보다 상세 하 게 , 도 21 은 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 와이어 본딩 동작 을 위한 아이 포인트 를 티칭 하 는 방법 을 도시 하 는 플로우 다이어그램 이 다 . 단계 ( 2100 ) 에서 , 모양 들 의 그룹 이 아이 포인트 로서 사용 되 기 위하 여 반도체 디바이스 의 영역 으로부터 선택 된다 . 예 를 들 어 , 모양 들 의 그룹 은 본드 패드 모양 들 , 기점 모양 들 , 회로 모양 들 을 특히 포함 할 수 있 다 . 단계 ( 2102 ) 에서 , 아이 포인트 는 ( a ) 샘플 반도체 디바이스 또는 ( b ) 반도체 디바이스 에 관한 미리 결정 된 데이터 중 적어도 하나 를 사용 하 여 와이어 본딩 기계 에 티칭 된다 . 이러 한 티칭 단계 는 서로 에 대한 모양 들 각각 의 위치 들 을 규정 하 는 것 을 포함 한다 . 그러 한 위치 들 은 모양 들 의 그룹 각각 을 둘러싸 는 면적 을 포함 하 도록 규정 될 수 있 다 . 아이 포인트 는 모양 들 의 그룹 을 포함 하 기 위하 여 규정 될 수 있 는데 , 이때 미리 결정 된 면적 들 이 아이 포인트 로부터 제외 되 도록 영역 의 미리 결정 된 면적 들 은 마스킹 된다 ( 즉 , 단계 ( 2104 ) ) . 예 를 들 어 , 그러 한 마스킹 은 영역 의 미리 결정 된 면적 들 의 위치 를 아이 포인트 로부터 제외 시키 는 알고리즘 을 사용 하 는 것 을 포함 할 수 있 다 . 그러 한 마스킹 은 ( 1 ) 선택 된 본드 패드 들 의 내부 부분 들 및 ( 2 ) 본드 패드 들 간 의 영역 의 부분 들 중 적어도 하나 를 마스킹 하 는 것 을 포함 할 것 이 다 . 선택 적 인 단계 ( 2106 ) 에서 는 제 2 아이 포인트 가 와이어 본딩 기계 에 티칭 된다 . 제 2 아이 포인트 는 반도체 디바이스 의 본드 패드 위 의 와이어 루프 부분 의 모양 에 대응 한다 . 예 를 들 어 , 와이어 루프 부분 의 모양 은 와이어 루프 의 볼 본드 의 모양 에 대응 할 수 있 다 .