메모리 셀 의 어레이 ( 510 ) 는 도면 들 1 및 2 를 참조 하 여 설명 된 메모리 셀 ( 105 ) 의 예 일 수 있 다 . 메모리 셀 들 의 어레이 ( 510 ) 는 메모리 셀 들 의 복수 의 데크 ( 515 ) 를 포함 할 수 있 다 . 메모리 셀 들 의 데크 들 ( 515 ) 은 각각 메모리 셀 들 의 2 차원 어레이 일 수 있 다 . 메모리 셀 들 의 데크 ( 515 ) 는 도 2 를 참조 하 여 설명 된 메모리 셀 들 의 데크 의 예 일 수 있 다 . 메모리 셀 들 의 어레이 ( 510 ) 는 기판 층 ( 505 ) 의 코어 부분 ( 420 ) 위 에 위치 될 수 있 다 . 예 시 적 인 예 에서 , 메모리 셀 들 의 어레이 는 기판 층 ( 505 ) 의 경계 부분 ( 425 ) 또는 제 어 회로 부분 ( 415 ) 위 에 위치 되 지 아니하 여 데크 ( 515 ) 가 부분 들 ( 415 및 425 ) 와 중첩 하 지 않 는다 . 메모리 디바이스 ( 400 ) 는 메모리 셀 들 의 임의 의 개수 의 데크 ( 515 ) 를 포함 할 수 있 다 . 일부 예 에서 , 코어 부분 ( 420 ) 위 에 위치 된 메모리 셀 들 모두 는 코어 부분 ( 420 ) 및 경계 부분 ( 425 ) 내 에 위치 된 지원 컴포넌트 들 을 이용 하 여 액세스 가능 하 다 .