도 3 에 는 본 발명 의 제 1 실시 예 에 따른 반도체 기판 의 제조 방법 에 관한 공정 순서도 가 도시 되 어 있 다 . 본 실시 예의 제조 방법 은 이하 와 같 은 공정 단계 들 을 포함 하 여 반도체 기판 을 제공 하 게 된다 . 보다 구체 적 으로 , 소정 특성 을 갖 는 기판 소재 가 제공 되 는 원소 재 기판 준비 단계 ( P 10 ) , 상기 원소 재 기판 상 에 소정 두께 로 금속 피막 을 형성 하 는 금속 피막 형성 단계 ( P 20 ) , 상기 금속 피막 상 에 감광 필름 을 압착 하 는 감광 필름 부착 단계 ( P 30 ) , 부착 된 감광 필름 에 대해 소망 하 는 기판 패턴 을 인식 및 현상 시키 는 감광 필름 노광 - 현상 단계 ( P 40 ) , 패턴 화 된 감광 필름 을 식각 방지 막 으로 하 여 금속 피막 을 식각 하 는 1 차 에칭 단계 ( P 50 ) , 상기 금속 피막 을 통하 여 노출 된 원소 재 기판 을 연속 식각 하 는 2 차 에칭 단계 ( P 60 ) , 효용 이 다 한 감광 필름 을 박리 제거 하 는 감광 필름 박리 단계 ( P 70 ) , 잔존 하 는 금속 피막 을 제거 하 는 3 차 에칭 단계 ( P 80 ) 를 포함 한다 .