그런 다음 , 트렌치 내 에 만 제 1 절 연막 이 잔류 하 도록 화학 적 기계 적 연마 ( Chemical Mechanical Polishing ; CMP ) 공정 을 실시 하 여 소자 분리 막 ( 208 ) 을 형성 한다 . 제 1 절 연막 과 소자 분리 막 ( 208 ) 을 포함 한 반도체 기판 ( 200 ) 상부 에 마스크 ( 미 도시 ) 를 형성 한 후 소자 분리 막 ( 208 ) 의 높이 인 EFH ( Effective Field Height ) 를 조절 하 기 위해 식각 공정 을 실시 한다 . 이 로 인해 제 1 도 전막 ( 204 ) 측벽 일부 가 노출 된다 .