제 1 도전 성 반도체 층 ( 11 ) 은 일 예 로 적어도 하나 의 n 형 반도체 층 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 제 1 도전 성 반도체 층 ( 11 ) 은 InAlGaN , GaN , AlGaN , InGaN , AlN , InN 중 어느 하나 의 반도체 재료 를 포함 하 며 , Si , Ge , Sn 등 과 같 은 제 1 도전 성 도 펀트 가 도핑 된 n 형 반도체 층 을 포함 할 수 있 다 . 다만 , 제 1 도전 성 반도체 층 ( 11 ) 을 구성 하 는 물질 이 이 에 한정 되 는 것 은 아니 며 , 이 외 에 도 다양 한 물질 로 제 1 도전 성 반도체 층 ( 11 ) 을 구성 할 수 있 다 .