다음 에 , 레지스 트 마스크 ( 86 ) 를 사용 하 여 , 도전 막 ( 85 a 내지 85 c ) 을 에칭 하 여 분리 한다 . 결과 적 으로 , 도 11 b 에 도시 하 는 바 와 같 은 , 한 쌍 의 배선 ( 92 a 내지 92 c ) 을 형성 할 수 있 다 . 레지스 트 마스크 ( 86 ) 를 사용 하 여 도전 막 ( 85 a 내지 85 c ) 을 웨트 에칭 하 면 , 도전 막 ( 85 a 내지 85 c ) 이 등방 적 으로 에칭 된다 . 결과 적 으로 , 레지스 트 마스크 ( 86 ) 보다 면적 이 작 은 배선 ( 92 a 내지 92 c ) 을 형성 할 수 있 다 .