도 5 는 재성장 및 제작 된 메사 구조 의 습식 산화 막 형성 과정 의 일례 를 나타낸다 . 삽입 된 AlGaAs 층 즉 , 양 반도체 층 ( 62 ) 은 통상 적 인 AlGaAs 물질 기반 의 850 nm 표면 방출 레이저 에서 처럼 400 ℃ 온도 에서 질소 와 수증기 의 습식 분위기 에서 산화 되 어 AlOx 산화층 전류 차 단막 ( 62 b ) 을 형성 하 여 레이저 구조 의 전류 감금 효과 를 일으킨다 . 특히 , AlGaAs 에서 산화 막 형성 속도 는 Al 조성 에 매우 민감 하 며 , 본 발명 의 경우 Al 조성 을 90 ~ 100 % 로 하 였으며 노출 된 다른 반도체 층 들 과 산화 선택 성 ( oxidization selectivity ) 을 높이 며 , 공정 온도 및 시간 을 최적 화 하 였 다 . 이때 L 3 는 L 2 메사 크기 에서 전류 가 주입 되 는 전류 주입 층 ( 62 a ) 의 크기 로 통상 L 2 보다 작 게 제작 된다 .