도 5 c 에 도시 한 바 와 같이 , 상기 제 1 감광막 ( 105 ) 을 제거 하 고 , 상기 노출 된 반도체 기판 ( 101 ) 의 표면 에 게이트 절 연막 ( 106 ) 을 형성 하 고 , 상기 게이트 절 연막 ( 106 ) 을 포함 한 반도체 기판 ( 101 ) 의 전면 에 도전 층 ( 예 를 들 면 , 고농 도 다 결정 실리콘 층 ) ( 107 a ) 을 증착 한다 .