또한 게이트 절 연막 ( 229 ) 으로서 , 단결정 반도체 막 ( 221 , 222 , 223 , 224 ) 을 마이크로파 로 여기 된 플 라즈 마로 처리 함 으로써 절 연막 을 형성 해도 된다 . 예 를 들 면 아산화질소 ( N 20 ) 를 Ar 으로 1 ∼ 3 배 ( 유량 비 ) 로 희석 하 고 , 10 ∼ 30 Pa 의 압력 에서 3 ∼ 5 kW 의 마이크로파 ( 2 . 45 GHz ) 전력 을 인가 하 여 반도체 막 의 표면 을 산화 혹은 질화 시킨다 . 이 처리 에 의해 1 nm ∼ 10 nm ( 바람직 하 게 는 2 nm ∼ 6 nm ) 의 절 연막 을 형성 한다 . 또한 아산화질소 ( N 20 ) 와 실란 ( SiH 4 ) 을 도입 하 고 , 10 ∼ 30 Pa 의 압력 에서 3 ∼ 5 kW 의 마이크로파 ( 2 . 45 GHz ) 전력 을 인가 하 여 기상 성 장법 에 의해 산화 질화 실리콘 막 을 형성 해서 게이트 절 연막 을 형성 한다 . 고상 반응 과 기상 성 장법 에 의한 반응 을 조합 함 으로써 계면 준위 밀도 가 낮 고 절연 내압 이 뛰어난 게이트 절 연막 을 형성 할 수 있 다 .