보다 구체 적 으로 는 , 예 를 들 어 , PVD 법 에 의해 개구 를 포함 하 는 영역 에 티 탄막 을 얇 게 형성 하 고 , CVD 법 에 의해 질화 티 탄막 을 얇 게 형성 한 후 에 , 개구 에 묻 도록 텅스텐 막 을 형성 하 는 방법 을 적용 할 수 있 다 . 여기 에서 , PVD 법 에 의해 형성 되 는 티 탄막 은 , 계면 의 산화 막 을 환원 하 고 , 하부 전극 층 ( 여기 에서 는 , 소스 층 ( 130 a ) , 드레 인 층 ( 130 b ) 등 ) 과 의 접촉 저항 을 저감 시키 는 기능 을 가진다 . 또 , 그 후 에 형성 되 는 질화 티 탄막 은 , 도전 성 재료 의 확산 을 억제 하 는 배리 어 기능 을 구비 한다 . 또 , 티탄 이나 질화 티탄 등 에 의한 배리 어막 을 형성 한 후 에 , 도금 법 에 의해 구리 막 을 형성 해도 좋 다 .