제 1 실시 형태 에 있 어서 는 , 면방 위가 ( 100 ) 면 인 단결정 실리콘 의 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 ＜ 100 ＞ 방향 을 따른 직경 이 상부 방사 온도계 ( 25 ) 의 광축 과 일치 하 도록 , 얼라인먼트 부 ( 130 ) 가 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 방향 을 조정 하 고 , 그 반도체 웨이퍼 ( W ) 를 서 셉 터 ( 74 ) 에 재치 하 고 있 다 . 이것 에 의해 , 플래시 광조 사 시 에 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 휨 이 최소 가 되 는 방향 을 따른 직경 이 상부 방사 온도계 ( 25 ) 의 광축 과 일치 하 게 된다 . 그 결과 , 플래시 광 조사 에 의해 반도체 웨이퍼 ( W ) 에 휨 이 생긴 경우 에 도 , 상부 방사 온도계 ( 25 ) 의 광축 방향 에서 는 반도체 웨이퍼 ( W ) 에 거의 휨 이 생기 지 않 기 때문 에 , 방사 율 도 거의 변화 되 지 않 고 , 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 상면 의 온도 를 정확 하 게 측정 할 수 있 다 .