상기 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 반도체 소자 의 제조 방법 은 기판 상 의 게이트 절 연막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 게이트 절 연막 상 에 제 1 도 전막 을 형성 하 는 단 계 ; 상기 제 1 도 전막 상 에 오픈 영역 을 갖 는 희생 막 패턴 을 형성 하 는 단계 ; 상기 오픈 영역 의 측벽 에 산화 방지 패턴 을 형성 하 는 단계 ; 상기 오픈 영역 내부 에 제 2 도 전막 을 일부 채우 는 단계 ; 상기 제 2 도 전막 상 에 상기 오픈 영역 내부 를 채우 는 하드 마스크 막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 희생 막 패턴 을 제거 하 는 단계 ; 상기 제 1 도 전막 을 식각 하 는 단계 ; 및 상기 식각 된 제 1 도 전막 의 측벽 을 산화 시키 는 단계 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 하 며 , 상기 산화 방지 패턴 은 실리콘 질 화 막 으로 형성 하 는 것 을 특징 으로 하 고 , 상기 제 2 도전 막 은 상기 제 1 도 전막 상 에서 선택 적 으로 성장 시키 는 선택 적 텅스텐 막 성장 공정 으로 성장 시키 는 것 을 특징 으로 한다 . 그리고 , 상기 식각 된 제 1 도 전막 의 측벽 을 산화 시키 는 단계 는 수소 분위기 를 함유 하 지 않 는 라이트 산화 공정 으로 진행 하 는 것 을 특징 으로 한다 .