그런 다음 , 감광막 ( 132 c ) 패턴 을 콘 택 마스크 로 이용 해 , 셀 영역 ( C ) 의 절연 산화 막 ( 130 ) 과 , 주변 회로 부 의 영역 ( N , P ) 의 절연 산화 막 ( 130 , 138 ) 을 동시 에 식각 하 여 , 셀 영역 ( C ) 과 주변 회로 부 영역 ( N , P ) 에 비트 라인 콘 택 홀 ( 136 ) 을 형성 한다 .