더불 어 , 본 발명 의 실시 예 에 따른 반도체 디바이스 는 금속 으로 구성 된 패턴 , 상기 패턴 에 연결 되 어 하부 로 연장 된 랜드 및 랜드 를 감싸 도록 형성 된 절연 층 을 포함 하 는 서브 스트레이트 ; 상기 서브 스트레이트 의 상부 에 결합 된 반도체 다이 ; 및 상기 반도체 다이 를 감싸 도록 형성 된 인 캡슐 런 트 를 포함 하 고 , 상기 절연 층 은 상기 인 캡슐 런 트 와 동일 한 재질 로 형성 될 수 있 다 .