이제 도 4 를 참조 하 면 , ILD ( 350 ) 위 에 그리고 개구 ( 380 ) 내 에 하나 이상 의 층 ( 400 ) 이 형성 된다 . 하나 이상 의 층 ( 400 ) 은 CVD , PVD , ALD , HDPCVD , MOCVD , RPCVD , PECVD , 또는 이 들 의 조합 과 같 은 하나 이상 의 퇴적 공정 에 의해 형성 될 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , 하나 이상 의 층 ( 400 ) 은 계면 층 ( IL , interfacial layer ) 및 IL 위 에 형성 된 게이트 유전체 층 을 포함 할 수 있 다 . 일부 실시 예 에서 , IL 은 실리콘 산화물 을 포함 할 수 있 고 , 게이트 유전체 층 은 하이 - k 유전체 물질 ( 예컨대 , 약 4 보다 더 큰 유전 상수 를 갖 는 물질 ) 을 포함 할 수 있 다 . 다른 실시 예 에서 , IL 또는 게이트 유전체 층 은 Si , Hf , Zr , Pb , Sb , 또는 La 를 함유 하 는 산화물 물질 , 또는 Si , Hf , Zr , Pb , Sb , 또는 La 를 함유 하 는 질화물 물질 을 포함 할 수 있 다 .