또한 , 본 실시 형태 에 따른 기판 처리 공정 에서 처리 되 는 웨이퍼 ( 200 ) 의 표면 에 는 , 예 를 들 어 도 5 에 도시 한 바 와 같이 , 적어도 표면 이 실리콘 의 층 으로 구성 되 고 , 애 스펙 트 비 가 높 은 요철 부 를 갖 는 트렌치 ( 301 ) 가 미리 형성 되 어 있 다 . 본 실시 형태 에서 는 , 트렌치 ( 301 ) 의 내벽 에 노출 된 실리콘 층 에 대하 여 , 플라스마 를 사용 한 처리 로서 산화 처리 를 행한다 . 트렌치 ( 301 ) 는 , 예 를 들 어 웨이퍼 ( 200 ) 상 에 소정 의 패턴 을 실시 한 마스크 층 ( 302 ) 을 형성 하 고 , 웨이퍼 ( 200 ) 표면 을 소정 깊이 까지 에칭 함 으로써 형성 되 어 있 다 .