S 1225 단계 에서 , 첫 번 째 워드 라인 이 선택 되 고 , 워드 라인 주소 를 삭제 하 며 소거 검증 이 수행 된다 . 예 를 들 면 , 워드 라인 주소 래치 ( 177 ) 에 저장 된 주소 들 에 대응 하 는 워드 라인 들 중 첫 번 째 워드 라인 이 선택 된다 . 그리고 , 도 78 을 을 참조 하 여 설명 된 S 825 단계 내지 S 845 단계 와 같이 , 소거 패스 된 메모리 셀 들 에 대응 하 는 워드 라인 들 의 주소 들 을 워드 라인 주소 래치 ( 177 ) 로부터 삭제 하 며 , 선택 된 스트링 선택 라인 및 워드 라인 주소 래치 ( 177 ) 에 저장 된 주소 들 에 대응 하 는 복수 의 메모리 셀 들 이 각 워드 라인 의 단위 로 소거 검증 된다 . 즉 , S 1225 단계 가 수행 되 면 , 소거 페일 된 메모리 셀 들 에 대응 하 는 워드 라인 들 의 주소 들 이 워드 라인 주소 래치 ( 177 ) 에 잔존 한다 .