본 발명 은 본 발명자 들 의 박막 증착 에 관한 새로운 이론 에 근거 한다 . 지금 까지 는 박막 의 성장 이 주로 원자 나 분자 단위 로 이루어진다고 믿 어 져 왔으며 , 대부분 의 박막 공정 의 개발 은 이러 한 가정 을 근거 로 진행 되 어 왔 기 때문 에 기상 핵 생성 을 야기 시키 는 조건 이 증착 속도 의 한계 가 되 어 왔 다 . 이러 한 증착 속도 의 한계 를 극복 하 기 위해서 는 기상 에서 핵 생성 이 일어나 는 조건 에서 도 양질 의 박막 이 성장 할 수 있 는 조건 을 만들 어 주 면 되 는데 , 이 를 위해서 는 생성 된 핵 또는 나노 입자 가 전하 를 띠 게 하 여 전하 를 띤 클러스터 를 만들 어 주 면 높 은 증착 속도 로 양질 의 박막 제조 가 가능 하 다 .