도 3 g 를 참조 하 면 , 상기 제 2 마스크 패턴 ( M 2 ) 이 노출 될 때 까지 상기 소자 분리 막 용 절 연막 ( 310 a ) 을 식각 한 후 , 상기 제 2 마스크 패턴 을 제거 하 여 , 이 를 통해 , 상기 활성 영역 의 양측 가장자리 , 바람직 하 게 는 , 활성 영역 의 제 2 에 피 실리콘 막 ( 308 ) 양측 가장자리 에 대응 되 는 부분 이 도출 되 는 소자 분리 막 ( 310 ) 을 형성 한다 .