도 26 a 에 도시 된 트랜지스터 는 , 기초 절연 층 ( 8101 ) 과 , 기초 절연 층 ( 8101 ) 에 매립 되 도록 형성 된 산화알루미늄 으로 이루어지 는 매립 절연물 ( 8102 ) 상 에 형성 된다 . 트랜지스터 는 반도체 영역 ( 8103 a ) , 반도체 영역 ( 8103 c ) 과 , 그 들 사이 에 끼워 지 고 , 채널 형성 영역 이 되 는 진성 반도체 영역 ( 8103 b ) 과 , 게이트 전극 ( 8105 ) 을 갖 는다 . 게이트 전극 ( 8105 ) 의 폭 을 33 ㎚ 로 한다 .