여기 서 , 상기 각 트랜지스터 의 액티브 영역 ( 10 ) 에 는 각 게이트 전극 ( 30 , 40 , 50 ) 하측 부 를 제외 한 부분 에 불순물 이온 이 주입 되 어 각 트랜지스터 의 소오 스 / 드레 인 영역 이 형성 된다 . 따라서 , 상기 리셋 트랜지스터 ( Rx ) 와 상기 드라이브 트랜지스터 ( Dx ) 사이 의 소오 스 / 드레 인 영역 에 는 전원 전압 ( Vdd ) 이 인가 되 고 , 상기 셀렉 트 트랜지스터 ( Sx ) 일 측 의 소오 스 / 드레 인 영역 은 판독 회로 ( 도면 에 는 도시 되 지 않 음 ) 에 접속 된다 .