도 6 은 반도체 소자 의 제 5 실시 예 를 도시 하고 있 다 . 반도체 소자 제조 동안 에 , 에칭 정지 층 ( 90 ) 이 패 시베이 션 층 ( 32 ) 전 에 기판 ( 30 ) 상 에 증착 되 고 , 그것 에 의해 기판 ( 30 ) 과 패 시베이 션 층 ( 32 ) 사이 에 존재 한다 . 기판 ( 30 ) 의 에칭 및 제거 동안 에 , 에칭 정지 층 ( 90 ) 은 기판 ( 30 ) 의 엔드 - 포인트 탐지 를 용이 하 게 하 여 도전 층 ( 34 ) 을 보호 한다 . 에칭 정지 층 ( 90 ) 은 Si 3 N 4 와 같 은 재료 의 싱글 층 일 수 있 고 , 또는 Si 3 N 4 및 SiO 2 층 들 을 구비 한 것 과 같 은 멀티 층 재료 를 포함 할 수 있 다 .