도 16 을 참조 하 면 , 상기 제 2 도 전막 ( 230 ) 은 상기 도전 라인 ( 220 ) 의 상부 면 을 노출 되 도록 리세 스 된다 . 따라서 , 상기 도전 라인 ( 220 ) 사이 에 상기 도전 라인 ( 220 ) 보다 낮 은 내부 쉴 딩 라인 ( 232 ) 이 형성 된다 . 상기 내부 쉴 딩 라인 ( 232 ) 및 상기 도전 라인 ( 220 ) 상 에 절 연막 ( 미 도시 ) 이 형성 된다 . 상기 절 연막 을 상기 도전 라인 ( 220 ) 의 상부 면 이 노출 되 도록 평탄 화 함 으로써 상기 내부 쉴 딩 라인 ( 232 ) 상 에 캡 핑 패턴 ( 241 ) 이 형성 된다 . 따리 서 , 상기 캡 핑 패턴 ( 241 ) , 상기 제 1 스 페이서 ( 240 a ) 및 상기 제 2 스 페이서 ( 210 a ) 를 포함 하 는 외부 쉴 딩 라인 ( 242 ) 이 형성 된다 .