도 5 d 를 참조 하 면 , 버퍼 층 ( 131 ) 상 에 활성 층 ( 142 ) 을 덮 는 게이트 절연 층 ( 133 ) 을 형성 하 고 , 게이트 절연 층 ( 133 ) 상 에 게이트 전극 ( 144 ) 을 형성 할 수 있 다 . 게이트 전극 ( 144 ) 을 형성 한 후 , 게이트 절연 층 ( 133 ) 상 에 게이트 전극 ( 144 ) 을 덮 는 층간 절연 층 ( 135 ) 을 형성 할 수 있 다 . 게이트 절연 층 ( 133 ) 및 층간 절연 층 ( 135 ) 은 실리콘 옥사이드 , 실리콘 나이트 라이드 및 / 또는 실리콘 옥시 나이트 라이드 등 의 무기물 을 포함 하 며 단층 또는 다층 으로 형성 될 수 있 다 . 게이트 전극 ( 144 ) 은 몰리브덴 ( Mo ) 의 단일 층 으로 형성 될 수 있 으나 , 이 에 제한 되 진 않 는다 .