이어서 , 스 페이서 ( 212 ) 를 포함 하 는 기판 ( 200 ) 의 단차 면 을 따라 식각 정지 막 으로 SAC 절 연막 ( 이하 , SAC 1 이 라 함 ) ( 213 ) 을 형성 한다 . 이때 , SAC 1 ( 213 ) 은 후속 공정 을 통해 형성 되 는 ILD 1 , ILD 2 에 따라 적절히 선택 될 수 있 으며 , 예컨대 ILD 1 , ILD 2 가 실리콘 산화 막 ( SiO 2 ) 으로 이루어진 경우 이 와 높 은 식각 선택 비 를 확보 할 수 있 는 실리콘 질화 막 ( Si 3 N 4 ) 으로 형성 하 는 것 이 바람직 하 나 , 이 에 한정 되 는 것 은 아니 며 , 충분 한 절연 특성 을 가지 면서 후속 ILD 1 , ILD 2 와 의 식각 선택 비 를 확보 할 수 있 는 물질 은 모두 사용 가능 하 다 . 예컨대 , SAC 1 ( 213 ) 은 DCS ( DiChloroSilane ( SiH 2 Cl 2 ) ) 와 NH 3 가스 를 이용 하 여 600 ~ 800 ℃ 의 온도 에서 형성 한 다 .