최근 , 반도체 제조 기술 의 발달 로 인하 여 반도체 소자 의 고집 적 화 가 가속 화 되 고 있 으며 , 이 에 따라 단위 셀 ( cell ) 면적 이 크 게 감소 하 고 , 동작 전압 의 저전압 화 가 이루어지 고 있 다 . 이러 한 환경 에서 SIS ( polySilicon Insulator polySilicon ) 구조 의 캐 패 시터 의 경우 , 계면 산화 막 의 존재 로 인해 셀 당 약 25 fF 이상 의 충분 한 캐 패 시터 용량 을 확보 하 기 어려워 지 고 있 으며 , 이 를 해결 하 기 위해 금속 전극 을 사용 한 MIM ( Metal Insulator Metal ) 실린더 ( cylinder ) 구조 의 캐 패 시터 개발 이 이루어지 고 있 다 .