제 1 영역 ( 1091 a , 1091 b ) 은 중간층 ( interlayer ) ( 1010 a , 1010 b ) 과 금속 층 ( 1020 a , 1020 b ) 으로 구성 되 며 동일 한 영역 은 전기 적 으로 연결 될 수 있 다 . 즉 , 1002 에 배치 된 바 와 같이 핑거 타입 ( finger type ) 으로 포토다이오드 를 구성 할 수 있 다 . 중간층 ( 1010 a , 1010 b ) 과 반도체 층 ( 1000 ) 사이 의 전 도 대 오프셋 ( conduction band offset , CBO ) 을 를 작 게 하 거나 혹은 0 으로 만들 어 주 는 물질 이 중간층 ( 1010 a , 1010 b ) 을 구성 하 는 것 이 본 발명 의 일 실시 예 이 다 . 예 를 들 어 , 반도체 층 ( 1000 ) 이 저마늄 인 경우 , TiO 2 와 같 은 물질 이 포함 될 수 있 다 . 또한 중간층 ( 1010 a , 1010 b ) 의 두께 를 조절 하 여 암전 류 의 감소 효과 를 높일 수 있 다 .