GaAs 계 의 전자 디바이스 를 제조 하 는 경우 , 격자 정합 을 고려 하 여 상기 한 바 와 같이 GaAs 기판 또는 Ge 기판 등 의 GaAs 에 격자 정합 시킬 수 있 는 기판 을 선택 하 게 된다 . 그러나 , GaAs 기판 또는 Ge 기판 등 의 GaAs 에 격자 정합 시킬 수 있 는 기판 은 고가 이 어서 디바이스 의 비용 이 상승 한다 . 또한 , 이 들 기판 은 , 방열 특성 이 충분 하 지 않 아 , 여유 있 는 열설 계 를 위해서 는 디바이스 의 형성 밀도 를 억제 하 거나 또는 방열 관리 가 가능 한 범위 에서 디바이스 를 사용 하 는 등 의 제한 을 받 을 가능 성 이 있 다 . 따라서 , 저렴 하 고 , 또한 , 방열 특성 이 우수 한 Si 기판 을 이용 하 여 제조 할 수 있 어 , 양질 의 GaAs 계 의 결정 박막 을 갖 는 반도체 기판 이 요구 된다 . 그래서 , 본 발명 의 일 측면 에 있 어서 는 , 상기 한 과제 를 해결 할 수 있 는 「 반도체 기판 , 반도체 기판 의 제조 방법 및 전자 디바이스 」 를 제공 하 는 것 을 목적 으로 한다 . 이 목적 은 청구 범위 에서 의 독립 항 에 기재 된 특징 의 조합 에 의해 달성 된다 . 또한 종 속항 은 본 발명 의 한층 더 유리 한 구체 예 를 규정 한다 .