증착 및 패 터닝 의 방식 을 사용 하 여 기판 에 캐 비 티 를 갖 는 절연 층 을 형성 하 고 , 또한 상기 절연 층 에 압 전 변환기 를 형성 하 는 수단 에 비해 , 본 실시 예 는 영구 결합 층 ( 750 ) 으로 절연 층 을 대체 하 여 , 압 전 변환기 ( 800 ) 및 기판 ( 760 ) 이 영구 결합 층 ( 750 ) 을 통해 결합 되 도록 하 므로 , 따라서 상기 지문 인식 모듈 의 제조 과정 에서 , 상기 압 전 변환기 ( 800 ) 의 제조 를 독립 적 으로 완성 할 수 있 어 , 상기 캐 비 티 를 풀 충전 하 는 희생 층 을 형성 하 는 단계 를 생략 하 고 , 대응 되 게 , 희생 층 해제 동작 을 수행 할 필요 가 없 어 , 공법 단계 를 간소 화 하 는 데 유리 하 며 , 또한 희생 층 이 깨끗 하 게 제거 되 지 않 음 으로 인해 캐 비 티 에 희생 층 잔여 물질 이 형성 되 는 문제 를 방지 할 수 있 다 .