상기 상부 u - 1 . 3 Q 층 ( 20 ) 및 하부 u - 1 . 3 Q 층 ( 16 ) 의 상부 및 하부 에 는 각각 p - 1 . 1 Q 층 ( 22 ) 및 n - 1 . 1 Q 층 ( 14 ) 이 형성 되 어 있 다 . p - 1 . 1 Q 층 ( 22 ) 은 p 형 불순물 이 도핑 된 InGaAsP 을 0 . 5 ㎛ 의 두께 로 구성 한다 . 상기 n - 1 . 1 Q 층 ( 14 ) 은 n 형 불순물 이 도핑 된 InGaAsP 을 0 . 5 ㎛ 의 두께 로 구성 한다 . 상기 1 . 1 Q 층 ( 22 , 14 ) 은 밴드 갭 파장 이 1 . 1 ㎛ 를 의미 한다 . 이 에 따라 , p - 1 . 1 Q 층 ( 22 ) 및 n - 1 . 1 Q 층 ( 14 ) 은 각각 상부 u - 1 . 3 Q 층 ( 20 ) 및 하부 u - 1 . 3 Q 층 보다 굴절 율 이 작 게 된다 .