본 발명 의 제 1 실시 예 에 따른 이미지 센서 는 기판 ( 110 ) 상 에 형성 된 액티브 영 역 ( 미 도시 ) 과 소자 분리 영역 ( 120 ) ; 상기 액티브 영역 상 에 형성 된 트랜지스터 ( 150 ) ; 상기 액티브 영역 에 형성 된 포토다이오드 영역 ( 130 ) 과 트랜지스터 영역 ( 140 ) ; 및 상기 트랜지스터 ( 150 ) 의 하측 에 형성 된 포토다이오드 확장 영역 ( 136 ) ; 을 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .