상기 제 1 충전 반도체 패턴 ( 160 ) 내 에 제 1 게터 링 영역 ( 165 , gettering region ) 이 배치 된다 . 상기 제 1 게터 링 영역 ( 165 ) 은 상기 제 1 소자 반도체 층 ( 200 ) 내 의 금속 원소 들 을 포획 하 는 다수 의 사이트 ( 170 , site ) 를 포함 한다 . 또한 , 상기 제 1 게터 링 영역 ( 165 ) 은 상기 사이트 들 ( 170 ) 을 생성 시킨 원소 들 을 포함 한다 . 즉 , 상기 제 1 게터 링 영역 ( 165 ) 내 의 상기 사이트 들 ( 170 ) 은 상기 원소 들 에 의하 여 생성 된 것 이 다 . 상기 제 1 게터 링 영역 ( 165 ) 은 상기 제 1 충전 반도체 패턴 ( 160 ) 의 상기 원소 들 이 첨가 된 부분 이 다 . 도시 된 바 와 같이 , 상기 제 1 게터 링 영역 ( 165 ) 은 상기 제 1 충전 반도체 패턴 ( 160 ) 의 전체 에 걸쳐 배치 될 수 있 다 . 즉 , 상기 제 1 충전 반도체 패턴 ( 160 ) 의 전체 에 걸쳐 상기 다수 의 사이트 들 ( 170 ) 및 원소 들 이 분포 될 수 있 다 . 이 경우 에 , 상기 제 1 충전 반도체 패턴 ( 160 ) 과 상기 제 1 게터 링 영역 ( 165 ) 은 동일 할 수 있 다 . 이 와 는 달리 , 상기 제 1 게터 링 영역 ( 165 ) 은 상기 제 1 충전 반도체 패턴 ( 160 ) 의 일부 에 배치 될 수 도 있 다 . 상기 사이트 들 ( 170 ) 은 상기 제 1 소자 반도체 층 ( 200 ) 내 금속 원소 들 을 포획 하 여 고정 시킨다 . 상기 사이트 들 ( 170 ) 에 포획 된 금속 원소 들 은 상기 제 1 게터 링 영역 ( 165 ) 내 다른 물질 들 ( 예컨대 , 반도체 및 / 또는 상기 원소 ) 과 결합 되 어 고정 될 수 있 다 .