도 14 를 참조 하 면 , 메모리 다이 ( 1000 ) 는 도 13 a 및 도 13 b 의 예시 적 인 구조물 에 대해 추가 적 인 처리 단계 들 을 수행 함 으로써 제공 된다 . 구체 적 으로 , 추가 의 상호 연결 레벨 유전체 층 들 ( 160 ) 내 에 포함 된 추가 의 금속 상호 연결 구조물 들 ( 168 ) 이 형성 된다 . 예 시 적 인 예 에서 , 추가 의 상호 연결 레벨 유전체 층 들 ( 160 ) 은 비아 레벨 유전체 층 ( 110 ) , 제 2 라인 레벨 유전체 층 ( 120 ) , 제 2 비아 레벨 유전체 층 ( 130 ) , 및 금속 패드 구조물 레벨 유전체 층 ( 140 ) 을 포함 할 수 있 다 . 금속 상호 연결 구조물 들 ( 168 ) 은 제 1 비아 레벨 유전체 층 ( 110 ) 내 에 포함 된 제 1 금속 비아 구조물 들 ( 108 ) , 제 2 라인 레벨 유전체 층 ( 120 ) 내 에 포함 된 제 2 금속 라인 구조물 들 ( 118 ) , 제 2 비아 레벨 유전체 층 ( 130 ) 내 에 포함 된 제 2 금속 비아 구조물 들 ( 128 ) , 및 금속 성 패드 구조물 레벨 유전체 층 ( 140 ) 내 에 포함 된 제 1 접합 구조물 들 ( 178 ) ( 예컨대 , 금속 성 패드 구조물 들 ) 을 포함 할 수 있 다 . 본 개시 내용 이 추가 의 상호 연결 레벨 유전체 층 들 ( 160 ) 이 제 1 비아 레벨 유전체 층 ( 110 ) , 제 2 라인 레벨 유전체 층 ( 120 ) , 제 2 비아 레벨 유전체 층 ( 130 ) , 및 금속 성 패드 구조물 레벨 유전체 층 ( 140 ) 을 포함 하 는 예 를 사용 하 여 기술 되 지만 , 추가 의 상호 연결 레벨 유전체 층 들 ( 160 ) 이 상이 한 수 및 / 또는 상이 한 조합 들 의 유전체 재료 층 들 을 포함 하 는 실시 예 들 이 본 명세서 에서 명백 하 게 고려 된다 . 메모리 다이 ( 1000 ) 는 메모리 요소 들 의 3 차원 어레이 를 포함 한다 . 전기 연결 경로 들 은 제 1 접합 구조물 ( 178 ) 및 금속 상호 연결 구조물 들 {( 194 , 94 , 108 , 118 , 128 ) , ( 196 , 96 , 108 , 118 , 128 ) , 또는 ( 198 , 98 , 108 , 118 , 128 ) } 의 세트 의 각각 의 조합 에 의해 제공 될 수 있 다 .