도 4 c 는 제 3 변형 예 를 나타내 고 있 다 . 이 제 3 변형 예 에서 는 도 2 에 나타내 는 구조 로부터 , 탑재 대 ( 8 ) 의 상면 의 웨이퍼 탑재 영역 의 부분 의 실드 부재 ( 68 ) 가 생략 되 어 있 다 . 즉 , 웨이퍼 탑재 영역 에 는 보호 층 ( 70 ) 만 이 형성 되 어 , 웨이퍼 탑재 영역 은 시일 부재 ( 68 ) 의 두께 에 상당 하 는 높이 만큼 오 목부 형상 으로 낮 게 되 어 있 다 . 이 형태 에서 도 , 도 4 B 에 나타내 는 구조 와 마찬가지 로 , 처리 대상 인 반도체 웨이퍼 ( W ) 에 마이크로파 의 차단 효과 를 일부 의존 하 고 있 다 ( 도 3 의 실리콘 웨이퍼 의 데이터 를 참조 ) . 그러나 , 웨이퍼 ( W ) 의 외측 의 주변 부 로부터 의 마이크로파 의 침입 은 효과 적 으로 차단 된다 .