급전 회로 ( 21 ) 에 포함 되 는 인덕턴스 소자 ( L 1 , L 2 ) 와 인덕턴스 소자 ( L 3 , L 4 ) 는 , 서로 반대 상 으로 자기 결합 하 여 무선 IC 칩 ( 10 ) 이 처리 하 는 주파수 로 공진 하 고 , 또한 루프 형상 을 이루 는 방사 판 ( 52 ) 의 전극 단부 ( 53 b ) 및 전극 ( 54 ) 과 전자계 결합 하 고 있 다 . 또한 , 급전 회로 ( 21 ) 의 급전 단자 전극 ( 62 a , 62 b ) 은 무선 IC 칩 ( 10 ) 의 입출력 단자 전극 ( 도시 하 지 않 음 ) 과 전기 적 으로 접속 되 고 , 무선 IC 칩 ( 10 ) 의 임피던스 ( 통상 50 Ω ) 와 방사 판 ( 52 ) 의 임피던스 ( 공간 의 임피던스 377 Ω ) 의 매칭 을 도모 하 고 있 다 .