산화물 반도체 막 은 In - Ga - Zn - O 타깃 ( In 2 O 3 : Ga 2 O 3 : ZnO = 1 : 1 : 2 [ mol 수 비율 ] ) 을 사용 하 고 , 스퍼터링 가스 로서 유량 30 sccm 의 아르곤 및 15 sccm 의 산소 를 사용 한 , DC 스퍼터링 법 을 사용 하 여 형성 하 였 다 . 이 때 의 전원 의 전력 을 0 . 5 kW 로 하 고 , 압력 을 0 . 4 Pa 로 하 고 , 기판 및 타깃 의 간격 을 60 mm 로 하 고 , 기판 온도 를 200 ℃ 로 하 였 다 .