발광 소자 5 와 동일 기판 을 사용 하 고 , 전자 의 이동 을 제어 하 는 제어 층 ( 2114 ) 에 있 어서 의 C 545 T 의 농도 를 변화 시켰 다 . 즉 , Ａｌｑ 와 C 545 T 와 의 중량 비 가 , 1 : 0 . 1 ( = Ａｌｑ : C 545 T ) 이 되 도록 조절 하 여 , 발광 소자 7 을 제조 했 다 . 제 어 층 ( 2114 ) 이외 에 는 발광 소자 5 와 마찬가지 로 제조 했 다 .