본 발명 은 캐 패 시터 패턴 용 노광 마스크 및 이 를 이용 한 반도체 소자 에 관한 것 으로 , 특히 하나 의 노광 마스크 로 웨이퍼 중심 에 는 필드 샷 ( Field shot ) 을 적용 하 고 , 웨이퍼 외각 에 위치 한 넷 다이 ( Net die ) 에 다이 - 샷 ( Die - shot ) 을 적용 하 도록 캐 패 시터 패턴 ( Capacitor pattern ) 용 노광 마스크 의 레이아웃 을 변경 하 고 , 이 에 따른 캐 패 시터 특성 테스트 패턴 과 오버레이 버니어 를 새롭 게 위치 시킴 으로써 , 공정 시간 을 개선 하 고 , 노광 장비 의 수명 을 연장 시킬 수 있 는 기술 이 다 .