통상 적 인 NAND 구조 는 셀 의 컬럼 을 형성 하 도록 기준 전위 와 개별 비트 라인 사이 의 하나 이상 의 선택 트랜지스터 와 함께 연결 되 어 있 는 16 개 또는 32 개 같 은 둘 이상 의 직렬 연결 된 메모리 셀 의 스트링 을 사용 한다 . 워드 라인 은 다수 의 이 들 컬럼 내 의 셀 을 가로질러 연장 한다 . 스트링 내 의 나머지 셀 을 온 상태 로 전환 시켜 스트링 을 통해 흐르 는 전류 가 어드레스 된 셀 에 저장 된 전하 의 레벨 에 의존 하 도록 함 으로써 프로그램 동안 컬럼 내 의 개별 셀 이 판독 및 확인 된다 .