도 6 a 및 도 6 b 를 참조 하 면 , 제 1 및 제 2 액티브 층 ( 30 , 31 ) 이 형성 된 버퍼 막 ( 21 ) 상 에 게이트 절 연막 ( 22 ) 이 형성 되 고 , 그 위 에 제 2 마스크 공정 으로 게이트 전극 ( 32 ) , 게이트 라인 ( 121 ) , 스토리지 라인 ( 33 ) , 게이트 패드 하부 전극 ( 34 ) 및 데이터 패드 하부 전극 ( 134 ) 을 포함 하 는 게이트 도전 패턴 군 이 형성 된다 .