하 기 표 2 의 금속 산화물 비율 은 , 후 공정 이후 완성 칩 의 단면 에서 외부 전극 과 도금 층 사이 에 Al 2 O 3 가 전체 계면 길 이 대비 차지 하 고 있 는 길이 의 비율 을 계산 하 였 다 . 도금 층 끊김 빈도 는 제조 된 커패시터 부품 10 개 를 랜덤 으로 선택 하 여 , 커패시터 부품 의 제 2 방향 의 양 단면 에 대하 여 폭 방향 및 두께 방향 으로 소체 중간 까지 를 5 등분 하 여 각 위치 에서 단면 의 도금 층 끊김 빈도 를 확인 하 였 다 . 치핑 율 은 제조 된 커패시터 부품 400 개 를 랜덤 으로 선택 하 여 소체 부 외관 을 현미경 으로 관찰 하 여 빈도 를 확인 하 였 다 .