상기 반도체 층 은 P ( Positive ) 형 반도체 와 N ( Negative ) 형 반도체 를 접합 시킨 PN 구조 또는 , P 형 반도체 와 N 형 반도체 사이 에 진성 반도체 재질 의 광 흡수 층 인 I ( Intrinsic ) 형 반도체 를 삽입 한 PIN 구조 이 며 , PN 접합 에서 발생 한 전기장 에 의해 상기 정공 은 P 형 반도체 쪽 으로 , 상기 전자 는 N 형 반도체 쪽 으로 이동 하 고 , 상기 P 형 반도체 및 N 형 반도체 상 에 형성 된 전극 을 통해 전자 또는 정공 이 외부 회로 로 흘러 전류 가 발생 된다 .