그러나 , 리세 스 게이트 셀 트랜지스터 의 경우 , 리세 스 된 게이트 전극 과 그 인접 영역 에 마련 된 드레 인 정 션 ( Drain junction ) 간 의 중첩 영역 에서 발생 된 전기장 ( electric field ) 의 증가 로 인해 GIDL ( Gate Induced Drain Leakge ) 누설 전류 가 발생 하 게 되 어 소자 의 신뢰 성 을 저하 시키 는 문제 가 발생 하 였 다 .