반도체 소자 의 제조 에 는 , 연마 와 버 핑 ( buffing ) 및 세정 을 포함 하 는 CMP ( chemical mechanical polishing ) 작업 이 필요 하 다 . 반도체 소자 는 , 다층 구조 의 형태 로 되 어 있 으며 , 기판 층 에 는 확산 영역 을 갖춘 트랜지스터 소자 가 형성 된다 . 기판 층 에서 , 연결 금속 선 이 패턴 화 되 고 기능 성 소자 를 형성 하 는 트랜지스터 소자 에 전기 연결 된다 . 공지 된 바 와 같이 , 패턴 화 된 전도 층 은 이산화규소 와 같 은 절연재 로 다른 전도 층 과 절연 된다 . 더 많 은 금속 층 과 이 에 연관 된 절연 층 이 형성 되 므로 , 절연재 를 편평 하 게 할 필요 성 이 증가 한다 . 편평 화 가 되 지 않 으면 , 표면 형태 에서 의 많 은 변동 때문 에 추가 적 인 금속 층 의 제조 가 실질 적 으로 더욱 어려워진다 . 또한 , 금속 선 패턴 은 절연재 로 형성 되 어 , 금속 CMP 작업 이 과잉 금속 물 을 제거 하 게 된다 .