그리고 , 종래 에 는 n - 웰 을 형성 함 에 따라 소거 동작 시 에 컨트롤 게이트 에 음 ( -) 전압 ( negative voltage ) 을 인가 하 게 되 면 반도체 기판 ( 1 ) 과 n - 웰 사이 에 p - n 순방향 전압 이 걸리 게 되 어 , 결국 기판 으로 전류 가 모두 패스 되 는 문제점 이 있 었 으나 본 발명 은 음 ( -) 전압 을 인가 할 수 있 으므로 , NOR 어레이 구성 을 함 에 있 어서 셀 의 과 - 소거 ( over - erase ) 시 에 전력 소모 를 줄이 면서 도 복구 및 테스트 가 용이 한 이점 이 있 다 .