반도체 제조 공정 이 미세 공정 ( 예 를 들 면 , 수십 nm ) 으로 진입 함 에 따라 반도체 집 적 회로 장치 의 누설 전류 가 기하급수 적 으로 증가 한다 . 반도체 집 적 회로 장치 의 누설 전류 를 감소 시키 기 위한 다양 한 기술 들 이 제안 되 었 다 . 이 중 파워 게이팅 ( Power Gating ) 은 최근 에 개발 된 효율 적 인 누설 전류 감소 기술 이 다 .