다른 방법 으로 , 상기 제 1 및 제 2 게터 링 영역 들 ( 365 a , 365 a ') 은 이온 주입 방식 으로 형성 될 수 도 있 다 . 즉 , 상기 제 1 소자 반도체 층 ( 200 ) 을 형성 한 후 에 , 상기 제 1 소자 반도체 층 ( 200 ) 의 일부 를 노출 시키 는 마스크 패턴 을 형성 한다 . 상기 마스크 패턴 을 이온 주입 마스크 로 사용 하 여 상기 원소 이온 들 을 주입 하 여 상기 제 1 게터 링 영역 ( 365 a ) 을 형성 할 수 있 다 . 상기 제 2 게터 링 영역 ( 365 a ') 도 상기 제 2 소자 반도체 층 ( 200 ') 에 상기 원소 이온 들 을 선택 적 으로 주입 하 여 형성 할 수 있 다 .