상기 구성 의 전기 광학 장치 는 단자 부 의 적층 구조 에서 , 투명 도전 막 과 티탄 을 함유 하 는 층 간 에 중간막 이 적층 된 후 에 , 보호 절 연막 과 중간막 을 통하 여 단자 용 개구부 가 형성 되 고 , 이 단자 용 개구부 를 덮 어 단자 용 투명 도전 막 이 형성 된다 . 이 단자 용 개구부 의 형성 시 에 , 중간막 은 개구부 의 부분 이 제거 된다 . 즉 , 보호 절 연막 을 불소 계 의 드라이 에칭 에 의해 개구 할 때 에 중간막 위 에 형성 되 는 표면 생성물 도 , 중간막 의 제거 와 함께 제거 된다 . 이 와 같이 , 계면 저항 이 낮 은 것 이 요망 되 는 단자 부 에서 , 불소 계 의 가스 를 이용 하 는 드라이 에칭 시 에 생기 는 표면 생성물 의 제거 를 용이 하 게 하 여 계면 저항 의 증가 를 억제 할 수 있 다 .