한편 , 절연 캡 핑 층 ( 150 ) 과 절연 라이너 ( 160 ) 사이 의 계면 에 자연 산화 막 ( 162 ) 이 형성 될 수 있 다 . 예 시 적 인 실시 예 들 에 있 어서 , 자연 산화 막 ( 162 ) 은 절연 라이너 ( 160 ) 의 일부분 , 게이트 스 페이서 구조물 ( 140 ) 의 일부분 , 또는 제 2 희생 게이트 ( 226 ) 의 일부분 으로부터 형성 된 산화물 로 구성 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 자연 산화 막 ( 162 ) 은 희생 게이트 스택 ( 220 ) ( 도 15 참조 ) 의 제거 공정 및 / 또는 게이트 전극 ( 120 ) 의 형성 공정 에서 노출 되 는 절연 라이너 ( 160 ) 및 게이트 스 페이서 구조물 ( 140 ) 의 표면 상 에 소정 의 두께 로 형성 될 수 있 다 .