도 2 b 및 3 b 를 참조 하 면 , 상기 제 1 내지 제 3 희생 마스크 패턴 ( 104 a ~ 104 c ) 과 상기 식각 대상 막 ( 102 ) 표면 을 따라 스 페이서 막 ( 도시 안함 ) 을 형성 한다 . 상기 스 페이서 막 은 상기 제 1 내지 제 3 희생 마스크 패턴 ( 104 a ~ 104 c ) 과 다른 식각 특성 을 갖 는 물질 로 이루어질 수 있 다 . 예 를 들 어 , 상기 스 페이서 막 은 실리콘 산화물 로 형성 될 수 있 다 . 상기 스 페이서 막 은 균일 한 두께 를 갖 도록 형성 하 기 위하 여 ALD ( atomic layer deposition ) 공정 을 이용 할 수 있 다 .