이상 에서 설명 한 바 와 같이 , 본 발명 은 오버레이 버니어 의 자 버니어 에 초점 의 변화 에 민감 하 게 반응 하 는 쐐기 패턴 을 추가 로 형성 함 으로써 , 노광 공정 에서 의 초점 의 변화 정도 를 용이 하 게 측정 할 수 있 다 . 또한 , 오버레이 버니어 형성 공정 및 오버레이 측정 공정 을 이용 하 므로 반도체 소자 의 형성 공정 을 단축 시킬 수 있 고 반도체 소자 의 형성 공정 에 있 어서 불량 발생 요인 을 조기 에 발견 하 여 반도체 소자 의 형성 공정 수율 을 증가 시키 고 신뢰 성 을 향상 시킬 수 있 는 효과 를 제공 한다 .