이 에 따라 , 기판 지지 부 ( 120 ) 상 에 안착 된 복수 의 기판 ( W ) 각각 은 기판 지지 부 ( 120 ) 의 회전 에 따라 상기 제 1 내지 제 4 가스 분사 영역 을 통과 하 게 되 고 , 이 에 따라 , 복수 의 기판 ( W ) 각각 상 에 는 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈 ( 330 a , 130 b , 130 c , 130 d ) 각각 으로부터 공간 적 으로 분리 되 어 분사 되 는 제 1 가스 ( G 1 ) 와 플 라즈 마 화 된 제 2 가스 ( PG 2 ) 의 상호 반응 에 의해 소정 의 박막 물질 이 증착 되게 된다 . 이때 , 플 라즈 마 화 된 제 3 가스 ( PG 3 ) 는 제 1 가스 ( G 1 ) 와 플 라즈 마 화 된 제 2 가스 ( PG 2 ) 가 기판 ( W ) 상 으로 분사 되 는 도중 에 혼합 되 어 반응 하 는 것 을 방지 하 여 제 1 가스 ( G 1 ) 와 플 라즈 마 화 된 제 2 가스 ( PG 2 ) 가 기판 ( W ) 의 상면 에 분사 된 후 상호 혼합 되 어 반응 되 도록 한다 .