도시 한 바 와 같이 , 화소 영역 ( P ) 내 의 스위칭 소자 인 박막 트랜지스터 ( Tr ) 가 형성 되 는 스위칭 영역 ( TrA ) 에 있 어 , 기판 ( 110 ) 최 하부 에 게이트 전극 ( 115 ) 이 형성 되 어 있 으며 , 상기 게이트 전극 ( 115 ) 위 로 게이트 절 연막 ( 120 ) 이 형성 되 어 있 으며 , 상기 게이트 절 연막 ( 120 ) 위 로 순수 비정질 실리콘 의 액티브 층 ( 123 ) 이 형성 되 어 있 으며 , 상기 액티브 층 ( 123 ) 위 로 상기 게이트 전극 ( 115 ) 을 기준 으로 서로 이격 하 며 그 끝단 이 상기 액티브 층 ( 123 ) 끝단 과 일치 하 는 형태 의 불순물 비정질 실리콘 의 오 믹 콘 택 층 ( 125 a ) 이 형성 되 어 있 으며 , 상기 각각 의 오 믹 콘 택 층 ( 125 a ) 위 로 그 양 끝단 이 상기 오 믹 콘 택 층 ( 125 a ) 의 끝 단부 에서 상기 게이트 절 연막 ( 120 ) 위 로 연장 한 형태 로써 상기 게이트 전극 ( 115 ) 을 기준 으로 서로 이격 하 는 소스 및 드레 인 전극 ( 133 , 136 ) 이 형성 되 어 있 다 .