제 1 반도체 막 ( 407 ) 위 에 제 2 반도체 막 ( 408 ) 으로서 n 형 아모르 퍼스 실리콘 막 을 플 라즈 마 CVD 법 등 으로 성막 한다 . 제 2 반도체 막 ( 408 ) 은 , 후 에 소스 영역 및 드레 인 영역 을 형성 하 는 것 이 고 , 인 을 고농도 로 도핑 하 여 n 형 의 도전 성 을 부여 한 아모르 퍼스 실리콘 막 ( n + a - Si 막 ) 이 다 .