내부 에 스 페이서 를 배치 한 디스플레이 를 준비 하 고 , 이 디스플레이 를 그것 의 특정 의 영역 에서 구동 시켜 , 실험 적 인 결과 를 얻 는다 . 전자 빔 의 궤도 의 변화 를 확인 한 후 에 , 디스플레이 를 분해 해 , 구동 영역 과 비 구동 영역 으로부터 스 페이서 를 꺼낸다 . 이것 은 초기 구동 단계 의 스 페이서 와 장시간 구동 후 의 스 페이서 를 준비 하 는 것 을 의미 한다 . 즉 , 비 구동 영역 에 위치 하 는 스 페이서 는 초기 구동 단계 의 스 페이서 이 며 , 구동 영역 에 위치 하 는 스 페이서 는 장시간 구동 후 의 스 페이서 이 다 . 그리고 , 각각 의 스 페이서 의 표면 조성 을 X 선 광전자 분광법 ( 이하 XPS 라고 부른다 ) 으로 분석 했 다 . 이 분석 결과 는 , 구동 영역 으로부터 제거 된 스 페이서 표면 에서 는 비 구동 영역 으로부터 제거 된 스 페이서 의 표면 에 비해 , 그래 파이트 의 성분 비율 이 높 다는 것 을 나타낸다 . 더 나아가 서 , 특히 , 이 스 페이서 의 구동 영역 으로부터 제거 된 부분 에서 , 페이스 플레이트 에 더 가까운 위치 에 그래 파이트 가 더 많이 존재 한다는 것 도 확인 했 다 . 그러 한 결과 는 , 디스플레이 의 구 동시 , 스 페이서 표면 에 페이스 플레이트 로부터 반사 된 전자 등 이 조사 됨 으로써 , 스 페이서 표면 상 의 sp 3 결합 이 sp 2 결합 으로 변화 된 결과 라고 생각 된다 . 이 와 같이 , 스 페이서 표면 이 부분 적 으로 그래 파이트 화 하 면 , 이 부분 에서 는 도전 성 이 높 아 지 기 때문 에 , 스 페이서 표면 전체 에서 는 저항 분포 가 생긴다 . 그 결과 , 스 페이서 표면 의 전위 분포 상태 가 초기 상태 와 달라졌 기 때문 에 , 그 결과 전자 빔 의 궤도 가 변화 하 게 된다 .