도 6 a 를 참조 하 면 , 기판 ( 201 ) 상 에 제 1 희생 막 들 ( 211 - 215 ) 로 구성 된 제 1 희생 막 그룹 ( 210 ) 과 제 2 희생 막 들 ( 221 - 224 ) 로 구성 된 제 2 희생 막 그룹 ( 220 ) 이 적층 된 몰드 스택 ( 203 ) 을 형성 할 수 있 다 . 제 1 희생 막 그룹 ( 210 ) 과 제 2 희생 막 그룹 ( 220 ) 은 습식 식각 선택 비 는 크 나 건식 식각 선택 비 가 작 거나 없 는 물질 을 포함 할 수 있 다 . 예컨대 , 제 1 희생 막 들 ( 211 - 215 ) 은 실리콘 게르마늄 막 이 고 , 제 2 희생 막 들 ( 221 - 224 ) 은 실리콘 질화 막 일 수 있 다 . 몰드 스택 ( 203 ) 을 관통 하 는 수직 채널 홀 들 ( 230 ) 을 형성 하 고 , 수직 채널 홀 들 ( 230 ) 을 통해 노출 된 제 1 희생 막 들 ( 211 - 215 ) 의 측벽 들 을 산화 시킬 수 있 다 . 이 에 따라 , 제 1 희생 막 들 ( 211 - 215 ) 은 그 측벽 들 에 보호막 들 ( 218 ) 을 포함 할 수 있 다 . 제 1 희생 막 들 ( 211 - 215 ) 을 실리콘 게르마늄 ( SiGe ) 을 증착 하 여 형성 한 경우 보호막 ( 218 ) 은 실리콘 게르마늄 산화 막 ( SiGeOx ) 일 수 있 다 .