게이트 절연 층 ( 146 ) 의 형성 후 에 는 , 불활성 가스 분위기 하 에서 또는 산소 분위기 하 에서 제 2 열처리 를 행하 는 것 이 바람직 하 다 . 열처리 의 온도 는 , 200 ℃ 이상 450 ℃ 이하 , 바람직 하 게 는 250 ℃ 이상 350 ℃ 이하 이 다 . 예 를 들 어 , 질소 분위기 하 에서 250 ℃, 1 시간 의 열처리 를 행하 면 된다 . 제 2 열처리 를 행함 으로써 , 트랜지스터 의 전기 적 특성 의 편차 를 경감 할 수 있 다 . 또한 , 게이트 절연 층 ( 146 ) 이 산소 를 포함 하 는 경우 , 산화물 반도체 층 ( 144 ) 에 산소 를 공급 하 고 , 그 산화물 반도체 층 ( 144 ) 의 산소 결손 을 보충 하 고 , i 형 ( 진성 반도체 ) 또는 i 형 에 한정 되 지 않 고 근접 한 산화물 반도체 층 을 형성 할 수 도 있 다 .