반도체 내부 의 결함 이 없 는 이상 적 인 산화물 반도체 를 채널 형성 영역 에 사용 한 트랜지스터 의 이동도 μ 2 를 계산 한 결과 를 도 15 에 도시 한다 . 또한 , 계산 에 는 디바이스 시뮬레이션 소프트 웨 어인 Sentaurus Device ( Synopsys . Inc . 제작 ) 를 사용 하 고 , 산화물 반도체 의 밴드 갭 을 2 . 8 eV , 전자 친화력 을 4 . 7 eV , 비유전율 을 15 , 두께 를 15 nm 로 하 였 다 . 이 들 값 은 스퍼터링 법 을 사용 하 여 형성 된 박막 을 측정 하 여 얻 어 진 것 이 다 .