한편 , 이온 은 도 3 a 에 나타낸 바 와 같이 쉬스 와 플 라즈 마의 경계 ( 이하 , 쉬스 프로파일 ( profile ) 이 라 함 ) 에 수직 하 는 방향 으로 가속 되 는 특성 을 가지 는데 , 상기 와 같이 쉬스 간격 이 물질 의 양 단부 로 갈수록 불 균일 하 게 되 면 상기 물질 이 기판 ( 8 ) 일 경우 기판 ( 8 ) 표면 에 입사 되 는 이온 의 방향 성 이 떨어져 작업 효율 이 저감 되 는 문제 가 생긴다 .