또 , 상기 게이트 배선 ( 120 ) , 게이트 전극 ( 102 ) 및 상기 제 1 게이트 패드 라인 ( 150 a ) 을 포함 하 는 기판 ( 100 ) 상 에 게이트 절 연막 ( 105 ) 이 형성 된다 . 여기 서 , 상기 게이트 절 연막 ( 105 ) 은 산화 실리콘 막 , 질화 실리콘 막 또는 이 들 의 적층 막 으로 형성 될 수 있 다 . 또 , 상기 게이트 절 연막 ( 105 ) 은 상기 다수 의 게이트 배선 ( 120 ) 중 일부 , 즉 , 상기 제 1 게이트 패드 라인 ( 150 a ) 이 형성 되 지 않 은 게이트 배선 ( 120 ) 의 끝단 을 노출 하 는 콘 텍 홀 ( P ) 이 형성 되 어 있 다 .