본 발명 에 따른 집적회로 소자 ( 200 , 200 a , 200 b , 200 c , 200 d , 200 e ) 는 전하 저 장막 ( 230 , 230 a , 230 b , 230 c , 230 d , 230 e ) 을 채널 홀 ( CHH ) 내 에 형성 하 고 , 전하 저 장막 ( 230 , 230 a , 230 b , 230 c , 230 d , 230 e ) 의 높이 및 / 또는 두께 를 다양 하 게 구현 할 수 있 으므로 메모리 셀 에 충분 한 전하 를 저장 할 수 있 고 인접 한 메모리 셀 들 사이 에 간섭 이 발생 하 는 것 을 방지 할 수 있 다 .