반도체 장치 는 제 1 절연 층 , 제 2 절연 층 , 반도체 층 , 및 제 1 도전 층 을 가진다 . 제 1 절연 층 위 에 반도체 층 , 제 2 절연 층 , 및 제 1 도전 층 이 이 순서 대로 적층 된다 . 제 1 절연 층 은 제 1 절 연막 , 제 2 절 연막 , 및 제 3 절 연막 이 이 순서 대로 적층 된 적층 구조 를 가진다 . 제 2 절연 층 은 산화물 을 포함 한다 . 제 3 절연 막 은 반도체 층 과 접하 는 부분 을 가진다 . 제 1 절연 막 은 실리콘 및 질소 를 포함 한다 . 제 2 절연 막 은 실리콘 , 질소 , 및 산소 를 포함 한다 . 제 3 절연 막 은 실리콘 및 산소 를 포함 한다 . 반도체 층 은 인듐 및 산소 를 포함 한다 .