본 발명 에 의한 질화 실리콘 층 ( 201 ) 의 막 밀도 는 약 2 . 5 내지 2 . 7 g / cm 3 인 것 이 바람직 하 다 . 질화 실리콘 층 ( 201 ) 의 막 밀도 는 질화 실리콘 층 ( 201 ) 막내 수소 원자 함유량 에 의존 한다 . 질화 실리콘 층 ( 201 ) 의 막내 수소 원자 함유량 은 약 13 % 내지 17 % 인 경우 , 질화 실리콘 층 의 막 밀도 가 약 2 . 5 내지 2 . 7 g / cm 3 를 나타낼 수 있 다 . 한편 , 질화 실리콘 층 ( 201 ) 의 막 밀도 가 약 2 . 5 g / cm 3 미만 인 경우 , 질화 시리 콘 층 ( 201 ) 은 박막 트랜지스터 및 전자 소자 를 향해 산소 및 수분 을 비롯 한 불순 원소 가 침투 하 는 것 을 막 는 기능 이 급격히 감소 한다 . 반면 , 질화 실리콘 층 ( 201 ) 의 막 밀도 가 약 2 . 7 g / cm 3 초과 인 경우 는 막내 수소 원자 함유량 이 약 13 내지 17 % 인 경우 도출 되 기 힘들 다 .