이 와 같이 제 1 산화아연 층 ( 216 ) 의 일부 만 을 p - 형 산화아연 층 으로 전환 시킴 으로써 p - 형 산화아연 층 ( 216 p ) 과 n - 형 산화아연 층 ( 216 n ) 이 접합 된 형태 의 구조 를 얻 기 위한 공정 조건 은 제 1 산화아연 층 ( 216 ) 의 두께 , 열처리 시간 , 열처리 온도 , 도 펀트 층 ( 214 ) 의 p - 도 펀트 농도 에 의해 크 게 영향 을 받 기 때문 에 일률 적 인 공정 조건 을 정할 수 는 없 지만 , 예 를 들 면 , 150 nm 의 두께 를 갖 는 n - 형 산화아연 층 에 대하 여 1020 / cm 3 의 도 펀트 농도 를 갖 는 도 펀트 층 ( 214 ) 을 이용 할 때 대략 700 ℃ 의 온도 에서 30 분 동안 일반 적 인 열처리 함 으로써 달성 될 수 있 다 . 따라서 , 400 ℃ 내지 900 ℃ 의 온도 에서 약 20 분 내지 1 시간 동안 열처리 함 으로써 달성 될 수 있 다 . 상기 열처리 를 급속 열처리 ( RTA ) 에 의할 경우 에 는 수 초 내지 수 분 , 보다 구체 적 으로 는 5 초 내지 3 분 동안 수행 함 으로써 달성 될 수 있 다 .