도 7 의 ( b ) 에 도시 한 바 와 같이 , 게이트 절 연막 ( 55 ) 및 패 시베이 션 막 ( 65 ) 에 컨 택트 홀 ( 40 ) 을 형성 하 여 게이트 메탈 ( 50 ) 을 노출 시킨다 . 그리고 , 노출 된 게이트 메탈 ( 50 ) 을 덮 어 투명 도전 막인 ITO ( 30 ) 가 형성 되 어 있 다 . ITO ( 30 ) 는 게이트 메탈 ( 50 ) 을 보호 하 기 위해서 와 , IC 드라이버 ( 300 ) 의 범프 ( 310 ) 와 접속 하 기 위해 형성 되 어 있 고 , 컨 택트 홀 ( 40 ) 보다 도 폭 넓 게 형성 되 어 있 다 . 본 실시 예 에서 는 , 투명 도전 막 으로서 ITO 를 사용 하 고 있 지만 , ITO 이외 의 투명 도전 막 을 사용 할 수 있 다 . 도 7 의 ( a ) 에서 , 사선 이 그어 져 있 는 영역 이 ITO ( 30 ) 이 다 . 컨 택트 홀 ( 40 ) 의 평면 형상 은 도 7 의 ( a ) 에 도시 한 바 와 같이 , 가늘 고 길 다 .