도 2 c 를 참조 하 면 , 상기 제 1 산화 막 ( 50 ) 상 에 제일 좁 은 폭 의 트렌치 ( 30 ) 를 완전 매립 하 도록 비 도핑 된 ( un - doped ) 폴리 실리콘 막 을 퍼니스 ( furnace ) 로 증착 한다 . 여기 서 , 상기 비 도핑 된 폴리 실리콘 막 은 도포 성 이 우수 하 여 매립 특성 을 극대 화 시킬 수 있 다 . 그런 다음 , 상기 비 도핑 된 폴리 실리콘 막 이 산화 되 도록 퍼니스 ( furnace ) 에서 900 ∼ 1050 ℃ 의 온도 로 어닐링 ( annealing ) 한다 . 이 로써 , 상기 비 도핑 된 폴리 실리콘 막 은 산화 처리 되 어 SiO 2 산화 막 ( 이하 , 제 2 산화 막 : 60 ) 으로 치환 된다 . 또는 , H 2 O 가 첨가 된 습식 어닐링 ( annealing ) 을 진행 함 으로써 , 비 도핑 된 폴리 실리콘 막 을 산화 시켜 SiO 2 산화 막 ( 이하 , 제 2 산화 막 : 60 ) 으로 치환 시킨다 .