한편 , 상기 SiC 결정 열분해 방법 의 경우 , SiC 단결정 을 가열 하 게 되 면 표면 의 SiC 는 분해 되 어 Si 은 제거 되 며 , 남 아 있 는 카본 ( C ) 에 의하 여 그라 펜 시트 가 생성 되 는 원리 이 다 . 그러나 이 와 같 은 열분해 방법 의 경우 , 출발 물질 로 사용 하 는 SiC 단결정 이 매우 고가 이 며 , 그라 펜 시트 를 대면 적 으로 얻 기 가 매우 어렵 고 , 더욱이 결정 성 및 입체 형상 제어 가 곤란 하 다는 문제 가 있 다 .