각각 의 센서 ( 402 - i ) 에서 , 분배 영역 ( 138 - i ) 의 전도성 재료 ( 즉 , 뚜껑 필름 ( 132 ) ) 은 전극 ( 406 A 및 406 B ) 과 프린 징 필드 ( fringing field ) 를 형성 한다 . 이러 한 프린 징 필드 는 용량 성 센서 의 캐 패 시 턴 스에 영향 을 주 어 분배 영역 이 온전 할 때 제 1 값 을 부여 한다 . 그러나 , 정제 ( 128 - i ) 가 분배 될 때 , 분배 영역 ( 138 - i ) 의 파손 은 뚜껑 필름 재료 와 전극 ( 406 A 및 406 B ) 사이 의 물리 적 구성 을 변화 시키 고 , 이 는 프린 징 필드 및 , 따라서 센서 ( 402 - i ) 의 커패시턴스 에 영향 을 준다 . 센서 ( 402 - i ) 의 커패시턴스 는 분배 영역 ( 138 - i ) 의 재료 가 완전히 분리 되 는지 또는 그 일부 가 홀 ( 408 ) 에 매달려 있 는지 여부 에 관계없이 변경 된다는 점 에 유의 해야 한다 . 또한 , 이러 한 용량 성 변화 가 다층 의 재료 ( 즉 , 금속 , 종이 및 / 또는 플라스틱 의 조합 ) 를 포함 하 는 뚜 겅 필름 ( 132 ) 에 대해서 유효 하 다는 점 이 주의 되 며 , 개별 층 이 전기 적 으로 전도성 인지 아닌지 관계 없 다 - 후자 ( 비록 전기 적 으로 바이어스 되 지 않 지만 ) 가 감지 전극 들 ( 406 A 와 406 B ) 사이 의 갭 에서 유효 한 유전 상수 에 영향 을 준다 .