공정 S 12 는 , 감압 가능 한 처리 용기 내 에 , 오 목부 에 실리콘 이 흡착 된 기판 을 수용 하 고 , 기판 을 소정 온도 로 가열 한 상태 에서 , 처리 용기 내 에 가스 화 한 Ru 함유 전구체 를 공급 해서 오 목부 에 Ru 막 을 형성 하 는 공정 이 다 . 공정 S 12 에서 는 , 오 목부 ( T ) 에 흡착 된 실리콘 ( F 3 ) 이 Ru 함유 전구체 의 흡착 사이트 로서 기능 하 여 , 실리콘 ( F 3 ) 상 에 Ru 함유 전구체 가 화학 흡착 된다 . 이때 , 실리콘 ( F 3 ) 이 오 목부 ( T ) 에 컨 포 멀 하 게 형성 되 어 있 기 때문 에 , 도 2 의 ( c ) 에 도시 된 바 와 같이 , Ru 막 ( F 4 ) 도 오목 부 ( T ) 에 컨 포 멀 하 게 형성 된다 . 또한 , Ru 막 ( F 4 ) 의 일부 는 실리콘 ( F 3 ) 과 화학 흡착 해서 RuSi 막 이 된다 . 이하 , 가스 화 한 Ru 함유 전구체 를 간단히 Ru 함유 전구체 라고 도 칭한다 .