메모리 장치 는 전형 적 으로 컴퓨터 또는 또 다른 전자 장치 내 에서 내부 , 반도체 , 집 적 회로 로서 제공 된다 . 휘발 성 및 비 - 휘발 성 메모리 를 비롯 하 여 많 은 서로 다른 종류 의 메모리 가 존재 한다 . 휘발 성 메모리 는 자신 의 정보 를 유지 하 기 위한 전력 을 요구 할 수 있 으며 랜덤 액세스 메모리 ( RAM ) , 동적 랜덤 액세스 메모리 ( DRAM ) , 및 동기식 동적 랜덤 액세스 메모리 ( SDRAM ) 등 을 포함 한다 . 비 - 휘발 성 메모리 는 전력 공급 이 되 지 않 을 때 저장 된 정보 를 존속 시킴 으로써 영구 적 인 정보 를 제공 할 수 있 으며 NAND 플래시 메모리 , NOR 플래시 메모리 , 읽 기 전용 메모리 ( ROM ) , 전기 적 으로 소거 가능 하 고 기록 가능 한 ROM ( Electrically Erasable Programmable ROM , EEPROM ) , 소거 가능 하 고 기록 가능 한 ROM ( Erasable Programmable ROM , EPROM ) , 상전 이 랜덤 액세스 메모리 ( PCRAM ) , 저항성 랜덤 액세스 메모리 ( RRAM ) , 및 자기 랜덤 액세스 메모리 ( MRAM ) , 예컨대 스핀 토크 전달 ( spin torque transfer ) 랜덤 액세스 메모리 ( STT RAM ) 등 을 포함 할 수 있 다 .