도 35 a 및 35 b 는 예시 적 인 반도체 디바이스 를 제조 하 기 위한 예시 적 인 방법 의 사시도 및 단면도 를 도시 한다 . 도 35 a 및 35 b 에 도시 된 예 에서 , 감광성 필름 ( 117 ) 이 전자 컴 포 넨 트 ( 320 , 330 ) 및 인 캡슐 란트 ( 115 ) 의 상면 에 라미 네 이 팅 된 후 패 터닝 될 수 있 다 . 일부 예 들 에서 , 감광성 필름 ( 117 ) 은 인 캡슐 란트 ( 115 ) 에 형성 된 오프닝 ( 116 ) 을 막 을 수 있 으나 , 패 터닝 공정 에 의해 오프닝 ( 116 ) 이 개방 될 수 있 다 . 이 에 따라 감광성 필름 ( 117 ) 의 오프닝 이 인 캡슐 란트 ( 115 ) 의 오프닝 ( 116 ) 과 연결 될 수 있 다 .