공핍 형 트랜지스터 는 N 타입 으로 도핑 된 N - 타입 채널 영역 ( 27 ) 을 갖 으므로 , 음 의 문턱 전압 ( VTH < 0 ) 을 갖 고 , N - 타입 채널 영역 ( 27 ) 에 형성 된 채널 의 두께 는 증가 된다 . 따라서 , 앞서 종래 기술 의 도 1 에서 설명 한 게이트 옥사이드 ( 2 ) 과 피형 웰 층 ( 5 ) 의 접촉면 ( 6 ) 에 형성 될 수 있 는 계면 트랩 에 의해 흐르 는 전류 는 N - 타입 채널 영역 ( 27 ) 전체 를 통해 흐를 수 있 다 . 따라서 , 상대 적 으로 접촉면 에 흐르 는 전류 는 줄어들 게 된다 . 그 결과 , 공핍 형 트랜지스터 로 구성 된 픽셀 은 암 전류 를 줄일 수 있 으며 , 이 로 인해 노이즈 를 개선 할 수 있 다 .