또한 , 본 실시 예 에서 는 InP 층 과 InGaAs 층 사이 , 즉 , 서브 콜렉터 층 과 콜렉터 층 사이 , 및 베이스 층 과 에 미터 층 사이 에 식각 정지 층 을 개재 한다 . 이 에 따라 , 자지 정렬 방식 의 전극 을 형성 하 기 위한 언더컷 식각 ( 과도 식각 ) 시 , 하부 층 들 의 유실 을 방지 할 수 있 어 , 전극 들 의 리프팅 현상 을 방지 할 수 있 다 .