통상 의 방법 에 따라 하이 도핑 ( high doping ) 된 p - Si 위 에 100 nm 두께 로 SiO 2 절연 층 을 형성 하 였 다 . 이어서 절연 층 위 에 활성 층 의 패 터닝 을 위해 shadow mask 를 기판 위 에 부착 한 다음 전술 한 조건 으로 Ti 층 및 연속 해서 그래핀 층 을 직접 성장 시킨 후 , 그대로 그래핀 층 을 데미지 및 그래핀 층 질소 - 도핑 하 여 활성 층 을 완성 하 였 다 .