경화 성 수지 조성물 에 있 어서 , 화합물 ( B ) 는 , 그 적어도 일부 의 분자 가 반도체 입자 ( A ) 에 배위 하 고 있 는 것 이 바람직 하 고 , 그 모두 또는 대략 모든 분자 가 반도체 입자 ( A ) 에 배위 하 고 있 어도 된다 . 즉 , 경화 성 수지 조성물 은 , 반도체 입자 ( A ) 에 배위 하 고 있 지 않 은 화합물 ( B ) 를 포함 해도 되 지만 , 반도체 입자 ( A ) 에 배위 하 고 있 는 화합물 ( B ) 를 포함 하 는 것 이 바람직 하 다 . 반도체 입자 ( A ) 에 배위 하 고 있 는 화합물 ( B ) 를 포함 하 는 것 은 , 경화 성 수지 조성물 의 패 터닝 성 을 개선 하 는데 , 및 / 또는 , QY 보지 율 을 높이 는데 유리 해질 수 있 다 . 화합물 ( B ) 는 , 통상 , 극성기 X 를 통하 여 반도체 입자 ( A ) 에 배위 할 수 있 다 . 기 Y 가 극성기 를 포함 하 는 경우 , 화합물 ( B ) 는 , 기 Y 의 극성기 를 통하 여 , 또는 극성기 X 및 기 Y 의 극성기 를 통하 여 반도체 입자 ( A ) 에 배위 할 수 도 있 다 . 화합물 ( B ) 가 배위 하 고 있 는 것 은 , 화합물 ( B ) 에 바람직 한 분산매 에 반도체 입자 ( A ) 가 균일 분산 되 는 점 에서 확인 된다 .