본 발명 에 따른 실시 예 에 있 어서 상기 열분해 반응 로 ( 1 ) 는 일 측 에 폐타 이 어 칩 을 공급 하 는 원료 투입 장치 구 ( 122 ) 와 타 측 에 폐타 이 어 칩 에서 추출 된 가스 를 외부 로 배출 하 는 제 1 가스 이 송구 ( 121 ) 를 포함 하 는 제 1 반응 관 ( 12 ) 와 , 상기 열분해 반응 로 ( 1 ) 의 내부 에 구비 되 어 내부 공간 에 간 적 가열 방식 으로 열 을 전달 하 는 가열 부 ( 2 ) 와 , 상기 제 1 반응 관 ( 12 ) 의 내부 에 구비 된 스 크류 축 ( 15 ) 과 이 스 크류 축 ( 15 ) 의 양측 을 지지 하 며 제 1 반응 관 ( 12 ) 양단 에 설치 된 기밀유지 장치 ( 16 ) 와 , 상기 제 1 반응 관 ( 12 ) 에 연결 되 어 폐타 이 어 칩 의 잔류물 인 카본 블랙 을 배출 하 는 카본 블랙 배출구 ( 141 ) 가 구비 되 며 폐타 이 어 칩 에서 추출 된 가스 를 이송 하 는 제 3 가스 이 송구 ( 142 ) 를 포함 하 는 제 3 반응 관 ( 14 ) 과 , 상기 스 크류 축 ( 15 ) 의 일 측 에 구비 되 어 상기 스 크류 축 ( 15 ) 을 회전 시키 는 구동 수단 ( 17 ) 과 , 상기 제 1 반응 관 ( 12 ) 와 상기 제 3 반응 관 ( 14 ) 사 이 에 연결 되 며 내부 에 구동 수단 ( 17 ) 에 의해 회전 되 는 스 크류 축 ( 15 ) 과 제 2 가스 이 송구 ( 131 ) 를 포함 하 며 양단 에 기밀유지 장치 ( 16 ) 에 의해 밀폐 되 는 제 2 반응 관 ( 13 ) 으로 구성 된다 .