도 8 및 도 10 a 에 도시 된 바 와 같이 , 박막 트랜지스터 부 , 화소 부 , 게이트 패 드 부 및 데이터 패드 부 가 각각 정의 된 제 1 기판 ( 201 ) 을 제공 한다 . 이 어 , 상기 제 1 기판 ( 201 ) 상 에 게이트 배선용 금속 막 을 형성 하 고 , 상기 게이트 배선용 금속 막 을 패 터닝 하 여 게이트 배선 ( 202 ) 을 형성 한다 . 이때 , 상기 게이트 배선 ( 202 ) 은 상기 박막 트랜지스터 부 에 형성 된 게이트 전극 ( 206 ) 을 , 그리고 상기 게이트 패드 부 에 형성 된 게이트 패드 ( 252 ) 를 포함 한다 .