상기 제 1 도 전막 ( 110 ) 을 형성 하 는 것 은 상기 제 1 유전 막 ( 105 ) 을 갖 는 반도체 기판 상 에 언 도우프 트 실리콘 막 ( undoped silicon layer ) 을 형성 하 고 , 이온 주입 기 술 을 이용 하 여 상기 언 도우프 트 실리콘 막 에 제 1 불순물 이온 들 ( 115 ) 을 주입 하 여 임 플 런 트 된 원자 들 을 함유 하 는 실리콘 막 을 형성 하 는 것 을 포함 할 수 있 다 . 상기 언 도우프 트 실리콘 막 은 언 도우프 트 폴리 실리콘 막 일 수 있 다 .