베릴륨 - 구리 재료 또는 텅스텐 재료 가 프로브 의 재료 로서 일반 적 으로 사용 된다 . 베릴륨 - 구리 재료 는 작 은 저항 값 및 좋 은 측정 정확도 를 가지 고 있 지만 , 열악 한 내구 성 을 가지 고 있 다 . 한편 , 텅스텐 재료 는 좋 은 내구 성 을 가지 고 있 지만 , 텅스텐 재료 의 큰 저항 값 으로 인해 열악 한 측정 정확도 를 가지 고 있 다 . 따라서 , 반도체 디바이스 의 전기 적 특성 이 텅스텐 재료 의 프로브 에 의해 측정 될 때 , 더 좋 은 측정 정확도 를 갖 는 켈빈 측정 을 수행 할 필요 가 있 다 . 켈빈 측정 에서 , 포스 프로브 및 센스 프로브 가 전기 적 특성 을 측정 하 기 위해 전극 패드 와 접촉 된다 . 포스 프로브 가 반도체 디바이스 에 전압 을 인가 하 고 , 센스 프로브 가 반도체 디바이스 의 전압 을 검출 한다 .