도 2 f 를 참조 하 면 , 상기 게이트 ( 240 ) 가 형성 된 기판 ( 200 ) 결과물 에 대해 LDD ( Light Doped Drain ) 이온 주입 을 수행 한다 . 이때 , 상기 LDD 이온 주입 은 엔 모스 ( NMOS ) 의 경우 에 는 Ph +, 또는 , As 이온 을 사용 하 여 1 × 1013 ∼ 1 × 1015 이온 / cm 2 정도 의 도우즈 로 수행 하 며 , 피 모스 ( PMOS ) 의 경우 에 는 B +, 또는 , BF 2 이온 을 사용 하 여 1 × 1013 ∼ 1 × 1015 이온 / cm 2 정도 의 도우즈 로 수행 함 이 바람직 하 다 .