제 1 레티 클 스테이지 ( 240 ) 는 메인 챔버 ( 212 ) 의 상부 내 에 배치 될 수 있 다 . 제 1 레티 클 스테이지 ( 240 ) 는 레티 클 척 ( 242 ) 을 가질 수 있 다 . 레티 클 척 ( 242 ) 은 정전 압 을 이용 하 여 레티 클 ( R ) 을 정전기 적 으로 고정 ( hold ) 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 레티 클 ( R ) 은 반사 형 마스크 일 수 있 다 . 레티 클 ( R ) 은 EUV 빔 ( 22 ) 의 일부 를 투영 미러 들 ( 238 ) 에 반사 하 고 , 상기 EUV 빔 ( 22 ) 의 다른 일부 를 흡수 할 수 있 다 . 투영 미러 들 ( 238 ) 은 반사 된 EUV 빔 ( 22 ) 의 일부 를 기판 ( W ) 에 다시 반사 할 수 있 다 . 레티 클 ( R ) 은 EUV 빔 ( 22 ) 의 생성 물질 ( ex , 소스 방울 ( 221 ) 의 재료 ( material ) ) 에 오염 될 수 있 다 . 즉 , 레티 클 ( R ) 은 파티클 ( 8 ) 에 오염 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 파티클 ( 8 ) 은 주석 ( Sn ) , 제논 ( Xe ) , 티타늄 ( Ti ) 또는 리튬 ( Li ) 의 금속 나노 파티클 일 수 있 다 .