제 1 상부 절연 층 ( 411 ) 은 하부 반도체 칩 ( 200 ) 의 상면 및 하부 몰딩 층 ( 250 ) 의 상면 ( 251 ) 을 덮 도록 형성 되 고 , 또한 하부 몰딩 층 ( 250 ) 의 리세 스 부 ( 도 2 의 257 참조 ) 를 채우 도록 형성 될 수 있 다 . 하부 몰딩 층 ( 250 ) 의 리세 스 부 를 채우 는 제 1 상부 절연 층 ( 411 ) 부분 은 하부 몰딩 층 ( 250 ) 의 내 측벽 ( 253 ) 을 덮 고 , 도전 성 포스트 ( 160 ) 의 상면 ( 161 ) 을 덮 을 수 있 다 . 제 1 상부 절연 층 ( 411 ) 이 하부 몰딩 층 ( 250 ) 의 리세 스 부 를 채우 도록 형성 됨 에 따라 , 제 1 상부 절연 층 ( 411 ) 과 하부 몰딩 층 ( 250 ) 사이 의 접촉 면적 이 증가 되 므로 , 하부 몰딩 층 ( 250 ) 에 대한 제 1 상부 절연 층 ( 411 ) 의 접착력 이 향상 되 어 제 1 상부 절연 층 ( 411 ) 의 박리 ( delamination ) 를 방지 할 수 있 다 .