본 발명 에서 는 , 형성 되 는 화합물 층 의 종류 나 두께 , 그리고 열처리 시간 등 경제 적 관점 등 을 고려 하 여 , 가스 질화 또는 가스 질화 침탄 처리 의 바람직 한 조건 은 첫 번 째 단계 의 공정 은 550 ℃ ∼ 700 ℃ 에서 1 ∼ 3 시간 에서 , 그리고 두 번 째 단계 의 공정 은 450 ℃ ∼ 580 ℃ 의 온도 에서 1 ∼ 2 시간 에서 각각 실시 하 는 것 이 좋 다 .