SF 6 , HBr , O 2 , 및 SiF 4 를 포함 하 는 공급 가스 들 의 조합 을 사용 하 는 연속 적 인 비 - 교번 하 는 에칭 프로세스 의 예 는 , 80 mTorr 에서 의 , 2500 W 의 TCP 전력 , 250 V 의 바이어스 전압 , 235 sccm 의 SF 6 , 30 sccm 의 HBr , 200 sccm 의 O 2 및 190 sccm 의 SiF 4 의 가스 혼합물 에서 의 프로세스 이 다 . 데이터 는 O 2 및 SiF 4 에 의한 언더컷 ( undercut ) 에서 의 감소 , SiF 4 에 의한 감소 된 보잉 ( bowing ) , 및 HBr 에 의한 더 높 은 에칭 레이트 를 명확 하 게 나타낸다 .