상기 UDL 1 - 1 ∼ 17 , 비교 UDL 1 - 1 ∼ 4 를 막 두께 200 nm 의 SiO 2 막 이 형성 된 직경 300 ㎜ 의 Si 웨이퍼 기판 상 에 도포 하 고 , 대기 중 , 350 ℃ 에서 60 초간 베 이크 한 후 의 막 두께 200 nm 가 되 도록 유기 막 을 형성 하 였 다 . 그 위 에 규소 함유 레지스 트 하층 막 재료 ( SOG - 1 ) 를 도포 하 고 220 ℃ 에서 60 초간 베 이크 하 여 막 두께 35 nm 의 규소 함유 레지스 트 하 층막 을 형성 하 고 , 레지스 트 상 층막 재료 ( ArF 용 SL 레지스 트 ) 를 도포 하 고 , 105 ℃ 에서 60 초간 베 이크 하 여 막 두께 100 nm 의 레지스 트 상 층막 을 형성 하 였 다 . 레지스 트 상층 막 에 액침 보호막 재료 ( TC - 1 ) 를 도포 하 고 90 ℃ 에서 60 초간 베 이크 하 여 막 두께 50 nm 의 보호막 을 형성 하 였 다 .