본 개시 내용 의 구현 들 은 열 처리 동안 가스 분배 를 개선 하 기 위한 장치 를 제공 한다 . 본 개시 내용 의 일 구현 은 기판 을 열 처리 하 기 위한 장치 를 제공 한다 . 상기 장치 는 바디 , 각 진 가스 소스 어셈블리 , 및 가스 주입 채널 을 포함 한다 . 상기 가스 주입 채널 은 제 1 반각 및 제 2 반각 을 갖 는다 . 상기 제 1 반각 은 상기 제 2 반각 과 상이 하 다 . 기판 의 에지 를 향해 가스 를 지향 시키 기 위해 처리 챔버 내 의 개선 된 측면 가스 어셈블리 를 사용 하 는 것 은 유리 하 게 도 기판 전체 에 걸쳐 , 즉 중심 으로부터 에지 까지 성장 균일성 을 제어 한다 . 놀랍 게 도 , 불 균일 한 반각 들 을 갖 는 가스 채널 을 통해 가스 를 지향 시키 는 것 은 기판 의 에지 에서 또는 그 에지 근처 에서 반응 을 상당히 증가 시킬 것 이 고 , 이 로써 기판 의 전체 두께 균일성 이 개선 된다 .