상기 의 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 에 따른 듀얼 다 마신 구조 를 가지 는 반도체 소자 는 하부금 속배 선 을 포함 하 는 제 1 층간 절연 층 이 형성 된 기판 과 , 상기 하부금 속배 선 을 포함 하 는 제 1 층간 절연 층 상 에 형성 되 면서 소정 의 비 아홀 을 포함 하 는 제 2 층간 절연 층 과 , 상기 제 2 층간 절연 층 상 에 형성 되 는 제 1 완충 층 과 , 상기 비 아홀 보다 넓 은 폭 을 가지 는 트렌치 를 포함 하 는 제 3 층간 절연 층 과 , 상기 제 3 층간 절연 층 상 에 형성 되 는 제 2 완충 층 과 , 상기 제 2 완충 층 상부 에 형성 되 는 하드 마스크 및 상기 비 아홀 과 트렌치 를 금속 으로 매립 하 여 형성 되 는 비아 플러그 와 상부 금속 배선 을 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .