본 발명 에 따른 백금 나노 입자 의 4 중 극성 공명 및 쌍극 성 공명 대역 은 인듐 원자 의 함량 을 조절 하 는 방법 을 통해 디 웨 팅 공정 의 효율 을 조절 함 으로써 조절 이 가능 하 며 , 쌍극 성 공명 피크 는 백금 나노 입자 의 크기 가 증가 함 에 따라 , 적색 광 영역 으로 시프팅 ( shifting ) 되 고 , 백금 나노 입자 의 균일성 이 개선 됨 과 동시 에 쌍극 성 공명 피크 가 나타나 는 대역 의 폭 이 점차 좁 아 진다 .