캐 패 시터 ( C ) 의 저 부판 ( C 1 ) 을 형성 하 고 , 레지스터 ( R ) 에 사용 되 는 구리 의 두께 는 2 가지 이유 때문 에 소스 전극 구 조체 ( 221 , 222 및 223 ) 및 드레 인 전극 구 조체 ( 181 및 182 ) 에 사용 되 는 것 보다 두꺼운 것 임 을 주목 한다 : 첫째 , " 다마스 커스 가공 동안 형성 되 는 트렌치 는 "" 오프 "" 메사 ( 11 ) ( 도 1 b 및 2 a ) 를 "" 온 ( on ) "" 메사 ( 11 ) 전기 접촉 구조 체 ( 42 ) 에 수직 상호 접속 을 가능 하 게 하 기 위해 더 깊 게 해야 한다 ( 도시 되 지 않 은 상기 언급 된 메사 대신 이온 주입 절연 이 평면 구조 를 가능 하 게 하 는데 사용 되 지 않 으면 ) . 둘째 ", 금속 층 적층 동안 형성 되 는 전체 접촉 은 CMP 공정 에 기인 하 여 층 의 상부 면 상 에 동일 한 레벨 에서 종결 된다 .