이어서 , 상기 게이트 용 홈 ( H ) 을 포함 한 반도체 기판 ( 200 ) 전면 상 에 게이트 절 연막 ( 204 ) 과 게이트 도전 막 ( 206 ) 및 게이트 하드 마스크 막 ( 208 ) 을 차례 로 형성 한다 . 상기 게이트 하드 마스크 막 ( 208 ) 은 질화 막 으로 형성 한다 . 그리고 나 서 , 상기 게이트 하드 마스크 막 ( 208 ) 과 게이트 도전 막 ( 206 ) 및 게이트 절 연막 ( 204 ) 을 식각 하 여 게이트 ( 210 ) 들 을 형성 한 다음 , 상기 게이트 ( 210 ) 의 양측 벽 에 게이트 스 페이서 막 ( 212 ) 을 형성 한다 .