IC , LSI , LED 등 의 디바이스 는 , Si ( 실리콘 ) 나 Al 2 O 3 ( 사파이어 ) 등 을 소재 로 한 웨이퍼 의 표면 에 기능 층 이 적층 되 고 분할 예정 라인 에 의해 구획 되 어 형성 된다 . 또 , 파워 디바이스 , LED 등 은 단결정 SiC ( 탄화규소 ) 를 소재 로 한 웨이퍼 의 표면 에 기능 층 이 적층 되 고 분할 예정 라인 에 의해 구획 되 어 형성 된다 . 디바이스 가 형성 된 웨이퍼 는 , 절삭 장치 , 레이저 가공 장치 에 의해 분할 예정 라인 에 가공 이 실시 되 어 개개 의 디바이스 로 분할 되 고 , 분할 된 각 디바이스 는 휴대 전화 , PC 등 의 전기 기기 에 이용 된다 .