최근 에 , 반도체 메모리 디바이스 로서 의 FBC 디바이스 가 1 T ( 트랜지스터 ) - 1 C ( 커패시터 ) 형 DRAM 을 대체 하 는 메모리 로서 기대 되 어 왔 다 . FBC 메모리 디바이스 는 , SOI 구조 상 에 플로팅 바디 ( 이후 , 바디 로 도 지칭 됨 ) 를 갖 는 FET ( 전계 효과 트랜지스터 ; Field Effect Transistor ) 를 형성 하 고 , " 이 바디 에 축적 된 주 캐리어 ( carrier ) 의 수 에 따라서 데이터 "" 1 "" 또는 데이터 "" 0 "" 을 저장 한다 . "