상기 구성 의 제 1 에칭 및 제 2 에칭 을 이용 하 는 본 발명 의 어느 하나 에 있 어서 , 상기 제 1 에칭 은 드라이 에칭 에 의해 행하 고 , 상기 제 2 에칭 은 웨트 에칭 에 의해 행하 는 것 이 바람직 하 다 . 제 1 에칭 에 의한 가공 은 고 정도 ( 高 精度 ) 로 행하 는 것 이 바람직 하 고 , 제 2 에칭 에 의한 가공 은 사이드 에칭 을 수반 할 필요 가 있 다 . 고 정도 의 가공 을 행하 기 위해서 는 드라이 에칭 이 바람직 하 고 , 또한 , 웨트 에칭 은 화학 반응 을 이용 하 기 때문 에 드라이 에칭 보다 사이드 에칭 이 발생 하 기 쉽 기 때문 이 다 .