도 2 h 에 도시 된 바 와 같이 , 제 1 식각 마스크 패턴 ( 22 a ) 이 노출 되 어 소정 두께 로 잔류 할 때 까지 제 2 식각 마스크 패턴 용 물질 막 ( 24 ) , 제 1 식각 마스크 패턴 ( 22 a ) 및 스 페이서 ( 23 a ) 에 대해 평탄 화 공정 ( 예 를 들 어 , CMP ) 을 수행 한다 . 그 결과 , 평탄 화 된 스 페이서 ( 23 a ) 사이 에 매립 된 제 2 식각 마스크 패턴 용 물질 막 ( 24 ) 을 이하 , 제 2 식각 마스크 패턴 ( 24 a ) 이 라 한다 .