이 와 같이 , 서브 스트레이트 ( 10 ) 의 소정 위치 에 에폭시 몰딩 컴 파운드 ( 16 ) 가 상하 로 통과 할 수 있 는 메인 분배 슬롯 ( 20 ) 외 에 각 반도체 패 키 징 영역 ( 19 ) 둘레 주변 에 보조 분배 슬롯 ( 22 ) 을 더 형성 하 여 , 에폭시 몰딩 컴 파운드 ( 16 ) 가 메인 분배 슬롯 ( 20 ) 외 에 보조 분배 슬롯 ( 22 ) 을 통하 여 서브 스트레이트 ( 10 ) 의 제 1 , 2 면 ( 즉 , 상하 면 ) 으로 더욱 빠르 고 고르 게 분배 될 수 있 고 , 그 에 따라 각 반도체 다이 에 대한 몰딩 공정 시간 을 보다 단축 시킬 수 있 다 .