본 발명 의 관점 에서 , 본 발명 의 대표 적 인 구체 예 는 기판 의 표면 으로부터 서브 마이크 론 입자 를 세정 하 는 방법 이 다 . 본 방법 은 기판 의 표면 을 , 폴리 카르복실 레이트 폴리머 , 예 를 들 어 화학식 1 내지 화학식 6 에 대하 여 상기 기술 된 폴리 카르복실 레이트 호모 폴리머 또는 코 폴리머 중 하나 ( 또는 화학식 7 내지 화학식 9 에 대하 여 상기 기술 된 에 톡 실화 된 폴리아민 , 또는 에 톡 실화 된 4 차 화 디아민 ) 를 포함 하 는 세정 용액 과 접촉 시키 는 단계 를 포함 한다 . 일반 적 으로 , 기판 은 전자 기판 으로서 , 이 는 반도체 웨이퍼 또는 저장 매체 , 예 를 들 어 하드 디스크 , 또는 웨이퍼 또는 저장 매체 의 제작 시 에 사용 되 는 기판 , 예 를 들 어 포토 마스크 또는 임프 린트 몰드 , 또는 재생 / 기록 해 드 어셈블리 부품 인 것 을 의미 한다 . 상기 방법 은 단일 기판 또는 하나 를 초과 하 는 기판 을 한 번 에 세정 하 기 위해 사용 될 수 있 다 . 본 방법 에서 의 임의 단계 는 세정 용액 을 표면 과 접촉 시키 는 동안 에 세정 용액 에 음향 에너지 를 가하 는 것 이 다 . 본 방법 에서 의 다른 추가 적 인 임의 단계 는 표면 을 , 표면 을 린 싱 시키 는 동안 린 싱 용액 에 음향 에너지 를 가하 거나 가하 지 않 으면서 , 린 싱 용액 , 예 를 들 어 수용액 으로 린 싱 시킴 으로써 표면 으로부터 세정 용액 을 제거 하 는 것 이 다 . 이러 한 문맥 에서 , 음향 에너지 는 임의 의 적절 한 주파수 의 음향 에너지 , 예 를 들 어 초음파 에너지 또는 메 가 소닉 에너지 를 의미 한다 .