절 연막 ( 105 ) 에 형성 되 는 리 세스 ( 110 ) 는 절 연막 ( 105 ) 상면 의 높이 가 절 연막 ( 105 ) 의 다른 부분 에 비해 상대 적 으로 낮 은 부분 으로 , 리 세스 ( 110 ) 는 콘 택 영역 과 같 은 기판 ( 100 ) 의 소정 부위 를 노출 시키 거나 패드 와 같 은 기판 ( 100 ) 상 의 하부 구조물 을 노출 시키 는 개구 또는 콘 택 홀 을 포함 한다 . 리세 스 ( 110 ) 는 절 연막 ( 105 ) 을 부분 적 으로 식각 하 여 형성 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 기판 ( 100 ) 상 에 절 연막 ( 105 ) 을 형성 한 다음 , 절 연막 ( 105 ) 상 에 포토레지스트 패턴 ( 도시 되 지 않 음 ) 을 형성 한다 . 상기 포토레지스트 패턴 을 식각 마스크 로 이용 하 여 절 연막 ( 105 ) 을 부분 적 으로 식각 하 여 절 연막 ( 105 ) 에 리세 스 ( 110 ) 를 형성 한다 .