도 4 에 도시 된 ST 3 단계 는 채널 홀 ( 121 ) 의 표면 상 에 메모리 막 ( 123 ) 을 형성 하 는 단계 , 메모리 막 ( 123 ) 상 에 채널 막 ( 125 ) 을 형성 하 는 단계 , 채널 막 ( 125 ) 에 의해 개구 된 채널 홀 ( 121 ) 의 중심 영역 을 코 어절 연막 ( 127 ) 및 상부 도프 트 반도체 패턴 ( 129 ) 으로 채우 는 단계 를 포함 할 수 있 다 .