막 두께 600 nm 의 텅스텐 막 을 CVD 법 으로 직경 20 cm 의 실리콘 기판 상 에 형성 한 적층 체 를 2 cm× 2 cm 으로 절단 해서 텅스텐 시험편 을 얻 었 다 . 또한 , 막 두께 800 nm 의 산화 규소 막 을 CVD 법 으로 직경 20 cm 의 실리콘 기판 상 에 형성 한 적층 체 를 2 cm× 2 cm 로 절단 하 여 산화 규소 시험편 을 얻 었 다 .