한편 , 반도체 장치 의 배선 형성 에 는 우선 에칭 에 의해 절 연막 에 배선 의 형상 을 갖 는 홈 을 형성 하 고 , 거기 에 도금 으로 구리 배선 을 형성 하 는 다마 신법 이 이용 되 고 있 다 . 그러나 , 이 다마 신법 에서 는 에칭 시 에 반드시 절 연막 이 손상 을 받 기 때문 에 , 절 연막 내부 에 손상 이 생기 는 것 에 의한 친수성 의 증대 등 에 의해 , 누설 전류 량 의 증대 , TDDB 특성 의 열화 등 이 발생 하 여 , 반도체 제조 에서 의 수율 ㆍ신뢰성 저하 의 하나 의 큰 원인 으로 되 어 있 다 . 이 문제 는 , 이후 0 . 1 ㎛ 이하 의 배선 간격 으로 회로 를 형성 하 는 경우 에 는 점점 현저 해질 것 으로 생각 된다 .