본 발명 의 3 차원 인덕 터 를 구비 한 반도체 구조 는 제 1 횡 방향 인덕 터 , 종 방향 인덕 터 및 제 2 횡 방향 인덕 터 를 구비 하 며 , 상기 제 1 횡 방향 인덕 터 는 제 1 기판 에 형성 되 고 , 상기 제 2 횡 방향 인덕 터 및 상기 종 방향 인덕 터 는 제 2 기판 에 형성 되 며 , 상기 제 1 기판 과 상기 제 2 기판 을 접합 하 여 상기 제 1 횡 방향 인덕 터 및 상기 종 방향 인덕 터 를 연결 함 으로써 , 상기 제 1 횡 방향 인덕 터 , 상기 종 방향 인덕 터 및 상기 제 2 횡 방향 인덕 터 가 3 차원 인덕 터 를 구성 하 도록 한다 .