포토 마스크 패턴 의 형성 에서 는 , 통상 투명 기판 상 에 차광막 을 갖 는 포토 마스크 블랭크 상 에 포토레지스트 막 을 형성 하 고 , 전자선 에 의한 패턴 의 묘화 를 행하 여 , 현상 을 거쳐 레지스 트 패턴 을 얻 고 , 이어서 얻 어 진 레지스 트 패턴 을 에칭 마스크 로 하 여 , 차광막 을 에칭 하 여 차광 패턴 으로 가공 하 는데 , 차광 패턴 을 미세 화 하 는 경우 에 레지스 트 막 의 막 두께 를 미세화 전 과 동일 하 게 유지 한 상태 에서 가공 하 고자 하 면 , 패턴 에 대한 막 두께 의 비 , 이른바 종횡비 가 커져 , 레지스 트 의 패턴 형상 이 열화 하 여 패턴 전사 가 원활히 행해 지 지 않 게 되 거나 , 경우 에 따라서 는 레지스 트 패턴 이 붕괴 되 거나 박리 를 일으킨다 . 이 때문 에 , 미세화 에 따라 레지스 트 막 두께 를 얇 게 할 필요 가 있 다 .