기판 상 에 박막 을 형성 하 는 대표 적 예 는 마그네트론 스퍼터링 장치 이 다 . 마 그 네 트론 스퍼터링 장치 에 대한 상세 한 사항 은 미국 특허 제 4 , 851 , 095 호 , 제 5 , 693 , 197 호 및 제 6 , 093 , 293 호 를 참조 하 기 바란다 . 그러나 , 상기 마그네트론 스퍼터링 장치 는 자기장 의 영향 으로 ' 레이스 트랙 ( racetrack ) ' 형태 의 침식 ( erosion ) 을 경험 한다 . 따라서 전극 의 일부 만 이 증착 공정 에 이용 되 는 현상 이 발생 하 여 전극 의 사용 효율 이 저하 되 는 문제 가 있 다 .