한편 , 반도체 소자 의 소형 화 및 고집 적 화 에 따라 패턴 의 크기 가 급속도 로 작 아 짐 에 따라 , 포토레지스트 패턴 의 쓰러짐 현상 이 발생 하 였 고 , 이 를 해소 하 고자 포토레지스트 막 두께 는 점점 얇 아 지 게 되 었 다 . 그러나 , 얇 아 진 포토레지스트 를 가지 고 형성 된 패턴 을 사용 하 여 충분 한 식각 선택 비 를 갖 고 피식 각층 을 식각 하 는 것 은 매우 어렵 다 .