도 5 는 반도체 핀 ( 64 ) 위 에 더미 게이트 구조 ( 75 ) 를 형성 하 는 것 을 도시 한다 . 일부 실시 형태 에서 , 더미 게이트 구조 ( 75 ) 는 게이트 유전체 ( 66 ) 와 게이트 ( 68 ) 를 포함 한다 . 마스크 ( 70 ) 가 더미 게이트 구조 ( 75 ) 위 에 형성 될 수 있 다 . 더미 게이트 구조 ( 75 ) 를 형성 하 기 위해 , 유전체 층 이 반 도 페 핀 ( 64 ) 상 에 형성 된다 . 유전체 층 은 예컨대 실리콘 산화물 , 실리콘 질화물 , 이 들 의 다층 등 일 수 있 으며 , 퇴적 되 거나 열 성장 할 수 있 다 .