이상 과 같 은 본 발명 의 연속 기판 처리 시스템 ( 200 ) 은 예 를 들 어 , 반도체 집 적 회로 장치 , 평판 디스플레이 장치 , 태양 전지 등 과 같 은 다양 한 반도체 장치 들 의 제조 를 위한 웨이퍼 기판 , 유리 기판 , 플라스틱 기판 등 과 같 은 피 처리 기판 의 연속 처리 를 위한 것 이 다 . 연속 기판 처리 시스템 ( 200 ) 은 예 들 들 어 , 도 34 및 도 35 에 도시 된 바 와 같 은 단일 접합 a - Si : H 박막 태양 전지 나 도 36 에 도시 된 바 와 같 은 nc - Si : H 박막 태양 전지 를 제조 하 기 위한 기판 처리 공정 을 수행 한다 . 또는 도 37 에 도시 된 바 와 같 은 a - Si : H 를 이용 한 적층 형 태양 전지 를 제조 하 하 기 위한 기판 처리 공정 을 수행 한다 . 이러 한 연속 기판 처리 공정 을 수행 하 기 위해 연속 기판 처리 시스템 ( 200 ) 의 복수 개이 공정 챔버 ( 210 , 220 , 230 ) 는 피 처리 기판 의 기판 처리 를 위한 공정 순서 에 따라 적절 한 배치 구조 를 가질 수 있 다 .