도 1 은 본 발명 의 일 구 현예 에 의한 무 촉매 단결정 실리콘 나노 와이어 를 제조 하 는 공정 을 설명 하 기 위한 공정 흐름 도 이 다 . 도 1 을 참고 하 면 , 먼저 실리콘 기판 ( 100 ) 의 표면 을 습식 에칭 함 으로써 표면 결함 ( defect site ) 을 형성 한다 . 이 때 , 불순물 을 제거 하 기 위해 통상 의 방법 에 의해 기판 을 미리 세척 할 수 있 다 .