최근 반도체 소자 의 집적도 가 급속도 로 증가 함 에 따라 단위 셀 의 면적 또한 급격 하 게 감소 하 고 있 다 . 단위 셀 의 면적 감소 는 단위 셀 에 구현 되 는 개별 소자 의 크기 도 감소 된다는 것 을 의미 한다 . 트랜지스터 나 커패시터 의 크기 가 작 아 짐 은 물론 배선 의 폭 , 배선 과 배선 사이 의 간격 및 상 , 하부 소자 를 전기 적 으로 연결 하 는 컨 택 의 크기 도 계속 미세화 되 고 있 다 . 이 와 같이 미세 화 된 소자 를 제조 하 기 위해서 는 여러 가지 공정 조건 들 이 갖추 어 져야 한다 . 특히 미세 화 된 패턴 을 정교 하 게 형성 할 수 있 기 위해서 는 이 를 뒷받침 할 수 있 는 포 토리 소그라 피 기술 이 필수 적 으로 요구 된다 .