실시 예 로서 , 상기 각 메모리 블록 을 준비 하 는 단계 를 더 포함 하 고 , 상기 각 메모리 블록 을 준비 하 는 단계 는 상기 기판 상 의 제 1 방향 을 따라 신장 되 고 , 상기 기판 과 교차 하 는 제 2 방향 을 따라 적층 되 고 , 그리고 상기 기판 상 의 제 3 방향 을 따라 특정 거리 만큼 이격 되 어 제공 되 는 구조물 들 을 준비 하 는 단계 ; 그리고 상기 구조물 들 에 기반 하 여 상기 복수 의 메모리 셀 들 을 구성 하 는 단계 를 포함 하 고 , 각 구조물 에서 , 상기 제 1 방향 을 따라 특정 거리 만큼 이격 되 며 상기 제 2 방향 을 따라 각 구조물 을 관통 하 여 상기 기판 에 접촉 하 는 필라 들 이 제공 되 고 , 그리고 상기 기판 상 에서 상기 제 1 방향 은 상기 제 3 방향 과 교차 한다 .