제 3 처리 예 는 전술 한 제 1 처리 예 에 대응 하 며 , 제 4 처리 예 는 전술 한 제 2 처리 예 에 대응 한다 . 즉 , 기판 처리 장치 ( 201 ) 에 의해 처리 되 는 기판 ( W ) 은 예 를 들 면 , 적층 막 ( 32 ) 의 패턴 ( P ) 이 형성 된 기판 ( W ) ( 도 7 참조 ) 이 다 . 제 1 막 ( 32 a ) , 제 2 막 ( 32 b ) , 및 제 3 막 ( 32 c ) 이 각각 , 실리콘 을 포함 하 는 막 , 실리콘 을 포함 하 는 막 , 금속 막인 경우 ( 도 8 참조 ) , 제 3 처리 예 에서 는 , 예 를 들 면 , 실리콘 계 소수 화제 또는 메탈 계 소수 화제 가 제 1 소수 화제 로서 사용 된다 . 또한 , 제 1 막 ( 32 a ) , 제 2 막 ( 32 b ) , 및 제 3 막 ( 32 c ) 이 각각 , 실리콘 을 포함 하 는 막 , 실리콘 을 포함 하 는 막 , 금속 막인 경우 ( 도 8 참조 ) , 제 4 처리 예 에서 는 , 예 를 들 면 , 메탈 계 소수 화제 가 제 1 소수 화제 로서 사용 되 며 , 실리콘 계 소수 화제 가 제 2 소수 화제 로서 사용 된다 . 제 1 막 ( 32 a ) , 제 2 막 ( 32 b ) , 및 제 3 막 ( 32 c ) 의 그 밖 의 조합 에 대하 여도 마찬가지 이 다 .