본 발명 의 일 실시 예 에 따른 LED ( 120 ) 는 , 이상 에서 설명 한 바 와 같이 , n 형 층 ( 121 ) , 활성 층 ( 122 ) 및 p 형 층 ( 123 ) 을 차례 대로 적층 한 후 , 소정 부분 을 식각 한 후 , n 전극 ( 124 ) 과 p 전극 ( 125 ) 을 형성 하 는 방식 으로 제조 된다 . 이때 , 소정 부분 은 n 전극 ( 124 ) 과 p 전극 ( 125 ) 을 이격 시키 기 위한 공간 으로 , n 형 층 ( 121 ) 의 일부 가 노출 되 도록 소정 부분 이 식각 된다 . 다시 말 해 , n 전극 ( 124 ) 과 p 전극 ( 125 ) 이 배치 될 LED ( 120 ) 의 면 은 평탄 화 된 면 이 아닌 서로 다른 높이 레벨 을 가질 수 있 다 .