종래 에 는 주로 탄화규소 산화 막 형성 기술 의 경우 나이 트릭 옥사이드 ( NO ) 또는 나이 트러스 옥사이드 ( N 2 O ) 가스 등 을 이용 하 여 직접 산화 또는 후 열처리 ( post annealing ) 를 통하 여 제작 한다 . 이때 계면 에 존재 하 는 질소 는 산화 막 과 탄화규소 의 계면 에서 탄소 들 끼리 뭉치 는 현상 을 억제 하 고 실리콘 , 탄소 , 산소 등 의 연결 되 지 못한 빈 자리 를 채우 는 등 그 결함 들 의 에너지 상태 를 탄화규소 밴드 갭 외 의 에너지 상태 로 이동 , 즉 계면 에 존재 하 는 결함 을 줄여 줌 으로써 채널 에서 전자 이동도 를 크 게 향상 시키 게 된다 .