플래시 기억 소자 의 아키텍처 는 크 게 비트 선 과 접지선 사이 에 셀 이 병렬 로 배치 된 NOR 형 구조 와 직렬 로 배치 된 NAND 형 구조 로 나눌 수 있 고 , 다시 NOR 형 은 변형 구조 인 AND 형 , DINOR 형 , VGA ( Virtual Ground Array ) 형 으로 나눌 수 있 다 . NOR 형 은 88 년 인텔 이 발표 한 EP 롬 셀 구조 를 이용 한 ETOX ( EPROM tunnel oxide ) 방식 에 기초 한 구조 다 . NOR 형 플래시 기억 소자 는 전기 적 으로 프로그램 및 소거 동작 이 가능 한 불 휘발 성 ( non - volatile ) 반도체 메모리 장치 들 과 비교 할 때 , 프로그램 및 읽 기 동작 에 있 어서 NAND 형 에 비해 월등 하 게 빠른 속도 를 갖 기 때문 에 빠른 속도 를 요구 하 는 많 은 사용 자 들 로부터 널리 호응 받 고 있 다 .