상기 발광 칩 ( 340 ) 은 상기 제 1 리드 전극 ( 313 ) 과 제 2 리드 전극 ( 315 ) 의 위 에 플립 칩 방식 으로 배치 될 수 있 다 . 상기 발광 칩 ( 340 ) 은 전도성 재질 의 접합 부재 ( 331 , 333 ) 에 의해 제 1 , 2 리드 전극 ( 313 , 315 ) 과 전기 적 으로 연결 될 수 있 다 . 상기 발광 칩 ( 340 ) 은 기판 ( 341 ) , 반도체 층 을 갖 는 발광 구조물 ( 343 ) , 및 복수 의 전극 ( 331 , 333 ) 을 포함 한다 . 상기 기판 ( 341 ) 은 절연성 재질 , 반도체 재질 , 또는 전도성 재질 중 적어도 하나 를 포함 할 수 있 다 . 상기 기판 ( 341 ) 은 예컨대 , 사파이어 ( Al 2 O 3 ) , SiC , Si , GaAs , GaN , ZnO , Si , GaP , InP , Ge , Ga 2 O 3 중 적어도 하나 를 이용 할 수 있 다 . 상기 기판 ( 341 ) 은 상기 발광 칩 ( 340 ) 의 대부분 의 두께 를 차지 하 게 되 므로 , 예컨대 30 ㎛ 이상 의 두께 로 형성 될 수 있 다 .