제 1 전극 ( 131 ) 및 제 2 전극 ( 132 ) 에 는 다양 한 형태 의 전압 이 인가 될 수 있 으며 , 제 1 전극 ( 131 ) 및 제 2 전극 ( 132 ) 에 인가 되 는 전압 은 직류 전압 또는 교류 전압 모두 가능 하 다 . 이 와 같이 제 1 전극 ( 131 ) 과 제 2 전극 ( 132 ) 에 인가 된 전압 에 의하 여 강한 전기장 을 형성 하 면 , 캐소드 전극 인 제 2 전극 ( 132 ) 으로부터 공급 되 는 전자 가 발광체 층 ( 115 ) 을 통과 하 면서 광 을 생성 한다 . 이때 , 전자 들 이 전계 방출 층 ( 140 ) 에 의해 가속 되 어 큰 초기 입사 에너지 를 가지 고 발광체 층 ( 115 ) 으로 터널 링 되 기 때문 에 , 전체 적 으로 발광 효율 이 향상 되 면서 도 제 1 전극 ( 131 ) 및 제 2 전극 ( 132 ) 에 인가 되 는 구동 전압 이 획기적으로 낮 아 질 수 있 다 . 또한 , 제 1 전극 ( 131 ) 과 제 2 전극 ( 132 ) 에 인가 된 전압 에 의하 여 강한 전기장 을 형성 하 면 , 제 2 전극 ( 132 ) 으로부터 공급 된 전자 외 에 도 전계 방출 층 ( 140 ) 과 발광체 층 ( 115 ) 사이 의 계면 준위 에 포획 ( trapped ) 되 어 있 던 전자 들 이 방출 되 어 발광체 층 ( 115 ) 의 컨 덕 션 밴드 내부 로 의 전자 들 의 터널 링 현상 이 일어난다 . 따라서 전체 적 으로 발광 효율 이 향상 되 면서 도 제 1 전극 ( 131 ) 및 제 2 전극 ( 132 ) 에 인가 되 는 구동 전압 이 획기적으로 낮 아 질 수 있 다 .