예시 적 인 실시 예 들 에 있 어서 , 콘 택 ( 180 ) 은 게이트 스 페이서 구조물 ( 140 ) 의 제 2 스 페이서 층 ( 144 ) 과 접촉 하 지 않 을 수 있 다 . 게이트 전극 ( 120 ) 및 절연 캡 핑 층 ( 150 ) 을 형성 하 기 위한 예시 적 인 공정 에 있 어서 , 제 1 희생 게이트 ( 222 ) ( 도 10 참조 ) 의 상부 를 제거 하 여 제 1 리세 스 영역 ( 220 R 1 ) 을 형성 할 때 게이트 스 페이서 구조물 ( 140 ) 의 상부 또한 제거 될 수 있 다 . 제 1 희생 게이트 ( 222 ) 의 리세 스 공정 에서 게이트 스 페이서 구조물 ( 140 ) 의 높이 가 감소 됨 에 따라 , 콘 택 ( 180 ) 을 형성 하 기 위한 후속 의 식각 공정 에서 게이트 스 페이서 구조물 ( 140 ) 의 상면 이 노출 되 지 않 을 수 있 다 . 특히 유전 상수 가 낮 은 절연 물질 을 포함 하 는 제 2 스 페이서 층 ( 144 ) 이 상기 식각 공정 에 노출 될 경우 손상 되 거나 제거 될 위험 이 있 다 . 그러나 , 예시 적 인 실시 예 들 에 따르 면 제 1 희생 게이트 ( 222 ) 의 리세 스 공정 에서 게이트 스 페이서 구조물 ( 140 ) 의 높이 가 감소 됨 에 따라 콘 택 ( 180 ) 을 형성 하 기 위한 후속 의 식각 공정 에서 게이트 스 페이서 구조물 ( 140 ) 의 상면 이 노출 되 지 않 을 수 있 고 , 게이트 스 페이서 구조물 ( 140 ) 의 손상 이 방지 될 수 있 다 .