실시 예 2 에서 얻 어 진 공중 합체 100 질 량부 에 대해서 , 광산 발생 제 로서 트리 페닐 술포 늄 노나 플 루오 로 부탄 술포 네이트 를 5 질 량부 첨가 하 여 혼합물 을 제조 하 고 , 추가 로 이 혼합물 10 질 량부 를 프로필렌글리콜 모노 메틸에테르 아세테이트 90 질 량부 를 사용 하 여 용해 시키 고 , 레지스 트 조성물 을 조제 하 였 다 . 실리콘 웨이퍼 상 에 , 조제 된 레지스 트 조성물 을 도포 하 고 , 110 ℃ 에서 60 초간 베 이크 를 실시 하 여 레지스 트 막 을 형성 하 였 다 . 이 와 같이 하 여 얻 어 진 웨이퍼 를 파장 248 ㎚ 의 광 에 의해서 100 mJ / ㎠ 의 노광량 으로 오픈 노광 하 였 다 . 노광 직후 에 110 ℃ 에서 60 초간 가열 한 후 , 테트라메틸 암모늄 하이드로 옥사이드 수용액 ( 2 . 38 질량 %) 으로 60 초간 현상 하 였 다 . 이 때 , 레지스 트 막 은 완전히 없 어 졌 다 .