한편 , 웨이퍼 ( W ) 표면 에 있 어서 의 가스 의 분포 는 웨이퍼 ( W ) 상 의 레지스 트 패턴 의 품질 , 특히 선폭 ( CD ) 의 균일성 에 영향 을 준다 . 메탈 함유 레지스 트 를 이용한 레지스 트 패턴 의 치수 는 , 열처리 중 의 챔버 ( 41 ) 내 의 수분 량 에 영향 을 받 는다 . 하나 의 웨이퍼 ( W ) 상 에서 의 수분 량 의 분포 에 치우침 이 발생 하 면 피막 내 에서 반응 하 는 수 분량 ( 반응 수분 량 ) 도 치우 친다 . 따라서 , 웨이퍼 ( W ) 표면 에서 는 가스 토출 부 ( 50 ) 에 대해 공급 되 는 가스 가 균질 해 지 고 , 또한 열처리 중 에 있 어서 웨이퍼 ( W ) 의 중심 영역 과 외주 영역 에서 의 반응 수분 량 의 차 를 작 게 하 는 것 이 요구 된다 . 웨이퍼 ( W ) 표면 의 레지스 트 패턴 의 선폭 의 균일성 은 , 웨이퍼 ( W ) 로부터 얻 어 지 는 반도체 제품 등 의 품질 과 도 관계 된다 . 따라서 , 레지스 트 패턴 의 선폭 의 균일성 이 향상 되 도록 웨이퍼 ( W ) 상 에서 의 가스 의 이동 을 제어 하 는 것 이 요구 된다 .