이러 한 목적 들 을 달성 하 기 위하 여 , 본 발명 에 따른 MIM 커패시터 제조 방법 은 먼저 실리콘 기판 에 알루미늄 , 질화 막 , 티타늄 / 티타늄 - 나이트 라이드 층 을 순차 적 으로 적층 한 후 , 질화 막 과 티타늄 / 티타늄 - 나이트 라이드 층 을 선택 적 으로 식각 한다 . 이 때 , 커패시터 의 옆면 이 경사진 형상 을 갖 도록 식각 한다 . 이렇게 형성 한 제 1 MIM 구조 의 커패시터 상 에 산화 막 과 티타늄 / 티타늄 - 나이트 라이드 층 을 형성 한 후 , 산화 막 과 티타늄 / 티타늄 - 나이트 라이드 층 을 선택 적 으로 식각 한다 . 이 때 에 도 커패시터 의 옆면 이 경사진 형태 가 되 도록 한다 .