먼저 , 도 2 및 도 3 을 참조 하 면 , 기판 처리 장치 ( 100 ) 는 소정 의 공정 을 완료 한 후 , 반응기 ( 110 ) 의 내부 를 클리닝 하 기 위한 클리닝 공정 을 진행 한다 ( S 1 ) . 예 를 들 어 , 클리닝 이전 의 공정 단계 에서 , TiCl 4 가스 , NH 3 가스 및 H 2 가스 가 공정 가스 로서 제공 될 수 있 고 , 클리닝 가스 로 는 Cl 계 가스 , 예컨대 , ClF 3 , Cl 2 및 CCl 2 가스 중 적어도 하나 가 이용 될 수 있 다 . 클리닝 공정 은 제 1 온도 , 예 를 들 어 , 200 내지 450 ℃ 의 온도 에서 진행 될 수 있 다 . 이때 , 클리닝 공정 은 클리닝 가스 의 높 은 부식 특성 으로 인해 , 가급적 저온 에서 실시 하 는 것 이 바람직 하 다 .