한편 , 일반 적 인 반도체 소자 의 경우 , 발광 구조물 에서 발생 된 열 에 의하 여 전력 변환 효율 ( PCE : Power Conversion Efficiency ) 이 많이 저하 되 는 것 으로 알려져 있 다 . 그리고 , 하부 에 배치 된 기판 을 통해 발광 구조물 에 전원 이 제공 되 는 경우 , 일반 적 으로 기판 을 통해 열 방출 이 수행 된다 . 그런데 , 기판 의 열 전도 율 이 낮 은 편 이 므로 발광 구조물 에서 발생 된 열 을 외부 로 방출 하 는 데 어려움 이 있 다 . 예 로서 , GaAs 기판 의 경우 열전도 율 이 52 W / ( m * K ) 로서 낮 은 것 으로 알려져 있 다 .