습윤 에칭 속도 는 도 4 에 도시 되 어 있 으며 , N 2 의 가스 흐름 속도 는 40 sccm 의 일정 한 SiH 4 흐름 의 조건 하 에서 변한다 . 습윤 에칭 속도 는 초기 에 더 낮 은 N 2 가스 흐름 속도 때문 에 감소 된다 , 왜냐하면 이 프로세스 는 질소 제한 되 기 때문 이 다 . 이 방법 에서 , 플라스마 에 첨가 된 추가 질소 는 성장 중 필름 으로부터 수소 의 더욱 효과 적 인 제거 를 제공 한다 . 그 다음 에 이 습윤 에칭 속도 는 최소 를 겪 고 챔버 압력 의 증가 때문 에 올라가 기 시작 한다 . 일정 한 펌핑 속도 를 이 필름 제조 중 에 사용 하 였 다 . 압력 이 올라가 는 경우 에 , 플라스마 내 가스 의 동 력학 은 바뀌 어서 질소 의 능력 을 줄여 수소 를 제거 한다 . 이 방법 은 25 : 1 의 N 2 : SiH 4 흐름 비율 부근 에서 의 WER 의 확연 한 증가 를 보여준다 , 펌핑 제한 에 따른 증가 전 에 25 : 1 내지 40 : 1 의 비율 사이 의 최소 를 겪 는다 .