스 페이서 재료 퇴적 을 위한 방법 은 예 를 들 어 , 실리콘 전구체 를 이용 한 자기 - 제한 퇴적 , 및 각각 실리콘 산화물 및 질화물 을 형성 하 기 위한 산소 또는 질소 전구체 에 의 후속 노출 을 사용 하 는 원자 층 퇴적 을 포함 한다 . 일부 실시 예 에서 , 실리콘 산화물 을 형성 하 기 위해 , 실리콘 할로겐 화합물 , 이를테면 실리콘 헥사 클로 로디 실란 ( HCD ) 은 H 2 O 와 같 은 산소 전구체 와 교호 펄스 로 유입 된다 . ALD 는 비교 적 낮 은 온도 , 예 를 들 어 약 200 ℃ 이하 또는 약 100 ℃ 이하 에서 실행 될 수 있 는데 , 이것 은 포토레지스트 및 비정질 탄소 층 과 같 은 하부 탄소 기반 재료 에 대한 열 변형 을 방지 하 는 장점 이 있 다 . 그 외 다른 실시 예 에서 , 화학 기상 증착 은 실리콘 산화물 을 형성 하 기 위해 , 예 를 들 어 O 3 및 TEOS 를 사용 하 여 스 페이서 재료 를 퇴적 시키 기 위해 사용 된다 .