일 구 현예 에서 , 티타늄 옥사이드 는 주석 옥사이드 의 존재 시 불소 - 기반 에칭 을 사용 하 여 선택 적 으로 에칭 된다 . 일 구 현예 에서 , 이 에칭 방법 은 5 내지 500 sccm 의 플로우 레이트 로 CF 4 , 0 내지 500 sccm 의 플로우 레이트 로 ( 예 를 들 어 , 10 내지 500 sccm ) CHF 3 및 100 내지 500 sccm 의 플로우 레이트 로 불활성 가스 ( 예 를 들 어 , 아르곤 ) 를 흘리 는 단계 및 ( 일 300 ㎜ 웨이퍼 당 ) 0 . 71 내지 1 . 4 W / ㎠ 의 전력 밀도 들 에 대응 하 는 500 내지 1000 W 의 RF 전력 을 사용 하 여 이 프로세스 가스 로 플 라즈 마 를 형성 하 는 단계 를 수반 한다 . 이 에칭 은 기판 바이어스 를 사용 하 여 또는 기판 바이어스 를 사용 하 지 않 고 수행 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 기판 바이어스 는 0 내지 300 Vb , 예컨대 10 내지 300 Vb 일 수 도 있 다 . 프로세스 는 100 ℃ 미만 의 온도 및 5 내지 50 mTorr 의 압력 에서 수행 될 수 있 다 .