도 2 g 를 참조 하 면 , 상기 라이너 산화 막 ( 30 ) 을 포함 한 트렌치 ( 24 ) 를 완전 매립 하 도록 기판 결과물 상 에 매립 산화 막 을 증착 한 후 , 상기 패드 질화 막 ( 23 ) 이 노출 될 때 까지 매립 산화 막 을 CMP ( Chemical Mechanical Polishing ) 하 거나 , 또는 , 에치 백 ( etch - back ) 한 후 , 상기 패드 질화 막 과 패드 산화 막 을 식각 하 여 본 발명 에 따른 반도체 소자 의 소자 분리 막 ( 31 ) 을 형성 한다 .