본 발명 의 실시 예 에 따르 면 , 상기 제 1 광 소결 에너지 ( 1 st IPL ) 및 후술 되 는 단계 의 제 2 광 소결 에너지 ( 2 nd IPL ) 의 에너지 범위 는 , 상술 된 바 에 한정 되 지 않 고 , 상기 산화물 반도체 소스 용액 ( 130 ) 내 금속 전구체 의 종류 및 농도 , 상기 기판 ( 100 ) 의 두께 , 및 상기 예비 산화물 반도체 층 ( 170 ) 의 두께 에 따라 변형 이 가능 함 을 이해 하 여야 할 것 이 다 .