도 4 A 는 안테나 제조 에서 종래 의 펀칭 법 을 위한 정상파 전압 비율 ( VSWR ) 을 도시 한 도면 이 고 , 도 4 B 는 안테나 제조 에서 본 발명 의 방법 을 위한 정상파 전압 비율 ( VSWR ) 을 도시 한 도면 으로서 , 이러 한 두 가지 상황 은 서로 매우 유사 하 다 . 도 5 A 는 종래 의 펀칭 법 에서 수평 수위 에서 의 주파수 가 880 MHz 인 안테나 제조 시 의 이득 을 도시 한 다이아 그램 이 고 , 도 5 B 는 본 발명 의 방법 에서 수평 수위 에서 의 주파수 가 880 MHz 인 안테나 제조 시 의 이득 을 도시 한 다이아 그램 으로서 , 이러 한 두 도면 에서 가장 큰 이득 과 그 평균 이득 은 다른 것 과 거의 유사 하 다 . 따라서 , 본 발명 의 방법 에 의해 제조 된 안테나 는 실용 적 이 다 .