즉 , 오버 드라이빙 동작 을 수행 하 는 반도체 메모리 장치 의 액티브 완료 시간 이 기준 액티브 완료 시간 보다 길 경우 타 겟 레벨 보다 낮 은 레벨 의 비트 라인 프리 차지 전압 ( VBLP ) 을 생성 하 여 프리 차지 완료 시간 ( tRP ) 를 줄인다 . 결국 , 줄어든 프리 차지 완료 시간 ( tRP ) 으로 인해 액티브 완료 시간 ( tRC ) 까지 줄어든다 .