이 와 같 은 문제 를 방지 하 기 위해 , 본 발명 의 소거 방법 은 온도 의 변화 에 따라 지연 시간 구간 ( P 2 / P 2 ') 을 가변 할 수 있 다 . 그 결과 , 저온 의 동작 환경 에서 전자 / 홀 들 이 안정 화 되 는 속도 가 느려 지 더라도 , 느려진 안정 화 속도 를 고려 하 여 제 1 지연 시간 구간 ( P 2 ) 이 제 2 지연 시간 구간 ( P 2 ') 으로 △ T 만큼 가변 될 수 있 다 . 그 결과 , 소거 검증 동작 시 에러 발생 비율 이 줄어들 게 되 고 , 높 은 소거 정확도 와 안정 된 성능 을 보장 할 수 있 게 된다 . 또한 , 본 발명 에 따른 소거 동작 조건 의 변경 ( 예 를 들 면 , 지연 시간 구간 ( P 2 / P 2 ') 의 변경 ) 은 , 온도 감지 결과 ( Temp ) 가 소정 의 전압 이하일 경우 에 만 선택 적 으로 수행 되 기 때문 에 , 플래시 메모리 장치 를 온도 에 따라 최적 의 속도 로 동작 시킬 수 있 게 된다 .