도 2 를 참조 하 면 , 기판 ( 110 ) 상 에 제 1 절 연막 ( 120 ) 이 형성 된다 . 제 1 절 연막 ( 120 ) 을 관통 하 여 기판 ( 110 ) 에 전기 적 으로 연결 되 는 제 1 도전 패턴 ( 125 ) 및 제 1 금속 콘 택 ( 122 ) 이 형성 된다 . 제 1 도전 패턴 ( 125 ) 은 W , TiN , TaN , WN , MoN , NbN , TiSiN , TiAlN , TiBN , ZrSiN , WSiN , WBN , ZrAlN , MoSiN , MoAlN , TaSiN , TaAlN , Ti , W , Mo , Ta , TiSi , TaSi , TiW , TiON , TiAlON , WON , TaON , 탄소 원소 ( C ) 를 함유 하 는 도전 성 물질 또는 구리 원소 ( Cu ) 를 함유 하 는 도전 성 물질 중 에서 선택 된 적어도 어 느 하나 의 물질 로 형성 될 수 있 다 . 제 1 금속 콘 택 ( 122 ) 은 금속 물질 예컨대 , 텅스텐 으로 형성 될 수 있 다 .