일 실시 예 에 따르 면 , 제 1 마스크 패턴 들 ( 142 ) 은 셀 영역 의 제 1 희생 막 ( 130 ) 상 에서 워드 라인 들 ( WL ) 또는 비트 라인 들 ( BL ) 과 평행 할 수 있 다 . 일 실시 예 에서 , 제 1 마스크 패턴 들 ( 142 ) 은 비트 라인 ( BL ) 과 평행 하 게 형성 될 수 있 다 . 또한 , 제 1 마스크 패턴 들 ( 142 ) 은 비트 라인 들 ( BL ) 상부 에 형성 될 수 있 다 . 즉 , 평면 적 으로 제 1 마스크 패턴 들 ( 142 ) 은 비트 라인 ( BL ) 과 중첩 될 수 있 다 . 한편 , 제 1 마스크 패턴 들 ( 142 ) 은 주변 회로 영역 ( PERI ) 의 제 1 희생 막 ( 130 ) 전면 을 덮 을 수 있 다 . 즉 , 주변 회로 영역 ( PERI ) 에서 제 1 희생 막 ( 130 ) 이 노출 되 지 않 는다 .