보다 상세 하 게 설명 하 면 , 기존 의 방법 은 게르마늄 기판 에 이산화 게르마늄 층 을 형성 한 후 , high - k 물질 을 증착 하 여 게르마늄 - 게르마늄 산화 막 - 고 유전율 절 연막 을 제조 한다 . 하지만 상술 하 였 던 바 와 같이 , 게르마늄 기판 과 이산화 게르마늄 층 사이 에서 형성 된 GeO 가 표면 으로 확산 되 며 핀홀 을 형성 하 고 , 게르마늄 기판 을 이산화 게르마늄 층 이 완벽 하 게 커버 하 지 못하 게 된다 . 이렇게 제조 된 게르마늄 - 게르마늄 산화 막 - 고 유전율 절 연막 을 포함 하 는 소자 는 게이트 유전체 를 관통 하 는 누설 전류 를 초래 할 수 있 는 문제 가 있 다 .