이 와 같 은 방식 으로 , 제 1 메모리 플레인 ( MPL 1 ) 의 제 1 메모리 셀 들 ( MC 1 ) 및 제 2 메모리 플레인 ( MPL 2 ) 의 제 2 메모리 셀 들 ( MC 2 ) 에 기입 설정 데이터 ( WSD ) 가 저장 될 수 있 다 . 이후 , 제 1 메모리 셀 들 ( MC 1 ) 에 저장 된 기입 설정 데이터 ( WSD ) 를 센싱 하 여 제 1 메모리 플레인 ( MPL 1 ) 의 제 1 페이지 버퍼 회로 ( PBC 1 ) 에 제 1 독 출 설정 데이터 ( RSD 1 ) 를 저장 하 는 제 1 센싱 동작 및 제 2 메모리 셀 들 ( MC 2 ) 에 저장 된 기입 설정 데이터 ( WSD ) 를 센싱 하 여 제 2 메모리 플레인 ( MPL 2 ) 의 제 2 페이지 버퍼 회로 ( PBC 2 ) 에 제 2 독 출 설정 데이터 ( RSD 2 ) 를 저장 하 는 제 2 센싱 동작 이 수행 될 수 있 다 .