도 1 내지 3 을 참조 하 면 , 상기 수직 형 메모리 장치 는 기판 ( 100 ) 상 에 형성 된 게이트 전극 구조물 , 절연 패턴 구조물 , 연결 패턴 ( 145 ) , 및 이 들 을 관통 하 는 기둥 구조물 을 포함 할 수 있 으며 , 상기 게이트 전극 구조물 에 포함 된 게이트 전극 들 중 적어도 최상층 게이트 전극 을 상기 제 1 방향 으로 관통 하 는 절연성 분리 패턴 ( 335 ) 을 포함 할 수 있 다 . 또한 , 상기 수직 형 메모리 장치 는 제 1 및 제 2 불순물 영역 들 ( 102 , 104 ) , 패드 ( 240 ) , 제 2 블로킹 패턴 ( 285 ) , 제 2 스 페이서 ( 300 ) , 공통 소스 라인 ( CSL ) ( 310 ) , 콘 택 플러그 ( 340 ) , 비트 라인 ( 360 ) , 및 제 1 내지 제 3 층간 절 연막 들 ( 250 , 330 , 350 ) 을 더 포함 할 수 있 다 .