본 실시 예 에서 기판 처리 장치 ( 10 ) 를 이용 하 여 수행 하 는 공정 은 증착 공정 이 며 , 이하 에서 는 고밀도 플라스마 화학 기상 증착 ( High Density Plasma Chemical Vapor Deposition : HDPCVD ) 공정 을 예 로 들 어 설명 한다 . 앞서 본 바 와 같이 , 고밀도 플라스마 화학 기상 증착 공정 은 높 은 밀도 의 플라스마 를 형성 하 여 금속 배선 들 사이 에 형성 된 갭 내 에 막 을 증착 시키 는 증착 ( deposition ) 공정 과 , 갭 상부 의 오버행 들 ( overhang ) 을 에칭 하 는 에칭 ( etching ) 공정 을 포함 한다 . 갭 의 상부 에서 성장 한 오버행 들 은 갭 의 입구 를 폐쇄 하 여 갭 내 에 보이드 ( void ) 를 형성 한다 . 따라서 , 에칭 공정 을 통하 여 오버행 들 을 제거 함 으로써 , 갭 내 에 보이드 가 형성 되 는 것 을 방지 한다 .