이러 한 메커니즘 에 의해 도 9 에서 볼 수 있 듯이 , 실리콘 의 상면 이 아래 로 향하 더라도 수직 방향 으로 실리콘 이 식각 되 는 이유 를 알 수 있 는데 , 이 는 전기 화학 적 작용 이 대부분 실리콘 기판 과 접하 고 있 는 부분 에서 활발 하 게 일어나 기 때문 으로 , 은 입자 ( 120 ) 와 실리콘 기판 ( 100 ) 이 가장 많이 접해 있 는 표면 과 수직 한 방향 으로 상면 에서 하 면 으로 식각 되 는 것 이 며 , 비중 이 높 은 화학 물질 이 은 입자 ( 120 ) 와 실리콘 기판 ( 100 ) 사이 에 오랫동안 많이 머무르 게 하 는 것 이 식각 속도 와 깊이 를 높일 수 있 다 .