한편 , 본 발명 의 일 실시 예 에 따른 질화물 반도체 발광 소자 의 제조 방법 은 , m 면 육방정계 단결정 기판 상 에 반 극성 질화물 단결정 기저 층 을 형성 하 는 단계 , 상기 반 극성 질화물 단결정 기 저층 상 에 절연성 물질 패턴 층 을 형성 하 는 단계 , 상기 절연성 물질 패턴 층 이 형성 된 상기 반 극성 질화물 단결정 기 저층 상 에 반 극성 질화물 단결정 박막 을 측 방향 성장 시키 는 단계 , 및 , 상기 반 극성 질화물 단결정 박막 상 에 제 1 질화물 반도체 층 , 활성 층 및 제 2 질화물 반도체 층 을 포함 하 는 발광 구조물 을 형성 하 는 단계 를 포함 하 며 , 상기 반 극성 질화물 단결정 박막 을 측 방향 성장 시키 는 단계 는 상극 성 질화물 단결정 기 저층 상 에 성 장면 의 일부 가 a 면 을 갖 도록 상기 반 극성 질화물 단결정 박막 을 1 차 측 방향 성장 시키 는 단계 , 및 , 상기 1 차 측 방향 성장 된 질화물 단결정 박막 이 합체 되 어 ( 11 - 22 ) 면 을 갖 는 상기 반 극성 질화물 단결 정 박막 이 형성 되 도록 2 차 측 방향 성장 시키 는 단계 를 포함 한다 .