종래 , 반도체 웨이퍼 등 의 표면 에 마련 된 미세 한 배선용 홈 , 홀 , 또는 레지스 트 개구부 에 배선 을 형성 하 거나 , 반도체 웨이퍼 등 의 표면 에 패키지 의 전극 등 과 전기 적 으로 접속 하 는 범프 ( 돌기 상 전극 ) 를 형성 하 거나 하 는 일 이 행해 지 고 있 다 . 이러 한 배선 및 범프 를 형성 하 는 방법 으로서 , 예 를 들 어 전해 도금 법 , 증착 법 , 인쇄 법 , 볼 범프 법 등 이 알려져 있 다 . 근년 의 반도체 칩 의 I / O 수 의 증가 , 가 는 피치 화 에 수반 하 여 , 미세화 가 가능 하 고 성능 이 비교 적 안정 되 어 있 는 전해 도금 법 이 많이 사용 되 게 되 었 다 .