본 발명 은 반도체 소자 의 제조 방법 에 관한 것 으로서 , 보다 상세 하 게 는 얇 은 메탈 게이트 와 실리사이드 화 된 폴리 실리콘 을 게이트 전극 으로 적용 함 으로써 기존 의 폴리 실리콘 게이트 의 적용 소자 에서 발생 하 는 폴리 디 프리 션 ( poly depletion ) 현상 을 억제 할 수 있 을 뿐 만 아니 라 실리사이드 화 된 소오 스 / 드레 인 영역 을 가짐 으로써 반도체 소자 의 성능 을 향상 시킬 수 있 는 반도체 소자 의 제조 방법 에 관한 것 이 다 .