제 2 및 제 3 메모리 영역 ( 12 , 13 ) 은 비휘발성 반도체 메모리 ( 22 ) 에서 기억 영역 을 공유 하 도록 구성 되 며 , 컨트롤러 ( 10 ) 는 비휘발성 반도체 메모리 ( 22 ) 내 의 블록 을 제 2 메모리 영역 ( 12 ) 또는 제 3 메모리 영역 ( 13 ) 에 할당 한다 . 제 2 및 제 3 메모리 영역 ( 12 , 13 ) 에 의 할당 은 정적 이 아니 라 동적 이 다 . 제 2 및 제 3 메모리 영역 ( 12 , 13 ) 에 의 할당 은 컨트롤러 ( 10 ) 에 의해 제어 된다 . 제 2 및 제 3 메모리 영역 ( 12 , 13 ) 은 복수 의 비휘발성 반도체 메모리 ( 메모리 칩 ) 상 에서 구성 될 수 있 다 . 컨트롤러 ( 10 ) 는 하나 의 별개 의 기억 영역 으로서 비휘발성 반도체 메모리 내 의 복수 의 블록 전체 를 처리 할 수 있 다 .