다음 으로 , 전술 된 노광 장치 를 사용 하 는 디바이스 제조 방법 을 설명 한다 . 도 13 은 , 반도체 디바이스 를 제조 하 는 프로세스 의 전체 적 인 시퀀스 를 도시 하 는 흐름 도 이 다 . 단계 1 ( 회로 설계 ) 에서 , 반도체 디바이스 의 회로 를 설계 한다 . 단계 2 ( 레티 클 제작 ) 에서 , 설계 된 회로 패턴 에 기초 하 여 레티 클 ( 원판 또는 마스크 로 도 지칭 됨 ) 을 제작 한다 . 단계 3 ( 웨이퍼 제조 ) 에서 , 실리콘 등 의 재료 를 사용 하 여 웨이퍼 ( 기판 으로 도 지칭 됨 ) 를 제조 한다 . 전처리 로 지칭 되 는 단계 4 ( 웨이퍼 프로세스 ) 에서 , 레티 클 및 웨이퍼 를 사용 하 여 , 리소그래피 ( lithograpy ) 에 의해 웨이퍼 위 에 실제 의 회로 를 형성 한다 . 후처리 로 지칭 되 는 단계 5 ( 조립 ) 에서 , 단계 4 에서 제조 된 웨이퍼 를 사용 하 여 반도체 칩 을 형성 한다 . 이 단계 는 조립 ( 다 이싱 ( dicing ) 및 본딩 ( bonding ) ) 및 패 키 징 ( packaging ) ( 칩 봉입 ( chip encapsulation ) ) 등 의 프로 세스 들 을 포함 한다 . 단계 6 ( 검사 ) 에서 , 단계 5 에서 제조 된 반도체 디바이스 의 동작 확인 테스트 및 내 구성 테스트 를 포함 하 는 검사 들 을 수행 한다 . 반도체 디바이스 는 이러 한 프로세스 들 을 이용 하 여 완성 되 고 , 단계 7 에서 출하 된다 .