한편 , 제 2 도전 형 반도체 층 ( 27 ) 은 p 형 불순물 , 예컨대 Mg 이 도핑 된 질화 갈륨 계 반도체 층 일 수 있 다 . 제 1 도전 형 반도체 층 ( 23 ) 및 제 2 도전 형 반도체 층 ( 27 ) 은 각각 단일 층 일 수 있 으나 , 이 에 한정 되 는 것 은 아니 며 , 다 중층 일 수 도 있 으며 , 초격자 층 을 포함 할 수 도 있 다 . 제 1 도전 형 반도체 층 ( 23 ) , 활성 층 ( 25 ) 및 제 2 도전 형 반도체 층 ( 27 ) 은 금속 유기 화학 기상 성 장법 ( MOCVD ) 또는 분자선 에피택시 ( MBE ) 와 같 은 공지 의 방법 을 이용 하 여 챔버 내 에서 기판 ( 21 ) 상 에 성장 되 어 형성 될 수 있 다 .