다음 에 , 레지스 트 마스크 ( 81 ) 를 애 싱 ( ashing ) 한다 . 결과 적 으로 , 레지스 트 의 면적 이 축소 되 고 , 두께 가 얇 게 된다 . 이 때 , 막 두께 가 얇 은 영역 의 레지스 트 ( 게이트 전극 ( 51 ) 과 부분 적 으로 중첩 하 는 영역 ) 는 제거 되 고 , 도 11 a 에 도시 하 는 바 와 같이 , 분리 된 레지스 트 마스크 ( 86 ) 를 형성 할 수 있 다 .