도 2 를 참조 하 면 , 저항성 메모리 셀 어레이 는 크로스 포인트 구조 ( cross point structure ) 를 가질 수 있 다 . 크로스 포인트 구조 는 하나 의 라인 과 다른 라인 이 서로 교차 되 는 영역 에 , 하나 의 저항성 메모리 셀 ( MC ) 이 형성 되 어 있 는 구조 를 의미 한다 . 예 를 들 어 , 비트 라인 ( BL 1 _ 1 ~ BL 4 _ 1 ) 이 제 1 방향 으로 연장 되 어 형성 되 고 , 워드 라인 ( WL 1 _ 1 ~ WL 3 _ 1 ) 이 상기 비트 라인 ( BL 1 _ 1 ~ BL 4 _ 1 ) 과 서로 교차 되 도록 제 2 방향 으로 연장 되 어 형성 되 고 , 각 비트 라인 ( BL 1 _ 1 ~ BL 4 _ 1 ) 과 각 워드 라인 ( WL 1 _ 1 ~ WL 3 _ 1 ) 이 교차 되 는 영역 에 저항성 메모리 셀 ( MC ) 이 형성 될 수 있 다 . 각 저항성 메모리 셀 ( MC ) 은 가변 저항 소자 ( B ) 와 , 가변 저항 소자 ( B ) 에 흐르 는 전류 를 제어 하 는 억세 스 소자 ( A ) 를 포함 할 수 있 다 .