상기 다른 목적 을 달성 하 기 위하 여 , 본 발명 에 따른 수직 공진 형 표면 방출 레이저 제조 방법 에서 는 기판 상 에 서로 다른 조성 을 가지 는 복수 의 III - V 족 반도체 층 으로 이루어지 는 적층 구조 를 형성 한다 . 상기 적층 구조 위 에 상기 적층 구조 의 일부 를 노출 시키 는 마스크 패턴 을 형성 한다 . 상기 마스크 패턴 을 식각 마스크 로 하 여 상기 노출 된 적층 구조 를 Cl 2 , Ar , CH 4 및 H 2 로 이루어지 는 혼합 가스 의 플 라즈 마 에 노출 시켜 소정 두께 만큼 식각 한다 .