이러 한 문제점 을 해결 하 기 위하 여 인용 발명 ( 한국 특허 공개 2006 - 81230 호 ) 은 도 1 에 도시 된 바 와 같이 슬릿 ( 20 a ) 이 형성 된 그리드 ( 20 ) 를 이용 하 여 장방형 ( rectangular ) 의 이온 빔 을 추출 하 고 , 도 2 에 도시 된 바 와 같이 슬릿 ( 21 a ) 이 형성 된 그리드 ( 21 , 22 ) 를 복수 개 적층 하 여 각 그리드 에 인가 되 는 전압 을 조절 하 여 이온 빔 의 방향 을 조절 하 는 기술 들 을 제안 하 고 있 다 .