마이크 로 요동 소자 X 1 은 요 동부 ( 10 ) 와 , 프레임 ( 21 ) 과 , 한 쌍 의 연결부 ( 22 ) 와 , 구동 전극 ( 23 ) 과 , 실드 전극 부 ( 24 ) 를 구비 하 고 , 본 실시 형태 에서 는 마이크 로 미러 소자 로 구성 되 어 있 다 . 또한 , 마이크 로 요동 소자 X 1 은 MEMS 기술 등 의 벌크 마이크 로 머 싱 기술 에 의해 , 소위 SOI ( silicon on insulator ) 웨이퍼 인 재료 기판 에 대해 가공 을 실시 함 으로써 제조 된 것 이 다 . 상기 재료 기판 은 , 제 1 및 제 2 실리콘 층 및 그 실리콘 층 간 의 절연 층 으로 이루어지 는 적층 구조 를 갖 고 , 각 실리콘 층 은 불순물 의 도프 에 의해 소정 의 도전 성 이 부여 되 어 있 다 . 마이크 로 요동 소자 X 1 에서 의 전술 한 각 부위 는 주로 제 1 실리콘 층 및 / 또는 제 2 실리콘 층 에 유래 하 여 형성 된 바 , 도면 의 명확 화 의 관점 으로부터 , 도 1 에서 는 제 1 실리콘 층 에 유래 하 여 절연 층 보다 지면 전방 방향 으로 돌출 하 는 부위 에 대해서 , 사선 해칭 을 그 어 나타낸다 . 또한 , 도 2 에 도시 된 구조 는 마이크 로 요동 소자 X 1 에서 제 2 실리콘 층 에 유래 하 는 것 이 다 .