공정 과정 중 에 발생 할 수 있 는 실리콘 웨이퍼 표면 의 오염 을 방지 하 고 , 실리 콘 웨이퍼 의 이온 주입 공정 으로 인한 데미지 를 감소 하 기 위하 여 , 실리콘 웨이퍼 의 상부 면 과 하부 면 에 200 Å 정도 의 두께 로 보호용 산화 막 을 형성 한 후 에 불순물 주입 단계 ( S 210 ) 를 진행할 수 있 다 . 이때 , 실리콘 웨이퍼 상부 면 과 하부 면 에 형성 되 는 보호용 산화 막 은 후술 할 IMD ( Inter Metallic Dielectric ) 층 을 형성 하 기 위한 산화 막 과 마찬가지 로 열 산화 ( Thermal Oxidation ) 공정 에 의하 여 퍼니스 ( Furnace ) 에서 진행 될 수 있 다 . 형성 된 보호용 산화 막 은 불순물 주입 단계 ( S 210 ) 에서 이온 주입 등 을 거치 면서 산화 막 막 질 의 손상 을 입 기 때문 에 다음 공정 의 신뢰 성 을 위해서 HF chemical 등 을 이용 하 여 제거 되 는 것 이 바람직 하 다 .