이후 , 도 2 g 에 도시 된 바 와 같이 , 감광막 ( 28 ) 을 제거 한 후 , 게이트 전극 용 폴리 실리콘 ( 29 ) 을 증착 한다 . 이때 , I / O PMOS 의 게이트 전극 용 폴리 실리콘 의 두께 는 나머지 영역 의 게이트 전극 으로 사용 되 는 폴리 실리콘 대비 50 Å 낮 게 제어 되 나 , 1000 ? ? 이상 의 게이트 전극 두께 를 고려 할 때 무시 될 수 있 는 수준 이 다 .