실시 예 에 따라 , 제 2 내지 제 7 트랜지스터 들 ( T 2 ~ T 7 ) 은 화소 ( PXL ) 의 스위칭 트랜지스터 들 로 동작 하 며 , 각각 숏 - 채널 트랜지스터 로 형성 될 수 있 다 . 일 예 로 , 제 2 내지 제 7 트랜지스터 들 ( T 2 ~ T 7 ) 각각 은 , 제 1 트랜지스터 ( T 1 ) 보다 짧 은 채널 길이 를 가질 수 있 다 . 이 와 같이 , 각각 의 스위칭 트랜지스터 를 숏 - 채널 트랜지스터 로 형성 하 게 되 면 , 제한 된 화소 영역 을 효율 적 으로 활용 하 면서 스위칭 트랜지스터 들 의 동작 속도 ( 일 예 로 , 스위칭 속도 ) 를 향상 시킬 수 있 다 .