박리 층 형성 공정 에서 는 개질 부 형성 가공 에 이어서 , 크랙 ( 20 ) 의 폭 을 초과 하 지 않 는 범위 에서 , 잉곳 ( 2 ) 과 집 광점 ( FP ) 을 상대 적 으로 인덱스 이송 한다 . 도시 한 실시 형태 에서 는 인덱스 이송 에 있 어서 , 크랙 ( 20 ) 의 폭 을 초과 하 지 않 는 범위 에서 , 집 광점 ( FP ) 을 이동 시키 지 않 고 집 광점 ( FP ) 에 대해 척 테이블 ( 14 ) 을 Y 방향 이동 수단 에 의해 Y 방향 으로 소정 인덱스 량 ( Li ) 만큼 인덱스 이송 하 고 있 다 . 그리고 , 개질 부 형성 가공 과 인덱스 이송 을 교대 로 반복 함 으로써 , X 방향 을 따라 연속 적 으로 연장 되 는 개질 부 ( 18 ) 를 Y 방향 으로 인덱스 량 ( Li ) 의 간격 을 두 고 복수 형성 함 과 함께 , Y 방향 에 있 어서 인접 하 는 크랙 ( 20 ) 과 크랙 ( 20 ) 을 연결 시킨다 . 이 로써 , 제 1 면 ( 4 ) 으로부터 생성 해야 할 웨이퍼 의 두께 에 상당 하 는 깊이 에 , SiC 가 Si 와 C 로 분리 된 개질 부 ( 18 ) 와 개질 부 ( 18 ) 로 부터 c 면 에 등방 적 으로 형성 되 는 크랙 ( 20 ) 으로 이루어지 는 , 잉곳 ( 2 ) 으로부터 웨이퍼 를 박리 하 기 위한 박리 층 ( 22 ) 을 형성 할 수 있 다 . 또한 , 박리 층 형성 공정 에서 는 , 개질 부 형성 가공 과 인덱스 이송 을 교대 로 반복 함 으로써 , 잉곳 ( 2 ) 의 동일 부분 에 개질 부 형성 가공 을 복수 회 ( 예 를 들 어 4 회 ) 실시 해도 된다 .