도 6 c 에 도시 하 는 반도체 장치 에서 는 , 행 별 로 기록 동작 및 판독 동작 을 행한다 . 기록 동작 은 , 상기 의 도 6 a 에 도시 하 는 반도체 장치 와 같 은 방법 으로 이루어진다 . 판독 동작 은 다음 과 같이 행해진다 . 우선 , 판독 을 행하 는 행 ( 예 를 들 면 , 제 i 행의 메모리 셀 ( 550 ) ( i , 1 ) 내지 메모리 셀 ( 550 ) ( i , n ) ) 이외 의 워드 선 ( WL ) 에 , 트랜지스터 ( 500 ) ( i , 1 ) 내지 트랜지스터 ( 500 ) ( i , n ) 의 게이트 전극 에 부여 된 전하 가 어느 데이터 에 대응 하 는지 에 좌우 되 지 않 고 , 판독 을 행하 는 행 이외 의 트랜지스터 ( 500 ) 가 오프 상태 가 되 는 전위 를 부여 하 고 , 판독 을 행하 는 행 이외 의 트랜지스터 ( 500 ) 를 오프 상태 로 한다 . 그리고 나 서 , 판독 을 행하 는 행의 워드 선 ( WL ) ( i ) 에 , 트랜지스터 ( 500 ) ( i , 1 ) 내지 트랜지스터 ( 500 ) ( i , n ) 의 게이트 전극 이 갖 는 전하 가 어느 데이터 에 대응 하 는지 에 따라 트랜지스터 ( 500 ) ( i , 1 ) 내지 트랜지스터 ( 500 ) ( i , n ) 의 온 상태 또는 오프 상태 가 선택 되 는 전위 ( 판독 전위 ) 를 부여 한다 . 또한 , 소스 선 ( SL ) ( j ) 에 정전 위 를 부여 하 고 , 비트 선 ( BL ) ( j ) 에 접속 되 어 있 는 판독 회로 ( 도시 하 지 않 음 ) 를 동작 상태 로 한다 . 여기 에서 , 소스 선 ( SL ) ( j ) - 비트 선 ( BL ) ( j ) 사이 의 컨덕턴스 의 대소 는 , 판독 을 행하 는 행의 트랜지스터 ( 500 ) ( i , 1 ) 내지 트랜지스터 ( 500 ) ( i , n ) 의 상태 ( 온 상태 또는 오프 상태 ) 에 의해 결정 된다 . 즉 , 판독 을 행하 는 행의 트랜지스터 ( 500 ) ( i , 1 ) 내지 트랜지스터 ( 500 ) ( i , n ) 의 게이트 전극 이 갖 는 전하 가 어느 데이터 에 대응 하 는지 에 따라 , 비트 선 ( BL ) ( j ) 의 전위 는 상이 한 값 을 취하 게 된다 . 비트 선 ( BL ) ( j ) 의 전위 를 판독 회로 에 의해 판독 함 으로써 , 지정 한 행의 메모리 셀 로부터 정보 를 판독 할 수 있 다 .