특정 실시 예 에서 , 방법 ( 100 ) 은 , 타 겟 요소 의 라인 에지 위치 를 검출 하 고 ( 단계 230 ) 아마도 주어진 제조 조건 에 대한 최소 타 겟 및 / 또는 디바이스 크기 를 추정 ( 단계 240 ) 하 도록 에지 검출 결과 에 대한 LER 의 영향 을 시뮬레이션 하 는 복수 의 노이즈 실현 을 생 성 ( 단계 220 ) 함 으로써 , 계측 모델 을 사용 하 여 유도 된 오버레이 계측 데이터 세트 에 대한 라인 에지 거칠 기 ( LER , 확률 적 노이즈 로서 ) 의 영향 을 결정 하 는 단계 ( 단계 210 ) 를 포함 할 수 있 다 .