계속 해서 , 도 7 d 에 나타나 있 는 바 와 같이 제 1 실시 예 와 마찬가지 로 , 레지스 트 패턴 ( 93 ) 의 제거 로부터 레지스 트 패턴 ( 92 ) 의 형성 까지 의 처리 를 행한다 . 다음 , 레지스 트 패턴 ( 92 ) 을 마스크 로 하 여 NSG 막 ( 26 ) 등 의 에칭 을 행함 으로써 , 컨 택트 홀 ( 27 t , 27 b ) 을 형성 한다 .