한편 , 이러 한 여러 단위 공정 을 진행 하 는 과정 에서 많 은 오염 물질 들 이 필연 적 으로 발생 하 게 된다 . 특히 , 반도체 기판 상부 의 물질 막 을 패 터닝 하 는 식각 공정 이 완료 된 후 에 는 반도체 기판 상부 를 비롯 한 주변 장비 에 오염 물질 들 이 많이 존재 하 게 된다 . 따라서 , 후속 공정 을 진행 하 기 전 에 이러 한 오염 물질 제거 를 위한 세정 공정 을 필수 적 으로 진행 하 게 된다 . 이러 한 반도체 디바이스 제조 과정 에서 의 세정 공정 은 , 반도체 기판 상부 에 회로 패턴 층 을 형성 하 는 과정 에서 식각 공정 등 으로부터 충분히 제거 되 지 않 은 감광막 과 같 은 불 필요 한 물질 층 이나 공정 과정 에서 생성 되 는 폴리머 를 포함 한 불순물 및 각종 형태 의 파티클 등 이 후속 공정 에서 불량 요인 으로 작용 하 는 것 을 방지 하 도록 제거 하 는 공정 을 말 한다 . 이러 한 세정 공정 은 크 게 화학 약품 을 이용 하 는 습식 세정 과 증기 또는 플 라즈 마 를 이용 하 는 건식 세정 으로 구분 할 수 있 다 . 그리고 , 상기 습식 세정 에 사용 되 는 세정액 은 제거 하 고자 하 는 불순물 의 종류 에 따라 산 성 또는 알칼리 성 세정액 으로 구분 할 수 있 는데 , 이러 한 세정액 은 세정 되 는 반도체 기판 의 종류 및 공정 상태 등 과 같 은 세정 조건 에 따라 그 농도 와 양 , 그리고 온도 등 의 조건 등 이 매우 디테일 하 게 적용 된다 . 이러 한 세정 공정 은 대부분 케미컬 을 담 고 있 는 습식 세정 장치 에서 진행 된다 . 즉 , 케미컬 의 화학 적 작용 을 통해서 세정 공정 이 진행 된다 . 또한 , 습식 식각 공정 은 습식 식각 후 에 반도체 기판 에 묻 어 있 는 케미컬 을 제거 하 기 위한 세정 공정 을 포함 할 수 있 다 . 이 에 따라 , 습식 식각 장치 는 습식 식각 용 배스 와 습식 세 정용 배스 를 별도 로 구비 할 수 있 다 .