상기 미세 패턴 ( 320 a ) 을 형성 하 기 위한 상기 피식 각막 ( 320 ) 의 식각 공정 시 더블 패 터닝 공정 에 의해 형성 된 상기 제 1 마스크 패턴 ( 330 a ) 및 제 2 마스크 패턴 ( 350 b ) 을 식각 마스크 로 이용 하 여 이방성 건식 식각 공정 을 행하 므로 , 고밀도 패턴 영역 ( B ) 에서 포토 리소그래피 공정 의 해 상 한계 를 초월 하 는 미세 한 피치 의 미세 패턴 ( 320 a ) 을 용이 하 게 구현 할 수 있 다 . 또한 , 더블 패 터닝 공정 에 의해 상기 제 1 마스크 패턴 ( 330 a ) 및 제 2 마스크 패턴 ( 350 b ) 을 형성 하 는 데 있 어서 , 상기 제 1 마스크 패턴 ( 330 a ) 의 상면 을 버퍼 마스크 패턴 ( 332 a ) 이 덮 고 있 는 상태 에서 상기 제 2 마스크 패턴 ( 350 b ) 형성 공정 을 행하 므로 , 저밀 도 패턴 영역 ( A ) 에서 상기 제 2 마스크 층 ( 350 ) 이 완전히 제거 되 어야 할 부분 에 상기 제 2 마스크 층 ( 350 ) 의 잔류물 이 남 아 있 는 것 을 방지 하 기 위한 상기 제 2 마스크 패턴 ( 350 a ) 의 과도 식각 시 상기 버퍼 마스크 패턴 ( 332 a ) 의 두께 에 의해 제공 되 는 충분 한 식각 공정 마진 을 확보 할 수 있 다 . 따라서 , 충분 한 과도 식각 에 의해 불 필요 한 잔류물 을 발생 가능 성 을 없애 는 동시 에 상기 제 1 마스크 패턴 ( 330 a ) 및 제 2 마스크 패턴 ( 350 b ) 의 높이 차이 에 따른 식각 불 균일 현상 을 방지 할 수 있 다 . 또한 , 더블 패 터닝 공정 에 의해 미세 패턴 을 구현 하 는 데 있 어서 , 저밀 도 패턴 영역 ( A ) 및 고밀도 패턴 영역 ( B ) 에서 서로 다른 패턴 밀도 를 가지 는 미세 패턴 을 용이 하 게 구현 할 수 있 다 .