다음 으로 , 후 측 가공 은 도 2 u 에서 와 같이 진행 된다 . 더욱 특히 , 웨이퍼 는 도시 되 지 않 는 일시 적 인 캐리어 상 에 아래 를 향해 장착 되 고 , 웨이퍼 는 여기 서 예 를 들 어 50 또는 100 미크론 으로 박 형 화 된다 . 이러 한 구조 체의 노출 된 하부 면은 소스 전극 구 조체 ( 221 - 223 ) 하 에서 기판 의 하부 의 일부 를 노출 시키 기 위해 마스크 ( 96 ) ( 도 6 c ) 에 의해 마스킹 된다 . 반도체 또는 유전체 또는 금속 물질 ( 82 ) 의 외측 주변 부 는 마스크 ( 96 ) 에 의해 커버 되 고 ; 그 결과 전기 접촉 구조 체 ( 42 ) 의 내측 부분 ( 81 IP ) ( 도 6 c ') 하 에서 , 전기 접촉 의 외측 부분 ( 81 OP ) 은 층 ( 36 ) 과 오 믹 접촉 이 유지 되 는 것 에 주목 해야 한다 . 다음 으로 , 비아 ( 90 ) 는 기판 층 ( 32 ) 을 통해 및 물질 ( 82 ) 의 내측 부분 ( 여기 서 는 , 예 를 들 어 도 6 c ' 에서 SiNx , SiO 2 , 몰리브덴 또는 폴리 실리콘 ) , Ti 또는 Ta 의 하부 층 ( 42 a ) 의 내측 부분 ( 81 IP ) 을 통해 비아 ( 90 ) 를 에칭 하 기 위해 건식 불소 계 에칭 , 여기 서 는 예 를 들 어 SF 6 을 이용 하 여 에칭 된 후 , 불 소계 에칭 부산물 이 비휘발성 인 알루미늄 계층 ( 42 b ) 의 내측 부분 에서 저지 된다 . 따라서 , 여기 서 , 추가 적 인 ( 절연 된 ) 에칭 저지 층 ( 42 ES ) 은 존재 하 지 않 고 ; 대신 층 ( 42 b ) 이 에칭 저지 층 으로서 기능 을 한다 .