본 발명 의 실시 예 들 에 따른 3 차원 반도체 메모리 장치 는 , 높 은 층수 를 갖 는 적층 구 조체 를 포함 하 지만 채널 홀 들 이 적층 구 조체 를 완전히 관통 할 수 있 다 . 따라서 장치 의 집적도 및 신뢰 성 이 모두 향상 될 수 있 다 . 더미 홀 들 은 한 번 의 식각 공정 으로 형성 되 므로 , 본 발명 의 실시 예 들 에 따른 장치 를 제조 하 기 위한 공정 이 단순 해질 수 있 다 . 본 발명 의 실시 예 들 에 따른 장치 의 적층 구 조체 에 는 복잡 한 계단식 구조 도 쉽 게 형성 될 수 있 다 .