상기 제 1 보호막 ( 61 ) 은 상기 보호막 ( 60 ) 을 CMP ( Chemical Mechanical Polishing ) 방법 에 의해 평탄 화 시키 면서 식각 한다 . 예 를 들 어 , 상기 보호막 ( 60 ) 에 평탄 화 공정 을 실시 함 으로써 상기 제 1 보호막 ( 61 ) 은 1 , 000 ~ 5 , 000 Å 의 두께 로 형성 될 수 있 다 .