또한 , 도너 가 되 는 불순물 원소 를 포함 하 는 미결정 반도체 막 ( 45 ) 을 형성 한 후 , 플라 즈 마 CVD 법 에 의해 제 1 버퍼 층 ( 54 ) 을 300 ℃ 내지 400 ℃ 의 온도 로 성막 하 는 것 이 바람직 하 다 . 이 성막 처리 에 의해 수소 가 미결정 반도체 막 ( 45 ) 에 공급 되 어 , 미결정 반도체 막 ( 45 ) 을 수소 화 한 것 과 동등 한 효과 를 얻 을 수 있 다 . 즉 , 도너 가 되 는 불순물 원소 를 포함 하 는 미결정 반도체 막 ( 45 ) 위 에 제 1 버퍼 층 ( 54 ) 을 퇴적 시킴 으로써 , 도너 가 되 는 불순물 원소 를 포함 하 는 미결정 반도체 막 ( 45 ) 에 수소 를 확산 시켜 , 댕 글 링 본드 의 종단 을 할 수 있 다 .