그리고 , 상기 리세 스 마스크 에 의해 노출 된 기판 부분 을 식각 하 여 리세 스 게 이 트 용 홈 을 형성 하 고 상기 리세 스 마스크 를 제거 한 다음 , 상기 홈 의 표면 에 게이트 절 연막 을 형성 한다 . 여기 서 , 상기 홈 은 건식 식각 공정 을 통해 형성 하 고 , 상기 게이트 절연 막 은 통상 열 산화 공정 에 의한 산화 막 으로 형성 한다 .