본 발명 의 일 실시 예 에 따른 스 태 틱 메모리 소자 에 따르 면 , 게이트 라인 ( 220 ) 의 일 측 단 에 돌출부 ( 220 A ) 가 형성 되 어 제 1 액티브 영역 ( 110 ) 과 일정 폭 ( W ) 만큼 오버랩 된다 . 따라서 , 게이트 라인 ( 220 ) 및 제 1 액티브 영역 ( 110 ) 상부 에 공유 콘 택 ( 520 ) 을 형성 할 때 에 , 제 1 액티브 영역 ( 110 ) 의 가장자리 부분 이 노출 되 지 않 는 다 . 따라서 , 공유 콘 택 ( 520 ) 을 형성 하 는 식각 공정 에서 제 1 액티브 영역 ( 110 ) 의 가장자리 부분 이 손상 되 는 것 을 방지 할 수 있 다 .