이상 에서 상세히 설명 한 바 와 같이 본 발명 에 따른 에 천 트 의 선택 적 인 사용 이 가능 한 고밀 도 플 라즈 마 에치 챔버 는 , 측면 전극 부재 를 공정 챔버 내부 에 설치 구성 하 여 보다 안정 된 고밀 도 플 라즈 마 를 형성 할 수 있 게 되 어 이온 식각 과 라디칼 식각 을 웨이퍼 상 의 막 질 종류 에 따라 선택 적 으로 사용 할 수 있 고 , 웨이퍼 전체 의 식각 률 을 고르 게 할 수 있 는 장점 이 있 다 .