본 발명 의 제조 방법 은 산소 분위기 및 400 내지 600 ℃ 의 온도 에서 열처리 할 경우 , high - k 물질 을 증착 한 이후 에 도 GeO 2 가 게르마늄 기판 상 에 성장 시켜 이종 접합 산화물 ( hetero - junction oxide ) 이 형성 될 수 있 음 을 발견 하 고 , 게르마늄 기판 상 에 이산화 게르마늄 층 을 형성 하 고 , 형성 된 이산화 게르마늄 층 상 에 high - k 물질 을 증착 한 후 , 게르마늄 기판 과 이산화 게르마늄 층 사이 에 다시 이산화 게르마늄 을 성장 ( 재산 화 ) 시켜 계면 상태 를 회복 하 는 방법 에 관한 것 이 다 .