단 , 본 발명자 들 의 검토 에 따르 면 , 이 와 같이 채널 영역 의 투명 기판 에 반 투광 막 을 형성 하 기 만 한 다 계조 포토 마스크 를 노광 하 여 , 그 전 사용 패턴 을 피전 사체 상 에 전사 하 려고 하 면 , 해당 피전 사체 상 에 형성 되 는 레지스 트 패턴 의 형상 에 과제 가 발생 하 였 다 . 즉 , 해당 포토 마스크 에서 는 , 채널 영역 의 폭 과 동등 한 폭 을 갖 는 반투 광막 이 차 광부 ( 120 ) 사이 에 끼워져 형성 되 어 있 기 때문 에 , 레지스 트 패턴 의 채널 영역 에 대응 하 는 부분 의 단부 ( 에 지부 ) 에 있 어서 , 레지스 트 패턴 의 측면 에 현저 한 경사 ( slope ) 가 발생 하 였 다 . 그리고 , 이러 한 레지스 트 패턴 을 에칭 마스크 로 하 여 , 표시 패널 기판 등 의 표면 에 형성 된 막 ( 가공 대상 의 박막 ) 의 가공 을 행하 는 경우 , 그 막 에 미세 하 고 정교 하 며 치밀 한 CD ( Critical Dimension : 패턴 폭 ) 를 형성 하 는 것 은 용이 하 지 않 다 . 이 때문 에 , 미세 치수 의 채널 부를 안정 되게 형성 하 는 것 은 곤란 하 다는 것 을 알 수 있 었 다 .