버퍼 막 ( BF ) 상 에 는 액티브 층 ( 121 ) 이 배치 될 수 있 다 . 액티브 층 ( 121 ) 은 다 결정 실리콘 , 단결정 실리콘 , 저 온 다결정 실리콘 , 비정질 실리콘 , 또는 산화물 반도체 를 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 산화물 반도체 는 인듐 , 아연 , 갈륨 , 주석 , 티타늄 , 알루미늄 , 하프늄 ( Hf ) , 지르코늄 ( Zr ) , 마그네슘 ( Mg ) 등 을 함유 하 는 이 성분 계 화합물 ( ABx ) , 삼 성분 계 화합물 ( ABxCy ) , 사 성분 계 화합물 ( ABxCyDz ) 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 액티브 층 ( 121 ) 은 ITZO ( 인듐 , 주석 , 티타늄 을 포함 하 는 산화물 ) 나 IGZO ( 인듐 , 갈륨 , 주석 을 포함 하 는 산화물 ) 를 포함 할 수 있 다 . 버퍼 막 ( BF ) 과 액티브 층 ( 121 ) 사이 에 는 액티브 층 ( 121 ) 으로 입사 되 는 외부 광 을 차단 하 기 위한 차 광층 이 배치 될 수 도 있 다 .