이상 에서 바텀 게이트 구조 의 박막 트랜지스터 를 위주 로 설명 하 였으나 , 게이트 전극 ( 120 ) , 게이트 절연 층 ( 130 ) , 활성 층 ( 140 ) , 제 1 전극 ( 151 ) 및 제 2 전극 ( 152 ) 이 도 1 과 달리 개념 적 으로 뒤집혀진 탑 게이트 구조 의 박막 트랜지스터 에서 역시 동일 또는 유사 하 게 적용 될 수 있 음 은 본 발명 이 속한 기술 분야 통상 의 기술자 에게 는 당연 할 것 이 다 .