본 발명 에 따른 반도체 장치 에 는 반도체 기판 과 , 상기 반도체 기판 위 에 형성 된 n 채널 MOS 트랜지스터 와 , 상기 반도체 기판 위 에 형성 된 p 채널 MOS 트랜지스터 가 설치 되 어 있 다 . 또한 , 상기 n 채널 MOS 트랜지스터 의 채널 에 전자 의 이동 방향 으로 의 정 인장 변형 ( positive tensile strain ) 을 생기 게 하 고 , 상기 p 채널 MOS 트랜지스터 의 채널 에 정공 의 이동 방향 으로 의 정 압축 변형 ( positive compressive strain ) 을 생기 게 하 는 응력 인가 막 이 설치 되 어 있 다 .