그리고 제 1 소자 ( 20 ) 와 제 2 소자 ( 30 ) 는 메사 에 치 를 통하 여 개별 구동 소자 로 분리 시킨다 . 이때 제 1 소자 ( 20 ) 와 제 2 소자 ( 20 ) 의 분리 는 메사 에 치 를 통하 여 분리 하 되 , n 형 GaN 으로 되 는 n 형 반도체 ( 21 , 31 ) 까지 에칭 하 여 p 형 GaN 으로 되 는 p 형 반도체 ( 22 , 23 ) 를 분리 하 며 , 제 2 소자 ( 30 ) 는 제 1 소자 ( 20 ) 가 열적 또는 전기 적 특성 에 의해 손상 을 입 거나 오류 가 발생 될 경우 에 이 를 보완 하 여 구동 된다 . 또한 , 이때 제 1 소자 와 제 2 소자 가 절연 되 어 전기 적 으로 분리 될 수 있 다 .