여기 서 , 저항성 메모리 셀 레이어 ( 111 _ 1 ~ 111 _ 8 ) 의 저항성 메모리 셀 이 PRAM 인 경우 에 는 , 저항성 메모리 셀 ( MC ) 은 상변화 물질 을 구비 하 는 가변 저항 소자 ( B ) 와 , 가변 저항 소자 ( B ) 에 흐르 는 전류 를 제어 하 는 억세 스 소자 ( A ) 를 포함 할 수 있 다 . 여기 서 , 억 세스 소자 ( A ) 는 가변 저항 소자 ( B ) 와 직렬 로 연결 된 다이오드 또는 트랜지스터 일 수 있 다 .