하나 의 비트 라인 ( 360 ) , 하나 의 비트 라인 ( 360 ) 의 제 1 내지 제 3 측 중 어느 하나 에 위치 하 는 어느 한 층 의 제 1 워드 라인 ( 310 ) , 제 2 워드 라인 ( 320 ) 또는 제 3 워드 라인 ( 330 ) , 및 이 들 사이 의 가변 저항 층 ( 350 ) 이 하나 의 메모리 셀 을 형성 할 수 있 다 . 그 에 따라 , 하나 의 비트 라인 ( 360 ) 의 제 1 측 에 어느 한 층 의 제 1 워드 라인 ( 310 ) 과 대응 하 는 제 1 메모리 셀 ( MC 1 ) 이 형성 될 수 있 고 , 제 2 측 에 어느 한 층 의 제 2 워드 라인 ( 320 ) 과 대응 하 는 제 2 메모리 셀 ( MC 2 ) 이 형성 될 수 있 고 , 제 3 측 에 어느 한 층 의 제 3 워드 라인 ( 330 ) 과 대응 하 는 제 3 메모리 셀 ( MC 3 ) 이 형성 될 수 있 다 . 예컨대 , A 3 - A 3 ' 선 상 의 비트 라인 ( 360 ) , 이 비트 라인 ( 360 ) 의 제 1 측 의 제 1 층 및 제 2 층 의 제 1 워드 라인 ( 310 - 1 , 310 - 2 ) 및 이 들 사이 의 가변 저항 층 ( 350 ) 이 제 1 층 및 제 2 층 의 제 1 메모리 셀 ( MC 1 - 1 , MC 1 - 2 ) 을 형성 할 수 있 고 , A 3 - A 3 ' 선 상 의 비트 라인 ( 360 ) , 이 비트 라인 ( 360 ) 의 제 2 측 의 제 1 층 및 제 2 층 의 제 2 워드 라인 ( 320 - 1 , 320 - 2 ) 및 이 들 사이 의 가변 저항 층 ( 350 ) 이 제 1 층 및 제 2 층 의 제 2 메모리 셀 ( MC 2 - 1 , MC 2 - 2 ) 을 형성 할 수 있 고 , A 3 - A 3 ' 선 상 의 비트 라인 ( 360 ) , 이 비트 라인 ( 360 ) 의 제 3 측 의 제 1 층 및 제 2 층 의 제 3 워드 라인 ( 330 - 1 , 330 - 2 ) 및 이 들 사이 의 가변 저항 층 ( 250 ) 이 제 1 층 및 제 2 층 의 제 3 메모리 셀 ( MC 3 , 단면 도 상 에서 는 미도 시 됨 ) 을 형성 할 수 있 다 .