이어서 , 상기 기판 을 냉각 하 면서 상기 제 1 합금 을 다시 증발 시킨다 ( S 70 ) . 이 는 상기 기판 의 표면 에 Cu 2 - xSe 의 형성 을 방지 하 기 위하 여 수행 하 는 선택 적 인 공정 이 다 . 이 경우 에 다시 증발 시키 는 제 1 합금 의 양 은 이전 단계 에서 증발 되 는 제 1 합금 의 양 에 비하 여 상대 적 으로 매우 소량 이 다 . 상술 한 공정 을 수행 하 여 , 박막 형 트랜지스터 및 광 박막 형 트랜지스터 에 적용 하 기 에 적합 한 얇 은 n - 형 CIS 및 / 또는 p - 형 CIS 박막 이 형성 된다 . 그러나 , 상술 한 n - 형 CIS 막 및 p - 형 CIS 막 의 형성 방법 은 예시 적 이 며 , 반드시 이 에 한정 되 는 것 은 아니 다 .