기판 ( 202 ) 은 금속화 층 ( 도시 생략 ) 및 쓰루 비아 ( 208 ) 도 포함 할 수 있 다 . 금속화 층 은 능동 및 수동 디바이스 위 에 형성 될 수 있 고 다양 한 디바이스 를 연결 하 여 기능 회로 를 형성 하 도록 설계 된다 . 금속화 층 은 비아 가 전도성 재료 층 을 상호 연결 하 고 있 는 , 유전체 ( 예컨대 , 로우 k 유전체 재료 ) 및 전도성 재료 ( 예컨대 , 구리 ) 의 교번 층 으로 형성 될 수 있 고 , 임의 의 적절 한 공정 ( 퇴적 , 다 마신 , 이 중 다 미신 등 ) 을 통해 형성 될 수 있 다 . 일부 실시 형태 에서 는 , 기판 ( 202 ) 에 실질 적 으로 능동 및 수동 디바이스 가 없 다 .