예 를 들 어 , 본 발명 의 몇몇 실시 예 에서 가역 저항 전환 소자 는 도 6 a ~ d 를 참조 하 여 하 기 에 기재 된 것 과 같이 CNT C 재료 를 포함 할 수 있 다 . 도 6 a 를 참조 하 면 , CNT 재료 ( 600 ) 는 산화물 ( 603 ) 또는 다른 유전체 재료 에 끼워 지 는 제 1 전도체 ( 602 ) 위 에 증착 된다 . CNT 재료 ( 600 ) 는 나란히 배열 되 거나 또는 배열 되 지 않 은 CNT 의 번들 을 포함 할 수 있 다 . 수직 정렬 된 CNT 재료 의 선택 적 인 성장 기술 들 은 도 2 a ~ 5 c 를 참조 하 여 이전 에 설명 하 였 다 . 비 정렬 된 CNT 재료 들 또한 사용 될 수 있 으며 , 튜브 의 수평 - 지향 적 인 섞인 패브릭 , 말리 고 오버랩 된 튜브 의 번들 등 을 포함 한다 . CNT 재료 ( 600 ) 는 제 1 전도체 ( 602 ) 상 에서 성장 할 수 있 거나 또는 성장 하 지 않 을 수 있 다 . CNT 재료 ( 600 ) 가 제 1 전도체 ( 602 ) 상 에서 성장 하 지 않 는 경우 에 CNT 시 딩 층 은 제 1 전도체 ( 602 ) 로부터 제외 시킬 수 있 다 . 예 를 들 면 , 미리 성장 된 CNT 들 의 육안 으로 보이 는 시트 를 상기 제 1 전도체 ( 602 ) 상 에 배치 시킬 수 있 다 . 예 를 들 어 , 용매 내 에 현 탁 된 미리 성장 된 CNT 들 의 용액 은 제 1 전도체 ( 602 ) 상 에 드롭 - 코팅 되 거나 또는 스핀 - 코팅 될 수 있 고 , 수평 - 지향 적 CNT 패브릭 ( 600 ) 을 형성 하 기 위해서 증발 된 용매 일 수 있 다 . 도 6 a 에서 묘사 한 것 처럼 CNT 재료 ( 600 ) 는 비 - 균일 두께 와 비 - 균일 표면 지형 을 가진다 .