반도체 층 ( 150 ) 상 에 는 게이트 절 연막 ( 162 ) 이 배치 된다 . 게이트 절 연막 ( 162 ) 은 후술 하 는 게이트 도전 층 ( 130 ) 과 동일 한 패턴 으로 형성 될 수 있 다 . 게이트 절 연막 ( 162 ) 의 측벽 은 게이트 도전 층 ( 130 ) 의 측벽 에 대체로 정렬 될 수 있 지만 , 이 에 제한 되 는 것 은 아니 다 . 게이트 절 연막 ( 162 ) 은 실리콘 화합물 , 금속 산화물 등 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 게이트 절 연막 ( 162 ) 은 실리콘 산화물 , 실리콘 질화물 , 실리콘 산질 화물 , 알루미늄 산화물 , 탄 탈륨 산화물 , 하프늄 산화물 , 지르코늄 산화물 , 티타늄 산화물 등 을 포함 할 수 있 다 . 일 실시 예 에서 , 게이트 절 연막 ( 162 ) 은 SiOx 막 을 포함 하 여 이루어질 수 있 다 .