그 후 , 라이너 ( 240 ) 가 도 2 c 에 나타낸 바 와 같이 소자 ( 200 ) 에 추가 될 수 있 다 . 라이너 ( 240 ) 는 게르마늄 산화물 , 게르마늄 ( Ge ) , 실리콘 게르마늄 ( SiGe ) , 게르마늄 질화물 ( GeN ) , 또는 순수 한 실리콘 ( Si ) 중 적어도 하나 를 포함 할 수 있 다 . 라이너 ( 240 ) 는 , 산화물 층 ( 230 ) / 질화물 층 ( 220 ) 이중층 적층 체의 상부 및 / 또는 측 부 를 덮 을 수 있 다 . 라이너 ( 240 ) 는 , 기판 ( 210 ) 의 노출 된 부분 을 덮 도록 또 한 연장 될 수 있 다 . 라이너 ( 240 ) 는 , 예 를 들 어 원자 층 증착 ( ALD ) 공정 , 화학 기상 증착 ( CVD ) 공정 , 또는 에피 택 셜 공정 을 통해 증착 될 수 있 다 .