또한 , 산화물 반도체 층 ( 644 ) 에 접하 는 절연 층 으로서 산화 갈륨 알루미늄 ( 산화알루미늄 갈륨 ) 을 사용 한 경우 , 산소 분위기 하 에 의한 열처리 나 , 산소 도프 를 행함 으로써 , 산화 갈륨 알루미늄 ( 산화알루미늄 갈륨 ) 의 조성 을 GaXAl 2 - XO 3 + α ( 0 < X < 2 , 0 < α < 1 ) 로 할 수 있 다 .