이때 , 상기 제 1 다결정 실리콘 층 ( 103 ) 은 비록 종래 의 엑 시머 레이저 결정 화법 , 금속 유도 결정 화법 및 금속 유도 측면 결정 화법 등 과 같 은 결정 화법 으로 결정 화 된 다결정 실리콘 층 보 다는 결정립 의 크기 가 작 아 전자 이동도 와 같 은 전기 적 특성 이 우수 하 지 는 않 지만 , 상기 엑 시머 레이저 결정 화법 으로 결정 화 된 다결정 실리 콘 과 는 달리 결정립 의 균일성 이 우수 하 여 다결정 실리콘 층 전체 에 걸쳐 전자 이동도 와 같 은 전기 적 특성 이 균일 하 고 , 상기 금속 유도 결정 화법 및 금속 유도 측면 결정 화법 에서 와 같이 금속 에 의한 누설 전류 가 발생 하 지 않 는 장점 이 있 다 .