다음 으로 , 도 6 과 같이 상기 분리 된 진성 층 ( 170 ) 을 포함 하 는 기판 ( 110 ) 상 에 제 2 도전 형 전도 층 ( 180 ) 을 형성 한다 . 상기 제 2 도전 형 전도 층 ( 180 ) 은 본 발명 의 실시 예 에서 채용 하 는 PIN 다이오드 의 P 층 의 역할 을 할 수 있 다 . 즉 , 상기 제 2 도전 형 전도 층 ( 180 ) 은 P 타입 도전 형 전도 층 일 수 있 으나 이 에 한정 되 는 것 은 아니 다 .