상기 디 트랩 핑 동작 ( DETRAP ) 시 , 비트 라인 ( BL 1 ) 으로 상기 접지 전압 이 공급 될 때 선택 된 메모리 셀 ( 21 ) 에서 발생 한 전하 확산 양 은 비트 라인 ( BL 1 ) 으로 상기 제 3 양 의 전압 이 공급 될 때 선택 된 메모리 셀 ( 21 ) 에서 발생 한 전하 확산 양 보다 적 다 . 따라서 프로그램 동작 시 금지 된 비트 라인 ( BL 1 ) 에 접속 된 선택 된 비휘발성 메모리 셀 ( 21 ) 의 문턱 전압 변화 는 최소 화 될 수 있 다 .