본 발명 의 실시 예 에 따른 박막 트랜지스터 는 예컨대 바텀 게이트 ( bottom gate ) 구조 일 수 있 다 . 즉 , 본 발명 의 실시 예 에 따른 박막 트랜지스터 는 도 1 에 도시 된 바 와 같이 , 기판 ( 110 ) , 기판 ( 110 ) 상 에 형성 된 게이트 전극 ( 120 ) , 게이트 전극 ( 120 ) 상 에 형성 된 게이트 절 연막 ( 130 ) , 게이트 절 연막 ( 130 ) 상 에 형성 된 활성 층 ( active layer ) ( 140 ) , 활성 층 ( 140 ) 상 에서 상호 이격 형성 된 소스 전극 ( 150 a ) 및 드레 인 전극 ( 150 b ) 을 포함 한다 .