이러 한 요구 에 부응 하 여 , 반도체 소자 의 금속 배선 을 형성 함 에 있 어서 구리 ( Cu ) 박막 은 알루미늄 ( Al ) 에 비해 녹는점 이 높 아 전기 이동도 ( electro - migration : EM ) 에 대한 저항 이 커서 반도체 소자 의 신뢰 성 을 향상 시킬 수 있 고 , 비저항 이 낮 아 신호 전달 속도 를 증가 시킬 수 있 어 , 집적회로 에 유용 한 상호 연결 재료 ( interconnection material ) 로 사용 되 고 있 다 .