감지 회로 ( 111 a ) 는 포토 다이오드 ( PD 11 ) 및 제 1 NMOS 트랜지스터 ( MN 11 ) 로 구성 된다 . 리셋 회로 ( 111 b ) 는 제 2 NMOS 트랜지스터 ( MN 12 ) 로 구성 되 며 , 소스 팔 로 워 회로 ( 111 c ) 는 제 3 NMOS 트랜지스터 ( MN 13 ) 로 구성 되 며 , 선택 회로 ( 111 d ) 는 제 4 NMOS 트랜지스터 ( MN 14 ) 로 구성 된다 . 픽셀 들 ( 111 , 112 , 113 ) 각각 의 NMOS 트랜지스터 들 ( MN 2 ~ MN 4 ) 은 공핍 형 트랜지스터 들 로 구성 되 나 , 다른 형태 의 트랜지스터 들 로 구성 될 수 도 있 다 . ( 이하 , 도 7 내지 도 20 에서 설명 함 )