일 예 로 , 기판 ( 10 ) 의 논 액티브 영역 ( 12 ) 은 , 기판 ( 10 ) 의 액티브 영역 ( active area ) ( 11 ) 의 둘레 를 감싸 도록 액티브 영역 ( 11 ) 의 가장자리 부위 에 형성 될 수 있 다 . 여기 서 , 기판 ( 10 ) 의 액티브 영역 ( 11 ) 이 라 함 은 , 기판 ( 10 ) 의 영역 중 실질 적 으로 화소 셀 등 이 형성 되 는 영역 으로 정의 되 며 , 일반 적 으로 기판 ( 10 ) 의 가장자리 안쪽 영역 이 액티브 영역 ( 11 ) 으로 정의 된다 . 참고 로 , 도 4 를 참조 하 면 , 기판 ( 10 ) 에서 논 액티브 영역 ( 12 ) ( 해칭 된 영역 ) 은 기판 ( 10 ) 의 가장자리 를 따라 형성 될 수 있 고 , 액티브 영역 ( 11 ) 은 기판 ( 10 ) 의 가장자리 안쪽 에 형성 될 수 있 다 .