일 실시 예 에서 , 제 3 재료 층 들 은 제 2 절연 층 들 ( 232 ) 일 수 있 고 , 제 4 재료 층 들 은 제 2 절연 층 들 ( 232 ) 의 각각 의 수직 이웃 쌍 사이 에 수직 간격 을 제공 하 는 제 2 스 페이서 재료 층 들 일 수 있 다 . 일 실시 예 에서 , 제 3 재료 층 들 및 제 4 재료 층 들 은 각각 제 2 절연 층 들 ( 232 ) 및 제 2 희생 재료 층 들 ( 242 ) 일 수 있 다 . 제 2 절연 층 들 ( 232 ) 의 제 3 재료 는 적어도 하나 의 절연 재료 일 수 있 다 . 제 2 희생 재료 층 들 ( 242 ) 의 제 4 재료 는 제 2 절연 층 들 ( 232 ) 의 제 3 재료 에 대해 선택 적 으로 제거 될 수 있 는 희생 재료 일 수 있 다 . 제 2 희생 재료 층 들 ( 242 ) 은 절연 재료 , 반도체 재료 , 또는 전도성 재료 를 포함 할 수 있 다 . 제 2 희생 재료 층 들 ( 242 ) 의 제 4 재료 는 , 후속 적 으로 , 예 를 들 어 , 수직 NAND 디바이스 의 제어 게이트 전극 들 로서 기능 할 수 있 는 전기 전도성 전극 들 로 대체 될 수 있 다 .