상기 반사체 ( 230 ) 는 도 9 의 반사체 ( 220 a ) , 도 10 의 반사체 ( 225 ) 및 도 12 의 반사체 ( 235 ) 중 에서 어느 하나 로 대체 될 수 있 다 . 이 에 더 하 여 , 상기 회절 격자 ( 113 ) 아래 의 상기 반도체 기판 ( 100 ) 내 에 는 도 9 내지 도 12 의 반사체 들 ( 220 a , 225 , 230 , 235 ) 중 에서 선택 된 복수 개 가 배치 될 수 도 있 다 . 이 경우 에 , 서로 다른 형태 의 반사체 들 ( 220 a , 225 , 230 , 235 ) 은 반도체 기판 ( 100 ) 의 상부 면 에 수직 한 방향 으로 적층 되 는 형태 로 배열 되 는 것 이 바람직 하 다 .