메모리 셀 은 초기 에 고 저항률 의 낮 은 판독 전류 상태 ( 비 프로그래밍 또는 버진 상태 ) 로 출발 한다 . 셀 은 바람직 하 게 는 전력 이 고려 되 지 않 는 경우 생성물 이 고체 가 되 기 전 에 셀 이 제조 되 는 공장 에서 높 은 순방향 바이어스 전압 펄스 에 의해 프로그래밍 된 저 저항률 상태 가 될 수 있 다 . 생성물 이 고체 가 되 면 , 셀 은 후속 적 으로 후속 순방향 바이어스 프로그래밍 펄스 에 의해 하나 이상 의 다른 상태 가 된다 . 비 프로그래밍 및 프로그래밍 상태 의 판독 전류 사이 의 차 는 메모리 셀 에 대한 윈도우 "" 를 구성 한다 . 상기 윈도우 가 강건 성 을 만들 기 위해 가능 한 한 크 게 되 는 것 이 바람직 하 다 . 본 발명자 들 은 프로그래밍 된 셀 의 판독 전류 윈도우 및 세포 당 비트 의 수 가 하 기 의 프로그래밍 방법 에 의해 증가 될 수 있 음 을 인식 하 였 다 . "