또한 , 도 2 ( c ) 에 나타내 는 바 와 같이 상기 각 부재 에 는 관통 구멍 ( 20 A ) 이 복수 부분 ( 예컨대 , 3 부분 ) 에 둘레 방향 으로 등 간격 을 두 고 형성 되 고 , 이 들 관통 구멍 ( 20 A ) 에 핀 ( 26 ) 이 승강 가능 하 게 배치 되 어 있 다 . 이 들 핀 ( 26 ) 은 , 탑 플레이트 ( 21 ) 의 탑 재면 에 있 어서 반도체 웨이퍼 W 를 승강 시키 고 , 로더 실과 의 사이 에서 반도체 웨이퍼 W 를 주고받 기 위해 이용 된다 . 관통 구멍 ( 20 A ) 의 내 주면 에 는 부시 ( bush ) ( 27 ) 가 장착 되 어 있 다 . 이 부시 ( 27 ) 는 알루미나 소 결체 나 수지 ( 예컨대 , 사불 화 ( tetrafluoride ) 에틸렌 수지 , 폴리 이미드 ) 등 의 절연 재료 에 의해 형성 되 어 있 는 것 이 바람직 하 다 . 또한 , 부시 ( 27 ) 대신 에 관통 구멍 ( 20 A ) 에 알루미나 용사 를 실시 하 여도 좋 다 . 이렇게 관통 구멍 ( 20 A ) 의 내 주면 에 절연 재료 를 마련 함 으로써 , 탑 플레이트 ( 21 ) 와 냉각 재킷 ( 23 ) 의 사이 의 누설 전류 를 보다 확실히 방지 할 수 있 다 .