도 28 c 및 도 28 d 를 함께 참조 하 면 , 제 1 마스크 패턴 ( 237 ) 및 제 2 마스크 패턴 ( 239 ) 으로 이루어지 는 마스크 패턴 층 ( 235 ) 을 식각 마스크 로 사용 하 여 예비 전하 저 장막 ( 도 28 b 의 230 Pe ) 를 등방성 식각 하 여 , 예비 전하 저 장막 ( 230 Pe ) 의 일부분 인 전하 저 장막 ( 230 e ) 을 형성 한다 .