일부 실시 예 는 교번 하 는 절연성 레벨 및 워드 라인 레벨 의 수직 스택 을 갖 는 NAND 메모리 어레이 를 포함 한다 . 워드 라인 레벨 은 제어 게이트 영역 에 대응 하 는 종단 단부 를 갖 는다 . 절연성 레벨 은 워드 라인 레벨 사이 의 수직 으로 제 1 절연성 재료 를 포함 한다 . 전하 - 트랩 핑 재료 는 워드 라인 레벨 의 제어 게이트 영역 을 따라서 있 고 , 전하 - 차단 재료 에 의해 제어 게이트 영역 으로부터 이격 된다 . 수직 으로 인접 한 워드 라인 레벨 을 따라서 의 전하 - 트랩 핑 재료 는 제 2 절연성 재료 의 개재 영역 에 의해 이격 된다 . 전하 - 트랩 핑 재료 는 실리콘 및 질소 를 포함 한다 . 제 2 절연성 재료 는 산화물 을 포함 한다 . 보이 드 는 제 1 절연성 재료 및 제 2 절연성 재료 의 계면 을 따라 제 1 절연성 재료 내 로 연장 된다 . 채널 재료 는 스택 을 따라 수직 으로 연장 되 고 , 전하 - 터널 링 재료 에 의해 전하 - 트랩 핑 재료 로부터 이격 된다 .