상기 기술 적 과제 를 달성 하 기 위한 본 발명 에 따른 박막 트랜지스터 는 , 기판 , 상기 기판 의 일부 영역 상 에 형성 되 어 있 는 게이트 전극 , 상기 기판 과 상기 게이트 전극 을 덮 는 절 연막 , 상기 게이트 전극 이 형성 된 영역 상 을 덮 도록 상기 절 연막 상 에 형성 된 복수 의 CIS ( CuInSe 2 ) 막 들 , 및 상기 복수 의 CIS 막 의 표면 의 일부 를 노출 하 는 트렌치 를 포함 하 도록 분리 되 어 형성 된 소스 / 드레 인 영역 을 포함 한다 .