도 7 내지 11 을 참조 하 면 , 일 실시 예 에 따른 제조 시스템 은 , 단계 ( S 710 ) 에서 도 8 과 같이 기판 ( 810 ) 의 일부분 ( 811 ) 을 식각 한다 . 특히 , 단계 ( S 710 ) 에서 제조 시스템 은 , 기판 ( 810 ) 의 일부분 ( 811 ) 이 식각 된 공간 ( 812 ) 에 형성 될 소스 라인 ( 1110 ) 이 적어도 하나 의 수직 스트링 ( 1010 ) 에 의해 공통 되 며 사용 가능 하 도록 기판 ( 810 ) 의 일부분 ( 811 ) 을 식각 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 제조 시스템 은 소스 라인 ( 1110 ) 이 적어도 하나 의 수직 스트링 ( 1010 ) 에 의해 공통 되 며 사용 가능 하 도록 기판 ( 810 ) 내 적어도 하나 의 수직 스트링 ( 1010 ) 에 대응 하 는 영역 인 일부분 ( 811 ) 을 식각 할 수 있 다 . 다른 예 를 들 면 , 제조 시스템 은 소스 라인 ( 1110 ) 이 적어도 하나 의 수직 스트링 ( 1010 ) 에 의해 공통 되 며 기판 ( 810 ) 내 임의 의 영역 에서 적어도 하나 의 수직 스트링 ( 1010 ) 과 전기 적 으로 연결 되 도록 상기 임의 의 영역 인 일부분 ( 811 ) 을 식각 할 수 있 다 .