카세트 ( 420 ) 의 제 1 지지 부 ( 422 ) 들 에 보관 중 인 합성 기판 ( 10 ) 들 은 제 1 이 송장 치 ( 300 ) 에 의해 반응 챔버 ( 100 ) 내부 로 로딩 된다 . 반응 챔버 ( 100 ) 의 보트 ( 160 ) 에 는 4 장 의 합성 기판 ( 10 ) 들 이 놓여 지 게 된다 . 제 1 이송 장치 ( 300 ) 는 합성 기판 을 하나 씩 순차 적 으로 반응 챔버 ( 100 ) 로 / 로부터 로딩 하 고 언 로딩 한다 . 합성 기판 ( 10 ) 들 의 로딩 이 완료 되 면 , 반응 챔버 ( 100 ) 에서 탄소 나노 튜브 ( 30 ) 생 성 을 위한 공정 이 진행 된다 . 반응 챔버 ( 100 ) 에서 공정 이 진행 되 는 동안 , 또 다른 4 장 의 합성 기판 ( 10 ) 들 은 촉매 도포 부 ( 500 ) 에서 촉매 도포 후 카세트 ( 420 ) 의 제 1 지지 부 ( 422 ) 들 에서 대기 하 게 된다 . 반응 챔버 ( 100 ) 에서 탄소 나노 튜브 ( 30 ) 의 생성 공정 이 완료 되 면 , 고온 상태 의 합성 기판 ( 10 ) 은 제 1 이송 장치 ( 300 ) 에 의해 반응 챔버 ( 100 ) 로부터 언 로딩 되 어 카세트 ( 420 ) 의 제 2 지지 부 ( 422 b ) 에 수납 되 며 , 고온 의 합성 기판 ( 10 ) 은 제 2 지지 부 ( 422 b ) 에서 일정 시간 동안 냉각 과정 을 거친다 . 냉각 은 자연 냉각 방식 에 의해 이루어진다 . 선택 적 으로 냉각수 등 과 같 은 냉각 수단 을 사용 하 여 강제 냉각 할 수 있 다 . 한편 , 탄소 나노 튜브 ( 30 ) 생 성 이 완료 된 합성 기판 ( 10 ) 들 이 신속 하 게 ( 일정 온도 로 떨어지 는 것 을 기다리 지 않 고 ) 반응 챔버 ( 100 ) 로부터 인출 되 면 , 카세트 ( 420 ) 의 제 1 지지 부 ( 422 a ) 에서 대기 중 인 4 장 의 합성 기판 ( 탄소 나노 튜브 ( 30 ) 생 성 을 위해 대기 중 인 합성 기판 ) ( 10 ) 이 반응 챔버 ( 100 ) 로 로딩 된다 . 이렇게 반응 챔버 ( 100 ) 에서 는 반응 로 ( 120 ) 온도 가 공정 온도 를 유지 한 상태 에서 신속 하 게 합성 기판 ( 10 ) 들 이 로딩 됨 으로써 반응 로 ( 120 ) 의 공정 온도 로 높이 기 위한 승 온 과정 을 생략 할 수 있 다 .