게이트 전극 사이 에 위치 하 는 반도체 기판 ( 10 ) 표면 내 에 는 n 형 불순물 확산 층 ( 17 ) 이 형성 되 어 있 다 . 불순물 확산 층 ( 17 ) 은 서로 인접 하 는 트랜지스터 에 의해 공용 되 고 있 으며 , 소스 ( S ) 또는 드레 인 ( D ) 으로서 기능 한다 . 불순물 확산 층 ( 17 ) 은 , 인 , 비소 , 또는 안티몬 을 함유 하 며 , 불순물 확산 층 ( 17 ) 의 표면 농도 는 1017 cm - 3 ∼ 1 O 20 cm - 3 이 고 , 불순물 확산 층 ( 17 ) 의 접합 깊이 는 10 ㎚∼ 300 ㎚ 이 다 . 서로 인접 하 는 소스 와 드레 인 사이 의 영역 은 전자 의 이동 영역 으로 되 는 채널 영역 으로서 기능 한다 .