이어서 , 반도체 기판 ( 10 ) 상 에 하드 마스크 를 형성 한다 . 하드 마스크 로 는 반도체 기판 에 대해 고 선택 비 를 갖 는 니켈 하드 마스크 ( 11 ) 를 사용 한다 . 이 와 같이 반도체 기판 ( 10 ) 에 대해 고 선택 비 를 갖 는 니켈 하드 마스크 ( 11 ) 를 사용 하 면 하드 마스크 의 두께 를 얇 게 형성 할 수 있 으므로 , 하드 마스크 의 이방성 식각 이 용이 해져 후속 하드 마스크 식각 으로 형성 되 는 하드 마스크 패턴 의 테이퍼 링 ( tapering ) 현상 또는 패 시 팅 ( faceting ) 현상 등 과 하드 마스크 패턴 측벽 에 식각 부산물 이 재 증착 되 는 현상 을 방지 할 수 있 고 , 그 에 따라 후속 트렌치 형성 공정 을 위한 식각 시 트렌치 프로파일 의 개선 및 깊이 증가 가 가능 하 다 . 여기 서 , 니켈 하드 마스크 ( 11 ) 는 DC 스퍼터링 ( sputtering ) 장비 를 사용 하 고 증착 되 고 , 바람직 하 게 는 2000 Å 정도 의 두께 를 갖 도록 형성 된다 .