또한 , 도 2 의 ( b ) 에서 는 p 형 반도체 막 ( 25 a ) 과 n 형 반도체 막 ( 27 a ) 을 포함 하 는 광 디바이스 ( 17 ) 를 나타내 고 있 지만 , 광 디바이스 ( 17 ) 의 구성 은 이 에 한정 되 지 않 는다 . 예컨대 광 디바이스 ( 17 ) 는 , p 형 반도체 막 ( 25 a ) 과 n 형 반도체 막 ( 27 a ) 사이 에 발광 층 을 더 구비 하 고 있 어도 좋 다 . 이 경우 , 발광 층 에서 정공 과 전자 의 재결합 이 생겨 , 발광 층 으로부터 광이 방출 된다 . 또한 , 광 디바이스 ( 17 ) 의 상면 측 또는 하 면 측 에 는 , 광 디바이스 ( 17 ) 를 다른 전극 이나 단자 에 접속 하 기 위한 전극 ( 접속 전극 ) 이 형성 되 어 있 어도 좋 다 .