또한 , 상기 소오 스 / 드레 인 영역 ( 160 ) 은 상기 실리콘 에 피층 ( 130 ) 을 포함 하 여 실리콘 층 ( 120 ) 내 에 상승 된 ( Elevated ) 구조 로 형성 되 는데 , 상기 상승 된 구조 를 갖 는 소오 스 / 드레 인 영역 ( 160 ) 은 상기 산화 막 ( 110 ) 과 접하 지 않 는 깊이 로 형성 됨 이 바람직 하 다 .