또한 , 본 발명 에 따른 듀얼 다 마신 구조 를 가지 는 반도체 소자 의 제조 방법 은 상기 기판 을 준비 하 는 단계 에 는 상기 하부금 속배 선 과 제 1 층간 절연 층 사이 에 캡 핑 막 을 형성 하 는 단계 를 더 포함 하 고 , 상기 트렌치 와 비 아홀 을 형성 하 는 단계 다음 에 상기 캡 핑 막 을 식각 하 는 단계 를 더 포함 할 수 있 다 .