이어서 , 상기 버퍼 층 ( 305 ) 상 에 반도체 층 ( 310 ) 을 형성 한다 . 상기 반도체 층 ( 310 ) 은 비정질 실리콘 또는 이 를 결정 화 한 다결정 실리콘 일 수 있 다 . 다음 , 상기 반도체 층 ( 310 ) 을 포함 하 는 제 1 기판 ( 300 ) 전면 에 게이트 절 연막 ( 315 ) 을 형성 한다 . 상기 게이트 절 연막 ( 315 ) 은 실리콘 산화물 ( SiO 2 ) , 실리콘 질화물 ( SiNx ) 등 을 사용 하 여 선택 적 으로 형성 한다 .