다음 으로 도 1 의 ( e ) 에서 와 같이 결정 화 된 무기물 박막 ( 30 ') 위 로 질화물 반도체 층 ( 50 ) 을 더 형성 한다 . 질화물 반도체 층 ( 50 ) 은 적절 한 버퍼 층 을 포함 하 여 다층 구조 로 형성 될 수 있 다 . 질화물 반도체 층 ( 50 ) 은 GaN , InN , AlN 또는 이 들 의 조합 인 GaxAlyInzN ( 0 < x , y , z < 1 ) 등 의 모든 질화물 반도체 물질 을 포함 한다 . 질화물 반도체 층 ( 50 ) 물질 종류 에 따라 밴드 갭 조절 이 되 어 자외선 , 가시광선 , 적외선 영역 의 빛 을 방출 하 도록 할 수 있 다 . 이 때 , 질화물 반도체 층 ( 50 ) 은 기판 ( 10 ) 상 에서부터 성장 하 는 것 이 아니 라 빈 공간 ( C ) 위 의 결정 화 된 무기물 박막 ( 30 ') 부분 에서부터 씨앗 이 성장 한다 ( 도 1 의 ( e ) 좌측 그림 ) . 증착 온도 , 기체 의 압력 , 유량 등 을 조절 함 으로써 질화물 반도체 층 ( 50 ) 이 빈 공간 ( C ) 위 의 결정 화 된 무기물 박막 ( 30 ') 에서 성장 하 도록 할 수 있 다 .