이상 에서 와 같이 , 본 발명 은 반도체 소자 의 소자 분리 막 을 형성 함 에 있 어서 , 상대 적 으로 좁 은 폭 의 트렌치 를 HARP 막 과 같 은 단차 피복성 이 우수 한 막 으로 매립 한 후 , 상대 적 으로 넓 은 폭 을 갖 는 트렌치 를 HDP - CVD 산화 막 으로 매립 함 으로써 , 보이드 ( void ) 가 유발 되 거나 심 ( seam ) 이 잔류 되 는 현상 을 방지 할 수 있 다 . 이 에 따라 , 본 발명 은 보이드 ( void ) 나 심 ( seam ) 으로 인한 소자 의 특성 열화 를 방지 할 수 있 어 소자 의 신뢰 성 및 특성 을 향상 시킬 수 있 다 .