다음 에 상기 2 단계 의 채널 이온 주입 중 , 2 차 채널 이온 주입 으로서 빔 라인 을 이용 한 이온 주입 방법 으로 돌출 된 활성 영역 ( 200 ) 의 상부 에 주로 채널 이온 이 주입 되 도록 하 여 , 탑 ( top ) 영역 의 국부 적 인 전계 집중 으로 유발 되 는 문턱 전압 강하 를 보상 한 다 . 즉 B 및 BF 2 소스 가스 를 이용 하 여 대략 10 - 60 eV 의 주입 에너지 와 , 대략 1 × 1012 - 5 × 1012 atoms / ㎠ 의 도즈 로 2 차 채널 이온 주입 을 수행 한다 . 이때 반도체 기판 ( 100 ) 을 180 ° 회전 을 1 회 실시 하 면서 , 도 16 에서 화살표 로 나타낸 바 와 같이 , 대략 5 ° 내지 7 ° 각도 의 틸 트 이온 주입 을 수행 하 여 , 채널 링 ( channeling ) 을 억제 되 도록 한다 . 이 경우 1 회 회전 되 는 각도 를 180 ° 보다 줄이 고 회전수 를 늘릴 수 도 있 다 . 이 와 같 은 2 차 채널 이온 주입 이 이루어지 면 , 도 17 및 도 18 의 단면 구조 에 굵 은 선 ( 230 ) 으로 나타낸 바 와 같이 , 핀 - 스텝 구조 의 활성 영역 ( 200 ) 의 표면 에 채널 이온 주입 이 균일 하 게 이루어진다 .