도 5 를 참조 하 여 , 패키지 기판 ( 100 ) 상 에 베이스 칩 ( 900 ) 이 제공 될 수 있 다 . 베이스 칩 ( 900 ) 은 패키지 기판 ( 100 ) 의 상면 상 에 배치 될 수 있 다 . 베이스 칩 ( 900 ) 은 로직 칩 ( logic chip ) 을 포함 할 수 있 다 . 베이스 칩 ( 900 ) 은 전면 ( 900 a ) 및 후면 ( 900 b ) 을 가질 수 있 다 . 예 를 들 어 , 베이스 칩 ( 900 ) 은 그 의 전면 ( 900 a ) 에 제공 되 는 제 4 재배 선 층 ( 910 ) 을 포함 할 수 있 다 . 제 4 재배 선 층 ( 910 ) 은 베이스 칩 ( 900 ) 의 전면 ( 900 a ) 에 배치 되 는 제 4 도전 패턴 ( 914 ) 및 제 4 칩 패드 들 ( 912 ) , 그리고 상기 제 4 도전 패턴 ( 914 ) 및 제 4 칩 패드 들 ( 912 ) 을 덮 는 제 4 절연 층 ( 916 ) 을 포함 할 수 있 다 . 제 4 칩 패드 들 ( 912 ) 은 제 4 도전 패턴 ( 914 ) 을 통해 베이스 칩 ( 900 ) 내 의 집 적 소자 또는 집 적 회로 들 과 전기 적 으로 연결 될 수 있 다 . 제 4 절연 층 ( 916 ) 은 베이스 칩 ( 900 ) 의 전면 ( 900 a ) 에서 제 4 도전 패턴 ( 914 ) 을 덮 을 수 있 다 . 제 4 절연 층 ( 916 ) 은 제 4 칩 패드 들 ( 912 ) 을 노출 할 수 있 다 . 제 4 칩 패드 들 ( 912 ) 상 에 는 기판 연결 단자 들 ( 240 ) 이 배치 될 수 있 다 . 베이스 칩 ( 900 ) 은 기판 연결 단자 들 ( 240 ) 을 통해 베이스 칩 ( 900 ) 은 플립 칩 ( flip chip ) 방식 으로 패키지 기판 ( 100 ) 에 실장 될 수 있 다 . 제 4 도전 패턴 ( 914 ) 및 제 4 칩 패드 들 ( 912 ) 은 금속 과 같 은 도전 물질 을 이룰 수 있 다 . 제 4 절연 층 ( 916 ) 은 산화물 을 포함 할 수 있 다 . 필요 에 따라 , 베이스 칩 ( 900 ) 은 베이스 칩 ( 900 ) 을 수직 으로 관통 하 는 제 4 관통 전극 들 ( 920 ) 을 포함 할 수 있 다 .