따라서 , 종래 기술 에서 퓨즈 프로그래밍 이후 퓨즈 노출 에 따른 퓨즈 부피 팽창 이나 퓨즈 파괴 시 발생 되 는 데미지 정도 가 심하 여 , 퓨즈 로 사용 할 수 없 었 던 TiN / 텅스텐 막 구조 의 플레이트 전극 으로 퓨즈 를 형성 할 수 있 으므로 , 플레이트 전극 의 전도성 이 증가 되 고 플레이트 전극 에서 의 전압 드롭 ( drop ) 이 감소 되 어 캐 패 시터 의 용량 이 향상 되 게 되 며 , 이 에 따라 반도체 메모리 장치 의 리프 레시 특성 을 향상 시킬 수 있 다 .