도 2 b 에서 , SAC 질화 막 ( 113 ) 은 후속 CMP 공정 시 게이트 ( 110 A , 110 B ) 를 안정 적 으로 보호 하 고 , CMP 공정 시 과도 연마 되 어 발생 되 는 누설 전류 를 방지 하 기 위해 충분히 두껍 게 , 예컨대 500 Å 정도 의 두께 로 증착 되 며 , 그 증착 비율 은 게이트 ( 110 A , 110 B ) 상부 와 게이트 ( 110 B ) 의 양측 벽 에서 거의 동일 한 비율 로 증착 된다 . 이 때문 에 , 게이트 ( 110 B ) 사이 의 간격 이 좁 아 져 도 2 e 에서 실시 되 는 콘 택 홀 ( 116 ) 형성 공정 시 그 만큼 식각 마진 ( margin ) 을 확보 하 는 것 이 어렵 다 . 이 에 따라 , 콘 택 홀 ( 116 ) 형성 후 에 도 콘 택 홀 ( 116 ) 의 저부 - 접합 영역 ( 111 ) 과 접하 는 부위 - 의 폭 ( W 1 ) 이 감소 되 어 결국 후속 소스 콘 택 플러그 와 접합 영역 ( 111 ) 간 의 접촉 면적 이 감소 하 는 문제 가 발생 된다 . 이러 한 문제 는 소스 콘 택 플러그 보다 높 은 종횡비 를 요구 하 는 드레 인 콘 택 플러그 형성 공정 시 더욱 심화 되 기 때문 에 그 에 대한 개선 이 시급 한 실정 이 다 .