상술 한 바 와 같이 본 발명 에 따르 면 , 오목 한 상부 면 을 갖 는 도전 패턴 이 제공 된다 . 상기 도전 패턴 으로 둘러싸여 진 공간 내 에 금속 실리사이드 패턴 이 형성 된다 . 상기 금속 실리사이드 패턴 은 상부 의 스토리지 폴리 패턴 과 전기 적 으로 접속 한다 . 이 경우 , 상기 금속 실리사이드 패턴 은 종래 기술 의 폴리 실리콘 패턴 보다 작 은 비저항 을 가진다 . 아울러 , 상기 금속 실리사이드 패턴 및 상기 도전 패턴 사이 의 접촉 면적 이 종래 의 폴리 실리콘 패턴 및 실리사이드 패턴 사이 의 접촉면 적 보다 상대 적 으로 넓 다 . 결과 적 으로 , 상기 스토리지 폴리 패턴 및 상기 도전 패턴 사이 의 RC 신호 지연 이 개선 되 어 상기 콘 택 구 조체 를 갖 는 반도체 소자 의 동작 특성 이 향상 될 수 있 다 .