그리고 , 비 가 시광 센서 의 포토다이오드 ( PD ) 에 있 어서 도 비정질 실리콘 또는 미결정 실리콘 을 박막 반도체 층 의 재료 에 이용 할 수 있 는 것 은 이미 기술 하 였으나 , 이 경우 의 박막 반도체 층 과 외광 센서 의 박막 반도체 층 은 , 에너지 밴드 갭 이 다르 기 때문 에 적 외 흡수 특성 이 상이 하 도록 형성 된 것 을 사용 한다 . 단 , 가시 광 센서 및 광센서 로서 에너지 밴드 갭 이 달라 감도 가 다소 낮 지만 , 폴리 실리콘 또는 결정 실리콘 을 박막 반도체 층 의 재료 에 사용 하 는 것 은 가능 하 다 . 이 와 같 은 경우 , 필터 측 에 파장 선택 성 을 갖 게 하 면 된다 .