상기 목적 을 달성 하 기 위해서 , 본 발명 은 금속 물질 로 형성 되 는 전극 , 상기 전극 상 에 형성 되 고 , 산소 를 포함 하 지 않 는 제 1 실리콘 절 연막 , 상기 제 1 실리콘 절 연막 상 에 형성 되 고 , 산소 를 포함 하 고 저 유전율 을 가지 는 제 2 실리콘 절 연막 , 상기 제 2 실리콘 절 연막 상 에 형성 되 고 , 산소 를 포함 하 지 않 는 제 3 실리콘 절 연막 을 포함 하 는 반도체 소자 를 제공 한다 .