도 5 는 , 본 발명 의 다른 실시 형태 에서 의 , 수광 소자 ( 270 ) 의 개략 의 평면도 이 다 . 수광 소자 ( 270 ) 는 실리콘 으로 이루어지 는 반도체 기판 에 형성 되 고 , 제 1 수광 영역 ( 72 ) 과 제 2 수광 영역 ( 78 ) 을 갖 는다 . 도 4 에 기재 된 본 발명 의 실시 형태 와 서로 다른 점 은 , 제 1 수광 영역 ( 72 ) 및 제 2 수광 영역 ( 78 ) 은 각각 복수 의 수 광부 를 구비 하 는 점 이 다 .