본 발명 은 600 ℃ 미만 의 기판 온도 에서 고밀도 플라스마 고밀 도 플라스마 화학 증기 증착 기술 을 사용 하 여 , 기판 상 에 낮 은 습윤 에칭 률 실리콘 질화물 필름 의 증착 방법 에 관한 것 이 다 . 이 방법 은 플라스마 내 질소 의 실리콘 에 대한 상대 적 으로 고비 율 및 낮 은 프로세스 온도 의 유지 ( maintenance ) 를 추가 로 포함 한다 .