서브 스트레이트 ( 110 ) 는 인 캡슐 란트 ( 115 ) 와 서브 스트레이트 인터 커넥트 ( 112 ) 를 포함 할 수 있 고 , 인 캡슐 란트 ( 115 ) 의 내측 에 전자 컴 포 넨 트 ( 120 ) 가 임베디드 된 형태 를 가질 수 있 으며 , 그리고 / 또는 서브 스트레이트 ( 110 ) 내 에서 , 반도체 디바이스 ( 100 ) 에 대한 감소 된 두께 를 제공 한다 . 인 캡슐 란트 ( 115 ) 는 서브 스트레이트 ( 110 ) 의 하면 으로부터 상면 까지 연장 된다 .