급 전회 로 기판 ( 20 ) 을 자성체 재료 로 형성 하 고 , 자성체 내 에 인덕턴스 소자 ( L 1 , L 2 ) 를 형성 함 으로써 , 큰 인덕턴스 값 을 얻 을 수 있 고 , 13 . 56 MHz 대 의 주파수 에 도 대응 할 수 있 다 . 게다가 , 자성체 시트 의 가공 편차 나 투자 율 ( 透 磁 率 ) 의 편차 가 발생 하 더라도 , 무선 IC 칩 ( 10 ) 과 의 임피던스 의 편차 를 흡수 할 수 있 다 . 자성체 의 투자 율 μ 은 400 정도 가 바람직 하 다 .