도 30 ( A ) 에 도시 하 는 트랜지스터 와 도 30 ( B ) 에 도시 하 는 트랜지스터 의 차이점 은 , 측벽 절연물 ( 506 a ) 및 측벽 절연물 ( 506 b ) 의 아래 의 반도체 영역 의 도전 형 이 다 . 도 30 ( A ) 에 도시 하 는 트랜지스터 에서 는 , 측벽 절연물 ( 506 a ) 및 측벽 절연물 ( 506 b ) 의 아래 의 반도체 영역 은 n ＋ 의 도전 형 을 나타내 는 반도체 영역 ( 503 a ) 및 반도체 영역 ( 503 c ) 이 지만 , 도 30 ( B ) 에 도시 하 는 트랜지스터 에서 는 , 진성 의 반도체 영역 ( 503 b ) 이 다 . 즉 , 도 30 ( B ) 에 도시 하 는 반도체 층 에서 , 반도체 영역 ( 503 a ) ( 반도체 영역 ( 503 c ) ) 과 게이트 층 ( 505 ) 이 Loff 만큼 겹치 지 않 는 영역 이 제공 된다 . 이 영역 을 오프셋 영역 이 라고 하 고 , 그 폭 Loff 를 오프셋 길 이 라고 한다 . 도면 으로부터 확실히 알 수 있 는 바 와 같이 , 오프셋 길이 는 , 측벽 절연물 ( 506 a ) ( 측벽 절연물 ( 506 b ) ) 의 폭 과 같 다 .