상기 프로그램 및 소거 가 반복 적 으로 수행 됨 에 따라 , 상기 전하 들 은 제 1 절 연막 ( 31 ) 을 반복 적 으로 터널 링 하 게 되 고 , 이 에 의해 기판 ( 10 ) 과 제 1 절 연막 ( 31 ) 사이 의 계면 이 손상 을 입 게 된다 . 상술 한 바 와 같이 , 상기 전하 들 에 의해 상기 계면 에 위치 하 는 실리콘 - 수소 결합 이 끊 어 져 계면 트랩 으로 작용 하 는 댕 글 링 본드 가 형성 될 수 있 다 . 그러나 본 발명 의 실시 예 들 에 따른 반도체 장치 는 상기 계면 에 미 결합 수소 이온 을 많이 포함 하 고 있 기 때문 에 , 상기 댕 글 링 본드 는 미 결합 수소 이온 과 반응 하 여 다시 실리콘 - 수소 결합 을 형성 할 수 있 다 . 즉 , 계면 트랩 으로 작용 하 는 댕 글 링 본드 의 수 가 증가 하 는 것 을 방지 할 수 있 어 셀 트랜지스터 의 문턱 전압 이 변동 되 지 않 고 일정 하 게 유지 될 수 있 다 .