본 발명 에서 는 투과 부 는 상부 및 하부 기판 에 Plate 형태 의 화소 전극 및 상대 전극 이 각각 존재 하 며 , 반 사 부 는 하부 기판 측 에 Plate 형태 의 상대 전극 과 동일 한 기판 에 Insulator 를 사이 에 두 고 Slit 형태 의 화소 전극 을 배치 시켜 , 수직 배향 되 어 져 있 는 음 의 유전율 이방성 을 가지 는 액정 층 에 전기장 을 형성 하 도록 한다 . 액정 을 수직 Rotating 시키 는 전기장 은 수직 전기장 이 므로 , 투 과부 는 모든 전기장 성분 이 액정 을 Rotaing 시키 는데 사용 되 어 질 수 있 지만 , 반 사 부 는 수직 전기장 및 수평 전기장 이 같이 공존 하 는 프린지 필드 전기장 이 형성 되 며 , 이경우 투과 부 대비 수직 전기장 의 성분 은 반감 하 게 되 므로 액정 의 Rotating 이 투 과부 대비 대략 1 / 2 정도 줄어들 게 된다 . 따라서 반사 부 가 투 과부 대비 입사 된 광의 Path 는 2 배 가 되 지만 , 액정 층 의 델타 엔 ( △ n ) 이 1 / 2 배 가 되 므로 투과 부 와 동일 한 위상 지연 치 를 가지 게 되 며 , 따라서 Voltage - Reflectance Curve ( 반사 부 ) 와 Voltage - Transmittance Curve ( 투과 부 ) 를 일치 시킬 수 있 다 .