도 3 g 및 도 4 g 를 참조 하 면 , 상기 일부 가 식각 된 SOG 절 연막 ( 206 ) 을 포함 한 반도체 기판 ( 200 ) 의 전면 상 에 게이트 물질 들 , 즉 , 산화 막 으로 이루어진 게이트 절 연막 ( 242 ) , 폴리 실리콘 막 으로 이루어진 제 1 게이트 도 전막 ( 244 ) , 금속 계 막 으로 이루어진 제 2 게이트 도 전막 ( 246 ) 및 질화 계 막 으로 이루어진 하드 마스크 막 ( 248 ) 을 차례 로 증착 한다 . 상기 게이트 물질 들 을 식각 하 여 상기 노출 된 SOG 절 연막 ( 206 ) 부분 을 포함 하 여 액티브 영역 ( A / R ) 에서 의 돌출 된 게이트 형성 영역 에 게이트 ( 240 ) 를 형성 한다 . 여기 서 , 이전 의 보호막 제거 를 위한 습식 식각 공정 에서 상기 SOG 절 연막 ( 206 ) 이 소실 되 지 않 았 으므로 , 인접 하 는 게이트 들 ( 240 ) 간 의 쇼트 는 일어나 지 않 는다 .