또한 , 강유전체 커패시터 ( C ) 에 플 라즈 마 손상 이 생기 는 공정도 포함 되 어 있 지 않 다 . 또한 , NSG 막 등 의 실리콘 산화 막 보다 에칭 율 이 낮 은 막 은 , 컨 택트 홀 의 형상 에 불량 이 발생 하 거나 , 편차 가 생기 거나 할 만큼 필요 하 지 않 다 . 또한 , 강유전체 커패시터 ( C ) 와 기판 에 가장 가까운 배선 ( 30 ) 과 의 사이 에 , 수소 확산 방지 막 으로서 알루미늄 산화 막 ( 25 ) 이 형성 되 어 있 기 때문 에 , PZT 막 ( 19 ) 에서 의 산소 부족 이 발생 하 기 어렵 다 . 따라서 , 제 1 실시 예 에 의하 면 특성 이 안정 한 강유전체 메모리 를 얻 을 수 있 다 .