도 6 에 도시 된 바 와 같이 , 본 발명 의 제 5 실시 예 에 따른 수직 형 질화물 반도체 발광 소자 는 n 측 전극 패턴 으로 n 형 질화물 층 의 상부 면 일 측 에 형성 된 n 측 패드 ( 570 ) 와 n 측 패드 ( 570 ) 에 연결 되 어 타 측 으로 연장 형성 된 네 개 의 n 측 핑거 ( 571 , 572 , 573 , 574 ) 를 포함 할 수 있 다 .