전극 적층 부 의 단위 면적 당 질량 이 W 0 ( 단위 : mg / cm 2 ) 이 고 전극 적층 부 두께 T 0 ( 단위 : μ m ) 의 전극 에 , 대기 분위기 하 350 ℃ 에서 30 분 가열 처리 를 실시 하 고 , 가열 처리 후 의 전극 적층 부 의 단위 면적 당 질량 W 350 ( 단위 : mg / cm 2 ) 및 전극 적층 부 두께 T 350 ( 단위 : μ m ) 을 측정 하 였 다 . 그리고 , 전극 적층 부 의 밀도 변화 율 을 이하 의 식 을 이용 하 여 산출 하 였 다 . 밀도 변화 율 이 클수록 , 가열 에 의한 전극 의 구조 파괴 가 촉진 되 어 전극 자체 의 저항 이 상승 한다고 생각 되 고 , 즉 , 전기 화학 소자 의 열 폭주 를 효과 적 으로 억제 가능 하 다고 판단 할 수 있 다 .