( 1420 ) 에서 , 제 1 논리 상태 를 감지 한 후 강유 전 성 메모리 셀 에 대한 플레이트 의 전압 이 바이어스 전압 으로 증가 될 수 있 다 . ( 1420 ) 의 동작 은 본 명세서 에 기재 된 방법 에 따라 수행 될 수 있 다 . 일부 예시 에서 , ( 1420 ) 의 동작 의 양태 가 도 10 을 참조 하 여 기재 된 바 와 같이 증가 구성 요소 에 의해 수행 될 수 있 다 .