다시 도 2 a 및 도 12 a 를 참조 하 면 , 예비 게이트 구조물 들 ( 162 , 164 , 166 , 168 ) 을 이온 주입 마스크 로 사용 하 여 제 1 불순물 을 기판 ( 100 ) 상부 에 주입 한다 . 이 에 따라 , 예비 게이트 구조물 들 ( 162 , 164 , 166 , 168 ) 에 인접 한 기판 ( 100 ) 상부 에 각각 제 1 , 제 2 , 제 3 및 제 4 불순물 영역 들 ( 101 , 103 , 105 , 107 a ) 이 형성 된다 . 구체 적 으로 , 제 1 예비 게이트 구조물 들 ( 162 ) 에 인접 한 기판 ( 100 ) 상부 에 제 1 불순물 영역 ( 101 ) 이 형성 되 고 , 제 2 예비 게이트 구조물 ( 164 ) 외곽 의 기판 ( 100 ) 상부 에 제 2 불순물 영역 ( 103 ) 이 형성 되 며 , 제 3 예비 게이트 구조물 ( 166 ) 외곽 의 기판 ( 100 ) 상부 에 제 3 불순물 영역 ( 105 ) 이 형성 되 고 , 제 4 예비 게이트 구조물 ( 168 ) 에 인접 한 기판 ( 100 ) 상부 에 제 4 불순물 영역 ( 107 a ) 이 형성 된다 .