상기 한 목적 을 달성 하 기 위한 일 측면 에 따른 본 발명 은 , 기판 상 에 게이트 절 연막 , 제 1 도 전막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 제 1 도 전막 , 상기 게이트 절 연막 및 상기 기판 을 식각 하 여 트렌치 를 형성 하 는 단계 와 , 상기 트렌치 가 매립 되 도록 소자 분리 막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 소자 분리 막 상 에서 이웃 하 는 것 끼리 서로 분리 되 도록 상기 제 1 도 전막 상 에 제 2 도 전막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 제 2 도 전막 상 에 유전체 막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 유전체 막 상 에 제 3 도 전막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 유전체 막 을 종말점 으로 이용 한 종말점 검출 방식 으로 상기 제 3 도 전막 을 식각 하 는 단계 와 , 상기 제 3 도 전막 식각 에 의해 노출 되 는 상기 유전체 막 을 식각 하 는 단계 와 , 상기 제 1 및 제 2 도 전막 을 식각 하 는 단계 를 포함 하 는 비휘발성 메모리 소자 의 제조 방법 을 제공 한다 .