그 다음 상기 의 블랭크 마스크 를 사용 하 여 포토 마스크 를 제조 한다 . 상기 제 1 실시 예 내지 제 2 실시 예 와 동일 한 방법 으로 노광 및 현상 을 실시 하 여 포토레지스트 ( 5 a ) 패턴 을 형성 하 였 다 . 그 다음 도 4 b 와 같이 염소 ( Cl ) 계열 의 식각 가스 를 사용 하 여 하드 마스크 막 ( 4 ) 을 식각 하 여 하드 마스크 막 ( 4 ) 패턴 을 형성 하 였 다 . 이 때 하부 의 차광막 ( 2 b ) 이 약간 식각 되 었 으나 이 후 상기 하드 마스크 막 ( 4 ) 패턴 을 식각 마스크 로 하 여 동일 한 형태 의 차광막 ( 2 b ) 패턴 을 형성 하 게 되 므로 문제 가 되 지 않 는다 . 그 다음 도 4 c 와 같이 상기 포토레지스트 ( 5 a ) 패턴 을 제거 한 다음 도 4 d 와 같이 하드 마스크 막 ( 4 ) 패턴 을 식각 마스크 로 하 여 하부 의 차광막 ( 2 b ) 을 식각 하 였 다 . 이 때 하드 마스크 막 ( 4 ) 식각 이 최소 화 된 상태 에서 차광막 ( 2 b ) 을 식각 하 기 위하 여 불소 ( F ) 계열 의 식각 가스 로 식각 하 였 다 . 그 다음 상기 하드 마스크 막 ( 4 ) 패턴 을 습식 식각 으로 제거 하 여 도 4 e 와 같이 CD 특성 이 우수 한 포토 마스크 를 제조 하 였 다 . 본 실시 예 에서 는 차광막 ( 2 b ) 을 탄 탈륨 계열 의 물질 로 구성 하 고 하드 마스크 막 ( 4 ) 을 크롬 계열 의 물질 로 하 였으나 상기 제 2 실시 예 와 같이 차광막 ( 2 b ) 을 크롬 계열 의 물질 로 구성 하 고 하드 마스크 막 ( 4 ) 을 탄 탈륨 계열 의 물질 로 하 는 것 도 가능 하 다 . 이 경우 하드 마스크 막 ( 4 ) 이 염소 ( Cl ) 계열 의 식각 가스 와 불소 ( F ) 계열 의 식각 가스 에 식각 되 는 특성 을 가지 기 때문 에 염소 ( Cl ) 계열 의 식각 가스 에 식각 되 는 크롬 계열 의 차광막 ( 2 b ) 식각 시 동시 에 식각 되 므로 본 실시 예 와 달리 차광막 ( 2 b ) 식각 후 포토레지스트 ( 5 a ) 패턴 을 제거 하 는 것 이 바람직 하 다 . 이 때 제 2 실시 예 와 마찬가지 로 하드 마스크 막 ( 4 ) 표면 이 손상 될 수 있 으나 최종 적 으로 하드 마스크 막 ( 4 ) 을 제거 하 기 때문 에 문제 가 되 지 않 는다 .