절연 층 ( 130 ) 은 상기 기판 ( 110 ) 상 에 배치 될 수 있 다 . 절연 층 ( 130 ) 은 상기 게이트 전극 ( 120 ) 을 둘러싸 도록 배치 될 수 있 다 . 절연 층 ( 130 ) 은 게이트 전극 ( 120 ) 의 측면 과 접촉 될 수 있 다 . 절연 층 ( 130 ) 은 상기 게이트 전극 ( 120 ) 의 두께 와 대응 될 수 있 다 . 절연 층 ( 130 ) 은 이산화규소 ( SiO 2 ) , 산화알루미늄 ( Al 2 O 3 ) , 산화 하프늄 ( HfO 2 ) 중 적어도 하나 를 포함 할 수 있 으나 , 이 에 한정 되 지 않 는다 .