기억 부 ( 42 ) 는 , 예 를 들 어 스핀 주입 에 의해 후술 하 는 기억 층 ( 기억 층 ( 42 D ) , 도 4 참조 ) 의 자화 의 방향 을 반전 시켜 정보 의 기억 을 행하 는 , 스핀 주입 자화 반전형 기억 소자 ( STT - MTJ ; Spin Transfer Torque - Magnetic Tunnel Junctions ) 인 것 이 바람직 하 다 . STT - MTJ 는 고속 기입 판독 이 가능 한 점 에서 , 휘발 성 메모리 로 치환 되 는 불휘발성 메모리 로서 유망 시 되 고 있 다 .