그런데 , 실리콘 기판 에 대한 열 산화 공정 이 반복 될수록 , 실리콘 기판 에 는 산소 원자 의 내부 침투 로 인한 열 적 결함 이 발생 될 가능 성 이 높 아 지 게 된다 . 이 와 같이 , 실리콘 기판 내부 에 결함 이 발생 될 경우 에 는 , 첫 번 째 이후 에 형성 되 는 요소 에 대한 습식 식각 공정 에서 , 상기 결함 이 발생 된 부위 와 그 부근 에서 의 식각 균 일도 가 저하 되 고 , 이 에 따라 그 부위 에 형성 되 는 요소 의 형상 균 일도 가 저하 되 는 문제 점 이 발생 하 게 된다 .