이 공정 은 전자 방출 원 형성 용 조성물 에 감광성 수지 가 포함 된 경우 와 그렇 지 않 은 경우 가 각각 다르 게 수행 된다 . 먼저 , 감광성 수지 가 포함 된 경우 에 는 노광 공정 을 이용 한다 . 예 를 들 어 , 전자 방출 원 형성 용 조성물 이 네거티브 감광 성 을 가지 는 감광성 수지 를 포함 한 경우 , 네거티브 감광성 수지 는 빛 을 받 으면 경화 하 는 특성 을 가지 므로 , 도 8 에 도시 된 것 과 같이 포토 마스크 ( 260 ) 를 사용 하 여 빛 을 선택 적 으로 조사 하 여 전자 방출 원 형성 용 조성물 층 ( 250 ) 중 필요 한 부분 만 을 경화 시켜 전자 방출 원 을 형성 하 는 것 이 가능 하 다 .