증기 상태 로부터 좋 은 양질 의 결정 을 생장 시키 는 데 는 결정 표면 에서 원자 들 이 움직이 는 정도 에 밀접 한 관련 이 있 다 . 특히 , 표면 에 부딪히 는 원자 들 을 한 켜 로 쌓 는 데 걸리 는 시간 동안 많 은 곳 을 돌아다닐 수 있 어야 한다 . 그렇 지 않 으면 원자 들 은 결정 살창 과 이 맞 지 않 는 위치 에 잡히 게 된다 . 표면 이동도 가 낮 은 채 로 재빨리 증착 을 하 면 비정질 필름 이 만들 어 진다 . 귀금속 이나 불활성 기체 는 낮 은 온도 에서 도 증기 로부터 쉽 게 결정 이 된다 . 이것 은 표면 퍼짐 이 매우 크 기 때문 이 다 . 반면 에 표면 퍼짐 이 작 은 물질 은 결정 이 되 기 어렵 다 . 실리콘 을 비롯 한 대부분 의 반도체 는 여기 에 속한다 . Schneider 등 [ SCH 78 ] 은 불활성 기체 에 대한 분자살 켜 쌓 기 를 시늉 하 여 심지어 절대 영도 의 기판 에서 결정 이 만들 어 진다는 것 을 보였 다 . 실리콘 시늉 의 경우 낮 은 온도 에서 는 비정질 이 만들 어 지 고 , 405 K 이상 에서 는 ( 100 ) 방향 의 기판 에 대해 켜 쌓 기 가 일어난다는 것 을 알 았 다 .