이어서 , 게이트 패턴 의 측벽 에 게이트 스 페이서 ( 25 ) 를 형성 한다 . 이때 , 게이트 스 페이서 ( 25 ) 는 질화 막 또는 질화 막 과 산화 막 의 이중 층 으로 구성 될 수 있 고 , 이 들 물질 증착 후 에 건식 식각 공정 ( 이 를 ' 스 페이서 식각 ' 이라고 함 ) 에 의해 형성 되 며 , 건식 식각 후 에 는 반도체 기판 ( 21 ) 의 표면 이 드러나 도록 한다 .