본 발명 은 놀랍 게 도 주어진 센서 구조물 ( 310 ) 과 주어진 제 1 커패시터 ( C 1 ) 에 대하 여 , 여기 노드 ( A , C ) 에서 의 전류 ( Ibias ( t ) ) 나 전압 이 그 예상 값 ( 가령 , 미리 정한 일정 한 값 ) 에서 벗어나 거나 , 및 / 또는 센서 의 수명 에 걸쳐 드리프트 되 더라도 , 연속 - 시간 적분 또는 평균 화 회로 ( 331 ) 의 출력 ( Vi ) 이 제 1 커패시터 ( C 1 ) 를 통과 하 고 , 동시 에 , 또는 이후 에 또는 이전 에 센서 구조물 ( 310 ) 을 통과 하 였 던 전체 전하 ( Qbias ) 에 비례 한다는 것 을 발견 하 였 다 . 그러므로 , 센서 구조물 ( 310 ) 을 통과 하 는 전류 ( Ibias ) 의 드리프트 및 / 또는 여기 노드 ( A , C ) 에 인가 되 는 전압 ( VA , VC ) 의 드리프트 가 가능 한 낮 게 유지 되 도록 노력 하 는 데 많 은 노력 이 행해 지 는 종래 기술 의 해결책 과 대비 되 게 , 이러 한 대책 이 본 발명 에 의해 제공 되 는 해결책 에 는 요구 되 지 않 는다 . 다시 말 해 , 여기 노드 ( A , C ) 에서 의 전압 과 센서 구조물 ( 310 ) 을 통과 하 는 전류 ( Ibias ( t ) ) 가 시간 간격 ( T ) 동안 에 일정 할 필요 가 없 고 , 그 정확 한 값 이 알려 지 거나 설정 될 필요 도 없 으며 , 다른 영향 에 의해 기계 적 응력 및 / 또는 온도 에 가변 할 수 도 있 다 .