제 2 실시 예 에 따른 FBC 메모리 의 제조 방법 은 제 1 실시 예 와 유사 하 고 , 따라서 , 상이 한 공정 만 설명 한다 . 도 9 는 도 3 a 에 대응 하 는 상면 도 이 다 . 제 2 실시 예 에서 , 도 9 에 도시 한 바 와 같이 , 더미 액티브 영역 DAA 의 지지 유닛 ( 40 ) 의 형성 영역 이 스트라이프 형태 로 존재 한다 . 이 는 리소그래피 의 마스크 패턴 을 변경 함 으로써 실현 된다 . 실리콘 층 ( 31 ) 및 실리콘 게르마늄 층 ( 25 ) 은 도 9 에 도시 된 패턴 으로 에칭 되 어 , 트렌치 ( 35 ) 를 형성 한다 .