도 4 를 참조 하 면 , 기판 ( 10 ) 상 에 제 1 금속 층 ( 20 ) 과 제 2 금속 층 ( 30 ) 이 형성 된 결과물 을 소성 한다 . 따라서 제 2 금속 층 ( 30 ) 으로부터 용매 가 제거 된 제 1 전극 ( 32 ) 을 형성 한다 . 제 1 전극 ( 32 ) 은 백색 의 도전 성 물질 을 포함 함 으로써 명도 가 높 은 전극 으로 형성 될 수 있 다 . 소성 은 자외선 큐어 링 ( UV curing ) 을 통해 행하 여 열 에 의한 변형 을 방지 할 수 있 다 . 본 실시 예 에서 의 소성 은 실질 적 으로 이후 행해질 식각 공정 에서 제 1 전극 ( 32 ) 이 마스크 로 이용 되 도록 경화 하 는 것 이 다 . 또한 , 본 실시 예 에 따른 소성 으로 제 1 전극 ( 32 ) 의 구형 화 가 감소 하 여 전극 의 저항 증가 를 억제 할 수 있 다 . 이 에 대해서 는 도 7 및 8 에서 후술 하 기 로 한다 .