다음 단계 의 공정 으로 , 도 6 e 에 도시 된 바 와 같이 상기 콘택트 홀 ( 218 ) 이 형성 된 게이트 절연 층 ( 210 ) 위 에 도전 층 을 증착 하 고 소정 의 패 터닝 을 하 여 게이트 전극 ( 211 ) 과 화소 전극 ( 212 ) 을 형성 한다 . 이때 상기 도전 층 은 콘택트 홀 ( 218 ) 내부 에 채워 지 게 되 어 드레 인 전극 ( 209 ) 과 전기 적 으로 연결 된 화소 전극 ( 212 ) 이 형성 된다 .