도 8 a 내지 도 8 c 를 참조 하 면 , 제 1 개 구부 ( 116 ) 의 내 측벽 을 따라서 채널 층 의 직경 을 한정 하 는 스 페이서 ( 118 ) 를 형성 한다 . 스 페이서 ( 118 ) 는 도 7 a 의 마스크 층 ( 108 a ) 과 제 2 반도체 층 ( 104 b ) 과 식각 선택 성 이 있 는 실리콘 산화 막 이 바람직 하 다 . 스 페이서 ( 118 ) 는 제 1 개 구부 ( 116 ) 의 내부 에 실리콘 산화 막 을 증착 한 후 , 실리콘 산화 막 을 이방성 건식 식각 하 여 형성 할 수 있 다 . 이어서 , 마스크 층 ( 108 a ) 과 스 페이서 ( 118 ) 를 식각 마스크 로 하 여 , 제 2 반도체 층 ( 104 b ) 을 제거 하 여 부분 절연 층 ( 113 ) 의 상부 면 을 노출 시킨다 .