도 16 에 도시 된 트랜스퍼 게이트 에 대한 바람직 한 실시 예의 또 다른 특성 은 비트 라인 과 최종 의 Vdd 사이 의 경로 에서 트랜스퍼 게이트 ( 750 ) 내 p - 트랜지스터 ( 752 ) 의 구성 을 갖 는 것 이 며 , p - 트랜지스터 는 도 12 a 에 도시 된 바 와 같이 이전 의 예비 충전 회로 ( 640 ') 에서 이전 의 p - 트랜지스터 ( 644 ) 의 풀 업 기능 을 제공 한다 . 그러므로 , 도 16 에서 개선 된 감지 모듈 ( 480 ) 에서 예비 충전 회로 ( 640 ) 는 풀 업 을 위한 p - 트랜지스터 를 더 이상 요구 하 지 않 는다 . 예비 충전 회로 ( 640 ) 은 Vdd 에 간단 하 게 연결 된다 . 트랜스퍼 게이트 는 예비 충전 작업 동안 턴 온 되 어 Vdd 에 풀 업 을 실시 한다 .