측정 에 이용 한 트랜지스터 는 , 채널 길이 ( L ) 가 3 μ m , 채널 폭 ( Ｗ ) 이 10 μ m , Lov 가 0 μ m , dＷ 가 0 μ m 이 다 . 또한 , Vds 는 10 V 로 했 다는 점 을 주목 하 라 . 또한 , 기판 온도 는 - 40 ℃, - 25 ℃, 25 ℃, 75 ℃, 125 ℃ 및 150 ℃ 에서 행했 다는 점 을 주목 하 라 . 여기 에서 , 트랜지스터 에서 , 게이트 층 과 한 쌍 의 전극 과 의 중첩 하 는 폭 을 Lov 라고 부르 고 , 산화물 반도체 막 에 대한 한 쌍 의 전극 의 초과량 을 dＷ 라고 부른다 .