이러 한 기술 적 과제 를 해결 하 기 위하 여 , 본 발명 은 금속 배선 층 상 의 자연 산화 막 과 BARC 막 을 제거 하 는 BT 단계 와 ; 사진 공정 에 의하 여 금속 배선 패턴 을 형 성한 후 , 상기 금속 배선 패턴 위 에 상기 금속 배선 층 을 선택 식각 하 여 금속 배선 을 형성 하 는 ME 단계 와 ; 상기 금속 배선 의 식각 상태 를 균일 한 상태 로 더 식각 하 는 OE 단계 와 ; 상기 ME 단계 및 상기 OE 단계 에서 발생 한 잔여 PR 과 폴리머 를 제거 하 는 PET 단계 를 포함 하 는 반도체 소자 의 금속 식각 방법 을 제공 한다 . 여기 서 , 상기 BT 단계 는 CF 4 또는 CHF 3 가스 를 이용 하 는 플 라즈 마 식각 ( plasma etching ) 단계 인 것 이 바람직 하 다 . 한편 , 상기 ME 단계 는 BCl 3 , Cl 2 , CHF 3 , N 2 가스 를 이용 하 는 플 라즈 마 식각 단계 인 것 이 바람직 하 다 . 또한 , 상기 OE 단계 는 BCl 3 , Cl 2 , CHF 3 , N 2 가스 를 이용 하 는 플 라즈 마 식각 단계 인 것 이 바람직 하 다 . 아울러 , 상기 PET 단계 는 O 2 와 CF 4 를 이용 하 는 유도 결합 플 라즈 마 ( couple induced plasma ; CIP ) 식각 단계 인 것 이 바람직 하 다 . 그리고 , 상기 PET ( post etching treatment ) 단계 는 식각 장비 의 챔버 내 의 플 라즈 마의 직진 성 은 감소 시키 고 , 플 라즈 마의 농도 를 증가 시키 는 것 이 바람직 하 다 .