도 1 의 ( C ) 에서 는 2 개 의 발광 유닛 을 갖 는 발광 디바이스 에 대하 여 설명 하 였 지만 , 3 개 이상 의 발광 유닛 을 적층 한 발광 디바이스 에 대해서 도 마찬가지 로 적용 할 수 있 다 . 본 실시 형태 에 따른 발광 디바이스 와 같이 , 한 쌍 의 전극 사이 에 복수 의 발광 유닛 을 전하 발생 층 ( 513 ) 으로 칸막이 하 여 배치 함 으로써 , 전류 밀도 를 낮 게 유지 하 면서 고 휘도 발광 을 가능 하 게 하 고 수명 이 더 긴 소자 를 실현 할 수 있 다 . 또한 저전압 구동 이 가능 하 고 소비 전력 이 낮 은 발광 장치 를 실현 할 수 있 다 .