적어도 하나 의 증폭기 소자 ( 108 ) 가 반도체 기판 ( 102 ) 에 형성 된다 . 증폭기 소자 ( 108 ) 는 도면 에 개략 적 으로 도시 되 어 있 다 . 일반 적 으로 , 증폭기 소자 ( 108 ) 는 입력 및 출력 단자 사이 에서 전류 또는 전압 이득 을 제공 하 는 임의 의 종류 의 반도체 소자 일 수 있 다 . 도 1 에 도시 된 실시 예 에 따르 면 , 증폭기 소자 ( 108 ) 는 트랜지스터 이 다 . 다양 한 트랜지스터 유형 이 증폭기 소자 ( 108 ) 에 적합 하 다 . 이러 한 트랜지스터 유형 의 예 로 는 MOSFET ( metal - oxide semiconductor field - effect transistor ) , DMOS ( double - diffused metal - oxide semiconductor ) 소자 , GaN HEMT ( gallium nitride high electron mobility transistor ) , GaN MESFET ( gallium nitride metal - semiconductor field - effect transistor ) , LDMOS ( lateralally - diffused metal - oxide semiconductor ) 소자 등 이 있 다 . 트랜지스터 는 수평 형 디바이스 , 즉 제 1 및 제 2 표면 ( 104 , 106 ) 에 평행 한 방향 으로 흐르 는 도전 성 전류 를 제어 하 도록 구성 되 는 소자 , 또는 수직 형 디바이스 , 즉 , 제 1 및 제 2 표면 ( 104 , 106 ) 에 수직 방향 으로 흐르 는 도전 성 전류 를 제어 하 도록 구성 된 디바이스 로서 구성 될 수 있 다 . 도시 된 실시 예 에서 , 트랜지스터 는 n 형 강화 MOSFET 으로 구성 된다 . 선택 적 으로 , 트랜지스터 는 p 형 소자 및 / 또는 공핍 모드 소자 일 수 있 다 .