광선 ( 70 ) 도 임계 각도 내 에 있 지만 , 저 굴절 률 층 ( 36 , 40 ) 은 더 두껍 고 일부 광선 들 은 그 층 에서 공명 으로 갇힐 수 있 어 , ( 금속 ( 24 ) 에 의한 또는 저 굴절 률 층 ( 36 , 40 ) 에 의한 ) 그 들 의 흡수 를 증가 시킨다 . 이 효과 는 반도체 ( 20 ) , 저 굴절 률 층 ( 36 , 40 ) , 및 금속 층 ( 24 ) 굴절률 들 및 두께 들 이 적당 하 게 선택 되 지 않 으면 콘택트 의 유효 반사 율 을 저하 시킬 수 있 다 . 광선 들 ( 66 및 70 ) 의 거동 은 SiO 2 저 굴절 률 층 에 대하 여 도시 될 수 있 다 . GaN p - 타입 영역 ( 20 ) , SiO 2 저 굴절 률 층 ( 36 ) , 및 Ag p - 콘택트 ( 24 ) 를 갖 는 장치 들 에 대한 입사 각도 의 함수 로서 의 반사율 의 플롯 이 도시 될 수 있 다 . SiO 2 의 3 개 의 두께 들 , 0 nm ( 즉 , 저 굴절 률 층 이 없 음 ) , 70 nm , 및 400 nm 가 예시 된다 . 얇 은 SiO 2 층 ( 70 nm ) 의 경우 임계 각도 아래 에서 ( < 40 °) 공명 이 없 고 반사율 은 매끄러운 각도 의 함수 이 다 . 반사율 은 Ag 만 있 는 것 보다 더 높 다 . 더 두꺼운 SiO 2 층 ( 400 nm ) 의 경우 임계 각도 아래 에서 광이 SiO 2 에 갇히 는 2 개 의 공명 이 존재 하 고 반사율 은 나빠진다 . 이 공명 들 을 회피 하 기 위하 여 , 저 굴절 률 층 의 두께 는 ( 미리 위상 천 이 ( mirror phase shift ) 를 고려 하 여 ) 저 굴절 률 층 에서 반 파장 두께 보다 더 작 을 필요 가 있 다 . 대부분 의 실시 예 들 에서 , 유전체 층 의 두께 는 공명 을 회피 하 기 에 족할 만큼 얇 으며 , 예 를 들 면 , 100 nm 보다 작 다 . 다른 실시 예 들 에서 유전체 는 두껍 고 공명 을 지원 할 수 있 지만 , 반도체 층 들 의 두께 는 이 불리 한 각도 들 에서 의 광 방출 을 최소 화 하 거나 제거 하 도록 선택 된다 .