도 11 을 참조 하 면 , 본 발명 의 실시 예 에 따른 공핍 형 트랜지스터 는 도 10 에 도시 된 공핍 형 트랜지스터 와 달리 , 절 연막 ( 31 , 32 ) 사이 의 거리 보다 작 으며 , N 타입 으로 도핑 된 N - 타입 채널 영역 ( 27 a ) 을 갖 는다 . 즉 , N - 타입 채널 영역 ( 27 a ) 은 게이트 ( 21 ) 양측 에 형성 되 어 있 는 절 연막 ( 31 , 32 ) 까지 도핑 되 어 있 지 않 다 . 다른 구성 은 도 10 에 도시 된 공핍 형 트랜지스터 와 동일 하 다 .