일 실시 형태 에 있 어서 , 프로세서 ( 21 ) 는 또한 어레이 드라이버 ( 22 ) 와 통신 하 도록 구성 된다 . 일 실시 형태 에 있 어서 , 어레이 드라이버 ( 22 ) 는 디스플레이 어레이 혹은 패널 ( 30 ) 에 신호 를 제공 하 는 행 방향 드라이버 회로 ( 24 ) 와 열 방향 드라이버 회로 ( 26 ) 를 포함 한다 . 도 1 에 예시 된 어레이 의 단면 은 도 2 의 1 - 1 선 에 의해 표시 된다 . MEMS 간섭계 변조기 에 대해서 , 행 / 열 방향 작동 프로토콜 은 도 3 에 도시 된 이 들 장치 의 히스테리시스 특성 을 이용 할 수 도 있 다 . 예 를 들 어 , 이완 상태 에서 작동 상태 로 이동식 층 을 변형 시키 기 위해 10 볼트 의 전위차 가 필요 할 수 도 있 다 . 그러나 , 이러 한 값 으로부터 전압 이 감소 될 경우 , 전압 이 10 볼트 미만 으로 다시 떨어질 때 에 이동식 층 은 그 상태 를 유지 한다 . 도 3 의 예시 적 실시 형태 에 있 어서 , 전압 이 2 볼트 미만 으로 떨어질 때 까지 이동식 층 은 완전히 이완 되 지 않 는다 . 이 와 같이 해서 , 도 3 에 예시 된 예 에서 약 3 내지 7 V 의 인가 된 전압 의 창 이 존재 하 고 , " 이 범위 내 에서 장치 가 이완 또는 작동 상태 에서 안정 적 이 다 . 이것 을 여기 서 는 "" 히스테리시스 창 "" 또는 "" 안정 성 창 "" 이라고 칭한다 . 도 3 의 히스테리시스 특성 을 가지 는 디스플레이 어레이 에 대해서 ", 행 방향 스트로 빙 ( strobing ) 동안 스트로 빙 된 행 에 있 는 작동 될 화소 들 이 약 10 볼트 의 전압 차 에 노출 되 고 , 이완 될 화소 들 이 0 볼트 에 근접 한 전압 차 에 노출 되 도록 행 / 열 방향 작동 프로토콜 을 설계 할 수 있 다 . 스트로 빙 후 에 , 화소 들 은 약 5 볼트 의 정상 상태 전압 차 에 노출 되 므로 , 이 들 은 행 방향 스트로 빙 이 화소 들 을 어떤 상태 에 두 었 던지 그 상태 를 유지 하 게 된다 . 이러 한 예 에서 , 각 화소 는 , 기록 된 후 에 , " 3 내지 7 볼트 의 "" 안정 성 창 "" 내 에서 전위차 를 보인다 . 이러 한 특성 으로 작동 또는 이완 의 기존 상태 에서 동일 한 인가 전압 조건 하 에서 도 1 에 예시 된 화소 설계 가 안정 화 된다 . 간섭계 변조기 의 각 화소 는 작동 상태 인지 혹은 이완 상태 인지 에 따라 본질 적 으로 고정식 반사 층 및 이동식 반사 층 에 의해 형성 된 커패시터 이 기 때문 에 ", 이러 한 안정 한 상태 는 전력 손실 이 거의 없이 히스테리시스 창 내 의 전압 에서 유지 될 수 있 다 . 인가 된 전위 가 고정 되 어 있 다면 화소 로 들어가 는 전류 흐름 은 실질 적 으로 없 다 .