기판 ( 110 ) 의 일면 상 에 투과 성 및 도전 성 을 갖 는 물질 로 제 1 전극 ( 120 ) 을 형성 하 는 단계 ( S 100 ) 에서 , 기판 ( 110 ) 의 일면 상 에 SnO 2 , ZnO , In 2 O 3 , TiO 2 중 어느 하나 의 금속 산화물 또는 이 들 금속 산화물 에 F , Sn , Al , Fe , Ga , Nb 중 적어도 하나 가 도핑 된 물질 을 평평 하 게 증착 하 여 , 제 1 전극 ( 120 ) 을 형성 한다 .