이 를 이용 하 여 반도체 기판 ( 미 도시 ) 상 에 패 터닝 하 는 경우 , 점선 으로 도시 된 바 와 같이 저장 전극 ( 130 ) 과 저장 전극 콘 택 홀 ( 140 ) 과 같이 중첩 되 지만 , 노광 공정 시 빛 의 산란 및 회절 에 의하 여 예정 된 크기 보다 작 게 형성 되 어 저장 전극 콘 택 홀 ( 140 ) 을 매립 하 는 저장 전극 콘 택 플러그 ( 미 도시 ) 와 저장 전극 ( 130 ) 의 접속 면적 이 작 게 되 어 콘 택 저항 이 증가 되 고 그 에 따른 반도체 소자 의 특성 이 저하 되 는 문제점 이 있 다 .