기판 ( 10 ) 은 P 형 불순물 이 함유 된 반도체 기판 을 포함 할 수 있 다 . 반도체 기판 은 단결정 상태 ( Single crystal state ) 일 수 있 으며 , 실리콘 함유 재료 를 포함 할 수 있 다 . 기판 ( 10 ) 은 씨 닝 공정 ( thinning process ) 을 통해 박막 화 된 기판 ( 10 ) 이 거나 , 에피 텍 셜 성장 을 통해 형성 된 에 피층 ( Epi layer ) 을 포함 하 는 기판 ( 10 ) 일 수 도 있 다 . 일례 로 , 기판 ( 10 ) 은 씨 닝 공정 을 통해 박막 화 된 벌크 실리콘 기판 ( 10 ) 일 수 있 다 .