제 1 도전 형 반도체 층 ( 23 ) 은 예컨대 n 형 질화 갈륨 계층 을 포함 하 고 , 제 2 도전 형 반도체 층 ( 27 ) 은 p 형 질화 갈륨 계층 을 포함 할 수 있 다 . 또한 , 활성 층 ( 25 ) 은 단일 양자 우물 구조 또는 다 중양자 우물 구조 일 수 있 으며 , 우물 층 과 장벽 층 을 포함 할 수 있 다 . 또한 , 우물 층 은 요구 되 는 광 의 파장 에 따라 그 조성 원소 가 선택 될 수 있 으며 , 예컨대 AlGaN , GaN 또는 InGaN 을 포함 할 수 있 다 .