워드 라인 ( Word Line , 이하 WL 이 라고 한다 ) 과 비트 라인 ( Bit Line , 이하 BL 이 라고 한다 ) 의 저항 ( Resistance ) 과 기생 캐 패 시 턴 스 ( Parasitic Capacitance ) 는 디램 ( DRAM ) 소자 의 동작 속도 , 예컨대 RAS ( Row Address Strobe Signal ) 과 CAS ( Column Address Strobe Signal ) 의 지연 ( delay ) 인 tRCD 및 사전 결정 된 BL 의 전압 레벨 ( Voltage Level ) 에 얼마나 빨리 도달 하 는지 를 나타내 는 tRP 를 결정 하 는 아주 매우 중요 한 변수 이 다 .