예 를 들 면 , 실리콘 기판 에 제조 된 실리카 도파 로 웨이퍼 는 도파 로 의 클래드 및 코어 가 기판 에 평행 한 방향 으로 압축 응력 을 받 아 위 로 볼록 하 게 휘 게 된다 . 다른 예 를 들 면 , 실리카 기판 에 CVD 법 으로 제조 된 실리카 도파 로 웨이퍼 는 도파 로 클래드 층 의 공정 방법 및 재질 조성 에 따라 볼록 또는 오목 으로 변형 이 생긴다 . ( 박막 응력 은 공정 압력 , 플라 즈 마 조건 , 공정 온도 등 에 따라서 달라지 며 , 일반 적 으로 , SiH 4 , PH 3 , GeH 4 , B 2 H 6 등 의 수소 화 재료 를 사용 하 는 박막 공정 은 압축 응력 을 , 그리고 TEOS , TMP , TMB , TMOG 등 의 유기 재료 를 사용 하 는 박막 공정 은 인장 응력 특성 을 나타낸다 . )