한편 , 공정 기술 이 발달 함 에 따라 반도체 장치 의 집적도 가 점점 증가 하 므로 메모리 셀 간 의 간격 이 줄어들 고 , 메모리 셀 들 각각 에 연결 되 어 있 는 워드 라인 ( word line ) 사이 의 간격 이 줄어들 고 있 다 . 워드 라인 간 의 간격 이 좁 아 지 면 인접 한 워드 라인 사이 에 간섭 효과 가 발생 하 게 되 어 해당 워드 라인 에 연결 되 어 있 는 메모리 셀 에 저장 된 데이터 가 유지 되 기 어려운 상태 가 될 수 있 다 . 즉 , 데이터 가 유실 될 수 있 는 확률 이 증가 한다 .