도 12 는 , 본 개시 의 제 3 실시 형태 의 변형 예 에 관한 반도체 장치 ( 반도체 장치 ( 5 ) 의 개략 구성 을 나타낸 것 이 다 . 도 13 은 , 도 12 에 나타낸 반도체 장치 ( 5 ) 의 구체 적 인 단면 구성 의 일례 를 나타낸 것 이 다 . 본 변형 예 에서 는 , 제 1 기판 ( 400 ) 의 면 S 3 과 는 반대 측 의 면 S 4 측 에 , 예 를 들 어 안테나 ( 920 ) 를 마련 한 것 이 다 . 또한 , 제 1 기판 ( 400 ) 의 면 S 3 측 에 마련 된 트랜지스터 ( 90 ) 와 , 면 S 4 측 에 마련 된 안테나 ( 920 ) 사이 에 는 , 실드 구조 ( 실드 층 ( 910 ) ) 가 마련 되 어 있 다 .