도 1 e 를 참조 하 면 , 주변 회로 영역 에 패 터닝 된 희생 막 ( 116 ) 을 식각 마스크 로 하 여 셀 영역 의 소자 분리 막 ( 114 ) 을 식각 한다 . 여기 서 , 식각 공정 은 습식 식각 ( wet etch ) 공정 으로 실시 하 며 , 예컨대 BOE ( Buffered Oxide Etchant ) 또는 HF 용액 을 이용 하 여 실시 할 수 있 다 .