본 발명 의 실시 예 에서 는 , PMOS 소자 가 형성 될 영역 의 N 형 불순물 이 도핑 된 폴리 실리콘 막 을 선택 적 으로 제거 한 후 P 형 불순물 이 도핑 된 폴리 실리콘 막 을 형성 하 여 , 포토 포토레지스트 막 패턴 이 제거 과정 에서 발생 되 는 문제점 을 방지 할 수 있 다 . 또한 , N 형 불순물 이 도핑 된 폴리 실리콘 막 를 식각 한 후 , 고농도 를 갖 는 P 형 폴리 실리콘 막 을 형성 함 으로써 저 전력 및 고속 성능 을 요구 하 는 반도체 소자 에 적용 가능 하 다 .