따라서 본 발명 에서 는 , 상기 실시 형태 에서 설명 한 바 와 같이 , 처리 챔버 ( chamber ) ( 반응 용기 ) 에서 처리 하 기 전 에 반도체 표면 을 전 처리 에서 클린 화 함 으로써 , 실리콘 의 미소 한 입자 를 형성 하 는 핵 을 제어 하 기 좋 게 형성 할 수 있 도록 하 고 있 다 . 이 에 따라 , 안정 된 반도체 장치 의 성능 을 확보 할 수 있 게 된다 .