본 실시 형태 에 나타내 는 바 와 같이 , 도전 층 ( 128 b ) 을 이용 함 으로써 , 소스 전극 ( 142 a ) 을 단선 시키 지 않 고 , 상부 컨 택트 의 형성 이 가능 하 게 된다 . 이것 에 의해 , 하부 컨 택트 와 상부 컨 택트 를 중첩 시켜 형성 할 수 있 기 때문 에 , 컨 택트 영역 에 기인 하 는 소자 면적 의 증대 를 억제 할 수 있 다 . 즉 , 반도체 장치 의 집적도 를 높일 수 있 다 .