이 와 같이 구성 된 X 선 검출기 ( 1 ) 에서 는 광전 변환 기판 ( 2 ) 의 복수 의 광전 변환 소자 ( 8 ) 가 배열 된 표면 에 제 1 보호 층 ( 31 ) 을 형성 하 고 난 후 , 상기 제 1 보호 층 ( 31 ) 의 표면 에 신 틸레 이터 층 ( 32 ) 을 형성 함 으로써 , 신 틸레 이터 층 ( 32 ) 에 고 휘도 형광 물질 인 CsI 등 의 할로겐 화합물 을 이용 한 경우 에 도 신 틸레 이터 층 ( 32 ) 과 의 접촉 에 의한 광전 변환 소자 ( 8 ) 의 부식 을 방지 할 수 있 다 .