또 , 본 발명 의 전자 재료 용 세정제 를 사용 할 때 에 는 , 필요 에 따라 , 희 석수 , 특히 이온 교환수 ( 도전 율 0 . 2 μ S / ㎝ 이하 ) 또는 초 순수 ( 전기 저항률 18 ㏁·㎝ 이상 ) 로 희석 하 여 , 유효 성분 농도 를 0 . 1 ∼ 15 %, 특히 0 . 5 ∼ 10 % 로 하 는 것 이 사용 시 의 작업 성 및 비용 의 관점 에서 바람직 하 다 .