프로세싱 지역 의 부근 의 다른 하드웨어 부품 들 뿐 만 아니 라 , 챔버 본체 와 같 은 가스 분배 샤워 헤드 는 일반 적 으로 저 ( low ) 복사율 물질 들 로부터 제조 된다 . 챔버 하드웨어 가 새로운 상태 일 때 , 즉 프로세스 가스 케미스트리 ( chemistry ) 들 에 의해 산화 되 지 않 거나 또는 부식 되 지 않 을 때 , 복사율 은 알려져 있 으며 전형 적 으로 낮 거나 또는 상대 적 으로 반사 성 ( reflective ) 이 다 . 그러나 , 챔버 표면 들 의 특성 들 은 시간 이 지남 에 따라 열화 ( degrade ) 될 수 있 으며 , 표면 들 의 복사율 은 챔버 에서 기판 들 의 반복 적 인 프로세싱 중 변할 수 있 으며 , 이 는 복수 의 기판 들 이 동시 에 프로세싱 되 는 기판 으로부터 기판 까지 , 및 프로세스 런 ( run ) 으로부터 프로세스 런 까지 ( 즉 , 웨이퍼 로부터 웨이퍼 까지 또는 배치 로부터 배치 까지 ) 기판 에 걸쳐 온도 변화 들 로 나타날 수 있 다 . 챔버 부품 표면 들 이 증착 물질 들 로 덮이 기 때문 에 및 / 또는 부식 되 기 때문 에 , 즉 산화 되 거나 또는 그렇 지 않 은 경우 화학 적 으로 변형 되 기 때문 에 , 챔버 부품 의 복사 율 이 변한다 . 프로세스 - 런 ( process - run ) ( 즉 , 웨이퍼 로부터 웨이퍼 까지 또는 배치 로부터 배치 까지 ) 사이 의 기판 온도 는 , 챔버 부품 들 의 복사 율 이 변함 에 따라 드리프트 ( drift ) 하 려는 경향 을 가질 것 이 다 . 따라서 , 챔버 부품 들 의 복사율 의 변화 는 프로세싱 지역 의 온도 , 및 따라서 기판 들 의 온도 에 영향 을 끼치 며 , 이 는 기판 들 상 의 막 형성 및 막 특성 들 에 영향 을 끼친다 .