여기 서 상기 표면 처리 단계 ( S 20 ) 이전 에 는 도 2 에 도시 된 바 와 같이 , p 형 또는 n 형 중 어느 하나 의 제 1 반도체 특성 ( 본 실시 예 에서 는 p 형 ) 을 가지 는 실리콘 잉곳 ( ingot ) 으로부터 와이어 소 ( wire saw ) 와 같 은 장치 로 슬라이 싱하 여 실리콘 기판 ( 1 ) 을 가공 하 는 기판 가공 단계 ( S 10 ) 를 거쳐 기판 ( 1 ) 이 준비 될 수 있 다 .