가 . 드리프트 영역 ( 7 ) 사이 의 영역 , 즉 채널 영역 ( C ) 과 게이트 전극 ( 9 ) 및 드리프트 영역 ( 7 ) 간 의 중첩 영역 ( ' W 1 ' 부위 참조 ) 에서 의 게이트 산화 막 ( 8 ) 두께 가 동일 하 여 , 드리프트 영역 ( 7 ) 에 고전압 을 인가 할 시 에 드리프트 영역 ( 7 ) 의 딥 디 플리 션 ( Deep depletion ) 에 의한 영역 파괴 ( breakdown ) 가 발생 하 기 쉽 다 .