소자 분리 패턴 ( 300 ) 이 기판 ( 100 ) 의 제 1 면 ( 100 a ) 상 에 및 기판 ( 100 ) 내 에 제공 되 며 , 픽셀 영역 들 ( PX ) 을 정의 할 수 있 다 . 소자 분리 패턴 ( 300 ) 은 깊 은 소자 분리 ( Deep Trench Isolation ) 막 일 수 있 다 . 소자 분리 패턴 ( 300 ) 은 기판 ( 100 ) 의 제 1 면 ( 100 a ) 으로부터 리세 스 된 트렌치 ( 130 ) 내 에 제공 될 수 있 다 . 트렌치 ( 130 ) 는 기판 ( 100 ) 내 에서 픽셀 영역 들 ( PX ) 사이 에 제공 될 수 있 다 . 소자 분리 패턴 ( 300 ) 에 의해 기판 ( 100 ) 의 픽셀 영역 들 ( PX ) 이 서로 물리 적 및 전기 적 으로 분리 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 광전 변환 부들 ( PD ) 은 상기 소자 분리 패턴 ( 300 ) 에 의해 서로 전기 적 으로 분리 될 수 있 다 . 소자 분리 패턴 ( 300 ) 은 기판 ( 100 ) 보다 굴절 률 이 낮 을 수 있 다 . 소자 분리 패턴 ( 300 ) 은 소자 분리 영역 ( 110 ) 의 적어도 일부 와 평면 적 관점 에서 중첩 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 소자 분리 패턴 ( 300 ) 의 바닥 면은 소자 분리 영역 ( 110 ) 내 에 제공 될 수 있 다 .