본 발명 의 실시 예 에서 는 제 1 게이트 도 전막 ( 130 ) 을 소정 두께 정도 잔류 되 게 식각 프로 파일 을 설정 한다 . 이때 , 제 1 게이트 도 전막 ( 130 ) 은 PMOS 소자 에서 매몰 채널 특성 을 형성 하 는 데 영향 을 미치 지 않 을 정도 예컨대 , 10 내지 50 Å 두께 정도 잔류 되 게 설정 할 수 있 다 . 이 에 따라 , 주변 회로 영역 의 제 1 영역 ( A ) 에 잔류 된 제 1 게이트 도 전막 ( 140 ) 은 제 1 게이트 도 전막 ( 140 ) 을 식각 하 는 과정 에서 게이트 절 연막 ( 120 ) 및 반도체 기판 ( 100 ) 의 손상 을 방지 하 여 소자 의 신뢰 성 을 보다 더 확보 할 수 있 다 .