상기 협 폭 패턴 ( 720 ) 은 도전 성 물질 을 포함 할 수 있 다 . 상기 협 폭 패턴 ( 720 ) 은 제 2 박막 트랜지스터 ( 300 ) 의 제 2 소스 전극 ( 350 ) 및 제 2 드레 인 전극 ( 360 ) 과 동일 한 층 상 에 위치 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 상기 협 폭 패턴 ( 720 ) 은 상기 제 2 박막 트랜지스터 ( 300 ) 의 상기 제 2 소스 전극 ( 350 ) 및 상기 제 2 드레 인 전극 ( 360 ) 과 동일 한 물질 을 포함 할 수 있 다 . 상기 협 폭 패턴 ( 720 ) 은 상기 제 2 박막 트랜지스터 ( 300 ) 의 상기 제 2 소스 전극 ( 350 ) 및 상기 제 2 드레 인 전극 ( 360 ) 과 동일 한 공정 으로 형성 될 수 있 다 . 협 폭 패턴 ( 720 ) 은 제 2 소스 전극 ( 350 ) 및 제 2 드레 인 전극 ( 360 ) 과 동일 한 구조 인 3 중층 으로 형성 될 수 있 다 . 따라서 , 협 폭 패턴 ( 720 ) 은 하부 층 및 상부 층 은 알루미늄 ( Al ) 금속 층 으로 구성 될 수 있 으며 , 하부 층 및 상부 층 사이 에 위치 하 는 중간층 은 티타늄 ( Ti ) 금속 층 으로 구성 될 수 있 다 . 상기 광폭 패턴 ( 710 ) 은 상기 제 2 박막 트랜지스터 ( 300 ) 의 상기 제 2 소스 전극 ( 350 ) 및 상기 제 2 드레 인 전극 ( 360 ) 상 에 위치 하 는 제 1 오버 코트 층 ( 150 ) , 제 2 오버 코트 층 ( 160 ) 및 뱅크 절 연막 ( 170 ) 중 하나 와 동일 한 물질 을 포함 할 수 있 다 . 이 에 따라 , 본 발명 의 다른 실시 예 에 따른 디스플레이 장치 에서 는 상기 분리 소자 ( 700 ) 이 효과 적 으로 형성 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 본 발명 의 다른 실시 예 에 따른 디스플레이 장치 에서 는 상기 광폭 패턴 ( 710 ) 과 상기 협 폭 패턴 ( 720 ) 에 의해 형성 되 는 언더 컷 구조 의 깊이 및 길이 가 쉽 게 제어 될 수 있 다 . 따라서 , 본 발명 의 다른 실시 예 에 따른 디스플레이 장치 에서 는 상기 분리 소자 ( 700 ) 에 의한 제 2 전극 ( 530 ) 및 발광 층 ( 520 ) 의 분리 가 효과 적 으로 수행 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 도 7 a 와 같이 , 분리 소자 ( 700 ) 에 의해 제 2 전극 ( 530 ) 과 발광 층 ( 520 ) 의 제 1 유기 층 ( 521 ) 및 제 2 유기 층 ( 523 ) 이 분리 되 어 복수 개 의 패턴 으로 형성 될 수 있 다 . 본 발명 의 실시 예 에 따른 디스플레이 장치 는 상기 협 폭 패턴 들 ( 720 ) 이 동일 한 물질 을 포함 하 는 것 으로 설명 된다 . 그러나 , 본 발명 의 다른 실시 예 에 따른 디스플레이 장치 에서 는 상기 협 폭 패턴 들 ( 720 ) 중 적어도 하나 가 다른 물질 을 포함 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 도 6 , 8 a 및 8 b 에 도시 된 바 와 같이 , 본 발명 의 다른 실시 예 에 따른 디스플레이 장치 에서 는 분리 소자 ( 700 ) 가 제 1 층간 절 연막 ( 240 ) 상 에 순서 대로 적층 된 제 1 광폭 패턴 ( 711 ) , 제 1 협 폭 패턴 ( 721 ) , 제 2 광폭 패턴 ( 712 ) , 제 2 협 폭 패턴 ( 722 ) 및 제 3 광폭 패턴 ( 713 ) 을 포함 할 수 있 다 . 상기 제 1 광폭 패턴 ( 711 ) 및 상기 제 2 광폭 패턴 ( 712 ) 은 실리콘 산화물 계 ( SiOx ) 물질 을 포함 할 수 있 다 . 제 1 광폭 패턴 ( 711 ) 은 제 1 중간 절 연막 ( 120 ) 의 제 1 중간층 ( 121 ) 과 동일 한 물질 로 이루어질 수 있 다 .