집 적 회로 ( IC ) 칩 의 성능 , 기능 성 , 및 크기 를 최적 화 하 기 위해 , IC 에 대한 고 신뢰 성 및 정확도 를 구비 한 임베디드 수동 소자 들 ( embedded passive components ) 이 근래 에 널리 연구 되 어 왔 다 . 특히 , 니어 - 제로 ( near - zero ) 저 항온 도 계수 ( temperature coefficient of resistance , TCR ) 및 높 은 기계 특성 을 갖 는 개선 된 막 저항 ( film resistors ) 이 고 - 정밀 전자 장치 , 아날로그 회로 에서 의 전류 와 전압 제어 , 및 자동차 와 열 - 전 장치 들 ( thermos - electrical devices ) 에서 다양 한 종류 의 센서 들 과 같 은 광범위 한 응용 에 이용 될 수 있 다 . 현재 까지 , RuO 2 , Ni / Cr 합금 , Mn 3 CuN 과 같 은 니어 - 제로 TCR ( ± 10 ppm / K ) 을 갖 는 막 저항 ( film resistors ) 을 조사 하 기 위해 광범위 한 연구 가 수행 되 어 왔 음 에 도 , 이 들 은 막 저항 에 부적합 한 극도 로 낮 은 전기 저 항도 ( electrical resistivity ) ( ~ 1 . 4 x 10 - 3 Ω ㎝), 큰 구조 변형 에 기인 하 는 열악 한 접착 , 및 고온 ( 약 700 ℃) 에서 의 소결 ( sintering ) 시 금속 표면 상 에서 의 산화 문제 를 보였 다 . 더욱이 , 저항 온도 계수 ( TCR ) 는 Cu / Ni 및 Cu / Ta 와 같 은 합금 을 이용 하 여 감소 될 수 있 을지라도 , 일반 적 으로 양 ( +) 의 TCR 이 유지 되 기 때문 에 near zero TCR ( < 25 ppm / K ) 을 달성 하 는 것 은 매우 어렵 다 . 다행히 , 이러 한 바람직 하 지 않 은 문제 들 은 , 특히 기존 물질 들 의 활용 및 특성 의 한계 의 관점 에서 , 상이 한 기능 성 물질 들 을 이용 하 여 해결 될 수 있 다 . 세라믹 - 기반 합성 필름 ( ceramic - based composite films ) 이 이종 물질 들 을 이용 하 여 가공 될 때 , 전기 저 항도 ( resistivity ) 및 TCR ( 저 항온 도 계수 ) 모두 가 각 물질 의 고유 특성 에 의해 또는 입자 크기 ( grain size ) 에 의해 용이 하 게 제어 될 수 있 다 .