그런 다음 , 식각 된 반도체 기판 ( 10 ) 의 식각 대미지 ( damage ) 를 제거 하 기 위하 여 열 산화 를 수행 하 여 트렌치 표면 에 측벽 산화 막 ( 18 ) 을 형성 하 고 , 이러 한 결과물 전면 에 제 1 라이너 질화 막 ( 22 ) 을 형성 하 고 , 그 전면 에 라이너 산화 막 ( 24 ) 을 형성 한다 ( 도 1 c 참조 ) .