일반 적 으로 , 반도체 소자 의 제조 를 위해서 웨이퍼 상 에 소정 의 막 을 형성 하 고 , 원 하 는 패턴 을 형성 하 기 위한 리소그래피 ( lithography ) 공정 이 진행 된다 . 리소그래피 공정 은 소정 의 막 이 형성 된 웨이퍼 상 에 포토 레지스 트 막 을 형성 하 고 , 마스크 를 이용 하 여 상기 포토 레지스 트 막 을 노광 및 현상 시킨 후 , 포토 레지스 트 패턴 을 이용 하 여 상기 웨이퍼 상 의 막 을 식각 하 는 공정 이 다 . 상기 노광 공정 은 반도체 소자 제조 공정 의 정확도 를 결정 하 는 중요 한 공정 이 다 .