제 1 깊이 ( D 1 ) 는 약 100 ㎚ 내지 약 500 ㎚ 일 수 있 다 . 제 1 깊이 ( D 1 ) 가 약 100 ㎚ 미만 인 경우 , 실리콘 풍부 층 ( SRL ) 의 깊이 가 충분 하 지 않 아 크랙 ( CR ) 이 실리콘 풍부 층 ( SRL ) 내부 의 표시 장치 윈도우 ( WG ) 까지 침범 할 수 있 다 . 아울러 , 제 1 깊이 ( D 1 ) 가 약 500 ㎚ 를 초과 할 경우 , 실리콘 풍부 층 ( SRL ) 이 실리콘 풍부 층 ( SRL ) 제거 공정 에서 충분히 제거 되 지 않 고 표시 장치 윈도우 ( WG ) 표면 에 과도 하 게 남 을 수 있 다 . 이러 한 실리콘 풍부 층 ( SRL ) 은 강화 에 의해 형성 된 표면 압축 응력 을 감소 시킬 수 있 다 . 표시 장치 윈도우 ( WG ) 표면 에 실리콘 풍부 층 ( SRL ) 이 과도 하 게 많이 남 을 경우 , 표시 장치 윈도우 ( WG ) 의 광학 적 특성 이 저하 될 수 있 다 .