본 실시 형태 는 , 산화물 반도체 층 에 채널 이 형성 되 는 트랜지스터 의 일례 로서 , In , Sn , Zn 을 주성분 으로 하 는 산화물 반도체 를 채널 형성 영역 으로 하 는 트랜지스터 에 대해서 , 보다 상세 하 게 설명 한다 . In , Sn , Zn 을 주성분 으로 하 는 산화물 반도체 층 에 채널 이 형성 되 는 트랜지스터 는 , 상기 산화물 반도체 층 이 되 는 산화물 반도체 막 을 형성 할 때 에 기판 을 가열 하 여 성막 하 는 것 , 혹은 산화물 반도체 막 을 형성 한 후 에 열처리 를 행함 으로써 양호 한 특성 을 얻 을 수 있 다 . 또한 , 주성분 이 란 조성 비로 5 atomic % 이상 포함 되 는 원소 를 의미 한다 .