도 1 a 에 도시 된 바 와 같이 , 게이트 도전 층 ( 50 ) , 소오 스 ( 30 a ) 및 드레 인 ( 30 b ) 각각 에 0 . 6 V , 0 V 및 2 . 3 V 의 전압 을 인가 하 면 , 소오 스 ( 30 a ) 에서 플로팅 채널 바디 ( 30 c ) 를 통해 드레 인 ( 30 b ) 으로 전자 가 이동 된다 . 이 과정 에서 플로팅 채널 바디 ( 30 c ) 내 에서 전자 충돌 ( impact ) 에 의한 전자 - 정공 쌍 ( pair ) 들 이 발생 한다 . 이때 발생 된 정공 들 은 플로팅 채널 바디 ( 30 c ) 외부 로 빠져나가 지 못하 고 그 내부 에 축적 된다 . 이러 한 정공 들 을 초과 정공 ( excess holes ) ( 5 ) 이 라 한다 . 이렇게 플로팅 채널 바디 ( 30 c ) 에 초과 정공 ( 5 ) 이 축적 된 상태 는 제 1 상태 라 한다 .