청구 항 제 4 항 에 기재 한 발명 에 있 어서 는 , 상기 제 1 ∼ 제 N 전류 검 출부 가 각각 상기 제 1 ∼ 제 N 반도체 광원 의 양극 측 에 직렬 로 접속 되 어 있 기 때문 에 , 복수 의 반도체 광원 의 출력 이상 형태 가 , 반도체 광원 의 개방 에 의한 이상 , 반도체 광원 의 애노드 - 캐소드 간 의 단락 에 의한 이상 , 애노드 의 지락 에 의한 이상 또는 캐소드 의 지락 에 의한 이상 중 어느 하나 인지 를 판별 하 고 , 추가 로 각 반도체 광원 중 어느 것 에 상기 이상 상태 가 발생 하 고 있 는 것 인지 를 특정 할 수 있 다 .