워드 라인 들 ( WL 1 ~ WL 7 ) 에 소거 검증 전압 ( Vvfy ) 이 인가 된다 . 제 1 행의 낸드 스트링 들 ( NS 11 ~ NS 13 ) 의 메모리 셀 들 ( MC 1 ~ MC 7 ) 중 소거 검증 전압 ( Vvfy ) 보다 높 은 문턱 전압 을 갖 는 메모리 셀 들 은 턴 - 오프 될 것 이 다 . 제 1 행의 낸드 스트링 들 ( NS 11 ~ NS 13 ) 의 메모리 셀 들 ( MC 1 ~ MC 7 ) 중 소거 검증 전압 ( Vvfy ) 보다 낮 은 문턱 전압 을 갖 는 메모리 셀 들 은 턴 - 온 될 것 이 다 .