이후 , 복수 의 희생 층 ( 310 ) , 복수 의 제 1 절연 층 ( 120 ) , 제 2 반도체 층 ( 176 ) , 및 하부 희생 층 ( 320 ) 의 일부분 을 식각 하 여 채널 홀 ( C 140 H ) 을 형성 할 수 있 다 . 채널 홀 ( C 140 H ) 내 에 게이트 절연 층 ( 132 C ) , 채널 층 ( 142 ) , 터널 링 유전 막 ( 144 A ) , 전하 저 장막 ( 144 B ) , 블로킹 유전 막 ( 144 C ) , 및 바디 게이트 층 ( 146 ) 을 순차 적 으로 형성 하 고 , 평탄 화 공정 을 수행 하 여 제 2 절연 층 ( 122 ) 상 에 형성 된 채널 층 ( 142 ) , 터널 링 유전 막 ( 144 A ) , 전하 저 장막 ( 144 B ) , 블로킹 유전 막 ( 144 C ) , 및 바디 게이트 층 ( 146 ) 부분 을 제거 할 수 있 다 . 이 에 따라 채널 구조물 ( C 140 C ) 이 형성 될 수 있 다 .