박막 트랜지스터 에 있 어서 ， Si , Ge 를 함유 한 반도체 층 ( 4 ) 을 적용 하 고 , 이 반도체 층 ( 4 ) 의 Ge 농도 가 , 절연 기판 ( 1 ) 측 에서 높 고 , 반도체 층 ( 4 ) 의 결정 배향 이 절연 기판 ( 1 ) 측 으로부터 20 ㎚ 의 영역 에서 랜덤 배향 , 반도체 층 ( 4 ) 의 막 표면 측 에서 ( 111 ) , ( 110 ) 혹은 ( 100 ) 우선 배향 성 을 나타낸다 .