상기 제 2 막 층 ( 420 b ) 은 투명 전도성 산화 막 ( Transparent Conductive Oxide , TCO ) 으로서 , 제 2 반도체 층 의 전류 확산 을 보다 안정 적 으로 하 기 위한 것 이 다 . 상기 제 2 막 층 ( 420 b ) 은 ITO ( In , Sn , O ) , ZnO , InCe 산화물 , InGa 산화물 등 을 대략 100 ~ 400 ㎚ 의 두께 로 형성 한다 . 이때 , 상기 제 2 막 층 ( 420 b ) 은 약 80 ~ 100 % 의 광 투과도 를 가지 되 약 15 Ω / Square 이하 의 면 저항 을 가진다 . 또한 , 제 2 막 층 ( 420 b ) 은 제 1 막 층 ( 420 a ) 과 오 믹 을 형성 하 여 발광 영역 전체 에 전류 확산 이 고르 게 될 수 있 도록 한다 .