따라서 , 도 2 e 에 나타낸 바 와 같이 전면 플랜 지부 ( 125 ') 의 전면 에 회로 기 판 ( 130 ') 을 위치 시킨 후 , 팩 공정 을 할 때 , 전극 탭 ( 114 ', 115 ') 이 상방 으로 돌출 되 어 있 지 않 으므로 전지 두께 가 전체 적 으로 균일 하 게 되 며 , 이 에 따라 팩 공정 을 용이 하 게 할 수 있 다 . 즉 , 파우 치 케이스 의 밀봉 을 확보 함 과 동시 에 팩 공정 을 용이 하 게 할 수 있 는 구조 를 얻 을 수 있 다 .