본 발명 은 소자 분리 막 용 물질 증착 과정 에서 발생 되 는 옥시던트 ( oxidant ) 들 이 후속 열처리 공정 - 또는 , 막 증착 공정 시 가해 지 는 열 공정 포함 - 에 의해 활성 영역 으로 확산 되 어 활성 영역 의 폭 이 감소 되 는 것 을 방지 할 수 있 는 비휘발성 메모리 소자 의 제조 방법 을 제공 하 기 위한 것 으로 , 이 를 위해 본 발명 은 트렌치 가 형성 된 기판 을 준비 하 는 단계 와 , 상기 트렌치 의 내 부면 을 따라 확산 방지 막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 확산 방지 막 에 대해 산소 ( O 2 ) 를 이용 하 여 플 라즈 마 처리 를 실시 하 는 단계 와 , 상기 트렌치 가 매립 되 도록 상기 기판 상 에 소자 분리 막 용 절 연막 을 형성 하 는 단계 와 , 상기 소자 분리 막 용 절 연막 과 상기 확산 방지 막 을 일정 깊이 로 후퇴 시키 는 단계 를 포함 하 는 비휘발성 메모리 소자 의 제조 방법 을 제공 한다 .