또한 , 파우 치 케이스 의 양 측면 에 형성 된 측면 플랜 지부 ( 124 ) 를 상기 수납 공간 이 형성 된 방향 ( 이하 , " "" 상방 "" 이 라 함 ) 으로 접 어 전지 폭 을 감소 시키 고 ", 전면 플랜 지부 ( 125 ) 를 통해 외부 로 노출 된 전극 탭 ( 114 , 115 ) 을 180 ° 정도 절곡 시킨 후 회로 기판 ( 130 ) 에 접속 시킨다 . 이 에 따라 , 회로 기판 ( 130 ) 은 전면 플랜 지부 ( 125 ) 위 에 누여 진 채 위치 하 게 된다 . 여기 서 , 전극 탭 의 절곡 은 상기 한 형상 에 한하 지 않 으며 , 사형 또는 Z - 형 으로 이루어질 수 도 있 다 .