우선 , 기판 ( 1 ) 상 에 예 를 들 면 증착 법 을 이용 하 여 게이트 전극 ( 2 ) 를 형성 한다 . 이어서 , 형성 된 게이트 전극 ( 2 ) 상 에 증착 법 에 의해 게이트 절연 층 ( 3 ) 을 형성 한다 . 또한 , 반도체 층 ( 4 ) 를 형성 한다 . 반도체 층 ( 4 ) 는 게이트 절연 층 ( 3 ) 상 에 상술 한 고분자 화합물 을 유기 용제 에 용해 시킨 용액 을 도포 함 으로써 형성 할 수 있 다 . 그 후 , 화합물 층 ( 5 ) 및 ( 5 ') 및 도전 성 층 ( 6 ) 및 ( 6 ') 을 , 예 를 들 면 증착 법 에 의해 각각 형성 함 으로써 , 상술 한 유기 전계 효과 트랜지스터 가 얻 어 진다 .