도 5 에 예시 된 발광 제어 시프트 레지스터 유닛 ( EGOA ) 내 의 트랜지스터 들 은 모두 P 형 트랜지스터 들 을 예 로서 사용 하 여 설명 된다 . 이 경우 , 제 1 전극 은 소스 전극 일 수 있 고 , 제 2 전극 은 드레 인 전극 일 수 있 다 . 본 개시 내용 의 실시 예 들 은 도 5 의 구성 을 포함 하 지만 이 에 제한 되 지 않 는다 . 예 를 들 어 , 발광 제어 시프트 레지스터 유닛 ( EGOA ) 내 의 트랜지스터 들 은 또한 선택 된 타입 들 의 트랜지스터 들 의 포트 극성 들 이 본 개시 내용 의 실시 예 들 에서 대응 하 는 트랜지스터 들 의 포트 극성 들 에 따라 대응 적 으로 접속 되 는 한 , P 형 트랜지스터 들 과 N 형 트랜지스터 들 의 혼합 을 채택 할 수 있 다 .