도 19 는 본 발명 의 제 3 실시 예 에 따른 산화물 반도체 박막 의 bending cycle 수 에 따른 전기 적 특성 변화 ( △ Vth , △ μ , △ S . S . ) 를 나타내 는 그래프 이 다 . 구체 적 으로 , 도 19 의 ( a ) 는 본 발명 의 제 3 실시 예 에 따른 산화물 반도체 박막 의 bending cycle 수 에 따른 △ Vth 값 을 나타내 는 그래프 이 고 , 도 19 의 ( b ) 는 본 발명 의 제 3 실시 예 에 따른 산화물 반도체 박막 의 bending cycle 수 에 따른 △ μ 값 을 나타내 는 그래프 이 고 , 도 19 의 ( c ) 는 본 발명 의 제 3 실시 예 에 따른 산화물 반도체 박막 의 bending cycle 수 에 따른 △ S . S . 값 을 나타내 는 그래프 이 다 .