일반 적 으로 , LSC ( 804 ) 의 임의 의 하나 이상 의 디바이스 층 은 도 1 D 내지 도 1 I 및 도 2 A 내지 도 2 H 에 도시 된 것 과 같 은 , 본 명세서 에 서술 된 표면 매립 디바이스 콤 포 넌 트 로 구현 될 수 있 다 . 도시 된 실시 예 에서 , 봉합 재 층 ( 808 ) 은 하나 의 세트 의 형광체 로 표면 매립 다 . 몇몇 실시 예 에서 , 형광체 는 봉합 재 층 ( 808 ) 의 태양 을 향하 는 또는 상부 면 과 인접 한 매립 영역 내 에 표면 매립 되 거나 국부 화 될 수 있 으나 , 형광체 의 국부 화 는 다른 실시 예 에 대해서 는 다를 수 있 다 . 태양 디바이스 ( 800 ) 의 동작 중 , LSC ( 804 ) 는 표면 매립 형광체 를 통해 넓 은 범위 의 입사 각도 에 걸쳐 태양광 스펙트럼 을 캡 처하 고 , 형광체 는 상이 한 파장 ( 또는 상이 한 파장 범위 ) 으로 봉합 재 층 ( 808 ) 내 에 광 을 방출 하 고 , 전반사 ( total internal reflection ) 와 결합 하 여 , 봉합 재 층 ( 808 ) 의 가장자리 를 향해 안내 된 광 을 집중 시킨다 . 흡수 및 방출 된 광 간 의 에너지 차이 는 형광체 에 의한 자체 흡수 의 경우 를 줄인다 . 이러 한 방식 으로 , LSC ( 804 ) 는 태양 추적 을 필요 로 하 지 않 고 높 은 광 집 중도 를 달성 할 수 있 다 . 결과 적 인 방출 된 광 강도 는 대략 5 이상 , 적어도 대략 10 , 적어도 대략 20 , 적어도 대략 30 , 최대 대략 40 이상 의 팩터 만큼 태양광 을 집중 시킬 수 있 고 , 태양 전지 ( 802 ) 로 보내 진 때 , LSC ( 804 ) 는 대략 2 내지 대략 10 ( 이상 ) 의 범위 내 의 팩터 만큼 태양 파워 변환 효율 을 증가 시킬 수 있 다 .