상기 제 1 영역 ( 123 ) 은 비정질 실리콘 으로 이루어진 활성 층 ( 122 a ) 과 n + 이온 이 고농도 로 도핑 된 비정질 실리콘 으로 이루어진 오 믹 콘 택 층 ( 122 b ) 이 순차 적 으로 적 층 된 구조 로 이루어진다 . 상기 제 2 영역 ( 124 ) 은 상기 제 1 영역 의 활성 층 ( 122 a ) 과 연결 되 어 형성 되 며 , 다 결정 실리콘 ( Poly - Si ) 으로 이루어진다 .