도 3 d 를 참조 하 면 , 상기 리세 스 된 활성 영역 ( H ) 의 측벽 에 절연 막 스 페이서 ( 204 ) 가 형성 되 어 있 는 반도체 기판 ( 200 ) 에 식각 공정 을 진행 하 여 상기 게이트 형성 영역 의 리세 스 된 활성 영역 ( H ) 의 바닥 으로부터 300 ∼ 3000 Å 의 깊이 로 홈 ( H ') 을 형성 한다 . 이때 , 상기 홈 ( H ') 의 형성 시 상기 리세 스 된 활성 영역 ( H ) 이외 의 활성 영역 부분 도 300 ∼ 3000 Å 의 깊이 로 식각 된다 .