소스 / 드레 인 전극 은 일례 로 다음 과 같이 포 토리 소 그래픽 리프트 오프 ( photolithographic lift - off ) 처리 를 사용 하 여 형성 될 수 있 다 . 포토 레지스 트 ( photoresist ) 는 예컨대 30 초 동안 5000 rpm 정도 로 TiO 2 막 / 기판 상 에 스핀 코팅 ( spin - coating ) 되 고 , 1 분 동안 90 ℃ 의 핫 플레이트 ( hot plate ) 상 에서 건조 될 수 있 다 . 패 터닝 이전 에 , 포토레지스트 로 코팅 된 샘플 들 은 포토레지스트 필름 의 표면 영역 에 오버행 ( overhang ) 구조 를 구현 하 기 위해 5 분 동안 클로로벤젠 ( chlorobenzene ) 에 담겨질 수 있 다 . 상술 한 오버행 구조 는 리프트 오프 ( lift - off ) 공정 을 더 쉽 게 할 수 있 다 . 또한 , 이러 한 샘플 들 은 접촉 식 마스크 얼라 이너 ( contact mask aligner ) 를 사용 하 여 포토 마스크 ( photomask ) 에 대해 정렬 될 수 있 다 ( 예컨대 , 9 초 정도 UV 노광 ) .