따라서 , 본 발명 은 게이트 용 홈 의 하부 에 는 고농도 의 P 형 폴리 실리콘 막 을 형성 하 고 상기 게이트 용 홈 의 상부 에 는 고농도 의 N 형 폴리 실리콘 막 을 형성 함 으로써 , 반도체 소자 의 구동 전류 를 증가 시킬 뿐 아니 라 GIDL 현상 을 개선 할 수 있 으므로 , 반도체 소자 특성 및 신뢰 성 을 효과 적 으로 향상 시킬 수 있 다 .