상술 한 본 발명 의 과제 를 달성 하 기 위한 예시 적 인 실시 예 들 에 따른 수직 형 메모리 장치 는 기판 의 상면 에 수직 한 제 1 방향 을 따라 상기 기판 상 에서 서로 이격 된 게이트 전극 들 , 상기 기판 상 에서 상기 제 1 방향 으로 연장 되 어 상기 게이트 전극 들 을 관통 하 는 채널 , 상기 게이트 전극 들 중 적어도 최상층 에 형성 된 제 1 게이트 전극 을 상기 제 1 방향 으로 관통 하 여 상기 기판 상면 에 평행 한 제 2 방향 으로 이 를 분리 시키 는 절연성 분리 패턴 , 및 상기 각 게이트 전극 들 의 상하 면 , 및 상기 채널 에 대향 하 는 상기 각 게이트 전극 들 의 측벽 은 커버 하 되 , 상기 절연성 분리 패턴 에 대향 하 는 상기 제 1 게이트 전극 의 측벽 은 커버 하 지 않 는 블로킹 패턴 을 포함 할 수 있 다 . 상기 절연성 분리 패턴 은 상기 제 1 게이트 전극 에 직접 접촉 할 수 있 다 .