또 다른 양태 에서 , 본 개시 는 반도체 프로세스 를 모니터링 하 는 방법 을 제공 한다 . 일 실시 예 에서 , 모니터링 하 는 방법 은 , 하우징 ; 하우징 내 에 있 으며 광학 축 , 접힌 평면 , 및 초점 을 갖 는 OAP 미러 ; 및 하우징 에 결합 된 광섬유 케이블 을 포함 하 는 시준기 를 갖 는 광학 시스템 과 광학 정렬 하 여 가공물 을 위치 시키 는 단계 를 포함 한다 . 광섬유 케이블 은 제 1 및 제 2 광섬유 들 을 포함 하 고 , 제 1 및 제 2 광섬유 들 각각 은 광섬유 케이블 의 공통 의 끝 면 을 형성 하 는 출구 끝 을 갖 고 , 광섬유 케이블 은 공통 의 면 이 OAP 미러 의 광학 축 에 수직 이 고 광학 축 상 에 중심 이 맞춰 지 고 초점 에서부터 고정 된 거리 에 위치 되 도록 OAP 미러 에 회전 가능 하 고 병진 가능 하 게 정렬 되 고 , 제 1 및 제 2 광섬유 들 의 광학 축 은 접힌 평면 에 공동 으로 각지 게 정렬 되 고 , 제 1 및 제 2 광섬유 들 의 광학 축 들 은 OAP 미러 의 광학 축 에 평행 하 는 것 에서 0 . 15 도 이하 로 벗어나 있 다 . 광 은 광 소스 로부터 광 소스 를 시준기 에 광학 적 으로 결합 하 는 제 1 광섬유 를 통해 보내 진다 . 수집 된 광 은 제 2 광섬유 를 통해 가공물 의 표면 으로부터 반사 된 광 이 고 , 광학 검출기 를 시준기 에 광학 적 으로 결합 하 는 제 2 광섬유 에 의해 시준기 로부터 광학 검출기 로 전송 된다 .