본 개시 의 다른 측면 에 따르 는 비휘발성 메모리 장치 는 기판 , 상기 기판 상 에 배치 되 는 전극 적층 체 , 상기 기판 상 에서 상기 전극 적층 체 를 관통 하 여 상기 게이트 전극 층 및 상기 층간 절연 층 의 측벽 면 을 노출 시키 는 트렌치 , 상기 트렌치 의 내 벽면 을 따라 상기 층간 절연 층 및 상기 게이트 전극 층 을 커버 하 도록 배치 되 며 , 음 의 캐 패 시턴 스 를 구비 하 는 강유 전 층 , 상기 강유 전 층 상 에 배치 되 며 , 양 의 캐 패 시턴 스 를 구비 하 는 게이트 유전 층 구조물 , 상기 게이트 유전 층 구조물 상 에 배치 되 는 채널 층 을 포함 한다 . 상기 전극 적층 체 는 상기 기판 에 수직 인 방향 으로 번갈 아 적층 되 는 적어도 하나 의 게이트 전극 층 및 층간 절연 층 을 포함 한다 . 상기 게이트 유전 층 구조물 은 상기 강유 전 층 상 에 배치 되 는 전하 장벽층 , 전하 트랩 층 및 전하 터널 링 층 을 포함 한다 .