본 발명 은 동일 스트링 내 에서 메모리 셀 의 문턱 전압 을 균일 하 게 유지 시켜 소자 의 신뢰 성 을 향상 시킬 수 있 는 비휘발성 메모리 소자 를 제공 하 기 위한 것 으로서 , 이 를 위해 본 발명 은 서로 직렬 연결 된 복수 의 메모리 셀 과 , 상기 메모리 셀 과 연결 된 복수 의 워드 라인 과 , 상기 워드 라인 의 폭 에 따라 서로 다른 유전율 을 갖 고 상기 워드 라인 사이 에 개재 된 복수 의 스 페이서 를 포함 하 는 비휘발성 메모리 소자 를 제공 한다 .