위 에서 논의 된 단계 ( 910 내지 970 ) 이전 , 도중 , 또는 이후 에 추가 적 인 단계 가 여전히 수행 될 수 있 다는 것 이 이해 된다 . 예컨대 , 방법 ( 900 ) 은 , 제 2 일 함수 금속 층 을 퇴적 시키 는 단계 이후 에 그리고 유전체 물질 을 형성 하 는 단계 이전 에 , 제 1 일 함수 금속 층 , 충전 금속 층 , 및 제 2 일 함수 금속 층 을 에칭 하 는 단계 를 포함 할 수 있 으며 , 충전 금속 층 은 제 1 일 함수 금속 층 및 제 2 일 함수 금속 층 보다 더 느린 에칭 레이트 로 에칭 되 고 , 이 에 의해 충전 금속 층 의 복수 의 세그먼트 가 제 1 일 함수 금속 층 및 제 2 일 함수 금속 층 위 로 돌출 되 게 한다 . 또 다른 예 로서 , 방법 ( 900 ) 은 , 충전 금속 층 위 에 제 3 일 함수 금속 층 을 퇴적 시키 는 단계 - 제 2 일 함수 금속 층 은 제 3 일 함수 금속 층 위 에 퇴적 됨 -; 및 제 2 일 함수 금속 층 위 에 제 4 일 함수 금속 층 을 퇴적 시키 는 단계 를 포함 할 수 있 으며 ; 제 2 일 함수 금속 층 및 제 3 일 함수 금속 층 은 , 충전 금속 층 에 의해 규정 되 는 오목 한 리세 스 를 부분 적 으로 충전 시키 고 , 제 4 일 함수 금속 층 은 , 충전 금속 층 에 의해 규정 되 는 오목 한 리세 스 를 완전히 충전 시킨다 . 또 다른 예 로서 , 방법 ( 900 ) 은 , 게이트 유전체 층 을 형성 하 기 전 에 : 반도체 물질 을 함유 하 는 핀 구조물 을 형성 하 는 단계 ; 핀 구조물 주위 를 둘러싸 는 더미 게이트 구조물 을 형성 하 는 단계 - 더미 게이트 구조물 은 , 더미 게이트 전극 및 , 더미 게이트 전극 의 측벽 상 에 형성 된 게이트 스 페이서 를 포함 함 -; 및 더미 게이트 전극 을 제거 하 는 단계 - 이 에 의해 , 적어도 부분 적 으로 게이트 스 페이서 에 의해 규정 되 는 트렌치 를 형성 하 며 , 게이트 유전체 층 은 트렌치 를 부분 적 으로 충전 시키 도록 형성 됨 - 를 포함 할 수 있 다 .