전술 한 바 와 같 은 , 본 발명 의 제 2 및 제 3 실시 예 에 따른 기판 처리 장치 및 이 를 이용 한 기판 처리 방법 은 플 라즈 마 를 이용 해 제 1 및 제 2 가스 ( G 1 , G 2 ) 각각 을 활성 화 시키 고 , 활성 화 된 제 1 및 제 2 가스 ( PG 1 , PG 2 ) 를 공간 적 으로 분리 하 여 회전 되 는 기판 지지 부 ( 120 ) 상 에 분사 하 는 것 을 제외 하 고 는 전술 한 도 4 a 및 도 4 b , 도 5 a 내지 도 5 c 에 도시 된 전술 한 기판 처리 방법 과 동일 하 게 이루어지 므로 이 에 대한 상세 한 설명 은 전술 한 설명 으로 대신 하 기 로 한다 .