도 19 , 도 20 의 트랜지스터 ( 164 ) 는 , 산화물 반도체 층 ( 140 ) 과 , 소스 층 ( 142 a ) , 드레 인 층 ( 142 b ) 과 의 사이 에 , 소스 영역 및 드레 인 영역 으로서 기능 하 는 산화물 도전 층 ( 162 a , 162 b ) 이 형성 되 어 있 다 . 도 19 , 도 20 의 트랜지스터 ( 164 ) 의 차이 는 , 제작 공정 에 따라 산화물 도전 층 ( 162 a , 162 b ) 의 형상 이 다른 점 이 다 .