또한 , 상기 한 목적 을 달성 하 기 위하 여 본 발명 에 따른 폴리 실리콘 박막 트랜지스터 를 이용 한 액정 표시 장치 의 제조 방법 은 , 제 1 , 제 2 , 제 3 영역 으로 정의 된 기판 상 에 반도체 층 을 형성 하 는 단계 ; 상기 제 2 , 제 3 영역 에 대응 된 상기 반도체 층 상 에 불순물 을 주입 하 는 단계 ; 상기 반도체 층 을 포함 한 상기 기판 전면 에 게이트 절 연막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 게이트 절 연막 상 에 게이트 전극 , 게이트 전극 층 및 스토리지 라인 을 형성 하 는 단계 ; 상기 제 1 영역 에 대응 되 는 상기 반도체 층 에 불순물 을 주입 하 는 단계 ; 상기 게이트 전극 을 포함 하 는 상기 기판 전면 에 층간 절 연막 을 형성 하 는 단계 ; 상기 반도체 층 의 소스 영역 및 드레 인 영역 과 각각 연결 되 는 소스 전극 및 드레 인 전극 과 , 상기 게이트 라인 과 교차 되 는 데이터 라인 을 형성 하 는 단계 ; 상기 소스 전극 및 드레 인 전극 을 포함 하 는 상기 기판 전면 에 보호 층 을 형성 하 는 단계 ; 및 상기 드레 인 전극 과 전기 적 으로 연결 되 는 화소 전극 을 형성 하 는 단계 ; 를 포함 하 며 , 상기 제 3 영역 은 화소 영역 의 양측 에 위치 하 며 상기 데이터 라인 과 나란 한 영역 인 것 을 특징 으로 한다 .