이 를 위해 , 본 발명 에 따라 반도체 구조 ( 21 ) 와 직접 접촉 하 는 기판 ( 10 ) 을 통해 ( 기판 비아 를 통해 ( through substrate via , TSV ) ) 전기 적 으로 절연 된 비아 ( 13 ) 를 생성 하 는 것 이 제안 된다 . TSV ( 13 ) 가 먼저 생성 될 수 있 다 . 반도체 층 ( 21 ) 은 TSV ( 13 ) 상 에 퇴적 되 고 구조 화 될 수 있 거나 직접 화학 반응 에 의해 국부 적 으로 생성 될 수 있 다 . 추가 퇴적 또는 화학 적 전환 을 통해 적어도 하나 의 TSV 13 을 포함 하 는 더 복잡 한 반도체 소자 가 생성 된다 . TSV 금속 과 소자 ( 100 ) 의 반도체 층 ( 21 , 22 , 23 ) 사이 에 다른 금속 또는 반도체 층 이 접촉 저항 을 조정 하 기 위한 버퍼 층 으로 도입 될 수 있 다 . 이것 은 3 D 시스템 ( 1000 ) 의 타 겟 칩 뿐 만 아니 라 반도체 ( 21 ) 와 TSV ( 13 ) 사이 의 가능 한 가장 짧 은 연결 을 제공 한다 .