한편 , 박막 트랜지스터 를 거쳐 전류 를 흐르 게 하 는 구조 이 므로 , 기존 의 비정질 실리콘 ( a - Si ) 박막 트랜지스터 는 비정질 실리콘 의 무 결정 상태 의 실리콘 입자 에 비해 전계 효과 이동도 ( electric field effect mobility ) 가 낮 아서 채용 하 기 어렵 고 , 균일 한 결정립 을 가져 전계 효과 이동도 가 보다 우수 한 폴리 실리콘 ( p - Si ) 박막 트랜지스터 가 요구 된다 .