상기 기술 적 과제 를 이루 기 위한 본 발명 의 다른 일 실시 예 에 따른 기판 처리 장치 는 , 기판 을 처리 하 기 위한 반응 공간 을 제공 하 는 공정 챔버 ; 상기 공정 챔버 의 내부 에 설치 되 어 상기 기판 에 대향 하 는 제 1 전극 ; 상기 제 1 전극 의 하부 에 위치 하 는 제 2 전극 ; 상기 제 1 전극 또는 상기 제 2 전극 에 대향 하 여 설치 되 며 상기 기판 을 지지 하 는 기판 지지 부 ; 및 상기 제 1 전극 및 제 2 전극 중 적어도 하나 에 하나 이상 의 RF 전원 을 공급 하 는 RF 전원 공급 부 ; 를 포함 하 되 , 상기 제 1 전극 의 온도 와 상기 제 2 전극 의 온도 의 온도 차이 값 이 제 1 설정 범위 를 벗어나 거나 상기 제 1 전극 의 온도 와 상기 기판 지지 부 의 온도 의 온도 차이 값 이 제 2 설정 범위 를 벗어나 는 경우 상기 RF 전원 의 공급 을 중지 시키 는 것 을 특징 으로 한다 .