상기 의 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 일 측면 에 따르 면 , 게이트 전극 과 게이트 하드 마스크 층 을 포함 하 는 게이트 패턴 이 형성 된 기판 상 에 층간 절 연막 을 형성 하 는 단계 , 상기 게이트 하드 마스크 층 의 상부 면 이 평탄 해 지 도록 상기 층간 절 연막 과 게이트 하드 마스크 층 을 평탄 화 하 는 단계 및 상기 게이트 패턴 사이 의 층간 절 연막 을 식각 하 여 콘 택 홀 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 는 반도체 소자 제조 방법 을 제공 한다 .