몇몇 실시 예 들 에 따른 반도체 장치 에서 , 제 1 소자 분리 막 ( 160 ) 의 제 3 부분 과 , 제 1 더미 게이트 구 조체 ( 120 _ 1 ) 사이 에 제 1 식각 정지 막 ( 170 ) 의 일부 가 배치 될 수 있 다 . 즉 , 제 1 식각 정지 막 ( 170 ) 의 일부 는 제 1 외부 스 페이서 ( 141 ) 의 외측 벽 의 일부 를 따라 배치 될 수 있 다 .