법 의 일례 에 대하 여 설명 한다 . 이하 에서 는 처음 에 하부 의 트랜지스터 ( 211 _ 1 ) 의 제작 방법 에 대하 여 도 11 a 내지 도 11 e 를 참조 하 여 설명 하 고 , 그 후 , 상부 의 스위치 트랜지스터 ( 202 _ 1 ) 및 용량 소자 ( 164 ) 의 제작 방법 에 대하 여 도 12 a 내지 도 12 d 및 도 13 a 내지 도 13 d 를 참조 하 여 설명 한다 .