이상 에서 살펴본 바 와 같이 , 제 2 실시 예 에 따르 면 반도체 디바이스 에 포함 된 자성 층 과 도전 층 은 이 들 사이 에 배치 된 산화 막 층 에 의해 서로 간 에 접착 될 수 있 다 . 즉 , 산화 막 층 을 통해서 , 자성 층 과 도전 층 간 의 접착력 내지 부착력 이 확보 될 수 있 다 . 따라서 , 자성 층 과 도전 층 간 의 박리 ( delamination ) 문제 가 해결 될 수 있 다 .