도 2 를 참조 하 면 , 본 발명 에 따라 실리콘 나이트 라이드 박막 의 건식 산화 에 의해 성장 된 산화 막 ( oxidized - SixNy ) 의 임계 파괴전 계 ( ①) 는 8 MV / cm 로 종래 10 % N 2 O 에 의해 질화 처리 된 산화 막 의 임계 파괴전 계 ( ②) 와 거의 차이 가 없 거나 종래 일반 적 인 열 산화 막 ( dry SiO 2 ) 의 임계 파괴전 계 ( ③) 보다 우수 한 파괴 전계 를 나타내 며 , 이 는 실리콘 나이트 라이드 막 의 건식 산화 시 에 생성 되 는 질소 가 계면 결함 을 억제 또는 보상 하 여 극복 할 수 있 음 을 보여준다 .