핀 층 ( PIN ) 상 에 배치 된 상부 전극 ( 745 ) 의 단부 는 핀 층 ( PIN ) 의 단부 와 일치 되 지 않 도록 핀 층 ( PIN ) 보다 작 은 면적 으로 핀 층 ( PIN ) 의 내 측면 에 형성 될 수 있 다 . 즉 상부 전극 ( 745 ) 은 핀 층 ( PIN ) 의 가장자리 부 가 노출 되 는 인 셋 ( Inset ) 구조 를 갖 도록 배치 될 수 있 다 . 이렇게 핀 층 ( PIN ) 상부 의 상부 전극 ( 745 ) 을 인 셋 구조 로 배치 함 으로써 광전 소자 ( PD ) 의 누설 전류 ( Leakage Current ) 를 감소 시킬 수 있 게 된다 .