도 4 는 본 명세서 에 개시 된 예 에 따른 액세스 라인 교란 완화 를 지원 하 는 메모리 디바이스 ( 400 ) 의 일례 를 도시 한다 . 메모리 디바이스 ( 400 ) 는 워드 라인 ( 210 ) , 디 지트 라인 ( 215 ) , 및 메모리 셀 의 어레이 ( 예 를 들 어 , 메모리 셀 ( 405 ) 및 메모리 셀 ( 410 ) 을 포함 함 ) 를 포함 할 수 있 다 . 일부 예 에서 , 메모리 디바이스 ( 400 ) 는 크로스 - 포인트 아키텍처 , 필라 아키텍처 , 또는 평면 아키텍처 의 일례 일 수 있 다 . 메모리 디바이스 ( 400 ) 는 도 2 를 참조 하 여 설명 된 바 와 같이 메모리 다이 ( 200 ) 의 일례 이 거나 , 이 를 포함 할 수 있 다 . 일부 예 에서 , 메모리 디바이스 ( 400 ) 는 도 1 내지 도 3 을 참조 하 여 설명 된 바 와 같이 판독 또는 기록 동작 의 일부 로서 메모리 셀 선택 절차 를 구현 할 수 있 다 .