본 발명 의 일 형태 에 따른 반도체 기억 장치 는 , 제 1 단위 이하 로 데이터 의 기입 을 행하 는 휘발 성 반도체 메모리 로 구성 되 고 , 제 1 단위 는 반도체 기억 장치 에 대한 액세스 단위 인 제 1 메모리 영역 과 , 제 2 단위 로 데이터 의 기입 을 행하 고 제 3 단위 로 데이터 의 소거 를 행하 는 비휘발성 반도체 메모리 로 구성 되 고 , 제 3 단위 는 제 2 단위 의 2 배 이상 의 자연 수배 인 제 2 , 제 3 , 제 4 및 제 5 메모리 영역 과 , 컨트롤러 를 포함 하 고 , 이 컨트롤러 는 제 1 단위 로 복수 의 데이터 를 제 1 메모리 영역 에 기억 시키 는 제 1 처리 와 , 제 1 관리 단위 로 제 1 메모리 영역 으로부터 출력 되 는 데이터 를 제 4 메모리 영역 에 기억 시키 고 , 제 1 관리 단위 는 제 1 단위 의 2 배 이상 의 자연 수배 이 며 제 3 단위 미만 인 제 2 처리 와 , 제 2 관리 단위 로 제 1 메모리 영역 으로부터 출력 되 는 데이터 를 제 5 메모리 영역 에 기억 시키 고 , 제 2 관리 단위 는 제 1 관리 단위 의 2 배 이상 의 자연 수배 이 며 제 3 단위 미만 인 제 3 처리 와 , 제 4 메모리 영역 에 가장 오래 된 할당 순서 를 갖 는 제 3 단위 의 영역 을 제 2 메모리 영역 으로 이동 시키 는 제 4 처리 와 , 제 2 메모리 영역 내 의 데이터 를 선택 하 고 선택 된 데이터 를 제 2 메모리 영역 내 의 제 3 단위 의 미 사용 영역 내 에 재 기입 하 는 제 5 처리 와 , 제 5 메모리 영역 에 가장 오래 된 할당 순서 를 갖 는 제 3 단위 의 영역 을 제 3 메모리 영역 으로 이동 시키 는 제 6 처리 와 , 제 3 메모리 영역 내 의 데이터 를 선택 하 고 선택 된 데이터 를 제 3 메모리 영역 내 의 제 3 단위 의 미 사용 영역 내 에 재 기입 하 는 제 7 처리 를 실행 한다 .