상기 한 기술 적 과제 들 의 일부 를 달성 하 기 위한 본 발명 의 양상 ( aspect ) 에 따라 , 본 발명 에 따른 반도체 제조 설비 의 가스 또는 케미컬 공급 장치 는 , 공정 챔버 에서 사용 하 기 위해 외부 로부터 유입 된 가스 또는 케미컬 의 유량 및 속도 를 제어 하 는 공급 제 어부 와 ; 상기 공급 제 어부 를 통해 조절 된 가스 또는 케미컬 을 공정 챔버 로 공급 또는 외부 로 배출 하 기 위한 통로 를 제공 하 는 배관 들 과 ; 상기 가스 또는 케미컬 이 공정 챔버 로 공급 완료 후 , 상기 배관 들 에 잔류 하 는 가스 또는 케미컬 이 외부 로 배출 되 도록 하 는 3 웨이 밸브 를 포함 한다 .