제 3 실시 예 에서 는 먼저 , 제 1 실시 예 와 마찬가지 로 , 알루미늄 산화 막 ( 22 ) 의 형성 및 그 직후 의 회복 어닐링 까지 의 처리 를 행한다 ( 도 1 h 참조 ) . 다음 , 도 5 a 에 나타나 있 는 바 와 같이 소정 의 위치 에 개구부 를 갖 는 레지스 트 패턴 ( 95 ) 을 형성 한다 . 이 때 , 레지스 트 패턴 ( 95 ) 의 일부 의 개구부 는 레지스 트 패턴 ( 92 ) 의 개구부 보다 큰 것 으로 한다 . 또한 , 레지스 트 패턴 ( 95 ) 의 다른 일부 의 개구부 는 레지스 트 패턴 ( 93 ) 의 개구부 와 같 은 것 으로 한다 . 그리고 , 레지스 트 패턴 ( 95 ) 을 마스크 로 하 여 알루미늄 산화 막 ( 22 , 21 ) 의 에칭 을 행함 으로써 , 개구부 ( 51 t , 5 lb ) 와 함께 , 컨 택트 플러그 ( 14 s ) 의 상측 에 위치 하 는 개구부 ( 61 s ) 및 컨 택트 플러그 ( 14 d ) 의 상측 에 위치 하 는 개구부 ( 61 d ) 를 형성 한다 .