도 9 a 및 도 9 b 를 참조 하 면 , 반도체 패턴 ( 37 ) 및 소스 / 드레 인 도전 패턴 군 이 형성 되 고 반도체 채널 부 ( 30 ) 가 노출 된 게이트 절 연막 ( 41 ) 상 에 는 제 3 마스크 공정 으로 다수 의 접촉 홀 ( 49 , 134 , 135 ) 을 포함 하 는 보호막 ( 48 ) 이 형성 된다 . 여기 서 보호막 ( 48 ) 으로 는 게이트 절 연막 ( 41 ) 과 같 은 무기 절연 물질 이나 유전 상수 가 작 은 아크릴 ( acryl ) 계 유기 화합물 , 벤조 사이클 로부 텐 ( BCB ; benzocyclobutene ) , 퍼 플루오르 싸이클 로 부탄 ( PFCB ; perfluorocyclobutane ) 등 과 같 은 유기 절연 물질 이 이용 된다 . 다수 의 접촉 홀 ( 49 , 135 , 134 ) 은 드레 인 전극 ( 39 ) 을 노출 시키 는 화소 접촉 홀 ( 49 ) , 게이트 패드 하부 전극 ( 132 ) 을 노출 시키 는 게이트 패드 접촉 홀 ( 134 ) , 및 데이터 패드 하부 전극 ( 133 ) 을 노출 시키 는 데이터 패드 접촉 홀 ( 135 ) 을 포함 한다 . 화소 접촉 홀 ( 49 ) 은 보호막 ( 48 ) 을 관통 하 여 드레 인 전극 ( 39 ) 을 노출 시킨다 . 게이트 패드 접촉 홀 ( 134 ) 은 보호막 ( 48 ) 및 게이트 절 연막 ( 41 ) 을 관통 하 여 게이트 패드 하부 전극 ( 132 ) 을 노출 시킨다 . 데이터 패드 접촉 홀 ( 135 ) 은 보호막 ( 48 ) 을 관통 하 여 데이터 패드 하부 전극 ( 133 ) 을 노출 시킨다 .