상기 제 1 몰드 막 ( 140 m 1 ) 및 제 2 몰드 막 ( 140 m 2 ) 은 각각 예컨대 실리콘 산화물 로 형성 될 수 있 으며 , 예 를 들 면 화학 기상 증착 ( chemical vapor deposition , CVD ) 에 의하 여 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 면 , 상기 제 1 몰드 막 ( 140 m 1 ) 및 제 2 몰드 막 ( 140 m 2 ) 은 각각 독립 적 으로 고밀 도 플 라즈 마 ( high density plasma , HDP ) 산화 막 , TEOS ( tetraethyl ortho silicate ) , PE - TEOS ( plasma - enhanced TEOS ) , O 3 - TEOS , USG ( Undoped Silicate Glass ) , PSG ( phosphosilicate glass ) , BSG ( borosilicate glass ) , BPSG ( borophospho silicate glass ) , FSG ( fluoride silicate glass ) , SOG ( Spin On Glass ) , TOSZ ( tonen silazene ) 또는 이 들 의 조합 으로 이루어질 수 있 다 .