한편 , 상기 잔류 분극 은 외부 전계 의 인가 에 의해 스위칭 가능 하 기 때문 에 , 상기 강유 전 성 물질 을 비휘발성 메모리 장치 에 적용 하 려는 연구 가 활발 하 게 진행 되 고 있 다 . 종래 의 경우 , 비휘발성 메모리 장치 에 적용 을 위한 강유 전 성 물질 로서 , PZT 또는 SBT 와 같 은 페로 브 스카이 트 ( perovskite ) 물질 이 연구 되 어 왔 다 .