또한 , 상기 버퍼 패턴 ( 120 ) 상부 로 그 단면 이 역 테이퍼 구조 를 갖 는 격벽 ( 125 ) 이 형성 되 어 있 다 . 이때 , 도면 에 나타내 지 않 았 지만 , 상기 제 1 전극 ( 115 ) 하부 에 는 그 상부 에 위치 한 격벽 ( 125 ) 에 대응 하 여 저 저항 특성 을 갖 는 금속 물질 예 를 들 면 금 ( Au ) , 은 ( Ag ) , 알루미늄 ( Al ) , 알루미늄 합금 ( AlNd ) , 구리 ( Cu ) , 구리 합금 중 에서 선택 되 는 하나 의 물질 로 제 1 전극 보조 배선 이 더욱 형성 될 수 도 있 다 . 상기 제 1 전극 보조 배선 을 형성 하 는 이유 는 상기 투명 도전 성 물질 은 일함수 값 은 비교 적 큰 값 을 갖 지만 단위 면적 당 저항 의 크기 가 크 므로 신호 전압 이 인가 되 는 부분 과 상기 부분 에서 먼 쪽 에 위치 하 는 부분 에 있 어서 자체 저항 으로 인해 전압 차이 가 발생 할 수 있 으므로 이러 한 문제 를 해결 하 고자 저 저항 금속 물질 로 배선 형태 의 보조 배선 을 상기 제 1 전극 ( 115 ) 하부 에 형성 함 으로써 신호 전압 인 가시 의 부분 별 전압 차이 발생 을 억제 시키 기 위함 이 다 .