본 발명 에 있 어서 사용 할 수 있 는 기판 은 특별히 한정 되 는 것 은 아니 고 , 실리콘 , SiN , SiO 2 나 TiN 등 의 무기 기판 , SOG 등 의 도포 계 무기 기판 등 IC 등 의 반도체 제조 공정 , 액정 및 서멀 헤드 등 의 회로 기판 의 제조 공정 , 또한 그 밖 의 포토패브리케이션 의 리소그래피 공정 에서 일반 적 으로 사용 되 는 기판 을 사용 할 수 있 다 . 또한 , 필요 에 따라 유기 반사 방지 막 과 기판 사이 에 형성 시켜 도 좋 다 .