이후 , 상기 제 3 개구 에 의해 노출 된 기판 ( 100 ) 상면 , 상기 제 3 개구 의 측벽 , 및 제 5 층간 절 연막 ( 340 ) 상면 에 제 2 스 페이서 막 ( 도시 되 지 않 음 ) 을 형성 한 후 , 상기 제 2 스 페이서 막 을 이방성 식각 함 으로써 , 상기 제 3 개구 의 측벽 상 에 제 2 스 페이서 ( 도시 하 지 않 음 ) 를 형성 할 수 있 다 . 이 에 따라 기판 ( 100 ) 상부 에 형성 된 상기 제 2 불순물 영역 의 일부 가 노출 될 수 있 다 . 상기 제 2 스 페이서 막 은 예 를 들 어 , 실리콘 산화물 과 같 은 산화물 을 포함 하 도록 형성 할 수 있 다 .