내부 스 페이서 층 들 ( 130 ) 은 채널 구조물 ( 140 ) 의 사이 에서 게이트 전극 ( 165 ) 과 나란 하 게 배치 될 수 있 다 . 내부 스 페이서 층 들 ( 130 ) 은 제 1 내지 제 3 채널 층 들 ( 141 , 142 , 143 ) 의 각각 의 하 면 상 에서 제 1 방향 , 예 를 들 어 x 방향 을 따른 게이트 구조물 ( 140 ) 의 양측 에 배치 될 수 있 다 . 내부 스 페이서 층 들 ( 130 ) 은 제 1 내지 제 3 채널 층 들 ( 141 , 142 , 143 ) 의 외측 면 과 실질 적 으로 공면 을 이루 는 외 측면 을 가질 수 있 다 . 제 3 채널 층 ( 143 ) 의 하부 에서 , 게이트 전극 ( 165 ) 은 내부 스 페이서 층 들 ( 130 ) 에 의해 소스 / 드레 인 영역 들 ( 150 ) 과 이격 되 어 , 전기 적 으로 분리 될 수 있 다 . 내부 스 페이서 층 들 ( 130 ) 은 게이트 전극 ( 165 ) 과 마주 하 는 측면 이 게이트 전극 ( 165 ) 을 향하 여 내측 으로 볼록 하 게 라운드 진 형태 를 가질 수 있 으나 , 이 에 한정 되 지 는 않 는다 . 내부 스 페이서 층 들 ( 130 ) 은 산화물 , 질화물 및 산질 화물 로 이루어질 수 있 으며 , 특히 저 유전 율 막 으로 이루어질 수 있 다