상술 한 구조 의 비휘발성 기억 소자 에서 , 상기 제 1 및 제 2 소자 반도체 패턴 들 ( 200 a , 200 a ') 내 금속 원소 들 은 상기 제 1 및 제 2 게터 링 영역 들 ( 265 , 265 ') 의 사이트 들 ( 270 , 270 ') 에 각각 포획 된다 . 따라서 , 상기 제 2 및 제 3 서브 셀 스트링 내 셀 트랜지스터 들 의 금속 오염 을 최소 화 할 수 있 다 .