본 발명 은 하단 부가 벌브 형상 인 홈 을 갖 는 실리콘 기판 에 대해 선택 적 에피 택 셜 성장 ( Selective Epitaxial Growth : SEG ) 공정 을 수행 하 여 벌브 ( bulb ) 형상 의 홈 하단 부 상 에 실리콘 에 피층 을 형성 함 으로써 , 벌브 형상 의 홈 형성 을 위한 식각 공정 시 생성 된 혼 ( horn ) 을 없앨 수 있 다 .