이 와 같이 , 본 발명 의 제 1 실시 예 에서 는 개구부 를 가진 게이트 전극 구조 에 드레 인 전극 과 일체 형 의 도전 패턴 을 구비 한 스토리지 캐 패 시터 를 적용 한 것 을 보였 다 . 이외 에 도 , 하 기 에서 언급 되 는 본 발명 의 제 2 실시 예 에서 는 상기 드레 인 전극 과 일체 형 된 도전 패턴 을 구비 한 스토리지 캐 패 시터 를 일반 적 인 사각 형태 의 게이트 전극 구조 에 적용 가능 하 였 다 . 이 경우 , 마찬가지 로 상기 도전 패턴 의 길이 를 조절 하 여 게이트 전극 과 드레 인 전극 간 의 기생 캐 패 시턴 스 를 변경 시켜 전 패널 에서 의 오프셋 전압 값 ( △ Vp ) 값 을 균일 하 게 유지 할 수 있 다 .