" 본원 에서 사용 되 는 용어 "" 투영 시스템 "" 은 ", 사용 되 고 있 는 노출 방사선 에 , 또는 침지 액체 의 사용 또는 진공 의 사용 과 같 은 다른 요인 에 적절 하 게 , 굴절 , 반사 , 반사 굴절 ( catadioptric ) , 자기 , 전자기 및 정전 광학 시스템 , 또는 이 들 의 임의 의 조합 을 비롯 한 , 임의 의 타입 의 투영 시스템 을 포괄 하 는 것 으로 광의 적 으로 해석 되 어야 한다 . 패턴 화 디바이스 ( MA ) 는 , 패턴 화 디바이스 에 의해 투과 또는 반사 되 는 방사선 빔 에 패턴 을 부여 하 는 마스크 또는 레티 클 일 수 도 있 다 . 공지 된 동작 모드 는 스테핑 모드 ( stepping mode ) 및 스캐닝 모드 ( scanning mode ) 를 포함 한다 . 널리 공지 된 바 와 같이 , 투영 시스템 은 , 소망 되 는 패턴 을 기판 에 걸친 많 은 타 겟 부분 에 적용 하 기 위해 , 기판 및 패턴 화 디바이스 에 대한 지지 및 위치 결정 시스템 과 협력 할 수 도 있 다 . 고정 된 패턴 을 갖 는 레티 클 대신 , 프로그래머 블 패턴 화 디바이스 가 사용 될 수 도 있 다 . 방사선 은 , 예 를 들 면 , 심 자외선 ( deep ultraviolet ; DUV ) 또는 극자외선 ( extreme ultraviolet ; EUV ) 주파 대 의 전자기 방사선 을 포함 할 수 도 있 다 . 본 개시 는 또한 , 다른 타입 의 리소그래피 프로세스 , 예 를 들 면 , 전자 빔 에 의한 , 예 를 들 면 , 임프 린트 리소그래피 ( imprint lithography ) 및 직접 기록 리소그래피 ( direct writing lithography ) 에 적용 가능 하 다 .