도 1 에 도시 되 는 바 와 같이 , 본 실시 형태 에서 의 기판 처리 장치 는 , 반도체 웨이퍼 ( 이하 , 「 웨이퍼 ( W ) 」 라고 함 ) 를 수용 가능 한 처리 용기 ( 10 ) 를 갖 고 있 다 . 처리 용기 ( 10 ) 는 , 내열성 이 높 은 석영 에 의해 대략 원통체 상 으로 성형 되 고 , 천장 에 배기구 ( 11 ) 를 갖 는다 . 처리 용기 ( 10 ) 는 , 연직 ( 상하 ) 방향 으로 연장 되 는 종형 의 형상 으로 형성 되 어 있 다 . 처리 용기 ( 10 ) 의 직경 은 , 예 를 들 어 처리 되 는 웨이퍼 ( W ) 의 직경 이 300 mm 인 경우 에 는 , 350 내지 450 mm 정도 가 되 도록 형성 되 어 있 다 .