도 4 를 참조 하 면 , 상기 수직 막 ( 150 ) 이 형성 된 결과물 을 덮 는 제 1 반도체 막 ( 170 ) 이 형성 될 수 있 다 . 상기 제 1 반도체 막 ( 170 ) 은 원자 층 증착 ( ALD ) 또는 화학 적 기상 증착 ( CVD ) 기술 들 을 사용 하 여 형성 되 는 다결정 실리콘 막 일 수 있 다 . 상기 제 1 반도체 막 ( 170 ) 은 상기 개구부 들 ( 105 ) 의 폭 의 1 / 50 내지 1 / 5 의 범위 에서 선택 되 는 두께 로 형성 될 수 있 다 . 본 발명 의 다른 변형 된 실시 예 들 에 따르 면 , 상기 제 1 반도체 막 ( 170 ) 은 유기 반도체 막 및 탄소 나노 구 조체 들 중 의 한 가지 일 수 도 있 다 . 일 실시 예 에 따르 면 , 상기 제 1 반도체 막 ( 170 ) 은 상기 개구부 들 ( 105 ) 을 완전히 매립 하 지 않 는 두께 로 형성 될 수 있 다 . 즉 , 도시 된 것 처럼 , 상기 제 1 반도체 막 ( 170 ) 은 상기 개구부 들 ( 105 ) 내 에 핀홀 ( 105 a ) 을 정의 할 수 있 다 .