도시 된 바 와 같이 , 엣 지측 전극 패드 ( 420 a ) 는 반도체 칩 의 엣지 로부터 의 거리 가 상대 적 으로 가까운 위치 에 배치 된 전극 패드 를 가리키 며 , 내 부측 전극 패드 ( 430 a ) 는 상기 엣지 로부터 의 거리 가 상대 적 으로 먼 위치 에 배치 된 전극 패드 를 일컫 는다 . 여기 서 , 각 엣지 측 전극 패드 의 폭 ( w ) 은 24 ㎛ 이 며 , 길이 ( s ) 는 68 ㎛ 이 다 .