이어서 , 증착 공정 을 실시 하 여 평탄 화 된 제 1 IMD ( 21 ) 상 에 제 1 비정질 실리콘 ( Amorphous silicon ) 을 증착 한 후 패 터닝 공정 을 실시 하 여 제 1 비정질 실리콘 패턴 ( 22 a ) 을 형성 한다 . 여기 에서 , 제 1 비정질 실리콘 패턴 ( 22 a ) 은 그 양측 종단 이 후속 하 는 공정 을 통해 이웃 하 는 제 1 메탈 배선 ( M 1 ) 상 에 형성 되 어질 비 아홀 에 적어도 맞닿 는 크기 로 형성 된다 . 또한 , 제 1 비정질 실리콘 패턴 ( 22 a ) 의 두께 는 적정 전압 에서 동작 할 수 있 는 두께 로 한다 . 그리고 , 제 1 비정질 실리콘 은 LPCVD ( Low Pressure Chemical Vapor Deposition ) 또는 APCVD ( Atmosphere Pressure CVD ) 등 의 공정 을 통해 증착 할 수 있 다 .