프로그램 모드 에서 , 보상 메모리 셀 ( 710 ) 에 는 선택 메모리 셀 ( 720 ) 은 턴 - 오프 전압 ( Voff ) 이 인가 됨 에 따라 선택 메모리 셀 ( 720 ) 의 반도체 층 ( 522 ) 은 절연 특성 을 갖 게 된다 . 그리고 , 비 선택 메모리 셀 ( 730 ) 은 턴 - 온 전압 ( Von ) 이 인가 됨 에 따라 비 선택 메모리 셀 ( 730 ) 의 반도체 층 ( 522 ) 은 도체 특성 을 갖 게 될 수 있 다 . 그리하여 , 보상 메모리 셀 ( 710 ) 및 선택 메모리 셀 ( 720 ) 에 프로그램 전압 ( Vprogram ) 에 따른 전압 차 가 발생 하 게 된다 .