도 1 b 를 참조 하 면 , 제 2 반도체 기판 ( 10 b ) 상부 에 기판 분리 층 ( 40 ) , 실리콘 층 ( 35 ) 및 제 2 접착 층 ( 30 b ) 을 순차 적 으로 형성 한다 . 제 2 접착 층 ( 30 b ) 은 금속 물질 로 형성 한다 . 그리고 , 이러 한 제 2 반도체 기판 ( 10 b ) 을 제 1 반도체 기판 ( 10 a ) 상부 에 본 딩 시킨다 . 여기 서 , 제 1 반도체 기판 ( 10 a ) 과 제 2 반도체 기판 ( 10 b ) 을 본 딩 시키 는 공정 은 제 1 반도체 기판 ( 10 a ) 상 의 제 1 접착 층 ( 30 a ) 과 제 2 반도체 기판 ( 10 b ) 상 의 제 2 접착 층 ( 30 b ) 이 본딩 되 도록 하 는 것 이 바람직 하 다 .