도 12 에 , 폴리에스테르 기판 위 에 배열 된 노출 된 금속 영역 을 표면 가공 하 는 방법 을 설명 하 는 순서도 ( 1200 ) 가 제공 된다 . 1202 에서 , 본 구체 화 의 방법 은 기판 위 에 배열 된 노출 된 금속 층 을 가지 는 폴리에스테르 기판 을 얻 는다 . 기판 위 에 배열 된 노출 된 금속 층 을 가지 는 폴리에스테르 기판 에 대한 설명 은 도 11 B 에 제공 된다 . 본 구체 화 에서 , 폴리에스테르 기판 ( 1002 ) 은 PET 또는 PEN 등 과 같 은 물질 로 구성 되 어 있 다 . 게다가 , 본 발명 에 따른 다양 한 구체 화 에서 , 폴리에스테르 기판 ( 1002 ) 은 열가소성 물질 로 구성 되 어 있 다 . 상술 한 것 처럼 , 금속 층 ( 1104 ) 의 부분 ( 1104 g , 1104 h , 1104 i , 1104 j ) 은 노출 된 금속 영역 을 구성 하 고 있 다 . 일 구체 화 에서 , 금속 층 ( 1104 ) 및 , 노출 된 금속 영역 ( 1104 g , 1104 h , 1104 i , 1104 j ) 은 구리 로 구성 되 어 있 다 . 금속 층 은 전도성 트레이스 의 패턴 , 접착 패드 , 랜딩 패드 등 을 궁극 적 으로 포함 한다 . 본 발명 에 따른 구체 화 는 또한 폴리에스테르 기판 ( 1102 ) 의 양쪽 ( 상부 쪽 및 하부 쪽 ) 위 에 배열 된 노출 된 금속 층 을 가지 는 폴리에스테르 기판 에 하 기 에서 설명 하 는 마스킹 공정 을 적절 하 게 실행 할 수 있 다 . 구리 는 빠르 게 산화 하 는 화학 적 으로 활성 이 있 는 금속 이 다 . 그러므로 , 노출 된 금속 영역 ( 1104 g , 1104 h , 1104 i , 1104 j ) 이 표면 가공 공정 을 거치 지 않 은 경우 , 금속 영역 이 빠르 게 산화 되 기 때문 에 이어지 는 솔 더 공정 에 부적합 하 게 될 것 이 다 . 금속 층 ( 1104 ) 이 상술 한 것 처럼 구리 를 포함 하 고 있 지만 , 본 발명 에 따른 구체 화 는 구리 이외 의 다른 금속 을 포함 하 는 금속 층 을 또한 적절 하 게 이용 할 수 있 다 .