구체 적 으로 , 제 1 및 제 2 가열 장치 체결 부재 ( 24 a , 24 b ) 중 상대 적 으로 내측 에 형성 된 제 2 가열 장치 체결 부재 ( 24 b ) 에 만 나사산 이 형성 될 수 있 으며 , 상대 적 으로 외측 에 형성 된 제 1 가열 장치 체결 부재 ( 24 a ) 에 는 나사산 이 형성 되 지 않 을 수 있 다 . 그리고 제 1 가열 장치 체결 부재 ( 24 a ) 의 높이 또는 깊이 는 제 2 가열 장치 체결 부재 ( 24 b ) 의 높이 또는 깊이 와 상 이 할 수 있 으며 , 나사산 이 형성 되 어 있 는 제 2 가열 장치 체결 부재 ( 24 b ) 의 깊이 가 나사산 이 형성 되 어 있 지 않 은 제 1 체결 장치 체결 부재 ( 24 a ) 의 깊이 보다 상대 적 으로 얕 을 수 있 다 .