또한 , NMOS 형성 영역 에서 라이너 질화 막 은 캐 패 시터 의 축전 되 는 전하 의 유지 시간 ( data charge retention time ) 을 증가 시키 는 역할 을 하 여 리프 레 쉬 특성 을 향상 시킬 수 있 다 . 아울러 , PMOS 형성 영역 에서 는 라이너 질화 막 이 형성 되 지 않 기 때문 에 , PMOS 형성 영역 에서 발생 하 는 HEIP 현상 에 의한 트랜지스터 off 의 열화 특성 을 크 게 억제 할 수 있 다 .