질화 갈륨 계열 의 발광 다이오드 는 일반 적 으로 사파이어 와 같 은 기판 상 에 에 피층 들 을 성장 시키 어 형성 되 며 , N 형 반도체 층 , P 형 반도체 층 및 이 들 사이 에 개재 된 활성 층 을 포함 한다 . 한편 , 상기 N 형 반도체 층 상 에 N - 전극 패드 가 형성 되 고 , 상기 P 형 반도체 층 상 에 P - 전극 패드 가 형성 된다 . 상기 발광 다이오드 는 상기 전극 패드 들 을 통해 외부 전원 에 전기 적 으로 연결 되 어 구동 된다 .