반도체 기판 은 반도체 디바이스 들 을 생성 하 기 위한 다양 한 제조 프로세스 들 에 노출 된다 . 사용 되 는 프로세스 들 은 무엇 보다 , 증착 프로세스 , 에칭 프로세스 , 패 터닝 프로세스 를 포함 한다 . 증착 프로세스 는 기판 표면 상 에 재료 의 막 또는 층 을 증착 하 도록 사용 된다 . 산업 계 에 공지 된 일부 증착 프로세스 들 은 무엇 보다 , CVD ( chemical vapor deposition ― 예 를 들 어 , PECVD ( plasma enhanced CVD ) ) , PVD ( physical vapor deposition ) , ALD ( atomic layer deposition ) , 전기 화학 적 증착 을 포함 한다 . PECVD 의 경우 , 플라 즈 마는 챔버 내 에 형성 된 프로세싱 영역 내 에서 인시 츄 생성 되 거나 리모트 로 생성 되 고 프로세싱 영역 으로 공급 된다 . 후자 의 프로세스 는 RPCVD ( Remote Plasma CVD ) 라고 한다 . CVD 는 기판 표면 상 에 컨 포 멀 한 막 들 을 증착 하 도록 사용 된다 .