도 23 a 및 23 b 는 예시 적 인 반도체 디바이스 ( 200 ) 를 제조 하 기 위한 예시 적 인 방법 의 사시도 및 단면도 를 도시 한다 . 도 23 a 및 23 b 에 도시 된 예 에서 , 캐리어 ( 201 ) 가 서브 스트레이트 ( 210 ) 및 외부 인터 커넥트 ( 160 ) 에 부착 될 수 있 다 . 일부 예 에서 , 캐리어 ( 201 ) 의 하면 에 임시 접착 층 ( 202 ) 이 부착 될 수 있 고 , 임시 접착 층 ( 202 ) 이 서브 스트레이트 ( 210 ) 및 외부 인터 커넥트 ( 160 ) 에 부착 될 수 있 다 . 임시 접착 층 ( 202 ) 은 외부 인터 커넥트 ( 160 ) 를 감싸 며 , 외부 인터 커넥트 ( 160 ) 와 중첩 하 지 않 는 서브 스트레이트 ( 210 ) 의 유전 성 구조 ( 212 ) 및 / 또는 도전 성 구조 ( 211 ) 에 임시 로 부착 될 수 있 다 . 임시 접착 층 ( 202 ) 은 열 , 광 , 화학 용액 및 / 또는 물리 적 외력 에 의해 추후 서브 스트레이트 ( 210 ) 및 외부 인터 커넥트 ( 160 ) 로부터 분리 될 수 있 다 . 캐리어 ( 201 ) 의 두께 는 대략 500 ㎛ 내지 대략 1500 ㎛ 일 수 있 고 , 임시 접착 층 ( 202 ) 의 두께 는 대략 50 ㎛ 내지 대략 150 ㎛ 일 수 있 다 . 일부 예 에서 , 캐리어 ( 201 ) 및 임시 접착 층 ( 202 ) 의 형태 , 재질 및 / 또는 제조 방법 은 앞 에서 설명 한 캐리어 ( 101 ) 및 임시 접착 층 ( 102 ) 의 형태 , 재질 및 / 또는 제조 방법 과 유사 하 거나 동일 할 수 있 다 .