웨이퍼 레벨 패키지 는 웨이퍼 표면 상 에 반도체 칩 들 이 실장 되 고 , 스 크 라 이브 레인 영역 이 절단 되 는 다 이싱 공정 을 통해 개개 의 반도체 패키지 로 분리 되 어 형성 될 수 있 다 . 이 와 같 은 웨이퍼 레벨 패키지 제조 공정 과정 중 에 , 웨이퍼 는 반도체 칩 들 에 의한 충격 이나 이 물질 에 의해 굽힘 힘 ( bending force ) 을 받 을 수 있 다 . 굽힘 힘 에 의해 웨이퍼 에 크랙 이 발생 할 수 있 으며 , 주로 웨이퍼 의 결정 방향 을 따라 크랙 이 진전 된다 .