이 후 , 상기 스 페이서 ( 220 ) 사이 의 갭 부위 에 만 상기 제 1 도 전막 이 남 도록 상기 제 1 도 전막 의 일부 를 제거 함 으로써 제 1 층 도전 막 패턴 ( 224 ) 을 형성 한다 . 상기 제 1 층 도전 막 패턴 ( 224 ) 의 상부 면 이 상기 스 페이서 ( 220 ) 의 상부 면 보다 낮 게 위치 하 도록 상기 제거 공정 을 수행 하 는 것 이 바람직 하 다 . 상기 제거 공정 은 화학 기계 적 연마 공정 및 에치 백 공정 을 포함 한다 . 이 때 , 상기 제 2 영역 에 형성 된 상기 제 1 도전 막 은 완전 하 게 제거 되 어야 한다 .