반도체 장치 의 제조 공정 에 있 어서 , 소자 영역 ( A ) 을 획정 하 기 위한 산화 막 ( O 1 ) 에 이온 이 주입 되 면 , 예컨대 불화 수소산 ( HF ) 등 의 약액 에 의한 산화 막 ( O 1 ) 의 에칭 률 이 상승 하 는 경우 가 있 다 . 게다가 , 에칭 률 의 상승 정도 는 , 예컨대 산화 막 ( O 1 ) 에 주입 되 는 이온 의 원자량 이나 주 입량 에 따라 다르 다 . 주입 되 는 이온 이 무거울수록 , 또한 , 주 입량 이 많 을수록 , 에칭 률 의 상승 이 커진다 . 이 때문 에 , 실리콘 기판 ( S ) 상 에 형성 된 제 1 영역 ( R 1 ) 과 제 2 영역 ( R 2 ) 에서 , 산화 막 ( O 1 ) 에 주입 되 는 이온 의 종류 나 주 입량 이 다르 면 , 예컨대 불화 수소산 등 의 약액 을 공급 한 후 에 , 산화 막 ( O 1 ) 의 높이 에 편차 가 발생 하 는 경우 가 있 다 .