상기 목적 을 달성 하 기 위한 본 발명 의 리소그래피 방법 은 기판 상면 에 레지스 트 를 도포 하 는 단계 ; 양각 패턴 이 표면 에 형성 된 스탬프 를 상기 레지스 트 에 임 프린팅 ( imprinting ) 하 는 단계 ; 자외선 을 조사 하 여 상기 레지스 트 를 경화 시키 는 단계 ; 상기 스탬프 를 상기 레지 스트로 부터 분리 하 는 단계 ; 상기 레지스 트 를 현상 ( Develop ) 하 여 레지스 트 패턴 을 형성 하 는 단계 ; 및 상기 레지스 트 패턴 을 식각 마스크 로 하 여 상기 기판 을 식각 하 는 단계 를 포함 하 는 것 을 특징 으로 하 고 , 상기 레지스 트 는 네 가티 브 톤 의 포토레지스트 ( Negative tone photoresist ) 를 사용 하 는 것 을 특징 으로 한다 .