도 5 에 는 본 발명 의 제 2 실시 예 에 따른 반도체 기판 의 제조 방법 에 관한 공정 흐름 도 가 도시 되 어 있 다 . 도면 을 참조 하 면 , 본 실시 예의 제조 방법 은 이하 와 같 은 공정 단계 들 을 갖 는다 . 즉 , 공정 순서 에 따라 살펴보 면 , 먼저 원소 재 기판 을 준비 하 는 단계 ( S 10 ) , 준비 된 원소 재 기판 상 에 금속 피막 을 형성 하 는 단계 ( S 20 ) , 상기 금속 피막 상 에 감광 필름 을 부착 하 는 단계 ( S 30 ) , 부착 된 감광 필름 에 대해 목적 하 는 기판 형상 을 인식 시키 고 패턴 화 하 는 노광 및 현상 단계 ( S 40 ) , 감광 필름 을 통해 노출 되 어 있 는 금속 피막 을 식각 하 는 1 차 에칭 단계 ( S 50 ) , 감광 필름 을 박리 제거 하 는 단계 ( S 60 ) , 금속 피막 을 통해 노출 되 어 있 는 원소 재 기판 을 식각 하 는 2 차 에칭 단계 ( S 70 ) , 마지막 으로 , 원소 재 기판 상 에 잔존 하 는 금속 피막 을 제거 하 는 3 차 에칭 단계 ( S 80 ) 를 구비 한다 .