도 1 및 도 2 에 도시 한 바 와 같이 , 종래 수직 구조 질화 갈륨 계 LED 소자 의 제조 방법 에 따르 면 , 사파이어 기판 ( 10 ) 상 에 N 형 질화 갈륨 층 ( 20 ) , 활성 층 ( 30 ) , P 형 질 화 갈륨 층 ( 40 ) 을 순차 적 으로 적층 하 고 , P 형 질화 갈륨 층 ( 40 ) 위 에 P 형 전극 및 반사 층 ( 50 ) 을 형성 한 후 , 금속 구조 지지층 ( 60 ) 을 형성 한다 . 다음 으로 , 상기 한 LLO 나 CLO 공정 을 수행 하 여 사파이어 기판 ( 10 ) 을 제거 한 후 에 , 도 2 에 도시 한 바 와 같이 N 형 질화 갈륨 층 ( 20 ) 상 에 N 형 전극 ( 70 ) 을 형성 한 다음 , 다 이싱 ( dicing ) 이나 레이저 스크라이빙 ( laser scribing ) 와 같 은 분리 공정 을 수행 하 여 각각 의 질화 갈륨 계 LED 소자 를 분리 한다 .