본 발명 의 일실 시예 에 따라 , 산란 요소 ( 2378 ) 는 도파관 안테나 ( 2364 ) 의 유전체 충전재 ( 2368 ) 와 냉 각판 ( 2340 ) 의 근거리 측면 사이 에 위치 될 수 있 다 . 본 발명 의 일실 시예 에 따라 , 산란 요소 ( 2378 ) 는 유전체 충전재 ( 2368 ) 와 냉 각판 ( 2340 ) 의 근거리 표면 양자 에 접촉 하 도록 위치 될 수 있 다 . 본 발명 의 일실 시예 에 따라 , 산란 요소 ( 2378 ) 는 산란 요소 ( 2378 ) 와 냉 각판 ( 2340 ) 사이 의 접합부 에서 의 에어 갭 또는 다른 불 연속 성 을 최소 화 하 거나 제거 하 는 방식 으로 냉 각판 ( 2340 ) 에 기대 어 위치 될 수 있 다 . 본 발명 의 일실 시예 에 따라 , 산란 요소 ( 2378 ) 는 예컨대 유전체 에폭시 를 이용 하 여 냉 각판 에 부착 될 수 있 다 . 본 발명 의 일실 시예 에 따라 , 산란 요소 ( 2378 ) 는 도파관 안테나 ( 2364 ) 에 의해 생성 된 필드 가 냉 각판 ( 2340 ) 을 통해 투과 하 는 동안 다시 집중 되 지 않 도록 위치 될 수 있 다 . 본 발명 의 일실 시예 에 따라 , 산란 요소 ( 2378 ) 는 냉각제 챔버 ( 2360 ) 의 중앙 에 위치 되 어 , 산란 요소 ( 2378 ) 의 양쪽 측면 상 의 흐름 경로 가 동일 하 게 될 수 있 다 . 본 발명 의 일실 시예 에 따라 , 산란 요소 ( 2378 ) 는 산란 요소 ( 2378 ) 의 최장 치수 가 냉각제 챔버 ( 2360 ) 를 통해 냉각 유체 에 의해 취해진 경로 를 따라 정렬 되 도록 배향 될 수 있 다 . 본 발명 의 일실 시예 에 따라 , 산란 요소 ( 2378 ) 는 도파관 안테나 ( 2364 ) 에 의해 방사 된 최대 E - 필드 강도 의 영역 의 중앙 에 위치 될 수 있 다 .