제 2 공정 에서 는 , 후술 하 는 표 6 에 나타내 는 것 과 같이 , 시료 1 및 시료 5 의 라멜라 층 에 대하 여 , 조건 C 1 을 이용 함 으로써 Al 리치 층 을 얻 었 다 . 시료 2 및 시료 6 ∼ 시료 8 의 라멜라 층 에 대하 여 , 조건 C 2 를 이용 함 으로써 Al 리치 층 을 얻 었 다 . 시료 3 , 시료 9 및 시료 10 의 라멜라 층 에 대하 여 , 조건 C 3 을 이용 함 으로써 Al 리치 층 을 얻 었 다 . 시료 11 의 라멜라 층 에 대하 여 , 조건 C 4 를 이용 함 으로써 Al 리치 층 을 얻 었 다 . 시료 12 ∼ 시료 13 의 라멜라 층 에 대해서 는 제 2 공정 을 행하 지 않 았 다 . 시료 14 의 PVD 로 형성 한 AlTiN 막 에 대하 여도 제 2 공정 을 행하 지 않 았 다 . 단 , 시료 15 의 PVD 로 형성 한 AlTiN 막 에 대해서 는 , 조건 C 1 을 이용 하 여 승 온 , 어닐링 및 냉각 의 열처리 를 행했 다 . 여기 서 , 시료 1 에 있 어서 의 Al 리치 층 중 의 경질 입자 의 투과 전자 현미 경상 을 도 3 에 도시 한다 . 투과 전자 현미경 에 는 상품명 : 「 JEM - 2100 F ( 닛폰 덴 시 가 부시 키 가 이샤 제조 ) 」 을 이용 했 다 .