그 다음 으로 , ( 대체 ) 게이트 유전체 층 ( 52 ) 이 형성 되 고 , 이 는 게이트 스 페이서 ( 38 ) 사이 의 트렌치 내 로 연장 된다 . 본 개시 의 일부 실시 예 에 따라서 , 게이트 유전체 층 ( 52 ) 각각 은 계면 층 ( IL , Interfacial Layer ) 을 그 하부 로서 포함 하 며 , 이 는 대응 하 는 돌출 핀 ( 24 ') 의 노출 된 표면 과 접촉 한다 . IL 은 , 돌출 핀 ( 24 ') 의 열 산화 , 화학 적 산화 공정 , 또는 성막 공정 을 통해 형성 되 는 , 실리콘 산화물 층 과 같 은 산화물 층 을 포함 할 수 있 다 . 게이트 유전체 층 ( 52 ) 은 또한 , IL 위 에 형성 된 하이 - k 유전체 층 을 포함 할 수 있 다 . 하이 - k 유전체 층 은 , 하프늄 산화물 , 란타늄 산화물 , 알루미늄 산화물 , 지르코늄 산화물 , 또는 실리콘 질화물 등 과 같 은 하이 - k 유전체 물질 을 포함 할 수 있 다 . 하이 - k 유전체 물질 의 유전 상수 ( k - 값 ) 는 3 . 9 보다 더 높 으며 , 약 7 . 0 보다 더 높 을 수 도 있 다 . 하이 - k 유전체 층 은 컨 포 멀 한 층 으로서 형성 되 고 , 돌출 핀 ( 24 ') 의 측벽 및 게이트 스 페이서 ( 38 ) 의 측벽 상 에서 연장 된다 . 본 개시 의 일부 실시 예 에 따라서 , 하이 - k 유전체 층 은 ALD 또는 CVD 를 사용 하 여 형성 된다 .