당해 네거티브 형 현상 프로세스 를 적용 하 는 경우 , 화학 증폭 형 레지스 트 조성물 을 지 지체 상 에 도포 하 여 얻 어 지 는 레지스 트 막 에 대해 선택 적 으로 노광 하 면 , 레지스 트 막 의 노광 부 는 , 베이스 수지 중 의 산 분해 성기 가 , 산 발생 제 등 으로부터 발생 한 산 의 작용 에 의해 분해 되 어 , 유기계 현상액 에 대해 가용성 으로부터 난용 성 으로 변화 하 는 한편 , 레지스 트 막 의 미노 광부 는 가용성 인 채 로 변화 하 지 않 기 때문 에 , 유기계 현상액 으로 현상 함 으로써 , 노 광부 와 미노 광부 사이 에서 용해 콘트 라스트 를 부여 할 수 있 어 , 네거티브 형 레지스 트 패턴 을 형성 할 수 있 다 .