또한 , 본 실시 형태 에서 는 게이트 절연 층 ( 146 ) 의 형성 후 에 제 2 열처리 를 행하 고 있 지만 , 제 2 열처리 의 타이밍 은 여기 에 한정 되 지 않 는다 . 예 를 들 어 , 게이트 전극 의 형성 후 에 제 2 열처리 를 행할 수 도 있 다 . 또한 , 제 1 열처리 에 계속 해서 제 2 열처리 를 행할 수 도 있 고 , 제 1 열처리 에 제 2 열처리 를 겸하 게 할 수 도 있 으며 , 제 2 열처리 에 제 1 열처리 를 겸하 게 할 수 도 있 다 .