도 5 는 도 4 a 및 4 b 에서 의 SJ - MOS 트랜지스터 ( 100 a , 100 b ) 에서 의 시뮬레이션 의 결과 를 예시 하 고 , 불순물 농도 의 밸런스 에 대한 내압 의 의존 성 에 대해 SJ - MOS 트랜지스터 ( 100 a , 100 b ) 를 비교 한다 . 도 5 에서 는 , 도 2 와 는 달리 , 가로축 이 N 형 불순물 농도 및 P 형 불순물 농도 가 서로 같 지 않 을 경우 로부터 의 이동 ( shift ) 을 나타내 는 불순물 농도 의 밸런스 를 나타낸다 . 도 5 는 도 1 a 및 1 b 에서 의 SJ - MOS 트랜지스터 ( 100 ) 에서 의 시뮬레이션 의 결과 를 함께 나타낸다 .