도 3 에 도시 한 컬럼 리 던 던 시 제어 회로 는 8 개 의 셀 매트 의 동작 여부 를 알려 주 는 매트 선택 신호 ( ms < 0 : 7 >) 의 입력 에 대응 하 여 노드 1 ( N 1 ) 의 전위 레벨 을 제어 하 는 퓨즈 부 ( 10 ) , 프리 차지 신호 ( pcg ) 의 입력 에 대응 하 여 외부 공급 전원 ( VDD ) 을 스위칭 부 ( 40 ) 에 공급 또는 차단 하 는 프리 차지 신호 입력 부 ( 20 ) , 상기 노드 1 ( N 1 ) 에 인가 된 전압 을 구동 하 여 컬럼 어드레스 가 전달 되 는 셀 매트 의 대체 여부 를 지시 하 는 컬럼 리 던 던 시 신호 ( yrs < n >) 를 출력 하 는 구동 부 ( 30 ) , 상기 8 개 의 셀 매트 중 어느 하나 의 셀 매트 에서 라도 불량 이 발생 했 는지 의 여부 에 따라 상기 프리 차지 신호 입력 부 ( 20 ) 와 상기 노드 1 ( N 1 ) 을 연결 또는 차단 하 는 상기 스위칭 부 ( 40 ) 및 반도체 메모리 장치 의 초기 동작 시 발생 하 는 초기 신호 ( itl ) 의 입력 에 대응 하 여 상기 노드 1 ( N 1 ) 의 전위 를 그라운드 전압 ( VSS ) 레벨 로 초기 화 시키 기 위한 초기 화부 ( 50 ) 로 구 성 된다 .