소자 분리 막 ( 106 ) 은 , 평탄 화 막 ( 104 ) 과 마찬가지 로 , 스핀 코터 에 의해 기판 전체 에 형성 된 후 , 포토 리소그래피 법 에 의해 패 터닝 된다 . 패 터닝 후 에 는 평탄 화 막 ( 104 ) 과 소자 분리 막 ( 106 ) 의 수분 함량 을 감소 시키 기 위하 여 충분히 어닐링 된다 . 평탄 화 막 ( 104 ) 과 소자 분리 막 ( 106 ) 에 포함 되 는 수분 을 충분히 제거 함 으로써 , 후 에 형성 되 는 유기 EL 소자 에 수분 이 침입 하 는 것 을 막 을 수 있 다 .