반도체 층 ( 190 ) 은 P 형 반도체 물질 , I 형 반도체 물질 및 N 형 반도체 물질 이 순서 대로 적층 된 PIN 구조 로 형성 한다 . 반도체 층 ( 190 ) 을 PIN 구조 로 형성 하 게 되 면 , I 형 반도체 물질 이 P 형 반도체 물질 과 N 형 반도체 물질 에 의해 공핍 ( depletion ) 이 되 어 내부 에 전기장 이 발생 하 게 되 고 , 태양광 에 의해 생성 되 는 정공 및 전자 가 전기장 에 의해 드리프트 ( drift ) 되 어 각각 P 형 반도체 물질 및 N 형 반도체 물질 에서 수집 되 게 된다 . 한편 , 반도체 층 ( 190 ) 을 PIN 구조 로 형성 할 경우 에 는 제 1 전극 ( 120 ) 상부 에 P 형 반도체 물질 을 형성 하 고 이어서 I 형 반도체 물질 및 N 형 반도체 물질 을 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 그 이유 는 일반 적 으로 정공 의 드리프트 이동도 ( drift mobility ) 가 전자 의 드리프트 이동도 에 의해 낮 기 때문 에 입사광 에 의한 수집 효율 을 극대 화 하 기 위해서 P 형 반도체 물질 을 수 광면 에 가깝 게 형성 하 기 위함 이 다 .