이어서 , 상기 제 어부 ( 24 ) 를 조정 하 여 상기 스테이지 ( 12 ) 와 상기 제 1 전극 ( 14 ) 에 고주파 에너지 를 인가 시킨다 . 동시 에 상기 제 어부 ( 24 ) 를 조정 하 여 상기 하부 - 제 2 전극 ( 16 ) 과 상기 상부 - 제 2 전극 ( 18 ) 은 접지 시킨다 . 즉 , 도 1 에 도시 된 바 와 같 은 구성 을 갖 도록 전기 적 으로 연결 시킨다 . 아울러 , 상기 제 1 반응 가스 제 공부 ( 26 ) 를 통하 여 상기 상부 - 제 2 전극 ( 18 ) 과 제 1 절연체 ( 20 ) 사이 의 공간 ( 65 ) 으로 반응 가스 를 제공 한다 . 그러면 , 상기 반응 가스 는 상기 공간 ( 65 ) 을 통하 여 상기 반도체 기판 ( W ) 의 가장자리 상부 , 측면 및 하부 로 제공 된다 .