고 종횡비 절 연막 의 생성 기구 는 TEOS ( tetra ethyl ortho silicate ) 분해 에 의한 실리콘 SiO 2 막 형성 이 대표 적 이 다 . 보통 TEOS 는 600 ℃ 이상 에서 완전 분해 가 필요 하 지만 고온 공정 으로 인해 공정 관련 생산 속도 가 떨어진다 . 따라서 강력 한 산화제 인 오존 을 사용 하 여 TEOS 와 오존 의 반응 에 의해 갭 채움 이 가능 한 순수 한 실리콘 SiO 2 막 이 사용 된다 .