액세스 동작 으로 지칭 될 수 있 는 판독 및 기록 과 같 은 동작 은 예 를 들 어 워드 라인 ( 110 ) 및 디 지트 라인 ( 115 ) 과 같 은 공통 전도성 라인 의 적절 한 조합 을 활성 화 또는 선택 함 으로써 메모리 셀 ( 105 ) 상 에서 수행 될 수 있 다 . 워드 라인 ( 110 ) 은 또한 액세스 라인 , 감지 라인 또는 로우 라인 ( row line ) 으로 지칭 될 수 있 다 . 디 지트 라인 ( 115 ) 은 또한 액세스 라인 들 , 비트 라인 또는 컬럼 라인 ( column line ) 으로 지칭 될 수 있 다 . 워드 라인 및 비트 라인 또는 이 들 의 아날로그 에 대한 언급 은 이해 또는 동작 의 손실 없이 상호 교환 가능 하 다 . 워드 라인 ( 110 ) 및 비트 라인 ( 115 ) 은 어레이 를 생성 하 기 위해 서로 수직 ( 또는 거의 수직 ) 일 수 있 다 . 메모리 셀 의 유형 ( 예 를 들 어 , FeRAM , RRAM 등 ) 에 따라 , 예 를 들 어 플레이트 라인 ( plate line ) 과 같 은 다른 액세스 라인 이 존재 할 수 있 다 ( 미 도시 ) . 메모리 디바이스 의 정확 한 동작 은 메모리 디바이스 의 유형 및 / 또는 메모리 디바이스 에서 사용 되 는 특정 액세스 라인 에 기초 하 여 변경 될 수 있 다는 것 을 이해 해야 한다 .