이 어 , 도 22 및 도 23 을 참조 하 면 , 제 2 포토 레지스 트 ( PR 2 ) 및 제 3 포토 레지스 트 ( PR 3 ) 를 따라 산화물 층 ( 370 '), 제 1 절 연막 ( 130 ') 및 제 2 절 연막 ( 150 ') 을 일부 식각 하 여 제 1 산화물 층 ( 370 ) , 제 1 게이트 절 연막 ( 130 ) 및 제 1 층간 절 연막 ( 150 ) 을 형성 한다 . 제 2 절 연막 ( 150 ') 은 제 2 포토 레지스 트 ( PR 2 ) 를 따라 상면 일부 가 식각 됨 으로써 제 1 층간 절 연막 ( 150 ) 을 형성 할 수 있 다 . 산화물 층 ( 370 ') 과 제 1 절 연막 ( 130 ') 은 제 3 포토 레지스 트 ( PR 3 ) 를 따라 식각 됨 으로써 각각 제 1 산화물 층 ( 370 ) 과 제 1 게이트 절 연막 ( 130 ) 을 형성 할 수 있 다 . 제 1 게이트 절 연막 ( 130 ) 은 제 1 산화물 층 ( 370 ) 과 제 1 활성 층 ( 350 ) 사이 , 및 제 1 층간 절 연막 ( 150 ) 과 제 2 활성 층 ( 450 ) 하부 에 배치 될 수 있 다 .