도 1 및 2 를 참조 하 면 , 상기 수직 형 메모리 장치 는 기판 ( 100 ) 상 에 형성 된 채널 ( 260 ) , 제 1 전하 저장 구조물 ( 252 ) , 및 게이트 전극 구조물 을 포함 할 수 있 다 . 나아가 상기 수직 형 메모리 장치 는 더미 전하 저장 구조물 ( 250 ) , 채널 연결 패턴 ( 330 ) , 절연 패턴 ( 175 ) , 제 2 블로킹 패턴 ( 360 ) , 공통 소스 패턴 ( Common Source Pattern : CSP ) ( 390 ) , 제 2 스 페이서 ( 380 ) , 지지막 ( 160 ) , 지지 패턴 ( 165 ) , 충전 패턴 ( 270 ) , 패드 ( 280 ) , 제 1 내지 제 3 층간 절 연막 들 ( 190 , 290 , 400 ) , 콘 택 플러그 ( 410 ) , 및 비트 라인 ( 430 ) 을 더 포함 할 수 있 다 .