다음 에 , 레지스 트 마스크 ( 66 ) 를 사용 하 여 일 도 전형 을 부여 하 는 불순물 원소 가 첨가 된 반도체 막 ( 63 ) 을 에칭 하 여 분리 한다 . 결과 적 으로 , 도 31 a 에 도시 하 는 바 와 같 은 , 한 쌍 의 소스 영역 및 드레 인 영역 ( 72 ) 을 형성 할 수 있 다 . 또한 , 상기 에칭 공정 에 있 어서 , 버퍼 층 ( 62 ) 도 부분 적 으로 에칭 한다 . 부분 적 으로 에칭 된 , 오 목부 가 형성 된 버퍼 층 을 버퍼 층 ( 73 ) 이 라고 기재 한다 .