도 2 의 ( b ) 를 참조 하 면 , 압전성 웨이퍼 ( 210 ) 에 형성 되 는 패턴 은 액티브 영역 ( 220 ) 과 배선 영역 ( 221 ) 으로 구분 될 수 있 다 . 액티브 영역 ( 220 ) 은 본 발명 의 일 실시 예 에 의하 여 형성 되 는 패키지 의 특징 적 인 기능 을 수행 하 는 소자 를 구성 하 는 영역 이 며 , 배선 영역 ( 221 ) 은 패키지 의 각 구성 요소 에 전기 적 인 연결 을 제공 하 기 위한 배선 을 구성 하 는 영역 이 다 . 본 발명 의 일 실시 예 에서 액티브 영역 ( 220 ) 은 IDT ( interdigital transducer ) 를 구성 하 는 패턴 을 포함 할 수 있 다 . 또한 , IDT ( interdigital transducer ) 를 구성 하 는 패턴 은 표면 탄성파 ( SAW , surface wave device ) 디바이스 의 일부 로서 형성 될 수 있 다 .