본 실시 예 에서 는 , 제 1 패턴 부 ( 11 a , 12 a ) 의 폭 ( L 3 ) 에 대응 해서 형성 되 는 선 의 폭 은 , 60 ㎚ 이 다 . 또한 , 레지스 트 패턴 ( 13 ) 의 직선 형상 의 부분 의 폭 에 대응 해서 형성 되 는 선 의 폭 은 , 폭 ( L 3 ) 에 대응 하 는 폭 과 동일 하 다 . 예 를 들 면 , 전계 효과 트랜지스터 의 게이트 전극 의 폭 은 , 60 ㎚ 이 다 .