다음 으로 , 포토레지스트 를 도포 한 후 제 2 마스크 를 이용 한 포 토리 소그라 피 공정 으로 단차 를 이루 는 포토레지스트 패턴 을 형성 한다 . 여기 서 , 포토레지스트 패턴 은 제 1 내지 제 3 박막 트랜지스터 ( Tn 1 , Tn 2 , Tn 3 ) 의 채널 이 형성 될 영역 에 포토레지스트 의 일부 가 남겨 지 고 , 데이터 패턴 이 형성 될 영역 에 는 포토레지스트 의 전량 이 남겨 지 며 , 나머지 부분 은 포토레지스트 가 제거 된다 .