도 4 에서 는 제 1 서브 반도체 칩 ( 302 ) 상 에 2 개 의 반도체 칩 ( 500 , 700 ) 이 적층 된 것 을 도시 하 였으나 , 본 발명 이 이 에 한정 되 는 것 은 아니 다 . 본 발명 의 실시 예 들 에 따르 면 , 제 1 서브 반도체 칩 ( 302 ) 상 에 적어도 둘 이상 의 반도체 칩 이 적층 될 수 있 다 . 일 예 로 , 각각 의 반도체 칩 들 은 그 의 아래 에 배치 되 는 반도체 칩 과 직접 접할 수 있 으며 , 각각 의 반도체 칩 들 의 칩 패드 들 은 그 의 아래 에 배치 되 는 반도체 칩 의 관통 전극 과 금속 간 하이브리드 본딩 ( hybrid bonding ) 을 이룰 수 있 다 .