먼저 , 120 nm 두께 의 인듐 주석산 화물 ( ITO ) 양극 을 구비 하 는 유리 기판 을 세정 한 다음 , 산소 플라스마 및 UV 오존 을 사용 하 여 처리 한다 . 처리 후 , 기판 을 글로브 박스 에서 드라이 하 여 수분 을 제거 한다 . 다음 , 기판 을 기판 홀더 에 장착 하 고 진 공실 에 넣 는다 . 아래 에 지정 된 유기 층 을 약 10 - 8 토르 의 진공도 에서 0 . 2 ~ 2 Å / s 의 속도 로 열진 공 증착 을 통해 ITO 양극 상 에 순차 적 으로 증착 시킨다 . 정공 주입 층 ( HIL ) 으로서 화합물 HI ( 100 Å ) 를 사용 한다 . 정공 수송 층 ( HTL ) 으로서 화합물 HT ( 350 Å ) 를 사용 한다 . 전자 차단 층 ( EBL ) 으로서 화합물 H 1 ( 50 Å ) 을 사용 한다 . 이어서 , 본 발명 의 화합물 IrLa 1 ( Lb 1 ) 2 ( 금속 착 물 1 ) 를 호스트 화합물 H 1 및 H 2 에 도핑 하 여 발광 층 ( EML , 8 : 46 : 46 , 400 Å ) 으로 한다 . 정공 차단 층 ( HBL ) 으로서 화합물 H 2 ( 100 Å ) 를 사용 한다 . HBL 상 에서 , 화합물 ET 와 8 - 히드록시 퀴놀린 - 리튬 ( Liq ) 의 혼합물 을 증착 시켜 전자 수송 층 ( ETL , 40 : 60 , 350 Å ) 으로 한다 . 마지막 으로 , 10 Å 두께 의 Liq 을 증착 시켜 전자 주입 층 으로 하 고 1200 Å 의 A 1 을 증착 시켜 음극 으로 한다 . 다음 , 해당 소자 를 글로브 박스 로 다시 옮기 고 유리 뚜껑 ( glass lid ) 및 흡습제 를 사용 하 여 봉입 ( encapsulate ) 함 으로써 해당 소자 를 완성 시킨다 .