투명 고분자 막 ( 241 ) 을 사이 에 두 고 투명 도전 막 과 ( 242 ) 반대 측 에 는 터치 센서 의 감도 를 저하 시키 는 노이즈 를 제거 하 기 위하 여 정전 방지 전극 ( 243 ) 이 형성 될 수 있 다 . 정전 방지 전극 ( 243 ) 은 예 를 들 어 ITO , IZO 또는 이 들 의 혼합물 로 형성 될 수 있 으며 , 정전 방지 전극 ( 243 ) 의 형성 에 는 스퍼터링 ( sputtering ) 또는 화학 기상 증착 법 ( Chemical Vapor Deposition , CVD ) 등 의 방법 이 이용 될 수 있 다 . 정전 방지 전극 ( 243 ) 과 쿠션 층 의 위치 관계 는 특별히 제한 되 지 않 는다 . 즉 , 도 7 및 도 8 에 도시 된 바 와 같이 쿠션 층 ( 245 ) 과 투명 고분자 막 ( 241 ) 사이 에 정전 방지 전극 ( 243 ) 이 형성 될 수 있 을 뿐 만 아니 라 , 정전 방지 전극 ( 243 ) 과 투명 고분자 막 ( 241 ) 사이 에 쿠션 층 ( 245 ) 이 형성 될 수 도 있 다 .