다음 에 , 도 1 ( D ) 에 나타내 는 바 와 같이 , 제 2 도전 층 위 에 제 3 포토 마스크 를 사용 하 여 레지스 트 마스크 를 형성 하 고 , 제 2 도전 층 의 일부 를 에칭 하 여 한 쌍 의 소스 전극 또는 드레 인 전극 ( 109 , 110 ) 을 형성 한다 . 제 2 도전 층 을 습식 에칭 하 면 , 제 2 도전 층 의 단부 가 선택 적 으로 에칭 된다 . 이 결과 , 레지스 트 마스크 보다 면적 이 작 은 소스 전극 및 드레 인 전극 ( 109 , 110 ) 을 형성 할 수 있 다 .