다음 으로 , 에칭 스탑 층 ( 500 ) 을 형성 하 기 위해 전체 상부 에 감광막 ( 미 도시 ) 을 도포 한 후 사진 및 현상 공정 으로 감광막 을 패 터닝 한다 . 감광막 은 p 형 전극 층 ( 400 ) 사이 의 p 형 반도체 층 ( 300 ) 의 소정 영역 이 노출 되 도록 패 터닝 된다 . 그리고 , 패 터닝 된 감광막 을 포함 한 전체 상부 에 진공 증착 방법 으로 에칭 스탑 층 ( 500 ) 을 형성 한다 . 에칭 스탑 층 ( 500 ) 은 n 형 반도체 층 ( 100 ) , 활성 층 ( 200 ) 및 p 형 반도체 층 ( 300 ) 을 이루 는 GaN 과 식각 선택 비 가 차이 나 는 물질 을 이용 하 여 형성 하 는데 , 예 를 들 어 MgO , Al 2 O 3 , ZrO 2 , IrO 2 , RuO 2 , TaO 2 , WO 3 , VO 3 , HfO 2 , RhO 2 , NbO 2 , YO 3 , ReO 3 등 의 산화물 을 이용 하 여 형성 한다 . 이후 아세톤 등 에 디 핑 ( dipping ) 하 여 감광막 패턴 및 그 상부 에 증착 된 에칭 스탑 층 ( 500 ) 을 리프트 오프 ( lift off ) 하 여 제거 한다 . 따라서 , p 형 전극 층 ( 400 ) 사이 에 는 에칭 스탑 층 ( 500 ) 이 잔류 하 게 되 는데 , 에칭 스탑 층 ( 500 ) 은 p 형 전극 층 ( 400 ) 과 소정 간격 이격 되 어 형성 된다 . 또한 , 에칭 스탑 층 ( 500 ) 을 p 형 전극 층 ( 400 ) 사이 에 형성 하 는 다른 방법 으로 예 를 들 어 MgO 를 증착 한 후 감광막 을 도 포 하 고 , 소정 의 마스크 를 이용 한 사진 및 현상 공정 으로 감광막 을 패 터닝 한 후 HCl 등 의 용액 을 이용 하 여 감광막 패턴 에 의해 노출 된 MgO 를 에칭 할 수 도 있 다 .