이 와 같이 하 여 웨이퍼 상 에 SiO 막 을 형성 한 바 , 형성 된 SiO 막 의 웨이퍼 면내 에 있 어서 의 막 두께 분포 균일성 은 ± 0 . 8 % 정도 이 며 , 그 때 의 성막 레이트 는 1 . 6 Å ／ 사이클 정도 였 다 . 막 두께 분포 균일성 , 성막 레이트 는 어느 쪽 이 든 모두 양호 한 것 으로서 , 상기 실시 형태 의 제 2 순서 에 의해 형성 된 SiO 막 의 막 두께 분포 균일성 , 성막 레이트 와 동등 한 것 을 확인 했 다 . 한편 , 도 12 의 순서 에 의해 형성 된 SiO 막 의 막 두께 분포 균일성 , 성막 레이트 에 대해서 도 상기 실시 형태 의 제 1 순서 에 의해 형성 된 SiO 막 의 막 두께 분포 균일성 , 성막 레이트 와 동등 한 것 을 확인 했 다 .