프로세스 레시피 , 프로파일 , 모델 , 및 / 또는 프로세스 결과 에 영향 을 미칠 수 있 는 재료 및 / 또는 프로세스 변동 은 웨이퍼 내 사이트 마다 , 웨이퍼 마다 그리고 로 트 마다 변할 수 있 다 . 이 들 변동 은 하나 이상 의 서브시스템 ( 110 , 115 , 120 , 125 , 130 , 135 , 140 , 145 , 150 및 155 ) 에서 의 변화 및 / 또는 문제 로 인한 것 일 수 있 다 . 불 균일 한 막 및 / 또는 불 균일 한 프로세스 가 문제 를 일으킬 수 있 다 . 또한 , 툴 간 편차 , 챔버 간 편차 및 챔버 드리프트 는 시간 에 따른 문제 를 유발 할 수 있 다 . 바닥 부 CD 를 제어 하 기 위하 여 단부 지정 ( end pointing ) 및 희생 막 을 이용 하 는 성질 때문 에 두께 및 / 또는 불 균일 성 은 에칭 프로세스 시 에 웨이퍼 내 의 사이트 마다 , 웨이퍼 마다 , 그리고 로트 마다 변할 수 있 다 . 또한 , " 두께 변동 은 광학 특성 및 기타 물리 특성 의 변화 로 인한 것 일 수 있 다 . S - D 프로시저 는 "" 과 도 에칭 ( over - etching ) "" 으로 인한 문제 를 제거 또는 최소 화 하 기 위해 이용 될 수 있 다 . "