또한 저 저항 영역 ( 108 n ) 에서 불순물 원소 는 산화 된 상태 로 존재 하 는 것 이 바람직 하 다 . 예 를 들 어 불순물 원소 로서 붕소 , 인 , 마그네슘 , 알루미늄 , 및 실리콘 등 의 산화 되 기 쉬운 원소 를 사용 하 는 것 이 바람직 하 다 . 이 와 같 은 산화 되 기 쉬운 원소 는 반도체 층 ( 108 ) 내 의 산소 와 결합 하 여 산화 된 상태 로 안정 적 으로 존재 할 수 있 기 때문 에 , 나중 의 공정 에서 높 은 온도 ( 예 를 들 어 400 ℃ 이상 , 600 ℃ 이상 , 또는 800 ℃ 이상 ) 가 가해진 경우 에 도 이탈 이 억제 된다 . 또한 불순물 원소 가 반도체 층 ( 108 ) 내 의 산소 를 빼앗 음 으로써 , 저 저항 영역 ( 108 n ) 내 에 많 은 산소 결손 이 생성 된다 . 이 산소 결손 과 막 내 의 수소 가 결합 됨 으로써 캐리어 공급원 이 되 기 때문 에 , 저 저항 영역 ( 108 n ) 은 극히 저 저항 의 상태 가 된다 .