본 발명 은 반도체 기술 을 이용 한 FET ( Field - effect transistor ) 센서 에 관한 것 으로 , 좀 더 구체 적 으로 는 FET 센서 의 민 감도 를 개선 시키 기 위하 여 핀 구조 를 이용 하 는 FET 센서 및 그 제조 방법 에 관한 것 이 다 . 본 발명 에 따른 반도체 FET 센서 를 제조 하 는 방법 은 , 반도체 기판 을 제공 하 는 단계 와 , 상기 반도체 기판 상 에 핀 구조 를 갖 는 센서 구 조체 를 형성 하 는 단계 와 , 상기 센서 구 조체 에 전기 적 오 믹 콘 택 을 위한 이온 을 주입 하 고 금속 전극 을 증착 하 는 단계 와 , 표적 물질 과 특이 성 결합 하 는 감지 물질 을 상기 핀 구조 의 양쪽 측벽 에 고정 화 시키 는 단계 와 , 상기 표적 물질 이 상기 핀 구조 를 지나가 도록 하 는 통로 를 상기 센서 구조 체 위 에 형성 하 는 단계 를 포함 한다 .