그러나 , 반도체 소자 의 크기 가 점점 작 아 짐 에 따라 폴리 실리콘 게이트 를 적용 한 반도체 소자 에서 폴리 디 프리 션 ( Poly depletion ) 현상 이 심하 게 발생 하 고 있 다 . 이 로 인해서 반도체 소자 의 EOT ( Equivalent Oxide Thickness ) 가 증가 함 으로써 반도체 소자 의 성능 을 나쁘 게 하 는 원인 이 되 었 다 .