보다 구체 적 으로 는 , 예 를 들 면 , 개구 ( 153 ) 를 포함 하 는 영역 에 PVD 법 에 의해 티타늄 막 을 얇 게 형성 하 고 , CVD 법 에 의해 질화 티타늄 막 을 얇 게 형성 한 후 에 , 개구 ( 153 ) 에 매립 하 듯이 텅스텐 막 을 형성 하 는 방법 을 적용 할 수 있 다 . 여기 에서 , PVD 법 에 의해 형성 되 는 티타늄 막 은 , 피형 성면 의 산화 막 ( 자연 산화 막 등 ) 을 환원 하 여 , 하부 전극 등 ( 여기 서 는 소스 전극 또는 드레 인 전극 ( 142 b ) ) 과 의 접촉 저항 을 저감 시키 는 기능 을 가진다 . 또한 , 그 후 에 형성 되 는 질화 티타늄 막 은 , 도전 성 재료 의 확산 을 억제 하 는 배리 어 기능 을 구비 한다 . 또한 , 티타늄 이나 질화 티타늄 등 에 의한 배리 어막 을 형성 한 후 에 , 도금 법 에 의해 구리 막 을 형성 해도 좋 다 .