본 실시 의 첫 단계 는 Ge 또는 SiGe 층 을 도너 기판 상 에 증착 시킨다 . 임계 두께 미만 의 이러 한 층 은 압축 변형 된다 . 이 는 다른 공지 된 방법 과 대조 적 인데 상기 공지 된 방법 에서 SiGe 의 등급 조성 두께 버퍼 층 이 실질 적 으로 비 - 변형 된 형태 로 증착 되 고 그 후 일정 한 조성 의 비 - 변형 된 SiGe 의 층 이 증착 되 며 이 는 후속 하 여 활성 실리콘 층 을 변형 시키 기 위하 여 사용 될 것 이 다 . 이러 한 종래 구조 체 는 등급 SiGe 버퍼 층 으로부터 야기 된 불가피 한 전이 ( dislocation ) 를 완화 시킨다 . 본 실시 에서 , 거의 또는 전혀 전이 가 없 는데 왜냐하면 Ge 또는 SiGe 두께 가 의도 적 으로 임계 두께 미만 이 어서 구체 적 으로 전이 를 최소 화 또는 제거 한다 . 도너 Ge 또는 SiGe 층 이 준비 된 이후 , 이 는 수용 웨이퍼 에 결합 되 는데 , 상기 수용 웨이퍼 는 실리콘 기판 상의 SiO 2 ( 또는 다른 절연체 ) 의 층 으로 구성 된다 . 공정 은 스마트 컷 공정 과 같 은 공지 된 방법 을 사용 하 여 수용 기판 으로부터 박 형 활성 실리콘 층 을 제외 한 모두 를 제거 하 여 진행 한다 .