다음 으로 , 도 2 c 에 도시 된 바 와 같이 , 상기 다수 의 제 1 개 구부 ( 220 ') 를 통해 노출 된 부위 의 패럴 린 막 ( 251 ) 을 제 1 포토레지스트 ( PR 1 ) 를 식각 마스크 로 하 여 반응 성 이온 식각 ( RIE : Reactive Ion Etching ) 또는 O 2 에 슁 ( ashing ) 에 의해 식각 함 으로써 , 실리콘 기판 ( 200 ') 의 상면 을 부분 적 으로 노출 시킨다 . 이어서 , 상기 한 유기 클리닝 방법 및 / 또는 산 클리닝 방법 에 의해 상기 제 1 포토레지스트 ( PR 1 ) 를 제거 한다 . 이때 , 상기 제 1 포토레지스트 ( PR 1 ) 는 에 슁 ( ashing ) 에 의해 제거 될 수 도 있 다 . 이 와 같 은 제 1 포토레지스트 ( PR 1 ) 의 제거 방법 은 이하 에서 설명 되 는 다른 포토레지스트 들 의 제거 에 도 이용 될 수 있 다 .