이상 에서 와 같이 , 본 발명 은 돌기 형 ( Fin ) 트랜지스터 형성 시 활성 영역 의 양 측면 을 노출 하 기 위한 필드 산화 막 식각 시 게이트 와 인접 하 는 필드 산화 막 부분 이 식각 되 는 것 을 방지 함 으로써 , 상기 필드 산화 막 의 두께 감소 를 방지 할 수 있 어 , 이 로 인해 셀 과 셀 간 의 누설 전류 발생 을 최소 할 수 있 는 효과 를 얻 을 수 있 다 .