이 를 상세히 설명 하 면 , 게이트 전극 ( 104 ) 및 공통 전극 ( 107 ) 이 형성 된 절연 기판 ( 101 ) 위 에 플 라즈 마 강화 형 화학 기상 증착 법 ( PECVD : plasma enhanced chemical vapor deposition , 이하 PECVD 라 부른다 ) 이나 스퍼터링 ( sputtering ) 등 의 증착 방법 을 통해 게이트 절연 층 ( 108 ) , 활성 층 ( 109 ) 오 믹 컨 택 층 ( 110 ) , 소스 전극 층 및 드레 인 전극 층 을 차례 로 형성 한다 . 이때 , 게이트 절연 층 ( 108 ) 의 형성 에 는 산화 실리콘 ( SiOx ) 또는 질화 실리콘 ( SiNx ) 등 의 무기 절연 물질 이 사용 되 고 , 활성 층 ( 109 ) 이 형성 에 는 불순물 이 도핑 되 지 않 은 비정질 실리콘 이 사용 되 며 , 오 믹 컨 택 층 ( 110 ) 의 형성 에 는 불순물 이 도핑 된 비정질 실리콘 이 사용 된다 . 그리고 소스 및 드레 인 전극 층 의 형성 에 는 몰리브덴 ( Mo ) , 티타늄 , 탄 탈륨 , 몰리브덴 합금 ( Mo alloy ) 등 이 사용 된다 .