대체 적 으로 말 하 면 , 절연 층 들 ( 132 , 232 ) 과 스 페이서 재료 층 들 ( 예컨대 , 희생 재료 층 들 ( 142 , 242 ) ) 의 적어도 하나 의 수직 교번 시퀀스 가 인 - 프로세스 소스 레벨 재료 층 들 ( 10 ') 위 에 형성 될 수 있 고 , 적어도 하나 의 역 단차 형 유전체 재료 부분 ( 165 , 265 ) 이 적어도 하나 의 수직 교번 시퀀스 ( 132 , 142 , 232 , 242 ) 상 의 계단 영역 들 위 에 형성 될 수 있 다 . 절연 층 들 ( 132 , 232 ) 각각 은 , 메모리 어레이 영역 ( 100 ) 의 전체 영역 에 걸쳐 연장 되 고 계단 영역 ( 200 ) 내 의 기판 ( 8 ) 으로부터 의 수직 거리 에 따라 감소 하 는 점진 적 으로 더 작 은 영역 을 갖 는 연속 절연 층 일 수 있 다 . 희생 재료 층 들 ( 142 , 242 ) 각각 은 , 메모리 어레이 영역 ( 100 ) 의 전체 영역 에 걸쳐 연장 되 고 계단 영역 ( 200 ) 내 의 기판 ( 8 ) 으로부터 의 수직 거리 에 따라 감소 하 는 점진 적 으로 더 작 은 영역 을 갖 는 연속 희생 재료 층 일 수 있 다 .