측정 에 이용 한 트랜지스터 는 , 채널 길 이 L 이 3 μ m , 채널 폭 W 가 10 μ m , Lov 가 0 μ m , dW 가 0 μ m 이 다 . Vds 는 10 V 로 했 다는 점 에 주목 한다 . 기판 온도 는 - 40 ℃, - 25 ℃, 25 ℃, 75 ℃, 125 ℃ 및 150 ℃ 로 행하 였 다는 점 에 주목 한다 . 여기 서 , 트랜지스터 에서 , 게이트 전극 과 한 쌍 의 전극 중 하나 와 중첩 하 는 부분 의 폭 을 Lov 라고 하 고 , 산화물 반도체 막 과 중첩 하 지 않 는 한 쌍 의 전극 의 부분 의 폭 을 dW 라고 한다 .