도 3 a 및 3 b 를 참조 하 면 , 상기 n 형 도전 막 ( 130 ) 및 상기 n 형 오 믹 컨 택 층 ( 120 ) 을 순차 적 으로 패 터닝 함 으로써 n 형 오 믹 컨 택 패턴 ( 120 a ) 및 n 형 도전 패턴 ( 130 a ) 을 포함 하 는 n 형 전극 패턴 ( 123 ) 이 형성 된다 . 예컨대 , 상기 n 형 전극 패턴 ( 123 ) 을 형성 하 기 위해 , 상기 n 형 도전 막 ( 130 ) 상 에 마스크 패턴 ( 미 도시 ) 이 형성 될 수 있 다 . 상기 마스크 패턴 은 통상 의 포토 리소그래피 공정 에 의해 형성 될 수 있 다 . 상기 n 형 도전 막 ( 130 ) 상 에 제 1 포토레지스트 막 ( 미 도시 ) 을 형성 하 고 , 상기 제 1 포토레지스트 막 을 선택 적 으로 노광 한 후 , 현상 하 여 마스크 패턴 이 형성 될 수 있 다 . 상기 마스크 패턴 을 이용 하 여 상기 n 형 도전 막 ( 130 ) 및 상기 n 형 오 믹 컨 택 층 ( 120 ) 이 순차 적 으로 식각 될 수 있 다 .