다음 으로 , 상기 게이트 절 연막 ( 106 ) 이 형성 된 기판 ( 100 ) 의 전면 에 순수 비정 질 실리콘 ( a - Si : H ) 과 불순물 이 포함 된 비정질 실리콘 ( n + 또는 p + a - Si : H ) 을 증착 하 여 , 상기 게이트 전극 ( 104 ) 에 대응 하 는 게이트 절 연막 ( 106 ) 의 상부 에 액티브 층 ( 108 ) 과 오 믹 콘 택 층 ( 110 ) 을 형성 한다 .