다시 말 해 , 110 단계 에서 일실 시예 에 따른 박막 의 결정 성장 거동 조절 방법 은 130 내지 150 의 온도 범위 내 에서 TDMASn ( Tetrakis ( dimethylamino ) Tin ) 전구체 및 황화수소 ( H 2 S ) 반응 가스 를 이용 한 원자 층 증착 공정 을 통해 결정질 이 황화주석 ( SnS 2 ) 시드 층 ( 112 ) 을 형성 할 수 있 다 .