" 용어 "" LED "" 는 본 명세서 에서 가시광선 "," 자외선 또는 적외선 이 든지 간 에 광 을 발광 하 는 다이오드 를 가리키 는 데 사용 된다 . 이 는 통상 적 인 것 이 든 초 방사성 ( super radiant ) 종류 의 것 이 든 간 에 "" LED "" 로서 시판 되 는 비 간섭 성 의 싸여진 또는 캡슐 화 된 반도체 소자 를 포함 한다 . LED 가 자 외광 과 같 은 비 가 시광 을 발광 한다면 ", 그리고 가시 광 을 발광 하 는 몇몇 경우 에 있 어서 , " LED 는 단파장 광 을 장파장 가시 광 으로 변환 하 기 위해 형광체 를 포함 하 도록 패 키 징 될 수 있 고 ( 또는 원격 배치 된 형광체 를 조명 할 수 도 있 음 ) 몇몇 경우 에 백색광 을 발광 하 는 장치 가 얻 어 질 수 있 다 . "" LED 다이 "" 는 가장 기본 적 인 형태 ", 즉 반도체 가공 공정 에 의해 제조 된 개별 구성 요소 또는 칩 형태 의 LED 이 다 . 예 를 들 어 , LED 다이 는 하나 이상 의 3 족 원소 와 하나 이상 의 5 족 원소 의 조합 ( III - V 족 반도체 ) 으로 보통 형성 된다 . 적합 한 III - V 족 반도체 재료 의 예 는 질화 갈륨 과 같 은 질화물 , 및 인듐 갈륨 포스 파 이드 와 같 은 인화물 ( phosphide ) 을 포함 한다 . 주기율표 의 다른 족 의 무기 재료 일 수 있 는 다른 유형 의 III - V 족 재료 가 또한 사용 될 수 있 다 . 이 구성 요소 또는 칩 은 상기 소자 에 에너지 를 공급 하 기 위한 전력 의 인가 에 적합 한 전기 접촉 부 를 포함 할 수 있 다 . 예 로서 와이어 본딩 , 테이프 자동 본딩 ( TAB ) , 플립 칩 본딩 이 포함 된다 . 구성 요소 또는 칩 의 개별 층 및 다른 기능 요소 는 전형 적 으로 웨이퍼 규모 로 형성 되 고 , 완성 된 웨이퍼 는 이어서 개별 적 인 단 품 ( piece part ) 으로 절단 되 어 다수 의 LED 다이 가 얻 어 진다 . LED 다이 는 표면 실장 , 칩 온 보드 ( chip - on - board ) 또는 기타 공지 된 실장 구성 용 으로 구성 될 수 있 다 . 일부 패 키 징 된 LED 는 LED 다이 및 관련 반사기 컵 위 에 중합체 봉 지재 를 형성 함 으로써 제조 된다 . LED 다이 는 유사 램버시안 ( quasi - Lambertian ) 방출 패턴 을 가지 며 , LED 다이 내 에서 발생 되 는 많 은 광 은 다 이 표면 에서 의 내부 전반사 로 인해 갇히 거나 LED 다이 바로 위 의 중합체 봉 지재 의 외부 로 방출 된다 .