본 발명 은 또한 , 마이크 로 전자 기판 및 기판 상 의 유전 재료 층 또는 기판 에 인접 한 유전 재료 층 을 포함 하 는 마이크 로 전자 구조물 ( structure ) 을 지향 한다 . 구조물 은 유전 재료 상 의 피독 - 저해 층 ( poison - inhibiting layer ) 또는 유전 재료 에 인접 한 피독 - 저해 층 을 추가 로 포함 한다 . 피독 - 저해 층 은 용매 시스템 에 용해 되 거나 분산 된 화합물 을 포함 하 는 조성물 로부터 형성 되 고 , 상기 화합물 은 블록 킹 된 이 소시아 네이트 를 포함 한다 .