도 1 c 를 참조 하 면 , 임계 치수 가 DICD 인 감광막 패턴 ( 50 a ) 을 마스크 로 하 여 반사 방지 막 ( 40 ) 을 선택 적 으로 식각 하 여 반사 방지 막 ( 40 a ) 패턴 을 형성 한다 . 이 과정 에서 감광막 패턴 ( 50 a ) 을 측면 식각 하 여 임계 치수 를 FICD ( Final Inspection CD ) 로 줄인 제 2 감광막 패턴 ( 50 b ) 을 얻 는다 . 즉 , 축소 기술 ( trim technology ) 을 적용 하 여 감광막 패턴 의 CD 를 줄여 CD 편차 ( bias ) 를 예컨대 , 20 nm 내지 40 nm 까지 확보 하 고 , 감광막 패턴 의 LER 과 초점 심도 ( DOF : Depth of Focus ) 의 마진 을 확보 한다 . 이렇게 하 면 90 nm 이하 의 트랜지스터 를 제조 할 수 있 다 .