제 1 화합물 반도체 레이어 ( 21 ) 는 , 예 를 들 어 , 전기 적 으로 전도성 레이어 ( 31 ) 를 통해 , 예 를 들 어 , 간접 적 으로 컨 택 될 수 있 다 . 이러 한 경우 에 , 제 1 화합물 반도체 레이어 ( 21 ) 는 컨 택 리스 ( contactless ) 방식 으로 구성 될 수 있 으며 , 즉 , 제 1 화합물 반도체 레이어 ( 21 ) 는 직접 컨 택 또는 연결 을 가지 지 않 는다 . 그러나 , 전기 적 으로 전도성 레이어 ( 31 ) 는 , 예 를 들 어 , 직접 연결 된 전기 적 전도체 ( 41 ) 에 의해 직접 컨 택 될 수 있 다 . 그리하여 , 전기 적 으로 전도성 레이어 ( 31 ) 가 컨 택 되 고 자신 의 전하 캐리어 들 을 큰 표면 에 걸쳐 , 바람직 하 게 는 충분 하 게 , 제 1 화합물 반도체 레이어 ( 21 ) 로 방출 한다 . 그러므로 , 전기 적 으로 전도성 레이어 ( 31 ) 는 또한 컨 택 리스 화합물 반도체 레이어 ( 21 ) 를 연결 시키 기 위한 연결 레이어 로 지칭 될 수 있 다 .