상기 에서 살펴본 바 와 같이 , 본 발명 에 따르 면 나노 실리콘 종자 가 형성 된 기판 의 상부 에 단결정 실리콘 층 이 형성 되 며 , 상기 나노 실리콘 종자 의 물리 적 성질 이 상기 단결정 실리콘 층 의 그것 과 유사 하 기 때문 에 격자 부정합 및 열팽창 률 의 차이 로 인한 결정 결함 의 생 성 을 억제 할 수 있 어 , 간단 한 공정 에 의하 여 , 보다 향상 된 고품위 의 실리콘 적 층 사파이어 박막 을 얻 을 수 있 다는 장점 이 있 다 .