따라서 , 반도체 디바이스 들 과 같 은 디바이스 들 을 제조 하 는 것 은 통상 적 으로 디바이스 들 의 다양 한 피처 들 및 다수 층 들 을 형성 하 기 위해 다수 의 제작 공정 들 을 이용 하 여 기판 ( 예 를 들 어 , 반도체 웨이퍼 ) 을 처리 하 는 것 을 수반 한다 . 이러 한 층 들 및 피처 들 은 통상 적 으로 , 예 를 들 어 증착 , 리소그래피 , 에칭 , 화학 - 기계 적 연마 , 및 이온 주입 을 이용 하 여 제조 되 고 처리 된다 . 다수 디바이스 들 은 기판 의 복수 의 다이 들 상 에 제작 된 후 , 개별 적 인 디바이스 들 로 분리 될 수 있 다 . 이 디바이스 제조 공정 은 패 터닝 공정 으로 간주 될 수 있 다 . 패 터닝 공정 은 패 터닝 디바이스 의 패턴 을 기판 으로 전사 하 기 위해 리소그래피 장치 내 의 패 터닝 디바이스 를 이용 하 는 광학 및 / 또는 나노 임프 린트 ( nanoimprint ) 리소그래피 와 같 은 패 터닝 단계 를 수반 하 며 , 통상 적 이 지만 선택 적 으로 현상 장치 에 의한 레지스 트 현상 , 베 이크 툴 을 이용 한 기판 의 베 이킹 , 에칭 장치 를 이용 한 패턴 의 에칭 등 과 같 은 1 이상 의 관련 패턴 처리 단계 를 수반 한다 .