도 2 를 참조 하 면 , 포 토리 소그라 피 공정 및 식각 공정 을 수행 하 여 비정질 카본 막 패턴 ( 161 ) 을 형성 한다 . 구체 적 으로 , 비정질 카본 막 상 에 레지스 트 막 ( 도시 되 지 않 음 ) 을 도포 한 후 , 포 토리 소그라 피 공정 을 통해 레지스 트 막 패턴 을 형성 한다 . 레지스 트 막 패턴 에 의해 노출 된 비정질 카본 막 을 선택 적 으로 식각 하 여 비정질 카본 막 패턴 ( 161 ) 을 형성 한다 . 비정질 카본 막 패턴 ( 161 ) 은 게이트 라인 이 형성 될 영역 이 마스킹 되 도록 형성 된다 . 이때 , 비정질 카본 막 패턴 ( 161 ) 은 형성 하 고자 하 는 게이트 라인 의 선폭 보다 작 은 선폭 을 갖 도록 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 .