기판 ( 10 ) 의 상부 영역 ( upper portion ) 에 는 트랜지스터 들 ( RX , DX , SX ) 이 형성 되 는 액티브 영역 ( 110 ) 및 단위 픽셀 들 ( PX 1 ~ PX 4 ) 이 형성 되 는 픽셀 영역 을 정의 하 는 소자 분리 구조 ( 120 ) 가 형성 될 수 있 다 . 소자 분리 구조 ( 120 ) 는 기판 ( 10 ) 이 일정 깊이 로 식각 된 트렌치 에 절연물 이 매립 된 STI ( Swallow Trench Isolation ) 구조 또는 기판 ( 10 ) 에 일정 깊이 로 불순물 이 주입 된 불순물 영역 을 포함 할 수 있 다 .