또 , 강제 점 등 처리 회로 ( 3 ) 에 있 어서 는 , 3 행 × 3 열 의 방전 셀 의 블록 마다 점 등 천 이 셀 을 검출 하 도록 하 고 있 으나 , 이 에 한정 되 지 않 는다 . 즉 , 3 행 × 3 열 의 블록 마다 점 등 천 이 셀 을 검출 하 는 이유 는 , 점 등 천 이 셀 의 주위 에 인접 하 는 8 개 의 방전 셀 을 강제 점 등 구동 의 대상 으로 하 기 때문 이 다 . 그렇지만 , 예 를 들 면 패널 구조 등 에 의해서 는 , 점 등 천 이 셀 의 경사 방향 에 각각 인접 하 는 4 개 의 방전 셀 에 관해서 는 , 예컨대 그 방전 셀 에서 방전 이 일어나 도 점 등 천 이 셀 내 에 하전 입자 를 공급 할 수 없 는 것 이 존재 한다 . 그래서 , 이 와 같 은 경우 에 는 , 3 × 3 의 블록 대신 , 점 등 천 이 셀 및 그 점 등 천 이 셀 의 상하 좌우 에 인접 하 는 합계 5 개 의 방전 셀 로 상기 와 같 은 블록 을 구성 한다 . 즉 , 점 등 천 이 셀 , 및 이 점 등 천 이 셀 에 대해 하전 입자 의 공급 을 행하 는 것 이 가능 한 인접 방전 셀 만 으로 블록 을 구성 하 는 것 이 다 . 또한 , 블록 단위 가 아니 고 1 셀로 검출 해도 된다 . 이때 , 강제 점 등 구동 대상 으로 되 는 방전 셀 에 대해서 는 , 예컨대 입력 영상 신호 에 의한 휘도 레벨 이 제 2 계조 이상 의 휘도 레벨 을 나타내 는 것 이 라도 , 강제 점 등 구동 ( 실시 예 에서 는 제 2 계조 또는 제 3 계조 등 의 저 휘도 레벨 에서 의 구동 ) 시킨다 .