상기 경화 성 수지 층 의 가시광선 투과율 은 , 45 ％ 이하 이 며 , 충분히 낮 다 . 이러 한 특성 의 상기 경화 성 수지 층 으로부터 는 , 동일 하 게 가시광선 투과 율 이 충분히 낮 은 제 1 보호막 을 형성 할 수 있 다 . 이러 한 경화 성 수지 층 혹은 제 1 보호막 을 범프 형성 면 에 구비 한 반도체 웨이퍼 또는 반도체 칩 에 있 어서 는 , 경화 성 수지 층 또는 제 1 보호막 의 은폐 작용 에 의해 , 회로 면 의 시인 이 곤란 또는 불 가능 하 게 된다 . 따라서 , 제 3 자 에 의한 회로 면 의 배선 패턴 에 관한 정보 의 취득 을 억제 할 수 있 다 . 또한 , 경화 성 수지 필름 을 회로 면 과 범프 의 표면 에 밀착 시키 려고 할 때 , 범프 의 정상 과 그 근방 을 포함 하 는 상부 영역 이 경화 성 수지 필름 을 관통 하 지 않 고 , 범프 의 상기 상부 영역 에 경화 성 수지 필름 이 잔존 해도 , 잔존 하 고 있 는 경화 성 수지 필름 과 이 로부터 형성 된 제 1 보호막 을 용이 하 게 인식 할 수 있 다 .