상기 제조 된 필름 위 에 KrF 용 포토레지스트 를 코팅 하 고 110 ℃ 에서 60 초간 굽 고 ASML ( XT : 1400 , NA 0 . 93 ) 사 의 노광 장비 를 사용 해 노광 을 한 다음 TMAH ( 2 . 38 wt % 수용액 ) 으로 현상 하 였 다 . 그리고 FE - SEM 을 사용 하 여 90 ㎚ 의 라인 앤드 스페이스 ( line and space ) 패턴 을 고찰 한 결과 하 기 표 2 와 같 은 결과 를 얻 었 다 . 노광량 의 변화 에 따른 EL ( expose latitude ) 마진 ( margine ) 과 광원 과 의 거리 변동 에 따른 DoF ( depth of focus ) 마진 ( margine ) 을 고찰 하 여 표 2 에 기록 하 였 다 .