( 7 ) 상술 한 실시 예 에서 는 , 기판 처리 열 ( Ｌ ) 은 도포 현상 공정 의 전부 또는 일부 등 을 행하 는 것 이 었 지만 , 이 에 한정 되 지 않 는다 . 기판 처리 열 ( Ｌ ) 에서 세정 처리 등 그 외 처리 를 기판 ( Ｗ ) 에 행하 도록 변경 해도 좋 다 . 이 에 의해 , 각 처리 유닛 의 종류 , 개수 등 은 적합 하 게 선택 , 설계 된다 . 또한 , ＩＦ 부 ( 5 ) 를 생략 해서 기판 처리 장치 를 구성 해도 좋 다 .