따라서 , 이러 한 밀집 된 패턴 ( dense pattern ) 의 게이트 와 게이트 사이 의 공간 ( gate to gate space ) 에서 전자 충전 ( electron charging ) 에 따른 이온 빗나감 ( ion deflection ) 및 스케터 링 ( scattering ) 이 게이트 나 칭 ( gate notching ) 현상 의 지배 적 인 영향 을 미치 는 것 으로 보 고 되 고 있 으며 , 이 를 개선 하 기 위해서 , 본 발명 에서 는 가능 한 저압 ( low pressure ) 조건 에서 반응 성 이온 식각 ( RIE ) 공정 을 진행 함 으로 써 , 전자 충전 ( electron charging ) 에 의한 전계 빗나감 ( filed deflection ) 으로 기인 되 는 게이트 나 칭 ( gate notching ) 현상 을 개선 하 였 다 .