반도체 제조 공정 에서 는 , 반도체 의 도전 성 을 변화 시키 는 목적 , 반도체 의 결정 구조 를 변화 시키 는 목적 등 을 위하 여 , 반도체 웨이퍼 에 이온 을 주입 하 는 공정 ( 이온 주입 공정 이 라고 도 함 ) 이 표준 적 으로 실시 되 고 있 다 . 이 공정 에서 사용 되 는 장치 는 , 일반 적 으로 이온 주입 장치 라고 불린다 . 이 와 같 은 이온 주입 장치 에서 는 , 소스 가스 를 플 라즈 마 화 하 여 이온 을 생성 하 기 위한 이온 생성 장치 가 이용 된다 . 소스 가스 로서 불순물 원소 를 포함 하 는 고체 재료 를 가열 하 여 생성 되 는 증기 가 이용 되 는 경우 가 있 다 ( 예 를 들 면 , 특허 문헌 1 참조 ) .