상기 목적 을 달성 하 기 위하 여 , 본 발명 의 제 1 양태 에 따른 반도체 소자 의 미세 패턴 형성 방법 에서 는 기판 상 의 피식 각막 위 에 제 1 마스크 패턴 및 버퍼 마스크 패턴 이 차례 로 적층 된 복수 의 다중 층 마스크 패턴 을 형성 한다 . 상기 복수 의 다중 층 마스크 패턴 사이 의 공간 에서 상기 피식 각막 위 에 상기 다중 층 마스크 패턴 의 상면 보다 더 낮 은 높이 의 상면 을 가지 는 제 2 마스크 패턴 을 형성 한다 . 상기 제 1 마스크 패턴 의 상면 이 노출 되 도록 상기 버퍼 마스크 패턴 을 제거 한다 . 상기 제 1 마스크 패턴 및 제 2 마스크 패턴 을 식각 마스크 로 하 여 상기 피식 각막 을 식각 한다 .