최근 에 는 소자 가 고집 적 화 됨 에 따라 Y 축 방향 으로 의 인접 한 워드 라인 간 의 거리 가 가깝 고 , 각각 의 워드 라인 사이 에서 인접 한 플로팅 게이트 간 에 마주 보 는 면적 ( gate to gate ) 이 증가 하 여 간섭 커패시터 ( CFGY ) 가 발생 하 게 된다 . 또한 , X 축 방향 으로 의 플로팅 게이트 ( 130 ) 간 거리 가 가까워 간섭 커패시터 ( CFGX ) 가 발생 하 게 된다 . 이러 한 X 축 방향 ( 워드 라인 방향 ) 및 Y 축 방향 ( 비트 라인 방향 ) 으로 의 간섭 커패시터 로 인해 간섭 효과 ( interference effect ) 가 심화 되 어 문턱 전압 ( Threshold Voltage ; Vth ) 쉬프 트 ( shift ) 발생 등 으로 인해 정상 적 인 셀 동작 이 어려워진다 .