한편 , N 형 반도체 층 ( 310 ) 에 대하 여 제 1 전극 ( 301 ) 및 제 2 전극 ( 302 ) 이 배치 된 측 의 반대 측 에 제 1 대전 층 ( 350 ) 이 배치 될 수 있 다 . 예 를 들 면 , 제 1 전극 ( 301 ) 및 제 2 전극 ( 302 ) 은 N 형 반도체 층 ( 310 ) 의 상부 의 양쪽 가장자리 에 배치 되 고 , 제 1 대전 층 ( 350 ) 은 N 형 반도체 층 ( 310 ) 의 하부 에 배치 될 수 있 다 . 제 1 대전 층 ( 350 ) 의 적어도 일부 는 N 형 반도체 층 ( 310 ) 과 접촉 될 수 있 다 . 제 1 대전 층 ( 350 ) 은 , 양전하 대전체 일 수 있 다 .