본 발명 의 다른 측면 에 따르 면 , 기판 의 상면 에 전극 을 형성 하 는 단계 와 ; SnO 2 에 TiO 2 를 첨가 하 여 감지 물질 을 형성 하 고 , 상기 감지 물질 을 사용 하 여 상기 전극 을 커버 하 는 감지 막 을 형성 하 는 단계 와 ; 상기 기판 의 하면 에 히터 를 형성 하 는 단계 ; 를 포함 하 는 반도체 가스 센서 의 제조 방법 을 제공 한다 .