또한 , 수소 를 함유 하 는 질화규소 막 을 100 ㎚ 의 막 두께 로 형성 한 후 , 410 ℃, 1 시간 , 질소 분위기 중 에서 가열 처리 를 행하 여 , 섬 형상 의 반도체 막 ( 705 ∼ 707 ) 을 수소 화 하 는 공정 을 행하 여도 좋 다 . 또는 , 수소 를 함유 하 는 분위기 중 에서 300 ∼ 450 ℃ 로 1 ∼ 12 시간 의 가열 처리 를 행하 여 , 섬 형상 의 반도체 막 ( 705 ∼ 707 ) 을 수소 화 하 는 공정 을 행하 여도 좋 다 . 가열 처리 에 는 , 열 어 닐 법 , 레이저 어 닐 법 또는 RTA 법 등 을 사용 할 수 있 다 . 가열 처리 에 의해 , 수소 화 뿐 만 아니 라 , 반도체 막 에 첨가 된 불순물 원소 의 활성 화 도 행할 수 있 다 . 또한 , 수소 화 의 다른 수단 으로서 , 플라 즈 마 수소 화 ( 플 라즈 마 에 의해 여기 된 수소 를 사용 한다 ) 를 행하 여도 좋 다 . 이 수소 화 공정 에 의해 , 열 적 으로 여기 된 수소 에 의해 댕 글 링 본드 를 종단 시킬 수 있 다 .