도 2 및 도 3 을 참조 하 면 , 본 발명 의 실시 예 에 따른 박막 트랜지스터 기판 ( 100 ) 은 절연 기판 ( 110 ) , 게이트 라인 ( 120 a , 120 b ) , 스토리지 라인 ( 125 ) , 대향 전극 ( 126 ) , 데이터 라인 ( 160 ) , 제 1 및 제 2 박막 트랜지스터 ( Tn 1 , Tn 2 ) , 제 1 및 제 2 부 화소 전극 ( 191 , 192 ) , 제 3 박막 트랜지스터 ( Tn 3 ) 및 제 1 보조 전극 ( 193 ) 을 포함 한다 .