이어서 , 도면 에 는 도시 하 지 않 았 지만 , 상기 도전 물질 층 ( 117 ) 상 에 제 3 감광막 ( 미 도시 ) 을 도포 한 후 상기 제 3 감광막 위 에 제 3 마스크 공정 으로 제 3 마스크 ( 마스크 ) 를 위치 시킨 상태 에서 자외선 과 같 은 광 을 조사 하 고 이어 현상 공정 을 진행 하 여 , 제 3 감광막 패턴 ( 미 도시 ) 을 형성 한다 . 이때 , 상기 제 3 감광막 패턴 ( 미 도시 ) 은 소스 / 드레 인 전극 으로 형성 될 투명 도 전 물질 층 ( 117 ) 부분 만 블로킹 한다 .