도 4 는 일부 실시 형태 에 따른 메모리 셀 , 즉 도 1 의 메모리 셀 ( 112 ) 의 IV 특징 을 도시 하고 있 다 . 도 4 에 도시 하 는 수평축 은 메모리 셀 의 셀 렉터 엘리먼트 의 양단 전압 을 나타내 고 , 도 4 에 도시 하 는 수직 축 은 메모리 셀 의 셀 렉터 엘리먼트 의 관통 전류 를 나타낸다 . 도 4 에서 , 특성 곡선 OTS _ ON 및 OTS _ OFF 는 메모리 셀 의 셀 렉터 엘리먼트 의 도통 상태 및 비 도통 상태 의 IV 특징 을 나타낸다 . 특성 곡선 HRS _ IV 및 LRS _ IV 는 메모리 셀 의 고저 항 상태 및 저 저항 상태 의 IV 특징 을 나타낸다 . 일부 실시 형태 에서 , 셀 렉터 엘리먼트 의 특성 곡선 ( OTS _ ON ) 은 메모리 셀 의 특성 곡선 ( HRS _ IV ) 과 교차 하 지만 , 메모리 셀 의 특성 곡선 ( LRS _ IV ) 과 는 교차 하 지 않 는다 .