본 발명 의 다른 실시 예 에 따른 씨 모스 이미지 센서 의 단위 화소 는 반도체 기판 , 층간 절연 층 , 광 도파관 , 제 1 전반사 층 을 포함 한다 . 상기 반도체 기판 에 는 광 감지 소자 가 형성 된다 . 상기 층간 절연 층 은 상기 반도체 기판 상부 에 적층 된다 . 상기 광 도파관 은 상기 광 감지 소자 로 입사광 을 안내 하 기 위해 상기 층간 절연 층 사이 에 형성 된다 . 상기 제 1 전반사 층 은 상기 층간 절연 층 과 상기 광 도파관 사이 에 형성 되 고 이산화규소 의 유전 율 보다 작 은 유전율 을 갖 는 물질 로 구성 된다 .