반도체 막 ( 1 a ) 의 상층 에 는 , 실리콘 산화 막 , 실리콘 질화 막 , 또는 그 들 의 적층 막 으로 이루어지 는 게이트 절 연막 ( 2 ) 이 형성 되 고 , 게이트 절 연막 ( 2 ) 의 상층 에 는 , 주사선 ( 3 a ) 의 일부 가 게이트 전극 으로서 겹쳐져 있 다 . 본 실시 예 에서 는 , 반도체 막 ( 1 a ) 이 ㄷ 자 형상 으로 굴곡 하 고 있 고 , 게이트 전극 이 채널 방향 에서 의 2 개소 로 형성 된 트윈 게이트 구조 로 되 어 있 다 .