제 3 반도체 필라 ( 23 N ) 는 제 1 반도체 필라 ( 13 N ) 보다 높 은 농도 의 N 형 도 펀트 를 포함 할 수 있 다 . 제 2 반도체 필라 ( 23 P ) 는 제 3 반도체 필라 ( 23 N ) 보다 낮 은 농도 의 P 형 도 펀트 를 포함 할 수 있 다 . 즉 , 제 3 반도체 필라 ( 23 N ) 는 고농도 N 형 도 펀트 를 포함 하 고 , 제 2 반도체 필라 ( 23 P ) 는 고농도 N 형 도 펀트 보다 낮 은 농도 의 P 형 도 펀트 를 포함 할 수 있 다 .