복수 의 제 1 서브 어레이 ( 410 ) 와 제 2 서브 어레이 ( 415 ) 는 직사각형 어레이 의 윤곽 이 집 적 회로 에지 ( 405 ) 를 따르 도록 실질 적 으로 직사각형 어레이 내 의 다이 ( 400 ) 와 같 은 기판 위 로 구축 된다 . 복수 의 워드 라인 구동회 로 ( 420 ) 는 바람직 하 게 예 를 들 어 실리콘 웨이퍼 와 같 은 기판 의 표면 에서 또는 표면 상 에서 서브 어레이 아래 와 같 은 , 비휘발성 메모리 셀 의 서브 어레이 와 상이 한 레벨 상 에 배치 된다 . 각 워드 라인 드라이버 회로 ( 420 ) 는 바람직 하 게 각각 의 서브 어레이 의 평행 ( 즉 , 수직 ) 면 의 돌출부 에 걸쳐 있 는 영역 을 차지 한다 . 바람직 하 게 , 워드 라인 드라이버 회로 의 중심부 는 인접 하 여 겹치 는 메모리 서브 어레이 사이 의 공간 에 노출 되 지만 , 워드 라인 드라이버 회로 의 에지 부분 은 도 4 a 에 도시 된 바 와 같이 겹치 는 메모리 서브 어레이 아래 직접 적 으로 배치 된다 . 그러나 , 다른 적절 한 레이아웃 구성 또한 사용 될 수 있 다 . 복수 의 워드 라인 드라이버 회로 ( 420 ) 는 수직 워드 라인 커넥터 에 의해 서브 어레이 의 우드 라인 에 연결 된다 . 수직 워드 라인 커넥터 는 , 컨 덕 터 충전 비어스 또는 지어스 ( conductor filled vias or zias ) 로 또한 알려져 있 다 . 지어스 ( zias ) 는 복수 레벨 의 서브 어레이 가 동일 한 복수 의 워드 라인 드라이버 회로 에 연결 되 는 것 을 허용 한다 . 워드 지어스 는 또한 서브 어레이 사이 에서 공유 될 수 있 다 .