" 플래시 메모리 장치 에 는 몇 가지 오류 소스 들 이 있 다 . 한 특정 한 오류 소스 는 전형 적 으로 "" 프로그램 교란 "" 또는 간단히 "" PD "" 라고 한다 . PD 효과 는 기록 할 의도 가 없 는 셀 이 이 들 의 초기 맨 좌측 상태 에서 어떤 다른 상태 로 비 의도 적 으로 이동 하 게 한다 . ( 여기 에서 설명 은 도 2 a ", 도 2 b , 도 2 c 에서 도 사용 되 는 일반 적 인 관행 으로서 좌측 방향 이 낮 은 값 들 을 나타내 는 임계 전압 축 을 취한다 . 이것 은 임의 의 관행 이 며 어떤 식 으로 든 발명 의 범위 를 제한 하 는 것 으로 해석 되 지 않 아야 한다 ) . 도 2 c 의 셀 당 2 비트 의 예 를 참조 하 면 , " "" 11 "" 의 비트 값 들 에 ( 또는 환언 하 여 "," 셀 의 소거 된 상태 에 ) 대응 하 는 맨 좌측 상태 에 있 어 이러 한 상태 에 머물러 있 어야 할 셀 이 "" 10 "" 의 맨 좌측 상태 다음 에 있 는 것 으로 발견 되 어 ", 셀 에 저장 된 두 비트 중 한 비트 는 부정확 하 게 된다 . 어떤 경우 들 에 있 어서 , 특히 셀 당 2 이상 의 비트 들 을 저장 하 며 4 이상 의 상태 를 갖 는 셀 들 에서 , PD 효과 는 맨 좌측 상태 에서 이 의 바로 이웃 한 상태 로 이동 으로서 뿐 만 아니 라 , 맨 좌측 상태 에서 더 먼 상태 로 이동 으로서 , 또한 맨 좌측 상태 가 아닌 상태 에서 이 의 우측 에 다른 상태 ( 즉 , 더 높 은 임계 전압 ) 로 의 이동 으로서 나타날 수 도 있 을 것 이 다 . 그러나 , 첫 번 째 로 위 에 기술 된 맨 좌측 상태 에서 이 의 바로 이웃 한 이웃 상태 로 이동하 는 경우 가 가장 일반 적 이 며 여기 에서 는 이 경우 가 본 발명 의 방법 들 의 일반 성 을 제한 함 이 없이 모든 예 들 및 설명 들 에서 사용 될 것 이 다 .