도전 패턴 ( 130 ) 이 형성 된 반도체 칩 ( 110 ) 상 에 는 절연성 포토레지스트 구조물 ( 120 ) 이 형성 된다 . 절연성 포토레지스트 구조물 ( 120 ) 에 는 도전 패턴 ( 130 ) 의 일부 를 노출 시키 는 제 1 콘 택 홀 ( 145 ) 이 형성 된다 . 제 1 콘 택 홀 ( 145 ) 은 도전 부재 ( 140 ) 에 의하 여 매립 된다 .