수지 마스크 패턴 ( 31 ) 은 제 1 실시 예의 제조 방법 에 있 어서 공동 ( 18 ) 의 아래 에 있 는 부분 을 제외 한 영역 ( 접착제 ( 20 ) 아래 ) 의 실리콘 기판 ( 10 ) 의 제 2 주면 을 에칭 하 는 데 이용 된 마스크 이 며 , 이러 한 마스크 를 제거 하 지 않 고 뒤 에 남겨 놓 음 으로써 수지 마스크 패턴 ( 31 ) 이 형성 될 수 있 음 에 주목 한다 . 따라서 , 제 2 실시 예의 제조 방법 은 추가 적 인 공정 을 필요 로 하 지 않 고 , 수지 마스크 패턴 ( 31 ) 을 제거 하 는 단계 ( 단계 S 8 ) 를 고려 하 지 않 을 수 있 다 .