반도체 소자 의 제조 공정 기술 의 발달 과 더불 어 반도체 메모리 소자 의 선폭 이 점차 감소 하 게 되 었 다 . 이 에 따라 , 활성 영역 ( active region ) 사이 의 비활성 영역 ( field region ) 의 폭 이 감소 하 게 되 었 고 , 이 로 인해 , 비활성 영역 에 형성 되 는 트렌치 ( trench ) 의 종횡비 가 증가 하 여 트렌치 내 에 소자 분리 막 을 매립 시키 는 공정 이 어려워졌 다 . 특히 , SA - STI ( Self Aligned - Shallow Trench Isolation ) 공정 또는 ASA - STI ( Advanced Self Aligned - Shallow Trench Isolation ) 공정 을 적용 하 는 비휘발성 메모리 소자 의 경우 종횡비 가 크 게 증대 되 어 소자 분리 막 을 트렌치 내부 에 매립 시키 는 공정 이 더욱 어려워졌 다 . 이 에 따라 , 소자 분리 막 의 매립 특성 을 향상 시키 기 위해 HDP ( High Density Plasma ) USG ( Un - doped Silicate Glass ) 막 을 소자 분리 막 으로 사용 하 고 있 다 .