전술 한 도면 들 은 단일 다이 의 부분 에 대응 하 는 웨이퍼 의 일부 의 단면도 를 제공 하 였 다 . 웨이퍼 레벨 구조 를 더 명확 하 게 하 기 위해 , 도 5 - 10 과 관련 하 여 위 에서 설명 된 단계 가 완료 된 후 2 개 의 다이 를 포함 하 는 웨이퍼 의 일부 에 관한 단면도 인 도 11 및 12 를 참고 한다 . 도 11 에 도시 된 웨이 퍼 ( 200 ) 의 일부 는 선 ( 210 - 212 ) 을 통해 웨이퍼 를 다 이싱 함 으로써 220 및 230 으로 도시 된 2 개 의 다이 로 분할 되 는 웨이퍼 의 영역 을 포함 한다 . 웨이퍼 에서 의 다양 한 층 은 상부 콘 택 및 전술 한 다양 한 비아 를 제외 하 고 웨이퍼 전체 에 연속 한다 . p - 콘 택 지점 들 에 연결 하 는 상부 금속 층 은 207 로 도시 되 고 , n - 콘 택 지점 에 연결 을 또한 제공 하 는 미러 층 은 206 으로 도시 된다 . 도면 을 간단히 하 기 위해 , p - 층 ( 204 ) 과 ITO 층 ( 205 ) 사이 의 거친 표면 은 생략 되 어 있 다 . 활성 층 은 203 으로 도시 되 고 , n - 층 은 202 로 도시 된다 .