본 발명 의 제 3 면 에서 , ( 1 ) 기판 위 에 제 1 도체 를 제조 하 는 단계 ; ( 2 ) 상기 제 1 도체 위 에 수직 다결정 다이오드 를 제조 하 는 단계 ; ( 3 ) 질화 티탄 을 증착 하 고 , 상기 증착 된 질화 티탄 의 표면 에 요철 을 형성 함 으로써 , CNT 시드 층 을 제조 하 고 , 상기 CNT 시드 층 을 패 터닝 및 에칭 하 며 , 상기 CNT 시드 층 상 에 CNT 물질 을 선택 적 으로 제조 함 으로써 , 상기 수직 다결정 다이오드 위 에 탄소 나노 튜브 ( CNT ) 물질 을 선택 적 으로 제조 하 여 상기 수직 다결정 다이오드 위 에 가역 저항 전환 소자 를 제조 하 는 단계 ; ( 4 ) 상기 가역 저항 전환 소자 위 에 제 2 도체 를 제조 하 는 단계 를 포함 하 는 메모리 셀 제조 방법 이 제공 된다 .