상기 목적 을 달성 하 기 위하 여 본 발명 은 , 포토 마스크 를 이용 하 여 원 하 는 반도체 소자 의 패턴 을 웨이퍼 상 에 형성 시키 는 포토 리소그래피 공정 을 제어 하 는 방법 으로서 , 임의 의 웨이퍼 에 대한 임계 치수 데이터 의 상관 관계 를 데이터베이스 화 하 는 제 1 단계 와 , 양산 제품 의 웨이퍼 를 노광 한 후 CD SEM 장치 를 이용 하 여 포토레지스트 패턴 을 측정 하 는 제 2 단계 와 , 상기 측정 된 패턴 의 임계 치수 데이터 를 저장 하 는 제 3 단계 와 , 상기 저장 된 임계 치수 데이터 와 상기 임계 치수 데이터 의 상관 관계 를 비교 하 는 제 4 단계 와 , 상기 비교 결과 에 따라 노광 공정 에 대한 포커스 및 노광량 을 보정 하 는 제 5 단계 와 , 상기 보정 된 포커스 및 노광량 에 대한 값 을 적용 하 여 이 후 공정 을 진행 하 는 제 6 단계 를 포함 하 는 포토 리소그래피 공정 의 제어 방법 을 제공 한다 .