이렇게 본 발명 의 제조 방법 은 과 에칭 을 방지 하 여 고해상도 의 패 터닝 이 가능 하 다는 관점 에서 , 정확 한 치수 제어 가 절실 한 미세 피치 의 반도체 기판 의 가공 에 매우 적합 하 게 적용 될 수 있 다 . 또한 , 종래 에 는 감광성 물질 과 원소 재 기판 사이 의 밀착력 을 향상 시킬 목적 으로 , 감광성 물질 이 도포 되 는 기판 의 접착 면 에 대해 일련 의 전처리 단계 가 선행 되 는 경우 가 있 었 는데 , 본 발명 의 제조 방법 에 의하 면 이러 한 전처리 단계 는 삭제 되 거나 , 또는 적어도 일부 세정 처리 만 으로 간소 화 될 수 있 다 .