일 실시 예 에서 , 제 1 절연 층 들 ( 132 ) 은 실리콘 산화물 을 포함 할 수 있 고 , 희생 재료 층 들 은 실리콘 질화물 희생 재료 층 들 을 포함 할 수 있 다 . 제 1 절연 층 들 ( 132 ) 의 제 1 재료 는 , 예 를 들 어 화학 증착 ( CVD ) 에 의해 침착 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 실리콘 산화물 이 제 1 절연 층 들 ( 132 ) 에 사용 되 는 경우 , 테트라에틸 오르토 실리케이트 ( tetraethylorthosilicate , TEOS ) 가 CVD 공정 을 위한 전구체 재료 로서 사용 될 수 있 다 . 제 1 희생 재료 층 들 ( 142 ) 의 제 2 재료 는 , 예 를 들 어 , CVD 또는 원자 층 침착 ( ALD ) 으로 형성 될 수 있 다 .