도 10 은 화학 기상 증착 을 통해 실리콘 기판 상 에 실리콘 질화 막 ( 120 ) 의 증착 이 수행 된 결과 를 3 차원 구조 로 나타낸 도면 이 다 . 도 11 은 화학 기계 연마 ( Chemical Mechanical polishing ; CMP ) 방법 공정 을 통해 실리콘 질화 막 ( 120 ) 의 단차 가 제거 된 결과 를 3 차원 구조 로 나타낸 도면 이 다 .