기판 ( 700 ) 으로서 는 유리 기판 이 사용 된다 . 하 지 절 연막 ( 702 ) 으로서 는 산화 실리콘 막 이 사용 된다 . 산화물 반도체 막 ( 706 ) 으로서 는 In - Sn - Zn - O 막 이 사용 된다 . 한 쌍 의 전극 ( 714 ) 으로서 는 텅스텐 막 이 사용 된다 . 게이트 절연 층 ( 708 ) 으로서 는 산화 실리콘 막 이 사용 된다 . 게이트 층 ( 710 ) 으로서 는 질화 탄 탈막 과 텅스텐 막 과 의 적층 구조 가 사용 된다 . 층간 절 연막 ( 716 ) 으로서 는 산화 질화 실리콘 막 과 폴리 이미드 막 과 의 적층 구조 가 사용 된다 . 배선 ( 718 ) 으로서 는 티 탄막 , 알루미늄 막 , 티 탄막 이 이 순서 로 형성 된 적층 구조 를 , 보호막 ( 720 ) 으로서 는 폴리 이미드 막 을 , 각각 이용 했 다 .