판독 동작 동안 , 메모리 소자 ( 12 ) 의 상태 는 적절 한 세트 의 컨 덕 터 ( 16 및 18 ) 에 감지 전압 ( sensing voltage ) 을 인가 함 으로써 감지 될 수 있 다 . 그것 의 이력 에 따라 , 이런 방법 으로 처리 되 는 메모리 소자 는 높 은 저항 상태 에 있 거나 낮 은 저항 상태 에 있 을 수 도 있 다 . 따라서 , 메모리 소자 의 저항 은 어떤 디지털 데이터 가 메모리 소자 에 의해 저장 되 고 있 는지 를 결정 한다 . 예 를 들 어 , 메모리 소자 가 높 은 저항 을 갖 는 경우 , 그 메모리 소자 는 논리 1 ( 즉 , " "" 1 "" 비트 ) 을 포함 한다고 할 수 도 있 다 . 한편 ", 메모리 소자 가 낮 은 저항 을 갖 는 경우 , 그 메모리 소자 는 논리 0 ( 즉 , " "" 0 "" 비트 ) 을 포함 한다고 할 수 도 있 다 . 기록 동작 동안 ", 메모리 소자 의 상태 는 적절 한 세트 의 컨 덕 터 ( 16 및 18 ) 에 의 적절 한 기록 신호 의 인가 에 의해 변경 될 수 있 다 .