도시 된 바 와 같이 , 활성 층 ( 240 ) 은 메사 형성 에 의해 N 형 반도체 층 ( 220 ) 의 일부 영역 위 에 한정 적 으로 형성 되 며 , 활성 층 ( 240 ) 위 로 는 P 형 반도체 층 ( 260 ) 이 형성 된다 . 따라서 , N 형 반도체 층 ( 220 ) 의 상면 일부 영역 은 활성 층 ( 240 ) 과 접합 되 어 있 으며 , 상면 의 나머지 일부 영역 은 외부 로 노출 된다 . 본 실시 예 에서 , N 형 반도체 층 ( 220 ) 일부 가 N 형 전극 패드 형성 을 위해 일부 가 제거 된 형태 로 이루어지 지만 , N 형 반도체 층 ( 220 ) 아래 의 기판 을 제거 한 수직 형 의 발광 다이오드 또한 본 발명 의 범위 내 에 있 다 .