한편 , 트렌치 소자 분리 ( Shallow Trench Isolation , 이하 STI 라 함 ) 공정 은 반도체 소자 의 설계 규칙 ( Design rule ) 의 감소 에 따른 필드 산화 막 의 열화 와 같 은 공정 의 불 안정 요인 과 , 버즈 비크 에 따른 액티브 영역 의 감소 와 같 은 문제점 을 근본 적 으로 해결 할 수 있 는 소자 분리 공정 으로 부각 되 고 있 다 .