즉 , 측 정광 ( V ) 의 반사 율 을 변화 시키 는 과정 은 입력 받 은 적외선 ( I ) 에 의하 여 측정 광이 조사 되 는 영역 의 표면 플라 즈 몬 을 변화 시키 는 과정 을 포함 할 수 있 으며 , 이 에 대한 구체 적 인 내용 은 본 발명 의 제 1 실시 예 에 따른 적외선 촬영 장치 와 관련 하 여 전술 한 바 와 동일 하 므로 , 중복 적 인 설명 은 생략 하 기 로 한다 .