이 유기 막 의 형성 방법 에서 는 , 예컨대 우선 상술 한 본 발명 의 유기 막 형성 용 조성물 을 피 가공 기판 상 에 회전 도포 한다 . 회전 도포 후 , 2 단 베 이크 에서 는 , 우선 공기 중 , 50 ℃ 이상 250 ℃ 이하 에서 베 이크 한 후 , 바람직 하 게 는 산소 농도 1 % 이하 의 분위기 에서 2 번 째 단의 베 이크 를 한다 . 1 단 베 이크 인 경우 는 , 처음 의 공기 중 에서 의 1 번 째 단의 베 이크 를 스킵 하 면 된다 . 또한 , 베 이크 중 의 분위기 로서 는 질소 , 아르곤 , 헬륨 등 의 불활성 가스 를 예시 할 수 있 다 . 본 발명 의 유기 막 형성 용 조성물 이 라면 , 이러 한 불활성 가스 분위기 중 에서 소성 하 더라도 , 승화 물 의 발생 없이 충분히 경화 한 유기 막 을 형성 할 수 있 다 .