그러나 , 상기 의 고상 결정 화법 은 공정 시간 이 너무 길 뿐 만 아니 라 고온 에서 장시간 열처리 함 으로써 기판 의 변형 이 발생 하 기 쉽 다는 단점 이 있 고 , 엑 시머 레이저 결정 화법 은 고가 의 레이저 장치 가 필요 할 뿐 만 아니 라 다결정 화 된 표면 의 돌기 ( protrusion ) 가 발생 하 여 반도체 층 과 게이트 절 연막 의 계면 특성 이 나쁘 다는 단점 이 있 으며 , 상기 금속 유도 결정 화법 또는 금속 유도 측면 결정 화법 으로 결정 화 하 는 경우 에 는 많 은 양 의 금속 촉매 가 결정 화 된 다결정 실리콘 층 에 잔류 하 여 박막 트랜지스터 의 반도체 층 의 누설 전류 를 증가 시키 는 단점 이 있 다 .