도 3 을 참조 하 면 , 상기 P 형 반도체 층 ( 260 ) 위 에 ITO 층 ( 290 ) 이 형성 된다 . 상기 ITO 층 ( 290 ) 의 형성 전 에 ITO 층 ( 290 ) 과 P 형 반도체 층 ( 260 ) 사이 의 오 믹 콘 택 형성 을 위해 대략 5 ~ 50 Å 의 델타 토핑 층 으로 된 터널 구조 를 형성 하 는 공정 이 수행 될 수 도 있 다 . 또한 , 상기 ITO 층 ( 290 ) 의 형성 은 이하 설명 되 는 메사 식각 공정 후 에 이루 어질 수 도 있 다 .