반대 로 , 당해 조건 을 충족 시키 지 않 을 경우 에 는 , 트랜지스터 ( 162 ) 의 오프 전류 가 충분히 작 더라도 유지 기간 을 충분히 확보 하 는 것 이 곤란 해진다 . 트랜지스터 ( 162 ) 의 오프 전류 이외 의 리크 전류 ( 예 를 들 어 , 소스 전극 과 게이트 전극 의 사이 에 발생 하 는 리크 전류 등 ) 이 크 기 때문 이 다 . 따라서 , 본 실시 형태 에 관한 반도체 장치 는 R 1 ≥ ROS 및 R 2 ≥ ROS 의 관계 를 충족 시키 는 것 이 바람직 하 다고 말 할 수 있 다 .