발광 디바이스 에서 정공 수송 층 은 정공 주입 층 에 의하 여 양극 으로부터 주입 된 정공 을 발광 층 에 수송 하 는 층 이 다 . 수광 디바이스 에서 정공 수송 층 은 활성 층 에 입사 된 광 을 바탕 으로 발생 한 정공 을 양극 에 수송 하 는 층 이 다 . 정공 수송 층 은 정공 수송 성 재료 를 포함 한 층 이 다 . 정공 수송 성 재료 로서 는 1 × 10 - 6 cm 2 / Vs 이상 의 정공 이동도 를 가지 는 물질 이 바람직 하 다 . 또한 전자 보다 정공 의 수송 성 이 높 은 물질 이 면 , 이 들 이외 의 물질 을 사용 할 수 도 있 다 . 정공 수송 성 재료 로서 는 , π 전자 과잉 형 헤테로 방향 족 화합물 ( 예 를 들 어 카바졸 유도체 , 싸이오펜 유도체 , 퓨란 유도체 등 ) 이나 방향 족 아민 ( 방향 족 아민 골격 을 가지 는 화합물 ) 등 정공 수송 성 이 높 은 재료 가 바람직 하 다 .