이상 에서 설명 한 바 와 같이 본 발명 의 커패시터 및 커패시터 제조 방법 은 상기 다양 한 실시 예 들 과 같이 실리콘 웨이퍼 의 표면 을 에칭 및 산화 시키 고 , 산화 되 어 막 형태 로 구비 되 는 유전 층 상 에 전극 을 형성 하 는 과정 을 통해 소형 의 커패시터 의 제조 가 가능 해 지 며 , 다양 한 용량 의 커패시터 의 제조 가 가능 해 지 는 이점 이 있 다 .