도 5 를 참조 하 면 , 플라스틱 기판 ( 50 ) 상 에 배리 어 막 ( 100 ) 을 형성 한다 . 여기 서 배리 어막 ( 100 ) 은 약 350 ° C 이상 400 ° C 이하 범위 의 고온 에서 PECVD 법 에 의해 형성 한다 . 구체 적 으로 배리 어막 ( 100 ) 은 제 1 산화 실리콘 층 ( 101 ) , 제 1 산화 실리콘 층상 에 형성 되 질화 실리콘 층 ( 201 ) 및 질화 실리콘 층 ( 201 ) 상 에 형성 된 제 2 산화 실리콘 층 ( 102 ) 로 이루어진다 . 여기 서 각 산화 실리콘 층 ( 101 , 102 ) 각각 은 약 1000 Å 내지 3000 Å 두께 로 형성 하 며 , 질화 실리콘 층 ( 201 ) 은 약 200 Å 내지 1000 Å 두께 로 형성 한다 . 산화 실리콘 층 ( 101 , 102 ) 각각 은 압축 형태 의 막 스트레스 를 가지 며 , 질화 실리콘 층 ( 201 ) 은 인장 형태 의 막 스트레스 를 가진다 . 또한 배리 어막 ( 100 ) 의 막 스트레스 는 약 - 200 MPa 내지 200 MPa 이 다 . 여기 서 배리 어막 ( 100 ) 의 막 스트레스 가 상기 범위 밖 일 때 , 기판 이 휘 거나 배리 어막 ( 100 ) 과 그 위 에 적층 될 소자 간 의 경계 면 에서 스트레스 로 인한 단층 현상 이 일어나 는 문제 가 있 다 .