본 발명 은 반도체 메모리 소자 의 콘 택 및 이 의 형성 방법 에 관한 것 으로 , 고전압 영역 의 콘 택 홀 을 형성 할 때 , 고전압 콘 택 영역 주변 에 셀 영역 의 콘 택 과 동일 또는 유사 한 너비 를 갖 는 다수 의 더미 패턴 을 형성 하 여 다이폴 조명 계 의 분해능 을 증가 시켜 균일 한 패턴 을 형성 하 고 , 더미 패턴 은 하부 액티브 영역 과 전기 적 으로 격리 하 는 반도체 메모리 소자 의 콘 택 및 이 의 형성 방법 형성 방법 을 개시 한다 .