위 의 모든 구성 요소 를 갖 는 완전 한 센서 는 대형 CMOS 웨이퍼 및 전자 장치 IC 패브 ( fab ) 를 사용 하 여 단일 칩 에 단일 체로 통합 될 수 있 어 , 교란 적 인 감도 성능 을 주 면서 각 센서 칩 의 비용 을 줄일 수 있 다 . 대안 적 으로 , 플라 즈 몬 도파 로 를 위해 금 또는 은 이 사용 되 는 본 발명 의 양태 에서 , CMOS 설비 의 외부 에서 또는 금 또는 은 을 위한 증착 공정 을 제공 할 수 있 는 CMOS 설비 의 특별 하 게 만들 어 진 부분 내 에서 추가 적 인 금속 증착 공정 이 요구 된다 .