또한 , 갈륨 프탈 로 시아닌 중 에서 도 , 2 θ ± 0 . 2 °( θ 는 CuK α 의 X 선 회절 에서 의 브래그 각 ) 의 7 . 4 °± 0 . 3 ° 및 28 . 2 °± 0 . 3 ° 에서 강한 피크 를 갖 는 결정 형 의 히드록시 갈륨 프탈 로 시아닌 결정 이 보다 바람직 하 다 . 이 히드록시 갈륨 프탈 로 시아닌 결정 은 , 특히 우수 한 감도 를 갖 고 있 는 한편 , 전위 변동 ( 특히 저습 환경 하 에서 화상 형성 하 였을 때 의 초기 의 명부 전위 의 변동 ) 을 일으키 기 쉽 다 . 그러나 , 이 히드록시 갈륨 프탈 로 시아닌 결정 을 상기 중간층 상 에 형성 된 전하 발생 층 에 전하 발생 물질 로서 함유 시킴 으로써 , 특히 우수 한 감도 를 유지 하 면서 , 전위 변동 을 억제 할 수 있 다 . 그 로 인해 , 이 히드록시 갈륨 프탈 로 시아닌 결정 은 , 본 발명 의 효과 를 한층 더 유효 하 게 이용 할 수 있 어 특히 바람직 하 다고 할 수 있 다 .