반도체 메모리 장치 ( 100 ) 에서 , 각 저항 변화 메모리 소자 ( MC ) 는 하나 의 워드 라인 과 하나 의 비트 라인 의 교차점 에 배치 된다 . 특정 메모리 셀 ( 선택 된 메모리 셀 이 라 함 ) 의 읽 기 및 쓰 기 동작 은 , 선택 된 메모리 셀 과 결합 된 워드 라인 과 비트 라인 을 활성 화 시키 는 것 에 의해 수행 될 수 있 다 .