본 공정 에서 는 , 기판 의 한쪽 면 에 당해 감방 사선 성 수지 조성물 을 도공 한다 . 이 에 의해 , 레지스 트 막 이 형성 된다 . 이 레지스 트 막 을 형성 하 는 기판 으로서 는 , 예 를 들 어 실리콘 웨이퍼 , 이산화 실리콘 , 알루미늄 으로 피복 된 웨이퍼 등 의 종래 공지 된 것 등 을 들 수 있 다 . 또한 , 예 를 들 어 일본 특허 공고 평 6 - 12452 호 공보 나 일본 특허 공개 소 59 - 93448 호 공보 등 에 개시 되 어 있 는 유기계 또는 무기계 의 반사 방지 막 을 기판 상 에 형성 해도 된다 . 도공 방법 으로서 는 , 예 를 들 어 회전 도공 ( 스핀 코팅 ) , 유연 도공 , 롤 도공 등 을 들 수 있 다 . 도공 한 후 에 , 필요 에 따라서 , 도막 내 의 용매 를 휘발 시키 기 위해서 , 프리 베 이크 ( PB ) 를 행해도 된다 . PB 의 온도 의 하한 으로서 는 , 60 ℃ 가 바람직 하 고 , 80 ℃ 가 보다 바람직 하 다 . 상기 온도 의 상한 으로서 는 , 140 ℃ 가 바람직 하 고 , 120 ℃ 가 보다 바람직 하 다 . PB 의 시간 의 하한 으로서 는 , 5 초 가 바람직 하 고 , 10 초 가 보다 바람직 하 다 . 상기 시간 의 상한 으로서 는 , 600 초 가 바람직 하 고 , 300 초 가 보다 바람직 하 다 . 형성 되 는 레지스 트 막 의 평균 두께 의 하한 으로서 는 , 10 nm 가 바람직 하 고 , 20 nm 가 보다 바람직 하 다 . 상기 평균 두께 의 상한 으로서 는 , 1 , 000 nm 가 바람직 하 고 , 500 nm 가 보다 바람직 하 다 .