또 다른 실시 예 에 있 어서 , 상기 피복 패턴 들 을 형성 한 후 , 반응 하 지 않 은 상기 피복제 를 제거 하 여 상기 포토레지스트 패턴 들 사이 에 상기 하드 마스크 막 을 노출 할 수 있 다 . 상기 피복 패턴 들 및 상기 포토레지스트 패턴 들 을 식각 마스크 로 사용 하 여 상기 노출 된 하드 마스크 막 을 식각 하 여 하드 마스크 패턴 들 을 형성 할 수 있 다 . 상기 하드 마스크 패턴 들 을 식각 마스크 로 사용 하 여 상기 기판 을 식각 할 수 있 다 .