도 1 a 를 참조 하 면 , 대표 적 인 불휘발성 메모리 소자 인 NAND 플래시 메모리 소자 의 일반 적 인 메모리 스트링 은 드레 인 이 비트 라인 ( BL ) 과 연결 되 는 드레 인 셀렉 트 트랜지스터 ( DST ) , 소스 가 소스 라인 ( SL ) 과 연결 되 는 소스 셀렉 트 트랜지스터 ( SST ) , 셀렉 트 트랜지스터 들 ( 드레 인 셀렉 트 트랜지스터 및 소스 셀렉 트 트랜지스터 ) 사이 에 직렬 로 연결 된 다수 의 메모리 셀 들 ( Co ~ Cn ) 을 포함 한다 .