도 5 c 는 반도체 다이 ( 54 ) 의 사시도 이 다 . THV ( 66 ) 는 다 이 확장 영역 ( 68 ) 의 내부 영역 에 형성 된 풀 ( full ) 비어 이 다 . 확장 영역 ( 68 ) 은 THV ( 66 ) 를 완전히 감싼다 . RDL ( 62 ) 은 접촉 패드 ( 56 ) 를 THV ( 66 ) 에 전기 적 으로 연결 시킨다 . 액티브 회로 들 의 전기 적 상호 접속 에 따라서 , 접촉 패드 ( 56 ) 들 의 일부 는 인접 한 THV ( 66 ) 로부터 분리 되 는데 , 즉 , 어떤 접속 RDL 도 형성 되 지 않 는다 . 광학 적 액티브 영역 ( 70 ) 이 반도체 다이 ( 54 ) 의 내부 영역 에 위치 된다 .