여기 서 , 상기 발광 칩 ( 71 ) 은 예컨대 , 제 1 리드 프레임 ( 30 ) 의 제 1 리드 부 ( 31 ) 상 에 배치 될 수 있 으며 , 제 1 , 2 리드 부 ( 31 , 41 ) 에 와이어 ( 72 , 73 ) 로 연결 되 거나 , 제 1 리드 부 ( 31 ) 에 접착제 로 연결 되 고 제 2 리드 부 ( 41 ) 에 와이어 로 연결 될 수 있 다 . 이러 한 발광 칩 ( 71 ) 은 수평 형 칩 , 수직 형 칩 , 비아 구조 를 갖 는 칩 일 수 있 다 . 상기 발광 칩 ( 71 ) 은 플립 칩 방식 으로 탑재 될 수 있 다 . 상기 발광 칩 ( 71 ) 은 자외선 내지 가시광선 의 파장 범위 내 에서 선택 적 으로 발광 할 수 있 다 . 상기 발광 칩 ( 71 ) 은 예컨대 , 자외선 또는 청색 피크 파장 을 발광 할 수 있 다 . 상기 발광 칩 ( 71 ) 은 II - VI 족 화합물 및 III - V 족 화합물 중 적어도 하나 를 포함 할 수 있 다 . 상기 발광 칩 ( 71 ) 은 예컨대 , GaN , AlGaN , InGaN , AlInGaN , GaP , AlN , GaAs , AlGaAs , InP 및 이 들 의 혼합물 로 이루어진 군 에서 선택 되 는 화합물 로 형성 될 수 있 다 .