또한 , 도 17 에 나타낸 게이트 전극 층 ( 116 B ) 및 게이트 전극 층 ( 116 D ) 은 , 박막 적층 체 ( 114 ) 를 지지 하 는 지 지부 로서 기능 한다 . 지지 부 를 가짐 으로써 , 게이트 전극 층 보다 위 에 형성 되 는 게이트 절 연막 등 의 막 이 벗겨지 는 것 을 방지 할 수 있 다 . 또한 , 지지 부를 형성 함 으로써 , 제 2 에칭 에 의해 게이트 전극 층 ( 116 ) 에 접하 여 형성 되 는 공동 의 영역 이 필요 이상 으로 넓 어 지 는 것 을 방지 할 수 있 다 . 또한 , 지지 부를 형성 함 으로써 , 박막 적층 체 ( 114 ) 가 자중 ( 自重 ) 에 의해 파괴 되 거나 또는 파손 되 는 것 도 방지 할 수 있 어 , 수율 이 향상 되 기 때문 에 바람직 하 다 . 단 , 본 발명 은 지지 부 를 가지 는 형태 에 한정 되 지 않 고 , 지지 부를 형성 하 지 않 아도 좋 다 . 지지 부 를 가지 지 않 는 형태 의 상면 도 ( 도 20 에 대응 ) 의 일례 를 도 21 에 나타낸다 .