도 9 를 참조 하 면 , 본 비 교예 에 따른 비휘발성 메모리 소자 는 각 제어 게이트 전극 ( 115 a ) 하부 에 한정 하 여 전하 포획 층 ( 126 ) 이 형성 된 형태 다시 말 해서 , 제 어 게이트 전극 들 ( 115 a ) 사이 의 영역 에 는 전하 포획 층 ( 126 ) 이 형성 되 어 있 지 않 는 형태 를 가져 , 스 페이서 절 연막 ( 116 ) 이 제어 게이트 전극 ( 115 a ) 뿐 아니 라 전하 포획 층 ( 126 ) 의 측벽 에 도 형성 된 소자 이 다 . 이러 한 소자 에서 는 , 스 페이서 절 연막 ( 116 ) 의 폭 ( low - k thickness ) 의 변화 에 의해 프로그램 / 소거 문턱 전압 차이 의 변화 가 거의 없 는 것 을 알 수 있 다 . 이 는 전하 포획 층 ( 126 ) 이 제어 게이트 전극 ( 115 a ) 와 동일 한 폭 을 가짐 에 따라 , 프로그램 과정 에서 제어 게이트 전극 ( 115 a ) 측벽 에 인접 하 는 스 페이서 절 연막 내 에 집중 되 는 전계 가 전하 포획 층 ( 126 ) 내부 로 의 전하 축적 에 크 게 영향 을 미치 지 못하 기 때문 인 것 으로 추정 할 수 있 다 .