초기 에 , 멤 리 스티브 재료 는 낮 은 도전율 ( conductivity ) 상태 에 있 으며 , 따라서 전압 이 0 ( 도 3 a 의 306 ) 에서 V + max ( 308 ) 바로 아래 까지 증가 할 때 그래프 의 제 1 부분 ( 318 ) 에서 전류 는 크기 가 비교 적 낮 게 유지 된다 . V + max 근처 에서 , 멤 리 스티브 재료 의 저항 이 비 선형 방식 으로 크 게 떨어짐 에 따라 , 또는 도전 율 이 상승 함 에 따라 , 전류 는 빠르 게 상승 ( 320 ) 하 기 시작 한다 . 이어서 , 전압 이 V + max 에서 V - max ( 310 ) 아래 로 감소 할 때 , 그래프 의 부분 들 ( 322 , 324 ) 에서 대응 전압 값 들 에 대해 멤 리 스티브 재료 에 의해 전달 되 는 비교 적 큰 크기 의 전류 들 로부터 알 수 있 듯이 , 멤 리 스티브 재료 의 도전율 은 높 게 유지 된다 . 음 의 전압 V - max 근처 에서 , 멤 리 스티브 재료 의 컨덕턴스 ( conductance ) 는 갑자기 급격히 감소 ( 326 ) 하 기 시작 한다 . 멤 리 스티브 재료 는 전압 이 V - max 에서 다시 0 을 향해 증가 ( 도 3 a 의 328 ) 함 에 따라 유지 되 는 낮 은 컨덕턴스 상태 로 설정 된다 . 도 3 b 에 도시 된 바 와 같이 , 제 2 전압 스 위프 ( 330 ) 는 점선 들 ( 332 ) 로 표시 된 제 1 전압 스 위프 동안 에 생성 된 컨덕턴스 에 관하 여 멤 리 스티브 재료 의 컨덕턴스 를 증가 시킨다 . 추가 적 인 전압 스 위프 들 은 이전 전압 스 위프 동안 에 생성 된 컨덕턴스 에 관하 여 멤 리 스티브 재료 의 컨덕턴스 를 더 증가 시킬 수 있 다 . 따라서 , 멤 리 스티브 재료 는 인가 전압 의 연속 증가 또는 감소 하 에 컨덕턴스 의 비 선형 성 을 나타내 며 , 또한 이전 컨덕턴스 상태 들 의 메모리 를 나타낸다 . 즉 , 본 발명 의 실시 예 들 에서 사용 되 는 다양 한 타입 의 멤 리 스티브 재료 들 에 대해 , 멤 리 스티브 재료 의 물리 적 상태 ( w ) 는 시간 에 관하 여 멤 리 스티브 재료 의 현재 의 물리 적 상태 및 인가 전압 양자 의 함수 로서 변한다 .