일실 시예 에서 는 본 발명 의 광기 전 셀 에 사용 되 는 4 - 6 족 반도체 나노 결정 들 이 20 % 이상 의 양자 수율 을 가진 형광 ( photoluminescence ) 을 나타낸다 . 선호 실시 예 에서 는 양자 수율 이 40 % 이상 이 며 , 더욱 바람직 한 경우 60 % 이상 , 가장 바람직 한 경우 는 80 % 이상 이 다 . 이 와 관련 하 여 , 광기 전 셀 에서 는 전자 - 정공 쌍 을 효과 적 으로 발생 시켜야 하 고 즉각 적 인 전하 이격 이 이루어져야 한다 . 이 에 따라 , 높 은 양자 수율 을 가지 면서 도 효율 적 재결합 을 방지 할 수 있 게 된다 . 그러나 , 방사 양자 수율 의 척도 는 캐리어 의 트랩 이 없 는 고품질 나노 결정 들 의 존재 를 반영 한다 . 이 는 방사 수명 이 비교 적 길기 만 하 다면 광기 전 셀 에 대해 모순 되 는 것 이 아닐 것 이 다 . 예 를 들 어 , PbSe 도트 들 에서 의 단일 엑 시콘 수명 이 1 마이크로초 에 가깝 고 , 이 는 효율 적 인 전자 - 정공 재결합 이 발생 하 기 전 에 전하 추출 에 충분 한 시간 을 제공 하 게 된다 .