한편 , 도 19 에 예시 된 SJ - MOS 트랜지스터 ( 110 ) 의 PN 칼럼 층 ( 17 ) 에서 는 , P 형 칼럼 ( 21 p ) 및 N 형 칼럼 ( 21 n ) 의 폭 이 일정 한 값 ( W 8 p , W 8 n ) 으로 각각 설정 되 고 , P 형 칼럼 ( 21 p ) 의 불순물 농도 는 제 1 칼럼 층 ( 17 a ) 및 제 2 칼럼 층 ( 17 b ) 에서 다른 값 으로 설정 된다 . 그 결과 , 도 9 에서 의 SJ - MOS 트랜지스터 ( 110 ) 에서 는 , 다음 의 관계 가 성 립 한다 . 즉 , 제 1 칼럼 층 ( 17 a ) 에서 의 불순물 양 의 차이 ( Dh ) 는 Dh ∝ ( Xbn ㆍ W 8 n - Xbp ㆍ W 8 p ) > 0 이고 , 제 2 칼럼 층 ( 17 b ) 에서 의 불순물 양 의 차이 ( Di ) 는 Di ∝ ( Xbn ㆍ W 8 n - Xcp ㆍ W 8 p ) < 0 이 다 . 여기 서 , X 8 n = W 8 p , | Xbn - Xbp | = | Xbn - Xcp | 및 d 1 = d 2 - d / 2 이 다 .