상기 무선 IC 디바이스 에 있 어서 , 적어도 2 개 의 인덕턴스 소자 는 , 급전 회로 를 평면 투시 했 을 때 에 , 다른 위치 에 형성 되 어 있 어도 되 고 , 급전 회로 를 2 개 의 다른 방사 판 에 결합 시킬 수 있 다 . 또한 , 적어도 2 개 의 인덕턴스 소자 는 각각 동일 평면 상 에서 인접 하 는 2 개 의 배선 전극 으로 형성 되 어 있 어도 된다 . 인접 한 2 개 의 배선 전극 으로 하나 의 인덕턴스 소자 를 구성 하 면 , 배선 전극 의 길 이나 전극 간격 을 변화 시킴 으로써 , 공진 특성 을 광대 역화 할 수 있 다 .