이어서 , 상기 하드 마스크 에 의해 노출 된 에 피층 ( 220 ) 부분 을 식각 하 여 소자 분리 막 용 트렌치 를 형성 하 고 상기 트렌치 를 절 연막 으로 매립 한 다음 , 상기 절 연막 을 CMP 한 후 , 상기 하드 마스크 를 제거 하 여 상기 실리콘 기판 ( 200 ) 의 셀 지역 및 주변 회로 지역 에서 의 각 소자 분리 영역 상 의 에 피층 ( 220 ) 부분 내 에 소자 분리 막 ( 230 ) 을 형성 한다 .