전술 한 공정 들 을 수행 함 으로써 , 본 발명 의 실시 예 들 에 따른 반도체 소자 가 제조 될 수 있 다 . 도 1 내지 도 24 에서 는 , 예시 적 으로 낸드 ( NAND ) 플래시 메모리 소자 의 제조 방법 에 관해 설명 했 지만 , 본 발명 의 사상 은 노아 ( NOR ) 플래시 메모리 소자 , DRAM , 소자 등 다른 반도체 소자 들 의 제조 방법 에 도 사용 될 수 있 음 은 자명 하 다 .