반사 방지 막 ( 40 ) 은 저압 조건 , 낮 은 Cl 2 / O 2 비율 , 낮 은 바이어스 전력 조건 에서 인시 튜 ( in - situ ) 로 진행 한다 . 이러 한 공정 조건 은 다음 과 같 은 과정 으로 얻 을 수 있 다 . 먼저 도 4 의 결과 에서 보 는 것 처럼 반사 방지 막 의 식각 에서 CD 편차 를 조절 할 수 있 는 주 요인 은 Cl 2 / O 2 가스 비 임 을 알 수 있 다 . 도 4 의 결과 는 윈도우 테스트 를 이용 한 평가 결과 로 , 이 결과 는 반사 방지 막 을 식각 할 때 발생 하 는 C - Cl 계열 의 폴리머 생성량 을 조절 할 수 있 는 인자 를 선정 하 여 진행 한 실험 결과 이 다 . 반사 방지 막 식각 의 베이스 라인 은 278 . 5 nm 의 파장 을 검출 하 는 EPD ( End Point Detection ) 를 사용 하 여 10 mT 의 압력 , 350 W 의 소스 전력 , 40 W 의 바이어스 전력 조건 에서 반응 래디컬 을 형성 하 는 가스 는 Cl 2 / O 2 = 50 / 50 으로 하 였 다 .