도 1 을 참조 하 면 , 반도체 디바이스 를 제조 하 는 예시 적 인 방법 100 은 ( S 1 ) 제 1 서 스 트 르 레이트 를 형성 하 고 , ( S 2 ) 제 1 금속 필러 를 형성 하 고 , ( S 3 ) 제 1 반도체 다이 를 부착 하 고 , ( S 4 ) 제 1 인 캡슐 레이팅 물질 을 형성 하 고 , ( S 5 ) 제 1 박화 ( thinning ) 을 수행 하 고 , ( S 6 ) 제 2 금속 필러 를 형성 하 고 , ( S 7 ) 제 2 반도체 다이 를 부착 하 고 , ( S 8 ) 제 2 인 캡슐 레 팅 물질 을 형성 하 고 , ( S 9 ) 제 2 박 화 를 수행 하 고 , ( S 10 ) 제 2 서브 스트레이트 를 형성 하 고 , ( S 11 ) 중간 연결 구조 ( interconnection structures ) 를 부착 하 고 , ( S 12 ) 싱 귤 레이팅 하 는 것 을 포함 할 수 있 다 . 도 1 에 도시 된 예시 적 인 방법 100 의 다양 한 블록 ( 또는 단계 , 스테이지 , 공정 등 ) 들 은 도 2 a 내지 도 2 j 를 참조 하 여 설명 될 것 이 다 .