실리콘 입자 를 수용 하 는 공극 은 , 예 를 들 면 , 최초 에 실리콘 입자 를 하나 이상 의 희생 재료 로 코팅 하 고 , 얻 어 진 생성물 을 하나 이상 의 전술 한 탄소 전구체 로 코팅 하 고 , 희생 재료 에 기초 한 코팅 을 이후 의 시점 에서 다시 제거 함 으로써 얻 어 질 수 있 고 , 탄소 전구체 에 기초 한 코팅 은 희생 재료 의 제거 전 또는 제거 중 에 탄소 에 기초 한 매트릭스 로 변환 된다 . 이러 한 방식 으로 , 실리콘 입자 의 주위 에 공극 이 형성 된다 . 희생 재료 는 원 하 는 공극 직경 을 갖 는 코어 - 셸 복합 재 입자 를 얻 기 위해 그 자체 기지 의 종래 의 방법 으로 사실 상 임의 의 층 두께 로 적용 될 수 있 다 .