도 3 을 참조 하 면 , 상기 반도체 기판 ( 100 ) 상 에 스 페이서 막 ( 120 ) 을 형성 할 수 있 다 . 상기 스 페이서 막 ( 120 ) 은 실리콘 산화 막 , 실리콘 질화 막 , 실리콘 산질 화 막 또는 이 들 의 조합 막인 절 연막 으로 형성 할 수 있 다 . 상기 스 페이서 막 ( 120 ) 은 상기 캡 핑 패턴 ( 110 ) 에 대하 여 식각 선택 비 를 가지 는 물질 로 형성 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 상기 캡 핑 패턴 ( 110 ) 을 실리콘 질화 막 으로 형성 하 는 경우 , 상기 스 페이서 막 ( 120 ) 은 실리콘 산화 막 으로 형성 할 수 있 다 .