몇몇 실시 예 에 따르 면 , 실리콘 캡 ( 도시 생략 ) 이 돌출 반도체 핀 ( 126 ', 226 ') 상 에 에피 택 셜 성장 될 수 도 있 다 . 도 5 를 참조 하 면 , 더미 게이트 스택 ( 30 ) 이 형성 되 어 ( 돌출 ) 핀 ( 126 ', 226 ') 의 상면 및 측벽 상 으로 연장 된다 . 각각 의 프로세스 는 도 18 에 도시 되 어 있 는 프로세스 흐름 ( 400 ) 에서 프로세스 ( 414 ) 로서 예시 되 어 있 다 . 더미 게이트 스택 ( 30 ) 은 더미 게이트 유전체 ( 32 ) 및 더미 게이트 유전체 ( 32 ) 위 의 더미 게이트 전극 ( 34 ) 을 포함 할 수 도 있 다 . 더미 게이트 전극 ( 34 ) 은 예 를 들 어 , 폴리 실리콘 을 사용 하 여 형성 될 수 도 있 고 , 다른 재료 가 또한 사용 될 수 도 있 다 . 각각 의 더미 게이트 스택 ( 30 ) 은 더미 게이트 전극 ( 34 ) 위 에 하나 의 ( 또는 복수 의 ) 하드 마스크 층 ( 36 ) 을 또한 포함 할 수 도 있 다 . 하드 마스크 층 ( 36 ) 은 실리콘 질화물 , 실리콘 산화물 , 실리콘 탄질 화물 , 또는 이 들 의 다층 으로 형성 될 수 도 있 다 . 더미 게이트 스택 ( 30 ) 은 단일 의 하나 또는 복수 의 돌출 반도체 핀 ( 126 ', 226 ') 및 / 또는 STI 영역 ( 22 ) 위 에 교차 할 수 도 있 다 . 더미 게이트 스택 ( 30 ) 은 돌출 반도체 핀 ( 126 ', 226 ') 의 길 이 방향 에 수직 인 길 이 방향 을 또한 갖 는다 .