화소 영역 ( 163 ) 의 내부 에 는 드레 인 전극 ( 145 b ) 과 중첩 영역 ( 147 ) 을 통하 여 , 드 레인 전극 ( 145 b ) 과 연결 되 는 화소 전극 ( 118 ) 이 형성 되 고 , 게이트 전극 ( 140 ) 의 하부 에 위치 한 다수 의 게이트 배선 ( 114 ) 의 일부 는 스토리지 전극 ( 153 ) 으로 사용 된다 . 그리고 , 다수 의 게이트 배선 ( 114 ) 의 각각 의 말단 에 는 게이트 패드 ( 148 ) 와 , 게이트 패드 ( 148 ) 상 의 게이트 패드 전극 ( 149 ) 이 형성 되 고 , 다수 의 데이터 배선 ( 116 ) 의 각각 의 말단 에 는 데이터 패드 ( 150 ) 와 데이트 패드 ( 150 ) 상 의 데이트 패드 전극 ( 151 ) 이 형성 된다 .