도 3 c 는 도 2 에 도시 된 I 믹서 ( 110 ) 의 다른 예시 적 인 실시 형태 를 도시 하 며 , 제 어 전압 VI 는 트랜지스터 M 1 , M 2 , M 3 , M 4 의 기판 ( 또는 벌크 ) 를 바이어 싱하 도록 인가 된다 . 도 3 c 에서 , 트랜지스터 M 1 , M 2 , M 3 , M 4 의 게이트 바이어 싱 은 고정 될 수 도 있 고 , 또는 , 본 명세서 에서 전술 한 원리 에 따라 가변 일 수 도 있 다 . 단순 화 를 위해 , 트랜지스터 의 게이트 바이어 싱 에 대한 세부 사항 은 도 3 c 에서 생략 되 었 다 .