이 와 같 은 본 발명 에 따른 포토 마스크 를 이용한 스토리지 노드 컨 택 형성 방법 을 설명 하 면 , 먼저 하 부막 위 의 절 연막 상 에 포토레지스트 막 을 형성 한다 . 다음 에 포토레지스트 막 을 패 터닝 하 여 절 연막 의 일부 표면 을 노출 시키 는 포토레지스트 막 패턴 을 형성 한다 . 이 패 터닝 은 도 6 을 참조 하 여 설명 한 바 와 같 은 포토 마스크 를 이용 한 노광 및 현상 을 수행 함 으로써 이루어진다 . 이때 스 캐 터 스페이스 ( 650 ) 가 포토레지스트 막 에 전사 되 지 않 도록 하 기 위해서 는 , 스 캐 터 스페이스 ( 650 ) 의 장축 방향 인 X 방향 과 수직 인 Y 방향 으로 개구부 가 배치 되 는 다이폴 ( dipole ) 조명계 를 사용 하 여 노광 을 수행 한다 . 다음 에 포토레지스트 막 패턴 을 식각 마스크 로 한 식각 으로 절 연막 의 노출 부분 을 제거 하 여 스토리지 노드 컨 택 홀 을 형성 한다 . 그리고 스토리지 노드 컨 택 홀 을 도전 막 으로 매립 하 여 스토리지 노드 컨 택 을 형성 한다 .