도 1 에 도시 된 바 와 같이 , 본 발명 의 반도체 소자 는 소자 분리 막 ( 102 ) 에 의해 정의 되 는 활성 영역 ( 104 ) 을 포함 하 는 반도체 기판 ( 100 ) 상 에 구비 되 는 도전 층 ( 114 ) 과 , 도전 층 ( 114 ) 상부 에 구비 되 며 도전 층 ( 114 ) 의 폭 보다 큰 폭 을 갖 는 하드 마스크 층 ( 116 ) 과 , 도전 층 ( 114 ) 의 측벽 에 구비 되 며 하드 마스크 층 ( 116 ) 의 측벽 과 일직선 상 에 구비 되 는 절 연막 ( 118 ) 을 포함 한다 .