차폐층 ( 110 ) 은 전자기 간섭 ( electromagnetic interference ; EMI ) 을 차폐 할 수 있 다 . 차폐층 ( 110 ) 은 다양 한 재질 로 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 차폐층 ( 110 ) 은 도전 성 재질 로 형성 될 수 있 다 . 경우 에 따라서 차폐층 ( 110 ) 은 금속 파우더 ( metal powder ) 를 함유 한 재질 로 형성 되 어 , 이방 성 또는 등방 성 으로 도전 이 가능 한 특성 을 나타낼 수 있 다 . 이 경우 차폐층 ( 110 ) 은 메탈 스퍼터링 ( metal sputtering ) 방식 으로 형성 될 수 있 다 . 차폐층 ( 110 ) 은 접착성 을 가진 도전 성 접착 물질 로 형성 될 수 있 다 . 차폐층 ( 110 ) 은 두 개 이상 의 물질 이 적층 된 형태 로 구성 될 수 도 있 다 . 예 를 들 어 , 차폐층 ( 110 ) 은 메 쉬 구리 층 과 도전 성 접착 물질 이 적층 된 형태 로 구성 될 수 도 있 다 .