반면 , 본 발명 의 실시 예 에서 는 게이트 전극 ( 30 ) 이 소오 스 / 드레 인 영역 과 의 경 계면 까지 확장 되 어 형성 되 어 있 기 때문 에 , 소오 스 / 드레 인 이온 주입 공정 ( 33 ) 시 게이트 전극 ( 30 ) 과 드리프트 영역 ( 27 ) 사이 의 영역 에 포토레지스트 패턴 ( 32 ) 을 형성 할 필요 가 없 다 . 결국 , 소오 스 / 드레 인 영역 은 게이트 전극 ( 30 ) 에 자기 정렬 되 어 형성 될 수 있 게 된다 . 따라서 , 공정 의 난이도 를 감소 시켜 양산 성 을 향상 시킬 수 있 다 . 또한 , 게이트 전극 ( 30 ) 의 도핑 농도 가 균일 해 지 는 이점 이 있 다 .