n + 실리콘 층 ( 416 ) 과 고유 실리콘 층 ( 418 ) 의 합성 이후 에 상기 n + 실리콘 층 ( 416 ) , 고유 실리콘 층 ( 418 ) 과 장벽 층 ( 414 ) 은 패턴 화 하 고 에칭 해서 ( 도시 된 바 와 같이 ) 전도체 ( 408 ) 위 에 가로놓이 도록 실리콘 기둥 ( 420 ) 을 형성 한다 . 소프트 또는 하드 마스크 를 갖 는 종래 의 리소그래피 기술 , 및 습식 또는 건식 에칭 공정 은 상기 실리콘 기둥 ( 420 ) 을 형성 하 기 위해 사용 될 수 있 다 .