도 4 c 는 질화규소 와 실리콘 간 의 상이 한 간격 크기 에 대한 도파관 의 실효 굴절 률 의 차이 를 도시 한다 . 예 를 들 어 , 간격 은 도 2 의 질화규소 스트립 부 ( 212 ) 와 실리콘 층 ( 204 ) 간 의 간격 일 수 있 다 . 특히 , 도 4 c 는 412 로 표시 된 17 nm 간격 에 비해 410 으로 표시 된 27 nm 간격 크기 에 대한 도파관 의 실효 굴절 률 의 차이 를 도시 한다 . 도시 된 바 와 같이 , 10 nm 의 간격 크기 변화 에 대해 , 광학 모드 의 실효 굴절 률 은 0 . 007 미만 으로 변화 한다 .