도 2 a 를 참조 하 면 , 상기 필름 ( 22 ) 은 기판 ( 18 ) 의 표면 ( 18 A ) 상 에 증착 되 는 것 으로 도시 되 나 , 상기 필름 ( 22 ) 은 모든 표면 ( 예 를 들 어 , 기판 ( 18 ) 의 측면 또는 하 면 ) 에 적용 될 수 있 는 것 으로 이해 될 것 이 다 . 상기 필름 ( 22 ) 은 스퍼터링 , 드럼 코팅 , 분자 빔 에피택시 , 전자 빔 증발 , 펄스 레이저 증착 , 음극 아크 증착 , 전기 유체 역학 증착 , 기타 적용 기술 또는 이 들 의 조합 에 의해 표면 ( 18 A ) 에 적용 될 수 있 다 . 상기 필름 ( 22 ) 은 약 0 . 01 nm / s , 0 . 1 nm / s , 0 . 2 nm / s , 0 . 3 nm / s , 0 . 4 nm / s , 0 . 5 nm / s , 0 . 6 nm / s , 0 . 7 nm / s , 0 . 8 nm / s , 0 . 9 nm / s 이상 , 또는 약 1 . 0 nm / s 이상 의 증착 속도 에서 적용 될 수 있 다 . 상기 필름 ( 22 ) 은 약 10 nm 내지 약 5 nm , 약 100 nm 내지 약 4 ㎛, 약 150 nm 내지 약 3 ㎛, 또는 약 200 nm 내지 약 2 ㎛ 의 두께 를 가질 수 있 다 . 상기 필름 ( 22 ) 은 기판 ( 18 ) 의 표면 ( 18 A ) 을 가로지르 는 두께 에서 달라질 수 있 다 . 도시 된 실시 예 에서 , 상기 필름 ( 22 ) 은 단일 층 이나 , 다른 실시 예 에서 , 이하 에 제공 되 는 바 와 같이 , 상기 필름 ( 22 ) 은 복수 의 층 으로 형성 될 수 있 다 . 상기 필름 ( 22 ) 은 원소 들 알루미늄 ( Al ) , 질소 ( N ) , 및 산소 ( O ) 를 포함 할 수 있 다 . 상기 필름 ( 22 ) 은 또한 소량 ( 예 를 들 어 , 약 1 . 0 원자 % 이하 ) 의 붕소 ( B ) 및 / 또는 실리콘 ( Si ) 을 본원 에 제공 된 교시 를 벗어나 지 않 고 포함 할 수 있 는 것 으로 이해 될 것 이 다 . 상기 필름 ( 22 ) 은 화합물 AlN , AlON , Al 2 O 3 및 AlON 및 이 들 의 조합 을 포함 할 수 있 다 . 상기 원소 들 Al , N 및 O 및 화합물 들 AlN , AlON 및 Al 2 O 3 는 실질 적 으로 동시 에 , 교호 의 층 에서 또는 이 들 의 조합 으로 증착 될 수 있 다 . 또한 , 일부 원소 및 화합물 들 은 하나 이상 의 다른 원소 들 또는 화합물 들 과 의 조합 으로 증착 될 수 있 다 .