본 단계 의 절연성 반도체 박막 ( 120 ) 의 일부 제거 공정 은 다음 단계 ( 도 2 의 단계 ( g ) , 즉 , 소스 영역 ( 112 ) 및 드레 인 영역 ( 114 ) 의 형성 단계 ) 의 전제 단계 로서 진행 되 는 것 이 므로 , 절연성 반도체 박막 ( 120 ) 중 일부 제거 되 는 부분 은 반도체 기판 ( 110 ) 중 소스 영역 ( 112 ) 및 드레 인 영역 ( 114 ) 이 형성 될 부분 에 대응 되 는 부분 인 것 이 바람직 하 다 . 또한 이때 , 절연성 반도체 박막 ( 120 ) 의 일부 제거 공정 에 는 건식 식각법 ( dry etching ) 등 을 포함 하 여 특별 한 제한 없이 다양 한 식각 방법 이 이용 될 수 있 다 .