다음 , 제 2 의 방법 인 전단 상태 를 구현 하 기 위해 , 구동 부 ( 230 ) 는 제 1 분리 부재 ( 210 ) 에 대하 여 제 2 분리 부재 ( 220 ) 를 수평 방향 으로 밀 어서 전단력 을 제공 한다 . 도 12 의 ( a ) 는 본 발명 에 따른 질화물 반도체 층 분리 장치 를 이용 해 전단 상태 에 의해 질화물 반도체 층 ( 50 ) 과 기판 ( 10 ) 을 분리 하 는 경우 를 도시 한다 . 전단력 은 무기물 박막 ( 30 ') 을 파괴 시킴 으로써 질화물 반도체 층 ( 50 ) 과 기판 ( 10 ) 이 분리 될 때 까지 , 다시 말 해 분리 부재 ( 210 , 220 ) 간 의 상대 적 인 수평 이동 이 발생 될 때 까지 인가 될 수 있 다 . 이 때 에 도 종말점 검출 은 필수 적 인 구성 은 아니 다 . 도 12 의 ( b ) 는 전단 상태 에 의해 질화물 반도체 층 ( 50 ) 과 기판 ( 10 ) 이 분리 된 경우 를 도시 한다 . 이 때 무기물 박막 ( 30 ') 은 부분 적 으로 질화물 반도체 층 ( 50 ) 에 딸려 오 거나 기판 ( 10 ) 에 남 을 수 있 다 .