또 다른 실시 예 에서 , 비휘발성 메모리 시스템 은 듀얼 ( dual ) 로우 / 컬럼 디코더 들 및 판독 / 기입 회로 들 을 사용 한다 . 다양 한 주변기기 회로 들 에 의한 메모리 어레이 ( 155 ) 로 의 액세스 는 , 어레이 의 대향 측면 들 에 대칭 적 으로 구현 되 어 , 각각 의 측면 에서 의 회로 및 액세스 라인 들 의 밀도 는 반 으로 감소 하 게 된다 . 따라서 , 로우 디코더 는 2 개 의 로우 디코더 들 로 분할 되 고 , 컬럼 디코더 는 2 개 의 컬럼 디코더 들 로 분할 된다 . 마찬가지 로 , 판독 / 기입 회로 들 은 , 어레이 ( 155 ) 의 하부 로부터 비트 라인 들 에 연결 되 는 판독 / 기입 회로 들 과 어레이 ( 155 ) 의 상부 로부터 비트 라인 들 에 연결 되 는 판독 / 기입 회로 들 로 분할 된다 . 이런 방식 으로 , 판독 / 기입 모듈 들 의 밀도 는 실질 적 으로 1 / 2 만큼 줄어든다 .