이어서 , 스토리지 전극 용 도전 막 ( 46 ) 상 에 스토리지 전극 영역 ( 45 ) 을 매립 하 는 정도 로 제 2 산화 막 ( 47 ) 을 형성 한다 . 이때 , 제 2 산화 막 ( 47 ) 은 후속 도 4 d 의 식각 공정 시 식각 되 는 높이 를 동일 하 게 하 게 위하 여 제 1 산화 막 ( 44 ) 과 동일 한 물질 로 형성 하 는 것 이 바람직 하 다 .