다음 에 , 도 13 및 도 14 에 도시 한 바 와 같이 , 제 1 희생 층 ( 91 ) , 제 2 희생 층 ( 92 a ) 및 제 3 희생 층 ( 92 b ) 을 제거 한다 . 제 1 희생 층 ( 91 ) , 제 2 희생 층 ( 92 a ) 및 제 3 희생 층 ( 92 b ) 은 예 를 들 어 , 열 인산 용액 으로 제거 된다 . 이러 한 도 13 및 도 14 에 나타내 는 공정 을 거쳐 , 다시 , 제 1 메모리 홀 ( 35 a ) , 제 2 메모리 홀 ( 35 b ) 및 백 게이트 홀 ( 24 ) 이 형성 된다 . 제 1 메모리 홀 ( 35 a ) , 제 2 메모리 홀 ( 35 b ) 및 백 게이트 홀 ( 24 ) 은 서로 연통 하 여 , 로우 방향 에서 볼 때 U 자 형상 으로 형성 된다 . 계속 해서 , 희석 된 불 산 처리 에 의해 , 노출 된 백 게이트 도전 층 ( 22 ) 의 전 방면 및 노출 된 제 1 내지 제 8 판상 폴리 실리콘 도전 층 ( 32 a ' 내지 32 h ') 의 전 방면 을 세정 하 여 , 자연 산화 막 을 제거 한다 .