다음 에 , 도 3 을 사용 하 여 , 기판 ( 102 ) 의 일 표면 상 에 , 회로 층 ( 104 ) 을 형성 하 는 방법 에 대하 여 설명 한다 . 우선 , 하 지 층 ( 106 ) 을 형성 한다 . 하 지 층 ( 106 ) 의 재료 로서 는 , 무기 절연 재료 를 포함 할 수 있 다 . 무기 절연 재료 로서 는 , 질화규소 , 산화 규소 , 질화 산화 규소 또는 산화 질화규소 등 을 포함 할 수 있 다 . 하 지 층 ( 106 ) 은 , 화학 기상 성 장법 ( CVD 법 ) 이나 스퍼터링 법 등 을 적용 하 여 , 단층 , 혹은 적층 구조 를 갖 도록 형성 할 수 있 다 . 또한 , 하 지 층 ( 106 ) 은 , 임의 의 구성 이 며 , 반드시 마련 할 필요 는 없 다 .