다음 으로 , 도 7 a 및 도 7 b 에 도시 된 바 와 같이 , 매립 절 연막 ( 20 ) 이 실리콘 게르마늄 층 ( 25 ) 을 제거 함 으로써 형성 된 공간 에 매립 된다 . 매립 절 연막 ( 20 ) 은 열 적 산화 또는 LPCVD ( 저압 화학 증착 ; Low Pressure Chemical Vapor Deposition ) 또는 플라 즈 마 CVD 에 의해 매립 된다 . 매립 절 연막 ( 20 ) 은 또한 소자 분리 영역 IA 에 형성 된다 . 매립 절 연막 ( 20 ) 은 CMP 를 이용 해서 마스크 층 ( 42 ) 의 표면 레벨 까지 연마 된다 . 따라서 , 도 7 b 에 도시 된 바 와 같 은 구조 가 얻 어 진다 . 이러 한 일련 의 공정 에서 , 지지 유닛 ( 40 ) 은 더미 액티브 영역 DAA 및 액티브 영역 AA 을 벌크 기판 ( 10 ) 에 고정 시킨다 . 따라서 , 더미 액티브 영역 DAA 및 액티브 영역 AA 은 공정 동안 벗겨지 지 않 는다 .