상술 하 였 듯이 , 상기 FET 센서 ( 200 ) 의 패 시베이 션 막 ( 501 ) 은 산화 막 또는 질화 막 이 증착 된 것 으로써 , 기존 의 에폭시 수지 로 두껍 게 패 시베이 션 이 되 는 것 에 비하 여 보다 미세 하 게 밀봉 되 어 마이크 로 환경 에서 센서 의 기능 을 더욱 효과 적 으로 발휘 할 수 있 게 되 는 것 이 다 . 특히 세포 와 같이 매우 작 은 물체 에 FET 센서 ( 200 ) 가 패 시베이 션 막 ( 501 ) 에 방해 받 지 않 고 직접 접촉 되 는 것 도 가능 하 다 .