도 5 a 를 참조 하 면 , 게이트 절연 층 ( 122 A ) 이 각각 의 수직 형 사이리스터 ( 100 V ) 의 양측 벽 에 형성 되 고 , 게이트 ( 121 A ) 는 복수 의 수직 형 사이리스터 ( 100 V ) 의 측벽 을 따라 길 게 연장 되 는 라인 형상 일 수 있 다 . 게이트 ( 121 A ) 은 수직 형 사이리스터 ( 100 V ) 의 양측 벽 에 위치 하 는 수직 형 더블 게이트 구조 일 수 있 으며 , 더블 게이트 구조 는 일 측 끝단 이 서로 연결 될 수 있 다 . 수직 형 더블 게이트 구조 는 수직 형 사이리스터 ( 100 V ) 를 형성 한 후 에 게이트 물질 증착 및 에치 백 에 의해 형성 될 수 있 다 . 수직 형 더블 게이트 구조 는 수직 형 사이리스터 ( 100 V ) 의 양측 벽 을 따라 길 게 연장 되 는 스 페이서 형상 을 가질 수 있 다 .