이때 , 사진 식각 기술 에 는 하프톤 마스크 ( 227 ) 가 사용 되 는데 , 상기 하프톤 마스크 ( 227 ) 는 , 화소 부 의 게이트 전극 ( 203 ) 부분 에 는 반투 과 패턴 ( 227 b ) 이 형성 되 어 있 고 , 제 1 컨 택트 홀 ( 도 5 c 의 225 a ) 부분 에 는 차단 패턴 ( 227 a ) 이 형성 되 어 있 다 . 그리 고 , 패드 부 의 게이트 패드 ( 205 ) 부분 에 는 반투 과 패턴 ( 227 b ) 과 제 2 컨 택트 홀 ( 도 5 c 의 225 b ) 형상 으로 구성 된 차광 패턴 ( 227 a ) 이 함께 형성 되 어 있 고 , 제 3 컨 택트 홀 ( 도 5 c 의 225 c ) 부분 에 는 차단 패턴 ( 227 a ) 이 형성 되 어 있 다 .