비 교예 로서 , 수직 베리어 ( 250 ) 가 관통 하 는 깊이 와 동일 한 깊이 의 트렌치 를 한 번 의 식각 공정 을 통해 형성 할 수 있 다 . 비 교예 에 따른 트렌치 의 상단 폭 은 본 발명 에 따른 개구부 ( 도 9 c 의 240 ) 의 상단 폭 에 비해 넓 게 형성 된다 . 따라서 , 예비 슬릿 들 각각 과 비 교예 에 따른 트렌치 사이 의 간격 확보 를 위해 예비 슬릿 들 사이 의 이격 거리 를 넓 게 형성 해야 한다 . 이 경우 , 메모리 블록 이 차지 하 는 면적 이 증가 할 수 있 다 . 본 발명 의 실시 예 에 따르 면 , 예비 슬릿 들 ( 251 A ) 사이 의 이격 거리 ( D 1 ) 를 비 교예 에 비해 좁 게 형성 하 더라도 , 예비 슬릿 들 ( 251 A ) 각각 과 수직 베리어 ( 250 ) 사이 의 이격 거리 ( D 2 ) 를 확보 할 수 있 다 . 그 결과 , 본 발명 의 실시 예 는 , 비 교예 에 비해 메모리 블록 이 차지 하 는 면적 을 줄일 수 있 다 .