다음 으로 , 도 4 및 도 5 를 참조 하 면 , 도시 한 바 와 같이 반도체 기판 ( 300 ) 을 빠른 열처리 ( RTP : Rapid Thermal Process ) 장비 또는 전기로 에 장입 하 여 후열 처리 를 통해 실리사이드 ( 310 , 320 ) 를 형성 한다 . 실리사이드 ( 310 , 320 ) 형성 에 이용 되 지 않 고 남 은 Ti 금속 박막 ( 306 ') 을 제거 한 후 반도체 기판 ( 300 ) 을 어닐링 하 여 실리사이드 의 상 을 안정 화 시킴 으로써 낮 은 저항 의 실리사이드 ( 310 , 320 ) 를 완성 한다 .