우선 , 플라 즈 마 CVD 법 으로 하 지 절 연막 ( 312 ) 이 되 는 질소 를 포함 하 는 산화 규소 막 ( 막 두께 100 nm ) 을 형성 하 고 , 또 대기 에 노출 시키 지 않 고 , 반도체 막 , 예 를 들 면 수소 를 포함 하 는 비정질 규소 막 ( 막 두께 54 nm ) 을 적층 형성 한다 . 또한 , 하 지 절 연막 ( 312 ) 은 산화 규소 막 , 질화규소 막 , 질소 를 포함 하 는 산화 규소 막 을 사용 하 여 적층 하 여도 좋 다 . 예 를 들 면 , 하 지 절 연막 ( 312 ) 으로서 , 산소 를 포함 하 는 질화규소 막 을 50 nm , 또 질소 를 포함 하 는 산화 규소 막 을 100 nm 적층 한 막 을 형성 하 여도 좋 다 . 또 , 질소 를 포함 하 는 산화 규소 막 이나 질화규소 막 은 , 유리 기판 으로부터 의 알칼리 금속 등 의 불순물 확산 을 방지 하 는 블로킹 층 으로서 기능 한다 .