이때 , 도 14 에 도시 된 바 와 같이 , 게이트 ( 910 ) 에 읽 기 전압 ( Vg ) 으로 1 . 6 V 를 인가 하 면 , 초기 상태 에서 는 1 uA 의 드레 인 전류 가 감지 될 수 있 다 . 반면 , 쓰 기 상태 진행 후 에 는 0 . 1 nA 의 전류 가 감지 될 수 있 다 . 또한 , 쓰 기 상태 진행 후 초기 상태 이상 의 드레 인 전류 가 감지 되 기 위해서 는 게이트 ( 910 ) 에 2 . 6 V 이상 의 전압 이 인가 되 어야 한다 . 즉 , 본 발명 에 따른 소노 스 메모리 소자 ( 1100 ) 의 쓰 기 동작 진행 후 에 는 일정 값 의 드레 인 전류 가 감지 되 기 위한 ( 즉 , 소스 와 드레 인 이 도통 되 기 위한 ) 문턱 전압 ( Vth ) 이 이동 될 수 있 다 . 상술 한 예 에 서 는 1 uA 의 드레 인 전류 가 감지 되 기 위한 게이트 전압 ( 즉 , 문턱 전압 ( Vth ) ) 이 1 . 6 V 에서 2 . 6 V 로 높 아 졌 음 을 알 수 있 다 .