다음 으로 , 도 2 u 를 참조 하 면 , 도 2 t 의 구조 체의 하부 는 기판 ( 32 ) 의 하부 상 에 , 비아 홀 ( 72 ) 로 배치 되 는 전도 층 ( 28 ) ( 도 1 a ) 을 갖 는다 . 여기 서 , 예 를 들 면 , 층 ( 28 b ) 은 전도성 비아 ( 301 및 302 ) ( 도 1 a ) 및 접 지 판 컨 덕 터 ( 303 ) 를 형성 하 기 위해 접착제 를 갖 는 구리 및 구리 확산 배리 어 층 ( 28 a ) , 여기 서 는 예 를 들 어 탄탈럼 또는 탄탈럼 질화물 또는 이 들 의 조합 ( 도 2 u ' 에 도시 되 는 바 와 같이 ) 이 다 . 전도성 비아 ( 301 및 302 ) 는 접 지 판 컨 덕 터 ( 303 ) 를 전측 금속화 층 에 , 궁극 적 으로 에칭 저지 층 ( 42 ES ) 을 통해 상호 접속 소스 전극 구 조체 ( 221 - 223 ) 로 전극 접촉 ( 541 및 5411 ) 의 하부 까지 전기 적 으로 상호 접속 시킨다 ( 도 1 a 및 1 b ) . 도전 성 비아 ( 301 및 302 ) 및 접지 판 ( 303 ) 이 다른 금속 , 여기 서 는 예 를 들 어 금 ( Au ) 층 ( 28 b ) , 및 티타늄 ( Ti ) 또는 티타늄 / 플래티넘 ( Ti / Pt ) 층 ( 28 a ) 을 포함 하 는 층 ( 28 ) 을 가질 수 있 는 것 으로 이해 해야 한다 . 이 경우 에 , 후 측 가공 은 금 이 임의 의 오염 문제 를 나타내 지 않 는 영역 에서 수행 될 것 이 다 .