또한 , 상기 반도체 소자 제조 방법 은 , 상기 제 3 메탈 층 형성 단계 이전 에 화학 기계 적 연마공 정 을 이용 하 여 상기 제 2 베리어 메탈 층 을 평탄 화 하 는 단계 를 더 포함 하 고 , 전압 을 인가 하 여 상기 제 1 베리어 메탈 과 상기 실리콘 층 사이 및 상기 제 2 베리어 메탈 패턴 과 상기 실리콘 층 사이 에 실리사이드 를 형성 하 는 단계 를 더 포함 하 는 것 을 특징 으로 한다 .