반면 , 본 발명 에 따라 유기물 을 물리 적 인 방법 으로 코팅 하 여 보호막 ( 16 및 25 ) 을 형성 하 는 경우 에 는 , 물리 적 인 방법 만 을 이용 하 기 때문 에 수소 와 의 반응 이 발생 되 지 않 으며 , 플 라즈 마 를 사용 하 지 않 기 때문 에 피해 도 방지 될 수 있 다 . 따라서 본 발명 의 경우 반도체 층 의 케리어 ( carrier ) 농도 는 1 e + 17 내지 1 e + 18 #/㎤ 정도 의 범위 내 에서 안정 적 으로 유지 될 수 있 으며 , 하 기 의 수학식 2 와 같 은 조성 차이 로 인해 채널 의 전도성 도 변화 되 지 않 는다 . 만일 채널 에서 의 케리어 농도 가 1 e + 19 내지 1 e + 20 #/㎤ 정도 가 되 면 금속 과 유사 한 전도 성 을 갖 게 되 며 , 1 e + 15 #/㎤ 이하 가 되 면 절연 성 을 갖 게 된다 .