접합 후 에 접합 강도 를 증가 시키 기 위한 열처리 를 행할 수 있 다는 점 에 주목 한다 . 이 열처리 의 온도 는 취화 영역 ( 514 ) 에서 의 분리 가 발생 하 지 않 는 온도 ( 예 를 들 어 , 실온 이상 400 ℃ 미만 ) 로 한다 . 또한 , 이 온도 범위 에서 가열 하 면서 , 반도체 기판 ( 500 ) 과 산화 막 ( 512 ) 을 접합 시킬 수 있 다 . 상기 열처리 에 는 , 확산 로 , 저항 가열로 등 의 가열로 , RTA ( 순간 열 어 닐 : Rapid Thermal Annealing ) 장치 , 마이크로파 가열 장치 등 을 이용 할 수 있 다 . 상기 온도 조건 은 어디 까지 나 일례 에 불과 하 고 , 개시 하 는 발명 의 실시 형태 가 이것 에 한정 해서 해석 되 는 것 은 아니 라는 점 에 주목 한다 .