LOCOS ( Local Oxidation of Silicon ) 산화 막 ( 10 , 11 ) 이 , 에피 택 셜 층 ( 4 ) 에 형성 되 어 있 다 . LOCOS 산화 막 ( 10 , 11 ) 의 평탄부 에서 는 , 그 막 두께 가 , 예 를 들 면 , 3000 ∼ 10000 ( Å ) 정도 로 된다 . LOCOS 산화 막 ( 10 , 11 ) 의 하방 에 는 , N 형 의 확산 층 ( 12 , 13 ) 이 형성 되 어 있 다 . N 형 의 확산 층 ( 12 , 13 ) 은 , 에피 택 셜 층 ( 4 ) 표면 이 반전 되 는 것 을 방지 하 고 있 다 .