다음 , 도 5 o 에 나타낸 바 와 같이 전체 면 에 ALD ( atomic layer deposition ) 법 등 에 의해 두께 가 50 nm 정도 인 알루미늄 산화 막 ( 64 ) 을 형성 한다 . 한편 , 알루미늄 산화 막 ( 64 ) 은 2 층 구조 로 하 고 , 하측 의 층 ( 두께 : 2 nm 정도 ) 을 형성 한 후 에 회복 어닐링 을 행한다 . 이 회복 어닐링 에서 는 반도체 기판 ( 1 ) 의 온도 를 600 ℃ 로 하 고 , 처리 시간 을 40 분 간 으로 하 고 , 산소 가스 의 공급량 을 20 l ( liter ) / 분 으로 하 는 RTA 를 행 한다 . 또한 , 상측 의 층 의 두께 는 48 nm 정도 로 한다 .