도 3 b 에 도시 한 바 와 같이 , 상기 게이트 전극 ( 23 ) 에 대응 된 상기 게이트 절 연막 ( 27 ) 상 에 반도체 층 ( 33 ) 을 형성 한다 . 상기 반도체 층 ( 33 ) 은 액티브 층 ( 31 ) 과 오 믹 콘 택 층 ( 32 ) 을 포함 할 수 있 다 . 이러 한 반도체 층 ( 33 ) 의 제조 공정 은 이미 널리 공지 된 바 더 이상 의 설명 은 생략 한다 .