도 2 c 를 참조 하 면 , 정보 저 장막 ( 355 ) 은 수직 채널 ( 340 ) 을 따라 수직 연장 된 형태 를 가질 수 있 다 . 일례 로 , 정보 저 장막 ( 355 ) 은 수직 채널 ( 340 ) 과 접하 는 수직 연장 된 터널 절 연막 ( 351 ) 과 , 게이트 ( 365 ) 와 접하 는 수직 연장 된 블록 킹 절 연막 ( 353 ) 과 , 터널 절 연막 ( 351 ) 및 블록 킹 절 연막 ( 353 ) 사이 에 개재 된 트랩 절 연막 ( 352 ) 을 포함 할 수 있 다 . 도 2 c 를 도 2 a 와 대조 하 여 보 면 , 정보 저 장막 ( 355 ) 은 게이트 ( 365 ) 사이 의 공간 을 차지 하 지 않 으므로 게이트 ( 365 ) 의 상하 이격 거리 를 줄일 수 있 고 이 에 따라 반도체 메모리 소자 의 전체 적 인 높이 를 낮출 수 있 다 .