본 발명 의 또 다른 실시 예 에 따른 비휘발성 메모리 장치 의 프로그램 방법 은 셀 스트링 에 포함 된 복수 의 워드 라인 들 중 에서 선택 된 워드 라인 으로 프로그램 전압 을 공급 하 고 , 나머지 워드 라인 들 로 패스 전압 을 공급 하 고 , 비트 라인 으로 전원 전압 과 접지 전압 중 에서 어느 하나 를 공급 하 는 단계 ; 상기 나머지 워드 라인 들 로 상기 패스 전압 보다 높 은 양 의 전압 을 공급 하 고 , 상기 비트 라인 으로 공급 되 는 전압 에 따라 상기 비트 라인 으로 상기 전원 전압 과 상기 접지 전압 중 에서 어느 하나 를 공급 하 는 단계 ; 및 상기 선택 된 워드 라인 으로 검증 전압 을 공급 하 는 단계 를 포함 한다 .