비정질 ( amorphous ) 실리콘 , 비정질 - 폴리 실리콘 ( amorphous - polysilicon ) , 및 미정질 ( microcrystalline ) 실리콘 과 같 은 비결정질 ( non - crystalline ) 실리콘 을 스위칭 재료 및 금속 전극 들 로서 이용 하 는 저항 스위칭 메모리 디바이스 는 고속 스위칭 을 위한 고밀도 메모리 디바이스 들 의 새로운 등급 에 있 어서 가능 성 들 을 보여 주 었 다 . 단지 예시 로서 , 비정질 실리콘 은 비결정질 실리콘 을 설명 하 기 위해 이용 된다 . 디바이스 의 온 / 오프 거동 ( on / off behavior ) 은 비정질 실리콘 재료 내 의 결함 부위 ( defect site ) 들 에 형성 된 금속 입자 들 에 의존 한다 . 재료 들 의 불 일치 로 인해 , 비정질 실리콘 재료 및 금속 전극 으로부터 형성 된 계면 영역 ( interface region ) 에서 의 결함 레벨 은 높 다 . 금속 입자 들 이 비정질 실리콘 재료 의 결합 부위 들 에서 형성 되 므로 , 이 디바이스 들 은 일반 적 으로 높 은 온 상태 전류 를 가진다 . 반복 된 사이클링 ( cycling ) 후 에 , 높 은 온 상태 전류 는 전극 들 의 단락 ( shorting ) 에 이르 고 , 디바이스 신뢰 성 및 내 구성 은 일반 적 으로 , 수천 온 / 오프 사이클 들 미만 으로 타협 된다 . 본 발명 에 따른 실시 예 들 은 온 상태 를 전류 를 최적 화 하 고 현재 및 차세대 메모리 디바이스 들 에서 이용 되 기 에 매우 적합 한 106 을 초과 하 는 온 / 오프 사이클 들 까지 내구 성 을 개선 시키 기 위한 방법 및 구조 를 제공 한다 .