기존 에 , 판독 처리 및 기록 처리 는 전류 주입 을 사용 하 여 동작 된다 . 기록 처리 의 경우 , STT - MRAM 비트 셀 의 MTJ 장치 를 통과 하 여 흐르 는 것 이 허용 되 는 전류 밀도 는 MTJ 저항 에 크 게 의존 하 여 , MTJ 저항 이 낮 으면 보다 많 은 전류 가 MTJ 장치 를 통해 흐르 는 것 이 허용 된다 . 따라서 , 보다 작 은 MTJ 저항 은 MRAM 설계자 들 에게 보다 큰 데이터 기록 동작 마진 을 제공 한다 . 그러나 보다 작 은 MTJ 저항 은 또한 보다 작 은 데이터 판독 센싱 마진 을 초래 한다 . 유사 하 게 , 데이터 판독 센싱 마진 을 개선 하 는 보다 큰 MTJ 저항 은 데이터 기록 동작 마진 에 악영향 을 미친다 . 결과 적 으로 , 기존 의 MTJ 설계 의 MTJ 저항 은 판독 데이터 센싱 마진 개선 및 데이터 기록 동작 마진 개선 사이 에서 설계 절충 을 나타낸다 .