진성 반 도 체부 ( 150 ) 는 도 6 내지 도 7 에 도시 된 바 와 같이 , 제 1 반 도 체부 ( 121 ) 와 제 2 반 도 체부 ( 172 ) 사이 에 노출 된 제어 패 시베이 션 층 ( 180 ) 의 후면 에 형성 될 수 있 고 , 이 와 같 은 진성 반 도 체부 ( 150 ) 은 제 1 반 도 체부 ( 121 ) 및 제 2 반 도 체부 ( 172 ) 와 다르 게 제 1 도전 성 타입 의 불순물 또는 제 2 도전 성 타입 의 불순물 이 도핑 되 지 않 은 진성 다결정 실리콘 층 으로 형성 될 수 있 다 .