이어서 , 초기 게이트 패턴 ( 200 ) 및 게이트 스 페이서 ( 26 ) 가 형성 된 반도체 기판 ( 20 ) 상 에 제 1 층간 절 연막 ( 27 ) 을 형성 한 후 , CMP 등 의 공정 으로 제 1 층간 절 연막 ( 27 ) 표면 을 평탄 화 시킨다 . 본 명세서 에서 는 일례 로서 , 제 1 게이트 하드 마스크 ( 25 ) 가 드러날 때 까지 CMP 공정 을 수행 하 여 제 1 층간 절 연막 ( 27 ) 표면 과 제 1 게이트 하드 마스크 ( 25 ) 표면 을 평탄 화 시킨다 .