발광 칩 ( 300 ) 은 반도체 PN 접합 다이오드 로서 , P , N 반도체 를 접합 한 뒤 , 전압 을 가해 주 면 , P 형 반도체 의 정공 은 N 형 반도체 쪽 으로 가 서 가운데 층 으로 모이 며 , 이 와 는 반 대로 N 형 반도체 의 전자 는 P 형 반도체 쪽 으로 가 서 전 도대 ( conduction band ) 의 가장 낮 은 곳 인 가운데 층 으로 모인다 . 이 전자 들 은 가전 대 ( valence band ) 의 정공 으로 자연 스럽 게 떨어지 며 , 이 때 전도 대 와 가전 대의 높이 차이 즉 , 에너지 갭 에 해당 하 는 만큼 의 에너지 를 발산 하 는데 , 이 에너지 가 빛 의 형태 로 방출 된다 . 이외 에 도 여러 가지 발광 방식 의 발광 칩 을 사용 할 수 있 다 . 또한 , 발광 칩 ( 300 ) 은 다양 한 파장 을 갖 는 광 을 방출 시킬 수 있 으며 , 이 를 위하 여 , 예 를 들 면 질화물 계 발광 다이오드 에서 활성 층 으로 사용 되 는 인듐 ( In ) 함유량 을 조절 하 거나 , 서로 다른 파장 을 갖 는 광 을 방출 하 는 발광 다이오드 를 조합 하 거나 , 또는 자외선 등 과 같 은 소정 파장 대 의 광 을 방출 하 는 발광 칩 과 형광체 를 결합 하 여 사용 할 수 도 있 다 .