상기 실란 계열 조절 제 의 함량 이 0 . 01 중량 % 미만 일 경우 에 는 , 실리콘 산화 막 이 과 식각 되 어 산화 막 층 의 두께 가 얇 아 지 거나 형태 변형 을 초래 하 게 되 어 , 후 공정 및 최종 제품 의 품질 을 저하 시킬 수 있 으며 , 산화 막 층 에 걸리 는 용량 ( Capacity ) 가 증가 하 고 항복 전압 ( breakdown voltage ) 이 낮 아 져 한계 치 에 도달 하 는 문제점 이 발생 할 수 있 으며 , 상기 실란 계열 조절 제 의 함량 이 3 중량 % 를 초과 하 게 될 경우 , 식각 액 내 에서 , 과산화물 ( Peroxide ) 보조제 에 비해 실란 계열 조절 제 가 과량 첨가 되 게 되 어 선택 비 증가 의 효과 가 미비 하 거나 , 무기산 및 물 의 비율 이 상대 적 으로 낮 아 져서 실리콘 질화 막 식각 능력 을 감소 시키 고 , 산화 막 의 식각 속도 가 적정 수치 미만 으로 감소 하 며 , 산화 막 의 식각 이 아닌 증착 현상 이 발생 하 고 , 실리콘 산화 막 부분 에 이상 성장 이 발생 할 수 있 다 .