도 9 d 를 참조 하 면 , 수직 채널 ( 340 ) 을 따라 게이트 들 ( 365 ) 이 에 어 갭 들 ( 316 ) 에 의해 상하 이격 된 게이트 스택 ( 304 a ) 을 형성 할 수 있 다 . 일례 로 , 워드 라인 컷 ( 332 ) 을 통해 불 산 ( HF ) 혹은 불 산 ( HF ) 과 질산 ( HNO 3 ) 혼합액 을 제공 하 여 제 1 희생 막 들 ( 311 - 314 ) 을 선택 적 으로 제거 할 수 있 다 . 이 에 따라 게이트 들 ( 365 ) 사이 에 는 에어 갭 들 ( 316 ) 이 형성 될 수 있 다 . 이어서 , 워드 라인 컷 ( 332 ) 의 상부 입 구부 를 막 는 절 연막 ( 375 ) 을 형성 할 수 있 다 . 예컨대 , 도 5 e 를 참조 하 여 설명 한 바 와 동일 유사 하 게 , 게이트 스택 ( 304 a ) 상 에 실리콘 산화 막 ( SiO 2 ) 혹은 실리콘 질화 막 ( SiN 혹은 Si 3 N 4 ) 을 오버행 현상 이 일어나 도록 절 연막 을 형성 하 고 , 그 절 연막 과 캡 핑 절 연막 ( 371 ) 을 평탄 화 할 수 있 다 .