데이터 도전 층 ( 170 ) 이 제 2 방향 ( d 2 ) 타 측 으로 시프트 됨 에 따라 , 소스 전극 ( SE 1 , SE 2 ) 및 드레 인 전극 ( DE 1 , DE 2 ) 은 제 2 방향 ( d 2 ) 타 측 으로 시프트 될 수 있 다 . 이 경우 , 제 1 스위칭 소자 ( TR 1 ) 의 채널 폭 및 채널 길이 는 변화 하 지 않 을 수 있 다 . 제 1 스위칭 소자 ( TR 1 ) 는 “ I ” 형상 의 채널 을 가지 며 , 제 1 소스 전극 ( SE 1 ) 및 제 1 드레 인 전극 ( DE 1 ) 이 제 1 반도체 패턴 ( 151 ) 의 외측 으로 연장 되 어 형성 되 기 때문 이 다 .