이때 , 도시 한 바 와 같이 상기 기판 ( 101 ) 상하 에 위치 한 교류 자기장 발생 장치 ( 195 ) 가 직선 왕복 운동 을 하 도록 하 는 방식 으로 상기 기판 ( 101 ) 의 표면 이 교류 자기장 ( AMF ) 에 노출 되 도록 하 는 것 이 바람직 하 다 . 즉 , 스캔 형태 로 상기 제 1 순수 비정질 실리콘 층 ( 도 3 a 의 109 ) 이 교류 자기장 에 노출 되 도록 한다 . 이러 한 가온 된 분위기 에서 스캔 타입 의 교류 자기장 에 노출 시키 는 공정 을 진행 하 게 되 면 상기 제 1 순수 비정질 실리콘 층 ( 도 3 a 의 109 ) 이 재결정 화 됨 으로써 폴리 실리콘 특성 을 갖 는 제 1 교류 자기 결정 화 실리콘 층 ( 110 ) 으로 변하 게 된다 .