도 15 를 참조 하 면 , 적층 된 반도체 기판 ( 100 ) , 피복층 ( 102 ) 및 반도체 층 ( 105 ) 을 포함 하 는 기판 ( 100 ) 을 준비 한다 . 상기 기판 ( 100 ) 에 서로 다른 주입 에너지 를 갖 는 복수 의 선택 적 원소 이온 주입 공정 들 순차 적 으로 수행 하 여 , 상기 반도체 기판 ( 100 ) 에 내 에 적층 된 복수 의 원소 주입 층 들 ( 224 a , 224 b , 224 c , 224 d ) 을 형성 한다 . 상기 선택 적 원소 이온 주입 공정 은 산소 및 질소 중 에서 선택 된 적어도 하나 의 이온 들 을 주입 할 수 있 다 . 상기 원소 주입 층 들 ( 224 a , 224 b , 224 c , 224 d ) 은 서로 동일 한 폭 들 을 갖 는 것 이 바람직 하 다 . 상기 원소 주입 층 들 ( 224 a , 224 b , 224 c , 224 d ) 은 반도체 기판 ( 100 ) 의 상부 면 에 대하 여 경사지 게 배열 된다 . 즉 , 상기 원소 주입 층 들 ( 224 a , 224 b , 224 c , 224 d ) 의 중심 을 지나 는 가상 선 ( 240 ) 은 상기 반도체 기판 ( 100 ) 의 상부 면 에 대하 여 경사 진다 .