도 4 a 는 본 기술 에 따라 도 3 b 의 라인 4 A - 4 A 를 따라 HTS ( 128 ) 의 실시 예의 단면도 이 다 . 도시 된 실시 예 에서 , HTS ( 128 ) 는 커패시터 ( 404 ) 를 형성 하 는 복수 의 전기 기능 볼륨 또는 층 ( 402 ) 을 포함 한다 . 구체 적 으로 , HTS ( 128 ) 는 실리콘 ( 402 ) 의 8 개 의 수직 적층 된 볼륨 을 포함 한다 . 복수 의 실시 예 에서 , 볼륨 ( 402 ) 은 하나 이상 의 도핑 된 또는 비 도핑 된 영역 을 포함 할 수 있 다 . 하나 의 실시 예 에서 , 도 4 a 에 도시 된 바 와 같이 , 볼륨 ( 402 ) 중 하나 이상 이 바로 인접 한 볼륨 ( 402 ) 과 직접 접촉 할 수 있 다 . 또 다른 실시 예 에서 , 에 어 갭 또는 중간 물질 ( 가령 , 유전체 물질 ) 이 하나 이상 의 인접 한 볼륨 ( 402 ) 사이 에 위치 할 수 있 다 . HTS ( 128 ) 는 제 1 전도성 물질 ( 408 a ) ( 가령 , 금속 ) 및 상기 제 1 전도성 물질 ( 408 a ) 의 일부분 을 볼륨 ( 402 ) 으로부터 전기 적 으로 절연 하 는 절연 및 유전 물질 ( 410 ) 을 갖 는 관통 실리콘 비아 ( TSV ) ( 406 ) 를 더 포함 한다 . HTS ( 128 ) 는 제 1 전도성 물질 ( 408 a ) 과 이격 된 제 2 전도성 물질 ( 408 b ) 을 더 포함 할 수 있 으며 , 이때 볼륨 ( 402 ) 중 적어도 일부분 이 제 1 및 제 2 전도성 물질 ( 408 a 와 408 b ) 사이 에 위치 한다 . 제 1 전도성 물질 ( 408 a ) 및 제 2 전도성 물질 ( 408 b ) 이 대응 하 는 본드 패드 ( 132 ) 에 전기 적 으로 연결 된다 . 제 1 전도성 물질 ( 408 a ) 은 최 상부 볼륨 ( 402 ) 의 일부분 을 통해 뻗 어 있 다 . 동작 할 때 , 볼륨 ( 402 ) ( 및 / 또는 임의 의 갭 또는 중간 물질 ) 이 최 상부 볼륨 ( 402 ) 내 제 1 전도성 물질 ( 408 a ) 과 최 하부 볼륨 ( 402 ) 내 제 2 전도성 물질 ( 408 b ) 사이 의 경로 를 따르 는 커패시턴스 를 제공 한다 .