제 3 트랜지스터 ( Tr 33 ) 는 제 3 게이트 절 연막 ( 413 ) 을 사이 에 두 고 두께 방향 으로 서로 이격 되 어 마련 된 제 3 채널 층 ( 16 ) 및 제 3 게이트 전극 ( 513 ) 을 포함 할 수 있 다 . 제 3 트랜지스터 ( Tr 33 ) 는 제 3 채널 층 ( 16 ) 의 양측 부 각각 에 마련 된 제 3 소스 전극 ( 213 ) 및 제 3 드레 인 전극 ( 313 ) 을 더 포함 할 수 있 다 . 제 3 소스 전극 ( 213 ) 및 제 3 드레 인 전극 ( 313 ) 은 n 형 또는 p 형 의 도전 성 을 가질 수 있 다 .