여기 서 , 차광막 ( W ) ( 206 ) 과 절 연막 ( SiO 2 ) ( 204 ) 과 의 밀착 성 의 향상 을 도모 하 기 위해 밀착 층 ( Ti ) ( 205 ) 을 형성 하 고 있 는 것 인데 , Ti 는 산소 ( O ) 와 의 결합력 이 강하 다 . 그리고 , 이러 한 Ti 에 의한 환원 작용 에 의해 산화 막 ( 202 ) 과 반도체 기판 ( 201 ) 의 계면 으로부터 산소 원자 ( O ) 가 빼앗기 게 되 어 , 상술 한 바 와 같이 , 산화 막 ( 202 ) 과 반 동체 기판 ( 201 ) 사이 의 계면 에서 데미지 가 생기 게 되 고 , 결과 로서 암전 류 의 발생 을 조장 하 여 버리 게 된다 .