상기 한 고밀 도 플 라즈 마 처리 에 의한 반도체 막 의 산화 또는 질화 는 고상 반 응 으로 진행 하 기 때문 에 , 게이트 절 연막 과 반도체 막 의 계면 준위 밀도 를 매우 낮 게 할 수 있 다 . 또한 , 고밀도 플라 즈 마 처리 에 의해 반도체 막 을 직접 산화 또는 질화 함 으로써 , 형성 되 는 절 연막 의 두께 의 편차 를 억제 할 수 있 다 . 또한 , 반도체 막 이 결정 성 을 가지 는 경우 , 고밀도 플라 즈 마 처리 를 사용 하 여 반도체 막 의 표면 을 고상 반응 으로 산화 시킴 으로써 , 결정립계 에서 만 산화 가 빠르 게 진행 하 는 것 을 억제 하 여 , 균일성 이 좋 고 , 계면 준위 밀도 가 낮 은 게이트 절 연막 을 형성 할 수 있 다 . 고밀 도 플 라즈 마 처리 에 의해 형성 된 절 연막 을 게이트 절 연막 의 일부 또는 전부 에 포함 시켜 형성 되 는 트랜지스터 는 특성 의 편차 를 억제 할 수 있 다 .