기판 ( 315 ) 상 에 물질 들 또는 구성 요소 들 을 형성 하 기 위해 다양 한 기술 이 사용 될 수 있 다 . 이 들 은 예 를 들 어 , 그 외 다른 박막 성장 기술 들 중 에서 도 , 화학 기상 증착 ( CVD ) , 유기 금속 기상 증착 ( MOCVD ) , 물리 기상 증착 ( PVD ) , 스퍼터링 증착 , 원자 층 증착 ( ALD ) 또는 분자 빔 에피택시 ( MBE ) 를 포함 할 수 있 다 . 물질 은 많 은 기술 을 사용 하 여 제거 될 수 있 으며 , 이 는 예 를 들 어 , 화학 적 에칭 ( “ 습식 에칭 ” 으로 도 지칭 됨 ) , 플라 즈 마 에칭 ( “ 건식 에칭 ” 으로 도 지칭 됨 ) , 또는 화학 적 - 기계 적 평탄 화 를 포함 할 수 있 다 .