산업 에서 널리 사용 되 었 던 반응 로 의 한 가지 형태 는 회전 디스크 반응 로 이 다 . 그러 한 반응 로 는 통상 적 으로 디스크 형 웨이퍼 캐리어 를 포함 한다 . 웨이퍼 캐리어 는 , 처리 ( treat ) 될 하나 이상 의 웨이퍼 를 유지 하 도록 배치 되 는 포켓 또는 다른 형태 의 구성 을 가진다 . 웨이퍼 를 위 에 가진 캐리어 는 , 반응 챔버 내 에 위치 되 고 , 캐리어 의 웨이퍼 지지 표면 이 상류 방향 을 향한 상태 로 유지 된다 . 캐리어 는 , 통상 적 으로 분당 수백 회전 의 회전 속도 로 , 상류 방향 으로부터 하 류 방향 으로 연장 되 는 축 주위 로 회전 된다 . 반응 가스 는 , 반응 로 의 상류 단부 에 위치 되 는 주입 헤드 로부터 캐리어 상 의 웨이퍼 를 향하 는 하류 방향 으로 향한다 . 웨이퍼 캐리어 는 이러 한 프로세스 동안 에 , 필요 한 상승 된 온도 , 가장 일반 적 으로 는 약 350 ℃ 내지 약 1600 ℃ 로 유지 된다 . 웨이퍼 캐리어 의 회전 은 , 노출 된 웨이퍼 의 모든 영역 이 실질 적 으로 균일 한 상태 에 노출 되 어 필요 한 반도체 재료 의 균일 한 증착 을 확실 하 게 하 기 위해 보조 하 는 것 을 확실 하 게 보조 한다 . 특정 웨이퍼 캐리어 상 의 웨이퍼 가 처리 될 후 에 , 웨이퍼 캐리어 는 반응 챔버 로부터 제거 되 고 , 새로운 웨이퍼 를 지지 하 는 새로운 웨이퍼 캐리어 에 의해 교체 되 며 , 프로세스 는 새로운 웨이퍼 캐리어 에 대해 반복 된다 .