이 막 위 에 전자 수송 층 으로서 막 두께 30 ㎚ 로 화합물 ET 1 을 제막 률 0 . 1 Å / s 성막 하 였 다 . 이 후 , LiF 를 막 두께 0 . 5 ㎚, 제막 률 0 . 1 Å / s 로 성막 하 였 다 . 이 LiF 막 위 에 금속 Al 을 제막 률 1 Å / s 로 100 ㎚ 증착 시켜 금속 음극 을 형성 함 으로써 유기 EL 발광 소자 를 형성 하 였 다 .