그리고 , 상기 제 2 실리콘 기판 ( 200 ) 에 는 , 상기 제 3 트렌치 ( 202 ) 및 딥 비아 ( 203 ) 를 각각 매립 하 면서 제 2 실리콘 기판 ( 200 ) 상 에 돌출 되 어 형성 된 제 2 Cu 본딩 라인 ( 207 a ) 및 제 2 Cu 본딩 패드 ( 207 b ) 가 형성 되 어 있 다 . 이 때 에 , 상기 제 2 Cu 본딩 라인 ( 207 a ) 은 상기 제 1 실리콘 기판 ( 100 ) 에 형성 된 제 1 Cu 본딩 라인 ( 106 a ) 과 본딩 되 어 있 고 , 상기 제 2 Cu 본딩 패드 ( 207 b ) 는 상기 제 1 실리콘 기판 ( 100 ) 에 형성 된 제 1 Cu 본딩 패드 ( 106 b ) 와 본딩 되 어 있 다 .