또한 , 성막 장치 ( 10 ) 에 의하 면 , 금속 의 퇴적 에 앞서 , 제 1 영역 ( R 1 ) 에 배치 한 헤드 ( 32 ) 에 의해 웨이퍼 ( W ) 를 덮 은 상태 에서 , 타 겟 ( 20 ) 의 표면 을 깎 는 처리 , 즉 프리 스퍼터링 을 행할 수 있 다 . 따라서 , 성막 장치 ( 10 ) 에 의하 면 , 프리 스퍼터링 시 의 웨이퍼 ( W ) 의 오염 을 저감 또는 방지 할 수 있 다 .