이후 상기 광 차단 층 ( 미 도시 ) 을 마스크 공정 을 진행 하 여 패 터닝 함 으로써 추후 형성 되 는 유기 박막 트랜지스터 ( 미 도시 ) 에 대응 하 는 부분 즉 스위칭 영역 ( TrA ) 에 대응 해서 는 상기 광 차단 층 ( alehtl ) 을 남김 으로써 광 차단 패턴 ( 103 ) 을 형성 하 고 그 외 의 영역 에 대응 해서 는 제거 한다 .