도 4 내지 도 7 에 도시 한 바 와 같이 , MOS 트랜지스터 TR 각각 은 반도체 기판 ( 10 ) 중 에 설치 된 소자 영역 ( AA ) 의 각각 상 에 형성 된다 . 각 소자 영역 ( AA ) 의 주위 는 소자 분리 영역 ( ST 1 ) 에 의해 둘러싸여 있 으며 , 소자 영역 ( AA ) 는 서로 전기 적 으로 분리 되 어 있 다 . 각 소자 영역 ( AA ) 내 에 는 3 개 의 n 형 불순물 확산 층 ( 31 ) 이 형성 되 어 있 다 . 3 개 의 확산 층 ( 31 ) 은 서로 이격 되 면서 , 반도체 기판 면내 에서 의 제 1 방향 을 따라 배치 되 어 있 다 . 이 들 확산 층 ( 31 ) 은 MOS 트랜지스터 TR 의 소스 또는 드레 인 영역 에 대한 LDD ( Lightly Doped Drain ) 영역 으로서 기능 하 는 것 이 다 . 제 1 실시 예 에서 , 제 1 방향 을 따라 2 개 의 확산 층 ( 31 ) 에 의해 사이 에 끼워진 확산 층 ( 31 ) 이 소스 및 드레 인 중 어느 한쪽 ( MOS 트랜지스터 TRi ( i 는 2 ∼ 9 의 자연수 ) 에서 Vdd 노드 또는 용량 소자 C ( i - 1 ) 에 접속 되 는 측 ) 으로서 기능 하 고 , 나머지 2 개 의 확산 층 ( 31 ) 이 다른 쪽 ( MOS 트랜지스터 TRj ( j 는 1 ~ 9 의 자연수 ) 에 있 어서 , 용량 소자 Ci 또는 출력 노드 에 접속 되 는 측 ) 으로서 기능 한다 . 이하 , 구별 이 필요 할 경우 에 는 , 소스 및 드레 인 중 어느 한쪽 으로서 기능 하 는 확산 층 ( 31 ) 을 확산 층 31 - 1 로 칭하 고 , 다른 쪽 으로서 기능 하 는 확산 층 ( 31 ) 을 확산 층 31 - 2 로 칭하 는 경우 가 있 다 .