이러 한 박리 방법 에 있 어서 는 , 먼저 패 터닝 될 하 부막 이 형성 된 기판 상 에 포토 리소그래피 공정 을 통해 포토레지스트 패턴 을 형성 할 수 있 다 . 이후 , 이러 한 포토레지스트 패턴 을 마스크 로 하 부막 을 패 터닝 한 후 , 상기 박리 액 조성물 등 을 이용 해 포토레지스트 를 박리 할 수 있 다 . 상술 한 공정 에서 , 포토레지스트 패턴 의 형성 및 하 부막 의 패 터닝 공정 은 통상 적 인 소자 제조 공정 에 따를 수 있 으므로 , 이 에 관한 추가 적 인 설명 은 생략 하 기 로 한다 .