또한 , 반도체 기판 ( 100 ) 과 베이스 기판 ( 120 ) 을 본 딩 시킨 후 에 행하 는 가 열처리 로서 , RTA ( Rapid Thermal Anneal ) 장치 등 의 급속 가열 을 행할 수 있 는 장치 를 사용 하 는 것 이 바람직 하 다 . 이러 한 장치 를 사용 함 으로써 , 열처리 시간 의 단축 화 를 도모 할 수 있 다 . 또한 베이스 기판 ( 120 ) 의 왜곡 점 보다 높 은 온도 를 이용 할 수 있 다 . 또한 , RTA 장치 로서 는 , 고온 의 가스 를 이용 하 여 가 열처리 를 행하 는 GRTA ( Gas Rapid Thermal Anneal ) 장치 또는 램프 광 에 의해 가 열처리 를 행하 는 RTA ( Lamp Rapid Thermal Anneal ) 장치 를 이용 할 수 있 다 .