한편 , 반도체 장치 가 고집 적 화 됨 에 따라 , 기생 커패시턴스 ( parasitic capacitance ) 및 누설 전류 ( leakage current ) 의 영향 성 은 점점 증가 한다 . 이러 한 기생 커패시턴스 및 누설 전류 는 반도체 장치 의 동작 특성 을 저하 시키 므로 , 이 들 을 최소 화 시킬 수 있 는 반도체 장치 가 요구 되 는 실정 이 다 .