본 발명 의 또 다른 형태 에 따르 면 , 기판 에 대해 원료 가스 를 공급 함 으로써 기판 상 에 박막 을 형성 하 는 제 1 공정 과 , 상기 박막 에 대해 질소 를 포함 하 는 가스 를 플 라즈 마 또는 열 로 활성 화 하 여 공급 함 으로써 , 상기 박막 을 질화 막 으로 개질 하 는 제 2 공정 과 , 상기 질화 막 에 대해 산소 를 포함 하 는 가스 를 플 라즈 마로 활성 화 하 여 공급 함 으로써 , 상기 질화 막 을 산화 막 으로 개질 하 는 제 3 공정 을 1 사이클 로 하 고 , 이 사이클 을 적어도 1 회 이상 수행 하 는 반도체 장치 의 제조 방법 이 제공 된다 .