도 1 및 도 2 a 에 도시 된 도전 패턴 들 ( CP 1 내지 CPn ) 각각 과 제 1 메모리 패턴 ( ML 1 ) 사이 에 제 2 블로킹 절 연막 ( BI 2 ) 이 형성 될 수 있 다 . 제 2 블로킹 절 연막 ( BI 2 ) 은 도 1 및 도 2 a 에 도시 된 도전 패턴 들 ( CP 1 내지 CPn ) 각각 과 이 에 이웃 한 층간 절 연막 들 ( ILD ) 사이 로 연장 될 수 있 다 . 제 2 블로킹 절 연막 ( BI 2 ) 은 층간 절 연막 들 ( ILD ) 과 측벽 절 연막 ( SWI ) 사이 로 연장 될 수 있 다 . 제 2 블로킹 절 연막 ( BI 2 ) 은 알루미늄 산화 막 , 하프늄 산화 막 등 의 고유 전막 을 포함 할 수 있 다 . 일 실시 예 로서 , 제 1 블로킹 절 연막 ( BI 1 ) 과 제 2 블로킹 절 연막 ( BI 2 ) 중 하나 는 생략 될 수 있 다 .