스위칭 TFT ( 6 ) 는 기판 ( 42 ) 상 에 형성 된 게이트 전극 ( 8 ) 과 , 스토리지 상부 전극 ( 74 ) 과 접속 된 소스 전극 ( 10 ) , 소스 전극 ( 10 ) 과 마주 보 는 드레 인 전극 ( 12 ) 과 , 게이트 전극 ( 8 ) 과 중첩 되 고 소스 전극 ( 10 ) 과 드레 인 전극 ( 12 ) 사이 에 채널 을 형성 하 는 활 성층 ( 14 ) 을 구비 한다 . 활성 층 ( 14 ) 은 소스 전극 ( 10 ) 및 드레 인 전극 ( 12 ) 과 중첩 되 게 형성 되 고 소스 전극 ( 10 ) 과 드레 인 전극 ( 12 ) 사이 의 채널 부 를 더 포함 한다 . 활성 층 ( 14 ) 위 에 는 소스 전극 ( 10 ) 및 드레 인 전극 ( 12 ) 과 오 믹 접촉 을 위한 오 믹 접촉 층 ( 48 ) 이 더 형성 된다 .