보상 전압 ( Vcc ) 의 절대값 은 턴 - 온 전압 ( Von ) 의 절대값 보다 작 고 , 턴 - 오프 전압 ( Voff ) 의 절대값 보다 클 수 있 다 . 또한 , 보상 전압 ( Vcc ) 은 보상 메모리 셀 ( 710 ) 중 반도체 층 ( 522 ) 의 저항 은 저항 변화 층 ( 523 ) ( 523 c ) 의 저항 보다 작 도록 하 는 크기 일 수 있 다 . 예 를 들 어 , 보상 전압 ( Vcc ) 은 보상 메모리 셀 ( 710 ) 의 반도체 층 ( 522 ) 의 저항 은 보상 메모리 셀 ( 710 ) 의 저항 변화 층 ( 523 ) 의 저항 보다 1 / 10 이하 가 될 수 있 도록 하 는 크기 일 수 있 다 . 또는 보상 전압 ( Vcc ) 은 보상 메모리 셀 ( 710 ) 중 반도체 층 ( 522 ) 의 저항 이 105 Ω m - 1 내지 107 Ω m - 1 이 되 도록 하 는 범위 이 거나 , 보상 메모리 셀 ( 710 ) 의 저항 변화 층 ( 523 ) 의 저항 이 108 Ω m - 1 내지 1011 Ω m - 1 이 되 도록 하 는 범위 일 수 있 다 . 보상 메모리 셀 ( 710 ) 의 반도체 층 ( 522 ) 과 저항 변화 층 ( 523 ) 이 병렬 연결 구조 이 고 , 반도체 층 ( 522 ) 의 저항 이 저항 변화 층 ( 523 ) 의 저항 보다 상대 적 으로 작 기 때문 에 보상 메모리 셀 ( 710 ) 에 흐르 는 전류 의 크기 는 보상 메모리 셀 ( 710 ) 의 반도체 층 ( 522 ) 에 흐르 는 전류 의 크기 에 의해 결정 될 수 있 다 . 그리하여 , 보상 메모리 셀 ( 710 ) 의 트랜지스터 에 인가 되 는 보상 전압 ( Vcc ) 의 크기 로 보상 메모리 셀 ( 710 ) 에 흐르 는 전류 의 크기 를 결정 할 수 있 다 .