전술 된 바 와 같이 , 적어도 하나 의 규소 전구체 의 순도 수준 은 신뢰 성 있 는 반도체 제작 을 위해 허용 가능 할 정도 로 충분히 높 다 . 특정 구체 예 에서 , 본원 에 기술 된 적어도 하나 의 규소 전구체 는 2 중량 % 미만 , 또는 1 중량 % 미만 , 또는 0 . 5 중량 % 미만 의 하 기 불순물 들 중 하나 이상 을 포함 한다 : 자유 아민 , 자유 할 라이드 , 또는 할로겐 이온 , 및 보다 높 은 분자량 의 종 . 본원 에 기술 된 규소 전구체 의 보다 높 은 순도 수준 은 하 기 공정 들 중 하나 이상 을 통해 얻 어 질 수 있 다 : 정제 , 흡착 , 및 / 또는 증류 .