더 구체 적 으로 는 , 반도체 층 ( 108 ) 에 In - Ga - Zn 산화물 을 사용 한 경우 , In 의 원자 수비 가 Ga 의 원자 수비 보다 큰 금속 산화 물막 을 반도체 층 ( 108 ) 에 적용 할 수 있 다 . 또한 Zn 의 원자 수비 가 Ga 의 원자 수비 보다 큰 금속 산화 물막 을 사용 하 는 것 이 더 바람직 하 다 . 바꿔 말 하 면 , 금속 원소 의 원자 수비 가 In > Ga 및 Zn > Ga 의 양쪽 을 만족 시키 는 금속 산화 물막 을 반도체 층 ( 108 ) 에 적용 하 는 것 이 바람직 하 다 .