몇몇 실시 예 에서 , 제 1 반도체 패턴 ( 120 ) 과 제 2 배선 패턴 ( 155 ) 사이 및 제 2 반도체 패턴 ( 220 ) 과 제 3 배선 패턴 ( 255 ) 사이 에 실리사이드 막 ( 130 , 230 ) 이 개재 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 도 4 에 도시 된 것 처럼 , 제 2 불순물 영역 ( 126 ) 과 제 2 배선 패턴 ( 155 ) 사이 에 , 제 2 불순물 영역 ( 126 ) 과 제 2 배선 패턴 ( 155 ) 을 연결 하 는 제 2 실리사이드 막 ( 134 ) 이 형성 될 수 있 다 . 실리사이드 막 ( 130 , 230 ) 은 제 1 반도체 패턴 ( 120 ) 과 제 2 배선 패턴 ( 155 ) 사이 의 콘 택 저항 및 제 2 반도체 패턴 ( 220 ) 과 제 3 배선 패턴 ( 255 ) 사이 의 콘 택 저항 을 경감 시키 는 데 이용 될 수 있 다 .