예컨대 , 종말점 검출 방식 을 이용 한 식각 공정 은 습식 식각 공정 의 경우 미리 제 3 도 전막 ( 207 A ) 의 식각 속도 를 측정 하 여 식각 하 고자 하 는 제 3 도 전막 ( 207 A ) 의 두께 를 식각 하 는 데 필요 한 시간 을 계산 하 고 , 그 시간 동안 식각 공정 을 진행 하 는 방식 으로 진행 한다 . 이 와 반면 , 건식 식각 공정 의 경우 제 3 도 전막 ( 207 A ) 의 폴리 실리콘 막 에 대한 식각 이 끝나갈 무렵 유전체 막 ( 206 ) 의 상부 층 인 실리콘 산화 막 ( SiO 2 ) 이 식각 되 기 시작 하 면서 산소 ( O ) 에 해당 하 는 파장 에 대응 되 는 신호 를 검출 하 는 방식 으로 진행 한다 .