선택기 디바이스 ( 320 ) 는 전극 ( 305 - b ) 를 통해 로직 저장 엘리먼트 ( 310 ) 와 연결 될 수 있 다 . 일부 예 들 에서 , 선택기 디바이스 ( 320 ) 및 로직 저장 엘리먼트 ( 310 ) 의 위치 는 플립 ( flip ) 될 수 있 다 . 선택기 디바이스 ( 320 ) , 전극 ( 305 - b ) , 및 로직 저장 엘리먼트 ( 310 ) 를 포함 하 는 스택 은 전극 ( 305 - c ) 을 통해 워드 라인 ( 110 - b ) 에 연결 될 수 있 고 전극 ( 305 - a ) 을 통해 비트 라인 ( 115 - b ) 에 연결 될 수 있 다 . 선택기 디바이스 는 특정 메모리 셀 ( 105 - b ) 를 선택 하 는 데 도움 을 줄 수 있 거나 또는 선택 된 메모리 셀 ( 105 - b ) 에 인접 한 선택 되 지 않 은 메모리 셀 ( 105 - b ) 를 통해 표 유 전류 ( stray current ) 가 흐르 는 것 을 방지 하 는 것 을 도울 수 있 다 . 선택기 디바이스 는 전기 적 비 선형 컴포넌트 ( 예 를 들 어 , 비 - 오 믹 컴포넌트 ) 예컨대 , 다른 유형 들 의 2 단자 선택기 디바이스 예컨대 , 다이오드 중 에서 도 금속 - 절연체 - 금속 ( MIM ) 접합 , 오보 닉 ( Ovonic ) 임계 스위치 ( OTS ) 또는 금속 - 반도체 - 금속 ( MSM ) 스위치 를 포함 할 수 있 다 . 일부 경우 들 에서 , 선택기 디바이스 는 칼 코 게나 이드 필름 을 포함 한다 . 선택기 디바이스 는 , 일부 실시 예 에서 , 셀레늄 ( Se ) , 비소 ( As ) , 및 게르마늄 의 합금 을 포함 할 수 있 다 .