메모리 어레이 를 포함 한 , 본 명세서 에 설명 된 디바이스 는 실리콘 , 게르마늄 , 실리콘 - 게르마늄 합금 , 갈륨 비소 , 질화 갈륨 등 과 같 은 반도체 기판 상 에 형성 될 수 있 다 . 일부 예 에서 , 기판 은 반도체 웨이퍼 이 다 . 다른 예 에서 , 기판 은 SOG ( silicon - on - glass ) 또는 SOP ( silicon - on - sapphire ) 와 같 은 SOI ( silicon - on - insulator ) 기판 , 또는 다른 기판 상 의 반도체 재료 의 에피 택 셜 층 일 수 있 다 . 기판 , 또는 기판 의 서브 - 영역 의 전도 성 은 인 , 붕소 , 또는 비소 를 포함 하 지만 이 에 한정 되 지 않 는 다양 한 화학종 을 사용 하 는 도핑 을 통해 제어 될 수 있 다 . 도핑 은 기판 의 초기 형성 또는 성장 동안 , 이온 주입 에 의해 , 또는 임의 의 다른 도핑 수단 에 의해 수행 될 수 있 다 .