이러 한 문제 를 해소 하 기 위해서 , 이하 의 방법 이 제안 되 어 있 다 ( 특허 문헌 1 을 참조 ) . 구체 적 으로 는 , 먼저 반도체 기판 의 표면 에 수용성 재료 의 층 을 포함 하 는 마스크 를 형성 한다 . 이어서 , 마스크 에 대하 여 레이저 를 조사 하 여 , 마스크 의 일부 를 분해 제거 함 으로써 , 마스크 의 일부 에서 반도체 기판 의 표면 을 노출 시킨다 . 그 후 , 플라 즈 마 에칭 에 의해 마스크 의 일부 로부터 노출 된 반도체 기판 을 절단 하 여 , 반도체 기판 을 반도체 칩 ( IC ) 으로 분할 한다 .