점착 테이프 는 , 예컨대 , 염화비닐 시트 등 으로 형성 된 기재 층 과 , 상기 기재 층 상 에 배치 된 풀 층 을 포함 한다 . 레이저 가공 장치 에서 는 , 분할 기점 이 되 는 개질 층 을 웨이퍼 의 내부 에 형성 하 기 위해 레이저 빔 을 웨이퍼 의 내부 에 집광 시키 지만 , 상기 레이저 빔 의 누 설광 의 일부 가 점착 테이프 의 풀 층 에 도달 한다 . 그리고 , 레이저 빔 의 조사 에 의한 열 적 인 영향 에 의해 점착 테이프 의 풀 층 이 용융 되 어 , 웨이퍼 로부터 형성 된 디바이스 칩 의 이면 측 또는 표면 측 에 풀 층 의 일부 가 고착 된다 .