미결정 반도체 막 ( 61 ) , 버퍼 층 ( 62 ) 의 단부 측면 이 경사 하 고 있 는 것 에 의해 , 버퍼 층 ( 62 ) 위 에 형성 되 는 소스 영역 및 드레 인 영역 과 미결정 반도체 막 ( 61 ) 과 의 사이 에 리크 전류 가 생기 는 것 을 방지 하 는 것 이 가능 하 다 . 또한 , 소스 전극 및 드레 인 전극 과 , 미결정 반도체 막 ( 61 ) 과 의 사이 에 리크 전류 가 생기 는 것 을 방지 하 는 것 이 가능 하 다 . 미결정 반도체 막 ( 61 ) 및 버퍼 층 ( 62 ) 의 단부 측면 의 경사 각도 는 , 30 °∼ 90 °, 바람직 하 게 는 45 °∼ 80 ° 이 다 . 이 와 같 은 각도 로 함 으로써 , 단차 형상 에 의한 소스 전극 또는 드레 인 전극 의 단절 을 막 을 수 있 다 .