상기 와 같이 발광 다이오드 가 형성 되 면 도 7 과 같 은 메커니즘 으로 발광 하 게 된다 . 제 2 발광 물질 층 ( 344 ) 의 제 3 화합물 의 단일 항 상태 의 엑시톤 은 제 4 화합물 의 단일 항 상태 로 전이 되 고 , 제 3 화합물 의 삼 중항 상태 의 엑시톤 은 제 4 화합물 의 삼 중항 상태 로 전이 된다 . 제 4 화합물 의 삼 중항 상태 의 엑시톤 이 열 또는 전계 에 의해서 같 은 화합물 의 단일 항 상태 로 전이 된다 . 이때 제 4 화합물 의 단일 항 상태 에 있 는 엑시톤 이 바닥상태 로 전이 되 거나 , 제 1 발광 물질 층 ( 342 ) 의 제 2 화합물 ( 도 펀트 ) 의 단일 항 상태 로 전이 된 후 바닥상태 로 전이 되 면 그 에너지 준위 차이 만큼 발광 하 게 된다 .