다음 에 도 2 f 를 참조 하 면 , 패드 질화 막 패턴 ( 212 ) 을 배리 어 막 으로 패드 산화 막 ( 210 ) 의 노출 영역 및 반도체 기판 ( 200 ) 을 식각 하 는 제 1 식각 공정 을 진행 하 여 반도체 기판 ( 200 ) 상 에 제 1 트렌치 ( 214 ) 를 형성 한다 . 여기 서 제 1 트렌치 ( 212 ) 는 벌브 ( bulb ) 타입 의 리세 스 채널 용 트렌치 의 목 ( neck ) 부분 에 해당 하 며 , 600 - 1200 Å 의 깊이 를 갖 도록 형성 한다 . 이때 활성 영역 상 의 패드 질화 막 패턴 ( 212 ) 과 트렌치 소자 분리 막 ( 206 ) 이 제 1 트렌치 ( 214 ) 형성 시 식각 선택 비 에 따라 일부 가 제거 되 어 패드 질화 막 패턴 ( 212 ) 의 두께 ( d 2 ) 가 초기 증착 한 두께 ( d 1 ) 보다 낮 아 지 면서 종래 와 동일 하 거나 그 이상 , 예컨대 600 - 1000 Å 의 두께 의 패드 질화 막 패턴 ( 212 ) 및 트렌치 소자 분리 막 ( 206 ) 이 남 아 있 게 된다 . 이 에 따라 활성 영역 과 소자 분리 영역 ( Field Oxide : FOX ) 사이 에 발생 하 는 단차 ( Effective FOX Hight : EFH ) 가 증가 하 는 것 을 방지 할 수 있 다 .