IZO 막 의 제거 는 단자 부 ( 20 ) 에서 만 행해 지 고 , 화소 부 ( 14 ) 에서 는 화소 용 IZO 막 의 형상 등 은 그대로 이 다 . IZO 막 의 제거 , 즉 패 터닝 에 는 웨트 에칭 기술 을 이용 할 수 있 다 . 웨트 에칭 에 는 인산 과 질산 을 함유 하 는 적절 한 에칭 액 을 이용 할 수 있 다 . 그 와 같 은 에칭 액 으로서 , 인산 과 질산 과 아세트산 을 함유 하 는 혼합액 인 소위 PAN 액 을 이용 할 수 있 다 . PAN 액 에 의해 티탄 은 용해 또는 손상 을 받 지 않 기 때문 에 , IZO 막 의 제거 를 위한 웨트 에칭 에 의해 접속 배선 층 의 최상층 의 티탄 에 의 영향 을 억제 할 수 있 다 .