상기 기판 ( 500 ) 상 에 터널 절 연막 ( 508 ) , 전하 저 장막 패턴 ( 510 ) 및 블록 킹 유전 막 ( 512 ) 을 형성 한다 . 터널 절 연막 ( 508 ) 은 실리콘 산화물 , 실리콘 산질 화물 및 / 또는 금속 산화물 등 을 사용 하 여 형성 할 수 있 다 . 상기 전하 저 장막 패턴 ( 510 ) 은 전하 를 트랩 하 거나 또는 플로팅 시킨다 . 상기 전하 저 장막 패턴 ( 510 ) 은 예 를 들 어 , 실리콘 질화물 , 알루미늄 산화물 , 하프늄 산화물 , 지르코늄 산화물 , 탄 탈륨 산화물 , 하프늄 알루미늄 산화물 , 하프늄 실리콘 산화물 , 란탄 하프늄 산화물 , 란탄 알루미늄 산화물 , 하프늄 산질 화물 , 지르코늄 산질 화물 , 하프늄 실리콘 산질 화물 , 하프늄 알루미늄 산질 화물 등 과 같이 전하 에 대한 트랩 밀도 ( trap density ) 가 높 은 절연물 을 포함 하 거나 , 나노 크리스탈 또는 퀀텀 닷 을 포함 하 는 절연물 을 포함 할 수 있 다 . 또한 , 상기 전하 저 장막 패턴 ( 510 ) 은 폴리 실리콘 으로 형성 할 수 도 있 다 .