먼저 , 도 3 a 에 는 버퍼 산화 막 ( 18 ) 및 하드 마스크 용 질화 막 ( 20 ) 이 적층 된 캐 핑 막 을 포함 하 는 제 1 전극 ( 16 ) 을 기판 ( 10 ) 위 에 형성 한 상태 를 도시 하 였 다 . 제 1 전극 ( 16 ) 의 형성 과정 은 종래 의 방법 과 동일 하 므로 이 에 대한 설명 은 생략 하 기 로 한다 . 또한 , 도 3 a 는 제 1 전극 ( 16 ) 을 패 터닝 한 후 에 제 1 전극 의 측벽 에 도 1 a 에서 와 같이 측벽 산화 막 ( 22 ) 을 형성 하 지 않 은 상태 를 나타낸다 . 아울러 , 제 1 전극 ( 16 ) 이 형성 되 지 않 은 기판 ( 10 ) 의 다른 활성 영역 위 에 는 전하 저장 층 ( 14 ) 이 제거 되 지 않 고 잔존 해 있 다 .