본 명세서 에 기술 된 실시 예 들 을 사용 함 으로써 , N + 및 P + 콘 택 에 대해 개별 적 으로 케이 터 링 될 수 없 는 단일 쇼트 키 장벽 을 사용 하 는 대신 에 실리사이드 물질 을 각각 의 디바이스 에 들어가 도록 튜닝 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , N 형 디바이스 ( 예 를 들 어 , 영역 ( 50 N ) 내 에 있 음 ) 를 위한 실리사이드 물질 은 N 형 디바이스 를 위해 튜닝 되 는 반면 , P 형 디바이스 ( 예 를 들 어 , 영역 ( 50 P ) 내 에 있 음 ) 를 위한 실리사이드 물질 은 P 형 디바이스 를 위해 튜닝 된다 . 이 와 같이 , P + 디바이스 에 대한 콘 택 의 경우 , P + 쇼트 키 장벽 의 감소 는 약 25 % 보다 크 게 감소 될 수 있 다 . 부가 적 으로 , 외부 확산 특성 물질 로 인해 유효 실리사이드 영역 이 또한 증가 하 며 , 이 는 N + 및 P + 접촉 저항 이 감소 할 뿐 만 아니 라 스노 플 라우 및 낮 은 고체 용해도 로 인해 더 빠른 확산 성 금속 에서 도 펀트 분리 로 도 펀트 농도 가 향상 된다 .