이어서 분말 배치 는 상온 에서 단조 되 어 콤팩트 하 게 되 었 으며 , 후속 하 여 350 ℃ 에서 단조 되 어 반가공품 을 형성 하 였 다 . 이어서 반가공품 으로부터 절삭 기계 가공 에 의해 　 Ø 75 　 x 　 6 　 mm 치수 를 갖 는 타깃 이 제조 되 었 다 . 그러 한 재료 의 특성 은 재료 단면 의 광학 현미경 사진 으로 도 3 에 도시 되 어 있 다 . Ø 75 x 6 mm 치수 를 갖 는 , 이렇게 제조 된 타깃 들 은 , 이어서 인듐 에 의해 실험실 코팅 설비 ( 개조 된 Leybold Heraeus Z 400 ) 의 구리 음극 에 접착 되 었 고 , 설비 내 에 설치 되 었 다 . PVD 공정 에서 , 타깃 들 은 Ar 및 N 2 ( 20 ％ 의 N 2 ) 기체 혼합물 에서 0 . 35 Pa 의 총 압력 , ptotal 에서 원자 화 되 었 다 . 타깃 들 은 45 분 의 시간 동안 9 . 0 W / cm 2 의 전력 밀도 에서 운용 되 었 다 . 결과 적 인 층 들 은 단 - 결정 Si 플레이트 ( 100 배향 , 20 x 7 x 0 . 38 mm 3 ) 상 에 , 그리고 금속 조직학 적 으로 폴리 싱 된 오스테나이트 플레이트 ( 20 x 7 x 0 . 8 mm 3 ) 상 에 , 증착 되 었 다 . 층 들 의 만족 스러운 접착 을 보장 하 기 위해 , 기판 재료 는 코팅 설비 내 에서 430 ± 20 ℃ 에서 열 적 으로 에칭 되 기 전 에 아세톤 과 에탄올 로 세정 되 었 다 . 이러 한 열 적 에칭 공정 이후 에 , 순수 Ar 분위기 에서 총 압력 6 Pa ( 지속 시간 10 분 ) 로 플 라즈 마 에칭 이 수행 되 었 다 . 코팅 공정 동안 , 기판 온도 는 430 ± 20 ℃ 이 었 으며 , 바이어스 전위 는 - 50 V 이 었 다 . 이렇게 증착 된 층 들 은 매우 조밀 한 형태 와 면 심 입방 결정 구조 를 가지 며 , 이 는 주사 전자 현미경 ( SEM ) 과 X - 선 회절 ( XRD ) 에 의해 검사 되 었 다 . 화학 조성 은 SEM 에서 에너지 - 분산 X - 선 분광법 ( EDX ) 에 의해 측정 되 었 다 . 층 들 은 각각 약 3600 및 5000 nm 의 두께 를 가졌 다 . 이러 한 2 개 의 상이 한 층 두께 는 , Ce 함량 을 줄이 기 위해 , 8 개 의 TiAl 조각 들 ( 4 x 4 x 4 mm 3 , Ti / Al 50 / 50 at ％ 의 화학 조성 ) 을 레이스 트랙 에 배치 하 고 이 에 따라 코팅 속도 의 증가 를 감소 시킴 으로써 달성 되 었 다 . TiAl 조각 들 에 의해 TiAlCe 타깃 을 약간 덮 음 에 도 불구 하 고 ( 레 이스트 랙 의 10 ％ 미만 ) , 코팅 속도 의 증가 가 감지 될 수 있 었 다 - 도 1 참조 . Ti 1 - x - yAlxCeyN 층 들 의 기계 적 특성 들 은 나노 압입 에 의해 테스트 되 었 고 , 동일 한 조건 하 에서 증착 된 순수 Ti 1 - xAlxN 과 비교 하 여 약간 증가 를 보였 다 .