도 14 에 개략 적 으로 도시 되 는 바 와 같이 , 프로세싱 대상 기판 ( 4 ) 의 비 단결정 반도체 막 이 도 13 에 도시 되 는 광 강도 분포 를 갖 는 광 에 의해 조사 될 때 , 광 강도 ( a ) 에 대한 타원 형 등강 도 선 ( 11 ) 에 의해 정의 되 는 비용 융 영역 ( 12 a ) 은 비 단결정 반도체 막 상 에서 하나 의 결정 화 단위 영역 ( 12 ) 상 에 형성 된다 . 또한 , 결정 입자 ( 13 ) 는 도면 에서 비 용융 영역 ( 12 a ) 의 상단 근처 에 형성 되 는 결정핵 으로부터 예 를 들 면 , 100 도 또는 그 이상 의 방 사각 ( θ ) 으로 , 채널 영역 ( 104 c ) 의 전 방향 ( 비용 융 영역 ( 12 a ) 의 중심 으로부터 채널 영역 ( 104 c ) 의 중심 을 향하 는 방향 ) 을 향해 성장 한다 . 즉 , 이웃 하 는 두 개 의 결정 입계 ( 13 a ) 는 결정핵 으로부터 방사상 으로 확장 되 는 예 를 들 면 , 100 도 또는 그 이상 의 방 사각 을 형성 한다 . 결과 적 으로 , 결정 입계 ( 13 a ) 는 채널 영역 ( 104 c ) 을 침투 하 지 않 는다 . 전술 한 이유 로 , 도 14 에서 결정 화 단위 영역 ( 12 ) 의 크기 는 세로 크기 와 가로 크기 로 10 ㎛ × 5 ㎛ 로 설정 된다 .