도 13 a 내지 도 13 e 의 실시 형태 에 있 어서 , PV 장치 용 의 간섭계 마스크 ( 300 ) 는 PV 활성 재료 ( 1350 ) 를 형성 혹은 증착 시키 기 전 에 광학 기판 상 에 형성 된다 . 이 실시 형태 에서 , 광기전력 장치 와 간섭계 마스크 ( 300 ) 는 기판 의 광 입사 혹은 전방 측 과 는 반대쪽 에 있 는 광학 기판 쪽 상 에 형성 된다 . 따라서 , 층 형성 수순 은 도 10 a 내지 도 10 g 의 것 과 는 반대 일 수 있 다 . 추가 의 층 ( 도시 생략 ) 은 PV 활성 층 ( 1350 ) 과 기판 ( 1310 ) 사이 에 TCO 를 , 또한 기판 ( 1310 ) 의 전방 측 상 에 반사 방지 코팅 이나 하드 코트 를 포함 할 수 있 다 .