또한 , 일본 특허 공개 제 2012 - 74678 호 공보 의 기술 에 의해 연마 용 조성물 이나 각종 패드 로부터 유래 하 는 잔사 를 충분히 제거 하 지 못한 이유 는 , 상세 는 불분명 하 지만 , 구체 적 으로 개시 되 어 있 는 술폰산 ( 염 ) 기 를 갖 는 화합물 은 저 분자 화합물 이 고 , 술폰산 ( 염 ) 기 를 갖 는 저 분자 화합물 은 , 본 발명 에 관한 산 성 관능기 함유 고분자 와 같이 , 표면 처리 대상물 표면 이나 양전하 대전 성 성분 표면 에 대한 양호 한 피복성 , 잔사 를 제거 하 기 위한 적절 한 정전 적 인 반발 력 , 및 표면 처리 공정 후 의 산 성 관능기 함유 고분자 의 양호 한 제거 성 등 이 얻 어 지 지 않 기 때문 이 라고 생각 된다 .