본 발명 의 한 형태 에 의하 면 , 처리 실 내 에 기판 을 반입 하 는 공정 과 , 처리 온도 로 가열 된 상기 처리 실 내 에 처리 가스 를 공급 하 여 상기 기판 상 에 박막 을 형성 하 는 처리 를 수행 하 는 공정 과 , 처리 완료 된 상기 기판 을 상기 처리 실 내 로부터 반출 하 는 공정 과 , 상기 처리 실 내 에 상기 기판 이 없 는 상태 에서 , 상기 처리 실 내 에 클리닝 가스 를 공급 하 여 상기 처리 실 내 를 클리닝 하 는 공정 을 포함 하 고 , 상기 처리 실 내 를 클리닝 하 는 공정 은 , 제 1 온도 로 가열 된 상기 처리 실 내 에 상기 클리닝 가스 로서 , 불소 가스 를 단독 으로 , 또는 불활성 가스 로 희석 된 불소 가스 를 단독 으로 공급 하 고 , 상기 처리 실 내 에 퇴적 한 상기 박막 을 제거 하 는 공정 과 , 제 2 온도 로 가열 된 상기 처리 실 내 에 상기 클리닝 가스 로서 불소 가스 를 단독 으로 , 또는 불활성 가스 로 희석 된 불소 가스 를 단독 으로 공급 하 고 , 상기 박막 의 제거 후 에 상기 처리 실 내 에 잔류 한 부착물 을 제거 하 는 공정 을 포함 하 는 반도체 장치 의 제조 방법 이 제공 된다 .