그러나 , 전술 한 일반 적 인 방법 으로 제조 된 비트 라인 ( bit - line ) 은 금속 배선 의 폭 이 넓 기 때문 에 일반 적 인 형성 공정 으로 제조 된 텅스텐 ( W ) 막 으로 도 충분히 만족 할 만 한 비트 라인 배선 저항 을 얻 을 수 있 었 지만 , 반도체 소자 가 점점 소형 화 , 고집 적 화 됨 에 따라 디자인 룰 ( Design Rule ) 에 따른 비트 라인 배선 의 폭 또한 점점 감소 하 여 비트 라인 배선 의 저항 증가 를 유발 한다 .