첫째 , 플로팅 게이트 용 도전 막 을 벌브 ( bulb ) 형태 의 프로 파일 을 갖 도록 함 으로써 게이트 사이 의 거리 를 늘릴 수 있 을 뿐 만 아니 라 게이트 사이 를 절연 시키 기 위한 절 연막 형성 공정 시 도전 막 사이 에 저 유전 물질 보다 낮 은 유전율 을 갖 는 에어 갭 ( air gap ) 을 형성 할 수 있 어 축소 화 되 어 가 는 소자 에서 문제 시 되 는 간섭 ( interference ) 현상 을 개선 할 수 있 다 .