일반 적 으로 , 반도체 소자 를 제조 하 는 과정 에서 반도체 기판 인 웨이퍼 는 물질 층 의 증착 공정 과 증착 된 물질 층 을 에칭 하 는 공정 , 세정 공정 , 건조 공정 등 여러 단계 의 공정 을 거치 게 된다 . 이러 한 공정 중 에 물리 적 화학 적 공정 ( CVD ) 를 사용 하 는 대부분 의 공정 이 반도체 소자 형성 을 위한 물질 층 형성 공정 과 형성 된 물질 층 을 원하 는 형태 로 패 터닝 하 는 공정 으로 이루어진다 .