또한 , 상기 게이트 전극 ( 105 ) 타 측 의 트랜지스터 영역 에 n + 형 확산 영역 ( 108 ) 이 형성 되 고 , 상기 게이트 전극 ( 105 ) 을 포함 한 반도체 기판 ( 101 ) 의 전면 에 층간 절 연막 ( 109 ) 이 형성 되 고 , 상기 층간 절 연막 ( 109 ) 을 관통 하 여 상기 포토 다이오드 영역 인 n - 형 확산 영역 ( 107 ) 에 전기 적 으로 연결 되 도록 도전 성 플러그 ( 110 ) 가 형 성 된다 .