또한 , 상기 폴리 실리콘 층 을 노출 시키 며 서로 이격 하 는 오 믹 콘 택 층 과 그 하부 로 상기 오 믹 콘 택 층 과 동일 한 형태 를 갖 는 순수 비정질 실리콘 의 순수 실리콘 층 을 형성 하 는 단계 는 , 상기 오 믹 콘 택 층 사이 로 노출 된 상기 폴리 실리콘 층 을 제거 함 으로서 상기 제 1 두께 보다 200 Å 내지 400 Å 더 얇 은 제 2 두께 를 갖 도록 하 는 단계 를 더욱 포함 하 며 , 상기 서로 이격 하 는 소스 및 드레 인 전극 각각 은 상기 반도체 층 의 상부 를 포함 하 여 상기 반도체 층 의 측면 을 완전히 덮 도록 형성 하 는 것 이 특징 이 다 .