제 2 방향 에서 , 평면 으로 볼 때 n 채널 MOS 트랜지스터 와 팽창 막 ( 11 ) 이 서로 이웃 하 고 있 다 . 이 때문 에 , n 채널 MOS 트랜지스터 는 팽창 막 ( 11 ) 으 부터 채널 길이 가 확장 되 는 방향 으로 의 정 응력 ( positive stress ) 을 받 는다 . 그 결과 , n 채널 MOS 트랜지스터 의 채널 에 는 전자 의 이동 방향 으로 의 정 ( 正 ) 인장 변형 ( positive tensile strain ) 이 생긴다 . 한편 , 제 2 방향 에서 , 평면 으로 볼 때 p 채널 MOS 트랜지스터 와 팽창 막 ( 11 ) 은 서로 벗어나 있 다 . 이 때문 에 , p 채널 MOS 트랜지스터 는 팽창 막 ( 11 ) 으로부터 채널 길이 가 좁 아 지 는 방향 으로 의 정 응력 을 받 는다 . 그 결과 , p 채널 MOS 트랜지스터 의 채널 에 는 , 정공 의 이동 방향 으로 의 정 ( 正 ) 압축 변형 ( positive compressive strain ) 이 생긴다 . 따라서 , n 채널 MOS 트랜지스터 및 p 채널 MOS 트랜지스터 양쪽 의 온 전류 ( on - current ) 를 향상 시킬 수 있 다 .