이상 과 같 은 기판 ( 310 ) 과 타 겟 부 ( 420 ) 의 배치 구조 는 플 라즈 마 를 형성 하 는 r - 전자 또는 음 이온 이 발광 층 ( 330 ) 상 에 직접 충돌 하 는 현상 을 방지 할 수 있 다 . 따라서 , 본 발명 의 일실 시예 에 따른 대향 형 스퍼터링 시스템 을 이용 한 전계 발광 소자 의 제조 방법 은 종래 스퍼터링 시스템 ( 도 2 참조 ) 에서 발생 하 였 던 발광 층 의 손상 문제 를 방지 할 수 있 다 .