전술 한 바 와 같이 , 소스 영역 은 , 소스 ( 11 - 2 ) 와 , 제 2 익스텐션 ( 9 - 2 ) 과 , 제 2 포켓 영역 ( 8 - 2 ) 과 , 제 4 실리사이드 층 ( 14 - 2 ) 으로 구성 할 수 있 다 . 소스 ( 11 - 2 ) 는 불순물 이 도입 된 실리콘 으로 구성 할 수 있 다 . 그 소스 ( 11 - 2 ) 가 P 형 웰 ( 4 ) 에 형성 되 는 경우 , 그 불순물 은 N 형 불순물 로 구성 할 수 있 다 . 즉 , 소스 ( 11 - 2 ) 는 N 형 불순물 이 도입 된 실리콘 으로 구성 할 수 있 다 . 불순물 의 농도 는 특별히 한정 되 지 는 않 지만 , 전형 적 으로 는 2 E 20 [ 1 / ㎤] 여도 된다 . 소스 ( 11 - 2 ) 의 깊이 는 특별히 한정 되 지 는 않 지만 , 전형 적 으로 는 200 ㎚ 여도 된다 . 소스 ( 11 - 2 ) 상 에 형성 되 는 제 4 실리사이드 층 ( 14 - 2 ) 은 금속 실리사이드 화 반응 에 의해 형성 할 수 있 다 . 폴리 실리콘 막 의 실리콘 원자 와 실리사이드 반응 시키 는 금속 으로 는 전형 적 으로 는 고 융점 금속 이 어도 되 고 , 예 를 들 어 , Co ( 코발트 ) 여도 된다 . 제 4 실리사이드 층 ( 14 - 2 ) 의 상부 내측 측 부 가 제 2 도전 성 사이드 월 구조 체의 하부 외측 측 부 에 접할 필요 가 있 기 때문 에 , 제 4 실리사이드 층 ( 14 - 2 ) 의 상부 영역 이 게이트 절 연막 ( 3 ) 보다 높 은 레벨 이 되 도록 , 제 4 실리사이드 층 ( 14 - 2 ) 의 두께 를 정할 필요 가 있 다 . 제 4 실리사이드 층 ( 14 - 2 ) 의 막 두께 는 , 예 를 들 어 100 ㎚ 여도 된다 .