본 발명 에서 는 , 높 은 막 두께 정밀도 와 고품질 막 질 을 고속 으로 성막 하 는 프로세스 를 ＰＥＭ 에 의해 실현 한다 . 그리고 , 다른 물리 적 파라미터 에 의해 장기 적 으로 안정 되게 성막 속도 를 어림잡 는 것 이 가능 한 흡광 도 측정 법 을 조합 하 는 것 에 의해 , 장기 적 으로 안정 한 프로세스 를 제공 하 는 성막 장치 를 실현 한다 . 이하 , 본 발명 에 대해서 실시 형태 에 근거 하 여 상세히 설명 하 지만 , 본 발명 은 이것 들 에 한정 되 는 것 이 아니 고 , 발명 의 취지 를 바꾸 지 않 는 범위 에서 적절 하 게 변경 할 수 있 다 .