도 1 을 참조 하 면 , RIE 방식 의 반도체 건식 식각 장치 는 , 통상 원판 형상 의 상부 전극 ( 11 ) 및 하부 전극 ( 12 ) 을 진공 상태 의 공정 챔버 ( 10 ) 내 에 평행 하 게 배치 하 고 , 상기 상부 전극 ( 11 ) 및 하부 전극 ( 12 ) 중 의 어느 하나 의 전극 에 RF 파워 를 인가 함 으로써 공정 챔버 ( 10 ) 내부 에 공급 된 반응 가스 를 플 라즈 마 상태 로 형성 한다 . 이 경우 플 라즈 마 상태 의 이온 이 하부 전극 ( 12 ) 상 에 위치 한 웨이퍼 ( W ) 표면 에 수직 으로 입사 됨 으로써 이방성 식각 이 이루어지 게 된다 .