그래서 , 제 2 실시 형태 에서 는 , 웰 주입 / 채널 주입 의 종료 후 에 , 제 1 , 제 2 영역 ( R 1 , R 2 ) 에 형성 된 산화 막 ( 5 ) 을 후퇴 시키 는 대신 에 , 도 36 에 도시 하 는 바 와 같이 , 웰 주입 / 채널 주입 의 종료 후 에 , 산화 막 ( 5 ) 상 에 산화 막 ( 30 ) 을 퇴적 하 기 로 하 였 다 . 이렇게 하 면 , 제 1 영역 ( R 1 ) 과 제 2 영역 ( R 2 ) 에서 , 불화 수소산 등 의 약액 에 의한 에칭 률 이 균일 해 지 기 때문 에 , 실리콘 기판 ( 1 ) 에 불화 수소산 등 의 약액 을 공급 해도 , 도 37 에 도시 하 는 바 와 같이 , 산화 막 ( 30 ) 의 높이 에 편차 가 발생 하 는 일 이 없 다 .