다음 도 6 에 도시 한 바 와 같이 , 노출 된 식각 정지 막 을 제거 하 여 하부 도전체 ( 102 ) 를 노출 한다 . 이후 기판 ( 100 ) 을 250 ~ 300 ℃ 의 온도 로 유지 한 상태 에서 원자 층 증착 법 으로 TaN 을 증착 하 여 제 1 장벽층 ( 108 ) 막 을 형성 한다 . 제 1 장벽층 ( 108 ) 은 약 1 nm 의 두께 로 형성 한다 .