상기 살리 사이드 방지 막 ( 121 ) 은 후 공정 에서 포토다이오드 의 살리 사이드 화 를 방지 하 기 위한 것 으로 , 상기 포토레지스트 패턴 ( 200 ) 을 식각 마스크 로 하 여 상기 희생 절 연막 ( 120 ) 을 식각 함 으로써 상기 포토다이오드 형성 예정 영역 에 만 상기 희생 절 연막 ( 120 ) 이 남 아 있 게 되 어 살리 사이드 방지 막 ( 121 ) 이 형성 된다 . .