다음 으로 알루미나 박막 위 에 GaN 층 을 성장 시켰 다 . 성장 온도 , 기체 유량 , 압력 조절 을 통하 여 빈 공간 위 알루미나 박막 에서부터 선택 적 으로 GaN 층 을 성장 시켜 도 14 의 ( b ) 에 도시 한 바 와 같 은 GaN 층 을 얻 었 다 . 도 14 의 ( b ) 에서 볼 수 있 는 바 와 같이 GaN 층 은 기판 부분 이 아닌 빈 공간 부분 에서 선택 적 으로 성장 하 였 고 빈 공간 사이 는 도 5 에 도시 한 것 과 같이 일부 GaN 층 이 형성 되 고 보이드 도 형성 되 었 다 .