즉 , 시프트 된 상태 에서 드레 인 전극 ( DE 1 , DE 2 ) 의 연결부 ( DE 1 a , DE 2 a ) 와 게이트 전극 ( GE ) 과 중첩 하 는 영역 ( B 1 _ 1 , B 2 _ 1 ) 의 면적 은 시프트 되 기 전 상태 에서 드레 인 전극 ( DE 1 , DE 2 ) 의 연결부 ( DE 1 a , DE 2 a ) 와 게이트 전극 ( GE ) 과 중첩 하 는 영역 ( B 1 , B 2 ) 의 면적 보다 감소 할 수 있 고 , 시프트 된 상태 에서 드레 인 전극 ( DE 1 , DE 2 ) 의 보상 부 ( DE 1 b , DE 2 b ) 와 게이트 전극 ( GE ) 과 중첩 하 는 영역 ( B 1 '_ 1 , B 2 '_ 1 ) 의 면적 은 시프트 되 기 전 상태 에서 드레 인 전극 ( DE 1 , DE 2 ) 의 보상 부 ( DE 1 b , DE 2 b ) 와 게이트 전극 ( GE ) 과 중첩 하 는 영역 ( B 1 ', B 2 ') 의 면적 보다 증가 할 수 있 다 . 그러나 드레 인 전극 ( DE 1 , DE 2 ) 의 연결부 ( DE 1 a , DE 2 a ) 및 보상 부 ( DE 1 b , DE 2 b ) 가 게이트 전극 ( GE ) 과 중첩 면적 의 합 은 시프트 되 기 전 의 경우 ( B 1 + B 1 ', B 2 + B 2 ') 와 시프트 된 후 ( B 1 _ 1 + B 1 '_ 1 , B 2 _ 1 + B 2 '_ 1 ) 의 경우 가 동일 할 수 있 다 .