이후 , 도 1 에 도시 된 바 와 같이 기판 ( 110 ) 의 하부 면 에 형성 된 각각 의 볼 랜드 ( 114 ) 에 외부 접속 단자 ( 170 ) 로 사용 되 는 솔 더 볼 을 올려 놓 고 , 솔 더 가 녹 는 온도 에서 리플 로우 공정 을 진행 하 여 각각 의 볼 랜드 ( 114 ) 에 구 형상 의 외부 접속 단자 ( 170 ) 를 접속 시킴 으로써 , 본 발명 에 의하 적층 반도체 패키지 ( 200 ) 의 제조 를 완 료 한다 .