도 6 을 참조 하 면 , 소오 스 / 드레 인 전도체 를 증착 한 다음 CMP 방법 을 이용 하 여 평탄 화 하 여 소오 스 / 드레 인 전도체 층 ( 900 ) 을 형성 한다 . 여기 서 , CMP 방법 을 이용 하 여 소오 스 / 드레 인 전도체 층 ( 900 ) 을 형성 할 때 제 2 마스크 패턴 ( 701 ) 은 CMP 정지 층 으로 이용 된다 .