상기 제 2 마스크 패턴 ( 528 ) 을 식각 마스크 로 사용 하 여 셀 영역 과 페리 영역 에 위치 하 는 제 2 도 전막 ( 526 ) 을 패 터닝 하 여 제 2 도 전막 패턴 ( 526 a ) 을 형성 한다 . 상기 제 2 도 전막 패턴 ( 526 a ) 양측 으로 스 페이서 ( 532 ) 를 형성 할 수 있 다 . 상기 페리 영역 의 제 2 도 전막 패턴 ( 526 a ) 양측 으로 불순물 을 주입 하 여 소스 / 드레 인 ( 534 ) 을 형성 할 수 있 다 .