도 21 은 , 도 20 에 나타낸 트랜지스터 의 게이트 부근 의 전계 를 나타내 는 부분 확대 수직 단면도 이 다 . 여기 서 , 소스 가 0 V , 게이트 가 0 V , 드레 인 이 1 . 5 V 의 전위 를 각각 취한 경우 의 게이트 부근 의 전계 를 나타낸다 . 전술 한 바 와 같이 , 그 제 1 도전 성 사이드 월 구조 체의 전위 는 게이트 구조 체의 전위 와 상이 하 고 , 또한 드레 인 영역 의 전위 와 도 상이 하 지만 , 게이트 구조 체의 전위 와 비교 하 여 드레 인 영역 의 전위 에 보다 강하 게 추종 한다 . 구체 적 으로 는 , 제 1 게이트 측벽 도전 막 ( 10 - 1 ) 은 게이트 전위 0 V 와 비교 하 여 드레 인 전위 1 . 5 V 에 보다 강하 게 추종 하 기 때문 에 , 예 를 들 어 , 1 . 0 V 의 전위 를 취할 가능 성 이 있 다 . 따라서 , 제 1 게이트 측벽 도전 막 ( 10 - 1 ) 으로 구성 되 는 제 1 도전 성 사이드 월 구조 체가 전기 적 으로 부유 되 어 있 어도 , 도 21 에 나타내 는 바 와 같이 , 제 1 익스텐션 ( 9 - 1 ) 으로부터 게이트 절 연막 ( 3 ) 을 통하 여 게이트 ( 5 ) 로 달리 는 전계 가 생기 는 것 뿐 만 아니 라 , 제 1 도전 성 사이드 월 구 조체 로부터 제 1 절연성 사이드 월 구 조체 를 통하 여 게이트 구조 체의 제 1 측면 으로 달리 는 전계 도 생긴다 . 또한 , 제 1 익스텐션 ( 9 - 1 ) 및 제 3 실리사이드 층 ( 14 - 1 ) 으 로부터 제 1 게이트 측벽 도전 막 ( 10 - 1 ) 으로 달리 는 전계 가 생긴다 . 즉 , 제 1 도전 성 사이드 월 구 조체 로부터 제 1 절연성 사이드 월 구 조체 를 통하 여 게이트 구조 체의 제 1 측면 으로 달리 는 전계 가 생김 으로써 , 제 1 익스텐션 ( 9 - 1 ) 으로부터 게이트 절 연막 ( 3 ) 을 통하 여 게이트 ( 5 ) 로 달리 는 전계 의 집중 이 완화 된다 . 바꾸 어 말 하 면 , 제 1 도전 성 사이드 월 구 조체 를 포함 하 는 제 1 사이드 월 구조 체의 존재 는 게이트 - 드레 인 사이 의 전계 집중 을 완화 시킨다 .