상기 실시 예 1 및 비 교예 1 에 의하 여 제조 된 실리콘 적 층 사파이어 박막 에 대하 여 Raman 데이터 를 측정 하 고 벌크 실리콘 과 비교 한 결과 를 도 8 에 도시 하 였 다 . 라만 데이터 는 그 물질 의 결정 성 과 응력 ( strain ) 을 측정 할 수 있 는 데이터 로서 기본 적 으로 응력 을 받 지 않 은 실리콘 은 521 cm - 1 에 피크 가 위치 하 며 , 그 피크 의 위치 변화 에 따라 응력 을 받 는 정도 를 알 수 있 는데 , 도 8 을 참조 하 면 , peak 의 중심 을 빨간 사선 으로 표시 했으며 실시 예 1 이 비교 예 1 보다 벌크 실리콘 에 가까이 위치 하 고 있 으며 , 이 는 실시 예 1 에 의해 제조 된 실리콘 적 층 사파이어 박막 의 경우 격자 부정합 으로 발생 할 수 있 는 응력 이 완화 됨 을 보이 고 있 는 것 이 다 . 또한 피크 의 반 폭 치 ( FWHM ) 의 크기 가 결정도 를 나타내 며 , 반 폭 치가 적 을수록 결정도 가 우수 한 것 이 므로 본 발명 에 따른 박막 의 결정도 가 비 교예 1 의 그것 보다 우수 하 다는 것 을 확인 할 수 있 다 .