선택 소자 인 다이오드 ( 100 ) 는 기판 ( 50 ) 상 에 적층 된 n 형 반도체 ( 100 n ) 및 p 형 반도체 ( 100 p ) 를 포함 할 수 있 다 . p 형 반도체 층 ( 100 p ) 은 제 3 도 전체 ( 80 ) 에 인접 하 고 , n 형 반도체 층 ( 100 n ) 은 워드 라인 ( WL ) 에 인접 할 수 있 다 . 다이오드 ( 100 ) 와 제 3 도 전체 ( 80 ) 사이 의 접촉 저항 을 감소 시키 기 위하 여 실리사이드 층 ( 187 ) 이 제공 될 수 있 다 . 이 실리사이드 층 ( 187 ) 은 예 를 들 어 코발트 실리사이드 , 니켈 실리사이드 또는 티타늄 실리사이드 같 은 금속 실리사이드 일 수 있 다 .