다음 으로 , 도 5 ( b ) 에 도시 한 것 처럼 반도체 적층 체 ( 40 ) 의 상면 ( p 형 반도체 층 ( 43 ) 의 표면 ) 에 마그네트론 스퍼터링 법 을 사용 하 여 미도 시 된 p 전극 제 1 층 , p 전극 제 2 층 을 이 순서 대로 적층 함 으로써 p 측 전극 ( 30 ) 을 형성 한다 . 다음 으로 , 도 5 ( c ) 에 도시 한 것 처럼 p 측 전극 ( 30 ) 위 에 에피 택 셜 측 메탈 라이즈 층 ( 21 ) 을 적층 한다 . 또 에피 택 셜 측 메탈 라이즈 층 ( 21 ) 의 형성 전후 또는 병행 하 여 도 5 ( d ) 에 도시 한 것 처럼 기판 ( 10 ) 위 에 기판 측 메탈 라이즈 층 ( 22 ) 을 적층 한다 . 그리고 도 5 ( e ) 에 도시 한 것 처럼 기판 측 메탈 라이즈 층 ( 22 ) 이 적층 된 기판 ( 10 ) 을 뒤집 어 기판 측 메탈 라이즈 층 ( 22 ) 과 에피 택 셜 측 메탈 라이즈 층 ( 21 ) 을 맞붙인다 .