또한 , 도 7 e 및 도 7 f 에 도시 된 바 와 같이 , 제 2 PR 마스크 ( PR 2 ) 를 식각 방지 막 으로 하 여 , 알루미늄 시트 ( 330 `) 의 하면 에 대해 에칭 을 실시 한다 . 하 면 에칭 을 통하 여 , 방전 공간 부분 ( W 3 ) 및 방전 전극 사이 부분 ( W 2 ) 이 선택 적 으로 식각 된다 . 이때 , 방전 공간 부분 ( W 3 ) 은 완전히 관통 될 때 까지 풀 - 에칭 ( full - etching ) 이 진행 되 며 , 상기 방전 전극 사이 부분 ( W 2 ) 은 일정 한 두께 로 잔존 하 도록 하프 에칭 ( half - etching ) 된다 .