도 6 c 를 참조 하 면 , 상기 제 1 몰드 막 ( 214 ) 및 상기 지지층 패턴 ( 232 P ) 상 에 제 2 몰드 막 ( 215 ) 을 형성 한다 . 상기 제 2 몰드 막 ( 215 ) 은 제 1 몰드 막 ( 214 ) 과 동일 한 물질 로 형성 하 거나 제 1 몰드 막 ( 214 ) 과 유사 한 식각 속도 , 예컨대 LAL 리프트 공정 을 통해 제 1 몰드 막 ( 214 ) 과 제 2 몰드 막 ( 215 ) 을 제거 하 는 경우 , LAL 에 의한 제 2 몰드 막 ( 215 ) 의 식각 속도 가 상기 제 1 몰드 막 ( 214 ) 의 식각 속도 에 비해 10 % 이하 의 차이 를 갖 는 물질 로 형성 할 수 있 다 . 상기 제 2 몰드 막 ( 215 ) 은 상기 지지층 패턴 ( 232 P ) 을 모두 덮 을 수 있 는 두께 로 형성 할 수 있 다 . 예 를 들 면 , 상기 제 2 몰드 막 ( 215 ) 은 적어도 50 ㎚ 의 두께 를 갖 도록 형성 할 수 있 다 . 또한 상기 제 1 몰드 막 ( 214 ) 및 제 2 몰드 막 ( 215 ) 의 두께 의 합 은 약 2 , 000 Å 내지 약 8 , 000 Å 일 수 있 다 .