도 1 을 참조 하 면 , 반응 챔버 내 에 기판 이 제공 된다 ( S 1 ) . 상기 기판 은 Si ( silicon ) , Ge ( germanium ) 과 같 은 반도체 원소 , 또는 SiC ( silicon carbide ) , GaAs ( gallium arsenide ) , InAs ( indium arsenide ) , 및 InP ( indium phosphide ) 와 같 은 화합물 반도체 로 이루어지 는 반도체 기판 을 포함 할 수 있 다 . 일부 실시 예 들 에 있 어서 , 상기 기판 은 반도체 기판 과 , 상기 반도체 기판 위 에 형성 된 적어도 하나 의 절 연막 , 및 / 또는 적어도 하나 의 도전 영역 을 포함 하 는 구조물 들 을 포함 할 수 있 다 . 상기 도전 영역 은 , 예 를 들 면 불순물 이 도핑 된 웰 ( well ) , 불순물 이 도핑 된 구조물 , 금속 함유 도전 층 등 으로 이루어질 수 있 다 . 또한 , 상기 기판 은 STI ( shallow trench isolation ) 구조 와 같 은 다양 한 소자 분리 구조 를 가질 수 있 다 .