도 1 을 참조 하 면 , 석영 과 같 은 마스크 기판 ( 100 ) 상 에 광차 단막 ( 110 ) 및 레지스 트 막 ( 120 ) 을 순차 적 으로 형성 한다 . 광차 단막 ( 110 ) 은 크롬 ( Cr ) 막 을 포함 하 여 형성 할 수 있 다 . 본 발명 의 실시 예 에서 는 바이너리 구조 를 갖 는 포토 마스크 를 예 를 들 어 설명 하 였으나 , 경우 에 따라 위상 반전 층 을 갖 는 포토 마스크 가 이용 될 수 있 다 .