테스트 회로 ( 204 ) 는 프로그래밍 전 에 메모리 어레이 ( 206 ) 의 하나 이상 의 셀 들 을 테스트 하 도록 구성 될 수 도 있 다 . 예 를 들 어 , 프로그램 전압 을 제 1 원 타임 프로그램 가능 셀 ( 208 ) 의 제 1 저항 메모리 엘리먼트 ( 212 ) 에 인가 하 기 전 , 기입 전압 이 제 1 저항 메모리 엘리먼트 ( 212 ) 에 인가 되 어 가역 값 을 제 1 원 타임 프로그램 가능 셀 ( 208 ) 에 저장 할 수 도 있 다 . 기입 전압 을 제 1 저항 메모리 엘리먼트 ( 212 ) 에 인가 한 후 , 제 1 저항 메모리 엘리먼트 ( 212 ) 가 판독 되 어 , 제 1 원 타임 프로그램 가능 셀 ( 208 ) 의 동작 을 테스트 할 수 도 있 다 . 대안 적 으로 , 프로그램 전압 을 제 1 원 타임 프로그램 가능 셀 ( 208 ) 의 제 2 저항 메모리 엘리먼트 ( 214 ) 에 인가 하 기 전 , 기입 전압 이 제 2 저항 메모리 엘리먼트 ( 214 ) 에 인가 되 어 가역 값 을 제 1 원 타임 프로그램 가능 셀 ( 208 ) 에 저장 할 수 도 있 다 . 기입 전압 을 제 2 저항 메모리 엘리먼트 ( 214 ) 에 인가 한 후 , 제 2 저항 메모리 엘리먼트 ( 214 ) 가 판독 되 어 , 제 1 원 타임 프로그램 가능 셀 ( 208 ) 의 동작 을 테스트 할 수 도 있 다 .