그 다음 위상 반전 포토 마스크 를 제조 한다 . 먼저 도 5 b 와 같이 포토레지스트 ( 5 a ) 에 노광 및 현상 을 실시 하 여 포토레지스트 ( 5 a ) 패턴 을 형성 하 고 도 5 c 내지 도 5 d 와 같이 상기 포토레지스트 ( 5 a ) 패턴 을 식각 마스크 로 하 여 하드 마스크 막 ( 4 ) 과 차광막 ( 2 b ) 을 염소 ( Cl ) 계열 의 식각 가스 를 사용 하 여 식각 한다 . 상기 하드 마스크 막 ( 4 ) 과 차광막 ( 2 b ) 이 염소 ( Cl ) 계열 의 식각 가스 에 대한 식각 속도 가 다르 기 때문 에 식각 조건 을 약간 씩 다르 게 하 여 식각 하 였 다 . 상기 탄 탈륨 계열 의 하드 마스크 막 ( 4 ) 은 불소 ( F ) 계열 의 식각 가스 로 도 식각 가능 하 며 그 하부 의 몰 리브 데 늄 실리사이드 ( MoSi ) 계열 의 위상 반 전막 ( 6 ) 이 불소 ( F ) 계열 의 식각 가스 에 식각 되 기 때문 에 차광막 ( 2 b ) 식각 에 연속 하 여 위상 반 전막 ( 6 ) 을 식각 하 는 것 도 가능 하 나 좀 더 고품질 의 포토 마스크 를 제조 하 기 위하 여 염소 ( Cl ) 계열 의 식각 가스 로 식각 하 는 것 이 바람직 하 다 . 그 다음 도 5 e 와 같이 불소 ( F ) 계열 의 식각 가스 로 위상 반 전막 ( 6 ) 을 식각 하 였 다 . 이 때 하드 마스크 막 ( 4 ) , 차광막 ( 2 b ) , 위상 반 전막 ( 6 ) 과 포토레지스트 ( 5 a ) 와 의 식각 비 가 크 지 않 기 때문 에 도 5 d 내지 도 5 e 에서 와 같이 포토레지스트 ( 5 b ) 가 식각 되 어 얇 은 두께 만 남 았 다 . 이 때 건식 식각 조건 에 따라 완전히 제거 될 수 도 있 으며 어느 경우 라 하 더라도 하드 마스크 막 ( 4 ) 표면 에 만 손상 이 발생 되 기 때문 에 차광막 ( 2 b ) 에 는 영향 을 주 지 않 는다 . 그 다음 도 5 f 내지 도 5 g 와 같이 상기 의 방법 으로 포토레지스트 ( 5 b ) 잔 막 을 제거 하 고 습식 식각 에 의해 크롬 계열 의 하드 마스크 막 ( 4 ) 을 제거 하 였 다 . 상기 의 결과 로 투과 패턴 과 차광 패턴 이 정의 되 며 세정 을 실시 하 여 상기 공정 중 에 발생 하 는 이물 을 제거 하 였 다 . 그 다음 도 5 h 와 같이 상기 차광 패턴 과 투과 패턴 이 정의 된 마스크 표면 에 상기 의 포토레지스트 ( 5 a ) 를 다시 코팅 하 였 다 . 그 다음 도 5 i 와 같이 새로운 위상 반전 패턴 을 정의 하 도록 노광 및 현상 하 여 포토레지스트 ( 5 a ) 패턴 을 형성 하 였 다 . 그 다음 상기 탄 탈륨 계열 의 차광막 ( 2 b ) 을 염소 ( Cl ) 계열 의 식각 가스 로 식각 하 여 투과 패턴 의 에지 ( Edge ) 에서 위상 반 전막 ( 6 ) 이 드러나 도록 하 였 다 . 상기 차광막 ( 2 b ) 은 불소 ( F ) 계열 의 식각 가스 로 도 식각 가능 하 나 그 하부 의 위상 방전 막 표면 이 손상 되 지 않 도록 하 기 위하 여 염소 ( Cl ) 계열 의 식각 가스 로 식각 하 였 다 . 그 다음 포토레지스트 ( 5 a ) 패턴 을 제거 하 면 본 실시 예 에 의한 위상 반전 포토 마스크 가 완성 된다 .