코어 ( 110 ) 는 쉘 또는 캡슐 화 ( encapsulating ) 쉘 로 불릴 수 있 는 제 1 부착 층 ( 112 ) 내 에 캡슐 화 된다 . 일 실시 예 에서 , 제 1 부착 층 ( 112 ) 은 1 , 000 Å 정도 의 두께 의 테트라에틸 오소 실리케이트 ( tetraethyl orthosilicate : TEOS ) 산화물 층 을 포함 한다 . 다른 실시 예 에서 , 제 1 부착 층 ( 112 ) 의 두께 는 예 를 들 어 100 Å 내지 2 , 000 Å 으로 다양 하 다 . 몇몇 실시 예 에서 는 TEOS 산화물 이 부착 층 에 이용 되 지만 , 본 발명 의 다른 실시 예 에 의하 면 나중 에 디포짓 된 층 들 과 하부 층 들 또는 물질 들 ( 예 를 들 어 , 세라믹 , 특히 , 다 결정 성 세라믹 ) 간 의 부착 을 제공 하 는 다른 물질 들 이 이용 될 수 있 다 . 예 를 들 어 , SiO 2 또는 다른 실리콘 산화물 ( SixOy ) 은 세라믹 물질 에 잘 부착 되 고 , 예 를 들 어 , 전도성 물질 의 후속 디 포지션 을 위한 적절 한 표면 을 제공 할 수 있 다 . 제 1 부착 층 ( 112 ) 은 몇몇 실시 예 에서 코어 ( 110 ) 를 완전히 둘러 싸서 완전히 캡슐 화 된 코어 를 형성 하 고 , LPCVD 프로세스 또는 반도체 프로세싱 및 특히 다 결정 성 또는 복합 ( composite ) 기판 및 층 들 과 양립 할 수 있 는 다른 적절 한 디 포지션 프로세스 를 사용 하 여 형성 될 수 있 다 . 몇몇 실시 예 에서 는 , 제 1 부착 층 ( 112 ) 이 코어 ( 110 ) 의 한 면 에 형성 될 수 있 다 . 제 1 부착 층 ( 112 ) 은 가공 된 기판 구조 체의 구성 요소 들 을 형성 하 기 위해 이후 의 층 들 이 부착 되 는 표면 을 제공 한다 .