제 1 소오 스 / 드레 인 영역 ( SD 1 ) 이 활성 패턴 ( 110 ) 의 상부 에 배치 될 수 있 다 . 제 2 소오 스 / 드레 인 영역 ( SD 2 ) 은 활성 패턴 ( 110 ) 의 하부 에 배치 될 수 있 다 . 제 2 소오 스 / 드레 인 영역 ( SD 2 ) 은 활성 패턴 ( 110 ) 의 반도체 막 ( 100 ) 내 에 형성 될 수 있 다 . 다른 예 로 , 제 2 소오 스 / 드레 인 영역 ( SD 2 ) 은 활성 패턴 ( 110 ) 아래 의 반도체 막 ( 100 ) 및 활성 패턴 ( 110 ) 의 하부 내 에 형성 될 수 있 다 . 제 2 소오 스 / 드레 인 영역 ( SD 2 ) 의 일부 는 제 1 소오 스 / 드레 인 영역 ( SD 1 ) 과 수직 으로 중첩 될 수 있 다 . 제 1 소오 스 / 드레 인 영역 ( SD 1 ) 및 제 2 소오 스 / 드레 인 영역 ( SD 2 ) 은 반도체 막 ( 100 ) 과 다른 도전 형 ( 예 를 들 어 , P 형 ) 을 가질 수 있 다 .