제 1 전극 은 Si 웨이퍼 위 에 Ti 과 Pt 를 e - beam evaporator 를 통하 여 순차 적 으로 각각 20 nm 및 100 nm 로 디 포지션 한 전도성 기판 을 사용 하 였 다 . 상기 전도성 기판 을 중성 세제 , 에탄올 , 아세톤 , 및 에탄올 순서 로 15 분 씩 초음파 세 척 한 후 , UV - ozone 처리 를 15 분 동안 진행 하 였 다 . 상기 Pt 기판 에 상기 제조 된 유무 기 복합 페로 브 스카이 트 전구체 용액 을 스핀코팅 에 의해 디 포지션 하 여 유무 기 복합 페로 브 스카이 트 층 을 제조 하 였 다 . 핀홀 이 부 존재 하 는 우수 한 막 질 을 얻 기 위하 여 상기 스핀코팅 중 에테르 를 떨어뜨리 는 부 가 유도 ( adduct - induced method ) 를 사용 하 였으며 , 65 ℃ 에서 1 분 동안 및 100 ℃ 에서 10 분 동안 각각 열처리 하 여 유무 기 복합 페로 브 스카이 트 층 을 형성 하 였 다 . 이어서 , 10 - 6 torr 의 고진공 에서 Ag 를 열 증착 하 여 제 2 전극 을 형성 하 였 다 .