도 9 a 를 참조 하 건대 , 본 발명 에서 는 반전 전하량 ( QSW ) 으로서 28 μ C / ㎠ 이상 의 값 이 얻 어 지 고 있 고 , 이 는 특허 문헌 2 에서 얻 어 진 값 ( 20 μ C / ㎠) 을 크 게 상회 하 고 있 다 . 또한 , 도 9 b 를 참조 하 건대 , 누설 전류 는 특히 도 5 g 의 열처리 공정 을 10 % 이상 의 산소 농도 에서 행하 였을 경우 에 , 크 게 저감 할 수 있 다는 것 을 알 수 있 다 . 이 는 앞서 도 2 에서 설명 한 제 2 산화 이리듐 막 ( 17 ) 중 에서 의 보이드 형성 이 효과 적 으로 잘 억제 되 고 있 는 것 을 나타내 고 있 다 . 한편 , 상기 도 5 g 의 열처리 공정 에서 의 산소 농도 가 1 % 인 경우 에 는 큰 누설 전류 가 생기 고 있 지만 , 이 는 앞서 도 2 에서 설명 한 보이드 가 제 2 산화 이리듐 막 ( 17 ) 내 에 대 규모 로 생기 고 있 는 것 을 나타내 고 있 다 .