도 4 를 참조 하 면 , 습식 식각 을 수행 하 여 게이트 도전 막 ( 220 ) 위 의 스 페이서 용 절 연막 ( 240 ) 표면 이 노출 되 도록 불순물 이온 이 주입 된 절 연막 ( 250 ) 을 제거 한다 . 앞서 언급 한 바 와 같이 , 이온 주입 에 의해 선택 비 가 적어도 10 : 1 이상 이 되 었 으므로 , 에치 백 이나 화학 적 기계 적 평탄 화 공정 을 수행 하 지 않 더라도 습식 식각 만 으로 게이트 도전 막 ( 220 ) 위 의 스 페이서 용 절 연막 ( 240 ) 표면 이 노출 되 도록 할 수 있 다 . 상기 습식 식각 은 희석 된 ( diluted ) HF 용액 을 이용 하 여 수행 할 수 있 다 .