다음 에 , 진공 챔버 내 를 진공 흡인 한 후 , 진공 챔버 내 에 Ar 가스 를 도입 하 면서 , ZnS － SiO 2 타 겟 을 스퍼터링 하 여 , 막 두께 52 nm 의 ZnS － SiO 2 막 ( 4 a ) 을 Ge 산화 물막 ( 2 b ) 상 에 성막 하 였 다 . 그리고 , ZnS － SiO 2 막 ( 4 a ) 의 조성 비 ( 원 자비 ) ZnS : SiO 2 를 80 : 20 으로 조제 했 다 .