본 발명 에 의한 TFT 는 제작 후 에 100 ~ 400 ℃ 에서 소정 시간 어닐링 과정 을 거치 는 것 이 바람직 하 다 . 이 는 제 1 과 제 2 전극 증착 과정 에서 발생 할 수 있 는 플 라즈 마 데미지 를 제거 하 기 위한 것 으로서 , N - doped graphene 의 특성 에 직접 영향 을 미치 는 것 은 아니 다 . 하 기 실시 예 에서 확인 되 었 듯이 , 적절 한 어닐링 에 의해 트랜지스터 의 작 동특성 이 월등히 개선 된다 . 어닐링 온도 와 시간 은 대략 비대칭 관계 이 므로 당업자 가 적절 한 어닐링 조건 을 선택 할 수 있 을 것 이 다 .