제 3 액티브 층 ( 331 ) 상 에 제 2 게이트 절연 층 ( 115 ) 및 제 3 박막 트랜지스터 ( 330 ) 의 제 3 게이트 전극 ( 334 ) 이 형성 될 수 있 다 . 제 3 게이트 전극 ( 334 ) 이 형성 된 영역 에 대응 하 여 도체 화 가 되 지 않 은 제 3 채널 영역 ( 331 a ) 과 제 3 액티브 층 ( 331 ) 의 양단 에서 각각 도체 화 처리 된 제 3 소스 영역 ( 331 b ) 및 제 3 드레 인 영역 ( 331 c ) 을 포함 하 는 제 3 액티브 층 ( 331 ) 이 형성 될 수 있 다 . 본 명세서 의 실시 예 에 따른 표시 장치 ( 100 ) 에서 , 산화물 반도체 로 이루어진 제 3 액티브 층 ( 331 ) 을 포함 하 는 제 3 박막 트랜지스터 ( 330 ) 는 스위칭 박막 트랜지스터 로 사용 된다 .