도 2 를 참조 하 면 , 기판 ( 100 ) 상 에 반도체 층 들 ( 210 - 230 ) 이 위치 한다 . 기판 ( 100 ) 은 절연 또는 도전 성 기판 일 수 있 다 . 기판 ( 100 ) 은 사파이어 ( Al 2 O 3 ) , 탄화 실리콘 ( SiC ) , 산화아연 ( ZnO ) , 실리콘 ( Si ) , 갈륨비소 ( GaAs ) , 갈륨 인 ( GaP ) , 리튬 - 알루미나 ( LiAl 2 O 3 ) , 질화붕소 ( BN ) , 질화알루미늄 ( AlN ) 또는 질화 갈륨 ( GaN ) 기판 일 수 있 으나 , 이 에 한정 되 는 것 은 아니 며 , 기판 ( 100 ) 상 에 형성 될 반도체 층 의 물질 에 따라 다양 하 게 선택 될 수 있 다 . 또한 , 기판 ( 100 ) 은 그 상부 면 및 / 또는 하 부면 이 패 터닝 된 기판 일 수 있 다 .