차세대 의 반도체 디바이스 를 제조 하 기 위한 요소 기술 중 하나 로서 , EUV ( 극자외선 광 ) 리소그래피 가 주목 받 고 있 다 . EUV 리소그래피 는 , 노광 광원 으로서 파장 13 . 5 ㎚ 의 EUV 광 을 이용 하 는 패턴 형성 기술 이 다 . EUV 리소그래피 에 의하 면 , 반도체 디바이스 제조 프로세스 의 노광 공정 에 있 어서 , 매우 미세 한 레지스 트 패턴 ( 예 를 들 어 20 ㎚ 이하 ) 을 형성 할 수 있 는 것 이 실증 되 어 있 다 .