본 발명 에 따른 바 이 폴라 접합 트랜지스터 는 , P 형 반도체 기판 안 에 형성 되 는 매립 층 과 고농도 N 형 컬렉터 영역 ; 매립 층 위쪽 의 반도체 기판 안 에 형성 되 는 저 농도 P 형 베이스 영역 ; 저 농도 베이스 영역 의 가장자리 를 따라 형성 되 는 제 1 고농도 P 형 베이스 영역 ; 저 농도 베이스 영역 의 중앙 에 형성 되 는 제 2 고농도 P 형 베이스 영역 ; 제 1 , 제 2 고농 도 베이스 영역 사이 에 형성 되 는 고농도 N 형 에 미터 영역 ; 이웃 하 는 고농 도 베이스 영역 과 고농 도 에 미터 영역 사이 에 각각 형성 되 는 절연 막 스 페이서 를 포함 하 여 구성 된다 .