제 1 트랜지스터 는 제 2 트랜지스터 보다 스위칭 속도 가 빠르 다 . 따라서 , 제 2 트랜지스터 를 항시 온 상태 로 하 여 제 1 트랜지스터 를 스위칭 시키 는 제 1 모드 에서 는 , 각 메모리 셀 의 정보 의 쓰 기 및 읽 기 를 고속 으로 실시 할 수 가 있 다 . 한편 , 제 2 트랜지스터 는 제 1 트랜지스터 보다 오프 전류 가 작 다 . 따라서 , 제 1 트랜지스터 와 제 2 트랜지스터 를 함께 스위칭 시키 는 제 2 모드 에서 는 , 리 프레쉬 동작 을 실시 하 지 않 아도 용량 소자 에 보관 유지 된 전하 를 장기간 보관 유지 할 수 가 있 다 . 즉 , 반도체 장치 의 리프 레 쉬 동작 이 불 필요 해 지 던지 , 또는 리 프레쉬 동작 의 빈도 를 극히 낮 게 하 는 것 이 가능 해진다 . 그러므로 , 반도체 장치 의 소비 전력 을 충분히 저감 할 수 가 있 다 .