한편 , 이러 한 단일 집 적 소자 의 임계 전류 를 낮추 기 위하 여 는 칩 사이즈 를 최소 화 하 여야 한다 . 따라서 , 이 를 위해 SLD 를 매립 형 이종 접합 ( Buried Heterostructure , 이하 BH 라 함 ) 구조 로 제작 하 는 것 이 바람직 하 다 . 이 는 BH 구조 가 BRS ( Buried Ridge Stripe ) 구조 보다 활성 층 이외 로 의 전류 흐름 을 차단 하 는 특 성 이 우수 하 여 저 전류 특성 및 고 성능 을 발휘 하 기 때문 이 다 .