한편 , 상기 제 1 식각 공정 을 수행 한 후 에 도 상기 패드 산화 막 패턴 ( 114 a ) 및 게이트 리 세스 ( 120 ) 의 측벽 에 는 기판 ( 100 ) 의 실리콘 이 완전히 제거 되 지 않 고 남 아 실리콘 펜스 ( F ) 가 일부 남겨 지 게 된다 . 남겨진 실리콘 펜스 ( F ) 는 이후 에 기생 적 으로 채널 을 유발 시킬 수 있 다 .