상기 한 바 와 같이 본 발명 은 RF 전력 발생기 에서 전송로 를 통해 반도체 제조 장비 의 임피던스 정합 기 로 전송 된 RF 전력 이 전송로 로 되돌아오 는 반사파 를 측정 하 여 반사파 의 크기 에 따라 전송로 상 의 임피던스 를 가변 시켜 발명 은 RF 전력 발생기 와 반도체 제조 장비 의 임피던스 정합 기간 의 임피던스 를 정합 시킴 으로써 전력 손실 을 감소 시킬 수 있 는 장점 이 있 다 .