또한 , 트랜지스터 ( 164 ) 상 에 는 산화물 반도체 층 ( 140 ) 의 일부 와 접하 도록 보호 절연 층 ( 144 ) 이 설치 되 어 있 고 , 보호 절연 층 ( 144 ) 상 에 는 층간 절연 층 ( 146 ) 이 설치 되 어 있 다 . 여기 서 , 보호 절연 층 ( 144 ) 및 층간 절연 층 ( 146 ) 에 는 소스 층 ( 142 a ) 및 드레 인 층 ( 142 b ) 에 까지 도달 하 는 개구 가 형성 되 어 있 고 , 당해 개구 를 통해 , 소스 층 ( 142 a ) 에 접하 는 전극 층 ( 150 d ) , 드레 인 층 ( 142 b ) 에 접하 는 전극 층 ( 150 e ) 이 형성 되 어 있 다 . 또한 , 전극 층 ( 150 d ) , 전극 층 ( 150 e ) 과 마찬가지 로 , 게이트 절 연막 ( 138 ) , 보호 절연 층 ( 144 ) , 층간 절연 층 ( 146 ) 에 형성 된 개구 를 통해 , 전극 층 ( 136 a ) 에 접하 는 전극 층 ( 150 a ) , 전극 층 ( 136 b ) 에 접하 는 전극 층 ( 150 b ) 및 전극 층 ( 136 c ) 에 접하 는 전극 층 ( 150 c ) 이 형성 되 어 있 다 .