다음 으로 , 도 3 을 참조 하 면 , 포토레지스트 층 ( 150 ) 이 패턴 화 된다 . 보다 더 구체 적 으로 , 제 1 리소그래피 프로세스 에서 , 포토 마스크 는 포토레지스트 층 ( 150 ) 을 커버 하 기 위하 여 사용 되 며 , 약 200 mj / cm 2 내지 약 5000 mj / cm 2 의 노출 에너지 를 갖 는 노출 소스 ( 예컨대 UV 광 ) 가 포토 마스크 의 패턴 을 포토레지스트 층 ( 150 ) 으로 전사 하 기 위하 여 사용 되 고 , 그럼 으로써 시각 적 영역 ( VA ) 및 주변 영역 ( PA ) 내 에 포토레지스트 층 ( 150 ) 의 패턴 을 획정 한다 . 다음 의 실시 예 에 있 어서 , 노출 된 영역 내 의 포토레지스트 층 ( 150 ) 은 적절 한 현상액 을 사용 하 여 제거 되 며 ; 구체 적 으로 , 노출 된 영역 내 의 포토레지스트 층 ( 150 ) 은 TMAH , KOH , NaOH , 또는 유사 한 것 을 사용 하 여 제거 될 수 있 다 . 리소그래피 프로세스 ( 예컨대 노출 , 현상 , 또는 유사 한 것 의 단계 들 ) 는 일반 적 인 프로세스 이 며 , 이 는 본원 에서 설명 되 지 않 는다 .