이 와 같이 , 상기 반도체 웨이퍼 상 에 금속 불순물 을 포함 하 는 유기 실리카 용액 을 도포 한 후 , 열처리 를 수행 하 면 상기 반도체 웨이퍼 상 에 는 산화 막 이 형성 된다 . 즉 , 본 발명 에서 는 상기 반도체 웨이퍼 상 에 도포 하 는 상기 유기 실리카 용액 이 열처리 를 거쳐 산화 막 으로 형성 되 는 것 이 다 . 특히 , 상기 반도체 웨이퍼 상 에 형성 되 는 산화 막 의 경우 에 는 상기 산화 막 전체 영역 에 상기 금속 불순물 이 실질 적 으로 균일 하 게 분포 되 고 , 상기 산화 막 내 에 실질 적 으로 일정 한 위치 에 분포 된다 . 또한 , 상기 유기 실리카 용액 으로부터 상기 산화 막 을 형성 하 기 때문 에 표준 시료 로 수득 하 는 상기 산화 막 의 두께 를 용이 하 게 조절 할 수 있 다 .