상기 발광 층 ( EML ) 은 상기 애노드 전극 ( AD ) 의 노출 된 표면 상 에 배치 될 수 있 다 . 상기 발광 층 ( EML ) 은 적어도 광 생 성층 ( light generation layer , LGL ) 을 포함 하 는 다층 박막 구조 를 가질 수 있 다 . 예 를 들 면 , 상기 발광 층 ( EML ) 은 정공 을 주입 하 는 정공 주입 층 ( hole injection layer , HIL ) , 정공 의 수송 성 이 우수 하 고 상기 광 생성 층 에서 결합 하 지 못한 전자 의 이동 을 억제 하 여 정공 과 전자 의 재결합 기회 를 증가 시키 기 위한 정공 수송 층 ( hole transport layer , HTL ) , 주입 된 전자 와 정공 의 재결합 에 의하 여 광 을 발하 는 상기 광 생성 층 , 상기 광 생성 층 에서 결합 하 지 못한 정공 의 이동 을 억제 하 기 위한 정공 억제 층 ( hole blocking layer , HBL ) , 전자 를 상기 광 생성 층 으로 원활히 수송 하 기 위한 전자 수송 층 ( electron transport layer , ETL ) , 및 전자 를 주입 하 는 전자 주입 층 ( electron injection layer , EIL ) 을 구비 할 수 있 다 .