도 15 를 참조 하 면 , 제 2 재배 선 구 조체 ( 150 ) 의 상면 및 상기 제 2 반도체 칩 ( 180 ) 을 둘러싸 는 봉 지재 ( 185 ) 를 형성 하 는 단계 가 이루어진다 . 봉 지재 ( 185 ) 의 상면 은 제 2 반도체 칩 ( 180 ) 의 상면 보다 높 은 레벨 에 위치 하 며 , 봉 지재 ( 185 ) 는 제 2 반도체 칩 ( 180 ) 및 와이어 ( 184 ) 를 전부 덮 을 수 있 다 . 봉 지재 ( 185 ) 는 에폭시 또는 폴리 이미드 등 을 포함 하 는 수지 일 수 있 다 .