이 어 , 도 5 및 도 7 을 참조 하 면 , 반도체 기판 ( 도 6 의 100 a 참고 ) 이 제거 된 발광 어레이 ( 100 ) 를 형성 한다 . 여기 서 , 반도체 기판 ( 100 a ) 은 리프트 오프 공정 등 을 통해 제거 될 수 있 다 . 반도체 기판 ( 100 a ) 이 제거 됨 에 따라 , 발광 소자 ( LD ) 의 제 2 전극 ( 150 ) 의 일면 , 제 2 반도체 층 ( 110 ) 의 일면 및 절연 패턴 ( 160 ) 의 일면 이 외부 로 노출 될 수 있 다 .