에칭 반응기 의 경우 에 , 에칭 되 고 있 는 기판 ( 101 ) , 챔버 바디 ( 102 ) , 및 플 라즈 마 와 접촉 하 는 , 프로세싱 챔버 ( 100 ) 의 모든 각각 의 다른 부분 과 플 라즈 마 사이 에 플 라즈 마 시스 ( 404 ) 가 형성 된다 . 플 라즈 마 에서 생성 되 는 이온 들 은 플 라즈 마 시스 에서 가속 되 고 , 플라 즈 마 시스 에 수직 으로 이동 한다 . VDC 를 제어 하 는 것 , 즉 에지 링 ( 210 ) 에 인가 되 는 전압 을 제어 하 는 것 은 시스 ( 404 ) 의 두께 ( d ) 에 영향 을 미친다 . 시스 ( 404 ) 의 시스 두께 ( d ) 는 에지 링 ( 210 ) 에 대하 여 측정 될 수 있 다 . 예컨대 , 두께 ( d ) 는 도 4 a 및 도 4 b 에서 도시 된다 . 도시 된 실시 예 에서 , 조정 가능 한 튜닝 링 ( 150 ) 을 작동 시키 는 것 은 제 2 에지 링 컴포넌트 ( 216 ) 를 상승 시킨다 . VDC 가 일정 하 게 유지 되 기 때문 에 , 에지 링 ( 210 ) 위 의 시스 두께 는 일정 하 게 유지 된다 . 그 에 따라 , 조정 가능 한 튜닝 링 ( 150 ) 을 수직 으로 작동 시키 는 것 은 시스 두께 에 영향 을 미치 지 않 으면서 시스 ( 404 ) 를 상승 시킨다 . 따라서 , 조정 가능 한 튜닝 링 ( 150 ) 을 이동 시키 는 것 은 기판 ( 101 ) 의 에지 ( 406 ) 에서 의 시스 ( 404 ) 의 형상 에 영향 을 미치 고 , 이 는 결국 , 플라 즈 마 이온 들 의 방향 을 제어 한다 .