종래 의 HDP CVD 방법 은 , 도 1 의 ( a ) -( e ) 에 도시 된 바 와 같이 , 증착 과정 과 식각 과정 을 반복 하 여 갭 을 충전 하 고 있 는데 , 매우 작 은 회로 선폭 ( Critical Dimension : CD ) 을 갖 는 반도체 소자 의 갭 의 경우 는 보이드 ( 14 ) 의 형성 으로 인하 여 완벽히 충전 되 지 못하 는 문제 가 있 었 다 .