본 발명 의 제조 방법 에서 는 , 상술 한 , 착색 층 형성 공정 , 노광 공정 , 및 현상 공정 을 행한 후 에 , 필요 에 따라 , 형성 된 착색 패턴 을 후 가 열 ( 포스트 베 이크 ) 이나 후 노광 에 의해 경화 하 는 경화 공정 을 포함 하 고 있 어도 좋 다 . 포스트 베 이크 는 , 경화 를 완전 한 것 으로 하 기 위한 현상 후 의 가열 처리 이 고 , 통상 100 ℃ ~ 270 ℃ 의 열 경화 처리 를 행한다 . 광 을 이용 하 는 경우 에 는 , g 선 , h 선 , i 선 , KrF 나 ArF 등 의 엑 시머 레이저 , 전자선 , X 선 등 에 의해 행할 수 있 지만 , 기존 의 고압 수은 등 으로 20 ~ 50 ℃ 정도 의 저온 에서 행하 는 것 이 바람직 하 고 , 조사 시간 으로서 는 , 10 초 ~ 180 초 , 바람직 하 게 는 30 초 ~ 60 초 이 다 . 후 노광 과 후 가 열 의 병 용 의 경우 , 후 노광 을 먼저 실시 하 는 것 이 바람직 하 다 .