또한 , 처리 대상 인 웨이퍼 ( 200 ) 를 처리 실 ( 201 ) 내 에 수용 한 후 , 스텝 C 를 행하 기 전 에 , 웨이퍼 ( 200 ) 의 표면 상 , 즉 , 하 지 ( 200 a , 200 b ) 및 보호막 ( 200 e ) 각각 의 표면 상 에 , Si 막 을 형성 하 고 , 이 Si 막 을 의사 촉매 , 즉 , 의사 촉매 막 으로서 사용 할 수 도 있 다 . 의사 촉매 막 으로서 는 , Si 막 이외 에 , SiN 막 , SiC 막 , SiCN 막 , SiRN 막 , SiRC 막 , SiRCN 막 등 을 사용 하 도록 해도 된다 . 즉 , 의사 촉매 막 으로서 는 , Si 이외 에 C 나 N 을 포함 하 는 Si 함 유막 을 사용 하 도록 해도 된다 . 의사 촉매 막 으로서 의 Si 막 , SiN 막 , SiC 막 , SiCN 막 , SiRN 막 , SiRC 막 , SiRCN 막 을 형성 할 때 사용 하 는 가스 , 처리 조건 은 , 상술 한 프리 코팅 막 을 형성 할 때 사용 하 는 가스 , 처리 조건 과 각각 마찬가지 로 할 수 있 다 .