일 실시 예 에서 , 메모리 다이 ( 1000 ) 는 단차 형 표면 들 아래 에 놓이 거나 위 에 놓이 는 교번 하 는 스택 ( 32 , 46 ) 의 영역 및 단차 형 표면 들 위 에 놓이 거나 아래 에 놓이 는 단차 형 유전체 재료 부분 ( 65 ) 의 영역 을 통해 수직 으로 연장 되 는 지지 기둥 구조물 들 ( 20 ) 을 포함 하 고 ; 지지 기둥 구조물 들 ( 20 ) 각각 은 ( 메모리 개구 충전 구조물 들 ( 58 ) 의 ) 수직 반도체 채널 들 ( 60 ) 과 동일 한 조성 을 갖 는 제 1 반도체 재료 부분 ( 즉 , 지지 기둥 구조물 ( 20 ) 내 의 수직 반도체 채널 들 ( 60 ) ) , ( 메모리 개구 충전 구조물 들 ( 58 ) 의 ) 드레 인 영역 들 ( 63 ) 과 동일 한 조성 을 갖 는 제 2 반도체 재료 부분 ( 즉 , 지지 기둥 구조물 ( 20 ) 내 의 드레 인 영역 들 ( 63 ) ) , 및 ( 메모리 개구 충전 구조물 들 ( 58 ) 내의 ) 메모리 필름 들 ( 50 ) 각각 과 동일 한 유전체 재료 층 들 의 세트 를 포함 하 는 유전체 층 스택 ( 즉 , 지지 기둥 구조물 들 ( 20 ) 내 의 메모리 필름 ( 50 ) ) 을 포함 한다 .