성막 시 에 는 복수 의 증발원 ( 23 ) 각각 의 증착 위치 ( 232 ) 에 있 는 도가니 ( 231 ) 를 히터 에 의해 고온 으로 가열 하 여 도가니 ( 231 ) 내 에 수납 된 성막 재료 를 증발 시켜 기판 ( 10 ) 에 성막 한다 . 증착 위치 ( 232 ) 에 온 도가니 ( 231 ) 를 가열 하 기 시작 한 이후 , 적절 한 시점 에서 예열 위치 ( 237 ) 에 있 는 도가니 ( 231 ) 를 예열 하 기 시작 한다 . 예열 위치 ( 237 ) 는 , 다음 에 증착 위치 ( 232 ) 로 이동하 여 , 성막 에 사용 될 도가니 ( 231 ) 가 미리 예열 되 는 위치 이 다 . 예열 의 개시 시점 은 , 증착 위치 ( 232 ) 의 도가니 ( 231 ) 의 성막 재료 가 소모 되 기 전 에 , 예열 위치 ( 237 ) 의 도가니 ( 231 ) 로부터 의 증발 레이트 ( 또는 예열 위치 ( 237 ) 에 있 는 도가니 ( 231 ) 가 증착 위치 ( 232 ) 에 이동하 였 을 때 에 해당 도가니 에 의해 기판 ( S ) 상 에 성막 된 막 의 성막 레이트 ( 이하 마찬가지 임 ) ) 가 소정 값 에 도달 할 수 있 도록 설정 된다 . 즉 , 예열 위치 ( 237 ) 의 도가니 는 증착 위치 ( 232 ) 의 도가니 가 성막 에 사용 되 는 기간 중 적어도 일부 의 기간 동안 예열 된다 .