또한 , 몇몇 실시 예 에 따른 도 11 의 저항성 메모리 장치 는 도 7 와 는 달리 센스 앰프 ( 230 ) 의 센싱 노드 ( NS ) 와 기준 노드 ( NR ) 사이 에 스위칭 을 위한 회로 가 생략 될 수 있 다 . 즉 , 센스 앰프 ( 230 ) 는 기준 전압 ( Vref ) 과 센싱 노드 ( NS ) 의 전압 의 차이 를 센싱 하 여 , 저항성 메모리 셀 ( 220 ) 이 SET 상태 인지 , RST 상태 인지 판단 한 결과 를 센싱 출력 값 ( Sout ) 으로 출력 할 수 있 다 .