WaferBOND ® HT - 10 . 10 의 대략 l -㎛ 의 후막 층 ( thick layer ) 이 200 - mm 실리콘 캐리어 웨이퍼 의 표면 의 변 부 둘레 의 3 - 5 - mm 폭 의 고리 상 으로 코팅 되 었 다 . 이 웨이퍼 는 110 ℃ 에서 2 분 동안 베이 킹 되 었 고 , 그리고 그 후 , 160 ℃ 에서 2 분 동안 2 차 베 이 킹 되 었 다 . 불화 실란 ( ( 헵타데카플루오로 - l , l , 2 , 2 - 테트라 히드라 데 실 ) 트리 클로로 실란 , 3 M 사 에 의해 상표명 Fluorinert 로 판매 되 는 주로 C 12 를 포함 하 는 퍼플 루오 로 화합물 ) 이 FC - 40 용매 ( 3 M 제공 ) 를 이용 해 1 % 용액 으로 희석 되 었 다 . 상기 용액 은 캐리어 의 중심 섹션 으로 스핀 - 코팅 되 었 다 . 캐리어 는 열 판 ( hotplate ) 상 에서 100 ℃ 에서 1 분 동안 베이 킹 되 었 고 , 스핀 코터 ( spin coater ) 에서 FC - 40 용매 로 헹굼 처리 되 었 고 , 추가 1 분 동안 100 ℃ 의 열 판 상 에서 베이 킹 되 었 다 .