도 2 e 를 참조 하 면 , 상기 비정질 카본 막 ( 208 ) 을 제거 한 후 , PSG 막 을 식각 마스크 로 이용 하 여 노출 된 반도체 기판 ( 200 ) 의 게이트 형성 영역 을 식각 하 여 게이트 용 홈 ( H ) 을 형성 한다 . 그런 다음 , 상기 PSG 막 과 그 아래 의 실리콘 산화 막 을 습식 식각 방식 에 따라 차례 로 제거 한다 . 상기 PSG 막 과 실리콘 산화 막 의 제거 는 희석 된 HF 또는 희석 된 BOE 용액 을 사용 하 여 수행 한다 .