ALD 에서 할로겐 화 된 주석 전구체 들 의 사용 이 많 은 실시 예 들 에서 적합 하 지만 , 일부 실시 예 들 에서 SnCl 4 와 같 은 할로겐 화 된 전구체 들 의 사용 으로 발생 할 수 도 있 는 부식 문제 들 을 방지 하 기 위해 할로겐 화 되 지 않 은 유기 주석 전구체 들 을 사용 하 는 것 이 보다 바람직 하 다 . 적합 한 할로겐 화 되 지 않 은 유기 주석 전구체 들 의 예 들 은 알킬 아미노 주석 ( 알킬 화 된 주석 아미드 ) 전구체 들 , 예컨대 테 트라키스 ( 디메틸아미노 ) 주석 을 포함 한다 . 이 전구체 를 사용 하 는 적합 한 열적 ALD 증착 방법 의 예 는 전체 가 본 명세서 에 참조 로서 인용 된 , " 제목 이 "" Atomic Layer Deposition of Tin Oxide films using Tetrakis ( dimethylamino ) tin "" 인 ", Elam 등 의 논문 ( J . Vac . Sci . Technol . A 26 , 244 ( 2008 ) ) 에 제공 된다 . 이 방법 에서 기판 이 ALD 챔버 내 에서 약 50 내지 300 ℃ 의 온도 에서 테트라 키스 ( 디메틸아미노 ) 주석 및 H 2 O 2 에 순차 적 으로 노출 된다 . 유리 하 게 , 이 전구체 의 사용 은 100 ℃ 이하 의 저온 들 에서 SnO 2 막 들 의 증착 을 허용 한다 . 예 를 들 어 , SnO 2 막 들 은 반응 레이트 를 향상 시키 기 위해 플 라즈 마 를 사용 하 지 않 고 50 ℃ 에서 증착 될 수 있 다 . 테트라 키스 ( 디메틸아미노 ) 주석 및 H 2 O 2 를 사용 한 SnO 의 열적 ALD 의 또 다른 예 는 본 명세서 에 참조 로서 인용 된 , " 제목 이 "" Atomic Layer Deposition of Indium Tin Oxide Thin films Using Nonhalogenated Precursors "" 인 ", Elam 등 의 논문 ( J . Phys . Chem . C 2008 , 112 , 1938 - 1945 ) 에 제공 된다 .