그 다음 , 열처리 ( annealing ) 공정 을 수행 하 여 제 1 및 제 2 반도체 전극 영역 ( 12 ) ( 14 ) 사이 의 폭 을 마스크 막 ( 13 a ) 의 폭 보다 줄인다 . 도 1 c 에 도시 된 바 와 같이 , 제 2 불순물 의 고농 도 영역 ( 12 ) ( 14 ) 이 확대 되 면 , 고농 도 영역 과 인접 한 영역 에 제 2 불순물 이 확산 되 어서 제 2 불순물 의 저 농도 영역 을 형성 한다 . 즉 , 저항 영역 ( 16 ) 을 형성 한다 . 상기 마스크 막 ( 13 a ) 하부 의 저항 영역 ( 336 ) 은 서로 접촉 되 어 후 술 하 는 저항성 팁 의 첨 두부 형성 부 를 형성 한다 .