건식 에칭 법 으로서 는 , 평행 평판 형 RIE ( Reactive Ion Etching ) 법 이나 , ICP ( Inductively Coupled Plasma : 유도 결합 형 플 라즈 마 ) 에칭 법 을 이용 할 수 있 다 . 소망 의 형상 으로 에칭 할 수 있 도록 , 에칭 조건 ( 감은 선형 의 전극 에 인가 되 는 전력량 , 기판 측 의 전극 에 인가 되 는 전력량 , 기판 측 의 전극 온도 등 ) 을 적절 하 게 조절 한다 .