마지막 으로 , 열처리 한 웨이퍼 의 표면 산화 막 을 제거 하 여 , SIMS 의 탄소 프로 파일 을 평가 하 였 다 . 그 결과 를 도 5 에 나타낸다 . 웨이퍼 의 표면 으로부터 0 . 1 μ m 의 깊이 의 범위 의 탄소 농도 는 2 × 1016 atoms / cm 3 이 고 , 깊이 2 μ m 부근 의 탄소 농도 는 고 용도 에 가까워 지 는 3 × 1016 atoms / cm 3 가 되 고 , 벌크 방향 으로 탄소 농도 가 저감 되 는 것 이 확인 되 었 다 .