다음 에 , 제 1 레지스 트 마스크 ( 112 ) 를 이용 하 여 제 1 에칭 을 행한다 . 즉 , 제 1 절 연막 ( 104 ) , 반도체 막 ( 106 ) , 불순물 반도체 막 ( 108 ) 및 제 2 도 전막 ( 110 ) 을 에칭 하 여 , 박막 적층 체 ( 114 ) 를 형성 한다 ( 도 1 ( B ) , 도 4 ( B ) , 도 7 ( B ) , 도 10 ( B ) , 도 13 ( B ) , 도 16 을 참조 ) . 이 때 , 적어도 제 1 도 전막 ( 102 ) 의 표면 을 노출 시키 는 것 이 바람직 하 다 . 이 에칭 공정 을 제 1 에칭 이 라고 부른다 . 제 1 에칭 은 , 드라이 에칭 또는 웨트 에칭 을 이용 하 면 좋 다 . 또한 , 제 1 에칭 을 드라이 에칭 에 의해 행하 는 경우 에 는 하나 의 공정 으로 행하 는 것 이 가능 하 지만 , 제 1 에칭 을 웨트 에칭 에 의해 행하 는 경우 에 는 복수 의 공정 에 의해 제 1 에칭 을 행하 면 된다 . 피 에칭 막 의 종류 에 따라 에칭 레이트 가 다르 고 , 하나 의 공정 으로 행하 는 것 이 곤란 하 기 때문 이 다 .