반도체 소자 의 비트 라인 형성 방법 은 , 비정질 의 텅스텐 핵 생 성층 상 에 벌크 텅스텐 막 을 증착 하 여 라인 저항 값 을 줄이 는 저 저항 텅스텐 ( Low Resistivity Tungsten ) 공정 을 이용 한 반도체 소자 의 비트 라인 형성 방법 으로서 , 반도체 웨이퍼 상 에 베리 어 막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 베리 어막 상 에 비정질 텅스텐 핵 생성 층 을 형성 하 는 단계 ; 상기 비정질 텅스텐 핵 생 성층 상 에 벌크 텅스텐 막 을 형성 하 는 단계 ; 를 포함 하 며 , 상기 비정질 의 텅스텐 핵 생 성층 의 형성 은 균 일도 가 개선 되 도록 백사이드 에 쿨링 가스 를 공급 하 여 수행 하 는 것 을 특징 으로 한다 .