그런데 , 태양 복사 에너지 의 스펙트럼 은 주로 가시 영역 을 중심 으로 3000 Å 부근 의 근자외선 영역 에서 최소한 의 수 ㎛ 까지 의 적 외광 이 다 . 즉 , 이 과정 의 에너지 에서 가장 에너지 상호 작용 이 많 은 캐리어 는 , 소위 실리콘 이나 갈륨비소 등 의 반도체 중 의 자유 전자 나 정공 이 된다 . 그런데 , 반도체 에 빛 을 내리쬐 어 불순물 에 트랩 ( trap ) 되 는 전자 를 여기 ( 勵 起 ) 하 거나 , 대간 여기 ( 帶 間 勵 起 ) 에 의해 가전 자대 의 전자 가 전 도대 에 여기 되 면 , 자유 캐리어 가 생기 기 때문 에 전기전도도 가 증가 하 는 현상 을 광전 도 효과 ( Photo - Conductive Effect ) 라 한다 . 도 2 a 또는 2 b 에 도시 된 바 에 의하 면 , 반도체 중 에 내부 전계 E 가 존재 하 는 장소 에서 빛 이 내리쬐 어 전자 - 정공 의 생 성 이 일어나 면 , 빛 으로 생긴 전자 는 전 도 대 주위 전계 에 따라 우측 으로 , 또한 가전자 대중 에 정공 은 좌측 으로 밀리 어 하전 캐리어 의 분극 이 일어나 기 때문 에 , 반도체 의 양측 에 는 전위차 가 생긴다 . 이러 한 현상 을 광기전력 효과 ( photo - voltaic effect ) 라 부른다 . 도 3 a 내지 도 3 c 에 도시 된 바 와 같이 , 단결정 실리콘 ( Si ) 태양 전지 의 구조 ( 도 3 a ) 와 여기 에 빛 이 내리쬐 어 광 생성 캐리어 가 생기 는 상태 ( 도 3 b ) , 그리고 그 캐리어 분극 의 상태 를 에너지 밴드 를 도 3 c 로서 각각 설명 한 것 이 다 . 도 2 a 또는 도 2 b 에 나타낸 것 과 같이 빛 이 내리쬐 어 생긴 전자 - 와 정공 + 은 , 도 3 c 를 보 고 알 수 있 듯이 서로 좌우 로 이동 하 여 양단 의 전극 에 모여 광기 전력 Vph 가 나타난다 . 태양 전지 에 지금 부하 RL 이 연결 되 어 있 는 경우 , p 형 Si 에서 정공 이 n 형 Si 에서 전자 가 부하 쪽 으로 흘러 광전류 Iph 가 각각 도 3 a 와 도 3 b 에 나타난 방향 으로 전류 가 흐른다 .