본 발명 의 일 실시 예 에 따라 , 본 발명 에 의한 디스플레이 를 구동 하 기 위해서 , 본 발명 의 기술 분야 에서 통상 적 으로 적용 되 는 구성 을 도입 및 / 또는 형성 하 는 공정 을 더 포함 할 수 있 고 , 예 를 들 어 , 전극 층 을 형성 하 는 단계 를 더 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 상기 전극 층 은 , p - 형 전극 층 및 / 또는 n - 형 전극 층 을 포함 할 수 있 다 . p - 형 전극 층 은 투명 반도체 산화물 , 금속 또는 이 둘 을 포함 할 수 있 고 , 예 를 들 어 , Co , Ir , Ta , Cr , Mn , Mo , Tc , W , Re , Fe , Sc , Ti , Sn , Ge , Sb , Al , Pt , Ni , Au , 인듐 주석산 화물 ( ITO ) , 인듐 아연 산화물 ( IZO ) , 아연 산화물 ( ZnO ) , 인듐 아연 주석산 화물 ( IZTO ) , 카드뮴 주석산 화물 ( CTO ) , PEDOT ( poly ( 3 , 4 - ethylenedioxythiophene ) ) 및 탄소 나노 튜브 ( CNT ) 으로 이루어진 군 에서 선택 된 하나 이상 을 포함 할 수 있 다 . n - 형 전극 층 은 Co , Ir , Ta , Cr , Mn , Mo , Tc , W , Re , Fe , Sc , Ti , Sn , Ge , Sb , Al , Pt , Ni , Au , ITO 및 ZnO 으로 이루어진 군 에서 선택 된 하나 이상 을 포함 할 수 있 으며 , n - 형 전극 층 은 단일 층 또는 복수 층 으로 구성 될 수 있 다 .