본 발명 은 고 효율 화학 기상 증착 법 그래핀 주름 제거 방법 에 관한 것 으로 , 고온 환경 에서 제어 가능 한 양성자 를 주입 하 고 , 온도 환경 과 양성자 를 생성 하 는 수소 플 라즈 마의 전력 및 시간 을 정확 하 게 제어 함 으로써 , 구리 , 니켈 등 각종 금속 및 그 합금 , 산화 규소 , 탄화규소 등 각종 비금속 기판 상 에서 주름 이 없 는 초 평탄 그래핀 필름 을 직접 성장 시키 거나 , 주름 진 그래핀 의 주름 을 제거 한다 . 상기 플 라즈 마 보조 화학 기상 증착 시스템 은 플 라즈 마 발생기 , 진공 시스템 , 및 가열 시스템 을 포함 한다 . 여기 에서 플라 즈 마 발생기 의 전력 은 5 내지 1000 W , 진공 시스템 은 10 - 5 내지 105 Pa , 시스템 의 제어 가능 가열 온도 범위 는 25 내지 1000 ℃ 이 다 . 각종 기판 상 에 성장 과 동시 에 양성자 를 주입 하 여 , 주름 없 는 초 평탄 그래핀 을 직접 성장 시킬 수 있 으며 , 종래 방법 으로 성장 시킨 주름 있 는 그래핀 의 양성자 를 주입 한 후 처리 하 여 주름 을 감소 및 제거 시킬 수 있 다 .