또한 , 도 18 a 내지 도 18 c 는 도 19 b 에 도시 된 구조 를 갖 는 트랜지스터 이 며 오프 셋 길 이 Loff 를 15 nm 로 한 트랜지스터 의 드레 인 전류 Id ( 실선 ) 및 이동도 μ ( 점선 ) 의 게이트 전압 의존 성 을 나타낸다 . 드레 인 전류 Id 는 드레 인 전압 을 + 1 V 로 하 여 계산 한 것 이 고 , 이동도 μ 는 드레 인 전압 을 + 0 . 1 V 로 하 여 계산 한 것 이 다 . 도 18 a 는 게이트 절연 층 의 두께 를 15 nm 로 한 것 이 고 , 도 18 b 는 게이트 절연 층 의 두께 를 10 nm 로 한 것 이 고 , 도 18 c 는 게이트 절연 층 의 두께 를 5 nm 로 한 것 이 다 .