본 발명 의 유효 성분 인 N , N - 디 아실 , O - 아실 키 토산 올리고머 를 사용 하 지 않 고 대신 에 술폰 산변 성 실리콘 을 사용 하 여 제조 하 였 다 . 즉 술폰 산변 성 실리콘 ( Mn = 15000 ) 1 . 0 중량 %, 에탄올 10 중량 %, 폴리프로필렌 글리콜 1 . 0 중량 %, 폴로 랄 그린 계열 향 0 . 1 중량 %, 및 잔량 의 물 을 균일 하 게 혼합 하 여 정전기 방지 용 조성물 을 제조 하 였 다 .