먼저 , 도 1 a 에 도시 된 바 와 같이 , 일련 의 반도체 제조 공정 을 통해 반도체 구조물 이 형성 된 반도체 기판 ( 100 ) 을 준비 한다 . 여기 서 , 상기 반도체 구조물 은 웰 , 소자 분리 막 , 워드 라인 , 접합 영역 ( 소오 스 및 드레 인 영역 포함 ) , 랜딩 플러그 , 비트 라인 콘 택 플러그 , 비트 라인 , 층간 절 연막 및 스토리지 노드 콘 택 플러그 를 포함 한다 .