상기 수소 플 라즈 마 처리 에 의해 여기 된 수소 이온 이 상기 보호막 ( 125 ) 으로 침투 하 고 , 침투 한 수소 이온 은 보호막 ( 125 ) , 금속 층 간절 연막 ( 123 ) 과 층간 절 연막 ( 121 ) 을 관통 한 후 포토다이오드 영역 의 P 0 확산 층 ( 119 ) 표면 까지 확산 된다 . 상기 수소 이온 에 의해 상기 포토다이오드 표면 에 발생 한 불 안정 한 댕 글 링 본드 를 제거 한다 . 따라서 댕 글 링 본드 에 의한 포토다이오드 ( PD ) 의 암 전류 를 감소 시킬 수 있 다