상기 에서 , 이종기 판 으로 는 사파이어 단결정 또는 SiC 가 이용 되 어 왔 는데 , 사파이어 는 고온 에서 안정 하 고 육방정계 구조 를 가지 며 , 가격 이 저렴 하 여 GaN 박막 제조 에 널리 사용 되 고 있 지만 , GaN 와 의 격자 상 수차 ( 약 16 %) 및 열팽창계 수차 ( 약 35 %) 가 비교 적 크기 때문 에 GaN 와 의 계면 에 스트레인 을 유발 시키 고 , 그 로 인해 결정 내 격자 결함 을 발생 시켜 고품질 의 GaN 박막 성장 을 어렵 게 한다 . 특히 , GaN 박막 의 두께 가 약 15 ㎛ 이상 의 경우 상기 스트레인 때문 에 크랙 이 존재 하 게 되 는 문제점 이 있 었 다 .