다음 에 , 직류 전원 ( 42 ) 으로부터 전극 ( 40 a ) 에 직류 전압 이 공급 되 고 , 반도체 웨이퍼 ( W ) 가 정전 척 ( 40 ) 의 상면 에 흡착 보지 된다 . 그리고 , 배기 장치 ( 28 ) 에 의해 처리 용기 ( 10 ) 내 의 가스 가 배기 되 고 , 가스 공급 기구 ( 60 ) 로부터 에칭 용 의 처리 가스 가 소정 의 유량 으로 처리 용기 ( 10 ) 내 에 공급 되 어 , 처리 용기 ( 10 ) 내 의 압력 이 조정 된다 . 그리고 , 반도체 웨이퍼 ( W ) 와 정 전척 ( 40 ) 의 사이 에 전열 가스 가 공급 된다 . 그리고 , 고주파 전원 ( 32 ) 으로부터 소정 의 고주파 전력 이 기대 ( 12 ) 에 공급 된다 . 샤워 헤드 ( 38 ) 로부터 샤워 형상 으로 도입 된 에칭 용 의 처리 가스 는 , 고주파 전원 ( 32 ) 으로부터 공급 된 고주파 전력 에 의해 플 라즈 마 화 된다 . 이 에 의해 , 샤워 헤드 ( 38 ) 와 기대 ( 12 ) 의 사이 의 처리 공간 에 있 어서 플 라즈 마가 생성 되 고 , 생성 된 플 라즈 마 에 포함 되 는 라디칼 이나 이온 에 의해 반도체 웨이퍼 ( W ) 가 에칭 된다 .