특히 , 광소자 는 간접 천이 형 밴드 구조 를 갖 는 실리콘 기판 보다 는 직접 천이 형 밴드 구조 를 갖 는 갈륨 아세 나 이드 ( GaAs ) 기판 을 이용 하 여 많이 제조 된다 . 하지만 , 갈륨 아세 나 이드 기판 은 광소자 의 제조 비용 에 있 어서 높 은 비용 부분 을 차지 하 고 , 실리콘 기판 에 비해 제조 기술 이 널리 보편 화 되 지 못해 제조 하 기 어렵 다는 단점 을 갖 는다 . 반면 , 실리콘 - 게르마늄 ( Si 1 - xGex ) 에 피층 또는 게르마늄 ( Ge ) 에 피층 을 갖 는 기판 은 통상 적 인 실리콘 기판 에 비해 이러 한 광소자 제조 에 비해서 장점 을 갖 는다 .