시간 구간 t 12 ~ t 13 ( 기입 단계 ) 에서 , 선택 된 메모리 셀 ( MC 35 ) 에 는 데이터 가 기입 될 수 있 다 . 기입 동작 을 위해 , 선택 된 워드 라인 ( WL 3 ) 은 전압 레벨 ( Vww 3 ) 을 유지 할 수 있 고 그리고 선택 된 비트 라인 ( BL 5 ) 은 전압 레벨 ( Vbw 2 ) 을 유지 할 수 있 다 . 시간 구간 t 12 ~ t 13 ( 기입 단계 ) 에서 , 선택 된 워드 라인 ( WL 3 ) 에 인접 하 는 비 선택 된 워드 라인 ( WL 4 ) 은 전압 레벨 ( Vww 4 ) 에서 바이어 싱 상태 로 남 을 수 있 다 . 도면 과 달리 , 비 선택 된 워드 라인 ( WL 4 ) 은 시간 t 12 와 시간 t 13 사이 임의 의 시간 에서 바이어 싱 되 기 시작 할 수 도 있 다 .