프론트 - 사이드 공정 캐리어 ( 146 ) 가 부착 층 ( 144 ) 을 이용 하 여 도전 층 ( 140 ) 및 절연 층 ( 142 ) 에 장착 된다 . 부착 층 ( 144 ) 은 전형 적 으로 적어도 150 ℃ 의 Tg 를 갖 는 열적 또는 자외선 방출 성 임시 부착 재로 이루어질 수 있 다 . 프론트 - 사이드 공정 캐리어 는 신축성 테이프 또는 스 티 프 ( stiff ) 재료 일 수 있 다 . 백사이드 공정 캐리어 가 제거 된다 . 비어 들 ( vias ) 이 레이저 드릴 닝 또는 딥 반응 성 이온 에칭 ( deep reactive ion etch , DRIE ) 을 이용 하 여 몰딩 화합물 ( 130 ) 을 관통 하 여 형성 된다 . 그 비어 들 은 접촉 패드 들 ( 124 ) 을 노출 시킨다 . 도전 재료 ( 148 ) 가 비어 들 에 융 착 되 고 접촉 패드 ( 124 ) 에 전기 적 으로 연결 된다 . 절연 층 ( 150 ) 이 도전 층 ( 148 ) 및 몰딩 화합물 ( 130 ) 위 에 형성 된다 . 절연 층 ( 150 ) 은 절연 특성 을 갖 는 재료 로 이루어질 수 있 다 . 절연 층 ( 150 ) 의 일부 가 에칭 공정 에 의해 제거 되 어 개구 를 형성 하 고 도전 층 ( 148 ) 을 노출 시킨다 . 도전 층 ( 148 ) 및 절연 층 ( 150 ) 이 패키지 외부 뿐 아니 라 반도체 다이 들 ( 120 , 126 ) 사이 의 전기 적 신호 들 을 루팅 하 는 백사이드 상호 접속 구조 체의 일부 를 이룬다 . 추가 적 인 절연 층 및 도전 층 들 이 백사이드 상호 접속 구조 체 에 사용 될 수 있 다 .