이어서 , 상기 의 보호 층 ( 102 ) 을 마스크 로 하 여 에칭 을 행하 고 , 보호 층 ( 102 ) 으로 덮 어 져 있 지 않 은 영역 ( 노출 되 어 있 는 영역 ) 의 , 기판 ( 100 ) 의 일부 를 제거 한다 . 이 에 의해 다른 반도체 영역 과 분리 된 반도체 영역 ( 104 ) 이 형성 된다 ( 도 10 b 참조 ) . 그 에칭 에 는 , 건식 에칭 을 사용 하 는 것 이 적합 하 지만 , 습식 에칭 을 사용 해도 된다 . 에칭 가스 나 에칭 액 에 대해서 는 피 에칭 재료 에 따라서 적절히 선택 할 수 있 다 .