그리고 , 상기 스테이지 ( 12 ) 상부 에 는 제 1 전극 ( 14 ) 이 위치 한다 . 특히 , 상기 제 1 전극 ( 14 ) 은 그 상부 에 반도체 기판 ( W ) 이 놓여 지 는 부재 로써 척 , 플레이트 등 과 같 은 역할 을 갖 는다 . 아울러 , 상기 스테이지 ( 12 ) 와 그 상부 에 위치 하 는 제 1 전극 ( 14 ) 사이 에 는 공간 ( 55 ) 이 형성 된다 . 이 와 같이 , 상기 스테이지 ( 12 ) 와 제 1 전극 ( 14 ) 사이 에 공간 ( 55 ) 을 형성 하 는 것 은 상기 공간 ( 55 ) 으로 플 라즈 마 를 형성 하 기 위한 반응 가스 를 제공 하 기 위함 이 다 . 또한 , 상기 스테이지 ( 12 ) 와 제 1 전극 ( 14 ) 사이 의 공간 ( 55 ) 의 경우 에 는 플 라즈 마가 형성 되 는 부분 으로써 , 약 0 . 1 내지 50 mm 의 폭 을 갖 는 것 이 바람직 하 다 . 그 이유 는 , 상기 스테이지 ( 12 ) 와 제 1 전극 ( 14 ) 사이 의 공간 ( 55 ) 이 약 0 . 1 mm 이하일 경우 에 는 플 라즈 마의 용이 한 형성 에 방해 를 받 기 때문 이 고 , 상기 스테이지 ( 12 ) 와 제 1 전극 ( 14 ) 사이 의 공간 ( 55 ) 이 약 50 mm 초과 일 경우 에 는 플 라즈 마 를 이용 한 식각 효율 이 저하 되 기 때문 이 다 . 한편 , 상기 제 1 전극 ( 14 ) 은 반도체 기판 ( W ) 의 가장자리 상부 , 측면 및 가장 자리 하부 에 플 라즈 마 를 형성 할 때 고주파 에너지 가 인가 되 고 , 반도체 기판 ( W ) 의 이면 에 플 라즈 마 를 형성 할 때 접지 된다 .