금속 막 , 예 를 들 면 구리 , 코발트 및 니켈 을 포함 하 는 금속 막 은 반도체 디바이스 구 조체 의 제조 에 이용 될 수 있 다 . 예 를 들 면 , 구리 막 이 나타내 는 낮 은 비저항 ( resistivity ) 과 일렉트로 마이 그레이 션 ( electromigration ) 에 대한 및 높 은 저항성 ( resistance ) 으로 인해 , 구리 는 마이크 로 전자 디바이스 에서 의 주요 배선 재료 가 되 었 다 . 구리 배 선부 는 구리 씨드 층 ( seed layer ) 이 우선 물리 적 증기 증착 ( PVD ) 에 의해 형성 되 고 이어서 후속 구리 충전 공정 이 전기 증착 공정 에 의해 수행 되 는 2 단계 공정 으로 제조 될 수 있 다 . 그러나 , 차세대 마이크 로 전자 디바이스 의 개발 은 반도체 디바이스 의 최소 배 선폭 ( feature size ) 의 축소 에 좌우 된다 . 따라서 , 구리 씨드 층 은 낮 은 비저항 을 나타낼 뿐 만 아니 라 등각 방식 ( conformal manner ) 으로 형성 될 수 있 는 극도 로 얇 은 막일 필요 가 있 을 수 있 다 .