도 4 는 , 본 발명 의 적어도 하나 의 구 현예 에 따른 3 - D NAND 소자 ( 400 ) 을 나타낸다 . 3 - D NAND 소자 ( 400 ) 는 기판 ( 410 ) , 산화물 - 질화물 층 적층 체 섹션 ( 420 ) , 소스 라인 ( 430 ) , 및 비트 - 라인 전극 섹션 ( 440 ) 을 포함 한다 . 산화물 - 질화물 층 적층 체 섹션 ( 420 ) 은 복수 의 채널 구멍 을 또한 포함 할 수 있 다 .