본 개시 는 일반 적 으로 , Not - AND ( NAND ) 소자 를 형성 하 기 위한 장치 및 방법 에 관한 것 이 다 . 보다 구체 적 으로 , 본 개시 는 산화물 - 질화물 층 적층 체의 일부 로 제조 된 3 - D NAND 소자 용 플러그 충 진체 의 증착 에 관한 것 이 다 . NAND 소자 를 형성 하 기 위한 장치 및 방법 은 , 더 낮 은 비용 및 더 높 은 처리 량 으로 소자 구조 를 적절 하 게 형성 하 기 위해 희생 재료 및 제조 계획 의 사용 을 포함 할 수 있 다 .