구체 적 으로 , 리세 스 된 제 2 절 연막 ( 318 ) 을 포함 하 는 반도체 기판 ( 300 ) 상 에 스 페이서 막 을 증착 한다 . 스 페이서 막 은 이후 플로팅 게이트 전극 측면 을 보호 하 는 윙 스 페이서 를 형성 한다 . 여기 서 스 페이서 막 은 고온 열 산화 막 ( HTO ; High thermal oxide ) 또는 TEOS 막 ( Tetra ethyl oxide silicon ) 을 포함 하 여 10 - 1000 Å 의 두께 로 형성 할 수 있 다 . 다음 에 스 페이서 막 을 선택 적 으로 식각 하 여 하드 마스크 막 패턴 ( 308 ) 의 측면 일부 및 제 2 절 연막 ( 318 ) 을 덮 는 윙 스 페이서 ( 320 ) 를 형성 한다 .