이상 에서 설명 한 바 와 같이 , 본 발명 에 의한 반도체 소자 의 마스크 및 그 패턴 형성 방법 은 , 반도체 소자 의 마스크 형성 시 게이트 셀 부분 을 선택 적 으로 정확히 확보 하 고 광 근접 효과 를 보상 함 으로써 정확 한 선폭 으로 제조 할 수 있 게 되 어 전기 적 특성 이 우수 하 고 , 트랜지스터 간 의 발란스 확보 로 반도체 칩 속도 향상 의 효과 를 가진다 .