도 20 에서 의 SJ - MOS 트랜지스터 ( 111 ) 에서 는 , PN 칼럼 층 ( 18 ) 이 N 형 반도체 층 ( 1 ) 에 접해 있 는 제 1 칼럼 층 ( 18 a ) 및 P 형 반도체 층 ( 3 ) 에 접해 있 는 제 2 칼럼 층 ( 18 b ) 에 더 하 여 , 중심 에 위치 한 제 3 칼럼 층 ( 18 c ) 을 구비 한다 . 임의 의 깊이 에서 의 제 3 칼럼 층 ( 18 c ) 의 불순물 양 의 차이 의 값 ( Dl ) 은 제 1 칼럼 층 ( 18 a ) 에서 의 불순물 양 의 차이 의 값 ( Dj ) 과 제 2 칼럼 층 ( 18 b ) 에서 의 불순물 양 의 차이 의 값 ( Dk ) 사이 에서 설정 된다 ( Dk < Dl < Dj ) . 보다 구체 적 인 예 로서 , 제 1 칼럼 층 ( 18 a ) 에서 의 불순물 양 의 차이 의 값 ( Dj ) 및 제 2 칼럼 층 ( 18 b ) 에서 의 불순물 양 의 차이 의 값 ( Dk ) 은 그 절대 값 이 서로 동일 하 도록 설정 되 고 , 제 3 칼럼 층 ( 18 c ) 의 불순물 양 의 차이 의 값 ( Dl ) 이 0 으로 설정 될 것 이 다 . 따라서 , 도 20 에서 의 SJ - MOS 트랜지스터 ( 111 ) 에 대하 여 , 도 14 에 예시 된 SJ - MOS 트랜지스터 ( 103 ) 의 특성 과 동일 한 특성 이 얻 어 질 수 도 있 다 . 도 20 에서 의 수학 적 표현 에 의해 나타낸 바 와 같이 , 각각 의 칼럼 층 에서 는 다음 과 같 은 관계 가 성립 한다 . 즉 , 제 1 칼럼 층 ( 18 a ) 에서 는 Dj ∝ ( Xcn ㆍ W 9 n - Xdp ㆍ W 9 p ) > 0 이고 , 제 2 칼럼 층 ( 18 b ) 에서 는 Dk ∝ ( Xcn ㆍ W 9 n - Xep ㆍ W 9 p ) < 0 이 며 , 제 3 칼럼 층 ( 18 c ) 에서 는 Dk < Dl ∝ ( Xcn ㆍ W 9 n - Xfp ㆍ W 9 p ) < Dj 이 다 . 여기 서 , W 9 n = W 9 p , | Xcn - Xdp | = | Xcn - Xep | 및 Dg = 0 이 다 .