본 발명 의 전도성 고분자 는 아닐린 , 피롤 , 티오펜 또는 3 , 4 - 에틸렌 디 옥시 티오펜 등 과 같 은 전도성 고분자 합성 용 모노머 또는 이 로부터 변성 된 변성 전도성 고분자 용 모노머 로부터 합성 된 전도성 고분자 로서 , 전도성 고분자 내 에 고분자 도판 트 겸 템 플레이트 로서 셀 루로 오스 계 화합물 을 사용 하 여 합성 한 전도성 고분자 이 다 . 이 전도성 고분자 의 표면 저항 이 108 오 움 / 면적 이하 인 것 이 바람직 하 다 . 합성 된 전도성 고부 낮 의 표면 저항 은 낮 을수록 좋 으나 , 표면 저항 이 108 오 움 / 면적 이상 이 면 전기전도도 가 너무 낮 아 큰 효과 를 얻 지 못할 우려 가 있 어 불리 하 다 .