활성 패턴 들 ( AP ) 은 기판 ( 100 ) 상 의 제 1 영역 ( R 1 ) , 기판 ( 100 ) 과 제 1 영역 ( R 1 ) 사이 의 제 2 영역 ( R 2 ) 및 기판 ( 100 ) 과 제 2 영역 ( R 2 ) 사이 의 제 3 영역 ( R 3 ) 을 포함 할 수 있 다 . 즉 , 제 3 , 제 2 및 제 1 영역 들 ( R 3 , R 2 , R 1 ) 은 기판 ( 100 ) 상 에 차례 로 그리고 직접 접촉 하 면서 배치 된다 . 제 1 및 제 3 영역 들 ( R 1 , R 3 ) 은 기판 ( 100 ) 과 다른 도전 형 이 고 , 제 2 영역 ( R 2 ) 은 기판 ( 100 ) 과 같 은 도전 형 또는 진성 반도체 일 수 있 다 . 예 를 들 어 , 기판 ( 100 ) 이 P 형 반도체 인 경우 , 제 1 및 제 3 영역 들 ( R 1 , R 3 ) 은 N 형 이 고 , 제 2 영역 ( R 2 ) 은 P 형 또는 진성 ( intrinsic ) 일 수 있 다 .