커패시터 전극 ( 175 ) 은 각 화소 회로 부 ( PXC ) 에 하나 씩 위치 할 수 있 고 , 절연 층 ( 160 ) 을 사이 에 두 고 대응 하 는 게이트 전극 ( 155 ) 과 중첩 하 여 커패시터 ( Cst ) 를 형성 할 수 있 다 . 커패시터 전극 ( 175 ) 은 절연 층 ( 160 ) 의 개구부 를 통해 제 1 트랜지스터 ( T 1 ) 의 드레 인 영역 ( 135 _ 1 ) 및 제 3 트랜지스터 ( T 3 ) 의 소스 영역 ( 133 _ 3 ) 과 전기 적 으로 연결 되 어 있 을 수 있 고 , 절연 층 ( 160 ) 및 버퍼 층 ( 120 ) 의 개구부 를 통해 하부 패턴 ( 111 ) 과 전기 적 으로 연결 되 어 있 을 수 있 다 .