프로세스 스테이지 ( 20 ) 는 , 그 내부 에 공간 ( 22 ) 을 갖 고 있 으며 , 센터 링 스테이지 ( 10 ) 는 프로세스 스테이지 ( 20 ) 의 공간 ( 22 ) 내 에 수용 되 어 있 다 . 센터 링 스테이지 ( 10 ) 는 , 웨이퍼 W 의 하 면 내 의 제 1 영역 을 보유 지지 하 는 제 1 기판 보유 지지 면 ( 10 a ) 을 갖 고 있 다 . 프로세스 스테이지 ( 20 ) 는 , 웨이퍼 W 의 하 면 내 의 제 2 영역 을 보유 지지 하 는 제 2 기판 지지 면 ( 20 a ) 을 갖 고 있 다 . 제 1 영역 과 제 2 영역 은 , 웨이퍼 W 의 하 면 내 의 다른 위치 에 있 는 영역 이 다 . 본 실시 형태 에서 는 , 제 1 기판 보유 지지 면 ( 10 a ) 은 원형 의 형상 을 갖 고 , 웨이퍼 W 의 하면 의 중심 측 영역 을 보유 지지 하 도록 구성 되 어 있 다 . 제 2 기판 지지 면 ( 20 a ) 은 환형 형상 을 갖 고 , 웨이퍼 W 의 하면 의 외주 영역 을 보유 지지 하 도록 구성 되 어 있 다 . 상기 중심 측 영역 은 , 상기 외주 영역 의 내측 에 위치 하 고 있 다 . 본 실시 형태 에서 의 중심 측 영역 은 , 웨이퍼 W 의 중심점 을 포함 하 는 원형 의 영역 이 지만 , 상기 외주 영역 의 내측 에 위치 하 고 있 으면 , 웨이퍼 W 의 중심점 을 포함 하 지 않 는 환형 부위 여도 된다 . 제 2 기판 지지 면 ( 20 a ) 은 , 제 1 기판 보유 지지 면 ( 10 a ) 을 둘러싸 도록 배치 된다 . 환형 제 2 기판 지지 면 ( 20 a ) 의 폭 은 , 예 를 들 어 5 ㎜ 내지 50 ㎜ 이 다 .