이 와 같이 외관 형성 부 ( 114 ) 의 내부 에 기포 ( 114 V ) 가 존재 하 면 , 도 11 에 도시 한 바 와 같이 , 태양 전지 패널 ( 100 ) 로 입사 되 는 광이 기포 ( 114 V ) 에서 분산 되 어 넓 게 확산 된다 . 좀 더 구체 적 으로 , 외관 형성 부 ( 114 ) 가 기포 ( 114 V ) 를 구비 하 면 정상 투과 ( diffused transmittance ) 와 확산 투과 ( diffused transmittance ) 가 함께 일어나 서 반구형 투과 ( hemispherical transmittance ) 가 일어난다 . 이때 , 도 11 의 실선 으로 도시 한 바 와 같이 , 외관 형성 부 ( 114 ) 의 기포 ( 114 V ) 가 태양 전지 패널 ( 100 ) 의 내부 로 입사 되 는 반구형 투과 형태 를 가지 도록 광 을 산란 시킬 수 있 다 . 그러면 , 태양 전지 ( 150 ) 사이 의 영역 으로 향하 여 소실 될 수 있 는 광 의 일부 를 태양 전지 ( 150 ) 로 향하 게 하 여 사용 하 거나 , 외관 형성 부 ( 114 ) 와 베이스 부재 ( 112 ) 의 계면 에 의한 재 사용 할 수 있 다 . 이 에 따라 외관 형성 부 ( 114 ) 가 구비 되 는 경우 에 도 광전 변환 에 사용 되 는 광 의 양 을 최대 화 하 여 태양 전지 ( 150 ) 의 광전 변환 효율 및 태양 전지 패널 ( 100 ) 의 출력 을 높 게 유지 할 수 있 다 . 일 예 로 , 외관 형성 부 ( 114 ) 는 태양 전지 ( 150 ) 의 사이 영역 에 대응 하 는 부분 에 적어도 일부 가 위치 할 수 있 다 . 그리고 도 11 의 일 점 쇄선 으로 도시 한 바 와 같이 , 외관 형성 부 ( 114 ) 의 기포 ( 114 V 0 가 태양 전지 패널 ( 100 ) 의 외부 쪽 으로 반구형 투과 형태 를 가지 도록 광 을 산란 시켜 눈부심 방지 ( anti - glare ) 특성 을 향상 할 수 있 다 . 반면 , 외관 형성 부 ( 114 ) 가 기포 ( 114 V ) 를 가지 지 않 는 경우 에 는 기포 ( 114 V ) 를 가지 는 경우 에 비하 여 확산 투과 가 충분 하 게 일어나 지 않 아 상대 적 으로 낮 은 광 투과율 을 가질 수 있 다 .