이 들 도면 에 도시 된 바 와 같이 , 본 실시 예 에 따른 화학 기상 증착 장치 ( 1 ) 는 , 챔버 ( 10 ) 와 , 챔버 ( 10 ) 내 에 마련 되 어 증착 대상 의 유리 기판 ( G ) 이 로딩 ( Loading ) 되 는 서 셉 터 ( 30 ) 와 , 서 셉 터 ( 30 ) 를 지지 하 는 복수 의 서 셉 터지 지 대 ( 40 ) 와 , 챔버 ( 10 ) 의 상부 영역 에 형성 된 챔버 상벽 ( 8 ) 에 지지 되 어 소정 의 증착 물질 ( ( 비 ) 결정질 실리콘 또는 실리콘 화합물 ) 을 방출 하 는 전극 ( 16 ) 과 , 전극 ( 16 ) 의 하부 에 마련 되 어 유리 기판 ( G ) 상 으로 증착 물질 을 분배 하 는 가스 분배 판 ( 17 ) 을 구비 한다 .