불휘발성 메모리 장치 ( 100 ) 는 데이터 저장 장치 ( 13 ) 의 저장 매체 로서 동작 할 수 있 다 . 불휘발성 메모리 장치 ( 100 ) 는 메모리 셀 에 따라서 낸드 ( NAND ) 플래시 메모리 장치 , 노어 ( NOR ) 플래시 메모리 장치 , 강유전체 커패시터 를 이용 한 강유전체 램 ( ferroelectric random access memory , FRAM ) , 티 엠알 ( tunneling magneto - resistive , TMR ) 막 을 이용한 마그네 틱 램 ( magnetic random access memory , MRAM ) , 칼코겐 화합물 ( chalcogenide alloys ) 을 이용 한 상 변화 램 ( phase change random access memory , PRAM ) , 전이 금속 화합물 ( transition metal oxide ) 을 이용 한 저항성 램 ( resistive random access memory , ReRAM ) 등 과 같 은 다양 한 형태 의 불휘발성 메모리 장치 들 중 어느 하나 로 구성 될 수 있 다 .