일부 실시 예 는 NAND 메모리 어레이 를 형성 하 는 방법 을 포함 한다 . 교번 하 는 제 1 레벨 및 제 2 레벨 의 수직 스택 이 형성 된다 . 제 1 레벨 은 실리콘 이 산화물 을 포함 하 고 제 2 레벨 은 실리콘 을 포함 한다 . 제 1 레벨 및 제 2 레벨 은 제 1 레벨 및 제 2 레벨 을 통해 연장 되 는 개구 를 따라 노출 된 표면 을 갖 는다 . 제 2 레벨 의 노출 된 표면 은 수소 , 암모니아 및 불소 중 하나 이상 으로 처리 된다 . 전하 - 트랩 핑 재료 는 제 1 레벨 의 노출 된 표면 에 비해 제 2 레벨 의 처리 된 표면 을 따라 선택 적 으로 형성 된다 . 전하 - 터널 링 재료 는 제 1 레벨 및 제 2 레벨 을 따라 수직 으로 연장 되 고 , 전하 - 트랩 핑 재료 에 의해 제 2 레벨 로부터 이격 된다 . 채널 재료 는 전하 - 터널 링 재료 를 따라 수직 으로 연장 되 도록 형성 된다 . 제 2 레벨 의 실리콘 이 제거 되 어 보이드 를 남긴다 . 금속 - 함유 전도성 레벨 이 보이드 내 에 형성 된다 . 금속 - 함유 전도성 레벨 은 NAND 메모리 어레이 의 워드 라인 레벨 이 고 , 제 어 게이트 영역 에 대응 하 는 종단 단부 를 갖 는다 .