제 k 화소 행 에서 , 게이트 절 연막 ( GI ) 상 에 는 제 k - 1 스캔 라인 ( Sk - 1 ) , 제 k 스캔 라인 ( Sk ) , 제 k 발광 제어 라인 ( Ek ) , 및 제 1 게이트 전극 ( GE 1 ) 내지 제 7 게이트 전극 ( GE 7 ) 이 제공 될 수 있 다 . 제 1 게이트 전극 ( GE 1 ) 은 스토리지 캐 패 시터 ( Cst ) 의 하부 전극 ( LE ) 이 될 수 있 다 . 제 2 게이트 전극 ( GE 2 ) 과 제 3 게이트 전극 ( GE 3 ) 은 제 k 스캔 라인 ( Sk ) 과 일체 로 형성 될 수 있 다 . 제 4 게이트 전극 ( GE 4 ) 및 제 7 게이트 전극 ( GE 7 ) 은 제 k - 1 스캔 라인 ( Sk - 1 ) 과 일체 로 형성 될 수 있 다 . 제 5 게이트 전극 ( GE 5 ) 과 제 6 게이트 전극 ( GE 6 ) 은 제 k 발광 제어 라인 ( Ek ) 과 일체 로 형성 될 수 있 다 .