도 5 a 를 참조 하 면 , 변형 소자 ( 100 ) 는 도 4 a 와 도 4 b 에서 설명 한 지 지체 ( 150 ) , 탄성체 ( 152 ) , 압 전 물질 층 ( 154 , 156 ) 및 전극 ( 155 , 157 ) 을 포함 하 는 압 전 변형 소자 로서 , 상기 변형 소자 ( 100 ) 를 반도체 칩 ( 300 ) 과 기판 ( 200 ) 사이 에 삽입 하 고 범프 ( 250 ) 를 본 딩 한다 . 한편 , 도 5 a 에 는 변형 소자 ( 100 ) 탄성체 ( 152 ) 단부 ( 끝 부분 ) 만 반도체 칩 ( 300 ) 과 기판 ( 200 ) 사이 에 삽입 된 것 을 나타내 었 으나 지 지체 ( 150 ) 를 제외 한 압 전 물질 층 ( 154 , 156 ) 및 전극 ( 155 , 157 ) 부분 도 삽입 될 수 있 다 .