또한 , 게이트 절 연막 ( 140 ) 은 3 차원 리세 스 채널 구조 ( 130 ) 를 포함 한 게이트 영역 ( 미 도시 ) 의 반도체 기판 ( 110 ) 상부 에 위치 한다 . 본 발명 의 일 실시 예 에 따르 면 , 게이트 절 연막 ( 140 ) 은 750 ~ 950 ℃ 의 온도 하의 노 ( 爐 , Furnace ) 에서 습식 또는 건식 산화 방법 으로 20 ~ 70 Å 의 두께 로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 또한 , 게이트 절 연막 ( 140 ) 은 엔 모스 영역 ( 1000 n ) 과 피 모스 영역 ( 1000 p ) 에서 두께 를 달리 하 는 듀얼 게이트 절 연막 방법 으로 형성 할 수 있 다 . 그리고 , 게이트 절 연막 ( 140 ) 은 플 라즈 마 질화 산화 ( Plasma nitrified oxide ) 방법 이나 라디칼 산화 ( Radical oxide ) 방법 으로 형성 할 수 있 다 .