도 1 및 도 2 를 참조 하 면 , 종래 반도체 메모리 에서 퓨즈 박스 가 증가 하 면 , 퓨즈 박스 와 퓨즈 박스 사이 에 공간 이 줄어들 어 신호선 이나 전원 선 이 지나갈 공간 이 부족 하 게 된다 . 이 와 같이 퓨즈 박스 에 삽입 되 는 퓨즈 가 증가 하 여 반도체 메모리 의 일 방향 으로 면적 이슈 ( Issue ) 가 발생 되 는 문제점 을 해결 하 기 위하 여 퓨즈 를 2 단 이상 으로 적층 하 여 배열 하 는 방법 이 사용 되 고 있 다 .