선택 소자 ( S ) 는 비트 라인 ( BL 1 ) 과 워드 라인 ( WL 1 ) 에 인가 되 는 전압 들 에 따라 저항 소자 ( R ) 로 공급 되 는 전류 를 제어 할 수 있 다 . 선택 소자 ( S ) 는 저항 소자 ( R ) 와 비트 라인 ( BL 1 ) 사이 에 연결 되 고 , 그리고 저항 소자 ( R ) 는 워드 라인 ( WL 1 ) 과 선택 소자 ( S ) 사이 에 연결 될 수 있 다 . 선택 소자 ( S ) 의 위치 와 저항 소자 ( R ) 의 위치 는 서로 바뀔 수 도 있 다 . 예 를 들 어 , 선택 소자 ( S ) 는 양방향 특성 을 갖 는 OTS ( ovonic threshold switch ) 소자 또는 다이오드 소자 일 수 있 고 , 또한 선택 소자 ( S ) 는 칼 코 게나 이드 계 원소 를 갖 는 물질 을 포함 할 수 있 다 . OTS 소자 는 문턱 전압 ( 후술 되 는 도 9 에 도시 된 Vth ) 과 스위칭 전압 ( 후술 되 는 도 9 에 도시 된 Vs ) 으로 특징지 어 질 수 있 다 . 즉 , 문턱 전압 및 스위칭 전압 은 OTS 소자 의 고유 한 파라미터 들 일 수 있 다 . 선택 소자 ( S ) 가 OTS 소자 인 경우 , 메모리 셀 ( MC ) 에 흐르 는 누설 전류 로 인해 메모리 장치 ( 100 ) 의 성능 이 저하 될 수 있 다 .