성막 시 의 기판 온도 나 제 1 가열 처리 의 온도 에 도 의하 지만 , 성막 이나 제 1 가열 처리 에 의해 , 막 표면 으로부터 결정화 가 일어나 고 , 막 의 표면 으로부터 내부 를 향하 여 결정 성장 하 여 , C 축 배향 된 결정 이 얻 어 진다 . 제 1 가열 처리 에 의해 , 아연 과 산소 가 막 표면 에 많이 모여 , 상측 평면 이 육각형 을 이루 는 아연 과 산소 로 이루어지 는 그래핀 타입 의 이차원 결정 이 최 표면 에 1 층 또는 복수 층 형성 되 고 , 이것 이 막 두께 방향 으로 성장 하 여 중첩 적층 으로 된다 . 가열 처리 의 온도 를 올리 면 표면 으로부터 내부 , 그리고 내부 로부터 저부 로 결정 성장 이 진행 된다 .