STI 의 형성 시 에 CMP ( 화학 기계 적 연마 ; Chemical Mechanical Polishing ) 공정 에서 디싱 ( dishing ) 을 억제 하 기 위해 , 더미 액티브 영역 이 종종 넓 은 소자 분리 영역 내 에 배치 된다 . 더미 액티브 영역 은 , 노멀 ( normal ) 액티브 영역 과 동일 한 SOI 구조 를 갖 지만 , 반도체 소자 는 이 더미 액티브 영역 에서 생성 되 지 않 는다 . 실리콘 게르마늄 층 의 에 칭량 이 상술 한 바 와 같이 필요 한 최소량 으로 제한 될 필요 가 있 기 때문 에 , 더미 액티브 영역 이 클 때 , 실리콘 게르마늄 층 은 더미 액티브 영역 아래 에서 남 아 있 게 된다 . 이 는 실리콘 게르마늄 층 에 의한 자기 오염 ( self contamination ) 을 초래 한다 . 또한 더미 액티브 영역 이 , 남 아 있 는 실리콘 게르마늄 의 폭발 적 산화 로 인해 벌크 기판 으로부터 제거 된다는 문제점 이 존재 한다 .