또한 , 실시 예 2 와 같이 , 2 개 의 처리 층 ( A 1 , B 1 ) 은 2 중 의 막 ( 하 층막 및 중간막 ) 을 기판 ( W ) 에 형성 해도 된다 . 나머지 3 개 의 처리 층 ( A 3 , A 2 , B 2 ) 은 , 3 중 의 막 ( 하 층막 , 중간막 및 포토레지스트 막 ) 을 기판 ( W ) 에 형성 해도 된다 . 이 경우 , 예 를 들 면 , 처리 층 ( A 3 ) 이 하 층막 을 형성 한 후 , 처리 층 ( A 2 ) 은 중간막 을 형성 한다 . 그 후 , 처리 층 ( B 2 ) 은 포토레지스트 막 을 형성 한다 . 처리 층 ( A 2 ) 으로부터 처리 층 ( B 2 ) 에 기판 ( W ) 을 반송 하 는 경우 , 실시 예 2 와 같이 , 2 개 의 기판 반송 기구 ( MHU 1 , MHU 2 ) 를 이용 하 지 않 고 기판 ( W ) 을 반송 한다 .