레이어 스택 ( 20 ) 이 도 3 a 및 3 b 에 도시 된 화합물 반도체 레이어 들 , 즉 , 제 1 화합물 반도체 레이어 ( 21 ) , 제 2 화합물 반도체 레이어 ( 22 ) 및 제 3 화합물 반도체 레이어 ( 23 ) 를 포함 하 는 한 , 본 발명 의 수직 화합물 반도체 레이어 구조 ( 100 ) 는 수직 채널 개구 ( 13 ) 내 에 배치 되 는 트랜지스터 구조 로서 구현 될 수 있 다 . 보다 정확 하 게 는 , 이것 은 수직 다이폴 라 트랜지스터 이 다 .