도 34 b 에 도시 하 는 트랜지스터 는 , 기초 절연 층 ( 1101 ) 과 , 산화알루미늄 으로 이루어지 는 매립 절연물 ( 1102 ) 상 에 형성 되 고 , 반도체 영역 ( 1103 a ) , 반도체 영역 ( 1103 c ) 과 , 그 들 에 끼워진 진성 의 반도체 영역 ( 1103 b ) 과 , 폭 33 ㎚ 의 게이트 전극 ( 1105 ) 과 게이트 절연 층 ( 1104 ) 과 측벽 절연 층 ( 1106 a ) 및 측벽 절연 층 ( 1106 b ) 과 절연 층 ( 1107 ) 과 소스 전극 ( 1108 a ) 및 드레 인 전극 ( 1108 b ) 을 갖 는 점 에서 도 34 a 에 도시 한 트랜지스터 와 동일 하 다 .