기판 을 의도 적 으로 가열 함 으로써 스퍼터링 성막 중 의 수분 이 산화물 반도체 막 속 에 넣 어 지 는 것 을 저감 하 는 효과 를 기대 할 수 있 다 . 또한 , 성막 후 에 열처리 를 함 에 의해서 도 , 산화물 반도체 막 으로부터 수소 나 수산기 혹은 수분 을 방출 시켜서 제거 할 수 가 있 으며 , 상기 와 같이 전계 효과 이동도 를 향상 시킬 수 가 있 다 . 이러 한 전계 효과 이동도 의 향상 은 , 탈수 화 , 탈수소 화 에 의한 불순물 의 제거 뿐 만 아니 라 , 고 밀도 화 에 의해 원자 간 거리 가 짧 아 지 기 때문 이 라고 도 추정 된다 . 또한 , 산화물 반도체 로부터 불순물 을 제거 하 여 고 순도 화 하 는 것 으로 써 결정화 를 꾀할 수 가 있 다 . 이 와 같이 고 순도 화 된 비단 결정 산화물 반도체 는 , 이상 적 으로 는 100 m 2 / Vsec 를 넘 는 전계 효과 이동도 를 실현 하 는 것 도 가능 하 게 된다고 추정 된다 .