이 와 같이 , 리세 스와 게이트 간 에 오 정렬 ( Mis - align ) 이 발생 하 는 경우 , 상기 게이트 폴리 실리콘 층 과 인접 한 활성 영역 부분 에서 전기장 집중 현상 이 유발 된다 . 이러 한 전기장 집중 현상 으로 인하 여 GIDL ( gate induced drain leakage ) 전류 가 증가 하 게 되 고 , 결과 적 으로 소자 의 리프 레 쉬 특성 이 저하 되 는 문제점 이 있 다 .