다음 으로 , 절연 층 ( 132 ) 에 대해서 , 소스 층 ( 130 a ) 및 드레 인 층 ( 130 b ) 까지 달하 는 개구 를 형성 한다 . 이 때 , 후 에 게이트 층 ( 136 d ) 이 형성 되 는 영역 에 도 함께 개구 를 형성 한다 . 그리고 , 상기 개구 에 묻 도록 , 도전 층 ( 134 ) 을 형성 한다 ( 도 13 ( B ) 참조 ) . 상기 개구 는 마스크 를 이용 한 에칭 등 의 방법 으로 형성 할 수 있 다 . 상기 마스크 는 , 포토 마스크 를 이용 한 노광 등 의 방법 에 의해 형성 할 수 있 다 . 에칭 으로서 는 웨트 에칭 , 드라이 에칭 의 어느 하나 를 이용 해도 좋 지만 , 미세 가공 의 관점 에서 는 , 드라이 에칭 을 이용 하 는 것 이 적절 하 다 . 도전 층 ( 134 ) 의 형성 은 , PVD 법 이나 CVD 법 등 의 성막 법 을 이용 하 여 행할 수 있 다 . 도전 층 ( 134 ) 의 형성 에 이용 할 수 있 는 재료 로서 는 , 몰리브덴 , 티탄 , 크롬 , 탄탈 , 텅스텐 , 알루미늄 , 구리 , 네오디뮴 , 스칸듐 등 의 도전 성 재료 나 , 이 들 의 합금 , 화합물 ( 예 를 들 면 , 질화물 ) 등 이 있 다 .