그러나 , 기록 되 지 않 도록 할 셀 이 이 들 에서 전 압차 가 기록 할 셀 들 보다 낮 은 전압 차 를 가질지 라도 , 이 들 은 여전히 이 들 에 얼마 간 에 전 압차 를 갖 는다 . 이 들 프로그램 되 지 않 은 셀 들 에 전압 을 훨씬 더 감소 시키 기 위해서 , " 이 들 의 채널 들 은 크기 가 선택 된 워드 라인 에 인가 되 는 프로그래밍 전압 에 더 가까운 전압 까지 "" 승압 "" 될 수 있 고 "," 그럼 으로써 이러 한 메모리 셀 장치 에 전 압차 를 감소 시킬 수 있 다 . 이것 은 기록 되 지 않 도록 할 셀 에 대응 하 는 "" 비교 적 고 "" 비트 라인 전압 에 더 가까운 중간 전압 으로 메모리 블록 내 다른 비 - 선택 된 워드 라인 을 바이어스 함 으로써 행해진다 . 이것 은 이 들 셀 들 의 채널 을 더 높 은 전압 으로 바이어스 하 며 ", 이 는 선택 된 워드 라인 이 고 프로그래밍 전압 의 펄스 가 가해질 때 훨씬 더 높 은 전압 까지 승압 된다 . 그러나 , 선택 된 워드 라인 을 따라 프로그램 될 셀 들 에 트랩 된 전 하 는 부분 적 으로 이 들 비 - 선택 된 워드 라인 들 에 인가 된 전압 을 무효 화 하 기 때문 에 , 전체 승압 은 동일 비트 라인 을 따라 이전 셀 들 에 프로그램 된 데이터 ( 즉 , 메모리 상태 ) 에 따른다 . 예 를 들 어 , " "" C "" 상태 로 프로그램 된 셀 들 ( 즉 "," 메모리 셀 에 저장 된 최대 전하 ) 은 이러 한 메모리 셀 장치 의 가장 높 은 임계 전압 을 갖 는다 . 비트 라인 을 따라 다른 셀 이 "" C "" 상태 로 이전 에 프로그램 되 었 다면 ", 이것 은 달성 되 는 승압 된 전압 을 감소 시키 며 , 이 에 따라 기록 되 지 않 을 메모리 장치 에 걸리 는 전압 을 증가 시켜 , 의도 되 지 않 은 프로그래밍 을 야기 한다 .