프로그램 동작 은 프로그램 루프 ( program loop ) 의 횟수 가 증가 할수록 프로그램 전압 이 단계 적 으로 높 아 지 는 ISPP ( Incremental Step Pulse Program ) 방식 으로 수행 될 수 있 다 . 프로그램 루프 는 선택 된 워드 라인 에 프로그램 전압 을 인가 하 여 선택 된 메모리 셀 들 의 문턱 전압 을 높이 는 동작 과 메모리 셀 들 의 문턱 전압 이 목표 전압 까지 높 아 졌 는지 를 판단 하 는 검증 동작 을 포함 할 수 있 다 . 프로그램 동작 은 제 1 워드 라인 ( WL 1 ) 이 연결 된 제 1 페이지 에서 제 n 워드 라인 ( WLn ) 이 연결 된 제 n 페이지 방향 으로 수행 되 거나 , 이 와 반대 방향 으로 수행 될 수 있 다 . 선택 된 워드 라인 에 프로그램 전압 이 인가 될 때 에 는 나머지 비 선택 된 워드 라인 들 에 는 패스 전압 들 이 인가 될 수 있 다 . 검증 동작 시 , 선택 된 워드 라인 에 검증 전압 이 인가 될 때 나머지 비 선택 된 워드 라인 들 에 는 패스 전압 들 이 인가 될 수 있 다 . 프로그램 전압 인가 동작 과 검증 동작 시 비 선택 된 워드 라인 들 에 인가 되 는 패스 전압 들 은 서로 동일 하 거나 서로 다르 게 조절 될 수 있 다 . 검증 동작 이 종료 되 면 , 다음 동작 을 위하 여 모든 워드 라인 들 은 디스 차지 ( discharge ) 될 수 있 다 . 이때 , 선택 된 워드 라인 의 전위 가 음전압 으로 낮 아 지 는 것 을 방지 하 기 위한 이퀄 라이즈 ( equalize ) 동작 이 수행 될 수 있 다 . 예 를 들 면 , 이퀄 라이즈 동작 시 , 선택 된 워드 라인 에 연결 된 메모리 셀 들 이 턴 온 ( turn on ) 되 도록 선택 된 워드 라인 의 전압 이 높 아 질 수 있 다 . 이 를 위해 , 선택 된 워드 라인 에 인가 되 는 전압 이 비 선택 된 워드 라인 들 에 인가 되 는 전압 과 유사 해 지 도록 선택 된 워드 라인 의 전압 을 높일 수 있 다 . 이어서 , 전압 이 서로 유사 해진 워드 라인 들 을 디스 차지 할 수 있 다 .