따라서 , 제 1 박막 트랜지스터 ( 410 ) 의 문턱 전압 이하 에서 의 특성 ( s - factor ) 값 과 제 2 박막 트랜지스터 ( 320 ) 의 문턱 전압 이하 에서 의 특성 ( s - factor ) 값 은 다르 게 형성 될 수 있 다 . 제 2 박막 트랜지스터 ( 320 ) 의 문턱 전압 이하 에서 의 특성 ( s - factor ) 값 을 더 크 게 하 여 소자 의 특성 을 다르 게 가져갈 수 있 는 이점 이 있 다 . 이 와 같이 , 박막 트랜지스터 의 특성 또는 위치 에 따라 게이트 전극 상 의 절연 층 의 구조 를 다르 게 구성 하 여 박막 트랜지스터 의 특성 을 다르 게 할 수 있 다 .