도 3 f 를 참조 하 면 , 워드 라인 컷 ( 132 ) 및 리세 스 영역 들 ( 126 ) 을 채우 는 도전 막 ( 160 ) 을 형성 할 수 있 다 . 도전 막 ( 160 ) 은 가령 화학 기상 증착 으로 도핑 된 실리콘 , 텅스텐 , 금속 질 화 막 , 혹은 금속 실리사이드 막 을 증착 하 여 형성 할 수 있 다 . 본 실시 예 에 의하 면 , 도전 막 ( 160 ) 은 텅스텐 , 타이타늄 질 화 막 , 혹은 이 의 조합 을 포함 할 수 있 다 .