실리콘 에칭 레 시비 의 예 는 , 약 250 볼트 의 웨이퍼 바이어스 전압 및 약 2500 와트 의 플 라즈 마 전력 공급 으로 , 약 100 mTorr 의 압력 하 에서 , 약 300 sccm 의 SF 6 , 약 0 sccm 내지 150 sccm 의 O 2 , 약 0 sccm 내지 200 sccm 의 SO 2 ( 바람직 하 게 는 30 sccm 내지 150 sccm 의 SO 2 ) , 및 약 150 sccm 의 SiF 4 를 함유 하 는 에칭 가스 를 포함 할 수 도 있 다 . SO 2 를 첨가 하 거나 또는 SO 2 로 O 2 를 대체 하 는 것 은 언더컷 및 측벽 거칠 기 를 예 상외 로 감소 시켰 고 , 비아 프로파일 에서 더 테이퍼 하 게 제공 하 였 다 . 예컨대 , 마스크 아래 의 언더컷 을 감소 시키 기 위해 , 오리지널 에칭 가스 레시피 내 의 O 2 의 약 40 % 내지 50 % 가 SO 2 로 대체 될 수 도 있 다 . 다른 컨디션 들 이 동일 한 경우 에 , O 2 에 대하 여 SO 2 의 증가 된 양 / 비율 은 더 테이퍼 된 프로 파일 을 제공 한다 . 바이어스 전압 및 / 또는 총 플로우 레이트 가 또 한 테이퍼 에 영향 을 준다 . 따라서 , 이 들 파라미터 들 을 제어 함 으로써 , 피쳐 들 의 소정 의 사양 을 만족 시키 기 위해 피 쳐 들 의 테이퍼 가 제어 될 수 있 다 .