제 2 세라믹 기판 ( 110 b ) 은 소정 의 유전율 을 가지 는 유전체 로 형성 될 수 있 다 . 일 예 로 , 제 2 세라믹 기판 ( 110 b ) 은 제 1 세라믹 기판 ( 110 a ) 과 유사 한 육면체 형상 의 세라믹 소 결체 로 형성 될 수 있 다 . 제 2 세라믹 기판 ( 110 b ) 은 제 1 세라믹 기판 ( 110 a ) 과 동일 한 유전율 을 가질 수 있 고 , 실시 예 에 따라 , 제 1 세라믹 기판 ( 110 a ) 과 다른 유전율 을 가질 수 있 다 . 일 예 로 , 제 2 세라믹 기판 ( 110 b ) 의 유전율 은 제 1 세라믹 기판 ( 110 a ) 의 유전 율 보다 높 을 수 있 다 . 본 발명 의 일 실시 예 에 따르 면 , 제 2 세라믹 기판 ( 110 b ) 의 유전 율 이 제 1 세라믹 기판 ( 110 a ) 의 유전 율 보다 높 은 경우 , 유전 율 이 높 은 제 2 세라믹 기판 ( 110 b ) 측 으로 RF 신호 가 방사 되 어 , RF 신호 의 이득 을 향상 시킬 수 있 다 .