도 5 를 참조 하 면 , 제 1 반도체 다이 ( 900 ) 및 제 2 반도체 다이 ( 700 ) 는 제 1 접합 유전체 층 ( 970 ) 이 제 2 접합 유전체 층 ( 770 ) 에 대면 하 도록 배향 된다 . 제 2 반도체 다이 ( 700 ) 및 제 1 반도체 다이 ( 900 ) 는 제 2 유전체 재료 층 들 ( 740 , 760 , 770 ) 의 표면 ( 예컨대 , 제 2 접합 유전체 층 ( 770 ) 의 표면 ) 이 제 1 유전체 재료 층 들 ( 290 , 960 , 970 ) 의 표면 ( 예컨대 , 제 1 접합 유전체 층 ( 970 ) 의 표면 ) 과 접촉 하 도록 접촉 하 게 된다 . 제 1 반도체 다이 ( 900 ) 및 제 2 반도체 다이 ( 700 ) 는 각각 의 제 2 접합 패드 ( 788 ) 가 제 1 접합 패드 들 ( 988 ) 중 각자 의 것 에 대면 하 도록 측 방향 으로 정렬 될 수 있 다 . 일 실시 예 에서 , 제 2 접합 패드 들 ( 788 ) 의 패턴 은 제 1 반도체 다이 ( 900 ) 와 제 2 반도체 다이 ( 700 ) 사이 의 접합 패드 들 의 크기 의 선택 적 인 차이 를 가지 면서 제 1 접합 패드 들 ( 988 ) 의 패턴 의 미러 이미지 일 수 있 다 . 일 실시 예 에서 , 제 1 접합 패드 들 ( 988 ) 및 대응 하 는 제 2 접합 패드 들 ( 788 ) 은 동일 한 크기 ( 즉 , 측 방향 폭 ) 를 가질 수 있 다 . 다른 실시 예 에서 , 제 1 접합 패드 들 ( 988 ) 및 대응 하 는 제 2 접합 패드 들 ( 788 ) 은 상이 한 크기 들 을 가질 수 있 다 . 일 실시 예 에서 , 제 1 접합 패드 ( 988 ) 및 제 2 접합 패드 ( 788 ) 의 각각 의 대면 쌍 사이 의 면적 중첩 은 제 1 접합 패드 ( 988 ) 및 제 2 접합 패드 ( 788 ) 중 더 작 은 것 의 면적 의 적어도 80 % 및 / 또는 적어도 90 %, 예컨대 90 내지 100 % 일 수 있 다 .