디램 모드 에서 부유 바디 셀 에 저장 된 홀 을 축출 하 여 문턱 전압 이 높 아 지 는 ( VT . L 0 , " VT . H 0 ) 정보 "" 0 "" 의 상태 ( 311 b ", 312 b ) 는 게이트 에 양 의 전압 과 드레 인 에 음 의 전압 을 , 즉 부유 바디 셀 과 드레 인 사이 의 PN 접합 에 순방향 바이어스 를 가함 으로써 홀 들 이 드레 인 쪽 으로 축출 되 어 제거 된다 . 이러 한 원리 는 , 전자 의 충돌 이온 화 율 이 홀 의 이온 화 율 보다 높 기 때문 에 P 형 기판 의 N - 채널 MOSFET 에서 더 효과 적 이 다 .