실시 예 에 따르 면 , MEMS 트랜스 듀 서 는 적어도 한 쌍 의 차동 MEMS 센서 디바이스 들 을 포함 한다 . 그러 한 한 쌍 의 차동 MEMS 센서 디바이스 들 은 제 1 및 제 2 차동 MEMS 센서 디바이스 를 포함 한다 . 제 1 차동 MEMS 센서 디바이스 는 제 1 차동 출력 신호 를 제공 하 기 위한 제 1 및 제 2 전극 구 조체 를 포함 한다 . 제 3 전극 구조 체가 제 1 및 제 2 전극 구조 체 사이 에 제공 된다 . 바이어 싱 회로 가 제 1 차동 MEMS 센서 디바이스 의 제 3 전극 구 조체 에 제 1 바이어 싱 전압 을 공급 하 고 , 제 2 차동 MEMS 센서 디바이스 의 제 3 전극 구 조체 에 제 2 바이어 싱 전압 을 제공 하 기 위해 제공 되 며 , 제 1 및 제 2 바이어 싱 전압 들 은 기준 전압 에 대해 대칭 적 으로 오프셋 된다 . 판독 회로 는 제 1 및 제 2 차동 출력 신호 를 역 평행 ( anti - parallel ) 방식 으로 결합 하 도록 구성 된다 . 특히 본질 적 으로 동일 하 게 구성 된 2 개 의 차동 MEMS 센서 디바이스 들 을 제공 함 으로써 , 역 평행 구성 에서 트윈 ( twin ) MEMS 트랜스 듀 서가 도입 된다 . 적어도 2 개 의 차동 MEMS 센서 디바이스 들 을 , 역 평행 구성 을 갖 는 트윈 MEMS 트랜스 듀 서 로서 동작 시킴 으로써 , 음향 성능 뿐 만 아니 라 , 외부 환경 에 대한 강건 성 이 개선 된다는 것 이 발견 되 었 다 . 추가 실시 예 에 따르 면 , 음향 감지 디바이스 는 , 하우징 ; 음파 들 ( sound waves ) 을 음향 감지 디바이스 의 내부 로 전달 하 기 위한 사운드 포트 입구 ( sound port inlet ) 를 갖 는 사운드 포트 ; 및 본 명세서 에 개시 된 MEMS 트랜스 듀 서 를 포함 한다 . 추가 실시 예 에 따르 면 , 본 명세서 에 개시 된 MEMS 트랜스 듀 서 를 동작 하 는 방법 은 , 제 1 및 제 2 차동 MEMS 센서 디바이스 들 의 제 3 전극 구 조체 들 각각 에 바이어 싱 전압 을 제공 하 는 것 을 포함 하 고 , 제 1 및 제 2 바이어 싱 전압 들 은 , 특히 , 공통 의 기준 전압 에 대해 대칭 적 으로 오프셋 된다 . 방법 은 , 제 1 차동 MEMS 센서 디바이스 의 제 1 출력 탭 ( output tap ) 과 제 2 차동 MEMS 센서 디바이스 의 제 2 출력 탭 을 접속 하 고 , 제 1 차동 MEMS 센서 디바이스 의 제 2 출력 탭 과 제 2 차동 MEMS 센서 디바이스 의 제 1 출력 탭 을 접속 함 으로써 , 제 1 차동 및 제 2 차동 출력 신호 를 판독 하 는 것 ; 및 제 1 및 제 2 차동 출력 신호 를 역 평행 으로 결합 하 는 것 을 더 포함 한다 .