도 1 j 에 도시 한 바 와 같이 , 상기 게이트 전극 ( 11 ) 을 포함 한 기판 전면 에 절 연막 을 증착 하 고 이방성 식각 하 여 상기 게이트 절 연막 ( 12 ) 및 게이트 전극 ( 11 ) 측면 에 측벽 절 연막 ( 14 ) 을 형성 하 고 , 상기 게이트 전극 ( 11 ) 및 측벽 절 연막 ( 14 ) 을 마스크 로 이용 하 여 상기 게이트 전극 ( 11 ) 양측 의 상기 N 형 웰 ( 16 ) 에 고농도 n 형 불순물 영역 ( 15 ) 을 형성 한다 .