다음 으로 , 도 14 에서 , P 타입 일함수 층 ( 83 ) 이 도 13 의 FinFET 디바이스 ( 100 ) 위 에 등각 으로 형성 된다 . 도 14 의 예 에서 , P 타입 일함수 층 ( 83 ) 은 P 타입 일함수 층 ( 84 ) ( 의 잔류 부분 ) 및 게이트 유전체 층 ( 82 ) 의 노출 부분 위 에 있 으며 이 들 과 접촉 한다 . P 타입 일함수 층 ( 83 ) 은 P 타입 일함수 층 ( 84 ) 의 P 타입 일함수 재료 와 는 상이 한 P 타입 일함수 재료 로 형성 된다 . 도시 하 는 실시 형태 에서 , P 타입 일함수 층 ( 83 ) 은 텅스텐 , 텅스텐 질화물 , 텅스텐 탄화물 , 또는 텅스텐 산화물 과 같 은 텅스텐 함유 재료 로 형성 되 고 , CVD , PVD , ALD 등 과 같 은 적절 한 퇴적 방법 에 의해 형성 될 수 있 다 . P 타입 일함수 층 ( 83 ) 의 두께 는 약 10 옹스트롬 과 약 30 옹스트롬 사이 일 수 있 다 .