상기 게이트 절 연막 ( 217 ) 상 에 는 아몰 퍼스 실리콘 ( amorphous silicon ) 패턴 ( 212 a ) 및 n + 아몰 퍼스 실리콘 패턴 ( 212 b ) 으로 이루어진 채널 패턴 ( 212 ) 이 형성 된다 . 상기 채널 패턴 ( 212 ) 를 형성 하 기 위해서 , 상기 게이트 절 연막 ( 217 ) 상 에 는 아몰 퍼스 실리콘 박막 ( 미 도시 ) 및 불순물 이 고농 도 이온 주입 된 n + 아몰 퍼스 실리콘 박막 ( 미 도시 ) 이 순차 적 으로 증착 된다 . 이후 , 상기 n + 아몰 퍼스 실리콘 박막 상 에 는 전면 적 에 걸쳐 포토레지스트 필름 이 형성 되 고 , 상기 포토레지스트 필름 은 포토 공정 에 의하 여 패 터닝 되 어 상기 n + 아몰 퍼스 실리콘 박막 상 에 는 포토레지스트 패턴 이 형성 된다 .