상기 한 종래 기술 에 따라 ONO 구조 는 상기 하부 의 터널 산화 막 표면 거칠 기 를 개선 하 고 , 공정 시간 을 단축 하 며 , 파티클 문제 를 방지 하 기 위해 상기 하부 산화 막 을 형성 한 이후 , ATM 에서 저압 화 학기 상 증착 ( Low Chemical Vapor Deposition ; 이하 , " "" LPCVD "" 라 함 ) 로 전환 하 여 질화 막 을 형성 한다 . "