도 2 h 를 참조 하 면 , 상기 결과물 전면 에 BPSG ( Borophospho Silicate Glass ) 산화 막 , HTO ( High Temperature Oxidation ) 산화 막 , TEOS ( Tetra Ethyl Ortho Silicate ) 산화 막 또는 HDP ( High Density Plasma ) 산화 막 을 두껍 게 증착 하 여 절연 산화 막 ( 138 ) 을 형성 한 후 , 셀 영역 ( C ) 의 게이트 하드 마스크 층 ( 116 ) 을 식각 정지 막 으로 하 여 , 셀 영역 ( C ) 의 게이트 하드 마스크 층 ( 116 ) 이 드러날 때 까지 화학 적 기계 적 연마공 정 을 수행 해 절연 산화 막 ( 138 ) 을 평탄 화 한다 .