전술 한 바 와 같이 , 다 마신 공정 을 적용 한 반도체 소자 의 금속 배선 형성 방법 에서 는 금속 배선 의 패턴 밀도 , 선폭 및 간격 의 크기 , 모양 , 그리고 CMP 공정 시 두 물질 간 의 연마 선택 비 에 기인 하 여 디싱 및 침식 이 발생 함 을 인지 하 였 다 . 상기 한 요인 들 중 물리 적 인 요인 들 은 소자 설계 시 이미 결정 되 는 것 으로서 , 이러 한 요소 들 을 조절 하 여 디싱 및 침식 발생 을 억제 하 는 것 은 사실 상 불 가능 하 다 .