본 명세서 에 제공 된 방법 들 에서 SnO 막 들 을 증착 하 기 적합 한 열적 ALD 프로세스 조건 들 의 또 다른 예 는 전체 가 본 명세서 에 참조 로서 인용 된 , " 제목 이 "" In situ Examination of Tin Oxide ALD using Quartz Crystal Microbalance and Fourier Transform Infrared Techniques "" 인 Du 등 의 논문 ( J . Vac . Sci . Technol . A 23 ", 581 ( 2005 ) ) 에 제공 된다 . 이 프로세스 에서 기판 은 후속 하 여 약 150 내지 430 ℃ 의 온도 에서 ALD 프로세스 챔버 에서 SnCl 4 및 H 2 O 2 에 노출 된다 .