다른 실시 예 에서 , 프로그래밍 동작 을 수행 하 는 방법 은 메모리 어레이 에서 프로그래밍 전압 을 선택 된 ( 홀수 또는 짝수 ) 비트 라인 에 인가 하 는 것 을 포함 한다 . 프로그래밍 전압 이 선택 된 비트 라인 에 인가 되 는 동안 각각 의 선택 되 지 않 은 비트 라인 은 쓰 기 동작 동안 전압 이 부족 하 여 , 선택 되 지 않 은 비트 라인 및 선택 된 비트 라인 사이 의 기생 커플링 을 방지 하 기 위한 전위 를 각각 의 선택 되 지 않 은 비 티 라인 에 높이 게 된다 .