또한 , 동일 반응 실 내 에 있 어서 , 반도체 막 , 미결정 반도체 막 , 버퍼 층 , 일 도 전형 을 부여 하 는 불순물 원소 가 첨가 된 반도체 막 을 연속 적 으로 형성 하 여도 좋 다 . 구체 적 으로 는 , 게이트 절 연막 이 형성 된 기판 을 반응 실에 반입 하 고 , 거기 서 반도체 막 , 미결정 반도체 막 , 버퍼 층 , 및 일 도 전형 을 부여 하 는 불순물 원소 가 첨가 된 반도체 막 을 연속 적 으로 형성 한다 . 그 후 , 반응 실 로부터 기판 을 반출 한 후 , 반응 실 내 를 불소 라디칼 등 으로 클리닝 하 는 것 이 바람직 하 다 .