반도체 층 이 In - M - Zn 산화물 인 경우 , 상기 In - M - Zn 산화물 에서 의 In 의 원자 수비 는 M 의 원자 수비 이상 인 것 이 바람직 하 다 . 이러 한 In - M - Zn 산화물 의 금속 원소 의 원자 수비 로서 는 In : M : Zn = 1 : 1 : 1 또는 그 근방 의 조성 , In : M : Zn = 1 : 1 : 1 . 2 또는 그 근방 의 조성 , In : M : Zn = 2 : 1 : 3 또는 그 근방 의 조성 , In : M : Zn = 3 : 1 : 2 또는 그 근방 의 조성 , In : M : Zn = 4 : 2 : 3 또는 그 근방 의 조성 , In : M : Zn = 4 : 2 : 4 . 1 또는 그 근방 의 조성 , In : M : Zn = 5 : 1 : 3 또는 그 근방 의 조성 , In : M : Zn = 5 : 1 : 6 또는 그 근방 의 조성 , In : M : Zn = 5 : 1 : 7 또는 그 근방 의 조성 , In : M : Zn = 5 : 1 : 8 또는 그 근방 의 조성 , In : M : Zn = 6 : 1 : 6 또는 그 근방 의 조성 , In : M : Zn = 5 : 2 : 5 또는 그 근방 의 조성 등 을 들 수 있 다 . 또한 근방 의 조성 이란 , 원 하 는 원자 수비 의 ± 30 % 의 범위 를 포함 한 것 이 다 .