상술 한 공정 들 을 수행 함 으로써 , 셀 영역 ( C ) 에 제 1 깊이 및 제 1 폭 을 갖 는 제 1 필드 절 연막 패턴 ( 124 ) 을 형성 하 고 , 주변 영역 ( P ) 에 제 1 깊이 보다 깊 은 제 3 깊이 및 제 1 폭 보다 넓 은 제 2 폭 을 갖 는 제 2 필드 절 연막 패턴 ( 126 ) 을 형성 할 수 있 다 . 이 와 같이 , 폴리머 부착 공정 을 이용 하 여 깊이 가 다른 트렌치 들 ( 110 , 116 ) 을 형성 함 으로써 , 깊이 가 다른 트렌치 들 ( 110 , 116 ) 을 형성 하 기 위한 부가 적 인 증착 공정 및 식각 공정 등 을 생략 할 수 있 으므로 트렌치 형성 공정 을 보다 간략 화 할 수 있 다 . 더불 어 , 폴리머 를 포함 하 는 희생 막 ( 114 ) 을 식각 마스크 로 사용 함 으로써 , 측벽 에 단차 가 없 는 제 2 트렌치 ( 116 ) 를 용이 하 게 형성 할 수 있 다 .