도 3 에서 , 핀 ( 52 ) 이 기판 ( 50 ) 에 형성 된다 . 핀 ( 52 ) 은 반도체 스트립 이 다 . 일부 실시 예 들 에서 , 핀 ( 52 ) 은 기판 ( 50 ) 에 트렌치 를 에칭 함 으로써 기판 ( 50 ) 에 형성 될 수 있 다 . 에칭 은 반응 성 이온 에칭 ( reactive ion etch ; RIE ) , 중성 빔 에칭 ( neutral beam etch ; NBE ) , 또는 이 들 의 조합 등 과 같 은 임의 의 허용 가능 한 에칭 공정 일 수 있 다 . 에칭 은 이방성 일 수 있 다 .