평면 안테나 ( 31 ) 로부터 투 과판 ( 28 ) 을 지나 서 챔버 ( 1 ) 에 방사 된 마이크로파 에 의해 챔버 ( 1 ) 내 에서 전자계 가 형성 되 어 , 질소 함유 가스 , 실리콘 함유 가스 가 각각 플 라즈 마 화 된다 . 이 마이크로파 여기 플라 즈 마는 마이크로파 가 평면 안테나 ( 31 ) 의 다수 의 마이크로파 방사 구멍 ( 32 ) 으로부터 방사 되 는 것 에 의해 , 약 1 × 1010 ~ 5 × 1012 / ㎤ 의 고밀도 이 고 , 또한 웨이퍼 W 근방 에서 는 , 약 1 . 5 eV 이하 의 저 전자 온도 플 라즈 마 로 된다 . 이렇게 하 여 형성 되 는 마이크로파 여기 고밀도 플라 즈 마는 하 지 막 으로 의 플 라즈 마 손상 이 적 은 것 이 다 . 그리고 , 고밀 도 플 라즈 마 중 에서 원료 가스 의 해리 가 진행 되 어 , SipHq , SiHq , NHq , N ( 여기 서 , p , q 는 임의 의 수 를 의미 함 ) 등 의 활성 종 의 반응 에 의해서 , 질화규소 SixNy 또는 질화 산화 규소 SixOzNy ( 여기 서 , x , y , z 는 반드시 화학량론 적 으로 결정 되 지 않 고 , 조건 에 따라 상이 한 값 을 취 하 는 임의 의 수임 ) 의 박막 이 퇴적 된다 .