상기 제 1 하부 패턴 ( UL 1 ) 을 형성 하 는 식각 공정 동안 , 상기 제 1 포토레지스트 패턴 ( PR 1 ) 은 모두 제거 될 수 있 다 . 상기 이방성 식각 공정 동안 , 제 1 포토레지스트 패턴 ( PR 1 ) : 제 1 하 부막 ( ULa 1 ) 의 식각 선택 비 는 1 : 2 내지 1 : 30 일 수 있 다 . 상기 식각 선택 비 를 고려 해 상기 제 2 두께 ( TH 2 ) 를 조절 하 여 , 상기 식각 공정 동안 상기 제 1 포토레지스트 패턴 ( PR 1 ) 을 모두 제거 할 수 있 다 . 만약 , 상기 식각 공정 이후 에 상기 제 1 포토레지스트 패턴 ( PR 1 ) 이 잔류 하 는 경우 , 추가 적 으로 전류 하 는 상기 제 1 포토레지스트 패턴 ( PR 1 ) 을 제거 할 수 있 다 .