반도체 제조 기술 의 발전 과 더불 어 , 고밀도 메모리 에 대한 요구 가 계속 되 어 오 고 있 다 . 이러 한 요구 를 충족 시키 기 위해서 다양 한 방법 들 이 제안 되 어 오 고 있 다 . 그러 한 방법 들 중 하나 는 3 차원 어레이 구조 ( Three - Dimentional Array Structure ) 를 갖 는 메모리 장치 ( 이하 , " "" 3 차원 메모리 장치 "" 라 칭함 ) 를 제공 하 는 것 이 다 . 3 차원 메모리 장치 를 구현 하 기 위한 기술 들 이 미국 특허 제 5835396 호 ( 1998 . 12 . 7 ) 에 "" THREE - DIMENTIONAL READ - ONLY MEMORY "" 라는 제목 으로 "," 미국 특허 제 6034882 호 ( 2000 . 3 . 7 ) 에 "" VERTICALLY STACKED FIELD PROGRAMMABLE NONVOLATILE MEMORY AND METHOD OF FABRICATION "" 라는 제목 으로 "," 그리고 미국 특허 제 7002825 호 ( 2006 . 2 . 21 ) 에 "" WORD LINE ARRANGEMENT HAVING SEGMENTED WORD LINES "" 라는 제목 으로 각각 게재 되 어 있 으며 ", 이 출원 의 레퍼런스 로 포함 된다 .