제 1 액티브 패턴 ( ACT 1 ) , 제 1 소스 전극 ( SE 1 ) , 및 제 1 드레 인 전극 ( DE 1 ) 은 불순물 이 도핑 되 지 않 거나 상기 불순물 이 도핑 된 반도체 층 으로 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 면 , 제 1 소스 전극 ( SE 1 ) 및 제 1 드레 인 전극 ( DE 1 ) 은 불순물 이 도핑 된 반도체 층 으로 이루어지 며 , 제 1 액티브 패턴 ( ACT 1 ) 은 불순물 이 도핑 되 지 않 는 반도체 층 으로 이루어질 수 있 다 .