이 와 같 은 조건 으로 바이어스 가 인가 되 면 채널 전자 들 이 상기 소오 스 영역 ( 12 a ) 에서 드레 인 영역 ( 12 b ) 쪽 으로 형성 되 는 수평 전계 에 의해 가속 되 어 상기 드레 인 영역 ( 12 b ) 부근 에서 핫 일렉트론 ( Hot Electron ) 이 발생 되 며 , 이러 한 핫 일렉트론 이 제 1 산화 막 ( 14 ) 의 전위 장벽 을 뛰 어 넘 어 상기 드레 인 영역 ( 12 b ) 부근 의 상기 질화 막 ( 16 ) 의 트랩 준위 에 국부 적 으로 트랩 되 는 것 에 의해 소자 의 문턱 전압 을 증가 시키 게 된다 . 이러 한 방식 을 CHEI ( channel hot electron injection ) 이 라 한다 .