본 발명 의 실시 예 에서 는 SONOS 셀 트랜지스터 의 프로그래밍 상태 로 전이 시키 기 위해 요구 되 는 전압 은 12 V 이 고 , 펄스폭 은 1 usec ~ 2 sec 까지 적용 하 여 각 펄스 값 에 따른 문턱 전압 측정치 를 확보 하 여 도 2 에 도시 된 펄스폭 에 따른 프로그래밍 상태 의 문턱 전압 측정치 를 도시 한 그래프 를 도출 하 였 고 , SONOS 셀 트랜지스터 의 소거 동작 상태 로 전이 시키 기 위해 요구 되 는 전압 은 - 10 V 이 고 , 펄스폭 은 1 usec ~ 2 sec 까지 적용 하 여 각 펄스 값 에 따른 문턱 전압 측정치 를 확보 하 여 도 3 에 도시 된 펄스폭 에 따른 소거 동작 상태 의 문턱 전압 측정치 를 도시 한 그래프 를 도출 하 였 다 .