이 에 따라 , 완성 되 는 반도체 디바이스 ( 200 ) 는 반도체 다이 ( 120 ) 가 실장 될 영역 에서 상대 적 으로 두꺼운 두께 를 갖 는 패턴 ( 111 ) 과 이 에 연결 된 랜드 ( 111 a ) 가 형성 되 고 , 상기 컴포넌트 ( 130 ) 가 실장 될 영역 에서 상대 적 으로 얇 은 두께 를 갖 는 패턴 ( 211 ) 과 이 에 연결 된 랜드 ( 211 a ) 를 구비 하 는 서브 스트레이트 ( 210 ) 구조 가 형성 될 수 있 다 .