이 상태 에서 NO 가스 를 플 라즈 마 여기 하 여 얻 어 진 NO 활성 종 ( NO *) 을 포함 하 는 가스 를 공급 하 면 , 도 10 ( c ) 에 나타내 는 바 와 같이 , 실리콘 웨이퍼 표면 상 에 형성 된 SiN 층 의 산화 가 이루어진다 . 이 SiN 층 을 산화 하 기 위해서 는 , HCD 를 산화 하 는 것 보다 높 은 에너지 가 필요 하 게 되 는데 , 그것 에 의해 그 에너지 의 Si － O 결합 이나 Si － Si 결합 을 끊 는 분량 에 대한 기여 는 적어지 고 , 그 에너지 는 주로 SiN 층 속 의 질소 ( N ) 를 산소 ( O ) 로 치환 하 는 반응 에 사용 된다 . 그 때문 에 , 한 번 얻 어 진 웨이퍼 면내 에 있 어서 의 층 두께 균일성 을 유지 한 채 로 SiN 층 을 SiO 2 층 으로 개질 할 수 있 다 . 그리고 , 그 결과 로서 실리콘 웨이퍼 상 에 형성 되 는 SiO 2 막 의 웨이퍼 면내 에 있 어서 의 막 두께 균일성 이 양호 한 것 으로 된다 ( 도 6 참조 ) . 또한 , Si － N 결합 의 결합 에너지 ( 약 3 . 7 eV ) 는 , Si － Si 결합 의 결합 에너지 ( 약 2 . 0 eV ) 보다 높 기 때문 에 , SiN 층 은 그 하지인 실리콘 웨이퍼 의 산화 방지 효과 를 나타내 게 된다 . 또한 , 웨이퍼 면내 에 있 어서 의 NO 가스 ( NO *) 류 의 상류 에서 산화 에 기여 할 수 없 었 던 NO * 는 그 하류 로 흘러 하 류 부 의 SiN 층 의 산화 에 기여 하 여 균일화 가 더욱 진행 된다 .