그러나 종래 기술 에 의하 면 , 플래시 기억 소자 의 플로팅 게이트 로서 단층 구조 의 폴리 실리콘 박막 을 사용 하 였 다 . 따라서 , 종래 의 플래시 기억 소자 의 경우 에 는 각각 의 상태 ( 준위 ) 를 기억 시키 기 위해 단층 의 폴리 실리콘 박막 안 에 포획 되 는 전자 의 수 를 정교 하 게 조절 하 여야 하 는 이유 로 기억 소자 의 동작 을 제어 하 기 위한 구동 회로 가 매우 복잡 해 지 는 문제점 이 있 었 다 . 또한 , 플래시 기억 소자 의 집적도 를 높 이기 위해 소자 의 크기 및 소자 간 의 간격 을 작 게 제작 하 는 경우 , 각 기억 소자 간 의 상호 간섭 으로 인해 소자 에 저장 된 기억 상태 가 달라지 게 됨 으로써 제작 된 기억 소자 에 있 어 그 재현 성 이 극히 저하 되 는 문제점 이 있 었 다 .