실리콘 웨이퍼 ( W 1 ) 의 상면 ( W 1 a ) 상 에 는 , 디바이스 나 범프 등 을 포함 하 여 모재 가 예컨대 알루미늄 으로 구성 되 는 제 1 배선 층 ( L 1 ) 이 형성 되 어 있 다 . 제 1 배선 층 ( L 1 ) 은 , 반도체 칩 이나 각종 전자 부품 을 웨이퍼 ( W ) 상 에 실장 하 여 탑재 하 였을 때 에 , 이 들 전극 과 다른 부품 의 도통 을 확보 하 는 역할 을 달성 한다 . 제 1 배선 층 ( L 1 ) 은 , 미리 설정 된 배선 패턴 에 맞추 어 실리콘 웨이퍼 ( W 1 ) 의 상면 ( W 1 a ) 상 에 예컨대 복수 떨어져 형성 되 어 있 다 .