일부 실시 예 에서 , 메모리 레벨 은 , 예 를 들 어 , " 모든 목적 을 위해 전체 기재 내용 이 본 명세서 에 참조 로 포함 되 는 "" High - density three - dimensional memory cell "" 명칭 의 미국 특허 6 ", 952 , 030 에 기술 된 바 와 같이 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 제 1 메모리 레벨 의 상측 도체 들 은 도 2 d 에 도시 된 바 와 같이 제 1 메모리 레벨 위 에 위치 된 제 2 메모리 레벨 의 하측 도체 들 로서 사용 될 수 있 다 . 이러 한 실시 예 에서 , " 이웃 한 메모리 레벨 들 상 에 다이오드 들 은 바람직 하 게 는 모든 목적 을 위해 전체 기재 내용 이 본 명세서 에 참조 로 포함 되 는 2007 년 3 월 27 일 에 출원 된 "" LARGE ARRAY OF UPWARD POINTING P - I - N DIODES HAVING LARGE AND UNIFORM CURRENT ""( 이하 "," ' 151 출원 "") 명칭 의 미국 특허 출원 번호 11 / 692 ", 151 에 기술 된 바 와 같이 서로 대향 하 는 방향 으로 향한다 . 예 를 들 어 , 제 1 메모리 레벨 ( 222 ) 의 다이오드 들 은 화살표 ( A 1 ) 로 나타낸 바 와 같이 위 로 향하 는 다이오드 들 일 수 있 고 ( 예 를 들 면 , 다이오드 들 의 하부 에 p 영역 들 을 갖 는 ) , 제 2 메모리 레벨 ( 224 ) 의 다이오드 들 은 화살표 ( A 2 ) 로 나타낸 바 와 같이 아래 로 향하 는 다이오드 들 일 수 있 고 ( 예 를 들 면 , 다이오드 들 의 하부 에 n 영역 들 을 갖 는 ) , 그 반대 일 수 도 있 다 .