한편 , 도 3 a 및 도 3 b 에서 는 설명 의 편의 를 위해 각각 다른 도면 에 도시 하 여 설명 하 였으나 , 상기 에서 설명 한 바 와 같이 폴리 실리콘 막 ( 202 ) 증착 챔버 내 에서 인 - 시튜 로 진행 된다 . 예컨대 , 폴리 실리콘 막 ( 202 ) 증착 챔버 내 로 실란 ( SiH 4 ) 가스 를 공급 하 여 터널 링 절 연막 ( 201 ) 상 에 폴리 실리콘 막 ( 202 ) 을 증착 한 후 실란 ( SiH 4 ) 가스 의 공급 을 차단 한다 . 곧 이어서 , 챔버 내부 로 질소 ( N 2 ) 가스 를 주입 시켜 챔버 내 에 존재 하 는 산소 ( O 2 ) 또는 미 반응 된 실란 ( SiH 4 ) 가스 를 챔버 외부 로 배출 하 는 퍼지 공정 을 실시 한다 .