그리고 , S 1100 블록 에서 의 판별 결과 , 온도 감지 결과 ( Temp ) 가 저온 구간 에 대응 되 는 경우 , 플래시 메모리 는 제어 로직 ( 700 ) 의 제어 에 의해 소거 동작 조건 을 변경 하 여 , 변형 된 소거 동작 을 수행 할 수 있 다 ( S 1300 내지 S 1600 블록 ) . 변형 된 소거 동작 은 , 노 말 소거 동작 과 마찬가지 로 복수 의 소거 루프 들 로 구성 될 수 있 고 , 각각 의 소거 루프 는 소거 실행 구간 , 지연 시간 구간 , 그리고 검증 구간 으로 구성 될 수 있 다 . 변형 된 소거 동작 은 , 소거 실행 구간 , 지연 시간 구간 , 및 검증 구간 중 적어도 하나 에 적용 되 는 소거 동작 조건 ( 예 를 들 면 , 지연 시간 의 길 이 , 카운터 펄스 , 소거 동작 시 인가 되 는 워드 라인 전압 의 레벨 등 ) 이 변형 된 것 을 의미 한다 . 도 3 에 도시 된 바 와 같이 , 본 발명 에서 수행 되 는 변형 된 소거 동작 은 , 소거 동작 조건 에 따라 크 게 3 가지 타입 ( A 타입 , B 타입 , C 타입 ) 으로 구분 될 수 있 다 . 그러나 , 이 는 본 발명 이 적용 되 는 일 예 에 불과 하 며 , 소거 동작 조건 의 다양 한 변형 을 통해 소거 동작 이 다양 한 형태 로 변형 될 수 있 다 .