도 11 a 에 도시 한 트랜지스터 는 기판 ( 710 ) 위 에 형성 된 도전 층 ( 711 ) 과 , 도전 층 ( 711 ) 위 에 형성 된 절연 층 ( 712 ) 과 , 절연 층 ( 712 ) 을 사이 에 두 고 도전 층 ( 711 ) 위 에 형성 된 산화물 반도체 층 ( 713 ) 과 , 산화물 반도체 층 ( 713 ) 의 일부 위 에 각각 형성 된 도전 층 ( 715 ) 및 도전 층 ( 716 ) 을 갖 는다 .