본 발명 의 일 실시 예 에 따른 반도체 소자 의 제조 방법 은 반도체 기판 상 에 제 1 층간 절 연막 , 유전 상수 가 낮 은 물질 을 이용 한 식각 정지 막 및 제 2 층간 절 연막 을 순차 적 으로 형성 하 는 단계 , 상기 식각 정지 막 의 일부 가 노출 되 도록 상기 제 2 층간 절 연막 을 식각 한 후 노출 된 상기 식각 정지 막 을 제거 하 는 단계 , 및 트렌치 및 비 아홀 이 형성 되 도록 상기 제 2 층간 절 연막 및 상기 제 1 층간 절 연막 을 식각 하 여 다 마신 패턴 을 형성 하 는 단계 를 포함 한다 .