본 발명 의 또 다른 실시 예 는 통합 된 무 접점 전력 공급 형 광전자 반도체 장치 시스템 을 제조 하 는 방법 이 다 . 방법 은 기판 상 에 광전자 반도체 장치 를 제공 하 는 단계 및 광전자 반도체 장치 에 작동 가능 하 게 전기 적 으로 연결 된 제 1 무 접점 전력 전송 소자 를 제공 하 는 단계 를 포함 한다 . 광전자 반도체 장치 는 당업자 에게 알려진 기술 을 사용 하 여 제조 될 수 있 다 . 유전체 배리 어 인 캡슐 레이 션 은 장치 및 제 1 무 접점 전력 전송 소자 를 둘러싸 도록 배치 된다 . 전원 에 작동 가능 하 게 전기 적 으로 연결 된 제 2 무 접점 전력 전송 소자 는 , 통합 된 장치 를 형성 하 기 위해 , 배리어 인 캡슐 레이 션 의 외부 에 또한 제 1 무 접점 전력 전송 소자 의 맞은편 에 제공 된다 . 한 실시 예 에서 , 제 1 및 제 2 무 접점 전력 전송 소자 는 인덕 터 , 예컨대 , 박막 인덕 터 이 다 . 다른 실시 예 에서 , 무 접점 전력 전송 소자 는 박막 캐 패 시터 와 같 은 캐 패 시터 의 플레이트 이 다 . 박막 캐 패 시터 또는 인덕 터 는 당업자 에게 알려진 다양 한 방법 에 의해 제조 될 수 있 다 . 본 발명 의 또 다른 실시 예 는 , 전원 에 전기 적 으로 연결 된 제 2 전력 전송 소자 가 그 자신 의 기판 상 에 배치 되 고 가능 하 게 는 환경 으로부터 전기 적 으로 분리 되 어 , 시스템 의 고정 부분 을 제공 하 는 무 접점 전력 광전자 반도체 장치 시스템 을 제조 하 는 방법 이 다 . 제 1 전력 전송 소자 , 광전자 반도체 장치 및 배리어 인 캡슐 레이 션 은 시스템 의 교체 가능 한 부품 을 제공 하 는 독립 된 기판 상 에 제작 될 수 있 다 .