이제 도 1 c 를 참조 하 면 , 평탄 화 된 기판 ( 100 ) 을 실 라 놀 가스 를 함유 한 공정 가스 에 노출 시킴 으로써 SiO 2 막 ( 130 ) 이 금속 함유 표면 ( 124 ) 에 대해 금속 함유 촉매 층 ( 118 ) 상 에 선택 적 으로 퇴적 된다 . 본 발명 의 실시 형태 에 따르 면 , 금속 함유 촉매 층 ( 118 ) 은 실 라 놀 가스 부터 의 SiO 2 막 ( 130 ) 의 선택 적 퇴적 을 촉진 시키 고 , 이 촉진 효과 는 퇴적 된 SiO 2 막 ( 130 ) 이 약 5 nm 두께 가 될 때 까지 관찰 된다 . 공정 가스 에 대한 노출 은 금속 함유 표면 ( 124 ) 상 에 상당 한 SiO 2 막 ( 130 ) 의 퇴적 을 초래 하 지 않 는 시간 동안 수행 될 수 있 다 . 본 발명 의 실시 형태 에 따르 면 , 평탄 화 된 기판 ( 100 ) 은 임의 의 산화제 및 가수 분 해제 가 없 는 실라 놀 가스 를 함유 한 공정 가스 에 노출 된다 . 일부 실실 시 형태 에 따르 면 , 실라 놀 가스 는 tris ( tert - pentoxy ) silanol ( TPSOL ) , tris ( tert - butoxy ) silanol , 및 bis ( tert - butoxy ) ( isopropoxy ) silanol 로 이루어진 그룹 으로부터 선택 될 수 있 다 .