먼저 도 1 에 도시 된 바 와 같이 , 반도체 기판 ( 100 ) 위 에 터널 절 연막 ( 110 ) , 플로팅 게이트 도 전막 ( 120 ) 및 하드 마스크 막 ( 130 ) 을 순차 적 으로 적층 한다 . 터널 절 연막 ( 110 ) 은 산화 막 으로 형성 하 고 , 플로팅 게이트 도 전막 ( 120 ) 은 폴리 실리콘 막 으로 형성 하 며 , 그리고 하드 마스크 막 ( 130 ) 은 질화 막 으로 형성 한다 .