본 발명 의 일실 시예 에 따르 면 상태 변경 부 ( 214 ) 는 자기 터널 접합 ( magnetic tunnel junction , MTJ ) 저항 들 에 각각 연결 된 제 1 비트 라인 또는 제 2 비트 라인 을 이용 하 여 복수 의 셀 ( 220 ) 에서 각각 결정 된 상위 응답 ( major response ) 에 상응 하 는 신호 의 자기 터널 접합 상태 ( magnetic tunnel junction state ) 를 변경 할 수 있 다 .