또한 , 식각 에 사용 되 는 식각 액 의 종류 , 농도 및 온도 를 미리 파악 한 후 식각 깊이 ( X ) 가 T ≤ X ≤ T ＋ 500 ㎚ 의 범위 가 되 도록 웨이퍼 를 구성 하 는 재료 와 그 산화 물 의 식각 속도 로부터 적당 한 식각 시간 을 계산 하 여 식각 단계 를 수행 하 는 것 이 바람직 하 다 . 식각 시간 은 식각 액 의 종류 , 농도 및 온도 에 의해 결정 되 기 때문 에 , 식각 속도 의 데이터 가 다양 한 농도 및 온도 하 에서 다양 한 액체 에 따라 미리 저장 되 며 , 실제 식각 에 요구 되 는 식각 시간 은 저장 된 데이터 를 가지 고 실제 식각 조건 을 크로스 체크 함 으로써 계산 된다 . 이러 한 방법 에 의해 식각 이 수행 되 는 경우 , 요구 되 는 식각 량 이 그 시간 에 의해 제어 될 수 있 어 , 식각 깊이 가 T ≤ X ≤ T ＋ 500 ㎚ 범위 로 용이 하 게 조정 될 수 있 다 . 또한 , 웨이퍼 를 구성 하 는 재료 와 동일 한 재료 가 모니터 로서 동시 에 식각 되 어 적당 한 범위 내 에서 모니터 의 식각 깊이 를 확인 하 는 경우 , 식각 량 이 더 확실 하 게 파악 될 수 있 다 .