도 1 a 에 도시 된 바 와 같이 , 소스 ( 105 ) 는 도 1 a 에 측면 도로 도시 된 복수 의 기공 들 ( 200 ) 을 갖 는 표면 - 처리 된 마이크 로 채널 플레이트 ( 135 ) 를 포함 한다 . 소스 ( 105 ) 는 전자 들 의 자발 적 인 방출 을 표면 에 제공 하 며 , 이 는 냉음극 ( cold cathode ) 이온 화 게이지 ( 100 ) 에 대해 전자 소스 로서 사용 된다 . 마이크 로 채널 ( 135 ) 는 입력 표면 ( 140 ) , 및 출력 표면 ( 145 ) , 및 일련 의 융합 된 튜브 들 ( fused tubes ) 을 포함 하 며 , 상기 튜브 들 은 바람직 하 게 유리 튜브 들 이 며 , 강체 구조 로 복수 의 기공 들 ( 200 ) ( 도 2 ) 을 형성 한다 . 결국 , 플레이트 ( 135 ) 는 복수 의 튜브 들 또는 기공 들 ( 200 ) 을 형성 하 는 도 1 b 에 도시 된 전체 적 으로 디스크 형태 를 갖 는다 . 전압 원 ( 160 a ) 은 플레이트 ( 135 ) 에 걸쳐 연결 되 며 , 상기 플레이트 는 케스 케이드 로 전자 들 을 증가 시킨다 . 이후 출력 표면 ( 145 ) 을 떠나 는 전자 빔 전류 는 전압 원 ( 160 a ) 을 조절 하 는 전자 전류 조절기 ( 160 c ) 에 의해 조절 될 수 있 다 . 전자 빔 전류 는 전류계 ( 187 ) 에 의해 측정 된다 . 전류계 ( 187 ) 로부터 측정 된 전류 정보 는 이후 전자 빔 전류 를 제어 하 는 전자 전류 조절기 ( 160 c ) 에 제공 된다 . 전류계 ( 187 ) 는 그리드 ( 115 ) 에 도착 한 전자 들 로부터 그리드 ( 115 ) 에서 발생 된 전류 를 측정 한다 . 이러 한 측정 전류 는 소스 ( 105 ) 로부터 이온 화 용적 에 제공 되 고 있 는 전자 들 의 수 를 나타낸다 . 전류계 ( 187 ) 로부터 측정 된 전류 정보 는 소스 ( 105 ) 를 제어 하 기 위해 피드백 으로서 전류 정보 를 사용 하 는 게이지 ( 100 ) 의 구성 요소 들 에 제공 된다 .