오 믹 콘 택 막 ( 102 ) , 하드 마스크 막 ( 104 ) , 및 포토레지스트 패턴 ( 106 ) 이 반도체 막 ( 100 ) 의 상면 상 에 차례 로 형성 될 수 있 다 . 오 믹 콘 택 막 ( 102 ) 은 반도체 막 ( 100 ) 의 상면 을 덮 도록 형성 될 수 있 다 . 오 믹 콘 택 막 ( 102 ) 은 예 를 들 어 , 몰리브덴 ( Mo ) , 니켈 ( Ni ) , 또는 팔 라 디 움 ( Pd ) 을 포함 할 수 있 다 . 하드 마스크 막 ( 104 ) 은 오 믹 콘 택 막 ( 102 ) 의 상면 을 덮 도록 형성 될 수 있 다 . 하드 마스크 막 ( 104 ) 은 예 를 들 어 , 실리콘 산화 막 또는 실리콘 질화 막 을 포함 할 수 있 다 . 포토레지스트 패턴 ( 106 ) 은 하드 마스크 막 ( 104 ) 의 상면 상 에 형성 될 수 있 다 .