본 발명 의 기술 사상 은 바람직 한 실시 예 에서 구체 적 으로 기술 되 었 으나 , 상기 한 실시 예 는 그 설명 을 위한 것 이 며 , 그 제한 을 위한 것 이 아님 을 주의 하 여야 한다 . 특히 , 본 발명 의 실시 예 에서 는 리세 스 형 트랜지스터 의 게이트 형성 방법 을 일례 로 설명 하 였으나 , 이 는 설명 의 편의 를 위한 것 이 지 본 발명 이 이 에 한정 되 는 것 은 아니 며 , 수직 채널 을 갖 는 모든 트랜지스터 , 예컨대 핀 형 , 새들 형 핀 , 벌브 형 트랜지스터 에 도 적용 할 수 있 다 . 또한 , 본 발명 은 이 기술 분야 의 통상 의 전문가 라면 본 발명 의 기술 사상 의 범위 내 에서 다양 한 실시 예 들 이 가능 함 을 이해 할 수 있 을 것 이 다 .