반도체 디바이스 의 제조 에 임해서 는 , 반도체 기판 인 반도체 웨이퍼 ( 이하 「 웨이퍼 」 라고 함 ) 에 대하 여 , 에칭 처리 , 성막 처리 , 애 싱 ( ashing ) 처리 등 을 포함 하 는 소정 의 진공 처리 가 행해진다 . 이 들 공정 이 행해 지 는 장치 로서 , 복수 의 진공 처리 실 이 진공 유지 가능 한 공통 의 반 송실 에 접속 되 고 , 이 진공 반 송실 과 대기 분위기 의 반 송실 이 로드 록 실 을 이루 는 예비 진 공실 을 통하 여 접속 되 는 , 소위 멀티 챔버 방식 의 진공 처리 장치 가 알려져 있 다 .