따라서 , 종래 의 능동형 유기 발광 소자 에서 는 도 2 를 참조 하 여 설명 한 바 와 같이 , 상기 투명 전극 ( 39 ) 의 표면 거칠 기 를 낮추 기 위해 상기 투명 전극 ( 39 ) 을 식각 공정 또는 표면 연마 공정 에 의해 처리 할 경우 , 상기 투명 전극 ( 39 ) 아래 의 트랜지스터 를 위한 박막층 들 을 오염 시킨다 . 또한 , 종래 의 능동형 유기 발광 소자 의 발광 때 에 상기 투명 전극 ( 39 ) 을 위한 ITO 층 의 스파이크 부분 에서 상기 투명 전극 ( 39 ) 과 캐소드 전극 ( 43 ) 간 의 진행 성 단락 및 암점 ( dark spot ) 과 같 은 불량 현상 이 발생 하 기 쉬웠 다 .