도 3 은 , 본 발명 의 적어도 하나 의 구 현예 에 따른 3 - D NAND 소자 를 제조 하 기 위한 방법 ( 300 ) 을 나타낸다 . 방법 ( 300 ) 은 , 건식 식각 단계 ( 310 ) ; 라이너 증착 단계 ( 320 ) ; 플러그 충 진 단계 ( 330 ) ; 연마 단계 ( 340 ) ; 적층 체 증착 단계 ( 350 ) ; 구멍 식각 단계 ( 360 ) ; 및 선택 적 인 스트립 단계 ( 370 ) 를 포함 한다 . 스트립 단계 ( 370 ) 는 , 구멍 식각 단계 ( 360 ) 가 라이너 를 또한 제거 하 는 경우 에 필요 하 지 않 을 수 있 다 .