일 실시 예 에서 , 제 2 전도성 유형 의 도핑 된 반도체 재료 는 선택 적 반도체 침착 공정 에 의해 소스 공동 ( 109 ) 주위 의 물리 적 으로 노출 된 반도체 표면 들 상 에 침착 될 수 있 다 . 반도체 전구체 가스 , 에 천트 , 및 도 펀트 가스 가 선택 적 반도체 침착 공정 동안 예시 적 구조물 을 포함 하 는 공정 챔버 내 로 동시 에 유동 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , 반도체 전구체 가스 는 실란 , 다 이 실란 , 또는 다 이 클로로 실란 을 포함 할 수 있 고 , 에 천 트 가스 는 기체 염화수소 를 포함 할 수 있 고 , 도 펀트 가스 는 n - 형 도핑 된 실리콘 재료 를 위한 포스핀 , 아르신 , 또는 스티빈 과 같 은 도 펀트 원자 의 수소화물 , 또는 p - 형 도핑 된 실리콘 재료 를 위한 다이 보란 을 포함 할 수 있 다 . 이러 한 경우 에 있 어서 , 선택 적 반도체 침착 공정 은 소스 공동 ( 109 ) 주위 의 물리 적 으로 노출 된 반도체 표면 들 로부터 제 2 전도성 유형 의 도핑 을 갖 는 도핑 된 반도체 재료 를 성장 시킨다 . 침착 된 도핑 된 반도체 재료 는 수직 반도체 채널 들 ( 60 ) 의 측벽 들 과 접촉 할 수 있 는 소스 콘택트 층 ( 114 ) 을 형성 한다 . 침착 된 반도체 재료 내 의 제 2 전도성 유형 의 도 펀트 들 의 원자 농도 는 1 . 0 × 1020 / ㎤ 내지 2 . 0 × 1021 / ㎤, 예컨대 2 . 0 × 1020 / ㎤ 내지 8 . 0 × 1020 / ㎤ 범위 내 에 있 을 수 있 다 . 초기 에 형성 된 바 와 같 은 소스 콘택트 층 ( 114 ) 은 본질 적 으로 제 2 전도성 유형 의 반도체 원자 들 및 도 펀트 원자 들 로 이루어질 수 있 다 . 대안 적 으로 , 적어도 하나 의 비 - 선택 적 도핑 된 반도체 재료 침착 공정 이 소스 콘택트 층 ( 114 ) 을 형성 하 는 데 사용 될 수 있 다 . 선택 적 으로 , 하나 이상 의 에칭 백 ( etch back ) 공정 들 이 복수 의 선택 적 또는 비 - 선택 적 침착 공정 들 과 조합 하 여 사용 되 어 , 끊김 없 는 그리고 / 또는 무 공극 소스 콘택트 층 ( 114 ) 을 제공 할 수 있 다 .