실시 예 및 비 교예 들 에 따른 조성물 을 각각 실리콘 웨이퍼 위 에 스핀 - 코팅 법 으로 코팅 하 고 , 60 초간 200 ℃ 에서 베이 킹 하 여 두께 1500 Å 의 필름 을 형성 시켰 다 . 형성 된 각각 의 필름 위 에 ArF 용 포토레지스트 를 코팅 하 고 110 ℃ 에서 60 초간 베이 킹 한 후 ASML ( XT : 1450 G , NA 0 . 93 ) 사 의 노광 장비 를 사용 해 각각 노광 을 한 다음 TMAH ( 2 . 38 wt % 수용액 ) 으로 각각 현상 하 여 60 nm 의 라인 - 앤드 - 스페이스 ( line and space ) 패턴 을 얻 었 다 .