이러 한 점 으로부터 , 400 ℃ 이상 450 ℃ 이하 의 온도 영역 이 면 , 질화 실리콘 막 과 석영 의 에칭 의 양쪽 모두 를 실질 적 으로 동일 한 정도 로 실시 할 수 있 고 , 제 1 단계 과 제 2 스텝 을 동일 온도 로 연속 하 여 수행 하 는 것 이 가능 하 게 된다 . 즉 , 제 1 온도 와 제 2 온도 를 , 이러 한 온도 영역 에서 거의 동일 한 정도 로 함 으로써 , 제 1 스텝 으로부터 제 2 스텝 으로 옮길 때 처리 실 ( 201 ) 내 의 온도 를 변경 시킬 필요 가 없 고 , 온도 변경 에 수반 하 는 대기 시간 도 발생 하 지 않 으며 , 안정 적 으로 클리닝 을 수행 하 는 것 이 가능 해진다 .