상술 한 바 와 같이 본 발명 의 적층 형 패키지 에 의하 면 , 이너 리드 와 콘 택 되 도록 몰딩 층 에 콘 택 홀 을 형성 한 후 , 이 콘 택 홀 에 전도성 부재 를 충 진 시켜 전기 적 연결 을 함 으로써 , 칩 스택 적층 형 패키지 와 패키지 스택 적층 형 패키지 의 혼합 에 의해 전체 적 인 두께 의 소폭 증가 와 더불 어 높 은 칩 덴 서티 를 얻 을 수 있 는 효과 를 제공 한다 .