또 다른 실시 형태 는 , 기판 을 프로세싱 하 기 위한 플 라즈 마 시스템 으로서 , 프로세스 챔버 로서 베이스 ; 복수 의 측벽 들 ; 상기 베이스 에 인접 한 기판 지 지체 ; 및 상기 프로세스 챔버 를 감싸 기 위해 상기 측벽 들 과 인터페이스 된 챔버 상부 를 갖 는 , 상기 프로세스 챔버 ; 상기 챔버 상부 위 에 배치 되 는 복수 의 페라이트 들 로서 , 상기 복수 의 페라이트 들 은 상기 기판 지 지체 의 영역 들 위 에 분배 되 고 , 상기 영역 들 은 적어도 상기 기판 지 지체 의 외부 부분 과 상기 기판 지 지체 의 중심 부분 사이 에 연장 되 는 , 상기 복수 의 페라이트 들 ; 링 플라 즈 마 챔버 내 에 프로세스 가스 를 수용 하 기 위한 복수 의 가스 유입 부 포트 들 과 상기 복수 의 가스 유입 부 포트 들 각각 과 수직 으로 정렬 된 복수 의 가스 유출 부 포트 들 을 가지 는 , 상기 링 플라 즈 마 챔버 ; 상기 링 플라 즈 마 챔버 를 상기 프로세스 챔버 에 연결 하 는 복수 의 플 라즈 마 챔버 유출 부들 로서 , 상기 복수 의 플 라즈 마 챔버 유출 부 들 의 각각 하나 는 각각 의 플 라즈 마 제 한부 를 가지 며 , 상기 복수 의 가스 유입 부 포트 들 각각 및 상기 복수 의 가스 유출 부 포트 들 각각 은 상기 복수 의 플 라즈 마 챔버 유출 부들 각각 과 정렬 되 며 , 상기 복수 의 플 라즈 마 챔버 유출 부 들 의 각각 은 각각 의 플 라즈 마 제 한부 를 갖 는 , 상기 복수 의 플 라즈 마 챔버 유출 부들 ; 및 상기 복수 의 플 라즈 마 챔버 유출 부들 각각 의 상기 플라 즈 마 제 한부 에 연결 된 바이어스 공급 부 로서 , 상기 바이어스 공급 부 는 이온 들 을 상기 복수 의 플 라즈 마 챔버 유출 부들 밖 으로 추출 하 고 상기 프로세스 챔버 내 로 인출 하 도록 작용 하 는 , 상기 바이어스 공급 부 를 포함 하 는 , 플라 즈 마 시스템 입니다 .