부가 적 인 단계 에서 , 로우 k 유전체 층 ( 210 ) 이 층 ( 206 ) 을 에칭 하 는 데 사용 된 유전체 층 에칭 프로세스 와 상 이 할 수 도 있 는 유전체 층 에칭 프로세스 ( 도 1 의 단계 130 ) 로 에칭 될 수 도 있 다 . 예컨대 , 층 ( 210 ) 은 , 3 mTorr 내지 50 mTorr 의 범위 내 의 압력 , 150 와트 내지 700 와트 의 범위 내 의 TCP 전력 , 30 볼트 내지 200 볼트 의 범위 내 의 바이어스 전압 , - 10 ℃ 내지 + 60 ℃ 의 범위 내 의 ESC 온도 , 및 50 내지 200 sccm 의 CF 4 , 0 내지 20 sccm 의 CH 2 F 2 , 및 0 내지 15 sccm 의 O 2 의 가스 혼합물 을 사용 하 여 , 로우 - k 유전체 에칭 프로세스 로 에칭 될 수 도 있 다 .