더욱이 차세대 반도체 장치 의 고속도화 수법 으로서 , 예컨대 스트레인 드 실리콘 이나 갈륨비소 등 을 이용 한 전자 이동도 가 높 은 신규 재료 나 옹스트롬 단위 로 제어 된 초 박막 폴리 실리콘 등 의 정밀 재료 의 적용 도 검토 되 기 시작 하 고 있 다 . 그러나 , 이러 한 신규 정밀 재료 가 적용 된 피 가공 기판 에서 는 , 상기 와 같 은 유기 막 재료 에 의한 평탄 화 막 형성 시 의 조건 , 예컨대 공기 중 , 300 ℃ 이상 의 성막 조건 에서 는 , 공기 중 의 산소 에 의해서 상기 재료 가 부식 되 어 , 반도체 장치 의 고속도화 가 재료 설계대 로 의 성능 을 발휘 할 수 없 어 , 공업 적 인 생산 으로서 성립 하 는 수율 을 달성 하 지 못할 가능 성 이 있 다 . 그래서 , 이러 한 고온 조건 하의 공기 에 의한 기판 의 부식 에 기인 하 는 수율 의 저하 를 피하 기 위해서 , 불활성 가스 중 에서 성막 할 수 있 는 유기 막 재료 가 기대 되 고 있 다 .