상기 진성 층 ( 60 ) 은 비정질 실리콘 ( intrinsic amorphous silicon ) 을 이용 하 여 형성 될 수 있 다 . 상기 진성 층 ( 60 ) 은 화학 기상 증착 ( CVD ) 특히 , PECVD 등 에 의해 형 성 될 수 있 다 . 예 를 들 어 진성 층 ( 60 ) 은 실란 가스 ( SiH 4 ) 등 을 이용 항 PECVD 에 의해 비정질 실리콘 으로 형성 될 수 있 다 . 상기 진성 층 ( 60 ) 은 약 1 , 000 ~ 20 , 000 Å 의 두께 로 형성 하 여 전하 가 보관 생성 되 는 공핍 영역 을 형성 한다 .