광학 적 인 방식 을 이용 한 방법 으로서 , 현재 까지 사용 되 어 왔 고 가까운 미래 까지 주요 기술 로 사용 될 노광 공정 ( photolithography ) 은 해상도 면 에 있 어서 100 nm 정도 의 한계 를 가지 고 있 다 . 이 는 100 nm 이하 의 크기 에서 일어나 는 빛 의 간섭 문제 때문 인데 90 년 대 중반 부터 이러 한 노광 공정 을 대체 하 기 위해 많 은 노력 이 있 었 다 . 경제 적 인 문제 만 없 다면 100 nm 이하 의 해상도 를 갖 는 광학 리소그래피 방법 은 벌써 개발 되 어 있 는 상황 이 며 , 예 를 들 어 전자 빔 리소그래피 ( electron - beam lithography ) , 엑스선 리소그래피 ( X - ray lithography ) , 주사 탐침 리소그래피 ( scanning probe lithography ) 등 이 그러 한 방법 의 예 이 다 . 그러나 광학 적 인 방법 에 의한 패턴 방식 은 비싼 광원 을 사용 해야 하 고 장비 도 많이 사용 되 어야 한다는 단점 이 있 다 . 또한 , 이 방식 에서 사용 되 는 빛 차단 물질 은 비 환경 친화 적 이 라 다른 기술 의 도입 이 필요 하 다 .