도 2 및 도 6 을 참조 하 면 , 웨이퍼 에서 칩 단위 로 절단 하 기 전 상태 의 반도체 칩 ( 110 ) 을 형성 한다 . 반도체 칩 ( 110 ) 상 에 제 1 절연성 포토레지스트 구조물 ( 121 ) 을 형성 한다 . 포토레지스트 구조물 ( 121 ) 에서 반도체 칩 ( 110 ) 상부 에 형성 된 본딩 패드 ( 125 ) 를 노출 시키 는 본딩 홀 ( 135 ) 을 패 터닝 한다 . 반도체 칩 ( 110 ) 에 소정 의 깊이 로 비아 홀 ( 137 ) 을 형성 한다 . 이 경우 , 비아 홀 ( 137 ) 은 웨이퍼 상태 에서 칩 단위 로 절단 하 기 위하 여 반도체 칩 ( 110 ) 에 제공 되 는 스 크라이 브 레인 ( 170 ) 의 일정 부분 에 형성 한다 . 즉 , 반도체 칩 ( 110 ) 내부 에 형성 된 집 적 회로 에 영향 을 미치 지 않 도록 비아 홀 ( 137 ) 을 형성 한다 . 비아 홀 ( 137 ) 은 본딩 홀 ( 135 ) 보다 전 에 또는 후 에 또는 실질 적 으로 동시 에 형성 할 수 있 다 .