이 와 같이 , 종래 기술 에 따른 비휘발성 메모리 소자 의 제조 방법 에서 는 컨트롤 게이트 용 제 3 폴리 실 콘 막 ( 107 ) 을 증착 한 후 워드 라인 을 형성 하 기 위해 워드 라인 사이 가 개방 된 라인 패턴 ( line pattern ) 을 갖 는 식각 마스크 를 이용 하 여 제 3 폴리 실리콘 막 ( 107 ) , 유전체 막 ( 106 ) , 제 1 및 제 2 폴리 실리콘 막 ( 102 , 104 ) , 터널 링 산화 막 ( 101 ) 을 식각 한다 .