다음 에 , 레지스 트 마스크 ( 223 ) 를 애 싱하 여 , 후퇴 시키 는 것 으로 , 막 두께 가 얇 은 영역 이 분리 된 레지스 트 마스크 ( 231 ) 를 형성 한다 . 다음 에 , 상기 마스크 를 사용 하 여 절 연막 ( 101 ) 및 보호 절 연막 ( 76 ) 을 에칭 한다 . 다음 에 , 도너 가 되 는 불순물 원소 를 포함 하 는 미결정 반도체 막 ( 258 a ) , 및 제 1 버퍼 층 ( 262 a ) , 제 2 버퍼 층 ( 242 a ) 의 각각 일부 를 에칭 하 여 , 도 19 c 에 도시 하 는 바 와 같 은 , 게이트 절 연막 ( 52 b ) 을 노출 시키 는 콘택트 홀 ( 234 ) 을 형성 한다 . 이 때 , 게이트 절 연막 ( 52 b ) 이 에칭 되 지 않 는 조건 으로 , 절 연막 ( 101 ) , 보호 절 연막 ( 76 ) , 도너 가 되 는 불순물 원소 를 포함 하 는 미결정 반도체 막 ( 258 a ) , 및 제 1 버퍼 층 ( 262 a ) , 제 2 버퍼 층 ( 242 a ) 의 각각 일부 를 에칭 하 는 것 이 바람직 하 다 . 또한 , 상기 에칭 공정 에 의해 , 도 19 b 에 도시 하 는 콘택트 홀 ( 224 내지 226 ) 에 있 어서 도 , 절 연막 ( 102 ) 및 보호 절 연막 ( 76 ) 의 일부 가 에칭 되 어 , 상면 형상 이 2 중 의 콘택트 홀 ( 232 , 234 , 235 ) 을 형성 한다 .