도 3 을 참조 하 면 , 반도체 기판 ( 200 ) 위 에 게이트 스택 ( 210 ) 을 형성 한다 . 게 이트 스택 ( 210 ) 은 게이트 절 연막 ( 202 ) , 도전 막 ( 204 ) , 금속 막 ( 206 ) 및 하드 마스크 막 ( 208 ) 이 적층 된 구조 로 이루어진다 . 여기 서 게이트 절 연막 ( 202 ) 은 산화 막 으로 형성 할 수 있 고 , 도전 막 ( 204 ) 은 폴리 실리콘 막 으로 형성 할 수 있 다 . 또한 , 금속 막 ( 206 ) 은 텅스텐 막 또는 텅스텐 실리사이드 막 으로 형성 할 수 있 고 하드 마스크 막 ( 208 ) 은 질화 막 으로 형성 할 수 있 다 . 그러나 반드시 이 에 한정 되 는 것 은 아니 며 , 이 와 유사 한 다른 막 으로 이루어질 수 도 있 다 .