먼저 합성 된 금속 칼코겐 박막 의 산화 를 방지 하 기 위하 여 기판 을 열처리 챔버 내 에서 상온 의 진공 하 에 약 30 분 정도 놓아두 어 산소 및 물 분자 를 제거 한다 . 이어서 챔버 에 상기 와 같 은 혼합 가스 를 채우 고 급속 열처리 시스템 ( rapid thermal annealing system ) 을 이용 하 여 약 10 분 이내 에 400 ~ 1 , 000 까지 온도 를 상승 시킨다 . 여기 에서 본 발명 에 따르 면 ATM 은 120 ~ 260 범위 에서 MoS 3 로 전환 되 며 이어서 400 이상 에서 MoS 2 로 전환 되 어 도 3 에 도시 된 바 와 같 은 박막 이 형성 된다 .