이 와 같이 , 개시 하 는 발명 에 관한 반도체 장치 는 , 다시 정보 의 기입 에 의해 직접 정보 를 재 기입 하 는 것 이 가능 하 다 . 이 때문 에 플래시 메모리 등 에 있 어서 필요 하 게 되 는 고전압 을 사용 한 플로팅 게이트 로부터 의 전하 의 방출 이 불 필요 해서 , 소거 동작 에 기인 하 는 동작 속도 의 저하 를 억제 할 수 있 다 . 즉 , 반도체 장치 의 고속 동작 이 실현 된다 .