일부 실시 형태 에서 , 방법 은 캐리어 기판 상 에 폴리머 층 을 퇴적 하 는 단계 와 , 상기 폴리머 층 상 에 제 1 및 제 2 커패시터 구조 를 형성 하 는 단계 를 포함 한다 . 상기 제 1 및 제 2 커패시터 구조 를 형성 하 는 단계 는 , 상기 폴리머 층 의 일부 상 에 금속 라인 을 갖 는 제 1 재분배 층 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 제 1 재분배 층 상 에 포토레지스트 층 을 퇴적 하 는 단계 와 , 상기 재 분배 층 의 금속 라인 의 각각 의 부분 을 노출 시키 는 이격 된 제 1 및 제 2 TIV 개구부 를 상기 포토 레지스 층 에 형성 하 기 위해 상기 포토레지스트 층 을 에칭 하 는 단계 를 포함 하 고 , 상기 제 1 TIV 개구부 는 상기 제 2 TIV 개구부 보다 넓 다 . 상기 제 1 및 제 2 커패시터 구조 를 형성 하 는 단계 는 , 상기 제 1 및 제 2 TIV 개구부 에 금속 을 퇴적 하 여 상기 금속 라인 과 접촉 하 는 각각 의 제 1 및 제 2 TIV 구조 를 형성 하 는 단계 와 , 상기 제 1 및 제 2 TIV 구조 의 상부 표면 상 에 하이 - k 유전체 를 형성 하 는 단계 와 , 상기 하이 - k 유전체 층 상 에 금속 층 을 퇴적 하 여 각각 의 제 1 및 제 2 커패시터 를 형성 하 는 단계 를 포함 한다 . 또한 , 상기 방법 은 상기 제 1 및 제 2 커패시터 상 에 제 2 재분배 층 을 형성 하 는 단계 를 포함 한다 .