본 단계 는 원소 황 의 증기 를 형성 시켜 , 단일 층 또는 소수 층 그래핀 시트 의 표면 상 에 S 증기 를 증착 시키 는 것 을 포함 한다 . 액체 매질 중 에 현 탁 된 그래핀 시트 ( 예 를 들 어 , 수중 그래핀 산화물 또는 NMP 중 그래핀 ) 를 기판 ( 예 를 들 어 , 유리 표면 ) 상 에 분무 하 여 그래핀 시트 의 박 층 을 형성 하 였 다 . 이러 한 그래핀 의 박 층 을 이후 에 , 승화 - 발생 물리 적 증기 증착 에 노출 시켰 다 . 고체 황 의 승화 는 40 ℃ 보다 높 은 온도 에서 일어나 지만 , 상당히 및 실제 적 으로 유용 한 승화 속도 는 통상 적 으로 , 온도 가 100 ℃ 초 과일 때 까지 일어나 지 않 는다 . 본 발명자 는 통상 적 으로 , 그래핀 표면 상 에 황 의 박막 ( 황 두께 는 대략 1 nm 내지 10 nm 임 ) 을 증착 시키 기 위해 10 내지 120 분 의 증기 증착 시간 과 함께 117 내지 160 ℃ 를 이용 하 였 다 . 그 위 에 증착 된 황 의 박막 을 갖 는 이러 한 그래핀 의 박 층 을 이후 에 , 공기 제트 밀 을 이용 하 여 S - 코팅 된 그래핀 시트 의 조각 으로 용이 하 게 파괴 하 였 다 . 이러 한 S - 코팅 된 그래핀 시트 중 일부 에 는 고탄성 폴리머 를 직접 적 으로 수용 하 였 다 . 이러 한 시트 중 일부 를 ( 예 를 들 어 , 분무 - 건조 를 통해 ) 직경 이 대략 5 내지 15 ㎛ 인 이 차 입자 로 제조 하 고 , 이후 에 , 고탄성 폴리머 에 의해 캡슐 화 하 였 다 .