또한 , 본 발명 의 반도체 소자 에 따르 면 , 반도체 기판 의 핀 들 이 몸체 에 연결 되 어 있 음 에 도 불구 하 고 , 반도체 기판 은 SOI 구조 와 유사 한 즉 , SOI - 유사 구조 가 될 수 있 다 . 이 에 따라 , 공핍 영역 의 확장 에 의해서 발생 할 수 있 는 오프 - 전류 , 접합 누설 전류 및 접합 커패시턴스 가 감소 될 수 있 다 . 또한 , 반도체 기판 에 전압 을 인가 함 으로써 핀 들 에 바디 - 바이어스 를 인가 할 수 있 다 . 나아가 , 반도체 소자 의 집적도 가 높 아 질수록 문제 가 될 수 있 는 단채 널 효과 도 억제 될 수 있 다 .