또한 , 도 4 에 도시 한 바 와 같이 , 제 2 기판 ( 10 Y ) 에서 의 마스크 ( 220 ) 와 접촉 하 는 측 과 는 반대 측 의 면 ( 클리닝 면 ) 에 대해서 도 , 제 2 점 착면 ( 12 ) 에 의해 구성 하 는 것 이 바람직 하 다 . 이 제 2 점 착면 ( 12 ) 은 , 적어도 , 성막 대상 기판 ( 제 1 기판 ( 10 X ) ) 에서 의 마스크 ( 220 ) 와 접촉 하 는 쪽 과 는 반대 측 의 면 보다 점착력 이 높 게 되 도록 구성 되 어 있 다 . 전술 한 바 와 같이 , 본 실시 예 에 관한 성막 장치 에 있 어서 는 , 백 플레이트 ( 냉 각판 ( 230 ) 또는 정전 척 판 ) 에 대해 , 기판 ( 10 ) 을 접촉 시킨 후 이격 시키 는 공정 ( 제 5 공정 ) 도 포함 되 어 있 다 . 따라서 , 제 2 동작 모드 의 동작 중 에 제 2 점 착면 ( 12 ) 이 백 플레이트 에 접촉 하 는 동작 이 이루어짐 으로써 , 백 플레이트 의 클리닝 을 행하 는 것 도 가능 하 게 된다 . 이 와 같이 , 백 플레이트 의 클리닝 을 행함 으로써 , 백 플레이트 와 기판 ( 10 ) 과 의 사이 에 이 물 이 끼여 기판 ( 10 ) 에 악영향 을 주 는 것 을 억제 할 수 있 다 .