도 7 에서 , 더미 유전체 층 ( 60 ) 이 핀 ( 52 ) 상 에 형성 된다 . 더미 유전체 층 ( 60 ) 은 , 예 를 들 어 , 실리콘 산화물 , 실리콘 질화물 , 이 들 의 조합 등 일 수 있 고 , 허용 가능 한 기술 에 따라 퇴적 또는 열 성장 될 수 있 다 . 더미 유전체 층 ( 60 ) 위 에 더미 게이트 층 ( 62 ) 이 형성 되 고 , 더미 게이트 층 ( 62 ) 위 에 마스크 층 ( 64 ) 이 형성 된다 . 더미 게이트 층 ( 62 ) 은 더미 유전체 층 ( 60 ) 위 에 퇴적 된 후 , 예 를 들 어 , CMP 에 의해 평탄 화 될 수 있 다 . 마스크 층 ( 64 ) 은 더미 게이트 층 ( 62 ) 위 에 퇴적 될 수 있 다 . 더미 게이트 층 ( 62 ) 은 전도 성 또는 비 전도성 물질 일 수 있 고 , 비정질 실리콘 , 다 결정 실리콘 ( 폴리 실리콘 ) , 다 결정 실리콘 - 게르마늄 ( 폴리 - SiGe ) , 금속 질화물 , 금속 실리사이드 , 금속 산화물 및 금속 을 포함 하 는 그룹 으로부터 선택 될 수 있 다 . 더미 게이트 층 ( 62 ) 은 물리 적 기상 퇴적 ( physical vapor deposition ; PVD ) , CVD , 스퍼터링 퇴적 , 또는 선택 된 물질 을 퇴적 하 기 위한 당 업계 에 공지 되 고 사용 되 는 다른 기술 에 의해 퇴적 될 수 있 다 . 더미 게이트 층 ( 62 ) 은 격리 영역 의 에칭 으로부터 높 은 에칭 선택 성 을 갖 는 다른 물질 로 제조 될 수 있 다 . 마스크 층 ( 64 ) 은 , 예 를 들 어 , 실리콘 질화물 , 실리콘 산질 화물 등 을 포함 할 수 있 다 . 이 예 에서 , 단일 더미 게이트 층 ( 62 ) 및 단일 마스크 층 ( 64 ) 이 영역 ( 50 N ) 및 영역 ( 50 P ) 에 걸쳐 형성 된다 . 더미 유전체 층 ( 60 ) 은 단지 예시 적 인 목적 으로 핀 ( 52 ) 만 커버 하 는 것 으로 도시 되 어 있 다 . 일부 실시 예 들 에서 , 더미 유전체 층 ( 60 ) 은 더미 유전체 층 ( 60 ) 이 STI 영역 ( 56 ) 을 커버 하 여 더미 게이트 층 ( 62 ) 과 STI 영역 ( 56 ) 사이 에서 연장 되 도록 퇴적 될 수 있 다 .