다른 경우 로 , 높 은 높이 의 제 1 반도체 에 피층 패턴 ( 115 a ) 이 낮 은 높이 의 제 2 반도체 에 피층 패턴 ( 120 a ) 보다 낮 은 게르마늄 함량 을 갖 는 경우 , 제 1 반도체 에 피층 패턴 ( 115 a ) 을 빠르 게 제거 하 기 위해 , 연마 케미컬 은 실리카 슬러리 및 KOH 또는 NH 4 OH 케미컬 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 제 1 반도체 에 피층 패턴 ( 115 a ) 은 실리콘 에 피층 을 포함 하 고 , 제 2 반도체 에 피층 패턴 ( 1120 a ) 은 실리콘 게르마늄 에 피층 또는 게르마늄 에 피층 을 포함 할 수 있 다 .