먼저 , 도 1 a 에 도시 된 바 와 같이 , 기판 이 인입 된 챔버 ( 즉 , 장비 ) 내 에 플 라즈 마 를 발생 시키 게 되 면 균일 하 지 않 은 비 균일 플 라즈 마가 발생 된다 . 하 기 설명 에서 는 막 증착 을 중심 으로 본 실시 예 에 따른 코로나 하전 ( corona charge ) 에 의한 표면 차징 을 제거 하 는 방법 을 설명 한다 . 그러나 본 발명 은 이 에 한정 되 지 않 고 , 막 의 식각 공정 에 도 상술 한 코로나 하전 에 의한 표면 차징 의 제거 가 가능 하 다 . 또한 , 플라 즈 마를 이용 한 다양 한 반도체 제조 공정 중 에 상술 한 코로나 하전 을 적용 할 수 있 음 을 밝혀둔다 . 예 를 들 어 감광막 의 제거 에 사용 될 수 있 다 .