수학식 1 을 살펴보 면 , 온도 ( T ) 에 비례 하 는 전압 ( Δ V ) 이 얻 어 짐 을 알 수 있 다 . 도 2 또는 도 3 의 경우 , BGR 회로 ( 12 ) 는 저항 들 ( R 1 , R 2 및 R 3 ) 과 다이오드 들 ( D 1 및 D 2 ) 과 연산 증폭기 ( OP ) ( 14 ) 및 트랜지스터 ( M 0 ) 로 구성 된다 . 저항 ( R 1 및 R 2 ) 의 일단 은 공통 노드 ( VREF ) 에 연결 되 며 , 연산 증폭기 ( 14 ) 의 동작 에 의해 저항 들 ( R 1 및 R 2 ) 의 전압 차 가 없 도록 전류 ( Ibgr ) 가 조절 된다 . 만일 , 두 저항 ( R 1 및 R 2 ) 값 들 이 같 으면 연산 증폭기 ( 14 ) 의 양 의 단자 와 음 의 단자 의 전압 들 이 동일 하 므로 , 저항 들 ( R 1 및 R 2 ) 에 는 동일 한 전류 가 흐르 게 되 고 다이오드 들 ( D 1 및 D 2 ) 에 도 동일 할 전류 가 흐르 게 된다 . 이때 , 다이오드 들 ( D 1 및 D 2 ) 의 면적 비 에 비례 하 는 전압 차 는 저항 ( R 3 ) 의 양단 에 걸리 게 된다 . 그러므로 , BGR 회로 ( 12 ) 에서 각 다이오드 ( D 1 및 D 2 ) 를 흐르 는 두 경로 의 전류 는 전술 한 수학식 1 에서 정의 된 Δ V 와 저항 ( R 3 ) 에 의해서 결정 된다 . 이 값 ( Δ V / R 3 ) 은 저항 ( R 3 ) 이 온도 와 전압 에 따른 변화 크 지 않 다고 가정 하 면 , Δ V 에 비례 하 게 된다 . 즉 , Δ V 가 온도 의 함수 이 므로 BGR 전류 ( Ibgr ) 도 온도 의 함수 가 된다 . 전류 ( Ibgr ) 가 저항 들 ( R 1 및 R 2 ) 에 흐르 게 되 므로 , 저항 들 ( R 1 및 R 2 ) 의 양단 전압 은 온도 에 비례 하 는 전압 이 된다 . 한편 , 일반 적 으로 다이오드 에 일정 한 전류 가 인가 하 고 온도 를 변화 시키 면 다이오드 양단 전압 은 다음 수학식 2 와 같이 변한다 .