먼저 , 도 4 a 에 도시 된 바 와 같이 , 제 2 범프 ( 108 ) 및 탄성 층 ( 109 ) 상 에 전도성 금속 으로 전도성 박막 ( 111 ) 을 형성 한다 . 이때 사용 되 는 전도성 금속 으로 는 티탄 또는 구리 가 바람직 하 게 사용 된다 . 본 발명 에서 전도성 박막 ( 111 ) 은 화학 기상 증착 방법 ( CVD ) 이나 , 스퍼터링 방법 으로 티탄 또는 구리 와 같 은 금속 을 도포 하 여 형성 될 수 있 으나 , 그 형성 방법 은 특별히 제한 되 지 는 않 는다 . 그러나 본 실시 예 에서 는 스퍼터링 방법 으로 티탄 과 구리 를 순차 적 으로 도포 하 였 다 .