또한 , 상기 3 층 레지스 트 법 에 의한 패턴 형성 방법 에 있 어서 , 포토레지스트 막 ( 4 ) 을 노광 하 여 패턴 형성 할 때 에 포토레지스트 막 ( 4 ) 뿐 만 아니 라 그 하층 의 규소 함유 레지스 트 하층 막 ( 3 ) 도 변화 되 는 경우 가 있 다 . 이하 , 이것 에 대해서 도 2 를 참조 하 면서 설명 한다 . 또한 , 상기 와 공통 되 는 점 에 대해서 는 설명 을 생략 한다 .