도 16 의 ( a ) , ( b ) , 및 ( c ) 를 참조 하 면 , 공정 온도 가 150 ℃ 인 본 발명 의 제 6 실시 예 에 따른 산화물 반도체 박막 의 RMS 값 은 0 . 32 nm 이 고 , 공정 온도 가 175 ℃ 인 본 발명 의 제 7 실시 예 에 따른 산화물 반도체 박막 의 RMS 값 은 0 . 185 nm 이 고 , 공정 온도 가 200 ℃ 인 본 발명 의 제 3 실시 예 에 따른 산화물 반도체 박막 의 RMS 값 은 0 . 073 nm 인 것 을 확인 하 였 다 . 이 로부터 , 공정 온도 가 증가 함 에 따라 , 본 발명 의 실시 예 들 에 따른 산화물 반도체 박막 의 표면 거칠 기 특성 을 개선 되 는 것 을 확인 하 였 다 .