상기 한 기술 적 과제 를 달성 하 기 위한 본 발명 의 일면 은 열전달 가스 공급 구조 를 갖 는 반도체 제조 용 히팅 척 에 관한 것 이 다 . 본 발명 의 반도체 제조 용 히팅 척 은 : 테두리 가 융기 된 히팅 플레이트 ; 히팅 플레이트 를 지지 하 는 지 지부 ; 히팅 플레이트 의 상부 면 과 테두리 의 측벽 그리고 테두리 안착 되 는 기판 에 의해 형성 되 는 열전달 가스 수 용부 ; 기판 이 탈착 되 지 않 도록 테두리 에 구비 되 는 클램프 ; 열전달 가스 수 용부 로 열전달 가스 를 분사 하 도록 테두리 의 측벽 을 따라 형성 된 복수 의 가스 분사구 ; 테두리 의 내부 로 형성 되 어 복수 의 가스 분사구 와 연결 되 는 가스 공급 로 ; 열전달 가스 공급원 으로부터 제공 되 는 열전달 가스 를 가스 공 급로 로 제공 하 도록 히팅 플레이트 와 지지 부 에 형성 되 는 가스 유입 패스 ; 히팅 플레이트 의 상부 면 의 중심부 에 형성 된 가스 흡입구 ; 및 가스 흡입구 를 통해 흡입 된 열전달 가스 를 외부 로 배출 하 기 위해 히팅 플레이트 와 지지 부 의 중심부 에 형성 된 가스 배출 로 를 포함 한다 .