한편 , 이미 설명 한 것 처럼 , 엄밀 하 게 한계 치 전압 보정 이 행해진 후 는 , 그 때 유지 커패시터 Ｃｓ 에 한계 치 전압 Vth 가 유지 되 어 있 다 . 그 후 에 구동 트랜지스터 Ｍｄ 를 온 시키 면 , 한계 치 전압 Vth 의 크기 에 상관없이 드레 인 전류 Ｉｄｓ 가 변동 하 지 않 는다 . 그 때문 에 , 이 한계 치 전압 보정 후 의 구동 트랜지스터 Ｍｄ 의 도통 시 에 , 가령 , 해당 도통 시 의 구동 전류 Id 에 의해 유지 커패시터 Ｃｓ 의 유지 전압 ( 게이트 소스 간 전압 Vgs ) 의 값 에 변동 이 생겼 다고 하 면 , 그 변동 량 Δ V ( 정 또는 부 ) 는 , 구동 트랜지스터 Ｍｄ 의 이동도 μ 의 변동 , 보다 엄밀 하 게 는 , 반도체 재료 의 물성 파라미터 인 순수 한 의미 에서 의 이동도 이외 에 , 트랜지스터 의 구조 상 혹은 제조 프로세스 상 에서 전류 구동력 에 영향 을 주 는 요인 의 종합 적 인 변동 을 반영 한 것 이 된다 .