본 발명 에 따른 상변화 기억 소자 의 제조 방법 은 , 접합 영역 을 구비 한 반도체 기판 상 에 제 1 층간 절 연막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 제 1 층간 절 연막 을 식각 하 여 접합 영역 을 노출 시키 는 콘 택 홀 을 형성 하 는 단계 ; 상기 콘 택 홀 을 매립 하 도록 제 1 층간 절 연막 상 에 도전 막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 도전 막 상 에 하드 마스크 막 을 형성 하 는 단계 ; 및 상기 하드 마스크 막 과 도전 막 을 식각 하 여 상기 콘 택 홀 내 에 콘 택 플러그 를 형성 함 과 아울러 상기 콘 택 플러그 및 이 에 인접 하 는 제 1 층간 절 연막 부분 상 에 배치 되 고 상부 에 하드 마스크 를 구비 한 도전 막 패턴 을 형성 하 는 단계 ; 를 포함 한다 .