적어도 2 층 의 막 을 포함 하 는 버퍼 층 으로 도 3 의 ( a ) 에 도시 된 바 와 같이 BxGa ( 1 - x ) N 막 ( 300 a ) 과 그 상부 에 ByAl ( 1 - y ) N 막 ( 300 b ) 이 순차 적 으로 형성 된다 . 또한 , 도 3 의 ( b ) 에 도시 된 바 와 같이 ByAl ( 1 - y ) N 막 ( 300 aa ) 과 그 상부 에 BxGa ( 1 - x ) N 막 ( 300 b ) 이 순차 적 으로 형성 된다 . 또한 , 도 3 의 ( c ) 에 도시 된 바 와 같이 BxGa ( 1 - x ) N 막 ( 300 a ) , ByAl ( 1 - y ) N 막 ( 300 b ) 및 GaN 막 ( 300 c ) 이 순차 적 으로 형성 된다 . 또한 , 도 3 의 ( d ) 에 도시 된 바 와 같이 ByAl ( 1 - y ) N 막 ( 300 a ) , BxGa ( 1 - x ) N 막 ( 300 b ) 및 GaN 막 ( 300 c ) 이 순차 적 으로 형성 된다 . 또한 , 도 3 의 ( e ) 에 도시 된 바 와 같이 BxGa ( 1 - x ) N 막 ( 300 a ) , GaN 막 ( 300 b ) 및 ByAl ( 1 - y ) N 막 ( 300 c ) 이 순차 적 으로 형성 된다 . 또한 , 도 3 의 ( f ) 에 도시 된 바 와 같이 ByAl ( 1 - y ) N 막 ( 300 b ) , GaN 막 ( 300 b ) 및 BxGa ( 1 - x ) N 막 ( 300 c ) 이 순차 적 으로 형성 된다 . 또한 , 도 3 의 ( g ) 에 도시 된 바 와 같이 GaN 막 ( 300 a ) , BxGa ( 1 - x ) N 막 ( 300 b ) 및 ByAl ( 1 - y ) N 막 ( 300 c ) 이 순차 적 으로 형성 된다 . 또한 , 도 3 의 ( h ) 에 도시 된 바 와 같이 GaN 막 ( 300 a ) , ByAl ( 1 - y ) N 막 ( 300 b ) 및 BxGa ( 1 - x ) N 막 ( 300 c ) 이 순차 적 으로 형성 된다 . 상술 한 바 와 같이 붕소 를 포함 한 질화물 계열 의 물질 막 이 2 개 또는 3 개 의 막 이 순차 적 으로 형성 되 어 본 실시 예의 단일 막 들 이 적층 된 버퍼 층 ( 200 ) 이 된다 . 이 와 같이 버퍼 층 을 붕소 가 포함 된 단일 막 들 을 적층 시켜 형성 하 여 그 상부 에 형성 된 반도체 층 과 의 격자 결함 을 줄일 수 있 고 , 결정 성 을 향상 시킬 수 있 다 .