절연 층 ( 230 ) 은 캡 웨이퍼 로 커버 되 지 않 는 압전성 웨이퍼 의 외측 일면 에 형성 될 수 있 다 . 절연 층 ( 230 ) 은 CVD ( chemical vapor deposition ) 등 에 의하 여 형성 될 수 있 으며 , 절연물 질 로 는 실리콘 산화물 ( SiO 2 ) 이외 에 도 인 규산염 유리 ( PSG ) 등 이 사용 가능 하 다 . 또한 , 폴리 이미드 수지 및 에폭시 수지 등 이 도포 되 어 절연 층 을 형성 할 수 있 다 .