도 31 에 도시 된 바 와 같이 , 하위 레벨 도전 라인 이 형성 될 수 있 다 . 하위 레벨 도전 라인 은 제 2 도전 라인 ( 43 ) 을 포함 할 수 있 다 . 제 2 도전 라인 ( 43 ) 은 어느 한 방향 으로 연장 되 는 라인 형상 일 수 있 다 . 제 2 도전 라인 ( 43 ) 은 금속 - 베이스 물질 을 포함 할 수 있 다 . 제 2 도전 라인 ( 43 ) 은 텅스텐 , 텅스텐 질화물 , 텅스텐 실리사이드 또는 이 들 의 조합 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 제 2 도전 라인 ( 43 ) 을 형성 하 기 위해 텅스텐 실리사이드 층 증착 및 식각 이 수행 될 수 있 다 . 제 2 도전 라인 ( 43 ) 은 이웃 하 는 제 3 반도체 필라 ( 23 N ) 들 을 상호 접속 시킬 수 있 다 .