실드 및 부품 의 최종 어셈블리 는 많 은 응용 분야 에서 적당 한 차폐 를 제공 한다 . 그러나 , 칩 들 의 주파수 가 증가 ( 예 를 들 어 , 3 ㎓ 를 상회 ) 하 고 , 데이터 전송 속도 가 증가 함 에 따라서 , 잘 못 된 EMI 방사선 의 생 성 이 더욱 증가 하 게 되 고 , 주위 회로 들 과 부품 들 에 더욱 많 은 악영향 을 미치 게 된다 . 실제 , 칩 밀도 의 증가 에 따라 , 면역성 ( 다른 칩 에 대해 상대 적 인 칩 의 ) 과제 가 가장 중요 해졌 다 . 이 에 따라서 , 면역 의 목적 을 위해서 는 , 일반 적 으로 종래 의 해결책 들 이 적당 하 지 않 다는 것 을 알 게 되 었 고 , 방사선 방출 이 중요 한 이슈 가 되 었 다 . 게다가 , 극초단파 기기 에 있 어서 , 특히 고조파 ( harmonic frequency ) 가 약 10 ㎓ 를 상회 하 는 경우 에 있 어서 는 방사선 방출 이 상당히 중요 하 다 .