갭 ( 45 ) 은 전하 - 트랩 핑 재료 ( 44 ) 의 세그먼트 ( 43 ) 들 사이 에서 전하 이동 을 차단 하 는 개재 영역 으로 지칭 될 수 있 다 . 이 는 수직 으로 - 인접 한 메모리 셀 ( 36 ) 들 사이 에서 전하 가 이동 하 는 것 을 방지 한다 . 그 에 반해서 , 통상 의 3 차원 NAND 메모리 어레이 는 NAND 스트링 의 수직 으로 적층 된 메모리 셀 들 모두 를 따라 연장 되 는 전하 - 트랩 핑 재료 의 연속 적 인 층 을 가질 수 있 고 , 이 는 바람직 하 지 않 게 는 NAND 스트링 의 메모리 셀 들 간 의 전하 이동 을 가능 하 게 하 고 데이터 손실 로 이어진다 . 도 1 의 실시 예 는 , 이러 한 종래 의 3 차원 NAND 메모리 어레이 와 비교 하 여 개선 된 데이터 보유 를 가질 수 있 다 .