이렇게 , 제 1 메모리 장치 들 ( NAND 1 < 1 : 4 >) 에 포함 된 제 1 메모리 블록 들 중 배드 블록 들 의 개수 가 6 개 이 고 , 제 2 메모리 장치 들 ( NAND 2 < 1 : 4 >) 에 포함 된 제 2 메모리 블록 들 중 배드 블록 들 의 개수 가 2 개 로서 , 4 개 의 차이 가 나 는 것 을 알 수 있 다 . 그럼에도 불구 하 고 , 본 발명 의 실시 예 에 따른 배드 블록 관리 부 ( 500 ) 는 , 제 1 메모리 블록 들 중 4 개 의 제 1 메모리 블록 들 만 대체 메모리 블록 으로 사용 하 고 , 제 2 메모리 블록 들 중 4 개 의 제 2 메모리 블록 들 만 대체 메모리 블록 으로 사용 한다 . 즉 , 제 1 메모리 블록 들 에 포함 된 6 개 의 배드 블록 들 중 4 개 의 배드 블록 들 은 제 1 메모리 블록 들 에 포함 된 4 개 의 대체 메모리 블록 들 로 대체 하 지만 , 나머지 2 개 의 배드 블록 들 은 제 2 메모리 블록 들 에 포함 된 2 개 의 대체 메모리 블록 들 로 대체 한다 .