상기 와 같 은 자기 정렬 콘 택 공정 을 이용 한 스토리지 노드 콘 택 의 형성 방법 은 , 디램 소자 의 집적도 가 높 아 짐 에 따라 비트 라인 들 간 의 거리 가 줄어들 면서 , 종래 의 홀 ( Hole ) 타입 으로 비트 라인 간 에 스토리지 노드 콘 택 을 형성 하 기 위한 노광 공정 에 어려움 이 커지 고 있 다 . 따라서 이러 한 문제점 을 해결 하 기 위해 라인 타입 자기 정렬 콘 택 공정 이 개발 되 었 다 .