본 발명 의 일 형태 에 관한 표면 처리 조성물 은 , 술폰산 ( 염 ) 기 , 인산 ( 염 ) 기 , 포스폰산 ( 염 ) 기 및 아미노기 로 이루어지 는 군 으로부터 선택 되 는 적어도 1 종 의 이온 성 관능기 를 갖 는 고분자 화합물 ( 이온 성 관능기 함유 고분자 ) 을 필수 로 포함 한다 . 해당 고분자 화합물 은 , 표면 처리 조성물 에 의한 잔사 의 제거 에 기여 한다 .