본 발명 은 FET 센서 의 표적 물질 검출 감도 를 개선 시키 기 위하 여 , 종래 기술 에 따른 평면 구 조체 와 비교 했 을 때 같 은 크기 의 구조 체이 지만 감지 물질 과 표적 물질 의 결합 이 더 많이 일어나 도록 구조 체 채널 의 단위 단면 적 당 표면적 을 넓힌 핀 타입 반도체 구조 체 및 그 제조 방법 을 제공 하 는 것 을 목적 으로 한다 .