본 발명 의 또 다른 형태 에 따르 면 , 기판 을 수용 하 는 처리 용기 와 , 상기 처리 용기 내 에 소정 원소 를 포함 하 는 원료 가스 를 공급 하 는 원료 가스 공급계 와 , 상기 처리 용기 내 에 질소 를 포함 하 는 가스 를 공급 하 는 질소 함유 가스 공급계 와 , 상기 처리 용기 내 에 산소 를 포함 하 는 가스 를 공급 하 는 산소 함유 가스 공급계 와 , 상기 질소 를 포함 하 는 가스 또는 상기 산소 를 포함 하 는 가스 를 활성 화 하 는 활성 화 기구 와 , 기판 을 수용 한 상기 처리 용기 내 에 상기 원료 가스 를 공급 함 으로써 , 상기 기판 상 에 소정 원소 함유층 을 형성 하 고 , 상기 처리 용기 내 에 상기 질소 를 포함 하 는 가스 를 활성 화 하 여 공급 함 으로써 , 상기 소정 원소 함유층 을 질화 층 으로 개질 하 고 , 상기 처리 용기 내 에 상기 원료 가스 를 공급 함 으로써 , 상기 질화 층 상 에 소정 원소 함유층 을 형성 하 고 , 상기 처리 용기 내 에 산소 를 포함 하 는 가스 를 활성 화 하 여 공급 함 으로써 , 상기 질화 층 상 에 형성 된 소정 원소 함유층 및 상기 질화 층 을 , 산화층 또는 산질 화 층 으로 개질 하 여 이 를 1 사이클 로 하 고 , 이 사이클 을 적어도 1 회 이상 수행 하 도록 상기 원료 가스 공급계 , 상기 질소 함유 가스 공급계 , 상기 산소 함유 가스 공급계 및 상기 활성 화 기구 를 제어 하 는 컨트롤러 를 포함 하 는 기판 처리 장치 가 제공 된다 .