이 를 방지 하 기 위해 , 기판 ( 11 ) 상 에 버퍼 층 이 형성 되 며 , 일반 적 으로 저온 버퍼 층 ( 13 ) 과 고온 버퍼 층 ( 15 ) 이 형성 된다 . 저 온 버퍼 층 ( 13 ) 은 일반 적 으로 AlxGa 1 - xN ( 0 ≤ x ≤ 1 ) 로 MOCVD 공정 등 을 사용 하 여 400 ~ 800 ℃ 의 온도 에서 형성 된다 . 이어서 , 저 온 버퍼 층 ( 13 ) 상 에 고온 버퍼 층 ( 15 ) 이 형성 된다 . 고온 버퍼 층 ( 15 ) 은 900 ~ 1200 ℃ 의 온도 에서 GaN 층 으로 형성 된다 . 이 에 따라 , N 형 GaN 층 ( 17 ) , 활성 영역 ( 19 ) 및 P 형 GaN 층 ( 21 ) 의 결정 결함 을 상당히 제거 할 수 있 다 .