워드 라인 들 ( WL 0 - WL 3 ) 과 반도체 기둥 들 ( PL ) 사이 에 는 데이터 저 장막 ( DS ) 이 배치 될 수 있 다 . 일 실시 예 에 따르 면 , 데이터 저 장막 ( DS ) 은 전 하저 장막 일 수 있 다 . 예 를 들 면 , 데이터 저 장막 ( DS ) 은 트랩 절 연막 , 부유 게이트 전극 또는 도전 성 나노 도트 들 ( conductive nano dots ) 을 포함 하 는 절 연막 중 의 한 가지 일 수 있 다 .