도 8 에 , 드라이클리닝 공정 후 의 파티클 발생 의 추이 를 나타낸다 . 도 8 의 종축 은 처리 실 ( 201 ) 내 의 각 측정 위치 에 있 어서 입자 지름 이 0 . 13 μ m 이상 의 파티클 증가 분 ( 단위 ： 개 ) 을 나타내 고 , 횡축 은 드라이클리닝 실시 후 의 박막 형성 공정 의 실시 회수 ( 배치 회수 ) , 즉 , Si 3 N 4 성막 런 수 ( run number : 배치 의 처리 수 ) 를 나타낸다 . 또한 , 도 8 의 ● 표 는 , 처리 실 ( 201 ) 내 의 상부 ( top ) 위치 에 있 어서 이 물질 의 증가 수 를 나타내 고 , ○ 표 는 , 처리 실 ( 201 ) 내 의 하부 ( bottom ) 위치 에 있 어서 의 이 물질 의 증가 수 를 나타내 고 있 다 . 한편 , 박막 형성 공정 에서 는 , 처리 가스 로서 DCS 가스 및 NH 3 가스 를 이용 하 여 , 상술 한 실시 형태 와 동일 한 방법 , 조건 으로 , 1 런 당 Si 3 N 4 막 을 0 . 15 μ m 성막 했 다 . 도 8 에 의하 면 , 드라이클리닝 직후 는 파티클 증가 도 적 어서 안정 되 어 있 는데 , Si 3 N 4 성막 12 런 ( 누적 막 두께 2 μ m 상당 ) 으로 급격 하 게 파티클 이 증가 하 고 , 누적 막 두께 2 μ m 미만 에서 의 드라이클리닝 공정 의 실시 가 필요 함 을 알 수 있 다 . 이것 으로부터 도 , 특히 , 박막 형성 공정 1 회 당 형성 하 는 박막 의 막 두께 가 두꺼운 경우 에서 는 , 단주기 ( 短 週期 ) 에서 의 드라이클리닝 공정 의 실시 가 필요 하 기 때문 에 , 장치 의 가동 률 이 크 게 저하 하 는 것 을 알 수 있 다 .