구체 적 으로 는 본 발명 의 일 실시 예 에 의하 면 , 상기 실리콘 ( Si ) 기판 의 두께 가 300 ㎛ 일 때 , 상기 양성자 의 에너지 는 5 내지 6 MeV 일 수 있 다 . 이 는 6 MeV 양성자 조사 깊이 가 297 ㎛ 까지 이 고 , 6 MeV 를 초과 하 는 경우 계면 을 통과 해 반도체 소자 까지 투과 되 어 소자 가 파괴 될 가능 성 이 있 기 때문 이 다 .