분단 되 는 반도체 소자 로서 , 기판 위 에 광전 변환 소자 및 전계 효과 트랜지스터 를 형성 하 는 방법 을 , 도 1 a 내지 도 1 d , 도 2 a 내지 도 2 c , 도 3 a 내지 도 3 b 의 , 소자 의 단면도 를 참조 하 여 설명 한다 . 도 1 a 에서 는 기판 ( 310 ) 으로서 , 유리 기판 의 하나 인 AN 100 ( 아사히 글라스 제조 ) 을 사용 한다 . 기판 위 에 형성 하 는 전계 효과 트랜지스터 로서 는 박막 트랜지스터 를 사용 한다 . 기판 위 에 , 광전 변환 소자 와 박막 트랜지스터 를 동일 공정 에서 제작 할 수 있 다 . 이 때문 에 , 광전 변환 장치 의 양산 화 가 용이 하 다는 이점 이 있 다 . 또 , 유리 기판 은 투광 성 이 고 , 기판 상면 으로부터 , 또는 하면 으로부터 의 광 을 포착 하 는 광전 변환 소자 에 유효 하 지만 , 기판 의 상면 으로부터 의 광 을 파악 할 포착 하 는 소자 등 용도 에 따라서 , 실리콘 웨이퍼 등 을 적절 하 게 사용 하 여도 좋 다 .