상기 게이트 전극 ( GE ) 을 두껍 게 형성 하 여 , 상기 게이트 전극 ( GE ) 을 포함 하 는 게이트 패턴 의 배선 저항 을 감소 시킬 수 있 다 . 따라서 , 표시 패널 을 상대 적 으로 고속 으로 구동 할 수 있 다 . 또한 , 상기 게이트 전극 ( GE ) 을 두껍 게 형성 하 므로 , 상기 게이트 전극 ( GE ) 을 포함 하 는 게이트 패턴 의 면적 을 감소 시킬 수 있 다 . 따라서 , 상기 표시 패널 의 개구율 을 향상 시킬 수 있 다 .