도 4 g 에 도시 된 바 와 같이 , 포토레지스트 패턴 ( 45 ) 및 하드 마스크 층 ( 43 ) 패턴 을 식각 베리어 로 셀 영역 의 활성 영역 ( 41 a ) 을 식각 하 여 제 1 요 홈 부 ( G 1 ) 을 형성 한다 . 이때 , 활성 영역 ( 41 a ) 의 식각 은 공지 의 실리콘 막 건식 식각 방식 으로 수행 되 며 그 에 따라 필드 산화 막 ( 42 ) 은 식각 되 지 않 는다 . 제 1 요 홈 부 ( G 1 ) 의 깊이 ( D 1 ) 는 1300 ~ 2000 Å 정도 가 됨 이 바람직 하 다 . 제 1 요 홈 부 ( G 1 ) 의 형성 결과 셀 영역 에 는 필드 산화 막 ( 42 ) 의 표면 위 로 형성 되 는 활성 영역 ( 41 a ) 부분 인 새 들 핀 이 형성 되 고 , 이 새 들 핀 의 높이 ( H 3 ) 는 제 2 요 홈 부 ( G 2 ) 의 깊이 ( D 2 ) 에서 제 1 요 홈 부 ( G 1 ) 의 깊이 ( D 1 ) 을 뺀 값 이 된다 . 따라서 , 제 2 요 홈 부 ( G 2 ) 의 깊이 ( D 2 ) 는 1500 ~ 3000 Å 정도 이 고 제 1 요 홈 부 ( G 1 ) 의 깊이 ( D 1 ) 는 1300 ~ 2000 Å 정도 가 되 는 경우 , 새 들 핀 의 높이 ( H 3 ) 는 200 ~ 1000 Å 정도 가 된다 .