정공 주입 층 은 상기 P 형 AluGa 1 - uN 층 , P 형 AlvGa 1 - vN 층 및 P 형 GaN 층 중 두 층 또는 세 층 이 주기 적 으로 배열 된 형태 를 사용 함 으로써 , 압 전 분극 필드 의 형성 에 유리 하 고 , 정공 활성 에너지 를 감소 시키 고 , 정공 농도 를 증가 시키 고 , 전자 정공 복합 효율 을 향상 시키 며 , 이 에 따라 자외선 LED 의 내부 양자 효율 및 발광 효율 을 더욱 향상 시킨다 .