본 발명 에 따른 구체 화 는 또한 여러 가지 다른 SMT 공정 에 도 적절 하 다 . 간단 명료 를 목적 으로 , 도 3 내지 6 은 일반 적 으로 ( 예 를 들 면 , PET 또는 PEN 을 포함 하 는 ) 중합체 기판 ( 100 ) 에 결합 된 접착 패드 에 2 개 의 터미널 장치 ( 예 를 들 면 , 전자 부품 ( 302 , 502 , 504 ) ) 가 결합 된 것 을 묘사 한다 . 그러나 , 본 발명 에 따른 구체 화 는 다른 수 의 터미널 에 결합 된 전자 부품 ( 예 를 들 면 , 도 7 의 702 c ) 을 적절 하 게 이용 할 수 있 다 . 예 를 들 면 , QFP ( quad - flat pack ) , QFN ( quad - flat no leads ) , 또는 BGA ( ball grid array ) 등 과 같 은 다양 한 패키지 유형 을 가진 집적회로 가 기판 에 부착 될 수 도 있 다 . 본 발명 에 따른 구체 화 는 또한 중합체 기판 ( 100 ) 에 전자 부품 을 전자 적 으로 결합 하 기 위하 여 와이어 본딩 ( wire bonding ) SMT 공정 을 적절 하 게 이용 할 수 있 다 . 그런 한 접근 에서 , 일부 구체 화 에서 배 킹 재 ( backing material ) 가 사용 될 수 도 있 지 만 , 딱딱 한 배 킹 재 를 요구 하 지 않 고 폴리에스테르 기판 에서 와이어 본딩 공정 을 실행 한다 . 게다가 , 본 발명 에 따른 그런 구체 화 에서 , 중합체 기판 에 결합 된 접착 패드 에 전기 적 으로 집 적 회로 다이 ( integrated circuit die ) 를 결합 하 기 위하 여 이용 된 와이어 본딩 에 종래 에 적용 된 캡 술 화 물질 ( encapsulating material ) 의 증착 을 폴리에스테르 기판 이 잘 견딘다 . 또한 , 본 발명 에 따른 구체 화 는 중합체 기판 ( 100 ) 에 전자 부품 을 전자 적 으로 결합 하 기 위하 여 플립 칩 ( flip chip ) SMT 공정 을 적절 하 게 이용 할 수 있 다 . 한 그런 구체 화 에서 , 이방성 전도성 필름 ( anisotropic conductive film ) 이 집 적 회로 를 다수 의 대응 하 는 접착 패드 에 결합 시키 는 데 가열 된 다이 ( heated die ) 가 이용 된다 . 본 발명 에 따른 구체 화 는 중합체 기판 이 컬링 , 휨 또는 다른 원치 않 는 변형 이 일어나 지 않 게 하 면서 ( PET , PEN 또는 어떤 다양 한 열가소성 물질 등 과 같 은 ) 중합체 기판 이 그런 SMT 공정 에 관련 된 가열 을 견딜 수 있 다는 것 을 명확 하 게 증명 한다 .