또한 , 상기 목적 을 달성 하 기 위한 다른 측면 에 따른 본 발명 은 , 제 1 도전 형 의 기판 상 에 제 1 게이트 전극 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 제 1 게이트 전극 의 일 측 으로 노출 된 상기 기판 내 에 제 2 도전 형 의 포토 다이오드 용 제 1 확산 영역 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 제 1 확산 영역 의 상부 표면 에 상기 제 1 도전 형 의 제 2 확산 영역 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 제 1 게이트 전극 의 타 측 으로 노출 된 상기 기판 내 에 상기 제 2 도전 형 의 플로팅 확산 영역 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 제 1 게이트 전극 의 일부 를 식 각 하 여 서로 일정 거리 이격 된 베리어 용 제 2 게이트 전극 및 트랜스퍼 트랜지스터 용 제 3 게이트 전극 을 각각 형성 하 는 단계 와 , 상기 제 2 및 제 3 게이트 전극 이 서로 전기 적 으로 분리 되 도록 상기 제 2 및 제 3 게이트 전극 사이 의 빈 공간 을 매립 시키 는 절 연막 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 이미지 센서 제조 방법 을 제공 한다 .