제 2 블로킹 막 ( 370 ) 은 예 를 들 어 , 알루미늄 산화물 , 하프늄 산화물 , 란탄 산화물 , 란탄 알루미늄 산화물 , 란탄 하프늄 산화물 , 하프늄 알루미늄 산화물 , 티타늄 산화물 , 탄 탈륨 산화물 , 지르코늄 산화물 등 의 금속 산화물 을 포함 하 도록 형성 할 수 있 다 . 상기 게이트 도전 막 은 예 를 들 어 , 텅스텐 , 티타늄 , 탄 탈륨 , 백금 등 의 전기 저항 이 낮 은 금속 을 포함 하 도록 형성 될 수 있 다 . 상기 게이트 배리 어 막 은 예 를 들 어 , 티타늄 질화물 , 탄 탈륨 질화물 등 의 금속 질화물 을 포함 하 도록 형성 될 수 있 다 . 이 와 는 달리 , 상기 게이트 배리 어 막 은 금속 을 포함 하 는 제 1 층 및 금속 질화물 을 포함 하 는 제 2 층 으로 구성 될 수 도 있 다 .