일 실시 예 에서 , 제 1 스위칭 트랜지스터 ( Ts _ 1 ) 및 제 2 스위칭 트랜지스터 ( Ts _ 2 ) 는 어느 하나 의 전도성 영역 을 공유 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 제 1 스위칭 트랜지스터 ( Ts _ 1 ) 및 제 2 스위칭 트랜지스터 ( Ts _ 2 ) 는 제 3 전도성 영역 ( 120 b 3 ) 을 공유 할 수 있 다 . 다만 , 본 발명 이 이 에 한정 되 지 는 않 는다 . 예 를 들 어 , 다른 실시 예 에서 는 제 1 스위칭 트랜지스터 ( Ts _ 1 ) 및 제 2 스위칭 트랜지스터 ( Ts _ 2 ) 의 전도성 영역 들 이 서로 분리 된 패턴 으로 형성 되 되 , 상기 제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터 들 ( Ts _ 1 , Ts _ 2 ) 각각 의 어느 한 전도성 영역 들 ( 일 예 로 , 제 1 스위칭 트랜지스터 ( Ts _ 1 ) 의 소스 영역 및 제 2 스위칭 트랜지스터 ( Ts _ 2 ) 의 드레 인 영역 ) 이 서로 전기 적 으로 연결 될 수 도 있 다 .