도 3 을 참조 하 면 , 실리콘 - 게르마늄 에 피층 패턴 ( 도 2 의 120 ) 및 실리콘 에 피층 패턴 ( 도 3 의 115 ) 을 화학 적 기계 적 연마 ( chemical mechanical polishing ; CMP ) 법 을 이용 하 여 평탄 화 한다 . 하지만 , 종래 의 CMP 후 후 실리콘 - 게르마늄 에 피층 패턴 ( 120 a ) 및 실리콘 에 피층 패턴 ( 115 a ) 의 높이 는 일정 하 게 평탄 화 되 지 못한다 . 왜냐하면 , 초기 단차 및 실리콘 에 피층 패턴 ( 115 a ) 과 실리콘 - 게르마늄 에 피층 패턴 ( 120 a ) 의 제거 속도 가 고려 되 지 못했 기 때문 이 다 .