후술 하 는 비 교예 에 따른 불휘발성 반도체 기억 장치 의 구성 에서 는 , 데이터 판독 동작 시 에 , 블록 내 의 연속 한 어드레스 로 이루어지 는 연속 한 복수 의 페이지 에 만 실행 가능 하 였 다 . 그러나 ， 상기 한 바 와 같이 본 예 에서 는 , 복수 의 플레인 에 대하 여 각각 임의 의 블록 어드레스 에 있 는 페이지 에 대하 여 , 데이터 판독 동작 ( 캐시 리드 ) 을 실행 할 수 가 있 어 ， 판독 속도 의 고속 화 및 편리 성 의 향상 에 대하 여 유리 하 다 .