종래 , 금속 , 반금속 , 비금속 및 이 들 의 산화물 등 의 재료 표면 에 대하 여 연마 용 조성물 을 사용 한 정밀 연마 가 행해 지 고 있 다 . 예 를 들 어 , 반도체 디바이스 의 구성 요소 로서 사용 되 는 실리콘 웨이퍼 의 표면 은 , 일반 적 으로 랩 핑 공정 이나 폴리 싱 공정 을 거쳐 고품위 의 경면 으로 마무리 할 수 있 다 . 상기 폴리 싱 공정 은 , 전형 적 으로 는 , 예비 폴리 싱 공정 ( 예비 연마 공정 ) 과 파이널 폴리 싱 공정 ( 최종 연마 공정 ) 을 포함 한다 . 상기 예비 폴리 싱 공정 은 , 전형 적 으로 는 조연 마 공정 ( 1 차 연마 공정 ) 및 중간 연마 공정 ( 2 차 연마 공정 ) 을 포함 하 고 있 다 .