본 발명 의 다른 실시 예 에 따른 안티 퓨즈 원타임 프로그래머 블 메모리 는 , 도 2 에 도시 한 바 와 같이 , 얕 은 트랜 치 분리 막 을 사용 하 지 않 고 , 비트 라인 정 션 ( 3 ) 의 사이 기판 ( 1 ) 상 에 위치 하 는 이온 주입 마스크 층 ( 6 ) 이 마련 되 는 것 과 , 상기 비트 라인 정 션 ( 3 ) 간 의 절연 은 도핑 타입 이 다른 웰 ( 7 ) 에 의한 공핍 층 의 형성 으로 가능 한 것 을 제외 하 고 는 상술 한 본 발명 의 일 싱 시예 에 따른 안티 퓨즈 원타임 프로그래머 블 메모리 와 동일 하 다 .