일 실시 예 에서 , 각각 의 제 2 절연 층 ( 232 ) 은 제 2 절연 재료 를 포함 할 수 있 고 , 각각 의 제 2 희생 재료 층 ( 242 ) 은 제 2 희생 재료 를 포함 할 수 있 다 . 이러 한 경우 에 있 어서 , 제 2 수직 교번 시퀀스 ( 232 , 242 ) 는 교번 하 는 복수 의 제 2 절연 층 들 ( 232 ) 및 제 2 희생 재료 층 들 ( 242 ) 을 포함 할 수 있 다 . 제 2 절연 층 들 ( 232 ) 의 제 3 재료 는 , 예 를 들 어 화학 증착 ( CVD ) 에 의해 침착 될 수 있 다 . 제 2 희생 재료 층 들 ( 242 ) 의 제 4 재료 는 , 예 를 들 어 , CVD 또는 원자 층 침착 ( ALD ) 으로 형성 될 수 있 다 .