도시 된 실시 예 에서 , 반도체 층 시퀀스 ( 10 ) 는 GaN 기판 ( 1 ) 으로 형성 되 며 , 상기 기판 상 에 규소 도핑 된 AlGaN 클래딩 층 ( 41 ) 및 그 위 에 규소 도핑 된 GaN 도파 층 ( 42 ) 이 배치 된다 . 그 위 에 , 반도체 층 시퀀스 ( 10 ) 는 1 개 내지 5 개 의 GaInN 양자 막 및 GaN 장벽 층 을 구비 한 다중 양자 우물 구조 ( MQW - 구조 ) 를 가진 활성 층 을 포함 한다 . 활성 층상 에 마그네슘 도핑 된 GaN 도파 층 ( 43 ) 및 마그네슘 도핑 된 AlGaN 클래딩 층 ( 44 ) 이 도포 된다 . 또한 , 클래딩 층 ( 44 ) 상 에 예 를 들 면 마그네슘 도핑 된 GaN 으로 구성 된 하나 이상 의 접촉 층 이 더 도포 될 수 있 는 반면 , 기판 ( 1 ) 과 클래딩 층 ( 41 ) 사이 에 마찬가지 로 하나 이상 의 중간층 이 배치 될 수 있 다 ( 미 도시 ) . 반도체 층 시퀀스 ( 10 ) 는 기술 된 물질 계 에 의해 , 자 외 파장 영역 내지 녹색 및 바람직 하 게 는 청색 파장 영역 에서 전자기 복사 를 생성 하 기 에 적합 하 다 .