상기 표 1 에서 보 는 바 와 같이 , 본 발명 에 따라 제조 한 실시 예 1 내지 4 의 다 이싱 다이 본딩 필름 이 비 교예 1 내지 4 의 다 이싱 다이 본딩 필름 에 비해 이면 부착 성 과 칩 의 비산 , 버 발생 , 픽업 성 을 비롯 하 여 패키지 신뢰 성 이 모두 우수 함 을 알 수 있 다 . 즉 , 웨이퍼 와 다 이 본딩 부 의 접착 층 간 의 접착력 ( X ) 과 다이 본딩 부 의 접착 층 과 다 이싱 부 의 점착 층 과 의 점착력 ( Y ) 의 비율 [ ( X ) / ( Y ) ] 이 0 . 25 내지 1 이고 , 다 이 본딩 부 접착 층 의 상온 저장 탄성 률 이 100 MPa 내지 1000 MPa 인 경우 , 개 조각 과정 중 의 버 발생 을 2 % 이하 로 최소 화 하 여 반도체 패키지 의 접속 신뢰 성 을 높이 고 버로 인한 불량 률 을 최소 화 할 수 있 음 을 확인 할 수 있 다 .