도 2 를 참조 하 면 , 메모리 소자 ( 100 ) 는 제 1 도전 라인 들 ( CLa ) , 제 1 도전 라인 들 ( CLa ) 에 교차 되 는 제 2 도전 라인 들 ( CL 1 내지 CL 20 ) , 제 1 도전 라인 들 ( CLa ) 및 제 2 도전 라인 들 ( CL 1 내지 CL 20 ) 의 교차 부들 에 형성 된 메모리 셀 어레이 ( 70 ) , 및 제 1 도전 라인 들 ( CLa ) 을 선택 하 는 선택 회로 ( 80 ) 를 포함 할 수 있 다 .