좀 더 구체 적 으로 , 후속 동작 에서 , 검사 시스템 , 리소그래피 시스템 및 특정 실시 예 에서 , 포토레지스트 프로세스 의 특징 을 이용 하 여 , 밴드 제한 마스크 패턴 으로부터 모델링 된 이미지 ( 예컨대 , 에어리얼 이미지 또는 패턴 이미지 ) 를 구축 한다 . 예 를 들 어 , 검사 방법 으로 제공 된 리소그래피 시스템 모델 은 개구수 , 파장 , 조명 조건 의 스 테퍼 조건 을 포함 할 수 있 다 . 다른 모델 구성 요소 는 검사 시스템 의 다양 한 특징 및 특정 실시 예 에서 의 , 포토레지스트 시스템 을 포함 할 수 있 다 . 모델링 된 이미지 는 리소그래피 적 으로 투사 된 이미지 또는 포토레지스트 로 패 터닝 된 이미지 를 근사 하 게 나타내 고 통상 적 으로 비 - 프린터 블 피처 는 포함 하 지 않 는다 . 동시 에 , 모델링 된 이미지 는 비 - 프린터 블 한 피처 의 다양 한 효과 ( OPC ) 를 설명 한다 . 도 1 A 및 1 B 로부터 입증 된 바 처럼 현대 OPC 복잡 성 때문 에 포토 마스크 이미지 와 웨이퍼 이미지 간 의 유사 성 이 종종 결핍 된다는 것 을 다시 지적 하 는 것 은 중요 하 다 . 따라서 , " 포토 마스크 이미지 로부터 어떤 영역 이 "" 디 센싱 "" 되 어야 할 필요 가 있 고 어떤 영역 이 고감 도 레벨 로 검사 되 어야 할 필요 가 있 는지 를 결정 하 는 것 은 어렵 다 . 이 모델 - 기반 접근 법 은 리소그래피 적 으로 중대 한 결함 에 초점 을 맞추 고 ", 리소그래피 노출 또는 포토레지스트 현상 동안 무관 한 많 은 다른 유형 의 결함 들 은 무시 한다 .