상기 포토레지스트 막 을 노광 및 현상 하 여 제 1 포토레지스트 패턴 을 형성 한다 . 상기 제 1 포토레지스트 패턴 을 마스크 로 이용 하 여 상기 데이터 금속 층 및 액티브 층 을 식각 하 여 데이터 라인 및 채널 부 를 형성 한다 . 상기 제 1 포토레지스트 패턴 의 일부 를 제거 하 여 상기 데이터 금속 층 의 일부 를 노출 시키 는 제 2 포토레지스트 패턴 을 형성 한다 . 상기 제 2 포토레지스트 패턴 을 이용 하 여 상기 데이터 금속 층 및 상기 액티브 층 을 식각 하 여 소스 전극 , 드레 인 전극 및 오 믹 콘 택 패턴 을 형성 한다 .