그 후 , 트랜지스터 ( 162 ) 및 용량 소자 ( 164 ) 의 형성 전 의 처리 로서 , 절연 층 ( 128 ) 에 CMP 처리 를 실시 하 고 , 게이트 전극 ( 110 ) 및 전극 ( 126 ) 의 상면 을 노출 시킨다 ( 도 11 d 참조 ) . 게이트 전극 ( 110 ) 의 상면 을 노출 시키 는 처리 로서 는 , CMP 처리 의 이외 에 에칭 처리 등 을 적용 하 는 것 도 가능 하 지만 , 트랜지스터 ( 162 ) 의 특성 을 향상 시키 기 위해서 , 절연 층 ( 128 ) 의 표면 은 가능 한 한 평탄 하 게 해 두 는 것 이 바람직 하 며 , 예 를 들 어 절연 층 ( 128 ) 의 표면 은 , 제곱 평균 평방근 ( RMS ) 거칠 기 를 1 ㎚ 이하 로 하 는 것 이 바람직 하 다 .