3 차원 리세 스 채널 구조 의 경우 이온 주입 방법 으로 게이트 폴리 실리콘 층 에 불순물 을 도핑 하 는 것 은 구조 적 으로 어렵 다 . 예 를 들 면 , 3 차원 리세 스 채널 구조 에서 게이트 폴리 실리콘 층 에 원하 는 농도 의 불순물 을 도핑 하 고 이 를 활성 화 하 기 위해 서 는 고농도 의 이온 주입 과 높 은 열처리 가 요구 된다 . 이러 한 경우 , 불순물 의 확산 거리 의 차이 에 의해 리세 스 채널 구조 상부 에서 는 게이트 절 연막 을 통해 보론 ( B ) 과 같 은 피 - 형 불순물 의 침투 가 증가 하 고 , 리세 스 채널 구조 하부 에서 는 인 ( P ) 와 같 은 엔 - 형 불순물 의 농도 가 낮 아 진다 .