다음 으로 , 제 1 감광막 ( 20 ) 은 장벽층 ( 11 ) 상 의 게이트 영역 [ 즉 , 드레 인 전극 ( 12 ) 과 소스 전극 ( 13 ) 사이 의 영역 ] 에서 종 방향 ( A - A ' 방향 ) 으로 사각 블럭 형상 의 단일 핀 들 을 일정 간격 이격 배치 하 는 구조 로 형성 된다 . 이러 한 제 1 감광막 ( 20 ) 은 네거티브 전자 빔 레지 스트로 사용 되 는 HSQ 로서 , 전자 빔 에 노출 된 영역 이 실리콘 옥사이드 ( SiO ) 로 변한다 .