또한 , 상기 의 목적 을 달성 하 기 위하 여 본 발명 은 , 하드 마스크 막 ( 4 ) 은 포토레지스트 ( 5 ) 두께 보다 두께 가 얇 으며 , 3 내지 200 nm 로 구성 되 는 것 이 바람직 하 다 . 하드 마스크 막 ( 4 ) 의 두께 가 3 nm 이하 인 경우 두께 가 너무 얇 기 때문 에 반사 방지 막 ( 3 ) 또는 차광막 ( 2 ) 식각 중 제거 되 어 반사 방지 막 ( 3 ) 또는 차광막 ( 2 ) 표면 에 손상 을 주 게 되 어 포토 마스크 제조 후 패턴 표면 에 불량 을 일으킬 수 있 으며 또 한 포토 마스크 제작 을 위한 전자 빔 노광 시 면저항 이 높 기 때문 에 차 지업 ( Charge Up ) 현상 이 발생 할 수 있 다 .