각 메모리 셀 트랜지스터 ( MT ) 는 반도체 기판 상 에 형성 된 적층 형 게이트 구조 를 갖 는 MOSFET ( Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ) 으로 구성 된다 . 적층 형 게이트 구조 는 게이트 절 연막 을 통하 여 반도체 기판 상 에 형성 된 전하 축적 층 ( 부동 게이트 전극 ) 및 내부 - 게이트 절 연막 을 통하 여 전하 축적 층 상 에 형성 된 제어 게이트 전극 을 포함 한다 . 메모리 셀 트랜지스터 ( MT ) 는 부동 게이트 전극 에 주입 되 는 전극 의 수 에 따라 임계 전압 이 변화 되 고 임계 전압 의 차 에 따라 데이터 를 기억 시킨다 .