또한 , 본 발명 의 한 실시 형태 에 관한 반도체 장치 에서 는 , 종래 의 플로팅 게이트 형 트랜지스터 에서 지적 되 어 있 는 게이트 절연 층 ( 터널 절 연막 ) 의 열화 라고 하 는 문제 가 존재 하 지 않 는다 . 즉 , 문제 로 간주 되 었 던 , 전자 를 플로팅 게이트 에 주입 할 때 의 게이트 절연 층 의 열화 라고 하 는 문제 를 해소 할 수 있 다 . 이것 은 원칙 적 으로 기입 횟수 의 제한 이 존재 하 지 않 는 것 을 의미 하 는 것 이 다 . 또한 , 종래 의 플로팅 게이트 형 트랜지스터 에서 기입 이나 소거 시 에 필요 했 던 고전압 도 불 필요 하 다 .