도 4 를 참조 하 면 , 반도체 제조 설비 ( 300 ) 는 램프 ( lamp ) 타입 의 히터 ( 308 ) 를 구비 하 는 열처리 ( Rapid Thermal Processing : RTP ) 시스템 으로 , 챔버 ( 302 ) 하 단부 에 구비 되 어 기판 ( W ) 이 안착 되 고 , 기판 ( W ) 의 복수 영역 에 대한 온도 를 감지 하 는 복수 개 의 센서 ( 320 ~ 326 ) 들 을 구비 하 는 플 래 이트 ( 304 ) 와 , 플 래 이트 ( 304 ) 상부 에 구비 되 어 기판 의 온도 를 조절 하 는 복수 개 의 램프 ( 310 ~ 318 ) 들 및 , 플 래 이트 ( 304 ) 와 램프 ( 310 ~ 318 ) 들 사이 에 구비 되 어 기판 ( W ) 으로 균일 한 열전달 을 위한 윈도우 ( 306 ) 를 포함 한다 . 또 반도체 제조 설비 ( 300 ) 는 센서 ( 320 ~ 326 ) 들 로부터 감지 된 온도 정보 를 모니터링 하 여 공정 에 적합 한 온도 로 조절 되 도록 램프 ( 310 ~ 318 ) 들 의 다수 를 포함 하 는 그룹 단위 또는 그룹 단위 들 을 하리 브리드 제어 하 는 제 어부 ( 330 ) 를 포함 한다 .