이 에 따라 , 상기 제 2 모드 즉 , 공개 모드 에서 광 의 투과율 을 증가 시킬 수 있 다 . 즉 , 도 35 를 참조 하 면 , 공개 모드 에서 상기 양 각부 ( EA ) 가 배치 되 지 않 는 영역 에서 는 , 상기 하부 기판 ( 110 ) 으로 입사 되 어 , 상기 상부 기판 ( 120 ) 방향 으로 출사 되 는 광이 일 끝단 에 응집 된 광 흡수 입자 등 의 차광 물질 에 의해 일부 광이 차단 될 수 있 으나 , 도 36 을 참조 하 면 , 공개 모드 에서 상기 양 각부 ( EA ) 가 배치 되 는 영역 에서 는 , 상기 하부 기판 ( 110 ) 으로 입사 되 어 , 상기 상부 기판 ( 120 ) 방향 으로 출사 되 는 광이 별도 의 광 흡수 입자 등 의 차광 물질 을 거치 지 않 고 대부분 의 광이 상부 전극 방향 으로 출사 될 수 있 다 .