단결정 반도체 막 ( 124 ) 을 트랜지스터 의 배치 에 맞추 어 원 하 는 형상 으로 에칭 하 고 , 섬 형상 으로 분할 된 단결정 반도체 막 ( 221 , 222 , 223 , 224 ) 을 형성 한다 ( 도 21 b ) . 단결정 반도체 막 ( 221 , 222 , 223 , 224 ) 이외 의 영역 은 반도체 막 이 제거 되 지 만 , 제 2 절 연막 ( 122 ) 이 형성 되 고 있 는 것 에 의해 , 베이스 기판 ( 120 ) 이 노출 하 지 않 는다 . 즉 , 제 2 절 연막 ( 122 ) 이 설치 됨 으로써 , 베이스 기판 ( 120 ) 으로부터 알칼리 금속 등 의 불순물 이 확산 하 여 반도체 막 이 오염 되 는 것 을 막 을 수 있 다 .