상기 나노 구 조체 ( 141 ) 를 형성 하 기 위해선 , 우선 발열 꼭지점 ( 123 ) 의 상측 부위 에서 발열체 ( 120 ) 의 일부분 과 겹치 도록 알루미늄 박막 ( 140 ) 을 형성 한다 . 상기 알루미늄 박막 ( 140 ) 에 포토레지스트 를 증착 한 후 , 나노 구조 체 ( 141 ) 가 형성 될 부위 와 아노 다 이징 처리 용액 이 접촉 할 수 있 도록 , 나노 구조 체 ( 141 ) 가 형성 될 부위 의 상측 에 증착 된 포토레지스트 를 포토 리소그래피 를 이용 하 여 패 터닝 한다 . 포토레지스트 가 패 터닝 된 알루미늄 박막 ( 140 ) 부위 를 아 노다 이징 처리 용액 에 잠기 도록 한 후 , 아노 다 이징 용 전극 ( 146 ) ( 147 ) 을 통해 전기 를 공급 하 면 , 포토레지스트 가 패 터닝 된 알루미늄 박막 ( 140 ) 부위 에 나노 구 조체 ( 141 ) 가 형성 된다 .