상기 패 시배 이 션 층 ( 115 ) 은 보강 층 ( 114 ) 을 감싸 도록 형성 되 며 , 상기 드 ( 113 ) 가 노출 될 수 있 도록 형성 된다 . 상기 패 시배 이 션 층 ( 115 ) 은 통상 의 구조 와 같이 PI ( PolyImide ) , BCB ( Benzo Cyclo Butene ) , PBO ( Poly Benz Oxazole ) , BT ( BismaleimideTriazine ) , 페놀 릭 수지 ( phenolic resin ) , 에폭시 ( epoxy ) , 실리콘 ( Silicone ) , 실리콘 산화 막 ( SiO 2 ) 및 질화 막 ( SI 3 N 4 ) 중 선택 된 어느 하나 를 통해 형성 될 수 있 으나 , 상기 재질 로서 본 발명 의 내용 을 한정 하 는 것 은 아니 다 .