제 1 층간 절연 층 ( 113 ) 상 에 스토리지 커패시터 ( 140 ) 의 제 2 커패시터 전극 ( 142 ) 이 배치 될 수 있 다 . 제 2 커패시터 전극 ( 142 ) 은 몰리브덴 ( Mo ) , 구리 ( Cu ) , 티타늄 ( Ti ) , 알루미늄 ( Al ) 크롬 ( Cr ) , 금 ( Au ) , 니켈 ( Ni ) , 및 네오디뮴 ( Nd ) 중 어느 하나 또는 이 들 의 합금 으로 이루어진 단일 층 또는 다 중층 으로 형성 될 수 있 다 . 제 2 커패시터 전극 ( 142 ) 은 제 1 커패시터 전극 ( 141 ) 과 중첩 되 도록 제 1 층간 절연 층 ( 113 ) 상 에 형성 될 수 있 다 . 그리고 , 제 2 커패시터 전극 ( 142 ) 은 제 1 커패시터 전극 ( 141 ) 과 동일 한 물질 로 형성 될 수 있 다 . 제 2 커패시터 전극 ( 142 ) 은 표시 장치 ( 100 ) 의 구동 특성 과 박막 트랜지스터 의 구조 및 타입 등 에 기초 하 여 생략 될 수 도 있 다 .