" 본 발명 의 방법 및 기술 은 DRAM 의 제조 에 제한 되 지 않 는다 . 다른 에칭 멈춤 층 ( etch stop layer ( "" ESL "")) 이용은 게이트 물질 ( 예 를 들 어 "," 폴리 실리콘 ) 또는 전 - 금속 유전체 ( pre - metal dielectric ( "" PMD "")) 의 위 에 놓인 에칭 멈춤 층 을 포함 하 는 유스 케이스 ( use cases ) 이 다 . 더욱 넓 게 는 ", 낮 은 기판 증착 온도 및 산화물 에칭 단계 에 대한 강한 저항성 을 가진 필름 의 이점 을 가질 수 있 는 임의 의 용도 는 , 본 발명 의 구체 예 로부터 의 이점 을 가질 것 이 다 . 추가 로 , 광학 도파관 은 높 은 굴절 지수 의 조밀 한 필름 을 사용 함 에 의해 가둠 ( confinement ) 을 증가 시킨다 . 광학 적 용도 는 온 - 칩 장치 와 의 통합 이 요구 되 는 때 에 특별히 적합 할 것 이 며 , 왜냐하면 본원 에서 논의 된 증착 기술 은 더 낮 은 기본 온도 를 가능 하 게 하 기 때문 이 다 .