상기 한 다른 과제 를 달성 하 기 위한 본 발명 에 따른 반도체 장치 의 금속 배선 형성 방법 은 반도체 기판 위 에 층간 절 연막 을 형성 하 는 단계 , 층간 절 연막 에 트렌치 를 형성 하 는 단계 , 트렌치 의 내부 를 포함 하 는 반도체 기판 위 에 원자 층 증착 법 으로 TaN 으로 이루어지 는 TaN 막 을 형성 하 는 단계 , TaN 막 과 NO 2 를 반응 시켜 TaN 막 의 일부 를 Ta 로 변화 시켜 Ta 막 을 형성 하 는 단계 , 그리고 Ta 막 위 에 금속 배선 을 형성 하 는 단계 를 포함 한다 .