도 1 f 를 참조 하 면 , 상기 소오 스 / 드레 인 전극 ( 117 ) , ( 118 ) 상 의 제 2 오 목부 에 는 반도체 층 ( 119 ) 을 형성 한다 . 본 발명 의 상기 반도체 층 ( 119 ) 은 절 연막 ( 112 ) 의 전면 에 형성 되 지 않 고 , 상기 절 연막 ( 112 ) 에 형성 된 상기 제 1 오 목부 와 단차 를 두 고 있 는 제 2 오 목부 에 형성 되 는 것 을 특징 으로 한다 . 제 2 오 목부 의 깊이 및 폭 은 반도체 층 의 구성 물질 및 특성 에 따라 상이 하 게 정해질 수 있 다 .