상기 핫 캐리어 효과 를 극복 하 기 위하 여 대부분 의 트랜지스터 의 제조 공정 은 LDD ( Lightly Doped Drain ) 구조 를 채택 하 고 있 다 . 이 는 게이트 전극 을 사이 에 두 고 기판 내 에 있 는 소오 스 / 드레 인 영역 의 이온 주입 농도 가 게이트 전극 에지 부근 에서 는 저 농도 인 반면 에 다른 중심 부분 에서 는 고농도 인 이 층 구조 의 접합 ( Graded Junction ) 을 형성 함 으로써 전기장 의 급격 한 변화 를 줄이 기 위한 것 이 다 .