표시 영역 ( DA ) 에 배치 된 제 2 박막 트랜지스터 ( 320 ) 는 네거티브 - 타입 트랜지스터 ( n - type TFT ) 또는 포지티브 - 타입 트랜지스터 ( p - type TFT ) 로 구성 될 수 있 다 . 그리고 , 표시 영역 ( DA ) 에 배치 된 제 3 박막 트랜지스터 ( 330 ) 는 네거티브 - 타입 트랜지스터 ( n - type TFT ) 로 구성 될 수 있 다 . 또한 , 비 표시 영역 ( NDA ) 에 배치 된 제 1 박막 트랜지스터 ( 410 ) 는 네거티브 - 타입 트랜지스터 ( n - type TFT ) 또는 포지티브 - 타입 트랜지스터 ( p - type TFT ) 로 구성 될 수 있 다 . 예 를 들 면 , 비 표시 영역 ( NDA ) 에 배치 되 며 폴리 실리콘 물질 을 포함 하 는 제 1 박막 트랜지스터 ( 410 ) 는 포지티브 - 타입 트랜지스터 ( p - type TFT ) 로 구성 될 수 있 다 . 이때 , 표시 영역 ( DA ) 에 배치 되 며 폴리 실리콘 물질 을 포함 하 는 제 2 박막 트랜지스터 ( 320 ) 도 포지티브 - 타입 트랜지스터 ( p - type TFT ) 로 구성 될 수 있 다 . 또한 , 표시 영역 ( DA ) 에 배치 되 며 산화물 반도체 물질 을 포함 하 는 제 3 박막 트랜지스터 ( 330 ) 는 네거티브 - 타입 트랜지스터 ( n - type TFT ) 로 구성 될 수 있 다 . 다른 예 로 는 , 비 표시 영역 ( NDA ) 에 배치 되 며 폴리 실리콘 물질 을 포함 하 는 제 1 박막 트랜지스터 ( 410 ) 는 네거티브 - 타입 트랜지스터 ( n - type TFT ) 로 구성 될 수 있 다 . 이때 , 표시 영역 ( DA ) 에 배치 되 며 폴리 실리콘 물질 을 포함 하 는 제 2 박막 트랜지스터 ( 320 ) 도 네거티브 - 타입 트랜지스터 ( n - type TFT ) 로 구성 될 수 있 다 . 또한 , 표시 영역 ( DA ) 에 배치 되 며 산화물 반도체 물질 을 포함 하 는 제 3 박막 트랜지스터 ( 330 ) 는 네거티브 - 타입 트랜지스터 ( n - type TFT ) 로 구성 될 수 있 다 .