도 5 를 참조 하 면 , 실리콘 산화 막 ( 252 ) 을 2 차 식각 마스크 로 하 여 노출 된 부위 의 실리콘 기판 ( 200 ') 의 상면 을 소정 깊이 , 예컨대 230 ㎛ ~ 235 ㎛ 정도 의 깊이 로 2 차 습식 식각 함 으로써 , 다수 의 노즐 ( 210 ) 각각 의 댐퍼 ( 211 ) 를 형성 한다 . 이때 , 실리콘 기판 ( 200 ') 에 대한 습식 식각 은 실리콘 용 에칭 액 ( etchant ) 으로서 , 예컨대 테트라메틸 수산화 암모늄 ( TMAH : Tetramethyl Ammonium Hydroxide ) 또는 수산화 칼륨 ( KOH ) 을 사용 할 수 있 다 . 그러면 , 실리콘 기판 ( 200 ') 내부 의 결정면 에 따른 이방성 습식 식각 특성 에 의해 , 도 1 a 에 도시 된 바 와 같이 피라미드 형태 의 댐퍼 ( 211 ) 가 형성 될 수 있 다 .