다음 에 , 본 발명 에 관련 된 열처리 장치 ( 100 ) 에 의한 반도체 웨이퍼 ( W ) 의 처리 동작 에 대해서 설명 한다 . 전형 적 으로 는 , 처리 대상 이 되 는 반도체 웨이퍼 ( W ) 는 , 쵸 크랄스 키 법 등 에 의해 제조 된 원기둥 형상 의 단결정 실리콘 의 잉곳 을 얇 게 슬라이스 한 박판 형상 기판 이 다 ( 예 를 들 면 , φ 300 mm 이 면 두께 0 . 775 mm ) . 따라서 , 본 실시 형태 에서 처리 되 는 반도체 웨이퍼 ( W ) 도 단결정 실리콘 으로 형성 되 어 있 다 .