플래시 메모리 는 , 절 연막 으로 둘러싸인 전자 축적 영역 [ 부유 ( 浮游 ) 게이트 ] 을 구비 하 고 , 얇 은 터널 산화 막 을 개재 한 전자 ( 電子 ) 의 수도 ( 受渡 ) 에 의해 정보 를 기록 함 과 동시 에 , 이 얇 은 산화 막 의 절연 성 을 이용 하 여 장시간 에 걸쳐 전자 를 보 지 ( 保 持 ) 하 여 기억 을 유지 하 는 것 이 동작 원리 이 다 . 플래시 메모리 에 기억 된 정보 는 , 외부 로부터 의 동작 이 이루어지 지 않 더라도 10 년 이나 되 는 장시간 동안 보 지 할 필요 가 있 고 , 부유 게이트 라고 불리 는 전하 축적 영역 을 둘러싼 절 연막 에 대한 요구 가 까다롭 게 되 어 있 다 . 메모리 셀 동작 을 제어 하 기 위한 제어 게이트 와 의 사이 에 설치 된 층간 절 연막 에 는 일반 적 으로 ONO 라고 불리 는 산화 막 ( SiO 2 ) / 질화 막 ( Si 3 N 4 ) / 산화 막 ( SiO 2 ) 의 적층 구조 가 사용 되 고 , 높 은 리크 전류 ( leak current ) 특성 을 가지 는 것 이 기대 된다 .