또한 , 상기 에 있 어서 , 산화물 반도체 를 사용 하 여 트랜지스터 를 구성 하 는 경우 를 나타냈 지만 , 개시 하 는 발명 은 이것 에 한정 되 지 않 는다 . 산화물 반도체 와 동등 한 오프 전류 특성 을 실현 할 수 있 는 재료 , 예 를 들 면 , 탄화 실리콘 을 비롯 한 와이드 갭 재료 ( 보다 구체 적 으로 는 , 예 를 들 면 , 에너지 갭 ( Eg ) 이 3 eV 보다 큰 반도체 재료 ) 등 을 적용 해도 좋 다 .