상기 제 1 실시 예 에서 는 웨이퍼 위 에 최상층 배선 을 형성 한 후 에 제품 용 칩 과 기준 용 칩 을 구분 하 여 제조 한 것 에 대하 여 , 이 제 2 실시 예 에서 는 최상층 배선 의 형성 시 에 제품 용 칩 과 기준 용 칩 을 구분 하 여 제조 한다 . 또한 , 상기 제 1 실시 예 와 동일 하 게 , 이 제 2 실시 예 에서 도 소정 의 트랜지스터 구조 및 다층 배선 구조 를 형성 한 후 의 최상층 배선 형성 이후 의 웨이퍼 형성 플로 에 대해서 설명 한다 .