예 를 들 어 , 상술 한 실시 형태 에서 는 , 성막 스텝 , 제 2 개질 스텝 을 동일 한 처리 실 내 에서 ( in - situ 에서 ) 행하 는 경우 에 대해서 설명 했 지만 , 본 발명 은 이러 한 형태 에 한정 되 지 않 는다 . 즉 , 성막 스텝 과 제 2 개질 스텝 을 각각 상이 한 처리 실 내 에서 ( ex - situ 에서 ) 행할 수 도 있 다 . 일련 의 스텝 을 in - situ 에서 행하 면 , 도중 에 웨이퍼 ( 200 ) 가 대기 폭로 되 지 않 아 , 웨이퍼 ( 200 ) 를 청정 한 분위기 하 에 둔 채 일관 되게 처리 를 행할 수 있 어 , 안정 된 기판 처리 를 행할 수 있 다 . 각각 의 스텝 을 ex - situ 에서 행하 면 , 각각 의 처리 실 내 의 온도 를 예 를 들 어 각 스텝 에서 의 처리 온도 또는 그것 에 가까운 온도 로 미리 설정 해 둘 수 있 어 , 처리 실 내 의 온도 변경 에 요하 는 시간 을 삭감 할 수 있 고 , 생산 효율 을 높일 수 있 다 . 또한 , 이 경우 , 각각 의 처리 실 내 의 온도 변경 을 행하 지 않 으므로 , 처리 실 내 에 퇴적 된 SiOCN 막 의 막 박리 에 의한 악영향 을 피하 는 것 이 가능 하 게 된다 .