도 4 를 참조 하 면 , 본 발명 의 다른 실시 예 에 따른 유기 전계 발광 표시 장치 ( 400 ) 의 베이스 부재 ( 410 ) 는 제 1 오 목부 및 상기 제 1 오 목부 와 단차 를 가지 는 제 2 오 목부 를 구비 한다 . 상기 베이스 부재 ( 410 ) 의 제 2 오 목부 에 박막 트랜지스터 의 게이트 전극 ( 420 ) 이 형성 되 고 , 상기 게이트 전극 ( 420 ) 상 에 게이트 절 연막 ( 430 ) 이 형성 된다 . 상기 게이트 절 연막 ( 430 ) 은 상기 제 2 오 목부 에 형성 되 고 상기 제 1 오 목부 의 상부 양측 에 각각 배열 되 는 제 3 오 목부 및 상기 제 3 오 목부 와 단차 를 가지 는 제 4 오 목부 를 구비 하 는 게이트 절 연막 ( 430 ) 이 형성 된다 . 상기 게이트 절 연막 ( 430 ) 의 제 3 오 목부 에 는 소오 스 / 드레 인 전극 ( 441 ) , ( 445 ) 이 형성 되 고 , 상기 소오 스 / 드레 인 전극 ( 441 ) , ( 445 ) 상 의 제 4 오 목부 에 유기 반도체 층 ( 450 ) 이 형성 된다 . 상기 유기 반도체 층 ( 450 ) 상 에 보호막 ( 460 ) 이 형성 된다 . 상기 보호막 ( 460 ) 은 상기 소오 스 / 드레 인 전극 ( 441 ) , ( 445 ) 중 하나 , 예 를 들 어 드레 인 전극 ( 445 ) 을 노출 시켜 주 는 비어홀 ( 465 ) 을 구비 한다 .