전이 금속 과 같 은 금속 은 안정 된 화학 양론 적 산화물 을 형성 할 수 있 다 . 예 를 들 어 , 니켈 은 화학 양론 적 금속 산화물 NiO 를 형성 한다 . 티타늄 은 화학 양론 적 금속 산화물 TiO 2 를 형성 한다 . 화학 양론 적 금속 산화물 이 때때로 저항 스 위칭 금속 산화물 을 형성 하 는데 적합 할 수 도 있 지만 , 부 화학 양론 적 저항 스위칭 금속 산화물 을 형성 하 는 데 대한 이점 이 있 다 . ( 때때로 금속 결함 성 금속 산화물 로 지칭 되 는 ) 부 화학 양론 적 저항 스위칭 금속 산화물 은 화학 양론 적 산화물 보다 더 낮 은 밀도 및 더 높 은 저항 율 , 그리고 더 양호 한 저항 스위칭 특성 ( 예 를 들 어 , 더 낮 은 온 / 오프 전류 , 더 낮 은 VSET / VRESET 전압 , 더 낮 은 ISET / IRESET 전류 , 더 낮 은 형성 전압 ( forming voltage ) 등 ) 을 나타낼 수 도 있 다 . 더 높 은 저항 율 은 집 적 회로 상 에 비휘발성 메모리 소자 의 어레이 를 형성 할 때 이로울 수 도 있 다 . 소자 의 저항 이 너무 낮 은 경우 , 상태 변경 을 검출 하 기 가 어려울 수 도 있 다 . 따라서 , ( 예 를 들 어 , 10 ohm - cm 을 넘 는 또는 100 ohm - cm 을 넘 는 ) 비교 적 큰 저항 율 을 가진 저항 스위칭 산화물 이 바람직 할 수 도 있 으며 또는 심지어 소정 의 비휘발성 메모리 아키 텍 쳐 에 의해 요구 될 수 도 있 다 .