도 6 a 및 도 6 b 를 참조 하 면 제 2 마스크 공정 으로 게이트 라인 ( GL ) , 게이트 라인 ( GL ) 과 연결 된 게이트 전극 ( 33 ) , 및 게이트 라인 ( GL ) 과 분리 되 고 제 1 접촉 홀 ( 45 ) 을 통해 금속 기판 ( 31 ) 에 접속 된 스토리지 라인 ( SL ) 을 포함 한 게이트 도전 패턴 군 이 형성 된다 . 게이트 도전 패턴 군 으로 는 Mo , Ti , Cu , AlNd , Al , Cr , Mo 합금 , Cu 합금 , Al 합금 등 과 같이 금속 물질 이 단일 층 또는 이중층 이상 으로 적층 되 어 이용 된다 .