도 1 d 에 도시 한 바 와 같이 , 상기 반도체 기판 ( 1 ) 의 표면 이 노출 되 고 상기 트렌치 ( 5 ) 내 에 상기 절 연막 ( 7 ) 이 남 도록 화학 기계 적 연마 ( CMP ; Chemical Mechanical Polishing ) 공정 으로 상기 절 연막 ( 7 ) , 질화 막 ( 3 ) 및 패드 산화 막 ( 2 ) 을 제거 하 여 소자 분리 막 ( 9 ) 을 형성 한다 .