본 발명 은 , 기판 처리 장치 로서 , 반도체 제조 장치 뿐 아니 라 LCD 장치 와 같 은 유리 기판 을 처리 하 는 장치 에 도 적용 할 수 있 다 . 성막 처리 에 는 , 예 를 들 면 CVD , PVD , 산화 막 , 질화 막 을 형성 하 는 처리 , 금속 을 포함 하 는 막 을 형성 하 는 처리 등 을 포함 한다 . 또한 , 본 실시 형태 에서 는 , 종형 처리 장치 에 대하 여 기재 했으나 , 매 엽 ( 枚 葉 ) 장치 에 있 어서 도 마찬가지 로 적용 할 수 있 다 . 또한 , 복수 의 기판 처리 장치 와 , 각 기판 처리 장치 를 관리 하 는 장치 를 조합 한 시스템 또는 관리 장치 에 도 적용 할 수 있 다 .