본 발명 의 바람직 한 일 실시 예 에 따르 면 , 상기 디 펙 판 정부 는 상기 고속 푸리에 변환 된 스펙트럼 의 직류 성분 값 과 제 1 임계 값 을 비교 하 여 , 상기 직류 성분 값 이 제 1 임계 값 을 초과 하 는 경우 에 서멀 아 스펠리 티 디 펙 ( Thermal Asperity defect ) 이 발생 된 것 으로 판정 하 는 서멀 아 스펠리 티 디 펙 판 정부 , 상기 고속 푸리에 변환 된 스펙트럼 의 3 차 고조파 성분 값 과 제 2 임계 값 을 비교 하 여 , 상기 3 차 고조파 성분 값 이 상기 제 2 임계 값 미만 인 경우 에 신호 레벨 저하 에 따른 디 펙 이 발생 된 것 으로 판정 하 는 신호 레벨 디 펙 판 정부 , 상기 고속 푸리에 변환 된 스펙트럼 의 5 차 고조파 성 분 부터 초기 설정 된 차수 까지 의 고조파 성분 값 들 을 합산 하 는 합 산부 및 상기 합 산부 에서 합산 된 값 과 제 4 임계 값 을 비교 하 여 , 상기 합산 된 값 이 상기 제 4 임계 값 을 초과 하 는 경우 에 고주파 성분 의 마이크 로 디 펙 ( micro defect ) 이 발생 된 것 으로 판정 하 는 마이크 로 디 펙 판 정부 로 구성 할 수 있 다 .