그런 다음 , 도 2 c 에 도시 한 바 와 같이 , 상기 확산 방지 도전 층 ( 28 ) 의 표면 을 따라 씨드 층 ( 29 ) 을 형성 한다 . 상기 씨드 층 ( 29 ) 은 Cu , Ni , Mo , Pt , Ti 및 Al 중 어느 하나 를 사용 하 며 , PVD , CVD 및 ALD 공정 중 어느 하나 의 공정 으로 50 내지 1 , 500 Å 의 두께 로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 .