다음 에 , 도 28 b 에 도시 하 는 바 와 같이 , 광전 변환 층 에 개구 ( C 1 내지 Cn ) 를 형성 한다 . 개구 ( C 1 내지 Cn ) 는 p 형 반도체 층 ( 14 ) , i 형 반도체 층 ( 16 ) , n 형 반도체 층 ( 18 ) 을 관통 하 는 개구 이 고 , 제 1 전극 ( 12 ) 표면 혹은 측면 이 노출 되 도록 가공 한다 . 개구 ( C 1 내지 Cn ) 는 소정 의 간격 을 두 고 개수 ( M 0 내지 Mn ) 에 인접 하 도록 형성 한다 . 이 공정도 레이저 가공 에 의하 여 행할 수 있 다 .