상기 제 2 절연 층 ( 150 ') 상 에 제 2 소자 반도체 층 을 형성 하 고 , 상기 제 2 소자 반도체 층 을 패 터닝 하 여 제 2 소자 반도체 패턴 ( 200 a ') 을 형성 한다 . 상기 제 2 소자 반도체 층 은 상기 제 1 소자 반도체 층 과 동일 한 방법 으로 형성 할 수 있 다 . 상기 제 2 소자 반도체 패턴 ( 200 a ') 의 양 가장자리 는 각각 상기 제 2 스트링 및 접지 근접 플러그 들 ( 137 a ', 137 b ') 과 각각 접속 한다 . 또한 , 상기 제 2 소자 반도체 패턴 ( 200 a ') 은 상기 제 2 게터 링 영역 ( 165 ') 과 접속 된다 .