다음 으로 는 상기 와 같 은 방법 으로 , 제 2 쇼트 키 금속 박막층 ( 320 ) 을 그 아래 에 형성 된 층 을 덮 는 형태 로 증착 하 고 , 이 위 에 제 2 쇼트 키 금속 박막층 ( 320 ) 을 덮 는 형태 로 제 2 쇼트 키 반도체 층 ( 335 ) 을 증착 한다 . 이런 식 으로 반도체 가 방사성 동위 원소 층 의 양면 에 적층 이 됨 으로써 , 기전력 이 도 3 의 전지 ( 100 ) 보다 는 대략 , 2 배 가 되 는 것 이 다 .