본 실시 의 형태 에서 는 , 단결정 반도체 에 화소 영역 등 의 능동소자 가 형성 되 는 표시 패널 을 형성 하 는 것 을 목적 으로 하 며 , 원형 의 반도체 기판 , 예 를 들 면 실리콘 웨이퍼 로부터 , 대략 사변형 의 반도체 영역 을 잘라 내 어 , 알루미늄 을 포함 하 는 절 연막 이 설치 된 베이스 기판 에 접합 하 는 일 양태 에 대해 나타낸다 .