도 26 a 및 26 b 는 본 발명 의 실시 예 에 따라 CNT 를 사용 한 GAA FET 의 순차 적 제조 프로세스 의 다양 한 단계 중 하나 를 도시 한다 . 소스 / 드레 인 접촉 개구부 ( 65 ) 가 형성 된 이후 , 지지 층 ( 20 ) 이 도 25 a 및 도 25 b 에 도시 된 바 와 같이 노출 된 적층 된 구조물 ( 29 ) 로부터 선택 적 으로 제거 된다 . 일부 실시 예 에서 , 건식 에칭 및 / 또는 습식 에칭 이 수행 되 어 지 지 층 ( 20 ) 을 제거 한다 . 따라서 , 도 26 a 및 도 26 b 에 도시 된 바 와 같이 , 유전체 층 ( 200 ) 및 CNT ( 100 ) 의 스택 ( stack ) 이 소스 / 드레 인 접촉 개구부 ( 65 ) 에 남 아 있 다 .