디바이스 애플리케이션 의 일 양태 에서 , 메모리 디바이스 가 적층 됨 따라 , 프로세스 웨이퍼 ( W ) 의 디바이스 패턴 에 기인 하 는 요철 ( 예 를 들 어 , 80 nm 내지 100 nm ) 이 증가 되 는 경향 이 있 다 . 한편 , 투영 광학계 의 NA 가 증가 함 에 따라 , 노광 장치 의 DOF 는 좁 아 진다 . NA 가 0 . 33 인 투영 광학계 를 포함 하 는 EUV 노광 장치 에서 는 , 조명 조건 에 따라서 DOF 는 110 nm 내지 300 nm 이 다 . NA 가 0 . 55 인 다음 세대 에서 는 , 조명 조건 에 따라서 DOF 는 약 40 nm 내지 160 nm 가 될 수 있 다 .