표피 층 , 심재 등 의 농도 분석 에 대하 여 , 본딩 와이어 의 표면 으로부터 스 패 터 등 에 의하 여 깊이 방향 으로 파 고 들어가 면서 분석 하 는 수법 , 또는 와이어 단면 에서 의 라인 분석 또는 점 분석 하 는 방법 등 이 유효 하 다 . 전자 는 표피 층 이 얇 은 경우 에 유효 하 지만 , 두꺼워 지 면 측정 시간 이 너무 걸린다 . 후자 의 단면 에서 의 분석 은 표피 층 이 두꺼운 경우 에 유효 하 고 , 또한 , 단면 전체 에서 의 농도 분포 나 , 여러 부분 에서 의 재현 성 의 확인 등 이 비교 적 용이 하 다는 것 이 이 점 이 지만 , 표피 층 이 얇 은 경우 에 는 정밀도 가 저하 된다 . 본딩 와이어 를 경사 연마 하 고 , 확산 층 의 두께 를 확대 시켜 측정 하 는 것 도 가능 하 다 . 단면 에서 는 라인 분석 이 비교 적 간편 하 지만 , 분석 의 정밀도 를 향상 시키 고 싶 을 때 에 는 , 라인 분석 의 분석 간격 을 좁 게 하 거나 , 계면 근방 의 관찰 하 고 싶 은 영역 으로 좁힌 점 분석 을 실시 하 는 것 도 유효 하 다 . 이 들 의 농도 분석 에 이용 하 는 해석 장치 에서 는 전자선 마이크 로 분석법 ( EPMA ) , 에너지 분산 형 X 선 분석법 ( EDX ) , 오제 분광 분석법 ( AES ) , 투과 형 전자 현미경 ( TEM ) 등 을 이용 할 수 있 다 . 특히 AES 법 은 공간 분해 능력 이 높 기 때문 에 , 최 표면 의 얇 은 영역 의 농도 분석 에 유효 하 다 . 또한 , 평균 적 인 조성 의 조사 등 에 는 표면 부 로부터 단계 적 으로 산 등 으로 용해 하 여 , 그 용액 중 에 포함 되 는 농도 로부터 용해 부위 의 조성 을 구하 는 것 등 도 가능 하 다 . 본 발명 에서 는 상기 모든 분석 수법 으로 얻 는 농도 값 이 본 발명 의 규정 범위 를 만족 할 필요 는 없 고 , 1 개 의 분석 수법 으로 얻 을 수 있 는 농도 값 이 본 발명 의 규정 범위 를 만족 하 면 그 효과 를 얻 을 수 있 는 것 이 다 .