다음 으로 , 복수 의 제 2 질화 막 패턴 ( 18 ) 사이 에 개재 된 제 2 산화 막 스 페이서 ( 16 ) 를 제거 한다 . 제 2 산화 막 스 페이서 ( 16 a ) 의 제거 공정 에서 는 산화 막 만 을 선택 적 으로 식각 하 게 되 는데 , 제 2 질화 막 패턴 ( 18 ) 들 사이 의 좁 은 틈 속 에 있 는 산화 막 을 완전히 제거 하 기 위해서 질화 막 과 의 높 은 식각 선택 비 를 가진 습식 식각 액 을 이용 한다 . 제 2 산화 막 스 페이서 ( 16 a ) 를 습식 식각 에 의해 제거 하 면 , 도 7 에서 보 듯 이 , 질화 막 패턴 ( 18 ) 사이 의 틈 ( 20 ) 에 의해 기판 ( 10 ) 의 표면 이 노출 된다