이상 에서 설명 한 바 와 같이 , 본 발명 에서 는 반도체 소자 의 구리 배선 형성 방법 에 있 어서 , 반도체 구리 배선 형성 시 구리 의 확산 성 으로 인해 구리 배선 막 이 알루미늄 패드 막 으로 확산 되 는 것 을 방지 시키 기 위해 구리 배선 막 상부 의 알루미늄 패드 막 구조 를 TiSiN / Ti / Al / Ti / TiN 의 적층 구조 로 변경 함 으로써 , 구리 배선 의 알루미늄 으로 의 확산 을 방지 시키 며 , 이 에 따라 반도체 소자 의 내구 성 을 개선 시켜 반도체 소자 의 신뢰 성 을 향상 시킬 수 있 는 이점 이 있 다 .