다른 예 로 , 제 2 플 라즈 마는 제 2 RF 전력 을 펄스 파로 인가 하 면서 , 제 3 RF 전력 을 연속파 로 공정 챔버 ( 40 ) 로 인가 하 여 형성 될 수 있 다 . 이 경우 , 제 3 RF 전력 은 제 2 전원 ( 20 ) 에서 생성 된 저주파 전력 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 제 3 RF 전력 은 300 KHz 내지 400 KHz 의 주파수 범위 의 저주파 전력 을 포함 할 수 있 다 . 이 와 같이 , 펄스 파 의 제 2 RF 전력 과 연속파 의 제 3 RF 전력 을 같이 공급 하 여 제 2 플 라즈 마 를 생성 하 는 경우 펄스 파 형태 의 제 2 RF 전력 만 단독 으로 사용 하 는 경우 에 비해서 파티클 ( particle ) 발생 을 줄일 수 있 다 . 보다 구체 적 으로 보 면 , 제 2 RF 전력 이 낮 은 듀티 비 를 갖 는 경우 , 실리콘 소스 가스 를 분해 하 는 데 어려움 이 있 어서 파티클 이 발생 할 수 있 으나 저 주파 전력 을 연속파 형태 로 추가 공급 함 으로써 분해 효율 을 높여서 파티클 발생 을 줄일 수 있 다 .