BOX 층 의 상단 상 의 실리콘 층 이 약 50 nm 보다 더 두꺼운 경우 , 실리콘 층 은 CMOS 트랜지스터 의 정상 적 인 작동 에서 완전 하 게 공핍 ( depleted ) 되 지 않 을 것 이 다 . 이러 한 웨이퍼 는 부분 - 공핍 형 SOI 로 알려져 있 다 . BOX 층 의 상단 상 의 실리콘 층 이 약 50 nm 보다 더 얇 은 경우 , 실리콘 층 은 CMOS 트랜지스터 의 정상 적 인 작동 에서 완전 하 게 공핍 될 수 있 으며 , 이러 한 웨이퍼 는 완전 - 공핍 형 SOI ( 또 한 초 박형 바디 SOI ) 로 알려져 있 다 . 초 박형 SOI 내 에서 제조 된 초 박형 바디 , 완전 공핍 된 MOSFET 는 여러 유리 한 특징 을 가지 며 이 들 각각 은 개선 된 트랜지스터 및 집 적 회로 성능 에 기여 하 며 , 여기 에 는 반도체 바디 도핑 에 대한 낮 은 민감 도 , 낮 은 소스 및 드레 인 접합 커패시턴스 , 이웃 하 는 MOSFET 사이 의 개선 된 전기 절연 및 단락 채널 효과 의 개선 된 제어 가 포함 된다 .