도 17 ( b ) 에 나타내 는 바 와 같이 , 기지 의 리소그래피 기술 에 의해 폴리 실리콘 막 ( 54 ) 을 덮 음 과 함께 , 게이트 산화 막 ( 3 ) 의 상방 에 윈도우 를 갖 는 레지스 트 패턴 ( 55 ) 을 형성 한다 . 그 레지스 트 패턴 ( 55 ) 을 마스크 로서 사용 하 고 , N 형 이온 종 으로서 P ( 인 ) 을 선택 적 으로 폴리 실리콘 막 ( 54 ) 에 이온 주입 한다 . 그 이온 주입 은 , 기판 면 에 대하 여 수직 방향 으로부터 , 가속 에너지 15 KeV , 도즈 량 2 E 15 [ 1 / ㎠] 의 조건 하 에 실시 할 수 있 다 . 그 결과 , 게이트 산화 막 ( 3 ) 상 으로 연장 되 는 폴리 실리콘 막 ( 54 ) 에 N 형 불순물 이 도입 된다 .